(57)【要約】【課題】生産性の向上を図れる有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板を提供する。【解決手段】有機デバイスの製造方法は、一方向に延在する支持基板３上に、一方向において所定の間隔をあけて複数の第１電極層５を形成する第１電極層形成工程Ｓ０２と、第１電極層５の少なくとも一部上に有機機能層７を形成する有機機能層形成工程Ｓ０４と、第１電極層５の少なくとも一部上で且つ複数の第１電極層５に跨って、一方向に沿ってマスキングテープＭを貼付するマスキングテープ貼付工程Ｓ０３と、マスキングテープ貼付工程Ｓ０３の後に、少なくとも有機機能層７上に第２電極層９を形成する第２電極層形成工程Ｓ０６と、第２電極層形成工程Ｓ０６の後に、マスキングテープＭを剥離する剥離工程Ｓ０７と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に延在する支持基板上に、前記一方向において所定の間隔をあけて複数の第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、
前記第１電極層の少なくとも一部上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記第１電極層の少なくとも一部上で且つ複数の前記第１電極層に跨って、前記一方向に沿ってマスキングテープを貼付するマスキングテープ貼付工程と、
前記マスキングテープ貼付工程の後に、少なくとも前記有機機能層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
前記第２電極層形成工程の後に、前記マスキングテープを剥離する剥離工程と、を含む、有機デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記支持基板は可撓性を有しており、
前記第１電極層形成工程、前記有機機能層形成工程、前記マスキングテープ貼付工程、前記第２電極層形成工程及び前記剥離工程は、巻出しロールに巻き取られた前記支持基板から連続的に送り出された前記支持基板を、巻取りロールに巻き取る過程中に行われる、請求項１に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記有機機能層形成工程において前記有機機能層を形成した後に、前記マスキングテープ貼付工程を実施する、請求項１又は２に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記マスキングテープ貼付工程において前記マスキングテープを貼付した後に、前記有機機能層形成工程を実施する、請求項１又は２に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記マスキングテープ貼付工程において前記マスキングテープを貼付した後で且つ前記第２電極層形成工程の前に、前記マスキングテープ及び前記支持基板の脱ガス処理を行う脱ガス処理工程を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記有機機能層形成工程の後に、前記支持基板を巻き取る巻取工程を含む、請求項４に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記第２電極層形成工程の後に、前記支持基板を巻き取る工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項８】
支持基板上に、第１電極層と、有機機能層と、第２電極層とがこの順番で積層されて形成される有機デバイスの製造に用いられる有機デバイス用基板であって、
一方向に延在する可撓性の前記支持基板上に、前記一方向において所定の間隔をあけて配置された複数の前記第１電極層と、
前記第１電極層の一部上で且つ複数の前記第１電極層に跨って、前記一方向に沿って貼付されたマスキングテープと、を備える、有機デバイス用基板。
【請求項９】
前記マスキングテープは、前記第１電極層において、前記第１電極層と電気的に絶縁されるべき前記第２電極層が形成されない領域に貼付されている、請求項８に記載の有機デバイス用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の有機デバイスの製造方法として、例えば、特許文献１に記載された方法が知られている。特許文献１に記載の有機デバイスの製造方法は、搬送中のシート状基板に対して剥離可能な樹脂を選択的に塗布することによりマスクを形成するマスク形成工程と、マスクを含むシート状基板の全面に所望の薄膜を形成する薄膜形成工程と、マスクをシート状基板から選択的に剥離させることにより薄膜パターンを形成するマスク剥離工程と、を含む。この有機デバイスの製造方法では、マスク形成工程において、シート状基板上にアクリル樹脂等を選択的に塗布（印刷）することによりマスクを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３６７７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の有機デバイスの製造方法では、マスクを塗布（印刷）により形成するため、塗布した樹脂を硬化させる必要がある。そのため、従来の有機デバイスの製造方法では、マスクの形成に時間を要するため、生産性について改善の余地がある。
【０００５】
本発明は、生産性の向上を図れる有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法は、一方向に延在する支持基板上に、一方向において所定の間隔をあけて複数の第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、第１電極層の少なくとも一部上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、第１電極層の少なくとも一部上で且つ複数の第１電極層に跨って、一方向に沿ってマスキングテープを貼付するマスキングテープ貼付工程と、マスキングテープ貼付工程の後に、少なくとも有機機能層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、第２電極層形成工程の後に、マスキングテープを剥離する剥離工程と、を含む。
【０００７】
この有機デバイスの製造方法では、第１電極層の少なくとも一部上で且つ複数の第１電極層に跨って、一方向に沿ってマスキングテープを貼付する。そのため、マスキングテープを一方向に沿って貼付する作業のみにより、複数の第１電極層の一部を覆う（マスクする）ことができる。したがって、有機デバイスの製造方法では、マスクの形成に時間を要しない。その結果、有機デバイスの製造方法では、生産性の向上を図れる。
【０００８】
一実施形態においては、支持基板は可撓性を有しており、第１電極層形成工程、有機機能層形成工程、マスキングテープ貼付工程、第２電極層形成工程及び剥離工程は、巻出しロールに巻き取られた支持基板から連続的に送り出された支持基板を、巻取りロールに巻き取る過程中に行われてもよい。この場合、いわゆるロールツーロール方式で各工程が実施されることになる。したがって、各工程を効率良く行うことができ、生産性の向上が図れる。
【０００９】
一実施形態においては、有機機能層形成工程において有機機能層を形成した後に、マスキングテープ貼付工程を実施してもよい。これにより、第１電極層においてマスキングテープが貼付されるべき領域が明確になるため、マスキングテープを精度良く貼付できる。なお、有機機能層を形成するとは、有機機能層の全部、又は有機機能層の一部、或いは、有機機能層が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。
【００１０】
一実施形態においては、マスキングテープ貼付工程においてマスキングテープを貼付した後に、有機機能層形成工程を実施してもよい。これにより、例えば、有機機能層を印刷法等によって形成する場合において、塗布された材料がマスキングテープ上にまで広がったとしても、マスキングテープを剥離することにより、有機機能層のエッジが精度良く形成される。
【００１１】
一実施形態においては、マスキングテープ貼付工程においてマスキングテープを貼付した後で且つ第２電極層形成工程の前に、マスキングテープ及び支持基板の脱ガス処理を行う脱ガス処理工程を含んでいてもよい。第２電極層を真空蒸着法にて形成する場合、マスキングテープが形成された支持基板から処理室にガス（主に水分）が放出されると、処理室の真空度が低下する。低真空で第２電極層を形成すると、素子特性が低下する。そこで、マスキングテープ及び支持基板の脱ガス処理を行うことにより、処理室の真空度が低下することを抑制できる。したがって、素子特性の低下を抑制できる。
【００１２】
一実施形態においては、有機機能層を形成した後に支持基板を巻き取る工程を含んでいてもよい。これにより、例えば、マスキングテープの厚さを、マスキングテープの表面の位置が有機機能層の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板を巻き取ったときに、有機機能層と支持基板の裏面とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板との接触に起因する有機機能層のダメージを抑制できる。なお、有機機能層を形成するとは、有機機能層の全部、又は有機機能層の一部、或いは、有機機能層が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。
【００１３】
一実施形態においては、第２電極層形成工程の後に、支持基板を巻き取る工程を含んでいてもよい。これにより、例えば、マスキングテープの厚さを、マスキングテープの表面の位置が第２電極層の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板を巻き取ったときに、第２電極層と支持基板の裏面とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板との接触に起因する第２電極層のダメージを抑制できる。
【００１４】
本発明の一側面に係る有機デバイス用基板は、支持基板上に、第１電極層と、有機機能層と、第２電極層とがこの順番で積層されて形成される有機デバイスの製造に用いられる有機デバイス用基板であって、一方向に延在する可撓性の支持基板上に、一方向において所定の間隔をあけて配置された複数の第１電極層と、第１電極層の一部上で且つ複数の第１電極層に跨って、一方向に沿って貼付されたマスキングテープと、を備える。
【００１５】
この有機デバイス用基板では、マスキングテープが、第１電極層の一部上で且つ複数の第１電極層に跨って、一方向に沿って貼付されている。このように、マスキングテープを貼付する構成のため、樹脂の塗布及び硬化等によってマスクが形成された場合に比べて、第１電極層のマスクが簡易な構成となっている。そのため、有機デバイス用基板は、生産性の向上が図れている。
【００１６】
一実施形態においては、マスキングテープは、第１電極層において、第１電極層と電気的に絶縁されるべき第２電極層が形成されない領域に貼付されていてもよい。これにより、第２電極層を形成したときに、第１電極層と第２電極層との電気的な絶縁を確実に確保できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、生産性の向上を図れる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】一実施形態に係る有機デバイスの製造方法によって製造された有機ＥＬ素子の断面図である。
【図２】ロールツーロール方式による有機デバイスの製造方法を模式的に示す図である。
【図３】有機デバイスの製造方法を示す図である。
【図４】有機デバイスの製造方法を示す図である。
【図５】有機デバイスの製造方法を示す図である。
【図６】有機デバイスの製造方法を示す図である。
【図７】他の実施形態に係る有機デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図８】他の実施形態に係る有機デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図９】他の実施形態に係る有機デバイスの製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２０】
図１に示されるように、本実施形態の有機デバイスの製造方法によって製造される有機ＥＬ素子１は、支持基板３と、陽極層（第１電極層）５と、有機機能層７と、陰極層（第２電極層）９と、封止層１１と、を備えている。
【００２１】
［支持基板］
支持基板３は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板３は、フィルム状の基板（フレキシブル基板、可撓性を有する基板）である。支持基板３の厚さは、例えば、３０μｍ以上５００μｍ以下である。支持基板３が樹脂の場合は、ロールツーロールの連続時の基板ヨレ、シワ、伸びの観点からは４５μｍ以上、可撓性の観点からは１２５μｍ以下が好ましい。
【００２２】
支持基板３は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板３の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂を含む。
【００２３】
支持基板３の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、ポリエチレンナフタレートが特に好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２４】
支持基板３の一方の主面３ａ上には、水分バリア層（バリア層）が配置されていてもよい。支持基板３の他方の主面３ｂは、発光面である。なお、支持基板３は、薄膜ガラスであってもよい。支持基板３が薄膜ガラスの場合、その厚さは、強度の観点からは３０μｍ以上、可撓性の観点からは１００μｍ以下が好ましい。
【００２５】
［陽極層］
陽極層５は、支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。陽極層５には、光透過性を示す電極層が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、及び銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。
【００２６】
陽極層５として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。また、陽極層５として、金属又は金属合金等をメッシュ状にパターニングした電極、或いは、銀を含むナノワイヤーがネットワーク状に形成されている電極を用いてもよい。
【００２７】
陽極層５の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極層５の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００２８】
陽極層５の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法及び塗布法等を挙げることができる。
【００２９】
［有機機能層］
有機機能層７は、陽極層５及び支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。有機機能層７は、発光層を含んでいる。有機機能層７は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、或いは該有機物とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。なお、有機物は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。有機機能層７を構成する発光材料としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料、発光層用ドーパント材料を挙げることができる。
【００３０】
（色素材料）
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。
【００３１】
（金属錯体材料）
金属錯体材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。
【００３２】
（高分子材料）
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。
【００３３】
（発光層用ドーパント材料）
発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。
【００３４】
有機機能層７の厚さは、通常約２ｎｍ〜２００ｎｍである。有機機能層７は、例えば、上記のような発光材料を含む塗布液（例えばインク）を用いる塗布法により形成される。発光材料を含む塗布液の溶媒としては、発光材料を溶解するものであれば、限定されない。また、上記のような発光材料は、真空蒸着によって形成されてもよい。
【００３５】
［陰極層］
陰極層９は、有機機能層７及び支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。陰極層９は、引出電極９ａに電気的に接続されている。引出電極９ａは、支持基板３の一方の主面３ａに配置されている。引出電極９ａは、陽極層５と所定の間隔をあけて配置されている。引出電極９ａの厚さは、陽極層５の厚さと同等である。引出電極９ａの材料は、陽極層５の材料と同様である。なお、引出電極９ａにリード線又はコネクタを電気的に接続し、外部電源から電流を供給する。また、引出電極９ａが無くてもよく、その場合は、陰極層９が封止層１１の端部よりも外側の外部に伸延される。
【００３６】
陰極層９の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第１３族金属等を用いることができる。陰極層９の材料としては、具体的には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。
【００３７】
また、陰極層９としては、例えば、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いることができる。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、及びＩＺＯを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を挙げることができる。なお、陰極層９は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、電子注入層が陰極層９として用いられる場合もある。
【００３８】
陰極層９の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して設定される。陰極層９の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００３９】
陰極層９の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法及び塗布法等を挙げることができる。
【００４０】
［封止層］
封止層１１は、有機ＥＬ素子１において最上部に配置されている。封止層１１は、粘接着層（図示しない）により接合されている。封止層１１は、金属箔、透明なプラスチックフィルムの表面若しくは裏面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属積層させたフィルム等からなり、ガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。金属箔としては、バリア性の観点から、銅、アルミニウム、ステンレスが好ましい。金属箔の厚さとしては、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると１５μｍ〜５０μｍが好ましい。
【００４１】
［有機ＥＬ素子の製造方法］
続いて、上記構成を有する有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。
【００４２】
支持基板３が可撓性基板である形態では、図２に概念的に示されるように、ロールツーロール方式が採用され得る。ロールツーロール方式で有機ＥＬ素子１を製造する場合、巻出しロール３０Ａと巻取りロール３０Ｂとの間に張り渡された長尺の可撓性の支持基板３を連続的に搬送ローラ３１で搬送しながら、各層を支持基板３側から順に形成する。
【００４３】
有機ＥＬ素子１を製造する場合、最初に、支持基板３を加熱し、乾燥させる（基板乾燥工程Ｓ０１）。次に、乾燥された支持基板３（一方の主面３ａ）上に、陽極層５及び引出電極９ａを形成する（陽極層形成工程（第１電極層形成工程）Ｓ０２）。陽極層５（引出電極９ａ）は、陽極層５の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。図３に示されるように、陽極層５と引出電極９ａとは、支持基板３の幅方向（Ｘ方向）において、所定の間隔をあけて形成する。支持基板３上には、陽極層５と引出電極９ａとの組（パターン）が、支持基板３の長手方向（Ｙ方向）において所定の間隔をあけて複数形成されると共に、支持基板３の幅方向において所定の間隔をあけて複数（本実施形態では２つ）形成される。
【００４４】
続いて、図３に示されるように、マスキングテープＭを貼り付ける（マスキングテープ貼付工程Ｓ０３）。マスキングテープＭは、所定の幅を有し、一方向に延在する。マスキングテープＭの幅及び厚さは、適宜選択されればよい。マスキングテープＭの厚さは、例えば、有機機能層７全体の厚さよりも大きいものが選択される。マスキングテープＭは、粘接着性を有すると共に、剥離可能とされている。マスキングテープＭの粘接着力は、マスキングテープＭを剥離したときに、陽極層５が支持基板３から剥離しない程度に設定されている。マスキングテープＭを構成する基材の材料としては、陰極層形成工程Ｓ０６（後述）の際の温度により剥離又はシワ等が発生しないように、支持基板３の線膨張係数に対して±１０ｐｐｍ／℃を有する材料を選択することができる。ここで、線膨張係数は、例えば、ＪＩＳ  Ｋ７１９７で規定されている方法により測定することができる。具体的には、マスキングテープＭの基材の材料としては、例えば、ＰＥＮ、ＰＥＴ等が挙げられる。
【００４５】
マスキングテープＭは、陽極層５の一部を覆うように（陽極層５の一部上に）貼り付けられる。具体的には、マスキングテープＭは、陽極層５の一端部（引出電極９ａに対向する他端部と反対側の端部）を覆うように貼り付けられる。マスキングテープＭは、複数の陽極層５に跨って、支持基板３の長手方向に沿って貼り付けられる。また、マスキングテープＭは、引出電極９ａの一部を覆うように貼り付けられる。具体的には、マスキングテープＭは、引出電極９ａの一端部（陽極層５に対向する他端部と反対側の端部）を覆うように貼り付けられる。マスキングテープＭは、複数の引出電極９ａに跨って、支持基板３の長手方向に沿って貼り付けられる。これにより、有機デバイス用基板が作製される。
【００４６】
続いて、図４に示されるように、陽極層５上に有機機能層７を形成する（有機機能層形成工程Ｓ０４）。有機機能層７は、例えばインクジェットプリント法、スプレーコート法、真空蒸着法により、陽極層５上において、マスキングテープＭが貼付された領域を除く部分に形成される。具体的には、有機機能層７は、マスキングテープＭとの間に隙間が形成されないように形成される。また、有機機能層７は、陽極層５と引出電極９ａとの間の一部にも形成される。有機機能層７の厚さは、例えば、マスキングテープＭの厚さよりも薄い。有機機能層７は、有機機能層７の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。なお、有機機能層７は、マスキングテープＭ上、又は、マスキングテープＭの一部上に形成されてもよい。
【００４７】
続いて、マスキングテープＭが形成された支持基板３の脱ガス（水）処理を行う（脱ガス処理工程Ｓ０５）。脱（水）ガス処理としては、真空中、不活性雰囲気中、又は、ドライエア中において、ＩＲヒーター、ＩＲランプ、セラミックヒーター等の熱源を用いて、輻射、伝熱、対流等で、マスキングテープＭが形成された支持基板３を加熱する方法が用いられる。また、不活性雰囲気中、又は、ドライエア中においては、それらの気体を用いた熱風をマスキングテープＭが形成された支持基板３に接触させることもできる。
【００４８】
続いて、図５に示されるように、有機機能層７上に陰極層９を形成する（陰極層形成工程（第２電極層形成工程）Ｓ０６）。陰極層９は、有機機能層７を覆うように形成される。具体的には、陰極層９は、支持基板３の全面、又は、その一部に、例えば、真空蒸着法によって形成される。これにより、陰極層９は、引出電極９ａの他端部（マスキングテープＭが貼付されていない領域）を覆うと共に、マスキングテープＭを覆うように形成される。陰極層９は、陰極層９の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。
【００４９】
続いて、図６に示されるように、マスキングテープＭを剥離する（マスキングテープ剥離工程Ｓ０７）。剥離されたマスキングテープＭは、例えば、ロールに巻き取られる。マスキングテープＭを剥離する際には、陰極層９を支持基板３に対して下方に位置させ、マスキングテープＭを剥離することが好ましい。これにより、マスキングテープＭを剥離したときに発生するダストを下方に落下させることができる。マスキングテープＭが剥離されることにより、陽極層５の一部（一端部）及び引出電極９ａの一部（一端部）が露出する。そして、封止層１１を貼り合わせて、有機機能層７及び陰極層９を封止する（封止工程Ｓ０８）。以上により、有機ＥＬ素子１が形成される。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、陽極層５の少なくとも一部上で且つ複数の陽極層５に跨って、支持基板３の長手方向に沿ってマスキングテープＭを貼付する。そのため、マスキングテープＭを長手方向に沿って貼付する作業のみにより、複数の陽極層５の一部を覆うことができる。したがって、有機ＥＬ素子１の製造方法では、マスクの形成に時間を要しない。その結果、有機ＥＬ素子１の製造方法では、生産性の向上を図れる。
【００５１】
本実施形態では、支持基板３は可撓性を有している。陽極層形成工程Ｓ０２、マスキングテープ貼付工程Ｓ０３、有機機能層形成工程Ｓ０４、脱ガス処理工程Ｓ０５、陰極層形成工程Ｓ０６及びマスキングテープ剥離工程Ｓ０７は、巻出しロール３０Ａに巻き取られた支持基板３から連続的に送り出された支持基板３を、巻取りロール３０Ｂに巻き取る過程中に行われる。この場合、いわゆるロールツーロール方式で各工程が実施されることになる。したがって、各工程を効率良く行うことができ、生産性の向上が図れる。
【００５２】
本実施形態では、マスキングテープ貼付工程Ｓ０３の後に有機機能層形成工程Ｓ０４を実施する。これにより、例えば、有機機能層７を印刷法等によって形成する場合において、塗布された材料、或いは蒸着された材料がマスキングテープＭ上にまで広がったとしても、マスキングテープＭを剥離することにより、有機機能層７のエッジが精度良く形成される。また、有機機能層７の一部がマスキングテープＭ上に形成されるように形成することにより、有機機能層７とマスキングテープＭとの間に隙間が形成されることを抑制できる。これにより、陽極層５と陰極層９との電気的な絶縁を確実に確保できる。
【００５３】
本実施形態では、マスキングテープ貼付工程Ｓ０３においてマスキングテープＭを貼付した後で且つ陰極層形成工程Ｓ０６の前に、脱ガス処理工程Ｓ０５を行う。陰極層９を真空蒸着法にて形成する場合、マスキングテープＭが形成された支持基板３から真空チャンバー（処理室）にガス（主に水分）が放出されると、真空チャンバーの真空度が低下する。低真空で陰極層９を形成すると、素子特性が低下する。そのため、本実施形態では、陰極層９を形成する真空チャンバーにマスキングテープＭが形成された支持基板３を導入する前に、脱ガス（水）処理を行い、支持基板３とマスキングテープＭ中のガス（水分）を除去する。これにより、真空チャンバーが低真空となることを抑制できる。その結果、有機ＥＬ素子１の特性低下を抑制できる。
【００５４】
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、陽極層５と陰極層９との間に発光層を含む有機機能層７が配置された有機ＥＬ素子１を例示した。しかし、有機機能層７の構成はこれに限定されない。有機機能層７は、以下の構成を有していてもよい。
（ａ）（陽極層）／発光層／（陰極層）
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／（陰極層）
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極層）
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｇ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｈ）（陽極層）／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記（ａ）に示す構成は、上記実施形態における有機ＥＬ素子１の構成を示している。
【００５５】
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれの材料は、公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれは、例えば、有機機能層７と同様に塗布法により形成できる。
【００５６】
ここで、電子注入層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属、又は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、フッ化物を含有していてもよい。電子注入層の成膜法としては、塗布法、真空蒸着法等を挙げることができる。酸化物及びフッ化物の場合は、電子注入層の厚さは０．５ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。電子注入層は、特に絶縁性が強い場合は、有機ＥＬ素子１の駆動電圧上昇を抑制する観点からは、薄膜、例えば、０．５ｎｍ〜１０ｎｍの厚さであることが好ましく、また、電子注入性の観点からは、２ｎｍ〜７ｎｍの厚さであることが好ましい。また、電子注入層は、陰極層９を形成する工程において、陰極層９を形成する前に陰極層９と同様にマスキングテープＭ上に形成されてもよい。したがって、例えば、引出電極９ａと陰極層９の間に電子注入層が形成されていてもよい。
【００５７】
有機ＥＬ素子１は、単層の有機機能層７を有していてもよいし、２層以上の有機機能層７を有していてもよい。上記（ａ）〜（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極層５と陰極層９との間に配置された積層構造を「構造単位Ａ」とすると、２層の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、下記（ｊ）に示す層構成を挙げることができる。２個ある（構造単位Ａ）の層構成は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。
（ｊ）陽極層／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極層
【００５８】
ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。
【００５９】
また、「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、以下の（ｋ）に示す層構成を挙げることができる。
（ｋ）陽極層／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極層
【００６０】
記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「（構造単位Ｂ）ｘ」は、（構造単位Ｂ）がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。
【００６１】
電荷発生層を設けずに、複数の有機機能層７を直接的に積層させて有機ＥＬ素子を構成してもよい。
【００６２】
上記実施形態では、マスキングテープＭを貼付した後に、有機機能層７を形成する形態を一例に説明した。しかし、有機機能層７を形成した後に、マスキングテープＭを貼付し、その後に、陰極層９を形成してもよい。有機機能層７を形成するとは、有機機能層７の全部、又は有機機能層７の一部、或いは、有機機能層７が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。有機機能層７は、陽極層５上において、マスキングテープＭが貼付される領域以外の部分に形成されてもよい。この場合、マスキングテープＭは、有機機能層７との間に隙間が形成されないように貼付される。これにより、陽極層５においてマスキングテープＭが貼付されるべき領域が明確になるため、マスキングテープＭを精度良く貼付できる。また、陽極層５と陰極層９との電気的な絶縁を確実に確保できる。
【００６３】
また、図７に示されるように、有機機能層７にマスキングテープＭがオーバーラップするように、マスキングテープＭを貼付してもよい。この場合、確実に隙間がなくなるため、絶縁性がより確保できる。有機機能層７を形成した後にマスキングテープＭを貼付する場合、陽極層５において端子として機能するエリアには、有機機能層７を形成しない、又は、陽極層５上に有機機能層７を形成した後に有機機能層７の一部を除去する。陽極層５上に形成した有機機能層７の除去方法としては、例えば、溶媒を用いての剥ぎ取り、刃等を用いた物理的な剥ぎ取り、又は、レーザー等でのアブレーションを用いることができる。
【００６４】
また、陽極層５上に形成した有機機能層７の除去方法としては、マスキングテープＭを用いることができる。マスキングテープＭは、粘着部（粘着層）を有しているため、粘着部の粘着力により有機機能層７を陽極層５から剥離させることができる。そのため、陽極層５の全体を覆うように有機機能層７を形成し、有機機能層７上にマスキングテープＭを貼付してマスキングテープＭを剥離することにより、マスキングテープＭに密着している有機機能層７がマスキングテープＭと一緒に除去される。これにより、陽極層５において端子として機能するエリアが形成される。この方法では、工程の簡略化が図れる。
【００６５】
上記実施形態に加えて、図８に示されるように、絶縁層１５を形成してもよい。この場合、例えば、陽極層５を形成した後に絶縁層１５を形成し、陽極層５の一部及び絶縁層１５の一部を含んでマスキングテープＭを貼付した後に、有機機能層７及び陰極層９を形成してもよい。この場合、マスキングテープＭと有機機能層７との間に隙間が形成される場合であっても、陽極層５と陰極層９との電気的な絶縁を確保できる。
【００６６】
また、絶縁層１５は、隔壁の機能を有し、例えば、有機機能層７を塗布プロセスで形成する場合、塗布液が絶縁層１５に堰き止められ、有機機能層７の形成エリアを制御することができる。
【００６７】
また、図９に示されるように、絶縁層１５を形成した後に絶縁層１５上の一部を含んで有機機能層７を形成し、絶縁層１５及び有機機能層７の一部に跨ってマスキングテープＭが貼付されてもよい。また、マスキングテープＭは、絶縁層１５のみに貼付されてもよい。
【００６８】
上記実施形態では、基板乾燥工程Ｓ０１から封止工程Ｓ０８まで連続して実施する形態を一例に説明した。しかし、有機デバイスの製造方法では、有機機能層７を形成した後に支持基板３を巻き取ってもよい。この場合、例えば、マスキングテープＭの厚さを、マスキングテープＭの表面の位置が有機機能層７の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板３を巻き取ったときに、有機機能層７と支持基板３の裏面（他の主面３ｂ）とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板３との接触に起因する有機機能層７のダメージを抑制できる。なお、支持基板３の巻き取りは、任意のタイミング（各処理の途中）で行うことができる。
【００６９】
また、陰極層９を形成した後に支持基板３を巻き取ってもよい。この場合、例えば、マスキングテープＭの厚さを、マスキングテープＭの表面の位置が陰極層９の表面の位置よりも高くなるように設定することで、支持基板３を巻き取ったときに、陰極層９と支持基板３の裏面（他の主面３ｂ）とが接触することを抑制できる。そのため、支持基板３との接触に起因する陰極層９のダメージを抑制できる。なお、ここで言う有機機能層７を形成するとは、有機機能層７の全部、又は有機機能層７の一部、或いは、有機機能層７が複数層である場合には、少なくとも複数層のうちの一層が形成されることを意味する。
【００７０】
上記実施形態では、マスキングテープ貼付工程Ｓ０３において、引出電極９ａの一部を覆うようにマスキングテープＭを貼り付ける形態を一例に説明した。しかし、マスキングテープ貼付工程Ｓ０３では、マスキングテープＭを引出電極９ａに貼り付けなくてもよい。この場合、有機機能層７は、引出電極９ａの一部が露出するように形成されればよい。この構成では、引出電極９ａを覆うように陰極層９が形成される。
【００７１】
上記実施形態では、引出電極９ａを備える形態を一例に説明したが、引出電極９ａは備えられなくてもよい。この場合、陰極層９が引出電極として機能する。
【００７２】
上記実施形態では、基板乾燥工程Ｓ０１を実施する形態を一例に説明したが、基板乾燥工程Ｓ０１は実施されなくてもよい。また、上記実施形態では、陽極層形成工程Ｓ０２において、陽極層５と引出電極９ａとの組を、支持基板３の幅方向に所定の間隔をあけて複数形成する形態を一例に説明した。しかし、陽極層形成工程Ｓ０２では、陽極層５と引出電極９ａとの組は、支持基板３の幅方向において１組であってもよい。
【００７３】
上記実施形態では、ロールツーロール方式において脱ガス処理工程Ｓ０５を他の工程と連続的に実施する形態を一例に説明した。しかし、脱ガス処理工程は、独立して実施されてもよい。また、脱ガス処理工程Ｓ０５は、実施されなくてもよい。
【００７４】
上記実施形態では、有機デバイスとして、有機ＥＬ素子を一例に説明した。有機デバイスは、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池等であってもよい。
【符号の説明】
【００７５】
１…有機ＥＬ素子、３…支持基板、５…陽極層（第１電極層）、７…有機機能層、９…陰極層（第２電極層）、Ｓ０２…陽極層形成工程（第１電極層形成工程）、Ｓ０３…マスキングテープ貼付工程、Ｓ０４…有機機能層形成工程、Ｓ０５…脱ガス処理工程、Ｓ０６…陰極層形成工程（第２電極層形成工程）、Ｓ０７…マスキングテープ剥離工程。
【図１】
2017098105.tif 000003
【図２】
2017098105.tif 000004
【図３】
2017098105.tif 000005
【図４】
2017098105.tif 000006
【図５】
2017098105.tif 000007
【図６】
2017098105.tif 000008
【図７】
2017098105.tif 000009
【図８】
2017098105.tif 000010
【図９】
2017098105.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月15日(2016.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に延在する支持基板上に、前記一方向において所定の間隔をあけて複数の第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、
前記第１電極層の少なくとも一部上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記第１電極層の少なくとも一部上で且つ複数の前記第１電極層に跨って、前記一方向に沿ってマスキングテープを貼付するマスキングテープ貼付工程と、
前記マスキングテープ貼付工程の後に、少なくとも前記有機機能層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
前記第２電極層形成工程の後に、前記マスキングテープを剥離する剥離工程と、
前記マスキングテープ貼付工程において前記マスキングテープを貼付した後で且つ前記第２電極層形成工程の前に、前記マスキングテープ及び前記支持基板の脱ガス処理を行う脱ガス処理工程と、を含む、有機デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記支持基板は可撓性を有しており、
前記第１電極層形成工程、前記有機機能層形成工程、前記マスキングテープ貼付工程、前記第２電極層形成工程及び前記剥離工程は、巻出しロールに巻き取られた前記支持基板から連続的に送り出された前記支持基板を、巻取りロールに巻き取る過程中に行われる、請求項１に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記有機機能層形成工程において前記有機機能層を形成した後に、前記マスキングテープ貼付工程を実施する、請求項１又は２に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記マスキングテープ貼付工程において前記マスキングテープを貼付した後に、前記有機機能層形成工程を実施する、請求項１又は２に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記有機機能層形成工程の後に、前記支持基板を巻き取る巻取工程を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第２電極層形成工程の後に、前記支持基板を巻き取る巻取工程を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記第２電極層形成工程では、前記第２電極層を真空蒸着法により形成する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。