(57)【要約】【課題】複数個の半導体チップが設けられている未切断の樹脂膜形成用フィルムの、エキスパンドによる切断時に、樹脂膜形成用フィルムの粘着剤層からの目的外の剥離と、粘着剤層から樹脂膜形成用フィルムへの目的外の成分の移行と、を伴うことがない切断方法、及び前記切断方法を利用した半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】支持シート１上に分割済みの複数個の半導体チップ８が設けられ、複数個の半導体チップ８上に樹脂膜形成用フィルム１３が設けられてなる積層構造体１０１を形成し、積層構造体１０１の樹脂膜形成用フィルム１３を、樹脂膜形成用フィルム１３の表面方向に積層構造体１０１をエキスパンドして、樹脂膜形成用フィルム１３を切断する。樹脂膜形成用フィルム１３を切断した後、切断後の樹脂膜形成用フィルム１３’を備えた半導体チップ８を、支持シート１から引き離して、半導体装置を製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持シート上に分割済みの複数個の半導体チップが設けられ、前記複数個の半導体チップ上に樹脂膜形成用フィルムが設けられてなる積層構造体を形成する積層構造体形成工程と、
前記積層構造体の樹脂膜形成用フィルムを、前記樹脂膜形成用フィルムの表面方向に前記積層構造体をエキスパンドして、前記樹脂膜形成用フィルムを切断する切断工程と、を有する、樹脂膜形成用フィルムの切断方法。
【請求項２】
前記積層構造体形成工程の前に、さらに、
半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射して、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
前記改質層を形成した前記半導体ウエハにおいて、前記樹脂膜形成用フィルムを設けるための面を研削するともに、研削時の力を前記半導体ウエハに加えることにより、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを得る分割工程と、
を有し、前記分割工程で得られた複数個の半導体チップを、前記積層構造体形成工程で用いる、請求項１に記載の樹脂膜形成用フィルムの切断方法。
【請求項３】
前記支持シートが、基材上に粘着剤層が設けられたものであり、
前記粘着剤層に、前記複数個の半導体チップが直接接触して設けられている、請求項１又は２に記載の樹脂膜形成用フィルムの切断方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂膜形成用フィルムの切断方法により、前記樹脂膜形成用フィルムを切断した後、
切断後の前記樹脂膜形成用フィルムを備えた前記半導体チップを、前記支持シートから引き離す引き離し工程を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
支持シート上に分割済みの複数個の半導体チップが設けられ、前記複数個の半導体チップ上に樹脂膜形成用フィルムが設けられてなる、積層構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂膜形成用フィルムの切断方法、半導体装置の製造方法及び積層構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイシングシートは、半導体ウエハをダイシングによって半導体チップへと個片化するときに使用される。ダイシングシートは、例えば、基材上に粘着剤層を備えて構成され、前記粘着剤層により半導体ウエハに貼付されて使用される。ダイシング後、半導体チップは粘着剤層から引き離され、ピックアップされるが、粘着剤層として、紫外線等のエネルギー線の照射によって硬化するものを用いれば、粘着剤層を硬化させて、その粘着力を低下させることによって、半導体チップは硬化後の粘着剤層から容易にピックアップされる。
【０００３】
一方、ピックアップ後の半導体チップは、例えば、フィルム状接着剤によって基板の回路形成面にダイボンディングされ、必要に応じて、この半導体チップにさらに別の半導体チップが１個以上積層されて、ワイヤボンディングされた後、全体が樹脂により封止される。このようにして得られた半導体パッケージを用いて、最終的には、目的とする半導体装置が製造される。そこで、半導体チップを、そのダイボンディングの対象となる面にフィルム状接着剤を備えた状態でピックアップするように構成することがある。
【０００４】
このようにフィルム状接着剤を用いる場合には、上述のダイシングシートの粘着剤層上に未切断のフィルム状接着剤が設けられたダイシングダイボンディングシートが使用されることがある。一方、フィルム状接着剤上に、あらかじめ個片化されている複数個の半導体チップを設けておくことがあり、この場合にも、ダイシングダイボンディングシートと同様の構成を有する半導体加工用シートが使用される。このような半導体加工用シートを使用する場合には、例えば、そのフィルム状接着剤上に、あらかじめ個片化されている複数個の半導体チップを設けておき、半導体加工用シートを低温下でエキスパンドすることにより、フィルム状接着剤を半導体チップの外形に沿うように切断して、目的とする面に切断後のフィルム状接着剤を備えた半導体チップを製造することがある。
【０００５】
このようなフィルム状接着剤を備えた半導体加工用シートとしては、フィルム状接着剤（ダイボンドフィルム）の２５℃における、半導体ウエハへ接着したときの剪断接着力、及びダイシングシート（ダイシングフィルム）へ接着したときの剪断接着力が、それぞれ特定の範囲内に設定されたもの（特許文献１参照）、熱硬化前のフィルム状接着剤（ダイボンドフィルム）の２５℃での破断伸び率、及び０℃での引張貯蔵弾性率と２５℃での引張貯蔵弾性率との比が、それぞれ特定の範囲内に設定されたもの（特許文献２参照）が、それぞれ開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１７１５８８号公報
【特許文献２】特開２０１１−２２８３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１や特許文献２等で開示されている従来の半導体加工用シートを使用する場合には、上述のようにフィルム状接着剤のエキスパンドによる切断時に、フィルム状接着剤が粘着剤層から浮いてしまったり、切断後のフィルム状接着剤を備えた半導体チップ（フィルム状接着剤付き半導体チップ）が粘着剤層から飛散してしまうことがある。これらはいずれも、切断前、切断中又は切断後のフィルム状接着剤が、目的外のタイミングで粘着剤層から部分的に又は完全に剥離してしまうことで生じる。また、半導体チップは、回路が形成されている側の面（回路形成面）が凹状となるように、換言すると、回路が形成されている側とは反対側の面（従来、フィルム状接着剤が設けられる面）が凸状となるように、反り易いことが知られている。この半導体チップの反り易さは、上述のようなフィルム状接着剤の粘着剤層からの剥離を促進する原因ともなり得る。これは、半導体チップの反りに追従して、フィルム状接着剤が、その粘着剤層との接触面が凸状となるように反り易いためである。そこで、このようなフィルム状接着剤の粘着剤層からの目的外の剥離を抑制するために、エキスパンド時における粘着剤層とフィルム状接着剤との間の粘着力を大きくすることが考えられる。しかし、この方法を採用した場合には、粘着剤層に含まれる低分子量成分がフィルム状接着剤に移行してしまうことがある。この場合、低分子量成分の移行の影響で、フィルム状接着剤付き半導体チップのピックアップを正常に行えなくなってしまうことがある。また、このような低分子量成分を含むフィルム状接着剤が、半導体チップとともに半導体パッケージに取り込まれると、半導体パッケージの信頼性が低下する原因となってしまう。
【０００８】
なお、ここまでは、半導体チップを基板の回路形成面にダイボンディングするために用いるフィルム状接着剤を例に挙げて説明した。しかし、このようなフィルム状接着剤に限らず、半導体分野で使用される樹脂膜を形成するためのフィルム（樹脂膜形成用フィルム）を支持シート上に設けた状態で切断する工程全般で、同様の問題点が生じ得るといえる。
【０００９】
そこで本発明は、複数個の半導体チップが設けられている未切断の樹脂膜形成用フィルムを、エキスパンドによって切断する切断方法であって、樹脂膜形成用フィルムの粘着剤層からの目的外の剥離と、粘着剤層から樹脂膜形成用フィルムへの目的外の成分の移行と、を伴うことがない切断方法、及び前記切断方法を利用した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は、支持シート上に分割済みの複数個の半導体チップが設けられ、前記複数個の半導体チップ上に樹脂膜形成用フィルムが設けられてなる積層構造体を形成する積層構造体形成工程と、前記積層構造体の樹脂膜形成用フィルムを、前記樹脂膜形成用フィルムの表面方向に前記積層構造体をエキスパンドして、前記樹脂膜形成用フィルムを切断する切断工程と、を有する、樹脂膜形成用フィルムの切断方法を提供する。
【００１１】
本発明の樹脂膜形成用フィルムの切断方法は、前記積層構造体形成工程の前に、さらに、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射して、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、前記改質層を形成した前記半導体ウエハにおいて、前記樹脂膜形成用フィルムを設けるための面を研削するともに、研削時の力を前記半導体ウエハに加えることにより、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを得る分割工程と、を有し、前記分割工程で得られた複数個の半導体チップを、前記積層構造体形成工程で用いるものが好ましい。
本発明の樹脂膜形成用フィルムの切断方法においては、前記支持シートが、基材上に粘着剤層が設けられたものであり、前記粘着剤層に、前記複数個の半導体チップが直接接触して設けられていることが好ましい。
【００１２】
また、本発明は、前記樹脂膜形成用フィルムの切断方法により、前記樹脂膜形成用フィルムを切断した後、切断後の前記樹脂膜形成用フィルムを備えた前記半導体チップを、前記支持シートから引き離す引き離し工程を有する、半導体装置の製造方法を提供する。
また、本発明は、支持シート上に分割済みの複数個の半導体チップが設けられ、前記複数個の半導体チップ上に樹脂膜形成用フィルムが設けられてなる、積層構造体を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、複数個の半導体チップが設けられている未切断の樹脂膜形成用フィルムを、エキスパンドによって切断する切断方法であって、樹脂膜形成用フィルムの粘着剤層からの目的外の剥離と、粘着剤層から樹脂膜形成用フィルムへの目的外の成分の移行と、を伴うことがない切断方法、及び前記切断方法を利用した半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の樹脂膜形成用フィルムの切断方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
【図２】従来の樹脂膜形成用フィルムの切断方法において、エキスパンドの対象となる積層体の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】半導体ウエハでの改質層の形成を伴う方法で半導体チップを作製する方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法における、引き離し工程の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法における、引き離し工程の他の実施形態を模式的に説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜＜樹脂膜形成用フィルムの切断方法＞＞
本発明の樹脂膜形成用フィルムの切断方法は、支持シート上に分割済みの複数個の半導体チップが設けられ、前記複数個の半導体チップ上に樹脂膜形成用フィルムが設けられてなる積層構造体を形成する積層構造体形成工程と、前記積層構造体の樹脂膜形成用フィルムを、前記樹脂膜形成用フィルムの表面方向に前記積層構造体をエキスパンドして、前記樹脂膜形成用フィルムを切断する切断工程と、を有する。
【００１６】
本発明の樹脂膜形成用フィルムの切断方法においては、分割済みの複数個の半導体チップが設けられた樹脂膜形成用フィルムをエキスパンドによって切断する従来の切断方法とは異なり、未切断の樹脂膜形成用フィルムが支持シート上に直接接触して設けられていないため、樹脂膜形成用フィルムの粘着剤層からの目的外の剥離と、粘着剤層から樹脂膜形成用フィルムへの目的外の成分の移行と、を伴うことがない。
このように、本発明によって、樹脂膜形成用フィルムの粘着剤層からの目的外の剥離を回避できることで、切断後の樹脂膜形成用フィルムを備えた半導体チップ（本明細書においては、「樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップ」と称することがある）の製造効率が向上する。また、粘着剤層から樹脂膜形成用フィルムへの目的外の成分の移行を回避できることで、半導体パッケージの信頼性が向上する。
【００１７】
なお、本明細書において、「樹脂膜形成用フィルムの粘着剤層からの目的外の剥離」とは、樹脂膜形成用フィルムのエキスパンドによる切断時における、樹脂膜形成用フィルムの粘着剤層からの浮きや、樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップの粘着剤層からの飛散を意味する。
また、粘着剤層から樹脂膜形成用フィルムへ移行する「目的外の成分」としては、例えば、低分子量成分が挙げられる。この低分子量成分としては、粘着剤層中の粘着剤層の粘着力に関与する成分が挙げられ、例えば、エキスパンド時における樹脂膜形成用フィルムと粘着剤層との間の粘着力が大きくなるように、粘着剤層の組成を調節するときに、粘着剤層に含有される成分が挙げられる。
【００１８】
本発明の切断方法は、例えば、半導体チップを基板の回路形成面にダイボンディングするためのフィルム状接着剤を、前記樹脂膜形成用フィルムとして用いる場合や、回路形成面上にバンプ等の電極を有する半導体チップを基板の回路形成面にフリップチップ接続するときに、半導体チップの回路形成面とは反対側の裏面に接着し、この裏面を保護するための保護膜形成用フィルムを、前記樹脂膜形成用フィルムとして用いる場合に、特に好適である。ただし、樹脂膜形成用フィルムは、これらに限定されない。
【００１９】
以下、図面を参照しながら、本発明について詳細に説明する。図１は、本発明の樹脂膜形成用フィルムの切断方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
【００２０】
＜積層構造体形成工程＞
前記積層構造体形成工程においては、図１（ａ）に示すように、支持シート１上に分割済みの複数個の半導体チップ８が設けられ、これら複数個の半導体チップ８上に樹脂膜形成用フィルム１３が設けられてなる積層構造体１０１を形成する。
ここに示す支持シート１は、基材１１上に粘着剤層１２が設けられたものであり、複数個の半導体チップ８は、粘着剤層１２に直接接触して設けられている。
すなわち、積層構造体１０１は、より具体的には、基材１１の一方の表面１１ａに粘着剤層１２が設けられ、粘着剤層１２の一方の表面１２ａに、分割済みの複数個の半導体チップ８が設けられ、これら複数個の半導体チップ８の一方の表面８ａに樹脂膜形成用フィルム１３が設けられてなる。
【００２１】
半導体チップ８の一方の表面８ａは、後述するように分割前の半導体ウエハが研削されて生じた研削面である。また、半導体チップ８の他方の表面８ｂは、回路が形成されている面（回路形成面）である。
そして、複数個の半導体チップ８の前記表面（研削面）８ａに、未切断の１枚の樹脂膜形成用フィルム１３が設けられている。
【００２２】
前記積層構造体形成工程においては、例えば、分割済みの複数個の半導体チップ８の研削面８ａに、１枚の樹脂膜形成用フィルム１３を貼付した後、この樹脂膜形成用フィルム１３によって一体保持された複数個の半導体チップ８の回路形成面８ｂを、支持シート１の粘着剤層１２に貼付することで、積層構造体１０１を形成できる。
【００２３】
＜切断工程＞
前記積層構造体形成工程後、前記切断工程においては、積層構造体１０１の樹脂膜形成用フィルム１３を、樹脂膜形成用フィルム１３の表面方向に積層構造体１０１をエキスパンドして、樹脂膜形成用フィルム１３を切断する。
ここで、「樹脂膜形成用フィルム１３の表面方向」とは、例えば、樹脂膜形成用フィルム１３の一方の表面１３ａに対して平行な方向を意味し、基材１１の一方の表面１１ａ又は粘着剤層１２の一方の表面１２ａに対して平行な方向と同義である。
【００２４】
積層構造体１０１をエキスパンド、すなわち、拡張させることで、基材１１及び粘着剤層１２（換言すると支持シート１）とともに樹脂膜形成用フィルム１３がエキスパンドされ、樹脂膜形成用フィルム１３は、半導体チップ８の外形に沿って、目的とする箇所で切断される。図１においては、積層構造体１０１（樹脂膜形成用フィルム１３）のエキスパンドの方向を矢印Ｉで示している。その結果、図１（ｂ）に示すように、研削面８ａに切断後の樹脂膜形成用フィルム１３’を備えた半導体チップ（樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップ）８が得られる。なお、本明細書においては、切断後の樹脂膜形成用フィルム１３’を単に「樹脂膜形成用フィルム１３’」と称することがある。
【００２５】
前記切断工程においては、樹脂膜形成用フィルム１３を冷却しながら、積層構造体１０１をエキスパンドして、樹脂膜形成用フィルム１３を切断することが好ましい。このようにすることで、樹脂膜形成用フィルム１３を容易に切断できる。
エキスパンド時の樹脂膜形成用フィルム１３の冷却温度は、特に限定されないが、樹脂膜形成用フィルム１３をより容易に切断できる点から、−１５〜１０℃であることが好ましい。
【００２６】
前記切断工程における、樹脂膜形成用フィルム１３のエキスパンド速度（拡張速度）は、本発明の効果を損なわない範囲内であれば特に限定されないが、０．５〜１００ｍｍ／ｓｅｃであることが好ましく、０．５〜６０ｍｍ／ｓｅｃであることがより好ましい。エキスパンド速度がこのような範囲であることで、効率よく、工程異常を伴うことなく、樹脂膜形成用フィルム１３を切断できる効果がより高くなる。特に、エキスパンド速度が前記上限値以下であることで、樹脂膜形成用フィルム１３のエキスパンド時において、半導体チップ８がよりダメージを受け難くなり、切断箇所での樹脂膜形成用フィルム１３’における欠け等の異常の発生がより抑制される。
【００２７】
前記切断工程においては、樹脂膜形成用フィルム１３の切断時に、積層構造体１０１をエキスパンドするが、積層構造体１０１において、未切断の樹脂膜形成用フィルム１３は、支持シート１（ここでは、より具体的には粘着剤層１２）上に直接接触して設けられておらず、支持シート１上に半導体チップ８を介して設けられている。このように、従来の樹脂膜形成用フィルムの切断方法の場合とは異なり、樹脂膜形成用フィルム１３は粘着剤層１２と接触して設けられていないため、本発明においては、樹脂膜形成用フィルムの粘着剤層からの目的外の剥離と、粘着剤層から樹脂膜形成用フィルムへの目的外の成分の移行という、従来の問題点は生じ得ない。
【００２８】
また、半導体チップ８は、回路形成面８ｂとその他の部位との熱膨張率の違いから、回路形成面８ｂが凹状となるように、換言すると研削面８ａが凸状となるように、反り易いことが知られている。この半導体チップ８の反り易さは、場合によっては、樹脂膜形成用フィルム１３の隣接する層からの剥離を促進する原因となり得る。これは、半導体チップ８及び樹脂膜形成用フィルム１３が積層されている場合、半導体チップ８の反りに追従して、樹脂膜形成用フィルム１３が、その半導体チップ８以外の隣接する層との接触面が凸状となるように反り易いためである。しかし、本発明においては、上述のように、積層構造体１０１中で半導体チップ８は、その回路形成面８ｂが下向きとなって支持シート１と接触しており、かつその研削面８ａ上に樹脂膜形成用フィルム１３が設けられている。すなわち、積層構造体１０１において、樹脂膜形成用フィルム１３は、半導体チップ８の反りによって、半導体チップ８以外の隣接する層からの剥離が促進されるようには配置されておらず、さらに、半導体チップ８自体も、従来とは異なり、積層構造体１０１を構成していることで、その配置状態から反り難くなっている。このように、積層構造体１０１は、半導体チップ８の反りに起因する不具合の発生を抑制する効果が高い。
【００２９】
本発明の樹脂膜形成用フィルムの切断方法において、積層構造体は、ここに示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、積層構造体１０１において一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。
【００３０】
前記切断工程によって、積層構造体１０１は、最終的に図１（ｃ）に示すように、切断後の樹脂膜形成用フィルム１３’を備えたものとなる（図１（ｃ）においては、この状態の積層構造体を、符号１０１’を付して示している）。
未切断の樹脂膜形成用フィルム１３を備えた積層構造体１０１と、切断後の樹脂膜形成用フィルム１３’を備えた積層構造体１０１’は、いずれも新規なものである。
【００３１】
図２は、従来の樹脂膜形成用フィルムの切断方法において、エキスパンドの対象となる積層体の一例を模式的に示す断面図である。なお、図２以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００３２】
ここに示す積層体９０１は、半導体チップ８及び樹脂膜形成用フィルム１３の配置位置が逆であり、樹脂膜形成用フィルム１３の大きさが異なる点以外は、図１に示す積層構造体１０１と同じものである。すなわち、積層体９０１は、基材１１の一方の表面１１ａに粘着剤層１２が設けられ、粘着剤層１２の一方の表面１２ａに、樹脂膜形成用フィルム１３が設けられ、樹脂膜形成用フィルム１３の一方の表面１３ａに、分割済みの複数個の半導体チップ８が設けられてなる。なお、積層体９０１においては、基材１１、粘着剤層１２及び樹脂膜形成用フィルム１３が、この順にこれらの厚さ方向において積層されてなる構造を、支持シートと称することもある。また、積層体９０１において、樹脂膜形成用フィルム１３の大きさは、積層構造体１０１の場合と同じであってもよい。
【００３３】
ここに示すように、積層体９０１において、未切断の樹脂膜形成用フィルム１３は、粘着剤層１２上に直接接触して設けられている。したがって、従来の方法により、樹脂膜形成用フィルム１３を切断するために、樹脂膜形成用フィルム１３の表面方向に積層体９０１をエキスパンドした場合には、樹脂膜形成用フィルム１３や粘着剤層１２の組成によっては、樹脂膜形成用フィルム１３が粘着剤層１２（支持シート１）から剥離したり、粘着剤層１２から樹脂膜形成用フィルム１３へ目的外の成分が移行したりすることがある。
【００３４】
また、積層体９０１中で半導体チップ８は、その研削面８ａが下向きとなって粘着剤層１２と接触しており、かつその回路形成面８ｂ上には樹脂膜形成用フィルム１３等が設けられていない。すなわち、積層体９０１において、樹脂膜形成用フィルム１３は、半導体チップ８の反りによって、半導体チップ８以外の隣接する層（粘着剤層１２）からの剥離が促進され得る配置となっており、さらに、半導体チップ８自体も、その配置状態から反り易くなっている。このように、積層体９０１は、半導体チップ８の反りに起因する不具合の発生を抑制する効果が低い。
【００３５】
分割済みの複数個の半導体チップ８は、公知の方法で作製できる。例えば、半導体ウエハの回路形成面から溝を形成し、この溝に到達するまで、回路形成面とは反対側の面（本明細書においては、「裏面」と略記することがある）を研削することで、複数個の半導体チップを作製できる。
このときの前記溝を形成する方法としては、例えば、ブレードを用いて半導体ウエハを切り込むことで溝を形成する方法（すなわち、ブレードダイシング）、レーザー照射により半導体ウエハを切り込むことで溝を形成する方法（すなわち、レーザーダイシング）、研磨剤を含む水の吹き付けにより半導体ウエハを切り込むことで溝を形成する方法（すなわち、ウオーターダイシング）等が挙げられる。
【００３６】
ただし、本発明においては、分割済みの複数個の半導体チップ８は、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射して、半導体ウエハの内部に改質層を形成した後、半導体ウエハの回路形成面とは反対側の面（裏面）を研削するとともに、さらに、この面を研削中の半導体ウエハに対して、研削時の力を加えることによって、前記改質層の形成部位において半導体ウエハを分割する方法で作製することが好ましい。
【００３７】
このような改質層の形成を伴う方法では、上述の溝の形成を伴う方法とは異なり、半導体ウエハの一部を削り取る工程が存在しないため、それによる利点がある。例えば、溝の形成を伴う方法では、削り取った（半導体ウエハに溝を形成した）分だけ、半導体ウエハの損失が生じ、１枚の半導体ウエハから得られる半導体チップの数が少なくなる。また、最終的に半導体チップよりも切断後の樹脂膜形成用フィルムの方が大きくなるため、樹脂膜形成用フィルムの切断時や、後述する樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップのピックアップ時に、切断後の樹脂膜形成用フィルムが半導体チップの側面等に巻き付いたりすることがある。これに対して、上述の改質層の形成を伴う方法では、これらの問題点を回避できる。
【００３８】
すなわち、本発明の樹脂膜形成用フィルムの切断方法は、前記積層構造体形成工程の前に、さらに、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射して、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、前記改質層を形成した前記半導体ウエハにおいて、前記樹脂膜形成用フィルムを設けるための面を研削するともに、研削時の力を前記半導体ウエハに加えることにより、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを得る分割工程と、を有し、前記分割工程で得られた複数個の半導体チップを、前記積層構造体形成工程で用いることが好ましい。
図３は、このような、半導体ウエハでの改質層の形成を伴う方法で半導体チップを作製する方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
【００３９】
＜改質層形成工程＞
前記改質層形成工程においては、図３（ａ）に示すように、半導体ウエハ８’の内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射して、半導体ウエハ８’の内部に改質層８１’を形成する。
照射するレーザー光は、赤外域のレーザー光であることが好ましい。
改質層形成工程においては、例えば、レーザー光の照射によって半導体ウエハ８’の表面や表面近傍の領域が受けるダメージを最小限にしながら、改質層８１’を形成するために、開口度（ＮＡ）の大きなレーザー光を照射することが好ましい。
【００４０】
＜分割工程＞
前記改質層形成工程後、前記分割工程においては、図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハ８’の回路が形成されている面（回路形成面）８ｂ’とは反対側の面（裏面）８ａ’を研削する。半導体ウエハ８’の前記裏面８ａ’は、半導体チップ８の一方の表面８ａ、すなわち、樹脂膜形成用フィルム１３を設けるための面となる。
【００４１】
前記裏面８ａ’の研削は、公知の方法により、例えば、グラインダー６３を用いて行うことができる。前記裏面８ａ’の研削は、ここに示すように、半導体ウエハ８’の回路形成面８ｂ’にバックグラインドテープ６４を貼付して行うことが好ましい。なお、バックグラインドテープ６４は、上述の溝の形成を伴う方法で半導体ウエハ８’を分割するときにも、同様に用いることが好ましい。
【００４２】
本工程では、半導体ウエハ８’の前記裏面８ａ’を研削するとともに、さらに、この研削中の半導体ウエハ８’に対して、研削時の力を加えることによって、改質層８１’の部位において半導体ウエハ８’を分割する。これにより、図３（ｃ）に示すように、半導体ウエハ８’から複数個の半導体チップ８が得られる。
【００４３】
上述のいずれの方法でも、バックグラインドテープ６４を用いた場合、得られた複数個の半導体チップ８は、バックグラインドテープ６４上で整列した状態で保持される。
【００４４】
［支持シート］
本発明で用いる支持シートとして、図１等においては、基材上に粘着剤層が設けられたものを示したが、支持シートは基材上に粘着剤層以外の他の層が設けられたものであってもよい。
ただし、本発明において、支持シートは、基材上に粘着剤層が設けられたものが好ましく、基材に粘着剤層が直接接触して設けられたものがより好ましい。
【００４５】
（基材）
前記基材の構成材料は、各種樹脂であることが好ましく、具体的には、例えば、ポリエチレン（低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ等））、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、スチレン・エチレンブチレン・スチレンブロック共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリウレタンアクリレート、ポリイミド、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネート、フッ素樹脂、これらのいずれかの樹脂の水添加物、変性物、架橋物又は共重合物等が挙げられる。
【００４６】
基材を構成する樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【００４７】
基材は１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。基材が複数層からなる場合、これら複数層は互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
【００４８】
なお、本明細書においては、基材の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
【００４９】
基材の厚さは、目的に応じて適宜選択できるが、５０〜３００μｍであることが好ましく、６０〜１５０μｍであることがより好ましい。
ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
【００５０】
基材は、その上に設けられる、後述する粘着剤層等の他の層との密着性を向上させるために、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理や、コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理等が表面に施されたものであってもよい。
また、基材は、表面がプライマー処理を施されたものであってもよい。
また、基材は、帯電防止コート層、半導体加工用シートを重ね合わせて保存する際に、基材が他のシートに接着することや、基材が吸着テーブルに接着することを防止する層等を有するものであってもよい。
【００５１】
基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。
【００５２】
（粘着剤層）
前記粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
前記粘着剤層は、公知のものであってもよい。
前記粘着剤としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート等の粘着性樹脂が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。
【００５３】
なお、本発明において、「粘着性樹脂」とは、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方を含む概念であり、例えば、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等の他の成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含む。
【００５４】
粘着剤層は、エネルギー線硬化性及び非エネルギー線硬化性のいずれであってもよい。
本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。
紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンＨランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はＬＥＤランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
【００５５】
粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、硬化前の粘着剤層と、シリコンウエハ等の半導体ウエハと、の間の粘着力は、６０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、７５ｍＮ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、８０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが特に好ましい。前記粘着力が前記下限値以上であることで、前記切断工程において、半導体チップの支持シートからの浮き（チップ浮き）及び剥離（チップ飛び）を抑制する効果がより高くなる。
【００５６】
粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、硬化前の粘着剤層と、シリコンウエハ等の半導体ウエハと、の間の粘着力の上限値は、特に限定されない。前記粘着力の上限値は、例えば、１００００ｍＮ／２５ｍｍ、９０００ｍＮ／２５ｍｍ及び８０００ｍＮ／２５ｍｍ等のいずれかとすることができ、上述のいずれかの下限値と組み合わせて、前記粘着力の範囲を設定できる。
【００５７】
粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、硬化後の粘着剤層と、シリコンウエハ等の半導体ウエハと、の間の粘着力は、３０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、４０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、５５ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが特に好ましい。前記粘着力が前記下限値以上であることで、後述するように、樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップを支持シートから引き離してピックアップを行うまでの間に、支持シートからの樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップの剥離（チップ飛び）を抑制する効果がより高くなる。
【００５８】
粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、硬化後の粘着剤層と、シリコンウエハ等の半導体ウエハと、の間の粘着力は、４０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、３０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、２８００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが特に好ましい。前記粘着力が前記上限値以下であることで、後述するように、樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップを、より容易に支持シートから引き離してピックアップできる。
【００５９】
硬化後の粘着剤層と、半導体ウエハと、の間の粘着力の範囲は、例えば、上述のいずれかの下限値と上限値とを組み合わせて、適宜設定できる。
【００６０】
粘着剤層が非エネルギー線硬化性である場合、粘着剤層と、シリコンウエハ等の半導体ウエハと、の間の粘着力は、６０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、７５ｍＮ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、８０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが特に好ましい。前記粘着力が前記下限値以上であることで、前記切断工程において、半導体チップの支持シートからの浮き（チップ浮き）及び剥離（チップ飛び）を抑制する効果がより高くなる。
【００６１】
粘着剤層が非エネルギー線硬化性である場合、粘着剤層と、シリコンウエハ等の半導体ウエハと、の間の粘着力は、４０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、３０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、２８００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが特に好ましい。前記粘着力が前記上限値以下であることで、後述するように、樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップを、より容易に支持シートから引き離してピックアップできる。
【００６２】
非エネルギー線硬化性の粘着剤層と、半導体ウエハと、の間の粘着力の範囲は、例えば、上述のいずれかの下限値と上限値とを組み合わせて、適宜設定できる。
【００６３】
シリコンウエハ等の半導体ウエハは、その種類が異なっていたり、同じ種類で製造ロットが異なっていたりしても、その同じ部位に、同じ粘着剤層が貼付されていれば、粘着剤層との間の粘着力のばらつきが小さい。本発明においては、半導体チップの回路形成面に粘着剤層が貼付された場合、前記粘着力は回路形成面の状態の影響を受ける可能性があるが、その影響を小さくとどめることが十分に可能である。
【００６４】
粘着剤層がエネルギー線硬化性であるか否かによらず、また、粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合には、粘着剤層の硬化前後によらず、「粘着剤層と半導体ウエハとの間の粘着力」と、「粘着剤層と半導体チップとの間の粘着力」とは、単位面積あたりで比較すれば、粘着剤層が同じ状態であれば、同じとなる。
【００６５】
本明細書においては、粘着剤層がエネルギー線硬化性であるか否かによらず、また、粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合には、粘着剤層の硬化前後によらず、「粘着剤層の半導体ウエハに対する粘着力」とは、特に断りのない限り、ＪＩＳ  Ｚ０２３７  ２００８で規定されている標準状態での粘着力を意味する。
【００６６】
そして、粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、硬化前の粘着剤層と、半導体ウエハと、の間の粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）は、以下の方法で測定できる。すなわち、幅が２５ｍｍで長さが任意の、測定対象の粘着剤層が基材上に設けられてなる前記支持シートを作製する。次いで、半導体ウエハとしてミラーウエハを用い、常温下で粘着剤層によって、この支持シートを半導体ウエハ（ミラーウエハ）へ貼付する。貼付は、２ｋｇのゴムロールを一往復させて荷重をかけることで行う。そして、この温度のまま、半導体ウエハから支持シートを、粘着剤層及び半導体ウエハの互いに接触していた面同士が１８０°の角度を為すように、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がす、いわゆる１８０°剥離を行う。このときの剥離力を測定して、その測定値を前記粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）とする。測定に供する前記支持シートの長さは、剥離力を安定して測定できる範囲であれば、特に限定されない。
また、硬化後の粘着剤層と、半導体ウエハと、の間の粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）は、粘着剤層によって支持シートを半導体ウエハ（ミラーウエハ）へ貼付した後、粘着剤層を硬化させてから１８０°剥離を行う点以外は、上述の硬化前の粘着剤層と、半導体ウエハと、の間の粘着力と同じ方法で測定できる。
【００６７】
一方、粘着剤層が非エネルギー線硬化性である場合、粘着剤層と半導体ウエハとの間の粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）は、このような非エネルギー線硬化性の粘着剤層を用いる点以外は、上述の粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合の、粘着剤層と半導体ウエハとの間の粘着力と同じ方法で測定できる。
【００６８】
なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５〜２５℃の温度等が挙げられる。
【００６９】
粘着剤層の半導体ウエハ（半導体チップ）に対する粘着力は、例えば、粘着剤層の含有成分の種類及び量等を調節することで、適宜調節できる。
例えば、粘着性樹脂を構成しているモノマーの組み合わせ、前記モノマーの比率、架橋剤の配合量、充填剤の含有量等を調節することで、粘着剤層の前記接着力を容易に調節できる。
ただし、これら調節方法は一例に過ぎない。
【００７０】
粘着剤層は１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。粘着剤層が複数層からなる場合、これら複数層は互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
【００７１】
粘着剤層の厚さは、目的に応じて適宜選択できるが、１〜１００μｍであることが好ましく、１〜６０μｍであることがより好ましく、１〜３０μｍであることが特に好ましい。
ここで、「粘着剤層の厚さ」とは、粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる粘着剤層の厚さとは、粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
【００７２】
粘着剤層は、粘着剤を含有する粘着剤組成物を用いて形成できる。例えば、粘着剤層の形成対象面に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に粘着剤層を形成できる。粘着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、粘着剤層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。
【００７３】
粘着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
【００７４】
粘着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、粘着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、７０〜１３０℃で１０秒〜５分の条件で乾燥させることが好ましい。
【００７５】
粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、エネルギー線硬化性粘着剤を含有する粘着剤組成物、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物（Ｉ−１）；非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）を含有する粘着剤組成物（Ｉ−２）；前記粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物（Ｉ−３）等が挙げられる。
【００７６】
エネルギー線硬化性の粘着剤組成物は、上述の成分以外に、他の成分を含有していてもよい。
エネルギー線硬化性の粘着剤組成物における前記他の成分としては、例えば、架橋剤、光重合開始剤、その他の添加剤、溶媒等が挙げられる。前記その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填材（フィラー）、防錆剤、着色剤（顔料、染料）、増感剤、粘着付与剤、反応遅延剤、架橋促進剤（触媒）等の公知の添加剤が挙げられる。なお、反応遅延剤とは、例えば、粘着剤組成物（Ｉ−１）中に混入している触媒の作用によって、保存中の粘着剤組成物（Ｉ−１）において、目的としない架橋反応が進行するのを抑制するものである。
【００７７】
粘着剤層が非エネルギー線硬化性である場合、非エネルギー線硬化性粘着剤を含有する粘着剤組成物、すなわち、非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）を含有する粘着剤組成物（Ｉ−４）が挙げられ、アクリル系樹脂を含有するものが好ましい。
【００７８】
非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物は、上述の成分以外に、他の成分を含有していてもよい。
非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物における前記他の成分としては、例えば、架橋剤、その他の添加剤、溶媒等が挙げられる。前記その他の添加剤は、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物におけるその他の添加剤と同じものである。
【００７９】
エネルギー線硬化性の粘着剤組成物及び非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物が、それぞれ含有する成分は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【００８０】
［樹脂膜形成用フィルム］
本発明で用いる樹脂膜形成用フィルムは、接着性及び硬化性を有し、硬化によって樹脂膜を形成する。
【００８１】
前記樹脂膜形成用フィルムは、熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであってもよく、目的に応じて任意に選択できる。例えば、半導体チップを基板の回路形成面にダイボンディングするためのフィルム状接着剤を、樹脂膜形成用フィルムとして用いる場合には、樹脂膜形成用フィルムは熱硬化性であることが好ましい。また、回路形成面上にバンプ等の電極を有する半導体チップを基板の回路形成面にフリップチップ接続するときに、半導体チップの回路形成面とは反対側の裏面に接着し、この裏面を保護するための保護膜形成用フィルムを、樹脂膜形成用フィルムとして用いる場合には、樹脂膜形成用フィルムはエネルギー線硬化性であることが好ましい。樹脂膜形成用フィルムが、熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであるかは、本発明の樹脂膜形成用フィルムの切断方法に、本質的な影響を与えない。
【００８２】
樹脂膜形成用フィルムは、熱硬化性である場合、感圧接着性を有するものが好ましい。熱硬化性及び感圧接着性をともに有する樹脂膜形成用フィルムは、未硬化の状態では各種被着体に軽く押圧することで貼付できる。また、樹脂膜形成用フィルムは、加熱して軟化させることで各種被着体に貼付できるものであってもよい。樹脂膜形成用フィルムは、硬化によって最終的には耐衝撃性が高い硬化物となり、この硬化物は、厳しい高温・高湿度条件下においても十分な接着特性を保持し得る。
【００８３】
樹脂膜形成用フィルムが熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであるかによらず、樹脂膜形成用フィルムは、厚さが６０μｍである硬化前の単層の樹脂膜形成用フィルム、又は硬化前の２層以上の樹脂膜形成用フィルムを、合計の厚さが６０μｍとなるように積層した積層フィルムの、０℃における破断伸度が、６０％以下となるものが好ましく、５７％以下となるものがより好ましく、５４％以下となるものが特に好ましい。前記破断伸度が前記上限値以下であることで、前記切断工程において、樹脂膜形成用フィルムをより容易に切断できる。
【００８４】
樹脂膜形成用フィルムが熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであるかによらず、前記樹脂膜形成用フィルム又は積層フィルムの０℃における破断伸度の下限値は、特に限定されない。前記破断伸度は、例えば、５％以上であることが好ましい。前記破断伸度が前記下限値以上であることで、樹脂膜形成用フィルムの取り扱い性が向上する。
【００８５】
前記樹脂膜形成用フィルム又は積層フィルムの０℃における破断伸度の範囲は、例えば、上述のいずれかの下限値と上限値とを組み合わせて、適宜設定できる。
【００８６】
前記樹脂膜形成用フィルム又は積層フィルムの０℃における破断伸度（％）は、以下の方法で測定できる。
すなわち、幅が６ｍｍであり、長さが５ｍｍであり、厚さが６０μｍである前記樹脂膜形成用フィルム又は積層フィルムを試験片とし、この試験片に加える荷重を１Ｎから１８Ｎまで、１Ｎ／ｍｉｎの割合で変化させながら引っ張り、破断したときの試験片の伸びを測定することで、破断伸度が求められる。
なお、本明細書において、「破断伸度がＸ％である（式中、Ｘは正の数である）」とは、上述の測定方法において、試験片（前記樹脂膜形成用フィルム又は積層フィルム）を引っ張り、試験片がその引張方向において元の長さ（引っ張っていないときの長さ）のＸ％の長さだけ伸びたとき、すなわち、試験片の引張方向における全体の長さが引っ張る前の長さの［１＋Ｘ／１００］倍となったときに、試験片が破断することを意味する。
【００８７】
前記破断伸度（％）は、例えば、樹脂膜形成用フィルムの含有成分の種類及び量等を調節することで、適宜調節できる。
例えば、熱硬化性の樹脂膜形成用フィルムの場合であれば、後述する重合体成分（Ａ）の分子量及び含有量、熱硬化性成分（Ｂ）を構成する成分の構造、軟化点及び含有量、並びに充填材（Ｄ）の含有量等を調節することで、前記破断伸度を容易に調節できる。
また、例えば、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成用フィルムの場合であれば、後述するエネルギー線硬化性成分（ａ）の分子量及び含有量等を調節することで、前記破断伸度を容易に調節できる。
ただし、これら調節方法は一例に過ぎない。
【００８８】
樹脂膜形成用フィルムが熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであるかによらず、硬化前の樹脂膜形成用フィルムと、シリコンウエハ等の半導体ウエハと、の間の接着力は、３００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、３１０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることがより好ましい。前記接着力が前記下限値以上であることで、前記切断工程において、樹脂膜形成用フィルムを、シリコンチップからの剥離を抑制しつつ、より容易に切断できる。
【００８９】
樹脂膜形成用フィルムが熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであるかによらず、硬化前の樹脂膜形成用フィルムと、シリコンウエハ等の半導体ウエハと、の間の接着力の上限値は、特に限定されない。前記粘着力は、例えば、２００００ｍＮ／２５ｍｍ以下、１５０００ｍＮ／２５ｍｍ以下等とすることができるが、これらは一例である。
【００９０】
硬化前の樹脂膜形成用フィルムと、シリコンウエハ等の半導体ウエハと、の間の接着力の範囲は、例えば、上述のいずれかの下限値と上限値とを組み合わせて、適宜設定できる。
【００９１】
硬化前の樹脂膜形成用フィルムと、シリコンウエハ等の半導体ウエハと、の間の接着力（ｍＮ／２５ｍｍ）は、以下の方法で測定できる。
すなわち、幅が２５ｍｍで長さが任意の、樹脂膜形成用フィルム及び粘着テープの積層シートを作製する。この積層シートは、粘着テープの粘着面に樹脂膜形成用フィルムが積層されたものとする。次いで、４０〜７０℃に加熱した樹脂膜形成用フィルムによって、この積層シートを半導体ウエハへ貼付して、粘着テープ、樹脂膜形成用フィルム及び半導体ウエハがこの順にこれらの厚さ方向において積層された積層物を作製する。作製後のこの積層物を直ちに１５〜２７℃の環境下で３０分静置した後、半導体ウエハから樹脂膜形成用フィルム及び粘着テープの積層シートを、樹脂膜形成用フィルム及び半導体ウエハの互いに接触していた面同士が１８０°の角度を為すように、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がす、いわゆる１８０°剥離を行う。このときの剥離力を測定して、その測定値を前記接着力（ｍＮ／２５ｍｍ）とする。測定に供する前記積層シートの長さは、剥離力を安定して測定できる範囲であれば、特に限定されない。
【００９２】
硬化前の樹脂膜形成用フィルムと半導体ウエハとの間の接着力は、例えば、樹脂膜形成用フィルムの含有成分の種類及び量等を調節することで、適宜調節できる。
例えば、熱硬化性の樹脂膜形成用フィルムの場合であれば、後述する重合体成分（Ａ）の分子量、重合体成分（Ａ）を構成する各モノマー成分の比率、熱硬化性成分（Ｂ）を構成する成分の軟化点、及び樹脂膜形成用フィルムの各含有成分の含有量等を調節することで、前記接着力を容易に調節できる。
また、例えば、エネルギー線硬化性の樹脂膜形成用フィルムの場合であれば、後述するエネルギー線硬化性成分（ａ）の分子量、及び樹脂膜形成用フィルムの各含有成分の含有量等を調節することで、前記接着力を容易に調節できる。
ただし、これら調節方法は一例に過ぎない。
【００９３】
シリコンウエハ等の半導体ウエハは、その種類が異なっていたり、同じ種類で製造ロットが異なっていたりしても、その同じ部位に、同じ樹脂膜形成用フィルムが貼付されていれば、樹脂膜形成用フィルムとの間の粘着力のばらつきが小さい。
【００９４】
樹脂膜形成用フィルムが熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであるかによらず、また、樹脂膜形成用フィルムの硬化前後によらず、「樹脂膜形成用フィルムと半導体ウエハとの間の粘着力」と、「樹脂膜形成用フィルムと半導体チップとの間の粘着力」とは、単位面積あたりで比較すれば、樹脂膜形成用フィルムが同じ状態であれば、同じとなる。
【００９５】
樹脂膜形成用フィルムは１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。樹脂膜形成用フィルムが複数層からなる場合、これら複数層は互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
【００９６】
樹脂膜形成用フィルムの厚さは、特に限定されないが、１〜５０μｍであることが好ましく、３〜４０μｍであることがより好ましい。樹脂膜形成用フィルムの厚さが前記下限値以上であることにより、樹脂膜形成用フィルムの被着体（半導体チップ）に対する接着力がより高くなる。また、樹脂膜形成用フィルムの厚さが前記上限値以下であることにより、前記切断工程において、樹脂膜形成用フィルムをより容易に切断できる。
ここで、「樹脂膜形成用フィルムの厚さ」とは、樹脂膜形成用フィルム全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる樹脂膜形成用フィルムの厚さとは、樹脂膜形成用フィルムを構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
【００９７】
樹脂膜形成用フィルムは、その構成材料を含有する樹脂膜形成用組成物を用いて形成できる。例えば、樹脂膜形成用フィルムの形成対象面に樹脂膜形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に樹脂膜形成用フィルムを形成できる。樹脂膜形成用組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、樹脂膜形成用フィルムの前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。
【００９８】
樹脂膜形成用組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、上述の粘着剤組成物の塗工と同様の方法で行うことができる。
【００９９】
樹脂膜形成用組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、樹脂膜形成用組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、７０〜１３０℃で１０秒〜５分の条件で乾燥させることが好ましい。
【０１００】
熱硬化性の樹脂膜形成用組成物としては、例えば、重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）を含有するものが挙げられる。熱硬化性成分（Ｂ）は、エポキシ樹脂（Ｂ１）及び熱硬化剤（Ｂ２）からなる。
【０１０１】
熱硬化性の樹脂膜形成用組成物は、重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）以外に、さらに必要に応じて、これらに該当しない他の成分を含有していてもよい。
熱硬化性の樹脂膜形成用組成物における前記他の成分で好ましいものとしては、例えば、硬化促進剤（Ｃ）、充填材（Ｄ）、カップリング剤（Ｅ）、架橋剤（Ｆ）、エネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）、光重合開始剤（Ｈ）、汎用添加剤（Ｉ）、溶媒等が挙げられる。
前記汎用添加剤（Ｉ）としては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、着色剤（染料、顔料）、ゲッタリング剤等が挙げられる。
【０１０２】
エネルギー線硬化性の樹脂膜形成用組成物としては、例えば、エネルギー線硬化性成分（ａ）を含有するものが挙げられ、エネルギー線硬化性成分（ａ）及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体（ｂ）を含有するものであってもよい。
【０１０３】
熱硬化性の樹脂膜形成用組成物及びエネルギー線硬化性の樹脂膜形成用組成物が、それぞれ含有する成分は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１０４】
［半導体チップ］
本発明で用いる半導体チップの厚さは、特に限定されないが、５〜６０μｍであることが好ましく、１０〜５５μｍであることがより好ましい。
【０１０５】
＜＜半導体装置の製造方法＞＞
本発明の半導体装置の製造方法は、上述の樹脂膜形成用フィルムの切断方法により、前記樹脂膜形成用フィルムを切断した後、切断後の前記樹脂膜形成用フィルムを備えた前記半導体チップを、前記支持シートから引き離す引き離し工程を有する。
【０１０６】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、上述の切断方法により樹脂膜形成用フィルムを切断していることで、樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップの製造効率が向上し、さらに半導体パッケージの信頼性が向上する。
【０１０７】
＜引き離し工程＞
前記切断工程後、前記引き離し工程においては、樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップを、支持シート（粘着剤層）から引き離して、ピックアップを行う。
【０１０８】
図４は、本発明の半導体装置の製造方法における、引き離し工程の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
本実施形態においては、まず、図４（ａ）に示すように、切断後の複数枚の樹脂膜形成用フィルム１３’に対して、１枚のテープ状、フィルム状、シート状又はプレート状の転写手段７を貼付する。
【０１０９】
転写手段７は、それ自体が粘着力を有し、半導体チップ８が貼付されている樹脂膜形成用フィルム１３’を支持シート１から剥離させることが可能な程度の粘着力を有するものであればよい。すなわち、転写手段７と樹脂膜形成用フィルム１３’との間の粘着力は、支持シート（粘着剤層１２）と半導体チップ８との間の粘着力よりも大きければよい。
転写手段７の粘着剤は、例えば、エネルギー線硬化性粘着剤及び非エネルギー線硬化性粘着剤のいずれであってもよい。
【０１１０】
次いで、図４（ｂ）に示すように、転写手段７を引き上げることにより、樹脂膜形成用フィルム１３’を半導体チップ８とともに引き上げて、複数個の樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップ８をまとめて支持シート１から剥離させる。ここでは、半導体チップ８の引き上げ方向を矢印ＩＩで示している。
転写手段７の引き上げは、公知の方法で行えばよい。
【０１１１】
以上により、図４（ｃ）に示すように、転写手段７上に複数個の樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップ８が保持された転写構造体７０１が得られる。
以降は、この転写構造体７０１において、転写手段７からさらに樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップ８を引き離して、従来法と同様の方法で、半導体装置を製造する。例えば、半導体チップ８をこれに貼付されている樹脂膜形成用フィルム１３’によって基板の回路面にダイボンディングし、必要に応じて、この半導体チップ８にさらに半導体チップを１個以上積層して、ワイヤボンディングを行った後、全体を樹脂により封止することで、半導体パッケージとする（図示略）。そして、この半導体パッケージを用いて、目的とする半導体装置を作製すればよい。
【０１１２】
図１に示すように、当初、半導体チップ８は、積層構造体１０１において、その回路形成面８ｂを支持シート１側に向けて配置されている。しかし、本実施形態では、転写構造体７０１において、半導体チップ８は、その回路形成面８ｂを半導体チップ８の引き上げ方向（転写手段７が配置されている側とは反対側）に向けて配置されている。したがって、転写手段７から引き離した後の樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップ８は、従来法によって得られた樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップを用いた場合と同様の方法で、半導体装置の製造に用いることができる。
【０１１３】
図５は、本発明の半導体装置の製造方法における、引き離し工程の他の実施形態を模式的に説明するための断面図である。
本実施形態においては、まず、図５（ａ）に示すように、真空コレット６１によって、樹脂膜形成用フィルム１３’を半導体チップ８とともに引き上げて、樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップ８を支持シート１から剥離させる。ここでは、半導体チップ８の引き上げ方向を矢印ＩＩで示している。
この場合には、真空コレット６１により樹脂膜形成用フィルム１３’の表面を吸着して、樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップ８を引き上げればよい。
【０１１４】
次いで、図５（ｂ）に示すように、別の真空コレット６２（以下、この符号６２を付した別の真空コレットを「第２真空コレット」と称し、この第２真空コレットと区別するために、先述の符号６１を付した真空コレットを「第１真空コレット」と称する）を、半導体チップ８に対向させて配置し、図５（ｃ）に示すように、引き上げた樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップ８を、第１真空コレット６１から、第２真空コレット６２へ受け渡す。より具体的には、第１真空コレット６１によって樹脂膜形成用フィルム１３’を介して保持されている半導体チップ８の表面（回路形成面８ｂ）を、第２真空コレット６２によって吸着し、第１真空コレット６１による樹脂膜形成用フィルム１３’の吸着を解除して、樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップ８を第１真空コレット６１から引き離せばよい。
【０１１５】
第１真空コレット６１及び第２真空コレット６２は、いずれも、半導体チップのピックアップ時に用いる通常の真空コレットと同様のものである。
【０１１６】
以降は、従来法と同様の方法で、例えば、図４を参照して説明した場合と同様に、半導体装置を製造する。
【０１１７】
図１に示すように、当初、半導体チップ８は、積層構造体１０１において、その回路形成面８ｂを支持シート１側に向けて配置されている。しかし、本実施形態では、第２真空コレット６２によって保持された半導体チップ８は、その回路形成面８ｂを半導体チップ８の第１真空コレット６１からの引き離し方向（第１真空コレット６１が配置されていた側とは反対側）に向けて配置されている。したがって、第１真空コレット６１から引き離した後の樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップ８は、従来法によって得られた樹脂膜形成用フィルム付き半導体チップを用いた場合と同様の方法で、半導体装置の製造に用いることができる。
【実施例】
【０１１８】
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
【０１１９】
樹脂膜形成用組成物の製造に用いた成分を以下に示す。
［重合体成分（Ａ）］
（Ａ）−１：アクリル酸メチル（以下、「ＭＡ」と略記する）（９５質量部）及びアクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」と略記する）（５質量部）を共重合してなるアクリル系樹脂（重量平均分子量８０００００、ガラス転移温度９℃）。
［熱硬化性成分（Ｂ）］
・エポキシ樹脂（Ｂ１）
（Ｂ１）−１：アクリロイル基が付加されたクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＣＮＡ−１４７」、エポキシ当量５１８ｇ／ｅｑ、数平均分子量２１００）
・熱硬化剤（Ｂ２）
（Ｂ２）−１：アラルキルフェノール樹脂（三井化学社製「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」、数平均分子量１１００）
［充填材（Ｄ）］
（Ｄ）−１：球状シリカ（アドマテックス社製「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、平均粒径５０ｎｍ、メタクリルシラン処理品）
［カップリング剤（Ｅ）］
（Ｅ）−１：シランカップリング剤、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＥ−４０２」）
［架橋剤（Ｆ）］
（Ｆ）−１：トリレンジイソシアネート系架橋剤（東洋インキ製造社製「ＢＨＳ８５１５」）
【０１２０】
［製造例１］
＜樹脂膜形成用フィルムの製造＞
（樹脂膜形成用組成物の製造）
重合体成分（Ａ）−１（５７．５質量部）、エポキシ樹脂（Ｂ１）−１（１８．５質量部）、熱硬化剤（Ｂ２）−１（３．０質量部）、充填材（Ｄ）−１（２０．２質量部）、カップリング剤（Ｅ）−１（０．４３質量部）、及び架橋剤（Ｆ）−１（０．３７質量部）を混合し、さらにメチルエチルケトンで固形分の濃度が２０質量％となるように希釈して、熱硬化性の樹脂膜形成用組成物を得た。なお、ここに示すメチルエチルケトン以外の成分の配合量は、すべて固形分量である。
【０１２１】
（樹脂膜形成用フィルムの製造）
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理されてなる剥離フィルムの、前記剥離処理面に、上記で得られた樹脂膜形成用組成物を塗工し、１２０℃で３分乾燥させることにより、厚さが２０μｍである樹脂膜形成用フィルムを作製した。
次いで、得られた樹脂膜形成用フィルムの露出面に、別途、上記と同じ剥離フィルムの剥離処理面を貼り合わせて、両面に剥離フィルムを備えた樹脂膜形成用フィルムを得た。
【０１２２】
［実施例１］
＜樹脂膜形成用フィルムの切断＞
（改質層形成工程、分割工程）
図３を参照して説明した方法により、８インチシリコンウエハに対して前記改質層形成工程及び分割工程を行い、１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさで研削面を有する、複数個のシリコンチップを得た。前記シリコンウエハの裏面の研削は、シリコンウエハの回路形成面にバックグラインドテープを貼付して行った。
【０１２３】
（積層構造体形成工程）
次いで、製造例１で得られた１枚の樹脂膜形成用フィルムから一方の剥離フィルムを取り除いた。そして、樹脂膜形成用フィルムをその露出面によって、上記で得られた複数個のシリコンチップの研削面に貼付した後、シリコンチップの回路形成面からバックグラインドテープを取り除いた。
次いで、バックグラインドテープを取り除いた後の、複数個のシリコンチップの回路形成面を、支持シートの粘着剤層に貼付することで、積層構造体を作製した。
支持シートとしては、リンテック社製「ＡＤＷＩＬＬ  Ｄ−４８５Ｈ」を用いた。この支持シートは、基材（厚さ８０μｍ）上に、エネルギー線硬化性の粘着剤層が設けられてなるものであり、硬化前の前記粘着剤層とシリコン製ミラーウエハとの間の粘着力は４９００ｍＮ／２５ｍｍであり、硬化後の前記粘着剤層とシリコン製ミラーウエハとの間の粘着力は８０ｍＮ／２５ｍｍである。
【０１２４】
（切断工程）
次いで、上記で得られた積層構造体にリングフレームをマウントした後、樹脂膜形成用フィルムを０℃で冷却しながら、エキスパンダー（ＪＣＭ社製）を用いて、１ｍｍ／ｓｅｃの速度で１０ｍｍだけテーブルを突き上げることで、樹脂膜形成用フィルムの表面方向に積層構造体をエキスパンドして、樹脂膜形成用フィルムを切断した。
【０１２５】
＜樹脂膜形成用フィルムの切断性の評価＞
デジタル顕微鏡を用いて、積層構造体をエキスパンドした後の樹脂膜形成用フィルムを観察したところ、目的とするすべての箇所で樹脂膜形成用フィルムが切断されていることを確認できた。
なお、これらの一連の工程で、シリコンチップはすべて反り難い状態で配置されており、且つエキスパンド速度も遅いことから、前記切断工程において、樹脂膜形成用フィルム付きシリコンチップの粘着剤層からの飛散等は、生じていないことを確認できた。
【０１２６】
＜樹脂膜形成用フィルム付きシリコンチップの引き離し（引き離し工程）＞
上述の切断工程後の積層構造体において、図４を参照して説明した方法により、引き離し工程を行い、転写構造体を得た。より具体的には、以下のとおりである。
すなわち、切断工程後の積層構造体における支持シートに紫外線を照射し、粘着剤層を硬化させた。
次いで、切断後の樹脂膜形成用フィルムに、転写手段として、非エネルギー線硬化性の粘着剤層を備えた粘着テープ（リンテック社製「ＡＤＷＩＬＬ  Ｇ−１１」）を、この粘着剤層により貼付した。この粘着テープは、基材（厚さ７０μｍ）上に、非エネルギー線硬化性の粘着剤層が設けられてなるものであり、前記粘着剤層とシリコン製ミラーウエハとの間の粘着力は２７０ｍＮ／２５ｍｍである。そして、前記粘着テープを引き上げることにより、複数個の樹脂膜形成用フィルム付きシリコンチップをまとめて支持シートから剥離させた。
その結果、前記粘着テープ上に、すべての樹脂膜形成用フィルム付きシリコンチップを保持できた。
【０１２７】
［比較例１］
＜樹脂膜形成用フィルムの切断＞
（改質層形成工程、分割工程）
実施例１と同じ方法で、複数個のシリコンチップを得た。
【０１２８】
（積層体の作製）
製造例１で得られた１枚の樹脂膜形成用フィルムから一方の剥離フィルムを取り除いた。そして、樹脂膜形成用フィルムをその露出面によって、基材上に粘着剤層が設けられてなる支持シートの前記粘着剤層に貼付して、基材上に粘着剤層及び樹脂膜形成用フィルムが、この順にこれらの厚さ方向において積層されてなる積層シートを得た。
次いで、テープマウンター（リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ  ＲＡＤ２５００」）を用いて、この積層シートをその樹脂膜形成用フィルムによって、上記で得られた複数個のシリコンチップの研削面に貼付した後、シリコンチップの回路形成面からバックグラインドテープを取り除いて、図２に示す積層体を作製した。支持シートとしては、リンテック社製「ＡＤＷＩＬＬ  Ｇ−５６１」を用いた。
【０１２９】
（樹脂膜形成用フィルムの切断）
次いで、積層構造体に代えて、上記で得られた積層体を用いた点以外は、実施例１と同じ方法で前記積層体をエキスパンドして、樹脂膜形成用フィルムを切断した。
前記粘着剤層が強粘着性であったため、この樹脂膜形成用フィルムの切断時において、樹脂膜形成用フィルムの粘着剤層からの浮きや、樹脂膜形成用フィルム付きシリコンチップの粘着剤層からの飛散は、認められなかった。
【０１３０】
＜樹脂膜形成用フィルムの切断性の評価＞
デジタル顕微鏡を用いて、前記積層体をエキスパンドした後の樹脂膜形成用フィルムを観察したところ、目的とするすべての箇所で樹脂膜形成用フィルムが切断されていることを確認できた。
【０１３１】
＜樹脂膜形成用フィルム付きシリコンチップの引き離し＞
上述の切断工程後の積層構造体に代えて、樹脂膜形成用フィルムを切断後の積層体を用いた点以外は、実施例１と同じ方法で、樹脂膜形成用フィルム付きシリコンチップの支持シートからの引き離しを試みた。
その結果、前記粘着テープとシリコンチップとの間や、樹脂膜形成用フィルムとシリコンチップとの間等で剥離が生じ、樹脂膜形成用フィルム付きシリコンチップの支持シートからの引き離しを正常に行うことができなかった。これは、前記積層体において、樹脂膜形成用フィルムが粘着剤層と接触して設けられているため、粘着剤層から樹脂膜形成用フィルムへ低分子量成分が移行したことによる影響であると考えられた。仮に、このような積層体を用いて、上述の粘着テープ（転写手段）を用いた方法や、真空コレットを用いた通常の方法で、樹脂膜形成用フィルム付きシリコンチップの支持シートからの引き離しに成功したとしても、このような低分子量成分を含む樹脂膜形成用フィルムが、半導体チップとともに半導体パッケージに取り込まれると、半導体パッケージの信頼性が低下する原因となってしまう。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
本発明は、半導体装置の製造に利用可能である。
【符号の説明】
【０１３３】
１・・・支持シート、１１・・・基材、１１ａ・・・基材の一方の表面、１２・・・粘着剤層、１２ａ・・・粘着剤層の一方の表面、１３・・・樹脂膜形成用フィルム、１３ａ・・・樹脂膜形成用フィルムの一方の表面、１３’・・・切断後の樹脂膜形成用フィルム、１０１・・・積層構造体、１０１’・・・樹脂膜形成用フィルムを切断後の積層構造体、８・・・半導体チップ、８ａ・・・半導体チップの一方の表面（研削面）、８ｂ・・・半導体チップの他方の表面（回路形成面）、８１’・・・半導体ウエハの改質層、８’・・・半導体ウエハ、８ａ’・・・半導体ウエハの裏面、８ｂ’・・・半導体ウエハの回路形成面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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