(57)【要約】      （修正有）【課題】サイドエッチングの影響により第１金属層の面積が狭くなった場合でも、基板に対する配線の接着性を向上させる配線構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１方向及び前記第１方向に対して垂直である第２方向を有する基板１と、基板上に、第１方向に延び、第２方向に第１の幅Ｗａを有する第１領域２Ａ及び第２方向に第１の幅とは異なる第２の幅Ｗｂを有する第２領域２Ｂ、を有し、金属材料を含む第１金属層２と、第１金属層上に、第１方向から見た断面視において第１領域における第２方向の少なくとも一方の側面を覆い、第１方向に延び、金属材料を含む第２金属層１０と、を備える配線構造体とする。【選択図】図１
2017224648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向、及び前記第１方向に対して垂直である第２方向を有する基板と、
前記基板上に、前記第１方向に延び、前記第２方向に第１の幅を有する第１領域、及び、前記第２方向に前記第１の幅とは異なる第２の幅を有する第２領域、を有し、金属材料を含む第１金属層と、
前記第１金属層上に、前記第１方向から見た断面視において前記第１領域における前記第２方向の少なくとも一方の側面を覆い、前記第１方向に延び、金属材料を含む第２金属層と、
を備える配線構造体。
【請求項２】
前記第１領域と前記第２領域とは、前記第１方向に交互に配置される、請求項１に記載の配線構造体。
【請求項３】
前記第１の幅は、前記第２の幅よりも広い請求項１又は請求項２に記載の配線構造体。
【請求項４】
前記第２の幅は、前記第１の幅よりも広い請求項１又は請求項２に記載の配線構造体。
【請求項５】
第１方向、及び前記第１方向に対して垂直である第２方向を有する基板上に、第１方向に延びる第１パターン部、及び、前記第１方向とは異なる方向に延びて前記第１パターン部と繋がる第２パターン部を有するパターンを有し、金属材料を含む第１金属層を形成する工程と、
平面視で前記第１パターン部の表面の少なくとも一部、及び前記第１方向に対して垂直な第２方向における前記第１パターン部の少なくとも一方の側面を露出するように、前記基板上に、前記第１金属層の少なくとも一部を露出するようにレジスト層を形成する工程と、
前記第１方向から見た断面視で、前記レジスト層から露出した前記第１金属層を覆う第２金属層を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
露出された前記第１金属層をエッチングにより除去する工程と、
を含む配線構造体の製造方法。
【請求項６】
露出された前記第１金属層は、ウェットエッチングにより除去される、請求項５に記載の配線構造体の製造方法。
【請求項７】
前記第２方向における前記第１パターン部の両方の側面が前記レジスト層から露出される場合、
前記第１金属層の除去において、前記第１方向から見た断面視で、
前記第１パターン部において前記第２パターン部が交差しない部分では前記第１パターン部はエッチングされず、
前記第１パターン部において前記第２パターン部が交差する部分では前記第１パターン部の前記第２方向の両方の側面がエッチングされる、
請求項５又は請求項６に記載の配線構造体の製造方法。
【請求項８】
前記第２方向における前記第１パターン部の一方の側面が前記レジスト層から露出される場合、
前記第１金属層の除去において、前記第１方向から見た断面視で、
前記第１パターン部において前記第２パターン部が交差しない部分では前記第１パターン部は前記第２方向の他方の側面がエッチングされ、
前記第１パターン部において前記第２パターン部が交差する部分では前記第１パターン部の前記第２方向の両方の側面がエッチングされる、
請求項５又は請求項６に記載の配線構造体の製造方法。
【請求項９】
前記第２パターン部の幅は、前記第１方向に延びる第１パターン部の幅よりも狭く形成される、請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載の配線構造体の製造方法。
【請求項１０】
請求項５乃至請求項９のいずれか１項に記載の配線構造体の製造方法のいずれか２つ以上を組み合わせた、配線構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は配線構造体及びその製造方法に関し、特に、微細化された信頼性の高い配線構造体、及び、配線構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高密度化、小型化が進み、電子機器に搭載される集積回路もより微細化している。これに伴い、集積回路の配線の微細化（配線幅の狭小化）が要求されるようになっている。
【０００３】
配線の形成方法としては、サブトラクティブ法やセミアディティブ法などが知られている。例えば、特許文献１には、セミアディティブ法によって形成された第１金属層（シード層）の上に第２金属層がめっきされた配線構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２４５５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般的に、セミアディティブ法では、第２金属層を形成した後にレジスト層を剥離し、露出した第１金属層（給電層）を除去する。第１金属層は、通常、ウェットエッチングによって除去される。ウェットエッチングを行う場合、用いるエッチング液によっては等方性エッチングとなるため、第２金属層と基板との間に配置された第１金属層がサイドエッチングされて、第１金属層の幅が狭くなる。
【０００６】
配線構造体が微細化されて配線幅が狭くなるにつれて、第１金属層のサイドエッチングが起こると、配線が倒れるなどの不具合が発生する。また、第１金属層の膜厚を薄くすることで、第１金属層のサイドエッチングを抑制することができるが、電解メッキで第１金属層上に第２金属層を形成する場合、第１金属層が薄いと電気抵抗が高くなってしまい、第１金属層に電流が流れ難くなるという問題が生じる。また、ウェットエッチングに代わって、第１金属層のサイドエッチングが発生しないドライエッチングでエッチングを行った場合、高価な設備が必要になるため、製造コストが増加するという問題がある。
【０００７】
本開示は、上記実情に鑑み、サイドエッチングの影響により第１金属層の面積が狭くなった場合でも、基板に対する配線の接着性を向上させることができる、微細化された配線構造体、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一実施形態に係る配線構造体によると、第１方向、及び前記第１方向に対して垂直である第２方向を有する基板と、前記基板上に、前記第１方向に延び、前記第２方向に第１の幅を有する第１領域、及び、前記第２方向に前記第１の幅とは異なる第２の幅を有する第２領域、を有し、金属材料を含む第１金属層と、前記第１金属層上に、前記第１方向から見た断面視において前記第１領域における前記第２方向の少なくとも一方の側面を覆い、前記第１方向に延び、金属材料を含む第２金属層と、を備える配線構造体が提供される。
【０００９】
本開示の一実施形態に係る配線構造体の製造方法によると、第１方向、及び前記第１方向に対して垂直である第２方向を有する基板上に、第１方向に延びる第１パターン部、及び、前記第１方向とは異なる方向に延びて前記第１パターン部と繋がる第２パターン部を有するパターンを有し、金属材料を含む第１金属層を形成する工程と、平面視で前記第１パターン部の表面の少なくとも一部、及び前記第１方向に対して垂直な第２方向における前記第１パターン部の少なくとも一方の側面を露出するように、前記基板上に、前記第１金属層の少なくとも一部を露出するようにレジスト層を形成する工程と、前記第１方向から見た断面視で、前記レジスト層から露出した前記第１金属層を覆う第２金属層を形成する工程と、前記レジスト層を除去する工程と、露出された前記第１金属層をエッチングにより除去する工程と、を含む配線構造体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、微細化された配線構造体において、サイドエッチングの影響により第１金属層の面積が狭くなった場合でも、基板に対する配線の接着性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（Ａ）は、第１実施形態に係る配線構造体の一部拡大平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図である。（Ｃ）は、（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図２】配線構造体における第１金属層の一部拡大平面図である。
【図３】（Ａ）は、配線構造体の第１金属層の部分を上方から見た平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図である。（Ｃ）は、（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図４】（Ａ）は、図３の状態に対して、レジスト層を形成した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図５】（Ａ）は、図４の状態に対して、第２金属層を形成した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図６】（Ａ）は、図５の状態に対して、レジスト層を除去した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図７】（Ａ）は、エッチングにより第１金属層を除去した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図８】第１領域の製造工程を示す断面図である。
【図９】第２領域の製造工程を示す断面図である。
【図１０】（Ａ）は、第２実施形態に係る配線構造体の一部拡大平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図１１】配線構造体における第１金属層の一部拡大平面図である。
【図１２】（Ａ）は、図３の状態に対して、レジスト層を形成した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図１３】（Ａ）は、図１２の状態に対して、第２金属層を形成した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図１４】（Ａ）は、図１３の状態に対して、レジスト層を除去した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図１５】（Ａ）は、図１４の状態に対して、エッチングにより第１金属層を除去した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【図１６】第１領域の製造工程を示す断面図である。
【図１７】第２領域の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。また、説明の便宜上、上方又は下方という語句を用いて説明するが、上下方向が逆転してもよい。
【００１３】
（第１実施形態）
図１（Ａ）は、本開示の第１実施形態に係る配線構造体２００を基板１の表面に対して垂直な方向から見た一部拡大平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図２は、配線構造体２００のシード層となる第１金属層２を基板１の表面に対して垂直な方向から見た一部拡大断面図である。図１及び図２に示されるように、配線構造体２００は、基板１と、第１金属層２と、第２金属層１０と、を備える。尚、図２において、第２金属層１０の記載は省略されている。
【００１４】
（基板）
基板１は、特に材質は限定されなくても良いが、例えばガラス基板又はシリコン基板などの半導体基板が用いられる。また、基板１は、ガラス基板又は半導体基板に限定されず、サファイア基板、セラミック基板、樹脂基板などの基板及びフィルム形態であってもよい。
【００１５】
（第１金属層）
第１金属層２は、基板１上に設けられる。なお、図１及び図２においては、第１金属層２は基板１の直上に配置されているが、基板１と第１金属層２との間に他の層（例えば絶縁層）が配置されていてもよい。また、第１金属層２は、チタン、鉄、ニッケル、銅、ナトリウム、亜鉛等の金属又はこれら組み合わせた合金といった金属材料を含む。第１金属層２は、金属材料に加えて感光性材料を含んでもよい。
【００１６】
本実施形態では、第１金属層２は、所定の第１方向（配線方向）に延びる。第１金属層２は、第１方向に対して垂直な第２方向（配線幅方向）に第１の幅Ｗａを有する第１領域２Ａと、第２の方向に第１の幅Ｗａとは異なる第２の幅Ｗｂを有する第２領域２Ｂとを有する。本実施形態では、第１領域２Ａの第１の幅Ｗａが第２領域２Ｂの第２の幅Ｗｂよりも大きい構成に関して説明する。
【００１７】
（第２金属層）
第２金属層１０は、第１金属層２上に設けられ、銅などの金属材料を含む。第２金属層１０は、第１方向から見た断面視で、第１領域２Ａにおける第２方向の少なくとも一方の側面（側面Ｐ１と側面Ｐ２の少なくとも一方）を覆う。本実施形態に係る配線構造体２００では、図１（Ａ）と図１（Ｃ）に示すように、第１領域２Ａにおいて、第１金属層２の第２方向の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２を覆っている。したがって、第２金属層１０は、第２方向に第１の幅Ｗａ及び第２の幅Ｗｂよりも広い金属層幅Ｗｃを有する。尚、第２金属層１０は、第１領域２Ａにおいて、第１金属層２の第２方向の側面Ｐ１と側面Ｐ２のうち、一方の側面を覆ってもよい。第１金属層２と第２金属層１０とは、配線５を構成する。
【００１８】
本実施形態では、第２領域２Ｂにおける第１金属層２の第２の幅Ｗｂは、後述する製造工程における第１金属層２の等方性エッチングにより、第１領域２Ａにおける第１金属層２の第１の幅Ｗａよりも狭い。また、第２領域２Ｂにおいては、第１金属層２の第２方向の側面に第２金属層１０がない。そのため、第１金属層２の第２領域２Ｂでは、基板１と第１金属層２との接触面積が小さくなり、基板１と第１金属層２との結合強度が弱くなる。
【００１９】
一方、第１領域２Ａにおいては、第１金属層２は第２方向に第２の幅Ｗｂよりも広い第１の幅Ｗａを有する。このように、第１領域２Ａでは、基板１と第１金属層２との接触面積が第２領域２Ｂよりも大きく、基板１と第１金属層２との結合強度が第２領域２Ｂよりも強い。
【００２０】
その結果、第２領域２Ｂの結合強度の減少分を、第１領域２Ａの結合強度が補強する効果が実現され、基板１から配線５が剥離したり、配線５が倒れたりするなどの問題が生じることを防止することができる。また、第１領域２Ａでは、第１金属層２の第２方向の側面Ｐ１と側面Ｐ２が第２金属層１０によって覆われている。そのため、第２金属層１０と基板１との接着部分が、配線５と基板１との結合強度をより向上させるために機能している。
【００２１】
図示していないが、第１領域２Ａと第２領域２Ｂとは、第１方向に所定間隔おきに交互に配置されてもよい。こうした構成によれば、所定長さ毎の基板１に対する第１金属層２の結合強度のムラが抑制される。また、第１領域２Ａと第２領域２Ｂとは、交互に配置されていれば、必ずしも所定間隔毎でなくても良い。
【００２２】
（配線構造体の製造方法）
次に、図３〜図９を参照しつつ、配線構造体２００の製造方法を説明する。まず、図３のように基板１上に金属材料を含む第１金属層２を全面に形成する。第１金属層２は、例えば、スパッタリング法、蒸着法、無電解銅めっきなどによって形成されてもよい。第１金属層２の厚みは、２００ｎｍ程度であればよい。
【００２３】
次に、図３に示すように第１金属層２をパターニングする（第１金属層形成工程）。第１金属層２のパターンは、第１方向（配線方向）に延びる第１パターン部Ｊ１と、第１方向とは異なる方向（第３方向）に延び、第１パターン部Ｊ１と繋がる（本実施形態の例では、交差して繋がるがこれに限定されなくても良い）第２パターン部Ｊ２とを有する。本実施形態では、第１方向と異なる方向は、第１方向（配線方向）に対して垂直な第２方向（配線幅方向）、即ち、第１パターン部Ｊ１の幅方向と一致している。つまり、第１パターン部Ｊ１と第２パターン部Ｊ２とは直交している。尚、第１方向と異なる方向は、第２方向と必ずしも一致する必要はない。すなわち、第２パターン部Ｊ２は、第１パターン部Ｊ１同士の間を繋げば良いので、第２パターン部Ｊ２は、第１パターン部Ｊ１に対して垂直である必要はない。また、給電のための第２パターン部Ｊ２は、基板１の全面に設けられなくてもよい。配線として残る第１パターン部Ｊ１同士が第２パターン部Ｊ２によって線状に所定幅で結ばれるようにパターニングされたり、配線として残る第１パターン部Ｊ１と外周の供給配線とが第２パターン部Ｊ２によって線状に所定幅で結ばれるようにパターニングされたりしても良い。
【００２４】
第１金属層２は、フォトリソグラフィなどにより第１パターン部Ｊ１と第２パターン部Ｊ２とを含むようにパターニングされる。ここでは、第１金属層２を基板１上の全面に形成し、その後に第１金属層２をパターニングする例を説明したが、第１金属層２のパターンを形成する方法はこれに限定されるわけではない。例えば、オフセット印刷やスクリーン印刷などの印刷法を用いて、基板１上に所望の第１金属層２を印刷して、必要に応じて焼成工程を行い形成してもよい。インキ化するための樹脂成分や溶媒成分を焼失させる必要があるためである。
【００２５】
例えば、基板１上において、第１金属層２のパターンを形成しない領域にレジスト層３を形成し、次に、基板１の全面に第１金属層２を形成し、その後、基板１上に形成されたレジスト層３の除去とともに第１金属層２の一部分を取り除くことにより、第１金属層２のパターンを形成してもよい。
【００２６】
図４（Ａ）は、図３の状態に対して、レジスト層３を形成した様子を示す平面図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、図４（Ｃ）は、図４（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図４（Ａ）に示すように、基板１上に、第１金属層２のパターンの少なくとも一部を露出するようにレジスト層３を形成する（レジスト層形成工程）。レジスト層３は、第１金属層２の第１パターン部Ｊ１の上面Ｐ３（平面視で第１パターン部Ｊ１の上面）の少なくとも一部、及び第２方向における第１金属層２の第１パターン部Ｊ１の少なくとも一方の側面を露出する。
【００２７】
本実施形態では、図４（Ａ）と図４（Ｃ）に示すように、レジスト層３は、第１パターン部Ｊ１の上面Ｐ３の全面、及び第２方向における第１パターン部Ｊ１の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２を露出して形成される。また、図４（Ａ）と図４（Ｂ）に示すように、レジスト層３は、第１パターン部Ｊ１の上面Ｐ３の全面を露出して形成される。
【００２８】
そのために、レジスト層３は、第１パターン部Ｊ１の第２方向における側面Ｐ１と側面Ｐ２から所定距離だけ離れた外側位置Ｒ１と外側位置Ｒ２まで第１金属層２及び基板１を露出させるように形成される。
【００２９】
第１金属層２の形成後に、レジスト層３を形成する理由として、もしレジスト層３が形成していない状態で、電解めっき法にて、第２金属層１０を形成すると、該第１金属層２の周りに第２金属層１０が等方的に形成されるため、厚み方向と横方向が同じ成長速度になり、細い配線形成が難しくなる。横方向の成長を制御するためレジスト層３が必要となる。
【００３０】
図５（Ａ）は、図４の状態に対して、第２金属層１０を形成した様子を示す平面図である。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図５に示されるように、露出された第１金属層２のパターン上に第２金属層１０が形成される（第２金属層形成工程）。第２金属層１０は、電解めっきによって形成される。めっき液として、硫酸銅めっき液を用いてもよい。
【００３１】
図５（Ｃ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１において第２パターン部Ｊ２が交差しない部分では、第１パターン部Ｊ１の上面Ｐ３の全面上、及び第１パターン部Ｊ１の第２方向における両側の側面Ｐ１と側面Ｐ２も第２金属層１０によって覆われる。一方、図５（Ｂ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１において第２パターン部Ｊ２が交差する部分では、第２金属層１０は、第１金属層２の第１パターン部Ｊ１の上面Ｐ３の全面を覆う。
【００３２】
図６（Ａ）は、図５の状態に対して、レジスト層３を除去した様子を示す平面図である。図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、図６（Ｃ）は、図６（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図６に示されるように、レジスト層３を除去する（レジスト層除去工程）。この時点では、第１金属層２は第１パターン部Ｊ１の他に第２パターン部Ｊ２を有する。
【００３３】
図７（Ａ）は、エッチングにより第１金属層２の第２パターン部Ｊ２を除去した様子を示す平面図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、図７（Ｃ）は、図７（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図７（Ａ）と図７（Ｂ）に示されるように、第１金属層２の第２パターン部Ｊ２をウェットエッチングによって除去する（第１金属層エッチング工程）。具体的には、第２金属層１０から露出している、第２方向に延びる第２パターン部Ｊ２をエッチングにより除去する。
【００３４】
第２パターン部Ｊ２を除去することにより、基板１上に残った第１金属層２の第１パターン部Ｊ１と第２金属層１０により、配線５が形成される。隣接する配線５同士は、第２パターン部Ｊ２が除去されることにより、互いに電気的に絶縁される。こうして、配線構造体１００が形成される。
【００３５】
第１金属層２の第２パターン部Ｊ２をエッチングして除去する際、図７（Ｃ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１において第２パターン部Ｊ２が交差しない部分では、第２方向の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２が第２金属層１０によって覆われているため、第１パターン部Ｊ１が第２方向にエッチングされることはない。
【００３６】
これに対して、図７（Ｂ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１において第２パターン部Ｊ２が交差する部分では、第２パターン部Ｊ２がエッチングにより除去される際に、第２パターン部Ｊ２のエッチングとともに第１パターン部Ｊ１も第２方向にエッチングされる。具体的には、図７（Ｂ）に示すように、等方性エッチングにより、第１パターン部Ｊ１は、第１パターン部Ｊ１の第２方向の側面Ｐ１と側面Ｐ２側から、第２方向に一部がエッチングされる。これにより、図７（Ｂ）と図７（Ｃ）に示すように、第１方向に対して垂直な第２方向に第１の幅Ｗａを有する第１領域２Ａと、第２方向に第１の幅Ｗａとは異なる第２の幅Ｗｂを有する第２領域２Ｂとが第１金属層２に形成される。
【００３７】
第１領域２Ａでは、基板１と第１金属層２との接触面積は、第２領域２Ｂにおける基板１と第１金属層２との接触面積よりも大きくなり、基板１と第１金属層２との結合強度が第２領域２Ｂに比べて強くなる。一方、第２領域２Ｂでは、基板１と第１金属層２との接触面積が小さくなり、基板１と第１金属層２との結合強度が第１領域２Ａに比べて弱くなる。
【００３８】
そのため、第１領域２Ａにおける基板１と第１金属層２との結合強度は、第２領域２Ｂにおける結合強度に比べて強い。その結果、第２領域２Ｂの基板１と第１金属層２の結合強度の減少分を、第１領域２Ａの基板１と第１金属層２の結合強度が補強することができる。
【００３９】
その結果、配線構造体２００を製造する場合、第２金属層１０と第１金属層２とからなる配線５同士の間の幅が狭い場合、つまり配線５が微細化された場合であっても、配線５が倒れたり、基板１から剥離することを防止することができる程度の基板１と第１金属層２との接触面積を確保し、基板１と第１金属層２との結合強度を維持することができる。そのため、微細化された、信頼性の高い配線構造体２００を実現することができる。
【００４０】
図８は、第１金属層２における第１領域２Ａの製造過程を示す断面図である。前述した第１領域２Ａにおける製造工程を分かり易く説明すると、以下のようになる。図８（Ａ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１の第２パターン部Ｊ２が交差していない部分では、基板１上に第２方向に第１の幅Ｗａを有する第１金属層２の第１パターン部Ｊ１が形成される。
【００４１】
図８（Ｂ）のように、第１パターン部Ｊ１の第２パターン部Ｊ２が交差していない部分において、第１パターン部Ｊ１の第２方向の両側の側面Ｐ１と側面Ｐ２が露出されるように、レジスト層３が形成される。図８（Ｃ）のように、第１パターン部Ｊ１の第２パターン部Ｊ２が交差していない部分において、第２金属層１０は、第１金属層２の第１パターン部Ｊ１の上面Ｐ３の全面と第２方向の側面Ｐ１と側面Ｐ２とを覆うように形成される。
【００４２】
図８（Ｄ）のようにレジスト層３が除去される。図８（Ｅ）に示すように、第１金属層２の第２パターン部Ｊ２がエッチングされているときも、第１パターン部Ｊ１の第２パターン部Ｊ２が交差していない部分はエッチングされないため、配線構造体２００の状態は、図８（Ｄ）の状態と同様である。こうして配線構造体２００が完成する。
【００４３】
前述の図８（Ａ）〜（Ｅ）の過程の結果、第１金属層２の第１パターン部Ｊ１において、第２方向の第１の幅Ｗａを有する第１領域２Ａが形成される。
【００４４】
図９は、第２領域２Ｂの製造過程を示す断面図である。前述した第２領域２Ｂにおける製造工程を分かり易く説明すると、以下のようになる。図９（Ａ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１の第２パターン部Ｊ２が交差している部分では、基板１上で第２方向に延びる第１金属層２の第２パターン部Ｊ２が形成される。
【００４５】
第１パターン部Ｊ１の第２パターン部Ｊ２が交差している部分では、図９（Ｂ）に示すようにレジスト層３が第１金属層２の第２パターン部Ｊ２上に形成される。図９（Ｃ）のようにレジスト層３から露出された第１金属層２の上面Ｐ３上を覆うように第２金属層１０が形成される。第２金属層１０を形成した後にレジスト層３が除去された状態を図９（Ｄ）に示す。
【００４６】
そして、露出された第１金属層２の第２パターン部Ｊ２をエッチングすると、図９（Ｅ）に示されるように、等方性エッチングにより、第２パターン部Ｊ２とともに第１パターン部Ｊ１の一部が第２方向にエッチングされる。その結果、第１パターン部Ｊ１の第２パターン部Ｊ２が交差していない部分において、第１金属層２には第２方向に第１の幅Ｗａよりも小さい第２の幅Ｗｂを有する第２領域２Ｂが形成される。
【００４７】
（第２実施形態）
図１０（Ａ）は、本開示の第２実施形態に係る配線構造体３００を基板１の表面に対して垂直な方向から見た一部拡大平面図である。図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図である。図１０（Ｃ）は、図１０（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図１１は、第１金属層２を基板１の表面に対して垂直な方向から見た断面図である。尚、図１２において、第２金属層１０の記載は省略されている。また、第１実施形態に係る配線構造体２００の製造方法と重複する説明は省略又は簡略化して説明する。
【００４８】
図１０及び図１１に示されるように、配線構造体３００は、基板１と、第１金属層２と、第２金属層１０と、を備える。第１金属層２は、基板１上に設けられ、金属材料を含んで第１方向（第１方向）に延びる。
【００４９】
第１金属層２は、第１方向に対して垂直な第２方向に第１の幅Ｗａを有する第１領域２Ａと、第２方向に第１の幅Ｗａとは異なる第２方向に第２の幅Ｗｂを有する第２領域２Ｂと、を有する。第２金属層１０は、第１方向から見た断面視で第１領域２Ａにおける第２方向の一方の側面Ｐ２を含む周囲に設けられ、第２方向に第１の幅Ｗａ及び第２の幅Ｗｂよりも広い金属層幅Ｗｃを有する。ただし、第１領域２Ａにおける第２方向の他方の側面Ｐ１側には第２金属層１０が形成されない。
【００５０】
次に、図３、及び、図１２〜図１７を参照しつつ、配線構造体３００の製造方法を説明する。最初に第１実施形態と同様に図３のように基板１上に第１金属層２を第１パターン部Ｊ１と第２パターン部Ｊ２とを含むように形成する（第１金属層形成工程）。
【００５１】
図１２（Ａ）は、図３の状態に対して、レジスト層３を形成した様子を示す一部拡大平面図である。図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、図１２（Ｃ）は、図１２（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図１２（Ａ）に示すように、基板１上に、第１金属層２のパターンの少なくとも一部を露出するようにレジスト層３を形成する（レジスト層形成工程）。
【００５２】
レジスト層３は、第１金属層２の第１パターン部Ｊ１の上面Ｐ３の少なくとも一部、及び第２方向における第１金属層２の第１パターン部Ｊ１の少なくとも一方の側面を露出するように形成される。本実施形態では、図１２（Ａ）と図１２（Ｃ）に示すように、第１パターン部Ｊ１において第２パターン部Ｊ２が交差しない部分では、レジスト層３は、第１パターン部Ｊ１の上面Ｐ３の一部、及び第２方向における第１パターン部Ｊ１の一方の側面Ｐ２を露出するように形成される。また、図１２（Ａ）と図１２（Ｂ）に示すように、第１パターン部Ｊ１において第２パターン部Ｊ２が交差する部分では、レジスト層３は、第１パターン部Ｊ１の上面Ｐ３の一部、及び第２方向における第２パターン部Ｊ２の上面Ｐ４の一部を露出するように形成される。
【００５３】
図１２（Ｃ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１において第２パターン部Ｊ２が交差しない部分では、レジスト層３は、第１金属層２の第１パターン部Ｊ１の第２方向における他方の側面Ｐ１を覆う（埋める）ように、内側位置Ｑ１まで形成される。また、レジスト層３は、第１金属層２の第１パターン部Ｊ１の第２方向における一方の側面Ｐ２を露出するように形成される。そのために、レジスト層３は、第１パターン部Ｊ１の第２方向における一方の側面Ｐ２から所定距離だけ離れた外側位置Ｒ２まで第１金属層２及び基板１を露出させるように形成される。
【００５４】
図１３（Ａ）は、図１２の状態に対して、第２金属層１０を形成した様子を示す平面図である。図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、図１３（Ｃ）は、図１３（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図１３に示されるように、露出された第１金属層２の上面Ｐ３に第２金属層１０が形成される（第２金属層形成工程）。
【００５５】
図１３（Ｃ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１において第２パターン部Ｊ２が交差しない部分では、第１パターン部Ｊ１の上面Ｐ３の一部上、及び第１パターン部Ｊ１の第２方向における一方の側面Ｐ２も第２金属層１０によって覆われる。一方、図１３（Ｂ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１において第２パターン部Ｊ２が交差する部分では、第２金属層１０は、第１金属層２の第１パターン部Ｊ１の上面Ｐ３の一部と第２パターン部Ｊ２の一部とを覆う。
【００５６】
図１４（Ａ）は、図１３の状態に対して、レジスト層３を除去した様子を示す平面図である。図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、図１４（Ｃ）は、図１４（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図１４に示されるように、レジスト層３を除去する（レジスト層除去工程）。この時点では、第１金属層２は第１パターン部Ｊ１と第２パターン部Ｊ２とを含んで残った状態である。
【００５７】
図１５（Ａ）は、第１金属層２の第２パターン部Ｊ２を除去した様子を示す平面図である。図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）のＢ１−Ｂ２線に沿う断面図であり、図１５（Ｃ）は、図１５（Ａ）のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図１５（Ａ）と図１５（Ｂ）に示されるように、第１金属層２の第２パターン部Ｊ２をウェットエッチングにより除去する。具体的には、第２金属層１０から露出している、第２方向に延びる第２パターン部Ｊ２をエッチングにより除去する（第１金属層エッチング工程）。
【００５８】
第２パターン部Ｊ２を除去することにより、基板１上に残った第１金属層２の第１パターン部Ｊ１と第２金属層１０により、配線５が形成される。隣接する配線５同士は、第２パターン部Ｊ２が除去されることにより、互いに電気的に絶縁される。こうして、配線構造体３００が形成される。
【００５９】
図１５（Ｂ）に示されるように、第１金属層２が交差する第２領域２Ｂの箇所では、第２方向の両方の側面Ｐ１、Ｐ２がエッチングされて凹んでいく。そのため、第１金属層２の第２方向の寸法は、第２金属層１０の金属層幅Ｗｃよりも狭い第２の幅Ｗｂに形成される。
【００６０】
第１金属層２の第２パターン部Ｊ２を除去する際、図１５（Ｃ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１において第２パターン部Ｊ２が交差しない部分では、一方の側面Ｐ２側が予め第２金属層１０によって被覆されているので、第１パターン部Ｊ１がエッチングされることはない。他方の側面Ｐ１が露出されていてエッチングされる。そのため、第１金属層２の第２方向の寸法は、第２金属層１０の金属層幅Ｗｃよりも狭い第１の幅Ｗａに形成される。しかしながら、第１金属層２の第２方向の横で第２金属層１０が基板１との接合強度を補強する機能を有する。その結果、第１領域２Ａは、第２領域２Ｂが狭い幅となっても配線構造体３００の強度を補強することができる。
【００６１】
なお、図１５では、第２領域２Ｂの第２の幅Ｗｂが第１領域２Ａの第１の幅Ｗａよりも大きい構成が記載されている。ただし、エッチングの進行度合いによって、第１領域２Ａの第１の幅Ｗａが第２領域２Ｂの第２の幅Ｗｂよりも大きい構成も可能である。
【００６２】
図１６は、第１領域２Ａの製造過程を示す断面図である。前述した第１金属層２における製造過程を分かり易く説明すると、以下のようになる。図１６（Ａ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１の第２パターン部Ｊ２が交差していない部分では、基板１上に第２方向で第１の幅Ｗａの第１金属層２が形成される。
【００６３】
図１６（Ｂ）のように、他方の側面Ｐ１を埋めつつ、第１金属層２の上面Ｐ３の一部、一方の側面Ｐ２、基板１上の一方の側面Ｐ２から外側位置Ｒ２までを露出させて、レジスト層３が形成される。そして、図１６（Ｃ）のように第１金属層２の上面Ｐ３の一部と第２方向の一方の側面Ｐ２とを覆うように第２金属層１０が形成され、図１６（Ｄ）のようにレジスト層３が除去される。それから、第１金属層２がエッチングされて第１金属層２が第２方向の第１の幅Ｗａに形成され、第２金属層１０が第２方向の幅が金属層幅Ｗｃに形成され、配線構造体３００が完成する。
【００６４】
前述の図１６の過程の結果、第１金属層２が第２方向の第１の幅Ｗａに縮むものの、第２金属層１０が第１金属層２の第２方向の横に存在することで、配線構造体３００の強度が低下するのが抑制され、配線構造体３００の強度の確保が実現される。
【００６５】
図１７は、第２領域２Ｂの製造過程を示す断面図である。前述した第２領域２Ｂにおける製造工程を分かり易く説明すると、以下のようになる。図１７（Ａ）に示されるように、第１パターン部Ｊ１の第２パターン部Ｊ２が交差している部分では、基板１上で第２方向に延びる第１金属層２の第２パターン部Ｊ２が形成される。
【００６６】
第１パターン部Ｊ１の第２パターン部Ｊ２が交差している部分では、図１７（Ｂ）に示すようにレジスト層３が第１金属層２の第２パターン部Ｊ２上に形成される。図１７（Ｃ）のようにレジスト層３から露出された第１金属層２の上面Ｐ３上を覆うように第２金属層１０が形成される。第２金属層１０を形成した後にレジスト層３が除去された状態を図１７（Ｄ）に示す。
【００６７】
そして、露出された第１金属層２の第２パターン部Ｊ２をエッチングすると、１７（Ｅ）に示されるように、等方性エッチングにより、第２パターン部Ｊ２とともに第１パターン部Ｊ１の一部が第２方向にエッチングされる。その結果、第１パターン部Ｊ１の第２パターン部Ｊ２が交差していない部分において、第１金属層２には第２方向に第１の幅Ｗａよりも小さい第２の幅Ｗｂを有する第２領域２Ｂが形成される。
【００６８】
前述してきた第１実施形態１又は第２実施形態の構成により、第２金属層１０と基板１との第１金属層２を介した密着面積を増加させることができる。配線幅が１０μｍ程度ある場合には問題はないが、特に、めっき配線幅が狭い構成が必要な場合に、本実施形態の構成を適用する意義が生じてくる。
【００６９】
なお、第１実施形態と第２実施形態の配線構造体２００と配線構造体３００は、適宜同じ基板１の表面で組み合わせて適用されても良い。また、配線構造体２００の構成の一部と配線構造体３００の構成の一部の中から２つ以上組み合わせた構成も可能である。
【００７０】
第２方向に延びる第１金属層２の幅は、第１方向に延びる第１金属層２の幅よりも狭く形成されても良い。
【符号の説明】
【００７１】
１  基板、２  第１金属層、２Ａ  第１領域、２Ｂ  第２領域、１０    第２金属層、２Ａ    第１領域、２Ｂ  第２領域、２００、３００  配線構造体、Ｊ１  第１パターン部、Ｊ２  第２パターン部、Ｐ１  側面、Ｐ２  側面、Ｐ３  上面、Ｐ４  上面、Ｒ１  外側位置、Ｒ２  外側位置、Ｗａ  第１の幅、Ｗｂ  第２の幅、Ｗｃ  金属層幅
【図１】
2017224648.tif 000003
【図２】
2017224648.tif 000004
【図３】
2017224648.tif 000005
【図４】
2017224648.tif 000006
【図５】
2017224648.tif 000007
【図６】
2017224648.tif 000008
【図７】
2017224648.tif 000009
【図８】
2017224648.tif 000010
【図９】
2017224648.tif 000011
【図１０】
2017224648.tif 000012
【図１１】
2017224648.tif 000013
【図１２】
2017224648.tif 000014
【図１３】
2017224648.tif 000015
【図１４】
2017224648.tif 000016
【図１５】
2017224648.tif 000017
【図１６】
2017224648.tif 000018
【図１７】
2017224648.tif 000019