(57)【要約】【課題】光発電の出力を損なうことなく、絶縁性能を確保しつ且つ耐環境性能を向上できる光電変換モジュールを提供する。【解決手段】光電変換モジュールは、基板１１と、基板１１上に配置され、複数の単位光電変換セル１２ａが電気的に接続されて形成される光電変換部１２と、基板１１上に配置され、光電変換部１２で発電された電力を取り出す第１電極部１３及び第２電極部１４と、を備え、基板１１上の周縁部には、光電変換部１２及び第１電極部１３及び第２電極部１４が配置されない絶縁領域が設けられており、第１電極部１３は、第１電極部の端部１３ａが基板１１の隅部１１ａと対向するように、絶縁領域１１ｉと光電変換部１２との間に配置され、基板１１の隅部１１ａと対向する第１電極部の少なくとも１つの端部１３ａは、切り欠き１３ｃを有しており、第１電極部１３と隣接する単位光電変換セル１２ａは、切り欠きを有していない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置され、複数の単位光電変換セルが電気的に接続されて形成される光電変換部と、
前記基板上に配置され、前記光電変換部で発電された電力を取り出す第１電極部及び第２電極部と、
を備え、
前記基板上の周縁部には、前記光電変換部及び前記第１電極部及び前記第２電極部が配置されない絶縁領域が設けられており、
前記第１電極部は、前記第１電極部の端部が前記基板の隅部と対向するように、前記絶縁領域と前記光電変換部との間に配置され、
前記基板の隅部と対向する前記第１電極部の少なくとも１つの端部は、切り欠きを有しており、
前記第１電極部と隣接する前記単位光電変換セルは、切り欠きを有していない、光電変換モジュール。
【請求項２】
前記第２電極部は、前記第２電極部の端部が前記基板の隅部と対向するように、前記絶縁領域と前記光電変換部との間に配置され、
前記基板の隅部と対向する前記第２電極部の少なくとも１つの端部は、切り欠きを有しており、
前記第２電極部と隣接する前記単位光電変換セルは、切り欠きを有していない、請求項１に記載の光電変換モジュール。
【請求項３】
切り欠きを有する前記第１電極部の端部と対向する前記基板の隅部は、切り欠きを有する、請求項１又は２に記載の光電変換モジュール。
【請求項４】
前記第１電極部の端部が有する切り欠きの形状は、直線状、又は、多角状、又は弧状を有する、請求項１〜３の何れか一項に記載の光電変換モジュール。
【請求項５】
基板上に、第１導電層と、光電変換層と、第２導電層とが積層された積層体を形成する第１工程であって、前記第１導電層は、第３導電層と、第４導電層と、前記第３導電層及び前記第４導電層の間に配置される第５導電層とを有し、前記第５導電層と、前記第５導電層上に配置される前記光電変換層の部分と、前記第５導電層の上方に配置される前記第２導電層の部分は、電気的に接続される複数の単位光電変換セルを形成しており、前記第３導電層及び前記第４導電層は、隣接する前記単位光電変換セルと電気的に接続されている第１工程と、
前記基板の周縁部に積層されている前記積層体の部分を除去し、前記第３導電層及び前記第４導電層上の前記光電変換層及び前記第２導電層を除去し、前記基板の隅部と対向する前記第３導電層の少なくとも１つの端部を除去して切り欠きを形成し且つ前記前記第３導電層と隣接する前記単位光電変換セルには切り欠きを形成しない、第２工程と、
を備える、光電変換モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽光等の光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換部は、発電した電力を取り出すための電極部と、光電変換部を保護する保護材等を備える光電変換モジュールに組み込まれて使用される。
【０００３】
光電変換モジュールは、通常、光発電の出力値、絶縁性能（例えば、モジュールの通電部と人が接触する可能性のある導電部との間に確保される絶縁距離）、耐環境性能等に対して所定の性能が求められる。
【０００４】
例えば、特許文献１は、基板の一面上に光電変換部を形成した後、基板の周縁から所定の幅の光電変換部を除去することにより、電気的な絶縁領域を形成して、光電変換モジュールを製造することを提案している。
【０００５】
また、特許文献２は、絶縁性能を確保すると共に、耐湿性能に優れた光電変換モジュールを提案している。
【０００６】
特許文献２が開示する光電変換モジュールは、基板上に配置され、複数の単位光電変換セルが電気的に接続されて形成される光電変換部と、基板上に配置され、光電変換部で発電された電力を取り出す第１電極部及び第２電極部を備える。基板上の周縁部には、光電変換部及び第１電極部及び第２電極部が配置されない絶縁領域が設けられている。第１電極部は、第１電極部の端部が絶縁領域を挟んで基板の隅部と対向するように、絶縁領域と光電変換部との間に配置されており、基板の隅部と対向する第１電極部の端部は、切り欠きを有している。第１電極部の端部の切り欠きは、この第１電極部と隣接する単位光電変換セルの端部を切り取るように、隣接する単位光電変換セルまで延びている。また、第１電極部の端部の切り欠きと対向する基板の隅部にも切り欠きが設けられている。第１電極部から電力を取り出すための配線は、第１電極部の端部の切り欠きから基板の隅部の切り欠きまで延出した後、基板の裏面側に折り返すように延びている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４−２７０３２号公報
【特許文献２】特開２０１０−５６２５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
光電変換モジュールの耐環境性能として、光電変換モジュールの周縁から内部への水分等の侵入を低減することがある。水分等が、電極部又は光電変換部又は配線等に接触することにより、これらの電気的特性の劣化又は変色が生じ得る。
【０００９】
特に、矩形の形状を有する光電変換モジュールでは、２つの直線状の側縁が接続して形成される隅部においては、２つの側縁からの水分等の侵入により、他の部分よりも電極部又は光電変換部又は配線等の電気的特性の劣化又はこれらの変色が生じやすいと考えられる。
【００１０】
特許文献１が開示する光電変換モジュールの耐環境性能及び絶縁性能は、基板の周縁部に設ける絶縁領域を広くすることにより向上できるが、絶縁領域を増大すると、光発電領域である光電変換部の面積が相対的に低減するという問題が生じ得る。基板を大きくすることも考えられるが、この場合、製造コストの増加や単位面積当たりの光発電の出力が低下するという問題が生じる。
【００１１】
また、特許文献２が開示する光電変換モジュールでは、第１電極部と隣接する単位光電変換セルの端部に切り欠きが設けられているので、単位光電変換セルの面積が低減して、光発電の出力が低下するという問題が生じる。また、面積の小さい単位光電変換セルの電流に律速して、光電変換部の全体の電流が制限され、光発電の出力が低下するという問題も生じる。
【００１２】
本明細書では、上述した問題を解決し得る光電変換モジュールとその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本明細書に開示する光電変換モジュールによれば、基板と、上記基板上に配置され、複数の単位光電変換セルが電気的に接続されて形成される光電変換部と、上記基板上に配置され、上記光電変換部で発電された電力を取り出す第１電極部及び第２電極部と、を備え、上記基板上の周縁部には、上記光電変換部及び上記第１電極部及び上記第２電極部が配置されない絶縁領域が設けられており、上記第１電極部は、上記第１電極部の端部が上記基板の隅部と対向するように、上記絶縁領域と上記光電変換部との間に配置され、上記基板の隅部と対向する上記第１電極部の少なくとも１つの端部は、切り欠きを有しており、上記第１電極部と隣接する上記単位光電変換セルは、切り欠きを有していない。
【００１４】
また、本明細書に開示する光電変換モジュールの製造方法によれば、基板上に、第１導電層と、光電変換層と、第２導電層とが積層された積層体を形成する第１工程であって、上記第１導電層は、第３導電層と、第４導電層と、上記第３導電層及び上記第４導電層の間に配置される第５導電層とを有し、上記第５導電層と、上記第５導電層上に配置される上記光電変換層の部分と、上記第５導電層の上方に配置される上記第２導電層の部分は、電気的に接続される複数の単位光電変換セルを形成しており、上記第３導電層及び上記第４導電層は、隣接する上記単位光電変換セルと電気的に接続されている第１工程と、上記基板の周縁部に積層されている上記積層体の部分を除去し、上記第３導電層及び上記第４導電層上の上記光電変換層及び上記第２導電層を除去し、上記基板の隅部と対向する上記第３導電層の少なくとも１つの端部を除去して切り欠きを形成し且つ上記第３導電層と隣接する上記単位光電変換セルには切り欠きを形成しない、第２工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１５】
上述した本実施形態に開示する光電変換モジュールによれば、光発電の出力を損なうことなく、絶縁性能を確保し且つ耐環境性能を向上できる。
【００１６】
また、上述した本明細書に開示する光電変換モジュールの製造方法によれば、光発電の出力を損なうことなく、絶縁性能を確保しつ且つ耐環境性能を向上できる光電変換モジュールが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本明細書に開示する光電変換モジュールの第１実施形態の平面図を示す図である。
【図２】図１のＺ１−Ｚ１線断面図を示す図である。
【図３】図１の要部の拡大図である。
【図４】（Ａ）は、比較形態１の要部を示す図であり、（Ｂ）は、比較形態２の要部を示す図である。
【図５】（Ａ）は、第１実施形態の光電変換モジュールと、比較形態１とを比較した結果を示す図であり、（Ｂ）は、第１実施形態の光電変換モジュールと、比較形態２とを比較した結果を示す図である。
【図６】（Ａ）は、第１実施形態の変形例１を示す図であり、（Ｂ）は、第１実施形態の変型例２を示す図である。
【図７】本明細書に開示する光電変換モジュールの第２実施形態の平面図を示す図である。
【図８】図７の要部の拡大図である。
【図９】比較形態３の要部を示す図である。
【図１０】比較形態４の要部を示す図である。
【図１１】比較形態５の要部を示す図である。
【図１２】（Ａ）は、第２実施形態の光電変換モジュールと、比較形態３とを比較した結果を示す図であり、（Ｂ）は、第２実施形態の光電変換モジュールと、比較形態４とを比較した結果を示す図であり、（Ｃ）は、第３実施形態の光電変換モジュールと、比較形態５とを比較した結果を示す図である。
【図１３】（Ａ）は、第２実施形態の変形例１を示す図であり、（Ｂ）は、第２実施形態の変型例２を示す図であり、（Ｃ）は、第２実施形態の変形例３を示す図である。
【図１４】本明細書に開示する光電変換モジュールの第３実施形態の平面図を示す図である。
【図１５】本明細書に開示する光電変換モジュールの第４実施形態の平面図を示す図である。
【図１６】本明細書に開示する光電変換モジュールの第５実施形態の平面図を示す図である。
【図１７】本明細書に開示する光電変換モジュールの製造方法の一実施形態を説明する図（その１）である。
【図１８】本明細書に開示する光電変換モジュールの製造方法の一実施形態を説明する図（その２）である。
【図１９】本明細書に開示する光電変換モジュールの製造方法の一実施形態を説明する図（その３）である。
【図２０】本明細書に開示する光電変換モジュールの製造方法の一実施形態を説明する図（その４）である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本明細書で開示する光電変換モジュールの好ましい第１実施形態を、図を参照して説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。
【００１９】
図１は、本明細書に開示する光電変換モジュールの第１実施形態の平面図を示す図である。図２は、図１のＺ１−Ｚ１線断面図を示す図である。図３は、図１の鎖線で囲まれた要部の拡大図である。
【００２０】
本実施形態の光電変換モジュール１０は、電気絶縁性の基板１１と、基板１１上に配置され、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換部１２と、基板１１上に配置され、光電変換部１２で発電された電力を取り出す第１電極部１３及び第２電極部１４を備える。
【００２１】
また、光電変換部１２及び第１電極部１３及び第２電極部１４の上を覆うように充填材１５が配置され、充填材１５の上に保護材１７が配置される。また、基板１１と保護材１７との間には、充填材１５を囲むようにシール材１６が配置される。光電変換モジュール１０から充填材１５及びシール材１６及び保護材１７を除いた部分は、光電変換サブモジュールとも呼ばれる。
【００２２】
なお、図１では、充填材１５及びシール材１６及び保護材１７、配線、半田材は記載していない。また、本明細書に開示する光電変換モジュールの他の実施形態及び比較形態の平面図においても、充填材及びシール材及び保護材及び配線及び半田材は記載していない。
【００２３】
基板１１は、矩形の形状を有する。基板１１は、４つの隅部１１ａ〜１１ｄ及び４つの直線部１１ｅ〜１１ｈを有する。４つの直線部１１ｅ〜１１ｈにより、基板１１の矩形の輪郭が形成される。基板１１の直線部１１ｆ、１１ｈが延びる方向は、ｘ軸の向きと一致しており、基板１１の直線部１１ｅ、１１ｇが延びる方向は、ｙ軸の向きと一致している。この説明は、本明細書に開示する他の実施形態及びその変形例及び比較形態にも適用される。
【００２４】
２つの直線部１１ｅ、１１ｈが接続して、隅部１１ａが形成され、２つの直線部１１ｅ、１１ｆが接続して、隅部１１ｂが形成され、２つの直線部１１ｆ、１１ｇが接続して、隅部１１ｃが形成され、２つの直線部１１ｇ、１１ｈが接続して、隅部１１ｄが形成される。
【００２５】
基板の形成材料としては、ソーダライムガラス等のガラスの板、樹脂等の絶縁性の板、又は金属等の導電性の板の少なくとも一面が絶縁物で覆われた板等を用いることができる。
【００２６】
基板１１上の周縁部には、光電変換部１２及び第１電極部１３及び第２電極部１４が配置されない絶縁領域１１ｉが設けられている。絶縁領域１１ｉは、ほぼ所定の幅で、各直線部に沿って延びるように形成される。絶縁領域１１ｉには、導電性を有する物は配置されないことが好ましい。
【００２７】
光電変換部１２は、平面視した形状が矩形である。光電変換部１２は、基板１１上に配置される裏面電極層１２ｂと、裏面電極層１２ｂ上に配置される光電変換層１２ｃと、光電変換層１２ｃ上に配置される表面電極層１２ｄを有する。
【００２８】
裏面電極層１２ｂと光電変換層１２ｃと表面電極層１２ｄは、電気的に接続される複数の単位光電変換セル１２ａを形成する。
【００２９】
光電変換部１２は、平面視して矩形の形状を有しており、複数の単位光電変換セル１２ａが電気的に接続されて形成される。各単位光電変換セル１２ａは、ｙ軸方向に延びる矩形の形状を有する。各単位光電変換セル１２ａは、同じ形状及び同じ面積を有している。複数の単位光電変換セル１２ａは、直列、並列又は直列及び並列を組み合わせて、電気的に接続され得る。なお、図２では、図面を分かり易くするために、単位光電変換セル１２ａの記載は省略している。
【００３０】
光電変換層１２ｃは、ＣＩＳ系材料、ＣＩＧＳ系材料、シリコン系材料又はＣｄＴｅ系材料等を用いて形成することができる。光電変換層１２ｃがＣＩＳ系材料又はＣＩＧＳ系材料を用いて形成される場合には、裏面電極層１２ｂは、Ｍｏ等の金属材料を用いて形成され、表面電極層１２ｄは、ＺｎＯ等の透明な導電性材料を用いて形成され得る。また、光電変換層１２ｃがシリコン系材料又はＣｄＴｅ系材料を用いて形成される場合には、裏面電極層１２ｂは、透明な導電性材料を用いて形成され、表面電極層１２ｄは、金属材料を用いて形成され得る。
【００３１】
なお、光電変換層１２ｃへの光の照射は、表面電極層１２ｄ側から行っても良いし、裏面電極層１２ｂ側から行ってもよい。ただし、光電変換層１２ｃに対して光が照射される側の部材は、光を透過する材料を用いて形成される。
【００３２】
第１電極部１３は、光電変換部１２と、基板１１の直線部１１ｅ側の絶縁領域１１ｉとの間に配置される。第１電極部１３は、ｙ軸方向に延びる矩形の形状を有する。第１電極部１３は、第１電極部１３の長手方向の一方の端部１３ａが基板の隅部１１ａと対向し、他方の端部１３ｂが基板の隅部１１ｂと対向するように、絶縁領域１１ｉと光電変換部１２との間に配置される。
【００３３】
第２電極部１４は、光電変換部１２と、基板１１の直線部１１ｇ側の絶縁領域１１ｉとの間に配置される。第２電極部１４は、ｙ軸方向に延びる矩形の形状を有する。第２電極部１４は、第２電極部１４の長手方向の一方の端部１４ａが基板の隅部１１ｄと対向し、他方の端部１４ｂが基板の隅部１１ｃと対向するように、絶縁領域１１ｉと光電変換部１２との間に配置される。
【００３４】
基板１１の隅部１１ａと対向する第１電極部１３の端部１３ａは、切り欠き１３ｃを有している。切り欠き１３ｃに関しては、後で更に詳述する。
【００３５】
この第１電極部１３と隣接する単位光電変換セル１２ａは、切り欠きを有していない。矩形の形状を有する単位光電変換セル１２ａの４つの隅部は、切り欠きを有しておらず、他の単位光電変換セル１２ａと同じ形状及び同じ面積を有する。従って、各単位光電変換セル１２ａは同じ光発電量を有している。
【００３６】
一の単位光電変換セル１２ａで発電された電気は、隣接する他の単位光電変換セル１２ａを介して、第１電極部１３又は第２電極部１４から取り出される。ここで、各単位光電変換セル１２ａは同じ面積を有しているので、一の単位光電変換セル１２ａで発生した電流は、どの単位光電変換セル１２ａにおいても、同じ様に流れることができる。例えば、何れかの単位光電変換セルの面積が他の単位光電変換セルよりも面積が小さいと、第１電極部１３又は第２電極部１４から取り出される電流値は、一番面積が小さい単位光電変換セルにより制限を受けることになる。
【００３７】
第１電極部１３及び第２電極部１４には、図示しない配線が半田材を用いて接続されている。光電変換部１２で発電された電力は、第１電極部１３及び第２電極部１４に集められた後、この配線を用いて、光電変換モジュール１０の外に引き出される。
【００３８】
配線の形成材料としては、例えば、銅箔を用いることができる。配線の表面には、半田材との接着を良くする材料を被覆してもよい。半田材としては、例えば、ガラスを用いて形成される基板にも接着可能なものを用いることが好ましい。また、半田材として、インジウム系又はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系叉はＳｎ−Ｚｎ系を用いてもよい。
【００３９】
充填材１５は、保護材１７と、絶縁領域１１ｉ及び光電変換部１２及び第１電極部１３及び第２電極部１４が形成された基板１１を接着する。充填材１５は、光を透過する材料を用いて形成されることが好ましい。充填材１５の形成材料として、例えば、ＥＶＡ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｖｉｎｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ  ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ、エチレン酢酸ビニル共重合体）又はＰＶＢ（Ｐｏｌｙ  ｖｉｎｙｌ  ｂｕｔｙｒａｌ、ポリビニルブチラール）等を用いることができる。
【００４０】
シール材１６は、基板１１の絶縁領域１１ｉと、保護材１７との間において、充填材１５を囲むように配置される。シール材１６は、基板１１と保護材１７との間から水分等が内部へ侵入することを低減する。シール材１６の形成材料として、例えば、ブチルゴム等の高分子材料を用いることができる。
【００４１】
保護材１７は、絶縁領域１１ｉ及び光電変換部１２及び第１電極部１３及び第２電極部１４を保護する。保護材１７は、基板１１と同一の平面形状を有する。保護材１７は、水分、埃等が内部へ侵入することを低減することが好ましい。保護材１７の形成材料として、例えば、ガラス板、ＥＴＦＥ（エチレンテトラフルオロエチレン共重合体）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等を用いることができる。
【００４２】
また、光電変換モジュール１０の防湿性及び耐用性を高める観点から、基板１１の裏面と側縁を覆う保護シート（通称はバックシート）を配置してもよい。
【００４３】
上述した光電変換モジュール１０の具体的な寸法の例として、基板１１を一辺の長さが３００ｍｍの正方形とし、絶縁領域１１ｉの幅を５ｍｍ〜１４．５ｍｍとし、第１電極部１３及び第２電極部１４の幅を４ｍｍ〜８ｍｍとし、単位光電変換セルの幅を３ｍｍ〜８ｍｍとし、第１電極部１３の切り欠き１３ｃの直線部の長さを１６ｍｍ以下とすることができる。
【００４４】
以下、第１電極部１３が有する切り欠き１３ｃについて、図３を参照しながら、更に説明する。
【００４５】
切り欠き１３ｃは、第１電極部１３の長手方向の端部１３ａにおいて、基板１１の隅部１１ａと対向するように形成される。切り欠き１３ｃは、第１電極部１３の端部１３ａにおいて、ｘ軸方向及びｙ軸方向に対して斜めに交差する向きに形成される。第１電極部１３の端部１３ａが有する切り欠き１３ｃは、直線形状を有する。切り欠き１３ｃと隣接する部分には、基板１１が露出している。
【００４６】
第１電極部１３の端部１３ａに切り欠き１３ｃを設けることにより、切り欠きが設けられていない場合と比べて、基板１１の隅部１１ａと第１電極部１３の端部１３ａとの間の距離を長くすることが可能となる。
【００４７】
上述したように、基板１１の隅部１１ａは、２つの直線部１１ｅ、１１ｈが接続して形成されるので、この２つ直線部１１ｅ、１１ｈからの水分等の侵入により、他の部分よりも水分等が内部へ多く侵入し易い構造となっている。そこで、第１電極部１３の端部１３ａに切り欠き１３ｃを設けて、基板１１の隅部１１ａと電極部１３の端部１３ａとの間の距離を長くすることにより、侵入した水分等が、第１電極部１３の端部１３ａに到達することを低減する。
【００４８】
図３に示すように、絶縁領域１１ｉのｙ軸方向の幅をａとし、ｘ軸方向の幅をｂとする。また、第１電極部１３のｘ軸方向の幅をＣとする。切り欠き１３ｃのｘ軸方向の寸法をｃとし、ｙ軸方向の寸法をｄとする。また、図１に示すように、基板１１のｙ軸方向の寸法をＡとし、ｘ軸方向の寸法をＢとする。
【００４９】
光電変換モジュール１０の非発電領域の面積Ｓは、次式（１）で表される。
【００５０】
Ｓ＝１／２×Ａ×（ｂ＋Ｃ）＋（１／２×Ｂ−ｂ−Ｃ）×ａ      （１）
【００５１】
非発電領域の面積Ｓは、光電変換モジュール１０の１／４の領域において、光電変換部を除いた領域の面積を表す。光電変換モジュール１０の１／４の領域を用いる理由は、切り欠きの大きさの影響を明確にするためである。この非発電領域の面積に関する説明は、本明細書に開示する他の実施形態及び比較形態に対しても適用される。
【００５２】
基板１１の隅部１１ａと切り欠き１３ｃとの間の距離ｈは、次式（２）で表される。
【００５３】
ｈ＝（ａ２＋（ｂ＋ｃ）２）０．５      （２）
【００５４】
光電変換モジュール１０の絶縁性能の指標である絶縁距離は、絶縁領域１１ｉの幅ａ、幅ｂ及び距離ｈの内の最小の距離となるので、幅ａ又は幅ｂと一致する。
【００５５】
次に、本実施形態の光電変換モジュール１０を、比較形態１及び比較形態２と比較して、以下に説明する。
【００５６】
まず、本実施形態の光電変換モジュール１０を、比較形態１と比較して説明する。
【００５７】
図４（Ａ）は、比較形態１の要部を示す図である。
【００５８】
比較形態１の光電変換モジュール１１０ａは、第１電極部１３の端部１３ａに切り欠きが設けられていない。その他の光電変換モジュール１１０ａの構成は、上述した第１実施形態の光電変換モジュール１０と同様である。例えば、基板１１のｘ軸方向の寸法Ｂ及びｙ軸方向の寸法Ａと、絶縁領域１１ｉのｙ軸方向の幅ａ及びｘ軸方向の幅ｂと、第１電極部１３のｘ軸方向の幅Ｃ、及び単位光電変換セル１２ａの寸法及び光電変換部１２の寸法は、光電変換モジュール１０と同じである。
【００５９】
比較形態１の光電変換モジュール１１０ａの絶縁距離は、絶縁領域１１ｉの幅ａ、幅ｂ及び基板１１の隅部１１ａと切り欠き１３ｃとの間の距離の内の最小の距離となるので、幅ａ又は幅ｂと一致する。
【００６０】
比較形態１の光電変換モジュール１１０ａの非発電領域の面積Ｓ１は、上述した式（１）で表される。即ち、非発電領域の面積Ｓ１は、第１実施形態の非発電領域の面積Ｓと同じである。
【００６１】
また、比較形態１の光電変換モジュール１１０ａの発電領域の面積は、第１実施形態の発電領域の面積と同じである。
【００６２】
比較形態１の光電変換モジュール１１０ａの基板１１の隅部１１ａと切り欠き１３ｃとの間の距離は、第１電極部１３の端部１３ａに切り欠きがないので、第１実施形態の光電変換モジュール１０よりも短い。
【００６３】
図５（Ａ）は、第１実施形態の光電変換モジュールと、比較形態１とを比較した結果を示す図である。
【００６４】
比較形態１の光電変換モジュール１１０ａは、絶縁距離と、発電領域の面積及び非発電領域の面積に関しては、第１実施形態の光電変換モジュール１０と同じである。
【００６５】
一方、基板１１の隅部１１ａから第１電極部の端部１３ａまでの距離は、比較形態１の光電変換モジュール１１０ａの方が、第１実施形態の光電変換モジュール１０よりも短い。
【００６６】
次に、第１実施形態の光電変換モジュール１０及び比較形態１の光電変換モジュール１１０ａに対して、耐環境試験を行って、第１電極部等の変色に調べた。耐環境試験は、光電変換モジュールを温度８５℃、湿度８５％の環境に所定の時間放置して行った。
【００６７】
第１実施形態の光電変換モジュール１０の第１電極部１３、配線、半田材の変色の程度は、比較形態１の光電変換モジュール１１０ａよりも少なかった。この理由として、第１実施形態の光電変換モジュール１０では、第１電極部１３の端部１３ａが切り欠き１３ｃを有するので、基板１１の隅部１１ａから第１電極部の端部１３ａまでの距離が長くなっているためと推定される。なお、切り欠き１３ｃの部分には配線を電気的に接続する第１電極部がない。配線に半田材が被覆されていない場合は、切り欠き１３ｃの部分には半田材が無いため、切り欠き１３ｃの部分での半田材の変色は無い。
【００６８】
図５（Ａ）に示すように、比較形態１の光電変換モジュール１１０ａの耐環境性能は、第１実施形態の光電変換モジュール１０よりも劣る。即ち、第１実施形態の光電変換モジュール１０の耐環境性能は、比較形態１の光電変換モジュール１１０ａよりも優れている。
【００６９】
上述したように、第１実施形態の光電変換モジュール１０は、絶縁距離及び光発電の出力値が、比較形態１の光電変換モジュール１１０ａと同等でありがなら、耐環境性能を向上することができる。
【００７０】
次に、本実施形態の光電変換モジュール１０を、比較形態２と比較して説明する。
【００７１】
図４（Ｂ）は、比較形態２の要部を示す図である。
【００７２】
比較形態２の光電変換モジュール１１０ｂは、第１電極部１３の端部１３ａに切り欠きが設けられていない。一方、基板１１の隅部１１ａは、切り欠き１１ｊを有する。基板１１の隅部１１ａには、直線部１１ｅと直線部１１ｈとが接続して形成される隅部１１ａの頂点を含む部分が切り落とされて、切り欠き１１ｊが形成されている。切り欠き１１ｊは、基板１１の隅部１１ａにおいて、ｘ軸方向及びｙ軸方向に対して斜めに交差する向きに形成される。基板１１の隅部１１ａが有する切り欠き１１ｊは、直線形状を有する。本明細書では、隅部の頂点を含む部分が切り落とされている場合には、切り欠きを含む隅の領域を隅部と呼ぶ。
【００７３】
比較形態２の光電変換モジュール１１０ｂでは、基板１１のｘ軸方向の寸法Ｂ及びｙ軸方向の寸法Ａ、第１電極部１３のｘ軸方向の幅Ｃ、及び、基板１１の隅部１１ａと第１電極部１３との間の距離ｈ０が、第１実施形態の光電変換モジュール１０と同じである。そのため、比較形態２の光電変換モジュール１１０ｂでは、絶縁領域１１ｉのｙ軸方向の幅ａ０及びｘ軸方向の幅ｂ０は、第１実施形態の光電変換モジュール１０の絶縁領域１１ｉのｙ軸方向の幅ａ及びｘ軸方向の幅ｂよりも広くなっている。その他の光電変換モジュール１１０ｂの構成は、上述した第１実施形態の光電変換モジュール１０と同様である。
【００７４】
比較形態２の光電変換モジュール１１０ｂの非発電領域の面積Ｓ２は、次式（３）で表される。
【００７５】
Ｓ２＝１／２×Ａ×（ｂ０＋Ｃ）＋（１／２×Ｂ−ｂ０−Ｃ）×ａ０      （３）
【００７６】
本明細書では、基板の隅部が切り欠きを有する場合には、非発電領域の面積には、切り欠きを形成することにより切り落とされた領域の面積が含まれる。
【００７７】
比較形態２の光電変換モジュール１１０ｂの非発電領域の面積Ｓ２と、第１実施形態の光電変換モジュール１０の非発電領域の面積Ｓとを比較すると、下記式（４）で表される差ΔＳだけ、比較形態２の光電変換モジュール１１０ｂの非発電領域の面積が大きくなる。
【００７８】
ΔＳ＝Ｓ２−Ｓ＝１／２×Ａ×（ｂ０−ｂ）＋（１／２×Ｂ−Ｃ）×（ａ０−ａ）−（ａ０×ｂ０−ａ×ｂ）    （４）
【００７９】
図５（Ｂ）は、第１実施形態の光電変換モジュールと、比較形態２とを比較した結果を示す図である。
【００８０】
比較形態２の光電変換モジュール１１０ｂの発電領域の面積は、第１実施形態の光電変換モジュール１０よりも小さく、比較形態２の光電変換モジュール１１０ｂの非発電領域の面積は、第１実施形態の光電変換モジュール１０よりも大きい。
【００８１】
即ち、第１実施形態の光電変換モジュール１０の発電領域の面積は、比較形態２の光電変換モジュール１１０ｂの発電領域の面積よりも大きいので、第１実施形態の光電変換モジュール１０の光発電の出力値は、比較形態２よりも大きい。
【００８２】
上述した本実施形態の光電変換モジュール１０によれば、光発電の出力を損なうことなく、絶縁性能を確保し且つ耐環境性能を向上できる。
【００８３】
次に、上述した第１実施形態の光電変換モジュールの変形例を、図面を参照しながら、以下に説明する。
【００８４】
図６（Ａ）は、第１実施形態の変形例１を示す図である。
【００８５】
変形例１の光電変換モジュールは、第１電極部１３の端部１３ａが有する切り欠き１３ｃの形状は、直線部を有しておらず、弧状を有する。
【００８６】
図６（Ｂ）は、第１実施形態の変型例２を示す図である。
【００８７】
変形例２の光電変換モジュールは、第１電極部１３の端部１３ａが有する切り欠き１３ｃの形状は、複数の直線部が接続して形成される多角形状を有する。
【００８８】
次に、上述した光電変換モジュールの他の実施形態を、図７〜図１６を参照しながら以下に説明する。他の実施形態について特に説明しない点については、上述の第１実施形態に関して詳述した説明が適宜適用される。また、同一の構成要素には同一の符号を付してある。
【００８９】
図７は、本明細書に開示する光電変換モジュールの第２実施形態の平面図を示す図である。図８は、図７の鎖線で囲まれた要部の拡大図である。
【００９０】
本実施形態の光電変換モジュール１０は、切り欠き１３ｃを有する第１電極部１３の端部１３ａと対向する基板１１の隅部１１ａが切り欠き１１ｊを有する点が、上述した第１実施形態とは異なっている。その他の光電変換モジュール１０の構成は、上述した第１実施形態の光電変換モジュールと同様である。
【００９１】
基板１１の隅部１１ａには、直線部１１ｅと直線部１１ｈとが接続して形成される隅部１１ａの頂点を含む部分が切り落とされて、切り欠き１１ｊが形成されている。切り欠き１１ｊは、基板１１の隅部１１ａにおいて、ｘ軸方向及びｙ軸方向に対して斜めに交差する向きに形成される。基板１１の隅部１１ａが有する切り欠き１１ｊは、直線形状を有する。
【００９２】
基板１１の隅部１１ａの切り欠き１１ｊは、光電変換モジュール１０の製造工程において基板１１の向きを特定するために設けられており、オリエンテーション・フラット（いわゆるオリフラ）とも呼ばれる。
【００９３】
図８に示すように、絶縁領域１１ｉのｙ軸方向の幅をａ１とし、ｘ軸方向の幅をｂ１とする。また、第１電極部１３のｘ軸方向の幅をＣとする。第１電極部１３の切り欠き１３ｃのｘ軸方向の寸法をｃ１とし、ｙ軸方向の寸法をｄ１とする。基板１１の隅部１１ａの切り欠き１１ｊのｘ軸方向の寸法をＢ１とし、ｙ軸方向の寸法をＡ１とする。また、図７に示すように、基板１１のｙ軸方向の寸法をＡとし、ｘ軸方向の寸法をＢとする。
【００９４】
光電変換モジュール１０の非発電領域の面積Ｓ３は、次式（５）で表される。
【００９５】
Ｓ３＝１／２×Ａ×（ｂ１＋Ｃ）＋（１／２×Ｂ−ｂ１−Ｃ）×ａ１      （５）
【００９６】
基板１１の隅部１１ａと切り欠き１３ｃとの間の距離ｈ１は、次式（６）で表される。
【００９７】
ｈ１＝［｛（ａ１×ｃ１＋ｂ１×ｄ１）２＋ｃ１×ｄ１×（ｃ１×ｄ１＋２×ａ１×ｃ１＋２×ｂ１×ｄ１）｝／（ｃ１２＋ｄ１２）］０．５−Ａ１×Ｂ１／（Ａ１２＋Ｂ１２）０．５      （６）
【００９８】
光電変換モジュール１０の絶縁性能の指標である絶縁距離は、絶縁領域１１ｉの幅ａ１、幅ｂ１及び距離ｈ１の内の最小の距離となる。
【００９９】
上述した光電変換モジュール１０の具体的な寸法の例として、基板１１を一辺の長さが３００ｍｍの正方形とし、絶縁領域１１ｉの幅を５ｍｍ〜１４．５ｍｍとし、第１電極部１３及び第２電極部１４の幅を４ｍｍ〜８ｍｍとし、単位光電変換セルの幅を３ｍｍ〜８ｍｍとし、第１電極部１３の切り欠き１３ｃの直線の長さを１６ｍｍ以下とすることができる。また、基板１１の隅部１１ａの切り欠き１１ｊの直線の長さを２０ｍｍ以下とすることができる。
【０１００】
次に、本実施形態の光電変換モジュール１０を、比較形態３〜比較形態５と比較して、以下に説明する。
【０１０１】
まず、第２実施形態の光電変換モジュール１０を、比較形態３と比較して説明する。
【０１０２】
図９は、比較形態３の要部を示す図である。
【０１０３】
比較形態３の光電変換モジュール１１０ｃは、第１電極部１３の端部１３ａが切り欠きを有さないことを除いて、各構成要素の寸法を含めて、上述した第２実施形態の光電変換モジュール１０と同様の構成を有する。
【０１０４】
比較形態３の光電変換モジュール１１０ｃでは、基板１１の隅部１１ａと切り欠き１３ｃとの間の距離ｈ２は、第２実施形態の光電変換モジュール１０の距離ｈ１よりも短い。距離ｈ２が短いため、絶縁性能は比較形態３の方が実施例２より悪い。
【０１０５】
なお、比較形態３の光電変換モジュール１１０ｃの発電領域の面積及び非発電領域の面積は、第２実施形態の光電変換モジュール１０と同じである。
【０１０６】
図１２（Ａ）は、第２実施形態の光電変換モジュールと、比較形態３とを比較した結果を示す図である。
【０１０７】
比較形態３の光電変換モジュール１１０ｃは、光発電の初期の出力値は、第２実施形態の光電変換モジュール１０と同等であるが、基板１１の隅部１１ａと切り欠き１３ｃとの間の距離ｈ２は、第２実施形態の光電変換モジュール１０よりも短いので、耐環境性能が劣ると推定される。言い換えると、第２実施形態の光電変換モジュール１０では、距離ｈ１が比較形態３の光電変換モジュール１１０ｃの距離ｈ２より長いため、第１電極部１３の端部１３ａに到達する水分等の量が少なく、その結果、第２実施形態の光電変換モジュール１０の方が耐環境性能が優れると推定される。
【０１０８】
次に、第２実施形態の光電変換モジュール１０を、比較形態４と比較して説明する。
【０１０９】
図１０は、比較形態４の要部を示す図である。
【０１１０】
比較形態４の光電変換モジュール１１０ｄでは、第１電極部１３の端部１３ａが切り欠きを有さない。また、基板１１の隅部１１ａの切り欠き１１ｊと、第１電極部１３の端部１３ａとの間の距離ｈ３が、第２実施形態の光電変換モジュール１０の距離ｈ１と同じである。そのため、比較形態４の光電変換モジュール１１０ｃでは、絶縁領域１１ｉのｙ軸方向の幅ａ２及びｘ軸方向の幅ｂ２は、第２実施形態の光電変換モジュール１０の絶縁領域１１ｉのｙ軸方向の幅ａ１及びｘ軸方向の幅ｂ１よりも広い。比較形態４の光電変換モジュール１１０ｃのその他の構成は、第２実施形態の光電変換モジュール１０と同様である。
【０１１１】
比較形態４の光電変換モジュール１１０ｃの非発電領域の面積Ｓ４は、次式（７）で表される。
【０１１２】
Ｓ４＝１／２×Ａ×（ｂ２＋Ｃ）＋（１／２×Ｂ−ｂ２−Ｃ）×ａ２      （７）
【０１１３】
比較形態４の光電変換モジュール１１０ｄの非発電領域の面積Ｓ４と、第２実施形態の光電変換モジュール１０の非発電領域の面積Ｓ３とを比較すると、下記式（８）で表される差ΔＳだけ、比較形態４の光電変換モジュール１１０ｄの非発電領域の面積が大きくなる。
【０１１４】
ΔＳ＝Ｓ４−Ｓ３＝１／２×Ａ×（ｂ２−ｂ１）＋（１／２×Ｂ−Ｃ）×（ａ２−ａ１）−（ａ２×ｂ２−ａ１×ｂ１）      （８）
【０１１５】
図１２（Ｂ）は、第２実施形態の光電変換モジュールと、比較形態４とを比較した結果を示す図である。
【０１１６】
比較形態４の光電変換モジュール１１０ｄの発電領域の面積は、第２実施形態の光電変換モジュール１０よりも小さく、比較形態４の光電変換モジュール１１０ｄの非発電領域の面積は、第２実施形態の光電変換モジュール１０よりも大きい。
【０１１７】
比較形態４の光電変換モジュール１１０ｄの基板１１の隅部１１ａから第１電極部１３の端部１３ａまでの距離は、第２実施形態の光電変換モジュール１０と同じであるので、両モジュールの耐環境性能は同等と推定される。
【０１１８】
一方、第２実施形態の光電変換モジュール１０の発電領域の面積は、比較形態４の光電変換モジュール１１０ｄの発電領域の面積よりも大きいので、光発電の出力値が増大する。
【０１１９】
次に、第２実施形態の光電変換モジュール１０を、比較形態５と比較して説明する。
【０１２０】
図１１は、比較形態５の要部を示す図である。
【０１２１】
比較形態５の光電変換モジュール１１０ｅは、第１電極部１３と隣接する単位光電変換セル１２ａが、切り欠き１２ｋを有する。第１電極部１３と隣接する単位光電変換セル１２ａの端部には、第１電極部１３の直線状の切り欠き１３ｃの直線部が、隣接する単位光電変換セル１２ａまで延びて切り欠き１２ｋが形成されている。単位光電変換セル１２ａの切り欠き１２ｋと隣接する部分には、基板１１が露出している。
【０１２２】
第１電極部１３の切り欠き１３ｃ及び単位光電変換セル１２ａの切り欠き１２ｋは、直線状に連続している。２つの切り欠き１３ｃ、１２ｂを合わせた場合のｙ軸方向の寸法をｃ３とし、ｘ軸方向の寸法をｄ３とする。
【０１２３】
比較形態５の光電変換モジュール１１０ｅのその他の構成は、各構成要素の寸法を含めて、上述した第２実施形態の光電変換モジュール１０と同様である。
【０１２４】
比較形態５の光電変換モジュール１１０ｅの非発電領域の面積Ｓ５は、次式（９）で表される。
【０１２５】
Ｓ５＝１／２×Ａ×（ｂ１＋Ｃ）＋（１／２×Ｂ−ｂ１−Ｃ）×ａ１＋ｄ３×（ｃ３−Ｃ）２／（２×ｃ３）      （９）
【０１２６】
比較形態５の光電変換モジュール１１０ｅの非発電領域の面積Ｓ５と、第２実施形態の光電変換モジュール１０の非発電領域の面積Ｓ３とを比較すると、下記式（１０）で表される差ΔＳだけ、比較形態５の光電変換モジュール１１０ｄの非発電領域の面積が大きくなる。
【０１２７】
ΔＳ＝Ｓ５−Ｓ３＝ｄ３×（ｃ３−Ｃ）２／（２×ｃ３）      （１０）
【０１２８】
上式（１０）で表されるΔＳは、第１電極部１３と隣接する単位光電変換セル１２ａが切り落とされた領域の面積に相当する。
【０１２９】
第１電極部１３と隣接する単位光電変換セル１２ａの面積は、他の単位光電変換セル１２ａよりも、上式（１０）で表されるΔＳだけ小さい。
【０１３０】
従って、比較形態５の光電変換モジュール１１０ｅの発電領域の面積は、第２実施形態の光電変換モジュール１０の発電領域の面積よりも上式（１０）で表されるΔＳだけ小さい。
【０１３１】
また、比較形態５の光電変換モジュール１１０ｅでは、第１電極部１３と隣接する単位光電変換セル１２ａの面積は、他の単位光電変換セル１２ａよりも、上式（１０）で表されるΔＳだけ小さいので、第１電極部１３又は第２電極部１４から取り出される電流値は、面積が小さい第１電極部１３と隣接する単位光電変換セル１２ａにより制限を受けることになる。
【０１３２】
図１２（Ｃ）は、第２実施形態の光電変換モジュールと、比較形態４とを比較した結果を示す図である。
【０１３３】
比較形態５の光電変換モジュール１１０ｅは、第１電極部１３と隣接する単位光電変換セル１２ａの面積は、他の単位光電変換セル１２ａよりも、上式（１０）で表されるΔＳだけ小さいので、光発電の出力値が、第２実施形態の光電変換モジュール１０よりも小さくなる。
【０１３４】
上述した本実施形態の光電変換モジュール１０によれば、光発電の出力を損なうことなく、絶縁性能を確保し且つ耐環境性能を向上できる。
【０１３５】
次に、上述した第２実施形態の光電変換モジュールの変形例を、図面を参照しながら、以下に説明する。
【０１３６】
図１３（Ａ）は、第２実施形態の変形例１を示す図である。
【０１３７】
変形例１の光電変換モジュール１０は、切り欠き１３ｃを有する第１電極部１３の端部１３ａの形状が、直線部を有しておらず、弧状を有する。
【０１３８】
図１３（Ｂ）は、第２実施形態の変形例２を示す図である。
【０１３９】
変形例２の光電変換モジュール１０は、第１電極部１３の端部１３ａが有する切り欠き１３ｃの形状は、複数の直線部が接続して形成される多角形状を有する。
【０１４０】
図１３（Ｃ）は、第２実施形態の変形例３を示す図である。
【０１４１】
変形例２の光電変換モジュール１０は、第１電極部１３の端部１３ａが有する切り欠き１３ｃの形状が、弧状を有すると共に、基板１１の隅部１１ａが有する切り欠き１１ｊの形状も、弧状を有する。
【０１４２】
次に、第３実施形態の光電変換モジュールを、図１４を参照しながら、以下に説明する。
【０１４３】
図１４は、本明細書に開示する光電変換モジュールの第３実施形態の平面図を示す図である。
【０１４４】
本実施形態の光電変換モジュール１０は、基板１１上に、第１の光電変換部１２Ａと、第２の光電変換部１２Ｂを有する。第３電極部１８は、ｙ軸方向に延びる矩形の形状を有し、第１の光電変換部１２Ａと、第２の光電変換部１２Ｂとの間に配置される。
【０１４５】
第１の光電変換部１２Ａで発電された電力は、第１電極部１３及び第３電極部１８を用いて取り出される。第２の光電変換部１２Ｂで発電された電力は、第２電極部１４及び第３電極部１８を用いて取り出される。
【０１４６】
また、本実施形態では、基板１１の隅部１１ｃと対向する第２電極部１４の端部１４ｂも、切り欠き１４ｃを有している。この第２電極部１４と隣接する単位光電変換セル１２ａは、切り欠きを有していない。
【０１４７】
切り欠き１３ｃを有する第１電極部１３の端部１３ａと対向する基板１１の隅部１１ａは、切り欠き１１ｊを有する。また、切り欠き１４ｃを有する第２電極部１４の端部１４ｂと対向する基板１１の隅部１１ｃも、切り欠き１１ｊを有する。
【０１４８】
上述した本実施形態の光電変換モジュール１０によれば、第１電極部１３の端部１３ａ及び第２電極部１４の端部１４ｂそれぞれに切り欠き１３ｃ、１４ｃが設けられているので、耐環境性能が更に向上する。なお、第１電極部１３の端部１３ｂ、第２電極部１４の端部１４ａに、切り欠きがあっても良い。
【０１４９】
次に、第４実施形態の光電変換モジュールを、図１５を参照しながら、以下に説明する。
【０１５０】
図１５は、本明細書に開示する光電変換モジュールの第４実施形態の平面図を示す図である。
【０１５１】
本実施形態の光電変換モジュール１０は、第１のサブ光電変換モジュール１０ａと、第２のサブ光電変換モジュール１０ｂと、第３のサブ光電変換モジュール１０ｃと、第４のサブ光電変換モジュール１０ｄを備える。
【０１５２】
第１のサブ光電変換モジュール１０ａと、第２のサブ光電変換モジュール１０ｂと、第３のサブ光電変換モジュール１０ｃと、第４のサブ光電変換モジュール１０ｄは、上述した第１実施形態の光電変換モジュールと同様の構造を有する。なお、図１５では、各サブ光電変換モジュールの光電変換部には、単位光電変換セルは記載されていない。
【０１５３】
第１のサブ光電変換モジュール１０ａ及び第４のサブ光電変換モジュール１０ｄは、第１電極部１３及び第２電極部１４及び単位光電変換セルが延びる方向が一致している。
【０１５４】
また、第２のサブ光電変換モジュール１０ｂ及び第３のサブ光電変換モジュール１０ｃは、第１電極部１３及び第２電極部１４及び単位光電変換セルが延びる方向が一致している。
【０１５５】
第１のサブ光電変換モジュール１０ａ及び第４のサブ光電変換モジュール１０ｄにおける第１電極部１３及び第２電極部１４及び単位光電変換セルが延びる方向は、第２のサブ光電変換モジュール１０ｂ及び第３のサブ光電変換モジュール１０ｃとは直交する。
【０１５６】
次に、第５実施形態の光電変換モジュールを、図１６を参照しながら、以下に説明する。
【０１５７】
図１６は、本明細書に開示する光電変換モジュールの第５実施形態の平面図を示す図である。
【０１５８】
本実施形態の光電変換モジュール１０は、上述した第４実施形態と似た構造を有する。ただし、第１のサブ光電変換モジュール１０ａ及び第３のサブ光電変換モジュール１０ｃは、第１電極部１３及び第２電極部１４及び単位光電変換セルが延びる方向が一致している。また、第２のサブ光電変換モジュール１０ｂ及び第４のサブ光電変換モジュール１０ｄは、第１電極部１３及び第２電極部１４及び単位光電変換セルが延びる方向が一致している。
【０１５９】
次に、本明細書に開示する光電変換モジュールの製造方法の好ましい一実施形態を、図１７〜図２０を参照しながら、以下に説明する。
【０１６０】
まず、図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）に示すように、基板１１上に、第１導電層１２ｅと、光電変換層１２ｃと、第２導電層１２ｆとが積層された積層体１２ｊが形成される。図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）のＺ２−Ｚ２線断面図である。第１導電層１２ｅは、第３導電層１２ｇと、第４導電層１２ｈと、第３導電層１２ｇ及び第４導電層１２ｈの間に配置される第５導電層１２ｉとを有し、第５導電層１２ｉと、第５導電層１２ｉ上に配置される光電変換層１２ｃの部分と、第５導電層１２ｉの上方に配置される第２導電層１２ｆの部分は、電気的に接続される複数の単位光電変換セル１２ａを形成しており、第３導電層１２ｇ及び第４導電層１２ｈは、隣接する単位光電変換セル１２ａと電気的に接続されている。
【０１６１】
次に、図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）に示すように、基板１１の周縁部に積層されている積層体１２ｊの部分が除去されて、絶縁領域１１ｉが形成される。図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）のＺ３−Ｚ３線断面図である。基板１１の周縁部に積層されている積層体１２ｊの部分を除去する方法として、例えば、レーザ法の他、サンドブラスト法又はベルトサンダ法又は研磨法等の機械的除去法を用いることができる。
【０１６２】
次に、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）に示すように、第３導電層１２ｇ及び第４導電層１２ｈ上の光電変換層及び第２導電層を除去し、基板の隅部１１ａと対向する第３導電層１２ｇの端部を除去して切り欠き１３ｃが形成される。ここで、第３導電層１２ｇと隣接する単位光電変換セル１２ａには切り欠きを形成しない。また、第３導電層１２ｇ及び第４導電層１２ｈと、隣接する単位光電変換セル１２ａとの不要な電気的接続が切断されて、複数の単位光電変換セル１２ａにより発電された電力が第３導電層１２ｇ及び第４導電層１２ｈから取り出し可能になされることにより、第３導電層１２ｇにより第１電極部１３が形成され、第４導電層１２ｈにより第２電極部１４が形成される。また、複数の単位光電変換セル１２ａにより光電変換部１２が形成され、第５導電層１２ｉにより裏面電極層１２ｂが形成され、第２導電層ｆにより表面電極層１２ｄが形成される。なお、第３導電層１２ｇ及び第４導電層１２ｈと、隣接する単位光電変換セル１２ａとの不要な電気的接続を切断する工程は、図１７又は図１８に示す工程で行ってもよい。図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）のＺ４−Ｚ４線断面図である。次に、第１電極部１３、第２電極部１４に配線を半田材を使用して電気的に接続する。この際、配線と第１電極部ないし第２電極部を電気的に接続する半田材は、第１電極部ないし第２電極部の上にのみ存在する。
【０１６３】
次に、図２０に示すように、光電変換部１２及び第１電極部１３及び第２電極部１４の上を覆うように充填材１５が配置され、充填材１５の上に保護材１７が配置される。また、基板１１と保護材１７との間には、充填材１５を囲むようにシール材１６が配置されて、光電変換モジュール１０が形成される。
【０１６４】
本発明では、上述した実施形態の光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。また、一の実施形態が有する構成要件は、他の実施形態又は変形例にも適宜適用することができる。
【０１６５】
例えば、上述した各実施形態及び変形例では、基板は、矩形の形状を有していたが、基板は、隅部を有していれば、他の形状であってもよい。本明細書では、基板の隅部は、基板の周縁の内、第１電極部の端部の切り欠きと対向する基板の周縁を含む部分を意味する。
【符号の説明】
【０１６６】
１０    光電変換モジュール
１１    基板
１１ａ〜１１ｄ    隅部
１１ｅ〜１１ｈ    直線部
１１ｉ    絶縁領域
１１ｊ    切り欠き
１２    光電変換部
１２ａ    単位光電変換セル
１２ｂ    裏面電極層
１２ｃ    光電変換層
１２ｄ    表面電極層
１２ｅ    第１導電層
１２ｆ    第２導電層
１２ｇ    第３導電層
１２ｈ    第４導電層
１２ｉ    第５導電層
１２ｊ    積層体
１２ｋ    切り欠き
１３    第１電極部
１３ａ、１３ｂ    端部
１３ｃ    切り欠き
１４    第２電極部
１４ａ、１４ｂ    端部
１４ｃ    切り欠き
１５    充填材
１６    シール材
１７    保護材
１８    第３電極部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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