(57)【要約】【課題】発振条件の自由度が高いレーザー光発生装置の提供。【解決手段】レーザー光Ｌを出力する複数の発光点２１を有する光源部２と、光源部２の複数の発光点側の面に向けて設けられ、複数のレーザー光Ｌが入射される入射面３１と、レーザー光Ｌを増幅して射出する出射面３２と、を備える光増幅部３と、光源部２のそれぞれの発光点２１を制御するための制御部９と、を有し、光増幅部３は、複数の発光点２１から入射するそれぞれのレーザー光Ｌを合成してレーザー光束Ｌ’として射出するレーザー光発生装置２００。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光を出力する複数の発光点を有する光源部と、
前記光源部の前記複数の発光点側の面に向けて設けられ、複数の前記レーザー光が入射される入射面と、前記レーザー光を増幅して射出する出射面と、を備える光増幅部と、
前記光源部のそれぞれの発光点を制御するための制御部と、
を有し、
前記光増幅部は、前記複数の発光点から入射するそれぞれの前記レーザー光を合成してレーザー光束として射出するレーザー光発生装置。
【請求項２】
前記光増幅部を複数有し、当該複数の光増幅部が直列に配置されることを特徴とする請求項１に記載のレーザー光発生装置。
【請求項３】
前記光源部は、前記発光点が、前記レーザー光の光軸方向に対して垂直な平面に２次元配列された面発光レーザーであることを特徴とする請求項１または２に記載のレーザー光発生装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記レーザー光を互いに独立したパルス発振となるように前記光源部を制御することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１つに記載のレーザー光発生装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記レーザー光のうち少なくとも１つを、連続発振とし、他の前記レーザー光をパルス発振となるように前記光源部を制御することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１つに記載のレーザー光発生装置。
【請求項６】
レーザー光を出力する複数の発光点を有する光源部と、前記光源部の前記複数の発光点側の面に向けて設けられ、複数の前記レーザー光が入射される入射面と、前記レーザー光を増幅して射出する出射面と、を備える光増幅部と、前記光源部のそれぞれの発光点を制御するための制御部と、を有し、前記光増幅部は、前記複数の発光点から入射するそれぞれの前記レーザー光を合成してレーザー光束として射出するレーザー光発生装置を備え、
前記レーザー光発生装置により射出されたレーザー光束を用いて対象物の加工を行うことを特徴とするレーザー加工機。
【請求項７】
前記制御部は、前記レーザー光を互いに独立したパルス発振となるように前記光源部を制御することを特徴とする請求項６に記載のレーザー加工機。
【請求項８】
前記制御部は、前記レーザー光のうち少なくとも１つを、連続発振とし、他の前記レーザー光をパルス発振となるように前記光源部を制御することを特徴とする請求項６に記載のレーザー加工機。
【請求項９】
互いに独立したパルス発振とした複数のレーザー光を合成してレーザー光束とする合成ステップと、
前記レーザー光束により対象物の加工を行う加工ステップと、を有することを特徴とする被加工物の生産方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの連続発振のレーザー光と、互いに独立したパルス発振としたレーザー光と、を合成してレーザー光束とする合成ステップと、
前記レーザー光束により対象物の加工を行う加工ステップと、を有することを特徴とする被加工物の生産方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光発生装置、レーザー加工機、被加工物の生産方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザー光発生装置において、高速変調制御可能な半導体レーザーをシードレーザーの光源とする光源部（ＭＯ部）と、低出力のシードレーザー光を増幅して高パワーのレーザー光束とする光増幅部（ＰＡ部）とを備えた制御方式が知られている（特許文献１〜３等参照）。
このようなＭＯＰＡ（Ｍａｓｔｅｒ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ  ａｎｄ  Ｐｏｗｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）方式のレーザー光発生装置において、シードレーザーのパルス波形、繰り返し周波数等の発振条件が最終的な出力レーザー光束の特性に大きく寄与する。
そのため、特にレーザー光を用いて材料加工などに用いるレーザー光発生装置においては、短パルスやバーストパルスなど、複雑で制御性の高い、高速変調可能なシードレーザーが求められている。
しかしながら、従来のＭＯＰＡ方式のレーザー光発生装置においては、シードレーザーの発振条件を高精度に制御するのは困難であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、発振条件の自由度が高いレーザー光発生装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上述した課題を解決するため、本発明のレーザー光発生装置は、レーザー光を出力する複数の発光点を有する光源部と、前記光源部の前記複数の発光点側の面に向けて設けられ、複数の前記レーザー光が入射される入射面と、前記レーザー光を増幅して射出する出射面と、を備える光増幅部と、前記光源部のそれぞれの発光点を制御するための制御部と、を有し、前記光増幅部は、前記複数の発光点から入射するそれぞれの前記レーザー光を合成してレーザー光束として射出する。
【発明の効果】
【０００５】
本発明のレーザー光発生装置によれば、レーザー光の発振条件の制御性が高い。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態にかかるレーザー光発生装置の全体構成の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示した光源部の構成の一例を示す模式図である。
【図３】図１に示した制御部の機能構成の一例を示すブロック図である。
【図４】図１に示した制御部の制御時の動作の一例を示す模式図である。
【図５】図１に示したレーザー光発生装置の変形例の動作を示す模式図である。
【図６】レーザー光発生装置の比較例を示す図である。
【図７】レーザー光発生装置を用いたレーザー加工機の構成の一例を示す図である。
【図８】レーザー光発生装置を用いた被加工物の生産方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
（概要）
以下、本発明の実施形態の一例を図面を用いて説明する。
図１には、第１の実施形態に係るレーザー光発生装置としてのレーザー装置２００が示されている。
レーザー装置２００は、シードレーザーＬ１〜Ｌｎを出力するｎ個のレーザー素子２１を有する光源部２と、光源部２から照射されたシードレーザーＬ１〜Ｌｎを増幅するための光増幅器３と、光源部２と光増幅器３とを制御するための制御部９と、を有している。
以降、シードレーザーＬ１〜Ｌｎを特に区別する必要のないときには、シードレーザーＬとの文言を用いる。
レーザー装置２００は、シードレーザーＬを光増幅器３の入射面３１に入射させるためにシードレーザーＬを偏向する第１導光光学系４と、光増幅器３の出射面３２から出射したレーザー光束Ｌ’を照射対象へと照射するための第２導光光学系５と、を有している。
なお、本明細書では、シードレーザーＬの光軸に平行な方向を＋Ｚ方向として、ＸＹＺ３次元直交座標系を用いて説明する。
【０００８】
制御部９は、光源部２から射出されるシードレーザーＬのパルス波形、繰り返し周波数等の発振条件を制御する発振条件制御部９２と、光増幅器３に入射したシードレーザーＬを増幅させるための増幅条件を制御する増幅条件制御部９３と、を有している。
【０００９】
レーザー装置２００の動作について簡単に説明する。
光源部２は、発振条件制御部９２に与えられた所定の発振条件に従って、レーザー素子２１それぞれからシードレーザーＬを＋Ｚ方向に射出する。
シードレーザーＬは、光増幅器３の入射面３１に向かって第１導光光学系４によって偏向される。
【００１０】
光増幅器３は、増幅条件に従って、一方の端面すなわち入射面３１から入射したシードレーザーＬを増幅し、出射面３２からレーザー光束Ｌ’として射出する。
【００１１】
光増幅器３によって増幅されたレーザー光束Ｌ’は、第２導光光学系５によって偏向及び／又は収束されて、照射対象に向けて照射される。
【００１２】
なお、ここではレーザー装置２００は、光源部２から光増幅器３への入射効率を向上させる目的で、第１導光光学系４を用いたが、かかる構成に限定されるものではなく、例えば光ファイバなどを用いて光源部２と光増幅器３とを直接つなぐ構成でも良い。
あるいは、第１導光光学系４は、集光性を備えた複数の光学部材等によって構成された集光光学系でも良い。
【００１３】
（詳細）
以下、かかるレーザー装置２００の各部の構成について詳細に説明する。
【００１４】
光源部２は、図２に示すように、＋Ｚ方向側の面に５行５列、２５個の発光点たるレーザー素子２１が２次元的に配列されたＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ＬＡＳＥＲ）方式の面発光レーザーアレイである。
レーザー素子２１は、それぞれがシードレーザーＬを出力する種光源すなわち発光点としての機能を有している。
シードレーザー光Ｌの波長は、１０６０ｎｍ付近であり、シングルモード出力であることが望ましい。
【００１５】
光増幅器３は、各レーザー素子２１から入射する複数のシードレーザーＬ１〜Ｌｎを合成してレーザー光束Ｌ’として射出するレーザーアンプとしての機能を有する光増幅部としての機能を有している。
光増幅器３は、図１に示すように石英ガラスを主成分とするコア部に、活性物質として希土類Ｙｂがドープされた３つの光ファイバー増幅器３３ａ、３３ｂ、３３ｃを有している。
光ファイバー増幅器３３ａ、３３ｂ、３３ｃのそれぞれには、励起光結合光学素子として波長分割多重（ＷＤＭ＝Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）カプラ３４ａ、３４ｂ、３４ｃが−Ｚ側の端部に取り付けられている。
光ファイバー増幅器３３ａと、ＷＤＭカプラ３４ａとは１組の増幅器として動作し、光増幅器３において最上流に配置された第１段増幅器としての機能を有している。
同様に、光ファイバー増幅器３３ｂと、ＷＤＭカプラ３４ｂとが１組の第２段増幅器として、光ファイバー増幅器３３ｃとＷＤＭカプラ３４ｂとが１組の第３段増幅器として、それぞれ動作する。
第１段増幅器と、第２段増幅器と、第３段増幅器とは、図１に示したように直列に連結された態様で、光増幅器３を形成している。
【００１６】
ＷＤＭカプラ３４ａ、３４ｂ、３４ｃは、入力された複数の波長、波形の光を合成する合成部としての機能と、入力された複数の波長、波形の光を波長ごとに分割する分波部としての機能とを有している。
すなわち、シードレーザーＬ１〜Ｌｎは、最も−Ｚ方向側に配置されたＷＤＭカプラ３４ａを通過することで、それぞれの波形が合成された合成波となって光ファイバー増幅器３３ａに入射されて増幅される。
ＷＤＭカプラ３４ａ、３４ｂ、３４ｃは、シードレーザーＬとともに、後述する増幅条件制御部９３からの増幅条件に基づいて、励起光源９３４から入射する励起光Ｐを光ファイバー増幅器３３ａ、３３ｂ、３３ｃのそれぞれに入射させる。
光ファイバー増幅器３３ａ、３３ｂ、３３ｃは、励起光ＰによってＹｂが励起されて生じる誘導放出により利得波長帯域である波長１０６０ｎｍ付近の光を増幅する。
なお、励起光Ｐの波長は、活性物質の種類に合わせて変更することが望ましいが、本実施形態では特にＹｂの吸収帯のある波長９７５ｎｍの励起光Ｐを用いる。
【００１７】
本実施形態では、光増幅器３は３つの光ファイバー増幅器３３ａ、３３ｂ、３３ｃが直列に連結して配置されるとしたが、少なくとも１つの光ファイバー増幅器とＷＤＭカプラとを用いて、出射されたレーザー光束Ｌ’を用いるとしても良い。
あるいは、光増幅器３はさらに多数の、例えば任意のｎ個の光ファイバー増幅器を連結して１つの光増幅部として機能するようなレーザーアンプであってもいい。
また、最も光軸方向下流側すなわち＋Ｚ方向側に配置された光ファイバー増幅器３５の＋Ｚ方向側の端部に、異なる方式のメインアンプを設けても良い。
なお、励起光Ｐの分離のために、光増幅器３の終端部すなわち＋Ｚ方向側の端部には、励起光Ｐを分離する分離部としてＷＤＭカプラ３４ｄが設けられている。
【００１８】
本実施形態では、光源部２は単一のＶＣＳＥＬユニットを用いたが、複数の光源部２と、それぞれの光源部２に対応する光増幅器３とを並列に備え、光増幅器３の終端にビームコンバイナを設けても良い。
かかる構成により、レーザー光束Ｌ’の出力を増大させることができる。
【００１９】
増幅条件制御部９３は、図３に示すように、１段目の光ファイバー増幅器３３ａに取り付けられたＷＤＭカプラ３４ａに供給される励起光Ｐを制御する第１段増幅器用ＬＤドライバ９３１を有している。
増幅条件制御部９３は同様に、２段目の光ファイバー増幅器３３ｂに取り付けられたＷＤＭカプラ３４ｂに供給される励起光Ｐを制御する第２段増幅器用ＬＤドライバ９３２を有している。
増幅条件制御部９３は同様に、３段目の光ファイバー増幅器３３ｂに取り付けられたＷＤＭカプラ３４ｂに供給される励起光Ｐを制御する第３段増幅器用ＬＤドライバ９３３を有している。
第１段増幅器用ＬＤドライバ９３１と、第２段増幅器用ＬＤドライバ９３２と、第３段増幅器用ＬＤドライバ９３３とは、それぞれ独立して動作可能であり、互いに異なる増幅条件で増幅するように、異なる励起光Ｐを出射するとしても良い。
本実施形態では励起光Ｐを出射する励起ＬＤとして、励起光源９３４を用いている。
なお、第１段増幅器用ＬＤドライバ９３１と、第２段増幅器用ＬＤドライバ９３２と、第３段増幅器用ＬＤドライバ９３３とがそれぞれの増幅条件に応じて励起光Ｐを出射するとしてもいいし、外部に別途励起光源９３４を用意しても良い。
【００２０】
発振条件制御部９２は、図３に示すように、各レーザー素子２１から出射されるシードレーザーＬ１〜Ｌｎの波形を制御する第１シードＬＤ制御部９２１〜第ｎシードＬＤ制御部９２ｎを有している。
第１シードＬＤ制御部９２１〜第ｎシードＬＤ制御部９２ｎは、互いに独立して動作するが、機能は略同一であるので、ここでは特に第１シードＬＤ制御部９２１についてのみ図４を用いて説明する。
第１シードＬＤ制御部９２１は、シードレーザーＬ１のパルス幅Ｔ１と、パルス波高値Ｉ１と、パルスの立ち上がりタイミングであるパルスディレイＤ１と、を設定する任意波形ジェネレータとしての機能を有している。
第２シードＬＤ制御部９２２〜第ｎシードＬＤ制御部９２ｎも同様の機能を備えている。したがって、光増幅器３においてシードレーザーＬ１〜Ｌｎが合成されたときには、図４に模式的に例示したように、レーザー光束Ｌ’の波形は、シードレーザーＬ１〜Ｌｎの合成波となる。
なお、本発明を実施するにあたり、光源部としては、端面発光型ＬＤ（Tocan型）を利用することもできるし、端面発光型ＬＤ（バタフライパッケージ型）を利用することもできる。さらに、端面発光型LD(バタフライパッケージ型)をパルスドライバ基板に実装した形で、多数個並べて構成することも可能である。
【００２１】
ところで、図６に示すように、いわゆる端面レーザー５０２ａをアレイ状に配置して種光源５０２として用いるとともに、光ファイバ増幅器５０３をアンプとして用いたＭＯＰＡ方式のレーザー装置５００を考える。
レーザー装置５００では、端面レーザー５０２ａの発光点を近づけることが難しく、従ってレーザー装置５００の小型化が困難である。
また、端面レーザー５０２ａの発光点を近づけることが難しいために、１つの光ファイバ増幅器５０３に対して複数のシードレーザーＬを入力することが困難であり、シードレーザーＬの合成によるパルス形状の詳細な制御が難しい。
【００２２】
かかる問題を解決するために、シードレーザーＬを異なる光ファイバ増幅器５０３で増幅したあとにコンバイナ５０４で合成する方法も考えられるが、例えば光ファイバ増幅器５０３ごとの微小な性能差や同期の問題が、最終的な出力波形に影響しやすくなる。
【００２３】
このように端面レーザーでは、短パルス化や多チャンネル化が難しく、ドライバ間の同期の問題もあり、特に精度の求められる加工分野、医療分野などで用いられるレーザー加工装置に応用するには、より高精度の制御が可能なレーザー装置が求められる。
そこで、本実施形態では、レーザー素子２１として、すでに述べたように発光点が２次元配列された面発光レーザーを利用する。
端面発光レーザーは、一般にはへき開工程を含むため、短パルス化が困難であるが、面発光レーザーは、薄膜積層工程を用いるために短パルス化が可能である。
また、面発光レーザーは集積化が容易であるから、多チャンネル化も容易であるため、本実施形態のレーザー光発生装置は、制御性が高い。
また、面発光レーザーは活性領域の体積が小さく、比較的小さな電流で十分にキャリアを注入でき、立ち上がりの振動（緩和振動）が抑制されるから、短パルス駆動制御も比較的容易である。
【００２４】
本実施形態におけるレーザー光束Ｌ’の出力波形の制御について詳細に述べる。
【００２５】
制御部９は、発振条件制御部９２を用いて、シードレーザーＬ１〜Ｌｎまでの発振条件を制御する。
具体的には、図４に既に示したように、シードレーザーＬ１〜Ｌｎのパルスディレイを、基準となる任意の基準時間Ｄ０から遅らせる又は早めるように設定することで、シードレーザーＬ１〜Ｌｎの合成波の形状を制御する。
シードレーザーＬ１〜Ｌｎは、ＷＤＭカプラ３４ａにより合成された後に単一の光ファイバー増幅器３３ａによって増幅される。
【００２６】
このように、複数のシードレーザーＬ１〜Ｌｎを単一の光ファイバー増幅器３３ａを用いて増幅することで、レーザー装置２００は最終的に出力されるレーザー光束Ｌ’の波形を高精度に制御する。
【００２７】
本実施形態では、レーザー装置２００は、シードレーザーＬを出力する複数のレーザー素子２１を有する光源部２と、光源部２のそれぞれのレーザー素子２１を制御するための制御部９と、を有している。
すなわち、本実施形態のレーザー光発生装置たるレーザー装置２００は、レーザー光たるシードレーザーＬを出力する複数の発光点としてのレーザー素子２１を有する光源部２と、光源部２のそれぞれの発光点を制御するための制御部と、を有している。
【００２８】
レーザー装置２００はまた、光源部２の＋Ｚ方向側の面、言い換えると「複数の発光点側の面」に向けて設けられ、シードレーザーＬ１〜Ｌｎが入射される入射面３１と、シードレーザーＬを増幅して射出する出射面３２と、を備える光増幅器３を有している。
光増幅器３は、レーザー素子２１から入射するそれぞれのシードレーザーＬ１〜Ｌｎを合成してレーザー光束Ｌ’として射出する。従って、光増幅器３は、複数の発光点から入射するそれぞれのレーザー光を合成してレーザー光束として射出する。
かかる構成により、レーザー装置２００は最終的に出力されるレーザー光束Ｌ’の波形を高精度に制御する。
【００２９】
レーザー装置２００は、光増幅器３を構成する直列に配置された光ファイバー増幅器３３ａ、３３ｂ、３３ｃを有している。
かかる構成により、段階的に波高Ｉ、言い換えると出力を向上させるから、パルス幅Ｔへの影響を抑えながらも、効率よくシードレーザーＬを増幅する。
【００３０】
光源部２は、レーザー素子２１が、シードレーザーＬの光軸Ｚ方向に対して垂直なＸＹ平面に２次元配列されたＶＣＳＥＬ方式の面発光レーザーである。
かかる構成により、レーザー素子２１の集積度の向上が容易であり、レーザー装置２００は最終的に出力されるレーザー光束Ｌ’の波形を高精度に制御する。
【００３１】
本実施形態における制御部９は、シードレーザーＬ１〜Ｌｎを互いに独立したパルス発振となるように光源部２を制御する。
かかる構成により、レーザー装置２００は最終的に出力されるレーザー光束Ｌ’の波形をシードレーザーＬ１〜Ｌｎの合成波の波形とすることができて、レーザー光束Ｌ’の波形を高精度に制御する。
【００３２】
（変形例）
本発明の実施形態の変形例として、シードレーザーＬ１〜Ｌｎのうち、シードレーザーＬｎをパルス波形ではなく連続発振（ＤＣ）とした場合のレーザー装置２００について説明する。
かかる変形例においては、連続発振を行うシードレーザーＬｎの制御を行う第ｎシードＬＤ制御部９２ｎ’以外の構成については、既に説明した実施形態と同一であるため、同一の符号をつけて説明を省略する。
【００３３】
第ｎシードＬＤ制御部９２ｎ’は、シードレーザーＬｎの波高Ｉｎのみを決定する波高決定部３００を有している。
言い換えると、本変形例における第ｎシードＬＤ制御部９２ｎ’は、シードレーザーＬｎのパルス幅を無限大とし、Ｄｕｔｙを１００（％）とするような制御を行う。
このとき、第ｎシードＬＤ制御部９２ｎ’は、連続発振制御部としての機能を有している。
かかる構成により、シードレーザーＬのうち少なくとも１つが連続発振となるので、最終的に出力されるレーザー光束Ｌ’の単位時間当たりの入射エネルギーを大きくするとともに、より波形の制御の自由度が向上する。
【００３４】
なお、連続発振のＤＣ波とするシードレーザーＬの数を限定するものではなく、光増幅器３に入射する複数のシードレーザーＬを連続発振にするとしても良い。
【００３５】
以上本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、上述の説明で特に限定していない限り、特許請求の範囲に記載された本発明の趣旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００３６】
例えば、上記実施形態において、レーザー装置２００は、金属を加工するパルスレーザー加工機に用いても良いし、レーザーメスなどの医療用機器に用いても良い。また、分光装置、分析装置、センシング装置、レーザーライダー等、種々の装置への応用が可能である。
【００３７】
一例として、レーザー装置２００をレーザー加工機に応用した例を示す。なお、以降の説明においては、上述の実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
図７に示すように、レーザー加工機７００は、レーザー装置２００を備えたレーザー出力部１０と、レーザー走査部１１と、ワーク搬送部１２と、制御部９と、を有している。
レーザー加工機７００はまた、レーザー出力部１０から出射されたレーザー光束Ｌ’の光路を形成するための複数の反射ミラー１６、１７、１８と、レーザー光束Ｌ’を照射位置Ｑへ向けて収束させるための集光レンズたるｆθレンズ２８と、を有している。
【００３８】
レーザー出力部１０は、レーザー装置２００と、レーザー装置２００から出射されたレーザー光束Ｌ’のビーム径を変化させるビームエキスパンダ１４とを有している。
【００３９】
レーザー走査部１１は、後述する主走査直動ステージ２７と副走査直動ステージ２６とによってＸＹ平面上を移動可能に支持され、レーザー出力部１０から出射されたレーザー光束Ｌ’の照射位置Ｑを移動させる走査手段である。
レーザー走査部１１は、レーザー光束Ｌ’の入射側の端部に配置された回折光学素子１９を有している。
回折光学素子１９は、レーザー光束Ｌ’の結像位置での強度分布やスポット形状を変換する回折光学素子であり、トップハット分布や矩形形状等を任意に設定することができる。
レーザー走査部１１は、主走査方向たるＸ軸方向に移動可能なように、主走査直動ステージ２７に搭載されたキャリッジ２５に支持される。
主走査直動ステージ２７は、副走査方向たるＹ方向に移動可能なように、副走査直動ステージ２６に支持される。
【００４０】
ワーク搬送部１２は、一対の搬送ローラであって、被加工物たる対象物としてのワーク３５を挟み込んで移動させる搬送部である。
制御部９は、シードレーザーＬ１〜Ｌｎを互いに独立したパルス発振となるように光源部２を制御する。
【００４１】
かかる構成のレーザー加工機７００を用いて、ワーク３５を加工する方法について図８を用いて説明する。
制御部９は、シードレーザーＬ１〜Ｌｎを互いに独立したパルス発振となるように光源部２を制御する。シードレーザーＬ１〜Ｌｎは、光増幅器３によって、図１を用いて既に述べたように、レーザー光束Ｌ’として合成されて、レーザー出力部１０から射出される（ステップＳ１０１）。かかるステップＳ１０１は、互いに独立したパルス発振とした複数のシードレーザーＬ１〜Ｌｎを合成してレーザー光束Ｌ’とする合成ステップである。
【００４２】
レーザー出力部１０から出射されたレーザー光束Ｌ’は、レーザー出力部１０に固定した反射ミラー１６から主走査直動ステージ２７上の反射ミラー１７と、レーザー走査部１１に固定した反射ミラー１８とを経てｆθレンズ２８に入射する（ステップＳ１０２）。
集光レンズ２８で集光されたレーザー光束Ｌ’は、ワーク３５上の照射位置Ｑに向けて照射されることでワーク３５の加工を行う（ステップＳ１０３）。
かかるステップＳ１０３は、対象物の加工を行うための加工ステップである。
なお、照射位置Ｑは、ワーク３５の加工の種類に応じて、レーザー走査部１１をＸＹ平面上で移動させることにより、位置を変更することが可能である。
【００４３】
レーザー加工機７００においてレーザー装置２００を適用することにより、対象の被加工物の種類、あるいは被加工部分ごとに適した加工条件での加工が可能となる。すなわち、非熱加工と熱加工を組み合わせた複雑な条件での加工をも可能となる。
例えば、金属加工において、短パルス発振により非熱加工にてディンプルを形成し、連続的な発振を行うことによって熱加工によるディンプル表面を滑らかにする等の加工が容易に行われる。
【００４４】
なお、本実施形態では、制御部９を用いて、シードレーザーＬ１〜Ｌｎをパルス発振の所謂パルスレーザーであるとしたが、複数のシードレーザーＬ１〜Ｌｎのうち少なくとも１つが連続発振（ＤＣ発振）であるとしても良い。
【００４５】
本発明の実施の形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、本発明の実施の形態に記載されたものに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４６】
２      光源部
３      光増幅部
９      制御部
２１    発光点（レーザー素子）
３１    入射面
３２    出射面
３５    対象物（ワーク）
９２    発振条件制御部
９３    増幅条件制御部
９２ｎ’  連続発振制御部（第ｎシードＬＤ制御部）
Ｌ、Ｌ１〜Ｌｎ    レーザー光（シードレーザー）
Ｌ’    レーザー光束
２００  レーザー光発生装置（レーザー装置）
７００  レーザー加工機
Ｓ１０１  合成ステップ
Ｓ１０３  加工ステップ
【先行技術文献】
【特許文献】
【００４７】
【特許文献１】特許第５５９５７４０号公報
【特許文献２】特許第５６５４６４９号公報
【特許文献３】特許第５７１３５４１号公報
【図１】
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【図２】
2017098531.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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