(57)【要約】【課題】熱源温度が異なる様々な環境に設置する場合に好適な積層型熱電変換モジュール及び熱電変換装置を提供する。【解決手段】積層型熱電変換モジュールは、平板状の複数の熱電変換モジュールが熱の伝達方向に沿って積層されてなる。複数の熱電変換モジュールは、それぞれ、ｐ型半導体からなる柱状の第１の熱電素子及びｎ型半導体からなる柱状の第２の熱電素子を、金属電極を介してπ型に接続し、これを多数集合させて電気的に直列に接続した熱電素子群を有する。複数の熱電変換モジュールのうちの少なくとも一つは、複数の単位モジュールを組み合わせた複合モジュールであり、単位モジュールの個数を変更可能である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の複数の熱電変換モジュールが熱の伝達方向に沿って積層された積層型熱電変換モジュールであって、
前記複数の熱電変換モジュールは、それぞれ、ｐ型半導体からなる柱状の第１の熱電素子及びｎ型半導体からなる柱状の第２の熱電素子を、金属電極を介してπ型に接続し、これを多数集合させて電気的に直列に接続した熱電素子群を有し、
前記複数の熱電変換モジュールのうちの少なくとも一つは、複数の単位モジュールを組み合わせた複合モジュールであり、前記単位モジュールの個数を変更可能であることを特徴とする積層型熱電変換モジュール。
【請求項２】
前記複数の熱電変換モジュールは、高温域用の第１の熱電変換モジュール及び低温域用の第２の熱電変換モジュールで構成されることを特徴とする請求項１に記載の積層型熱電変換モジュール。
【請求項３】
前記第１の熱電変換モジュールは、前記第１の熱電素子が実質的にＣａ３Ｃｏ４Ｏ９からなるｐ型半導体で形成され、前記第２の熱電素子が実質的にＣａＭｎＯ３からなるｎ型半導体で形成され、
前記第２の熱電変換モジュールは、前記第１の熱電素子及び前記第２の熱電素子がビスマス・テルル系半導体で形成されることを特徴とする請求項２に記載の積層型熱電変換モジュール。
【請求項４】
前記第１の熱電変換モジュールは、前記第１の熱電素子及び前記第２の熱電素子の占有率（基板の面積に対する熱電素子の断面積）が５０〜８０％、高さが４〜１０ｍｍであり、
前記第２の熱電変換モジュールは、前記第１の熱電素子及び前記第２の熱電素子の占有率が３０〜６０％、高さが１〜３ｍｍであり、
前記第１の熱電変換モジュールの面積Ａ１（基板面積の総和）と前記第２の熱電変換モジュールの面積Ａ２との比率Ａ１／Ａ２が２５％〜４５％であることを特徴とすることを特徴とする請求項３に記載の積層型熱電変換モジュール。
【請求項５】
前記第１の熱電変換モジュールは、前記第１の熱電素子の断面積が１０〜２０ｍｍ２、前記第２の熱電素子の断面積が１０〜１５ｍｍ２であり、
前記第２の熱電変換モジュールは、前記第１の熱電素子及び前記第２の熱電素子の断面積が２〜５ｍｍ２であることを特徴とする請求項４に記載の積層型熱電変換モジュール。
【請求項６】
前記第１の熱電変換モジュールが、前記複合モジュールであることを特徴とする請求項３から５のいずれか一項に記載の積層型熱電変換モジュール。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の積層型熱電変換モジュールと、
前記積層型熱電変換モジュールの高温側端面に配置され、前記積層型熱電変換モジュールを加熱する受熱板と、
前記積層型熱電変換モジュールの低温側端面に配置され、前記積層型熱電変換モジュールを冷却する冷却板と、
前記積層型熱電変換モジュール、前記受熱板及び前記冷却板を収容する筐体と、を備える熱電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、適用温度範囲が異なる２種類以上の熱電変換モジュールが積層されてなる積層型熱電変換モジュール及び熱電変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、熱電変換素子のゼーベック効果又はペルチェ効果を利用して、熱エネルギーを電気エネルギーに、又は電気エネルギーを熱エネルギーに直接変換する熱電変換モジュールが知られている。一般的な熱電変換モジュールは、ｐ型半導体からなる熱電素子とｎ型半導体からなる熱電素子を、金属電極を介して「π」型に接続し、これを多数集合させて電気的に直列に接続した熱電素子群と、熱電素子群を支持する絶縁基板（例えばセラミック基板）と、を有する。
【０００３】
熱電変換モジュールは、可動部（機械的な駆動部分）を持たず構造が簡単であるため、摩耗劣化などの心配がなく信頼性・耐久性に優れる、メンテナンスが容易である、小型化・軽量化が容易で適用場所の制限が少ない、という利点がある。このような利点を有することから、大量の熱が排出される工業炉（電気炉や燃焼炉等、各種産業分野で溶解、精錬、加熱等の工程で使用される炉）にも比較的容易に設置することができる。また、熱電変換モジュールを用いた熱電発電装置は、二酸化炭素を排出することもなく、廃熱を回収してエネルギー源として再利用することができる技術として、環境保全や省エネルギーの観点から非常に注目されている。
【０００４】
熱電変換モジュールにおいては、熱電素子に大きな温度差を付与することにより、得られる電力は増大する。しかしながら、熱電素子の熱電発電効率は温度に依存し、幅広い温度領域にわたって優れた発電特性を発揮する素子材料はない。
【０００５】
そこで、工業炉のように数百度以上の高温の熱源を利用して熱電発電を行う場合に好適な熱電変換モジュールとして、適用温度範囲が異なる２種類の熱電変換モジュールが積層されてなる積層型熱電変換モジュールが提案されている（例えば特許文献１）。適用温度範囲とは、熱電素子が劣化することなく、期待する熱電発電効率が得られる温度範囲である。積層型熱電変換モジュールでは、それぞれの熱電変換モジュールに、適用温度範囲内で可能な限り大きな温度差が付与されることが好ましい。
【０００６】
図１は、積層型熱電変換モジュールＭにおける熱伝達態様を示す図である。図１に示す高温側の熱電変換モジュールＭ１の熱抵抗Ｒ１は、高さｄ１に比例し、断面積（熱電素子の断面積の総和）Ａ１に反比例する。したがって、熱電変換モジュールＭ１の断面積Ａ１が大きい程、温度差ΔＴ１（ＴＨ−ＴＢ）は小さくなり、ΔＴ２（ＴＢ−ＴＣ）は大きくなる。逆に、断面積Ａ１が小さい程、温度差ΔＴ１は大きくなり、ΔＴ２は小さくなる。また、熱電変換モジュールＭ１の高さｄ１が小さい程、温度差ΔＴ１は小さくなり、ΔＴ２は大きくなる。逆に、高さｄ１が大きい程、温度差ΔＴ１は大きくなり、ΔＴ２は小さくなる。低温側の熱電変換モジュールＭ２の断面積Ａ２、高さｄ２についても同様のことがいえる。
【０００７】
このように、熱電変換モジュールＭ１、Ｍ２の断面積Ａ１、Ａ２又は高さｄ１、d２を調整することにより、熱電変換モジュールＭ１、Ｍ２における温度勾配を調整することができ、それぞれの熱電変換モジュールＭ１、Ｍ２に、最適な温度差ΔＴ１、ΔＴ２を付与することができる（特許文献１の図９参照）。これにより、熱電変換モジュールＭ１、Ｍ２のモジュール性能を最大限に引き出すことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−２６３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、熱電変換モジュールの高さ又は断面積を調整する場合、熱源温度に応じて適切な寸法の熱電変換モジュールを設計することになり、熱電モジュールの仕様が多様化され、製造コストが増大する虞がある。特に、熱電変換モジュールの高さを変更する場合、熱電変換装置の筐体寸法も変更する必要がある。
【００１０】
本発明の目的は、熱源温度が異なる様々な環境に設置する場合に好適な積層型熱電変換モジュール及び熱電変換装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る積層型熱電変換モジュールは、平板状の複数の熱電変換モジュールが熱の伝達方向に沿って積層された積層型熱電変換モジュールであって、
前記複数の熱電変換モジュールは、それぞれ、ｐ型半導体からなる柱状の第１の熱電素子及びｎ型半導体からなる柱状の第２の熱電素子を、金属電極を介してπ型に接続し、これを多数集合させて電気的に直列に接続した熱電素子群を有し、
前記複数の熱電変換モジュールのうちの少なくとも一つは、複数の単位モジュールを組み合わせた複合モジュールであり、前記単位モジュールの個数を変更可能であることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る熱電変換装置は、上記の積層型熱電変換モジュールと、
前記積層型熱電変換モジュールの高温側端面に配置され、前記積層型熱電変換モジュールを加熱する受熱板と、
前記積層型熱電変換モジュールの低温側端面に配置され、前記積層型熱電変換モジュールを冷却する冷却板と、
前記積層型熱電変換モジュール、前記受熱板及び前記冷却板を収容する筐体と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、単位モジュールの個数を調整することにより熱電変換モジュールに形成される温度勾配を調整し、それぞれの熱電変換モジュールに最適な温度差を付与することができるので、熱源温度が異なる様々な環境に設置する場合に、容易に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】積層型熱電変換モジュールにおける熱伝達態様を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る熱電変換装置を示す図である。
【図３】実施の形態に係る積層型熱電変換モジュールを示す図である。
【図４】単位モジュールの構成を示す図である。
【図５】積層型熱電変換モジュールにおける温度勾配を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
図２は、本発明の一実施の形態に係る熱電変換装置１を示す図である。図２に示すように、熱電変換装置１は、積層型熱電変換モジュール１０、受熱板２０、冷却板３０、及び筐体４０を有する。積層型熱電変換モジュール１０、受熱板２０、及び冷却板３０は、例えば、筐体４０に収容された状態で、冷却板３０の背面（積層型熱電変換モジュール１０と接触する面と反対の面）に補強梁６０を介して押圧ボルト５０を締め込むことにより、固定される。
【００１７】
受熱板２０は、積層型熱電変換モジュール１０の高温側端面に接触して配置される。受熱板２０は、例えば熱電変換装置１が設置される炉内の熱を吸収して、積層型熱電変換モジュール１０を加熱する。加熱温度（熱源温度）は、熱電変換装置１が設置される環境に応じて変化する。
【００１８】
冷却板３０は、積層型熱電変換モジュール１０の低温側端面に接触して配置される。冷却板３０は、例えば、金属製の板材に水を流通させるパイプを埋設した構成を有する。冷却板３０に所定の流量で水を流すことにより、積層型熱電モジュール１０の低温側を所定の温度に冷却することができる。冷却温度は、例えば３０℃である。
【００１９】
積層型熱電変換モジュール１０は、温度差を利用して発電出力を得ることができる平板状のモジュールである。熱電変換装置１においては、受熱板２０から熱電変換モジュール１０に熱が流入し、冷却板３０に向かって伝達される。
【００２０】
図３は、積層型熱電変換モジュール１０を示す図である。図３Ａは、積層型熱電変換モジュール１０の平面図であり、図３Ｂは、熱電変換モジュール１０の断面図である。図３に示すように、積層型熱電変換モジュール１０は、高温域用の第１の熱電変換モジュール１１及び低温域用の第２の熱電変換モジュール１２を有する。第１の熱電変換モジュール１１と第２の熱電変換モジュール１２の間には、金属製又はカーボン製の均熱板（図示略）が介在する。
【００２１】
第１の熱電変換モジュール１１は、複数の単位モジュール１１Ｓを組み合わせた複合モジュールである。本実施の形態では、単位モジュール１１Ｓの個数は１〜９個であり、容易に変更することができる。また、単位モジュール１１Ｓは、平面視で正方形状を有する。図３では、第１の熱電変換モジュール１１は、単位モジュール１１Ｓが２行２列で隙間なく配列され、全体として正方形状となっている。
【００２２】
第２の熱電変換モジュール１２は、複数の単位モジュール１２Ｓを組み合わせた複合モジュールである。本実施の形態では、単位モジュール１２Ｓの個数は１〜９個であり、容易に変更することができる。また、単位モジュール１２Ｓは、平面視で正方形状を有する。図３では、第２の熱電変換モジュール１２は、単位モジュール１２Ｓが３行３列で隙間なく配列され、全体として正方形状となっている。
【００２３】
第１の熱電変換モジュール１１を構成する単位モジュール１１Ｓと第２の熱電変換モジュール１２を構成する単位モジュール１２Ｓの面積は同じであってもよいし、異なっていてもよい。単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓの面積とは、単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓを構成する絶縁基板１０４、１０５（図４参照）の面積である。また、単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓの平面視における形状は、正方形状に限定されず、容易に組み合わせられる形状であればよい。
【００２４】
図３に示すように、第１の熱電変換モジュール１１のモジュール面積が第２の熱電変換モジュール１２のモジュール面積よりも小さい場合、第１の熱電変換モジュール１１は、平面視において、第２の熱電変換モジュール１２の略中央に配置されるのが好ましい。また、第１の熱電変換モジュール１１のモジュール面積が第２の熱電変換モジュール１２のモジュール面積よりも大きい場合、第２の熱電変換モジュール１２は、平面視において、第１の熱電変換モジュール１１の略中央に配置されるのが好ましい。第１の熱電変換モジュール１１のモジュール面積とは、単位モジュール１１Ｓの面積の総和であり、第２の熱電変換モジュール１２のモジュール面積とは、単位モジュール１２Ｓの面積の総和である。
【００２５】
図４は、単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓを示す図である。図４に示すように、単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓは、それぞれ、熱電素子群１１０と、熱電素子群１１０を挟持する２枚の絶縁基板１０４、１０５を有する。熱電素子群１１０は、ｐ型半導体からなる第１の熱電素子１０１及びｎ型半導体からなる第２の熱電素子１０２を、金属電極１０３を介して「π」型に接続し、これを多数集合させて電気的に直列に接続した構成を有する。以下において、第１の熱電素子１０１と第２の熱電素子１０２を区別しない場合は、「熱電素子１０１、１０２」と表記する。
【００２６】
熱電素子１０１、１０２は、角柱状又は円柱状の部材である。熱電素子１０１、１０２を円柱状の部材で形成する場合、熱応力に対する耐性が向上する。
【００２７】
第１の熱電変換モジュール１１において、熱電素子１０１、１０２は、酸化物化合物半導体で形成される。第１の熱電素子１０１は、例えば実質的にＣａ３Ｃｏ４Ｏ９からなるｐ型半導体で形成される。第２の熱電素子１０２は、例えば実質的にＣａＭｎＯ３からなるｎ型半導体で形成される。この場合、第１の熱電変換モジュール１１の適用温度範囲は９００℃以下となる。
【００２８】
「実質的にＣａ３Ｃｏ４Ｏ９からなる」とは、必須成分Ｃａ、Ｃｏ及びＯ以外の任意成分を含んでいてもよいことを意味し、一般式ＣａａＭｂＣｏ４Ｏｃ（Ｍ：Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｙ及びランタノイドを含む群から選択される少なくとも一種の元素、２．２≦ａ≦３．６、０≦ｂ≦０．８、８≦ｃ≦１０）で表される。
【００２９】
「実質的にＣａＭｎＯ３からなる」とは、必須成分Ｃａ、Ｍｎ及びＯ以外の任意成分を含んでいてもよいことを意味し、一般式Ｃａ１−ｘＭ１ｘＭｎ１−ｙＭ２ｙＯｚ（Ｍ１：Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔｂ、Ｌｕ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｙ及びＬａを含む群から選択される少なくとも一種の元素、Ｍ２：Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ及びＭｏを含む群から選択される少なくとも一種の元素、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．２、２．７≦ｚ≦３．３）で表される。
【００３０】
第２の熱電変換モジュール１２において、熱電素子１０１、１０２は、ビスマス・テルル系半導体で形成される。この場合、第２の熱電変換モジュール１１の適用温度範囲は、２００℃以下となる。第１の熱電素子１０１は、例えばＢｉの一部をＳｂで置換したｐ型ＢｉＳｂＴｅで形成される。第２の熱電素子１０２は、例えばＴｅの一部をＳｅで置換したｎ型ＢｉＴｅＳｅで形成される。
【００３１】
金属電極１０３は、例えばＡｇで形成される。熱電素子１０１、１０２と金属電極１０３は、例えば半田付けにより接合される。
【００３２】
絶縁基板１０４、１０５は、例えばセラミック基板である。絶縁基板１０４、１０５は、隣接する単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓと係合するための係合溝又は係合片を有していてもよい。これにより、単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓを容易に隙間なく配列することができる。
【００３３】
熱電変換装置１が炉内に設置され、第１の熱電変換モジュール１１及び第２の熱電変換モジュール１２のそれぞれに温度差が付与されると、起電力が生じる。この電力は、それぞれの単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓの電流リード１０６、１０７を介して取り出される。なお、第１の熱電変換モジュール１１において、隣接する単位モジュール１１Ｓの電流リード１０６、１０７を接続してもよい。第２の熱電変換モジュール１２についても同様である。
【００３４】
第１の熱電変換モジュール１１を構成する単位モジュール１１Ｓの個数及び第２の熱電変換モジュール１２を構成する単位モジュール１２Ｓの個数は、熱電変換装置１が設置される環境の熱源温度に応じて設定される。単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓの個数を変更しても、積層型熱電変換モジュール１０の高さは同じなので、筐体４０の寸法を変更する必要はない。
【００３５】
本実施の形態では、第１の熱電変換モジュール１１と第２の熱電変換モジュール１２の接合部分の境界温度（均熱板の温度）が、第２の熱電変換モジュール１２の耐用温度（適用温度範囲の上限）である２００℃となるように、単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓの個数が調整される。例えば、熱源温度が８００℃である場合、第１の熱電変換モジュール１１には６００℃の温度差が付与されることになる。
【００３６】
このとき、第１の熱電変換モジュール１１及び第２の熱電変換モジュール１２のうち、出力性能の高い方の個数が最大（本実施の形態では９個）に設定され、出力性能の低い方の個数が調整されるのが好ましい。本実施の形態の場合、第２の熱電変換モジュール１２の出力性能が高いので、第１の熱電変換モジュール１１を構成する単位モジュール１１Ｓの個数が調整される。これにより、積層型熱電変換モジュール１０のモジュール性能を最大限に活かすことができる。
【００３７】
このように、積層型熱電変換モジュール１０は、 平板状の第１の熱電変換モジュール１１及び第２の熱電変換モジュール１２（複数の熱電変換モジュール）が熱の伝達方向に沿って積層された積層型熱電変換モジュールである。第１の熱電変換モジュール１１及び第２の熱電変換モジュール１２は、それぞれ、ｐ型半導体からなる柱状の第１の熱電素子１０１及びｎ型半導体からなる柱状の第２の熱電素子１０２を、金属電極１０３を介してπ型に接続し、これを多数集合させて電気的に直列に接続した熱電素子群１１０を有する。第１の熱電変換モジュール１１及び第２の熱電変換モジュール１２（複数の熱電変換モジュールのうちの少なくとも一つ）は、それぞれ複数の単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓを組み合わせた複合モジュールであり、単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓの個数を変更可能となっている。
【００３８】
積層型熱電変換モジュール１０によれば、単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓの個数を調整することにより第１の熱電変換モジュール１１及び第２の熱電変換モジュール１２に形成される温度勾配を調整し、最適な温度差を付与することができるので、熱源温度が異なる様々な環境に設置する場合に、容易に対応することができる。また、同一設計の単位モジュール１１Ｓ、１２Ｓを用いるので、熱源ごとに適した寸法の熱電変換モジュールを設計する必要はなく、筐体４０の寸法を変更する必要もない。
【００３９】
［実施例］
実施例では、以下の構成を有する積層型熱電変換モジュールを作製した。
第１の熱電変換モジュール：最大９個の単位モジュールからなる複合モジュール
第１の熱電素子：
素子材料：実質的にＣａ３Ｃｏ４Ｏ９からなるｐ型半導体
素子サイズ：
断面積：１０〜２０ｍｍ２、高さ：４〜１０ｍｍ（角柱）
第２の熱電素子：
素子材料：例えばＣａＭｎＯ３からなるｎ型半導体
素子サイズ：
断面積：１０〜１５ｍｍ２、高さ：第１の熱電素子と同じ（角柱）
絶縁基板：
基板材料：セラミック基板
基板サイズ：６０ｍｍ×６０ｍｍ（正方形板）
素子占有率（絶縁基板の面積に対する熱電素子の断面積）：５０〜８０％
適用温度範囲：９００℃以下
第２の熱電変換モジュール：最大９個の単位モジュールからなる複合モジュール
第１の熱電素子：
素子材料：ビスマス・テルル系のｐ型半導体
素子サイズ：
断面積：２〜５ｍｍ２、高さ：１〜３ｍｍ（円柱）
第２の熱電素子：
素子材料：ビスマス・テルル系のｎ型半導体
素子サイズ：
断面積：２〜５ｍｍ２、高さ：第１の熱電素子と同じ（円柱）
絶縁基板：
基板材料：セラミック基板
基板サイズ：６０ｍｍ×６０ｍｍ（正方形板）
素子占有率：３０〜６０％
適用温度範囲：２００℃以下
【００４０】
図５Ａは、第１の熱電変換モジュールの単位モジュールを３個、第２の熱電変換モジュールの単位モジュールを９個としたときの積層型熱電電変換モジュールにおける温度勾配を示す図である。この場合、第１の熱電変換モジュールと第２の熱電変換モジュールの面積比Ａ１／Ａ２は３３．３％である。図５Ａに示すように、第１の熱電変換モジュールの単位モジュールを３個とした場合、熱源温度が８００℃である場合に、境界温度が１８０〜２２０（２００℃近傍）となる。すなわち、積層型熱電変換モジュールを、熱源温度が８００℃である環境に設置する場合に、第２の熱電変換モジュールの出力性能を最大限に引き出すことができる。
【００４１】
図５Ｂは、第１の熱電変換モジュールの単位モジュールを９個、第２の熱電変換モジュールの単位モジュールを９個としたときの積層型熱電電変換モジュールにおける温度勾配を示す図である。この場合、第１の熱電変換モジュールと第２の熱電変換モジュールの面積比Ａ１／Ａ２は１００％である。図５Ｂに示すように、第１の熱電変換モジュールの単位モジュールを９個とした場合、熱源温度が４００℃である場合に、境界温度が１８０〜２２０（２００℃近傍）となる。すなわち、積層型熱電変換モジュールを、熱源温度が４００℃である環境に設置する場合に、第２の熱電変換モジュールの出力性能を最大限に引き出すことができる。
【００４２】
このように、積層型熱電変換モジュールは、熱源温度が異なる様々な環境に設置する場合に、容易に対応することができる。
【００４３】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
【００４４】
例えば、実施の形態において、第１の熱電変換モジュール１１、第２の熱電変換モジュール１２は、絶縁基板１０４、１０５のうちの一方を設けないハーフスケルトン型の熱電変換モジュールであってもよい。
【００４５】
また例えば、積層型熱電変換モジュールを構成する熱電変換モジュールは、３層以上であってもよく、この場合、少なくとも一つの熱電変換モジュールが複合モジュールであればよい。
【００４６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４７】
１  熱電変換装置
１０  積層型熱電変換モジュール
１１  第１の熱電変換モジュール（高温域用）
１２  第２の熱電変換モジュール（低温域用）
１１Ｓ、１２Ｓ  単位モジュール
１０１  第１の熱電素子
１０２  第２の熱電素子
１０３  金属電極
１０４、１０５  絶縁基板
１０６、１０７  電流リード
１１０  熱電素子群
２０  受熱板
３０  冷却板
４０  筐体
【図１】
2017098327.tif 000003
【図２】
2017098327.tif 000004
【図３】
2017098327.tif 000005
【図４】
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【図５】
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