(57)【要約】      （修正有）【課題】微細化された配線構造体において、基板に対する配線の接着性を向上させる。【解決手段】配線構造体の製造方法は、第１方向及び第１方向に対して垂直である第２方向を有する基板１上に、第１方向に延びるパターン５を有し、金属材料を含む第１金属層２を形成する工程と、平面視で第１金属層２上の少なくとも一部及び第２方向における第１金属層２の少なくとも一方の側面を露出するように、基板上にレジスト層を形成する工程と、第１方向から見た断面視で、前記レジスト層から露出した第１金属層２を覆う第２金属層１０を形成する工程と、前記レジスト層を除去する工程と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向、及び前記第１方向に対して垂直である第２方向を有する基板上に、前記第１方向に延びるパターンを有し、金属材料を含む第１金属層を形成する工程と、
平面視で前記第１金属層上の少なくとも一部、及び前記第２方向における前記第１金属層の少なくとも一方の側面を露出するように、前記基板上に、レジスト層を形成する工程と、
前記第１方向から見た断面視で、前記レジスト層から露出した前記第１金属層を覆う第２金属層を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
を含む配線構造体の製造方法。
【請求項２】
前記レジスト層を形成する工程において、前記第１方向における前記第１金属層の両方の側面を覆うことを含み、
前記レジスト層を除去する工程のあとに、露出した前記第１金属層をエッチングする工程を含む、
請求項１に記載の配線構造体の製造方法。
【請求項３】
第１方向、及び前記第１方向に対して垂直である第２方向を有し、かつ、配線構造体が形成されるチップ領域を有する基板上に、前記チップ領域外の第１領域、及び、前記チップ領域内の前記第１方向の両端の少なくとも一方から前記第１方向に沿って延びる第２領域を有するパターンを有し、金属材料を含む第１金属層を形成する工程と、
前記第１領域の前記第１金属層を覆い、かつ、平面視で、前記第２領域の前記第１金属層の少なくとも一部、及び前記第２方向における前記第２領域の前記第１金属層の少なくとも一方の側面を露出するように、前記基板上に、レジスト層を形成する工程と、
前記第１方向から見た断面視で、前記レジスト層から露出した前記第１金属層を覆う第２金属層を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記第１領域の前記第１金属層を除去する工程と、
を含む、配線構造体の製造方法。
【請求項４】
前記第１金属層の前記パターンをフォトリソグラフィによって形成する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線構造体の製造方法。
【請求項５】
第１方向、及び前記第１方向に対して垂直である第２方向を有する基板と、
前記基板上に設けられ、前記第１方向に延び、前記第２方向に第１の幅を有するパターンを有し、金属材料を含む第１金属層と、
前記第１方向に延び、平面視で、前記第１金属層の上面の少なくとも一部を覆い、且つ、前記第１方向から見た断面視で、前記第１金属層における前記第２方向の少なくとも一方の側面を覆う第２金属層と、
を備える配線構造体。
【請求項６】
前記第２金属層は、前記第２方向に前記第１の幅よりも広い第２の幅を有する、請求項５に記載の配線構造体。
【請求項７】
前記第２金属層は、前記第１方向から見た断面視で、前記第１金属層における前記第２方向の両方の側面を覆う、請求項５又は６に記載の配線構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は配線構造体の製造方法及び配線構造体に関し、特に、微細化された信頼性の高い配線構造体の製造方法及び配線構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高密度化、小型化が進み、電子機器に搭載される集積回路もより微細化している。これに伴い、集積回路の配線の微細化（配線幅の狭小化）が要求されるようになっている。
【０００３】
配線の形成方法としては、サブトラクティブ法やセミアディティブ法などの下地となる導電層上に電解めっき法によって金属層を形成する方法が知られている。例えば、特許文献１には、セミアディティブ法によって形成された第１金属層（シード層）上に第２金属層がめっきされた配線構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２４５５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されたセミアディティブ法では、基板上の第１金属層上にレジスト層を用いて第２金属層を形成し、エッチングによりレジスト層を除去した後、露出した第１金属層を除去する工程において、第２金属層と基板との間に配置された第１金属層がサイドエッチングされて第１金属層の幅が狭くなり、第１金属層と基板との結合強度が弱まる可能性がある。
【０００６】
本開示は、上記実情に鑑み、微細化された配線構造体において、基板に対する配線の接着性が向上した配線構造体、及び配線構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一実施形態によると、第１方向、及び前記第１方向に対して垂直である第２方向を有する基板上に、前記第１方向に延びるパターンを有し、金属材料を含む第１金属層を形成する工程と、平面視で前記第１金属層上の少なくとも一部、及び前記第２方向における前記第１金属層の少なくとも一方の側面を露出するように、前記基板上に、レジスト層を形成する工程と、前記第１方向から見た断面視で、前記レジスト層から露出した前記第１金属層を覆う第２金属層を形成する工程と、前記レジスト層を除去する工程と、を含む配線構造体の製造方法が提供される。
【０００８】
本開示の他の実施形態によると、第１方向、及び前記第１方向に対して垂直である第２方向を有し、かつ、配線構造体が形成されるチップ領域を有する基板上に、前記チップ領域外の第１領域、及び、前記チップ領域内の前記第１方向の両端の少なくとも一方から前記第１方向に沿って延びる第２領域を有するパターンを有し、金属材料を含む第１金属層を形成する工程と、前記第１領域の前記第１金属層を覆い、かつ、平面視で、前記第２領域の前記第１金属層の少なくとも一部、及び前記第２方向における前記第２領域の前記第１金属層の少なくとも一方の側面を露出するように、前記基板上に、レジスト層を形成する工程と、前記第１方向から見た断面視で、前記レジスト層から露出した前記第１金属層を覆う第２金属層を形成する工程と、前記レジスト層を除去する工程と、前記第１領域の前記第１金属層を除去する工程と、を含む、配線構造体の製造方法が提供される。
【０００９】
本開示の他の実施形態によると、第１方向、及び前記第１方向に対して垂直である第２方向を有する基板と、前記基板上に設けられ、前記第１方向に延び、前記第２方向に第１の幅を有するパターンを有し、金属材料を含む第１金属層と、前記第１方向に延び、平面視で、前記第１金属層の上面の少なくとも一部を覆い、且つ、前記第１方向から見た断面視で、前記第１金属層における前記第２方向の少なくとも一方の側面を覆う第２金属層と、を備える配線構造体が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、微細化された配線構造体において、基板に対する配線の接着性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（Ａ）は、本開示の第１実施形態に係る配線構造体の平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の断面図である。
【図２】配線構造体における第１金属層の一部拡大平面図である。
【図３】（Ａ）は、基板上に第１金属層を形成した様子を示す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）の断面図である。
【図４】（Ａ）は、図３の状態に対して、レジスト層を形成した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の断面図である。
【図５】（Ａ）は、図４の状態に対して、第２金属層を形成した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の断面図である。
【図６】（Ａ）は、図５の状態に対して、レジスト層を除去した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の断面図である。
【図７】配線構造体の製造過程を示す断面図である。
【図８】（Ａ）は、本開示の第２実施形態に係る配線構造体の平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の断面図である。
【図９】配線構造体における第１金属層の一部拡大平面図である。
【図１０】（Ａ）は、図３の状態に対して、レジスト層を形成した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の断面図である。
【図１１】（Ａ）は、図１０の状態に対して、第２金属層を形成した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の断面図である。
【図１２】（Ａ）は、図１１の状態に対して、レジスト層を除去した様子を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の断面図である。
【図１３】配線構造体の製造過程を示す断面図である。
【図１４】（Ａ）は、第３実施形態に係る島状パターンの平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）を第１方向から見た断面図である。（Ｃ）は、（Ａ）を第２方向から見た断面図である。
【図１５】（Ａ）は、第３実施形態の変形例に係る島状パターンの平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）を第１方向から見た断面図である。（Ｃ）は、（Ａ）を第２方向から見た断面図である。
【図１６】（Ａ）は、第３実施形態に係る島状パターンの配線構造体を製造するために基板に第１金属層を形成した状態を示す平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の第１金属層にレジスト層を形成した状態を示す平面図である。
【図１７】（Ａ）は、第２金属層をめっきした状態を示す平面図である。（Ｂ）は、レジスト層を除去した状態を示す平面図である。
【図１８】第１金属層を除去した状態を示す平面図である。
【図１９】第４実施形態に係る基板上に複数の配線が形成された配線構造体の平面図である。
【図２０】（Ａ）は、第４実施形態に係る複数の配線構造体のチップを形成するための基板の平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の基板に第１金属層を形成した状態を示す平面図である。
【図２１】（Ａ）は、レジスト層を形成した状態を示す平面図である。（Ｂ）は、第２金属層を形成した状態を示す平面図である。
【図２２】レジスト層を除去した状態を示す平面図である。
【図２３】（Ａ）は、第４実施形態の変形例に係る配線構造体の平面図であり、（Ｂ）は、配線構造体を製造する過程で第１金属層を基板に形成した状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。また、説明の便宜上、上方又は下方という語句を用いて説明するが、上下方向が逆転してもよい。
【００１３】
（第１実施形態）
図１（Ａ）は、本開示の第１実施形態に係る配線構造体２００を基板１の上面に対して垂直な方向から見た一部拡大平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の断面図である。図２は、配線構造体２００の第１金属層２の一部拡大平面図である。図１及び図２に示されるように、配線構造体２００は、基板１と、シード層となる第１金属層２と、第２金属層１０と、を備える。尚、図２において、第２金属層１０の記載は省略されている。
【００１４】
（基板）
基板１は、材質は限定されないが、例えばガラス基板又はシリコン基板などの半導体基板が用いられてもよい。また、基板１は、ガラス基板又は半導体基板に限定されず、サファイア基板、セラミック基板、樹脂基板などの基板及びフィルム形態であってもよい。
【００１５】
（第１金属層のパターン）
第１金属層２は、基板１上に設けられ、所定の第１方向（以下、配線方向ともいう）に延長されている。図１及び図２においては、第１金属層２は基板１の直上に配置されているが、基板１と第１金属層２との間に他の層（例えば絶縁層）が配置されていてもよい。第１金属層２は、チタン、鉄、ニッケル、銅、ナトリウム、亜鉛等の金属又はこれら組み合わせた合金といった金属材料を含む。第１金属層２は、基板１上の全面に設けられた金属層をパターニングすることによって形成される。第１金属層２は、エッチングによりパターニングされてもよい。
【００１６】
また、第１金属層２は、金属材料に加えて感光性材料を含んでもよい。第１金属層２に含まれる感光性を有する感光性化合物としては、ネガ型の金属錯体を形成するβ−ジケトン又はα−ヒドロキシケトン、１−Ｈｙｄｒｏｘｙｃｙｃｌｏｈｅｘｙ１  Ｐｈｅｎｙ１（ＨＰＫ）等であってもよい。また、感光性のない金属錯体を形成する化合物と金属錯体を形成しない感光性化合物とを含む触媒溶液が用いられても良い。第１金属層２が感光性材料を含む場合、第１金属層２は、該感光性材料を含み、基板１上の全面に設けられた第１金属層２をフォトリソグラフィによってパターニングすることにより形成することができる。
【００１７】
図１に示されるように、この配線構造体２００において、第１金属層２は、所定の第１方向（配線方向）に延びる。第１金属層２は、第１方向に対して垂直な第２方向に第１の幅Ｗａを有する。
【００１８】
（第２金属層）
第２金属層１０は、第１金属層２上に設けられ、銅などの金属材料を含む。また、図１（Ｂ）に示されるように、第２金属層１０は、平面視で、第１金属層２の上面Ｐ３の少なくとも一部を覆い、且つ、第１方向から見た断面視で、第２方向の少なくとも一方の側面（例えば、側面Ｐ１と側面Ｐ２のいずれか一方）を覆う。ここで、「平面視」とは、基板１の上面Ｐ３に対して垂直な方向から見た場合を示す。
【００１９】
本実施形態に係る配線構造体２００では、図１（Ａ）と図１（Ｂ）に示すように、第２金属層１０は、平面視で第１金属層２の上面Ｐ３の全面、及び、第１金属層２の第２方向の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２を覆っている（即ち、ここでは、第２金属層１０が第１金属層２の基板１に面する上面を除いた表面を覆っている）。したがって、第２金属層１０は、第２方向に第１の幅Ｗａよりも広い第２の幅Ｗｃ（金属層幅）を有する。尚、第２金属層１０は、第１金属層２の第２方向の側面Ｐ１と側面Ｐ２のうち、一方の側面を覆ってもよい。第１金属層２と第２金属層１０とは、配線５を構成する。
【００２０】
本実施形態のように、第１金属層２が第１方向（配線方向）に延びるように設けられる場合には、後述する配線構造体２００の製造工程において、第１金属層２をエッチングする必要がなくなる。そのため、基板１と第１金属層２との接触面積が維持され、基板１と第１金属層２との結合強度が維持される。その結果、基板１と配線５との結合強度が維持される。また、本実施形態では、第１金属層２の第２方向の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２が第２金属層１０で覆われている。そのため、第２金属層１０と基板１とが接触し、基板１と配線５との接合強度をより向上させることができる。
【００２１】
（配線構造体の製造方法）
次に、配線構造体２００の製造方法について図３〜図７を参照しつつ説明する。図３（Ａ）は、基板１上に第１金属層２を形成した様子を示す平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の断面図である。まず、基板１上の全面に、金属材料を含む第１金属層２を形成する（第１金属層形成工程）。第１金属層２の厚みは、２００ｎｍ程度であればよい。図３に示すように、第１金属層２は、第１方向（配線方向）に延びるように形成される。
【００２２】
この第１金属層２は、例えば、塗布法、スパッタリング法、蒸着法、などによって基板１の全面に形成された金属材料を含む第１金属層をパターニングして形成される。第１金属層２は、例えば、ウェットエッチングでパターニングされる。また、第１金属層２が金属材料に加えて感光性材料を含む場合、第１金属層２はフォトリソグラフィによってパターニングすることができる。例えば、基板１上の全面に形成された金属層上にマスクを形成し、その金属層を露光及び現像をすることにより、マスクを形成した領域の金属層を除去して、第１金属層２を形成することができる。
【００２３】
尚、第１金属層２の形成方法は、以上に説明した方法に限定されるわけではない。例えば、オフセット印刷やスクリーン印刷などの印刷法を用いて、基板１上に所望の第１金属層２を印刷して、必要に応じて焼成工程を行い形成してもよい。インキ化するための樹脂成分や溶媒成分を焼失させる必要があるためである。
【００２４】
次に、図４に示すように、基板１上にレジスト層３を形成する。図４（Ａ）は、基板１上にレジスト層３を形成した様子を示す平面図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の断面図である。
【００２５】
図４（Ａ）に示すように、基板１上に、第１金属層２の少なくとも一部を露出するように、互いに隣接する第１金属層２の間にレジスト層３を形成する（レジスト層形成工程）。具体的には、レジスト層３は、平面視で、第１金属層２の上面Ｐ３の少なくとも一部、及び、第２方向における第１金属層２の少なくとも一方の側面Ｐ１と側面Ｐ２のいずれか一方）を露出するように形成される。本実施形態では、図４（Ａ）と図４（Ｂ）に示すように、レジスト層３は、平面視で、第１金属層２の上面Ｐ３の全面、及び、第２方向における第１金属層２の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２を露出している。
【００２６】
第１金属層２の形成後に、レジスト層３を形成する理由として、もしレジスト層３が形成していない状態で、電解めっき法にて、第２金属層１０を形成すると、該第１金属層２の周りに第２金属層１０が等方的に形成されるため、厚み方向と横方向が同じ成長速度になり、細い配線形成が難しくなる。横方向の成長を制御するためレジスト層３が必要となる。
【００２７】
次に、図５に示すように、露出された第１金属層２上に第２金属層１０を形成する（第２金属層形成工程）。図５（Ａ）は、露出された第１金属層２上に、第２金属層１０を形成した様子を示す平面図である。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の断面図である。第２金属層１０は、図５に示されるように、第１方向から見た断面視で、露出された第１金属層２を覆う。第２金属層１０は、例えば、電解めっきによって形成される。めっき液として、硫酸銅めっき液を用いてもよい。なお、第２金属層１０は、無電解めっきによって形成されても良い。
【００２８】
本実施形態では、図５（Ｂ）に示されるように、レジスト層３から露出された第１金属層２の上面Ｐ３の全面、及び、第１金属層２の第２方向における両側の側面Ｐ１と側面Ｐ２が第２金属層１０によって覆われる。
【００２９】
次に、図６に示すように、レジスト層３を除去する（レジスト層除去工程）。図６（Ａ）は、レジスト層３を除去した様子を示す平面図である。図６（Ｂ）は、図６（Ａ）の断面図である。レジスト層３は、エッチングによって除去される。こうして、配線構造体２００が形成される。
【００３０】
このように、第１金属層２の上面Ｐ３、及び、第２方向の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２が第２金属層１０によって覆われている。その結果、図１に示すように、第１金属層２は、第２方向で第１の幅Ｗａを有し、第２金属層１０は、第２方向で第１の幅Ｗａよりも大きな第２の幅Ｗｃを有する。
【００３１】
本実施形態では、互いに隣接する第１金属層２の間にレジスト層３を形成する。そのため、互いに隣接する第１金属層２の間の間隔が狭い場合でも、第２金属層１０を形成する際に、第１金属層２を覆う第２金属層１０が、隣接する第１金属層２を覆う第２金属層１０に接触せず、第１金属層２及び第２金属層１０から構成される配線５は、隣接する配線５と電気的に絶縁される。したがって、信頼性の高い微細化された配線構造体２００を提供することができる。
【００３２】
また、本実施形態では、第２金属層１０を形成した後に第１金属層２のエッチングが省略されるため、基板１と第１金属層２との十分な接触面積が維持される。その結果、基板１と第１金属層２と第２金属層１０からなる配線５との結合強度が維持され、配線５が倒れたり、基板１から剥離したりすることを防止することができ、配線構造体２００の信頼性を向上させることができる。
【００３３】
従来の第１金属層と第２金属層からなる積層構造の場合、エッチング工程にて、該当する層間すなわち界面に、エッチングが浸透していく傾向にあり、該界面の密着力の低下を引き起こす。すなわち、島状パターン（特に、第３実施形態にて後述する）を形成する際は、必ず、エッチング工程が必要となる。その際、一部の端部を除き（島状パターンをつないでいる第１金属層のエッチングされる部分）大部分の配線部は、該界面が、表面にでていないために、界面部へのエッチングアタックがなく密着力を損なうことがない。
【００３４】
図７は、第１金属層２における配線構造体２００の製造過程を示す断面図である。前述した第１金属層２における製造工程を分かり易く説明すると、以下のようになる。図７（Ａ）に示されるように、基板１上に、第１方向に延び、第２方向に第１の幅Ｗａを有する第１金属層２が形成される。
【００３５】
図７（Ｂ）のように、互いに隣接する第１金属層２の間に、第１金属層２の第２方向の両側の側面Ｐ１と側面Ｐ２が露出されるようにレジスト層３が形成される。また、ここでは、レジスト層３は、第１金属層２の上面Ｐ３の全面を露出するように形成される。次に、図７（Ｃ）のように、第１金属層２の上面Ｐ３の全面と第２方向の側面Ｐ１と側面Ｐ２とを覆うように第２金属層１０が形成される。最後に、図７（Ｄ）のようにレジスト層３が除去される。配線構造体２００における第２金属層１０は、第２方向に第１の幅Ｗａよりも大きな第２の幅Ｗｃを有する。
【００３６】
（第２実施形態）
図８（Ａ）は、本開示の第２実施形態に係る配線構造体３００の一部拡大平面図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）の断面図である。図９は、配線構造体３００を第１金属層２を基板１の上面Ｐ３に対して垂直な方向から見た一部拡大断面図である。尚、図９において、第２金属層１０の記載は省略されている。また、第１実施形態に係る配線構造体２００の製造方法と重複する説明は省略又は簡略化して説明する。
【００３７】
図８及び図９に示されるように、配線構造体３００は、基板１と、第１金属層２と、第２金属層１０と、を備える。第１金属層２は、基板１上に設けられ、金属材料を含んで第１方向に延びる。第１金属層２は、金属材料に加えて感光性材料を含んでもよい。
【００３８】
第１金属層２は、第２方向に第１の幅Ｗａを有する。第２金属層１０は、平面視で、第１金属層２の上面Ｐ３の一部を覆い、且つ、第１方向から見た断面視で、第１金属層２の第２方向の一方の側面Ｐ２を覆う。ここでは、第２金属層１０は、第１の幅Ｗａと略同じ第２の幅Ｗｃを有する。ただし、第２の幅Ｗｃが第１の幅Ｗａよりも大きく設定されても良い。従って、第２の幅Ｗｃが第１の幅Ｗａ以上に設定されても良い。
【００３９】
（配線構造体の製造方法）
次に、図３、及び、図１０〜図１３を参照しつつ、配線構造体３００の製造方法を説明する。最初に第１の実施形態と同様に図３のように基板１上に第１金属層２が形成される（第１金属層形成工程）。
【００４０】
図１０（Ａ）は、図３の状態に対して、レジスト層３を形成した様子を示す平面図である。図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）の断面図である。第１金属層２が形成された基板１上に、第１金属層２の少なくとも一部としての上面Ｐ３の一部を露出するように、互いに隣接する第１金属層２の間にレジスト層３を形成する（レジスト層形成工程）。具体的には、レジスト層３は、平面視で、第１金属層２の上面Ｐ３（表面）の一部、及び、第２方向における第１金属層２の一方の側面Ｐ２を露出するように形成される。
【００４１】
レジスト層３は、第１金属層２の第２方向の他方の側面Ｐ１を覆う（埋める）ように、内側位置Ｑ１まで形成される。また、レジスト層３は、第１金属層２の第２方向の一方の側面Ｐ２を露出する（埋めない）ように、かつ、第１金属層２の側面Ｐ２から所定寸法離れた外側位置Ｒ２まで基板１を露出させるように形成される。
【００４２】
図１１（Ａ）は、図１０の状態に対して、第２金属層１０を形成した様子を示す平面図である。図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）の断面図である。図１１に示されるように、露出された第１金属層２の一部の上面Ｐ３の上に第２金属層１０が形成される（第２金属層形成工程）。
【００４３】
図１１（Ｂ）に示されるように、第２金属層１０は、第１金属層２を第２方向の他方の側面Ｐ２を被覆しないものの、第１金属層２の一部の上面Ｐ３と一方の側面Ｐ２を被覆している。
【００４４】
図１２（Ａ）は、図１１の状態に対して、レジスト層３を除去した様子を示す平面図である。図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の断面図である。図１２に示されるように、レジスト層３を除去する（レジスト層除去工程）。こうして配線構造体３００が形成される。エッチングの工程がないので、第１金属層２の第１の幅Ｗａは変化なく、また、第１金属層２の第２方向の横に第２金属層１０がある。そのために、第２金属層１０と基板１との結合強度が向上する。
【００４５】
図１３は、第１金属層２における配線構造体３００の製造過程を示す断面図である。前述した第１金属層２における製造過程を分かり易く説明すると、以下のようになる。図１３（Ａ）に示されるように、第１金属層２が形成されることになる箇所では、基板１上に第２方向で第１の幅Ｗａの第１金属層２が形成される。
【００４６】
図１３（Ｂ）のように、他方の側面Ｐ２を埋めつつ、第１金属層２の一部の上面Ｐ３及び一方の側面Ｐ２を露出させつつ基板１上の一方の側面Ｐ２から外側位置Ｒ２までを露出させて、レジスト層３が形成される。そして、図１３（Ｃ）のように第１金属層２の一部の上面Ｐ３と第２方向の一方の側面Ｐ２とを覆うように第２金属層１０が形成され、図１３（Ｄ）のようにレジスト層３が除去される。そして、配線構造体３００が完成する。
【００４７】
（第３実施形態）
第１実施形態及び第２実施形態では、基板１上に第１方向に延びる配線５を有する配線構造体２００と配線構造体３００を説明したが、本開示の配線構造体４００は、上述の実施形態で説明した配線構造体２００と配線構造体３００に限定されない。本開示の配線構造体４００は、島状のパターン６を有してもよい。
【００４８】
図１４（Ａ）は、本開示の第３実施形態に係る配線構造体４００の平面図である。図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）を第１方向から見た断面図である。図１４（Ｃ）は、図１４（Ａ）を第２方向から見た断面図である。図１４（Ａ）と図１４（Ｂ）に示すように、配線構造体４００は、基板１と、基板１上に設けられた島状パターン６とを有する。尚、図１４（Ａ）においては、基板１上に設けられた島状パターン６を１つ示しているが、島状パターン６の個数は１つに限定されず、２つ以上であってもよい。また、図１４（Ａ）において、島状パターン６は、平面視で、第１方向に平行な長辺を有し、第１方向とは垂直な第２方向に平行な短辺を有する矩形状の形状を有している。しかしながら、島状パターン６の形状は、図１４（Ａ）に示す矩形状に限定されない。
【００４９】
配線構造体４００における島状パターン６は、第１金属層２と、平面視で、第１金属層２の上面Ｐ３の少なくとも一部を覆い、且つ第１方向から見た断面視で、第１金属層２の第２方向の少なくとも一方の側面（側面Ｐ１と側面Ｐ２の少なくとも一方）を覆う第２金属層１０とを含む。
【００５０】
図１４（Ａ）に示す配線構造体４００における島状パターン６では、第１金属層２は、実質的に第１方向に平行な長辺を有し、第２方向に平行な短辺を有する矩形状を有する。第１金属層２の短辺には、第１方向に凹む側面２Ｍ１と側面２Ｍ２とを有してもよい。また、図１４（Ｂ）に示す配線構造体４００における島状パターン６では、第２金属層１０は、平面視で、第１金属層２の上面Ｐ３の全面を覆い、且つ第１方向から見た断面視で、第１金属層２の第２方向の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２を覆う。
【００５１】
図１４（Ａ）に示す配線構造体４００を製造する場合、後述するように、第１金属層２の一部がエッチングされるが（図１４（Ｃ）参照）、第２金属層１０に覆われた、第１金属層２の第２方向の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２はエッチングされない（図１４（Ｂ）参照）。
【００５２】
したがって、基板１と第１金属層２との接触面積が維持され、基板１と第１金属層２との結合強度が維持される。その結果、基板１と島状パターン６との結合強度が維持される。また、本実施形態では、第１金属層２の第２方向の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２が第２金属層１０で覆われている。そのため、第２金属層１０と基板１とが接触し、基板１と島状パターン６との接合強度をより向上させることができる。
【００５３】
なお、図１４（Ｃ）に示されるように、第１金属層２がエッチングされて第１方向の一方の側面２Ｍ１に凹部が形成され、他方の側面２Ｍ２に凹部が形成されている。
【００５４】
図１５（Ａ）は、本実施形態の変形例に係る配線構造体４０１の平面図である。図１５（Ｂ）は、配線構造体４０１の第１方向から見た断面図である。図１５（Ｃ）は、配線構造体４０１の第２方向から見た断面図である。前述した実施形態では、配線構造体４０１は、島状パターン６における第１金属層２の第２方向の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２が第２金属層１０に覆われているが、第１金属層２の第２方向の一方の側面Ｐ２が第２金属層１０に覆われていてもよい。第２金属層１０に覆われている第１金属層２の側面Ｐ２側は、エッチングされないため、基板１と第１金属層２との接触面積が維持され、基板１と第１金属層２との結合強度が維持される。
【００５５】
なお、図１５（Ｃ）に示されるように、配線構造体４０１では、第１方向の一方の側面２Ｍ１と他方の側面２Ｍ２がエッチングされ、側面２Ｍ１と側面２Ｍ２が凹んでいる。以下図１４の形態に関して製造方法を説明していく。
【００５６】
（製造方法）
図１６（Ａ）は、第３実施形態に係る島状パターン６の配線構造体４００を製造するために基板１に第１金属層２を形成した状態を示す平面図である。図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）の第１金属層２にレジスト層３を形成した状態を示す平面図である。図１６（Ａ）に示されるように、基板１には、第１方向に第１金属層２が延びるように形成される（第１金属層形成工程）。そして、図１６（Ｂ）に示されるように、第１方向における配線領域Ｋ１にて第１金属層２の上面Ｐ３と第１金属層２における第２方向の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２とが露出されるようにしつつ、第１方向における端部領域Ｋ２にて第１金属層２の上面Ｐ５の一部が覆われるように、レジスト層３が形成される（レジスト層形成工程）。
【００５７】
図１７（Ａ）は、第２金属層１０をめっきした状態を示す平面図である。図１７（Ｂ）は、レジスト層３を除去した状態を示す平面図である。図１８は、第１金属層２を除去した状態を示す平面図である。図１７（Ａ）に示されるように、第２金属層１０は、露出された第１金属層２のパターンにめっきされる（第２金属層形成工程）。そして、図１７（Ｂ）に示されるように、レジスト層３が除去される（レジスト層除去工程）。そして、図１８に示されるように、第１金属層２がエッチングされて第１方向の一方の側面２Ｍ１に凹部が形成され、他方の側面２Ｍ２に凹部が形成される（第１金属層エッチング工程）。
【００５８】
（第４実施形態）
図１９は、第４実施形態に係る複数の配線構造体５００の平面図である。図１９に示されるように、基板１上に複数の配線構造体５００のチップ領域１Ｚ（所定領域）があり、各々のチップ領域１Ｚに配線５が形成されている。
【００５９】
図２０（Ａ）は、第４実施形態に係る複数の配線構造体５００を形成するための基板１の平面図である。図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ）の基板１に第１金属層２を形成した状態を示す平面図である。
【００６０】
図２０（Ａ）に示される基板１上で、図２０（Ｂ）のように複数の配線構造体５００を製造する複数のチップ領域１Ｚ以外の領域に、第１金属層２を形成する（第１金属層形成工程）。これと同時に、図２０（Ｂ）のように、そのチップ領域１Ｚ内に第１金属層２と繋がって第１方向に延びる第１金属層２を形成する。これにより、第１金属層２は、チップ領域１Ｚ外の第１領域２Ｐと、チップ領域１Ｚ内の第１方向の両端である一端２Ｚ１と他端２Ｚ２の少なくとも一方から第１方向に向かって延びる第２領域２Ｑと、を有することとなる。第１金属層２の第２領域２Ｑは、一端２Ｚ１から他端２Ｚ２まで第１方向に沿って延びている。
【００６１】
この場合に、チップ領域１Ｚの外側の第１領域２Ｐの第１金属層２とチップ領域１Ｚの内側の第２領域２Ｑの第１金属層２とは連続されている。従って、第２金属層１０が形成されるときに、チップ領域１Ｚの中の第１金属層２は十分に給電できる。
【００６２】
図２１（Ａ）は、レジスト層３を形成した状態を示す平面図である。図２１（Ｂ）は、第２金属層１０を形成した状態を示す平面図である。図２２は、レジスト層３を除去した状態を示す平面図である。図２１（Ａ）に示されるように、レジスト層３が第１金属層２の上面Ｐ３の全面及び第１方向の両方の側面Ｐ１と側面Ｐ２を露出するように形成される（レジスト層形成工程）。
【００６３】
図２１（Ｂ）に示されるように、第２金属層１０は、露出された第１金属層２上に形成され（第２金属層形成工程）て、図２２に示されるように、レジスト層３が除去された（レジスト層除去工程）後に、基板１上のチップ領域１Ｚ内の第２領域２Ｑの第１金属層２の一方の端部２Ｚ１と他方の端部２Ｚ２（図２０（Ｂ）参照）及び基板１上のチップ領域１Ｚ外の第１領域２Ｐ（図２０（Ｂ）参照）の第１金属層２がエッチングされる（第１金属層エッチング工程）。そして、このような１枚の基板１上に複数のチップ領域１Ｚ単位で配線５が配置された状態で、各々のチップ領域１Ｚ毎に基板１を分断し（スクライブあるいはダイシングともいう）、配線構造体５００の各々が完成する。
【００６４】
図２３（Ａ）は、第４実施形態の変形例に係る配線構造体５０１の平面図である。図２３（Ｂ）は、配線構造体５０１を製造する過程で第１金属層２を基板１に形成した状態を示す平面図である。図２３（Ａ）に示されるように、チップ領域１Ｚの内側の第１金属層２は、チップ領域１Ｚ内で第１方向の一端２Ｚ１から他端２Ｚ３まで第１方向に延びている。しかし、第１金属層２の他端２Ｚ３は、図１９でも示した第１領域２Ｐの他端２Ｚ２まで届いていない。
【００６５】
このことは、第１金属層２が基板１に対して形成されたときの図２３（Ｂ）に良く示されている。すなわち、図２３（Ｂ）のように、チップ領域１Ｚの外側の第１領域２Ｐの第１金属層２とチップ領域１Ｚの内側の第２領域２Ｑの第１金属層２とは、第１方向の一方においてのみ連続し（一端２Ｚ１の箇所）、第１方向の他方で不連続（他端２Ｚ２の箇所）となる構成であっても良い。その意味ではいずれかの部分で連続している箇所があれば良い。
【００６６】
前述してきた第１実施形態〜第４実施形態のいずれかの方法によって配線構造体２００、配線構造体３００、配線構造体４００、配線構造体４０１、配線構造体５００、配線構造体５０１を製造する場合、第２金属層１０と第１金属層２とからなる配線同士の間の幅が狭い場合、つまり配線が微細化された場合であっても、第２金属層１０が倒れたり基板１から剥離したりすることを防止することができる程度の基板１と第１金属層２との接触面積を確保し、基板１と第１金属層２との結合強度を維持することができる。そのため、微細化された、信頼性の高い配線構造体２００、配線構造体３００、配線構造体４００、配線構造体４０１、配線構造体５００、配線構造体５０１を実現することができる。
【符号の説明】
【００６７】
１      基板、１Ｚ  チップ領域、２  第１金属層、２Ｍ１  側面、２Ｍ２  側面、２Ｐ  第１領域、２Ｑ  第２領域、２Ｚ１  一端、２Ｚ２  他端、２Ｚ３  他端、３  レジスト層、５  配線、６  島状パターン、１０  第２金属層、２００、３００、４００、４０１、５００、５０１  配線構造体、Ｋ１  配線領域、Ｋ２  端部領域、Ｐ１  他方の側面、Ｐ２  一方の側面、Ｐ３  上面、Ｐ５  上面、Ｗａ  第１の幅、Ｗｃ  第２の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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