(57)【要約】【課題】電流経路の拡がりと発光領域の設計を容易にできる半導体レーザを提供する。【解決手段】成長基板（１１）上に第一導電型半導体層（１２）、発光層（１４）、第二導電型半導体層（１５）が形成された半導体レーザ（１０）であって、成長基板（１１）を貫通して第一導電型半導体層（１２）の内部まで到達する貫通電極（１７ａ）を有する半導体レーザ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長基板上に第一導電型半導体層、発光層、第二導電型半導体層が形成された半導体レーザであって、
前記成長基板を貫通して前記第一導電型半導体層の内部まで到達する貫通電極を有することを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザであって、
前記第一導電型半導体層にはｎ型クラッド層が含まれており、前記貫通電極の先端は前記ｎ型クラッド層よりも前記成長基板側に位置することを特徴とする半導体レーザ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体レーザであって、
前記第二導電型半導体層上にストライプ状の開口部を有する絶縁層を有し、
前記貫通電極の幅は、前記開口部の幅よりも狭いことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一つに記載の半導体レーザであって、
前記貫通電極は、レーザ共振の長手方向に沿って断続的に複数形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一つに記載の半導体レーザであって、
前記貫通電極は、レーザ共振の幅方向に複数形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザに関し、特に電流を狭窄したストライプ領域を有する半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年になって、光ピックアップ装置や通信用光源等のみならず、照明用途の光源として半導体レーザを用いることが提案されてきている。これらの応用分野に用いられる半導体レーザでは、ストライプを開口した絶縁層を介して活性層への電流注入領域を制限する電流狭窄型のものが一般的に採用されている（例えば特許文献１等）。
【０００３】
図５は、従来の電流狭窄型半導体レーザ１の構造を示す模式断面図である。従来の半導体レーザ１では、成長基板２上にｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５が順に成長され、ｐ型半導体層５の表面に開口部を有する絶縁層６が形成され、成長基板２の裏面にｎ側電極７が形成され、ｐ型半導体層５および絶縁層６の上にｐ側電極８が形成されている。
【０００４】
図６は、電流狭窄型の半導体レーザ１での電流経路と発光領域９を示す模式断面図である。半導体レーザ１のｎ側電極７とｐ側電極８の間に電圧を印加すると、ｎ型半導体層３に電子が供給されｐ型半導体層５にホールが供給されて、図６中に矢印で示したような電流が流れる。ｎ側電極７は成長基板２の裏面側全域で成長基板２と接触し、ｐ側電極８は絶縁層６の開口部内でｐ型半導体層５と接触しているので、電流の経路は絶縁層６の開口部からｎ側電極７全体へと拡がるものとなる。このような半導体レーザ１では、活性層４を横切る電流経路で利得が生じ、その範囲がレーザ光の出射する発光領域９となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−０１９５８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし従来の半導体レーザ１では、図６に示したように電流経路は絶縁層６の開口部から拡がっていくため、絶縁層６の開口幅よりも広い範囲が発光領域９となる傾向がある。特に、活性層４からｐ側電極８までの距離と比較すると、成長基板２およびｎ型半導体層３の厚みが大きいため、電流経路の拡がりを制御するのが難しく発光領域９のサイズを設計することも困難であった。
【０００７】
そこで本発明は、電流経路の拡がりと発光領域の設計を容易にできる半導体レーザを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明の半導体レーザは、成長基板上に第一導電型半導体層、発光層、第二導電型半導体層が形成された半導体レーザであって、前記成長基板を貫通して前記第一導電型半導体層の内部まで到達する貫通電極を有することを特徴とする。
【０００９】
このような本発明の半導体レーザでは、成長基板を貫通して第一導電型半導体層の内部にまで貫通電極が形成されているので、貫通電極の先端から発光層までの距離を小さくすることができ、電流経路の拡がりを容易に設計できる。
【００１０】
また本発明の一態様では、前記第一導電型半導体層にはｎ型クラッド層が含まれており、前記貫通電極の先端は前記ｎ型クラッド層よりも前記成長基板側に位置する。
【００１１】
また本発明の一態様では、前記第二導電型半導体層上にストライプ状の開口部を有する絶縁層を有し、前記貫通電極の幅は、前記開口部の幅よりも狭い。
【００１２】
また本発明の一態様では、前記貫通電極は、レーザ共振の長手方向に沿って断続的に複数形成されている。
【００１３】
また本発明の一態様では、前記貫通電極は、レーザ共振の幅方向に複数形成されている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、電流経路の拡がりと発光領域の設計を容易にできる半導体レーザを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態における半導体レーザ１０の構造を示す模式断面図である。
【図２】第１実施形態における半導体レーザ１０の電流経路と発光領域１９を示す模式断面図である。
【図３】第２実施形態における半導体レーザ２０の構造を示す模式断面図である。
【図４】第３実施形態における半導体レーザ３０の構造を示す模式図であり、図４（ａ）は模式斜視図を示し、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＡ−Ａ断面を示す模式断面図である。
【図５】従来の電流狭窄型半導体レーザ１の構造を示す模式断面図である。
【図６】従来の電流狭窄型半導体レーザ１での電流経路と発光領域９を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第１実施形態）
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付すものとし、適宜重複した説明は省略する。図１は、本実施形態における半導体レーザ１０の構造を示す模式断面図である。
【００１７】
図１に示すように半導体レーザ１０は、成長基板１１上にｎ型半導体層１２、クラッド層１３、活性層１４、ｐ型半導体層１５が順に成長され、ｐ型半導体層１５の表面に開口部１６ａを有する絶縁層１６が形成されている。また、成長基板１１およびｎ型半導体層１２には、絶縁層１６の開口部１６ａ直下における領域に溝１２ａが形成され、成長基板１１の裏面にｎ側電極１７が形成されるとともに溝１２ａ内部にも貫通電極１７ａが形成されている。さらに、ｐ型半導体層１５および絶縁層１６の上にｐ側電極１８が形成されている。
【００１８】
成長基板１１は、一方の表面に半導体層を成長させるための基板であり、成長させる半導体層の材料に応じて適切な材料が選択される。具体的な材料としては、サファイア基板、ＧａＮ基板、ＺｎＯ基板、ＧａＡｓ基板、Ｓｉ基板、ＩｎＰ基板等が挙げられる。また、成長基板１１の主面についても成長させる半導体層および活性層１４の面方位に応じて、適切な面方位を用いることができる。成長基板１１は、導電性基板であることが好ましいが、後述するように貫通電極１７ａとｐ側電極１８との間で電流経路が構成されるので、絶縁性基板であってもよい。さらに、成長基板１１として単結晶基板を単層で用いるとしてもよく、異種基板上に半導体層を横方向成長させて結晶品質を改善したものを基板として用いてもよい。
【００１９】
ｎ型半導体層１２は、成長基板１１の主面上に成長された半導体層であり、ｎ型不純物がドープされた本発明における第一導電型半導体層の一部を構成している。図１ではｎ型半導体層１２として単一の層を示しているが、バッファ層やコンタクト層などを備えた多層構造であってもよい。ドープされる不純物はｎ型半導体層１２を構成する半導体材料によって選択され、例えばｎ型半導体層１２がＧａＮ系材料の場合にはＳｉやＣなどが挙げられる。
【００２０】
クラッド層１３は、ｎ型半導体層１２上に成長された半導体層であり、ｎ型不純物がドープされて本発明の第一導電型半導体層の一部を構成している。クラッド層１３を構成する半導体材料としては、光を活性層内に閉じ込めるために活性層１４よりも屈折率が低いものが選択される。具体的な材料としては、ｎ型半導体層１２がＧａＮ系材料の場合にはＡｌＧａＮなどが挙げられる。
【００２１】
溝１２ａは、成長基板１１の裏面側から成長基板１１とｎ型半導体層１２が除去された領域であり、半導体レーザ１０の一方の共振器端面から他方の共振器端面にかけて連続して形成されている。溝１２ａの先端（図１中の最上端）は、ｎ型半導体層１２の少なくとも内部にまで到達している。溝１２ａの先端と活性層１４との距離が近いほど、貫通電極１７ａとｐ側電極１８との間隔が短くなり、電流経路を制御しやすい。しかし、活性層１４に近すぎると溝１２ａを形成する際のダメージが活性層１４にまで悪影響を及ぼす可能性があるので、活性層１４から所定の距離を隔てた位置まで溝１２ａを形成することが好ましい。溝１２ａの先端がクラッド層１３の内部にまで到達してもよいが、貫通電極１７ａの先端が良好にオーミック接触できる層の内部であることが好ましいため、クラッド層１３よりも成長基板１１側に溝１２ａおよび貫通電極１７ａの先端が位置することが好ましい。
【００２２】
活性層１４は、クラッド層１３上に形成された半導体層であり、電流が注入されて発光する本発明における発光層に相当している。活性層１４としては、半導体レーザ１０の用途に応じて、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）や単一量子井戸構造（ＳＱＷ：Ｓｉｎｇｌｅ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）、バルク構造などの構造から適切なものを用いてよい。また、図１では活性層１４として単一層のものを示したが、分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ：Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ）や、キャリアオーバフロー防止層などの各種構造を含んでいてもよい。活性層１４を構成する材料としては、様々なものを用いることができ、例えば窒化物系半導体ではＩｎＧａＮなどが挙げられる。
【００２３】
ｐ型半導体層１５は、活性層１４上に成長された半導体層であり、ｐ型不純物がドープされた本発明の第二導電型半導体層を構成している。ドープされる不純物はｐ型半導体層１５を構成する半導体材料によって選択され、例えばｐ型半導体層１５がＧａＮ系材料の場合には、ＭｇやＺｎが挙げられる。図１ではｐ型半導体層１５として単一の層を示しているが、クラッド層やコンタクト層などを備えた多層構造であってもよい。また、図１ではｐ型半導体層１５の上面が平坦な例を示したが、共振器方向に沿ってストライプ状の凸形状を有するリッジ導波路構造などであってもよい。
【００２４】
絶縁層１６は、ｐ型半導体層１５上に絶縁材料で形成された層であり、ｐ型半導体層１５に対して電流が流れない材料であればよく、例えばＳｉＯ2、ＳｉＮx、絶縁性半導体、ｎ型半導体などが挙げられる。絶縁層１６には、半導体レーザ１０の幅方向略中央に開口部１６ａが形成されており、電流経路を開口部１６ａ内に限定する電流狭窄構造を構成している。
【００２５】
ｎ側電極１７は、成長基板１１の裏面側に略前面を覆うように形成された電極である。ｎ側電極１７を構成する材料は特に限定されないが、成長基板１１が導電性材料で構成される場合には、成長基板１１とオーミック接触をとることができる材料であることが好ましい。また、図１ではｎ側電極１７を一層で示しているが、複数の金属層を積層した塗装電極構造であってもよい。具体的なｎ側電極１７としては、成長基板１１側からＴｉ／Ｐｔ／ＡｕやＴｉ／Ｎｉ／Ａｕを積層したものを用いることができる。
【００２６】
貫通電極１７ａは、成長基板１１およびｎ型半導体層１２を貫通する溝１２ａ内部に形成された電極である。貫通電極１７ａを構成する材料は、ｎ型半導体層１２内部でオーミック接触をとることができる材料であれば限定されないが、ｎ側電極１７と同じ材料を用いて同時に形成することが好ましい。
【００２７】
ｐ側電極１８は、ｐ型半導体層１５および絶縁層１６を覆って形成された電極であり、絶縁層１６に設けられた開口部１６ａ内でｐ型半導体層１５と電気的に接触している。ｐ側電極１８を構成する材料は、ｐ型半導体層１５の最上面を構成する材料とオーミック接触をとることができれば限定されない。
【００２８】
開口部１６ａ、溝１２ａおよび貫通電極１７ａの幅は、半導体レーザ１０の用途や出力、発光領域のサイズ等に応じて１〜数百μｍの範囲で適宜設定可能である。例えば図１に示した例では、半導体レーザ１０の幅を約０．２ｍｍとし、開口部１６ａの幅を約５０μｍとし、溝１２ａおよび貫通電極１７ａの幅を数μｍというサイズとしてもよい。溝１２ａおよび貫通電極１７ａの幅を細くし、ｎ型半導体層１２の内部に至るまで形成しているため、ｎ側電極１７のみの場合と比較して電流経路を狭く設計することが容易である。
【００２９】
図１に示した半導体レーザ１０は、通常の有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の通常用いられる半導体成長方法を用いて製造することができる。成長基板１１をＭＯＣＶＤ装置に入れ、キャリアガスと原料を供給して温度制御を行い、ｎ型半導体層１２、クラッド層１３、活性層１４、ｐ型半導体層１５を順次成長する。その後、ＭＯＣＶＤ装置からウェハを取り出し、ｐ型半導体層１５上にＣＶＤ法やスパッタ法で絶縁層１６を形成し、フォトリソグラフィーとエッチングで開口部１６ａを形成し、蒸着法やスパッタ法を用いて絶縁層１６と開口部１６ａ上にｐ側電極１８を形成する。
【００３０】
次に、成長基板１１の裏面側にマスク層を形成して、フォトリソグラフィーとエッチングでマスク層の溝１２ａ領域を除去し、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いて、マスク層を除去した領域の成長基板１１とｎ型半導体層１２を異方性エッチングして溝１２ａを形成する。その後にマスク層を除去し、成長基板１１の裏面側から蒸着法やスパッタ法を用いてｎ側電極１７と貫通電極１７ａを形成する。ｎ側電極１７、貫通電極１７ａおよびｐ側電極１８を形成した後に、所定時間のアニールを施してそれぞれを成長基板１１、ｎ型半導体層１２およびｐ型半導体層１５との間でオーミック接触させる。最後にウェハのダイシングと共振器端面の劈開をして、素子を個別分離して半導体レーザ１０を形成する。
【００３１】
図２は、本実施形態における半導体レーザ１０の電流経路と発光領域１９を示す模式断面図である。半導体レーザ１０では、ｎ側電極１７とｐ側電極１８に電圧を印加すると、図中に矢印で示すように、ｐ側電極１８がｐ型半導体層１５に接触している絶縁層１６の開口部１６ａから、ｎ型半導体層１２の内部に位置する貫通電極１７ａの先端に向かって電流が流れる。このとき活性層１４を横切る電流経路で利得が生じ、その範囲がレーザ光の出射する発光領域１９となる。
【００３２】
本実施形態では、貫通電極１７ａの先端がｎ型半導体層１２の内部に位置して、ｐ側電極１８と貫通電極１７ａ先端との距離が近いため、等電位面の間隔が両者間で短くなり、貫通電極１７ａ先端と開口部１６ａ領域との間に制限された電流経路となっている。これにより、半導体レーザ１０では電流経路の拡がりと発光領域の設計が容易となる。さらに副次的な効果として、貫通電極１７ａの先端と活性層１４の距離が近いため、レーザ発振に伴って活性層１４で生じた熱が貫通電極１７ａを介して成長基板１１の裏面側に伝わりやすく、半導体レーザ１０の放熱性を向上させてレーザ発振の安定化が見込まれる。
【００３３】
図１および図２に示したように、溝１２ａと貫通電極１７ａの幅を絶縁層１６の開口部１６ａの幅よりも小さくすると、電流経路は開口部１６ａからさらに貫通電極１７ａ先端に向かって狭窄される。これにより、発光領域１９を絶縁層１６に形成した開口部１６ａよりも細い範囲に限定することができ、電流経路の拡がりと発光領域の設計が容易になる。
【００３４】
ここでは、開口部１６ａの幅よりも溝１２ａと貫通電極１７ａの幅が狭い例を示したが、溝１２ａと貫通電極１７ａの幅を開口部１６ａより広くしても、容易に電流経路の拡がりと発光領域の設計をすることができる。
【００３５】
（第２実施形態）
次に本発明の第２実施形態について図３を用いて説明する。第１実施形態と重複する部分についての説明は省略する。図３は、本実施形態における半導体レーザ２０の構造を示す模式断面図である。
【００３６】
図３に示すように半導体レーザ２０は、成長基板１１上にｎ型半導体層１２、クラッド層１３、活性層１４、ｐ型半導体層１５が順に成長され、ｐ型半導体層１５の表面に開口部１６ａを有する絶縁層１６が形成されている。また、成長基板１１およびｎ型半導体層１２には、成長基板１１の裏面側から溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃが形成され、成長基板１１の裏面にｎ側電極１７が形成されるとともに溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃ内部にも貫通電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃが形成されている。さらに、ｐ型半導体層１５および絶縁層１６の上にｐ側電極１８が形成されている。
【００３７】
本実施形態では、成長基板１１を貫通してｎ型半導体層１２の内部に至るまで、レーザ共振の幅方向に複数の溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃおよび貫通電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃが形成されている。ここでは溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃを三箇所に形成する例を示したが、形成する個数は限定されない。
【００３８】
本実施形態でも溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、成長基板１１の裏面側から成長基板１１とｎ型半導体層１２が除去された領域であり、半導体レーザ２０の一方の共振器端面から他方の共振器端面にかけて連続して形成されている。また、貫通電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃも、成長基板１１およびｎ型半導体層１２を貫通する溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃの内部に形成された電極である。
【００３９】
本実施形態でも、貫通電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃの先端がｎ型半導体層１２の内部に位置して、ｐ側電極１８と貫通電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃ先端との距離が近いため、等電位面の間隔が両者間で短くなり、貫通電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃ先端と開口部１６ａ領域との間に制限された電流経路となっている。これにより、半導体レーザ２０では電流経路の拡がりと発光領域の設計が容易となる。
【００４０】
図３では、複数の溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃと貫通電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃの先端が、ｎ型半導体層１２の内部で同一の高さまで形成された例を示したが、貫通電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃ各々の先端位置により電流経路を設計でき、それぞれの高さを異ならせてもよい。
【００４１】
本実施形態では、半導体レーザ２０の幅方向に複数の貫通電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃが形成されているため、電流経路を広い範囲に設定することが可能となる。また、複数の貫通電極２７ａ，２７ｂ，２７ｃのサイズを個別に設計することができることから、第１実施形態で幅の広い貫通電極１７ａを一つ設けるよりも、電流経路の設計自由度を高くすることができる。
【００４２】
（第３実施形態）
次に本発明の第３実施形態について図４を用いて説明する。第１実施形態と重複する部分についての説明は省略する。図４は、本実施形態における半導体レーザ３０の構造を示す模式図であり、図４（ａ）は模式斜視図を示し、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＡ−Ａ断面を示す模式断面図である。
【００４３】
図４（ａ）（ｂ）に示すように半導体レーザ３０は、成長基板１１上にｎ型半導体層１２、クラッド層１３、活性層１４、ｐ型半導体層１５が順に成長され、ｐ型半導体層１５の表面に開口部１６ａを有する絶縁層１６が形成されている。また、成長基板１１およびｎ型半導体層１２には、成長基板１１の裏面側から溝３２ａ〜ｄが形成され、成長基板１１の裏面にｎ側電極１７が形成されるとともに溝３２ａ〜ｄ内部にも貫通電極３７ａ〜ｄが形成されている。さらに、ｐ型半導体層１５および絶縁層１６の上にｐ側電極１８が形成されている。
【００４４】
本実施形態では、成長基板１１を貫通してｎ型半導体層１２の内部に至るまで、レーザ共振の長手方向に沿って断続的に複数の溝３２ａ〜ｄおよび貫通電極３７ａ〜ｄが形成されている。ここでは溝３２ａ〜ｄを四箇所に形成する例を示したが、形成する個数は限定されない。また図４（ｂ）では、半導体レーザ３０の共振器端面には貫通電極３７ａ〜ｄを形成しない例を示したが、共振器端面に貫通電極３７ａ〜ｄを形成してもよい。
【００４５】
本実施形態でも、貫通電極３７ａ〜ｄの先端がｎ型半導体層１２の内部に位置して、ｐ側電極１８と貫通電極３７ａ〜ｄ先端との距離が近いため、等電位面の間隔が両者間で短くなり、貫通電極３７ａ〜ｄ先端と開口部１６ａ領域との間に制限された電流経路となっている。これにより、半導体レーザ２０では電流経路の拡がりと利得領域の設計が容易となる。本実施形態では電流経路と利得領域がレーザ光の出射領域と同じになるとは限らないが、共振キャビティ内での利得領域を二次元的に設計することができるため、断続的に形成した複数の貫通電極３７ａ〜ｄでも発光領域を設計することができる。
【００４６】
（第４実施形態）
第１〜第３実施形態では、第一導電型半導体層としてｎ型半導体層１２とクラッド層１３を形成し、第二導電型半導体層としてｐ型半導体層１５を形成した例を示したが、ｎ型とｐ型の導電型が逆であってもよい。
【００４７】
本実施形態では、貫通電極１７ａは成長基板１１を貫通してｐ型の半導体層内部にまで到達する。したがって、貫通電極１７ａを構成する材料は、ｐ型半導体層に対してオーミックコンタクトをとることが可能な材質が選択される。
【００４８】
本実施形態でも、貫通電極１７ａの先端がｎ型半導体層１２の内部に位置して、ｐ側電極１８と貫通電極１７ａ先端との距離が近いため、等電位面の間隔が両者間で短くなり、貫通電極１７ａ先端と開口部１６ａ領域との間に制限された電流経路となる。これにより、半導体レーザでの電流経路の拡がりと発光領域の設計が容易となる。
【００４９】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
１，１０，２０，３０…半導体レーザ
２，１１…成長基板
３，１２…ｎ型半導体層
１２ａ，２２ａ〜ｃ，３２ａ〜ｄ…溝
１３…クラッド層
４，１４…活性層
５，１５…ｐ型半導体層
６，１６…絶縁層
１６ａ…開口部
７，１７…ｎ側電極
１７ａ，２７ａ〜ｃ，３７ａ〜ｄ…貫通電極
８，１８…ｐ側電極
９，１９…発光領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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