(57)【要約】【課題】樹脂基板の熱膨張収縮によるワイヤの断線を防止した半導体装置を提供する。【解決手段】樹脂基板１の表面側には、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１、ＺＤ素子搭載用金属パターン１２、接続用金属パターン１３、及びワイヤボンディング用金属パターン１４が形成される。樹脂基板１の裏面側には、第１の実装端子用金属パターン１５’及び第２の実装端子用金属パターン１６’が傾斜した境界部Ｂ２’を挟んで形成される。ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１と第１の実装端子用金属パターン１５’とは金属構造体１７’によって電気的に接続され、ワイヤボンディング用金属パターン１４と第２の実装端子用金属パターン１６’とは金属ビア１８によって電気的に接続される。第２の実装端子用金属パターン１６’はＺＤ素子搭載用金属パターン１２、ワイヤボンディング用金属パターン１４、及びＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１の一部に対向している。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板と、
第１、第２の半導体素子と、
前記樹脂基板の表面側に設けられた、前記第１の半導体素子を搭載する第１の素子搭載用金属パターン、前記第２の半導体素子を搭載する第２の素子搭載用金属パターン、第１の素子搭載用金属パターンと前記第２の素子搭載用金属パターンとを接続する接続用金属パターン、及び前記第１、第２の半導体素子にワイヤによって接続されたワイヤボンディング用金属パターンと、
前記樹脂基板の裏面側に設けられた、前記第１の素子搭載用金属パターンの一部に対向した第１の実装端子用金属パターン並びに前記第２の素子搭載用金属パターン、前記ワイヤボンディング用金属パターン及び前記第１の素子搭載用金属パターンの他の一部に対向した第２の実装端子用金属パターンと、
前記第１の素子搭載用金属パターンと前記第１の実装端子用金属パターンとを電気的に接続する金属構造体と、
前記ワイヤボンディング用金属パターンと前記第２の実装端子用金属パターンとを電気的に接続する配線と
を具備し、前記第１の素子搭載用金属パターンの前記他の一部は、前記第１の素子搭載用金属パターンの前記一部と比較して前記ワイヤボンディング用金属パターンに近接している半導体装置。
【請求項２】
前記第１の実装端子用金属パターンと前記第２の実装端子用金属パターンとの境界部は上面視で前記第１、第２の実装端子用金属パターンの配置方向に対して傾斜している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の実装端子用金属パターンと前記第２の実装端子用金属パターンとの境界部の中央部分は上面視で前記第１、第２の実装端子用金属パターンの配置方向に対して傾斜し、前記境界部の前記中央部分の両側は前記配置方向に対して垂直である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の実装端子用金属パターンと前記第２の実装端子用金属パターンとの境界部の中央部分は前記第１、第２の実装端子用金属パターンの配置方向に対して平行であり、前記境界部の前記中央部分の両側は前記配置方向に対して垂直である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の半導体素子は半導体発光素子又は半導体受光素子であり、
前記第２の半導体素子は逆電圧保護素子である請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ワイヤボンディング用金属パターンと前記ワイヤとの接続部には、ボール部が形成されている請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は複数の半導体素子を搭載した半導体装置に関する。たとえば、半導体素子としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子、レーザダイオード（ＬＤ）素子等の半導体発光素子、フォトダイオード（ＰＤ）素子等の半導体受光素子、及びツェナーダイオード（ＺＤ）素子等の逆電圧保護素子がある。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置として樹脂基板を有するものがある（参照：特許文献１）。この樹脂基板の表面側において、電極パッド上にＬＥＤ素子及びＺＤ素子を搭載し、ＬＥＤ素子の一電極及びＺＤ素子の一電極は上記電極パッドから離間した他の電極パッド上にワイヤによって電気的に接続される。表面側のＬＥＤ素子が搭載された電極パッドと裏面側の電極パッドとはＬＥＤ素子の底面積より大きい断面積の延長部によって接続され、また、表面側の他の電極パッドと裏面側の他の電極パッドとは小さい断面積の電極によって接続される。これにより、ＬＥＤ素子から発生する熱をＬＥＤ素子の底面積より大きい断面積の延長部によって放熱し、高密度実装による熱的悪影響を排除する。
【０００３】
図５は上述の従来の半導体装置に類似した比較例としての半導体装置を示し、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は（Ａ）の樹脂基板の表面側金属パターン図、（Ｃ）は（Ａ）の樹脂基板の裏面側金属パターン図である。また、図６は図５の半導体装置の断面図であり、（Ａ）は図５の（Ａ）のＡ−Ａ線断面図、（Ｂ）は図５の（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【０００４】
図５、図６に示すように、樹脂基板１の表面側には、矩形状のＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１より小さい矩形状のＺＤ素子搭載用金属パターン１２、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１とＺＤ素子搭載用金属パターン１２とを電気的に接続する接続用金属パターン１３、及びワイヤボンディング用金属パターン１４が形成される。この場合、ワイヤボンディング用金属パターン１４はＬＥＤ素子２のＺＤ素子３側の領域にあって、ＺＤ素子３が配置されていない領域に配置される。つまり、図５の（Ｂ）において、ワイヤボンディング用金属パターン１４はＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１の右側かつＺＤ素子搭載用金属パターン１２の下側に配置される。また、ワイヤボンディング用金属パターン１４は、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１より小さい。尚、ＺＤ素子搭載用金属パターン１２、ワイヤボンディング用金属パターン１４は樹脂基板１のエッジまで延在させてもよい。
【０００５】
他方、樹脂基板１の裏面側には、極性が異なる大きい第１の実装端子用金属パターン１５及び小さい第２の実装端子用金属パターン１６が形成される。この場合、第１の実装端子用金属パターン１５はＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１に対向している。また、第２の実装端子用金属パターン１６はＺＤ素子搭載用金属パターン１２及びワイヤボンディング用金属パターン１４に対向している。
【０００６】
図６に示すように、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１と第１の実装端子用金属パターン１５とは大きい断面積の金属構造体１７によって電気的に接続される。また、ワイヤボンディング用金属パターン１４と第２の実装端子用金属パターン１６とは小さい断面積の金属ビア１８によって電気的に接続される。金属ビア１８は、ワイヤボンディング用金属パターン１４において、ワイヤ４１、４２、４３の接続領域を避けて配置される。尚、金属構造体１７及び金属ビア１８は同一層によって形成できる。また、金属ビア１８を設けずに、ワイヤボンディング用金属パターン１４と第２の実装端子用金属パターン１６とを基板側面に形成した配線を介して接続してもよい。
【０００７】
矩形状のＬＥＤ素子２はその一電極を下にしてＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１上に搭載され、また、ＬＥＤ素子２より小さい矩形状のＺＤ素子３はその一電極を下にしてＺＤ素子搭載用金属パターン１２上に搭載される。この場合、ＬＥＤ素子２及びＺＤ素子３は、ＬＥＤ素子２の一辺とＺＤ素子３の一辺とが略直線上に位置すると共に樹脂基板１の一辺と平行となるように、樹脂基板１上に配置される。
【０００８】
ＬＥＤ素子２の上面の他電極はワイヤ４１、４２によってワイヤボンディング用金属パターン１４に電気的に接続され、また、ＺＤ素子３の上面の他電極もワイヤ４３によってワイヤボンディング用金属パターン１４に接続される。これにより、ＬＥＤ素子２とＺＤ素子３とは樹脂基板１のパターンに対して逆並列に接続される。この場合、ワイヤ４１、４２、４３は第１ボンディングをワイヤボンディング用金属パターン１４に対して行い、第２ボンディングをＬＥＤ素子２及びＺＤ素子３に対して行う。第１ボンディングはボールボンド工程で行い、第２ボンディングはステッチボンド工程で行う。始めに、ボールボンド工程では、ボンディング装置のキャピラリの先端から繰り出したワイヤの先端に金ボールを形成し、超音波を伴ってワイヤボンディング用金属パターン１４上に熱圧着し、ボール接続部を形成する。次に、ステッチボンド工程にて、キャピラリを樹脂基板１の主面に対して垂直に引き上げた後、ワイヤを延ばしながらＬＥＤ素子２又はＺＤ素子３上まで水平に移動し、ＬＥＤ素子２又はＺＤ素子３上に超音波を伴って熱圧着後、ワイヤを引き上げて切断し、ステッチ接続部を形成する。従って、ワイヤ４１、４２、４３は、たとえば図６の（Ｂ）に示すごとく、ワイヤボンディング用金属パターン１４に対してほぼ垂直に立上り、ＬＥＤ素子２及びＺＤ素子３に対してほぼ水平となる。このようにして、ワイヤ４１、４２、４３の高さを低くすることにより半導体装置の薄型化を図っている。尚、ワイヤたとえば４２のワイヤボンディング用金属パターン１４との接続部分近傍（付け根部分）は、ボール部４２ａ、及びボール部４２ａ直上の他の領域より結晶粒度が大きいために力学的物性が弱い再結晶化部４２ｂよりなる。つまり、ボールボンド工程及びステッチボンド工程よりなるワイヤボンディング工程において、先端が溶融してボール状になったワイヤをワイヤボンディング用金属パターン１４に固着した第１のボンディング後に、ワイヤを延ばし、もう一方の端部をＬＥＤ素子２又はＺＤ素子３上に押し付ける第２ボンディングを行い、超音波を印加して固着する。従って、溶融固着させたワイヤのワイヤボンディング用金属パターン１４との接続部分近傍は、溶融させていない部分と異なり、金属の再結晶化が発生し、力学的物性の弱い再結晶化部となる。
【０００９】
ＬＥＤ素子２とＺＤ素子３とは極性の異なる第１の実装端子用金属パターン１５、第２の実装端子用金属パターン１６間に電気的に逆並列接続される。  
【００１０】
図５、図６の比較例としての半導体装置においては、樹脂基板１の表面側金属パターン１１、１２、１３、１４と裏面側金属パターン１５、１６とをできる限り対峙させて樹脂基板１のみで外部応力に対応する領域を少なくし、樹脂基板１が変形して封止部材（図示せず）にクラックが発生するのを防止できるようにする。但し、全体のサイズを小さくするために、表面側金属パターン１１、１４の正負の境界部Ｂ１と裏面側金属パターン１５、１６の正負の境界部Ｂ２とは重複している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００８−７１９５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上述の比較例としての図５、図６の半導体装置においては、樹脂基板１の熱応力による膨張収縮によってワイヤ４１、４２、４３が捩れて断線する課題がある。つまり、図６の（Ａ）に示すごとく、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１とＺＤ素子搭載用金属パターン１２との間の樹脂基板１の部分は接続用金属パターン１３によって補強されて熱応力による膨張収縮が抑制されている。他方、図６の（Ｂ）に示すごとく、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１とワイヤボンディング用金属パターン１４との境界部Ｂ１の樹脂基板１の部分は金属パターンを有していないので、熱応力による膨張収縮Ｚ６が比較的大きい。従って、ワイヤボンディング用金属パターン１４側の樹脂基板１の部分は、熱応力による膨張収縮が小さいＺＤ素子３側の樹脂基板１の部分を中心にして、図５の（Ａ）の矢印Ｚ５に示すごとく、平面方向に大きく湾曲する。この結果、ワイヤ４１、４２、４３の捩り方向の負荷が大きくなり、特に、ワイヤボンディング用金属パターン１４上のワイヤ４１、４２、４３の１次ボンディング側の付け根の再結晶化部において細線化や断線する可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、樹脂基板と、第１、第２の半導体素子と、樹脂基板の表面側に設けられた、第１の半導体素子を搭載する第１の素子搭載用金属パターン、第２の半導体素子を搭載する第２の素子搭載用金属パターン、第１の素子搭載用金属パターンと第２の素子搭載用金属パターンとを接続する接続用金属パターン、及び第１、第２の半導体素子にワイヤによって接続されたワイヤボンディング用金属パターンと、樹脂基板の裏面側に設けられた、第１の素子搭載用金属パターンの一部に対向した第１の実装端子用金属パターン並びに第２の素子搭載用金属パターン、ワイヤボンディング用金属パターン及び第１の素子搭載用金属パターンの他の一部に対向した第２の実装端子用金属パターンと、第１の素子搭載用金属パターンと第１の実装端子用金属パターンとを電気的に接続する金属構造体と、ワイヤボンディング用金属パターンと第２の実装端子用金属パターンとを電気的に接続する配線とを具備し、第１の素子搭載用金属パターンの他の一部は第１の素子搭載用金属パターンの一部に比較してワイヤボンディング用金属パターンに近接しているものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１の素子搭載用金属パターンと第２の素子搭載用金属パターンとの間の樹脂基板の部分は接続用金属パターンで補強されて熱応力による膨張収縮が抑制されている一方、第１の素子搭載用金属パターンとワイヤボンディング用金属パターンとの境界部の樹脂基板の部分も第１の素子搭載用金属パターンとワイヤボンディング用金属パターンとを跨いだ第２の実装端子用金属パターンにで補強されて熱応力による膨張収縮が抑制されている。従って、ワイヤが捩り方向に受ける負荷は小さくなり、この結果、ワイヤの断線を防止できる。また、第１の実装端子用金属パターンの放熱性も確保できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る半導体装置の実施の形態を示し、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は（Ａ）の樹脂基板の表面側金属パターン図、（Ｃ）は（Ａ）の樹脂基板の裏面側金属パターン図である。
【図２】図１の半導体装置の断面図であり、（Ａ）は図１の（Ａ）のＡ−Ａ線断面図、（Ｂ）は図１の（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】図１の半導体装置の完成状態を示す断面図である。
【図４】図１の（Ｃ）の樹脂基板の裏面側金属パターンの変更例を示す図である。
【図５】比較例としての半導体装置を示し、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は（Ａ）の樹脂基板の表面側金属パターン図、（Ｃ）は（Ａ）の樹脂基板の裏面側金属パターン図である。
【図６】図５の半導体装置の断面図であり、（Ａ）は図５の（Ａ）のＡ−Ａ線断面図、（Ｂ）は図５の（Ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は本発明に係る半導体装置の実施の形態を示し、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は（Ａ）の樹脂基板の表面側金属パターン図、（Ｃ）は（Ａ）の樹脂基板の裏面側金属パターン図、図２は図１の半導体装置の断面図であり、（Ａ）は図１の（Ａ）のＡ−Ａ線断面図、（Ｂ）は図１の（Ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。図１、図２においては、図５、図６の第１の実装端子用金属パターン１５、第２の実装端子用金属パターン１６及び金属構造体１７の代りに、第１の実装端子用金属パターン１５’、第２の実装端子用金属パターン１６’及び金属構造体１７’が設けられている。尚、第１の実装端子用金属パターン１５’、第２の実装端子用金属パターン１６’は、図１の（Ｂ）では上面視で点線で図示し、図１の（Ｃ）では下面視で実線で図示してある。
【００１７】
図１、図２においては、第１の実装端子用金属パターン１５’はＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１の一部に対向しており、これに伴い、金属構造体１７’の断面積は図６の金属構造体１７の断面積より小さくしてある。この場合、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１の一部とは、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１の後述のごとく５０％以上である。従って、金属構造体１７’の断面積は図６の金属構造体１７の断面積の５０％以上であり、これにより、第１の実装端子用金属パターン１５’の放熱性を確保する。尚、金属構造体１７’は、樹脂基板１の側面を介してＬＥＤ素子等採用金属パターン１１と第１の実装端子用金属パターン１５’との間を電気的に接続してもよい。また、ワイヤボンディング用金属パターン１４と第２の実装端子用金属パターン１６’とは金属ビア１８によって接続されているが、両者の間を樹脂基板１の側面を介した金属パターンを形成して電気的に接続してもよい。
【００１８】
また、図１、図２においては、第２の実装端子用金属パターン１６’は、ＺＤ素子搭載用金属パターン１２、ワイヤボンディング用金属パターン１４及びＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１の他の一部に対向している。そして、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１の第１の実装端子用金属パターン１５’に対向している一部よりも、第２の実装端子用金属パターン１６’に対向しているＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１の他の一部の方が、ワイヤボンディング用金属パターン１４に対して近接した位置にある。つまり、第２の実装端子用金属パターン１６’は、上面視において、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１及びワイヤボンディング用金属パターン１４に跨いで構成されている。この場合、第１の実装端子用金属パターン１５’と第２の実装端子用金属パターン１６’との境界部Ｂ２’は上面視で金属パターン１５’、１６’の配置方向に対して傾斜しており、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１とワイヤボンディング用金属パターン１４との境界部Ｂ１と重複している部分は小さい。好ましくは、境界部Ｂ２’は上面視で境界部Ｂ１と重複していない。
【００１９】
図２の（Ａ）に示すごとく、Ａ−Ａ線断面におけるＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１とＺＤ素子搭載用金属パターン１２との間の樹脂基板１の部分は、金属構造体１７’に連続した接続用金属パターン１３によって補強されて熱応力による膨張収縮が抑制されている。他方、図２の（Ｂ）に示すごとく、Ｂ−Ｂ線断面におけるＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１とワイヤボンディング用金属パターン１４との境界部Ｂ１の樹脂基板１の部分も、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１及びワイヤボンディング用金属パターン１４に跨る第２の実装端子用金属パターン１６’によって補強されて熱応力による膨張収縮が抑制されている。
【００２０】
すなわち、図２の（Ｂ）に示すごとく、Ｂ−Ｂ線断面におけるＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１とワイヤボンディング用金属パターン１４との境界部Ｂ１の樹脂基板１の表面側部分には、金属パターンが存在しない。しかし、このＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１とワイヤボンディング用金属パターン１４との間の樹脂基板１の裏面側部分の熱応力による膨張収縮は、ＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１及びワイヤボンディング用金属パターン１４の両方に対向する熱応力による膨張収縮がしにくい第２の実装端子用金属パターン１６’によって抑制される。従って、図２の（Ｂ）に示すごとく、膨張収縮Ｚ２は小さくなり、図１の（Ａ）の矢印Ｚ１に示す平面方向の湾曲は小さくなる。この結果、ワイヤ４１、４２、４３が捩り方向に受ける負荷は小さくなり、ワイヤ４１、４２、４３の断線を防止できる。
【００２１】
本願発明者は、図５、図６の半導体装置をアルミニウム等よりなるプリント配線基板上に半田付けして−４０℃〜＋１２５℃の熱衝撃サイクル試験を行った。この結果、図５、図６の半導体装置では、所定サイクルにてワイヤの断線が生じた。つまり、図５、図６の半導体装置では、熱衝撃サイクルによる樹脂基板１の湾曲により再結晶化部の細線化が起こったものと考えられる。これに対し、図１、図２の半導体装置においては、熱衝撃サイクルによる樹脂基板１の湾曲が抑制されるので、図５、図６の半導体装置に断線の生じたサイクル数においてはワイヤ断線は生じなかった。
【００２２】
図１、図２において、樹脂基板１はたとえば厚さ0.1mmのＢＴレジン（登録商標）によって構成される。また、金属パターン１１〜１４、１５’、１６’はＣｕ/Ｎｉ/Ｐｄ/Ａｕ又はＮｉ/Ａｕの積層によって構成される。さらに、金属構造体１７’及び金属ビア１８はＣｕめっき層によって構成される。さらにまた、金属構造体１７’の断面積は、樹脂基板１の膨張収縮によるワイヤ４１、４２、４３の負荷を抑制するために、ＬＥＤ素子２の底面積の少なくとも１５％以上、好ましくは５０％以上であり、上述の実施の形態では、５０％〜８５％程度である。尚、金属構造体１７’は複数の矩形又は円形構造体で構成してもよい。
【００２３】
図１、図２の半導体装置は、図２の（Ｂ）に対応する図３に示すごとく、ＬＥＤ素子２たとえば青色ＬＥＤ素子上にたとえば青色光の一部を黄色光に変換するＹＡＧ粒子を含む蛍光体層５を塗布し、さらに、ＬＥＤ素子２及び蛍光体層５の回りにＬＥＤ素子２及び蛍光体層５からの光を反射させる白色樹脂層６を形成することができる。
【００２４】
尚、上述の実施の形態の境界部Ｂ２が傾斜して構成された第１の実装端子用金属パターン１５’、第２の実装端子用金属パターン１６’は図４（Ａ）、（Ｂ）に示すごとく構成してもよい。すなわち、図４の（Ａ）においては、第１の実装端子用金属パターン１５’と第２の実装端子用金属パターン１６’との境界部Ｂ２を上面視で中央部分のみ金属パターン１５’、１６’の配置方向に対して傾斜させ、中央部分の両側は配置方向に対して垂直とする。また、図４の（Ｂ）においては、第１の実装端子用金属パターン１５’と第２の実装端子用金属パターン１６’との境界部Ｂ２の中央部分を金属パターン１５’、１６’の配置方向に対して平行にし、中央部分の両側は配置方向に対して垂直とする。いずれの場合も、第２の実装端子用金属パターン１６’をＬＥＤ素子搭載用金属パターン１１の一部に対向せしめていると共に、第１の実装端子用金属パターン１５’の放熱性をも確保する。
【００２５】
また、上述の実施の形態は、ＬＥＤ素子２及びＺＤ素子３の組合せの半導体装置を示しているが、本発明は、ＺＤ素子３の代わりに他のＬＥＤ素子を用いた複数のＬＥＤ素子の組合せの半導体装置にも適用できる。さらに、ＬＥＤ素子は他の半導体発光素子たとえばレーザダイオード（ＬＤ）素子又は他の半導体受光素子たとえばフォトダイオード（ＰＤ）素子でもよい。すなわち、本発明は、複数の半導体素子の組合せを用いた半導体装置に適用できる。
【００２６】
さらに、本発明は上述の実施の形態の自明の範囲のいかなる変更にも適用し得る。
【符号の説明】
【００２７】
１：樹脂基板
１１：ＬＥＤ素子搭載用金属パターン（第１の半導体素子搭載用金属パターン）
１２：ＺＤ素子搭載用金属パターン（第２の半導体素子搭載用金属パターン）
１３：接続用金属パターン
１４：ワイヤボンディング用金属パターン
１５、１５’：第１の実装端子用金属パターン
１６、１６’：第２の実装端子用金属パターン
１７、１７’：金属構造体
１８：金属ビア
２：発光ダイオード（ＬＥＤ）素子（第１の半導体素子）
３：ツエナーダイオード（ＺＤ）素子（第２の半導体素子）
４１、４２、４３：ワイヤ
５：蛍光体層
６：白色樹脂層
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ２’：境界部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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