(57)【要約】【課題】レーザ装置から出力される変調レーザ光の最大周波数偏移量を特定しやすくする。【解決手段】レーザ装置１００は、励起レーザ光を出力する半導体レーザ１１と、半導体レーザ１１が出力した励起レーザ光により励起されることでレーザ光を出力するレーザ媒質結晶２１と、レーザ媒質結晶２１と共振器を成す反射鏡２４と、レーザ光の２次高調波を出力するＫＴＰ結晶２２と、２次高調波をシングルモードにフィルタリングするエタロン２３と、入力される印加電圧に基づいて反射鏡２４の位置を変化させるピエゾ素子２５と、ピエゾ素子２５に入力する印加電圧を制御する電圧制御部４４と、反射鏡２４の位置が変化することによりレーザ光が変調された変調レーザ光において反転ラムディップが検知された時点の変調レーザ光の中心周波数に基づいて、変調レーザ光の最大周波数偏移量を特定する周波数偏移特定部４５と、を有する。【選択図】図１
2017224806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起レーザ光を出力する半導体レーザと、
前記半導体レーザが出力した前記励起レーザ光により励起されることでレーザ光を出力するレーザ媒質結晶と、
前記レーザ媒質結晶が出力した前記レーザ光を反射し前記レーザ媒質結晶と共振器を成す反射鏡と、
前記レーザ光の２次高調波を出力する非線形光学素子と、
前記２次高調波をシングルモードにフィルタリングする光学素子と、
入力される印加電圧に基づいて前記反射鏡の位置を変化させる圧電素子と、
前記圧電素子に入力する前記印加電圧を制御する電圧制御部と、
前記反射鏡の位置が変化することにより前記レーザ光が変調された変調レーザ光において反転ラムディップが検知された時点の前記変調レーザ光の中心周波数に基づいて、前記変調レーザ光の最大周波数偏移量を特定する特定部と、
を有するレーザ装置。
【請求項２】
前記特定部は、予め特定された所定の最大周波数偏移量と反転ラムディップとの関係を参照することにより、変調レーザ光における前記変調レーザ光の最大周波数偏移量を特定する、
請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項３】
前記特定部は、前記印加電圧と前記最大周波数偏移量との関係を特定する、
請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項４】
前記特定部は、前記変調レーザ光における隣接する複数の前記反転ラムディップに基づいて、前記最大周波数偏移量を特定する、
請求項１から３のいずれか一項に記載のレーザ装置。
【請求項５】
前記特定部は、前記複数の反転ラムディップの微分信号が重なり合った状態における極大値に基づいて、前記最大周波数偏移量を特定する、
請求項４に記載のレーザ装置。
【請求項６】
前記特定部は、前記印加電圧を変化させて前記変調レーザ光の中心周波数を走査することにより、前記反転ラムディップを検出する、
請求項１から５のいずれか一項に記載のレーザ装置。
【請求項７】
前記印加電圧に関連付けて、前記最大周波数偏移量の許容範囲を示す情報を記憶する記憶部をさらに有し、
前記特定部は、特定した前記最大周波数偏移量が、前記電圧制御部が前記圧電素子に入力した前記印加電圧に関連付けて前記記憶部が記憶している前記許容範囲に含まれているか否かを判定する、
請求項１から６のいずれか一項に記載のレーザ装置。
【請求項８】
前記特定部は、特定した前記最大周波数偏移量が、前記電圧制御部が前記圧電素子に入力した前記印加電圧に関連付けて前記記憶部が記憶している前記許容範囲に含まれていないと判定した場合に、前記電圧制御部が前記圧電素子に入力する前記印加電圧を変化させる、
請求項７に記載のレーザ装置。
【請求項９】
レーザ媒質結晶と共振器を成す反射鏡の位置を変化させる圧電素子に入力する印加電圧を制御するステップと、
前記反射鏡の位置が変化することにより、前記レーザ媒質結晶が出力したレーザ光が変調された変調レーザ光における反転ラムディップを検知するステップと、
前記反転ラムディップが検知された時点の前記変調レーザ光の中心周波数に基づいて、前記変調レーザ光の最大周波数偏移量を特定するステップと、
を有する周波数偏移量特定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、変調レーザ光の周波数偏移量を特定できるレーザ装置及び周波数偏移量特定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、レーザ光を吸収セルに照射して得られる光出力信号に含まれる飽和吸収線に基づいて共振器長を変化させることにより、レーザ光の発振周波数を特定の飽和吸収線に安定化させるレーザ装置が知られている（例えば、特許文献１及び非特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１３４３７１号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】田中敬一、「Ｈｅ−Ｎｅレーザの周波数安定化」、計量研究所報告、１９７５年、第２４巻、第４号別刷
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
レーザ光の発振周波数の精度を向上させる方法として、よう素飽和吸収線の反転ラムディップを用いる方法が知られている。反転ラムディップは、ドップラー広がりを有する二準位系原子にポンプ光とプローブ光を入射した際にプローブ光の透過スペクトル上に生じる、ポンプ光による吸収飽和に起因するくぼみである。反転ラムディップを発振周波数の基準とすることで、周波数安定度の高いレーザを実現することができる。
【０００６】
反転ラムディップの吸収係数と反転ラムディップ近傍の吸収係数との違いは非常に小さく、直接検出することができない。そこで、レーザを周波数変調し、ロックインアンプにより反転ラムディップの微分信号を検出することにより反転ラムディップの位置が特定される。この際、変調レーザの最大周波数偏移を反転ラムディップの半値幅程度（数ＭＨｚ）にしなければならないため、レーザ共振器の一端のミラーをサブナノメートルの振幅で正弦波駆動する必要がある。
【０００７】
共振器ミラーの正弦波駆動にはピエゾ素子が用いられ、ピエゾ素子に印加する交流電圧によってピエゾ素子が物理的に変位する大きさに基づいて、最大周波数偏移量が決定される。しかし、ピエゾ素子の経年変化によって、ピエゾ素子に印加される電圧と変位量との関係が変わってしまうと、レーザ装置が出力する変調レーザ光の最大周波数偏移量が許容範囲を超えてしまう。最大周波数偏移量が許容範囲を超えてしまうと、変調レーザ光の特性が劣化するので、ピエゾ素子に印加する電圧と最大周波数偏移量との関係を高い精度で測定することが求められる。
【０００８】
最大周波数偏移量とピエゾ印加電圧の関係を特定するためには、所定の電圧をピエゾ素子に印加した状態での最大周波数偏移量を高い精度で測定しなければならない。最大周波数偏移量を測定する方法として、参照用レーザとして２台の変調レーザを使用するヘテロダイン検波法と、参照用レーザとして１台の無変調レーザを使用するヘテロダイン検波法が知られている。しかしながら、参照用レーザを使用するヘテロダイン検波法を用いる場合、参照用レーザの維持管理が必要になる上に、ヘテロダイン検波が必要なので、コスト及び所要時間の点で問題があった。
【０００９】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、レーザ装置から出力される変調レーザ光の最大周波数偏移量を特定しやすくすることができるレーザ光源調整装置及びレーザ光源調整方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様のレーザ装置は、励起レーザ光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザが出力した前記励起レーザ光により励起されることでレーザ光を出力するレーザ媒質結晶と、前記レーザ媒質結晶が出力した前記レーザ光を反射し前記レーザ媒質結晶と共振器を成す反射鏡と、前記レーザ光の２次高調波を出力する非線形光学素子と、前記２次高調波をシングルモードにフィルタリングする光学素子と、入力される印加電圧に基づいて前記反射鏡の位置を変化させる圧電素子と、前記圧電素子に入力する前記印加電圧を制御する電圧制御部と、前記反射鏡の位置が変化することにより前記レーザ光が変調された変調レーザ光において反転ラムディップが検知された時点の前記変調レーザ光の中心周波数に基づいて、前記変調レーザ光の最大周波数偏移量を特定する特定部と、を有する。
【００１１】
前記特定部は、予め特定された所定の最大周波数偏移量と反転ラムディップとの関係を参照することにより、変調レーザ光における前記変調レーザ光の最大周波数偏移量を特定してもよい。
【００１２】
前記特定部は、前記印加電圧と前記最大周波数偏移量との関係を特定してもよい。
また、前記特定部は、前記変調レーザ光における隣接する複数の前記反転ラムディップに基づいて、前記最大周波数偏移量を特定してもよい。
【００１３】
前記特定部は、前記複数の反転ラムディップの微分信号が重なり合った状態における極大値に基づいて、前記最大周波数偏移量を特定してもよい。前記特定部は、前記印加電圧を変化させて前記変調レーザ光の中心周波数を走査することにより、前記反転ラムディップを検出してもよい。
【００１４】
前記レーザ装置は、前記印加電圧に関連付けて、前記最大周波数偏移量の許容範囲を示す情報を記憶する記憶部をさらに有し、前記特定部は、特定した前記最大周波数偏移量が、前記電圧制御部が前記圧電素子に入力した前記印加電圧に関連付けて前記記憶部が記憶している前記許容範囲に含まれているか否かを判定してもよい。
【００１５】
前記特定部は、特定した前記最大周波数偏移量が、前記電圧制御部が前記圧電素子に入力した前記印加電圧に関連付けて前記記憶部が記憶している前記許容範囲に含まれていないと判定した場合に、前記電圧制御部が前記圧電素子に入力する前記印加電圧を変化させてもよい。
【００１６】
本発明の第２の態様の周波数偏移量特定方法は、レーザ媒質結晶と共振器を成す反射鏡の位置を変化させる圧電素子に入力する印加電圧を制御するステップと、前記反射鏡の位置が変化することにより、前記レーザ媒質結晶が出力したレーザ光が変調された変調レーザ光における反転ラムディップを検知するステップと、前記反転ラムディップが検知された時点の前記変調レーザ光の中心周波数に基づいて、前記変調レーザ光の最大周波数偏移量を特定するステップと、を有する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、レーザ装置から出力される変調レーザ光の最大周波数偏移量を特定しやすくすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態に係るレーザ装置１００の構成を示す図である。
【図２】最大周波数偏移量の変化と反転ラムディップの微分信号の広がりとの関係について説明するための図である。
【図３】最大周波数偏移量の変化と２つ以上の反転ラムディップの２次微分信号の変化との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［レーザ装置１００の構成］
図１は、第１の実施形態に係るレーザ装置１００の構成を示す図である。レーザ装置１００は、５３２ｎｍよう素安定化レーザである。レーザ装置１００は、半導体レーザによって励起させられるＮｄ：ＹＶ０４結晶を利得媒質として用いた連続波発振の５３２ｎｍ領域の固体レーザであり、長さの標準として用いられる。レーザ装置１００は、よう素分子の吸収線の分光技術を用いて、よう素分子の飽和吸収線の反転ラムディップの中心に発振波長を制御することで、高い波長安定度を得ることができる。
【００２０】
レーザ装置１００は、励起用半導体レーザ部１と、レーザ共振器筺体２と、よう素安定化用光学系３と、コントローラ４とを有する。
励起用半導体レーザ部１は、励起レーザ光を出力する半導体レーザ１１を有しており、半導体レーザ１１より出射される８０８ｎｍ帯域の励起用レーザ光をレーザ共振器筺体２に入射する。
【００２１】
レーザ共振器筺体２は、Ｎｄ：ＹＶ０４結晶２１、ＫＴＰ結晶２２、エタロン２３、反射鏡２４、及びピエゾ素子２５を有する。Ｎｄ：ＹＶ０４結晶２１は、励起用半導体レーザ部１から出射された励起レーザ光により励起されることでレーザ光を出力するレーザ媒質結晶である。具体的には、Ｎｄ：ＹＶ０４結晶２１には、励起用半導体レーザ部１から出射された励起用レーザ光が入射し、Ｎｄ：ＹＶ０４結晶２１は、波長１０６４ｎｍのマルチモードレーザ光を励起する。Ｎｄ：ＹＶ０４結晶２１の端面は１０６４ｎｍの光を反射するようにコーティングされており、Ｎｄ：ＹＶ０４結晶２１と反射鏡２４により構成される共振器により、１０６４ｎｍマルチモードレーザ光を増幅する。Ｎｄ：ＹＶ０４結晶２１が出力する１０６４ｎｍのレーザ光は、レーザ光の２次高調波を出力する非線形光学素子であるＫＴＰ結晶２２において、２次高調波である波長５３２ｎｍのマルチモードレーザ光に変換される。
【００２２】
ＫＴＰ結晶２２が出力するマルチモードレーザ光は、波長フィルタであるエタロン２３においてシングルモード化された後に、反射鏡２４に入射する。エタロン２３は、２次高調波をシングルモードにフィルタリングする光学素子である。反射鏡２４は、Ｎｄ：ＹＶ０４結晶２１が出力したレーザ光を反射し、Ｎｄ：ＹＶ０４結晶２１と共振器を成す。反射鏡２４は、入射した波長１０６４ｎｍのレーザ光を反射し、５３２ｎｍ及び８０８ｎｍのレーザ光を透過する。
【００２３】
ピエゾ素子２５は、コントローラ４から印加される電圧によって生じる歪によって反射鏡２４の位置を変位させる圧電素子である。ピエゾ素子２５に正弦波状の交流電圧が印加されることにより、Ｎｄ：ＹＶ０４結晶２１と反射鏡２４との間の距離が交流電圧の周期に同期して変位することで、レーザ光に周波数変調が施されて変調レーザ光が出力される。
【００２４】
よう素安定化用光学系３は、ビームスプリッタ３１及び安定化信号検出部３２を有する。ビームスプリッタ３１は、レーザ共振器筺体２から入力されるレーザ光を出射レーザ光Ｌ１と波長制御用レーザ光Ｌ２とに分離する。波長制御用レーザ光Ｌ２は、安定化信号検出部３２に入力される。
【００２５】
安定化信号検出部３２は、例えばロックインアンプを有しており、ビームスプリッタ３１から入力された波長制御用レーザ光Ｌ２に基づいて、反転ラムディップの微分信号を検出する。安定化信号検出部３２は、検出した反転ラムディップの微分信号をコントローラ４に入力する。
【００２６】
コントローラ４は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）及び記憶部４１を有する。記憶部４１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）及びＲＡＭ（Random Access Memory）等の記憶媒体を有する。記憶部４１は、ＣＰＵが実行するプログラムを記憶している。また、記憶部４１は、ピエゾ素子２５に印加される電圧に関連付けて、周波数変調における最大周波数偏移量の許容範囲を示す情報を記憶している。
【００２７】
ＣＰＵは、記憶部４１に記憶されたプログラムを実行することにより、電流制御部４２、温度制御部４３、電圧制御部４４及び周波数偏移特定部４５として機能する。
電流制御部４２は、半導体レーザ１１に供給するレーザ電流を制御する。
【００２８】
温度制御部４３は、制御対象である半導体レーザ１１、レーザ共振器筺体２、ＫＴＰ結晶２２、エタロン２３、及び安定化信号検出部３２に隣接して設けられた温度センサの値を検出し、各制御対象の固定ホルダに設置されたペルチェ素子などの変温装置を駆動して、各制御対象が目標温度になるように制御する。
【００２９】
電圧制御部４４は、ピエゾ素子２５に印加する電圧を制御することにより、Ｎｄ：ＹＶ０４結晶２１と反射鏡２４との間の距離である共振器長を制御して、レーザ波長を安定化させる。具体的には、電圧制御部４４は、安定化信号検出部３２から出力された光出力信号から発振波長に基づく信号成分を検出し、反射鏡２４を取り付けたピエゾ素子２５の変位量を制御することで、反射鏡２４の位置を変化させて共振器長を制御する。電圧制御部４４は、ピエゾ素子２５に印加する電圧の大きさを周期的に変化させることにより共振器長を周期的に変化させ、半導体レーザ１１から出力されるレーザ光が変調された変調レーザ光をレーザ共振器筺体２から出力させる。
【００３０】
周波数偏移特定部４５は、安定化信号検出部３２から出力された反転ラムディップの微分信号に基づいて、変調レーザ光である波長制御用レーザ光Ｌ２の最大周波数偏移量を特定する。周波数偏移特定部４５は、例えば、電圧制御部４４の電圧を変化させることにより、変調レーザ光の中心周波数を変化させ、波長制御用レーザ光Ｌ２において反転ラムディップが検知された時点の変調レーザ光の中心周波数に基づいて、波長制御用レーザ光Ｌ２の最大周波数偏移量を特定する。周波数偏移特定部４５は、変調レーザ光の最大周波数偏移量を特定するためのテストモードが起動されたことに応じて、電圧制御部４４がピエゾ素子２５に印加した電圧と最大周波数偏移量との関係を特定してもよい。周波数偏移特定部４５が最大周波数偏移量を特定する方法の詳細については後述する。
【００３１】
［最大周波数偏移量の特定方法の概要］
レーザ装置１００に設けられている所定のボタン（不図示）が操作されると、テストモードが起動される。テストモードが起動されると、周波数偏移特定部４５は、電圧制御部４４に指示してピエゾ素子２５に印加する電圧レベルを変化させることにより、変調レーザ光の中心周波数を走査する。この時、周波数偏移特定部４５が変調レーザ光の最大周波数偏移量を大きくすると、反転ラムディップの微分信号の広がりが大きくなる。
【００３２】
図２は、最大周波数偏移量の変化と反転ラムディップの微分信号の広がりとの関係について説明するための図である。図２の横軸は周波数であり、縦軸は反転ラムディップの微分信号の有無を示している。図２における太い破線は、変調レーザ光の中心周波数を示している。図２に示すように、最大周波数偏移量が大きくなると、変調レーザ光の中心周波数と反転ラムディップの周波数との差が、最大周波数偏移量が小さい場合よりも大きい時点から、変調レーザ光が反転ラムディップに重なり始める。その結果、変調レーザ光の中心周波数が反転ラムディップの周波数から、より離れた時点で、反転ラムディップが検波される。
【００３３】
図２（ａ）は、最大周波数偏移量が比較的小さい場合の図であり、図２（ｂ）は、最大周波数偏移量が比較的大きい場合の図である。周波数偏移特定部４５が、電圧制御部４４がピエゾ素子２５に印加する電圧を変化させて変調レーザ光の中心周波数を走査すると、変調レーザ光の中心周波数から離れた位置で、変調レーザ光が反転ラムディップと重なり始める。
【００３４】
図２（ｂ）のように最大周波数偏移量が大きい場合、変調レーザ光の周波数範囲が反転ラムディップと重なり始める時の中心周波数が、図２（ａ）の場合に反転ラムディップと重なる始める時の中心周波数よりも低い。このことを利用して、周波数偏移特定部４５は、変調レーザ光が反転ラムディップと重なり始める時の中心周波数に基づいて、最大周波数偏移量を特定することができる。換言すると、周波数偏移特定部４５は、変調レーザ光の中心周波数を走査した時の反転ラムディップの微分信号の広がりに基づいて、最大周波数偏移量を特定することができる。
【００３５】
しかし、反転ラムディップの微分信号の広がりはわずかなので、最大周波数偏移量を高い精度で特定することは困難である。そこで、周波数偏移特定部４５は、２つ以上の反転ラムディップが近接している場合、それらの間では微分信号の重ね合わせが起こり、各微分信号の広がりによる変化が顕著であることを利用して、隣接する複数の反転ラムディップに基づいて最大周波数偏移量を特定することで、最大周波数偏移量の特定精度を向上させる。
【００３６】
図３は、最大周波数偏移量に対応する変調電圧の変化と２つ以上の反転ラムディップの２次微分信号の変化との関係を示す図である。図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）及び図３（ｄ）は、それぞれ変調電圧が３０ｍＶ、４０ｍＶ、５０ｍＶ及び６０ｍＶの場合における、よう素飽和吸収線Ｒ［５６］３２−０の反転ラムディップの２次微分信号ａ１１〜ａ１４を示している。図３の横軸は、波長走査時のデータカウントを示しており、印加する直流電圧に対応している。図３の縦軸は、反転ラムディップの２次微分信号の大きさを示している。
【００３７】
図３によれば、最大周波数偏移量が変化すると、反転ラムディップの２次微分信号におけるピークが現れる時の変調レーザ光の中心周波数が変化している。このことから、周波数偏移特定部４５が、反転ラムディップが現れる時の変調レーザ光の中心周波数に基づいて、最大周波数偏移量を特定できることがわかる。
【００３８】
また、図中のａ１１及びａ１２に着目すると、最大周波数偏移量が大きくなるにつれて、ａ１１とａ１２のピークの間の極小値のレベルが大きくなり、図３（ｃ）及び図３（ｄ）においては、極大値が現れている。極大値は、ａ１１及びａ１２の両方が同時に検波される程度に最大周波数偏移量が大きいことを示している。そこで、周波数偏移特定部４５は、この現象を利用して、複数の反転ラムディップの微分信号が重なり合った状態における極大値に基づいて、最大周波数偏移量を高い精度で特定してもよい。
以下、この現象を利用して最大周波数偏移量を特定する２つの方法について説明する。
【００３９】
［第１の特定方法］
（ステップ１）
まず、最大周波数偏移とピエゾ印加電圧との関係が特定された基準変調レーザの中心周波数を走査し、近接する反転ラムディップ（例えば、図３におけるａ１１及びａ１２）の間の微分信号レベルと最大周波数偏移との関係を特定する。特定された関係は、例えば、コントローラ４が有する記憶部４１に格納される。
【００４０】
（ステップ２）
レーザ装置１００において、ピエゾ素子２５に印加する電圧の大きさと周波数偏移量との関係を特定するための動作を実行するテストモードが起動されると、電圧制御部４４は、変調レーザ光の中心周波数を走査し、近接する反転ラムディップの間の微分信号レベルを特定する。
【００４１】
（ステップ３）
電圧制御部４４は、ステップ１において記憶部４１に格納された基準変調レーザの微分信号レベルと最大周波数偏移量との関係を参照し、ステップ２で特定した微分信号レベルに対応する最大周波数偏移量を特定する。このようにして、電圧制御部４４は、最大周波数偏移量を高い精度で特定することができる。
【００４２】
［第２の特定方法］
（ステップ１）
まず、最大周波数偏移量とピエゾ印加電圧との関係が特定された基準変調レーザの中心周波数を走査し、最大周波数偏移量を所定の値にした場合に得られた微分信号に基づいて、反転ラムディップの周波数を特定する。
【００４３】
（ステップ２）
よう素飽和吸収線の周波数ごとの吸収係数（既知）と、各最大周波数偏移量の近接する反転ラムディップの間の微分信号レベルとの関係を特定する。特定された関係は、例えば、コントローラ４が有する記憶部４１に格納される。
【００４４】
（ステップ３）
レーザ装置１００において、ピエゾ素子２５に印加する電圧の大きさと周波数偏移量との関係を特定するための動作を実行するテストモードが起動されると、電圧制御部４４は、変調レーザ光の中心周波数を走査し、近接する反転ラムディップの間の微分信号レベルを特定する。
【００４５】
（ステップ４）
電圧制御部４４は、ステップ２においてメモリに格納された基準変調レーザの最大周波数偏移量ごとの吸収係数（既知）と近接する反転ラムディップの間の微分信号レベルとの関係を参照し、ステップ３で特定した微分信号レベルに基づいて特定される反転ラムディップの微分信号レベルが、どの最大周波数偏移量に対応するかを特定する。
【００４６】
［レーザ装置１００における故障検出処理］
周波数偏移特定部４５は、上記の方法で、所定の電圧をピエゾ素子２５に印加した状態における最大周波数偏移量を特定することができる。レーザ装置１００においては、工場出荷時に、所定の電圧をピエゾ素子２５に印加した状態において許容される最大周波数偏移量の範囲が、記憶部４１に記憶されている。周波数偏移特定部４５は、テストモードが起動されると、特定した最大周波数偏移量が、電圧制御部４４がピエゾ素子２５に入力した印加電圧に関連付けて記憶部４１が記憶している最大周波数偏移量の許容範囲に含まれているか否かを判定する。
【００４７】
特定した最大周波数偏移量が、記憶部４１に記憶されている最大周波数偏移量の許容範囲に入っていない場合、周波数偏移特定部４５は、記憶部４１に記憶されている最適な最大周波数偏移量と現在の最大周波数偏移量との差分を算出する。そして、周波数偏移特定部４５は、算出した差分を相殺するように、電圧制御部４４がピエゾ素子２５に印加する電圧を変化させる。このようにすることで、レーザ装置１００は、ピエゾ素子２５の特性が経年変化した場合であっても、経年変化の影響を相殺して、所望の特性の変調レーザ光を出力することができる。
【００４８】
また、周波数偏移特定部４５は、特定した最大周波数偏移量が、記憶部４１に記憶されている最大周波数偏移量の許容範囲に入っていない場合に、ピエゾ素子２５の特性が変化したことを示す警告情報を出力してもよい。このようにすることで、レーザ装置１００のユーザが、ピエゾ素子２５の特性が変化したことを把握できるので、ピエゾ素子２５の交換等の必要な措置を講じやすくなる。
【００４９】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【００５０】
１  励起用半導体レーザ部
２  レーザ共振器筺体
３  よう素安定化用光学系
４  コントローラ
１１  半導体レーザ
２１  Ｎｄ：ＹＶ０４結晶
２２  ＫＴＰ結晶
２３  エタロン
２４  反射鏡
２５  ピエゾ素子
３１  ビームスプリッタ
３２  安定化信号検出部
４１  記憶部
４２  電流制御部
４３  温度制御部
４４  電圧制御部
４５  周波数偏移特定部
１００  レーザ装置
【図１】
2017224806.tif 000003
【図２】
2017224806.tif 000004
【図３】
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