(57)【要約】【課題】磁場に基づく位置決定を提供する。【解決手段】方法は、位置に対応する磁場情報を得ることを含んでいてもよい。磁場情報は、電子装置の磁気計の出力計測値に基づいていてもよい。本方法はさらに、前記磁場情報に対応する電子装置の装置配向に対応する配向情報を得ることを含んでいてもよい。配向情報は、一つまたは複数の慣性センサーの出力計測値に基づいていてもよく、装置配向を示してもよい。本方法はさらに、磁場情報を配向情報に基づいて調整して、磁場マップのマップ座標系に対して正規化されている正規化磁場情報を生成することを含んでいてもよい。正規化磁場情報および磁場マップは、磁気計の前記出力計測値が得られた時点で電子装置が前記位置にあることを判別するために使われてもよい。【選択図】図１Ａ
2017120261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置に対応する磁場情報を得る段階であって、前記磁場情報は、電子装置の磁気計の出力計測値に基づく、段階と；
前記磁気計の前記出力計測値が得られた時点における前記電子装置の装置配向に対応する配向情報を得る段階であって、前記配向情報は、一つまたは複数の慣性センサーの出力計測値に基づき、磁場マップのマップ座標系に対して前記装置配向を示す、段階と；
前記磁場情報を前記配向情報に基づいて調整して、前記マップ座標系に対して正規化されている正規化磁場情報を生成する段階であって、前記正規化磁場情報および前記磁場マップが、前記磁気計の前記出力計測値が得られた時点で前記電子装置が前記位置にあることを判別するために使われる、段階とを含む、
方法。
【請求項２】
前記配向情報は、前記マップ座標系の一つまたは複数の軸に対する前記電子装置の配向角を示し；
前記磁場情報を調整することは、前記配向角に基づいて前記磁場情報を調整することを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記配向角に基づいて前記磁場情報を調整することは、前記配向角に対抗して前記磁場情報を回転させることを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記磁場情報が磁場ベクトルを含み；
前記磁場情報を調整することが、前記配向情報に基づいて前記磁場ベクトルを回転させることを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記マップ座標系がx軸、y軸およびz軸を含み；
前記磁場情報が磁場ベクトルを含み；
前記磁場ベクトルが：
x軸に対応するx成分；
y軸に対応するy成分；および
z軸に対応するz成分を含み；
前記配向情報が：
前記マップ座標系のxy平面における第一のオフセット角；
前記マップ座標系のxz平面における第二のオフセット角；および
前記マップ座標系のyz平面における第三のオフセット角を示し、
前記磁場ベクトルを回転させることが：
前記第一のオフセット角に基づいて前記xy平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびy成分を回転させ；
前記第二のオフセット角に基づいて前記xz平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびz成分を回転させ；
前記第三のオフセット角に基づいて前記yz平面内で前記磁場ベクトルのy成分およびz成分を回転させることを含む、
請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記配向情報が、前記磁場マップの生成の期間中に前記位置において得られた第一の慣性情報を含み；
前記配向情報が、前記磁気計の前記出力計測値が得られた時点において得られた第二の慣性情報を含み；
当該方法がさらに、前記第一の慣性情報および前記第二の慣性情報に基づいて前記装置配向を決定することを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記正規化磁場情報および前記磁場マップに基づいて前記電子装置の前記位置を決定する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記配向情報に基づいて、前記装置配向の角度がある閾値を満足させることを判別し；
前記角度が前記閾値を満足させることを判別するのに応答して前記磁場情報を調整することをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
一つまたは複数のプロセッサによって実行されることに応答して、システムに動作を実行させる命令を記憶している一つまたは複数のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記動作は：
建物内の位置に対応する磁場ベクトルを得る段階であって、前記磁場ベクトルは、電子装置の磁気計の出力計測値に基づく、段階と；
前記磁気計の前記出力計測値が得られた時点における前記電子装置の装置配向に対応する配向情報を得る段階であって、前記配向情報は、一つまたは複数の慣性センサーの出力計測値に基づき、磁場マップのマップ座標系に対して前記装置配向を示す、段階と；
前記磁場ベクトルを前記配向情報に基づいて回転させて、前記マップ座標系に対して正規化されている正規化磁場ベクトルを生成する段階であって、前記正規化磁場ベクトルおよび前記磁場マップが、前記磁気計の位置を決定するために使われる、段階とを含む、
コンピュータ可読媒体。
【請求項１０】
前記配向情報は、前記マップ座標系の一つまたは複数の軸に対する前記電子装置の配向角を示し；
前記磁場ベクトルを回転させることは、前記配向角に基づいて前記磁場ベクトルを回転させることを含む、
請求項９記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１１】
前記配向角に基づいて前記磁場ベクトルを回転させることは、前記配向角に対抗して前記磁場ベクトルを回転させることを含む、請求項１０記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
前記マップ座標系がx軸、y軸およびz軸を含み；
前記磁場ベクトルが：
x軸に対応するx成分；
y軸に対応するy成分；および
z軸に対応するz成分を含み；
前記配向情報が：
前記マップ座標系のxy平面における第一のオフセット角；
前記マップ座標系のxz平面における第二のオフセット角；および
前記マップ座標系のyz平面における第三のオフセット角を示し、
前記磁場ベクトルを前記配向情報に基づいて回転させることが：
前記第一のオフセット角に基づいて前記xy平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびy成分を回転させ；
前記第二のオフセット角に基づいて前記xz平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびz成分を回転させ；
前記第三のオフセット角に基づいて前記yz平面内で前記磁場ベクトルのy成分およびz成分を回転させることを含む、
請求項９記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
前記配向情報が、前記磁場マップの生成の期間中に前記位置において得られた第一の慣性情報を含み；
前記配向情報が、前記磁気計の前記出力計測値が得られた時点において得られた第二の慣性情報を含み；
前記動作がさらに、前記第一の慣性情報および前記第二の慣性情報に基づいて前記装置配向を決定することを含む、
請求項９記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１４】
前記動作が、前記正規化磁場ベクトルおよび前記磁場マップに基づいて前記建物内の前記電子装置の前記位置を決定する段階をさらに含む、請求項９記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
前記動作が：
前記配向情報に基づいて、前記装置配向の角度がある閾値を満足させることを判別し；
前記角度が前記閾値を満足させることを判別するのに応答して前記磁場ベクトルを回転させることをさらに含む、
請求項９記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１６】
電子装置であって：
磁場の大きさおよび方向を示す磁気出力計測値を生成するよう構成された磁気計と；
当該電子装置の配向を示す慣性出力計測値を生成するよう構成された慣性センサーと；
命令を記憶している一つまたは複数のコンピュータ可読記憶媒体と；
前記磁気出力計測値および前記慣性出力計測値を受領するよう構成されており、前記一つまたは複数のコンピュータ可読記憶媒体に記憶されている前記命令に基づいて、
前記磁気出力計測値に基づいて、位置に対応する磁場情報を得る段階；
前記慣性出力計測値に基づいて、前記磁気出力計測値が得られた時点における前記電子装置の装置配向に対応する配向情報を得る段階であって、前記配向情報は、磁場マップのマップ座標系に対して前記装置配向を示す、段階；
前記磁場情報を前記配向情報に基づいて調整して、前記マップ座標系に対して正規化されている正規化磁場情報を生成する段階；および
前記正規化磁場情報および前記磁場マップに基づいて、前記磁気出力計測値が得られた時点で前記電子装置が前記位置にあることを判別する段階を実行するよう構成されている、
一つまたは複数のプロセッサとを有する、
電子装置。
【請求項１７】
前記配向情報は、前記マップ座標系の一つまたは複数の軸に対する前記電子装置の配向角を示し；
前記一つまたは複数のプロセッサは、前記配向角に基づいて前記磁場情報を調整するよう構成されている、
請求項１６記載の電子装置。
【請求項１８】
前記一つまたは複数のプロセッサは、前記配向角に対抗して前記磁場情報を回転させることによって、前記配向角に基づいて前記磁場情報を調整するよう構成されている、請求項１７記載の電子装置。
【請求項１９】
前記磁場情報が磁場ベクトルを含み；
前記一つまたは複数のプロセッサが、前記配向情報に基づいて前記磁場ベクトルを回転させて前記磁場情報を調整するよう構成されている、
請求項１６記載の電子装置。
【請求項２０】
前記マップ座標系がx軸、y軸およびz軸を含み；
前記磁場情報が磁場ベクトルを含み；
前記磁場ベクトルが：
x軸に対応するx成分；
y軸に対応するy成分；および
z軸に対応するz成分を含み；
前記一つまたは複数のプロセッサが、配向情報として：
前記マップ座標系のxy平面における第一のオフセット角；
前記マップ座標系のxz平面における第二のオフセット角；および
前記マップ座標系のyz平面における第三のオフセット角を取得するよう構成されており、
前記一つまたは複数のプロセッサが：
前記第一のオフセット角に基づいて前記xy平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびy成分を回転させ；
前記第二のオフセット角に基づいて前記xz平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびz成分を回転させ；
前記第三のオフセット角に基づいて前記yz平面内で前記磁場ベクトルのy成分およびz成分を回転させることによって、
前記磁場ベクトルを回転させるよう構成されている、
請求項１９記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示で論じられる実施形態は、磁場に基づく屋内位置決定に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くのポータブル電子装置（たとえば携帯電話、タブレットなど）は、該電子装置の位置を推定するために全地球測位システム（GPS）のような位置決定技術を使う。しかしながら、GPSのようないくつかの技術は、弱い信号強度のため、屋内ではあまりうまく機能しないことがある。いくつかの例では、電子装置が屋内にある間、位置を推定するために屋内で実行された磁場計測が使用されうるいくつかの技法が開発されている。
【０００３】
本開示において請求される主題は、何らかの欠点を解決するまたは上記のような環境でのみ動作する実施形態に限定されない。むしろ、この背景は、本開示において記述されるいくつかの実施形態が実施されうる一つの例示的な技術領域を示すために与えられているだけである。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
ある実施形態のある側面によれば、方法は、位置に対応する磁場情報を得ることを含んでいてもよい。磁場情報は、電子装置の磁気計の出力計測値に基づいていてもよい。本方法はさらに、磁気計の出力計測値が得られた時点における電子装置の装置配向に対応する配向情報を得ることを含んでいてもよい。配向情報は、一つまたは複数の慣性センサーの出力計測値に基づいていてもよく、磁場マップのマップ座標系に対して装置配向を示してもよい。本方法はさらに、磁場情報を配向情報に基づいて調整して、マップ座標系に対して正規化されている正規化磁場情報を生成することを含んでいてもよい。正規化磁場情報および磁場マップは、磁気計の前記出力計測値が得られた時点で電子装置が前記位置にあることを判別するために使われてもよい。
【０００５】
実施形態の目的および利点は、少なくとも、請求項において具体的に指摘される要素、特徴および組み合わせによって実現され、達成されるであろう。
【０００６】
以上の概括的な記述および以下の詳細な説明は例として与えられ、説明するものであり、特許請求される発明を制約するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
例示的実施形態について、付属の図面を使いつつ追加的な具体性および詳細をもって記述し、説明する。
【図１Ａ】磁場情報に基づいて位置を決定するよう構成されている例示的なシステムを表わす図である。
【図１Ｂ】マップ座標系に基づく例示的なマップ磁場ベクトルを示す図である。
【図１Ｃ】装置座標系に基づく例示的な装置磁場ベクトルを示す図である。
【図２】例示的なコンピューティング・システムのブロック図である。
【図３】例示的な電子装置のブロック図である。
【図４】磁場情報に基づく位置を決定する例示的方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
磁場計測値に関係した情報（「磁場情報」と称される）が、電子装置の位置を決定するために使用されうる。たとえば、地球の磁場は位置に基づいて変わることがあり、地球の磁場の計測値は位置を示しうる。いくつかの場合には、磁場計測値は、屋内であってもよい位置を決定するために使用されうる。たとえば、電子装置は、磁場情報（「装置磁場情報」）を得るために、建物内にいる間に磁場を計測するよう構成されていてもよい。装置磁場情報は、建物内のさまざまな位置において以前に計測された磁場情報（「マップ磁場情報」）を含みうる磁場マップと比較されてもよい。磁場マップと装置磁場情報との間の比較は、電子装置の位置が、装置磁場情報に基づいて決定されうるようなものであってもよい。
【０００９】
たとえば、装置磁場情報は、特定のマップ磁場情報と照合されてもよい。特定のマップ磁場情報は、特定の位置に対応しうるよう、該特定の位置において得られてもよい。よって、装置磁場情報が特定のマップ磁場情報に実質的に一致することに基づき、かつ特定の磁場情報が特定の位置に対応することに基づいて、装置磁場情報の取得の時点で電子装置がその特定の位置にあったことが判別されうる。いくつかの場合には、装置磁場情報およびマップ磁場情報は、地球の磁場に基づいていてもよい。
【００１０】
いくつかの場合には、電子装置によって得られてもよい磁場情報は、対応する磁場計測がなされている間の電子装置の配向にも基づいていることがある。たとえば、第一の磁場情報が、特定の位置における第一の配向にある電子装置によって実行される第一の磁場計測から得られてもよい。加えて、第二の磁場情報が、その特定の位置における第二の配向にある電子装置によって実行される第二の磁場計測から得られてもよい。第一の磁場情報および第二の磁場情報は、いずれも実質的に同じ特定の位置に対応しうるものの、第一の配向と第二のイベントの間の差異のため、異なることがある。したがって、いくつかの例では、特定のマップ磁場情報および特定の装置磁場情報に対応する磁場計測値のときの装置配向の差異のため、特定の位置に対応しうる特定のマップ磁場情報は、必ずしも、その特定の位置で得られた特定の装置磁場情報と一致しないことがある。
【００１１】
本開示に記載されるいくつかの実施形態は、装置磁場情報を正規化する方法およびシステムに関する。のちに詳述するように、正規化された装置磁場情報が、マップ磁場情報および装置磁場情報に関する異なる配向によって引き起こされうる磁場計測値の相違を補償するために生成されてもよい。いくつかの実施形態では、電子装置が建物内にある間に電子装置の位置を決定するために、正規化された磁場情報が磁場マップと比較されてもよい。よって、本開示のいくつかの実施形態によれば、異なる配向によって引き起こされうる位置決定の誤差は、低減または解消されうる。
【００１２】
本開示の実施形態は、付属の図面を参照して説明される。
【００１３】
図１Ａは、本開示の一つまたは複数の実施形態に従って、磁場情報に基づいて位置を決定するよう構成されている例示的なシステム１００を表わす図である。システム１００は、装置磁場情報１０４、配向情報１０２および磁場マップ１０８に基づいて位置情報１１０を決定するよう構成されている位置決定モジュール１０６を含んでいてもよい。
【００１４】
磁場マップ１０８は、複数の位置においてなされうる複数の磁場の計測値から生成されてもよいマップ磁場情報を含んでいてもよい。マップ磁場情報を生成するために得られてもよい磁場計測値は、「マップ磁場計測値」と称されてもよい。いくつかの実施形態では、位置は一つまたは複数の建物内であってもよく、マップ磁場は屋内であってもよい位置に対応してもよい。
【００１５】
マップ磁場計測値は、いかなる好適なシステム、装置またはデバイスを介して得られてもよい。たとえば、マップ磁場計測値は、第一の電子装置に含まれていてもよい一つまたは複数の第一の磁気計を介して得られてもよい。いくつかの実施形態では、マップ磁場計測値は、マップ磁場計測値のそれぞれが得られる間に第一の配向にある第一の電子装置を用いて得られてもよい。
【００１６】
マップ磁場情報は、マップ磁場計測値によって示されうる磁場の方向を示してもよい。たとえば、いくつかの実施形態では、各位置におけるマップ磁場情報は、マップ磁場ベクトルを含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、マップ磁場ベクトルはマップ座標系に基づいていてもよい。特に、いくつかの実施形態では、マップ磁場ベクトルは、大きさおよび方向をもつものとして表現されてもよい。ここで、大きさの方向成分はマップ座標系に対して表現される。さらに、マップ座標系は、マップ磁場計測値を得る間の第一の電子装置の第一の配向に基づいていてもよい。
【００１７】
例として、図１Ｂは、本開示の一つまたは複数の実施形態に基づく、マップ座標系１２０に基づく例示的なマップ磁場ベクトル１３０を示している。マップ座標系１２０は、x軸１２４、y軸１２６およびz軸１２８をもつデカルト型の座標系を含んでいてもよい。
【００１８】
いくつかの実施形態では、x軸１２４、y軸１２６およびz軸１２８は、磁場マップ１０８を生成するために使用されてもよい電子装置１２２に対して整列されていてもよい。ここで、含まれうるのは、その磁場マップ１０８のマップ磁場ベクトル１３０である。よって、いくつかの実施形態では、マップ座標系１２０の配向（たとえば、x軸１２４、y軸１２６およびz軸１２８の配向）は、磁場マップ１０８を生成する時点における電子装置１２２の配向に基づいていてもよい。
【００１９】
マップ磁場ベクトル１３０は、マップ磁場ベクトル１３０を得るために使われたマップ磁場計測値から得られた磁場の大きさおよび方向を示してもよい。いくつかの実施形態では、マップ磁場ベクトル１３０は、測定された磁場の大きさおよび方向をマップ座標系１２０に対して示してもよい。たとえば、マップ磁場ベクトル１３０は、マップ磁場ベクトル１３０の大きさのどのくらいがx軸１２４に沿って走るx方向にあるかを示しうるx成分を含んでいてもよい。さらに、マップ磁場ベクトル１３０は、マップ磁場ベクトル１３０の大きさのどのくらいがy軸１２６に沿って走るy方向にあるかを示しうるy成分を含んでいてもよい。さらに、マップ磁場ベクトル１３０は、マップ磁場ベクトル１３０の大きさのどのくらいがz軸１２８に沿って走るz方向にあるかを示しうるz成分を含んでいてもよい。
【００２０】
いくつかの実施形態では、マップ磁場ベクトル１３０は、次の表現「M0(x0,y0,z0)」によって記述されてもよい。以上の表現において、「M0」はマップ磁場ベクトル１３０の全体的な大きさを示していてもよく；「x0」はx軸１２４に対するマップ磁場ベクトル１３０のx成分を示していてもよく；「y0」はy軸１２６に対するマップ磁場ベクトル１３０のy成分を示していてもよく；「z0」はz軸１２８に対するマップ磁場ベクトル１３０のz成分を示していてもよい。他のマップ磁場ベクトルは同様の表現を使って表現されうる。
【００２１】
図１Ａに戻ると、装置磁場情報１０４は、いかなる好適なシステム、装置またはデバイスを介して得られてもよい装置磁場計測値に基づいていてもよい。たとえば、装置磁場情報１０４に対応しうる装置磁場計測値は、第一の電子装置に含まれていてもよい前記第一の磁気計を介して得られてもよく、あるいは第二の電子装置に含まれていてもよい一つまたは複数の第二の磁気計を介して得られてもよい。下記の説明を簡単にするために、磁場マップ１０８は、第一の電子装置の第一の磁気計から得られるマップ磁場計測値に基づくものとして記述され、装置磁場情報１０４は第二の電子装置の第二の磁気計から得られる装置磁場計測値に基づくものとして記述される。しかしながら、いくつかの実施形態では、磁場マップ１０８および装置磁場情報１０４の両方が、同じ電子装置の磁気計から得られた磁場計測値に基づいていてもよい。
【００２２】
いくつかの実施形態では、装置磁場情報１０４は、磁場マップ１０８に含まれていてもよい位置で得られてもよい。これらまたは他の実施形態において、装置磁場情報１０４は、磁場マップ１０８の生成後のある時点において得られてもよい。
【００２３】
いくつかの実施形態では、装置磁場情報１０４は、上記のマップ磁場ベクトルと同様であってもよい一つまたは複数の装置磁場ベクトルを含んでいてもよい。たとえば、各装置磁場ベクトルは、測定された磁場の大きさおよび方向を示していてもよい。いくつかの実施形態では、装置磁場ベクトルのそれぞれは、装置座標系に基づいていてもよい。特に、いくつかの実施形態では、装置磁場ベクトルは、大きさおよび方向を有するものとして表現されてもよく、ここで、大きさの方向成分は対応する装置座標系に関して表現される。
【００２４】
いくつかの実施形態では、装置座標系は、装置磁場情報１０４に対応する装置磁場計測値が得られる時点における電子装置の配向に基づいていてもよい。いくつかの例では、異なる装置磁場計測の期間中の配向は、異なっていてもよく、異なる磁場情報１０４についての装置座標系は異なっていてもよい。さらに、いくつかの例では、装置磁場計測がなされるときに比べたマップ磁場計測がなされるときに関する装置配向の相違のため、装置座標系は、マップ座標系とは異なっていてもよい。よって、いくつかの例では、特定の位置に対応する装置磁場情報１０４は、実質的に同じ特定の位置に対応するマップ磁場情報と異なることがある。
【００２５】
例として、図１Ｃは、本開示の一つまたは複数の実施形態に基づく、装置座標系１５０に基づく例示的な装置磁場ベクトル１４０を示している。装置座標系１５０は、x軸１５４、y軸１５６およびz軸１５８をもつデカルト型の座標系を含んでいてもよい。
【００２６】
いくつかの実施形態では、x軸１５４、y軸１５６およびz軸１５８は、電子装置１３２に対して整列されていてもよい。よって、いくつかの実施形態では、装置座標系の配向（たとえば、x軸１５４、y軸１５６およびz軸１５８の配向）は、電子装置１３２の配向に基づいていてもよい。
【００２７】
装置磁場ベクトル１４０は、装置磁場ベクトル１３０を得るために使われた装置磁場計測値に対応する測定磁場の大きさおよび方向を示してもよい。いくつかの実施形態では、装置磁場ベクトル１４０は、測定された磁場の大きさおよび方向を装置座標系１５０に対して示してもよい。たとえば、装置磁場ベクトル１４０は、装置磁場ベクトル１４０の大きさのどのくらいがx軸１５４に沿って走るx方向にあるかを示しうるx成分を含んでいてもよい。さらに、装置磁場ベクトル１４０は、装置磁場ベクトル１４０の大きさのどのくらいがy軸１５６に沿って走るy方向にあるかを示しうるy成分を含んでいてもよい。さらに、装置磁場ベクトル１４０は、装置磁場ベクトル１３０の大きさのどのくらいがz軸１５８に沿って走るz方向にあるかを示しうるz成分を含んでいてもよい。
【００２８】
いくつかの実施形態では、装置磁場ベクトル１４０は、次の表現「M1(x1,y1,z1)」によって記述されてもよい。以上の表現において、「M1」は装置磁場ベクトル１４０の全体的な大きさを示していてもよく；「x1」はx軸１５４に対する装置磁場ベクトル１４０のx成分を示していてもよく；「y1」はy軸１５６に対する装置磁場ベクトル１４０のy成分を示していてもよく；「z1」はz軸１５８に対する装置磁場ベクトル１４０のz成分を示していてもよい。他の装置磁場ベクトルは同様の表現を使って表現されうる。
【００２９】
図１Ｂおよび図１Ｃの描かれた例では、装置磁場ベクトル１４０は、図１Ｂのマップ磁場ベクトル１３０に対応するマップ磁場計測値と実質的に同じ位置で得られてもよい装置磁場計測値に基づいていてもよい。さらに、図１Ｂおよび図１Ｃの描かれた例では、マップ磁場ベクトル１３０を得るために磁場が測定される時点における装置１２２の配向と装置磁場ベクトル１４０を得るために磁場が測定される時点における装置１３２の配向とが、マップ座標系１２０と装置座標系１５０が整列されていなくてもよいようなものであってもよい。
【００３０】
たとえば、図１Ｃは、x軸１２４、y軸１２６およびz軸１２８ならびにそれらのマップ座標系１２０に対する配向を描いている。図１Ｃはまた、x軸１５４、y軸１５６およびz軸１５８ならびにそれらの装置座標系１５０に対する配向をも描いている。図１Ｃの図示した例では、x軸１５４はx軸１２４から、xy平面内で第一のオフセット角「θ」だけオフセットされていてもよい。図１Ｃの図示した例では、y軸１５６はy軸１２６から、yz平面内で第二のオフセット角「ω」だけオフセットされていてもよい。さらに、図１Ｃの図示した例では、z軸１５８はz軸１２８から、xz平面内で第三のオフセット角「φ」だけオフセットされていてもよい。
【００３１】
装置座標系は電子装置１３２の配向に基づいているので、オフセット角は、マップ座標系に対する電子装置１３２の配向角を示してもよく、あるいは該配向角として使われてもよい。追加的または代替的に、これらのオフセット角は、いくつかの実施形態では、次の式：r(θ,ω,φ)を使ってマップ座標系１２０に対して電子装置１３２の配向を表わすために使われてもよい。
【００３２】
第一のオフセット角は、たとえマップ磁場ベクトル１３０と装置磁場ベクトル１４０が実質的に同じ位置に対応しているとしても、マップ磁場ベクトル１３０および装置磁場ベクトル１４０のそれぞれのxおよびy成分を異ならせることがある。追加的または代替的に、第二のオフセット角は、たとえマップ磁場ベクトル１３０と装置磁場ベクトル１４０が実質的に同じ位置に対応しているとしても、マップ磁場ベクトル１３０および装置磁場ベクトル１４０のそれぞれのzおよびy成分を異ならせることがある。追加的または代替的に、第三のオフセット角は、たとえマップ磁場ベクトル１３０と装置磁場ベクトル１４０が実質的に同じ位置に対応しているとしても、マップ磁場ベクトル１３０および装置磁場ベクトル１４０のそれぞれのxおよびz成分を異ならせることがある。
【００３３】
図１Ａに戻ると、いくつかの実施形態では、配向情報１０２はマップ座標系に対する第二の電子装置の配向を示していてもよい。配向は、第二の電子装置によって装置磁場計測がなされていた間の第二の電子装置の配向に対応してもよい。いくつかの実施形態では、配向情報１０２は、装置磁場情報１０４に対応する装置座標系と磁場マップ１０８のマップ座標系との間の、図１Ｃに関して上記したようなオフセット角を示してもよい。オフセット角は、上記のように、マップ座標系に対する第二の電子装置の配向を示してもよい。
【００３４】
いくつかの実施形態では、配向情報１０２は、第一の電子装置が磁場マップ１０８の生成に関して磁場を測定（たとえばマップ磁場計測を実行）していた間の第一の電子装置の第一の慣性情報を含んでいてもよい。これらまたは他の実施形態において、配向情報１０２は、第二の電子装置が装置磁場情報１０４に対応する磁場を測定（たとえば装置磁場計測を実行）していた間の第二の電子装置の第二の慣性情報を含んでいてもよい。第一および第二の慣性情報は、本開示では概括的に「慣性情報」と称されてもよい。
【００３５】
慣性情報は、対応する電子装置の三次元での動きの加速、角速度または軌跡を示しうる。そのような情報は、任意の好適な技法に基づいて対応する装置の空間における配向を決定するために使用されうる。上記のように、磁場情報を表わすために使われる座標系の配向は、それぞれの電子装置の配向に基づいていてもよく、そのため慣性情報は、互いに対するマップ座標系と装置座標系の配向を決定するために使用されてもよい。
【００３６】
いくつかの実施形態では、第一の慣性情報は、磁場マップ１０８に含まれうるマップ磁場情報と相関付けられてもよい。該相関付けは、第一の電子装置が磁場マップ１０８の生成に関して磁場を測定していた間の第一の装置の第一の配向を決定することを許容しうる。これらまたは他の実施形態において、マップ座標系の配向は、決定された第一の配向に基づいて決定されうる。いくつかの実施形態では、第一の慣性情報は、マップ磁場ベクトルに対応する個々のマップ磁場計測値に関して得られてもよい。それにより、第一の慣性情報は、個々のマップ磁場ベクトルと相関付けられることができる。これらまたは他の実施形態において、マップ座標系の配向は個々のマップ磁場ベクトルに関して決定されてもよい。いくつかの実施形態では、配向情報１０２は磁場マップ１０８のマップ座標系の配向を含んでいてもよい。
【００３７】
追加的または代替的に、いくつかの実施形態では、第二の慣性情報は、装置磁場情報１０４にと相関付けられてもよい。該相関付けは、第二の電子装置が装置磁場情報に対応する磁場を測定していた間の第二の装置の第二の配向を決定することを許容しうる。これらまたは他の実施形態において、装置座標系の配向は、決定された第二の配向に基づいて決定されうる。いくつかの実施形態では、第二の慣性情報は、装置磁場ベクトルに対応する個々の装置磁場計測値に関して得られてもよい。それにより、第二の慣性情報は、個々の装置磁場ベクトルと相関付けられることができる。これらまたは他の実施形態において、装置座標系の配向は個々の装置磁場ベクトルに関して決定されてもよく、それにより異なる装置磁場ベクトルに関して変わりうる。いくつかの実施形態では、配向情報１０２は装置磁場情報１０４のもとになる装置座標系の配向を含んでいてもよい。
【００３８】
これらの実施形態において、マップ座標系の軸と装置座標系の軸との間のオフセット角が、任意の好適な技法を使って配向情報１０２に基づいて装置磁場情報１０４に関して決定されてもよい。たとえば、図１Ｃのオフセット角θ、ω、φは、マップ座標系１２０および装置座標系１５０のそれぞれの配向を決定するための電子装置１２２の第一の慣性情報および電子装置１３２の第二の慣性情報に基づいて決定されてもよい。次いで、それらの配向はオフセット角θ、ω、φを決定するために使われてもよい。
【００３９】
位置決定モジュール１０６（「位置モジュール〔ロケーション・モジュール〕１０６」）は、コンピューティング装置が位置情報１１０を決定できるようにするよう構成されたコードおよびルーチンを含んでいてもよい。追加的または代替的に、位置モジュール１０６は、プロセッサ、マイクロプロセッサ（一つまたは複数の動作を実行するまたはその実行を制御する）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）または特定用途向け集積回路（ASIC）を含むハードウェアを使って実装されてもよい。いくつかの他の例では、位置モジュール１０６は、ハードウェアおよびソフトウェアの組み合わせを使って実装されてもよい。本開示では、位置モジュール１０６によって実行されるとして記述される動作は、位置モジュール１０６が対応するシステムに指令して実行させうる動作を含んでいてもよい。
【００４０】
位置モジュール１０６は、装置磁場情報１０４、配向情報１０２および磁場マップ１０８に基づいて位置情報１１０を決定するよう構成されていてもよい。いくつかの実施形態では、位置モジュール１０６は、下記で詳述する図４の方法４００に関して記述される一つまたは複数の動作を実行することによって位置情報を決定するよう構成されていてもよい。位置情報１１０は、装置磁場情報１０４に対応しうる位置を示してもよい。よって、位置モジュール１０６は、装置磁場情報１０４に基づいて第一の電子装置の位置を決定するよう構成されていてもよい。さらに、装置磁場情報１０４の正規化は、装置磁場情報１０４を正規化しないことに比べ、より正確な位置情報１１０に役立ちうる。
【００４１】
本開示の範囲から外れることなく、図１Ａ〜１Ｃに対して修正、追加または省略がなされてもよい。たとえば、いくつかの実施形態において、配向情報１０２は慣性情報を含んでいてもよく、位置モジュール１０６は、正規化のために使用されうる他の配向情報を決定するよう構成されていてもよい。さらに、位置モジュール１０６は、複数の電子装置またはシステムに含まれていてもよく、よって、位置モジュール１０６によって実行されるとして記述されうる種々の動作は、異なる複数の電子装置またはシステムによって実行されてもよい。
【００４２】
たとえば、位置モジュール１０６は電子装置に含まれていてもよく、該電子装置に指令して、磁場および慣性測定を行なわせてもよい。追加的または代替的に、電子装置の位置モジュール１０６は、該磁場および慣性測定に基づいて、装置磁場情報１０４および配向情報１０２を生成するよう構成されていてもよい。これらまたは他の実施形態において、電子装置の位置モジュール１０６は、装置磁場情報１０４、配向情報１０２および磁場マップ１０８に基づいて電子装置の位置を決定するために使われてもよい。これらまたは他の実施形態において、位置モジュール１０６はサーバーに含まれていてもよく、装置磁場情報１０４、配向情報１０２および磁場マップ１０８を取得し、装置磁場情報１０４、配向情報１０２および磁場マップ１０８に基づいて電子装置の位置を決定するよう構成されていてもよい。
【００４３】
さらに、装置磁場情報１０４、配向情報１０２および磁場マップ１０８の呼称および分離は、説明目的のために与えられている。ある種の実施形態は、記載したのとは異なる仕方で関連する情報をグループ化または編成してもよいが、装置磁場情報１０４、配向情報１０２および磁場マップ１０８に関して述べた種々の型の情報は実質的に同じであってもよい。
【００４４】
図２は、本開示の少なくとも一つの実施形態に基づく例示的なコンピューティング・システム２０２のブロック図である。コンピューティング・システム２０２は、いくつかの実施形態では、図１Ａの位置モジュール１０６のような位置決定モジュールに関連付けられた一つまたは複数の動作を実装するよう構成されていてもよい。コンピューティング・システム２０２は、電子装置の位置を決定することに関連する動作を実行するよう構成されたいかなる好適なシステム、装置またはデバイスに含まれていてもよい。コンピューティング・システム２０２は、プロセッサ２５０と、メモリ２５２と、データ記憶２５４とを含んでいてもよい。プロセッサ２５０、メモリ２５２およびデータ記憶２５４は通信上結合されていてもよい。
【００４５】
一般に、プロセッサ２５０は、さまざまなコンピュータ・ハードウェアまたはソフトウェア・モジュールを含むいかなる好適な特殊目的または汎用のコンピュータ、コンピューティング・エンティティまたは処理装置を含んでいてもよく、いかなる適用可能なコンピュータ可読記憶媒体に記憶された命令を実行するよう構成されてもよい。たとえば、プロセッサ２５０は、プログラム命令を解釈および／または実行するおよび／またはデータを処理するよう構成された、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）または他の任意のデジタルもしくはアナログ回路を含んでいてもよい。図２では単一のプロセッサとして図示されているが、プロセッサ２５０は、個々にまたは集団的に、本開示において記述される任意の数の動作を実行するよう構成された任意の数のプロセッサを含んでいてもよい。さらに、プロセッサの一つまたは複数は、異なる複数のサーバーなど、一つまたは複数の異なる電子装置に存在していてもよい。
【００４６】
いくつかの実施形態では、プロセッサ２５０は、メモリ２５２、データ記憶２５４またはメモリ２５２およびデータ記憶２５４に記憶されたデータを処理することおよび／またはプログラム命令を解釈および／または実行することを行なってもよい。いくつかの実施形態では、プロセッサ２５０は、データ記憶２５４からプログラム命令を取ってきて、該プログラム命令をメモリ２５２にロードしてもよい。プログラム命令がメモリ２５２にロードされたのち、プロセッサ２５０はプログラム命令を実行してもよい。
【００４７】
たとえば、いくつかの実施形態では、位置決定モジュールはプログラム命令としてデータ記憶２５４に含まれてもよい。プロセッサ２５０は位置決定モジュールのプログラム命令をデータ記憶２５４から取ってきてもよく、位置決定モジュールの該プログラム命令をメモリ２５２にロードしてもよい。位置決定モジュールのプログラム命令がメモリ２５２にロードされたのち、プロセッサ２５０はプログラム命令を実行してもよく、それによりコンピューティング・システムは該命令によって指令されるように位置決定モジュールに関する動作を実装しうる。
【００４８】
メモリ２５２およびデータ記憶２５４は、コンピュータ実行可能命令またはデータ構造を担持または記憶しているコンピュータ可読記憶媒体を含んでいてもよい。そのようなコンピュータ可読記憶媒体は、プロセッサ２５０のような汎用または特殊目的のコンピュータによってアクセスされうるいかなる利用可能な媒体を含んでいてもよい。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読記憶媒体は、RAM、ROM、EEPROM、CD-ROMまたは他の光ディスク記憶、磁気ディスク記憶または他の磁気記憶デバイス、フラッシュメモリ・デバイス（たとえば半導体メモリ・デバイス）またはコンピュータ実行可能命令もしくはデータ構造の形でプログラム・コードを担持または記憶するために使用でき、汎用もしくは特殊目的コンピュータによってアクセスされうる他の任意の記憶媒体を含む、有体のまたは非一時的なコンピュータ可読記憶媒体を含んでいてもよい。上記の組み合わせもコンピュータ可読記憶媒体の範囲内に含まれてもよい。コンピュータ実行可能命令は、たとえば、プロセッサ２５０にある種の動作または一群の動作を実行させるよう構成された命令およびデータを含んでいてもよい。
【００４９】
本開示の範囲から外れることなく、コンピューティング・システム２０２に修正、追加または省略がなされてもよい。たとえば、いくつかの実施形態では、コンピューティング・システム２０２は、明示的に図示または記述されないことがありうる任意の数の他のコンポーネントを含んでいてもよい。
【００５０】
図３は、本開示の少なくとも一つの実施形態に基づく、例示的な電子装置３００のブロック図である。電子装置３００は、磁場情報および配向情報を取得するよう構成されていてもよい。いくつかの実施形態では、電子装置３００は、図１Ａ〜１Ｃに関して上記した電子装置の例であってもよい。電子装置３００は、磁場情報に基づいて位置を決定するよう構成されうるいかなる適用可能な電子装置をも含みうる。たとえば、電子装置３００は、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末（PDA）、ラップトップ・コンピュータ、パーソナル・コンピュータ、タブレット・コンピュータまたは他の任意の同様の装置を含んでいてもよい。電子装置３００はコンピューティング・システム３０２、一つまたは複数の磁気計３０４および一つまたは複数の慣性センサー３０６を含んでいてもよい。
【００５１】
磁気計３０４は、磁場を測定するよう構成されたいかなる好適なシステム、装置またはデバイスをも含みうる。いくつかの実施形態では、磁気計３０４は、磁場の大きさおよび方向を測定するよう構成されていてもよい。
【００５２】
慣性センサー３０６は、慣性情報を生成するために使用されうる慣性因子を測定するよう構成されていてもよいセンサーを含んでいてもよい。たとえば、慣性センサー３０６は、三次元での加速度、三次元での角速度および／または三次元での動きの軌跡を測定するよう構成されていてもよい。いくつかの実施形態では、慣性センサー３０６は、一つまたは複数の加速度計または一つまたは複数のジャイロスコープを含んでいてもよい。追加的または代替的に、慣性センサー３０６は磁気計３０４の一つまたは複数をも含んでいてもよい。
【００５３】
コンピューティング・システム３０２は、図２に関して上記したコンピューティング・システム２０２と類似であってもよい。コンピューティング・システム３０２は、磁気計３０４および慣性センサー３０６からの情報を取得するよう構成されていてもよい。
【００５４】
いくつかの実施形態では、コンピューティング・システム３０２は、磁気計３０４によって測定されうる磁場計測値を取得するよう構成されていてもよい。これらまたは他の実施形態において、コンピューティング・システム３０２は、磁場計測値に基づいて磁場情報（たとえば、マップ磁場情報または装置磁場情報）を生成するよう構成されていてもよい。
【００５５】
追加的または代替的に、コンピューティング・システム３０２は、慣性センサー３０６によって測定されうる慣性因子を取得するよう構成されていてもよい。これらまたは他の実施形態において、コンピューティング・システム３０２は、測定された慣性因子に基づいて慣性情報を生成するよう構成されていてもよい。
【００５６】
本開示の範囲から外れることなく、電子装置３００に修正、追加または省略がなされてもよい。たとえば、いくつかの実施形態では、電子装置３００は、明示的に図示または記述されていないことがありうる任意の数の他のコンポーネントを含んでいてもよい。
【００５７】
図４は、本開示に記載される少なくとも一つの実施形態に基づく、磁場情報に基づいて位置を決定する例示的な方法４００のフローチャートである。方法４００は、いかなる好適なシステム、装置またはデバイスによって実行されてもよい。たとえば、図１Ａの位置モジュールまたは（位置モジュールによって指揮される）コンピューティング・システム２０２が、方法４００に関連する動作の一つまたは複数を実行してもよい。離散的なブロックを用いて示されているが、方法４００のブロックの一つまたは複数に関連するステップおよび動作は、個別的な実装に依存して、追加的なブロックに分割されたり、より少数のブロックに組み合わされたり、あるいはなくされたりしてもよい。
【００５８】
方法４００は、ブロック４０２で始まってもよい。ここで、磁場情報が取得されてもよい。いくつかの実施形態では、磁場情報は、電子装置の一つまたは複数の磁気計の出力計測値に基づいていてもよい。いくつかの実施形態では、磁場情報は建物内の位置に対応してもよい。たとえば、磁場情報は、その位置にある電子装置の一つまたは複数の磁気計によってなされてもよい磁場計測に基づいて得られてもよい。
【００５９】
いくつかの実施形態では、磁場情報を得ることは、磁場計測値に基づいて磁場情報を決定することを含んでいてもよい。追加的または代替的に、磁場情報を得ることは、磁場計測値に基づいてすでに決定された磁場情報を受領することを含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、ブロック４０２において得られた磁場情報は、図１Ａに関して上記した装置磁場情報１０４と同様であってもよい。
【００６０】
ブロック４０４では、配向情報が得られてもよい。いくつかの実施形態では、配向情報は、一つまたは複数の電子装置の一つまたは複数の慣性センサーの出力計測値に基づいていてもよい。さらに、いくつかの実施形態では、配向情報は、ブロック４０２において得られた磁場情報を決定するために使われた磁場計測がなされた時点における電子装置の配向に対応する装置配向情報を含んでいてもよい。さらに、いくつかの実施形態では、配向情報は、マップ座標系に対する電子装置の配向を示してもよい。
【００６１】
いくつかの実施形態では、配向情報を得ることは、慣性センサーの出力に基づいて配向情報を決定することを含んでいてもよい。追加的または代替的に、配向情報を得ることは、慣性センサーの出力に基づいてすでに決定された配向情報を受領することを含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、ブロック４０４で得られる配向情報は、図１Ａの配向情報１０２と同様であってもよい。
【００６２】
ブロック４０６では、ブロック４０２において得られた磁場情報が、ブロック４０４において得られた配向情報に基づいて調整されてもよい。いくつかの実施形態では、磁場情報の調整は、磁場情報がマップ座標系に関して正規化されるようなものであってもよい。
【００６３】
たとえば、いくつかの実施形態では、配向情報は、マップ座標系の一つまたは複数の軸に対する電子装置の一つまたは複数の配向角を示してもよい。磁場情報は次いで、それらの配向角に基づいて調整されてもよい。いくつかの実施形態では、磁場情報の調整は、配向角に対抗して磁場情報を回転させることを含んでいてもよい。
【００６４】
特に、いくつかの実施形態では、オフセット角、たとえば図１Ｃのオフセット角θ、ωおよびφが、ブロック４０４で得られた配向情報から得られてもよい。これらのオフセット角が配向角として使われてもよい。さらに、ブロック４０２で得られた磁場情報が、対応する装置座標系に基づいていてもよい装置磁場ベクトルを含んでいてもよい。これらまたは他の実施形態において、前記オフセット角に対抗して装置磁場ベクトルが回転されるよう、前記オフセット角に基づいて装置磁場フィールド・ベクトルに行列回転が適用されてもよい。回転は、マップ座標系に関して正規化されている正規化された装置磁場ベクトルを生成してもよい。
【００６５】
たとえば、上記のように、図１Ｃの装置磁場ベクトル１４０は、次式：M1(x1,y1,z1)によって記述されてもよい。さらに、上記のように、図１Ｂのマップ磁場ベクトル１３０は、次式：M0(x0,y0,z0)によって記述されてもよい。図１Ｃのオフセット角θ、ωおよびφに基づいて装置磁場ベクトル１４０に行列回転が適用されて、マップ座標系１２０に関して正規化されていてもよい正規化された装置磁場ベクトルを生成してもよい。装置磁場ベクトル１４０に対応する正規化された装置磁場ベクトルは、マップ磁場ベクトル１３０に実質的に等しくてもよい。
【００６６】
装置磁場ベクトル１４０に対応する正規化された装置磁場ベクトル（「対応する正規化された磁場ベクトル」）は、次式：M2(x2,y2,z2)によって記述されてもよい。上記の式において、M2は対応する正規化された装置磁場ベクトルの全体的な大きさを示してもよく、x2は対応する正規化された装置磁場ベクトルの、x軸１２４に関するx成分を示してもよく、y2は対応する正規化された装置磁場ベクトルの、y軸１２６に関するy成分を示してもよく、z2は対応する正規化された装置磁場ベクトルの、z軸１２８に関するz成分を示してもよい。さらに、対応する正規化された磁場ベクトルは次式
【数１】
2017120261.tif 000003
【００６７】
によって記述されてもよい。
【００６８】
いくつかの実施形態では、正規化された磁場ベクトルを生成するための行列回転は、次式に基づく、第一のオフセット角θに基づくxy平面内の回転のために実行されてもよい。
【数２】
2017120261.tif 000004
【００６９】
追加的または代替的に、正規化された磁場ベクトルを生成するための行列回転は、次式に基づく、第二のオフセット角ωに基づくyz平面内の回転のために実行されてもよい。
【数３】
2017120261.tif 000005
【００７０】
これらまたは他の実施形態において、正規化された磁場ベクトルを生成するための行列回転は、次式に基づく、第三のオフセット角φに基づくxz平面内の回転のために実行されてもよい。
【数４】
2017120261.tif 000006
【００７１】
ブロック４０８では、電子装置の位置情報が、前記正規化された磁場情報および磁場マップに基づいて決定されてもよい。位置情報は、ブロック４０２で得られた磁場情報を決定するために使われた磁場計測がなされた時点における電子装置の位置に対応していてもよい。いくつかの実施形態では、位置情報は、前記正規化された磁場情報を前記磁場マップに含まれるマップ磁場情報と比較して、前記正規化された磁場情報に実質的に一致するマップ磁場情報を決定することによって、決定されうる。該一致するマップ磁場情報は、磁場マップにおける特定の位置に相関付けられていてもよい。すると、前記正規化された磁場情報がその特定の位置に対応する前記マップ磁場情報に一致することに基づいて、その特定の位置が、ブロック４０２で得られた磁場情報を決定するために使われた磁場計測がなされた時点における電子装置の位置として決定されうる。いくつかの実施形態では、磁場マップは、建物に関して生成されてもよく、それにより該建物内の電子装置の位置が決定されうる。
【００７２】
よって、方法４００は、電子装置の位置を決定するために使用されうる。本開示の範囲から外れることなく方法４００に対して修正、追加または省略がなされてもよい。たとえば、方法４００の動作は異なる順序で実装されてもよい。追加的または代替的に、二つ以上の動作が並行して実行されてもよい。さらに、概説した動作および工程は単に例として与えられているのであり、そうした動作および工程のいくつかは、本開示の本質を損なうことなく、任意的であったり、より少数の動作および工程に組み合わされたり、あるいは追加的な動作および工程に展開されたりしてもよい。
【００７３】
たとえば、いくつかの実施形態では、磁場情報の調整は、装置配向のオフセットの度合いに基づいていてもよい。特に、いくつかの実施形態では、磁場情報の調整は、一つまたは複数の装置配向角（たとえば一つまたは複数のオフセット角）がある閾値を満足させると判定することに応答して実行されてもよい。
【００７４】
上記のように、本開示に記載される実施形態は、下記でより詳細に論じられるさまざまなコンピュータ・ハードウェアまたはソフトウェア・モジュールを含む特殊目的または汎用のコンピュータ（たとえば図２のプロセッサ２５０）を使うことを含んでいてもよい。さらに、上記のように、本開示に記載される実施形態は、コンピュータ実行可能な命令またはデータ構造を担持するまたは記憶するコンピュータ可読媒体（たとえば図２のメモリ２５２）を使って実装されてもよい。
【００７５】
本開示での用法では、用語「モジュール」または「コンポーネント」は、該モジュールまたはコンポーネントの動作を実行するよう構成された特定のハードウェア実装および／またはコンピューティング・システムの汎用ハードウェア（たとえばコンピュータ可読媒体、処理装置など）に記憶および／または実行されうるソフトウェア・オブジェクトまたはソフトウェア・ルーチンを指しうる。いくつかの実施形態では、本開示に記載される異なるコンポーネント、モジュール、エンジンおよびサービスは、（たとえば別個のスレッドとして）コンピューティング・システム上で実行されるオブジェクトまたはプロセスとして実装されてもよい。本開示に記載されるシステムおよび方法のいくつかは、（汎用ハードウェアに記憶および／または実行される）ソフトウェアで実装されるものとして概括的に記述されているものの、個別的なハードウェア実装またはソフトウェアと個別的なハードウェア実装の組み合わせも可能であり、考えられている。本記述において、「コンピューティング・エンティティ」は、本開示において先に定義したような任意のコンピューティング・システムまたはコンピューティング・システム上で走る任意のモジュールもしくは小モジュールの組み合わせでありうる。
【００７６】
本開示、特に付属の請求項（たとえば付属の請求項のボディ）において使われる用語は、一般に、「オープンな」用語として意図されている（たとえば、用語「含む」は「含むがそれに限られない」と解釈されるべきであり、用語「有する」は「少なくとも…を有する」と解釈されるべきであり、用語「含む」は「含むがそれに限られない」と解釈されるべきである、など）。
【００７７】
さらに、導入される請求項の記載の特定の数が意図される場合、そのような意図は請求項において明示的に記載される。そのような記載のない場合には、そのような意図はない。たとえば、理解の助けとして、以下の付属の請求項は、請求項の記載を導入するために「少なくとも一つの」および「一つまたは複数の」という導入句の使用を含むことがありうる。しかしながら、たとえ同じ請求項が導入句「一つまたは複数の」または「少なくとも一つの」および「a」または「an」のような不定冠詞を含むときでも、そのような句の使用は、不定冠詞「a」または「an」による請求項の記載の導入が、そのように導入された請求項の記載を含む何らかの特定の請求項を、そのような記載を一つだけ含む実施形態に限定することを含意していると解釈されるべきではない（たとえば、「a」および／または「an」は、「少なくとも一つの」または「一つまたは複数の」を意味するものと解釈されるべきである）。同じことは、請求項の記載を導入する定冠詞の使用についても成り立つ。
【００７８】
さらに、たとえ導入される請求項の記載の特定の数が明示的に記載されていたとしても、当業者は、そのような記載が、少なくともその記載された数を意味すると解釈されるべきであることを認識するであろう（たとえば、他の修飾語なしで単に「二つの記載」という記載は、少なくとも二つの記載または二つ以上の記載を意味する）。さらに、「Ａ、ＢおよびＣなどのうちの少なくとも一つ」または「Ａ、ＢおよびＣなどの一つまたは複数」に類似する慣用句が使われる事例においては、一般に、そのような構文はＡだけ、Ｂだけ、Ｃだけ、ＡおよびＢ両方、ＡおよびＣ両方、ＢおよびＣ両方またはＡ、ＢおよびＣ全部などを含むことが意図される。
【００７９】
さらに、明細書であれ請求項であれ図面であれ、二つ以上の代替的な用語を呈示するあらゆる離接的な語句は、該用語の一つを含む、該用語のいずれかを含むまたは該用語の両方を含む可能性を考えているものと理解されるべきである。たとえば、「ＡまたはＢ」という句は、「Ａ」または「Ｂ」または「ＡおよびＢ」の可能性を含むと理解されるべきである。
【００８０】
本開示において記載されるすべての例および条件付きの言辞は、本発明および発明者によって当技術分野の発展のために寄与される概念の理解において読者を助ける教育目的を意図されており、そのような特定的に挙げられる例および条件に限定することなく解釈されるものとする。本開示の実施形態について詳細に述べてきたが、本開示の精神および範囲から外れることなく、これにさまざまな変化、代替および変更をなすことができることは理解しておくべきである。
【００８１】
以上の実施例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示す
（付記１）
位置に対応する磁場情報を得る段階であって、前記磁場情報は、電子装置の磁気計の出力計測値に基づく、段階と；
前記磁気計の前記出力計測値が得られた時点における前記電子装置の装置配向に対応する配向情報を得る段階であって、前記配向情報は、一つまたは複数の慣性センサーの出力計測値に基づき、磁場マップのマップ座標系に対して前記装置配向を示す、段階と；
前記磁場情報を前記配向情報に基づいて調整して、前記マップ座標系に対して正規化されている正規化磁場情報を生成する段階であって、前記正規化磁場情報および前記磁場マップが、前記磁気計の前記出力計測値が得られた時点で前記電子装置が前記位置にあることを判別するために使われる、段階とを含む、
方法。
（付記２）
前記配向情報は、前記マップ座標系の一つまたは複数の軸に対する前記電子装置の配向角を示し；
前記磁場情報を調整することは、前記配向角に基づいて前記磁場情報を調整することを含む、
付記１記載の方法。
（付記３）
前記配向角に基づいて前記磁場情報を調整することは、前記配向角に対抗して前記磁場情報を回転させることを含む、付記２記載の方法。
（付記４）
前記磁場情報が磁場ベクトルを含み；
前記磁場情報を調整することが、前記配向情報に基づいて前記磁場ベクトルを回転させることを含む、
付記１記載の方法。
（付記５）
前記マップ座標系がx軸、y軸およびz軸を含み；
前記磁場情報が磁場ベクトルを含み；
前記磁場ベクトルが：
x軸に対応するx成分；
y軸に対応するy成分；および
z軸に対応するz成分を含み；
前記配向情報が：
前記マップ座標系のxy平面における第一のオフセット角；
前記マップ座標系のxz平面における第二のオフセット角；および
前記マップ座標系のyz平面における第三のオフセット角を示し、
前記磁場ベクトルを回転させることが：
前記第一のオフセット角に基づいて前記xy平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびy成分を回転させ；
前記第二のオフセット角に基づいて前記xz平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびz成分を回転させ；
前記第三のオフセット角に基づいて前記yz平面内で前記磁場ベクトルのy成分およびz成分を回転させることを含む、
付記４記載の方法。
（付記６）
前記配向情報が、前記磁場マップの生成の期間中に前記位置において得られた第一の慣性情報を含み；
前記配向情報が、前記磁気計の前記出力計測値が得られた時点において得られた第二の慣性情報を含み；
当該方法がさらに、前記第一の慣性情報および前記第二の慣性情報に基づいて前記装置配向を決定することを含む、
付記１記載の方法。
（付記７）
前記正規化磁場情報および前記磁場マップに基づいて前記電子装置の前記位置を決定する段階をさらに含む、付記１記載の方法。
（付記８）
前記配向情報に基づいて、前記装置配向の角度がある閾値を満足させることを判別し；
前記角度が前記閾値を満足させることを判別するのに応答して前記磁場情報を調整することをさらに含む、付記１記載の方法。
（付記９）
一つまたは複数のプロセッサによって実行されることに応答して、システムに動作を実行させる命令を記憶している一つまたは複数のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記動作は：
建物内の位置に対応する磁場ベクトルを得る段階であって、前記磁場ベクトルは、電子装置の磁気計の出力計測値に基づく、段階と；
前記磁気計の前記出力計測値が得られた時点における前記電子装置の装置配向に対応する配向情報を得る段階であって、前記配向情報は、一つまたは複数の慣性センサーの出力計測値に基づき、磁場マップのマップ座標系に対して前記装置配向を示す、段階と；
前記磁場ベクトルを前記配向情報に基づいて回転させて、前記マップ座標系に対して正規化されている正規化磁場ベクトルを生成する段階であって、前記正規化磁場ベクトルおよび前記磁場マップが、前記磁気計の位置を決定するために使われる、段階とを含む、
コンピュータ可読媒体。
（付記１０）
前記配向情報は、前記マップ座標系の一つまたは複数の軸に対する前記電子装置の配向角を示し；
前記磁場ベクトルを回転させることは、前記配向角に基づいて前記磁場ベクトルを回転させることを含む、
付記９記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（付記１１）
前記配向角に基づいて前記磁場ベクトルを回転させることは、前記配向角に対抗して前記磁場ベクトルを回転させることを含む、付記１０記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（付記１２）
前記マップ座標系がx軸、y軸およびz軸を含み；
前記磁場ベクトルが：
x軸に対応するx成分；
y軸に対応するy成分；および
z軸に対応するz成分を含み；
前記配向情報が：
前記マップ座標系のxy平面における第一のオフセット角；
前記マップ座標系のxz平面における第二のオフセット角；および
前記マップ座標系のyz平面における第三のオフセット角を示し、
前記磁場ベクトルを前記配向情報に基づいて回転させることが：
前記第一のオフセット角に基づいて前記xy平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびy成分を回転させ；
前記第二のオフセット角に基づいて前記xz平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびz成分を回転させ；
前記第三のオフセット角に基づいて前記yz平面内で前記磁場ベクトルのy成分およびz成分を回転させることを含む、
付記９記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（付記１３）
前記配向情報が、前記磁場マップの生成の期間中に前記位置において得られた第一の慣性情報を含み；
前記配向情報が、前記磁気計の前記出力計測値が得られた時点において得られた第二の慣性情報を含み；
前記動作がさらに、前記第一の慣性情報および前記第二の慣性情報に基づいて前記装置配向を決定することを含む、
付記９記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（付記１４）
前記動作が、前記正規化磁場ベクトルおよび前記磁場マップに基づいて前記建物内の前記電子装置の前記位置を決定する段階をさらに含む、付記９記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（付記１５）
前記動作が：
前記配向情報に基づいて、前記装置配向の角度がある閾値を満足させることを判別し；
前記角度が前記閾値を満足させることを判別するのに応答して前記磁場ベクトルを回転させることをさらに含む、
付記９記載のコンピュータ可読記憶媒体。
（付記１６）
電子装置であって：
磁場の大きさおよび方向を示す磁気出力計測値を生成するよう構成された磁気計と；
当該電子装置の配向を示す慣性出力計測値を生成するよう構成された慣性センサーと；
命令を記憶している一つまたは複数のコンピュータ可読記憶媒体と；
前記磁気出力計測値および前記慣性出力計測値を受領するよう構成されており、前記一つまたは複数のコンピュータ可読記憶媒体に記憶されている前記命令に基づいて、
前記磁気出力計測値に基づいて、位置に対応する磁場情報を得る段階；
前記慣性出力計測値に基づいて、前記磁気出力計測値が得られた時点における前記電子装置の装置配向に対応する配向情報を得る段階であって、前記配向情報は、磁場マップのマップ座標系に対して前記装置配向を示す、段階；
前記磁場情報を前記配向情報に基づいて調整して、前記マップ座標系に対して正規化されている正規化磁場情報を生成する段階；および
前記正規化磁場情報および前記磁場マップに基づいて、前記磁気出力計測値が得られた時点で前記電子装置が前記位置にあることを判別する段階を実行するよう構成されている、
一つまたは複数のプロセッサとを有する、
電子装置。
（付記１７）
前記配向情報は、前記マップ座標系の一つまたは複数の軸に対する前記電子装置の配向角を示し；
前記一つまたは複数のプロセッサは、前記配向角に基づいて前記磁場情報を調整するよう構成されている、
付記１６記載の電子装置。
（付記１８）
前記一つまたは複数のプロセッサは、前記配向角に対抗して前記磁場情報を回転させることによって、前記配向角に基づいて前記磁場情報を調整するよう構成されている、付記１７記載の電子装置。
（付記１９）
前記磁場情報が磁場ベクトルを含み；
前記一つまたは複数のプロセッサが、前記配向情報に基づいて前記磁場ベクトルを回転させて前記磁場情報を調整するよう構成されている、
付記１６記載の電子装置。
（付記２０）
前記マップ座標系がx軸、y軸およびz軸を含み；
前記磁場情報が磁場ベクトルを含み；
前記磁場ベクトルが：
x軸に対応するx成分；
y軸に対応するy成分；および
z軸に対応するz成分を含み；
前記一つまたは複数のプロセッサが、配向情報として：
前記マップ座標系のxy平面における第一のオフセット角；
前記マップ座標系のxz平面における第二のオフセット角；および
前記マップ座標系のyz平面における第三のオフセット角を取得するよう構成されており、
前記一つまたは複数のプロセッサが：
前記第一のオフセット角に基づいて前記xy平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびy成分を回転させ；
前記第二のオフセット角に基づいて前記xz平面内で前記磁場ベクトルのx成分およびz成分を回転させ；
前記第三のオフセット角に基づいて前記yz平面内で前記磁場ベクトルのy成分およびz成分を回転させることによって、
前記磁場ベクトルを回転させるよう構成されている、
付記１９記載の電子装置。
【符号の説明】
【００８２】
１０２  配向情報
１０４  装置磁場情報
１０６  位置決定モジュール
１０８  磁場マップ
１１０  位置情報
２０２  コンピューティング・システム
２５０  プロセッサ
２５２  メモリ
２５４  データ記憶
３００  電子装置
３０２  コンピューティング・システム
３０４  磁気計（単数または複数）
３０６  慣性センサー（単数または複数）
４０２  磁場情報を取得
４０４  装置配向情報を取得
４０６  得られた磁場情報を調整
４０８  位置を決定
【図１Ａ】
2017120261.tif 000007
【図１Ｂ】
2017120261.tif 000008
【図１Ｃ】
2017120261.tif 000009
【図２】
2017120261.tif 000010
【図３】
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【図４】
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