(57)【要約】      （修正有）【課題】光ファイバ搭載光集積回路装置に関し、単一モード光ファイバと光集積回路装置に設けた光導波路との結合における位置合わせトレランスを大きくする。【解決手段】伝搬光を伝搬する第１の光導波路１３の入出力端側に、コアの断面が単一モード光ファイバ１７のモード径より大きな幅を有するスラブ形状で、コアの厚みが単一モード光ファイバとの接続部分に進むにしたがって薄くなるテーパ形状の第２の光導波路１６を設け、第２の光導波路の上面において、単一モード光ファイバの傾斜接続端面を結合する。【選択図】図１
2017173710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に光導波路を備えた光集積回路装置と、
前記光導波路に光学的に結合し、伝搬光の伝搬方向に対して傾斜した傾斜接続端面を有する単一モード光ファイバと
を有し、
前記光導波路は、伝搬光を伝搬する第１の光導波路と、前記第１の光導波路と前記第１の光導波路の入出力端側で結合する第２の光導波路とを有し、
前記第２の光導波路のコアの断面が前記単一モード光ファイバのモード径より大きな幅を有するスラブ形状であり、且つ、前記第２の光導波路のコアの厚みが前記単一モード光ファイバとの接続部分に進むにしたがって薄くなるテーパ形状であり、
前記単一モード光ファイバの傾斜接続端面と前記第２の光導波路のコアの上面が対向するように結合している光ファイバ搭載光集積回路装置。
【請求項２】
前記第２の光導波路のコア幅が、前記単一モード光ファイバとの結合部に近づくにしたがって徐々に広くなる構造を有する請求項１に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
【請求項３】
前記光集積回路装置が、シリコン光集積回路装置であり、
前記第１の光導波路のコアがシリコン細線コアである請求項１または請求項２に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
【請求項４】
前記単一モード光ファイバの傾斜接続端面と前記第２の光導波路のコアの上面との間に、前記伝搬光に対して透明な液体或いは樹脂のいずれかの透明部材が介在している請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
【請求項５】
前記単一モード光ファイバを固定するフェルールをさらに有し、
前記フェルールは、第１の係合部材を有し、
前記光集積回路装置の基板は、前記第１の係合部材と係合する第２の係合部材を有する請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ搭載光集積回路装置に関するものであり、例えば、光ファイバと光部品を高密度に実装したシリコン光集積回路装置（ＰＩＣ：Ｐｈｏｔｏｎｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）の光接続構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
毎秒テラビット級の容量を１チップで賄う光トランシーバを実現するためには、波長多重を行ったり、長距離伝送を行う場合、光伝送に用いる光ファイバとして単一モード光ファイバを用いる必要がある。
【０００３】
シリコンＰＩＣに用いるＳｉ細線光導波路はサイズが１μｍ以下と小さいため、高集積に向いているが、単一モード光ファイバとのサイズの違いが大きく、光ファイバへの結合効率を高めることが課題である。
【０００４】
従来、光ファイバへの結合効率を高めるために、先端がテーパ状に先細りになったスポットサイズ変換器を用いて光ファイバとスポットサイズを一致させる方法をとっていた。図１５は従来の光ファイバ搭載光集積回路装置の説明図であり、図１５（ａ）は光軸に沿った断面図であり、図１５（ｂ）は要部透視上面図である。
【０００５】
ＳＯＩ基板を利用して、シリコン基板６１上に下部クラッド層を兼ねるＢＯＸ層６２を介して厚さが０．２５μｍのＳｉ細線コア６３を設ける。このＳｉ細線コア６３の先端に先細りテーパ状のスポットサイズ変換器６４を設け、Ｓｉ細線コア６３の上面にＳｉＯ２膜を設けて上部クラッド層６５とし、スポットサイズ変換器６４側を覆うように幅広のＳｉＯＮコア６６を設ける。このＳｉＯＮコア６６にコア６８が対向するように単一モード光ファイバ６７を配置する。なお、図における符号６９，７０は、夫々クラッド及びフェルールである。
【０００６】
図に示すように、スポット径が０．２５μｍ程度の伝搬光はスポットサイズ変換器６４を介してＳｉＯＮコア６６で９μｍ程度のスポット径に拡大されて、単一モード光ファイバ６７のコア６８に入射する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平０７−１２８５４３号公報
【特許文献２】特開平０５−２５７０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、図１５に示した実装構造の場合、単一モード光ファイバのスポットサイズは９μｍ程度であるため、位置合わせにおいて数μｍしか位置ずれを許容できず、高精度なファイバ位置決めが必要であった。そのため、Ｓｉ細線コアに光を通して結合光パワーを最大化させるように位置合わせを行うアクティブアライメントが必要であり、径の大きいマルチモードファイバを用いる方式と比較して実装コスト増となるのが課題であった。
【０００９】
したがって、光ファイバ搭載光集積回路装置において、単一モード光ファイバと光集積回路装置に設けた光導波路との結合における位置合わせトレランスを大きくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一つの態様では、光ファイバ搭載光集積回路装置は、基板上に光導波路を備えた光集積回路装置と、前記光導波路に光学的に結合し、伝搬光の伝搬方向に対して傾斜した傾斜接続端面を有する単一モード光ファイバとを有し、前記光導波路は、伝搬光を伝搬する第１の光導波路と、前記第１の光導波路と前記第１の光導波路の入出力端側で結合する第２の光導波路とを有し、前記第２の光導波路のコアの断面が前記単一モード光ファイバのモード径より大きな幅を有するスラブ形状であり、且つ、前記第２の光導波路のコアの厚みが前記単一モード光ファイバとの接続部分に進むにしたがって薄くなるテーパ形状であり、前記単一モード光ファイバの傾斜接続端面と前記第２の光導波路のコアの上面が対向するように結合している。
【発明の効果】
【００１１】
一つの側面として、単一モード光ファイバと光集積回路装置に設けた光導波路との結合における位置合わせトレランスを大きくすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態の光ファイバ搭載光集積回路装置の説明図である。
【図２】第１の光導波路から第２の光導波路への光の伝播状態の説明図である。
【図３】光ファイバが中央にある場合の第２の光導波路から光ファイバへの光の伝播状態の説明図である。
【図４】光ファイバが左にずれた場合の第２の光導波路から光ファイバへの光の伝播状態の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態における光パワーの空間分布の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態における横方向トレランスの説明図である。
【図７】本発明の実施の形態における光軸方向トレランスの説明図である。
【図８】本発明の実施の形態における垂直方向トレランスの説明図である。
【図９】本発明の実施例１の光ファイバ搭載光集積回路装置の説明図である。
【図１０】本発明の実施例１の光ファイバ搭載光集積回路装置の接合部の説明図である。
【図１１】本発明の実施例１の光ファイバ搭載光集積回路装置のＳｉＯＮコアの形成工程の説明図である。
【図１２】本発明の実施例１の光ファイバ搭載光集積回路装置の実装構造の説明図である。
【図１３】本発明の実施例２の光ファイバ搭載光集積回路装置の接合部の説明図である。
【図１４】本発明の実施例３の光ファイバ搭載光集積回路装置の実装構造の説明図である。
【図１５】従来の光ファイバ搭載光集積回路装置の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
ここで、図１乃至図８を参照して、本発明の実施の形態の光ファイバ搭載光集積回路装置を説明する。図１は本発明の実施の形態の光ファイバ搭載光集積回路装置の説明図であり、図１（ａ）は光軸に沿った断面図であり、図１（ｂ）は要部透視上面図である。図に示すように、基板１１上に下部クラッド層１２を介して第１の光導波路のコア１３を設け、この第１の光導波路のコア１３の入出力端側に第２の光導波路のコア１６を設ける。なお、第１の光導波路のコア１３の入出力端にスポットサイズ変換器１４を設けることが望ましい。なお、スポットサイズ変換器１４のテーパ形状は幅方向のテーパでも、厚み方向のテーパでも良い。
【００１４】
第２の光導波路のコア１６は、コアの断面が単一モード光ファイバ１７のモード径より大きな幅を有するスラブ形状であり、且つ、コアの厚みが単一モード光ファイバ１７との接続部分に進むにしたがって薄くなるテーパ形状にする。また、第２の光導波路のコア幅が、単一モード光ファイバ１７との結合部に行くにしたがって徐々に広くなる構造とすることが望ましく、単一モード光ファイバ１７のモード径の２倍以上とすることが望ましい。また、第２の光導波路のコア１６の屈折率は、第１の光導波路のコア１３の屈折率より小さくすることが望ましい。
【００１５】
単一モード光ファイバ１７に傾斜接続端面を設け、この傾斜接続端面と第２の光導波路のコア１６の上面とが対向するように結合する。単一モード光ファイバ１７の傾斜接続端面と第２の光導波路のコア１６の上面との間に、伝搬光に対して透明オイル等の透明な液体或いは樹脂等の透明部材２１を介在させることが望ましい。透明部材２１としては単一モード光ファイバ１７のクラッド１９の屈折率に近いものであれば良い。透明部材２１が液体の場合は揮発しにくいものが好ましい。また、樹脂を用いる場合には、通常の光学機器に用いている透明樹脂を用いれば良い。なお、傾斜接続端面の角度は８０°以上にすることにより、結合損失を下げることができ、この角度は９０°に近いほど良い。
【００１６】
光集積回路装置としては、シリコン光集積回路装置が挙げられ、その場合には、ＳＯＩ基板を利用して、ＢＯＸ層を下部クラッド層１２とし、第１の光導波路のコア１３をシリコン細線コアとする。また、第２の光導波路のコア１６としては、Ｓｉより屈折率が小さなＳｉＯＮ或いはＧｅドープＳｉＯ２等を用いることが望ましい。また、上部クラッド層１５としては、ＳｉＯ２を用いれば良い。なお、ＳＯＩ基板を用いない場合には、Ｓｉ細線コアの代わりに、Ｎ濃度の高いＳｉＯＮを細線コアとしても良い。
【００１７】
単一モード光ファイバ１７は、フェルール２０に装着されて光集積回路装置側に固定される。フェルールに第１の係合機構を設けるとともに、光集積回路装置の基板１１に第１の係合機構と係合する第２の係合機構を設ける。この時、係合時に、光集積回路側に加重をかける加重印加機構をさらに設けることが望ましい。
【００１８】
第１の光導波路のコア１３中の光が平坦なスラブ形状の第２の光導波路のコア１６に導かれることにより、単一モード光ファイバ１７のコア１８の径よりも広い範囲にスポットが拡大する。スラブ形状の第２の光導波路のコア１６の厚みにテーパ形状を持たせることにより、スラブ形状の第２の光導波路のコア１６中の光スポットが垂直方向に広がる。それと同時に、単一モード光ファイバ１７の傾斜接続端面を介して単一モード光ファイバ１７のコア１８に結合される。
【００１９】
図２は、第１の光導波路から第２の光導波路への光の伝播状態の説明図であり、ビーム伝搬法（Ｂｅａｍ Ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ：ＢＰＭ）で計算した結果を示している。図２（ａ）→図２（ｂ）→図２（ｃ）の順に、第１の光導波路のコア１３から第２の光導波路のコア１６に伝播するにしたがって扁平な断面のビーム形状となる。
【００２０】
図３は、光ファイバが中央にある場合の第２の光導波路から光ファイバへの光の伝播状態の説明図であり、ここでもＢＰＭで計算した結果を示している。単一モード光ファイバ１７の光軸と第１の光導波路のコア１３の光軸が整列している場合には。図３（ａ）→図３（ｂ）→図３（ｃ）の順に、第２の光導波路のコア１６から単一モード光ファイバ１７のコア１８にあまりロスすることなく移行する。
【００２１】
図４は、光ファイバが左にずれた場合の第２の光導波路から光ファイバへの光の伝播状態の説明図であり、ここでもＢＰＭで計算した結果を示している。単一モード光ファイバ１７の光軸と第１の光導波路のコア１３の光軸が１５μｍずれている場合にも、図４（ａ）→図４（ｂ）→図４（ｃ）の順に、第２の光導波路のコア１６から単一モード光ファイバ１７のコア１８にあまりロスすることなく移行する。したがって、単一モード光ファイバ１７の位置によらず光パワーが単一モード光ファイバ１７へと結合することが確認された。
【００２２】
図５は、本発明の実施の形態における光パワーの空間分布の説明図であり、図５（ａ）は上面から見た光パワーの空間分布であり、図５（ｂ）は、光軸に沿った断面から見た光パワーの空間分布である。第１の光導波路のコア１３中の光がスラブ形状の第２の光導波路のコア１６で広がった後、傾斜接続端面を持つ単一モード光ファイバ１７のコア１８に光パワーが結合している様子が分かる。なお、図５（ａ）は単一モード光ファイバ１７の傾斜接続端面より下側近傍の光パワーの空間分布を表しているために、単一モード光ファイバ１７を伝搬していくにしたがって、光パワーが少なくなっている。
【００２３】
図６は、本発明の実施の形態における横方向トレランスの説明図である。図６（ａ）は光導波路と単一モード光ファイバの配置状態を示す上面図であり、図６（ｂ）はＢＰＭ法によるＳｉ細線コアと単一モード光ファイバとの間のパワー結合効率を計算した結果である。図６（ａ）に示すように単一モード光ファイバ１７がラテラル方向（図においては上下方向）にずれた場合には、図６（ｂ）に示すように、３５μｍの幅域で−２ｄＢ以上の結合効率が得られた。このことは、スラブ形状の第２の光導波路のコア１６の幅（４０μｍ）程度のずれが許容可能であることを示している。また、図１５に示した従来の光ファイバ搭載光集積回路装置の横方向トレランス（損失＜２ｄＢ）が約３μｍであったのに比べると１桁以上の改善が見られた。
【００２４】
図７は、本発明の実施の形態における光軸方向トレランスの説明図である。図７（ａ）は光導波路と単一モード光ファイバの配置状態を示す上面図であり、図７（ｂ）はＢＰＭ法によるＳｉ細線コアと単一モード光ファイバとの間のパワー結合効率を計算した結果である。図７（ａ）に示すように単一モード光ファイバ１７が光軸方向（図においては左右方向）にずれた場合には、図７（ｂ）に示すように、２００μｍという広い範囲にわたりは殆ど結合効率に変化がない。この結果は、図１５に示した従来の光ファイバ搭載光集積回路装置の光軸方向トレランス（損失＜２ｄＢ）が約３μｍであったのに比べると２桁以上の改善が見られた。
【００２５】
図８は、本発明の実施の形態における垂直方向トレランスの説明図である。図８（ａ）は光導波路と単一モード光ファイバの配置状態を示す上面図であり、図８（ｂ）はＢＰＭ法によるＳｉ細線コアと単一モード光ファイバとの間のパワー結合効率を計算した結果である。図８（ａ）に示すように単一モード光ファイバ１７が垂直方向（図においては上下方向）にずれた場合には、図８（ｂ）に示すように、垂直方向のずれ、即ち、スラブ形状の第２の光導波路のコア１６と単一モード光ファイバ１７の傾斜接続端面とのギャップは５μｍ程度あっても良いことが分かる。なお、このギャップは、スラブ形状の第２の光導波路のコア１６のテーパ形成の精度や単一モード光ファイバ１７の傾斜接続端面の加工精度、或いは、間に介在する異物等によって発生する。
【００２６】
本発明の実施の形態においては、第２の光導波路のコア１６のコア厚をテーパ状に薄くし、単一モード光ファイバ１７の傾斜接続端面と結合させているので、単一モード光ファイバとの結合における位置合わせトレランスを大きくすることができる。
【実施例１】
【００２７】
次に、図９乃至図１２を参照して、本発明の実施例１の光ファイバ搭載光集積回路装置を説明する。図９は本発明の実施例１の光ファイバ搭載光集積回路装置の説明図であり、図９（ａ）は光軸に沿った断面図であり、図９（ｂ）は要部透視上面図である。図に示すように、ＳＯＩ基板を利用してシリコン基板３１上に下部クラッド層を兼ねるＢＯＸ層２２を介して厚さが０．２５μｍで幅が０．５μｍのＳｉ細線コア３３を設け、このＳｉ細線コア３３の入出力端側にスポットサイズ変換器３４を設ける。このスポットサイズ変換器３４を覆うようにＳｉＯＮコア３６を設ける。
【００２８】
ＳｉＯＮコア６６は、コアの断面が単一モード光ファイバ３７のモード径（９μｍ）より大きな幅を有するスラブ形状であり、ＳｉＯＮコア６６の厚さは、０．５μｍから０μｍへとテーパ状に薄くなるように形成する。なお、ＳｉＯＮコア６６の幅方向のテーパ形状は、図示した形状に限られるものでなく、直線状に変化しても良いが、形状変化部での不所望な反射を避けるために、なだらかに変化する形状が望ましい。
【００２９】
単一モード光ファイバ３７に傾斜接続端面を設け、この傾斜接続端面とＳｉＯＮコア３６の上面とが対向するように配置し、透明オイル４１を介在させて結合する。透明オイル４１としては、ここでは、屈折率が１．４４の１８０６１（Ｃａｒｇｉｌｌｅ  Ｌａｂｓ社製商品型番）を用いる。また、傾斜接続端面の角度は８０°以上にすることにより、結合損失を下げることができ、この角度は９０°に近いほど良いが、ここでは、８８°とする。
【００３０】
図１０は、本発明の実施例１の光ファイバ搭載光集積回路装置の接合部の説明図であり、図１０（ａ）は光軸に沿った断面図であり、図１０（ｂ）は要部透視上面図である。図１０（ａ）に示すように、ＢＯＸ層３２の厚さは端部を除いて３μｍであり、端部の厚さは１０μｍとする。図１０（ｂ）に示すように、ＳｉＯＮコア６６のスポットサイズ変換器３４側の端部の幅は１０μｍとし、反対側の端部の幅は４０μｍとし、平坦部の長さは５００μｍとする。
【００３１】
図１１は、本発明の実施例１の光ファイバ搭載光集積回路装置のＳｉＯＮコアの形成工程の説明図である。まず、図１１（ａ）に示すように、ＢＯＸ層３２上の単結晶Ｓｉ層を加工してＳｉ細線コア３３とスポットサイズ変換器３４を形成し、その上にＳｉＯ２膜を設けて上部クラッド層３５とする。次いで、上部クラッド層３５の一部を除去したのち、スポットサイズ変換器３４を覆うようにスポットサイズ変換器３４上の厚さが０．２５μｍになるようにＳｉＯＮ膜４２を設ける。次いで、金属膜を設けたのち、レジストパターン４４を設け、金属膜をエッチングして金属マスク４３を形成する。
【００３２】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、金属マスク４３とＳｉＯＮ膜４２に対するエッチャントを用いてエッチングする。この時、金属マスク４３に対するエッチングレートの高いエッチャントを用いることによって、金属マスク４３をサイドエッチングすると、金属マスク４３のサイドエッチングに伴って露出するＳｉＯＮ膜４３の表面が順次エッチングされて傾斜状となる。
【００３３】
さらに、エッチングを進めていくと、図１１（ｃ）に示すように、コア厚が、０．５μｍから０μｍにテーパ状に変化するＳｉＯＮコア３６が得られる。以降は、ＳｉＯＮコア３６を図９（ｂ）に示した平面形状にエッチングする。なお、図１１（ａ）の段階で予めＳｉＯＮ膜４２の形状を図９（ｂ）に示した平面形状にエッチングしておいても良い。
【００３４】
図１２は、本発明の実施例１の光ファイバ搭載光集積回路装置の実装構造の説明図である。Ｓｉ光集積回路装置を実装基板４５に実装して、フェルール４０に固定した位置決めピン４６をシリコン基板３１に設けた穴に差し込んで位置決めする。位置決めピン４６の形状は円柱型でも角柱であっても良く、さらには、先細りの形状であっても良い。また、位置決めピン４６の材質は金属が一般的であるが、金属以外の材質でも良い。
【００３５】
実装基板４６に設けた係合部材４７とフェルール４０を押圧するリッド４８に設けた係合部材４９とを係合させることによって、荷重を掛けてフェルール４０をＳｉ光集積回路装置側へ押圧してＳｉ光集積回路装置と単一モード光ファイバ３７の傾斜接続端面間の突き当てを保持する。
【００３６】
加重機構に関しては、図に示した係合機構に限られるものではなく、Ｓｉ光集積回路装置と単一モード光ファイバ３７の傾斜接続端面間の突き当てを保持するのに必要な加重をかけられれば何でも良い。例えば、フェルール４０上に配置したリッド４８をボルトで固定するものであっても良いし、過度の加重が掛からないようにばねを介して加重をかける構造であっても良い。
【００３７】
本発明の実施例１においては、ＳｉＯＮコア３６のコア厚をテーパ状に薄くし、単一モード光ファイバ３７の傾斜接続端面と結合させているので、単一モード光ファイバとの結合における位置合わせトレランスを大きくすることができる。具体的には、単一モード光ファイバ３７とＳｉ細線コア３３との結合の位置ずれトラレンスが横方向で１桁、光軸方向で２桁改善することができる。これにより、簡易な位置決め機構で光ファイバ接続が可能になり、高い結合効率を安価な機構や実装装置で実装することが可能になる。
【００３８】
次に、図１３を参照して、本発明の実施例２の光ファイバ搭載光集積回路装置を説明する。図１３は、本発明の実施例２の光ファイバ搭載光集積回路装置の接合部の説明図であり、図１３（ａ）は光軸に沿った断面図であり、図１３（ｂ）は要部透視上面図であり、基本的な構成は上記の実施例１と同様である。但し、本発明の実施例２においては、透明部材として、透明オイルの代わりに透明樹脂５０を用いている。透明樹脂として、ＧＡ７００Ｈ（ＮＴＴ−ＡＴ社製商品型番）を用いる。
【００３９】
本発明の実施例２においては、透明部材として透明樹脂５０を用いているので、透明樹脂５０の接着強度がＳｉ光集積回路装置と単一モード光ファイバ３７の傾斜接続端面間の突き当てを保持するのに十分であれば、加重機構は必須ではない。
【００４０】
次に、図１４を参照して、本発明の実施例３の光ファイバ搭載光集積回路装置を説明する。図１４は、本発明の実施例３の光ファイバ搭載光集積回路装置の実装構造の説明図であり、基本的な構成は図１２にした上記の実施例１と同様である。但し、本発明の実施例３においては、位置決めピン５１をＳｉ光集積回路装置側に設け、フェルール４０に設けた穴に差し込む構造である。
【００４１】
なお、位置決め精度は上述の横方向トレランスの改善により、数１０μｍ精度まで緩和されるため、この程度の位置決めの機構としては図１２或いは図１４に示した機構に限られるものではない。例えば、フェルール４０の外形をはめ込む段差をＳｉ光集積回路装置に形成して位置決めしても良い。或いは、逆に、Ｓｉ光集積回路装置の外形をはめ込む段差をフェルール４０側に形成しても良い。
【００４２】
ここで、実施例１及び実施例２を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。
（付記１）基板上に光導波路を備えた光集積回路装置と、前記光導波路に光学的に結合し、伝搬光の伝搬方向に対して傾斜した傾斜接続端面を有する単一モード光ファイバとを有し、前記光導波路は、伝搬光を伝搬する第１の光導波路と、前記第１の光導波路と前記第１の光導波路の入出力端側で結合する第２の光導波路とを有し、前記第２の光導波路のコアの断面が前記単一モード光ファイバのモード径より大きな幅を有するスラブ形状であり、且つ、前記第２の光導波路のコアの厚みが前記単一モード光ファイバとの接続部分に進むにしたがって薄くなるテーパ形状であり、前記単一モード光ファイバの傾斜接続端面と前記第２の光導波路のコアの上面が対向するように結合している光ファイバ搭載光集積回路装置。
（付記２）前記第２の光導波路のコアの屈折率が、前記第１の光導波路のコアの屈折率より小さい付記１に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
（付記３）前記第２の光導波路のコア幅が、前記単一モード光ファイバとの結合部に近づくしたがって徐々に広くなる構造を有する付記１または付記２に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
（付記４）前記第２の光導波路のコアの幅が、前記単一モード光ファイバのモード径の２倍以上である付記１乃至付記３のいずれか１に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
（付記５）前記光集積回路装置が、シリコン光集積回路装置であり、前記第１の光導波路のコアがシリコン細線コアである付記１乃至付記４のいずれか１に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
（付記６）前記第２の光導波路のコアが、ＳｉＯＮ或いはＧｅドープＳｉＯ２のいずれかからなる付記５に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
（付記７）前記単一モード光ファイバの傾斜接続端面と前記第２の光導波路のコアの上面との間に、前記伝搬光に対して透明な液体或いは樹脂のいずれかの透明部材が介在している付記１乃至付記６のいずれか１に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
（付記８）前記第１の光導波路のコアが、入出力端側においてテーパ形状のコアになっている付記１乃至付記７のいずれか１に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
（付記９）前記単一モード光ファイバを固定するフェルールをさらに有し、前記フェルールは、第１の係合部材を有し、前記光集積回路装置の基板は、前記第１の係合部材と係合する第２の係合部材を有する付記１乃至付記８のいずれか１に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
（付記１０）前記フェルールに対して前記光集積回路側に加重をかける加重印加機構をさらに有する付記９に記載の光ファイバ搭載光集積回路装置。
（付記１１）基板と、前記基板上に設けた第１の光導波路と第２の光導波路とを有し、前記第２の光導波路は、前記第１の光導波路と前記第１の光導波路の入出力端側で結合し、前記第２の光導波路のコアの断面がスラブ形状であり、且つ、前記第２の光導波路のコアの厚みが前記第１の光導波路から離れるにしたがって薄くなるテーパ形状であり、前記第２の光導波路のコアの上面が単一モード光ファイバとの結合面である光集積回路装置。
（付記１２）前記第２の光導波路のコアの幅が、前記単一モード光ファイバとの結合部に近づくにしたがって徐々に広くなる構造を有する付記１１に記載の光集積回路装置。
【符号の説明】
【００４３】
１１  基板
１２  下部クラッド層
１３  第１の光導波路のコア
１４  スポットサイズ変換器
１５  上部クラッド層
１６  第２の光導波路のコア
１７  単一モード光ファイバ
１８  コア
１９  クラッド
２０  フェルール
２１  透明部材
３１，６１  シリコン基板
３２，６２  ＢＯＸ層
３３，６３  Ｓｉ細線コア
３４，６４  スポットサイズ変換器
３５，６５  上部クラッド層
３６，６６  ＳｉＯＮコア
３７，６７  単一モード光ファイバ
３８，６８  コア
３９，６９  クラッド
４０，７０  フェルール
４１  透明オイル
４２  ＳｉＯＮ膜
４３  金属マスク
４４  レジストパターン
４５  実装基板
４６  位置決めピン
４７  係合部材
４８  リッド
４９  係合部材
５０  透明樹脂
５１  位置決めピン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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