(57)【要約】【課題】剥離工程において、感圧粘着剤組成物が層側対向面に付着することを抑制することのできる封止半導体素子の製造方法、および、運搬部材に感圧粘着剤組成物が付着することを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】封止光半導体素子１１の製造方法は、電極側面３に対向配置される対向面４を有する光半導体素子１と、対向面４に対向配置される上面１６を有し、対向面４を被覆するように、光半導体素子１を封止する封止層とを備える封止光半導体素子１１を作製する封止工程８２、封止光半導体素子１１を、特定の感圧粘着剤組成物からなる第１転写シート２１に感圧粘着する第１転写工程８３、第１転写工程８３の後に、封止層１０を切断する切断工程８４、第１転写シート２１を延伸する延伸工程８５、および、延伸工程８５の後に、封止光半導体素子１１を第１転写シート２１から第２転写シート２２に転写する第２転写工程８６を備える。【選択図】図３
2017098354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極側面、および、前記電極側面に対向配置される素子対向面を有する半導体素子と、前記素子対向面に対向配置される層側対向面を有し、前記電極側面が露出し、前記素子対向面を被覆するように、前記半導体素子を封止する封止層とを備える封止半導体素子を作製する工程、
前記封止半導体素子を、活性エネルギー線の照射によって感圧粘着力が低減するように構成される感圧粘着剤組成物からなる感圧粘着シートに、前記感圧粘着シートの表面と前記層側対向面とが接触するように、粘着する感圧粘着工程、
前記感圧粘着工程の後に、前記封止半導体素子を処理する処理工程、および、
前記処理工程の後に、前記感圧粘着シートに活性エネルギー線を照射して、前記封止半導体素子を前記感圧粘着シートから剥離する剥離工程を備え、
前記感圧粘着剤組成物は、活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物であり、
前記活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物は、官能基ａを含有するモノマーＡ、炭素数８以上１７以下のアルキル基を含有する（メタ）アクリレートモノマーを含有するモノマーＢ、および、官能基ａと反応することができる官能基ｃと重合性炭素−炭素二重結合基との双方の基を含有するモノマーＣ、に由来する構造単位を含有するポリマーから調製されており、
前記モノマーＢは、前記モノマーＡとともに主鎖を構成し、その含有割合が、前記モノマーＡおよび前記モノマーＢの総量に対して、５０質量％以上であり、
前記ポリマーは、前記官能基ａの一部が前記官能基ｃと反応して結合することにより、側鎖に重合性炭素−炭素二重結合基を含有することを特徴とする、封止半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記感圧粘着剤組成物のＧＰＣ測定に基づく標準ポリスチレン換算の分子量３．０×１０４以下の低分子量成分の、前記感圧粘着剤組成物に対する含有割合が、１０質量％以下であることを特徴とする、請求項１に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記剥離工程の後に、前記封止半導体素子を、活性エネルギー線の照射によって感圧粘着力が低減するように構成される転写シートに、前記層側対向面と前記転写シートの表面とが接触するように、転写する転写工程、
前記転写工程の後に、前記転写シートに活性エネルギー線を照射して、前記封止半導体素子を前記転写シートから再転写する再転写工程をさらに備え、
前記転写シートは、前記感圧粘着剤組成物からなることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止半導体素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止半導体素子の製造方法により、封止半導体素子を製造する工程、
運搬部材を前記層側対向面に接触させて、前記封止半導体素子を基板に、前記電極側面が基板と接触するように、実装する実装工程、および、
前記運搬部材を前記層側対向面から離間させる離間工程
を備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止半導体素子および半導体装置の製造方法、詳しくは、封止半導体素子の製造方法、および、それにより得られた封止半導体素子を用いる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤを、封止層によって封止して、封止ＬＥＤを製造する方法が知られている。
【０００３】
例えば、以下の方法によって、蛍光体シート被覆ＬＥＤを得、これを基板に実装することが提案されている。
【０００４】
すなわち、まず、ＬＥＤと、ＬＥＤを被覆する蛍光体シートとを備える蛍光体シート被覆ＬＥＤを、ＬＥＤにおいてバンプが形成される面（バンプ形成面）が支持シートの表面に接触し、かつ、蛍光体シートの表面が露出するように、支持シートに仮固定した状態で作製する。
【０００５】
その後、蛍光体シート被覆ＬＥＤを支持シートから転写シートに転写する。転写シートは、活性エネルギー線の照射によって粘着力が低下する活性エネルギー線照射剥離シートからなる。これにより、ＬＥＤのバンプ形成面が露出する一方、蛍光体シートの表面が転写シートの表面に密着する。
【０００６】
その後、蛍光体シート被覆ＬＥＤを転写シートから延伸支持シートに転写して、延伸支持シートを面方向外側に延伸させる。このとき、ＬＥＤのバンプ形成面は、延伸支持シートに接触し、蛍光体シートの表面は露出している。
【０００７】
そして、蛍光体シート被覆ＬＥＤは、蛍光体シートの表面がコレットで吸引されながら、基板に実装される。その後、コレットが蛍光体シートの表面から離間する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
特開２０１４−１６８０３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献１に記載の方法では、蛍光体シート被覆ＬＥＤを転写シートから剥離するときに、蛍光体シートの表面に、転写シートを形成する材料（粘着剤など）が残り易い（いわゆる糊残りが発生し易い）。そのため、材料がコレットに付着してしまい、そうすると、コレットを蛍光体シートの表面から円滑に離間することができないという不具合がある。
【００１０】
本発明の目的は、剥離工程において、感圧粘着剤組成物が層側対向面に付着することを抑制することのできる封止半導体素子の製造方法、および、運搬部材に感圧粘着剤組成物が付着することを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の封止半導体素子の製造方法は、電極側面、および、前記電極側面に対向配置される素子対向面を有する半導体素子と、前記素子対向面に対向配置される層側対向面を有し、前記電極側面が露出し、前記素子対向面を被覆するように、前記半導体素子を封止する封止層とを備える封止半導体素子を作製する工程、前記封止半導体素子を、活性エネルギー線の照射によって感圧粘着力が低減するように構成される感圧粘着剤組成物からなる感圧粘着シートに、前記感圧粘着シートの表面と前記層側対向面とが接触するように、感圧粘着する感圧粘着工程、前記感圧粘着工程の後に、前記封止半導体素子を処理する処理工程、および、前記処理工程の後に、前記感圧粘着シートに活性エネルギー線を照射して、前記封止半導体素子を前記感圧粘着シートから剥離する剥離工程を備え、前記感圧粘着剤組成物は、活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物であり、前記活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物は、官能基ａを含有するモノマーＡ、炭素数８以上１７以下のアルキル基を含有する（メタ）アクリレートモノマーを含有するモノマーＢ、および、官能基ａと反応することができる官能基ｃと重合性炭素−炭素二重結合基との双方の基を含有するモノマーＣ、に由来する構造単位を含有するポリマーから調製されており、前記モノマーＢは、前記モノマーＡとともに主鎖を構成し、その含有割合が、前記モノマーＡおよび前記モノマーＢの総量に対して、５０質量％以上であり、前記ポリマーは、前記官能基ａの一部が前記官能基ｃと反応して結合することにより、側鎖に重合性炭素−炭素二重結合基を含有することを特徴としている。
【００１２】
この封止半導体素子の製造方法によれば、感圧粘着剤組成物が特定の活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物であるので、剥離工程において、感圧粘着剤組成物が層側対向面に付着することを抑制することができる。
【００１３】
そのため、剥離工程後の層側対向面に部材を接触させても、部材に感圧粘着剤組成物が付着することを抑制することができる。
【００１４】
また、本発明の封止半導体素子の製造方法では、前記感圧粘着剤組成物のＧＰＣ測定に基づく標準ポリスチレン換算の分子量３．０×１０４以下の低分子量成分の、前記感圧粘着剤組成物に対する含有割合が、１０質量％以下であることが好適である。
【００１５】
この封止半導体素子の製造方法によれば、低分子量成分の、感圧粘着剤組成物における含有割合が、特定値以下であるので、剥離工程において、感圧粘着剤組成物が層側対向面に付着することをより一層抑制することができる。
【００１６】
また、本発明の封止半導体素子の製造方法は、前記剥離工程の後に、前記封止半導体素子を、活性エネルギー線の照射によって感圧粘着力が低減するように構成される転写シートに、前記層側対向面と前記転写シートの表面とが接触するように、転写する転写工程、前記転写工程の後に、前記転写シートに活性エネルギー線を照射して、前記封止半導体素子を前記転写シートから再転写する再転写工程をさらに備え、前記転写シートは、前記感圧粘着剤組成物からなることが好適である。
【００１７】
この封止半導体素子の製造方法によれば、転写シートが、感圧粘着剤組成物からなるので、再転写工程において、感圧粘着剤組成物が層側対向面に付着することを抑制することができる。
【００１８】
そのため、再転写工程後の封止半導体素子の層側対向面に部材を接触させても、部材に感圧粘着剤組成物が付着することを抑制することができる。
【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記した封止半導体素子の製造方法により、封止半導体素子を製造する工程、運搬部材を前記層側対向面に接触させて、前記封止半導体素子を基板に、前記電極側面が基板と接触するように、実装する実装工程、および、前記運搬部材を前記層側対向面から離間させる離間工程を備えることを特徴としている。
【００２０】
この半導体装置の製造方法によれば、層側対向面が、感圧粘着剤組成物の付着が抑制されているので、実装工程において、運搬部材に感圧粘着剤組成物が付着することを抑制することができる。そのため、離間工程において、運搬部材を層側対向面から円滑に離間させることができる。その結果、半導体装置を効率よく製造することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の封止半導体素子の製造方法では、剥離工程において、感圧粘着剤組成物が層側対向面に付着することを抑制することができる。
【００２２】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１Ａ〜図１Ｅは、本発明の封止半導体素子および半導体装置の製造方法の第１実施形態の製造工程図であって、図１Ａは、素子用意工程、図１Ｂは、封止工程、図１Ｃは、第１転写工程、図１Ｄは、切断工程、図１Ｅは、延伸工程を示す。
【図２】図２Ｆ〜図２Ｈは、図１Ｅに引き続き、本発明の封止半導体素子および半導体装置の製造方法の第１実施形態の製造工程図であって、図２Ｆは、第２転写工程、図２Ｇは、第３転写工程、図２Ｈは、第４転写工程を示す。
【図３】図３Ｉ〜図３Ｌは、図２Ｈに引き続き、本発明の封止半導体素子および半導体装置の製造方法の第１実施形態の製造工程図であって、図３Ｉは、第５転写工程、図３Ｊは、第６転写工程、図３Ｋは、剥離工程、図３Ｌは、実装工程および離間工程を示す。
【図４】図４は、本発明の封止半導体素子および半導体装置の製造方法の第１実施形態のステップ図を示す。
【図５】図５は、本発明の封止半導体素子および半導体装置の製造方法の第２実施形態のステップ図を示す。
【図６】図６は、本発明の封止半導体素子および半導体装置の製造方法の第３実施形態のステップ図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
＜第１実施形態＞
図１Ａ〜図３Ｌにおいて、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側が下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。紙面左右方向は、左右方向（第１方向に直交する第２方向）であり、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。紙厚方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）であり、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【００２５】
「感圧粘着」は、「感圧接着」と同義であって、互いに置換可能である。具体的には、「感圧粘着剤層」、「感圧粘着力」、「感圧粘着する」、「感圧粘着される」、「感圧粘着剤組成物」は、それぞれ、「感圧接着剤層」、「感圧接着力」、「感圧接着する」、「感圧接着される」、「感圧接着剤組成物」と同義である。
【００２６】
本発明の封止半導体素子の製造方法の第１実施形態は、図４に示すように、素子用意工程８１、封止工程８２、感圧粘着工程の一例としての第１転写工程８３、処理工程の一例としての切断工程８４、処理工程の一例としての延伸工程８５、剥離工程の一例としての第２転写工程８６、検査・選別工程８７、第３転写工程８８、第４転写工程８９、転写工程の一例としての第５転写工程９０、再転写工程の一例としての第６転写工程９１、および、剥離工程９２を備えている。第１実施形態では、上記の工程が上記の順序で順次実施される。以下、各工程を説明する。
【００２７】
１．  素子用意工程
素子用意工程８１では、図１Ａに示すように、複数の半導体素子の一例としての光半導体素子１を、仮固定シート２の上に配置する。
【００２８】
１−１．  光半導体素子
光半導体素子１は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子１は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子１は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器を含まない。
【００２９】
光半導体素子１は、仮固定シート２の上において、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて複数整列配置されている。
【００３０】
光半導体素子１は、前後方向および左右方向に沿う略平板形状を有している。光半導体素子１は、電極側面３と、対向面４と、周側面５とを有している。
【００３１】
電極側面３は、光半導体素子１における下面であって、電極４１（図３Ｌ参照）が形成される面である。
【００３２】
対向面４は、光半導体素子１における上面であって、電極側面３に対して上側に間隔を隔てて対向配置されている。
【００３３】
周側面５は、電極側面３の周端縁と、対向面４の周端縁とを連結している。
【００３４】
光半導体素子１の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（高さ）が、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。また、光半導体素子１の前後方向および／または左右方向における長さＬ１は、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、１．５ｍｍ以下、好ましくは、１．２ｍｍ以下である。また、隣接する光半導体素子１の間の間隔（前後方向および／または左右方向における間隔）Ｌ０は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。また、隣接する光半導体素子１のピッチＬ２、具体的には、上記した長さＬ１および間隔Ｌ０の和（Ｌ１＋Ｌ０）は、例えば、０．２５ｍｍ以上、好ましくは、０．６ｍｍ以上であり、また、例えば、２．５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。
【００３５】
１−２．  仮固定シート
仮固定シート２は、支持シート６と、支持シート６の上に配置される感圧粘着剤層７とを備えている。
【００３６】
１−２−１．  支持シート
支持シート６としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。支持シート６の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
【００３７】
１−２−２．  感圧粘着層
感圧粘着層７は、支持シート６の上面全面に配置されている。
【００３８】
感圧粘着剤層７は、処理（例えば、紫外線の照射や加熱など）によって感圧粘着力が低減するように構成されている。
【００３９】
仮固定シート２は、具体的には、特開２０１４−１６８０３２号公報、特開２０１４−１６８０３３号公報、特開２０１４−１６８０３４号公報、特開２０１４−１６８０３５号公報、特開２０１４−１６８０３６号公報などに記載される仮固定シートが挙げられる。
【００４０】
感圧粘着層７の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１，０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
【００４１】
そして、複数の光半導体素子１を仮固定シート２の上に仮固定するには、図１Ａに示すように、複数の光半導体素子１の電極側面３を感圧粘着層７の上面に配置して（接触させて）、光半導体素子１を仮固定シート２に感圧粘着する。
【００４２】
２．  封止工程
図４に示すように、封止工程８２を、素子用意工程８１の後に、実施する。
【００４３】
封止工程８２では、図１Ｂに示すように、複数の光半導体素子１を、封止層１０によって、封止する。
【００４４】
封止工程８２では、まず、封止層１０を用意する。
【００４５】
封止層１０を用意するには、例えば、図１Ａに示すように、まず、剥離シート９と、剥離シート９の下面に配置される封止層１０とを備える封止シート８とを用意する。封止シート８は、好ましくは、剥離シート９と、封止層１０とからなる。
【００４６】
剥離シート９は、上記した支持シート６と同様の材料から、シート状に形成されている。剥離シート９の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
【００４７】
封止層１０は、剥離シート９の下面全面に形成される層状を有している。封止層１０は、例えば、樹脂を含有する封止組成物から調製されている。
【００４８】
樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂などの熱硬化性樹脂など、熱可塑性樹脂が挙げられる。好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００４９】
２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体状態または固体状態である。
【００５０】
１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。このような１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂である。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。そのため、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性樹脂を含まない。
【００５１】
要するに、熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。
【００５２】
熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００５３】
上記した熱硬化性樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
【００５４】
また、封止組成物は、フィラーおよび／または蛍光体を含有することができる。
【００５５】
フィラーとしては、例えば、光拡散性粒子が挙げられる。光拡散性粒子としては、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。
【００５６】
無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＨＯ）２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。
【００５７】
無機粒子として、好ましくは、シリカ粒子、ガラス粒子が挙げられる。
【００５８】
有機粒子の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。
【００５９】
フィラーは、単独使用または併用することができる。
【００６０】
フィラーの含有割合は、封止組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７５質量％以下である。また、フィラーの熱硬化性樹脂１００質量部に対する配合割合は、例えば、１０質量部以上、好ましくは、３０質量部以上であり、また、例えば、１，０００質量部以下、好ましくは、２００質量部以下である。
【００６１】
蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
【００６２】
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００６３】
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００６４】
蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。
【００６５】
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。
【００６６】
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。
【００６７】
蛍光体は、単独使用または併用することができる。
【００６８】
蛍光体の配合割合は、封止組成物に対して、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。また、蛍光体の配合割合は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、９０質量部以下、好ましくは、８０質量部以下である。
【００６９】
封止層１０を調製するには、例えば、上記した熱硬化性樹脂と、必要により配合されるフィラーおよび／または蛍光体とを配合して、封止組成物のワニスを調製し、続いて、それを、剥離シート９の表面に塗布する。その後、封止組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、封止組成物を、Ｂステージ化する（半硬化させる）。具体的には、封止組成物を、加熱する。
【００７０】
加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、５分以上、好ましくは、１０分以上であり、また、例えば、２０分以下、好ましくは、１５分以下である。
【００７１】
封止層１０の厚みは、例えば、２００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、９００μｍ以下である。
【００７２】
これによって、図１Ａに示すように、剥離シート９と、Ｂステージ状態（半硬化状態）の封止層１０とを備える封止シート８を得る。
【００７３】
次いで、図１Ａの矢印および図１Ｂに示すように、封止層１０を、複数の光半導体素子１および仮固定シート２に対して、例えば、プレス、好ましくは、熱プレスする。熱プレスの温度および時間は、封止層１０が複数の光半導体素子１を埋設できる条件に設定される。具体的には、熱プレスの温度は、６０℃以上、好ましくは、７０℃以上、より好ましくは、８０℃以上であり、また、２００℃以下、好ましくは、１７０℃以下、より好ましくは、１５０℃以下である。熱プレスの圧力は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．１０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０．００ＭＰａ以下、好ましくは、５．００ＭＰａ以下、より好ましくは、１．００ＭＰａ以下である。熱プレスの時間は、例えば、３分以上、好ましくは、５分以上であり、また、例えば、２０分以下、好ましくは、１５分以下である。
【００７４】
これによって、光半導体素子１の対向面４と周側面５とが、封止層１０によって被覆される。また、光半導体素子１から露出する感圧粘着層７の上面７６も、封止層１０によって被覆される。従って、封止層１０は、感圧粘着剤層７の上面７６に接触し、電極側面３と前後方向および左右方向において面一に形成される下面１５と、下面１５の上側、および、光半導体素子１の対向面４の上側に対向配置され、層側対向面の一例としての上面１６とを有している。上面１６は、剥離シート９によって保護されている。
【００７５】
その後、図１Ｂの矢印で示すように、剥離シート９を封止層１０から剥離する。
【００７６】
これによって、封止層１０の上面１６は、上側に露出する露出面となる。
【００７７】
これによって、複数の光半導体素子１と、複数の光半導体素子１を封止する封止層１０とを備える封止光半導体素子１１を、仮固定シート２に仮固定された状態で、得る。
【００７８】
その後、封止組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、封止層１０をＣステージ化する（完全硬化させる）。具体的には、封止層１０を、加熱する。より具体的には、加熱温度は、例えば、６０℃以上、好ましくは、８０℃以上、より好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、１７０℃以下、好ましくは、１５０℃以下である。加熱時間は、例えば、５分以上、好ましくは、１０分以上、より好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１０時間以下、好ましくは、４時間以下、より好ましくは、２時間以下である。
【００７９】
３．  第１転写工程
図４に示すように、第１転写工程８３を、封止工程８２の後に実施する。
【００８０】
図１Ｃに示すように、第１転写工程８３では、封止光半導体素子１１を、仮固定シート２から感圧粘着シートの一例としての第１転写シート２１に転写する。
【００８１】
第１転写シート２１は、面方向（前後方向および左右方向）に延伸するように構成され、感圧粘着（タック）性を有する延伸シートである。
【００８２】
具体的には、第１転写シート２１は、活性エネルギー線の照射によって感圧粘着力が低減するように構成される感圧粘着剤組成物からシート状に形成されている。第１転写シート２１は、表面としての下面４５と、下面４５の上側に対向配置され、下面４５に対して実質的な平行する上面４６とを有している。
【００８３】
３−１．  感圧粘着剤組成物
感圧粘着剤組成物は、活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物である。
【００８４】
３−２．活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物
活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物は、官能基ａを含有するモノマーＡ、炭素数８以上１７以下のアルキル基を含有する（メタ）アクリレートモノマーを含有するモノマーＢ、および、官能基ａと反応することができる官能基ｃと重合性炭素−炭素二重結合基との双方の基を含有するモノマーＣ、に由来する構造単位を含有するポリマーから調製されている。また、モノマーＢは、モノマーＡとともに主鎖を構成し、その含有割合が、モノマーＡおよびモノマーＢの総量に対して、５０質量％以上である。さらに、ポリマーは、官能基ａの一部が官能基ｃと反応して結合することにより、側鎖に重合性炭素−炭素二重結合を含有している。
【００８５】
官能基ａとしては、例えば、カルボキシル基、エポキシ基、アジリジル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基などが挙げられる。好ましくは、ヒドロキシル基が挙げられる。
【００８６】
モノマーＡは、後述するモノマーＢとともにポリマーの主鎖を構成するビニルモノマーである。モノマーＡとしては、カルボキシル基を含有するカルボキシル基含有ビニルモノマー（例えば、（メタ）アクリル酸など）、グリシジル基を含有するグリシジル基含有ビニルモノマー（例えば、（メタ）アクリル酸グリシジルなど）、ヒドロキシル基を含有するヒドロキシル基含有ビニルモノマー（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートなど）、イソシアネート基を含有するイソシアネート基含有ビニルモノマー（例えば、２−イソシアナトエチル（メタ）アクリレートなど）などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。好ましくは、ヒドロキシル基含有ビニルモノマーが挙げられる。
【００８７】
モノマーＡの配合割合は、モノマーＡおよびモノマーＢに対して、例えば、５０質量％未満である。
【００８８】
炭素数８以上１７以下のアルキル基としては、例えば、オクチル、２−エチルヘキシル、イソオクチル、デシル、ウンデシル、ドデシル（ラウリル）、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、１−メチルノニル、１−エチルデシル、１，２−ジメチルオクチル、１，２−ジエチルヘキシルなどの直鎖または分岐のアルキル基が挙げられる。好ましくは、ドデシル、２−エチルヘキシルが挙げられる。
【００８９】
モノマーＢにおける（メタ）アクリレートモノマーとしては、例えば、ドデシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【００９０】
官能基ｃとしては、例えば、上記した官能基ａと同じのものが挙げられる。官能基ａと官能基ｃとの組合せとしては、カルボキシル基とエポキシ基との組合せ、カルボキシル基とアジリジル基との組合せ、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せなどが挙げられる。好ましくは、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが挙げられる。
【００９１】
モノマーＣとしては、例えば、上記したモノマーＡと同じのものが挙げられ、好ましくは、イソシアネート基含有ビニルモノマーが挙げられる。
【００９２】
モノマーＣの配合割合は、重合性炭素−炭素二重結合の数が、ポリマーの全ての側鎖の数に対して、例えば、５％以上、好ましくは、７％以上、また、例えば、２０％以下、好ましくは、１８％以下となるように、調整される。
【００９３】
また、ポリマーは、例えば、モノマーＡ〜Ｃと共重合できる共重合性モノマーに由来する構造単位を含有することができる。共重合性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリロイルモルフォリンなどの窒素含有（メタ）アクリロイルなどが挙げられる。
【００９４】
共重合性モノマーの配合割合は、モノマー成分に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、２５質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。共重合性モノマーの配合割合は、モノマーＡおよびモノマーＢの総量１００質量部に対して、例えば、１質量部以上、好ましくは、５質量部以上であり、また、例えば、３０質量部以下、好ましくは、１５質量部以下である。
【００９５】
ポリマーを調製するには、まず、モノマーＡおよびモノマーＢを配合して、熱重合開始剤などを用いる熱重合方法によって、それらを共重合（ラジカル重合）させて、共重合体（主鎖）を得る。その後、モノマーＣを、共重合体に配合して、モノマーＡ（の官能基ａ）の一部とモノマーＣ（官能基ｃ）との反応により、モノマーＣを共重合体に対して重合（グラフト重合）させる。これにより、側鎖にモノマーＣが導入されたポリマーを得る。なお、ポリマーが、共重合性モノマーに由来する構造単位を含有する場合には、共重合性モノマーを、モノマーＡおよびモノマーＢとともに配合して、共重合体（主鎖）を得る。モノマーＣを配合する際に、必要により、ジラウリン酸ジブチルスズＩＶなどの触媒を適宜の割合で配合する。
【００９６】
次いで、ポリマーに光重合開始剤を配合する。
【００９７】
光重合開始剤としては、例えば、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどの芳香族ケトン化合物などが挙げられる。光重合開始剤の配合割合は、ポリマー１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、１５質量部以下、好ましくは、１０質量部以下である。
【００９８】
これにより、活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物が調製される。
【００９９】
活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物は、好ましくは、炭素数４以上３０以下の（メタ）アクリレートと、ヒドロキシル基含有ビニルモノマーとを含有する主鎖を含有し、イソシアネート基含有ビニルモノマーのイソシアネート基と、ヒドロキシル基含有ビニルモノマーのヒドロキシル基とを反応させることにより、側鎖に重合性炭素−炭素二重結合基が導入されている。
【０１００】
また、活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物は、好ましくは、官能基ａを含有するモノマーＡ、炭素数８以上１７以下のアルキル基を含有する（メタ）アクリレートモノマーを含有するモノマーＢ、および、モノマーＢが有する（メタ）アクリロイル基と同じ種類の（メタ）アクリロイル基と、官能基ａと反応することができる官能基ｃとの双方の基を含有するモノマーＣ、に由来する構造単位を含有するポリマーから調製されている。  また、好ましくは、活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物は、好ましくは、官能基ａを含有するモノマーＡ、炭素数８以上１７以下のアルキル基を含有する（メタ）アクリレートモノマーを含有するモノマーＢ、モノマーＢが有する（メタ）アクリロイル基と同じ種類の（メタ）アクリロイル基と、官能基ａと反応することができる官能基ｃとの双方の基を含有するモノマーＣ、および、共重合性モノマーに由来する構造単位を含有するポリマーから調製されている。モノマーＣにおける（メタ）アクリロイル基は、具体的には、モノマーＢがメタクリロイル基を含有する場合には、メタクリロイル基を含有し、モノマーＢがアクリロイル基を含有する場合には、アクリロイル基を含有する。より好ましくは、モノマーＡ、モノマーＢおよびモノマーＣのいずれもが、メタクリロイル基を含有する。
【０１０１】
感圧粘着剤組成物は、例えば、溶媒を含む粘着剤溶液として調製される。
【０１０２】
なお、活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物は、例えば、特開２０１２−１３６６７８号公報、特開２０１２−１３６６７９号公報、特開２０１０−５３３４６号公報などに開示される放射線硬化型粘着剤組成物である。
【０１０３】
３−３．  感圧粘着剤組成物および第１転写シートの物性
感圧粘着剤組成物のＧＰＣ測定に基づく標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、例えば、１．０×１０４以上、好ましくは、５．０×１０４以上であり、また、３．０×１０５以下である。
【０１０４】
また、感圧粘着剤組成物のＧＰＣ測定に基づく標準ポリスチレン換算の分子量３．０×１０４以下の低分子量成分の、感圧粘着剤組成物に対する含有割合は、例えば、１２質量％以下、好ましくは、１０．０％質量以下であり、また、例えば、２質量％以上である。
【０１０５】
ＧＰＣ測定の条件は、後の実施例で詳述される。
【０１０６】
低分子量成分の含有割合が上記上限以下であれば、後述する第２転写工程８６（図２Ｆ参照）において、感圧粘着剤組成物が封止層１０の上面１６に付着することをより一層抑制することができる。
【０１０７】
第１転写シート２１のガラス板に対する感圧粘着力（２５℃、活性エネルギー線の照射前）Ｆ１は、例えば、１．５Ｎ／ｃｍ２以上、好ましくは、２Ｎ／ｃｍ２以上であり、また、例えば、３Ｎ／ｃｍ２以下である。
【０１０８】
また、活性エネルギー線の照射後の第１転写シート２１のガラス板に対する感圧粘着力（２５℃）Ｆ２は、具体的には、３５ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を第１転写シート２１に対して照射した後のガラス板に対する感圧粘着力Ｆ２は、例えば、０．０５Ｎ／ｃｍ２以上、好ましくは、０．１Ｎ／ｃｍ２以上であり、また、例えば、０．４Ｎ／ｃｍ２以下である。
【０１０９】
Ｆ１のＦ２に対する比（Ｆ１／Ｆ２）は、例えば、１．２５以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、６０以下、好ましくは、４０以下である。
【０１１０】
３−４．転写方法
封止光半導体素子１１を、仮固定シート２から第１転写シート２１に転写するには、図１Ｃが参照されるように、第１転写シート２１を、封止光半導体素子１１の上側に配置し、続いて、第１転写シート２１の下面４５と、封止層１０の上面１６とを感圧接触させる。次いで、図１Ｃの仮想線および仮想線矢印で示すように、封止層１０の下面１５と、光半導体素子１の電極側面３とを、仮固定シート２の感圧粘着剤層７の上面７６から剥離する。
【０１１１】
第１転写工程８３によって、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とが下側に露出する。一方、封止層１０の上面１６が、第１転写シート２１により感圧粘着される。
【０１１２】
４．  切断工程８４
図４に示すように、切断工程８４を、第１転写工程８３の後に、実施する。
【０１１３】
図１Ｄに示すように、切断工程８４では、封止層１０を、複数の光半導体素子１のそれぞれに対応するように、切断する。また、封止層１０を、第１転写シート２１によって支持しながら、切断する。なお、切断工程８４において、第１転写シート２１は、切断されない。
【０１１４】
封止層１０の切断では、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）１２（図１Ｄ参照）を用いるダイシング装置、カッターを用いるカッティング装置、レーザー照射装置などの切断装置が用いられる。好ましくは、ダイシング装置が用いられる。
【０１１５】
封止層１０の切断によって、封止層１０には、切断面１４が、封止層１０の前後方向および左右方向に沿って形成される。
【０１１６】
前後方向に対向する切断面１４間の間隔Ｌ４、および、左右方向に対向する切断面１４間の間隔Ｌ４は、上記した光半導体素子１のピッチＬ２と同一あるいは近似しており、具体的には、前後方向長さおよび左右方向長さが、例えば、０．２５ｍｍ以上、好ましくは、０．６ｍｍ以上であり、また、例えば、２．５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。
【０１１７】
５．  延伸工程
延伸工程８５を、図４に示すように、切断工程８４の後に、実施する。
【０１１８】
延伸工程８５では、図１Ｅに示すように、第１転写シート２１の周端縁（具体的には、前端縁および後端縁と、右端縁および左端縁）を、外側（つまり、前後方向外側および左右方向外側）に延伸する。
【０１１９】
これによって、切断面１４間に間隔１８が形成される。つまり、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれは、互いに間隔１８を隔てて、第１転写シート２１に感圧粘着されている。隣接する封止光半導体素子１１を隔てる間隔１８の幅Ｗ１は、例えば、２００μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。また、封止光半導体素子１１の幅Ｗ２に対する、上記した間隔１８の幅Ｗ１の比（Ｗ１／Ｗ２）は、例えば、０．０８以上、好ましくは、０．１以上であり、また、例えば、８以下、好ましくは、３以下である。なお、封止光半導体素子１１の幅Ｗ２は、上記した切断面１４間の間隔Ｌ４と同一である。
【０１２０】
６．  第２転写工程
第２転写工程８６を、図４に示すように、延伸工程８５の後に、実施する。
【０１２１】
図２Ｆに示すように、第２転写工程８６では、複数の封止光半導体素子１１を、第１転写シート２１から第２転写シート２２に転写する。第２転写シート２２としては、公知の転写シートが挙げられ、例えば、市販品が用いられ、具体的には、ＳＰＶシリーズ（日東電工社製）などが用いられる。
【０１２２】
複数の封止光半導体素子１１を第１転写シート２１から第２転写シート２２に転写するには、まず、図１Ｅの矢印で示すように、第１転写シート２１に対して、活性エネルギー線を照射する。より具体的には、第１転写シート２１の上側に設けられた線源１３および／または下側に設けられた線源（図示せず）から、第１転写シート２１に対して、活性エネルギー線を照射する。好ましくは、第１転写シート２１の上側に設けられた線源１３から、第１転写シート２１に対して活性エネルギー線を照射する。
【０１２３】
活性エネルギー線としては、紫外線、電子線などが挙げられる。好ましくは、紫外線が挙げられる。
【０１２４】
線源としては、例えば、ケミカルランプ、エキシマレーザ、ブラックライト、水銀アーク、炭素アーク、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプなどの照射装置が挙げられる。
【０１２５】
照射量は、第１転写シート２１の封止光半導体素子１１（具体的には、封止層１０の上面１６）に対する感圧粘着力が十分に低下するように設定される。具体的には、照射量は、例えば、１０ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは、２０ｍＪ／ｃｍ２以上であり、また、例えば、１００ｍＪ／ｃｍ２である。
【０１２６】
活性エネルギー線を第１転写シート２１に照射することによって、第１転写シート２１の封止光半導体素子１１（具体的には、封止層１０の上面１６）に対する感圧粘着力が低減する。具体的には、第１転写シート２１の表面タック性が低減、好ましくは、なくなる。
【０１２７】
次いで、図２Ｆが参照されるように、第２転写シート２２を複数の封止光半導体素子１１の下側に配置し、続いて、第２転写シート２２の上面と、封止層１０の下面１５、および、光半導体素子１の電極側面３とを接触（感圧粘着）させる。次いで、図２Ｆの仮想線および仮想線矢印で示すように、封止層１０の上面１６を、第１転写シート２１の下面４５から剥離する（剥離工程）。
【０１２８】
この第２転写工程８６によって、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とが、第２転写シート２２によって被覆（感圧粘着）される。一方、封止層１０の上面１６が、上側に露出する。
【０１２９】
第２転写工程８６では、複数の封止光半導体素子１１は、間隔１８が維持されるように、第１転写シート２１から第２転写シート２２に転写される。
【０１３０】
７．  検査・選別工程
検査・選別工程８７を、図４に示すように、第２転写工程８６の後に、実施する。
【０１３１】
検査・選別工程８７では、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれが、所望の発光波長および／または発光効率を有している良品であるか、または、所望の発光波長および／または発光効率を有していない不良品であるかを、例えば、テスターなどを用いて検査する。
【０１３２】
その後、図示しないが、不良品と判別された封止光半導体素子１１を、除去する。具体的には、不良品と判別された封止光半導体素子１１を廃棄する。一方、良品とされた封止光半導体素子１１のみが残る（すなわち、選別される）。
【０１３３】
８．  第３転写工程
第３転写工程８８を、図４に示すように、検査・選別工程８７の後に、実施する。
【０１３４】
図２Ｇに示すように、第３転写工程８８では、選別された封止光半導体素子１１を第３転写シート２３に載置する。第３転写シート２３としては、公知の転写シートが挙げられ、具体的には、第２転写シート２２と同様の転写シートが挙げられる。
【０１３５】
封止光半導体素子１１を第３転写シート２３に転写するには、選別された封止光半導体素子１１を第３転写シート２３に載せ替える。つまり、第３転写工程８８において、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とは、第３転写シート２３の上面によって被覆される。また、第３転写工程８８において、封止層１０の上面１６は、上側に露出している。
【０１３６】
具体的には、特開２０１４−１６８０３２号公報、特開２０１４−１６８０３３号公報、特開２０１４−１６８０３４号公報、特開２０１４−１６８０３５号公報、特開２０１４−１６８０３６号公報などに記載される、押圧部材および吸引部材を備えるピックアップ装置などを用いて、封止光半導体素子１１を第３転写シート２３に載置する。複数の封止光半導体素子１１は、第３転写シート２３の上において、再度、前後方向および左右方向に間隔Ｌ５を隔てて、整列配置される。間隔Ｌ５は、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．４ｍｍ以上であり、また、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。
【０１３７】
９．  第４転写工程
第４転写工程８９を、選別された貼着光半導体素子１１を第４転写シート２４に移すために、図４に示すように、第３転写工程８８の後に、実施する。
【０１３８】
第４転写工程８９では、図２Ｈに示すように、複数の封止光半導体素子１１を第３転写シート２３から第４転写シート２４に転写する。
【０１３９】
第４転写シート２４としては、公知の転写シートが挙げられ、具体的には、第２転写シート２２と同様の転写シートが挙げられる。なお、第４転写シート２４は、後述する支持部１９（仮想線参照）を備えていない。
【０１４０】
第４転写工程８９を、上記した第３転写工程８８と同様の方法により、実施する。
【０１４１】
１０．  第５転写工程
第５転写工程９０を、第４転写シート２４に移された貼着光半導体素子１１を上下反転させるために、図４に示すように、第４転写工程８９の後に、実施する。
【０１４２】
第５転写工程９０を、図３Ｉに示すように、複数の封止光半導体素子１１を第４転写シート２４から第５転写シート２５に転写する。
【０１４３】
第５転写シート２５は、上記した第１転写シート２１を形成する感圧粘着剤組成物（活性エネルギー線の照射によって感圧粘着力が低減するように構成される感圧粘着剤組成物）から形成されている。第５転写シート２５は、表面としての下面４７と、下面４７の上側に対向配置され、下面４７に対して実質的な平行する上面４８とを有している。
【０１４４】
第５転写シート２５の厚みは、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、８０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。
【０１４５】
第５転写工程９０において、封止光半導体素子１１を第４転写シート２４から第５転写シート２５に転写するには、上記した第１転写工程８３で例示した方法が用いられる。
【０１４６】
すなわち、図３Ｉが参照されるように、まず、第５転写シート２５を、複数の封止光半導体素子１１の上側に配置し、続いて、第５転写シート２５の下面４７と、封止層１０の上面１６とを感圧接触させる。次いで、図３Ｉの仮想線および仮想線矢印で示すように、封止層１０の下面１５と、光半導体素子１の電極側面３とを、第４転写シート２４の上面から剥離する。
【０１４７】
第５転写工程９０によって、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とが下側に露出する。一方、封止層１０の上面１６が、第５転写シート２５の下面４７によって感圧粘着される。
【０１４８】
１１．  第６転写工程
第６転写工程９１を、第５転写シート２５において上下反転された封止光半導体素子１１を、後述する支持部１９を有する第６転写シート２６に上下反転しながら移すために、図４に示すように、第５転写工程９０の後に、実施する。つまり、第５転写工程９０および第６転写工程９１によって、封止光半導体素子１１を、支持部１９を有しない第４転写シート２４から、第６転写シート２６を有する第６転写シート２６に載せ替える。
【０１４９】
第６転写工程９１では、図３Ｊに示すように、複数の封止光半導体素子１１を、第５転写シート２５から第６転写シート２６に転写する。第６転写シート２６としては、公知の転写シートが挙げられ、具体的には、第２転写シート２２と同様の転写シートから挙げられる。
【０１５０】
第６転写工程９１を、第２転写工程８６（図２Ｆ参照）と同様にして、実施する。
【０１５１】
複数の封止光半導体素子１１を第５転写シート２５から第６転写シート２６に転写するには、まず、図３Ｉの矢印で示すように、第５転写シート２５に対して、活性エネルギー線を照射する。具体的には、第５転写シート２５の上側に設けられた線源１３および／または下側に設けられた線源（図示せず）から、第５転写シート２５に対して、照射する。好ましくは、第５転写シート２５の上側に設けられた線源１３から、第５転写シート２５に対して照射する。
【０１５２】
活性エネルギー線、線源および照射量は、「６．  第２転写工程８６」で記載した例示から選択される。
【０１５３】
活性エネルギー線を第５転写シート２５に照射することによって、第５転写シート２５の封止光半導体素子１１（具体的には、封止層１０の上面１６）に対する感圧粘着力が低減する。具体的には、第５転写シート２５の表面タック性が低減、好ましくは、なくなる。
【０１５４】
次いで、図３Ｊが参照されるように、第６転写シート２６を複数の封止光半導体素子１１の下側に配置し、続いて、第６転写シート２６の上面と、封止層１０の下面１５、および、光半導体素子１の電極側面３とを接触（感圧粘着）させる。次いで、封止層１０の上面１６を、図３Ｊの仮想線および仮想線矢印で示すように、第５転写シート２５の下面４７から剥離する。
【０１５５】
この第２転写工程８６によって、図３Ｊに示すように、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とが、第６転写シート２６によって被覆（感圧粘着）される。一方、封止層１０の上面１６が、上側に露出する。
【０１５６】
第６転写シート２６の周端縁には、その周端縁を把持し、周端縁（具体的には、前端縁および後端縁と、左端縁および右端縁）が内側（具体的には、前後方向外側および左右方向外側）に移動しないように、構成される支持部１９が設けられている。支持部１９は、金属などからなり、平面視略枠形状（具体的には、リング形状）を有している。
【０１５７】
そして、上記した第４転写工程８９、第５転写工程９０および第６転写工程９１によって、封止光半導体素子１１を、第４転写シート２４から、支持部１９を有する第６転写シート２６に転写し、支持部１９を利用して、封止光半導体素子１１を第６転写シート２６から確実に剥離して、基板２９に実装することができる。
【０１５８】
１２．  剥離工程
剥離工程９２を、図４に示すように、第６転写工程９１の後に、実施する。
【０１５９】
剥離工程９２では、図３Ｋに示すように、ピックアップ装置７１などによって、複数の封止光半導体素子１１のそれぞれを、第６転写シート２６から剥離する。
【０１６０】
具体的には、ピックアップ装置７１は、例えば、押圧部材７２と、運搬部材の一例としての吸引部材７３とを備える。
【０１６１】
押圧部材７２は、上端に尖る形状を有している。押圧部材７２としては、例えば、針などが挙げられる。
【０１６２】
吸引部材７３は、その下端において、封止光半導体素子１１における封止層１０の上面１６に接触する接触部７４と、接触面７４の中央に位置し、接触部７４が開口されることにより形成される吸引口７５とを備えている。接触部７４は、平面視略枠形状を有し、平坦面を有している。吸引口７５は、図示しない吸引装置（例えば、吸引ポンプなど）に図示しない接続ラインを介して接続されている。吸引部材７３は、例えば、コレットなどである。
【０１６３】
ピックアップ装置７１によって、封止光半導体素子１１を第６転写シート２６から剥離するには、まず、押圧部材７２によって、第６転写シート２６の下側から、剥離したい封止光半導体素子１１に対応する第６転写シート２６を押し上げて（押圧して）、封止光半導体素子１１を上側に押し上げる。この際、第６転写シート２６の周端縁は、支持部１９によって支持されていることから、内側に移動しない。
【０１６４】
次いで、吸引部材７３の接触部７４を、封止光半導体素子１１の上面１６に接触させる。つまり、封止層１０の上面１６によって、吸引口７５を閉塞する。次いで、吸引装置（図示せず）の駆動に基づき、吸引口７５および接続ライン（図示せず）を減圧することによって、封止光半導体素子１１を吸引しながら、吸引部材７３を引き上げる。
【０１６５】
すると、封止光半導体素子１１が第６転写シート２６から剥離する。つまり、光半導体素子１の電極側面３と、封止層１０の下面１５とを、第６転写シート２６の上面から、剥離する。
【０１６６】
これによって、図３Ｋの左図で示すように、光半導体素子１と、光半導体素子１を封止する封止層１０とを備える封止光半導体素子１１を、吸引部材７３に吸引された状態で、得る。
【０１６７】
封止光半導体素子１１は、発光装置３０（図３Ｌ参照）ではなく、つまり、発光装置３０に備えられる基板２９を含まない。つまり、封止光半導体素子１１は、その電極４１が露出されており、電極４１が、発光装置３０の基板２９に設けられる端子３１とまだ電気的に接続されないように、構成されている。また、封止光半導体素子１１は、発光装置３０の一部品、すなわち、発光装置３０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。封止光半導体素子１１は、好ましくは、光半導体素子１と、封止層１０とのみからなる。
【０１６８】
また、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態は、上記した封止光半導体素子１１の製造方法（図１Ａ〜図３Ｋ参照）により、封止光半導体素子１１を製造する工程、および、封止光半導体素子１１を基板２９に実装する実装工程（図３Ｌ参照）を備える。
【０１６９】
１３．  実装工程
図４に示すように、実装工程９３を、剥離工程９２の後に、実施する。
【０１７０】
実装工程９３では、図３Ｌの実線で示すように、吸引部材７３に吸引された状態の封止光半導体素子１１を、基板２９に実装する。
【０１７１】
基板２９は、略平板形状を有し、例えば、絶縁基板である。また、基板２９は、上面に配置される端子３１を備えている。
【０１７２】
封止光半導体素子１１を基板２９に実装するには、封止光半導体素子１１の電極側面３に形成される電極４１を、基板２９の端子３１に電気的に接続する。すなわち、吸引部材７３に吸引された状態の封止光半導体素子１１を降下させ、続いて、基板２９にフリップチップ実装する。また、封止層１０の下面１５を、基板２９の上面に接触させる。
【０１７３】
これによって、基板２９と、封止光半導体素子１１とを備える半導体装置の一例としての発光装置３０を得る。
【０１７４】
好ましくは、発光装置３０は、基板２９と、光半導体素子１と、封止層１０とのみからなる。
【０１７５】
１４．  離間工程
図４に示すように、離間工程９４を、実装工程９３の後に、実施する。
【０１７６】
離間工程９４では、図３Ｌの仮想線および仮想線矢印で示すように、吸引部材７３を封止層１０の上面１６から離間させる。
【０１７７】
吸引部材７３を上面１６から離間するには、発光装置３０に備えられる封止層１０に対して、相対的に、吸引部材７３を引き上げる。つまり、吸引部材７３を上側に移動させる。これによって、吸引部材７３の接触部７４が、封止層１０の上面１６から離間する。
【０１７８】
これによって、吸引部材７３から独立した状態の発光装置３０を得る。
【０１７９】
＜第１実施形態の作用効果＞
そして、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、第１転写シート２１を形成する感圧粘着剤組成物が特定の活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物であるので、図２Ｆに示すように、第２転写工程８６において、第１転写シート２１（図１Ｅ参照）を形成する感圧粘着剤組成物が封止層１０の上面１６に付着すること（糊残り）を抑制することができる。
【０１８０】
そのため、第２転写工程８６以降の工程において、封止層１０の上面１６に部材（例えば、吸引部材７３の接触部７４や、第５転写シート２５の接触部７４など）を接触させても、その部材に感圧粘着剤組成物が付着することを抑制することができる。
【０１８１】
具体的には、実装工程９３において、図３Ｋが参照されるように、封止層１０の上面１６に吸引部材７３の接触部７４を接触させても、接触部７４に感圧粘着剤組成物が付着すること（糊の持ち帰り）を抑制することができる。
【０１８２】
さらに、第５転写工程９０において、図３Ｉに示すように、光半導体素子１０の上面１６に第５転写シート２５の下面４７が接触しても、第５転写シート２５の下面４７に感圧粘着剤組成物が付着することを抑制することができる。
【０１８３】
また、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、低分子量成分の、感圧粘着剤組成物における含有割合が、特定値以下であるので、第２転写工程８６において、感圧粘着剤組成物が封止層１０の上面１６に付着することをより一層抑制することができる。
【０１８４】
とりわけ、封止層１０が微感圧粘着性（微タック性）を有している場合であっても、上記した感圧粘着剤組成物が、封止層１０の上面１６に付着すること（糊残り）を有効に抑制することができる。
【０１８５】
さらに、この封止光半導体素子１１の製造方法によれば、図３Ｉが参照されるように、第５転写シート２５が、感圧粘着剤組成物からなるので、第６転写工程９１において、図３Ｊに示すように、第５転写シート２５を形成する感圧粘着剤組成物が封止層１０の上面１６に付着することを抑制することができる。
【０１８６】
そのため、実装工程９３において、図３Ｋが参照されるように、封止層１０の上面１６に吸引部材７３の接触部７４を接触させても、接触部７４に感圧粘着剤組成物が付着すること（糊の持ち帰り）をより一層抑制することができる。
【０１８７】
また、この発光装置３０の製造方法によれば、封止層１０の上面１６は、感圧粘着剤組成物の付着が抑制されているので、実装工程９３において、図３Ｋに示すように、吸引部材７３の接触部７４に感圧粘着剤組成物が付着すること（糊の持ち帰り）を抑制することができる。そのため、離間工程９４において、図３Ｌに示すように、吸引部材７３の接触部７４を上面１６から円滑に離間させることができる。その結果、発光装置３０を効率よく製造することができる。
【０１８８】
＜第１実施形態の変形例＞
第１実施形態では、半導体素子の一例として、ＬＥＤやＬＤなどの光半導体素子１を挙げているが、例えば、電気エネルギーを、光以外のエネルギー、具体的には、信号エネルギーなどに変換する半導体素子であってもよく、具体的には、トランジスタなどの整流器なども挙げられる。
【０１８９】
また、図３Ｊに示すように、封止光半導体素子１１を、第６転写シート２６に支持された状態で、流通させることもできる。
【０１９０】
＜第２実施形態＞
第２実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１９１】
図４に示すように、第１実施形態では、第５転写工程９０および第６転写工程９１を実施しているが、図５に示すように、第５転写工程９０および第６転写工程９１を実施しなくてもよい。具体的には、第２実施形態では、素子用意工程８１、封止工程８２、第１転写工程８３、切断工程８４、延伸工程８５、第２転写工程８６、検査・選別工程８７、第３転写工程８８、第４転写工程８９、剥離工程９２、実装工程９３および離間工程９４を順次実施する。
【０１９２】
つまり、この第２実施形態では、特定の感圧粘着剤組成物から形成される第５転写シート２５を用いる第５転写工程９０、および、第５転写シート２５に対して活性エネルギー線を照射する第６転写工程９１を実施しない。
【０１９３】
一方、図２Ｈの仮想線で示すように、第４転写シート２４の周端縁には、支持部１９が設けられている。そして、剥離工程９２では、図２Ｈの仮想線で示すように、ピックアップ装置７１を用いて、封止光半導体素子１１を、第４転写シート２４から剥離する。
【０１９４】
具体的には、まず、押圧部材７２によって、第４転写シート２４の下側から、剥離したい封止光半導体素子１１に対応する第４転写シート２４を押し上げて（押圧して）、封止光半導体素子１１を上側に押し上げる。この際、第４転写シート２４の周端縁は、支持部１９によって支持されていることから、内側に移動しない。
【０１９５】
次いで、吸引部材７３の接触部７４を、封止光半導体素子１１の上面１６に接触させる。つまり、上面１６によって、吸引口７５を閉塞する。次いで、吸引装置の駆動に基づき、吸引口７５および接続ラインを減圧することによって、封止光半導体素子１１を吸引しながら、吸引部材７３を引き上げる。
【０１９６】
＜第２実施形態の作用効果＞
第２実施形態では、第５転写工程９０および第６転写工程９１を実施しないので、転写工程の数を低減することができる。そのため、封止光半導体素子１１を簡便に製造でき、さらには、発光装置３０を簡便に製造することができる。
【０１９７】
一方、第１実施形態では、第５転写工程９０および第６転写工程９１を実施するので、封止光半導体素子１１を、第４転写シート２４から、支持部１９を有する第６転写シート２６に転写し、支持部１９を利用して、封止光半導体素子１１を第６転写シート２６から確実に剥離して、基板２９に実装することができる。
【０１９８】
＜第２実施形態の変形例＞
また、第２実施形態では、第４転写工程８９を実施しているが、第４転写工程８９（図２Ｈ参照）を実施しなくてもよい。つまり、この変形例では、第３転写工程８８の後に、剥離工程９２を実施する。
【０１９９】
すなわち、剥離工程９２では、図２Ｇが参照されるように、封止光半導体素子１１を、第３転写シート２３から剥離する。
【０２００】
また、図２Ｈに示すように、封止光半導体素子１１を、第４転写シート２４に支持された状態で、流通させることもできる。
【０２０１】
＜第３実施形態＞
第３実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０２０２】
図４に示すように、第１実施形態では、検査・選別工程８７、第３転写工程８８、第４転写工程８９、第５転写工程９０および第６転写工程９１を実施しているが、図６に示すように、検査・選別工程８７、第３転写工程８８、第４転写工程８９、第５転写工程９０および第６転写工程９１を実施しなくてもよい。具体的には、第２実施形態では、素子用意工程８１、封止工程８２、第１転写工程８３、切断工程８４、延伸工程８５、第２転写工程８６、剥離工程９２、実装工程９３および離間工程９４を順次実施する。
【０２０３】
つまり、この第３実施形態では、剥離工程９２では、図２Ｆの仮想線が参照されるように、ピックアップ装置７１を用いて、封止光半導体素子１１を第２転写シート２２から剥離する。
【０２０４】
＜第３実施形態の作用効果＞
第３実施形態では、第５転写工程９０および第６転写工程９１を実施せず、さらには、検査・選別工程８７、第３転写工程８８および第４転写工程８９も実施しないので、転写工程の数を低減することができる。そのため、封止光半導体素子１１をより一層簡便に製造でき、さらには、発光装置３０をより一層簡便に製造することができる。
【０２０５】
＜変形例＞
上記した各実施形態では、素子用意工程８１、封止工程８２、第１転写工程８３、切断工程８４、延伸工程８５および第２転写工程８６以外の工程を実施しているが、そのような工程は適宜、一部あるいは全部を省略することもできる。
【実施例】
【０２０６】
以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０２０７】
（活性エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物の調製）
調製例１
（中間重合物溶液の調製）
表１に示すように、所定のモノマー（モノマーＣ以外のモノマー）に、重合開始剤と溶媒とを投入した。
【０２０８】
具体的には、ベンゾイルパーオキサイド（熱重合開始剤、ナイパーＢＷ、日油社製）をモノマー総量に対し０．２重量％となるように投入し、溶媒は、トルエンをモノマー総量に対して５０重量％となるように投入した。
【０２０９】
この混合物は、１Ｌ丸底セパラブルフラスコ、セパラブルカバー、分液ロート、温度計、窒素導入管、リービッヒ冷却器、バキュームシール、攪拌棒、攪拌羽が装備された重合用実験装置に投入した。
【０２１０】
投入した混合物を攪拌しながら、常温で窒素置換を１時間実施した。その後、窒素流入下、攪拌しながら、ウオーターバスにて実験装置内溶液温度が６０℃±２℃となるように制御しつつ、１２時間保持し、中間重合物溶液を得た。
【０２１１】
なお、重合途中に、重合中の温度制御のために、トルエンを滴下した。また、側鎖の極性基等による水素結合による急激な粘度上昇を防止するために、酢酸エチルを滴下した。
【０２１２】
（ベースポリマーの調製）
得られた中間重合物溶液を室温まで冷却し、表１に示す量のメタクリル酸２−イソシアナトエチル（モノマーＣ、別名：メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、カレンズＭＯＩ、昭和電工社製）を添加し、空気雰囲気下で５０℃に２４時間攪拌及び保持して、ベースポリマー溶液を得た。
【０２１３】
（粘着剤溶液の調製）
ベースポリマー溶液、光重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（イルガキュア１８４；チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）をベースポリマー固形分１００重量部当りに３重量部、ポリイソシアネート系架橋剤（コロネートＬ；日本ポリウレタン社製）をベースポリマー固形分１００重量部当りに３重量部を混合し、均一に攪拌し、感圧粘着剤組成物の粘着剤溶液を得た。
【０２１４】
調製例２および比較調製例１
表１に記載の配合処方に従って、調製例１と同様に処理して、粘着剤溶液を調製した。
【０２１５】
【表１】
2017098354.tif 000003
【０２１６】
表１に記載の略号に示される各モノマーの諸元を以下に記載する。
ＨＥＭＡ：２−ヒドロキシエチルメタクリレート（東京化成工業社製）
ＨＥＡ：２−ヒドロキシエチルアクリレート（東京化成工業社製）
ＬＭＡ：ラウリルメタクリレート（東京化成工業社製）
２ＥＨＡ：２−エチルヘキシルアクリレート（東亜合成社製）
ＭＯＩ：メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製）
ＡＣＭＯ：アクリロイルモルフォリン（東京化成工業社製）
ＢＡ：ブチルアクリレート（東亜合成社製）
ＥＡ：エチルアクリレート（東京化成工業社製）
（感圧粘着剤組成物のＧＰＣ測定）
感圧粘着剤組成物を、ＧＰＣにより、下記の装置条件で、測定した。
【０２１７】
［測定装置および測定条件］
カラム：ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨ−Ｈ（Ｓ）×２
カラムサイズ：７．８ｍｍＩ．Ｄ．×３００ｍｍ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ
流量：  ０．５ｍＬ／分
サンプル濃度：０．１ｍａｓｓ％
注入量：１００μｌ
検出器：示差屈折率計（ＲＩ）
得られたクロマトグラムから、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量を算出した。その結果、調製例１の感圧粘着剤組成物では、１．０３×１０４であり、調製例２の感圧粘着剤組成物では、６．０９×１０４であり、比較調製例１の感圧粘着剤組成物では、５．０８×１０４であった。
【０２１８】
また、得られたクロマトグラムから、標準ポリスチレン換算の分子量３．０×１０４以下の低分子量成分の、感圧粘着剤組成物に対する含有割合を算出した。その結果、調製例１の感圧粘着剤組成物で、１０質量％であり、調製例２の感圧粘着剤組成物で、３質量％であり、比較調製例１の感圧粘着剤組成物で、７質量％であった。
【０２１９】
【表２】
2017098354.tif 000004
【０２２０】
試験例１
調製例１で得られた感圧粘着剤溶液から、第１転写シートを作製し、第１転写シートのガラス板（１ｃｍ角）に対する剥離接着力（密着力）を測定した。
【０２２１】
すなわち、感圧粘着剤溶液を、基材（ＰＥＴフィルム）の表面に塗布し、１２０℃の乾燥機にて５分間乾燥することにより、厚み１０μｍの第１転写シートを得た。
【０２２２】
次いで、第１転写シートを、支持基板（ステンレス板）の上に、両面テープを介して、貼り付けた。
【０２２３】
ガラス板を、第１転写シートに対して、感圧粘着し、その後、下記の条件で、紫外線を照射して、第１転写シートの感圧粘着力を低下させた。
【０２２４】
線源：ＵＭ−８１０（日東精機製）
照度：７０ｍＷ／ｃｍ２
照射時間：０．５秒
光量（照射量）：３５ｍＪ／ｃｍ２
その後、ガラス板を第１転写シートから剥離した。
【０２２５】
そして、上記した一連の操作、つまり、第１転写シートの作製、ガラス板による貼り付け、および、紫外線の照射を５回繰り返した。なお、１〜５回目の操作すべてにおいて、ガラス板を共通して使用した。つまり、１回目において、第１転写シートの表面に対して感圧粘着および剥離した、ガラス板の表面を、２回目においても、第２転写シートの表面に対して感圧粘着および剥離した。すなわち、ガラス板において糊残りが発生する場合には、それが、ガラス板の表面に蓄積されるように、ガラス板を使用した。
【０２２６】
そして、５回目の剥離接着力（密着力）を測定した。その結果、２．０５Ｎ／１０ｍｍ２であった。
【０２２７】
試験例２
第１転写シートとして、調製例２の粘着剤溶液を用いた以外は、試験例１と同様に、処理および測定した。その結果、５回目の剥離粘着力（密着力）は、２．００Ｎ／１０ｍｍ２であった。
【０２２８】
比較試験例１
第１転写シートとして、比較調製例１の粘着剤溶液を用いた以外は、試験例１と同様に、処理および測定した。その結果、５回目の剥離接着力（密着力）は、３．８５Ｎ／１０ｍｍ２であった。
【０２２９】
試験例および比較試験例の結果を表３に示す。
【０２３０】
【表３】
2017098354.tif 000005
【０２３１】
実施例１
第３実施形態に基づいて、図３Ｌに示す発光装置３０を得た。
【０２３２】
つまり、図６に示すように、素子用意工程８１、封止工程８２、第１転写工程８３、切断工程８４、延伸工程８５、第２転写工程８６、剥離工程９２、実装工程９３および離間工程９４を順次実施した。
【０２３３】
具体的には、まず、素子用意工程８１では、図１Ａに示すように、複数の光半導体素子１（Ｅｐｉｔａｒ製、ＥＤＩ−ＦＡ４５４５Ａ）を、仮固定シート２の上に感圧粘着した。
【０２３４】
次いで、封止工程８２では、まず、図１Ｂに示すように、ＰＥＴからなる厚み５０μｍの剥離シート９と、剥離シート９の下面に配置され、封止組成物からなるＢステージの封止層１０とを備える封止シート８とを用意した。封止組成物は、具体的には、ジメチルビニルシリル末端ポリジメチルシロキサン（ビニルシリル基当量０．０７１ｍｍｏｌ／ｇ）２０ｇ（１．４ｍｍｏｌビニルシリル基）、トリメチルシリル末端ジメチルシロキサン−メチルヒドロシロキサン共重合体（ヒドロシリル基当量４．１ｍｍｏｌ／ｇ）０．４０ｇ（１．６ｍｍｏｌヒドロシリル基）、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（ヒドロシリル化触媒）のキシレン溶液（白金濃度２質量％）０．０３６ｍＬ（１．９μｍｏｌ）、および、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ、硬化遅延剤）のメタノール溶液（１０質量％）０．０６３ｍＬ（５７μｍｏｌ）を混合し、２０℃で１０分攪拌し、その混合物１００質量部に対して、シリコーン微粒子（トスパール２０００Ｂ、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社社製）を３０質量部配合して、均一に攪拌混合することにより、２段反応硬化性シリコーン樹脂を得た。
【０２３５】
封止層１０の厚みは、５００μｍであった。
【０２３６】
次いで、封止シート８によって、複数の光半導体素子１を封止した。その後、加熱により、封止層１０をＣステージ化した。その後、剥離シート９を封止シート８から剥離した。
【０２３７】
これにより、封止光半導体素子１１を、仮固定シート２に感圧粘着された状態で、得た。
【０２３８】
次いで、図１Ｃに示すように、封止光半導体素子１１を、仮固定シート２から第１転写シート２１に転写した。第１転写シート２１は、試験例１と同様に方法によって、調製例１の感圧粘着剤溶液から、シート状に形成した。
【０２３９】
次いで、図１Ｄに示すように、切断工程８４において、封止層１０を、第１転写シート２１で支持された状態で、複数の光半導体素子１のそれぞれに対応するように、ダイシングソー１２によって、ダイシングした。
【０２４０】
その後、図１Ｅに示すように、延伸工程８５において、第１転写シート２１を延伸させた。隣接する封止光半導体素子１１を隔てる間隔１８の幅Ｗ１２００μｍであった。
【０２４１】
次いで、図２Ｆに示すように、第２転写工程８６において、複数の封止光半導体素子１１を第１転写シート２１から第２転写シート２２に転写した。
【０２４２】
具体的には、まず、下記の条件で、紫外線を第１転写シート２１に対して照射して、第１転写シート２１の感圧粘着力を低下させた。
【０２４３】
線源１３：ＵＭ−８１０（日東精機製）
照度：７０ｍＷ／ｃｍ２
照射時間：０．５秒
光量（照射量）：３５ｍＪ／ｃｍ２
続いて、ＳＰＶ−２２４（日東電工社製）からなる第２転写シート２２を電極側面３および下面１５に感圧粘着させ、次いで、上面１６を第１転写シート２１の下面４５から剥離した。
【０２４４】
その後、剥離工程９２において、図２Ｆの仮想線が参照されるように、ピックアップ装置７１によって、封止光半導体素子１１を第２転写シート２２から剥離した。具体的には、吸引部材７３の接触部７４を、封止光半導体素子１１の封止層１０における上面１６に接触させた。
【０２４５】
その後、実装工程９３において、図３Ｌに示すように、封止光半導体素子１１を、基板２９に実装した。
【０２４６】
その後、離間工程９４において、図３Ｌの仮想線で示すように、吸引部材７３の接触部７４を封止層１０の上面１６から離間させた。
【０２４７】
上記した一連の工程を１００回実施し、離間工程９４において、吸引部材７３の接触部７４を封止層１０の上面１６から離間させることができた回数を数えた。そして、離間成功率（吸引部材７３を上面１６から離間させることができた回数／総実施回数×１００）を算出したところ、９９％であった。
【０２４８】
実施例２
第１転写シート２１は、試験例２と同様に方法によって、調製例２の感圧粘着剤溶液から、シート状に形成した以外は、実施例１と同様に、処理および測定した。その結果、離間成功率は、９９％であった。
【０２４９】
比較例１
第１転写シート２１は、比較試験例１と同様に方法によって、比較調製例１の感圧粘着剤溶液から、シート状に形成した以外は、実施例１と同様に、処理および測定した。その結果、離間成功率は、５０％であった。
【０２５０】
【表４】
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【符号の説明】
【０２５１】
１     光半導体素子
３     電極側面
４     対向面
１０   封止層
１１   封止光半導体素子
１６   上面
２５   第５転写シート
４５   下面
４７   下面
７３   吸引部材
８２   封止工程
８３   第１転写工程
８４   切断工程
８５   延伸工程
８６   第２転写工程
９３   実装工程
９４   離間工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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