(57)【要約】【課題】バンプ周囲への合金残渣の発生を防止する。【解決手段】プリント配線板の製造方法は、基部絶縁層１と導体層２と被覆絶縁層３とを有するプリント配線板を準備することと、被覆絶縁層３に開口３ａを形成することと、被覆絶縁層３の上面および開口３ａの内壁面に沿って無電解めっき金属層５を形成することと、被覆絶縁層３の開口３ａ位置に該開口３ａよりも小径の開口９ａを有するように、無電解めっき金属層５上にめっきレジスト９を形成することと、無電解めっき金属層５を給電層とする電解めっきにより、開口３ａ，９ａ内に上部が被覆絶縁層３の上面から１〜４０μｍの高さで突出するバンプ４を形成することと、めっきレジスト９の開口９ａ内においてバンプ突出部４ｂ上面にはんだ層６を形成することと、めっきレジスト９を除去することと、被覆絶縁層３の上面上の無電解めっき層５を除去することと、を含む。【選択図】図１
2017120804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線板の製造方法であって、
絶縁材料からなる基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された被覆絶縁層と、を有するプリント配線板を準備することと、
前記被覆絶縁層を貫通して前記導体パッドに至る開口を形成することと、
前記被覆絶縁層の上面および前記開口の内壁面に沿って前記導体パッドと電気的に接続する無電解めっき金属層を形成することと、
前記被覆絶縁層の開口位置に該被覆絶縁層の開口よりも小さい開口を有するように、前記無電解めっき金属層上にめっきレジストを形成することと、
前記無電解めっき金属層を給電層とする電解めっきにより、前記被覆絶縁層の開口内および前記めっきレジストの開口内に、上部が被覆絶縁層の上面から１μｍ以上４０μｍ以下の高さで突出するバンプを形成することと、
前記めっきレジストの開口内において前記バンプの、前記被覆絶縁層の上面から突出した部分上面にはんだ層を形成することと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記めっきレジストの除去によって露出した、前記被覆絶縁層の上面上の前記無電解めっき層を除去することと、を含む。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記めっきレジストの開口内において前記バンプの、前記被覆絶縁層の上面から突出した部分上面にはんだ層を形成することは、はんだペーストをスキージによって前記めっきレジストの開口内に充填することを含む。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記被覆絶縁層を貫通して前記導体パッドに至る開口を形成することは、前記被覆絶縁層を貫通して前記導体パッドに至る、上端から下端に向かうにつれて径が漸減した開口を形成することを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、露出した導体パッド上に形成されたバンプと、を具えるプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、図６に示されるように、樹脂絶縁層３４、３６、３８と配線パターン３３、３５、３７とが交互に積層された多層構造を有するビルドアップ多層プリント配線板を開示している。複数の樹脂絶縁層３４、３６、３８のうち最も表層側に位置する樹脂絶縁層３８には、配線パターン３７を露出させるバイアホール４４が形成され、バイアホール４４内は銅めっきで充填されて外部接続端子としてのポスト状の導電パッド４０が形成されている。各導電パッド４０の上面にははんだバンプ４１が形成されている。導電パッド４０の上端部は、バイアホール４４よりも径が大きく樹脂絶縁層３８の上面上で半径方向外側にフランジ状に張り出している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−６３９０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されるビルドアップ多層プリント配線板では、銅製の導電パッド４０とはんだバンプ４１との境界においてはんだバンプ４１内に銅が拡散してＣｕ−Ｓｎ合金層が生成され、さらに導電パッド４０およびはんだバンプ４１が樹脂絶縁層３８の表面上にフランジ状に張り出すように形成されているため、バンプ４１の、当該張り出した部分の周辺にＣｕ−Ｓｎ合金が残渣として発生し、マイグレーションの原因となるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプリント配線板の製造方法は、絶縁材料からなる基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された被覆絶縁層と、を有するプリント配線板を準備することと、前記被覆絶縁層を貫通して前記導体パッドに至る開口を形成することと、前記被覆絶縁層の上面および前記開口の内壁面に沿って前記導体パッドと電気的に接続する無電解めっき金属層を形成することと、前記被覆絶縁層の開口位置に該被覆絶縁層の開口よりも小さい開口を有するように、前記無電解めっき金属層上にめっきレジストを形成することと、前記無電解めっき金属層を給電層とする電解めっきにより、前記被覆絶縁層の開口内および前記めっきレジストの開口内に、上部が被覆絶縁層の上面から１μｍ以上４０μｍ以下の高さで突出するバンプを形成することと、前記めっきレジストの開口内において前記バンプの、前記被覆絶縁層の上面から突出した部分上面にはんだ層を形成することと、前記めっきレジストを除去することと、前記めっきレジストの除去によって露出した、前記被覆絶縁層の上面上の前記無電解めっき層を除去することと、を含む。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、バンプの、被覆絶縁層の上面から突出する部分（バンプ突出部）の径がバンプの、被覆絶縁層の開口内に充填された部分（バンプ基部）の径よりも小さく、かつ、はんだ層は当該小径のバンプ突出部上面に形成されるため、バンプ突出部とはんだ層との境界において合金が形成される場合でも、当該合金が残渣としてバンプ周辺に拡散することはなく、合金残渣に起因したマイグレーションを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明に従う一実施形態のプリント配線板を一部拡大して示す部分断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｈ）は、本発明に従う一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す部分断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明に従う他の実施形態のプリント配線板の製造方法を示す部分断面図である。
【図４】本発明の実施形態のプリント配線板の一適用例を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態のプリント配線板の他の適用例を示す断面図である。
【図６】従来のプリント配線板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は、本発明に従う一実施形態のプリント配線板の一部を拡大して示す断面図である。このプリント配線板は、絶縁材料からなる基部絶縁層１と、基部絶縁層１上に形成された、導体パッド２ａを含む導体層２と、基部絶縁層１上に形成され、導体パッド２ａを露出する開口（貫通孔）３ａを有する被覆絶縁層３と、該開口３ａから露出した導体パッド２ａ上に形成されたバンプ４とを具える。
【０００９】
基部絶縁層１は、図示されているような単層のものでもよいが、複数層の積層構造を有し、それらの絶縁層間に導体層２が形成されているものでもよい。なお、本説明において、「上」とは基部絶縁層１と導体層２との関係において導体層２がある側または導体層２と被覆絶縁層３との関係において被覆絶縁層３がある側を指す。また、「下」とは基部絶縁層１と導体層２との関係において基部絶縁層１がある側または導体層２と被覆絶縁層３との関係において導体層２がある側を指す。よって、たとえば被覆絶縁層３の上面とは、被覆絶縁層３の両面のうち、導体層２または基部絶縁層１と対向する側とは反対側の面を指す。導体パッド２ａ、開口３ａおよびバンプ４は図１では各一つ示されるが、各々複数設けられていてよい。
【００１０】
基部絶縁層１を形成する絶縁材料は、エポキシやポリイミド等の有機樹脂材料でもよいがセラミックやガラス等の無機材料でもよい。導体層２は、導電性金属であればよいが銅であると好ましい。被覆絶縁層３を形成する材料は、絶縁性樹脂フィルムとしての市販のビルドアップフィルムでもよいが通常のソルダーレジストでもよい。開口３ａの上端径は、隣接する開口３ａ同士のピッチ（中心間距離）の２０％以上７０％以下であることが好ましい。また、隣接する開口３ａ同士の最小ピッチは、３０μｍ以上で９０μｍ以下が好ましい。これにより例えば搭載した半導体素子同士を超高密度配線で接続するパッケージ基板を形成できる。
【００１１】
バンプ４は、被覆絶縁層の開口内に設けられたバンプ基部４ａと、被覆絶縁層の上面から突出したバンプ突出部４ｂとを有する。バンプ突出部４ｂは、バンプ基部４ａよりも径が小さい。バンプ突出部４ｂの径Ｄ４ｂは、隣接するバンプ４のバンプ突出部４ｂ間のピッチの５０％以上９５％以下とするのが好ましい。バンプ突出部４ｂの高さ（被覆絶縁層３の上面からバンプ突出部４ｂの上面までの距離）は１μｍ以上４０μｍ以下とするのが好ましい。バンプ基部４ａおよびバンプ突出部４ｂは共に銅であることが好ましい。
【００１２】
バンプ基部４ａは、被覆絶縁層３の開口３ａから露出した導体パッド２ａの上面および被覆絶縁層３の開口３ａの内壁面を被覆する無電解めっき金属層５を含む。無電解めっき金属層５は、導体パッド２ａの、開口３ａから露出する部分の表面上、および被覆絶縁層３の開口３ａの内壁面上にのみ設けられていて、被覆絶縁層３の上面には形成されていない。
【００１３】
無電解めっき金属層５は、好ましくは無電解銅めっき層５である。無電解めっき金属層５の厚みは０．１μｍ以上で３μｍ以下とするのが好ましい。無電解めっき金属層５の厚みが０．１μｍ未満の場合には、無電解めっき金属層５を給電層としてバンプ４を形成する際にバンプ４の形成にむらが生じる可能性があり、３μｍを超えると無電解めっき法による無電解めっき金属層５の形成に時間を要するからである。
【００１４】
バンプ突出部４ｂの上面にははんだ層６が形成されている。図１に示す例でははんだ層６は、リフローされてドーム状に形成されている。はんだ層６はバンプ突出部４ｂの上面に直接形成されている。
【００１５】
はんだ層６は、電解めっき層であってよい。はんだ層６は、例えばＳｎ／Ｐｂからなる。ただしこれに限られず、はんだ層６は、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｃｕ、又はＳｎ／Ｚｎ等から形成されてもよい。あるいは、はんだ層６ははんだペースト印刷法により形成されたものでもよい。
【００１６】
本実施形態のプリント配線板によれば、バンプ突出部（バンプ４の、被覆絶縁層３の上面より突出する部分）４ｂの径Ｄ４ｂがバンプ基部４ａの上端における径Ｄ４ａよりも小さいため、バンプ４のファインピッチ化が容易に実現可能である。さらに、バンプ突出部４ｂの径Ｄ４ｂがバンプ基部Ｄ４ａの径よりも小さく、かつ、はんだ層６が当該小径のバンプ突出部４ｂ上面に形成されるため、バンプ突出部４ｂとはんだ層６との境界において合金（たとえばＣｕ−Ｓｎ合金）が形成される場合でも、当該合金が残渣として被覆絶縁層上の開口周辺にまで拡散することはなく、合金残渣に起因したマイグレーションを防止することができる。
【００１７】
図１に示したプリント配線板は、図２（Ａ）〜（Ｈ）に示される、本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法により製造することができる。
【００１８】
本実施形態の製造方法では、図２（Ａ）に示されるように、絶縁材料からなる基部絶縁層１と、基部絶縁層１上に形成されている導体層２と、基部絶縁層１および導体層２上に形成された被覆絶縁層３と、を有するプリント配線板（中間基板）が準備される。基部絶縁層１は、例えばエポキシやポリイミド等の有機樹脂材料またはセラミックやガラス等の無機材料で形成されてよい。導体層２は、例えばアディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等によって形成されていてよい。導体層２は、例えば銅で形成されてよい。導体層２は、半導体素子などの電子部品を搭載するための導体パッド２ａと、信号線や電源等の図示されない配線とを含む。被覆絶縁層３は、絶縁性樹脂フィルムとしての市販のビルドアップフィルムやエポキシ等の絶縁樹脂からなるソルダーレジストから形成されていてよい。
【００１９】
まず、図２（Ａ）に示されるように、被覆絶縁層３に、その被覆絶縁層３を貫通して導体パッド２ａに至る開口３ａが形成される。開口３ａは、上端から下端に向かうにつれて径が漸減したものであることが好ましい。また、複数の開口３ａが形成される場合の隣接する開口３ａ同士のピッチ（中心間距離）は好ましくは３０μｍ以上で９０μｍ以下とされる。開口３ａの径は、好ましくは開口ピッチの２０％以上７０％以下とされ、例えば開口ピッチ５５μｍに対し開口径２５μｍとされる。被覆絶縁層３の上面および開口３ａの内壁面には、好ましくは粗面処理が施される。
【００２０】
被覆絶縁層３の開口３ａは、例えばレーザ、好ましくは小径孔の形成に適しているＵＶレーザで形成される。レーザの出力を高くすることにより、被覆絶縁層３が十分に溶融し、開口３ａの内壁面は導体パッド２ａの表面に対し直線的に交差する倒立裁頭円錐状となる。レーザ光束を絞ることにより、被覆絶縁層３で被覆されている導体パッド２ａの表面に対する開口３ａの内壁面の交差角は４５°以上で９０°未満とされる。
【００２１】
開口３ａの内壁面は、導体パッド２ａの表面に対し直角に交差する一定内径の円筒状とされてもよい。その場合、開口３ａは、レーザの代わりに例えばドライエッチング、プラズマエッチング、ライトエッチング等のエッチングを行い、その後にアルカリ脱脂処理を施すことで形成される。
【００２２】
あるいは、被覆絶縁層３の開口３ａは、被覆絶縁層３として感光性のソルダーレジストを用いる場合には、露光、現像処理により形成されてもよい。
【００２３】
次に、図２（Ｂ）に示されるように、被覆絶縁層３の上面上および開口３ａの内壁面上に、無電解めっき金属層５が形成される。無電解めっき金属層５は、好ましくは銅めっきで形成される。無電解めっき金属層５は、被覆絶縁層３の上面および開口３ａの内壁面が粗面処理されていると、被覆絶縁層３に強固に被着する。無電解めっき金属層５の厚みは、０．１μｍ以上で３μｍ以下とするのが好ましい。
【００２４】
次に、図２（Ｃ）に示されるように、被覆絶縁層３の上面上の無電解めっき金属層５上に、例えば紫外線硬化型のめっきレジスト（ドライフィルムレジスト）９が積層され、そのめっきレジスト９上にマスクを配置して被覆絶縁層３の開口３ａに対応する位置を覆った状態で露光し、その後に現像することで、めっきレジスト９に開口（貫通孔）９ａが形成される。めっきレジスト９の開口９ａの径Ｄ９ａは、被覆絶縁層３の開口３ａの上端径Ｄ３ａよりも小径とされる。めっきレジスト９の開口９ａの径Ｄ９ａは、被覆絶縁層３の開口３ａの上端径Ｄ３ａの５０％以上で９５％以下とされることが好ましい。めっきレジスト９の開口９ａの径Ｄ９ａが被覆絶縁層３の開口３ａの上端径Ｄ３ａの５０％未満となると十分なバンプ体積の確保が困難となるか、十分なバンプ体積を確保するために形成されるバンプ４の高さを増大させる必要がある。また、めっきレジスト９の開口９ａの径Ｄ９ａが被覆絶縁層３の開口３ａの上端径Ｄ３ａの９５％を超えると、開口３ａ周囲への合金残渣の発生を抑制する効果が十分に得られない可能性がある。
【００２５】
次に、図２（Ｄ）に示されるように、無電解めっき金属層５を給電層とする電解めっき法により被覆絶縁層３の開口３ａをめっきで満たすとともに、該めっきの一部を被覆絶縁層３の上面から１μｍ以上４０μｍ以下の高さで突出させ、バンプ４を形成する。このめっきは銅めっきであることが好ましい。便宜上、バンプ４のうち被覆絶縁層３の開口３ａ内に存在する部分をバンプ基部４ａと称し、バンプ基部４ａよりも径が小さくかつ被覆絶縁層３の上面から突出した部分をバンプ突出部４ｂと称する。バンプ基部４ａは開口３ａ内に形成された無電解めっき金属層５を含む。
【００２６】
次に、図２（Ｅ）に示されるように、めっきレジスト９の開口９ａ内でバンプ突出部４ｂの上面に電解めっき法によりはんだ層６が形成される。このように、同一のめっきレジスト９の開口９ａ内ではんだ層６を形成することにより、バンプ突出部４ｂ上にはんだ層６を精度良くかつ容易に形成することができる。また、はんだ層６の径はバンプ基部４ａの径より小さいため、バンプ４の周囲への合金（たとえばＣｕ−Ｓｎ合金）の残渣発生を防止することができる。
【００２７】
次に、図２（Ｆ）に示されるように、めっきレジスト９が、例えば作業者による手作業で剥離され、バンプ突出部４ｂの外周面（側面）が露出するとともに被覆絶縁層３の上面を覆う無電解めっき金属層５が露出する。
【００２８】
次に、図２（Ｇ）に示されるように、無電解めっき金属層５の、被覆絶縁層３の上面を覆う露出部分がエッチングにより除去される。
【００２９】
そして、図２（Ｈ）に示されるように、プリント配線板はリフロー処理され、バンプ突出部４ｂ上に形成されたはんだ層６はドーム状に変形する。
【００３０】
図３は、本発明に従う他の実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。なお、図３では基部絶縁層は図示されていないが、図３に示されるプリント配線板は図１および２で示されたプリント配線板同様、導体層２を支持する基部絶縁層１を備えている。
【００３１】
本実施形態の製造方法では、図３（Ａ）に示されるように、絶縁材料からなる基部絶縁層１と、基部絶縁層１上に形成されている導体層２と、基部絶縁層１および導体層２上に形成された被覆絶縁層３と、を有するプリント配線板（中間基板）が準備される。基部絶縁層１は、例えばエポキシやポリイミド等の有機樹脂材料またはセラミックやガラス等の無機材料で形成されてよい。導体層２は、例えばアディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等によって形成されていてよい。導体層２は、例えば銅で形成されてよい。導体層２は、半導体素子などの電子部品を搭載するための導体パッド２ａと、信号線や電源等の図示されない配線とを含む。被覆絶縁層３は、絶縁性樹脂フィルムとしての市販のビルドアップフィルムやエポキシ等の絶縁樹脂からなるソルダーレジストから形成されていてよい。
【００３２】
まず、図３（Ａ）に示されるように、被覆絶縁層３に、その被覆絶縁層３を貫通して導体パッド２ａに至る開口３ａが形成される。開口３ａは、上端から下端に向かうにつれて径が漸減したものであることが好ましい。また、複数の開口３ａが形成される場合の隣接する開口３ａ同士のピッチ（中心間距離）は好ましくは３０μｍ以上で９０μｍ以下とされる。開口３ａの径は、好ましくは開口ピッチの２０％以上７０％以下とされ、例えば開口ピッチ５５μｍに対し開口径２５μｍとされる。被覆絶縁層３の上面および開口３ａの内壁面には、好ましくは粗面処理が施される。
【００３３】
被覆絶縁層３の開口３ａは、例えばレーザ、好ましくは小径孔の形成に適しているＵＶレーザで形成される。レーザの出力を高くすることにより、被覆絶縁層３が十分に溶融し、開口３ａの内壁面は導体パッド２ａの表面に対し直線的に交差する倒立裁頭円錐状となる。レーザ光束を絞ることにより、被覆絶縁層３で被覆されている導体パッド２ａの表面に対する開口３ａの内壁面の交差角は４５°以上で９０°未満とされる。
【００３４】
開口３ａの内壁面は、導体パッド２ａの表面に対し直角に交差する一定内径の円筒状とされてもよい。その場合、開口３ａは、レーザの代わりに例えばドライエッチング、プラズマエッチング、ライトエッチング等のエッチングを行い、その後にアルカリ脱脂処理を施すことで形成される。
【００３５】
あるいは、被覆絶縁層３の開口３ａは、被覆絶縁層３として感光性のソルダーレジストを用いる場合には、露光、現像処理により形成されてもよい。
【００３６】
次に、図３（Ｂ）に示されるように、被覆絶縁層３の上面上および開口３ａの内壁面上に、無電解めっき金属層５が形成される。無電解めっき金属層５は、好ましくは銅めっきで形成される。無電解めっき金属層５は、被覆絶縁層３の上面および開口３ａの内壁面が粗面処理されていると、被覆絶縁層３に強固に被着する。無電解めっき金属層５の厚みは、０．１μｍ以上で３μｍ以下とするのが好ましい。
【００３７】
次に、図３（Ｃ）に示されるように、被覆絶縁層３の上面上の無電解めっき金属層５上に、例えば紫外線硬化型のめっきレジスト（ドライフィルムレジスト）９が積層され、そのめっきレジスト９上にマスクを配置して被覆絶縁層３の開口３ａに対応する位置を覆った状態で露光し、その後に現像することで、めっきレジスト９に開口（貫通孔）９ａが形成される。めっきレジスト９の開口９ａの径Ｄ９ａは、被覆絶縁層３の開口３ａの上端径Ｄ３ａよりも小径とされる。めっきレジスト９の開口９ａの径Ｄ９ａは、被覆絶縁層３の開口３ａの上端径Ｄ３ａの５０％以上で９５％以下とされることが好ましい。めっきレジスト９の開口９ａの径Ｄ９ａが被覆絶縁層３の開口３ａの上端径Ｄ３ａの５０％未満となると十分なバンプ体積の確保が困難となるか、十分なバンプ体積を確保するために形成されるバンプ４の高さを増大させる必要がある。また、めっきレジスト９の開口９ａの径Ｄ９ａが被覆絶縁層３の開口３ａの上端径Ｄ３ａの９５％を超えると、開口３ａ周囲への合金残渣の発生を抑制する効果が十分に得られない可能性がある。
【００３８】
次に、図３（Ｄ）に示されるように、無電解めっき金属層５を給電層とする電解めっき法により被覆絶縁層３の開口３ａをめっきで満たすとともに、該めっきの一部を被覆絶縁層３の上面から１μｍ以上４０μｍ以下の高さで突出させ、バンプ４を形成する。このめっきは銅めっきであることが好ましい。便宜上、バンプ４のうち被覆絶縁層３の開口３ａ内に存在する部分をバンプ基部４ａと称し、バンプ基部４ａよりも径が小さくかつ被覆絶縁層３の上面から突出した部分をバンプ突出部４ｂと称する。バンプ基部４ａは開口３ａ内に形成された無電解めっき金属層５を含む。
【００３９】
次に、図３（Ｅ）に示されるように、めっきレジスト９の上にはんだペーストを供給し、スキージＳをめっきレジスト９の上面に押し当てて移動させ、はんだペーストをめっきレジスト９の開口９ａ内に充填することで（はんだペースト印刷法）、めっきレジスト９の開口９ａ内でバンプ突出部４ｂの上面にばんだ層６が形成される。はんだペーストとは、はんだ合金粉末と高粘度の液状フラックスとが混合されたクリーム状のものである。このようにスキージＳによってはんだペーストをバンプ突出部４ｂを形成しためっきレジスト９の開口９ａ内に充填することにより、めっきレジスト９の開口９ａ内でバンプ突出部４ｂの高さにばらつきが生じた場合でも当該ばらつき補償することができる。また、同一のめっきレジスト９の開口９ａ内ではんだ層６を形成することにより、バンプ突出部４ｂ上にはんだ層６を精度良くかつ容易に形成することができる。また、はんだ層６の径はバンプ基部４ａの径Ｄ４ａより小さいため、バンプ４の周囲への合金（たとえばＣｕ−Ｓｎ合金）の残渣発生を防止することができる。
【００４０】
次に、図３（Ｆ）に示されるように、プリント配線板をリフロー処理することによりはんだ層６はめっきレジスト９の開口９ａ内でドーム状に変形する。このようにめっきレジスト９が被着された状態でリフロー処理を行うことで周囲へのはんだ層６の流出を防止することができる。
【００４１】
次に、図３（Ｇ）に示すようにめっきレジスト９が、例えば作業者による手作業で剥離され、バンプ突出部４ｂの外周面（側面）が露出するとともに被覆絶縁層３の上面を覆う無電解めっき金属層５が露出する。次に、無電解めっき金属層５の、被覆絶縁層の上面を覆う露出部分がエッチングにより除去される。
【００４２】
図４は、この発明の実施形態のプリント配線板の一適用例を示す断面図である。この適用例では、半導体素子Ｅ１，Ｅ２を搭載した下側パッケージ基板Ｐ１上に、半導体素子Ｅ３を搭載した上側パッケージ基板Ｐ２が積層されるとともに電気的に接続されたパッケージオンパッケージ（ＰＯＰ）型のプリント配線基板のうち下側パッケージ基板Ｐ１に、先の実施形態と同様にして製造された実施形態のプリント配線板が適用されている。下側パッケージ基板Ｐ１は、半導体素子Ｅ１，Ｅ２の微細化した端子ピッチに対応したピッチの中央部領域の導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成されたバンプ４およびはんだ層６を介して半導体素子Ｅ１，Ｅ２の端子と接続するとともに、上側パッケージ基板Ｐ２の大きな端子ピッチに対応した周辺領域の導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成されたバンプ４およびはんだ層６を介して上側パッケージ基板Ｐ２の下面の端子に接続している。
【００４３】
図５は、この発明の実施形態のプリント配線板の他の一適用例を示す断面図である。この適用例では、多層プリント配線板Ｐ３の外層２層分に形成された凹部内に、先の実施形態と同様にして製造された実施形態のプリント配線板Ｐ４が埋設されており、プリント配線板Ｐ４は、多層プリント配線基板Ｐ３上に実装される半導体素子としての例えばメモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２とのそれぞれの微細化した端子ピッチに対応したピッチの導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成されたバンプ４およびはんだ層６を介してメモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２との端子同士を接続し、基板上（内）広帯域信号伝送路を構成する。なお、実施形態のプリント配線板Ｐ４は、多層プリント配線基板Ｐ３の２層の外層上に搭載されて、例えばメモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２とを接続してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
かくして、本発明によりバンプ周囲への合金残渣の発生を防止することが可能になった。
【符号の説明】
【００４５】
１  基部絶縁層
２  導体層
２ａ  導体パッド
３  被覆絶縁層
３ａ  開口
４  バンプ
４ａ  バンプ基部
４ｂ  バンプ突出部
５  無電解めっき金属層
６  はんだ層
９  めっきレジスト（ドライフィルムレジスト）
９ａ  開口
Ｃ１  メモリチップ
Ｃ２  ＣＰＵチップ
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３  半導体素子
Ｐ１  下側パッケージ基板
Ｐ２  上側パッケージ基板
Ｐ３  多層プリント配線板
Ｐ４  プリント配線板
【図１】
2017120804.tif 000003
【図２】
2017120804.tif 000004
【図３】
2017120804.tif 000005
【図４】
2017120804.tif 000006
【図５】
2017120804.tif 000007
【図６】
2017120804.tif 000008