(57)【要約】【課題】基板の表面に金属を含有する塗布膜を形成するにあたり、当該塗布膜による金属汚染の発生を防ぐことができる技術を提供すること。【解決手段】基板の表面に金属を含有する塗布膜を形成する工程と、次いで、当該基板の周縁部における前記塗布膜を除去するために、前記基板の周に沿って当該塗布膜の除去液を供給する工程と、その後、当該基板の周に沿って前記金属の除去液を供給する工程と、を含むように処理を行うことで、基板の周縁部に残留する前記金属を除去し、金属汚染の発生を防ぐ。【選択図】図１８
2017098367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に金属を含有する塗布膜を形成する工程と、
次いで、当該基板の周縁部における前記塗布膜を除去するために、前記基板の周に沿って当該塗布膜の除去液を供給する工程と、
その後、前記基板の周縁部に残留する前記金属を除去するために、当該基板の周に沿って前記金属の除去液を供給する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記金属の除去液を供給する工程は、
前記基板を回転させると共に当該基板の表面において前記塗布膜の周端よりも前記基板の外側寄りの第１の位置に除去液を供給し、当該第１の位置から基板の周端に亘って液膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記金属の除去液を供給する工程の後に行われ、当該基板の周縁部に残留する前記金属の除去液を除去するために、当該基板の表面において前記第１の位置よりも基板の中心部寄りの第２の位置に前記基板を洗浄する洗浄液を供給すると共に当該基板を回転させ、前記第２の位置から前記基板の周端に亘って液膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記金属の除去液を供給する工程は、
前記基板の裏面に前記金属の除去液を供給する工程と、
前記塗布膜の周端から前記基板の外側に離れた当該基板の表面の第３の位置に基板の側端面を介して前記金属の除去液を回り込ませると共に当該第３の位置よりも塗布膜寄りに移動しないように当該基板を回転させて、前記基板の裏面から前記第３の位置に亘って液膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記金属の除去液を供給する工程の後に行われ、当該基板に残留する前記金属の除去液を除去するために前記基板の裏面において、前記金属の除去液を供給した位置よりも基板の中心部寄りの位置に前記基板を洗浄する洗浄液を供給する工程と、
前記基板の側端面を介して前記基板の表面における前記第３の位置よりも前記塗布膜寄りの位置に前記洗浄液が回り込むように、当該基板を回転させて液膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする請求項４記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記金属の除去液、前記塗布膜の除去液を、前記基板を囲むカップ内において個別に形成された第１の排液路、第２の排液路から夫々当該カップの外側へと除去する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項７】
基板の表面の中心部に金属を含有する塗布液を供給すると共に、前記塗布液を遠心力によって前記基板の周縁部に向けて展伸させるために当該基板を回転させる工程と、
前記基板の周縁部に前記塗布液が到達する前から当該基板の周縁部よりも内側で前記塗布液が乾燥して前記金属を含有する塗布膜が形成されるまでの間、回転する当該基板の周縁部に前記金属の付着を防止するための付着防止液を供給する工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記塗布液の前記基板への供給を停止した後に、前記基板への前記付着防止液の供給を停止する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記付着防止液は前記塗布膜の溶剤であることを特徴とする請求項７または８記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に塗布膜を形成する基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造プロセスにおいては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）の表面にレジストなどの各種の薬液が塗布されて、塗布膜が形成される。近年、半導体装置の配線の微細化に伴い、例えば上記の塗布膜である下層膜上へのレジストパターンの形成と当該下層膜のエッチングとが複数回繰り返されるマルチパターニングなどの手法が用いられることなどにより、上記の半導体装置の製造プロセスは複雑化している。この製造プロセスの複雑化に伴い、例えばエッチング選択比を向上させるなどの目的から、金属を含有した薬液をウエハに塗布して上記の下層膜を形成することが検討されている。
【０００３】
さらに、例えば極端紫外線（ＥＵＶ）を用いて露光を行う場合のレジストパターンの解像度が高くなること、及び高いエッチング耐性を持つことから、無機系の金属を含有するレジストを用いてレジスト膜を形成することが検討されている。また、露光時により多くの二次電子を発生させて露光の高感度化を図るために、有機系のレジストにおいても金属を含有させることが検討されている。このように金属を含有する各種の薬液（塗布液）を塗布して塗布膜を形成することが検討されている。上記の塗布膜形成後は、ウエハの周縁部に塗布膜の溶剤が供給されることにより、不要な塗布膜の周縁部がリング状に除去される。
【０００４】
ところで、半導体装置の製造工程におけるウエハの予定しない部位への金属の付着は、半導体装置の電気特性に大きく影響するため、そのような金属の付着が起らないように厳しく管理されている。しかし、上記のように塗布膜の周縁部が除去された後の当該塗布膜の下地面には、塗布膜を構成する金属が残留してしまうおそれがある。そして、そのように金属が残留したウエハの周縁部が露光装置やエッチング装置などのウエハの処理装置やウエハの搬送機構に接触することによって、これらの処理装置や搬送機構を介して当該ウエハの後に搬送及び処理されるウエハも金属汚染される、つまりクロスコンタミネーションが発生するおそれがある。
【０００５】
例えば、特許文献１には上記の金属を含有するレジストについて記載されている。しかし、上記のウエハに残留する金属についての問題を解決する手法については、記載されていない。また、特許文献２には基板の表面に形成された銅膜などの金属膜の周縁部を除去する手法について記載されているが、上記の塗布膜についての問題の解決手法については記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−７５５００号公報
【特許文献２】特開２００７−３１８０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、基板の表面に金属を含有する塗布膜を形成するにあたり、当該塗布膜による金属汚染の発生を防ぐことができる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の基板処理方法は、基板の表面に金属を含有する塗布膜を形成する工程と、
次いで、当該基板の周縁部における前記塗布膜を除去するために、前記基板の周に沿って当該塗布膜の除去液を供給する工程と、
その後、前記基板の周縁部に残留する前記金属を除去するために、当該基板の周に沿って前記金属の除去液を供給する工程と、
を含む。
【０００９】
本発明の他の基板処理方法は、基板の表面の中心部に金属を含有する塗布液を供給すると共に、前記塗布液を遠心力によって前記基板の周縁部に向けて展伸させるために当該基板を回転させる工程と、
前記基板の周縁部に前記塗布液が到達する前から当該基板の周縁部よりも内側で前記塗布液が乾燥して前記金属を含有する塗布膜が形成されるまでの間、回転する当該基板の周縁部に前記金属の付着を防止するための付着防止液を供給する工程と、
を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、金属を含有した塗布膜が除去された後の基板の周縁部に当該金属の除去液が供給されるため、基板の周縁部が当該基板の搬送機構や処理装置に接触することによる金属汚染の発生を抑えることができる。
また、本発明の他の発明によれば、基板の周縁部に金属を含有する塗布液が到達するまで、且つ塗布液が乾燥して塗布膜が形成されるまで、回転する当該基板の周縁部に金属の付着防止液が供給されるので、上記の金属汚染の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】前記塗布、現像装置の平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の概略縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置に設けられるレジスト膜形成モジュールの縦断側面図である。
【図５】前記レジスト膜形成モジュールの縦断側面図である。
【図６】前記レジスト膜形成モジュールの平面図である。
【図７】処理液の吐出位置を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図８】第１の実施形態に係る前記塗布、現像装置における処理工程を示すためのウエハの概略斜視図である。
【図９】前記処理工程を示すためのウエハの概略斜視図である。
【図１０】前記処理工程を示すためのウエハの概略斜視図である。
【図１１】前記処理工程を示すためのウエハの概略斜視図である。
【図１２】前記処理工程を示すためのウエハの概略斜視図である。
【図１３】前記処理工程を示すためのウエハの概略斜視図である。
【図１４】前記処理工程を示すためのウエハの概略斜視図である。
【図１５】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図１６】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図１７】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図１８】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図１９】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図２０】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図２１】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図２２】第２の実施の形態に係る処理液が供給される領域を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図２３】第２の実施の形態における処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図２４】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図２５】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図２６】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図２７】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図２８】第３の実施の形態に係る処理工程を示すためのウエハの概略斜視図である。
【図２９】前記処理工程を示すためのウエハの概略斜視図である。
【図３０】前記処理工程を示すためのウエハの概略斜視図である。
【図３１】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図３２】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【図３３】前記処理工程を示すためのウエハの縦断側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１の実施形態）
本発明の基板処理方法に係る第１の実施形態を実施するための塗布、現像装置１について、図１〜図３を参照しながら説明する。図１、図２、図３は夫々塗布、現像装置１の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３と、を水平方向に直線状に、この順番で接続して構成されている。また、インターフェイスブロックＤ３には露光装置Ｄ４が、処理ブロックＤ２と反対側に接続されている。以降の説明ではブロックＤ１〜Ｄ３の配列方向を前後方向とし、ブロックＤ１側を前方側、ブロックＤ３側を後方側とする。
【００１３】
この塗布、現像装置１は、基板であるウエハＷの表面に、金属を含有する薬液（塗布液）を塗布し、エッチング時のハードマスクとなる反射防止膜を形成する。また、この反射防止膜に積層されるようにウエハＷの表面に金属を含有する薬液（塗布液）であるレジストを塗布して、レジスト膜を形成し、露光装置Ｄ４において露光された当該レジスト膜を現像してパターンを形成する。なお、金属を含有する薬液とは不純物として薬液に金属が混入しているという意味では無く、主成分または副成分として薬液に金属が含まれるという意味である。ウエハＷは例えば直径が３００ｍｍの円形であり、その表面側、裏面側には当該ウエハＷの周端に向かって夫々下降、上昇する傾斜面、いわゆるベベルが、垂直な周端面（側周面）に連続するように形成されている。
【００１４】
以下、塗布、現像装置１の各ブロックＤについて説明する。キャリアブロックＤ１は、複数枚のウエハＷが格納されたキャリアＣを塗布、現像装置１に対して搬入出する。キャリアブロックＤ１は、キャリアＣの載置台１１と、開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための搬送機構１３と、を備えている。
【００１５】
処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＥ１〜Ｅ６が下から順に積層されて構成されている。Ｅ１とＥ２とが互いに同じ単位ブロックであり、Ｅ３とＥ４とが互いに同じ単位ブロックであり、Ｅ５とＥ６とが互いに同じ単位ブロックである。同じ単位ブロックにおいて、互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。
【００１６】
ここでは単位ブロックのうち代表して単位ブロックＥ３を、図１を参照しながら説明する。単位ブロックＥ３には前後方向にウエハＷの搬送領域１４が形成されている。前方から後方に向かって見て、搬送領域１４の左側には棚ユニットＵが前後方向に複数配置されており、右側には２つのレジスト膜形成モジュール３が前後方向に並べて配置されている。レジスト膜形成モジュール３は、上記のレジストをウエハＷに塗布してウエハＷの表面全体にレジスト膜を形成し、然る後、ウエハＷの周縁部に当該レジストの溶剤を供給して不要なレジスト膜を除去する。さらに、このレジスト膜形成モジュール３は、レジスト膜が除去されたウエハＷの周縁部に残留する上記のレジストを構成する金属を除去するための金属除去液を供給し、その後、金属除去液をウエハＷの周縁部から除去する洗浄液を供給する。このレジスト膜形成モジュール３の詳細な構成については後述する。
【００１７】
棚ユニットＵは、ウエハＷを加熱する加熱モジュール１５を備えている。また、上記の搬送領域１４には、ウエハＷの搬送機構である搬送アームＦ３が設けられており、単位ブロックＥ３の各モジュール間でウエハＷが搬送される。
【００１８】
単位ブロックＥ１、Ｅ２、Ｅ５、Ｅ６について、単位ブロックＥ３、Ｅ４との差異点を説明すると、単位ブロックＥ１、Ｅ２は、レジスト膜形成モジュール３及び裏面洗浄モジュール２０の代わりに、反射防止膜形成モジュール１６を備えており、反射防止膜形成モジュール１６は、ウエハＷに反射防止膜形成用の薬液を供給して、上記の反射防止膜を形成する。ウエハＷに供給される薬液が異なることを除き、反射防止膜形成モジュール１６は、レジスト膜形成モジュール３と同様に構成されている。単位ブロックＥ５、Ｅ６は、レジスト膜形成モジュール３及び裏面洗浄モジュール２０の代わりに、現像モジュール１７を備えている。現像モジュール１７は、露光装置Ｄ４で露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像し、レジストパターンを形成する。このような差違を除いて、単位ブロックＥ１〜Ｅ６は互いに同様に構成されている。また、図３では、搬送アームＦ３に相当する各単位ブロックＥ１、Ｅ２、Ｅ４〜Ｅ６の搬送アームについて、夫々Ｆ１、Ｆ２、Ｆ４〜Ｆ６として示している。
【００１９】
処理ブロックＤ２におけるキャリアブロックＤ１側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構１８とが設けられている。タワーＴ１は互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各高さに設けられるモジュールは、当該単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各搬送アームＦ１〜Ｆ６との間でウエハＷを受け渡すことができる。これらのモジュールとしては、各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ、ウエハＷの温度調整を行う温調モジュールＣＰＬ、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュール、及びウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールなどが含まれている。説明を簡素化するために、これら疎水化処理モジュール、温調モジュール及び前記バッファモジュールについての図示は省略している。
【００２０】
インターフェイスブロックＤ３は、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えており、タワーＴ２とタワーＴ３とに対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構であるインターフェイスアーム２１と、タワーＴ２とタワーＴ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構であるインターフェイスアーム２２と、タワーＴ２と露光装置Ｄ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送機構であるインターフェイスアーム２３が設けられている。
【００２１】
タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳ、露光処理前の複数枚のウエハＷを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハＷを格納するバッファモジュール、及びウエハＷの温度調整を行う温調モジュールなどが互いに積層されて構成されているが、ここではバッファモジュール及び温調モジュールの図示は省略する。タワーＴ３には、裏面洗浄モジュール２０が設けられており、洗浄液供給部によってウエハＷの裏面に洗浄液として純水を供給すると共にブラシによって当該裏面を擦り、付着した異物が除去されるように洗浄する。なお、タワーＴ４にもモジュールが設けられているが、このモジュールについては説明を省略する。
【００２２】
続いて、レジスト膜形成モジュール３について、図４、図５の縦断側面図及び図６の横断平面図を参照しながら説明する。図４、図５は、後述する昇降自在な可動カップ４０が上昇位置、下降位置に夫々位置した状態を夫々示している。図中３１は、ウエハＷの裏面中央部を吸着して当該ウエハＷを水平に保持する回転保持部であるスピンチャックであり、垂直な軸部３１Ａを介して回転モータなどを含む回転駆動部３２に接続されている。回転駆動部３２は、スピンチャック３１を鉛直軸周りに回転させる。図中３３は昇降自在な３本の支持ピンであり（ただし、図４、図５では２本のみ表示している）、ウエハＷの裏面を支持し、搬送アームＦ３、Ｆ４とスピンチャック３１との間でウエハＷを受け渡す。
【００２３】
図中３４は円形のカップであり、スピンチャック３１に保持されたウエハＷの側方を囲むように設けられており、その上端部は内方側へ突出して突出部３４Ａを形成している。カップ３４の底壁には各々起立した区画壁３５Ａ、３５Ｂが、カップ３４の外側に向かってこの順に、平面視同心円状に設けられている。そして、区画壁３５Ａ、３５Ｂとカップ３４の側壁とによって、３つの円環状の凹部３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃが、カップ３４の外側に向かってこの順に、同心円状に形成されており、凹部３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃの底面には、排気口３７Ａ、排液口３７Ｂ、排液口３７Ｃが夫々開口している。
【００２４】
区画壁３５Ａ上には円形のリング板３８が、軸部３１Ａに貫通されて水平に設けられている。このリング板３８は、ウエハＷからこぼれ落ちた液を当該リング板３８の周端部に向けてガイドできるように、頂部がウエハＷの下方に位置する縦断面視山型に構成されており、リング板３８の周端部は下方へ引き出され、凹部３６Ｂ内に進入するように形成されている。リング板３８上には、ウエハＷの裏面の周縁部へ各処理液を吐出する裏面側ノズル３９Ａ〜３９Ｄが設けられている。これらの裏面側ノズル３９Ａ〜３９Ｄは、例えば図６に示すようにカップ３４の周方向に沿って配置されているが、図４、図５では、便宜上、図の左右に配列して示している。
【００２５】
裏面側ノズル３９Ａ、３９Ｂ、３９Ｃ、３９Ｄは、夫々レジストの溶剤の供給源３０Ａ、ＳＣ２の供給源３０Ｂ、ＳＰＭの供給源３０Ｃ、純水の供給源３０Ｄに夫々接続されており、接続された当該供給源から供給される処理液を、ウエハＷの外側斜め上方に向けて吐出する。供給源３０Ａ〜３０Ｄは、各処理液を貯留すると共に、貯留された処理液をノズル３９Ａ〜３０Ｄへ圧送するポンプを備えている。また、供給源３０Ｂ、３０Ｃについては、貯留されたＳＣ２、ＳＰＭを２０℃〜９０℃に温度調整可能に構成され、そのように温度調整されたＳＣ２、ＳＰＭがノズル３９Ｂ、３９Ｃから夫々吐出される。
【００２６】
裏面側ノズル３９Ａは、ウエハＷの裏面に付着したレジストを、当該レジストの溶剤を吐出することによって除去する。裏面側ノズル３９Ｂ、３９Ｃは、金属の除去液としてＳＣ２、ＳＰＭを夫々吐出することにより、レジストを構成する金属をウエハＷから除去する。裏面側ノズル３９Ｄは、洗浄液である純水を吐出することで、ウエハＷに供給されて付着したＳＣ２、ＳＰＭを洗い流して除去する。ここでＳＣ２、ＳＰＭ、レジストの溶剤について夫々説明しておくと、ＳＣ２は塩酸と過酸化水素水と水との混合液であり、ＳＰＭは硫酸と過酸化水素水と水との混合液である。従って、ＳＣ２及びＳＰＭは無機溶媒である。レジストの溶剤は、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、シクロヘキサノン、ガンマブチルラクトン、エチルラクテートなどの有機溶媒である。
【００２７】
塗布、現像装置１が設置される工場の要請に従って、無機溶媒の廃液及び有機溶媒の廃液が互いに混合されないようにカップ３４外へ排出するために、カップ３４内にて２つの個別の排液路を形成するための可動カップ４０が設けられている。当該可動カップ４０は、スピンチャック３１に載置されたウエハＷを囲むように、上下に間隔をおいて重ねて設けられた平面視円形の上側傾斜リング板４１及び下側傾斜リング板４２により構成されており、これら上側傾斜リング板４１及び下側傾斜リング板４２は、上方に向かうに従って開口径が小さくなるように傾斜している。下側傾斜リング板４２は下方に向かう途中で屈曲され、その下端部は、垂直方向に伸びるように形成された円筒部４３を構成し、当該円筒部４３の内周面には、周方向に沿ってリング状の突起４３Ａが設けられている。図中４０Ａは、傾斜リング板４１、４２を上昇位置と下降位置との間で昇降させる昇降機構である。
【００２８】
図４に示すように可動カップ４０が上昇位置に位置するときは、上側傾斜リング板４１の上端とカップ３４の突出部３４Ａとが近接し、下側傾斜リング板４２の内周縁部の下面が、ウエハＷから飛散する処理液を受けることができるように、当該ウエハＷの表面の上方に位置する。また、円筒部４３の突起４３Ａが、区画壁３５Ｂの上方に位置する。図５に示すように、可動カップ４０が下降位置にあるときは、円筒部４３は凹部３６Ｃ内に位置し、突起４３Ａが区画壁３５Ｂの外周面に近接する。また、上側傾斜リング板４１の上端がウエハＷの表面と同じ、または略同じ高さに位置する。
【００２９】
図中４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ、４４Ｄは表面側ノズルであり、レジストの溶剤の供給源４５Ａ、ＳＣ２の供給源４５Ｂ、ＳＰＭの供給源４５Ｃ、純水の供給源４５Ｄに夫々接続されており、ウエハＷの外側下方斜めに向けて、各供給源４５Ａ〜４５Ｄから供給される処理液を吐出する。供給源４５Ａ〜４５Ｄは、上記の供給源３０Ａ〜３０Ｄと同様に構成されている。従って、ノズル４４Ｂ、４４Ｃからは温度調整されたＳＣ２、ＳＰＭを吐出することができる。また、図中４６はレジスト供給ノズルであり、鉛直下方に金属を含有するレジストを吐出する。レジスト供給ノズル４６は、レジストの供給源４６Ａに接続されている。レジストの供給源４６Ａは、レジストが貯留されていることを除いて供給源４５Ａ〜４５Ｄと同様に構成されている。
【００３０】
表面側ノズル４４Ａは、ウエハＷの表面の周縁部に溶剤を吐出することで不要なレジスト膜を除去する。表面側ノズル４４Ｂ、４４Ｃは、裏面側ノズル３９Ｂ、３９Ｃと同様に、ＳＣ２、ＳＰＭを吐出することによってレジスト膜に含まれる金属をウエハＷから除去する。表面側ノズル４４Ｄは、裏面側ノズル３９Ｄと同様に、純水を吐出することによってウエハＷからＳＣ２及びＳＰＭを除去する。
【００３１】
上記のレジスト供給ノズル４６は、図６に示すノズルアーム４７Ａを介して駆動機構４７Ｂに接続されている。当該駆動機構４７Ｂによってレジスト供給ノズル４６は、昇降自在且つ水平方向に移動自在に構成され、カップ３４の外側の待機領域とウエハＷの中心部上との間を移動することができる。表面側ノズル４４Ａ〜４４Ｄは、ノズルアーム４８Ａを介して駆動機構４８Ｂに接続されている。当該駆動機構４８Ｂによって、表面側ノズル４４Ａ〜４４Ｄは、昇降自在且つ水平方向に移動自在に構成され、カップ３４の外側の待機領域とウエハＷの周縁部上との間を移動し、後述するように設定された吐出位置に処理液を各々吐出することができる。図中４７Ｃ、４８Ｃは、駆動機構４７Ｂ、４７Ｃの水平移動のガイドである。
【００３２】
カップ３４の上方には図示しないエア供給部が設けられ、下方に向けてエアを供給する。このエアの供給と上記のカップ３４の排気口３７Ａからの排気とが、例えばモジュール３の稼働中、常時行われ、エア供給部から供給されたエアはカップ３４へ向かう下降気流を形成し、当該排気口３７Ａから排気される。図４、図５中の実線の矢印は、カップ３４内におけるエアの主な流れを示している。
【００３３】
可動カップ４０が上昇位置に位置するとき、カップ３４上からウエハＷ表面に供給されたエアは、リング板３８と下側傾斜リング板４２の下面との間に比較的大きく形成された空間へ流れ、突起４３Ｃによって、リング板３８の外周面と区画壁３５Ａの内周面との間に向けてガイドされて凹部３６Ｂ内に導入される一方で、凹部３６Ｂの外側の凹部３６Ｃ内へ流れ込むことが抑制される。そして、凹部３６Ｂ内へ流れ込んだエアは、区画壁３５Ａを乗り越えて凹部３６Ａの排気口３７Ａに流入して排気される。可動カップ４０が下降位置に位置するとき、カップ３４上からウエハＷ表面に供給されたエアは、カップ３４の突出部３４Ａと上側傾斜リング板４１の上面との間の比較的大きく形成された空間へと流れ、下側傾斜リング板４２の円筒部４３の外周面とカップ３４の側壁の内周面との間を通過して凹部３６Ｃ内に流入する。そして、区画壁３５Ｂ、３５Ａを順に乗り越えて、排気口３７Ａに流入して排気される。
【００３４】
レジスト供給ノズル４６、表面側ノズル４４Ａ及び裏面側ノズル３９Ａから、溶剤、レジストが夫々吐出されるときには、可動カップ４０が上昇位置に配置され、ウエハＷから飛散したこれらの液が、凹部３６Ｂの排液口３７Ｂにガイドされる。図４にて点線の矢印により、カップ３４内におけるこの液の流れを示している。具体的に説明すると、可動カップ４０が上昇位置に配置されることで、当該液はリング板３８と下側傾斜リング板４２の下面との間へ飛散し、上記のエアの気流に押し流されて凹部３６Ｂへと導入され、上記排液口３７Ｂからからカップ３４外に排出される。
【００３５】
また、表面側ノズル４４Ａ、４４Ｃ、４４Ｄ及び裏面側ノズル３９Ｂ、３９Ｃ、３９ＤからＳＣ２、ＳＰＭ、純水が夫々供給されるときには、可動カップ４０が下降位置に配置され、ウエハＷから飛散したこれらの液が凹部３６Ｃの排液口３７Ｃにガイドされる。図５にて点線の矢印により、カップ３４内におけるこの液の流れを示している。具体的に説明すると、可動カップ４０が下降位置に配置されることで、当該液はカップ３４の突出部３４Ａと上側傾斜リング板４１の上面との間、及び下側傾斜リング板４２と上側傾斜リング板４１との間に飛散して、カップ３４の側壁の内周面と円筒部４３の外周面との間に導入される。そして、上記のエアの気流に押し流されて、凹部３６Ｃへと導入され、上記排液口３７Ｃからカップ３４外に排出される。
【００３６】
続いて、表面側ノズル４４Ａ〜４４Ｄ及び裏面側ノズル３９Ａ〜３９Ｄから吐出される各処理液の吐出位置について、ウエハＷの周縁部の縦断側面を示す図７を用いて説明する。ここで吐出位置とは、各ノズルからウエハＷに処理液が吐出される領域のウエハＷの中心寄りの端部であるものとし、さらに言い換えると、各ノズルの吐出口の吐出方向に向かうウエハＷへの投影領域において、ウエハＷの中心寄りの端部である。なお、図７ではレジスト膜を４Ａとして示している。
【００３７】
図中Ａ１は表面側ノズル４４Ａからの溶剤の吐出位置であり、吐出位置Ａ１とウエハＷの側端面との距離Ａ２は例えば１．０ｍｍ〜５．０ｍｍである。図中Ａ３は、表面側ノズル４４Ｂ、４４ＣからのＳＣ２及びＳＰＭの吐出位置であり、吐出位置Ａ３とウエハＷの側端面との距離をＡ４とすると、距離Ａ２＞距離Ａ４である。つまり、ＳＣ２及びＳＰＭは、ウエハＷの表面において溶剤により周縁部が除去されたレジスト膜４Ａの周端よりも当該ウエハＷの外側寄りの位置（第１の位置）に供給される。また、表面側ノズル４４Ｄからの純水の吐出位置は、吐出位置Ａ３よりもウエハＷの中心部寄りであり、吐出位置Ａ１に一致するかあるいは吐出位置Ａ１よりもウエハＷの周端寄りの位置（第２の位置）である。
【００３８】
図中Ｂ１は裏面側ノズル３９Ａからの溶剤の吐出位置であり、この吐出位置Ｂ１とウエハＷの側端面との距離をＢ２とする。図中Ｂ３は裏面側ノズル３９Ｂ、３９ＣからのＳＣ２及びＳＰＭの吐出位置であり、この吐出位置Ｂ３とウエハＷの側端面との距離をＢ４とすると、距離Ｂ２＞距離Ｂ４である。また、裏面側ノズル３９Ｄからの吐出位置は、吐出位置Ｂ３よりもウエハＷの中心部寄りである。上記のように距離Ａ２、Ｂ２によって距離Ａ４、Ｂ４の設定可能な範囲が決められるが、具体的には例えば距離Ａ４及びＢ４は１．０ｍｍ以上である。このように各処理液の吐出位置が設定される理由については、レジスト膜形成モジュール３におけるウエハＷの処理手順と共に後述する。なお、表面側ノズル４４Ａ〜４４Ｄ及び裏面側ノズル３９Ａ〜３９Ｄは、このように設定された吐出位置に供給された処理液がウエハＷの中心寄りに移動することを確実に抑えるために、既述したようにウエハＷの外側斜め方向に処理液を吐出するように構成されるが、鉛直方向に処理液を吐出するように構成してもよい。
【００３９】
続いて、図１に示す塗布、現像装置１に設けられる制御部１００について説明する。制御部１００は例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、各モジュールでのウエハＷの処理と、各搬送機構によるモジュール間におけるウエハＷの搬送と、既述の画像データに基づいた判定と、が行えるように、命令（ステップ群）が組まれたプログラムが格納されている。そして、当該プログラムによって制御部１００から塗布、現像装置１の各部に制御信号が出力されることで、当該塗布、現像装置１の各部の動作が制御される。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００４０】
上記の塗布、現像装置１及び露光装置Ｄ４からなるシステムにおけるウエハＷの搬送経路及び処理について説明する。以降の説明では、ウエハＷの表面状態及びレジスト膜形成モジュール３における各ノズルの動作を示す概略斜視図である図８〜図１４とウエハＷの縦断側面図である図１５〜図２１とを参照して説明する。なお、図示の便宜上、図１０〜図１４ではレジスト膜４Ａの表面にハッチングを付して示す。従って、当該ハッチングは、断面を示すものではない。また、表面側ノズル４４Ａ〜４４Ｄは、上記のようにウエハＷの外側下方へ向けて斜めに処理液を吐出するように構成されているが、図１７〜図２１では図を見やすくするために、鉛直下方に処理液を吐出するように示している。
【００４１】
先ず、ウエハＷはキャリアＣから搬送機構１３により、処理ブロックＤ２におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送される。この受け渡しモジュールＴＲＳ０からウエハＷは、単位ブロックＥ１、Ｅ２に振り分けられて搬送される。例えばウエハＷを単位ブロックＥ１に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１（搬送アームＦ１によりウエハＷの受け渡しが可能な受け渡しモジュール）に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。またウエハＷを単位ブロックＥ２に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ２に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ２に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。これらのウエハＷの受け渡しは、搬送機構１８により行われる。
【００４２】
このように振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）から反射防止膜形成モジュール１６に搬送されて反射防止膜が形成される。この反射防止膜の形成処理は、後述のレジスト膜の形成処理と同様のため、詳細な説明を省略する。反射防止膜形成後のウエハＷは、加熱モジュール１５に搬送された後、ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）に搬送され、続いて搬送機構１８により単位ブロックＥ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と、単位ブロックＥ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４とに振り分けられる。
【００４３】
このようにＴＲＳ３、ＴＲＳ４に振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ３（ＴＲＳ４）から、レジスト膜形成モジュール３に搬送され、スピンチャック３１に載置される（図８、図１５）。そして、ウエハＷが所定の回転数で回転し、レジスト供給ノズル４６からレジストがウエハＷの中心部に吐出され（図９）、遠心力によってウエハＷの周縁部に向けてレジストが展伸されるスピンコーティングが行われて、ウエハＷ表面全体がレジストに被覆される。そして、当該レジストが乾燥し、レジスト膜４Ａが形成される（図１６）。
【００４４】
然る後、ウエハＷの回転が続けられたまま、表面側ノズル４４Ａ、裏面側ノズル３９Ａから、図７で説明したウエハＷの周縁部における表面の吐出位置Ａ１、裏面の吐出位置Ｂ１に溶剤が夫々吐出される。吐出された溶剤は、遠心力によって吐出位置Ａ１、Ｂ１から当該ウエハＷの周端へ向けて広がり、ウエハＷの周端面へ回り込んで液膜５１を形成した後、振り切られてウエハＷから除去される。このレジストの溶剤の液膜５１により、ウエハＷの全周に亘って当該ウエハＷの表面の周縁部における不要なレジスト膜４Ａが除去される。また、ウエハＷの表面から周端面及び裏面にレジストが回り込むことによって、当該周端面及び裏面に形成されたレジスト膜４Ａも除去される（図１０、図１７）。ウエハＷにおいて、このようにレジスト膜４Ａが除去された領域には、レジスト膜４Ａを構成する金属５０が残留している。
【００４５】
表面側ノズル４４Ａ及び裏面側ノズル３９Ａからの溶剤の吐出が停止した後、表面側ノズル４４Ｂ、裏面側ノズル３９Ｂから図７で説明したウエハＷの表面の吐出位置Ａ３、ウエハＷの裏面の吐出位置Ｂ３に、夫々ＳＣ２が吐出される。このように吐出されたＳＣ２は、遠心力によってウエハＷの周端へ向けて広がり、ウエハＷの表面、裏面から夫々周端面へと回り込んで液膜５２を形成した後、振り切られてウエハＷから除去される。このＳＣ２の液膜５２によって、ウエハＷに残留していた金属５０が除去される（図１１、図１８）。ウエハＷの表面におけるＳＣ２の吐出位置Ａ３は、レジスト膜４Ａの周端よりもウエハＷの周端寄りであるため、液膜５２はレジスト膜４Ａには接触しない。従って、レジスト膜４Ａに含まれる金属がＳＣ２によって溶解して当該レジスト膜が変質することを防ぐことができる。
【００４６】
ウエハＷの全周に亘って液膜５２による金属５０の除去が行われた後、表面側ノズル４４Ｂ及び裏面側ノズル３９ＢからのＳＣ２の吐出が停止し、表面側ノズル４４Ｃ、裏面側ノズル３９ＣからウエハＷの表面の吐出位置Ａ３、ウエハＷの裏面の吐出位置Ｂ３に、夫々ＳＰＭが吐出される。吐出されたＳＰＭは、ＳＣ２の液膜５２が形成された位置と同じ位置に液膜５３を形成し、ウエハＷに残留していた金属５０がさらに除去される（図１２、図１９）。このＳＰＭの液膜５３もレジスト膜４Ａに接触しないため、当該ＳＰＭによってレジスト膜４Ａが変質することを防ぐことができる。
【００４７】
ウエハＷの全周に亘って液膜５３による金属５０の除去が行われた後、表面側ノズル４４Ｃ及び裏面側ノズル３９ＣからのＳＰＭの吐出が停止し、表面側ノズル４４Ｄ、裏面側ノズル３９Ｄから、ウエハＷの表面、裏面に純水が夫々吐出される。吐出された純水は、遠心力によってウエハＷの周端へ向けて広がり、ウエハＷの表面、裏面から夫々周端面へと回り込んで液膜５４を形成し、当該周端面から振り切られて除去される。この液膜５４によってウエハＷが洗浄され、ウエハＷに残留したＳＣ２及びＳＰＭが除去される。
【００４８】
図７で説明したように、ウエハＷの表面において純水の吐出位置は、ＳＣ２及びＳＰＭの吐出位置Ａ３よりウエハＷの中心寄り且つレジスト膜４Ａの外側の位置である。また、ウエハＷの裏面において、純水の吐出位置はＳＣ２及びＳＰＭの吐出位置Ｂ３よりもウエハＷの中心寄りである。従って、ウエハＷの表面及び裏面においてＳＣ２及びＳＰＭが供給された領域を含み、且つ当該領域よりも広い範囲に純水が供給されるので、ＳＣ２及びＳＰＭがウエハＷから確実に除去される。
【００４９】
然る後、表面側ノズル４４Ｄ及び裏面側ノズル３９Ｄからの純水の吐出が停止し、ウエハＷの回転により純水が当該ウエハＷから振り切られた後、当該回転が停止し、レジスト膜形成モジュール３による処理が終了する（図１４、図２１）。なお、上記したレジスト膜形成モジュール３による処理中、既述したように使用する液に応じて、可動カップ４０の位置が切り替わる。
【００５０】
その後、ウエハＷは、加熱モジュール１５→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３１（ＴＲＳ４１）の順で搬送される。然る後、このウエハＷは、インターフェイスアーム２１によりタワーＴ３の裏面洗浄モジュール２０に搬送されて裏面洗浄された後、インターフェイスアーム２１、２３を介して露光装置Ｄ４へ搬入されて、レジスト膜４Ａが所定のパターンに沿って露光される。露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム２２、２３によりタワーＴ２、Ｔ４間を搬送されて、単位ブロックＥ５、Ｅ６に対応するタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５１、ＴＲＳ６１に夫々搬送される。然る後、ウエハＷは加熱モジュール１５に搬送されて加熱処理（ポストエクスポージャーベーク）を受けた後、現像モジュール１７に搬送されて現像液の供給を受けて、露光装置Ｄ４で露光されたパターンに沿ってレジスト膜４Ａが溶解し、ウエハＷにレジストパターンが形成される。然る後、ウエハＷは、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ５（ＴＲＳ６）に搬送された後、搬送機構１３を介してキャリアＣに戻される。
【００５１】
上記の塗布、現像装置１によれば、レジスト膜形成モジュール３及び反射防止膜形成モジュール１６において、ウエハＷの表面全体に金属を含有する薬液を塗布して塗布膜を塗布した後、回転するウエハＷの周縁部に当該ウエハＷの周に沿って溶剤を供給して不要な塗布膜を除去し、然る後、回転するウエハＷの周縁部に当該ウエハＷの周に沿ってＳＣ２及びＳＰＭを供給して、ウエハＷの周縁部に残留する金属を除去している。従って、塗布、現像装置１に設けられるウエハＷの搬送機構及びモジュールと露光装置Ｄ４とが、当該ウエハＷの周縁部に残留した金属と接触し、汚染されてしまうことを防ぐことができる。その結果として、後続のウエハＷが、これらのモジュールや搬送機構に接触して金属汚染されることも防ぐことができる。従って、ウエハＷから製造される半導体装置の歩留りの低下を抑えることができる。
【００５２】
ところで、上記のレジスト膜形成モジュール３では、ウエハＷの裏面にレジストが回り込んでレジスト膜４Ａが形成された場合であっても、当該レジスト膜の除去、金属５０の除去、純水による洗浄を行えるように裏面側ノズル３９Ａ〜３９Ｄを設けている。ウエハＷの回転数を適切に設定し、且つ適切な粘度のレジストを用いることで、そのレジストの裏面への回り込みを防ぎ、レジスト膜形成モジュール３について裏面側ノズル３９Ａ〜３９Ｄを設けない構成としてもよい。
【００５３】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施の形態について、第１の実施形態との差異点を中心に説明する。この第２の実施形態では、レジスト膜形成モジュール３における処理が、第１の実施形態におけるレジスト膜形成モジュール３の処理と異なっており、表面側ノズル４４Ａ〜４４Ｄが使用されず、裏面側ノズル３９Ａ〜３９Ｄから吐出された処理液をウエハＷの周端面を介してウエハＷの表面側のベベルへ回り込ませて、当該処理液による液膜を形成して処理を行う。
【００５４】
図２２のウエハＷの周縁部の縦断側面図を参照しながら、レジスト膜形成モジュール３における処理について説明する。各裏面側ノズル３９Ａ〜３９ＤのウエハＷの裏面における吐出位置は、例えば第１の実施形態と同様である。図中Ｃ１は、レジストの溶剤を上記のようにウエハＷの表面側のベベルに回り込ませて液膜を形成した際に、当該ベベルにおける当該液膜に接する上端の高さを示しており、例えばウエハＷの表面側のベベルの上端の高さに一致する。
【００５５】
図中Ｃ２は、ＳＣ２及びＳＰＭを上記のようにウエハＷの表面側のベベルに回り込ませて液膜を形成した際に、当該ベベルにおける当該液膜に接する上端の高さを示しており、上記の高さＣ１よりも下方に位置する。従って、水平方向に見れば、当該表面側のベベルにおいて、高さＣ２に対応する位置（第３の位置）は高さＣ１に対応する位置よりもウエハＷの外側に離れている。また、純水をウエハＷの表面側のベベルに回り込ませて液膜を形成した際には、ウエハＷの表面側のベベルにおいて当該液膜に接する領域の上端は、Ｃ１と同じ高さか、あるいはＣ１よりも低く且つＣ２よりも高い高さである。このようなウエハＷの処理液に接する領域の制御は、各ノズルから吐出される処理液の流量とウエハＷの回転数とを適切に設定することにより行う。
【００５６】
続いて、ウエハＷの縦断側面図である図２３〜図２７を参照しながら、レジスト膜形成モジュール３で行われる処理について、第１の実施形態の処理との差異点を中心に、順を追って説明する。上記の図９、図１６で説明したようにレジスト膜４Ａが形成された後、回転するウエハＷの裏面周縁部に裏面側ノズル３９Ａから溶剤が吐出される。当該溶剤は、遠心力によってウエハＷの裏面をウエハＷの周端へ移動し、裏面側のベベル及び側端面を介してウエハＷの表面側のベベルへ乗り上げて液膜６１を形成し、ウエハＷから振り切られる。表面側のベベルにおいては、下端から上端（図２２で説明した高さＣ１）に亘って当該液膜６１に接する。この液膜６１によってレジスト膜４Ａが除去され、レジスト膜４Ａが除去された領域には金属５０が残留する（図２３）。
【００５７】
その後、回転するウエハＷの裏面周縁部に、裏面側ノズル３９ＢからＳＣ２が吐出される。当該ＳＣ２は、遠心力によってウエハＷの裏面をウエハＷの周端へ移動し、側端面を介してウエハＷの表面側のベベルへ乗り上げて液膜６２を形成し、ウエハＷから振り切られる。表面側のベベルにおいては、下端から図２２で説明した高さＣ２に至るまで当該液膜６２に接する（図２４）。つまり、ウエハＷの表面にＳＣ２が回り込んで形成される液膜６２の端部は、レジスト膜４Ａの周端よりもウエハＷの周端寄りの位置に位置すると共に、当該位置からレジスト膜４Ａ寄りには移動しないように形成される。つまりＳＣ２のレジスト膜４Ａの接触が防がれた状態で、当該ＳＣ２により金属５０が除去される。
【００５８】
続いて、回転するウエハＷの裏面周縁部に、裏面側ノズル３９ＣからＳＰＭが吐出され、ウエハＷの周縁部において上記のＳＣ２の液膜６２が形成された位置と同様の位置にＳＰＭの液膜６３が形成される（図２５）。従って当該液膜６３もレジスト膜４Ａに接触しない。この液膜６３によって、レジスト膜４ＡのＳＣ２による変質を防ぎ、且つ溶剤の液膜６１によってレジスト膜４Ａが除去された領域から金属５０がさらに除去される。
【００５９】
然る後、回転するウエハＷの裏面周縁部に、裏面側ノズル３９Ｄから純水が吐出される。第１の実施形態と同様に、この純水の吐出位置は、ＳＣ２及びＳＰＭの吐出位置よりもウエハＷの中心部寄りである。そして、吐出された当該純水は、遠心力によってウエハＷの裏面をウエハＷの周端へ移動し、側端面を介してウエハＷの表面側のベベルへ乗り上げて液膜６４を形成し、ウエハＷから振り切られる。既述したように表面側のベベルにおいてはその下端から高さＣ１、またはＣ１より低くＣ２より高い位置に至るまで液膜６４に接する。つまり、ウエハＷにおいてＳＣ２及びＳＰＭが供給された領域を含み、且つ当該領域よりも広い範囲に純水が供給されるので、確実にこれらＳＣ２及びＳＰＭがウエハＷから除去される。純水の供給停止後は、ウエハＷの回転によって純水が振り切られ、レジスト膜形成モジュール３における処理が終了する（図２７）。
【００６０】
この第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に金属５０によるモジュール、搬送機構、露光装置Ｄ４及び後続のウエハＷにおける金属汚染を防ぐことができる。また、この第２の実施形態については、ウエハＷに処理液を裏面から表面側へ回り込ませることで、第１の実施形態に比べてレジスト膜４Ａの周縁部の除去される幅を小さくすることができるので、１枚のウエハＷから多くの半導体製品を製造することができる。なお、レジスト膜形成モジュール３の処理を説明したが、反射防止膜形成モジュール１６においても、図２３〜図２７で説明したように処理を行なってよい。
【００６１】
ところで上記の裏面洗浄モジュール２０は、ブラシ及び裏面に洗浄液（純水）を供給する洗浄液供給部の他に、スピンチャック３１と、カップ３４とを備えている。カップ３４には可動カップ４０が設けられておらす、カップ３４内の処理液の排液路は１系統となっている。例えばこの裏面洗浄モジュール２０に、裏面側ノズル３９Ｂ〜３９Ｄ及び表面側ノズル４４Ｂ〜４４Ｄをさらに設けて金属除去液によるウエハＷに残留する金属の除去、及び洗浄液による金属除去液の除去を行い、反射防止膜形成モジュール１６及びレジスト膜形成モジュール３では薬液の塗布及び溶剤による不要な塗布膜の除去のみを行うようにしてもよい。その場合、裏面洗浄モジュール２０においては、例えばブラシの金属汚染を防ぐために、各ノズル３９Ｂ〜３９Ｄ、４４Ｂ〜４４Ｄを用いて上記の各処理を行った後に、洗浄液供給部による洗浄液の供給と当該ブラシによる擦動とによる裏面洗浄を行い、然る後、スピンチャック３１によるウエハＷの回転によって洗浄液を振り切ってウエハＷを乾燥させる。
【００６２】
このように裏面洗浄モジュール２０においてウエハＷに残留する金属の除去、金属除去液の除去を行う場合、反射防止膜形成モジュール１６及びレジスト膜形成モジュール３においてＳＣ２及びＳＰＭを用いなくてよいため、これらのモジュール３、１６のカップ３４に、薬液及び溶剤の排液路とは別に、ＳＣ２及びＳＰＭの排液路を設けなくてよい。つまり、可動カップ４０を設けず、排液路を１系統とすることができる。そして、裏面洗浄モジュール２０において用いられる処理液は、純水、ＳＣ２及びＳＰＭであるため、この裏面洗浄モジュール２０のカップ３４においても排液路は１系統でよい。従って、装置構成を簡素化することができる利点が有る。さらに、このように処理を行う場合、反射防止膜形成モジュール１６及びレジスト膜形成モジュール３で、夫々ウエハＷに残留する金属の除去、及び洗浄液による金属除去液の除去が行われず、この裏面洗浄モジュール２０においてのみ、これら金属の除去及び金属除去液の除去が行われるので、塗布、現像装置１による処理コストの低減を図ることができる。ただし、裏面洗浄モジュール２０にウエハＷを搬送するまでに、ウエハＷが経由する搬送アームＦや受け渡しモジュールＴＲＳなどが金属に汚染されるおそれがあるため、この汚染を確実に防ぐ観点から、既述のように反射防止膜形成モジュール１６、レジスト膜形成モジュール３で夫々金属の除去を行うことが好ましい。
【００６３】
このようにレジストの塗布、溶剤による不要なレジスト膜の周縁部の除去、金属除去液による金属の除去、及び金属除去液の除去の全ての工程を、レジスト膜形成モジュール３、反射防止膜形成モジュール１６で夫々行うことには限られない。上記の例の他には、例えば、金属除去液の除去の工程のみ、裏面洗浄モジュール２０で行うようにしてもよい。
【００６４】
ところで、第１及び第２の実施形態においては、より確実に金属を除去するためにＳＣ２、ＳＰＭの２種類の金属除去液を供給しているが、供給する金属除去液は１種類であってもよい。また金属除去液としては、ＳＣ２、ＳＰＭの他にフッ酸などの酸を含む溶液を用いてもよい。さらに、上記の例では各ノズルに対してウエハＷを回転させることで、ウエハＷの周縁部に処理液を供給しているが、ノズルをウエハＷに対して移動させることで周縁部に処理液を供給してもよい。
【００６５】
（第３の実施形態）
続いて、第３の実施の形態について説明する。この第３の実施形態においても、レジスト膜形成モジュール３及び反射防止膜形成モジュール１６における処理について第１の実施形態の処理と異なっている。ウエハＷの概略斜視図である図２８〜図３０及びウエハＷの縦断側面図である図３１〜図３３を参照しながら、レジスト膜形成モジュール３で行われる処理について、第１の実施形態の処理との差異点を中心に説明する。先ずレジスト供給ノズル４６からレジストがウエハＷの中心部に吐出されると共にウエハＷが回転し、遠心力によってレジストがウエハＷの周縁部へ向けて展伸される。そして、レジストがウエハＷの周縁部に到達する前に、表面側ノズル４４Ａ、裏面側ノズル３９ＡからウエハＷの周縁部に溶剤が吐出される（図２８、図３１）。
【００６６】
ウエハＷの周縁部に到達したレジストは溶剤によって希釈され、当該溶剤と共に遠心力によってウエハＷから振り切られる（図３２）。レジスト供給ノズル４６からのレジストの吐出停止後、ウエハＷの周縁部よりも内側の領域ではレジストに含まれる溶剤が揮発する一方、ウエハＷの周縁部には引き続き溶剤が供給され、レジストが振り切られる。それによって、レジストを構成する金属５０が、レジストに付着してウエハＷの周縁部に留まることが抑制される（図２９、図３２）。
【００６７】
ウエハＷの周縁部よりも内側の領域においてレジストが乾燥してレジスト膜が形成されるまで、表面側ノズル４４Ａ及び裏面側ノズル３９Ａから溶剤の吐出が行われる。ここでレジストが乾燥するとは、レジストの流動性が低下することによって上記の内側の領域から周縁部へ向けてレジストが移動しない状態になることを言う。溶剤の吐出停止後、ウエハＷの周縁部から溶剤が振り切られて当該周縁部が乾燥して処理が終了する（図３０、図３３）。説明は省略するが、反射防止膜形成モジュール１６においても同様の処理が行われる。
【００６８】
この第３の実施形態の手法によっても第１の実施形態と同様に、モジュール、搬送機構及び後続のウエハＷの金属汚染を防ぐことができる効果が得られる。また、この第３の実施形態によれば、ＳＣ２及びＳＰＭを供給する必要が無いので、上記のノズル３９Ｂ〜３９Ｄ及び４５Ｂ〜４５Ｄを設ける必要が無いし、カップ３４にＳＣ２及びＳＰＭの排液路を設ける必要も無い。従って、装置の製造コストを低減することができる。
【００６９】
ところで、この第３の実施形態においてもウエハＷの裏面へのレジストの回り込みを抑えることができるように設定を行うことで、ウエハＷの裏面への溶剤の供給を行なわなくてもよい。なお、第１〜第３の実施形態において、ウエハＷにレジストを供給するタイミングは、ウエハＷの回転中であっても回転を開始する前であってもよい。
【００７０】
（評価試験）
続いて、本発明に関連して行われた評価試験について説明する。  
評価試験１  
金属を含有するレジスト膜として、Ｔｉ（チタン）を含有する第１のレジスト膜、Ｚｒ（ジルコニウム）を含有する第２のレジスト膜、Ｚｒを含有する第３のレジスト膜を夫々異なるウエハＷの表面に成膜した。なお、第２のレジスト膜と、第３のレジスト膜とはＺｒ以外の主成分が異なる。そして、評価試験１−１として、第１のレジスト膜に溶剤を供給して当該第１のレジスト膜を除去し、溶剤供給後のウエハＷの表面に残留するＴｉの濃度を測定した。また、評価試験１−２として、第１のレジスト膜に溶剤を供給して当該第１のレジスト膜を除去し、レジスト膜が除去されたウエハＷの表面にＳＣ２を供給して、その後にウエハＷの表面に残留するＴｉの濃度を測定した。
【００７１】
また、評価試験１−３として第２のレジスト膜に溶剤を供給して当該第２のレジスト膜を除去し、溶剤供給後のウエハＷに残留するＺｒの濃度を測定した。また、評価試験１−４として第２のレジスト膜に溶剤を供給して当該第２のレジスト膜を除去し、然る後ウエハＷの表面にＳＣ２を供給して、残留するＺｒの濃度を測定した。さらに、評価試験１−５として、第３のレジスト膜が形成されたウエハＷを用いて評価試験１−３と同様の試験を行い、評価試験１−６として、第３のレジスト膜が形成されたウエハＷを用いて評価試験１−４と同様の試験を行った。
【００７２】
評価試験１−１のＴｉの残留濃度と評価試験１−２のＴｉの残留濃度とを比較すると、評価試験１−２の方が低かった。評価試験１−３のＺｒの残留濃度と評価試験１−４のＺｒの残留濃度とを比較すると、評価試験１−４の方が低かった。また、評価試験１−５ではＺｒの濃度が高すぎて計測不能であったが、評価試験１−６では計測が可能であり、評価試験１−５と評価試験１−６との間では、評価試験１−６の方がＺｒの残留濃度が低いことが確認された。このようにＳＣ２を供給した場合は、ＳＣ２を供給しない場合に比べてウエハＷに残留する各金属の濃度を抑えることができることが確認された。従って、上記の第１及び第２の実施形態のように処理を行うことで、ウエハＷの周縁部の金属を除去することができることが確認された。
【００７３】
評価試験２
評価試験２−１として、上記の第３の実施形態で説明したようにウエハＷへのレジスト膜の形成を行い、ウエハＷの周縁部に残留する金属濃度を測定した。評価試験２−２として、第１の実施形態と同様にレジストのスピンコーティングを行い、レジストがウエハＷの表面全体を被覆した後、回転するウエハＷの周縁部に溶剤を５秒間供給し、ウエハＷの周縁部に残留する金属濃度を測定した。なお、この評価試験２−２では、第１の実施形態のような溶剤供給後の金属除去液の供給は行っていない。また、評価試験２−３として、溶剤を供給する時間を１２０秒とした他は、評価試験２−２と同様に試験を行った。
【００７４】
評価試験２−１、２−２、２−３で測定された金属濃度を比較すると、評価試験２−２、２−３では大きな差は見られなかったが、評価試験２−１の金属濃度は、評価試験２−２、２−３の金属濃度に比べて大きく低下していた。従って、この評価試験２の結果から、第３の実施形態の効果が確認された。
【符号の説明】
【００７５】
Ｗ              ウエハ
１              塗布、現像装置
３              レジスト膜形成モジュール
３１            スピンチャック
３９Ａ〜３９Ｄ  裏面側ノズル
４４Ａ〜４４Ｄ  表面側ノズル
４６            レジスト供給ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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