(57)【要約】【課題】半導体素子の側面から外側に突出する引掛け部は、ダイボンド材に埋没していることから、半導体素子と封止樹脂との密着性を向上する効果は不十分であるという課題がある。そこで、半導体素子と封止樹脂との密着性を高めた、高信頼性の半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子の上面をステップカットした面の側面および上面の粗さは、半導体素子の側面の粗さよりも粗いことを特徴とする。また、ステップカットした面の側面および上面の粗さは、番手＃１０００〜＃２０００のに相当する面であって、半導体素子の側面の粗さは、番手＃２０００〜＃３０００に相当する面であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の上面をステップカットした面の側面および上面の粗さは、半導体素子の側面の粗さよりも粗いことを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記ステップカットした面の側面および上面の粗さは、番手＃１０００〜＃２０００のに相当する面であって、前記半導体素子の側面の粗さは、番手＃２０００〜＃３０００に相当する面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着強度を高める構造を有する半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術として、半導体素子の側面にダイボンド材を引掛ける引掛部を有することで、半導体素子と実装基板上のダイボンド材との接着強度を高める構造がある。（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−００４５２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術によれば、半導体素子の側面から外側に突出する引掛け部は、断面視において、引っ掛けるようなフック形状をしており、引掛け部がダイボンド材に埋没して固定されることで、半導体素子とダイボンド材との接着強度を有する。
しかしながら、引掛け部がダイボンド材に埋没していることから、半導体素子と封止樹脂との密着性を向上する効果は不十分であるという課題がある。
また、引掛け部は、半導体素子の側面に設けることから、非常に小さい構造であって、機械的強度が不十分であり、半導体素子をダイシングテープからの引き剥がしする際や、実装基板搭載する際の衝撃によって、半導体素子にクラックが発生する恐れがあるという課題もある。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、半導体素子と封止樹脂との密着性を高めた、高信頼性の半導体素子を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、本発明は以下に掲げる構成とした。
半導体素子の上面をステップカットした面の側面および上面の粗さは、半導体素子の側面の粗さと異なることを特徴とする。
また、ステップカットした面の側面および上面の粗さは、番手＃１０００〜＃２０００のに相当する面であって、半導体素子の側面の粗さは、番手＃２０００〜＃３０００に相当する面であることを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記第２のケースは、下面および外壁にコノ字形状の凹部を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は、以上のように構成されているので、半導体素子と封止樹脂との密着性を高める効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施例１に係る、半導体素子の側面部拡大概念図である。
【図２】本発明の実施例１に係る、本発明の半導体素子を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置の側面部断面概念図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について、図を参照して詳細に説明する。なお以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための例示であって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の実施の形態は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。
【実施例】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施例１に係る半導体素子を説明する。図１は、本発明の実施例１に係る半導体素子の側面部拡大概念図である。また図２は、本発明の実施例１に係る、本発明の半導体素子を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置の側面部断面概念図である。
【００１１】
図２に示すように、半導体装置１００は、半導体素子１、酸化膜２、保護膜３、電極層４、ダイボンド材５、支持体６、封止樹脂体７から成っている。
【００１２】
図１に示すように、半導体素子１は、主にＳｉ半導体が用いられるが、Ｓｉ半導体に比べて高温状態での動作が可能であり、またスイッチング速度が速く、低損失である化合物半導体、例えばＳｉＣ半導体やＧａＮ半導体等の化合物半導体で構成することもできる。
【００１３】
半導体素子１は、半導体素子１の上面をステップカットした面１１を有し、側面および上面を設けている。ステップカットした面１１の側面および上面の粗さは、半導体素子１の側面１２の粗さよりも粗いことを特徴とする。また、ステップカットした面１１の側面および上面の粗さは、番手＃１０００〜＃２０００のに相当する面であって、半導体素子の側面１２の粗さは、番手＃２０００〜＃３０００に相当する面であることを特徴とする。
ステップカットは、例えばダイシングブレードによる切削にて行うことができ、都度ダイシングブレードの番手を選択することで、面の粗さをコントロールすることができる。
【００１４】
酸化膜２は、電気的な絶縁、半導体装置内部への水分侵入を防止する。例えば、アモルファス構造の酸化膜が用いられる。
【００１５】
保護膜３は、電気的な絶縁、半導体装置内部への水分侵入を防止する。ポリイミドに感光性を持たせて電極部分を開口する。
【００１６】
電極層４は、電気抵抗率が小さいＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金が用いられる。ＡｌのＳｉ中への侵入防止として、ＴｉＮ、ＴｉＷ、Ｗをバリアメタルとして挿入してもよい。
【００１７】
ダイボンド材５は、半導体素子１を支持体６に固定するための接着材である。半導体素子１の発熱を効率良く支持体６に伝えるため、熱伝導率が高い材料が望ましい。例えば、はんだが用いられる。
【００１８】
支持体６は、半導体素子１をダイボンド材５を介して主面に載置する。例えば、０．５ｍｍ厚の平形状板材をプレス打ち抜き加工や化学的なエッチング加工が適用され、材質はＣｕまたはＣｕ合金が多く使用され、表面はＡｇめっき等を施すことができる。
【００１９】
樹脂封止体７は、樹脂成形金型とプレス装置を使用して、トランスファーモールドとして、樹脂成形されたものである。例えば、樹脂封止体７には熱硬化性エポキシ樹脂が用いられる。
以上により、半導体装置１００が完成する。
【００２０】
次に、上述の実施例に係る半導体素子１の効果を説明する。
半導体素子を封止樹脂にて封止する樹脂封止型半導体装置においては、半導体素子上面の周囲部にて、半導体素子と封止樹脂との線膨張率との差異により、高い応力が発生し、アルミスライドや樹脂クラックなどを引き起こすことが知られている。
本発明の実施例１に係る半導体素子では、半導体素子の上面をステップカットした面に、側面と上面が設けられており、半導体素子と封止樹脂との接触面を広くすることができる。更に、半導体素子の上面をステップカットした面の側面と上面の粗さを、半導体素子の側面の粗さよりも粗くすることによって、半導体素子の上面周部に発生する、封止樹脂の垂直方向のずれと水平方向のずれに対して、密着性を向上することができ、高信頼性の半導体素子を得ることができる。
【００２１】
上述のように、本発明を実施するための形態を記載したが、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例が可能であることは明らかである。
【符号の説明】
【００２２】
１、半導体素子
１１、ステップカットした面
１２、側面
２、酸化膜層
３、保護膜層
４、電極層
５、ダイボンド材
６、支持体
７、封止樹脂体
１００、半導体装置
【図１】
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【図２】
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