(57)【要約】【課題】多面的な情報を出力することのできる磁気共鳴イメージング装置及び磁気共鳴イメージング方法を提供すること。【解決手段】実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置は、シーケンス制御回路と、処理回路とを備える。シーケンス制御回路は、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スペクトロスコピーを行う第１のパルスシーケンスと、ＭＴ（Ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）パルスを印加する第２のパルスシーケンスとを実行する。処理回路は、第１のパルスシーケンスに基づいて得られた第１のデータと、第２のパルスシーケンスに基づいて得られた第２のデータとを、表示部に表示させる。【選択図】図１
2017121463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スペクトロスコピーを行う第１のパルスシーケンスと、ＭＴ（Ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）パルスを印加する第２のパルスシーケンスとを実行するシーケンス制御回路と、
前記第１のパルスシーケンスに基づいて得られた第１のデータと、前記第２のパルスシーケンスに基づいて得られた第２のデータとを、表示部に表示させる処理回路と
を備える磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記処理回路は、前記第１のパルスシーケンスに基づいて得られたＭＲＳ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）スペクトルと、前記第２のパルスシーケンスに基づいて得られたＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）効果の大きさを表すスペクトルとを、前記表示部に表示させる、請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記処理回路は、前記第１のパルスシーケンスに基づいて得られた前記第１のデータを前記表示部に表示させ、表示結果に基づいてユーザから、前記第２のパルスシーケンスにおける撮像条件の入力を受け付け、
前記シーケンス制御回路は、受け付けた前記入力に基づいて前記第２のパルスシーケンスを実行し、
前記処理回路は、前記第２のパルスシーケンスに基づいて得られた前記第２のデータを、前記表示部に表示させる、請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記処理回路は、前記撮像条件として、前記第２のパルスシーケンスにおいて印加する前記ＭＴパルスの情報の入力を受け付ける、請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
前記ＭＴパルスの情報は、印加する前記ＭＴパルスの周波数である、請求項４に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
前記処理回路は、前記シーケンス制御回路が前記第２のパルスシーケンスにおいて、第１の周波数成分を持つＭＴパルスと、前記第１の周波数成分とは異なる第２の周波数成分を持つＭＴパルスとを含んで複数のＭＴパルスを印加する旨の前記撮像条件の入力を受け付ける、
請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
前記シーケンス制御回路は、ＭＴパルスを印加しない第３のパルスシーケンスを更に実行し、
前記処理回路は、前記第３のパルスシーケンスに基づいて得られた第３のデータを前記表示部に、前記第２のデータと切りかえ可能に更に表示させる、
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
前記シーケンス制御回路は、複数のスライスについてデータを同時収集しながら前記第２のパルスシーケンスを実行する、請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
前記処理回路は、前記第１のデータと前記第２のデータとに基づいて、所定の分子が関心領域内に存在する濃度の推定値を算出する、請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】
第１のＭＴ（Ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）パルスを印加し、前記第１のＭＴパルスの印加後、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スペクトロスコピーを行う第１のパルスシーケンスを実行するシーケンス制御回路を備える、磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１１】
前記第１のパルスシーケンスは、ＳＴＥＡＭ（Ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ  Ｅｃｈｏ  Ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ  Ｍｏｄｅ）シーケンス又はＰＲＥＳＳ（Ｐｏｉｎｔ  Ｒｅｓｏｌｖｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  Ｓｅｑｕｅｎｃｅ）シーケンスのうち少なくとも一方を含む、請求項１０に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１２】
ユーザから前記シーケンス制御回路が印加する前記第１のＭＴパルスの周波数の入力を受け付ける処理回路を更に備え、
前記シーケンス制御回路は、前記処理回路が受け付けた前記入力に基づいて、前記第１のＭＴパルスを印加する、請求項１０に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１３】
前記シーケンス制御回路は、第２のＭＴパルスを印加して磁気共鳴イメージングを行う第２のパルスシーケンスをさらに実行し、
前記第２のパルスシーケンスに基づいて得られたデータから、ＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）効果の大きさを表すスペクトルを算出し、算出した前記スペクトルに基づいて、前記第１のパルスシーケンスにおいて印加されるべき前記第１のＭＴパルスの周波数を算出する処理回路を備え、
前記シーケンス制御回路は、前記処理回路が算出した前記第１のＭＴパルスを印加し、前記第１のＭＴパルスを印加した後前記第１のパルスシーケンスを実行する、請求項１０に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１４】
前記処理回路は、前記ＣＥＳＴ効果の大きさを表す前記スペクトルと、前記第１のパルスシーケンスにより得られたＭＲＳ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｃｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）スぺクトルとを、表示部に表示させる、請求項１３に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１５】
前記シーケンス制御回路は、ＭＴパルスを印加せずに前記第１のパルスシーケンスを更に実行し、
前記第１のＭＴパルスを印加した後に実行された前記第１のパルスシーケンスに基づいて第１のデータを生成し、前記ＭＴパルスを印加せずに実行された前記第１のパルスシーケンスに基づいて第２のデータを生成し、前記第１のデータと前記第２のデータとの間で差分処理を行って、第３のデータを生成する処理回路を更に備える、請求項１０に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１６】
磁気共鳴イメージング装置で実行される磁気共鳴イメージング方法であって、
ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スペクトロスコピーを行う第１のパルスシーケンスと、ＭＴ（Ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）パルスを印加する第２のパルスシーケンスとを実行し、
前記第１のパルスシーケンスに基づいて得られた第１のデータと、前記第２のパルスシーケンスに基づいて得られた第２のデータとを、表示部に表示させることを含む、磁気共鳴イメージング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気共鳴イメージング装置及び磁気共鳴イメージング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気共鳴イメージング（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  Ｉｍａｇｉｎｇ）の方法のうちの一つとして、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スペクトロスコピーがある。
外部静磁場中に置かれたプロトンは、プロトンの周囲の電子雲による磁気遮蔽効果により外部静磁場とは異なった大きさの実効的な磁場を感じるが、この磁場の大きさはプロトンの置かれた化学的環境によって異なる。
ＭＲスペクトロスコピーでは、この化学的環境による共鳴周波数の違いを定量化した量である化学シフトが測定される。脳を撮像対象にしたＭＲスペクトロスコピーでは、例えばＮ−アセチルアスパラギン酸（ＮＡＡ）、クレアチン（Ｃｒ）、コリン（Ｃｈｏ）等のプロトンが描出される。
しかし、例えばヒドロキシル基（−ＯＨ）、アミド基（−ＮＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）のプロトンは、ＭＲスペクトロスコピーによっては見ることができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００８−５１９２８２号公報
【特許文献２】特開２０１５−０５８１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、多面的な情報を出力することができる磁気共鳴イメージング装置及び磁気共鳴イメージング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置は、シーケンス制御回路と、処理回路とを備える。シーケンス制御回路は、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）スペクトロスコピーを行う第１のパルスシーケンスと、ＭＴ（Ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）パルスを印加する第２のパルスシーケンスとを実行する。処理回路は、第１のパルスシーケンスに基づいて得られた第１のデータと、第２のパルスシーケンスに基づいて得られた第２のデータとを、表示部に表示させる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置を示すブロック図である。
【図２Ａ】図２Ａは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明した図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明した図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明した図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理の手順の一例について説明したフローチャートである。
【図４】図４は、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明した図である。
【図５Ａ】図５Ａは、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が実行するパルスシーケンスの例を表すパルスシーケンス図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が実行するパルスシーケンスの例を表すパルスシーケンス図である。
【図６Ａ】図６Ａは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明する図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明する図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明する図である。
【図７Ａ】図７Ａは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明する図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明する図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明する図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明する図である。
【図８Ａ】図８Ａは、第２の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が実行するパルスシーケンスの例を表すパルスシーケンス図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、第２の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が実行するパルスシーケンスの例を表すパルスシーケンス図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、第２の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が行う処理の手順の一例について説明するためのフローチャートである。
【図８Ｄ】図８Ｄは、第２の実施形態に係るＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ  Ｕｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）の一例を示す図である。
【図８Ｅ】図８Ｅは、第２の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が行う処理の手順の一例について説明するためのフローチャートである。
【図９】図９は、第４の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が行う処理の手順の一例について説明するためのフローチャートである。
【図１０】図１０は、実施形態に係るＧＵＩの一例を示す図である。
【図１１】図１１は、実施形態に係る画像処理装置のハードウェア構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しながら、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置（以下、適宜「ＭＲＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  Ｉｍａｇｉｎｇ）装置」）及び磁気共鳴イメージング方法を説明する。なお、実施形態は、以下の実施形態に限られるものではない。また、各実施形態において説明する内容は、原則として、他の実施形態においても同様に適用することができる。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置１００を示すブロック図である。図１に示すように、磁気共鳴イメージング装置１００は、静磁場磁石１０１と、静磁場電源１０２と、傾斜磁場コイル１０３と、傾斜磁場電源１０４と、寝台１０５と、寝台制御回路１０６と、送信コイル１０７と、送信回路１０８と、受信コイル１０９と、受信回路１１０と、シーケンス制御回路１２０と、コンピューター１３０（「画像処理装置」とも称される）とを備える。なお、磁気共鳴イメージング装置１００に、被検体Ｐ（例えば、人体）は含まれない。また、図１に示す構成は一例に過ぎない。例えば、シーケンス制御回路１２０及びコンピューター１３０内の各部は、適宜統合若しくは分離して構成されてもよい。
【０００９】
静磁場磁石１０１は、中空の略円筒形状に形成された磁石であり、内部の空間に静磁場を発生する。静磁場磁石１０１は、例えば、超伝導磁石等であり、静磁場電源１０２から電流の供給を受けて励磁する。静磁場電源１０２は、静磁場磁石１０１に電流を供給する。なお、静磁場磁石１０１は、永久磁石でもよく、この場合、磁気共鳴イメージング装置１００は、静磁場電源１０２を備えなくてもよい。また、静磁場電源１０２は、磁気共鳴イメージング装置１００とは別に備えられてもよい。
【００１０】
傾斜磁場コイル１０３は、中空の略円筒形状に形成されたコイルであり、静磁場磁石１０１の内側に配置される。傾斜磁場コイル１０３は、互いに直交するＸ、Ｙ、及びＺの各軸に対応する３つのコイルが組み合わされて形成されており、これら３つのコイルは、傾斜磁場電源１０４から個別に電流の供給を受けて、Ｘ、Ｙ、及びＺの各軸に沿って磁場強度が変化する傾斜磁場を発生する。傾斜磁場コイル１０３によって発生するＸ、Ｙ、及びＺの各軸の傾斜磁場は、例えば、スライス用傾斜磁場Ｇs、位相エンコード用傾斜磁場Ｇe、及びリードアウト用傾斜磁場Ｇrである。傾斜磁場電源１０４は、傾斜磁場コイル１０３に電流を供給する。
【００１１】
寝台１０５は、被検体Ｐが載置される天板１０５ａを備え、寝台制御回路１０６による制御の下、天板１０５ａを、被検体Ｐが載置された状態で、傾斜磁場コイル１０３の空洞（撮像口）内へ挿入する。通常、寝台１０５は、長手方向が静磁場磁石１０１の中心軸と平行になるように設置される。寝台制御回路１０６は、コンピューター１３０による制御の下、寝台１０５を駆動して天板１０５ａを長手方向及び上下方向へ移動する。
【００１２】
送信コイル１０７は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置され、送信回路１０８からＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）パルスの供給を受けて、高周波磁場を発生する。送信回路１０８は、対象とする原子の種類及び磁場強度で定まるラーモア（Larmor）周波数に対応するＲＦパルスを送信コイル１０７に供給する。
【００１３】
受信コイル１０９は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置され、高周波磁場の影響によって被検体Ｐから発せられる磁気共鳴信号を受信する。受信コイル１０９は、磁気共鳴信号を受信すると、受信した磁気共鳴信号を受信回路１１０へ出力する。
【００１４】
なお、上述した送信コイル１０７及び受信コイル１０９は一例に過ぎない。送信機能のみを備えたコイル、受信機能のみを備えたコイル、若しくは送受信機能を備えたコイルのうち、１つ若しくは複数を組み合わせることによって構成されればよい。
【００１５】
受信回路１１０は、受信コイル１０９から出力される磁気共鳴信号を検出し、検出した磁気共鳴信号に基づいて磁気共鳴データを生成する。具体的には、受信回路１１０は、受信コイル１０９から出力される磁気共鳴信号をデジタル変換することによって磁気共鳴データを生成する。また、受信回路１１０は、生成した磁気共鳴データをシーケンス制御回路１２０へ送信する。なお、受信回路１１０は、静磁場磁石１０１や傾斜磁場コイル１０３等を備える架台装置側に備えられてもよい。
【００１６】
シーケンス制御回路１２０は、コンピューター１３０から送信されるシーケンス情報に基づいて、傾斜磁場電源１０４、送信回路１０８及び受信回路１１０を駆動することによって、被検体Ｐの撮像を行う。ここで、シーケンス情報は、撮像を行うための手順を定義した情報である。シーケンス情報には、傾斜磁場電源１０４が傾斜磁場コイル１０３に供給する電流の強さや電流を供給するタイミング、送信回路１０８が送信コイル１０７に供給するＲＦパルスの強さやＲＦパルスを印加するタイミング、受信回路１１０が磁気共鳴信号を検出するタイミング等が定義される。例えば、シーケンス制御回路１２０は、ＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）、ＦＰＧＡ（Field  Programmable  Gate  Array）等の集積回路、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＭＰＵ（Micro  Processing  Unit）等の電子回路である。
【００１７】
なお、シーケンス制御回路１２０は、傾斜磁場電源１０４、送信回路１０８及び受信回路１１０を駆動して被検体Ｐを撮像した結果、受信回路１１０から磁気共鳴データを受信すると、受信した磁気共鳴データをコンピューター１３０へ転送する。
【００１８】
コンピューター１３０は、磁気共鳴イメージング装置１００の全体制御や、画像の生成等を行う。コンピューター１３０は、記憶回路１３２、入力装置１３４、ディスプレイ１３５、処理回路１５０を備える。処理回路１５０は、インタフェース機能１３１、制御機能１３３、及び画像生成機能１３６を備える。
【００１９】
第１の実施形態では、インタフェース機能１３１、制御機能１３３、画像生成機能１３６にて行われる各処理機能は、コンピューターによって実行可能なプログラムの形態で記憶回路１３２へ記憶されている。処理回路１５０はプログラムを記憶回路１３２から読み出し、実行することで各プログラムに対応する機能を実現するプロセッサである。換言すると、各プログラムを読みだした状態の処理回路１５０は、図１の処理回路１５０内に示された各機能を有することになる。なお、図１においては単一の処理回路１５０にて、インタフェース機能１３１、制御機能１３３、画像生成機能１３６にて行われる処理機能が実現されるものとして説明したが、複数の独立したプロセッサを組み合わせて処理回路１５０を構成し、各プロセッサがプログラムを実行することにより機能を実現するものとしても構わない。
【００２０】
換言すると、上述のそれぞれの機能がプログラムとして構成され、１つの処理回路が各プログラムを実行する場合であってもよいし、特定の機能が専用の独立したプログラム実行回路に実装される場合であってもよい。
【００２１】
上記説明において用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）或いは、特定用途向け集積回路（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＡＳＩＣ）、プログラマブル論理デバイス（例えば、単純プログラマブル論理デバイス（Ｓｉｍｐｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＰＬＤ）、複合プログラマブル論理デバイス（Ｃｏｍｐｌｅｘ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ）、及びフィールドプログラマブルゲートアレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ：ＦＰＧＡ））等の回路を意味する。プロセッサは記憶回路１３２に保存されたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。
【００２２】
なお、記憶回路１３２にプログラムを保存する代わりに、プロセッサの回路内にプログラムを直接組み込むよう構成しても構わない。この場合、プロセッサは回路内に組み込まれたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。なお、寝台制御回路１０６、送信回路１０８、受信回路１１０等も同様に、上記のプロセッサ等の電子回路により構成される。
【００２３】
処理回路１５０は、インタフェース機能１３１により、シーケンス情報をシーケンス制御回路１２０へ送信し、シーケンス制御回路１２０から磁気共鳴データを受信する。また、インタフェース機能１３１を有する処理回路１５０は、磁気共鳴データを受信すると、受信した磁気共鳴データを記憶回路１３２に格納する。記憶回路１３２に格納された磁気共鳴データは、制御機能１３３によってｋ空間に配置される。この結果、記憶回路１３２は、ｋ空間データを記憶する。
【００２４】
記憶回路１３２は、インタフェース機能１３１を有する処理回路１５０によって受信された磁気共鳴データや、制御機能１３３を有する処理回路１５０によってｋ空間に配置されたｋ空間データ、画像生成機能１３６を有する処理回路１５０によって生成された画像データ等を記憶する。例えば、記憶回路１３２は、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスク、光ディスク等である。
【００２５】
入力装置１３４は、操作者からの各種指示や情報入力を受け付ける。入力装置１３４は、例えば、マウスやトラックボール等のポインティングデバイス、モード切替スイッチ等の選択デバイス、あるいはキーボード等の入力デバイスである。ディスプレイ１３５は、制御機能１３３を有する処理回路１５０による制御の下、撮像条件の入力を受け付けるためのＧＵＩ（Graphical  User  Interface）や、画像生成機能１３６を有する処理回路１５０によって生成された画像等を表示する。ディスプレイ１３５は、例えば、液晶表示器等の表示デバイスである。
【００２６】
処理回路１５０は、制御機能１３３により、磁気共鳴イメージング装置１００の全体制御を行い、撮像や画像の生成、画像の表示等を制御する。例えば、制御機能１３３を有する処理回路１５０は、撮像条件（撮像パラメータ等）の入力をＧＵＩ上で受け付け、受け付けた撮像条件に従ってシーケンス情報を生成する。また、制御機能１３３を有する処理回路１５０は、生成したシーケンス情報をシーケンス制御回路１２０へ送信する。
【００２７】
処理回路１５０は、画像生成機能１３６により、ｋ空間データを記憶回路１３２から読み出し、読み出したｋ空間データにフーリエ変換等の再構成処理を施すことで、画像を生成する。
【００２８】
続いて、適宜図２Ａ〜図２Ｃを参照しながら、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置１００の背景について説明する。図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明した図である。
【００２９】
磁気共鳴イメージングの方法の一つとして、ＭＲスペクトロスコピーが知られている。外部静磁場中に置かれたプロトンは、プロトンの周囲の電子雲による磁気遮蔽効果により外部静磁場とは異なった大きさの実効的な磁場を感じるが、この磁場の大きさはプロトンの置かれた化学的環境によって異なる。ＭＲスペクトロスコピーでは、この化学的環境による共鳴周波数の違いを定量化した量である化学シフトを測定することにより分光を行う。具体的には、シーケンス制御回路１２０が、ＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスを実行する。
【００３０】
ＭＲスペクトロスコピーでは、例えば脳を撮像対象とすると、Ｎ−アセチルアスパラギン酸（ＮＡＡ）、クレアチン（Ｃｒ）、コリン（Ｃｈｏ）等のプロトンを描出することができる。
【００３１】
しかし、例えばヒドロキシル基（−ＯＨ）、アミド基（−ＮＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）のプロトンは、磁気共鳴イメージングでは見ることができない。従って、これらのプロトンが、Ｎ−アセチルアスパラギン酸（ＮＡＡ）、クレアチン（Ｃｒ）、コリン（Ｃｈｏ）等でどのような役割を果たしているかは、ＭＲスペクトロスコピーのみでは可視化することができない。
【００３２】
そこで、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置１００は、例えばヒドロキシル基（−ＯＨ）、アミド基（−ＮＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）のプロトンを可視化するために、ＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｓａｔｕｒａｔｉｏｉｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）のパルスシーケンスを実行する。ここで、ＣＥＳＴとは、高分子におけるプロトン（例えば、アミド基（−ＮＨ）、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、及びアミノ基（−ＮＨ２）等のプロトン）と自由水（バルク水）におけるプロトンとが化学交換されることを利用した磁気共鳴イメージング手法である。
【００３３】
まず、シーケンス制御回路１２０は、自由水の共鳴周波数から離れた周波数（ｏｆｆ−ｒｅｓｏｎａｎｃｅな周波数）であって、交換性プロトン（例えば高分子のプロトン）の共鳴周波数で、周波数選択ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）パルス（ＭＴ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）パルス）を印加する。この結果、交換性プロトンが、印加されるＭＴパルスによって飽和する。続いて、交換性プロトンが、自由水プロトンと化学交換される。この結果、自由水プロトンの信号が飽和する。続いて、シーケンス制御回路１２０は、自由水プロトンの共鳴周波数に対応するＲＦパルスを印加する。シーケンス制御回路１２０は、所定時間経過時に、データを収集する。これにより、磁気共鳴イメージング装置１００は、交換性プロトンと、自由水プロトンとの化学交換の大きさをイメージングすることができる。
【００３４】
典型的な状況において、高分子などの交換性プロトンのＴ２緩和時間は、自由水のプロトンのＴ２緩和時間に比べて極めて短い。従って、直接的に、高分子などの交換性プロトンのＴ２緩和時間（高分子の磁化）を用いて磁気共鳴イメージングを行うことは難しい。これに対して、自由水のＴ２緩和時間（自由水の磁化）は、磁気共鳴イメージングを行うのに適している。従って、磁気共鳴イメージング装置１００は、高分子のＴ２緩和時間を直接観測してイメージングを行うことは難しい場合でも、化学交換を通じて低下した自由水プロトンの磁化（以下、「信号」と呼ぶ）を観測することで、高分子のプロトンに関して間接的にイメージングを行うことができる。
【００３５】
また、ＭＲスペクトロスコピーと、ＣＥＳＴを用いた磁気共鳴イメージングは、相補的な役割を有する。例えば、ＭＲスペクトロスコピーでは、熱揺らぎにより高温ではスペクトルがぼやけてしまう。従ってＭＲスペクトロスコピーは、高温では画質が低下し、逆に低温で画質が向上する。一方、ＣＥＳＴを用いた磁気共鳴イメージングでは、化学交換は熱揺らぎにより高温になるほど活発になることから、ＣＥＳＴスペクトルの値は高温ほど大きくなる。従って、ＣＥＳＴにおいては、高温では画質が向上する。例えば生体に対する撮像の場合、撮影温度（体温）は自由に制御することは一般に不可能である。従って、ＭＲスペクトロスコピーに加えて、例えばＣＥＳＴを用いた磁気共鳴イメージングを行うことが望ましい。
【００３６】
ＣＥＳＴを用いた磁気共鳴イメージングを行うことにより、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置１００は、磁気共鳴スペクトロスコピーでは不可視のプロトンを、間接的に観測することができる。この結果、例えば、腫瘍中の病変領域の特定が可能になる。また、磁気共鳴イメージング装置１００は、ＣＥＳＴプロトンのコンフォメーションの変化や、正常組織と比較したときの腫瘍組織について、イメージングを行うことができる。
【００３７】
図２Ａ〜図２Ｃに、かかる状況の具体例が示されている。図２Ａに、Ｎ−アセチルアスパラギン酸の構造式が示されている。水素４３ａ、水素４３ｂ、水素４３ｃは、構造式中において、それぞれ、炭素４２ａに共有結合する水素、炭素４２ｂに共有結合する水素、炭素４２ｃに共有結合するに対応する。これらの水素のプロトンは、ＭＲスペクトロスコピーで可視である。一方、ＯＨ４１ａ、ＯＨ４１ｂ、アミド基４１ｃは、それぞれ、構造式中の、カルボキシル基中のＯＨ４０ａ、アミド基４０ｃ、カルボキシル基中のＯＨ４０ｂに対応する。これらの官能基の水素のプロトンは、ＭＲスペクトロスコピーで不可視であるが、ＣＥＳＴにより可視である。従って、ＭＲスペクトロスコピーとＣＥＳＴを組み合わせることにより、磁気共鳴イメージング装置１００は、これらＯＨやＮＨの、Ｎ−アセチルアスパラ酸中における役割について知見を得ることができる。Ｎ−アセチルアスパラギン酸は、哺乳類の脳に高い濃度で存在している遊離アミノ酸である。Ｎ−アセチルアスパラギン酸濃度の測定は、例えば、脳障害、アルツハイマー病や、統合失調症の診断に有用であると考えられている。
【００３８】
図２Ｂに、クレアチンの構造式が示されている。水素５３ａ、水素５３ｂは、構造式中において、それぞれ、炭素５２ａに共有結合する水素、炭素５２ｂに共有結合する水素に対応する。これらの水素のプロトンは、ＭＲスペクトロスコピーで可視である。一方、ＮＨ５１ａ、アミノ基５１ｂ、ＯＨ５１ｃは、それぞれ、構造式中の、ＮＨ５０ａ、アミノ基５０ｂ、カルボキシル基中のＯＨ５０ｃに対応する。これらの官能基の水素のプロトンは、ＭＲスペクトロスコピーで不可視であるが、ＣＥＳＴにより可視である。従って、ＭＲスペクトロスコピーとＣＥＳＴを組み合わせることにより、磁気共鳴イメージング装置１００は、これらＯＨ、ＮＨ、ＮＨ２の、クレアチン中における役割について知見を得ることができる。クレアチンは、脳、筋肉、神経細胞等、人体の細胞中に自然に存在する物質で、エネルギーを貯蔵する役割を持つ物質である。クレアチン濃度の測定は、例えば筋疾患の診断に有用であると考えられている。
【００３９】
図２Ｃに、コリンの構造式が示されている。図２Ａや図２Ｂと同様に、水素５６ａ、水素５６ｂ、水素５６ｃのプロトンは、ＭＲスペクトロスコピーで可視である。一方、ヒドロキシル基５５は、構造式中の、ヒドロキシル基５４に対応する。ヒドロキシル基５４の水素のプロトンは、ＭＲスペクトロスコピーで不可視であるが、ＣＥＳＴにより可視である。従って、ＭＲスペクトロスコピーとＣＥＳＴを組み合わせることにより、磁気共鳴イメージング装置１００は、これらヒドロキシル基の、コリン中における役割について知見を得ることができる。コリンは、循環器系と脳機能、細胞膜の構成と補修に不可欠な水溶性の栄養素である。コリン濃度の測定は、例えば腫瘍細胞の増殖能の判定に有用であると考えられている。
【００４０】
次に、適宜図４Ａ〜図７Ｄ、図１０を参照しながら、図３を用いて、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置１００の行う処理の手順について説明する。図３は、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理の手順の一例について説明したフローチャートである。図４は、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明した図である。図５Ａ及び図５Ｂは、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が実行するパルスシーケンスの例を表すパルスシーケンス図である。図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、図７Ｄは、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の行う処理について説明する図である。図１０は、実施形態に係るＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ  Ｕｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）の一例を示す図である。
【００４１】
まずはじめに、シーケンス制御回路１２０は、ＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスを実行する（ステップＳ１１０）。すなわち、シーケンス制御回路１２０は、ＭＲスペクトロスコピーを行う第１のパルスシーケンスを実行する。一例として、シーケンス制御回路１２０は、ＳＴＥＡＭ（Ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ  Ｅｃｈｏ  Ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ  Ｍｏｄｅ）シーケンスを実行する。また、一例として、シーケンス制御回路１２０は、ＰＲＥＳＳ（Ｐｏｉｎｔ  Ｒｅｓｏｌｖｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  Ｓｅｑｕｅｎｃｅ）シーケンスを実行する。また、一例として、シーケンス制御回路１２０は、ＬＡＳＥＲ（Ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ  Ｂｙ  Ａｄｉａｂａｔｉｃ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｆｏｃｕｓｉｎｇ）シーケンスを実行する。
【００４２】
続いて、処理回路１５０は、画像生成機能１３６により、シーケンス制御回路１２０が実行したＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスをもとに、ＭＲＳスペクトルを生成する（ステップＳ１１１）。図４は、このようにして生成された磁気共鳴スペクトルの一例である。縦軸は信号強度である。また、横軸は化学シフト（周波数）である。図４では、Ｎ−アセチルアスパラギン酸（ＮＡＡ）、クレアチン（Ｃｒ）、コリン（Ｃｈｏ）のピークが出現している。一方、ヒドロキシル基ＯＨ、アミノ基ＮＨ２、アミド基ＮＨ等のピークは、図４では観察することができない。
【００４３】
一方、シーケンス制御回路１２０は、ＣＥＳＴのパルスシーケンスを実行する（ステップＳ１２０）。換言すると、シーケンス制御回路１２０は、ＭＴ（Ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）パルスを印加する第２のパルスシーケンスを実行する。ＣＥＳＴのパルスシーケンスとして、シーケンス制御回路１２０は、例えば図５Ａに示されているパルスシーケンスや、図５Ｂに示されているパルスシーケンスを実行する。
図５Ａは、シーケンス制御回路１２０が、例えばグラジエントエコー法を用いたパルスシーケンスを用いて高速撮像を行う場合のパルスシーケンスの一例を示している。図５Ａの最上段は、シーケンス制御回路１２０が印加するＲＦパルス及び、ＲＦパルスや勾配磁場によって生成されるエコーを示している。図５Ａの２段目は、シーケンス制御回路１２０が印加するスライス勾配を表している。図５Ａの３段目は、シーケンス制御回路１２０が印加する位相エンコード勾配２３を表している。図５Ａの４段目は、シーケンス制御回路１２０が印加するリードアウト勾配を表している。
【００４４】
プレシーケンス２０は、イメージングシーケンス２７Ａ（主シーケンスとも言う）の前にＭＴパルスを印加するシーケンスを表す。イメージングシーケンス２７Ａは、撮像が行われるイメージングシーケンスを表す。シーケンス制御回路１２０は、プレシーケンス２０において、例えば、ＭＴパルス２０Ａ、ＭＴパルス２０Ｂ、ＭＴパルス２０Ｃ、ＭＴパルス２０Ｄを印加する。ＭＴパルス２０Ａ、ＭＴパルス２０Ｂ、ＭＴパルス２０Ｃ、ＭＴパルス２０Ｄは、例えばｓｉｎｃ関数によりそれぞれ形成される、周波数選択的ＲＦパルスである。また、ＭＴパルス２０Ａ、ＭＴパルス２０Ｂ、ＭＴパルス２０Ｃ、ＭＴパルス２０Ｄは、例えば二項パルスである。
【００４５】
続いて、シーケンス制御回路１２０は、イメージングシーケンス２７Ａを開始する。シーケンス制御回路１２０は、イメージングシーケンス２７Ａにおいて、例えばα度パルス２１を印加する。同時に、シーケンス制御回路１２０は、スライス勾配磁場２２を印加する。続いて、シーケンス制御回路１２０は、位相エンコード勾配２３を印加する。続いて、シーケンス制御回路１２０は、リードアウト勾配２５を印加する。この結果、エコー２４が生成される。シーケンス制御回路１２０は、エコー２４が生成されている間、リードアウト勾配２５を印加し、エコー２４が生成されている間、データを収集する。
【００４６】
このように、プレシーケンス２０とイメージングシーケンス２７Ａで、パルスシーケンスの繰り返し単位であるＴＲ（Ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ  Ｔｉｍｅ）２６が構成される。このように、シーケンス制御回路１２０は、一つの繰り返し単位が終わると、位相エンコード量やＭＴパルスの周波数を変えて、次の繰り返し単位のパルスシーケンスを実行する。
【００４７】
図５Ａでは、シーケンス制御回路１２０がα度パルス２１を印加する高速繰り返しシーケンスを用いて撮像を行う場合について説明した。図５Ｂでは、シーケンス制御回路１２０が、一セットのＭＴパルスに対して複数のエコー（マルチエコー）を生成するパルスシーケンスを用いて撮像を行う場合について説明する。
【００４８】
図５Ａと同様に、シーケンス制御回路１２０は、プレシーケンス２０において、ＭＴパルスを印加する。その後、シーケンス制御回路１２０は、イメージングシーケンス２７Ｂを開始する。シーケンス制御回路１２０は、９０度パルス２１を印加する。同時に、シーケンス制御回路１２０は、スライス勾配磁場を印加する。続いて、シーケンス制御回路１２０は、位相エンコード勾配３０を印加する。続いて、シーケンス制御回路１２０は、１８０度パルス２８を印加する。続いて、シーケンス制御回路１２０は、リードアウト勾配３１を印加する。この時、エコー２９が生成される。シーケンス制御回路１２０は、エコー２９が生成されている間、リードアウト勾配３１を印加し、これによりエコー２９が生成されている間、データを収集する。
【００４９】
また、実施形態において、シーケンス制御回路１２０が印加するイメージングパルスシーケンスとしては、図５Ａや図５Ｂの他にも様々な例が考えられる。シーケンス制御回路１２０は、例えば、イメージングパルスシーケンスとして、２次元（Ｔｗｏ−Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ：２Ｄ）スキャンを採用してもよいし、３次元（Ｔｈｒｅｅ−Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ：３Ｄ）スキャンを採用してもよい。シーケンス制御回路１２０は、例えば、イメージングパルスシーケンスとして、例えば、スピンエコー（Ｓｐｉｎ  Ｅｃｈｏ：ＳＥ）シーケンス、磁場傾斜エコー（Ｆｉｅｌｄ  Ｇｒａｄｉｅｎｔ  Ｅｃｈｏ：ＦＥ）シーケンス、高速ＳＥ（Ｆａｓｔ  ＳＥ：ＦＳＥ）シーケンス、高速非対称ＳＥ（Ｆａｓｔ  Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ＳＥ：ＦＡＳＥ）シーケンス等を採用することができる。
【００５０】
続いて、処理回路１５０は、シーケンス制御回路１２０がステップＳ１２０において実行したＣＥＳＴのパルスシーケンスを基に、ＣＥＳＴスペクトル（Ｚスペクトル）やＭＴＲａｓｙｍスペクトルを生成する（ステップＳ１２１）。
【００５１】
ＣＥＳＴ効果は、Ｚスペクトルや、ＭＴＲａｓｙｍスペクトルを用いて記述される。処理回路１５０は、画像生成機能１３６により、シーケンス制御回路１２０が実行したパルスシーケンスにより得られたデータから、ＺスペクトルやＭＴＲａｓｙｍスペクトルを生成する。
【００５２】
Ｚスペクトルとは、ＭＴパルス印加後に自由水プロトンに対応するＲＦパルスを印加したときの信号強度を、印加したＭＴパルスの周波数の関数として表したスペクトルである。
【００５３】
ＣＥＳＴ効果が存在しない時、Ｚスペクトルには、自由水プロトンの飽和の効果のみが反映される。この結果、Ｚスペクトルは、自由水プロトンの共鳴周波数を基準とした原点に対して、対称なスペクトルとなる。これに対して、ＣＥＳＴ効果が存在する場合、ＣＥＳＴ効果を反映して、Ｚスペクトルは、自由水プロトンの共鳴周波数を基準とした原点に対して、非対称なスペクトルとなる。例えば、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの周波数が「２ｐｐｍ」であった場合、ＭＴパルスによってアミノ基のプロトンが飽和し、自由水プロトンと化学交換が起こる。この結果、信号値は低下する。一方、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの周波数が「−２ｐｐｍ」であった場合、自由水プロトンと化学交換が起こるプロトンが「−２ｐｐｍ」には存在しない。この結果、信号値は低下しない。
【００５４】
換言すると、Ｚスペクトルの非対称性を表す量が、ＣＥＳＴ効果の大きさを表す量になる。ＭＴＲａｓｙｍスペクトルは、ＣＥＳＴ効果の大きさを表す量である。
【００５５】
例えば、周波数「−ｘ  ｐｐｍ」のＭＴパルスを印加した時の信号強度が「Ｓ−」であり、それとは対称な位置にある周波数「＋ｘ  ｐｐｍ」のＭＴパルスを印加した時の信号強度が「Ｓ＋」とし、ＭＴパルスを何も印加しなかった時の信号強度が「Ｓ０」とすると、周波数「ｘ  ｐｐｍ」におけるＭＴＲａｓｙｍスペクトルは、例えば、「（Ｓ＋−Ｓ−）÷Ｓ０」の式により算出できる。
【００５６】
図６Ａ〜図６Ｃに、このようにして処理回路１５０が生成したＭＴＲａｓｙｍスペクトルの例が示されている。
【００５７】
図６Ａは、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの印加時間を変えたときの、正常組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルを示している。横軸は、ｐｐｍ単位で表した周波数を表す。曲線２００Ａは、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの印加時間が長い場合の正常組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルを表す。曲線２００Ｂは、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの印加時間が普通の場合の正常組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルを表す。曲線２００Ｃは、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの印加時間が短い場合の正常組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルを表す。シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスが長いほど、ＭＴＲａｓｙｍスペクトルの値は大きくなる。
【００５８】
図６Ｂは、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの印加時間を変えたときの、腫瘍組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルを示している。横軸は、ｐｐｍ単位で表した周波数を表す。同様に、曲線２０１Ａ、曲線２０１Ｂ、曲線２０１Ｃは、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの印加時間が長い、普通、短い場合の腫瘍組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルを表している。また、図６Ｃは、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの印加時間を変えたときの、正常組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルと、腫瘍組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルとの差を示している。横軸は、ｐｐｍ単位で表した周波数を表す。曲線２０２Ａ、曲線２０２Ｂ、曲線２０２Ｃは、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの印加時間が、それぞれ長い、普通、短い場合の正常組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルと、腫瘍組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルとの差を表している。すなわち、ＭＴパルスの印加時間が長くなるほど、正常組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルと、腫瘍組織のＭＴＲａｓｙｍスペクトルとの差が大きくなる。
【００５９】
続いて、処理回路１５０は、第１のパルスシーケンスに基づいて得られた第１のデータと、第２のパルスシーケンスに基づいて得られた第２のデータとを、表示部としてのディスプレイ１３５に表示させる。具体的には、処理回路１５０は、制御機能１３３により、ステップＳ１１１において、画像生成機能１３６によりＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスを基に生成されたＭＲＳスペクトルと、ステップＳ１２１において、画像生成機能１３６によりＣＥＳＴのパルスシーケンスを基に生成されたＣＥＳＴ効果を表すスペクトルとを、ディスプレイ１３５に表示させる。ディスプレイ１３５は、ＭＲＳスペクトルと、ＣＥＳＴ効果を表すスペクトルとを表示する（ステップＳ１５０）。換言すると、処理回路１５０は、第１のパルスシーケンスに基づいて得られたＭＲＳスペクトルと、第２のパルスシーケンスに基づいて得られたＣＥＳＴ効果を表すスペクトル（例えば、ＺスペクトルやＭＴＲａｓｙｍスペクトル等）を、ディスプレイ１３５に表示させる。
【００６０】
図７Ａ〜図７Ｄに、ディスプレイ１３５が表示するＭＲＳスペクトル及びＣＥＳＴ効果を表すスペクトルの一例が示されている。
【００６１】
図７Ａは、処理回路１５０が画像生成機能１３６によりステップＳ１０１にて生成し、ディスプレイ１３５がステップＳ１５０にて表示するＭＲＳスペクトルの一例である。横軸は、ｐｐｍ単位での周波数を表す。ＭＲＳスペクトルには、Ｎ−アセチルアスパラギン酸（ＮＡＡ）、クレアチン（Ｃｒ）、コリン（Ｃｈｏ）の等のピークが出現している。点線８０は、アミド基（３．５ｐｐｍ）に対応するＭＴパルスの周波数を表している。後述の図７Ｂでは、点線８０の周波数で、シーケンス制御回路１２０は、ＭＴパルスを印加する。点線８１は、アミノ基（２．０ｐｐｍ）に対応するＭＴパルスの周波数を表している。後述の図７Ｃでは、点線８１の周波数で、シーケンス制御回路１２０は、ＭＴパルスを印加する。点線８２は、ヒドロキシル基（１．０ｐｐｍ）に対応するＭＴパルスの周波数を表している。後述の図７Ｄでは、点線８２の周波数で、シーケンス制御回路１２０は、ＭＴパルスを印加する。図７Ａに示すように、ＭＲＳスペクトル中では、アミド基（３．５ｐｐｍ）、アミノ基（２．０ｐｐｍ）、及びヒドロキシル基（１．０ｐｐｍ）に対応するスペクトルは、観測されない。
【００６２】
図７Ｂにおいて、ＭＴＲａｓｙｍスペクトル９１は、アミド基（３．５ｐｐｍ）に対応する周波数でシーケンス制御回路１２０がＭＴパルスを印加した場合のＭＴＲａｓｙｍスペクトルを表している。横軸は、ｐｐｍ単位での周波数を表す。ＭＴＲａｓｙｍスペクトル９１は、３．５ｐｐｍ付近でピークを持つ。
【００６３】
図７Ｃにおいて、ＭＴＲａｓｙｍスペクトル９２は、アミノ基（２．０ｐｐｍ）に対応する周波数でシーケンス制御回路１２０がＭＴパルスを印加した場合のＭＴＲａｓｙｍスペクトルを表している。横軸は、ｐｐｍ単位での周波数を表す。ＭＴＲａｓｙｍスペクトル９２は、２．０ｐｐｍ付近でピークを持つ。
【００６４】
図７Ｄにおいて、ＭＴＲａｓｙｍスペクトル９３は、ヒドロキシル基（１．０ｐｐｍ）に対応する周波数でシーケンス制御回路１２０がＭＴパルスを印加した場合のＭＴＲａｓｙｍスペクトルを表している。横軸は、ｐｐｍ単位での周波数を表す。ＭＴＲａｓｙｍスペクトル９３は、１．０ｐｐｍ付近でピークを持つ。
【００６５】
図１０において、ステップＳ１５０において、ディスプレイ１３５が表示する画面の一例が示されている。図１０において、第１の実施形態において説明しなかった部分においては、他の実施形態で改めて説明する。
【００６６】
図１０の左上において、処理回路１５０は、制御機能１３３により、ディスプレイ１３５に、ＭＲＳスペクトル７０とＭＴＲａｓｙｍスペクトル７１を表示させる。ディスプレイ１３５は、例えば、ＭＲＳスペクトル７０と、ＭＴＲａｓｙｍスペクトル７１を、重ね合わせて表示する。縦軸は、スペクトルの強度を表す。また、横軸は、ｐｐｍ単位での周波数を表す。
【００６７】
以上のように第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置１００について説明したが、実施形態はこれに限られず、さまざまな変形例が考えられる。
【００６８】
例えば、ステップＳ１１０及びステップＳ１１１と、ステップＳ１２０及びステップＳ１２１の実行の順番は任意である。例えば、シーケンス制御回路１２０は、ステップＳ１１０を実行した後、ステップＳ１２０を実行してもよい。また逆に、シーケンス制御回路１２０は、ステップＳ１２０を実行した後、ステップＳ１１０を実行してもよい。また、シーケンス制御回路１２０は、ステップＳ１１０とステップＳ１２０を同時に実行してもよい。同様に、処理回路１５０は、ステップＳ１１１を実行した後、ステップＳ１２１を実行してもよい。また、逆に、処理回路１５０は、ステップＳ１２１を実行した後、ステップＳ１１１を実行してもよい。また、処理回路１５０は、ステップＳ１２１とステップＳ１１１を同時に実行してもよい。また、例えば処理回路１５０がステップＳ１１１を実行した後、シーケンス制御回路１２０がステップＳ１２０を実行してもよい。
【００６９】
第１の実施形態では、シーケンス制御回路１２０が、ＭＲスペクトロスコピーに関するパルスシーケンスと、ＣＥＳＴに関するパルスシーケンスの両方を実行する場合について説明したが実施形態はこれに限られない。例えば、ＣＥＳＴに関するパルスシーケンスの実行に関しては任意でもよい。
【００７０】
例えば、シーケンス制御回路１２０は、第１段階として、ＭＲスペクトロスコピーを行う第１のパルスシーケンスを実行する。処理回路１５０は、画像生成機能１３６により、実行したＭＲスペクトロスコピーに関するパルスシーケンスを基に、ＭＲＳスペクトルを生成する。処理回路１５０は、制御機能１３３により、生成したＭＲＳスペクトルを、ディスプレイ１３５に表示させ、ユーザからの入力を受け付ける。ディスプレイ１３５に表示された画面を見たユーザは、例えば、スクリーニング検査のための画像としてのＭＲＳスペクトル画像を見て、異常所見が無いと判断した場合は、ＣＥＳＴを用いて更なる検査は不要な旨を入力する。また、ディスプレイ１３５に表示された画面を見たユーザは、例えば、スクリーニング検査としてのＭＲＳスペクトル画像をみて、異常所見があり、精密検査を要すると判断した場合、ＣＥＳＴを用いて更なる検査を行う旨を入力する。コンピューター１３０が、入力装置１３４を通じて、ＣＥＳＴを用いて更なる検査を行う旨の入力を受け付けた場合、シーケンス制御回路１２０は、ＭＴパルスを印加する第２のパルスシーケンスを実行する。処理回路１５０は、画像生成機能１３６により、第２のパルスシーケンスに基づいて得られた第２のデータからＣＥＳＴ効果を表すスペクトル又はＭＴＲａｓｙｍスペクトルを生成する。処理回路１５０は、制御機能１３３により、得られたＣＥＳＴ効果を表すスペクトル又はＭＴＲａｓｙｍスペクトルをディスプレイ１３５に表示させる。
【００７１】
また、ＣＥＳＴを用いて更なる検査を行うか否かの判定は、ユーザからの入力を受け付けて手動で行われなくても良い。ＣＥＳＴを用いて更なる検査を行うか否かの判定は、例えば、処理回路１５０により自動的に判定されてもよい。かかる場合、処理回路１５０は、例えば図示しない判定機能により、スクリーニング検査のための画像としてのＭＲＳスペクトル画像から、ＣＥＳＴを用いて更なる検査を行うか否かを判定する。例えば、処理回路１５０は、悪性腫瘍である場合のＭＲＳスペクトル画像として知られている既知のスペクトルを検出した場合、ＣＥＳＴを用いて更なる検査を行うと判定する。
【００７２】
処理回路１５０は、図示しない判定機能により、更なる検査を行うと判定した場合、ＭＴパルスを印加する第２のパルスシーケンスを実行する。
【００７３】
また、磁気共鳴イメージング装置１００は、通常の磁気共鳴イメージング画像を同時に表示させるＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ  Ｕｓｅｒ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）を備えても良い。図１０の左下に、処理回路１５０が、制御機能１３３により、ディスプレイ１３５に表示させる画面の一例が示されている。
【００７４】
処理回路１５０は、制御機能１３３により、磁気共鳴イメージング画像２５２をディスプレイ１３５に表示させる。ここで、磁気共鳴イメージング画像２５２とは、例えばシーケンス制御回路１２０が他のパルスシーケンスを実行することにより得られた磁気共鳴イメージング画像である。また、磁気共鳴イメージング画像２５２は、例えば他の磁気共鳴イメージング装置が生成した磁気共鳴イメージング画像である。磁気共鳴イメージング画像２５２の例としては、例えば、Ｔ１強調画像、Ｔ２強調画像、ＰＤ（Ｐｒｏｔｏｎ  Ｄｅｎｓｉｔｙ）強調画像等である。ユーザは、ボタン２５１を切り替えることにより、表示される磁気共鳴イメージング画像２５２の種類を切り替えることができる。なお、ＭＲスペクトロスコピーを行うＲＯＩと、ＣＥＳＴを行うＲＯＩとは、好適には同一となるように選択される。
【００７５】
処理回路１５０は、制御機能１３３により、ＭＲスペクトロスコピーを行うＲＯＩ（Ｒｅｇｉｏｎ  Ｏｆ  Ｉｎｔｅｒｅｓｔ）をディスプレイ１３５に表示させてもよい。また、処理回路１５０は、制御機能１３３により、ＣＥＳＴを行うＲＯＩをディスプレイ１３５に表示させてもよい。図１０において、処理回路１５０は、制御機能１３３により、ＣＥＳＴを行うＲＯＩである領域２５３をディスプレイ１３５に表示させる。また、処理回路１５０は、制御機能１３３により、当該ＲＯＩにおけるＭＴＲａｓｙｍスペクトル７２（又はＣＥＳＴスペクトル）を表すグラフ２５０をポップアップさせてディスプレイ１３５に表示させる。
【００７６】
また、処理回路１５０は、入力装置１３４を通じて、ユーザからＭＲスペクトロスコピーを行うＲＯＩの入力を受け付けても良い。また、処理回路１５０は、入力装置１３４を通じて、ユーザからＣＥＳＴを行うＲＯＩの入力を受け付けても良い。ユーザは、例えばボタン２５４を通じて、ＣＥＳＴを行うＲＯＩを設定することができる。
【００７７】
また、シーケンス制御回路１２０が実行する第２のパルスシーケンスは、単一スライスについてデータを逐次収集する例に限られない。例えば、シーケンス制御回路１２０は、複数のスライスについてデータを同時収集しながら第２のパルスシーケンスを実行してもよい。
【００７８】
以上のように、第１の実施形態では、処理回路１５０は、制御機能１３３により、ＭＲＳスペクトルに加えて、ＣＥＳＴスペクトルやＭＴＲａｓｙｍスペクトルをディスプレイ１３５に表示させるように制御する。これにより、例えば、ＭＲスペクトロスコピーでは見ることのできない官能基の情報や、ＭＲスペクトロスコピーではピークがぼやけてしまう温度における情報を、ユーザに提供することができる。この結果、多面的な情報の出力を行うことができ、診断の精度が上昇する。
【００７９】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、シーケンス制御回路１２０が、ＭＲスペクトロスコピーを行う第１のパルスシーケンス（ＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンス）と、ＭＴパルスを印加する第２のパルスシーケンス（ＣＥＳＴのパルスシーケンス）とを実行し、処理回路１５０が、第１のパルスシーケンスに基づいて得られた第１のデータと、第２のパルスシーケンスに基づいて得られた第２のデータとを、ディスプレイ１３５に表示させる場合について説明した。しかしながら、実施形態はこれに限られない。
【００８０】
第２の実施形態では、シーケンス制御回路１２０が、ＭＲＳスペクトルを取得するにあたり、ＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスに先立って、所定の周波数でＭＴパルスを印加する場合について説明する。このことにより、ＭＲＳスペクトルに変化が表れる。従って、例えば、処理回路１５０は、ＭＴパルスを印加しないで得られたＭＲＳスペクトルと、ＭＴパルスを印加したときに得られたＭＲＳスペクトルとの間で差分処理を行うことにより、得られたスペクトルを診断に役立てることができる。
【００８１】
このとき、シーケンス制御回路１２０が、ＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスに先立って印加するＭＴパルスの周波数は、先に実行されたＣＥＳＴに関するパルスシーケンスに基づいて生成されたデータ、例えばＭＴＲａｓｙｍスペクトルに基づいて定められても良い。また、シーケンス制御回路１２０がＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスに先立って印加するＭＴパルスの周波数は、例えば、処理回路１５０がインタフェース機能１３１により入力装置１３４を通じて受け付けたユーザからの入力に基づいて定められても良い。
【００８２】
図８Ａ及び図８Ｂは、第２の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が実行するパルスシーケンスの例を表すパルスシーケンス図である。
【００８３】
シーケンス制御回路１２０は、ＭＴパルスを印加し、ＭＴパルスの印加後、ＭＲスペクトロスコピーを行うパルスシーケンスを実行する。
【００８４】
図８Ａは、シーケンス制御回路１２０が、ＭＲスペクトロスコピーを行うパルスシーケンスとして、ＳＴＥＡＭ（Ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ  Ｅｃｈｏ  Ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ  Ｍｏｄｅ）シーケンスを実行する場合について説明している。
【００８５】
図８Ａの最上段は、シーケンス制御回路１２０が印加するＲＦパルスを表す。図８Ａの２段目、３段目、４段目は、それぞれ、シーケンス制御回路１２０が印加する、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向の勾配磁場を表す。
【００８６】
プレシーケンス４００は、ＭＲスペクトロスコピーを行うパルスシーケンス（図８Ａの場合、ＳＴＥＡＭシーケンス）に先立ってシーケンス制御回路１２０によって印加されるシーケンスを表す。ＭＴパルス４０１、４０２、４０３、４０４は、プレシーケンス４００においてシーケンス制御回路１２０により印加されるＭＴパルスを表す。９０度パルス４０５、４０６、４０７は、シーケンス制御回路１２０によって印加される９０度ＲＦパルスを表す。勾配磁場４０８、４１０、４１１は、それぞれ９０度パルス４０５、４０６、４０７と同時にｘ方向、ｙ方向、ｚ方向にシーケンス制御回路１２０によって印加される勾配磁場を表す。目的とする信号以外の信号をデフェーズするためのクラッシャー勾配４０９が、９０度パルス４０６と９０度パルス４０７とのいわゆるミキシング・タイムにおいて、シーケンス制御回路１２０によって印加される。
【００８７】
図８Ｂは、シーケンス制御回路１２０が、ＭＲスペクトロスコピーを行うパルスシーケンスとして、ＰＲＥＳＳ（Ｐｏｉｎｔ  Ｒｅｓｏｌｖｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  Ｓｅｑｕｅｎｃｅ）シーケンスを実行する場合について説明している。
【００８８】
図８Ｂの最上段は、シーケンス制御回路１２０が印加するＲＦパルスを表す。図８Ｂの２段目、３段目、４段目は、それぞれ、シーケンス制御回路１２０が印加する、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向の勾配磁場を表す。
【００８９】
プレシーケンス４００は、ＭＲスペクトロスコピーを行うパルスシーケンス（図８Ｂの場合はＰＲＥＳＳシーケンス）に先立ってシーケンス制御回路１２０によって印加されるシーケンスを表す。ＭＴパルス４０１、４０２、４０３、４０４は、プレシーケンス４００においてシーケンス制御回路１２０により印加されるＭＴパルスを表す。９０度パルス４２０は、シーケンス制御回路１２０によって印加される９０度ＲＦパルスを表す。１８０度パルス４２１、４２２は、シーケンス制御回路１２０によって印加されるリフォーカスＲＦパルスを表す。勾配磁場４２３は、９０度パルス４２０と同時にｘ方向にシーケンス制御回路１２０によって印加される勾配磁場を表す。目的とする信号以外の信号によるコヒーレンスが起こるのを避けるため、クラッシャー勾配４２４、４２５が、これらのリフォーカスパルスとともに印加される。
【００９０】
図８Ｃは、第２の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が行う処理の手順の一例について説明するためのフローチャートである。
【００９１】
まずはじめに、処理回路１５０は、ＭＴパルスを印加する（ステップＳ１０）。例えば、処理回路１５０は、図８Ａ又は図８Ｂにおいて、プレシーケンス４００において、ＭＴパルス４０１、４０２、４０３及び４０４を印加する。
【００９２】
続いて、処理回路１５０は、ＭＲＳのパルスシーケンスを実行する（ステップＳ２０）。例えば、処理回路１５０は、図８Ａに示されているＳＴＥＡＭシーケンスを実行する。別の例として、処理回路１５０は、図８Ｂに示されているＰＲＥＳＳシーケンスを実行する。別の例として、処理回路１５０は、ＬＡＳＥＲ（Ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ  Ｂｙ  Ａｄｉａｂａｔｉｃ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｒｅｆｏｃｕｓｉｎｇ）シーケンスを実行してもよい。別の例として、処理回路１５０は、その他のシングルボクセル技術を使用してもよい。別の例として、処理回路１５０は、例えばＭＲスペクトロスコピック・イメージング（ＭＲＳＩ）などのマルチボクセル技術や、ケミカルシフトイメージングを行ってもよい。
【００９３】
シーケンス制御回路１２０が、ＭＲＳのパルスシーケンスに先立ってＭＴパルスを印加することにより、ＭＲＳスペクトルに変化が表れる。従って、例えば、処理回路１５０は、ＭＴパルスを印加しないで得られたＭＲＳスペクトルと、ＭＴパルスを印加したときに得られたＭＲＳスペクトルとの間で差分処理を行うことにより、得られたスペクトルを診断に役立てることができる。
【００９４】
続いて、シーケンス制御回路１２０がＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスに先立って印加するＭＴパルスの周波数の決定方法について説明する。
【００９５】
図８Ｄは、第２の実施形態に係るＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ  Ｕｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）の一例を示す図である。図８Ｅは、第２の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が行う処理の手順の一例について説明するためのフローチャートである。
【００９６】
図８Ｄのパネル８５ａには、シーケンス制御回路１２０がＭＴパルスを印加しない通常の場合の、ＭＲＳスペクトルが表示されている（ＭＲＳ表示１）。パネル８５ｂには、シーケンス制御回路１２０が第１の周波数でＭＴパルスをＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスに先立って印加した場合の、ＭＲＳスペクトルを表している（ＭＲＳ表示２）。ここで、第１の周波数とは、例えば自由水プロトンの共鳴周波数を基準として、＋１．０ｐｐｍである。また、パネル８５ｃには、シーケンス制御回路１２０が第２の周波数でＭＴパルスをＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスに先立って印加した場合の、ＭＲＳスペクトルを表している（ＭＲＳ表示３）。ここで、第２の周波数とは、例えば自由水プロトンの共鳴周波数を基準として、＋３．５ｐｐｍである。
【００９７】
また、ボタン８５ｄは、ユーザが、実行するＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスに先立って、ＭＴパルスを印加するか否かを選択するためのボタンである。また、ボタン８５ｅ、ボタン８５ｆは、ユーザが、実行するＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスに先立って印加するＭＴパルスの周波数を選択するためのボタンである。
【００９８】
また、パネル８５ｇには、ＭＴＲａｓｙｍスペクトルが表示されている。また、パネル８５ｈには、パネル８５ａに表示されているスペクトル（ＭＲＳ表示１）と、パネル８５ｂに表示されているスペクトル（ＭＲＳ表示２）との差分スペクトルが示されている。また、パネル８５ｉには、パネル８５ａに表示されているスペクトル（ＭＲＳ表示１）と、パネル８５ｃに表示されているスペクトル（ＭＲＳ表示３）との差分スペクトルが示されている。
【００９９】
続いて、図８Ｅを用いて、第２の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置１００が行う処理の流れについて説明する。
【０１００】
はじめに、シーケンス制御回路１２０は、所定の領域（例えば興味のある領域）について、ＣＥＳＴのパルスシーケンスを実行する（ステップＳ２００）。すなわち、シーケンス制御回路１２０は、所定の周波数のＭＴパルスを印加して磁気共鳴イメージングを行うＣＥＳＴのパルスシーケンスを実行する。続いて、処理回路１５０は、シーケンス制御回路１２０がステップＳ２００で実行したＣＥＳＴのパルスシーケンスに基づいて得られたデータから、ＣＥＳＴ効果を表すスペクトル、例えばＭＴＲａｓｙｍスペクトルを算出する（ステップＳ２０１）。続いて、処理回路１５０は、制御機能１３３により、ＣＥＳＴデータ（ＭＴＲａｓｙｍ）をディスプレイ１３５に表示させる。ディスプレイ１３５は、ＣＥＳＴデータ(ＭＴＲａｓｙｍ)を、例えばパネル８５ｇに表示する（ステップＳ２０２）。
【０１０１】
続いて、処理回路１５０は、制御機能１３３により、入力装置１３４を通じて、ユーザからの入力を受け付ける（ステップＳ２０３）。例えば、処理回路１５０は、ディスプレイ１３５上に表示されたボタン８５ｄを通じて、実行されるべきＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスにおいて、ＭＴパルスを印加するか印加しないかの入力を受け付ける。また、処理回路１５０は、例えばボタン８５ｅやボタン８５ｆを通じて、実行されるべきＭＴスペクトロスコピーのパルスシーケンスにおいて、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの周波数の入力を受け付ける。
【０１０２】
続いて、処理回路１５０は、制御機能１３３により、ステップＳ２０３においてユーザから受け付けた入力に基づいて、どのようなＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスを実行するかを判定する（ステップＳ２０４）。
【０１０３】
例えば、ステップＳ２０３でユーザから受け付けた入力が、ＭＴパルス印加「なし」であった場合（ステップＳ２０４  ＭＲＳ表示１）、シーケンス制御回路１２０は、ＭＴパルスを印加せずにＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスを実行する（ステップＳ２０５ａ）。処理回路１５０は、ステップＳ２０５ａにおいてＭＴパルスを印加せずに実行されたパルスシーケンスに基づいて、データを生成する。具体的には、処理回路１５０は、ステップＳ２０５ａでシーケンス制御回路１２０が実行したパルスシーケンスを基に、ＭＲＳスペクトルを算出する。処理回路１５０は、制御機能１３３により、算出したＭＲＳスペクトルを、ディスプレイ１３５に表示させる（ステップＳ２０６ａ）。例えば、処理回路１５０は、制御機能１３３により、算出したＭＲＳスペクトルを、ディスプレイ１３５上のパネル８５ａに表示させる。
【０１０４】
また、例えば、ステップＳ２０３でユーザから受け付けた入力が、ＭＴパルス印加「あり」であり、ＭＴパルスの周波数として、第１の周波数が選択された場合、（例えば、第１の周波数が、ボタン８５ｅにより、１．０ｐｐｍであると選択された場合）、（ステップＳ２０４  ＭＲＳ表示２）、シーケンス制御回路１２０は、処理回路１５０がステップＳ２０３において受け付けた入力に基づいて、ＭＴパルスを印加する。すなわち、シーケンス制御回路１２０は、第１の周波数で、ＭＴパルスを印加するＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスを実行する（ステップＳ２０５ｂ）。処理回路１５０は、ステップＳ２０５ｂでシーケンス制御回路１２０が、ＭＴパルスを印加した後に実行したパルスシーケンスを基に、所定のデータ（ＭＲＳスペクトル）を算出する。処理回路１５０は、制御機能１３３により、算出したＭＲＳスペクトルを、ディスプレイ１３５に表示させる（ステップＳ２０６ｂ）。例えば、処理回路１５０は、制御機能１３３により、算出したＭＲＳスペクトルを、ディスプレイ１３５上のパネル８５ｂに表示させる。
【０１０５】
また、例えば、ステップＳ２０３でユーザから受け付けた入力が、ＭＴパルス印加「あり」であり、ＭＴパルスの周波数として、第２の周波数が選択された場合、（例えば、第２の周波数が、ボタン８５ｆにより、３．５ｐｐｍであると選択された場合）、（ステップＳ２０４  ＭＲＳ表示３）、シーケンス制御回路１２０は、処理回路１５０がステップＳ２０３において受け付けた入力に基づいて、ＭＴパルスを印加する。すなわち、シーケンス制御回路１２０は、第２の周波数で、ＭＴパルスを印加するＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスを実行する（ステップＳ２０５ｃ）。処理回路１５０は、ステップＳ２０５ｃでシーケンス制御回路１２０が実行したパルスシーケンスを基に、ＭＲＳスペクトルを算出する。処理回路１５０は、制御機能１３３により、算出したＭＲＳスペクトルを、ディスプレイ１３５に表示させる（ステップＳ２０６ｃ）。例えば、処理回路１５０は、制御機能１３３により、算出したＭＲＳスペクトルを、ディスプレイ１３５上のパネル８５ｃに表示させる。
【０１０６】
処理回路１５０は、ＣＥＳＴ効果を表すスペクトル（例えばＭＴＲａｓｙｍスペクトル）と、ステップＳ２０５ａ、ステップＳ２０５ｂ、ステップＳ２０５ｃによりシーケンス制御回路１２０により実行されたＭＲＳスペクトルとを、ディスプレイ１３５に表示させる。ディスプレイ１３５は、これらのＭＴＲａｓｙｍ及びＭＲＳスペクトルを表示する（ステップＳ２０７）。
【０１０７】
続いて、処理回路１５０は、ＭＴパルスを印加しない場合のＭＲＳスペクトルと、ＭＴパルスを印加する場合のＭＲＳスペクトルとの間で差分処理を行って、差分スペクトルを生成する。処理回路１５０は、このようにして生成された差分スペクトルを、ディスプレイ１３５に表示させる。ディスプレイ１３５は、差分スペクトルを表示する（ステップＳ２０８）。例えば、処理回路１５０は、パネル８５ａに表示された、ＭＴパルスを印加しない場合のＭＲＳスペクトルと、パネル８５ｂに表示された、ＭＴパルスを印加する場合のＭＲＳスペクトルとの間で差分処理を行って、差分スペクトルを生成し、生成された差分スペクトルを、ディスプレイ１３５のパネル８５ｈに表示させる。換言すると、処理回路１５０は、ステップＳ２０６ａにおいて生成されたデータと、ステップＳ２０６ｂにおいて生成されたデータとの間で差分処理を行って、差分後のデータを生成し、ディスプレイ１３５に表示させる。また、例えば、処理回路１５０は、パネル８５ａに表示された、ＭＴパルスを印加しない場合のＭＲＳスペクトルと、パネル８５ｃに表示された、ＭＴパルスを印加する場合のＭＲＳスペクトルとの間で差分処理を行って、差分スペクトルを生成し、生成された差分スペクトルを、ディスプレイ１３５のパネル８５ｉに表示させる。
【０１０８】
続いて、処理回路１５０は、インタフェース機能１３１により、入力装置１３４を通じて、処理を終了する旨の入力を受け付ける（ステップＳ２０９）。処理回路１５０がインタフェース機能１３１により、処理を終了する旨の入力を受け付けた場合（ステップＳ２０９  Ｙｅｓ）、処理は終了する。また、処理を終了する旨の入力がされなかった場合（ステップＳ２０９  Ｎｏ）、処理はステップＳ２０３に戻る。
【０１０９】
なお、ステップＳ２０３において、処理回路１５０がユーザからの入力を受け付け、入力された結果に基づいて、ステップＳ２０４で、どのようなＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスを実行するかを判定する場合について説明した。しかしながら、実施形態はこれに限られない。例えば、処理回路１５０は、ステップＳ２０１において処理回路１５０が算出したＣＥＳＴ効果を表すスペクトル、例えばＭＴＲａｓｙｍスペクトルに基づいて、ステップＳ２０３の代わりに、ステップＳ２０５ａ、ステップＳ２０５ｂ、ステップＳ２０５ｃ等のパルスシーケンスにおいて印加されるべきＭＴパルスの周波数を算出してもよい。この場合、シーケンス制御回路１２０は、処理回路１５０が算出した周波数でＭＴパルスを印加し、算出した周波数のＭＴパルスを印加した後ステップＳ２０５ａ、ステップＳ２０５ｂ、ステップＳ２０５ｃ等のパルスシーケンスを実行する。
【０１１０】
（第３の実施形態）
第１の実施形態では、処理回路１５０が、制御機能１３３により、ＭＲＳスペクトルに加えて、ＣＥＳＴスペクトルやＭＴＲａｓｙｍスペクトルをディスプレイ１３５に表示させるように制御する場合について説明した。また、第２の実施形態では、シーケンス制御回路１２０が、ＭＴパルスを印加してＭＲＳスペクトルを取得する場合について説明した。この時、例えば、印加されるＭＴパルスの周波数は、ＣＥＳＴのデータを基に、定められる。
【０１１１】
第３の実施形態では、これまでの実施形態に関連して、さまざまなＧＵＩのバリエーションについて説明する。
【０１１２】
例えば、まず初めに、シーケンス制御回路１２０は、ＭＲスペクトロスコピーを行う第１のパルスシーケンス（磁気共鳴スペクトロスコピーのパルスシーケンス）を実行する。続いて、処理回路１５０は、画像生成機能１３６により、シーケンス制御回路１２０が実行した磁気共鳴スペクトロスコピーのパルスシーケンスを基に、ＭＲＳ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）スペクトルを生成する。続いて、シーケンス制御回路１２０は、処理回路１５０が画像生成機能１３６により生成したＭＲＳスペクトルをディスプレイ１３５に表示させる。ディスプレイ１３５は、処理回路１５０が画像生成機能１３６により生成したＭＲＳスペクトルを表示する。すなわち、処理回路１５０は、第１のパルスシーケンスに基づいて得られた第１のデータを表示部に表示させる。
【０１１３】
続いて、処理回路１５０は、ＣＥＳＴのパルスシーケンスに関するパラメータの入力を受け付ける。すなわち、処理回路１５０は、ユーザから、第２のパルスシーケンスにおける撮像条件の入力を受け付ける。ここで、撮影条件とは、例えば第２のパルスシーケンスにおいて印加するＭＴパルスの情報の入力である。ここで、ＭＴパルスの情報とは、例えば印加（照射）するＭＴパルスの周波数である。
【０１１４】
かかるＧＵＩの具体例が、図１０の右上に示されている。ＣＥＳＴ条件設定画面７５は、処理回路１５０が制御機能１３３により入力装置１３４を通じてユーザから第２のパルスシーケンス（ＣＥＳＴのパルスシーケンス）の設定条件の入力を受け付けるための画面である。
【０１１５】
ユーザがボタン７５ａを選択すると、処理回路１５０は、印加(照射)されるＭＴパルスの周波数設定を手動で受け付ける。ユーザがボタン７５ｃを選択すると、処理回路１５０は、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの種類として、単一周波数でＭＴパルスを印加する旨の入力を受け付ける。
【０１１６】
また、ユーザがボタン７５ｄを選択すると、処理回路１５０は、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの種類として、複数周波数でＭＴパルスを印加する旨の入力を受け付ける。ここで、「複数周波数でＭＴパルスを印加する」の一例として、シーケンス制御回路１２０は、複数周波数成分で一つのＭＴパルスを構成しながら、ＭＴパルスを印加する。別の例として、シーケンス制御回路１２０は、単一周波数で周波数が異なる複数のＭＴパルスをプレシーケンスにおいて印加して、全体として複数周波数でＭＴパルスを印加する。換言すると、この場合、処理回路１５０は、撮影条件として、シーケンス制御回路１２０が第２のパルスシーケンスにおいて、第１の周波数成分を持つＭＴパルスと、第１の周波数成分とは異なる第２の周波数成分を持つＭＴパルスを含んで複数のＭＴパルスを印加する旨の撮影条件の入力を受け付ける。
【０１１７】
また、処理回路１５０は、ＣＥＳＴ条件設定画面７５を通じて、印加（照射）されるＭＴパルスの周波数の入力や変更を受け付ける。例えば、ユーザがボタン７５ｅをクリックすると、処理回路１５０は、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの周波数の増加の入力を受け付ける。また、例えばユーザがボタン７５ｆをクリックすると、処理回路１５０は、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの周波数の減少の入力を受け付ける。
【０１１８】
また、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの周波数の値は、初期値としてプリセットされてもよい。例えば、ユーザがボタン７５ｇをクリックすると、処理回路１５０は、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの周波数を、「アミド  ３．５ｐｐｍ」に設定する。
【０１１９】
シーケンス制御回路１２０は、ＭＴパルス周波数を変えて複数のパルスシーケンスを実行し、データを自動収集してもよい。例えば、ユーザがボタン７５ｂをクリックすると、シーケンス制御回路１２０は、印加するＭＴパルスの周波数を、−６．０ｐｐｍから＋６．０ｐｐｍで、ｐｐｍ間隔１．０ｐｐｍで、変えながら、複数のパルスシーケンスを実行する。
【０１２０】
また、処理回路１５０は、ＣＥＳＴ条件設定画面７５を通じて、飽和パルス印加のＯＮ／ＯＦＦの入力を受け付ける。例えば、ユーザがボタン７５ｈをクリックすると、飽和パルス印加のＯＮ／ＯＦＦが切り替わる。ここで、飽和パルス印加をＯＦＦにした場合、シーケンス制御回路１２０はＭＴパルスを印加しないから、シーケンス制御回路１２０が実行するパルスシーケンスは、通常のパルスシーケンスとなる。
【０１２１】
この時、シーケンス制御回路１２０は、ＭＴパルスを印加しない第３のパルスシーケンスを更に実行する。処理回路１５０は、第３のパルスシーケンスに基づいて得られた第３のデータをディスプレイ１３５に、第２のデータ（ＣＥＳＴスペクトルやＭＴＲａｓｙｍスペクトル）と切りかえ可能に表示させる。
【０１２２】
また、処理回路１５０は、シーケンス制御回路１２０が印加するＭＴパルスの印加時間の入力を受け付けてもよい。
【０１２３】
この場合、処理回路１５０が制御機能１３３によりＣＥＳＴのパルスシーケンスに関するパラメータの入力を受け付けると、シーケンス制御回路１２０は、入力されたパラメータを基に、ＣＥＳＴのパルスシーケンスを実行する。換言すると、シーケンス制御回路１２０は、受け付けた入力に基づいて第２のパルスシーケンスを実行する。
【０１２４】
続いて、処理回路１５０は、画像生成機能１３６により、ＣＥＳＴ効果の大きさを表すスペクトルを生成する。続いて、処理回路１５０は、画像生成機能１３６により、磁気共鳴スペクトル及びＣＥＳＴ効果の大きさを表すスペクトルを表示する。すなわち、処理回路１５０は、第２のパルスシーケンスに基づいて得られた第２のデータを、表示部としてのディスプレイ１３５に表示させる。
【０１２５】
以上のように、第３の実施形態では、ＭＲスペクトロスコピーの結果とＣＥＳＴを用いて磁気共鳴イメージングの結果を表示する様々なＧＵＩについて説明した。第２の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置１００により、ユーザの利便性がさらに向上する。また、第３の実施形態では、ＭＲスペクトロスコピーの結果を基に、ＣＥＳＴのパルスシーケンスを実行するＧＵＩについて説明した。第３の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置１００により、ユーザは適切なＣＥＳＴの撮影条件の選択をすることができる。この結果、ユーザの利便性がさらに向上する。
【０１２６】
（第４の実施形態）
第１の実施形態では、処理回路１５０が、ＭＲスペクトロスコピーの結果と、ＣＥＳＴによるイメージングの結果を、スペクトルとしてディスプレイ１３５に表示させる場合について説明した。第４の実施形態では、処理回路１５０は、スペクトルをディスプレイ１３５に表示させるだけでなく、ＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスにより生成されたデータと、ＣＥＳＴイメージングにより生成されたデータとに基づいて、所定の分子が関心領域に存在する濃度の推定値を算出する。
【０１２７】
図９に、このような状況が示されている。図９は、第４の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置が行う処理の手順の一例について説明するためのフローチャートである。
【０１２８】
まず初めに、処理回路１５０は、制御機能１３３により、所定のインタフェースを通じて、解析対象物質の選択入力を受け付ける（ステップＳ１０１）。このようなインタフェースの例は、例えば図１０の右下に示されている。解析インタフェース７６は、解析対象物質の選択入力を受け付けるため、及び、解析結果を表示するためのインタフェースである。処理回路１５０は、制御機能１３３により、解析インタフェース７６を通じて、解析対象物質が、「Ｎ−アセチルアスパラギン酸」である旨の入力を受け付ける。また、処理回路１５０は、解析インタフェース７６を通じて、解析対象物質が、「クレアチン」や「コリン」である旨の入力を受け付けてもよい。
【０１２９】
第１の実施形態と同様に、シーケンス制御回路１２０は、ＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスを実行する（ステップＳ１１０）。続いて、処理回路１５０は、画像生成機能１３６により、ＭＲＳスペクトルを生成する。処理回路１５０は、図示しない算出機能により、ステップＳ１１０においてシーケンス制御回路１２０が実行したＭＲスペクトロスコピーのパルスシーケンスにより得られたデータを基に、解析対象物質の濃度の推定値を算出する（ステップＳ１１１Ｂ）。処理回路１５０は、制御機能１３３により、ステップＳ１１１Ｂにおいて処理回路１５０が算出機能により算出した解析対象物質の濃度の推定値を、ディスプレイ１３５に表示させる。ディスプレイ１３５は、算出した解析対象物質の濃度の推定値を表示する。
【０１３０】
例えば、図１０において、ステップＳ１１１Ｂにおいて処理回路１５０が算出機能により、解析対象物質であるＮ−アセチルアスパラギン酸の濃度の推定値が７．２ｍｍｏｌ／ｍｌであると算出した場合を考える。この場合、ディスプレイ１３５は、ＭＲスペクトロスコピーによって算出されたＮ−アセチルアスパラギン酸の濃度の推定値を、７．２ｍｍｏｌ／ｍｌであると算出する。
【０１３１】
一方、シーケンス制御回路１２０は、ステップＳ１２０において、ＣＥＳＴのパルスシーケンスを実行する（ステップＳ１２０）。処理回路１５０は、画像生成機能１３６により、ＭＴＲａｓｙｍスペクトルを算出する。処理回路１５０は、算出機能により、ステップＳ１２０においてシーケンス制御回路１２０が実行したＣＥＳＴのパルスシーケンスにより得られたデータを基に、ＣＥＳＴ効果の大きさを算出する。例えば、処理回路１５０は、算出機能により、ＣＥＳＴ効果の大きさを、例えば、MTパルスを印加しない場合のZスペクトルを基準として、ＣＥＳＴ効果の大きさを、例えばパーセント（百分率）で算出する。処理回路１５０は、制御機能１３３により、ステップＳ１２１Ｂにおいて処理回路１５０が算出機能により算出したＣＥＳＴ効果の大きさを、表示部に表示させる（ステップＳ１２１Ｂ）。処理回路１５０は、制御機能１３３により、ステップＳ１２１Ｂにおいて処理回路１５０が算出機能により算出したＣＥＳＴ効果の大きさの推定値を、ディスプレイ１３５に表示させる。ディスプレイ１３５は、算出した解析対象物質のＣＥＳＴ効果の大きさを表示する。
【０１３２】
一例として、処理回路１５０は、算出機能により、ステップＳ１１１Ｂで処理回路１５０が行った分析結果を参照する。続いて、処理回路１５０は、例えば記憶回路１３２に存在する所定のデータベースから、解析対象物質に対するデータを取得する。例えば、処理回路１５０は、解析対象物質「Ｎ−アセチルアスパラギン酸」に対して、例えば所定の官能基、例えば図２ＡのＯＨ４０ａ、ＯＨ４０ｂ、アミド基４０ｃにおけるプロトンの、自由水プロトンとの化学交換速度ｋｓｗの値を、所定のデータベースから取得する。
【０１３３】
続いて、処理回路１５０は、算出機能により、ＭＴＲａｓｙｍスペクトルを、官能基ごとに分解する。処理回路１５０は、官能基ごとに分解されたＭＴＲａｓｙｍスペクトルの寄与と、取得した化学交換速度の値を比較して、所定の官能基ごとに、解析対象物質の濃度の推定値を算出する。例えば、処理回路１５０は、算出機能により、Ｎ−アセチルアスパラギン酸のＯＨ４０ａの濃度が、４．２ｍｍｏｌ／ｍｌと算出する。また、処理回路１５０は、算出機能により、Ｎ−アセチルアスパラギン酸のＯＨ４０ｂの濃度が、４．４ｍｍｏｌ／ｍｌと算出する。また、処理回路１５０は、算出機能により、Ｎ−アセチルアスパラギン酸のアミド基４０ｃの濃度が、３．８ｍｍｏｌ／ｍｌと算出する。処理回路１５０は、制御機能１３３により、ディスプレイ１３５に、例えば図１０の解析インタフェース７６を通じて、解析結果を表示させる。
【０１３４】
続いて、処理回路１５０は、算出機能により、官能基ごとの解析結果を統合して、ＣＥＳＴの方法によるＮ−アセチルアスパラギン酸の濃度の推定値を算出する。例えば、処理回路１５０は、算出機能により、Ｎ−アセチルアスパラギン酸の濃度が、ＣＥＳＴによると、４．０ｍｍｏｌ／ｍｌと算出する。処理回路１５０は、制御機能１３３により、ディスプレイ１３５に、例えば図１０の解析インタフェース７６を通じて、解析結果を表示させる。
【０１３５】
続いて、処理回路１５０は、算出機能により、ステップＳ１１１Ｂにおいて処理回路１５０が算出機能により算出したＭＲスペクトロスコピーによる解析対象物質の濃度の推定値と、ステップＳ１２１Ｂにおいて処理回路１５０が算出機能により算出したＣＥＳＴによる解析対象物質の濃度の推定値とに基づいて、解析対象物質の濃度の総合的な推定値を算出する（ステップＳ１５０Ｂ）。換言すると、処理回路１５０は、第１のパルスシーケンス（ＭＲスペクトロスコピー）に基づいて得られた第１のデータと、第２のパルスシーケンス（ＣＥＳＴのパルスシーケンス）に基づいて得られた第２のデータとに基づいて、所定の分子が関心領域内に存在する濃度の推定値を算出する。ここで、解析対象物質の濃度の総合的な推定値の算出方法としては、処理回路１５０は、算出機能により、単純平均を用いて推定値を算出してもよいし、重みつき平均を用いて算出してもよい。例えば、処理回路１５０は、算出機能により、Ｎ−アセチルアスパラギン酸の濃度の総合評価が、５．２ｍｍｏｌ／ｍｌであると算出する。処理回路１５０は、制御機能１３３により、ディスプレイ１３５に、例えば図１０の解析インタフェース７６を通じて、解析結果を表示させる。
【０１３６】
続いて、処理回路１５０は、算出した解析対象物質の濃度を、所定の閾値と比較し、比較した結果を、ディスプレイ１３５に表示させる。例えば、前述の場合は、処理回路１５０は、算出機能により、算出したＮ−アセチルアスパラギン酸の濃度が、所定の閾値を下回っているので、アルツハイマー病の疑いがあると判断し、ディスプレイ１３５に、「Ｎ−アセチルアスパラギン酸濃度が著名に低下しています。アルツハイマー病の疑いがあります」と表示させる。
【０１３７】
実施形態はこれに限られない。ステップＳ１０１で、処理回路１５０が解析対象物質の選択入力を受け付ける場合で説明したが、実施形態はこれに限られない。例えば、処理回路１５０は、ステップＳ１０１において、選択入力以外の入力方法を用いて、解析対象物質の入力を受け付けても良い。
【０１３８】
また、第１の実施形態と同様に、例えば、ステップＳ１１０及びステップＳ１１１Ｂと、ステップＳ１２０及びステップＳ１２１Ｂの実行の順番は任意である。実施形態では、ステップＳ１２１Ｂの処理において、算出機能を有する処理回路１５０が、処理回路１５０がステップＳ１１１Ｂで算出したＭＲスペクトロスコピーの解析結果を参照する場合で説明したが、実施形態はこれに限られない。すなわち、例えば、ステップＳ１２１Ｂの後に、ステップＳ１１１Ｂの処理が行われても良い。
【０１３９】
（プログラム）
また、上述した実施形態の中で示した処理手順に示された指示は、ソフトウェアであるプログラムに基づいて実行されることが可能である。汎用コンピュータが、このプログラムを予め記憶しておき、このプログラムを読み込むことにより、上述した実施形態の磁気共鳴イメージング装置１００による効果と同様の効果を得ることも可能である。上述した実施形態で記述された指示は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、磁気ディスク（フレキシブルディスク、ハードディスクなど）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ±Ｒ、ＤＶＤ±ＲＷなど）、半導体メモリ、又はこれに類する記録媒体に記録される。コンピュータ又は組み込みシステムが読み取り可能な記憶媒体であれば、その記憶形式は何れの形態であってもよい。コンピュータは、この記録媒体からプログラムを読み込み、このプログラムに基づいてプログラムに記述されている指示をＣＰＵで実行させれば、上述した実施形態の磁気共鳴イメージング装置１００と同様の動作を実現することができる。また、コンピュータがプログラムを取得する場合又は読み込む場合は、ネットワークを通じて取得又は読み込んでもよい。
また、記憶媒体からコンピュータや組み込みシステムにインストールされたプログラムの指示に基づきコンピュータ上で稼働しているＯＳ（Operating  System）や、データベース管理ソフト、ネットワーク等のＭＷ（Middleware）等が、上述した実施形態を実現するための各処理の一部を実行してもよい。更に、記憶媒体は、コンピュータあるいは組み込みシステムと独立した媒体に限らず、ＬＡＮ（Local  Area  Network）やインターネット等により伝達されたプログラムをダウンロードして記憶又は一時記憶した記憶媒体も含まれる。また、記憶媒体は１つに限られず、複数の媒体から、上述した実施形態における処理が実行される場合も、実施形態における記憶媒体に含まれ、媒体の構成は何れの構成であってもよい。
【０１４０】
なお、実施形態におけるコンピュータ又は組み込みシステムは、記憶媒体に記憶されたプログラムに基づき、上述した実施形態における各処理を実行するためのものであって、パソコン、マイコン等の１つからなる装置、複数の装置がネットワーク接続されたシステム等の何れの構成であってもよい。また、実施形態におけるコンピュータとは、パソコンに限らず、情報処理機器に含まれる演算処理装置、マイコン等も含み、プログラムによって実施形態における機能を実現することが可能な機器、装置を総称している。
【０１４１】
（ハードウェア構成）
図１１は、実施形態に係るコンピューター１３０（画像処理装置）のハードウェア構成を示す図である。上述した実施形態に係る画像処理装置は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）３１０等の制御装置と、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）３２０やＲＡＭ（Random  Access  Memory）３３０等の記憶装置と、ネットワークに接続して通信を行う通信Ｉ／Ｆ３４０と、各部を接続するバス３０１とを備えている。
【０１４２】
上述した実施形態に係る画像処理装置で実行されるプログラムは、ＲＯＭ３２０等に予め組み込まれて提供される。また、上述した実施形態に係る画像処理装置で実行されるプログラムは、コンピュータを上述した画像処理装置の各部として機能させ得る。このコンピュータは、ＣＰＵ３１０がコンピュータ読取可能な記憶媒体からプログラムを主記憶装置上に読み出して実行することができる。
【０１４３】
以上述べた少なくとも一つの実施形態の磁気共鳴イメージング装置及び磁気共鳴イメージング方法によれば、多面的な情報を出力することができる。
【０１４４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１４５】
１２０  シーケンス制御回路
１５０  処理回路
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
2017121463.tif 000009
【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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