(57)【要約】【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体チップＣＨと放熱部（ヒートシンク）とを有する半導体装置を次のように構成する。この放熱部（ヒートシンク）は、樹脂テープＲ１と、この樹脂テープＲ１から突出したグラファイトシートよりなるフィンＧＦとを有し、フィンＧＦは、グラフェンを有し、グラフェンが半導体チップＣＨの表面と交差する方向に配置されるように、フィンＧＦが前記半導体チップ上に配置される。この放熱部は、グラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１とを積層し巻回した巻回体である。このように、フィンＧＦの構成材料として、グラフェンを用いることにより、熱伝導性が向上し、放熱性が向上する。さらに、フィンＧＦを樹脂テープＲ１よりを飛び出させたので、フィンＧＦの露出面積が向上し、放熱性を向上させることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップ上の放熱部と、
を有し、
前記放熱部は、樹脂と前記樹脂から突出したフィンとを有し、
前記フィンは、グラフェンを有し、
前記グラフェンが前記半導体チップの表面と交差する方向に配置されるように、前記フィンが前記半導体チップ上に配置されている、半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記放熱部は、グラファイトシートと樹脂テープとを積層し巻回した巻回体である、半導体装置。
【請求項３】
半導体チップと、
前記半導体チップ上の封止樹脂と、
前記封止樹脂中に埋め込まれた放熱部と、
を有し、
前記放熱部は、樹脂と前記樹脂から突出したフィンとを有し、
前記フィンは、グラフェンを有し、
前記グラフェンが前記半導体チップの表面と交差する方向に配置されるように、前記フィンが前記半導体チップ上に配置されている、半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記放熱部は、グラファイトシートと樹脂テープとを積層し巻回した巻回体である、半導体装置。
【請求項５】
（ａ）放熱部を準備する工程、
（ｂ）前記放熱部を半導体チップ上に搭載する工程、
を有し、
前記放熱部は、樹脂と前記樹脂から突出したフィンとを有し、
前記フィンは、グラフェンを有し、
前記（ｂ）工程は、前記グラフェンが前記半導体チップの表面と交差する方向に配置されるように、前記放熱部を前記半導体チップ上に搭載する工程である、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱部の形成工程は、
（ａ１）第１幅のグラファイトシートと前記第１幅より小さい第２幅の樹脂テープとを積層した状態で巻回する工程、を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱部の形成工程は、
（ａ１）グラファイトシートと樹脂テープとを積層した状態で巻回することにより巻回体を形成する工程、
（ａ２）前記巻回体の一方の側から露出した前記樹脂テープをエッチングすることにより、前記樹脂テープから突出した前記グラファイトシートよりなるフィンを形成する工程、を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
（ａ）グラファイトシートと樹脂テープとを積層し巻回した巻回体を準備する工程、
（ｂ）前記巻回体を半導体チップ上に搭載する工程、
（ｃ）前記巻回体および前記半導体チップの周りを封止樹脂で覆う工程、
（ｄ）前記巻回体上の前記封止樹脂を、前記巻回体の表面が露出するまで、除去する工程、
（ｅ）前記巻回体の前記表面から露出した前記樹脂テープをエッチングすることにより、前記樹脂テープから突出した前記グラファイトシートよりなるフィンを形成する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程は、前記グラファイトシートを構成するグラフェンが、前記半導体チップの表面と交差する方向に配置されるように、前記巻回体を前記半導体チップ上に搭載する工程である、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、例えば、放熱部（ヒートシンク）を有する半導体装置に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末などに用いられるＣＰＵなどの半導体装置は、高密度に集積された半導体素子である。このような半導体装置において、動作速度を向上させるために、動作周波数をあげると、周波数に比例して実行的な電流が増える。この電流により発熱し、半導体装置が高温になると、オーバーヒートによる熱暴走や、半導体装置自体やそれを囲むパッケージの熱膨張が生じ得る。このため、半導体装置の放熱性の向上は、半導体装置の特性を維持し、寿命を長くするためにも、重要な問題となる。
【０００３】
例えば、国際公開第ＷＯ２０１１／００７５１０号（特許文献１）には、ヒートシンクと半導体パッケージとの間にグラファイトシートを設けた伝熱構造体が開示されている。
【０００４】
また、特許第５６４１４８４号公報（特許文献２）には、グラフェン薄膜の形成方法として以下の方法が開示されている。（１）ＨＯＰＧなどのグラファイトをスコッチテープなどで機械的に剥離することにより、グラフェン薄膜を形成する、（２）ＳｉＣの熱分解により、グラフェン薄膜を形成する、（３）化学気相成長法によって遷移金属膜上で炭化反応を行うことにより、グラフェン薄膜を形成する。さらに、単結晶基板の上面にエピタキシャルな金属膜を成膜した基板を用いて、このエピタキシャルな金属膜の上面に炭素原料を接触させることによりグラフェン薄膜を成長させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２０１１／００７５１０号
【特許文献２】特許第５６４１４８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述したように、半導体チップの温度対策は、重要な課題である。特に、携帯用の端末など、小型機器には、小型化、高性能化の要望により、放熱対策の重要性が顕著となる。例えば、携帯端末のＣＰＵ（中央処理装置）の動作速度を向上させるために、動作周波数をあげると、周波数に比例して実行的な電流が増え、発熱量が多くなる。
【０００７】
このように、半導体装置の放熱対策として、効率良く放熱できる装置構成やその製造方法の検討が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願において開示される実施の形態のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００９】
本願において開示される一実施の形態に示される半導体装置は、半導体チップと、半導体チップ上の放熱部と、を有する。そして、放熱部は、樹脂と樹脂から突出したフィンとを有し、フィンは、グラフェンを有し、グラフェンが半導体チップの表面と交差する方向に配置されるように、フィンが半導体チップ上に配置されている。例えば、放熱部は、グラファイトシートと樹脂テープとを積層し巻回した巻回体である。
【００１０】
本願において開示される一実施の形態に示される半導体装置の製造方法は、（ａ）放熱部を準備する工程、（ｂ）放熱部を半導体チップ上に搭載する工程、とを有する。そして、放熱部は、樹脂と樹脂から突出したフィンとを有し、フィンは、グラフェンを有する。さらに、（ｂ）工程は、グラフェンが半導体チップの表面と交差する方向に配置されるように、放熱部を半導体チップ上に搭載する工程である。
【発明の効果】
【００１１】
本願において開示される代表的な実施の形態に示される半導体装置によれば、半導体装置の特性を向上させることができる。
【００１２】
本願において開示される代表的な実施の形態に示される半導体装置の製造方法によれば、特性の良好な半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態１の放熱部（ヒートシンク）の構成の一例を示す図である。
【図４】グラフェンの構造を示す図である。
【図５】放熱部（ヒートシンク）の形成工程を示す図である。
【図６】放熱部（ヒートシンク）の形成工程を示す図である。
【図７】放熱部（ヒートシンク）の形成工程を示す図である。
【図８】フィン面積（露出したフィンの表面積）の増加による効果を示す図である。
【図９】熱抵抗のフィンピッチ／フィン長さの依存性を示すグラフである。
【図１０】実施の形態１の半導体装置の製造工程のフローを示す図である。
【図１１】実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１２】実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す断面図であって、図１１に続く製造工程を示す断面図である。
【図１３】実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す断面図であって、図１２に続く製造工程を示す断面図である。
【図１４】実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す断面図であって、図１３に続く製造工程を示す断面図である。
【図１５】実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す断面図であって、図１４に続く製造工程を示す断面図である。
【図１６】実施の形態１の応用例１の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１７】実施の形態１の応用例１の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１８】実施の形態１の応用例２の半導体装置の放熱部（ヒートシンク）の構成を示す部分分解斜視図である。
【図１９】実施の形態１の応用例２の半導体装置の放熱部（ヒートシンク）の他の構成を示す断面図である。
【図２０】実施の形態１の応用例３の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２１】実施の形態１の応用例３の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２２】実施の形態１の応用例３の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２３】実施の形態２の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２４】実施の形態２の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２５】実施の形態２の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２６】実施の形態２の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２７】実施の形態３の変形例１の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２８】実施の形態３の変形例２の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２９】実施の形態３の変形例３の半導体装置の放熱部（ヒートシンク）の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、応用例、詳細説明、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１５】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数等（個数、数値、量、範囲等を含む）についても同様である。
【００１６】
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一または関連する符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、複数の類似の部材（部位）が存在する場合には、総称の符号に記号を追加し個別または特定の部位を示す場合がある。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１７】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。
【００１８】
また、断面図および斜視図において、各部位の大きさは実デバイスと対応するものではなく、図面を分かりやすくするため、特定の部位を相対的に大きく表示する場合がある。また、断面図と斜視図等が対応する場合においても、図面を分かりやすくするため、特定の部位を相対的に大きく表示する場合がある。
【００１９】
（実施の形態１）
以下、図面を参照しながら本実施の形態の半導体装置について詳細に説明する。
【００２０】
［構造説明］
図１および図２は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。図２は、図１の部分拡大図である。図１に示す半導体装置は、フリップチップ実装された半導体装置である。フリップチップ実装とは、基板上に半導体チップを実装する方法の１つであり、半導体チップの表面と基板（実装基板、配線基板ともいう）とを電気的に接続する際、ボンディングワイヤによって接続するのではなく、アレイ状に並んだバンプと呼ばれる突起状の端子によって接続するものである。このような実装方法によれば、半導体チップ単体と同程度のサイズで半導体装置（半導体パッケージ）を製造することができる。このような、半導体チップ単体と同程度のサイズの半導体装置（半導体パッケージ）を、“チップサイズパッケージ”と言う場合がある。
【００２１】
この半導体装置は、半導体チップＣＨが、基板（実装基板、配線基板ともいう）Ｓ上に、フリップチップ実装されている。即ち、基板Ｓの導電性部（配線の一部、パッド領域）Ｍ１上に半導体チップＣＨが、バンプ（ここでは、スタッドバンプＳＢ）を介して接続されている。
【００２２】
さらに詳細に説明する。図１に示す半導体チップＣＨの下面には、スタッドバンプＳＢが設けられている。このスタッドバンプＳＢは、例えば、アレイ状に配置されている。また、基板Ｓの上面には、導電性部（配線の一部、パッド領域）Ｍ１が設けられている。半導体チップＣＨのスタッドバンプＳＢと、基板Ｓの導電性部Ｍ１とが、電気的に接続されている。即ち、半導体チップＣＨの下面側と基板Ｓの上面側とが、スタッドバンプＳＢおよび導電性部Ｍ１を介して接続されている。また、基板Ｓの下面には、導電性部（配線の一部、パッド領域）Ｍ２を介してバンプ電極ＢＰが形成されている。例えば、導電性部Ｍ１とＭ２とは、基板Ｓの内部に設けられた配線により電気的に接続されている。
【００２３】
そして、半導体チップＣＨの下面と基板Ｓの上面との間の隙間には、アンダーフィル材ＵＦが充填されている。このアンダーフィル材ＵＦは、緩衝材としての機能を有する。アンダーフィル材ＵＦとして用いられる樹脂に制限はないが、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂やフェノール樹脂、メラミン樹脂などを用いることができる。
【００２４】
ここで、本実施の形態においては、半導体チップＣＨの上面に放熱部（ヒートシンク）が設けられている。放熱部（ヒートシンク）のうち、突起部をフィン（グラフェンフィン）ＧＦという。このフィンＧＦは、グラファイトシートのようなグラフェンの積層体（積層膜）よりなる。なお、ここでは、フィンＧＦ間には、樹脂テープ（樹脂材ともいう）Ｒ１が設けられている。
【００２５】
図３は、本実施の形態の放熱部（ヒートシンク）の構成の一例を示す図である。図３（Ａ）は、部分分解斜視図で、図３（Ｂ）は、断面図である。例えば、図３（Ｂ）の上部は、図３（Ａ）のＡ−Ａ断面部に対応する。
【００２６】
図３に示すように、本実施の形態の放熱部（ヒートシンク）は、グラファイトシート（ＧＦ）を、樹脂テープＲ１を介して巻回した構成である。この場合、グラファイトシート（ＧＦ）の幅（ＷＧ）と樹脂テープＲ１の幅（ＷＲ）との差が、フィン長さＬＦとなり、樹脂テープＲ１の厚さ（ＴＲ）が、フィンピッチ（ＦＰ）となる。なお、“ＴＧ”は、グラファイトシート（ＧＦ）の厚さである。フィン長さＬＦは、例えば、１００μｍ程度である。
【００２７】
このように、放熱部（ヒートシンク）は、樹脂テープ（樹脂材ともいう）Ｒ１と、この樹脂テープから突出したグラファイトシートよりなるフィンＧＦとを有する。そして、このフィンＧＦは、グラフェンの積層体（積層膜）よりなり、グラフェン(graphene)が半導体チップＣＨの表面（上面）と交差する方向に配置されるように、フィンＧＦが半導体チップＣＨ上に配置される。
【００２８】
図４は、グラフェン(graphene)の構造を示す図である。黒丸が炭素原子である。グラフェンは、１原子の厚さのｓｐ２結合炭素原子のシートである。炭素原子とその結合からできた六角形格子が平面（２次元）に広がる構造をとっている。このグラフェンは、他の次元のグラファイト系材料（炭素系材料）の基本構成ブロックである。例えば、グラフェンを丸く包めば０次元のフラーレン、巻けば１次元のカーボンナノチューブ、積み重ねれば３次元のグラファイトが得られる。このグラフェンは、単層の膜（グラフェンシート）として、製造・販売されている。また、単層のグラフェンが積層された上記グラファイトシートも、製造・販売されている。
【００２９】
このように、本実施の形態においては、放熱部（ヒートシンク）のフィンＧＦの構成材料として、グラフェンを用いることにより、熱伝導性が向上し、放熱性が向上する。さらに、フィンＧＦを固定する樹脂テープＲ１よりフィンＧＦを飛び出させたので、フィンＧＦの露出面積が向上し、放熱性をさらに向上させることができる。
【００３０】
樹脂テープＲ１の材料に制限はないが、例えば、軟質アクリルゴムやポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）を用いることができる。中でも、黒鉛粒子を軟質アクリルゴム中に垂直に配向させた黒鉛垂直配向テープは、９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度の高い熱伝導率を有し、樹脂テープＲ１として用いて好適である。また、ポリエーテルエーテルケトン樹脂に高熱伝導性アクリル接着剤を用いたテープは、０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率を有し、柔軟性が高いため、樹脂テープＲ１として用いて好適である。
【００３１】
図３の放熱部（ヒートシンク）の形成工程に制限はないは、例えば、次のようにして形成することができる。図５〜図７は、放熱部（ヒートシンク）の形成工程を示す図である。まず、形成例１について説明する。例えば、図５に示すように、グラファイトシート（ＧＦ）と、樹脂テープＲ１とを重ね合わせて巻いた後、熱処理を施すことにより、放熱部（ヒートシンク）を形成することができる。ここでは、グラファイトシート（ＧＦ）の幅（短辺）より、幅（短辺）の小さい樹脂テープＲ１を用い、グラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１の長辺側をそろえて巻く。
【００３２】
次いで、形成例２について説明する。図６に示すように、グラファイトシート（ＧＦ）と、グラファイトシート（ＧＦ）の幅（短辺）と同程度の幅（短辺）の樹脂テープＲ１とを重ね合わせて巻くことにより放熱部（ヒートシンク）を形成してもよい（図６（Ａ））。この場合、図６（Ｂ）に示すように、フィンＧＦの側面が露出していないので、この後、図７（Ａ）に示すように、グラファイトシートと樹脂テープＲ１とを重ね合わせて巻いたもの（巻回体）の一方の側（図７（Ａ）においては、上側）の樹脂テープＲ１をエッチング（エッチバック）する。これにより、放熱部（ヒートシンク）が、樹脂テープＲ１がエッチングされた分だけ、樹脂テープＲ１からフィンＧＦが突出することとなる（図７（Ｂ））。例えば、酸素とＣＦ４の混合ガスを用いて、樹脂テープＲ１を選択的にエッチングすることができる。この後、熱処理を施すことにより、放熱部（ヒートシンク）を形成することができる。
【００３３】
なお、ここでは、上記巻回体をエッチングする工程、即ち、半導体チップＣＨ上への放熱部（ヒートシンク）の搭載前に、放熱部（ヒートシンク）の形成工程の中で、上記エッチングを行う場合について説明したが、このエッチング工程は、半導体チップＣＨ上へ、図６に示す巻回体を搭載した後に行ってもよい（後述の応用例１参照）。
【００３４】
一般に、ある物体の表面積からの熱伝達による放熱量は次の式で表される。
Ｑ＝η・ｈｍ・Ｓ・ΔＴ
Ｑは、放熱量［Ｗ］、ηは、フィン効率、ｈｍは、平均熱伝達率［Ｗ／（ｍ２・Ｋ）］、Ｓは、フィン面積［ｍ２］、ΔＴは、物体の表面と空気間の温度差［Ｋ］である。
【００３５】
即ち、フィン面積を大きくとれば放熱量が増加する。したがって、放熱量を多くするには、フィン長さを大きくすればよい。
【００３６】
図８は、フィン面積、即ち、露出したフィンの表面積の増加による効果を示す図である。横軸は、フィン長さ（μｍ）であり、縦軸は、表面積の改善率（倍率）である。グラファイトシートの厚さを１０μｍ、フィンピッチ１００μｍ、フィン長さ（露出長さ）１００μｍとして計算した。
【００３７】
例えば、５０本のフィンについて、フィン長さが５μｍから１００μｍとなると、露出したフィンの表面積は、２０倍となる。また、フィン長さが５μｍから５００μｍとなると、露出したフィンの表面積は、１００倍となる。このように、フィンの露出量の増加による放熱量の増加の効果は大きい。
【００３８】
但し、放熱量を考える際、熱容量を考慮する必要がある。即ち、フィン密度が上がると、フィン間の熱が逃げにくくなる。このため、露出したフィンの表面積の増加分に対応して放熱性がリニアに向上するわけではない。
【００３９】
図９は、熱抵抗のフィンピッチ／フィン長さの依存性を示すグラフである。グラフ（ａ）は、強制空冷なしの場合、グラフ（ｂ）は、１ｍ／ｓの強制空冷がある場合、グラフ（ｃ）は、０．５ｍ／ｓの強制空冷がある場合である。ここでは、フィンピッチを一定として、フィン長さを変化させて計算した。
【００４０】
グラフ（ａ）の強制空冷なしの場合は、フィンピッチ／フィン長さが、０．０６から０．０４までは、熱抵抗が２．２５Ｗ／ｍｋ程度まで低下しているが、フィンピッチ／フィン長さが、０．０３以降は、熱抵抗が上昇している。
【００４１】
グラフ（ｂ）の１ｍ／ｓの強制空冷がある場合は、フィンピッチ／フィン長さが、０．０６から０．０４までは、熱抵抗が１Ｗ／ｍｋ程度まで低下しているが、フィンピッチ／フィン長さが、０．０３以降は、熱抵抗が上昇している。
【００４２】
グラフ（ｃ）の０．５ｍ／ｓの強制空冷がある場合は、フィンピッチ／フィン長さが、０．０６から０．０３までは、熱抵抗が１．２５Ｗ／ｍｋ程度まで低下しているが、フィンピッチ／フィン長さが、０．０２以降は、熱抵抗が上昇している。このように、風速が大きいと、フィン間に風が入りにくくなり、その効果が低減する場合がある。
【００４３】
このように、フィンピッチ／フィン長さについて好適な範囲が存在し、また、強制空冷を併用することにより、フィンの露出面積の増大効果を高めることができる。さらに、この強制空冷を併用する場合において、風速について好適な範囲が存在する。
【００４４】
よって、携帯用の端末などの小型機器において、強制空冷式放熱器（いわゆる、ファンなど）を組み込むことが難しい場合には、フィンピッチ／フィン長さについて好適な範囲を設定し、フィンの露出面積の増大効果を高めればよい。また、強制空冷式放熱器（いわゆる、ファンなど）を組み込むことが可能な端末については、強制空冷を併用しつつ、その風速を最適化することにより、フィンの露出面積の増大効果を高めることができる。
【００４５】
また、本実施の形態においては、形成例１（図５）において説明したように、グラファイトシート（ＧＦ）の幅や厚さ、樹脂テープＲ１の幅や厚さを調整することで容易に、フィンピッチやフィン長さを調整することができる。
【００４６】
また、形成例２（図６）に示す場合においても、グラファイトシート（ＧＦ）の幅や厚さ、樹脂テープＲ１のエッチング量や厚さを調整することで容易に、フィンピッチやフィン長さを調整することができる。
【００４７】
また、本実施の形態の半導体装置と、強制空冷式放熱器（いわゆる、ファンなど）を、併用する場合、例えば、同じ筐体中にシステムとしてこれらを組み込む場合には、フィンが渦巻き状に配置されているため、強制空冷の風向きが調整し易くなり、放熱性を向上させることができる。例えば、熱が篭りやすい渦巻き状のフィンＧＦの中心部に向かって送風し、渦巻きに沿って風（空気）を流しつつ、渦巻きの開放端から熱を風とともに放出することができる。
【００４８】
［製法説明］
次いで、本実施の形態の半導体装置の製造工程を説明するとともに、本実施の形態の半導体装置の構造をより明確にする。図１０は、本実施の形態の半導体装置の製造工程のフローを示す図である。図１１〜図１５は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００４９】
図１０に示すように、本実施の形態の半導体装置の製造工程のフローは、バックグラインド工程Ｓ１、ダイシング工程Ｓ２、スタッドバンプ形成工程Ｓ３、フリップチップ実装工程Ｓ４、アンダーフィル充填工程Ｓ５、半田ボール形成工程Ｓ６、シンギュレーション工程Ｓ７およびマーキング工程Ｓ８を有する。
【００５０】
図１１に示す半導体チップは、ウエハから切り出されたものである。ウエハは、Ｓｉなどの半導体よりなる略円形の板状部材である。このウエハの主表面に、ＭＩＳＦＥＴなどの半導体素子が形成され、さらに、これらの素子が、複数の配線層を介して接続される。最上層配線上には、保護膜が形成され、保護膜の開口部から露出した再配線の一部がパッド領域となる。例えば、このパッド領域は、アレイ状に配置されている。なお、ここでは、半導体素子の一例としてＭＩＳＦＥＴを形成する例を示したが、この他、半導体素子として、ＤＲＡＭやフラッシュメモリなどの記憶素子を形成してもよい。
【００５１】
上記半導体素子や配線の形成工程（前工程ともいう）の後、ウエハの下面（裏面）を研削し（バックグラインド工程Ｓ１）、ウエハをチップ領域ごとに切り離す（ダイシング工程Ｓ２）。これらの工程は、実施の形態１と同様の工程である。これにより、半導体チップＣＨが個片化される（図１１）。
【００５２】
次いで、図１２に示すように、半導体チップＣＨの下面に、スタッドバンプＳＢを形成する（スタッドバンプ形成工程Ｓ３）。スタッドバンプ材料としては、例えば、金などの金属を用いることができる。例えば、キャピラリ中の金ワイヤを放電溶融し、溶融ボールを形成し、これを半導体チップＣＨのパッド領域（図示せず）上に押しつぶしながら接着する。次いで、ワイヤを切断し、必要に応じてバンプ高さをそろえるためレベリングを行う。金ワイヤの金の純度は、ワイヤーボンド工程に用いる金ワイヤの純度より低くてもよい。また、スタッドバンプ構成においては、ループが無いため使用するワイヤ量が、ワイヤーボンド工程より少ない。また、スタッドバンプ形成工程に使用するキャピラリは、ループや第２ボンド工程を考慮して設計する必要がない。また、スタッドバンプ構成においては、フェースアングルが０度であり、ループがないためワイヤ間の接触を考慮する必要がなく、先端が細いボトルネックキャピラリを使う必要はない。
【００５３】
次いで、図１３に示すように、半導体チップＣＨのスタッドバンプＳＢの形成側を下側としつつ、スタッドバンプＳＢと基板Ｓの導電性部Ｍ１とを位置合わせし、スタッドバンプＳＢと導電性部Ｍ１とを接続する（フリップチップ実装工程Ｓ４）。この後、半導体チップＣＨと基板Ｓとの間の隙間に、液状のアンダーフィル材を充填する（アンダーフィル充填工程Ｓ５）。例えば、液状のアンダーフィル材を半導体チップＣＨの外周部から供給し、半導体チップＣＨの下面と基板Ｓとの間に流し込む。この後、熱処理を施すことにより、液状のアンダーフィル材を硬化させる。アンダーフィル材ＵＦを構成する樹脂としては、例えば、熱硬化樹脂を用いることができる。
【００５４】
次いで、図１４に示すように、基板Ｓの導電性部Ｍ２上に半田ボールを形成する（半田ボール形成工程Ｓ６）。例えば、基板Ｓの導電性部Ｍ２上に、半田ペーストなどを介して半田ボールを固着する。
【００５５】
次いで、例えば、複数の半導体装置が連結した状態であれば、これらを切り離し、成形する（シンギュレーション工程Ｓ７）。次いで、半導体装置の上面（例えば、半導体チップＣＨの上面）に、製品の型番号などを刻印する（マーキング工程Ｓ８）。
【００５６】
この後、図５〜図７を参照しながら説明した放熱部（ヒートシンク）を、図１５に示すように、半導体チップＣＨの上面に貼り付ける（放熱部の取り付け工程）。例えば、半導体チップＣＨの上面に、放熱部（ヒートシンク）の樹脂テープＲ１を熱圧着する。
【００５７】
このように、本実施の形態によれば、グラフェンよりなる放熱部（ヒートシンク）を半導体チップＣＨ上に設けたので、半導体チップＣＨの放熱性を高めることができる。このグラフェンは、熱伝導率が良好で、重量も軽いため、放熱用の放熱部（ヒートシンク）として用いて好適である。そして、このグラフェンは、半導体チップＣＨ上から外部まで、半導体チップＣＨの上面と垂直方向に配置されているので、放熱効果が格段に向上する。
【００５８】
なお、上記工程においては、放熱部の取り付け工程をマーキング工程Ｓ８の後に行ったが、放熱部の取り付け工程は、ダイシング工程Ｓ２以降であって、マーキング工程Ｓ８の前に行ってもよい。また、放熱部の取り付け工程は、半導体素子や配線の形成工程（前工程ともいう）の後、ダイシング工程Ｓ２の前、即ち、ウエハ状態で行ってもよい。
【００５９】
（応用例１）
本応用例においては、半導体チップＣＨ上へ、グラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１とを重ね合わせて巻いたもの（巻回体）を搭載した後に、樹脂テープＲ１の一部をエッチングする場合について説明する。
【００６０】
図１６および図１７は、本実施の形態の応用例１の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００６１】
例えば、前述の図１４に示す半導体チップの上面に、図６に示す状態の巻回体（同じ程度の幅のグラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１とを重ね合わせて巻いたもの）を搭載し、熱圧着する（図１６）。
【００６２】
次いで、上記巻回体の一方の側（圧着面側と逆側の面、図１６中の上側）の樹脂テープＲ１をエッチングする。これにより、放熱部（ヒートシンク）が、樹脂テープＲ１がエッチングされた分だけ（例えば、１００μｍ程度）、樹脂テープＲ１から突出することとなる（図１７）。例えば、酸素とＣＦ４の混合ガスを用いて、樹脂テープＲ１を選択的にエッチング（エッチバック）することができる。
【００６３】
（応用例２）
図５〜図７を参照しながら説明した放熱部（ヒートシンク）においては、グラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１とを重ね合わせ、略円形に巻いたが、図１８に示すように、略矩形状に巻いてもよい。図１８は、本実施の形態の応用例２の半導体装置の放熱部（ヒートシンク）の構成を示す部分分解斜視図である。
【００６４】
また、図１９（Ａ）に示すように、略矩形状のグラファイトシート（ＧＦ）と、略矩形状の樹脂テープＲ１を交互に積層した積層体を放熱部（ヒートシンク）として用いてもよい。図１９は、本実施の形態の応用例２の半導体装置の放熱部（ヒートシンク）の他の構成を示す断面図である。例えば、矩形状のグラファイトシート（ＧＦ）と、矩形状の樹脂テープＲ１を交互に重ね合わす。グラファイトシート（ＧＦ）の短辺および樹脂テープＲ１の短辺は、例えば、図５に示す放熱部（ヒートシンク）の場合と同程度であり、グラファイトシート（ＧＦ）の長辺および樹脂テープＲ１の長辺は、矩形状の半導体チップの長辺より短く、例えば、数ミリ程度である。このようなグラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１との一方の長辺を合わせ、交互に積層し、熱処理することにより、放熱部（ヒートシンク）を形成してもよい。
【００６５】
また、図１９（Ｂ）に示すような、幅が同程度のグラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１とを交互に積層した積層体を、エッチングすることにより、放熱部（ヒートシンク）を形成してもよい。例えば、短辺が同程度の矩形状のグラファイトシート（ＧＦ）と、樹脂テープＲ１とを交互に重ね合わせ、積層体を形成し、熱処理を施す（図１９（Ｂ））。次いで、この積層体の一方の側の樹脂テープＲ１をエッチングする。これにより、グラファイトシート（ＧＦ）が、樹脂テープＲ１がエッチングされた分だけ、樹脂テープＲ１から突出することとなる。例えば、酸素とＣＦ４の混合ガスを用いて、樹脂テープＲ１を選択的にエッチング（エッチバック）する。このようにして、放熱部（ヒートシンク）を形成してもよい。このように、放熱部（ヒートシンク）の形成工程の中で、上記エッチングを行ってもよく、また、半導体チップＣＨ上へ、上記積層体の樹脂テープＲ１の露出部を搭載した後、上記エッチングを行ってもよい。
【００６６】
（応用例３）
図１５を参照しながら説明したように、上記半導体装置の製造工程においては、半導体チップＣＨの上面に放熱部（ヒートシンク）を熱圧着などにより貼り付けたが、接着部材を用いて放熱部（ヒートシンク）を貼り付けてもよい。接着部材としては、シリコンテープや銅テープのような熱伝導性が良い接着テープや、樹脂などを用いることができる。
【００６７】
この場合、半導体チップＣＨとグラフェン放熱部（ヒートシンク）との接触性を高めるため、例えば、放熱部（ヒートシンク）の内、半導体チップＣＨとの接触面側の樹脂テープＲ１を僅かにエッチング（スライトエッチング）してもよい。
【００６８】
図２０〜図２２は、本応用例の半導体装置の製造工程を示す断面図である。例えば、図６に示す、同程度の幅のグラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１を重ね合わせて巻いた巻回体を準備し、その第１面側（半導体チップＣＨとの接触面側、図２０においては上面側）の樹脂テープＲ１を僅かにエッチングする（図２０）。エッチング量は、例えば、接着部材の厚さと対応し、放熱部（ヒートシンク）長さより小さい。
【００６９】
次いで、上記巻回体の第２面側（図２１においては上面側）の樹脂テープＲ１をエッチングする。これにより、放熱部（ヒートシンク）が、樹脂テープＲ１がエッチングされた分だけ、樹脂テープＲ１から突出する。次いで、熱処理を施し、放熱部（ヒートシンク）が完成する（図２１）。
【００７０】
次いで、放熱部（ヒートシンク）を、図２２に示すように、半導体チップＣＨの上面に貼り付ける（放熱部（ヒートシンク）取り付け工程）。例えば、半導体チップＣＨの上面に、シリコンテープを貼りつけ、その上に放熱部（ヒートシンク）の第１面側（スライトエッチングした側）を接着する。また、半導体チップＣＨの上面に溶融樹脂を滴下し、その溶融樹脂上に放熱部（ヒートシンク）の第１面側を押し付け、溶融樹脂を硬化することにより、放熱部（ヒートシンク）を固定する。
【００７１】
このように、放熱部（ヒートシンク）の第１面側をスライトエッチングすることにより、接着部材を用いても半導体チップＣＨとフィンＧＦとの接触性が高まり、放熱性を向上させることができる。
【００７２】
（実施の形態２）
本実施の形態においては、半導体チップの表面を樹脂封止する場合について説明する。以下、図面を参照しながら本実施の形態の半導体装置について詳細に説明する。
【００７３】
［構造説明］
図２３は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。図２３に示す半導体装置は、半導体チップＣＨと、この半導体チップＣＨを覆う、放熱部（ヒートシンク）および封止樹脂（モールド樹脂ともいう）Ｒ２を有する。半導体チップＣＨは、実施の形態１の場合と同様に、基板（実装基板、配線基板ともいう）Ｓ上に、スタッドバンプＳＢおよびアンダーフィル材ＵＦ介して接着されている。
【００７４】
そして、半導体チップＣＨの上面には、放熱部（ヒートシンク）が貼り付けられており、半導体チップＣＨの側面は、封止樹脂Ｒ２で覆われている。なお、図２３の断面には表れていないが、放熱部（ヒートシンク）が延在していない半導体チップＣＨの上面も封止樹脂Ｒ２で覆われている。よって、放熱部（ヒートシンク）は、封止樹脂Ｒ２に埋め込まれている。
【００７５】
例えば、半導体チップＣＨ上の樹脂テープＲ１の高さ（幅）と、封止樹脂Ｒ２の高さ（幅、厚さ）とは同程度である。そして、グラファイトシート（ＧＦ）の上部は、樹脂テープＲ１から突出している。
【００７６】
このように、本実施の形態においても、グラフェンよりなる放熱部（ヒートシンク）を半導体チップＣＨ上に設けたので、半導体チップＣＨの放熱性を高めることができる。
【００７７】
［製法説明］
次いで、本実施の形態の半導体装置の製造工程を説明するとともに、本実施の形態の半導体装置の構造をより明確にする。図２４〜図２６は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００７８】
図２４に示すように、半導体チップＣＨ上へ、グラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１とを重ね合わせて巻いたもの（巻回体、図６参照）を搭載する。次いで、基板Ｓ等を図示しない上金型と下金型とで挟持する。次いで、上金型と下金型との間の空間であるキャビティ内に、液状樹脂（ここでは、熱硬化樹脂）を注入し、キャビティ内に充填させる。充填後、熱処理を施すことにより、熱硬化性樹脂を硬化させる。これにより、半導体チップＣＨおよび上記巻回体を覆う封止樹脂Ｒ２を形成することができる（図２４）。この後、上金型と下金型とを剥離する。
【００７９】
次いで、図２５に示すように、上記巻回体上の封止樹脂Ｒ２を樹脂テープＲ１が露出するまで研磨またはエッチバックにより除去する。次いで、図２６に示すように、露出した樹脂テープＲ１をエッチングする。これにより、グラファイトシート（ＧＦ）が、樹脂テープＲ１がエッチングされた分だけ、樹脂テープＲ１から突出することとなる。例えば、酸素とＣＦ４の混合ガスを用いて、樹脂テープＲ１を選択的にエッチング（エッチバック）することができる。
【００８０】
このようにして、本実施の形態の半導体装置（図２３）を形成することができる。
【００８１】
（実施の形態３）
本実施の形態においては、各種変形例について説明する。
【００８２】
（変形例１）
上記実施の形態においては、フリップチップ実装された半導体装置に放熱部（ヒートシンク）を適用する場合について説明したが、ボンディングワイヤを用いた半導体装置に放熱部（ヒートシンク）を適用してもよい。
【００８３】
図２７は、本実施の形態の変形例１の半導体装置の構成を示す断面図である。図２７に示す半導体装置は、半導体チップＣＨと、この半導体チップを覆う封止樹脂（樹脂体）Ｒ２とを有する。ここでは、半導体チップＣＨは、基板（実装基板、配線基板ともいう）Ｓ上に、ダイボンディング材（例えば、樹脂ペースト）ＤＢを介して接着されている。半導体チップＣＨの上面には、パッド領域ＰＤが設けられている。このパッド領域ＰＤは、例えば、半導体チップ内に形成された最上層配線の一部（露出領域）である。半導体チップＣＨのパッド領域ＰＤは、基板Ｓの上面に設けられた導電性部（配線の一部、パッド領域）Ｍ１と、ボンディングワイヤＷを介して接続されている。また、基板Ｓの下面には、導電性部（配線の一部、パッド領域）Ｍ２を介してバンプ電極ＢＰが形成されている。
【００８４】
そして、半導体チップＣＨの上面には、放熱部（ヒートシンク）が貼り付けられており、半導体チップＣＨの上面および側面は、封止樹脂Ｒ２で覆われている。
【００８５】
例えば、半導体チップＣＨ上の樹脂テープＲ１の高さ（厚さ）と、封止樹脂Ｒ２の高さ（厚さ）とは同程度である。そして、グラファイトシート（ＧＦ）の上部は、樹脂テープＲ１から突出している。
【００８６】
このように、本実施の形態においても、グラフェンよりなる放熱部（ヒートシンク）を半導体チップＣＨ上に設けたので、半導体チップＣＨの放熱性を高めることができる。
【００８７】
本実施の形態の半導体装置は、例えば、次のようにして形成することができる。まず、実施の形態１の場合と同様に、ＭＩＳＦＥＴなどの半導体素子が形成されたウエハの下面を研削して薄くする（バックグラインド工程）。次いで、ウエハをチップ領域ごとに切り離す（ダイシング工程）。
【００８８】
次いで、基板Ｓ上に半導体チップＣＨを接着する（ダイボンディング工程）。例えば、ダイシング用のＵＶテープ上の複数の半導体チップＣＨに、ＵＶを照射し、ＵＶテープの接着力を低下させる。次いで、半導体チップＣＨの上面側をコレット（吸着部材）により吸着し、ＵＶテープから剥離しつつ、あらかじめ接着剤（樹脂ペースト）が塗布された基板Ｓ上に押し付ける。次いで、加熱処理などにより、接着剤を硬化させる。なお、基板Ｓの上面と下面には、印刷配線などの導電性部（配線の一部、パッド領域）Ｍ１、Ｍ２が形成されている。これらの導電性部Ｍ１、Ｍ２間は、例えば、基板Ｓを貫通するように設けられたビアにより接続されている。
【００８９】
次いで、半導体チップＣＨのパッド領域ＰＤと基板Ｓの導電性部Ｍ１との間をボンディングワイヤＷで接続する（ワイヤボンディング工程）。ボンディングワイヤＷとしては、金、銅、アルミニウムなどの金属を用いることができる。例えば、金属のワイヤの一端に溶融ボールを形成し、これをパッド領域ＰＤ上に押しつぶしながら接着する（ボールボンディング）。ワイヤの他端は、基板Ｓの導電性部Ｍ１に熱溶着する（ウェッジボンディング）。この他、超音波併用熱圧着方式にて、ワイヤボンディングを行ってもよい。
【００９０】
次いで、半導体チップＣＨおよびボンディングワイヤＷの周辺を封止樹脂（モールド樹脂）Ｒ２で覆う（モールド工程）。例えば、半導体チップＣＨ上へ、グラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１とを重ね合わせて巻いたもの（巻回体）を搭載する。次いで、基板Ｓ等を図示しない上金型と下金型とで挟持する。次いで、上金型と下金型との間の空間であるキャビティ内に、液状樹脂（ここでは、熱硬化樹脂）を注入し、キャビティ内に充填させる。充填後、熱処理を施すことにより、熱硬化性樹脂を硬化させる。これにより、半導体チップＣＨおよび上記巻回体を覆う封止樹脂Ｒ２を形成することができる。この後、上金型と下金型とを剥離する。次いで、上記巻回体上の封止樹脂Ｒ２を樹脂テープＲ１が露出するまで研磨し、さらに、露出した樹脂テープＲ１をエッチングする（実施の形態２参照）。これにより、グラファイトシート（ＧＦ）が、樹脂テープＲ１がエッチングされた分だけ、樹脂テープＲ１から突出することとなる。
【００９１】
このようにして、本変形例の半導体装置（図２７）を形成することができる。
【００９２】
（変形例２）
図２８は、本実施の形態の変形例２の半導体装置の構成を示す断面図である。上記実施の形態１においては、半導体チップＣＨの上面に、放熱部（ヒートシンク）を搭載したが、図２８に示すように半導体チップＣＨの側面と接するように、放熱部（ヒートシンク）を配置してもよい。この場合、放熱部（ヒートシンク）中のグラフェン放熱部（ヒートシンク）は、半導体チップＣＨの側面と垂直方向に配置される。
【００９３】
このように、本実施の形態においては、半導体チップＣＨの側面上にも放熱部（ヒートシンク）を設けたので、半導体チップＣＨの放熱性をさらに高めることができる。
【００９４】
本実施の形態の半導体装置は、例えば、次のようにして形成することができる。例えば、半導体チップＣＨの上面および側面上へ、図５に示す巻回体（グラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１とを重ね合わせて巻いたもの）を熱圧着する。
【００９５】
また、例えば、半導体チップＣＨの上面および側面上へ、図６に示す巻回体（同程度の幅のグラファイトシート（ＧＦ）と樹脂テープＲ１とを重ね合わせて巻いたもの）を貼り付けた後、基板Ｓ等を図示しない上金型と下金型とで挟持し、樹脂封止してもよい。例えば、上金型と下金型との間の空間であるキャビティ内に、液状樹脂（ここでは、熱硬化樹脂）を注入し、キャビティ内に充填させる。充填後、熱処理を施すことにより、熱硬化性樹脂を硬化させる。これにより、半導体チップＣＨおよび上記巻回体を覆う封止樹脂を形成することができる。次いで、上金型と下金型とを剥離し、上記巻回体上の封止樹脂を樹脂テープＲ１が露出するまで研磨し、さらに、露出した樹脂テープＲ１をエッチングする（実施の形態２参照）。これにより、グラファイトシート（ＧＦ）が、樹脂テープＲ１がエッチングされた分だけ、樹脂テープＲ１から突出することとなる。
【００９６】
（変形例３）
上記実施の形態においては、グラファイトシートを用いたが、スーパーグローステープを用いてもよい。図２９は、本実施の形態の変形例３の半導体装置の放熱部（ヒートシンク）の構成を示す図である。
【００９７】
スーパーグローステープは、スーパーグロースＣＶＤ法を用いて形成された複数のカーボンナノチューブよりなるテープである。例えば、図２９に示すように、テープの長手方向と交差する方向にカーボンナノチューブが並んで配置されている。このスーパーグローステープ（ＧＦ）を、上記実施の形態や上記変形例のグラファイトシートに代えて用いてもよい。このスーパーグローステープを用いた場合も、カーボンナノチューブが半導体チップＣＨの表面と交差する方向に配置されるため、放熱性を向上させることができる。
【００９８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
［付記１］
半導体チップと、
前記半導体チップ上の放熱部と、
を有し、
前記放熱部は、樹脂と前記樹脂から突出したフィンとを有し、
前記フィンは、カーボンナノチューブを有し、
前記カーボンナノチューブが前記半導体チップの表面と交差する方向に配置されるように、前記フィンが前記半導体チップ上に配置されている、半導体装置。
［付記２］
付記１記載の半導体装置において、
前記放熱部は、スーパーグローステープと樹脂テープとを積層し巻回した巻回体である、半導体装置。
［付記３］
半導体チップと、
前記半導体チップ上の封止樹脂と、
前記封止樹脂中に埋め込まれた放熱部と、
を有し、
前記放熱部は、樹脂と前記樹脂から突出したフィンとを有し、
前記フィンは、カーボンナノチューブを有し、
前記カーボンナノチューブが前記半導体チップの表面と交差する方向に配置されるように、前記フィンが前記半導体チップ上に配置されている、半導体装置。
［付記４］
付記３記載の半導体装置において、
前記放熱部は、スーパーグローステープと樹脂テープとを積層し巻回した巻回体である、半導体装置。
［付記５］
（ａ）放熱部を準備する工程、
（ｂ）前記放熱部を半導体チップ上に搭載する工程、
を有し、
前記放熱部は、樹脂と前記樹脂から突出したフィンとを有し、
前記フィンは、カーボンナノチューブを有し、
前記（ｂ）工程は、前記カーボンナノチューブが前記半導体チップの表面と交差する方向に配置されるように、前記放熱部を前記半導体チップ上に搭載する工程である、半導体装置の製造方法。
［付記６］
付記５記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱部の形成工程は、
（ａ１）第１幅のスーパーグローステープと前記第１幅より小さい第２幅の樹脂テープとを積層した状態で巻回する工程、を有する、半導体装置の製造方法。
［付記７］
付記５記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱部の形成工程は、
（ａ１）スーパーグローステープと樹脂テープとを積層した状態で巻回することにより巻回体を形成する工程、
（ａ２）前記巻回体の一方の側から露出した前記樹脂テープをエッチングすることにより、前記樹脂テープから突出した前記スーパーグローステープよりなるフィンを形成する工程、を有する、半導体装置の製造方法。
［付記８］
（ａ）スーパーグローステープと樹脂テープとを積層し巻回した巻回体を準備する工程、
（ｂ）前記巻回体を半導体チップ上に搭載する工程、
（ｃ）前記巻回体および前記半導体チップの周りを封止樹脂で覆う工程、
（ｄ）前記巻回体上の前記封止樹脂を、前記巻回体の表面が露出するまで、除去する工程、
（ｅ）前記巻回体の前記表面から露出した前記樹脂テープをエッチングすることにより、前記樹脂テープから突出した前記スーパーグローステープよりなるフィンを形成する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程は、前記スーパーグローステープを構成するカーボンナノチューブが、前記半導体チップの表面と交差する方向に配置されるように、前記巻回体を前記半導体チップ上に搭載する工程である、半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００９９】
ＢＰ  バンプ電極
ＣＨ  半導体チップ
ＤＢ  ダイボンディング材
ＦＰ  フィンピッチ
ＧＦ  フィン（グラファイトシート）
ＬＦ  フィン長さ
Ｍ１  導電性部
Ｍ２  導電性部
ＰＤ  パッド領域
Ｒ１  樹脂テープ
Ｒ２  封止樹脂
Ｓ  基板
Ｓ１  バックグラインド工程
Ｓ２  ダイシング工程
Ｓ３  スタッドバンプ形成工程
Ｓ４  フリップチップ実装工程
Ｓ５  アンダーフィル充填工程
Ｓ６  半田ボール形成工程
Ｓ７  シンギュレーション工程
Ｓ８  マーキング工程
ＳＢ  スタッドバンプ
ＴＧ  厚さ
ＴＲ  厚さ
ＵＦ  アンダーフィル材
Ｗ  ボンディングワイヤ
ＷＲ  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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