(57)【要約】      （修正有）【課題】レゾルバの製造コストを増大させずに出力のＳ／Ｎ比を向上する手段を提供する。【解決手段】回路部１０２ｂのプッシュプル回路４６は、ＦＥＴである第１スイッチング素子４０及び第２スイッチング素子４１から構成されている。第１スイッチング素子４０のドレイン端子は、機構部１０２ａが備える第１励磁側巻線３４の一端に設けられている第１励磁側端子Ｒ１に接続されている。第２スイッチング素子４１のドレイン端子は、前記機構部１０２ａが備える第２励磁側巻線３５の一端に設けられている第２励磁側端子Ｒ２に接続されている。第１励磁側巻線３４の他端と第２励磁側巻線３５の他端とが接続された接続点である中点３６には励磁側中点端子Ｒ０が接続されている。電源部が、励磁側中点端子Ｒ０に接続されている。第１スイッチング素子４０及び第２スイッチング素子４１は、プッシュプル回路４６を構成している。【選択図】図２
2017120222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
輪状ステータ（３）と、前記輪状ステータ（３）の内側に回転自在に設けられるロータ（２）と、
前記ステータ（３）に設けられた第１励磁側巻線（３４）及び第２励磁側巻線（３５）と、
前記第１励磁側巻線（３４）の一端に接続された第１スイッチング素子（４０）と、前記第２励磁側巻線（３５）の一端に接続された第２スイッチング素子（４１）とを有するプッシュプル回路（４６）と、
前記第１励磁側巻線（３４）の他端と前記第２励磁側巻線（３５）の他端とを接続した接続点である中点（３６）と、
前記ステータ（３）に設けられた出力側巻線（３１，３２）と
を備えるレゾルバにおいて、
前記中点（３６）に直流電圧が印加され、前記プッシュプル回路（４６）により矩形波の励磁電圧が前記第１励磁側巻線（３４）及び前記第２励磁側巻線（３５）に印加され、前記励磁電圧により前記第１励磁側巻線（３４）及び前記第２励磁側巻線（３５）が励磁されることにより、前記出力側巻線（３１，３２）から前記ロータ（２）の回転角に応じた出力信号電圧が出力されるように構成した
ことを特徴とするレゾルバ。
【請求項２】
前記レゾルバは、可変リラクタンス型レゾルバ（１０２）であることを特徴とする、請求項１に記載のレゾルバ。
【請求項３】
前記レゾルバは、前記ステータ（３）側から前記ロータ（２）側に前記励磁電圧を非接触で伝達するためのトランス部を有するブラシレスレゾルバであることを特徴とする、請求項１に記載のレゾルバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はレゾルバに関し、特に、励磁側巻線に接続されたプッシュプル回路と、励磁側巻線に設けられた中点を備えるレゾルバに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来用いられてきた可変リラクタンス型レゾルバ（ＶＲレゾルバ）としては、例えば以下の特許文献などに記載された構成を図４として挙げることができる。すなわち、従来のＶＲレゾルバ１００の機構部１００ａには図示しない輪状ステータと、前記輪状ステータの内側に回転軸と共に回転自在に配置されたロータ２とが設けられている。前記ロータ２は、電磁鋼板で構成されている。前記輪状ステータには、径方向内側に向けて突出した図示しない突出磁極が設けられており、励磁側巻線３０と、第１出力側巻線３１と、前記第１出力側巻線３１に対して９０°位相がずれている第２出力側巻線３２とが前記突出磁極に巻回されて設けられている。
【０００３】
前記励磁側巻線３０の一端には第１励磁側端子Ｒ１が設けられており、前記励磁側巻線３０の他端には第２励磁側端子Ｒ２が設けられている。前記第１励磁側端子Ｒ１は、図示しない電源部に接続されている。前記第２励磁側端子Ｒ２には、前記ＶＲレゾルバ１００の回路部１００ｂに設けられたプッシュプル回路４４を構成するＦＥＴである、第１スイッチング素子４０のソース端子と第２スイッチング素子４１のドレイン端子が接続されている。前記第１スイッチング素子のドレイン端子は前記電源部に接続されている。前記第２スイッチング素子４１のソース端子はグランドに接続されている。また、前記第１スイッチング素子４０及び前記第２スイッチング素子４１のゲート端子は、図示しないゲート電圧入力部に接続されており、スイッチング信号として互いに逆位相の矩形波であるゲート電圧が入力される。これにより、前記第１スイッチング素子４０及び前記第２スイッチング素子４１は、前記プッシュプル回路４４を構成している。
【０００４】
前記電源部が前記第１励磁側端子Ｒ１に直流電圧ＶＲを印加し、前記第１スイッチング素子４０のゲート端子及び前記第２スイッチング素子４１のゲート端子に、ゲート電圧ＶＧ１，ＶＧ２を印加すると、前記プッシュプル回路４４の動作により前記励磁側巻線３０にＶＲが最大値であり、０が最小値であり、振動の幅がＶＲ０の矩形波である励磁電圧ＥＲ１−Ｒ２が前記励磁側巻線３０に印加される。そして、励磁電圧ＥＲ１−Ｒ２が、前記励磁側巻線３０を励磁する。すると、前記ロータ２の回転角θに対応して前記第１出力側巻線３１の第１出力側端子Ｓ１と第３出力側端子Ｓ３との間に出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３が発生し、前記第２出力側巻線３２の第２出力側端子Ｓ２と第４出力側端子Ｓ４との間に出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４が発生する。
【０００５】
この時、出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４の振幅は、
ＥＳ１−Ｓ３＝Ｋ・ＥＲ１−Ｒ２・ｃｏｓＮθ＝Ｋ・ＶＲ・ｃｏｓＮθ      （１）
ＥＳ２−Ｓ４＝Ｋ・ＥＲ１−Ｒ２・ｓｉｎＮθ＝Ｋ・ＶＲ・ｓｉｎＮθ      （２）
と表すことができる。ここで、Ｎは前記ロータ２の形状による前記輪状ステータとのギャップパーミアンスの変化で決まる前記ＶＲレゾルバ１００の軸倍角であり、θは前記ロータ２の回転角であり、Ｋは前記励磁側巻線３０と前記第１出力側巻線３１及び前記第２出力側巻線３２との結合係数である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−１７８６１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記の前記ＶＲレゾルバ１００では、励磁電圧ＥＲ１−Ｒ３は前記ＶＲレゾルバ１００の電源電圧以下の電圧である直流電圧ＶＲまでに制限される。このため、直流電圧ＶＲまでの値でしか前記励磁側巻線３０の励磁ができないので、前記ＶＲレゾルバ１００の直流電圧ＶＲが低い場合には、出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４のＳ／Ｎ比が低下するという課題があった。また、出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４のＳ／Ｎ比を改善するためには電源電圧を上げなければならず、前記ＶＲレゾルバ１００の耐圧を向上させる設計が必要になり製造コストが増大するという課題があった。
【０００８】
また、他の形態の従来のレゾルバの実施例としては、図５に示すように、前記ＶＲレゾルバ１００に対して前記プッシュプル回路４４の構成を変更した前記ＶＲレゾルバ１０１の回路構成を挙げることができる。この回路は、前記ＶＲレゾルバ１００の前記プッシュプル回路４４に、第３スイッチング素子４２及び第４スイッチング素子４３を追加したプッシュプル回路４５を設けた構成である。
【０００９】
ＶＲレゾルバ１０１の回路部１０１ｂに設けられた前記プッシュプル回路４５においては、前記第１スイッチング素子４０のドレイン端子と、前記第３スイッチング素子４２のドレイン端子が図示しない電源部に接続されている。また、前記第３スイッチング素子４２のソース端子と、前記第４スイッチング素子４３のドレイン端子とが接続されている。さらに、前記第４スイッチング素子４３のソース端子が、グランドに接続されている。
【００１０】
また、前記ＶＲレゾルバ１０１の機構部１０１ａに設けられた前記励磁側巻線３０の前記第１励磁側端子Ｒ１が前記回路部１０１ｂの前記第１スイッチング素子４０のソース端子と前記第２スイッチング素子４１のドレイン端子とに接続されており、前記第２励磁側端子Ｒ２が前記回路部１０１ｂの前記第３スイッチング素子４２のソース端子と前記第４スイッチング素子４３のドレイン端子とに接続されている。その他の構成は、前記ＶＲレゾルバ１００の構成と同じである。
【００１１】
前記ＶＲレゾルバ１０１の回路構成では、前記出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４の振幅は、
ＥＳ１−Ｓ３＝Ｋ・ＥＲ１−Ｒ２・ｃｏｓＮθ＝Ｋ・２ＶＲ・ｃｏｓＮθ    （３）
ＥＳ２−Ｓ４＝Ｋ・ＥＲ１−Ｒ２・ｓｉｎＮθ＝Ｋ・２ＶＲ・ｓｉｎＮθ    （４）
と表すことができる。ここで、Ｎは前記ロータ２の形状による前記輪状ステータとのギャップパーミアンスの変化で決まる前記ＶＲレゾルバ１０１の軸倍角であり、θは前記ロータ２の回転角であり、Ｋは前記励磁側巻線３０と前記第１出力側巻線３１及び前記第２出力側巻線３２との結合係数である。
【００１２】
前記プッシュプル回路４５を含む前記ＶＲレゾルバ１０１の回路構成の場合、前記ＶＲレゾルバ１００の回路構成と比較すると同じ電源電圧に対して出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４の値が２倍になる。しかしながら、前記ＶＲレゾルバ１０１の回路構成は、前記ＶＲレゾルバ１００の回路構成に対して前記第３スイッチング素子４２及び前記第４スイッチング素子４３が追加されている分、製造コストが増大するという課題があった。
【００１３】
この発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、製造コストを増大させずに出力のＳ／Ｎ比を向上することのできるレゾルバを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この発明に係るレゾルバは、輪状ステータと、前記輪状ステータの内側に回転自在に設けられるロータと、前記ステータに設けられた第１励磁側巻線及び第２励磁側巻線と、前記第１励磁側巻線の一端に接続された第１スイッチング素子と、前記第２励磁側巻線の一端に接続された第２スイッチング素子とを有するプッシュプル回路と、前記第１励磁側巻線の他端と前記第２励磁側巻線の他端とを接続した接続点である中点と、前記ステータに設けられた出力側巻線とを備えるレゾルバにおいて、前記中点に直流電圧が印加され、前記プッシュプル回路により矩形波の励磁電圧が前記第１励磁側巻線及び前記第２励磁側巻線に印加され、前記励磁電圧により前記第１励磁側巻線及び前記第２励磁側巻線が励磁されることにより、前記出力側巻線から前記ロータの回転角に応じた出力信号電圧が出力されるような構成であり、また、前記レゾルバは、可変リラクタンス型レゾルバである構成であり、また、前記レゾルバは、前記ステータ側から前記ロータ側に前記励磁電圧を非接触で伝達するためのトランス部を有するブラシレスレゾルバである構成である。
【発明の効果】
【００１５】
この発明のレゾルバによれば、第１励磁側巻線の一端に接続された第１スイッチング素子と、第２励磁側巻線の一端に接続された第２スイッチング素子とを有するプッシュプル回路と、第１励磁側巻線の他端と第２励磁側巻線の他端とを接続した接続点である中点と、ステータに設けられた出力側巻線とを備えており、中点に直流電圧が印加され、プッシュプル回路により矩形波の励磁電圧が第１励磁側巻線及び第２励磁側巻線に印加され、励磁電圧により第１励磁側巻線及び第２励磁側巻線が励磁されるので、レゾルバの製造コストを増大させずに出力のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】この発明の実施の形態に係るレゾルバの構成の概略図である。
【図２】この発明の実施の形態に係るレゾルバの回路構成図である。
【図３】この発明の実施の形態に係るレゾルバのゲート電圧と出力信号電圧との関係を示すグラフである。
【図４】従来のレゾルバの回路構成図である。
【図５】他の形態の従来のレゾルバの回路構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、この発明の実施の形態を添付図面の図１，図２及び図３に基づいて説明する。なお、従来例と同一または同等部分には同一符号を付して説明する。
図１は、この発明の実施の形態に係るＶＲレゾルバの構成の概略図である。ＶＲレゾルバ１０２は、機構部１０２ａと、回路部１０２ｂとから構成されている。前記機構部１０２ａは、輪状ステータ３と、前記輪状ステータ３の内側に回転軸７と共に回転自在に設けられた楕円状のロータ２とから構成されている。前記回路部１０２ｂは、ＶＲレゾルバ１０２への電源供給及び出力信号の出力を行うための端子ピン５と、前記端子ピン５から引き出されたリード線６と、前記リード線６に接続されたプッシュプル回路４６とから構成されている。
【００１８】
前記輪状ステータ３には、輪状ステータコア３３が設けられている。前記輪状ステータコア３３には、径方向内側に向けて突出した複数の突出磁極３Ａが設けられている。前記突出磁極３Ａには、第１励磁側巻線３４と、第２励磁側巻線３５と、第１出力側巻線３１と、前記第１出力側巻線３１に対して９０°位相がずれている第２出力側巻線３２とが巻回されて設けられている。
【００１９】
前記ロータ２は、電磁鋼板で形成されている。前記ロータ２は、後述するように前記第１励磁側巻線３４及び前記第２励磁側巻線３５を励磁した時に、回転角θに対応して磁路中に設けたギャップパーミアンス（透磁率）が周期的に変化するような形状に形成されている。
【００２０】
図２に、この発明の実施の形態に係る前記ＶＲレゾルバ１０２の回路構成を示す。
前記回路部１０２ｂの前記プッシュプル回路４６は、ＦＥＴである第１スイッチング素子４０及び第２スイッチング素子４１から構成されている。前記第１スイッチング素子４０のソース端子及び前記第２スイッチング素子４１のソース端子は、グランドに接続されている。
【００２１】
前記第１スイッチング素子４０のゲート端子と、前記第２スイッチング素子４１のゲート端子とは、図示しないゲート電圧入力部に接続されている。
【００２２】
前記第１スイッチング素子４０のドレイン端子は、前記機構部１０２ａが備える前記第１励磁側巻線３４の一端に設けられている第１励磁側端子Ｒ１に前記リード線６と端子ピン５を介して接続されている。前記第２スイッチング素子４１のドレイン端子は、前記機構部１０２ａが備える前記第２励磁側巻線３５の一端に設けられている第２励磁側端子Ｒ２に前記リード線６と端子ピン５を介して接続されている。
【００２３】
前記第１励磁側巻線３４の他端と前記第２励磁側巻線３５の他端とが接続された接続点である中点３６には励磁側中点端子Ｒ０が接続されている。図示しない電源部が、前記リード線６と前記端子ピン５とを介して前記励磁側中点端子Ｒ０に接続されている。
【００２４】
上記の構成により、前記回路部１０２ｂが備える前記第１スイッチング素子４０及び前記第２スイッチング素子４１は、前記プッシュプル回路４６を構成している。
【００２５】
出力側に設けられている前記第１出力側巻線３１の一端は第１出力側端子Ｓ１に接続され、前記第１出力側巻線３１の他端は第３出力側端子Ｓ３に接続されている。同様に、出力側に設けられている前記第２出力側巻線３２の一端は第２出力側端子Ｓ２に接続され、前記第２出力側巻線３２の他端は第４出力側端子Ｓ４に接続されている。
【００２６】
次に、この発明の実施の形態に係るＶＲレゾルバの動作について説明する。
図２に示すように、ＶＲレゾルバ１０２を使用する場合には、図示しない前記電源部が前記励磁側中点端子Ｒ０に直流電圧ＶＲ０を印加する。また、前記第１スイッチング素子４０のゲート端子及び前記第２スイッチング素子４１のゲート端子には、図示しない前記ゲート電圧入力部がスイッチング信号として、互いに逆位相の矩形波であるゲート電圧ＶＧ１，ＶＧ２をそれぞれ印加する。直流電圧ＶＲ０の値は、ＶＲレゾルバ１０２の電源電圧以下で任意に設定することができる。そして、第１スイッチング素子４０はゲート端子にゲート電圧ＶＧ１が印加されることでスイッチングし、第２スイッチング素子４１はゲート端子にゲート電圧ＶＧ２が印加されることでスイッチングする。こうして、第１スイッチング素子４０及び第２スイッチング素子４１は、交互にＯＮ・ＯＦＦするプッシュプル回路として動作する。
【００２７】
第１スイッチング素子４０及び第２スイッチング素子４１を備える前記プッシュプル回路４６の回路動作により、前記第１励磁側巻線３４に印加される励磁電圧ＥＲ１と前記第２励磁側巻線３５に印加される励磁電圧ＥＲ２との変化を表したものを図３に示す。ゲート電圧ＶＧ１がＬｏｗになり第１スイッチング素子４０がＯＦＦに切り替わったときに、ゲート電圧ＶＧ２がＨｉｇｈになり第２スイッチング素子４１がＯＮに切り替わる。すると前記第２励磁側端子Ｒ２がグランドに導通するので、前記励磁側中点端子Ｒ０と前記第２励磁側端子Ｒ２との間の励磁電圧ＥＲ０−Ｒ２がＶＲ０となる。
【００２８】
また、前記第１スイッチング素子４０がＯＮからＯＦＦに切り替わることで、前記第１励磁側端子Ｒ１がグランドに導通しなくなるので、前記第１励磁側巻線３４に前記第１励磁側端子Ｒ１の側が高くなるように逆起電力により電圧ＶＲ０が発生する。つまり、前記第１励磁側端子Ｒ１と前記励磁側中点端子Ｒ０との間の励磁電圧ＥＲ１−Ｒ０がＶＲ０となる。よって、前記第１励磁側端子Ｒ１と前記第２励磁側端子Ｒ２との間の励磁電圧ＥＲ１−Ｒ２は２ＶＲ０となる。
【００２９】
一方、ゲート電圧ＶＧ１がＨｉｇｈになり前記第１スイッチング素子４０がＯＮに切り替わったとき、ゲート電圧ＶＧ２はＬｏｗになり前記第２スイッチング素子４１はＯＦＦに切り替わる。すると前記第１励磁側端子Ｒ１が前記第１励磁側巻線３４を経由してグランドに導通するので、前記第１励磁側端子Ｒ１と前記励磁側中点端子Ｒ０との間の励磁電圧ＥＲ１−Ｒ０が−ＶＲ０となる。
【００３０】
また、前記第２スイッチング素子４１がＯＮからＯＦＦに切り替わることで、前記第２励磁側端子Ｒ２がグランドに導通しなくなるので、前記第２励磁側巻線３５に前記第２励磁側端子Ｒ２の側が高くなるように逆起電力により電圧ＶＲ０が発生する。つまり、前記励磁側中点端子Ｒ０と前記第２励磁側端子Ｒ２との間の励磁電圧ＥＲ０−Ｒ２が−ＶＲ０となる。よって、前記第１励磁側端子Ｒ１と前記第２励磁側端子Ｒ２との間の励磁電圧ＥＲ１−Ｒ２は−２ＶＲ０となる。
【００３１】
以上のことより、前記第１励磁側巻線３４及び前記第２励磁側巻線３５に印加される励磁電圧ＥＲ１−Ｒ２は、０を中心に振動の幅がＥＲ１−Ｒ２＝４ＶＲ０の矩形波となる。そして、励磁電圧ＥＲ１−Ｒ２で前記第１励磁側巻線３４及び前記第２励磁側巻線３５が励磁されることで、前記ロータ２を透過して前記第１出力側巻線３１及び前記第２出力側巻線３２へ達する磁束が発生する。
【００３２】
前記ロータ２を透過した磁束の磁路中にあるギャップパーミアンス（透磁率）が、前記ロータ２の形状のために回転角θに対応して周期的に変化するので、前記ギャップパーミアンスの変化により前記第１出力側巻線３１の前記出力側端子Ｓ１−Ｓ３間の出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び前記第２出力側巻線３２の前記出力側端子Ｓ２−Ｓ４間に発生する出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４が回転角θに対応して変化する。これにより、出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４から、前記ロータ２の回転角θを得ることができる。
【００３３】
この時、前記出力側端子Ｓ１−Ｓ３における出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び前記出力側端子Ｓ２−Ｓ４における出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４の振幅は、以下の式で表される。
ＥＳ１−Ｓ３＝Ｋ・ＥＲ１−Ｒ２・ｃｏｓＮθ＝Ｋ・４ＶＲ０・ｃｏｓＮθ  （５）
ＥＳ２−Ｓ４＝Ｋ・ＥＲ１−Ｒ２・ｓｉｎＮθ＝Ｋ・４ＶＲ０・ｓｉｎＮθ  （６）
で表される。ここで、Ｎは前記ロータ２の形状による前記輪状ステータ３とのギャップパーミアンスの変化で決まるＶＲレゾルバの軸倍角であり、θは前記ロータ２の回転角であり、Ｋは前記第１励磁側巻線３４及び前記第２励磁側巻線３５と前記第１出力側巻線３１及び前記第２出力側巻線３２との結合係数である。
【００３４】
この実施の形態における式（５），（６）と従来の実施例における式（１）（２）とを比較すると、前記出力側端子Ｓ１−Ｓ３における出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び前記出力側端子Ｓ２−Ｓ４における出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４が、この実施の形態では従来の実施例の４倍の振動の幅を有する波形となっている。したがって、この実施の形態の前記ＶＲレゾルバ１０２では、従来の実施の形態と同じ電源電圧で動作させた時に従来の実施例の４倍の出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４を得ることができ、Ｓ／Ｎ比が向上する。
【００３５】
また、この実施の形態では従来の実施例の４倍の振幅を有する出力信号電圧を得ることができるため、従来の実施例と同じ大きさの出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４を得る場合に、より小さな電源電圧で前記ＶＲレゾルバ１０２を動作させることができる。
【００３６】
このように、前記第１励磁側巻線３４の一端に接続された前記第１スイッチング素子４０と、前記第２励磁側巻線３５の一端に接続された前記第２スイッチング素子４１とを有する前記プッシュプル回路４６と、前記第１励磁側巻線３４の他端と前記第２励磁側巻線３５の他端とを接続した接続点である前記中点３６と、前記輪状ステータ３に設けられた前記第１出力側巻線３１及び前記第２出力側巻線３２とを備え、前記中点３６に直流電圧ＶＲ０が印加され、前記プッシュプル回路４６により矩形波の励磁電圧が前記第１励磁側巻線３４及び前記第２励磁側巻線３５に印加され、前記励磁電圧により前記第１励磁側巻線３４及び前記第２励磁側巻線３５が励磁されるので、レゾルバの製造コストを増大させずに出力のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【００３７】
また、この実施の形態のレゾルバは前記ＶＲレゾルバ１０２であるので、前記ロータ２に巻線を設ける必要が無く、製造コストを低減しつつ信頼性を向上させることができる。
【００３８】
なお、この実施の形態ではレゾルバの形式はＶＲレゾルバであったが、ステータ側からロータ側に前記励磁電圧を非接触で伝達するためのトランス部を有するブラシレスレゾルバ等の、他の形式のレゾルバであってもよい。
【００３９】
また、この実施の形態では、前記第１スイッチング素子４０及び前記第２スイッチング素子４１としてＦＥＴを使用していたが、バイポーラトランジスタ等の他の種類の適当なスイッチング素子を使用してもよい。
【００４０】
なお、本発明によるレゾルバの要旨とするところは、以下の通りである。すなわち、前記輪状ステータ３と、前記輪状ステータ３の内側に回転自在に設けられる前記ロータ２と、前記輪状ステータ３に設けられた前記第１励磁側巻線３４及び前記第２励磁側巻線３５と、前記第１励磁側巻線３４の一端に接続された前記第１スイッチング素子４０と、前記第２励磁側巻線３５の一端に接続された前記第２スイッチング素子４１とを有する前記プッシュプル回路４６と、前記第１励磁側巻線３４の他端と前記第２励磁側巻線３５の他端とを接続した接続点である前記中点３６と、前記輪状ステータ３に設けられた前記第１出力側巻線３１及び前記第２出力側巻線３２とを備えるレゾルバにおいて、前記中点３６に直流電圧ＶＲ０が印加され、前記プッシュプル回路４６により矩形波の前記励磁電圧ＥＲ１−Ｒ２が前記第１励磁側巻線３４及び前記第２励磁側巻線３５に印加され、前記励磁電圧ＥＲ１−Ｒ２により前記第１励磁側巻線３４及び前記第２励磁側巻線３５が励磁されることにより、前記第１出力側巻線３１及び前記第２出力側巻線３２から前記ロータ２の回転角に応じた出力信号電圧ＥＳ１−Ｓ３及び出力信号電圧ＥＳ２−Ｓ４が出力されるように構成されており、また、前記レゾルバは、ＶＲレゾルバ１０２であるように構成されており、また、前記レゾルバは、前記輪状ステータ３側から前記ロータ２側に前記励磁電圧ＥＲ１−Ｒ２を非接触で伝達するためのトランス部を有するブラシレスレゾルバであるように構成されている。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明によるレゾルバは、輪状ステータと、前記輪状ステータ３の内側に回転自在に設けられるロータと、前記輪状ステータに設けられた第１励磁側巻線及び第２励磁側巻線と、前記第１励磁側巻線の一端に接続された前記第１スイッチング素子と、前記第２励磁側巻線の一端に接続された前記第２スイッチング素子とを有するプッシュプル回路と、前記第１励磁側巻線の他端と前記第２励磁側巻線の他端とを接続した接続点である中点と、前記輪状ステータに設けられた出力側巻線とを備えるレゾルバにおいて、前記中点に直流電圧が印加され、前記プッシュプル回路により矩形波の励磁電圧が前記第１励磁側巻線及び前記第２励磁側巻線に印加され、前記励磁電圧により前記第１励磁側巻線及び前記第２励磁側巻線が励磁されることにより、前記出力側巻線から前記ロータの回転角に応じた出力信号電圧が出力されるような構成であるので、レゾルバの製造コストを増大させずに出力のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【符号の説明】
【００４２】
２          ロータ
３          輪状ステータ
３１        第１出力側巻線（出力側巻線）
３２        第２出力側巻線（出力側巻線）
３４        第１励磁側巻線
３５        第２励磁側巻線
３６        中点
４０        第１スイッチング素子
４１        第２スイッチング素子
４６        プッシュプル回路
１０２      ＶＲレゾルバ（レゾルバ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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