(57)【要約】【課題】センサー素子の検出特性の低下の虞を低減することが可能なセンサーデバイスの提供。【解決手段】センサーデバイス１は、センサー素子１０と、ＩＣチップ６０と、開口部２５を有する基板２０と、センサー素子１０と、ＩＣチップ６０と、基板２０の少なくとも開口部２５と、が配置される内部空間３５を有する容器３０と、内部空間３５に充填され、センサー素子１０と、ＩＣチップ６０と、基板２０の少なくとも開口部２５と、を覆う充填部材４０と、を備え、センサー素子１０とＩＣチップ６０とは、平面視で開口部２５内に互いに第１の隙間Ｓ１を有して配置され、第１の隙間Ｓ１は、平面視で容器３０の内底面３４の中央部に重なり、内底面３４には、内部空間３５側に突出する突起部５０が配置され、突起部５０は、平面視で第１の隙間Ｓ１と重なっていることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサー素子と、
ＩＣチップと、
開口部を有する基板と、
前記センサー素子と、前記ＩＣチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、が配置される内部空間を有する容器と、
前記内部空間に充填され、前記センサー素子と、前記ＩＣチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、を覆う充填部材と、を備え、
前記センサー素子と前記ＩＣチップとは、平面視で前記開口部内に互いに第１の隙間を有して並んで配置され、
前記第１の隙間は、平面視で前記容器の内底面の中央部に重なり、
前記内底面には、前記内部空間側に突出する突起部が配置され、
前記突起部は、平面視で前記第１の隙間と重なっていることを特徴とするセンサーデバイス。
【請求項２】
前記センサー素子は複数のセンサー素子端部を有し、平面視で前記開口部と前記センサー素子端部との間に、前記ＩＣチップに対向する側の前記センサー素子端部を除いて、第２の隙間を有して配置され、
前記ＩＣチップは複数のＩＣチップ端部を有し、平面視で前記開口部と前記ＩＣチップ端部との間に、前記センサー素子に対向する側の前記ＩＣチップ端部を除いて、第３の隙間を有して配置され、
前記第１の隙間の距離は、前記第２の隙間の距離及び前記第３の隙間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のセンサーデバイス。
【請求項３】
前記内底面から前記突起部の頂点までの距離は、前記内底面から前記センサー素子の前記内底面に対向する底面までの距離よりも小さいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサーデバイス。
【請求項４】
平面視で前記突起部の外周が、前記第１の隙間を形成する前記センサー素子の前記センサー素子端部及び前記ＩＣチップの前記ＩＣチップ端部の少なくとも一方と交差していることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のセンサーデバイス。
【請求項５】
センサー素子と、
ＩＣチップと、
開口部を有する基板と、
前記センサー素子と、前記ＩＣチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、が配置される内部空間を有する容器と、
前記内部空間に充填され、前記センサー素子と、前記ＩＣチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、を覆う充填部材と、を備え、
前記センサー素子と前記ＩＣチップとは、平面視で前記開口部内に互いに第１の隙間を有して並んで配置され、
前記センサー素子は複数のセンサー素子端部を有し、平面視で前記開口部と前記センサー素子端部との間に、前記ＩＣチップに対向する側の前記センサー素子端部を除いて、第２の隙間を有して配置され、
前記ＩＣチップは複数のＩＣチップ端部を有し、平面視で前記開口部と前記ＩＣチップ端部との間に、前記センサー素子に対向する側の前記ＩＣチップ端部を除いて、第３の隙間を有して配置され、
前記第２の隙間の距離及び前記第３の隙間の距離の少なくとも一方は、前記第１の隙間の距離よりも大きく、
前記容器の内底面には、前記内部空間側に突出する突起部が配置され、
前記突起部は、平面視で前記第２の隙間及び前記第３の隙間の内、前記距離が前記第１の隙間よりも大きい少なくとも一方と重なる位置に配置されていることを特徴とするセンサーデバイス。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする携帯機器。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサーデバイス、このセンサーデバイスを備えている携帯機器、電子機器及び移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、センサーデバイスとして、物理量センサーチップと、ＩＣチップと、物理量センサーチップ及びＩＣチップを収容している内部空間を有するパッケージと、パッケージと物理量センサーチップとを接続している第１のワイヤーと、パッケージとＩＣチップとを接続している第２のワイヤーと、を備え、物理量センサーチップ及びＩＣチップは、それぞれ第１のワイヤー及び第２のワイヤーによって内部空間に係留されている構成の物理量センサーが知られている（例えば、特許文献１参照）。
上記物理量センサーは、内部空間にパッケージから少なくとも一部が突出している可撓性配線基板を備え、第１のワイヤー及び第２のワイヤーは、内部空間内において可撓性配線基板に接続されている。
また、上記物理量センサーは、内部空間にゲル状の充填材が充填され、物理量センサーチップ及びＩＣチップが、可撓性配線基板、第１のワイヤー及び第２のワイヤーとともに充填材に覆われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−３９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記物理量センサーは、例えば、薄型化を図るために、平面視で可撓性配線基板の開口部内に物理量センサーチップとＩＣチップとを並べて配置した場合、次のような問題がある。
（１）充填材の硬化処理の際の加熱により充填材が収縮し、平面視で内部空間の中央部に相当する物理量センサーチップとＩＣチップとの間の部分に凹み（ヒケ）が生じる。この凹みは、場合によっては物理量センサーチップの検出部（例えば、受圧部）まで回り込む虞がある。
この凹みの回り込みを回避するためには、充填材を多く充填し、物理量センサーチップ上面から充填材上面までの距離を大きくする必要がある。
この充填材の多量の充填により、上記物理量センサーは、物理量センサーチップへの圧力の伝播が阻害され易くなり、検出特性が低下する虞がある。
（２）充填材の真空脱泡の際に、可撓性配線基板、物理量センサーチップ及びＩＣチップと、パッケージの内底面（内側の底面）との間に発生した複数の気泡が、物理量センサーチップとＩＣチップとの間の隙間に集まりながら一体化し、大きな気泡となってパッケージの開口部に向かって上昇することにより、充填材の一部を持ち上げることがある。
更には、上記物理量センサーは、持ち上げられた充填材が、気泡が破裂することによりパッケージの開口部からパッケージの外へ飛び出す虞がある。
以上の結果、上記物理量センサーは、物理センサーチップの計測が難しく若しくは不可能になる虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかるセンサーデバイスは、センサー素子と、ＩＣチップと、開口部を有する基板と、前記センサー素子と、前記ＩＣチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、が配置される内部空間を有する容器と、前記内部空間に充填され、前記センサー素子と、前記ＩＣチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、を覆う充填部材と、を備え、前記センサー素子と前記ＩＣチップとは、平面視で前記開口部内に互いに第１の隙間を有して並んで配置され、前記第１の隙間は、平面視で前記容器の内底面の中央部に重なり、前記内底面には、前記内部空間側に突出する突起部が配置され、前記突起部は、平面視で前記第１の隙間と重なっていることを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、センサーデバイスは、平面視で第１の隙間と重なっている突起部により、突起部上に充填された充填部材（充填材に相当）が突起部の形状に沿って充填されていることから、例えば、充填部材の硬化処理の際の充填部材の収縮によって、センサー素子（物理量センサーチップに相当）と、ＩＣチップとの間の第１の隙間に生じる凹みを、突起部がない場合よりも小さくすることができる。
これにより、センサーデバイスは、前述したような、充填部材の多量の充填に伴うセンサー素子の検出特性の低下の虞を低減することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記センサー素子は複数のセンサー素子端部を有し、平面視で前記開口部と前記センサー素子端部との間に、前記ＩＣチップに対向する側の前記センサー素子端部を除いて、第２の隙間を有して配置され、前記ＩＣチップは複数のＩＣチップ端部を有し、平面視で前記開口部と前記ＩＣチップ端部との間に、前記センサー素子に対向する側の前記ＩＣチップ端部を除いて、第３の隙間を有して配置され、前記第１の隙間の距離は、前記第２の隙間の距離及び前記第３の隙間の距離よりも大きいことが好ましい。
【０００９】
上記適用例によれば、センサーデバイスは、第１の隙間の距離が、第２の隙間の距離及び第３の隙間の距離よりも大きいことから、例えば、真空脱泡の際に充填部材内において、基板、センサー素子及びＩＣチップと、容器の内底面との間に発生した気泡が、第１の隙間の近傍に集まってくる。
集まってきた気泡は、平面視で第１の隙間と重なるように配置された突起部によって、第１の隙間近傍の充填部材内を通り抜けにくくなることから、一体化し大きな気泡となることが阻害される。
これにより、センサーデバイスは、充填部材が大きな気泡によって持ち上げられ、更に気泡が破裂して容器（パッケージに相当）の外へ飛び出す虞を低減することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記内底面から前記突起部の頂点までの距離は、前記内底面から前記センサー素子の前記内底面に対向する底面までの距離よりも小さいことが好ましい。
【００１１】
上記適用例によれば、センサーデバイスは、内底面から突起部の頂点までの距離が、内底面からセンサー素子の内底面に対向する底面までの距離よりも小さいことから、内底面側から第１の隙間への通路を適度に狭くすることができる。
これにより、センサーデバイスは、例えば、真空脱泡の際に、内底面側から第１の隙間の近傍へ集まってきた気泡が、一体化し大きな気泡となることを阻害することができる。
この結果、センサーデバイスは、気泡によって持ち上げられた充填部材が、気泡の破裂の際に容器の外へ飛び出す虞を低減することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、平面視で前記突起部の外周が、前記第１の隙間を形成する前記センサー素子の前記センサー素子端部及び前記ＩＣチップの前記ＩＣチップ端部の少なくとも一方と交差していることが好ましい。
【００１３】
上記適用例によれば、センサーデバイスは、平面視で突起部の外周が、第１の隙間を形成するセンサー素子のセンサー素子端部及びＩＣチップのＩＣチップ端部の少なくとも一方と交差していることから、例えば、充填部材の硬化処理に伴って第１の隙間に凹みが生じ、凹みの輪郭が突起部の外周と交差する程度の大きさであれば、平面視で凹みを通して突起部の外周が歪んで見えることになる。
これにより、センサーデバイスは、例えば、画像認識装置などにより、センサー素子の検出特性に影響を及ぼす大きさの凹みを検出することができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例にかかるセンサーデバイスは、センサー素子と、ＩＣチップと、開口部を有する基板と、前記センサー素子と、前記ＩＣチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、が配置される内部空間を有する容器と、前記内部空間に充填され、前記センサー素子と、前記ＩＣチップと、前記基板の少なくとも前記開口部と、を覆う充填部材と、を備え、前記センサー素子と前記ＩＣチップとは、平面視で前記開口部内に互いに第１の隙間を有して並んで配置され、前記センサー素子は複数のセンサー素子端部を有し、平面視で前記開口部と前記センサー素子端部との間に、前記ＩＣチップに対向する側の前記センサー素子端部を除いて、第２の隙間を有して配置され、前記ＩＣチップは複数のＩＣチップ端部を有し、平面視で前記開口部と前記ＩＣチップ端部との間に、前記センサー素子に対向する側の前記ＩＣチップ端部を除いて、第３の隙間を有して配置され、前記第２の隙間の距離及び前記第３の隙間の距離の少なくとも一方は、前記第１の隙間の距離よりも大きく、前記容器の内底面には、前記内部空間側に突出する突起部が配置され、前記突起部は、平面視で前記第２の隙間及び前記第３の隙間の内、前記距離が前記第１の隙間よりも大きい少なくとも一方と重なる位置に配置されていることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、センサーデバイスは、容器の内底面に配置された突起部が、平面視で第２の隙間及び第３の隙間の内、距離が第１の隙間よりも大きい少なくとも一方と重なる位置に配置されていることから、例えば、真空脱泡の際に、内底面側から第２の隙間及び第３の隙間の少なくとも一方の近傍へ集まってきた気泡が、一体化し大きな気泡となることを阻害することができる。
これにより、センサーデバイスは、気泡によって持ち上げられた充填部材が、気泡の破裂の際に容器の外へ飛び出す虞を低減することができる。
【００１６】
［適用例６］本適用例にかかる携帯機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、携帯機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
【００１８】
［適用例７］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
【００２０】
［適用例８］本適用例にかかる移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載のセンサーデバイスを備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線での断面図。
【図３】センサー素子の概略構成を示す模式平面図。
【図４】図３のＢ−Ｂ線での断面図。
【図５】センサー素子の圧力検出用回路図。
【図６】第１実施形態の変形例のセンサーデバイスの概略構成を示す模式平面図。
【図７】図６のＡ−Ａ線での断面図。
【図８】第２実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式平面図。
【図９】図８のＤ−Ｄ線での断面図。
【図１０】センサーデバイスを備えている携帯機器の一例としての高度計を示す模式斜視図。
【図１１】センサーデバイスを備えている電子機器の一例としてのナビゲーションシステムを示す模式正面図。
【図１２】センサーデバイスを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２４】
（第１実施形態）
最初に、第１実施形態のセンサーデバイスについて説明する。
図１は、第１実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線での断面図である。なお、図１、図２を含む以降の各図面において、平面図では、便宜的に一部の構成要素を省略してある。また、各図面において、わかり易くするために各構成要素の寸法比率は、実際と異なる。
【００２５】
図１、図２に示すように、第１実施形態のセンサーデバイス１は、センサー素子１０と、ＩＣチップ６０と、開口部２５を有する基板２０と、センサー素子１０と、ＩＣチップ６０と、基板２０の少なくとも開口部２５を有する部分と、が配置される内部空間３５を有する容器３０と、内部空間３５に充填され、センサー素子１０と、ＩＣチップ６０と、基板２０の少なくとも開口部２５と、を覆う充填部材４０と、を備えている。
【００２６】
センサーデバイス１のセンサー素子１０とＩＣチップ６０とは、平面視で基板２０の開口部２５内に互いに第１の隙間Ｓ１を有して並んで配置されている。第１の隙間Ｓ１は、平面視で容器３０の内底面（内側の底面）３４の中央部（中心Ｃ１を含む部分）に重なっている。内底面３４には、内部空間３５側に突出する突起部５０が配置され、突起部５０は、平面視で第１の隙間Ｓ１と重なっている。
以下、各構成要素について詳述する。
【００２７】
＜容器＞
容器３０は、開口部３３を備えている第１容器３１と、第１容器３１の開口部３３側とは反対側に位置する第２容器３２と、を含んで構成されている。第１容器３１は、開口部３３側が円筒状に形成され、開口部３３に続く第２容器３２側が、略角型の筒状に形成されている。第２容器３２は、凹部を有する略角型のトレイ状に形成されている。
容器３０の内側には、センサー素子１０と、ＩＣチップ６０と、基板２０の少なくとも開口部２５と、が配置される内部空間３５が形成されている。
【００２８】
第２容器３２の内底面３４には、内部空間３５側に突出する突起部５０が配置されている。
突起部５０は、内底面３４の中央部から略半球状に突出し、平面視で第１の隙間Ｓ１と重なっている。突起部５０は、略半球状に突出することにより、平面視で略円形となっている。
突起部５０の外周（輪郭）５１は、平面視で第１の隙間Ｓ１を形成するセンサー素子１０のセンサー素子端部としての第１辺１０ａ及びＩＣチップ６０のＩＣチップ端部としての第１辺６０ａの少なくとも一方と交差していることが好ましい（図１では、第１辺１０ａ及び第１辺６０ａの両方と交差している構成が例示されている）。
内底面３４から突起部５０の頂点までの距離Ｈ１は、内底面３４からセンサー素子１０の内底面３４に対向する底面１０ｂまでの距離Ｈ２よりも小さいことが好ましい。
【００２９】
第１容器３１及び第２容器３２の材料としては、コスト、加工性（成形性）、充填部材４０との親和性などの観点から樹脂材料が好ましく、例えば、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ＰＣ（ポリカーボネート）樹脂、などが挙げられる。なお、第２容器３２は、金属で構成されていてもよい。
なお、容器３０の平面形状は、図示の略四角形に限定されるものではなく、円形や楕円形、または五角形以上の多角形などであってもよい。
なお、突起部５０は、樹脂材料の場合には、例えば、射出成型によって第２容器３２と一体形成可能であり、金属材料の場合には、例えば、絞り加工によって第２容器３２と一体形成可能である。なお、突起部５０は、第２容器３２とは別部材で構成されていてもよい。
【００３０】
＜基板＞
第１容器３１と第２容器３２との間には、基板２０が配置されている。
基板２０は、例えば、ポリイミド樹脂からなるベース層２１に、銅箔からなるリードパターン層（配線層）２２が積層されたフレキシブル基板である。
なお、ベース層２１の材料としては、ポリイミド樹脂に限定されるものではなく、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）樹脂、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）樹脂などの可撓性を有する樹脂が挙げられる。
なお、基板２０は、リードパターン層２２の非接続部を覆う絶縁層（図示せず）を備えていてもよい。
【００３１】
基板２０は、第１容器３１と第２容器３２とに挟まれ容器３０の内部空間３５に一部が収容される略四角形状の実装部２３と、実装部２３から図１の紙面右側に延出している接続部２４と、を備えている。
図１に示すように、基板２０の実装部２３には、中央部に紙面左右方向に長い略矩形状の開口部２５が設けられ、平面視で開口部２５内にセンサー素子１０（紙面右側）とＩＣチップ６０（紙面左側）とが並んで配置されている。
センサーデバイス１のセンサー素子１０とＩＣチップ６０とは、平面形状が矩形であり、平面視で基板２０の開口部２５内に互いに第１の隙間Ｓ１を有して配置されている。第１の隙間Ｓ１は、平面視で容器３０の内底面３４の中央部（中心Ｃ１を含む部分）に重なっている。
【００３２】
センサー素子１０は、複数のセンサー素子端部としての第１辺１０ａ、第２辺１０ｃ、第３辺１０ｄ及び第４辺１０ｅを有し、平面視で基板２０の開口部２５との間に、ＩＣチップ６０に対向する側の第１辺１０ａを除いて第２の隙間Ｓ２を有して配置されている。
また、ＩＣチップ６０は、複数のＩＣチップ端部としての第１辺６０ａ、第２辺６０ｂ、第３辺６０ｃ及び第４辺６０ｄを有し、平面視で基板２０の開口部２５との間に、センサー素子１０に対向する側の第１辺６０ａを除いて第３の隙間Ｓ３を有して配置されている。
ここで、第１の隙間Ｓ１の距離Ｌ１（センサー素子１０の第１辺１０ａとＩＣチップ６０の第１辺６０ａとの間の距離）は、第２の隙間Ｓ２の距離Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃ及び第３の隙間Ｓ３の距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃよりも大きいことが好ましい。
【００３３】
ここで、距離Ｌ２ａは、センサー素子１０の紙面上側の第２辺１０ｃと、開口部２５の紙面上側の第１長辺２５ａとの間の距離であり、距離Ｌ２ｂは、センサー素子１０の紙面下側の第３辺１０ｄと、開口部２５の紙面下側の第２長辺２５ｂとの間の距離であり、距離Ｌ２ｃは、センサー素子１０の紙面右側の第４辺１０ｅと、開口部２５の紙面右側の第２短辺２５ｄとの間の距離である。
距離Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃは、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
【００３４】
また、距離Ｌ３ａは、ＩＣチップ６０の紙面上側の第２辺６０ｂと、開口部２５の紙面上側の第１長辺２５ａとの間の距離であり、距離Ｌ３ｂは、ＩＣチップ６０の紙面下側の第３辺６０ｃと、開口部２５の紙面下側の第２長辺２５ｂとの間の距離であり、距離Ｌ３ｃは、ＩＣチップ６０の紙面左側の第４辺６０ｄと、開口部２５の紙面左側の第１短辺２５ｃとの間の距離である。
距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃは、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
【００３５】
センサー素子１０は、複数の端子部１１が、基板２０のリードパターン層２２の複数の接続端子部２６に、ボンディングワイヤー７０で接続されることによって、基板２０に支持されている。
また、ＩＣチップ６０は、複数の端子部６１が、リードパターン層２２の複数の接続端子部２６に、ボンディングワイヤー７０で接続されることによって、基板２０に支持されている。
基板２０は、接続部２４の先端部が、例えば、外部機器のコネクター（接続装置）などに差し込まれることにより、外部機器と電気的に接続される構成となっている。
【００３６】
＜センサー素子＞
図３は、センサー素子の概略構成を示す模式平面図であり、図４は、図３のＢ−Ｂ線での断面図である。図５は、センサー素子の圧力検出用回路図である。
図３、図４に示すように、センサー素子１０は、平面形状が矩形の圧力センサー素子であり、例えば、半導体を用いたダイアフラム型の圧力センサー素子である。
具体的には、センサー素子１０は、半導体基板（ＳＯＩ基板）１２と、半導体基板１２に形成された略矩形状のダイアフラム部１３と、ダイアフラム部１３の４辺のそれぞれに設けられたピエゾ抵抗素子１４（個々に識別する場合には、符号を１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄと表記する）と、ダイアフラム部１３と対向する空洞部１５を有する壁部１６と、を備えている。
【００３７】
センサー素子１０は、各構成要素が、例えば半導体プロセスを用いて以下のように形成されている。
半導体基板１２は、図４の紙面下側から、第２シリコン層１２ｃ、シリコン酸化膜１２ｂ、第１シリコン層１２ａがこの順で積層されることにより形成されている。
ピエゾ抵抗素子１４は、半導体基板１２の第１シリコン層１２ａに、リン、ボロンなどの不純物をドープ（拡散または注入）することにより形成されている。
ダイアフラム部１３は、半導体基板１２の第２シリコン層１２ｃの中央部を、平面視で略矩形状にシリコン酸化膜１２ｂまでエッチングすることにより形成されている。
これにより、ダイアフラム部１３は、受圧により撓むダイアフラムとして機能する。
壁部１６は、半導体基板１２上に絶縁層（図示せず）と金属層（配線層）（図示せず）とが複数積層されることにより形成されている。壁部１６は、絶縁層の内、ダイアフラム部１３と対向する位置にあって、金属層で囲まれた部分を犠牲層としてエッチングすることにより空洞部１５が形成されている。
壁部１６の上面には、複数の端子部１１が設けられ、金属層を介して後述する圧力検出用回路と接続されている。
【００３８】
図５に示すように、センサー素子１０は、ダイアフラム部１３に印加された圧力に応じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子１４を用いて、圧力検出用回路としてホイートストンブリッジ回路（以下、ブリッジ回路という）１７が構成されている。
ピエゾ抵抗素子１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄは、ダイアフラム部１３に圧力が印加されていない状態では、抵抗値が互いに等しくなるように構成されている。
ブリッジ回路１７には、駆動電圧ＡＶＤＣを供給する駆動回路（図示せず）が接続されている。
ブリッジ回路１７は、ダイアフラム部１３に印加された圧力に応じた電位差が検出信号として端子部１１から出力される構成となっている。
なお、空洞部１５内は、真空状態（例えば、１０Ｐａ以下）となっており、センサー素子１０は、絶対圧センサーとして機能する。
【００３９】
＜ＩＣチップ＞
ＩＣチップ６０は、平面形状が矩形であって、半導体回路（図示せず）を備え、端子部６１、ボンディングワイヤー７０、リードパターン層２２を介してセンサー素子１０と接続されている。
ＩＣチップ６０の半導体回路には、センサー素子１０のブリッジ回路１７に駆動電圧ＡＶＤＣを供給する駆動回路、センサー素子１０のブリッジ回路１７からの検出信号を、Ａ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換するＡ／Ｄ変換回路、Ａ／Ｄ変換回路からの出力信号をセンサー素子１０の温度に応じて補償する温度補償回路、温度補償回路からの出力信号を所望の形式の圧力データに置換して外部に出力する出力回路などが含まれる。
なお、半導体回路の一部は、センサー素子１０に設けられていてもよい。
【００４０】
図２に示すように、センサー素子１０とＩＣチップ６０とが実装された基板２０の実装部２３は、接合部材８０によってリードパターン層２２側が第１容器３１に気密に固定され、リードパターン層２２側とは反対側が第２容器３２に気密に固定されている。
なお、接合部材８０としては、特に限定されないが、シリコーン系、エポキシ系、ポリイミド系の接着剤などが挙げられる。
【００４１】
＜充填部材＞
基板２０を介して第１容器３１と第２容器３２とが気密に接合された容器３０の内部空間３５には、充填部材４０が充填されている。
内部空間３５に充填された充填部材４０は、センサー素子１０と、ＩＣチップ６０と、基板２０の開口部２５及び接続端子部２６と、ボンディングワイヤー７０と、を覆っている。
充填部材４０は、第１容器３１の開口部３３から吐出ノズル（図示せず）によって容器３０の内部空間３５に充填される。その際、充填部材４０は、基板２０の開口部２５内の第１の隙間Ｓ１を中心に、第２の隙間Ｓ２及び第３の隙間Ｓ３を介して、第１容器３１側から第２容器３２側に回り込んで充填され、内部空間３５内のセンサー素子１０やＩＣチップ６０、基板２０などを覆う。
【００４２】
なお、充填部材４０の材料としては、特に限定されないが、フッ素ゲルや、フロロシリコーンゲル、シリコーンゲルなどが挙げられる。
【００４３】
センサーデバイス１は、容器３０の内部空間３５に配置されたセンサー素子１０やＩＣチップ６０、基板２０などが、充填部材４０によって外部環境から保護されつつ、外部から印加される圧力が、充填部材４０を介してセンサー素子１０に伝播することで圧力を検出する構成となっている。
【００４４】
上述したように、第１実施形態のセンサーデバイス１は、平面視で第１の隙間Ｓ１と重なっている突起部５０により、突起部５０上に充填された充填部材４０が突起部５０の形状に沿って充填されていることから、例えば、充填部材４０の硬化処理の際の充填部材４０の収縮によって、センサー素子１０と、ＩＣチップ６０との間の第１の隙間Ｓ１に生じる凹み４１を、突起部５０がない場合よりも小さくすることができる。
これにより、センサーデバイス１は、前述したような、充填部材４０の多量の充填が不要となることから、充填部材４０の多量の充填に伴う圧力伝播の減衰に起因するセンサー素子１０の検出特性の低下の虞を低減することができる。
【００４５】
また、センサーデバイス１は、第１の隙間Ｓ１の距離Ｌ１が、第２の隙間Ｓ２の距離Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃ及び第３の隙間Ｓ３の距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃよりも大きいことから、例えば、真空脱泡の際に、基板２０、センサー素子１０及びＩＣチップ６０と、容器３０の内底面３４との間に発生した気泡が、第１の隙間Ｓ１の近傍に集まってくる。
詳述すると、図示のように第２の隙間Ｓ２の距離Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃが、第３の隙間Ｓ３の距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃよりも大きい場合には、充填部材４０の充填の際に、充填部材４０がセンサー素子１０側からＩＣチップ６０の下側に回り込み易くなることから、真空脱泡時の気泡は、ＩＣチップ６０の下側（特に紙面左側寄りの部分）に多く発生することになる。
ＩＣチップ６０の下側に発生した気泡は、第３の隙間Ｓ３の距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃが、他の隙間の距離よりも小さいことから、殆どが第３の隙間Ｓ３を通り抜けられず、近くにある第１の隙間Ｓ１へ向かうことになる。
【００４６】
なお、第３の隙間Ｓ３の距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃが、第２の隙間Ｓ２の距離Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃよりも大きい場合には、充填部材４０の充填の際に、充填部材４０がＩＣチップ６０側からセンサー素子１０の下側に回り込み易くなることから、真空脱泡時の気泡は、センサー素子１０の下側（特に紙面右側寄りの部分）に多く発生することになる。
センサー素子１０の下側に発生した気泡は、第２の隙間Ｓ２の距離Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃが、他の隙間の距離よりも小さいことから、殆どが第２の隙間Ｓ２を通り抜けられず、近くにある第１の隙間Ｓ１へ向かうことになる。
このように、いずれの場合にも、基板２０、センサー素子１０及びＩＣチップ６０と、容器３０の内底面３４との間に発生した気泡は、第１の隙間Ｓ１の近傍に集まってくることになる。
【００４７】
集まってきた気泡は、平面視で第１の隙間Ｓ１と重なるように配置された突起部５０によって、第１の隙間Ｓ１近傍の充填部材４０内を通り抜けにくくなることから、一体化し大きな気泡となることが阻害される。
大きな気泡となることが阻害され、小さくなった気泡により、センサーデバイス１は、気泡によって持ち上げられた充填部材４０が、気泡の破裂の際に容器３０の外へ飛び出す虞を低減することができる。
この結果、センサーデバイスは、センサー素子１０の計測（検出）が難しく若しくは不可能になる虞を低減できる。
【００４８】
また、センサーデバイス１は、第２容器３２の内底面３４から突起部５０の頂点までの距離Ｈ１が、内底面３４からセンサー素子１０の内底面３４に対向する底面１０ｂまでの距離Ｈ２よりも小さいことから、内底面３４側から第１の隙間Ｓ１への通路を適度に狭くすることができる。
これにより、センサーデバイス１は、例えば、真空脱泡の際に、内底面３４側から第１の隙間Ｓ１の近傍へ集まってきた気泡が、一体化し大きな気泡となることを阻害することができる。
大きな気泡となることが阻害され、小さくなった気泡により、センサーデバイス１は、気泡によって持ち上げられた充填部材４０が、気泡の破裂の際に容器３０の外へ飛び出す虞を低減することができる。
なお、一例として、距離Ｈ１は、距離Ｈ２の１／３程度であることが、気泡が一体化し大きな気泡となることを阻害する上で好ましい。
【００４９】
また、センサーデバイス１は、平面視で突起部５０の外周（輪郭）５１が、第１の隙間Ｓ１を形成するセンサー素子１０の第１辺１０ａ及びＩＣチップ６０の第１辺６０ａの少なくとも一方と交差している。
このことから、センサーデバイス１は、例えば、充填部材４０の硬化処理に伴って第１の隙間Ｓ１に凹み４１が生じ、凹み４１の輪郭（図示せず）が突起部５０の外周５１と交差する程度の大きさであれば、平面視で凹み４１を通して突起部５０の外周５１が歪んで見えることになる。
これにより、センサーデバイス１は、例えば、画像認識装置などにより、センサー素子１０の検出特性に影響を及ぼす大きさの凹み４１を検出することができる。
【００５０】
なお、突起部５０は、平面視で少なくとも一部が第１の隙間Ｓ１と重なっていればよく、内底面３４の中心Ｃ１と同心状に突出していなくてもよい。
【００５１】
（変形例）
次に、第１実施形態の変形例について説明する。
図６は、第１実施形態の変形例のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図７は、図６のＡ−Ａ線での断面図である。
なお、第１実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００５２】
図６、図７に示すように、第１実施形態の変形例のセンサーデバイス２は、第１実施形態と比較して、突起部５０の形状が異なる。
突起部５０は、内底面３４の中央部から略かまぼこ状（略半ロール状）に突出し、平面視で第１の隙間Ｓ１と重なっている。
突起部５０は、平面視で略長方形状に設けられ、長辺がセンサー素子１０の第１辺１０ａ（またはＩＣチップ６０の第１辺６０ａ）に沿うように配置されている。
図６では、突起部５０の長辺方向の長さが、ＩＣチップ６０の第１辺６０ａの長さよりも長い構成が例示されているが、長辺方向の長さは、第１辺６０ａの長さよりも短くてもよい。
【００５３】
上述したように、第１実施形態の変形例のセンサーデバイス２は、突起部５０が、内底面３４の中央部から略かまぼこ状に突出し、平面視で第１の隙間Ｓ１と重なっている。
また、突起部５０は、平面視で略長方形状に設けられ、長辺がセンサー素子１０の第１辺１０ａ（またはＩＣチップ６０の第１辺６０ａ）に沿うように配置されている。
これらにより、センサーデバイス２は、突起部５０上に充填された充填部材４０が突起部５０の形状に沿って充填される範囲を、突起部５０が略半球状の場合よりも広げることが可能となる。
これにより、センサーデバイス２は、充填部材４０の硬化処理の際の、センサー素子１０と、ＩＣチップ６０との間の第１の隙間Ｓ１に生じる凹み４１を、略半球状の場合よりも広範囲にわたって小さくすることができる。
【００５４】
この結果、センサーデバイス２は、前述したような、充填部材４０の多量の充填が不要となることから、充填部材４０の多量の充填に伴う圧力伝播の減衰に起因するセンサー素子１０の検出特性の低下の虞を低減することができる。
【００５５】
また、センサーデバイス２は、突起部５０の形状が略かまぼこ状であることから、内底面３４側から第１の隙間Ｓ１への通路を、略半球状の場合よりも広範囲にわたって狭くすることができる。
これにより、センサーデバイス２は、例えば、真空脱泡の際に、内底面３４側から第１の隙間Ｓ１の近傍へ集まってきた気泡が、一体化し大きな気泡となることを広範囲にわたって阻害することができる。
広範囲にわたって大きな気泡となることが阻害され、小さくなった気泡により、センサーデバイス２は、気泡によって持ち上げられた充填部材４０が、気泡の破裂の際に容器３０の外へ飛び出す虞を低減することができる。
なお、上記変形例の構成は、以下の実施形態にも適用可能である。
【００５６】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態のセンサーデバイスについて説明する。
図８は、第２実施形態のセンサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、センサーデバイスを同デバイスの開口部の上方から俯瞰した平面図である。図９は、図８のＤ−Ｄ線での断面図である。
なお、第１実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００５７】
図８、図９に示すように、第２実施形態のセンサーデバイス３は、第１実施形態と比較して、突起部５０の位置などが異なる。
センサーデバイス３は、第２の隙間Ｓ２の距離Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃ及び第３の隙間Ｓ３の距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃの少なくとも一方が、第１の隙間Ｓ１の距離Ｌ１よりも大きくなっている。
本実施形態では、ＩＣチップ６０がサイズアップして紙面右側に延びることにより、第１実施形態よりも第１の隙間Ｓ１の距離Ｌ１が小さくなり、第２の隙間Ｓ２の距離Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが、第１の隙間Ｓ１の距離Ｌ１よりも大きくなっている構成を例示している。
なお、ここでは、第２の隙間Ｓ２の距離Ｌ２ｃ及び第３の隙間Ｓ３の距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃは、第１の隙間Ｓ１の距離Ｌ１よりも小さいままとなっている。
【００５８】
センサーデバイス３は、突起部５０が、平面視で第２の隙間Ｓ２及び第３の隙間Ｓ３の内、上記距離が第１の隙間Ｓ１よりも大きい少なくとも一方（ここでは、第２の隙間Ｓ２）と重なる位置に配置されている。
ここで、第２の隙間Ｓ２の距離Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃ及び第３の隙間Ｓ３の距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃの内、それぞれ少なくとも１つの距離が第１の隙間Ｓ１の距離Ｌ１よりも大きければ、その隙間の距離は、第１の隙間Ｓ１の距離よりも大きいものとする。
これにより、本実施形態では、第２の隙間Ｓ２の距離が第１の隙間Ｓ１の距離よりも大きいことになる。
【００５９】
突起部５０は、容器３０の内底面３４における第２の隙間Ｓ２と重なる位置から、内部空間３５側に略半球状に２つ突出している。
突起部５０の１つは、第２の隙間Ｓ２におけるセンサー素子１０の第２辺１０ｃ側（距離Ｌ１よりも大きい距離Ｌ２ａ側）に配置され、突起部５０の他の１つは、第２の隙間Ｓ２におけるセンサー素子１０の第３辺１０ｄ側（距離Ｌ１よりも大きい距離Ｌ２ｂ側）に配置されている。
各突起部５０は、略半球状に突出することにより、平面視で略円形となっている。
【００６０】
上述したように、第２実施形態のセンサーデバイス３は、容器３０の内底面３４に配置された２つの突起部５０が、平面視で第２の隙間Ｓ２及び第３の隙間Ｓ３の内、距離が第１の隙間Ｓ１よりも大きい少なくとも一方（ここでは、第２の隙間Ｓ２）と重なる位置に配置されている。
センサーデバイス３は、この２つの突起部５０によって狭くなった第２の隙間Ｓ２への通路によって、例えば、真空脱泡の際に、内底面３４側から第２の隙間Ｓ２の近傍へ集まってきた気泡が、一体化し大きな気泡となることを阻害することができる。
大きな気泡となることが阻害され、小さくなった気泡により、センサーデバイス３は、気泡によって持ち上げられた充填部材４０が、気泡の破裂の際に容器３０の外へ飛び出す虞を低減することができる。
【００６１】
なお、センサーデバイス３は、第２の隙間Ｓ２に加えて第３の隙間Ｓ３の距離Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃの内、少なくとも１つが、第１の隙間Ｓ１の距離Ｌ１よりも大きい場合には、内底面３４における第３の隙間の上記第１の隙間Ｓ１の距離Ｌ１よりも大きい部分と重なる位置に、突起部５０を追加配置してもよい。
これによれば、センサーデバイス３は、気泡の小型化がさらに促進され、気泡によって持ち上げられた充填部材４０が、気泡の破裂の際に容器３０の外へ飛び出す虞を、さらに低減することができる。
なお、本実施形態では、突起部５０が２つある構成を例示したが、突起部５０は、いずれか１つであってもよい。
【００６２】
（携帯機器）
次に、上述したセンサーデバイスを備えている携帯機器について説明する。
図１０は、センサーデバイスを備えている携帯機器の一例としての高度計を示す模式斜視図である。
【００６３】
図１０に示すように、高度計２００は、多機能腕時計でもあり、手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、センサーデバイス１（または２，３のいずれか）が搭載されており、表示部２０１に現在地における海抜、または、現在地の気圧などが表示される。
なお、この表示部２０１には、上記高度、気圧などの他に、現在時刻、使用者の心拍数、天候など、様々な情報が表示される。
【００６４】
上述したように、本構成の高度計２００は、センサーデバイス１（または２，３のいずれか）を備えていることから、上記各実施形態及び変形例に記載の効果が奏され、優れた性能（例えば、高感度な高度検出性能など）を発揮することができる。
なお、上述したセンサーデバイスを備えている携帯機器としては、上記高度計の他に、例えば、携帯電話、腕時計型多機能端末、タブレット型多機能端末などが挙げられる。
【００６５】
（電子機器）
次に、上述したセンサーデバイスを備えている電子機器について説明する。
図１１は、センサーデバイスを備えている電子機器の一例としてのナビゲーションシステムを示す模式正面図である。
【００６６】
図１１に示すように、ナビゲーションシステム３００は、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサー及び加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、センサーデバイス１（または２，３のいずれか）と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１と、を備えている。
【００６７】
このナビゲーションシステム３００は、取得した位置情報に加えてセンサーデバイス１（または２，３のいずれか）により高度情報を取得することができる。
従来の、高度情報を持たないナビゲーションシステムでは、一般道路と高架道路とが重なって設けられている場合、一般道路と高架道路との判別ができないことから、高架道路を走行していても優先情報として一般道路走行におけるナビゲーション情報を使用者に提供していたという問題があった。
これに対して、ナビゲーションシステム３００では、高度情報を取得することにより、一般道路と高架道路との判別が可能となることから、高架道路走行時において高架道路走行におけるナビゲーション情報を使用者に確実に提供することができる。
【００６８】
なお、ナビゲーションシステム３００の表示部３０１は、例えば、液晶パネルディスプレイや、有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイなどを用いることにより、小型かつ薄型化が可能な構成となっている。
【００６９】
上述したように、本構成のナビゲーションシステム３００は、センサーデバイス１（または２，３のいずれか）を備えていることから、上記各実施形態及び変形例に記載の効果が奏され、優れた性能（例えば、高感度な高度情報の取得による精度の高いナビゲーション情報の提供など）を発揮することができる。
【００７０】
なお、上述したセンサーデバイスを備えている電子機器としては、上記ナビゲーションシステムの他に、例えば、パーソナルコンピューター、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーターなどが挙げられる。
【００７１】
（移動体）
次に、上述したセンサーデバイスを備えている移動体について説明する。
図１２は、センサーデバイスを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図である。
【００７２】
図１２に示すように、自動車４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２と、を有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。
自動車４００は、センサーデバイス１（または２，３のいずれか）を、例えば、搭載されているナビゲーション装置、姿勢制御装置などの高度検出センサーや、車輪４０２の空気圧検出センサーなどとして用いている。
これによれば、自動車４００は、センサーデバイス１（または２，３のいずれか）を備えていることから、上記各実施形態及び変形例に記載の効果が奏され、優れた性能（例えば、高度に応じた精度の高いナビゲーション性能、高度に応じた応答性の高い姿勢制御性能、感度の高い空気圧管理性能など）を発揮することができる。
【００７３】
上述したセンサーデバイスは、上記自動車４００に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の、例えば高度検出センサーなどとして好適に用いることができ、いずれの場合にも、上記各実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮する移動体を提供することができる。
【００７４】
本発明は、上記実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００７５】
１，２，３…センサーデバイス、１０…センサー素子、１０ａ…センサー素子端部としての第１辺、１０ｂ…底面、１０ｃ…センサー素子端部としての第２辺、１０ｄ…センサー素子端部としての第３辺、１０ｅ…センサー素子端部としての第４辺、１１…端子部、１２…半導体基板、１２ａ…第１シリコン層、１２ｂ…シリコン酸化膜、１２ｃ…第２シリコン層、１３…ダイアフラム部、１４，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ…ピエゾ抵抗素子、１５…空洞部、１６…壁部、１７…ブリッジ回路、２０…基板、２１…ベース層、２２…リードパターン層、２３…実装部、２４…接続部、２５…開口部、２５ａ…第１長辺、２５ｂ…第２長辺、２５ｃ…第１短辺、２５ｄ…第２短辺、２６…接続端子部、３０…容器、３１…第１容器、３２…第２容器、３３…開口部、３４…内底面、３５…内部空間、４０…充填部材、４１…凹み、５０…突起部、５１…突起部の外周、６０…ＩＣチップ、６０ａ…ＩＣチップ端部としての第１辺、６０ｂ…ＩＣチップ端部としての第２辺、６０ｃ…ＩＣチップ端部としての第３辺、６０ｄ…ＩＣチップ端部としての第４辺、６１…端子部、７０…ボンディングワイヤー、８０…接合部材、２００…携帯機器としての高度計、２０１…表示部、３００…電子機器としてのナビゲーションシステム、３０１…表示部、４００…移動体としての自動車、４０１…車体、４０２…車輪。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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