(57)【要約】【課題】高い歩留まりを有することができる発光装置を提供する。【解決手段】電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、前記第２クラッド層と前記第２電極との間に設けられ、開口部が設けられた絶縁層と、を含み、前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、前記光導波路は、光を出射する光出射面を有し、前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記光出射面と、前記開口部の前記光出射面側の端部と、の間に、前記第２電極が設けられている、ことを特徴とする発光装置。【選択図】図１
2017224703.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、
前記第２クラッド層と前記第２電極との間に設けられ、開口部が設けられた絶縁層と、
を含み、
前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、光を出射する光出射面を有し、
前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記光出射面と、前記開口部の前記光出射面側の端部と、の間に、前記第２電極が設けられている、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第２クラッド層は、前記積層方向からみて、前記光導波路と重なる領域にリッジ部を有し、
前記積層方向からみて、前記光出射面と、前記リッジ部の前記光出射面側の端部と、の間に、前記第２電極が設けられている、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記光導波路は、利得導波型である、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記積層方向からみて、前記光出射面と、前記開口部の前記光出射面側の前記端部と、の間の前記光導波路の延在方向における距離は、１００μｍ以下である、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記積層方向からみて、前記光出射面と、前記開口部の前記光出射面側の前記端部と、の間の前記光導波路の延在方向における距離は、５μｍ以上である、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記活性層、前記第１クラッド層、前記第２クラッド層、前記第１電極、および第２電極を有する発光素子と、
前記発光素子がジャンクションダウンで実装されている実装基板と、
を含む、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置と、
前記発光装置から出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置およびプロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザーやスーパールミネッセントダイオード（Ｓｕｐｅｒ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ、以下「ＳＬＤ」ともいう）などの半導体発光装置は、例えば、プロジェクターの光源として用いられる。ＳＬＤは、通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザー同様に単一の素子で数百ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体発光装置である。
【０００３】
例えば特許文献１には、出射端側から他端側へ向けてストライプ上に延び活性層に電流を注入するための電流注入部を備えたスーパールミネッセントダイオードが記載されている。電流注入部は、誘電体層に設けられた開口部における、コンタクト層と電極との接触領域である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−６８５５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のような発光装置において、誘電体層（絶縁層）に開口部を設けることにより段差が生じる場合があり、例えば劈開により光出射面を形成する際に、該段差によって、電極が所望の位置で分断されず、該電極が光出射面側へ垂れて出射光を遮ることがあった。そのため、歩留まりが低下することがあった。
【０００６】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、高い歩留まりを有することができる発光装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記発光装置を含むプロジェクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る発光装置は、
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、
前記第２クラッド層と前記第２電極との間に設けられ、開口部が設けられた絶縁層と、
を含み、
前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、光を出射する光出射面を有し、
前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記光出射面と、前記開口部の前記光出射面側の端部と、の間に、前記第２電極が設けられている。
【０００８】
このような発光装置では、開口部は、平面視において、光出射面と離間して設けられている。そのため、このような発光装置では、光出射面において（光出射面近傍において）絶縁層に開口部を設けることによる段差がない。したがって、このような発光装置では、例えば劈開により光出射面を形成する際に、第２電極を所望の位置で分断しやすく、第２電極が光出射面側へ垂れて出射光を遮る可能性を小さくすることができる。よって、このような発光装置では、高い歩留まりを有することができる。
【０００９】
なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ａ部材」という）に「電気的に接続」された他の特定の部材（以下「Ｂ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ部材とＢ部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、Ａ部材とＢ部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。
【００１０】
本発明に係る発光装置において、
前記第２クラッド層は、前記積層方向からみて、前記光導波路と重なる領域にリッジ部を有し、
前記積層方向からみて、前記光出射面と、前記リッジ部の前記光出射面側の端部と、の間に、前記第２電極が設けられていてもよい。
【００１１】
このような発光装置では、リッジ部は、平面視において、光出射面と離間して設けられている。そのため、このような発光装置では、光出射面において（光出射面近傍において）第２クラッド層に溝部を設けることによる段差がない。したがって、このような発光装置では、例えば劈開により光出射面を形成する際に、第２電極をより所望の位置で分断しやすく、第２電極が光出射面側へ垂れて出射光を遮る可能性を、より小さくすることができる。
【００１２】
本発明に係る発光装置において、
前記光導波路は、利得導波型であってもよい。
【００１３】
このような発光装置では、リッジ部を形成するための溝部が設けられていないため、屈折率導波型の発光装置に比べて、製造工程を簡易にすることができる。
【００１４】
本発明に係る発光装置において、
前記積層方向からみて、前記光出射面と、前記開口部の前記光出射面側の前記端部と、の間の前記光導波路の延在方向における距離は、１００μｍ以下であってもよい。
【００１５】
このような発光装置では、開口部が平面視において光出射面と離間していても、開口部から注入される電流は、拡散されて光出射面まで到達することができ、光導波路における光損失を抑えることができる。
【００１６】
前記積層方向からみて、前記光出射面と、前記開口部の前記光出射面側の前記端部と、の間の前記光導波路の延在方向における距離は、５μｍ以上であってもよい。
【００１７】
このような発光装置では、製造時の劈開ずれがある場合でも高い歩留まりを有することができる。
【００１８】
本発明に係る発光装置において、
前記活性層、前記第１クラッド層、前記第２クラッド層、前記第１電極、および第２電極を有する発光素子と、
前記発光素子がジャンクションダウンで実装されている実装基板と、
を含んでもよい。
【００１９】
このような発光装置、光導波路において発生した熱を、第２電極を介して、実装基板に放出することができる。
【００２０】
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
【００２１】
このようなプロジェクターは、高輝度化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図２】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図３】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図４】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す平面図。
【図７】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す平面図。
【図８】参考例に係る発光装置の製造工程を模式的に示す平面図。
【図９】参考例に係る発光装置の製造工程を模式的に示す平面図。
【図１０】本実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１１】本実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１２】本実施形態の第３変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１３】本実施形態の第４変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１４】本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２４】
１．  発光装置
まず、本実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。図２は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【００２５】
発光装置１００は、図１〜図３に示すように、基板１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、コンタクト層１１０と、絶縁層１１２と、第１電極１２０と、第２電極１２２と、を含む。なお、便宜上、図１では、第２電極１２２の図示を省略している。
【００２６】
基板１０２は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板である。
【００２７】
第１クラッド層１０４は、基板１０２上に設けられている。第１クラッド層１０４は、例えば、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層である。なお、図示はしないが、基板１０２と第１クラッド層１０４との間に、バッファー層が形成されていてもよい。バッファー層は、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などである。バッファー層は、その上方に形成される層の結晶品質を向上させることができる。
【００２８】
活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に設けられている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。
【００２９】
活性層１０６は、図１に示すように、第１側面１０６ａと、第２側面１０６ｂと、を有している。側面１０６ａ，１０６ｂは、互いに反対方向を向く面（図示の例では平行な面）である。側面１０６ａ，１０６ｂは、クラッド層１０４，１０８に面状に接していない面である。側面１０６ａ，１０６ｂは、劈開によって形成された劈開面である。
【００３０】
活性層１０６は、電流が注入されて光を発生させることが可能な層である。活性層１０６は、光を導波させる光導波路１６０を構成している。光導波路１６０を導波する光は、光導波路１６０において利得を受けることができる。
【００３１】
光導波路１６０は、活性層１０６および第１クラッド層１０４の積層方向からみて（以下、「平面視において」ともいう）、第１側面１０６ａから第２側面１０６ｂまで延在している。光導波路１６０は、光を出射する第１光出射面１７０および第２光出射面１７２を有している。第１光出射面１７０は、光導波路１６０の第１側面１０６ａとの接続部である。第２光出射面１７２は、光導波路１６０の第２側面１０６ｂとの接続部である。光導波路１６０は、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面の法線Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。図示の例では、第１光出射面１７０の中心と第２光出射面１７２の中心とを通る仮想直線（中心線α）は、法線Ｐ１，Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。
【００３２】
光導波路１６０は、例えば、平面視において、一定の幅を有し、光導波路の延在方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を有している。なお、光導波路１６０の延在方向とは、例えば、平面視における、中心線αの延在方向である。
【００３３】
第２クラッド層１０８は、活性層１０６上に設けられている。第２クラッド層１０８は、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＩｎＧａＡｌＰ層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６よりもバンドギャップが大きく、屈折率が小さい層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光の漏れを抑制する機能を有している。
【００３４】
発光装置１００では、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光装置１００では、電極１２０，１２２間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、光導波路１６０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、光導波路１６０で光の強度が増幅される。光導波路１６０は、光を導波させる活性層１０６と、光の漏れを抑制するクラッド層１０４，１０８と、によって構成されている。
【００３５】
第２クラッド層１０８は、活性層１０６の第１側面１０６ａと連続する第３側面１０８ａと、活性層１０６の第２側面１０６ｂと連続する第４側面１０８ｂと、を有している。側面１０８ａ，１０８ｂは、劈開によって形成された劈開面である。
【００３６】
第２クラッド層１０８は、平面視において、光導波路１６０と重なる領域にリッジ部１０９を有している。第２クラッド層１０８には、リッジ部１０９を形成するための第１溝部１５０および第２溝部１５２が設けられている。溝部１５０，１５２は、平面視において、光導波路１６０に沿って設けられている。リッジ部１０９は、平面視において、第１溝部１５０と第２溝部１５２との間に設けられている。図示の例では、リッジ部１０９および溝部１５０，１５２の平面形状は、平行四辺形である。
【００３７】
リッジ部１０９は、側面１０８ａ，１０８ｂと離間して設けられている。すなわち、リッジ部１０９は、平面視において、光出射面１７０，１７２と（活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂと）離間して設けられている。光導波路１６０は、平面視において、リッジ部１０９と重なっている第１領域１６１と、リッジ部１０９と重なっていない第２領域１６２と、を有している。図示の例では、平面視において、第２領域１６２は、開口部１１３と重なっていない。溝部１５０，１５２は、側面１０８ａ，１０８ｂと離間して設けられている。すなわち、溝部１５０，１５２は、平面視において、活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂと離間して設けられている。
【００３８】
平面視において、第１光出射面１７０と、リッジ部１０９の第１光出射面１７０側の端部１０９ａと、の間には、第２電極１２２が設けられている。平面視において、第２光出射面１７２と、リッジ部１０９の第２光出射面１７２側の端部１０９ｂと、の間には、第２電極１２２が設けられている。図示の例では、端部１０９ａは、平面視において、リッジ部１０９の外縁の一部であって、第１側面１０６ａ側に位置し、第１側面１０６ａと平行な部分である。端部１０９ｂは、平面視において、リッジ部１０９の外縁の一部であって、第２側面１０６ｂ側に位置し、第２側面１０６ｂと平行な部分である。
【００３９】
リッジ部１０９および溝部１５０，１５２は、側面１０８ａ，１０８ｂと離間して設けられているため、図３に示すように、平面視において光出射面１７０，１７２近傍では、溝部１５０，１５２を設けることによる段差がない。図３に示す例では、第２クラッド層１０８の上面は、平坦な面である。図２に示すように、第２クラッド層１０８に溝部１５０，１５２を設けている箇所では、溝部１５０，１５２を設けたことによる段差が（溝部１５０，１５２を規定する第２クラッド層１０８の側面が）存在している。
【００４０】
コンタクト層１１０は、第２クラッド層１０８上に設けられている。コンタクト層１１０は、リッジ部１０９と第２電極１２２との間に設けられている。コンタクト層１１０は、溝部１５０，１５２の内面（溝部１５０，１５２を規定する第２クラッド層１０８の面）には設けられていない。コンタクト層１１０は、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層である。コンタクト層１１０は、第２電極１２２とオーミックコンタクトしている。コンタクト層１１０は、クラッド層１０４，１０８よりも導電性の高い層である。
【００４１】
リッジ部１０９、およびリッジ部１０９上に設けられたコンタクト層１１０は、柱状部１１１を構成している。柱状部１１１が形成された部分の垂直断面の有効屈折率は、溝部１５０，１５２が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも大きい。そのため、発光装置１００では、面内方向（活性層１０６および第１クラッド層１０４の積層方向と直交する方向）に光を閉じ込めるとともに、面内方向における電流の拡散を抑制することができる。光導波路１６０は、屈折率導波型の光導波路である。すなわち、発光装置１００は、屈折率導波型の発光装置である。
【００４２】
絶縁層１１２は、第２クラッド層１０８と第２電極１２２との間に設けられている。図２に示す例では、絶縁層１１２は、コンタクト層１１０上および溝部１５０，１５２の内面に設けられている。絶縁層１１２は、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層である。絶縁層１１２は、第２クラッド層１０８の屈折率よりも小さい屈折率を有している。
【００４３】
絶縁層１１２は、第２クラッド層１０８の第３側面１０８ａと連続する第５側面１１２ａと、第２クラッド層１０８の第４側面１０８ｂと連続する第６側面１１２ｂと、を有している。側面１１２ａ，１１２ｂは、劈開によって形成された劈開面である。
【００４４】
絶縁層１１２には、開口部１１３が設けられている。開口部１１３は、例えば、平面視において、リッジ部１０９と重なる位置に設けられている。開口部１１３は、コンタクト層１１０が露出するように絶縁層１１２を貫通している。図示の例では、開口部１１３の平面形状は、平行四辺形である。電極１２０，１２２間の電流は、絶縁層１１２を避けて、開口部１１３から活性層１０６へ注入される。
【００４５】
開口部１１３は、側面１１２ａ，１１２ｂと離間して設けられている。すなわち、開口部１１３は、平面視において、光出射面１７０，１７２と（活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂと）離間して設けられている。
【００４６】
平面視において、第１光出射面１７０と、開口部１１３の第１光出射面１７０側の端部１１３ａと、の間には、第２電極１２２が設けられている。平面視において、第２光出射面１７２と、絶縁層１１２の第２光出射面１７２側の端部１１３ｂと、の間には、第２電極１２２が設けられている。図示の例では、端部１１３ａは、平面視において、開口部１１３の外縁の一部であって、第１側面１０６ａ側に位置し、第１側面１０６ａと平行な部分である。端部１１３ｂは、平面視において、開口部１１３の外縁の一部であって、第２側面１０６ｂ側に位置し、第２側面１０６ｂと平行な部分である。
【００４７】
平面視において、第１光出射面１７０と端部１１３ａとの間の光導波路１６０の延在方向における距離Ｄ１は、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下である。平面視において、第２光出射面１７２と端部１１３ｂとの間の光導波路１６０の延在方向における距離Ｄ２は、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下である。距離Ｄ１，Ｄ２は、光導波路１６０の中心線αに沿った方向の距離である。
【００４８】
図示の例では、平面視において、第１光出射面１７０とリッジ部１０９の端部１０９ａとの間の光導波路１６０の延在方向における距離は、距離Ｄ１と同じ大きさであり、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下である。平面視において、第２光出射面１７２とリッジ部１０９の端部１０９ｂとの間の光導波路１６０の延在方向における距離は、距離Ｄ２と同じ大きさであり、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下である。
【００４９】
開口部１１３は、側面１１２ａ，１１２ｂと離間して設けられているため、図３に示すように、平面視において光出射面１７０，１７２近傍では、開口部１１３を設けることによる段差がない。図３に示す例では、第２電極１２２の上面は、平坦な面である。図２に示すように、絶縁層１１２に開口部１１３を設けている箇所では、開口部１１３を設けたことによる段差が（開口部１１３を規定する絶縁層１１２の側面が）存在している。
【００５０】
なお、図１に示す例では、光導波路１６０の第２領域１６２の平面形状は、平行四辺形であるが、第２領域１６２ではリッジ部１０９が設けられていない。そのため、第１側面１０６ａ側の第２領域１６２の平面形状は、端部１０９ａから第１側面１０６ａに向けて幅が広くなるテーパー形状であってもよいし、第２側面１０６ｂ側の第２領域１６２の平面形状は、端部１０９ｂから第２側面１０６ｂに向けて幅が広くなるテーパー形状であってもよい。
【００５１】
第１電極１２０は、基板１０２の下に設けられている。第１電極１２０は、第１電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）の下面に設けられている。第１電極１２０は、第１クラッド層１０４と電気的に接続されている。第１電極１２０は、発光装置１００を駆動する（活性層１０６に電流を注入する）ための一方の電極である。第１電極１２０としては、例えば、第１クラッド層１０４側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。
【００５２】
第２電極１２２は、柱状部１１１上および絶縁層１１２上に設けられている。第２電極１２２は、例えば、平面視において、光出射面１７０，１７２の上方に設けられている。図示の例では、開口部１１３は、第２電極１２２によって充填されており、開口部１１３において、第２電極１２２とコンタクト層１１０とは、接触している。第２電極１２２は、第２クラッド層１０８と電気的に接続されている。図示の例では、第２電極１２２は、コンタクト層１１０を介して、第２クラッド層１０８と電気的に接続されている。第２電極１２２は、発光装置１００を駆動する（活性層１０６に電流を注入する）ための他方の電極である。第２電極１２２としては、例えば、柱状部１１１側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。
【００５３】
なお、図示はしないが、活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂには、反射防止（ＡＲ：Ａｎｔｉ?Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）膜が設けられていてもよい。これにより、光出射面１７０，１７２から光を効率よく射出することができる。
【００５４】
また、図示はしないが、活性層１０６の第２側面１０６ｂには、高反射（ＨＲ：Ｈｉｇｈ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）膜が設けられていてもよい。この場合、光導波路１６０の第２側面１０６ｂとの接続部は、光反射面となり、発光装置１００は、光導波路１６０の片側から光を出射することができる。反射防止膜および高反射膜は、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜である。
【００５５】
また、上記では、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光装置１００について説明したが、本発明に係る発光装置、光導波路が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
【００５６】
発光装置１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。
【００５７】
発光装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００５８】
発光装置１００では、平面視において、第１光出射面１７０と開口部１１３の端部１１３ａとの間、および第２光出射面１７２と開口部１１３の端部１１３ｂとの間に、第２電極１２２が設けられている。すなわち、開口部１１３は、平面視において、光出射面１７０，１７２と離間して設けられている。そのため、発光装置１００では、光出射面１７０，１７２において（光出射面１７０，１７２近傍において）絶縁層１１２に開口部１１３を設けることによる段差がない。したがって、発光装置１００では、例えば劈開により光出射面１７０，１７２を形成する際に、第２電極１２２を所望の位置で分断しやすく、第２電極１２２が光出射面１７０，１７２側へ垂れて出射光を遮る可能性を小さくすることができる。よって、発光装置１００では、高い歩留まりを有することができる。
【００５９】
例えば平面視において光出射面まで絶縁層の開口部が延在している場合は、開口部を設けたことによる段差によって、第２電極が所望の位置で分断されず、第２電極が光出射面側へ垂れて出射光を遮ることがある。例えば、開口部の側面（開口部を規定する絶縁層の側面）では、第２電極を均一性よく成膜することが困難であり、第２電極が所望の位置で分断されない場合がある。特に、第２電極としてＡｕ層を含む材料を用いる場合は、延性および展性により、分断され難く、第２電極が活性層の側面側に垂れやすい。
【００６０】
さらに、発光装置１００では、第２電極１２２を所望の位置で分断しやすいため、例えば劈開により光出射面１７０，１７２を形成する際に、第２電極１２２が垂れて第１クラッド層１０４と接触しショートする可能性を小さくすることができる。
【００６１】
さらに、発光装置１００では、平面視において、第１光出射面１７０と開口部１１３の端部１１３ａとの間、および第２光出射面１７２と開口部１１３の端部１１３ｂとの間に、第２電極１２２が設けられているため、光出射面１７０，１７２における（光出射面１７０，１７２近傍における）放熱性を向上させることができる。その結果、発光装置１００では、高効率化および高出力化を図ることができ、さらにＣＯＤ（Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄａｍａｇｅ）の発生を抑制することができる。
【００６２】
発光装置１００では、平面視において、第１光出射面１７０とリッジ部１０９の端部１０９ａとの間、および第２光出射面１７２とリッジ部１０９の端部１０９ｂとの間に、第２電極１２２が設けられている。すなわち、リッジ部１０９は、平面視において、光出射面１７０，１７２と離間して設けられている。そのため、発光装置１００では、光出射面１７０，１７２において（光出射面１７０，１７２近傍において）第２クラッド層１０８に溝部１５０，１５２を設けることによる段差がない。したがって、発光装置１００では、例えば劈開により光出射面１７０，１７２を形成する際に、第２電極１２２をより所望の位置で分断しやすく、第２電極１２２が光出射面１７０，１７２側へ垂れて出射光を遮る可能性を、より小さくすることができる。
【００６３】
発光装置１００では、平面視において、第１光出射面１７０と開口部１１３の端部１１３ａとの間の光導波路１６０の延在方向における距離Ｌ１、および第２光出射面１７２と開口部１１３の端部１１３ｂとの間の光導波路１６０の延在方向における距離Ｌ２は、１００μｍ以下である。そのため、発光装置１００では、開口部１１３が平面視において光出射面１７０，１７２と離間していても、開口部１１３から注入される電流は、平面方向に拡散され光出射面１７０，１７２まで到達することができ、光導波路１６０における光損失を抑えることができる。
【００６４】
発光装置１００では、平面視において、第１光出射面１７０と開口部１１３の端部１１３ａとの間の光導波路１６０の延在方向における距離Ｌ１、および第２光出射面１７２と開口部１１３の端部１１３ｂとの間の光導波路１６０の延在方向における距離Ｌ２は、５μｍ以上である。そのため、発光装置１００では、製造時に光出射面１７０，１７２を形成する位置と設計値の間にずれが生じた場合でも、開口部１１３が平面視において光出射面１７０，１７２と離間するため、より高い歩留まりを有することができる。また、発光装置１００では、劈開ずれがある場合でも高い歩留まりを有することができる。
【００６５】
発光装置１００では、光導波路１６０は、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面１７２の法線Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。そのため、発光装置１００では、光導波路１６０において発生する光を、光出射面１７０，１７２間で直接的に多重反射させることを抑制することができる。これにより、発光装置１００では、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路１６０において発生する光のレーザー発振を抑制することができる。その結果、発光装置１００は、スペックルノイズを低減することができる。発光装置１００は、光導波路１６０において発生する光のレーザー発振を抑制することができるＳＬＤである。
【００６６】
発光装置１００では、光導波路１６０において発生する光を、光出射面１７０，１７２間で直接的に多重反射させることを抑制することができる。そのため、発光装置１００では、光を多重反射させるレーザーに比べて、リッジ部１０９が光出射面１７０，１７２にまで到達していないことによる光の損失を低減させることができる。例えば活性層の側面間で光を直接的に多重反射させるレーザーでは、リッジ部が設けられていない領域を光が往復するため、光の損失が増加する場合がある。
【００６７】
２．  発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４および図５は、本実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。図６および図７は、本実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す平面図である。
【００６８】
図４に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法が挙げられる。
【００６９】
図５に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８をパターニングして、溝部１５０，１５２を形成し、リッジ部１０９を有する柱状部１１１を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
【００７０】
図２に示すように、コンタクト層１１０上および第２クラッド層１０８上に絶縁層１１２を形成する。絶縁層１１２は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（より具体的にプラズマＣＶＤ法）や塗布法などにより形成される。絶縁層１１２は、例えば、全面に形成される。
【００７１】
次に、絶縁層１１２をパターニングして、開口部１１３を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
【００７２】
次に、コンタクト層１１０上に第２電極１２２を形成する。次に、基板１０２の下面に第１電極１２０を形成する。電極１２０，１２２は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などにより形成される。第２電極１２２は、例えば、全面に形成される。なお、電極１２０，１２２の形成順序は、特に限定されない。
【００７３】
図６に示すように、基板１０２、クラッド層１０４，１０８、活性層１０６、コンタクト層１１０、絶縁層１１２、および電極１２０，１２２を有する積層体１０１に対して、劈開するための劈開位置Ａを決定する。例えば積層体１０１をけがいて、劈開位置Ａを決定する。
【００７４】
図７に示すように、積層体１０１を劈開して、活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂを露出させる。なお、図６および図７では、積層体１０１は、複数の開口部１１３を有しているが、その数は特に限定されず、１つでもよい。
【００７５】
次に、積層体１０１を所望の形状にする。例えば積層体１０１を、図１に示すような長方形にする。積層体１０１を所望の形状する方法としては、特に限定されず、例えば、劈開や、フォトリソグラフィーおよびエッチングパターニングが挙げられる。
【００７６】
以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。
【００７７】
発光装置１００の製造方法では、開口部１１３および溝部１５０，１５２が劈開位置Ａと重ならないため、第２電極１２２を、劈開位置Ａにおいて分断しやすい。
【００７８】
例えば図８に示すように、開口部１１１３および溝部１１５０，１１５２が劈開位置Ａと重なる場合は、図９に示すように、開口部１１１３と劈開位置Ａとが重なる位置、および溝部１１５０，１１５２と劈開位置Ａとが重なる位置において、第２電極１１２２が劈開位置Ａにおいて分断されない可能性が高い。
【００７９】
３．  発光装置の変形例
３．１．  第１変形例
次に、本実施形態の第１変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１０は、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す断面図である。
【００８０】
以下、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００において、上述した本実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。このことは、以下に示す本実施形態の第２，第３，第４変形例に係る発光装置についても同様である。
【００８１】
発光装置２００では、図１０に示すように、発光素子２０２が実装基板２１０にジャンクションダウンで実装されている点において、上述した発光装置１００と異なる。発光装置２００は、発光素子２０２と、実装基板２１０と、を含む。
【００８２】
発光素子２０２は、基板１０２、クラッド層１０４，１０８、活性層１０６、コンタクト層１１０、絶縁層１１２、および電極１２０，１２２を有している。
【００８３】
実装基板２１０は、発光素子２０２が実装されている基板である。実装基板２１０の材質は、例えば、セラミックスや金属であり、発光素子２０２が実装されることができれば、特に限定されない。発光素子２０２は、第２電極１２２側を実装基板２１０に向けて、実装基板２１０に実装されている（ジャンクションダウン）。発光素子２０２は、例えば、接続部材２０４によって実装基板２１０に接続されている。接続部材２０４は、銀ペーストであってもよく、めっき法により形成された金層と該金層下に設けられた銀ペーストとの積層体であってもよい。
【００８４】
発光装置２００では、発光素子２０２は、実装基板２１０にジャンクションダウンで実装されている。そのため、発光装置２００では、光導波路１６０において発生した熱を、第２電極１２２および接続部材２０４を介して、実装基板２１０に放出することができる。発光装置２００では、平面視において、光出射面１７０，１７２と重なる領域にも第２電極１２２が設けられているため、光導波路１６０において発生した熱を、効率よく実装基板２１０に放出することができる。
【００８５】
３．２．  第２変形例
次に、本実施形態の第２変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１１は、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す断面図である。
【００８６】
上述した発光装置１００では、図２に示すように、光導波路１６０は、屈折率導波型の光導波路であった。これに対し、発光装置３００では、図１１に示すように、光導波路１６０は、利得導波型の光導波路である。すなわち、発光装置３００は、利得導波型の発光装置である。発光装置３００では、リッジ部１０９および溝部１５０，１５２は、設けられておらず、活性層１０６の電流が注入された領域がそのまま光導波路１６０となる。
【００８７】
発光装置３００では、溝部１５０，１５２が設けられていないため、発光装置１００に比べて、製造工程を簡易にすることができる。
【００８８】
なお、図示はしないが、発光装置３００において、上述した発光装置２００のように、発光素子が実装基板にジャンクションダウンで実装されていてもよい。
【００８９】
３．３．  第３変形例
次に、本実施形態の第３変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１２は、本実施形態の第３変形例に係る発光装置４００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１２では、第２電極１２２の図示を省略している。
【００９０】
上述した発光装置１００では、図１に示すように、光導波路１６０は、平面視において、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面の法線Ｐ２に対して傾いた方向に延在していた。これに対し、発光装置４００では、図１２に示すように、光導波路１６０は、平面視において、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面の法線Ｐ２に沿う方向に延在している。図示の例では、光導波路１６０の中心線αは、法線Ｐ１，Ｐ２と平行である。
【００９１】
発光装置４００では、活性層１０６の第１側面１０６ａには、低反射（ＬＲ：Ｌｏｗ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）膜４０２が設けられ、活性層１０６の第２側面１０６ｂには、高反射膜４０４が設けられている。これにより、発光装置４００では、光導波路１６０において発生する光に対して、第１側面１０６ａにおける反射率を、第２側面１０６ｂにおける反射率よりも低くすることができる。光導波路１６０の第１側面１０６ａとの接続部は、光を出射する光出射面１７０であり、光導波路１６０の第２側面１０６ｂとの接続部は、光を反射させる光反射面４７０である。光導波路１６０にて発生する光は、光出射面１７０と光反射面４７０との間を往復することでレーザー発振が起こり、光出射面１７０から出射される。発光装置４００は、レーザーである。
【００９２】
低反射膜４０２および高反射膜４０４は、例えば、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜である。低反射膜４０２および高反射膜４０４は、例えば、ＣＶＤ法、真空蒸着法により形成される。
【００９３】
発光装置４００では、開口部１１３は、絶縁層１１２の第６側面１１２ｂに接続され、溝部１５０，１５２は、第２クラッド層１０８の第４側面１０８ｂに接続されている。すなわち、開口部１１３および溝部１５０，１５２は、平面視において、活性層１０６の第２側面１０６ｂに接続されている。そのため、発光装置４００では、光導波路１６０の第２側面１０６ｂ近傍での光損失を抑えることができる。
【００９４】
なお、発光装置４００において、低反射膜４０２の代わりに反射防止膜を用いてもよい。この場合、発光装置４００は、ＳＬＤである。この場合、光導波路１６０において発生する光に対して、反射防止膜が設けられた第１側面１０６ａの反射率は、低反射膜が設けられた第１側面１０６ａの反射率よりも低くなる。
【００９５】
また、図示はしないが、発光装置４００において、上述した発光装置２００のように、発光素子が実装基板にジャンクションダウンで実装されていてもよい。また、発光装置４００は、上述した発光装置３００のように、利得導波型の発光装置であってもよい。
【００９６】
３．４．  第４変形例
次に、本実施形態の第４変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１３は、本実施形態の第４変形例に係る発光装置５００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１３では、第２電極１２２の図示を省略している。
【００９７】
上述した発光装置１００では、図１に示すように、光導波路１６０は、１つ設けられていた。これに対し、発光装置５００では、図１４に示すように、光導波路１６０は、複数設けられている。図示の例では、光導波路１６０は、３つ設けられている。複数の光導波路１６０は、平面視において、活性層１０６の第１側面１０６ａから第２側面１０６ｂに向かう方向と直交する方向に配列されている。
【００９８】
発光装置５００では、光導波路１６０は、複数設けられている。そのため、発光装置５０では、例えば発光装置１００に比べて、より高出力化を図ることができる。
【００９９】
なお、図示はしないが、発光装置５００において、上述した発光装置２００のように、発光素子が実装基板にジャンクションダウンで実装されていてもよい。また、発光装置５００は、上述した発光装置３００のように、利得導波型の発光装置であってもよい。また、発光装置５００は、上述した発光装置４００のように、光導波路１６０は、平面視において、法線Ｐ１，Ｐ２に沿う方向に延在していてもよい。
【０１００】
４．  プロジェクター
次に、本実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図１４は、本実施形態に係るプロジェクター９００を模式的に示す図である。
【０１０１】
プロジェクター９００は、図１４に示すように、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源５００Ｒ、緑色光源５００Ｇ、青色光源５００Ｂを含む。赤色光源５００Ｒ、緑色光源５００Ｇ、青色光源５００Ｂは、本発明に係る発光装置である。以下では、本発明に係る発光装置として上述した発光装置５００を用いた例について説明する。なお、便宜上、図１４では、プロジェクター９００を構成する筐体を省略し、さらに光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂを簡略化している。
【０１０２】
プロジェクター９００は、さらに、レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂと、投射レンズ（投射装置）９０８と、を含む。
【０１０３】
光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂから出射された光は、各レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂに入射する。レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂ側に、第１光出射面１７０から出射される光が入射する入射面９０１を有している。入射面９０１は、例えば、平坦な面である。入射面９０１は、複数の第１光出射面１７０に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。入射面９０１の法線（図示せず）は、第１側面１０６ａに対して傾斜している。入射面９０１によって、第１光出射面１７０から出射される光の光軸を、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂの照射面９０５に対して、直交させることができる。
【０１０４】
レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂ側に、出射面９０３を有している。出射面９０３は、例えば、凸状の面である。出射面９０３は、複数の入射面９０１に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。入射面９０１において光軸が変換された光は、出射面９０３によって、集光される、または拡散角を小さくされることにより、重畳（一部重畳）されることができる。これにより、均一性よく液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂを照射することができる。
【０１０５】
以上のように、レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、第１光出射面１７０から出射される光の光軸を制御して、該光を集光させることができる。
【０１０６】
各レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂによって集光された光は、各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂに入射する。各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂは、入射した光をそれぞれ画像情報に応じて変調する。そして、投射レンズ９０８は、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂによって形成された像（画像）を拡大してスクリーン（表示面）９１０に投射する。
【０１０７】
また、プロジェクター９００は、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂから出射された光を合成して投射レンズ９０８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）９０６を、含むことができる。
【０１０８】
各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム９０６に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射光学系である投射レンズ９０８によりスクリーン９１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
【０１０９】
なお、図１４に示す例では、第２側面１０６ｂに設けられた第２光出射面１７２から出射される光については図示していないが、該光は、図示せぬ反射部およびレンズアレイに入射した後、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂに入射してもよい。
【０１１０】
プロジェクター９００では、高出力化を図ることができる発光装置５００を含むことができる。そのため、プロジェクター９００では、高輝度化を図ることができる。
【０１１１】
プロジェクター９００は、発光装置５００を液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂの直下に配置し、９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂを用いて集光と均一照明とを同時に行う方式（バックライト方式）である。そのため、プロジェクター９００では、光学系の損失低減と部品点数の削減とを図ることができる。
【０１１２】
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【０１１３】
また、光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂを、光源５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂからの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の光源装置にも適用することが可能である。
【０１１４】
本発明は、本願に記載の特徴や効果を有する範囲で一部の構成を省略したり、各実施形態や変形例を組み合わせたりしてもよい。
【０１１５】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１１６】
１００…発光装置、１０１…積層体、１０２…基板、１０４…第１クラッド層、１０６…活性層、１０６ａ…第１側面、１０６ｂ…第２側面、１０８…第２クラッド層、１０８ａ…第３側面、１０８ｂ…第４側面、１０９…リッジ部、１０９ａ，１０９ｂ…端部、１１０…コンタクト層、１１１…柱状部、１１２…絶縁層、１１２ａ…第５側面、１１２ｂ…第６側面、１１３…開口部、１１３ａ，１１３ｂ…端部、１２０…第１電極、１２２…第２電極、１５０…第１溝部、１５２…第２溝部、１６０…光導波路、１６１…第１領域、１６２…第２領域、１７０…第１光出射面、１７２…第２光出射面、２００…発光装置、２０２…発光素子、２０４…接続部材、２１０…実装基板、３００，４００…発光装置、４０２…低反射膜、４０４…高反射膜、４７０…光反射面、５００…発光装置、９００…プロジェクター、９０１…入射面、９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂ…レンズアレイ、９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂ…液晶ライトバルブ、９０５…照射面、９０６…クロスダイクロイックプリズム、９０８…投射レンズ、９１０…スクリーン、１１２２…第２電極、１１３０…開口部、１１５０，１１５２…溝部
【図１】
2017224703.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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