(57)【要約】【課題】フェーズドアレイの複数の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）トランスデューサが、コンフォーマル超音波走査用にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いてフレキシブル基板に結合される。【解決手段】各トランスデューサはカンチレバーとカンチレバー上に堆積させた磁性体と磁性体に対して位置決めされたソレノイドとを備える。カーボンナノチューブはカンチレバー上に成長し、フレキシブル基板の一方の面をトランスデューサに機械的に結合する。フレキシブル基板の他方の面は検査されている部品の表面に適用され、トランスデューサはプロセッサに電気的に接続され、プロセッサによってソレノイドが活性化されるとカンチレバーの運動を生じさせる。カンチレバーの運動は部品に入り込む超音波を生じさせる力をフレキシブル基板に与えるカーボンナノチューブの運動を生じさせる。超音波からの戻りがプロセッサによって解釈され、部品の画像を生成する。【選択図】図１Ａ
2017194453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品を検査するための装置であって、
フレキシブル基板（１０４）であって、該フレキシブル基板（１０４）の第一面が部品（１１６）の表面（１１４）に適用される、フレキシブル基板（１０４）と、
前記第一面の反対側の前記フレキシブル基板（１０４）の第二面に一つ以上のカーボンナノチューブ（１０６）によって機械的に結合された一つ以上の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）トランスデューサ（１０２）と、を備え、
各ＭＥＭＳトランスデューサ（１０２）が、カンチレバー（１０８）と、前記カンチレバー（１０８）上に堆積させた磁性体（１１０）と、活性化されると前記カンチレバー（１０８）の偏向を生じさせるように前記磁性体（１１０）に対して位置決めされたソレノイド（１１２）と、から成り、
前記カーボンナノチューブ（１０６）が前記カンチレバー（１０８）から成長していて、前記カンチレバー（１０８）の偏向が、前記部品（１１６）に入り込む超音波（１２２）を発生させるように前記フレキシブル基板（１０４）に力を与える前記カーボンナノチューブ（１０６）の運動を生じさせ、
前記ＭＥＭＳトランスデューサ（１０２）のうち一つ以上が、前記超音波（１２２）を発生させ、前記超音波（１２２）からの戻り（１２４）を受信するように動作し、前記戻り（１２４）が前記部品（１１６）を検査するために解釈される、装置。
【請求項２】
前記磁性体（１１０）が硬磁性体（１１０）を備え、前記磁性体（１１０）の双極子に沿って又は逆に整列する磁場（１１８）を発生させるように前記ソレノイド（１１２）に電流が印加され、前記磁場（１１８）が前記カンチレバー（１０８）を面外に屈曲させ、前記カーボンナノチューブ（１０６）を前記カンチレバー（１０８）の偏向によって変位させ、前記フレキシブル基板（１０４）に力を与える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記磁性体（１１０）が軟磁性体（１１０）を備え、前記磁性体（１１０）を分極させる磁場（１１８）を発生させるように前記ソレノイド（１１２）に電流が印加され、前記磁場（１１８）が前記カンチレバー（１０８）を面外に屈曲させ、前記カーボンナノチューブ（１０６）を前記カンチレバー（１０８）の偏向によって変位させ、前記フレキシブル基板（１０４）に力を与える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
部品を検査するための方法であって、
部品（１１６）の表面（１１４）上に走査装置（１００）を配置する配置ステップであって、前記走査装置（１００）が、前記表面（１１４）に適用されるフレキシブル基板（１０４）と、前記フレキシブル基板（１０４）に一つ以上のカーボンナノチューブ（１０６）によって機械的に結合された一つ以上の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）トランスデューサ（１０２）とから成る、配置ステップと、
前記ＭＥＭＳトランスデューサ（１０２）を動作させるように前記走査装置（１００）に命令する命令ステップであって、前記ＭＥＭＳトランスデューサ（１０２）が、超音波（１２２）を発生させる力を前記フレキシブル基板（１０４）に与える前記カーボンナノチューブ（１０６）の運動を生じさせるように動作する、命令ステップと、
前記超音波（１２２）を用いて前記部品（１１６）の表面（１１４）を走査する走査ステップと、
前記部品（１１６）の表面（１１４）からの前記超音波（１２２）の戻り（１２４）を捕捉する捕捉ステップと、を備える方法。
【請求項５】
各ＭＥＭＳトランスデューサ（１０２）が、カンチレバー（１０８）と、前記カンチレバー（１０８）上に堆積させた磁性体（１１０）と、活性化されると前記カンチレバー（１０８）の偏向を生じさせるように前記磁性体（１１０）に対して位置決めされたソレノイド（１１２）と、から成り、前記カーボンナノチューブ（１０６）が前記カンチレバー（１０８）から成長していて、前記カンチレバー（１０８）の偏向が前記カーボンナノチューブ（１０６）の運動を生じさせる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記命令ステップが、前記カンチレバー（１０８）の正又は負の偏向方向を命令することを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記命令ステップが、前記カンチレバー（１０８）上の前記磁性体（１１０）に印加される磁場（１１８）を発生させるように前記ソレノイド（１１２）に電流を印加することを備え、前記カンチレバー（１０８）が前記正又は負の偏向方向で応答する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記命令ステップが、捕捉した前記戻り（１２４）の分析に基づいて前記ＭＥＭＳトランスデューサ（１０２）の前記カンチレバー（１０８）の偏向の変化を命令することを備える、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記命令ステップが、捕捉した前記戻り（１２４）の分析に基づいて前記ＭＥＭＳトランスデューサ（１０２）の位相及び周波数の変化を命令することを備える、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記配置ステップが、前記表面（１１４）に前記フレキシブル基板（１０４）を一致させることを備える、請求項４に記載の方法。
【請求項１１】
前記走査ステップ中に前記フレキシブル基板（１０４）を前記部品（１１６）の前記表面（１１４）に沿って横に移動させない、請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＭＥＭＳトランスデューサ（１０２）がフェーズドアレイを形成する、請求項４に記載の方法。
【請求項１３】
同一の周波数及び同一の位相において前記ＭＥＭＳトランスデューサ（１０２）を動作させるステップを更に備える請求項４に記載の方法。
【請求項１４】
同一の周波数及び異なる位相において前記ＭＥＭＳトランスデューサ（１０２）を動作させるステップを更に備える請求項４に記載の方法。
【請求項１５】
異なる周波数及び同一の位相において前記ＭＥＭＳトランスデューサ（１０２）を動作させるステップを更に備える請求項４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本願は、以下の同時係属中の同一出願人による出願に関する：
“ＭＵＬＴＩＰＬＥ  ＰＩＸＥＬ  ＰＩＴＣＨ  ＳＵＰＥＲ  ＲＥＳＯＬＵＴＩＯＮ”との名称で２０１４年１０月１０日に出願された米国特許出願第１４／５１９８３９号（整理番号６００７０／１４‐０９４４‐ＵＳ‐ＮＰ）；
上記出願は参照として本願に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、一般的に超音波トランスデューサ（ＵＴ，ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ  ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）の分野に係り、特にコンフォーマル超音波走査用のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ，ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ）を用いてフレキシブル基板に結合されたフェーズドアレイの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ，ｍｉｃｒｏ‐ｅｌｅｃｔｒｏ‐ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍ）トランスデューサに関する。
【背景技術】
【０００３】
製造部品の非破壊検査のために超音波走査が用いられることが多々ある。例えば、超音波走査装置は、超音波を用いて部品を撮像するトランスデューサの一次元（１Ｄ）又は二次元（２Ｄ）アレイから成り得る。
【０００４】
典型的には、部品の異なる複数の箇所を調べるために、超音波走査装置を部品の表面にわたって前後に動かさなければならない。しかしながら、このような装置は平坦な表面（平面）において最も良好に機能し、湾曲した表面（曲面）、特に小さな半径を有する表面を走査しようとする場合には問題が生じ得る。
【０００５】
例えば、超音波走査装置が小さな半径に対してぴったりフィットすることができない場合、その超音波走査装置は、その半径に沿って部品にその音響エネルギー（圧力波）を与えることができず、その戻りを受信することができず、ポロシティを測定したり、ひびを検出したりすることができない。この問題が生じる理由は、超音波走査装置と小さな半径を有する部品との間の隙間が信号を減衰させるゲルで充填されるからである。
【０００６】
従って、成形部品を調べるための高分解能で高コントラストの非破壊超音波走査を可能にする改良装置及び方法が必要とされている。本発明はこの必要性を満たす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の従来技術の欠点を解決し、また、本願明細書を読んで理解することで明らかとなる他の欠点を解決するため、本発明は、部品の超音波検査用の走査装置、並びに、その装置の使用方法、及び、その装置の作製方法を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本走査装置は、フレキシブル基板（フレキシブル基板の第一面が部品の表面に適用される）と、第一面の反対側のフレキシブル基板の第二面に一つ以上のカーボンナノチューブによって機械的に結合された一つ以上のＭＥＭＳトランスデューサと、から成る。各ＭＥＭＳトランスデューサは、カンチレバーと、カンチレバー上に堆積させた磁性体と、活性化されるとカンチレバーの偏向を生じさせるように磁性体に対して位置決めされたソレノイドと、から成る。カーボンナノチューブがカンチレバーから成長していて、カンチレバーの偏向が、フレキシブル基板に力を与え部品に入り込む超音波を発生させるカーボンナノチューブの運動を生じさせる。
【０００９】
一実施形態では、磁性体は硬磁性体を備え、磁性体の双極子に沿って又は逆に整列した磁場を発生させるように電流がソレノイドに印加され、磁場がカンチレバーを面外に屈曲させ、カンチレバーの偏向によってカーボンナノチューブを変位させて、フレキシブル基板に力を与える。
【００１０】
他の実施形態では、磁性体は軟磁性体を備え、磁性体を分極させる磁場を発生させるように電流がソレノイドに印加され、磁場がカンチレバーを面外に屈曲させ、カンチレバーの偏向によってカーボンナノチューブを変位させて、フレキシブル基板に力を与える。
【００１１】
本装置を用いる方法は、部品の表面上に走査装置を配置する配置ステップと、ＭＥＭＳトランスデューサを動作させるように走査装置に命令する命令ステップであって、ＭＥＭＳトランスデューサが、超音波を発生させる力をフレキシブル基板に与えるカーボンナノチューブの運動を生じさせるように動作する、命令ステップと、超音波を用いて部品の表面を走査する走査ステップと、超音波の戻りを捕捉する捕捉ステップであって、捕捉された戻りが部品の一つ以上の画像に処理される、捕捉ステップと、を備える。
【００１２】
命令ステップは、カンチレバー上の磁性体に印加される磁場を発生させるようにソレノイドに電流を印加することを備え、カンチレバーが正又は負の偏向方向で応答する。また、命令ステップは、捕捉された戻りの分析に基づいて、ＭＥＭＳトランスデューサのカンチレバーの偏向の変化を命令すること、又は、ＭＥＭＳトランスデューサの位相及び周波数の変化を命令することも備える。
【００１３】
走査ステップ中において、フレキシブル基板を部品の表面に沿って横に移動させない。
【００１４】
一実施形態では、ＭＥＭＳトランスデューサはフェーズドアレイを形成する。代替実施形態では、ＭＥＭＳトランスデューサは同一の周波数及び同一の位相で動作し、又は、ＭＥＭＳトランスデューサは同一の周波数及び異なる位相で動作し、又は、ＭＥＭＳトランスデューサは異なる周波数及び同一の位相で動作し、又は、ＭＥＭＳトランスデューサは異なる周波数及び異なる位相で動作する。超音波から部品の複数の分解能画像を生成するため、ＭＥＭＳトランスデューサは複数の周波数で動作する。
【００１５】
本装置を作製する作製方法は、一つ以上のＭＥＭＳトランスデューサを製造するステップであって、各ＭＥＭＳトランスデューサが、カンチレバーと、カンチレバー上に堆積させた磁性体と、磁性体に対して位置決めされたソレノイドとから成る、ステップと、各ＭＥＭＳトランスデューサのカンチレバーから一つ以上のカーボンナノチューブを成長させるステップと、フレキシブル基板を得るステップであって、フレキシブル基板の第一面が後に部品の表面に適用されるフレキシブル基板の面である、ステップと、第一面の反対側のフレキシブル基板の第二面にカーボンナノチューブを用いてＭＥＭＳトランスデューサを機械的に結合させるステップと、を備える。
【００１６】
一実施形態では、本作製方法は、カンチレバーからカーボンナノチューブを成長させるステップの前に、意図していない領域への堆積を防止するマスクを用いて、カンチレバー上にカーボンナノチューブ用の一つ以上の成長触媒粒子を堆積させるステップを更に備える。カーボンナノチューブの弾性率は、カンチレバーから成長させるカーボンナノチューブの面密度を制御することによって、調整される。
【００１７】
一実施形態では、本作製方法は、各ＭＥＭＳトランスデューサに頂部層を加えて、ＭＥＭＳトランスデューサ同士を接続するステップを更に備える。
【００１８】
他の実施形態では、本作製方法は、ＭＥＭＳトランスデューサ同士の間から物質を除去して、ＭＥＭＳトランスデューサ同士を分離するステップを更に備える。
【００１９】
更に他の実施形態では、本作製方法は、ＭＥＭＳトランスデューサ同士の間に物質を加えて、ＭＥＭＳトランスデューサのカンチレバー同士を機械的に接続するステップを更に備える。
【００２０】
以下、全体にわたって同様の参照番号が対応する部分を表す図面を参照する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】一実施形態に係る走査装置の概略図である。
【図１Ｂ】一実施形態に係る走査装置の概略図である。
【図１Ｃ】一実施形態に係る走査装置の概略図である。
【図１Ｄ】走査装置がアレイに配置された複数のトランスデューサから成る様子と、トランスデューサを個別的にまた集合的に制御することによってアレイをフェーズアレイとして動作させる様子とを示す。
【図１Ｅ】走査装置がアレイに配置された複数のトランスデューサから成る様子と、トランスデューサを個別的にまた集合的に制御することによってアレイをフェーズアレイとして動作させる様子とを示す。
【図１Ｆ】走査装置がアレイに配置された複数のトランスデューサから成る様子と、トランスデューサを個別的にまた集合的に制御することによってアレイをフェーズアレイとして動作させる様子とを示す。
【図２】一実施形態に係る走査装置の動作を示すフローチャートである。
【図３】一実施形態に係る走査装置の製造を示すフローチャートである。
【図４】一実施形態に係るトランスデューサの製造を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下の好ましい実施形態の説明では、本願の一部を形成し、本発明が実施可能な具体的な実施形態を例示する添付図面を参照する。本発明の範囲から逸脱せずに、他の実施形態も利用可能であり、構造が変更可能であることを理解されたい。
【００２３】
［概要］
フェーズドアレイの複数のＭＥＭＳトランスデューサは、製造部品のコンフォーマル超音波走査での使用のために、カーボンナノチューブによってフレキシブル基板に結合される。フレキシブル基板を部品の表面上に置くことができ、フレキシブル基板の下の部品の全ての箇所が、フレキシブル基板又はトランスデューサを動かさずに、トランスデューサによって正確に走査及び撮像される。トランスデューサのフェーズドアレイは多様な周波数において動作することができるので、部品の多重分解能画像をまとめて組み合わせて、超分解能画像とすることができる。
【００２４】
［デバイスの構造及び動作］
図１Ａは、一実施形態に係る走査装置１００の概略図である。この図面では、一つ以上の超音波トランスデューサ１０２が、一つ以上のカーボンナノチューブ１０６によってフレキシブル基板１０４に結合されている。
【００２５】
各トランスデューサ１０２は、一方の面（例えば、上面）が磁性体１１０でコーティングされているカンチレバー１０８を含み、磁性体１１０に対して相対的に（例えば上方）に位置決めされたソレノイド１１２の動作によって、カンチレバー１０８を偏向又は運動させる。
【００２６】
図１Ａは、静止安定時のカンチレバー１０８及び磁性体１１０を有するトランスデューサ１０２を示し、一方、図１Ｂは、上方に偏向させたカンチレバー１０８ａ及び磁性体１１０ａを有するトランスデューサ１０２を示し、図１Ｃは、下方に偏向させたカンチレバー１０８ｂ及び磁性体１１０ｂを有するトランスデューサ１０２を示す。
【００２７】
磁性体１１０でコーティングされたカンチレバー１０８の面の反対側のカンチレバーの他方の面（例えば、下面）の上に、カーボンナノチューブ１０６を成長させる。成長に続いて、カーボンナノチューブ１０６の他端をフレキシブル基板１０４に結合させる。
【００２８】
フレキシブル基板１０４はテフロン（登録商標）膜であるが、他の物質でもあり得る。カーボンナノチューブ１０６をフレキシブル基板１０４に対して押し付けると、カーボンナノチューブ１０６がフレキシブル基板１０４にしっかりと結合する。
【００２９】
走査装置１１０の動作は以下のとおりである。検査中の部品１１６の表面１１４（平坦な又は湾曲した表面１１４であり得る）の上に、フレキシブル基板１０４の第一面を適用又は置く。各トランスデューサ１０２は、第一面の反対側のフレキシブル基板１０４の第二面にカーボンナノチューブによって結合される。一実施形態では、フレキシブル基板１０４を、動作中に部品１１６の表面１１４に沿って横に移動させない。
【００３０】
プロセッサ（図示せず）はソレノイド１１２に電流を印加して、１１８で指称される磁場を発生させて、その磁場がカンチレバー１０８上の磁性体１１０に印加される。これが、上方又は下方のいずれかの面外にカンチレバー１０８を屈曲させる磁力を発生させる。ここで、図１Ａは、面内（例えば静止安定時）のカンチレバー１０８及び磁性体１１０を示し、図１Ｂは、面外（弧を描く運動１２０ａに沿った上向きの屈曲）のカンチレバー１０８ａ及び磁性体１１０ａを示し、図１Ｃは、面外（弧を描く運動１２０ｂに沿った下向きの屈曲）のカンチレバー１０８ｂ及び磁性体１１０ｂを示す。
【００３１】
カンチレバー１０８の下面に取り付けられたカーボンナノチューブ１０６は、カンチレバー１０８及び磁性体１１０の運動によって、上及び／又は下に動かされ（例えば、伸長及び／又は圧縮）、これは、カーボンナノチューブ１０６の他端に結合されたフレキシブル基板１０４に対する力（引く及び／又は押す）を表し、１２２で指称される超音波（圧力波である）を発生させ、この超音波は、トランスデューサ１０２の箇所から広がり、部品１１６に入り込む。
【００３２】
同様に、超音波１２２からの戻り又は反射１２４が受信され、これは、フレキシブル基板１０４に対する力（引く及び／又は押す）を表し、カーボンナノチューブの上昇及び／又は下降運動を生じさせ、カンチレバー１０８の上昇及び／又は下降運動をもたらす。磁場１１８中の磁性体１１０の対応する運動が、ソレノイド１１２に電流は発生させて、それが、処理用のプロセッサに送信される。具体的には、以下で詳述するように、プロセッサは、トランスデューサ１０２から受信した信号から画像を生成することができる。
【００３３】
代替実施形態では、磁性体１１０が硬磁性体又は軟磁性体から成る点に留意されたい。磁性体が硬磁性体から成る場合には、磁性体は双極子を有し、磁性体１１０の双極子に沿って又は逆に整列したソレノイド１１２が発生させる磁場が、カンチレバー１０８を上向き及び／又は下向きに屈曲させる。磁性体１１０が軟磁性体から成る場合には、磁性体は鉄等の磁気的に軟らかい微粒子の集合体であり、ソレノイド１１２が発生させる磁場によって磁気的に分極され、微粒子をソレノイド１１２に引き付ける力を受けて、ソレノイド１１２に印加される電流が、ソレノイド１１２に向けてカンチレバー１０８を屈曲させ、また、ソレノイド１１２に対する電流が除かれると、カンチレバー１０８が緩和する。
【００３４】
図１Ｄ、図１Ｅ及び図１Ｆは、走査装置１１０が２Ｄアレイに配置された複数のトランスデューサ１０２から成る様子、及び、トランスデューサ１０２を個別的に及び／又は集合的に制御することによって２Ｄアレイをフェーズドアレイとして動作させる様子を示す。
【００３５】
図１Ｄの例では、トランスデューサ１０２の２Ｄアレイが、フレキシブル基板１０４上にマトリクスで配置される。マトリクス中のトランスデューサ１０２は、第一行についてＴ１１、Ｔ１２、Ｔ１２、…、Ｔ１Ｎと指称され、第二行についてＴ２１、…、Ｔ２Ｎと指称され、…、第Ｍ行についてＴＭ１、…、ＴＭＮと指称される。従って、完全に埋まったマトリクスはＭ×Ｎ個のトランスデューサ１０２を備えるが、図１Ｄでは、Ｍ×Ｎ個のトランスデューサのサブセットのみが示されている。
【００３６】
図１Ｅの例では、フレキシブル基板１０４の第一面が、検査中の部品１１６の表面１１４（平面１１４である）の上に適用され又は置かれる。トランスデューサ１０２は、第一面の反対側のフレキシブル基板１０４の第二面にカーボンナノチューブ１０６によって結合される。この例では、トランスデューサ１０２は、ケーブル１２６を介してプロセッサ１２８に電気的に接続され、プロセッサ１２８は、トランスデューサ１０２を個別的にまた集合的に制御することによって、走査装置１００に命令する。代替実施形態では、トランスデューサ１０２はプロセッサ１２８に無線接続される。
【００３７】
図１Ｆの例では、フレキシブル基板１０４の第一面が、検査中の部品１１６の表面１１４（曲面１１４である）の上に適用され又は置かれる。第一面の反対側のフレキシブル基板１０４の第二面に結合されたトランスデューサ１０２は、ケーブル１２６を介してプロセッサ１２８に電気的に接続され、そのプロセッサ１２８は、トランスデューサ１０２を個別的にまた集合的に制御することによって、走査装置１００に命令する。
【００３８】
一実施形態では、プロセッサ１２８は全てのトランスデューサ１０２に同時に対処（アドレス指定）する。他の実施形態では、プロセッサ１２８は、個々のトランスデューサ１０２、又はトランスデューサ１０２のサブセットに個別に又は或る順序で対処（アドレス指定）する。
【００３９】
一実施形態では、プロセッサ１２８は、同じ周波数及び／又は同じ若しくは異なる位相でトランスデューサ１０２を動作させる。他の実施形態では、プロセッサ１２８は、異なる周波数及び／又は同じ若しくは異なる位相でトランスデューサ１０２を動作させる。
【００４０】
全実施形態において、プロセッサ１２８は、各トランスデューサ１０２用のソレノイド１１２に正又は負の電圧を印加し、各カンチレバー１０８が正又は負の偏向方向で応答する。ソレノイド１１２の周波数依存インピーダンスが、信号をカンチレバー１０８の制御された（位相及び振幅）偏向へとスムーズに整え、カーボンナノチューブ１１０の運動をもたらし、フレキシブル基板１０４に対する力を与える。
【００４１】
一実施形態では、プロセッサ１２８が各トランスデューサ１０２を動作させる周波数は同じであるが、位相が異なり、プロセッサ１２８がトランスデューサ１０２のアレイと“位相画像”をやり取りし、位相画像の各“画素”は、アレイ中の各トランスデューサ１０２に課される位相を表す。結果として、複数のトランスデューサ１０２がフェーズドアレイとして動作する。
【００４２】
トランスデューサ１０２のフェーズドアレイを用いることには多数の利点がある。例えば、プロセッサ１２８は、隣接するトランスデューサ１０２に対して相対的に各トランスデューサ１０２の位相を変調させることができ、これは、検査されている部品１１６に与えられる超音波１２２の強め合う干渉のための特定の箇所を選択することを可能にする。これは、その箇所における正味の振幅を増大させて、必要な電力を低減する。更に、トランスデューサ１０２の相対的位相を変更することによって、強め合う干渉が生じる箇所を変えることができ、検査されている部品１１６を、トランスデューサ１０２のアレイを動かさずに、アレイの一方の側から他方の側まで走査することができる。
【００４３】
更に、トランスデューサ１０２のフェーズドアレイは特定の周波数に限定される必要がない。各カンチレバー１０８は特性周波数を有するが、カンチレバー１０８の応答が振幅信号を得るために必要でなければ、トランスデューサ１０２を任意の周波数、更には多重周波数において駆動させることができ、ここで、超音波試験は一般的に０．５〜５．０ＭＨｚの範囲内で行われる。
【００４４】
部品１１６中での超音波１２２の減衰と、部品１１６の細孔、ひび、又は他の特徴部から反射する超音波１２２の戻り１２４に対する信号対雑音比（ＳＮＲ，ｓｉｇｎａｌ‐ｔｏ‐ｎｏｉｓｅ  ｒａｔｉｏ）とは、どちらも周波数に依存している。これは、トランスデューサ１０２のアレイによる検出及びプロセッサ１２８による処理の後で、周波数依存空間分解能をもたらす。
【００４５】
例えば、相互参照されていて参照として本願に組み込まれる“ＭＵＬＴＩＰＬＥ  ＰＩＸＥＬ  ＰＩＴＣＨ  ＳＵＰＥＲ  ＲＥＳＯＬＵＴＩＯＮ”との名称で２０１４年１０月１０日に出願された米国特許出願第１４／５１９８３９号（整理番号６００７０／１４‐０９４４‐ＵＳ‐ＮＰ）に記載されているシステムを用いて、プロセッサ１２８は、超分解能画像を形成することができる。
【００４６】
具体的には、一組の戻り１２４が異なる分解能において収集され、戻り１２４を生じさせる特徴部が変化していなければ（超音波１２２で検査される大抵の部品１１６に対する良い仮定）、プロセッサ１２８によって、複数の戻り１２４を組み合わせて、超分解能画像を形成することができる。これが可能となる理由は、トランスデューサ１０２を動かさずに、部品１１６が空間的に（所定の周波数で）走査されるからであり、これは、空間的不確実性無く、部品１１６を異なる周波数で繰り返し走査できることを意味する。
【００４７】
［デバイスの動作］
図２は、一実施形態に係る走査装置の動作を示すフローチャートである。
【００４８】
ブロック２００は、走査される部品の表面上に走査装置を配置するステップを表す。具体的には、フレキシブル基板の第一面を、走査される部品の表面（平坦な又は湾曲した表面であり得る）の上に適用し又は置く。一実施形態では、フレキシブル基板を、動作中に部品の表面に沿って横に移動させない。
【００４９】
上述のように、トランスデューサは、第一面の反対側のフレキシブル基板の第二面にカーボンナノチューブによって機械的に結合される。トランスデューサはプロセッサに電気的に接続され、プロセッサはトランスデューサを個別的にまた集合的に制御する。
【００５０】
ブロック２０２は、トランスデューサを動作させるように走査装置に命令するステップを表し、トランスデューサを動作させて、ソレノイドを活性化して、走査及び検査されている部品の表面に対して相対的にカンチレバーを偏向させる。このステップでは、プロセッサがトランスデューサに対処（アドレス指定）して、各トランスデューサ用のソレノイドに正又は負の電圧を印加する。ソレノイドに印加された電流が、カンチレバー上の磁性体に印加される磁場を発生させて、各カンチレバーは、正又は負の電圧に基づいて、正又は負の偏向方向で応答する。
【００５１】
ブロック２０４は、フレキシブル基板に力を与えるカーボンナノチューブの運動によって発生する超音波を用いて部品を走査するステップを表す。このステップでは、カンチレバーの下面に取り付けられたカーボンナノチューブが、カンチレバーの動きによって上及び／又は下に動き、フレキシブル基板に力を与えることによって、部品に入り込む超音波を発生させる。
【００５２】
ブロック２０６は、部品の表面からの超音波の戻り又は反射を捕捉及び収集するステップを表し、捕捉された戻りはトランスデューサ内に信号を発生させて、その信号が部品の一つ以上の画像へと処理される。このステップでは、戻りは、フレキシブル基板に対する力を表し、カーボンナノチューブの上昇及び／又は下降の運動を生じさせて、カンチレバーの上昇及び／又は下降の運動をもたらす。磁場中の磁性体の対応する運動が、ソレノイド中に電流を発生させて、その電流が、処理用に正又は負の電圧としてプロセッサに送信される。
【００５３】
ブロック２０８は、トランスデューサから受信した信号からプロセッサにおいて画像を生成するステップを表す。このステップでは、プロセッサは、捕捉した戻りの分析に基づいて偏向の変化も命令し、これは、捕捉した戻りの分析に基づいて位相及び周波数の変化を命令することを含む。
【００５４】
［デバイスの製造］
図３は、一実施形態に係る走査装置の製造を示すフローチャートである。
【００５５】
ブロック３００は、シリコンウェーハ上に超音波トランスデューサのアレイを製造するステップを含み、これは、各トランスデューサにおけるカンチレバー、磁性体及びソレノイドの作製を含む。この点については、図４を参照して以下でより詳細に説明する。
【００５６】
ブロック３０２は、カンチレバーの意図していない領域への堆積を防止するためのマスクを用いて、カンチレバー上にカーボンナノチューブ成長触媒粒子を堆積させるステップを表す。この点についても、図４を参照して以下でより詳細に説明する。
【００５７】
ブロック３０４は、トランスデューサのアレイに、硬質で可溶性又は他の方法で除去可能な頂部層（温度制限接着頂部層等）を支持構造として加えるステップを表す。
【００５８】
ブロック３０６は、任意で、トランスデューサ同士の間からシリコンを除去して、各トランスデューサを機械的に分離するステップを表す。
【００５９】
ブロック３０８は、トランスデューサ同士の間にシリコーン又は他のフレキシブル物質を加えて、各トランスデューサを機械的に接続するステップを表す。
【００６０】
ブロック３１０は、炭素の気相堆積を用いて、各トランスデューサのカンチレバー上の成長触媒粒子からカーボンナノチューブを成長させるステップを表す。
【００６１】
ブロック３１２は、フレキシブル基板を得るステップを表す。
【００６２】
ブロック３１４は、トランスデューサのアレイをフレキシブル基板（例えば、フレキシブル基板は平坦なまま）に機械的に結合させるステップを表し、カンチレバー上のカーボンナノチューブは、フレキシブル基板の表面に垂直な方向においてフレキシブル基板に接触する。このステップでは、所定のサイクル数（典型的には数千サイクル）にわたってフレキシブル基板の表面に対してカーボンナノチューブを圧縮及び緩和させることによって、カーボンナノチューブを調整する。
【００６３】
ブロック３１６は、トランスデューサ同士の間の頂部層を除去して、走査装置の構造がフレキシブル基板とカーボンナノチューブとトランスデューサとのみから成るようにするステップを表す。
【００６４】
ブロック３１８は、各トランスデューサに電気接続部を加える又は取り付けるステップを表す。
【００６５】
ブロック３２０は、各トランスデューサに必要な電子機器を加える又は取り付けるステップを表す。
【００６６】
ブロック３２２は、任意で、トランスデュー同士の間にフレキシブル頂部層を支持構造として加え、走査装置の構造が基板とカーボンナノチューブとトランスデューサとフレキシブル頂部層とから成るようにするステップを表す。
【００６７】
図３は、走査装置が得られる製造プロセスの単に一例であり、異なるステップを有する異なるプロセスを用いても、本願に記載されている走査装置を製造することができる。
【００６８】
カーボンナノチューブの作製は、一般的に、基板、カンチレバー、スペーサ、ソレノイド、及びパッケージング部品のＭＥＭＳ製造と相性が良く、図４において以下で説明する。これらの部品のＭＥＭＳ製造は、化学気相堆積（ＣＶＤ，ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）でカーボンナノチューブを成長させることができる温度に耐えることができる。更に、カーボンナノチューブ成長触媒粒子を、ＭＥＭＳ製造中に、カンチレバーの下面に堆積させることができる。
【００６９】
この目的のためにはあらゆる物質が使用可能であるが、カーボンナノチューブは他の物質に対して多数の利点を有する。例えば、カーボンナノチューブはそれぞれ、フレキシブル基板の表面に対して終端している一端を有し、各カーボンナノチューブの或る長さが、表面上に横たわるように屈曲する。これは、接触している各カーボンナノチューブと表面との間に強力な接着相互作用を生じさせる。従って、各垂直配向カーボンナノチューブは、接着剤無しで、また、基板上の特徴部の位置の特別な整列や登録無しで、フレキシブル基板に接着する。具体的には、カンチレバーから伸びているカーボンナノチューブとフレキシブル基板との完璧な整列は必要とされない。完璧な整列は、ラバーポスト等の他の物質を用いてカンチレバーをフレキシブル基板に接続する際には必要となり得るものである。
【００７０】
他の利点は、各カンチレバーから伸びているカーボンナノチューブの面密度を制御することによって、カーボンナノチューブの弾性率を調整できる点である。これは、下方のフレキシブル基板に対してカーボンナノチューブの弾性率を整合させることを可能にし、これは、機械的運動における物理的共鳴を発生させるのに役立ち、これは、ソレノイドを駆動させるのに必要な電力を減らすのに役立つ。
【００７１】
他の利点は、異なるセクションのカーボンナノチューブを同時により多く又はより少なく曲げることができ、偏向中におけるカンチレバーの角度変化が、カーボンナノチューブの機械的故障を生じさせ得るカーボンナノチューブに対するトルクを生じさせないという点である。
【００７２】
これらの利点及び他の利点は、走査されている部品にカンチレバーの振動を伝えるために、フェーズドアレイ超音波走査用のフレキシブル表面にカンチレバーを機械的に結合させるようにカンチレバーの下面上にナノチューブを成長させることに起因する。更に、各ＭＥＭＳトランスデューサは固有に小さいものであり、隣接するトランスデューサに強力に機械的に結合させる必要がないので、コンフォーマル超音波走査用のフェーズドアレイを形成するように、トランスデューサのアレイをフレキシブル基板上に構築することができる。
【００７３】
［トランスデューサの製造］
図４は、一実施形態に係るトランスデューサの製造を示すフローチャートである。
【００７４】
ブロック４００は、シリコンウェーハの初期処理のステップを表す。例えば、初期処理は、Ｃｒ電極の堆積及びパターニング、スパッタリングによるＨｆＯ２膜の堆積及びパターニング、プラズマ増強化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ，ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によるＳｉＯ２膜の堆積及びパターニングを含む。
【００７５】
ブロック４０２は、カーボンナノチューブ成長触媒粒子を堆積させるステップを表す。小さな領域のＦｅ、Ｔｉ又はＣｏ等のカーボンナノチューブ成長触媒粒子を、カーボンナノチューブを成長させたいカンチレバー上の箇所に対応する領域に堆積させる。
【００７６】
ブロック４０４は、カンチレバー用の膜を堆積及びパターニングするステップを表す。ＰＥＣＶＤでのａ‐Ｓｉ：Ｈ膜の堆積及びパターニングが含まれる。
【００７７】
ブロック４０６は、磁性体用の膜を堆積させるステップを表す。ＦｅＣｏやＳｍＣｏ５等の硬磁石、又はＦｅ等の軟磁石のいずれかである磁性粒子の層をカンチレバーの頂部に堆積させることが含まれる。
【００７８】
同じ製造プロセス中において、カンチレバー上にソレノイドを作製することが望まれる場合には、続いて、以下のステップが行われる。
【００７９】
ブロック４０８は、ソレノイド用の膜を堆積及びパターニングするステップを表す。ブロック３０４で用いたとの同じパターン／マスクを用いたＰＥＣＶＤでのＳｉＯ２膜の堆積及びパターニングと、ソレノイド及びそのリードワイヤを形成するスパッタＣｕ膜の堆積及びパターニングとが含まれる。
【００８０】
ブロック４１０は、ソレノイド用の支持部及びスタンドオフ部用の膜を堆積及びパターニングするステップを表し、その支持部はソレノイド上の層であり、スタンドオフ部は支持部をカンチレバーに接続する。ソレノイド用のスタンドオフ部及びソレノイド用の支持部を構築するためのＰＥＣＶＤでのａ‐Ｓｉ：Ｈ膜の堆積が含まれる。この例では、ソレノイド支持部は、表面全体を覆い、パターニングの必要が無い。
【００８１】
ブロック４０８及びブロック４１０は順序が逆になってもよく、逆の順の膜が得られる。
【００８２】
ブロック４１２は、カンチレバーの下の物質をエッチングするステップを表す。
【００８３】
ブロック４１４は、任意で、カンチレバーとソレノイドとの間の物質をエッチングし、また、任意で、トランスデューサ同士の間の物質の一部又は全部をエッチングするステップを表す。このステップでは、トランスデューサ同士の間の物質の一部のエッチングは、シリコンウェーハから形成されたメッシュ上のトランスデューサのアレイをもたらす。
【００８４】
図４は、カーボンナノチューブを成長させる準備ができているカンチレバーを含むＭＥＭＳトランスデューサをもたらす製造プロセスの単に一例であり、異なるステップを有する異なるプロセスを用いて、本願に記載されているＭＥＭＳトランスデューサを製造することができる。
【００８５】
［代替例］
上述の多様な実施形態の説明は、例示及び説明目的で与えられているものであって、包括的なものではなく、開示されている実施形態に限定されるものでもない。多様な修正及び変更が当業者には明らかである。
【００８６】
具体的には、超音波トランスデューサ、カーボンナノチューブ及びフレキシブル基板は、本願で開示されているのとは異なる構造及び物質を備え得る。更に、異なるプロセス及びステップを用いて、走査装置及びトランスデューサを製造及び動作させ得る。最後に、トランスデューサのアレイを、本願で開示されているのとは異なるアレイで配置し得る。
【００８７】
以上、まとめると、本発明の第一態様によると、以下のものが提供される：
Ａ１．  部品を検査するための装置であって、
（ａ）フレキシブル基板１０４であって、フレキシブル基板１０４の第一面が部品１１６の表面１１４に適用される、フレキシブル基板１０４と、
（ｂ）第一面の反対側のフレキシブル基板１０４の第二面に一つ以上のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１０６によって機械的に結合された一つ以上の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）トランスデューサ１０２と、を備え、
（ｃ）各ＭＥＭＳトランスデューサ１０２が、カンチレバー１０８と、カンチレバー１０８上に堆積させた磁性体１１０と、活性化されるとカンチレバー１０８の偏向を生じさせるように磁性体１１０に対して位置決めされたソレノイド１１２と、から成り、
（ｄ）カーボンナノチューブ１０６がカンチレバー１０８から成長していて、カンチレバー１０８の偏向が、部品１１６に入り込む超音波１２２を発生させるようにフレキシブル１０４に力を与えるカーボンナノチューブ１０６の運動を生じさせ、
（ｅ）ＭＥＭＳトランスデューサ１０２のうち一つ以上が、超音波１２２を発生させ、超音波１２２からの戻り１２４を受信するように動作し、戻り１２４が部品１１６を検査するために解釈される、装置。
【００８８】
また以下のものも提供される：
Ａ２．  磁性体１１０が硬磁性体１１０を備え、磁性体１１０の双極子に沿って又は逆に整列した磁場１１８を発生させるようにソレノイド１１２に電流が印加され、磁場１１８がカンチレバー１０８を面外に屈曲させ、カンチレバー１０８の偏向によってカーボンナノチューブ１０６を変位させ、フレキシブル基板１０４に力を与える、Ａ１に記載の装置。
【００８９】
また以下のものも提供される：
Ａ３．  磁性体１１０が軟磁性体１１０を備え、磁性体１１０を分極させる磁場１１８を発生させるようにソレノイド１１２に電流が印加され、磁場１１８がカンチレバー１０８を面外に屈曲させ、カンチレバー１０８の偏向によってカーボンナノチューブ１０６を変位させ、フレキシブル基板１０４に力を与える、Ａ１に記載の装置。
【００９０】
本発明の更なる態様によると、以下のものが提供される：
Ｂ１．  部品を検査するための方法であって、
（ａ）部品１１６の表面１１４上に走査装置１００を配置する配置ステップであって、走査装置１００が、表面１１４に適用されるフレキシブル基板１０４と、フレキシブル基板１０４に一つ以上のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１０６によって機械的に結合された一つ以上の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）トランスデューサ１０２と、から成る、配置ステップと、
（ｂ）ＭＥＭＳトランスデューサ１０２を動作させるように走査装置１００に命令する命令ステップであって、ＭＥＭＳトランスデューサ１０２が、超音波１２２を発生させる力をフレキシブル基板１０４に与えるカーボンナノチューブ１０６の運動を生じさせるように動作する、命令ステップと、
（ｃ）超音波１２２を用いて部品１１６の表面１１４を走査する走査ステップと、
（ｄ）部品１１６の表面１１４からの超音波１２２の戻り１２４を捕捉する捕捉ステップと、を備える方法。
【００９１】
また以下のものも提供される：
Ｂ２．  各ＭＥＭＳトランスデューサ１０２が、カンチレバー１０８と、カンチレバー１０８上に堆積させた磁性体１１０と、活性化されるとカンチレバー１０８の偏向を生じさせるように磁性体１１０に対して位置決めされたソレノイド１１２と、から成り、カーボンナノチューブ１０６がカンチレバー１０８から成長していて、カンチレバー１０８の偏向がカーボンナノチューブ１０６の運動を生じさせる、Ｂ１に記載の方法。
【００９２】
また以下のものが提供される：
Ｂ３．  命令ステップが、カンチレバー１０８の正又は負の偏向方向を命令することを備える、Ｂ２に記載の方法。
【００９３】
また以下のものが提供される：
Ｂ４．  命令ステップが、カンチレバー１０８上の磁性体１１０に印加される磁場１１８を発生させるようにソレノイド１１２に電流を印加することを備え、カンチレバー１０８が正又は負の偏向方向で応答する、Ｂ３に記載の方法。
【００９４】
また以下のものが提供される：
Ｂ５．  命令ステップが、捕捉された戻り１２４の分析に基づいてＭＥＭＳトランスデューサ１０２のカンチレバー１０８の偏向の変化を命令することを備える、Ｂ３に記載の方法。
【００９５】
また以下のものが提供される：
Ｂ６．  命令ステップが、捕捉された戻り１２４の分析に基づいてＭＥＭＳトランスデューサ１０２の位相及び周波数の変化を命令することを備える、Ｂ１に記載の方法。
【００９６】
また以下のものが提供される：
Ｂ７．  配置ステップが、表面１１４にフレキシブル基板１０４を一致させること（コンフォーマルに配置すること）を備える、Ｂ１に記載の方法。
【００９７】
また以下のものが提供される：
Ｂ８．  走査ステップ中に、フレキシブル基板１０４を部品１１６の表面１１４に沿って横に移動させない、Ｂ１に記載の方法。
【００９８】
また以下のものが提供される：
Ｂ９．  ＭＥＭＳトランスデューサ１０２がフェーズドアレイを形成する、Ｂ１に記載の方法。
【００９９】
また以下のものが提供される：
Ｂ１０．  同一の周波数及び同一の位相でＭＥＭＳトランスデューサ１０２を動作させるステップを更に備えるＢ１に記載の方法。
【０１００】
また以下のものが提供される：
Ｂ１１．  同一の周波数及び異なる位相でＭＥＭＳトランスデューサ１０２を動作させるステップを更に備えるＢ１に記載の方法。
【０１０１】
また以下のものが提供される：
Ｂ１２．  異なる周波数及び同一の位相でＭＥＭＳトランスデューサ１０２を動作させるステップを更に備えるＢ１に記載の方法。
【０１０２】
また以下のものが提供される：
Ｂ１３．  異なる周波数及び異なる位相でＭＥＭＳトランスデューサ１０２を動作させるステップを更に備えるＢ１に記載の方法。
【０１０３】
また以下のものが提供される：
Ｂ１４．  超音波１２２から部品１１６の複数の分解能画像を生成するためにＭＥＭＳトランスデューサ１０２を複数の周波数で動作させるステップを更に備えるＢ１に記載の方法。
【０１０４】
また以下のものが提供される：
Ｂ１５．  捕捉された戻り１２４を部品１１６の一つ以上の画像に処理するステップを更に備えるＢ１に記載の方法。
【０１０５】
本発明の更なる態様によると、以下のものが提供される：
Ｃ１．  部品を検査するための走査装置を作製するための方法であって、
（ａ）一つ以上の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）トランスデューサ１０２を製造するステップであって、各ＭＥＭＳトランスデューサ１０２が、カンチレバー１０８と、カンチレバー１０８上に堆積させた磁性体１１０と、磁性体１１０に対して位置決めされたソレノイド１１２と、から成る、ステップと、
（ｂ）各ＭＥＭＳトランスデューサ１０２のカンチレバー１０８から一つ以上のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を成長させるステップと、
（ｃ）フレキシブル基板１０４を得るステップであって、フレキシブル基板１０４の第一面が部品１１６の表面１１４に後に適用されるフレキシブル基板１０４の面である、ステップと、
（ｄ）第一面の反対側のフレキシブル基板１０４の第二面にカーボンナノチューブ１０６を用いてＭＥＭＳトランスデューサ１０２を機械的に結合させるステップと、を備える方法。
【０１０６】
また以下のものが提供される：
Ｃ２．  フレキシブル基板１０４の第一面に部品１１６の表面１１４が適用されると、ＭＥＭＳトランスデューサ１０２のソレノイド１１２を活性化させて、ＭＥＭＳトランスデューサ１０２のカンチレバー１０８の偏向を生じさせ、ＭＥＭＳトランスデューサ１０２のカンチレバー１０８の偏向が、部品１１６に入り込む超音波１２２を発生させるようにフレキシブル基板１０４に力を与えるカーボンナノチューブ１０６の運動を生じさせ、超音波１２２からの戻り１２４が部品１１６を検査するために解釈される、Ｃ１に記載の方法。
【０１０７】
また以下のものが提供される：
Ｃ３．  カーボンナノチューブ１０６の弾性率が、カンチレバー１０８から成長させるカーボンナノチューブ１０６の面密度を制御することによって、調整される、Ｃ１に記載の方法。
【０１０８】
また以下のものが提供される：
Ｃ４．  カンチレバー１０８からカーボンナノチューブ１０６を成長させるステップの前に、意図していない領域への堆積を防止するためにマスクを用いて、カンチレバー１０８上にカーボンナノチューブ１０６用の一つ以上の成長触媒粒子を堆積させるステップを更に備えるＣ１に記載の方法。
【０１０９】
また以下のものが提供される：
Ｃ５．  ＭＥＭＳトランスデューサ１０２同士を接続する頂部層を各ＭＥＭＳトランスデューサ１０２に加えるステップを更に備えるＣ１に記載の方法。
【０１１０】
また以下のものが提供される：
Ｃ６．  ＭＥＭＳトランスデューサ１０２同士の間から物質を除去して、ＭＥＭＳトランスデューサ１０２同士を分離するステップを更に備えるＣ１に記載の方法。
【０１１１】
また以下のものが提供される：
Ｃ７．  ＭＥＭＳトランスデューサ１０２同士の間に物質を加えて、ＭＥＭＳトランスデューサ１０２のカンチレバー１０８同士を機械的に接続するステップを更に備えるＣ１に記載の方法。
【０１１２】
本発明の範囲はこの詳細な説明によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって定められるものである。
【符号の説明】
【０１１３】
１００  走査装置
１０２  ＭＥＭＳトランスデューサ
１０４  フレキシブル基板
１０６  カーボンナノチューブ
１０８  カンチレバー
１１０  磁性体
１１２  ソレノイド
１１４  表面
１１６  部品
１１８  磁場
１２２  超音波
１２４  戻り
１２６  ケーブル
１２８  プロセッサ
【図１Ａ】
2017194453.tif 000003
【図１Ｂ】
2017194453.tif 000004
【図１Ｃ】
2017194453.tif 000005
【図１Ｄ】
2017194453.tif 000006
【図１Ｅ】
2017194453.tif 000007
【図１Ｆ】
2017194453.tif 000008
【図２】
2017194453.tif 000009
【図３】
2017194453.tif 000010
【図４】
2017194453.tif 000011
【外国語明細書】
2017194453000001.pdf