(57)【要約】【課題】鏝先の温度を適切に保ちながらも、短時間に半田付け処理を行うことにより、半田付け工程の生産性を良好に維持し得る半田処理装置を提供する。【解決手段】ヒータを有する複数の半田鏝部と、この半田鏝部のうちひとつを選択して基板に対してはんだ付け可能な位置に配置する駆動機構と、半田実施鏝部の交換時期を判定する鏝交換判定手段とを備え、鏝温度判定手段により駆動機構を介して半田実施部を切り換えて供給された半田を溶融させる溶融処理を行うようにしたので、熱容量の大きな基板であっても適切な鏝温度を保つことができるので、半田付けの信頼性を高め、かつ半田付け工程の生産性を良好に維持することができる。 【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒータを有する複数の半田鏝部と、前記半田鏝部のうちひとつを選択して基板に対して半田付け実施位置に配置すると共に他の半田鏝部を待機位置に配置する駆動機構と、前記半田実施鏝部の交換時期を判定する鏝交換判定手段とを備え、前記鏝交換判定手段により前記駆動機構を介して前記半田実施部を切り換えて供給された半田を溶融させる溶融処理を行うことを特徴とする半田処理装置。
【請求項２】
前記鏝交換判定手段は、連続して行う半田付け実施回数であることを特徴とする請求項1記載の半田処理装置。
【請求項３】
前記鏝交換判定手段は、前記半田実施鏝部に設けた温度検出器であることを特徴とする請求項１記載の半田処理装置。
【請求項４】
前記鏝交換手段は、前記基板の交換と同期することを特徴とする請求項１記載の半田処理装置。
【請求項５】
前記半田鏝部のうち少なくとも１つは熱容量の異なるようにしたことを特徴とする請求項１から４のいずれか1項記載の半田処理装置。
【請求項６】
前記半田実施鏝部の使用位置を記憶する記憶部を備え、前記半田実施鏝部の交換時に前記記憶部によって前記半田実施鏝部の位置に補正を加えることを特徴とする請求項１から５のいずれか1項記載の半田処理装置。
【請求項７】
前記半田実施鏝部以外の待機している半田鏝部をはんだ付け温度以上に加熱してクリーニングすることを特徴とする請求項1から６のいずれか1項記載の半田処理装置。
【請求項８】
初期の半田付けの事前に前記半田実施鏝部の温度を低下する冷却手段を備えることを特徴とする特許請求の範囲１から７のいずれか１項記載の半田処理装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に半田付けを行う半田鏝部を備えた半田処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種機器において電子部品を実装した電子回路が搭載されている。電子回路の形成工程においては、リード線を基板上の配線パターン（ランド）に接合する処理等のため、半田鏝を用いた半田付けが実施される。またこのような半田付けの工程を機械的に実現させるため、半田鏝部を備えた半田処理装置が利用されている。
【０００３】
半田付け性能を高めるためには、半田鏝温度の温度を所定範囲内に制御するために温度検出器で半田鏝の温度を検出して鏝を加熱するヒーターのコントロールすることが行われている。しかし多層基板などの熱容量の大きい回路基板では、基板側に熱が奪われて半田鏝の温度が急激に低下することがあり、半田鏝の温度を回復させるために、次の半田付けまでの時間を長くして温度の上昇を待つことにより、はんだ付けの作業が迅速に行えない欠点があった。このため、半田鏝の熱容量を大きくして温度低下を防止することや、温度検出器とヒータをそれぞれ２重に設け、温度応答性の改善を試みたものがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−５１５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１９５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら半田鏝の熱容量を大きくすることは熱応答性が低下し温度の回復に時間がかかる欠点があり、また温度検出器の応答性を高めることやヒータの発熱量を大きくするにも設計上の困難さがあり、半田付け工程の速度低下によって、生産工程全体の生産性が低下することがあった。
【０００６】
なお、従来２個の半田鏝部を備えた半田処理装置であっても、一方の半田鏝部が半田付け作業に用いられている際には、他方の半田鏝部は基板等と干渉しない位置で待機するに過ぎない。本発明は上述した課題に鑑み、熱負荷の大きい回路基板において高速にはんだ付けを行っても温度低下を起こさず、半田付け工程を迅速に行う半田処理装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半田処理装置は、ヒータを有する複数の半田鏝部と、この半田鏝部のうちひとつを半田実施鏝部として選択して基板に対して半田付け実施位置に配置すると共に他の半田鏝部を待機位置に配置する駆動機構と、半田実施鏝部の交換時期を判定する鏝交換判定手段とを備え、鏝交換判定手段の信号により駆動機構により半田実施鏝部を切り換え、連続的に半田付けを行っても半田鏝温度が低下する前に半田鏝を交換して供給された半田を溶融させる溶融処理を行うものである。
【０００８】
上記構成の具体的な構成として、鏝交換判定手段の構成を連続して半田付けを行った回数を計数し、所定回数で半田実施鏝部を交換するものである。
【０００９】
また鏝交換判定手段の構成として、半田実施鏝部に設けられた温度検出器の信号によって半田実施鏝部を交換するものである。
【００１０】
また鏝交換判定手段として、半田付けをされる基板の交換と同期させ、基板の交換と鏝の交換を同時に行うものである。
【００１１】
また上記構成として、半田実施鏝部の使用位置を記憶する記憶部を備え、半田実施鏝部の交換時に記憶部の値によって半田実施鏝部の位置に補正を加え、半田実施鏝部の交換によっても半田付け位置が適正に保たれるものである。
【００１２】
また上記構成として、実施半田鏝部以外の待機している半田鏝部をはんだ付け温度以上に加熱してクリーニングすることにより、鏝部の汚れを除去するものである。
【００１３】
また、半田実施鏝部の初期半田付け時に事前に鏝温度を低下させる冷却手段を備え、半田付け時の鏝温度を安定させるものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る半田処理装置によれば、鏝先を逐次交換することにより熱容量の大きな基板であっても鏝温度を適正にして半田付け品質を保ちながら、半田付け工程の時間を短縮して生産性を良好に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の半田処理装置の実施例１を示す外観図。
【図２】同半田処理装置の下に基板を配置した状態を示す説明図。
【図３】同実施例１の半田実施鏝部をヘッド１Ａとした動作状態を示す断面図。
【図４】同実施例１の半田実施鏝部をヘッド１Ｂとした動作状態を示す断面図
【図５】同実施例１の駆動機構を示す図。
【図６】従来の半田処理装置の鏝温度を示すグラフ。
【図７】本発明の半田処理装置の実施例１の鏝温度を示すグラフ。
【図８】同実施例２の鏝温度を示すグラフ。
【図９】同実施例３の鏝温度を示すグラフ。
【図１０】同実施例４のヘッドの動作状態を示す断面図。
【図１１】同実施例５の鏝温度を示すグラフ。
【図１２】従来の半田処理装置の鏝温度を示すグラフ。
【図１３】本発明の半田処理装置の実施例６の鏝温度を示すグラフ。
【図１４】本発明の半田処理装置の実施例７を示す外観図。
【図１５】同実施例７のヘッドの動作状態を示す断面図。
【図１６】本発明の半田処理装置の実施例８のヘッドの動作を示すを断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施形態について、実施例１から実施例８を例に挙げ、図面を参照しながら以下に説明する。なお、本発明の内容はこれらの実施形態に何ら限定されるものではない。また以下の説明で用いる上下左右および前後の各方向は、図１に示す通りである。
【００１７】
図１は、実施例１に係る半田処理装置Ｘの外観図であり、図２は、半田処理装置Ｘの下に基板（配線基板）Ｂｄを配置した状態を示す説明図である。図１および図２に示すように、半田処理装置Ｘでは、左右に並べて配置された２個のヘッド（１Ａ、１Ｂ）が、立設された平板状の壁体１１の前面に取付けられている。各ヘッド（１Ａ、１Ｂ）は基本的に同等の構成となっている。
【００１８】
また各ヘッド（１Ａ、１Ｂ）は、上方から糸半田Ｗが供給され、下部に設けられた半田鏝の鏝先５１を利用して、図２に示すように基板ＢｄのランドＬｄへリード線Ｌｅを半田付けするように動作する。なお、基板Ｂｄは、治具Ｇｊに取り付けられている。
【００１９】
各ヘッド（１Ａ、１Ｂ）は、基板Ｂｄに近接又は接触する下方位置と、この下方位置よりも上方である上方位置との間で、公知のロボットアーム（不図示）により上下方向に可動である。図１および図２に示す状態では、ヘッド１Ａが下方位置にあって半田実施鏝部として半田付け可能な状態にあり、ヘッド１Ｂが上方位置にあって待機状態にある。
【００２０】
各ヘッド（１Ａ、１Ｂ）の上側部分には、糸半田Ｗを供給する半田送り機構として、糸半田Ｗを送る一対の送りローラ６１と、送りローラ６１で送られる糸半田Ｗをガイドするガイド管６２とを備えている。一対の送りローラ６１は、糸半田Ｗを挟むとともに、回転することで糸半田Ｗを下方に送る。送りローラ６１は回転角度（回転数）によって、送り出す糸半田Ｗの長さを決定している。
【００２１】
ガイド管６２は、弾性変形可能な管体であり、送りローラ６１の糸半田Ｗが送り出される部分に近接配置されている。また、ガイド管６２の下端はカッター上刃２１の摺動に追従して移動する。ガイド管６２はカッター上刃２１が摺動する範囲で引っ張られたり、突っ張ったりしないように設けられている。
【００２２】
各ヘッド（１Ａ、１Ｂ）における半田送り機構の下方には、半田送り機構によって送られた糸半田Ｗを所定長さの半田片に切断するカッターユニットが設けられている。カッターユニットは、カッター下刃２２と、カッター下刃２２の上部に配置され、前後方向へ摺動可能に配置されたカッター上刃２１とを備えている。またカッターユニットには、上下方向にプッシャーピンを駆動するためのアクチュエーター３２が設けられている。
【００２３】
カッター上刃２１は、半田送り機構にて送られた糸半田Ｗが挿入される貫通した上刃孔２１１を備えている。上刃孔２１１の下端の辺縁部は切刃状に形成されている。カッター下刃２２は、上刃孔２１１を貫通した糸半田Ｗが挿入される貫通した下刃孔（不図示）を備えている。下刃孔の上端の辺縁部は切刃状に形成されている。上刃孔２１１と下刃孔は、糸半田Ｗが挿入されている状態でカッター上刃２１が摺動すると、糸半田Ｗと交差する方向にずれることで、互いの切刃によって糸半田Ｗを半田片に切断する。
【００２４】
切断後にカッター上刃２１が元の位置へ戻り、先述したプッシャーピンが駆動されると、プッシャーピンが下刃孔まで挿入される。これにより、カッターユニットによって切断された半田片が下刃孔に残っている場合でも、プッシャーピンによって下方へ押し出す。
【００２５】
また各ヘッド（１Ａ、１Ｂ）におけるカッターユニットの下方には、半田鏝部が設けられている。半田鏝部は、通電によって発熱する半田付け用のヒーター４１と、ヒーター４１を取り付けるためのヒーターブロック４２とを備えたヒーターユニットに加え、ヒーターユニットに取り付けられた鏝先５１を備えている。
【００２６】
ヒーターブロック４２は円筒形状を有しており、外周面には、ヒーター４１が巻き付けられている。ヒーターブロック４２は、軸方向の下端部に鏝先５１をとりつけるための凹部と、当該凹部の底部の中心から反対側に貫通する半田供給孔とを備えている。また鏝先５１は、上下方向（軸方向）に伸びる円筒形状となっており、鏝先５１の中央部分には、軸方向に延びる供給孔が形成されている。カッター下刃２２の下刃孔は、ヒーターブロック４２の半田供給孔、および鏝先５１の供給孔に連通している。
【００２７】
なお、鏝先５１は、高い熱伝導率を有する材質により形成されており、例えば熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上となっている。鏝先５１の材質としては、窒化アルミニウム、タングステンカーバイド、またはボロンナイトライドのセラミック材質などが好適である。
【００２８】
図３は、半田実施鏝部としてヘッド１Ａが選択されて溶融処理が行われ、ヘッド１Ｂが待機している状態での半田処理装置Ｘの断面図を示している。鏝先５１には熱電対のような第１温度検出器５２が、またヒータブロック４２には第２温度検出器４３がそれぞれ設けられている。第１温度検出器５２は鏝先の温度を検出するものであり、半田が溶融する部分である鏝先５１の先端部（図における下端）に設置される方が正確に温度を検出できるが、寸法的な制約もあるので図に示すように、先端から離れて設けられている。第２温度検出器はヒータブロック４２の温度を検出するもので、ヒーター４１の異常な温度を検出して警報などを発生する安全装置として作動する。
【００２９】
鏝先５１は、ヒーターブロック４２に対して着脱可能であり、装着時には上部がヒーターブロック４２の凹部に挿入配置され、下端部がヒーターブロック４２より下方に突出する。カッターユニットで切断された糸半田の半田片は、ヒーターブロック４２の半田供給孔と鏝先５１の供給孔を介して、鏝先５１の下方にある基板Ｂｄ上へ供給される。
【００３０】
また半田処理装置Ｘの下方部分には、左右方向へ可動である受け皿７１が支持体７２に固定されて設けられている。受け皿７１は移動することにより、ヘッド１Ａが上方位置にあるときはヘッド１Ａの鏝先５１の真下に配置され、ヘッド１Ｂが上方位置にあるときはヘッド１Ｂの鏝先５１の真下に配置される。受け皿７１は鏝先５１の付着物が基板Ｂｄ上に落下を防止している。
【００３１】
図３に示すように、半田実施鏝部として下方位置にあるヘッド１Ａでは、鏝先５１が基板Ｂｄに近接または接触して溶融処理が行われる。その間に上方位置にあるヘッド１Ｂでは、下方に受け皿７１が配置された状態にて鏝先５１を適温に回復する処理が実行される。
【００３２】
図４は、ヘッド１Ｂにて溶融処理が行われ、ヘッド１Ａが待機している状態での半田処理装置Ｘの断面図を示している。図４に示すように、半田実施鏝部として下方位置にあるヘッド１Ｂでは、鏝先５１が基板Ｂｄに近接または接触して溶融処理を行う。その間に上方位置にあるヘッド１Ａでは、下方に受け皿７１が配置された状態にて鏝先５１を適温に回復する処理を実行する。
【００３３】
基板Ｂｄ上にて半田付けを行う場合、ヒーターブロック４２を介してヒーター４１の熱が鏝先５１へ伝達し、その熱で基板Ｂｄ上に供給された半田片を溶融する。鏝先５１の温度は第１温度検出器５２によって検出し、その信号によりヒーター４１への通電量を制御する。なお、半田付けを行う際の各ヘッド（１Ａ、１Ｂ）は、ロボットアーム（不図示）に壁体１１が取り付けられ、このロボットアームの位置を制御することにより、鏝先５１の先端が基板Ｂｄへ近接又は接触する下方位置に移動しており、基板Ｂｄ上に供給された半田片を適切に溶融させることができる。駆動機構はラックとピニオンの例を示したが、ベルト掛けを行って駆動させても良い。また各ヘッドの昇降動作と同期して受け皿７１を移動することもできる。 
【００３４】
各ヘッド（１Ａ、１Ｂ）を上下方向へ移動する駆動機構としては、図５に示すようなラックアンドピニオン機構を用いても良い。図５に示すラックアンドピニオン機構は、ヘッド１Ａに固定されたラック１５ａと、ヘッド１Ｂに固定されたラック１５ｂと、これらのラックに挟まれたピニオン１６を備えている。当該ラックアンドピニオン機構によれば、ピニオン１６をモータ（不図示）で回転駆動させることにより、各ヘッド（１Ａ、１Ｂ）を、上方位置と下方位置へ交互に配置されるように移動することが可能である。
【００３５】
次に半田鏝部の温度について説明する。図６は半田付けが連続して行われたときの従来の鏝温度の経過を示すグラフである。適切な半田付けを行うには鏝先の温度は温度ＴaとＴbの所定範囲内に制御されることが必要であり、温度ＴaとＴbは半田材質によっても異なるが、例えば４００℃前後に設定している。
【００３６】
時間t０にて第1の半田付けポイントＰ０に半田鏝先が基板に接して加熱するので熱を奪われ、さらに半田片が落下して溶融するので半田鏝先の温度はＴ０からＴ１に低下する。この温度低下を温度検出器５２で検出し、ヒーター４１への通電量を増加させ、第２の半田付けポイントＰ１にヘッド１Ａが移動する間に温度はＴ１に上昇する。そして時間ｔ２で再び半田付けが行われ、温度はＴ３に低下する。次々と連続して半田付けが行われて時間ｔ５で温度Ｔ５に、時間ｔ７で温度Ｔ７に低下し、下限温度Ｔｂより低い温度になって良好な半田付けが行えない。
【００３７】
この問題の解決のために半田付けポイント間の時間をｔｘからｔｙに延長すれば温度低下は防止できるが作業時間が長くなって生産性が低下する。また、半田鏝先５１の熱容量を大きくして急激な温度低下を防止することも考えられるが、逆に応答性が悪くなり加熱による温度の回復が遅くなる不都合が生じる。また、基板がさらに高密度になり熱容量が増大すると鏝温度の低下も大きくなり生産性が低下する。
【００３８】
図７は実施例１における半田鏝先５１の温度変化を示したもので、時間t０（温度Ｔ０）で半田実施鏝部であるヘッド１Ａで第１の半田付けポイントＰ０において１回目の半田付けを行い、時間ｔ２（温度Ｔ２）で第２の半田付けポイントＰ１で２回目の半田付けを行う。このとき時間ｔ３で温度Ｔ３になり下限温度Ｔｂに近づく。
【００３９】
第２の半田付けポイントＰ２では駆動機構であるピニオン１６を回転させ、ヘッド１Ａを上方に待避させ半田実施鏝部としてヘッド１Ｂ下方向に移動させ半田付け可能な状態にする。ヘッド１Ｂの温度は初期温度Ｔ４に保持されており、時間ｔ４で第３の半田付けポイントＰ２での半田付けが行われ、時間ｔ８で第４の半田付けポイントＰ３のはんだ付けが行われる。第５の半田付けポイントＰ４では再びヘッド１Ａを半田付け可能な状態にして、時間ｔ８にてヘッド１Ａで半田付けを行う。このようにしてヘッドを１Ａと１Ｂを連続した半田付け回数（実施例では２回）で交互に切り換えることにより、鏝先温度をＴａとＴｂの範囲内に保持しながら短時間のうちに半田付けを行うことができる。連続して行う半田実施回数は、計数手段としてマイクロコンピュータ（不図示）に内蔵された電子カウンタを用いることができる。
【００４０】
前述のように鏝交換判定手段として半田付けの回数を設定することで、鏝先の温度の低下を防止できる。このときの半田付けの設定回数は、基板の熱容量によって変更することができ、事前のティーチングで設定する。この方法は半田実施回数で半田実施鏝部を交換するので制御が極めて容易である。
【００４１】
ヘッド１Ａと１Ｂと基板との図１における前後左右のそれぞれの距離はあらかじめ記憶部にデータを保持しており、ヘッド１Ａと１Ｂを交換すると基板の位置との相対位置が変化するが、前記の記憶部のデータで補正を行うことができる。
【００４２】
図８は本発明の実施例２の制御を行った場合の温度グラフをを示すもので実施例１との相違点は、鏝交換判定手段として第１温度検出器５２の信号によって半田実施鏝部の切り換えを行うことにある。半田付けが良好に行われる下限の温度Ｔｂよりも高い温度Ｔｃを設定し、第１温度検出器５２の検出温度が設定温度Ｔｃを検出した場合にヘッドを交換する。半田実施鏝部としてヘッド１Ａで１回目の半田付け時間ｔ０、２回目ｔ２、３回目ｔ４、４回目ｔ６で連続して半田付けを行うと、時間ｔ７で鏝温度はＴ７に低下し設定温度Ｔｃを下回る。この温度を第１温度検出器５２が測定すると、ピニオン１６が作動して半田実施鏝部をヘッド１Ａからヘッド１Ｂへと交換する。ヘッド１Ｂで継続して半田付けが行われ、５回目ｔ８、６回目ｔ１０で半田付けを行う。このとき基板Ｂｄの半田付け部分が熱容量の大きいものであったため、時間ｔ１１で鏝温度がより速く低下しＴ１１となり、設定温度Ｔｃを下回ることになる。このままヘッド１Ｂで半田付けを行うことは半田付け性能の悪化が予想されるので、半田実施鏝部をヘッド１Ｂからヘッド１Ａに再度交換を行い時間ｔ１２で半田付けを行う。この方法は、基板Ｂｄや溶融する半田の量による鏝温度低下にも柔軟に対応できる。
【００４３】
図９は本発明の実施例３の制御を行った場合の温度グラフを示すもので、実施例1との相違点は鏝交換判定手段として基板Ｂｄの交換時期とした点にあり、基板Ｂｄには４点の半田付けが必要な場合を示している。まず基板Ａに半田実施鏝部としてヘッド１Ａで時間ｔ０、ｔ２、ｔ４、ｔ６で４カ所の半田付けを行い、基板Ａの半田付けは終了し基板Ａと同種の基板Ｂを供給する。このタイミングで半田実施鏝部をヘッド１Ａからヘッド１Ｂへ交換し、時間ｔ８、ｔ１０、ｔ１２、ｔ１４にて半田付けを行い、基板Ｂの半田付けは終了する。以下この繰り返しで連続して半田付け工程を行う。なお、基板Ｂｄの種類が変更になった際には半田鏝の温度や半田時間間隔を変更することが好ましい。この方法は半田付けの対象となる基板の交換に同期してヘッドを交換するので、切り換え時間に無駄がなく制御も簡単である。
【００４４】
図１０は本発明の実施例４の構成を示す図であり、実施例1との相違点は、ヘッド１Ａの鏝先５１に蓄熱体８１を設けた点にある。蓄熱体８１を付加することにより半田付け時の鏝温度の低下が軽減できるので、コネクタ端子のような熱容量の大きい電気部品であっても鏝温度を保って複数回の半田付けが可能である。熱容量の大小が混在する基板においては図１０に示すようにヘッド１Ａに蓄熱体８１を設けて熱容量の大きな部品を半田付けし、ヘッド１Ｂに通常の鏝先で熱容量の小さな部品を半田付けするようにすれば、鏝先温度が安定した状態で半田付けができる。蓄熱体８１を付加することにより鏝温度の回復が遅れることが懸念されるが、待機時に十分加熱することができ、半田時間が遅延することはない。この方法では、熱容量の異なる部品が基板上に配置されていても迅速に半田付けができる。  
【００４５】
図１１は本発明の実施例５の温度制御を行ったときグラフを示したもので、実施例1との相違点は、一方のヘッドで半田付けを行っている時間に他のヘッドで鏝先のクリーニングを行う点にある。鏝先は半田に対して非ぬれ性のセラミック等で構成されているが、半田の溶融回数が増加するにつけフラックスなどの残渣物が付着して、半田付け性能を悪化させる。この残渣物は半田付けで使用する温度以上に加熱すると除去できる。半田実施鏝部としてヘッド１Ａで半田付けを行っている間に待機しているヘッド１Ｂを加熱して高温に保ってクリーニングを行う。すなわち時間ｔ０、ｔ２、・・・、ｔ１６で半田付けを行っている間にヘッド１Ｂを加熱して温度Ｔｄに上昇させる。また半田実施鏝部としてヘッド１Ｂで半田付け作業を行っている間にヘッド１Ａをクリーニングしても良い。このクリーニング作業は例えば半田付け回数１００〜２０００回毎に行えば良い。
【００４６】
図１２は熱容量の非常に大きな基板を半田付けしたときの従来装置の温度グラフの一例を示したものである。鏝先温度の低下が著しいので設定温度をＴ０のようにやや高温に設定して温度の下限値を保証したものであるが、初期温度Ｔ０のような高温で半田付けすることはフラックスの逸散やランドの剥離を生じるので好ましくない。
【００４７】
図１３は本発明の実施例６の制御を行ったときのグラフを示したもので、実施例１との相違点は１回目の半田付けの前に鏝先を所定時間冷却することにある。上記の温度に対する不具合を解決するもので、事前に時間ｔ（−２）から時間ｔ（−１）の時間ｔｚで鏝先を冷却した後、ｔ０(温度Ｔ０）から半田付けを行うものである。
【００４８】
図１４に冷却手段の具体的な構成を示す。ノズル９１は冷却用の流体を噴出するノズルであり、流体の流量を調節する制御弁９２を介して流体管路９３に連結され、流体管路９３には不活性ガスを供給している。図１５は流体を吹き付けているときの要部の断面図であり、上記の時間ｔｚの間制御弁９２を開いてノズル９１から鏝先５１に流体を供給し、鏝先５１の温度を低下させる。鏝先５１の温度低下の値は、流体の温度や流体の流量あるいは時間ｔｚを変化させて調節できる。なお冷却に使用する流体は半田付けの際に鏝先５１の内部孔に供給する窒素のような不活性ガスを共用しても良い。この方法は半田付けするときの鏝先温度が安定しているので、基板のランドに悪影響を及ぼすことがなく半田付けの信頼性が高くなる。
【００４９】
図１６は本発明の実施例７を示すもので、実施例６との相違点は鏝先５１を冷却手段として放熱体に接触させて温度を低下させる点にある。すなわち図１６（ａ）に示すように、基板Ｂｄと同一面に放熱体Ｈｄを配置し、半田付けを実行する前（図１３に示す時間ｔ（−２））に、鏝５１を移動して図１６（ｂ）に示すように鏝先５１を放熱体Ｈｄに接触させて鏝先５１の温度を低下させる。放熱体Ｈｄは基板Ｂｄ上に設けても良く、またいくつかの放熱体を用意して随時交換しながら行っても良い。５３は鏝先温度を非接触で計測する放射温度計である。この方法は冷却手段として放熱体を設けるだけであるので、構成が簡単であり低コストで実施できる。
【００５０】
本実施例では、２つのヘッドを駆動機構により交互に作動させる例を示したが、３つ以上のヘッドを備え、そのうちのひとつで半田付けを行い他のヘッドを待機させても良い。  
【符号の説明】
【００５１】
１Ａ、１Ｂ        ヘッド
１５ａ、１５ｂ    ラック
１６              ピニオン(駆動機構）
４１              ヒーター
４３              第２温度検出器
５１              鏝先
５２              第１温度検出器
８１              蓄熱体
９１              ノズル
９２              制御弁
Ｂｄ              基板
Ｈｄ              放熱体
Ｘ                半田処理装置
Ｗ                糸半田
【図１】
2017121642.tif 000003
【図２】
2017121642.tif 000004
【図３】
2017121642.tif 000005
【図４】
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【図５】
2017121642.tif 000007
【図６】
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【図７】
2017121642.tif 000009
【図８】
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【図９】
2017121642.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2017121642.tif 000013
【図１２】
2017121642.tif 000014
【図１３】
2017121642.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2017121642.tif 000017
【図１６】
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