(57)【要約】 【課題】  減圧下でも定量噴霧が可能な一流体スプレーノズルを備えた量子ドット製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】  真空チャンバと、  該真空チャンバ内に載置して使用される、温度制御可能な基板支持台と、  該基板支持台上に載置される基板に、量子ドット前駆体溶液を定量噴霧する一流体スプレーノズルと、を備える量子ドット製造装置。【選択図】  図8
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバと、
該真空チャンバ内に載置して使用される、温度制御可能な基板支持台と、
該基板支持台上に載置される基板に、量子ドット前駆体溶液を定量噴霧する一流体スプレーノズルと、
を備える量子ドット製造装置。
【請求項２】
量子ドット前駆体と反応させるための反応性ガス供給部をさらに備える請求項１記載の量子ドット製造装置。
【請求項３】
前記一流体スプレーノズルが、
液流体射出口を備えたスプレー射出口部とこれに連通する筐体部とを有し、
前記筐体部には液流体入口が設けられているとともに、前記一流体スプレーノズルの閉位置と開位置の間の移動によって前記液流体入口から注入された液流体の前記流体射出口からの射出の実施または停止を切替制御するロッドが内装されており、
前記液流体射出口とこれに対向する前記ロッドの先端部との間には、開口を有し、液流体を旋回吐出する旋回子が配置され、
前記旋回子の開口が、前記ロッドの前記閉位置への移動により、前記ロッド先端部の該開口への当接によって塞がれることで、前記スプレー射出口部の液流体射出口からの液流体の射出が停止され、
前記ロッドの前記開位置への移動で前記旋回子の開口が開放されて、液流体が旋回子から旋回吐出されて前記スプレーの射出口部の液流体射出口からの液流体の射出が実施される、ことを特徴とする、請求項１又は２記載の量子ドット製造装置。
【請求項４】
前記ロッドの筐体内にエア操作部が配置され、エアの圧力制御によってロッドの前記移動が制御されることを特徴とする請求項３に記載の量子ドット製造装置。
【請求項５】
前記旋回子は板状体であって、その厚み方向に貫通されている複数の開口によって、前記液流体射出口からの該液流体が円錐状に旋回射出されることを特徴とする請求項３または４に記載の量子ドット製造装置。
【請求項６】
射出のスプレー角度が３０°超であることを特徴とする請求項５に記載の量子ドット製造装置。
【請求項７】
前記旋回子が樹脂製であって、前記ロッドは、先端部が樹脂被覆されていてよい金属製もしくはセラミック製であるか、または前記旋回子が金属製もしくはセラミック製であって、前記ロッドが、先端部が樹脂被覆された金属製もしくはセラミック製であることを特徴とする請求項３〜６のいずれか一項に記載の量子ドット製造装置。
【請求項８】
液流体射出口を備えたスプレー射出口部とこれに連通する筐体部とを有し、
前記筐体部には液流体入口が設けられているとともに、前記一流体スプレーノズルの閉位置と開位置の間の移動によって前記液流体入口から注入された液流体の前記流体射出口からの射出の実施または停止を切替制御するロッドが内装されており、
前記液流体射出口とこれに対向する前記ロッドの先端部との間には、開口を有し、液流体を旋回吐出する旋回子が配置され、
前記旋回子の開口が、前記ロッドの前記閉位置への移動により、前記ロッド先端部の該開口への当接によって塞がれることで、前記スプレー射出口部の液流体射出口からの液流体の射出が停止され、
前記ロッドの前記開位置への移動で前記旋回子の開口が開放されて、液流体が旋回子から旋回吐出されて前記スプレーの射出口部の液流体射出口からの液流体の射出が実施される、ことを特徴とする、一流体スプレーノズルを備えた量子ドット製造ユニット。
【請求項９】
前記量子ドット製造ユニットを備える薄膜製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、量子ドット製造装置に関し、詳細には、真空下においても定量的で広い範囲に均一なスプレーが可能な、一流体スプレーノズルを備える量子ドット製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子デバイス技術の高度化にともなって、量子ドットの離散エネルギー準位を用いた電子制御技術が注目を集めている。量子ドット製造技術としては、薄膜製造技術を応用した自己組織化法及び液滴エピタキシー法、溶媒中でコロイド状量子ドットを得る化学的手法がある。これら従来の手法では、室温以上において熱揺らぎに負けずに離散エネルギー準位を維持することが可能な２ｎｍ以下の量子ドットのサイズを原子制御することが難しい。加えて、量子ドット内の電子は量子トンネル効果により外側へ浸み出すため、量子ドットの周囲を均一な材料で覆うことも高度な電子制御を行うために必要である（非特許文献１）。
【０００３】
原子制御された量子ドットを形成する新たな試みとして、溶液中で化学的に金属含有数を制御した量子ドット前駆体分子を基板上で互いに離隔して配置させ酸化物量子ドットへと化学変換する新手法が見出されている（例えば、非特許文献２〜４）。但し、酸化物量子ドットの形成においては、量子ドット前駆体分子を基板上で離隔して配置させるため基板上に施与する量子ドット前駆体溶液の量や濃度の正確な制御が必要である。施与する方法としては、従来、専ら塗布が使用されてきたが、該塗布による方法では自動化や大面積化に限界があり、デバイス製造等の原子制御された量子ドットの応用及び高度電子制御技術の拡充にとって大きな課題となっていた。
【０００４】
また、原子制御された量子ドットの周囲を均一な素材で覆う目的で原子層堆積法（ＡＬＤ）等の真空薄膜形成技術との組合わせが検討されている。その際、真空状態を維持したまま連続して両技術を実施できれば好ましく、該実施が自動化できればさらに好ましい。そこで、真空下での自動化も考慮した原子制御型量子ドットの製造装置及びプロセスが求められているが、依然として有効な方法が見出されていない。
【０００５】
一般的に液体を施与するために使用されているのは、スプレーによる液体の噴霧である。広く使用されている液流体のスプレーノズルは、エア（空気）等のガスの共存による二流体方式であり、真空下での使用には不適切である。また、液流体の噴霧のための従来のスプレーノズルでは、スプレー角度は約３０°程度までであり、噴霧された液流体の分布範囲は狭く、しかも均一な厚みにするのが難しいという問題がある。
【０００６】
このような問題点を解決する手段として、ガスを用いる二流体方式のスプレーノズルではなく、液流体のみの一流体スプレーノズルがある。なかでもノズル射出口部への旋回子（ワーラー）の配置によってスプレー角を大きくとれて、液流体の分布範囲を広くでき、均一な厚みとすることができる一流体方式のスプレーノズル（例えば非特許文献５及び６）がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Norifusa Satoh, Chem. Lett., 43, 629-630 (2014)
【非特許文献２】Norifusa Satoh, Toshio Nakashima, Kenta Kamikura, Kimihisa Yamamoto, Nature Nanotechnology 3, 106 - 111 (2008)
【非特許文献３】Norifusa Satoh, Toshio Nakashima, Kimihisa Yamamoto, Sci. Rep. 3, 1959; DOI;10.1038_srep01959 (2013).
【非特許文献４】Norifusa Satoh, Soft Matter Nanotechnology (Wiley-VCH), 217-232 (2015)
【非特許文献５】http://www.kirinoikeuchi.co.jp/eng/products/flange-type_large_capacity_full_cone_spray_nozzles_tjjx_series.html
【非特許文献６】http://www.kirinoikeuchi.co.jp/eng/products/small_capacity_full_cone_spray_nozzles_jjrp_series.html
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記一流体スプレーノズルは、減圧下において、該ノズルの開閉を行うバルブを閉じた後にもバルブからノズル先端部（以下「ノズルチップ」という場合がある）までに留まった液流体が陰圧によって引き出され、定量噴霧することができないことが見出された。そもそも真空下で一定量の液流体を施与すること自体がほとんど行われていない。接着剤等は蒸気圧も低く粘稠流体であるので、真空下でディスペンサにより施与されているが、量子ドット前駆体の溶液のような低粘度の液流体を減圧下で噴霧することは、最初から企図されていないのが実情である。
【０００９】
そこで本発明は、前記事情に鑑み、減圧下でも定量噴霧が可能な一流体スプレーノズルを備えた量子ドット製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
即ち、本発明は下記のものである。
真空チャンバと、
該真空チャンバ内に載置して使用される、温度制御された基板支持台と、
該基板支持台上に載置される基板に、量子ドット前駆体溶液を定量噴霧する一流体スプレーノズルと、
を備える量子ドット製造装置。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の装置によれば、大面積に量子ドットを効率良く製造することができる。また、真空薄膜形成技術と組み合わせて、真空下での一連の操作により、量子ドット積層構造もしくは量子ドット超格子を製造することができる。特に、真空薄膜形成技術として膜厚を原子制御可能な原子層堆積法を用いる場合、量子ドット積層構造もしくは量子ドット超格子の３次元構造の原子制御が可能となり、新材料・デバイス中の高度電子制御に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明における一流体スプレーノズルの一例の、閉位置における構成の断面概略図である。
【図２】図１のスプレーノズルの開位置における構成の断面概略図である。
【図３】旋回子の一例について、ロッド２Ａの接触範囲と、旋回子の開口とを示した平面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、旋回子の種類を例示した図である。
【図５】旋回子を備える一流体スプレーノズルによりスプレーされた流体膜の断面形状を例示した説明図である。
【図６】従来の二流体方式スプレーノズルによりスプレーされた流体膜の断面形状を例示した説明図である。
【図７】実施例で得られた膜の、分光エリプソメトリで測定された膜厚分布を示す図である。
【図８】本発明の量子ドット製造装置の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
最初に、本発明の装置において好適に使用される一流体スプレーノズルについて説明する。図１および図２は、本発明におけるスプレーノズルの一例の、該スプレーノズルの閉位置と開位置における構成の断面概略図である。これらの図に示したように、本発明の一流体スプレーノズルは、スプレー射出口部１と筐体部２を備えている。スプレー射出口部１には液流体射出口１Ａが設けられ、前記筐体部２の内部には、液流体射出口１Ａに連通する空間内に、スプレーノズルの閉位置と開位置の間を移動するロッド２Ａが内装され、また液流体入口２Ｂが設けられている。図１ではロッド２Ａがスプレーノズルの閉位置にあり、図２では開位置にある。このロッド２Ａの位置は、後述するスプレーノズル制御部により制御される。
【００１４】
また、前記の液流体射出口１Ａと、ロッド２Ａとの間には、液流体を旋回噴霧させるための旋回子（ワーラー）３が配置されている。
【００１５】
図１および図２の実施形態では、前記筐体部２は、前室部２１と後室部２２とに区分されている。前室部２１においては、前記ロッド２Ａにダイヤフラム２Ｃが装着され、及びＯ（オー）リング２Ｄによって、後室部２２との間が区切られている。一方、後室部２２においては、Ｏ（オー）リング２Ｅにより保持されているピストンロッド２Ｆが前記ロッド２Ａの後端部位置で固定されて、ロッド２Ａが移動できるように配置されている。また、スプリング２Ｇの弾発力によってピストンロッド２Ｆが前記ロッド２Ａを押圧するようにされている。そして、後室部２２には、エア（空気）の流入によって、エア圧力でピストンロッド２Ｆの移動を操作・調整できるように、エア操作部の一部としてのエア流出入口２Ｈ、とエア流出入口２Ｉが設けられている。
【００１６】
図１の状態は、エア流出入口２Ｉからエアが注入されて、スプリング２Ｇの弾発力とともにエア圧力によって、ピストンロッド２Ｆ、そしてロッド２Ａがスプレーノズル閉位置へと移動し、前記旋回子３にロッド２Ａの先端部が当接及び押圧された状態にある。
【００１７】
これに対し、図２の状態では、エア流出入口２Ｈからエアが注入されて、エア圧力によって、スプリング２Ｇを圧縮してピストンロッド２Ｆ、そしてこれに固定されているロッド２Ａをスプレーノズル閉位置へ移動させる。これによって、ロッド２Ａの先端部は前記旋回子３から離れた状態にある。
【００１８】
図３は、旋回子の一例についてロッド２Ａの接触範囲と、旋回子の開口とを示した平面図である。該旋回子３は、例えば４つの開口３Ａを有し、これらの開口３Ａから液流体が流入して、液流体が旋回状態で液流体射出口１Ａに向けて吐出され、液流体射出口１Ａより液流体が旋回状態で射出される。
【００１９】
図１の状態では、ロッド２Ａの先端部が、例えば図３のロッド接触範囲３Ｂにおいて旋回子３に当接及び押圧され、開口３Ａの全てを塞ぐ。これによって、液流体の射出スプレーは停止された状態となる。一方、図２の状態では、開口３Ａが開放されて、液流体入口２Ｂから加圧状態で注入された液流体が旋回子３を通過し、旋回状態で液流体が噴霧される。
【００２０】
ロッド２Ａの押圧当接によって開口３Ａを塞ぎ、ロッド２Ａのスプレーノズル開位置への移動によって開口３Ａが開放されるという機構によって、液流体の停止と噴霧の切替が瞬時に可能となる。また、旋回子３とロッド２Ａの面接触の有無の切り替えが、ノズルスプレーのバルブとして作用するため、ノズルチップとバルブ間のデッドスペースが少なく、噴霧停止時にバルブと射出口の間に留まる液流体が陰圧によって引き出されるという従来のスプレーにおける問題がなく、定量噴霧が達成される。
【００２１】
旋回子３は、板状体であって、その厚み方向に貫通されている開口３Ａによって液流体が旋回吐出されるが、この開口３Ａの配置、貫通形状、構造についてはスプレーノズルの用途目的、射出スプレーの性状や機能に応じて様々に設計、製造されたものであってよい。旋回子３としては、図４の（ａ）Ｘ型、（ｂ）蓮根型、（ｃ）卍型等が示され、これらは市販されている。これらによって液流体を旋回させ、広い範囲の円形全面スプレーが可能となる。このような旋回子を使用することによって、射出のスプレー角度が従来の３０°より大きく、約１２０°程度までの充円錐スプレー流体が構成される。
【００２２】
射出スプレー後の液流体は、例えば、図５の流体膜の断面図に示したように、広い面積で均一な厚みとなる。このような厚み分布は、例えば図６に例示した二流体方式のスプレーノズルによる場合のような、分布範囲が狭い山形の分布と顕著に相異する。
【００２３】
旋回子３とロッド２Ａについては、旋回子３の開口３Ａを完全に塞ぎ、ノズル閉位置での密着度を高めるために、旋回子を樹脂、例えばポリプロピレン（ＰＰ）、フッ素樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、又はポリイミド等により構成し、ロッド２Ａを金属製、例えばステンレス、真鍮又はセラミック製として、柔／剛の組合せとすることが好ましい。金属による押圧による樹脂製旋回子における力学疲労を低減するために、ロッド２Ａの先端部を上述の樹脂により被覆してもよい。あるいは、旋回子３を金属製、又はセラミック製とし、ロッド２Ａを、先端部を樹脂被覆した金属製又はセラミック製としてもよい。セラミックとしては、例えば、アルミナ、ＳｉＣ、ＳｉＳｉＣ等を使用することができる。好ましくは、旋回子を樹脂製とし、ロッド２Ａを金属製とする。
【００２４】
前記旋回子３は、スプレー射出口部１の内部に着脱自在としてもよいし、固定してもよい。また、その板状体の形状は、断面が平板状でもよいし、台形状等の各種であってよい。ロッド２Ａは、図１、２において長さ方向中央部にテーパーを備えた、液流体射出口１Ａ側（以下「先端部」という）が細い円柱形状であるが、該形状に限定されない。先端部は、使用する旋回子３における開口を防ぐのに十分な面積を有していれば、いずれの形状であってもよい。また、テーパーが無く、先端部から同じ径の円柱であってもよい。スプレー射出口部１における液流体射出口１Ａに至る通路１Ｂについてはその大きさ、断面形状は、液流体の所定の旋回が阻害せずに無理なく液流体射出口１Ａへとデスケーリングさせながら導けばよく、お椀状、湾曲面状等とすることができる。基板の形状や噴霧の目的に応じて液流体射出口１Ａ、通路１Ｂおよびスプレー射出口部１の形状を整えて、充角錐型などに噴霧パターンを変更してもよい。
【００２５】
また、ロッド２Ａの前後動を可能とする前記ピストンロッド２Ｆ、スプリング２Ｇ等による機構に代えて、例えば電磁的機構等が採用されてもよい。図１、２の構成において、噴霧量の調整は、主として液流体の圧力と噴霧時間で行うが、これに代えて、従来のニードルバルブのように、ロッド２Ａと筐体との隙間量で調整する構成を組合わせてもよい。また、前室部２１に導入された液流体を液流体射出口１Ａから噴霧することなく他の流体へと置換することを目的として、前室部２１にさらに開閉可能な流体出口を設けてもよい。この流体出口の開閉はロッド２Ａの前後動と独立に制御できれば、ニードルバルブや電動バルブ等を用いればよく、ロッド２Ａの開閉位置間の移動に同期する形で、液流体射出口１Ａから定量噴霧される液流体を噴霧毎で自在に変更してもよい。
【００２６】
本発明の装置における他の一流体スプレーノズルとしては、ノズルチップとバルブとの間のスペースが十分小さいもの、例えば、バルブシートがノズルチップに近接して配置されており、該バルブシートとロッドのテーパー接触によるスプレー噴霧の開始と停止を制御する一流体スプレーノズル（スプレーイングシステム社製）が挙げられる。
【００２７】
上記一流体スプレーノズルの場合、液膜が山形となり、均一分布となり難い傾向がある。しかし、このような場合においても、より高沸点の液流体を利用し、又は基板の設定温度を下げる等の操作により噴霧後の乾燥過程を長くしてレベリングさせることで、量子ドット製造に使用してもよい。
【００２８】
本発明の量子ドット製造装置は、上記の一流体スプレーノズルを備えることを特徴とする。図８は本発明の量子ドット製造装置の一例を示す概要図である。量子ドット製造装置４は、真空チャンバ４２と、該真空チャンバ内に載置して使用される温度制御可能な基板支持台４３と、該基板支持台上に載置される基板上に量子ドット前駆体溶液を定量噴霧する一流体スプレーノズル４１を備える。基板支持台４３の温度制御は、例えば基板支持台４３の下部に温度制御部４３ａを備えるヒーター、赤外線ランプ、誘導加熱によって行うことができる。通常、量子ドットを作る際には基板支持台４３を２５〜５００℃程度で加熱される。
【００２９】
図８において一流体スプレーノズル４１と基板支持台４３は真空チャンバ４２に備えられているが、一流体スプレーノズル４１と基板支持台４３を隔てるシャッターが挿入されてもよいし、使用の際に一流体スプレーノズル４１が真空チャンバ内に挿入される可動式であってもよい。その際、一流体スプレーノズル４１に対する基板支持台４３の位置を調整可能とすることが好ましい。さらに、基板支持台４３の可動域をより広くしたい場合には、基板支持台４３をｘｙｚステージとしてもよい。また、サンプル基板の導入口にロードロック機構を用いても良い。さらに、該装置には図示しない配管、バルブ、ガスボンベ、溶媒トラップ等が備えられていてよい。
【００３０】
図８は、自動化された形態の装置を示し、制御部４５を備える。該制御部４５は中央処理装置４５ａを備え、該中央処理装置４５ａからの信号に応じて、量子ドット製造装置内の各構成要素の動作が制御される。該制御部４５には、例えば一流体スプレーノズル４１の開閉、温度等を制御するスプレーノズル制御部４５ｂ、量子ドット前駆体溶液貯蔵部４４からの送液を制御する送液制御部４５ｃと、真空チャンバ４２の排気、量子ドット前駆体を量子ドットへと転換するためのオゾンガスやプラズマガス等の反応性ガス等の供給を制御するガス制御部４５ｄを備える。さらに、量子ドットに照射するための光源、量子ドットと反応させる反応性ガス貯蔵部もしくはボンベ、高電圧電極等を備える反応性ガス生成部を備えてもよい。
【００３１】
好ましくは、ガス制御部４５ｄには、原子堆積法又は化学気相蒸着法等による堆積層と組み合わせた積層構造を形成するための、該堆積層を構成するガスの供給部が備えられる。逆に既存の薄膜製造装置に上記の一流体スプレーノズルを備える量子ドット製造ユニットを設置することで量子ドット製造機構を備えた薄膜製造装置としてもよい。また、既存の薄膜装置と本発明の量子ドット製造装置とを搬送チャンバで接続してもよい。
【００３２】
原子制御された酸化物量子ドットとしては、酸化チタン、酸化鉄、酸化マンガン、酸化コバルト等からなるドットが例示される。基板上で量子ドットが凝集しないように量子ドット前駆体を単分子膜となるようにスプレーする必要がある。このため、スプレーノズルから射出する液流体の濃度、射出量、及び流量分布について適宜調整することが好ましい。前駆体の液流体のための溶媒としては、例えば、ヘキサン、クロロホルム、アルコール等の有機溶媒を用いることができる。また、スプレーの間、又はスプレー後にＨ２やＨ２Ｓ、ＮＨ３等の反応性ガスを作用させることで金属、硫化物、又は窒化物等の量子ドットへと化学変換することができる。
【００３３】
上記本発明の装置によって、真空状態を維持したままで、量子ドットと薄膜を積層して量子ドット積層構造もしくは量子ドット超格子を構築することができる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例１】
【００３４】
真空チャンバと、該真空チャンバ内に載置され、温度制御可能な基板支持台と、該真空チャンバの上部に備えられた一流体スプレーノズルを備えた装置を用いて、試験液の噴霧実験を行った。試験液としては、量子ドット前駆体溶液を模したポリ酢酸ビニル溶液を用いた。
図１及び２に示す構造において、テトラフルオロエチレン製の図４（ｂ）に示した蓮根型の旋回子と、直径４ｍｍのステンレス製のロッドが内装され、液流体射出口の直径１ｍｍの一流体スプレーノズルを作成した。チャンバの頂部に該一流体スプレーノズルを気密に固定し、チャンバ内を０．０９８ＭＰａに減圧した。一流体スプレーノズルの液流体射出口の設置位置（高さ）をシリコン基板の１０ｃｍ上にセットし、シリコン基板上に、次の条件下でポリ酢酸ビニル溶液をスプレーした後、窒素気流下で一晩乾燥した。得られた膜の膜厚分布を、分光エリプソメトリで測定した。結果を図７に示す。
【００３５】
＜液流体＞
ポリ酢酸ビニル：濃度２．５ｇ／ｌ
溶媒：トルエン／モノクロロベンゼン＝１／１（体積比）
液圧：０．２ＭＰａ
噴射時間：０．２Ｓ
【００３６】
＜結果＞
図７に示すとおり、直径８ｃｍに渡って均一な膜厚の膜が形成された。スプレー後にも液が引き出されて漏れる現象は全く観察されなかった。比較のために用いた、旋回子を備えていない一流体スプレーノズルでは直径２ｃｍ程度の広さにしかスプレーできなかった。
【実施例２】
【００３７】
同上の一流体スプレーノズルのセットアップを用いて、５ｎｍの原子層堆積法（ＡＬＤ）によりＡｌ２Ｏ３膜を堆積したシリコン基板上に、下記の条件で量子ドット前駆体をスプレー噴霧した。減圧を維持したまま２５℃で５分間乾燥後、量子ドット前駆体層が形成された基板をチャンバから取り出した。その後、ＵＶオゾンクリーナー（サムコ、UV-1）にて５分間の酸化処理を５分間施すことで酸化物量子ドットを得た。続いて、原子層堆積装置（Picosun、SUNALE R-100B）にて２０ｎｍのＡＬＤによりＡｌ２Ｏ３膜を堆積し、該Ａｌ２Ｏ３膜の上に電子銃型蒸着装置（アルバック、UEP-3000-2C）で２ｎｍ Ｔｉ/５０ｎｍ Ａｕ電極を堆積することでフラッシュメモリ類似構造を作製し、電圧―キャパシタンス特性によりメモリ特性を評価した。
【００３８】
＜液流体＞
量子ドット前駆体：２μｍｏｌ／Ｌ
溶媒：オクタン
液圧：０．２ＭＰａ
噴射時間：０．２Ｓ
【００３９】
＜結果＞
酸化物量子ドットへの電荷蓄積により１０Ｖほどの大きなメモリウインドウを確認した。これは従来の塗布法で作製した酸化物量子ドットを用いたものと同等の特性であった。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の装置は、量子ドット及び量子ドット積層構造を製造するのに大変有用である。  また、本発明における一流体スプレーノズルは、減圧下に限らず、大気圧下においても広い範囲に噴霧毎に異なる液流体を定量噴霧でき、大変有用である。
【符号の説明】
【００４１】
１  スプレー射出口部
１Ａ  液流体射出口
１Ｂ  通路
２  筐体部
２１  前室部
２２  後室部
２Ａ  ロッド
２Ｂ  液流体入口
２Ｃ  ダイヤフラム
２Ｄ  Ｏ（オー）リング
２Ｅ  Ｏ（オー）リング
２Ｆ  ピストンロッド
２Ｇ  スプリング
２Ｈ  エア流出入口
２Ｉ  エア流出入口
３  旋回子（ワーラー）
３Ａ  開口
３Ｂ  ロッド接触範囲
４  量子ドット製造装置
４１  一流体スプレーノズル
４２  真空チャンバ
４３  基板支持台
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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