(57)【要約】【課題】メッキのパターンによる配線引き回しの可能な半導体装置用基板を提供する。【解決手段】半導体装置用基板は、半導体素子を搭載するものであり、金属とレジストとによる回路を備える第１の層と、開口部を備えるレジスト層、および、開口部において、当該金属の上に形成されたメッキ層とを備える第２の層と、を備える。【選択図】図１
2017135293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載する半導体装置用基板であって、
金属とレジストとによって構成される回路を備える第１の層と、
開口部を備えるレジスト層、および、前記開口部において、前記金属の上に形成されたメッキ層とを備える第２の層と、を備える半導体装置用基板。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置用基板において、
前記メッキ層は、前記第２の層において、前記第１の層の前記レジストの上に張り出している半導体装置用基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置用基板において、
前記メッキ層は、前記半導体装置用基板に前記半導体素子を搭載した際に外部との接続端子となる半導体装置用基板。
【請求項４】
半導体素子を搭載する半導体装置用基板の製造方法であって、
導電性基板に形成された、金属とレジストとによって構成される回路を備える層の上に、前記金属の一部が露出する開口部を備えるレジスト層を形成し、
前記開口部に、前記金属をメッキして得られるメッキ層を形成する半導体装置用基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記メッキ層が、前記回路を構成する前記レジストの上に張り出すように形成する半導体装置用基板の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記回路を構成する前記金属は、前記導電性基板をメッキすることにより形成したものである半導体装置用基板の製造方法。
【請求項７】
請求項４または５に記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記導電性基板は、前記金属を含み、
前記回路は、前記導電性基板の表面をエッチングして形成したものである半導体装置用基板の製造方法。
【請求項８】
半導体素子と、請求項１から３までのいずれか一項に記載の半導体装置用基板とを備える半導体装置であって、
前記半導体素子は、前記半導体装置用基板に搭載されている半導体装置。
【請求項９】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の半導体装置用基板、または、請求項４から７までのいずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法により製造された半導体装置用基板に、前記半導体素子を搭載し、
前記半導体装置用基板に搭載された前記半導体素子を樹脂により封止する半導体装置の製造方法。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用基板と、半導体装置用基板の製造方法と、半導体装置と、半導体装置の製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
基材上にレジストにてパターニングを行い、メッキを成長させることで基板を作製することが行われている。特許文献１には、１層構造の回路のパターンで形成された、側面が、基板側に接近するにつれて外周が小さくなり内側に削れる傾斜部を含む電極を有する半導体装置用基板が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開第２０１０−２１９４９７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の半導体装置用基板は、電極が１層構造で形成されているため、半導体パッケージ内における半導体装置用基板上の配線引き回しは制約を受けることになる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様によると、半導体装置用基板は、半導体素子を搭載するものであり、金属とレジストとによる回路を備える第１の層と、開口部を備えるレジスト層、および、前記開口部において、前記金属の上に形成されたメッキ層とを備える第２の層と、を備える。
本発明の第２の態様によると、半導体装置用基板の製造方法は、半導体素子を搭載する半導体装置用基板の製造方法であって、導電性基板に形成された、金属とレジストとによる回路を備える層の上に、前記金属の一部が露出する開口部を備えるレジスト層を形成し、前記開口部に、前記金属をメッキして得られるメッキ層を形成する。
本発明の第３の態様によると、半導体装置は、半導体素子と、第１の態様の半導体装置用基板とを備え、前記半導体素子は、前記半導体装置用基板に搭載されている。
本発明の第４の態様によると、半導体装置の製造方法では、第１の態様の半導体装置用基板、または、第２の態様の半導体装置用基板の製造方法により製造された半導体装置用基板に、前記半導体素子を搭載し、前記半導体装置用基板に搭載された前記半導体素子を樹脂により封止する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、半導体装置用基板上でのメッキのパターンによる配線引き回しが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態の半導体装置用基板を示す図であり、図１（ａ）は断面図であり、図１（ｂ）は、上面図である。
【図２】第１の実施形態の半導体装置用基板の製造の第１の工程を示す図であり、図２（ａ）は、断面図であり、図２（ｂ）は、上面図である。
【図３】第１の実施形態の半導体装置用基板の製造の第２の工程を示す図であり、図３（ａ）は、断面図であり、図３（ｂ）は、上面図である。
【図４】第１の実施形態の半導体装置用基板の製造の第３の工程を示す図であり、図４（ａ）は、断面図であり、図４（ｂ）は、上面図である。
【図５】第１の実施形態の半導体装置用基板の製造の第４の工程を示す図であり、図５（ａ）は、断面図であり、図５（ｂ）は、上面図である。
【図６】第１の実施形態の半導体装置用基板の製造の第５の工程を示す図である。
【図７】第１の実施形態の半導体装置の製造の第６の工程を示す図であり、図７（ａ）は、断面図であり、図７（ｂ）は、上面図である。
【図８】第１の実施形態の半導体装置の製造の第７の工程を示す図である。
【図９】第１の実施形態の半導体装置の製造の第８の工程を示す図である。
【図１０】第１の実施形態の半導体装置の製造の第８の工程を示す概略図である。
【図１１】第１の実施形態の変形例の半導体装置用基板を示す図であり、図１１（ａ）は、端面図であり、図１１（ｂ）は、上面図である。
【図１２】第２の実施形態の半導体装置用基板を示す図であり、図１２（ａ）は、端面図であり、図１２（ｂ）は、上面図である。
【図１３】第２の実施形態の半導体装置用基板の製造の一工程を示す図であり、図１３（ａ）は、断面図であり、図１３（ｂ）は、上面図である。
【図１４】第２の実施形態の半導体装置用基板の製造の一工程を示す図であり、図１４（ａ）は、断面図であり、図１４（ｂ）は、上面図である。
【図１５】第２の実施形態の半導体装置用基板の製造の一工程を示す図である。
【図１６】第２の実施形態の半導体装置用基板の製造の一工程を示す図である。
【図１７】第２の実施形態の半導体装置用基板の製造の一工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
−第１の実施形態−
以下では、適宜図面を参照しながら、第１の実施形態の半導体装置用基板および半導体装置について説明する。第１の実施形態の半導体装置は、第１の実施形態の半導体装置用基板を用いて製造される。特に言及がない限り、半導体装置用基板１では、半導体装置用基板１に搭載される半導体素子のボンディング面を下面、外部との接続端子を備える面を上面とする。また、以下の実施形態において、「メッキ」の語は、金属表面に形成されている場合を示すとともに、メッキを表面に形成した金属と切り離して用いられる場合も指す。さらに、以下の実施形態において、「接続する」の語は、接続された２つの物が導通可能である意味を含む。
【０００９】
図１は、本実施形態の半導体装置用基板１を示し、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中の上方から見た図である。半導体装置用基板１は、配線層１０と、接続層２０との少なくとも２層を備える。配線層１０は、配線層レジスト１１と、金属配線１２と、ボンディング面メッキ１３とを備える。接続層２０は、接続層レジスト２１と、メッキ端子２２と、実装面メッキ２３とを備える。配線層１０は、配線層レジスト１１と金属配線１２によって構成される回路を備える。それぞれの金属配線１２は、半導体装置用基板１の中央部から放射状に形成されており、半導体装置用基板１の外周部に沿って配置されたメッキ端子２２と接続されている。配線層レジスト１１と接続層レジスト２１とは、ソルダーレジスト等の永久レジストにより形成される。配線層１０および接続層２０の厚さは特に限定されないが、例えばそれぞれ数十〜数百μｍで構成される。
なお、配線層１０の回路のパターンは、メッキ端子２２と、半導体装置用基板１に搭載される半導体素子の端子とを接続するものであれば、特に限定されない。また、ボンディング面メッキ１３および実装面メッキ２３は、接続される素子や接続方法の特徴に応じて、適宜構成を変更してもよい。
【００１０】
接続層２０において、永久レジストの層２１は、後述する開口部２４を備え、開口部２４において、メッキ端子２２が、配線層１０の金属配線１２の上に形成されたメッキ層として形成されている。また、接続層２０において、メッキ端子２２は、配線層１０の配線層レジスト１１の上に張り出して形成されている。メッキ端子２２は、半導体装置用基板１に半導体素子を搭載した際に、外部のプリント基板における電子回路等との接続端子となる。
【００１１】
本実施形態の半導体装置用基板１では、金属配線１２は、メッキにより形成される。好ましくは、金属配線１２のメッキ端子２２と反対側の末端に、半導体素子の端子が接続される。
メッキ配線１２、ボンディング面メッキ１３、メッキ端子２２、および実装面メッキ２３は、半導体装置用基板１に特徴的な構造と機能とが得られ、加工可能に構成される限り、特に金属の種類は限定されない。
【００１２】
（半導体装置用基板１の製造方法）
半導体装置用基板１は、例えば縦横数十ｃｍの大きさのパネルを用い、以下の製造方法により低コストで効率的に量産することが可能である。
【００１３】
図２は、半導体装置用基板１の製造の第１の工程を示し、図２（ａ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）中の上方から見た図である。第１の工程は、銅製の導電性基板３０の上に、配線層１０に形成する回路のパターンで配線層レジスト１１を形成する第１のフォトリソグラフィ工程である。
なお、導電性基板３０は、ステンレス製のものを用いてもよく、導電性基板３０をシード層としてメッキが可能であれば特に限定されない。
【００１４】
第１の工程では、導電性基板３０の上にフォトレジストを塗布し、配線層１０に形成する回路に基づいたパターンのマスクを通してレーザー光を照射し、現像処理を行うことにより、配線層１０に形成する回路のパターンで配線層レジスト１１を形成する。本実施形態では、図２（ｂ）の上面図のように、半導体装置用基板１の上に形成された配線層レジスト１１の第１開口部１４が放射状に形成され、下方に設けられている導電性基板３０が露出している。
【００１５】
図３は、半導体装置用基板１の製造の第２の工程を示し、図３（ａ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）中の上方から見た図である。第２の工程は、配線層レジスト１１の間に露出する導電性基板３０の上に、メッキにより金属配線１２を形成する回路形成工程である。
【００１６】
第２の工程では、まず、導電性基板３０をシード層として、金、銀またはパラジウム等のメッキによりボンディング面メッキ１３を形成し、ボンディング面メッキ１３をシード層として、ニッケルメッキにより金属配線１２を形成する。ボンディング面メッキ１３と金属配線１２により配線層レジスト１１の第１開口部１４が埋められ、配線層１０が形成される。
【００１７】
図４は、半導体装置用基板１の製造の第３の工程を示し、図４（ａ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）中の上方から見た図である。第３の工程は、配線層１０の上に、第２開口部２４を備えるレジスト層２１を形成する第２のフォトグラフィ工程である。
【００１８】
第３の工程では、配線層１０の上にフォトレジストを塗布し、接続層２０に形成するメッキ端子２２に基づいたパターンのマスクを通してレーザー光を照射し、現像処理を行うことにより、開口部を備えたパターンで接続層レジスト２１を形成する。本実施形態では、図４（ｂ）の上面図のように、配線層１０の上に形成された接続層レジスト２１の第２開口部２４が複数の四角形の形状に形成され、第２開口部２４から、下方にある金属配線１２および金属配線１２を囲む配線層レジスト１１が露出している。配線層１０の金属配線１２の、接続層レジスト２１に覆われている部分は、図４（ｂ）中に破線で輪郭を示した。特に言及がない限り、以降の図でも同様である。
なお、メッキ端子２２および第２開口部２４の形状は特に限定されない。
【００１９】
図５は、半導体装置用基板１の製造の第４の工程を示し、図５（ａ）は図５（ｂ）のＡ−Ａ断面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）中の上方から見た図である。第４の工程は、図４（ｂ）で示された接続層レジスト２１の間に露出する金属配線１２の上に、メッキにより接続端子２２を形成する接続端子形成工程である。
【００２０】
第４の工程では、まず、金属配線１２をシード層として、ニッケルメッキ等によりメッキ端子２２を形成し、その後、メッキ端子２２をシード層として、金やパラジウム等のメッキにより実装面メッキ２３を形成する。メッキ端子２２および／または実装面メッキ２３によりレジスト２１の開口部２４が埋められ、接続層２０が形成される。図５（ｂ）の上面図では、接続端子であるメッキ端子２２の上に一体的に形成された実装面メッキ２３が半導体装置用基板１の表面に示されている。
【００２１】
図６は、半導体装置用基板１の製造の第５の工程を示す図である。第５の工程は、接続層２０に補強材として例えば厚膜保護テープ３９を貼り、エッチングにより図５（ａ）等に記載されている導電性基板３０を除去する工程である。
なお、導電性基板３０がステンレスにより構成されている場合、エッチングではなく機械的に引っ張って剥離することが好ましい。
【００２２】
（半導体装置の製造方法）
本実施形態の半導体装置用基板１に半導体素子２を搭載した半導体装置１００（図９，１０参照）の製造方法について説明する。特に言及がない限り、半導体装置１００において、図６に示す半導体装置用基板１の上面（実装面メッキ２３を備える面）を構成していた面を底面とする。また、半導体装置１００の製造の第１から第５までの工程は、上述の半導体装置用基板１の第１から第５までの工程とし、その後の工程を第６から数えることにする。
【００２３】
図７は、半導体装置１００の製造の第６の工程を示す図であり、図７（ａ）は図７（ｂ）のＢ−Ｂ断面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）中の上方から見た図である。第６の工程は、半導体素子２の端子に例えば金のバンプ３８を設け、ボンディング面メッキ１３と接続するフリップ接合工程である。図７（ｂ）で半導体素子２で覆われていて直接視認できない半導体素子２と半導体素子用基板１の上のボンディング面メッキ１３とバンプ３８は、破線で輪郭を示した。
【００２４】
第６の工程では、ウェハ上で作成されダイシングされた半導体素子２を、フリップチップ接合装置等を用いて、半導体素子２の端子がボンディング面メッキ１３の半導体装置用基板１の中央の側の端部（メッキ端子２２が配置されている反対側の端部）１８とバンプ３８を介して接続されるようにマウントする。好ましくは、半導体素子２は、搭載時に半導体装置用基板１と対向する面の幅が、半導体装置用基板１よりも小さいものを用いる。これにより、所望のピッチで外部との接続端子が配置された、ファンアウト型の半導体パッケージを構成することができる。
【００２５】
図８は、半導体装置１００の製造の第７の工程を示す図である。第７の工程は、半導体装置用基板１の上の半導体素子２を、モールド樹脂３７により封止する工程である。モールド樹脂としては、エポキシ樹脂等を用いることができる。
なお、半導体装置用基板１と半導体素子２との間をモールド樹脂で埋めることが難しい場合、アンダーフィル等の樹脂を流し込んで封止処理を確実にするとともに、熱膨張による接合部への応力集中を緩和することができる。
【００２６】
図９は、半導体装置１００の製造の第８の工程を示す図である。第８の工程は、半導体装置用基板１の上面、すなわち、半導体装置１００の底面１０１に貼付されていた厚膜保護テープ３９（図８参照）を除去する工程である。
【００２７】
図１０は、図９に示す半導体装置１００の底面１０１の概略図である。半導体素子２の底面には、半導体装置用基板１と接続する端子２９が配置されており、端子２９は、バンプ３８、ボンディング面メッキ１３を介して、半導体装置用基板１の金属配線１２と接続される。金属配線１２は放射状に広がり、半導体装置１００の底面に所定のピッチで形成された、実装面メッキ２３が付されたメッキ端子２２と接続される。
【００２８】
上述の実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）本実施形態の半導体装置用基板１は、金属配線１２と配線層レジスト１１とによって構成される回路を備える配線層１０と、第２開口部２４を備える接続層レジスト層２１、および、第２開口部２４において、金属配線１２の上に形成されたメッキ端子２２とを備える接続層２０と、を備える。これにより、２層構造を利用したメッキパターンによる配線引き回しが可能であり、接続端子を細かいピッチで所望の位置に配置することができる。
【００２９】
（２）本実施形態の半導体装置用基板１において、メッキ端子２２は、接続層２０において、配線層１０の配線層レジスト１１の上に張り出している。これにより、メッキ端子２２における接続加工を容易かつ確実にすることができる。
【００３０】
（３）本実施形態の半導体装置用基板１において、メッキ端子２２は、半導体装置用基板１に半導体素子２を搭載した際に外部との接続端子となる。これにより、半導体素子２との接続を所望の位置の接続端子を介して得ることができるファンアウト型の半導体パッケージを構成することができる。
【００３１】
（４）本実施形態の半導体装置用基板の製造方法は、導電性基板３０に形成された、金属配線１２と配線層レジスト１１とによって構成される回路を備える配線層１０の上に、金属配線の一部が露出する第２開口部２４を備える接続層レジスト２１を形成し、開口部２４に、金属配線をメッキして得られるメッキ端子２２を形成する。これにより、メッキを利用して精密かつ効率的に半導体装置用基板１の製造をすることができる。
【００３２】
（５）本実施形態の半導体装置用基板の製造方法において、配線層１０の回路を構成する金属配線は、導電性基板３０をメッキすることにより形成したものである。これにより、所望の材質のメッキを用いて精密かつ効率的に半導体装置用基板１の製造をすることができる。
【００３３】
次のような変形も本発明の範囲内であり、上述の実施形態と組み合わせることが可能である。
（変形例）
上述の実施形態において、第４の工程（接続端子形成工程）において接続層２０が形成された後、配線層レジスト１１および接続層レジスト２１を剥離液により除去し、金属配線１２およびメッキ端子２２を含む配線パターン間にエポキシ樹脂等のモールド樹脂を充填してもよい。
【００３４】
図１１は、配線層レジスト１１および接続層レジスト２１の代わりにモールド樹脂１９を充填して形成した半導体装置用基板１を示し、図１１（ａ）は図１１（ｂ）のＡ−Ａ断面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）中の上方から見た図である。レジストの代わりにモールド樹脂１９を用いることで、吸湿に対する半導体パッケージの信頼性を向上させることができる。
【００３５】
モールド樹脂１９を充填した後の半導体装置用基板１および半導体装置１００の製造工程は、上述の第５の工程以降となる。モールド樹脂１９を充填した後の半導体装置用基板１の強度が十分である場合には、厚膜保護テープ３９の貼付を省略してもよい。
【００３６】
−第２の実施形態−
第２の実施形態に係る半導体装置用基板２は、第１の実施形態に係る半導体装置用基板１と同様の構成を有しているが、配線層１０の構成および作成方法が、第１の実施の形態とは異なっている。第１の実施形態との同一部分については第１の実施形態と同一の符号で参照し、場合に応じ説明を省略する。
【００３７】
図１２は、本実施形態の半導体装置用基板２を示し、図１２（ａ）は図１２（ｂ）のＡ−Ａ端面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）中の上方から見た図である。図１２（ｂ）は図１（ｂ）と同一の図となる。半導体装置用基板２は、導電性基板３０と同じ材質の金属配線１２を備え、金属配線１２は、導電性基板３０をエッチングすることにより形成される。また、半導体装置用基板２は、半導体装置用基板２の表面において金属配線１２を覆うボンディング用メッキ１３が形成されている。
【００３８】
（半導体装置用基板２の製造方法）
図１３は、半導体装置用基板２の製造方法における第１のエッチング工程を示し、図１３（ａ）は図１３（ｂ）のＡ−Ａ断面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）中の上方から見た図である。
【００３９】
第１のエッチング工程では、導電性基板３０上面において、配線層１０に形成する回路のレジストパターンを導電性基板３０に形成した後、回路に相当する部分以外の、導電性基板３０上面の表面をエッチング（ハーフエッチング）により削る。エッチングにより導電性基板３０の上面に一体的に回路が形成されたら、使用したレジストに対応する剥離液等を用いてレジストパターンを除去する。レジストパターンが除去されたら、以下に示したフォトグラフィ工程に進む。
【００４０】
図１４は、半導体装置用基板２の製造方法におけるフォトリソグラフィ工程を示し、図１４（ａ）は図１４（ｂ）のＡ−Ａ断面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）中の上方から見た図である。
【００４１】
フォトリソグラフィ工程では、配線層１０に配線層レジスト１１を形成するとともに、第２開口部２４を備え接続層２１を形成する接続層レジスト２１をフォトリソグラフィにより形成する。本実施形態では、図１４（ｂ）の上面図のように、接続層レジスト２１の第２開口部２４が複数の四角形の形状に形成され、第２開口部２４から、下方にある金属配線１２および金属配線１２を囲む配線層レジスト１１が露出している。接続層レジスト２１が形成されたら、以下に示した接続端子形成工程に進む。
【００４２】
図１５は、半導体装置用基板２の製造の接続端子形成工程を示す断面図である。以下の断面図では、特に断りのない限り図１３，１４におけるＡ−Ａで記した位置、方向の断面図とする。半導体装置用基板２の接続端子形成工程は、接続層レジスト２１の間に露出する金属配線１２の上に、メッキにより接続端子２２を形成する接続端子形成工程である。
【００４３】
半導体装置用基板２の接続端子形成工程では、半導体装置用基板１と同様、金属配線１２をシード層として、ニッケルメッキ等によりメッキ端子２２を形成し、その後、メッキ端子２２をシード層として、金やパラジウム等のメッキにより実装面メッキ２３を形成する。メッキ端子２２および／または実装面メッキ２３により接続層レジスト２１の開口部２４が埋められ、接続層２０が形成される。接続層２０が形成されたら、以下に示した第２のエッチング工程に進む。
なお、接続層２０が形成された後、配線層レジスト１１および接続層レジスト２１を除去し、これらのレジストがあった位置にモールド樹脂を充填し、その後、第２のエッチング工程に進んでもよい。
【００４４】
図１６は、半導体装置用基板２の製造の第２のエッチング工程を示す断面図である。第２のエッチング工程では、導電性基板３０の金属配線１２を構成しない部分をエッチングにより除去する。第２のエッチング工程の後は、以下に示したテープ除去工程に進む。
【００４５】
図１７は、半導体装置用基板２の製造のボンディング面メッキ形成工程を示す断面図である。ボンディング用メッキ形成工程では、金属配線１２をシード層として、金、銀またはパラジウム等のメッキによりボンディング面メッキ１３を形成する。また、半導体装置用基板２の上面に、適宜厚膜保護テープ３９を貼付する。
【００４６】
上述の第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態により得られる作用効果の他に、次の作用効果が得られる。
本実施形態の半導体装置用基板２において、配線層１０の回路は、導電性基板３０の表面をエッチングして形成したものである。これにより、配線層１０を導電性基板３０と同一の材質で作成することができ、特に導電性基板３０が銅製の場合には、高い電気伝導率の配線を得ることができる。
【００４７】
本発明は上記実施形態の内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００４８】
１…半導体装置用基板、２…半導体素子、１０…配線層、１１…配線層レジスト、１２…金属配線、１４…第１開口部、２０…接続層、２１…接続層レジスト、２２…メッキ端子、２４…第２開口部、３０…導電性基板、１００…半導体装置。
【図１】
2017135293.tif 000003
【図２】
2017135293.tif 000004
【図３】
2017135293.tif 000005
【図４】
2017135293.tif 000006
【図５】
2017135293.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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