(57)【要約】【課題】プラズマ化により生成された荷電粒子がカソード電極の表面で均一に分布するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】基板が格納されるチャンバーと、チャンバーの内部に配置されたカソード電極と、プロセスガスをカソード電極の下方から上方に向けてチャンバーの内部に導入する下部ガスノズルと、プロセスガスをカソード電極の上方から下方に向けてチャンバーの内部に導入する上部ガスノズルと、プロセスガスが下部ガスノズルから第１の流量で導入され、且つプロセスガスが上部ガスノズルから第２の流量で導入されるように設定する流量設定装置と、プロセスガスをプラズマ化する電源とを備え、プラズマ化によって生成される荷電粒子がカソード電極の主面において均一に分布するように流量設定装置が第１の流量と第２の流量を設定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が格納され、プロセスガスが内部に導入されるチャンバーと、
主面が前記基板と対向するように前記チャンバーの内部に配置されたカソード電極と、
前記プロセスガスを前記カソード電極の下方から上方に向けて前記チャンバーの内部に導入する下部ガスノズルと、
前記プロセスガスを前記カソード電極の上方から下方に向けて前記チャンバーの内部に導入する上部ガスノズルと、
前記プロセスガスが前記下部ガスノズルから第１の流量で導入され、且つ前記プロセスガスが前記上部ガスノズルから第２の流量で導入されるように設定する流量設定装置と、
前記基板と前記カソード電極との間に電力を供給して、前記基板と前記カソード電極との間において前記プロセスガスをプラズマ化する電源と
を備え、前記プラズマ化によって生成される荷電粒子が前記カソード電極の前記主面において均一に分布するように、前記流量設定装置が前記第１の流量と前記第２の流量を設定することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記上部ガスノズルまで前記プロセスガスを移送する配管がフレキシブル管であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記流量設定装置が、種類の異なる複数のガスを一定の割合で混合した後、混合ガスを前記プロセスガスとして前記下部ガスノズルと前記上部ガスノズルに供給することを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記チャンバーの内部のガスを前記チャンバーの上部から外部に排出する排気機構を更に備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記プロセスガスを前記カソード電極の側面方向から前記チャンバーの内部に導入する側部ガスノズルを更に備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
カソード電極の主面と対向するように基板をチャンバーに格納するステップと、
プロセスガスを前記カソード電極の下方から上方に向けて第１の流量で前記チャンバーの内部に導入し、同時に前記プロセスガスを前記カソード電極の上方から下方に向けて第２の流量で前記チャンバーの内部に導入するステップと、
前記基板と前記カソード電極との間に電力を供給して、前記基板と前記カソード電極との間において前記プロセスガスをプラズマ化するステップと
を含み、
前記プラズマ化によって生成される荷電粒子が前記カソード電極の前記主面において均一に分布するように、前記第１の流量及び前記第２の流量をそれぞれ設定することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記カソード電極の下方から上方及び上方から下方に向けてそれぞれ前記プロセスガスを導入すると同時に、前記カソード電極の側面方向から前記チャンバーの内部に前記プロセスガスを導入することを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを形成して基板処理を行うプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程において、高精度のプロセス制御が容易であるという利点から、成膜工程、エッチング工程、アッシング工程などにおいてプラズマ処理装置が用いられている。例えば、プラズマ処理装置としてプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）装置が知られている。プラズマＣＶＤ装置では、高周波電力などにより原料ガスがプラズマ化され、化学反応によって基板上に薄膜が形成される。
【０００３】
基板は、基板ホルダに搭載されてプラズマ処理装置に格納される。例えば、基板を垂直に搭載するボートタイプの基板ホルダ（以下において「ボート」という。）が使用される。
【０００４】
プラズマ処理装置では、ボートがアノード電極として使用される。そして、プラズマ処理装置のチャンバー内でボートに搭載された基板と対向させてカソード電極を配置し、カソード電極の表面に沿ってチャンバー内にプロセスガスが導入される。このとき、チャンバーの下側からプロセスガスを導入し、上側からプロセスガスを排気する構成が採用されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１６２８５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
チャンバーの内部にプロセスガスを下側から導入すると、プロセスガスは順次乖離されながら下方から上方に流れる。このため、プロセスガスをプラズマ化した場合に、未乖離のプロセスガスの濃度が上下で異なる上下分布となる。つまり、プロセスガスのプラズマ化により生成された荷電粒子がカソード電極の表面において均一な分布にならない。このため、例えばプラズマＣＶＤ法によって膜を形成する場合に、膜の屈折率や厚さが基板の上部と下部とで異なる分布になるという問題があった。
【０００７】
上記問題点に鑑み、本発明は、プラズマ化により生成された荷電粒子がカソード電極の表面で均一に分布するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、（ア）基板が格納され、プロセスガスが内部に導入されるチャンバーと、（イ）主面が基板と対向するようにチャンバーの内部に配置されたカソード電極と、（ウ）プロセスガスをカソード電極の下方から上方に向けてチャンバーの内部に導入する下部ガスノズルと、（エ）プロセスガスをカソード電極の上方から下方に向けてチャンバーの内部に導入する上部ガスノズルと、（オ）プロセスガスが下部ガスノズルから第１の流量で導入され、且つプロセスガスが上部ガスノズルから第２の流量で導入されるように設定する流量設定装置と、（カ）基板とカソード電極との間に電力を供給して、基板とカソード電極との間においてプロセスガスをプラズマ化する電源とを備え、プラズマ化によって生成される荷電粒子がカソード電極の主面において均一に分布するように、流量設定装置が第１の流量と第２の流量を設定するプラズマ処理装置が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、（ア）カソード電極の主面と対向するように基板をチャンバーに格納するステップと、（イ）プロセスガスをカソード電極の下方から上方に向けて第１の流量でチャンバーの内部に導入し、同時にプロセスガスをカソード電極の上方から下方に向けて第２の流量でチャンバーの内部に導入するステップと、（ウ）基板とカソード電極との間に電力を供給して、基板とカソード電極との間においてプロセスガスをプラズマ化するステップとを含み、プラズマ化によって生成される荷電粒子がカソード電極の主面において均一に分布するように、第１の流量及び第２の流量をそれぞれ設定するプラズマ処理方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、プラズマ化により生成された荷電粒子がカソード電極の表面で均一に分布するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプロセス処理装置の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るプロセス処理装置におけるプロセスガスの導入方法を説明するための模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るプロセス処理装置の上部ガスノズルの配置例を示す模式的な平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るプロセス処理装置の排気機構の構成例を示す模式的な平面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るプロセス処理装置におけるチャンバーの開閉動作を説明するための模式図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るプロセス処理装置の構成を示す模式図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の変形例に係るプロセス処理装置の構成を示す模式図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の他の変形例に係るプロセス処理装置の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。また、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１３】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置１は、処理対象の基板２００に膜を形成するプラズマＣＶＤ装置である。図１に示すプラズマ処理装置１は、基板２００が格納されるチャンバー１０と、主面が基板２００と対向するようにチャンバー１０の内部に配置されたカソード電極２０と、チャンバー１０の内部にプロセスガス６００を導入する下部ガスノズル３１及び上部ガスノズル３２とを備える。
【００１４】
プラズマ処理装置１では、ボート１００に垂直に搭載された状態で基板２００がチャンバー１０の内部に格納される。図１に示した例では、チャンバー１０内のボート１００はグランドプレート９０上に配置されている。
【００１５】
図１に示したボート１００は、基板２００が搭載される複数の搭載プレートを有する。このため、プラズマ処理装置１は、ボート１００の搭載プレートの間にそれぞれ配置された複数のカソード電極２０を有する。カソード電極２０は、カソードフレーム２１によってそれぞれの上部が相互に接続されている。
【００１６】
成膜工程において、電源５０が基板２００とカソード電極２０との間に電力を供給する。これにより、基板２００とカソード電極２０との間においてプロセスガス６００がプラズマ化され、プロセスガス６００に含まれる原料を主成分とする薄膜が基板２００上に形成される。プラズマ処理装置１では、ボート１００がアノード電極として使用される。図１に示した例では、ボート１００はグランドプレート９０を介して接地されている。一方、カソード電極２０には、カソードフレーム２１を介して電力が供給される。
【００１７】
図１に示すように、チャンバー１０の下部に下部ガスノズル３１が配置され、チャンバー１０の上部に上部ガスノズル３２が配置されている。下部ガスノズル３１は、プロセスガス６００をカソード電極２０の下方から上方に向けてチャンバー１０の内部に導入する。一方、上部ガスノズル３２は、プロセスガス６００をカソード電極２０の上方から下方に向けてチャンバー１０の内部に導入する。チャンバー１０の内部のガスは、排気機構４０によってチャンバー１０の上部から外部に排出される。
【００１８】
プロセスガス６００は、ガス供給源６０から流量設定装置７０を介して、下部ガスノズル３１及び上部ガスノズル３２に供給される。流量設定装置７０は、プロセスガス６００が下部ガスノズル３１から第１の流量でチャンバー１０の内部に導入され、且つプロセスガス６００が上部ガスノズル３２から第２の流量でチャンバー１０の内部に導入されるように設定しながら、下部ガスノズル３１及び上部ガスノズル３２にそれぞれプロセスガス６００を供給する。このとき、プロセスガスのプラズマ化によって生成されるガス分子やラジカル粒子などの荷電粒子がカソード電極２０の主面において均一に分布するように、流量設定装置７０によって第１の流量と第２の流量が設定される。例えばシミュレーションや実験の結果などに基づいて、第１の流量及び第２の流量について最適な値が選択される。
【００１９】
図１は、流量設定装置７０に内蔵されたマスフローコントローラ７１ａ、７１ｂ、７２ａ、７２ｂによって、チャンバー１０の内部に導入されるプロセスガス６００の流量を調整する場合を例示的に示している。図１に示した構成では、ガス供給源６０のガス源Ａから供給されるガスａとガス源Ｂから供給されるガスｂとが流量設定装置７０において混合され、混合ガスが生成される。
【００２０】
即ち、マスフローコントローラ７１ａによって流量が設定されたガスａとマスフローコントローラ７１ｂによって流量が設定されたガスｂとが一定の割合で混合されたプロセスガス６００が、下部配管８１を経由して下部ガスノズル３１に供給される。下部ガスノズル３１に供給されたプロセスガス６００が第１の流量でチャンバー１０の内部に導入されるように、マスフローコントローラ７１ａとマスフローコントローラ７１ｂは設定されている。一方、マスフローコントローラ７２ａによって流量が設定されたガスａとマスフローコントローラ７２ｂによって流量が設定されたガスｂとが一定の割合で混合されたプロセスガス６００が、上部配管８２を経由して上部ガスノズル３２に供給される。上部ガスノズル３２に供給されたプロセスガス６００が第２の流量でチャンバー１０の内部に導入されるように、マスフローコントローラ７２ａとマスフローコントローラ７２ｂは設定されている。各ガスの流量を個別に設定することによって、高い精度でプロセスガス６００のガス混合比を設定することができる。
【００２１】
上記では、流量設定装置７０において混合された混合ガスがプロセスガス６００として下部ガスノズル３１及び上部ガスノズル３２に供給される例を示した。しかし、流量設定装置７０から一種類のガスを下部ガスノズル３１及び上部ガスノズル３２に供給する構成であってもよいことはもちろんである。また、３種以上のガスを混合したプロセスガス６００を流量設定装置７０から下部ガスノズル３１及び上部ガスノズル３２に供給してもよい。
【００２２】
図２に示すように、搭載プレート間のボート１００の底面及びグランドプレート９０には、下部ガスノズル３１からのプロセスガス６００の噴出口であるノズルヘッドに対応する位置に開口部が設けられている。これにより、ボート１００及びグランドプレート９０の開口部を通過して、プロセスガス６００が基板２００とカソード電極２０との間に噴き出される。
【００２３】
なお、図１に示すように下部ガスノズル３１と上部ガスノズルのノズルヘッドは、カソード電極２０が配列される方向に沿って配置される。また、図２に示すように、ノズルヘッドはカソード電極２０の主面に沿っても配列される。このため、ノズルヘッドは例えば平面視でマトリクス状に配置される。
【００２４】
図３に示すように、カソードフレーム２１はカソード電極２０の側面端部に接続されている。このため、上部ガスノズル３２のノズルヘッド３００から噴き出されたプロセスガス６００は、カソード電極２０とカソードフレーム２１の配置されていない空間を通過して、基板２００とカソード電極２０との間に噴き出される。
【００２５】
なお、図１に示すように、チャンバー１０の上部に配置された排気機構４０によってチャンバー１０内部のガスが排気されて、チャンバー１０内部の圧力が調整される。例えば図４に示すように、チャンバー１０のカソード電極２０の主面と平行な側面に形成された排気口からガスが外部に排出される。図４に示す排気機構４０は、排気されるガスの流量を調整してチャンバー１０の内部を所定の圧力に設定する圧力調整装置４１、ガスを吸引するポンプ４３、及び圧力調整装置４１とポンプ４３との間のガス経路を開閉するバルブ４２を有する。
【００２６】
ところで、クリーニングや交換のためにカソード電極２０をチャンバー１０の外部に取り出す場合などのために、開閉可能な構造を有するチャンバー１０が使用される。例えば図５に示すように、チャンバー１０の上部１１を下部１２から持ち上げる構造などが採用される。
【００２７】
図５に示すようにチャンバー１０の上部１１を移動させるために、上部ガスノズル３２までプロセスガス６００を移送する配管は、高い可とう性を有するフレキシブル管であることが好ましい。少なくとも流量設定装置７０から上部ガスノズル３２までの上部配管８２については、フレキシブル管を使用する。これにより、上部ガスノズル３２を取り付けたままでチャンバー１０の上部１１を容易に移動させることができる。その結果、カソード電極２０のチャンバー１０内部での取り外し及び取り付けをスムーズに行うことができる。また、流量設定装置７０から下部ガスノズル３１までの下部配管８１についてもフレキシブル管を使用してもよい。
【００２８】
以上に説明したように、図１に示したプラズマ処理装置１では、流量設定装置７０によって、下部ガスノズル３１からチャンバー１０の内部に導入されるプロセスガス６００の流量と、上部ガスノズル３２からチャンバー１０の内部に導入されるプロセスガス６００の流量が設定される。このとき、プロセスガス６００のプラズマ化によって生成される荷電粒子がカソード電極２０の主面において均一に分布するように、下部ガスノズル３１から導入されるプロセスガス６００の第１の流量と、上部ガスノズル３２から導入されるプロセスガス６００の第２の流量とが設定される。このため、プラズマ処理装置１によれば、未乖離のプロセスガス６００の濃度がカソード電極２０の上下の位置で異なる上下分布の発生が抑制される。その結果、基板２００に形成された膜の屈折率や厚さを、基板２００の上部と下部とで均一にすることができる。
【００２９】
また、太陽電池セルの反射防止膜として考えた場合に、高電圧環境下での使用により太陽電池セルの特性が劣化する電圧誘起出力低下（Potential Induced Degradation：ＰＩＤ）現象を抑制するために、膜の屈折率を高くすることが好ましい。これは、屈折率を高くするほど導電性が高くなり、反射防止膜が電荷を開放しやすいためである。
【００３０】
一方、太陽電池セルの変換効率を向上させるためには、屈折率が低いことが好ましい。即ち、反射防止膜の屈折率を高くすると光が反射防止膜で吸収されてしまい、太陽電池セルの変換効率が低下する。
【００３１】
このトレードオフの関係についても、図１に示したプラズマ処理装置１によって反射防止膜を形成することによるメリットが生じる。即ち、変換効率向上のために反射防止膜の面内平均屈折率を下げた場合に、反射防止膜の屈折率の面内分布を小さくできる。その結果、面内ばらつきを考慮しても、ＰＩＤ現象を抑制するように反射防止膜の屈折率の最低値を確保できる。
【００３２】
プラズマ処理装置１による成膜工程の例を以下に説明する。まず、カソード電極２０の主面と基板２００が対向するように、基板２００が垂直に搭載されたボート１００がチャンバー１０に格納される。その後、下部ガスノズル３１及び上部ガスノズル３２から、チャンバー１０内に成膜用の原料ガスを含むプロセスガス６００が導入される。このとき、プラズマ化によって生成される荷電粒子がカソード電極２０の主面において均一に分布するように、下部ガスノズル３１から導入されるプロセスガス６００の第１の流量、及び上部ガスノズル３２から導入されるプロセスガス６００の第２の流量を流量設定装置７０によってそれぞれ設定する。
【００３３】
チャンバー１０内の圧力は、排気機構４０によって調整される。チャンバー１０内のプロセスガス６００の圧力が所定のガス圧に調整された後、電源５０によって所定の電力がカソード電極２０とボート１００間に供給される。これにより、チャンバー１０内のプロセスガス６００がプラズマ化される。形成されたプラズマに基板２００を曝すことにより、原料ガスに含まれる原料を主成分とする所望の薄膜が基板２００の露出した表面に形成される。電源５０は例えば交流電源であり、カソード電極２０とボート１００間に所定の交流電力を供給する。
【００３４】
図１に示したプラズマ処理装置１によれば、プロセスガス６００を適宜選択することによって、基板２００に所望の薄膜を形成できる。例えば、シリコン半導体膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、カーボン膜などを基板２００上に形成することができる。具体的には、シラン（ＳｉＨ4）ガスとＮ2Ｏガスの混合ガスを用いて、基板２００上にシリコン酸化膜が形成される。或いは、アンモニア（ＮＨ3）ガスとシラン（ＳｉＨ4）ガスの混合ガスを用いて、基板２００上にシリコン窒化膜が形成される。例えば、太陽電池の反射防止膜やパッシベーション膜としてシリコン窒化膜をシリコン基板上に形成するために、プラズマ処理装置１は好適に使用される。
【００３５】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係るプラズマ処理装置１は、図６に示すように、プロセスガス６００をカソード電極２０の側面方向からチャンバー１０の内部に導入する側部ガスノズル３３及び側部ガスノズル３４を更に備える。側部ガスノズル３３と側部ガスノズル３４とは、互いに対向してチャンバー１０の側面に配置される。
【００３６】
側部ガスノズル３３には、第１側部配管８３を介して流量設定装置７０からプロセスガス６００が供給される。側部ガスノズル３４には、第２側部配管８４を介して流量設定装置７０からプロセスガス６００が供給される。流量設定装置７０は、プラズマ化によって生成される荷電粒子がカソード電極２０の主面において均一に分布するように、側部ガスノズル３３及び側部ガスノズル３４からチャンバー１０の内部に導入されるプロセスガス６００の流量を、第１の流量及び第２の流量と同時に設定する。
【００３７】
図６に示したプラズマ処理装置１によれば、下部ガスノズル３１及び上部ガスノズル３２に加えて側部ガスノズル３３と側部ガスノズル３４からもプロセスガス６００をチャンバー１０の内部に導入することによって、未乖離のプロセスガス６００の濃度が横方向で異なる分布になることを抑制できる。その結果、プロセスガス６００のプラズマ化により生成された荷電粒子を、カソード電極２０の表面において上下左右に均一な分布にすることができる。したがって、例えばプラズマＣＶＤ法によって膜を形成する場合に、膜の屈折率や厚さなどの特性を基板２００の全面で均一にすることができる。
【００３８】
なお、プラズマ処理装置１では、基板２００を搭載したボート１００をチャンバー１０の側面からチャンバー１０内に格納する場合が多い。このため、チャンバー１０の内部にボート１００を格納する際に障害とならない位置に側部ガスノズル３３及び側部ガスノズル３４を配置する必要がある。
【００３９】
側部ガスノズル３３及び側部ガスノズル３４は、基板２００とカソード電極２０との間にプロセスガス６００を噴き出す。このため、図６に示すように、カソード電極２０の主面と垂直な方向に延伸するチャンバー１０の側面に側部ガスノズル３３及び側部ガスノズル３４が配置される。一方、搭載プレートがカソード電極２０間に位置するようにボート１００はチャンバー１０の内部に格納される。つまり、カソード電極２０の主面と平行な方向に沿ってボート１００が移動する。したがって、ボート１００が通過するチャンバー１０の側面に側部ガスノズル３３及び側部ガスノズル３４が配置されることになる。
【００４０】
この場合は、例えば図７に示すように、側部ガスノズル３３及び側部ガスノズル３４をチャンバー１０の側面の上部に配置して、ボート１００の移動の際に側部ガスノズル３３や側部ガスノズル３４とボート１００とが接触しないようにする。或いは、図８に示すように、側部ガスノズル３３及び側部ガスノズル３４とボート１００とが接触しない位置で側部ガスノズル３３及び側部ガスノズル３４をチャンバー１０の側面の下部に配置する。
【００４１】
（その他の実施形態）
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００４２】
既に述べた実施形態においては、プラズマ処理装置１がプラズマＣＶＤ装置である例を説明した。ただし、プロセスガス６００のガス種を替えることなどによって、本発明をプラズマエッチング装置やプラズマアッシング装置などに適用可能である。
【００４３】
例えば、プラズマエッチング用ガスをプロセスガス６００としてチャンバー１０内に導入することによって、基板２００上に形成された膜をエッチング除去するプラズマエッチング装置を実現できる。プラズマエッチング用ガスはエッチング対象の材料によって適宜選択されるが、例えば、三フッ化窒素（ＮＦ3）ガスや四フッ化炭素（ＣＦ4）ガスなどのフッ素系ガスを採用可能である。
【００４４】
また、プラズマアッシング用ガスをプロセスガス６００としてチャンバー１０内に導入することによって、プラズマアッシング装置を実現できる。例えば、プロセスガス６００として酸素及びアルゴンガスを使用することにより、エッチング用マスクとして基板２００に形成されたカーボン膜やフォトレジスト膜などをアッシングできる。
【００４５】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことはもちろんである。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００４６】
１…プラズマ処理装置
１０…チャンバー
２０…カソード電極
３１…下部ガスノズル
３２…上部ガスノズル
３３…側部ガスノズル
３４…側部ガスノズル
４０…排気機構
５０…電源
６０…ガス供給源
７０…流量設定装置
１００…ボート
２００…基板
６００…プロセスガス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2017098419.tif 000007
【図６】
2017098419.tif 000008
【図７】
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【図８】
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