(57)【要約】【課題】レーザダイオードの特性に基づく調整作業を簡単に短時間で行えること。【解決手段】調整装置１０２は、ＬＤ１１２ａの制御部１１１に対し、ＬＤ１１２ａの光出力の光パワーと、消光比を所定の基準範囲内に収める調整時に制御用のパラメータを出力する。調整装置１０２は、ＬＤ１１２ａの光パワーの現在値を所定の目標値に遷移させる際に、消光比が変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を制御部１１１に出力する制御と、ＬＤ１１２ａの消光比の現在値を所定の目標値に遷移させる際に、光パワーが変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を制御部１１１に出力する制御とを行う調整用制御部１２１を有する。【選択図】図１
2017200022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオードの制御部に対し、前記レーザダイオードの光出力の光パワーと、消光比を所定の基準範囲内に収める調整時に制御用のパラメータを出力する調整装置において、
前記レーザダイオードの前記光パワーの現在値を所定の目標値に遷移させる際に、前記消光比が変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を前記制御部に出力する制御と、
前記レーザダイオードの前記消光比の現在値を所定の目標値に遷移させる際に、前記光パワーが変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を前記制御部に出力する制御とを行う調整用制御部を有する、
ことを特徴とする調整装置。
【請求項２】
前記調整用制御部は、前記レーザダイオードの前記光パワーの制御時に参照され、前記光パワーの現在値を所定の目標値に遷移させる際の、前記消光比が変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を格納した光パワーパラメータ決定用テーブルと、
前記レーザダイオードの前記消光比の制御時に参照され、前記消光比の現在値を所定の目標値に遷移させる際の、前記光パワーが変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を格納した消光比パラメータ決定用テーブルと、
を有することを特徴とする請求項１に記載の調整装置。
【請求項３】
前記調整用制御部の前記光パワーパラメータ決定用テーブルと、前記消光比パラメータ決定用テーブルには、前記バイアス電流および前記振幅電流の現在値を前記目標値に遷移させるための比率の値が格納され、前記比率を現在値に乗算して前記制御部に出力することを特徴とする請求項２に記載の調整装置。
【請求項４】
前記レーザダイオードの前記光出力と、前記消光比を測定する測定器をさらに有し、
前記調整用制御部は、当該測定器の測定に基づき演算した前記バイアス電流と前記振幅電流を前記レーザダイオードが搭載された前記光モジュールの前記制御部に出力することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の調整装置。
【請求項５】
あらかじめ、前記バイアス電流と前記振幅電流をそれぞれ変化させたときに前記消光比を変化させずに前記光パワーを調整可能な前記バイアス電流の範囲と前記振幅電流の範囲が求められ、前記光パワーパラメータ決定用テーブルに格納され、
前記バイアス電流と前記振幅電流をそれぞれ変化させたときに前記光パワーを変化させずに前記消光比が調整可能な前記バイアス電流の範囲と前記振幅電流の範囲が求められ、前記消光比パラメータ決定用テーブルに格納されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一つに記載の調整装置。
【請求項６】
前記調整用制御部は、前回測定した消光比と今回測定した消光比で、前回の消光比より今回の方が目標値より離れている場合、前記振幅電流の変化を半分に乗算して前記制御部に出力することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の調整装置。
【請求項７】
レーザダイオードの制御部に対し、前記レーザダイオードの光出力の光パワーと、消光比を所定の基準範囲内に収める調整時に制御用のパラメータを出力する調整装置の調整方法において、
前記レーザダイオードの前記光パワーの現在値を所定の目標値に遷移させる際に、前記消光比が変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を前記制御部に出力する制御と、
前記レーザダイオードの前記消光比の現在値を所定の目標値に遷移させる際に、前記光パワーが変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を前記制御部に出力する制御と、
を行うことを特徴とする調整方法。
【請求項８】
あらかじめ、前記バイアス電流と前記振幅電流をそれぞれ変化させたときに前記消光比を変化させずに前記光パワーを調整可能な前記バイアス電流の範囲と前記振幅電流の範囲とを求め、前記光パワーパラメータ決定用テーブルに格納し、
前記バイアス電流と前記振幅電流をそれぞれ変化させたときに前記光パワーを変化させずに前記消光比が調整可能な前記バイアス電流の範囲と前記振幅電流の範囲とを求め、前記消光比パラメータ決定用テーブルに格納することを特徴とする請求項７に記載の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザダイオードの出力光を制御するレーザダイオードの調整装置および調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光回線終端装置（ＯＮＵ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｕｎｉｔ）等の光モジュールに設けられるレーザダイオード（ＬＤ）は、送信データを電気／光（Ｅ／Ｏ）変換して光伝送路上に送出する。
【０００３】
ＯＮＵ装置は、ＬＤを含む送信デバイス（ＴＯＳＡ：Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｕｂ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）と、受信デバイス（ＢＯＳＡ：Ｂｉ−ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｕｂ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）とを含む。これらＴＯＳＡとＢＯＳＡは、例えば、ＳＦＰ（ＳｍａｌｌＦｏｒｍ  Ｆａｃｔｏｒ  Ｐｌｕｇｇａｂｌｅ）の規格に適合する小型光モジュール化されている。
【０００４】
光源となるＬＤは、温度変化による影響を受けやすい。このＬＤの温度特性を保証するため、製造時の工場における初期調整（キャリブレーション）や、納入先での出力レベルが異常に対応した再調整が必要となる。
【０００５】
従来、ＬＤが出力する光パワー（ＰＯＷＥＲ）と、消光比（ＥＲ：Ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ  Ｒａｔｉｏ）が所定の基準内に収まるようにバイアス（ＢＩＡＳ）電流等の制御パラメータを調整する技術が開示されている（例えば、下記特許文献１，２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−９４２０２号公報
【特許文献２】特開２００６−１３２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来技術では、ＬＤの制御パラメータの調整作業時に行うＬＤの特性取得に多くの時間を要していた。調整時には、制御パラメータであるバイアス電流と、振幅（ＭＯＤ：Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）電流のそれぞれの制御値を変化させて、所定の基準内に収まる値をそれぞれ求めている。この際、光パワーを所定の基準となるよう調整するとき、バイアス電流の制御値は比例するが、振幅電流の制御値の変化は未定となる。また、消光比を所定の基準となるよう調整するとき、バイアス電流の制御値は変化が未定となり、振幅電流の制御値は比例する。
【０００８】
このため、従来のＬＤの調整作業では、光パワーの調整後に消光比の調整を行っており、この後再度光パワーの調整を行う必要が生じ、２つの制御パラメータの制御値を得るための処理を繰り返す必要がある。この特性取得時には、制御パラメータを一定量づつ変化させる調整を行うため、多くのパラメータの変化を実行する回数および時間を要していた。これにより、初期調整における工場でのライン数（工数）の増加、納入先での作業時間の増加が生じる。
【０００９】
一つの側面では、本発明は、レーザダイオードの特性に基づく調整作業を簡単に短時間で行うことができることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一つの案では、調整装置は、レーザダイオードの制御部に対し、前記レーザダイオードの光出力の光パワーと、消光比を所定の基準範囲内に収める調整時に制御用のパラメータを出力する調整装置において、前記レーザダイオードの前記光パワーの現在値を所定の目標値に遷移させる際に、前記消光比が変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を前記制御部に出力する制御と、前記レーザダイオードの前記消光比の現在値を所定の目標値に遷移させる際に、前記光パワーが変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を前記制御部に出力する制御とを行う調整用制御部を有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１１】
一つの実施形態によれば、レーザダイオードの特性に基づく調整作業を簡単に短時間で行えるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の実施の形態にかかる光モジュールおよび調整装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】図２は、実施の形態にかかる光モジュールが有するＬＤの特性を示す図表である。
【図３】図３は、実施の形態にかかる光モジュールのＬＤ特性テーブルの設定内容を示す図表である。（その１）
【図４】図４は、実施の形態にかかる光モジュールのＬＤ特性テーブルの設定内容を示す図表である。（その２）
【図５】図５は、実施の形態にかかる光モジュールのＬＤ特性テーブルの設定内容を示す図表である。（その３）
【図６】図６は、実施の形態にかかる光モジュールのＬＤ特性テーブルの設定内容を示す図表である。（その４）
【図７Ａ】図７Ａは、実施の形態にかかる光モジュールのＬＤ特性の調整処理例を示すフローチャートである。（その１）
【図７Ｂ】図７Ｂは、実施の形態にかかる光モジュールのＬＤ特性の調整処理例を示すフローチャートである。（その２）
【図８Ａ】図８Ａは、実施の形態にかかる光モジュールのＬＤ特性テーブルの作成処理例を示すフローチャートである。（その１）
【図８Ｂ】図８Ｂは、実施の形態にかかる光モジュールのＬＤ特性テーブルの作成処理例を示すフローチャートである。（その２）
【図９】図９は、既存技術によるＬＤの特性取得を説明する図表である。
【図１０】図１０は、一般的なＬＤのパワーと消光比に対するパラメータの変化特性を示す図表である。
【図１１】図１１は、既存のＬＤの特性取得における調整作業の回数を説明する図である。
【図１２】図１２は、実施の形態のＬＤの特性取得における調整作業の回数を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態にかかる光モジュールおよび調整装置の構成例を示すブロック図である。図１に示す光モジュール１００は、上述したＯＮＵの例であり、ＬＤの出射光に基づく光信号を伝送路上に出力（送信）し、伝送路上の光信号を図示しない光検出器（ＰＤ：Ｐｈｏｔｏ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）で受信する。
【００１４】
図１の例では、光モジュール１００に設けられたＬＤの制御パラメータの調整作業時の接続状態を示している。この調整作業時には、光モジュール１００の光出力ポートには光ケーブル（光ファイバ等）１０１が接続され、光ケーブル１０１が調整装置１０２に接続された状態を示している。
【００１５】
光モジュール１００は、ネットワークインタフェース（ＮＷ−ＩＦ）１１０からＬＡＮ等のネットワーク１０３を介して、外部機器であるパーソナルコンピュータ（ＰＣ）１０４等との間でデータが入出力される。
【００１６】
光モジュール１００は、ＮＷ−ＩＦ１１０の他に、制御部１１１、ＴＯＳＡ／ＢＯＳＡ１１２、を含む。ＴＯＳＡ１１２はＬＤ１１２ａを含み、ＢＯＳＡは図示しないＰＤを含む。
【００１７】
制御部１１１は、電気的インタフェースであるＡＦＥ（アナログフロントエンド）１１１ａを含む。制御部１１１は、デジタル処理した送受信データをＡＦＥ１１１ａを介してＴＯＳＡ／ＢＯＳＡ１１２との間で入出力する。送信データに関しては、デジタル出力をＡＦＥ１１１ａを介してＴＯＳＡ１１２にアナログ出力する。ＢＯＳＡ１１２が受信した光信号のアナログ出力は、ＡＦＥ１１１ａを介して制御部１１１にデジタル出力する。
【００１８】
ここで、ＡＦＥ１１１ａによる送信データのアナログ出力は、ＴＯＳＡ１１２のＬＤ１１２ａに対する調整時のバイアス（ＢＩＡＳ）電流と、振幅（ＭＯＤ）電流を指す。
【００１９】
図示のように、ＴＯＳＡ／ＢＯＳＡ１１２はＳＦＰ規格等に基づき一体化されている。実施の形態では、光モジュール１００のＬＤ１１２ａの制御パラメータの調整作業にかかるものであるため、ＴＯＳＡ／ＢＯＳＡ１１２について、以降の説明では、便宜上、光出力のＴＯＳＡ１１２であるものとして説明する。なお、光信号の受信については、ＢＯＳＡは、ＰＤや光増幅器等を含み、伝送路上の光信号を受信し、制御部１１１が受信データ処理した後、ＰＣ１０４に出力する。
【００２０】
制御部１１１は、ＣＰＵ等のプロセッサとメモリを有して構成できる。例えば、ＣＰＵがＲＯＭ等のメモリに格納された制御プログラムを実行し、このプログラム実行時にＲＡＭ等のメモリを作業領域として使用することにより、制御部１１１の機能を実現することができる。
【００２１】
調整装置１０２は、調整用制御部１２１と、分配器１２２と、光オシロスコープ（ＯＳＣ：ＯＳＣｉｌｌｏｓｃｏｐｅ）１２３と、光パワーメータ（ＰＭ：Ｐｏｗｅｒ  Ｍｅｔｅｒ）１２４と、を含む。
【００２２】
光モジュール１００（ＴＯＳＡ１１２）から出力される光信号は、光ケーブル１０１を介して分配器１２２によりＯＳＣ１２３とＰＭ１２４とに分配される。ＯＳＣ１２３は、光モジュール１００が出力する光信号の消光比を測定し、調整用制御部１２１に出力する。ＰＭ１２４は、光モジュール１００が出力する光信号の光パワーを測定し、調整用制御部１２１に出力する。
【００２３】
調整用制御部１２１は、ＬＤ特性テーブル１３１と、調整値演算部１３２と、調整シーケンス部１３３と、を含む。ＬＤ特性テーブル１３１は、光パワー（ＰＯＷＥＲ）の決定用テーブルと、消光比（ＥＲ）の決定用テーブルとを含む。このＬＤ特性テーブル１３１は、光モジュール１００のＬＤ１１２ａの制御パラメータの調整作業時に読み出されるものであり、予めの登録作業によりメモリ等にテーブル化して設定登録される。このＬＤ特性テーブル１３１の光パワー（ＰＯＷＥＲ）の決定用のテーブル、および消光比（ＥＲ）の決定用テーブルのそれぞれには調整可能範囲が設定され、ＬＤ１１２ａ特性取得時間を短縮化する。
【００２４】
調整値演算部１３２は、光モジュール１００のＬＤ１１２ａの制御パラメータの調整作業時に、入力される光パワーと消光比のそれぞれの値に基づき、ＬＤ特性テーブル１３１を参照して、光パワーと消光比のそれぞれの値からバイアス電流と振幅電流を演算する。演算結果であるバイアス電流と振幅電流は、光モジュール１００（ＴＯＳＡ１１２）の制御部１１１に制御出力される。実施の形態の調整値演算部１３２は、調整値（バイアス電流と振幅電流）が目的値（目標値）に効果的に遷移するための制御値を演算する。
【００２５】
調整シーケンス部１３３は、光モジュール１００のＬＤ１１２ａの制御パラメータの調整作業時における調整処理を予め定めた手順で実行し、ＯＳＣの値とＰＭの値が目的の値となるように調整する。調整シーケンス部１３３は、光モジュール１００のＬＤ１１２ａの制御パラメータの調整作業時における調整処理を予め定めた手順で実行する。そして、調整シーケンス部１３３の指示により調整値演算部１３２は、演算した制御値を制御部１１１に出力する。
【００２６】
そして、この調整用制御部１２１は、調整シーケンス部１３３による調整シーケンスにおいて、光出力（ＯＳＣとＰＭ）を測定し、ＬＤ特性テーブル１３１と照合する。そして、調整シーケンス部１３３は、ＯＳＣとＰＭとの間で一方が他方の特性に影響を与えない範囲で差分量にあったパラメータ値を調整値演算部１３２で演算させることで、最短で目標値に近づける処理を行う。光パワー（ＰＯＷＥＲ）や消光比（ＥＲ）を１回の処理で調整ができなかった場合は、目標値との差分を求めて、再度、ＬＤ特性テーブル１３１から設定するパラメータを得る。
【００２７】
調整用制御部１２１における特性取得動作例を簡単に説明すると、測定した光パワー（ＰＯＷＥＲ）をＬＤ特性テーブル１３１に与え、現在値と目標値との差分より、消光比（ＥＲ）に影響を与えない調整可能なバイアス電流のパラメータ範囲を得る。これにより、目標値との差分がこのパラメータ範囲内であれば、１度で光パワーを目標値に遷移させることができる。なお、パラメータ範囲外であれば、複数回実施する。その後、消光比（ＥＲ）を同様に比較し、差分量を１度で遷移する振幅電流を演算し制御する。実施の形態のこの方法によれば、最短で光パワー調整→消光比調整→光パワー確認、と２回の調整で完了させることができ、調整時間を短縮できる。
【００２８】
なお、ＴＯＳＡ１１２のＬＤ１１２ａの個体ばらつきにより、消光比の増／減衰時の変化量が一致しない物が存在する（ロットの５％程度の割合）。その場合、目標値をまたいで往復する動作になる。これに対応するため、前回の消光比と今回の消光比で、前回の消光比より今回の方が目標より離れている場合には、振幅（ＭＯＤ）の電流変化量を半分にする制御を行うことで、消光比の変化を小さくして目標値へ近づける制御をシーケンスに追加してもよい。
【００２９】
上記調整用制御部１２１についても、ＣＰＵ等のプロセッサとメモリを有して構成できる。例えば、ＣＰＵがＲＯＭ等のメモリに格納された制御プログラムを実行し、このプログラム実行時にＲＡＭ等のメモリを作業領域として使用することにより、調整用制御部１２１の機能（調整値演算部１３２と調整シーケンス部１３３）を実現することができる。また、ＬＤ特性テーブル１３１は、例えばフラッシュメモリ等のメモリを用いてテーブルの設定値を保持できる。
【００３０】
（ＬＤの特性について）
図２は、実施の形態にかかる光モジュールが有するＬＤの特性を示す図表である。図２の（ａ）は、光パワー（Ｚ軸）に対するバイアス電流（Ｙ軸）と、振幅電流（Ｘ軸）の関係（Ｘ，Ｙ軸は比率（基準となる現在の制御値に対する倍率））を示す。図２（ａ）において、太実線で示した特性線２０１は、光パワー（ＰＯＷＥＲ）が変化しない境界であり、光パワーを変化させず、調整可能な範囲（バイアス電流の制御値、振幅（ＭＯＤ）電流の制御値）である。図２（ａ）において、太点線で示した特性線２０２は、消光比（ＥＲ）の特性結果を重ねた状態で、消光比を変化させず、光パワー（ＰＯＷＥＲ）が調整可能な範囲（バイアス電流の制御値）である。
【００３１】
図２の（ａ）に示す特性線２０２の範囲で光パワー（ＰＯＷＥＲ）の調整を行うことで、消光比（ＥＲ）を変化させずに光パワーの調整が可能なパラメータ（振幅（ＭＯＤ）電流の制御値、バイアス（ＢＩＡＳ）電流の制御値）を求めることができる。
【００３２】
すなわち、実施の形態では、光パワーに対するバイアス電流の調整の際に、消光比（ＥＲ）の特性変化が起きない範囲でバイアス電流に加えて振幅電流を調整することにより、光パワーのみの調整を可能にする。
【００３３】
また、図２の（ｂ）は、消光比（Ｚ軸）に対するバイアス電流（Ｙ軸）と、振幅電流（Ｘ軸）の関係（Ｘ，Ｙ軸は比率（基準となる現在の制御値に対する倍率））を示す。図２（ｂ）において、太実線で示した特性線２１１は、消光比（ＥＲ）が変化しない境界であり、消光比（ＥＲ）を変化させず、調整可能な範囲（バイアス電流の制御値、振幅（ＭＯＤ）電流の制御値）である。図２（ｂ）において、太点線で示した特性線２１２は、光パワー（ＰＯＷＥＲ）の特性結果を重ねた状態で、光パワーを変化させず、消光比（ＥＲ）が調整可能な範囲（バイアス電流の制御値）である。
【００３４】
図２の（ｂ）に示す特性線２１２の範囲で消光比（ＥＲ）の調整を行うことで、光パワー（ＰＯＷＥＲ）を変化させずに消光比の調整が可能なパラメータ（振幅（ＭＯＤ）電流の制御値、バイアス（ＢＩＡＳ）電流の制御値）を求めることができる。
【００３５】
すなわち、実施の形態では、消光比（ＥＲ）に対する振幅電流（ＭＯＤ）の調整の際に、光パワーの特性変化が起きない範囲で振幅電流に加えてバイアス電流を調整することにより、消光比のみの調整を可能にする。
【００３６】
上述のように、実施の形態では、従来のパラメーターを一定比率で増減させる調整方法ではなく、光パワーの増減、消光比の増減、の最短２回の制御のみでＬＤの最適なパラメータ（（振幅（ＭＯＤ）電流の制御値、バイアス（ＢＩＡＳ）電流の制御値）を求める。
【００３７】
上記の特性測定結果により、ＬＤ特性テーブル１３１を得ることができる。ＬＤ特性テーブル１３１は、実際の特性測定結果により算出したが、この他に測定結果から方程式（所定の算出式）を求めて、ＬＤ特性テーブル１３１に代えて所定の算出式を用いることもできる。
【００３８】
（ＬＤ特性テーブルの設定例）
図３〜図６は、実施の形態にかかる光モジュールのＬＤ特性テーブルの設定内容を示す図表である。図３、図４は、キャリブレーションの際にパラメータ値（（振幅（ＭＯＤ）電流の制御値、バイアス（ＢＩＡＳ）電流の制御値）を決定する光パワー（ＰＯＷＥＲ）の設定例である。図５、図６は、キャリブレーションの際にパラメータ値（（振幅（ＭＯＤ）電流の制御値、バイアス（ＢＩＡＳ）電流の制御値）を決定する消光比（ＥＲ）の設定例である。
【００３９】
図３〜図６において、光パワー（ＰＯＷＥＲ）の調整は現在値「１．０００」に対して±０．０７ｄＢｍ、調整閾値は±１０段階、消光比（ＥＲ）の調整は現在値に対して±０．２、調整閾値は±１０段階とした設定例である。
【００４０】
図３には、光パワー（ＰＯＷＥＲ）の調整時にバイアス（ＢＩＡＳ）電流の値を変動させる±１０段階の値３０１を示す。また、光パワー（ＰＯＷＥＲ）の調整時に振幅（ＭＯＤ）を変動させる±１０段階の値３０２を示す。また、光パワー（ＰＯＷＥＲ）調整の±１０段階の閾値３０３を示す。バイアス（ＢＩＡＳ）と消光比（ＥＲ）は、現在値「１．０００」に対する±の倍率である。
【００４１】
図４は、図３の各設定に基づく光パワー（ＰＯＷＥＲ）のパラメータ決定用テーブル４００を示す図表である。縦軸に光パワー（ＰＯＷＥＲ）の調整時にバイアス（ＢＩＡＳ）電流の値を変動させる±１０段階の値３０１を示す。また、横軸に光パワー（ＰＯＷＥＲ）の調整時に振幅（ＭＯＤ）を変動させる±１０段階の値３０２を示す。縦軸と横軸の交差に対応して光パワー（ＰＯＷＥＲ）調整の±１０段階の閾値３０３を示す。
【００４２】
図４において、光パワー（ＰＯＷＥＲ）と、消光比（ＥＲ）の現在値「１．０００」に対し、目標値が異なるとその分だけバイアス（ＢＩＡＳ）、振幅（ＭＯＤ）電流を変動させる。例えば、現在値に対する光パワー（ＰＯＷＥＲ）の目標値との差が１．５±０．０７ｄＢｍであれば、１つの閾値３０３ａの範囲内であり、バイアス（ＢＩＡＳ）および振幅（ＭＯＤ）の電流を変動させない。
【００４３】
現在値に対する光パワー（ＰＯＷＥＲ）の目標値との差が０．０７以上０．１４ｄＢｍ未満であれば、閾値３０３ｂに移り、バイアス（ＢＩＡＳ）の倍率は０．９９７、振幅（ＭＯＤ）の電流の倍率は０．９８４となる。この場合、バイアス（ＢＩＡＳ）、振幅（ＭＯＤ）の電流は、ともに現在値に１未満の倍率の値を乗算し、バイアス（ＢＩＡＳ）、振幅（ＭＯＤ）の電流はともに下げる制御を行う。
【００４４】
図５には、消光比（ＥＲ）の調整時にバイアス（ＢＩＡＳ）電流の値を変動させる±１０段階の値５０１を示す。また、消光比（ＥＲ）の調整時に振幅（ＭＯＤ）を変動させる±１０段階の値５０２を示す。また、消光比（ＥＲ）調整の±１０段階の閾値５０３を示す。バイアス（ＢＩＡＳ）と消光比（ＥＲ）は、現在値「１．０００」に対する±の倍率である。
【００４５】
図６は、図５の各設定に基づく消光比（ＥＲ）のパラメータ決定用テーブル６００を示す図表である。縦軸に消光比（ＥＲ）の調整時にバイアス（ＢＩＡＳ）電流の値を変動させる±１０段階の値５０１を示す。また、横軸に消光比（ＥＲ）の調整時に振幅（ＭＯＤ）を変動させる±１０段階の値５０２を示す。縦軸と横軸の交差に対応して消光比（ＥＲ）調整の±１０段階の閾値５０３を示す。
【００４６】
図６において、光パワー（ＰＯＷＥＲ）と、消光比（ＥＲ）の現在値「１．０００」に対し、目標値が異なるとその分だけバイアス（ＢＩＡＳ）、振幅（ＭＯＤ）電流を変動させる。例えば、現在値に対する消光比（ＥＲ）の目標値との差が１４±０．２ｄＢであれば、１つの閾値５０３ａの範囲内であり、バイアス（ＢＩＡＳ）および振幅（ＭＯＤ）の電流を変動させない。
【００４７】
現在値に対する消光比（ＥＲ）の目標値との差が０．３ｄＢ未満であれば、閾値３０３ｂに移り、バイアス（ＢＩＡＳ）の倍率は１．０３２、振幅（ＭＯＤ）の電流の倍率は０．９８８となる。この場合、バイアス（ＢＩＡＳ）は１以上の倍率の値を乗算してバイアス電圧は上げる制御を行い、振幅（ＭＯＤ）の電流は、現在値に１未満の倍率の値を乗算して振幅（ＭＯＤ）の電流を下げる制御を行う。
【００４８】
（ＬＤの制御パラメータの調整処理例）
図７Ａ，図７Ｂは、実施の形態にかかる光モジュールのＬＤ特性の調整処理例を示すフローチャートである。製造時の工場における初期調整（キャリブレーション）時に図１に示した接続状態で、主に調整用制御部１２１のＣＰＵが実行する処理例を説明する。
【００４９】
はじめに、調整装置１０２の測定器（ＯＳＣ１２３、ＰＭ１２４）の設定、およびパラメータ初期値を設定する（ステップＳ７０１）。次に、光パワー（ＰＯＷＥＲ）をＰＭ１２４で測定し（ステップＳ７０２）、調整用制御部１２１は、光パワーの現在値と目標値との差分を算出する（ステップＳ７０３）。そして、光パワーが目標範囲内であるか判断し（ステップＳ７０４）、光パワーが目標範囲内であれば（ステップＳ７０４：Ｙｅｓ）、調整用制御部１２１は、ステップＳ７１１に移行する。
【００５０】
光パワーが目標範囲内でなければ（ステップＳ７０４：Ｎｏ）、調整用制御部１２１は、光パワーが目標範囲より大きいか判断する（ステップＳ７０５）。この際、調整用制御部１２１は光パワーが目標範囲より大きくなければ（ステップＳ７０５：Ｎｏ）、ＬＤ特性テーブル１３１（光パワーのパラメータ決定用テーブル４００）を参照し、目標との差分に応じたバイアスと振幅の比率（倍率）を求める（ステップＳ７０６）。光パワーが目標範囲より大きければ（ステップＳ７０５：Ｙｅｓ）、ＬＤ特性テーブル１３１を参照し、目標との差分に応じたバイアスと振幅の比率（倍率）を求める（ステップＳ７０７）。
【００５１】
ステップＳ７０６またはステップＳ７０７の実行後、調整用制御部１２１は、算出したバイアス（ＢＩＡＳ）と振幅（ＭＯＤ）の電流値を制御値として適用し（ステップＳ７０８）、光モジュール１００の制御部１１１に出力し、ステップＳ７０２に戻る。
【００５２】
ステップＳ７０４において、光パワーが目標範囲内であれば（ステップＳ７０４：Ｙｅｓ）、次に、消光比（ＥＲ）の制御に移る（ステップＳ７１１以降の処理）。ＯＳＣ１２３によりＥＲを測定し（ステップＳ７１１）、調整用制御部１２１は、現在の消光比が目標範囲内であるか判断し（ステップＳ７１２）、消光比が目標範囲内であれば（ステップＳ７１２：Ｙｅｓ）、ステップＳ７２０に移行する。
【００５３】
一方、消光比が目標範囲内になければ（ステップＳ７１２：Ｎｏ）、調整用制御部１２１は、測定１回前の消光比と比較して所定の基準以上の消光比（ＥＲ）の変化であるか判断する（ステップＳ７１３）。測定１回前の消光比と比較して所定の基準以上の消光比（ＥＲ）の変化であれば（ステップＳ７１３：Ｙｅｓ）、バイアス（ＢＩＡＳ）と振幅（ＭＯＤ）の電流の調整量を半分にするフラグを立て（ステップＳ７１４）、ステップＳ７１５に移行する。また、測定１回前の消光比と比較して所定の基準以上の消光比（ＥＲ）の変化でなければ（ステップＳ７１３：Ｎｏ）、ステップＳ７１５に移行する。
【００５４】
ステップＳ７１５では、調整用制御部１２１は、現在の消光比が目標範囲より大きいかを判断する（ステップＳ７１５）。消光比が目標範囲より大きくなければ（ステップＳ７１５：Ｎｏ）、ＬＤ特性テーブル１３１（消光比のパラメータ決定用テーブル６００）を参照し、目標との差分に応じたバイアスと振幅の比率（倍率）を求める（ステップＳ７１６）。消光比が目標範囲より大きければ（ステップＳ７１５：Ｙｅｓ）、ＬＤ特性テーブル１３１を参照し、目標との差分に応じたバイアスと振幅の比率（倍率）を求める（ステップＳ７１７）。
【００５５】
ステップＳ７１６またはステップＳ７１７の実行後、調整用制御部１２１は、フラグが立っている場合にステップＳ７１８を実行する。ステップＳ７１８では、バイアスと振幅の調整量を半分にする処理を行い、ステップＳ７１９に移行する。ステップＳ７１８では、具体的には、バイアス（倍率）は（１＋バイアス比率−１）／２、振幅（倍率）は（１＋振幅比率−１）／２、の演算で比率を変換する。
【００５６】
その後、ステップＳ７１９では、算出したバイアス（ＢＩＡＳ）と振幅（ＭＯＤ）の電流値を制御値として適用し（ステップＳ７１９）、光モジュール１００の制御部１１１に出力し、ステップＳ７１１に戻る。
【００５７】
また、ステップＳ７１２で消光比が目標範囲内であれば（ステップＳ７１２：Ｙｅｓ）、ＰＭ１２４で光パワー（ＰＯＷＥＲ）を再度測定し（ステップＳ７２０）、調整用制御部１２１は、現在の光パワーが目標範囲内であるかを確認のために判断する（ステップＳ７２１）。現在の光パワーが目標範囲内であれば（ステップＳ７２１：Ｙｅｓ）、調整用制御部１２１による以上の処理を終了し、現在の光パワーが目標範囲内でなければ（ステップＳ７２１：Ｎｏ）、ステップＳ７０２に戻る。
【００５８】
上記の処理では、ステップＳ７１８の処理を行うことで、バイアスと振幅の変化量を半分にすることができ、現在値を目標値により正確に近づけることができる。ステップＳ７１８の処理では、バイアスと振幅の変化量を半分にしたが、これに限らず他に１／３にするなどより細かく調整量を制御することもでき、必要な制御の精度あるいは処理時間に応じて適宜設定すればよい。
【００５９】
（ＬＤ特性テーブル作成処理例）
次に、上述したＬＤ特性テーブル１３１の作成処理例を説明する。このＬＤ特性テーブル１３１の作成は、光モジュール１００の出荷前に工場等において、ＴＯＳＡ１１２のＬＤ１１２ａの光出力を測定し、調整用制御部１２１が作成する。これに限らず、汎用のコンピュータ（ＰＣ等）を用い、図１の調整用制御部１２１部分にＰＣを接続しても同様にＬＤ特性テーブル１３１を作成できる。
【００６０】
ＬＤ特性テーブル１３１の作成は、下記のように、
１．テーブル元データの取得
２．テーブルデータの作成
３．遷移量の決定
４．テーブルの作成
の各工程を行って作成される。
【００６１】
１．テーブル元データの取得について
図８Ａ，図８Ｂは、実施の形態にかかる光モジュールのＬＤ特性テーブルの作成処理例を示すフローチャートである。この処理例に沿って、バイアス（ＢＩＡＳ）電流の制御値、振幅（ＭＯＤ）電流の制御値に対する消光比（ＥＲ）を変化させず、光パワー（ＰＯＷＥＲ）を取得する。これをサンプル数Ｘ個（例えばＸ＝５個）実施する。
【００６２】
はじめに、コンピュータは、バイアス、振幅の初期値を設定する（ステップＳ８０１）。初期値は、例えば、基準の消光比（ＥＲ）＝１４ｄＢｍ、光パワー（ＰＯＷＥＲ）＝１．５ｄＢｍに合わせるために、光モジュール１００（ＬＤ１１２ａ）の設計データから導かれる標準的な値に基づき算出される。例えば、初期値は、バイアス（ＢＩＡＳ）を２５０、振幅（ＭＯＤ）を１０００に設定する。
【００６３】
次に、コンピュータは、現在の消光比と光パワーを取得する（ステップＳ８０２）。この後、ステップＳ８０３では、コンピュータは、ステップＳ８０３〜ステップＳ８１６の処理を繰り返し行う。ここでは、Ｎ＝０〜２０までの繰り返し処理を行うこととする。
【００６４】
ステップＳ８０４では、コンピュータは、バイアスを一定比率で増加させる（ステップＳ８０４）。例えば、２×Ｎで増加させる。次に、ステップＳ８０５では、コンピュータは、ステップＳ８０５〜ステップＳ８０９の処理を繰り返し行う。ここでは、Ｍ＝０〜２０までの繰り返し処理を行うこととする。ステップＳ８０６では、コンピュータは、振幅を一定比率で増加させる（ステップＳ８０６）。例えば、１０×Ｍで増加させる。
【００６５】
次に、コンピュータは、消光比と光パワーを取得し（ステップＳ８０７）、振幅（ＭＯＤ）を初期値に戻す（ステップＳ８０８）。ステップＳ８０９ではＭ回の繰り返しが行われればステップＳ８１０に移行する。
【００６６】
ステップＳ８１０では、コンピュータは、ステップＳ８１０〜ステップＳ８１４の処理を繰り返し行う。ここでは、Ｍ＝０〜２０までの繰り返し処理を行うこととする。ステップＳ８１１では、コンピュータは、振幅を一定比率で減少させる（ステップＳ８１１）。例えば、１０×Ｍで減少させる。
【００６７】
次に、コンピュータは、消光比と光パワーを取得し（ステップＳ８１２）、振幅（ＭＯＤ）を初期値に戻す（ステップＳ８１３）。ステップＳ８１４ではＭ回の繰り返しが行われればステップＳ８１５に移行する。ステップＳ８１５では、コンピュータは、バイアスを初期値に戻す（ステップＳ８１５）。この後、ステップＳ８１６でＮ回の繰り返し処理が終了すれば、ステップＳ８１７に移行する。
【００６８】
次に、図８Ｂに示すように、ステップＳ８１７では、コンピュータは、ステップＳ８１７〜ステップＳ８３０の処理を繰り返し行う。ここでは、Ｎ＝０〜２０までの繰り返し処理を行うこととする。
【００６９】
ステップＳ８１８では、コンピュータは、バイアスを一定比率で減少させる（ステップＳ８１８）。例えば、２×Ｎで減少させる。次に、ステップＳ８１９では、コンピュータは、ステップＳ８１９〜ステップＳ８２３の処理を繰り返し行う。ここでは、Ｍ＝０〜２０までの繰り返し処理を行うこととする。ステップＳ８２０では、コンピュータは、振幅を一定比率で増加させる（ステップＳ８２０）。例えば、１０×Ｍで増加させる。
【００７０】
次に、コンピュータは、消光比と光パワーを取得し（ステップＳ８２１）、振幅（ＭＯＤ）を初期値に戻す（ステップＳ８２２）。ステップＳ８２３ではＭ回の繰り返しが行われればステップＳ８２４に移行する。
【００７１】
ステップＳ８２４では、コンピュータは、ステップＳ８２４〜ステップＳ８２８の処理を繰り返し行う。ここでは、Ｍ＝０〜２０までの繰り返し処理を行うこととする。ステップＳ８２５では、コンピュータは、振幅を一定比率で減少させる（ステップＳ８２５）。例えば、１０×Ｍで減少させる。
【００７２】
次に、コンピュータは、消光比と光パワーを取得し（ステップＳ８２６）、振幅（ＭＯＤ）を初期値に戻す（ステップＳ８２７）。ステップＳ８２８ではＭ回の繰り返しが行われればステップＳ８２９に移行する。ステップＳ８２９では、コンピュータは、バイアスを初期値に戻す（ステップＳ８２９）。この後、ステップＳ８３０でＮ回の繰り返し処理が終了すれば、以上の一連の処理を終了する。
【００７３】
２．テーブルデータの作成について
次に、コンピュータは、光パワー（ＰＯＷＥＲ）のパラメータ決定用テーブル４００のＮサンプルデータを各バイアス（ＢＩＡＳ）電流、振幅（ＭＯＤ）電流の設定毎に平均化する。また、消光比（ＥＲ）のパラメータ決定用テーブル６００テーブルのＮサンプルデータを各バイアス（ＢＩＡＳ）電流、振幅（ＭＯＤ）電流の設定毎に平均化する。
【００７４】
例えば、サンプル数５として、初期値がバイアス（ＢＩＡＳ）＝２５０、振幅（ＭＯＤ）＝１０００のときのＰＯＷＥＲ＝１．５ｄＢｍ、１．５２ｄＢｍ、１．５１ｄＢｍ、１．４９ｄＢｍ、１．４８ｄＢｍとする。この場合、ＢＩＡＳ＝２５０、ＭＯＤ＝１０００のときのＰＯＷＥＲは１．５ｄＢｍと算出する。同様に、初期値がＢＩＡＳ＝２５０、ＭＯＤ＝１０００のときのＥＲ＝１４ｄＢ、１３．６ｄＢ、１３．８ｄＢ、１３．４ｄＢ、１３．２ｄＢとする。この場合、ＢＩＡＳ＝２５０、ＭＯＤ＝１０００のときのＥＲは１３．６ｄＢと算出する。
【００７５】
３．遷移量の値の決定について
上記２．で用意したＬＤ特性テーブル１３１を使用し、調整処理（図７Ａ，図７Ｂ）で使用する調整範囲毎の設定値を算出する。例えば、光パワー（ＰＯＷＥＲ）のパラメータ決定用テーブル４００の場合、消光比（ＥＲ）の変化がなく、一定量の光パワー（ＰＯＷＥＲ）を変化させることができる振幅（ＭＯＤ）の値を算出する。ここで、一定量（光パワーを０．１ｄＢ変化させる場合のＢＩＡＳ／ＭＯＤや、光パワーを０．５ｄＢ変化させる場合のＢＩＡＳ／ＭＯＤ等）毎に、値を算出する。
【００７６】
消光比（ＥＲ）決定用テーブル６００の場合、光パワー（ＰＯＷＥＲ）の変化がなく、一定量のＥＲを変化させることができる振幅（ＭＯＤ）の値を算出する。ここで、一定量（消光比を０．１ｄＢｍ変化させる場合のＢＩＡＳや、消光比を０．５ｄＢｍ変化させる場合のＢＩＡＳ等）毎に、値を算出する。
【００７７】
４．テーブルの作成について
上記３．で求めた光パワー（ＰＯＷＥＲ）と、消光比（ＥＲ）に対するバイアス（ＢＩＡＳ）と振幅（ＭＯＤ）の値をテーブル形式のデータとしＬＤ特性テーブル１３１を作成する。例えば、消光比（ＥＲ）変化なしで、光パワー（ＰＯＷＥＲ）＝０．１ｄＢ減少させるときのバイアス（ＢＩＡＳ）および振幅（ＭＯＤ）をそれぞれ作成する。
【００７８】
（既存技術と実施の形態の対比）
・多大な調整時間の背景１
既存の光モジュール１００自体の構造は、実施の形態と同じである。上述したように、光モジュール１００の光源となるＬＤ１１２ａは温度変化による影響を受け易い。このＬＤ１１２ａの温度特性を保証するために、工場における初期調整（キャリブレーション）や、お客様先にて再調整（出力レベルが異常な場合）が必要である。既存技術の調整作業では、ＬＤ１１２ａが出力する光パワー（ＰＯＷＥＲ）と消光比（ＥＲ）が基準内に収まる様な制御パラメータを定めるのに多くの時間を要し、調整作業による（工場）ライン数の増加、お客様先での作業時間の増加が発生していた。
【００７９】
・多大な調整時間の背景２
調整作業に時間を要する理由は２つ存在する。１つ目は、ＬＤ１１２ａの特性取得を行う回数の多さであり、ＬＤ１１２ａの温度特性を求めるため、複数個のＬＤ１１２ａを使用し、標準的な温度特性カーブを取得する必要がある。
【００８０】
図９は、既存技術によるＬＤの特性取得を説明する図表である。図９（ａ）では、ＬＤ１１２ａの温度特性（バイアスおよび振幅）の取得を説明する図である。例えば、ＬＤ１１２ａの温度特性を取得するために所定の温度範囲（例えば、−１０度〜９５度で５度刻み等）で、サンプル（ＬＤ１１２ａのロットあたり）５台のＬＤ１１２ａの温度特性を取得する場合の特性取得回数は１１０（２２回×５台）回となる（図９（ａ）上半部、なお図９ではサンプル３台とした）。
【００８１】
また、図９（ａ）の下半部に示すように、各温度条件下で、目標の光出力（ＰＯＷＥＲ）および消光比（ＥＲ）となるよう調整したバイアス（ＢＩＡＳ）電流値と振幅（ＭＯＤ）電流値のそれぞれについて、ＬＤ１１２ａ毎の特性線（傾き）を求める。そして、複数のＬＤ１１２ａの特性線に基づいて、バイアス電流値と振幅電流値それぞれの標準カーブ（特性）を算出する。図９（ａ）の標準カーブにより、光出力（ＰＯＷＥＲ）を規定内とするバイアス電流値と振幅電流値が求まる。
【００８２】
次に、図９（ｂ）は、ＬＤ１１２ａの特定温度での個体差の特性取得を説明する図である。例えば、工場における初期調整（キャリブレーション）や、納入先にて再調整（出力レベルが異常な場合等）には、ＬＤ１１２ａ毎に１回の特性取得を行う。そして、先に求めた標準的な温度特性（図９（ａ）の標準カーブ）との相対的補正を行う（特性取得回数１回／台）。そして、図９（ｂ）に示すように、ある１点の温度条件下で、所定の光パワー（ＰＯＷＥＲ）および消光比（ＥＲ）となるように調整したバイアス（ＢＩＡＳ）電流値と振幅（ＭＯＤ）電流値に対し、温度特性カーブを相対的に一致させるように補正値を算出する。
【００８３】
光モジュール１００の運用時には、環境温度に合わせ、バイアス電流値と振幅電流値とを補正する。図９（ｂ）に示した温度に対するバイアス電流の標準特性カーブと、温度に対する振幅電流の標準特性カーブは、各光モジュール１００のメモリに格納される。制御部１１１は、メモリから現在温度に対するバイアス電流の標準特性カーブと、振幅電流の標準特性カーブを読み出し、バイアス電流と振幅電流を補正する。この点は、実施の形態の光モジュール１００においても同様に制御される。
【００８４】
調整作業に時間を要する２つ目の理由について説明する。２つ目は、特性取得の時間そのものであり、ＬＤ１１２ａ出力（光パワーと消光比）を基準内に収めるために、ＬＤ１１２ａを制御するパラメータ値を決めるのに要する作業時間である。
【００８５】
上述したように、ＬＤ１１２ａ調整用のパラメータ値はバイアス（ＢＩＡＳ）電流の制御値と振幅（ＭＯＤ）電流の制御値の２つがある。既存の技術では、ＬＤ１１２ａの出力を測定器（ＯＳＣ１２３や、ＰＭ１２４）で測定しながら、バイアス制御値や、振幅制御値を変化させ、基準内に収まる値（２つのパラメータ）を求めている。ＬＤ１１２ａの調整作業は、特性取得を伴うため、この二つ目に示すパラメータを求めるための時間が大半を占める。
【００８６】
・多大な調整時間の背景３
また、ＬＤ１１２ａの特性取得では、ＬＤ１１２ａの出力（光パワーと消光比）を基準内に収めるために、パラメータ（バイアス制御値や、振幅制御値）を変化させていく。
【００８７】
図１０は、一般的なＬＤのパワーと消光比に対するパラメータの変化特性を示す図表である。図１０に示すように、ＬＤ１１２ａは、調整側のパラメータに対し、一つの基準は比例するが、もう一つの基準は変化が未定である。
【００８８】
図１０に示した状態のため、ＬＤ１１２ａの特性取得における調整作業の処理工程数（処理時間）が多大となった。例えば、基準に向けた、２つのパラメータを合わせる方法においては、基準に対しずれ量の大きい出力（たとえば、光パワー）に比例するパラメータ（光パワーであればバイアス電流）を一定量変化させる。そして、２つの基準を確認した後、再度、基準に対しずれ量の大きい出力に対してパラメータを変化させる処理を繰り返す必要があった。このように、ＬＤ１１２ａの特性取得では、パラメータを一定量ずつ変化させる調整シーケンスをおこなっており、多くのパラメータの変化回数が必要で調整時間が増大した。
【００８９】
図１１は、既存のＬＤの特性取得における調整作業の回数を説明する図である。図１１（ａ）は、バイアス電流および振幅電流制御を示し、横軸は調整回数、縦軸はバイアス（ＢＩＡＳ）および振幅（ＭＯＤ）電流の設定値である。図１１（ｂ）は、バイアス電流および振幅電流制御による光パワーと消光比の変化を示し、横軸は調整回数、縦軸は、光パワーと消光比である。
【００９０】
図１１（ａ）に示したパラメータ（バイアスおよび振幅）を一定量変化させていくことで、図１１（ｂ）に示す光出力を規定内に合わせこむ調整を行っていた。この際、図１１（ｂ）の消光比の特性線に示すように、消光比は変化する値が不明となる動きをする。この場合、バイアス（ＢＩＡＳ）および振幅（ＭＯＤ）電流を変化させるため、この例では、５８回（約３分）の調整回数（時間）がかかった。
【００９１】
以上のような既存技術に対し、実施の形態では、図１に示したように、調整用制御部１２１に、ＬＤ特性テーブル１３１を設けている。調整用制御部１２１が行う調整処理では、光出力（光パワーと消光比）を測定し、ＬＤ特性テーブル１３１と照らし合わせる。そして、一つの光出力（光パワー）について、もう一つの光出力（消光比）の特性に影響を与えない範囲で現在値と目標値の差分量に合ったパラメータ値を演算する。これにより、最短の処理回数および処理時間で現在値を目標値に近づけることができる。光パワーおよび消光比を１回で最適に調整できなかった場合には、現在値と目標値との差分を求めて、再度、ＬＤ特性テーブル１３１から設定するパラメータを得る。
【００９２】
ここで、実施の形態では、例えば、測定した光パワーをＬＤ特性テーブル１３１に与え、現在値と目標値との差分より、消光比に影響を与えない調整可能なバイアス電流のパラメータ範囲を得る。現在値と目標値との差分がこの範囲内であれば、１度で光パワーを目標値に遷移させることができる。調整範囲外であれば、複数回実施する。その後、消光比を同様に比較し、現在値と差分量を１度で遷移する振幅電流を演算し制御する。
【００９３】
図１２は、実施の形態のＬＤの特性取得における調整作業の回数を説明する図である。図１２（ａ）は、バイアス電流および振幅電流制御を示し、横軸は調整回数、縦軸はバイアス（ＢＩＡＳ）および振幅（ＭＯＤ）電流の設定値である。図１２（ｂ）は、バイアス電流および振幅電流制御による光パワーと消光比の変化を示し、横軸は調整回数、縦軸は、光パワーと消光比である。
【００９４】
実施の形態にかかる調整処理によれば、最短で光パワー調整→消光比調整→光パワー確認と２回の調整で完了するため、調整時間を短縮できる。図１２の例では、８回の調整回数で完了することができ、既存の調整回数（図１１）の５８回に比して、約１／７に回数短縮できる。
【００９５】
なお、ＬＤ１１２ａの個体ばらつきにより、消光比の増／減衰時の変化量が一致しない物が存在する（例えば、５％程度）。この場合、ＬＤ特性テーブル１３１の目標値（図４，図６参照）をまたいで往復して直ぐには収束しない場合が生じる。これに対応するため、実施の形態の調整処理では、前回の消光比と今回の消光比で、前回の消光比より今回の方が目標より離れている場合、振幅（ＭＯＤ）の電流変化量を半分にする処理を実施する（図７Ｂ参照）。これにより、消光比の変化を小さくして現在値を目標値へ近づけることができるようになる。
【００９６】
以上説明した実施の形態によれば、測定した光パワー（ＰＯＷＥＲ）をＬＤ特性テーブル１３１に与え、現在値と目標値との差分より、消光比（ＥＲ）に影響を与えない調整可能なバイアス電流のパラメータ範囲を得る。これにより、目標値との差分がこのパラメータ範囲内であれば、１度で光パワーを目標値に遷移させることができる。また、消光比（ＥＲ）についても同様に現在値と目標値とを比較し、差分量を１度で遷移する振幅電流を演算し制御する。このような実施の形態によれば、光パワー調整と消光比調整の２回の調整で完了させることができ、調整時間を短縮できるようになる。
【００９７】
上述した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００９８】
（付記１）レーザダイオードの制御部に対し、前記レーザダイオードの光出力の光パワーと、消光比を所定の基準範囲内に収める調整時に制御用のパラメータを出力する調整装置において、
前記レーザダイオードの前記光パワーの現在値を所定の目標値に遷移させる際に、前記消光比が変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を前記制御部に出力する制御と、
前記レーザダイオードの前記消光比の現在値を所定の目標値に遷移させる際に、前記光パワーが変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を前記制御部に出力する制御とを行う調整用制御部を有する、
ことを特徴とする調整装置。
【００９９】
（付記２）前記調整用制御部は、前記レーザダイオードの前記光パワーの制御時に参照され、前記光パワーの現在値を所定の目標値に遷移させる際の、前記消光比が変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を格納した光パワーパラメータ決定用テーブルと、
前記レーザダイオードの前記消光比の制御時に参照され、前記消光比の現在値を所定の目標値に遷移させる際の、前記光パワーが変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を格納した消光比パラメータ決定用テーブルと、
を有することを特徴とする付記１に記載の調整装置。
【０１００】
（付記３）前記調整用制御部の前記光パワーパラメータ決定用テーブルと、前記消光比パラメータ決定用テーブルには、前記バイアス電流および前記振幅電流の現在値を前記目標値に遷移させるための比率の値が格納され、前記比率を現在値に乗算して前記制御部に出力することを特徴とする付記２に記載の調整装置。
【０１０１】
（付記４）前記レーザダイオードの前記光出力と、前記消光比を測定する測定器をさらに有し、
前記調整用制御部は、前記測定器の測定に基づき演算した前記バイアス電流と前記振幅電流を前記レーザダイオードが搭載された前記光モジュールの前記制御部に出力することを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の調整装置。
【０１０２】
（付記５）あらかじめ、前記バイアス電流と前記振幅電流をそれぞれ変化させたときに前記消光比を変化させずに前記光パワーを調整可能な前記バイアス電流の範囲と前記振幅電流の範囲が求められ、前記光パワーパラメータ決定用テーブルに格納され、
前記バイアス電流と前記振幅電流をそれぞれ変化させたときに前記光パワーを変化させずに前記消光比が調整可能な前記バイアス電流の範囲と前記振幅電流の範囲が求められ、前記消光比パラメータ決定用テーブルに格納されていることを特徴とする付記２〜４のいずれか一つに記載の調整装置。
【０１０３】
（付記６）前記調整用制御部は、前回測定した消光比と今回測定した消光比で、前回の消光比より今回の方が目標値より離れている場合、前記振幅電流の変化を半分に乗算して前記制御部に出力することを特徴とする付記１〜５のいずれか一つに記載の調整装置。
【０１０４】
（付記７）レーザダイオードの制御部に対し、前記レーザダイオードの光出力の光パワーと、消光比を所定の基準範囲内に収める調整時に制御用のパラメータを出力する調整装置の調整方法において、
前記レーザダイオードの前記光パワーの現在値を所定の目標値に遷移させる際に、前記消光比が変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を前記制御部に出力する制御と、
前記レーザダイオードの前記消光比の現在値を所定の目標値に遷移させる際に、前記光パワーが変動しない範囲のバイアス電流と、振幅電流を前記制御部に出力する制御と、
を行うことを特徴とする調整方法。
【０１０５】
（付記８）あらかじめ、前記バイアス電流と前記振幅電流をそれぞれ変化させたときに前記消光比を変化させずに前記光パワーを調整可能な前記バイアス電流の範囲と前記振幅電流の範囲とを求め、光パワーパラメータ決定用テーブルに格納し、
前記バイアス電流と前記振幅電流をそれぞれ変化させたときに前記光パワーを変化させずに前記消光比が調整可能な前記バイアス電流の範囲と前記振幅電流の範囲とを求め、消光比パラメータ決定用テーブルに格納することを特徴とする付記７に記載の調整方法。
【０１０６】
（付記９）前回測定した消光比と今回測定した消光比で、前回の消光比より今回の方が目標値より離れている場合、前記振幅電流の変化を半分に乗算して前記制御部に出力することを特徴とする付記７または８に記載の調整方法。
【符号の説明】
【０１０７】
１００  光モジュール
１０１  光ケーブル
１０２  調整装置
１０３  ネットワーク
１０４  ＰＣ
１１０  ＮＷ−ＩＦ
１１１  制御部
１１１ａ  ＡＦＥ
１１２  ＴＯＳＡ／ＢＯＳＡ
１１２ａ  ＬＤ
１２１  調整用制御部
１２２  分配器
１２３  ＯＳＣ
１２４  ＰＭ
１３１  ＬＤ特性テーブル
１３２  調整値演算部
１３３  調整シーケンス部
４００  光パワーのパラメータ決定用テーブル
６００  消光比のパラメータ決定用テーブル
【図１】
2017200022.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2017200022.tif 000007
【図６】
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【図７Ａ】
2017200022.tif 000009
【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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