(57)【要約】      （修正有）【課題】液体中に存在するサンプルを電子顕微鏡で観察する際のセルとその作製方法を提供する。【解決手段】第１の基板１０２の一部を酸化して酸化領域を形成し、酸化領域を除去することによって、第１の基板に凹部を形成すること、凹部に第１の絶縁膜１２０を形成すること、第１の基板に、第１の絶縁膜１２０と重なるように第１の貫通孔１０８を形成すること、第２の基板１０４上に第２の絶縁膜１２２を形成すること、第２の基板１０４に、第１の絶縁膜１２０と重なるように第２の貫通孔１１０を形成すること、第２の基板１０４に、第３の貫通孔１１２を形成すること、第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２が重なり、第３の貫通孔１１２と凹部が重なるように、第１の基板１０２の凹部が形成されている側と、第２の基板１０４の第２の絶縁膜１２２が形成されている側とを接合することを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の一部を酸化して酸化領域を形成し、前記酸化領域を除去することによって、前記第１の基板に凹部を形成し、
前記凹部に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の基板に、前記第１の絶縁膜と重なるように第１の貫通孔を形成し、
第２の基板上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の基板に、前記第１の絶縁膜と重なるように第２の貫通孔を形成し、
前記第２の基板に、第３の貫通孔を形成し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜が重なり、前記第３の貫通孔と前記凹部が重なるように、前記第１の基板の前記凹部が形成されている側と、前記第２の基板の前記第２の絶縁膜が形成されている側とを接合することを含む、セルの作製方法。
【請求項２】
前記第１の基板と前記第２の基板を接合する前に、前記凹部を取り囲む前記第１の基板の表面と、前記第２の貫通孔を囲む前記第２の基板の表面の少なくとも一方に対し、改質処理を行うことをさらに含む、請求項１に記載の作製方法。
【請求項３】
前記改質処理は、前記第１の基板の前記表面と、前記第２の基板の前記表面の少なくとも一方にアルゴンを照射することによって行う、請求項２に記載の作製方法。
【請求項４】
前記第１の基板と前記第２の基板の前記接合は、前記第１の基板と前記第２の基板が直接に接するように行う、請求項１に記載の作製方法。
【請求項５】
前記第２の絶縁膜を形成する前に、前記第２の基板に凹部を形成することをさらに含み、
前記第２の基板の前記凹部の形成は、前記第２の基板の一部を酸化して酸化領域を形成し、前記酸化領域を除去することによって行う、請求項１に記載の作製方法。
【請求項６】
前記第１の基板と前記第２の基板は結晶性シリコンを含む、請求項１に記載の作製方法。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は非晶質窒化ケイ素を含む、請求項１に記載の作製方法。
【請求項８】
第１の絶縁膜を第１の基板に形成し、
前記第１の基板に、前記第１の絶縁膜と重なるように第１の貫通孔を形成し、
第２の基板の一部を酸化して酸化領域を形成し、前記酸化領域を除去することによって、前記第２の基板に凹部を形成し、
前記凹部に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の基板に、前記第１の絶縁膜と重なるように第２の貫通孔を形成し、
前記第２の基板に、前記凹部と重なるように第３の貫通孔を形成し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜が重なるように、前記第１の基板の前記第１の絶縁膜が形成されている側と、前記第２の基板の前記凹部が形成されている側とを接合することを含む、セルの作製方法。
【請求項９】
前記第１の基板と前記第２の基板を接合する前に、前記第１の絶縁膜を取り囲む前記第１の基板の表面と、前記第２の貫通孔を囲む前記第２の基板の表面の少なくとも一方に対し、改質処理を行うことをさらに含む、請求項８に記載の作製方法。
【請求項１０】
前記改質処理は、前記第１の基板の前記表面と、前記第２の基板の前記表面の少なくとも一方にアルゴンを照射することによって行う、請求項９に記載の作製方法。
【請求項１１】
前記第１の基板と前記第２の基板の前記接合は、前記第１の基板と前記第２の基板が直接に接するように行う、請求項９に記載の作製方法。
【請求項１２】
前記第１の基板と前記第２の基板は結晶性シリコンを含む、請求項９に記載の作製方法。
【請求項１３】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は非晶質窒化ケイ素を含む、請求項９に記載の作製方法。
【請求項１４】
凹部、および前記凹部と重なる第１の貫通孔を有する第１の基板と、
前記凹部内に位置し、前記第１の貫通孔と重なる第１の絶縁膜と、
前記第１の基板上に位置し、前記第１の絶縁膜と重なる第２の貫通孔を有し、かつ、前記凹部と重なる第３の貫通孔を有する第２の基板と、
前記第２の基板下に位置し、前記第２の貫通孔と重なる第２の絶縁膜を有するセル。
【請求項１５】
前記第１の基板と前記第２の基板は互いに直接に接する、請求項１４に記載のセル。
【請求項１６】
前記第１の絶縁膜は前記第１の基板と接し、かつ、前記第２の絶縁膜は前記第２の基板と接する、請求項１４に記載のセル。
【請求項１７】
前記第１の基板と前記第２の基板は結晶性シリコンを含む、請求項１４に記載のセル。
【請求項１８】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は非晶質窒化ケイ素を含む、請求項１４に記載のセル。
【請求項１９】
前記第２の基板は、前記凹部と重なる第４の貫通孔を有し、
前記第２の絶縁膜は前記第３の貫通孔と前記第４の貫通孔の間に挟まれる、請求項１４に記載のセル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態の一つはセル、およびその作製方法に関する。例えば、液体中に存在するサンプルを電子顕微鏡を用いて観察する際のセルとその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子顕微鏡は観察したい対象を光の代わりに電子をあてて観察する顕微鏡であり、光学顕微鏡と比較し、極めて高い分解能を有する。観察対象も幅広く、単純な構造材料にとどまらず、半導体素子などの複雑な構造を有する微小デバイス、あるいはウイルスや微生物などに及ぶ。また、試料は完全に固体である必要は無く、液体中に分散した固体も観察可能である。このため、電子顕微鏡観察は様々な分野で行われている。
【０００３】
観察対象が液体中に分散している場合、液体の試料を保持するためのセルが用いられる。特許文献１乃至５には、観察対象が液体中に分散した試料を保持するためのセルが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１３−５３５７９５号公報
【特許文献２】特開２０１５−１３３１７４号公報
【特許文献３】特開２０１４−１２３５７８号公報
【特許文献４】特開２００７−１６５２７１号公報
【特許文献５】特開２０１３−１６４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示の課題の一つは、液体中に存在する観察対象を保持するためのセル、およびその作製方法を提供することである。例えば本開示の課題の一つは、液体中に存在する観察対象を電子顕微鏡で観察するために用いるセル、およびセルを歩留まり良く作製するための方法を提供することである。あるいは、本開示の課題の一つは、セルを用いて液体中に存在する観察対象を電子顕微鏡で観察、測定するための方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の実施形態の一つは、セルの作製方法である。この作製方法は、第１の基板の一部を酸化して酸化領域を形成し、酸化領域を除去することによって、第１の基板に凹部を形成すること、凹部に第１の絶縁膜を形成すること、第１の基板に、第１の絶縁膜と重なるように第１の貫通孔を形成すること、第２の基板上に第２の絶縁膜を形成すること、第２の基板に、第１の絶縁膜と重なるように第２の貫通孔を形成すること、第２の基板に、第３の貫通孔を形成すること、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜が重なり、第３の貫通孔と凹部が重なるように、第１の基板の凹部が形成されている側と、第２の基板の第２の絶縁膜が形成されている側とを接合することを含む。
【０００７】
上記作製方法では、第１の基板と第２の基板を接合する前に、凹部を取り囲む第１の基板の表面と、第２の貫通孔を囲む第２の基板の表面の少なくとも一方に対し、改質処理を行ってもよい。改質処理は、第１の基板の表面と、第２の基板の表面の少なくとも一方にアルゴンを照射することによって行ってもよい。
【０００８】
上記作製方法では、第１の基板と第２の基板の接合は、第１の基板と第２の基板が直接に接するように行ってもよい。
【０００９】
上記作製方法では、第２の絶縁膜を形成する前に、第２の基板に凹部を形成し、第２の基板の凹部の形成は、第２の基板の一部を酸化して酸化領域を形成し、酸化領域を除去することによって行ってもよい。
【００１０】
本発明の実施形態の一つは、セルの作製方法である。この作製方法は、第１の絶縁膜を第１の基板に形成すること、第１の基板に、第１の絶縁膜と重なるように第１の貫通孔を形成すること、第２の基板の一部を酸化して酸化領域を形成し、酸化領域を除去することによって、第２の基板に凹部を形成すること、凹部に第２の絶縁膜を形成すること、第２の基板に、第１の絶縁膜と重なるように第２の貫通孔を形成すること、第２の基板に、凹部と重なるように第３の貫通孔を形成すること、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜が重なるように、第１の基板の第１の絶縁膜が形成されている側と、第２の基板の凹部が形成されている側とを接合することを含む。
【００１１】
上記作製方法では、第１の基板と第２の基板を接合する前に、第１の絶縁膜を取り囲む第１の基板の表面と、第２の貫通孔を囲む第２の基板の表面の少なくとも一方に対し、改質処理を行ってもよい。改質処理は、第１の基板の表面と、第２の基板の表面の少なくとも一方にアルゴンを照射することによって行ってもよい。
【００１２】
上記作製方法では、第１の基板と第２の基板の接合は、第１の基板と第２の基板が直接に接するように行ってもよい。
【００１３】
上記作製方法のいずれにおいても、第１の基板と第２の基板は結晶性シリコンを含むことができる。第１の絶縁膜と第２の絶縁膜は非晶質窒化ケイ素を含むことができる。
【００１４】
本発明の実施形態の一つは、凹部、および凹部と重なる第１の貫通孔を有する第１の基板と、凹部内に位置し、第１の貫通孔と重なる第１の絶縁膜と、第１の基板上に位置し、第１の絶縁膜と重なる第２の貫通孔を有し、かつ、凹部と重なる第３の貫通孔を有する第２の基板と、第２の基板下に位置し、第２の貫通孔と重なる第２の絶縁膜を有するセルである。
【００１５】
上記セルでは、第１の基板と第２の基板は互いに直接に接してもよい。第１の絶縁膜は第１の基板と接し、かつ、第２の絶縁膜は第２の基板と接してもよい第１の基板と第２の基板は結晶性シリコンを含むことができる。第１の絶縁膜と第２の絶縁膜は非晶質窒化ケイ素を含むことができる。
【００１６】
上記セルでは、第２の基板は、凹部と重なる第４の貫通孔を有し、第２の絶縁膜は第３の貫通孔と第４の貫通孔の間に挟まれてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本開示の一実施形態のセルの斜視図。
【図２】本開示の一実施形態のセルの上面、底面、断面の模式図。
【図３】本開示の一実施形態のセルの上面、底面、断面の模式図。
【図４】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図５】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図６】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図７】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図８】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図９】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図１０】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図１１】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図１２】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図１３】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図１４】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図１５】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図１６】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図１７】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図１８】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図１９】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図２０】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図２１】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図２２】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図２３】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図２４】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図２５】本開示の一実施形態のセルの製造方法を説明する上面、底面、断面の模式図。
【図２６】本開示の一実施形態の測定方法を説明する模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本開示の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本開示は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１９】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省くことがある。
【００２０】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００２１】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体と他の構造体が重なるという表現は、これらの構造体の平面視において、少なくとも一部が重なるということを意味する。換言すると、これらの構造体のいずれか一方が他方の上、あるいは下に位置し、かつ、これらの構造体を上面から、あるいは下面から見た場合に、互いに少なくとも一部が重なるということを意味する。
【００２２】
本明細書および特許請求の範囲において、セルとは、観察対象を保持する容器を意味し、試料容器、試料保持容器、試料保持具とも呼ばれる。
【００２３】
（第１実施形態）
本実施形態では、液体中に分散した観察対象を電子顕微鏡を用いて観察、測定する際に用いることができるセル１００の構造を説明する。
【００２４】
図１（Ａ）、（Ｂ）にセル１００の斜視図を示す。図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、セル１００の上面、底面から見た斜視図である。図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、セル１００は、第１の基板１０２と第２の基板１０４を含む筐体１０６を有する。第１の基板１０２と第２の基板１０４は互いに接してもよい。あるいは、薄い金の膜を介して第１の基板１０２と第２の基板１０４が接合されていてもよい。第１の基板１０２には第１の貫通孔１０８が設けられ、第２の基板１０４には第２の貫通孔１１０が設けられる。後述するように、第１の貫通孔１０８と第２の貫通孔は、それぞれ第１の基板１０２、第２の基板１０４を貫通し、互いに重なっている。第２の基板はさらに、第２の基板を貫通する第３の貫通孔１１２と第４の貫通孔１１４を有することができる。第２の貫通孔１１０は、第３の貫通孔１１２と第４の貫通孔１１４に挟まれるように設置することができる。
【００２５】
図２（Ａ）、（Ｂ）に、それぞれセル１００の上面図と底面図を、図２（Ｃ）に図２（Ａ）の鎖線Ａ−Ｂに沿った断面の模式図を示す。図２（Ｃ）に示すように、第１の基板１０２と第２の基板１０４の少なくとも一方に凹部が設けられる。図２（Ｃ）では、第１の基板１０２と第２の基板１０４の両方に、それぞれ凹部１２４、１２６が設けられた構成が示されている。第１の貫通孔１０８は第１の基板１０２に設けられる凹部と重なり、第２の貫通孔１１０、第３の貫通孔１１２、第４の貫通孔１１４は第２の基板１０４に設けられる凹部と重なる。これらの凹部１２４、１２６を挟むように第１の基板１０２と第２の基板１０４が接合されており、これにより、筐体１０６内に空洞１２８が形成される。第３の貫通孔１１２、第４の貫通孔１１４は第２の基板１０４を貫通し、空洞１２８に達する。
【００２６】
凹部は、第１の基板１０２と第２の基板１０４の少なくとも一方に設けられていればよく、例えば図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、第１の基板１０２だけに凹部１２４を設け、凹部１２４挟むように第１の基板１０２と第２の基板１０４を接合することによって筐体１０６内に空洞１２８を形成してもよい。この場合、空洞１２８は凹部１２４によって形成される。
【００２７】
第１の貫通孔１０８、第２の貫通孔１１０、第３の貫通孔１１２、第４の貫通孔１１４の側面は、いずれも第１の基板１０２、あるいは第２の基板１０４の上面に対して垂直である必要は無い。例えば、第１の貫通孔１０８の第１の基板１０２の底面における面積が、第１の基板１０２の上面における面積よりも大きくなるよう、第１の貫通孔１０８の側面が第１の基板１０２の上面に対して傾いていてもよい。同様に、第２の貫通孔１１０、第３の貫通孔１１２、第４の貫通孔１１４の第２の基板１０４の上面における面積が、第２の基板１０４の底面における面積よりもそれぞれ大きくなるよう、これらの貫通孔の側面が第２の基板１０４の上面に対して傾いていてもよい。図示していないが、第１の貫通孔１０８、第２の貫通孔１１０、第３の貫通孔１１２、第４の貫通孔１１４の側面が第１の基板１０２、あるいは第２の基板１０４の上面に対して垂直でもよい。
【００２８】
図２（Ａ）から（Ｃ）に示すように、第１の貫通孔１０８と第２の貫通孔１１０は互いに重なるように設けることができる。第１の貫通孔１０８と第２の貫通孔１１０の大きさに制約はなく、第１の貫通孔１０８の第１の基板の上面における面積は、第２の貫通孔１１０の第２の基板１０４の底面における面積よりも大きくてもよく、あるいは小さくてもよい。
【００２９】
セル１００はさらに、第１の基板１０２と第２の基板１０４に挟まれる第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２を有している。第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２は互いに間隔をあけて重なる。第１の基板１０２と第２の基板１０４がそれぞれ凹部１２４、１２６を有する場合、第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２はそれぞれ、凹部１２４、１２６内に位置する。したがって、第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２は、第１の基板１０２と第２の基板１０４に包まれる。
【００３０】
第１の絶縁膜１２０は第１の基板１０２と接してもよい。また、第１の絶縁膜１２０は第１の貫通孔１０８と重なり、第１の貫通孔１０８を塞ぐように設けることができる。一方、第２の絶縁膜１２２は第２の基板１０４と接してもよく、第１の絶縁膜１２０と第２の貫通孔１１０と重なり、第２の貫通孔１１０を塞ぐように設けることができる。換言すると、第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２は空洞１２８内に設けられ、それぞれ第１の貫通孔１０８、第２の貫通孔１１０において第１の基板１０２と第２の基板１０４から露出される。
【００３１】
第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２は非晶質の薄膜を用いて形成することができ、例えば非晶質窒化ケイ素膜、非晶質カーボン膜などから選択することができる。この薄膜の厚さは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、あるいは５ｎｍ以上２５ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下、あるいは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、あるいは２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることができる。第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜は、セルに保持される試料を電子顕微鏡を用いて観測するための窓として機能する。
【００３２】
一方、第１の基板１０２と第２の基板１０４は結晶性の材料で形成することができる。例えば単結晶、あるいは多結晶のシリコンやゲルマニウムなどを含むことができる。
【００３３】
第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２の間隔は、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、あるいは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、あるいは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、あるいは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることができる。この間隔は空洞１２８の高さ、すなわち凹部１２４、１２６の深さによって制御することが可能である。凹部１２４、１２６の深さの制御は第２実施形態で述べる。
【００３４】
このような構成を有するセル１００を用いて液体中に分散する観察対象を観察、測定する際、観察対象を含む液体試料を第３の貫通孔１１２、あるいは第４の貫通孔１１４から注入することで、試料を保持することができる。この時、液体試料を注入後、第３の貫通孔１１２、第４の貫通孔１１４を樹脂などで封止してもよい。樹脂としては例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリシロキサン樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は、光硬化性樹脂でもよく、２液混合型硬化樹脂でもよい。
【００３５】
第１の貫通孔１０８、第２の貫通孔１１０にそれぞれ重なるように設けられる第１の絶縁膜１２０、第２の絶縁膜１２２を透過するように加速された電子線が照射され、透過型電子顕微鏡の場合は観察対象を透過してきた電子を、走査型電子顕微鏡の場合は観察対象から反射または放出される二次電子を用いて観察対象の像が得られる。
【００３６】
本実施形態のセルは、観察対象が分散した液体を保持することができ、これにより、液体中における観察対象に対して電子顕微鏡観察を行うことができる。また、液体試料の厚さは凹部１２４、１２６の深さの和で容易に、かつ精密に制御することができる。さらに、電子線が照射される第１の絶縁膜１２０、第２の絶縁膜１２２は非晶質の薄膜で形成されるため、電子線の散乱を引き起こすことなく、観察対象の鮮明な電子線像を得ることができる。
【００３７】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で述べたセルの作製方法を説明する。
【００３８】
［１．第２の基板］
まず、第２の基板１０４の作製方法を図４（Ａ）乃至図１４（Ｃ）を用いて説明する。これらの図は、第２の基板１０４の上面図、底面図、および鎖線Ａ−Ｂに沿った断面にそれぞれ対応する。
【００３９】
まず、基板１３０を準備する（図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。基板１３０としては、例えばシリコンやゲルマニウムを含む単結晶基板、多結晶基板が挙げられる。単結晶基板を用いる場合、結晶の方位に限定は無く、｛１００｝、｛１１０｝、｛１１１｝のいずれの結晶方位でもよい。基板１３０の厚さは、５０μｍ以上５００μｍ以下、あるいは１５０μｍ以上５００μｍ以下、あるいは５０μｍ以上３５０μｍ以下、あるいは１５０μｍ以上３５０μｍ以下、あるいは５０μｍ以上１５０μｍ以下、あるいは３５０μｍ以上５００μｍ以下の範囲で任意に選択することができる。基板１３０は必要に応じ、高い平坦性を有するよう、表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学機械研磨）などによって研磨してもよい。また、図示しないが、基板１３０に適宜フォトリソグラフィーまたは接合用のアライメントマークを形成してもよい。
【００４０】
次に図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、基板１３０の上面と下面に窒化ケイ素を含む第１の薄膜１３２を形成する。第１の薄膜１３２は、ケイ素源としてシランガスやジクロロシランなどを、窒素源として窒素ガスやアンモニア、酸化窒素（ＮＯｘ）などを用い、化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成することができる。この時の圧力は常圧でもよく、減圧でもよい。第１の薄膜１３２の厚さは、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、あるいは２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、あるいは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、あるいは１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の間で選択することができる。
【００４１】
次に基板１３０の底面に形成された第１の薄膜１３２を部分的にエッチングし、基板１３０を露出する（図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。この時露出された部分が凹部１２６に対応する。エッチングは、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、アルミナなどをマスクとして用い、リン酸水溶液、フッ化水素酸水溶液、緩衝フッ酸水溶液などの酸性のエッチャントを用いるウエットエッチングによって行うことができる。
【００４２】
次に、基板１３０に対して局所酸化膜（ＬＯＣＯＳ：Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  Ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）形成法を用いて酸化処理を行い、露出された部分を酸化する（図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。これにより、基板１３０のうち、第１の薄膜１３２で覆われていない領域の一部が酸化されて酸化ケイ素膜１３４が形成される。酸化処理は、例えば水素ガスと酸素ガスの存在下、基板１３０を高温で（例えば８００℃から１１００℃）処理することによって行うことができる。酸化処理は、基板１３０の底面から５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、あるいは２５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、あるいは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、あるいは２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、あるいは５ｎｍ以上２５ｎｍ以下、あるいは１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の領域が酸化されて酸化ケイ素膜１３４を与えるように行えばよい。これにより、厚さが１１．５ｎｍ以上５７５ｎｍ以下、あるいは５７．５ｎｍ以上５７５ｎｍ以下、あるいは１１．５ｎｍ以上２３０ｎｍ以下、あるいは５７．５ｎｍ以上２３０ｎｍ以下、あるいは１１．５ｎｍ以上５７．５ｎｍ以下、あるいは２３０ｎｍ以上５７５ｎｍ以下の酸化ケイ素膜１３４が形成される。なお、基板１５０に対して同様の酸化処理を行わない場合には、基板１３０に対する酸化処理は、基板１３０の底面から１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、あるいは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、あるいは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、あるいは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の領域が酸化されて酸化ケイ素膜１３４を与えるように行えばよい。
【００４３】
この後、エッチングにより第１の薄膜１３２と酸化ケイ素膜１３４を除去する（図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。第１の薄膜１３２と酸化ケイ素膜１３４は同時に除去してもよく、異なるエッチング条件を用いて別々に除去してもよい。エッチングは、上述したエッチャントから適宜選択したエッチャント用いて行えばよい。これにより、基板１３０の底面に凹部１２６が形成される。ＬＯＣＯＳ形成法は、形成される酸化膜の厚さを精密に制御することが可能であり、このため、凹部１２６の深さを精密に制御することができる。
【００４４】
次に、図９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、基板１３０の上面と底面に窒化ケイ素を含む第２の薄膜１３６を形成する。第２の薄膜１３６は凹部１２６の側面にも形成してもよい。第２の薄膜１３６の形成において、非晶質のモルフォロジーを有するよう、また、後述するエッチングプロセスにおいて高いエッチング選択性を得るために、減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ：Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ＣＶＤ）を採用することができる。減圧ＣＶＤによる第２の薄膜１３６の形成は、例えば、２０Ｐａから２００Ｐａ程度の圧力において、６５０℃から８００℃の温度範囲で、シランやジクロロシランなどのケイ素源を用い、窒素源としてアンモニアや酸化窒素（ＮＯｘ）を用いて行うことができる。第２の薄膜１３６の厚さは、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、あるいは２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、あるいは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、あるいは１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲から選択することができる。
【００４５】
次に第２の薄膜１３６に対してエッチングを行い、部分的に第２の薄膜１３６を除去する。具体的には図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、凹部１２６の一部に第２の薄膜１３６の一部が残存するようにエッチングを行う。基板１３０の上面に形成された第２の薄膜１３６も同時に除去してもよい。エッチングは、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、アルミナなどをマスクとして用い、上述したエッチャントから選択されるエッチャントを用いることで行うことができる。残存した第２の薄膜１３６は、第２の絶縁膜１２２に相当し、観察窓として機能する。
【００４６】
次に基板１３０の上面と底面に、窒化ケイ素を含む第３の薄膜１３８を形成する（図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。第３の薄膜１３８は、後に行うエッチング工程において第２の薄膜１３６（すなわち、第２の絶縁膜１２２）との間で高い選択比を有するように形成する。例えば、プラズマＣＶＤを用い、ケイ素源としてシランガス、窒素源として窒素やアンモニア、酸化窒素（ＮＯｘ）などを用い、直流、高周波、マイクロ波などによってケイ素源と窒素源を放電させ、生じたプラズマ存在下で成膜を行うことができる。
【００４７】
次に、基板１３０の上面に設けられた第３の薄膜１３８を部分的にエッチングし、開口部１４０を設ける（図１２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。これらの開口部１４０は第２の貫通孔１１０、第３の貫通孔１１２、第４の貫通孔１１４を形成する位置に設ける。エッチングは、上述したエッチャントから選択されるエッチャントを用いて行うことができる。引き続き、基板１３０のうち、開口部１４０で露出した部分をエッチングによって除去する（図１３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。エッチングは例えばフッ化水素酸や硝酸を含む酸性エッチャント、あるいは水酸化カリウムや水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を含むアルカリ性エッチャントなどを用いることができる。あるいはフォトレジストをマスクにしてフッ素や塩素などのハロゲンを含有するガスを用いるドライエッチングによってエッチングを行ってもよい。これにより、基板１３０を貫通する第２の貫通孔１１０、第３の貫通孔１１２、第４の貫通孔１１４が形成される。第２の貫通孔１１０は第２の絶縁膜１２２で塞がれる。一方、第３の貫通孔１１２、第４の貫通孔１１４は第３の薄膜１３８によって塞がれる。
【００４８】
引き続きエッチングを行い、第３の薄膜１３８を選択的に除去し、第２の基板１０４が形成される（図１４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。エッチングは、上述したエッチャントから適宜選択されるエッチャントを用いて行うことができる。上述したように、第２の絶縁膜１２２を与える第２の薄膜１３６と、第３の薄膜１３８は異なる条件で成膜される。したがって、エッチャントに対するエッチング速度が異なる。特にプラズマＣＶＤで形成した第３の薄膜１３８は、低圧ＣＶＤで形成した第２の薄膜１３６と比較してエッチング速度が大きいため、第２の薄膜１３６と第３の薄膜１３８間で大きなエッチング選択比を得ることができる。このため、第２の絶縁膜１２２がほとんどエッチングされることなく、選択的に第３の薄膜１３８を除去することができる。
【００４９】
以上の工程により、第２の基板１０４を作製することができる。
【００５０】
［２．第１の基板］
次に、第１の基板１０２の作製方法を図１５（Ａ）乃至図２４（Ｃ）を用いて説明する。これらの図は、第１の基板１０２の上面図、底面図、および鎖線Ｃ−Ｄに沿った断面にそれぞれ対応する。第２の基板１０４の作製方法と同様の内容に関しては説明を割愛することがある。
【００５１】
まず、第２の基板１０４と同様、基板１５０を準備する。基板１５０は、基板１３０と同様のものと使用することができる。必要に応じ、基板１５０の表面をＣＭＰなどによって処理してもよい。また、基板１５０に適宜フォトリソグラフィーまたは接合用のアライメントマークを形成してもよい。
【００５２】
次に図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、基板１５０の上面と下面に例えば窒化ケイ素などの第４の薄膜１５２を形成する。この段階は、基板１３０に第１の薄膜１３２を形成する段階と同様に行うことができる。
【００５３】
次に第４の薄膜１５２を部分的にエッチングし、基板１３０を露出する（図１６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。この時露出された部分が凹部１２４に対応する。エッチングは、第１の薄膜１３２のエッチングと同様に行うことができる。
【００５４】
次に、基板１５０に対してＬＯＣＯＳ形成法を用いて酸化処理を行い、露出された部分を酸化する（図１７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。これにより、基板１５０のうち、第４の薄膜１５２で覆われていない領域の一部が酸化されて酸化ケイ素膜１５４が形成される。酸化処理は、基板１３０に酸化ケイ素膜１３４を形成す方法と同様の方法で行うことができる。酸化処理は、基板１３０の底面から５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、あるいは２５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、あるいは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、あるいは２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、あるいは５ｎｍ以上２５ｎｍ以下、あるいは１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の領域が酸化されて酸化ケイ素膜１３４を与えるように行えばよい。これにより、厚さが１１．５ｎｍ以上５７５ｎｍ以下、あるいは５７．５ｎｍ以上５７５ｎｍ以下、あるいは１１．５ｎｍ以上２３０ｎｍ以下、あるいは５７．５ｎｍ以上２３０ｎｍ以下、あるいは１１．５ｎｍ以上５７．５ｎｍ以下、あるいは２３０ｎｍ以上５７５ｎｍ以下の酸化ケイ素膜１３４が形成される。なお、基板１５０に対して同様の酸化処理を行わない場合には、基板１３０に対する酸化処理は、基板１３０の底面から１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、あるいは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、あるいは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、あるいは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、あるいは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の領域が酸化されて酸化ケイ素膜１３４を与えるように行えばよい。
【００５５】
この後、エッチングにより第４の薄膜１５２と酸化ケイ素膜１５４を除去する（図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。第４の薄膜１５２と酸化ケイ素膜１５４は同時に除去してもよく、異なるエッチング条件を用いて別々に除去してもよい。エッチングは、第１の薄膜１３２と酸化ケイ素膜１４３の除去と同様の方法で行うことができる。これにより、基板１５０の上面に凹部１２４が形成される。上述したように、ＬＯＣＯＳ形成法は、形成される酸化膜の厚さを精密に制御することが可能である。このため、凹部１２４の深さを精密に制御することができる。
【００５６】
なお、凹部１２４と凹部１２６の両者を形成する必要は無く、少なくとも一方を形成すればよい。
【００５７】
次に、図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、基板１５０の上面と底面に窒化ケイ素を含む第５の薄膜１５６を形成する。第５の薄膜１５６は凹部１２４の側面にも形成してもよい。第５の薄膜１５６の形成において、非晶質のモルフォロジーを有するよう、また、後述するエッチングプロセスにおいて高いエッチング選択性を得るために、減圧ＣＶＤを採用することができる。減圧ＣＶＤによる第５の薄膜１５６の形成は、第２の薄膜１３６と同様の手法を用いで行うことができる。第５の薄膜１５６の厚さは、第２の薄膜１３６の厚さとして選択できる範囲から選択することができる。
【００５８】
次に第５の薄膜１５６に対してエッチングを行い、部分的に第５の薄膜１５６を除去する。具体的には図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、凹部１２６の一部に第５の薄膜１５６の一部が残存するようにエッチングを行う。基板１５０の底面に形成された第５の薄膜１５６も同時に除去してもよい。エッチングは、第２の薄膜１３６のエッチングと同様の方法で行うことができる。残存した第５の薄膜１５６は、第１の絶縁膜１２０に相当し、観察窓として機能する。
【００５９】
次に基板１５０の上面と底面に、窒化ケイ素を含む第６の薄膜１５８を形成する（図２１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。第６の薄膜１５８は、後に行うエッチング工程において第５の薄膜１５６（すなわち、第１の絶縁膜１２０）との間で高い選択比を有するように形成する。例えば、プラズマＣＶＤを用い、ケイ素源としてシランガス、窒素源として窒素やアンモニア、酸化窒素（ＮＯｘ）などを用い、直流、高周波、マイクロ波などによってケイ素源と窒素源を放電させ、生じたプラズマ存在下で成膜を行うことができる。
【００６０】
次に、基板１５０の底面に設けられた第６の薄膜１５８を部分的にエッチングし、開口部１６０を設ける（図２２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。開口部１６０は第１の貫通孔１０８を形成する位置に設ける。エッチングは、第３の薄膜のエッチングと同様の方法で行うことができる。引き続き、基板１５０のうち、開口部１６０で露出した部分をエッチングによって除去する（図２３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。エッチングは、第２の貫通孔１１０の形成と同様の方法で行うことができる。これにより、基板１５０を貫通する第１の貫通孔１０８が形成される。第１の貫通孔１０８は第１の絶縁膜１２０で塞がれる。
【００６１】
引き続きエッチングを行い、第６の薄膜１５８を選択的に除去し、第１の基板１０２が形成される（図２４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ））。エッチングは、第３の薄膜１３８の除去と同様の方法で行うことができる。上述したように、第１の絶縁膜１２０を形成する第５の薄膜１５６と、第６の薄膜１５８は異なる条件で成膜される。したがって、エッチャントに対するエッチング速度が異なる。特にプラズマＣＶＤで形成した第６の薄膜１５８は、低圧ＣＶＤで形成した第５の薄膜１５６と比較してエッチング速度が大きいため、第５の薄膜１５６と第６の薄膜１５８間で大きなエッチング選択比を得ることができる。このため、第１の絶縁膜１２０がほとんどエッチングされることなく、選択的に第６の薄膜１５８を除去することができる。
【００６２】
以上の工程により、第１の基板１０２を作製することができる。
【００６３】
［３．接合］
次に、第１の基板１０２の上面（第１の絶縁膜１２０が設置されている面）、および第２の基板１０４の底面（第２の絶縁膜１２２が設置されている面）に対して改質処理を行う。改質処理は、アルゴンの中性の高速原子を照射（ＦＡＢ：Ｆａｓｔ  Ａｔｏｍ  Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ）することで行うことができる。具体的には、減圧下（例えば１×１０-6Ｐａから１×１０-5Ｐａ）、中性化された高速アルゴンビームを、第１の基板１０２の上面および第２の基板１０４の底面の少なくとも一方に、数秒から数千秒間照射する。これにより、アルゴンビームが照射された面では、表面の酸化膜や吸着物が取り除かる。この時、ケイ素原子と他の原子との結合がホモリティックに切断され、ケイ素原子のダングリングボンド（未結合種）が形成される。
【００６４】
その後凹部１２４、１２６を挟むように第１の基板１０２と第２の基板１０４を貼り合わせる。第１の基板１０２と第２の基板１０４の表面に形成されたダングリングボンドは、結合エネルギーの大きいケイ素―ケイ素共有結合を形成するため、第１の基板１０２と第２の基板１０４が接合され、一体化（統合）される。
【００６５】
第１の基板１０２と第２の基板１０４の接合において、接着剤機能を有する接着膜、例えば接着剤、あるいはインジウムなどの溶融接着によって接着機能を発現する低融点金属を用いた場合、接合時の接着膜の粘性の高さに起因して接着膜の厚さを精密に制御することが困難であり、このため、第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２の間隔を均一にすることが難しい。また、金の薄膜を接着膜として用い、熱圧着によって接合する場合でも、金の薄膜が一部溶融するため、第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２の間隔を均一にすることは困難である。一方、本実施形態の作製方法を適用することで、第１の基板１０２と第２の基板１０４の表面のみを活性化することができ、かつ、表面同士が原子レベルで直接結合することができる。その結果、第１の基板１０２と第２の基板１０４を均一な間隔で接合することができる。ここで、空洞１２８の高さ（あるいは第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２の間隔は）は、凹部１２４、１２６の深さで決まる。凹部１２４、１２６の形成にはＬＯＣＯＳ形成法を用いているため、これらの深さは精密に制御される。したがって、本実施形態の作製方法を用いることで、空洞１２８の高さ、ならびに第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２の間隔を精密に制御することが可能である。
【００６６】
なお、アルゴンの高速原子を照射する前に、第１の基板１０２の上面のうち、第２の基板１０４と接合される面、および第２の基板１０４の底面のうち、第１の基板１０２と接合される面の少なくとも一方に金の薄膜を形成し、これをアルゴンの高速原子の照射によって改質処理を行ってもよい。中性化された高速アルゴンビームの照射による改質処理では、金の薄膜が溶融することは無く、表面のみが改質される。したがってこの場合でも、空洞１２８の高さ、ならびに第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２の間隔を精密に制御することが可能である。
【００６７】
ここで、第１の基板１０２の上面には、基板１３０に由来する表面と、第１の絶縁膜１２０（すなわち、第５の薄膜１５６）に由来する二種類の表面が存在する。同様に、第２の基板１０４の底面には、第２の絶縁膜１２２（すなわち、第２の薄膜１３６）に由来する表面と、基板１５０に由来する二種類の表面が存在する。基板１３０、１５０としてシリコン単結晶基板を用いた場合、基板１３０、１５０に由来する表面にはシリコン原子が規則的に配列する。このため、アルゴンの高速原子が照射されて生じるケイ素のダングリングボンドも規則的に配列する。一方、上述したように、第２の薄膜１３６、第５の薄膜１５６は、非晶質のモルフォロジーを有するように形成される。このため、第１の絶縁膜１２０や第２の絶縁膜１２２上では、ケイ素のダングリングボンドの配列は不規則である。おそらくこの不規則性に起因し、第１の基板１０２と第２の基板１０４を接合させる際、第１の絶縁膜１２０や第２の絶縁膜１２２が接触しても、これらが接合されることは無い。したがって、第１の基板１０２と第２の基板１０４を接合することで、第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２の間に、高度に制御された間隔を有する観測領域を確保することができる。
【００６８】
これに対し、第１の基板１０２と第２の基板１０４に対する表面処理をアルゴン原子のプラズマを用いた場合、表面のケイ素−非ケイ素原子結合のヘテロティックな開裂が誘発され、表面に水酸基が生成されやすい。このため、基板１３０や１５０に由来する表面のみならず、第１の絶縁膜１２０や第２の絶縁膜１２２の表面も水酸基で覆われる。水酸基同士は水素結合による分子間力が働く。水素結合は結合方向が多様であるため、第１の絶縁膜１２０や第２の絶縁膜１２２の表面水酸基が不規則に配列していたとしても、第１の絶縁膜１２０や第２の絶縁膜１２２の表面が偶発的に接する、あるいは近接すると表面水酸基が水素結合を形成し、その後ケイ素―酸素の共有結合が形成される。つまり、第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２が接合してしまう。このため、アルゴンプラズマを照射して表面の改質処理を行った場合、電子線を照射する領域、すなわち、第１の絶縁膜１２０や第２の絶縁膜１２２が重なる領域で液体のサンプルが保持できる空洞１２８が形成できない。たとえ空洞１２８が形成できたとしても、第１の絶縁膜１２０や第２の絶縁膜１２２が部分的に接合されて皺が発生し、均一な厚さを有する観測領域を提供することができない。
【００６９】
しかしながら、本実施形態の形成方法を用いることで、接合時、第１の絶縁膜１２０や第２の絶縁膜１２２の接合を避けることができる。また、ＬＯＣＯＳ法を用いることで凹部１２４、１２６の深さを精密に制御でできることから、第１の絶縁膜１２０と第２の絶縁膜１２２の間隔を高度に制御し、均一な厚さを有する観測領域を提供することができる。したがって、より分解能の高い電子顕微鏡像を得ることが可能となる。
【００７０】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で述べたセル１００を用いて電子顕微鏡観察を行う方法を説明する。
【００７１】
図２６は、セル１００内に注入される液体試料を透過型電子顕微鏡で観察する時の模式図である。電子顕微鏡には、電子線発生装置（電子銃）１７０が備えられ、ここから電子線が放出される。放出された電子線はアノード１７２によって加速される。アノード１７２の下には複数の電子レンズ１７４、１７６、１７８が設置される。電子レンズの数は３つに限られず、セル１００の上下に適宜設置することができる。各電子レンズ１７４、１７６、１７８は磁界型電子レンズであり、内蔵されるコイルによって電子線の照射領域、焦点、拡大倍率の調製や観察モードの切り替えを行うことができる。
【００７２】
電子線は、セル１００の第２の絶縁膜１２２、第１の絶縁膜１２０を通過するように電子レンズ１７４によって調整される。図示しないが、セル１００はステージ上に設置され、平面内、および上下方向において任意の位置に移動することができる。
【００７３】
セル１００を透過した電子線は電子レンズ１７６、１７８により再度調整され、蛍光板１８０上に投影され、光学像に変換され、電子顕微鏡像を与える。
【００７４】
本開示の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本開示の要旨を備えている限り、本開示の範囲に含まれる。
【００７５】
また、上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本開示によりもたらされるものと理解される。
【符号の説明】
【００７６】
１００：セル、１０２：第１の基板、１０４：第２の基板、１０６：筐体、１０８：第１の貫通孔、１１０：第２の貫通孔、１１２：第３の貫通孔、１１４：第４の貫通孔、１２０：第１の絶縁膜、１２２：第２の絶縁膜、１２４：凹部、１２６：凹部、１２８：空洞、１３０：基板、１３２：第１の薄膜、１３４：酸化ケイ素膜、１３６：第２の薄膜、１３８：第３の薄膜、１４０：開口部、１５０：基板、１５２：第４の薄膜、１５４：酸化ケイ素膜、１５６：第５の薄膜、１５８：第６の薄膜、１６０：開口部、１７０：電子線発生装置、１７２：アノード、１７４：電子レンズ、１７６：電子レンズ、１７８：電子レンズ、１８０：蛍光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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