(57)【要約】      （修正有）【課題】光共振構造を有する有機ＥＬ装置の反射層の光の反射によって、不必要な表示がなされることを抑制する表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ素子３０が配置された表示領域Ｅ1を有する素子基板１０と、対向基板４０と、反射防止層４４とを含み、有機ＥＬ素子３０で発せられた光が表示光として対向基板４０の面４０ａから射出される表示装置であって、表示領域Ｅ1の形状の外周をなす辺のうち最も短い辺の長さをＸ1とし、表示領域Ｅ1の形状の対角線のうち最も長い対角線の長さをＸ3とし、対向基板４０の厚さをＬ1とし、有機ＥＬ素子３０で発せられた光の進行方向と面４０ａの法線方向とがなす角度であって、面４０ａにおける光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度をα1としたときに、Ｘ1／（２ｔａｎα1）≦Ｌ1≦Ｘ3／（ｔａｎα1）の関係が成り立つ。【選択図】図１４
2017040783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子が配置された多角形の表示領域を有する素子基板と、
前記素子基板に対向し、前記素子基板に対向する第１の面と反対側に配置された第２の面と、前記第１の面及び前記第２の面に交差する側面とを有する透光性の基板と、
前記透光性の基板の前記第２の面上に配置された反射防止層と、
を含み、
前記発光素子で発せられた光が前記第２の面から表示光として射出される表示装置であって、
前記表示領域の形状の外周をなす辺のうち、最も短い辺の長さをＸ1とし、
前記表示領域の形状の対角線のうち、最も長い対角線の長さをＸ3とし、
前記透光性の基板の厚さをＬ1とし、
前記発光素子で発せられた光の進行方向と前記第２の面の法線方向とがなす角度であって、前記光の前記第２の面における光反射率が５０％を超える最小の角度をα1としたときに、以下に示す式（１）が成り立つことを特徴とする表示装置。
Ｘ1／（２ｔａｎα1）≦Ｌ1≦Ｘ3／（ｔａｎα1）…（１）
【請求項２】
複数の発光素子が配置された円形または楕円形の表示領域を有する素子基板と、
前記素子基板に対向し、前記素子基板に対向する第１の面と反対側に配置された第２の面と、前記第１の面及び前記第２の面に交差する側面とを有する透光性の基板と、
前記透光性の基板の前記第２の面上に配置された反射防止層と、
を含み、
前記発光素子で発せられた光が前記第２の面から表示光として射出される表示装置であって、
前記表示領域の中心を通り前記表示領域の外周を結ぶ線のうち、最も短い線の長さをＸ1とし、
前記表示領域の中心を通り前記表示領域の外周を結ぶ線のうち、最も長い線の長さをＸ3とし、
前記透光性の基板の厚さをＬ1とし、
前記発光素子で発せられた光の進行方向と前記第２の面の法線方向とがなす角度であって、前記光の前記第２の面における光反射率が５０％を超える最小の角度をα1としたときに、以下に示す式（１）が成り立つことを特徴とする表示装置。
Ｘ1／（２ｔａｎα1）≦Ｌ1≦Ｘ3／（ｔａｎα1）…（１）
【請求項３】
前記反射防止層は、誘電体多層膜からなることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記反射防止層は、モスアイ構造からなることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２の面の法線方向における光反射率が２％以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の面の法線方向における光透過率が９０％以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記透光性の基板の屈折率は、１．２から１．６の範囲にあることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記透光性の基板の前記第２の面に接する媒質は、大気であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記Ｘ3は、２５．４ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示領域は、少なくとも一部にカラーフィルター又はブラックマトリックスが配置されていない領域を有していることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光型の表示装置、及び当該表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、例えばトランジスターや有機エレクトロルミネッセンス（以下では、有機ＥＬと称する）素子を有する画素がマトリックス状に配置された有機ＥＬ装置が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、トランジスターが形成された基板（素子基板）の上に、反射層、反射層保護層（絶縁膜）、有機ＥＬ素子、保護層、カラーフィルター、透光性の対向基板などが順に積層されている。有機ＥＬ素子は、絶縁膜の側から順に積層された画素電極と発光機能層と陰極とで構成されている。当該有機ＥＬ装置は、反射層と陰極との間に光共振構造を有し、反射光の多重反射干渉によって色純度が高められた光（赤色の光、緑色の光、青色の光）が、カラーフィルターを通過し、対向基板の側から表示光として射出される。その結果、色純度に優れたカラー表示が提供される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−３８６７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、光共振構造によって有機ＥＬ素子で発せられた光から赤色の光、緑色の光、及び青色の光を取り出しているので、カラーフィルターを省略してもカラー表示を得ることができ、カラーフィルターを省略することによって表示の輝度を高めることができる。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の有機ＥＬ装置からカラーフィルターを省略した場合には、有機ＥＬ素子で発せられた光の一部が対向基板と素子基板の反射層との間で反射され、表示品位が低下するおそれがあるという課題があった。
【０００７】
以下に、図１９、図２０Ａ、及び図２０Ｂを参照して、その詳細を説明する。図１９は、公知技術の有機ＥＬ装置の一例を示す概略図である。図２０Ａ及び図２０Ｂは、図１９のＣ−Ｃ’線に沿った模式的な断面図である。図２０Ａでは、有機ＥＬ素子で発せられた光の状態が、模式的に示されている。図２０Ｂでは、図１９の表示に対応する光の状態が、模式的に示されている。
【０００８】
有機ＥＬ装置５００は、特許文献１に記載の有機ＥＬ装置からカラーフィルター層を省略した構成を有している。図１９に示すように、有機ＥＬ装置５００は、素子基板５１０と、素子基板５１０に対向配置された対向基板５３０とを有している。対向基板５３０は、例えばガラスで構成され、透光性を有している。対向基板５３０の屈折率ｎ1は、１．４６である。
【０００９】
有機ＥＬ装置５００では、複数の画素が配置された表示領域Ｖを有し、表示領域Ｖ内の領域Ｚ1にパターン５５１を表示させると、領域Ｚ1から離れた領域Ｚ2にパターン５５２が表示され、さらに領域Ｚ2から離れた領域Ｚ3にパターン５５３が表示される場合があった。ここで、パターン５５１は本来表示されるべき必要な表示であり、パターン５５２及びパターン５５３は本来表示されるべきでない不必要な表示である。
【００１０】
なお、以下では、素子基板５１０の長辺に沿った方向をＸ方向とし、Ｘ方向と交差し素子基板５１０の短辺に沿った方向をＹ方向とし、Ｘ方向及びＹ方向と交差し基板５１０から対向基板５３０に向かう方向をＺ方向とする。
【００１１】
まず、図２０Ａを参照して、有機ＥＬ装置５００の構造、及び有機ＥＬ装置５００の中で発せられた光の状態を説明する。図２０Ａに示すように、有機ＥＬ装置５００では、素子基板５１０と、樹脂層５２０と、対向基板５３０とがＺ方向に順に配置されている。樹脂層５２０は、例えばエポキシ樹脂で構成されている。素子基板５１０と対向基板５３０とは、樹脂層５２０により接着されている。対向基板５３０の素子基板５１０に対向する面と反対側の面５３０ａには、大気６０１が配置されている。大気６０１の屈折率ｎ2は、概略１である。
【００１２】
素子基板５１０は、基板５１１と、基板５１１上においてＺ方向に順に配置された、反射層５１２と、反射層保護層（絶縁膜）５１２ａと、有機ＥＬ素子５１３と、保護膜５１４と、を有している。基板５１１には、有機ＥＬ素子５１３を駆動するためのトランジスター（図示省略）や駆動回路（図示省略）などが形成されている。
【００１３】
保護膜５１４は、有機ＥＬ素子５１３の劣化を抑制するパッシベーション膜であり、透光性を有している。反射層５１２と絶縁膜５１２ａと有機ＥＬ素子５１３とによって光共振構造が形成されている。有機ＥＬ素子５１３の発光層で発し、光共振構造における反射光の多重反射干渉によって色純度が高められた赤色の光、緑色の光、及び青色の光が、表示光としてＺ方向に射出される。
【００１４】
有機ＥＬ素子５１３の発光層で発せられ、光共振構造によって色純度が高められた光ＬＢ1は、対向基板５３０の面５３０ａに入射する。光ＬＢ1の一部は、対向基板５３０と大気６０１との界面（面５３０ａ）で屈折し、光ＬＢ2として大気６０１の側に射出される。光ＬＢ1の一部は、面５３０ａで反射され、光ＬＢ3として反射層５１２の側に進行する。以下では、光ＬＢ1を入射光ＬＢ1と称し、光ＬＢ2を屈折光ＬＢ2と称し、光ＬＢ3を反射光ＬＢ3と称する。
【００１５】
入射光ＬＢ1と面５３０ａの法線（Ｚ方向）とがなす角度をθ1とし、屈折光ＬＢ2の進行方向とＺ方向とがなす角度をθ2とすると、スネルの法則によって以下に示す式（１）が成り立つ。
ｎ1ｓｉｎθ1＝ｎ2ｓｉｎθ2…（１）
【００１６】
式（１）より、入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1は、以下に示す式（２）で表される。
θ1＝ｓｉｎ-1（（ｎ2ｓｉｎθ2）／ｎ1）…（２）
【００１７】
屈折光ＬＢ2の進行方向とＺ方向とがなす角度θ2が９０度よりも大きい条件は、入射光ＬＢ1が大気６０１の側に進行しない条件、つまり入射光ＬＢ1が面５３０ａで全反射される条件に該当する。よって、角度θ2が９０度である場合の角度θ1は、面５３０ａで入射光ＬＢ1の全反射が生じる臨界角となる。この臨界角をα2とする。
【００１８】
入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1が、臨界角α2よりも小さい場合、入射光ＬＢ1は、面５３０ａで屈折光ＬＢ2と反射光ＬＢ3とに分かれる。入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1が、臨界角α2以上である場合、入射光ＬＢ1は面５３０ａで全反射され反射光ＬＢ3となる。このため、入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1が、臨界角α2以上である場合に、反射光ＬＢ3の輝度が最も高くなる。
【００１９】
一方、上述した光共振構造によって増幅される光の波長は、光共振構造の中を通過する光の方向によって変化する。詳しくは、光共振構造の中を斜め方向（Ｚ方向と交差する方向）に通過する光は、光共振構造の中をＺ方向に通過する光と比べて、短波長側の光の強度が高められる。このため、入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1が大きくなると、強められる光の波長が短波長側に変化する。例えば、Ｚ方向となす角度θ1が０度の条件で青色の波長域の光の強度が高められる場合に、Ｚ方向となす角度θ1が０度よりも大きい条件では、青色の波長域よりも短波長側の光、つまり人間の目で視認することが難しい波長域の光の強度が高められることになる。
【００２０】
すなわち、入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1が臨界角α2以上である場合、光共振構造によって強められる入射光ＬＢ1の波長は、短波長側に変化し、人間の目で視認しにくくなる。よって、Ｚ方向となす角度が臨界角α2と等しい条件の入射光ＬＢ1は、Ｚ方向となす角度が臨界角α2よりも大きい条件の入射光ＬＢ1よりも、人間の目で視認しやすく、目立ちやすい。従って、Ｚ方向となす角度が臨界角α2と等しい条件の入射光ＬＢ1が、上述したパターン５５２及びパターン５５３の表示に最も影響しやすい。
【００２１】
次に、図２０Ｂを参照し、必要なパターン５５１を表示すると、パターン５５２及びパターン５５３が表示される原因を説明する。また、同図では、Ｚ方向に射出される光Ｍ1，Ｍ2，Ｍ3を、表示光として視認するものとする。
【００２２】
図２０Ｂに示すように、領域Ｚ1において有機ＥＬ素子５１３からＺ方向の光Ｍ1が射出され、必要なパターン５５１が表示される。領域Ｚ1において、有機ＥＬ素子５１３からは、Ｚ方向の光Ｍ1以外に、Ｚ方向と交差する方向の光も射出される。Ｚ方向と交差する方向に射出される光の中で、Ｚ方向となす角度が臨界角α2である入射光ＬＢ1は、面５３０ａで全反射され、反射光ＬＢ3として反射層５１２の側に向かう。
【００２３】
反射光ＬＢ3は、反射層５１２の側に進行し、領域Ｚ2において反射層５１２で反射される。トランジスターや駆動回路などが形成された基板５１１の上に形成された反射層５１２は、様々な凹凸を有しており、反射光ＬＢ3は様々な方向に反射される。領域Ｚ2において反射層５１２で反射された光のうち、Ｚ方向の光Ｍ2によって、不必要なパターン５５２が表示される。
【００２４】
さらに、領域Ｚ2において反射層５１２で反射された光のうち、Ｚ方向となす角度が臨界角α2付近の入射光ＬＢ1ａは、面５３０ａの側に進行し、面５３０ａで全反射され、反射光ＬＢ3ａとして反射層５１３の側に進行する。反射光ＬＢ3ａは、領域Ｚ3において反射層５１２で反射される。領域Ｚ3において反射層５１２で反射された光のうち、Ｚ方向に向かう光Ｍ3によって、不必要なパターン５５３が表示される。
【００２５】
さらに、反射層５１２で反射される光の指向性（反射層５１２の反射性能）によって、パターン５５２及びパターン５５３の表示状態が変化する。例えば、反射層５１２でＸ方向に反射される場合、パターン５５２及びパターン５５３は、図１９に示すようにＸ方向に配列して表示される。例えば、反射層５１２でＹ方向に反射される場合、パターン５５２及びパターン５５３は、Ｙ方向に配列して表示される。例えば、反射層５１２でＸ方向及びＹ方向に交差する方向（斜め方向）に反射される場合、パターン５５２及びパターン５５３は、斜め方向に配列して表示される。例えば、反射層５１２でＸ方向に広がって反射される場合、パターン５５２及びパターン５５３は、図１９に示す状態と比べてより広範囲に表示される。
【００２６】
例えば、反射層５１２が平滑であり、反射層５１２でＺ方向に反射されない場合、パターン５５２及びパターン５５３は表示されない。例えば、反射層５１２で全方向に均一に反射される場合、Ｚ方向に反射される光の強度が弱くなり、パターン５５２及びパターン５５３は目立ちにくくなる。
【００２７】
反射層５１２は、トランジスターや駆動回路などが形成された基板５１１の上、すなわち様々な凹凸を有する基板５１１の上に形成されているため、反射層５１２の反射性能（反射層５１２の表面凹凸）を制御することが難しい。従って、有機ＥＬ装置５００では、反射層５１２における特定方向の（Ｚ方向の）光の反射によって、必要なパターン５５１を表示すると、パターン５５２及びパターン５５３が表示されるおそれがあるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００２９】
［適用例１］本適用例に係る表示装置は、複数の発光素子が配置された多角形の表示領域を有する素子基板と、前記素子基板に対向し、前記素子基板に対向する第１の面と反対側に配置された第２の面と、前記第１の面及び前記第２の面に交差する側面とを有する透光性の基板と、前記透光性の基板の前記第２の面上に配置された反射防止層と、を含み、前記発光素子で発せられた光が前記第２の面から表示光として射出される表示装置であって、前記表示領域の形状の外周をなす辺のうち、最も短い辺の長さをＸ1とし、前記表示領域の形状の対角線のうち、最も長い対角線の長さをＸ3とし、前記透光性の基板の厚さをＬ1とし、前記発光素子で発せられた光の進行方向と前記第２の面の法線方向とがなす角度であって、前記光の前記第２の面における光反射率が５０％を超える最小の角度をα1としたときに、以下に示す式（１）が成り立つことを特徴とする。
Ｘ1／（２ｔａｎα1）≦Ｌ1≦Ｘ3／（ｔａｎα1）…（１）
【００３０】
発光素子で発せられた光のうち、透光性の基板の第２の面から射出される表示光以外に、第２の面で素子基板側へ反射された光が、素子基板の表示領域内で再び反射されて透光性の基板から射出されると、表示品位が低下するおそれがある。本適用例の構成によれば、透光性の基板の第２の面上に反射防止層が配置されているため、発光素子で発せられた光のうち第２の面で素子基板側へ反射される光が低減されるので、表示領域内で反射される光が抑えられる。また、透光性の基板の厚さＬ1が上述した式（１）を満たすため、透光性の基板の第２の面における光反射率が５０％を超える場合に、第２の面で素子基板側へ反射された光は、表示領域の周辺（非表示領域）に入射するので素子基板の非表示領域で反射される。そのため、透光性の基板から射出される表示光以外の不必要な光が抑えられるので、表示品位の低下を抑制できる。従って、本適用例に係る表示装置では、高品位の表示を提供することができる。
【００３１】
［適用例２］本適用例に係る表示装置は、複数の発光素子が配置された円形または楕円形の表示領域を有する素子基板と、前記素子基板に対向し、前記素子基板に対向する第１の面と反対側に配置された第２の面と、前記第１の面及び前記第２の面に交差する側面とを有する透光性の基板と、前記透光性の基板の前記第２の面上に配置された反射防止層と、を含み、前記発光素子で発せられた光が前記第２の面から表示光として射出される表示装置であって、前記表示領域の中心を通り前記表示領域の外周を結ぶ線のうち、最も短い線の長さをＸ1とし、前記表示領域の中心を通り前記表示領域の外周を結ぶ線のうち、最も長い線の長さをＸ3とし、前記透光性の基板の厚さをＬ1とし、前記発光素子で発せられた光の進行方向と前記第２の面の法線方向とがなす角度であって、前記光の前記第２の面における光反射率が５０％を超える最小の角度をα1としたときに、以下に示す式（１）が成り立つことを特徴とする。
Ｘ1／（２ｔａｎα1）≦Ｌ1≦Ｘ3／（ｔａｎα1）…（１）
【００３２】
発光素子で発せられた光のうち、透光性の基板の第２の面から射出される表示光以外に、第２の面で素子基板側へ反射された光が、素子基板の表示領域内で再び反射されて透光性の基板から射出されると、表示品位が低下するおそれがある。本適用例の構成によれば、透光性の基板の第２の面上に反射防止層が配置されているため、発光素子で発せられた光のうち第２の面で素子基板側へ反射される光が低減されるので、表示領域内で反射される光が抑えられる。また、透光性の基板の厚さＬ1が上述した式（１）を満たすため、透光性の基板の第２の面における光反射率が５０％を超える場合に、第２の面で素子基板側へ反射された光は、表示領域の周辺（非表示領域）に入射するので素子基板の非表示領域で反射される。そのため、透光性の基板から射出される表示光以外の不必要な光が抑えられるので、表示品位の低下を抑制できる。従って、本適用例に係る表示装置では、高品位の表示を提供することができる。
【００３３】
［適用例３］上記適用例に係る表示装置であって、前記反射防止層は、誘電体多層膜からなることが好ましい。
【００３４】
本適用例の構成によれば、反射防止層が誘電体多層膜からなるので、透光性の基板の第２の面で反射される光を効果的に低減できる。
【００３５】
［適用例４］上記適用例に係る表示装置であって、前記反射防止層は、モスアイ構造からなることが好ましい。
【００３６】
本適用例の構成によれば、反射防止層がモスアイ構造からなるので、透光性の基板の第２の面で反射される光を効果的に低減できる。
【００３７】
［適用例５］上記適用例に係る表示装置であって、前記第２の面の法線方向における光反射率が２％以下であることが好ましい。
【００３８】
本適用例の構成によれば、第２の面の法線方向における光反射率が２％以下であるので、発光素子で発せられた光のうち、その進行方向と第２の面の法線方向とがなす角度が小さい光であって、表示光以外の不必要な光となる反射光を効果的に抑えることができる。
【００３９】
［適用例６］上記適用例に係る表示装置であって、前記第２の面の法線方向における光透過率が９０％以上であることが好ましい。
【００４０】
本適用例の構成によれば、第２の面の法線方向における光透過率が９０％以上であるので、発光素子で発せられた光のうち、表示光となる第２の面の法線方向に沿って射出される光の輝度の低下を抑えることができる。
【００４１】
［適用例７］上記適用例に係る表示装置であって、前記透光性の基板の屈折率は、１．２から１．６の範囲にあることが好ましい。
【００４２】
本適用例の構成によれば、透光性の基板の屈折率が１．２から１．６の範囲にあるので、発光素子で発せられた光を表示光として媒質の側に通過（射出）させることができ、素子基板に形成された発光素子が傷つかないように発光素子を保護することができる。
【００４３】
［適用例８］上記適用例に係る表示装置であって、前記透光性の基板の前記第２の面に接する媒質は、大気であることが好ましい。
【００４４】
本適用例の構成によれば、発光素子で発せられた光を表示光として大気の側に射出させることによって、当該表示光による画像を視認することができる。
【００４５】
［適用例９］上記適用例に係る表示装置であって、前記Ｘ3は、２５．４ｍｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
上述した式（１）より、透光性の基板の厚さＬ1は、Ｘ1／（２ｔａｎα1）〜Ｘ3／（ｔａｎα1）の範囲にあることが好ましい。本適用例の構成によれば、Ｘ3が２５．４ｍｍ以下であるので、好ましい透光性の基板の厚さＬ1の上限値（Ｘ3／（ｔａｎα1））を実用に供する範囲内に収めることができる。
【００４７】
［適用例１０］上記適用例に係る表示装置であって、前記表示領域は、少なくとも一部にカラーフィルター又はブラックマトリックスが配置されていない領域を有していることが好ましい。
【００４８】
表示領域内にカラーフィルターが配置されていると、表示光の輝度が低下する。また、表示領域内にブラックマトリックスが配置されていると、実質的に表示光が透過する領域が小さくなり、光の利用効率が低下する。本適用例の構成によれば、表示領域の少なくとも一部にはカラーフィルター又はブラックマトリックスが配置されていないので、表示光の輝度の低下や光の利用効率の低下を抑えることができる。
【００４９】
［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の表示装置を備えていることを特徴とする。
【００５０】
上記適用例に記載の表示装置は、不必要な表示（表示品位の低下）が抑制され、高品位の表示を提供することができる。従って、上記適用例に記載の表示装置を備えた電子機器も、高品位の表示を提供することができる。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に、上記適用例に記載の表示装置を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図。
【図２】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】サブ画素の構成を示す概略平面図。
【図４】図３のＢ−Ｂ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。
【図５】実施形態１に係る有機ＥＬ装置から反射防止層を除いた状態を示す概略図。
【図６】適正な対向基板の板厚と、表示領域の対角寸法との関係を示すグラフ。
【図７Ａ】有機ＥＬ装置の表示領域の形状が正方形の例を示す図。
【図７Ｂ】有機ＥＬ装置の表示領域の形状がひし形の例を示す図。
【図７Ｃ】有機ＥＬ装置の表示領域の形状が長方形の例を示す図。
【図７Ｄ】有機ＥＬ装置の表示領域の形状が平行四辺形の例を示す図。
【図７Ｅ】有機ＥＬ装置の表示領域の形状が台形の例を示す図。
【図８Ａ】有機ＥＬ装置の表示領域の形状が凧形の例を示す図。
【図８Ｂ】有機ＥＬ装置の表示領域の形状が六角形の例を示す図。
【図８Ｃ】有機ＥＬ装置の表示領域の形状が八角形の例を示す図。
【図８Ｄ】有機ＥＬ装置の表示領域の形状が楕円形の例を示す図。
【図８Ｅ】有機ＥＬ装置の表示領域の形状が円形の例を示す図。
【図９】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概略断面図。
【図１０】実施例１及び実施例２における光の波長と光反射率との関係を比較例と比較して示す図。
【図１１】実施例１における入射光の角度と光反射率との関係を示す図。
【図１２】実施例２における入射光の角度と光反射率との関係を示す図。
【図１３】比較例における入射光の角度と光反射率との関係を示す図。
【図１４】実施形態１に係る有機ＥＬ装置を示す概略断面図。
【図１５】図１のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬ装置の概略断面図。
【図１６】ヘッドマウントディスプレイの概略図。
【図１７】上記実施例２の対向基板及び反射防止層について大気中で測定した光反射率の角度特性を示す図。
【図１８】変形例１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図。
【図１９】公知技術の有機ＥＬ装置の一例を示す概略図。
【図２０Ａ】図１９のＣ−Ｃ’線に沿った模式的な断面図。
【図２０Ｂ】図１９のＣ−Ｃ’線に沿った模式的な断面図。
【図２１】公知技術の有機ＥＬ装置の一例を示す概略図。
【図２２】図２１のＣ−Ｃ’線に沿った模式的な断面図。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺が実際とは異なる場合がある。
【００５３】
（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の概要」
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００は、本発明における「表示装置」の一例であり、後述するヘッドマウントディスプレイの表示部に好適な自発光型のマイクロディスプレイである。図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図である。図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００５４】
まず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について、説明する。図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、素子基板１０に対向配置された対向基板４０とを有している。両基板は、後述する樹脂層４２（図４参照）によって接着されている。
【００５５】
素子基板１０は、青色（Ｂ）の光を発するサブ画素１８Ｂと、緑色（Ｇ）の光を発するサブ画素１８Ｇと、赤色（Ｒ）の光を発するサブ画素１８Ｒとからなる画素１９が、マトリックス状に配列された表示領域Ｅ1を有している。表示領域Ｅ1は、図中で太い破線で示されている。なお、以下の説明では、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒを区別せず、サブ画素１８と称する場合がある。また、表示領域Ｅ1は、本発明における「多角形の表示領域」の一例である。
【００５６】
素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅ1との間には、データ線駆動回路１５が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅ1との間には、走査線駆動回路１６が設けられている。
【００５７】
以下では、当該第１辺に沿った方向をＸ方向とする。当該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向とする。Ｘ方向及びＹ方向と直交し、素子基板１０から対向基板４０に向かう方向をＺ方向とする。なお、Ｚ方向は、本発明における「法線方向」の一例である。
【００５８】
対向基板４０は、透光性のガラス基板であり、素子基板１０に対向配置されている。対向基板４０の屈折率ｎ1は概略１．４６である。対向基板４０は、表示領域Ｅ1を覆い、表示領域Ｅ1に配置された後述する有機ＥＬ素子３０（図２参照）が傷つかないように保護している。Ｚ方向から見て対向基板４０からはみ出した素子基板１０の部分に複数の外部接続用端子１０３が配列されている。
【００５９】
対向基板４０は、Ｘ方向に沿って延びる側面４０−１及び側面４０−３と、Ｙ方向に沿って延びる側面４０−２及び側面４０−４とを有している。側面４０−１，４０−２，４０−３，４０−４は、後述する対向基板４０の面４０ａ（図４参照）や、対向基板４０の素子基板１０に対向する面に交差する面である。
【００６０】
なお、対向基板４０は、透光性の絶縁基板であればよく、上述したガラス基板の他に、例えば石英基板や透光性を有する樹脂などを使用することができる。対向基板４０の屈折率ｎ1は、１．２〜１．６の範囲にあることが好ましい。また、屈折率は波長依存性があり、ここでは、可視光波長域における屈折率が用いられる。例えば、可視光波長域において長波長側よりも屈折率が大きくなる短波長側の屈折率を用いてもよいし、視感度が他の波長よりも高い５５０ｎｍを代表波長とする屈折率を用いてもよい。
【００６１】
本実施形態の表示領域Ｅ1の形状は、Ｘ方向に長くなった長方形である。表示領域Ｅ1の形状の外周をなすＸ方向の辺の長さは、Ｘ2である。表示領域Ｅ1の形状の外周をなすＹ方向の辺の長さは、Ｘ1である。表示領域Ｅ1の形状（長方形）の対角線の長さは、Ｘ3である。表示領域Ｅ1の形状の対角線の長さＸ3は、概略２５．４ｍｍである。表示領域Ｅ1の外周の２点を結ぶ線の長さのうち、Ｘ1が最も小さく、Ｘ3が最も大きい。以下では、表示領域Ｅ1の形状の対角線の長さを、表示サイズと称する。
【００６２】
表示領域Ｅ1の形状の外周をなすＹ方向の辺は、本発明における「多角形の表示領域の形状の外周をなす辺のうち最も短い辺」の一例である。表示領域Ｅ1の形状（長方形）の対角線は、本発明における「多角形の表示領域の形状の対角線のうち最も長い対角線」の一例である。
【００６３】
表示領域Ｅ1の周辺の領域、つまり表示領域Ｅ1と素子基板１０の外縁との間の領域が、非表示領域Ｅ2となる。また、表示領域Ｅ1と側面４０−１，４０−２，４０−３，４０−４（対向基板４０の外縁）との間隔は、Ｌ2である。
【００６４】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有している。走査線１２は走査線駆動回路１６に接続され、データ線１３はデータ線駆動回路１５に接続されている。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された複数のサブ画素１８を有している。
【００６５】
サブ画素１８は、有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。
【００６６】
有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とを有している。画素電極３１は、発光機能層に３２に正孔を供給する陽極として機能する。対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給する陰極として機能する。画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが発光機能層３２で結合し、発光機能層３２が白色に発光する。なお、有機ＥＬ素子３０は、本発明における「発光素子」の一例である。
【００６７】
画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型トランジスターを用いて構成することができる。
【００６８】
スイッチング用トランジスター２１のゲートは、走査線１２に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のソースまたはドレインのうち一方は、データ線１３に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のソースまたはドレインのうち他方は、駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。
【００６９】
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方は、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続されている。駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち他方は、電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間には、蓄積容量２２が接続されている。
【００７０】
走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して、画素電極３１と対向電極３３とで挟まれた発光機能層３２に、ゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０から発せられる光の輝度は、発光機能層３２に流れる電流密度によって変化する。
【００７１】
「サブ画素の概要」
次に、図３を参照してサブ画素１８の概要について説明する。図３は、サブ画素の構成を示す概略平面図である。図３では、サブ画素１８の構成要素のうち、画素電極３１及び絶縁膜２８が図示され、他の構成要素の図示は省略されている。
【００７２】
図３に示すように、サブ画素１８には、画素電極３１及び絶縁膜２８が配置されている。画素電極３１は、光透過性を有し、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透光性材料で構成され、サブ画素１８毎に島状に形成されている。
【００７３】
絶縁膜２８は、画素電極３１と発光機能層３２との間に設けられている（図４参照）。絶縁膜２８は、画素電極３１の周縁部を覆うように配置され、画素電極３１を露出する開口２８ＣＴを有している。
【００７４】
開口２８ＣＴが設けられた部分では、画素電極３１と発光機能層３２とが接し、画素電極３１から発光機能層３２に正孔が供給され、発光機能層３２が発光する。つまり、開口２８ＣＴが設けられた領域が、発光機能層３２が発光する発光領域となる。絶縁膜２８が設けられた領域では、画素電極３１から発光機能層３２への正孔の供給が抑制され、発光機能層３２の発光が抑制される。つまり、絶縁膜２８が設けられた領域が、発光機能層３２の発光が抑制された領域となる。
【００７５】
「有機ＥＬ装置の断面構造」
次に、図４を参照して、有機ＥＬ装置１００の断面構造を説明する。図４は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。
【００７６】
図４に示すように、有機ＥＬ装置１００では、素子基板１０と、樹脂層４２と、対向基板４０と、反射防止層４４とが、Ｚ方向に順に積層されている。樹脂層４２は、素子基板１０と対向基板４０とを接着する役割を有し、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。反射防止層４４は、例えば、誘電体多層膜からなる。反射防止層４４の構成については、後で詳述する。
【００７７】
対向基板４０は、素子基板１０に対向する第１の面としての面４０ｂと、面４０ｂの反対側に配置された第２の面としての面４０ａとを有する。面４０ａは、有機ＥＬ素子３０で発せられた光が、表示光として射出される側の面となる。
【００７８】
反射防止層４４は、対向基板４０の面４０ａ上に配置されており、大気６０１と接している。大気６０１の屈折率ｎ2は、概略１である。なお、大気６０１は、本発明における「媒質」の一例である。つまり、表示光は、対向基板４０の素子基板１０に対向する面と反対側の面４０ａから、大気６０１の側に射出される。
【００７９】
素子基板１０は、基板１１と、基板１１にＺ方向に順に積層された反射層２５と、光学的距離調整層２６と、有機ＥＬ素子３０と、封止層３４とを有している。
【００８０】
基板１１は、例えばシリコンからなる母材に、走査線１２、データ線１３、電源線１４、データ線駆動回路１５、走査線駆動回路１６、スイッチング用トランジスター２１、蓄積容量２２、駆動用トランジスター２３（図２参照）などが、公知技術によって形成された半導体基板である。なお、基板１１の母材は、上述したシリコンに限定されず、例えば石英やガラスなどの透光性を有する絶縁材料であってもよい。
【００８１】
反射層２５は、発光機能層３２で発した光を反射する一対の反射層の中の一方の反射層である。反射層２５は、光反射率の高い材料によって形成され、複数のサブ画素１８に跨って配置されている。反射層２５の構成材料としては、例えばアルミニウムや銀などを使用することができる。
【００８２】
光学的距離調整層２６は、第１絶縁膜２６ａ、第２絶縁膜２６ｂ、及び第３絶縁膜２６ｃで構成される。第１絶縁膜２６ａは、反射層２５の上に設けられ、サブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとに配置されている。第２絶縁膜２６ｂは、第１絶縁膜２６ａの上に設けられ、サブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｒとに配置されている。第３絶縁膜２６ｃは、第２絶縁膜２６ｂの上に設けられ、サブ画素１８Ｒに配置されている。その結果、光学的距離調整層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。
【００８３】
有機ＥＬ素子３０は、Ｚ方向に順に積層された画素電極３１と、絶縁膜２８と、発光機能層３２と、対向電極３３とを有している。発光機能層３２は、Ｚ方向に順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機発光層は、赤色、緑色、及び青色の光成分を有する光を発する。有機発光層は、単層で構成してもよいし、複数の層（例えば、青色で発光する青色発光層と、赤色及び緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成してもよい。
【００８４】
対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有している。対向電極３３は、発光機能層３２で発した光を反射する一対の反射層の中の他方の反射層である。封止層３４は、Ｚ方向に順に積層された第１封止層３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２封止層３４ｃとで構成され、有機ＥＬ素子３０を覆い、素子基板１０の略全面に設けられている。なお、封止層３４には、外部接続用端子１０３（図１参照）を露出させる開口（図示省略）が設けられている。
【００８５】
第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃは、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。平坦化層３４ｂは、例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（例えば、シリコン酸化物）などで構成されている。平坦化層３４ｂは、第１封止層３４ａの欠陥（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、平坦な面を形成する。
【００８６】
「光共振構造」
発光領域（開口２８ＣＴが設けられた領域）では、光反射性を有する反射層２５と、光学的距離調整層２６と、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とが、Ｚ方向に順に積層されている。発光機能層３２で発した光は、反射層２５と対向電極３３との間で繰り返し反射され、反射層２５と対向電極３３との間の光学的距離に対応する特定波長（共振波長）の光の強度が増幅され、表示光として対向基板４０の面４０ａから大気６０１の側に射出される。
【００８７】
詳しくは、光学的距離調整層２６は、反射層２５と対向電極３３との間の光学的距離を調整する役割を有している。サブ画素１８Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が４７０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｇでは、共振波長が５４０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｒでは、共振波長が６１０ｎｍとなるように、光学的距離調整層２６の膜厚が設定されている。
【００８８】
その結果、サブ画素１８Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色の光が発せられ、サブ画素１８Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色の光が発せられ、サブ画素１８Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色の光が発せられる。
【００８９】
なお、上述したように、有機ＥＬ装置１００では、カラーフィルターが配置されていない。そのため、有機ＥＬ素子３０から発せられた光がカラーフィルターを透過することによる表示光の輝度の低下が抑えられ、より明るい表示が得られる。
【００９０】
また、有機ＥＬ装置１００は、表示領域Ｅ1内にブラックマトリックスが配置されていない。表示領域Ｅ1内にブラックマトリックスが配置されていると、実質的に表示光が透過する領域が小さくなり、光の利用効率が低下する。そして、光共振構造を有する有機ＥＬ装置１００において表示領域Ｅ1内にブラックマトリックスを配置する場合、製造プロセスが複雑なものとなる。表示領域Ｅ1内にブラックマトリックスを配置しないことにより、光の利用効率が低下や生産性の低下が抑えられる。
【００９１】
「有機ＥＬ装置の特徴」
上述したように、有機ＥＬ装置１００は、公知技術（特開２０１２−３８６７７号公報）の有機ＥＬ装置からカラーフィルターを削除した構成を有している。このため、有機ＥＬ装置１００では、反射層２５における光の反射によって不必要な表示がなされ、表示品が低下するおそれがあった。上述したように、反射層２５における光の反射に起因する不必要な表示を抑制するためには、反射層２５の反射性能を制御すればよいが、反射層２５を形成する下地（基板１１）は、画素回路２０や駆動回路１５，１６などが形成されたことによる様々な凹凸を有するため、反射層２５の反射性能（反射層２５の表面凹凸）を制御することが難しい。
【００９２】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、反射層２５の反射性能に関係なく、反射層２５における光の反射に起因する不必要な表示（表示品位の低下）を抑制することができる。より具体的には、有機ＥＬ装置１００は、表示領域の大きさに対して対向基板４０の板厚が適正な範囲内にあること、及び、反射防止層４４を備えていることにより、表示品位の低下を抑制することができる。以下に、その詳細を説明する。
【００９３】
まず、表示領域の大きさと対向基板４０の板厚との関係を説明する。ここでは、説明を分かり易くするため、反射防止層４４を備えていない状態の有機ＥＬ装置で説明する。図５は、実施形態１に係る有機ＥＬ装置から反射防止層を除いた状態を示す概略図である。図５は、図１のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図に相当する。なお、実施形態１に係る有機ＥＬ装置と識別するため、反射防止層４４を除いた状態の有機ＥＬ装置に符号１００Ａを付している。有機ＥＬ装置１００Ａは、反射防止層４４を備えていない点以外は、有機ＥＬ装置１００と同様の構成を有している。
【００９４】
図５では、上述した図２０Ｂと同じ構成要素に同じ符号、つまり有機ＥＬ素子３０で発せられ面４０ａに向かう入射光に符号ＬＢ1を、面４０ａで反射された反射光に符号ＬＢ3を、入射光ＬＢ1が面４０ａで全反射される臨界角に符号α2を付している。また、図５中の点Ｋは、表示領域Ｅ1に配置された有機ＥＬ素子３０のＸ（−）方向側の端部に対応する。点Ｌは、点Ｋで発した入射光ＬＢ1と面４０ａとの交点を示している。点Ｍは、面４０ａの点Ｌで反射された反射光ＬＢ3と反射層２５との交点を示している。点Ｎは、点Ｌを通る面４０ａの法線Ｈと反射層２５との交点を示している。
【００９５】
図５に示すように、有機ＥＬ素子３０の点Ｋで発した入射光ＬＢ1は、面４０ａの点Ｌで反射され反射光ＬＢ3となる。面４０ａの点Ｌで反射された反射光ＬＢ3は、反射層２５の点Ｍに到達する。入射光ＬＢ1の進行方向と法線Ｈ（Ｚ方向）とがなす角度は臨界角α2であり、反射光ＬＢ3の進行方向と法線Ｈ（Ｚ方向）とがなす角度も臨界角α2である。
【００９６】
臨界角α2は、入射光ＬＢ1が面４０ａで全反射される場合の、当該入射光ＬＢ1の進行方向と法線Ｈ（Ｚ方向）とがなす角度の最小値である。つまり、入射光ＬＢ1の進行方向と法線Ｈ（Ｚ方向）とがなす角度が臨界角α2以上である場合、入射光ＬＢ1は面４０ａで全反射される。入射光ＬＢ1の進行方向と法線Ｈ（Ｚ方向）とがなす角度が、臨界角α2よりも小さい場合、入射光ＬＢ1の一部は面４０ａを通過し大気６０１の側に射出され、入射光ＬＢ1の一部は面４０ａで反射される。
【００９７】
表示領域Ｅ1の反射層２５の上には、光学的距離調整層２６と、有機ＥＬ素子３０と、封止層３４と、樹脂層４２と、対向基板４０とが順に積層されている。非表示領域Ｅ2の反射層２５の上には、光学的距離調整層２６と、有機ＥＬ素子３０と、封止層３４と、遮光層５１と、樹脂層４２と、対向基板４０とが順に積層されている。
【００９８】
遮光層５１は、光吸収性を有し、例えば黒色顔料が分散された感光性レジストを用いて、封止層３４の上に形成される。遮光層５１は、素子基板１０を構成する構成要素の一つである。遮光層５１は、光吸収性を有していればよく、上述した感光性レジストの他に、例えば窒化チタン、誘電体多層膜などで形成することができる。遮光層５１は、非表示領域Ｅ2の反射層２５での反射光を遮る役割を有し、非表示領域Ｅ2の全面に配置してもよく、非表示領域Ｅ2の一部に配置してもよい。つまり、非表示領域Ｅ2の少なくとも一部に、遮光層５１が配置されている。換言すれば、素子基板１０の対向基板４０に対向する面（封止層３４の表面）には、非表示領域Ｅ2の少なくとも一部に光を吸収する膜（遮光層５１）が配置されている。
【００９９】
対向基板４０の側面４０−２，４０−４には、遮光層５２が配置されている。図示を省略するが、対向基板４０の側面４０−１，４０−３にも、遮光層５２が配置されている。遮光層５２は、遮光層５１と同様に光吸収性を有していればよく、光吸収性を有する樹脂や、光吸収性を有する材料（例えば黒色顔料）が分散された樹脂を塗布することによって形成してもよい。また、遮光層５２は、光吸収性を有するテープを貼り付けることで形成してもよい。
【０１００】
遮光層５２は、側面４０−１，４０−２，４０−３，４０−４の全面に配置してもよく、側面４０−１，４０−２，４０−３，４０−４の一部に配置してもよい。つまり、側面４０−１，４０−２，４０−３，４０−４の少なくとも一部に、遮光層５２が配置されていればよい。さらに、遮光層５２は、素子基板１０の側面の少なくとも一部に配置されていてもよい。
【０１０１】
詳細は後述するが、対向基板４０の屈折率ｎ1が１．４６であり、表示サイズ（表示領域Ｅ1の形状の対角線の長さ）が２５．４ｍｍであり、アスペクト比（表示領域Ｅ1の横：縦の比）が４：３である場合、対向基板４０のＺ方向寸法（板厚）Ｌ1は、８．１ｍｍ〜２７ｍｍの範囲にある。光学的距離調整層２６、有機ＥＬ素子３０、及び封止層３４のＺ方向寸法（膜厚）は１μｍよりも小さく、樹脂層４２のＺ方向寸法（層厚）は概略２０μｍよりも小さい。いずれの構成要素のＺ方向寸法も、対向基板４０のＺ方向寸法（板厚）Ｌ1と比べて極めて小さい。よって、反射層２５と面４０ａとの間のＺ方向寸法は、対向基板４０のＺ方向寸法（板厚）Ｌ1と見なすことができる。従って、有機ＥＬ素子３０の点Ｋ、反射層２５の点Ｎ、及び反射層２５の点Ｍは、同じ平面上に配置されているものとみなすことができる。
【０１０２】
反射層２５は、表示領域Ｅ1に配置された第１反射層２５ａと、非表示領域Ｅ2に配置された第２反射層２５ｂとで構成される。有機ＥＬ素子３０は、表示領域Ｅ1に配置された第１有機ＥＬ素子３０ａと、非表示領域Ｅ2に配置された第２有機ＥＬ素子３０ｂとで構成される。なお、非表示領域Ｅ2に配置された第２有機ＥＬ素子３０ｂとは、発光機能層３２の発光が抑制された状態の有機ＥＬ素子３０、例えば画素電極３１が省略された構成の有機ＥＬ素子３０や、画素電極３１の全体が絶縁膜２８で覆われた構成の有機ＥＬ素子３０などに該当する。
【０１０３】
本実施形態では、表示領域Ｅ1に配置された第１有機ＥＬ素子３０ａのＸ（−）方向側の端部（点Ｋ）で発した入射光ＬＢ1は、面４０ａの点Ｌで反射されて反射光ＬＢ3となり、反射光ＬＢ3は、非表示領域Ｅ2のＸ（＋）方向側に配置された第２反射層２５ｂの点Ｍに入射する。
【０１０４】
図示を省略するが、表示領域Ｅ1に配置された第１有機ＥＬ素子３０ａのＸ（＋）方向側の端部で発した入射光ＬＢ1は、面４０ａで反射され、反射光ＬＢ3となり、反射光ＬＢ3は、非表示領域Ｅ2のＸ（−）方向側に配置された第２反射層２５ｂに入射する。
【０１０５】
すなわち、有機ＥＬ装置１００Ａでは、第１有機ＥＬ素子３０ａで発した光（入射光ＬＢ1）の反射光ＬＢ3は、非表示領域Ｅ2に配置された第２反射層２５ｂに入射する。当該反射光ＬＢ3は、非表示領域Ｅ2に配置された第２反射層２５ｂによって反射されるので、表示領域Ｅ1の側に進行しにくく、不必要な表示になりにくい。
【０１０６】
さらに、非表示領域Ｅ2の第２反射層２５ｂの上には、遮光層５１が配置されているので、第２反射層２５ｂによって反射された光は遮光層５１によって遮られ、表示領域Ｅ1の側により進行しにくくなる。すなわち、遮光層５１が配置されてない構成と比べて、第２反射層２５ｂによって反射された光は、表示領域Ｅ1の側により進行しにくくなり、不必要な表示によりなりにくい。
【０１０７】
換言すれば、本実施形態では、面４０ａで反射された反射光ＬＢ3が、非表示領域Ｅ2に配置された第２反射層２５ｂに入射するように、反射層２５と面４０ａとの間のＺ方向寸法、つまり対向基板４０のＺ方向寸法（板厚）Ｌ1が設定されている。上述したように、第２反射層２５ｂによって反射された光は、表示領域Ｅ1の側に進行しにくいので、表示領域Ｅ1に不必要な表示がなされることを抑制することができる。
【０１０８】
さらに、対向基板４０の側面４０−１，４０−２，４０−３，４０−４も、遮光層５２で覆われ、側面４０−１，４０−２，４０−３，４０−４における光の反射が抑制されている。従って、側面４０−１，４０−２，４０−３，４０−４における光の反射が表示領域Ｅ1に影響しにくい。従って、表示領域Ｅ1に不必要な表示がなされることを抑制することができる。
【０１０９】
「適正な対向基板の板厚（１）」
次に、Ｚ方向となす角度が臨界角α2の入射光ＬＢ1が、面４０ａで反射され、第２反射層２５ｂに入射することができる対向基板４０の板厚Ｌ1について、図５を参照して説明する。
【０１１０】
Ｚ方向となす角度が臨界角α2よりも大きい入射光ＬＢ1の反射光ＬＢ3は、Ｚ方向となす角度が臨界角α2である入射光ＬＢ1の反射光ＬＢ3と比べて、図５に示す法線Ｈから離れた側（Ｘ方向側）に進行する。よって、Ｚ方向となす角度が臨界角α2である入射光ＬＢ1の反射光ＬＢ3が、第２反射層２５ｂに入射する条件であれば、Ｚ方向となす角度が臨界角α2よりも大きい入射光ＬＢ1の反射光ＬＢ3は、表示領域Ｅ1には入射しない。従って、反射光ＬＢ3を常に第２反射層２５ｂに入射させるためには、Ｚ方向となす角度が臨界角α2である入射光ＬＢ1の反射光ＬＢ3が、第２反射層２５ｂに入射する条件を満足すればよい。
【０１１１】
入射光ＬＢ1の進行方向と法線Ｈ（Ｚ方向）とがなす角度をθ1とし、入射光ＬＢ1が面４０ａを通過し大気６０１の側に射出される場合の射出方向と法線Ｈ（Ｚ方向）とがなす角度をθ2とすると、スネルの法則によって以下に示す式（１）が成り立つ。
ｎ1ｓｉｎθ1＝ｎ2ｓｉｎθ2…（１）
【０１１２】
式（１）より、入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1は、以下に示す式（２）で表される。
θ1＝ｓｉｎ-1（（ｎ2ｓｉｎθ2）／ｎ1）…（２）
【０１１３】
式（２）に「θ2＝９０度」を代入して求めたθ1が臨界角α2となるので、臨界角α2は、以下に示す式（３）で表される。
α2＝ｓｉｎ-1（ｎ2／ｎ1）…（３）
【０１１４】
本実施形態では、ｎ1は概略１．４６であり、ｎ2は概略１であるので、臨界角α2は概略４３度である。
【０１１５】
点Ｋと点Ｌと点Ｎとで形成される三角形（△ＫＬＮ）と、点Ｌと点Ｍと点Ｎとで形成される三角形（△ＬＭＮ）において、線ＬＫと線ＬＮとがなす角度及び線ＬＭと線ＬＮとがなす角度は同じであり、線ＬＮと線ＮＫとがなす角度及び線ＬＮと線ＮＭとがなす角度は同じであるので、△ＫＬＮ及び△ＬＭＮは合同である。よって、点Ｋと点Ｎとを結ぶ線（辺ＫＮ）の長さと、点Ｎと点Ｍとを結ぶ線（辺ＮＭ）の長さは同じであり、共にＬ3である。
【０１１６】
点Ｋと点Ｍとを結ぶ線（辺ＫＭ）の長さを、表示領域Ｅ1のＸ方向に沿った辺の長さＸ2よりも大きくすると、反射光ＬＢ3を第２反射層２５ｂに入射させることができる。辺ＫＭの長さは、辺ＫＮの長さＬ3の２倍であるので、以下に示す式（４）を満たすと、反射光ＬＢ3を非表示領域Ｅ2（第２反射層２５ｂ）に入射させることができる。
２×Ｌ3≧Ｘ2…（４）
【０１１７】
辺ＬＮの長さは、対向基板４０のＺ方向寸法（板厚）Ｌ1とみなすことができる。辺ＬＫと辺ＬＮとがなす角度は、臨界角α2であるので、以下の式（５）が成り立つ。
２×（Ｌ1×ｔａｎα2）≧Ｘ2…（５）
【０１１８】
従って、Ｘ方向においては、対向基板４０のＺ方向寸法（板厚）Ｌ1が、以下の式（６）を満たすと、反射光ＬＢ3を非表示領域Ｅ2（第２反射層２５ｂ）に入射させることができる。
Ｌ1≧Ｘ2／（２ｔａｎα2）…（６）
【０１１９】
同様に、Ｙ方向においては、対向基板４０の板厚Ｌ1が、以下の式（７）を満たすと、反射光ＬＢ3を非表示領域Ｅ2（第２反射層２５ｂ）に入射させることができる。
Ｌ1≧Ｘ1／（２ｔａｎα2）…（７）
【０１２０】
同様に、表示領域Ｅ1の形状（長方形）の対角線に沿った方向においては、以下の式（８）を満たすと、反射光ＬＢ3を非表示領域Ｅ2（第２反射層２５ｂ）に入射させることができる。
Ｌ1≧Ｘ3／（２ｔａｎα2）…（８）
【０１２１】
なお、Ｘ1は、表示領域Ｅ1の外周の２点を結ぶ線のうち最も短い線の長さであり、Ｘ3は、表示領域Ｅ1の外周の２点を結ぶ線のうち最も長い線の長さである。よって、好ましい対向基板４０の板厚Ｌ1の最小値は、Ｙ方向における好ましい対向基板４０の板厚Ｌ1の最小値（Ｘ1／（２ｔａｎα2））、Ｘ方向における対向基板４０の好ましい板厚Ｌ1の最小値（Ｘ2／（２ｔａｎα2））、対角線に沿った方向における好ましい対向基板４０の板厚Ｌ1の最小値（Ｘ3／（２ｔａｎα2））の順に大きくなる。
【０１２２】
つまり、対向基板４０を少しでも薄くするためには、式（７）の条件、つまり対向基板４０の板厚Ｌ1は、Ｙ方向における好ましい対向基板４０の板厚Ｌ1の最小値（Ｘ1／（２ｔａｎα2））以上であることが好ましい。
【０１２３】
また、対向基板４０の板厚Ｌ1が大きくなりすぎると、有機ＥＬ装置１００Ａの小型化や軽量化の点で好ましくない。このため、対向基板４０の板厚Ｌ1は、対角線に沿った方向、つまり表示領域Ｅ1の外周の２点を結ぶ線のうち最も長い線の方向における、好ましい対向基板４０の板厚Ｌ1の最小値（Ｘ3／（２ｔａｎα2））の２倍以下であることが好ましい。すなわち、対向基板４０の板厚Ｌ1は、以下に示す式（９）を満たすことが好ましい。
Ｌ1≦Ｘ3／（ｔａｎα2）…（９）
【０１２４】
従って、式（７）及び式（９）より、反射光ＬＢ3を非表示領域Ｅ2（第２反射層２５ｂ）に入射させるためには、対向基板４０の板厚Ｌ1は、以下に示す式（１０）を満たすことが好ましい。式（１０）を満たすと、対向基板４０を最も薄くすることができる。
Ｘ1／（２ｔａｎα2）≦Ｌ1≦Ｘ3／（ｔａｎα2）…（１０）
【０１２５】
さらに、式（８）及び式（９）より、対向基板４０の板厚Ｌ1は、以下に示す式（１１）を満たすことがより好ましい。
Ｘ3／（２ｔａｎα2）≦Ｌ1≦Ｘ3／（ｔａｎα2）…（１１）
【０１２６】
上述したように、式（１０）を満たす場合、対向基板４０を最も薄くすることができるという効果を得ることができるが、表示領域Ｅ1に一つのパターンが表示された場合、当該一つのパターンからＸ1よりも離れた位置に不必要な表示がなされるおそれがある。式（１１）を満たす場合、当該一つのパターンからＸ1よりも離れた位置において、つまりＸ−Ｙ平面上の全ての方向において不必要な表示を抑制することができるので、より好ましい。
【０１２７】
「適正な表示サイズ」
図６は、適正な対向基板の板厚と、表示サイズ（表示領域Ｅ1の形状の対角線の長さ）との関係を示すグラフである。図中の縦軸は対向基板の板厚Ｌ1であり、横軸は表示領域Ｅ1の表示サイズ（図１に示す対角線の長さＸ3）である。同図では、上述した式（１１）で算出された適正な対向基板４０の板厚Ｌ1の範囲が、網掛けが施された領域７１で図示されている。なお、対向基板４０の屈折率ｎ1を１．４６とし、表示領域Ｅ1のアスペクト比（図１に示す長辺の長さＸ2と短辺の長さＸ1との比）を４：３とした。
【０１２８】
例えば、有機ＥＬ装置１００Ａを小型電子機器の表示部に適用させる場合、対向基板４０の板厚が大きくなりすぎると、有機ＥＬ装置１００Ａの外形寸法が大きくなりすぎるので好ましくない。有機ＥＬ装置１００Ａを小型電子機器の表示部に適用させる場合、適正な対向基板４０の板厚の上限値は、図中の破線７２となる。
【０１２９】
よって、破線７２と領域７１の上限との交差点が、有機ＥＬ装置１００Ａを小型電子機器の表示部に適用させる場合の、表示領域Ｅ1の表示サイズの上限値となる。従って、好ましい表示領域Ｅ1の表示サイズ（対角線の長さＸ3）は、２５．４ｍｍ（１インチ）以下である。
【０１３０】
なお、表示領域Ｅ1の表示サイズが２５．４ｍｍである場合、横軸の２５．４ｍｍから縦軸に沿って上方に引いた２点鎖線と、網掛けが施された領域７１の下限との交差点が表示領域Ｅ1の表示サイズの下限値となる。すなわち、好ましい対向基板４０の板厚Ｌ1は、８．１ｍｍ〜２７ｍｍの範囲である。従って、本実施形態では、対向基板４０の板厚Ｌ1は、８．１ｍｍ〜２７ｍｍの範囲に設定されている。
【０１３１】
「表示領域の形状」
図７Ａ〜図７Ｅ及び図８Ａ〜図８Ｅには、上述した本発明を適用可能な表示領域Ｅ1の形状が示されている。図７Ａは、有機ＥＬ装置の表示領域の形状が正方形の例を示す図である。図７Ｂは、有機ＥＬ装置の表示領域の形状がひし形の例を示す図である。図７Ｃは、有機ＥＬ装置の表示領域の形状が長方形の例を示す図である。図７Ｄは、有機ＥＬ装置の表示領域の形状が平行四辺形の例を示す図である。図７Ｅは、有機ＥＬ装置の表示領域の形状が台形の例を示す図である。
【０１３２】
図８Ａは、有機ＥＬ装置の表示領域の形状が凧形の例を示す図である。図８Ｂは、有機ＥＬ装置の表示領域の形状が六角形の例を示す図である。図８Ｃは、有機ＥＬ装置の表示領域の形状が八角形の例を示す図である。図８Ｄは、有機ＥＬ装置の表示領域の形状が楕円形の例を示す図である。図８Ｅは、有機ＥＬ装置の表示領域の形状が円形の例を示す図である。
【０１３３】
図７Ａ〜図７Ｅ及び図８Ａ〜図８Ｃにおいて、Ｘ1は表示領域Ｅ1の形状の外周をなす辺のうち最も短い辺の長さを示し、Ｘ3は表示領域Ｅ1の形状の対角線のうち最も長い対角線の長さを示している。また、図８Ｄ及び図８Ｅにおいて、Ｘ1は表示領域Ｅ1の中心ＣＰを通り表示領域Ｅ1の外周を結ぶ線のうち最も短い線の長さを示し、図８Ｄにおいて、Ｘ3は表示領域Ｅ1の中心ＣＰを通り表示領域Ｅ1の外周を結ぶ線のうち最も長い線の長さを示している。
【０１３４】
表示領域Ｅ1の形状が、図７Ａの正方形、図７Ｂのひし形、図７Ｃの長方形、図７Ｄの平行四辺形、図７Ｅの台形、図８Ａの凧形、図８Ｂの六角形、図８Ｃの八角形、及び図８Ｄの楕円形の場合、対向基板４０の板厚Ｌ1が、上述した式（８）の関係が成り立つと、反射光ＬＢ3を第２反射層２５ｂに入射させ、不必要な表示を抑制することができる。
【０１３５】
さらに、表示領域Ｅ1の形状が、図８Ｅの円形では、表示領域Ｅ1の中心ＣＰを通り表示領域Ｅ1の外周を結ぶ線のうち最も短い線の長さと、表示領域Ｅ1の中心ＣＰを通り表示領域Ｅ1の外周を結ぶ線のうち最も長い線とは同じであり、共にＸ1である。よって、表示領域Ｅ1の形状が円形である場合、以下に示す式（１２）の関係が成り立つと、反射光ＬＢ3を非表示領域Ｅ2（第２反射層２５ｂ）に入射させ、不必要な表示を抑制することができる。
Ｘ1／（２ｔａｎα2）≦Ｌ1≦Ｘ1／（ｔａｎα2）…（１２）
【０１３６】
「反射防止層」
上述した有機ＥＬ装置１００Ａでは、対向基板４０の板厚Ｌ1を適正な範囲内に設定することにより、図１９に示すパターン５５２及びパターン５５３のように、入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1が臨界角α2以上となる入射光ＬＢ1の反射光ＬＢ3による不必要な表示を抑制することができる。しかしながら、反射防止層４４を除いた状態の有機ＥＬ装置１００Ａでは、パターン５５２及びパターン５５３と比べると輝度が低いため視認しにくかった他の不必要な表示が、パターン５５２及びパターン５５３の表示が抑制されることで、視認し易くなり目立ってしまう場合がある。
【０１３７】
以下に、図２１及び図２２を参照して、その詳細を説明する。図２１は、公知技術の有機ＥＬ装置の一例を示す概略図である。図２２は、図２１のＣ−Ｃ’線に沿った模式的な断面図である。図２２では、図２１の表示に対応する光の状態が、模式的に示されている。図２１及び図２２は、入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向と図２１がなす角度θ1が臨界角α2と比べて極めて小さい場合の例である。
【０１３８】
図２１に示すように、表示領域Ｖの領域Ｚ1に必要なパターン５５１を表示させると、有機ＥＬ装置５００を正面方向（Ｚ方向）に対して斜め方向から見た場合に、領域Ｚ1から少し離れた領域Ｚ2に不必要なパターン５６１が表示される。領域Ｚ1と領域Ｚ2との距離が小さい場合、図２１に示すように、不必要なパターン５６１が必要なパターン５５１に重なるように表示されるため、パターン５５１のゴースト（多重像）として視認されてしまうこととなる。
【０１３９】
図２２に示すように、領域Ｚ1において、有機ＥＬ素子５１３からＺ方向と交差する方向（斜め方向）に射出された光のうち、一部は面５３０ａで屈折し屈折光ＬＢ2として大気６０１の側に射出され、他の一部は面５３０ａで反射され反射光ＬＢ3として反射層５１２の側に向かう。
【０１４０】
大気６０１の側に射出された屈折光ＬＢ2、すなわち光Ｍ1により、必要なパターン５５１が表示される。また、反射光ＬＢ3は領域Ｚ2において反射層５１２で反射され、入射光ＬＢ1ａとして面５３０ａで屈折し、屈折光ＬＢ2ａとして大気６０１の側に射出される。大気６０１の側に射出された屈折光ＬＢ2ａ、すなわち光Ｍ2により、図２１に示すように、不必要なパターン５６１が必要なパターン５５１に重なるように表示される。
【０１４１】
ここで、図２２に示す入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1が臨界角α2（図２０Ａ参照）と比べて極めて小さいので、入射光ＬＢ1に対して屈折光ＬＢ2が多く反射光ＬＢ3は少なくなる。対向基板５３０の屈折率をｎ1とし、大気６０１の屈折率をｎ2とすると、対向基板５３０の面５３０ａと大気６０１との界面における光反射率Ｒは、以下に示す式（１３）で求めることができる。
Ｒ＝（ｎ1−ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2…（１３）
【０１４２】
対向基板５３０の屈折率ｎ1を１．４６とし、大気６０１の屈折率ｎ2を１とすると、
Ｒ＝（１．４６−１）2／（１．４６＋１）2＝０．４６2／２．４６2≒３．５％
となる。したがって、入射光ＬＢ1の明るさ（輝度）を１００％とした場合、反射光ＬＢ3の明るさは３．５％となり、屈折光ＬＢ2（すなわち、光Ｍ1）の明るさは１００％−３．５％＝９６．５％となる。
【０１４３】
素子基板５１０での光反射率は、反射層５１２の材料や光共振構造の有無によって異なるが、一般的な有機ＥＬ装置では、素子基板５１０の表示領域Ｖにおける光反射率は、概ね２０〜３０％程度である。ここでは、素子基板５１０の表示領域Ｖにおける光反射率が３０％であるものとする。
【０１４４】
そうすると、反射層５１２で反射されて面５３０ａに入射する入射光ＬＢ1ａの明るさは３．５％×３０％＝１．０５％となる。そして、入射光ＬＢ1ａが面５３０ａで屈折し大気６０１の側に射出される屈折光ＬＢ2ａ（すなわち、光Ｍ2）の明るさは、３．５％×３０％×９６．５％≒１％程度となる。したがって、領域Ｚ1に表示される必要なパターン５５１と、領域Ｚ2に表示される不必要なパターン５６１（ゴースト）との明るさの比（コントラスト比）は、おおよそ１００：１程度となる。
【０１４５】
有機ＥＬ装置は自発光する表示装置であるため、一般にコントラスト比が高く、例えば、１００００：１程度のコントラスト比を実現することが可能である。そのため、パターン５５１に対して１００００：１程度のコントラスト比となるパターン５５１の周囲（暗い背景部分）と比べて、１００：１程度のコントラスト比となるパターン５６１（ゴースト）は１００倍程度明るくなる。その結果、不必要なパターン５６１（ゴースト）が相対的に目立つこととなり、表示品位が低下する。そして、対向基板４０の板厚Ｌ1が厚いほど、パターン５５１とパターン５６１（ゴースト）とのＸ方向における距離が大きくなるので、ゴーストがより視認され易くなる。
【０１４６】
そこで、実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００では、不必要なパターン５６１（ゴースト）となる光Ｍ2を抑えるため、反射防止層４４を備えている。図９は、実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概略断面図である。図９は、図１のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図における表示領域Ｅ1を部分拡大した図に相当する。図９に示すように、有機ＥＬ装置１００は、対向基板４０の面４０ａ上に反射防止層４４を備えている。
【０１４７】
反射防止層４４には、ゴーストを効果的に抑えるため可視光波長域の光に対する正面方向（Ｚ方向）の光反射率Ｒが低く、かつ、有機ＥＬ装置としての表示の明るさを損なわないように光透過率が高いことが求められる。より具体的には、光反射率Ｒが０％≦Ｒ≦２％であり、かつ、光透過率Ｔが９０％≦Ｔ≦１００％であることが望ましい。
【０１４８】
本実施形態に係る反射防止層４４は、図示を省略するが、低屈折率材料からなる層と、高屈折率材料からなる層との積層膜である誘電体多層膜で構成される。本実施形態では、反射防止層４４の実施例として、積層膜の積層数が異なる２つの実施例を説明する。
【０１４９】
（実施例１）
図９には、実施例１の反射防止層４４を示している。実施例１では、反射防止層４４は、低屈折率材料としての酸化シリコン（ＳｉＯx）からなる第１層４４ａと、高屈折率材料としての酸化チタン（ＴｉＯx）からなる第２層４４ｂとの２層の積層膜で構成される。酸化シリコンの光屈折率は、例えば１．４６であり、酸化チタンの光屈折率は、例えば２．５０である。なお、各層の膜厚は適宜設定されるものとする。
【０１５０】
実施例１では、光透過率Ｔは、波長が４７０ｎｍの青色の光に対して９８．５％となり、波長が５４０ｎｍの緑色の光に対して９９．７％となり、波長が６１０ｎｍの赤色の光に対して９８．６％となった。
【０１５１】
（実施例２）
図示を省略するが、実施例２では、反射防止層４４が、実施例１と同様の酸化シリコンからなる第１層４４ａと酸化チタンからなる第２層４４ｂとの２層の積層膜を６層積層した計１２層の積層膜で構成される。ただし、１２層（２×６層）を構成する各第１層４４ａ及び各第２層４４ｂの膜厚は同じでもよいし互いに異なっていてもよい。
【０１５２】
実施例２では、光透過率Ｔは、波長が４７０ｎｍの青色の光に対して９８．４％となり、波長が５４０ｎｍの緑色の光に対して９９．６％となり、波長が６１０ｎｍの赤色の光に対して９８．５％となった。
【０１５３】
（比較例）
比較例は、有機ＥＬ装置１００から反射防止層４４を除いた状態の有機ＥＬ装置１００Ａ（図５参照）である。なお、実施例１、実施例２、及び比較例において、対向基板４０の光屈折率ｎ1はともに１．４６である。比較例では、光透過率Ｔは、波長が４７０ｎｍの青色の光に対して９６．５％となり、波長が５４０ｎｍの緑色の光に対して９６．５％となり、波長が６１０ｎｍの赤色の光に対して９６．５％となった。
【０１５４】
ここで、実施例１及び実施例２において、反射防止層４４の光吸収率は、光反射率Ｒ及び光透過率Ｔと比べて極めて小さくなるため、無視できるものとする。そうすると、光反射率Ｒと光透過率Ｔとは、Ｒ＋Ｔ＝１の関係となるため、実施例１、実施例２、及び比較例における光反射率Ｒは、Ｒ＝１−Ｔで求められる。
【０１５５】
図１０は、実施例１及び実施例２における光の波長と光反射率との関係を比較例と比較して示す図である。図１０において、横軸は光の波長（ｎｍ）であり、縦軸は光反射率Ｒ（％）である。図１０に示すように、比較例では、光の波長に関わらず光反射率Ｒは３．５％で一定である。これに対して、実施例１及び実施例２では、波長が４４０ｎｍ程度から６４０ｎｍ程度の範囲内では、光反射率Ｒが比較例（３．５％）よりも小さくなっている。なお、実施例２では、実施例１と比べて、光の波長による光反射率Ｒの変動が大きい。
【０１５６】
人の目が認識し易い緑色の光（波長が５４０ｎｍの光）で比較すると、比較例では光反射率Ｒが３．５％となるのに対して、実施例１では光反射率Ｒが０．３％となり、実施例２では光反射率Ｒが０．４％となる。すなわち、人の目が認識し易い緑色の光に対して、実施例１では光反射率Ｒが比較例の１／１１程度となり、実施例２では光反射率Ｒが比較例の１／９程度となる。また、人の目が認識し易い緑色の光に対して、実施例１及び実施例２ではともに、光透過率Ｔが比較例よりも高くなる。
【０１５７】
例えば、実施例１の場合、波長が５４０ｎｍの緑色の光に対して、図９に示す光Ｍ1（屈折光ＬＢ2）の明るさは９９．７％となり、光Ｍ2（屈折光ＬＢ2ａ）の明るさは０．３％×３０％×９９．７％＝０．０９％となるので、必要なパターン５５１と不必要なパターン５６１（ゴースト）との明るさの比（コントラスト比）は、おおよそ１１０８：１程度となる。
【０１５８】
したがって、実施例１及び実施例２において、少なくとも波長が４７０ｎｍから６１０ｎｍの範囲内では、必要なパターン５５１となる光Ｍ1（屈折光ＬＢ2）の明るさが向上し、不必要なパターン５６１（ゴースト）となる光Ｍ2（屈折光ＬＢ2ａ）の明るさが低下する。
【０１５９】
図１１は、実施例１における入射光の角度と光反射率との関係を示す図である。図１２は、実施例２における入射光の角度と光反射率との関係を示す図である。図１３は、比較例における入射光の角度と光反射率との関係を示す図である。以下では、図１１〜図１３に示す入射光ＬＢ1の角度θ1と光反射率Ｒとの関係を、「光反射率の角度特性」と称する。
【０１６０】
図１１〜図１３において、横軸は入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1（図９参照）であり、縦軸は光反射率Ｒ（％）である。また、図１１〜図１３において、波長が４７０ｎｍの青色の光を□印の破線で示し、波長が５４０ｎｍの緑色の光を●印の破線で示し、波長が６１０ｎｍの赤色の光を△印の破線で示している。
【０１６１】
図１１に示す実施例１、及び、図１２に示す実施例２では、４７０ｎｍ、５４０ｎｍ、及び６１０ｎｍのいずれの波長の光に対しても、角度θ1が少なくとも２０度以下で光反射率Ｒが、図１３に示す比較例と比べて小さくなっている。これは、図１０に示した結果と同様に、実施例１及び実施例２では、正面方向（Ｚ方向）付近における光反射率Ｒが比較例よりも低く抑えられ、ゴーストが視認されにくくなっていることを示している。
【０１６２】
このように、実施例１及び実施例２では、反射防止層４４を備えていない比較例と比べて、入射光ＬＢ1の角度θ1が臨界角α2と比べて極めて小さい場合に、必要なパターン５５１を表示する光Ｍ1の明るさが向上し、不必要なパターン５６１（ゴースト）を表示する光Ｍ2の明るさが低下する。したがって、図９に示す有機ＥＬ装置１００では、反射防止層４４を備えることによりゴーストが視認されにくくなるので、表示品位を高めることができる。
【０１６３】
ところで、上述したゴーストの他に、入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1が臨界角α2より小さい場合でも、反射光ＬＢ3により、必要なパターン５５１から離れた位置にパターン５５２及びパターン５５３のような不必要な表示がある程度生じてしまう。角度θ1が臨界角α2以上において不必要な表示が抑制されることで、角度θ1が臨界角α2より小さい場合に生じる不必要な表示が視認し易くなり目立ってしまう場合がある。
【０１６４】
そこで、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、必要なパターン５５１に重なるように表示されるゴーストだけでなく、必要なパターン５５１から離れた位置に表示される不必要な表示も抑えられる構成を有している。より具体的には、有機ＥＬ装置１００では、対向基板４０の面４０ａにおける光反射率Ｒが５０％を超える場合に、反射光ＬＢ3により表示領域Ｅ1に不必要な表示がなされることを抑制する。
【０１６５】
図１１〜図１３に示すように、実施例１、実施例２、及び比較例のいずれにおいても、光反射率Ｒは、入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1が大きくなるほど大きくなり、角度θ1が４０度となるあたりで急激に増加する。光反射率Ｒが大きくなるほど、反射光ＬＢ3の輝度が高くなるので、反射光ＬＢ3による不必要な表示が目立ち易くなる。本実施形態では、光反射率Ｒが５０％を超える場合に、反射光ＬＢ3による不必要な表示を抑えることとする。
【０１６６】
図１４は、実施形態１に係る有機ＥＬ装置を示す概略断面図である。図１４は、図５と同様に、図１のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図に相当する。図１４に示す有機ＥＬ装置１００は、図５に示す有機ＥＬ装置１００Ａの対向基板４０の面４０ａ上に反射防止層４４を備えたものである。図１４に示す角度α1は、面４０ａにおける光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度である。
【０１６７】
図１４に示すように、実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００は、入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度θ1が、光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度である角度α1以上となる場合、その反射光ＬＢ3を第２反射層２５ｂに入射させる。これにより、面４０ａにおける光反射率Ｒが５０％を超える場合に、反射光ＬＢ3が表示領域Ｅ1に入射しないようにして、表示領域Ｅ1に不必要な表示がなされることを抑制する。
【０１６８】
「適正な対向基板の板厚（２）」
Ｚ方向となす角度θ1が光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1以上となる入射光ＬＢ1が、面４０ａで反射され、第２反射層２５ｂに入射することができる対向基板４０の板厚Ｌ1は、上述した式（１０）において、角度α2を角度α1に置き換えることにより、以下に示す式（１４）で表される。
Ｘ1／（２ｔａｎα1）≦Ｌ1≦Ｘ3／（ｔａｎα1）…（１４）
【０１６９】
すなわち、光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1以上となる場合に、反射光ＬＢ3を非表示領域Ｅ2（第２反射層２５ｂ）に入射させるためには、対向基板４０の板厚Ｌ1は、式（１４）を満たすことが好ましい。式（１４）を満たすと、対向基板４０を最も薄くすることができる。
【０１７０】
さらに、光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1以上となる場合に、Ｘ−Ｙ平面上の全ての方向において不必要な表示を抑制するため、対向基板４０の板厚Ｌ1は、上述した式（１１）において角度α2を角度α1に置き換えることにより得られる以下の式（１５）を満たすことがより好ましい。
Ｘ3／（２ｔａｎα1）≦Ｌ1≦Ｘ3／（ｔａｎα1）…（１５）
【０１７１】
ここで、光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1は、反射防止層４４の構成によって必ずしも同一とはならない。上述した実施例１及び実施例２について、光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1が比較例と比べてどのようになるかを、図１１〜図１３を参照して説明する。
【０１７２】
図１３に示すように、比較例では、波長が４７０ｎｍの青色の光と、波長が５４０ｎｍの緑色の光と、波長が６１０ｎｍの赤色の光とで光反射率の角度特性の差異はほとんどなく、光反射率Ｒが５０％となる角度θ1は４２度付近にある。そこで、比較例では、光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1を４２度とする。なお、比較例では、反射防止層４４がないので、光反射率の角度特性は対向基板４０の光屈折率ｎ1に依存する。
【０１７３】
図１１に示すように、実施例１では、波長が４７０ｎｍの青色の光と、波長が５４０ｎｍの緑色の光と、波長が６１０ｎｍの赤色の光とで、角度θ1が４０度以下の場合に光反射率Ｒに若干の差異がみられるが、角度θ1が４０度を超えると光反射率の角度特性の差異はほとんどなく光反射率Ｒは比較例とほぼ同じ程度となっている。比較例と同様に、光反射率Ｒが５０％となる角度θ1は４２度付近にある。そこで、実施例１では、比較例と同様に、光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1を４２度とする。
【０１７４】
図１２に示すように、実施例２では、実施例１や比較例と比べて、波長が４７０ｎｍの青色の光と、波長が５４０ｎｍの緑色の光と、波長が６１０ｎｍの赤色の光とで、光反射率の角度特性に差異がみられる。特に、波長が６１０ｎｍの赤色の光の光反射率Ｒが５０％となる角度θ1は、実施例１や比較例よりも小さく、３６度付近にある。そこで、実施例２では、光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1を３６度とする。
【０１７５】
この結果から、実施例１では、光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1において反射光ＬＢ3を非表示領域Ｅ2（第２反射層２５ｂ）に入射させるための対向基板４０の板厚Ｌ1は、比較例と同じでよいこととなる。光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1が４２度であると、表示領域Ｅ1の表示サイズが２５．４ｍｍであり、アスペクト比が４：３である場合、式（１５）を満たす好ましい対向基板４０の板厚Ｌ1は、８．５ｍｍ〜２８．２ｍｍの範囲となる。
【０１７６】
実施例２では、実施例１や比較例と比べて、光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1が小さくなるため、適正な対向基板４０の板厚Ｌ1は大きくなる。光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1が３６度であると、表示領域Ｅ1の表示サイズが２５．４ｍｍであり、アスペクト比が４：３である場合、式（１５）を満たす好ましい対向基板４０の板厚Ｌ1は、１０．５ｍｍ〜３５．０ｍｍの範囲となる。
【０１７７】
なお、図１１および図１２に示す角度θ1と光反射率Ｒとの関係や光の波長による特性の差異は、反射防止層４４を構成する積層膜（低屈折率材料からなる膜及び高屈折率材料からなる膜）それぞれの光屈折率や膜厚、及び膜の積層数等によって変化する。したがって、表示領域Ｅ1の表示サイズや好ましい対向基板４０の板厚Ｌ1等に応じて、反射防止層４４を構成する積層膜の光屈折率、膜厚、積層数等を適宜設定すればよい。
【０１７８】
「適正な対向基板の額縁幅」
次に、適正な対向基板４０の額縁幅（表示領域Ｅ1と対向基板４０の外縁との間隔Ｌ2）について、図１５を参照して説明する。図１５は、図１４に対応する図であり、図１のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬ装置の概略断面図である。図１５では、上述した図９及び図１４と同じ構成要素に同じ符号、つまり有機ＥＬ素子３０で発せられ面４０ａに向かう入射光に符号ＬＢ1を、面４０ａで屈折し大気６０１の側に向かう屈折光に符号ＬＢ2を付している。表示領域Ｅ1と側面４０−４（対向基板４０の外縁）との間隔（Ｘ方向の距離）は、Ｌ2である。
【０１７９】
図１５中の点Ｐは、面４０ａのＸ方向に沿った辺と側面４０−４のＹ方向に沿った辺との交点である。図１５中の二点鎖線は、仮に側面４０−４をＸ方向の側に移動させた場合の想定線である。また、側面４０−４（及び側面４０−１，４０−２，４０−３）と表示領域Ｅ1との間隔は、Ｌ2である。以下では、側面４０−４（及び側面４０−１，４０−２，４０−３）と表示領域Ｅ1との間隔Ｌ2を、対向基板４０の額縁幅Ｌ2と称する。
【０１８０】
図１５に示すように、Ｚ方向となす角度がγの入射光ＬＢ1は面４０ａの点Ｐを通過し、Ｚ方向となす角度がβの屈折光ＬＢ2として大気６０１の側に射出される。
【０１８１】
有機ＥＬ装置１００では、Ｚ方向となす角度が０度〜βの範囲にある屈折光ＬＢ2を表示光として使用している。換言すれば、有機ＥＬ装置１００では、Ｚ方向となす角度が０度〜βの方向から表示領域Ｅ1を見た場合に、画像の全体を視認することができる。
【０１８２】
入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度γ、及び屈折光ＬＢ2の進行方向とＺ方向とがなす角度βには、スネルの法則から、以下に示す式（１６）の関係が成り立つ。
ｎ1ｓｉｎγ＝ｎ2ｓｉｎβ…（１６）
【０１８３】
よって、入射光ＬＢ1の進行方向とＺ方向とがなす角度γは、以下に示す式（１７）で求めることができる。
γ＝ｓｉｎ-1（（ｎ2／ｎ1）ｓｉｎβ）…（１７）
【０１８４】
側面４０−４が、図１５に示す状態と比べてＸ（＋）方向の側に配置されたと仮定した場合、つまり二点鎖線の位置に側面４０−４が配置されたと仮定した場合、Ｚ方向となす角度がγである入射光ＬＢ1（点Ｋから点Ｐに向かう光ＬＢ1）は、二点鎖線で示された側面４０−４によって遮られる。よって、Ｚ方向となす角度がβの方向から表示領域Ｅ1を見ると、画像の一部が二点鎖線で示された側面４０−４で隠され、画像の全体を視認することが難しい。
【０１８５】
側面４０−４が、図１５に示す状態である場合、または図１５に示す状態と比べてＸ（−）方向の側に配置されたと仮定した場合、Ｚ方向となす角度がγである入射光ＬＢ1は、二点鎖線で示された側面４０−４によって遮られない。よって、Ｚ方向となす角度がβの方向から表示領域Ｅ1を見ると、画像の全体を視認することができる。
【０１８６】
側面４０−４のＺ方向寸法（対向基板４０の板厚）はＬ1であり、入射光ＬＢ1とＺ方向とがなす角度はγであるので、Ｚ方向となす角度が０度〜βの方向から表示領域Ｅ1を見た場合に、屈折光ＬＢ2（表示光）による画像の全体を視認するためには、対向基板４０の額縁幅Ｌ2は、以下に示す式（１８）を満たすことが好ましい。
Ｌ2≧Ｌ1ｔａｎγ…（１８）
【０１８７】
なお、対向基板４０の額縁幅Ｌ2が大きくなりすぎると、有機ＥＬ装置１００の小型化や軽量化の点で好ましくない。よって、画像の全体を視認することができる好ましい対向基板４０の額縁幅Ｌ2は、表示領域Ｅ1の外周の２点を結ぶ線のうち最も長い線の長さＸ3以下、または表示領域Ｅ1の中心ＣＰを通り表示領域Ｅ1の外周を結ぶ線のうち最も長い線の長さＸ3以下であることが好ましい。
【０１８８】
従って、対向基板４０の額縁幅Ｌ2が、以下に示す式（１９）を満たすと、Ｚ方向となす角度が０度〜βの方向から表示領域Ｅ1を見た場合に、画像の全体を視認することができる。
Ｌ1ｔａｎγ≦Ｌ2≦Ｘ3…（１９）
【０１８９】
以上述べたように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の構成によれば、以下に示す効果を得ることができる。
【０１９０】
（１）本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、対向基板４０の面４０ａ上に反射防止層４４が配置されているため、有機ＥＬ素子３０で発せられた入射光ＬＢ1のうち面４０ａで素子基板１０側へ反射される反射光ＬＢ3が低減されるので、表示領域Ｅ1内で反射される光が抑えられる。また、対向基板４０の厚さＬ1が上述した式（１４）を満たすため、対向基板４０の面４０ａにおける光反射率Ｒが５０％を超える場合に、面４０ａで素子基板１０側へ反射された反射光ＬＢ3は、非表示領域Ｅ2に入射するので非表示領域Ｅ2で反射される。そのため、対向基板４０から射出される表示光以外の不必要な光が抑えられるので、表示品位の低下を抑制できる。従って、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、高品位の表示を提供することができる。
【０１９１】
（２）反射防止層４４が誘電体多層膜からなるので、対向基板４０の面４０ａで反射される反射光ＬＢ3を効果的に低減できる。
【０１９２】
（３）反射防止層４４を備えることで面４０ａの法線方向における光反射率Ｒが２％以下に抑えられるので、有機ＥＬ素子３０で発せられた入射光ＬＢ1のうち、その進行方向と面４０ａの法線方向とがなす角度θ1が小さい光であって、表示光以外の不必要な光（ゴースト）となる反射光ＬＢ3を効果的に抑えることができる。
【０１９３】
（４）反射防止層４４を備えていても面４０ａの法線方向における光透過率Ｔが９０％以上であるので、有機ＥＬ素子３０で発せられた入射光ＬＢ1のうち、表示光となる面４０ａの法線方向に沿って射出される光の輝度の低下を抑えることができる。
【０１９４】
（５）対向基板４０の屈折率ｎ1が１．２から１．６の範囲にあるので、有機ＥＬ素子３０で発せられた入射光ＬＢ1を表示光として大気６０１の側に通過（射出）させることができ、素子基板１０に形成された有機ＥＬ素子３０が傷つかないように保護することができる。
【０１９５】
（６）媒質が大気６０１であるので、有機ＥＬ素子３０で発せられた入射光ＬＢ1を表示光として大気６０１の側に射出させることによって、当該表示光による画像を視認することができる。
【０１９６】
（７）表示領域Ｅ1の形状の最も長い対角線の長さＸ3が２５．４ｍｍ以下であるので、好ましい対向基板４０の厚さＬ1の上限値（Ｘ3／（ｔａｎα1））を実用に供する範囲内に収めることができる。
【０１９７】
（８）表示領域Ｅ1の少なくとも一部にはカラーフィルター又はブラックマトリックスが配置されていないので、表示光の輝度の低下や光の利用効率の低下を抑えることができる。
【０１９８】
（実施形態２）
「電子機器」
図１６は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。図１６に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
【０１９９】
表示部１００１には、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００が搭載されている。有機ＥＬ装置１００では、反射層２５や側面４０−１，４０−２，４０−３，４０−４における光の反射による不必要な表示が抑制され、高品位の表示を提供することができる。従って、表示部１００１に上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を搭載することによって、高品位の表示のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。
【０２００】
なお、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に搭載してもよい。
【０２０１】
（侵害物件の特定）
本発明に係る表示装置、及び表示装置を備えた電子機器についての侵害物件の特定は、以下の方法により実施することが可能である。
【０２０２】
（１）侵害の対象とされる物件である表示装置から、透光性の基板（素子基板に対向配置された基板）を反射防止層が配置されたままの状態で取り外し、透光性の基板の反射防止層とは反対側の面に光を入射させて、大気中で光反射率の角度特性を測定する。このとき、透光性の基板の材料（ガラス）の屈折率が既知であることが前提であるが、ガラスの屈折率は、反射防止層を除去した状態の透光性の基板を、例えば分光エリプソメトリー（偏光解析法）や、プリズム形状に加工して屈折角を測定すること、などによって解析することができる。また、光反射率の角度特性を測定する際には、透光性基板の反射防止膜とは反対側から透光性基板の板厚を薄く加工して、測定が容易に行えるようにしてもよい。
【０２０３】
（２）得られた光反射率の角度特性から、光反射率が５０％になる入射光の角度θ1を読み取る。図１７は、上記実施例２の対向基板４０を反射防止層４４が配置されたままの状態で取り外し大気中で測定した光反射率の角度特性を示す図である。図１７において光反射率が５０％になる入射光の角度θ1は、６０度付近であると読み取れる。
【０２０４】
（３）スネルの法則を用いて、透光性の基板の表面における光反射率Ｒが５０％を超える最小の角度α1を計算する。
ｓｉｎθ1＝（透光性の基板の屈折率）×ｓｉｎα1
α1＝ｓｉｎ-1（ｓｉｎθ1／（透光性の基板の屈折率））
ここで、角度θ1を６０度とし、透光性の基板の屈折率を１．４６とすると、
α1＝ｓｉｎ-1（ｓｉｎ６０°／１．４６）≒３６．４°
となり、上記実施形態１の実施例２における角度α1（図１２参照）とほぼ同じ結果が得られる。
【０２０５】
なお、大気中で反射防止層が配置された状態の透光性の基板の光反射率の角度特性を測定するため、透光性の基板の入射側の面（反射防止層とは反対側の面）と大気との界面で入射光の一部が反射されることにより、実施例２における角度α1に多少の誤差が生じる場合がある。この入射光の一部反射に起因する誤差は、計算により除去することが可能であるが、ここではその説明を割愛する。
【０２０６】
（４）表示装置の表示領域の形状の外周をなす辺のうち最も短い辺の長さ（Ｘ1）と、表示領域の形状の対角線のうち最も長い対角線の長さ（Ｘ3）と、透光性の基板の厚さ（Ｌ1）とを測定する。
【０２０７】
（５）上記の測定で得られた値を上記実施形態の式（１４）に代入して、式（１４）の関係が成立するか否かを検証する。式（１４）の関係が成立すれば、対象物件である表示装置は、本発明を侵害しているものと推定することができる。
Ｘ1／（２ｔａｎα1）≦Ｌ1≦Ｘ3／（ｔａｎα1）…（１４）
【０２０８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う表示装置及び当該表示装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。また、上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。変形例としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。
【０２０９】
（変形例１）
上記実施形態では、有機ＥＬ装置１００が遮光層５１を備えた構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。遮光層５１の代わりに遮光性を有する樹脂層を備えた構成であってもよい。
【０２１０】
図１８は、図１４に対応する図面であり、変形例１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図である。本変形例に係る有機ＥＬ装置２００では、実施形態１の有機ＥＬ装置１００における遮光層５１が省略され、非表示領域Ｅ2の少なくとも一部に光を吸収する樹脂層（第２樹脂層４２ｂ）が代わりに配置されている。この点が、本変形例と実施形態１との相違点である。
【０２１１】
図１８に示すように、素子基板１０と対向基板４０との間に配置された樹脂層４２は、透光性を有する第１樹脂層４２ａと、遮光性を有する第２樹脂層４２ｂとで構成される。第１樹脂層４２ａは表示領域Ｅ1に配置され、第２樹脂層４２ｂは非表示領域Ｅ2の少なくとも一部に配置されている。第２樹脂層４２ｂは、光を吸収する樹脂であり、例えば黒色の色材（例えば、顔料）が分散された樹脂である。
【０２１２】
素子基板１０と対向基板４０との間で、非表示領域Ｅ2の少なくとも一部に光を吸収する樹脂（第２樹脂層４２ｂ）が配置されているので、第２樹脂層４２ｂが配置されてない場合と比べて、第２反射層２５ｂによって反射された光が表示領域Ｅ1の側により進行しにくくなり、不必要な表示をより強く抑制することができる。
【０２１３】
（変形例２）
上記実施形態では、反射防止層４４が誘電体多層膜からなる構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。反射防止層４４として、例えば、微細な突起で構成されるモスアイ構造等、他の反射防止構造を採用してもよい。反射防止層４４がモスアイ構造からなる構成の場合にも、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２１４】
（変形例３）
表示領域Ｅ1の形状は、部分的に凹部あるいは凸部を含んでいてもよい。さらに、多角形の表示領域Ｅ1の外周をなす辺は、部分的に曲線を含んでいてもよい。さらに、円形または楕円形の表示領域Ｅ1の外周をなす辺は、部分的に直線を含んでいてもよい。すなわち、表示領域Ｅ1の形状が、実質的に多角形、円形、楕円形と見なすことができる場合、本発明が適用される技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０２１５】
１０…素子基板、１１…基板、１２…走査線、１３…データ線、１４…電源線、１５…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、１８，１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ…サブ画素、１９…画素、２０…画素回路、２１…スイッチング用トランジスター、２２…蓄積容量、２３…駆動用トランジスター、２５…反射層、２５ａ…第１反射層、２５ｂ…第２反射層、２６…光学的距離調整層、２６ａ…第１絶縁膜、２６ｂ…第２絶縁膜、２６ｃ…第３絶縁膜、２８…絶縁膜、２８ＣＴ…開口、３０…有機ＥＬ素子、３０ａ…第１有機ＥＬ素子、３０ｂ…第２有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、３４…封止層、３４ａ…第１封止層、３４ｂ…平坦化層、３４ｃ…第２封止層、４０…対向基板、４２…樹脂層、４４…反射防止層、５１，５２…遮光層、１００，１００Ａ，２００…有機ＥＬ装置、１０３…外部接続用端子、６０１…大気。
【図１】
2017040783.tif 000003
【図２】
2017040783.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
2017040783.tif 000009
【図７Ｂ】
2017040783.tif 000010
【図７Ｃ】
2017040783.tif 000011
【図７Ｄ】
2017040783.tif 000012
【図７Ｅ】
2017040783.tif 000013
【図８Ａ】
2017040783.tif 000014
【図８Ｂ】
2017040783.tif 000015
【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１】
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【図２２】
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