(57)【要約】【課題】シンチレータを分割する際に、シンチレータの構造を維持しつつ、基台の分割される断面に沿ってシンチレータを分割するのに有利な技術を提供する。【解決手段】シンチレータを形成する面に溝を有する支持部材を準備する準備工程と、形成する面及び溝を覆うように支持部材の上にシンチレータを形成する形成工程と、支持部材に対して、溝が広がる方向に力を加えることによって、溝の互いに対向する壁面に沿い、対向する壁面の間を通る平面でシンチレータを分割する分割工程と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シンチレータパネルの製造方法であって、
シンチレータを形成する面に溝を有する支持部材を準備する準備工程と、
前記形成する面及び前記溝を覆うように前記支持部材の上にシンチレータを形成する形成工程と、
前記支持部材に対して、前記溝が広がる方向に力を加えることによって、前記溝の互いに対向する壁面に沿い、前記対向する壁面の間を通る平面で前記シンチレータを分割する分割工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記支持部材は基台を含み、
前記準備工程は、前記基台のうち前記シンチレータを形成する第１の面に溝を形成する工程を含み、
前記シンチレータが、前記第１の面及び前記溝を覆うように形成されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記分割工程の前に、ダイシングテープと、前記基台のうち前記第１の面と反対の第２の面と、を結合するダイシングテープ結合工程を更に含み、
前記分割工程が、前記ダイシングテープを前記第２の面に沿った方向に伸長する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記形成工程の後、前記ダイシングテープ結合工程の前に、前記基台のうち前記第１の面と反対の第２の面を研磨する研磨工程を更に含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記研磨工程が、乾式で行われることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記溝が、ダイシングブレード、レーザー、又は、エッチングによって形成されることを特徴とする請求項２乃至５の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記分割工程の後、前記シンチレータ及び前記基台を覆う保護層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項２乃至６の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記形成工程の前に、前記第１の面の上に絶縁層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項２乃至７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記形成工程の前に、前記第１の面の上に前記シンチレータで放射線から変換された光を反射する反射層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項２乃至７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記形成工程の前に、前記反射層の上に絶縁層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記シンチレータの密着性を高めるために、前記絶縁層の表面にプラズマ処理又はＵＶ処理を行う工程を更に含むことを特徴とする請求項８又は１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記シンチレータの密着性を高めるために、前記反射層の表面にプラズマ処理又はＵＶ処理を行う工程を更に含むことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記形成工程が、前記支持部材の上に前記シンチレータを結晶成長させることを含むこと特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記シンチレータが、柱状構造を有することを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記支持部材は、支持体と、前記支持体の上に配された基台とを含み、
前記基台は、前記溝によって分割されていることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１６】
光を電気信号に変換するセンサの配されたセンサパネルを準備する工程と、
前記センサパネルと請求項１乃至１５の何れか１項に記載の製造方法で製造されたシンチレータパネルとを結合する工程と、
を含むことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
前記結合する工程が、前記センサパネルに前記シンチレータパネルを複数、結合することを特徴とする請求項１６に記載の放射線撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シンチレータパネルの製造方法及び放射線撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線を光に変換するシンチレータと、光を電気信号に変換するセンサが配されたセンサパネルとを含む間接型の放射線撮像装置では、これらのシンチレータとセンサパネルとがコストの多くを占める。シンチレータは、一部にでも欠陥があると他の部分が正常であっても廃棄される可能性があり、歩留まりの低下及び高コスト化の要因の一つとなりうる。
【０００３】
特許文献１及び特許文献２には、大型の基台上にシンチレータを形成したシンチレータパネルを、小型のシンチレータパネルに分割することが示されている。大型のシンチレータパネルを小型のシンチレータパネルに分割し、欠陥のない小型のシンチレータパネルのみをセンサパネル上に配することによって、シンチレータの正常な部分を有効活用できる。シンチレータを有効活用することによって、シンチレータパネルの製造歩留まりが向上し、放射線撮像装置のコストを抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１７２９７２号公報
【特許文献２】特開２００８−２１３０４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、レーザーアブレーションによってシンチレータの形成された基台にマイクロクラックを形成する。このマイクロクラックを起点に基台を分割することによって、基台上に形成されたシンチレータが分割されるシンチレータパネルの分割手法が示されている。しかしながら、特許文献１の方法では、マイクロクラックは基台のみに形成されシンチレータには形成されないため、分割の際、基台の分割された断面に沿ってシンチレータが分割されない可能性がある。特許文献１には、ブレードによってシンチレータパネルを分割する手法も示されているが、直接ブレードをシンチレータに当てるため、シンチレータの外周部が破壊されてしまい、外周部の形状が凸凹になる可能性がある。
【０００６】
また、特許文献１及び特許文献２には、レーザーによってシンチレータパネルを分割することが示されている。レーザーを用いる場合、外周部の凸凹は抑制できる。しかしながら、レーザーを用いた分割では、シンチレータの外周部が融解するため、ＣｓＩ：Ｔｌなどの柱状構造を有するシンチレータを用いた場合、柱状構造が破壊される可能性がある。
【０００７】
本発明は、シンチレータを分割する際に、シンチレータの構造を維持しつつ、基台の分割される断面に沿ってシンチレータを分割するのに有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題に鑑みて、本発明の一部の実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、シンチレータを形成する面に溝を有する支持部材を準備する準備工程と、形成する面及び溝を覆うように支持部材の上にシンチレータを形成する形成工程と、支持部材に対して、溝が広がる方向に力を加えることによって、溝の互いに対向する壁面に沿い、対向する壁面の間を通る平面でシンチレータを分割する分割工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
上記手段により、シンチレータを分割する際に、シンチレータの構造を維持しつつ、基台の分割される断面に沿ってシンチレータを分割するのに有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法を示す工程図。
【図２】本発明のシンチレータを形成した基台の溝付近の拡大図。
【図３】本発明のシンチレータパネルを用いた放射線撮像装置の構成を示す図。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法を示す工程図。
【図５】図３の放射線撮像装置の構成の変形例を示す図。
【図６】本発明の支持部材の変形例を示す図。
【図７】本発明に係るシンチレータパネルを用いた放射線撮像システムの構成例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に係るシンチレータパネルの製造方法の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下の説明及び図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。本発明において、光は可視光及び赤外線を含みうる。また、放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども含みうる。
【００１２】
第１の実施形態
図１〜３を参照して、本発明の実施形態によるシンチレータパネルの製造方法を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態におけるシンチレータパネル１００の製造方法を示す工程図である。シンチレータを形成するための表面に溝を有する支持部材を準備する準備工程として、まず、図１（ａ）に示すように、支持部材として基台１０１を準備する。基台１０１は、後述するようにシンチレータパネル１００の支持基板として機能する。基台１０１は、放射線透過率が高く、後述するエキスパンド工程によって分割することが可能であれば、任意の材料を用いることができる。基台１０１に用いる材料として、例えばアルミニウムやモリブデンなどの金属材料、シリコン、樹脂、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）、アモルファスカーボンなどがある。本実施形態において、基台１０１に、シリコンウェーハを用いる。
【００１３】
この基台１０１のシンチレータを形成する表面に、図１（ｂ）に示すように溝１０２を形成する。ここで、溝１０２の深さは基台１０１の厚さよりも浅く、基台１０１を分割しないハーフカットである。基台１０１にハーフカットの溝１０２を形成する方法として、本実施形態においてダイシングブレード１２０を用いる。しかしながら、溝１０２を形成する方法は、ダイシングブレードを用いる方法に限られるわけではなく、例えばレーザーやエッチングなどを用いて形成してもよい。
【００１４】
次いで、図１（ｃ）に示すように、溝１０２を形成した基台１０１の上に、シンチレータ１０３を形成する形成工程を行う。シンチレータ１０３として、粒子状のシンチレータと柱状のシンチレータとの何れを用いてもよい。粒子状のシンチレータとして、例えば、テルビウムが微量添加されたＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂが用いられうる。また、柱状の構造を有するシンチレータとして、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌ、ＮａＩ：Ｔｌ、ＬｉＩ：Ｅｕ、ＫＩ：Ｔｌなどが用いられうる。柱状構造のシンチレータは、例えば蒸着法などを用いて基台１０１上に形成されうる。本実施形態において、溝１０２を形成した基台１０１の上に、基台１０１の表面及び溝１０２を覆うように、シンチレータ１０３としてＣｓＩ：Ｔｌを蒸着法によって形成する。図２に、基台１０１の上にシンチレータ１０３を形成したときの、溝１０２付近の四角Ａで囲まれた部分の拡大図を示す。図２に示されるように、溝１０２の上の部分では、柱状構造を有するシンチレータ１０３が予め分割して結晶成長することが確認できる。溝１０２の上に形成される分割起点１２１によって、個々のシンチレータパネル１００に分割する際、基台１０１の断面に沿って、溝１０２の互いに対向する壁面に沿って、対向する壁面の間を通る平面で分割することが可能となる。また、溝１０２の上に形成される分割起点１２１によって、シンチレータ１０３の断面での凸凹の発生を抑制することが可能となる。
【００１５】
シンチレータ１０３を形成する前に、シンチレータで生じる光を反射する反射層１１０や、反射層１１０及び基台１０１とシンチレータ１０３との間の電気化学的腐食を防止するための絶縁層１１１を形成してもよい。反射層１１０又は絶縁層１１１の何れか一方のみを形成してもよいし、図１（ｃ’）に示すように反射層１１０と絶縁層１１１との積層構造を形成してもよい。反射層１１０には、アルミニウムや銀などの金属膜やＴｉＯ２などの誘電体膜が、例えばスパッタ法などを用いて形成されうる。また、絶縁層１１１には、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの有機絶縁材料や、ＳｉＯ２などの無機材料が用いられうる。反射層１１０及び絶縁層１１１と、溝１０２とを形成する順番は、図１（ｃ’）に示すように、反射層１１０及び絶縁層１１１を形成後に溝１０２を形成してもよいし、溝１０２の形成後に反射層１１０及び絶縁層１１１を形成してもよい。溝１０２の形成後に反射層１１０や絶縁層１１１を形成する場合、溝１０２が埋まってしまわないように反射層１１０及び絶縁層１１１形成すればよい。また、反射層１１０や絶縁層１１１に対するシンチレータ１０３の密着性を高めるために、シンチレータ１０３と接する反射層１１０又は絶縁層１１１の表面にプラズマ処理やエキシマＵＶ処理などの、表面処理を行ってもよい。
【００１６】
次に図１（ｄ）に示すように、基台１０１のシンチレータ１０３の形成された面と反対の面である裏面をダイシングテープ１０４に固定するダイシングテープ結合工程を行う。ダイシングテープ１０４は、紫外線や熱などによって粘着力が低下するタイプであるとよい。このようなタイプのダイシングテープとして、例えばリンテック株式会社製Ａｄｗｉｌｌ  Ｄ−ｓｅｒｉｅｓなどを用いてもよい。
【００１７】
基台１０１をダイシングテープ１０４に結合させた後、図１（ｅ）に示すように、基台１０１に対して溝１０２が広がる方向に力が加わるように、ダイシングテープ１０４を基台１０１の裏面に沿った方向１０５に伸長する分割工程を行う。ダイシングテープ１０４を伸長（エキスパンド）させることによって、基台１０１は、基台１０１の表面と交差し、溝１０２を通る平面で分割される。また、基台１０１が分割することによって、図２に示すように溝１０２の上の部分で分割起点１２１から予め分割して成長したシンチレータ１０３が、溝１０２の互いに対向する壁面に沿って対向する壁面の間を通る平面で分割される。このようにして、支持基板として機能する基台１０１上にシンチレータ１０３が配されたシンチレータパネル１００が形成される。例えば紫外線によって粘着力の低下するダイシングテープ１０４を用いた場合、分割した後に紫外線の照射を行いダイシングテープ１０４の粘着性を失わせた上で、それぞれのシンチレータパネル１００をピックアップする。
【００１８】
シンチレータパネル１００をダイシングテープ１０４から剥離した後、図１（ｆ）に示すように、シンチレータ１０３を覆う保護層１０６を形成してもよい。ＣｓＩ：Ｔｌなど潮解性を有する材料によってシンチレータ１０３を形成した場合、シンチレータ１０３が水分に触れ続けると柱状構造が崩れ、結果として特性が劣化する。この特性の劣化を防止するために、シンチレータ１０３を覆う保護層１０６を形成する。保護層１０６は、少なくともシンチレータ１０３を覆い、図１（ｆ）に示すように基台１０１を覆っていてもよい。また、保護層１０６は、基台１０１を覆っていなくてもよい。保護層１０６に用いる材料として、ポリパラキシリレン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂などの有機材料や、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ポリアミド系などのホットメルト樹脂材料などを用いてよい。保護層１０６に用いる材料は、水分透過率の低い材料であるとよい。また、保護層１０６に覆われたシンチレータパネル１００をセンサアレイ上に隙間なく並べるために、保護層１０６の厚さをできるだけ薄くする必要がある。このため、例えばＣＶＤ法で形成する厚さ数μｍ程度のポリパラキシリレン樹脂や、スプレーコート法で形成する厚さ数μｍ程度のフッ素樹脂などが用いられうる。
【００１９】
ここで、本実施形態の効果について説明する。本実施形態において、基台１０１の表面に溝１０２を形成した後、シンチレータ１０３を形成する。これによって、図２に示されるように、溝１０２の上の部分では、分割起点１２１を起点として柱状のシンチレータ１０３が予め分割して結晶成長するので、基台１０１を分離する際に、基台１０１の断面に沿って、シンチレータ１０３を分割することが可能となる。また、シンチレータ１０３に例えばダイシングブレードを直接当てて分割しないため、シンチレータ１０３の外周部での破壊が抑制され、断面の凹凸の発生が抑制される。このため、シンチレータ１０３の外周部での、凸凹によって発生する輝度のばらつきが抑制されうる。また、レーザーを用いる分割の手法と異なり、シンチレータ１０３の外周部が融解することによる特性の変化や、柱状構造の破壊が起きない。このため、シンチレータの外周部での輝度ばらつきやＭＴＦの劣化など、特性の劣化が抑制されうる。これらの結果、個々のシンチレータパネル１００に分割する際に、シンチレータ１０３の構造を維持し、基台１０１の分割される断面に沿ってシンチレータ１０３を分割することが可能となる。
【００２０】
次に、本実施形態によって製造されたシンチレータパネル１００を用いた放射線撮像装置３００の構成を図３に示す。放射線撮像装置３００は、複数の小型の光電変換基板２０３が支持基板２０１上に固定材２０２を介して並べられた、光を電気信号に変換するセンサパネル２００を有する。光電変換基板２０３には、例えば結晶シリコンを用いたＣＭＯＳセンサや、非晶質シリコンを用いたＰＩＮ型センサやＭＩＳ型センサが形成されている。複数のシンチレータパネル１００が、それぞれシンチレータ１０３と光電変換基板２０３とが互いに対向し、光電変換基板２０３の有効画素領域を覆うように配される。シンチレータパネル１００とセンサパネル２００とは、例えば粘着剤（不図示）を用いて結合される。必要に応じて、水分の侵入を防ぐ封止材（不図示）を、それぞれのシンチレータパネル１００の周囲や放射線撮像装置３００のシンチレータパネル１００の配された表面に塗布してもよい。このようにして、本実施形態のシンチレータパネル１００を用いた放射線撮像装置３００が構成される。放射線撮像装置３００に放射線を曝射し、撮像画像をディスプレイ上に表示した際にそれぞれのシンチレータパネル１００間で出力が変化している場合、例えば画像処理などを用いて撮像画像を任意の方法で調整してもよい。
【００２１】
第２の実施形態
図４、５を参照して、本発明の実施形態によるシンチレータパネルの製造方法を説明する。図４は、本発明の第２の実施形態におけるシンチレータパネル１００の製造方法を示す工程図である。本実施形態において、シンチレータ１０３を形成した基台１０１の分割に、先ダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ  Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ：ＤＢＧ）プロセスを用いる点で、上述の第１の実施形態と異なる。これ以外の工程は、第１の実施形態と同じであってよい。
【００２２】
上述した図１（ａ）〜（ｃ）と同様の工程を用いて、図４（ａ）に示すように、溝１０２を形成した基台１０１の上にシンチレータ１０３を形成した後、ＤＢＧプロセスを行う。まず、図４（ｂ）に示すように、ダイシングテープ１０７をシンチレータ１０３の表面に貼り合わせる。シンチレータ１０３の形成された基台１０１をダイシングテープ１０７で固定した後、基台１０１の裏面にバックグラインドブレード１０８を当て、バックグラインドブレード１０８を基台１０１の裏面と平行な面１０９で回転させる。これによって、基台１０１の裏面が研磨される研磨工程を行う。図４（ｃ）に示すように、基台１０１の裏面の研磨は、ハーフカットされた溝１０２が基台１０１の裏面側に露出するまで行われうる。溝１０２が裏面に露出することによって、基台１０１が分割される。
【００２３】
ここで、ＤＢＧプロセスに用いるダイシングテープ１０７は、ＤＢＧプロセス専用のテープであるとよい。このようなダイシングテープとして、例えばリンテック株式会社製Ａｄｗｉｌｌ  Ｅ−ｓｅｒｉｅｓなどを用いてもよい。また、基台１０１の裏面を研磨する際、まず研磨剤の粒度の粗いバックグラインドブレード１０８を用いて所定の厚さ近傍まで研磨し、その後、研磨剤の粒度の細かいバックグラインドブレード１０８を用いて研磨面の平面性を確保してもよい。また、シンチレータ１０３がＣｓＩ：Ｔｌのように潮解性を有するシンチレータの場合、基台１０１の裏面を研磨する工程は乾式で行われうる。
【００２４】
次いで、図４（ｄ）に示すように、ダイシングテープ１０４を基台１０１の裏面に貼り合わせるダイシングテープ結合工程を行う。シンチレータ１０３の表面に張り合わされたダイシングテープ１０７を除去した後、ダイシングテープ１０４を基台１０１の裏面と平行な方向１０５に伸長（エキスパンド）させる。このようにＤＢＧプロセスを用いて、図４（ｅ）に示すように、基台１０１上にシンチレータ１０３が配されたシンチレータパネル１００が形成される。図４（ｆ）に示すように、シンチレータ１０３が潮解性を示す場合、上述した第１の実施形態と同様に、シンチレータ１０３を覆う保護層１０６を形成してもよい。
【００２５】
本実施形態においても、基台１０１の表面に溝１０２を形成した後、シンチレータ１０３を形成する。これによって、溝１０２の上の部分では、分割起点１２１を起点として柱状のシンチレータ１０３が予め分割して成長する。本実施形態の製造方法によっても、上述の第１の実施形態と同様に、個々のシンチレータパネル１００に分割する際に、シンチレータ１０３の構造を維持し、基台１０１の分割される断面に沿ってシンチレータ１０３を分割することが可能となる。
【００２６】
次に、本実施形態によって製造されたシンチレータパネル１００を用いた放射線撮像装置３０１の構成を図５に示す。放射線撮像装置３０１は、１枚の大型の光電変換素子２０４が支持基板２０１上に固定材２０２を介して配された、光を電気信号に変換するセンサパネル２１０を有する。光電変換素子２０４には、例えば結晶シリコンを用いたＣＭＯＳセンサや、非晶質シリコンを用いたＰＩＮ型センサやＭＩＳ型センサが形成されている。複数のシンチレータパネル１００が、それぞれシンチレータ１０３と光電変換素子２０４とが互いに対向し、光電変換素子２０４の有効画素領域を覆うように配される。シンチレータパネル１００とセンサパネル２１０とは、例えば粘着剤（不図示）を用いて結合される。必要に応じて、水分の侵入を防ぐ封止材（不図示）を、それぞれのシンチレータパネル１００の周囲や放射線撮像装置３０１のシンチレータパネル１００の配された表面に塗布してもよい。このようにして、シンチレータパネル１００を用いた放射線撮像装置３０１が構成される。
【００２７】
以上、本発明に係る実施形態を２形態示したが、本発明はそれらの実施形態に限定されるものではない。上述した各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。例えば、ＤＢＧプロセスを用いて形成されたシンチレータパネル１００を、複数の小型の光電変換基板２０３が支持基板２０１上に固定材２０２を介して並べられたセンサパネル２００の上に配してもよい。
【００２８】
また、上述の実施形態では、シンチレータを形成するための支持部材として基台１０１を用い、基台１０１をハーフカットすることによって溝１０２を形成した。しかしながら、溝１０２の形成方法はこれに限られるものではない。例えば、溝１０２を有する支持部材として、図６に示すようにシンチレータパネル１００の支持基板となる基台１０１と、支持体６０１とを積層した積層構造の支持部材を用いてもよい。この場合、支持体６０１上の基台１０１の側から、例えばダイシングブレードなどを用いて支持部材に溝１０２を形成してもよい。このとき基台１０１は、溝１０２によって分割されていてもよい。また、例えば支持体６０１上に間隔を開けて複数の小型の基台１０１を配することによって、互いに隣接する小型の基台１０１の間の隙間が溝１０２となる支持部材を用いてもよい。溝１０２の形成された積層構造の支持部材上にシンチレータ１０３を形成する。次いで、例えばシンチレータ１０３の表面にダイシングテープを貼り合わせ、支持体６０１を取り除いた後、基台１０１のシンチレータ１０３と反対の裏面に別のダイシングテープを貼り合わせる。シンチレータ１０３の表面のダイシングテープを取り除いた後、基台１０１の裏面のダイシングテープを伸長（エキスパンド）し、シンチレータパネル１００を形成してもよい。また、支持体６０１に伸長性がある場合、シンチレータ１０３の形成後、支持体６０１を直接伸長させて、シンチレータパネル１００を形成してもよい。
【００２９】
以下、図７を参照しながら本実施形態のシンチレータパネル１００を用いた放射線撮像装置３００、３０１の放射線撮像システム７００への応用例を示す。図７は、放射線撮像システム７００の概念図である。放射線撮像システム７００は、上述の放射線撮像装置３００又は３０１、信号処理部７０１、表示部７０２、Ｃ型アーム７０３及び放射線を発生する放射線発生装置７０４を含む。放射線撮像装置３００又は３０１及び放射線発生装置７０４が、Ｃ型アーム７０３の両端に固定されている。放射線撮像システム７００は、Ｃ型アーム７０３を回転させることによって、照射角度を変えながら放射線撮影（３Ｄ撮影）を行いうる。放射線撮像装置３００又は３０１で得られた撮像画像データは、例えばケーブルなどを介して信号処理部７０１に出力される。信号処理部７０１は、撮像画像データに基づいて三次元の放射線撮像画像を形成し、表示部７０２に表示させる。また、信号処理部７０１で画像処理によって生成された撮像画像データは、電話回線等の伝送処理部によって遠隔地へ転送することができる。それによって、ドクタールームなどの別の場所でディスプレイに表示もしくは光ディスク等の記録媒体に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、伝送された画像データをフィルムプロセッサによってフィルムとして記録することもできる。
【符号の説明】
【００３０】
１００：シンチレータパネル、１０１：基台、１０２：溝、１０３：シンチレータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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