(57)【要約】【課題】吐出ヘッドの複数のノズルから液状体を液滴として配置領域に位置精度よく配置可能な液滴吐出方法を提供すること。【解決手段】本発明の液滴吐出方法は、複数のノズル５２から液滴９０の吐出を行う第１吐出工程と、第１吐出工程において複数のノズル５２から検査媒体に吐出された液滴９０の各々の着弾位置を取得する工程と、着弾位置の補正量を算出する工程と、着弾位置の補正量に基づいて、複数のノズル５２の吐出タイミングを変更する工程と、吐出ヘッドと基体とを、吐出タイミングを変更する工程で変更した吐出タイミングで複数のノズル５２から配置領域に液滴９０を吐出する第２吐出工程と、を有し、着弾位置の補正量を算出する工程において、各々の着弾位置から算出された代表着弾点の位置が走査方向において一致するように、補正量を算出することを特徴とする。【選択図】図２３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のノズルを有する吐出ヘッドと基体とを走査方向に相対的に移動させる走査を行いながら、前記複数のノズルから液滴を吐出することにより前記基体に液状体を供給する液滴吐出方法であって、
前記吐出ヘッドと検査媒体とを、所定の間隔で対向配置して前記走査を行いながら、予め設定された吐出タイミングで前記複数のノズルから前記液滴の吐出を行う第１吐出工程と、
前記第１吐出工程において前記複数のノズルの各々から前記検査媒体に吐出された前記液滴の各々の着弾位置を取得する工程と、
前記着弾位置の補正量を算出する工程と、
前記着弾位置の前記補正量に基づいて、前記複数のノズルの各々の前記吐出タイミングを変更する工程と、
前記吐出ヘッドと前記基体とを、前記所定の間隔で対向配置して前記走査を行いながら、前記吐出タイミングを変更する工程で変更した吐出タイミングで前記複数のノズルから前記基体に設けられた配置領域に前記液滴を吐出する第２吐出工程と、を有し、
前記着弾位置の補正量を算出する工程において、前記各々の着弾位置から算出された代表着弾点の位置が前記走査方向において一致するように、前記補正量を算出することを特徴とする液滴吐出方法。
【請求項２】
前記液滴は、主滴と、サテライトと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の液滴吐出方法。
【請求項３】
前記代表着弾点は、前記走査方向における前記サテライトの中心、或いは前記走査方向における前記主滴の中心、或いは前記走査方向における前記サテライトの中心と前記主滴の中心との中点であることを特徴とする請求項２に記載の液滴吐出方法。
【請求項４】
前記代表着弾点は、前記各々の着弾位置の前記走査方向における前方端部、或いは後方端部であることを特徴とする請求項１または２に記載の液滴吐出方法。
【請求項５】
前記第１吐出工程において、少なくとも２つの走査速度での吐出を行い、前記着弾位置を取得する工程において、前記２つの走査速度での吐出の各々における前記着弾位置を取得し、
前記着弾位置の補正量を算出する工程では、前記２つの走査速度での吐出の各々における前記補正量を算出し、
前記吐出タイミングを変更する工程において、前記２つの走査速度から選択した走査速度に応じた前記補正量に基づいて前記吐出タイミングの変更を行い、
前記第２吐出工程において、前記選択した走査速度で前記走査を行いながら前記液滴を吐出することを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の液滴吐出方法。
【請求項６】
前記吐出タイミングを変更する工程において、前記吐出ヘッドを駆動させる駆動波形を変更するステップを含むことを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の液滴吐出方法。
【請求項７】
前記第１吐出工程では、前記走査における往動と復動とに分けて前記配置領域に前記液滴を吐出することを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の液滴吐出方法。
【請求項８】
前記吐出タイミングを変更する工程では、液滴吐出データ内の着弾位置データを修正するステップを含むことを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の液滴吐出方法。
【請求項９】
前記補正量を算出する工程では、前記走査方向において、前記代表着弾点の位置が、前記配置領域に含まれるように、前記複数のノズルごとに前記補正値を算出することを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の液滴吐出方法。
【請求項１０】
前記補正量を算出する工程では、前記走査方向において、前記代表着弾点の位置が、前記配置領域の端部の位置と一致するように、前記複数のノズルごとに前記補正値を算出することを特徴とする請求項４に記載の液滴吐出方法。
【請求項１１】
前記補正量を算出する工程では、前記走査方向において、前記代表着弾点の位置が、前記走査方向に隣り合う前記配置領域の間の予め設定された領域内となるように、前記複数のノズルごとに前記補正値を算出することを特徴とする請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の液滴吐出方法。
【請求項１２】
前記走査方向に隣り合う前記配置領域の間には、前記配置領域を区画する隔壁が設けられ、前記隔壁上に前記主滴または前記サテライトが着弾したときの濡れ広がりを考慮して、前記複数のノズルごとに前記補正値を算出することを特徴とする請求項１１に記載の液滴吐出方法。
【請求項１３】
複数のノズルを有する吐出ヘッドと基体とを対向配置して相対的に移動させる走査を行い、前記基体に設けられた少なくとも一つの配置領域に、前記ノズルから液状体を液滴として吐出する動作の制御をコンピューターに実行させる液滴吐出プログラムであって、
請求項１から請求項１２までの何れか一項に記載の液滴吐出方法を実行するステップを有する液滴吐出プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出方法および液滴吐出プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
吐出対象物である例えば基体に対して、インクジェットヘッドの複数のノズルから機能性材料を含む液状体（あるいはインク）を液滴として基体の配置領域に吐出した後に、乾燥（固化）して配置領域に薄膜を形成するインクジェット法（あるいは液滴吐出法とも言われる）が知られている。このような薄膜の代表的な例としては、薄型の表示デバイスである、液晶表示パネルのカラーフィルターや有機ＥＬパネルの発光層、半導体デバイスの半導体層や金属配線などが挙げられる。
【０００３】
インクジェット法では、所定量の液状体（あるいはインク）を位置精度よく基体上の目標とする配置領域に吐出して、乾燥後に所望の膜厚を有する薄膜を形成することが求められる。インクジェットヘッドの複数のノズルから吐出される液滴が、基体上に着弾する位置（着弾位置）は必ずしも一定ではなく、ばらつきを有していることから、ノズル間の着弾位置のばらつきを抑える工夫が提案されている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、記録ヘッドと記録媒体とを相対的に移動させてインクを吐出したときのインクの記録位置を測定し、インクの記録位置の間隔に基づいて吐出されたインクの射出速度を算出し、算出した射出速度に基づいて、各ノズルの吐出タイミングを補正するインクジェット記録装置が提案されている。
また、インクの記録位置の間隔をより明確にするため、記録ヘッドと記録媒体との相対移動における移動速度を異ならせて、同一吐出位置にインクを吐出し、インクの記録位置の間隔に基づいてインクの射出速度を算出することも提案されている。
【０００５】
また、例えば、特許文献２には、ノズルごとに駆動波形を調整し、ノズル間の吐出速度のばらつきを抑えることによって、着弾位置のばらつきを低減するインクの吐出方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３０１９３号公報
【特許文献２】特開２００９−２７４０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、インクジェットヘッドのノズルからインクを液滴として吐出した際には、液滴は尾を引いた状態、或いは尾の部分が分離してサテライトとよばれる微小な液滴が発生した状態で基体に向けて飛翔する。この場合、インクジェットヘッドと基体とが相対的に移動しているため、液滴が基体に着弾した際の平面視における着弾形状が、走査方向に歪んだ形状となることがある。また、サテライトが発生した際には、サテライトの着弾位置が、主滴の着弾位置からずれることがある。
【０００８】
上記の特許文献１に記載のインクジェット記録装置、および特許文献２に記載のインクの吐出方法では、上記で説明した着弾形状の歪み、あるいはサテライトを含めて液滴の着弾位置を補正することが考慮されていない。そのため、例えば、タクトタイムを短縮する目的で、インクジェットヘッドと基体との相対移動における移動速度を速くした場合には、着弾形状の歪み、あるいは、主滴の着弾位置とサテライトの着弾位置とのずれ量が大きくなり、配置領域内に正確に液滴を着弾させることが困難となる。ノズルから吐出された液滴の一部（サテライトが発生した場合はサテライトを含む）が、隣接する配置領域に配置されている液状体（例えばインク）と混じり合って混液が発生したり、塗布むらが生じたりするという課題があった。
さらに、上記の特許文献２のノズルごとに駆動波形を調整する方法は、調整が煩雑であったり、ノズルごとに駆動波形を調整するための制御回路が必要となったりするという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例１］本適用例に係る液滴吐出方法は、複数のノズルを有する吐出ヘッドと基体とを走査方向に相対的に移動させる走査を行いながら、前記複数のノズルから液滴を吐出することにより前記基体に液状体を供給する液滴吐出方法であって、前記吐出ヘッドと検査媒体とを、所定の間隔で対向配置して前記走査を行いながら、予め設定された吐出タイミングで前記複数のノズルから前記液滴の吐出を行う第１吐出工程と、前記第１吐出工程において前記複数のノズルの各々から前記検査媒体に吐出された前記液滴の各々の着弾位置を取得する工程と、前記着弾位置の補正量を算出する工程と、前記着弾位置の前記補正量に基づいて、前記複数のノズルの各々の前記吐出タイミングを変更する工程と、前記吐出ヘッドと前記基体とを、前記所定の間隔で対向配置して前記走査を行いながら、前記吐出タイミングを変更する工程で変更した吐出タイミングで前記複数のノズルから前記基体に設けられた配置領域に前記液滴を吐出する第２吐出工程と、を有し、前記着弾位置の補正量を算出する工程において、前記各々の着弾位置から算出された代表着弾点の位置が前記走査方向において一致するように、前記補正量を算出することを特徴とする。
【００１１】
この方法によれば、複数のノズルから吐出された液滴の各々の代表着弾点が一致するように吐出タイミングを変更し、変更された吐出タイミングで選択されたノズルから液滴を吐出することにより、液滴が配置領域外に着弾することを低減できる。その結果、配置領域において液滴を位置精度よく着弾させ、配置領域における混液や塗布むらを低減させることができる。
【００１２】
［適用例２］上記適用例に係る液滴吐出方法において、前記液滴は、主滴と、サテライトと、を含むことを特徴とする。
【００１３】
この方法によれば、主滴だけでなく、サテライトについても、基体設けられた配置領域外に着弾することを低減できる。その結果、配置領域において液滴を位置精度よく着弾させ、配置領域における混液や塗布むらを低減させることができる。
【００１４】
［適用例３］上記適用例に係る液滴吐出方法において、前記代表着弾点は、前記走査方向における前記サテライトの中心、或いは前記走査方向における前記主滴の中心、或いは前記走査方向における前記サテライトの中心と前記主滴の中心との中点であることを特徴とする。
【００１５】
この方法によれば、複数のノズルから吐出された液滴の走査方向におけるサテライトの中心、或いは走査方向における主滴の中心、或いは走査方向におけるサテライトの中心と主滴の中心との中点を一致するように吐出タイミングを変更し、変更された吐出タイミングで選択されたノズルから液滴を吐出することによって、主滴、およびサテライトが配置領域外に着弾することを低減できる。その結果、配置領域において液滴を位置精度よく着弾させ、配置領域における混液や塗布むらを低減させることができる。
【００１６】
［適用例４］上記適用例に係る液滴吐出方法において、前記代表着弾点は、前記各々の着弾位置の前記走査方向における前方端部、或いは後方端部であることを特徴とする。
【００１７】
この方法によれば、複数のノズルから吐出された液滴の各々の着弾位置の走査方向における前方端部、或いは後方端部を一致するように吐出タイミングを変更し、変更された吐出タイミングで選択されたノズルから液滴を吐出することによって、液滴の各々における液滴端部と配置領域端部との距離のばらつきを低減でき、液滴が配置領域外に着弾することを低減できる。その結果、基体において液滴を位置精度よく着弾させ、配置領域における混液や塗布むらを低減させることができる。
【００１８】
［適用例５］上記適用例に係る液滴吐出方法において、前記第１吐出工程において、少なくとも２つの走査速度での吐出を行い、前記着弾位置を取得する工程において、前記２つの走査速度での吐出の各々における前記着弾位置を取得し、前記着弾位置の補正量を算出する工程では、前記２つの走査速度での吐出の各々における前記補正量を算出し、前記吐出タイミングを変更する工程において、前記２つの走査速度から選択した走査速度に応じた前記補正量に基づいて前記吐出タイミングの変更を行い、前記第２吐出工程において、前記選択した走査速度で前記走査を行いながら前記液滴を吐出することを特徴とする。
【００１９】
主滴およびサテライトの着弾位置は、走査速度に応じて変化する。そのため、この方法によれば、少なくとも２つの走査速度から算出される主滴およびサテライトの着弾位置の補正量を予め求めることにより、走査速度の変更に対応して液滴を配置領域に着弾させることができる。
【００２０】
［適用例６］上記適用例に係る液滴吐出方法において、前記吐出タイミングを変更する工程において、前記吐出ヘッドを駆動させる駆動波形を変更するステップを含むことを特徴とする。
【００２１】
この方法によれば、吐出タイミングの変更によって液滴の吐出量が変化する場合には、駆動波形を変更することによって、ねらいの吐出量で液滴を吐出することができる。
【００２２】
［適用例７］上記適用例に係る液滴吐出方法において、前記第１吐出工程では、前記走査における往動と復動とに分けて前記配置領域に前記液滴を吐出することを特徴とする。
【００２３】
この方法によれば、第１吐出工程では、走査における往動と復動とに分けて液滴を吐出するので、液滴の着弾位置の補正量を算出する工程では、往動と復動とに対応した液滴の着弾位置の補正量を得ることができる。よって、第２吐出工程では、走査における往動と復動とに対応して吐出タイミングを変更することで、液滴を位置精度よく着弾させることができる。
【００２４】
［適用例８］上記適用例に係る液滴吐出方法において、前記吐出タイミングを変更する工程では、液滴吐出データ内の着弾位置データを修正するステップを含むことを特徴とする。
【００２５】
この方法によれば、着弾位置データの追加、削除、変更を自由に行うことができ、これらデータの管理が容易となる。
【００２６】
［適用例９］上記適用例に係る液滴吐出方法において、前記補正量を算出する工程では、前記走査方向において、前記代表着弾点の位置が、前記配置領域に含まれるように、前記複数のノズルごとに前記補正値を算出することを特徴とする。
【００２７】
この方法によれば、主滴およびサテライトを、基体に設けられた配置領域に確実に着弾させることができ、液滴が配置領域外にはみ出すことを低減できる。
【００２８】
［適用例１０］上記適用例に係る液滴吐出方法において、前記補正量を算出する工程では、前記走査方向において、前記代表着弾点の位置が、前記配置領域の端部の位置と一致するように、前記複数のノズルごとに前記補正値を算出することを特徴とする。
【００２９】
この方法によれば、主滴およびサテライトを、基体に設けられた配置領域に確実に着弾させることができ、液滴が配置領域外にはみ出すことを低減できる。
【００３０】
［適用例１１］上記適用例に係る液滴吐出方法において、前記補正量を算出する工程では、前記走査方向において、前記代表着弾点の位置が、前記走査方向に隣り合う前記配置領域の間の予め設定された領域内となるように、前記複数のノズルごとに前記補正値を算出することを特徴とする。
【００３１】
この方法によれば、走査方向に隣り合う配置領域のそれぞれにおいて混液が生じないように液滴を着弾させることができる。
【００３２】
［適用例１２］上記適用例に係る液滴吐出方法において、前記走査方向に隣り合う前記配置領域の間には、前記配置領域を区画する隔壁が設けられ、前記隔壁上に前記主滴または前記サテライトが着弾したときの濡れ広がりを考慮して、前記複数のノズルごとに前記補正値を算出することを特徴とする。
【００３３】
この方法によれば、隔壁に着弾した後の主滴およびサテライトの濡れ広がりが考慮されているため、走査方向に隣り合う配置領域のそれぞれにおいて確実に混液が生じないように液滴を着弾させることができる。
【００３４】
［適用例１３］本適用例に係る液滴吐出プログラムは、複数のノズルを有する吐出ヘッドと基体とを対向配置して相対的に移動させる走査を行い、前記基体に設けられた少なくとも一つの配置領域に、前記ノズルから液状体を液滴として吐出する動作の制御をコンピューターに実行させるプログラムであって、上記に記載の液滴吐出方法を実行するステップを有することを特徴とする。
【００３５】
この液滴吐出プログラムによれば、複数のノズルから吐出された液滴の各々の代表着弾点が一致するように吐出タイミングを変更し、変更された吐出タイミングで選択されたノズルから液滴を吐出する動作の制御をコンピューターに実行させることにより、主滴およびサテライトが基体に設けられた配置領域外に着弾することを低減できる。その結果、基体において液滴を位置精度よく着弾させ、配置領域における混液や塗布むらを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】液滴吐出装置の構成を示す概略斜視図。
【図２】インクジェットヘッドの構成を示す概略斜視図。
【図３】インクジェットヘッドのノズル面における複数のノズルの配置状態を示す平面図。
【図４】ヘッドユニットにおけるインクジェットヘッドの配置を示す概略平面図。
【図５】液滴吐出装置の電気的および機械的な構成を示すブロック図。
【図６】インクジェットヘッドの電気的な制御を示すブロック図。
【図７】駆動信号および制御信号のタイミング図。
【図８】有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。
【図９】有機ＥＬ素子の構成を示す概略断面図。
【図１０】有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】液滴がノズルから吐出された状態を示す概略側面図。
【図１４】主滴が基体の面に着弾した状態を示した概略側面図。
【図１５】サテライトが基体の面に着弾した状態を示した概略側面図。
【図１６】サテライトが基体の面に着弾した状態を示した概略平面図。
【図１７】基体に着弾した主滴およびサテライトの配置の例を示す概略平面図。
【図１８】基体に着弾した主滴およびサテライトの配置の例を示す概略平面図。
【図１９】基体に着弾した主滴およびサテライトの着弾位置を示す概略断面図。
【図２０】テーブル速度と主滴の着弾位置のずれ量との関係を示すグラフ。
【図２１】テーブル速度と主滴およびサテライト間の距離との関係を示すグラフ。
【図２２】テーブル速度ごとのサテライト速度と主滴の着弾位置およびサテライトの着弾位置との距離との関係を示すグラフ。
【図２３】開口部における液滴の配置の例を示す概略平面図。
【図２４】開口部における液滴の配置の例を示す概略平面図。
【図２５】液滴吐出方法を示すフローチャート。
【図２６】開口部における液滴の配置の例を示す概略平面図。
【図２７】開口部における液滴の配置の例を示す概略平面図。
【図２８】有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００３８】
＜液滴吐出装置＞
まず、本実施形態の液滴吐出方法を適用可能な液滴吐出装置の一例について、図１〜図５を参照して説明する。液滴吐出装置とは、吐出対象物（ワーク）に対して、吐出ヘッドのノズルから機能性材料を含む液状体を液滴として吐出する装置である。
【００３９】
吐出された液状体を乾燥、焼成して固化することにより、吐出対象物の配置領域に機能層を形成する。このような機能層の形成方法は、液相プロセスのうち液滴吐出法と呼ばれている。液滴吐出法を用いて形成される機能層の一例として、後述する有機ＥＬ素子の発光機能を有する機能層が挙げられる。
【００４０】
本実施形態の液滴吐出方法は、このような機能層を液滴吐出装置を用いて形成する場合に好適に用いることができる。なお、液滴吐出装置では、吐出ヘッドとしてインクジェットヘッドを備えており、インクジェットヘッドを用いた液滴吐出法は、インクジェット法とも呼ばれる。
【００４１】
（液滴吐出装置の概要）
図１は、液滴吐出装置の構成を示す概略斜視図である。図１に示すように、液滴吐出装置１０は、吐出対象物（ワーク）である、例えば、平板状の基体Ｗを主走査方向に移動させるワーク移動機構２０と、インクジェットヘッドが搭載されたヘッドユニット９を主走査方向に直交する副走査方向に移動させるヘッド移動機構３０と、を備えている。
【００４２】
また、図１には図示されていない機構（構成）を含めて、これらの機構（構成）を統括的に制御する制御部４０を備えている。以降、主走査方向をＹ軸方向と呼び、副走査方向をＸ軸方向と呼んで説明することもある。
【００４３】
ワーク移動機構２０は、一対のガイドレール２１と、一対のガイドレール２１に沿って移動する移動台２２と、移動台２２上に回転機構６を介して配設され基体Ｗが載置されるステージ５とを備えている。
【００４４】
ステージ５は基体Ｗを吸着固定可能であると共に、回転機構６によって基体Ｗ内の基準軸を正確にＹ軸方向、Ｘ軸方向に合わせることが可能となっている。また、基体Ｗ上において液状体（以下、インクという）が吐出される配置領域の配置状態に応じて、基体Ｗを例えば、９０度旋回させることも可能である。
【００４５】
ヘッド移動機構３０は、一対のガイドレール３１と、一対のガイドレール３１に沿って移動する移動台３２とを備えている。移動台３２には、回転機構７を介して吊設されたキャリッジ８が設けられている。
【００４６】
キャリッジ８には、吐出ヘッドとしてのインクジェットヘッド５０（図２参照）がヘッドプレート９ａに搭載されたヘッドユニット９が取り付けられている。移動台３２がキャリッジ８を副走査方向（Ｘ軸方向）に移動させてヘッドユニット９を基体Ｗに対して対向配置する。
【００４７】
液滴吐出装置１０は、上記構成の他にも、ヘッドユニット９に搭載された複数のインクジェットヘッド５０にインクを供給するためのインク供給機構や、インクジェットヘッド５０をメンテナンスするためのメンテナンス機構などを含んで構成されている。
【００４８】
（インクジェットヘッドの構成）
図２は、インクジェットヘッドの構成を示す概略斜視図であり、図３は、インクジェットヘッドのノズル面における複数のノズルの配置状態を示す平面図である。
【００４９】
図２に示すように、インクジェットヘッド５０は、いわゆる２連のものであり、２連の接続針５４を有するインクの導入部５３と、導入部５３に積層されたヘッド基板５５と、ヘッド基板５５上に配置され内部にインクのヘッド内流路が形成されたヘッド本体５６とを備えている。
【００５０】
接続針５４は、前述したインク供給機構（図示省略）に配管を経由して接続され、インクをヘッド内流路に供給する。ヘッド基板５５には、フレキシブルフラットケーブル（図示省略）を介してヘッド駆動部としてのヘッドドライバー６３（図５参照）に接続される２連のコネクター５８が設けられている。
【００５１】
ヘッド本体５６は、駆動素子（アクチュエーター）としての圧電素子で構成されたキャビティを有する加圧部５７と、ノズル面５１ａに２つのノズル列５２ａ，５２ｂが相互に平行に形成されたノズルプレート５１と、を有している。
【００５２】
図３に示すように、２つのノズル列５２ａ，５２ｂは、それぞれ複数（例えば、１８０個）のノズル５２がピッチＰ１で、ほぼ等間隔に並べられており、互いにピッチＰ１の半分のピッチＰ２ずれた状態でノズル面５１ａに配設されている。
【００５３】
本実施形態において、ピッチＰ１は、例えば、およそ１４１μｍである。よって、２つのノズル列５２ａ，５２ｂによって構成されたノズル列５２ｃに直交する方向から見ると、３６０個のノズル５２がおよそ７０．５μｍのノズルピッチで配列した状態となっている。
【００５４】
また、ノズル５２の径は、およそ２７μｍである。以降、複数のノズル５２によって構成された２つのノズル列５２ａ，５２ｂを説明上、ノズル列５２ｃと呼ぶ。
【００５５】
インクジェットヘッド５０は、ヘッドドライバー６３から電気信号としての駆動信号が圧電素子に印加されると加圧部５７のキャビティの体積変動が起こり、これによるポンプ作用でキャビティに充填されたインクが加圧され、ノズル５２からインクを液滴として吐出することができる。
【００５６】
インクジェットヘッド５０において、ノズル５２ごとに設けられる駆動素子（アクチュエーター）は、圧電素子に限定されない。アクチュエーターは、振動板を静電吸着により変位させる電気機械変換素子や、インクを加熱してノズル５２から液滴として吐出させる電気熱変換素子でもよい。
【００５７】
（インクジェットヘッドの配置）
図４は、ヘッドユニットにおけるインクジェットヘッドの配置を示す概略平面図である。詳しくは、基体Ｗに対向する側から見た図である。図４に示すように、ヘッドユニット９は、複数のインクジェットヘッド５０が配設されるヘッドプレート９ａを備えている。
【００５８】
ヘッドプレート９ａには、３つのインクジェットヘッド５０からなるヘッド群５０Ａと、同じく３つのインクジェットヘッド５０からなるヘッド群５０Ｂの合計６個のインクジェットヘッド５０が搭載されている。
【００５９】
本実施形態では、ヘッド群５０ＡのヘッドＲ１（インクジェットヘッド５０）とヘッド群５０ＢのヘッドＲ２（インクジェットヘッド５０）とは同種のインクを吐出する。他のヘッドＧ１とヘッドＧ２、ヘッドＢ１とヘッドＢ２においても同様である。すなわち、３種の異なるインクを吐出可能な構成となっている。
【００６０】
１つのインクジェットヘッド５０によって描画可能な描画幅をＬ0とし、これをノズル列５２ｃの有効長とする。ノズル列５２ｃは、３６０個のノズル５２から構成されるものである。
【００６１】
ヘッドＲ１とヘッドＲ２は、主走査方向（Ｙ軸方向）から見て、隣り合うノズル列５２ｃが主走査方向と直交する副走査方向（Ｘ軸方向）に１ノズルピッチを置いて連続するように、主走査方向に並列して配設されている。従って、同種のインクを吐出するヘッドＲ１とヘッドＲ２の有効な描画幅Ｌｄは、描画幅Ｌ0の２倍となっている。
ヘッドＧ１とヘッドＧ２、ヘッドＢ１とヘッドＢ２においても同様にＹ軸方向に並列して配置されている。
【００６２】
なお、インクジェットヘッド５０に設けられるノズル列５２ｃは、２連に限らず、１連でもよい。また、ヘッドユニット９におけるインクジェットヘッド５０の配置は、これに限定されるものではない。
【００６３】
（液滴吐出装置の構成および機能）
次に、液滴吐出装置１０の電気的および機械的な構成とその機能について、図５を参照して説明する。図５は、液滴吐出装置の電気的および機械的な構成を示すブロック図である。
【００６４】
図５に示すように、液滴吐出装置１０は、ヘッド移動機構３０、ワーク移動機構２０、インクジェットヘッド５０、メンテナンス機構８０などを駆動する各種ドライバーを有する駆動部６０と、駆動部６０を含め液滴吐出装置１０を統括的に制御する制御部４０とを備えている。
【００６５】
駆動部６０は、ヘッド移動機構３０のリニアモーターを駆動制御するヘッド移動用ドライバー６１と、同じく、ワーク移動機構２０のリニアモーターを駆動制御するワーク移動用ドライバー６２と、インクジェットヘッド５０を駆動制御するヘッド駆動部としてのヘッドドライバー６３と、メンテナンス機構８０を駆動制御するメンテナンス用ドライバー６４と、を備えている。
【００６６】
なお、図５には図示を省略したが、液滴吐出装置１０は、ワーク移動機構２０において移動台２２のＹ軸方向における位置を検出可能なリニアスケールおよびスケールヘッド、並びにこのスケールヘッドに対応したエンコーダーを備えている。
【００６７】
ヘッド移動機構３０もまた、移動台３２の副走査方向（Ｘ軸方向）における位置を検出可能なリニアスケールおよびスケールヘッド、並びにこのスケールヘッドに対応したエンコーダーを備えている。
これらのエンコーダーから周期的に発生されるエンコーダーパルスを利用して、移動台２２、移動台３２のそれぞれの移動制御が行われる構成となっている。
【００６８】
メンテナンス機構８０は、顕微鏡やＣＣＤカメラを含む着弾位置測定機構８１と、インクジェットヘッド５０のノズル面５１ａ（図２参照）を密封して、ノズル５２からインクを吸引し、目詰まりが生じているノズル５２などを回復させるキャップ機構８２と、ノズル面５１ａに付着した異物をワイピング部材でふき取って清浄化するワイピング機構８３と、を含んで構成されており、着弾位置測定機構８１は、インクジェットヘッド５０のノズル５２から試験的に吐出された液滴が、検査媒体などの吐出対象物上に着弾する位置の計測を行う。
【００６９】
メンテナンス用ドライバー６４は、インクジェットヘッド５０をメンテナンスするためのこれらの機構をそれぞれ駆動するドライバーを含んで構成されている。
なお、メンテナンス機構８０の構成は、これに限定されず、インクジェットヘッド５０のノズル５２から吐出された液滴を、例えば、電子天秤などの計測器で受けて、液滴の重量を測定することで、液滴の吐出量や目詰まりなどを検出する重量測定機構などを備えていてもよい。
【００７０】
制御部４０は、ＣＰＵ４１と、ＲＯＭ４２と、ＲＡＭ４３と、Ｐ−ＣＯＮ（プログラムコントローラー）４４とを備え、これらは互いにバス４５を介して接続されている。Ｐ−ＣＯＮ４４には、上位コンピューター１１が接続されている。
【００７１】
ＲＯＭ４２は、ＣＰＵ４１で処理する制御プログラムなどを記憶する制御プログラム領域と、描画動作やインクジェットヘッド５０の機能を回復させるメンテナンス処理などを行うための制御データなどを記憶する制御データ領域とを有している。
【００７２】
ＲＡＭ４３は、基体Ｗに対して液滴を吐出して、どのように配置するかを示す吐出位置データを記憶する吐出位置データ記憶部、基体Ｗおよびインクジェットヘッド５０（実際には、ノズル列５２ｃ）の位置データを記憶する位置データ記憶部などの各種記憶部を有し、制御処理のための各種作業領域として使用される。
【００７３】
Ｐ−ＣＯＮ４４には、駆動部６０の各種ドライバーなどが接続されており、ＣＰＵ４１の機能を補うと共に、周辺回路とのインターフェイス信号を取り扱うための論理回路が構成されて組み込まれている。
【００７４】
このため、Ｐ−ＣＯＮ４４は、上位コンピューター１１からの各種指令などを、そのままあるいは加工して、バス４５に取り込むと共に、ＣＰＵ４１と連動して、ＣＰＵ４１などからバス４５に出力されたデータや制御信号を、そのままあるいは加工して、駆動部６０に出力する。
【００７５】
ＣＰＵ４１は、ＲＯＭ４２内の制御プログラムに従って、Ｐ−ＣＯＮ４４を介して各種検出信号、各種指令、各種データなどを入力し、ＲＡＭ４３内の各種データなどを処理した後、Ｐ−ＣＯＮ４４を介して、駆動部６０などに各種の制御信号を出力することにより、液滴吐出装置１０全体を制御している。
【００７６】
例えば、ＣＰＵ４１は、インクジェットヘッド５０、ワーク移動機構２０およびヘッド移動機構３０を制御して、ヘッドユニット９と基体Ｗとを対向配置させる。そして、ヘッドユニット９と基体Ｗ（ステージ５）との相対移動に同期して、ヘッドユニット９に搭載された各インクジェットヘッド５０の複数のノズル５２から基体Ｗにインクを液滴として吐出するように、ヘッドドライバー６３に制御信号を送出する。
【００７７】
本実施形態では、Ｙ軸方向への基体Ｗの移動に同期してインクを吐出することを主走査と呼び、主走査に対してＸ軸方向にヘッドユニット９を移動させることを副走査と呼ぶ。
【００７８】
本実施形態の液滴吐出装置１０は、主走査と副走査とを組み合わせて複数回繰り返すことにより、インクを基体Ｗに吐出することができる。
【００７９】
ワーク移動機構２０に設けられたエンコーダーは、主走査に伴ってエンコーダーパルスを生成する。主走査では、所定の移動速度で移動台２２を移動させるので、エンコーダーパルスが周期的に発生する。
【００８０】
例えば、主走査における移動台２２の移動速度（以下、テーブル速度と呼ぶ）を２００ｍｍ／ｓｅｃ、インクジェットヘッド５０を駆動する駆動周波数（言い換えれば、連続して液滴を吐出する場合の吐出タイミング）を２０ｋＨｚとすると、主走査方向における液滴の吐出分解能は、移動速度を駆動周波数で除することにより得られるので、１０μｍとなる。すなわち、１０μｍのピッチで液滴を基体Ｗ上に配置することが可能である。
【００８１】
テーブル速度を２０ｍｍ／ｓｅｃとすれば、１μｍのピッチで液滴を基体Ｗ上に配置することが可能である。実際の液滴の吐出タイミングは、周期的に発生するエンコーダーパルスをカウントして生成される吐出制御データに基づいている。このような主走査における基体Ｗ上の液滴の最小配置ピッチを吐出分解能と呼ぶ。
【００８２】
上位コンピューター１１は、制御プログラムや制御データなどの制御情報を液滴吐出装置１０に送出する。また、基体Ｗ上にインクを液滴として配置する吐出制御データとしての配置情報を生成する配置情報生成部の機能を有している。
【００８３】
配置情報は、基体Ｗにおける液滴の配置位置を示す吐出位置データ、液滴の配置数を示す吐出データ（言い換えれば、ノズル５２ごとの吐出数）、主走査における複数のノズル５２のＯＮ／ＯＦＦ、すなわちノズル５２の選択／非選択などの情報を、例えば、ビットマップとして表したものである。
【００８４】
上位コンピューター１１は、上記配置情報を生成するだけでなく、ＲＡＭ４３に一旦格納された上記配置情報を修正することも可能である。基体Ｗにおける液滴の配置位置を示す吐出位置データは、主走査における基体Ｗとノズル５２との相対的な位置を示すものである。
【００８５】
前述したように、基体Ｗはステージ５に載置されて、移動台２２により主走査方向（Ｙ軸方向）に移動する。基体Ｗの主走査方向における位置、すなわち、ステージ５の主走査方向の位置は、主走査においてワーク移動機構２０のエンコーダーから周期的に出力されるエンコーダーパルスをカウントすることで制御される。
【００８６】
基体Ｗに対するインクジェットヘッド５０、すなわちノズル５２の副走査方向（Ｘ軸方向）の位置は、ヘッド移動機構３０のエンコーダーから周期的に出力されるエンコーダーパルスをカウントすることで制御される。これにより、吐出位置データに基づいて、液滴が吐出されるノズル５２と基体Ｗとが相対的に配置され、ノズル５２から液滴が基体Ｗに向けて吐出される。
【００８７】
（吐出制御方法）
次に、本実施形態におけるインクジェットヘッド５０の吐出制御方法、すなわち、ノズル５２ごとに設けられた圧電素子の駆動制御方法について、図６および図７を参照して説明する。図６は、インクジェットヘッドの電気的な制御を示すブロック図である。
【００８８】
図６に示すように、ヘッドドライバー６３は、液滴の吐出タイミングを制御する異なる複数の駆動信号ＣＯＭを、それぞれ独立して生成するＤ／Ａコンバーター（以降、ＤＡＣとする）７１Ａ〜７１Ｄと、ＤＡＣ７１Ａ〜７１Ｄが生成する駆動信号ＣＯＭのスルーレートデータ（以下、波形データ（ＷＤ１〜ＷＤ４）とする）の格納メモリーを内部に有する波形データ選択回路７２と、Ｐ−ＣＯＮ４４を介して上位コンピューター１１から送信される吐出制御データを格納するためのデータメモリー７３と、を備えている。
【００８９】
ＣＯＭ１〜ＣＯＭ４の各ＣＯＭラインに、ＤＡＣ７１Ａ〜ＤＡＣ７１Ｄで生成された駆動信号ＣＯＭがそれぞれ出力される。つまり、上記の吐出制御データには、駆動条件の情報が含まれる。
【００９０】
各インクジェットヘッド５０には、ノズル５２ごとに設けられた駆動素子（アクチュエーター）である圧電素子５９への駆動信号ＣＯＭの印加をＯＮ／ＯＦＦするスイッチング回路７４と、各ＣＯＭラインのいずれか１つを選択して、各圧電素子５９に接続したスイッチング回路７４に、駆動信号ＣＯＭを送出する駆動信号選択回路７５と、を備えている。
【００９１】
ノズル列５２ｃ（図３参照）において、圧電素子５９の一方の電極５９ｂは、ＤＡＣ７１Ａ〜７１Ｄのグランドライン（ＧＮＤ）に接続されている。また、圧電素子５９の他方の電極５９ａ（以下、セグメント電極５９ａとする）は、スイッチング回路７４、駆動信号選択回路７５を介して、各ＣＯＭラインに電気的に接続されている。
【００９２】
また、スイッチング回路７４、駆動信号選択回路７５、および波形データ選択回路７２には、クロック信号（ＣＬＫ）や各吐出タイミングに対応したラッチ信号（ＬＡＴ）が入力されるようになっている。
【００９３】
データメモリー７３には、各インクジェットヘッド５０の走査位置に応じて、周期的に設定される吐出タイミングごとに、次のデータが格納されている。
すなわち、各圧電素子５９への駆動信号ＣＯＭの印加（ＯＮ／ＯＦＦ）を規定する吐出データＤＡと、各圧電素子５９に対応したＣＯＭライン（ＣＯＭ１〜ＣＯＭ４）の選択を規定する駆動信号選択データＤＢと、ＤＡＣ７１Ａ〜７１Ｄに入力される波形データ（ＷＤ１〜ＷＤ４）の種別を規定する波形番号データＷＮと、が少なくとも格納されている。
【００９４】
本実施形態において、吐出データＤＡは、１ノズルあたり１ビット（０，１）で、駆動信号選択データＤＢは、１ノズルあたり２ビット（０，１，２，３）で、波形番号データＷＮは、１ＤＡＣあたり７ビット（０〜１２７）で構成されている。なお、データ構造は適宜変更可能である。
【００９５】
（吐出タイミング）
図７は、駆動信号および制御信号のタイミング図である。上述の構成において、各吐出タイミングに係る駆動制御は、次のように行われる。
図７に示すように、タイミングｔ１〜ｔ２の期間において、吐出データＤＡ、駆動信号選択データＤＢ、波形番号データＷＮが、それぞれシリアル信号化されて、スイッチング回路７４、駆動信号選択回路７５、および波形データ選択回路７２に送信される。
【００９６】
そして、タイミングｔ２において、各データがラッチされることで、吐出（ＯＮ）に係る各圧電素子５９のセグメント電極５９ａが、駆動信号選択データＤＢで指定されたＣＯＭライン（ＣＯＭ１〜ＣＯＭ４のいずれか）に接続された状態となる。
【００９７】
例えば、圧電素子５９のセグメント電極５９ａは、駆動信号選択データＤＢが「０」のときには、ＣＯＭ１に接続される。同様に、駆動信号選択データＤＢが「１」のときにはＣＯＭ２に、駆動信号選択データＤＢが「２」のときはＣＯＭ３に、駆動信号選択データＤＢが「３」のときはＣＯＭ４に接続される。
また、ＤＡＣ７１Ａ〜７１Ｄの生成に係る駆動信号の波形データ（ＷＤ１〜ＷＤ４）が、この選択に連動して設定される。
【００９８】
タイミングｔ３〜ｔ４の期間においては、タイミングｔ２で設定された波形データに従い、それぞれ電位上昇、電位保持、電位降下の一連のステップで駆動信号ＣＯＭが生成される。そして、ＣＯＭ１〜ＣＯＭ４とそれぞれ接続された状態にある圧電素子５９に、生成された駆動信号ＣＯＭが供給され、ノズル５２に連通するキャビティの体積（圧力）制御が行われる。
【００９９】
駆動信号ＣＯＭにおける電位上昇、電位保持、電位降下に係る時間成分、電圧成分は、その供給によって吐出されるインクの吐出量および吐出タイミングに密接に依存している。とりわけ、圧電方式のインクジェットヘッド５０では、タイミングｔ３〜ｔ４における電圧成分の変化（電位差）を駆動電圧Ｖｈ（Ｖｈ１〜Ｖｈ４）として規定し、タイミングｔ１〜ｔ４および駆動電圧Ｖｈ１〜Ｖｈ４を吐出タイミング制御の条件として利用することができる。すなわち、タイミングｔ１〜ｔ４および駆動電圧Ｖｈ１〜Ｖｈ４は、液滴の吐出タイミングを制御する駆動信号の条件の一つである。
【０１００】
なお、生成する駆動信号ＣＯＭは、本実施形態で示すような単純な台形波に限られるものではなく、例えば、矩形波など公知の様々な形状の波形を適宜採用することも可能である。また、異なる駆動方式（例えば、サーマル方式）の実施形態の場合、駆動信号ＣＯＭのパルス幅（時間成分）を、吐出タイミングを制御する条件として利用することも可能である。
【０１０１】
図７では、ＣＯＭ１〜ＣＯＭ４において、タイミングｔ１〜ｔ６までが、それぞれ同じタイミングになっているが、インクジェットヘッド５０を駆動する駆動周波数（言い換えれば、連続して液滴を吐出する場合の吐出タイミング）を２０ｋＨｚとすると、理論的には、タイミングｔ１〜ｔ４の吐出タイミングを５０μｓｅｃ刻みで設定することができる。
【０１０２】
また、本実施形態では、駆動電圧Ｖｈを段階的に違えた複数種の波形データを用意し、ＤＡＣ７１Ａ〜７１Ｄにそれぞれ独立した波形データ（ＷＤ１〜ＷＤ４）を入力することにより、各ＣＯＭラインにそれぞれ異なるタイミングｔ１〜ｔ６、および駆動電圧Ｖｈ１〜Ｖｈ４の駆動信号ＣＯＭを出力することが可能である。
【０１０３】
用意できる波形データの種類は、波形番号データＷＮの情報量（７ビット）に相当する１２８種類であり、例えば、これを０．１Ｖ刻みの駆動電圧Ｖｈに対応させている。言い換えれば、１２．８Ｖの電位差の範囲で、Ｖｈ１〜Ｖｈ４の各駆動波形を０．１Ｖ刻みで設定することができる。図７では、駆動電圧Ｖｈ１〜Ｖｈ４がそれぞれ異なる電圧となっているが、駆動電圧Ｖｈ１〜Ｖｈ４は任意に設定できるので、一定であっても構わない。
【０１０４】
このようにして、本実施形態の液滴吐出装置１０は、ノズル５２ごとの吐出特性を考慮して、各圧電素子５９（ノズル５２）と各ＣＯＭラインとの対応関係を規定する駆動信号選択データＤＢと、各ＣＯＭラインと駆動信号ＣＯＭの種類（駆動電圧Ｖｈ）との対応関係を規定する波形番号データＷＮと、を適切に設定することにより、液滴の吐出タイミングを調整して、インクを吐出することが可能である。
【０１０５】
言い換えれば、駆動信号選択データＤＢと波形番号データＷＮとの関係で定まる各ノズル５２の駆動信号ＣＯＭの設定を適切に行うことが、吐出タイミングを管理するための重要事項であると言える。
【０１０６】
上記液滴吐出装置１０において、インクジェットヘッド５０の吐出制御方法は、液滴を吐出するごとに、駆動信号選択データＤＢと波形番号データＷＮとを更新可能となっている。
【０１０７】
また、吐出データＤＡに対応させて、駆動信号ＣＯＭを精細に設定することも可能である。従って、ノズル５２ごとに吐出される液滴の吐出タイミングを、吐出するごとに少なくとも４段階に渡って変化させることができるので、一定の駆動信号ＣＯＭを各圧電素子５９に印加する場合に比べて、ノズル列５２ｃの吐出特性に起因する液滴の吐出位置のばらつきを、ノズル５２ごと、かつ液滴を吐出するごとに変更することが可能である。
【０１０８】
本実施形態の液滴吐出方法は、インクジェットヘッド５０の複数のノズル５２から基体Ｗの配置領域に、所定量のインクを複数の液滴として吐出する場合に、上述したノズル５２ごとの液滴の着弾位置のばらつきが、上記所定量に及ぼす影響を低減するためのインクの吐出タイミングの補正に係るものである。なお、着弾位置とは、ノズル５２から吐出された液滴が、検査媒体或いは基体Ｗなどの吐出対象物に着弾した際の、吐出対象物上において液滴が着弾している領域の位置を指す。
【０１０９】
＜有機ＥＬ装置＞
本実施形態の液滴吐出方法を説明する前に、本実施形態の液滴吐出方法が適用される電気光学装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置を例に挙げ、図８および図９を参照して説明する。図８は、有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図であり、図９は、有機ＥＬ素子の構成を示す概略断面図である。
【０１１０】
図８に示すように、電気光学装置の一例としての有機ＥＬ装置１００は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光（発光色）が得られるサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂが配置された素子基板１０１を有している。
【０１１１】
各サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂは略矩形状であり、素子基板１０１の表示領域Ｅにおいてマトリックス状に配置されている。以降、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂを総称してサブ画素１１０と呼ぶこともある。
【０１１２】
同じ発光色のサブ画素１１０が図面上において垂直方向（列方向あるいはサブ画素１１０の長手方向）に配列し、異なる発光色のサブ画素１１０が、図面上において、水平方向（行方向あるいはサブ画素１１０の短手方向）にＲ，Ｇ，Ｂの順で配列している。すなわち、異なる発光色のサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂが、いわゆるストライプ方式で配置されている。
【０１１３】
なお、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂの平面形状と配置は、これに限定されるものではない。また、略矩形状とは、正方形、長方形に加えて、角部が丸くなった四角形、対向する２辺部が円弧状となった四角形を含むものである。
【０１１４】
サブ画素１１０Ｒには、赤（Ｒ）の発光が得られる有機ＥＬ素子が設けられている。同じく、サブ画素１１０Ｇには、緑（Ｇ）の発光が得られる有機ＥＬ素子が設けられ、サブ画素１１０Ｂには、青（Ｂ）の発光が得られる有機ＥＬ素子が設けられている。
【０１１５】
このような有機ＥＬ装置１００は、異なる発光色が得られる３つのサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂを１つの表示画素単位として、それぞれのサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂは電気的に制御される。これによりフルカラー表示が可能となっている。
【０１１６】
各サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂには、図９に示す有機ＥＬ素子１３０が設けられている。有機ＥＬ素子１３０は、素子基板１０１上に設けられた反射層１０２と、絶縁膜１０３と、画素電極１０４と、対向電極１０５と、画素電極１０４と対向電極１０５との間に設けられた発光層１３３とを含む機能層１３６と、を有している。
【０１１７】
画素電極１０４は、陽極として機能するものであり、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂごとに設けられ、例えば、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜を用いて形成されている。
【０１１８】
画素電極１０４の下層に設けられた反射層１０２は、光透過性を有する画素電極１０４を透過した機能層１３６からの発光を、再び、画素電極１０４側に反射させるものである。反射層１０２は、光反射性を有する、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの金属やその合金などを用いて形成される。
【０１１９】
従って、反射層１０２と画素電極１０４との電気的な短絡を防ぐために、反射層１０２を覆う絶縁膜１０３が設けられる。絶縁膜１０３は、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンあるいは酸窒化シリコンなどを用いて形成される。
【０１２０】
機能層１３６は、画素電極１０４側から、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３、電子輸送層１３４、電子注入層１３５が順に積層されたものである。特に、発光層１３３は、発光色に応じて構成材料が選ばれるが、ここでは発光色に関わらず、総称して発光層１３３と呼ぶ。
なお、機能層１３６の構成は、これに限定されるものではなく、これらの層以外に、キャリア（正孔や電子）の移動を制御する中間層などを備えていてもよい。
【０１２１】
対向電極１０５は、陰極として機能するものであり、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂに共通した共通電極として設けられ、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）とＭｇ（マグネシウム）の合金などを用いて形成されている。
【０１２２】
陽極としての画素電極１０４側から発光層１３３にキャリアとしての正孔が注入され、陰極としての対向電極１０５側から発光層１３３にキャリアとしての電子が注入される。発光層１３３において注入された正孔と電子とにより、励起子（エキシトン；正孔と電子とがクーロン力にて互いに束縛された状態）が形成され、励起子（エキシトン）が消滅する際（正孔と電子とが再結合する際）に、エネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。
【０１２３】
有機ＥＬ装置１００において、光透過性を有するように対向電極１０５を構成すれば、反射層１０２を有していることから、発光層１３３からの発光を対向電極１０５側から取り出すことができる。このような発光方式は、トップエミッション方式と呼ばれている。
【０１２４】
また、反射層１０２を無くし、光反射性を有するように対向電極１０５を構成すれば、発光層１３３からの発光を素子基板１０１側から取り出すボトムエミッション方式とすることもできる。
【０１２５】
本実施形態では、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション方式であるとして、以降の説明を行う。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂごとの有機ＥＬ素子１３０をそれぞれ独立して駆動することができる画素回路を素子基板１０１に備えたアクティブ駆動型の発光装置である。画素回路は、公知の構成を採用することができるので、図９では、画素回路の図示を省略している。
【０１２６】
本実施形態において、有機ＥＬ装置１００は、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂごとの有機ＥＬ素子１３０における画素電極１０４の外縁と重なると共に、画素電極１０４上に開口部１０６ａを構成する隔壁１０６を有している。
【０１２７】
本実施形態において、有機ＥＬ素子１３０の機能層１３６は、機能層１３６を構成する正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３のうち、少なくとも１層が液相プロセスで形成されたものである。液相プロセスとは、それぞれの層を構成する成分と溶媒とを含んだインクを、隔壁１０６で囲まれた開口部１０６ａに塗布して乾燥させることにより、それぞれの層を形成する方法である。
【０１２８】
それぞれの層を所望の膜厚で形成するためには、所定量のインクを位置精度よく開口部１０６ａに塗布する必要があり、本実施形態では、前述した液滴吐出装置１０を用いてインクジェットヘッド５０のノズル５２からインクを開口部１０６ａに吐出している。
【０１２９】
以降、機能層形成材料と溶媒とを含む液状体もインクと呼ぶ。なお、隔壁１０６で囲まれた開口部１０６ａは、本発明における液滴の配置領域に相当するものである。
【０１３０】
特に、トップエミッション方式の有機ＥＬ装置１００においては、各サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂのそれぞれにおける発光ムラが目立ち易いため、機能層１３６を構成する各層の断面形状が、フラット（平坦）であることが好ましい。
【０１３１】
本実施形態では、各層の断面形状がフラット（平坦）になるように、開口部１０６ａに所定量のインクを万遍なく塗布して乾燥させている。インクジェットヘッド５０のノズル５２からインクを液滴として吐出したときの吐出安定性を考慮して、液滴の吐出量、吐出速度、液滴の長さなどのパラメーターが、所定の範囲に収まるようにインクの調整が行われている。
【０１３２】
＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
次に、有機ＥＬ素子の製造方法について、図１０〜図１２を参照して具体的に説明する。図１０〜図１２は有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図である。なお、前述したように、有機ＥＬ素子１３０を駆動制御する画素回路や、反射層１０２や画素電極１０４の形成方法は、公知の方法を採用できるので、ここでは、隔壁形成工程以降について説明する。
【０１３３】
本実施形態の有機ＥＬ素子１３０の製造方法は、隔壁形成工程と、表面処理工程と、機能層形成工程と、対向電極形成工程と、を有している。
【０１３４】
隔壁形成工程では、図１０に示すように、反射層１０２および画素電極１０４が形成された素子基板１０１に、例えば、インクに対して撥液性を示す撥液材料を含む感光性樹脂材料を１μｍ〜２μｍの厚みで塗布して、乾燥することにより感光性樹脂層を形成する。
【０１３５】
塗布方法としては、転写法、スリットコート法などが挙げられる。撥液材料としては、フッ素化合物やシロキサン系化合物が挙げられる。感光性樹脂材料としては、ネガ型の多官能アクリル樹脂を挙げることができる。
【０１３６】
できあがった感光性樹脂層をサブ画素１１０の形状に対応した露光用マスクを用いて露光・現像して、画素電極１０４の外縁と重なると共に、画素電極１０４上に開口部１０６ａを構成する隔壁１０６を形成する。そして、表面処理工程へ進む。
【０１３７】
表面処理工程では、隔壁１０６が形成された素子基板１０１に表面処理を施す。表面処理工程は、次工程で機能層１３６を構成する正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３をインクジェット法（液滴吐出法）で形成するに際して、隔壁１０６で囲まれた開口部１０６ａにおいて、機能層形成材料（固形分）を含むインクがむらなく濡れ広がるように、画素電極１０４の表面の隔壁残渣などの不要物を取り除く目的で行われる。
【０１３８】
表面処理方法として、本実施形態ではエキシマＵＶ（紫外線）処理を実施した。なお、表面処理方法は、エキシマＵＶ処理に限定されず、画素電極１０４の表面を清浄化できればよく、例えば、溶媒による洗浄・乾燥工程を行ってもよい。また、画素電極１０４の表面が清浄な状態であれば、表面処理工程を実施しなくてもよい。
【０１３９】
なお、本実施形態では、撥液材料を含む感光性樹脂材料を用いて隔壁１０６を形成したが、これに限定されるものではなく、撥液材料を含まない感光性樹脂材料を用いて隔壁１０６を形成した後に、表面処理工程において、フッ素系の処理ガスを用いた、例えば、プラズマ処理を施して隔壁１０６の表面に撥液性を与え、その後、酸素を処理ガスとするプラズマ処理を施して、画素電極１０４の表面を親液化する表面処理を行ってもよい。そして、機能層形成工程へ進む。
【０１４０】
図１１に示すように、機能層形成工程では、まず、正孔注入層形成材料を含むインク９１を開口部１０６ａに塗布する。インク９１の塗布方法は、前述した液滴吐出装置１０を用い、インクジェットヘッド５０のノズル５２からインク９１を液滴９０として開口部１０６ａに吐出する。
【０１４１】
インクジェットヘッド５０から吐出される液滴９０の吐出量は、ｐｌ（ピコリットル）単位で制御可能であって、所定量を液滴９０の吐出量で除した数の液滴９０が開口部１０６ａに吐出される。
【０１４２】
吐出されたインク９１は、隔壁１０６との界面張力により開口部１０６ａにおいて盛り上がるが、溢れてしまうことはない。言い換えれば、開口部１０６ａから溢れ出ない程度の所定量となるように、インク９１における正孔注入層形成材料の濃度が、予め調整されている。そして、乾燥工程に進む。
【０１４３】
乾燥工程では、例えば、インク９１が塗布された素子基板１０１を減圧下に放置し、インク９１から溶媒を蒸発させて乾燥する減圧乾燥を用いる（減圧乾燥工程）。
その後、図１２に示すように、大気圧下で、例えば、１８０℃で、３０分間加熱する焼成処理を施すことにより固化して、正孔注入層１３１を形成する。
【０１４４】
正孔注入層１３１は、後述する正孔注入層形成材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で、必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ１０ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚で形成される。
【０１４５】
次に、正孔輸送層形成材料を含むインク９２を用いて正孔輸送層１３２を形成する。正孔輸送層１３２の形成方法も、正孔注入層１３１と同様に、液滴吐出装置１０を用いて行う。すなわち、所定量のインク９２をインクジェットヘッド５０のノズル５２から液滴９０として開口部１０６ａに吐出する。
【０１４６】
そして、開口部１０６ａに塗布されたインク９２を減圧乾燥する。その後、窒素などの不活性ガス環境下で、例えば、１８０℃で、３０分間加熱する焼成処理を施すことにより正孔輸送層１３２を形成する。
【０１４７】
正孔輸送層１３２は、後述する正孔輸送材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で、必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ１０ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で形成される。また、機能層１３６における他の層との関係で、正孔注入層１３１と正孔輸送層１３２とを合体して正孔注入輸送層としてもよい。
【０１４８】
次に、発光層形成材料を含むインク９３を用いて発光層１３３を形成する。発光層１３３の形成方法も、正孔注入層１３１と同様に、液滴吐出装置１０を用いて行う。すなわち、所定量のインク９３をインクジェットヘッド５０のノズル５２から液滴９０として開口部１０６ａに吐出する。
【０１４９】
そして、開口部１０６ａに塗布されたインク９３を減圧乾燥する。その後、窒素などの不活性ガス環境下で、例えば、１３０℃で、３０分間加熱する焼成処理を施すことにより発光層１３３を形成する。
【０１５０】
発光層１３３は、後述する発光層形成材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で、必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ６０ｎｍ〜８０ｎｍの膜厚で形成される。
【０１５１】
次に、発光層１３３を覆って電子輸送層１３４が形成される。電子輸送層１３４を構成する電子輸送材料としては、特に限定されないが、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、ＢＡＬｑ、１，３，５−トリ（５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）（ＯＸＤ−１）、ＢＣＰ（Bathocuproine）、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、４，４’−ｂｉｓ（１，１−ｂｉｓジフェニルエテニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、２，５−ｂｉｓ（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）、４，４’−ｂｉｓ（１，１−ｂｉｓ（４−メチルフェニル）エテニル）ビフェニル（ＤＴＶＢｉ）、２，５−ｂｉｓ（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＢＤ）などを挙げることができる。
【０１５２】
また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体などを挙げることができる。これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１５３】
電子輸送層１３４は、上記電子輸送材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で、必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ２０ｎｍ〜４０ｎｍの膜厚で形成される。これにより、陰極としての対向電極１０５から注入された電子を好適に発光層１３３に輸送することができる。なお、機能層１３６における他の層との関係で、電子輸送層１３４を削除することもできる。
【０１５４】
次に、電子輸送層１３４を覆って電子注入層１３５を形成する。電子注入層１３５を構成する電子注入材料としては、特に限定されないが、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、アルカリ金属化合物やアルカリ土類金属化合物を挙げることができる。
【０１５５】
アルカリ金属化合物としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2ＣＯ3、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、Ｎａ2ＣＯ3、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3、ＣｓＣｌなどのアルカリ金属塩が挙げられる。
【０１５６】
また、アルカリ土類金属化合物としては、例えば、ＣａＦ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＦ2、ＳｒＣＯ3、ＢａＦ2、ＢａＣＯ3などのアルカリ土類金属塩が挙げられる。これらのアルカリ金属化合物やアルカリ土類金属化合物うちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１５７】
電子注入層１３５の膜厚は、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。これによって、陰極としての対向電極１０５から電子輸送層１３４に電子を効率よく注入できる。
【０１５８】
次に、対向電極形成工程では、電子注入層１３５を覆って陰極としての対向電極１０５を形成する。対向電極１０５の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましく、かつ真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｕ、またはこれらを含む合金などが用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体など）用いることができる。
【０１５９】
特に、本実施形態のように、有機ＥＬ装置１００をトップエミッション方式とする場合、対向電極１０５の構成材料としては、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどの金属、またはＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇなどの合金を用いるのが好ましい。
【０１６０】
このような金属または合金を用いることにより、対向電極１０５の光透過性を維持しつつ、対向電極１０５の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。トップエミッション方式における対向電極１０５の膜厚は、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【０１６１】
なお、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション方式とする場合、対向電極１０５には光透過性が求められない。従って、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄなどの金属または合金が好ましく用いられる。
【０１６２】
このような金属または合金を対向電極１０５の構成材料として用いることにより、対向電極１０５の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。ボトムエミッション方式における対向電極１０５の膜厚は、特に限定されないが、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【０１６３】
上記製造方法により形成された有機ＥＬ素子１３０は、例えば、外部から水分や酸素などが浸入すると、機能層１３６における発光機能が阻害され、部分的に発光輝度が低下したり、発光しなくなったりする暗点（ダークスポット）が発生する。また、発光寿命が短くなるおそれがある。そこで、有機ＥＬ素子１３０を水分や酸素などの浸入から保護するために、封止層（図示省略）によって覆うことが好ましい。
【０１６４】
封止層としては、例えば、水分や酸素などの透過性が低い、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料を用いることができる。さらには、例えば、透明なガラスなどの封止基板を、有機ＥＬ素子１３０が形成された素子基板１０１に接着剤を介して貼り付けることにより、有機ＥＬ素子１３０を封着してもよい。
【０１６５】
上記有機ＥＬ素子１３０の製造方法では、機能層１３６のうち、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３を液相プロセス（インクジェット法）で形成したが、これらの層のうち１つを液相プロセス（インクジェット法）で形成すればよく、他の層は真空蒸着などの気相プロセスを用いて形成してもよい。
【０１６６】
＜主滴とサテライト＞
液滴９０がインクジェットヘッド５０から吐出されて、素子基板１０１である基体Ｗに着弾するまでの状態について、図１３〜図１６を参照して説明する。
図１３は、液滴がノズルから吐出された状態を示す概略側面図である。図１４は、主滴が基体の面に着弾した状態を示した概略側面図であり、図１５は、サテライトが基体の面に着弾した状態を示した概略側面図であり、図１６は、サテライトが基体の面に着弾した状態を示した概略平面図である。
なお、以下の説明では、特に走査方向に関する記載のない場合は、インクジェットヘッド５０を固定して、基体ＷをＹ軸方向に移動させる場合を例にして説明する。
【０１６７】
図１３に示すように、ノズル５２から吐出された液滴９０は、主滴９０ａと、主滴９０ａに追随して形成された尾引き部９０ｂと、さらに尾引き部９０ｂに追随して形成されたサテライト９０ｃと、に分かれて、基体Ｗに向けて、主滴９０ａ、尾引き部９０ｂ、サテライト９０ｃの順で移動する。
【０１６８】
このようにサテライト９０ｃとは、ノズル５２から吐出された液滴９０のうち、主滴９０ａおよび尾引き部９０ｂと分離して形成される微小な液滴のことである。なお、尾引き部９０ｂおよびサテライト９０ｃは、形成されない場合もある。
【０１６９】
その後、図１４に示すように、まず、主滴９０ａが基体Ｗの面に着弾する。このとき、尾引き部９０ｂやサテライト９０ｃは、主滴９０ａに比べて遅れて進んでいるため、まだ基体Ｗの面に着弾していない。
【０１７０】
次に、図１５および図１６に示すように、主滴９０ａに続いて、尾引き部９０ｂが基体Ｗの面に着弾する。主滴９０ａが基体Ｗに着弾してから、尾引き部９０ｂが基体Ｗに着弾するまでの間、基体ＷがＹ軸方向に移動しているため、尾引き部９０ｂは、主滴９０ａの着弾位置に対して、Ｙ軸の負（−）方向側にずれて着弾される。換言すれば、基体Ｗの移動方向に対して上流側にずれて着弾される。
【０１７１】
また、尾引き部９０ｂに続いて、サテライト９０ｃが基体Ｗの面に着弾する。尾引き部９０ｂが基体Ｗに着弾してから、サテライト９０ｃが基体Ｗに着弾するまでの間、基体ＷがＹ軸方向に移動しているため、サテライト９０ｃは、尾引き部９０ｂの着弾位置に対して、Ｙ軸の負（−）方向側に離れて着弾される。換言すれば、基体Ｗの移動方向に対して上流側に尾引き部９０ｂから離れて着弾される。
【０１７２】
次に、複数のノズル５２を有するインクジェットヘッド５０における主滴９０ａとサテライト９０ｃの着弾位置のばらつきについて説明する。
図１７および図１８は、基体に着弾した主滴およびサテライトの配置の例を示す概略平面図である。図１７に示すように、主走査を行う間に、複数のノズル５２を有するインクジェットヘッド５０から吐出された液滴９０は、基体Ｗの移動方向（Ｙ軸の正方向）に対して、ノズル５２ごとに、主滴９０ａとサテライト９０ｃとに分離して、着弾位置がばらついて基体Ｗに着弾する。
【０１７３】
複数のノズル５２ごとに吐出された主滴９０ａやサテライト９０ｃの着弾位置がばらつく原因としては、ノズル５２の製造時におけるノズル間の、穴あけ加工、撥液加工、親液加工などの加工の精度または複数のノズル５２をノズル列５２ｃとして組み立てる際に生じる組み立て精度、ノズル列５２ｃ間のノズル５２の配列方向の位置ずれ、ノズル５２の飛行曲がり、ノズル５２の吐出口の径、駆動電圧、流路設計などが挙げられる。
【０１７４】
また、先述したように、インクジェットヘッド５０から吐出された液滴９０は、主滴９０ａの着弾位置に対して、尾引き部９０ｂおよびサテライト９０ｃの着弾位置がずれる。
従って、例えば、このようなインクジェットヘッド５０を有機ＥＬ素子１３０などの製造に適用する場合には、基体Ｗの移動方向に対して、主滴９０ａだけでなく、尾引き部９０ｂおよびサテライト９０ｃの着弾位置を考慮して液滴９０を吐出する必要がある。
【０１７５】
特に、サテライト９０ｃは、主滴９０ａと離れた位置に着弾することから、サテライト９０ｃの着弾位置を考慮しないで液滴９０を吐出した場合には、主滴９０ａまたはサテライト９０ｃが、隣接する配置領域のインクと接触し、混液や塗布むらを起こしてしまうおそれがある。
【０１７６】
図１７に示すように、サテライト９０ｃは、主滴９０ａより基体Ｗの移動方向に対して上流側に着弾する。従って、図１８に示すように、着弾位置から代表着弾点を算出し、算出した代表着弾点を基準として、代表着弾点の位置Ｈ１が複数のノズル間で一致するように吐出タイミングを補正すれば、サテライト９０ｃを含めた液滴９０を配置領域に着弾させることが可能となる。なお、図１８では、ノズル５２が７つ配置されている例を示しているが、ノズル５２の数量は７つに限らない。
【０１７７】
ここで代表着弾点とは、着弾位置の指標となる点のことであり、例えば、着弾した液滴９０（サテライト９０ｃが発生している場合はサテライト９０ｃを含む）の着弾形状を考慮し、吐出対象物において液滴９０が着弾した位置を点として表したものである。
【０１７８】
本実施形態では、代表着弾点を液滴９０の着弾位置の後方端部としているが、代表着弾点を液滴９０の着弾位置の前方端部としてもよい。前方とは、基体Ｗの走査方向であり、後方とは、基体Ｗの走査方向と反対方向である。
【０１７９】
また、サテライトが発生しており、予め主滴９０ａおよびサテライト９０ｃが、基体Ｗに着弾して濡れ広がったときの着弾径が分かっている場合、あるいは、着弾径が小さくて無視できる場合には、着弾した主滴９０ａの中心の位置、またはサテライト９０ｃの中心の位置を代表着弾点としてもよい。
【０１８０】
この場合には、代表着弾点を基準にして、代表着弾点としての主滴９０ａの中心の位置、またはサテライト９０ｃの中心の位置が、複数のノズル間で一致するように、吐出タイミングを補正してもよい。図１８では、サテライト９０ｃの中心の位置Ｈ２が、複数（図１８では７つ）のノズル間で一致している状態を示している。
【０１８１】
また、隔壁１０６上に主滴９０ａまたはサテライト９０ｃが着弾したときの濡れ広がりを考慮して、主滴９０ａまたはサテライト９０ｃが、基体Ｗ上のＹ軸方向に隣り合う配置領域の間の予め設定された混液が生じない領域内に着弾するように吐出タイミングを補正することが好ましい。こうすることによって、主走査方向に隣り合う配置領域において、それぞれ混液が生じないように液滴９０を着弾させる着弾許容領域を広げることができる。
【０１８２】
＜着弾位置＞
次に、基体Ｗ上の主滴９０ａの着弾位置およびサテライト９０ｃの着弾位置について説明する。図１９は、基体に着弾した主滴およびサテライトの着弾位置を示す概略断面図である。
【０１８３】
図１９に示すように、ノズル５２から吐出される前の主滴９０ａとサテライト９０ｃとの仮想的な距離をテール長さＬｔ［μｍ］、ノズル５２のノズル面５１ａと基体Ｗのノズル５２側の面（上面）Ｗａとの距離をギャップＬｇ［μｍ］とする。
【０１８４】
また、液滴９０がノズル５２から吐出されて、主滴９０ａとなって飛行する速度（以下、主滴速度と呼ぶ）をＶｍ［ｍ／ｓｅｃ］、液滴９０がノズル５２から吐出されて、サテライト９０ｃとなって飛行する速度（以下、サテライト速度と呼ぶ）をＶｓ［ｍ／ｓｅｃ］、主走査方向（Ｙ軸方向）にテーブルを移動させる走査速度（以下、テーブル速度と呼ぶ）をＶｔ［ｍｍ／ｓｅｃ］とする。
【０１８５】
このとき、液滴９０がノズル５２から吐出されて、主滴９０ａとなって飛行して、基体Ｗの上面Ｗａに到達するまでの時間ｔｍ［μｓｅｃ］は、次式となる。
ｔｍ＝Ｌｇ／Ｖｍ・・・（１）
【０１８６】
液滴９０がノズル５２から吐出されて、サテライト９０ｃとなって飛行して、基体Ｗの上面Ｗａに到達するまでの時間ｔｓ［μｓｅｃ］は、次式となる。
ｔｓ＝Ｌｔ／Ｖｍ＋Ｌｇ／Ｖｓ・・・（２）
【０１８７】
主滴９０ａの着弾位置のずれ量、つまり、主滴９０ａの吐出位置Ｐ０と実際に着弾した着弾位置Ｐｍとの距離Ｌｍ［μｍ］は、次式となる。
Ｌｍ＝ｔｍ×Ｖｔ・・・（３）
【０１８８】
サテライト９０ｃの着弾位置のずれ量、つまり、サテライト９０ｃの吐出位置Ｐ０と実際に着弾した着弾位置Ｐｓとの距離Ｌｓ［μｍ］は、次式となる。なお、サテライト９０ｃの吐出位置と、主滴９０ａの吐出位置と、は同じ吐出位置Ｐ０であるとする。
Ｌｓ＝ｔｓ×Ｖｔ・・・（４）
【０１８９】
以上のことから、主滴９０ａの着弾位置Ｐｍとサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓとの距離ΔＬは、次の式で表される。
ΔＬ＝Ｌｓ−Ｌｍ
＝ｔｓ×Ｖｔ−ｔｍ×Ｖｔ
＝（ｔｓ−ｔｍ）Ｖｔ・・・（５）
つまり、基体Ｗの上面Ｗａにおいて、主滴９０ａの着弾位置Ｐｍとサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓとの距離ΔＬは、テーブル速度Ｖｔに比例する。
【０１９０】
例えば、Ｌｔ＝２５０［μｍ］、Ｌｇ＝３００［μｍ］、Ｖｍ＝７［ｍ／ｓｅｃ］、Ｖｓ＝５［ｍ／ｓｅｃ］である場合に、テーブル速度Ｖｔ＝１００［ｍｍ／ｓｅｃ］とすると、上記で説明した数式（１）からｔｍ＝４２．８６［μｓｅｃ］、数式（２）からｔｓ＝９５．７１［μｓｅｃ］、数式（３）からＬｍ＝４．２９［μｍ］、数式（４）からＬｓ＝９．５７［μｍ］、数式（５）からΔＬ＝５．２９［μｍ］と算出できる。
【０１９１】
同様にして、テーブル速度Ｖｔ＝３００［ｍｍ／ｓｅｃ］とすると、Ｌｍ＝１２．８６［μｍ］、ΔＬ＝１５．８６［μｍ］と算出できる。
同様にして、テーブル速度Ｖｔ＝５００［ｍｍ／ｓｅｃ］とすると、Ｌｍ＝２１．４３［μｍ］、ΔＬ＝２６．４３［μｍ］と算出できる。
同様にして、テーブル速度Ｖｔ＝７００［ｍｍ／ｓｅｃ］とすると、Ｌｍ＝３０．０３［μｍ］、ΔＬ＝３７．０３［μｍ］と算出できる。
【０１９２】
図２０は、テーブル速度と主滴の着弾位置のずれ量との関係を示すグラフであり、図２１は、テーブル速度と主滴およびサテライト間の距離との関係を示すグラフである。また、図２２は、テーブル速度ごとのサテライト速度と主滴の着弾位置およびサテライトの着弾位置との距離との関係を示すグラフである。
【０１９３】
図２０に示すように、上記にて算出した各テーブル速度Ｖｔおよび主滴９０ａの着弾位置のずれ量Ｌｍから、テーブル速度Ｖｔと主滴９０ａの着弾位置のずれ量Ｌｍとの近似式を求めることによって、テーブル速度の変更に対応して主滴９０ａを配置領域に確実に着弾させるように、ノズル５２から吐出される液滴９０の吐出タイミングを精度よく補正することができる。
【０１９４】
また、図２１に示すように、上記にて算出した各テーブル速度Ｖｔおよび主滴９０ａの着弾位置Ｐｍとサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓとの距離ΔＬから、テーブル速度Ｖｔと主滴９０ａの着弾位置Ｐｍとサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓとの距離ΔＬとの近似式を求めることによって、テーブル速度Ｖｔの変更に対応してサテライト９０ｃを配置領域に確実に着弾させるように、ノズル５２から吐出される液滴９０の吐出タイミングを精度よく補正することができる。
【０１９５】
なお、少なくとも２つのテーブル速度Ｖｔから、主滴９０ａおよびサテライト９０ｃの着弾位置の補正量、つまり、主滴９０ａの着弾位置Ｐｍとサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓとの距離ΔＬを算出すれば、上記近似式を求めることができるが、３つ以上のテーブル速度Ｖｔを用いて、上記近似式を求めることによって、さらに精度よくノズル５２から吐出される液滴９０の吐出タイミングを補正することができる。
【０１９６】
また、図２２に示すように、テーブル速度Ｖｔごとの、サテライト速度Ｖｓと、主滴９０ａの着弾位置Ｐｍとサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓとの距離ΔＬと、の関係において、Ｖｓが７［ｍ／ｓｅｃ］程度である場合には、テーブル速度Ｖｔが、１００［ｍｍ／ｓｅｃ］から８００［ｍｍ／ｓｅｃ］に速くなっても、主滴９０ａの着弾位置Ｐｍとサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓとの距離ΔＬは、４［μｍ］程度から２９［μｍ］程度であり、サテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓに対するテーブル速度Ｖｔによる影響は小さい。
【０１９７】
一方、Ｖｓが７［ｍ／ｓｅｃ］よりも遅くなって、１［ｍ／ｓｅｃ］程度である場合には、テーブル速度Ｖｔが、１００［ｍｍ／ｓｅｃ］から８００［ｍｍ／ｓｅｃ］に向かって速くなると、主滴９０ａの着弾位置Ｐｍとサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓとの距離ΔＬは、２９［μｍ］程度から２３４［μｍ］程度に大幅に変化し、サテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓに対するテーブル速度Ｖｔによる影響は無視できなくなる。
【０１９８】
＜液滴吐出方法＞
本実施形態の液滴吐出方法について、上記有機ＥＬ素子１３０の製造方法における正孔注入層１３１の形成方法を例に挙げて、図２３〜図２５を参照して説明する。
図２３、図２４は、開口部における液滴の配置の例を示す概略平面図であり、図２５は、液滴吐出方法を示すフローチャートである。
【０１９９】
液滴吐出方法の説明に先立って、まず、図２３および図２４を参照して、開口部１０６ａにおける液滴９０の着弾位置の配置の例について説明する。前述したように、有機ＥＬ素子１３０の機能層１３６のうち、例えば、正孔注入層１３１をインクジェット法で形成する場合、素子基板１０１である基体Ｗは、液滴吐出装置１０のステージ５上に載置される。
【０２００】
このとき、図２３および図２４に示すように、インクジェットヘッド５０のノズル列５２ｃは、主走査方向（Ｙ軸方向）と直交する副走査方向（Ｘ軸方向）に沿って配置されている。長円形状の開口部１０６ａは、平面視で、短手方向がＹ軸方向に沿うように配置されており、長手方向が副走査方向（Ｘ軸方向）に沿うように配置されている。
【０２０１】
言い換えれば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応した有機ＥＬ素子１３０が形成される液滴の配置領域としての各開口部１０６ａの短手方向がＹ軸方向に沿うように、ステージ５上に基体Ｗが載置され位置決めされる。
図２３では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応した有機ＥＬ素子１３０が形成される液滴の開口部１０６ａのうち、青（Ｂ）および緑（Ｇ）に対応した開口部１０６ａを例として示している。
【０２０２】
このようなノズル列５２ｃに対する開口部１０６ａの配置は、横描画と呼ばれている。なお、横描画におけるノズル列５２ｃの配置は、Ｘ軸方向に沿うことに限定されず、Ｘ軸方向に対して角度を有してノズル列５２ｃを配置してもよい。
【０２０３】
これにより、Ｙ軸方向から見たときのノズルピッチを狭くできる。言い換えれば、Ｘ軸方向における開口部１０６ａの配置ピッチに応じて、ノズル列５２ｃの配置の仕方を変えることで実質的なノズルピッチを調整可能である。
【０２０４】
インクジェットヘッド５０と基体ＷとをＹ軸方向に相対的に移動させる主走査において、各開口部１０６ａに掛かる複数のノズル５２から正孔注入層形成材料を含むインク９１を複数の液滴９０として吐出して各開口部１０６ａに含まれるように配置する。
【０２０５】
本実施形態では、各開口部１０６ａに、使用するノズルの数、例えば、図２３および図２４では、７つのノズル５２から７滴のインク９１をＸ軸方向に間隔をおいて吐出する例を示している。
【０２０６】
図２３では、各ノズル５２から吐出されたサテライト９０ｃの着弾位置の後方の端部の位置Ｃ１が、基体Ｗ上の開口部１０６ａの端部の位置、つまり、開口部１０６ａのＹ軸の負（−）方向側の長辺と一致している状態を示している。このように、開口部１０６ａのＹ軸の負（−）方向側の長辺を基準として、サテライト９０ｃの着弾位置の後方の端部の位置Ｃ１が、複数のノズル５２間で一致するように、複数のノズル５２の吐出タイミングを補正する。
【０２０７】
複数のノズル５２間でサテライト９０ｃの着弾位置の後方の端部の位置Ｃ１を揃える方法は、以下の３つの方法を挙げることができる。なお、基準となる着弾位置に対して、主走査方向の上流側にずれて着弾する液滴９０を吐出するノズル５２を吐出速度が遅いノズルと呼び、基準となる着弾位置に対して、主走査方向の下流側にずれて着弾する液滴９０を吐出するノズル５２を吐出速度が速いノズルと呼んで説明する。
【０２０８】
第１の方法は、複数のノズル５２のうち、吐出速度が最も遅いノズルから吐出された液滴９０の着弾位置を基準にして、他のノズル５２の吐出タイミングを遅くすることによって、吐出速度の最も遅いノズル５２の着弾位置に揃える。
【０２０９】
第２の方法は、複数のノズル５２のうち、吐出速度が最も速いノズルから吐出された液滴９０の着弾位置を基準にして、他のノズル５２の吐出タイミングを速くすることによって、吐出速度の最も速いノズル５２の着弾位置に揃える。
【０２１０】
第３の方法は、複数のノズル５２の吐出速度の中央値、あるいは平均値を算出し、算出された吐出速度の中央値、あるいは平均値のノズル５２の着弾位置を基準にして、吐出速度が速いノズル５２は吐出タイミングを遅くし、吐出速度が遅いノズル５２は吐出タイミングを速くすることによって、複数のノズル５２間で、着弾位置を揃える。
【０２１１】
また、図２４では、各ノズル５２から吐出された主滴９０ａの着弾位置の前方の端部の位置Ｃ２が、基体Ｗ上の開口部１０６ａの端部の位置、つまり、開口部１０６ａのＹ軸の正（＋）方向側の長辺と一致している状態を示している。
【０２１２】
このように、開口部１０６ａのＹ軸の正方向側の長辺を基準として、主滴９０ａの着弾位置の前方の端部の位置Ｃ２が、複数のノズル５２間で一致するように、複数のノズル５２の吐出タイミングを補正してもよい。
なお、図２３および図２４は、開口部１０６ａにおける複数の液滴９０の配置を示すものであって、実際の液滴９０（インク９１）の着弾状態を示すものではない。
【０２１３】
開口部１０６ａに着弾した複数の液滴９０は、開口部１０６ａに濡れ広がって一体化し、図１１に示したように盛り上がる。所望の膜厚の正孔注入層１３１を形成するには、インク９１（主滴９０ａおよびサテライト９０ｃを含んだ液滴９０）の着弾位置が開口部１０６ａ内であって、インク９１の総吐出量が、設計上の目標総吐出量（所定量）とほぼ同等であることが求められる。
【０２１４】
図２５に示すように、本実施形態の液滴吐出方法（液滴の着弾位置の補正方法）は、インクジェットヘッド５０と検査媒体とを、所定の間隔で対向配置して走査を行いながら、予め設定された吐出タイミングで複数のノズル５２から液滴９０の吐出を行う第１吐出工程（ステップＳ１）と、第１吐出工程において、複数のノズル５２の各々から検査媒体に吐出された液滴９０の各々の着弾位置を取得する工程（ステップＳ２）と、着弾位置の補正量を算出する工程（ステップＳ３）と、着弾位置の補正量に基づいて、複数のノズル５２の各々の吐出タイミングを変更する工程（ステップＳ４）と、インクジェットヘッド５０と基体Ｗとを、所定の間隔で対向配置して走査を行いながら、吐出タイミングを変更する工程で変更した吐出タイミングで複数のノズル５２から基体Ｗに設けられた配置領域に液滴９０を吐出する第２吐出工程（ステップＳ５）と、を有し、着弾位置の補正量を算出する工程において、各々の着弾位置から算出された代表着弾点の位置が走査方向において一致するように、補正量を算出する。
以下、図２３および図２４に示した開口部１０６ａにおける液滴の配置を前提として、本実施形態の液滴吐出方法を具体的に説明する。
【０２１５】
（１）ステップＳ１  第１吐出工程
インクジェットヘッド５０と基体Ｗとを、所定の間隔で対向配置して走査を行いながら、あるテーブル速度Ｖｔにおいて、予め設定された吐出タイミングで吐出を行い、それぞれのノズル５２から液滴９０を吐出する。本実施形態における予め設定された吐出タイミングとは、図７に示した駆動信号ＣＯＭにおいて、例えば、一定のタイミング（タイミングｔ３）で、各ノズル５２に一定の駆動電圧Ｖｈをかけることである。
【０２１６】
（２）ステップＳ２  着弾位置を取得する工程
第１吐出工程において複数のノズル５２から検査媒体上に着弾した主滴９０ａおよびサテライト９０ｃを含む液滴９０の着弾位置を取得する。具体的には、着弾位置測定機構８１としての顕微鏡やＣＣＤカメラなどにより、主滴９０ａの着弾位置Ｐｍと、サテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓと、をそれぞれ測定する。
【０２１７】
なお、検査媒体は、液滴９０を吐出する吐出対象物であり、有機ＥＬ素子１３０を製造する基体Ｗの一部であってもよいし、基体Ｗとは別の媒体、例えば、検査シートなどであってもよい。
【０２１８】
このとき、ノズル５２のノズル面５１ａと基体Ｗの上面Ｗａとの距離（ギャップＬｇ）を６００μｍ程度に広げると、主滴９０ａの着弾位置Ｐｍおよびサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓを測定しやすくなる。
【０２１９】
（３）ステップＳ３  着弾位置の補正量を算出する工程
ステップＳ２で測定した、主滴９０ａの着弾位置Ｐｍとサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓとから、先述した数式（１）〜数式（５）を用いて、主滴９０ａの着弾位置のずれ量Ｌｍと、サテライト９０ｃの着弾位置のずれ量Ｌｓと、主滴９０ａの着弾位置Ｐｍとサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓとの距離ΔＬを算出する。
【０２２０】
その後、主滴９０ａの着弾位置のずれ量Ｌｍ、サテライト９０ｃの着弾位置のずれ量Ｌｓ、主滴９０ａの着弾位置Ｐｍとサテライト９０ｃの着弾位置Ｐｓとの距離ΔＬを考慮して、Ｙ軸方向において、複数のノズル５２間で各々の着弾位置から算出された代表着弾点の位置が一致するように、ノズル５２ごとに着弾位置の補正量を算出する。
【０２２１】
具体的には、基体Ｗ上に着弾した主滴９０ａの着弾位置の後方の端部の位置、またはサテライト９０ｃの着弾位置の後方の端部の位置が一致するように、ノズル５２ごとに着弾位置の補正量を算出する。
【０２２２】
また、このとき、先述したように、Ｙ軸方向において、基体Ｗ上に着弾した主滴９０ａの中心の位置が、複数のノズル間で一致するように、複数のノズルごとに補正量を算出してもよいし、基体Ｗ上に着弾したサテライト９０ｃの中心の位置が、複数のノズル５２間で一致するように、複数のノズル５２ごとに吐出タイミングの補正量を算出してもよい。
【０２２３】
また、ステップＳ１において、少なくとも２つのテーブル速度で吐出を行い、ステップＳ３において、少なくとも２つのテーブル速度ごとに補正量を算出することによって、テーブル速度の変更に対応して、液滴９０を開口部１０６ａに確実に着弾させることができる。
【０２２４】
（４）ステップＳ４  吐出タイミングを変更する工程
ステップＳ３で求められた着弾位置の補正量に基づいて、複数のノズル５２から吐出される液滴９０の吐出タイミングを変更する。具体的には、吐出タイミングの変更は、周期的に発生するエンコーダーパルスをカウントして生成される吐出制御データのカウントを変更することによって行われる。
【０２２５】
また、インクジェットヘッド５０を駆動させる駆動波形を変更するステップを含んでいてもよい。また、液滴吐出データ内の着弾位置データを修正するステップを含んでいてもよい。なお、すべてのノズル５２から吐出される液滴９０の吐出タイミングを変更する必要はなく、着弾位置の補正量がゼロである場合には、吐出タイミングを変更する必要はない。
【０２２６】
（５）ステップＳ５  第２吐出工程
インクジェットヘッド５０と基体Ｗとを、所定の間隔で対向配置して走査を行いながら、吐出タイミングを変更する工程（ステップＳ４）で変更した吐出タイミングで、複数のノズル５２から基体Ｗに設けられた配置領域に液滴９０を吐出する。
【０２２７】
その後、液滴９０（インク９１）が塗布された基体Ｗを減圧下に放置し、インク９１から溶媒を蒸発させて乾燥し、その後、大気圧下で、加熱する焼成処理を施すことにより固化する。
以上によって、正孔注入層１３１が形成される。
【０２２８】
また、上記の液滴吐出方法の第１吐出工程（ステップＳ１）では、主走査は、インクジェットヘッド５０に対して一方向への基体Ｗの移動に限らず、基体Ｗを往復させて行うこともできる。つまり、Ｙ軸方向において、往動と復動とに分けて、開口部１０６ａに液滴９０を吐出してもよい。
【０２２９】
Ｙ軸方向において、往動と復動とに分けて、開口部１０６ａに液滴９０を吐出する方法を具体的に説明する。
図２６および図２７は、開口部における液滴の配置の例を示す概略平面図である。図２６に示すように、基体ＷをＹ軸の正（＋）の向きに移動させて液滴９０を吐出し、サテライト９０ｃの着弾位置の後方の端部の位置Ｃ３が、基体Ｗ上の開口部１０６ａの端部の位置、つまり、開口部１０６ａのＹ軸の負（−）方向側の長辺と一致するように吐出タイミングを補正する。
【０２３０】
その後、基体ＷをＹ軸の負（−）の向きに移動させて液滴９０を吐出し、サテライト９０ｃの着弾位置の後方の端部の位置Ｃ４が、基体Ｗ上の開口部１０６ａの端部の位置、つまり、開口部１０６ａのＹ軸の正（＋）方向側の長辺と一致するように吐出タイミングを補正してもよい。
【０２３１】
また、図２７に示すように、基体ＷをＹ軸の負（−）の向きに移動させて液滴９０を吐出し、主滴９０ａの着弾位置の前方の端部の位置Ｃ５が、基体Ｗ上の開口部１０６ａの端部の位置、つまり、開口部１０６ａのＹ軸の負（−）方向側の長辺と一致するように吐出タイミングを補正する。
【０２３２】
その後、基体ＷをＹ軸の正（＋）の向きに移動させて液滴９０を吐出し、主滴９０ａの着弾位置の前方の端部の位置Ｃ６が、基体Ｗ上の開口部１０６ａの端部の位置、つまり、開口部１０６ａのＹ軸の正（＋）方向側の長辺と一致するように吐出タイミングを補正してもよい。
【０２３３】
このように、Ｙ軸方向に往動と復動とに分けて、開口部１０６ａに液滴９０を吐出する場合には、開口部１０６ａのＹ軸の正（＋）方向側の長辺、あるいは、開口部１０６ａのＹ軸の負（−）方向側の長辺を基準として、主滴９０ａの着弾位置の前方の端部の位置、あるいは、サテライト９０ｃの着弾位置の後方の端部の位置が、複数のノズル５２間で一致するように、複数のノズル５２の吐出タイミングを補正すればよい。
【０２３４】
また、主走査方向に隣り合う開口部１０６ａの間には、開口部１０６ａを区画する隔壁１０６が設けられ、隔壁１０６上に主滴９０ａまたはサテライト９０ｃが着弾したときの濡れ広がりを考慮して、複数のノズル５２ごとに補正量を算出することが好ましい。
このようにすれば、開口部１０６ａにおける混液や塗布むらを低減させることができる。
【０２３５】
なお、上記液滴吐出法を用いたインクの吐出は、正孔注入層形成材料を含むインク９１だけに適用されることに限定されず、他の正孔輸送層形成材料を含むインク９２や発光層形成材料を含むインク９３にも適用可能である。
【０２３６】
また、上記液滴吐出方法をコンピューターに実行させるプログラムが本発明の液滴吐出プログラムである。
【０２３７】
（混液が生じない領域）
図２８は、有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図である。図２８に示すように、着弾位置の補正量を算出する工程では、主走査方向（Ｙ軸方向）において、主滴９０ａまたはサテライト９０ｃの着弾位置の後方の端部の位置が、基体Ｗ上の主走査方向に隣り合う開口部１０６ａの間の予め設定された混液が生じない領域内にあるように、複数のノズル５２ごとに補正量を算出してもよい。
【０２３８】
具体的には、主走査方向（Ｙ軸方向）に隣り合う隔壁１０６のうち、一方の隔壁１０６の頂部１０７から開口部１０６ａの端部までの領域Ｋ１、または、他方の隔壁１０６の頂部１０８から開口部１０６ａの端部までの領域Ｋ２に、主滴９０ａの重心が着弾するように、複数のノズル５２ごとに補正量を算出すると混液は生じ難い。
【０２３９】
つまり、主滴９０ａは、頂部１０７、頂部１０８からややはみ出してもよい。なぜなら、隔壁１０６は撥液処理されているため、領域Ｋ１、または領域Ｋ２に着弾した主滴９０ａは、自重によって開口部１０６ａに収容されるからである。
【０２４０】
一方、サテライト９０ｃは、着弾径が主滴９０ａと比較して小さいため、自重によって開口部１０６ａに収容され難い。そのため、サテライト９０ｃについては、確実に、領域Ｋ１または領域Ｋ２、あるいは、隣り合う隔壁１０６の端部間の領域Ｋ３に着弾させる方が好ましい。
【０２４１】
つまり、上記で説明した領域Ｋ１および領域Ｋ２が、基体Ｗ上の主走査方向に隣り合う開口部１０６ａの間の予め設定された混液が生じない領域である。
主滴９０ａの重心が、領域Ｋ１または領域Ｋ２または領域Ｋ３、あるいは領域Ｋ１または領域Ｋ２からややはみ出した領域に着弾し、サテライト９０ｃが、領域Ｋ１または領域Ｋ２または領域３に着弾するように、複数のノズル５２ごとに補正量を算出する。
このようにすれば、主走査方向に隣り合う開口部１０６ａのそれぞれにおいて、混液が生じ難く液滴９０を着弾させることができる。
【０２４２】
上記実施形態の液滴吐出方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）第２吐出工程（ステップＳ５）で変更された吐出タイミングで選択されたノズル５２から液滴９０を吐出することにより、液滴９０が、基体Ｗ上に設けられた開口部１０６ａ領域外に着弾することを低減できる。その結果、基体Ｗ上において、液滴９０を位置精度よく着弾させ、開口部１０６ａにおける混液や塗布むらを低減させることができる。
【０２４３】
（２）主滴９０ａだけでなく、サテライト９０ｃについても、基体Ｗに設けられた開口部１０６ａ領域外に着弾することを低減できる。その結果、基体Ｗ上において液滴９０を位置精度よく着弾させ、配置領域における混液や塗布むらを低減させることができる。
【０２４４】
（３）走査方向におけるサテライト９０ｃの中心、或いは走査方向における主滴９０ａの中心、或いは走査方向におけるサテライト９０ｃの中心と主滴９０ａの中心との中点を一致させることによって、液滴９０が基体Ｗに設けられた開口部１０６ａ領域外に着弾することを低減できる。
【０２４５】
（４）各々の着弾位置の走査方向における前方端部、或いは後方端部を一致させることによって、液滴９０が基体Ｗに設けられた開口部１０６ａ領域外に着弾することを低減できる。
【０２４６】
（５）液滴９０を吐出する第１吐出工程（ステップＳ１）において、少なくとも２つのテーブル速度Ｖｔで吐出を行い、着弾位置の補正量を算出する工程（ステップＳ３）では、少なくとも２つのテーブル速度Ｖｔから、主滴９０ａおよびサテライト９０ｃの着弾位置の補正量を予め求めることにより、テーブル速度Ｖｔの変更に対応して、液滴９０を開口部１０６ａに着弾させることができる。
【０２４７】
（６）吐出タイミングを変更する工程（ステップＳ４）において、インクジェットヘッド５０を駆動させる駆動波形を変更するステップを含むことから、吐出タイミングの変更によって液滴の吐出量が変化する場合には、駆動波形を変更することによって、ねらいの吐出量で液滴を吐出することができる。
【０２４８】
（７）吐出タイミングを変更する工程（ステップＳ４）では、液滴吐出データ内の着弾位置データを修正するステップを含んでいることから、着弾位置データの追加、削除、変更を自由に行うことができ、着弾位置データの管理が容易となる。
【０２４９】
（８）第１吐出工程（ステップＳ１）では、走査における往動と復動とに分けて開口部１０６ａに液滴９０を吐出する場合には、液滴の着弾位置の補正量を算出する工程（ステップＳ３）において、往動と復動とに対応した液滴９０の着弾位置の補正量を得ることができる。よって、第２吐出工程（ステップＳ５）では、走査における往動と復動とに対応して吐出タイミングを変更することで、液滴９０を位置精度よく着弾させることができる。
【０２５０】
（９）着弾位置の補正量を算出する工程（ステップＳ３）では、Ｙ軸方向において、主滴９０ａまたはサテライト９０ｃの着弾位置の後方の端部の位置が、基体Ｗ上の開口部１０６ａに含まれるように、複数のノズル５２ごとに補正量を算出することから、主滴９０ａおよびサテライト９０ｃを、基体Ｗに設けられた開口部１０６ａに確実に着弾させることができ、液滴９０が開口部１０６ａの領域外にはみ出すことを低減できる。
【０２５１】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液滴吐出方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０２５２】
（変形例）
上記実施形態の液滴吐出方法が適用されるデバイスの形成方法は、有機ＥＬ素子１３０（あるいは有機ＥＬ装置１００）に限定されない。例えば、液晶表示装置におけるカラーフィルターの形成方法や、有機トランジスターにおける半導体層や半導体層に接続される配線の形成方法などにも適用することができる。
【符号の説明】
【０２５３】
１０…液滴吐出装置、５０…吐出ヘッドとしてのインクジェットヘッド、５２…ノズル、９０…液滴、９０ａ…主滴、９０ｃ…サテライト、１００…有機ＥＬ装置、１０１…素子基板、１０６ａ…配置領域としての開口部、１３０…有機ＥＬ素子、Ｗ…基体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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