(57)【要約】【課題】標的物質を吸着させるためのホットサイトの密度が高く、ホットサイトの電場増強度が高いセンサーチップを提供する。【解決手段】本発明に係るセンサーチップは、基板と、基板の上方に形成された構造体と、構造体の側面に配置された金属粒子と、を含み、構造体は、構造体を切る基板に平行な平面を仮定し、平面を基板から遠ざかる方向に移動させた場合に、平面における構造体の断面の面積が減少する庇部を有し、金属粒子の少なくとも一部は、庇部に配置されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に形成された構造体と、
前記構造体の側面に配置された金属粒子と、
を含み、
前記構造体は、前記構造体を切る前記基板に平行な平面を仮定し、前記平面を前記基板から遠ざかる方向に移動させた場合に、前記平面における前記構造体の断面の面積が減少する庇部を有し、
前記金属粒子の少なくとも一部は、前記庇部に配置されている、センサーチップ。
【請求項２】
請求項１において、
前記構造体は、前記構造体を切る前記基板に平行な平面を仮定し、前記平面を前記基板から遠ざかる方向に移動させた場合に、前記平面における前記構造体の断面の面積が増大する部分を有する、センサーチップ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記基板から遠ざかる方向に前記平面を移動させた場合に、
前記平面における前記構造体の断面の重心が前記基板の法線方向に移動する、センサーチップ。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項において、
前記基板と、前記構造体と、の間に、金属層を有する、センサーチップ。
【請求項５】
請求項４において、
前記金属層の材質は、金、銀、銅、アルミニウム、白金、ニッケル、パラジウム、タングステン、ロジウム及びルテニウムから選択される少なくとも１種の金属又はこれらの複数種の合金である、センサーチップ。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項において、
前記金属粒子は、前記面積が減少する区間に複数配置され、互いに離間している、センサーチップ。
【請求項７】
基板の上方に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層をボッシュプロセスによりパターニングして構造体を形成する工程と、
傾斜蒸着法により、前記構造体の側面に金属を堆積する工程と、
を含む、センサーチップの製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記金属を堆積させた後、前記基板を加熱する工程を含む、センサーチップの製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のセンサーチップと、
前記センサーチップに励起光を照射する光源と、
前記センサーチップから放射される光を検出する検出器と、
を備えた、分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサーチップ及びその製造方法並びに分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、医療診断や食物の検査等における需要がますます増大し、小型で高速なセンシング技術の開発が求められている。電気化学的な手法をはじめさまざまなタイプのセンサーが検討されているが、集積化が可能、低コスト、そして、測定環境を選ばないといった理由から、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｌａｓｍｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を用いたセンサーに対する関心が高まっている。
【０００３】
例えば、全反射型プリズム表面に設けた金属薄膜に発生させたＳＰＲを用いて、抗原抗体反応における抗原の吸着の有無など、標的物質の吸着の有無を検出するものが知られている。この手法は、ＳＰＲによる消光波長が、検出対象分子（標的物質）の吸着前後でシフトするのを検出することで、検出対象分子の存在をセンシングする。
【０００４】
また、低濃度の標的物質を検出する高感度分光技術の１つとして、ＳＰＲを利用した表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｒａｍａｎ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）が注目されている。ＳＥＲＳとはナノメートルスケールの凸凹構造を持つ金属表面でラマン散乱光が１０２〜１０１４倍に増強される現象である。
【０００５】
レーザーなどの単一波長の励起光を分子に照射すると、励起光の波長から分子の振動エネルギー分だけ僅かにずれた波長の光（ラマン散乱光）が散乱される。この散乱光を分光処理すると、分子種に固有のスペクトル（指紋スペクトル）が得られる。この指紋スペクトルの形状を分析することで、分子を同定することが可能となる。
【０００６】
一方、ラマン分光では、ラマン散乱光が非常に微弱の為、ごく低濃度の物質検出に、ＳＥＲＳを利用した強い増強度を示すセンサーチップが各種提案されている。例えば、特許文献１及び特許文献２には、金属ナノ粒子層を、誘電体からなるギャップ層を介してミラー層の上に配列させた構造のチップが提案されている。このような構造は、非特許文献１にも報告されており、当該文献では、Ｇａｐ  ｔｙｐｅ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｌａｓｍｏｎ（ＧＳＰ）モデルと称している。
【０００７】
表面プラズモン現象に起因する金属粒子の周囲に生じる電場増強スポットいわゆるホットサイトが、ラマン散乱光を増強させる。このためラマン散乱光を強く増強するには、電場増強度を高めること、及び、ホットサイトの数と密度を増大させることが有利である。
【０００８】
上述のＧＳＰ構造によりセンサーを形成する場合、金属粒子が平面的に配置されているため、ホットサイトの数や配置する密度に限界があった。このような観点からは特許文献３に、金属ナノ粒子を誘電体ピラーの側壁に形成し、粒子間で強い電場増強を生じさせることで、基板の面積あたりのホットサイトの数（密度）を高める試みが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特表２００７−５３８２６４号公報
【特許文献２】特開２００８−０１４９３３号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１４／００４５２０９号明細書
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】OPTICS EXPRESS Vol.34, No.3 (2009) pp.244-246
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献３に記載された技術では、基板に垂直な方向（基板の法線方向）に金属ナノ粒子を配置することにより、ホットサイトの密度は向上している。しかしながら、基板の法線方向における金属粒子の間隔や配置は制御できておらず、必ずしもＳＰＲを発生させるために十分有効ではなかった。すなわち、特許文献３に記載された技術では、基板の法線方向に金属粒子を配置して上下の金属粒子の間を離間させることになるが、このときの金属粒子間の間隔が制御されないため、電場増強度の高いホットサイトを得ることは難しかった。
【００１２】
本発明の幾つかの態様に係る目的の一つは、標的物質を吸着させるためのホットサイトの密度が高く、ホットサイトの電場増強度が高いセンサーチップ、分析装置及びセンサーチップの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するために為されたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
【００１４】
本発明に係るセンサーチップの一態様は、基板と、前記基板の上方に形成された構造体と、前記構造体の側面に配置された金属粒子と、を含み、前記構造体は、前記構造体を切る前記基板に平行な平面を仮定し、前記基板から遠ざかる方向に前記平面を移動させた場合に、前記平面における前記構造体の断面の面積が増大して減少する区間を有し、前記金属粒子の少なくとも一部は、前記面積が減少する区間に配置されている。
【００１５】
このようなセンサーチップでは、基板の法線方向における所定の位置に金属粒子が配置される。すなわち、このようなセンサーチップは、基板の法線方向において、金属粒子が存在する位置が制御されている。これにより、当該金属粒子の間に強い局在表面プラズモン（ＬＳＰ：Ｌｏｃａｌｉｚｅｄ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｌａｓｍｏｎ）を発生させることができ、当該金属粒子の近傍に高い電場増強度のホットサイトを形成することができる。そのため、係るセンサーチップは、標的物質を吸着させるためのホットサイトの基板面積あたりの個数（密度）が高く、かつ、ホットサイトの電場増強度も高い。これにより、例えばＳＥＲＳ信号の高い増強度を得ることができる。
【００１６】
本発明に係るセンサーチップにおいて、前記構造体は、前記構造体を切る前記基板に平行な平面を仮定し、前記平面を前記基板から遠ざかる方向に移動させた場合に、前記平面における前記構造体の断面の面積が増大する部分を有してもよい。
【００１７】
このようなセンサーチップは、構造体の側面をさらに有効利用でき、金属粒子をより効率よく基板の法線方向に制御して配置することができる。
【００１８】
本発明に係るセンサーチップにおいて、前記基板から遠ざかる方向に前記平面を移動させた場合に、前記平面における前記構造体の断面の重心が前記基板の法線方向に移動してもよい。
【００１９】
このようなセンサーチップは、製造が容易である。
【００２０】
本発明に係るセンサーチップにおいて、前記基板と、前記構造体と、の間に、金属層を
有してもよい。
【００２１】
このようなセンサーチップは、金属層の表面付近に生じる伝搬表面プラズモン（ＰＳＰ：Ｐｒｏｐａｇａｔｅｄ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｌａｓｍｏｎ）を利用して金属粒子の間に局在表面プラズモン（ＬＳＰ）を発生させることができ、金属粒子の基板に垂直な方向の位置にもさらに高い電場増強度のホットサイトを形成することができる。
【００２２】
本発明に係るセンサーチップにおいて、前記金属層の材質は、金、銀、銅、アルミニウム、白金、ニッケル、パラジウム、タングステン、ロジウム及びルテニウムから選択される少なくとも１種の金属又はこれらの複数種の合金であってもよい。
【００２３】
このようなセンサーチップは、より強いＰＳＰを金属層の表面付近に生じさせることができるため、金属粒子の近傍にさらに高い電場増強度のホットサイトを形成することができる。
【００２４】
本発明に係るセンサーチップにおいて、前記金属粒子は、前記面積が減少する区間に複数配置され、互いに離間していてもよい。
【００２５】
このようなセンサーチップは、金属粒子を互いにより接近させて配置することができ、より高い電場増強度を得ることができる。
【００２６】
本発明に係るセンサーチップの製造方法の一態様は、基板の上方に誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層をボッシュプロセスによりパターニングして構造体を形成する工程と、傾斜蒸着法により、前記構造体の側面に金属を堆積する工程と、を含む。
【００２７】
このようにすれば、基板と、前記基板の上方に形成された構造体と、前記構造体の側面に配置された金属粒子と、を含み、前記構造体を切る前記基板に平行な平面を仮定し、前記基板から遠ざかる方向に前記平面を移動させた場合に、前記平面における前記構造体の断面の面積が増大して減少する区間を有し、前記金属粒子の少なくとも一部は、前記面積が減少する区間に配置されているセンサーチップを容易に製造することができる。
【００２８】
本発明に係るセンサーチップの製造方法において、前記金属を堆積させた後、前記基板を加熱する工程を含んでもよい。
【００２９】
このようにすれば、金属粒子が複数配置され、互いに離間しているセンサーチップを容易に製造することができる。
【００３０】
本発明に係る分析装置の一態様は、上述のセンサーチップと、前記センサーチップに励起光を照射する光源と、前記センサーチップから放射される光を検出する検出器と、を備える。
【００３１】
このような分析装置は、電場増強度の高いホットサイトが高い密度で配置されたセンサーチップを備えるため、プラズモンに基づく光の増強度が非常に大きく、標的物質を極めて高感度に分析することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施形態に係るセンサーチップの構造体の模式図。
【図２】実施形態に係るセンサーチップの構造体の模式図。
【図３】実施形態に係るセンサーチップの構造体及び配置の模式図。
【図４】実施形態に係るセンサーチップの構造体及び配置の模式図。
【図５】実施形態に係るセンサーチップの構造体及び配置の模式図。
【図６】実施形態に係るセンサーチップの要部の概略図。
【図７】実施形態に係るセンサーチップの一例の模式図。
【図８】実施形態に係る構造体の形成方法の例を示す模式図。
【図９】実施形態に係る金属粒子の形成方法の例を示す模式図。
【図１０】実施形態に係る金属粒子の形成方法の例を示す模式図。
【図１１】実施形態に係る分析装置の一例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下に本発明のいくつかの実施形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本発明の一例を説明するものである。本発明は以下の実施形態になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形形態も含む。なお以下で説明される構成の全てが本発明の必須の構成であるとは限らない。
【００３４】
１．センサーチップ
本実施形態のセンサーチップ１００は、基板１と、構造体２０と、金属粒子３０と、を含む。図１及び図２は、それぞれ本実施形態に係るセンサーチップ１００の構造体２０の一例を示す模式図である。図３、図４及び図５は、それぞれ本実施形態に係るセンサーチップ１００の構造体２０及びその配置の模式図である。図６は、本実施形態に係るセンサーチップ１００の要部の概略図である。図７は、本実施形態に係るセンサーチップ１００の一例を示す模式図である。
【００３５】
１．１．基板
基板１は、センサーチップ１００の基体である。基板１としては、例えば、シリコン基板、ガラス基板、樹脂基板などが挙げられる。基板１は、平板状の形状を有している。本明細書では、基板１の厚さ方向を、法線方向、厚み方向、高さ方向等と称する場合がある。本実施形態では、基板１が平板状であるため、厚さ方向と、基板１の表面の法線方向とが一致している。
【００３６】
本明細書では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）を形成する（配置する）」などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを形成する（配置する）場合と、Ａ上に他のもの又は空間を介してＢを形成する（配置する）場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いる。また、「上」、「下」等の文言は、センサーチップ１００の設置状態に依存した上下関係を意図した文言ではなく、センサーチップ１００の設置状態にかかわらず、基板１が下に存在する状態で見た（基板１が下に来るように視野を採った）場合における上下関係を意図した文言である。したがって、例えば、仮に、重力の作用する方向が下となるように見た場合、基板１が上方、構造体２０が下方となるようにセンサーチップ１００が設置されているとしても、基板１の上方に構造体２０があるということの意味は、基板１が下方に位置するように視野を選び（すなわちこの場合には重力の作用する方向が上となるように見て）、文言どおり基板１の上方に構造体２０が位置すると解することとする。
【００３７】
基板１は、後述する構造体２０と一体的であってもよい。また、基板１と構造体２０とは別体であってもよく、この場合は基板１の上に直接構造体２０が設けられてもよいし、基板１の上に誘電体層（図示せず）及び／又は金属層１０等を介して構造体２０が設けられてもよい。さらに、基板１の上方に誘電体層等が形成され、その上方に構造体２０が設けられてもよい。この場合、さらに、基板１と誘電体層の間、又は、誘電体層と構造体２０の間に金属層１０が設けられてもよい。
【００３８】
図１〜図７では、構造体２０は金属層１０の上に形成され、構造体２０の存在しない領
域では金属層１０の上面が露出しているように描かれている。また、図１〜図７に示す例では、金属層１０を有するが、金属層１０は必須の構成ではなく、金属層１０は存在しなくてもよい。本実施形態のセンサーチップ１００は、基板１がシリコン基板である場合、又は、基板１の上方にポリシリコンが堆積された場合には、半導体製造において利用される「ボッシュプロセス」を用いて構造体２０を容易に形成することができる。このような場合には、構造体２０の下にシリコン、ポリシリコン、フッ素系化合物等が残るように形成されてもよい。そしてこのようなエッチングで残った、あるいは意図的に残した物質を、誘電体として構造体２０や構造体２０の下の構成として利用してもよい。
【００３９】
なお、基板１あるいは構造体２０の材質がシリコンである場合、赤外線領域で透明であるため、後述する励起光を適切に選択することにより、誘電体層又は透光層として利用することができる。
【００４０】
１．２．構造体
構造体２０は、基板１の上方に形成される。構造体２０は、基板１に接して形成されてもよいし、基板１と一体的に形成されてもよい。また、構造体２０と基板１との間に誘電体層、透光層、金属層等の他の層が配置されてもよい。
【００４１】
構造体２０は、構造体２０を切る基板１に平行な平面を仮定し、当該平面を基板１から遠ざかる方向に移動させた場合に、当該平面における構造体２０の断面の面積が減少する区間（庇部）を有する形状を有している。
【００４２】
図１は、本実施形態に係るセンサーチップ１００の構造体２０の一例の部分断面を含む模式図である。図１では、金属粒子３０は省略して描いてある。また、図１には、二点鎖線が描かれているが、係る二点鎖線は、基板１に平行な仮想的な平面を示している。
【００４３】
図１に示すように、構造体２０は、側面に凸部２１を有している。構造体２０の凸部２１は、図示の例では円筒状の側面から内側に向かって突出するように形成されているが、凹部が形成されることにより付随的に形成されてもよい。すなわち、凹部と凹部とによって挟まれることによって凸部２１が形成されていてもよい。また、凸部２１は、上述の仮想平面を基板１から遠ざかる方向に移動させた場合に、少なくとも当該平面における構造体２０の断面の面積が減少する区間（庇部）を有する。ここで本明細書において、庇部とは、構造体２０の側面の一部が上方を向いている部分のことをいう。
【００４４】
凸部２１は、基板１から所定の距離離間した位置に形成される。凸部２１の個数は任意である。凸部２１は、例えば、構造体２０の側面を構造体２０の下端部から上端部まで辿った場合に、少なくとも１箇所に形成される。図１の例では凸部２１は、構造体２０の側面に３個設けられている。凸部２１の基板１からの距離は、特に限定されないが、構造体２０が複数形成される場合には、それぞれの構造体２０における凸部２１の高さが互いに揃っていることが好ましい。これにより隣り合う構造体２０に配置された金属粒子３０を基板１からの距離が略等しい位置に揃えて配置することができるため、これらの金属粒子３０間の相互作用をより高めることができる。
【００４５】
構造体２０を基板１に平行な仮想平面で切る場合について説明する。仮想平面によって構造体２０を切り、仮想平面を基板１から遠ざけるように移動（走査）させたときの仮想平面に現れる構造体２０の断面の面積の推移を考える。本実施形態のセンサーチップ１００は、係る仮想平面が移動する間に、係る断面の面積が減少する区間（庇部）を有する。すなわち、本実施形態の構造体２０では、構造体２０の側面の一部が、上方を向く（側面の一部の法線方向が基板１と反対の方向を向く）。係る面積が減少する区間（庇部）は、図１中に符号Ａで示した区間である。
【００４６】
また、本実施形態の構造体２０は、仮想平面を基板１から遠ざけるように移動（走査）させたときの仮想平面に現れる構造体２０の断面の面積が増大する区間（部分）を有している。すなわち、本実施形態の構造体２０では、構造体２０の側面の一部が、下方を向く（側面の一部の法線方向が基板１の方向を向く）。係る面積が増大する区間は、図１中に符号Ｂで示した区間である。断面の面積が増大する区間（部分）を有することにより、構造体２０の側面をさらに有効利用でき、金属粒子３０をより効率よく基板１の法線方向に制御して配置することができる。
【００４７】
なお、係る面積が増大する区間は、形成されなくてもよく、その場合には、構造体２０の仮想平面における断面は、基板１から離れるにつれて小さくなるが、凸部２１は形成されず、構造体２０の側面の一部が上方を向く庇部が形成される。
【００４８】
上記面積が減少する区間（庇部）と面積が増大する区間（部分）は、基板１の法線方向において、必ずしも隣接している必要はなく、仮想平面を基板１から遠ざけるように移動（走査）させたときに、上記面積が増大する区間と減少する区間（庇部）との間に、例えば、上記面積が変化しない区間を有してもよい。図１の例では、仮想平面を基板１から遠ざけるように移動（走査）させたときに、上記面積が増大する区間（部分）と減少する区間（庇部）とが連続している。また、図１の例では、上記面積が増大する区間（部分）と減少する区間（庇部）とが基板１の法線方向において隣接している凸部２１の例であって、いずれの区間ともに、基板１に平行な面に対する斜面となっている。
【００４９】
なお、上記面積が減少する庇部及び増大する部分は、いずれも該面積が不連続に減少又は増大してもよい。すなわち、構造体２０の側面から突出する凸部２１の上面及び／又は下面は、例えば、基板１に略平行な平面となっていてもよい。
【００５０】
このような面積が減少する区間（庇部）において、構造体２０の側面の一部が上方を向くため、この位置に金属粒子３０を配置することができる。凸部２１が突出する長さ、あるいは、庇部の庇の長さは、金属粒子３０を配置できる範囲で任意である。
【００５１】
図１に示すように、凸部２１は、構造体２０が円筒形状の孔２２を有する平板状である場合には、当該孔２２の内壁面に円環状に形成される。図２は、本実施形態に係るセンサーチップ１００の構造体２０の一例の部分断面を含む模式図である。図２では、金属粒子３０は省略して描いてある。また、図１と同様に、二点鎖線が描かれているが、係る二点鎖線は、基板１に平行な仮想的な平面を示している。図２に示すように、凸部２１は、構造体２０が円柱状である場合には、円柱の周囲に円環状に形成される。図示しないが、凸部２１は、構造体２０が基板１に平行に延びる角柱状である場合には、少なくとも角柱の基板１と垂直な側面に、基板１の平面に沿って延びるように形成される。
【００５２】
構造体２０の形状は、構造体２０に側面が生じる限り特に限定されない。構造体２０の形状としては、図１及び図３に示すような網目状、図２及び図４に示すような円柱状、図５に示すような直方体状（グレーティング状）など、とすることができる。
【００５３】
また、面積が増大して減少する区間で、基板１から遠ざかる方向に仮想平面を移動させた場合に、仮想平面における構造体２０の断面の重心が基板１の法線に沿う方向に移動してもよい。すなわち、構造体２０において、基板１から遠ざかる方向に仮想平面を移動させた場合に、仮想平面における構造体２０の断面の重心が、平面的に見て移動しないようにしてもよい。このようにすれば、後述のボッシュプロセスを利用することができ、センサーチップ１００の製造を容易化できる。さらに、このようにすれば、１つの凸部２１が構造体２０から突出する長さが１つの凸部２１において偏らないため、金属粒子３０を効
率よく配置することができる。
【００５４】
なお、本明細書では、センサーチップ１００の型（タイプ）を、構造体２０の配列や形状によって呼称する場合があり、例えば、図１及び図３に示すような構造体２０に形成された孔２２が配列したタイプをホールアレイ、図２及び図４に示すような円柱状の構造体２０が配列したタイプをピラーアレイ、図５に示すように直線状の構造体２０が配列したタイプをグレーティングなどと称することがある。
【００５５】
また、構造体２０の側面の形状について換言すると、構造体２０の側面には、基板１に平行な方向に延びる庇（ひさし）（ｅａｖｅ）、オーニング（ａｗｎｉｎｇ）、あるいは棚（たな）（ｂａｎｑｕｅｔｔｅ）が形成されていると表現することができる。本明細書では、このような構造を「庇」、「庇部」、「棚」又は「棚部」と称することがある。構造体２０の側面から突出する庇の長さは、特に限定されず、金属粒子３０を庇の上に載置できる程度以上であればよい。また、構造体２０の側面に沿う方向の庇の長さについても限定されず、構造体２０の側面全体に延びていてもよい。
【００５６】
構造体２０の機能としては、金属粒子３０の少なくとも一部を庇部（凸部２１）（棚）に載置することが挙げられる。このような機能により、金属粒子３０を基板１から所定の距離だけ離間して制御して配置することができる。また、構造体２０の機能としては、複数の金属粒子３０を同じ高さで（基板１に平行な平面に沿って）配置させることが挙げられる。これにより、複数の金属粒子３０間を基板１に平行な平面に沿って接近させることができるため、金属粒子３０に発生するＬＳＰの強度をより高めることができる。
【００５７】
構造体２０の材質としては、誘電体としての性質を示す限り任意であり、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、単結晶シリコン、ポリシリコン、シリコンとフッ素系ガス（例えば、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８等）との反応物、及びこれらの混合物などを挙げることができる。また構造体２０は、全体が均質な材質である必要もなく、例えば、表面付近と内部とで異なる材質であってもよい。
【００５８】
１．３．金属粒子
金属粒子３０は、構造体２０の側面に配置される。金属粒子３０が配置される数は任意である。金属粒子３０は、構造体２０の庇部（構造体２０の側面が上方を向いている部分）の上に配置されることができる。金属粒子３０は、構造体２０の庇部の上以外の部位に配置されてもよい。金属粒子３０が、庇部の上に配置されることにより、金属粒子３０が配置される基板１からの距離（高さ）を制御することができる。金属粒子３０は、庇部の上に複数配置されてもよい。
【００５９】
金属粒子３０の形状は、特に限定されない。例えば、金属粒子３０の形状は、基板１の厚さ方向に投影した場合に（厚さ方向からの平面視において）円形、楕円形、多角形、不定形又はそれらを組合わせた形であることができ、厚さ方向に直交する方向に投影した場合にも円形、楕円形、多角形、不定形又はそれらを組合わせた形状であることができる。複数の金属粒子３０は、互いに異なる形状であってもよい。図６、図７の例では金属粒子３０は、球の形状で描かれているが金属粒子３０の形状はこれに限定されない。
【００６０】
金属粒子３０の形状が球である場合には、金属粒子３０の直径は、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。また、金属粒子３０の形状が不定形等である場合には、金属粒子３０と同体積の球の平均的な直径について、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。さらに
、金属粒子３０の平均的な寸法は、金属粒子３０の最大の差し渡し（ｓｐａｎ）の平均値が、励起光の波長の１／２（半波長）よりも小さいことが好ましい。
【００６１】
金属粒子３０の差し渡しが励起光の半波長程度以下の寸法である場合には、金属粒子３０に励起光が入射した際に、金属粒子３０において電場の分極が生じ、ＬＳＰが生じやすい。また、金属粒子３０の差し渡しが励起光の波長程度の寸法である場合には、金属粒子３０に励起光が入射した際に、金属粒子３０における電場の分極は四重極の状態となり、半波長程度以下の寸法である場合に比べて強度は小さいもののＬＳＰを生じることができる。
【００６２】
金属粒子３０の材質は、金、銀、銅、アルミニウム、白金、ニッケル、パラジウム、タングステン、ロジウム及びルテニウムから選択される少なくとも１種の金属、若しくは、これらの複数種の合金、又は、これらの複数の金属若しくは合金の複合体とすることができる。このような材質であると、可視光付近の光によって局在型プラズモンを生じ易い。これらの中でも、金属粒子３０の材質としては、金又は銀であることがより好ましく、より強いＬＳＰ共鳴が得られ、チップ全体の増強度を高めることができる。
【００６３】
金属粒子３０は、例えば、スパッタ、蒸着等によって薄膜を形成する条件で、アイランドが形成される条件を選択することにより形成することができる。また、金属粒子３０は、薄膜を形成した後に加熱によって粒状化させる方法、スパッタ、蒸着等によって薄膜を形成した後にパターニングを行う方法などによっても形成することができる。
【００６４】
金属粒子３０は、本実施形態のセンサーチップ１００において局在型プラズモン（ＬＳＰ）を発生させる機能を有している。したがって、金属層１０を有さない場合であっても、金属粒子３０に、励起光を照射することにより、金属粒子３０の周辺に局在型プラズモンを発生させることができる。本実施形態では、金属粒子３０の高さが制御されて配置され、ほぼ同じ高さにおいて金属粒子３０が配置されるため、より効率的にＬＳＰ（横方向：基板１の平面に沿う方向）を生じさせることができる。
【００６５】
１．４．金属層
本実施形態のセンサーチップ１００は、金属層１０を有する。金属層１０は、金属粒子３０にＬＳＰを発生させるための必須の構成ではないが、金属層１０が存在することにより、金属粒子３０に基板１に垂直な方向のより強いＬＳＰを発生させることができる。金属層１０は、特に限定されず、例えばフィルム、板、層又は膜の形状とすることができる。金属層１０は、例えば基板１の上に設けられてもよい。図１〜図７の例では、基板１の表面（平面）の上に層状の金属層１０が設けられている。
【００６６】
金属層１０は、例えば、蒸着、スパッタ、鋳造、機械加工等の手法により形成することができる。金属層１０が薄膜状に基板１の上に設けられる場合には、基板１の上面全体に設けられてもよいし基板１の一部に設けられてもよい。金属層１０の厚さは、金属層１０に伝搬型表面プラズモンが励起され得るかぎり特に限定されず、例えば、１０ｎｍ以上１ｍｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上１００μｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以上１μｍ以下とすることができる。
【００６７】
金属層１０は、光（例えば励起光）により与えられる電場と、その電場によって誘起される分極とが逆位相で振動するような電場が存在しうる金属、すなわち、特定の電場が与えられた場合に、誘電関数の実数部が負の値を有し（負の誘電率を有し）、虚数部の誘電率が実数部の誘電率の絶対値よりも小さい誘電率を有することのできる金属によって構成される。可視光領域におけるこのような誘電率を有しうる金属の例としては、金、銀、銅、アルミニウム、白金、ニッケル、パラジウム、タングステン、ロジウム及びルテニウム
から選択される少なくとも１種の金属、若しくは、これらの複数種の合金等を挙げることができる。また、金属層１０は、これらの金属若しくは合金の複数の層の積層体であってもよい。
【００６８】
金属層１０は、本実施形態のセンサーチップ１００に設けられた場合、伝搬型表面プラズモン（ＰＳＰ）を発生させることができる。特定の条件下で、金属層１０に光が入射することにより、金属層１０の表面（厚さ方向の端面）近傍に伝搬型表面プラズモンが発生する。本明細書では、金属層１０の表面付近の電荷の振動と電磁波とが結合した振動の量子を、表面プラズモン・ポラリトン（ＳＰＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｌａｓｍｏｎ  Ｐｌａｒｉｔｏｎ）と称することがある。係る金属層１０に発生した伝搬型表面プラズモンを、金属粒子３０に発生する局在型表面プラズモンと相互作用させてもよい。
【００６９】
本実施形態のセンサーチップ１００が金属層１０を有する場合には、金属粒子３０に発生した局在型プラズモン（ＬＳＰ）は、金属層１０に発生する伝搬型プラズモン（ＰＳＰ）と、一定の条件下で相互作用（ハイブリッド）することができる。さらに、本実施形態のセンサーチップ１００では、金属粒子３０の高さ（金属粒子３０の基板１からの距離）が制御されて配置されるため、伝搬型プラズモンによる基板１の法線方向に沿う振動電場によってさらに効率的にＬＳＰ（縦方向：基板１の平面に垂直な方向）を生じさせることができる。
【００７０】
１．５．構造体の配置
構造体２０は、基板１の上方に規則的に配列されて配置されてもよい。例えば、図３に示すように、構造体２０は、複数が並んで構造体列を構成してもよい。構造体２０は、構造体列において、基板１に平行な第１方向に並んで配置される。言い換えると構造体列は、構造体２０が高さ方向と直交する第１方向に複数並んだ構造を有する。１つの構造体列に並ぶ構造体２０の数は、複数であればよく、好ましくは１０個以上である。そして、図示の例では、係る構造体列が、高さ方向及び第１方向と直交する第２方向に複数配置されている。第２方向に並ぶ構造体列の数は、複数であればよく、好ましくは１０個以上である。
【００７１】
同様に、図４に示すように、構造体２０がホールアレイである場合、構造体２０に設けられた孔２２が、規則的に配列されて配置されてもよい。孔２２は、複数が並んで列を構成してもよい。孔２２は、列において、基板１に平行な第１方向に並んで配置される。言い換えると孔２２の列は、構造体２０が高さ方向と直交する第１方向に複数並んだ構造を有する。１つの列に並ぶ孔２２の数は、複数であればよく好ましくは１０個以上である。そして、図示の例では、係る孔２２の列が、高さ方向及び第１方向と直交する第２方向に複数配置されている。第２方向に並ぶ列の数は、複数であればよく、好ましくは１０個以上である。
【００７２】
さらに、図５に示すように、構造体２０がグレーティングである場合、構造体２０は、複数が並んで格子縞を構成してもよい。図５の例では、構造体２０は、基板１に平行な第２方向に並んで配置されている。言い換えると構造体２０は、高さ方向と直交する第２方向に複数並んだ構造を有する。グレーティングを構成する構造体２０の数は、複数であればよく、好ましくは１０個以上である。
【００７３】
１．６．構造体における金属粒子の配置
図６及び図７は、センサーチップ１００における金属粒子３０の配置の例を示している。金属粒子３０は、構造体２０の側面の凸部２１の上面、すなわち、庇部（構造体２０の側面が上方を向いている部分）の上に配置される。そして、金属粒子３０の少なくとも一部は、構造体２０を切る基板１に平行な平面を仮定し、基板１から遠ざかる方向に平面を
移動させた場合に、平面における構造体２０の断面の面積が減少する庇部に配置される。
【００７４】
また、庇部に配置される金属粒子３０の数は限定されない。複数の金属粒子３０が１つの庇部に複数配置される際には、例えば、図６における奥行き方向に配置されることもできる。また、図７に示すように、金属粒子３０は、構造体２０の上面に配置されてもよいし、金属層１０の上に配置されもよい。
【００７５】
さらに、センサーチップ１００の金属粒子３０が、基板１の法線方向において、励起光の波長よりも近接して配置できる程度の間隔で構造体２０の凸部２１（庇部）が形成される場合には、ＰＳＰによって形成される振動電場によってＬＳＰをより効率よく発生させることができる。
【００７６】
１．７．作用効果
本実施形態のセンサーチップ１００では、基板１の法線方向における所定の位置（高さ）に金属粒子３０が積極的に配置される。すなわち、このようなセンサーチップ１００は、基板１の法線方向において、金属粒子３０が存在する位置が制御されている。これにより、金属粒子３０の間に強い局在表面プラズモン（ＬＳＰ：Ｌｏｃａｌｉｚｅｄ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｌａｓｍｏｎ）を発生させることができ、金属粒子３０の近傍に高い電場増強度のホットサイトを形成することができる。そのため、係るセンサーチップ１００は、標的物質を吸着させるためのホットサイトの密度が高く、かつ、ホットサイトの電場増強度も高い。これにより、例えばＳＥＲＳ信号の高い増強度を得ることができる。
【００７７】
また、本実施形態のセンサーチップ１００は、金属層１０を有しているため、励起光がセンサーチップ１００に照射された際に、金属層１０にＰＳＰが発生し、係るＰＳＰによって、基板１の法線方向の振動電場を生じさせることができる。これにより、金属粒子３０の基板１の法線方向の端部にＬＳＰをより生じさせやすい。これにより、センサーチップ１００は、標的物質を吸着させるためのホットサイトの密度が非常に高く、かつ、ホットサイトの電場増強度も高くなっている。これにより、例えばＳＥＲＳ信号の高い増強度を得ることができる。
【００７８】
１．８．増強電場の形成機構
まず、（１）局在型表面プラズモン共鳴（ＬＳＰＲ）について述べる。これは金属粒子（金属微粒子）に光を入射すると、金属内部の自由電子の振動と、光の電場が共鳴を生じ、金属微粒子の周囲に強い増強電場が形成される現象である。
【００７９】
次に、（２）伝搬型プラズモンの励起について述べる。誘電関数ε（ω）を持つ金属と、誘電関数εｍ（ω）を持つ媒質との界面を伝搬する表面プラズモンの分散関係は下記式（１）で与えられる。
【００８０】
【数１】
2017040608.tif 000003
ここで、ωは角周波数、ｋｓｐｐは金属−媒質の界面に沿って伝搬する表面プラズモンの波数ベクトルの大きさ、ｃは光速である。一方で、入射角θで入射した光および構造体（周期Ｐ）によって回折した光の分散関係は下記式（２）、式（３）で与えられる。
【００８１】
【数２】
2017040608.tif 000004
【００８２】
【数３】
2017040608.tif 000005
この時、ｋ０は、ｋｓｐｐに比べ、常に大きく、交点を持たないため、入射光によって直接表面プラズモンを励起することは出来ないが、ｋｎは、ｋｓｐｐと交点を持つため、表面プラズモンを励起できる。
【００８３】
したがって、本実施形態の構造体２０におけるホールアレイ、ピラーアレイ、グレーティング構造等の周期を、励起光の波長においてｋｎ＝ｋｓｐｐとなるように設定することで、伝搬型表面プラズモン共鳴（ＰＳＰ）を、金属粒子３０のＬＳＰと重畳して発現させることができ、非常に強い電場増強度を得ることができる。
【００８４】
２．センサーチップの製造方法
本実施形態のセンサーチップ１００は、上述の構造を形成できる限りどのように製造されてもよいが、本実施形態のセンサーチップ１００は、例えば、以下のような方法でより容易に製造することができる。
【００８５】
図８は、深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ：Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）の工程を示している。図８は、いわゆるボッシュプロセスの例であり、表面にマスク６０が形成された基板１に対して等方性エッチングを行う工程（図８（ａ））、エッチングした領域の壁面に保護膜７０を堆積させる工程（図８（ｂ））、及び底部の保護膜７０を除去するエッチング工程（図８（ｃ））の３つの工程を１組としたプロセスを複数回繰り返す例を示している。
【００８６】
ここで、マスク６０の形状を変えることでホールアレイ、ピラーアレイ、グレーティングのいずれの構造も形成することが出来る。そしてこの、図８（ｄ）に示すようにエッチングした領域の壁面にはスキャロップと呼ばれる凹凸が形成される。係るスキャロップの凸部分は、本実施形態のセンサーチップ１００における凸部２１（庇部又は棚部）として利用することができる。また、上記の工程の組の数を変更することで、凸部２１の個数も適宜変更することができる。さらに、上記工程の間隔やタイミングを制御すれば、凸部２１の高さ方向の位置や各々の間隔も適宜変更することができる。
【００８７】
図９は、金属粒子３０を構造体２０の側面に配置する工程（傾斜蒸着法）を模式的に示している。基板１に形成された構造体２０（ホールアレイ、ピラーアレイ、グレーティングなど）の側壁に直進性の良い真空蒸着あるいはスパッタリング等の方法で金属を堆積させる（図９（ａ））。図示の例は、構造体２０に形成された孔２２内の側面に金属粒子３０を配置する。蒸着源やターゲットからの金属流は入射角を０〜θの入射角度で基板に入射し、構造体２０の側壁に堆積する。ここで、θは、θ＝ｃｏｓ−１｛Ｔ／（Ａ２＋Ｔ２）１／２｝で与えられる（図示の通り、Ａは、構造体２０（孔２２）の開口幅、Ｔは、構造体２０の高さ（孔２２の深さ）を表す。）。構造体２０の側壁にはスキャロップの凹凸があり、凸部２１には金属が堆積するものの、その影になる部位には金属が堆積することが出来ない、いわゆるシャドーイング現象が生じる。また、堆積量を制御することにより
、金属は膜形成に至らず、アイランド状の構造が得られる。これにより、スキャロップにより離間されたアイランド状の金属粒子３０が得られる（図９（ｂ））。なお、図９（ａ）のように基板１を回転させながら蒸着すれば、凸部２１の全体にわたって金属粒子３０を配置することができる。また、図５に示したようなグレーティング構造である場合には、基板１は回転させなくてもよいし、構造体２０の２つの側面に対して蒸着されるように基板１を傾斜させれば凸部２１の全体に金属粒子３０を配置させることができる。
【００８８】
より具体的な例としては、最表面に酸化シリコン層（ＳｉＯ２）を形成したシリコン基板上に、電子線レジストＺＥＰ−５２０Ａを塗布し、電子線描画装置において、周期６００ｎｍ、デューティー比０．５のライン＆スペースを描画する。その後、現像液ＺＥＤ−Ｎ５０により現像を行い、レジストパターン（マスク６０）を得る。この後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりレジストパターンを酸化シリコン層に転写する。その後、酸化シリコン層をマスクとして、ボッシュプロセスでシリコンの深掘りを行う。ボッシュプロセスの例としては、ＳＦ６ガスによるエッチングと、Ｃ４Ｆ８ガスによる保護膜形成を交互に行う異が挙げられる。その後、真空蒸着により、金属粒子３０の堆積を行う。なお、保護膜７０は、薄く、かつ、誘電体としての特性を有するため、構造体２０の一部とみなすことができる。
【００８９】
金属粒子３０を金属流を堆積させることで形成する場合、堆積させる金属の量が多いと、アイランド状の構造がスキャロップ（凸部２１）を超えて繋がってしまうことがある。このような場合には、金属を堆積させた後、熱処理を行うことが有効である。このようにすれば、膜状に堆積した金属を凝集させて粒子状に形成することができる。図１０（ａ）は、薄膜状に堆積した５ｎｍの金に対して５００℃で熱処理を行った結果を示すＳＥＭ像である。熱処理前は膜であった金薄膜は、粒子化してアイランド状となっている様子を確認することができる。このような技術を応用し、図１０（ｂ）に示すように、構造体２０の側面に金属を膜状に堆積（金薄膜Ｍ）させた後、熱処理を行うことで、スキャロップ（凸部２１）の上に、粒子状の金属粒子３０を離間して配置させた構造を得ることができる。熱処理の温度は金属種、量にもよるが、堆積する金属が金の場合、５００℃程度が好ましい。
【００９０】
アイランド状の金属粒子３０の寸法が入射光の波長より十分小さい時、局在表面プラズモン（ＬＳＰ）が発現し、金属粒子３０の周囲に増強電場が生じる。これにより、ラマン散乱光の増強現象であるＳＥＲＳが発現し、ごく微量物質の検出が可能となる。ＬＳＰは、金属粒子３０の寸法および間隔により発現波長が変化するが、これらはスキャロップ（凸部２１）の高さ、大きさ、及び堆積する金属の量によって適宜に設定することができる。
【００９１】
３．分析装置
図１１は、本実施形態に係る分析装置２００を模式的に示す図である。分析装置２００は、例えば、ラマン分光装置であり、以下分析装置２００はラマン分光装置であるものとして説明する。分析装置２００は、図１１に示すように、気体試料保持部１１０と、検出部１２０と、制御部１３０と、検出部１２０および制御部１３０を収容している筐体１４０と、を含む。気体試料保持部１１０は、本発明に係るセンサーチップを含む。以下では、上述のセンサーチップ１００を含む例について説明する。
【００９２】
気体試料保持部１１０は、センサーチップ１００と、センサーチップ１００を覆うカバー１１２と、吸引流路１１４と、排出流路１１６と、を有している。検出部１２０は、光源２１０と、レンズ１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ，１２２ｄと、ハーフミラー１２４と、光検出器２２０と、を有している。制御部１３０は、光検出器２２０において検出された信号を処理して光検出器２２０の制御をする検出制御部１３２と、光源２１０などの電
力や電圧を制御する電力制御部１３４と、を有している。制御部１３０は、図１１に示すように、外部との接続を行うための接続部１３６と電気的に接続されていてもよい。
【００９３】
分析装置２００では、排出流路１１６に設けられている吸引機構１１７を作動させると、吸引流路１１４および排出流路１１６内が負圧になり、吸引口１１３から検出対象となる標的物質を含んだ気体試料が吸引される。吸引口１１３には除塵フィルター１１５が設けられており、比較的大きな粉塵や一部の水蒸気などを除去することができる。気体試料は、吸引流路１１４および排出流路１１６を通り、排出口１１８から排出される。気体試料は、係る経路を通る際に、センサーチップ１００の金属粒子体３２と接触する。
【００９４】
吸引流路１１４および排出流路１１６の形状は、外部からの光がセンサーチップ１００に入射しないような形状である。これにより、ラマン散乱光以外の雑音となる光が入射しないため、信号のＳ/Ｎ比を向上させることができる。吸引流路１１４、排出流路１１６を構成する材料は、例えば、光を反射し難いような材料や色である。
【００９５】
吸引流路１１４および排出流路１１６の形状は、気体試料に対する流体抵抗が小さくなるような形状である。これにより、高感度な検出が可能になる。例えば、吸引流路１１４、排出流路１１６の形状を、できるだけ角部をなくし滑らかな形状にすることで、角部における気体試料の滞留をなくすことができる。吸引機構１１７としては、例えば、流路抵抗に応じた静圧、風量のファンモーターやポンプを用いる。
【００９６】
分析装置２００では、光源２１０は、センサーチップ１００に光（例えば波長６３３ｎｍのレーザー光、励起光）を照射する。光源２１０としては、例えば、半導体レーザー、気体レーザーを用いることができる。光源２１０から射出された光は、レンズ１２２ａで集光された後、ハーフミラー１２４およびレンズ１２２ｂを介して、センサーチップ１００に入射する。センサーチップ１００からは、ＳＥＲＳ光が放射され、該光は、レンズ１２２ｂ、ハーフミラー１２４、およびレンズ１２２ｃ，１２２ｄを介して、光検出器２２０に至る。すなわち、光検出器２２０は、センサーチップ１００から放射される光を検出する。ＳＥＲＳ光には、光源２１０からの入射波長と同じ波長のレイリー散乱光が含まれているので、光検出器２２０のフィルター１２６によってレイリー散乱光を除去してもよい。レイリー散乱光が除去された光は、ラマン散乱光として、光検出器２２０の分光器１２７を介して受光素子１２８にて受光される。受光素子１２８としては、例えば、フォトダイオードを用いる。
【００９７】
光検出器２２０の分光器１２７は、例えば、ファブリペロー共振を利用したエタロン等で形成されており、通過波長帯域を可変とすることができる。光検出器２２０の受光素子１２８によって、標的物質に特有のラマンスペクトルが得られ、例えば、得られたラマンスペクトルと予め保持するデータとを照合することで、標的物質の信号強度を検出することができる。
【００９８】
なお、分析装置２００は、センサーチップ１００、光源２１０、および光検出器２２０を含み、センサーチップ１００に標的物質を吸着させ、そのラマン散乱光を取得することができれば、上記の例に限定されない。
【００９９】
分析装置２００では、上述したとおり、ホットサイトの単位面積当たりの密度が高く、ホットサイトの電場増強度も高いセンサーチップ１００を含む。そのため、ラマン散乱光の強度を大きくすることができる。したがって、分析装置２００は、高い検出感度を有することができる。
【０１００】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例
えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１０１】
例えば、本発明に係るセンサーチップは、抗原抗体反応における抗原の吸着の有無などのように、物質の吸着の有無を検出するアフィニティー・センサーなどとして用いることもできる。アフィニティー・センサーは、該センサーに白色光を入射し、波長スペクトルを分光器で測定し、吸着による表面プラズモン共鳴波長のシフト量を検出することで、検出物質のセンサーチップへの吸収を高感度に検出することができる。
【０１０２】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１０３】
１…基板、１０…金属層、２０…構造体、２１…凸部、２２…孔、３０…金属粒子、６０…マスク、７０…保護膜、１００…センサーチップ、１１０…気体試料保持部、１１２…カバー、１１３…吸引口、１１４…吸引流路、１１５…除塵フィルター、１１６…排出流路、１１７…吸引機構、１１８…排出口、１２０…検出部、１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ，１２２ｄ…レンズ、１２４…ハーフミラー、１２６…フィルター、１２７…分光器、１２８…受光素子、１３０…制御部、１３２…検出制御部、１３４…電力制御部、１３６…接続部、１４０…筐体、２００…ラマン分光装置、２１０…光源、２２０…光検出器
【図１】
2017040608.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１１】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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