(57)【要約】【課題】リリースエッチング時間の短縮を図ることのできる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】圧力センサー１は、ダイアフラム２４を有する基板２と、空洞部Ｓと、基板２上に配置され、空洞部Ｓの周囲の少なくとも一部を囲む配線部４２１と、配線部４２１上に配置され、空洞部Ｓの周囲の少なくとも一部を囲む配線部４４１と、配線部４４１から延出し、空洞部Ｓの内外を連通する細孔４４４を有する被覆部４４３と、被覆部４４３上に配置され、細孔４４４を封止する封止部４６と、配線部４４１と封止部４６との間に配置された表面保護膜４５と、を有し、表面保護膜４５の空洞部Ｓの端４５１は、空洞部Ｓの外側に位置する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアフラムを有する基板と、
前記ダイアフラムの一方側に位置する圧力基準室と、
前記基板上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第１配線部と、
前記第１配線部上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第２配線部と、
前記第２配線部から延出し、前記圧力基準室を介して前記ダイアフラムと対向して配置されており、前記圧力基準室の内外を連通する貫通孔を有する被覆部と、
前記被覆部上に配置され、前記貫通孔を封止する封止部と、
前記第２配線部と前記封止部との間に配置された保護部と、を有し、
前記保護部の前記圧力基準室側の端は、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の外側に位置することを特徴とする圧力センサー。
【請求項２】
前記第１配線部は、前記基板と接続される第１コンタクト部と、前記第１コンタクト部の周囲に配置される第１フランジ部と、を有し、
前記第２配線部は、前記第１フランジ部と接続される第２コンタクト部を有する請求項１に記載の圧力センサー。
【請求項３】
前記第２コンタクト部は、前記第１フランジ部の前記第１コンタクト部に対して前記圧力基準室側に位置する部分に接続する第１コンタクト片を有する請求項２に記載の圧力センサー。
【請求項４】
前記第２コンタクト部は、前記第１フランジ部の前記第１コンタクト部に対して前記圧力基準室と反対側に位置する部分に接続する第２コンタクト片を有する請求項３に記載の圧力センサー。
【請求項５】
前記第１コンタクト片と前記第２コンタクト片との間に配置されている充填部を有する請求項４に記載の圧力センサー。
【請求項６】
前記充填部は、前記第１配線部と前記第２配線部とで覆われている請求項５に記載の圧力センサー。
【請求項７】
前記保護部の前記圧力基準室側の端は、前記基板の平面視で、前記第２コンタクト片よりも外側に位置する請求項４ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサー。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする高度計。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧力センサーとして、特許文献１に記載の構成が知られている。特許文献１の圧力センサーは、ダイアフラムを有する基板と、ダイアフラムと重なって位置する圧力基準室と、圧力基準室の周囲を囲む第１導電層および第２導電層と、圧力基準室を介してダイアフラムと対向して配置され、圧力基準室の内外を連通する貫通孔を有する被覆層と、被覆層上に配置され、被覆層に形成された貫通孔を封止する封止層と、第２導電層と封止層との間に配置され、主に、第１、第２導電層を湿気や埃から保護する保護層と、を有している。
【０００３】
このような構成の圧力センサーでは、製造工程の途中までは圧力基準室が犠牲層で埋まっており、この犠牲層を被覆層の貫通孔を介して除去（リリースエッチング）することで圧力基準室が形成される。しかしながら、保護層の圧力基準室側の端が、平面視で圧力基準室と重なっているため、貫通孔を圧力基準室の外周部に近づけて配置することができない。よって、圧力基準室の外周部に位置する犠牲層を除去し難く、リリースエッチング時間が長くなってしまう。このようにリリースエッチング時間が長くなると、圧力センサーの各部がエッチング液に長時間曝され、圧力センサーがダメージ（損傷）を受けるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−３０８７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、リリースエッチング時間の短縮を図ることのできる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の発明により達成される。
【０００７】
本発明の圧力センサーは、ダイアフラムを有する基板と、
前記ダイアフラムの一方側に位置する圧力基準室と、
前記基板上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第１配線部と、
前記第１配線部上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第２配線部と、
前記第２配線部から延出し、前記圧力基準室を介して前記ダイアフラムと対向して配置されており、前記圧力基準室の内外を連通する貫通孔を有する被覆部と、
前記被覆部上に配置され、前記貫通孔を封止する封止部と、
前記第２配線部と前記封止部との間に配置された保護部と、を有し、
前記保護部の前記圧力基準室側の端は、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の外側に位置することを特徴とする。
このような構成とすることで、貫通孔を圧力基準室の外周側に近づけて配置することができるため、圧力基準室に埋まっている犠牲層を除去する際のリリースエッチング時間の短縮を図ることができる。
【０００８】
本発明の圧力センサーでは、前記第１配線部は、前記基板と接続される第１コンタクト部と、前記第１コンタクト部の周囲に配置される第１フランジ部と、を有し、
前記第２配線部は、前記第１フランジ部と接続される第２コンタクト部を有することが好ましい。
これにより、第１配線部および第２配線部の直上に段差が形成され難くなる。そのため、リリースエッチング時のダメージを低減することができる。
【０００９】
本発明の圧力センサーでは、前記第２コンタクト部は、前記第１フランジ部の前記第１コンタクト部に対して前記圧力基準室側に位置する部分に接続する第１コンタクト片を有することが好ましい。
これにより、第１配線部および第２配線部の直上に段差が形成され難くなる。そのため、リリースエッチング時のダメージを低減することができる。
【００１０】
本発明の圧力センサーでは、前記第２コンタクト部は、前記第１フランジ部の前記第１コンタクト部に対して前記圧力基準室と反対側に位置する部分に接続する第２コンタクト片を有することが好ましい。
これにより、第１配線部および第２配線部の直上に段差が形成され難くなる。そのため、リリースエッチング時のダメージを低減することができる。
【００１１】
本発明の圧力センサーでは、前記第１コンタクト片と前記第２コンタクト片との間に配置されている充填部を有することが好ましい。
これにより、第１配線部および第２配線部が補強されて、より機械的強度の高い圧力センサーとなる。また、第１配線部および第２配線部の直上に段差が形成され難くなる。
【００１２】
本発明の圧力センサーでは、前記充填部は、前記第１配線部と前記第２配線部とで覆われていることが好ましい。
これにより、充填部をリリースエッチングから保護することができる。
【００１３】
本発明の圧力センサーでは、前記保護部の前記圧力基準室側の端は、前記基板の平面視で、前記第２コンタクト片よりも外側に位置することが好ましい。
これにより、より確実に、貫通孔を圧力基準室の外周側に近づけて配置することができる。
【００１４】
本発明の高度計は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い高度計が得られる。
【００１５】
本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００１６】
本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
【図２】図１に示す圧力センサーが有する圧力センサー部を示す平面図である。
【図３】図２に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。
【図４】図１に示す圧力センサーの部分拡大断面図である。
【図５】従来の構成を示す部分拡大断面図である。
【図６】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図７】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図８】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図９】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図１０】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図１１】図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る圧力センサーの部分拡大断面図である。
【図１３】本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
【図１４】本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
【図１５】本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
【００２０】
図１は、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図２は、図１に示す圧力センサーが有する圧力センサー部を示す平面図である。図３は、図２に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図４は、図１に示す圧力センサーの部分拡大断面図である。図５は、従来の構成を示す部分拡大断面図である。図６ないし図１１は、ぞれぞれ、図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。
【００２１】
図１に示す圧力センサー１は、受けた圧力を検知することができる。圧力センサー１は、基板２と、圧力センサー部３と、周囲構造体４と、空洞部Ｓと、図示しない半導体回路と、を有する。以下、これら各部について順に説明する。
【００２２】
［基板］
基板２は、Ｓｉ（シリコン）基板である半導体基板２１上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成された第１絶縁膜２２と、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）で構成された第２絶縁膜２３と、をこの順に積層することで構成されている。ただし、半導体基板２１としては、Ｓｉ基板に限定されず、例えば、ＳＯＩ基板（Ｓｉ層、ＳｉＯ２層、Ｓｉ層がこの順で積層している基板）を用いることもできる。また、第１絶縁膜２２や第２絶縁膜２３についても、エッチング耐性と絶縁性とを発揮することができれば、材料は特に限定されない。また、第１絶縁膜２２や第２絶縁膜２３は、必要に応じて設ければよく、省略してもよい。
【００２３】
また、半導体基板２１には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム２４が設けられている。このダイアフラム２４は、半導体基板２１の下面に開放する有底の凹部２５を設けることで凹部２５の底部に形成され、ダイアフラム２４の下面（凹部２５の底面）が受圧面２４１となっている。
【００２４】
このような半導体基板２１上およびその上方には圧力センサー部３と電気的に接続された図示しない半導体回路（回路）が作り込まれている。この半導体回路には、必要に応じて形成されたＭＯＳトランジスタ等の能動素子、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオードおよび配線等の回路要素が含まれている。ただし、このような半導体回路は、省略してもよい。
【００２５】
［圧力センサー部］
圧力センサー部３は、図２に示すように、ダイアフラム２４に設けられている４つのピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４を有する。また、ピエゾ抵抗素子３１〜３４は、配線等を介して、互いに電気的に接続され、図３に示すブリッジ回路３０（ホイートストンブリッジ回路）を構成して半導体回路と接続されている。
【００２６】
ブリッジ回路３０には駆動電圧ＡＶＤＣを供給する駆動回路（図示せず）が接続されている。そして、ブリッジ回路３０は、ダイアフラム２４の撓みに基づくピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４の抵抗値変化に応じた信号（電圧）を出力する。なお、ピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４は、それぞれ、例えば、半導体基板２１にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。また、これらピエゾ抵抗素子３１〜３４を接続する配線は、例えば、半導体基板２１に、ピエゾ抵抗素子３１〜３４よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。
【００２７】
［空洞部］
空洞部Ｓは、図１に示すように、基板２と周囲構造体４とに囲まれることで画成されている。このような空洞部Ｓは、密閉された空間であり、圧力センサー１が検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する。また、空洞部Ｓは、ダイアフラム２４の受圧面２４１とは反対側に位置し、ダイアフラム２４と重なるように配置されている。ここで、空洞部Ｓは、真空状態（例えば、１０Ｐａ以下程度）であることが好ましい。これにより、圧力センサー１を、真空を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー」として用いることができる。これにより、利便性の高い圧力センサー１となる。ただし、空洞部Ｓは、一定の圧力に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。
【００２８】
［周囲構造体］
基板２と共に空洞部Ｓを画成する周囲構造体４は、図１に示すように、層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に配置された配線層４２と、配線層４２および層間絶縁膜４１上に配置された層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜４３上に配置された配線層４４と、配線層４４および層間絶縁膜４３上に配置された表面保護膜（保護部）４５と、配線層４４および表面保護膜４５上に配置された封止層（封止部）４６と、を有する。
【００２９】
なお、後述する圧力センサー１の製造方法でも説明するが、圧力センサー１の製造工程の途中までは、空洞部Ｓは、層間絶縁膜４１、４３からなる犠牲層で埋まっている（図８参照）。そして、この犠牲層をウェットエッチング等で除去することで空洞部Ｓが形成される。以下、この工程を「リリースエッチング工程」とも言う。
【００３０】
配線層４２は、空洞部Ｓを囲んで配置された枠状の配線部（第１配線部）４２１と、前記半導体回路の配線を構成する回路用配線部４２２と、を含んでいる。同様に、配線層４４は、空洞部Ｓを囲んで配置された枠状の配線部（第２配線部）４４１と、前記半導体回路の配線を構成する回路用配線部４４２と、を含んでいる。そして、前記半導体回路は、回路用配線部４２２、４４２によって周囲構造体４の上面に引き出され、回路用配線部４４２の一部が外部接続用の接続端子４４２’となって表面保護膜４５から露出している。
【００３１】
図４は、配線部４２１、４４１付近の拡大図である。この図に示すように、配線部４２１は、層間絶縁膜４１と接して設けられ、基板２と接続された凹状のコンタクト部（第１コンタクト部）４２１ａと、層間絶縁膜４１上に設けられ、コンタクト部４２１ａの周囲に配置されたフランジ部（第１フランジ部）４２１ｂと、を有する。また、フランジ部４２１ｂは、コンタクト部４２１ａに対して空洞部Ｓ側に位置する内側部４２１ｂ’と、コンタクト部４２１ａに対して空洞部Ｓと反対側に位置する外側部４２１ｂ”と、を有する。
【００３２】
また、配線部４４１は、層間絶縁膜４３と接して設けられ、配線部４２１と接続されたコンタクト部（第２コンタクト部）４４１ａと、層間絶縁膜４３上に設けられ、コンタクト部４４１ａの周囲に配置されたフランジ部（第２フランジ部）４４１ｂと、を有する。また、コンタクト部４４１ａは、配線部４２１の内側部４２１ｂ’上に位置し、内側部４２１ｂ’と接続された凹状の第１コンタクト片４４１ａ’と、配線部４２１の外側部４２１ｂ”上に位置し、外側部４２１ｂ”と接続された凹状の第２コンタクト片４４１ａ”と、を有している。
【００３３】
このような配線部４４１の構成によれば、次の効果を発揮することができる。まず、図５に従来からよく用いられている配線部４４１の構成を示す。従来の構成では、配線部４４１は、配線部４２１と同様の構成となっており、配線部４４１のコンタクト部４４１ａが、配線部４２１のコンタクト部４２１ａに接続される。このような構成では、これらコンタクト部４２１ａ、４４１ａの直上に大きな段差Ｘが出来てしまい、段差Ｘ上に成膜される封止層４６のステップカバレッジ（段差被覆性）が悪化するおそれがある。
【００３４】
これに対して、本実施形態の構成では、配線部４４１のコンタクト部４４１ａが配線部４２１のフランジ部４２１ｂに接続されているため、配線部４２１、４４１の直上に形成される段差Ｘが前述した従来の構成よりも小さくなる。そのため、段差Ｘ上に成膜される封止層４６のステップカバレッジが向上する。その結果、より均質（厚みが一定）な封止層４６を形成することができ、封止層４６の機械的強度が増して、空洞部Ｓの気密性をより確実に維持することができる。
【００３５】
なお、本実施形態の有利な点を明確に説明するために図５に示す従来の構成を挙げたが、本発明は、この従来の構成を除外するものではない。すなわち、配線部４４１の構成を本実施形態に替えて図４に示す構成としてもよい。
【００３６】
このような配線部４２１、４４１に囲まれた領域Ｓ１には、図４に示すように、充填部４７が配置されている。この充填部４７は、配線部４２１、４４１を補強する補強材として機能する。そのため、圧力センサー１の機械的強度を高めることができる。特に、充填部４７は、その全域が配線部４２１、４４１によって液密的に覆われているため、前述したリリースエッチング工程の際にエッチング液と触れることがなく、エッチングによるダメージを受けることがない。そのため、上述した効果をより確実に発揮することができる。
【００３７】
なお、充填部４７は、層間絶縁膜４３の一部で構成されている。これにより、充填部４７と層間絶縁膜４３とを一括で形成することができるため、圧力センサー１の製造が容易となると共に、圧力センサー１の装置構成が簡単となる。
【００３８】
配線層４４は、さらに、空洞部Ｓの内外を連通する複数の細孔（貫通孔）４４４を備えた被覆層（被覆部）４４３を有する。被覆層４４３は、配線部４４１から延出して設けられ、空洞部Ｓを介してダイアフラム２４と対向配置されている。複数の細孔４４４は、前述したリリースエッチング工程の際に、空洞部Ｓにエッチング液を侵入させるリリースエッチング用の孔である。このような被覆層４４３上には封止層（封止部）４６が配置されており、この封止層４６によって細孔４４４が封止されている。なお、封止層４６による細孔４４４の封止は、リリースエッチング工程を終え、空洞部Ｓ内を所定の雰囲気にした状態で行われる。
【００３９】
表面保護膜４５は、周囲構造体４を水分、ゴミ、傷などから保護する機能を有する。このような表面保護膜は、被覆層４４３の細孔４４４を塞がないように、層間絶縁膜４３および配線層４４上に配置されている。
【００４０】
ここで、図４に示すように、圧力センサー１の平面視で、表面保護膜４５の空洞部Ｓ側の端（端面）４５１は、空洞部Ｓの外側に位置している。言い換えると、表面保護膜４５は、圧力センサー１の平面視で、空洞部Ｓと重ならないように配置されている。このような配置とすることで、被覆層４４３が有する細孔４４４を、空洞部Ｓの外周部と重なる位置にも配置することができる。そのため、リリースエッチング工程の際に、エッチング液が空洞部Ｓの外周部にも迅速に到達し、リリースエッチングを短縮することができる。そのため、圧力センサー１の生産性が向上する。また、リリースエッチング時間を短縮できる分、各部のダメージを低減することが出来たり、マスクの膜厚を薄くすることができたりする。
【００４１】
特に、表面保護膜４５の空洞部Ｓ側の端（端面）４５１は、本実施形態のように、圧力センサー１の平面視で、第２コンタクト片４４１ａ”よりも外側に位置することが好ましい。これにより、端４５１を十分に空洞部Ｓから離間させることができ、細孔４４４を空洞部Ｓの外周部と重なる位置により簡単に配置することができる。なお、ここでいう「外側」とは、第２コンタクト片４４１ａ”を基準とした場合に、圧力基準室側と対向する側を意味する。
【００４２】
以上、周囲構造体４について説明した。層間絶縁膜４１、４３および充填部４７としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層４２、４４としては、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、封止層４６としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜を用いることができる。また、表面保護膜４５としは、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜など、周囲構造体４を水分、ゴミ、傷などから保護するための耐性を有するものを用いることができる。
【００４３】
次に、圧力センサー１の製造方法について簡単に説明する。
まず、図６に示すように、シリコン基板である半導体基板２１を用意し、半導体基板２１に圧力センサー部３を形成する。次に、図７に示すように、半導体基板２１上に第１絶縁膜２２および第２絶縁膜２３を成膜する。
【００４４】
次に、図８に示すように、半導体基板２１上に、層間絶縁膜４１、配線層４２、層間絶縁膜４３および配線層４４、表面保護膜４５を順に形成する。次に、図９に示すように、レジストマスクＭで表面保護膜４５を保護した上で、ウェットエッチングによって、細孔４４４を介して犠牲層（配線部４２１、４４１で囲まれた層間絶縁膜４１、４３）を除去して、空洞部Ｓを形成する。
【００４５】
ここで、前述したように、本実施形態では配線部４４１の構成を工夫することで、配線部４２１、４４１の直上に形成される段差Ｘを小さくしているため、レジストマスクＭのステップカバレッジが向上する。そのため、より均質（厚みが一定）なレジストマスクＭを形成することができ、レジストマスクＭによって表面保護膜４５を効果的に保護することができる。
【００４６】
次に、図１０に示すように、空洞部Ｓを真空状態とし、封止層４６で空洞部Ｓを封止する。次に、図１１に示すように、半導体基板２１の下面に、ウェットエッチングによって凹部２５を形成してダイアフラム２４を形成する。
以上により、圧力センサー１が得られる。
【００４７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
【００４８】
図１２は、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーの部分拡大断面図である。
以下、第２実施形態の圧力センサーについて説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００４９】
図１２に示す圧力センサー１では、前述した第１実施形態と比較して、配線部４４１から第２コンタクト片４４１ａ”が省略されている。すなわち、配線部４４１のコンタクト部４４１ａは、配線部４２１の内側部４２１ｂ’上に位置し、内側部４２１ｂ’と接続された第１コンタクト片４４１ａ’から構成されている。そのため、配線部４２１、４４１で囲まれた領域Ｓ１が、配線部４２１、４４１によって完全に覆われてはいないが、このような構成によっても、リリースエッチング工程の際に用いられるエッチング液から充填部４７を保護することがきる。また、このような構成によっても、配線部４２１、４４１上に形成される段差Ｘを小さくすることができる。
【００５０】
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００５１】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る高度計について説明する。
【００５２】
図１３は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
図１３に示すように、高度計２００は、腕時計のように、手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、圧力センサー１が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。このような高度計２００は、圧力センサー１を備えているため、高い信頼性を発揮することができる。
【００５３】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る電子機器について説明する。
【００５４】
図１４は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
本実施形態の電子機器は、圧力センサー１を備えたナビゲーションシステム３００である。図１４に示すように、ナビゲーションシステム３００は、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー１と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。
【００５５】
このナビゲーションシステムによれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。高度情報を得ることにより、例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には、一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。
【００５６】
そこで、ナビゲーションシステム３００に圧力センサー１を搭載し、高度情報を圧力センサー１によって取得することで、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
【００５７】
なお、本発明の圧力センサーを備える電子機器は、上記のナビゲーションシステムに限定されず、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、パーソナルコンピューター、携帯電話、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター等に適用することができる。
【００５８】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る移動体について説明する。
【００５９】
図１５は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
本実施形態の移動体は、圧力センサー１を備えた自動車４００である。図１５に示すように、自動車４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２とを有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。このような自動車４００には、ナビゲーションシステム３００（圧力センサー１）が内蔵されている。
【００６０】
以上、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【００６１】
また、前述した実施形態では、圧力センサー部としてピエゾ抵抗素子を用いたものについて説明したが、圧力センサーとしては、これに限定されず、例えば、フラップ型の振動子を用いた構成や、櫛歯電極等の他のＭＥＭＳ振動子や、水晶振動子等の振動素子を用いることもできる。
【符号の説明】
【００６２】
１…圧力センサー、２…基板、２１…半導体基板、２２…第１絶縁膜、２３…第２絶縁膜、２４…ダイアフラム、２４１…受圧面、２５…凹部、３…圧力センサー部、３０…ブリッジ回路、３１、３２、３３、３４…ピエゾ抵抗素子、４…周囲構造体、４１…層間絶縁膜、４２…配線層、４２１…配線部、４２１ａ…コンタクト部、４２１ｂ…フランジ部、４２１ｂ’…内側部、４２１ｂ”…外側部、４２２…回路用配線部、４３…層間絶縁膜、４４…配線層、４４１…配線部、４４１ａ…コンタクト部、４４１ａ’…第１コンタクト片、４４１ａ”…第２コンタクト片、４４１ｂ…フランジ部、４４２…回路用配線部、４４２’…接続端子、４４３…被覆層、４４４…細孔、４５…表面保護膜、４５１…端、４６…封止層、４７…充填部、２００…高度計、２０１…表示部、３００…ナビゲーションシステム、３０１…表示部、４００…自動車、４０１…車体、４０２…車輪、Ｍ…レジストマスク、Ｓ…空洞部、Ｓ１…領域、Ｘ…段差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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