(57)【要約】【課題】主表面の有効エリアの平坦度を向上した、マスクブランク用の基板の製造方法の提供。【解決手段】基板の主表面を研磨する主表面研磨工程を有し、前記主表面研磨工程の前に、前記基板は、略矩形状の前記主表面と、前記主表面に対し略垂直な端面と、前記主表面と前記端面とをつなぐ略平坦な傾斜面とを有し、前記傾斜面は前記主表面の４辺の少なくとも１つに形成され前記主表面に対し鈍角に交わり、前記主表面研磨工程における前記主表面の板厚方向における研磨量が５０μｍ以下であり、前記主表面研磨工程の後に、少なくとも１つの前記傾斜面は、前記主表面に対する傾斜角が４５°よりも大きく９０°よりも小さく、且つ、前記端面に対し垂直な方向における幅が０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、マスクブランク用の基板の製造方法。【選択図】図１
2017040900.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主表面を研磨する主表面研磨工程を有し、
前記主表面研磨工程の前に、前記基板は、略矩形状の前記主表面と、前記主表面に対し略垂直な端面と、前記主表面と前記端面とをつなぐ略平坦な傾斜面とを有し、前記傾斜面は前記主表面の４辺の少なくとも１つに形成され前記主表面に対し鈍角に交わり、
前記主表面研磨工程における前記主表面の板厚方向における研磨量が５０μｍ以下であり、
前記主表面研磨工程の後に、少なくとも１つの前記傾斜面は、前記主表面に対する傾斜角が４５°よりも大きく９０°よりも小さく、且つ、前記端面に対し垂直な方向における幅が０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、マスクブランク用の基板の製造方法。
【請求項２】
略矩形状の主表面と、前記主表面に対し略垂直な端面と、前記主表面と前記端面とをつなぐ略平坦な傾斜面とを有し、前記傾斜面は前記主表面の４辺の少なくとも１つに形成され前記主表面に対し鈍角に交わり、
少なくとも１つの前記傾斜面は、前記主表面に対する傾斜角が４５°よりも大きく９０°よりも小さく、且つ、前記端面に対し垂直な方向における幅が０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、マスクブランク用の基板。
【請求項３】
請求項２に記載の基板と、
開口パターンが形成される膜とを有する、マスクブランク。
【請求項４】
前記膜は、光を遮光する遮光膜である、請求項３に記載のマスクブランク。
【請求項５】
前記膜は、光を吸収する吸収膜であり、
前記吸収膜と前記基板との間に、前記光を反射する反射膜を有する、請求項３に記載のマスクブランク。
【請求項６】
請求項２に記載の基板と、
開口パターンを有する膜とを有する、フォトマスク。
【請求項７】
前記膜は、光を遮光する遮光膜である、請求項６に記載のフォトマスク。
【請求項８】
前記膜は、光を吸収する吸収膜であり、
前記吸収膜と前記基板との間に、前記光を反射する反射膜を有する、請求項６に記載のフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクブランク用の基板の製造方法、マスクブランク用の基板、マスクブランク、およびフォトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
マスクブランク用の基板の製造方法は、基板の主表面を研磨する主表面研磨工程を有する（例えば特許文献１参照）。特許文献１では、主表面の平坦度に対する基板マークの影響について言及されている。基板マークは、主表面研磨工程の前に予め主表面の隅部に形成され、主表面研磨工程中に主表面の平坦度を悪化させうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２５６０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
マスクブランク用の基板は、略矩形状の主表面と、主表面に対し略垂直な端面と、主表面と端面とをつなぐ略平坦な傾斜面とを有する。傾斜面は、主表面の４辺のそれぞれに形成され、主表面に対し鈍角に交わる。傾斜面は、基板マークとは別に、主表面研磨工程の前に予め形成される。主表面研磨時の欠けが抑制できる。
【０００５】
特許文献１では、主表面の平坦度に対する、基板マークの影響について言及されているが、傾斜面の影響については言及されていない。傾斜面の影響が考慮されていないため、主表面の有効エリアの平坦度が十分ではないことがあった。
【０００６】
ここで、有効エリアとは、フォトマスクの開口パターンに対応する領域を意味し、平面視でフォトマスクの開口パターンに重なる領域を意味する。１５２ｍｍ角の基板の場合、例えば基板の端面から５ｍｍ以上内側の１４２ｍｍ角のエリアが有効エリアである。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、主表面の有効エリアの平坦度を向上した、マスクブランク用の基板の製造方法の提供を主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
基板の主表面を研磨する主表面研磨工程を有し、
前記主表面研磨工程の前に、前記基板は、略矩形状の前記主表面と、前記主表面に対し略垂直な端面と、前記主表面と前記端面とをつなぐ略平坦な傾斜面とを有し、前記傾斜面は前記主表面の４辺の少なくとも１つに形成され前記主表面に対し鈍角に交わり、
前記主表面研磨工程における前記主表面の板厚方向における研磨量が５０μｍ以下であり、
前記主表面研磨工程の後に、少なくとも１つの前記傾斜面は、前記主表面に対する傾斜角が４５°よりも大きく９０°よりも小さく、且つ、前記端面に対し垂直な方向における幅が０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、マスクブランク用の基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様によれば、主表面の有効エリアの平坦度を向上した、マスクブランク用の基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施形態による基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】一実施形態による主表面研磨工程前後の基板の状態を示す図である。
【図３】一実施形態による主表面研磨工程中の基板および研磨パッドの状態を示す図である。
【図４】一実施形態による反射型のマスクブランクを示す図である。
【図５】一実施形態による反射型のフォトマスクを示す図である。
【図６】一実施形態による透過型のマスクブランクを示す図である。
【図７】一実施形態による透過型のフォトマスクを示す図である。
【図８】実施例および比較例における傾斜角および幅の測定方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。
【００１２】
図１は、一実施形態による基板の製造方法を示すフローチャートである。基板の製造方法は、例えば面取工程Ｓ１１と、主表面研磨工程Ｓ１２とを有する。
【００１３】
面取工程Ｓ１１に供される基板は、例えばガラスで形成され、２つの主表面と、４つの端面とを有する。２つの主表面は、互いに平行とされる。各主表面は、略矩形状に形成される。各主表面の４隅は、面取りされていてもよいし、面取りされていなくてもよい。各端面は２つの主表面に対し略垂直とされ、端面と主表面とのなす角が８８°以上９２°以下とされる。
【００１４】
尚、面取工程Ｓ１１に供される基板は、本実施形態ではガラスで形成されるが、セラミック、半導体、金属などで形成されてもよい。
【００１５】
面取工程Ｓ１１では、基板の主表面と端面との境界部に、主表面に対し鈍角に交わる傾斜面を形成する。傾斜面は、略平坦に形成される。傾斜面は、各端面の板厚方向両端部に形成されてもよいし、各端面の板厚方向一端部のみに形成されてもよい。傾斜面は、面取時の加工傷などを除去するため、主表面研磨工程Ｓ１２の前に研磨パッド、研磨ブラシまたは研磨テープなどによって研磨されてもよい。
【００１６】
主表面研磨工程Ｓ１２では、基板の主表面を研磨する。研磨対象の主表面は、１つでもよいし、２つでもよい。２つの主表面は、同時に研磨されてもよいし、順番に研磨されてもよい。研磨対象の主表面が２つの場合、各端面の板厚方向両端部に予め傾斜面が形成されていることが好ましい。尚、研磨対象の主表面が１つの場合、各端面の板厚方向一端部のみに予め傾斜面が形成されていてもよい。研磨対象の主表面側に、主表面に対し鈍角に交わる傾斜面が予め形成されていればよい。
【００１７】
主表面研磨工程Ｓ１２では、基板の主表面と研磨パッドの研磨面とを接触させながら相対的に移動させる。研磨パッドの研磨面は基板の主表面よりも大きくてよい。基板の主表面全体を同時に研磨できる。例えば、研磨パッドの研磨面の半径は、基板を保持するキャリアの直径よりも大きくてよい。この場合、キャリアは、研磨パッドの中心線を中心に公転させられながら、キャリアの中心線を中心に自転させられる。
【００１８】
研磨パッドは、基板の板厚方向両側に配設されてよく、基板の２つの主表面を同時に研磨してもよい。研磨パッドとしては、例えばウレタン系研磨パッド、不織布系研磨パッド、またはスウェード系研磨パッドなどが用いられる。これらの研磨パッドは、軟質の研磨面を有し、例えば樹脂発泡体で形成される研磨面を有する。
【００１９】
研磨パッドと基板との間には、研磨粒子と分散媒とを含む研磨スラリーが供給される。研磨剤としては、例えばコロイダルシリカ、または酸化セリウムなどが用いられる。分散媒としては、水、または有機溶媒などが用いられる。
【００２０】
尚、基板の製造方法は、図１では面取工程Ｓ１１を有するが、面取工程Ｓ１１を有しなくてもよい。主表面研磨工程Ｓ１２の前に、研磨対象の主表面側に、主表面に対し鈍角に交わる傾斜面が形成されていればよい。例えば、傾斜面は、溶融ガラスを板状に成形する成形時に形成されてもよい。
【００２１】
また、基板の製造方法は、面取工程Ｓ１１、主表面研磨工程Ｓ１２以外の工程を有してもよく、例えば洗浄工程を有してもよい。洗浄工程では、基板を洗浄する。洗浄工程は、面取工程Ｓ１１と主表面研磨工程Ｓ１２の間、主表面研磨工程Ｓ１２の後などに行われる。
【００２２】
図２は、一実施形態による主表面研磨工程前後の基板の状態を示す図である。図２において、二点鎖線は主表面研磨工程前の基板の状態を示し、実線は主表面研磨工程後の基板の状態を示す。
【００２３】
図２に二点鎖線で示すように、主表面研磨工程Ｓ１２の前に、基板１０は、略矩形状の主表面１１と、主表面１１に対し略垂直な端面１２と、主表面１１と端面１２とをつなぐ略平坦な傾斜面１３とを有する。傾斜面１３は、主表面１１の４辺の少なくとも１つに形成され、主表面１１に対し鈍角に交わる。主表面研磨時の欠けが抑制できる。傾斜面１３は、図２では端面１２の板厚方向両端部に形成されるが、端面１２の板厚方向一端部のみに形成されてもよい。
【００２４】
主表面研磨工程Ｓ１２の前に、少なくとも１つの傾斜面１３は、主表面１１に対する傾斜角θ１が４５°よりも大きく９０°よりも小さく、且つ、端面１２に対し垂直な方向における幅Ｗ１が０．１ｍｍ以上０．３５ｍｍ以下である。傾斜角θ１は、傾斜面１３が主表面１１に対し平行な場合を０°、傾斜面１３が端面１２に対し平行な場合を９０°とする。幅Ｗ１および傾斜角θ１は、各傾斜面１３における平均値を採用する。幅Ｗ１および傾斜角θ１は、傾斜面１３毎に異なる値でも同じ値でもよい。
【００２５】
主表面研磨工程Ｓ１２における主表面１１の板厚方向における研磨量ＰＡは、一般的に５０μｍ以下である。研磨量ＰＡが５０μｍ以下であれば、主表面研磨工程Ｓ１２による主表面１１の平坦度の悪化を抑制できる。研磨量ＰＡは、好ましくは２００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である。研磨量ＰＡが２００ｎｍ以上であれば、主表面１１の加工跡などが十分に除去できる。研磨量ＰＡが２０００ｎｍ以下であれば、主表面研磨工程Ｓ１２によって、傾斜面１３の幅Ｗ１がほとんど変動しない。
【００２６】
図２に実線で示すように、主表面研磨工程Ｓ１２の後に、少なくとも１つの傾斜面１３は、主表面１１に対する傾斜角θ２が４５°よりも大きく９０°よりも小さく、且つ、端面１２に対し垂直な方向における幅Ｗ２が０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。傾斜角θ２は、傾斜面１３が主表面１１に対し平行な場合を０°、傾斜面１３が端面１２に対し平行な場合を９０°とする。主表面研磨工程Ｓ１２の後の傾斜角θ２は、主表面研磨工程Ｓ１２の前の傾斜角θ１と略同じである。幅Ｗ２および傾斜角θ２は、各傾斜面１３における平均値を採用する。幅Ｗ２および傾斜角θ２は、傾斜面１３毎に異なる値でも同じ値でもよい。
【００２７】
図３は、一実施形態による主表面研磨工程中の基板および研磨パッドの状態を示す図である。図３において、矢印方向は研磨パッドに対する基板の移動方向を示す。図３では研磨パッドを固定した状態で基板を移動させるが、どちらを移動させてもよく、両方を移動させてもよい。
【００２８】
主表面研磨工程Ｓ１２では、基板１０の主表面１１と研磨パッド２０の研磨面２１とを接触させながら相対的に移動させる。このとき、研磨パッド２０の研磨面２１は、基板１０の主表面１１に押されることで弾性変形し、主表面１１の移動方向前方に傾斜面１３に沿って盛り上がる凸部２１ａを形成する。また、凸部２１ａに対応する凹部２１ｂが主表面１１の内側に形成される。凸部２１ａの断面積と、凹部２１ｂの断面積とは略等しい。凹部２１ｂは、主表面１１とは接触しないため、主表面１１の研磨ムラの原因となりうる。
【００２９】
本発明者は、実験などにより下記（１）〜（３）を見出した。（１）研磨装置の設定条件（例えば荷重、自転速度、公転速度など）が同じであれば、傾斜面１３の傾斜角θが異なっても、凹部２１ｂの断面積は略同じになる。（２）凹部２１ｂの断面積が同じ場合、傾斜面１３の傾斜角θが大きいほど、凹部２１ｂの深さが大きく、その反面、凹部２１ｂの幅が小さい。（３）凹部２１ｂの幅が同じ場合、傾斜面１３の幅Ｗが小さいほど、凹部２１ｂが端面１２に近づく。
【００３０】
本実施形態によれば、主表面研磨工程Ｓ１２の後に、少なくとも１つの傾斜面１３は、傾斜角θ２が４５°よりも大きく、且つ、幅Ｗ２が０．３ｍｍ以下である。また、主表面研磨工程Ｓ１２における研磨量ＰＡは、一般的に５０μｍ以下である。従って、主表面研磨工程Ｓ１２の前に、少なくとも１つの傾斜面１３は、傾斜角θ１が４５°よりも大きく、且つ、幅Ｗ１が０．３５ｍｍ以下である。よって、主表面研磨工程Ｓ１２において、主表面１１の４辺のうちの少なくとも１辺付近において、凹部２１ｂの幅が十分に小さく、且つ、凹部２１ｂが端面１２に十分に近い。凹部２１ｂを主表面１１の外周部に集めることができ、主表面１１の有効エリアの平坦度を向上することができる。有効エリアとは、フォトマスクの開口パターンに対応する領域を意味し、平面視でフォトマスクの開口パターンに重なる領域を意味する。有効エリアは、主表面１１の中央部に設定される。１５２ｍｍ角の基板の場合、例えば基板の端面から５ｍｍ以上内側の１４２ｍｍ角のエリアが有効エリアである。主表面研磨工程Ｓ１２の後に、少なくとも１つの傾斜面１３の傾斜角θ２は、好ましくは５０°以上、より好ましくは５５°以上である。また、主表面研磨工程Ｓ１２の後に、少なくとも１つの傾斜面１３の幅Ｗ２は、好ましくは０．２５ｍｍ以下、より好ましくは０．２ｍｍ以下である。
【００３１】
また、本実施形態によれば、主表面研磨工程Ｓ１２の後に、少なくとも１つの傾斜面１３の傾斜角θ２は、９０°よりも小さい。従って、主表面研磨工程Ｓ１２の前に、少なくとも１つの傾斜面１３の傾斜角θ１は、９０°よりも小さい。よって、主表面研磨時の欠けを抑制できる。主表面研磨工程Ｓ１２の後に、少なくとも１つの傾斜面１３の傾斜角θ２は、好ましくは８０°以下、より好ましくは７０°以下である。
【００３２】
さらに、本実施形態によれば、主表面研磨工程Ｓ１２の後に、少なくとも１つの傾斜面１３の幅Ｗ２は、０．１ｍｍ以上である。従って、主表面研磨工程Ｓ１２の前に、少なくとも１つの傾斜面１３は、幅Ｗ１が０．１ｍｍ以上である。よって、加工精度上、傾斜面１３を容易に形成できる。主表面研磨工程Ｓ１２の後に、少なくとも１つの傾斜面１３の幅Ｗ２は、０．１５ｍｍ以上が好ましい。
【００３３】
図４は、一実施形態による反射型のマスクブランクを示す図である。反射型のマスクブランクは、図２に実線で示す研磨後の基板１０、反射膜３０、および吸収膜４０をこの順で有する。
【００３４】
基板１０は、反射膜３０および吸収膜４０を支持する。基板１０は、透明でも不透明でもよく、ガラス、金属、半導体などで形成される。基板１０は、熱膨張係数の小さい石英ガラスまたはチタンドープ石英ガラスで形成されることが好ましい。
【００３５】
反射膜３０は、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）などの光を反射する。反射膜３０は、例えば高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜であってよい。高屈折率層は例えばシリコン（Ｓｉ）により形成され、低屈折率層は例えばモリブデン（Ｍｏ）により形成される。
【００３６】
吸収膜４０は、光を吸収する。吸収膜４０は、例えばタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）から選ばれる少なくとも１つの元素を含む単金属、合金、窒化物、酸化物、酸窒化物などにより形成される。
【００３７】
吸収膜４０は、開口パターンが形成される膜である。開口パターンの形成には例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられ、その際に用いられるレジスト膜がマスクブランクに含まれてもよい。吸収膜４０に開口パターンを形成することにより、反射型のフォトマスクが得られる。
【００３８】
図５は、一実施形態による反射型のフォトマスクを示す図である。図５に示す反射型のフォトマスクは、図４に示す反射型のマスクブランクの吸収膜４０に開口パターン４０ａを形成することで得られる。得られた反射型のフォトマスクは、例えばＥＵＶ光源の露光機に搭載される。
【００３９】
尚、反射型のマスクブランクおよび反射型のフォトマスクは、反射膜３０、および吸収膜４０以外の膜をさらに有してもよい。例えば、反射膜３０と吸収膜４０との間に、吸収膜４０のエッチングから反射膜３０を保護する保護膜（例えばＲｕ、Ｓｉ、ＴｉＯ２など）が形成されてもよい。また、吸収膜４０を基準として反射膜３０とは反対側に、吸収膜４０の開口パターン４０ａの検査光に対し低反射特性を有する低反射膜（例えばＴａＯＮやＴａＯなど）が形成されてもよい。また、基板１０を基準として反射膜３０とは反対側に、導電膜（例えばＣｒＮなど）が形成されてもよい。
【００４０】
本実施形態によれば、基板１０の主表面の有効エリアの平坦度を向上できるため、反射型のフォトマスクの開口パターンの精度を向上できる。
【００４１】
図６は、一実施形態による透過型のマスクブランクを示す図である。透過型のマスクブランクは、図２に実線で示す研磨後の基板１０、および遮光膜５０を有する。
【００４２】
基板１０は、遮光膜５０を支持する。基板１０は、透明であり、例えばガラスで形成される。基板１０は、熱膨張係数が小さく、かつ光に対する透過率が高い石英ガラスで形成されることが好ましい。
【００４３】
遮光膜５０は、光を遮光する。遮光膜５０は、例えばクロム（Ｃｒ）などにより形成される。
【００４４】
遮光膜５０は、開口パターンが形成される膜である。開口パターンの形成には例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられ、その際に用いられるレジスト膜がマスクブランクに含まれてもよい。遮光膜５０に開口パターンを形成することにより、透過型のフォトマスクが得られる。
【００４５】
図７は、一実施形態による透過型のフォトマスクを示す図である。図７に示す透過型のフォトマスクは、図６に示す透過型のマスクブランクの遮光膜５０に開口パターン５０ａを形成することで得られる。得られた透過型のフォトマスクは、例えばＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、または水銀ランプなどを光源とする露光機に搭載される。
【００４６】
尚、透過型のマスクブランクおよび透過型のフォトマスクは、遮光膜５０の代わりに、ハーフトーン型の位相シフト膜を有してもよい。位相シフト膜は、フォトマスクを透過する光に位相差を与えることにより、透過光同士の干渉を利用して解像度を向上させる。
【００４７】
本実施形態によれば、基板１０の主表面の有効エリアの平坦度を向上できるため、透過型のフォトマスクの開口パターンの精度を向上できる。
【実施例】
【００４８】
試験例１〜５では、主表面研磨前の傾斜面の傾斜角θ１や幅Ｗ１を変更することで主表面研磨後の傾斜面の傾斜角θ２や幅Ｗ２を変更した以外、同じ条件で基板の２つの主表面を同時に研磨し、研磨後の主表面の所定エリアの平坦度を測定した。試験例１〜２が実施例、試験例３〜５が比較例である。
【００４９】
基板としては、１５２ｍｍ角、板厚６．４ｍｍのガラス基板を用意した。用意したガラス基板は２つの主表面と４つの端面と８つの傾斜面とを有するものであり、８つの傾斜面は略同じ傾斜角θ１および略同じ幅Ｗ１を有していた。
【００５０】
主表面研磨前の傾斜角θ１や幅Ｗ１は、図８に示す方法で測定した。尚、主表面研磨後の傾斜角θ２や幅Ｗ２も図８に示す方法で測定した。
【００５１】
図８は、実施例および比較例における傾斜角および幅の測定方法の説明図である。図８において基板表面の凹凸を誇張して示す。この測定方法では、先ず、端面１２の板厚方向中心点ＣＰを中心とする中心エリアＣＡの最小二乗平面１２Ｐを求めた。中心エリアＣＡの板厚方向寸法は板厚（２ｍｍ以上）を２で除した値の小数点以下を切り捨てた整数とするとよく、当基板においては３ｍｍとした。次いで、最小二乗平面１２Ｐからの距離Ｌが０．０５ｍｍとなる傾斜面１３上の点をＰ１、最小二乗平面１２Ｐに対し垂直な方向における主表面１１上の中心点をＰ２とし、点Ｐ１から点Ｐ２までの区間の基板表面上の点をｘｙ座標で表し、基板表面をモデル式で近似した。モデル式としては、下記の式（１）を用いた。
【００５２】
【数１】
2017040900.tif 000003
式（１）において、４つの係数ａ、ｂ、ｃ、ｄは、基板表面上の各点の実測値とモデル式との残差の二乗和が最小となるように決定した。
【００５３】
傾斜角θは下記の式（２）を用いて算出した。
【００５４】
【数２】
2017040900.tif 000004
一方、幅Ｗは、最小二乗平面１２Ｐから交点Ｐ３までの距離として求めた。交点Ｐ３は、モデル式に含まれる２つの直線の交点とした。
【００５５】
研磨パッドには、株式会社Ｆｉｌｗｅｌ製  ベラトリックスＮ７５１２を用いた。この研磨パッドは、基板の板厚方向両側に配し、基板の２つの主表面を同時に研磨した。各主表面の研磨量ＰＡは１μｍとした。
【００５６】
研磨中、研磨パッドの研磨面には、平均一次粒径２０ｎｍ未満のコロイダルシリカを２０質量％含有し、分散媒に硝酸を含み、ｐＨを２．０に調整した研磨スラリーを供給した。
【００５７】
研磨後の主表面の平坦度は、所謂ＰＶ値で表した。ＰＶ値とは、主表面を最少二乗法により近似した平面を基準面とし、基準面から最も高い位置と基準面から最も低い位置との高低差のことである。ＰＶ値が小さいほど、平坦度が良い。研磨後の主表面の面形状は、フィゾー型レーザー干渉式平坦度測定機（富士フイルム社（旧フジノン社）製Ｇ３１０Ｓ）により測定した。
【００５８】
平坦度の測定エリアは、小エリアＡ、中エリアＢ、大エリアＣの３種類とした。小エリアＡは、基板の端面から５ｍｍ以上内側の１４２ｍｍ角の有効エリアとした。中エリアＢは、基板の端面から４ｍｍ以上内側の１４４ｍｍ角のエリアとした。大エリアＣは、基板の端面から３ｍｍ以上内側の１４６ｍｍ角のエリアとした。
【００５９】
表１に試験例１〜５の結果を示す。
【００６０】
【表１】
2017040900.tif 000005
表１から明らかなように、主表面研磨工程の後に、傾斜角θ２が４５°よりも大きく９０°よりも小さく、且つ幅Ｗ２が０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であれば、有効エリアである小エリアＡのＰＶ値を十分に低減できることがわかる。また、小エリアＡのＰＶ値が中エリアＢのＰＶ値や大エリアＣのＰＶ値よりも小さいことから、研磨パッドの研磨面のうち研磨ムラの原因となりうる部分が小エリアＡの外側に寄せ集められたことがわかる。
【００６１】
以上、マスクブランク用の基板の製造方法の実施形態などを説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１０  基板
１１  主表面
１２  端面
１３  傾斜面
２０  研磨パッド
２１  研磨面
３０  反射膜
４０  吸収膜
４０ａ  開口パターン
５０  遮光膜
５０ａ  開口パターン
【図１】
2017040900.tif 000006
【図２】
2017040900.tif 000007
【図３】
2017040900.tif 000008
【図４】
2017040900.tif 000009
【図５】
2017040900.tif 000010
【図６】
2017040900.tif 000011
【図７】
2017040900.tif 000012
【図８】
2017040900.tif 000013