(57)【要約】      （修正有）【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】第１基材１０ａと、第１基材１０ａの上に設けられたＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０の上に設けられた配線層６ａと、配線層６ａの上に設けられた画素電極２７と、を備え、ＴＦＴ３０と配線層６ａとの間に、フローティング状態の遮光層５０ａが設けられている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面に設けられた配線層と、
前記基板と前記配線層との間に設けられた遮光層と、
前記基板と前記遮光層との間に設けられたトランジスターと、を備え、
前記遮光層は、電位がフローティングであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記遮光層と前記配線層との間に設けられた容量素子を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記遮光層の少なくとも一部は、平面視で前記トランジスターのゲート電極と重なることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記遮光層の少なくとも一部は、平面視で前記トランジスターのＬＤＤ領域と重なることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記遮光層の少なくとも一部は、前記トランジスターに隣り合う位置に設けられたコンタクトホールによって生じる窪みの内部に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記遮光層の少なくとも一部は、断面視で前記ゲート電極によって生じる段差に倣うように設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記遮光層の膜厚は、５００Å〜２０００Åであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば、特許文献１に記載のように、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。この液晶装置は、例えば、電子機器としての液晶プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる。
【０００３】
上記液晶装置には、画素電位を保持するために、一対の容量電極の間に誘電体膜が挟持された構造の容量素子が備えられている。容量素子は、基板側から、容量下部電極、容量絶縁膜、容量上部電極の順に積層されて構成されている。
【０００４】
トランジスターに光が入射することによる誤動作を防ぐために、上記容量素子に遮光性の高い材料を用いることが好ましい。しかし、容量絶縁膜を高温プロセスで形成するため、容量下部電極は、例えば、遮光性の低いポリシリコンで形成している。
【０００５】
そこで、上記容量素子を構成する容量上部電極、及びソース線の配線レイヤーに金属材料を用いることにより遮光性を向上させ、トランジスターに入射する光の量を抑えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭５８−１５９５１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、遮光性の高い容量上部電極やソース線がトランジスターから離れているため、遮光性が低下してトランジスターに光が入射しやすいという課題がある。また、ソース線をトランジスターに近づけると、例えば、ソース線とドレイン、またソース線とトランジスターとがカップリングして（電位が低下して）、表示品質に悪影響を及ぼすという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の一方の面に設けられた配線層と、前記基板と前記配線層との間に設けられた遮光層と、前記基板と前記遮光層との間に設けられたトランジスターと、を備え、前記遮光層は、電位がフローティングであることを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、配線層とトランジスターとの間に遮光層が配置されるので、トランジスターに遮光層を近づけることが可能となり、トランジスターに光が入射することを抑えることができる。また、遮光層がフローティングである（電位が印加されていない）ので、遮光層と隣接する配線との間でカップリングが発生することを抑えることができる。加えて、遮光層に電位を印加しないので、コンタクトホールを形成する必要がなく、開口率が低下することを抑えることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記遮光層と前記配線層との間に設けられた容量素子を備えることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、容量素子とトランジスターとの間に遮光層が配置されるので、よりトランジスターの近くに遮光層を配置することが可能となり、トランジスターに光が入射することを抑えることができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記遮光層の少なくとも一部は、平面視で前記トランジスターのゲート電極と重なることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、遮光層の少なくとも一部が、平面視でゲート電極と重なっているので、平面視でゲート電極の領域（チャネル領域）と隣接する領域に、光が入射することを抑えることができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記遮光層の少なくとも一部は、平面視で前記トランジスターのＬＤＤ領域と重なることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、遮光層の少なくとも一部が、平面視でＬＤＤ領域と重なっているので、少なくともＬＤＤ領域に光が入射することを抑えることができる。よって、トランジスターが誤動作するなどの不具合の発生を抑えることができる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記遮光層の少なくとも一部は、前記トランジスターに隣り合う位置に設けられたコンタクトホールによって生じる窪みの内部に設けられていることが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、遮光層の一部が、トランジスターに隣り合う位置に設けられたコンタクトホールの窪みの内部に配置されているので、トランジスターの側方を遮光させることが可能となり、トランジスターの側方からトランジスターに光が入射することを抑えることができる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記遮光層の少なくとも一部は、断面視で前記ゲート電極によって生じる段差に倣うように設けられていることが好ましい。
【００２０】
本適用例によれば、ゲート電極によって生じる段差、具体的には、ゲート電極と半導体層との段差、及びゲート電極と同層に形成されたコンタクトホール上部の段差に倣って遮光層が形成されているので、トランジスターの斜め方向や側方からトランジスターに光が入射することを抑えることができる。
【００２１】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、前記遮光層の膜厚は、５００Å〜２０００Åであることが好ましい。
【００２２】
本適用例によれば、遮光層の厚みを上記厚みに設定することにより、例えば、遮光性の低いタングステンシリサイドなどの材料を用いた場合でも、遮光層として機能させることができる。
【００２３】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００２４】
本適用例によれば、上記に記載の電気光学装置を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】電気光学装置としての液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置を構成する画素の構造を示す模式断面図。
【図５】図４に示す画素のうちＡ部の層を上方から見た概略平面図。
【図６】電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。
【図７】第２実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図８】第３実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２７】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２８】
本実施形態では、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する電子機器（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２９】
（第１実施形態）
＜電気光学装置としての液晶装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００３０】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００３１】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合され、その隙間に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのギャップ材が混入されている。
【００３２】
シール材１４の内側に、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅを有している。シール材１４と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを囲むように遮光性の例えば金属あるいは金属酸化物などからなる遮光層１８（見切り部）が配置されている。なお、表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいてもよい。
【００３３】
第１基材１０ａの１辺部と、１辺部に沿ったシール材１４との間にデータ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４の内側に検査回路（図示せず）が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部には、２つの走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３４】
これらデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子２３に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３５】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極２７およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター３０（以降、「ＴＦＴ３０」と称する。）と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。
【００３６】
画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料を用いて形成することができる。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。このように素子基板１０は、少なくともＴＦＴ３０と画素電極２７と第１配向膜２８とを有している。
【００３７】
第２基材２０ａの液晶層１５側の表面には、遮光層１８と、これを覆うように成膜された絶縁層１３と、絶縁層１３を覆うように設けられた共通電極３１と、共通電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。
【００３８】
共通電極３１は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、絶縁層などを覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３９】
画素電極２７を覆う第１配向膜２８および共通電極３１を覆う第２配向膜３２は、無機配向膜であって、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。このように対向基板２０は、少なくとも共通電極３１と第２配向膜３２とを有している。
【００４０】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａ（ゲート線）、及び配線層を構成する複数のデータ線６ａ（ソース線）と、走査線３ａと並行して延在する固定電位線４０とを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。なお、固定電位線４０はデータ線６ａと並行して延在するように配置することもできる。
【００４１】
走査線３ａとデータ線６ａならびに固定電位線４０と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子７０とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４２】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
【００４３】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４４】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４５】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された共通電極３１との間で一定期間保持される。
【００４６】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と共通電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子７０が接続されている。容量素子７０は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と固定電位線４０との間に設けられている。
【００４７】
図４は、液晶装置を構成する画素の構造を示す模式断面図である。図５は、図４に示す画素のうちＡ部の層を上方から見た概略平面図である。以下、画素の構成について、図４及び図５を参照しながら説明する。
【００４８】
図４及び図５に示すように、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有し、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｇとを含んで構成されている。半導体層３０ａは、例えば、ポリシリコンによって構成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ａ’、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ’、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ’、データ線側ソースドレイン領域３０ｓ、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄを有している。
【００４９】
データ線側ソースドレイン領域３０ｓ及び画素電極側ソースドレイン領域３０ｄは、チャネル領域３０ａ’を基準として、ほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ’は、チャネル領域３０ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域３０ｓの間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ’は、チャネル領域３０ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域３０ｄの間に形成されている。
【００５０】
データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ’、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ’、データ線側ソースドレイン領域３０ｓ及び画素電極側ソースドレイン領域３０ｄは、例えば、イオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層３０ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。
【００５１】
データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ’及び画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ’は、それぞれデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ及び画素電極側ソースドレイン領域３０ｄよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の動作時において、トランジスターの信頼性を向上させることが出来る。
【００５２】
ゲート電極３０ｇは、例えば、導電性ポリシリコンから形成されており、部分的に半導体層３０ａのチャネル領域３０ａ’と対向するように形成されている。言い換えれば、ゲート電極３０ｇは、半導体層３０ａと平面視で重なる部分である。ゲート電極３０ｇ及び半導体層３０ａ間は、ゲート絶縁膜１１ｇ１，１１ｇ２によって絶縁されている。
【００５３】
ＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１１ａを介して下層側には、走査線３ｃが設けられている。走査線３ｃは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。
【００５４】
走査線３ｃは、素子基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置１００から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などである、素子基板１０側から装置内に入射する戻り光から、ＴＦＴ３０のチャネル領域３０ａ’及びその周辺を遮光する下側遮光膜としても機能する。
【００５５】
ＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜１１ｃを介して上層側には、ＴＦＴ３０に光が入射することを抑えるために、フローティング状態の遮光層５０（５０ａ）が設けられている。遮光層５０の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、また、シリコン（Ｓｉ）とタングステン（Ｗ）、シリコン（Ｓｉ）とタングステンシリサイド（ＷＳｉ）とを積層した材料など、高融点金属材料などが挙げられる。
【００５６】
なお、遮光層５０より上層において高温プロセスが用いられる場合、上記材料が用いられる。よって、上層に高温プロセスがない場合には、通常の、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）などの金属及びそれらの積層構造を用いるようにしてもよい。これらの材料によれば、透過率と反射率とも抑えることができる。
【００５７】
遮光層５０の膜厚は、例えば、絶縁性が保たれていればよく、５００Å〜２０００Å程度である。なお、遮光層５０の誘電率を変えることにより、よりＴＦＴ３０側に近づけることができると考えられる。
【００５８】
ＴＦＴ３０（ゲート電極３０ｇ）と後述する容量下部電極７１の距離は、カップリング影響が少ない、例えば、５０００Å程度であり、遮光層５０はその層間膜の間に、絶縁を保った状態で配置されていればよい。
【００５９】
また、コンタクトホールＣＮＴ１よりも層間絶縁膜１１ｃを介して上層側にも、遮光層５０（５０ｂ）が設けられている。言い換えれば、ゲート電極３０ｇが有する段差、例えば、ゲート電極３０ｇと同層に形成されたコンタクトホールＣＮＴ１上部の段差（窪み）に倣って遮光層５０が形成されているので、ＴＦＴ３０の側方や斜め方向からＴＦＴ３０に入射する光を遮光させることができる。
【００６０】
また、図５に示すように、半導体層３０ａのうち少なくともデータ線側ＬＤＤ領域３０ｓ’、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ’、コンタクトホールＣＮＴ１と平面視で重なるように遮光層５０が設けられている。更に、平面視で走査線３ｃに沿うように遮光層５０が設けられている。
【００６１】
また、後述する配線層よりＴＦＴ３０側に遮光層５０を配置するので、ＴＦＴ３０に遮光層５０を近づけることが可能となり、ＴＦＴ３０に光が入射することを抑えることができる。また、遮光層５０がフローティング状態であるので、遮光層５０と隣接する配線との間でカップリングが発生することを抑えることができる。
【００６２】
遮光層５０よりも層間絶縁膜１１ｄを介して上層側には、容量素子７０を構成する容量下部電極７１、容量絶縁膜７２、容量上部電極７３が第１基材１０ａ側から順に積層されて構成されている。
【００６３】
容量下部電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極である。具体的には、容量下部電極７１は、コンタクトホールＣＮＴ２を介して画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続されると共に、コンタクトホールＣＮＴ４〜ＣＮＴ６及び中継電極１２ａ，１２ｂを介して画素電極２７と電気的に接続されている。
【００６４】
容量下部電極７１は、４００℃以上の高温でも変質しないポリシリコンで形成されている。
【００６５】
なお、容量下部電極７１は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。この場合には、容量下部電極７１の遮光膜としての機能を高めることができる。
【００６６】
容量上部電極７３は、容量絶縁膜７２を介して容量下部電極７１と絶縁されており、固定電位線（ＬＣＣＯＭ）と電気的に接続された固定電位側容量電極である。
【００６７】
なお、容量上部電極７３は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよいし、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）含有材料（アルミニウム（Ａｌ）と窒化チタン（ＴｉＮ））との積層膜などから構成されても良い。この場合には、容量上部電極７３の遮光膜としての機能を高めることができる。
【００６８】
容量素子７０よりも層間絶縁膜１１ｆを介して上層側には、データ線６ａ、及び中継電極１２ａが設けられている。データ線６ａは、ゲート絶縁膜１１ｇ１，１１ｇ２、層間絶縁膜１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆを貫通するコンタクトホールＣＮＴ７を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓに電気的に接続されている。
【００６９】
データ線６ａは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）含有材料（アルミニウム（Ａｌ）と窒化チタン（ＴｉＮ））との積層膜などからなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００７０】
中継電極１２ａは、層間絶縁膜１１ｆ上においてデータ線６ａと同層に形成されている。中継電極１２ａの材料は、例えば、データ線６ａと同様である。
【００７１】
データ線６ａよりも層間絶縁膜１１ｈを介して上層側には、固定電位線４０（容量線）及び中継電極１２ｂが設けられている。
【００７２】
固定電位線４０は、例えば、アルミニウム等の金属を含んで構成されており、上述した容量上部電極７３のように固定電位を供給する。一方で、固定電位線４０と同層に形成された中継電極１２ｂは、半導体層３０ａにおける画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと画素電極２７との電気的導通を中継している。
【００７３】
固定電位線４０及び中継電極１２ｂの上層には、層間絶縁膜１１ｉを介して画素電極２７が設けられている。画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ２およびＣＮＴ４〜ＣＮＴ６、容量下部電極７１、中継電極１２ａ，１２ｂを介して、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。
【００７４】
画素電極２７の材料は、ＩＴＯである。画素電極２７の上側表面には、無機材料が斜方蒸着された形成された配向膜が設けられている。
【００７５】
このように、容量素子７０とＴＦＴ３０との間、具体的には、ゲート電極３０ｇと半導体層３０ａとの段差、及びゲート電極３０ｇと同層に形成されたコンタクトホールＣＮＴ１の上部の段差に沿って遮光層５０（５０ａ，５０ｂ）が形成されているので、ＴＦＴ３０の斜め方向や側方からＴＦＴ３０に光が入射することを抑えることができる。平面視では、ゲート電極３０ｇと半導体層３０ａとが重なる領域から、半導体層３０ａのＬＤＤ領域（３０ｓ‘，３０ｄ’）に亘って遮光層５０ａが設けられているので、ゲート電極３０ｇと半導体層３０ａとの段差に沿って遮光層５０ａを覆うことが可能となり、ＴＦＴ３０の斜め方向や側方からＴＦＴ３０に光が入射することを抑えることができる。
【００７６】
また、遮光層５０がフローティング状態である（電位が印加されていない）ので、遮光層５０は隣接する配線間の寄生容量には影響を及ぼさない。更に、電位を印加しないので、コンタクトホールを形成する必要がなく、開口率が低下することを抑えることができる。
【００７７】
＜電子機器の構成＞
図６は、電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。以下、プロジェクターの構成を、図６を参照しながら説明する。
【００７８】
図６に示すように、本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された照明系としての偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。
【００７９】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８０】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８１】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８２】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００８３】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系１４００を構成する投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００８４】
液晶ライトバルブ１２１０は、後述する液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８５】
以上のような構成の電子機器は、上述した実施形態の液晶装置１００を用いるため、信頼性が高く優れた表示特性を有するプロジェクター１０００を提供することができる。
【００８６】
なお、上記液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、例えば、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００８７】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００、及びプロジェクター１０００によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８８】
（１）第１実施形態の液晶装置１００によれば、容量素子７０とＴＦＴ３０との間、具体的には、ゲート電極３０ｇと半導体層３０ａとの段差、及びゲート電極３０ｇと同層に形成されたコンタクトホールＣＮＴ１の上部の段差に沿って遮光層５０（５０ａ，５０ｂ）が形成されているので、ＴＦＴ３０の斜め方向や側方からＴＦＴ３０に光が入射することを抑えることができる。平面視では、ゲート電極３０ｇと半導体層３０ａとが重なる領域から、半導体層３０ａのＬＤＤ領域（３０ｓ‘，３０ｄ’）に亘って遮光層５０ａが設けられているので、ゲート電極３０ｇと半導体層３０ａとの段差に沿って遮光層５０ａを覆うことが可能となり、ＴＦＴ３０の斜め方向や側方からＴＦＴ３０に光が入射することを抑えることができる。
【００８９】
（２）第１実施形態の液晶装置１００によれば、遮光層５０は隣接する配線間の寄生容量には影響を及ぼさない。更に、電位を印加しないので、コンタクトホールを形成する必要がなく、開口率が低下することを抑えることができる。
【００９０】
（３）第１実施形態のプロジェクター１０００によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００９１】
（第２実施形態）
＜液晶装置の構成＞
次に、第２実施形態の液晶装置の構成について、図７を参照して説明する。図７は、第２実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図である。
【００９２】
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、ＴＦＴ３０を遮光する遮光層５０ａの平面形状が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００９３】
第２実施形態の液晶装置２００は、ＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜１１ｃを介して上層側に、第１実施形態と同様に、遮光層５０（５０ａ，５０ｂ）が設けられている（図４参照）。遮光層５０は、第１実施形態と同様に、ＴＦＴ３０に光が入射することを抑えるために設けられている。
【００９４】
また、コンタクトホールＣＮＴ１よりも層間絶縁膜１１ｃを介して上層側には、第１実施形態と同様に、遮光層５０（５０ｂ）が設けられている。なお、遮光層５０の材料や厚みなどは、第１実施形態と同様である。
【００９５】
図７に示すように、第２実施形態の遮光層５０は、少なくとも半導体層３０ａのうちデータ線側ＬＤＤ領域３０ｓ’、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ’、及びコンタクトホールＣＮＴ１と平面視で重なるように遮光層５０が設けられている。第１実施形態と比較して、遮光層５０の面積は少ない。
【００９６】
また、遮光層５０は、ゲート電極３０ｇが有する段差、例えば、ゲート電極３０ｇと、ゲート電極３０ｇと同層に形成されたコンタクトホールＣＮＴ１上部の段差（窪み）とに倣って遮光層５０が形成されている。具体的には、ＴＦＴ３０（ゲート電極３０ｇ）に被さるように凸状に遮光層５０ａが形成されると共に、ＴＦＴ３０の側方に遮光層５０ｂが形成されるので、ＴＦＴ３０の側方や斜め方向からＴＦＴ３０に入射する光を遮光させることができる。
【００９７】
また、ＴＦＴ３０に近い部分に遮光層５０を配置するので、ＴＦＴ３０に光が入射することを抑えることができる。また、遮光層５０は隣接する配線間の寄生容量には影響を及ぼさない。
【００９８】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００によれば、第１実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００９９】
（４）第２実施形態の液晶装置２００によれば、遮光層５０が少なくとも必要な部分を遮光すると共に、第１実施形態と比較して遮光する面積が小さいので、近接する配線とのカップリングの影響を少なくすることができる。例えば、走査線３ｃに沿っている遮光層５０の領域が小さいので、電圧変動による影響を少なくすることができる。
【０１００】
（第３実施形態）
＜液晶装置の構成＞
次に、第３実施形態の液晶装置の構成について、図８を参照して説明する。図８は、第３実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図である。
【０１０１】
第３実施形態の液晶装置３００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、コンタクトホールＣＮＴ１の上層のみに遮光層５０ｂを配置する部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１０２】
図８に示すように、第３実施形態の液晶装置３００は、コンタクトホールＣＮＴ１の上層のみに、遮光層５０ｂが設けられている（図４参照）。なお、遮光層５０ｂの材料や厚みなどは、第１実施形態の遮光層５０と同様である。
【０１０３】
これによれば、ＴＦＴ３０の側方に遮光層５０ｂが配置されているので、少なくともＴＦＴ３０の側方の一部からＴＦＴ３０に侵入する光を遮光させることができる。
【０１０４】
また、遮光層５０ｂがフローティング状態であるので、遮光層５０ｂと隣接する配線との間でカップリングを発生させることを抑えることができる。
【０１０５】
以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置３００によれば、第１実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１０６】
（５）第３実施形態の液晶装置３００によれば、ＴＦＴ３０と隣り合うコンタクトホールＣＮＴ１の上部の窪みに倣って（コンタクトホールＣＮＴ１の上方を埋めるように）遮光層５０ｂが形成されているので、ＴＦＴ３０の側方に遮光層５０ｂを配置することが可能となり、ＴＦＴ３０の側方からＴＦＴ３０（特に、ＬＤＤ領域３０ｓ‘，３０ｄ’）に光が入射することを抑えることができる。また、第１実施形態及び第２実施形態のように、平面積の広い遮光層５０ａを配置する場合と比較して、上層へのクラックの発生を抑えることができる。
【０１０７】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１０８】
（変形例１）
上記したように、電気光学装置として液晶装置１００，２００，３００に適用することに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー（ＥＰＤ）等に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１０９】
３ａ…走査線、３ｃ…走査線、ＣＮＴ１〜ＣＮＴ７…コンタクトホール、６ａ…配線層を構成するデータ線、１０…素子基板、１０ａ…基板としての第１基材、１１ａ…下地絶縁膜、１１ｂ〜１１ｆ…層間絶縁膜、１１ｇ，１１ｇ１，１１ｇ２…ゲート絶縁膜、１１ｈ，１１ｉ…層間絶縁膜、１２ａ，１２ｂ…中継電極、１３…絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１８…遮光層、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２３…外部接続端子、２４…走査線駆動回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ‘…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ’…データ線側ＬＤＤ領域、３１…共通電極、３２…第２配向膜、４０…固定電位線、５０，５０ａ，５０ｂ…遮光層、７０…容量素子、７１…容量下部電極、７２…容量絶縁膜、７３…容量上部電極、１００，２００，３００…液晶装置、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン、１４００…投写光学系。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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