(57)【要約】【課題】検査効率を向上させる。【解決手段】基板の一方の面の８個の導体パターンＰの一部を第１群として高電位とさせると共に他のすべての導体パターンＰを第２群として低電位とさせて各導体パターンＰ間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査を各群として設定する導体パターンＰの組み合わせを変更しつつ３回実行する第１処理と、基板の他方の面の３個の導体パターンＰの１つを高電位とさせると共に８個の導体パターンＰのすべてを低電位とさせて各導体パターンＰ間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を導体パターンＰを変更しつつ３個の導体パターンＰのすべてについて実行する第２処理と、３個の導体パターンＰの１つを高電位とさせると共に他の１つの導体パターンＰを低電位とさせて２つの導体パターンＰ間の絶縁状態を検査する第３絶縁検査を、２つの導体パターンＰのすべての組み合わせについて実行する第３処理とを行う。【選択図】図７
2017096736.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体パターンが両面にそれぞれ設けられている基板の一方の面における検査対象のＭ個（Ｍは２以上の整数）の導体パターンのすべてにプローブをそれぞれ同時に接触可能なプローブユニットと、前記基板の他方の面における検査対象のＫ個（Ｋは１以上の整数）の導体パターンの中から指定された導体パターンにプローブを移動させて接触させるプロービングを実行するプロービング機構と、前記プローブを介して検査用信号を供給させている前記導体パターンの間の絶縁状態を検査する処理を実行する処理部とを備えた基板検査装置であって、
前記処理部は、前記Ｍ個の導体パターンのうちの一部の導体パターンを第１群として設定して当該第１群の導体パターンを低電位および高電位のいずれか一方の電位で同電位とさせると共に当該Ｍ個の導体パターンのうちの当該第１群の導体パターンを除く他のすべての導体パターンを第２群として設定して当該第２群の導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該第１群の導体パターンと当該第２群の導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査を、前記第１群および前記第２群として設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつＮ回（Ｎは（ｌｏｇ２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ２Ｍ）に最も近い整数）実行する第１処理と、
前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に前記Ｍ個の導体パターンのすべてを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該Ｍ個の導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を、前記１つの導体パターンを変更しつつ前記Ｋ個の導体パターンのすべてについて実行する第２処理と、
前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共にＫ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他の１つの導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該２つの導体パターンの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第３絶縁検査を、当該２つの導体パターンの組み合わせを変更しつつすべての組み合わせについて実行する第３処理とを行う基板検査装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記プロービング機構による前記プローブの移動回数および移動距離の少なくとも一方が前記第２絶縁検査および前記第３絶縁検査の双方全体において最小となる当該第２絶縁検査および当該第３絶縁検査の実行順序を特定し、当該特定した実行順序で前記第２絶縁検査および前記第３絶縁検査を実行する請求項１記載の基板検査装置。
【請求項３】
複数の導体パターンが両面にそれぞれ設けられている基板の一方の面における検査対象のＭ個（Ｍは２以上の整数）の導体パターンのすべてにプローブをそれぞれ同時に接触可能なプローブユニットと、前記基板の他方の面における検査対象のＫ個（Ｋは１以上の整数）の導体パターンの中から指定された導体パターンにプローブを移動させて接触させるプロービングを実行するプロービング機構と、前記プローブを介して検査用信号を供給させている前記導体パターンの間の絶縁状態を検査する処理を実行する処理部とを備えた基板検査装置であって、
前記処理部は、前記Ｍ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に当該Ｍ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他のすべての導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該他のすべての導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＡ絶縁検査を、当該１つの導体パターンを変更しつつ当該Ｍ個の導体パターンのすべてについて実行するＡ処理と、
前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に前記Ｍ個の導体パターンのすべてを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該Ｍ個の導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＢ絶縁検査を、前記１つの導体パターンを変更しつつ前記Ｋ個の導体パターンのすべてについて実行するＢ処理と、
前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共にＫ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他の１つの導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該２つの導体パターンの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＣ絶縁検査を、当該２つの導体パターンの組み合わせを変更しつつすべての組み合わせについて実行するＣ処理とを行う基板検査装置。
【請求項４】
前記処理部は、前記プロービング機構による前記プローブの移動回数および移動距離の少なくとも一方が前記Ｂ絶縁検査および前記Ｃ絶縁検査の双方全体において最小となる当該Ｂ絶縁検査および当該Ｃ絶縁検査の実行順序を特定し、当該特定した実行順序で前記Ｂ絶縁検査および前記Ｃ絶縁検査を実行する請求項３記載の基板検査装置。
【請求項５】
複数の導体パターンが両面にそれぞれ設けられている基板の一方の面における検査対象のＭ個（Ｍは２以上の整数）の導体パターンのすべてにプローブをそれぞれ同時に接触させると共に、前記基板の他方の面における検査対象のＫ個（Ｋは１以上の整数）の導体パターンの中から指定した導体パターンにプローブを移動させて接触させるプロービングを実行し、前記プローブを介して検査用信号を供給させている前記導体パターンの間の絶縁状態を検査する基板検査方法であって、
前記Ｍ個の導体パターンのうちの一部の導体パターンを第１群として設定して当該第１群の導体パターンを低電位および高電位のいずれか一方の電位で同電位とさせると共に当該Ｍ個の導体パターンのうちの当該第１群の導体パターンを除く他のすべての導体パターンを第２群として設定して当該第２群の導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該第１群の導体パターンと当該第２群の導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査を、前記第１群および前記第２群として設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつＮ回（Ｎは（ｌｏｇ２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ２Ｍ）に最も近い整数）実行する第１処理と、
前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に前記Ｍ個の導体パターンのすべてを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該Ｍ個の導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を、前記１つの導体パターンを変更しつつ前記Ｋ個の導体パターンのすべてについて実行する第２処理と、
前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共にＫ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他の１つの導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該２つの導体パターンの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第３絶縁検査を、当該２つの導体パターンの組み合わせを変更しつつすべての組み合わせについて実行する第３処理とを行う基板検査方法。
【請求項６】
前記指定した導体パターンにプローブを移動させる移動回数および移動距離の少なくとも一方が前記第２絶縁検査および前記第３絶縁検査の双方全体において最小となる当該第２絶縁検査および当該第３絶縁検査の実行順序を特定し、当該特定した実行順序で前記第２絶縁検査および前記第３絶縁検査を実行する請求項５記載の基板検査方法。
【請求項７】
複数の導体パターンが両面にそれぞれ設けられている基板の一方の面における検査対象のＭ個（Ｍは２以上の整数）の導体パターンのすべてにプローブをそれぞれ同時に接触させると共に、前記基板の他方の面における検査対象のＫ個（Ｋは１以上の整数）の導体パターンの中から指定した導体パターンにプローブを移動させて接触させるプロービングを実行し、前記プローブを介して検査用信号を供給させている前記導体パターンの間の絶縁状態を検査する基板検査方法であって、
前記Ｍ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に当該Ｍ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他のすべての導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該他のすべての導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＡ絶縁検査を、当該１つの導体パターンを変更しつつ当該Ｍ個の導体パターンのすべてについて実行するＡ処理と、
前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に前記Ｍ個の導体パターンのすべてを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該Ｍ個の導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＢ絶縁検査を、前記１つの導体パターンを変更しつつ前記Ｋ個の導体パターンのすべてについて実行するＢ処理と、
前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共にＫ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他の１つの導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該２つの導体パターンの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＣ絶縁検査を、当該２つの導体パターンの組み合わせを変更しつつすべての組み合わせについて実行するＣ処理とを行う基板検査方法。
【請求項８】
前記指定した導体パターンにプローブを移動させる移動回数および移動距離の少なくとも一方が前記Ｂ絶縁検査および前記Ｃ絶縁検査の双方全体において最小となる当該Ｂ絶縁検査および当該Ｃ絶縁検査の実行順序を特定し、当該特定した実行順序で前記Ｂ絶縁検査および前記Ｃ絶縁検査を実行する請求項７記載の基板検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板における各導体パターンの間の絶縁状態を検査する基板検査装置および基板検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板検査装置として、下記特許文献１に開示された基板検査装置が知られている。この基板検査装置は、基板に設けられている導体パターンの間の絶縁状態の良否を判定する検査（絶縁検査）を実行可能に構成されている。また、この基板検査装置では、各導体パターンの間の絶縁検査の際に各導体パターンにそれぞれ接触させる各ピンの間の絶縁検査も実行可能に構成されている。この場合、検査対象の導体パターンの数および各導体パターンに接触させるピンの数が多いときには、各導体パターンや各ピンを１対１方式（総当たり方式）で絶縁検査を実行すると、１対１の組み合わせが膨大な数となり、検査に長い時間を要する。このため、この基板検査装置では、次のようにして検査時間の短縮を図っている。まず、検査対象のすべての導体パターンやピンを２群に分割してその２群の間の絶縁検査を実行する。次いで、各群をさらに２群に分割して各群の間の絶縁検査を実行する。以下、分割後の導体パターンやピンが１つになるまでこの処理を繰り返す。この方式（以下「マルチプル方式」ともいう）を採用することで、少ない回数の絶縁検査ですべての導体パターンやピンの絶縁状態の良否を判定することが可能となっている。
【０００３】
また、少ない回数の絶縁検査ですべての導体パターンやピンの絶縁検査を行うマルチプル方式以外の方式として、次に説明する方式（以下「バルクショート方式」ともいう）が知られている。このバルクショート方式では、検査対象のすべての導体パターンの中から１つの導体パターンを選択し、その１つの導体パターンを除く他のすべての検査対象の導体パターンを１群の導体パターンとして設定する。次いで、選択した１つの導体パターンと１群の導体パターンとの間の絶縁検査を実行する。以下、選択する１つの導体パターンを変更しつつ同様の絶縁検査を実行する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２４４０７７号公報（第５−９頁、第４−５図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記の基板検査装置には、改善すべき以下の課題がある。すなわち、この基板検査装置で採用されているマルチプル方式の絶縁検査では、検査対象のすべての導体パターンにピンを同時に接触させる必要がある。また、上記したバルクショート方式の絶縁検査においても、同様にして、検査対象のすべての導体パターンにピンを同時に接触させる必要がある。一方、両面に導体パターンが設けられている基板における各導体パターンの間の絶縁検査を実行する場合において、多数のピンが配設された治具型のピンユニットを用いて一方の面に設けられている導体パターンのすべてにピンユニットのピンを接触させ、他方の面に設けられている導体パターンについては、プロービング機構によってプローブを移動させて、指定された１つまたは２つの導体パターンにプローブを接触させる形態での検査方法が知られている。このような検査方法では、基板の両面に設けられている導体パターンのすべてにピンを同時に接触させることができないため、上記したマルチプル方式やバルクショート方式での絶縁検査を行うことができないこととなる。したがって、マルチプル方式やバルクショート方式での絶縁検査を行う従来の基板検査装置において、上記の形態での検査方法（プロービング機構によってプローブを移動させつつ接触させて行う検査方法）を採用したときには、検査効率の向上が困難となるという課題が存在する。
【０００６】
本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、検査効率を向上し得る基板検査装置および基板検査方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく請求項１記載の基板検査装置は、複数の導体パターンが両面にそれぞれ設けられている基板の一方の面における検査対象のＭ個（Ｍは２以上の整数）の導体パターンのすべてにプローブをそれぞれ同時に接触可能なプローブユニットと、前記基板の他方の面における検査対象のＫ個（Ｋは１以上の整数）の導体パターンの中から指定された導体パターンにプローブを移動させて接触させるプロービングを実行するプロービング機構と、前記プローブを介して検査用信号を供給させている前記導体パターンの間の絶縁状態を検査する処理を実行する処理部とを備えた基板検査装置であって、前記処理部は、前記Ｍ個の導体パターンのうちの一部の導体パターンを第１群として設定して当該第１群の導体パターンを低電位および高電位のいずれか一方の電位で同電位とさせると共に当該Ｍ個の導体パターンのうちの当該第１群の導体パターンを除く他のすべての導体パターンを第２群として設定して当該第２群の導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該第１群の導体パターンと当該第２群の導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査を、前記第１群および前記第２群として設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつＮ回（Ｎは（ｌｏｇ２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ２Ｍ）に最も近い整数）実行する第１処理と、前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に前記Ｍ個の導体パターンのすべてを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該Ｍ個の導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を、前記１つの導体パターンを変更しつつ前記Ｋ個の導体パターンのすべてについて実行する第２処理と、前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共にＫ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他の１つの導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該２つの導体パターンの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第３絶縁検査を、当該２つの導体パターンの組み合わせを変更しつつすべての組み合わせについて実行する第３処理とを行う。
【０００８】
また、請求項２記載の基板検査装置は、請求項１記載の基板検査装置において、前記処理部は、前記プロービング機構による前記プローブの移動回数および移動距離の少なくとも一方が前記第２絶縁検査および前記第３絶縁検査の双方全体において最小となる当該第２絶縁検査および当該第３絶縁検査の実行順序を特定し、当該特定した実行順序で前記第２絶縁検査および前記第３絶縁検査を実行する。
【０００９】
また、請求項３記載の基板検査装置は、複数の導体パターンが両面にそれぞれ設けられている基板の一方の面における検査対象のＭ個（Ｍは２以上の整数）の導体パターンのすべてにプローブをそれぞれ同時に接触可能なプローブユニットと、前記基板の他方の面における検査対象のＫ個（Ｋは１以上の整数）の導体パターンの中から指定された導体パターンにプローブを移動させて接触させるプロービングを実行するプロービング機構と、前記プローブを介して検査用信号を供給させている前記導体パターンの間の絶縁状態を検査する処理を実行する処理部とを備えた基板検査装置であって、前記処理部は、前記Ｍ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に当該Ｍ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他のすべての導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該他のすべての導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＡ絶縁検査を、当該１つの導体パターンを変更しつつ当該Ｍ個の導体パターンのすべてについて実行するＡ処理と、前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に前記Ｍ個の導体パターンのすべてを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該Ｍ個の導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＢ絶縁検査を、前記１つの導体パターンを変更しつつ前記Ｋ個の導体パターンのすべてについて実行するＢ処理と、前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共にＫ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他の１つの導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該２つの導体パターンの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＣ絶縁検査を、当該２つの導体パターンの組み合わせを変更しつつすべての組み合わせについて実行するＣ処理とを行う。
【００１０】
また、請求項４記載の基板検査装置は、請求項３記載の基板検査装置において、前記処理部は、前記プロービング機構による前記プローブの移動回数および移動距離の少なくとも一方が前記Ｂ絶縁検査および前記Ｃ絶縁検査の双方全体において最小となる当該Ｂ絶縁検査および当該Ｃ絶縁検査の実行順序を特定し、当該特定した実行順序で前記Ｂ絶縁検査および前記Ｃ絶縁検査を実行する。
【００１１】
また、請求項５記載の基板検査方法は、複数の導体パターンが両面にそれぞれ設けられている基板の一方の面における検査対象のＭ個（Ｍは２以上の整数）の導体パターンのすべてにプローブをそれぞれ同時に接触させると共に、前記基板の他方の面における検査対象のＫ個（Ｋは１以上の整数）の導体パターンの中から指定した導体パターンにプローブを移動させて接触させるプロービングを実行し、前記プローブを介して検査用信号を供給させている前記導体パターンの間の絶縁状態を検査する基板検査方法であって、前記Ｍ個の導体パターンのうちの一部の導体パターンを第１群として設定して当該第１群の導体パターンを低電位および高電位のいずれか一方の電位で同電位とさせると共に当該Ｍ個の導体パターンのうちの当該第１群の導体パターンを除く他のすべての導体パターンを第２群として設定して当該第２群の導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該第１群の導体パターンと当該第２群の導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査を、前記第１群および前記第２群として設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつＮ回（Ｎは（ｌｏｇ２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ２Ｍ）に最も近い整数）実行する第１処理と、前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に前記Ｍ個の導体パターンのすべてを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該Ｍ個の導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を、前記１つの導体パターンを変更しつつ前記Ｋ個の導体パターンのすべてについて実行する第２処理と、前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共にＫ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他の１つの導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該２つの導体パターンの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第３絶縁検査を、当該２つの導体パターンの組み合わせを変更しつつすべての組み合わせについて実行する第３処理とを行う。
【００１２】
また、請求項６記載の基板検査方法は、請求項５記載の基板検査方法において、前記指定した導体パターンにプローブを移動させる移動回数および移動距離の少なくとも一方が前記第２絶縁検査および前記第３絶縁検査の双方全体において最小となる当該第２絶縁検査および当該第３絶縁検査の実行順序を特定し、当該特定した実行順序で前記第２絶縁検査および前記第３絶縁検査を実行する。
【００１３】
また、請求項７記載の基板検査方法は、複数の導体パターンが両面にそれぞれ設けられている基板の一方の面における検査対象のＭ個（Ｍは２以上の整数）の導体パターンのすべてにプローブをそれぞれ同時に接触させると共に、前記基板の他方の面における検査対象のＫ個（Ｋは１以上の整数）の導体パターンの中から指定した導体パターンにプローブを移動させて接触させるプロービングを実行し、前記プローブを介して検査用信号を供給させている前記導体パターンの間の絶縁状態を検査する基板検査方法であって、前記Ｍ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に当該Ｍ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他のすべての導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該他のすべての導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＡ絶縁検査を、当該１つの導体パターンを変更しつつ当該Ｍ個の導体パターンのすべてについて実行するＡ処理と、前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共に前記Ｍ個の導体パターンのすべてを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該１つの導体パターンと当該Ｍ個の導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＢ絶縁検査を、前記１つの導体パターンを変更しつつ前記Ｋ個の導体パターンのすべてについて実行するＢ処理と、前記Ｋ個の導体パターンのうちの１つを前記低電位および前記高電位のいずれか一方の電位とさせると共にＫ個の導体パターンのうちの当該１つの導体パターンを除く他の１つの導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位とさせつつ当該２つの導体パターンの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査するＣ絶縁検査を、当該２つの導体パターンの組み合わせを変更しつつすべての組み合わせについて実行するＣ処理とを行う。
【００１４】
また、請求項８記載の基板検査方法は、請求項７記載の基板検査方法において、前記指定した導体パターンにプローブを移動させる移動回数および移動距離の少なくとも一方が前記Ｂ絶縁検査および前記Ｃ絶縁検査の双方全体において最小となる当該Ｂ絶縁検査および当該Ｃ絶縁検査の実行順序を特定し、当該特定した実行順序で前記Ｂ絶縁検査および前記Ｃ絶縁検査を実行する。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１記載の基板検査装置、および請求項５記載の基板検査方法によれば、基板の一方の面のＭ個の導体パターンについて第１絶縁検査をＮ（ｌｏｇ２Ｍ以上であってｌｏｇ２Ｍに最も近い整数）回実行する第１処理と、他方の面の１つの導体パターンと一方の面のすべての導体パターンとの間の第２絶縁検査を他方の面のＫ個の各導体パターンについてＫ回実行する第２処理と、他方の面の各導体パターンにおける２つの導体パターンの間の第３絶縁検査をすべての組み合わせについて（Ｋ×（Ｋ−１）／２）回実行する第３処理とを行うことにより、他方の面および一方の面の各導体パターンのすべてに同時にプローブを接触させない場合においても、基板の両面のすべての導体パターンについて１対１方式で絶縁検査を行う構成および方法と比較して、少ない回数の絶縁検査ですべての導体パターンについての絶縁状態を検査することができるため、検査効率を十分に向上させることができる。
【００１６】
また、請求項２記載の基板検査装置、および請求項６記載の基板検査方法によれば、プローブの移動回数および移動距離の少なくとも一方が第２絶縁検査および第３絶縁検査の双方全体において最小となる第２絶縁検査および第３絶縁検査の実行順序を特定することにより、プローブの移動に費やされる時間を短縮させることができるため、その分、検査効率をさらに向上させることができる。
【００１７】
また、請求項３記載の基板検査装置、および請求項７記載の基板検査方法によれば、基板の一方の面のＭ個の導体パターンについてＡ絶縁検査をＭ回実行するＡ処理と、他方の面の１つの導体パターンと一方の面のすべての導体パターンとの間のＢ絶縁検査を他方の面のＫ個の各導体パターンについてＫ回実行するＢ処理と、他方の面の各導体パターンにおける２つの導体パターンの間のＣ絶縁検査をすべての組み合わせについて（Ｋ×（Ｋ−１）／２）回実行するＣ処理とを行うことにより、他方の面および一方の面の各導体パターンのすべてに同時にプローブを接触させない場合においても、基板の両面のすべての導体パターンについて１対１方式で絶縁検査を行う構成および方法と比較して、少ない回数の絶縁検査ですべての導体パターンについての絶縁状態を検査することができるため、検査効率を十分に向上させることができる。
【００１８】
また、請求項４記載の基板検査装置、および請求項８記載の基板検査方法によれば、プローブの移動回数および移動距離の少なくとも一方がＢ絶縁検査およびＣ絶縁検査の双方全体において最小となるＢ絶縁検査およびＣ絶縁検査の実行順序を特定することにより、プローブの移動に費やされる時間を短縮させることができるため、その分、検査効率をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】基板検査装置１，１Ａの構成を示す構成図である。
【図２】基板１００の構成を示す構成図である。
【図３】実行順序特定処理５０のフローチャートである。
【図４】基板検査方法を説明する第１の説明図である。
【図５】基板検査方法を説明する第２の説明図である。
【図６】基板検査方法を説明する第３の説明図である。
【図７】基板検査方法を説明する第４の説明図である。
【図８】実行順序特定処理６０のフローチャートである。
【図９】他の基板検査方法を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、基板検査装置および基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００２１】
最初に、基板検査装置の一例としての図１に示す基板検査装置１の構成について説明する。基板検査装置１は、例えば、図２に示す基板１００の両面（上面および下面）１０１ａ，１０１ｂに設けられている導体パターンＰ１〜Ｐ１１（以下、区別しないときには「導体パターンＰ」ともいう）の間の絶縁状態の検査を後述する基板検査方法に従って実行可能に構成されている。具体的には、基板検査装置１は、図１に示すように、基板保持部１１、プロービング機構１２、プローブユニット１３、移動機構１４、測定部１５、記憶部１６および処理部１７を備えて構成されている。
【００２２】
基板保持部１１は、図１に示すように、基板１００の外周部をクランプして基板１００を保持可能に構成されている。
【００２３】
プロービング機構１２は、基板保持部１１によって保持されている基板１００の上面１０１ａに沿った方向（ＸＹ方向）および上面１０１ａに対して接離する方向（Ｚ方向）にプローブ２１を移動させ、処理部１７によって指定された導体パターンＰに対してプローブ２１を接触させるプロービングを実行する。この場合、プロービング機構１２は、２つの導体パターンＰに２つのプローブ２１のプロービングをそれぞれプロービングさせることが可能に構成されている。
【００２４】
プローブユニット１３は、複数のプローブ３１を備えて治具型に構成されている。この場合、プローブユニット１３は、基板１００における下面１０１ｂに設けられている各導体パターンＰの配設位置に合わせてプローブ３１の配列パターンが規定されており、下面１０１ｂに設けられる各導体パターンＰのうちの検査対象のすべての導体パターンＰに各プローブ３１を同時に接触させることが可能に構成されている。
【００２５】
移動機構１４は、処理部１７の制御に従い、プローブユニット１３を上下方向に移動させることにより、基板１００における下面１０１ｂに設けられている各導体パターンＰに対するプローブユニット１３の各プローブ３１の接触および接触解除を行う。
【００２６】
測定部１５は、検査用信号（例えば、直流電圧）を出力する電源部と、プローブ２１，３１を介して検査用信号を導体パターンＰに供給したときに流れる電流を検出する検出部と、プローブ２１，３１と電源部および検出部との接続および切断を行うスキャナ部とを備え、検出部によって検出された電流の電流値および検査用信号の電圧値に基づいて導体パターンＰの間の抵抗値を測定する測定処理を実行する。
【００２７】
記憶部１６は、処理部１７によって実行される検査処理において用いられる基板データＤｂを記憶する。この場合、基板データＤｂは、一例として、基板１００の各導体パターンＰを特定可能な情報（各導体パターンＰの番号）や各導体パターンＰの位置を示す情報などを含んで構成されている。また、記憶部１６は、処理部１７によって生成される実行順序データＤｐを記憶する。また、記憶部１６は、処理部１７によって実行される絶縁検査の結果（絶縁状態の良否の判定結果）を記憶する。
【００２８】
処理部１７は、図外の操作部から出力される操作信号に従って基板検査装置１を構成する各構成要素を制御する。具体的には、処理部１７は、プロービング機構１２によるプローブ２１のプロービングを制御する。また、移動機構１４によるプローブユニット１３の移動を制御する。また、処理部１７は、測定部１５によって測定される導体パターンＰの間の抵抗値に基づいて導体パターンＰの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する。
【００２９】
次に、基板検査装置１を用いて基板１００における各導体パターンＰの間の絶縁状態を検査する基板検査方法、およびその際の基板検査装置１の動作について、図面を参照して説明する。一例として、図２に示すように、下面１０１ｂ（一方の面）に８個（Ｍ個の一例）の導体パターンＰ４〜Ｐ１１が設けられると共に、上面１０１ａ（他方の面）に３個（Ｋ個の一例）の導体パターンＰ１〜Ｐ３が設けられている基板１００を検査対象として検査を行う例について説明する。
【００３０】
まず、図１に示すように、検査対象の基板１００を基板保持部１１に保持させる。次いで、図外の操作部を用いて検査開始操作を行う。これに応じて、処理部１７が検査処理を実行する。この検査処理では、処理部１７は、記憶部１６から基板１００についての基板データＤｂを読み出す。続いて、処理部１７は、基板データＤｂに基づき、基板１００に設けられている導体パターンＰについての情報（導体パターンＰを特定する番号や、導体パターンＰの位置）を取得する。次いで、処理部１７は、図３に示す実行順序特定処理５０を実行して、各絶縁検査において検査対象とする導体パターンＰの組み合わせ、および各絶縁検査を実行する順序を特定する。
【００３１】
ここで、基板１００における導体パターンＰの数が少ないときには、２つの導体パターンＰの間の絶縁検査を、２つの導体パターンＰのすべての組み合わせについて（総当たりで）行う方式（１対１方式）を採用することができるが、導体パターンＰの数が多いときには、２つの導体パターンＰの組み合わせが膨大な数となり、検査に長い時間を要する。このため、導体パターンＰの数が多いときには、絶縁検査の回数を低減可能なマルチプル方式やバルクショート方式を採用することで、検査を短縮することができる。
【００３２】
しかしながら、マルチプル方式やバルクショート方式は、検査対象のすべての導体パターンＰにプローブ２１，３１をそれぞれ同時に接触させる必要がある。したがって、基板１００の上面１０１ａについては、指定した導体パターンＰにプローブ２１をプロービングさせる方式を採用している（同時に接触させる方式を採用していない）この基板検査装置１では、上記した上面１０１ａおよび下面１０１ｂに設けられている検査対象の導体パターンＰのすべてを対象とするマルチプル方式やバルクショート方式での絶縁検査を行うことができない。このため、この基板検査装置１では、すべての導体パターンＰを対象とするマルチプル方式やバルクショート方式での絶縁検査を行うことができない場合においても、実行順序特定処理５０によって特定した順序での絶縁検査を実行することで、検査効率の向上を可能としている。
【００３３】
この実行順序特定処理５０では、処理部１７は、最初に、プローブユニット１３の各プローブ３１が同時に接触可能な基板１００の下面１０１ｂにおける８個（Ｍ個の一例）の導体パターンＰ４〜Ｐ１１を対象とする絶縁検査（以下、「第１絶縁検査」ともいう）を複数回行う処理（以下、「第１処理」ともいう）における第１絶縁検査の対象とする導体パターンＰの組み合わせ、および第１絶縁検査を実行する順序を特定する（ステップ５１）。
【００３４】
このステップ５１では、処理部１７は、図４に示すように、１番目の第１絶縁検査における導体パターンＰの組み合わせとして、８個の導体パターンＰ４〜Ｐ１１のうちの、符号の番号部分（４，５，６，７，８，９，１０，１１）の数が小さい導体パターンＰ４〜Ｐ７を高電位とする（測定部１５の電源部の高電位に接続する）導体パターンＰに設定すると共に、他の導体パターンＰ８〜Ｐ１１を低電位とする（測定部１５の電源部の低電位や第１絶縁検査の基準電位に接続する）導体パターンＰに設定する。
【００３５】
続いて、処理部１７は、図４に示すように、２番目の第１絶縁検査における導体パターンＰの組み合わせとして、１番目の第１絶縁検査において高電位とした導体パターンＰ４〜Ｐ７のうちの符号の番号部分の数が小さい導体パターンＰ４，Ｐ５を高電位とする導体パターンＰに設定し、番号部分の数が大きい導体パターンＰ６，Ｐ７を低電位とする導体パターンＰに設定する。また、１番目の第１絶縁検査において低電位とした導体パターンＰ８〜Ｐ１１のうちの符号の番号部分の数が小さい導体パターンＰ８，Ｐ９を高電位とする導体パターンＰに設定し、番号部分の数が大きい導体パターンＰ１０，Ｐ１１を高電位とする導体パターンＰに設定する。
【００３６】
次いで、処理部１７は、図４に示すように、３番目の第１絶縁検査における導体パターンＰの組み合わせとして、２番目の第１絶縁検査において高電位とした導体パターンＰ４，Ｐ５のうちの符号の番号部分の数が小さい導体パターンＰ４を高電位とする導体パターンＰに設定し、番号部分の数が大きい導体パターンＰ５を低電位とする導体パターンＰに設定する。また、２番目の第１絶縁検査において低電位とした導体パターンＰ６，Ｐ７のうちの符号の番号部分の数が小さい導体パターンＰ６を高電位とする導体パターンＰに設定し、番号部分の数が大きい導体パターンＰ７を低電位とする導体パターンＰに設定する。また、２番目の第１絶縁検査において高電位とした導体パターンＰ８，Ｐ９のうちの符号の番号部分の数が小さい導体パターンＰ８を高電位とする導体パターンＰに設定し、番号部分の数が大きい導体パターンＰ９を低電位とする導体パターンＰに設定する。さらに、２番目の第１絶縁検査において低電位とした導体パターンＰ１０，Ｐ１１のうちの符号の番号部分の数が小さい導体パターンＰ１０を高電位とする導体パターンＰに設定し、番号部分の数が大きい導体パターンＰ１１を低電位とする導体パターンＰに設定する。
【００３７】
上記したステップ５１の方式で導体パターンＰを組み合わせることにより、８個（Ｍ個）の導体パターンＰについて、ｌｏｇ２８＝３回（ｌｏｇ２Ｍ以上であってｌｏｇ２Ｍに最も近い整数であるＮ回）の第１絶縁検査で、８個のすべての導体パターンＰについて、各導体パターンＰの間の絶縁状態を検査することができる。
【００３８】
続いて、処理部１７は、基板１００の上面１０１ａにおける３個の導体パターンＰ１〜Ｐ３と下面１０１ｂにおける８個の導体パターンＰ４〜Ｐ１１との間の絶縁状態の検査（以下、「第２絶縁検査」ともいう）を行う処理（以下、「第２処理」ともいう）における第２絶縁検査の対象とする導体パターンＰの組み合わせ、および第２絶縁検査の順序を特定する（ステップ５２）。
【００３９】
このステップ５２では、処理部１７は、図５に示すように、１番目の第２絶縁検査（全体として４番目の絶縁検査）における導体パターンＰの組み合わせとして、上面１０１ａにおける３つの導体パターンＰ１〜Ｐ３のうちの１つとして、符号の番号部分が最も小さい導体パターンＰ１を選択し、その導体パターンＰ１を高電位とする導体パターンＰに設定すると共に、下面１０１ｂにおけるすべての導体パターンＰ４〜Ｐ１１を低電位とする導体パターンＰに設定する。
【００４０】
次いで、処理部１７は、図５に示すように、２番目の第２絶縁検査（全体として５番目の絶縁検査）における導体パターンＰの組み合わせとして、上面１０１ａにおける３つの導体パターンＰ１〜Ｐ３のうちの１つとして、符号の番号部分が２番目に小さい導体パターンＰ２を選択し、その導体パターンＰ２を高電位とする導体パターンＰに設定すると共に、下面１０１ｂにおけるすべての導体パターンＰ４〜Ｐ１１を低電位とする導体パターンＰに設定する。
【００４１】
続いて、処理部１７は、図５に示すように、３番目の第２絶縁検査（全体として６番目の絶縁検査）における導体パターンＰの組み合わせとして、上面１０１ａにおける３つの導体パターンＰ１〜Ｐ３のうちの１つとして、符号の番号部分が３番目に小さい導体パターンＰ３を選択し、その導体パターンＰ３を高電位とする導体パターンＰに設定すると共に、下面１０１ｂにおけるすべての導体パターンＰ４〜Ｐ１１を低電位とする導体パターンＰに設定する。
【００４２】
上記したステップ５２の方式で導体パターンＰを組み合わせることにより、上面１０１ａにおける導体パターンＰの数である３回（Ｋ回）の第２絶縁検査で、上面１０１ａの導体パターンＰの１つと下面１０１ｂのすべての導体パターンＰとの間の絶縁状態を検査することができる。
【００４３】
次いで、処理部１７は、基板１００の上面１０１ａにおける３個の導体パターンＰ１〜Ｐ３における各導体パターンＰの間の絶縁状態の検査（以下、「第３絶縁検査」ともいう）を行う処理（以下、「第３処理」ともいう）における第３絶縁検査の対象とする導体パターンＰの組み合わせ、および第３絶縁検査の順序を特定する（ステップ５３）。
【００４４】
このステップ５３では、処理部１７は、上面１０１ａにおけるすべての導体パターンＰ１〜Ｐ３の中から２つを選択して、一方を高電位とする導体パターンＰに設定すると共に、他方を低電位とする導体パターンＰに設定する工程を、２つを選択するすべての組み合わせについて行う。
【００４５】
一例として、処理部１７は、図６に示すように、１番目の第３絶縁検査（全体として７番目の絶縁検査）における導体パターンＰの組み合わせとして、上面１０１ａにおける３つの導体パターンＰ１〜Ｐ３のうちの導体パターンＰ１を高電位とする導体パターンＰに設定すると共に、導体パターンＰ２を低電位とする導体パターンＰに設定する。続いて、処理部１７は、２番目の第３絶縁検査（全体として８番目の絶縁検査）における導体パターンＰの組み合わせとして、導体パターンＰ１を高電位とする導体パターンＰに設定すると共に、導体パターンＰ３を低電位とする導体パターンＰに設定する。次いで、処理部１７は、３番目の第３絶縁検査（全体として９番目の絶縁検査）における導体パターンＰの組み合わせとして、導体パターンＰ２を高電位とする導体パターンＰに設定すると共に、導体パターンＰ３を低電位とする導体パターンＰに設定する。
【００４６】
上記したステップ５３の方式で導体パターンＰを組み合わせることにより、３回（（Ｋ×（Ｋ−１）／２）回）の第３絶縁検査で、上面１０１ａの各導体パターンＰの間の絶縁状態を検査することができる。
【００４７】
続いて、処理部１７は、上記した各絶縁検査のうちの、プロービング機構１２によるプローブ２１の移動を伴う絶縁検査（上記した第２絶縁検査および第３絶縁検査）について、プローブ２１を効率的に移動させることが可能な絶縁検査の実行順序（プローブ２１の移動回数および移動距離の少なくとも一方が最小となる実行順序）を特定する（ステップ５４）。
【００４８】
この場合、図６に示すように、上記の処理で特定した実行順序では、４番目の絶縁検査において導体パターンＰ１に一方のプローブ２１をプロービングさせ、５番目の絶縁検査において導体パターンＰ２に他方のプローブ２１をプロービングさせたとすると、６番目の絶縁検査においていずれか一方のプローブ２１を導体パターンＰ１または導体パターンＰ２から導体パターンＰ３に移動させる必要がある。一方、図７に示すように、図６における５番目の絶縁検査（２番目の第２絶縁検査）の次に図６における７番目の絶縁検査（１番目の第３絶縁検査：図７における６番目の絶縁検査）を実行したときには、プローブ２１の双方を移動させることなくこの絶縁検査を実行することができる。また、図７に示すように、図６における６番目の絶縁検査を図６における９番目の絶縁検査の次（図７における９番目）に実行したときには、直前の絶縁検査（図７における８番目の絶縁検査）において導体パターンＰ３にプロービングさせているプローブ２１を高電位に接続することで、プローブ２１を移動させることなく図７における９番目の絶縁検査を実行することができる。
【００４９】
なお、図６における８番目の絶縁検査が繰り上がって図７における７番目の絶縁検査となり、図６における９番目の絶縁検査が繰り上がって図７における８番目の絶縁検査となるため、図６における７番目の絶縁検査から８番目の絶縁検査に移行する際および８番目の絶縁検査から９番目の絶縁検査に移行する際のプローブ２１の移動回数と、図７における６番目の絶縁検査から７番目の絶縁検査に移行する際および７番目の絶縁検査から８番目の絶縁検査に移行する際のプローブ２１の移動回数とは同数となる。したがって、この例では、処理部１７は、最も効率的に移動させることが可能な絶縁検査の実行順序として、図７に示す実行順序を特定する。
【００５０】
なお、プローブ２１の移動回数および移動距離の少なくとも一方が最小となる実行順序の一例として、プローブ２１の移動回数が最小となる実行順序を特定する例について上記したが、プローブ２１の移動距離が最小となる実行順序や、プローブ２１の移動回数および移動距離の双方が最小となる実行順序を特定する構成および方法を採用することもできる。また、導体パターンＰを高電位および低電位に接続する接続形態は、上記の接続形態の逆であってもよい。すなわち、上記した例において高電位とした導体パターンＰを低電位とし、上記した例において低電位とした導体パターンＰを高電位とすることもできる。
【００５１】
次いで、処理部１７は、各絶縁検査における導体パターンＰの組み合わせ、および各絶縁検査の実行順序を示す実行順序データＤｐを生成して記憶部１６に記憶させて（ステップ５５）、実行順序特定処理５０を終了する。
【００５２】
続いて、処理部１７は、移動機構１４を制御してプローブユニット１３を基板１００の下面１０１ｂに近接させて、プローブユニット１３の各プローブ３１を下面１０１ｂの各導体パターンＰにそれぞれ接触させる。
【００５３】
次いで、処理部１７は、記憶部１６から実行順序データＤｐを読み出して、各絶縁検査の実行順序および各絶縁検査において対象とする導体パターンＰの組み合わせを特定する。続いて、処理部１７は、第１処理を実行する。この第１処理では、処理部１７は、まず、１回目の第１絶縁検査（図７参照）を実行する。この１回目の第１絶縁検査では、処理部１７は、測定部１５に対して検査対象の導体パターンＰを示して測定処理の実行を指示する。
【００５４】
これに応じて、測定部１５は、検査対象の導体パターンＰに接触しているプローブユニット１３の各プローブ３１と電源部および検出部とを接続させると共に、電源部から検査用信号を出力させる。これにより、プローブ３１を介して検査用信号が導体パターンＰに供給される。また、検査用信号の供給に伴って流れる電流を検出部が検出する。次いで、測定部１５は、検出部によって検出された電流の電流値および検査用信号の電圧値に基づいて導体パターンＰの間の抵抗値を測定する。続いて、処理部１７は、測定部１５によって測定された抵抗値に基づいて、絶縁状態の良否を判定する。この場合、処理部１７は、測定された抵抗値と予め決められたしきい値とを比較し、抵抗値がしきい値以上のときには絶縁状態が良好と判定し、抵抗値がしきい値よりも小さいときには絶縁状態が不良と判定する。
【００５５】
次いで、処理部１７は、１回目の第１絶縁検査と同様にして、２回目および３回目の第１絶縁検査（図７参照）を実行して、第１処理を終了する。
【００５６】
続いて、処理部１７は、第２処理および第３処理を実行する。この場合、処理部１７は、まず、１回目の第２絶縁検査（全体として４回目の絶縁検査：図７参照）を実行する。この１回目の第２絶縁検査では、処理部１７は、プロービング機構１２を制御して導体パターンＰ１にプローブ２１をプロービングさせる。次いで、処理部１７が、測定部１５に対して検査対象の導体パターンＰを示して測定処理の実行を指示し、測定部１５が測定処理を実行する。また、処理部１７は、測定部１５によって測定された抵抗値に基づいて絶縁状態の良否を判定する。続いて、処理部１７は、１回目の第２絶縁検査と同様にして、２回目の第２絶縁検査（全体として５回目の絶縁検査：図７参照）を実行する。
【００５７】
次いで、処理部１７は、１回目の第３絶縁検査（全体として６回目の絶縁検査：図７参照）を実行する。この場合、１回目および２回目の第２絶縁検査において、既に導体パターンＰ１，Ｐ２にプローブ２１がそれぞれプロービングさせられているため、処理部１７は、プロービング機構１２よるプローブ２１の移動を指示することなく、測定部１５に対して測定処理の実行を指示する。続いて、測定部１５が測定処理を実行し、処理部１７が測定部１５によって測定された抵抗値に基づいて絶縁状態の良否を判定する。
【００５８】
次いで、処理部１７は、２回目の第３絶縁検査（全体として７回目の絶縁検査：図７参照）を実行する。この２回目の第３絶縁検査では、処理部１７は、プロービング機構１２を制御して、導体パターンＰ２にプロービングさせているプローブ２１を移動させて導体パターンＰ３にプロービングさせると共に、導体パターンＰ１にプロービングさせているプローブ２１を移動させることなくそのままの状態に維持させる。続いて、測定部１５が処理部１７の指示に従って測定処理を実行し、処理部１７が測定部１５によって測定された抵抗値に基づいて絶縁状態の良否を判定する。
【００５９】
次いで、処理部１７は、３回目の第３絶縁検査（全体として８回目の絶縁検査：図７参照）を実行する。この３回目の第３絶縁検査では、処理部１７は、プロービング機構１２を制御して、導体パターンＰ１にプロービングさせているプローブ２１を移動させて導体パターンＰ２にプロービングさせると共に、導体パターンＰ３にプロービングさせているプローブ２１を移動させることなくそのままの状態に維持させる。続いて、測定部１５が処理部１７の指示に従って測定処理を実行し、処理部１７が測定部１５によって測定された抵抗値に基づいて絶縁状態の良否を判定する。
【００６０】
続いて、処理部１７は、３回目の第２絶縁検査（全体として９回目の絶縁検査：図７参照）を実行する。この場合、３回目の第２絶縁検査において、既に導体パターンＰ３にプローブ２１がプロービングさせられているため、処理部１７は、プロービング機構１２よるプローブ２１の移動を指示することなく、測定部１５に対して測定処理の実行を指示する。続いて、測定部１５が測定処理を実行し、処理部１７が測定部１５によって測定された抵抗値に基づいて絶縁状態の良否を判定する。次いで、処理部１７は、検査結果（絶縁状態の良否の判定結果）を記憶部１６に記憶させる。以上により、検査処理が終了する。
【００６１】
この場合、上面１０１ａおよび下面１０１ｂのすべての導体パターンＰの中から２つの導体パターンＰを選択して１対１方式で行う絶縁検査を２つの導体パターンＰを選択するすべての組み合わせについて行う構成および方法で１１個の導体パターンＰが設けられている上記の基板１００を検査するときには、（１１×（１１−１）／２）回、つまり５５回の絶縁検査を行う必要がある。これに対して、この基板検査装置１および基板検査方法では、下面１０１ｂの８個（Ｍ個）の導体パターンＰについて第１絶縁検査を３回（ｌｏｇ２Ｍ以上であってｌｏｇ２Ｍに最も近い整数であるＮ回）実行する第１処理と、上面１０１ａの１つの導体パターンＰと下面１０１ｂのすべての導体パターンＰとの間の第２絶縁検査を上面１０１ａの３個（Ｋ個）の各導体パターンＰについて３回実行する第２処理と、上面１０１ａの各導体パターンＰにおける２つの導体パターンＰの間の第３絶縁検査をすべての組み合わせである３回実行する第３処理とを行うことで、つまり合計で９回の絶縁検査を実行することで、１１個の導体パターンＰが設けられている上記の基板１００を検査することができる。したがって、この基板検査装置１および基板検査方法では、上面１０１ａおよび下面１０１ｂの各導体パターンＰのすべてに同時にプローブ２１，プローブ３１を接触させない場合においても、少ない回数の絶縁検査ですべての導体パターンＰについての絶縁状態を検査することができるため、検査効率を十分に向上させることが可能となっている。
【００６２】
このように、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、下面１０１ｂの８個（Ｍ個）の導体パターンＰについて第１絶縁検査を３回（ｌｏｇ２Ｍ以上であってｌｏｇ２Ｍに最も近い整数であるＮ回）実行する第１処理と、上面１０１ａの１つの導体パターンＰと下面１０１ｂのすべての導体パターンＰとの間の第２絶縁検査を上面１０１ａの３個（Ｋ個）の各導体パターンＰについて３回実行する第２処理と、上面１０１ａの各導体パターンＰにおける２つの導体パターンＰの間の第３絶縁検査をすべての組み合わせについて３回実行する第３処理とを行うことにより、上面１０１ａおよび下面１０１ｂの各導体パターンＰのすべてに同時にプローブ２１，プローブ３１を接触させない場合においても、少ない回数の絶縁検査ですべての導体パターンＰについての絶縁状態を検査することができるため、検査効率を十分に向上させることができる。
【００６３】
また、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、プロービング機構１２によるプローブ２１の移動回数および移動距離の少なくとも一方が第２絶縁検査および第３絶縁検査の双方全体において最小となる第２絶縁検査および第３絶縁検査の実行順序を特定することにより、プローブ２１の移動に費やされる時間を短縮させることができるため、その分、検査効率をさらに向上させることができる。
【００６４】
次に、他の実施の形態としての基板検査装置１Ａおよび基板検査方法について説明する。なお、以下の説明において、上記した基板検査装置１および基板検査方法と同じ構成要素については、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。
【００６５】
この基板検査装置１Ａでは、処理部１７が、上記した実行順序特定処理５０に代えて、図８に示す実行順序特定処理６０を実行する。この実行順序特定処理６０では、処理部１７は、上記したステップ５１に代えて、プローブユニット１３の各プローブ３１が同時に接触可能な基板１００の下面１０１ｂにおける８個（Ｍ個の一例）の導体パターンＰ４〜Ｐ１１を対象とするＡ絶縁検査を行うＡ処理におけるＡ絶縁検査の対象とする導体パターンＰの組み合わせ、およびＡ絶縁検査を実行する順序を特定する（ステップ６１）。
【００６６】
このステップ６１では、処理部１７は、１番目のＡ絶縁検査における導体パターンＰの組み合わせとして、８個の導体パターンＰ４〜Ｐ１１のうちの、符号の番号部分（４，５，６，７，８，９，１０，１１）の数が最も小さい導体パターンＰ４を高電位とする導体パターンＰに設定すると共に、他のすべての導体パターンＰ５〜Ｐ１１を低電位とする導体パターンＰに設定する（図９参照）。
【００６７】
続いて、処理部１７は、２番目のＡ絶縁検査における導体パターンＰの組み合わせとして、導体パターンＰ４〜Ｐ１１のうちの、符号の番号部分の数が２番目に小さい導体パターンＰ５を高電位とする導体パターンＰに設定すると共に、他のすべての導体パターンＰ４，Ｐ６〜Ｐ１１を低電位とする導体パターンＰに設定する（図９参照）。
【００６８】
次いで、処理部１７は、３番目のＡ絶縁検査における導体パターンＰの組み合わせとして、導体パターンＰ４〜Ｐ１１のうちの、符号の番号部分の数が３番目に小さい導体パターンＰ６を高電位とする導体パターンＰに設定すると共に、他のすべての導体パターンＰ４，５，Ｐ７〜Ｐ１１を低電位とする導体パターンＰに設定する（図９参照）。続いて、処理部１７は、同図に示すように、同様の手順で、４番目から８番目のＡ絶縁検査における導体パターンＰの組み合わせを設定する。
【００６９】
上記したステップ６１の方式で導体パターンＰを組み合わせることにより、８個（Ｍ個）の導体パターンＰについて、８回（Ｍ回）のＡ絶縁検査で、８個のすべての導体パターンＰについて、各導体パターンＰの間の絶縁状態を検査することができる。
【００７０】
次いで、処理部１７は、上記した実行順序特定処理５０のステップ５２〜５５と同様の処理であるステップ６２〜６５を実行して（図８参照）、Ｂ処理のＢ絶縁検査における導体パターンＰの組み合わせおよびＢ絶縁検査の実行順序、並びにＣ処理のＣ絶縁検査における導体パターンＰの組み合わせおよびＣ絶縁検査の実行順序を特定して、実行順序データＤｐを記憶部１６記憶させる。この場合、Ｂ処理およびＣ処理が上記した第２処理および第３処理にそれぞれ相当し、Ｂ絶縁検査およびＣ絶縁検査が上記した第２絶縁検査および第３絶縁検査にそれぞれ相当する。また、処理部１７は、実行順序特定処理６０を実行した後に、実行順序データＤｐに従ってプロービング機構１２、移動機構１４および測定部１５を制御することにより、基板１００の検査を行う。
【００７１】
この基板検査装置１Ａおよび基板検査方法によれば、下面１０１ｂの８個（Ｍ個）の導体パターンＰについてＡ絶縁検査を８回（Ｍ回）実行するＡ処理と、上面１０１ａの１つの導体パターンＰと下面１０１ｂのすべての導体パターンＰとの間のＢ絶縁検査を上面１０１ａの３個（Ｋ個）の各導体パターンＰについて３回実行するＢ処理と、上面１０１ａの各導体パターンＰにおける２つの導体パターンＰの間のＣ絶縁検査をすべての組み合わせについて３回実行するＣ処理とを行うことにより、上面１０１ａおよび下面１０１ｂの各導体パターンＰのすべてに同時にプローブ２１，プローブ３１を接触させない場合においても、少ない回数の絶縁検査ですべての導体パターンＰについての絶縁状態を検査することができるため、検査効率を十分に向上させることができる。
【００７２】
なお、基板検査装置および基板検査方法は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、１１個の導体パターンＰが設けられた基板１００を検査する例について上記したが、基板１００は一例であって、導体パターンＰの数が異なる各種の基板を検査する際にも、上記の効果を実現することができる。
【００７３】
また、プロービング機構１２が２つのプローブ２１をプロービングさせる例について上記したが、３つ以上のプローブ２１をプロービングさせるプロービング機構１２を採用することもできる。
【００７４】
また、基板１００の上面１０１ａの導体パターンＰに対してプロービング機構１２によってプローブ２１をプロービングさせ、下面１０１ｂの導体パターンＰに対してプローブユニット１３のプローブ３１を接触させる例について上記したが、これとは逆に、上面１０１ａの導体パターンＰに対してプローブユニット１３のプローブ３１を接触させ、下面１０１ｂの導体パターンＰに対してプロービング機構１２によってプローブ２１をプロービングさせる構成および方法に適用することもできる。
【００７５】
また、基板１００を立てた状態に設置して、基板１００の一方の面（例えば上面１０１ａ）の導体パターンＰに対してプローブユニット１３のプローブ３１を接触させ、他方の面（例えば下面１０１ｂ）の導体パターンＰに対してプロービング機構１２によってプローブ２１をプロービングさせる構成および方法に適用することもできる。
【００７６】
また、上記した第１処理、第２処理および第３処理を行う順番（第１絶縁検査、第２絶縁検査および第３絶縁検査の実行順序）、並びにＡ処理、Ｂ処理およびＣ処理を行う順番（Ａ絶縁検査、Ｂ絶縁検査およびＣ絶縁検査の実行順序）は、任意に変更することができる。
【００７７】
また、プロービング機構１２によるプローブ２１の移動回数および移動距離の少なくとも一方が第２絶縁検査および第３絶縁検査の双方全体において最小となる第２絶縁検査および第３絶縁検査の実行順序を特定する例について上記したが、この処理を行わない構成および方法を採用することもできる。
【符号の説明】
【００７８】
１，１Ａ  基板検査装置
１２  プロービング機構
１３  プローブユニット
１４  移動機構
１５  測定部
１７  処理部
２１，３１  プローブ
１００  基板
１０１ａ  上面
１０１ｂ  下面
Ｐ１〜Ｐ１１  導体パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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