(57)【要約】【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシターに関する。【解決手段】本発明に係る誘電体組成物は、母材主成分と、副成分と、を含み、母材主成分は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａ、Ｃａ及びＳｒのうち少なくとも一つであり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆのうち少なくとも一つである）で表され、副成分は、上記母材主成分１００モルに対して、Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．５〜２．０モルの第１副成分を含むことを特徴とする。【選択図】図１
2017119610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
母材主成分と、副成分と、を含み、
前記母材主成分は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａ、Ｃａ及びＳｒのうち少なくとも一つであり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆのうち少なくとも一つである）で表され、
前記副成分は、前記母材主成分１００モルに対して、
Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．５〜２．０モルの第１副成分を含む、誘電体組成物。
【請求項２】
Ｍｎを含む酸化物である第２副成分と、
Ｓｉを含む酸化物又はＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物である第３副成分と、を含む、請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項３】
前記母材主成分は、（ＣａｘＳｒ（１−ｘ））（ＺｒｙＴｉ（１−ｙ））Ｏ３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）系である、請求項１又は２に記載の誘電体組成物。
【請求項４】
前記Ｔｂを含む酸化物は、Ｔｂ３＋及びＴｂ４＋のうち少なくとも一つのイオン状に前記母材主成分に置換される、請求項１から３のいずれか一項に記載の誘電体組成物。
【請求項５】
前記ＡＢＯ３で表される母材主成分において、
前記Ｔｂ３＋はＡサイトに置換され、前記Ｔｂ４＋はＢサイトに置換される、請求項４に記載の誘電体組成物。
【請求項６】
前記Ｔｂを含む酸化物の含有量は、０．５〜１．０モルである、請求項１から５のいずれか一項に記載の誘電体組成物。
【請求項７】
前記誘電体組成物は、バナジウム（Ｖ）を含む酸化物をさらに含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の誘電体組成物。
【請求項８】
前記誘電体組成物は、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物をさらに含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の誘電体組成物。
【請求項９】
誘電体層と第１及び第２内部電極が交互に積層された構造を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の両端部に形成され、前記第１及び第２内部電極と電気的に連結される第１及び第２外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、母材主成分と、副成分と、を含み、前記母材主成分は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａ、Ｃａ及びＳｒのうち少なくとも一つであり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆのうち少なくとも一つである）で表され、前記副成分は、前記母材主成分１００モルに対してＤｙ及びＴｂのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．５〜２．０モルの第１副成分を含む、積層セラミックキャパシター。
【請求項１０】
前記副成分は、Ｍｎを含む酸化物である第２副成分と、Ｓｉを含む酸化物又はＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物である第３副成分と、を含む、請求項９に記載の積層セラミックキャパシター。
【請求項１１】
前記母材主成分は（ＣａｘＳｒ（１−ｘ））（ＺｒｙＴｉ（１−ｙ））Ｏ３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）系である、請求項９又は１０に記載の積層セラミックキャパシター。
【請求項１２】
前記Ｔｂを含む酸化物は、Ｔｂ３＋及びＴｂ４＋のうち少なくとも一つのイオン状に前記母材主成分に置換される、請求項９から１１のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
【請求項１３】
前記ＡＢＯ３で表される母材主成分において、
前記Ｔｂ３＋はＡサイトに置換され、前記Ｔｂ４＋はＢサイトに置換される、請求項１２に記載の積層セラミックキャパシター。
【請求項１４】
前記Ｔｂを含む酸化物の含有量は、０．５〜１．０モルである、請求項９から１３のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
【請求項１５】
前記誘電体層は、バナジウム（Ｖ）を含む酸化物をさらに含む、請求項９から１４のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
【請求項１６】
前記誘電体層は、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物をさらに含む、請求項９から１４のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い誘電率及び優れた信頼性を有する誘電体組成物、及びこれを含む積層セラミックキャパシターに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、映像機器の大型化、コンピューターのＣＰＵ速度上昇などによって電子機器の発熱が深刻化しており、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ；集積回路）の安定した動作のために高い温度で安定した容量と信頼性を確保できる−Ｘ５Ｒ（−５５℃〜８５℃までの動作温度）又はＸ７Ｒ（−２５℃〜１２５℃までの動作温度）級の機種に対する市場の要求が大きくなっている。
【０００３】
これとともに、一般的な電子製品市場の傾向である小型軽量化、多機能化に応えるために、積層セラミックキャパシター（ＭＬＣＣ）チップ製品の小型化、高容量化、昇圧化が求められ続けている。したがって、誘電体層の薄層化とともに優れた耐電圧及びＤＣ特性が、Ｘ５Ｒ又はＸ７Ｒ級の機種の開発において重要に考慮されている。
【０００４】
薄層化、昇圧化は、誘電体層にかかる電界の強度を高めＤＣ特性と耐電圧特性を劣化させる。特に、薄層化に伴う微細構造上の欠陥が、ＢＤＶ（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ）、高温ＩＲなどの耐電圧特性に及ぼす影響をより深刻化する。
【０００５】
これを防止するために、母材主成分の微粒化が必須的であるが、母材主成分の粒径が小さくなると、容量温度特性の具現がより困難となり、誘電率が減少する。
【０００６】
そのため、キャパシターの容量の具現ができず、薄層化によって誘電率が具現されるとしてもキャパシター内の電界（ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）が強くなり、所望の信頼性を満たすことができないという問題点がある。
【０００７】
上記問題を解決するためには、母材主成分の微粒化なしでも優れた信頼性及び誘電率を有する誘電体組成物の開発が必要である。
【０００８】
下記の特許文献１は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】韓国公開特許第２００４−００４７６５０号公報
【特許文献２】特開２０００−１０３６６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、高い誘電率及び優れた信頼性を有する誘電体組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシターに関する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物は、母材主成分と、副成分と、を含み、上記母材主成分は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａ、Ｃａ及びＳｒのうち少なくとも一つであり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆのうち少なくとも一つである）で表され、上記副成分は、上記母材主成分１００モルに対して、Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．５〜２．０モルの第１副成分を含むことができる。
【００１２】
本発明の一実施形態に係る積層セラミックキャパシターは、誘電体層と第１及び第２内部電極が交互に積層された構造を含むセラミック本体と、上記セラミック本体の両端部に形成され、上記第１及び第２内部電極と電気的に連結される第１及び第２外部電極と、を含み、上記誘電体層は、母材主成分と、副成分と、を含み、上記母材主成分は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａ、Ｃａ及びＳｒのうち少なくとも一つであり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆのうち少なくとも一つである）で表され、上記副成分は、上記母材主成分１００モルに対してＤｙ及びＴｂのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．５〜２．０モルの第１副成分を含むことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、母材主成分にテルビウム（Ｔｂ）を添加し、高い誘電率及び優れた信頼性を有する誘電体組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシターを提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る積層セラミックキャパシターを示す概略的な斜視図である。
【図２】図１のＩ‐Ｉ´に沿って取った積層セラミックキャパシターを示す概略的な断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る実施例の高温加速寿命を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００１６】
以下、本発明に係る誘電体組成物について説明する。
【００１７】
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物は、母材主成分と、副成分と、を含み、上記母材主成分は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａ、Ｃａ及びＳｒのうち少なくとも一つであり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆのうち少なくとも一つである）で表され、上記副成分は、上記母材主成分１００モルに対して、Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．５〜２．０モルの第１副成分を含む。
【００１８】
本発明に係る誘電体組成物は、１１８０℃以下で還元雰囲気焼成が可能である。
【００１９】
また、本発明に係る誘電体組成物を用いた積層セラミックキャパシターは、−２５℃〜１２５℃まで動作することができ、誘電体層内の誘電体グレーンの粒子成長がなくても高い誘電率及び信頼性を確保することができる。
【００２０】
以下、本発明の一実施形態に係る誘電体組成物の各成分についてより具体的に説明する。
【００２１】
母材主成分
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物において、母材主成分は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａ、Ｃａ及びＳｒのうち少なくとも一つであり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆのうち少なくとも一つである）で表される。
【００２２】
上記母材主成分は、上記希土類金属が置換されたものであってもよい。
【００２３】
上記母材主成分は、ＢａＴｉＯ３系又は（ＣａｘＳｒ（１−ｘ））（ＺｒｙＴｉ（１−ｙ））Ｏ３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）系であってもよい。
【００２４】
上記母材主成分は、常誘電体である（ＣａｘＳｒ（１−ｘ））（ＺｒｙＴｉ（１−ｙ））Ｏ３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）系であってもよい。上記母材主成分が（ＣａｘＳｒ（１−ｘ））（ＺｒｙＴｉ（１−ｙ））Ｏ３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）系である場合には、安定した温度特性を有することができる。
【００２５】
第１副成分
本発明の一実施形態によると、第１副成分として、Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも一つ以上を含む酸化物を含むことができる。
【００２６】
従来の場合、Ｓｍ、Ｌａ、Ｍｇ及びＹｂのような希土類元素を母材主成分に置換して使用した。具体的には、ＳｍはＡサイトに対して置換性が強い代表的な元素であり、置換の際に誘電率は上昇するが、半導体化する傾向があり、誘電体組成物としての信頼性を確保することが困難である。一方、Ｍｇは、Ｂサイトに置換されるアクセプター元素であり、誘電体組成物の信頼性を向上させることができるが、誘電特性を減少させ得る。
【００２７】
上記Ｄｙは、Ｓｍ、Ｌａ及びＹｂのような希土類元素とは異なり、母材主成分のコア‐シェル（ｃｏｒｅ‐ｓｈｅｌｌ）構造においてシェルが形成されるようにして誘電体組成物の信頼性を向上させる代表的な両性希土類元素である。
【００２８】
上記Ｄｙは、シェル領域に均一に存在する両性元素であり、上記母材主成分のＡサイト及びＢサイトへの置換が可能であることから、誘電体組成物の信頼性に影響を及ぼし得る。
【００２９】
上記Ｄｙが上記母材主成分のＡサイトに置換されると、Ａサイト（３価）に空孔（ｖａｃａｎｃｙ）が形成され得、Ｂサイト（４価）に置換されると、アクセプター（ａｃｃｅｐｔｏｒ）の役割をし、酸素空孔を形成し得る。上記Ａサイトの空孔と酸素空孔は、電荷又は電子の移動を抑制するトラップサイト（ｔｒａｐ  ｓｉｔｅ）として作用し得るため、これは、誘電体組成物の信頼性を減少させる役割をし得る。
【００３０】
Ｄｙがイオン化すると、３価Ｄｙイオン（Ｄｙ３＋）状となり、Ｄｙイオンの半径が０．０９９ｎｍであり、これと類似のイオン半径を有する希土類イオンとしてはＴｂがある。
【００３１】
上記Ｔｂがイオン化すると、Ｔｂイオンの半径が０．１００ｎｍとＤｙイオンの半径と類似し、上記Ｔｂイオンは、Ｔｂ３＋及びＴｂ４＋のうち少なくとも一つのイオン状に上記母材主成分に置換されることができる。すなわち、Ｔｂは、イオン化すると、Ｔｂ３＋又はＴｂ４＋を帯びる可変元素であり、Ａサイト及びＢサイト置換がＤｙに比べて容易であり得る。
【００３２】
上記Ｔｂ３＋はＡサイトに置換され、上記Ｔｂ４＋はＢサイトに置換されることができる。
【００３３】
上記ＡＢＯ３で表される母材主成分において、Ａサイトは３価（３＋）元素が置換され、Ｂサイトは４価（４＋）元素が置換される。
【００３４】
上記Ｔｂは、イオン化の際に、可変的にＴｂ３＋又はＴｂ４＋に変化するため、Ｔｂ３＋がＡサイトに置換され、上記Ｔｂ４＋がＢサイトに置換されると、Ｄｙに比べて誘電率が向上することができ、信頼性が大幅に向上することができる。
【００３５】
上記母材主成分１００モルに対して、Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも一つを含む酸化物である上記第１副成分の含有量は０．５〜２．０モルである。
【００３６】
具体的には、上記Ｔｂを含む酸化物は、０．５〜１．０モルであってもよい。
【００３７】
上記Ｔｂを含む酸化物が０．５モル未満である場合には、信頼性の確保が困難になり得、上記Ｔｂを含む酸化物が１．０モルを超える場合には、誘電率の確保が困難になり得る。
【００３８】
上記本発明の母材主成分及び第１副成分としてキャパシターの耐還元性の具現が可能であるが、誘電体層が母材主成分のみからなる場合、焼結温度が高くなり得、積層セラミックキャパシターの重要な温度特性を満たすことが困難になり得る。
【００３９】
本発明によると、上記の問題を解決するために、上記副成分は、Ｍｎを含む酸化物である第２副成分と、Ｓｉを含む酸化物又はＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物である第３副成分と、を含むことができる。
【００４０】
上記誘電体組成物は、バナジウム（Ｖ）を含む酸化物又はアルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物をさらに含むことができる。
【００４１】
第２副成分
上記第２副成分は、Ｍｎを含む酸化物を含むことができる。
【００４２】
上記第２副成分は、絶縁抵抗（ＩＲ）を増加させ、高温加速寿命を向上させる役割を行うことができる。
【００４３】
上記第２副成分の含有量は、母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．８０モル含まれることができる。
【００４４】
上記第２副成分の合計が０．０５モル未満である場合には、常温絶縁抵抗（Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＩＲ）特性が低下し、高温加速寿命が低下し得る。
【００４５】
上記第２副成分の合計が０．８０モルを超える場合には、Ｃ＊Ｒ（Ｃ[0]ａｐａｃｉｔａｎｃｅ＊Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）値が低下し得、時間による容量変化が大きくなり得る。
【００４６】
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物は、０．１〜０．４モルの含有量を有する第２副成分を含むことができ、これにより、常温絶縁抵抗（Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＩＲ）特性に優れ、高いＣ＊Ｒ（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ＊Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）値を得ることができる。
【００４７】
第３副成分
上記第３副成分は、Ｓｉを含む酸化物又はＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物を含むことができる。
【００４８】
上記第３副成分は、他の成分、特に、上記第１副成分又は母材粉末と反応して焼結性を付与することができる。
【００４９】
上記第３副成分の含有量は、０．１〜２．０モルであってもよい。
【００５０】
上記第３副成分の含有量が０．１モル未満である場合には、高温加速寿命特性に問題があって信頼性が低下し得、所望の温度特性、特に、静電容量変化率（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）特性が具現されないという問題がある。
【００５１】
上記第３副成分の含有量が２．０モルを超える場合には、焼成温度が上昇し、所望の誘電定数値を得ることができず、誘電特性が低下し得る。
【００５２】
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物は、０．１〜２．０モルの含有量を有する第３副成分を含むことができ、これにより、焼成温度が低くなり、誘電特性に優れ、信頼性に優れた積層セラミックキャパシターを具現することができる。
【００５３】
その他の副成分
上記誘電体組成物は、バナジウム（Ｖ）を含む酸化物を含むことができる。
【００５４】
上記バナジウム（Ｖ）を含む酸化物は、焼成温度を低くし、高温加速寿命を向上させ、キュリー温度（Ｔｃ）以上での容量変化を安定化する役割をする。
【００５５】
上記バナジウム（Ｖ）を含む酸化物の含有量は、母材粉末１００モルに対して０．０５〜１．０モル含まれることができる。
【００５６】
上記バナジウム（Ｖ）を含む酸化物の含有量が０．０５モル未満である場合には、高温加速寿命が低下し得、１．０モルを超える場合には、Ｃ＊Ｒ値が低下し得る。
【００５７】
また、上記誘電体組成物は、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物を含むことができる。
【００５８】
上記アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物は、他の成分、特に、母材粉末と反応して焼結性を付与することができる。
【００５９】
上記アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物の含有量は、母材粉末１００モルに対して０．０５モル〜０．５モル含まれることができる。
【００６０】
上記アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物の含有量が０．０５モル未満である場合には、焼成温度が高くなる恐れがあり、０．５モルを超える場合には、粒成長の制御が困難になり得、静電容量変化率（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）特性が低下し得る。
【００６１】
図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックキャパシターを示す概略的な斜視図であり、図２は図１のＩ‐Ｉ´に沿って取った積層セラミックキャパシターを示す概略的な断面図である。
【００６２】
図１及び図２を参照すると、本発明の他の実施例による積層セラミックキャパシター１００は、誘電体層１１１と第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２が交互に積層された構造を含むセラミック本体１１０を有する。
【００６３】
セラミック本体１１０の両端部には、セラミック本体１１０の内部に交互に配置された第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ導通する第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２が形成されている。
【００６４】
セラミック本体１１０の形状は、特に制限されないが、一般的に、直方体の形状であってもよい。また、その寸法も特に制限されず、用途に応じて、適切な寸法にしてもよい。
【００６５】
誘電体層１１１の厚さは、キャパシターの容量設計に応じて任意に変更することができ、本発明の一実施例において、焼成後の誘電体層の厚さは、１層当たり好ましくは０．２μｍ以上であってもよい。
【００６６】
上記誘電体層の厚さが０．２μｍ未満である場合には、１層内に存在する結晶粒の数が少なく信頼性が低下し得る。
【００６７】
第１及び第２内部電極１２１、１２２は、各端面がセラミック本体１１０の対向する両端部の表面に交互に露出するように積層されている。
【００６８】
上記第１及び第２外部電極１３１、１３２は、セラミック本体１１０の両端部に形成され、交互に配置された第１及び第２内部電極１２１、１２２の露出端面に電気的に連結されてキャパシター回路を構成する。
【００６９】
上記第１及び第２内部電極１２１、１２２に含有される導電性材料は、特に限定されないが、本発明の一実施形態に係る誘電体層の構成材料が常誘電体材料と強誘電体材料の混合又は固溶された形態を有することから、貴金属を用いることができる。
【００７０】
上記導電性材料として用いる貴金属としては、パラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム（Ｐｄ）合金であってもよい。
【００７１】
パラジウム（Ｐｄ）合金としては、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）及びアルミニウム（Ａｌ）から選択される１種以上の元素とパラジウム（Ｐｄ）の合金であってもよく、合金中のパラジウム（Ｐｄ）の含有量は、９５重量％以上であってもよい。
【００７２】
上記導電性材料として用いる貴金属としては、銀（Ａｇ）又は銀（Ａｇ）合金であってもよい。
【００７３】
上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の厚さは、用途などに応じて適宜決定することができ、特に制限されるものではないが、例えば、０．１〜５μｍ又は０．１〜２．５μｍであってもよい。
【００７４】
上記第１及び第２外部電極１３１、１３２に含有される導電性材料としては、特に限定されないが、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、又はこれら合金を用いることができる。
【００７５】
上記第１及び第２外部電極１３１、１３２の厚さは、用途などに応じて適宜決定することができ、特に制限されるものではないが、例えば、１０〜５０μｍであってもよい。
【００７６】
上記セラミック本体１１０を構成する誘電体層１１１は、本発明の一実施形態に係る誘電体組成物を含むことができる。
【００７７】
本発明の一実施形態に係る誘電体組成物は、母材主成分と、副成分と、を含み、上記母材主成分は、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａ、Ｃａ及びＳｒのうち少なくとも一つであり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆのうち少なくとも一つである）で表され、上記副成分は、上記母材主成分１００モルに対してＤｙ及びＴｂのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．５〜３．０モルの第１副成分を含む。
【００７８】
上記副成分は、上記Ｍｎを含む酸化物である第２副成分と、Ｓｉを含む酸化物又はＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物である第３副成分と、を含む。
【００７９】
上記母材主成分は、（ＣａｘＳｒ（１−ｘ））（ＺｒｙＴｉ（１−ｙ））Ｏ３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）であってもよい。
【００８０】
上記Ｔｂを含む酸化物は、Ｔｂ３＋及びＴｂ４＋のうち少なくとも一つのイオン状に上記母材主成分に置換されることができる。上記ＡＢＯ３で表される母材主成分において、上記Ｔｂ３＋はＡサイトに置換され、上記Ｔｂ４＋はＢサイトに置換されることができる。
【００８１】
上記Ｔｂを含む酸化物の含有量は、０．５〜１．０モルであってもよい。
【００８２】
上記誘電体組成物は、バナジウム（Ｖ）を含む酸化物又はアルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物をさらに含むことができる。
【００８３】
上記誘電体組成物に関する具体的な説明は、上述の本発明の一実施形態に係る誘電体組成物の特徴と同様であるため、ここでは省略する。
【００８４】
以下、実施例及び比較例により、本発明をより詳細に説明するが、これは、発明の具体的な理解を助けるためのものであって、本発明の範囲は実施例により限定されるものではない。
【実施例】
【００８５】
誘電体組成物は、母材主成分及び副成分の組成及び含有量を下記表１のように調節した。
【００８６】
スラリーの作製の際に、母材主成分及び副成分粉末を、ジルコニアボールを混合／分散メディアとして使用し、エタノール／トルエンと分散剤及びバインダーを混合した後、２４時間ボールミリング（ｂａｌｌ  ｍｉｌｌｉｎｇ）を実施した。
【００８７】
製造された混合スラリーは、ドクターブレード（ｄｏｃｔｏｒ  ｂｌａｄｅ）方式のテープキャスティング（ｔａｐｅ  ｃａｓｔｉｎｇ）を用いて３〜５μｍと１０〜１５μｍの厚さに成形シートを製造した。
【００８８】
成形シートにニッケル（Ｎｉ）内部電極を印刷し、上下カバーは、カバー用シート（１０〜１５μｍの厚さ）を積層して作製し、内部電極が印刷されたシートを加圧して積層しバー（ｂａｒ）を作製した。圧着バーは、切断機を用いて３２１６（長さ×幅が約３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズのチップに切断した。
【００８９】
上記チップをか焼してから還元雰囲気（０．１％  Ｈ２／９９．９％  Ｎ２、Ｈ２Ｏ／Ｈ２／Ｎ２雰囲気）で１０００〜１３００℃の温度で１時間焼成した後、１０００℃で２時間再酸化熱処理を行った。
【００９０】
上記焼成されたチップに対して、銅（Ｃｕ）ペーストでターミネーション工程及び電極焼成を経て外部電極を完成した。
【００９１】
上記のように完成された積層セラミックキャパシターに対して、誘電特性及び高温信頼性などを評価した。
【００９２】
積層セラミックキャパシター（ＭＬＣＣ）チップの常温静電容量及び誘電損失は、ＬＣＲ‐ｍｅｔｅｒを用いて、１ｋＨｚ、ＡＣ０．５Ｖ／μｍの条件で測定した。
【００９３】
静電容量と積層セラミックキャパシター（ＭＬＣＣ）チップの誘電体の厚さ、内部電極の面積、積層数から積層セラミックキャパシター（ＭＬＣＣ）チップの誘電率（相対誘電率）を計算した。
【００９４】
常温ＩＲは、５Ｖ／μｍの条件で高抵抗計（Ｈｉｇｈ‐Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｍｅｔｅｒ）を用いて測定した。
【００９５】
高温ＩＲ昇圧試験は、１５０℃で０．５Ｖｒ＝５Ｖ／μｍの条件で行い、高温信頼性を評価した。
【００９６】
【表１】
2017119610.tif 000003
【００９７】
【表２】
2017119610.tif 000004
【００９８】
図３は本発明の一実施形態に係る実施例の高温加速寿命を示すグラフである。
【００９９】
図３、表１及び表２を参照すると、本発明の一実施形態に係る誘電体組成物を含む積層セラミックキャパシターは、誘電率が１２５以上の値を有し、安定した高温加速寿命である４．０×１０１４以上の値を有する傾向を示すことから、高い誘電率及び優れた信頼性の確保が可能であることが分かる。
【０１００】
これに対し、比較例１〜３の場合、Ｔｂを含む酸化物を含んでおらず、高温加速寿命が低下する副作用があることが分かる。
【０１０１】
比較例６及び８はＴｂを含む酸化物の含有量範囲を満たすが、Ｄｙを含む酸化物の含有量が多くて高温加速寿命が低下したことが分かる。
【０１０２】
比較例９及び１０は、Ｔｂを含む酸化物の含有量が１．５モルであり、Ｔｂを含む酸化物の含有量が多すぎると、誘電率及びＩＲが低下することを確認することができる。
【０１０３】
したがって、本発明の一実施形態の誘電体組成物は、Ｔｂを含む酸化物の含有量が０．５〜１．０であり、上記含有量を満たすと、誘電率及び信頼性を確保することができる。
【０１０４】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【０１０５】
１００  積層セラミックキャパシター
１１０  セラミック本体
１１１  誘電体層
１２１  第１内部電極
１２２  第２内部電極
１３１  第１外部電極
１３２  第２外部電極
【図１】
2017119610.tif 000005
【図２】
2017119610.tif 000006
【図３】
2017119610.tif 000007