(57)【要約】【課題】本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明の一実施形態によれば、内部電極及び誘電体層を含むボディと、上記ボディの少なくとも一面に配置され、上記内部電極と電気的に接続する第１の電極層と、上記第１の電極層上に配置され、第１の導電性金属粒子、第２の導電性金属、及びベース樹脂を含む伝導性樹脂層と、を含み、上記第２の導電性金属は上記ベース樹脂の硬化温度より低い融点を有する積層セラミック電子部品を提供することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極及び誘電体層を含むボディと、
前記ボディの少なくとも一面に配置され、前記内部電極と電気的に接続する第１の電極層と、
前記第１の電極層上に配置され、第１の導電性金属粒子、第２の導電性金属、及びベース樹脂を含む伝導性樹脂層と、
を含み、
前記第２の導電性金属は前記ベース樹脂の硬化温度より低い融点を有する、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記ベース樹脂は熱硬化性樹脂である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記第２の導電性金属は溶融状態で前記第１の導電性金属粒子を囲む、請求項１又は２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記第２の導電性金属は融点が３００℃以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記第１の導電性金属粒子と第２の導電性金属は直接接触する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記第１の導電性金属粒子は、銅、銀、ニッケル及びこれらの合金のうち一つ以上を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記第２の導電性金属は、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及びビスマス（Ｂｉ）のうちから選択された二つ以上の合金で形成される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記伝導性樹脂層上に配置された第２の電極層をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記第２の電極層はめっき層である、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記第２の電極層はニッケルめっき層及びスズめっき層を含む、請求項９に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
前記第１の導電性金属粒子は前記ベース樹脂の硬化温度より高い融点を有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１２】
誘電体層及び内部電極を含むボディを形成する段階と、
前記内部電極の一端と電気的に連結されるように前記ボディの端面に第１の電極層を形成する段階と、
前記第１の電極層上に第１の導電性金属粒子、熱硬化性樹脂、及び前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い融点を有する第２の導電性金属を含む伝導性樹脂組成物を塗布する段階と、
前記伝導性樹脂組成物を硬化して、溶融された第２の導電性金属が前記第１の導電性金属粒子を囲むように伝導性樹脂層を形成する段階と、
を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の導電性金属は融点が３００℃以下である、請求項１２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の導電性金属粒子と溶融された第２の導電性金属は直接接触する、請求項１２又は１３に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の導電性金属粒子は、銅、銀、ニッケル及びこれらの合金のうち一つ以上を含む、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１６】
前記第２の導電性金属は、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及びビスマス（Ｂｉ）のうちから選択された二つ以上の合金で形成される、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記伝導性樹脂層上に第２の電極層を形成する段階をさらに含む、請求項１２〜１６のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の電極層はめっきで形成される、請求項１７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の導電性金属粒子は前記熱硬化性樹脂の硬化温度より高い融点を有する、請求項１２〜１８のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の電極層は導電性金属及びガラスを含むペーストを焼成して形成される、請求項１２〜１９のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２１】
内部電極及び誘電体層を含むボディ部と、
前記ボディ部の少なくとも一面に配置され、前記内部電極と電気的に接続する第１の電極層と、
前記第１の電極層上に配置され、ベース樹脂、前記ベース樹脂内に分散された複数の第１の導電性金属粒子、及び前記複数の第１の導電性金属粒子のうち二つ以上を囲む第２の導電性金属を含む伝導性樹脂層と、
を含む、積層セラミック電子部品。
【請求項２２】
前記第２の導電性金属によって囲まれた前記複数の第１の導電性金属粒子のうち二つ以上は、第２の導電性金属によって互いに電気的に連結される、請求項２１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項２３】
前記第２の導電性金属によって囲まれていない前記複数の第１の導電性金属粒子のうち一つは、前記第２の導電性金属と直接接触する、請求項２１又は２２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項２４】
前記ベース樹脂の硬化温度は、前記第２の導電性金属の融点より高く、前記複数の第１の導電性金属粒子の融点よりは低い、請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項２５】
前記ベース樹脂は熱硬化性樹脂である、請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項２６】
前記第２の導電性金属は融点が３００℃以下である、請求項２１〜２５のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項２７】
前記複数の第１の導電性金属粒子は、銅、銀、ニッケル及びこれらの合金のうち一つ以上を含む、請求項２１〜２６のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項２８】
前記第２の導電性金属は、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及びビスマス（Ｂｉ）のうちから選択された二つ以上の合金で形成される、請求項２１〜２７のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項２９】
前記伝導性樹脂層上に配置されたニッケルめっき層及びスズめっき層をさらに含む、請求項２１〜２８のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３０】
誘電体層及び内部電極を含むボディを形成する段階と、
前記内部電極の一端と電気的に連結されるように前記ボディの端面に第１の電極層を形成する段階と、
前記第１の電極層上に複数の第１の導電性金属粒子、熱硬化性樹脂、及び前記複数の第１の導電性金属粒子と分離された第２の導電性金属を含む伝導性樹脂組成物を塗布する段階と、
前記第２の導電性金属の融点より高く、前記複数の第１の導電性金属粒子の融点よりは低い前記熱硬化性樹脂を硬化して、前記伝導性樹脂組成物を前記第２の導電性金属が前記複数の第１の導電性金属粒子のうち二つ以上を囲む伝導性樹脂層に変える段階と、
を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３１】
前記第２の導電性金属によって囲まれた前記複数の第１の導電性金属粒子のうち二つ以上は第２の導電性金属によって互いに電気的に連結される、請求項３０に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３２】
前記第２の導電性金属は融点が３００℃以下である、請求項３０又は３１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３３】
前記第２の導電性金属によって囲まれていない前記複数の第１の導電性金属粒子のうち一つは前記第２の導電性金属と直接接触する、請求項３０〜３２のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３４】
前記複数の第１の導電性金属粒子は、銅、銀、ニッケル及びこれらの合金のうち一つ以上を含む、請求項３０〜３３のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３５】
前記第２の導電性金属は、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及びビスマス（Ｂｉ）のうちから選択された二つ以上の合金で形成される、請求項３０〜３４のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３６】
前記伝導性樹脂層上に第２の電極層をめっきで形成する段階をさらに含む、請求項３０〜３５のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３７】
前記第１の電極層は導電性金属及びガラスを含むペーストを焼成して形成する、請求項３０〜３６のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタは、積層された複数の誘電体層、誘電体層を挟んで対向配置される内部電極、上記内部電極に電気的に接続された外部電極を含む。
【０００３】
積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され実装が容易であるという長所により、コンピュータ、ＰＤＡ、携帯電話などの移動通信装置の部品として広く用いられている。
【０００４】
最近では、電子製品の小型化及び多機能化に伴い、チップ部品も小型化及び高機能化する傾向にあるため、積層セラミックキャパシタにおいてもその大きさが小さく且つ容量が大きい高容量製品が求められている。
【０００５】
このために、誘電体層及び内部電極層の厚さを薄くして多数の誘電体層を積層した積層セラミックキャパシタが製造されており、外部電極も薄層化されている。
【０００６】
また、自動車や医療機器のように高信頼性を求める分野における多くの機能が電子化され需要が増加するにつれて、積層セラミックキャパシタにも高信頼性が求められている。
【０００７】
このような高信頼性において問題となる要素としては、めっき工程時に発生するめっき液の浸透、外部衝撃によるクラック発生などがある。
【０００８】
よって、上記問題を解決するための手段として外部電極の電極層とめっき層の間に伝導性物質を含有する樹脂組成物を塗布して、外部衝撃を吸収し、めっき液の浸透を防ぎ、信頼性を向上させている。
【０００９】
伝導性樹脂層は、熱硬化性樹脂に導電性金属粒子が均一に分散されたペーストを塗布して形成し、塗布されたペーストを乾燥及び硬化する工程を経て形成される。
【００１０】
伝導性樹脂層は、導電性金属粒子がランダム分布を有し、電気絶縁特性を有する熱硬化性樹脂がマトリックス状で存在するコンポジット（Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）構造であり、従来の金属を焼成して形成された高温焼成電極に比べてキャパシタの等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）を上昇させるという問題がある。
【００１１】
よって、等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）が低減され、伝導性樹脂層構造を有する積層セラミックキャパシタが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００５−０５１２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）が低減され、伝導性樹脂層構造を有する積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一実施形態によれば、内部電極及び誘電体層を含むボディと、上記ボディの少なくとも一面に配置され、上記内部電極と電気的に接続する第１の電極層と、上記第１の電極層上に配置され、第１の導電性金属粒子、第２の導電性金属、及びベース樹脂を含む伝導性樹脂層と、を含み、上記第２の導電性金属は上記ベース樹脂の硬化温度より低い融点を有する積層セラミック電子部品が提供される。
【００１５】
本発明の他の実施形態によれば、誘電体層及び内部電極を含むボディを形成する段階と、上記内部電極の一端と電気的に連結されるように上記ボディの端面に第１の電極層を形成する段階と、上記第１の電極層上に第１の導電性金属粒子、熱硬化性樹脂、及び上記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い融点を有する第２の導電性金属を含む伝導性樹脂組成物を塗布する段階と、上記伝導性樹脂組成物を硬化して、溶融された第２の導電性金属が上記第１の導電性金属粒子を囲むように伝導性樹脂層を形成する段階と、を含む積層セラミック電子部品の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明のさらに他の実施形態によれば、内部電極及び誘電体層を含むボディ部と、上記ボディ部の少なくとも一面に配置され、上記内部電極と電気的に接続する第１の電極層と、上記第１の電極層上に配置され、ベース樹脂、上記ベース樹脂内に分散された複数の第１の導電性金属粒子、及び上記複数の第１の導電性金属粒子のうち二つ以上を囲む第２の導電性金属を含む伝導性樹脂層と、を含む積層セラミック電子部品が提供される。
【００１７】
本発明のさらに他の実施形態によれば、誘電体層及び内部電極を含むボディを形成する段階と、上記内部電極の一端と電気的に連結されるように上記ボディの端面に第１の電極層を形成する段階と、上記第１の電極層上に複数の第１の導電性金属粒子、熱硬化性樹脂、及び上記複数の第１の導電性金属粒子と分離された第２の導電性金属を含む伝導性樹脂組成物を塗布する段階と、上記第２の導電性金属の融点より高く、上記複数の第１の導電性金属粒子の融点よりは低い上記熱硬化性樹脂を硬化して、上記伝導性樹脂組成物を上記第２の導電性金属が上記複数の第１の導電性金属粒子のうち二つ以上を囲む伝導性樹脂層に変える段階と、を含む積層セラミック電子部品の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一実施形態によれば、伝導性樹脂層を含んでも等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）が低減された積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。
【図３】図２のＢ領域を拡大して示した図である。
【図４】本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法を示す製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００２１】
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。また、以下では、積層セラミック電子部品を積層セラミックキャパシタを一例として説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品１００を示す斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。
【００２３】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品１００は、積層セラミックキャパシタであり得、セラミックボディ１１０と外部電極１３０ａ、１３０ｂを含む。
【００２４】
上記セラミックボディ１１０は、キャパシタの容量形成に寄与する部分としての活性領域と、上下マージン部であって活性領域の上下部にそれぞれ形成された上部及び下部カバー層と、を含むことができる。上記活性領域は、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２を含み、誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２の内部電極１２１、１２２が交互に形成されることができる。
【００２５】
本発明の一実施形態において、セラミックボディ１１０は、形状に特に制限はないが、実質的に六面体形状であり得る。チップの焼成時のセラミック粉末の焼成収縮と内部電極パターンの存否による厚さの差異及びセラミックボディのエッジ部の研磨によって、セラミックボディ１１０は、完全な六面体形状ではないが、実質的に六面体に近い形状を有することができる。
【００２６】
本発明の実施例を明確に説明するために六面体の方向を定義すると、図面上に表示されたＬ、Ｗ及びＴはそれぞれ長さ方向、幅方向及び厚さ方向を示す。ここで、厚さ方向は、誘電体層が積層された積層方向と同一の概念で用いられることができる。
【００２７】
上記内部電極は第１及び第２の内部電極１２１、１２２からなり、第１及び第２の内部電極は上記誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置されることができる。第１及び第２の内部電極１２１、１２２は、互いに異なる極性を有する一対の電極であり、誘電体層１１１上に所定の厚さで伝導性金属を含む伝導性ペーストを印刷して、誘電体層１１１の積層方向に沿ってセラミックボディ１１０の両端面に交互に露出するように形成され、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に絶縁されることができる。
【００２８】
即ち、第１及び第２の内部電極１２１、１２２は、セラミックボディ１１０の両端面に交互に露出する部分を介して外部電極とそれぞれ電気的に連結されることができる。上記外部電極は第１の外部電極１３０ａ及び第２の外部電極１３０ｂを含み、第１の内部電極１２１は第１の外部電極１３０ａと、第２の内部電極１２２は第２の外部電極１３０ｂとそれぞれ電気的に連結されることができる。
【００２９】
したがって、第１及び第２の外部電極１３０ａ、１３０ｂに電圧を印加すると、互いに対向する第１及び第２の内部電極１２１、１２２の間に電荷が蓄積され、このときの積層セラミックキャパシタ１００の静電容量は第１及び第２の内部電極１２１、１２２の互いに重なる領域の面積に比例する。
【００３０】
このような第１及び第２の内部電極１２１、１２２の厚さは用途に応じて決定されることができ、例えば、セラミックボディ１１０の大きさと容量を考慮して０．２から１．０μｍの範囲内にあるように決定されることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３１】
また、第１及び第２の内部電極１２１、１２２に含まれる伝導性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、又はこれらの合金であり得るが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３２】
このとき、誘電体層１１１の厚さは積層セラミックキャパシタの容量設計に合わせて任意に変更することができ、セラミックボディ１１０の大きさと容量を考慮して一層の厚さは焼成後に０．１〜１０μｍとなるように構成することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３３】
また、誘電体層１１１は、高誘電率を有するセラミック粉末、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系又はチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系粉末を含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３４】
上部及び下部カバー層は、内部電極を含まないことを除いては誘電体層１１１と同一の材質及び構成を有することができる。上部及び下部カバー層は、単一の誘電体層又は２個以上の誘電体層を活性領域の上下面にそれぞれ上下方向に積層して形成されたものであり、基本的に物理的又は化学的ストレスによる第１及び第２の内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を行うことができる。
【００３５】
上記第１の外部電極１３０ａ及び第２の外部電極１３０ｂは第１の電極層１３１ａ、１３１ｂ及び伝導性樹脂層１３２を含むことができる。
【００３６】
また、上記第１及び第２の外部電極１３０ａ、１３０ｂは、伝導性樹脂層１３２上に形成される第２の電極層１３３、１３４をさらに含むことができる。
【００３７】
上記第２の電極層１３３、１３４は、めっき層であって、ニッケルめっき層１３３とスズめっき層１３４であり得る。
【００３８】
上記第１の電極層１３１ａ、１３１ｂは、第１及び第２の内部電極１２１、１２２と直接的に連結されて外部電極と内部電極間の電気的導通を確保する。
【００３９】
上記第１の電極層１３１ａ、１３１ｂは伝導性金属を含み、上記伝導性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）又はこれらの合金であり得るが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４０】
上記第１の電極層１３１ａ、１３１ｂは、伝導性金属を含むペーストの焼成によって形成される焼成型電極であり得る。
【００４１】
上記第１の電極層１３１ａ、１３１ｂ上には伝導性樹脂層１３２が配置されることができる。即ち、上記第１の電極層１３１ａ、１３１ｂの外側には伝導性樹脂層１３２が配置されることができる。
【００４２】
本明細書において、セラミックボディ１１０が存在する方向を外部電極１３０ａ、１３０ｂの内側、セラミックボディ１１０が存在しない方向を外部電極１３０ａ、１３０ｂの外側と定義する。
【００４３】
図３は、図２のＢ領域を拡大して示した図である。
【００４４】
Ｂ領域は第１の外部電極１３０ａの端部を拡大して示したものであり、第１の外部電極は第１の内部電極と電気的に接続し、第２の外部電極は第２の内部電極と接続する点だけが異なり、第１の外部電極と第２の外部電極の構成は類似するため、以下では、第１の外部電極１３０ａを基準に説明するが、これは、第２の外部電極１３０ｂに関する説明も含むものである。
【００４５】
図３に示されたように、上記伝導性樹脂層１３２は、第１の導電性金属粒子１３２ａ、第２の導電性金属１３２ｂ及びベース樹脂１３２ｃを含む。
【００４６】
本発明の一実施形態によれば、上記第２の導電性金属１３２ｂは、上記ベース樹脂１３２ｃの硬化温度より低い融点を有する。
【００４７】
上記ベース樹脂１３２ｃは熱硬化性樹脂を含むことができる。上記熱硬化性樹脂は、これに制限されるものではないが、エポキシ樹脂であり得る。
【００４８】
上記第１の導電性金属粒子１３２ａは、銅、銀、ニッケル及びこれらの合金のうち一つ以上を含み、上記第１の導電性金属粒子１３２ａは、銀でコーティングされた銅を含むことができる。
【００４９】
上記第１の導電性金属粒子１３２ａは、上記伝導性樹脂層１３２内に粒子状に配置される。
【００５０】
上記伝導性樹脂層１３２は、熱硬化性樹脂に導電性金属粒子が均一に分散されたペーストを塗布して形成し、塗布されたペーストを乾燥及び硬化する工程を経て形成されるため、従来の焼成によって外部電極を形成する方法とは異なり、第１の導電性金属粒子が溶融されず、伝導性樹脂層１３２内に粒子状に存在することができる。
【００５１】
これに対し、上記第２の導電性金属１３２ｂは、上記ベース樹脂１３２ｃの硬化温度より低い融点を有するため、乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融され、図３に示されたように、溶融状態で上記第１の導電性金属粒子１３２ａを囲む。
【００５２】
上記第２の導電性金属１３２ｂは、特に制限されるものではないが、例えば、融点が３００℃以下であり得る。
【００５３】
具体的には、上記第２の導電性金属１３２ｂは、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及びビスマス（Ｂｉ）のうちから選択された二つ以上の合金で形成されることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【００５４】
本発明の一実施形態によれば、上記伝導性樹脂層１３２は乾燥及び硬化工程を経て形成され、硬化温度は約３００℃以下であり、この過程で上記第２の導電性金属１３２ｂは溶融される。
【００５５】
上記第２の導電性金属１３２ｂは溶融状態で上記第１の導電性金属粒子１３２ａを囲むため、上記第１の導電性金属粒子１３２ａと第２の導電性金属１３２ｂは直接接触することができる。
【００５６】
これにより、上記第１の導電性金属粒子１３２ａ間の直接接触だけでなく、第２の導電性金属１３２ｂによって第１の導電性金属粒子１３２ａが電気的に連結されるため、等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）が低減された積層セラミック電子部品を実現することができる。
【００５７】
従来のように金属粒子が分散されたペーストを電極物質として用いる場合、金属−金属間接触のときは電子の流れが円滑であるが、熱硬化性樹脂が金属粒子を囲むときは電子の流れが急速に減少する。
【００５８】
このような問題を解決するために、樹脂量を極端に減らし、金属量を増やす場合は、金属粒子間の接触率を高めて伝導性を改善することはできるが、逆に樹脂量の減少によって外部電極の固着強度の低下の問題が発生する可能性がある。
【００５９】
本発明の一実施形態によれば、熱硬化性樹脂の量を極端に減らさなくても、溶融された第２の導電性金属１３２ｂによって上記第１の導電性金属粒子１３２ａ間の接触率を高めることができるため、外部電極の固着強度の低下の問題がなく、且つ上記伝導性樹脂層１３２内の電気伝導度が改善されることができる。
【００６０】
これにより、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）が低減されることができる。
【００６１】
図４は、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法を示す製造工程図である。
【００６２】
図４を参照すると、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、誘電体層及び内部電極を含むセラミックボディを形成する段階と、上記内部電極の一端と電気的に連結されるように上記セラミックボディの端面に第１の電極層を形成する段階と、上記第１の電極層上に第１の導電性金属粒子、熱硬化性樹脂、及び上記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い融点を有する第２の導電性金属を含む伝導性樹脂組成物を塗布する段階と、上記伝導性樹脂組成物を硬化して、溶融された第２の導電性金属が上記第１の導電性金属粒子を囲むように伝導性樹脂層を形成する段階と、を含む。
【００６３】
以下では、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法について説明するが、これに制限されるものではなく、積層セラミックキャパシタを一例として説明する。
【００６４】
また、本実施形態の積層セラミックキャパシタの製造方法に関する説明のうち上述の積層セラミックキャパシタと重複する説明は省略する。
【００６５】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法では、まず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末を含んで形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布し乾燥して複数個のセラミックグリーンシートを製造し、これにより、誘電体層及びカバー層を形成することができる。
【００６６】
上記セラミックグリーンシートは、セラミック粉末、バインダー、溶剤を混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレード法で数μｍの厚さを有するシート（ｓｈｅｅｔ）状にして製作されることができる。
【００６７】
次に、ニッケル粉末を含む内部電極用伝導性ペーストを製造することができる。
【００６８】
上記グリーンシート上に上記内部電極用伝導性ペーストをスクリーン印刷工法で塗布して内部電極を形成した後、内部電極が印刷されたグリーンシートを複数層積層し、積層体の上下面に内部電極の印刷されていないグリーンシートを複数積層した後に焼成してセラミックボディ１１０を製造することができる。上記セラミックボディは、内部電極１２１、１２２、誘電体層１１１及びカバー層を含み、上記誘電体層は、内部電極が印刷されたグリーンシートを焼成して形成されたものであり、上記カバー層は、内部電極が印刷されていないグリーンシートが焼成されて形成されたものである。
【００６９】
上記内部電極は、第１及び第２の内部電極で形成されることができる。
【００７０】
上記第１及び第２の内部電極とそれぞれ電気的に連結されるようにセラミックボディの外部面に第１の電極層１３１ａ、１３１ｂが形成されることができる。上記第１の電極層１３１ａ、１３１ｂは、導電性金属及びガラスを含むペーストの焼成によって形成されることができる。
【００７１】
上記伝導性金属は、特に制限されるものではないが、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上であり得る。
【００７２】
上記ガラスとしては、特に制限されるものではなく、一般的な積層セラミックキャパシタの外部電極の製作に用いられるガラスと同一の組成の物質を用いることができる。
【００７３】
次に、第１の電極層１３１ａ、１３１ｂの外側に、第１の導電性金属粒子、熱硬化性樹脂、及び上記熱硬化性樹脂より低い融点を有する第２の導電性金属を含む伝導性樹脂組成物を塗布し硬化して伝導性樹脂層１３２を形成することができる。
【００７４】
上記金属粒子は、銅、銀、ニッケル、これらの合金及び銀でコーティングされた銅のうち一つ以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。
【００７５】
上記熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂を含むことができる。
【００７６】
上記熱硬化性樹脂は、これに限定されるものではないが、ビスフェノールＡ樹脂、グリコールエポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂又はこれらの誘導体のうち分子量が小さくて常温で液状である樹脂であり得る。
【００７７】
上記液状樹脂のより具体的な例としては、ポリプロポキシレートビスフェノールＡ（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｏｘｙｌａｔｅ  Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ  Ａ、ＰＢＰＡ）及びＤＯＷ社のエポキシ製品であるＤ．Ｅ．Ｒ  ３３０、Ｄ．Ｅ．Ｒ  ３３２、Ｄ．Ｅ．Ｒ  ３６２、Ｄ．Ｅ．Ｒ  ３６４、Ｄ．Ｅ．Ｒ  ３８３などが挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００７８】
上記伝導性樹脂組成物を硬化して、溶融された第２の導電性金属が上記第１の導電性金属粒子を囲むように伝導性樹脂層を形成する。
【００７９】
また、上記伝導性樹脂層上に第２の電極層を形成する段階をさらに含むことができる。上記第２の電極層はめっきによって形成されることができ、例えば、ニッケルめっき層とその上部にスズめっき層をさらに形成することができる。
【００８０】
下記表１は、積層セラミックキャパシタの伝導性樹脂層内の金属粒子間連結性によるＥＳＲ、外部電極の外観評価及び固着強度を比較したものである。
【００８１】
金属粒子間連結性を評価する方法は、伝導性樹脂層の断面ＳＥＭ写真を基に任意の１００個の金属粒子を選定し、各金属粒子の隣接粒子との接触の有無を確認した後、その連結水準を％で表示する方法で行われた。
【００８２】
【表１】
2017118093.tif 000003
【００８３】
上記表１を参照すると、金属粒子間連結性が２０％以上９０％以下の場合に、ＥＳＲ特性に優れ、信頼性にも優れることが分かる。
【００８４】
即ち、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品において、第１の導電性金属粒子間の直接接触だけでなく、第２の導電性金属によって第１の導電性金属粒子が電気的に連結されるため、等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）が低減されることができ、固着強度にも優れた積層セラミック電子部品を実現することができる。
【００８５】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００８６】
１００  積層セラミック電子部品
１１０  セラミックボディ
１１１  誘電体層
１２１、１２２  第１及び第２の内部電極
１３０ａ、１３０ｂ  第１及び第２の外部電極
１３１ａ、１３１ｂ  第１の電極層
１３２  伝導性樹脂層
１３２ａ  第１の導電性金属粒子
１３２ｂ  第２の導電性金属
１３２ｃ  ベース樹脂
１３３、１３４  第２の電極層
【図１】
2017118093.tif 000004
【図２】
2017118093.tif 000005
【図３】
2017118093.tif 000006
【図４】
2017118093.tif 000007