(57)【要約】【課題】非線形光学結晶による周期分極反転構造を備える波長変換素子のハイパワー入力における変換効率を向上させる。【解決手段】基板１０１と、基板１０１の上に形成された光導波路構造１０２と、光導波路構造１０２を覆って基板１０１の上に形成された誘電体層１０３と、光導波路構造１０２の上に誘電体層１０３を介して形成された電極層１０４とを備える。電極層１０４は、光導波路構造１０２に入力される光の波長より短く、出力される第２高調波もしくは和周波光の波長より長い吸収端波長を持つ半導体から構成され、アモルファス状態とされている。【選択図】  図１Ａ
2017040810.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成され、入力した光の第２高調波を出力する、もしくは入力した波長の異なる２つの光の和周波光を出力する光導波路構造と、
前記光導波路構造を覆って前記基板の上に形成された誘電体層と、
前記光導波路構造の上に前記誘電体層を介して形成された電極層と
を備え、
前記光導波路構造は、２次非線形光学特性を持った結晶から構成され、
前記誘電体層は、前記結晶より屈折率が低い誘電体から構成され、
前記電極層は、前記光導波路構造に入力される光の波長より短く出力される第２高調波，和周波光の波長より長い吸収端波長をもつ半導体から構成されている
ことを特徴とする波長変換素子。
【請求項２】
請求項１記載の波長変換素子において、
前記結晶は、ニオブ酸リチウムから構成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項３】
請求項２記載の波長変換素子において、
前記結晶は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｉｎの中の少なくとも１つが添加されている
ことを特徴とする波長変換素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１記載の波長変換素子において、
前記光導波路構造は、２次非線形光学特性を持った結晶から構成されて直列に接続した複数の領域から構成されて隣り合う領域は結晶の分極が反転した状態とされている
ことを特徴とする波長変換素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の波長変換素子において、
前記誘電体層は、ＳｉＯ2から構成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の波長変換素子において、
前記電極層は、シリコンから構成されていることを特徴とする波長変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非線形光学結晶を用いた波長変換素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
波長変換技術は、光通信における光信号波長変換、光加工、医療、生物工学などの応用のための紫外域から可視域、赤外域、テラヘルツ域に半導体レーザでは直接出力できない波長域、もしくは波長域として半導体レーザで直接出力できても半導体レーザでは得られない高出力な強度が必要な用途において利用されている。特に２次非線形材料で大きな非線形定数を持つニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）を用いた周期分極反転光導波路は、効率の高さから既に市販されている光源に使用されている。
【０００３】
２次非線形光学効果では、波長λ1、λ2の光を入力して新たな波長λ3を発生させる。「１／λ3＝１／λ1＋１／λ2・・・（１）」を満たす波長変換を和周波発生（ＳＦＧ）と呼び、λ1＝λ2として式１を変形して「λ3＝λ1／２・・・（２）」を満たす波長変換を第２高調波発生（ＳＨＧ）と呼ぶ。さらに「１／λ3＝１／λ1―１／λ2・・・（３）」を満たす波長変換を差周波発生（ＤＦＧ）と呼ぶ。さらには、λ1のみ入力して式（３）を満たすλ2、λ3を発生する光パラメトリック効果も存在する。
【０００４】
特にＳＨＧ、ＳＦＧは、入力光に対して短波長の光、すなわちエネルギーの高い光を新たに発生し、可視光域の発生などに良く利用される。
【０００５】
これらの２次非線形光学効果を効率よく起こすためには、相互作用する３波長の位相不整合量が０であることが求められる。これに対し、非線形光学結晶の偏光方向による屈折率の違いを利用し、非線形光学結晶に入射する光の入射角度を適切に設定する角度整合法により位相不整合量を０にする技術がある。しかしながら角度整合法では、非線形光学結晶の最大の非線形定数を利用することができない。そこで、最大の非線形定数を持つ方向の偏光状態の入力光を利用する技術として、周期分極反転構造を取り入れる方法がある。この技術では、２次非線形光学材料の分極を周期的に反転させることで、擬似的に位相不整合量を０にする。この反転周期をΛとすると、式（１）で示される和周波発生において波長λ1、λ2、λ3に対して「ｎ3／λ3−ｎ2／λ2−ｎ1／λ1−１／Λ＝０・・・（４）」を満たすΛを設定すれば良い。ここで。ｎ3は波長λ3での屈折率、ｎ2は波長λ2での屈折率、ｎ1は波長λ1での屈折率である。
【０００６】
このような周期分極反転構造を取り、さらに光導波路化することにより狭い領域に光を高密度に閉じ込め長距離を伝搬させることができるので高効率な波長変換が可能である。
【０００７】
上述した波長変換素子では、近年、非特許文献１に示されるように、結晶のバルクの特性をそのまま利用できることから、高光損傷耐性、長期信頼性、デバイス設計の容易性などの特徴を持つリッジ型の光導波路が研究開発されている。例えば、２枚の基板を接合し、一部に予め所定の波長帯で位相整合条件が満たされる周期分極反転構造が作製されている側の基板を薄膜化し、これをリッジ加工してリッジ型の光導波路とした波長変換素子が開発されている。この基板を接合する場合に、接着剤などを用いずに、基板同士を強固に接合する技術として、直接接合技術が知られている。
【０００８】
このように直接接合法で貼り合わせ、ドライエッチング法により光導波路を形成した波長変換素子について、図２を用いて説明する。この波長変換素子は、タンタル酸リチウム基板２０１の上に、ニオブ酸リチウムからなる周期分極反転構造による光導波路形成層２０２が形成されている。光導波路形成層２０２は、ニオブ酸リチウムの結晶から構成されて直列に接続した複数の領域２２１から構成され、隣り合う領域２２１で結晶の分極が反転し、周期分極反転構造とされている。タンタル酸リチウムはニオブ酸リチウムよりも屈折率が低く、ニオブ酸リチウムより構成したコア状の光導波路形成層２０２の中に光は有効的に閉じ込めて伝搬できる。
【０００９】
さらに非特許文献２に示されるように、光導波路の形成においても、ドライエッチング技術が進歩してより小さなコアを形成することに成功しており、波長変換の効率は向上の一途をたどっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１４−２１１５３８号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Y. Nishida, H. Miyazawa, M. Asobe, O. Tadanaga, and H. Suzuki, "Direct-bonded QPM-LN ridge waveguide with high damage resistance at room temperature", Electronics Letters, Vol.39, No.7, p.609-611, 2003.
【非特許文献２】T. Umeki, O. Tadanaga, and M. Asobe, "Highly Efficient Wavelength Converter Using Direct-Bonded PPZnLN Ridge Waveguide", IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 46, No. 8, pp. 1206-1213, 2010.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、高強度の光を光導波路中に入射する場合には、光導波路内での結晶の光吸収により光導波路が加熱され、結果として屈折率が変化してしまうという課題があった。結晶の光吸収係数はごくわずかではあるものの完全にゼロではないため、光導波路が光により温度変化して屈折率が変化してしまう。これにより位相整合条件が満たされなくなり、高パワーの光入力の場合に変換効率が低下するという課題があった。
【００１３】
光導波路の光の吸収には、入力した光パワーの吸収と、変換された光による吸収の両方が存在する。非特許文献１に記載されているように、変換光が基本波光よりも短波長の場合、変換光の吸収係数が基本波光の吸収係数よりも大きくなることが一般的に知られている。このため、変換光による光吸収が支配的となる。変換光は、光導波路長の２乗により変化するため、入力側よりも出力側の方が変換光パワーは強くなる。このため、変換光に起因した光導波路の加熱により出力側がより高い温度になる。
【００１４】
図２を用いて説明した波長変換素子において、波長１５６０ｎｍの光を効率的に波長７８０ｎｍに波長変換が起こるように領域２２１の周期を設定した場合について説明する。光導波路形成層２０２による素子長は５０ｍｍとした。
【００１５】
図３に波長１５６０ｎｍの基本波光の強度に対する第２高調波７８０ｎｍ光の光強度の依存性を示した。図３において、実線は実験値であり、入力光を１Ｗの強度で入力しても約６５％の変換効率で頭打ちになっていることが分かる。図３において、点線は数ｍＷの小入力時の効率から計算された理想的な波長変換が起きるときの曲線である。点線と実線の比較から分かるように、理想値より実際には高光強度時に効率の低下が見られる。
【００１６】
次に、様々な入力光強度における波長変換特性の波長依存性を図４に示す。図４の（ａ）に示すように、１ｍＷ時には理想的な波長依存性が見られたが、図４の（ｂ），（ｃ）に示すように、入力強度を増やすにつれ波形は乱れた。これは上述した熱分布が原因だと考えられる。
【００１７】
入力光強度を強めると第２高調波強度は強くなり、出力端の光強度第２高調波強度により出力端側が高温になる。高温になることにより波長１５６０ｎｍにおいて変換特性が最大になるように設計していても温度が加わることにより、この変換特性の波長依存性が長波長化する。入力光強度を強めるに従って第２高調波強度が強くなり、１００ｍＷ、１Ｗと入力光強度を強くすると出力端側での第２高調波光強度が強くなり、温度が高まって最大変換効率を示す波長が長波長化するとともに、光導波路の長手方向の熱分布が大きくなり波長変換特性の波長依存性が乱れピークでの波長変換効率が低下する。
【００１８】
これまでは、波長変換素子全体を温度コントロールすることで位相整合波長を制御する方法が一般的に用いられてきた。均一な温度変化であれば、光導波路全体を温度制御することで補正が可能であるが、上記のような効率低下では光導波路の長手方向に熱分布を発生させる光起因の熱分布を制御する方法が必要である。
【００１９】
この熱分布を回避する１つの方法として、特許文献１に示されるような光導波路直近に分割されたヒータ構造を取り入れることにより、熱分布を補償するように各ヒータの発熱量を制御する方法が挙げられる。しかしながら、各電極の制御が複雑で実用的とは言えない。これらのように、従来では、ハイパワー入力における変換効率の向上が容易ではないという問題があった。
【００２０】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、非線形光学結晶による周期分極反転構造を備える波長変換素子のハイパワー入力における変換効率の向上を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明に係る波長変換素子は、基板の上に形成され、入力した光の第２高調波を出力する、または入力した波長の異なる２つの光の和周波光を出力する光導波路構造と、光導波路構造を覆って基板の上に形成された誘電体層と、光導波路構造の上に誘電体層を介して形成された電極層とを備え、光導波路構造は、２次非線形光学特性を持った結晶から構成され、誘電体層は、結晶より屈折率が低い誘電体から構成され、電極層は、光導波路構造に入力される光の波長より短く出力される第２高調波，和周波光の波長より長い吸収端波長を持つ半導体から構成されている。
【００２２】
上記波長変換素子において、結晶は、ニオブ酸リチウムから構成されていればよい。また、結晶は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｉｎの中の少なくとも１つが添加されていても良い。
【００２３】
上記波長変換素子において、光導波路構造は、２次非線形光学特性を持った結晶から構成されて直列に接続した複数の領域から構成されて隣り合う領域は結晶の分極が反転した状態とされているとよい。
【００２４】
上記波長変換素子において、誘電体層は、ＳｉＯ2から構成されていればよい。また、半導体は、シリコンから構成されていれば良い。
【発明の効果】
【００２５】
以上説明したように、本発明によれば、光導波路構造に入力される光の波長より短く出力される第２高調波，和周波光の波長より長い吸収端波長を持つ半導体から構成された電極層を、光導波路構造の上に誘電体層を介して形成したので、非線形光学結晶による周期分極反転構造を備える波長変換素子のハイパワー入力における変換効率が、より容易に向上できるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施の形態における波長変換素子の一部構成を示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の実施の形態における波長変換素子の一部構成を示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の実施の形態における波長変換素子の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、波長変換素子の構成を示す斜視図である。
【図３】図３は、図２を用いて説明した波長変換素子における波長１５６０ｎｍの基本波光の強度に対する第２高調波７８０ｎｍ光の光強度の依存性を示した特性図である。
【図４】図４は、図２を用いて説明した波長変換素子における様々な入力光強度における波長変換特性の波長依存性を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について図１Ａ，図１Ｂ，図１Ｃを参照して説明する。図１Ａは、本発明の実施の形態における波長変換素子の一部構成を示す断面図である。図１Ｂは、本発明の実施の形態における波長変換素子の一部構成を示す断面図である。図１Ｃは、本発明の実施の形態における波長変換素子の構成を示す斜視図である。図１Ａは、導波方向に垂直な断面を示し、図１Ｂは、導波方向に平行な断面を示している。
【００２８】
この波長変換素子は、基板１０１と、基板１０１の上に形成された光導波路構造１０２と、光導波路構造１０２を覆って基板１０１の上に形成された誘電体層１０３と、光導波路構造１０２の上に誘電体層１０３を介して形成された電極層１０４とを備える。光導波路構造１０２は、例えば、リッジ型とされ、一方の入力端より入力した光の第２高調波を他方の出力端より出力し、また、入力端より入力した波長の異なる２つの光の和周波光を出力端より出力する。
【００２９】
ここで、光導波路構造１０２は、２次非線形光学特性を持った結晶から構成されて直列に接続した複数の領域１２１から構成され、隣り合う領域１２１は結晶の分極が反転した状態とされている。例えば、領域１２１の配列方向の長さが、波長１５６０ｎｍの光を効率よく第２高調波発生の７８０ｎｍの光を発生させる状態とされていればよい。また、誘電体層１０３は、結晶より屈折率が低い誘電体から構成されている。また、電極層１０４は、光導波路構造１０２に入力される光の波長より短く出力される第２高調波，和周波光の波長より長い吸収端波長を持つ半導体から構成されている。
【００３０】
基板１０１は、例えば、タンタル酸リチウムの結晶から構成され、光導波路構造１０２は、ニオブ酸リチウムの結晶から構成されている。製造方法について簡単に説明すると、例えば、まず、タンタル酸リチウムからなる基板１０１を用意し、また、ニオブ酸リチウムからなる結晶基板を用意する。結晶基板には、一部に予め所定の周期分極反転構造が作製されている。
【００３１】
ニオブ酸リチウム結晶などにおける分極反転構造作製技術については、いくつかの方法が開発されているが、これらの中で好な結果が再現性よく得られる電界印加法により周期分極反転構造を作製すればよい。例えば、結晶基板の周期反転構造形成領域において、リソグラフィーにより周期レジストパターンを形成し、これをマスクとして利用して周期的な電極（金属薄膜電極、液体電極など）を形成し、形成した電極により電圧パルスを印加することで良好な周期分極反転構造を得ることができる。
【００３２】
次に、基板１０１に結晶基板を貼り合わせる。例えば、よく知られた直接接合技術により貼り合わせれば良い。次に、貼り合わせた結晶基板の厚さが、例えば６μｍになるまで研磨加工を施す。研磨加工の後に、ポリッシング加工を行うことにより、鏡面の研磨表面を得ることができる。これにより、基板１０１の上に、光導波路形成層１３１が作製される。次いで、形成した光導波路形成層１３１を、公知のリソグラフィー技術およびドライエッチング技術によりパターニングすることで、基板１０１の上にコア形状の光導波路構造１０２を形成する。例えば、光導波路形成層１３１に、所定の間隔で２つの溝を形成すれば良い。光導波路構造１０２は、導波方向に垂直な断面の形状が、幅６μｍ程度とされていれば良い。
【００３３】
誘電体層１０３は、例えば、ＳｉＯ2から構成すればよく、厚さは０．７μｍ程度とされていれば良い。例えば、公知のスパッタ法や真空蒸着法などにより、ＳｉＯ2を堆積することで、誘電体層１０３が形成できる。ＳｉＯ2は、今日の半導体装置に極めて一般的に用いられている材料であり、半導体装置の製造に用いられる製造方法，製造装置を用いることで、ＳｉＯ2からなる誘電体層１０３は、容易に形成可能である。
【００３４】
電極層１０４は、例えば、アモルファスシリコンから構成すればよく、厚さは０．３μｍ程度とすれば良い。例えば、公知のスパッタ法や真空蒸着法などにより、まず、シリコンを堆積してアモルファスシリコン膜を形成する。次いで、形成したアモルファスシリコン膜を、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングすることで、電極層１０４が形成できる。シリコンの吸収端波長は、通信波長帯に適合し、また、アモルファスシリコンは、スパッタ法や真空蒸着法などにより、既に形成されている他の構成に影響を与えない低温条件で成膜しやすい材料である。なお、アモルファスにする必要は無く、多結晶の状態でも良い。また、既に形成されている他の構成に影響を与えない製造が可能であれば、結晶であってもよい。
【００３５】
光導波路構造１０２の長さは５０ｍｍに設定されており、電極層１０４は、光導波路構造１０２の長さ５０ｍｍの素子領域に形成されていれば良い。実施の形態では、光導波路構造１０２の上に、線状に形成している。また、電極層１０４は、２つの電極パッド１４１，電極パッド１４２を備え、電流が流せるようになっている。
【００３６】
ここで、よく知られているように、アモルファスシリコンの吸収端は、成膜時の水素、酸素、窒素などの不純物濃度を制御することで変化させることができる。このような不純物濃度の制御により、電極層１０４を構成するアモルファスシリコンを、波長０．８５μｍに吸収端を持つように設定している。
【００３７】
実施の形態における波長変換素子によれば、光導波路構造１０２を、厚さ０．７μｍのＳｉＯ2からなる誘電体層１０３で覆っているので、光導波路構造１０２に入力光を導入して光を光導波路構造１０２に伝搬させても、光電界は光導波路構造１０２に有効的に閉じ込められ、電極層１０４による吸収は微々たるものであり、第２高調波発生や和周波発生の効率に対する影響は少ない。しかしながら、この少しの吸収により電極層１０４には光電流が生じる。
【００３８】
一般に、半導体の吸収端より短い波長の光を半導体に当てると、吸収により光電流が流れ抵抗値は低下する。この光電流値は、吸収光量に対してべき乗で効果を発するので、光吸収による抵抗値の低下は、線形状態で観測すると閾値動作をする。
【００３９】
ここで、図４を用いて説明した従来の波長変換素子の動作を再度説明する。この種の波長変換素子では、光導波路の一端から入力された入力光が、第２高調波発生もしくは和周波発生により入力光よりも短波長の変換光を発生する。光導波路中の変換光強度は、伝搬距離の２乗に比例して高強度化される。光導波路には若干の残留吸収のために吸収された光が熱に変わり、変換光強度が強い部分はより高温に熱せられ、光導波路の温度は変換光の強度に依存して光導波路の温度分布を生じる。この温度分布を原因とし、波長変換特性の波長依存性が乱れピークでの波長変換効率が低下するという問題がある。変換効率の高いニオブ酸リチウムでは、この問題が特に顕著となる。
【００４０】
このような温度分布に対する、電極層１０４の役割について説明をする。電極層１０４は、誘電体層１０３を挾むことで、光導波路構造１０２に伝搬する光強度の一部を若干ながらも吸収する程度の距離で光導波路構造１０２に近接されて設置されている。なお、誘電体層１０３の厚さによる電極層１０４と光導波路構造１０２との間隔は、以下に示す電極層１０４による変換光の吸収が、発明の目的を達成する所望の範囲で起きる範囲とすることが重要となる。
【００４１】
光導波路構造１０２における光強度が弱い状態では、電極層１０４に電流を流すと電極層１０４は抵抗体となっているので、光導波路構造１０２を一様に加熱する。入力光強度が強くなると変換光強度も強くなり、伝搬距離の２乗に比例して分布する光強度の出力側に近い部分で吸収する光強度が強化され、電極層１０４の抵抗値が低下する閾値を超え、閾値を超えた部分では電極層１０４での発熱が止まることとなる。
【００４２】
従って、伝搬方向に対して変換光の光強度が弱く、光導波路構造１０２自体の吸収による光導波路構造１０２の温度上昇が小さい領域は、電極層１０４のヒータ効果で温度を上昇させる。これに対し、伝搬方向に対して変換光の強度が電極層１０４の吸収による閾値を超えた部分では、電極層１０４の抵抗値が低下して加熱能力は失われるが、光導波路構造１０２自体の光吸収による発熱により光導波路構造１０２の温度が上昇する。
【００４３】
このように、実施の形態によれば、光導波路構造１０２自体の吸収による光導波路構造１０２の温度上昇が相殺されるように、電極層１０４による温度上昇能力が失効され、光導波路構造１０２全般にわたって温度分布の緩和（均一化）が起こる。変換効率の高いニオブ酸リチウムを用いた場合、この効果が顕著である。
【００４４】
次に、実際に作製した素子の特性について説明する。電極層１０４を形成した実施の形態における波長変換素子、および電極層のない波長変換素子（比較例）を作製して両者の動作を比較した。入力光強度を１Ｗまで変化させ、出力される第２高調波光発生特性を調べたところ、実施の形態における波長変換素子では、３５００％／Ｗの変換効率を示した。これに対し、比較例の波長変換素子は、２１００％／Ｗの変換効率にとどまった。この結果から明らかなように、実施の形態における波長変換素子により、変換効率が１．７倍程度改善することが確認された。
【００４５】
以上に説明したように、本発明によれば、光導波路構造に入力される光の波長より短く出力される第２高調波，和周波光の波長より長い吸収端波長を持つ半導体から構成され、アモルファス状態とされた電極層を、光導波路構造の上に誘電体層を介して形成したので、非線形光学結晶による周期分極反転構造を備える波長変換素子のハイパワー入力における変換効率が、より容易に向上できるようになる。
【００４６】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述では、光導波路構造を、２次非線形光学特性を持った結晶から構成されて直列に接続した複数の領域から構成されて隣り合う領域は結晶の分極が反転した状態としたが、これに限るものではなく、分極反転構造としていない結晶から構成しても良い。
【００４７】
また、上述では、通信帯の波長１５６０ｎｍを基本波光とする第２高調波発生の場合を例示したが、これに限るものではなく、光導波路構造の寸法や分極反転周期を適宜に設定することで、波長１０６４ｎｍの第２高調波や波長９８０ｎｍの第２高調波、また、これら以外にも可視光を発生する和周波発生にも同様に効果を発することは言うまでもない。
【００４８】
また、上述した実施の形態では光導波路構造の作製に直接接合を用いたが、接着剤もしくは誘電体などを用いて接合してもよく、また、リッジ型に限らず、リブ型光導波路構造においても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００４９】
また、上述した実施の形態では、光導波路構造を持つ非線形光学媒質（結晶）にニオブ酸リチウムを用いたが、ニオブ酸リチウムにＭｇ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｉｎなどの添加元素を加えても良い。また、他の非線形光学媒質であっても効果を発することは言うまでもない。例えば、ニオブ酸リチウムとタンタル酸リチウムの混晶（ＬｉＮｂ(x)Ｔａ(1-x)Ｏ3（０≦ｘ≦１））、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ3）、チタニルリン酸カリウム（ＫＴｉＯＰＯ4）などに代表される二次非線形光学材料であれば同様の効果が得られる。
【００５０】
また、上述した実施の形態では、電極層を、アモルファスシリコンから構成したが、これに限るものではなく、対象とする光の波長にあわせ、ＧａＰなど他の半導体材料を用いるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１０１、２０１…基板、１０２、２０２…光導波路構造、１０３…誘電体層、１０４…電極層、１２１、２２１…領域、１３１…光導波路形成層、１４１，１４２…電極パッド。
【図１Ａ】
2017040810.tif 000003
【図１Ｂ】
2017040810.tif 000004
【図１Ｃ】
2017040810.tif 000005
【図２】
2017040810.tif 000006
【図３】
2017040810.tif 000007
【図４】
2017040810.tif 000008