(57)【要約】【課題】  副鼻腔外科手術のための器具を提供する。【解決手段】  副鼻腔に貫通するような寸法に構成された遠位端と、この遠位端に近接してガイドワイヤ上に嵌着されたバルーンと、を有するガイドワイヤを有する器具。前記ガイドワイヤに沿って延在し、前記バルーン内に加圧流体を搬送することにより前記バルーンを膨張させるように接続された膨張通路が設けられる。また、本器具は、ガイドワイヤの遠位先端部に固定的に取り付けられた第１の電極と、前記遠位先端部の近位の位置においてガイドワイヤに固定的に取り付けられた第２の電極と、を有する。前記ガイドワイヤに沿って延在し、かつ前記第１の電極と第２の電極との間に電位を印加するように接続された導電リードが設けられる。【選択図】  図１
2017094081.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
器具であって、
副鼻腔内に貫通するような寸法に構成された遠位端を有するガイドワイヤと、
前記遠位端に近接して前記ガイドワイヤ上に嵌着されたバルーンと、
前記ガイドワイヤに沿って延在し、前記バルーン内に加圧流体を搬送することにより前記バルーンを膨張させるように接続された膨張通路と、
前記ガイドワイヤの遠位先端部に固定的に取り付けられた第１の電極と、
前記遠位先端部の近位の位置において前記ガイドワイヤに固定的に取り付けられた第２の電極と、
前記ガイドワイヤに沿って延在し、かつ前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位を印加するように接続された導電リードと、
を有する、器具。
【請求項２】
発生器を有し、前記発生器は、前記電位を低周波数のＡＣ（交流）電位として生成するように構成され、前記導電リードに接続されることで前記第１の電極と前記第２の電極との間に前記低周波数のＡＣ電位を印加して前記副鼻腔に近接する材料を凝固させる、請求項１に記載の器具。
【請求項３】
前記低周波数のＡＣ電位が、最高５Ｗの電力と、最高３０ｋＨｚの周波数と、を有する、請求項２に記載の器具。
【請求項４】
発生器を有し、前記発生器は、前記電位を高周波数のＡＣ（交流）電位として生成するように構成され、前記導電リードに接続されることで前記第１の電極と前記第２の電極との間に前記高周波数のＡＣ電位を印加して前記副鼻腔に近接する材料を焼灼する、請求項１に記載の器具。
【請求項５】
前記高周波数のＡＣ電位が、最高２０Ｗの電力と、３０ｋＨｚ超の周波数と、を有する、請求項４に記載の器具。
【請求項６】
前記遠位端を、前記遠位先端部を含む遠位区画と、前記遠位先端部の近位の前記位置を含む近位区画とに分離する絶縁区画を有する、請求項１に記載の器具。
【請求項７】
器具であって、
遠位端と、該遠位端の近位に位置し、かつ前記遠位端から絶縁された導電区画と、を有するガイドワイヤであって、前記遠位端及び前記区画が副鼻腔内に貫通するような寸法に構成されている、ガイドワイヤと、
前記遠位端に近接して前記ガイドワイヤ上に嵌着されたバルーンと、
前記ガイドワイヤに沿って延在し、前記バルーン内に加圧流体を搬送することにより前記バルーンを膨張させるように接続された膨張通路と、
前記ガイドワイヤの遠位先端部に固定的に取り付けられた電極と、
前記ガイドワイヤに沿って延在し、かつ前記電極と前記ガイドワイヤの前記近位導電区画との間に電位を印加するように接続された導電リードと、
を有する、器具。
【請求項８】
発生器を有し、前記発生器は、前記電位を低周波数のＡＣ（交流）電位として生成するように構成され、前記導電リードに接続されることで前記第１の電極と前記第２の電極との間に前記低周波数のＡＣ電位を印加して前記副鼻腔に近接する材料を凝固させる、請求項７に記載の器具。
【請求項９】
前記低周波数のＡＣ電位が、最高５Ｗの電力と、最高３０ｋＨｚの周波数と、を有する、請求項８に記載の器具。
【請求項１０】
発生器を有し、前記発生器は、前記電位を高周波数のＡＣ（交流）電位として生成するように構成され、前記導電リードに接続されることで前記第１の電極と前記第２の電極との間に前記高周波数のＡＣ電位を印加して前記副鼻腔に近接する材料を焼灼する、請求項７に記載の器具。
【請求項１１】
前記高周波数のＡＣ電位が、最高２０Ｗの電力と、３０ｋＨｚ超の周波数と、を有する、請求項１０に記載の器具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１５年１１月１７日出願の米国仮特許出願第６２／２５６，２９５号の利益を主張するものであり、同仮出願を本明細書に参照によって援用するものである。
【０００２】
（発明の分野）
本発明は、一般的には外科手術に関し、詳細には副鼻腔外科手術に関する。
【背景技術】
【０００３】
副鼻腔形成処置（sinuplasty procedure）は、患者の副鼻腔内の所望の位置にガイドワイヤを挿入することと、拡張する副鼻腔内の部位までバルーンを摺動させることと、からなる。バルーンが定位置に配置された時点でバルーンを膨張させることによってバルーンと接触する領域を拡大及び拡張することができる。膨張の後、バルーンを萎ませてから、ガイドワイヤとともに患者から引き抜くことができる。
【０００４】
参照により本特許出願に援用される文献は本出願の一部をなすものと見なされるべきであるが、これらの援用される文献において、任意の用語が、本明細書において明示的又は暗示的に為される定義と矛盾するように定義される限りは、本明細書における定義のみを考慮すべきである。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態は、器具であって、
副鼻腔内に貫通するような寸法に構成された遠位端を有するガイドワイヤと、
前記遠位端に近接して前記ガイドワイヤ上に嵌着されたバルーンと、
前記ガイドワイヤに沿って延在し、前記バルーン内に加圧流体を搬送することにより前記バルーンを膨張させるように接続された膨張通路と、
前記ガイドワイヤの遠位先端部に固定的に取り付けられた第１の電極と、
前記遠位先端部の近位の位置において前記ガイドワイヤに固定的に取り付けられた第２の電極と、前記ガイドワイヤに沿って延在し、かつ前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位を印加するように接続された導電リードと、を有する、器具を提供する。
【０００６】
開示される一実施形態は発生器を含み、該発生器は、前記電位を低周波数のＡＣ（交流）電位として生成するように構成され、前記導電リードに接続されることで前記第１の電極と前記第２の電極との間に前記低周波数のＡＣ電位を印加して前記副鼻腔に近接する材料を凝固させる。一般的に、低周波数のＡＣ電位は、最高５Ｗの電力と、最高３０ｋＨｚの周波数と、を有する。
【０００７】
更なる開示される一実施形態は発生器を含み、該発生器は、前記電位を高周波数のＡＣ（交流）電位として生成するように構成され、前記導電リードに接続されることで前記第１の電極と前記第２の電極との間に前記高周波数のＡＣ電位を印加して前記副鼻腔に近接する材料を焼灼する。一般的に、高周波数のＡＣ電位は、最高２０Ｗの電力と、３０ｋＨｚ超の周波数と、を有する。
【０００８】
更に開示される実施形態では、装置は、前記遠位端を、前記遠位先端部を含む遠位区画と、前記遠位先端部の近位の前記位置を含む近位区画とに分離する絶縁区画を有する。
【０００９】
本発明の別実施形態は、器具であって、
遠位端と、該遠位端の近位に位置し、かつ前記遠位端から絶縁された導電区画と、を有するガイドワイヤであって、前記遠位端及び前記区画が副鼻腔内に貫通するような寸法に構成されている、ガイドワイヤと、
前記遠位端に近接して前記ガイドワイヤ上に嵌着されたバルーンと、
前記ガイドワイヤに沿って延在し、前記バルーン内に加圧流体を搬送することにより前記バルーンを膨張させるように接続された膨張通路と、
前記ガイドワイヤの遠位先端部に固定的に取り付けられた電極と、前記ガイドワイヤに沿って延在し、かつ前記電極と前記ガイドワイヤの前記近位導電区画との間に電位を印加するように接続された導電リードと、
を有する、器具を提供する。
【００１０】
別の実施形態は、方法であって、
副鼻腔内に貫通するような寸法に構成された遠位端を有するガイドワイヤを提供することと、
前記遠位端に近接して前記ガイドワイヤ上にバルーンを嵌着することと、
前記バルーン内に加圧流体を搬送することにより前記バルーンを膨張させるように接続された膨張通路を前記ガイドワイヤに沿って延在させることと、
ガイドワイヤの遠位先端部に第１の電極を固定的に取り付けることと、
前記遠位先端部の近位の位置において前記ガイドワイヤに第２の電極を固定的に取り付けることと、
前記第１の電極と第２の電極との間に電位を印加するように接続された導電リードを前記ガイドワイヤに沿って延在させることと、を含む方法を提供する。
【００１１】
本発明の別の実施形態は、方法であって、
遠位端と、該遠位端の近位に位置し、かつ前記遠位端から絶縁された導電区画と、を有するガイドワイヤを提供することであって、前記遠位端及び前記区画が、副鼻腔内に貫通するような寸法に構成されている、ことと、
前記遠位端に近接して前記ガイドワイヤ上にバルーンを嵌着することと、
前記バルーン内に加圧流体を搬送することにより前記バルーンを膨張させるように接続された膨張通路を前記ガイドワイヤに沿って延在させることと、
前記ガイドワイヤの遠位先端部に電極を固定的に取り付けることと、前記電極と前記ガイドワイヤの前記近位導電区画との間に電位を印加するように接続された導電リードを前記ガイドワイヤに沿って延在させることと、を含む方法を提供する。
【００１２】
本開示は、図面と併せて、以下の本開示の実施形態の詳細説明からより完全に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態による、副鼻腔外科手術システムの概略図である。
【図２】本発明の実施形態による、本システムで使用されるガイドワイヤの部分の概略図である。
【図３】本発明の実施形態による、本システムで使用される代替のガイドワイヤの部分の概略図である。
【図４】本発明の実施形態による、本システムで使用される更なる代替のガイドワイヤの部分の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
概観
副鼻腔形成処置（sinuplasty procedure）は一般的には組織の切断又は除去をともなわないが、例えば、副鼻腔の特定の部分への適切なアクセスを得る目的で切断又は除去が必要となる場合もある。こうした切断又は除去は通常は別のデブリーダ及び／又は組織アブレータによって行われる。
【００１５】
本発明の実施形態は、２つの別々の機器を必要とする代わりに、アブレータと副鼻腔形成術（sinuplasty）用ガイドワイヤの機能的側面を１つのガイドワイヤに組み合わせるものである。副鼻腔形成術（sinuplasty）用バルーンを受容するように構成されたガイドワイヤは、ガイドワイヤの遠位端に固定的に取り付けられた２個の電極を有している。電極間に適切な高周波数の交流を流すことにより、電流が流れる組織が焼灼される。
【００１６】
代替的に又は付加的に、低周波数の交流を電極間に流すこともできる。低周波数の電流は、電極に接触した又は近接した材料を凝固させる。組織が除去された場合では特に、血液／粘液／微粒子の混合物の流れが生ずるのが一般的であり、そのような混合物の凝固によって、手術の効果が高められる。
【００１７】
一実施形態では、副鼻腔内に貫通するような寸法に構成された遠位端を有するガイドワイアが提供される。遠位端に対し近位にあるガイドワイヤ上にバルーンが嵌着され、膨張通路が、ガイドワイヤに沿って延在してバルーン内に加圧流体が搬送されるように連結されているため、結果として、バルーンが膨張されるようになっている。第１の電極は、ガイドワイヤの遠位先端部に固定的に取り付けられ、第２の電極は、遠位先端部に対し近位の位置にあるガイドワイヤに固定的に取り付けられている。導電リードは、ガイドワイヤに沿って延在し、かつ第１の電極と第２の電極との間に電気的電位が印加されるように連結されている。
【００１８】
代替の実施形態を提供するガイドワイヤは、遠位端と、この遠位端に対し近位にありかつ遠位端から絶縁される導電区画と、を有する。遠位端及び区画は、副鼻腔に貫通するように寸法決めされる。遠位端に対し近位にあるガイドワイヤ上にバルーンが嵌着され、膨張通路が、ガイドワイヤに沿って延在してバルーン内に加圧流体が搬送されるように連結されているため、結果として、バルーンが膨張されるようになっている。ガイドワイヤの遠位先端部には、電極が固定的に取り付けられている。ガイドワイヤに沿って、導電リードが延在している。この導電リードは、ガイドワイヤの電極と近位の導電区画との間に電気的電位が印加されるように、連結されている。
【００１９】
このようにして、本発明の実施形態は、副鼻腔形成術（sinuplasty）用のバルーンの送達、ガイドワイヤの遠位端に対し近位にある組織の焼灼、及び遠位端に対し近位にある流体材料の凝固の、３つの機能性を有する、単一のガイドワイヤを提供する。
【００２０】
（詳細な説明）
ここで図１を参照すると、この図は、本発明の実施形態による、副鼻腔外科手術システム２０の概略図である。下記に更に詳しく述べるように、システム２０は一般的に患者の副鼻腔２２に対する副鼻腔形成術（sinuplasty）を含む侵襲性手術において使用され、本システムは、副鼻腔形成処置（sinuplasty procedure）に使用されるガイドワイヤ２８を含んでいる。
【００２１】
実際の手術では、１組の磁界発生器２４が、患者の頭部の近くに配置される。下記に更に詳しく述べるように、ガイドワイヤ２８はその遠位端３２に磁界センサ３０を有し、患者の副鼻腔に遠位端が挿入された後、発生器２４からの磁場によってセンサの位置及び向き、ひいてはガイドワイヤの遠位端の位置及び向きの追跡が可能になる。患者に挿入されたセンサを追跡するための発生器２４のような磁界発生器を用いたシステムは、米国特許出願第１４／７９２，８２３号（Ｇｏｖａｒｉらに付与）、米国仮特許出願第６２／２０９，９４６号（Ｇｌｉｎｅｒに付与）、及び米国仮特許出願第６２／２２１，３６７号（同様にＧｌｉｎｅｒに付与）に記載されている。これらの出願は、本明細書において参照により援用されている。加えて、カリフォルニア州ダイヤモンド・バー所在のＢｉｏｓｅｎｓｅ  Ｗｅｂｓｔｅｒ社により製造されているＣａｒｔｏ（登録商標）システムは、磁界により照射された領域内のコイルの位置及び向きを確認するために本明細書に記載されるものと同様の追跡システムを用いている。
【００２２】
システム２０の要素は、システムプロセッサ４０を介して制御できる。このシステムプロセッサは、１つ又は２つ以上のモジュール（例えば、処理ユニットによる発生器２４の制御及びセンサ３０の追跡を可能にする、磁気追跡モジュール４２など）と通信する処理ユニット（ＰＵ）４１を具備する。処理ユニットはまた、その機能を後述する、焼灼及び凝固モジュール４４並びに副鼻腔形成術（sinuplasty）モジュール４６とも通信することができる。
【００２３】
プロセッサ４０は、キーパッド、及び／又はマウス若しくはトラックボールなどのポインティングデバイスを一般的に含む動作制御装置５０を備えるコンソール４８内に実装することができる。コンソール４８はまた、例えばガイドワイヤ２８の近位端５２など、システム２０の他の要素に接続することができる。医師５４が手術を行いながら動作制御装置を用いてプロセッサと交信すると、プロセッサはシステム２０によって生成された結果をスクリーン５６上に提示することができる。
【００２４】
プロセッサ４０は、システム２０を操作するためにプロセッサのメモリ内に記憶されたソフトウェアを用いる。ソフトウェアは、例えば、ネットワークを介して、電子的形態でプロセッサ４０にダウンロードされてもよいし、又は代替的若しくは追加的に、磁気メモリ、光メモリ、若しくは電子メモリなどの、非一時的な有形媒体上に提供かつ／若しくは記憶されてもよい。
【００２５】
図２は、本発明の実施形態による、ガイドワイヤ２８の部分の概略図である。ガイドワイヤ２８は一般的に、ステンレススチールワイヤのコイル５８として形成され、一実施形態では、０．９ｍｍの外径を有するが、他の本発明の実施形態におけるガイドワイヤは、０．９ｍｍ超又はそれ未満の外径を有してもよい。図２に、ガイドワイヤ２８の遠位端３２、及びガイドワイヤの遠位端と近位端５２（図１）との間の区画６０が示されている。
【００２６】
先に述べたように、ガイドワイヤ２８は副鼻腔形成処置（sinuplasty procedure）に使用され、このガイドワイヤ上に嵌着されかつ手術中に区画６０まで摺動するバルーン６２を受容するように構成されている。この手術では一般的に、区画６０が副鼻腔内の所望の位置に置かれるようにガイドワイヤを予め位置決めする。所望の位置に配置された時点で、プロセッサ４０が副鼻腔形成術（sinuplasty）モジュール４６を使用して加圧流体（通常は食塩溶液）を、バルーン６２の開口部６６に接続する膨張通路６４を介して搬送して、バルーンを膨張させ、それにより副鼻腔形成処置（sinuplasty procedure）を実行する。手術が終了した時点で、プロセッサ４０はまた、副鼻腔形成術（sinuplasty）モジュール４６を用い、流体を除去する、それにより、バルーンが収縮し、その結果、このバルーンをガイドワイヤと共に副鼻腔から抜き取ることができる。
【００２７】
遠位端３２の切欠き区画７０に、遠位端の内部要素が示してある。遠位端の内部には、磁場センサ３０が固定的に取り付けられている。磁場センサは、一般的に、コイル５８の対称軸に平行な（一般的には、このコイルの対称軸と一致する）対称軸を有する単軸コイルである。導電ワイヤ７２は、発生器２４からの磁界に応答して、センサにより生成された信号を伝達し、センサを通してプロセッサ４０に渡す。代替的に、信号を無線でプロセッサ４０に伝達することも可能である。プロセッサは、取得された信号から、センサ３０の向き及び位置を、ひいては遠位端３２の向き及び位置を計算することができる。
【００２８】
ガイドワイヤの遠位端には、２個の電極（コイル５８上に装着されたもの、及びそのコイルの外側に位置するもの）が取り付けられている。すなわち、ガイドワイヤの遠位先端部に装着されているのが、第１の電極７４であり、この第１の電極に対し遠位端の近位に位置するのが、第２の電極７６である。両方の電極は、絶縁材料８０を介してコイル５８から絶縁されている。第１の電極７４が一般的にカップの形態であるのに対し、第２の電極７６は一般的にリングの形態である。導電リード８２が、第１の電極とプロセッサ４０との間に信号を伝達しているのに対し、導電リード８４は、第２の電極とプロセッサとの間に信号を伝達している。
【００２９】
上記の副鼻腔形成処置（sinuplasty procedure）中に、システム２０のガイドワイヤ２８は、複数の機能を行う。ガイドワイヤが患者の副鼻腔内で所望される位置及び向きに挿入されたことを、プロセッサ４０がセンサ３０からの信号を用いて確認すると、上述されているようにバルーン６２をガイドワイヤに沿って摺動させることができる。やはり上記に述べたように、バルーンは、副鼻腔形成処置（sinuplasty procedure）を行うために膨張させられ、手術が終了した時点で、萎まされて取り出すことができる。
【００３０】
副鼻腔形成処置（sinuplasty procedure）の実行と同時に、又は手術の前若しくは後に、手術の実行に関して他の処置が所望される場合もある。例えば、デブリーダを使用することで、手術の領域において組織を除去することが可能であり、このデブリーダによって、一般的には、血液／粘液の混合物内部に粒子状物質が生成される。代替的に又は付加的に、組織を焼灼によって除去することもでき、その際にはまた、微粒子／血液／粘液の混合物が生成されうる。生成された混合物を凝固させ、それにより、手術の領域から除去するのが、好都合でありうる。
【００３１】
後述するように、第１及び第２の電極の通電によって、凝固及び焼灼の両方を行うことができる。プロセッサ４０で、焼灼及び凝固モジュール４４を使用することにより、電極間に低周波数のＡＣ電位が生成されうる。一般的に、低周波数のＡＣは、音声周波数で最高約３０ｋＨｚ、電力レベルが最高およそ５Ｗであり、そのようなＡＣ電位は、血液、又は血液／粒子／粘液の混合物のような流体を、凝固させうることで知られている。凝固した材料の少なくとも一部は、一般的に、それ自体が電極に付着する。代替的に又は付加的に、プロセッサ４０及びモジュール４４を実装することによって、２つの電極間に高周波数のＡＣ電位を生じさせうる。高周波数のＡＣ電位を印加すると、電極に接触しているか又は近接した組織が焼灼される。焼灼に使用されるＡＣ周波数は、通常、凝固に使用される周波数よりも大幅に高い。ＡＣ電位は一般的に、およそ１５０ｋＨｚの周波数と最高およそ２０Ｗの電力とを有するが、周波数及び電力の両方は、所望される焼灼に応じて異なり得る。
【００３２】
図３は、本発明の代替実施形態による、ガイドワイヤ２８Ａの部分の概略図である。以下に記載される相違点は別として、ガイドワイヤ２８Ａの動作は、ガイドワイヤ２８の動作と概して同様であり（図３）、ガイドワイヤ２８と２８Ａとの両方において同じ参照番号によって示される要素は、構成及び動作において概して同様である。
【００３３】
図３では、単純化するために、バルーン６２が摺動する区画６０を、図から省略してある。この図に図示してあるのは、遠位端３２だけである。ガイドワイヤ２８とは対照的に、ガイドワイヤ２８Ａにおけるコイル５８は、遠位のコイル区画５８Ａ、及び近位のコイル区画５８Ｂの、２つの区画に分割されている。この２つの区画は、一般的に生体適合性プラスチックから形成される絶縁管状区画９０によって分離されている。いくつかの実施形態において、絶縁管状区画は溝付きであるために、特定の解剖学的構造を迂回する程度の充分な可撓性を備える。図に例証されているように、遠位のコイル区画５８Ａの遠位先端部に第１の電極７４が装着されていて、導電リード８２によって第１の電極とプロセッサ４０との間に信号が伝達される。遠位のコイル区画５８Ｂ上に第２の電極７６が置かれ、導電リード８４（図２）によって第２の電極とプロセッサ４０との間に信号が伝達される。
【００３４】
図４は、本発明の更なる代替実施形態による、ガイドワイヤ２８Ｂの部分の概略図である。以下に記載される相違点は別として、ガイドワイヤ２８Ｂの動作は、ガイドワイヤ２８Ａの動作と概して同様であり（図３）、ガイドワイヤ２８Ｂと２８Ａとの両方において同じ参照番号によって示される要素は、構成及び動作が概ね同様である。
【００３５】
ガイドワイヤ２８Ａとは対照的に、ガイドワイヤ２８Ｂには、近位のコイル区画５８Ｂ上に置かれた第２の電極７６が存在しない。ガイドワイヤ２８Ｂで第２の電極として使用されるのは、寧ろ、近位のコイル区画５８Ｂである。
【００３６】
当然のことながら、ガイドワイヤ２８、２８Ａ及び２８Ｂにより実行されうる複数の機能（副鼻腔形成術（sinuplasty）、焼灼及び凝固を含む）は、先行技術のガイドワイヤと比較して、ガイドワイヤの操作効率を大幅に高める。
【００３７】
上述の実施形態は、例として引用されたものであること、及び本発明は、上に具体的に示されて記載されているものに限定されるものではないということが理解されるであろう。寧ろ、本発明の範囲には、上文に記載された様々な特徴の組み合わせと部分的組み合わせの両方、並びにそれらの変形形態及び修正形態が含まれるが、これらは、上述の説明を読めば当業者に想到されるものであり、先行技術では開示されていないものである。
【００３８】
〔実施の態様〕
（１）  器具であって、
副鼻腔内に貫通するような寸法に構成された遠位端を有するガイドワイヤと、
前記遠位端に近接して前記ガイドワイヤ上に嵌着されたバルーンと、
前記ガイドワイヤに沿って延在し、前記バルーン内に加圧流体を搬送することにより前記バルーンを膨張させるように接続された膨張通路と、
前記ガイドワイヤの遠位先端部に固定的に取り付けられた第１の電極と、
前記遠位先端部の近位の位置において前記ガイドワイヤに固定的に取り付けられた第２の電極と、
前記ガイドワイヤに沿って延在し、かつ前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位を印加するように接続された導電リードと、
を有する、器具。
（２）  発生器を有し、前記発生器は、前記電位を低周波数のＡＣ（交流）電位として生成するように構成され、前記導電リードに接続されることで前記第１の電極と前記第２の電極との間に前記低周波数のＡＣ電位を印加して前記副鼻腔に近接する材料を凝固させる、実施態様１に記載の器具。
（３）  前記低周波数のＡＣ電位が、最高５Ｗの電力と、最高３０ｋＨｚの周波数と、を有する、実施態様２に記載の器具。
（４）  発生器を有し、前記発生器は、前記電位を高周波数のＡＣ（交流）電位として生成するように構成され、前記導電リードに接続されることで前記第１の電極と前記第２の電極との間に前記高周波数のＡＣ電位を印加して前記副鼻腔に近接する材料を焼灼する、実施態様１に記載の器具。
（５）  前記高周波数のＡＣ電位が、最高２０Ｗの電力と、３０ｋＨｚ超の周波数と、を有する、実施態様４に記載の器具。
【００３９】
（６）  前記遠位端を、前記遠位先端部を含む遠位区画と、前記遠位先端部の近位の前記位置を含む近位区画とに分離する絶縁区画を有する、実施態様１に記載の器具。
（７）  器具であって、
遠位端と、該遠位端の近位に位置し、かつ前記遠位端から絶縁された導電区画と、を有するガイドワイヤであって、前記遠位端及び前記区画が副鼻腔内に貫通するような寸法に構成されている、ガイドワイヤと、
前記遠位端に近接して前記ガイドワイヤ上に嵌着されたバルーンと、
前記ガイドワイヤに沿って延在し、前記バルーン内に加圧流体を搬送することにより前記バルーンを膨張させるように接続された膨張通路と、
前記ガイドワイヤの遠位先端部に固定的に取り付けられた電極と、
前記ガイドワイヤに沿って延在し、かつ前記電極と前記ガイドワイヤの前記近位導電区画との間に電位を印加するように接続された導電リードと、
を有する、器具。
（８）  発生器を有し、前記発生器は、前記電位を低周波数のＡＣ（交流）電位として生成するように構成され、前記導電リードに接続されることで前記第１の電極と前記第２の電極との間に前記低周波数のＡＣ電位を印加して前記副鼻腔に近接する材料を凝固させる、実施態様７に記載の器具。
（９）  前記低周波数のＡＣ電位が、最高５Ｗの電力と、最高３０ｋＨｚの周波数と、を有する、実施態様８に記載の器具。
（１０）  発生器を有し、前記発生器は、前記電位を高周波数のＡＣ（交流）電位として生成するように構成され、前記導電リードに接続されることで前記第１の電極と前記第２の電極との間に前記高周波数のＡＣ電位を印加して前記副鼻腔に近接する材料を焼灼する、実施態様７に記載の器具。
【００４０】
（１１）  前記高周波数のＡＣ電位が、最高２０Ｗの電力と、３０ｋＨｚ超の周波数と、を有する、実施態様１０に記載の器具。
（１２）  方法であって、
副鼻腔内に貫通するような寸法に構成された遠位端を有するガイドワイヤを提供することと、
前記遠位端に近接して前記ガイドワイヤ上にバルーンを嵌着することと、
前記バルーン内に加圧流体を搬送することにより前記バルーンを膨張させるように接続された膨張通路を前記ガイドワイヤに沿って延在させることと、
前記ガイドワイヤの遠位先端部に第１の電極を固定的に取り付けることと、
前記遠位先端部の近位の位置において前記ガイドワイヤに第２の電極を固定的に取り付けることと、
前記第１の電極と第２の電極との間に電位を印加するように接続された導電リードを前記ガイドワイヤに沿って延在させることと、
を含む、方法。
（１３）  前記電位を低周波数のＡＣ（交流）電位として生成することと、前記電位を前記電極に印加して前記副鼻腔に近接する材料を凝固させることと、を含む、実施態様１２に記載の方法。
（１４）  前記低周波数のＡＣ電位が、最高５Ｗの電力と、最高３０ｋＨｚの周波数と、を有する、実施態様１３に記載の方法。
（１５）  前記電位を高周波数のＡＣ（交流）電位として生成することと、前記電位を前記電極に印加して前記副鼻腔に近接する材料を焼灼することと、を含む、実施態様１２に記載の方法。
【００４１】
（１６）  前記高周波数のＡＣ電位が、最高２０Ｗの電力と、３０ｋＨｚ超の周波数と、を有する、実施態様１５に記載の方法。
（１７）  前記遠位端を、前記遠位先端部を含む遠位区画と、前記遠位先端部に対して近位の前記位置を含む近位区画とに分離する絶縁区画を配置することを含む、実施態様１２に記載の方法。
（１８）  方法であって、
遠位端と、該遠位端の近位に位置し、かつ前記遠位端から絶縁された導電区画と、を有するガイドワイヤを提供することであって、前記遠位端及び前記区画が、副鼻腔内に貫通するような寸法に構成されている、ことと、
前記遠位端に近接して前記ガイドワイヤ上にバルーンを嵌着することと、
前記バルーン内に加圧流体を搬送することにより前記バルーンを膨張させるように接続された膨張通路を前記ガイドワイヤに沿って延在させることと、
前記ガイドワイヤの遠位先端部に電極を固定的に取り付けることと、
前記電極と前記ガイドワイヤの前記近位導電区画との間に電位を印加するように接続された導電リードを前記ガイドワイヤに沿って延在させることと、
を含む、方法。
（１９）  前記電位を低周波数のＡＣ（交流）電位として生成することと、前記電位を前記電極と前記近位導電区画とに印加して前記副鼻腔に近接する材料を凝固させることと、を含む、実施態様１８に記載の方法。
（２０）  前記低周波数のＡＣ電位が、最高５Ｗの電力と、最高３０ｋＨｚの周波数と、を有する、実施態様１９に記載の方法。
【００４２】
（２１）  前記電位を高周波数のＡＣ（交流）電位として生成することと、前記電位を前記電極に印加して前記副鼻腔に近接する材料を焼灼することと、を含む、実施態様１２に記載の方法。
（２２）  前記高周波数のＡＣ電位が、最高２０Ｗの電力と、３０ｋＨｚ超の周波数と、を有する、実施態様２１に記載の方法。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【外国語明細書】
2017094081000001.pdf