(57)【要約】【課題】光レセプタクルに取り付けられた外部光コネクタと光通信用の光素子とを筐体内の光配線すなわち内部ファイバで光結合する光データリンクにおいて、内部ファイバの余長部分が長い場合であっても該ファイバをその信頼性を損なうことなく収容可能とする。【解決手段】光データリンクは、信号光を伝送する光ケーブルの端部に設けられた外部光コネクタが取り付けられる光レセプタクルを備え、さらに、信号光を送信及び／又は受信する光デバイスと、光レセプタクルに取り付けられた外部光コネクタと光デバイスとを光結合する内部ファイバと、該内部ファイバの余長部分を収容するファイバトレイ１１と、を筐体内に備え、ファイバトレイ１１の天井面１１ａが、内部ファイバが当接した際に該内部ファイバの長手方向の一側方に当該内部ファイバをガイドする斜面で形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号光を伝送する光ケーブルの端部に設けられた外部光コネクタが取り付けられる光レセプタクルを備え、さらに、
前記信号光を送信及び／又は受信する光デバイスと、
前記光レセプタクルに取り付けられた前記外部光コネクタと前記光デバイスとを光結合する内部ファイバと、
該内部ファイバの余長部分を収容するファイバトレイと、を筐体内に備え、
前記ファイバトレイにおいて前記内部ファイバの前記余長部分の収容空間を形成する１つの壁面が、前記内部ファイバが当接した際に該内部ファイバの長手方向の一側方に当該内部ファイバをガイドする斜面で形成されている、光データリンク。
【請求項２】
前記ファイバトレイは、回路基板に取り付けられており、前記斜面で形成されている前記壁面は、前記回路基板に対向する天井面であり、断面において前記回路基板と非平行である、請求項１に記載の光データリンク。
【請求項３】
前記斜面で形成されている壁面は、前記内部ファイバの長手方向に沿ってアーチ状に形成されている、請求項１または２に記載の光データリンク。
【請求項４】
前記内部ファイバは、独立した１２本の光ファイバの両端をＭＴ（Mechanically Transferable）コネクタで終端したものである、請求項１〜３のいずれか１に記載の光データリンク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光データリンクに関し、特に、光レセプタクルに取り付けられた外部光コネクタと光通信用の光素子とを筐体内の内部ファイバで光結合する光データリンクに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信機能を有する光データリンクのうち、光信号の送信機能と受信機能の両方を有するものは光トランシーバと呼ばれる。光トランシーバには、半導体光デバイスとして、発光／送信用のレーザダイオード（Laser Diode：ＬＤ）、受光／受信用のフォトダイオード（Photo Diode：ＰＤ）が搭載される。
【０００３】
半導体光デバイスとしてＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER）を実装した光トランシーバでは、基板表面から垂直方向に出射された光の光軸を、外部光コネクタが取り付けられる光レセプタクルに向けて、光軸変換部品によって９０°曲げる必要がある。また、光軸変換部品と光レセプタクルとを光学的に接続する必要がある。この光学的接続のための方法として、光ファイバ等の可撓性を有する光配線を光トランシーバ内部に用いる方法が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−９０２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の光配線を用いる場合、光トランシーバ内に搭載する部品の寸法公差を吸収するため、光配線には余長が設けられる。余長を設けた際は、その余長部分を収容する構造の設計が肝要である。
【０００６】
特許文献１の光トランシーバでは、光配線が接続されるレンズアセンブリと回路基板とをフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）で接続している。このＦＰＣの可撓性によって、光配線の余長部分が長い場合の影響を排除しているとすれば、部品点数が多くなることから、高コストな収容構造といえる。
【０００７】
本発明は、上述のごとき実情に鑑み、光レセプタクルに取り付けられた外部光コネクタと光通信用の光素子とを筐体内の光配線すなわち内部ファイバで光結合する光データリンクにおいて、内部ファイバの余長部分が長い場合であっても該ファイバをその信頼性を損なうことなく収容可能とすることをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の光データリンクは、信号光を伝送する光ケーブルの端部に設けられた外部光コネクタが取り付けられる光レセプタクルを備え、さらに、信号光を送信及び／又は受信する光デバイスと、光レセプタクルに取り付けられた外部光コネクタと光デバイスとを光結合する内部ファイバと、該内部ファイバの余長部分を収容するファイバトレイと、を筐体内に備え、ファイバトレイにおいて内部ファイバの余長部分の収容空間を形成する１つの壁面が、内部ファイバが当接した際に該内部ファイバの長手方向の一側方に当該内部ファイバをガイドする斜面で形成されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る光データリンクによれば、内部ファイバの余長部分が長い場合であっても該ファイバをその信頼性を損なうことなく収容できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る光データリンク（光トランシーバ）の一例を示す外観図である。
【図２】図１の光トランシーバの内部の様子を示す図である。
【図３】図１の光トランシーバの内部の様子を示す他の図である。
【図４】互いに組み付けられた状態の回路基板及び光軸変換部品の断面図である。
【図５】内部ファイバの斜視図である。
【図６】回路基板付近の様子を示す斜視図である。
【図７】ファイバトレイを説明するための図である。
【図８】ファイバトレイを説明するための他の図である。
【図９】ファイバトレイの前方斜視図である。
【図１０】ファイバトレイの後方斜視図である。
【図１１】ファイバトレイの一部を断面で示す側方斜視図である
【図１２】ファイバトレイの後方断面図である。
【図１３】ＭＴフェルールとシールド板とを一体にした状態の後面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る光データリンクの好適な実施の形態について説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内ですべての変更が含まれることを意図する。また、以下の説明において、異なる図面においても同じ符号を付した構成は同様のものであるとして、その説明を省略する場合がある。
【００１２】
図１は本発明に係る光データリンクの一例を示す外観図である。図１の光データリンク１は、所謂ＱＳＦＰと呼称されるＭＳＡ（Multi Source Agreement）で規定された規格に準拠したものであり、光通信用のホスト装置に対して挿抜可能に取り付けられ、信号光の送受信機能を有する所謂プラガブル（活線挿抜）型光トランシーバである。以下、光データリンク１を光トランシーバ１という。この光トランシーバ１は、送信側と受信側とでそれぞれ波長の異なる４レーン（チャネル）の信号系統を有し、例えば１０Ｇｂｐｓ×４＝４０Ｇｂｐｓ、２５Ｇｂｐｓ×４＝１００Ｇｂｐｓの通信容量を実現する。なお、光トランシーバ１は、データセンタ内での使用が前提とされ、通信距離は例えば数百ｍ〜数ｋｍ程度の極短距離である。
【００１３】
光トランシーバ１は、光電変換機能を有する半導体光素子やレーザドライバ等の電子デバイス等が搭載された回路基板２を、筐体３で保護している。筐体３は、回路基板２を挟んで上筐体４と下筐体５とに分割される。回路基板２は下筐体５上に搭載される。上筐体４と下筐体５は、放熱性や電磁波放射抑制を考慮して、例えば、アルミニウムや亜鉛合金等の金属によるダイキャスト製とされる。ただし、上筐体４と下筐体５は表面に金属をコートした樹脂製としてもよい。金属コートのない樹脂製とするのは、ＥＭＩ（Electro-Magnetic Interference）の点で好ましくない。
【００１４】
また、光トランシーバ１は、光ケーブル（図示せず）の先端に付属するＭＰＯ（Multiple fiber Push-On）コネクタを受容する光レセプタクルであるＭＰＯクリップ６を一端に有し、さらに、筐体３の側面に沿ってスライド移動可能なスライダ７と、該スライダ７に連結されユーザに操作されるプルタブ８とを有する。以下では、光トランシーバ１のプルタブ８側やＭＰＯクリップ６側を前方側、反対側を後方側として説明する。
【００１５】
スライダ７の後端部には、側方に延び出す突起７１が形成されている。また、スライダ７は、上記後端部の近傍に折り曲げ加工が施されている。これにより、光トランシーバ１が不図示のホスト装置のケージに装着された状態において、すなわち、通常状態において、突起７１を含む先端部分が筐体３の側壁の凹部３１内に収まる。
【００１６】
上述のように、光トランシーバ１がホスト装置のケージに装着された状態において、ホスト装置のケージの係合片と筐体３の凹部３１の後壁３１ａとが係合しており、光トランシーバ１がホスト装置のケージにラッチして固定されている。ラッチされている光トランシーバ１を取り外すためにユーザがプルタブ８を手前に引き、スライダ７が手前にスライドすると、スライダ７の突起７１を含む後端部分が外側に押し出される。これにより、ホスト装置のケージの係合片と筐体３の凹部３１の後壁３１ａとの係合が解除される。
【００１７】
図２及び図３は、図１の光トランシーバ１の内部の様子を示すための図であり、図２は、プルタブ８、スライダ７及び上筐体４を取り外した状態の光トランシーバ１の斜視図であり、図３は、さらに下筐体５、後述のファイバトレイ１１、クリップ１２及びホルダ１３を取り外した状態の斜視図である。光トランシーバ１は、図２及び図３に示すように、上筐体４（図１参照）と下筐体５で形成される収容空間に、前述の回路基板２及びＭＰＯクリップ６の他に、光軸変換部品９、内部ファイバ１０、ファイバトレイ１１、クリップ１２、ホルダ１３を収容する。
【００１８】
光トランシーバ１において、回路基板２上の半導体光素子の光軸は回路基板２に対して垂直であり、ＭＰＯクリップ６に装着される外部光コネクタであるＭＰＯコネクタのＭＴ（Mechanically Transferable）フェルールの光軸は回路基板２に対して平行であり、両光軸は一致しないが、光軸変換部品９は両光軸を一致させるためのものである。光軸変換部品９は、ホルダ１３に周囲を囲まれて回路基板２に搭載される。
【００１９】
内部ファイバ１０は、ＭＰＯクリップ６に装着されるＭＰＯコネクタのＭＴフェルールと光軸変換部品９とを光結合するものであり、一列に配置された複数の光ファイバ１０ｃの両端にＭＴコネクタ１０ａ，１０ｂを有する。本実施の形態においては、各光ファイバ１０ｃは別体、独立である。内部ファイバ１０は、ＭＴコネクタ１０ａ，１０ｂ間を、余長部を有する光ファイバ１０ｃで接続しているので、ＭＰＯクリップ６に係合するＭＴコネクタ１０ａと、光軸変換部品９に係合するＭＴコネクタ１０ｂとの相対的な位置バラつきを吸収することができる。
【００２０】
ファイバトレイ１１は、内部ファイバ１０の余長部分を収容するものであり、回路基板２に取り付けられるＭＰＯクリップ６と光軸変換部品９との間に配置される。ＭＳＡで筐体３の外寸が厳しく規定されているにもかかわらず、単に内部ファイバ１０を収容するためのファイバトレイ１１がＭＰＯクリップ６や光軸変換部品９と同等の外寸を有している点が本トランシーバ１の特徴の１つである。言い換えると、筐体３の外寸に対して大きなサイズ（筐体３の断面に比して大きな面積を占める）ファイバトレイ１１を回路基板２上に備える点が本トランシーバ１の特徴の１つである。
【００２１】
ホルダ１３は、光軸変換部品９を回路基板２の所定位置に固定するためのものであり、コの字の平面形状を有し、コの字の各辺で囲まれた内部空間部分に光軸変換部品９を収容する。ホルダ１３は回路基板２に固定されている。クリップ１２は、ホルダ１３と協働して、光軸変換部品９を回路基板２に固定すると共に、内部ファイバのＭＴコネクタ１０ｂを光軸変換部品９に固定する。
【００２２】
図４は、互いに組み付けられた状態の回路基板２及び光軸変換部品９の断面図である。図４に示すように、回路基板２の実装面２ａ上には、ＬＤがアレイ状に設けられたＬＤチップ２ｂが搭載されている。本例のＬＤチップ２ｂのＬＤは、面発光型ＬＤ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting LD）であり、回路基板２の実装面２ａに垂直な方向に信号光を出射する。
【００２３】
また、回路基板２の実装面２ａには、外部光コネクタであるＭＰＯコネクタからの光信号を受信するＰＤがアレイ状に設けられたＰＤチップ２ｃ（図６参照）がＬＤチップ２ｂと横一列に搭載されている。さらに、ＬＤチップ２ｂの各ＬＤが出射した光の強度をモニタするＰＤがアレイ状に設けられたｍＰＤアレイ２ｄがＬＤチップ２ｂの前方側に該ＬＤチップ２ｂに沿って設けられている。
【００２４】
なお、回路基板２の実装面２ａには、高周波でＬＤチップ２ｂを安定に駆動するためにＬＤチップ２ｂやＰＤチップ２ｃの近くに実装すべき素子、例えば、ＬＤチップ２ｂを駆動するレーザドライバ２ｅや、ＰＤチップ２ｃの出力電流を増幅するプリアンプ２ｆ（図６参照）なども実装されている。
【００２５】
光軸変換部品９は、ＬＤチップ２ｂ等の半導体光素子全体を覆い、回路基板２に取り付けられる。光軸変換部品９には、回路基板２の実装面２ａに対して４５°の角度をなす反射面９ａが設けられている。また、光軸変換部品９には、拡散光をコリメート光にするためやコリメート光を収束光とするためのレンズ要素である光学レンズ群９ｂ〜９ｄが設けられている。この光軸変換部品９は、樹脂モールドにより作製される。また、光軸変換部品９には、反射面９ａを透過した光を反射するミラー９ｅが取り付けられている。
【００２６】
ＬＤチップ２ｂの各ＬＤから出射された送信光は、基本的に、光学レンズ群９ｂにより、コリメート光に変換され、反射面９ａで反射されその光軸が９０度変換され、前方すなわちＭＰＯクリップ６側に向かう。そして、前方に向かった光は、前方側の光学レンズ群９ｄによって、光軸変換部品９に接続されている内部ファイバ１０のＭＴコネクタ１０ｂのファイバ端に集光される。
【００２７】
なお、図示は省略するが、光軸変換部品９の反射面９ａにはブリップ（blip、小突起）が設けられている。したがって、ＬＤチップ２ｂの各ＬＤから出射され光学レンズ群９ｂによってコリメート光とされた信号光のうち上記ブリップに入射した光は、該ブリップで屈折してミラー９ｅに向かい、該ミラー９ｅで反射される。反射された光は、回路基板２の実装面２ａの方向に向かい、光学レンズ群９ｃによって、ｍＰＤアレイ２ｄの対応するＰＤに集光される。このように反射面９ａにブリップを設けることによって、ＬＤチップ２ｂのＬＤからの送信用の信号光の出射強度を、ＬＤチップ２ｂと同じく実装面２ａに実装されたｍＰＤアレイ２ｄで検知することが可能となっている。
【００２８】
なお、ＭＰＯクリップ６に装着されたＭＰＯコネクタのファイバ端から出射された受信光は、内部ファイバ１０を介して、光軸変換部品９に前方から入射される。入射した信号光は、前方側の光学レンズ群９ｄによってコリメート光に変換され、反射面９ａで反射され（ブリップに入射したものを除く）その光軸が９０度変換され、回路基板２の実装面２ａの方向に向かい、光学レンズ群９ｂによってＰＤチップ２ｃの対応するＰＤに集光される。
【００２９】
図５は、内部ファイバ１０の斜視図である。内部ファイバ１０は、一列に配置された１２本の光ファイバ１０ｃの両端をＭＴコネクタ１０ａ、１０ｂで終端したものである。ＭＴコネクタ１０ａ、１０ｂはそれぞれ、ＭＴフェルール１０ｄを有する。
【００３０】
ＭＴコネクタ１０ａのＭＴフェルール１０ｄの先端面には光ファイバ１０ｃの端面１０ｆが露出している。図示は省略するが、ＭＴコネクタ１０ｂのＭＴフェルール１０ｄについても同様である。また、ＭＴフェルール１０ｄはいずれも位置決め用のガイド孔１０ｅを両側部に有し、さらに、光ファイバ１０ｃの余長部分側の端部に、光ファイバ１０ｃを保護するためのブーツ１０ｇを有する。
【００３１】
本例の光トランシーバは、送信側４レーン、受信側４レーンの信号を対象とする。送信側と受信側とで全二重通信（full-duplex）を実現するために都合８本の光ファイバ１０ｃが必要である。それにもかかわらず、内部ファイバ１０は、１２本の光ファイバ１０ｃをＭＴコネクタ１０ａ、１０ｂで連結したものを用いている。内部ファイバ１０の１２本の光ファイバ１０ｃのうち、実際に光信号を伝播するのは、両外側に配置された４本（計８本）のみである。中央４本の光ファイバ１０ｃには光信号が入出力されない。これは、１２芯の内部ファイバ１０の両端をＭＴフェルールで終端したものが標準品として市販されており、当該標準品を採用することで、部品単価を抑えることが可能となるためである。光ファイバ１０ｃは二つのＭＴコネクタ１０ａ、１０ｂ間でループを形成しない程度に余長分を確保している。
【００３２】
図６は、回路基板２付近の様子を示す斜視図であり、回路基板２と共に、内部ファイバ１０のうちの光ファイバ１０ｃのみと、該光ファイバ１０ｃを保護するファイバトレイ１１が示されている。  ＬＤチップ２ｂ、ＰＤチップ２ｃ、ｍＰＤアレイ２ｄ、レーザドライバ２ｅ、プリアンプ２ｆ等の半導体デバイスは回路基板２上に直接搭載されている。  光トランシーバ１では、内部ファイバ１０の余長部分がファイバトレイ１１に収容されており、このファイバトレイ１１の形状に特徴がある。
【００３３】
図７及び図８は、ファイバトレイ１１を説明するための図である。図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、ファイバトレイ１１の内部ファイバ１０を前方から見た様子を示す。図８（Ａ）は、光トランシーバ１に組み込む前の内部ファイバ１０の光ファイバ１０ｃを側方から見た様子を示し、図８（Ｂ）及び図８（Ｃ）は、光トランシーバ１に組み込んだ後の光ファイバ１０ｃを側方から見た様子を示し、図８（Ｄ）は、光トランシーバ１に組み込む際の光ファイバ１０ｃを前方から見た様子を示す。
【００３４】
内部ファイバ１０すなわち光ファイバ１０ｃは、光トランシーバ１に組み込む前は図８（Ａ）に示すように、直線状にすることも可能である。
【００３５】
また、内部ファイバ１０／光ファイバ１０ｃが短い場合、内部ファイバ１０及びファイバトレイ１１を取り付けても、図７（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、内部ファイバ１０／光ファイバ１０ｃは、該ファイバ１０／１０ｃの余長部分の収容空間を形成するファイバトレイ１１の天井面１１ａに当接しない。
【００３６】
ただし、内部ファイバ１０／光ファイバ１０ｃが長い場合は、内部ファイバ１０を取り付けた後にファイバトレイ１１を回路基板２に取り付ける際に、図８（Ｃ）に示すように、光ファイバ１０ｃはファイバトレイ１１の天井面１１ａに当接する。この天井面１１ａは、当接した光ファイバ１０ｃを側方にガイドする斜面で形成されている。したがって、ファイバトレイ１１の天井面１１ａに光ファイバ１０ｃが当接してからファイバトレイ１１をさらに回路基板２の方向に押し込んでいっても、光ファイバ１０ｃに大きな応力がかからずに、図８（Ｄ）に示すように、光ファイバ１０ｃが天井面１１ａに沿って側方（図の矢印方向）に移動する。
【００３７】
本発明に係る光トランシーバでは、内部ファイバ１０／光ファイバ１０ｃの余長部分が長い場合に図７（Ｂ）に示すように余長部分を斜めに収容することが容易である。なお、上述の斜面とは、当接した光ファイバ１０ｃを、該光ファイバ１０ｃの長手方向の一側方にガイドする斜面であり、例えば、ファイバトレイ１１の断面において回路基板２の実装面２ａ（図４参照）に対し非平行面であり、また、上筐体４（図１参照）の上側内壁面に対しファイバトレイ１１の断面において非垂直且つ非平行な面である。
【００３８】
図９はファイバトレイ１１の前方斜視図、図１０は同後方斜視図である。図１１は、ファイバトレイ１１の一部を断面で示す側方斜視図、図１２はファイバトレイ１１の後方断面図である。
【００３９】
ファイバトレイ１１は、例えば樹脂製であり、図９〜図１２に示すように、一対の第１及び第２の側壁１１ｂ、１１ｃと、これら側壁１１ｂ、１１ｃを連結する上壁１１ｄと、を有する。  また、ファイバトレイ１１は、第２の側壁１１ｃの前方に第１の側壁１１ｂの方向に突出する前側テラス１１ｆ、および、後方に同様に突出する後側テラス１１ｇを有し、これらテラス１１ｆ、１１ｇにより前後方向に貫通する貫通孔１１ｅが形成される。
【００４０】
さらに、ファイバトレイ１１は、前側テラス１１ｆ及び後側テラス１１ｇと第１の側壁１１ｂとの間にガイド１１ｈ、１１ｉを有し、これらガイド１１ｈ、１１ｉを介してＭＴコネクタ１０ａ、１０ｂ（図５参照）より小さい貫通孔１１ｅに内部ファイバ１０の光ファイバ１０ｃを通している。ファイバトレイ１１の第１及び第２の側壁１１ｂ、１１ｃはそれぞれ、下側に突出する脚部１１ｂ1、１１ｃ1を有し、脚部１１ｂ1、１１ｃ1はそれぞれその先端にフック部１１ｂ2、１１ｃ2を有する。フック部１１ｂ2、１１ｃ2と回路基板２（図６参照）の下面との係合により、ファイバトレイ１１は回路基板２に対し固定される。
【００４１】
このファイバトレイ１１の天井面１１ａは、前後方向から俯瞰した断面が上側に突出するアーチ面で形成されている。さらに、天井面１１ａが、第２の側壁１１ｃ側から第１の側壁１１ｂ側すなわちガイド１１ｈ、１１ｉ側の方向に進むに連れて上壁１１ｄの厚みが薄くなる斜面で形成されている。したがって、内部ファイバ１０の光ファイバ１０ｃの余長部分が長い場合でも、ファイバトレイ１１の天井面１１ａを構成する斜面で上記余長部分を側方に逃がすことができるので、ファイバトレイ１１により形成される収容空間内に光ファイバ１０ｃを収容することができる。
【００４２】
なお、以上の例では、光ファイバ１０ｃを収納する収納空間を形成する壁面のうち、内部ファイバの複数の光ファイバの連接方向と直交する方向の壁面である天井面１１ａが斜面で形成されている。しかし、光ファイバ１０ｃの折り曲げ方向が上下方向ではなく左右方向の場合、第１の側壁１１ｂまたは第２の側壁１１ｃの内壁面を斜面で形成することが好ましい。
【符号の説明】
【００４３】
１…光データリンク（光トランシーバ）、２…回路基板、３…筐体、４…上筐、５…下筐体、９…光軸変換部品、１０…内部ファイバ、１０ａ，１０ｂ…ＭＴコネクタ、１０ｂ…側壁、１０ｃ…光ファイバ、１０ｄ…ＭＴフェルール、１０ｄ…光ファイバ、１０ｅ…ガイド孔、１０ｆ…端面、１０ｇ…ブーツ、１１…ファイバトレイ、１１ａ…天井面、１１ｂ…第１の側壁、１１ｃ…第２の側壁、１１ｄ…上壁、１１ｅ…貫通孔、１１ｆ…前側テラス、１１ｇ…後側テラス、１１ｈ，１１ｉ…ガイド、クリップ…１２、ホルダ…１３。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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