(57)【要約】【課題】非鉛圧電薄膜の作製時において、欠陥の要因となるパーティクルの発生を十分に抑制することができる圧電磁器スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】化学式（Ｉ）：ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電磁器スパッタリングターゲットであって、前記化学式（Ｉ）のＡ成分は、少なくともＫ（カリウム）および／またはＮａ（ナトリウム）を含み、前記化学式（Ｉ）のＢ成分は、少なくともＮｂ（ニオブ）を含み、前記圧電磁器スパッタリングターゲットは複数の結晶粒で構成されており、前記結晶粒の平均粒径が３μｍより大きく、３０μｍ以下であることを特徴とする、圧電磁器スパッタリングターゲット。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式（Ｉ）：ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電磁器スパッタリングターゲットであって、
前記化学式（Ｉ）のＡ成分は、少なくともＫ（カリウム）および／またはＮａ（ナトリウム）を含み、
前記化学式（Ｉ）のＢ成分は、少なくともＮｂ（ニオブ）を含み、
前記圧電磁器スパッタリングターゲットは複数の結晶粒で構成されており、
前記結晶粒の平均粒径が３μｍより大きく、３０μｍ以下であることを特徴とする、圧電磁器スパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記Ａ成分に、さらにＳｒ（ストロンチウム）および／またはＬｉ（リチウム）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の圧電磁器スパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記Ｂ成分に、さらにＴａ（タンタル）および／またはＺｒ（ジルコニウム）を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の圧電磁器スパッタリングターゲット。
【請求項４】
さらに副成分としてＭｎ（マンガン）および／またはＣｕ（銅）を含み、前記Ｍｎ（マンガン）をＭｎＯ（酸化マンガン）に、前記Ｃｕ（銅）をＣｕＯ（酸化銅）に、それぞれ換算したとき、前記主成分に対し１質量％以下であることを特徴とする、請求項１〜３いずれか一項に記載の圧電磁器スパッタリングターゲット。
【請求項５】
請求項１〜４いずれかに記載の圧電磁器スパッタリングターゲットを用いて成膜された非鉛圧電薄膜。
【請求項６】
請求項５に記載の非鉛圧電薄膜と、前記非鉛圧電薄膜を挟む下部電極および上部電極で構成された圧電薄膜素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電磁器スパッタリングターゲット、非鉛圧電薄膜およびそれを用いた圧電薄膜素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界を加えると機械的な歪みおよび応力を発生する、いわゆる圧電現象を示す圧電磁器が知られている。このような圧電磁器は、アクチュエータなどの振動素子、発音体またはセンサなどに用いられている。
【０００３】
上記のように用いられる圧電磁器としては、優れた圧電性を有するチタン酸ジルコン酸鉛（（Ｐｂ、Ｚｒ）ＴｉＯ３）が最も多く利用されている。しかし、チタン酸ジルコン酸鉛は鉛を多く含んでいるので、最近では、酸性雨による鉛の溶出など地球環境への影響が問題視されている。そこで、チタン酸ジルコン酸鉛に代替する、鉛を含有しない圧電磁器が求められており、かかる要求に応じて、鉛を含有しない様々な圧電磁器が提案されている。
【０００４】
一方、電子部品は更なる小型化、高性能化および高い信頼性が要求されており、圧電部品においても同様の傾向にある。多くの圧電部品は、焼結法により作られたバルク体を用いているが、その厚さが薄くなるにつれて、厚さ制御のための加工が極めて難しくなることや、結晶粒径のサイズが特性劣化の原因となるような状況が生まれつつある。これを解決する手段のひとつとして、種々の薄膜作製法を利用した圧電薄膜およびそれを用いた素子応用に関する研究が近年活発に行われている。
【０００５】
例えば、スパッタリング法は代表的な薄膜作製法である。その原理は、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中において、薄膜を堆積する基板（陽極側）とそれに対向させた薄膜形成物質からなるターゲット（陰極側）の間に電圧を印加することで、イオン化した希ガス原子を陰極物質であるターゲットに衝突させ、そのエネルギーによってターゲットの構成原子を叩き出すことで対向基板上に薄膜が形成されることである。
【０００６】
電子部品の微細化とともにスパッタリング法を用いた成膜においては、更なる高精度・高品質な薄膜が要求されるようになり、後者において、具体的には高密度・低欠陥薄膜の作製が課題となっている。例えば、スパッタリング法を用いた薄膜における欠陥の要因として、パーティクルやノジュールの発生が挙げられる。
【０００７】
スパッタリング時間の増加に伴い、ノジュールと呼ばれる微小突起物がターゲット表面に発生する。このノジュールはスパッタ時にアーキングを発生させ、その際にノジュールの破片などが、パーティクルとなって飛散する。このパーティクルが薄膜に付着するとその部分で欠陥が生じ、製品としたときの不良につながる可能性がある。従って、パーティクルの発生をいかに抑えることができるかが、スパッタリングターゲットに求められている。
【０００８】
例えば、特許文献１では鉛系のスパッタリングターゲットの作製方法を工夫することにより、薄膜作製時にパーティクルの発生が抑制される方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−３３６４７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
非鉛圧電薄膜、特にニオブ酸化合物の作製時において、欠陥の要因となるパーティクルが発生するなどの問題があった。しかしながらこれを効果的に解決する方法は、必ずしも開示されていない状況があった。
【００１１】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、非鉛圧電薄膜の作製時において、欠陥の要因となるパーティクルの発生を十分に抑制することができる圧電磁器スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。また、前記圧電磁器スパッタリングターゲットを用いて成膜された非鉛圧電薄膜および圧電薄膜素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明者らは、パーティクルの発生を十分に抑制するための方法について種々検討を行った。その結果、圧電磁器スパッタリングターゲットの平均粒径を制御することにより、これを用いたスパッタリング成膜において、パーティクルの発生個数を抑制できることを見出した。
【００１３】
すなわち、本発明は、化学式（Ｉ）：ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電磁器スパッタリングターゲットであって、
前記化学式（Ｉ）のＡ成分は、少なくともＫ（カリウム）および／またはＮａ（ナトリウム）を含み、
前記化学式（Ｉ）のＢ成分は、少なくともＮｂ（ニオブ）を含み、
前記圧電磁器スパッタリングターゲットは複数の結晶粒で構成されており、
前記結晶粒の平均粒径が３μｍより大きく、３０μｍ以下であることを特徴とする圧電磁器スパッタリングターゲットである。
【００１４】
このことにより、前記圧電磁器スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング成膜においてパーティクルの発生を十分に抑制することができる。
【００１５】
化学式（Ｉ）の前記Ａ成分が、さらにＳｒ（ストロンチウム）および／またはＬｉ（リチウム）を含んでいてもよい。
【００１６】
化学式（Ｉ）の前記Ｂ成分が、さらにＴａ（タンタル）および／またはＺｒ（ジルコニウム）を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、非鉛圧電薄膜の作製時において、欠陥の要因となるパーティクルの発生を十分に抑制することができる圧電磁器スパッタリングターゲットを提供することができる。また、前記圧電磁器スパッタリングターゲットを用いて成膜された非鉛圧電薄膜および圧電薄膜素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係わる圧電磁器スパッタリングターゲットの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】本発明に係わる圧電磁器スパッタリングターゲットの他の実施形態を示す斜視図である。
【図３】本発明に係わる圧電磁器スパッタリングターゲットを用いて成膜された非鉛圧電薄膜素子の実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、場合により図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
【００２０】
（圧電磁器スパッタリングターゲット）
図１は、本発明に係わる圧電磁器スパッタリングターゲットの一実施形態を示す斜視図である。ここでは、圧電磁器スパッタリングターゲット１は一体物として構成されている。そして、必要に応じて表面の平坦性や厚みを整える加工を施してもよい。圧電磁器スパッタリングターゲット１の外形は必ずしも円形である必要はなく、楕円や四角形または多角形でもよい。そして、その大きさについても、特に制限はない。
【００２１】
図２は、本発明の圧電磁器スパッタリングターゲットの他の実施形態を示す斜視図である。圧電磁器スパッタリングターゲット２は、２分割以上の複数ピースで構成されている。ここで、分割線は必ずしも直線である必要はなく、同心円や曲線であってもよい。また、圧電磁器スパッタリングターゲット２の外形も必ずしも円形である必要はなく、楕円や四角形または多角形でもよい。また同様に、大きさについても、特に制限はない。
【００２２】
これらの圧電磁器スパッタリングターゲット１および２は、例えば銅製のバッキングプレートに固着されたのち、スパッタリング装置に装着され、スパッタリング成膜が行われる。
【００２３】
本発明の圧電磁器スパッタリングターゲットは、化学式（Ｉ）：ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電磁器スパッタリングターゲットであって、
前記化学式（Ｉ）のＡ成分は、少なくともＫ（カリウム）および／またはＮａ（ナトリウム）を含み、
前記化学式（Ｉ）のＢ成分は、少なくともＮｂ（ニオブ）を含み、
前記圧電磁器スパッタリングターゲットは複数の結晶粒で構成されており、
前記結晶粒の平均粒径が３μｍより大きく、３０μｍ以下であることを特徴とする、圧電磁器スパッタリングターゲットである。平均粒径が３μｍ以下の場合は、粒界領域が多くなり、結晶粒に含まれない成分がパーティクルの発生要因となりうる。また、平均粒径が３０μｍ以上の場合は、結晶粒の中央部と端部の組成ズレが顕著となり、パーティクルの発生要因となりえる。前記結晶粒の平均粒径は好ましくは４μｍより大きく、２０μｍ以下である。より好ましくは５μｍより大きく、１５μｍ以下である。
【００２４】
前記記載の化学式（Ｉ）の前記Ａ成分に、Ｓｒ（ストロンチウム）および／またはＬｉ（リチウム）を含んでいでもよい。また、前記記載の化学式（Ｉ）の前記Ｂ成分に、Ｔａ（タンタル）および／またはＺｒ（ジルコニウム）を含んでいてもよい。これらは主成分と置換されることで、ペロブスカイト型酸化物のＡ成分およびＢ成分のモル比Ａ／Ｂを維持するために補償しやすくなる。それぞれの量はＡ成分またはＢ成分に対して２０モル％以下となるようにすることが望ましい。
【００２５】
前記圧電磁器スパッタリングターゲットの副成分として、Ｍｎ（マンガン）およびＣｕ（銅）の少なくとも一種である成分を含み、前記化学式（Ｉ）の組成物に対し、ＭｎＯ（酸化マンガン）、ＣｕＯ（酸化銅）にそれぞれ換算し、１質量％以下を含有してもよい。
【００２６】
以上のようにして得られた圧電磁器スパッタリングターゲットはインジウムなどを接着剤としてバッキングプレートに接着される。
【００２７】
（圧電磁器スパッタリングターゲットの製造方法）
次に、図１に示した圧電磁器スパッタリングターゲット１の製造方法について、以下に説明する。
【００２８】
圧電磁器スパッタリングターゲットの主成分の原料として、例えばＮａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｌｉ（リチウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｂａ（バリウム）、また、副成分として、例えばＭｎ（マンガン）およびＣｕ（銅）を含む化合物粉末をそれぞれ準備する。なお、これらの原料となる化合物としては、それぞれの元素の酸化物または複合酸化物、あるいは加熱することにより酸化物となる、例えば炭酸塩やシュウ酸塩などの化合物を用いることができる。次いで、これらの原料を十分乾燥させた後、最終組成が上述した範囲内となるような比率で秤量する。前記主成分と副成分の量の比は、主成分と副成分を合わせて全体としたときの副成分の量の比が３質量％以下となるようにする。この副成分の量の比は１質量％以下であることが好ましい。
【００２９】
次いで、これらの材料を、ボールミルやビーズミルなどを用いて有機溶媒中または水中で混合する。そして乾燥する。
【００３０】
これらを６５０〜１１００℃で仮焼した後、例えば、この仮焼物をボールミルやビーズミルなどにより有機溶媒中又は水中で粉砕し、乾燥することによって、圧電磁器材料粉末が得られる。
本発明の一実施形態に係る圧電磁器スパッタリングターゲットは、前記圧電磁器材料粉末を焼結し、外形加工することで得られる。
【００３１】
例えば、圧電磁器材料粉末にバインダを加えて造粒し、この造粒粉を一軸プレス成形機あるいは静水圧成形機（ＣＩＰ）などを用いプレス成形する。なお、バインダの種類は特に限定されるものではなく、また保形性やハンドリング性および焼結性などで問題がなければ必ずしもバインダを使わなくてもよい。
成形した後、例えば、この成形物を加熱して脱バインダを行い、更に９５０〜１３５０℃で２〜８時間焼成することで、圧電磁器焼結体が得られる。なお、主成分の組成に応じて、焼成温度や焼成時間、昇温速度、降温速度、雰囲気などを調整することによって、平均粒径を制御することが可能となる。
【００３２】
なお、平均粒径を適切な範囲にするために、成形体の焼成時の昇温速度を適度に遅くすることが好ましい。これによって、好ましい平均粒径を得ることが可能となる。
【００３３】
次に、得られた圧電磁器焼結体を、必要に応じて外周や厚みの寸法を整えたり、表面粗さなどの表面状態を整える加工をして圧電磁器スパッタリングターゲット１を得ることができる。
【００３４】
以上のようにして得られた圧電磁器スパッタリングターゲット１は、インジウムなどを接着剤としてバッキングプレートに接着され、スパッタリング装置に装着されて成膜で使用される。
【００３５】
次に、本発明の他の実施形態である圧電磁器スパッタリングターゲット２の製造方法について説明する。秤量〜混合〜仮焼〜造粒までは上記圧電磁器スパッタリングターゲット１と同じである。
【００３６】
造粒したのち、この造粒粉を一軸プレス成形機や静水圧成形機（ＣＩＰ）などを用いてプレス成形して成形体を得ることができる。このときの成形体の面積は、完成後のターゲットの最終面積よりも小さいが、完成後のターゲットの最終面積が得られるのに必要な２個以上の個数分を準備する。
【００３７】
成形した後、例えば、この成形物を加熱して脱バインダを行い、更に９５０〜１３５０℃で２〜８時間焼成することで、圧電磁器焼結体が得られる。なお、主成分の組成に応じて、焼成温度や焼成時間、昇温速度、降温速度、雰囲気などを調整することによって、平均粒径を制御することが可能となる。
【００３８】
焼成後、必要に応じて外周や厚みの寸法を整えたり、表面粗さなどの表面状態を整えるが、ピースを密着したときに完成後の最終面積が得られるように構成される。ここで、分割線は必ずしも直線である必要はなく、同心円や曲線であってもよい。また、外形も必ずしも円形である必要はなく、楕円や四角形または多角形でもよい。
【００３９】
以上のようにして得られた圧電磁器スパッタリングターゲット２は、インジウムなどを接着剤としてバッキングプレートにピース同士が密着するように接着され、スパッタ装置に装着されて成膜で使用される。
【００４０】
なお、図２に示した分割タイプの圧電磁器スパッタリングターゲット２は、圧電磁器焼結体を得る工程において、作製可能な圧電磁器焼結体のサイズが目標とする圧電磁器スパッタリングターゲット２のサイズに満たない場合や、圧電磁器焼結体の密度を上げるために成形圧を確実に確保したい場合に用いるもので、その製造工程は、基本的に上記した圧電磁器スパッタリングターゲット１の個々の工程と同様である。但し、最後にバッキングプレートにボンディングする際に、個々の分割ターゲットが隙間なく組み立てられるように精密な面加工が必要である。
【００４１】
（圧電薄膜素子）
前記のようにして得られた圧電磁器スパッタリングターゲットを銅製のバッキングプレートにインジウムを接着剤として固着する。
【００４２】
これより以下、「基体」とは、各工程における被成膜体を意味する。基体としてシリコンウエハをＲＦスパッタリング装置の真空チャンバ内に設置し、真空排気を行ったのちに、下部電極層としてＰｔ（白金）を膜厚５０〜３５０ｎｍで成膜する。
【００４３】
続いて、その基体をバッキングプレート付き圧電磁器スパッタリングターゲットが装着されたＲＦスパッタリング装置のチャンバに移し、真空排気を行ったのちに、逆スパッタリングを基体に対して行う。逆スパッタリング時の雰囲気ガスとしてＡｒ（アルゴン）をチャンバ内に供給し、０．５〜１．５Ｐａの圧力下で１００〜１０００Ｗの電力を投入し５〜３００秒間処理を行う。
【００４４】
逆スパッタリングに続き、圧電体層として、上記バッキングプレート付き圧電磁器スパッタリングターゲットを用いて非鉛圧電薄膜を基体上に成膜した。成膜時の基体温度は５００〜８００℃、圧電体層の厚さは１０００〜３５００ｎｍとする。
【００４５】
その後、上部電極Ｐｔを膜厚５０〜３５０ｎｍで、スパッタで成膜を行う。このようにして、図３に示すように、基体１００、下部電極２００、非鉛圧電薄膜３００、上部電極４００の順で構成される圧電薄膜素子１０００を得る。必要に応じて切断加工や、絶縁コーティングされていてもよい。なお、圧電薄膜素子１０００は、非鉛圧電薄膜３００を下部電極２００および上部電極４００で挟んだ構造であればよく、基体１００は無くとも良い。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例および比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４７】
（比較例１）
以下の手順で、図１に示すような圧電磁器スパッタリングターゲット１を作製した。まず、Ｎａ２ＣＯ３（炭酸ナトリウム）粉末、Ｋ２ＣＯ３（炭酸カリウム）粉末、Ｎｂ２Ｏ５（酸化ニオブ）粉末を用意した。これらの原料を十分に乾燥させたのち、最終組成が下記式（１）となるように各原料を秤量した。
（Ｋ０．４００Ｎａ０．６００）０．９７５ＮｂＯ３・・・（１）
【００４８】
上述の通り秤量したＮａ２ＣＯ３（炭酸ナトリウム）粉末、Ｋ２ＣＯ３（炭酸カリウム）粉末、Ｎｂ２Ｏ５（酸化ニオブ）粉末とを、ボールミルを用いて、エタノール中で十分に混合した後、乾燥させ、プレス成形して、９５０℃で２時間仮焼した。
【００４９】
混合物を仮焼したのち、この仮焼物をボールミルを用いてエタノール中で十分に粉砕し、再び乾燥して、バインダ（ＰＶＡ）溶液を加えて造粒した。得られた造粒粉を一軸プレス成形機を用いてプレス成形し、成形体を得た。なお、作製上問題なければ必ずしもバインダを使わなくてもよい。その後、ＣＩＰ成形行い、この成形体を６００℃に加熱して脱バインダを行った。さらにＣＩＰ成形を行った後、大気雰囲気中、昇温速度２００℃／時間として１１００℃で２時間焼成後、昇温速度２００℃／時間とすることによって圧電磁器焼結体を得た。得られた圧電磁器焼結体についてＸＲＤ（リガク  Ｓｍａｒｔ  Ｌａｂ）により、ペロブスカイト構造であり、異相がないことを確認した。
【００５０】
得られた圧電磁器焼結体について平面研削を行い、圧電磁器スパッタリングターゲット１を得た。これを銅製のバッキングプレートにインジウムを接着剤として固着した。
【００５１】
続いて、圧電磁器スパッタリングターゲット１の成膜時のパーティクル発生を確認するために、上記バッキングプレート付き圧電磁器スパッタリングターゲット１を用いてスパッタリングを行った。以下、スパッタリング成膜工程の一例について説明する。
【００５２】
基体として熱酸化膜（ＳｉＯ２：絶縁層）付きの直径３インチ、厚さ４００μｍのシリコンウエハをＲＦスパッタリング装置の真空チャンバ内に設置し、真空排気を行ったのちに、電極層としてＰｔ（白金）を成膜した。成膜時の基体温度は４００℃、電極層の厚さは２００ｎｍとした。
【００５３】
続いて、基体をバッキングプレート付き圧電磁器スパッタリングターゲット１が装着されたＲＦスパッタリング装置のチャンバに移し、真空排気を行ったのちに、逆スパッタリングを基体に対して行った。逆スパッタリング時の雰囲気ガスとしてＡｒ（アルゴン）を５０ｓｃｃｍチャンバ内に供給し、１Ｐａの圧力下で５００Ｗの電力を投入し、３０秒間処理を行った。
【００５４】
逆スパッタリングに続き、圧電体層として、上記バッキングプレート付き圧電磁器スパッタリングターゲット１を用いて非鉛圧電薄膜を基体上に成膜した。成膜時の基体温度は６００℃、圧電体層の厚さは２０００ｎｍとした。
【００５５】
そして、圧電体層の成膜後、ウェハ表面検査装置としてＴｏｐｃｏｎ  ＷＭ−３を用いて、圧電体層上の直径０．２μｍ以上のパーティクル数を測定した。パーティクル密度はパーティクル数をウェハの面積で割って算出した。
【００５６】
そして、結晶粒子径の粒度分布は、前記圧電磁器スパッタリングターゲット（焼結体）の埋め込み研磨断面をエッチング処理したものの走査型電子顕微鏡写真から、画像解析により求めた。具体的には、画像処理ソフトＭａｃ‐ｖｉｅｗを用い、前記走査型電子顕微鏡写真にて粒子の大きさと個数を計測し、粒径をHｅｙｗｏｏｄ径とし、体積分布にて粒度分布を算出した。なお、前記走査型電子顕微鏡写真の倍率は、粒子数が５０個以上得られる倍率とした。そして平均粒径（Ｄ５０）を求め、これを圧電磁器スパッタリングターゲットの平均粒径とした。
【００５７】
（実施例１〜８、比較例２、３）
圧電磁器スパッタリングターゲットの主成分となる複合酸化物の組成を式（１）として焼成中の昇温速度を表１のようにした以外の作製方法と評価方法は実施例１と同じである。
【００５８】
以下、組成式に応じて原料を使い分ける。Ｎａ２ＣＯ３（炭酸ナトリウム）粉末、Ｋ２ＣＯ３（炭酸カリウム）粉末、Ｌｉ２ＣＯ３（炭酸リチウム）粉末、Ｎｂ２Ｏ５（酸化ニオブ）粉末、Ｔａ２Ｏ５（酸化タンタル）粉末、ＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）粉末、ＺｒＯ２（酸化ジルコニウム）粉末およびＢａＣＯ３（炭酸バリウム）粉末を準備した。また、副成分の原料として、ＣｕＯ（酸化銅）およびＭｎＣＯ３（炭酸マンガン）粉末を用意した。
【００５９】
（実施例９）
以下の手順で図１に示すような圧電磁器スパッタリングターゲット１を作製した。上記の原料を十分に乾燥させたのち、最終組成が下記式（２）となるように各原料を秤量し、焼成中の昇温速度を表１のようにした以外の作製方法と評価方法は実施例１と同じである。
（Ｋ０．３８１Ｎａ０．５７１Ｓｒ０．０４８）０．９７５ＮｂＯ３・・・（２）
【００６０】
（実施例１０）
上記の原料を十分に乾燥させたのち、最終組成が下記式（３）となるように各原料を秤量し、焼成中の昇温速度を表１のようにした以外の作製方法と評価方法は実施例１と同じである。
（Ｋ０．３８１Ｎａ０．５７１Ｌｉ０．０４８）０．９７５ＮｂＯ３・・・（３）
【００６１】
（実施例１１）
原料を十分に乾燥させたのち、最終組成が下記式（４）となるように各原料を秤量し、焼成中の昇温速度を表１のようにした以外の作製方法と評価方法は実施例１と同じである。
（Ｋ０．３６２Ｎａ０．５４２Ｌｉ０．０４８Ｓｒ０．０４８）０．９７５ＮｂＯ３・・・（４）
【００６２】
（実施例１２）
原料を十分に乾燥させたのち、最終組成が下記式（５）となるように各原料を秤量し、焼成中の昇温速度を表１のようにした以外の作製方法と評価方法は実施例１と同じである。
（Ｋ０．４００Ｎａ０．６００）０．９７５（Ｎｂ０．９００Ｔａ０．１００）Ｏ３・・・（５）
【００６３】
（実施例１３）
原料を十分に乾燥させたのち、最終組成が下記式（６）となるように各原料を秤量し、焼成中の昇温速度を表１のようにした以外の作製方法と評価方法は実施例１と同じである。
（Ｋ０．４００Ｎａ０．６００）０．９７５（Ｎｂ０．９５２Ｚｒ０．０４８）Ｏ３・・・（６）
【００６４】
（実施例１４）
原料を十分に乾燥させたのち、最終組成が下記式（７）となるように各原料を秤量し、焼成中の昇温速度を表１のようにした以外の作製方法と評価方法は実施例１と同じである。
（Ｋ０．４００Ｎａ０．６００）０．９７５（Ｎｂ０．８５７Ｔａ０．０９５Ｚｒ０．０４８）Ｏ３・・・（７）
【００６５】
（実施例１５）
原料を十分に乾燥させたのち、最終組成が下記式（８）となるように各原料を秤量し、焼成中の昇温速度を表１のようにした以外の作製方法と評価方法は実施例１と同じである。
（Ｋ０．３５９Ｎａ０．５４０Ｌｉ０．０４８Ｂａ０．００５Ｓｒ０．０４８）０．９７５（Ｎｂ０．８５７Ｔａ０．０９５Ｚｒ０．０４８）Ｏ３・・・（８）
【００６６】
（実施例１６）
原料を十分に乾燥させたのち、最終組成が下記式（９）となるように各原料を秤量し、焼成中の昇温速度を表１のようにした以外の作製方法と評価方法は実施例１と同じである。
（Ｋ０．３５９Ｎａ０．５４０Ｌｉ０．０４８Ｂａ０．００５Ｓｒ０．０４８）０．９７５（Ｎｂ０．８５７Ｔａ０．０９５Ｚｒ０．０４８）Ｏ３
＋ＣｕＯ  ０．５ｍａｓｓ％・・・（９）
【００６７】
（実施例１７）
原料を十分に乾燥させたのち、最終組成が下記式（１０）となるように各原料を秤量し、焼成中の昇温速度を表１のようにした以外の作製方法と評価方法は実施例１と同じである。
（Ｋ０．３５９Ｎａ０．５４０Ｌｉ０．０４８Ｂａ０．００５Ｓｒ０．０４８）０．９７５（Ｎｂ０．８５７Ｔａ０．０９５Ｚｒ０．０４８）Ｏ３＋ＭｎＣＯ３  ０．５ｍａｓｓ％  ・・・（１０）
【００６８】
以下、表１を用いて測定結果を説明する。
表１に実施例１〜１７、比較例１〜３について組成式、本焼成時の昇温速度、圧電磁器スパッタリングターゲットの平均粒径およびパーティクル密度を示した。
【００６９】
また表１において、パーティクル密度が１１．０×１０３個／ｍ２以上の場合は耐圧不良が多発するため、好ましくないとして判定を×とした。パーティクル密度が９．０×１０３個／ｍ２以上、１１．０×１０３個／ｍ２未満の場合は好ましい膜として判定を△とした。パーティクル密度が７．０×１０３個／ｍ２以上、９．０×１０３個／ｍ２未満の場合より好ましい膜として判定を○とした。パーティクル密度が７．０×１０３個／ｍ２未満の場合は、さらにより好ましい膜として判定を◎とした。
【表１】
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【００７０】
この結果から、平均粒径を３μｍより大きく３０μｍ以下に制御したこれらの圧電磁器スパッタリングターゲットを用いて非鉛圧電薄膜を作製した場合、非鉛圧電薄膜のパーティクル密度を低くすることができた。特に、結晶粒の平均粒径が４μｍより大きく２０μｍ以下の範囲、中でも５μｍより大きく１５μｍ以下の範囲である実施例において、パーティクル密度の著しい低減効果がみられた。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明の圧電磁器スパッタリングターゲットによって作製された非鉛圧電薄膜は、パーティクルの付着に起因する欠陥が低減されるため、不良率が低くかつ信頼性の高い圧電薄膜素子が提供可能である。例えば、ハードディスクドライブのヘッドアセンブリの圧電アクチュエータやインクジェットプリンタのほか、ヨーレートセンサ、加速度センサ、圧力センサ、振動センサ、脈波センサなどの圧電センサにも有用である。
【符号の説明】
【００７２】
１、２    圧電磁器スパッタリングターゲット
１００    基体
２００    下部電極
３００    非鉛圧電薄膜
４００    上部電極
１０００  圧電薄膜素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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