(57)【要約】      （修正有）【課題】拡散容器内の充分なるガス置換とベーキングを実施した後に不純物拡散を行うことができる拡散装置、及びこの拡散装置を用いる拡散方法を提供する。【解決手段】処理室１０１内に、電気炉本体１１０、拡散容器２００の蓋開閉機構１２０、拡散容器のベーキング機構１３０、拡散容器の特定部分を強制冷却するための冷却機構１５０、搬送用ロボット１７０を備える。ウェーハと拡散源とを拡散容器に収納し、これを処理室内に搬入する。次に、処理室に高純度の不活性ガスを流入／排出することにより処理室内を高純度不活性ガスでガス置換をする。蓋開閉機構とベーキング機構とにより、処理室内中で拡散容器の蓋を開けたままで、拡散容器内の高純度ガス置換とベーキングを実施できる。ガス置換・ベーキング終了後の拡散容器は、電気炉内に搬送され拡散が行われる。所定時間経過後に、拡散容器を電気炉から引出して冷却機構により急速冷却し、拡散を終了する。【選択図】図１
2017143151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルと拡散源とを内装し、蓋と下部容器から成る拡散容器を備える不純物拡散装置であって、
前記拡散容器については、前記下部容器と前記蓋との接触部において両者は密着接触しており、かつ、前記両者は離脱・開閉可能な密着接触であり（前記の密着接触部を以下では「セミシール部」と呼ぶ。）、
前記の不純物拡散装置は、気密性を有する処理室を有し、
前記処理室に付属させて、少なくとも、
不活性ガス導入口とガス排出口と真空排気口と、
前記拡散容器を「一時置き」するためのセットステージと、
前記拡散容器の蓋を開閉させるための一以上の蓋開閉機構と、
前記拡散容器を加熱ベークするためのベーキング機構と、  
前記サンプルへの不純物の加熱拡散をするための加熱炉本体と、
前記拡散容器の一部分を急冷するための冷却機構と、
前記拡散容器を所定の場所に搬送するための搬送機構を
備えていることを特徴とする不純物拡散装置。
【請求項２】
前記拡散容器内には前記サンプルを支持する支持体があり、
また、前記の蓋開閉機構は、前記下部容器と前記の蓋とを独立して保持し、前記いずれか
の一者又は両者を移動させることにより前記の蓋を開閉させる機構であり、第１蓋開閉機
構を前記のセットステージに、第２蓋開閉機構を前記のベーキング機構に併設しており、
更に、前記のベーキング機構は、前記搬送装置により移送されてきた前記拡散容器の
全周囲又は一部分の側に配置した加熱源により所定温度で前記拡散容器を加熱・ベークす
る機構であり、前記の第２蓋開閉機構により前記拡散容器の蓋を開けた状態でのベーキン
グを可能としており、
また、前記の加熱炉本体は、少なくとも上下に、平板状加熱板を略平行に配置した炉体
であり、一方の側方壁から不活性ガスを導入し、他方の側方開口部から前記導入ガスを排
出するとともに、前記側方開口部から前記拡散容器の出し入れが可能な構成であり、
更に、前記冷却機構を、冷却板による伝導吸熱方式又は予冷した冷却ガス吹き付け方式
により、加熱拡散が終了した前記拡散容器の前記下部容器の底面を急冷可能な構成として
いることを特徴とする請求項１に記載の不純物拡散装置。
【請求項３】
前記拡散容器の下部容器の側壁には、前記下部容器の内部と連通して外側に延伸し、その末端部が閉じられた管状の拡散源収納管を前記拡散容器に設け、
また、前記冷却機構は、加熱拡散が終了した前記拡散容器の前記拡散源収納管部分に冷却用ガスを吹き付けることにより、前記拡散源収納管部分の急冷を可能とする構成であることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の不純物拡散装置。
【請求項４】
前記拡散容器として「多重シール式拡散容器」を備える不純物拡散装置であって、
前記多重シール式拡散容器は、トレイと、複数個の筒状体と、前記複数個の筒状体の上部開口部を個々に覆う複数の蓋とから成り、
前記トレイの略中央部に第１筒状体を配設し、前記第１筒状体の下端部を前記トレイに気密固着接合し、また、前記第１筒状体の上部開口部を覆うように第１蓋を設け、前記第１筒状体の上端面と第１蓋との接触部分を前記セミシール部とし、
前記のトレイと、前記の第１筒状体と、前記の第１蓋とで形成される容器を「拡散セル」と呼び、前記拡散セルを包み込むように前記拡散セルの外側に、前記拡散セルの構成と同様に前記トレイと、第２筒状体と、第２蓋とでセル（以下、「（第１）バッファーセル」と呼ぶ。）を形成し、このとき、前記第２筒状体と前記トレイ、又は前記第２筒状体と前記第２蓋との密着接触部のいずれか一方をセミシール部とし、他方を気密固着接合し、
以下順次、所望個数のバッファーセルを形成し、前記各セルを“入れ子”状態にして、前記拡散セルが最奥に位置するように構成した前記の多重シール式拡散容器を装備し、
さらに、前記の各セルを形成する蓋又は蓋相当パーツ（セミシール部がトレイ側にあるパーツ）のセッティング・離脱動作及び搬送機能を有するハンドリング機構を前記処理室に設けることを特徴とする請求項１又は２に記載の不純物拡散装置。
【請求項５】
請求項４に記載の多重シール式拡散容器を改変した「多重シール式拡散容器（改）」を備える不純物拡散装置であって、
請求項４に記載の多重シール式拡散容器の前記第１筒状体の下部側壁に、前記第１筒状体の内部空間に連通し、かつ、最外側にある筒状体から突き出す位置まで延伸し、その末端部を封止した管状の拡散源収納管を設けた前記の多重シール式拡散容器（改）を装備し、
さらに、前記の各セルを形成する蓋又は蓋相当パーツ（セミシール部がトレイ側にあるパーツ）のセッティング・離脱動作及び搬送機能を有するハンドリング機構を前記処理室に設けることを特徴とする請求項３に記載の不純物拡散装置。
【請求項６】
前記加熱炉本体を構成するヒーター部と、前記ヒーター部に近接するカバー部材の両者又はいずれか一者の材質をカーボンとし、かつ、前記処理室内の前記不活性ガス雰囲気に露出させるように前記加熱炉本体を配設することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の不純物拡散装置。
【請求項７】
ゲートバルブを介して前記処理室と連通するロードロック室を前記処理室に設け、
前記ロードロック室には少なくとも、前記拡散容器などを出し入れするための前記ハッチと、前記セットステージを設けていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の不純物拡散装置。
【請求項８】
請求項１に記載の不純物拡散装置を用いる不純物拡散方法であって、
前記拡散容器の中に、前記サンプルと前記拡散源とをセットしたのち、前記ハッチを通して前記拡散容器を前記処理室内の前記セットステージに載置し、
前記の蓋開閉機構により前記拡散容器の蓋を開け、次いで、前記処理室内を真空排気したのち不活性ガスを導入することを繰り返すことにより、前記拡散容器内と前記処理室内のガス置換を行い、
次に、前記処理室内に不活性ガスを流しながら、前記拡散容器の蓋を閉じて前記搬送機構を用いて前記拡散容器を前記ベーキング機構にセットし、再び、前記蓋を開けてから所定温度・所定時間で前記拡散容器のベーキングを行い、
次いで、前記拡散容器の蓋を閉じてから前記搬送機構を用いて前記拡散容器を前記加熱炉本体内に移動・セットし、所定温度・所定時間の加熱拡散処理を行い、
前記の拡散が終了したら、前記搬送機構により前記拡散容器を前記加熱炉本体から引き出したのち、前記冷却機構にセットし、前記下部容器側から冷却が始まるように前記拡散容器の冷却を行い、最後に、前記拡散容器の蓋を開いて前記サンプルを取り出すことを特徴とする不純物拡散方法。
【請求項９】
請求項２〜５に記載の不純物拡散装置を用いる不純物拡散方法であって、
前記蓋開閉機構又は前記ハンドリング機構により前記の蓋を開けてから（請求項４又は５に記載の不純物拡散装置にあっては、前記の蓋又は蓋相当パーツ（セミシール部がトレイ側にあるパーツ）を離脱するか又はセットせずに[以下、このように蓋開閉操作を読み替える]）前記拡散容器内のガス置換を行い、
次いで、前記拡散容器の蓋を閉じて前記搬送機構により前記拡散容器を前記ベーキング機構にセットし、再び、前記蓋を開けてから所定温度・所定時間で前記拡散容器のベーキングを行い、
次いで、前記拡散容器の蓋を閉じてから前記搬送機構を用いて前記拡散容器を前記加熱炉本体内に移動・セットし、所定温度・所定時間の加熱拡散処理を行い、
前記の拡散が終了したら、前記搬送機構により前記拡散容器を前記加熱炉本体から引き出したのち、前記の拡散容器構造に見合う前記冷却機構にセットし、前記拡散容器の前記拡散源セット位置近傍から局所的に冷却が始まるように前記拡散容器の冷却を行い、最後に、前記拡散容器の蓋を開いて前記サンプルを取り出すことを特徴とする不純物拡散方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、拡散容器を用いる不純物拡散装置、及びこの装置を使用する不純物拡散方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
GaAs、InPに代表される化合物半導体への不純物の気相拡散においては、Ｖ族元素（As、P等）の蒸気圧が高いために、当該Ｖ族元素の昇華・解離によりサンプル表面が損傷するという問題があった。この問題を解決した拡散方法として、以下に説明する「閉管拡散法（アンプル拡散法）」がある。
【０００３】
閉管拡散法では、GaAsへのZn拡散を例にとれば、石英アンプル中にGaAsウェーハと、拡散源であるZn−As合金（例えば、ZnAs2）を装填し、アンプル内を高真空に排気した後、アンプルの開放端を溶融して真空封止する。次に、このアンプルを加熱炉中にセットし、所定温度、所定時間の不純物拡散を行う。加熱中は拡散源であるZnAs2が解離して、Zn蒸気と、As蒸気が発生する。
【０００４】
Zn蒸気はP型ドーパントとして、又As蒸気は、その蒸気圧（As圧）がGaAsウェーハ表面からのAsの昇華・解離を抑制するように作用するので、サンプルウェーハの表面損傷を伴うことなくZn拡散を行うことができる。所定時間の加熱拡散が終了したら、アンプルの一端を炉外に引出し、この部分を急冷することによりZn、Asを凝固させ、拡散を完全停止させる。その後、アンプルを切断して拡散済GaAsウェーハを取り出す。
【０００５】
上述のように、閉管拡散法によれば高品質な拡散を行うことができる。しかし、拡散工程で真空封止アンプルを用いるため、この中に装填できるウェーハサイズが限定さる。例えば、直径１０ｃｍ程度のサンプルウェーハになると、アンプル部材などを含む製造工程費用が嵩むだけでなく、真空封止自体が技術的に極めて困難であった。
【０００６】
そこで、この従来の閉管拡散法における上記の欠点を解消すべく、「拡散容器」を用いる不純物拡散方法が提案されている（特許文献１〜３）。これは、サンプルウェーハと拡散源とをアンプル内に密封・完全封止するのではなく、「蓋」と「本体」とからなる箱状容器、又は実質的に箱状の空間を形成している構造体の中にサンプルウェーハと拡散源を収納し、これらを加熱炉内にセットして不純物拡散を行う方式である。
【０００７】
ここで用いる拡散容器は「蓋」と「本体」とは密着はしているが、アンプル封止のように完全な固着封止をしているのではないので、「蓋」と「本体」とは容易に着脱が可能である。したがって、拡散終了後には容器を破壊することなく、「蓋」を「本体」から外してサンプルを取り出すことができる。
【０００８】
これによって、サンプルウェーハの大きさ（サイズ）に見合う拡散容器を準備すれば、原理的にはサンプルサイズに制約されることなく、閉管（アンプル）拡散法に匹敵する不純物拡散が可能となった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭５３−８４５８２号公報
【００１０】
【特許文献２】特開昭６１−２９４８１４号公報
【００１１】
【特許文献３】特開平１１−１５００７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
まず、本願では特に断らない限り、以下では「不純物拡散」を単に「拡散」、「拡散容器」を単に「容器」、また、「拡散容器を用いる拡散方式」を「ＱＣＴ拡散方式」と呼ぶことにする。ここでいう「ＱＣＴ」とは、Quasi-Closed Tube：「擬似閉管」を略称定義したものである。
【００１３】
前述のように、拡散容器は蓋と本体とで構成されており、蓋と本体との接触部で密着接触をしている。しかし、アンプル封止のように完全な固着封止（＝シール）構造とはなっていないので、両者を着脱することが可能になっている。以下、本願では、蓋と本体（＝下部容器）との密着接触部におけるシール（＝封止）状況を「セミシール」、また、この部分を「セミシール部」と呼ぶことにする。
【００１４】
また、上記のＱＣＴ拡散方法においては、拡散容器内の雰囲気を高真空にするか、又は拡散中に拡散容器の外部に流す高純度の不活性ガスにより、容器内を予めガス置換しておく必要がある。容器内を高純度不活性ガスでガス置換する方式が一般的であるので、以下ではこれについて説明する。
【００１５】
上記の特許文献に開示されているように、拡散容器内をガス置換するには容器に設けられた専用の排気孔、又は拡散容器の「蓋」と「本体」との密着接触部の僅かな隙間を通して真空排気と不活性ガスの導入とを何回か繰り返すことにより、ガス置換を実施していた。
【００１６】
しかし、真空排気やガス導入時の流路となる部分の流路抵抗が大きいため、ガス置換操作には長時間を要していた。拡散容器を使用する拡散においては、上記のガス置換が不充分であると容器内の残留酸素や水分によるサンプルと拡散源の酸化による悪影響が無視できなくなる。この意味から、拡散容器内を充分にガス置換することが重要な課題の一つであった。
【００１７】
また、拡散容器内のアウトガスに関しては、従来手段では必ずしも充分とは言えなかった。すなわち、加熱拡散時には容器内壁・サンプルウェーハ・拡散源に吸着しているガスが離脱し、これが拡散容器内に滞留するので、これを速やかに容器外に排出させる必要がある。上述のように拡散容器の「蓋」と「本体」との密着接触部の僅かな隙間を通じてしかアウトガスが放出されないので、アウトガスは残留ガスとなり、特に残留酸素・水分が拡散に悪影響を及ぼすという問題があった。
【００１８】
本発明の目的は、拡散容器を使用する不純物拡散において、拡散容器内の充分なるガス置換、及び加熱時における拡散容器内部からのアウトガスの確実な排出が可能である不純物拡散装置、及びこの装置を用いる不純物拡散方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、
請求項１に開示した発明は、サンプルと拡散源とがセットされる拡散容器を備える不純物拡散装置である。この拡散容器は蓋と下部容器とから成り、この蓋と下部容器との接触部において両者は密着接触しており、かつ、両者は離脱・開閉が可能であり、上記の密着接触部を以下では「セミシール部」と呼ぶ。
【００２０】
この拡散装置には、気密性を有する処理室があり、この処理室には上記の拡散容器を出し入れするためのハッチが設けられている。また、上記の処理室には少なくとも、不活性ガスの導入口とガス排出口と真空排気口と、拡散容器を「一時置き」するためのセットステージと、拡散容器の蓋を開閉させるための一以上の蓋開閉機構を備えている。
【００２１】
更に処理室には、上記の拡散容器を加熱ベークするためのベーキング機構と、不純物の拡散をするための加熱炉本体と、加熱拡散が終了した拡散容器の一部分を急冷するための冷却機構と、拡散容器を所定の場所に搬送するための搬送機構とを備えたことを特徴とする不純物拡散装置である。
【００２２】
請求項１に開示した発明によれば、拡散容器の蓋を開けた開放状態で容器内を雰囲気ガスで置換操作をすることができるので、短時間で容器内を充分にガス置換することが可能となり、同様に、容器開放状態で拡散容器と容器内のサンプル及び拡散源のベーキングができるので、短時間でアウトガスを容器外へ放散させることが可能となる。これにより拡散中の拡散容器内のガス雰囲気の純度低下を抑制でき、不純物拡散の品質が向上する。
【００２３】
また、拡散処理後の拡散容器の局所を積極的に冷却するための冷却機構を備えているので、拡散中に容器内に存在していた解離ガス（Zn・As蒸気など）は、拡散容器の局所内面に凝固・被着する。これにより、拡散プロセスにとって不都合な事象であるサンプル表面へのZnやAs等の凝固・被着（デポジション）を抑制できる。
【００２４】
請求項２に開示した発明は、請求項１に示した発明内容を基本とした不純物拡散装置であり、下記に示す特徴を持っている。まず、拡散容器内にはサンプルを支持する支持体がある。また、蓋開閉機構は、下部容器と蓋とを独立して保持し、上記いずれか一者又は両者を移動させることにより蓋を開閉させる機構であり、第１の蓋開閉機構をセットステージに、第２の蓋開閉機構をベーキング機構に付属させて設けている。
【００２５】
さらに、ベーキング機構は搬送装置により移送されてきた拡散容器の全周囲又は一部分の側に加熱源が配置されており、所定温度で拡散容器を加熱ベークすることができる。このベーキング機構には、第２の蓋開閉機構が併設されているので、拡散容器の蓋を開けた状態でのベーキングを可能としている。
【００２６】
また、加熱炉本体は、少なくとも上下に平板状加熱板を略平行に配置した炉体であり、一方の側方壁から不活性ガスを導入し、他方の側方開口部から上記の導入ガスを排出するとともに、側方開口部からの拡散容器の出し入れが可能な構成である。更に、上記の冷却機構は、冷却板による伝導吸熱方式又は予冷した冷却ガス吹き付け方式であり、加熱拡散が終了した拡散容器の下部容器底面を急冷可能な構成となっている。
【００２７】
上述の請求項２に開示した発明によれば、拡散容器の蓋を開けた状態で容器内部を高純度不活性ガスより充分なガス置換が可能となり、また同様に、拡散容器の蓋を開けた状態で容器内部のベーキングができるので、容器内からのアウトガスを容器外に容易に排出することができる。これにより拡散中の拡散容器内のガス雰囲気の純度低下を抑制できる。
【００２８】
また、拡散容器の下部底面を急冷できるので、拡散中に容器内に存在していた解離ガス（Zn・As蒸気など）は、下部容器の底内面に凝固・被着する。これによりサンプル表面にZnやAs等が凝固・被着（デポジション）することを抑制できる。
【００２９】
請求項３に開示した発明は、請求項１又は２に示した発明を基本とした不純物拡散装置であり、これらの不純物拡散装置が備えている「拡散容器」及び「冷却機構」が以下の特徴を持っている発明である。
【００３０】
まず、拡散容器については、下部容器の側壁から外側に延伸し、かつ、下部容器に連通していて、その末端部が閉じられた“盲腸状”の「拡散源収納管」を拡散容器に設けている。この拡散源収納管の中に所定の拡散源をセットして拡散を行うことを特徴としている。
【００３１】
更に、上記の拡散容器を用いた加熱拡散処理が終了した後に、拡散容器の拡散源収納管部分に冷却用ガスを吹き付けることにより拡散源収納管部分を急冷可能な構成としている冷却機構を装備している不純物拡散装置である。
【００３２】
上記の拡散容器を用いた加熱拡散処理が終了した後は、拡散容器の拡散源収納管部分に冷却用ガスを吹き付けることにより拡散源収納管部分の急冷が可能であり、拡散中に容器内に存在していた解離ガス（Zn、As蒸気など）は、上記の拡散源収納管内面に凝固・被着する。上記の冷却操作によりサンプルウェーハ表面にZnやAs等が凝固・被着（デポジション）することを、より確実に抑制できる。
【００３３】
請求項４に開示した発明は、拡散容器として「多重シール式拡散容器」を備えている不純物拡散装置に関する。多重シール式拡散容器とは、トレイと、複数の筒状体と、複数の筒状体の上部開口部を個々に覆う複数の蓋とから形成される複数の“セル”を「入れ子」状に構成する拡散容器を指す。
【００３４】
以下に、上記の拡散容器の詳細構造を説明する。まず、上記トレイのほぼ中央部に第１筒状体を配設し、第１筒状体の下端部をトレイに気密固着接合し、また、第１筒状体の上部開口部を覆うように第１蓋を設け、第１筒状体の上端面と第１蓋との接触部分をセミシール部とする。  
【００３５】
上記の「トレイと第１筒状体と第１蓋とで形成される容器」を「拡散セル」と呼び、上記の拡散セルを包み込むようにしてその外側に、拡散セルの構成と同様にして、上記のトレイと、第２筒状体と、第２蓋とでセル（以下、「（第１）バッファーセル」と呼ぶ。）を形成する。このとき、第２筒状体とトレイ、又は第２筒状体と第２蓋との密着接触部のいずれか一方をセミシール部とし、他方を気密固着接合（一体化気密接合）する。
【００３６】
以下順次、所望個数のバッファーセルを形成し、これらのセルを“入れ子”状態にし、上記の拡散セルを最奥に配置して「多重シール式拡散容器」を構成し、この拡散容器を拡散装置に装備したことを特徴としている。更にまた、上記の各セルを形成する蓋又は蓋相当パーツ（セミシール部がトレイ側にあるパーツ）のセッティング・離脱動作及び搬送機能を前記の蓋開閉機構又は搬送機構に付加したことを特徴とする請求項１又は２に記載の不純物拡散装置である。
【００３７】
上述の「多重シール式拡散容器」は、多重のセミシール部を備えている。上記説明では、この「多重のセミシール部分を備えた拡散容器」を単に「多重シール式拡散容器」と便宜上、略称したので、これ以降の説明においても、これに倣うことにする。
【００３８】
請求項１〜３に示した拡散装置が備えている拡散容器は、一重のセミシール部を持っている。加熱拡散中には、拡散源から解離・蒸発したZnやAsなどの蒸気が僅かではあるがセミシール部を通して拡散容器外に漏れ出す。この「蒸気漏洩」は、ＱＣＴ拡散方式（＝拡散容器を用いる拡散方式）では完全には回避できない事象であり、特に、高温拡散や長時間拡散では、拡散源の有効成分（たとえば、ZnやAsなど）の逸失量が多くなり、また、これによる装置内の汚染が懸念される場合がある。
【００３９】
これに対し、本実施形態に係る拡散装置に装備されている「多重シール式拡散容器」では、サンプルと拡散源を収納する「拡散セル」を最奥に配置し、その外側に“入れ子”状に幾重もの「バッファーセル」を設けている。今、２重のセミシール部を持つ構造を例にとれば、拡散セルのセミシール部を介しての漏洩ガスは、その外側にあるバッファーセル内に流れ込み、更に、バッファーセルのセミシール部を介して拡散容器外に漏洩することになる。以上は２段構えのシール形態の例であり、これにより、拡散容器外への漏洩ガス量を大幅に低減することができる。また、当然ながら、必要に応じて３重、４重という多重のセミシール部を構成することも可能である。
【００４０】
請求項５に開示した発明は、拡散容器として請求項４に記載の多重シール式拡散容器を改変した「多重シール式拡散容器（改）」を備え、さらに、容器の各セルを形成する蓋又は蓋相当パーツ（セミシール部がトレイ側にあるカバーパーツ）のセッティング・離脱動作及び搬送機能を蓋開閉機構又は搬送機構に付加したことを特徴とする請求項３に記載の不純物拡散装置に関する。
【００４１】
上記の「多重シール式拡散容器（改）」は、下記のように構成されている。請求項４に記載の多重シール式拡散容器の第１筒状体の下部側壁に、拡散セル内部空間に連通して外側に延伸する管状の拡散源収納管を設ける。上記の拡散源収納管は、最外側にある筒状体から適宜の長さをもって突き出す位置まで延伸し、その末端部を封止した形状を成している。
【００４２】
すなわち、上記の「多重シール式拡散容器（改）」は、請求項４に記載「多重シール式拡散容器」に請求項３に記載の“盲腸管状”の拡散源収納管を設けた拡散容器とみることができる。本実施形態に係る拡散装置による拡散では、拡散終了時に拡散容器の拡散源収納管部分に冷却用ガスを吹き付けることにより拡散源収納管部分の急冷が可能であり、拡散中に容器内に存在していた解離ガス（Zn・As蒸気など）は、上記の拡散源収納管内面に凝固・被着する。
【００４３】
上記の冷却操作によりサンプル表面にZnやAs等が凝固・被着（デポジション）することを、より確実に抑制できる。さらに、セミシール部を介して拡散容器外に漏洩する解離ガス（Zn・As蒸気など）の漏洩量を大幅に低減できる。
【００４４】
請求項６に開示した発明は、請求項１〜５のいずれか一項に示した発明を基本とし、これらの不純物拡散装置が装備している「加熱炉本体」が以下の特徴を持っている発明である。すなわち、加熱炉本体を構成するヒーター部の部材と、このヒーター部に近接するカバー部材の両者又はいずれか一者の材質をカーボンとし、かつ、処理室内の不活性ガス雰囲気に露出させるように上記の加熱炉本体を構成したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載した不純物拡散装置である。
【００４５】
上述の請求項６に記載した発明によれば、加熱炉本体の主要部をカーボンで構成したことによって、処置室内に導入された不活性ガス中の残留酸素の更なる低減・純化が可能になる。すなわち、加熱カーボンの脱酸素効果により不活性ガス中の残留酸素濃度を大幅に低減できるので、拡散容器内外のガス純度が向上し、これにより良質な不純物拡散が可能となる。
【００４６】
請求項７に開示した発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載した不純物拡散装置の処理室にロードロック室を設けることを特徴としている。ゲートバルブを介して処理室と連通するロードロック室を処理室に設け、このロードロック室には少なくとも、拡散容器などを出し入れするための前記ハッチと、前記セットステージを設けている。
【００４７】
上記のロードロック室を設けることにより、処理室内に拡散容器（サンプルと拡散源がセット済）を持ち込むたびに処理室内雰囲気を大気に戻す必要がなくなる。これにより、終始、処理室内を不活性ガス雰囲気に維持することが可能となり、拡散処理を繰り返し行う場合には、処理室内のガス置換時間を短縮できるので、拡散プロセスにおける処理能力（スループット）が向上する。
【００４８】
請求項８に開示した発明は、請求項１に記載した不純物拡散装置を用いる不純物拡散方法に関する。拡散方法の詳細は、以下のとおりである。まず、拡散容器の中にサンプルと拡散源とをセットしたのち、ハッチを通して拡散容器を処理室内のセットステージに載置する。次に、このセットステージに併設している蓋開閉機構により拡散容器の蓋を開け、次いで、処理室内を真空排気したのち不活性ガスを導入するというサイクルを繰り返すことにより、拡散容器内と処理室内のガス置換を行い、処理室内と拡散容器内のガス雰囲気を不活性ガスに置換する。
【００４９】
次に、上記の拡散容器の蓋を閉じてから、搬送機構により拡散容器をベーキング機構にセットする。次いで、拡散容器の蓋を開けてから、処理室内に不活性ガスを流しながら所定温度・所定時間で拡散容器のベーキングを行い、次いで、上記の拡散容器の蓋を閉じてから搬送機構により拡散容器を加熱炉本体内に移動・セットし、所定温度・所定時間の加熱拡散処理を行い、拡散が終了したら搬送機構により拡散容器を加熱炉本体から引き出したのち、拡散容器を冷却機構にセットすれば、下部容器側から冷却が始まる。
【００５０】
拡散容器全体の冷却が終了したら拡散容器をセットステージの戻し、拡散容器の蓋を開けて容器内を不活性ガスでガス置換する。次いで、容器の蓋を閉じてから処理室のハッチを開いて拡散容器を取り出し、容器内の拡散済サンプルウェーハを回収すればよい。以上により、一連の拡散プロセスが終了する。
【００５１】
上記に説明した拡散方法を用いることにより、拡散容器の蓋を開けた開放状態で容器内を雰囲気ガスで置換操作をすることができるので、短時間で容器内を充分にガス置換することが可能となり、同様に、容器開放状態で拡散容器と容器内のサンプル及び拡散源のベーキングができるので、短時間でアウトガスを容器外へ放散させることが可能となる。これにより拡散中の拡散容器内のガス雰囲気の純度低下を抑制できる。
【００５２】
また、拡散処理後の拡散容器の局所を積極的に冷却することが可能なので、拡散中に容器内に存在していた解離ガス（Zn・As蒸気など）は、拡散容器の局所内面に凝固・被着する。これにより、サンプル表面へのZnやAs等の凝固・被着（デポジション）を抑制できる。
【００５３】
請求項９に開示した発明は、請求項２〜５いずれか一項に記載した不純物拡散装置を用いる不純物拡散方法に関する。拡散方法の詳細は、以下のとおりである。まず、拡散容器の中にサンプルと拡散源とをセットした後、ハッチを通して拡散容器を処理室内のセットステージに載置する。次に、蓋開閉機構又は搬送機構により拡散容器の蓋を開け、（請求項４又は５に記載の不純物拡散装置を用いるときには、蓋又は蓋相当パーツ（セミシール部がトレイ側にあるカバーパーツ）を離脱するか又はセットせずに[以下、蓋開閉操作をこのように読み替える]）、次いで、処理室内を真空排気したのち不活性ガスを導入するというサイクルを繰り返すことにより、拡散容器内と処理室内のガス置換を行い、処理室内と拡散容器内のガス雰囲気を不活性ガスに置換する。
【００５４】
次に、拡散容器の蓋を閉じ、搬送機構を用いて拡散容器をベーキング機構にセットし、再び、容器の蓋を開けてから所定温度・所定時間で拡散容器のベーキングを行い、次いで、再び拡散容器の蓋を閉じてから搬送機構を用いて拡散容器を加熱炉本体内に搬入してセットし、所定温度・所定時間の加熱拡散処理を行う。
【００５５】
上記の拡散が終了したら、搬送機構により拡散容器を加熱炉本体から引き出したのち、拡散容器構造に見合う冷却機構にセットし、拡散容器の拡散源セット位置近傍から局所的に冷却が始まるように拡散容器の冷却を行う。拡散容器全体の冷却が終了したら拡散容器をセットステージに戻し、拡散容器の蓋を開けて容器内を不活性ガスでガス置換する。次いで、容器の蓋を閉じてから処理室のハッチを開いて拡散容器を取り出し、容器内の拡散済サンプルウェーハを回収すればよい。以上により、一連の拡散プロセスが終了する。
【００５６】
上記に説明した拡散方法を用いることにより、拡散容器の蓋を開けた開放状態で容器内を雰囲気ガスで置換操作をすることができるので、短時間で容器内を充分にガス置換することが可能となり、同様に、容器開放状態で拡散容器と容器内のサンプル及び拡散源のベーキングができるので、短時間でアウトガスを容器外へ放散させることが可能となる。これにより拡散中の拡散容器内のガス雰囲気の純度低下を抑制できる。
【００５７】
また、拡散処理後の拡散容器の局所を積極的に冷却できるので、拡散中に容器内に存在していた解離ガス（Zn・As蒸気など）は、拡散容器の局所内面に凝固・被着する。これにより、サンプル表面へのZnやAs等の凝固・被着（デポジション）を抑制できる。
【００５８】
更にまた、請求項４又は請求項５に記載の不純物拡散装置を用いた不純物拡散方法によれば、拡散容器のセミシール部を介して容器外に漏洩する解離ガス（Zn・As蒸気など）の漏洩量を大幅に低減できる。
【発明の効果】
【００５９】
本発明によれば、拡散容器の蓋を開けた開放状態で容器内を雰囲気ガスでガス置換操作をすることができるので、短時間で容器内を充分にガス置換することが可能となり、同様に、容器開放状態で拡散容器と容器内のサンプル及び拡散源のベーキングができるので、短時間でアウトガスを容器外へ放散させることが可能となる。これにより拡散中の拡散容器内のガス雰囲気の純度低下を抑制できる。
【００６０】
以上の結果、本発明によれば、拡散容器を用いた不純物拡散（ＱＣＴ拡散）の品質が大幅に向上するとともに、工程歩留まりの更なる改善が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１の実施形態に係る拡散装置の模式構成図
【図２】第１の実施形態における拡散容器の模式構成図
【図３】第１の実施形態における蓋開閉機構の模式断面図
【図４】第１の実施形態におけるベーキング機構及び蓋開閉機構の模式断面図
【図５】第１の実施形態における冷却機構の模式断面図
【図６】第２の実施形態に係る拡散装置の模式構成図
【図７】第２の実施形態における拡散容器の模式構成図
【図８】第２の実施形態における冷却機構の模式構成図
【図９】第３の実施形態における多重シール式拡散容器Ａの模式断面図
【図１０】第３の実施形態における多重シール式拡散容器Ｂの模式断面図
【図１１】第３の実施形態における多重シール式拡散容器（改）の模式断面図
【図１２】第３の実施形態に係る拡散装置の模式平面構成図
【図１３】第４の実施形態に係る拡散装置の模式平面構成図
【発明を実施するための形態】
【００６２】
本発明を実施するための形態を、図面を用いて以下に説明する。なお、以下では例示として、便宜上、サンプルウェーハをｎ型GaAs、拡散源を砒化亜鉛（ZnAs2）としての説明を多用する。また以下では、幾つかの実施形態に分けて説明するが、このとき、「本発明を実施するための形態」を、単に「実施形態」、「本形態」等と略記する場合がある。
【００６３】
（本発明の第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態を図１〜５を用いて以下に説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る拡散装置の模式構成図、図２は第１の実施形態における拡散容器の模式構成図、図３は第１の実施形態における蓋開閉機構の模式断面図、図４は第１の実施形態におけるベーキング機構及び蓋開閉機構の模式断面図、図５は第１の実施形態における冷却機構の模式断面図である。
【００６４】
ここで、図１（Ａ）は図１（Ｂ）に示すＺ−Ｚ位置から見た本実施形態の拡散装置の模式平面構成図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すＳ−Ｓ位置から見た本実施形態の拡散装置の模式側断面図である。
【００６５】
気密性を有する処理室１０１中には、拡散容器２００を加熱して不純物の拡散をするための電気炉本体１１０、拡散容器２００を最初に載置するセットステージ１２１、拡散容器の蓋を開閉するための蓋開閉機構１２０、１４０、１６０、蓋開閉機構１４０と組み合わせたベーキング機構１３０、拡散容器の底面部分を強制冷却するための冷却機構１５０、拡散容器を所定の場所に搬送するための搬送用ロボット機構１７０などが設けられている。
【００６６】
次に、上記の拡散装置１００の動作と、これを用いた不純物拡散方法を以下に説明する。まず、本装置が備えている拡散容器２００の構造の一例を図２に示す。図２（Ａ）は本例の拡散容器の模式平面図であり、便宜上、「蓋２０５」を外した状態で示しているので、蓋２０５を点線で示している。図２（Ｂ）は図２（Ａ）に示す容器の模式側断面図である。
【００６７】
本例の拡散容器２００は、下部容器２０３と、その上部を覆う蓋２０５とで構成されており、下部容器内部にはフック２０９で支持されたベース板２０８が設置されている。サンプルウェーハ（ｎ型GaAs）２０１をベース板上にセットする。また、下部容器の底面２０６の中央部に、所定量の拡散源（ZnAs2）２０２をセットする。
【００６８】
容器内の上部空間２１１と下部空間２１２とは、上下空間連通部２１３を通じて連通している。拡散時に拡散源（ZnAs2）からの解離により生じたドーパント金属蒸気（Zn）とＶ族元素蒸気（As）は、上下空間連通部２１３を通して上部空間にまで拡散し、サンプルウェーハ２０１に接触することになる。これにより、サンプルウェーハ表面にはAs圧力が加わりサンプルウェーハ（ｎ型GaAs）表面からのＶ族元素（As）の解離が抑制され、良好な不純物拡散（Zn拡散）が可能になる。
【００６９】
また、蓋２０５は下部容器２０３の上端面と密着接触しており、両者は離脱・開閉が可能である。なお、上記の密着接触部は完璧なガスシール性は持っていないので、以下では、この密着接触部におけるシール状態を「セミシール」、また、この部分を「セミシール部」と呼びことにする。
【００７０】
上記の拡散容器の構成材料としては、耐熱性が高く、かつ、拡散時にサンプルに対して不都合な不純物を放散しないことが必要である。上記に適合する材料として、石英ガラス、カーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、サファイア、ボロン・ナイトライド、シリコン・ナイトライド、シリコン・カーバイド（SiC）などを用いることができる。
【００７１】
また、上記の単一材料に別種の材料の薄膜をコーティングした複合材料を用いることもでき―――例えば、カーボンを基材とする容器のパーツにシリコン・カーバイド（SiC）をコーティングした複合材料を容器パーツに用いることもできる。更には、拡散容器パーツを何種類かの材料で構成することも可能であり、例えば、ベース板１０８の材質をカーボンとし、下部容器２０３と蓋２０５を石英ガラスとするなどの構成とすることである。
【００７２】
以下では、サンプルウェーハと拡散源とをセットした上記の拡散容器２００を備えた本例の拡散装置１００による不純物拡散方法を説明する。
【００７３】
まず、拡散装置１００のハッチ１０６を開き、セットステージ１２１上に上述の拡散容器２００をセットする。次に、図３に示すように、蓋開閉機構（No.1）１２０を用いて拡散容器の蓋を開ける。蓋開閉機構は駆動部１２２と３本の押上げロッド１２３とで構成され、処理室の底面部１０１−ｂに固定されている。
【００７４】
拡散容器の蓋を開けるには、３本の押上げロッド１２３を駆動部１２２によって上方に延伸させ、ロッド先端を蓋の耳部２０７に押し当てることにより、図示のように蓋を下部容器から押し離すことにより蓋を開けることができる。
【００７５】
次に、下記の手順により処理室１０１と拡散容器２００の内部を高純度不活性ガス（例えば、高純度窒素ガス）でガス置換する。まず、真空排気口１０８を介して処理室内を真空引きする。次いで処理室内に、ガス導入口１１１、１１２から高純度不活性ガス１１５を大気圧になるまで導入する。その後に、再び真空引きを行う。以上の手順を数回繰り返えすことにより、導入ガス純度とほぼ同等までに処理室内をガス置換することができる。
【００７６】
次に、拡散容器の蓋を閉じたのち、搬送用ロボット機構１７０のクランプアーム１７１により拡散容器を保持して、これをベーキング機構１３０の加熱ステージ１３１の上に移動する。上記ベーキング機構１３０の詳細構成を図４に示す。ベーキング機構１３０は加熱ステージ１３１と上部加熱ユニット１３５とで構成されており、また、蓋開閉機構（No.2）１４０と組み合わされている。
【００７７】
上記加熱ユニットは、赤外線ランプ１３２とリフレクター１３３とから成り、外部の温度調節機能付き電源（図示せず）により拡散容器、サンプルウェーハ２０１、拡散源などを所定温度に加熱する。同時に、加熱ステージ１３１も外部の温度調節機能付き電源（図示せず）により拡散容器（下部容器２０３）の底部を所定温度に加熱する。このときに、サンプルウェーハからのＶ族元素の解離や、拡散源からのドーパント金属蒸気（Zn）とＶ族元素蒸気（As）の逸失量が問題とならない範囲でベーキング温度、時間を設定することが望ましい。この観点から、通常、ベーキング温度は拡散温度よりも低い温度条件となる。
【００７８】
図４は、前出の図３と同様に蓋開閉機構（No.2）１４０を用いて、駆動部１４２により３本の押上げロッド１４３が上方に延伸し、拡散容器の蓋の耳部を押し上げることにより、蓋が空いている状態を示している。この状態で、拡散容器、サンプルウェーハ、拡散源などのベーキングを所定時間、実行する。これにより、拡散時に拡散容器内で発生する吸着ガス（主として、酸素、水分など）の離脱による拡散容器内の雰囲気ガス純度の悪化を抑制できる。
【００７９】
なお、図１に示すように、本装置では、もう一つの蓋開閉機構（No.3）１６０を電気炉本体に設けている。他の蓋開閉機構と同様に、駆動部１６２、３本の押上げロッド１６３で構成されている。これにより、もしも必要であれば、拡散温度において蓋を開放した拡散容器の最終的なベーキング（ファイナル・ベーキング）が可能である。通常、このファイナル・ベーキングは、前述したベーキングよりも処理温度が高いので、前述のベーキングに追加することと相まって、ウェーハからのＶ族元素の解離を最小限に抑える意味からも、極力短いベーキング時間とすることが望ましい。
【００８０】
上述した所定のベーキングが終了後、拡散容器の蓋を閉じる。次いで、搬送用ロボット機構１７０により拡散容器を電気炉本体１１０の中に搬送し、炉内にセットする。
【００８１】
電気炉本体１１０は、図示のように平板型の加熱板を上下に設けた構造であり、拡散容器の搬出入側には駆動部１１４で駆動されるシャッター板１１３を設けている。また、搬出入側と相対する炉体端部には、高純度不活性ガスのガス導入口１１１があり、ここから高純度不活性ガスが常時、炉内に流入し、炉体開口部から流出するガスは、炉体開口部の上部に設けている排気ガス回収フード１１６、及びガス排出口１０７から排出される。
【００８２】
所定時間の加熱拡散処理が終了したら、搬送用ロボット機構１７０により拡散容器２００を炉体から引出し、速やかに冷却機構１５０の冷却ステージ１５１上に載置する。この冷却機構１５０の詳細構成を図５（模式側断面図）に示す。冷却ステージ１５１は、熱伝導性の高い金属製のヒートシンクであり、処理室の底面部１０１−ｂに固定されているチラーユニット２５２によって所定温度に冷却されている。
【００８３】
上記の冷却ステージ上に載置された拡散容器２００は、下部容器底面２０４側から急速に冷却される。これにより、拡散中に容器内に存在していた解離ガス（Zn・As蒸気など）は下部容器内面に凝固・被着する。上記の冷却操作により、サンプルウェーハ表面にZnやAs等が凝固・被着（デポジション）することなく、サンプルウェーハと拡散容器とを冷却することができる。
【００８４】
上記の冷却が終了したら、拡散容器をセットステージの戻し、拡散容器の蓋を開けて容器内をガス置換する。次いで、容器の蓋を閉じてから処理室のハッチを開いて拡散容器を取り出し、容器内の拡散済サンプルウェーハを回収すればよい。以上により、一連の拡散プロセスが終了する。
【００８５】
なお、前述の蓋開閉機構に関しては、図３、図４のような方式に限定されるものではなく、例えば蓋の周縁部を保持して上昇させる、あるいは、蓋を保持・固定してから下部容器を下降させる方式などであってもよい。
【００８６】
また、以上の説明では、不活性ガスとして高純度窒素ガスを例に挙げたが、これに限定されるものではなく、例えば、高純度アルゴンガス、高純度ヘリウムガスを用いてもよく、又、場合によっては少量の高純度水素ガスを上記のガス（窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス）に混合したガスを用いることもできる。
【００８７】
また、前述の冷却機構に関しては、チラーユニットによる冷却方式の以外にもペルチェ素子による電子冷却方式なども用いることができる。さらに言えば、前出の図５に示した伝導吸熱による冷却方式に限定されるものではない。例えば、図示しないが、拡散源がセットされている近傍の下部容器底面に向かって、予冷した冷却用ガスを吹き付けることにより局所冷却してもよい。このときの冷却用ガスとしては窒素ガスの他に、アルゴンガスやヘリウムガスなども使用できる。
【００８８】
以上が本発明の第１の実施形態に係る拡散装置の構成、動作、及び本装置を用いる不純物拡散方法についての説明である。なお、拡散に使用した拡散容器には、例えば、Zn・Asや、その混合物などが付着・残留しているが、この使用済拡散容器を化学洗浄することにより、繰り返し再生使用することができる。
【００８９】
また、本実施形態に係る不純物拡散装置によれば、拡散容器の蓋を開けた開放状態で容器内を雰囲気ガスで置換操作をすることができるので、短時間で容器内を充分にガス置換することが可能となる。更に、容器開放状態で拡散容器とサンプル及び拡散源等のベーキングができるので、短時間でアウトガスを容器外へ放散させることが可能となる。これにより拡散中の拡散容器内のガス雰囲気の純度低下を抑制でき、拡散の品質が向上する。
【００９０】
（本発明の第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る拡散装置について、図６〜８を用いて説明する。図６は第２の実施形態に係る拡散装置の模式構成図、図７は本拡散装置が備えている拡散容器の模式構成図、図８は本装置に内装している冷却機構の模式構成図である。本実施形態では、処理室にロードロック室を設けていることと、拡散容器が下部容器側面に外側に延びる“盲腸管状”の「拡散源収納管」を備えていることを特徴としている。このため、処理室内に内装されている冷却機構も第１の実施形態のそれとは異なっているが、その他の部分については第１の実施形態に準じている部分が多くあるので、この部分については、以下では簡略な説明としている。
【００９１】
ここで、図６（Ａ）は図６（Ｂ）に示すＺ−Ｚ位置から見た本実施形態の拡散装置３００の模式平面構成図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示すＳ−Ｓ位置から見た本実施形態の拡散装置３００の模式側断面図である。
【００９２】
気密性を有する処理室３０１には、ロードロック室３０２がゲートバルブ３０５を介して設けられており、この中に拡散容器４００を最初に載置するセットステージ３２１と、これに併設される形で蓋開閉機構３２０が設けられている。
【００９３】
更に、処理室内には拡散容器を加熱拡散するための電気炉本体３１０、蓋開閉機構３４０と組み合わせたベーキング機構３３０、拡散終了後の拡散容器の「拡散源収納管」部分を集中的に強制冷却するための冷却機構３５０、及び、拡散容器を所定の場所に搬送するための搬送用ロボット機構３７０が設けられている。更には、処理室からの排気ガスのガス排出口３０７−２、真空排気口３０８−２が設けられている。
【００９４】
まず、本例での拡散容器４００について、図７により説明する。図７（Ａ）は本例の拡散容器の模式平面図であり、便宜上、「蓋４０５」を外した状態で示しているので、蓋４０５を点線で示している。図７（Ｂ）は同図（Ａ）に示すＳ−Ｓ方向を見たときの模式側断面図である。
【００９５】
本例の拡散容器４００は、下部容器４０３と、その上部を覆う蓋４０５と、下部容器の下端側壁から外側に延びる拡散源収納管４２０とで構成されている。拡散源収納管の内部は下部容器の内部空間と連通しており、また、その外方端は封止されている。また、前出の図２に示した拡散容器と同様に、下部容器内部にはフック４０９で支持されたベース板４０８が設置されており、この上にサンプルウェーハ４０１をセットし、また、所定量の拡散源４０２を拡散源収納管内の末端部にセットする。また、図示のように下部容器内の上部空間４１１と下部空間４１２とは、上下空間連通部４１３を通して連通している。
【００９６】
また、図２に示した拡散容器と同様に、上部の蓋４０５には蓋の耳部４０７があり、後述する蓋開閉機構の押上げロッドの受け部になっている。また、蓋４０５は下部容器４０３の上端面と密着接触している。なお、この密着接触部は前述した“セミシール”状態であり、セミシール部４１０を形成しており、更に、上記の拡散容器の構成材質についても前述の第１の実施の形態における説明記事と同じであるので、説明を割愛する。
【００９７】
以下では、図６、図７を用いて本例の拡散装置３００と、これを用いた不純物拡散方法について説明する。まず、拡散容器４００の中に、サンプルウェーハと拡散源とをセットする。本例の拡散装置では、処理室３１０にロードロック室３０２が設けられているので、まず、ロードロック室のハッチ３０６を開けて拡散容器をセットステージ３２１の上にセットする。
【００９８】
次いで、セットステージに併設されている蓋開閉機構（No.1）３２０を用いて拡散容器の蓋を開け、第１の実施形態と同様の手順によりロードロック室３０２内と拡散容器４００の内部を高純度不活性ガス（例えば、高純度窒素ガス）でガス置換する。ロードロック室には、ガス導入口３１１から高純度不活性ガス３１２が導入され、また、ガス排出口３０７−１、真空排気口３０８−１が配設されている。
【００９９】
次に、拡散容器の蓋を閉じたのち、処理室３０１に通じるゲートバルブ３０５を開ける。次いで、搬送用ロボット機構３７０のクランプアーム３７１により拡散容器を保持して、これをベーキング機構３３０の加熱ステージ３３１上に移動する。上記ベーキング機構の構成は第１の実施形態に準じており、加熱ステージ３３１と上部加熱ユニット３３５とで構成されており、また、蓋開閉機構（No.2）３４０と組み合わされている。蓋開閉機構には駆動部３４２と３本の押上げロッド３４３があり、これにより拡散容器４００の蓋４０５を開閉する。
【０１００】
本例の処理室３０１内には、不純物拡散工程の全工程に亘って高純度不活性ガス３１５が流れており、拡散中のガス雰囲気を形成している。このガス雰囲気中で拡散容器の蓋を開放した状態で、上記のベーキング機構３３０により拡散容器内をベーキングする。
【０１０１】
ここで、図面に示した拡散容器４００、４００−１、４００−２、４００−３は、各工程におけるステージ上、又は電気炉本体内でのレイアウトを示している。ベーキングが終了した拡散容器４００−１の蓋を閉じてから、これを搬送ロボット機構３７０により電気炉本体３１０内に搬入・セットする。このときの拡散容器４００−２の姿勢とレイアウト（配置）は図示の通りである。すなわち、拡散容器の「拡散源収納管」が電気炉本体の開口部（出入り口）を向くようにセッティングする。
【０１０２】
所定時間の加熱拡散が終了したら、搬送用ロボット機構により拡散容器を電気炉本体の開口部付近まで引き出す。このときの拡散容器４００−３の位置は、図６（Ａ）に示すとおりであり、容器の拡散源収納管４２０部分のみが開口部端部から突き出た状態になる。次いで、冷却機構３５０を下降させて図８に示すような冷却準備態勢を執る。
【０１０３】
図８は、冷却機構３５０を冷却準備位置にセットしたときの模式構成図であり、同図（Ａ）は模式断面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の右側から見た模式側断面図である。同図（Ａ）、（Ｂ）にみるように、拡散容器４００−３は電気炉本体３１０の開口部付近に位置し、炉外に拡散源収納管４２０が突き出されている。
【０１０４】
一方、冷却機構３５０の可動シャフト３５５が下降し、シャワーヘッド３５４が拡散源収納管４２０部分を包み込む位置にセッティングされる。次いで、予冷された冷却用ガス３５２が冷却用ガス輸送管３５１を通してシャワーボックス３５３に送り込まれ、シャワーヘッド３５４のノズルから吹き出して拡散源収納管４０２を急冷する。このとき同時に、遮蔽板３５６も下降して電気炉本体の開口部を遮蔽し、吹き出した冷却用ガスが電気炉本体内に回り込むのを防止する。また、拡散源収納管に吹き付けた後に残る排ガスは、シャワーボックス３５３の下部にある排ガス回収シンク３５７から排出される。
【０１０５】
サンプルウェーハを収納している容器部分は電気炉本体の中にあるために冷却速度は遅く、この結果、拡散中に容器内に存在していた解離ガス（Zn・As蒸気など）は、上記の拡散源収納管内面に凝固・被着する。これによりサンプルウェーハ表面にZnやAs等が凝固・被着（デポジション）することを、より確実に抑制できる。
【０１０６】
上記のガス吹き付け冷却が終了したら、拡散容器をロードロック室内のセットステージに戻し、容器全体を放置冷却する。拡散容器全体の冷却が終わったら、拡散容器の蓋を開けて容器内をガス置換する。次いで、容器の蓋を開いて拡散済サンプルウェーハを回収すればよい。以上により、一連の拡散プロセスが終了する。
【０１０７】
以上、本実施形態に係る拡散装置によれば、拡散容器の蓋を開けた状態で容器内部を高純度不活性ガスにより充分なガス置換が可能となり、また同様に、容器の蓋を開けた状態で容器内部のベーキングができるので、容器内からのアウトガスを容器外に容易に排出することができる。これにより拡散中の拡散容器内のガス雰囲気の純度低下を抑制できる。
【０１０８】
（本発明の第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係る拡散装置について説明する。まず、本実施形態の拡散装置が備えている拡散容器の例を図９〜１１に示す。また、図９、１０に示した拡散容器を備えている拡散装置を図１２に示す。なお、本実施形態での拡散容器の取り扱いについての説明は、後述する図１２に示す拡散装置の説明を参照されたい。
【０１０９】
前述の第１、２の実施形態では蓋と下部容器とからなる拡散容器を用いており、前出の図２、図７に示したようにセミシール部（蓋と下部容器との密着接触部）は一重構造である。これに対し、本実施形態での拡散容器は多重のセミシール部を備えている。図９〜１１は、２重のセミシール部を備える拡散容器の模式断面図である。なお、以下では「多重のセミシール部分を備えた拡散容器」を便宜上、単に「多重シール式拡散容器」と略称する。
【０１１０】
図９は、「多重シール式拡散容器Ａ」の模式断面図である。前出の図２に示した構造に準じる拡散容器を「主拡散容器」５５０と呼び、この主拡散容器をトレイ５３０とアウターカバー５３５とで取り囲むようにセミシール（第２セミシール部５１０−２）して「多重シール式拡散容器Ａ」を構成している。主拡散容器内には、ベース板５０８上にサンプルウェーハ５０１を載置し、底部には拡散源５０２を収納している。
【０１１１】
主拡散容器５５０の下部容器５０３につては、容器底部の熱容量を小さくするために底部及び底部に近い側壁部分の肉厚を薄くして、冷却時に容器底部がより速く冷却するように考慮している。また、下部容器５０３の側壁は円筒状をなしているが、蓋５０５と下部容器底部の形状を「ドーム形状」として容器外部からの圧力に対する耐圧性を向上させている。同様に、主拡散容器を覆うアウターカバー５３５及びトレイ５３０についても外部圧力に対する耐圧性を高めるために「ドーム形状」を採り入れている。なお、トレイ周縁部５３０Ｅ、蓋の耳部５０７は、容器の搬送時や蓋開閉時のハンドリング部分としても機能する。
【０１１２】
本例の多重シール式拡散容器Ａにおいては、図示のように第１セミシール部５１０−１と第２セミシール部５１０−２の２箇所にセミシール部を持つ２重シール式の拡散容器になっている。この拡散容器Ａを加熱拡散炉に搬入して拡散を行うと、拡散源５０２から解離・蒸発したＺｎやＡｓ蒸気が僅かではあるが第１セミシール部５１０−１を通して主拡散容器外に漏れ出す。
【０１１３】
上述の「蒸気漏洩」は、ＱＣＴ拡散方式（＝拡散容器を用いる拡散方式）では回避できない事象であり、高温拡散や長時間拡散では、拡散源の有効成分（たとえば、ＺｎやＡｓ）の逸失量が多くなり、また、これによる装置内の汚染が懸念される場合がある。これに対し、本実施形態では主拡散容器の外側に、アウターカバーとトレイで構成される収納空間を設けるという２段構えのシール形態を採ることにより、多重シール式拡散容器Ａからの拡散源蒸気の容器外部への漏洩量を大幅に低減することができる。また、当然ながら、必要に応じて３重、４重という多重のセミシール部も構成することが可能である。
【０１１４】
次に、多重シール式拡散容器の別の例として、「多重シール式拡散容器Ｂ」６００を図１０に示す。前出の図９に示した構造と異なっているのは、図９に示した主拡散容器５５０に相当する部分を、インナーカバー６５６とトレイ６３０とで形成される「拡散セル６５０」で構成していることにある。この中にサンプルホルダー６５３に支持されたベース板６０８があり、更にこの上にサンプルウェーハ６０１がセットされている。また、ベース板６０８直下のトレイ６３０上には拡散源６０２をセットしている。なお、拡散源６０２がセットされている空間と、拡散セルの上部空間とは連通している（前出の図２に準じた構造を持つ）ので、拡散源からの解離蒸気はサンプルウェーハ表面にまで容易に到達でき、不純物拡散に寄与できる。
【０１１５】
さらに、トレイ６３０の上に、インナーカバー６５６（拡散セル６５０）を取り囲んで覆うようにしてアウターカバー６６６（バッファーセル６６０）を設けている。これにより、サンプルウェーハと拡散源とは第１／第２セミシール部６１０−１／６１０−２という二つのセミシール部により２重にセミシールされていることになる。また、前例Ａ（図９）と同様に、トレイ６３０にはトレイ周縁部６３０Ｅが設けられている。
【０１１６】
本多重シール式拡散容器Ｂにおいても、前例Ａと同様に、容器の耐圧性を高めるためにインナーカバーの側壁部（第１筒状体）６５１、アウターカバーの側壁部（第２筒状体）６６１の形状を“円筒状”とし、さらにインナーカバー上部６５５、アウターカバー上部６６５も“ドーム状”構造としている。
【０１１７】
本例の多重シール式拡散容器Ｂも、前例Ａと同様の機能・効果を持っている。さらに、本例の構造では拡散源が直接トレイ上にセットされており、熱伝導路のパスが短くなる。このため、拡散後の冷却過程においては、前出の図９に示す拡散容器に比べて拡散源付近の冷却速度を、より速くすることができる。これによりサンプルウェーハ上へのデポジションを、より確実に抑制できる。
【０１１８】
なお、本例ではインナーカバーとアウターカバーのセミシール部がともにトレイ側にあるが、これを各カバーの上部に配置する構造とすることも可能である。すなわち、各カバーの円筒状の側壁部の下端部分をトレイと気密固着接合し、反対側の円筒状側壁端部を開口部とし、この上方端部にセミシール部を持つ蓋を設ける構造を採ることもできる。
【０１１９】
次に、多重シール式拡散容器の更に別の例として、「多重シール式拡散容器（改）」７００を図１１に示す。本構造は、前出の図７に示した拡散容器４００に準じた構造の容器を「拡散セル」７５０としている。拡散セルは、円筒状の第１下部容器壁（第１筒状体）７０３と、底面壁７３０と、第１蓋７０５と、拡散源収納管７２０とで構成されている。更に、拡散セル内にはベース板７０８があり、この上にサンプルウェーハ７０１を載置している。また、拡散源収納管内には、その末端部に拡散源７０２をセットしている。
【０１２０】
なお、前出の図７に示した拡散容器４００の構造と同様に、サンプルウェーハが載置されている上部空間と、ベース板の下側の下部空間と、拡散源収納管の内部空間とは互いに連通している。更にまた、第１蓋７０５には、その上面中央部に突起状のツマミ７０４を設けている。このツマミは、搬送用アーム８７５による蓋開閉などのハンドリングの際に使用される。
【０１２１】
また、上記の拡散セルの外側には、バッファーセル７６０が設けられている。バッファーセルは円筒状の第２下部容器壁（第２筒状体）７４３と、底面壁７３０と、第２蓋７６５とで構成されている。第１蓋７０５、第２蓋７６５、容器下部の底面壁７３０の形状を「ドーム形状」として容器外部からの圧力に対する耐圧性を向上させている。
【０１２２】
本例においても、サンプルウェーハと拡散源とは第１／第２セミシール部７１０−１／７１０−２という二つのセミシール部により２重にセミシールされていることになる。このように２段構えのシール形態を採ることにより、多重シール式拡散容器（改）７００からの拡散源蒸気の外部漏洩量を大幅に低減することができる。また、当然ながら、必要に応じて３重、４重という多重のセミシール部も構成することが可能である。更に本例では、外部に延伸している拡散源収納管を集中的に冷却することができるので、サンプルウェーハ上へのデポジションを、より確実に抑制できる。
【０１２３】
次に、上述の「多重シール式拡散容器」を備える本発明の第３実施形態に係る不純物拡散装置８００について、図１２を用いて説明する。なお、多重シール式拡散容器Ａ、Ｂ、（改）の三者では、これに対する拡散装置の構成が若干異なるので、以下では場合分けして説明する。また、容器の種別が有るので、以下ではこれを「容器Ａ」、「容器Ｂ」、「容器（改）」と略称する。
【０１２４】
図１２は、処理室、ロードロック室の天井部分を取り除いた状態を想定したときの模式平面構成図である。処理室３０１にはゲートバルブ３０５を介してロードロック室３０２が設けられている。ロードロック室にはサンプル（拡散容器）を出し入れするためのハッチ３０６、ガス導入口３１１、真空排気口３０８−１、ガス排出口３０７−１、蓋開閉機構８２０、セットステージ８２１が設けられている。ロードロック室内は、通常、高純度不活性ガス３１２で既述の方法によりガス置換がなされる。
【０１２５】
一方、処理室には、真空排気口３０８−２、ガス排出口３０７−２、拡散容器を構成するパーツをストックしておくためのストックステージ８９０、拡散容器のパーツの組立や解体のための作業台となる組立ステージ８８０、拡散容器のベーキングをするためのベーキング機構８３０、拡散後の拡散容器の冷却のための冷却機構８５０及び冷却ステージ８５１が設けられている。
【０１２６】
更に、拡散容器の搬送と、拡散容器の各パーツをハンドリングできる機能（パーツ・ハンドリング機能）を併せ持つ搬送用ロボット機構８７０及び搬送用アーム８７５、電気炉本体８１０が設けられている。また、ガス導入口３１４、８１３を通して高純度不活性ガス３１５が電気炉本体に流入する。同時に、高純度不活性ガスは電気炉本体内で分流して処理室全体に流入し、ガス排出口３０７−２から排出する。処理室内は、高純度不活性ガスで既述の方法によるガス置換がなされ、その後の処理工程においては、処理室には常時、高純度不活性ガスが流れている。
【０１２７】
（１）容器Ａを用いる場合の拡散装置の動作と拡散方法を以下に述べる（図９も参照されたい）。
【０１２８】
主拡散容器５５０の中に、サンプルウェーハ５０１、拡散源５０２をセットしてから、これをロードロック室内のセットステージ８２１上に置く。次に、蓋開閉機構８２０により蓋を開け、既述の方法により不活性ガスで容器内のガス置換を行う。また一方では、ベーキング温度よりも高めの温度で予めベーキングを施したトレイ５３０、アウターカバー５３５をストックステージ８９０上に準備しておく。
【０１２９】
次に、搬送用ロボット機構８７０を用いてベーキング済のトレイ５３０を組立ステージ上に移動する。次いで、ガス置換が終了した拡散容器の蓋を閉めたのち、これを搬送用ロボット機構により処理室内の組立ステージ上に載置されているトレイ上にセットする。次いで、上記の主拡散容器をトレイごとベーキング機構に搬送・セットする。
【０１３０】
次に、搬送用ロボット機構の「パーツ・ハンドリング機能」（＝容器構成パーツのセッティング・離脱動作が可能な機能）を用いて、主拡散容器の蓋を開け、所定温度で所定時間のベーキングを行う。次いで蓋を閉め、トレイごと主拡散容器を組立ステージに搬送する。次に、予めベーキングが施されているアウターカバー５３５をストックステージから取り出して、これを図９に示すようにトレイ上にセッティングする。
【０１３１】
以上により、図９に示す多重シール式拡散容器Ａが組み立てられ、これにより、主拡散容器内とバッファーセル内のガス置換とベーキングも完了した状態になる。これを搬送用ロボット機構により電気炉本体８１０の中に搬入・セットする。この状態にある「多重シール式拡散容器Ａ」５００を、図面では電気炉本体内に点線で示している。所定温度、所定時間での加熱拡散が終了したら、拡散容器全体を電気炉本体から引出し、冷却機構８５０の冷却ステージ８５１上に搬送してセットする。これにより、容器のトレイ側から冷却が始まった後、容器全体が冷却される。
【０１３２】
上記の冷却が完了したら、容器全体を組立ステージに搬送してセットする。次いで、搬送用ロボット機構の「パーツ・ハンドリング機能」を用いてアウターカバーを取り外して、これをストックステージに戻す。更に、主拡散容器の蓋も取り外して、容器内をガス置換する。次いで、再度、蓋を閉じてからトレイごと容器をロードロック室に搬送し、ハッチから拡散容器を取り出せば、一連の拡散プロセスが終了する。
【０１３３】
（２）容器Ｂを用いる場合の拡散装置の動作と拡散方法を以下に述べる（図１０も参照されたい）。
【０１３４】
まず、トレイ６３０にサンプルホルダー６５３とベース板６０８をセットし、この上にサンプルウェーハ６０１を載置する。次いで、これらをロードロック室内のセットステージ８２１にセットする（このとき、インナーカバー６５６、アウターカバー６６６については、まだこれらをセットしない。）。搬送用ロボット機構８７０により、上記トレイごとサンプルをベーキング機構８３０に搬送してセット後、所定のベーキングを行う。
【０１３５】
所定のベーキングが終了したら、トレイごと組立ステージ８８０に移送してセットする。次いで、既にベーキング済のインナーカバー６５６及びアウターカバー６６６を搬送用ロボット機構の「パーツ・ハンドリング機能」を用いてストックステージから取り出し、これらをトレイ上にセッティングする。これにより、図１０に示す多重シール式拡散容器Ｂの組立が完了し、同時に、拡散セルとバッファーセル内のガス置換とベーキングも完了した状態になる。
【０１３６】
これを搬送用ロボット機構により電気炉本体８１０の中に搬入してセットする。この状態にある「多重シール式拡散容器Ｂ」６００を、図面では電気炉本体内に点線で示している。所定温度、所定時間での加熱拡散が終了したら、拡散容器全体を電気炉本体から引出し、冷却機構８５０に搬送してセットする。これにより、容器のトレイ側から冷却が始まった後、容器全体が冷却される。
【０１３７】
上記の冷却が完了したら、容器全体を組立ステージに搬送する。次いで、搬送用ロボット機構の「パーツ・ハンドリング機能」を用いてアウターカバーとインナーカバーを取り外して容器内をガス置換する。次いで、トレイごと容器をロードロック室に搬送し、ハッチから拡散容器を取り出せば、一連の拡散プロセスが終了する。
【０１３８】
（３）容器（改）を用いる場合の拡散装置の動作と拡散方法を以下に述べる（図１１も参照されたい）。
【０１３９】
本実施形態に係る拡散装置の動作と拡散方法に関しては、冷却機構と冷却方法を除けば、前述の「容器Ｂを用いた場合」と同一であり、第１蓋７０５、第２蓋７６５を前例のインナーカバー、アウターカバーと読み替え、また、本例の底面壁７３０を前例のトレイと読み替えれば良いので、この部分の説明を省略する。
【０１４０】
更に、本例では冷却機構（図示せず）として前出の図６、図８に示した冷却機構を用いている。したがって、本例における冷却機構と冷却方法については、前出の図６、８について既に説明した内容と同じであるので、ここでの説明を省略する。
【０１４１】
なお、以上の第３の実施形態に係る拡散装置の構成、動作、及び拡散方法の説明の中では、拡散容器を構成する各パーツのハンドリング・搬送の手段として、パーツ・ハンドリングとこれに伴う搬送ができる機能（パーツ・ハンドリング機能）を備えた搬送用ロボット機構を用いる場合について説明した。しかし、これに限定されるものではなく、各パーツのハンドリングとこれに伴う搬送機能に特化した、専用の「ハンドリング機構」を拡散装置に装備してもよい。
【０１４２】
（本発明の第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態に係る拡散装置について、図１３を用いて説明する。図１３は、上記拡散装置９００の模式平面構成図である。この拡散装置の特徴は、ゲートバルブ９０５を介して、処理室９０１に併設されたロードロック室９０２の他に、ゲートバルブを介して、ベーキング室９０３と搬送ロボット室９０４を設けていることにある。
【０１４３】
ロードロック室９０２には、前出の図６に示すロードロック室６０２と同様に、サンプルウェーハと拡散源をセットした拡散容器の出し入れのためのハッチ９０６を設けている。また、図示していないが、ロードロック室９０２、ベーキング室９０３、搬送ロボット室９０４には、高純度不活性ガス９１５の導入と、排気ガス９０７の排出と、真空排気９０８のためのポートを設けており、各室内を高純度不活性ガスでガス置換することを可能にしている。
【０１４４】
次に、上記の拡散装置９００の動作と、これを用いた不純物拡散方法を以下に説明する。本例における不純物拡散の手順は、前述した「第１〜３の実施の形態」に準じているので、以下では、本実施形態の特徴部分を中心にして説明し、その他の部分ついての詳細説明を省略する。
【０１４５】
まず、サンプルウェーハと拡散源とをセットした拡散容器（図示せず）をロードロック室９０２内にあるセットステージ９２１上に載置し、セットステージに併設されている蓋開閉機構（No.1）により蓋を開ける。次いで、第１〜３の実施の形態においての同様手順により拡散容器内のガス置換を行う。
【０１４６】
その後、搬送用ロボット９７０により拡散容器をベーキング室に搬入し、ベーキング機構９３０にセットする。次いで、拡散容器の蓋開閉機構（No.2）９４０により容器の蓋を開け、この状態で、拡散容器、サンプルウェーハ、拡散源に対し所定時間のベーキングを行う。なお、本装置では、もう一つの蓋開閉機構（No.3）９６０を電気炉本体９１０に設けている。もしも必要であれば、拡散温度において拡散容器のファイナル・ベーキングが可能である。この詳細については、前述の「本発明の第１の実施形態」についての記事を参照されたい。
【０１４７】
ベーキングが終了したら搬送用ロボットにより、拡散容器を処理室内の電気炉本体９１０内に搬入・セット後、所定時間の不純物拡散を行う。拡散が終了したら、拡散容器を電気炉本体から引出し、冷却機構９５０により拡散容器の局所を急冷しながら容器全体を冷却する。拡散容器の冷却が完了したら、これをロードロック室９０２に戻し、容器内のガス置換を行った後、サンプルを拡散容器から取り出す。
【０１４８】
なお、図示をしていないが、多重シール式拡散容器にも対応できるように、処理室内には前出の図１２で示したような「組立ステージ」や「ストックステージ」を設けてもよい。また、上記の冷却機構については、拡散容器の構造に整合するように構成している。すなわち、前出の図２、９、１０に示した構造様式の拡散容器に対しては、前出の図５に示した構造様式の冷却機構を用い、又、前出の図７、１１に示した構造様式の拡散容器に対しては、前出の図８に示した構造様式の冷却機構を用いる。
【０１４９】
また、ロードロック室９０２、ベーキング室９０３、処理室９０１には、図示していないが、各々、待機ステージを設けてもよい。本実施形態では、処理室、ロードロック室、ベーキング室については、各室のガス置換を独立して実行できるので、拡散の全工程中の適宜の工程で、上記の待機ステージに拡散容器を「仮置き」することにより、処理手順を少しずつずらせながら、複数個の拡散容器を同時に取り扱うことが可能になる。
【０１５０】
例えば、先行処理の拡散容器が電気炉本体中で拡散中であるとき、後続の拡散容器をベーキング室中でベーキングを実行し、ベーキングを終了した拡散容器を待機ステージに移動して待機させる。次いで、先行処理サンプルの拡散が終了したら、この拡散容器を冷却機構に移動して局所冷却と、これに続く放置冷却を行う。この間に、待機中の後続の拡散容器を電気炉本体内に搬入・セットして拡散処理を進める。
【０１５１】
次いで、上記の後続サンプルが拡散中である間に、先行サンプルを次の工程に進めることができる。これにより、本実施形態に係る拡散装置を用いれば、複数個のサンプルの処理時間の合計は、前述した第１〜３の実施形態に係る拡散装置を用いた場合のそれよりも短くなる。結果として、拡散全工程を通してのサンプル１個当たりの平均処理時間を短縮できる。
【０１５２】
（付記）
以上、本発明を実施するための第１〜４の形態について説明した。以上では、サンプルウェーハとしてGaAsを例にして説明したが、これに限定されるものではなく、適切な拡散源を用いてGaAs系の材料やInP系の材料など、III−Ｖ族化合物半導体に対する不純物拡散に利用することができる。
【０１５３】
更にまた、本発明に係る不純物拡散装置が化合物半導体――特にIII−Ｖ族化合物半導体の加熱処理（キャップレス・アニール）にも応用できることを付言する。例えば、本拡散装置に装備される拡散容器の中に、処理すべきサンプルウェーハ（例えば、GaAs）とともに拡散源に替えてＶ族元素ガスの発生源（例えば、InAs）をセットし、本発明の拡散装置により既述のような処理を行えば、サンプルウェーハ上に保護膜（キャップ層）を用いることなくアニール処理をすることが可能となる。
【符号の説明】
【０１５４】
１００、３００、８００、９００・・・・・拡散装置
１０１、３０１、９０１・・・・・処理室
１１０、３１０、８１０、９１０・・・・・電気炉本体
１１５、３１２、３１５、９１５・・・・・高純度不活性ガス
１２０、１４０、１６０、３２０、３４０、８２０、９４０、９６０・・・蓋開閉機構
１３０、３３０、８３０、９３０・・・・・ベーキング機構
１５０、３５０、８５０、９５０・・・・・冷却機構
１７０、３７０、８７０・・・・・搬送用ロボット機構
２００、４００・・・・・拡散容器
２０１、４０１、５０１、６０１、７０１・・・・・サンプルウェーハ
２０２、４０２、７０２・・・・・拡散源
２０３、４０３、５０３・・・・・下部容器
２０５、４０５、５０５・・・・・蓋
２１０、４１０・・・・・セミシール部
３０２、９０２・・・・・ロードロック室
３０５、９０５・・・・・ゲートバルブ
４２０、７２０・・・・・拡散源収納管
５００、６００、７００・・・・・多重シール式拡散容器
９０３・・・・・ベーキング室
９０４・・・・・搬送ロボット室
【図１】
2017143151.tif 000003
【図２】
2017143151.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2017143151.tif 000011
【図１０】
2017143151.tif 000012
【図１１】
2017143151.tif 000013
【図１２】
2017143151.tif 000014
【図１３】
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