(57)【要約】【課題】ゴーストの発生が抑制される画像形成装置を提供する。【解決手段】電子写真感光体２０７と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段２０８と、帯電した電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成手段２１０と、トナーを含む現像剤により、電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段２１１と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段２１２ａ，２１２ｂと、を備え、電子写真感光体の表面に照射される光により単位面積あたりの感光層内に蓄積する電荷量ΔＱ（μＣ／ｍ２）、帯電手段により電子写真感光体の表面を帯電した後の帯電電位ＶＨ（Ｖ）、及び静電潜像形成手段により電子写真感光体の表面を露光した箇所の露光電位ＶＬ（Ｖ）が、下記式（１）の関係を満たす画像形成装置２００。2017156572.tif 000033【選択図】図１
2017156572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷発生材料、電荷輸送材料及び結着樹脂を含む感光層を有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備え、
前記静電潜像形成手段による露光により前記電子写真感光体の表面の単位面積あたりの前記感光層内に蓄積する電荷量ΔＱ（μＣ／ｍ２）、前記帯電手段により前記電子写真感光体の表面を帯電した後の帯電電位ＶＨ（Ｖ）、及び前記静電潜像形成手段により前記電子写真感光体の表面を露光した箇所の露光電位ＶＬ（Ｖ）が、下記式（１）の関係を満たす画像形成装置。
【数１】
2017156572.tif 000027
【請求項２】
前記感光層が、前記電荷輸送材料として、下記式（ＣＴ１）で表される化合物及び下記式（ＣＴ２）で表される化合物を含む請求項１に記載の画像形成装置。
【化１】
2017156572.tif 000028
（式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）
【化２】
2017156572.tif 000029
（式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【請求項３】
前記感光層が、前記電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記感光層が、前記電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む電荷発生層と、前記電荷輸送材料として、下記式（ＣＴ１）で表される化合物及び下記式（ＣＴ２）で表される化合物を含む電荷輸送層と、を有する請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【化３】
2017156572.tif 000030
（式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）
【化４】
2017156572.tif 000031
（式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【請求項５】
前記感光層が、ヒンダードフェノール系酸化防止剤を含む請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
電荷発生材料、電荷輸送材料及び結着樹脂を含む感光層を有する電子写真感光体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電した前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像工程と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、
を有し、
前記静電潜像形成工程における露光により前記電子写真感光体の表面の単位面積あたりの前記感光層内に蓄積する電荷量ΔＱ（μＣ／ｍ２）、前記帯電工程において前記電子写真感光体の表面を帯電した後の帯電電位ＶＨ（Ｖ）、及び前記静電潜像形成工程において前記電子写真感光体の表面を露光した箇所の露光電位ＶＬ（Ｖ）が、下記式（１）の関係を満たす画像形成方法。
【数２】
2017156572.tif 000032
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置及び画像形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真方式の画像形成装置としては、電子写真感光体（以下、「感光体」という場合がある。）を用いて帯電、静電潜像形成、現像、転写、クリーニング等の工程を順次行う装置が広く知られている。
【０００３】
電子写真方式の画像形成装置は高速でかつ高印字の品質が得られ、複写機、レーザービームプリンター及びＬＥＤビームプリンター等の画像形成装置において利用されている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、下引き層中にルチル型酸化チタンを、感光層中に炭素数１〜１２のアルキルジオールを含有することを特徴とする感光体が開示されている。
特許文献２には、感光層中に特定構造のアミン化合物を含有する感光体が開示されている。
特許文献３には、感光層中にウレア化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶を含有する感光体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２５５５７９号公報
【特許文献２】特開２０１２−０３２７８１号公報
【特許文献３】特開２０１５−０６４５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、静電潜像形成手段による露光により電子写真感光体の表面の単位面積あたりの感光層内に蓄積する電荷量をΔＱ（μＣ／ｍ２）、帯電手段により電子写真感光体の表面を帯電した後の帯電電位をＶＨ（Ｖ）、及び静電潜像形成手段により電子写真感光体の表面を露光した箇所の露光電位をＶＬ（Ｖ）としたときに、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）が、２０（Ｖ・ｍ２／μＣ）未満である場合又は６０（Ｖ・ｍ２／μＣ）を超える場合に比べ、前画像の履歴が残ることで生じる残像現象（以下、「ゴースト」と称する）の発生が抑制される画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、以下の発明が提供される。
請求項１に係る発明は、電荷発生材料、電荷輸送材料及び結着樹脂を含む感光層を有する電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備え、前記静電潜像形成手段による露光により前記電子写真感光体の表面の単位面積あたりの前記感光層内に蓄積する電荷量ΔＱ（μＣ／ｍ２）、前記帯電手段により前記電子写真感光体の表面を帯電した後の帯電電位ＶＨ（Ｖ）、及び前記静電潜像形成手段により前記電子写真感光体の表面を露光した箇所の露光電位ＶＬ（Ｖ）が、下記式（１）の関係を満たす画像形成装置。
【０００８】
【数１】
2017156572.tif 000003
【０００９】
請求項２に係る発明は、前記感光層が、前記電荷輸送材料として、下記式（ＣＴ１）で表される化合物及び下記式（ＣＴ２）で表される化合物を含む請求項１に記載の画像形成装置。
【化１】
2017156572.tif 000004
（式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）
【００１０】
【化２】
2017156572.tif 000005
（式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【００１１】
請求項３に係る発明は、前記感光層が、前記電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
【００１２】
請求項４に係る発明は、前記感光層が、前記電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む電荷発生層と、前記電荷輸送材料として、下記式（ＣＴ１）で表される化合物及び下記式（ＣＴ２）で表される化合物を含む電荷輸送層と、を有する請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【化３】
2017156572.tif 000006
（式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）
【化４】
2017156572.tif 000007
（式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【００１３】
請求項５に係る発明は、前記感光層が、ヒンダードフェノール系酸化防止剤を含む請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【００１４】
請求項６に係る発明は、電荷発生材料、電荷輸送材料及び結着樹脂を含む感光層を有する電子写真感光体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電した前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像工程と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、
を有し、
前記静電潜像形成工程における露光により前記電子写真感光体の表面の単位面積あたりの前記感光層内に蓄積する電荷量ΔＱ（μＣ／ｍ２）、前記帯電工程において前記電子写真感光体の表面を帯電した後の帯電電位ＶＨ（Ｖ）、及び前記静電潜像形成工程において前記電子写真感光体の表面を露光した箇所の露光電位ＶＬ（Ｖ）が、下記式（１）の関係を満たす画像形成方法。
【数２】
2017156572.tif 000008
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に係る発明によれば、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）が、２０（Ｖ・ｍ２／μＣ）未満である場合又は６０（Ｖ・ｍ２／μＣ）を超える場合に比べ、ゴーストの発生が抑制される画像形成装置が提供される。
【００１６】
請求項２に係る発明によれば、前記感光層が、前記電荷輸送材料として、式（４）又は式（５）で表される化合物のみを含む場合に比べ、ゴーストの発生が抑制される画像形成装置が提供される。
【００１７】
請求項３に係る発明によれば、前記感光層が、前記電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニン以外の物質を使用した場合に比べ、ゴーストの発生が抑制される画像形成装置が提供される。
【００１８】
請求項４に係る発明によれば、前記電子写真感光体が、前記電荷輸送材料として、式（４）又は式（５）で表される化合物のみを含む電荷輸送層と、前記電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニン以外の物質のみを含む電荷発生層とを有する場合に比べ、ゴーストの発生が抑制される画像形成装置が提供される。
【００１９】
請求項５に係る発明によれば、前記感光層が、酸化防止剤を含まない場合に比べ、ゴーストの発生が抑制される画像形成装置が提供される。
【００２０】
請求項６に係る発明によれば、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）が、２０（Ｖ・ｍ２／μＣ）未満である場合又は６０（Ｖ・ｍ２／μＣ）を超える場合に比べ、ゴーストの発生が抑制される画像形成方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態における電子写真感光体のＱ−Ｖ特性の概念図である。
【図２】本実施形態に係る画像形成装置の構成の一例を示す概略構成図である。
【図３】本実施形態における電子写真感光体の層構成の一例を示す概略図である。
【図４】本実施形態における電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略図である。
【図５】本実施形態における電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付の図面を参照しながら、本実施形態に係る画像形成装置について説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する場合がある。
【００２３】
［画像形成装置］
本実施形態に係る画像形成装置は、電荷発生材料、電荷輸送材料及び結着樹脂を含む感光層を有する電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備え、前記静電潜像形成手段による露光により前記電子写真感光体の表面の単位面積あたりの前記感光層内に蓄積する電荷量（以下、「光露光による感光層内の蓄積電荷量」と称する場合がある）ΔＱ（μＣ／ｍ２）、前記帯電手段により前記電子写真感光体の表面を帯電した後の帯電電位ＶＨ（Ｖ）、及び前記静電潜像形成手段により前記電子写真感光体の表面を露光した箇所の露光電位ＶＬ（Ｖ）が、下記式（１）の関係を満たす。
【００２４】
【数３】
2017156572.tif 000009
【００２５】
感光体を用いた画像形成装置においては、前サイクルでの画像露光部の次サイクルでの感光体表面電位が低下し、その部分の濃度が濃くなり、次サイクルでの画像に前サイクルの画像が濃く浮き出てしまう、「ポジゴースト」と称する画質欠陥が発生する場合がある。ポジゴーストは、前サイクルでの画像露光により、感光層中に励起された短寿命のトラップサイト（電荷を蓄積させる性質を有する部分）に電荷が蓄積され、次サイクル帯電後に、トラップサイトから蓄積された電荷が感光体表面に移動し、表面電位を低下させることで発生すると考えられる。
【００２６】
また、一方で、感光体上に形成されたトナー像を、被転写媒体に転写する際に、感光体表面電位とは逆極性の電圧が印加され、前サイクル非画像部の転写後の電位が大きく低下し、次サイクルでの帯電工程において、所定の電位にまで帯電することができず、前サイクルでの非画像部の濃度が濃くなり、結果として前サイクルでの画像部が薄く浮き出る、「ネガゴースト」と称する画質欠陥が発生する場合がある。
【００２７】
本発明者らは、光露光による感光層内の蓄積電荷量ΔＱ（μＣ／ｍ２）と、画像形成装置において、帯電装置により感光体表面を帯電した後の帯電電位ＶＨ（Ｖ）、及び露光装置により感光体表面を露光した箇所の露光電位ＶＬ（Ｖ）が、前記式（１）の条件を満たすことで、ゴーストの発生が効果的に抑制されることを見出した。その理由は定かでないが、以下のように推測される。
【００２８】
図１は、電子写真感光体のＱ−Ｖ特性の概念図である。Ｑ−Ｖ特性とは、感光体の単位面積当たりに電荷量Ｑ（μＣ／ｍ２）を与え、感光体表面を表面電位Ｖ（Ｖ）に帯電された場合の、電荷量Ｑと表面電位Ｖの関係を表した特性である。図１において横軸は感光体表面に供給した単位面積当たりの電荷量Ｑ（μＣ／ｍ２）を、縦軸は電荷量Ｑ（μＣ／ｍ２）を供給した場合の感光体の表面電位Ｖ（Ｖ）を表す。
一般的に感光体の帯電現象は、理想的にはコンデンサーと充電現象と同一であるため、本来Ｑ−Ｖ特性は原点０を通る１次の直線関係になる。しかし、実際の感光体では、感光層や下引層中に熱励起自由電荷が存在しているため、感光体表面に電荷を与えても、最初はその電荷を熱励起自由電荷が打消してしまい、図１中に示すＱｌｅａｋ１（μＣ／ｍ２）までは、感光体表面は帯電されない。その後、さらに感光体表面に電荷を与え続けると、熱励起自由電荷が完全に吐き出され、感光体表面は帯電を始める。
【００２９】
本実施形態における式（１）中の光露光による感光層内の蓄積電荷量ΔＱ（μＣ／ｍ２）は、以下のようにして求めることができる。
先ず、感光体を、帯電装置、露光装置、及び除電装置を備えた装置に組み込み、最初に感光体のＱ−Ｖ特性を測定し、初期状態でのＱｌｅａｋ１（μＣ／ｍ２）を求める。その後、感光体の帯電、露光、及び除電の一連の工程を８００サイクル繰り返す。８００サイクル繰返しの条件は以下の通りである。
帯電電位：７００（Ｖ）
露光光量：１０（ｍＪ／ｍ２）
露光波長：７８０（ｎｍ）
除電光光源：ハロゲンランプ（林時計工業社製）
除電光波長：６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下
除電光光量：３０（ｍＪ／ｍ２）
回転速度：６６．７（ｒｐｍ）
一連の工程を８００サイクル繰返した後、感光体を暗所に１５分間放置し、初期状態と同じ条件で再度Ｑ−Ｖ特性を測定し、露光履歴後のＱｌｅａｋ２（μＣ／ｍ２）を求める。得られたＱｌｅａｋ１（μＣ／ｍ２）とＱｌｅａｋ２（μＣ／ｍ２）を用いて、式（２）に従いΔＱ（μＣ／ｍ２）を算出する。
【００３０】
【数４】
2017156572.tif 000010
【００３１】
図１中、実線は初期状態でのＱ−Ｖ特性を、点線は感光体の帯電、露光、除電の一連の工程を８００サイクル繰返した後、暗所に１５分間放置した後のＱ−Ｖ特性を表す。図１中、Ｑｌｅａｋ１（μＣ／ｍ２）は初期状態でのＱ−Ｖ特性の横軸への切片であり、Ｑｌｅａｋ２（μＣ／ｍ２）は８００サイクル後のＱ−Ｖ特性の横軸への切片である。帯電、露光、及び除電の一連の工程を８００サイクル繰り返すことで、感光層中に露光履歴によって短寿命トラップサイトが励起され、トラップサイトに電荷が蓄積することで、Ｑｌｅａｋ１（μＣ／ｍ２）と比較してＱｌｅａｋ２（μＣ／ｍ２）は大きくなる傾向を示す。
【００３２】
ここで、感光体の帯電、露光、及び除電の一連の工程の８００サイクル繰返しは、画像形成装置内での感光体寿命に至るまでの実使用状況を考慮すると、短サイクル数の連続露光による露光履歴であると考えられる。したがって、ΔＱ（μＣ／ｍ２）の電子物性的な解釈は、露光履歴によって励起された短寿命トラップサイトに蓄積された電荷量に等しいと考えられる。
【００３３】
式（１）において［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）は、露光履歴によって励起された短寿命トラップサイトに蓄積された電荷量に対する、画像部と非画像部との静電潜像電位差の割合の範囲を規定している。
【００３４】
［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）が大きい場合は、画像部と非画像部との静電潜像電位差に比較して、露光履歴によって励起された短寿命トラップサイトに蓄積された電荷量が十分に小さいと解釈される。すなわち、画像形成装置内で感光体を使用する際に、前サイクルでの画像露光部の感光層中、光励起短寿命トラップサイトに蓄積される電荷量が十分に少なく、次サイクル帯電後の感光体表面電位の低下が抑制され、ポジゴーストの発生が抑制されると考えられる。ただし、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）が６０（Ｖ・ｍ２／μＣ）より大きい場合は、前サイクルでの非露光部の転写工程による影響が大きくなり、ネガゴーストが発生し易い。
【００３５】
一方、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）が小さい場合は、前サイクルでの画像露光部の次サイクル帯電後の感光体表面電位の低下が大きくなり、ポジゴーストが発生し易い。しかし、画像形成装置内で使用される感光体は、転写工程における表面電位とは逆極性の転写ストレスを受けることで、ネガゴーストが発生するため、適度なポジゴーストを発生させることで、ポジゴーストとネガゴーストを相殺させて、結果としてポジゴースト及びネガゴーストの発生が抑制された出力画像が得られると考えられる。ただし、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）が２０（Ｖ・ｍ２／μＣ）未満の場合は、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）に比してΔＱ（μＣ／ｍ２）が大きく、前サイクル露光部の次サイクル帯電後表面電位の低下が大きくなり、ポジゴーストが発生し易い。
【００３６】
式（１）における［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）を制御するためには、例えば、感光層が電荷発生層と電荷輸送層とからなる機能分離型の感光体の場合、電荷発生層の膜厚を調整することが有効である。露光履歴により励起される短寿命トラップサイトは主に電荷発生層中に生成されるため、電荷発生層の膜厚が厚い場合はトラップサイトに蓄積される電荷量、すなわちΔＱ（μＣ／ｍ２）は大きくなり、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）が一定であれば［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）は小さくなる。一方、電荷発生層の膜厚が薄い場合はΔＱ（μＣ／ｍ２）は小さくなるため、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）が一定であれば［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）は大きくなる。
また、電荷発生層の膜厚が一定の場合は、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）を変化させることで、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）を制御することが可能である。
【００３７】
また、感光層中又は電荷輸送層中にヒンダードフェノール系酸化防止剤を含有させることで、露光履歴により励起される短寿命のトラップサイトとの間に、電荷の授受等の相互作用を生じさせることで、トラップサイトを消滅させる作用があると考えられるため、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の含有量を調整することで、ΔＱ（μＣ／ｍ２）、さらに、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）を制御することが可能である。
また、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）を式（１）を満たす範囲に制御しうるのであれば、上記の方法に限らず、ポジゴースト及びネガゴーストの発生を効果的に抑制することが可能である。
【００３８】
ポジゴースト及びネガゴーストの発生を抑制し、良好な出力画像得御得るためには、［ＶＨ−ＶＬ］（Ｖ）／ΔＱ（μＣ／ｍ２）は、２０（Ｖ・ｍ２／μＣ）以上かつ６０（Ｖ・ｍ２／μＣ）以下であることが好ましく、２５（Ｖ・ｍ２／μＣ）以上かつ５５（Ｖ・ｍ２／μＣ）以下であることがより好ましく、３５（Ｖ・ｍ２／μＣ）以上かつ５０（Ｖ・ｍ２／μＣ）以下であることがさらに好ましい。
【００３９】
図２は、本実施形態に係る画像形成装置の基本構成の一例を概略的に示す断面図である。図２に示す画像形成装置２００は、電子写真感光体２０７と、電子写真感光体２０７を帯電させる接触式帯電装置２０８（帯電手段の一例）と、接触式帯電装置２０８に接続された電源２０９と、接触式帯電装置２０８により帯電される電子写真感光体２０７を露光して静電潜像を形成する露光装置２１０（静電潜像形成手段の一例）と、露光装置２１０により形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置２１１（現像手段の一例）と、現像装置２１１により形成されたトナー像を１次転写する１次転写装置２１２ａ（転写手段の一例）と、１次転写装置２１２ａからトナー像を記録紙５００（記録媒体の一例）へ転写する２次転写装置２１２ｂ（転写手段の一例）と、クリーニング装置２１３（クリーニング手段の一例）と、定着装置２１５（定着手段の一例）とを備える。
【００４０】
−電子写真感光体−
電子写真感光体は、電荷発生材料、電荷輸送材料及び結着樹脂を含む感光層を有する。
図３乃至図５はそれぞれ本実施形態において用いられる電子写真感光体の構成の一例を示す概略図であり、電子写真感光体を導電性基体２及び感光層の積層方向に対して垂直な平面で切断した断面を示している。
図３に示した電子写真感光体１Ａにおいては、導電性基体２上に感光層３が積層されている。図３に示した電子写真感光体１は、感光層３が電荷発生材料と電荷輸送材料とを共に含有する単一の層からなる単層型電子写真感光体である。
一方、図４及び図５に示した電子写真感光体１Ｂ，１Ｃは、機能分離型感光体であり、各感光体１Ｂ，１Ｃが備える感光層３として電荷発生層５と電荷輸送層６が個別に設けられている。より詳しくは、図４に示した電子写真感光体１Ｂにおいては、導電性基体２上に下引層４、電荷発生層５及び電荷輸送層６がこの順で積層されて感光体３が構成されており、図５に示した電子写真感光体１Ｃにおいては、導電性基体２上に下引層４、電荷発生層５、電荷輸送層６及び保護層７がこの順で積層されて感光層３が構成されている。
なお、下引層及び保護層は任意に設けられる層である。また、下引層と感光層との間又は下引層と電荷発生層との間に中間層を設けてもよい。
以下、本実施形態で用いられる電子写真感光体の一例として、機能分離型の感光体について具体的に説明するが、以下の説明においては符号を省略する。
【００４１】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００４２】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００４３】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて支持体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００４４】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【００４５】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００４６】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００４７】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００４８】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００４９】
（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【００５０】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【００５１】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【００５２】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【００５３】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【００５４】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【００５５】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５６】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５７】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【００５８】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【００５９】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【００６０】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【００６１】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【００６２】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【００６３】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【００６４】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【００６５】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【００６６】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【００６７】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【００６８】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【００６９】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【００７０】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００７１】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【００７２】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【００７３】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【００７４】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００７５】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【００７６】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【００７７】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【００７８】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【００７９】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００８０】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【００８１】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００８２】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【００８３】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００８４】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【００８５】
（電荷発生層）
電荷発生層５は、結着樹脂と、電荷発生材料とを含有する。電荷発生材料としては、従来公知の電荷発生材料であれば、いかなるものも使用できる。中でもフタロシアニン顔料が好ましく用いられる。フタロシアニン顔料の中でも、電荷発生効率が高いヒドロキシガリウムフタロシアニンがさらに好ましく用いられる。
【００８６】
またさらに、感光層中に電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを含有する感光体において、ポジゴースト及びネガゴーストの発生がより効果的に防止される。感光層中に電荷発生材料としてヒドロキシガリウムフタロシアニンを含有する感光体において、ポジゴースト及びネガゴーストの発生がより効果的に防止される理由は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの電荷発生効率が高いため、前サイクルでの蓄積電荷量が多くなり、次サイクルでの帯電後に多くの電荷が感光体表面に移動し、表面電位の低下を生じやすいためであり、また、転写工程において感光体表面電位とは逆極性の電圧が印加された際に、逆極性の電荷が感光層中により蓄積しやすく、前サイクル非画像部の表面電位の低下を生じやすいためであると考えられる。
【００８７】
電荷発生材料は、結着樹脂中に分散されて電荷発生層５を構成する。
結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択することができる。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアセタール樹脂及び塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体が好ましく用いられる。これらの結着樹脂は１種を単独あるいは２種以上を混合して用いることができる。
電荷発生材料と結着樹脂との配合比（質量比）は、１０：１から１：１０までの範囲が好ましく、さらには、８：２から３：７までの範囲がより好ましい。
【００８８】
電荷発生層５を形成する際には、結着樹脂を有機溶剤に溶解した溶液に、電荷発生材料を分散させた塗布液が用いられる。
電荷発生層形成用塗布液の有機溶剤としては、結着樹脂を溶解可能なもの、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等の溶剤が使用可能である。より具体的には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等が挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で又は２種以上を混合して用いることができる。
電荷発生材料を結着樹脂液中に分散する方法としては、ボールミル、ロールミル、サンドミル、アトライター、超音波等が挙げられる。
【００８９】
例えば、電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００９０】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上０．２７μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以上０．２５μｍ以下の範囲内に設定される。
【００９１】
（電荷輸送層）
電荷輸送層６は、結着樹脂と、電荷輸送材料とを含有する。電荷輸送材料としては、従来公知の電荷輸送材料であれば、いかなる化合物も使用できる。中でも下記式（ＣＴ１）で表される化合物と下記式（ＣＴ２）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００９２】
【化５】
2017156572.tif 000011
【００９３】
式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。
【００９４】
【化６】
2017156572.tif 000012
【００９５】
式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。
【００９６】
電荷輸送層中に電荷輸送材料として、式（ＣＴ１）で表される化合物と式（ＣＴ２）で表される化合物を含有する感光体において、ポジゴースト及びネガゴーストの発生がより効果的に抑制される。電荷輸送層中に、電荷輸送材料として上記式（ＣＴ１）で表される化合物及び上記式（ＣＴ２）で表される化合物を含有する感光体において、ポジゴースト及びネガゴーストの発生がより効果的に抑制される理由は、式（ＣＴ１）で表される化合物と式（ＣＴ２）で表される化合物は、電荷移動能力が高い（電荷移動度が高い）ため、前サイクルでの蓄積電荷が次サイクルでの帯電後に速やかに感光体表面に移動し、前サイクル画像部の表面電位の低下を生じやすいためであり、また、転写工程において感光体表面電位とは逆極性の電圧が印加された際に、逆極性の電荷が感光層中により蓄積しやすく、前サイクル非画像部の表面電位の低下を生じやすいためであると考えられる。
【００９７】
式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【００９８】
式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【００９９】
式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１００】
式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
【０１０１】
なお、式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１０２】
式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６の隣接する二つの置換基同士（例えばＲＣ１１及びＲＣ１２同士、ＲＣ１３及びＲＣ１４同士、ＲＣ１５及びＲＣ１６同士）が連結した炭化水素環構造における、当該置換基同士を連結する基としては、単結合、２，２’−メチレン基、２，２’−エチレン基、２，２’−ビニレン基などが挙げられ、これらの中でも単結合、２，２’−メチレン基が好ましい。
ここで、炭化水素環構造として具体的には、例えば、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造、シクロアルカンポリエン構造等が挙げられる。
【０１０３】
式（ＣＴ１）において、ｎ及びｍは、１であることが好ましい。
【０１０４】
式（ＣＴ１）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表し、ｍ及びｎが１又は２を表することが好ましく、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子を表し、ｍ及びｎが１を表すことがより好ましい。
つまり、式（ＣＴ１）で表される化合物（ＣＴ１）は、下記構造式（ＣＴ１Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ１−３））であることがより好ましい。
【０１０５】
【化７】
2017156572.tif 000013
【０１０６】
以下に、式（ＣＴ１）で表される化合物の具体例を示すが、これらに限定されるわけではない。
【０１０７】
【化８】
2017156572.tif 000014
【０１０８】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ３：メチル基
・−ＯＣＨ３：メトキシ基
【０１０９】
式（ＣＴ１）で表される化合物（ＣＴ１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１１０】
次に前記式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料について説明する。
【０１１１】
式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１１２】
式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１１３】
式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１１４】
式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。
【０１１５】
なお、式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１１６】
式（ＣＴ２）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表すことが好ましく、ＲＣ２１、及びＲＣ２３が水素原子を表し、ＲＣ２２が炭素数１以上１０以下のアルキル基（特に、メチル基）を表すことがより好ましい。
具体的には、式（ＣＴ２）で表される化合物は、下記構造式（ＣＴ２Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ２−２））であることが特に好ましい。
【０１１７】
【化９】
2017156572.tif 000015
【０１１８】
以下に、式（ＣＴ２）で表される化合物の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０１１９】
【化１０】
2017156572.tif 000016
【０１２０】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ３：メチル基
・−Ｃ２Ｈ５：エチル基
・−ＯＨ３：メトキシ基
・−ＯＣ２Ｈ５：エトキシ基
【０１２１】
式（ＣＴ２）で表される化合物は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１２２】
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【０１２３】
電荷輸送層６には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が好適に含有される。ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、ヒンダードフェノール環を有する化合物である。
電荷輸送層中にヒンダードフェノール系酸化防止剤を含有させることにより、ポジゴースト及びネガゴーストの発生がより効果的に抑制される。電荷輸送層中にヒンダードフェノール系酸化防止剤を含有させることにより、ポジゴースト及びネガゴーストの発生がより効果的に抑制される理由は、前サイクルでの画像露光により感光層中に励起される短寿命のトラップサイトとの間に、電荷の授受等の相互作用を生じさせることで、トラップサイトを消滅させる作用があるためと考えられる。
【０１２４】
なお、ヒンダードフェノールの分子量は３００以上である好ましい。分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤を用いれば、感光層塗工後の乾燥工程において、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が揮発することを抑制し、乾燥後の感光層中に上記機能を発現するに十分な量を残留させることが可能となる。
【０１２５】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤について説明する。
ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、ヒンダードフェノール環を有し、且つ分子量が３００以上の化合物である。
【０１２６】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、ヒンダードフェノール環は、例えば、炭素数４以上８以下のアルキル基（例えば炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基）が少なくとも一つ置換されたフェノール環である。より具体的には、ヒンダードフェノール環は、例えば、フェノール性水酸基に対してオルトの位置が三級アルキル基（例えばｔｅｒｔ−ブチル基）で置換されたフェノール環である。
【０１２７】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、
１）ヒンダードフェノール環を１つ有する酸化防止剤、
２）ヒンダードフェノール環を２つ以上４つ以下有し、且つ直鎖又は分岐状の２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基からなる連結基、又は２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基の炭素−炭素の結合間に、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−）及びエーテル結合（−Ｏ−）の少なくとも一方が介在した連結基で、２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環が連結された酸化防止剤
３）２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環と、一つのベンゼン環（未置換、又はアルキル基等で置換された置換ベンゼン環）又はイソシアヌレート環とを有し、２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環が、各々、ベンゼン環又はイソシアヌレート環とアルキレン基を介して連結された酸化防止剤
等が挙げられる。
【０１２８】
具体的には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、下記式（ＨＰ）で示される酸化防止剤が好ましい。
【０１２９】
【化１１】
2017156572.tif 000017
【０１３０】
式（ＨＰ）中、ＲＨ１、及びＲＨ２は、各々独立に、炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基を表す。
ＲＨ３、及びＲＨ４は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。
ＲＨ５は、炭素数１以上１０以下のアルキレン基を表す。
【０１３１】
式（ＨＰ）中、ＲＨ１、及びＲＨ２が表すアルキル基としては、炭素数４以上８以下（好ましくは炭素数４以上６以下）の分岐状のアルキル基が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基が好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましい。
【０１３２】
式（ＨＰ）中、ＲＨ３、及びＲＨ４としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは炭素数１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１３３】
式（ＨＰ）中、ＲＨ５は、炭素数１以上１０以下（好ましくは炭素数１以上４以下）の直鎖状又は分岐状アルキレン基を表す。
直鎖状のアルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ノニレン基、ｎ−デシレン基等が挙げられる。
分岐状のアルキレン基として具体的には、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ−ヘキシレン基、ｔｅｒｔ−ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ−ヘプチレン基、ｔｅｒｔ−ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ−オクチレン基、ｔｅｒｔ−オクチレン基、イソノニレン基、ｓｅｃ−ノニレン基、ｔｅｒｔ−ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ−デシレン基、ｔｅｒｔ−デシレン基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ブチレン基等の低級アルキレン基が好ましい。
【０１３４】
なお、式（ＨＰ）中、ＲＨ１、ＲＨ２、ＲＨ３、ＲＨ４、及びＲＨ５が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子）、アルコキシ基（例えば炭素数１以上４以下のアルコキシ基）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基等）等が挙げられる。
【０１３５】
式（ＨＰ）において、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、ＲＨ１、及びＲＨ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表すことが好ましく、ＲＨ１、及びＲＨ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表し、ＲＨ３、及びＲＨ４が炭素数１以上３以下のアルキル基（特にメチル基）を示し、ＲＨ５が炭素数１以上４以下のアルキレン基（特にメチレン基）を表すことがより好ましい。
具体的には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、例示化合物（ＨＰ−３）で示されるヒンダードフェノール系酸化防止剤が特に好ましい。
【０１３６】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤の分子量は、ゴースト及び光疲労の抑制の点から、３００以上１０００以下が好ましく、３００以上９００以下がより好ましく、３００以上８００以下が更に好ましい。
【０１３７】
以下に、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０１３８】
【化１２】
2017156572.tif 000018
【０１３９】
【化１３】
2017156572.tif 000019
【０１４０】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１４１】
電荷輸送層６は、上記材料を含む電荷輸送層形成用塗布液を、電荷発生層５上に塗布し、乾燥させることにより形成される。
塗布液に用いる溶剤としては、本実施形態における電子写真感光体特性が得られるものであれば、公知の有機溶剤より任意に選択できるが、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等が好適に使用される。また、これらは１種を単独で又は２種以上を混合して用いることができる。
【０１４２】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
電荷輸送層６の厚みは、好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜４５μｍである。
【０１４３】
また、塗膜の平滑性向上のためのレベリング剤としてシリコーンオイルを微量添加することもできる。
【０１４４】
（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
【０１４５】
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
【０１４６】
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲＱ１３−Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。
【０１４７】
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、スチリル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
【０１４８】
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
【０１４９】
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
【０１５０】
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１５１】
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
【０１５２】
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
【０１５３】
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１５４】
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１５５】
（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【０１５６】
−帯電装置−
帯電装置２０８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【０１５７】
−露光装置−
露光装置２１０としては、例えば、電子写真感光体２０７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０１５８】
−現像装置−
現像装置２１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置２１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体２０７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【０１５９】
現像装置２１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【０１６０】
−クリーニング装置−
クリーニング装置２１３は、クリーニングブレードを備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【０１６１】
−転写装置−
転写装置２１２ｂとしては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０１６２】
−中間転写体−
中間転写体２１２ａとしては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【０１６３】
［画像形成方法］
本実施形態に係る画像形成方法は、電荷発生材料、電荷輸送材料及び結着樹脂を含む感光層を有する電子写真感光体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電した前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像工程と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、
を有し、
前記静電潜像形成工程における露光により前記電子写真感光体の表面の単位面積あたりの前記感光層内に蓄積する電荷量ΔＱ（μＣ／ｍ２）、前記帯電工程において前記電子写真感光体の表面を帯電した後の帯電電位ＶＨ（Ｖ）、及び前記静電潜像形成工程において前記電子写真感光体の表面を露光した箇所の露光電位ＶＬ（Ｖ）が、前記式（１）の関係を満たす画像形成方法である。
【０１６４】
本実施形態に係る画像形成方法の具体例として、図２に示す本実施形態に係る画像形成装置２００による画像形成方法について説明する。
まず、電子写真感光体２０７が回転すると同時に、電子写真感光体２０７の表面が帯電装置２０８により例えば負に帯電する。帯電装置２０８は、画像形成装置２００に設けられた制御装置（不図示）に電気的に接続されており、電源２０９から帯電電圧を印加された帯電装置２０８は、印加された帯電電圧に応じた帯電電位に、感光体２０７の表面を帯電させる。このため、電源２０９から印加される帯電電圧が調整されることで、感光体２０７は、目標とする帯電電位（ＶＨ）に帯電される。
【０１６５】
帯電装置２０８によって表面が負に帯電した電子写真感光体２０７は、露光装置２１０により露光され、表面に静電潜像が形成される。露光装置２１０は、画像形成装置２００に設けられた制御装置に電気的に接続されており、帯電された感光体２０７の表面に、形成する対象となる画像の画像情報に基づいて変調された光Ｌを照射（露光）する。露光により、感光体２０７の表面に画像情報の画像に応じた静電潜像が形成され、露光された感光体の表面は、露光光量に応じた露光電位（ＶＬ）となる。
【０１６６】
電子写真感光体２０７における静電潜像の形成された部分が現像装置２１１に近づくと、現像装置２１１により、静電潜像にトナーが付着し、トナー像が形成される。
【０１６７】
トナー像が形成された電子写真感光体２０７がさらに回転して、トナー像は１次転写装置２１２ａに１次転写され、さらに２次転写装置２１２ｂにより記録紙５００に２次転写される。これにより、記録紙５００にトナー像が形成される。
１次転写後、電子写真感光体２０７に残留するトナーはクリーニング装置２１３によって除去される。
【０１６８】
トナー像が形成された記録紙５００は、定着装置２１５によりトナー像が定着される。定着装置２１５は特に限定されず、例えば、熱ローラ定着器、オーブン定着器等が挙げられる。図１では、加熱ロールと、加熱ロールと対向するように配置された加圧ロールとを備えた熱ローラ定着器を例示している。
【０１６９】
また、本実施形態に係る画像形成装置は、除電手段を備えてもよい。除電手段は、例えば、クリーニング装置２１３より感光体２０７の回転方向下流側に設けられ、トナー画像が転写された後の感光体２０７の表面を露光して除電する。具体的には、除電手段は、例えば、感光体２０７の全表面（画像形成領域の全面）を露光して除電する。
【０１７０】
除電手段としては、例えば、白色光を照射するタングステンランプ、赤色光を照射する発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源を有する装置が挙げられる。
【０１７１】
また、図２に示す画像形成装置２００は、感光体２０７の表面に形成されたトナー像が１次転写及び２次転写を経て記録紙５００に転写される構成であるが、本実施形態に係る画像形成装置は、感光体２０７の表面に形成されたトナー像が記録紙５００に直接転写される構成でもよい。
【実施例】
【０１７２】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。
【０１７３】
（実施例１）
＜感光体の作製＞
［感光体１］
酸化亜鉛（商品名：ＭＺ  ３００、テイカ株式会社製）１００質量部、シランカップリング剤としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランの１０質量％のトルエン溶液を１０質量部、及びトルエン２００質量部を混合して攪拌を行い、２時間還流を行った。その後１０ｍｍＨｇにてトルエンを減圧留去し、１３５℃で２時間焼き付け表面処理を行った。
表面処理した酸化亜鉛：３３質量部、ブロック化イソシアネート（商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）：６質量部、下記式（３）で表される化合物：１質量部、メチルエチルケトン：２５質量部を３０分間混合し、その後ブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）：５質量部、シリコーンボール（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）：３質量部、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２９ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）：０．０１質量部を添加し、サンドミルにて３時間の分散を行い、分散液（下引層形成用塗布液）を得た。
式（３）
【０１７４】
【化１４】
2017156572.tif 000020
【０１７５】
さらに、この塗布液を浸漬塗布法にて直径３０ｍｍ、長さ３６５ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１８０℃、３０分の乾燥硬化を行い、厚さ２５μｍの下引層を得た。
【０１７６】
次に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料、結着樹脂としての塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）、及びｎ−酢酸ブチルからなる混合物を、容量１００ｍＬガラス瓶中に１．０ｍｍφガラスビーズを充填率５０％とともに入れてペイントシェーカーを用いて２．５時間分散処理し、電荷発生層形成用塗布液を得た。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂との混合物に対して、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の含有率を５５．０体積％とし、分散液の固形分は６．０質量％とした。含有率は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の比重を１．６０６ｇ／ｃｍ３、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂の比重を１．３５ｇ／ｃｍ３として計算した。
得られた塗布液を、上記の下引層上に浸漬塗布し、１５０℃で５分間乾燥して、膜厚０．１４μｍの電荷発生層を形成した。
【０１７７】
さらに、下記式（ＣＴ１Ａ）で表される化合物１２質量部と、下記式（ＣＴ２Ａ）で表される化合物２８質量部と、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（分子量４万）６０質量部とを、テトラヒドロフラン３４０質量部を加えて溶解した塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、１５０℃、４０分の乾燥を行うことにより膜厚４０μｍの電荷輸送層を形成し、下引層、電荷発生層、及び電荷輸送層が順次積層された感光体を得た。なお、各層の膜厚は、渦電流式膜厚測定装置（フィッシャー・インストルメンツ社製）を用いて測定した。
【０１７８】
【化１５】
2017156572.tif 000021
【０１７９】
【化１６】
2017156572.tif 000022
【０１８０】
得られた感光体の初期のＱ−Ｖ特性を測定し、初期状態でのＱｌｅａｋ１（μＣ／ｍ２）を求めた。
その後、感光体を、帯電装置、露光装置、及び除電装置を備えた装置に組み込み、帯電、露光、及び除電の一連の工程を８００サイクル繰り返した後、感光体を暗所に１５分間放置し、再度Ｑ−Ｖ特性を測定し、露光履歴後のＱｌｅａｋ２（μＣ／ｍ２）を求めた。８００サイクル繰返しの条件は以下の通りである。
帯電電位：７００（Ｖ）
露光光量：１０（ｍＪ／ｍ２）
露光波長：７８０（ｎｍ）
除電光光源：ハロゲンランプ（林時計工業社製）
除電光波長：６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下
除電光光量：３０（ｍＪ／ｍ２）
回転速度：６６．７（ｒｐｍ）
【０１８１】
得られたＱｌｅａｋ１（μＣ／ｍ２）とＱｌｅａｋ２（μＣ／ｍ２）を用いて、前述の式（２）に従いΔＱ（μＣ／ｍ２）を算出した。結果を表１に示す。
【０１８２】
なお、Ｑ−Ｖ特性の測定、帯電電位ＶＨ（Ｖ）、及び露光電位ＶＬ（Ｖ）に関し、感光体の表面電位の測定には、表面電位計（トレック社製、Ｍｏｄｅｌ３３４）を使用し、下記のように測定した。
帯電装置、帯電電位ＶＨ（Ｖ）、露光電位ＶＬ（Ｖ）およびＱ−Ｖ測定時の使用する表面電位計の測定位置は、それぞれ帯電装置を０（ｍｓ）位置として、以下のように配置される。
帯電装置：０（ｍｓ）
帯電電位ＶＨ測定用表面電位計（Ｐ１）設置位置：１１０（ｍｓ）
露光電位ＶＬ測定用表面電位計（Ｐ２）設置位置：２４７（ｍｓ）
除電光照射位置：６３５（ｍｓ）
除電後電位測定用電位計（Ｐ４）設置位置： ７７２（ｍｓ）
【０１８３】
帯電電位ＶＨ（Ｖ）は上記Ｐ１にて測定した電位を用いる。
露光後電位ＶＬ（Ｖ）は上記Ｐ２にて測定した電位を用いる。
Ｑ−Ｖ特性測定時の表面電位は上記Ｐ２で測定した電位から、上記Ｐ４で測定した電位を減じた電位を用いる。
Ｑ−Ｖ特性測定時のＱ（μＣ／ｍ２）は、帯電時に感光体アース側から流入した電流量から、感光体単位面積（１ｍ２）当たりに流入した電荷量を計算して求めた。感光体単位面積当たりの流入電荷量は、帯電装置の帯電幅（ｍ）と感光体１周分の長さ（ｍ）を乗じて帯電面積（ｍ２）を算出し、流入電荷量（μＣ）を帯電面積で割ることによって求める。
【０１８４】
次に、得られた感光体を、電子写真式画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅＩＶ５５４０）を基に、任意に帯電電位ＶＨ（Ｖ）及び露光電位ＶＬ（Ｖ）を調整できるように改造した画像形成装置に搭載し、Ａ３サイズの用紙に画像出力した。
出力画像パターンは、Ａ３サイズ先頭の感光体１サイクル目に該当する領域（先頭から９４．２ｍｍ）を、全面白色画像の中央部に１ｃｍ四方の正方形の黒ベタ（濃度１００％）画像、感光体２サイクル目に相当する領域（先頭から９４．２〜１８８．４ｍｍ）を全面ハーフトーン画像（２０％濃度：黒色）とし、ハーフトーン画像中に現れた、１サイクル目の正方形画像のゴーストを評価した。帯電電位ＶＨは７００（Ｖ）、露光電位ＶＬは２５０（Ｖ）とし、目視による官能評価（グレード判定）を実施した。なお、作製した感光体は、負帯電型の感光体であるため、実際の電位は負の極性となる（ＶＨ＝−７００（Ｖ）、ＶＬ＝−２５０（Ｖ）である。）。
グレード判定は−５．０〜５．０まで０．５Ｇ刻みで行い、Ｇの数字が小さい方が評価結果が良好であることを示す。また、Ｇの数値が負の場合はネガゴーストを、正の場合はポジゴーストを示す。ゴーストグレードの許容範囲は、−３．０〜３．０である。
なお、画像出力は２０℃、４０％ＲＨの環境下で実施した。結果を表１に示す。
【０１８５】
（実施例２乃至実施例１６）
実施例１において、電子写真感光体の電荷発生層の膜厚、帯電電位ＶＨ及び露光電位ＶＬを、それぞれ表１に示す値とした以外は、実施例１と同様に感光体を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
【０１８６】
（実施例１７）
実施例１において、電荷輸送層形成用塗布液に、式（ＨＰ−３）で表されるヒンダードフェノール系酸化防止剤を３質量部添加したこと以外は、実施例１と同様に感光体を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
【０１８７】
（ＨＰ−３）
【化１７】
2017156572.tif 000023
【０１８８】
（実施例１８及び実施例１９）
実施例１７において、電荷輸送層形成用塗布液における式（ＨＰ−３）で表されるヒンダードフェノール系酸化防止剤の添加量を、表１に示す値としたこと以外は、実施例１７と同様に感光体を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
【０１８９】
（実施例２０）
実施例１において、電荷輸送層形成用塗布液の組成を、下記式（４）で表される化合物４０質量部、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（分子量４万）６０質量部、及びテトラヒドロフラン３４０質量部としたこと以外は、実施例１と同様に感光体を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
【０１９０】
式（４）
【化１８】
2017156572.tif 000024
【０１９１】
（実施例２１）
実施例１において、電荷輸送層形成用塗布液の組成を、下記式（５）で表される化合物４０質量部、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（分子量４万）６０質量部、及びテトラヒドロフラン３４０質量部としたこと以外は、実施例１と同様に感光体を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
【０１９２】
式（５）
【化１９】
2017156572.tif 000025
【０１９３】
（実施例２２及び実施例２３）
実施例１において、電子写真感光体の電荷発生層の膜厚、および式（ＨＰ−３）で表されるヒンダードフェノール系酸化防止剤添加量を、それぞれ表１に示す値とした以外は、実施例１と同様に感光体を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
【０１９４】
（比較例１乃至比較例５）
実施例１において、電荷発生層の膜厚、帯電電位ＶＨ及び露光電位ＶＬを、それぞれ表１に示す値とした以外は、実施例１と同様に感光体を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
【０１９５】
【表１】
2017156572.tif 000026
【符号の説明】
【０１９６】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ  電子写真感光体、２  導電性基体、３  感光層、４  下引層、５  電荷発生層、６  電荷輸送層、７  保護層、２００  画像形成装置、２０７  電子写真感光体、２０８  帯電装置、２０９  電源、２１０  露光装置、２１１  現像装置、２１２  転写装置、２１３  クリーニング装置、２１５  定着装置、５００  記録媒体。
【図１】
2017156572.tif 000034
【図２】
2017156572.tif 000035
【図３】
2017156572.tif 000036
【図４】
2017156572.tif 000037
【図５】
2017156572.tif 000038