(57)【要約】【課題】  医薬、農薬、液晶材料等の化成品の製造中間体及び原体として有用な化合物の製造方法を提供する。【解決手段】  一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表されるホウ素化合物を一般式（３）で表されるニッケル触媒を用いてカップリング反応させる、一般式（４）で表される化合物の製造方法として、一般式（１）中のＲ１が表す基と異なる基が付加した一般式（３）で表されるニッケル触媒を用いる。これにより、副生成物の生成を抑えられ、高価なホウ素化合物を無駄に消費することなく、一般式（４）で表される化合物を効率的に得ることができる。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2017122072.tif 000030
（式中、Ｒ１は置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル基、又はアルキル基中の１個又は２個以上の水素原子がフッ素原子により置換されたアルキル基を表し、Ｒ１がアルケニル基又はアルキル基を表す場合、該アルケニル基又はアルキル基は直鎖状、分枝状もしくは環状構造を表し、また、該アルケニル基又はアルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−により置換されてもよく、
Ｘ１は脱離基を表す。）
で表される化合物と一般式（２）
【化２】
2017122072.tif 000031
（式中、Ｒ２は置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル基、又はアルキル基中の１個又は２個以上の水素原子がフッ素原子により置換されたアルキル基を表し、Ｒ２がアルケニル基又はアルキル基を表す場合、該アルケニル基又はアルキル基は直鎖状、分枝状もしくは環状構造を表し、また、該アルケニル基又はアルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−により置換されてもよく、
Ｘ２１及びＸ２２はそれぞれ独立して水酸基又はアルコキシ基を表し、該アルコキシ基は直鎖状、分枝状を表し、Ｘ２１及びＸ２２は互いに結合して環構造を形成していてもよい。）
で表されるホウ素化合物を一般式（３）
【化３】
2017122072.tif 000032
（式中、Ｘ３は脱離基を表し、Ｙ１は配位子を表し、ｎ３は０〜３の整数を表し、Ｒ１は一般式（１）中のＲ１が表す基と同じ基を表す。）
で表されるニッケル触媒を用いてカップリング反応させる、一般式（４）
【化４】
2017122072.tif 000033
（Ｒ１は一般式（１）中のＲ１が表す基と同じ基を表し、Ｒ２は一般式（２）中のＲ２が表す基と同じ基を表す。）
で表される化合物の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の一般式（１）で表される有機化合物とニッケルハロゲン化物を配位子と金属還元剤の存在下で反応させて、請求項１に記載の一般式（３）で表されるニッケル触媒を発生させる請求項１に記載の一般式（４）で表される化合物の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の一般式（１）で示される化合物、ニッケルハロゲン化物、配位子及び金属還元剤を用いて請求項１に記載の一般式（３）で示されるニッケル触媒を発生させた後、該混合液に請求項１に記載の一般式（２）で表されるホウ素化合物を加える請求項１に記載の一般式（４）で表される化合物の製造方法。
【請求項４】
一般式（１）が一般式（１−ａ）
【化５】
2017122072.tif 000034
（式中、Ｒ１ａは水素原子、フッ素原子、シアノ基又は炭素原子数１から１２のアルキル基を表すが、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−により置換されても良く、また、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、
Ａ１ａ１は１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基（１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基はそれぞれ独立してフッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよく、また、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）を表し、
Ａ１ａ２は
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基（これらの基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置換されてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（これらの基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してフッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよく、
Ｚ１ａは単結合又は炭素原子数１〜１０のアルキレン基を表し、該アルキレン基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよく、
ｍ１ａは０，１，２又は３を表すが、ｍ１ａが２又は３を表しＡ１ａ２及び／又はＺ１ａが複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
Ｘ１は一般式（１）中のＸ１と同じ意味を表す。）
である請求項１〜３のいずれか一項に記載の一般式（４）で表される化合物の製造方法。
【請求項５】
一般式（２）が一般式（２−ａ）
【化６】
2017122072.tif 000035
（式中、Ｒ２ａは水素原子、フッ素原子、シアノ基又は炭素原子数１から１２のアルキル基を表すが、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−により置換されても良く、また、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、
Ａ２ａ１は１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基（１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基はそれぞれ独立してフッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよく、また、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）を表し、
Ａ２ａ２は
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基（これらの基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置換されてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（これらの基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してフッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよく、
Ｚ２ａは単結合又は炭素原子数１〜１０のアルキレン基を表し、該アルキレン基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよく、
ｍ２ａは０，１，２又は３を表すが、ｍ２ａが２又は３を表しＡ２ａ２及び／又はＺ２ａが複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
Ｘ２１及びＸ２２は一般式（２）中のＸ２１及びＸ２２と同じ意味を表す。）
である請求項１〜４のいずれか一項に記載の一般式（４）で表される化合物の製造方法。
【請求項６】
一般式（１）中のＸ１がハロゲン原子、スルホナト基、又は−ＯＣＯ−ＲＸ１（Ｒｘ１はアルキル基を表す。）である請求項１〜５のいずれか一項に記載の一般式（４）で表される化合物の製造方法。
【請求項７】
一般式（３）中のＹ１がリン系配位子又は含窒素配位子である請求項１〜６のいずれか一項に記載の一般式（４）で表される化合物の製造方法。
【請求項８】
金属還元剤として銅、亜鉛、マグネシウム、マンガンから選ばれる少なくとも一種を用いる請求項１〜７のいずれか一項に記載の一般式（４）で表される化合物の製造方法。
【請求項９】
塩基、配位子及び式（３）で表されるニッケル触媒の存在下でカップリング反応させる請求項１〜８のいずれか一項に記載の一般式（４）で表される化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は医薬、農薬、液晶材料等の化成品の製造中間体及び原体として有用な化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
医薬、農薬、液晶材料等の分野において有用な化合物であるビフェニル誘導体を製造する方法としてカップリング反応が広く用いられており、そのほとんどのカップリング反応において、パラジウム触媒が使用されている。しかし、パラジウム触媒は高価であるため、原料費が高くつくのが現状である。そこで、より安価なニッケル触媒を使用したカップリング反応の開発が求められている。
【０００３】
ニッケル触媒を使用したカップリング反応として、アリールハライドとホウ素化合物を、ニッケル触媒を用いて縮合させる方法が挙げられる。非特許文献１には、以下のようなニッケル‐ナフチル錯体を用いた反応が開示されている。
【０００４】
【化１】
2017122072.tif 000002
【０００５】
しかしながら、この手法では、ニッケルに付加しているナフタレン由来の副生成物が必ず生成してしまい、高価なホウ素化合物を無駄に消費してしまうとともに、該副生成物を除去する必要がある。従って、安価なニッケル触媒を使用して目的化合物を無駄なく効率的に得るための新しいカップリング反応の開発が求められている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Chen Chen and Lean-Ming Yang, Tetrahedron Letters, 48 (2007) 2427-2430
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、ニッケル触媒を用いるカップリング反応において、基質を無駄に消費することなく、目的化合物を効率的に得られる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者らは、上記課題を解決するために使用するニッケル触媒について検討した結果、反応基質が付加したニッケル触媒を用いることで、ニッケル触媒由来の副生成物の生成が抑えられることを見出し、本願発明の完成に至った。
【０００９】
すなわち、本発明は一般式（１）
【００１０】
【化２】
2017122072.tif 000003
【００１１】
（式中、Ｒ１は置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル基、又はアルキル基中の１個又は２個以上の水素原子がフッ素原子により置換されたアルキル基を表し、Ｒ１がアルケニル基又はアルキル基を表す場合、該アルケニル基又はアルキル基は直鎖状、分枝状もしくは環状構造を表し、また、該アルケニル基又はアルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−により置換されてもよく、
Ｘ１は脱離基を表す。）
で表される化合物と一般式（２）
【００１２】
【化３】
2017122072.tif 000004
【００１３】
（式中、Ｒ２は置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル基、又はアルキル基中の１個又は２個以上の水素原子がフッ素原子により置換されたアルキル基を表し、Ｒ２がアルケニル基又はアルキル基を表す場合、該アルケニル基又はアルキル基は直鎖状、分枝状もしくは環状構造を表し、また、該アルケニル基又はアルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−により置換されてもよく、
Ｘ２１及びＸ２２はそれぞれ独立して水酸基又はアルコキシ基を表し、該アルコキシ基は直鎖状、分枝状を表し、Ｘ２１及びＸ２２は互いに結合して環構造を形成していてもよい。）
で表されるホウ素化合物を一般式（３）
【００１４】
【化４】
2017122072.tif 000005
【００１５】
（式中、Ｘ３は脱離基を表し、Ｙ１は配位子を表し、ｎ３は０〜３の整数を表し、Ｒ１は一般式（１）中のＲ１と同じ意味を表し、且つ、Ｒ１は一般式（１）中のＲ１が表す基と同じ基を表す。）
で示されるニッケル触媒を用いてカップリング反応させる、一般式（４）
【００１６】
【化５】
2017122072.tif 000006
【００１７】
（Ｒ１は一般式（１）中のＲ１と同じ意味を表し、Ｒ２は一般式（２）中のＲ２と同じ意味を表し、且つ、Ｒ１及びＲ２は一般式（１）中のＲ１及び一般式（２）中のＲ２が表す基とそれぞれ同じ基を表す。）
で表される化合物の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本願発明の製造方法により、ニッケル触媒を用いるカップリング反応において、副生成物の生成が抑えられ、基質として用いるホウ素化合物を無駄に消費することなく、目的化合物を効率的に得ることができる。高価なホウ素化合物の消費を抑えられるため、生産コストを低下させることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本願発明は、一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物を基質として用いて一般式（４）で表される化合物を得る際、一般式（３）で表される特定のニッケル触媒を用いてカップリング反応を行う製造方法である。
【００２０】
一般式（１）で表される化合物において、式中のＸ１はハロゲン原子、スルホネート基、又は−ＯＣＯ−ＲＸ１（Ｒｘ１はアルキル基を表す。）であることが好ましい。Ｘ１が−ＯＣＯ−ＲＸ１を表す場合、Ｒｘ１の炭素原子数は１〜８が好ましく、１〜５が好ましい。また、アルキル基は直鎖状であっても分枝状であってもよい。Ｘ１は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基であることがより好ましく、塩素原子、臭素原子がより好ましく、塩素原子であることがより好ましい。
【００２１】
一般式（１）においてＲ１は置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル基又はアルキル基中の１個又は２個以上の水素原子がフッ素原子により置換されたアルキル基を表す。
【００２２】
アリール基としては、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフチル基であることが好ましい。ヘテロアリール基としては、フェニレン基中又はナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられた基であることが好ましく、以下の基であることが好ましい。
【００２３】
【化６】
2017122072.tif 000007
【００２４】
（各基中の黒点は一般式（１）中のＸ１を表す。）
置換もしくは無置換のアルケニル基としては、以下の基であることが好ましい。
【００２５】
【化７】
2017122072.tif 000008
【００２６】
（基中の黒点は一般式（１）中のＸ１を表し、Ｒ１１は水素原子、アルキル基を表し、該アルキル基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｃ＝Ｃ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置換されてもよい。）
アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子がフッ素原子により置換されたアルキル基の炭素原子数は１〜３０が好ましく、１〜２０が好ましく、１〜１０が好ましく、該アルキル基は直鎖状であっても分枝状であっても環状構造であってもよい。
【００２７】
一般式（１）で表される化合物は、以下の一般式（１−ａ）で表される化合物であることが好ましい。
【００２８】
【化８】
2017122072.tif 000009
【００２９】
（式中、Ｒ１ａは水素原子、フッ素原子、シアノ基又は炭素原子数１から１２のアルキル基を表すが、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−により置換されても良く、また、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、
Ａ１ａ１は１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基（１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基はそれぞれ独立してフッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよく、また、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）を表し、
Ａ１ａ２は
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基（これらの基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置換されてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（これらの基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してフッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよく、
Ｚ１ａは単結合又は炭素原子数１〜１０のアルキレン基を表し、該アルキレン基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよく、
ｍ１ａは０，１，２又は３を表すが、ｍ１ａが２又は３を表しＡ１ａ２及び／又はＺ１ａが複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
Ｘ１は一般式（１）中のＸ１と同じ意味を表す。）
一般式（１−ａ）中のＲ１ａは粘度を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、アルケニルオキシ基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、アルコキシ基、又は炭素原子数２〜５のアルケニル基、アルケニルオキシ基であることが特に好ましい。また、直鎖状であっても分枝状であってもよい。
【００３０】
Ａ１ａ１は置換又は無置換の１，４−フェニレン基であることが好ましく、１，４−フェニレン基中の水素原子がフッ素原子で置換されたフェニレン基又は無置換の１，４−フェニレン基であることが好ましく、無置換の１，４−フェニレン基であることがより好ましい。
【００３１】
Ａ１ａ２は液晶組成物の粘度を低下させるためにはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、無置換のナフタレン−２，６−ジイル基又は無置換の１，４−フェニレン基であることが好ましく、他の液晶成分との混和性を高くする為には、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は無置換の１，４−フェニレン基である事が好ましい。
【００３２】
一般式（１）で表される化合物を用いて、一般式（４）で表される化合物として液晶化合物を製造することができる。液晶化合物として、誘電率異方性（Δε）が正の一般式（４）で表される液晶化合物を製造する場合、Ａ１ａ２は、Δεを大きくするためには
【００３３】
【化９】
2017122072.tif 000010
【００３４】
が好ましく、
【００３５】
【化１０】
2017122072.tif 000011
【００３６】
が更に好ましい。
【００３７】
一般式（１）で表される化合物を用いてΔεが負の一般式（４）で表される化合物を製造する場合、Ａ１ａ２は下記の構造が好ましい。
【００３８】
【化１１】
2017122072.tif 000012
【００３９】
Ｚ１ａは粘度の低下及び他の液晶成分との混和性を高くするためには−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合であることが好ましく、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−又は単結合であることが更に好ましく、単結合である事が特に好ましく、大きなΔεを示す為には単結合又は−ＣＦ２Ｏ−である事が好ましい。Ｙ１と直接結合するＺ１及びＺ２は、炭素原子数１〜１０の直鎖状のアルキレン基又は単結合を表すことが好ましく、炭素原子数１〜４の直鎖状のアルキレン基又は単結合を表すことが好ましい。
【００４０】
ｍ１ａは０、１又は２を表すことが好ましい。
【００４１】
一般式（１−ａ）で表される化合物は、以下の一般式が好ましい。
【００４２】
【化１２】
2017122072.tif 000013
【００４３】
（式中、Ｒ１ａ１、Ｒ１ａ２、Ｒ１ａ３、Ｒ１ａ４及びＲ１ａ５はそれぞれ独立してフッ素原子、シアノ基又は炭素原子数１から８のアルキル基を表し、当該アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は各々独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられてもよく、Ｚ１ａ１、Ｚ１ａ２及びＺ１ａ３はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ１は一般式（１）中のＸ１と同じ意味を表し、式中の１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基はそれぞれ独立してフッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよい。）
一般式（２）で表される化合物において、Ｘ２１及びＸ２２はそれぞれ独立して水酸基又はアルコキシ基を表す。アルコキシ基は、炭素原子数１〜２０であることが好ましく、炭素原子数１〜１０であることが好ましく、１〜５であることが好ましく、直鎖状であっても分枝状であってもよく、また、Ｘ２１及びＸ２２が互いに結合して環を形成していてもよい。より具体的には、以下の一般式（Ｂ−１）又は（Ｂ−２）で表す置換基を表すことが好ましい。
【００４４】
【化１３】
2017122072.tif 000014
【００４５】
（式中、ＲＢ１及びＲＢ２はそれぞれ独立して水素原子、又は直鎖状であっても又は分岐状であってもよい炭素原子数１から５のアルキル基を表し、
Ｅは基中に存在する一つ以上の水素原子が各々独立してメチル基に置換されていても良い−（ＣＨ２）ｐ−を表し、ｐは２、３又は４を表す。）
Ｒ２は上述した一般式（１）中のＲ１と同様の基を表すことが好ましい。
【００４６】
具体的には、一般式（２）で表される化合物は、以下の一般式（２−ａ）で表される化合物であることが好ましい。
【００４７】
【化１４】
2017122072.tif 000015
【００４８】
（式中、Ｒ２ａは水素原子、フッ素原子、シアノ基又は炭素原子数１から１２のアルキル基を表すが、アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−により置換されても良く、また、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、
Ａ２ａ１は１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基（１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基はそれぞれ独立してフッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよく、また、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）を表し、
Ａ２ａ２は
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基（これらの基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置換されてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（これらの基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してフッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよく、
Ｚ２ａは単結合又は炭素原子数１〜１０のアルキレン基を表し、該アルキレン基中に存在する１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよく、
ｍ２ａは０，１，２又は３を表すが、ｍ２ａが２又は３を表しＡ２ａ２及び／又はＺ２ａが複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよく、
Ｘ２１及びＸ２２は一般式（２）中のＸ２１及びＸ２２と同じ意味を表す。）
一般式（２−ａ）中のＲ２ａは粘度を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、アルケニルオキシ基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、アルコキシ基、又は炭素原子数２〜５のアルケニル基、アルケニルオキシ基であることが特に好ましい。また、直鎖状であっても分枝状であってもよい。
【００４９】
Ａ２ａ１は置換又は無置換の１，４−フェニレン基であることが好ましく、１，４−フェニレン基中の水素原子がフッ素原子で置換されたフェニレン基又は無置換の１，４−フェニレン基であることが好ましく、無置換の１，４−フェニレン基であることがより好ましい。
【００５０】
Ａ２ａ２は液晶組成物の粘度を低下させるためにはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、無置換のナフタレン−２，６−ジイル基又は無置換の１，４−フェニレン基であることが好ましく、他の液晶成分との混和性を高くする為には、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は無置換の１，４−フェニレン基である事が好ましい。
【００５１】
一般式（１）で表される化合物を用いてΔεが正の一般式（４）で表される化合物を製造する場合、Ａ２ａ２は、Δεを大きくするためには
【００５２】
【化１５】
2017122072.tif 000016
【００５３】
が好ましく、
【００５４】
【化１６】
2017122072.tif 000017
【００５５】
が更に好ましい。
【００５６】
一般式（１）で表される化合物を用いてΔεが負の一般式（４）で表される化合物を製造する場合、Ａ２ａ２は下記の構造が好ましい。
【００５７】
【化１７】
2017122072.tif 000018
【００５８】
Ｚ２ａは粘度の低下及び他の液晶成分との混和性を高くするためには−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合であることが好ましく、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−又は単結合であることが更に好ましく、単結合である事が特に好ましく、大きなΔεを示す為には単結合又は−ＣＦ２Ｏ−である事が好ましい。Ｙ１と直接結合するＺ１及びＺ２は、炭素原子数１〜１０の直鎖状のアルキレン基又は単結合を表すことが好ましく、炭素原子数１〜４の直鎖状のアルキレン基又は単結合を表すことが好ましい。
【００５９】
ｍ２ａは０、１又は２を表すことが好ましい。
【００６０】
一般式（２−ａ）で表される化合物は、以下の一般式が好ましい。
【００６１】
【化１８】
2017122072.tif 000019
【００６２】
（式中、Ｒ２ａ１、Ｒ２ａ２、Ｒ２ａ３、Ｒ２ａ４及びＲ２ａ５はそれぞれ独立して炭素原子数１から８のアルキル基を表し、当該アルキル基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は各々独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、Ｚ２ａ１、Ｚ２ａ２及びＺ２ａ３はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｘ２１及びＸ２２は一般式（２）中のＸ２１及びＸ２２とそれぞれ同じ意味を表し、式中の１，４−フェニレン基又はナフタレン−２，６−ジイル基はそれぞれ独立してフッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよい。）
一般式（３）で表される化合物において、Ｘ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子であることが好ましく、塩素原子、臭素原子がより好ましく、塩素原子であることがより好ましい。
【００６３】
Ｙ１は３つの置換基を有するリン系配位子又は含窒素配位子が好ましく、単座配位子であっても多座配位子であってもよい。リン系配位子としては、ホスフィン、ホスフィンオキシド、ホスファイトが挙げられ、具体的には、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフリルホスフィン、トリ（ ｏ − トリル） ホスフィン、トリ（ ｐ − トリル） ホスフィン、トリメトキシホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィン、トリ（ ｔ − ブチル） ホスフィン等の単座配位子や、２ ， ２ ’ − ビス（ ジフェニルホスフィノ） − １ ， １ ’ − ビナフチル、１ ， ２ − ジフェニルホスフィノエタン、１ ， ４ − ジフェニルホスフィノブタン、１ ， １’ − ジフェニルホスフィノフェロセン、１ ， ３ − ジシキクロヘキシルホスフィノプロパン、１ ， ４ − ジシキクロヘキシルホスフィノブタン、１ ， １ ’ − ジシクロヘキシルホスフィノフェロセン等の二座配位子が好ましく、トリフェニルホスフィンがより好ましい。含窒素配位子としては、アミン系配位子が挙げられ、具体的には、２ ， ２ ’ − ビピリジル、１ − メチルイミダゾール、１ ， ８ − ジアザビシクロ［ ５ ． ４ ． ０ ］ − ７ − ウンデセン等が好ましい。
【００６４】
Ｒ１は一般式（１）中のＲ１が表す基と同じ基を表す。
【００６５】
ここで、一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物のカップリング反応を行う際、例えば以下の式（Ａ）
【００６６】
【化１９】
2017122072.tif 000020
【００６７】
（式中、Ｒ’は一般式（１）中のＲ１が表す基と異なる基を表し、Ｘ３は脱離基を表し、Ｙ１は配位子を表す。）
で表されるような、一般式（１）中のＲ１が表す基と異なる基が付加したニッケル触媒を用いると、一般式（２）で表される化合物と一般式（Ａ）で表される化合物の反応により、Ｒ’−Ｒ２で表される化合物が副生成物として生成される。当該副生成物の生成により、一般式（２）で表されるホウ素化合物を無駄に消費する結果となる。また、反応終了後には、Ｒ’−Ｒ２で表される化合物が不純物として含まれるため、純度の高い一般式（４）で表される化合物を得るためには、再結晶等の精製を繰り返す必要があり、精製の工程で一般式（４）で表される化合物も除かれてしまうため、結果として収率が低下してしまう。これに対し本発明では、反応基質が付加した一般式（３）で表されるニッケル触媒を用いることで、前記の副生成物の生成を抑えられ、一般式（４）で表される化合物を効率的に得ることができる。
【００６８】
一般式（３）で表される化合物は、一般式（１）で表される化合物とニッケルハロゲン化物を配位子と金属還元剤の存在下で反応させて得られる。
【００６９】
ニッケルハロゲン化物としては、塩化ニッケルを用いることが好ましい。配位子はホスフィン、ホスフィンオキシド、ホスファイト又は含窒素配位子を用いることが好ましい。金属還元剤としては、反応を円滑に進行させるものであればいずれでも構わないが、銅、亜鉛、マグネシウム及びマンガンから選ばれる少なくとも一種を用いることが好ましく、亜鉛を用いることが好ましい。これらの一般式（１）で表される化合物、ニッケルハロゲン化物、配位子及び金属還元剤に、溶媒を加え後、必要に応じて加熱・撹拌を行い、反応物である一般式（３）で表されるニッケル触媒を含有する混合物（ｉ）を得られる。
【００７０】
溶媒としては、反応を円滑に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、エタノール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒及びベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエンがさらに好ましい。またこれら溶媒を単独で使用しても、混合して使用してもよい。
【００７１】
反応を実施する際には、使用する全ての原料及び溶媒を室温にて混合し、加熱することが好ましい。反応温度は、反応を円滑に進行させる温度であればいずれでも構わないが、０℃から溶媒が還流する範囲までの温度が好ましく、４０℃から１１０℃までが更に好ましい。これらの反応は、不活性ガス雰囲気化で行うことが好ましい。
【００７２】
反応後、混合物（ｉ）から一般式（３）で表されるニッケル触媒を抽出し、一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物と混合し、塩基存在下で反応させることにより、一般式（４）で表される化合物を得ることができる。また、必要に応じて配位子を加えても良い。
【００７３】
溶媒としては、反応を円滑に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、エタノール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒及びベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエンがさらに好ましい。またこれら溶媒を単独で使用しても、混合して使用してもよい。
【００７４】
塩基としては、反応を円滑に進行させるものであればいずれでも構わないが、リン酸三カリウム等にリン酸塩、トリエチルアミン、エチルジイソプロピルアミン等のアミン系試薬、炭酸カリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩類又は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属類が好ましく、リン酸三カリウム等のリン酸塩又は炭酸カリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩が更に好ましい。また、これらの塩基は必要に応じて水溶液として用いても良い。
【００７５】
反応を行う際には、
（ａ１）使用する原料及び溶媒を全て混合しておき加熱する。
（ｂ１）一般式（２）で表されるホウ素化合物以外の原料及び溶媒を混合しておき、必要に応じて加熱しながら、一般式（２）で表されるホウ素化合物を加える。
のどちらの方法で行っても良く、（ａ１）及び（ｂ１）共に反応温度は０℃から溶媒が還流する範囲までの温度が好ましく、４０℃から１１０℃までが更に好ましい。
【００７６】
また、本発明では、一般式（３）で表されるニッケル触媒を含有する上記混合物（ｉ）に、更に一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物を加えて、一般式（４）で表される化合物を得ることができる。すなわち、一般式（１）で示される有機化合物、ニッケルハロゲン化物、配位子及び金属還元剤を含有する混合液を用いて一般式（３）で示されるニッケル触媒を発生させた後、この混合物（ｉ）に一般式（２）で表されるホウ素化合物を加えて、一般式（４）で表される化合物を同一系内の反応で得ることができる。従って、混合物（ｉ）から一般式（３）で表されるニッケル触媒を抽出するという工程を省くことができ、製造工程をより簡略化することができる。
【００７７】
混合物（ｉ）を利用して反応を行う際には、
（ａ２）混合物（ｉ）に、一般式（１）で表される化合物、一般式（２）で表されるホウ素化合物及び塩基、必要に応じて配位子を混合して加熱する。
（ｂ２）混合物（ｉ）に、一般式（２）で表されるホウ素化合物以外の原料を混合しておき、必要に応じて加熱しながら、一般式（２）で表されるホウ素化合物を加える。
のどちらの方法で行っても良く、（ａ２）及び（ｂ２）共に反応温度は０℃から溶媒が還流する範囲までの温度が好ましく、４０℃から１１０℃までが更に好ましい。混合物（ｉ）に原料を混合する際、原料を含む溶媒に溶解した後混合することが好ましい。
【００７８】
以上の反応により、一般式（４）で表される化合物を得ることができる。一般式（４）で表される化合物としては、一般式（１−ａ）で表される化合物及び一般式（２−ａ）で表される化合物が縮合した化合物が好ましい。具体的には、以下の一般式（４−ａ）〜（４−ｊ）で表される化合物が好ましい。
【００７９】
【化２０】
2017122072.tif 000021
【００８０】
（式中、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｅはそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表し、Ｙ４ａ〜Ｙ４ｅはそれぞれ独立してフッ素原子又はＯＣＦ３を表し、Ｘ４ａ１〜Ｘ４ｅ４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚ４ｄ及びＺ４ｅはそれぞれ独立して−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−を表し、Ａ４ａ１〜Ａ４ｅ２はそれぞれ独立して
【００８１】
【化２１】
2017122072.tif 000022
【００８２】
から選ばれる基を表し、ｍ４ａ〜ｍ４ｅはそれぞれ独立して０又は１を表す。）
【００８３】
【化２２】
2017122072.tif 000023
【００８４】
（式中、Ｒ４ｆ１〜Ｒ４ｊ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表し、Ｘ４ｆ１〜Ｘ４ｊ２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚ４ｊはそれぞれ独立して−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−を表す。）
得られた一般式（４）で表される化合物の精製を行ってもよい。精製方法としてはクロマトグラフィー、再結晶、蒸留、昇華、再沈殿、吸着、分液処理等が挙げられる。精製剤を用いる場合、精製剤としてシリカゲル、アルミナ、活性炭、活性白土、セライト、ゼオライト、メソポーラスシリカ、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、備長炭、木炭、グラフェン、イオン交換樹脂、酸性白土、二酸化ケイ素、珪藻土、パーライト、セルロース、有機ポリマー、多孔質ゲル等が挙げられる。
【実施例】
【００８５】
以下、例を挙げて本願発明を更に詳述するが、本願発明はこれらによって限定されるものではない。
【００８６】
収率は単離により、また純度はガスクロマトグラフィー（カラム：ＤＢ−１ＨＴ  １５ｍ、膜厚０．２５μｍ、内径０．２５ｍｍ、検出器：ＦＩＤ）を用いて測定した。ＧＣ測定を行う際は各成分のピーク面積比を、各成分の割合として算出した。なお、本発明において上記カラムを使用する場合には、分析を行った各成分のピーク面積比は、各成分の質量％にほぼ対応している。各成分の化合物における補正係数にほとんど差が無いからである。
【００８７】
以下、下記の略語を使用する。
ＴＨＦ：テトラヒドロフラン
ＰＰｈ３：トリフェニルホスフィン
１−ｎａｐｈ：１−ナフチル基
（実施例１）
【００８８】
【化２３】
2017122072.tif 000024
【００８９】
（化合物４−１の合成）
アルゴン雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物１−１（０．９２ｇ）、塩化ニッケル（１．００ｇ）、トリフェニルホスフィン（５．０７ｇ）および亜鉛（０．２５ｇ）を加え、窒素フローした。ＴＨＦ（２０ｍｌ）を加え５５℃に昇温し、１．５時間攪拌した。反応混合物にあらかじめ水（６０ｍｌ）に溶解しておいたりん酸三カリウム（３２．８１ｇ）を加え、続いてあらかじめトルエン（１００ｍｌ）に溶解しておいた化合物１−１（１７．３８ｇ）をさらに加えた。反応混合物を６５℃に昇温し、あらかじめＴＨＦ（５１ｍｌ）に溶解しておいた４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（１７．１７ｇ）を滴下した。３時間攪拌後、反応混合物を室温まで放冷し、１０％塩酸（１００ｍｌ）を加えた。１時間攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン（５０ｍｌ）で抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）と飽和食塩水（１００ｍｌ）で洗浄し、得られた溶液を濃縮して、化合物４−１の粗体（４０．１９ｇ）を得た。５０℃に保温したカラムクロマトグラフィー（シリカゲル４０ｇ）に対し、あらかじめヘキサン（８０ｍｌ）に溶解しておいた粗体を通し、さらにヘキサン（２４０ｍｌ）で溶出させた。得られた溶液を濃縮・乾燥し、化合物４−１（３４．２０ｇ）を得た。得られた化合物４−１の純度８３．７３％。収率＝得量×純度／理論収量と考えると、本反応の収率は１０３．３４％、すなわち定量的に反応が進行したといえる。
（実施例２）
【００９０】
【化２４】
2017122072.tif 000025
【００９１】
（化合物４−２の合成）
アルゴン雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物１−２（４．６０ｇ）、塩化ニッケル六水和物（３６８ｍｇ）、トリフェニルホスフィン（１．０２ｇ）および亜鉛（５１ｍｇ）を加え、窒素フローした。ＴＨＦ（５ｍｌ）を加え５５℃に昇温し、１時間攪拌した。反応混合物にあらかじめ水（１５ｍｌ）に溶解しておいたりん酸三カリウム（６．５８ｇ）を加え、続いてトルエン（２５ｍｌ）を加えた。あらかじめＴＨＦ（７ｍｌ）に溶解しておいた４−プロピルフェニルボロン酸（２．７９ｇ）を滴下した。６５℃で２．５時間攪拌後、反応混合物を室温まで放冷し、１０％塩酸（２５ｍｌ）およびトルエン（２５ｍｌ）を加えた。１時間攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン（２５ｍｌ）で抽出した。得られた有機層を合わせた後、１５％過酸化水素水（２ｍｌ）を加えた。室温で１時間攪拌後、１０％亜硫酸ナトリウム水溶液（４０ｍｌ）を加え有機層を分けとった。飽和食塩水（４０ｍｌ）で洗浄し、得られた溶液を濃縮して、化合物４−２の粗体（９．５０ｇ）を得た。ジャケットを５０℃に保温したカラムクロマトグラフィー（シリカゲル１０ｇ）に対し、あらかじめヘキサン（６０ｍｌ）に５０℃で溶解しておいた粗体を通し、さらにヘキサン（８０ｍｌ）で溶出させた。得られた溶液を濃縮・乾燥し、化合物４−２（５．８９ｇ）を得た。得られた化合物４−２の純度８７．６０％。収率＝得量×純度／理論収量と考えると、本反応の収率は８７．４５％である。
（実施例３）
【００９２】
【化２５】
2017122072.tif 000026
【００９３】
（化合物４−３の合成）
アルゴン雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物１−３（０．３７ｇ）、塩化ニッケル（１７８ｍｇ）、トリフェニルホスフィン（１．８０ｇ）および亜鉛（１７９ｍｇ）を加え、窒素フローした。ＴＨＦ（５ｍｌ）を加え６０℃に昇温し、１時間攪拌した。反応混合物にあらかじめ水（２２ｍｌ）に溶解しておいたりん酸三カリウム（３２．８ｇ）を加え、続いてあらかじめトルエン（４４ｍｌ）に溶解しておいた化合物１−３（７．００ｇ）をさらに加えた。あらかじめＴＨＦ（１８ｍｌ）に溶解しておいた４−プロピルフェニルボロン酸（４．９４ｇ）を滴下した。７０℃で７時間攪拌後、反応混合物を室温まで放冷し、１０％塩酸（１００ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。１時間攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン（５０ｍｌ）で抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和食塩水（１００ｍｌ）で洗浄し、得られた溶液を濃縮して、化合物４−３の粗体（１５．１６ｇ）を得た。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル１０ｇ）に対し、あらかじめトルエン（１２０ｍｌ）に溶解しておいた粗体を通し、さらにトルエン（１００ｍｌ）で溶出させた。得られた溶液を濃縮・乾燥し、化合物４−３（１６．２６ｇ）を得た。得られた化合物４−３の純度は８２．６４％、収率は定量的であった。続いて、アセトン溶媒を用いて再結晶を１回行い、乾燥することで再結晶後の化合物４−２を得た。再結晶後の純度は９９．３０％、収率は９１％であった。
（実施例４）
【００９４】
【化２６】
2017122072.tif 000027
【００９５】
（化合物（４−４）の合成）
アルゴン雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物１−４（１．０ｇ）、塩化ニッケル（１．０ｇ）、トリフェニルホスフィン（５．１ｇ）および亜鉛（２５３ｍｇ）を加え、窒素フローした。ＴＨＦ（２０ｍｌ）を加え５５℃に昇温し、１．５時間攪拌した。反応混合物にあらかじめ水（６０ｍｌ）に溶解しておいたりん酸三カリウム（３２．８ｇ）を加え、続いてあらかじめトルエン（１００ｍｌ）に溶解しておいた化合物１−１（１９．０ｇ）をさらに加えた。反応混合物を６５℃に昇温し、あらかじめＴＨＦ（５１ｍｌ）に溶解しておいた４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（１７．２ｇ）を滴下した。３時間攪拌後、反応混合物を室温まで放冷し、１０％塩酸（１００ｍｌ）を加えた。１時間攪拌後、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン（５０ｍｌ）で抽出した。得られた有機層を合わせた後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）と飽和食塩水（１００ｍｌ）で洗浄し、得られた溶液を濃縮して、化合物４−４（４２．７ｇ）を得た。続いて、５０℃に保温したカラムクロマトグラフィー（シリカゲル４０ｇ）に対し、あらかじめヘキサン（８０ｍｌ）に溶解しておいた粗体を通し、さらにヘキサン（２４０ｍｌ）で溶出させた。得られた溶液を濃縮・乾燥し、化合物４−４の粗体（３６．３ｇ）を得た。続いて、アセトン／メタノール混合溶媒を用いて再結晶を１回行い、ヘキサン／トルエン混合溶媒を用いて再結晶を１回行い、乾燥することで化合物４−４（２０．０ｇ）を得た。再結晶後の純度は９９．９９％、収率は６８％であった。
（比較例１）
【００９６】
【化２７】
2017122072.tif 000028
【００９７】
（化合物４−１の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物１−１（１３．９７ｇ）、ニッケル−ナフチル錯体（Ｎｉ（ＰＰｈ３）２（１−ｎａｐｈ）Ｃｌ）（１．３０ｇ）、りん酸三カリウム（５０．００ｇ）、２０％トリシクロヘキシルホスフィン／トルエン溶液（７．８ｍｌ）、トルエン（７０ｍｌ）および水（４０ｍｌ）を加え、窒素フローした。８０℃に昇温し、反応混合物にあらかじめＴＨＦ（４５ｍｌ）に溶解しておいた４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（１３．１３ｇ）を滴下した。ディーンスタークでＴＨＦを抜き取りながら１時間攪拌後、反応混合物を室温まで放冷し、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。ガスクロマトグラフィーにより反応をチェックしたところ、副生成物の１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）ナフタレンが０．９％生成していた。該副生成物は、ニッケル−ナフチル錯体と４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸との反応物である。その後、有機層を分けとり、さらに水層をトルエン（５０ｍｌ）で抽出した。得られた有機層を合わせた後、水（１００ｍｌ）と飽和食塩水（１００ｍｌ）で洗浄し、得られた溶液を濃縮して、化合物４−１の粗体（３９．９６ｇ）を得た。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル４０ｇ）に対し、あらかじめヘキサン／トルエン混合溶媒（ヘキサン／トルエン＝１／３）（１６０ｍｌ）に溶解しておいた粗体を通し、さらにヘキサン／トルエン混合溶媒（ヘキサン／トルエン＝１／３）（２５０ｍｌ）で溶出させた。得られた溶液を濃縮・乾燥し、化合物４−１（２０．８１ｇ）を得た。得られた化合物４−１の純度９４．８５％。収率＝得量×純度／理論収量と考えると、本反応の収率は９３．３３％であり、実施例１の収率には劣る結果となった。
（比較例２）
【００９８】
【化２８】
2017122072.tif 000029
【００９９】
（化合物４−２の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物１−２（１８．４０ｇ）、ニッケル−ナフチル錯体（Ｎｉ（ＰＰｈ３）２（１−ｎａｐｈ）Ｃｌ）（１．４ｇ）、りん酸三カリウム（２６．３ｇ）、トリフェニルホスフィン（１．５ｇ）、トルエン（１００ｍｌ）および水（６０ｍｌ）を加え、窒素フローした。７０℃に昇温し、反応混合物にあらかじめＴＨＦ（２７ｍｌ）に溶解しておいた４−プロピルフェニルボロン酸（１１．１９ｇ）を滴下した。４．５時間攪拌後、反応混合物を室温まで放冷し、１０％塩酸（１００ｍｌ）を加えた。ガスクロマトグラフィーにより反応をチェックしたところ、副生成物の１−（４−プロピルフェニル）ナフタレンが１．１％生成していた。該副生成物は、ニッケル−ナフチル錯体と４−プロピルフェニルボロン酸との反応物である。その後、１時間攪拌後、トルエン（１００ｍｌ）を加えた。有機層を分けとり、さらに水層をトルエン（５０ｍｌ）で抽出した。得られた有機層を合わせた後、１５％過酸化水素水（１０ｍｌ）を加えた。室温で１時間攪拌後、１０％亜硫酸ナトリウム水溶液（９０ｍｌ）を加え有機層を分けとった。飽和食塩水（１００ｍｌ）で洗浄し、得られた溶液を濃縮して、化合物４−２の粗体（３５．１９ｇ）を得た。ジャケットを５０℃に保温したカラムクロマトグラフィー（シリカゲル１０ｇ）に対し、あらかじめヘキサン（１４０ｍｌ）に５０℃で溶解しておいた粗体を通し、さらにヘキサン（２１０ｍｌ）で溶出させた。得られた溶液を濃縮・乾燥し、化合物４−２（１９．４０ｇ）を得た。純度９２．９９％。収率＝得量×純度／理論収量と考えると、本反応の収率は７６．４７％であり、実施例１の収率には劣る結果となった。