(57)【要約】【課題】保護絶縁層に形成した開口部内における残渣の発生を抑制すること。【解決手段】配線基板１０の絶縁層３１の上面３１Ａには配線層３２が形成されている。配線層３２は、第１金属層５１と第２金属層５２とを有している。第１金属層５１は、絶縁層３１の上面３１Ａに配置されている。第２金属層５２は、パッド部５３と配線部５４を有し、パッド部５３は第１金属層５１の上面及び側面を被覆する。絶縁層３１の上面３１Ａと配線層３２はソルダレジスト層（保護絶縁層）７０により被覆されている。ソルダレジスト層７０は、パッド部５３の上面５３Ａの一部を露出する開口部７０Ｘを有している。そして、開口部７０Ｘの深さ（開口部上端から開口部下端までの長さ）は、ソルダレジスト層７０の上面から配線部５４の上面までの長さより小さい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に配置された配線層と、
前記絶縁層上及び前記配線層上に配置され、前記配線層を被覆する保護絶縁層と、を有し、
前記配線層は、
開口部に対応する位置に配置され、前記開口部側から見て前記開口部よりも大きい外形の第１金属層と、
パッド部と配線部を有し、前記パッド部が前記第１金属層の上面及び側面を被覆する第２金属層と、を有し、
前記保護絶縁層は、前記パッド部の上面の一部を露出する前記開口部を有し、
前記開口部の深さは、前記保護絶縁層の上面から前記配線部の上面までの長さよりも小さいこと、
を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記パッド部の上面は、上方に向かって膨らんだドーム形状であること、を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記パッド部の上面の周縁部は、上面から側部にかけて連続した面とする曲面状に形成されているとともに、前記保護絶縁層により覆われていること、を特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板に実装された半導体素子と、
を有し、
前記半導体素子は、前記パッド部と接続されていること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁層上に第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層を覆うパッド部を有する第２金属層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記第２金属層を覆うように保護絶縁層を形成する工程と、
前記保護絶縁層に前記パッド部の上面の一部を露出する開口部を形成する工程と、
を有する配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の電子部品を実装するための配線基板は、様々な形状・構造のものが提案されている。近年は、半導体素子の高集積化及び高機能化に伴い、半導体素子が実装される配線基板においても配線の微細化の要求が高まっている。そこで、配線パターンの形成されたベース基板上に保護絶縁層としてソルダレジスト（ＳＲ）を形成し、そのソルダレジストから露出する配線パターンを接続パッドとした配線基板が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−８０５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ソルダレジストは、配線パターンが露出しない厚さにて形成される。また、ソルダレジストには、半導体素子に応じて、配線パターンを接続パッドとして露出する小さな直径の開口部が形成される。このようなソルダレジストにおいて、開口部のアスペクト比（開口径に対する深さの比）によっては、配線パターンの上面に残渣が生じる虞がある。配線パターン上の残渣は、配線基板と半導体素子との間の電気的な接続の不良を招く要因となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、絶縁層上に配置された配線層と、前記絶縁層上及び前記配線層上に配置され、前記配線層を被覆する保護絶縁層と、を有し、前記配線層は、前記開口部に対応する位置に配置され、前記開口部側から見て前記開口部よりも大きい外形の第１金属層と、パッド部と配線部を有し、前記パッド部が前記第１金属層の上面及び側面を被覆する第２金属層と、を有し、前記保護絶縁層は、前記パッド部の上面の一部を露出する開口部を有し、前記開口部の深さは、前記保護絶縁層の上面から前記配線部の上面までの長さよりも小さい。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、保護絶縁層に形成した開口部内における残渣の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は配線基板の概略平面図、（ｂ）は配線基板の概略断面図。
【図２】半導体パッケージの概略断面図。
【図３】第１比較例の配線基板を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図。
【図４】第２比較例の配線基板を示す概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、各形態を説明する。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。また、断面図では、理解を容易にするために、一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。
【０００９】
先ず、半導体装置の概略を説明する。
図２に示すように、半導体装置１は、配線基板１０と、その配線基板１０に実装された半導体素子１００と、配線基板１０と半導体素子１００との間のアンダーフィル樹脂１０１とを有している。
【００１０】
半導体素子１００は、はんだ１０２を介して配線基板１０の上面に実装されている。はんだ１０２はたとえばはんだバンプである。配線基板１０の下面には、はんだバンプ１０３が形成されている。はんだバンプ１０３は、半導体装置１、つまり配線基板１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用される外部接続端子である。なお、外部接続端子として、はんだボール、リードピン、スタッドバンプ、等を用いることもできる。
【００１１】
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、配線基板１０の一部を示す。
図１（ｂ）に示すように、配線基板１０は、コア基板２０と、コア基板２０の上下両面の配線積層部３０，４０と、配線積層部３０，４０を被覆するソルダレジスト層７０，８０を有している。
【００１２】
コア基板２０は、たとえば補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ基板である。コア基板２０として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂等を含浸させた基板等を用いてもよい。
【００１３】
コア基板２０には、所定位置に下面と上面との間、つまりコア基板２０を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔２０Ｘが形成されている。貫通孔２０Ｘ内には、コア基板２０の上面と下面との間を貫通する貫通電極２１が形成されている。貫通電極２１の材料は、たとえば銅（Ｃｕ）や銅合金である。コア基板２０の上面２０Ａには、配線層２２が形成されている。また、コア基板２０の下面２０Ｂには、配線層２３が形成されている。これらの配線層２２，２３は、貫通電極２１を介して互いに電気的に接続されている。配線層２２，２３の材料としては、たとえば銅や銅合金である。
【００１４】
配線積層部３０は、絶縁層３１及び配線層３２を有している。絶縁層３１と配線層３２は、コア基板２０の上面２０Ａから上方に向かって積層されている。絶縁層３１には、上面と下面との間を貫通するビアホール３１Ｘが形成されている。配線層３２は、ビアホール３１Ｘに配置されたビア３２Ｖと、絶縁層３１の上面に配置された配線パターン３２Ｐとを有している。ビア３２Ｖは、絶縁層３１の上面側の配線パターン３２Ｐと、下面側の配線層２２とを電気的接続する。
【００１５】
絶縁層３１の材料としては、たとえばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。配線層３２の材料としては、たとえば銅や銅合金である。
【００１６】
配線積層部４０は、絶縁層４１及び配線層４２を有している。絶縁層４１と配線層４２は、コア基板２０の下面２０Ｂから下方に向かって積層されている。絶縁層４１には、下面と上面との間を貫通するビアホール４１Ｘが形成されている。配線層４２は、ビアホール４１Ｘに配置されたビア４２Ｖと、絶縁層４１の下面に配置された配線パターン４２Ｐとを有している。ビア４２Ｖは、絶縁層４１の下面側の配線パターン４２Ｐと上面側の配線層２３とを電気的に接続する。
【００１７】
絶縁層４１の材料としては、たとえばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。配線層４２の材料としては、たとえば銅や銅合金である。
【００１８】
配線パターン３２Ｐは、第１金属層５１と第２金属層５２とを有している。
第１金属層５１は、絶縁層３１の上面３１Ａに配置されている。第１金属層５１の外形は特には限定されないが、図１（ａ）に示すように、たとえば平面視円形状である。第１金属層５１は、図２に示す半導体素子１００の接続端子（バンプ）に対応する位置に配置されている。そして、第１金属層５１は、後述するソルダレジスト層７０の開口部７０Ｘの大きさ（開口径）よりも大きい形状（直径）にて形成されている。たとえば、開口部７０Ｘの直径は４０μｍであり、第１金属層５１の直径は６０μｍである。また、第１金属層５１の厚さはたとえば１５μｍである。
【００１９】
第２金属層５２は、パッド部５３、配線部５４、パッド部５５を有している。パッド部５３は、第１金属層５１の側面と上面を覆うように形成されている。パッド部５３の外形は、たとえば平面視円状に形成されている。パッド部５５は、ビア３２Ｖにより下層の配線層２２に接続されている。パッド部５５の外形は、たとえば平面視円状に形成されている。配線部５４は、両パッド部５３，５５を接続する。第２金属層５２の厚さはたとえば１５μｍである。
【００２０】
ソルダレジスト層７０の開口部７０Ｘは、第２金属層５２の一部を露出する。詳しくは、開口部７０Ｘは、第２金属層５２に含まれ、第１金属層５１を覆うパッド部５３の上面５３Ａの一部であり、円形の上面５３Ａの中央部分を露出する。この開口部７０Ｘにより露出されたパッド部５３の上面５３Ａの一部が、図２に示す半導体素子１００を接続する接続パッドとして機能する。
【００２１】
図１（ｂ）に示すように、パッド部５３の上面５３Ａは、上方に向かって膨らんだドーム形状に形成されている。パッド部５３の周縁部５３Ｂは、たとえば断面視において凸型Ｒ形状に形成されている。つまり、パッド部５３の上面５３Ａにおいて周方向外側端部（周縁部５３Ｂ）は、上面５３Ａから側面５３Ｃにかけて曲面状に形成されている。そして、この周縁部５３Ｂは、ソルダレジスト層７０により被覆されている。
【００２２】
ソルダレジスト層７０の開口部７０Ｘは、たとえば、フォトリソグラフィ法により形成される。ソルダレジスト層７０の材料として、たとえば感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（たとえばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等が用いられる。たとえば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、絶縁層３１の上面及び配線層３２を、熱圧着したドライフィルムによりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口部７０Ｘを有するソルダレジスト層７０を形成する。また、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、ソルダレジスト層７０が形成される。
【００２３】
絶縁層３１の上面を基準としたときのパッド部５３の上面までの高さ（中央部の高さ）と配線部５４の高さの差は、たとえば１５μｍである。ソルダレジスト層７０の上面７０Ａから配線部５４、パッド部５５の上面までの厚さ、つまり、配線部５４、パッド部５５を覆う部分の厚さはたとえば２５μｍである。そして、ソルダレジスト層７０の開口部７０Ｘにおいて、ソルダレジスト層７０の上面７０Ａからパッド部５３の上面５３Ａまでの距離、つまり開口部７０Ｘの中央部における深さは、たとえば１０μｍである。
【００２４】
配線パターン４２Ｐは１つの金属層からなり、パッド部６１、配線部６２、パッド部６３を有している。パッド部６１の外形は、たとえば平面視円形であり、周縁部がソルダレジスト層８０により被覆されている。パッド部６３は、ビア４２Ｖを介して上層の配線層２３に接続されている。配線部６２は、両パッド部６１，６３を接続する。ソルダレジスト層８０の開口部８０Ｘは、たとえば上記のソルダレジスト層７０の開口部７０Ｘと同様に形成される。
【００２５】
次に、比較例を説明する。なお、比較例の説明において、上記の配線基板と共通部分については符号及び説明を省略する。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１比較例の配線基板を示す。
【００２６】
配線基板３００の配線層３０１は、単一の金属層である。つまり、比較例の配線基板３００は、図１（ｂ）に示す第１金属層５１を有していない。配線層３０１は、ソルダレジスト層３０２の開口部３０２Ｘにより上面の一部がパッドとして露出されている。ソルダレジスト層３０２の開口部３０２Ｘの大きさは、上記実施形態の開口部７０Ｘと同じ大きさ（たとえば４０μｍ）である。そして、配線層３０１の上のソルダレジスト層３０２の厚さ、つまり開口部３０２Ｘの深さは、たとえば２５μｍである。
【００２７】
この第１比較例の配線基板３００では、ソルダレジスト層３０２の開口部３０２Ｘのアスペクト比（開口部３０２Ｘの直径に対する開口部３０２Ｘの深さの比）の値が大きい（＝０．６２５）。このため、フォトリソグラフィ法により形成される開口部３０２Ｘの底部に残渣３０３が生じる。このように生じる残渣３０３は、配線層３０１と、その配線層３０１に接続される半導体素子の電極との間の接続不良の要因となる。
【００２８】
図４は、第２比較例の配線基板を示す。
配線基板３１０の配線層３１１は、絶縁層３１の上面に形成された第１金属層３１２と、第１金属層３１２の上面に形成された第２金属層３１６とを有している。第１金属層３１２は、平面視において上記実施形態の第２金属層５２（図１（ａ）参照）と同様に形成され、パッド部３１３を有している。パッド部３１３の上面３１３Ａに第２金属層３１６が形成されている。そして、ソルダレジスト層３１７は、第２金属層３１６の周縁部３１６Ａを覆うように形成されている。
【００２９】
この第２比較例の場合、第２金属層３１６の周縁部３１６Ａが断面において略直角を成している。この周縁部３１６Ａを覆うソルダレジスト層３１７において、配線基板３１０の湾曲やソルダレジスト層３１７の収縮などにおける応力が周縁部３１６Ａに集中し、ソルダレジスト層３１７におけるクラック等が発生する。
【００３０】
図１（ｂ）に示すように、本実施形態において、第１金属層５１を覆うように第２金属層５２が形成されている。第１金属層５１と第２金属層５２とにより、ソルダレジスト層７０の開口部７０Ｘの深さは、たとえば１０μｍと浅く、アスペクト比が小さい（＝０．２５）。このようにアスペクト比が小さい（たとえば、０．３以下）開口部７０Ｘは、第２金属層５２の上面（パッド部５３の上面５３Ａ）に、ソルダレジスト層７０の残渣が残り難い。このため、第２金属層５２（パッド部５３）に対して半導体素子１００の電極が良好に接続される。
【００３１】
また、パッド部５３の上面５３Ａは、上方に向かって膨らんだドーム形状である。このため、図４に示す上面が平面である第２金属層３１６と比べ、本実施形態のパッド部５３は表面積が増加するため、半導体素子１００（図２参照）との接続に用いられるはんだ１０２との接続信頼性が向上する。
【００３２】
また、第１金属層５１を覆うように第２金属層５２が形成されている。このため、第２金属層５２において、パッド部５３の上面５３Ａの周縁部５３Ｂは、パッド部５３の側面５３Ｃにかけて曲面状に形成されている。このため、周縁部５３Ｂを覆うソルダレジスト層７０において応力が集中しないため、クラック等の発生が抑制される。
【００３３】
次に、上記の配線基板１０の製造方法を説明する。
図５（ａ）に示すように、たとえばビルドアップ法により形成された最外の絶縁層、つまり最上の絶縁層３１と最下の絶縁層４１に、配線層２２，２３の一部を露出するビアホール３１Ｘ，４１Ｘを形成する。ビアホール３１Ｘ，４１Ｘは、たとえばレーザ加工により形成される。なお、感光性樹脂を用いて絶縁層３１，４１を形成した場合には、たとえばフォトリソグラフィ法によりビアホール３１Ｘ，４１Ｘを形成してもよい。レーザ加工にてビアホール３１Ｘ，４１Ｘを形成した場合、デスミア処理を行って、ビアホール３１Ｘ，４１Ｘ内の残渣（樹脂スミア）を除去する。
【００３４】
図５（ｂ）に示すように、絶縁層３１，４１の表面を覆うシード層２０１，２１１を形成する。詳しくは、絶縁層３１の上面及びビアホール３１Ｘ内を覆うシード層２０１と、絶縁層４１の下面及びビアホール４１Ｘ内を覆うシード層２１１を形成する。シード層２０１，２１１は、たとえば無電解めっき法により形成された金属膜である。シード層２０１，２１１の材料としては、たとえば、銅や銅合金を用いることができる。
【００３５】
図５（ｃ）に示すように、シード層２０１の表面に、所定の箇所に開口部２０２Ｘを有するレジスト層２０２を形成する。開口部２０２Ｘは、図１（ｂ）に示す第１金属層５１の形成する領域に対応する部分のシード層２０１を露出するように形成される。
【００３６】
レジスト層２０２の材料としては、たとえば、次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。たとえば、レジスト層２０２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト（たとえば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジスト）等を用いることができる。シード層２０１の上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして上記開口部２０２Ｘを有するレジスト層２０２を形成する。なお、液状のフォトレジスト（たとえば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等の液状レジスト）を用いてレジスト層２０２を形成してもよい。
【００３７】
同様に、シード層２１１の表面にレジスト層２１２を形成する。レジスト層２１２の材料としては、レジスト層２０２と同様に、次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。たとえば、レジスト層２１２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（たとえば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。
【００３８】
図６（ａ）に示すように、レジスト層２０２をめっきマスクとして、シード層２０１の上面に、そのシード層２０１をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層２０２の開口部２０２Ｘから露出されたシード層２０１の上面に電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施すことにより、そのシード層２０１の上面に電解銅めっき層２０３を形成する。電解銅めっき層２０３は、たとえば平面視円形であり、その直径はたとえば６０μｍ、厚さはたとえば１５μｍである。
【００３９】
図６（ｂ）に示すように、レジスト層２０２，２１２を除去する。レジスト層２０２，２１２の除去には、たとえばアルカリ性の剥離液を用いる。
図６（ｃ）に示すように、シード層２０１の表面に、所定の箇所に開口部２０４Ｘを有するレジスト層２０４を形成する。開口部２０４Ｘは、図１（ｂ）に示す配線層３２（第２金属層５２）を形成する領域に対応する部分のシード層２０１及び第１金属層５１を露出するように形成される。
【００４０】
同様に、シード層２１１の表面に、所定の箇所に開口部２１４Ｘを有するレジスト層２１４を形成する。開口部２１４Ｘは、図１（ｂ）に示す配線層４２を形成する領域に対応する部分のシード層２１１を露出するように形成される。
【００４１】
レジスト層２０４，２１４の材料としては、たとえば上記のレジスト層２０２，２１２と同様に、次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。たとえば、レジスト層２０４，２１４の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（たとえば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。
【００４２】
図７（ａ）に示すように、レジスト層２０４，２１４をめっきマスクとして、シード層２０１，２１１をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層２０４の開口部２０４Ｘから露出されたシード層２０１の上面及び電解銅めっき層２０３の表面（側面及び上面）に電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施すことにより、そのシード層２０１の上面及び電解銅めっき層２０３の表面（側面及び上面）を覆う電解銅めっき層２０５を形成する。同様に、レジスト層２１４の開口部２１４Ｘから露出されたシード層２１１の表面（下面）に電解めっき法（ここでは、電解銅めっき法）を施すことにより、そのシード層２１１の下面に電解銅めっき層２１５を形成する。電解銅めっき層２０５，２１５の厚さは、たとえば１５μｍである。
【００４３】
図７（ｂ）に示すように、レジスト層２０４，２１４（図６（ａ）参照）を除去する。レジスト層２０４，２１４の除去には、たとえばアルカリ性の剥離液を用いる。
図７（ｃ）に示すように、たとえばフラッシュエッチングにより、電解銅めっき層２０５，２１５をエッチングマスクとして電解銅めっき層２０５，２１５から露出するシード層２０１，２１１を除去する。これにより、電解銅めっき層２０５と電解銅めっき層２０３とシード層２０１とからなる配線層３２と、電解銅めっき層２１５とシード層２１１とからなる配線層４２が得られる。
【００４４】
図８に示すように、絶縁層３１の上面３１Ａに、開口部７０Ｘを有するソルダレジスト層７０を形成するとともに、絶縁層４１の下面４１Ｂに、開口部８０Ｘを有するソルダレジスト層８０を形成する。これらソルダレジスト層７０，８０は、たとえば、感光性のソルダレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより得られる。
【００４５】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）配線基板１０の絶縁層３１の上面３１Ａには配線層３２が形成されている。配線層３２は、第１金属層５１と第２金属層５２とを有している。第１金属層５１は、絶縁層３１の上面３１Ａに配置されている。第２金属層５２は、パッド部５３と配線部５４を有し、パッド部５３は第１金属層５１の上面及び側面を被覆する。絶縁層３１の上面３１Ａと配線層３２はソルダレジスト層（保護絶縁層）７０により被覆されている。ソルダレジスト層７０は、パッド部５３の上面５３Ａの一部を露出する開口部７０Ｘを有している。そして、開口部７０Ｘの深さ（開口部上端から開口部下端までの長さ）は、ソルダレジスト層７０の上面から配線部５４の上面までの長さより小さい。
【００４６】
この配線基板１０において、厚いソルダレジスト層７０により配線層３２の露出を防止することができる。そして、第１金属層５１を覆うように第２金属層５２のパッド部５３が形成されている。第１金属層５１とパッド部５３とにより、ソルダレジスト層７０の開口部７０Ｘの深さは、たとえば１０μｍと浅く、アスペクト比が小さい（＝０．２５）。このようにアスペクト比が小さい（たとえば、０．３以下）の開口部７０Ｘは、第２金属層５２の上面（パッド部５３の上面５３Ａ）に、ソルダレジスト層７０の残渣の発生を抑制することができる。そして、パッド部５３に対して半導体素子１００の電極を良好に接続することができる。
【００４７】
（２）パッド部５３の上面５３Ａは、上方に向かって膨らんだドーム形状である。このため、図４に示す上面が平面である第２金属層３１６と比べ、本実施形態のパッド部５３は表面積が増加するため、半導体素子１００（図２参照）との接続に用いられるはんだ１０２との接続信頼性を向上させることができる。
【００４８】
（３）第１金属層５１を覆うように第２金属層５２が形成されている。このため、第２金属層５２において、パッド部５３の上面５３Ａの周縁部５３Ｂは、パッド部５３の側面５３Ｃにかけて曲面状に形成されている。このため、周縁部５３Ｂを覆うソルダレジスト層７０において応力が集中しないため、クラック等の発生を抑制することができる。
【００４９】
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態において、配線基板１０は、配線層３２と配線層４２とを相互に電気的に接続する構造を有していれば十分である。このため、配線基板１０の内部には配線層が形成されていてもよく、配線層が形成されていなくてもよい。たとえば、上記のコア基板２０を有していないコアレス基板を用いることができる。また、コア基板２０として、複数の配線層を有するビルドアップ基板を用いてもよい。また、配線積層部３０，４０を、複数の絶縁層及び複数の配線層により構成してもよい。
【００５０】
・上記実施形態に対し、必要に応じて、ソルダレジスト層７０の開口部７０Ｘから露出する配線層３２（第２金属層５２）の表面上に、たとえば、ニッケル層（Ｎｉ層）と金層（Ａｕ層）をこの順番で積層した金属層（表面処理層）を形成するようにしてもよい。この金属層は、たとえば、無電解めっき法により形成することができる。同様に、ソルダレジスト層８０の開口部８０Ｘから露出する配線層４２の表面上に、表面処理層を形成するようにしてもよい。
【００５１】
・上記実施形態において、各部材の形状、大きさは一例であり、適宜変更してもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１  半導体装置
１０  配線基板
２２  配線層
３１  絶縁層
３２  配線層
５１  第１金属層
５２  第２金属層
５３  パッド部
５３Ａ  上面
５３Ｂ  周縁部
５３Ｃ  側面
５４  配線部
７０  ソルダレジスト層（保護絶縁層）
７０Ｘ  開口部
１００  半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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