(57)【要約】【課題】Ｎｉメッキ処理を施したときに、Ｎｉメッキが十分に成長して、均一なＮｉメッキ層を効率よく形成することができ、さらにはＮｉＰメッキとの密着性が良好な、Ｎｉメッキ処理用の下地層被覆基板を提供する。【解決手段】Ｎｉメッキ処理に用いられる下地層被覆基板であって、前記下地層は、合金元素として周期表の第８〜１２族元素よりなるＸ群から選択される１種以上のＸ群元素を含むＡｌ合金膜であることを特徴とする下地層被覆基板。【選択図】図１
2017021884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉメッキ処理に用いられる下地層被覆基板であって、
前記下地層は、合金元素として周期表の第８〜１２族元素よりなるＸ群から選択される１種以上のＸ群元素を含むＡｌ合金膜であることを特徴とする下地層被覆基板。
【請求項２】
前記下地層は、前記Ｘ群元素としてＮｉを３原子％以上６５原子％以下含むＡｌ合金膜である請求項１に記載の下地層被覆基板。
【請求項３】
前記下地層は、前記Ｘ群元素としてＺｎを１２原子％以上８０原子％以下含むＡｌ−Ｚｎ合金膜である請求項１又は２に記載の下地層被覆基板。
【請求項４】
前記下地層の厚みが１６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である請求項３に記載の下地層被覆基板。
【請求項５】
前記下地層は、物理蒸着法により形成されたものである請求項１〜４のいずれか１項に記載の下地層被覆基板。
【請求項６】
前記下地層は、磁気記録媒体用アルミニウム基板の表面に被覆されたものである請求項１〜５のいずれか１項に記載の下地層被覆基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の下地層被覆基板の上に、Ｎｉメッキ層を有することを特徴とするＮｉメッキ層含有積層体。
【請求項８】
請求項７に記載のＮｉメッキ層含有積層体を用いて得られる磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｎｉメッキ処理に用いられる下地層被覆基板、Ｎｉメッキ層含有積層体および磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体の磁気ディスク基板には通常、ＮｉＰメッキ処理、特に無電解ＮｉＰメッキ処理が施される。該磁気ディスク基板は次の様にして製造される。まず円環状の純ＡｌまたはＡｌ合金からなるブランク基板に、切削、研削、研磨、脱脂、エッチングを順に行い、次いで、上記ブランク基板と、その上に形成されるＮｉＰメッキとの密着性を高めるべく、ジンケート処理、即ちＺｎ置換処理を施す。次いで、上記無電解ＮｉＰメッキ処理により硬質非磁性金属であるＮｉＰメッキを形成し、このＮｉＰメッキ表面に研磨を施す。その後、前記ＮｉＰメッキ表面に磁性膜をスパッタリングで形成して磁気ディスク基板を得る。
【０００３】
磁気記録媒体表面には高い平滑性が求められる。高い平滑性を確保するには、ＮｉＰメッキ後の研磨に加えて、研磨前のメッキ表面の欠陥低減も必要である。該欠陥を低減する方法として、例えば特許文献１には、アルミニウム合金製基板の表面に、ＺｎおよびＮｉのうちの少なくとも１種を含む金属薄膜を蒸着する工程と、該金属薄膜を形成したアルミニウム合金製基板にＮｉＰを無電解メッキする工程とを行うことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム合金基板の製造方法が開示されている。
【０００４】
また特許文献２には、スパッタ法または蒸着法を用いて、基材上に９９．９９％以上の純度および２．５μｍ以上の膜厚を有するアルミニウム層を形成する工程と、前記アルミニウム層の上に無電解ニッケルメッキ層を形成する工程とを含む無電解ニッケルメッキ層の製造方法や、基材上に９９．９９％以上の純度を有するチタン層を形成する工程と、スパッタ法を用いて、チタン層上に９９．９９％以上の純度および２．５μｍ以上の膜厚を有するアルミニウム層を形成する工程と、前記アルミニウム層の上に無電解ニッケルメッキ層を形成する工程とを含む無電解ニッケルメッキ層の製造方法が開示されている。
【０００５】
更に特許文献３は、アルミニウム合金基板の表面上に、Ｚｎ層、Ｃｕ層及びＮｉＰメッキ層が順次形成された磁気ディスク用ＮｉＰメッキアルミニウム合金基板を開示している。特許文献４には、基板表面に物理蒸着によりＡｌ合金薄膜が形成され、更に前記Ａｌ合金薄膜の上にＣｕ薄膜またはＣｕ合金薄膜が形成された、磁気記録媒体用Ａｌ合金基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２８２４３２号公報
【特許文献２】特開２０１２−０２１１７８号公報
【特許文献３】特開２００３−２７２１３０号公報
【特許文献４】特開２００６−３０２３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしこれらの技術では、無電解ＮｉＰメッキ処理の速度やＮｉＰメッキとの密着性など実用性に関して、十分に鋭意検討されたものではない。
例えば特許文献４には、ＮｉＰメッキとの密着性向上のために、Ａｌ合金薄膜の上にＣｕ薄膜またはＣｕ合金薄膜を形成しておくことが望ましい旨が開示されているものの、無電解ＮｉＰメッキ処理後の密着性に関して、十分に鋭意検討されたものではなく、改善が望まれていた。
【０００８】
本発明は上記の事情に着目してなされたものであって、その目的は、Ｎｉメッキ処理を施すときに、Ｎｉメッキが十分に成長して、均一なＮｉメッキ層を効率よく形成することができ、さらにはＮｉＰメッキとの密着性が良好な、Ｎｉメッキ処理用の下地層被覆基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決し得た本発明の下地層被覆基板は、Ｎｉメッキ処理に用いられる下地層被覆基板であって、前記下地層が、合金元素として周期表の第８〜１２族元素よりなるＸ群から選択される１種以上のＸ群元素を含むＡｌ合金膜であるところに特徴を有する。
【００１０】
前記下地層は、前記Ｘ群元素としてＮｉを３原子％以上６５原子％以下含むＡｌ合金膜であることが好ましい。
【００１１】
前記下地層は、前記Ｘ群元素としてＺｎを１２原子％以上８０原子％以下含むＡｌ−Ｚｎ合金膜であることが好ましい。また、前記Ａｌ−Ｚｎ合金膜である下地層の厚みが１６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１２】
前記下地層は、物理蒸着法により形成されたものであることが好ましい。
【００１３】
前記下地層被覆基板として、前記下地層が、磁気記録媒体用アルミニウム基板の表面に被覆されたものが挙げられる。
【００１４】
本発明には、前記下地層被覆基板の上に、Ｎｉメッキ層を有するところに特徴を有するＮｉメッキ層含有積層体や、該Ｎｉメッキ層含有積層体を用いて得られる磁気記録媒体も含まれる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のＮｉメッキ処理用の下地層被覆基板は、該下地層として特定のＡｌ合金膜が形成されているため、該下地層被覆基板に対してＮｉメッキ処理を施すと、Ｎｉメッキが十分に成長して、均一なＮｉメッキ層を効率よく形成し、かつＮｉＰメッキ後の密着性を良好なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、下地層であるＡｌ合金膜のＮｉ含有量とＮｉＰメッキ層の厚さとの関係を示したグラフである。
【図２】図２は、下地層であるＡｌ−Ｚｎ合金膜のＺｎ含有量ごとのＮｉＰメッキ表面の光学顕微鏡写真である。
【図３】図３は、下地層であるＺｎ含有量が４０原子％であるＡｌ−Ｚｎ合金膜の、膜厚ごとのＮｉＰメッキ表面の光学顕微鏡写真と表面粗さＲａを表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、Ｎｉメッキを形成しようとする基板が、規定のＸ群元素を含むＡｌ合金膜（下地層）で覆われていれば、上記Ｎｉメッキ処理時に、該Ａｌ合金膜直上にＮｉメッキが十分成長し、該Ｎｉメッキを均一かつ効率よく形成でき、さらにはＮｉメッキ後の密着性が良好であることを見出した。
特に、下地層の合金膜をＡｌ合金膜とすることにより、良好なＮｉメッキ後の密着性が得られる。これは、Ｃｕ合金膜に比べてＡｌ合金膜は基材となるアルミニウム合金やガラス等との熱膨張差が小さいために、密着性を低下させないものと考えられる。
尚、本明細書では、下地層である上記Ａｌ合金膜の形成に用いる基板を「ブランク基板」といい、該ブランク基板の表面に上記Ａｌ合金膜が被覆されてなる基板を「下地層被覆基板」と区別する。
【００１８】
以下では、まず下地層として形成するＡｌ合金膜について説明する。該Ａｌ合金膜は、Ｘ群元素として、周期表の第８〜１２族元素よりなる群から選択される１種以上の元素を含む。Ｘ群元素は、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。これらＸ群元素は、触媒機能を発揮すると考えられるため、該Ｘ群元素を含むＡｌ合金膜直上にＮｉメッキ層が形成され易いと考えられる。
例えば、第４族のＴｉを含むＡｌ合金膜では、Ｎｉメッキが成長しにくいのに対し、第８〜１２族の元素を含むＡｌ合金膜では、効率的なＮｉメッキ成長を実現することができる。中でも第１０〜１２族の元素が、第８族や第９族の元素よりもＮｉメッキの成長速度が速いため好ましい。
【００１９】
生産性に関与する成膜レートは、投入パワーを増加させることによって増加させることは可能であるが、第８族のＦｅや第９族のＣｏは強磁性体金属であり、マグネトロンスパッタリングでは放電電圧の増加による高投入パワー化に限界がある。また前述の第１２族のＺｎは、Ａｌ合金ターゲットの低融点化をもたらし、高パワー成膜ではターゲットの変形などを引き起こす場合がある。よって、Ｎｉメッキの効率的な成長とＡｌ合金膜の成膜レートの観点からは、第８〜１２族の元素の中でも、第１０族と第１１族の元素がより好ましい。この第１０族と第１１族の元素の中でも、ＰｄやＡｇといった貴金属元素は材料コストの大幅増をもたらすので、特に好ましくはＮｉである。
【００２０】
前記Ｘ群元素は、３原子％以上含むことが好ましく、１０原子％以上がより好ましく、２０原子％以上がさらに好ましい。また、６５原子％以下含むことが好ましく、５５原子％以下がより好ましく、５０原子％以下がさらに好ましい。この含有量は、Ｘ群元素が１元素の場合は単独量をいい、複数の元素からなる場合は合計量をいう。
【００２１】
前記Ｘ群元素としてＮｉを用いる場合、純Ａｌ膜（Ｎｉ含有量０原子％）では特にノジュールが多く発生する傾向があることから、Ｎｉメッキの触媒膜として、Ａｌ合金膜は一定量以上のＮｉを含有することが好ましい。これは、Ｎｉ量が少ないとＮｉの自己触媒機能が発揮されないためである。そこで、本発明においては、自己触媒機能を発現するために、Ａｌ合金膜に含まれるＮｉ含有量の最適な下限値が存在する。
そこで触媒機能を発揮させるため、すなわち通常のジンケート処理と同等のＮｉメッキ速度を確保するために、Ａｌ合金膜に含まれるＮｉ含有量は３原子％以上であることが好ましく、１０原子％以上がより好ましく、２０原子％以上がさらに好ましい。この様に一定以上のＮｉを含むＡｌ合金膜とすることによって、Ｎｉメッキ処理時に該Ｎｉメッキの形成が促進されて十分なＮｉメッキ速度を得ることができ、面内の膜厚と成分組成の均一なＮｉメッキ層を形成することができる。
【００２２】
一方、Ｎｉ含有量が多すぎると成膜レートは遅くなる傾向にあり、また、放電電圧も高くなる傾向にあることから、Ａｌ合金膜に含まれるＮｉは６５原子％以下であることが好ましく、５５原子％以下がより好ましく、５０原子％以下がさらに好ましい。
このように、一定以下のＮｉを含むＡｌ合金膜とすることによって、十分な成膜レートを得ることができ、また、容量の大きい電源を用意する必要もないことから高コスト化を防ぐことができる。
【００２３】
前記Ｘ群元素としてＣｏを用いても、Ｎｉと同様な効果を得ることができる。Ｃｏを用いる場合、Ｃｏの含有量は、上記触媒機能を発揮させるために２０原子％以上とすることが好ましい。Ｃｏ含有量は、より好ましくは２５原子％以上である。一方、Ｃｏ含有量は３５原子％以下とすることが好ましい。一方、Ｃｏ含有量が多すぎると成膜レートは遅くなる傾向にあり、また、放電電圧も高くなる傾向にあることから、Ａｌ合金膜に含まれるＣｏは、より好ましくは３０原子％以下である。上記Ｎｉと共にこのＣｏを含んでいてもよい。
【００２４】
また、前記Ｘ群元素としてＮｉやＣｏに代えて、又はＮｉやＣｏと共にＺｎを用いることが好ましい。下地層の合金膜をＡｌ−Ｚｎ合金膜とすることにより、基板とＡｌ−Ｚｎ合金膜との密着性に優れ、Ｎｉメッキ後の密着性も非常に優れたものとすることができる。これは、Ｎｉメッキの成長時に、Ａｌ−Ｚｎ合金膜中のＺｎとＮｉとが置換されることで、より強固な結合が形成されるためであると考えられる。
【００２５】
Ａｌ−Ｚｎ合金膜に含まれるＺｎが少な過ぎると均一なＮｉメッキ成長がしにくい。そのためＺｎは１２原子％以上が好ましく、１５原子％以上がより好ましい。またＺｎが多すぎると、例えば基材となるＡｌ合金との密着性が確保しにくくなる。そのためＺｎは８０原子％以下が好ましく、４０％以下がより好ましい。
【００２６】
本発明のＡｌ合金膜として、前記Ｘ群元素を含み、残部がＡｌおよび不可避不純物のものが挙げられる。前記不可避不純物としては、Ｃ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｘ群元素として含まないＦｅ、Ｘ群元素として含まないＣｏ、Ｘ群元素として含まないＺｎ等が挙げられる。
【００２７】
Ａｌ合金膜の膜厚
前記Ａｌ合金膜の膜厚は、例えば磁気記録媒体に用いる場合、該Ａｌ合金膜を形成する部位にもよる。上記磁気記録媒体の場合、円環状のブランク基板を用いるが、上記Ａｌ合金膜の形成に通常用いるスパッタリングターゲットのサイズが外径１００〜２００ｍｍで、上記ブランク基板のサイズが外径５０〜１００ｍｍの場合、該円環状のブランク基板の内外周、つまりテーパー部や垂直形状の端部のＡｌ合金膜の膜厚は、データ面である平坦部の約１／１０以下となる。いずれの部位においても、Ａｌ合金膜の膜厚が薄すぎると、Ｎｉメッキが十分に成長せず、該メッキが均一に形成されないため、Ａｌ合金膜の膜厚は１ｎｍ以上とすることが好ましい。一方、前記膜厚が厚すぎると、生産性が悪くなったり膜が剥離し易くなる等のリスクが生じる。よって、上記Ａｌ合金膜の膜厚は、２００ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ以下である。
【００２８】
また、Ａｌ合金膜をＺｎを含むＡｌ−Ｚｎ合金膜とする場合には、該Ａｌ−Ｚｎ合金膜の膜厚が小さすぎると、Ａｌ−Ｚｎ合金膜に含まれるＺｎの絶対量が少なくなるために、ＮｉとＺｎとの置換が十分でなく、密着性の確保が困難になる。そのため、Ａｌ−Ｚｎ合金膜の膜厚は１６０ｎｍ以上が好ましく、２００ｎｍ以上がより好ましい。
上限はＡｌ−Ｚｎ合金膜の組成によって異なるものの、密着性の観点からは１０００ｎｍ以下が好ましく、５００ｎｍ以下がより好ましい。また、Ｎｉメッキの均一な成長の観点からは５００ｎｍ未満が好ましく、４００ｎｍ以下がより好ましい。
Ｎｉメッキの均一な成長に関し、膜厚が大きすぎると、下地層の表面荒れのためにＮｉメッキの均一な成長がしにくくなる。
なお、Ａｌ合金膜の膜厚は段差計や蛍光Ｘ線分析法により測定することができる。
【００２９】
Ａｌ合金膜の製造方法
前記Ａｌ合金膜は物理蒸着法により形成されることが好ましい。該方法によれば、面内の膜厚と成分組成の均一な膜を形成できるからである。前記物理蒸着法として、スパッタリングを行うことが好ましい。
【００３０】
前記スパッタリングに用いるターゲットとしては、成膜するＡｌ合金膜と成分組成が同一のＡｌ合金ターゲットを用いたり、純Ａｌターゲット上またはＡｌ合金ターゲット上に合金元素の純金属、例えば純Ｎｉ等が配置された複合ターゲットを用いることができる。
【００３１】
前記スパッタリングの条件として、到達真空度：１×１０−３Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．１〜１０ｍｔｏｒｒ、成膜時投入電力密度：０．５〜１００Ｗ／ｃｍ２とすることが挙げられる。
【００３２】
ブランク基板
ブランク基板としては、ガラス基板、Ａｌ系基板として純Ａｌ基板またはＡｌ合金基板、Ｃｕ系基板として純Ｃｕ基板またはＣｕ合金基板、シリコン基板、ＳｉＣ基板、樹脂基板等が挙げられ、さらにはこれら基板上に、本発明におけるＡｌ合金膜以外の金属薄膜を形成したものも含まれる。
ブランク基板の上の膜上にメッキ層が形成されることから、下地となるブランク基板の種類によらず、本発明の効果が得られるものと想定される。ただし密着性に関してはブランク基板の種類によって異なるものと考えられ、密着性がより良好となる点からＡｌ合金基板が好ましく、中でも磁気記録媒体用アルミニウム基板がより好ましい。
【００３３】
前記Ａｌ系基板のうちＡｌ合金基板として、例えば特開２０１２−９９１７９号公報に記載の通り、Ｍｇを３．５質量％以上６質量％以下含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなるアルミニウム合金基板；Ｍｇを３．５質量％以上６質量％以下含有し、かつＣｒを０．０５質量％以上、Ｍｎを０．０５質量％以上、およびＺｒを０．０５質量％以上の群から選択される少なくとも一つを含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなるアルミニウム合金基板；Ｍｇを３．５質量％以上６質量％以下含有し、かつＣｒを０．０５質量％以上０．３質量％以下、Ｍｎを０．０５質量％以上０．５質量％以下、およびＺｒを０．０５質量％以上０．５質量％以下の群から選択される少なくとも一つを含有するとともに、Ｃｕを０．０１質量％以上０．２質量％以下およびＺｎを０．０１質量％以上０．４質量％以下の群から選択される少なくとも一つを含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなり、さらに前記不可避的不純物のうちＳｉが０．０３質量％以下、Ｆｅが０．０５質量％以下に規制されたアルミニウム合金基板；等が挙げられる。
【００３４】
前記「本発明で規定のＡｌ合金膜以外の金属薄膜」として、表面に自然酸化膜を形成しやすくＮｉメッキの困難な純Ｃｕ膜、Ｃｕ合金膜、純Ａｌ膜等が挙げられる。前記金属薄膜は、例えば膜厚５０〜１０００ｎｍの範囲内とすることが挙げられる。該金属薄膜は物理蒸着法で形成することができる。
【００３５】
Ｎｉメッキ
Ｎｉメッキとしては、ＮｉＰメッキの他、ＮｉＢメッキ等が挙げられる。また、無電解メッキと電解メッキが挙げられる。本発明の下地層被覆基板は、特に無電解メッキの場合に十分優れたメッキ性が発揮され、無電解ＮｉＰメッキがより好適に用いられる。
ＮｉＰメッキとしては、該メッキ中のＰ量が２〜４質量％である低Ｐメッキ、８〜１０質量％である中Ｐメッキ、１１〜１３質量％である高Ｐメッキが挙げられる。前記メッキの種類は、例えば磁気記録媒体の場合、要求される磁性や硬度、耐食性に応じて選択することができる。
【００３６】
Ｎｉメッキ層含有積層体
本発明には、上記ブランク基板上にＡｌ合金膜である下地層を形成してなる下地層被覆基板の上に、例えばＮｉＰメッキやＮｉＢメッキ等のＮｉメッキ層を有するＮｉメッキ層含有積層体も含まれる。前記Ｎｉメッキ層の形成は、一般的に行われているＮｉメッキ処理法で行えばよい。また前記Ｎｉメッキ層の厚さは、例えば３〜２０μｍの範囲内とすることができる。本発明によれば、後述する実施例に示す通りメッキ形成速度３μｍ／時間以上を達成できることから、上記厚さのＮｉメッキ層を効率よく形成することができる。
【００３７】
ブランク基板として磁気記録媒体用のＡｌ系基板を使用したＮｉメッキ層含有積層体は、ハードディスク等の磁気記録媒体に使用することができる。また上記Ｎｉメッキ層含有積層体は、該磁気記録媒体以外の用途として、電力の制御に用いられるパワーモジュールであって、例えばＡｌ−Ｓｉ電極上に上記Ｎｉメッキ層、特にはＮｉＰメッキ層の形成されうる、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＩＧＢＴ）やパワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が挙げられる。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００３９】
実施例１
（１）Ａｌ合金膜の形成
基板として、サイズが直径２インチのガラス基板を用い、該基板の直上に、Ｎｉ含有量が３．６原子％、６原子％、１０．７原子％、１７．６原子％、２３．２原子％、２５．８原子％、または０原子％であるＡｌ−Ｎｉ合金膜を形成してサンプルを作製した。各膜は、スパッタ装置としてメーカー：ＵＬＶＡＣ社製、型番：ＳＨ−４５０、バッチ式スパッタ装置を用い、スパッタリング法により形成した。スパッタリングに用いるターゲットとして、Ａｌ−Ｎｉ合金ターゲット、またはＡｌ−Ｎｉ合金ターゲット上に純Ｎｉを配置した複合ターゲットであって、いずれもサイズが直径６インチのターゲットを用いた。前記スパッタリングの条件は、到達真空度：１×１０−４Ｐａ以下、Ａｒガス圧：２ｍｔｏｒｒ、成膜時投入電力：５５０Ｗ、成膜パワー密度：３．０Ｗ／ｃｍ２、形成する膜の厚さ：５０ｎｍ、基板温度：室温（２２℃）とした。
【００４０】
（２）Ａｌ合金膜の組成分析
成膜したＡｌ合金膜中のＸ群元素量、即ち、この実施例１ではＮｉの含有量を、株式会社リガク社製の蛍光Ｘ線分析装置、型番：ＺＳＸｍｉｎｉ−ＩＩを用い、定量分析して確認した。
【００４１】
（３）Ｎｉメッキ処理
Ｎｉメッキ性、具体的には、Ａｌ−Ｎｉ合金膜の自己触媒機能を評価した。詳細には、前記Ａｌ合金膜を形成したサンプルの表面の一部を、マスキング剤ＡＣ−８１８Ｔを用いてマスキング後、上村工業製ＮｉＰメッキＨＤＸ−７Ｇ及びＨＤＸ−Ａに超純水を加えて加熱し、ｐＨ＝４．４、温度９０℃に保持した溶液に、前記サンプルを２０分間又は６０分間浸漬してＮｉＰメッキ層を形成した。その後、取り出して超純水リンス及び窒素ブローを行うことでＮｉメッキ層含有積層体を得た。
【００４２】
（４）Ｎｉメッキ性の評価
上記（３）におけるマスキングを除去後、サンプルにおけるマスキング境界領域、即ちＮｉＰメッキ層が成長している部分と無い部分での段差部を触針式表面粗さ計で測定し、ＮｉＰメッキ層の厚さを求めた。各Ｎｉ含有量のＡｌ合金膜を形成したサンプルを２つ用意して、それぞれのサンプルに対し前記メッキ形成の工程を実施した。そして、一方のサンプルに形成したＮｉＰメッキ層の厚さを２回測定すると共に、他方のサンプルに形成したＮｉＰメッキ層の厚さを１回測定、つまりＮｉＰメッキ層の厚さを合計３回測定した。その結果を用い、Ａｌ合金膜のＮｉ含有量と前記ＮｉＰメッキ層の厚さとの関係を示したグラフを図１に示す。図１に示したＮｉＰメッキ層の厚さは、上記の通り２０分間又は６０分間の浸漬により形成された厚さであるから、１時間あたりに形成されるＮｉＰメッキ層の厚さ、つまり、ＮｉＰメッキ層の形成速度とも読み取ることができる。
【００４３】
その結果、Ａｌ合金膜中のＮｉ含有量が少なくてもＮｉＰメッキ速度はあまり遅くならないことが分かった。Ａｌ合金膜中のＮｉ含有量が少ないほどＮｉＰメッキ層の厚みが薄くなる傾向がみられたものの、純Ａｌ膜（Ｎｉ含有量０原子％）であっても３μｍ以上のＮｉＰメッキ層が得られた。
【００４４】
実施例２
（１）Ａｌ合金膜の形成
基板として、サイズが直径２．５インチのアルミ合金ブランク基板を用い、該基板の直上に、Ｚｎ含有量が６．１原子％、１１．７原子％、１５．８原子％、２０．１原子％、または４０原子％であるＡｌ−Ｚｎ合金膜を形成してサンプルを作製した。各膜は、スパッタ装置としてメーカー：ＵＬＶＡＣ社製、型番：ＳＨ−４５０、バッチ式スパッタ装置を用い、スパッタリング法により形成した。スパッタリングに用いるターゲットとして、Ａｌ−Ｚｎ合金ターゲット、またはＡｌ−Ｚｎ合金ターゲット上に純Ｚｎを配置した複合ターゲットであって、いずれもサイズが直径６インチのターゲットを用いた。前記スパッタリングの条件は、到達真空度：１×１０−４Ｐａ以下、Ａｒガス圧：２ｍｔｏｒｒ、成膜時投入電力：５５０Ｗ、成膜パワー密度：３．０Ｗ／ｃｍ２、形成する膜の厚さ：１００ｎｍ、基板温度：室温（２２℃）とした。
【００４５】
（２）Ａｌ合金膜の組成分析
成膜したＡｌ合金膜中のＸ群元素量、即ち、この実施例２ではＺｎの含有量を、株式会社リガク社製の蛍光Ｘ線分析装置、型番：ＺＳＸｍｉｎｉ−ＩＩを用い、定量分析して確認した。
【００４６】
（３）Ｎｉメッキ処理
前記Ａｌ合金膜を形成したサンプルの表面の一部を、マスキング剤ＡＣ−８１８Ｔを用いてマスキング後、上村工業製ＮｉＰメッキＨＤＸ−７Ｇ及びＨＤＸ−Ａに超純水を加えて加熱し、ｐＨ＝４．４、温度９０℃に保持した溶液に、前記サンプルを６０分間浸漬してＮｉＰメッキ層を形成した。その後、取り出して超純水リンス及び窒素ブローを行うことでＮｉメッキ層含有積層体を得た。
【００４７】
（４）Ｎｉメッキ性の評価
Ｎｉメッキ性の評価として、図２にＮｉＰメッキ表面の光学顕微鏡写真を、下地層であるＡｌ−Ｚｎ合金膜のＺｎ含有量ごとに示した。その結果、Ｚｎ含有量が６．１原子％又は１１．７原子％であるとＮｉメッキ成長が不均一となり、それ以上であれば均一なＮｉメッキ成長が見られることがわかった。
【００４８】
実施例３
Ｚｎ含有量を４２原子％とし、Ａｌ−Ｚｎ合金膜の膜厚を１０ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍ、５００ｎｍ又は１０００ｎｍとした以外は実施例２と同様にして、Ａｌ−Ｚｎ合金膜を下地層とするＮｉメッキ層含有積層体を得た。この積層体について、メッキの密着性の評価を、Ａｌ−Ｚｎ合金膜の膜厚ごとに、クロスカットテストにより行った。すなわち、Ｎｉメッキ層含有積層体に、１ｍｍ×１ｍｍの切込みを５×５か所入れた後、テープでＮｉメッキ層を剥離し、実際に剥離した個数をカウントした。
その結果、Ａｌ−Ｚｎ合金膜の膜厚が１０ｎｍ又は１５０ｎｍの場合は２５か所中２４か所以上と、９５％以上の確率で剥離したのに対し、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍ及び５００ｎｍの場合は全く剥離しなかった。また、膜厚が１０００ｎｍの場合でも、剥離する確率は３０％程度であった。
【００４９】
実施例４
Ｚｎ含有量を４０原子％とした以外は実施例３と同様にして、Ａｌ−Ｚｎ合金膜の膜厚が１０ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍ、５００ｎｍ又は１０００ｎｍであるＮｉメッキ層含有積層体を得た。この積層体について、Ｎｉメッキ表面の状態をＡｌ−Ｚｎ合金膜の膜厚ごとに光学顕微鏡で観察し、また、Ｂｒｕｋｅｒｒ社製触針式段差計  Ｄｅｋｔａｋ  ６ＭによりＮｉメッキの表面粗さＲａを求めた。
結果を図３に示すが、膜厚が５００ｎｍ以上となると均一に成長できず、表面粗さも５２１ｎｍ又は５４６ｎｍとなるが、膜厚１０〜３００ｎｍであれば均一なＮｉメッキ層が形成できることが確認された。
【図１】
2017021884.tif 000003
【図２】
2017021884.tif 000004
【図３】
2017021884.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月7日(2016.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉメッキ処理に用いられる下地層被覆基板であって、
前記下地層は、合金元素としてＺｎを１２原子％以上８０原子％以下含むＡｌ合金膜であることを特徴とする下地層被覆基板。
【請求項２】
Ｎｉメッキ処理に用いられる下地層被覆基板であって、
前記下地層は、合金元素としてＮｉを３原子％以上６５原子％以下含むＡｌ合金膜であることを特徴とする下地層被覆基板。
【請求項３】
前記下地層の厚みが１６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である請求項１に記載の下地層被覆基板。
【請求項４】
前記下地層は、物理蒸着法により形成されたものである請求項１〜３のいずれか１項に記載の下地層被覆基板。
【請求項５】
前記下地層は、磁気記録媒体用アルミニウム基板の表面に被覆されたものである請求項１〜４のいずれか１項に記載の下地層被覆基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の下地層被覆基板の上に、Ｎｉメッキ層を有することを特徴とするＮｉメッキ層含有積層体。
【請求項７】
請求項６に記載のＮｉメッキ層含有積層体を用いて得られる磁気記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決し得た本発明の下地層被覆基板は、Ｎｉメッキ処理に用いられる下地層
被覆基板であって、前記下地層が、合金元素としてＺｎまたはＮｉを含むＡｌ合金膜であるところに特徴を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記下地層は、Ｎｉを３原子％以上６５原子％以下含むＡｌ合金膜である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記下地層は、Ｚｎを１２原子％以上８０原子％以下含むＡｌ−Ｚｎ合金膜である。また、前記Ａｌ−Ｚｎ合金膜である下地層の厚みが１６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、Ｎｉメッキを形成しようとする基板が、合金元素としてＺｎまたはＮｉを含むＡｌ合金膜（下地層）で覆われていれば、上記Ｎｉメッキ処理時に、該Ａｌ合金膜直上にＮｉメッキが十分成長し、該Ｎｉメッキを均一かつ効率よく形成でき、さらにはＮｉメッキ後の密着性が良好であることを見出した。
特に、下地層の合金膜をＡｌ合金膜とすることにより、良好なＮｉメッキ後の密着性が
得られる。これは、Ｃｕ合金膜に比べてＡｌ合金膜は基材となるアルミニウム合金やガラ
ス等との熱膨張差が小さいために、密着性を低下させないものと考えられる。
尚、本明細書では、下地層である上記Ａｌ合金膜の形成に用いる基板を「ブランク基板
」といい、該ブランク基板の表面に上記Ａｌ合金膜が被覆されてなる基板を「下地層被覆
基板」と区別する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以下では、まず下地層として形成するＡｌ合金膜について説明する。該Ａｌ合金膜は、合金元素としてＺｎまたはＮｉを含む。これら合金元素は、触媒機能を発揮すると考えられるため、該合金元素を含むＡｌ合金膜直上にＮｉメッキ層が形成され易いと考えられる。
例えば、第４族のＴｉを含むＡｌ合金膜では、Ｎｉメッキが成長しにくいのに対し、ＺｎまたはＮｉを含むＡｌ合金膜では、効率的なＮｉメッキ成長を実現することができる。また、第８族や第９族の元素よりもＮｉメッキの成長速度が速いため好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
生産性に関与する成膜レートは、投入パワーを増加させることによって増加させることは可能であるが、第８族のＦｅや第９族のＣｏは強磁性体金属であり、マグネトロンスパッタリングでは放電電圧の増加による高投入パワー化に限界がある。Ｚｎは、Ａｌ合金ターゲットの低融点化をもたらし、高パワー成膜ではターゲットの変形などを引き起こす場合がある。よって、Ｎｉメッキの効率的な成長とＡｌ合金膜の成膜レートの観点からは、Ｎｉがより好ましい。また、ＰｄやＡｇといった貴金属元素は材料コストの大幅増をもたらすので、Ｎｉが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記合金元素としてＮｉを用いる場合、純Ａｌ膜（Ｎｉ含有量０原子％）では特にノジュールが多く発生する傾向があることから、Ｎｉメッキの触媒膜として、Ａｌ合金膜は一定量以上のＮｉを含有することが好ましい。これは、Ｎｉ量が少ないとＮｉの自己触媒機能が発揮されないためである。そこで、本発明においては、自己触媒機能を発現するために、Ａｌ合金膜に含まれるＮｉ含有量の最適な下限値が存在する。
そこで触媒機能を発揮させるため、すなわち通常のジンケート処理と同等のＮｉメッキ速度を確保するために、Ａｌ合金膜に含まれるＮｉ含有量は３原子％以上であることが好ましく、１０原子％以上がより好ましく、２０原子％以上がさらに好ましい。この様に一定以上のＮｉを含むＡｌ合金膜とすることによって、Ｎｉメッキ処理時に該Ｎｉメッキの形成が促進されて十分なＮｉメッキ速度を得ることができ、面内の膜厚と成分組成の均一なＮｉメッキ層を形成することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
尚、Ｃｏを用いても、Ｎｉと同様な効果を得ることができる。Ｃｏを用いる場合、Ｃｏの含有量は、上記触媒機能を発揮させるために２０原子％以上とすることが好ましい。Ｃｏ含有量は、より好ましくは２５原子％以上である。一方、Ｃｏ含有量は３５原子％以下とすることが好ましい。一方、Ｃｏ含有量が多すぎると成膜レートは遅くなる傾向にあり、また、放電電圧も高くなる傾向にあることから、Ａｌ合金膜に含まれるＣｏは、より好ましくは３０原子％以下である。上記Ｎｉと共にこのＣｏを含んでいてもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、前記合金元素としてＮｉやＣｏに代えて、又はＮｉやＣｏと共にＺｎを用いることが好ましい。下地層の合金膜をＡｌ−Ｚｎ合金膜とすることにより、基板とＡｌ−Ｚｎ合金膜との密着性に優れ、Ｎｉメッキ後の密着性も非常に優れたものとすることができる。これは、Ｎｉメッキの成長時に、Ａｌ−Ｚｎ合金膜中のＺｎとＮｉとが置換されることで、より強固な結合が形成されるためであると考えられる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明のＡｌ合金膜として、前記合金元素を含み、残部がＡｌおよび不可避不純物のものが挙げられる。前記不可避不純物としては、Ｃ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ等が挙げられる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（２）Ａｌ合金膜の組成分析
成膜したＡｌ合金膜中のＮｉの含有量を、株式会社リガク社製の蛍光Ｘ線分析装置、型番：ＺＳＸｍｉｎｉ−ＩＩを用い、定量分析して確認した。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（２）Ａｌ合金膜の組成分析
成膜したＡｌ合金膜中のＺｎの含有量を、株式会社リガク社製の蛍光Ｘ線分析装置、型番：ＺＳＸｍｉｎｉ−ＩＩを用い、定量分析して確認した。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月6日(2016.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮｉＰメッキ処理に用いられる下地層被覆基板であって、
前記下地層は、合金元素としてＺｎを１２原子％以上８０原子％以下含むＡｌ―Ｚｎ合金膜であることを特徴とする下地層被覆基板。
【請求項２】
ＮｉＰメッキ処理に用いられる下地層被覆基板であって、
前記下地層は、合金元素としてＮｉを３原子％以上６５原子％以下含むＡｌ―Ｎｉ合金膜であることを特徴とする下地層被覆基板。
【請求項３】
前記下地層の厚みが１６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である請求項１に記載の下地層被覆基板。
【請求項４】
前記下地層は、物理蒸着膜である請求項１〜３のいずれか１項に記載の下地層被覆基板。
【請求項５】
前記下地層は、磁気記録媒体用アルミニウム基板の表面に被覆されたものである請求項１〜４のいずれか１項に記載の下地層被覆基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の下地層被覆基板の上に、ＮｉＰメッキ層を有することを特徴とするＮｉＰメッキ層含有積層体。
【請求項７】
請求項６に記載のＮｉＰメッキ層含有積層体を有する磁気記録媒体。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決し得た本発明の下地層被覆基板は、ＮｉＰメッキ処理に用いられる下地層被覆基板であって、前記下地層が、合金元素としてＺｎまたはＮｉを含むＡｌ合金膜であるところに特徴を有する。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記下地層は、物理蒸着膜であることが好ましい。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明には、前記下地層被覆基板の上に、ＮｉＰメッキ層を有するところに特徴を有するＮｉＰメッキ層含有積層体や、該ＮｉＰメッキ層含有積層体を有する磁気記録媒体も含まれる。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のＮｉＰメッキ処理用の下地層被覆基板は、該下地層としてＺｎまたはＮｉを含むＡｌ合金膜が形成されているため、該下地層被覆基板に対してＮｉＰメッキ処理を施すと、ＮｉＰメッキが十分に成長して、均一なＮｉＰメッキ層を効率よく形成し、かつＮｉＰメッキ後の密着性を良好なものとすることができる。