(57)【要約】      （修正有）【課題】窓部のデブリによる汚損を抑制する極端紫外光光源装置を提供する。【解決手段】極端紫外光光源装置１００は、窓部を介して容器外から放電電極上の原料にエネルギービームを照射して原料を気化するエネルギービーム照射手段２８と、一対の放電電極２１ａ、２１ｂにパルス電力を供給することで一対の放電電極２１ａ、２１ｂの相互間にプラズマを発生させ、プラズマから極端紫外光を放射させるパルス電力供給手段２７と、プラズマと窓部との間に配置され、窓部へと向かうデブリを捕捉する回転式のホイルトラップ１３を含んだ窓部用トラップと、を備える。【選択図】図１
2017091891.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窓部を有する容器と、
互いに離間して前記容器内に対向配置された一対の放電電極と、
極端紫外光を放射させるための原料を前記放電電極上に供給する原料供給手段と、
前記窓部を介して前記容器外から前記放電電極上の前記原料にエネルギービームを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、
前記一対の放電電極にパルス電力を供給することで該一対の放電電極の相互間にプラズマを発生させ、該プラズマから極端紫外光を放射させるパルス電力供給手段と、
前記プラズマと前記窓部との間に配置され、該窓部へと向かうデブリを捕捉する回転式のホイルトラップを含んだ窓部用トラップと、
を備えたことを特徴とする極端紫外光光源装置。
【請求項２】
前記プラズマから発生される極端紫外光を集光する集光部材と、
前記プラズマと前記集光部材との間に配置され、該集光部材へと向かうデブリを捕捉する回転式のホイルトラップを含んだ、前記窓部用トラップとは別の集光部用トラップと、
を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項３】
前記プラズマから発生する極端紫外光を集光する集光部材を更に備え、
前記窓部用トラップが、前記プラズマと前記集光部材との間に配置され、該集光部材へと向かうデブリを捕捉する回転式のホイルトラップを含んだ集光部用トラップを兼ねていることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項４】
前記エネルギービーム照射手段が、前記エネルギービームのパルスを前記原料に照射するものであり、
前記エネルギービーム照射手段による前記パルスの照射タイミングを、該パルスが前記窓部用トラップのホイルを避けるタイミングに調整する調整部を備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項５】
前記プラズマから発生される極端紫外光の強度をモニタする極端紫外光モニタを更に備え、
前記調整部が、前記極端紫外光モニタでモニタされた強度が向上するように前記パルスの照射タイミングを調整するものであることを特徴とする請求項４に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項６】
前記窓部用トラップの回転タイミングを検知する検知手段を更に備え、
前記調整部が、前記検知手段によって検知された回転タイミングに基づいて前記パルスの照射タイミングを調整するものであることを特徴とする請求項４に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項７】
前記検知手段が、
前記窓部用トラップの外縁から突出した突出部材と、
前記窓部用トラップの回転に伴う前記突出部材の通過を検知するセンサと、
を備えたものであることを特徴とする請求項６記載の極端紫外光光源装置。
【請求項８】
前記検知手段が、
前記窓部用トラップの回転軸に向けて光を発する発光器と、
前記回転軸に設けられた貫通孔を該回転軸の回転に伴って通過する光を受光する受光器と、
を備えたものであることを特徴とする請求項６記載の極端紫外光光源装置。
【請求項９】
窓部を有する容器と、互いに離間して前記容器内に対向配置された一対の放電電極と、極端紫外光を放射させるための原料を前記放電電極上に供給する原料供給手段と、前記窓部を介して前記容器外から前記放電電極上の前記原料にエネルギービームのパルスを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、前記一対の放電電極にパルス電力を供給することで該一対の放電電極の相互間にプラズマを発生させ、該プラズマから極端紫外光を放射させるパルス電力供給手段と、前記プラズマと前記窓部との間に配置され、該窓部へと向かうデブリを捕捉する回転式のホイルトラップを含んだ窓部用トラップと、を備えた極端紫外光光源装置について、
前記プラズマから発生される極端紫外光の強度をモニタする工程と、
前記エネルギービーム照射手段による前記パルスの照射タイミングを、前記極端紫外光のモニタされた強度が向上するように調整する工程と、
を有することを特徴とする極端紫外光光源装置の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光光源装置および極端紫外光光源装置の調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められている。次世代の半導体露光用光源としては、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光ともいう）を放射する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置ともいう）の開発が進められている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光（ＥＵＶ放射）を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つに極端紫外光放射種（以下、ＥＵＶ放射種ともいう）を加熱して励起することにより高温プラズマを発生させ、その高温プラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ生成プラズマ）方式と、ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma：放電生成プラズマ）方式とに分けられる。
【０００３】
ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種を含む放電ガスが供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。ＤＰＰ方式においては、例えば、特許文献１に記載されているように、放電を発生させる電極表面に液体状の高温プラズマ原料（例えば、Ｓｎ（スズ））を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを生成する方法が提案されている。このような方式は、ＬＤＰ（Laser Assisted Discharge Plasma）方式と称されることもある。なお、特許文献１では、電極の熱負荷を軽減するために円盤状の回転電極が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００７−５０５４６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記したように、ＬＤＰ方式においては、まず放電を発生させる一方の電極（カソード）表面に供給された高温プラズマ原料にレーザビーム等のエネルギービームを照射し、高温プラズマ原料を気化する。そして、この高温プラズマ原料が他方の電極（アノード）に到達し、高電圧が印加された両電極間で放電が発生する。放電のエネルギーにより、高温プラズマ原料が加熱励起されて高温プラズマとなり、当該高温プラズマからＥＵＶ光が放射される。
このようなＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置では、放電電極や、放電電極へ高温プラズマ原料であるスズを供給する機構等は、真空チャンバ内に配置される。
【０００６】
一方、レーザビーム等のエネルギービームを放出するビーム源（以下、エネルギービームとしてレーザビームを例に取り、ビーム源としては、レーザビームを放出するレーザ源を例に取る）は、真空チャンバの外部に設置される。
よって、レーザ源から放出されるレーザビームは、真空チャンバに設けられたレーザビーム入射窓部を介して、真空チャンバ内部に設置されている放電電極（カソード）表面に供給されたスズに照射される。
ここで、スズが供給されている一対の放電電極（カソード、アノード）間で放電が発生し高温プラズマが形成されると、放電電極の一部がスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、高温プラズマ原料であるスズ（Ｓｎ）に起因するデブリ（高速で移動するイオンや中性粒子など）が発生する。
このデブリは、真空チャンバ内を進行し、その一部は高温プラズマからのＥＵＶ光を集光するためのＥＵＶ集光鏡に到達する。そして、ＥＵＶ集光鏡の反射面を削ったり、反射面上に堆積して、ＥＵＶ集光鏡の性能を損ねる。
【０００７】
真空チャンバ内を進行するデブリは、上記したレーザビーム入射窓部にも到達する。その結果、上記レーザビーム入射窓部の真空チャンバ側表面においては、デブリの堆積といったレーザビーム入射窓部の汚損が発生する。その結果、上記レーザビーム入射窓部を通過するレーザビームの透過率が減少する。
このように窓部を通過するレーザビームの透過率が減少すると、高効率ＥＵＶ発光のための高温プラズマ原料の気化を実現するために最適なレーザ照射強度が放電電極上で得られなくなるため、 
ＥＵＶ光の強度が不安定になる。
【０００８】
また、窓部に付着したデブリにレーザビームのエネルギーの一部が吸収されることにより、上記窓部は加熱されて熱膨張が引き起こされる。そして熱膨張した窓部がレンズのように作用して、カソード上の高温プラズマ原料におけるレーザビームの集光位置の変化や、レーザビームの照射パターンの変形が生じる。
その結果、生成される高温プラズマの発光特性や発光位置の変化が引き起こされ、プラズマから放射されるＥＵＶ強度の低下が助長される。
デブリによるレーザビーム入射窓部の汚損の結果ＥＵＶ光強度が低下すると、この低下分を補償するために、より大きい放電電力を高温プラズマに供給しなければならない。その結果、デブリの量がさらに多くなり、ＥＵＶ集光鏡やレーザビーム入射窓部の汚損が加速されてしまう。
そこで、本発明は、窓部のデブリによる汚損を抑制可能な極端紫外光（ＥＵＶ）光源装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る極端紫外光光源装置の一態様は、窓部を有する容器と、互いに離間して前記容器内に対向配置された一対の放電電極と、極端紫外光を放射させるための原料を前記放電電極上に供給する原料供給手段と、前記窓部を介して前記容器外から前記放電電極上の前記原料にエネルギービームを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、前記一対の放電電極にパルス電力を供給することで該一対の放電電極の相互間にプラズマを発生させ、該プラズマから極端紫外光を放射させるパルス電力供給手段と、前記プラズマと前記窓部との間に配置され、該窓部へと向かうデブリを捕捉する回転式のホイルトラップを含んだ窓部用トラップと、を備える。
このような極端紫外光光源装置によれば、窓部用トラップによってデブリが捕捉されるため窓部の汚損が抑制される。
【００１０】
前記極端紫外光光源装置は、前記プラズマから発生される極端紫外光を集光する集光部材と、前記プラズマと前記集光部材との間に配置され、該集光部材へと向かうデブリを捕捉する回転式のホイルトラップを含んだ、前記窓部用トラップとは別の集光部用トラップと、を更に備えたものであってもよい。
あるいは、前記極端紫外光光源装置は、前記プラズマから発生する極端紫外光を集光する集光部材を更に備え、前記窓部用トラップが、前記プラズマと前記集光部材との間に配置され、該集光部材へと向かうデブリを捕捉する回転式のホイルトラップを含んだ集光部用トラップを兼ねているものであってもよい。
【００１１】
また、前記極端紫外光光源装置は、前記エネルギービーム照射手段が、前記エネルギービームのパルスを前記原料に照射するものであり、前記エネルギービーム照射手段による前記パルスの照射タイミングを、該パルスが前記窓部用トラップのホイルを避けるタイミングに調整する調整部を備えることが好ましい。
このような好ましい構造の極端紫外光光源装置によれば、エネルギービームのパルスによる原料の気化が安定するため極端紫外光の放射も安定する。
前記調整部を備えた前記極端紫外光光源装置は、前記プラズマから発生される極端紫外光の強度をモニタする極端紫外光モニタを更に備え、前記調整部が、前記極端紫外光モニタでモニタされた強度が向上するように前記パルスの照射タイミングを調整するものであってもよく、前記窓部用トラップの回転タイミングを検知する検知手段を更に備え、前記調整部が、前記検知手段によって検知された回転タイミングに基づいて前記パルスの照射タイミングを調整するものであってもよい。
前記極端紫外光モニタを備えた極端紫外光光源装置によれば、パルスの照射タイミングが調整されることで極端紫外光の放射強度が向上する。
【００１２】
また、前記検知手段を備えた極端紫外光光源装置によれば、試行錯誤せずにパルスの照射タイミングを適切なタイミングに調整することができる。
また、前記検知手段は、前記窓部用トラップの外縁から突出した突出部材と、前記窓部用トラップの回転に伴う前記突出部材の通過を検知するセンサと、を備えたものであってもよく、前記窓部用トラップの回転軸に向けて光を発する発光器と、前記回転軸に設けられた貫通孔を該回転軸の回転に伴って通過する光を受光する受光器と、を備えたものであってもよい。
【００１３】
さらに、本発明に係る調整方法の一態様は、窓部を有する容器と、互いに離間して前記容器内に対向配置された一対の放電電極と、極端紫外光を放射させるための原料を前記放電電極上に供給する原料供給手段と、前記窓部を介して前記容器外から前記放電電極上の前記原料にエネルギービームのパルスを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、前記一対の放電電極にパルス電力を供給することで該一対の放電電極の相互間にプラズマを発生させ、該プラズマから極端紫外光を放射させるパルス電力供給手段と、前記プラズマと前記窓部との間に配置され、該窓部へと向かうデブリを捕捉する回転式のホイルトラップを含んだ窓部用トラップと、を備えた極端紫外光光源装置について、前記プラズマから発生される極端紫外光の強度をモニタする工程と、前記エネルギービーム照射手段による前記パルスの照射タイミングを、前記極端紫外光のモニタされた強度が向上するように調整する工程と、を有する。
このような調整方法によれば、エネルギービームのパルスの照射タイミングが調整されることで極端紫外光の放射強度が向上する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の極端紫外光光源装置によれば、窓部のデブリによる汚損を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態の極端紫外光光源装置の構成を示す図である。
【図２】デブリトラップをＥＵＶ光の光軸（主軸）に直交する方向から見た断面図である。
【図３】回転式ホイルトラップをプラズマ側から眺望した図である
【図４】窓部用ホイルトラップを回転軸に直交する方向から見た断面図である。
【図５】第２実施形態の極端紫外光光源装置の構成を示す概略構成図である。
【図６】デブリトラップ周辺の構造を示す図である。
【図７】回転式ホイルトラップの回転動作と、レーザビームのパルス状の照射動作とを同期させる手順を表すフローチャートである。
【図８】回転タイミングを測定するための構造を示す図である。
【図９】制御部によるレーザビームの発生タイミングの調整を表すタイミングチャートである。
【図１０】回転タイミングを測定するための第２の構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
＜ＬＤＰ方式の極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）の構成（露光用）＞
図１は、第１実施形態の極端紫外光光源装置の構成を示す図である。
極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）１００は、半導体露光用光源やＥＵＶ露光用マスク検査装置として使用可能な、例えば波長１３．５ｎｍの極端紫外光（ＥＵＶ光）を放出する装置である。図１に示す極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）１００は、主として露光に用いられるものである。
本実施形態のＥＵＶ光源装置１００は、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置であり、より具体的には、放電を発生させる電極表面に供給された高温プラズマ原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該高温プラズマ原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを発生するＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置である。
ＥＵＶ光源装置１００は、図１に示すように、放電容器であるチャンバ１１を有する。チャンバ１１は、開口を有する隔壁１１ａによって、大きく２つの空間に分割されている。一方の空間は放電空間１１ｂであり、他方の空間は集光空間１１ｃである。このチャンバ１１が本発明にいう容器の一例に相当する。
【００１７】
放電空間１１ｂには、各々独立して回転可能な一対の放電電極２１ａ，２１ｂが互いに離間して対向配置されている。放電電極２１ａ，２１ｂは、ＥＵＶ放射種を含む高温プラズマ原料を加熱して励起するためのものである。
放電空間１１ｂの圧力は、高温プラズマ原料を加熱励起するための放電が良好に発生するように、真空雰囲気に維持されている。
集光空間１１ｃには、ＥＵＶ集光鏡（集光ミラー）１２と、デブリトラップ１３とが配置されている。
ＥＵＶ集光鏡１２は、高温プラズマ原料が加熱励起されることで放出されるＥＵＶ光を集光し、チャンバ１１に設けられたＥＵＶ取出部１１ｄから、例えば露光装置の照射光学系（不図示）へ導くものである。
【００１８】
ＥＵＶ集光鏡１２は、例えば、斜入射型の集光鏡であり、複数枚の薄い凹面ミラーを入れ子状に高精度に配置した構造を有する。各凹面ミラーの反射面の形状は、例えば、回転楕円面形状、回転放物面形状、ウォルター型形状であり、各凹面ミラーは回転体形状である。ここで、ウォルター型形状とは、光入射面が、光入射側から順に回転双曲面と回転楕円面、もしくは、回転双曲面と回転放物面からなる凹面形状である。
ＥＵＶ集光鏡１２は、反射面形状が回転楕円面形状、ウォルター型形状等いずれかの形状であって、径が互いに異なる回転体形状の凹面ミラーを複数枚備える。ＥＵＶ集光鏡を構成するこれらの凹面ミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置される。このように凹面ミラーを入れ子状に高精度に配置することにより、ＥＵＶ集光鏡１２は、０°〜２５°の斜入射角度のＥＵＶ光を良好に反射し、且つ一点に集光することが可能となる。
【００１９】
また、上記した各凹面ミラーの基体材料は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等である。波長が非常に短いＥＵＶ光を反射させるため、凹面ミラーの反射面は、非常に良好な平滑面として構成される。この平滑面に施される反射材は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属膜である。各凹面ミラーの反射面には、このような金属膜が緻密にコーティングされている。
このＥＵＶ集光鏡１２が、本発明にいう集光部材の一例に相当する。
ＥＵＶ集光鏡１２とＥＵＶ取出部１１ｄとの間には、着脱自在のモニタ用ミラー１２ａが必要に応じて挿入される。このモニタ用ミラー１２ａは、ＥＵＶ集光鏡１２により集光されるＥＵＶ光の一部を採取してＥＵＶモニタ１２ｂに導光する。ＥＵＶモニタ１２ｂはＥＵＶ光の強度をモニタし、モニタした結果を制御部４０に送る。
【００２０】
デブリトラップ１３は、放電によるプラズマ生成の結果生じるデブリを捕捉し、当該デブリがＥＵＶ光の集光部へ移動するのを抑制する。デブリトラップ１３の具体的構成については後で詳述する。
放電空間１１ｂに配置された一対の放電電極２１ａ，２１ｂは、金属製の円盤状部材である。放電電極２１ａ，２１ｂは、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属からなる。ここで、２つの放電電極２１ａ，２１ｂのうち、一方の放電電極２１ａがカソードであり、他方の放電電極２１ｂがアノードである。
放電電極２１ａは、高温プラズマ原料２２ａを収容するコンテナ２３ａの中にその一部(重力方向の下部)が浸されるように配置される。放電電極２１ａの略中心部には、モータ２４ａの回転軸２５ａが取り付けられている。すなわち、モータ２４ａが回転軸２５ａを回転させることにより、放電電極２１ａは回転する。モータ２４ａは、制御部４０によって駆動制御される。コンテナ２３ａとモータ２４ａと回転軸２５ａを併せたものが、本発明にいう原料供給手段の一例に相当する。原料供給手段としては、ここに例示されたもののみならず、高温プラズマ原料２２ａを放電電極２１ａに供給可能な任意の周知手段が採用し得ることは言うまでも無い。
【００２１】
また、回転軸２５ａは、例えば、メカニカルシール２６ａを介してチャンバ１１内に導入される。メカニカルシール２６ａは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２５ａの回転を許容する。
放電電極２１ｂも、放電電極２１ａと同様に、高温プラズマ原料２２ｂを収容するコンテナ２３ｂの中にその一部(重力方向の下部)が浸されるように配置される。放電電極２１ｂの略中心部には、モータ２４ｂの回転軸２５ｂが取り付けられている。すなわち、モータ２４ｂが回転軸２５ｂを回転させることにより、放電電極２１ｂは回転する。モータ２４ｂは、制御部４０によって駆動制御される。
【００２２】
また、回転軸２５ｂは、例えば、メカニカルシール２６ｂを介してチャンバ１１内に導入される。メカニカルシール２６ｂは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２５ｂの回転を許容する。
放電電極２１ａ，２１ｂの表面上に乗った液体状の高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂは、放電電極２１ａ，２１ｂが回転することで放電領域に輸送される。
ここで、放電領域とは、両電極２１ａ，２１ｂ間の放電が発生する空間であり、両電極２１ａ，２１ｂの周縁部のエッジ部分間距離が最も短い部分である。
高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂとしては、溶融金属、例えば液体状のスズ（Ｓｎ）を用いる。この高温プラズマ原料２２ａ，２２ｂは、放電電極２１ａ，２１ｂに電力を供給する給電用の導電体としても働く。
【００２３】
コンテナ２３ａ，２３ｂは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持可能な絶縁性の電力導入部１１ｆ，１１ｅを介して、パルス電力供給部２７に接続されている。コンテナ２３ａ及び２３ｂ、並びに高温プラズマ原料であるスズ２２ａ及び２２ｂは導電性である。放電電極２１ａの一部及び放電電極２１ｂの一部はそれぞれスズ２２ａ，２２ｂに浸漬しているので、コンテナ２３ａ，２３ｂ間にパルス電力供給部２７からパルス電力を印加することで、放電電極２１ａ，２１ｂ間にパルス電力を印加することができる。
なお、特に図示しないが、コンテナ２３ａ及び２３ｂには、スズを溶融状態に維持する温度調節機構が設けられている。
【００２４】
パルス電力供給部２７は、コンテナ２３ａ及び２３ｂ間、すなわち放電電極２１ａ及び２１ｂ間にパルス幅の短いパルス電力を印加する。パルス電力供給部２７は、制御部４０によって駆動制御される。
レーザ源２８は、放電領域に輸送された放電電極２１ａ上のスズ２２ａに対してレーザビーム（エネルギービーム）を照射するエネルギービーム照射手段の一例である。レーザ源２８は、例えばＮｄ：ＹＶＯ４レーザ装置（Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate  レーザ装置）である。
このレーザ源２８が放出するレーザビームＬは、集光手段であるレーザビーム集光部等を介してチャンバ１１の窓部（レーザビーム入射窓部）１１ｇに入射し、放電電極２１ａ上に導かれる。レーザ源２８によるレーザビームの照射タイミングは、制御部４０が制御する。レーザ源２８は本発明にいうエネルギービーム照射手段の一例に相当し、レーザビーム入射窓部１１ｇは、本発明にいう窓部の一例に相当する。エネルギービーム照射手段としては、ここに例示したレーザ源２８のみならず、放電電極上の原料を気化させるエネルギービームを、窓部を介して照射可能な任意の周知手段が採用され得ることは言うまでも無い。
【００２５】
パルス電力供給部２７により放電電極２１ａ，２１ｂにパルス電圧を印加した状態で、放電領域に輸送された高温プラズマ原料２２ａに対してレーザビームが照射されると、当該高温プラズマ原料が気化し、両電極２１ａ，２１ｂ間でパルス放電が開始される。その結果、高温プラズマ原料２２ａ、２２ｂによるプラズマＰが形成される。そして、放電時に流れる大電流によりプラズマＰが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマＰからＥＵＶ光が放射される。このパルス電力供給部２７が、本発明にいうパルス電力供給手段の一例に相当する。パルス電力供給手段としては、ここに例示したパルス電力供給部２７のようにコンテナおよびスズを介して電力を供給するもののみならず、放電電極２１ａ，２１ｂにパルス電力を印加可能な任意の周知手段が採用され得ることは言うまでも無い。
なお、上述したように放電電極２１ａ，２１ｂ間にはパルス電力を印加するため、上記放電はパルス放電となり、放射されるＥＵＶ光はパルス状に放射されるパルス光となる。
【００２６】
＜デブリトラップ＞
次に、デブリトラップ１３の具体的構成について説明する。
ＥＵＶ光源装置１００では、例えば、高温プラズマＰと接する金属（例えば、一対の放電電極２１ａ，２１ｂ）が上記プラズマＰによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、高温プラズマ原料であるスズ（Ｓｎ）に起因するデブリが発生する。
これらのデブリは、プラズマの収縮・膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。すなわち、高温プラズマＰから発生するデブリは高速で移動するイオンや中性原子であり、このようなデブリはＥＵＶ集光鏡１２にぶつかって反射面を削ったり、反射面上に堆積したりして、ＥＵＶ光の反射率を低下させるおそれがある。
【００２７】
そこで、ＥＵＶ光源装置１００では、放電空間１１ｂと集光空間１１ｃに収容されたＥＵＶ集光鏡１２との間に、上記デブリによるＥＵＶ集光鏡１２のダメージを防ぐためのデブリトラップ１３を配置する。デブリトラップ１３は、デブリを捕捉してＥＵＶ光のみを通過させる働きをする。第１実施形態におけるデブリトラップ１３は、本発明にいう「窓部用トラップとは別の集光部用トラップ」の一例に相当する。
図２は、デブリトラップ１３をＥＵＶ光の光軸（主軸）に直交する方向から見た断面図である。
デブリトラップ１３は、回転機能を有するホイルトラップ（回転式ホイルトラップ）１３０と、回転せず固定型のホイルトラップ（固定式ホイルトラップ）１４０とを備える。プラズマＰから放射されたＥＵＶ光のうちデブリトラップ１３へと向かった光は、回転式ホイルトラップ１３０、固定式ホイルトラップ１４０の順に通過する。
【００２８】
一般に露光用光源として用いるＥＵＶ光源装置の場合、ＥＵＶ光源装置から放出されるＥＵＶ光は、ワーク（ウエハ）上の比較的大きい照射領域に照射される。露光のスループットはＥＵＶ光のｄｏｓｅ量に依存するので、高温プラズマＰから立体角４πで放出されるＥＵＶ光をできるだけ多く利用することが望ましい。すなわち、露光に使用するためプラズマＰから取り出すＥＵＶ光の取出立体角θ１はある程度大きくする必要がある。よって、上記ＥＵＶ光のエタンデュ（高温プラズマＰの大きさとプラズマからのＥＵＶ光の取出立体角θ１との積）もある程度大きくなる。
【００２９】
回転式ホイルトラップ１３０は、図３に当該回転式ホイルトラップ１３０をプラズマ側から眺望した図を示すように、ＥＵＶ光の主軸と一致する軸を中心軸として、当該中心軸から半径方向に放射状に伸びる複数のホイル（回転ホイル）１３１を備える。なお、ホイル１３１は、薄膜（ホイル）または薄い平板（プレート）により構成されており、本明細書では薄膜と平板を併せて「ホイル」と呼ぶ。
ホイル１３１は、半径方向内側端部を同心円状に配置された中心支柱（支持部材）１３２によって支持され、半径方向外側端部をリング状支持体である外側リング１３３によって支持されている。これら複数のホイル１３１は、支持体（中心支柱１３２と外側リング１３３）に支持された状態で、中心支柱１３２の回転軸を中心に回転可能となっている。なお、回転式ホイルトラップ１３０を回転させるモータなどについては図示が省略されているが、このモータの駆動は制御部４０によって制御されるものとする。
【００３０】
また、ホイル１３１は、その平面がＥＵＶ光の主軸に対して平行になるように配置され支持されている。そのため、回転式ホイルトラップ１３０を極端紫外光源（高温プラズマＰ）側から見ると、図３に示すように、中心支柱１３２及び外側リング１３３によって構成される支持体を除けば、ホイル１３１の厚みしか見えない。
回転式ホイルトラップ１３０の複数のホイル１３１は、中心支柱１３２の回転軸を中心に回転することで、高温プラズマＰからのデブリを捕捉する。このとき、回転式ホイルトラップ１３０は、上記デブリのうち比較的低速のデブリを捕捉する。
【００３１】
一方、図２に示す固定式ホイルトラップ１４０も、回転式ホイルトラップ１３０と同様に、ＥＵＶ光の主軸と一致する軸を中心として半径方向に放射状に配置された複数のホイル１４１と、当該ホイル１４１を支持する中心支柱１４２及び外側リング１４３とを備える。そして、ホイル１４１は半径方向内側端部を同心円状に配置された中心支柱１４２によって支持され、半径方向外側端部をリング状支持体である外側リング１４３によって支持されている。但し、固定式ホイルトラップ１４０は、回転式ホイルトラップ１３０のように回転せず、固定されている。
固定式ホイルトラップ１４０は、高温プラズマＰからのデブリのうち、回転式ホイルトラップ１３０で捕捉しきれなかった高速で進行するデブリを捕捉する。  固定式ホイルトラップ１４０の複数のホイル１４１は、配置された空間を細かく分割することにより、その部分のコンダクタンスを下げて圧力を上げる働きをする。回転式ホイルトラップ１３０で捕捉しきれなかった高速のデブリは、固定式ホイルトラップ１４０における圧力が上がった領域で衝突確率が上がるために速度が低下する。固定式ホイルトラップ１４０は、このようにして速度が低下したデブリをホイル１４１などにより捕捉する。
【００３２】
＜レーザビーム入射部＞
図１に示す本実施形態のＥＵＶ光源装置１００では、放電空間１１ｂを更に２つの空間に区画する。具体的には、区画用アパーチャ部材１１ｊを用いて、チャンバ１１のレーザビーム入射窓部１１ｇを包囲するデブリ抑制空間１１ｋを設ける。このデブリ抑制空間１１ｋを区画する区画用アパーチャ部材１１ｊは、レーザ源２８から放出され、集光手段を介して、デブリ抑制空間１１ｋに入射するレーザビームＬが通過する開口部１１ｍを有する。開口部１１ｍを通過したレーザビームＬは放電電極（カソード）２１ａ表面に供給された高温プラズマ原料２２ａであるスズに照射される。
【００３３】
デブリ抑制空間１１ｋ内には、レーザビームＬを減衰させない不活性ガスが供給される。なお、放電空間１１ｂとデブリ抑制空間１１ｋとは、開口部１１ｍを介して空間的に接続されるので、放電空間１１ｂの真空度を所望の値に保つために、図示を省略した排気手段を用いて、放電空間１１ｂとデブリ抑制空間１１ｋは、適宜、差動排気される。
更に、デブリ抑制空間１１ｋにおいて、レーザビーム入射窓部１１ｇと開口部１１ｍとの間には、ホイルトラップ（窓部用ホイルトラップ）１５が設けられている。
窓部用ホイルトラップ１５は回転式のホイルトラップであり、窓部用ホイルトラップ１５の略中心部には、モータ１６の回転軸１７が取り付けられている。すなわち、モータ１６が回転軸１７を回転させることにより、窓部用ホイルトラップ１５は回転する。モータ１６は、制御部４０によって駆動制御される。
【００３４】
また、回転軸１７は、例えば、メカニカルシール１８を介してチャンバ１１内に導入される。メカニカルシール１８は、デブリ抑制空間１１ｋ内の雰囲気を維持しつつ、回転軸１７の回転を許容する。
図４は、窓部用ホイルトラップ１５を回転軸１７に直交する方向から見た断面図である。
窓部用ホイルトラップ１５は、回転軸１７に繋がった中心支柱（支持部材）１５２から放射状に伸びる複数のホイル（回転ホイル）１５１を備える。窓部用ホイルトラップ１５を区画用アパーチャ部材１１ｊの開口部１１ｍ側から眺望した図は、図３に示す回転式ホイルトラップ１３０をプラズマ側から眺望した図と同様である。
ホイル１５１は、半径方向内側端部を同心円状に配置された中心支柱（支持部材）１５２によって支持され、半径方向外側端部をリング状支持体である外側リング１５３によって支持されている。これら複数のホイル１５１は、支持体（中心支柱１５２と外側リング１５３）に支持された状態で、中心支柱１５２および回転軸１７を中心に回転可能となっている。
【００３５】
窓部用ホイルトラップ１５の複数のホイル１５１は、中心支柱１５２の回転軸を中心に回転することで、高温プラズマＰからのデブリを捕捉する。この窓部用ホイルトラップ１５が、本発明にいう窓部用トラップの一例に相当する。窓部用トラップとしては、レーザビーム入射窓部１１ｇに向かうデブリを捕捉することが可能な回転式のデブリトラップであれば、この図４に例示した構造のもののみならず、例えば図２に示す回転式ホイルトラップ１３０と同様な構造のものや、例えば図２に示すデブリトラップ１３のように回転式ホイルトラップ１３０と固定式ホイルトラップ１４０を組み合わせた構造のものなど、任意の構造のものが採用され得ることは言うまでも無い。
本実施形態のＥＵＶ光源装置１００においては、開口部１１ｍを有する区画用アパーチャ部材１１ｊを用いて、チャンバ１１のレーザビーム入射窓部１１ｇを包囲するデブリ抑制空間１１ｋを設けたので、高温プラズマＰから飛来するデブリは、区画用アパーチャ部材１１ｊに設けられた開口部１１ｍを介さないとレーザビーム入射窓部１１ｇへは到達できない。すなわち、レーザビーム入射窓部１１ｇへのデブリの到達は、上記構成により抑制される。
【００３６】
また、デブリ抑制空間１１ｋには不活性ガスが供給されるので、開口部１１ｍからデブリ抑制空間１１ｋに進入したデブリは減速する。
更に、レーザビーム入射窓部１１ｇと開口部１１ｍとの間に窓部用ホイルトラップ１５が設けられているので、開口部１１ｍから進入したデブリによるレーザビーム入射窓部１１ｇへの到達は、更に抑制され、レーザビーム入射窓部１１ｇのデブリによる汚損は著しく減少する。また、不活性ガスによるデブリの減速は、窓部用ホイルトラップ１５による捕捉を向上させる。
このように、第１実施形態のＥＵＶ光源装置１００では、レーザビーム入射窓部１１ｇのデブリによる汚損が大幅に抑制されており、この結果、生成される高温プラズマの発光特性や発光位置が安定し、プラズマから放射されるＥＵＶ強度も光強度に維持されることとなる。
なお、第１実施形態のＥＵＶ光源装置１００は露光用のＥＵＶ光源装置として構成されているが、窓部用ホイルトラップ１５を有したＥＵＶ光源装置は、後述するマスク検査光源用のＥＵＶ光源装置として構成することも出来る。
【００３７】
＜ＬＤＰ方式の極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）の構成（マスク検査光源用）＞
図５は、第２実施形態の極端紫外光光源装置の構成を示す概略構成図である。
図５に示すＥＵＶ光源装置２００は、主としてマスク検査に用いられるものであり、例えば、ＥＵＶ光を用いた半導体露光に用いられるマスクの欠陥を検査するためのマスク検査装置に対して検査光を放出する。当該マスク検査装置の検査対象は、例えば、低熱膨張ガラス基板上にモリブデン（Ｍｏ）膜とシリコン（Ｓｉ）膜とを交互に積層してなるＥＵＶ反射用の多層膜が形成されたマスクブランクス上に、ＥＵＶを吸収する材料からなる吸収体パターンが形成される反射型マスクである。マスク検査装置は、ＥＵＶ光源装置２００から放出される光を検査光として、上記マスクのブランクス検査やパターン検査を行う。
【００３８】
図５に示すマスク検査用のＥＵＶ光源装置の基本構成は、図１に示す露光用のＥＵＶ光源装置１００の基本構成とほぼ同等であるので、以下は主として、マスク検査用のＥＵＶ光源装置２００の露光用ＥＵＶ光源装置１００に対する相違点について説明し、共通する要素については同一符号を付して重複説明を省略する。
露光用ＥＵＶ光源装置１００の場合、集光空間１１ｃには、ＥＵＶ集光鏡（集光ミラー）１２と、デブリトラップ１３とが配置されているが、マスク検査用ＥＵＶ光源装置２００の場合、集光空間１１ｃには、凹面鏡１２と、デブリトラップ１３と、アパーチャ部材１４とが配置されている。
【００３９】
凹面鏡１２は、例えば楕円面鏡や放物面鏡であり、高温プラズマ原料が加熱励起されることで放出されるＥＵＶ光を、チャンバ１１に設けられたＥＵＶ取出部１１ｄから、例えばマスク検査装置のマスク検査部へ導くものである。
凹面鏡１２の基体材料は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等である。波長が非常に短いＥＵＶ光を反射させるため、凹面鏡１２の反射面は、非常に良好な平滑面として構成される。この平滑面に施される反射材は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属膜である。凹面鏡１２の反射面には、このような金属膜が緻密にコーティングされている。
この凹面鏡１２も、本発明にいう集光部材の一例に相当する。
凹面鏡１２とＥＵＶ取出部１１ｄとの間には、着脱自在のモニタ用ミラー１２ａが必要に応じて挿入される。このモニタ用ミラー１２ａは、凹面鏡１２により集光されるＥＵＶ光の一部を採取してＥＵＶモニタ１２ｂに導光する。ＥＵＶモニタ１２ｂはＥＵＶ光の強度をモニタし、モニタした結果を制御部４０に送る。
【００４０】
第２実施形態のＥＵＶ光源装置２００では、レーザビームＬが、デブリトラップ１３を介して、放電電極（カソード）２２ｂ表面に供給されたスズ（高温プラズマ原料）に照射されるように構成されている。即ち、第２実施形態のＥＵＶ光源装置２００では、レーザビーム入射窓部１１ｇが集光空間１１ｃ側に設けられており、デブリトラップ（固定式ホイルトラップおよび回転式ホイルトラップ）１３のＥＵＶ光が出射する側からレーザビームＬを入射して放電電極（カソード）に照射する。
【００４１】
ここで、デブリトラップ１３周辺の構造について詳しく説明する。
図６は、デブリトラップ１３周辺の構造を示す図である。
デブリトラップ１３の構造自体は、上述した第１実施形態と同様である。
アパーチャ部材１４は、高温プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を取り出すための開口部１４ａを有する。具体的には、アパーチャ部材１４は、高温プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を、当該ＥＵＶ光の主軸方向に対して傾斜角度θ２をもって所定の立体角θ３で取り出す。ここで、上記傾斜角度θ２は、例えば２０°〜３０°程度であり、ＥＵＶ光の取出角度θ３は、例えば１４°〜１６°程度である。このアパーチャ部材１４は、高温プラズマの近傍に配置されるため、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の高融点材料から構成する。
なお、上述した凹面鏡１２は必ずしも用いる必要はなく、アパーチャ部材１４の開口部１４ａを通過したＥＵＶ光を直接マスク検査装置のマスク検査部に導光してもよい。但し、この場合にも、上記マスク検査部にデブリが到達しないように、高温プラズマＰとマスク検査部との間にはデブリトラップ１３が配置される。
【００４２】
マスク検査用ＥＵＶ光源装置２００の場合、露光用光源として用いるＥＵＶ光源装置１００と比較すると、ＥＵＶ光源装置２００から放出されるＥＵＶ光は、ワーク（例えば、マスクブランク上）のかなり小さな照射領域に照射される。よって、マスク検査用に使用するためにプラズマＰから取り出すＥＵＶ光の取出立体角θ３は、露光用光源として用いる場合と比較して小さくなる。上述したように、マスク検査用の場合、ＥＵＶ光の取出立体角θ３は１４°〜１６°程度である。
アパーチャ部材１４は、レーザビームＬを通すための開口部１４ｂも有する。レーザビームＬは、固定式ホイルトラップ１４０および回転式ホイルトラップ１３０を順次に通過し、放電電極（カソード）２１ｂ表面の高温プラズマ原料に照射される。
【００４３】
高温プラズマＰから放出されるデブリは、一部のみがアパーチャ部材１４の開口部１４ｂを通過し、更にその通過したデブリも、デブリトラップ１３にて大部分が捕捉され、当該デブリがレーザビーム入射窓部１１ｇへ到達することが抑制されてレーザビーム入射窓部１１ｇのデブリによる汚損は著しく減少する。
このような第２実施形態では、レーザビームの入射方向を変更することで、レーザビーム入射窓部１１ｇへ向かうデブリを捕捉するためのデブリトラップと、ＥＵＶ光の出射方向へ向かうデブリを捕捉するためのデブリトラップとを１つのデブリトラップ１３で兼用している。このため、第１実施形態のように、レーザビーム入射窓部１１ｇを包囲するデブリ抑制空間や、窓部用のホイルトラップを設ける必要がないので、簡便な構造でレーザビーム入射窓部１１ｇのデブリによる汚損を抑制することが可能となる。
【００４４】
第２実施形態におけるデブリトラップ１３は、本発明にいう集光部用トラップを兼ねた窓部用トラップの一例に相当する。
第２実施形態のＥＵＶ光源装置２００はマスク検査用ＥＵＶ光源装置として構成されているが、レーザビーム入射窓部１１ｇへ向かうデブリを捕捉するためのデブリトラップと、ＥＵＶ光の出射方向へ向かうデブリを捕捉するためのデブリトラップとを１つのデブリトラップ１３で兼用する形態のＥＵＶ光源装置は露光用ＥＵＶ光源装置にも適用することが可能である。
但し、１つのデブリトラップ１３で兼用する形態は、マスク検査用ＥＵＶ光源装置により適している。露光用ＥＵＶ光源装置の場合、図１に示すように、デブリトラップ１３のＥＵＶ光の出射側には、斜入射型のＥＵＶ集光鏡１２が配置される。そのため、光取込み角が大きいＥＵＶ集光鏡１２の配置を考慮しながら、レーザビームＬをデブリトラップ１３に入射させて放電電極（カソード）２１ｂ上のスズ（高温プラズマ原料）に照射する必要があり、設計の自由度が制限される。
【００４５】
これに対し、マスク検査用ＥＵＶ光源装置の場合、ＥＵＶ光がデブリトラップ１３の一部の領域しか通過しないように構成されている。そのため、デブリトラップ１３のＥＵＶ光が通過しない領域をレーザビームＬが通過するように構成することが比較的容易であり、レーザビームＬをＥＵＶ光と干渉しないように、デブリトラップ１３を通過させて、放電電極（カソード）２１ｂ上のスズ（高温プラズマ原料）に照射させることが容易にできる。
【００４６】
＜レーザビームと回転式ホイルトラップの同期＞
第１実施形態のＥＵＶ光源装置１００では、チャンバ１１のレーザビーム入射窓部１１ｇとデブリ抑制空間１１ｋの開口部１１ｍとの間に、窓部用ホイルトラップ１５が介在した構造を有する。第２実施形態のＥＵＶ光源装置２００では、チャンバ１１のレーザビーム入射窓部１１ｇと放電電極（カソード）２１ｂとの間に、デブリトラップ１３（固定式ホイルトラップ１４０および回転式ホイルトラップ１３０）が介在した構造を有する。
即ち、第１実施形態のＥＵＶ光源装置１００および第２実施形態のＥＵＶ光源装置２００の双方において、レーザ源２８から放出されるレーザビームＬが放電電極（カソード）２１ｂ上のスズに到達するまでのレーザビーム光路上に回転式ホイルトラップ（窓部用ホイルトラップ１５、あるいはデブリトラップ１３を構成する回転式ホイルトラップ１３０）が介在する。ここで、回転式ホイルトラップは、ホイルトラップが回転しているので、レーザビームの少なくとも一部が回転式ホイルトラップを構成するホイルによって遮蔽される場合も考えられる。
【００４７】
レーザビームの一部が、回転式ホイルトラップのホイルによって遮蔽されると、カソード上のスズに照射されるレーザビームの強度は減衰することになる。よって、場合によっては、高効率ＥＵＶ発光のための高温プラズマ原料の気化を実現するために最適なレーザ照射強度が放電電極上で得られなくなるため、ＥＵＶ光の強度が不安定になる。
よって、このような不具合を防止するためには、回転式ホイルトラップのホイルとホイルとの隙間を通過するようにレーザビームを照射する必要がある。
上記したように、ＥＵＶ光は、放電電極間で生じるパルス放電によって生成される高温プラズマから放射されるので、パルス光となる。よって、パルス放電に先だってカソード上の高温プラズマ原料であるスズに照射されるレーザビームもパルス状となる。
すなわち、上記不具合を防止するためには、回転式ホイルトラップの回転動作と、レーザビームのパルス状の照射動作とを同期させればよい。
【００４８】
以下、そのように回転動作とパルス状の照射動作とを同期させる手順について説明する。
＜同期手順１＞
図７は、回転式ホイルトラップの回転動作と、レーザビームのパルス状の照射動作とを同期させる手順を表すフローチャートである。
所望のＥＵＶ放射の発生回数が１秒間にｆ回とすると、レーザ源から放出されるレーザビームの発光周波数は、ｆＨｚとなる。
一方、回転式ホイルトラップのホイルの枚数をｍ枚、１秒間の回転数をｎとすると、１秒間にレーザビームの光路上を通過するホイルの枚数は、ｍ×ｎとなる。
よって、回転式ホイルトラップの回転数は、ｆ≧ｍｎの場合はｆ＝ｋｍｎ、ｆ＜ｍｎの場合の場合はｋｆ＝ｍｎ（ただし、ｋは任意の整数）となるように適宜、設定される。なお、ホイルの厚みと枚数は、ホイル間の隙間がレーザビームが通過可能な幅となるように設計されているものとする。
【００４９】
上記を踏まえ、図７のフローチャートを以下説明する。
まず、制御部からの指令でモータが駆動し、回転式ホイルトラップ（第１実施形態の場合は窓部用ホイルトラップ１５で、第２実施形態の場合はデブリトラップ１３を構成する回転式ホイルトラップ１３０；以下同様）が、上述した１秒間にｎ回転のスピードで回転する。（ステップＳ１）
次に、制御部は、レーザ源、パルス電力供給部を駆動して、上述した繰り返し周波数ｆＨｚでＥＵＶ光を発生させる（ステップＳ２）。なお、パルス電力供給部から放電電極に給電されるパルス電力の値をＰＷとする。
ＥＵＶ光が発生している間、制御部は、ＥＵＶモニタ１２ｂにてＥＵＶ光の強度をモニタする（ステップＳ３）。そして、制御部は、ＥＵＶモニタ１２ｂでモニタされるＥＵＶ光の強度と、予め記憶しておいたＥＵＶ光の強度とを比較し、一致するか確認する（ステップＳ４）。ＥＵＶモニタ１２ｂが、本発明に言う極端紫外光モニタの一例に相当する。
【００５０】
ここで、「予め記憶しておいたＥＵＶ光の強度」とは、回転式ホイルトラップの回転動作とレーザビームのパルス状の照射動作との同期が正常な時にモニタされて記憶されたＥＵＶ光の強度であり、例えば、放電電極に給電されるパルス電力がＰＷのときのＥＵＶ光の繰り返し周波数ｆのときの平均パワー（放電１パルスあたりのＥＵＶ放射エネルギー×繰り返し周波数）である。回転動作と照射動作との同期が正常ならば、この記憶されたＥＵＶ光の強度が再現されることになる。
ＥＵＶモニタでモニタされるＥＵＶ光の強度が記憶された強度とほぼ同等のとき（ステップＳ４；Ｙｅｓ）、制御部は、レーザビームの繰り返しタイミングと回転式ホイルトラップの回転との同期は良好であると判断し、ステップＳ３に戻り、ＥＵＶ光のモニタを継続する。
【００５１】
一方、モニタされるＥＵＶ光の強度が記憶された強度と一致しないとき（ステップＳ４；Ｎｏ）、制御部は、回転式ホイルトラップの回転動作と、レーザビームのパルス状の照射動作とは同期が取れていないと判断し、レーザ源、パルス電力供給部を制御して、レーザビームの発生タイミングを予め定めておいた遅延時間Δｄだけ遅らせる（ステップＳ５）。これによってレーザビームの強度が向上してモニタ強度が記憶強度に近づく。
その後、制御部は、ステップＳ３の手順に戻り、以下、同期が良好になるまで、ステップＳ３〜ステップＳ５を繰り返す。但し、レーザビームの発生タイミングを遅らせるだけではモニタ強度が記憶強度から乖離する一方である場合には、レーザビームの発生タイミングを適宜に早める。このようにレーザビームの発生タイミングを調整する制御部４０が、本発明にいう調整部の一例に相当する。
【００５２】
また、図７のフローチャートで示された手順による調整が、本発明の極端紫外光光源装置の調整方法の一実施形態に相当する。上述したステップＳ３は、本発明にいう「極端紫外光の強度をモニタする工程」の一例に相当し、上述したステップＳ４は、本発明にいう「強度が向上するように調整する工程」の一例に相当する。
なお、上述した第１実施形態および第２実施形態では、ＥＵＶ光の強度のみをモニタする例を説明したが、ＥＵＶ光の形状もモニタしてもよい。この場合、例えば、放電電極に供給されるパルス電力がＰＷであって、繰り返し周波数ｆのときのＥＵＶ光のＥＵＶモニタ上のエネルギー分布パターンがモニタされ、予め同期が正常の時に記憶されていた分布パターンと比較されることになる。
また、ここでは記憶された強度と比較する例を説明したが、強度を記憶せず、単に、モニタ強度が上がる方向にレーザビームの発生タイミングを調整してもよい。
【００５３】
＜同期手順２＞
次に、回転式ホイルトラップの回転動作と、レーザビームのパルス状の照射動作とを同期させる別の手順について説明する。この手順では、回転式ホイルトラップに、回転タイミングを測定するための構造を追加する。
図８は、回転タイミングを測定するための構造を示す図である。図８(Ａ)には正面図が示され、図８（Ｂ）には側面図が示されている。
ここでは、一例として、第１実施形態の窓部用ホイルトラップ１５に設けられた構造を示して説明するが、第２実施形態では同様の構造が、デブリトラップ１３を構成する回転式ホイルトラップ１３０に対して設けられるものとする。
窓部用ホイルトラップ１５は、上述したように、複数のホイル１５１と中心支柱１５２と外側リング１５３を備えている。そして、窓部用ホイルトラップ１５の外側リング１５３において、窓部用ホイルトラップ１５のホイル１５１とホイル１５１の隙間に対応する位置に、モニタ用金属板１５４を設置する。そして、モニタ用金属板１５４の有無をセンシングする金属検知センサ１５５を、窓部用ホイルトラップ１５が回転することにより設定される、モニタ用金属板１５４の端部の軌跡の近傍に配置する。
【００５４】
モニタ用金属板１５４と金属検知センサ１５５を併せたものが、本発明にいう検知手段の第１例に相当し、モニタ用金属板１５４は、本発明にいう突出部材の一例に相当し、金属検知センサ１５５は、本発明にいうセンサの一例に相当する。
金属検知センサ１５５は、その近傍を、モニタ用金属板１５４の端部が通過する際にモニタ用金属板１５４を検知するよう設定されている。金属検知センサ１５５による検知結果（センサ信号）は制御部４０に送られる。
この金属検知センサ１５５の検知タイミングと、レーザ源２８からのレーザビーム発光タイミングを、以下説明するように制御部４０が同期させることにより、窓部用ホイルトラップ１５の回転動作と、レーザビームのパルス状の照射動作とが同期し、ホイル１５１同士の隙間をレーザビームが通る。
【００５５】
図９は、制御部によるレーザビームの発生タイミングの調整を表すタイミングチャートである。
制御部は、上述した回転数ｎで窓部用ホイルトラップ１５を回転させるものとする。
制御部は、金属検知センサ１５５の検知タイミング（センサ信号の立ち上がり）を基準として、レーザ源２８にトリガ信号を送信し、レーザビームを発光させる。また、その次以降のレーザビームの発光がｆＨｚの繰り返し周波数で継続するように、制御部はレーザ源２８にトリガ信号を送信する。
センサ信号に対するトリガ信号の遅延時間は、レーザビームのパルスがホイル１５１同士の隙間を通るタイミングになるように予め決められているので、センサ信号の立ち上がりを基準としてトリガ信号が送信されることでレーザビームのパルスはホイル１５１同士の隙間を確実に通過する。
【００５６】
最初に金属検知センサ１５５の検知タイミングを基準として、１回目のトリガ信号を送信するように設定しておけば、その後は窓部用ホイルトラップ１５の回転動作と、レーザビームのパルス状の照射動作との同期は継続する。
しかしながら、窓部用ホイルトラップ１５の回転動作の精度や、レーザビームの発光タイミング精度によっては、徐々に、上記同期がずれてくる場合も考えられる。
そのため、定期的に、金属検知センサの検知タイミング（センサ信号の立ち上がり）を基準として、トリガ信号の送信タイミングを補正することが好ましい。
【００５７】
＜同期手順３＞
次に、回転式ホイルトラップの回転動作と、レーザビームのパルス状の照射動作とを同期させるさらに別の手順について説明する。この手順でも、回転式ホイルトラップに、回転タイミングを測定するための第２の構造を追加する。
図１０は、回転タイミングを測定するための第２の構造を示す図である。図１０(Ａ)には正面図が示され、図１０（Ｂ）には側面図が示されている。
ここでも、一例として、第１実施形態の窓部用ホイルトラップ１５に設けられた構造を示して説明するが、第２実施形態では同様の構造が、デブリトラップ１３を構成する回転式ホイルトラップ１３０に対して設けられるものとする。
窓部用ホイルトラップ１５は、上述したように、複数のホイル１５１と中心支柱１５２と外側リング１５３を備えている。また、中心支柱１５２はモータで駆動される回転軸１７に繋がっている。
第２の構造では、回転軸１７の一部に、窓部用ホイルトラップ１５のホイル１５１とホイル１５１の隙間に対応する方向を向いた貫通孔１７ａを設ける。
【００５８】
そして、センシング用レーザビーム１５８を放出する発光器１５６と、貫通孔１７ａを通過するレーザビーム１５８を受光する受光器１５７を設置する。発光器１５６および受光器１５７の位置は、発光器１５６からのセンシング用レーザビーム１５８の進行方向と貫通孔１７ａの長軸方向が一致したときに当該センシング用レーザビーム１５８が、上記貫通孔１７ａを通過可能なように設定されている。
発光器１５６と受光器１５７と、貫通孔１７ａを有する回転軸１７とを併せたものが、本発明にいう検知手段の第２例に相当し、発光器１５６は、本発明にいう発光器の一例に相当し、受光器１５７は、本発明にいう受光器の一例に相当する。
【００５９】
貫通孔１７ａは、回転軸１７の回転とともにその姿勢が回転するが、１回転につき２回、発光器１５６からのレーザビーム１５８が貫通孔１７ａを通過して受光器１５７に到達する。回転軸１７および窓部用ホイルトラップ１５は、上述した回転数ｎで回転する。
この受光器１５７によるセンシング用レーザビーム１５８の検知タイミングと、レーザ源２８からのレーザビーム発光タイミングを同期させることにより、窓部用ホイルトラップ１５の回転動作と、レーザビームＬのパルス状の照射動作とを同期させる。
すなわち、この第２の構造が用いられる場合も、図９に示すタイミングチャートが示すように、制御部は、受光器１５７の検知タイミング（センサ信号の立ち上がり）を基準として、レーザ源２８にトリガ信号を送信し、レーザビームＬを発光させる。その次以降のレーザビームの発光がｆＨｚの繰り返し周波数で継続するように、制御部はレーザ源にトリガ信号を送信する。
【００６０】
最初に受光器１５７の検知タイミングを基準として、１回目のトリガ信号を送信するように設定しておけば、その後は窓部用ホイルトラップ１５の回転動作と、レーザビームＬのパルス状の照射動作との同期は継続する。
しかしながら、窓部用ホイルトラップ１５の回転動作の精度や、レーザビームＬの発光タイミング精度によっては、徐々に、上記同期がずれてくる場合も考えられる。
そのため、定期的に、受光器１５７の検知タイミングを基準として、トリガ信号の送信タイミングを補正することが好ましい。
【符号の説明】
【００６１】
１１…チャンバ、１１ａ…隔壁、１１ｂ…放電空間、１１ｃ…集光空間、１１ｄ…ＥＵＶ取出部、１１ｋ…デブリ抑制空間、１２…ＥＵＶ集光鏡、１３…ホイルトラップ、１５…窓部用トラップ、２１ａ，２１ｂ…放電電極、２２ａ，２２ｂ…高温プラズマ原料、２３ａ，２３ｂ…コンテナ、２４ａ，２４ｂ…モータ、２５ａ，２５ｂ…回転軸、２６ａ，２６ｂ…メカニカルシール、２７…パルス電力発供給部、２８…レーザ源、４０…制御部、１３０…回転式ホイルトラップ、１３１，１５１…ホイル、１３２，１５２…中心支柱、１３３，１５３…外側リング、１５４…モニタ用金属板、１５５…金属検知センサ、１５６…発光器、１５７…受光器、１４０…固定式ホイルトラップ、１００…極端紫外光光源装置（マスク検査用ＥＵＶ光源装置）、２００…極端紫外光光源装置（露光用用ＥＵＶ光源装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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