(57)【要約】【課題】偏平な結晶粒が配向した異方性磁石材料の各稜線に対して、高い均一性と加工能率をもって面取りを行うことができる異方性磁石の製造方法を提供する。【解決手段】厚さ方向軸に沿って積層して配向した偏平状の結晶粒と、該結晶粒の周囲を取り囲む粒界相と、を有してなり、厚さ方向軸に沿った稜線Ｔと、厚さ方向軸に交差する稜線Ｌ，Ｗとを有する異方性磁石材料１に対して、特定の稜線に対して選択的に面取りを行うことができる第一の方法によって、厚さ方向軸に沿った稜線Ｔの面取りを行う第一の工程と、第一の方法よりも面取りを行う稜線の選択性が低い、第一の方法と別の第二の方法によって、異方性磁石材料１全体の面取りを行う第二の工程と、を実施することを特徴とする異方性磁石の製造方法。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向軸に沿って積層して配向した偏平状の結晶粒と、該結晶粒の周囲を取り囲む粒界相と、を有してなり、前記厚さ方向軸に沿った稜線と、前記厚さ方向軸に交差する稜線とを有する異方性磁石材料に対して、
特定の稜線に対して選択的に面取りを行うことができる第一の方法によって、前記厚さ方向軸に沿った稜線の面取りを行う第一の工程と、
前記第一の方法よりも面取りを行う稜線の選択性が低い、前記第一の方法と別の第二の方法によって、前記異方性磁石材料全体の面取りを行う第二の工程と、
を実施することを特徴とする異方性磁石の製造方法。
【請求項２】
前記第一の工程を実施した後に、前記第二の工程を実施することを特徴とする請求項１に記載の異方性磁石の製造方法。
【請求項３】
前記第二の方法は、バレル研磨であることを特徴とする請求項１または２に記載の異方性磁石の製造方法。
【請求項４】
前記第一の方法は、切削であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の異方性磁石の製造方法。
【請求項５】
前記第一の工程および第二の工程を実施した後の状態において、前記異方性磁石材料の全稜線におけるＲ寸法の分布が、平均値の３０％以内に収まっていることを特徴とする請求１から４のいずれか１項に記載の異方性磁石の製造方法。
【請求項６】
前記厚さ方向軸に交差する稜線に対して、前記第一の方法による面取りを行わないことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の異方性磁石の製造方法。
【請求項７】
前記厚さ方向軸に交差する稜線に対して、前記第一の方法による面取りを行うことを特徴とする請求項５に記載の異方性磁石の製造方法。
【請求項８】
前記結晶粒は、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物相を主相としてなることを特徴とする請求項１から７に記載の異方性磁石の製造方法（ただし、Ｒは、Ｙを含む希土類元素の少なくとも１種であり、Ｔは、ＦｅまたはＦｅの一部をＣｏで置換したものである）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性磁石の製造方法に関し、さらに詳しくは、偏平状の結晶粒が配向した異方性磁石材料に対して面取りを行う異方性磁石の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１等に開示されるように、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石等の希土類磁石材料に対して熱間塑性加工を行うことで、高い磁気特性を有する異方性磁石を得ることができる。この種の異方性磁石を含む永久磁石においては、柱状、筒状等に成形された後に、その稜線（端縁）に対して、面取り加工が行われることが多い。面取り加工を施すことで、磁石表面へのめっきや皮膜形成等の処理の均一性を高めることができる。また、モータの軸部品のように、他の部材に挿入する部品として磁石を使用する際に、面取り加工を施しておくことで、他の部材への挿入を円滑に行うことが可能となる。
【０００３】
このように永久磁石に対して面取り加工を施すことは、例えば特許文献２に記載されている。特許文献２にも従来技術として掲載されているが、多数の磁石に対して効率的に面取りを施す方法として、バレル研磨が知られている。バレル研磨においては、ワークと研磨石（研磨剤）との衝突によってワークの稜線が面取りされる。また、特許文献３に示されるように、面取りの程度が、磁石の磁気特性に影響を及ぼすことも知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３２９８１０号公報
【特許文献２】特開２００８−２４６６２７号公報
【特許文献３】特開２０１２−２１６６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、バレル研磨を利用すれば、多数の磁石材料に対して同時に面取りを行うことができる。しかし、熱間塑性加工を経て製造されたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系等の熱間加工磁石においては、熱間塑性加工の工程で、磁化容易軸であるｃ軸を厚み方向軸として結晶粒が偏平状に成長し、かつｃ軸に沿って積層した配向構造をとる（図１，２参照）。この配向構造に起因して、ｃ軸に交差する方向の磁石材料の稜線においては、図３（ａ），（ｂ）に示すように、偏平状の結晶の剥離が起こりやすいため、研磨等の面取り加工を受けた際に、面取りが進行しやすい。一方、ｃ軸に沿った方向の稜線においては、図３（ｃ），（ｄ）に示すように、結晶の剥離が進行しにくいため、研磨等の面取り加工を行っても、面取りが進行しにくい。よって、熱間加工磁石に対して、バレル研磨を行う場合には、ｃ軸に沿った方向の稜線の面取りが、ｃ軸に交差する方向の稜線の面取りよりも進行しにくく、全稜線に対して均一に面取りを行うことが難しい。特許文献３に示されるように、面取りの程度は、磁石の磁気特性にも影響するので、面取りを均一に進めることは、磁気特性の観点からも重要である。
【０００６】
一方、ＮＣ加工機等を用いた切削、砥石を用いた研削（特許文献２参照）、倣い加工等、選択した稜線に対して局所的に加工を行うことができる方法を用い、磁石材料の各稜線に対して適切な条件を設定して面取りを行えば、各稜線に対して均一に面取りを施すことができる。しかし、これらの方法においては、各稜線に対して個別に面取りを行う必要があることから、加工能率が低くなり、磁石の製造コストが高くなってしまう。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、偏平な結晶粒が配向した異方性磁石材料の各稜線に対して、高い均一性と加工能率をもって面取りを行うことができる異方性磁石の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明にかかる異方性磁石の製造方法は、厚さ方向軸に沿って積層して配向した偏平状の結晶粒と、該結晶粒の周囲を取り囲む粒界相と、を有してなり、前記厚さ方向軸に沿った稜線と、前記厚さ方向軸に交差する稜線とを有する異方性磁石材料に対して、特定の稜線に対して選択的に面取りを行うことができる第一の方法によって、前記厚さ方向軸に沿った稜線の面取りを行う第一の工程と、前記第一の方法よりも面取りを行う稜線の選択性が低い、前記第一の方法と別の第二の方法によって、前記異方性磁石材料全体の面取りを行う第二の工程と、を実施するものである。
【０００９】
ここで、前記第一の工程を実施した後に、前記第二の工程を実施するとよい。また、前記第二の方法は、バレル研磨であるとよい。前記第一の方法は、切削であるとよい。前記第一の工程および第二の工程を実施した後の状態において、前記異方性磁石材料の全稜線におけるＲ寸法の分布が、平均値の３０％以内に収まっているとよい。
【００１０】
そして、前記厚さ方向軸に交差する稜線に対して、前記第一の方法による面取りを行わない形態とすることができる。あるいは、前記厚さ方向軸に交差する稜線に対して、前記第一の方法による面取りを行う形態とすることができる。
【００１１】
そして、前記結晶粒は、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物相を主相としてなるとよい（ただし、Ｒは、Ｙを含む希土類元素の少なくとも１種であり、Ｔは、ＦｅまたはＦｅの一部をＣｏで置換したものである）。
【発明の効果】
【００１２】
上記発明にかかる異方性磁石の製造方法においては、異方性磁石材料に対して、特定の稜線に選択的に面取りを行うことができる第一の方法による結晶粒の厚さ方向軸に沿った稜線の面取りと、面取りを行う稜線の選択性が低い第二の方法による全体の面取りの、２つの面取り工程を実施する。配向した偏平状の結晶粒の厚さ方向軸に沿った稜線の面取りは、その配向構造に起因して、厚さ方向軸に交差する稜線の面取りよりも進行しにくいが、第二の方法による異方性磁石材料全体に対する面取りに加えて、第一の方法によって、厚さ方向軸に沿った稜線を選択的に面取りすることで、異方性磁石における磁気特性の低下を避けながら、最終的に全稜線に対して高い均一性をもって面取りを施すことができる。また、第一の方法のみによって全稜線の面取りを完了するのではなく、異方性磁石材料全体に対して低い選択性で面取りを進めることができる第二の方法を併用することで、高い加工能率をもって、全稜線の面取りを行うことができる。
【００１３】
ここで、第一の工程を実施した後に、第二の工程を実施する場合には、最終的に、全稜線において、Ｒ面取り形状が得られやすくなる。
【００１４】
また、第二の方法が、バレル研磨である場合には、異方性磁石材料の全稜線に対して、実質的に選択性なく面取りを進めることができる。また、多数の異方性磁石に対して一括して面取り処理を行うことができる。そのため、特に高い加工能率を達成することができる。
【００１５】
第一の方法が、切削である場合には、選択した稜線に対する面取りを、高精度に、また他の加工法に比較して簡便に実施することができる。
【００１６】
第一の工程および第二の工程を実施した後の状態において、異方性磁石材料の全稜線におけるＲ寸法の分布が、平均値の３０％以内に収まっている場合には、全稜線の面取りを高い均一性をもって達成できていることになる。このように高い均一性は、例えばバレル研磨のみでは達成しにくい。
【００１７】
そして、厚さ方向軸に交差する稜線に対して、第一の方法による面取りを行わない場合には、厚さ方向軸に交差する稜線においては、第二の方法による面取りが進行しやすいので、第一の方法によって個別に面取りを行う稜線の数を少なくすることで、面取りの均一性と両立して、特に高い加工能率を達成することができる。
【００１８】
あるいは、厚さ方向軸に交差する稜線に対して、第一の方法による面取りを行う場合には、厚さ方向軸に沿った稜線に加え、厚さ方向軸に交差する稜線の面取りの程度も、第一の方法によって制御することが可能となる。厚さ方向軸に交差する複数の稜線の間で第二の方法による面取りの進行しやすさに差がある場合にも、その差を解消することができる。
【００１９】
そして、結晶粒が、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物相を主相としてなる場合には、高い磁気特性を有する異方性磁石が得られる。また、偏平な結晶粒の高い配向性に起因して、各稜線における面取りの進行しやすさに大きな差があるが、上記のように、第一の方法と第二の方法を併用して面取りを行うことで、各稜線に対して高い均一性をもって面取りを施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系異方性磁石材料のＳＥＭ像であり、（ａ）はｃ軸に平行な断面、（ｂ）はｃ軸に垂直な断面を示している。
【図２】Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁石材料の結晶粒の状態を示す模式図であり、（ａ）は配向状態、（ｂ）は結晶粒の形状を示している。
【図３】Ｒ−Ｔ−Ｂ系異方性磁石材料に対する面取りを説明する図である。（ａ），（ｂ）はそれぞれ、ｃ軸に直交する稜線における面取りを表す、ｃ軸に平行な断面における断面図および斜視図であり、（ｃ），（ｄ）はそれぞれ、ｃ軸に平行な稜線における面取りを表す、ｃ軸に垂直な断面における断面図および斜視図である。
【図４】（ａ）角柱状の異方性磁石材料および（ｂ）部分円筒形の異方性磁石材料の外形を示す斜視図である。
【図５】角柱状の異方性磁石材料に対する面取り加工を説明する斜視図であり、（ａ）は面取り前の状態、（ｂ）は第一の工程を経た後の状態、（ｃ）はさらに第二の工程を経た後の状態を示している。図において、Ｃ面取りを斜線で、Ｒ面取りを太線で表現している。
【図６】切削を用いた面取り加工を説明する斜視図である。
【図７】バレル研磨を用いた面取り加工を説明する透視斜視図であり、（ａ）は回転式バレル研磨、（ｂ）は振動式バレル研磨を示している。
【図８】稜線における面取りを説明する断面図であり、（ａ）はＣ面取り、（ｂ）はＲ面取りを示している。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施形態にかかる異方性磁石の製造方法について、詳細に説明する。本実施形態にかかる異方性磁石材料の製造方法においては、異方性磁石材料に対して、面取り加工を行う。
【００２２】
＜異方性磁石材料の概略＞
まず、本実施形態にかかる製造方法において、面取り加工を施す対象である異方性磁石材料について、簡単に説明する。
【００２３】
本実施形態にかかる製造方法で面取り加工を行う異方性磁石材料（以下単に「磁石材料」と称する場合がある）は、偏平状の結晶粒と、結晶粒の周囲を取り囲んで形成された粒界相とを有している。結晶粒は、偏平面に直交する厚さ方向軸に沿って、偏平面を相互に略平行にして積層されており、異方性の高い配向状態をとっている。異方性磁石材料の全体形状としては、結晶粒の厚さ方向軸に沿った稜線（端縁）と、結晶粒の厚さ方向軸に交差する稜線とを有している。
【００２４】
このような異方性磁石材料の例としては、特許文献１等に記載されるように、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石材料等のＲ−Ｔ−Ｂ系磁石材料に、熱間塑性加工を施したものが挙げられる。Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石材料においては、結晶粒が、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物相を主相としてなっている。ここで、Ｒは、Ｙを含む希土類元素の少なくとも１種であり、Ｔは、ＦｅまたはＦｅの一部をＣｏで置換したものである。この種の組成を有する磁石材料を急冷凝固によって得た原料粉末から成形し、熱間塑性加工を施すと、高い磁気特性を有する異方性磁石を製造することができる。
【００２５】
図１は、熱間塑性加工を経て得られたＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系異方性磁石材料の結晶粒の配向を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。また、図２（ａ）に、結晶粒ＣＲの配向状態の模式図を示す。Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石材料においては、液相が生成される付近の温度まで加熱して熱間押し出しを行うことで、結晶粒ＣＲの偏平化と配向が起こる。つまり、結晶粒ＣＲは、磁化容易軸であるｃ軸を厚さ方向軸として、ｃ軸に直交する面（ａ，ｂ軸方向）を偏平面とした異方成長を起こす。そして、それに伴って結晶粒ＣＲが粒界すべりによって回転することで、各結晶粒のｃ軸が配向し、ｃ軸に沿って多数の結晶粒ＣＲが積層した配向構造を形成する。また、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石材料においては、熱間塑性加工を経ることで、結晶粒ＣＲよりも希土類元素が濃化された粒界相が結晶粒ＣＲの周りに形成される（図略）。結晶粒ＣＲの平均粒径（偏平面を円に近似した際の直径）は、概ね１００〜５００ｎｍとなる。典型的には、図２（ｂ）に示すように、結晶粒ＣＲの平均粒径ｄが２００ｎｍ程度、厚さｔ（ｃ軸に沿った長さ）が５０ｎｍ程度となる。
【００２６】
磁石材料全体の外形は、熱間塑性加工時の押し出し形状によって任意に設定することができるが、本実施形態においては、結晶粒ＣＲの厚さ方向軸であるｃ軸に沿った稜線と、ｃ軸に交差した稜線を有するような形状とされる。例として、図４（ａ）に示すように、角柱状（直方体状）の異方性磁石材料１として成形される。この場合には、角柱を構成する１方向の稜線Ｔが結晶粒ＣＲのｃ軸に平行とされ、残りの２方向の稜線Ｌ，Ｗがｃ軸に垂直とされる。別の例として、図４（ｂ）に示すように、円筒状に押し出した磁石材料を径方向に沿って放射状に分割することで、部分円筒形の異方性磁石材料２を形成することができる。この場合には、破線で示した分割前の円筒の径方向、つまり分割後の外側の円弧と内側の円弧をつなぐ稜線２１が、結晶粒ＣＲのｃ軸に平行となる。以下の説明では、主に図４（ａ）の例のような角柱状の磁石材料１を扱う。
【００２７】
＜面取りの方法＞
本実施形態にかかる異方性磁石材料の製造方法においては、上記で説明したような異方性磁石材料１に対して、（１）第一の工程と、（２）第二の工程によって、稜線Ｌ，Ｗ，Ｔの面取を行う。
【００２８】
本実施形態においては、異方性磁石材料１に対して、第一の工程を実施した後に、第二の工程を実施する。具体的には、図５に示すように、最初に、第一の工程において、異方性磁石材料１の厚さ方向軸（Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石材料におけるｃ軸。以下同様）に沿った稜線Ｔの面取りを行う。そして次に、第二の工程において、全稜線Ｌ，Ｗ，Ｔの面取りを行う。以下に、第一の工程と第二の工程の詳細について説明する。なお、本明細書において、稜線Ｌ、稜線Ｗ、稜線Ｔとの表記には、それぞれ４つの相互に平行で等価な稜線を含むものとする。
【００２９】
（１）第一の工程
第一の工程においては、図５（ｂ）に示すように、第一の方法によって、磁石材料１のｃ軸に沿った稜線Ｔの面取りを行う。
【００３０】
ここで用いる第一の方法は、対象物の特定の稜線に対して選択的に面取りを行うことができる面取り方法である。このような選択性を有する面取り加工は、工具を特定の加工部位に接触させて局所的に面取りを行うような方法によって実現される。例えば、ＮＣ加工機等の切削工具５０を用いた切削（図６）や、面取り用砥石を用いた研削、倣い加工機を用いた倣い加工等を挙げることができる。各工具をｃ軸に沿った稜線Ｔに接触させ、その稜線Ｔの面取りを行えばよい。これらの方法のうち、ワークと工具の一方のみを他方に対して移動させるだけでよいという点において、切削と研磨が好ましい。特に、高速で簡便に面取りを行えるという点において、切削が好ましい。
【００３１】
ここで、面取りには、図８（ａ）に示すようなＣ面取りと図８（ｂ）に示すようなＲ面取りの２種が存在する。Ｃ面取りは、直線的な面取りであり、稜線１１に対応する角を除去した部位に、平面１２が露出される。一方、Ｒ面取りは、曲線的な面取りであり、稜線１１に対応する角を除去した部位に、断面を円弧等に近似できる外に凸の曲面１３が露出される。
【００３２】
本第一の工程におけるｃ軸に沿った稜線Ｔの面取りは、Ｃ面取りであってもＲ面取りであってもよいが、Ｃ面取りの方が簡便に行うことができる。面取りを切削によって行う場合には、通常はＣ面取りとなる。
【００３３】
（２）第二の工程
第二の工程においては、図５（ｃ）に示すように、第二の方法によって、磁石材料１の全体、つまり全稜線Ｌ，Ｗ，Ｔの面取りを行う。
【００３４】
ここで用いる第二の方法は、上記の第一の方法とは異なる面取り方法である。そして、第二の方法は、第一の方法よりも面取りを行う稜線の選択性が低い。つまり、対象物の全稜線、あるいは第一の方法におけるよりも多数の稜線に対して、一括して面取りを行うものである。
【００３５】
このような選択性の低い面取りは、対象物への工具の接触による面取り方法ではなく、多数の微小な研磨剤（研磨粉、研磨石等も含む）の衝突に伴う摩擦を利用した面取り方法によって達成することができる。このような面取り方法としては、バレル研磨、サンドブラスト法等を挙げることができる。中でも、多数の対象物に対して高効率で面取りを施すことができ、また滑らかな仕上がり面を得ることができる点において、バレル研磨が優れている。
【００３６】
バレル研磨の例として、図７（ａ）に示す回転式バレル研磨が挙げられる。回転式バレル研磨においては、バレル（研磨槽）６０内に、磁石材料１を、研磨石６１等のバレルメディア、そして、適宜水等の媒材やコンパウンドと称される研磨助剤の混合物６２とともに封入し、バレル６０に回転運動６０Ｒを与える。バレル６０の中の磁石材料１と研磨石６１が、バレル６０の回転６０Ｒによって持ち上げられ、雪崩のように流動する際に、相互に衝突する。そして、衝突に伴う摩擦によって、磁石材料１が面取り、研磨される。研磨石６１との衝突は、磁石材料１の全稜線Ｌ，Ｗ，Ｔにおいて起こるので、全稜線Ｌ，Ｗ，Ｔが同時に面取りを受けることになる。面取りの程度は、バレル６０の回転６０Ｒの速度や、回転６０Ｒを継続する時間によって制御することができる。回転式バレル研磨の他に、振動式バレル研磨によって、面取りを行うこともできる。この場合には、図７（ｂ）に示すように、研磨石７１、水等が入ったホース７０に磁石材料１が連続的に投入され、ホース７０を振動させることで、磁石材料１がホース７０中を流動（矢印ａ）する間に、連続的に面取り、研磨を受ける。面取りの程度は、振動の程度や、振動式バレル研磨機に磁石材料１を通す回数によって制御することができる。第一の工程による面取りを受けた磁石材料１に対して第二の工程による面取りを連続的に施し、さらに、めっき、皮膜形成等の次工程の処理を連続的に進める観点から、振動式バレル研磨を用いることが特に好ましい。
【００３７】
本第二の工程における各稜線Ｌ，Ｗ，Ｔの面取りも、第一工程における稜線Ｔの面取りと同様、Ｃ面取りであってもＲ面取りであってもよい。ただし、第二の工程で得られた面取り形状が、最終的な異方性磁石の外形となるので、めっきや皮膜形成等の処理の均一性の確保、および他部材への挿入の利便性等、面取りによって得られる効果を高める観点から、Ｒ面取りである方が好ましい。バレル研磨やサンドブラスト法を用いる場合には、通常はＣ面取りではなくＲ面取りとなる。
【００３８】
（３）第一の工程と第二の工程の併用の効果
磁石材料１においては、偏平状の結晶粒ＣＲがｃ軸に沿って積層した配向構造を有することにより、ｃ軸に沿った稜線Ｔとｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗで、面取りの受けやすさ、つまり同じ条件で面取り操作を行った際に面取りが進行する速度が異なる。図３（ａ），（ｂ）に示すように、結晶粒ＣＲのｃ軸に直交する方向は、偏平状の結晶粒ＣＲの偏平面に平行な方向となっているので、この方向に沿って結晶粒ＣＲが層状に剥離しやすい。よって、図中でＰ１線で示すように、ｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗにおいて面取りを行う場合には、結晶粒ＣＲ内での破断に加え、結晶粒ＣＲの剥離が面取りに寄与することになるので、高速で面取りが進む。一方、図３（ｃ），（ｄ）に示すように、ｃ軸に平行な方向は、結晶粒ＣＲの偏平面に交差する方向となっており、この方向には、結晶粒ＣＲが剥離しにくくなっている。よって、図中でＰ２線で示すように、ｃ軸に沿った稜線Ｔにおいて面取りを行う場合には、結晶粒ＣＲの剥離がほぼ面取りに寄与せず、実質的に結晶粒ＣＲ内での破断のみによって面取りが行われるので、面取りが低速でしか進まない。
【００３９】
もし、第一の工程を実施せずに、第二の工程における選択性の低い面取り方法による磁石材料１全体への面取りのみを実施するとすれば、研磨石の衝突確率等、面取り操作を受ける程度が全稜線Ｌ，Ｗ，Ｔで同じであったとしても、実際に結果として達成される面取りの程度、例えばＲ面取りの場合のＲ寸法の大きさは、ｃ軸に沿った稜線Ｔにおいて、ｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗにおけるよりも小さくなるはずである。また、仮にｃ軸に沿った稜線Ｔにおいて十分な面取りを達成しようとして、第二の工程を長時間実施するとすれば、ｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗにおける面取りが過度に進行することになる。特許文献３等にも示されるように、過度の面取りを行うと、多量に磁石材料を削ることで、磁石材料１の磁気特性が低下してしまう。これに対し、本実施形態のように、第一の工程において、ｃ軸に沿った稜線Ｔに対して選択的に面取りを行ったうえで、第二の工程における選択性の低い面取りを全稜線Ｌ，Ｗ，Ｔに対して行うことで、第二の工程のみでは十分な面取りが達成されにくいｃ軸に沿った稜線Ｔに対しても、ｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗと同程度の面取りを最終的に達成することができる。その結果、全稜線Ｌ，Ｗ，Ｔにおいて、所望の面取りの程度および面取り形状を高い均一性をもって得ることができる。
【００４０】
選択性の高い第一の方法のみによって全稜線Ｌ，Ｗ，Ｔの面取りを行う場合にも、ｃ軸に沿った稜線Ｔとｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗとで、切削速度等、面取り加工の条件を変えることで、全稜線Ｌ，Ｗ，Ｔに対して均一な面取りを施すことが可能ではある。しかし、その場合には、磁石材料１の各個体の各稜線Ｌ，Ｗ，Ｔに対して、１つずつ面取り加工を行う必要があり、加工能率が低くなってしまう。これに対し、本実施形態のように、第一の工程による選択的な面取りは、面取りの進行が遅いｃ軸に沿った稜線Ｔのみに留めておき、高速で面取りが進行するｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗに対しては、一括して第二の工程による面取りを行うことで、面取り加工全体の効率を高めることができる。それにより、面取りを経て得られる異方性磁石の製造コストを低く抑えることができる。
【００４１】
第一の工程と第二の工程の順序は、限定されるものではないが、本実施形態のように、第一の工程を実施してから、第二の工程を実施することで、全稜線Ｌ，Ｗ，Ｔに対して効果的に面取りを施すことができる。上記のように、切削等による第一の工程においては、通常はＣ面取りが行われるのに対し、バレル研磨等による第二の工程においては、通常はＲ面取りが行われるので、最終的に得られる異方性磁石において、Ｃ面取り形状よりもＲ面取り形状が得られる方が好ましいことから、第一の工程を実施した後に、第二の工程を実施する方がよい。なお、第二の工程を実施してから第一の工程を実施する場合には、ｃ軸に沿った稜線Ｔにおいて、第二の工程だけでは不足している面取りの程度を確認しながら、第一の工程による面取りを行うことも可能である。第一の工程を実施してから第二の工程を実施し、さらに再度第一の工程を実施して最終的な面取り形状を調整するというように、各工程は、複数回実施してもよい。
【００４２】
本実施形態においては、第一の工程において、ｃ軸に沿った稜線Ｔの面取りのみを行い、ｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗの面取りは行っていない。ｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗの面取りは、第二の工程において十分に達成できることから、第一の工程による面取りを行わないことで、面取り工程全体の能率が高くなっている。ただし、ｃ軸に沿った稜線Ｔに加えて、ｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗに対しても、第一の工程による面取りを行ったうえで、第二の工程による面取りを行ってもよい。すると、第一の工程における面取り加工の条件を調整することで、ｃ軸に沿った稜線Ｔのみならず、ｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗにおいても、面取りの程度や面取り形状を詳細に制御することが可能となる。この場合に、第一の工程における面取りの程度を、ｃ軸に交差する稜線Ｌ，Ｗにおいて、ｃ軸に沿った稜線Ｔにおけるよりも小さくしておけばよい。また、上記で説明したような熱間塑性加工を経たＲ−Ｔ−Ｂ系磁石材料においては、ｃ軸に直交するａｂ面内における各稜線（稜線Ｌと稜線Ｗ）の間で面取りの受けやすさに差がないが、ｃ軸に交差する複数の稜線の間で面取りの受けやすさに差がある場合等には、ｃ軸に交差する稜線とｃ軸に沿った稜線の間のみならず、ｃ軸に交差する複数の稜線の相互間で、第一の工程による面取りの程度に差を設けておけば、第二の工程を経た後の最終的な面取りを、全稜線において高い均一性で達成することができる。
【００４３】
第一の工程および第二の工程における面取り加工の具体的な条件は、最終的に、所望される面取りの程度および面取り形状が達成できるように、適宜定めればよい。面取りの程度、つまり、Ｃ面取りにおけるＣ面寸法や、Ｒ面取りにおけるＲ寸法は、ＣＲノギス（例えば東栄工業株式会社製「ＣＲ１５２５」）を用いて、簡便に評価することができる。第一の工程における面取りの程度の簡便な設定の例として、第二の工程まで経て最終的に達成したいＲ寸法に対応した円弧状のＲ面に外接するＣ面が得られるように、第一の工程における稜線ＴのＣ面取りを行えばよい。
【００４４】
第一の工程と第二の工程を経て最終的に得られる面取り形状において、各稜線Ｌ，Ｗ，Ｔの間でのばらつきは、小さく抑える方がよい。異方性磁石材料１において、めっきや皮膜の均一形成や他部材への挿入における効率を全稜線Ｌ，Ｗ，Ｔにおいて均一に高めることができるとともに、各部位における磁気特性の均一性を高めることができるからである。具体的なばらつきの上限は、異方性磁石材料１の用途等に応じて適宜定めればよい。例えば、１つの異方性磁石材料１における各稜線Ｌ，Ｗ，Ｔにおいて得られるＲ寸法の最大値（Ｒｍａｘ）と最小値（Ｒｍｉｎ）の差として算出されるＲ寸法の分布が、全稜線Ｌ，Ｗ，ＴにおけるＲ寸法の平均値（Ｒａｖｇ）の３０％以内に収まる形態を、好適なものとして例示することができる。つまり、（Ｒｍａｘ−Ｒｍｉｎ）／Ｒａｖｇ≦０．３０となるようにすればよい。ばらつきの下限値は特に定められない。なお、第二の工程を経た磁石材料１において、２つの面が接合された稜線Ｌ，Ｗ，Ｔのみならず、３つ以上の面が接合された角部（つまり稜線Ｌ，Ｗ，Ｔの３つの交点）も面取りを受けるが、ここで扱っているばらつきの評価においては、角部のＲ寸法は考慮しない。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【００４６】
＜試験方法＞
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ異方性磁石材料を、合金溶湯の急冷凝固、冷間プレス、８００℃付近での熱間プレスおよび熱間押し出しを順次経て製造した。異方性磁石材料の外形は、図４（ａ）に示すような角柱状とし、各稜線の長さは、Ｌ＝４７．５ｍｍ、Ｗ＝７．５５ｍｍ、Ｔ＝７．２ｍｍとした。稜線Ｔが、結晶粒ＣＲのｃ軸と平行になっている。
【００４７】
上記で得られた磁石材料に対して、実施例、比較例のそれぞれで規定する方法によって、各稜線の面取りを行った。実施例１においては、第一の工程としての切削加工を行った後、第二の工程としてのバレル研磨を行った。切削加工においては、ＮＣ加工機を用いて、稜線Ｔに対してＣ面取りを行った。この際、デジタルＣＲノギス（東栄工業株式会社製「ＣＲ１５２５」）によって計測されるＣ面寸法を、０．２〜０．３ｍｍ（Ｃ０．２〜Ｃ０．３）とした。バレル研磨は、重切削用研磨石を用いた振動式バレル研磨機（株式会社チップトン製、製品名「リボルバー」、型式ＣＷＳ−１７０Ｕ２）により、ホースに磁石材料を１周（１回）通すことによって行った。
【００４８】
比較例１〜３においては、切削加工を行わず、バレル研磨のみを行った。バレル研磨は、上記と同様の振動式バレル研磨機を用いて行った。比較例１においては、実施例１と同様に、磁石材料を１回のみ振動式バレル研磨機に通した。比較例２および３においては、それぞれ２回および３回繰り返して振動式バレル研磨機に磁石材料を通した。
【００４９】
各実施例、比較例において面取りを行った磁石材料について、稜線Ｌ，Ｗ，Ｔのそれぞれに対して、上記と同じデジタルＣＲノギスを用いて、Ｒ寸法を計測した。計測は、各方向における４つの等価な稜線に対して行い、４つの測定値の平均をとった。
【００５０】
＜試験結果＞
各実施例、比較例について、３つの稜線のＲ寸法を計測した結果を、下の表１に示す。表には、全稜線における平均値（Ｒａｖｇ）も示している。また、Ｒ寸法の最大値（Ｒｍａｘ）と最小値（Ｒｍｉｎ）の差として算出されるＲ寸法の分布を平均値（Ｒａｖｇ）で規格化して得られるばらつき（Δ＝（Ｒｍａｘ−Ｒｍｉｎ）／Ｒａｖｇ）も示している。
【００５１】
【表１】
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【００５２】
実施例１および比較例１では、いずれも振動式バレル研磨機による研磨を１回のみ行っている。表１によると、あらかじめ稜線Ｔに対する切削を行っていない比較例１においては、結晶粒のｃ軸と直交する稜線Ｌおよび稜線Ｗに比べて、ｃ軸と平行な稜線ＴのＲ寸法が、６割程度に小さくなっている。ばらつきΔも、４２％と大きな値になっている。これに対し、振動式バレル研磨機による研磨の前に稜線Ｔに対して切削を行っている実施例１においては、稜線ＴのＲ寸法が、稜線Ｌおよび稜線Ｗと同程度に大きくなっている。ばらつきΔも、７．８％と非常に小さな値に抑えられている。
【００５３】
比較例１〜３において、振動式バレル研磨機による研磨の回数を増やすにつれて、稜線Ｌ、稜線Ｗ、稜線Ｔのいずれにおいても、Ｒ寸法が大きくなっているが、稜線ＴのＲ寸法が稜線Ｌおよび稜線ＷのＲ寸法よりも小さいという傾向は、解消されない。また、ばらつきΔは、研磨の回数を増やすにつれて小さくなってはいるが、研磨を３回行っても、３０％を上回っており、実施例１において稜線Ｔの切削を行っておく場合と比較して、はるかに大きな値となっている。つまり、研磨の回数を増やすことで、ばらつきΔを小さくすることはできるが、稜線Ｔをあらかじめ切削しておく方が、効果的にばらつきΔを小さくすることができる。また、研磨の回数をさらに増やして、ばらつきΔを小さくすることができたとしても、面取りを受けやすい稜線Ｌおよび稜線Ｗの面取りが進行しすぎ、磁気特性に影響を与える可能性がある。
【００５４】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１，２          異方性磁石材料
１１，２１      稜線
５０            切削工具
６０            バレル
６１，７１      研磨石
６２            水、コンパウンド等の混合物
７０            ホース
ＣＲ            結晶粒
Ｌ，Ｗ          ｃ軸に垂直な稜線
Ｔ              ｃ軸に平行な稜線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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