(57)【要約】      （修正有）【課題】粗化部分を効率的に形成して高密着性を実現し、生産性を飛躍的に向上することができ、加えて環境負荷を低減することができるリードフレームを提供する。【解決手段】リードフレームは、素子搭載部２１と、素子搭載部２１の周りに設けられた複数のリード部２２とを備える。素子搭載部２１は、基材２１ａと、基材２１ａの一方の面２１ａ−１の一部に設けた粗化部分２１ｂと、基材２１ａの他方の面２１ａ−２の一部に設けた粗化部分２１ｃとを備える。粗化部分２１ｂは、素子搭載部２１に設け、かつ、ボンディングワイヤ４を接続する部分と素子搭載部２１に搭載する半導体素子３との間に配置する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子搭載部と、前記素子搭載部の周りに設けられた少なくとも１つのリード部とを有するリードフレームであって、
前記リードフレームは粗化部分を備え、
前記粗化部分が、前記リード部に設けられ且つ半導体素子を封止する樹脂製の封止部と封止されない部分との境界に沿って且つ該境界よりも封止部側に配置された第一の粗化部分と、前記素子搭載部に設けられ且つ前記リード部のボンディングワイヤが接続される部分と前記素子搭載部に搭載される半導体素子との間に配置された第二の粗化部分の少なくとも一方を含むことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記第一の粗化部分は、前記リード部のボンディングワイヤが接続される部分と、前記封止されない部分との間に配置されていることを特徴とする、請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記リード部は少なくとも一部にめっき層を備え、
前記めっき層上には前記第一の粗化部分が配置されていないことを特徴とする、請求項１又は２記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記第二の粗化部分が、前記素子搭載部に搭載される半導体素子の周囲を取り巻くように設けられた帯状部を構成することを特徴とする、請求項１記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記第一の粗化部分が帯状部を構成し、
前記帯状部の幅が、２５μｍ〜１２００μｍであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記粗化部分の算術平均高さが、０．１３μｍ〜２０μｍであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記粗化部分の比表面積が、１．０８〜４であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームに関し、特に半導体素子を樹脂モールドしてなる半導体パッケージ構造を形成するためのリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロニクス、自動車等諸産業の急速な発展と共に材料の多様化と高機能化が進み、中でも、特性の異なる樹脂と金属を効率的に組み合わせた部材の需要が拡大しており、異種材料間の高密着化は、部品軽量化、設計自由度の向上、コスト削減の観点から更にその重要性が高まっている。
【０００３】
例えば、半導体パッケージ構造では、以下のような課題が生じており、基材をモールドする樹脂とリードフレームの高密着化が要求されている。
（１）基板実装のリフロー温度が鉛フリー化で高温となっている
（２）自動車に半導体素子が搭載されるようになり、エンジン周りに搭載されるＩＣや安全性に関わるセンサ等のＩＣにおいて、信頼性試験の温度条件が厳しい
（３）樹脂パッケージ後に高温に曝されるとパッケージ構造内の水分が膨張し、樹脂クラックやチップ剥がれが発生する
（４）樹脂とリードフレームの熱膨張差により、チップ剥がれが発生する
【０００４】
上記課題を解決するべく、例えば基材と、前記基材の第１面の一部に設けられ、半導体素子を搭載可能な素子搭載部と、該素子搭載部に搭載される半導体素子を封止する封止材が接触する領域であって、上記封止材の外縁より内部にエッチングよって形成された粗化面とを備えるリードフレームが提案されている（例えば、特許文献１参照）。  
【０００５】
また、素子搭載部とリード部とを備えるリードフレームであって、該リードフレームの表面のうちモールド樹脂の内部に位置する部位の一部、例えば素子搭載部の表面に、樹脂との密着性を高めるための粗化処理が施され、リード部の外部接続面には粗化処理が施されていないものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５３７６５４０号公報
【特許文献２】特開２００６−１４０２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の技術では、基材の第１面にマスキングテープを取り付けて第１面の一部をマスキングし、マスキングされていない面にエッチング液を接触させることで化学的にエッチングし、その後マスキングテープを取り外してエッチング面を洗浄する。よって粗化面を得るために少なくともマスキング工程、マスキングテープ除去工程、洗浄工程が必要となり、作業が煩雑であると共に時間が掛かり、効率的に粗化面を形成することができない。また、上記のようなウェットエッチングでは、微細パターンで表面を粗化するのが難しく、ＩＣ小型化のニーズや更なる密着性向上に十分に対応できるとは言えない。また、上記基材の第１面に余分な粗化面が形成されてしまう場合があり、粗化面と封止部の樹脂バリとが接触していると、基材と樹脂バリの密着性が高いため、外装処理時に樹脂バリを除去するのが困難となり、また、樹脂バリを除去する際に基材が変形したり、基材にキズが生じる可能性がある。更には、エッチング液を使用すると、使用済のエッチング液が廃液となり、環境負荷が大きい。特に、技術革新が著しい自動車産業では、半導体装置の飛躍的な生産性向上を図るべく、高密着性を有するリードフレームをより効率的に形成することが求められている。
【０００８】
特許文献２の技術では、マスキングを伴うめっき処理により粗化面を形成するが、上記と同様、効率的な粗化面形成とは言えず、また、めっき液を廃液処理する必要がある。また、めっき処理の他に、薬液処理、サンドブラストやレーザ照射が挙げられているが、レーザ照射等を用いて粗化面を形成するための具体的な方法は記載されていない。
【０００９】
本発明の目的は、粗化部分を効率的に形成して高密着性を実現し、生産性を飛躍的に向上することができ、加えて環境負荷を低減することができるリードフレームを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明のリードフレームは、素子搭載部と、前記素子搭載部の周りに設けられた少なくとも１つのリード部とを有するリードフレームであって、前記リードフレームは粗化部分を備え、前記粗化部分が、前記リード部に設けられ且つ半導体素子を封止する樹脂製の前記封止部と封止されない部分との境界に沿って且つ該境界よりも封止部側に配置された第一の粗化部分と、前記素子搭載部に設けられ且つ前記リード部のボンディングワイヤが接続される部分と前記素子搭載部に搭載される半導体素子との間に配置された第二の粗化部分の少なくとも一方を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、前記第一の粗化部分は、前記リード部のボンディングワイヤが接続される部分と、前記封止されない部分との間に配置されている。
【００１２】
前記リード部は少なくとも一部にめっき層を備え、前記めっき層上には前記第一の粗化部分が配置されていない。
【００１３】
また、前記第二の粗化部分が、前記素子搭載部に搭載される半導体素子の周囲を取り巻くように設けられた帯状部を構成することを特徴とする。
【００１４】
前記第一の粗化部分が帯状部を構成し、前記帯状部の幅が２５μｍ〜１２００μｍであるのが好ましい。
【００１５】
更に、前記粗化部分の算術平均高さが、０．１３μｍ〜２０μｍであるのが好ましい。
【００１６】
また、前記粗化部分の比表面積が１．０８〜４であるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、第一の粗化部分が、リード部の半導体素子を封止する樹脂製の封止部と封止されない部分との境界に沿って且つ該境界よりも封止部側に配置される。また、第二の粗化部分が、素子搭載部に設けられ且つ前記リード部のボンディングワイヤが接続される部分と素子搭載部に搭載される半導体素子との間に配置される。これにより、例えばレーザ照射によって粗化部分を設けることで、マスキングや洗浄などを必要とせず、粗化部分を効率的に形成して当該粗化面と封止部の高密着性を実現することができる。また、リードフレームの上記一方の表面に余分な粗化部分が形成されるのを抑制することができ、封止部の樹脂バリを容易に除去することが可能となり、生産性を飛躍的に向上することができる。また、銀ペースト等の有機溶剤の滲み出しを防止することができ、ボンディングワイヤの高接着性を実現することができる。また、粗化部分が帯状部を構成し、該帯状部の幅が２５μｍ〜１２００μｍであるので、安定な粗化構造が形成でき、かつリードフレームの変形が抑制できる。また、微細パターンでリードフレームの表面を粗化することができるため、ＩＣ小型化のニーズや更なる密着性向上に十分に対応することが可能となる。更に、粗化部分形成の際に廃液が生じることがなく、環境負荷を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係るリードフレームを備える半導体装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】（ａ）は、本実施形態に係るリードフレームの構成を示す断面図であり、（ｂ）は、同リードフレームの平面図、（ｃ）は、底面図である。
【図３】粗化部分の一例を示す電子顕微鏡画像であり、（ａ）は平面画像、（ｂ）は断面画像である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、帯状部の詳細構成を説明するための模式図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、図１における封止部を形成する工程を説明する図である。
【図６】図２のリードフレームの変形例を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は底面図である。
【図７】図６のリードフレームを有する半導体装置を製造する際の外装処理を説明する図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、各実施例におけるリードフレームの粗化位置を示す模式図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、各比較例におけるリードフレームの粗化位置を示す模式図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、各実施例及び比較例におけるレーザ粗化部分表面の電子顕微鏡画像である。
【図１１】実施例１，３及び比較例４で測定されるＺ軸変位を説明する図である。
【図１２】（ａ）は比較例１で剥離した部分、（ｂ）は比較例３で剥離した部分を示す平面図である。
【図１３】レーザ処理又は薬液処理後に粗化部分表面のEPMA分析を行った結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
〈半導体装置及びリードフレームの構成〉
図１は、本実施形態に係るリードフレームを備える半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。なお、図中の半導体装置は、その一例を示すものであり、本発明に係る半導体装置の構成、各構成の形状、寸法等は、図１のものに限られないものとする。
【００２１】
図１に示すように、半導体装置１は、素子搭載部２１及び該素子搭載部の周りに設けられた複数のリード部２２を有するリードフレーム２と、素子搭載部２１に搭載された半導体素子３と、半導体素子３とリード部２２とを電気的に接続するボンディングワイヤ４，４’（４’は接地用のボンディングワイヤ）と、素子搭載部２１、半導体素子３及びボンディングワイヤ４を封止する樹脂製の封止部５とを備える。この半導体装置１は、例えば半導体素子３を樹脂モールドしてなる半導体パッケージ構造である。半導体素子３は、例えばマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、メモリ、半導体センサなどの集積回路である。
【００２２】
図２（ａ）は、本実施形態に係るリードフレームの構成を示す断面図であり、（ｂ）は、同リードフレームの平面図、（ｃ）は、底面図である。なお図２（ａ）は、図２（ｂ）の線Ａ−Ａに沿う断面図である。
【００２３】
素子搭載部２１は、基材２１ａと、基材２１ａ一方の面２１ａ−１（おもて面）の一部に設けられた粗化部分２１ｂ（第二の粗化部分）と、基材２１ａの他方の面２１ａ−２（裏面）の一部に設けられた粗化部分２１ｃとを備えている。本実施形態では素子搭載部２１が粗化部分２１ｃを備えているが、これに限らず、基材２１ａの他方の面２１ａ−２に粗化部分を備えていなくてもよく、また、他方の面２１ａ−２（裏面）の全面に設けられた粗化部分を備えていてもよい。また、本実施形態の素子搭載部２１にはめっき層が設けられていないが、めっき層が設けられてもよく、例えば素子搭載部２１が、基材２１ａの一方の面２１ａ−１の一部又は全部に設けられためっき層を備えていてもよい。
【００２４】
リード部２２は、基材２２ａと、基材２２ａの他方の面２２ａ−２（裏面）上であって半導体素子３を封止する封止部５と接触する領域の一部に設けられた粗化部分２２ｂとを備えている。粗化部分２２ｂは、リード部２２の封止部５と封止されない部分との境界に沿って且つ該境界よりも封止部側に配置されている（図２（ｃ）参照）。そして粗化部分２２ｂは、リード部２２のボンディングワイヤ４，４’が接続される部分と、上記封止されない部分との間に配置されている。粗化部分２２ｂは、リード部２２の封止部５と封止されない部分との境界を含み、且つ該境界から封止部側に設けられてもよい。上記基材２１ａ，２２ａは、金属原板のプレス加工等により一体成形されている。本実施形態ではリード部２２が粗化部分２２ｂを備えているが、これに限らず、基材２２ａの他方の面２２ａ−２に粗化部分を備えていなくてもよい。
本実施形態のリード部２２にはめっき層が設けられていないが、これに限らず、基材２２ａの一方の面２２ａ−１にめっき層が設けられてもよく、例えばリード部２２が、基材２２ａの一方の面２２ａ−１の一部又は全体に形成されためっき層を備えていてもよい。
【００２５】
粗化部分２１ｂは、図２（ｂ）に示すように、素子搭載部２１に設けられ且つボンディングワイヤ４が接続される部分と素子搭載部２１に搭載される半導体素子３との間に配置される。本実施形態では、粗化部分２１ｂは、半導体素子３の周りに配置された帯状部を構成している。帯状部の幅Ｄ１は、２５μｍ〜１２００μｍが好ましい。２５μｍ未満の幅でレーザの粗化処理を行う場合、レーザによってリードフレームに形成されるスポットサイズの制御が困難であり、安定的な粗化を実現できない。また、粗化領域の幅が１２００μｍより大きくなると、リードフレームの変形が生じ易くなる。本実施形態における粗化部分の幅とは、リードフレーム２と封止部５の外縁との境界線に沿う方向に対して垂直又は略垂直方向の長さである。
【００２６】
本実施形態では、帯状部は、素子搭載部２１の半導体素子３が搭載される側の面に、半導体素子３の周囲を取り巻くように設けられている。すなわち粗化部分２１ｂは、基材２１ａの表面に連続的に形成された環状部分である。本実施形態における粗化部分の幅とは、リードフレーム２と封止部５の外縁との境界線に沿う方向に対して垂直又は略垂直方向の長さである。
【００２７】
粗化部分２１ｃは、図２（ｃ）に示すように、投影面において粗化部分２１ｂと重なるように配置された環状粗化部である。すなわち粗化部分２１ｃは、素子搭載部２１の半導体素子３が搭載される面とは反対側の面に、半導体素子３の周囲を取り巻くように設けられている。
【００２８】
粗化部分２２ｂは、粗化部分２１ｃの外方に設けられた複数の面状粗化部で構成される。粗化部分２２ｂは、各リード部の端部にそれぞれ形成されている。
【００２９】
このように本実施形態では、素子搭載部２１の両面に粗化部分２１ｂ，２１ｃが配置されると共に、リード部２２の一方の面（素子搭載側の面とは反対側の面）に粗化部分２２ｂが配置されている。
【００３０】
封止部５は、リードフレーム２の両面に配置された粗化部分２１ｂ，２１ｃ，２２ｂを覆って設けられた樹脂成形体である。封止部５には、素子搭載部２１と、その外縁に配置された複数のリード部２２の一部とが埋め込まれている。すなわち封止部５は、半導体素子３が搭載された素子搭載部２１とリード部２２の一部とを一体的に封止するようにモールド成形され、これにより金属製のリードフレーム２と樹脂製の封止部５が接合される。
【００３１】
次に、リードフレーム２及び封止部５の各構成について、以下に詳述する。
【００３２】
（１−１）リードフレーム２の具体的構成
素子搭載部２１及びリード部２２を構成する各基材は、板状、線状、箱状、球状等、所望の形状に曲げ加工した形状や、これらを複数接合した形状など、任意の形状とすることができる。
基材の材料としては、特に制限は無く、用途に応じて公知の金属から適宜選択することができる。例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、鉄合金、鉄ニッケル合金（４２アロイ）、チタン、チタン合金鉄、各種ステンレス、亜鉛、マグネシウム、鉛、錫およびそれらを含む合金から選ばれるものを挙げることができる。
【００３３】
基材は、板状である場合、その厚さは１μｍ〜１０ｍｍであることが好ましく、３０μｍ〜２ｍｍであることがより好ましい。略板状の金属部品の厚さが薄い場合、部分的に粗化部分を設けた場合に形状のゆがみが生じやすい。
【００３４】
基材にめっき層を設ける場合、めっき層は、銀又は銀合金、及びパラジウム又はパラジウム合金からなる群から選ばれる少なくとも１種からなるのが好ましい。基材上にめっき層を形成することにより、素子ボンディング性向上、ワイヤボンディング性向上、半田濡れ性向上の効果がある。また、反射層を設けることができ、光沢度或いは光の反射率に優れたリードフレームを得ることができる。
【００３５】
また、基材とめっき層の間に、１又は複数の中間層（他のめっき層）が形成されてもよい。中間層は、ニッケル又はニッケル合金、コバルト又はコバルト合金、パラジウム又はパラジウム合金、ロジウム又はロジウム合金、ルテニウム又はルテニウム合金、イリジウム又はイリジウム合金、金又は金合金、及び銅又は銅合金からなる群から選ばれた少なくとも１種からなるのが好ましい。中間層を設けることにより、基材とめっき層の密着性が向上し、また、リードフレームの耐熱性を向上することが可能となる。
【００３６】
（１−２）粗化部分２１ｂ，２１ｃ，２２ｂの構成及び密着のメカニズム
リードフレーム２は、封止部５との界面の少なくとも一部に粗化部分２１ｂ，２１ｃ，２２ｂを有している。図３（ａ）及び（ｂ）は、基材にレーザ照射することによって形成された粗化部分の一例を示す電子顕微鏡画像である。本実施形態の粗化部分２１ｂ，２１ｃ，２２ｂは、同図に示すような凹凸の集合体を有しており、特に、断面視（図３（ｂ））では、凹凸の一部がサンゴ状或いはアンカー状に形成されている。このような粗化部分を、金属製のリードフレーム２と樹脂製の封止部５との界面に位置するように構成する。これにより、封止部５のモールド成形時に、粗化部分の凹凸に樹脂が入り込み、リードフレーム２の厚み方向に関して樹脂と金属が一又は複数回重畳した部分が形成され、密着性が向上する。
【００３７】
粗化部分２１ｂ，２１ｃ，２２ｂの比表面積は、１．０８以上４未満であるのが好ましい。比表面積が１．０８未満では十分な密着性が得られず、比表面積が４以上であるとリードフレームの変形が生じ易い。
【００３８】
粗化部分は、局所部分的に粗化する観点から、レーザを用いて形成される。これにより、微細パターンの粗化部分を容易に形成することができる。粗化部分とはレーザが照射された領域をいい、レーザ照射によって表面形状が平坦から凹凸に変化した部分である。例えばパルスレーザの場合、複数のレーザ照射によるスポットが金属表面に所定パターンを形成することで粗化部分が形成される。
【００３９】
ここで、樹脂と金属の界面での密着性が低いと、水蒸気などの分子または分子クラスタが当該界面を透過し、半導体素子などの機能性部品が結露や酸化などによって損傷し易くなる。よって粗化部分は、機能性部品の損傷を防止する観点から、半導体素子３を囲って形成されるのが好ましい。
【００４０】
凹凸の深さは、十分な密着強度を得る観点から、１００ｎｍ以上であることが好ましく、５００ｎｍ以上であることがより好ましい。また、金属部品のひずみを抑える観点および酸化による金属の劣化を抑制する観点から、５０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましい。
【００４１】
パルスレーザを用いた加工の場合、スポットの照射密度は２０個／ｍｍ２以上が好ましく、５０個／ｍｍ２以上がより好ましく、１００個／ｍｍ２以上がさらに好ましい。また、金属部品のひずみを抑える観点、飛散物の発生を抑制する観点、および酸化による劣化を抑制する観点から、２０００個／ｍｍ２以下が好ましく、１０００個／ｍｍ２以下がより好ましく、５００個／ｍｍ２以下がさらに好ましい。
【００４２】
粗化部分２１ｂ，２１ｃ，２２ｂは、上述のように、各基材の露出部分に設けられてもよいし、基材の一部にめっき層が形成されている場合にはめっき層に設けられてもよい。また、めっき層と基材の露出部分に跨って設けられてもよい。
【００４３】
粗化部分２１ｂ，２１ｃ，２２ｂの算術平均高さ（Ｓａ）は、０．１３μｍ〜２０μｍが好ましく、０．２μｍ〜１０μｍがより好ましい。算術平均高さＳａとは、２次元の算術平均粗さＲａを３次元に拡張したものであり、３次元粗さパラメータ（３次元高さ方向パラメータ）である。具体的には、算術平均高さＳａは、表面形状曲面と平均面とで囲まれた部分の体積を測定面積で割ったものである。平均面をｘｙ面、縦方向をｚ軸とし、測定された表面形状曲線をｚ（ｘ、ｙ）とすると、算術平均高さＳａは、次式（１）で定義される。
【００４４】
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ここで、式（１）の中の「Ａ」は、測定面積である。なお、算術平均高さは、レーザ顕微鏡によって測定した表面形状のデータから、ＩＳＯ規格（ＩＳＯ  ２５１７８）に記載の方法で算出できる。また測定条件としては、倍率１０００倍、カットオフ値８０μｍとし、測定エリアとしてｘ方向が５０μｍ〜５００μｍ、ｙ方向が５０μｍ〜５００μｍの四角形の領域を測定した値である。
【００４５】
粗化部分２１ｂ，２１ｃ，２２ｂの表面粗さは、樹脂と金属の界面を透過する気体の透過率に大きく影響する。すなわち、表面粗さが大きい場合、樹脂と金属の熱膨張率の違いや、内部と外部の圧力差によって樹脂と金属の界面に力が掛かることで生じる部分的な剥離が大きくなり、気体分子が透過しやすくなる。他方、表面粗さが小さい場合、上記部分的な剥離は小さくなり、気体分子または気体分子から形成されるクラスタが透過しにくい。気体分子または気体分子から形成されるクラスタのサイズから、前記のように、算術平均高さは０．１３μｍ〜２０μｍが好ましく、０．２μｍ〜１０μｍがより好ましい。なお、表面粗さ、およびその物性を表す算術平均高さについては、レーザの出力、スポット径、スポット間隔（ΔＸ，ΔＹ）などから粗化分布等を調整することにより、適宜調整可能である。
【００４６】
図４（ａ）〜（ｄ）は、帯状部の詳細構成を説明するための模式図である。帯状部５１は、レーザ照射によって粗化された複数のレーザ照射領域５１ａ（粗化部分）が面内方向に互いに重なり合うことによって構成されてもよい（図４（ａ））。また、帯状部５２が、複数のレーザ照射領域５２ａが面内方向で互いに重なり合わずに所定間隔で配置されることによって構成されてもよい（図４（ｂ））。すなわち、帯状部は、実質的に粗化部分のみで構成されてもよいし、粗化部分と未粗化部分とで構成されてもよい。また、帯状部５３が、長手方向に関して連続して形成されてもよいし（図４（ｃ））、帯状部５４が長手方向に関して不連続に形成されてもよい（図４（ｄ））。
【００４７】
また、粗化部分２１ｂ，２１ｃ，２２ｂは、縞状に繰り返されるパターンを有していてもよい。また、当該縞状に繰り返されるパターンがリードフレーム２と封止部５との境界部に沿って設けられるのが好ましく、また、半導体素子の周囲を取り巻くように、複数の環状の粗化部分が設けられてもよい。
【００４８】
（２）封止部５の構成
封止部５に使用される樹脂は、基材２１ａ，２２ａに用いられる金属の融点よりも低い温度で接合可能な材料であれば特に限定されず、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、エラストマー又はプラスチックアロイを挙げることができる。更には、光硬化型樹脂のような熱以外のエネルギーで硬化するものや、複数の成分を混合することにより化学的に固化させる等、熱以外で硬化する材料であってもよい。より詳細には、熱可塑性樹脂（汎用樹脂）としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、アクリロニトリル／スチレン樹脂（ＡＳ）、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン樹脂（ＡＢＳ）、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、塩化ビニル（ＰＶＣ）、熱可塑性樹脂（汎用エンジニアリング樹脂）としては、例えば、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＰＥ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ＧＦ強化ポリエチレンテレフタレート（ＧＦ−ＰＥＴ）、ポリメチルペンテン（ＴＰＸ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、変性ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、熱可塑性樹脂（スーパーエンジニアリング樹脂）としては、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノ-ル樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート、エラストマーとしては、熱可塑性エラストマーやゴム、例えば、スチレン・ブタジエン系、ポリオレフィン系、ウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、１,２−ポリブタジエン、ポリ塩化ビニル系、アイオノマーを挙げることができる。更には、熱可塑性樹脂にガラスファイバーを添加したものや、ポリマーアロイ等も挙げることができる。尚、気密性を悪化させない範囲において、従来公知の各種無機・有機充填剤、難燃剤、紫外線吸収剤、熱安定剤、光安定剤、着色剤、カーボンブラック、離型剤、可塑剤等の添加剤を含有したものであっても構わない。
【００４９】
これらの熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性エラストマーには、公知の繊維状充填材を充てんすることができる。公知の繊維状充填材としては、炭素繊維、無機繊維、金属繊維、有機繊維等を挙げることができる。
炭素繊維は周知のものであり、ＰＡＮ系、ピッチ系、レーヨン系、リグニン系等のものを用いることができる。無機繊維としては、ガラス繊維、玄武岩繊維、シリカ繊維、シリカ・アルミナ繊維、ジルコニア繊維、窒化ホウ素繊維、窒化ケイ素繊維等を挙げることができる。金属繊維としては、ステンレス、アルミニウム、銅等からなる繊維を挙げることができる。
【００５０】
有機繊維としては、ポリアミド繊維（全芳香族ポリアミド繊維、ジアミンとジカルボン酸のいずれか一方が芳香族化合物である半芳香族ポリアミド繊維、脂肪族ポリアミド繊維）、ポリビニルアルコール繊維、アクリル繊維、ポリオレフィン繊維、ポリオキシメチレン繊維、ポリテトラフルオロエチレン繊維、ポリエステル繊維（全芳香族ポリエステル繊維を含む）、ポリフェニレンスルフィド繊維、ポリイミド繊維、液晶ポリエステル繊維などの合成繊維や天然繊維（セルロース系繊維など）や再生セルロース（レーヨン）繊維などを用いることができる。
【００５１】
〈半導体装置１の製造方法〉
半導体装置１を製造するには、先ず、金属原板をエッチング又はパンチングして、素子搭載部２１及びリード部２２を有するリードフレーム２を作製する。めっき層を形成する場合には、エッチング又はパンチングする前に基材２１ａにめっき層を形成するか、エッチング又はパンチング後にめっき層を形成することができる。これにより、複数のリードフレーム２がマトリックス状に配置されてなるリードフレーム成形体を得る。また、必要に応じて、めっき層上に上述の他のめっき層を形成する。
【００５２】
次に、リードフレーム２の各面の一部にレーザを照射して、その表面に所定パターンを有する粗化部分を形成する。具体的には、リードフレーム２の一方の面（おもて面）において、素子搭載部２１に粗化部分２１ｂを形成し、他方の面（裏面）において、素子搭載部２１及びリード部２２の双方に粗化部分２１ｃ，２２ｂを形成する。これにより、リードフレーム２の両面が部分的に粗化される。
【００５３】
レーザ照射により粗化部分を形成する場合、比較的得やすいのは可視光から近赤外の波長を有するレーザである。また、銅、アルミニウムは、可視光から近赤外の波長の吸収率が高い。よって基材２１ａ，２２ａの材料として、銅、アルミニウム又はこれらの合金を使用する場合、可視光から近赤外の波長を有するレーザで加工するのが好ましい。
【００５４】
レーザ光としては、ＣＷレーザやパルスレーザを使用することができる。パルスレーザの場合、本実施形態の加工形状を達成する観点から、パルス幅は０．１ピコ秒から１ミリ秒程度のものが好ましく使用できる。１パルスあたりのエネルギーについては、好ましくは１０μＪから１０００μＪのレーザ光を使用できる。
【００５５】
レーザ光のスポット径は、エネルギー密度を高め、かつ微細な形状の凹凸を形成する観点から、３００μｍ以下が好ましく、１００μｍ以下がより好ましく、５０μｍ以下がさらに好ましい。また、レーザ集光の観点から、２０μｍ以上が好ましい。また、レーザ光のスポット間隔（ピッチ）は、１００μｍ以下であるのが好ましい。レーザ光のスポットのエネルギー密度は、１〜５０Ｊ／ｃｍ２が好ましい。ここでエネルギー密度は、パルスエネルギーをスポットの面積で割った値である。エネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ２より小さいと十分な加工ができない。また、エネルギー密度が５０Ｊ／ｃｍ２以上であると、レーザ照射によって溶融あるいは破断した金属が周辺に飛散し、付着する現象が生じる。この付着物は、例えばワイヤボンディングするときに接合力を低下させることから、付着物が生じることは好ましくない。レーザの波長は、３００ｎｍ〜２００００ｎｍが好ましい。例えば銅やアルミの場合、吸収が高い波長である３００ｎｍ〜６００ｎｍ程度の波長のレーザを用いることが好ましい。
【００５６】
その後、素子搭載部２１に半導体素子３を固定すると共に、ボンディングワイヤ４の一端を当該半導体素子３の上面に接合し、他端を素子搭載部２１の周りに配置されたリード部２２に接合する。これにより、半導体素子３とリード部２２とが電気的に接続可能となる。
【００５７】
次いで、金属製のリードフレーム２に樹脂製の封止部５を接合する。本実施形態における接合では、周知の射出成形を用いることができる。射出成形としては、アウトサート成形・インサート成形のいずれでもよい。また、熱融着、ワニス塗布、およびポッティングなどの方法も含まれる。
【００５８】
具体的には、図５（ａ）に示すように、半導体素子３及びボンディングワイヤ４が取り付けられたリードフレーム２を下型４１に載置すると共に、下型のスリーブ４２内に封止用樹脂のタブレット４３を投入する。次いで上型４４を下型４１に圧接させて、リードフレーム２を下型４１及び上型４４の間の閉区間に配置し、スリーブ４２内のプランジャ４５を上方に押圧する（図５（ｂ））。プランジャ４５によって加圧されたタブレット４３は、加熱溶融後、ゲート４６を通過してキャビティ４７に送出され、該キャビティ内に溶融樹脂が充填される（図５（ｃ））。キャビティ４７内で溶融樹脂が硬化することにより、封止部５がモールド成形される。その後、下型４１と上型４４を離間させ（図５（ｄ））、半導体装置１を取り出す。
【００５９】
次いで、封止部５の外縁であって、リード部２２と封止部５との境界部に形成された樹脂バリを除去する（外装処理）。モールド成形時に封止部５の外縁に樹脂バリが生じるため、その後の外装処理において、高圧水法や液体ホーニング法により樹脂バリを除去する。このとき、リード部２２の素子搭載側の面２２ａ−１には粗化部分が形成されていないため、樹脂バリとリード部２２の密着性が低く、樹脂バリを容易に除去することができる。また、高圧水にて樹脂バリを除去し難い場合には、通常、アルカリ処理によって樹脂バリを除去するが、このときアルカリ液が半導体素子にダメージを与える場合がある。一方本実施形態ではアルカリ処理が不要となり、半導体素子３に与えるダメージを極力低減することができる。
【００６０】
上述したように、本実施形態によれば、粗化部分２１ｂが、素子搭載部２１に設けられ且つリード部２２のボンディングワイヤ４が接続される部分と素子搭載部２１に搭載される半導体素子３との間に配置される。これにより、例えばレーザ照射によって粗化部分２１ｂを形成することで、マスキングや洗浄などを必要とせず、粗化部分２１ｂを効率的に形成して当該粗化部分と封止部の高密着性を実現することができる。また、ダイボンディング剤である銀ペースト等に含まれる有機溶剤の滲み出しを防止することができ、ボンディングワイヤ４’の高接着性を実現することができる。また、粗化部分２１ｂが帯状部を構成し、該帯状部の幅Ｄ１が２５μｍ〜１２００μｍであるので、安定な粗化構造が形成でき、かつリードフレーム２の変形が抑制できる。また、微細パターンでリードフレーム２の表面を粗化することができるため、ＩＣ小型化のニーズや更なる密着性向上に十分に対応することが可能となる。更に、粗化部分形成の際に廃液が生じることがなく、環境負荷を低減することが可能となる。
【００６１】
図６は、図２のリードフレーム２の変形例を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は底面図である。図６のリードフレーム６は、図２のリードフレームと比較して、半導体素子が搭載される側における粗化部分の配置及び形状が異なる。以下、図２のリードフレームと異なる部分を説明する。
【００６２】
素子搭載部２１は、基材２１ａと、基材２１ａの他方の面２１ａ−２（裏面）の一部に設けられた粗化部分２１ｃとを備えている。本変形例では、基材２１ａの一方の面２１ａ−１には粗化部分が設けられていない。本変形例では素子搭載部２１が粗化部分２１ｃを備えているが、これに限らず、基材２１ａの他方の面２１ａ−２に粗化部分を備えてなくてもよく、また、他方の面２１ａ−２の全面に設けられた粗化部分を備えていてもよい。
【００６３】
リード部２２は、基材２２ａと、基材２２ａの一方の面２２ａ−１に形成された粗化部分６２ｂ（第一の粗化部分）と、基材２２ａの他方の面２２ａ−２に形成された粗化部分６２ｃとを備えている。本実施形態ではリード部２２が粗化部分２２ｃを備えているが、これに限らず、基材２２ａの他方の面２２ａ−２に粗化部分を備えていなくてもよい。
【００６４】
粗化部分６２ｂは、図６（ｂ）に示すように、半導体素子３の周りの複数のリード部２２にそれぞれ設けられ、且つ、封止部５と封止されない部分との境界に沿って且つ該境界よりも封止部側に配置されている。そして、粗化部分６２ｂは、リード部２２のボンディングワイヤ４が接続される部分と、上記封止されない部分との間に配置されている。粗化部分６２ｃは、複数のリード部２２にそれぞれ設けられ、且つ、封止部５と封止されない部分との境界に沿って且つ該境界よりも封止部側に配置されており、更に、境界から所定距離離れて配置されている。
【００６５】
本変形例では、粗化部分６２ｂである帯状部は、リード部２２の幅方向全体に亘って配置される。また、粗化部分６２ｂは、リード部２２と封止部５の外縁との境界線に沿って形成されており、且つ当該境界線から内側に幅Ｄ２で形成されている。粗化部分６２ｂの幅Ｄ２は、２５μｍ〜１２００μｍであるのが好ましく、より好ましくは５０μｍ〜５００μｍが好ましい。２５μｍ未満の幅でレーザの粗化処理を行う場合、レーザのスポットサイズの制御が困難であり、安定的な粗化を実現できない。また、粗化領域の幅が１２００μｍより大きくなると、リードフレームの変形が生じ易くなる。
【００６６】
なお、粗化部分６２ｂは、上記境界線から所定距離離れて配置されてもよい。また、粗化部分６２ｂは、リード部２２の幅方向全体に亘って設けられていなくてもよく、該幅方向に関してその一部に設けられてもよい。
【００６７】
粗化部分６２ｃは、図６（ｃ）に示すように、粗化部分２１ｃの外方に設けられた複数の面状粗化部で構成される。粗化部分６２ｃは、上記境界線から所定距離離れて配置されている。このように本変形例では、素子搭載部２１の一方の面（素子搭載側の面とは反対側の面）に粗化部分２１ｃが配置されると共に、リード部２２の両面に粗化部分６２ｂ，６２ｃが配置されている。
【００６８】
本変形例によれば、粗化部分６２ｂが、リード部２２の半導体素子３を封止する樹脂製の封止部５と封止されない部分との境界に沿って且つ該境界よりも封止部側に配置されるので、上記と同様の効果を奏することができる。
【００６９】
図７は、図６のリードフレーム６を有する半導体装置を製造する際の外装処理を説明する図である。上述したように、外装処理では、リード部２２と封止部５との境界部に形成された樹脂バリＣに、ノズル７１から水あるいはスラリーからなる液体Ｌを所定圧力で噴射して、当該樹脂バリを物理的に除去する。ここで、樹脂バリとリードフレームとの接着面に粗化部分が位置していると、樹脂バリとリードフレームの密着性が向上するため、樹脂バリを除去し難くなる。
【００７０】
本変形例のリードフレーム６では、リード部２２と封止部５と封止されない部分の境界に沿って粗化部分６２ｂが配置される。また、粗化部分６２ｂが帯状部を構成し、該帯状部の幅Ｄ２が２５μｍ〜１０００μｍである。このように、粗化部分６２ｂを微小な幅に制限して微細パターンで形成することにより、樹脂バリＣとリードフレーム６との界面に余分な粗化部分が配置されるのを防止することができる。したがって、リードフレーム６と封止部５の密着性を向上しつつ、外装処理時に樹脂バリＣを容易に除去することができ、生産性を向上することができる。また、環状に設けられる粗化部分２１ｂと比較して粗化面積を小さくすることができ、リードフレーム６と封止部５の必要な密着性を確保しつつ、生産性を更に向上することが可能となる。
【００７１】
以上、上記実施形態に係るリードフレーム及び半導体装置について述べたが、本発明は記述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術思想に基づいて各種の変形および変更が可能である。
【００７２】
以下、本発明の実施例を説明する。
先ず、表１に示す条件でリードフレームに粗化処理を行った。リードフレームの素材は銅合金（古河電気工業社製、製品名「EFTEC-64T-C」）を用いた。パルスレーザは、超短パルスレーザ装置（浜松ホトニクス社製、装置名「MOIL-ps L11590」）を用いた。波長は515nm、パルスエネルギーは90μJとした。表１中の「スポット間隔」は、１個のレーザパルスによってリードフレームに形成される加工痕の中心間の距離である。また、実施例及び比較例において形成されたレーザ粗化部分の位置の概略を図８に示す。実施例１の粗化部分は図８（ａ）、実施例２の粗化部分は図８（ｂ）、実施例３〜９及び比較例４の粗化部分は図８（ｃ）、実施例１０の粗化部分は図８（ｄ）、実施例１１の粗化部分は図８（ｅ））、比較例１の粗化部分は図９（ａ）（粗化部分なし）、比較例２の粗化部分は図９（ｂ）、比較例３の粗化部分は図８（ｃ）にそれぞれ対応している。
【００７３】
図８（ａ）〜（ｅ）及び図９（ｂ）〜（ｃ）中、ドットで示す領域（Ｐ１〜Ｐ７）が、レーザ処理した領域（粗化部分）である。実施例１〜９，１１及び比較例２〜３において、素子搭載部に形成される環状粗化部はいずれも、幅５０μｍ、スポット間隔が２０μｍであり、同じパターンのレーザ処理が施されている。また、図８及び図９中の二点鎖線は、モールド樹脂の外縁の位置を示したものである。
【００７４】
【表１】
2017055044.tif 000004
【００７５】
続いて、レーザ処理によって得られたリードフレームの粗化部分の算術平均高さＳａ及び比表面積を、レーザ顕微鏡（VK-X250、キーエンス社製）でそれぞれ測定した。レーザ顕微鏡測定条件は、倍率１０００倍、カットオフ値８０μｍとし、５００μｍ×３５０μｍの長方形の領域を測定した。また、粗化部分の状態をSEMで観察し、その画像を取得した。これらの結果を表２及び図１０に示す。実施例１〜１１及び比較例１〜４における粗化位置と、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すSEM画像との関係は、表２に示す通りである。
【００７６】
【表２】
2017055044.tif 000005
【００７７】
次に、粗化処理を行ったリードフレームに基板（半導体素子）を銀ペースト（ダイボンディング剤）でダイボンディングし、続いてワイヤボンディングを行った。実施例１１は、ボンディングワイヤが接合される領域の一部にレーザ処理を行ったリードフレームであるが（図８（ｅ））、このリードフレームではレーザ処理した部分のボンディングワイヤが１００箇所中１８箇所で剥離した。これはレーザ処理によって生じた細かい粒子が飛散してボンディングワイヤの接合部に付着し、ボンディングワイヤの接着性を弱めたためと考えられる。したがって、リード部とボンディングワイヤとの接着性の観点では、ボンディングワイヤ接合部にレーザ処理を行わない実施例１〜１０がより好ましいことが分かった。
【００７８】
更に、エポキシ樹脂でリードフレームのモールドを行った。比較例２では、モールド樹脂（封止部）の外縁の内側と外側に跨る部分にレーザ処理を行った結果（図９（ｂ））、モールド樹脂の外縁の外側に樹脂バリが生じた。これは、レーザ処理によって表面が粗化されていることによって、樹脂モールド成形の際に、モールド樹脂が外縁から外に滲み出しやすくなったためと考えられる。樹脂バリが生じると、これをウォータジェットなどで除去する必要があり、製造工程が一工程増え、コストアップの要因となる。したがって比較例２のように、モールド樹脂の外縁の内側と外側に跨る部分をレーザ処理することは好ましくないことが分かった。
【００７９】
また、実施例１〜３，５，１０、実施例８及び比較例４のリードフレームについて、Ｚ軸変位を測定した。Ｚ軸変位とは、図１１中に示すように、リード部上のＣ点を基準とした半導体素子上のＤ点の高さである。測定の結果、実施例１のＺ軸変位は２μｍ、実施例２のＺ軸変位は４μｍ、実施例３のＺ軸変位は３μｍ、実施例５のＺ軸変位は４μｍ、実施例１０のＺ軸変位は２μｍ、比較例４のＺ軸変位は３６μｍであった。Ｚ軸変位が１０μｍ以上になると、半導体パッケージなどの製品になった際に性能のばらつきの原因になる。よって算術表面高さＳａが２０μｍ以上である比較例４は、リードフレームの変形が大きく、好ましくないことが分かった。また、他の比較例として、実施例５と同じレーザスポット径及びスポット間隔のレーザ照射条件で、図８（ｃ）の位置に幅１５００μｍでレーザ照射したリードフレームを作製し、Ｚ軸変位を測定した。その結果、Ｚ軸変位は２２μｍであった。よって、粗化部分の幅が１２００μｍより大きい場合、Ｚ軸変位が大きく、好ましくないことが分かった。
【００８０】
続いて、各実施例及び比較例について、樹脂モールドしたサンプルを、温度８５℃、湿度８５％の条件で１６８時間放置後、２６０℃のリフロー炉に１回通した。その後、超音波映像装置（日立パワーソリューションズ社製、装置名「FineSAT 300III」）によってモールド樹脂とリードフレームの剥離の有無を評価した。結果を表３及び図１２に示す。
【００８１】
【表３】
2017055044.tif 000006
【００８２】
実施例１〜実施例１１では、モールド樹脂とリードフレームとの界面に剥離が生じておらず、レーザ処理によって樹脂とリードフレームの密着性が向上したことが分かった。
一方、比較例１のようにレーザ処理していないものや、比較例３のように樹脂モールドの外縁より外側にレーザ処理を行ったものは、図１２に示すようにモールド樹脂とリードフレームが剥離した。図１２（ａ）に示す網掛け領域は、比較例１で剥離した部分であり、図１２（ｂ）に示す網掛け領域は、比較例３で剥離した部分である。よって、比較例１，３では、モールド樹脂とリードフレームの密着性が十分でないことが分かった。
【００８３】
また、実施例８のリードフレームについて、基板を銀ペーストでダイボンディングし、続いてワイヤボンディングを行って上記と同様の剥離試験を行った。
【００８４】
実施例８では、ボンディングワイヤが１００箇所中１０箇所剥離した。これは、実施例８ではダイボンディングに用いる銀ペーストに含まれる有機溶剤が滲み出し、リードフレームの表面を介して接地用のボンディングワイヤ４’の接合部まで達し、接着強度を弱めたためである。他方、上述の実施例１〜９，１１では、素子搭載部の粗化部分で有機溶剤がせき止められたため、ボンディングワイヤの接合部まで有機溶剤が到達せず、接着性が保持された。したがって、素子搭載部を粗化することにより、銀ペーストの有機溶剤の滲み出しを防止する効果があると言えることが分かった。
【００８５】
また、薬液処理で全体を表面処理したリードフレーム（アトテック社製、EFTEC-64T-Cモールドプレップ処理品）の粗化部分の算術平均高さを、実施例３と同じ方法で測定した。続いて、実施例４の条件でレーザ処理を行ったリードフレームと薬液処理で全体を表面処理したリードフレームのそれぞれについて、粗化部分の水の接触角測定と、電子線マイクロアナライザ（EPMA）による粗化部分表面の酸素元素存在比とに基づく分析を実施した。結果を表４及び図１３に示す。図１３において、Ｘ軸は特性Ｘ線の波長、Ｙ軸は信号強度である。表４は、上記２つの試料における特性Ｘ線（酸素）のピーク強度である。
【００８６】
【表４】
2017055044.tif 000007
【００８７】
表４に示すように、算術平均高さＳａは、薬液処理したリードフレームと実施例４の条件でレーザ処理したリードフレームとがほぼ同等の値であった。一方、水の接触角は、薬液処理したリードフレームの方がレーザ処理したものに比べて大きい値となった。またEPMA分析結果から、処理後のリードフレーム表面における酸素元素の存在比は、レーザ処理したリードフレームの方が薬液処理したものに比べて高かった（２：１）。よって、レーザ処理したリードフレームでは熱によって表面に酸化層が形成され、その結果濡れ性が向上していると考えられる。
【００８８】
続いて、薬液処理とレーザ処理を施した２つのリードフレームそれぞれにエポキシ樹脂をモールドして封止部を形成し、エポキシ樹脂の密着性を評価した。リードフレームとエポキシ樹脂の密着強度の測定は、SAICAS（ダイプラ・ウィンテス社製）を用いて行った。結果を表５に示す。
【００８９】
【表５】
2017055044.tif 000008
【００９０】
表５に示すように、リードフレームとエポキシ樹脂の密着強度は、レーザ処理を行ったリードフレームの方が薬液処理したものに比べて２倍以上高い値となった。これは、レーザ処理では、リードフレーム表面の樹脂濡れ性が向上しており、エポキシ樹脂の結合性が高まっているためと考える。したがって、レーザ処理は薬液処理に比べてモールド樹脂の接着性を高める点で優れていると言えることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明のリードフレームは、樹脂部と金属部との密着性に優れるため、本発明の半導体装置は、内部を気密状態に保つ必要がある用途や金属と樹脂等の密着性を要求する用途に好適に使用することができる。例えば、本発明の半導体装置は、湿度や水分により悪影響を受けやすい電気・電子部品等を内部に備える複合成形体として好適である。特に、高レベルで防水が求められる分野、例えば、川、プール、スキー場、風呂等での使用が想定される電気又は電子機器用の部品としてより好適に用いることができる。また、本発明の半導体装置は、内部に樹脂製のボスや保持部材等を備える電気・電子機器用筐体として有用である。上記電気・電子機器用筐体としては、携帯電話、カメラ、ビデオ一体型カメラ、デジタルカメラ等の携帯用映像電子機器の筐体、ノート型パソコン、ポケットコンピュータ、電卓、電子手帳、ＰＤＣ、ＰＨＳ、携帯電話等の携帯用情報あるいは通信端末の筐体、ＭＤ、カセットヘッドホンステレオ、ラジオ等の携帯用音響電子機器の筐体、液晶ＴＶ・モニター、電話、ファクシミリ、ハンドスキャナー等の家庭用電化機器の筐体等を挙げることができる。また、高温使用環境での密着性に優れることから、高温環境で使用される部品、特に自動車部品としてより好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００９２】
１  半導体装置
２  リードフレーム
３  半導体素子
４  ボンディングワイヤ
４’  ボンディングワイヤ
５  封止部
６  リードフレーム
２１  素子搭載部  
２１ａ  基材
２１ａ−１  面
２１ｂ  粗化部分
２１ｃ  粗化部分
２２  リード部  
２２ａ  基材
２２ａ−１  面  
２２ａ−２  面
２２ｂ  粗化部分
４１  下型
４２  スリーブ
４３  タブレット
４４  上型
４５  プランジャ
４６  ゲート
４７  キャビティ
５１  帯状部
５１ａ  レーザ照射領域
５２  帯状部
５２ａ  レーザ照射領域
５３  帯状部
５４  帯状部
６２ｂ  粗化部分
６２ｃ  粗化部分
７１  ノズル
Ｄ１  幅
Ｄ２  幅
Ｃ  樹脂バリ
Ｌ  液体
【図１】
2017055044.tif 000009
【図２】
2017055044.tif 000010
【図３】
2017055044.tif 000011
【図４】
2017055044.tif 000012
【図５】
2017055044.tif 000013
【図６】
2017055044.tif 000014
【図７】
2017055044.tif 000015
【図８】
2017055044.tif 000016
【図９】
2017055044.tif 000017
【図１０】
2017055044.tif 000018
【図１１】
2017055044.tif 000019
【図１２】
2017055044.tif 000020
【図１３】
2017055044.tif 000021