(57)【要約】【課題】スナバ回路における電力損失を効率的に抑制する。【解決手段】実施形態の電源供給装置１は、負荷ＬＯへの電力の供給と停止を切り替えるＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤ、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤに接続されたスナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２への電力の供給と停止を切り替えるスナバスイッチＳ１，Ｓ２、負荷ＬＯに供給される電流を検出する電流検出部３０、および、電流検出部３０で検出された電流の大きさに基づいて、スナバスイッチＳ１，Ｓ２を切り替えるスイッチ制御部６３を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷への電力の供給と停止を切り替える第１のスイッチング素子と、
当該第１のスイッチング素子に接続されたスナバ回路と、
当該スナバ回路への電力の供給と停止を切り替える第２のスイッチング素子と、
前記負荷に供給される電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段で検出された前記電流の大きさに基づいて、前記第２のスイッチング素子を切り替えるスイッチ制御手段と、を備えた、
電源供給装置。
【請求項２】
前記スイッチ制御手段は、前記電流検出手段で検出された前記電流の値が予め定められた電流しきい値を超えているか否かを判別し、前記電流の値が前記電流しきい値を超えていると判別した場合に、前記スナバ回路に電力が供給されるよう前記第２のスイッチング素子を切り替える、
請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項３】
前記第１のスイッチング素子に印加される電圧を検出する電圧検出手段をさらに備え、
前記スイッチ制御手段は、電流の値が前記電流しきい値を超えていないと判別した場合に、前記電圧検出手段で検出された前記電圧の値に基づいて、前記第２のスイッチング素子を切り替える、
請求項２に記載の電源供給装置。
【請求項４】
前記スイッチ制御手段は、予め定められた時間内の電圧のピーク値を前記電圧検出手段から取得し、当該電圧のピーク値が予め定められた電圧しきい値を下回っているか否かを判別し、前記電圧のピーク値が前記電圧しきい値を下回っていると判別した場合に、前記スナバ回路への電力供給が停止されるよう前記第２のスイッチング素子を切り替える、
請求項３に記載の電源供給装置。
【請求項５】
負荷への電力の供給と停止を切り替える第１のスイッチング素子と、当該第１のスイッチング素子に接続されたスナバ回路と、当該スナバ回路への電力の供給と停止を切り替える第２のスイッチング素子とを備えた装置が行う電源供給方法であって、
前記負荷に供給される電流を検出する電流検出ステップと、
前記電流検出ステップで検出された前記電流の大きさに基づいて、前記第２のスイッチング素子を切り替えるスイッチ制御ステップと、を有する、
電源供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、電源供給装置、及び、電源供給方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
整流素子のスイッチング動作によって電源を供給する電源供給装置では、整流素子がオフの状態に切り替わったときに、いわゆるサージ電圧（スパイク状の高電圧）が発生する。特許文献１には、整流素子で発生するサージ電圧をコンデンサに蓄積し、整流素子をオフの状態に切り替えたときにコンデンサに蓄積されたサージ電圧を回生するスナバ回路を備えた装置が開示されている。
【０００３】
特許文献１に開示された装置は、スイッチング動作を行うとともにコンデンサに蓄積されたサージ電圧を回生させる処理を行う必要があるため、装置全体としての電力損失が大きいという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１４／０６３１５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、スナバ回路における電力損失を効率的に抑制することができる、電源供給装置、及び、電源供給方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、実施形態の電源供給装置は、
負荷への電力の供給と停止を切り替える第１のスイッチング素子と、
当該第１のスイッチング素子に接続されたスナバ回路と、
当該スナバ回路への電力の供給と停止を切り替える第２のスイッチング素子と、
前記負荷に供給される電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段で検出された前記電流の大きさに基づいて、前記第２のスイッチング素子を切り替えるスイッチ制御手段と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係る電源供給装置の構成を示した図である。
【図２】（ａ）は負荷の動作の状態と負荷に供給される電流の大きさとの関係を示した図である。（ｂ）は第１のスイッチング素子に印加される電圧の大きさを示した図である。（ｃ）はスナバスイッチのオンオフの状態を示した図である。（ｄ）はスナバ回路で損失する電力を示した図である。
【図３】図１に示した電源供給装置が行う電源供給処理を示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係る電源供給装置、及び、当該電源供給装置が行う電源供給方法を説明する。本実施形態では、電源供給装置をスイッチング方式のＤＣ−ＤＣコンバータに適用した場合の例を説明する。
【０００９】
図１に示すように、電源供給装置１には負荷ＬＯが接続される。負荷ＬＯは、所定のデューティ比でパルス動作するアンテナ素子等である。負荷ＬＯがオンの状態（電力を消費する状態）になると、負荷ＬＯがオフの状態（電力を消費しない状態）のときよりも、負荷ＬＯに供給される電流（負荷電流）は大きくなる。また、負荷ＬＯがオンの状態のとき、電源供給装置１で行われるスイッチング動作によって発生するサージ電圧（スパイク状の高電圧）は、負荷ＬＯがオフの状態のときよりも大きくなる傾向がある。電源供給装置１は、サージ電圧を抑制するスナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２を備え、負荷ＬＯがオンの状態になるときに、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２を機能させるようにしたものである。
【００１０】
電源供給装置１の構成について説明する。電源供給装置１は、一次側回路部１０と、二次側回路部２０と、制御部６０とを備える。
【００１１】
一次側回路部１０は、トランスＴの一次巻線ｎ１と、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor）ＱＡ，ＱＢ，ＱＣ，ＱＤと、インダクタＬｒと、入力コンデンサＣｉとを備える。
【００１２】
ＭＯＳＦＥＴＱＡ〜ＱＤは、スイッチング素子であり、ここでは、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴが示されている。ＭＯＳＦＥＴＱＡとＭＯＳＦＥＴＱＢ、ＭＯＳＦＥＴＱＣとＭＯＳＦＥＴ素子ＱＤは、それぞれ直列に接続されている。スイッチング素子ＱＡとスイッチング素子ＱＢとの接続点は、インダクタＬｒの一端に接続されている。インダクタＬｒの他端は、一次巻き線ｎ１の一端に接続されている。一次巻き線ｎ１の他端は、スイッチング素子ＱＣとスイッチング素子ＱＤとの接続点に接続されている。ＭＯＳＦＥＴＱＡ〜ＱＤは、それぞれ、接続点を有さない方の端子が直流入力電源ｉｎに接続されている。入力コンデンサＣｉの両端は、直流入力電源Ｖｉｎに接続されている。
【００１３】
ＭＯＳＦＥＴＱＡ〜ＱＤのゲート端子は、制御部６０が備える一次側ＦＥＴ制御部６１の制御によってオンオフの状態が切り替えられる。具体的には、ＭＯＳＦＥＴＱＡ，ＱＤがオンの場合にＭＯＳＦＥＴＱＢ，ＱＣがオフ、ＭＯＳＦＥＴＱＡ，ＱＤがオフの場合にＭＯＳＦＥＴＱＢ，ＱＣがオンとなるように、ＭＯＳＦＥＴＱＡ，ＱＤ、ＭＯＳＦＥＴＱＢ，ＱＣの各組の間でオンオフの状態を交互に切り替える。これにより、トランスＴの１次巻線ｎ１から二次側回路部２０にパルス状の電圧（Ｖｓ１，Ｖｓ２）が印加される。
【００１４】
二次側回路部２０は、トランスＴの二次巻線ｎ２１，ｎ２２と、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤと、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２と、スナバスイッチＳ１，Ｓ２と、インダクタ（チョークコイル）ＬＯと、出力コンデンサＣＯと、電流検出部３０と、電圧検出部４０と、出力電圧検出部５０とを備える。
【００１５】
ＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤは、スイッチング素子（整流素子）であり、ここではｎチャネルＭＯＳＦＥＴが示されている。ＭＯＳＦＥＴＱＢＣは、二次巻線ｎ２１に接続され、二次巻線ｎ２１に印加された電圧（Ｖｓ１）が印加される。また、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣのゲート端子は、制御部６０が備える二次側ＦＥＴ制御部６２の制御によってＭＯＳＦＥＴＱＢＣのオンオフの状態が切り替えられる。具体的には、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣのゲート端子は、一次側回路部１０のＭＯＳＦＥＴＱＢ，ＱＣに同期してオンオフの状態が切り替えられる。つまり、ＭＯＳＦＥＴＱＢ，ＱＣがオンの場合にＭＯＳＦＥＴＱＢＣはオン、ＭＯＳＦＥＴＱＢ，ＱＣがオフの場合にＭＯＳＦＥＴＱＢＣはオフとなるように切り替えられる。
【００１６】
ＭＯＳＦＥＴＱＡＤは、二次巻線ｎ２２に接続され、二次巻線ｎ２２に印加された電圧（Ｖｓ２）が印加される。また、ＭＯＳＦＥＴＱＡＤのゲート端子は、二次側ＦＥＴ制御部６２の制御によってＭＯＳＦＥＴＱＡＤのオンオフの状態が切り替えられる。具体的には、ＭＯＳＦＥＴＱＡＤのゲート端子は、一次側回路部１０のＭＯＳＦＥＴＱＡ，ＱＤに同期してオンオフの状態が切り替えられる。そして、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣがオンの場合にＭＯＳＦＥＴＱＡＤはオフ、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣがオフの場合にＭＯＳＦＥＴＱＡＤはオンとなるように切り替えられる。このように、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣとＭＯＳＦＥＴＱＡＤとの間でオンオフの状態が交互に切り替えられることにより直流電圧が得られる。
【００１７】
スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２は、抵抗ＲとコンデンサＣとを直列に接続したものである。スナバ回路Ｓｎ１は、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣと並列に接続され、スナバ回路Ｓｎ２は、ＭＯＳＦＥＴＱＡＤと並列に接続される。ＭＯＳＦＥＴＱＢＣがオフ状態に切り替えられるとＭＯＳＦＥＴＱＢＣのドレイン端子とソース端子との間にはサージ電圧が発生する。スナバ回路Ｓｎ１は、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣで発生するサージ電圧を抑制する。一方、スナバ回路Ｓｎ２は、ＭＯＳＦＥＴＱＡＤで発生するサージ電圧を抑制する。
【００１８】
スナバスイッチＳ１，Ｓ２は、それぞれ、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２と直列に接続されている。スナバスイッチＳ１，Ｓ２は、制御部６０が備えるスイッチ制御部６３の制御によってオンオフの状態が切り替えられる。これにより、スナバ回路Ｓ１，Ｓ２への電力の供給と停止が切り替えられる。例えば、スナバスイッチＳ１がオンになった場合に、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣで発生するサージ電圧がスナバ回路Ｓｎ１によって抑制される。つまり、図２（ｃ）及び（ｄ）に示すように、スナバスイッチＳ１がオンになった場合に、スナバ回路Ｓｎ１は機能する。一方、スナバスイッチＳ１がオフの間は、スナバ回路Ｓｎ１は機能せず、スナバ回路Ｓｎ１において電力損失（スナバロス）は発生しない。
【００１９】
インダクタＬＯと出力コンデンサＣＯとは平滑回路を構成する。インダクタＬＯは、二次巻線ｎ２１，ｎ２２の接続点と直流出力電源Ｖｏｕｔとの間の電流経路に直列接続されている。出力コンデンサＣＯの両端は、直流出力電源Ｖｏｕｔに接続されている。
【００２０】
電流検出部３０は、二次巻線ｎ２１，ｎ２２の接続点とインダクタＬＯとの間に配置されている。電流検出部３０は、電源供給装置１から負荷ＬＯに供給される電流を検出する。電流検出部３０は、検出した電流を表す電気信号を制御部６０に備えられたスイッチ制御部６３に供給する。負荷ＬＯに供給される電流Ｉは、図２（ａ）に示すように、負荷ＬＯがオンの状態（電力を消費する状態）のときと負荷ＬＯがオフの状態（電力を消費しない状態）のときとで異なる。負荷ＬＯがオンの状態のときの電流（ＩＰＥＡＫ）は、負荷ＬＯがオフの状態のときの電流（ＩＭＩＮ）よりも大きい。
【００２１】
電圧検出部４０は、二次巻線ｎ２１とＭＯＳＦＥＴＱＢＣとの接続点、二次巻線ｎ２２とＭＯＳＦＥＴＱＡＤとの接続点に、それぞれ接続されている。電圧検出部４０は、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤに印加される電圧Ｖｓ１，Ｖｓ２を検出する。電圧検出部４０は、検出した電圧を表す電気信号を制御部６０に備えられたスイッチ制御部６３に供給する。ＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤに印加される電圧Ｖｓ１，Ｖｓ２には、図２（ｂ）に示すように、サージ電圧が含まれている。サージ電圧は、負荷ＬＯがオンの状態でスナバスイッチＳ１，Ｓ２を機能させたときの方が、負荷ＬＯがオフの状態でスナバスイッチＳ１，Ｓ２を機能させないときよりも大きい。
【００２２】
出力電圧検出部５０は、直流出力電源Ｖｏｕｔの一端に接続され、インダクタＬＯと出力コンデンサＣＯとによって平滑化された出力電圧を検出する。出力電圧検出部５０は、検出した出力電圧を表す電気信号を制御部６０に備えられた出力電圧監視部６４に供給する。
【００２３】
制御部６０は、ディジタル制御ＩＣ（Integrated Circuit）である。制御部６０は、電源供給装置１の全体を制御するものであり、機能的には、一次側ＦＥＴ制御部６１と、二次側ＦＥＴ制御部６２と、スイッチ制御部６３と、出力電圧監視部６４とを備える。
【００２４】
一次側ＦＥＴ制御部６１は、一次側回路部１０のＭＯＳＦＥＴＱＡ〜ＱＤを制御する。一次側ＦＥＴ制御部６１は、ＭＯＳＦＥＴＱＡ〜ＱＤに制御信号を供給することにより、ＭＯＳＦＥＴＱＡ〜ＱＤのオンオフの状態を切り替える。一次側ＦＥＴ制御部６１は、ＭＯＳＦＥＴＱＡ，ＱＤ、ＭＯＳＦＥＴＱＢ，ＱＣの各組の間でオンオフの状態を交互に切り替える。
【００２５】
二次側ＦＥＴ制御部６２は、二次側回路部２０のＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤを制御する。二次側ＦＥＴ制御部６２は、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤに制御信号を供給することにより、ＭＯＳＦＥＴＢＣ，ＱＡＤのオンオフの状態を切り替える。二次側ＦＥＴ制御部６２は、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣとＭＯＳＦＥＴＱＡＤとの間でオンオフの状態を交互に切り替える。
【００２６】
スイッチ制御部６３は、二次側回路部２０のスナバスイッチＳ１，Ｓ２を制御する。スイッチ制御部６３は、スナバスイッチＳ１，Ｓ２に制御信号を供給することにより、スナバスイッチＳ１，Ｓ２のオンオフの状態を切り替える。
【００２７】
スイッチ制御部６３は、負荷ＬＯがオンの状態（電力を消費する状態）の場合に、スナバスイッチＳ１，Ｓ２を制御し、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２を機能させる。スイッチ制御部６３は、負荷ＬＯがオンの状態であるか否かを、電流検出部３０によって検出される電流の大きさに基づいて判別する。スイッチ制御部６３は、電流検出部３０によって検出された電流の値が、図２（ａ）に示した電流しきい値（Ｉｔｈ）を超えている場合は（電流の値がＩＰＥＡＫの場合）、負荷ＬＯがオンの状態であると判別する。なお、電流しきい値Ｉｔｈは、最小値ＩＭＩＮと最大値ＩＰＥＡＫとの間の値であればよい。電流検出部３０によって検出された電流の値が電流しきい値（Ｉｔｈ）を超えている場合、スイッチ制御部６３は、スナバスイッチＳ１，Ｓ２をオンの状態に制御し、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２によって、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤで発生するサージ電圧を抑制させる。
【００２８】
一方、スイッチ制御部６３は、電流検出部３０によって検出された電流の値が電流しきい値（Ｉｔｈ）を超えていない場合は（電流の値がＩＭＩＮの場合）、負荷ＬＯがオフの状態であると判別する。この場合、スイッチ制御部６３は、スナバスイッチＳ１，Ｓ２をオフの状態にしてもよいか否か、つまり、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２を機能させなくてもよいか否かを、電圧検出部４０によって検出された電圧の大きさに基づいて判別する。具体的には、スイッチ制御部６３は、電圧検出部４０を制御し、ＭＯＳＦＥＴＱＡＤ、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣがオンされてから次にオンされるまでの時間（スイッチング周期）内におけるＭＯＳＦＥＴＱＡＤ，ＱＢＣの電圧のピーク値ＶＰＥＡＫを電圧検出部４０から取得する。スイッチ制御部６３は、電圧検出部４０によって検出された電圧のピーク値ＶＰＥＡＫが、図２（ｂ）に示した電圧しきい値（Ｖｔｈ）を下回る場合は、スナバスイッチＳ１，Ｓ２をオフの状態に制御し、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２を機能させない。電圧しきい値（Ｖｔｈ）は、負荷ＬＯがオフの状態でスナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２を機能させないときの電圧のピーク値より大きい値が設定される。これにより、負荷ＬＯがオフの状態にある間は、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤで発生するサージ電圧が電圧しきい値（Ｖｔｈ）を超えることはない。
【００２９】
出力電圧監視部６４は、出力電圧検出部５０によって検出された電圧を監視し、安定した電圧Ｖｏｕｔが負荷ＬＯに出力されているか否かを判別する。例えば、出力電圧監視部６４は、予め定められた電圧しきい値を超える電圧が出力されていると判別した場合には、報知部（図示しない）を介してエラー出力等を行い、オペレータに異常を知らせる。
【００３０】
以上のように構成された電源供給装置１について、スイッチ制御部６３が実行するスナバスイッチ制御処理を、以下、図３を参照して説明する。
【００３１】
はじめに、スイッチ制御部６３は、スナバスイッチＳ１，Ｓ２に制御信号を供給し、スナバスイッチＳ１，Ｓ２をオンの状態とする（ステップＳ１０１）。
【００３２】
スイッチ制御部６３は、電流検出部３０に、負荷ＬＯに供給される電流（負荷電流）を検出させる（ステップＳ１０２）。スイッチ制御部６３は、電流検出部３０によって検出された電流Ｉを表す電気信号を電流検出部３０から取得する。
【００３３】
スイッチ制御部６３は、取得した電気信号により表される電流Ｉの値が電流しきい値Ｉｔｈを超えているか否かを判別する（ステップＳ１０３）。電流Ｉの値がＩＭＩＮだった場合、スイッチ制御部６３は、電流しきい値Ｉｔｈを超えていないと判別する（ステップＳ１０３；ＮＯ）。
【００３４】
この場合、スイッチ制御部６３は、ＭＯＳＦＥＴＱＡＤ，ＱＢＣのスイッチング周期内の電圧ＶＳ１，ＶＳ２の各ピーク値ＶＰＥＡＫを電圧検出部４０に取得させる（ステップＳ１０４）。スイッチ制御部６３は、電圧検出部４０によって取得された各ピーク値ＶＰＥＡＫを表す電気信号を電圧検出部４０から取得する。
【００３５】
スイッチ制御部６３は、取得した電気信号により表される各ピーク値ＶＰＥＡＫが電圧しきい値Ｖｔｈを超えているか否かを判別する（ステップＳ１０５）。例えば、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣの電圧ＶＳ１のピーク値ＶＰＥＡＫが電圧しきい値Ｖｔｈを超えていない場合（ステップＳ１０５；ＹＥＳ）、スイッチ制御部６３は、スナバスイッチＳ１をオフの状態に切り替え、スナバ回路Ｓｎ１を機能させないようにする。具体的には、スイッチ制御部６３は、スナバスイッチＳ１がオンの状態か否かを判別し（ステップＳ１０６）、スナバスイッチＳ１がオンの状態であると判別した場合には（ステップＳ１０６；ＹＥＳ）、スナバスイッチＳ１に制御信号を供給し、スナバスイッチＳ１をオフの状態に切り替える（ステップＳ１０７）。一方、スナバスイッチＳ１が既にオフの状態である場合は（ステップＳ１０６；ＮＯ）、スイッチ制御部６３は、スナバスイッチＳ１をオフの状態に維持する。
【００３６】
その後、スイッチ制御部６３は、ステップＳ１０２に戻り、上記と同様の処理を行う。
【００３７】
また、ステップＳ１０５において、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣの電圧ＶＳ１のピーク値ＶＰＥＡＫが電圧しきい値Ｖｔｈを超えていた場合には（ステップＳ１０５；ＮＯ）、スイッチ制御部６３は、スナバスイッチＳ１をオンの状態に維持する。その後、スイッチ制御部６３は、ステップＳ１０２に戻り、上記と同様の処理を行う。
【００３８】
また、ステップＳ１０３において取得された電流Ｉの値がＩＰＥＡＫだった場合、スイッチ制御部６３は、電流しきい値Ｉｔｈを超えていると判別する（ステップＳ１０３；ＹＥＳ）。この場合、スイッチ制御部６３は、スナバスイッチＳ１，Ｓ２をオンの状態に切り替え、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２を機能させる。具体的には、スイッチ制御部６３は、スナバスイッチＳ１，Ｓ２がオフの状態か否かを判別し（ステップＳ１０８）、スナバスイッチＳ１，Ｓ２がオフの状態であると判別した場合には（ステップＳ１０８；ＹＥＳ）、スナバスイッチＳ１，Ｓ２に制御信号を供給し、スナバスイッチＳ１，Ｓ２をオンの状態に切り替える（ステップＳ１０９）。一方、スナバスイッチＳ１が既にオンの状態である場合は（ステップＳ１０８；ＮＯ）、スイッチ制御部６３は、スナバスイッチＳ１，Ｓ２をオンの状態に維持する。
【００３９】
その後、スイッチ制御部６３は、ステップＳ１０２に戻り、上記と同様の処理を行う。
【００４０】
以上、本実施の形態にかかる電源供給装置１によれば、負荷ＬＯに供給される電流の大きさに基づいて、スナバスイッチＳ１，Ｓ２を切り替え、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２によってサージ電圧を抑制させる。これにより、負荷ＬＯがオンの状態（電力を消費する状態）になる場合に、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２を機能させるので、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２における電力損失を効率的に抑制することができる。その結果として、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２における発熱も抑制できるため、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２を冷却する構成を簡素化でき、回路構成の小型化を図ることができる。
【００４１】
なお、上記実施形態では、スイッチ制御部６３は、電圧検出部４０によって検出された電圧のピーク値ＶＰＥＡＫが電圧しきい値（Ｖｔｈ）を下回る場合に、スナバスイッチＳ１，Ｓ２をオフの状態にしたが、この処理を複数回行い、全てのピーク値ＶＰＥＡＫが電圧しきい値（Ｖｔｈ）を下回る場合に、スナバスイッチＳ１，Ｓ２をオフの状態に制御してもよい。
【００４２】
また、スイッチ制御部６３は、電流検出部３０によって検出された電流の値Ｉが電流しきい値（Ｉｔｈ）を超えていないと判別した場合に、電圧検出部４０による検出結果を考慮せずに、スナバスイッチＳ１，Ｓ２をオフの状態に切り替えてもよい。この場合、電源供給装置１には、電圧検出部４０を備えなくてもよい。
【００４３】
また、上記実施形態では、スイッチ制御部６３は、電流検出部３０によって検出された電流の値Ｉが電流しきい値（Ｉｔｈ）を超えるか否かを判別したが、電流しきい値（Ｉｔｈ）を基準とせず、電流検出部３０によって検出された電流の値ＩがＩＰＥＡＫであるかＩＭＩＮであるかを判別し、その判別結果に従って、スナバスイッチＳ１，Ｓ２を制御してもよい。
【００４４】
さらに、上記実施形態では、電源供給装置１の一例としてＤＣ−ＤＣコンバータを挙げたが、スイッチング動作によって負荷ＬＯに電源を供給するものであれば適用でき、ＡＣ−ＤＣコンバータやＤＣ−ＡＣインバータ等でも適用可能である。
【００４５】
さらに、上記実施形態では、負荷ＬＯへの電力供給を切り替えるスイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤを挙げたが、ＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤ以外のスイッチング素子でも適用可能である。
【００４６】
また、スナバスイッチＳ１，Ｓ２は、電力供給のオンとオフを切り替えるスイッチング素子であれば適宜に適用可能である。
【００４７】
さらに、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２は、抵抗ＲとコンデンサＣとを直列に接続したもの以外のスナバ回路を適用してもよい。また、スナバ回路Ｓｎ１，Ｓｎ２とスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴＱＢＣ，ＱＡＤ等）との接続関係は、電源供給装置１の回路構成に応じて設定される。
【００４８】
また、電源供給装置１に接続される負荷ＬＯは、パルス動作するものに限られず、一般的なＯＡ機器、家電機器等にも適用できる。
【００４９】
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５０】
１：電源供給装置
１０：一次側回路部
２０：二次側回路部
３０：電流検出部
４０：電圧検出部
５０：出力電圧検出部
６０：制御部
６１：一次側ＦＥＴ制御部
６２：二次側ＦＥＴ制御部
６３：スイッチ制御部（スイッチ制御手段）
６４：出力電圧監視部
ＱＡＤ，ＱＢＣ：ＭＯＳＦＥＴ（第１のスイッチング素子）
Ｓｎ１，Ｓｎ２：スナバ回路
Ｓ１，Ｓ２：スナバスイッチ（第２のスイッチング素子）
ＬＯ  負荷
【図１】
2017055561.tif 000003
【図２】
2017055561.tif 000004
【図３】
2017055561.tif 000005