(57)【要約】【課題】装置のフットプリントを低減することができる基板処理システムを提供すること。【解決手段】本実施形態の基板処理システムは、基板上に磁性体膜を成膜する成膜処理装置と、前記磁性体膜に磁場を印加し、前記磁性体膜を磁化する磁化処理装置と、前記成膜処理装置と前記磁化処理装置と間で基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
2017055040.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に磁性体膜を成膜する成膜処理装置と、
前記磁性体膜に磁場を印加し、前記磁性体膜を磁化する磁化処理装置と、
前記成膜処理装置と前記磁化処理装置と間で基板を搬送する搬送装置と、
を有することを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記成膜処理装置及び前記磁化処理装置は、前記搬送装置を囲むように、それぞれ前記搬送装置に連結されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記搬送装置の動作を制御する制御装置を有し、
前記制御装置は、前記成膜処理装置、前記磁化処理装置の順に基板を搬送することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記磁性体膜を加熱し、前記磁性体膜を熱処理する熱処理装置を有し、
前記搬送装置は、前記成膜処理装置と前記磁化処理装置と前記熱処理装置との間で基板を搬送することを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記成膜処理装置、前記磁化処理装置及び前記熱処理装置は、前記搬送装置を囲むように、それぞれ前記搬送装置に連結されていることを特徴とする請求項４に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記搬送装置の動作を制御する制御装置を有し、
前記制御装置は、前記成膜処理装置、前記磁化処理装置、前記熱処理装置の順に基板を搬送することを特徴とする請求項４又は５に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記磁化処理装置は、室温で前記磁性体膜に磁場を印加することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記搬送装置は、真空雰囲気で基板を搬送することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項９】
成膜処理装置と磁化処理装置と搬送装置とを有する基板処理システムにより基板を処理する基板処理方法であって、
前記搬送装置により前記基板を前記成膜処理装置へ搬送し、前記成膜処理装置により前記基板上に磁性体膜を成膜する工程と、
前記搬送装置により前記基板を前記磁化処理装置へ搬送し、前記磁化処理装置により前記磁性体膜に磁場を印加し、前記磁性体膜を磁化する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
成膜処理装置と磁化処理装置と熱処理装置と搬送装置とを有する基板処理システムにより基板を処理する基板処理方法であって、
前記搬送装置により基板を前記成膜処理装置へ搬送し、前記成膜処理装置により前記基板上に磁性体膜を成膜する工程と、
前記搬送装置により前記基板を前記磁化処理装置へ搬送し、前記磁化処理装置により前記磁性体膜に磁場を印加し、前記磁性体膜を磁化する工程と、
前記磁場を印加する工程の後、前記搬送装置により前記基板を前記熱処理装置へ搬送し、前記熱処理装置により前記磁性体膜を加熱し、前記磁性体膜を熱処理する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理システム及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリデバイスとして、不揮発性メモリの１つであるＭＲＡＭ（Magnetic  Random  Access  Memory）が注目されている。ＭＲＡＭは、例えば、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という。）上に形成された磁性体膜を磁場中で熱処理し、その磁気特性を発現させることによって製造される。
【０００３】
磁性体膜に磁気特性を発現させるための装置としては、ウエハに磁場を印加する磁場発生手段と、磁場発生手段の内周に沿って配置されウエハを加熱する加熱手段とを有する磁気アニール装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１８３２８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した従来の磁気アニール装置を用いてＭＲＡＭを製造する場合、まず、磁気アニール装置とは別体で設けられた成膜処理装置を用いてウエハ上に磁性体膜を成膜する。次いで、磁気アニール装置を用いてウエハ上の磁性体膜に磁気アニールを行うことで、磁性体膜に磁気特性を発現させる。このため、ＭＲＡＭを製造するために複数の装置を設置する必要があり、設置面積（フットプリント）が増大する。
【０００６】
そこで、上記課題に鑑み、本発明は、装置のフットプリントを低減することができる基板処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、一実施形態において、基板処理システムは、
基板上に磁性体膜を成膜する成膜処理装置と、
前記磁性体膜に磁場を印加し、前記磁性体膜を磁化する磁化処理装置と、
前記成膜処理装置と前記磁化処理装置と間で基板を搬送する搬送装置と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本実施形態によれば、装置のフットプリントを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態の基板処理システムの概略図である。
【図２】第１実施形態の基板処理方法を例示するフローチャートである。
【図３】第２実施形態の基板処理システムの概略図である。
【図４】第２実施形態の基板処理方法を例示するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１１】
ところで、昨今の評価により、例えば、ウエハに形成された磁性体膜に対して磁場を印加する磁化処理と、ウエハに形成された磁性体膜を加熱する熱処理とを別工程として行っても、磁性体膜に所望の磁気特性を発現させることができることが分かってきた。また、例えば、ウエハに形成された磁性体膜に１Ｔ（テスラ）〜５Ｔの強磁場を印加することで、室温で所望の磁気特性を発現させることができることが分かってきた。
【００１２】
第１実施形態では、基板の一例であるウエハに形成された磁性体膜に磁場を印加した後、熱処理することで、磁性体膜に所望の磁気特性を発現させる場合に好適に用いることができる基板処理システムについて説明する。
【００１３】
第２実施形態では、基板の一例であるウエハに形成された磁性体膜に強磁場を印加することで、室温で磁気特性を発現させる場合に好適に用いることができる基板処理システムについて説明する。
【００１４】
〔第１実施形態〕
第１実施形態の基板処理システムについて、図１に基づき説明する。図１は、第１実施形態の基板処理システムの概略図である。
【００１５】
図１に示すように、基板処理システムは、真空搬送装置１１０と、成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂと、磁化処理装置１２０ｃと、熱処理装置１２０ｄと、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂと、大気搬送装置１４０とを有するクラスタ型のシステムである。
【００１６】
真空搬送装置１１０は、成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂ、磁化処理装置１２０ｃ、熱処理装置１２０ｄ及びロードロック装置１３０ａ、１３０ｂの間でウエハＷを搬送することが可能な搬送装置の一例である。本実施形態では、真空搬送装置１１０は、略六角形である。
【００１７】
真空搬送装置１１０には、搬送機構１１１が設けられている。搬送機構１１１は、例えば、真空搬送装置１１０の筐体の下面上に回転自在に支持されており、成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂ、磁化処理装置１２０ｃ、熱処理装置１２０ｄ及びロードロック装置１３０ａ、１３０ｂの間でウエハＷを真空雰囲気で搬送する。
【００１８】
成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂ、磁化処理装置１２０ｃ、熱処理装置１２０ｄは、真空搬送装置１１０を囲むように、それぞれ真空搬送装置１１０の４つの辺に連結されている。
【００１９】
成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂは、ウエハＷ上に磁性体膜を成膜する装置であり、例えば、化学気層成長（ＣＶＤ：Chemical  Vapor  Deposition）装置、物理気相成長（ＰＶＤ：Physical  Vapor  Deposition）装置である。
【００２０】
磁化処理装置１２０ｃは、ウエハＷに成膜された磁性体膜に室温で磁場を印加し、磁性体膜を磁化する装置である。なお、本実施形態における室温とは、外部から加熱や冷却を行っていない状態における温度である。
【００２１】
熱処理装置１２０ｄは、ウエハＷに成膜された磁性体膜を加熱し、磁性体膜を熱処理（アニール）する装置である。
【００２２】
成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂ、磁化処理装置１２０ｃ、熱処理装置１２０ｄの真空搬送装置１１０との連結部分には、それぞれゲートバルブＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂ、磁化処理装置１２０ｃ、熱処理装置１２０ｄは、それぞれゲートバルブＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が開けられることにより、真空搬送装置１１０と連通する。また、成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂ、磁化処理装置１２０ｃ、熱処理装置１２０ｄには、それぞれウエハＷを載置するためのステージ１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄが設けられている。
【００２３】
ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂは、真空搬送装置１１０の他の２つの辺に連結されており、真空搬送装置１１０と大気搬送装置１４０との間でウエハＷの受渡しを行う装置である。ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂは、内部の圧力を、所定の真空雰囲気と、例えば窒素（Ｎ２）ガスによる大気雰囲気との間で切り替えることが可能となっている。ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂの真空搬送装置１１０との連結部分には、それぞれゲートバルブＧ５、Ｇ６が設けられている。ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂは、それぞれゲートバルブＧ５、Ｇ６が開けられることにより、真空搬送装置１１０と連通する。また、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂには、ウエハＷを載置するためのステージ１３１ａ、１３１ｂが設けられている。
【００２４】
大気搬送装置１４０は、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂにおける真空搬送装置１１０が連結された側と反対側に連結されており、横方向（図１のＸ方向）が長手方向の箱状に形成されている。大気搬送装置１４０のロードロック装置１３０ａ、１３０ｂとの連結部分には、それぞれゲートバルブＧ７、Ｇ８が設けられている。大気搬送装置１４０は、それぞれゲートバルブＧ７、Ｇ８が開けられることにより、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂと連通する。
【００２５】
大気搬送装置１４０のロードロック装置１３０ａ、１３０ｂが連結されている側と反対側には、載置台１５０ａ、１５０ｂが設けられている。載置台１５０ａ、１５０ｂは、ＦＯＵＰ（Front-Opening  Unified  Pod）５１を載置するための台である。ＦＯＵＰ１５１は、複数枚（例えば２５枚）のウエハＷを棚状に積載して収納可能な収納容器であり、前面にウエハＷを取り出すための取出口を有する本体と、取出口を塞ぐ蓋体とを有する。また、大気搬送装置１４０には、搬送機構１４１が設けられている。搬送機構１４１は、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂ及びＦＯＵＰ１５１の間でウエハＷを大気雰囲気で搬送する。
【００２６】
大気搬送装置１４０の載置台１５０ａ、１５０ｂとの連結部分には、それぞれ開閉扉Ｄ１、Ｄ２が設けられている。大気搬送装置１４０は、開閉扉Ｄ１、Ｄ２及びＦＯＵＰ１５１の蓋体が開けられることにより、ＦＯＵＰ１５１と連通する。
【００２７】
また、基板処理システムは、制御装置１８０を有する。制御装置１８０は、真空搬送装置１１０、成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂ、磁化処理装置１２０ｃ、熱処理装置１２０ｄ、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂ、大気搬送装置１４０の動作を制御する。また、制御装置１８０は、ゲートバルブＧ１〜Ｇ６の開閉、開閉扉Ｄ１、Ｄ２の開閉などの動作を制御する。
【００２８】
制御装置１８０は、ホストコンピュータなどとも接続され、ホストコンピュータと所望のデータの送受信を行う。制御装置１８０は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）を有する。ＣＰＵは、ＲＯＭ、ＲＡＭの記憶領域に格納された各種レシピに従って基板処理を行う。
【００２９】
次に、前述した基板処理システムを用いた基板処理方法について、図１及び図２に基づき説明する。図２は、第１実施形態の基板処理方法を例示するフローチャートである。
【００３０】
図２に示すように、第１実施形態の基板処理方法は、ウエハ上に磁性体膜を成膜する工程（ステップＳ１１）と、磁性体膜に磁場を印加する工程（ステップＳ１２）と、磁性体膜を加熱する工程（ステップＳ１３）とを有する。以下、具体的に説明する。
【００３１】
まず、外部からウエハＷを収納したＦＯＵＰ１５１が載置台１５０ａに載置されると、ＦＯＵＰ１５１の蓋体を取り外す。続いて、搬送機構１４１により、ＦＯＵＰ１５１からウエハＷを取り出し、ロードロック装置１３０ａへ搬送する。
【００３２】
次に、ロードロック装置１３０ａを真空搬送装置１１０に対応する圧力になるまで真空排気する。続いて、搬送機構１１１により、ロードロック装置１３０ａから成膜処理装置１２０ａへウエハＷを搬送する。続いて、成膜処理装置１２０ａにおいて、例えば、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法によりウエハＷ上に磁性体膜を成膜する（ステップＳ１１）。なお、ウエハＷ上への磁性体膜の成膜は、成膜処理装置１２０ｂで行ってもよい。
【００３３】
次に、搬送機構１１１により、成膜処理装置１２０ａから磁化処理装置１２０ｃへ磁性体膜が形成されたウエハＷを搬送する。続いて、磁化処理装置１２０ｃにおいて、磁性体膜に室温で磁場を印加することで所定の磁化処理を行う（ステップＳ１２）。
【００３４】
次に、搬送機構１１１により、磁化処理装置１２０ｃから熱処理装置１２０ｄへ磁化処理されたウエハＷを搬送する。続いて、熱処理装置１２０ｄにおいて、ウエハＷを加熱することで所定の熱処理を行う（ステップＳ１３）。これにより、ウエハＷ上の磁性体膜に磁気特性を発現させる。
【００３５】
次に、搬送機構１１１により、熱処理装置１２０ｄからロードロック装置１３０ｂへ磁気特性が発現した磁性体膜が形成されたウエハＷを搬送する。続いて、図示しないガス供給源によりロードロック装置１３０ｂ内にＮ２ガス等の不活性ガスを供給し、ロードロック装置１３０ｂ内を真空雰囲気から大気雰囲気に切り替える。続いて、搬送機構１４１により、磁気特性が発現した磁性体膜が形成されたウエハＷをロードロック装置１３０ｂからＦＯＵＰ１５１へ搬送する。以上により、処理が終了する。
【００３６】
本実施形態の基板処理システムは、一つの真空搬送装置１１０を囲むように成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂと、磁化処理装置１２０ｃと、熱処理装置１２０ｄとが連結されている。これにより、処理装置ごとに真空搬送装置１１０、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂ、大気搬送装置１４０、載置台１５０ａ、１５０ｂなどを設ける必要がない。このため、成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂ、磁化処理装置１２０ｃ、熱処理装置１２０ｄを別体で設ける場合と比較してフットプリントを低減することができる。また、基板処理システムの製造コストを低減することができる。
【００３７】
本実施形態の基板処理システムは、成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂと、磁化処理装置１２０ｃと、熱処理装置１２０ｄとを有する。これにより、同一システム内において、ウエハＷ上に磁性体膜を成膜し、磁性体膜に磁気特性を発現させることができるため、生産性が向上する。
【００３８】
本実施形態の基板処理システムは、制御装置１８０により、真空搬送装置１１０、成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂ、磁化処理装置１２０ｃ、熱処理装置１２０ｄの動作を制御する。これにより、制御装置１８０の一つの指示によって複数の工程を実行することができるため、成膜処理装置１２０ａ、１２０ｂ、磁化処理装置１２０ｃ、熱処理装置１２０ｄを別体で設ける場合と比較して、指示内容の管理を簡略化することができる。
【００３９】
なお、本実施形態では、基板処理システムが４つの処理装置、すなわち、２つの成膜処理装置、１つの磁化処理装置及び１つの熱処理装置を有する形態について説明したが、処理装置の合計の数及び構成比率についてはこれに限定されない。基板処理システムは、成膜処理装置と、磁化処理装置と、熱処理装置とを有していればよく、これらの処理装置の合計の数及び構成比率については、各処理装置における処理に要する時間を考慮して定めることができる。なお、真空搬送装置については、処理装置の数に応じた形状にすればよく、例えば、基板処理システムが６つの処理装置を有する場合、略八角形の形状とすることができる。
【００４０】
〔第２実施形態〕
第２実施形態の基板処理システムについて、図３に基づき説明する。図３は、第２実施形態の基板処理システムの概略図である。
【００４１】
図３に示すように、基板処理システムは、真空搬送装置１１０と、成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃと、磁化処理装置２２０ｄと、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂと、大気搬送装置１４０とを有するクラスタ型のシステムである。
【００４２】
真空搬送装置１１０は、成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、磁化処理装置２２０ｄ及びロードロック装置１３０ａ、１３０ｂの間でウエハＷを搬送することが可能な搬送装置の一例である。本実施形態では、真空搬送装置１１０は、略六角形である。
【００４３】
真空搬送装置１１０には、搬送機構１１１が設けられている。搬送機構１１１は、例えば、真空搬送装置１１０の筐体の下面上に回転自在に支持されており、成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、磁化処理装置２２０ｄ及びロードロック装置１３０ａ、１３０ｂの間でウエハＷを真空雰囲気で搬送する。
【００４４】
成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、磁化処理装置２２０ｄは、真空搬送装置１１０を囲むように、それぞれ真空搬送装置１１０の４つの辺に連結されている。
【００４５】
成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃは、ウエハＷ上に磁性体膜を成膜する装置であり、例えば、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置である。
【００４６】
磁化処理装置２２０ｄは、ウエハＷに成膜された磁性体膜に室温で磁場を印加し、磁性体膜を磁化する装置である。なお、本実施形態における室温とは、外部から加熱や冷却を行っていない状態における温度である。
【００４７】
成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、磁化処理装置２２０ｄの真空搬送装置１１０との連結部分には、それぞれゲートバルブＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、磁化処理装置２２０ｄは、それぞれゲートバルブＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が開けられることにより、真空搬送装置１１０と連通する。また、成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、磁化処理装置２２０ｄには、それぞれウエハＷを載置するためのステージ２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃ、２２１ｄが設けられている。
【００４８】
ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂは、真空搬送装置１１０の他の２つの辺に連結されており、真空搬送装置１１０と大気搬送装置１４０との間でウエハＷの受渡しを行う装置である。ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂは、内部の圧力を、所定の真空雰囲気と、例えばＮ２ガスによる大気雰囲気との間で切り替えることが可能となっている。ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂの真空搬送装置１１０との連結部分には、それぞれゲートバルブＧ５、Ｇ６が設けられている。ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂは、それぞれゲートバルブＧ５、Ｇ６が開けられることにより、真空搬送装置１１０と連通する。また、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂには、ウエハＷを載置するためのステージ１３１ａ、１３１ｂが設けられている。
【００４９】
大気搬送装置１４０は、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂにおける真空搬送装置１１０が連結された側と反対側に連結されており、横方向（図１のＸ方向）が長手方向の箱状に形成されている。大気搬送装置１４０のロードロック装置１３０ａ、１３０ｂとの連結部分には、それぞれゲートバルブＧ７、Ｇ８が設けられている。大気搬送装置１４０は、それぞれゲートバルブＧ７、Ｇ８が開けられることにより、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂと連通する。
【００５０】
大気搬送装置１４０のロードロック装置１３０ａ、１３０ｂが連結されている側と反対側には、載置台１５０ａ、１５０ｂが設けられている。載置台１５０ａ、１５０ｂは、ＦＯＵＰ１５１を載置するための台である。ＦＯＵＰ１５１は、複数枚（例えば２５枚）のウエハＷを棚状に積載して収納可能な収納容器であり、前面にウエハＷを取り出すための取出口を有する本体と、取出口を塞ぐ蓋体とを有する。また、大気搬送装置１４０には、搬送機構１４１が設けられている。搬送機構１４１は、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂ及びＦＯＵＰ１５１の間でウエハＷを大気雰囲気で搬送する。
【００５１】
大気搬送装置１４０の載置台１５０ａ、１５０ｂとの連結部分には、それぞれ開閉扉Ｄ１、Ｄ２が設けられている。大気搬送装置１４０は、開閉扉Ｄ１、Ｄ２及びＦＯＵＰ１５１の蓋体が開けられることにより、ＦＯＵＰ１５１と連通する。
【００５２】
また、基板処理システムは、制御装置１８０を有する。制御装置１８０は、真空搬送装置１１０、成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、磁化処理装置２２０ｄ、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂ、大気搬送装置１４０の動作を制御する。また、制御装置１８０は、ゲートバルブＧ１〜Ｇ６の開閉、開閉扉Ｄ１、Ｄ２の開閉などの動作を制御する。
【００５３】
制御装置１８０は、ホストコンピュータなどとも接続され、ホストコンピュータと所望のデータの送受信を行う。制御装置１８０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭを有する。ＣＰＵは、ＲＯＭ、ＲＡＭの記憶領域に格納された各種レシピに従って基板処理を行う。
【００５４】
次に、前述した基板処理システムを用いた基板処理方法について、図３及び図４に基づき説明する。図４は、第２実施形態の基板処理方法を例示するフローチャートである。
【００５５】
図４に示すように、第２実施形態の基板処理方法は、ウエハ上に磁性体膜を成膜する工程（ステップＳ２１）と、磁性体膜に磁場を印加する工程（ステップＳ２２）とを有する。以下、具体的に説明する。
【００５６】
まず、外部からウエハＷを収納したＦＯＵＰ１５１が載置台１５０ａに載置されると、ＦＯＵＰ１５１の蓋体を取り外す。続いて、搬送機構１４１により、ＦＯＵＰ１５１からウエハＷを取り出し、ロードロック装置１３０ａへ搬送する。
【００５７】
次に、ロードロック装置１３０ａを真空搬送装置１１０に対応する圧力になるまで真空排気する。続いて、搬送機構１１１により、ロードロック装置１３０ａから成膜処理装置２２０ａへウエハＷを搬送する。続いて、成膜処理装置２２０ａにおいて、例えば、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法によりウエハＷ上に磁性体膜を成膜する（ステップＳ２１）。なお、ウエハＷ上への磁性体膜の成膜は、成膜処理装置２２０ｂや成膜処理装置２２０ｃで行ってもよい。
【００５８】
次に、搬送機構１１１により、成膜処理装置２２０ａから磁化処理装置２２０ｄへ磁性体膜が形成されたウエハＷを搬送する。続いて、磁化処理装置２２０ｄにおいて、磁性体膜に室温で磁場を印加することで所定の磁化処理を行う（ステップＳ２２）。これにより、ウエハＷ上の磁性体膜に磁気特性を発現させる。なお、磁化処理を行った後に、必要な場合には搬送機構１１１により、磁化処理装置２２０ｄから成膜処理装置２２０ｂへウエハＷを搬送し、成膜処理装置２２０ｂにおいて熱処理を行ってもよい。なお、熱処理は、成膜処理装置２２０ａや成膜処理装置２２０ｃで行ってもよい。
【００５９】
次に、搬送機構１１１により、磁化処理装置２２０ｄからロードロック装置１３０ｂへ磁気特性が発現した磁性体膜が形成されたウエハＷを搬送する。続いて、図示しないガス供給源によりロードロック装置１３０ｂ内にＮ２ガス等の不活性ガスを供給し、ロードロック装置１３０ｂ内を真空雰囲気から大気雰囲気に切り替える。続いて、搬送機構１４１により、磁気特性が発現した磁性体膜が形成されたウエハＷをロードロック装置１３０ｂからＦＯＵＰ１５１へ搬送する。以上により、処理が終了する。
【００６０】
本実施形態の基板処理システムは、一つの真空搬送装置１１０を囲むように成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃと、磁化処理装置２２０ｄとが連結されている。これにより、処理装置ごとに真空搬送装置１１０、ロードロック装置１３０ａ、１３０ｂ、大気搬送装置１４０、載置台１５０ａ、１５０ｂなどを設ける必要がない。このため、成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、磁化処理装置２２０ｄを別体で設ける場合と比較してフットプリントを低減することができる。また、基板処理システムの製造コストを低減することができる。
【００６１】
本実施形態の基板処理システムは、成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃと、磁化処理装置２２０ｄとを有する。これにより、同一システム内において、ウエハＷ上に磁性体膜を成膜し、磁性体膜に磁気特性を発現させることができるため、生産性が向上する。
【００６２】
本実施形態の基板処理システムは、制御装置１８０により、真空搬送装置１１０、成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、磁化処理装置２２０ｄの動作を制御する。これにより、制御装置１８０の一つの指示によって複数の工程を実行することができるため、成膜処理装置２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、磁化処理装置２２０ｄを別体で設ける場合と比較して、指示内容の管理を簡略化することができる。
【００６３】
なお、本実施形態では、基板処理システムが４つの処理装置、すなわち、３つの成膜処理装置及び１つの磁化処理装置を有する形態について説明したが、処理装置の合計の数及び構成比率についてはこれに限定されない。基板処理システムは、成膜処理装置と、磁化処理装置とを有していればよく、これらの処理装置の合計の数及び構成比率については、各処理装置における処理に要する時間を考慮して定めることができる。なお、真空搬送装置については、処理装置の数に応じた形状にすればよく、例えば、基板処理システムが６つの処理装置を有する場合、略八角形の形状とすることができる。
【００６４】
以上、基板処理システム及び基板処理方法を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１１０        真空搬送装置
１１１        搬送機構
１２０ａ〜ｂ  成膜処理装置
１２０ｃ      磁化処理装置
１２０ｄ      熱処理装置
１８０        制御装置
２２０ａ〜ｃ  成膜処理装置
２２０ｄ      磁化処理装置
Ｗ            ウエハ
【図１】
2017055040.tif 000003
【図２】
2017055040.tif 000004
【図３】
2017055040.tif 000005
【図４】
2017055040.tif 000006