(57)【要約】【課題】梁部の周方向への移動を抑制し、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能な電子デバイスを提供する。【解決手段】固定電極と、固定電極を囲むように形成され、固定電極との間に所定の間隔を形成しつつ、固定電極の外側面に対して接離可能に構成された錘部と、一端が錘部に接続され、錘部外周の周方向に沿って延出する梁部と、梁部の他端が接続され、梁部の外側に配置される支持部と、を有し、梁部の外側面には第１係止部が少なくとも１つ形成されており、外側面に対向する支持部の内側面には第２係止部が少なくとも１つ形成されており、第１係止部と第２係止部とによって、梁部の周方向への移動が抑制可能に構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定電極と、
前記固定電極を囲むように形成され、前記固定電極との間に所定の間隔を形成しつつ、前記固定電極の外側面に対して接離可能に構成された錘部と、
一端が前記錘部に接続され、前記錘部外周の周方向に沿って延出する梁部と、
前記梁部の他端が接続され、前記梁部の外側に配置される支持部と、を備え、
前記固定電極と前記錘部との接触状態に基づいてＯＮ／ＯＦＦ制御可能に構成されている電子デバイスであって、
前記梁部の外側面には第１係止部が少なくとも１つ形成されており、
前記梁部の外側面に対向する前記支持部の内側面には第２係止部が少なくとも１つ形成されており、
前記第１係止部と前記第２係止部とによって、前記梁部の前記周方向への移動が抑制可能に構成されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記第１係止部が突起部によって形成されており、
前記第２係止部が凹部によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第１係止部と前記第２係止部が突起部によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記第１係止部が突起部によって形成され、前記第２係止部が、前記第１係止部を挟むように形成される複数の突起部によって形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記第１係止部は、前記梁部の一端近傍に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第２係止部は、前記梁部の他端近傍に形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記錘部の外周には第３係止部が形成されており、
前記梁部の内側面には第４係止部が形成されており、
前記第３係止部と前記第４係止部とが係止可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記錘部と前記固定電極とが接触していない状態において、
上面視における前記第１係止部と前記第２係止部との重なり量が、
前記第１係止部の先端と前記支持部との間隔、及び前記第２係止部の先端と前記梁部との間隔のいずれの間隔よりも大きいことを特徴とする請求項３乃至７のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、固定電極と、固定電極との間に所定の間隔を形成しつつ固定電極に対して接離可能に構成された錘部と、錘部の周囲を囲むように形成された梁部と、梁部が固定される枠体としての支持部とを有し、錘部と固定電極との接触状態に応じて、信号のＯＮ／ＯＦＦを切り替え可能な電子デバイスが知られている（特許文献１）。かかる構成によれば、例えば、所定以上の加速度が生じた際に、錘部が径方向に移動する（搖動する）ので、錘部と固定電極との接触状態に基づいたＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第１１／１０８５５９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上記従来技術では、例えば、所定以上の加速度が生じていない場合であっても、梁部の周方向への移動が生じた際に、錘部と固定電極とが接触する可能性がある。即ち、加速度の大きさに基づいたＯＮ／ＯＦＦ制御を行う際に、高精度な制御が困難になる。
【０００５】
そこで本発明は、上記課題を解決すべくなされたものであり、梁部の周方向への移動を抑制し、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能な電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明にあっては、
固定電極と、前記固定電極を囲むように形成され、前記固定電極との間に所定の間隔を形成しつつ、前記固定電極の外側面に対して接離可能に構成された錘部と、一端が前記錘部に接続され、前記錘部外周の周方向に沿って延出する梁部と、前記梁部の他端が接続され、前記梁部の外側に配置される支持部と、を備え、前記固定電極と前記錘部との接触状態に基づいてＯＮ／ＯＦＦ制御可能に構成されている電子デバイスであって、前記梁部の外側面には第１係止部が少なくとも１つ形成されており、前記梁部の外側面に対向する前記支持部の内側面には第２係止部が少なくとも１つ形成されており、前記第１係止部と前記第２係止部とによって、前記梁部の前記周方向への移動が抑制可能に構成されていることを特徴とする。
【０００７】
これによれば、第１係止部と第２係止部とによって、梁部の周方向への移動が抑制可能になるので、所定以上の加速度が生じていない場合における、錘部と固定電極との意図しない接触を回避でき、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。
【０００８】
また、本発明にあっては、
前記第１係止部が突起部によって形成されており、前記第２係止部が凹部によって形成されていると好適である。
【０００９】
これによれば、第１係止部と第２係止部とが係止しやすくなるので、梁部の周方向への移動をより確実に抑制することができ、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。
【００１０】
また、本発明にあっては、
前記第１係止部と前記第２係止部が突起部によって形成されていると好適である。
【００１１】
これによれば、第１係止部と第２係止部とが係止しやすくなるので、梁部の周方向への移動をより確実に抑制することができ、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。
【００１２】
また、本発明にあっては、前記第１係止部が突起部によって形成され、前記第２係止部が、前記第１係止部を挟むように形成される複数の突起部によって形成されていると好適である。
【００１３】
これによれば、第１係止部が周方向においてどの方向に移動したとしても、第２係止部において確実に係止することができるので、梁部の周方向への移動をより確実に抑制することができ、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。
【００１４】
また、本発明にあっては、
前記第１係止部は、前記梁の一端近傍に形成されていると好適である。
【００１５】
これによれば、第１係止部を梁部の一端近傍に形成しているので、梁部の径方向の移動に対する影響を低減にしつつ、梁部の周方向への移動を確実に抑制することが可能になる。即ち、梁部の一端は錘部に接続されているが、この一端近傍は、梁部の他の部分と比較して、剛性が高く、特に径方向に変形しにくい箇所となる。
径方向に変化しやすい箇所に第１係止部を形成すると、梁の剛性変化、重量バランスの変化によって、梁の挙動に変化を及ぼす可能性あるが、このように、径方向に変形しにくい箇所に第１係止部を形成することで、第１係止部を形成することによる梁部本来の移動（径方向への移動）に与える影響を低減することが可能になる。よって、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。
【００１６】
また、本発明にあっては、
前記第２係止部は、前記梁部の他端近傍に形成されていると好適である。
【００１７】
これによれば、第２係止部を梁部の他端近傍に形成しているので、梁部の径方向の移動に対する影響を低減にしつつ、梁部の周方向への移動を確実に抑制することが可能にある。即ち、梁部の他端は支持部に接続されているが、この他端近傍は、梁部の他の部分と比較して、剛性が高く、特に径方向に変形しにくい箇所となる。
梁部の径方向に変化しやすい箇所の近傍に第２係止部を形成すると、第２係止部と梁部とが接触することによって、梁の挙動に変化を及ぼす可能性あるが、このように、径方向に変形しにくい箇所の近傍に第２係止部を形成することで、第２係止部と梁部とが接触することによる、梁部本来の移動（径方向への移動）に与える影響を低減することが可能になる。よって、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。
【００１８】
また、本発明にあっては、
前記錘部の外周には第３係止部が形成されており、前記梁部の内側面には第４係止部が形成されており、前記第３係止部と前記第４係止部とが係止可能に構成されていると好適である。
【００１９】
これによれば、第３係止部と第４係止部とによって、梁部の周方向への移動を効果的に抑制することが可能になる。よって、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。
【００２０】
また、本発明にあっては、
前記錘部と前記固定電極とが接触していない状態において、上面視における前記第１係止部と前記第２係止部との重なり量が、前記第１係止部の先端と前記支持部との間隔、及び前記第２係止部の先端と前記梁部との間隔のいずれの間隔よりも大きいと好適である。
【００２１】
これによれば、錘部の径方向への移動を阻害することなく、梁部の周方向への移動を確実に抑制することが可能になる。
【発明の効果】
【００２２】
このように、本発明によれば、梁部の周方向への移動を抑制し、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能な電子デバイスを提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態に係る電子デバイスの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ´線における概略断面を示す断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する工程図である。
【図４】第１実施形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する工程図である。
【図５】第１実施形態に係る電子デバイスの動作を示す平面図である。
【図６】第１実施形態に係る電子デバイスの動作を示す平面図である。
【図７】第２実施形態に係る電子デバイスの平面図である。
【図８】第３実施形態に係る電子デバイスの平面図である。
【図９】第４実施形態に係る電子デバイスの平面図である。
【図１０】第５実施形態に係る電子デバイスの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を例示的に詳しく説明する。ただし、以下の実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００２５】
＜第１実施形態＞
［加速度スイッチの全体構造］
図１〜図５を参照して、本発明に係る電子デバイスの第１実施形態について説明する。ここでは、本発明に係る電子デバイスの一形態として、加速度スイッチ１の構成、動作を説明する。
【００２６】
図１、図２に、第１実施形態における加速度スイッチ１の平面図と概略断面図を示す。
まず、図２に示すように、本実施形態の加速度スイッチ１は、スイッチ本体１１と、スイッチ本体１１を厚さ方向で挟持する第１基板１２及び第２基板１３を備えている。
【００２７】
スイッチ本体１１は、例えばシリコン等からなる基板２０を用いてＭＥＭＳ技術によって製造されるものである。なお、以下の説明では、基板２０の厚さ方向（図２における上下方向）を単に厚さ方向といい、図２における下側を厚さ方向の下方とし、上側を厚さ方向の上方とする。
【００２８】
図１、図２に示すように、スイッチ本体１１は、枠体（支持部）３１と、枠体３１の内側に配置された固定電極３２と、枠体３１と固定電極３２との間に配置され、固定電極３２を内側に収容する収容孔３３を有する錘部３４と、錘部３４の周囲を取り囲む円弧状とされ、枠体３１との間で錘部３４を弾性支持する梁部３５と、を備えている。なお、以下の説明において、梁部３５の周方向を単に周方向とし、梁部３５の径方向を単に径方向とする。
【００２９】
枠体３１は、厚さ方向から見た平面視（上面視）で矩形状とされ、その中央部には基板２０を厚さ方向に貫通する円形の貫通孔３１ａが形成されている。また、枠体３１の内側面には凹部形状の第２係止部６２が設けられている（図１）。
【００３０】
固定電極３２は、枠体３１の中心（貫通孔３１ａの中心）を通り、厚さ方向に沿って延びる円柱状とされている。なお、スイッチ本体１１のうち、少なくとも枠体３１及び固定電極３２の両面には、第１基板１２及び第２基板１３とスイッチ本体１１とをそれぞれ接合するための第１接合膜４１及び第２接合膜４２（例えば、Ａｕ／Ｎｉ等）が形成されている。図示の例において、スイッチ本体１１のうち、厚さ方向における一方の主面には、錘部３４及び梁部３５上を含む全体に第２接合膜４２が形成されている。
【００３１】
錘部３４は、厚さ方向から見た平面視で円形とされ、その中央部には基板２０を厚さ方向に貫通する収容孔３３が形成されている。なお、錘部３４の外径は、枠体３１の貫通孔３１ａの内径よりも小さく、収容孔３３の内径は固定電極３２の外径よりも大きくなっている。
【００３２】
したがって、錘部３４は、その内側面と固定電極３２の外側面との間に径方向におけるギャップが設定されるとともに、加速度スイッチ１への加速度の入力により固定電極３２に対して接離可能とされている。なお、ギャップの径方向における幅（以下、単にギャップ量Ｇという）は、周方向の全周に亘って均一になっていることが好ましい。
【００３３】
また、錘部３４のうち、厚さ方向における上端部は、下端部よりも径方向の内側に張り出した張出部３６を構成している。そして、錘部３４の内側面のうち、少なくとも張出部３６に位置する部分と、固定電極３２の外側面のうち、張出部３６と対向する部分と、には、それぞれ電極膜４５，４６が形成されている。加速度スイッチ１は、初期状態においてギャップを挟んで電極膜４５，４６同士が対向したＯＦＦ状態となっている。なお、電極膜４５，４６は、上述した第２接合膜４２に各別に接続されている。
【００３４】
梁部３５は、枠体３１及び錘部３４よりも薄く形成され、弾性変形可能とされている。具体的に、梁部３５は、錘部３４の周囲をほぼ全周に亘って取り囲む円弧部５１（本体部）と、突起状の第１係止部６１と、円弧部５１の一端と錘部３４とを接続する錘部側接続部５２と、円弧部５１の他端と枠体３１とを接続する枠体側接続部５３と、を備えている。
【００３５】
円弧部５１は、錘部３４の周囲を取り囲むように、周方向の全周に亘って一定の曲率半径で延在した円弧状の枠体からなる。
錘部側接続部５２は、径方向に沿って延在する平面視矩形状の部材であり、両端に円弧部５１と錘部３４とがそれぞれ接続されている。具体的には、錘部側接続部５２は、径方向における内側端部が錘部３４の外側面に連設され、径方向における外側端部が円弧部５１における周方向の一端部に連設されている。なお、錘部側接続部５２における径方向の外側端部が、円弧部５１よりも径方向の外側に突出する突起部を有し、これを第１係止部とする構成としてもよい。
【００３６】
枠体側接続部５３は、径方向に沿って延在し、錘部側接続部５２と同形同大の部材からなり、両端に円弧部５１と枠体３１とがそれぞれ接続されている。具体的には、枠体側接続部５３は、径方向における外側端部が枠体３１の内側面に連設され、径方向における内側端部が円弧部５１における周方向の他端部に連設されている。
【００３７】
［第１基板及び第２基板］
図２に示すように、第１基板１２は、例えばガラス等からなり、平面視外形がスイッチ本体１１と同等の形状を呈し、厚さ方向における下方からスイッチ本体１１を覆っている。また、第１基板１２は、第１接合膜４１を介してスイッチ本体１１の枠体３１及び固定電極３２に接合されている。また、第１基板１２におけるスイッチ本体１１側の主面のうち、枠体３１及び固定電極３２以外に位置する部分は、錘部３４の変位を許容する逃げ部５６が形成されている。
【００３８】
第２基板１３は、第１基板１２と同様の材料からなるとともに、平面視外形がスイッチ本体１１と同等の形状を呈し、厚さ方向における上方からスイッチ本体１１を覆っている。また、第２基板１３は、第２接合膜４２を介してスイッチ本体１１の枠体３１及び固定電極３２に接合されている。
これにより、加速度スイッチ１のうち、枠体３１、第１基板１２、及び第２基板１３で画成された内側空間に、固定電極３２、及び梁部３５が封止されている。また、第２基板１３におけるスイッチ本体１１側の主面のうち、枠体３１及び固定電極３２以外に位置する部分には、錘部３４の変位を許容する逃げ部５７が形成されている。
【００３９】
さらに、第２基板１３のうち、固定電極３２上に位置する部分、及び枠体３１上に位置する部分には、それぞれ厚さ方向に貫通して第２接合膜４２を露出させる露出孔５８が形成されている。そして、第２基板１３には、各露出孔５８を通して第２接合膜４２と外部装置とを導通させるための貫通電極５９（例えば、Ａｌ等）が各別に形成されている。すなわち、第２接合膜４２のうち、固定電極３２上及び枠体３１上に位置する部分は、固定電極３２及び錘部３４の各電極膜４５，４６と外部装置との間を接続するための回路としても機能している。
【００４０】
［加速度スイッチの製造方法］
次に、上述した加速度スイッチ１の製造方法について説明する。図３、図４は、本実施形態における加速度スイッチ１の製造方法を説明するための工程図である。
【００４１】
まず、図３（ａ）に示すように、基板２０の厚さ方向における一端側の主面上に、第１接合膜４１を形成する（第１接合膜形成工程）。具体的には、リフトオフ法等を用い、基板２０の厚さ方向における一端側の主面上のうち、枠体３１、及び固定電極３２に相当する部分のみに第１接合膜４１を残存させる。
【００４２】
次に、図３（ｂ）に示すように、図示しないマスクを用いてＤＲＩＥ（深掘り反応性イオンエッチング）等のドライエッチングを、基板２０の厚さ方向における一端側から行い、基板２０のうち、枠体３１、固定電極３２、及び錘部３４以外に相当する部分に、所定深さの凹部６０を形成する（第１エッチング工程）。なお、凹部６０の深さ（エッチング量）は、基板２０の厚さと梁部３５の厚さとの差分に相当している。
【００４３】
その後、図３（ｃ）に示すように、基板２０のうち、枠体３１及び固定電極３２に対して、第１接合膜４１を介して第１基板１２を接合する（第１基板接合工程）。
【００４４】
次に、図４（ａ）に示すように、図示しないマスクを用いてＤＲＩＥ等のドライエッチングを、基板２０の厚さ方向における他端側から行い、基板２０のうち、枠体３１、固定電極３２、錘部３４、及び梁部３５以外に相当する部分を除去する（第２エッチング工程）。これにより、凹部６０が厚さ方向に貫通することで、梁部３５、第１係止部６１、第２係止部６２が成形されるとともに、固定電極３２と錘部３４とがギャップを介して離間した状態になる。
【００４５】
続いて、図４（ｂ）に示すように、スパッタ等を用い、基板２０の厚さ方向における他端側の主面全体に亘って第２接合膜４２を成膜する（金属膜形成工程）。なお、第２接合膜４２を形成する際の粒子の回り込みにより、錘部３４の内側面及び固定電極３２の外側面に粒子を堆積させることで、錘部３４の内側面及び固定電極３２の外側面に電極膜４５，４６が形成される。
【００４６】
なお、図１に示すように、形成された梁部３５のうち枠体側接続部５３の、錘部側接続部５２との対向面側の側壁に相当する箇所には、スパッタリング法や蒸着法、ＣＶＤ（化学気相蒸着）法によってＳｉＯ２からなるスティッキング防止膜５４を成膜する（スティッキング防止膜形成工程）。
【００４７】
その後、図４（ｃ）に示すように、基板２０のうち、枠体３１及び固定電極３２に対して、第２接合膜４２を介して第２基板１３を接合する（第２基板接合工程）。
最後に、第２基板１３に対してＡｌ等からなる金属膜を成膜し、その後パターニングすることで、貫通電極５９を形成する（貫通電極形成工程）（図２参照）。
以上により、加速度スイッチ１が完成する。
【００４８】
［加速度スイッチの動作説明］
図５は、加速度スイッチ１の動作を説明するための図である。図５を参照して、加速度スイッチ１の動作について説明する。
【００４９】
加速度スイッチ１では、図５に示すように、初期状態の加速度スイッチ１に対して例えば矢印Ｑ方向に加速度が入力されると、錘部３４を除く加速度スイッチ１全体が矢印Ｑ方向に移動する。
【００５０】
一方、錘部３４は、梁部３５を介して枠体３１に支持されているため、慣性によりその場に留まろうとする。すなわち、枠体３１及び固定電極３２と錘部３４とが相対移動するとともに、この相対移動に伴い梁部３５が弾性変位する。そして、固定電極３２と錘部３４との電極膜４５，４６（図２参照）同士が電気的に接触することで、加速度スイッチ１がＯＮ状態となる。そして、外部装置は、貫通電極５９を介して加速度スイッチ１のＯＮ状態を検出信号として検出することで、所定の動作を行う。
【００５１】
ここで、本実施形態では、梁部３５に第１係止部６１を、枠体３１に第２係止部６２を備えた構成とした。
この構成によれば、図６に示すように、回転方向の加速度Ｒにより錘部３４が梁部３５の周方向に回転運動した際、第１係止部６１と第２係止部６２が接触することになる。これにより錘部３４の回転運動が抑制され、錘部３４と固定電極３２との意図しない接触を回避でき、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。さらには、第１係止部６１、第２係止部６２は、錘部３４及び梁部３５の径方向の移動を妨げるものではない。即ち、ＯＮ／ＯＦＦ制御に必要な、錘部３４及び梁部３５の本来の動作を妨げるものではないので、高精度なＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。また、第２係止部６２の凹部形状の幅を適宜変更することで、梁部３５が周方向に変形する際の許容範囲を設定することが可能である。
【００５２】
即ち、本実施形態によれば、加速度スイッチ１に対して、梁部３５の周方向への加速度が生じた場合であっても、梁部３５の周方向への移動を抑制することが可能になるので、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能な電子デバイスを提供することができる。
【００５３】
＜第２実施形態＞
以下、本発明に係る第２実施形態における加速度スイッチ１について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００５４】
図７は、第２実施形態におけるスイッチ本体１１の平面図である。本実施形態における加速度スイッチ１において、第１係止部６１は梁部３５より外側に突出した突起部として形成されており、第２係止部６２も第１係止部６１と同様に、枠体３１の内側面から内側に突出する突起部として形成されている点が特徴である。
【００５５】
この構成によれば、錘部３４が梁部３５の周方向に回転運動した際、第１係止部６１と第２係止部６２が接触することになる。これにより錘部３４の回転運動が抑制され、錘部３４と固定電極３２との意図しない接触を回避でき、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。
【００５６】
＜第３実施形態＞
以下、本発明に係る第３実施形態における加速度スイッチ１について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００５７】
図８は、第３実施形態におけるスイッチ本体１１の平面図である。本実施形態における加速度スイッチ１において、第１係止部６１は梁部３５より突起部として、第２係止部６２も枠体３１に突起部として形成されている。さらに、第１係止部６１は、梁部３５の外側面に１つ形成されており、第２係止部６２は、枠体３１の内側面に、第１係止部６１を挟むように２つ形成されている。
【００５８】
この構成によれば、錘部３４が梁部３５の周方向に回転運動した際、第１係止部６１と第２係止部６２が接触することになる。これにより錘部３４の回転運動が抑制され、錘部３４と固定電極３２との意図しない接触を回避でき、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。なお、第２係止部６２の数は２つに限られるものではなく、第１係止部６１を挟むように複数形成されていればよい。
【００５９】
＜第４実施形態＞
以下、本発明に係る第４実施形態における加速度スイッチ１について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００６０】
図９は、第４実施形態におけるスイッチ本体１１の平面図である。本実施形態では、第１係止部６１は、梁部５１の一端近傍に突起形状に形成されている。
【００６１】
これにより、第１係止部６１を梁部５１の一端近傍に形成しているので、梁部５１の径方向の移動に対する影響を低減にしつつ、梁部５１の周方向への移動を確実に抑制することが可能にある。即ち、梁部５１の一端は錘部３４に接続されており、一端近傍は剛性が高く径方向に変形しにくい箇所となる。よって、この変形しにくい箇所に第１係止部を形成することで、第１係止部を形成することによる梁部本来の移動（径方向への移動）に与える影響を低減することが可能になる。
【００６２】
また、本実施形態では、第２係止部６２が、梁部５１の他端近傍に形成されている。
これにより、梁部５１の径方向の移動に対する影響を低減にしつつ、梁部５１の周方向への移動を確実に抑制することが可能になる。
【００６３】
即ち、梁部５１の他端は枠体３１に接続されており、他端近傍は剛性が高く、特に径方向に変形しにくい箇所となる。よって、この変形しにくい箇所に第２係止部６２を形成することで、第２係止部６２を形成することによる梁部５１の本来の移動（径方向への移動）に与える影響を低減することが可能になる。
【００６４】
＜第５実施形態＞
以下、本発明に係る第６実施形態における加速度スイッチ１について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００６５】
図１０は、第５実施形態におけるスイッチ本体１１の平面図である。本実施形態では、錘部３４の外側面には第３係止部６３が形成されており、梁部５１の内側面には第４係止部６４が形成されている点が特徴である。
【００６６】
この構成によれば、錘部３４が梁部３５の周方向に回転運動した際、第１係止部６１と第２係止部６２に加え、さらに第３係止部６３と第４係止部６４とが接触することになる。これにより、錘部３４の回転運動が確実に抑制され、錘部３４と固定電極３２との意図しない接触を回避でき、高精度のＯＮ／ＯＦＦ制御が可能になる。
【００６７】
＜第６実施形態＞
以下、本発明に係る第６実施形態における加速度スイッチ１について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００６８】
本実施形態では、加速度スイッチ１において、第１係止部６１と第２係止部６３は、それぞれ梁部３５、枠体３１から突出する突起形状として形成されている。さらに錘部５１と固定電極３２とが接触していない状態において、第１係止部６１と第２係止部６２との重なり量が、第１係止部６１の先端と枠体３１との間隔、及び第２係止部６２の先端と梁部５１との間隔のいずれの間隔よりも大きくなるよう配置されている。なお、ここでの重なり量とは、上面視における第１係止部６１の先端と、第２係止部６２の先端とが重なる幅寸法のことを指す。
【００６９】
これにより錘部の径方向への移動を阻害することなく、梁部の周方向への移動を確実に抑制することが可能になる。
【符号の説明】
【００７０】
１、２００…加速度スイッチ（電子デバイス）
１１…スイッチ本体（構造体基板）
１２…第１基板（上側封止基板）
１３…第２基板（下側封止基板）
２０…基板
３１、２０４…枠体（支持部）
３２…固定電極
３３…収容孔
３４、２０３…錘部
３５、２０５…梁部
４１…第１接合膜
４２…第２接合膜
４５、４６…電極膜
５１…円弧部（本体部）
５２、２１０…錘部側接続部
５３、２１１…枠体側接続部
５６、５７…逃げ部
５８…露出孔
５９…貫通電極
６０…凹部
６１…第１係止部
６２…第２係止部
６３…第３係止部
６４…第４係止部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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