(57)【要約】【課題】低誘電率でありながら、絶縁層と金属層との密着力が向上されている回路基板を提供すること。【解決手段】ベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に配置される第１導体パターン３とを備え、ベース絶縁層２が、変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の厚み方向一方面に配置される第１金属層と
を備え、
前記第１絶縁層が、変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂からなることを特徴とする、回路基板。
【請求項２】
前記第１絶縁層が、変性ポリオレフィン樹脂からなり、
前記変性ポリオレフィン樹脂が、ポリオレフィン樹脂を、マレイン酸類、塩素化合物および（メタ）アクリル酸類からなる群から選択される少なくとも１種により変性した変性ポリオレフィン樹脂であり、
前記ポリオレフィン樹脂が、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂およびポリブチレン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記ポリオレフィン樹脂が、ポリプロピレン樹脂であり、
前記ポリプロピレン樹脂が、無延伸ポリプロピレン樹脂であることを特徴とする、請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１金属層が、銅、ニッケル、アルミニウム、銀、金およびステンレスからなる群から選択される少なくとも１種からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項５】
さらに、前記第１絶縁層の厚み方向一方面に前記第１金属層を被覆するように配置される第２絶縁層を備え、
前記第２絶縁層が、ポリオレフィンおよび／または変性ポリオレフィンからなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項６】
さらに、前記第１絶縁層の厚み方向他方面に配置される第２金属層を備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項７】
さらに、前記第１絶縁層の厚み方向他方面に前記第２金属層を被覆するように配置される第３絶縁層を備え、
前記第３絶縁層が、ポリオレフィンおよび／または変性ポリオレフィンからなることを特徴とする、請求項６に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線回路基板、回路付サスペンション基板などに用いられる回路基板は、絶縁層と、その上に配置される金属層とを備えている。
【０００３】
そのような回路基板として、低誘電率の観点から、例えば、絶縁層としての超高分子量ポリプロピレンフィルムに対して、金属層としての銅箔を、温度１８０℃、圧力２０ｋｇ／ｃｍ２の条件下で３０分間熱圧着させて得られる低誘電率フレキシブル配線基板が提案されている（特許文献１の実施例６参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−４６０１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の低誘電率フレキシブル配線基板では、絶縁層と金属層とを接着させるために、３０分間の熱圧着が必要であり、それよりも圧着時間を短くすると、絶縁層と金属層との密着力が不十分となる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、低誘電率でありながら、絶縁層と金属層との密着力が向上されている回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明［１］は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方面に配置される第１金属層とを備え、前記第１絶縁層が、変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂からなることを特徴とする、回路基板を含んでいる。
【０００８】
本発明［２］は、前記第１絶縁層が、変性ポリオレフィン樹脂からなり、前記変性ポリオレフィン樹脂が、ポリオレフィン樹脂を、マレイン酸類、塩素化合物および（メタ）アクリル酸類からなる群から選択される少なくとも１種により変性した変性ポリオレフィン樹脂であり、前記ポリオレフィン樹脂が、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂およびポリブチレン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする、上記［１］に記載の回路基板を含んでいる。
【０００９】
本発明［３］は、前記ポリオレフィン樹脂が、ポリプロピレン樹脂であり、前記ポリプロピレン樹脂が、無延伸ポリプロピレン樹脂であることを特徴とする、上記［２］に記載の回路基板を含んでいる。
【００１０】
本発明［４］は、前記第１金属層が、銅、ニッケル、アルミニウム、銀、金およびステンレスからなる群から選択される少なくとも１種からなることを特徴とする、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の回路基板を含んでいる。
【００１１】
本発明［５］は、さらに、前記第１絶縁層の厚み方向一方面に前記第１金属層を被覆するように配置される第２絶縁層を備え、前記第２絶縁層が、ポリオレフィンおよび／または変性ポリオレフィンからなることを特徴とする、上記［１］〜［４］のいずれかに記載の回路基板を含んでいる。
【００１２】
本発明［６］は、さらに、前記第１絶縁層の厚み方向他方面に配置される第２金属層を備えることを特徴とする、上記［１］〜［５］のいずれかに記載の回路基板を含んでいる。
【００１３】
本発明［７］は、さらに、前記第１絶縁層の厚み方向他方面に前記第２金属層を被覆するように配置される第３絶縁層を備え、前記第３絶縁層が、ポリオレフィンおよび／または変性ポリオレフィンからなることを特徴とする、上記［６］に記載の回路基板を含んでいる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の回路基板は、第１絶縁層と、第１絶縁層の厚み方向一方面に配置される第１金属層とを備え、第１絶縁層が、変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂からなる。
【００１５】
そのため、回路基板の絶縁層が低誘電率でありながら、絶縁層と金属層との密着力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の回路基板の第１実施形態の断面図を示す。
【図２】図２Ａ〜図２Ｆは、図１に示す回路基板の製造方法を説明する工程図であって、図２Ａは、ベース絶縁層２と導体層４とを接着させる工程、図２Ｂは、ドライフィルムレジスト５を設ける工程、図２Ｃは、ドライフィルムレジスト５をフォトマスク６を介して露光させる工程、図２Ｄは、エッチングレジスト７を形成する工程、図２Ｅは、第１導体パターン３を形成する工程、図２Ｆは、エッチングレジスト７を除去する工程を示す。
【図３】図３は、本発明の回路基板の第２実施形態の断面図を示す。
【図４】図４は、本発明の回路基板の第３実施形態の断面図を示す。
【図５】図５は、本発明の回路基板の第４実施形態の断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の回路基板１は、図１に示すように、第１絶縁層の一例としてのベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に配置される第１金属層の一例としての第１導体パターン３とを備えている。
【００１８】
ベース絶縁層２は、略矩形の略平板状（シート状）に形成されている。
【００１９】
ベース絶縁層２の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、４０μｍ以上、より好ましくは、５０μｍ以上、さらに好ましくは、１００μｍ以上、特に好ましくは、１５０μｍ以上であり、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下、より好ましくは、２５０μｍ以下である。
【００２０】
ベース絶縁層２の厚みが上記範囲内であれば、第１金属層に対して熱圧着させることができる。
【００２１】
ベース絶縁層２は、変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂からなり、ベース絶縁層２と第１導体パターン３との密着性の観点から、好ましくは、変性ポリオレフィン樹脂からなる。
【００２２】
変性ポリオレフィン樹脂は、マレイン酸類、フマル酸類、イタコン酸類、（メタ）アクリル酸類などの不飽和結合含有化合物や、塩素化合物などのハロゲン化物などにより、変性されており、好ましくは、不飽和結合含有化合物により変性されている。
【００２３】
変性ポリオレフィン樹脂として、好ましくは、ポリオレフィン樹脂が、マレイン酸類、（メタ）アクリル酸類、塩素化合物からなる群から選択される少なくとも１種により変性されている。
【００２４】
ポリオレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブチレン樹脂などが挙げられ、ベース絶縁層２と第１導体パターン３との密着性の観点から、好ましくは、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂が挙げられ、より好ましくは、ポリプロピレン樹脂が挙げられる。
【００２５】
ポリプロピレン樹脂は、例えば、無延伸ポリプロピレン樹脂、二軸延伸ポリプロピレン樹脂などが挙げられ、熱圧着後の寸法安定性の観点から、好ましくは、無延伸ポリプロピレン樹脂が挙げられる。
【００２６】
これらポリオレフィン樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００２７】
マレイン酸類としては、例えば、マレイン酸、マレイン酸エステル（例えば、マレイン酸モノメチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸ジエチルなど）、無水マレイン酸などが挙げられ、好ましくは、無水マレイン酸が挙げられる。
【００２８】
これらマレイン酸類は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００２９】
塩素化合物としては、例えば、塩素（Ｃｌ２）、塩化水素などが挙げられ、好ましくは、塩素が挙げられる。
【００３０】
これら塩素化合物は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００３１】
（メタ）アクリル酸類としては、例えば、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステルなどが挙げられる。
【００３２】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ラウリル、（メタ）アクリル酸ステアリルなどの炭素数１〜２０の鎖状アルキル基含有（メタ）アクリル酸エステル、例えば、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルなどの炭素数１〜２０の環状アルキル基含有（メタ）アクリル酸エステル、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチルなどの水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジルなどのグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル、例えば、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコールなどのエーテル基含有（メタ）アクリル酸エステルなどが挙げられる。
【００３３】
これら（メタ）アクリル酸類は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００３４】
（メタ）アクリル酸類として、好ましくは、（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。
【００３５】
変性ポリオレフィン樹脂として、ベース絶縁層２と第１導体パターン３との密着性の観点から、より好ましくは、ポリオレフィン樹脂が、マレイン酸類により変性されており、さらに好ましくは、ポリプロピレン樹脂が、マレイン酸類により変性されている。
【００３６】
ポリオレフィン樹脂を、マレイン酸類、塩素化合物または（メタ）アクリル酸類により変性させるには、公知の方法により、ポリオレフィン樹脂と、マレイン酸類、塩素化合物または（メタ）アクリル酸類とを反応させる。
【００３７】
配合割合および反応条件は、その目的および用途など応じて適宜選択される。
【００３８】
以下において、マレイン酸類により変性されたポリオレフィン樹脂をマレイン酸変性ポリオレフィン樹脂と称し、塩素化合物により変性されたポリオレフィン樹脂を塩素化ポリオレフィン樹脂と称し、（メタ）アクリル酸類により変性されたポリオレフィン樹脂をアクリル変性ポリオレフィン樹脂と称する。
【００３９】
変性ポリオレフィン樹脂は、市販品を用いることもでき、例えば、ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−１００（商品名、マレイン酸変性ポリオレフィン樹脂、東洋紡社製）、ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−３００（商品名、マレイン酸変性ポリオレフィン樹脂、東洋紡社製）、ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−３１２（商品名、マレイン酸変性ポリオレフィン樹脂、東洋紡社製）、１３−ＬＰ（商品名、塩素化ポリオレフィン樹脂、東洋紡社製）、ＮＰ−３０００（商品名、アクリル変性ポリオレフィン樹脂、東洋紡社製）などが挙げられる。
【００４０】
変性ポリオレフィン樹脂の誘電率（比誘電率）は、例えば、１．０以上、好ましくは、１．５以上であり、例えば、３．０以下、好ましくは、２．５以下、より好ましくは、２．２以下、さらに好ましくは、２．１以下である。
【００４１】
変性ポリオレフィン樹脂の誘電率が上記範囲内であれば、回路を広帯域化することができる。
【００４２】
なお、変性ポリオレフィン樹脂の誘電率は、ＪＩＳ  Ｃ  ２１３８（２００７年）に準拠して測定することができる。
【００４３】
また、変性ポリオレフィン樹脂のメルトフローレイト（ＭＦＲ）は、例えば、５ｇ／１０ｍｉｎ以上、好ましくは、７ｇ／１０ｍｉｎ以上であり、例えば、１５ｇ／１０ｍｉｎ以下、好ましくは、１０ｇ／１０ｍｉｎ以下である。
【００４４】
変性ポリオレフィン樹脂のメルトフローレイトが上記範囲内であれば、シート化することができ、シート化したものと金属とを熱圧着させる際、形状を保持した状態で密着させることができる。
【００４５】
なお、変性ポリオレフィン樹脂のメルトフローレイト（ＭＦＲ）は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２１０（１９９９年）に準拠して、例えば、２３０℃に加熱し２．１６ｋｇの荷重を掛けて測定することができる。
【００４６】
マレイン酸変性ポリオレフィン樹脂のマレイン酸による変性率（以下、マレイン酸変性率とする場合がある。）は、マレイン酸変性ポリオレフィン樹脂の総量に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．３質量％以上、より好ましくは、０．５質量％以上であり、例えば、３０質量％以下、好ましくは、２０質量％以下、より好ましくは、１０質量％以下、さらに好ましくは、２．０質量％以下、さらに好ましくは、１．０質量％以下、特に好ましくは、０．７質量％以下である。
【００４７】
マレイン酸変性ポリオレフィン樹脂のマレイン酸変性率が上記範囲内であれば、金属に対して熱圧着させることができる。
【００４８】
塩素化ポリオレフィン樹脂の塩素化合物による変性率（以下、塩素化率とする場合がある。）は、塩素化ポリオレフィン樹脂の総量に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、３質量％以上、より好ましくは、５質量％以上であり、例えば、５０質量％以下、好ましくは、４０質量％以下、より好ましくは、３０質量％以下である。
【００４９】
塩素化ポリオレフィン樹脂の塩素化率が上記範囲内であれば、金属に対して熱圧着させることができる。
【００５０】
アクリル変性ポリオレフィン樹脂の（メタ）アクリル酸類による変性率（以下、アクリル変性率とする場合がある。）は、アクリル変性ポリオレフィン樹脂の総量に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上であり、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下である。
【００５１】
アクリル変性ポリオレフィン樹脂のアクリル変性率が上記範囲内であれば、金属に対して熱圧着させることができる。
【００５２】
なお、変性ポリオレフィン樹脂（マレイン酸変性ポリオレフィン樹脂、塩素化ポリオレフィン樹脂、アクリル変性ポリオレフィン樹脂）の変性率は、ＮＭＲ法により測定することができる。
【００５３】
また、変性ポリオレフィン樹脂として、市販品を用いる場合には、変性ポリオレフィン樹脂の変性率として、市販品のカタログ値を用いることができる。
【００５４】
変性ポリスチレン樹脂は、ポリスチレン樹脂が、例えば、マレイン酸類、塩素化合物、（メタ）アクリル酸類などにより変性されており、ベース絶縁層２と第１導体パターン３との密着性の観点から、好ましくは、マレイン酸類により変性されている。
【００５５】
ポリスチレン樹脂を、マレイン酸類、塩素化合物または（メタ）アクリル酸類により変性させるには、上記したポリオレフィン樹脂を、マレイン酸類、塩素化合物または（メタ）アクリル酸類により変性させる方法と同様にして、変性させる。
【００５６】
以下において、マレイン酸類により変性されたポリスチレン樹脂をマレイン酸変性ポリスチレン樹脂と称し、塩素化合物により変性されたポリスチレン樹脂を塩素化ポリスチレン樹脂と称し、（メタ）アクリル酸類により変性されたポリスチレン樹脂をアクリル変性ポリスチレン樹脂と称する。
【００５７】
変性ポリスチレン樹脂の誘電率（比誘電率）は、例えば、１．０以上、好ましくは、１．５以上であり、例えば、３．０以下、好ましくは、２．５以下である。
【００５８】
変性ポリスチレン樹脂の誘電率が上記範囲内であれば、回路を広帯域化することができる。
【００５９】
なお、変性ポリスチレン樹脂の誘電率は、上記の変性ポリオレフィン樹脂の誘電率と同様にして測定することができる。
【００６０】
また、変性ポリスチレン樹脂のメルトフローレイト（ＭＦＲ）は、例えば、５ｇ／１０ｍｉｎ以上、好ましくは、７ｇ／１０ｍｉｎ以上であり、例えば、１５ｇ／１０ｍｉｎ以下、好ましくは、１０ｇ／１０ｍｉｎ以下である。
【００６１】
変性ポリスチレン樹脂のメルトフローレイトが上記範囲内であれば、シート化することができ、シート化したものと金属とを熱圧着させる際、形状を保持した状態で密着させることができる。
【００６２】
なお、変性ポリスチレン樹脂のメルトフローレイト（ＭＦＲ）は、上記の変性ポリオレフィン樹脂のメルトフローレイト（ＭＦＲ）と同様にして測定することができる。
【００６３】
マレイン酸変性ポリスチレン樹脂のマレイン酸変性率は、マレイン酸変性ポリスチレン樹脂の総量に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．３質量％以上、より好ましくは、０．５質量％以上であり、例えば、３０質量％以下、好ましくは、２０質量％以下、より好ましくは、１０質量％以下である。
【００６４】
マレイン酸変性ポリスチレン樹脂のマレイン酸変性率が上記範囲内であれば、シート化することができ、シート化したものと金属とを熱圧着させる際、形状を保持した状態で密着させることができる。
【００６５】
塩素化ポリスチレン樹脂の塩素化率は、塩素化ポリスチレン樹脂の総量に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、３質量％以上、より好ましくは、５質量％以上であり、例えば、５０質量％以下、好ましくは、４０質量％以下、より好ましくは、３０質量％以下である。
【００６６】
塩素化ポリスチレン樹脂の塩素化率が上記範囲内であれば、シート化することができ、シート化したものと金属とを熱圧着させる際、形状を保持した状態で密着させることができる。
【００６７】
アクリル酸変性ポリスチレン樹脂のアクリル変性率は、アクリル変性ポリスチレン樹脂の総量に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上であり、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下、より好ましくは、７０質量％以下である。
【００６８】
アクリル変性ポリスチレン樹脂のアクリル変性率が上記範囲内であれば、シート化することができ、シート化したものと金属とを熱圧着させる際、形状を保持した状態で密着させることができる。
【００６９】
なお、変性ポリスチレン樹脂（マレイン酸変性ポリスチレン樹脂、塩素化ポリスチレン樹脂、アクリル変性ポリスチレン樹脂）の変性率は、上記の変性ポリオレフィン樹脂の変性率と同様にして測定することができる。
【００７０】
第１導体パターン３は、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に配置されており、ベース絶縁層２の上側において、回路パターンとして形成されている。
【００７１】
第１導体パターン３の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、より好ましくは、２５μｍ以下、さらに好ましくは、２０μｍ以下、さらに好ましくは、１８μｍ以下、特に好ましくは、１５μｍ以下である。
【００７２】
第１導体パターン３の厚みが上記範囲内であれば、より高精細な回路配線を形成することができる。
【００７３】
ベース絶縁層２の厚みに対する第１導体パターン３の厚みの比（第１導体パターン３の厚み／ベース絶縁層２の厚み）は、例えば、１／３０以上、好ましくは、１／２０以上であり、例えば、１／１０以下、好ましくは、１／１３以下である。
【００７４】
ベース絶縁層２の厚みに対する第１導体パターン３の厚みの比が上記範囲内であれば、回路基板の剛性を担保することができる。
【００７５】
なお、第１導体パターン３の幅や、第１導体パターン３間の間隔は、その目的および用途に応じて適宜選択することができる。
【００７６】
第１導体パターン３は、銅、ニッケル、アルミニウム、銀、金、ステンレスからなる群から選択される少なくとも１種からなる導体材料から形成されている。第１導体パターン３は、ベース絶縁層２と第１導体パターン３との密着性の観点から、好ましくは、銅、ニッケル、アルミニウムまたはステンレスからなり、より好ましくは、銅、ニッケルまたはアルミニウムからなり、さらに好ましくは、銅またはニッケル、特に好ましくは、導電性の観点から、銅からなる。
【００７７】
回路基板１として、好ましくは、ベース絶縁層２がマレイン酸変性ポリオレフィン樹脂からなるとともに、第１導体パターン３が銅からなり、より好ましくは、ベース絶縁層２がマレイン酸変性ポリプロピレン樹脂からなるとともに、第１導体パターン３が銅からなる。
【００７８】
回路基板１が上記の組み合わせからなる場合には、回路を広帯域化することができる。
【００７９】
また、第１導体パターン３の表面には、金および／またはニッケルなどからなる金属めっき層（図示せず）を形成することもできる。
【００８０】
次に、第１実施形態の回路基板１の製造方法について、図２を参照して説明する。
【００８１】
この方法では、まず、ベース絶縁層２を用意する。
【００８２】
ベース絶縁層２は、上記した変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂を溶融し、上記したベース絶縁層２の厚みになるように成形される。
【００８３】
次いで、この方法では、ベース絶縁層２の上に、第１導体パターン３を形成する。
【００８４】
導体パターン３を形成するには、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などのパターンニング法が用いられ、好ましくは、サブトラクティブ法が用いられる。
【００８５】
サブトラクティブ法では、具体的には、まず、導体層４を用意し、図２Ａに示すように、ベース絶縁層２の厚み方向一方面の上に導体層４を配置し、ベース絶縁層２と導体層４とを接着させる。
【００８６】
導体層４は、平面視において、ベース絶縁層２と同じサイズの略矩形の略平板状に形成されている。また、導体層４の厚みは、上記した第１導体パターン３の厚みと同一であり、導体層４は、上記した第１導体パターン３の導体材料からなる。
【００８７】
ベース絶縁層２と導体層４とを接着させる方法としては、熱圧着（熱プレス）、熱ラミネート、接着剤からなる接着剤層を介する方法などが挙げられ、好ましくは、熱圧着が挙げられる。
【００８８】
熱圧着条件として、熱圧着温度は、例えば、１３０℃以上、好ましくは、１５０℃以上、より好ましくは、１６０℃以上であり、例えば、２５０℃以下、好ましくは、２００℃以下である。また、熱圧着時間は、例えば、０．５分以上、好ましくは、１分以上であり、例えば、２０分以下、好ましくは、５分以下である。また、雰囲気圧力は、例えば、０．６７ｋＰａ（５ｍｍＨｇ）以上、好ましくは、０．９３ｋＰａ（７ｍｍＨｇ）以上であり、例えば、２．０ｋＰａ（１５ｍｍＨｇ）以下、好ましくは、１．３ｋＰａ（１０ｍｍＨｇ）以下である。また、加圧する圧力は、例えば、３ＭＰａ以上、好ましくは、５ＭＰａ以上であり、例えば、１０ＭＰａ以下、好ましくは、８ＭＰａ以下である。
【００８９】
熱圧着条件が上記範囲内であれば、適切な温度、かつ、短時間で熱圧着させることができるため、製造コストを低減することができる。
【００９０】
ベース絶縁層２がマレイン酸類により変性されている場合には、ベース絶縁層２と導体層４とを接着させる方法として、熱圧着が好適である。
【００９１】
また、ベース絶縁層２と導体層４とを接着させる方法としては、導体層４の厚み方向他方面に、上記した変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂の溶液（ワニス）を調製し、塗布した後、大気圧下で乾燥させることにより、ベース絶縁層２を形成する方法を用いることもできる。
【００９２】
変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂の溶液における、変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂の含有割合（濃度）は、例えば、１０〜５０質量％、好ましくは、２０〜４０質量％である。
【００９３】
変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂の溶液は、変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂を、公知の有機溶媒に溶解させることにより調製することができる。
【００９４】
有機溶媒の配合割合は、その目的および用途に応じて適宜設定される。
【００９５】
乾燥条件として、乾燥温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１２０℃以下である。また、乾燥時間は、例えば、１分以上、好ましくは、５分以上であり、例えば、２０分以下、好ましくは、１５分以下である。
【００９６】
ベース絶縁層２が塩素化合物または（メタ）アクリル酸類により変性されている場合には、ベース絶縁層２と導体層４とを接着させる方法として、ワニスにして塗布乾燥させる方法が好適である。
【００９７】
また、ベース絶縁層２と導体層４とを接着させる方法としては、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に、めっきなどにより、上記した導体材料からなる導体層４を形成する方法を用いることもできる。
【００９８】
次いで、この方法では、図２Ｂに示すように、第１金属層３の厚み方向一方面の上に公知のドライフィルムレジスト５を配置した後、図２Ｃに示すように、フォトマスク６を介して露光させ、次いで、現像し、図２Ｄに示すように、上記した第１導体パターン３と同一パターンのエッチングレジスト７を形成する。
【００９９】
その後、この方法では、図２Ｅに示すように、エッチングレジスト７から露出する導体層４を、例えば、塩化第二鉄水溶液などのエッチング液を用いて化学エッチングして、第１導体パターン３を形成した後、図２Ｆに示すように、エッチングレジスト７を除去し、洗浄および乾燥させる。
【０１００】
その後、図示しないが、第１導体パターン３の表面に、無電解めっき、電解めっきなどのめっきなどによって、金属めっき層を形成することもできる。
【０１０１】
これにより、ベース絶縁層２の上に、第１導体パターン３を形成して、本発明の第１実施形態の回路基板を製造することができる。
【０１０２】
この回路基板１によれば、ベース絶縁層２が、変性ポリオレフィン樹脂および／または変性ポリスチレン樹脂から形成されている。
【０１０３】
そのため、回路基板の第１絶縁層が低誘電率でありながら、第１絶縁層と第１金属層との密着力を向上させることができる。
【０１０４】
本発明の第１実施形態の回路基板は、低誘電率が要求される各種産業分野に用いることができる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の回路基板の第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態において、上記した各部に対応する部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１０５】
回路基板１は、図３に示すように、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に第１導体パターン３を被覆するように配置される第２絶縁層の一例としての第１カバー絶縁層８を備えている。
【０１０６】
第１カバー絶縁層８の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
【０１０７】
第１カバー絶縁層８は、ポリオレフィンおよび／または変性ポリオレフィンからなり、好ましくは、変性ポリオレフィンからなる。
【０１０８】
ポリオレフィンとしては、上記したポリオレフィン樹脂が挙げられ、好ましくは、ポリプロピレン樹脂が挙げられる。
【０１０９】
変性ポリオレフィンとしては、上記した変性ポリオレフィン樹脂が挙げられ、好ましくは、変性ポリプロピレン樹脂が挙げられる。
【０１１０】
第１カバー絶縁層８を形成するには、例えば、上記したベース絶縁層２を形成する方法を用いることができ、好ましくは、熱圧着、あるいは、塗工乾燥法によるカバー絶縁層形成方法を用いる。
【０１１１】
これにより、第１カバー絶縁層８を備える第２実施形態の回路基板１を得ることができる。
【０１１２】
この回路基板１によれば、第１カバー絶縁層８が、ポリオレフィンおよび／または変性ポリオレフィンから形成されている。
【０１１３】
そのため、回路基板における、第１絶縁層および第１金属層と、第２絶縁層との低誘電率での密着性をさらに向上させることができる。
【０１１４】
本発明の第２実施形態の回路基板は、低誘電率が要求される各種産業分野に用いることができる。
＜第３実施形態＞
次に、本発明の回路基板の第３実施形態について説明する。なお、第３実施形態において、上記した各部に対応する部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１５】
上記の第１実施形態では、ベース絶縁層２の厚み方向一方面のみに第１導体パターン３を配置したが、第３実施形態の回路基板１では、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に第１導体パターン３を配置するとともに、ベース絶縁層２の厚み方向他方面にも、第２金属層の一例としての第２導体パターン９を配置している。
【０１１６】
第２導体パターン９としては、例えば、上記した第１導体パターン３が挙げられ、上記した第１導体パターン３の形成方法と同様の方法にて形成することができる。
【０１１７】
また、図４において仮想線で示すように、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に第１導体パターン３を被覆するように第１カバー絶縁層８を、ベース絶縁層２の厚み方向他方面に第２導体パターン９を被覆するように第３絶縁層の一例としての第２カバー絶縁層１０を、それぞれ配置することができる。
【０１１８】
第２カバー絶縁層１０としては、例えば、上記した第１カバー絶縁層８と同一のものが挙げられ、上記した第１カバー絶縁層８の形成方法と同様の方法にて形成することができる。
【０１１９】
本発明の第３実施形態の回路基板は、低誘電率が要求される各種産業分野に用いることができる。
＜第４実施形態＞
次に、本発明の回路基板の第４実施形態について説明する。なお、第４実施形態において、上記した各部に対応する部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２０】
上記の第３実施形態では、ベース絶縁層２の厚み方向他方面に第２導体パターン９を配置したが、本発明の第４実施形態では、ベース絶縁層２の厚み方向他方面に第２金属層の一例としての支持金属層１１を配置している。
【０１２１】
支持金属層１１は、平面視において、ベース絶縁層２と同じサイズの略矩形の略平板状に形成されている。
【０１２２】
支持金属層１１の厚みは、例えば、１０μｍ以上、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。
【０１２３】
支持金属層１１としては、金属層であれば特に制限されず、反りおよび導電性の観点から、好ましくは、ステンレス、銅が挙げられる。
【０１２４】
ベース絶縁層２の厚み方向他方面に支持金属層１１を形成するには、例えば、上記したベース絶縁層２と導体層４とを接着させる方法と同様の方法にて形成することができる。
【０１２５】
これにより、支持金属層１１を備える第４実施形態の回路基板１を得ることができる。
【０１２６】
また、図５において仮想線で示すように、上記の第２実施形態で説明した第１カバー絶縁層８を、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に第１導体パターン３を被覆するように配置することができる。
【０１２７】
本発明の第４実施形態の回路基板は、回路付サスペンション基板などの用途に用いることができる。
＜その他の変形例＞
上記の第１実施形態では、ベース絶縁層２の上に導体パターン３を配置（形成）させたが、本発明の回路基板には、ベース絶縁層２の上に導体層４を配置した回路形成用基板も含まれる。
【実施例】
【０１２８】
次に、本発明を、実施例および比較例に基づいて説明するが、本発明は、下記の実施例によって限定されるものではない。なお、「部」および「％」は、特に言及がない限り、質量基準である。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０１２９】
実施例１
マレイン酸変性ポリプロピレン樹脂接着剤（商品名：ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−１００、マレイン酸変性率：０．５質量％、誘電率：２．１、メルトフローレイト：７ｇ／１０ｍｉｎ、東洋紡社製）を溶融成形して、厚み２００μｍ、幅２０ｍｍのシート状のベース絶縁層２（変性ポリプロピレン樹脂）を作製した。
【０１３０】
次いで、得られたベース絶縁層２（変性ポリプロピレン樹脂）と、導体層４としての圧延銅箔（商品名：ＢＨＹ−８２Ｆ−ＨＡ（マット面）、厚み：１２μｍ、幅２０ｍｍ、ＪＸ日鉱日石金属社製）とを重ね合わせ、温度１８０℃、１．３ｋＰａ（１０ｍｍＨｇ）の条件下、７ＭＰａの圧力で、１分間熱圧着させることにより、回路形成用基板Ａを得た。
【０１３１】
実施例２
実施例１で得られたベース絶縁層２の厚み方向一方面の上に、導体層４として、無電解めっきによりニッケル層を厚み１２μｍで形成させ、回路形成用基板Ｂを得た。
【０１３２】
実施例３
圧延銅箔の代わりに、ステンレス箔（厚み：１８μｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、回路形成用基板Ｃを得た。
【０１３３】
実施例４
圧延銅箔の代わりに、アルミニウム箔（厚み：２０μｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、回路形成用基板Ｄを得た。
【０１３４】
実施例５
マレイン酸変性ポリプロピレン樹脂接着剤（商品名：ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−１００、マレイン酸変性率：０．５質量％、誘電率：２．１、メルトフローレイト：７ｇ／１０ｍｉｎ、東洋紡社製）の代わりに、マレイン酸変性ポリプロピレン樹脂接着剤（商品名：ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−３００、マレイン酸変性率：０．８質量％、誘電率：２．２、メルトフローレイト：１３ｇ／１０ｍｉｎ、東洋紡社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、回路形成用基板Ｅを得た。
【０１３５】
実施例６
マレイン酸変性ポリプロピレン樹脂接着剤（商品名：ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−１００、マレイン酸変性率：０．５質量％、誘電率：２．１、メルトフローレイト：７ｇ／１０ｍｉｎ、東洋紡社製）の代わりに、マレイン酸変性ポリプロピレン樹脂接着剤（商品名：ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−３１２、マレイン酸変性率：１．１質量％、誘電率：２．１、メルトフローレイト：６ｇ／１０ｍｉｎ、東洋紡社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、回路形成用基板Ｆを得た。
【０１３６】
実施例７
作製した変性ポリプロピレン樹脂の厚みを２００μｍの代わりに、５０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、回路形成用基板Ｇを得た。
【０１３７】
実施例８
作製した変性ポリプロピレン樹脂の厚みを２００μｍの代わりに、１００μｍとした以外は、実施例１と同様にして、回路形成用基板Ｈを得た。
【０１３８】
実施例９
作製した変性ポリプロピレン樹脂の厚みを２００μｍの代わりに、３００μｍとした以外は、実施例１と同様にして、回路形成用基板Ｉを得た。
【０１３９】
実施例１０
作製した変性ポリプロピレン樹脂の厚みを２００μｍの代わりに、５００μｍとした以外は、実施例１と同様にして、回路形成用基板Ｊを得た。
【０１４０】
実施例１１
圧延銅箔（商品名：ＢＨＹ−８２Ｆ−ＨＡ（マット面）、厚み：１２μｍ、幅２０ｍｍ、ＪＸ日鉱日石金属社製）の厚み方向他方面に、乾燥後の厚みが１０μｍとなるように、塩素化ポリプロピレン樹脂接着剤（商品名：１３−ＬＰ、塩素化率：２６質量％、誘電率：２．２、東洋紡社製）のトルエン溶液（濃度：１０質量％）を調製し、塗布した後、１００℃で１０分間乾燥させ、回路形成用基板Ｋを得た。
【０１４１】
実施例１２
塩素化ポリプロピレン樹脂接着剤（商品名：１３−ＬＰ、塩素化率：２６質量％、誘電率：２．２、東洋紡社製）の代わりに、アクリル変性ポリプロピレン樹脂（商品名：ＮＰ−３０００、アクリル変性率：７０質量％、誘電率：２．２、東洋紡社製）の有機溶液（濃度：２０質量％）を調製し、塗布した以外は、実施例１１と同様にして、回路形成用基板Ｌを得た。
【０１４２】
実施例１３
マレイン酸変性ポリプロピレン樹脂接着剤（商品名：ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−１００、マレイン酸変性率：０．５質量％、誘電率：２．１、メルトフローレイト：７ｇ／１０ｍｉｎ、東洋紡社製）の代わりに、マレイン酸変性ポリエチレン樹脂（商品名：ＯＲＥＶＡＣ  ＯＥ８０８、誘電率：２．２、ＡＲＫＥＭＡ社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、回路形成用基板Ｍを得た。
【０１４３】
実施例１４
マレイン酸変性ポリプロピレン樹脂接着剤（商品名：ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−１００、マレイン酸変性率：０．５質量％、誘電率：２．１、メルトフローレイト：７ｇ／１０ｍｉｎ、東洋紡社製）の代わりに、マレイン酸変性ポリスチレン樹脂（商品名：ＯＲＥＶＡＣ  １８９１０、誘電率：２．２、ＡＲＫＥＭＡ社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、回路形成用基板Ｎを得た。
【０１４４】
比較例１
マレイン酸変性ポリプロピレン樹脂接着剤（商品名：ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−１００、マレイン酸変性率：０．５質量％、誘電率：２．１、メルトフローレイト：７ｇ／１０ｍｉｎ、東洋紡社製）を溶融成形する代わりに、未変性のポリプロピレンフィルム（商品名：トレファンＢＯ（ＹＴ６２）、厚み：４０μｍ、幅２０ｍｍ、二軸延伸タイプ、誘電率：２．３、東レフィルム加工社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、回路形成用基板Ｏを得た。
【０１４５】
実施例１５〜２８および比較例２
各実施例および比較例１で得られた回路形成用基板Ａ〜Ｏの厚み方向一方面上に、ドライフィルムレジスト５を配置した。次いで、ドライフィルムレジスト５をフォトマスク６を介して、露光量１８０ｍＪ／ｃｍ２にて紫外線照射し、１質量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液で３０℃×１分間現像して、ネガ型画像を形成し、エッチングレジスト７（膜厚１０μｍ）を所望の回路パターンで形成した。現像されたエッチングレジスト７から露出する、導体層４の露出面に塩化第二鉄溶液をスプレーにて吹き付けながら、導体層４をエッチングし、所望の第１導体パターン３を形成した。その後、エッチングレジスト７を除去し、洗浄および乾燥させることにより、回路基板を得た。
＜評価＞
＜接着力の測定（単位：Ｎ／ｍｍ）＞
各実施例および比較例１で得られた回路形成用基板Ａ〜Ｏについて、絶縁層と金属層との接着力（密着力）を測定した。
【０１４６】
具体的には、ベース絶縁層２と導体層４との積層体である回路形成用基板において、ベース絶縁層２を、常温（２５℃）で、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分で、導体層４から剥離したときの剥離強度として接着力を算出した。
【０１４７】
各実施例および比較例１の、ベース絶縁層２の種類および厚み、第１導体パターン３（導体層４）の種類および厚み、接着条件、および、評価を表１に示す。
【０１４８】
【表１】
2017130519.tif 000003
【０１４９】
＜表１中の記号の説明＞
ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−１００：商品名、マレイン酸変性ポリプロピレン樹脂接着剤、マレイン酸変性率：０．５質量％、誘電率：２．１、メルトフローレイト：７ｇ／１０ｍｉｎ、東洋紡社製
ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−３００：商品名、マレイン酸変性ポリプロピレン樹脂接着剤、マレイン酸変性率：０．８質量％、誘電率：２．２、メルトフローレイト：１３ｇ／１０ｍｉｎ、東洋紡社製
ＴＯＹＯＴＡＣ  Ｍ−３１２：商品名、マレイン酸変性ポリプロピレン樹脂接着剤、マレイン酸変性率：１．１質量％、誘電率：２．１、メルトフローレイト：６ｇ／１０ｍｉｎ、東洋紡社製
１３−ＬＰ：商品名、塩素化ポリプロピレン樹脂接着剤、塩素化率：２６質量％、誘電率：２．２、東洋紡社製
ＮＰ−３０００：商品名、アクリル変性ポリプロピレン樹脂接着剤、アクリル変性率：７０質量％、誘電率：２．２、東洋紡社製
ＯＲＥＶＡＣ  ＯＥ８０８：商品名、マレイン酸変性ポリエチレン樹脂、誘電率：２．２、ＡＲＫＥＭＡ社製
ＯＲＥＶＡＣ  １８９１０：商品名、マレイン酸変性ポリスチレン樹脂、誘電率：２．２、ＡＲＫＥＭＡ社製
トレファンＢＯ（ＹＴ６２）：商品名、未変性のポリプロピレンフィルム、二軸延伸タイプ、誘電率：２．３、東レフィルム加工社製
ＢＨＹ−８２Ｆ−ＨＡ（マット面）：商品名、圧延銅箔、ＪＸ日鉱日石金属社製）
【符号の説明】
【０１５０】
１      回路基板
２      ベース絶縁層
３      第１導体パターン
４      導体層
８      第１カバー絶縁層
９      第２導体パターン
１０    第２カバー絶縁層
１１    支持金属層
【図１】
2017130519.tif 000004
【図２】
2017130519.tif 000005
【図３】
2017130519.tif 000006
【図４】
2017130519.tif 000007
【図５】
2017130519.tif 000008