(57)【要約】【課題】発光層の膜厚を均一化し、画素内での輝度むらや、画素間での発光特性不均一化を防ぐ表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数の画素と、前記複数の画素の境界に位置し、前記複数の画素の各々を区分するバンク層と、前記複数の画素の各々に備えられた下部電極と、前記複数の画素の各々に備えられ、前記下部電極上に配置された発光層と、前記発光層上に配置された上部電極とを有し、前記バンク層は、前記発光層の前記下部電極とは反対側に位置して前記発光層の上面の一部と側面とを覆っていることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、
前記複数の画素の境界に位置し、前記複数の画素の各々を区分するバンク層と、
前記複数の画素の各々に備えられた下部電極と、
前記下部電極上に配置された発光層と、
前記発光層上に配置された上部電極と、を有し、
前記発光層は、前記下部電極と対向する第１の面と、前記発光層の前記第１の面とは反対側に位置する第２の面と、前記第１の面と前記第２の面とに交差する側面とを有し、
前記バンク層は、前記発光層の前記下部電極とは反対側に位置して、前記発光層の前記第２の面の一部と前記側面とを覆っていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記バンク層は、前記発光層の上面の他の一部を露出する開口を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光層は、前記複数の画素の各々に備えられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記上部電極は、前記バンク層上に位置し、前記複数の画素に跨って配置されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記発光層の端部は、前記下部電極の端部よりも内側に位置することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記発光層の端部は、前記下部電極の端部よりも外側に位置することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記下部電極は、平面的に見て前記バンク層と重畳している重畳領域を有することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記下部電極は、前記発光層の側に位置する上面と、前記上面と交差する側面とを有し、
前記発光層は前記上面と前記側面とを覆っていることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記下部電極と前記上部電極との間には、有機膜が設けられ、
前記有機膜は、前記発光層と、前記発光層と前記下部電極との間に位置する第１のキャリア輸送層とを備え、
前記第１のキャリア輸送層は前記複数の画素に跨って配置されていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記下部電極は、前記発光層の側に位置する上面と、前記上面と交差する側面とを有し、
前記第１のキャリア輸送層は前記上面と前記側面とを覆っていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記有機膜は、前記発光層と、前記発光層と前記上部電極との間に位置する第２のキャリア輸送層とを備え、
前記第２のキャリア輸送層は前記複数の画素に跨って配置されていることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記下部電極と前記上部電極との間には、有機膜が設けられ、
前記有機膜は、前記発光層と、前記発光層と前記上部電極との間に位置する第２のキャリア輸送層とを備え、
前記第２のキャリア輸送層は前記複数の画素に跨って配置されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記バンク層は、前記開口と交差する側面を有し、
前記側面には反射層が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記バンク層は、前記側面と前記発光層とは反対側の端部で交差する上面を有し、
前記反射層は前記側面と対向する領域と、前記上面と対向する領域を有することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記バンク層には、光散乱性粒子が包含されていることを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】
基板に下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記基板に発光層を塗布する塗布工程と、
前記発光層を、少なくとも一部が前記下部電極と重なる島状のパターンにパターニングする発光層パターニング工程と、
前記発光層パターニング工程の後に、前記発光層の上面と側面とを覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層に、前記発光層の前記上面の一部を露出する開口を形成する開口形成工程と、
前記絶縁層上に位置し、前記開口を介して前記発光層と接触する上部電極を形成する上部電極形成工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記基板上には、複数の画素が設けられ、
前記絶縁層形成工程は、前記絶縁層を前記基板の全域に形成し、
前記開口形成工程は、前記開口を形成すると共に、前記絶縁層を前記複数の画素の境界部に位置し且つ前記複数の画素を区分する形状にパターニングすることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記基板上には、第１の画素と、前記第１の画素と隣接する第２の画素が設けられ、
前記第１の画素は、第１の発光色を有する第１の発光層を備え、
前記第２の画素は、前記第１の発光色とは異なる第２の発光色を有する第２の発光層を備え、
前記塗布工程は、前記第１の発光層を塗布する第１の塗布工程と、前記第２の発光層を塗布する第２の塗布工程とを含み、
前記発光層パターニング工程は、前記第１の発光層をパターニングする第１の発光層パターニング工程と、前記第２の発光層をパターニングする第２の発光層パターニング工程とを含み、
前記第１の塗布工程、前記第１の発光層パターニング工程、前記第２の塗布工程、前記第２の発光層パターニング工程は、この順に行われることを特徴とする請求項１６又は請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁層は、前記開口と交差する側面を有し、
前記側面に反射層を形成する反射層形成工程を有することを特徴とする請求項１６から請求項１８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記絶縁層は、前記発光層の前記下部電極とは反対側に位置すると共に、前記発光層の端部を含む前記発光層の周辺部分を覆う領域を有し、
前記開口は、前記発光層の前記周辺部分以外の部分である中央部分を露出していることを特徴とする請求項１６から請求項１９のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置および表示装置の製造方法に関する。特に、画素毎にパターニングされた発光層を有する表示装置および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上部電極と下部電極との間に、発光層とキャリア輸送層（ホール輸送層や電子輸送層）とを含む有機層を配置した有機エレクトロルミネッセンス表示装置が知られている。また、上部電極と下部電極との間に、ナノスケールの発光材料を含む発光層を配置した量子ドットを用いた表示装置も知られている。これらの表示装置は、複数の発光素子が各画素に設けられ、複数の発光素子の発光を個別に制御することで画像を表示する。これらの表示装置においては、例えば下部電極が画素毎に設けられ、上部電極が複数の画素に跨って設けられている。下部電極には映像信号に応じた信号電圧が印加され、上部電極には所定の共通電圧が印加され、発光素子の発光を制御している。
【０００３】
これらの表示装置の発光層を複数の画素の各々に独立して形成する構造が知られている。複数の画素は、複数の画素の境界部に位置するバンク層（絶縁層）によって区分されている。バンク層は下部電極の上層に形成され、下部電極の一部を露出する開口を備えている。発光層は、下部電極の露出された部分と接すると共に、バンク層の上層に形成される。特許文献１には、下部電極、上部電極、バンク層、及び下部電極のバンク層から露出された部分に接すると共に、バンク層の開口内に、バンク層の側面に接して形成された発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１０９４２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の表示装置において、発光層を基板上の全域或いは略全域に塗布形成し、その後所定の形状にパターニングする場合がある。同様のパターニング方法が用いて、発光層を複数の画素の各々に独立して配置する構造にする場合もある。
【０００６】
図１７は、発光層を塗布形成、パターニングし、複数の画素の各々に独立して配置する際の問題点を説明するための図である。図１７は、発光層とその周辺の構造を示す断面図である。基板９００上に、回路層９０１と電気的に接続する下部電極９０３が配置されている。バンク層９０９は、下部電極９０３の周辺部を覆うと共に、下部電極９０３の中央部を露出する開口を備えている。バンク層９０９の開口に、下部電極９０３と接して発光層９０５が塗布形成されている。
【０００７】
バンク層９０９の開口を形成した後に、発光層９０５となる溶液材料をバンク層９０９の開口に塗布した際に、バンク層９０９の側面における表面張力の影響などにより、溶液材料の厚さは、バンク層９０９と接する領域及びバンク層９０９の近傍に位置する領域の方が、開口の中央部及び中央部の近傍に位置する領域よりも大きくなる。これにより、発光層９０５においても、バンク層９０９の近傍に中央部よりも膜厚が大きい厚膜部９０６が生じてしまう。発光素子の発光特性は、発光層の膜厚に対して非常に敏感である。よって、厚膜部９０６が生じ、発光層の膜厚が均一ではなくなると、発光特性も均一ではなくなる。これにより、図１７に示される従来技術の構造においては、画素内での輝度むらや、画素間での発光特性不均一化が生じ、画質が劣化するという問題がある。
【０００８】
本発明はこのような問題を解決するためになされたものであって、表示装置の発光層の膜厚を均一化し、画素内での輝度むらや、画素間での発光特性不均一化を抑制、防止する表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、複数の画素と、前記複数の画素の境界に位置し、前記複数の画素の各々を区分するバンク層と、前記複数の画素の各々に備えられた下部電極と、前記複数の画素の各々に備えられ、前記下部電極上に配置された発光層と、前記発光層上に配置された上部電極とを有し、前記発光層は、前記下部電極と対向する第１の面と、前記発光層の前記第１の面とは反対側に位置する第２の面と、前記第１の面と前記第２の面とに交差する側面とを有し、前記バンク層は、前記発光層の前記下部電極とは反対側に位置して、前記発光層の前記第２の面の一部と前記側面とを覆っていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、基板に下部電極を形成する下部電極形成工程と、前記基板に発光層を塗布する塗布工程と、前記発光層を、少なくとも一部が前記下部電極と重なる島状のパターンにパターニングする発光層パターニング工程と、前記発光層パターニング工程の後に、前記発光層の上面と側面とを覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層に、前記発光層の前記上面の一部を露出する開口を形成する開口形成工程と、前記絶縁層上に位置し、前記開口を介して前記発光層と接触する上部電極を形成する上部電極形成工程とを有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１７】表示装置における問題点を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１３】
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、即ち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
【００１４】
［第１の実施形態］
第１の実施形態に係る表示装置１０の構成を、図１を参照して説明する。表示装置１０は、発光素子や、薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」ともいう。）及び各種配線を含む回路などが形成されたアレイ基板１と、アレイ基板１に対向配置して貼り合わされた対向基板２とを備えている。アレイ基板１には対向基板２とは重ならない領域があり、その領域にはドライバＩＣ５や、外部からの映像信号や駆動パルス信号、電源電圧など供給する配線と表示装置１０の配線とを接続する複数の端子が配置された端子領域６が設けられている。端子領域６にはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）７が接続されている。
【００１５】
さらに、表示装置１０は表示領域３を有しており、表示領域３には複数の画素４が含まれている。複数の画素４の各々は後述する発光層を備えており、表示装置１０が表示領域３にて表示する画像の１ドットに相当する。画素４は副画素やサブ画素と呼称されることもある。画素４の幾つかで、例えば赤を発光する画素と緑を発光する画素と青を発光する画素との３つの画素４で、一つの画素ユニットを構成する。
【００１６】
アレイ基板１と対向基板２との間隙には、充填材が配置されもよい。対向基板２にはカラーフィルタが配置されてもよい。また、対向基板２の表面には円偏光板や保護シートが配置されてもよい。さらに、対向基板２の表面はタッチパネルやカバーガラスが配置されてもよい。
【００１７】
また、対向基板２は必ずしも表示装置１０に設けらなくてもよい。例えば、上述の充填材や、アレイ基板１上に発光層などを覆って配置された有機膜（封止膜）を対向基板２の替りにする構造でもよい。上述の円偏光板や保護シートを対向基板２の替りにする構造でもよい。
【００１８】
図２は図１に示す複数の画素４の断面図である。図２は、並んで配置された３つの画素４を示している。
【００１９】
図２に示すように基板１００上に回路層１０１が設けられている。基板１００は例えばガラス基板や樹脂基板である。樹脂基板は、例えばポリイミドを主成分とし、可撓性を有する基板であってもよい。また、基板１００は、複数の有機層(例えばポリイミドを主成分とする樹脂層)が積層され、該有機層の間には無機層が位置する構造でもよい。
【００２０】
回路層１０１は、表示領域３を囲む周辺領域に配置され表示装置１０を駆動する駆動回路と、表示領域３に配置され画素４の動作を制御する画素回路と、各種配線と、を含む。駆動回路や画素回路は、複数のＴＦＴを備えている。また、図２においては、有機膜や無機膜で形成され、各種配線やＴＦＴの各種電極の上層及び下層に設けられる層間絶縁膜、基板１００の直上に位置する下地膜、ＴＦＴや配線の凹凸を平坦化する平坦化膜も含めて回路層１０１としている。
【００２１】
回路層１０１上には下部電極１０３が設けられている。下部電極１０３は所定の形状にパターニングされて、画素４の各々に配置されている。下部電極１０３は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜で形成される。下部電極１０３を、例えば銀などの金属からなる反射膜で形成してもよいし、透明導電膜と反射膜との積層構造で形成してもよい。下部電極１０３は、後述の図１０に示す、回路層１０１に形成されたＴＦＴのソース・ドレイン電極２０１に接続されており、映像信号に対応した信号電圧が印加される。
【００２２】
下部電極１０３上には、発光層１０５（１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂ）が設けられている。発光層１０５は、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、電子とホールとが再結合して励起状態になり、励起状態から基底状態へ戻るときに蛍光を発光する発光層である。発光層１０５は、量子ドットを用いた表示装置における、ナノスケールの発光材料を含む発光層であってもよい。発光層１０５は、溶液材料を基板１００の全面、或いは略全面に塗布することで成膜される。その後、所定の形状にパターニングされ、画素４の各々に配置される。発光層１０５のパターニングは、例えばフォトリソグラフィによって行われるが、他のパターニング方法を用いてもよい。また、発光層１０５はインクジェット法によって形成してもよい。インクジェット法によって形成する場合、上述のパターニングの工程は不要になる。
【００２３】
尚、並んで配置された３つの発光層１０５は互いに発光色が異なってもよい。図２においては、発光色が赤の発光層１０５Ｒ、発光色が緑の発光層１０５Ｇ、及び発光色が青の発光層１０５Ｂが配置されている。発光色が異なると、発光層の材料である溶液材料も異なる。よって、発光層１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂの夫々について、溶液材料の塗布による成膜工程と所定の形状へパターニングするパターニング工程とが行われる場合がある。
【００２４】
第１の実施形態において、発光層１０５が、キャリア輸送層（ホール輸送層や電子輸送層）、及びキャリア注入層（ホール注入層や注入層）が含まれる、積層膜で構成される場合もある。この場合、発光層１０５のパターニングは、該積層膜の各々を順次成膜、パターニングする場合もある。
【００２５】
下部電極１０３及び発光層１０５の上層に、バンク層１０９が設けられている。バンク層１０９は、複数の画素４の境界に位置して、複数の画素４を区分している。バンク層１０９は絶縁膜で形成されており、例えば感光性のアクリルなどの有機膜で形成される。バンク層１０９は、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機膜で形成されてもよい。発光層１０５の一部の上に、例えば発光層１０５の周辺部分の上に、バンク層１０９が乗り上げている。換言すれば、バンク層１０９は、発光層１０５の下部電極１０３とは反対側に位置して、発光層１０５の一部を覆っている。
【００２６】
さらに、バンク層１０９は、発光層１０５の他の一部を、例えば発光層１０５の中心を含む中央部分を、露出している。バンク層１０９には、上記他の一部を露出する開口１１０が形成されている。尚、図２に示すように、バンク層１０９は、開口１１０の部分を除き、下部電極１０３や発光層１０５の形状に倣うことなく平坦化されている。しかし、この構造に限定されるものではなく、例えば下部電極１０３や発光層１０５の形状に倣い、バンク層１０９は発光層１０５の端部と重なる領域に段差を有する構造にしてもよい。
【００２７】
上述の通り、バンク層１０９は、発光層１０５が形成された後に、発光層１０５を覆って、即ち平面的に見て発光層１０５と重畳して、成膜される。さらに、成膜された後に、発光層１０５の上記他の一部を露出する開口１１０がバンク層１０９に形成される。
【００２８】
バンク層１０９の上層には、上部電極１０７が設けられる。上部電極１０７は、バンク層１０９を乗り越え、複数の画素４に跨って配置される。上部電極１０７は、例えばＩＺＯなどの透明導電膜や、例えばマグネシウムと銀とを含む金属膜で形成される。上部電極１０７には、所定の共通電圧が印加される。図２に示すように、バンク層１０９の開口１１０で、発光層１０５のバンク層１０９から露出された部分と、上部電極１０７は電気的に接続している。図２においては、上部電極１０７は、発光層１０５のバンク層１０９から露出された部分と直に接触している。
【００２９】
上部電極１０７と、下部電極１０３と、上部電極１０７と下部電極１０３との間に位置する発光層１０５とで、複数の画素４の各々に発光素子を形成する。複数の画素４の各々に備えられた下部電極１０３に、当該画素４に入力される映像信号に応じた信号電圧が印加される。これにより、複数の発光素子の発光を個別に制御することで、表示装置１０は画像を表示する。
【００３０】
上部電極１０７上には、封止層１１１が設けられている。封止層１１１は、発光層１０５を覆い、バンク層１０９を乗り越え、複数の画素４に跨って配置される。封止層１１１は、例えば窒化シリコンなどの無機絶縁膜で形成される。また、封止層１１１は、無機絶縁膜と例えばアルカリ樹脂からなる有機絶縁膜との積層構造としてもよい。封止層１１１は、発光層１０５へ外部からの水分が侵入を防止するために設けられている。
【００３１】
本実施形態は、上述の通り、発光層１０５を形成した後に、発光層１０５を覆うバンク層１０９が形成される。さらに、本実施形態は、バンク層１０９に形成された開口１１０によって発光層１０５が露出される構造を備えている。
【００３２】
即ち、本実施形態では、発光層１０５がバンク層１０９よりも先に形成されるので、発光層１０５に図１７に示すような厚膜部１０６が形成されることはない。よって、発光層１０５の膜厚を均一に形成することが可能となる。従って、画素内での輝度むらや、画素間での発光特性不均一化を抑制、防止することが可能となり、画質が向上する。尚、各画素内において、発光層１０５の膜厚が最も厚い箇所と膜厚が最も薄い箇所との膜厚差が、該最も薄い箇所の膜厚の例えば１０％以下になるまで、発光層１０５の膜厚を平坦化することが望ましい。該膜厚差が該最も薄い箇所の膜厚の５％未満になるまで、発光層１０５の膜厚を平坦化することが、より望ましい。
【００３３】
また、画素内での輝度むらを解消するために、発光素子の輝度を飽和させる高い電流を印加し当該むらをキャンセルさせる対策が知られているが、これには消費電力が必要以上に高くなるデメリットが生じていた。本実施形態では、消費電力を高くすることなく、輝度むらを防止し、画質を向上すること可能となる。
【００３４】
尚、図２において、下部電極１０３は発光層１０５よりも大きく形成されている。換言すれば、発光層１０５の端部は、下部電極１０３の端部よりも内側に位置している。この構造により、後述する図１０に示すように、下部電極１０３の発光層１０５と重なっていない領域で、回路層１０１の電極（例えば図１０のＴＦＴのソース・ドレイン電極２０１）と下部電極１０３とを接続させることができる。また、発光層１０５の端部と下部電極１０３の端部とが平面的に見て重なる構造、即ち発光層１０５と下部電極１０３とが同じ大きさである構造にしてもよい。
【００３５】
［第１の実施形態の製造方法］
図３から図１０を用いて本実施形態の製造方法を説明する。図３から図１０は、本実施形態の製造方法を示す断面図である。図３から図１０において、図２に示す回路層１０１に含まれるＴＦＴや各種配線の内、下部電極１０３との接続する電極や該電極上の絶縁膜のみを記載する。
【００３６】
図３に示すように基板１００に、画素４の各々に備えられたＴＦＴのソース・ドレイン電極２０１を含む各種回路、配線を形成する。ソース・ドレイン電極２０１上には、無機絶縁膜からなる層間絶縁膜２０３が形成される。
【００３７】
図４に示すように、層間絶縁膜２０３上に有機絶縁膜からなる平坦化膜２０５が形成される。ソース・ドレイン電極２０１上には、層間絶縁膜２０３及び平坦化膜２０５を貫通し、ソース・ドレイン電極２０１を露出するコンタクトホール２０７が形成される。
【００３８】
図５に示すように、コンタクトホール２０７を介してソース・ドレイン電極２０１と接する下部電極１０３を形成する。下部電極１０３は、基板１００の全域或いは略全域に成膜された後、所定の形状にパターニングされる。下部電極１０３を形成した後、基板１００の全域或いは略全域に、発光層１０５の材料となる溶液を塗布し、パターニング前の有機膜２０９を成膜する。コンタクトホール２０７は有機膜２０９で充填されている。
【００３９】
図６に示すように、有機膜２０９をフォトリソグラフィによってパターニングし、下部電極１０３上に発光層１０５を形成する。有機膜２０９のパターニングは、フォトリソグラフィ以外の他のパターニング方法を用いてもよい。
【００４０】
図７に示すように、下部電極１０３と発光層１０５とを覆うように、バンク層１０９を形成する。図７において、バンク層１０９は、基板１００の全域或いは略全域に成膜される。
【００４１】
図８に示すように、基板１００の全域或いは略全域に成膜されたバンク層１０９をパターニングする。バンク層１０９は、図１に示す複数の画素４の境界に位置し、複数の画素４を区分するようにパターニングされる。また、バンク層１０９には、発光層１０５の周辺部分の上にバンク層１０９が乗り上げ、且つ発光層１０５の中央部分を露出するように、開口１１０が形成される。開口１１０の形成は、複数の画素４を区分するパターニングと同時に行われる。
【００４２】
図９に示すように、バンク層１０９を覆うように上部電極１０７を形成する。上部電極１０７は、バンク層１０９を乗り越え、複数の画素４に跨って配置されるように、形成される。
【００４３】
図１０に示すように、上部電極１０７上に封止層１１１を形成する。封止層１１１は、発光層１０５を覆い、バンク層１０９を乗り越え、複数の画素４に跨って配置されるように、形成される。
【００４４】
本実施形態の製造方法は、上述の通り、発光層１０５を形成する工程が、バンク層１０９を形成する工程よりも前にあるので、図１７に示す厚膜部１０６が発光層１０５に生ずることを防止できる。
【００４５】
［第２の実施形態］
図１１を参照して、第２の実施形態に係る構造を説明する。第２の実施形態は、第１の実施形態の実施形態と比べ、下部電極１０３と発光層１０５（１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂ）の位置関係、大小関係が異なっている。
【００４６】
第２の実施形態において、下部電極１０３の全体を覆うように発光層１０５が形成されている。即ち、平面的に見て下部電極１０３よりも発光層１０５の方が大きい構造をしている。換言すれば、発光層１０５の端部は、下部電極１０３の端部よりも外側に位置している。
【００４７】
この様な構造にすると、下部電極１０３を形成した直後に形成される発光層１０５によって、下部電極１０３を覆うことになる。つまり、バンク層１０９形成前の状態であっても、下部電極１０３を発光層１０５で覆うことにより下部電極１０３のむき出しになっている部分を減らすことができる。よって、製造工程中で意図しない下部電極１０３の短絡が発生することを防ぐことができる。
【００４８】
表示装置の製造工程においては、プロセス過程で基板上の各種構成要素が帯電し、当該帯電物から基板上のメタル（下部電極１０３も含まれる）に、意図しない放電現象が起こる懸念がある。第２の実施形態の構造では、下部電極１０３を発光層１０５で覆うことにより、上述の放電現象を防ぐことができる。
【００４９】
尚、下部電極１０３はバンク層１０９と平面的に見て重なっている重畳領域３０１を備えた構造にすることが望ましい。発光層１０５のバンク層１０９によって露出された部分全体と下部電極１０３とを対向させることで、発光層１０５の当該部分全体を発光領域として用いるためである。
【００５０】
［第３の実施形態］
図１２を参照して、第３の実施形態に係る構造を説明する。第３の実施形態は、第１の実施形態の実施形態と比べ、下部電極１０３上の発光層の構成が異なっている。
【００５１】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、発光素子は陽極（例えば下部電極）と、陰極（例えば上部電極）と、陽極と陰極とに挟まれた有機層とによって構成される。当該有機層は、電子とホールとが再結合する領域である発光層と、発光層と電極との間に位置するキャリア輸送層とを備える。キャリア輸送層には、発光層と陽極との間に位置するホール輸送層と、発光層と陰極との間に位置する電子輸送層とがある。また、当該有機層は、キャリア輸送層と電極との間に位置するキャリア注入層（ホール注入層、電子注入層）を備える場合もある。
【００５２】
第３の実施形態においては、図１２に示すように、下部電極１０３上に設けられた第１のキャリア輸送層３０３を備えている。さらに、第１のキャリア輸送層３０３と上部電極１０７との間に位置する発光層３０５を備えている。
【００５３】
図１２に示す表示装置が有機エレクトロルミネッセンス表示装置である場合は、電子とホールとが再結合する領域は、発光層３０５に含まれる。また、下部電極１０３が陽極である場合は、第１のキャリア輸送層３０３はホール輸送層である。
【００５４】
図１２に示すように、第１のキャリア輸送層３０３は、下部電極１０３の上面と側面とを覆い、複数の画素４に跨って配置されている。発光素子の発光色が異なっていても、第１のキャリア輸送層３０３の材料は共通で用いることができる。よって、第１のキャリア輸送層３０３を複数の画素４の各々に独立して配置する必要はない。
【００５５】
第３の実施形態においては、第１のキャリア輸送層３０３をパターニングせず、複数の画素４に跨って配置しているので、製造工程を簡略化することができ、スループット短縮、量産性の向上が図ることができる。
【００５６】
尚、第１のキャリア輸送層３０３と下部電極１０３との間にキャリア注入層を設けてもよい。第１のキャリア輸送層３０３がホール輸送層である場合は、当該キャリア注入層はホール注入層である。
【００５７】
［第４の実施形態］
図１３を参照して、第４の実施形態に係る構造を説明する。第４の実施形態は、第３の実施形態の実施形態と比べ、キャリア輸送層の構造が異なる。第４の実施形態においては、図１３に示すように、発光層３０５と上部電極１０７との間に、第２のキャリア輸送層３０７を備えている。
【００５８】
図１３に示す表示装置が有機エレクトロルミネッセンス表示装置である場合は、電子とホールとが再結合する領域は、発光層３０５に含まれる。また、上部電極１０７が陰極である場合は、第２のキャリア輸送層３０７は電子輸送層である。
【００５９】
図１３に示すように、第２のキャリア輸送層３０７は、バンク層１０９を乗り越え、複数の画素４に跨って配置されている。第１のキャリア輸送層３０３と同様に、発光素子の発光色が異なっていても、第２のキャリア輸送層３０７の材料は共通で用いることができる。よって、第２のキャリア輸送層３０７を複数の画素４の各々に独立して配置する必要はない。
【００６０】
第４の実施形態においては、第２のキャリア輸送層３０７をパターニングせず、複数の画素４に跨って配置しているので、製造工程を簡略化することができ、スループットの短縮、量産性の向上が図ることができる。
【００６１】
尚、第２のキャリア輸送層３０７と上部電極１０７との間にキャリア注入層を設けてもよい。第２のキャリア輸送層３０７が電子輸送層である場合は、当該キャリア注入層は電子注入層である。
【００６２】
図１３においては、第１のキャリア輸送層３０３と第２のキャリア輸送層３０７との両方が、複数の画素４に跨って配置されているが、これに限定されるものではない。第１のキャリア輸送層３０３は複数の画素４の各々に独立して配置され、第２のキャリア輸送層３０７だけが複数の画素４に跨って配置される構造にしてもよい。
【００６３】
［第５の実施形態］
図１４、図１５を参照して、第５の実施形態に係る構造を説明する。第５の実施形態は、バンク層１０９と上部電極１０７との間に、反射層４０１が形成されている。
【００６４】
図１４に示すように、バンク層１０９は開口１１０と交差する側面４０３を有している。側面４０３は、基板１００から離れるにつれ開口１１０が大きくなるように傾斜している。反射層４０１は少なくとも側面４０３と対向して配置される。図１４においては、側面４０３の各々に独立して反射層４０１が配置されている。反射層４０１は、例えばアルミニウムからなる金属で形成される。
【００６５】
発光層１０５で発光した光を効率よく画像表示に利用するためには、当該光のより多くを基板１００の主面の法線方向に、換言すれば表示装置１０が有する表示面の法線方向に、取り出す必要が有る。第５の実施形態においては、側面４０３に反射層４０１が配置されているので、発光層１０５から該法線方向とは異なる斜め方向に出射した光を、該法線方向へ反射させることができる。これにより、発光層１０５で発光した光を効率よく画像表示に利用することが可能となる。
【００６６】
図１５は、第５の実施形態の変形例を示す図である。図１５に示す構造は、図１４に示す構造と比べ、反射層４０１が配置されている位置が異なる。
【００６７】
図１５に示す反射層４０１は、バンク層１０９の側面４０３に対向すると共に、バンク層１０９の上面４０５にも対向して配置されている。図１５においては、隣接する２つの画素間において、一方の画素の側に位置する側面４０３と対向する反射層４０１ａと、他方の画素の側に位置する側面４０３と対向する反射層４０１ｂと、これらの側面４０３と交差する上面４０５と対向する反射層４０１ｃとが一体に形成されている。しかし、この構造に限定されるものではなく、例えば上面４０５上で反射層４０１ｃが分断されている構造にしてもよい。
【００６８】
図１４に示す構造と同様に、図１５に示す構造でも、発光層１０５で発光した光を効率よく画像表示に利用することが可能となる。
【００６９】
［第６の実施形態］
図１６を参照して、第６の実施形態に係る構造を説明する。第６の実施形態は、第５の実施形態の実施形態と比べ、反射層４０１の替わりにバンク層１０９に光散乱性の粒子を包含させている点が異なる。
【００７０】
図１６に示すように、バンク層１０９には光散乱性粒子５０１が包含されている。発光層１０５で発光しバンク層１０９へ入射した光は、光散乱性粒子５０１によって散乱される。これにより、基板１００の主面の法線方向へ取出される光の量が増加する。
【００７１】
即ち、第６の実施形態においては、バンク層１０９に光散乱性粒子５０１が包含されているので、発光層１０５から基板１００の主面の法線方向とは異なる斜め方向に出射した光を散乱させ、該法線方向へ光の進行方向を変えることができる。これにより、発光層１０５で発光した光を効率よく画像表示に利用することが可能となる。
【００７２】
上記のとおり、本発明の第１から第６の実施形態を説明しが、本発明の範囲は、第１から第６の実施形態のみに限定されるものではない。本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７３】
１・・・アレイ基板
２・・・対向基板
３・・・表示領域
４・・・画素
５・・・ドライバＩＣ
６・・・端子領域
７・・・フレキシブルプリント基板
１０・・・表示装置
１００・・・基板
１０１・・・回路層
１０３・・・下部電極
１０５、１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂ、３０５・・・発光層
１０７・・・上部電極
１０９・・・バンク層
１１０・・・開口
１１１・・・封止層
２０１・・・ソース・ドレイン電極
２０３・・・層間絶縁膜
２０５・・・平坦化膜
２０７・・・コンタクトホール
２０９・・・有機膜
３０１・・・重畳領域
３０３・・・第１のキャリア輸送層
３０７・・・第２のキャリア輸送層
４０１、４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃ・・・反射層
４０３・・・側面
４０５・・・上面
５０１・・・光散乱性粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2017091946.tif 000018
【図１７】
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