(57)【要約】【課題】表示不具合を低減させた液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００は、第１信号が供給される第１電極１３１と、第１電極１３１とシール材４０との間に設けられ、第２信号が供給される第２電極１３２と、第２電極１３２とシール材４０との間に設けられ、第３信号が供給される第３電極１３３と、を備え、第３電極１３３の基準電位が、第１電極１３１および第２電極１３２の基準電位と異なることを特徴とする。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置されシール材を介して貼り合わされた第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、を含み、
前記第１基板の表示領域に設けられた画素電極と、
前記第１基板または前記第２基板において、前記画素電極に対向して設けられた対向電極と、
前記第１基板または前記第２基板において、平面視で、前記表示領域と前記シール材との間に設けられ、第１信号が供給される第１電極と、
前記第１電極と前記シール材との間に設けられ、第２信号が供給される第２電極と、
前記第２電極と前記シール材との間に設けられ、第３信号が供給される第３電極と、を備え、
前記第１信号、前記第２信号および前記第３信号は、互いに同じ周波数の交流信号であり、
前記第１信号および前記第２信号は、第１基準電位に対して正極性と負極性とに遷移し、
前記第３信号は、第２基準電位に対して正極性と負極性とに遷移し、
前記第２信号は、前記第１信号が負極性の期間に、正極性から負極性に遷移し、
前記第３信号は、前記第２信号が負極性の期間に、正極性から負極性に遷移し、
前記第２基準電位は、前記第１基準電位とは異なる電位であることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第２基準電位は、前記第１基準電位より高いことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第２基準電位は、前記第１基準電位より低いことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第２基準電位と前記第１基準電位との差は、前記第１信号および前記第２信号の振幅の値よりも小さいことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第２基準電位と前記第１基準電位との差は、０．３Ｖ以上であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第３電極は、前記第１電極および前記第２電極とは仕事関数が異なることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第３電極上の配向膜の密度が、前記第１電極および前記第２電極上の配向膜の密度より小さいことを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記第３電極上の配向膜と、前記第３電極との間に、絶縁膜を有することを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第３電極上の配向膜の表面にイオン性不純物を捕捉する材料が塗布されていることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記イオン性不純物を捕捉する材料は、シラノール基を有する材料であることを特徴とする請求項９に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記表示領域を囲んで設けられていることを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１２】
前記第１信号および前記第２信号と前記第３信号との電位差が最大となったときに、電源をオフにするオフシーケンスが行われることを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルを備えている。このような液晶装置に光が入射すると、液晶パネルを構成する液晶材料や配向膜などが、入射光により光化学反応を起こし、反応生成物としてイオン性不純物が発生することがある。また、液晶パネルの製造過程で、シール材や封止材などから液晶層に拡散するイオン性不純物もあることが知られている。特に、投写型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）に用いられる液晶装置では、入射光の光束密度が、直視型の液晶装置に比べて高くなるので、イオン性不純物が、表示に影響を及ぼすことを抑制する必要がある。
【０００３】
イオン性不純物の表示に対する影響を抑制する手段として、例えば、特許文献１には、表示領域の外周部に３つの電極（イオントラップ電極）を配置し、１周期に相当する時間内で、互いに位相が異なる交流信号を印加する駆動方法が提案されている。
特許文献１の駆動方法によれば、３つの電極間に横方向の電界が発生し、液晶の微小な揺らぎによる流れに加えて、表示領域から表示領域の外周部に向けて、イオン性不純物を移動させる力が働く。そのため、上記３つの電極のうち、最外周の電極が設けられた領域にイオン性不純物を効率よく集積させることができることから、イオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示不具合を低減した液晶装置を提供できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の液晶装置では、電源をオンにして液晶装置を駆動し、表示領域から表示領域の外周部へ移動してくるイオン性不純物を最外周の電極が設けられた領域に集積させ、その後、液晶装置の電源をオフにすると、駆動中に集積されたイオン性不純物が濃度拡散してしまい、表示領域に戻ってしまうおそれがある。
このようなことから、液晶層中に含まれるイオン性不純物の表示に対する影響を十分に抑制できるとは限らないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に記載の液晶装置は、対向配置されシール材を介して貼り合わされた第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板の表示領域に設けられた画素電極と、前記第１基板または前記第２基板において、前記画素電極に対向して設けられた対向電極と、前記第１基板または前記第２基板において、平面視で、前記表示領域と前記シール材との間に設けられ、第１信号が供給される第１電極と、前記第１電極と前記シール材との間に設けられ、第２信号が供給される第２電極と、前記第２電極と前記シール材との間に設けられ、第３信号が供給される第３電極と、を備え、前記第１信号、前記第２信号および前記第３信号は、互いに同じ周波数の交流信号であり、前記第１信号および前記第２信号は、第１基準電位に対して正極性と負極性とに遷移し、前記第３信号は、第２基準電位に対して正極性と負極性とに遷移し、前記第２信号は、前記第１信号が負極性の期間に、正極性から負極性に遷移し、前記第３信号は、前記第２信号が負極性の期間に、正極性から負極性に遷移し、前記第２基準電位は、前記第１基準電位とは異なる電位であることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第１信号が第１基準電位に対して、正極性と負極性とに遷移する１周期に相当する時間内において、第１電極、第２電極、第３電極の順に位相がずれた交流信号が第１電極、第２電極、第３電極に供給される。そのため、これらの電極間に発生する電界（電気力線）の方向が、時間の経過に伴って表示領域に近い第１電極から第２電極へ、そして、第２電極から第３電極に向って移動する。
従って、液晶層中にイオン性不純物が含まれている場合に、イオン性不純物は、この電界方向の移動に伴って、まず第１電極に引き寄せられ、続いて第２電極、第３電極に引き寄せられる。つまり、イオン性不純物を表示領域の外側に効果的に引き寄せることができる。
【０００９】
また、第２基準電位が、第１基準電位と異なることから、第１基準電位と第２基準電位との間の電位差によって残留ＤＣが発生する。そのため、表示領域の外周部へ引き寄せられたイオン性不純物は、この残留ＤＣによって第３電極が設けられた領域に留まる。
その結果、液晶装置の電源をオフにしても残留ＤＣにより、イオン性不純物の濃度拡散を防ぎ、イオン性不純物が表示領域に戻ることを抑制することができるので、液晶層中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示に対する影響を低減できる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第２基準電位は、前記第１基準電位より高いことを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、第１電極および第２電極と第３電極との間に生ずる電界によって液晶層中の負のイオン性不純物を表示領域の外周部に引き寄せることができる。
その結果、負のイオン性不純物が局所的に偏在することによる表示むらや焼き付きなどの表示不具合が低減され、安定した表示状態が維持される高い信頼性を有する液晶装置を提供できる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第２基準電位は、前記第１基準電位より低いことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、第１電極および第２電極と第３電極との間に生ずる電界によって液晶層中の正のイオン性不純物を表示領域の外周部に引き寄せることができる。
その結果、正のイオン性不純物が局所的に偏在することによる表示むらや焼き付きなどの表示不具合が低減され、安定した表示状態が維持される高い信頼性を有する液晶装置を提供できる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第２基準電位と前記第１基準電位との差は、前記第１信号および前記第２信号の振幅の値よりも小さいことを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、第３信号が第１信号および第２信号に対して正極性または負極性に偏らないので、第１電極および第２電極と第３電極との間の電位差によって、液晶材料が電気分解するなどの不具合を防止できる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第２基準電位と前記第１基準電位との差は、０．３Ｖ以上であることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、第３電極が設けられた領域に発生する残留ＤＣにより、イオン性不純物を安定的に集積させることができる。そのため、液晶装置の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域に戻ることを抑制できる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第３電極は、前記第１電極および前記第２電極とは仕事関数が異なることを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、第３電極が第１電極および第２電極と同じ仕事関数の材料によって形成されている場合と比較して、第３電極が設けられた領域に発生する残留ＤＣが大きくなる。従って、液晶装置の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域に戻ることをより抑制できる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第３電極上の配向膜の密度が、前記第１電極および前記第２電極上の配向膜の密度より小さいことを特徴とする。
【００２１】
この構成によれば、第３電極が設けられた領域に発生する残留ＤＣにより、イオン性不純物が第３電極上の配向膜に留まりやすくなる。従って、液晶装置の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域に戻ることを抑制できる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第３電極上の配向膜と、前記第３電極との間に、絶縁膜を有することを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、絶縁膜を有していない場合と比較して、第３電極が設けられた領域に発生する残留ＤＣが大きくなる。そのため、イオン性不純物をより留めることができる。そのため、液晶装置の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域に戻ることを抑制できる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第３電極上の配向膜の表面にイオン性不純物を捕捉する材料が塗布されていることを特徴とする。
【００２５】
この構成によれば、第３電極上にイオン性不純物を留まりやすくできる。従って、液晶装置の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域に戻ることを抑制できる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例に記載の液晶装置において、前記イオン性不純物を捕捉する材料は、シラノール基を有する材料であることを特徴とする。
【００２７】
この構成によれば、第３電極上の配向膜の表面に、シラノール基が多く存在するため、残留ＤＣが増加する。そのため、液晶装置の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域に戻ることを抑制できる。
【００２８】
［適用例１１］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記表示領域を囲んで設けられていることを特徴とする。
【００２９】
この構成によれば、表示領域におけるイオン性不純物の偏在傾向によらずイオン性不純物を表示領域から外側に引き寄せることができる。
【００３０】
［適用例１２］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第１信号および前記第２信号と前記第３信号との電位差が最大となったときに、電源をオフにするオフシーケンスが行われることを特徴とする。
【００３１】
この構成によれば、オフシーケンスによって、第３電極に印加された交流信号の１周期のうち、最大の残留ＤＣが発生したときに、液晶装置の電源がオフとなる。そのため、液晶装置の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域に戻ることをより抑制できる。
【００３２】
［適用例１３］本適用例に記載の電子機器は、上記のいずれかの液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００３３】
この構成によれば、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する液晶装置を備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置における無機配向膜の形成状態と液晶分子の配向状態とを示す概略断面図。
【図５】液晶分子の挙動を示す概略断面図。
【図６】無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示ムラとの関係を示す概略平面図。
【図７】表示に寄与する画素およびダミー画素の配置を示す概略平面図。
【図８】電子見切り部およびイオントラップ機構の配線図。
【図９】イオントラップ機構の第１電極、第２電極、第３電極、ダミー画素電極に印加される矩形波の交流信号の波形を示すタイミングチャート。
【図１０】イオントラップ機構の第１電極、第２電極、第３電極、ダミー画素電極に印加される矩形波の交流信号の波形を示すタイミングチャート。
【図１１】液晶装置のイオン集積領域を示す概略平面図。
【図１２】ＬＣＣＯＭの分布を示すグラフ。
【図１３】図７のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置のイオントラップ機構の構造を示す要部断面図。
【図１４】図７のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置のイオントラップ機構の構造を示す要部断面図。
【図１５】第３電極がアルミニウムで形成された液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図１６】第２実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図１７】第３実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図１８】第４実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図１９】第５実施形態に係る電子機器としての投写型表示装置の構成を示す概略図。
【図２０】変形例１に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図２１】変形例２に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図２２】変形例３に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさにして、説明を分かりやすくするため、各構成要素の尺度を実際とは異なる尺度で記載している場合がある。
【００３６】
［第１実施形態］
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えた、アクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投写型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として、好適に用いることができるものである。
【００３７】
＜液晶装置の構成＞
図１は、第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図であり、図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図である。まず、本実施形態に係る液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。
【００３８】
図１および図２に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０と、を有する。素子基板１０の基材１０ｓおよび対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な、例えば、石英基板やガラス基板が用いられている。素子基板１０が本発明の第１基板に相当し、対向基板２０が本発明の第２基板に相当するものである。
【００３９】
素子基板１０は、対向基板２０より大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール材４０を介して、間隔をおいて貼り合わされ、その間隔に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。
【００４０】
シール材４０は、例えば、熱硬化性、または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００４１】
シール材４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。また、シール材４０と表示領域Ｅとの間に、表示領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば、遮光性の金属、または該金属の合金あるいは金属酸化物などからなる。なお、表示領域Ｅには、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲むようにダミー画素が設けられていてもよい。
【００４２】
素子基板１０には、複数の外部接続用端子１０４を配列した端子部が設けられている。この端子部に沿った第１の辺部とシール材４０との間に、データ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に、検査回路１０３が設けられている。
【００４３】
さらに、第１の辺部と直交し、互いに対向する第３および第４の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に、走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール材４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００４４】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。
【００４５】
以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００４６】
図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５およびスイッチング素子である薄膜トランジスター３０（以降、ＴＦＴ３０とする）と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８と、が形成されている。
【００４７】
素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、信号配線（図示せず）と、配向膜１８と、を含むものである。
【００４８】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、少なくとも表示領域Ｅに亘って設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４と、を含んでいる。共通電極２３は、本発明における対向電極に相当するものである。
【００４９】
また、液晶装置１００は、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射して、スイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。具体的には、見切り部２１は、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。
【００５０】
これにより、対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が、光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。見切り部２１は、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００５１】
平坦化層２２は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００５２】
共通電極２３は、例えば、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、対向基板２０の下方側の隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００５３】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して、略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して、略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００５４】
本実施形態では、配向膜１８，２４は、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から、例えば、斜め蒸着して柱状に成長させたカラムの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して、負の誘電異方性を有する液晶分子は、配向膜面の法線方向に対して、カラムの傾斜方向に、３度〜５度のプレチルト角度を有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical  Alignment）する。
【００５５】
画素電極１５と共通電極２３との間に交流電圧（駆動信号）を印加して、液晶層５０を駆動することによって、液晶分子は、画素電極１５と共通電極２３との間に発生する電界方向に傾くように挙動（振動）する。
【００５６】
このような液晶装置１００は透過型であり、電圧無印加状態で、画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で、画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む、液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とに、それぞれ偏光素子が、光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００５７】
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として、先述した無機配向膜と負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００５８】
図３は、液晶装置１００の電気的な構成を示す等価回路図である。図３を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて、互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂと、を有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００５９】
走査線３ａ、データ線６ａおよび容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６と、が設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００６０】
走査線３ａは、ＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００６１】
データ線６ａは、データ線駆動回路１０１（図１、図２参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。
【００６２】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対して、グループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを、所定のタイミングで、パルス的に線順次で供給する。
【００６３】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により、一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが、所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。
【００６４】
そして、画素電極１５を介して、液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して、対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は、例えば、６０Ｈｚである。
【００６５】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎが、リークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００６６】
なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで、液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では、図示を省略している。
【００６７】
本実施形態に係る画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングして、データ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路、を含むものとしてもよい。
【００６８】
＜液晶分子の配向状態＞
次に、液晶装置１００における液晶分子の配向状態について、図４、図５を参照して説明する。図４は、液晶装置１００における無機配向膜の形成状態と液晶分子の配向状態とを示す概略断面図であり、図５は、液晶分子の挙動を示す概略断面図である。
【００６９】
図４に示すように、液晶装置１００における画素電極１５および共通電極２３の表面には、酸化シリコンを物理気相成長法の一例である真空蒸着法により、斜め蒸着して得られた、配向膜１８および配向膜２４が形成されている。具体的には、液晶層５０に面した、素子基板１０および対向基板２０の基板面の法線に対する蒸着角度θｂは、およそ４５度である。
【００７０】
このような斜め蒸着により、基板面には、酸化シリコンが、蒸着方向に向かって柱状に成長する。この構造物を、カラム１８ａ，２４ａと呼ぶ。配向膜１８，２４は、このようなカラム１８ａ，２４ａの集合体である。
【００７１】
基板面の法線に対するカラム１８ａ，２４ａの成長方向の角度θｃは、蒸着角度θｂと必ずしも一致せず、この場合は、およそ２０度となっている。このような配向膜１８，２４の表面において、垂直配向する液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐは、およそ３度〜５度である。
【００７２】
また、基板面の法線方向から見た液晶分子ＬＣを、傾斜させるプレチルトの方向、すなわち液晶分子ＬＣの傾斜方向は、配向膜１８，２４における斜め蒸着の平面的な蒸着方向と同じである。垂直配向処理の上記傾斜方向は、液晶装置１００の光学設計条件に基づいて適宜設定される。
【００７３】
このように、配向膜面に対して、負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣが、プレチルト角θｐを与えられて倒立している配向状態を略垂直配向と呼ぶ。
【００７４】
対向配置された素子基板１０、対向基板２０、並びに、これら一対の基板間に挟持された液晶層５０、を含めたものを液晶パネル１１０と呼ぶ。液晶装置１００は、液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とに、それぞれ配置された偏光素子８１，８２が備えられている。
【００７５】
また、偏光素子８１，８２は、偏光素子８１，８２のうち、一方の透過軸または吸収軸が、Ｘ方向またはＹ方向に対して平行となるように、かつ、互いの透過軸または吸収軸が直交するように、液晶パネル１１０に対してそれぞれ配置されている。
【００７６】
本実施形態では、表示領域Ｅにおいて、偏光素子８１，８２の透過軸または吸収軸に対して、液晶分子ＬＣのプレチルトの方位角が、４５度で交差するように、略垂直配向処理が施されている。従って、図５に示すように、画素電極１５と共通電極２３との間に、駆動電圧を印加して、液晶層５０を駆動すると、液晶分子ＬＣが、プレチルトの傾斜方向に倒れることにより、高い透過率が得られる光学的な配置となっている。
【００７７】
液晶層５０の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）を繰り返すと、液晶分子ＬＣは、プレチルトの傾斜方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。このように、液晶分子ＬＣの挙動が起こる略垂直配向処理を、１軸の略垂直配向処理と呼ぶ。
【００７８】
液晶パネル１１０に対する光の入射方向は、図４に示すように、対向基板２０側から入射することに限定されない。また、光の入射側または射出側に、位相差板などの光学補償素子を備える構成としてもよい。
【００７９】
＜イオン性不純物に起因する表示ムラ＞
次に、本発明が解決しようとするイオン性不純物に起因する表示ムラについて、図６を参照して説明する。図６は、無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示ムラとの関係を示す概略平面図である。
【００８０】
カラム１８ａ，２４ａを形成する無機材料の斜め蒸着方向は、例えば、図６に示すように、素子基板１０側では、破線の矢印で示したように、右上から左下に向かって、所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。
【００８１】
素子基板１０に対して対向配置される対向基板２０側では、実線の矢印で示したように、左下から右上に向かって、所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。所定の方位角度θａは、例えば４５度である。なお、図６に示した斜め蒸着方向は、液晶パネル１１０を対向基板２０側から見たときの方向である。
【００８２】
液晶層５０を駆動することにより、液晶分子ＬＣの挙動（振動）が発生し、液晶層５０と配向膜１８，２４との界面近傍に、図６に示した破線、または実線の矢印で示した斜め蒸着方向に、液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が発生する。仮に、液晶層５０に、極性が正または負のイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は、液晶分子ＬＣのフローに沿って、表示領域Ｅの左下および右上の角部４５に向かって移動する。
【００８３】
このようなイオン性不純物の移動により、角部４５周辺に位置する画素Ｐにおいて、液晶層５０の絶縁抵抗が低下すると、この画素Ｐにおいて、駆動電位の低下を招き、表示ムラや通電による焼き付き現象が顕著となる。特に、配向膜１８，２４に無機配向膜を用いた場合には、無機配向膜が、イオン性不純物を吸着しやすいので、有機配向膜に比べて、表示ムラや焼き付き現象が目立ちやすい。
【００８４】
例えば、ノーマリーブラックの場合、上記角部４５周辺に位置する画素Ｐは、イオン性不純物の偏在により、駆動電位が低下して光漏れが発生し、コントラストが低下する。図６では、表示領域Ｅの角部４５周辺に位置する３つの画素Ｐに、光漏れが発生した状態を示している。
【００８５】
方位角度θａは、図６に示すように、右上がり４５度だけでなく、右下がり４５度でもよい。その場合には、表示領域Ｅの左上と右下の角部４５周辺に表示ムラが発生する。つまり、液晶層５０に駆動電圧が供給されたときの液晶分子ＬＣの方位角度θａが、液晶分子ＬＣの流動方向となる。
【００８６】
液晶層５０の厚みは、液晶パネル１１０の光学設計条件によるが、およそ１μｍ〜３μｍ程度であるから、液晶分子ＬＣのフローは、各配向膜１８，２４の配向膜面付近で強く発生する。よって、素子基板１０側と対向基板２０側とでは、液晶分子ＬＣの流動方向が逆になる。
【００８７】
本実施形態に係る液晶装置１００では、表示ムラや焼き付き現象を改善するため、シール材４０と表示領域Ｅとの間に、表示領域Ｅからイオン性不純物を引き寄せるイオントラップ機構を設けている。以降、本実施形態に係るイオントラップ機構について、図７および図８を参照して説明する。
【００８８】
＜イオントラップ機構＞
図７は、表示に寄与する画素Ｐおよびダミー画素ＤＰの配置を示す概略平面図であり、図８は、電子見切り部１２０およびイオントラップ機構の配線図である。
【００８９】
図７に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００の表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐが配置された実表示領域Ｅ１と、実表示領域Ｅ１を囲んで設けられた複数のダミー画素ＤＰを有するダミー画素領域Ｅ２と、を含んでいる。
【００９０】
額縁状にシール材４０が配置された領域とダミー画素領域Ｅ２との間に、先述した遮光性を有する見切り部２１が設けられており、見切り部２１が設けられた領域が、液晶装置１００のＯＮ・ＯＦＦに依存しない見切り領域Ｅ３となっている。
【００９１】
ダミー画素領域Ｅ２には、Ｘ方向において、実表示領域Ｅ１を挟んで２つずつのダミー画素ＤＰが配置され、Ｙ方向において、実表示領域Ｅ１を挟んで２つずつのダミー画素ＤＰが配置されている。なお、ダミー画素領域Ｅ２におけるダミー画素ＤＰの配置数は、これに限定されるものではなく、Ｘ方向、Ｙ方向のそれぞれにおいて、実表示領域Ｅ１を挟んで、少なくとも１つずつのダミー画素ＤＰが配置されていればよい。
【００９２】
また、ダミー画素ＤＰは、３つずつ以上でもよく、Ｘ方向、Ｙ方向に配置される数が異なっていてもよい。本実施形態では、ダミー画素ＤＰを電子見切り部として機能させていることから、複数のダミー画素ＤＰに符号１２０を与えて、電子見切り部１２０と呼ぶこともある。
【００９３】
図８に示すように、本実施形態に係るイオントラップ機構は、表示領域Ｅを囲むように、リング状（枠状）に設けられたイオントラップ電極１３０を備えている。
イオントラップ電極１３０は、それぞれ電気的に独立した第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の３つの電極を有しており、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の順に、表示領域Ｅから徐々に遠ざかるように配置されている。つまり、第３電極１３３が、最外周の電極になるように配置されている。
【００９４】
イオントラップ機構は、これらの第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３（以降、まとめてイオントラップ電極１３０と記載することもある）によって、表示領域Ｅの角部４５周辺に偏在するイオン性不純物を、表示領域Ｅの外側に引き寄せている。
【００９５】
第１電極１３１は、イオントラップ用の信号としての第１信号が供給される外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）に電気的に接続されている。第２電極１３２は、イオントラップ用の信号としての第２信号が供給される外部接続用端子１０４（Ｉｔ２）に電気的に接続されている。第３電極１３３は、イオントラップ用の信号としての第３信号が供給される外部接続用端子１０４（Ｉｔ３）に電気的に接続されている。
【００９６】
また、実表示領域Ｅ１の縁に沿って、実表示領域Ｅ１を囲むように配置された複数のダミー画素ＤＰは、ダミー画素電極１５ｄを有している。
【００９７】
複数の外部接続用端子１０４のうち、Ｘ軸方向の両端側に設けられた外部接続用端子１０４のそれぞれは、上下導通部１０６に電気的に接続されている。共通電極２３は、配線２３ａを介して、同じく上下導通部１０６に電気的に接続されている。
【００９８】
外部接続用端子１０４（ＬＣＣＯＭ）には、共通電位（以下、ＬＣＣＯＭと呼ぶことがある）が供給される。すなわち、共通電極２３には、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が印加される。
【００９９】
本実施形態では、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３に供給される電位が、素子基板１０上の第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の位置によってばらつくことを低減するために、それぞれ２つの外部接続用端子１０４（Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３）から電位を供給する構成としたが、これに限定されるものではない。
言い換えれば、外部接続用端子１０４（Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３）は、それぞれ１つずつ配置されていてもよいし、それぞれ３つ以上配置されていてもよい。
【０１００】
イオントラップ電極１３０における、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれは、一方の端に引き回し配線が接続され、他方の端が開放された状態（オープン）でもよい。
【０１０１】
＜液晶装置の駆動方法＞
図９および図１０は、イオントラップ機構の第１電極、第２電極、第３電極、ダミー画素電極に印加される信号の波形を示すタイミングチャートである。詳しくは、図９は、第２基準電位としての第３電極の基準電位が、第１基準電位としての第１電極および第２電極の基準電位より高い場合を示している。図１０は、第２基準電位が、第１基準電位より低い場合を示している。どちらのタイミングチャートも、横軸は時間（タイミング）であり、縦軸は電位である。
第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに印加される具体的な交流信号の例を挙げて、液晶装置１００の駆動方法について、図９および図１０を参照して説明する。
【０１０２】
図９に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００の駆動方法は、共通電極２３および基準電位を、例えば＋１Ｖとして、画素電極１５を駆動する表示期間に、ダミー画素電極１５ｄには、共通電極２３の電位と同じ電位（例えば、＋１Ｖ）を印加する。そして、第３電極１３３に印加される第２基準電位が、第１電極１３１および第２電極１３２に印加される第１基準電位より高くなっている。
【０１０３】
具体的には、第１基準電位は、＋１Vであり、第２基準電位は、＋１．５Vである。第１電極１３１および第２電極１３２には、第１基準電位（＋１V）に対して、正極性（＋）と負極性（−）との間で電位が変化する、同じ周波数の矩形波の交流信号を印加し、第３電極１３３には、第２基準電位（＋１．５V）に対して、正極性（＋）と負極性（−）との間で電位が変化する、第１電極１３１と同じ周波数の矩形波の交流信号を印加する。
【０１０４】
具体的には、第１電極１３１および第２電極１３２には、＋１Ｖを第１基準電位として、高電位（６Ｖ）と低電位（−４Ｖ）との間で遷移する交流信号を印加する。第３電極１３３には、＋１．５Ｖを第２基準電位として、高電位（＋６．５Ｖ）と低電位（−３．５Ｖ）との間で遷移する交流信号を印加する。
つまり、交流信号である矩形波の振幅（ＶＥ）は、第１電極１３１の第１信号、第２電極１３２の第２信号、第３電極１３３の第３信号において共に同じである。
【０１０５】
また、図１０に示すように、第２基準電位が、第１基準電位より低くなっていてもよい。具体的には、第１基準電位は、＋１Vであり、第２基準電位は、＋０．５Vである。
【０１０６】
つまり、第１電極１３１および第２電極１３２には、０Ｖを第１基準電位として、高電位（６Ｖ）と低電位（−４Ｖ）との間で遷移する交流信号を印加する。第３電極１３３には、＋０．５Ｖを第２基準電位として、高電位（＋５．５Ｖ）と低電位（−４．５Ｖ）との間で遷移する交流信号を印加する。
【０１０７】
なお、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３に印加される矩形波の第１基準電位、第２基準電位、高電位、低電位の設定およびダミー画素電極１５ｄに印加される電位の設定は、これに限定されるものではない。
【０１０８】
次に、液晶装置１００の駆動方法を具体的に説明すると、
第１信号および第２信号は、第１基準電位に対して正極性と負極性とに遷移し、第３信号は、第２基準電位に対して正極性と負極性とに遷移し、第２信号は、第１信号が負極性の期間に、正極性から負極性に遷移し、第３信号は、第２信号が負極性の期間に、正極性から負極性に遷移するように、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに同じ周波数の交流信号を印加する。
【０１０９】
このとき、第２電極１３２には、第１信号と位相がΔｔずれた状態の矩形波を印加し、第３電極１３３には、第２信号と位相がΔｔずれた状態の矩形波を印加する。矩形波の位相差Δｔは、交流信号の１周期を電極の数ｎで除した値となる。本実施形態における電極の数は、３であるから、Δｔは１／３周期である。
【０１１０】
時間ｔ0から時間ｔ2の交流信号における１周期に相当する時間内において、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の電極間における電界の分布が、時間の経過に伴って、第１電極１３１から第３電極１３３へスクロール（移動）される。このような交流信号による横電界の発生のさせ方を「電界のスクロール」と呼ぶことにする。
【０１１１】
＜交流信号の周波数＞
イオン性不純物を、表示領域Ｅから表示領域Ｅの外側に配置されたイオントラップ電極１３０に、確実に引き寄せるには、隣り合うイオントラップ電極１３０間に発生させる電界のスクロールをゆっくりとしたほうがよい。つまり、イオントラップ電極１３０に印加される交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）は、画素Ｐを駆動する駆動信号の周波数より小さいことが好ましい。
【０１１２】
発明者は、本実施形態に係るイオントラップ電極１３０における好ましい交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）を以下のように導き出した。
【０１１３】
イオン性不純物の液晶層５０中の移動速度ｖ（ｍ／ｓ（秒））は、数式（１）に示すように、隣り合うイオントラップ電極１３０間の電界強度ｅ（Ｖ／ｍ）と、イオン性不純物の移動度μ（ｍ2／Ｖ・ｓ（秒））との積で与えられる。
つまり、ｖ＝ｅ×μ・・・（１）である。
【０１１４】
電界強度ｅ（Ｖ／ｍ）は、数式（２）で示すように、隣り合うイオントラップ電極１３０間の電位差Ｖｎを、イオントラップ電極１３０の配置ピッチｐ（ｍ）で除した値となる。
つまり、ｅ＝Ｖｎ／ｐ・・・（２）である。
【０１１５】
隣り合うイオントラップ電極１３０間の電位差Ｖｎは、交流信号における実効電圧ＶＥの２倍に相当することから、次の数式（３）が導かれる。
つまり、ｅ＝２ＶＥ／ｐ・・・（３）となる。
なお、図９に示すように、矩形波の交流信号における実効電圧ＶＥは、矩形波の基準電位に対する電位（振幅）に相当し、本実施形態では５Ｖである。
【０１１６】
数式（３）を数式（１）に当てはめることにより、イオン性不純物の移動速度ｖ（ｍ／ｓ）は、数式（４）となる。
つまり、ｖ＝２μＶＥ／ｐ・・・（４）である。
【０１１７】
隣り合うイオントラップ電極１３０間を、イオン性不純物が移動する時間ｔｄは、数式（５）に示すように、イオントラップ電極１３０の配置ピッチｐを、イオン性不純物の移動速度ｖで除した値となる。
つまり、ｔｄ＝ｐ／ｖ＝ｐ2／２μＶＥ・・・（５）である。
【０１１８】
従って、好ましい周波数ｆ（Ｈｚ）は、隣り合うイオントラップ電極１３０間を、イオン性不純物が移動する時間ｔｄに合わせて、電界をスクロールさせることによって求められる。
【０１１９】
電界のスクロール時間は、交流信号の位相差Δｔに相当するので、位相差Δｔを１／ｎ周期とし、ｎをイオントラップ電極１３０の数とすると、イオントラップ電極１３０に印加される交流信号の好ましい周波数ｆ（Ｈｚ）は、次の数式（６）によって導かれる。
すなわち、ｆ＝１／ｎ／ｔｄ＝２μＶＥ／ｎｐ2・・・（６）となる。
【０１２０】
図９に示すように、隣り合うイオントラップ電極１３０に印加される交流信号の位相差Δｔを、例えば、１／３周期とすると、本実施形態の隣り合うイオントラップ電極１３０間の電位差Ｖｎは、第１信号および第２信号のように、＋１Ｖを基準電位（第１基準電位）として、＋６Ｖと−４Ｖとに遷移する矩形波、および第３信号のように、＋１．５Ｖを基準電位（第２基準電位）として、＋６．５Ｖと−３．５Ｖとに遷移する矩形波の交流信号の場合には１０Ｖとなる。
【０１２１】
第１電極１３１の幅および第２電極１３２の幅を、例えば４μｍ、イオントラップ電極１３０の配置ピッチｐを、例えば８μｍとし、イオン性不純物の移動度μを、２．２×１０-10（ｍ2／Ｖ・ｓ）すると、好ましい周波数ｆは、数式（６）によれば、およそ１２Ｈｚとなる。なお、配置ピッチｐを８μｍより小さくすると、周波数ｆは１２Ｈｚより大きくなる。
【０１２２】
イオン性不純物の移動度μの値は、例えば、A.Sawada,A.Manabe  and  S.Naemura，“A  Comparative  Study  on  the  Attributes  of  Ions  in  Nematic  and  Isotropic  Phases”,Jpn.J.Appl  Phys  Vol.40,ｐ220−ｐ224（2001）などに記載されている。
【０１２３】
また、イオン性不純物の移動速度より電界のスクロールの速度が速い場合、例えば、交流信号の周波数ｆを１２Ｈｚより大きくした場合は、イオン性不純物が、電界のスクロールに付いて行けずに、イオン性不純物を引き寄せる効果が低下するおそれがあるので、周波数ｆは、１２Ｈｚ以下であることが好ましい。
【０１２４】
一方、周波数ｆをあまりに小さくすると、イオントラップ電極１３０間に直流と同様な電位（勾配）が長時間印加される状態となって、例えば、液晶の分解や焼き付き、表示シミなどの不具合が起こるおそれがあるため好ましくない。
【０１２５】
このように、電界のスクロールに伴って、イオン性不純物を第３電極１３３に確実に引き寄せるためには、イオン性不純物の移動速度を考慮して、交流信号の周波数を決める必要がある。
【０１２６】
また、イオン性不純物を表示領域Ｅからより遠くに引き出させるには、イオントラップ電極１３０の数ｎを、３つから４つ以上に増やすことが好ましい。イオントラップ電極１３０が４つ以上の場合には、表示領域Ｅの外縁から表示領域Ｅの外側に向かう方向において、表示領域Ｅからみて最外周に配置されているイオントラップ電極の幅が、他のイオントラップ電極の幅に比べて大きくなっていることが好ましい。
【０１２７】
また、液晶装置１００の製造工程において、液晶層５０に正極性および負極性のイオン性不純物が含まれるおそれがあり、正極性のイオン性不純物のほうが、負極性のイオン性不純物に比べて、表示品質を低下させることが知られている。
【０１２８】
そのため、図９、および図１０の矩形波の交流信号においては、第１信号が正極性であるｔ0からｔ1までの時間と、第１信号が負極性であるｔ1からｔ2までの時間と、が同じになっているが、同じであることに限定されない。
【０１２９】
例えば、第１信号が正極性である時間より、負極性である時間を長くした交流信号を、イオントラップ電極１３０に印加することによって、それぞれのイオントラップ電極１３０に、正極性のイオン性不純物を積極的に引き寄せることが可能となる。
【０１３０】
また、イオントラップ電極１３０に印加される矩形波の交流信号は、例えば、０Ｖを基準電位として、２値の電位間で振幅させてもよいが、異なる３値以上の電位を遷移するように波形を設定してもよい。
【０１３１】
このようにすれば、イオントラップ電極１３０間に発生する電界のスクロールが滑らかになるので、第１電極１３１から第２電極１３２を経て第３電極１３３まで、イオン性不純物を円滑に移動させることが可能となる。
【０１３２】
また、それぞれのイオントラップ電極１３０に印加される交流信号は、矩形波であることに限定されず、１周期の時間内において、互いに位相が異なる正弦（サイン）波や、三角波としてもよい。なお、正弦波のようなアナログ信号を生成するアナログ回路に比べて、矩形波を生成するデジタル回路の方が、回路構成を簡略化することができる。
【０１３３】
また、同じ周波数の交流信号であれば、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３に印加される交流信号の振幅の大きさ、つまり、基準電位に対して、正極性の最大電位と負極性の最大電位とを必ずしも同じにしなくてもよい。
【０１３４】
具体的には、第１電極１３１に、＋１Ｖを基準電位（第１基準電位）として、６Ｖと−４Ｖとの間で振幅する交流信号が供給され、第２電極１３２には、＋１Ｖを基準電位（第１基準電位）として、８．５Ｖと−６．５Ｖとの間で振幅する交流信号が供給され、第３電極１３３には、＋１．５Ｖを第２基準電位として、１１．５Ｖと−８．５Ｖとの間で振幅する交流信号が供給されてもよい。
【０１３５】
このように、３つのイオントラップ電極１３０に印加される交流信号の振幅の大きさを、表示領域Ｅから遠ざかるほど大きくすることで、第３電極１３３に向かってイオン性不純物を効果的に引き寄せることができる。
【０１３６】
＜ＬＣＣＯＭ＞
図１１は、液晶装置のイオン性不純物の集積領域を示す概略平面図であり、図１２は、ＬＣＣＯＭの分布を示すグラフである。図１１に示すように、表示領域Ｅから角部４５（外周部）に向かう方向に、ＣＨ１からＣＨ１６までの１６か所の測定点にセンサーを配置し、フリッカー測定を実施することによって、各測定点のＬＣＣＯＭをそれぞれ測定した。なお、本試験では、共通電位（ＬＣＯＣＭ）の値を＋５．５Ｖとしている。
【０１３７】
図１２に示すように、各測定点のＬＣＣＯＭの値は、ＣＨ１からＣＨ１３までにおいては、５．５Ｖ〜５．６Ｖ程度で略一定であったが、ＣＨ１４では、５．６２Ｖ、ＣＨ１５では、５．７３Ｖ、ＣＨ１６では、５．８９Ｖとなっており、ＣＨ１からＣＨ１３までのＬＣＣＯＭの値と比較して、０．３Ｖ程度高くなっている。
【０１３８】
つまり、イオン集積領域６０の電位は、表示領域Ｅの電位と比較して、０．３Ｖの電位勾配（残留ＤＣ）がかかっている。この電位勾配によって、表示領域Ｅのイオン性不純物が、表示領域Ｅの角部４５に偏析されていると考えられる。
【０１３９】
このようなことから、イオントラップ電極１３０に、０．３Ｖ以上の電位勾配をかければ、言い換えれば、第２基準電位と第１基準電位との差を、０．３Ｖ以上にすれば、第３電極１３３にイオン性不純物を集積させるのに十分な残留ＤＣを発生させることができる。
【０１４０】
また、第２基準電位と第１基準電位との差を、第１信号および第２信号の振幅（ＶＥ）の値よりも小さくすることが好ましい。これによれば、第１電極１３１および第２電極１３２と第３電極１３３との間に生ずる電位差によって、液晶材料が電気分解するなどの不具合を防止できる。
【０１４１】
なお、第２基準電位と第１基準電位との差を、第１信号および第２信号の振幅以上にすると、第１電極１３１および第２電極１３２に対して第３電極１３３には、正極性または負極性の交流信号が印加されてしまう。
【０１４２】
＜イオントラップ電極＞
図１３および図１４は、図７のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置１００のイオントラップ機構の構造を示す要部断面図である。詳しくは、図１３は、画素電極１５を駆動する表示期間におけるイオントラップ機構の要部断面図であり、図１４は、画素電極１５を駆動しない非表示期間におけるイオントラップ機構の要部断面図を示している。
【０１４３】
図１３および図１４に示すように、液晶装置１００の素子基板１０は、基材１０ｓ上に複数の配線層１１〜配線層１４を有している。画素Ｐの画素電極１５、ダミー画素ＤＰ（電子見切り部１２０）のダミー画素電極１５ｄ、および第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３（イオントラップ電極１３０）のそれぞれは、配線層１４上に形成されている。
【０１４４】
共通電極２３は、対向基板２０に、表示領域Ｅにおける複数の画素電極１５およびダミー画素電極１５ｄに対向するように設けられており、平面視で、共通電極２３の外縁が、第１電極１３１と表示領域Ｅの外縁との間に位置している。つまり、共通電極２３は、イオントラップ電極１３０と重ならないように配置されている。
【０１４５】
ダミー画素電極１５ｄ、イオントラップ電極１３０は、画素電極１５を形成する工程で、画素電極１５と同じ透明導電膜、例えば、ＩＴＯ膜を用いて形成されている。ダミー画素電極１５ｄの平面的な形状および大きさや配置ピッチは、画素電極１５と同じである。
【０１４６】
イオントラップ電極１３０は、Ｘ方向に等間隔で配置されている。図１３および図１４には図示していないが、イオントラップ電極１３０は、Ｙ方向においても、等間隔で配置されており、下層の配線層１１〜１３に設けられた配線と接続されて、それぞれ外部接続用端子１０４（図８参照）に導かれている。
【０１４７】
ダミー画素電極１５ｄは、配線層１１に設けられたＴＦＴ３０に電気的に接続されている。液晶装置１００がノーマリーブラックモードの場合、実表示領域Ｅ１の画素Ｐの表示状態に関わらず、常に、電子見切り部１２０を「ブラックモード（黒表示）」とするため、ＴＦＴ３０を介して、複数のダミー画素電極１５ｄに、例えば、ダミー画素ＤＰの透過率が変化しない程度の交流電位が印加される。
【０１４８】
ここで、イオン性不純物は、正極性（＋）を有するものと、負極性（−）を有するものと、が存在する可能性がある。従って、第１電極１３１の第１信号の極性に対応して、正極性または負極性のイオン性不純物が、第１電極１３１に引き寄せられることになる。
【０１４９】
第１電極１３１に引き寄せられたイオン性不純物を、そのまま滞留させておくと、次第にイオン性不純物が蓄積され、電子見切り部１２０や実表示領域Ｅ１の表示に影響を及ぼすおそれがあるので、第１電極１３１に引き寄せられたイオン性不純物を、逐次、第２電極１３２、さらには第３電極１３３に移動させることが好ましい。
【０１５０】
本実施形態では、上述したように、液晶装置１００の駆動中（表示期間中）は、位相の異なる交流信号が、イオントラップ電極１３０に印加されるため、隣り合うイオントラップ電極１３０間に発生する横電界（電気力線）が、電子見切り部１２０、または表示領域Ｅに近い第１電極１３１から第３電極１３３に向かう方向にスクロールする。
これによって、第１電極１３１に引き寄せられた正極性、または負極性のイオン性不純物を第３電極１３３へ移動させることができる。
【０１５１】
このように、イオントラップ電極１３０に発生する電界のスクロールによって、時間の経過に伴って、第１電極１３１から第３電極１３３へと移動させる液晶装置１００の駆動方法を、以降、「ＩＳ（Ｉｏｎ  Ｓｕｒｆ）駆動」と呼ぶことにする。
【０１５２】
図１３に示すように、画素電極１５を駆動する表示期間では、液晶層５０に、例えば、正極性（＋）のイオン性不純物が含まれる場合、正極性のイオン性不純物は、ＩＳ駆動による液晶分子ＬＣのフローによって表示領域Ｅを移動する。フローの速度は、画素Ｐを駆動する駆動信号の周波数に依存すると考えられる。
【０１５３】
そして、イオン性不純物は、イオントラップ電極１３０が設けられた見切り領域Ｅ３に引き寄せられ、第１電極１３１側から第３電極１３３側へと、時間の経過に伴って移動する電界のスクロールによって第３電極１３３に向かって運ばれ蓄積される。
【０１５４】
本実施形態に係る対向基板２０は、液晶層５０を介して、イオントラップ電極１３０に対向する部分に、共通電極２３が設けられていない。従って、イオントラップ電極１３０と共通電極２３との間で電界が発生し難い。
【０１５５】
そのため、イオントラップ電極１３０と共通電極２３との間で発生する電界によって、イオン性不純物の移動が妨げられることなく、イオン性不純物が見切り領域Ｅ３へ引き寄せられる。
【０１５６】
図１４に示すように、表示領域Ｅの外縁から表示領域Ｅの外側（シール材４０）に向かう方向において、第１電極１３１の幅Ｌ１と、第２電極１３２の幅Ｌ２と、第３電極１３３の幅Ｌ３と、は略同じになっており、例えば、それぞれ４μｍである。
【０１５７】
第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の配置ピッチは、例えば、１２μｍである。つまり、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔、第２電極１３２と第３電極１３３との間隔は、どちらも例えば、８μｍである。
【０１５８】
Ｘ方向において、ダミー画素電極１５ｄ（電子見切り部１２０）と隣り合う第１電極１３１との間隔は、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔（＝第２電極１３２と第３電極１３３との間隔）より大きくなっており、例えば、１０μｍである。
【０１５９】
Ｙ方向において、ダミー画素電極１５ｄ（電子見切り部１２０）と隣り合う第１電極１３１との間隔は、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔より大きくなっており、例えば、１０μｍである。
【０１６０】
このような構成することによって、イオン性不純物の引き寄せに係わる第１電極１３１とダミー画素電極１５ｄ（電子見切り部１２０）との間に発生する電界の影響を小さくすることができる。
【０１６１】
また、本実施形態の液晶装置１００は、第２基準電位が、第１基準電位と異なることから、第１基準電位と第２基準電位との間の電位差によって残留ＤＣが発生する。この残留ＤＣにより、液晶装置１００の電源をオフにしたときに表示領域の外周部へ引き寄せられたイオン性不純物は、第３電極１３３が設けられた領域に留まる。その結果、イオン性不純物の濃度拡散を防ぎ、イオン性不純物が表示領域Ｅに戻ることを抑制することができる。
【０１６２】
また、本実施形態の液晶装置１００は、周辺回路にロジックコントローラーを有しており、ロジックコントローラーによって交流信号の１周期のうち、第１信号および第２信号と第３信号との電位差が最大となったときに、液晶装置１００の電源をオフにするオフシーケンスが実行される。これにより、電源のオフ時に、第３電極１３３上で、交流信号の１周期のうち、最大の残留ＤＣが発生する。
【０１６３】
例えば、図９で示したように、時間ｔａから時間ｔｂ（＝ｔ２）までの間、つまり、第３信号が最大で、第１信号および第２信号が最小のときにオフシーケンスが実行されると、負のイオン性不純物を最も効率よく留めることができる残留ＤＣが発生する。
【０１６４】
また、例えば、図１０で示したように、時間ｔｃから時間ｔｄ（＝ｔ１）までの間、つまり、第１信号および第２信号が最大で、第３信号が最小のときにオフシーケンスが実行されると、正のイオン性不純物を最も効率よく留めることができる残留ＤＣが発生する。
【０１６５】
＜アルミニウム電極＞
図１５は、第３電極がアルミニウム（Ａｌ）で形成された液晶装置の構成を示す概略断面図である。図１５に示すように、第１電極１３１および第２電極１３２が形成されている材料（例えば、ＩＴＯ）と異なる仕事関数の材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）によって、第３電極１３３ａが形成されていてもよい。ＩＴＯの仕事関数は、４．６ｅＶ程度であり、アルミニウム（Ａｌ）の仕事関数は、４．１３ｅＶである。
【０１６６】
ＩＴＯに対して仕事関数差がある材料であれば、第３電極１３３ａが設けられた領域で大きな残留ＤＣを発生させることができる。
【０１６７】
ＩＴＯに対して仕事関数差がある材料としては、アルミニウム（Ａｌ）の他に、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｈｆなどが挙げられる。Ｔｉの仕事関数は、４．１４ｅＶであり、Ｎｉの仕事関数は、４．１９ｅＶであり、Ｈｆの仕事関数は、３．９０ｅＶである。
【０１６８】
このような構成にすることによって、第３電極１３３ａが第１電極１３１および第２電極１３２と同じ仕事関数の材料によって形成されている場合と比較して、第３電極１３３に発生する残留ＤＣが大きくなる。従って、液晶装置１００の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域Ｅに戻ることをさらに抑制できる。
【０１６９】
また、素子基板１０において、負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣを略垂直配向させる配向膜１８は、少なくとも画素電極１５、およびダミー画素電極１５ｄを覆うように形成される。
【０１７０】
一方で、本実施形態の場合、ＩＳ駆動によってイオン性不純物を移動させることから、イオントラップ電極１３０は、イオン性不純物を吸着して移動を妨げるおそれがある配向膜１８で覆わないように形成されることが好ましい。
【０１７１】
上記第１実施形態に係る液晶装置１００によれば、以下の効果が得られる。
（１）第１信号が第１基準電位から正極性と負極性とに遷移する１周期に相当する時間内において、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の順に位相がずれた交流信号が、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３に供給される。そのため、これらの電極間に発生する電界（電気力線）の方向が、時間の経過に伴って表示領域Ｅに近い第１電極１３１から第２電極１３２へ、そして、第２電極１３２から第３電極１３３に向って移動する。
従って、液晶層５０中にイオン性不純物が含まれている場合に、イオン性不純物は、この電界方向の移動に伴って、まず第１電極１３１に引き寄せられ、続いて第２電極１３２、第３電極１３３に引き寄せられる。つまり、イオン性不純物を表示領域Ｅの外側に効果的に引き寄せることができる。
また、第２基準電位が第１基準電位と異なることから、第１基準電位と第２基準電位との間の電位差による残留ＤＣが発生する。そのため、第３電極１３３に引き寄せられたイオン性不純物は、残留ＤＣによって留まることができる。
その結果、液晶装置１００の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域Ｅに戻ることを抑制することができるので、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示に対する影響を低減できる。
【０１７２】
（２）第２基準電位が第１基準電位より高い場合には、第１電極１３１および第２電極１３２と第３電極１３３との間に生ずる電界によって、液晶層５０中の負のイオン性不純物を表示領域の外周部に引き寄せることができる。
その結果、負のイオン性不純物が局所的に偏在することによる表示むらや焼き付きなどの表示不具合が低減され、安定した表示状態が維持される高い信頼性を有する液晶装置１００を提供できる。
【０１７３】
（３）第２基準電位が第１基準電位より低い場合には、第３電極１３３と第１電極１３１および第２電極１３２との間に生ずる電界によって、液晶層５０中の正のイオン性不純物を表示領域の外周部に引き寄せることができる。
その結果、正のイオン性不純物が局所的に偏在することによる表示むらや焼き付きなどの表示不具合が低減され、安定した表示状態が維持される高い信頼性を有する液晶装置１００を提供できる。
【０１７４】
（４）第２基準電位と第１基準電位との差は、第１信号および第２信号の振幅の値よりも小さいことから、第３信号が第１信号および第２信号に対して正極性または負極性に偏らない。そのため、第１電極１３１および第２電極１３２と第３電極１３３との間の電位差によって、液晶材料が電気分解するなどの不具合を防止できる。
【０１７５】
（５）第２基準電位と第１基準電位との差は、０．３Ｖ以上であることから、第３電極１３３が設けられた領域に発生する残留ＤＣにより、イオン性不純物を第３電極１３３が設けられた領域に集積させて留めることができる。そのため、液晶装置１００の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域Ｅに戻ることをより抑制できる。
【０１７６】
（６）第３電極１３３ａは、第１電極１３１および第２電極１３２と異なる仕事関数の材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）によって形成されていてもよい。第３電極１３３が第１電極１３１および第２電極１３２と同じ仕事関数の材料によって形成されている場合と比較して、残留ＤＣが大きくなる。従って、液晶装置１００の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域Ｅに戻ることをさらに抑制できる。
【０１７７】
（７）第１電極１３１、第２電極１３２および第３電極１３３は、表示領域Ｅを囲んで設けられていることから、表示領域Ｅにおけるイオン性不純物の偏在傾向によらずイオン性不純物を表示領域Ｅから外側に引き寄せることができる。
【０１７８】
（８）第１信号および第２信号と第３信号との電位差が最大となったときに、液晶装置１００の電源をオフにするオフシーケンスが行われることから、第３電極１３３上で、交流信号の１周期のうち、最大の残留ＤＣが発生したときに、液晶装置１００の電源がオフとなる。そのため、液晶装置１００の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域Ｅに戻ることをより抑制できる。
【０１７９】
［第２実施形態］
＜液晶装置の構成＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置２００について、図１６を参照して説明する。図１６は、本実施形態に係る液晶装置２００の構造を示す概略断面図である。図１６は、第１実施形態における図１３に対応する概略断面図である。第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して、詳細の説明は省略する。
【０１８０】
図１６に示すように、本実施形態に係る液晶装置２００は、第１実施形態に係る液晶装置１００と比較すると、第３電極１３３上の配向膜１８と第３電極１３３との間に、絶縁膜１９を有しているところが異なっている。
【０１８１】
絶縁膜１９は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などの酸化物からなるパシベーション膜で形成されている。絶縁膜１９は、１０００Å〜３０００Å程度の膜厚であり、例えば、真空蒸着法やスパッタ法（ＤＣスパッタ）などのＰＶＤ法、またはＣＶＤ法により成膜される。
【０１８２】
絶縁膜１９として、パシベーション膜を使用することにより、膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、光の波長によって反射率が大きく変動したりする現象を抑えることができる。
【０１８３】
絶縁膜１９は、配向膜１８の抵抗値に対して、２桁以上高抵抗の材料を用いて形成されれば、特に限定されない。また、絶縁膜１９の膜厚は、配向膜１８に対して十分に高い抵抗値が得られる膜厚であれば特に限定されない。
【０１８４】
例えば、絶縁膜１９は、耐水性などの観点において酸化シリコン膜に比べて絶縁膜として優れた窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を使用し、この窒化シリコン膜の単層構造とするか、あるいは、酸化シリコン膜の上に窒化シリコン膜を形成した二層構造とすることにより信頼性を向上させてもよい。
【０１８５】
また、絶縁膜１９として、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などのアルミニウム酸化物を用いることもできる（ｘ、ｙは正の整数）。
【０１８６】
以上で説明したような構成にすることによって、絶縁膜１９を有している第３電極１３３が設けられた領域に発生する残留ＤＣは、絶縁膜１９を有していない場合と比較して大きくなる。
【０１８７】
そのため、第３電極１３３に引き寄せられたイオン性不純物を、第１実施形態に記載した液晶装置１００と比べて、残留ＤＣによってより留めることができる。
【０１８８】
その結果、液晶装置２００の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域Ｅに戻ることを抑制することができるので、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示に対する影響をさらに低減できる。
【０１８９】
［第３実施形態］
＜液晶装置の構成＞
次に、第３実施形態に係る液晶装置３００について、図１７を参照して説明する。図１７は、本実施形態に係る液晶装置３００の構造を示す概略断面図である。図１７は、第１実施形態における図１３に対応する概略断面図である。第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して、詳細の説明は省略する。
【０１９０】
図１７に示すように、本実施形態に係る液晶装置３００は、第１実施形態に記載した液晶装置１００と比較すると、第３電極１３３上の配向膜１８ｃの密度が、第１電極１３１および第２電極１３２上の配向膜１８ｂの密度より小さいところが異なっている。
【０１９１】
具体的には、配向膜１８ｂや配向膜１８ｃの密度の値は、これらの配向膜が酸化珪素膜（ＳｉＯ2膜）からなる無機配向膜である場合には、１．８ｇ／ｃｍ3から２ｇ／ｃｍ3の範囲である。このような密度の酸化珪素膜は、マスクを用いた斜方蒸着法などの製造条件を調整する事で作製できる。
【０１９２】
つまり、１．８ｇ／ｃｍ3から２ｇ／ｃｍ3の密度範囲内で、配向膜１８ｃの密度が、第１電極１３１および第２電極１３２上の配向膜１８ｂの密度より小さくすることによって、高密度と低密度との非対称を生じさせることが好ましい。
【０１９３】
また、一般に配向膜は、その下層に位置する下地膜の表面粗さによって膜密度が変化する。つまり、下地膜の表面が粗い程、その上層に形成される配向膜の密度は低下するので、配向膜の下地膜の表面粗さを調整することによって、配向膜の密度を調整してもよい。
【０１９４】
以上で説明したような構成にすることによって、第３電極１３３上の配向膜１８ｃの密度が、第１電極１３１および第２電極１３２上の配向膜１８ｂの密度と同じである場合と比較して、第３電極１３３上に発生する残留ＤＣは大きくなる。
【０１９５】
そのため、第３電極１３３に引き寄せられたイオン性不純物は、第１実施形態に記載した液晶装置１００に比べて、残留ＤＣによってより留まることができる。
【０１９６】
その結果、液晶装置３００の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域Ｅに戻ることを抑制することができるので、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示に対する影響をさらに低減できる。
【０１９７】
［第４実施形態］
次に、第４実施形態に係る液晶装置４００について、図１８を参照して説明する。図１８は、本実施形態に係る液晶装置４００の構造を示す概略断面図である。図１８は、第１実施形態における図１３に対応する概略断面図である。第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して、詳細の説明は省略する。
【０１９８】
図１８に示すように、本実施形態に係る液晶装置４００は、第１実施形態に記載した液晶装置１００と比較すると、第３電極１３３上の配向膜１８の表面にイオン性不純物を捕捉する材料１８ｄが塗布されているところが異なっている。
【０１９９】
具体的には、第３電極１３３上の配向膜１８の表面に、イオン性不純物を捕捉する材料１８ｄとしてシラノール基を有するシランカップリング剤を塗布してアルキル化処理する。
ここで、シランカップリング剤とは、一分子中に有機官能基と加水分解基とを有したもので、これによって無機物と有機物を結び付け、材料の物理的強度や耐久性、接着性などの向上を可能にするものである。
【０２００】
シランカップリング剤としては、珪素原子（Ｓｉ）に一つの有機官能基と、無機物と反応する官能基（加水分解基）とを有し、有機官能基が良好な撥水性や耐光性を有するものであればよく、具体的には、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【０２０１】
以上で説明したような構成にすることによって、第３電極１３３上の配向膜１８の最表面にシラノール基が多く存在するため、第３電極１３３上の配向膜１８に、シランカップリング剤が塗布されていない場合と比較して、第３電極１３３上に発生する残留ＤＣは大きくなる。
【０２０２】
そのため、第３電極１３３に引き寄せられたイオン性不純物は、第１実施形態に記載した液晶装置１００に比べて、残留ＤＣによってより留まることができる。
【０２０３】
その結果、液晶装置４００の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域Ｅに戻ることを抑制することができるので、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示に対する影響をさらに低減できる。
【０２０４】
［第５実施形態］
＜電子機器＞
次に、第５実施形態に係る電子機器としての投写型表示装置について、図１９を参照して説明する。図１９は、本実施形態に係る電子機器としての投写型表示装置の構成を示す概略図である。
【０２０５】
図１９に示すように、本実施形態に係る電子機器としての投写型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７と、を備えている。
【０２０６】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３と、を含んで構成されている。
【０２０７】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０２０８】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して、液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
【０２０９】
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
【０２１０】
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０２１１】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【０２１２】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。
合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によって、スクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【０２１３】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述したイオントラップ電極１３０を有する液晶装置１００，２００，３００，４００のいずれかが適用されたものである。液晶パネル１１０の色光の入射側と射出側とに、クロスニコルに配置された一対の偏光素子が、隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０２１４】
このような投写型表示装置１０００は、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記第１実施形態から第４実施形態までに説明した、イオントラップ電極１３０を含む液晶装置が備えられているので、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示不具合が改善され、優れた表示品質で画像を投写することができる。
【０２１５】
本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨または思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置、およびこの液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０２１６】
（変形例１）
変形例１に係る液晶装置５００について、図２０を参照して説明する。図２０は、本変形例に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。図２０に示すように、液晶装置５００において、第３電極５３３は、第１電極１３１および第２電極１３２と異なる層に設けられていてもよい。
【０２１７】
具体的には、第１電極１３１および第２電極１３２が配線層１４の上面に設けられており、第３電極５３３が配線層１３の上面に設けられている。
【０２１８】
第３電極５３３を、第１電極１３１および第２電極１３２と異なる層に、例えば、アルミニウム（Ａｌ）で形成する場合には、配線層１３にコンタクトホールを形成し、その後、コンタクトホールを被覆するようにアルミニウム（Ａｌ）を成膜しパターニングすることにより第３電極５３３を形成する。第３電極５３３を含む配線層１４を形成した後に、配線層１４上にＩＴＯ膜を成膜しパターニングして、画素電極１５およびダミー画素電極１５ｄと同時に第１電極１３１および第２電極１３２を形成する。
【０２１９】
このような形成方法によって、第３電極５３３と第１電極１３１および第２電極１３２とを電気的に絶縁させることができる。
【０２２０】
（変形例２）
変形例２に係る液晶装置６００について、図２１を参照して説明する。図２１は、本変形例に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。図２１に示すように、液晶装置６００において、第３電極６３３が、第１電極１３１および第２電極１３２と異なる層に設けられている例を示している。
【０２２１】
具体的には、第１電極１３１および第２電極１３２が配線層１４の上面に設けられており、第３電極６３３が配線層１２の上面に設けられている。
【０２２２】
第３電極６３３を、第１電極１３１および第２電極１３２と異なる層に、例えば、アルミニウム（Ａｌ）で形成する場合には、配線層１４を形成した後、配線層１４上にＩＴＯ膜を成膜しパターニングして、画素電極１５およびダミー画素電極１５ｄと同時に第１電極１３１および第２電極１３２を形成する。画素電極１５およびダミー画素電極１５ｄ、第１電極１３１および第２電極１３２を含む配線層１４を形成した後、配線層１３，１４にコンタクトホールを形成し、その後、コンタクトホールを被覆するようにアルミニウム（Ａｌ）を成膜しパターニングすることによって、第３電極６３３を形成する。
【０２２３】
このような形成方法によって、変形例１と同様に、第１電極１３１および第２電極１３２と第３電極６３３とを電気的に絶縁させることができる。
【０２２４】
（変形例３）
次に、変形例３に係る液晶装置７００について、図２２を参照して説明する。図２２は、本変形例に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。図２２は、第１実施形態における図１３または図１４に対応する概略断面図である。第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。
【０２２５】
図２２に示すように、本変形例に係る液晶装置７００は、イオントラップ電極７３０としての第１電極７３１、第２電極７３２、第３電極７３３が、素子基板７１０側ではなく、対向基板７２０側のダミー画素領域Ｅ２とシール材４０との間の見切り領域Ｅ３に配置されているところが、第１実施形態に記載した液晶装置１００と異なっている。言い換えれば、イオントラップ電極７３０が、対向基板７２０の共通電極２３と同層の、見切り領域Ｅ３に設けられている。
【０２２６】
本変形例に記載したイオントラップ電極７３０においても、上記実施形態および変形例と同様に、第２基準電位が第１基準電位と異なるように、各イオントラップ電極７３０に電位が印加されている。
【０２２７】
液晶装置７００は、シール材４０を介して貼り合わされた素子基板７１０と対向基板７２０との隙間に挟持された液晶層５０を有しており、素子基板７１０の配線層１４上に、画素電極１５、ダミー画素電極１５ｄが配置されている。
【０２２８】
図２２に示すように、画素電極１５、ダミー画素電極１５ｄは、配向膜１８で覆われており、共通電極２３およびイオントラップ電極７３０は、配向膜２４で覆われている。
【０２２９】
イオントラップ電極７３０のそれぞれは、素子基板７１０と対向基板７２０の間に設けられた上下導通部（図示省略）を介して、素子基板７１０の端子部に設けられた外部接続用端子１０４（図８参照）に電気的に接続されている。
【０２３０】
上記実施形態と同様に、イオントラップ電極７３０のそれぞれに対して、同じ周波数で、１周期の時間内に互いに位相が異なる交流信号、例えば、図９または図１０に示した交流信号が印加される。
【０２３１】
このような交流信号が、イオントラップ電極７３０のそれぞれに対して印加されると、それぞれの電極間に、極性に応じて、実線の矢印で示した電界が発生する。
【０２３２】
イオントラップ電極７３０のそれぞれに、位相が異なる交流信号が印加されることから、実線の矢印で示したこれらの電界は、表示領域Ｅに近い第１電極７３１から第３電極７３３に向かう方向に、徐々にスクロールされる。
【０２３３】
以上で説明したような構成にすることによって、本変形例に係る液晶装置７００は、第１実施形態で説明したイオントラップ電極１３０と同様に、イオントラップ電極７３０間に発生する電界のスクロールによって、表示領域Ｅの液晶層５０中のイオン性不純物は、イオントラップ電極７３０に引き寄せられて、引き寄せられたイオン性不純物は、第３電極７３３上に発生する残留ＤＣによって、留まることができる。
【０２３４】
その結果、液晶装置７００の電源をオフにした時に、イオン性不純物が表示領域Ｅに戻ることを抑制することができるので、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示に対する影響を低減できる。
【０２３５】
（変形例４）
上記実施形態に係るイオントラップ電極１３０を適用可能な液晶装置１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００のいずれかは、ＶＡ方式に限定されず、ＩＰＳ（Ｉｎ  Plane  Switching）方式やＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式、または、ＯＣＢ（Optically  Compensated  Birefringence）方式にも適用することができる。
【０２３６】
また、上記実施形態または変形例に記載した液晶装置は、第５実施形態で説明した電子機器としての透過型の投写型表示装置１０００に限らず、反射型表示装置においても適用することができる。上記実施形態に記載した液晶装置を反射型表示装置に適用する場合には、画素電極１５を光反射性の、例えば、Ａｌ、またはＡｌを含む合金を用いて形成してもよい。
【０２３７】
このような反射型表示装置によれば、反射型の液晶装置を液晶ライトバルブに用いているので、明るい画像を投写可能であると共に、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する反射型の投写型表示装置を提供できる。
【０２３８】
（変形例５）
また、上記実施形態または変形例に記載した液晶装置を適用可能な電子機器は、上記第５実施形態に係る投写型表示装置１０００に限定されない。
【０２３９】
例えば、上記実施形態に記載した液晶装置は、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型またはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの電子機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０２４０】
１０，７１０…第１基板としての素子基板、１５…画素電極、１５ｄ…ダミー画素電極、１６…蓄積容量、１８…配向膜、１８ｂ…配向膜、１８ｃ…配向膜、１８ｄ…材料、１９…絶縁膜、２０，７２０…第２基板としての対向基板、２３…対向電極としての共通電極、２３ａ…配線、２４…配向膜、４０…シール材、４５…角部、５０…液晶層、１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００…液晶装置、１３０，７３０…イオントラップ電極、１３１，７３１…第１電極、１３２，７３２…第２電極、１３３，７３３…第３電極、１０００…電子機器としての投写型表示装置、Ｅ…表示領域、Ｅ１…実表示領域、Ｅ２…ダミー画素領域、Ｅ３…見切り領域、ＬＣ…液晶分子、Ｐ…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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