(57)【要約】      （修正有）【課題】基準サイズ未満の小さなサイズの下部配線、上部配線、及びビアを、所望のサイズに形成できる配線構造物のマスクレイアウト（以下，ＭＬ）形成方法を提供する。【解決手段】下部配線構造物パターン（以下、ＷＳＰ）及びダミー下部ＷＳＰ１２０、１３０を含む第１ＭＬ１１０を形成し、上部ＷＳＰ及びダミー上部ＷＳＰを含み、第１マスク１００にオーバラップする第２ＭＬ１４０を形成し、下部ＷＳＰ及び上部ＷＳＰに共通的にオーバラップする第１ビア構造物パターン（以下、ＶＳＰ）と、ダミー下部ＷＳＰ及びダミー上部ＷＳＰに共通的にオーバラップする第１ダミーＶＳＰと、を含む第３ＭＬを形成し、下部ＷＳＰ及び上部ＷＳＰに共通的にオーバラップする第２ＶＳＰと、ダミー下部ＷＳＰ及びダミー上部ＷＳＰに共通的にオーバラップする第２ダミーＶＳＰと、を含み、第３マスクにオーバラップする第４ＭＬを形成する。【選択図】図１
2017108137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線構造物のマスクレイアウト形成方法であって、
下部配線構造物パターン及びダミー（ｄｕｍｍｙ）下部配線構造物パターンを含む第１マスクのレイアウトを形成し、
上部配線構造物パターン及びダミー上部配線構造物パターンを含み、前記第１マスクにオーバラップされる第２マスクのレイアウトを形成し、
前記下部配線構造物パターン及び前記上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第１ビア（ｖｉａ）構造物パターンと、前記ダミー下部配線構造物パターン及び前記ダミー上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第１ダミービア構造物パターンと、を含む第３マスクのレイアウトを形成し、
前記下部配線構造物パターン及び前記上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第２ビア（ｖｉａ）構造物パターンと、前記ダミー下部配線構造物パターン及び前記ダミー上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第２ダミービア構造物パターンと、を含み、前記第３マスクにオーバラップされる第４マスクのレイアウトを形成することを特徴とする、マスクレイアウト形成方法。
【請求項２】
前記第３マスクに第１光近接補正（ＯＰＣ）を遂行し、
前記第４マスクに第２光近接補正を遂行することをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項３】
前記第１ダミービア構造物パターンは、各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミービアパターンを含み、
前記第３マスクに第１光近接補正を遂行することは、前記第１ビア構造物パターン、及び前記第１ダミービアパターンに光近接補正を遂行することを特徴とする、請求項２に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項４】
前記ダミー下部配線構造物パターンは、各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー下部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー下部配線パターンを含み、
前記ダミー上部配線構造物パターンは、各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー上部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー上部配線パターンを含み、
前記各第１ダミービアパターンは、前記第１ダミー下部配線パターン及び前記第１ダミー上部配線パターンのうち、少なくとも１つにオーバラップされることを特徴とする、請求項３に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項５】
前記各第１ダミービアパターンは、前記第１ダミー下部配線パターンのうちの１つ及び前記第２ダミー上部配線パターンのうちの１つに共通的にオーバラップされるか、又は前記第２ダミー下部配線パターンのうちの１つ及び前記第１ダミー上部配線パターンのうちの１つに共通的にオーバラップされることを特徴とする、請求項４に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項６】
前記各第１ダミービア構造物パターン、ダミー下部配線構造物パターン、及びダミー上部配線構造物パターンは、上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有し、これらの前記サイズは前記長方形又は正方形において相対的に短い辺の長さとして定義されることを特徴とする、請求項４に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項７】
前記第１ダミービアパターンは前記第２ダミービアパターンより前記第１ビア構造物パターンに近接するように形成され、前記第１ダミー下部配線パターンは前記第２ダミー下部配線パターンより前記第１ビア構造物パターンに近接するように形成され、前記第１ダミー上部配線パターンは前記第２ダミー上部配線パターンより前記第１ビア構造物パターンに近接するように形成されることを特徴とする、請求項４に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項８】
前記下部配線構造物パターン、及び前記第１ダミー下部配線パターンに第３光近接補正を遂行し、
前記上部配線構造物パターン、及び前記第１ダミー上部配線パターンに第４光近接補正を遂行することを特徴とする、請求項４に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項９】
前記第１ビア構造物パターン、前記下部配線構造物パターン、及び前記上部配線構造物パターンに対する前記各第１、第３、第４光近接補正は、前記各々に対するサイズ拡張及びコーナー（ｃｏｒｎｅｒ）処理を含み、
前記第１ダミービアパターンに対する前記第１光近接補正はこれらに対するサイズ拡張を含むことを特徴とする、請求項８に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項１０】
前記第１ダミー下部配線パターン及び前記第１ダミー上部配線パターンに対する前記各第３及び第４光近接補正は、前記各々に対するサイズ拡張を含むことを特徴とする、請求項９に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項１１】
前記第２ダミービア構造物パターンは、各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第３ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第４ダミービアパターンを含み、
前記第４マスクに第２光近接補正を遂行することは、前記第２ビア構造物パターン、及び前記第３ダミービアパターンに光近接補正を遂行することを含むことを特徴とする、請求項２に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項１２】
前記ダミー下部配線構造物パターンは、各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー下部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー下部配線パターンを含み、
前記ダミー上部配線構造物パターンは、各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー上部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー上部配線パターンを含み、
前記各第３ダミービアパターンは、前記第１ダミー下部配線パターン及び前記第１ダミー上部配線パターンのうち、少なくとも１つにオーバラップされることを特徴とする、請求項１１に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項１３】
前記第１ダミービア構造物パターンは、各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミービアパターンを含み、
前記第２ダミービア構造物パターンは、各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第３ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第４ダミービアパターンを含み、
前記第１マスク内の前記第１ダミービアパターンの個数は、前記第２マスク内の前記第３ダミービアパターンの個数と同一であることを特徴とする、請求項１に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項１４】
配線構造物のマスクレイアウト形成方法であって、
下部配線構造物パターン及びダミー下部配線構造物パターンを含む第１マスクのレイアウトを形成し、
上部配線構造物パターン及びダミー上部配線構造物パターンを含み、前記第１マスクにオーバラップされる第２マスクのレイアウトを形成し、
前記下部配線構造物パターン及び前記上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第１ビア構造物パターンと、前記ダミー下部配線構造物パターン及び前記ダミー上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第１ダミービア構造物パターンと、を含む第３マスクのレイアウトを形成し、
ここで、前記第１ダミービア構造物パターンは、各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミービアパターンを含み、
前記第１ビア構造物パターン及び前記第１ダミービアパターンに第１光近接補正を遂行し、
前記下部配線構造物パターン及び前記上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第２ビア構造物パターンと、前記ダミー下部配線構造物パターン及び前記ダミー上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第２ダミービア構造物パターンと、を含み、前記第３マスクにオーバラップされる第４マスクのレイアウトを形成し、
ここで、前記第２ダミービア構造物パターンは、各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第３ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第４ダミービアパターンを含み、
前記第２ビア構造物パターン及び前記第３ダミービアパターンに第２光近接補正を遂行することを特徴とする、マスクレイアウト形成方法。
【請求項１５】
前記ダミー下部配線構造物パターンは、各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー下部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー下部配線パターンを含み、
前記ダミー上部配線構造物パターンは、各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー上部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー上部配線パターンを含み、
前記各第１ダミービアパターンは、前記第１ダミー下部配線パターン及び前記第１ダミー上部配線パターンのうち、少なくとも１つにオーバラップされることを特徴とする、請求項１４に記載のマスクレイアウト形成方法。
【請求項１６】
基板上に形成された第１層間絶縁膜を貫通する下部配線構造物及びダミー下部配線構造物を形成し、
前記第１層間絶縁膜、前記下部配線構造物、及び前記ダミー下部配線構造物上に第２層間絶縁膜及び第１エッチングマスク膜を順次に形成し、
前記第１エッチングマスク膜をパターニングして前記第２層間絶縁膜の上面を部分的に露出させる第１エッチングマスクを形成し、
前記第１エッチングマスク及び前記露出した第２層間絶縁膜の上面に第２エッチングマスク膜を形成し、
前記第２エッチングマスク膜をパターニングして前記第２層間絶縁膜を部分的に露出させる第１及び第２開口を含む予備第２エッチングマスクを形成し、
前記予備第２エッチングマスクをパターニングして前記第２層間絶縁膜を部分的に露出させる第３及び第４開口を含む第２エッチングマスクを形成し、
前記第１及び第２エッチングマスクを使用して前記第２層間絶縁膜の上部をエッチングすることによって、前記第１乃至第４開口に各々対応する第１乃至第４リセスを形成し、
前記第２エッチングマスクを除去した後、前記第１エッチングマスクを使用して前記第２層間絶縁膜をエッチングすることによって、前記第２層間絶縁膜の上部に第１及び第２トレンチを形成し、前記第２層間絶縁膜の下部に前記第１乃至第４リセスに各々対応する第１乃至第４ビアホールを形成し、
前記第１及び第２トレンチを各々充填する上部配線構造物及びダミー上部配線構造物と、前記第１及び第３ビアホールを各々充填しながら前記上部配線構造物に連結される第１及び第２ビア構造物と、前記第２及び第４ビアホールを各々充填しながら前記ダミー上部配線構造物に連結される第１及び第２ダミービア構造物を形成することを特徴とする、配線構造物の形成方法。
【請求項１７】
前記各第１及び第２ビア構造物は前記下部配線構造物に接触するように形成され、前記各第１及び第２ダミービア構造物は前記ダミー下部配線構造物に接触するように形成されることを特徴とする、請求項１６に記載の配線構造物の形成方法。
【請求項１８】
前記第１ダミービア構造物は、各々が基準サイズ未満のサイズを有する第１ダミービア、及び各々が前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミービアを含み、
前記第２ダミービア構造物は、各々が前記基準サイズ未満のサイズを有する第３ダミービア、及び各々が前記基準サイズ以上のサイズを有する第４ダミービアを含むことを特徴とする、請求項１６に記載の配線構造物の形成方法。
【請求項１９】
前記ダミー下部配線構造物は、前記基準サイズ未満のサイズを有する第１ダミー下部配線、及び各々が前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミー下部配線を含み、
前記ダミー上部配線構造物は、前記基準サイズ未満のサイズを有する第１ダミー上部配線、及び各々が前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミー上部配線を含み、
前記各第１及び第３ダミービアは、前記第１ダミー下部配線及び前記第１ダミー上部配線のうち、少なくとも１つに接触するように形成されることを特徴とする、請求項１８に記載の配線構造物の形成方法。
【請求項２０】
前記各第１及び第３ダミービアは、前記第１ダミー下部配線のうちの１つ及び前記第２ダミー上部配線のうちの１つに共通的に接触するように形成されるか、又は前記第２ダミー下部配線のうちの１つ及び前記第１ダミー上部配線のうちの１つに共通的に接触するように形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の配線構造物の形成方法。
【請求項２１】
基板上に形成された下部配線構造物と、
前記下部配線構造物と同一な層に形成され、前記下部配線構造物に相対的に近接する第１ダミー下部配線、及び前記下部配線構造物から相対的に離隔し、前記第１ダミー下部配線より大きいサイズを有する第２ダミー下部配線を含むダミー下部配線構造物と、
前記下部配線構造物上に形成されて、これに少なくとも部分的にオーバラップされる上部配線構造物と、
前記上部配線構造物と同一の層に形成されて、前記ダミー下部配線構造物に少なくとも部分的にオーバラップされ、前記上部配線構造物に相対的に近接する第１ダミー上部配線、及び前記上部配線構造物から相対的に離隔し、前記第１ダミー上部配線より大きいサイズを有する第２ダミー上部配線を含むダミー上部配線構造物と、
前記下部配線構造物及び前記上部配線構造物の間に形成されて、これらに共通的に接触するビア構造物と、
前記ダミー下部配線構造物及び前記ダミー上部配線構造物の間に形成されて、これらに共通的に接触し、前記ビア構造物に相対的に近接する第１ダミービア、及び前記ビア構造物から相対的に離隔し、前記第１ダミービアより大きいサイズを有する第２ダミービアを含むダミービア構造物を含み、
前記各第１ダミービアは、前記第１ダミー下部配線及び前記第１ダミー上部配線のうち、少なくとも１つに接触することを特徴とする、配線構造物。
【請求項２２】
前記各第１ダミービアは、前記第１ダミー下部配線のうちの１つ及び前記第２ダミー上部配線のうちの１つに共通的に接触するか、又は前記第２ダミー下部配線のうちの１つ及び前記第１ダミー上部配線のうちの１つに共通的に接触することを特徴とする、請求項２１に記載の配線構造物。
【請求項２３】
前記第１及び第２ダミー下部配線、前記第１及び第２ダミー上部配線、及び前記第１及び第２ダミービアは、各々上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有し、これらのサイズは前記長方形又は正方形の短辺の長さとして定義されることを特徴とする、請求項２１に記載の配線構造物。
【請求項２４】
前記第１ダミー下部配線及び前記第１ダミー上部配線は、各々上面から見た時、長方形の形状を有し、前記第２ダミー下部配線、前記第２ダミー上部配線、及び前記第１及び第２ダミービアは、各々上面から見た時、正方形の形状を有することを特徴とする、請求項２１に記載の配線構造物。
【請求項２５】
基板上に形成された第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜上に形成された第２層間絶縁膜と、
前記第２層間絶縁膜内に形成された上部配線と、
前記第１層間絶縁膜内に形成され、断面図上で前記上部配線より広く、ビアを通じて前記上部配線に連結された下部配線と、
前記第２層間絶縁膜内に形成された複数のダミー上部配線と、
前記第１層間絶縁膜内に形成された複数のダミー下部配線と、を含み、
前記ダミー上部配線のうちの少なくとも１つは第１ダミービアを通じて前記ダミー下部配線のうちの少なくとも１つに連結され、前記第１ダミービアは前記第２層間絶縁膜内に形成されることを特徴とする、配線構造物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線構造物、その形成方法、及び配線構造物のマスクレイアウト形成方法に関し、より詳しくは、本発明は、ビアを含む配線構造物、その形成方法、及び配線構造物のマスクレイアウト形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高集積化によって上下部配線及びこれらを互いに連結するビア（ｖｉａ）のサイズが小さくなっており、特に相対的に低い密度で分布するビアの場合、フォト（以下、「フォトリソグラフィ」、「フォトレジスト」などを「フォト」と略記する場合がある）工程及び／又はエッチング工程で所望のサイズ及び／又は形状に形成できない場合がある。ここに、従来には光近接補正（ＯＰＣ）を使用してビアを形成したが、前記ビアのサイズが極度に小さな場合には、光近接補正を使用しても所望のサイズ及び／又は形状を有するように形成することは困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の課題は、基準サイズ未満の小さなサイズに形成されるべき下部配線、上部配線、及びビアを、光近接効果及び／又は周辺構造物の影響を実質的に受けることなく、所望のサイズ及び／又は形状に形成できる、優れた特性を有する配線構造物の形成方法を提供することにある。
【０００４】
本発明の他の課題は、基準サイズ未満の小さなサイズに形成されるべき下部配線、上部配線、及びビアを、光近接効果及び／又は周辺構造物の影響を実質的に受けることなく、所望のサイズ及び／又は形状を有して、優れた特性を有する配線構造物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一課題を達成するための例示的な実施形態に係る配線構造のマスクレイアウト形成方法は、下部配線構造物パターン及びダミー（ｄｕｍｍｙ）下部配線構造物パターンを含む第１マスクのレイアウトを形成し、上部配線構造物パターン及びダミー上部配線構造物パターンを含み、前記第１マスクにオーバラップされる第２マスクのレイアウトを形成し、前記下部配線構造物パターン及び前記上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第１ビア（ｖｉａ）構造物パターンと、前記ダミー下部配線構造物パターン及び前記ダミー上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第１ダミービア構造物パターンと、を含む第３マスクのレイアウトを形成し、前記下部配線構造物パターン及び前記上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第２ビア構造物パターンと、前記ダミー下部配線構造物パターン及び前記ダミー上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第２ダミービア構造物パターンと、を含み、前記第３マスクにオーバラップされる第４マスクのレイアウトを形成することを特徴とする。
【０００６】
例示的な実施形態において、前記第３マスクに第１光近接補正（ＯＰＣ）を遂行し、前記第４マスクに第２光近接補正を遂行する。
【０００７】
例示的な実施形態において、前記第１ダミービア構造物パターンは各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミービアパターンを含み、前記第３マスクに第１光近接補正を遂行する時、前記第１ビア構造物パターン、及び前記第１ダミービアパターンに光近接補正を遂行する。
【０００８】
例示的な実施形態において、前記ダミー下部配線構造物パターンは、各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー下部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー下部配線パターンを含み、前記ダミー上部配線構造物パターンは各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー上部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー上部配線パターンを含み、前記各第１ダミービアパターンは前記第１ダミー下部配線パターン及び前記第１ダミー上部配線パターンのうち、少なくとも１つにオーバラップされる。
【０００９】
例示的な実施形態において、前記各第１ダミービアパターンは、前記第１ダミー下部配線パターンのうちの１つ、及び前記第２ダミー上部配線パターンのうちの１つに共通的にオーバラップされるか、又は前記第２ダミー下部配線パターンのうちの１つ及び前記第１ダミー上部配線パターンのうちの１つに共通的にオーバラップされる。
【００１０】
例示的な実施形態において、前記各第１ダミービア構造物パターン、ダミー下部配線構造物パターン、及びダミー上部配線構造物パターンは、上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有することができ、これらの前記サイズは前記長方形又は正方形において相対的に短い辺の長さとして定義される。
【００１１】
例示的な実施形態において、前記第１ダミービアパターンは前記第２ダミービアパターンより前記第１ビア構造物パターンにさらに近接するように形成され、前記第１ダミー下部配線パターンは、前記第２ダミー下部配線パターンより前記第１ビア構造物パターンにさらに近接するように形成され、前記第１ダミー上部配線パターンは前記第２ダミー上部配線パターンより前記第１ビア構造物パターンにさらに近接するように形成される。
【００１２】
例示的な実施形態において、前記下部配線構造物パターン、及び前記第１ダミー下部配線パターンに第３光近接補正を遂行し、前記上部配線構造物パターン、及び前記第１ダミー上部配線パターンに第４光近接補正を遂行する。
【００１３】
例示的な実施形態において、前記第１ビア構造物パターン、前記下部配線構造物パターン、及び前記上部配線構造物パターンに対する前記第１、第３、第４光近接補正は、前記各々に対するサイズ拡張及びコーナー（ｃｏｒｎｅｒ）処理を含み、前記第１ダミービアパターンに対する前記第１光近接補正はこれらに対するサイズ拡張を含む。
【００１４】
例示的な実施形態において、前記第１ダミー下部配線パターン及び前記第１ダミー上部配線パターンに対する前記第３及び第４光近接補正は、前記各々に対するサイズ拡張を含む。
【００１５】
例示的な実施形態において、前記第２ダミービア構造物パターンは各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第３ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第４ダミービアパターンを含み、前記第４マスクに第２光近接補正を遂行する時、前記第２ビア構造物パターン、及び前記第３ダミービアパターンに光近接補正を遂行する。
【００１６】
例示的な実施形態において、前記ダミー下部配線構造物パターンは、各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー下部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー下部配線パターンを含み、前記ダミー上部配線構造物パターンは、各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー上部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー上部配線パターンを含み、前記各第３ダミービアパターンは、前記第１ダミー下部配線パターン及び前記第１ダミー上部配線パターンのうち、少なくとも１つにオーバラップされる。
【００１７】
例示的な実施形態において、前記各第３ダミービアパターンは前記第１ダミー下部配線パターンのうちの１つ及び前記第２ダミー上部配線パターンのうちの１つに共通的にオーバラップされるか、又は前記第２ダミー下部配線パターンのうちの１つ及び前記第１ダミー上部配線パターンのうちの１つに共通的にオーバラップされる。
【００１８】
例示的な実施形態において、前記各第１ダミービア構造物パターン、ダミー下部配線構造物パターン、及びダミー上部配線構造物パターンは、上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有し、これらの前記サイズは前記長方形又は正方形の短辺の長さとして定義される。
【００１９】
例示的な実施形態において、前記第１ダミービアパターンは前記第２ダミービアパターンより前記第１ビアにさらに近接するように形成され、前記第１ダミー下部配線パターンは前記第２ダミー下部配線パターンより前記第１ビアにさらに近接するように形成され、前記第１ダミー上部配線パターンは前記第２ダミー上部配線パターンより前記第１ビアにさらに近接するように形成される。
【００２０】
例示的な実施形態において、前記下部配線構造物パターン、及び前記第１ダミー下部配線パターンに第３光近接補正を遂行し、前記上部配線構造物パターン、及び前記第１ダミー上部配線パターンに第４光近接補正を遂行する。
【００２１】
例示的な実施形態において、前記第２ビア構造物パターン、前記下部配線構造物パターン、及び前記上部配線構造物パターンに対する前記第２乃至第４光近接補正は、前記各々に対するサイズ拡張及びコーナー処理を含み、前記第３ダミービアパターンに対する前記第２光近接補正はこれらに対するサイズ拡張を含む。
【００２２】
例示的な実施形態において、前記第１ダミー下部配線パターン及び前記第１ダミー上部配線パターンに対する前記第３及び第４光近接補正は前記各々に対するサイズ拡張を含む。
【００２３】
例示的な実施形態において、前記第１ダミービア構造物パターンは、各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミービアパターンを含み、前記第２ダミービア構造物パターンは各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第３ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第４ダミービアパターンを含み、前記第１マスク内の前記第１ダミービアパターンの個数は前記第２マスク内の前記第３ダミービアパターンの個数と同一である。
【００２４】
例示的な実施形態において、前記第１ダミービア構造物パターンは各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミービアパターンを含み、前記第２ダミービア構造物パターンは各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第３ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第４ダミービアパターンを含み、前記第１マスク内の前記第１ダミービアパターンの個数は、前記第２マスク内の前記第３ダミービアパターンの個数と異なる。
【００２５】
例示的な実施形態において、前記下部配線構造物パターン及び前記ダミー下部配線構造物パターンを含む前記第１マスクのレイアウトを形成する時、第１下部配線パターンと、第１及び第２ダミー下部配線パターンと、を含む前記第１マスクのレイアウトを形成し、第２下部配線パターンと、第３及び第４ダミー下部配線パターンと、を含み、前記第１マスクにオーバラップされる第５マスクのレイアウトを形成する。
【００２６】
例示的な実施形態において、前記各第１及び第３ダミー下部配線パターンは基準サイズ未満のサイズを有し、前記各第２及び第４ダミー下部配線パターンは前記基準サイズ以上のサイズを有する。
【００２７】
例示的な実施形態において、前記第１下部配線パターン及び前記第１ダミー下部配線パターンに対する第５光近接補正を遂行し、前記第２下部配線パターン及び前記第３ダミー下部配線パターンに対する第６光近接補正を遂行する。
【００２８】
例示的な実施形態において、前記上部配線構造物パターン及び前記ダミー上部配線構造物パターンを含む前記第２マスクのレイアウトを形成する時、第１上部配線パターンと、第１及び第２ダミー上部配線パターンと、を含む前記第２マスクのレイアウトを形成し、第２上部配線パターンと、第３及び第４ダミー上部配線パターンと、を含み、前記第２マスクにオーバラップされる第６マスクのレイアウトを形成する。
【００２９】
例示的な実施形態において、前記各第１及び第３ダミー上部配線パターンは基準サイズ未満のサイズを有し、前記各第２及び第４ダミー上部配線パターンは前記基準サイズ以上のサイズを有する。
【００３０】
例示的な実施形態において、前記第１上部配線パターン及び前記第１ダミー上部配線パターンに対する第３光近接補正を遂行し、前記第２上部配線パターン及び前記第３ダミー上部配線パターンに対する第４光近接補正を遂行する。
【００３１】
本発明の一課題を達成するための他の例示的な実施形態に係る配線構造のマスクレイアウト形成方法は、下部配線構造物パターン及びダミー下部配線構造物パターンを含む第１マスクのレイアウトを形成し、上部配線構造物パターン及びダミー上部配線構造物パターンを含み、前記第１マスクにオーバラップされる第２マスクのレイアウトを形成し、前記下部配線構造物パターン及び前記上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第１ダミービア構造物パターンと、を含む第３マスクのレイアウトを形成し、ここで、前記第１ダミービア構造物パターンは、各々基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミービアパターンを含み、前記第１ビア構造物パターン及び前記第１ダミービアパターンに第１光近接補正を遂行し、前記下部配線構造物パターン及び前記上部配線構造物パターンに共通的にオーバラップされる第２ダミービア構造物パターンと、を含み、前記第３マスクにオーバラップされる第４マスクのレイアウトを形成し、ここで、前記第２ダミービア構造物パターンは、各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第３ダミービアパターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第４ダミービアパターンを含み、前記第２ビア構造物パターン及び前記第３ダミービアパターンに第２光近接補正を遂行することを特徴とする。
【００３２】
例示的な実施形態において、前記ダミー下部配線構造物パターンは各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー下部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー下部配線パターンを含み、前記ダミー上部配線構造物パターンは各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー上部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー上部配線パターンを含み、前記各第１ダミービアパターンは前記第１ダミー下部配線パターン及び前記第１ダミー上部配線パターンのうち、少なくとも１つにオーバラップされる。
【００３３】
例示的な実施形態において、前記各第１ダミービアパターンは前記第１ダミー下部配線パターンのうちの１つ及び前記第２ダミー上部配線パターンのうちの１つに共通的にオーバラップされるか、又は前記第２ダミー下部配線パターンのうちの１つ及び前記第１ダミー上部配線パターンのうちの１つに共通的にオーバラップされる。
【００３４】
例示的な実施形態において、前記ダミー下部配線構造物パターンは各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー下部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー下部配線パターンを含み、前記ダミー上部配線構造物パターンは各々前記基準サイズ未満のサイズを有する複数の第１ダミー上部配線パターン、及び各々前記基準サイズ以上のサイズを有する複数の第２ダミー上部配線パターンを含み、前記各第３ダミービアパターンは前記第１ダミー下部配線パターン及び前記第１ダミー上部配線パターンのうち、少なくとも１つにオーバラップされる。
【００３５】
例示的な実施形態において、前記各第３ダミービアパターンは前記第１ダミー下部配線パターンのうちの１つ及び前記第２ダミー上部配線パターンのうちの１つに共通的にオーバラップされるか、又は前記第２ダミー下部配線パターンのうちの１つ及び前記第１ダミー上部配線パターンのうちの１つに共通的にオーバラップされる。
【００３６】
本発明の他の課題を達成するための他の例示的な実施形態に係る配線構造物の形成方法は、基板上に形成された第１層間絶縁膜を貫通する下部配線構造物及びダミー下部配線構造物を形成し、前記第１層間絶縁膜、前記下部配線構造物、及び前記ダミー下部配線構造物上に第２層間絶縁膜及び第１エッチングマスク膜を順次に形成し、前記第１エッチングマスク膜をパターニングして前記第２層間絶縁膜の上面を部分的に露出させる第１エッチングマスクを形成し、前記第１エッチングマスク及び前記露出した第２層間絶縁膜の上面に第２エッチングマスク膜を形成し、前記第２エッチングマスク膜をパターニングして前記第２層間絶縁膜を部分的に露出させる第１及び第２開口を含む予備第２エッチングマスクを形成し、前記予備第２エッチングマスクをパターニングして前記第２層間絶縁膜を部分的に露出させる第３及び第４開口を含む第２エッチングマスクを形成し、前記第１及び第２エッチングマスクを使用して前記第２層間絶縁膜の上部をエッチングすることによって、前記第１乃至第４開口に各々対応する第１乃至第４リセスを形成し、前記第２エッチングマスクを除去した後、前記第１エッチングマスクを使用して前記第２層間絶縁膜をエッチングすることによって、前記第２層間絶縁膜の上部に第１及び第２トレンチを形成し、前記第２層間絶縁膜の下部に前記第１乃至第４リセスに各々対応する第１乃至第４ビアホールを形成し、前記第１及び第２トレンチを各々充填する上部配線構造物及びダミー上部配線構造物と、前記第１及び第３ビアホールを各々充填しながら前記上部配線構造物に連結される第１及び第２ビア構造物と、前記第２及び第４ビアホールを各々充填しながら前記ダミー上部配線構造物に連結される第１及び第２ダミービア構造物を形成することを特徴とする。
【００３７】
例示的な実施形態において、前記各第１及び第２ビア構造物は前記下部配線構造物に接触するように形成され、前記各第１及び第２ダミービア構造物は前記ダミー下部配線構造物に接触するように形成される。
【００３８】
例示的な実施形態において、前記第１ダミービア構造物は各々が基準サイズ未満のサイズを有する第１ダミービア、及び各々が前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミービアを含み、前記第２ダミービア構造物は各々が前記基準サイズ未満のサイズを有する第３ダミービア、及び各々が前記基準サイズ以上のサイズを有する第４ダミービアを含む。
【００３９】
例示的な実施形態において、前記ダミー下部配線構造物は前記基準サイズ未満のサイズを有する第１ダミー下部配線、及び各々が前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミー下部配線を含み、前記ダミー上部配線構造物は前記基準サイズ未満のサイズを有する第１ダミー上部配線、及び各々が前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミー上部配線を含み、前記各第１及び第３ダミービアは前記第１ダミー下部配線及び前記第１ダミー上部配線のうち、少なくとも１つに接触するように形成される。
【００４０】
例示的な実施形態において、前記各第１及び第３ダミービアは前記第１ダミー下部配線のうちの１つ及び前記第２ダミー上部配線のうちの１つに共通的に接触するように形成されるか、又は前記第２ダミー下部配線のうちの１つ及び前記第１ダミー上部配線のうちの１つに共通的に接触するように形成される。
【００４１】
例示的な実施形態において、前記第１エッチングマスク膜は金属窒化物又はシリコン窒化物を含むように形成され、前記第２エッチングマスク膜はシリコン−オン−ハードマスク（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｈａｒｄｍａｓｋ）を含むように形成される。
【００４２】
例示的な実施形態において、前記第２エッチングマスク膜をパターニングして前記第１及び第２開口を含む前記予備第２エッチングマスクを形成する時、前記予備第２エッチングマスクが少なくとも１つの前記第１開口及び複数の前記第２開口を含むように形成され、前記第２開口の一部は前記第２開口の残りより小さなサイズを有する。
【００４３】
例示的な実施形態において、前記第１エッチングマスク膜をパターニングして前記第１エッチングマスクを形成する時、前記第１エッチングマスク膜をパターニングして前記第２層間絶縁膜の上面を部分的に露出させる予備第１エッチングマスクを形成し、前記予備第１エッチングマスクをパターニングして前記第２層間絶縁膜の上面を部分的に露出させる前記第１エッチングマスクを形成する。
【００４４】
本発明の更に他の課題を達成するための他の例示的な実施形態に係る配線構造物は、下部配線構造物、ダミー下部配線構造物、上部配線構造物、ダミー上部配線構造物、ビア構造物、及びダミービア構造物を含む。前記下部配線構造物は基板上に形成される。前記ダミー下部配線構造物は前記下部配線構造物と同一の層に形成され、前記下部配線構造物に相対的に近接する第１ダミー下部配線、及び前記下部配線構造物から相対的に離隔し、前記第１ダミー下部配線より大きいサイズを有する第２ダミー下部配線を含む。前記上部配線構造物は前記下部配線構造物上に形成されて、これに少なくとも部分的にオーバラップされる。前記ダミー上部配線構造物は前記上部配線構造物と同一の層に形成されて前記ダミー下部配線構造物に少なくとも部分的にオーバラップされ、前記上部配線構造物に相対的に近接する第１ダミー上部配線、及び前記上部配線構造物から相対的に離隔し、前記第１ダミー上部配線より大きいサイズを有する第２ダミー上部配線を含むことを特徴とする。
【００４５】
更に、前記ビア構造物は前記下部配線構造物及び前記上部配線構造物の間に形成されて、これらに共通的に接触する。前記ダミービア構造物は前記ダミー下部配線構造物及び前記ダミー上部配線構造物の間に形成されて、これらに共通的に接触し、前記ビア構造物に相対的に近接する第１ダミービア、及び前記ビア構造物から相対的に離隔し、前記第１ダミービアより大きいサイズを有する第２ダミービアを含む。前記各第１ダミービアは前記第１ダミー下部配線及び前記第１ダミー上部配線のうち、少なくとも１つに接触することを特徴とする。
【００４６】
例示的な実施形態において、前記各第１ダミービアは前記第１ダミー下部配線のうちの１つ及び前記第２ダミー上部配線のうちの１つに共通的に接触するか、又は前記第２ダミー下部配線のうちの１つ及び前記第１ダミー上部配線のうちの１つに共通的に接触することができる。
【００４７】
例示的な実施形態において、前記第１及び第２ダミー下部配線、前記第１及び第２ダミー上部配線、及び前記第１及び第２ダミービアは、各々上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有し、これらのサイズは前記長方形又は正方形の短辺の長さとして定義される。
【００４８】
例示的な実施形態において、前記第１ダミー下部配線及び前記第１ダミー上部配線は、各々上面から見た時、長方形の形状を有し、前記第２ダミー下部配線、前記第２ダミー上部配線、及び前記第１及び第２ダミービアは各々上面から見た時、正方形の形状を有する。
【００４９】
例示的な実施形態において、上面から見た時、前記第２ダミービアは正方形の形状を有することができ、前記第１ダミービアはコーナー部分がラウンド付けた正方形の形状を有することができる。
【発明の効果】
【００５０】
本発明に係る配線構造物の形成方法によれば、下部配線、上部配線、及びビアのパターンに対して各々、適切なダミーパターンを配置し、下部配線、上部配線、及び／又はビアを複数のグループに分割して形成するので、基準サイズ未満の小さなサイズに形成されるべき下部配線、上部配線、及びビアを、光近接効果及び／又は周辺構造物の影響を実質的に受けることなく、所望のサイズ及び／又は形状に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
図１〜図１２は、例示的な実施形態に係る、配線構造物を形成するためのマスクレイアウトの平面図である。
【図１】下部配線構造物パターンの一部及びダミー下部配線構造物パターンの一部を含む第１マスクのレイアウトを示す。
【図２】下部配線構造物パターンの一部及びダミー下部配線構造物パターンの一部を含む第１マスクに光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【図３】下部配線構造物パターンの残り部分及びダミー下部配線構造物パターンの残り部分を含む第２マスクのレイアウトを示す。
【図４】下部配線構造物パターンの残り部分及びダミー下部配線構造物パターンの残り部分を含む第２マスクに光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【図５】上部配線構造物パターンの一部及びダミー上部配線構造物パターンの一部を含む第３マスクのレイアウトを示す。
【図６】上部配線構造物パターンの一部及びダミー上部配線構造物パターンの一部を含む第３マスクに光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【図７】上部配線構造物パターンの残り部分及びダミー上部配線構造物パターンの残り部分を含む第４マスクのレイアウトを示す。
【図８】上部配線構造物パターンの残り部分及びダミー上部配線構造物パターンの残り部分を含む第４マスクに光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【図９】ビア構造物パターンの一部及びダミービア構造物パターンの一部を含む第５マスクのレイアウトを示す。
【図１０】ビア構造物パターンの一部及びダミービア構造物パターンの一部を含む第５マスクに光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【図１１】ビア構造物パターンの残り部分及びダミービア構造物パターンの残り部分を含む第６マスクのレイアウトを示す。
【図１２】ビア構造物パターンの残り部分及びダミービア構造物パターンの残り部分を含む第６マスクに光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【００５２】
図１３〜図１８は、別の例示的な実施形態に係る、配線構造物を形成するためのマスクレイアウトの平面図である。
【図１３】下部配線構造物パターンの一部及びダミー下部配線構造物パターンの一部を含む第１マスクに、別の光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【図１４】下部配線構造物パターンの残り部分及びダミー下部配線構造物パターンの残り部分を含む第２マスクに、別の光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【図１５】上部配線構造物パターンの一部及びダミー上部配線構造物パターンの一部を含む第３マスクに、別の光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【図１６】上部配線構造物パターンの残り部分及びダミー上部配線構造物パターンの残り部分を含む第４マスクに、別の光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【図１７】ビア構造物パターンの一部及びダミービア構造物パターンの一部を含む第５マスクに、別の光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【図１８】ビア構造物パターンの残り部分及びダミービア構造物パターンの残り部分を含む第６マスクに、別の光近接補正（ＯＰＣ）を遂行したレイアウトを示す。
【００５３】
図１９〜図５８は、例示的な実施形態に係る配線構造物を、その形成方法と共に説明するための平面図及び断面図である。
【図１９】例示的な実施形態に係る配線構造物の形成に用いる第１フォトレジストパターンの平面図である（図１の第１マスクに対応）。
【図２０】形成中の配線構造物の、図１９のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図２１】形成中の配線構造物の、図１９のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図２２】形成中の配線構造物の、図１９のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図２３】形成中の配線構造物の、図１９のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図２４】例示的な実施形態に係る配線構造物の形成に用いる第２フォトレジストパターンの平面図である（図３の第２マスクに対応）。
【図２５】形成中の配線構造物の、図２４のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図２６】形成中の配線構造物の、図２４のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図２７】形成中の配線構造物の、第１エッチングマスクを示す、図２４のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図２８】形成中の配線構造物の、第１エッチングマスクを示す、図２４のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図２９】形成中の配線構造物の、第１エッチングマスクを用いて形成した下部配線及びダミー下部配線の平面図である。
【図３０】形成中の配線構造物の、図２９のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図３１】形成中の配線構造物の、図２９のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図３２】例示的な実施形態に係る配線構造物の形成に用いる第３フォトレジストパターンの平面図である（図５の第３マスクに対応）。
【図３３】形成中の配線構造物の、図３２のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図３４】形成中の配線構造物の、図３２のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図３５】例示的な実施形態に係る配線構造物の形成に用いる第４フォトレジストパターンの平面図である（図７の第４マスクに対応）。
【図３６】形成中の配線構造物の、図３５のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図３７】形成中の配線構造物の、図３５のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図３８】形成中の配線構造物の、第２エッチングマスクを示す、図３５のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図３９】形成中の配線構造物の、第２エッチングマスクを示す、図３５のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図４０】例示的な実施形態に係る配線構造物の形成に用いる第５フォトレジストパターンの平面図である（図９の第５マスクに対応）。
【図４１】形成中の配線構造物の、図４０のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図４２】形成中の配線構造物の、図４０のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図４３】形成中の配線構造物の、図４０のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図４４】形成中の配線構造物の、図４０のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図４５】例示的な実施形態に係る配線構造物の形成に用いる第６フォトレジストパターンの平面図である（図１１の第６マスクに対応）。
【図４６】形成中の配線構造物の、図４５のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図４７】形成中の配線構造物の、図４５のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図４８】形成中の配線構造物の、第３エッチングマスクを示す、図４５のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図４９】形成中の配線構造物の、第３エッチングマスクを示す、図４５のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図５０】例示的な実施形態に係る配線構造物の形成に用いる、図４８、図４９に示した第３エッチングマスクの平面図である。
【図５１】形成中の配線構造物の、図５０のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図５２】形成中の配線構造物の、図５０のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図５３】例示的な実施形態に係る配線構造物の、ビア及びダミービアホールのパターン、並びに上部配線用及びダミー上部配線構造物用のトレンチのパターンを示す平面図である。
【図５４】形成中の配線構造物の、図５３のＡ−Ａ’に対応する断面図である。
【図５５】形成中の配線構造物の、図５３のＢ−Ｂ’に対応する断面図である。
【図５６】例示的な実施形態に係る配線構造物の、完成平面図である。
【図５７】例示的な実施形態に係る配線構造物の、図５６のＡ−Ａ’完成断面図である。
【図５８】例示的な実施形態に係る配線構造物の、図５６のＢ−Ｂ’完成断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５４】
以下、添付した図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
本発明の各図面において、構造物の寸法は本発明の明確性を期するために実際より拡大して示した。
本発明において、第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するために使われるが、前記構成要素は前記用語により限定されない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使われる。
【００５５】
本発明で使用した用語は単に特定の実施形態を説明するために使っており、本発明を限定しようとする意図はない。単数の表現は文脈上、明白に異なる意味を有しない限り、複数の表現を含む。本出願において、“含む”又は“有する”などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを規定するものであり、１つ又はその以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。
【００５６】
本発明において、各層（膜）、領域、電極、パターン、又は構造物が、対象体、基板、各層（膜）、領域、電極、又はパターンの“上に”又は“上方に”、或いは“下に”又は“下方に”形成される、と言及される場合には、各層（膜）、領域、電極、パターン、又は構造物が、別の、対象体、基板、各層（膜）、領域、又はパターンの上に、又は上方に、直接形成されるか、或いは下に、又は下方に位置して形成されることを意味するか、若しくは、他の層（膜）、他の領域、他の電極、他のパターン、又は他の構造物を介して形成されることを意味する。
【００５７】
本文に開示されている本発明の実施形態に対し、特定の構造的乃至機能的説明は、単に本発明の実施形態の説明を目的として例示されたものであって、本発明の実施形態は多様な形態に実施でき、本文に説明された実施形態に限定されると解釈されてはならない。
【００５８】
即ち、本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有し得る中において、特定の実施形態を図面に例示し、本明細書において詳細に説明しようとする。しかしながら、これは本発明を特定の開示形態に対して限定するものでなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むと理解されるべきである。
【００５９】
図１〜図１２は、例示的な実施形態に係る配線構造物を形成するためのマスクレイアウトの平面図である。
【００６０】
図１を参照すると、下部配線構造物パターンの一部及びダミー下部配線構造物パターンの一部を含む第１マスク１００のレイアウト（ｌａｙｏｕｔ）を示す。
【００６１】
第１マスク１００は第１及び第２領域（Ｉ、ＩＩ）を含み、これらは互いに相対的に遠い距離に離隔する。また、各第１及び第２領域（Ｉ、ＩＩ）内に形成される各種パターンは、互いに相対的に遠い距離に離隔する、これによって前記各種パターンは実質的に互いに孤立する。但し、第１及び第２領域Ｉ、ＩＩの間の領域には、前記下部配線構造物パターンが形成されないが、前記ダミー下部配線構造物パターンが形成され得る。
【００６２】
また、第１マスク１００は第１及び第２領域（Ｉ、ＩＩ）の以外の他の領域（図示せず）を含み得るが、その場合にも、前記他の領域内に形成された前記下部配線構造物パターンは互いに比較的遠い距離に離隔する。
【００６３】
一方、説明の便宜のために、図面上では各第１及び第２領域（Ｉ、ＩＩ）内に形成されたパターンのレイアウトが互いに類似するように示されているが、本発明の概念は必ずこれに限定されず、前記パターンのレイアウトは互いに異なり得る。
【００６４】
具体的に、第１マスク１００は、前記下部配線構造物パターンのうち、第１下部配線パターン１１０、及び前記ダミー下部配線構造物パターンのうち、第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０、及び第２ダミー下部配線パターン１４０を含む。
【００６５】
例示的な実施形態において、第１下部配線パターン１１０、第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０、及び第２ダミー下部配線パターン１４０は、各々上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有する。この際、各第１下部配線パターン１１０、第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０、及び第２ダミー下部配線パターン１４０のサイズは前記長方形の短辺の長さ又は前記正方形の一辺の長さとして定義され、これは本明細書の全てのパターンにも適用される。
【００６６】
一実施形態において、第１下部配線パターン１１０は第１マスク１００の上面に平行する第２方向に延びる長方形状を有し、第１マスク１００の上面に平行し、前記第２方向に実質的に垂直な第１方向に沿って第１長さ（Ｌ１）を有する。これによって、第１下部配線パターン１１０のサイズは第１長さ（Ｌ１）として定義される。
【００６７】
また、第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０は前記第２方向に延びる長方形の形状を有するか、又は前記第１方向に延びる長方形の形状を有し、これらは各々前記第１及び第２方向に沿って第２長さ（Ｌ２）及び第３長さ（Ｌ３）を有する。これによって、第１ダミー下部配線パターン１２０のサイズは第２長さ（Ｌ２）として定義され、また第１ダミー下部配線パターン１３０のサイズは第３長さ（Ｌ３）として定義される。
【００６８】
一方、各第２ダミー下部配線パターン１４０は正方形の形状を有し、前記各第１及び第２方向の双方に沿って第４長さ（Ｌ４）を有する。
【００６９】
しかしながら、本発明の概念はこれに限定されず、各第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０が正方形の形状を有し得るか、又は各第２ダミー下部配線パターン１４０が長方形の形状を有し得る。
【００７０】
例示的な実施形態において、第２長さ（Ｌ２）及び第３長さ（Ｌ３）、即ち各第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０のサイズは第４長さ（Ｌ４）、即ち各第２ダミー下部配線パターン１４０のサイズより小さい。即ち、各第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０のサイズは一定の基準サイズ未満であり、各第２ダミー下部配線パターン１４０のサイズは前記基準サイズ以上である。
【００７１】
例示的な実施形態において、第１長さ（Ｌ１）やはり第４長さ（Ｌ４）より小さく、これによって第１下部配線パターン１１０は前記基準サイズ未満のサイズを有する。
【００７２】
例示的な実施形態において、各第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０は第１下部配線パターン１１０から相対的に近い距離だけ離隔して形成され、各第２ダミー下部配線パターン１４０は、第１下部配線パターン１１０から相対的に遠い距離だけ離隔して形成される。即ち、小さなサイズに形成される第１下部配線パターン１１０に相対的に近接して形成される各第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０は、相対的に小さなサイズを有し、第１下部配線パターン１１０から相対的に離隔して形成される各第２ダミー下部配線パターン１４０は相対的に大きいサイズを有する。
【００７３】
図２を参照すると、第１下部配線パターン１１０、第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０、及び第２ダミー下部配線パターン１４０が形成された第１マスク１００に光近接補正（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ、ＯＰＣ）を遂行することができる。
【００７４】
即ち、前記基準サイズ未満のサイズを有するパターンの場合、以後、前記パターンをフォトレジストパターンに転写するフォト工程で光近接効果（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｅｆｆｅｃｔ）により所望のサイズ及び／又は形状を有するパターンが形成できないことがあるので、これを防止するために第１マスク１００に光近接補正を遂行する。
【００７５】
例示的な実施形態において、前記基準サイズ未満のサイズを有する第１下部配線パターン１１０及び第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０に光近接補正を遂行する。
【００７６】
例示的な実施形態において、前記光近接補正は各パターンの全体的なサイズを拡張し、また前記各パターンのコーナー（ｃｏｒｎｅｒ）部分を処理することを含む。これによって、第１下部配線パターン１１０及び第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０は、各々図２に示された形状を有する。しかしながら、本発明の概念はこれに限定されず、多様な方式の光近接補正が遂行できる。
【００７７】
一方、前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミー下部配線パターン１４０の場合、前記光近接補正が必ずしも遂行されない。
【００７８】
前記光近接補正を遂行した結果、第１マスク１００のレイアウトが補正される。即ち、第１マスク１００は補正された第１下部配線パターン１１５、補正された第１ダミー下部配線パターン１２５、１３５、及び第２ダミー下部配線パターン１４０を含む。
【００７９】
図３を参照すると、図１を参照にして説明した工程と実質的に同一又は類似の工程が遂行される。
【００８０】
即ち、図３は、前記下部配線構造物パターンの残り部分（第２下部配線パターン２１０）及び前記ダミー下部配線構造物パターンの残り部分（第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０、及び第４ダミー下部配線パターン２４０）を含む第２マスク２００のレイアウトを示す。
【００８１】
例示的な実施形態において、第２マスク２００は第１マスク１００と同一の領域、即ち例えば、第１及び第２領域（Ｉ、ＩＩ）を含み、後述するように、第２マスク２００は第１マスク１００に垂直的にオーバラップされる。
【００８２】
具体的に、第２マスク２００は前記下部配線構造物パターンのうち、第２下部配線パターン２１０、及び前記ダミー下部配線構造物パターンのうち、第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０、及び第４ダミー下部配線パターン２４０を含む。
【００８３】
例示的な実施形態において、第２下部配線パターン２１０、第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０、及び第４ダミー下部配線パターン２４０は、各々第１下部配線パターン１１０、第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０、及び第２ダミー下部配線パターン１４０と類似の形状及び位置を有する。これによって、第２下部配線パターン２１０のサイズは第１長さ（Ｌ１）で、第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０のサイズは第２及び第３長さ（Ｌ２、Ｌ３）で、各第４ダミー下部配線パターン２４０のサイズは第４長さ（Ｌ４）である。
【００８４】
しかし、第１及び第２マスク１００、２００を垂直的にオーバラップさせた時、第２下部配線パターン２１０、第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０、及び第４ダミー下部配線パターン２４０は、各々、第１下部配線パターン１１０、第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０、及び第２ダミー下部配線パターン１４０に対して水平的に近接するが、垂直方向にオーバラップされない、ようにダミー下部配線パターンが配置される。
これによって、相対的に小さなサイズを有する各第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０は、第２下部配線パターン２１０に対して相対的に近接し、相対的に大きいサイズを有する各第４ダミー下部配線パターン２４０は、第２下部配線パターン２１０から相対的に離隔する。
【００８５】
例示的な実施形態において、前記下部配線構造物パターン及び前記ダミー下部配線構造物パターンは、各々第１及び第２マスク１００、２００により２つの部分に分割される。後述するように、これによって前記下部配線構造物パターン及び前記ダミー下部配線構造物パターンが含む各種パターンが互いに密集している場合でも、これらを容易に形成できる。
【００８６】
例示的な実施形態において、第１マスク１００内に形成される第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０、及び第２ダミー下部配線パターン１４０の個数は、各々第２マスク２００内に形成される第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０、及び第４ダミー下部配線パターン２４０の個数と同一であり、これによって各第１及び第２マスク１００、２００内におけるこれらの密度は実質的に同一である。
しかしながら、本発明の概念は必ずこれに限定されず、第１マスク１００内に形成される第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０、及び第２ダミー下部配線パターン１４０の個数が各々、第２マスク２００内に形成される第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０、及び第４ダミー下部配線パターン２４０の個数と互いに異なり、これによって各第１及び第２マスク１００、２００内におけるこれらの密度は互いに異なり得る。
【００８７】
一方、前記下部配線構造物パターン及び前記ダミー下部配線構造物パターンは２より大きい複数の部分に分割され、複数のマスクを用いてレイアウトされ得る。この場合、前記各下部配線構造物パターン及び前記ダミー下部配線構造物パターンは前記複数の部分に分割される。これとは異なり、前記各下部配線構造物パターン及び前記ダミー下部配線構造物パターンが複数の部分に分割されず、１つのマスク、例えば第１マスク１００のみによりレイアウトされる場合もある。但し、以下では説明の便宜上、各パターンが２つの部分に分割されて２つのマスクを用いてレイアウトされる場合のみを記述する。
【００８８】
一方、図１では第１下部配線パターン１１０が第１マスク１００の第１領域（Ｉ）に形成され、図３では第２下部配線パターン２１０が第２マスク２００の第２領域（ＩＩ）に形成される場合が示されているが、本発明の概念はこれに限定されず、反対に、第１下部配線パターン１１０が第１マスク１００の第２領域（ＩＩ）に形成され、第２下部配線パターン２１０が第２マスク２００の第１領域（Ｉ）に形成され得る。
【００８９】
図４を参照すると、図２を参照して説明した工程と実質的に同一又は類似の工程を図３に対して遂行したレイアウトを示す。
【００９０】
これによって、第２下部配線パターン２１０、第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０、及び第４ダミー下部配線パターン２４０が形成された第２マスク２００に光近接補正を遂行する。
【００９１】
例示的な実施形態において、前記基準サイズ未満のサイズを有する第２下部配線パターン２１０及び第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０に光近接補正を遂行し、前記基準サイズ以上のサイズを有する第４ダミー下部配線パターン２４０の場合、前記光近接補正が遂行されない。
【００９２】
前記光近接補正を遂行した結果、第２マスク２００のレイアウトが補正される。即ち、第２マスク２００は補正された第２下部配線パターン２１５、補正された第３ダミー下部配線パターン２２５、２３５、及び第４ダミー下部配線パターン２４０を含む。
【００９３】
図５を参照すると、上部配線構造物パターンの一部及びダミー上部配線構造物パターンの一部を含む第３マスク３００のレイアウトを示す。
【００９４】
第３マスク３００は、第１及び第２マスク１００、２００と同様に、例えば第１及び第２領域（Ｉ、ＩＩ）を含み、第１及び第２マスク１００、２００に対して一般に垂直方向にオーバラップされることを予想して、内部の各パターンがレイアウトされる。これは、以後に形成される全てのマスクに同一であるので、以下では、これを記述しない。
【００９５】
第３マスク３００は、前記上部配線構造物パターンのうち、第１上部配線パターン３１０、及び前記ダミー上部配線構造物パターンのうち、第１ダミー上部配線パターン３２０及び第２ダミー上部配線パターン３４０を含む。但し、第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０とは異なり、図面上では第１ダミー上部配線パターン３２０が全て前記第１方向に延びる場合を示したが、本発明の概念はこれに限定されない。即ち、前記ダミー下部配線構造物パターンと類似して前記ダミー上部配線構造物パターンが前記第２方向に延びる第１ダミー上部配線パターンを含む場合もある。
【００９６】
第１上部配線パターン３１０、第１ダミー上部配線パターン３２０、及び第２ダミー上部配線パターン３４０は、各々、第１下部配線パターン１１０、第１ダミー下部配線パターン１２０、及び第２ダミー下部配線パターン１４０と類似の形状を有し、又は各々第２下部配線パターン２１０、第３ダミー下部配線パターン２２０、及び第４ダミー下部配線パターン２４０と類似の形状を有する。
【００９７】
即ち、第１上部配線パターン３１０、第１ダミー上部配線パターン３２０、及び第２ダミー上部配線パターン３４０は、各々上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有する。この際、各第１上部配線パターン３１０、第１ダミー上部配線パターン３２０、及び第２ダミー上部配線パターン３４０のサイズは各々第５長さ（Ｌ５）、第６長さ（Ｌ６）、及び第７長さ（Ｌ７）を有する。
【００９８】
例示的な実施形態において、第５及び第６長さ（Ｌ５、Ｌ６）、即ち第１上部配線パターン３１０のサイズ及び第１ダミー上部配線パターン３２０のサイズは、第６長さ（Ｌ７）、即ち第２ダミー上部配線パターン３４０のサイズより小さい。即ち、第１上部配線パターン３１０のサイズ及び第１ダミー上部配線パターン３２０の各々のサイズは前記基準サイズ未満で、第２ダミー上部配線パターン３４０の各々のサイズは前記基準サイズ以上である。
【００９９】
例示的な実施形態において、第１上部配線パターン３１０は前記下部配線パターン構造物に少なくとも部分的に垂直的にオーバラップし、第１ダミー上部配線パターン３２０及び第２ダミー上部配線パターン３４０は、各々前記下部ダミー配線構造物パターンに少なくとも部分的に垂直的にオーバラップする。
【０１００】
具体的に、第１上部配線パターン３１０は前記下部配線パターン構造物の第１下部配線パターン１１０又は第２下部配線パターン２１０に少なくとも部分的に垂直的にオーバラップする。また、各第１ダミー上部配線パターン３２０は前記下部ダミー配線構造物パターンの第１下部ダミー配線パターン１２０、１３０、又は第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０に少なくとも部分的に垂直的にオーバラップし、各第２ダミー上部配線パターン３４０は前記下部ダミー配線構造物パターンの第２下部ダミー配線パターン１４０又は第４ダミー下部配線パターン２４０に少なくとも部分的に垂直的にオーバラップする。
【０１０１】
図６を参照すると、図２を参照にして説明した工程と実質的に同一又は類似の工程を図５に対して遂行したレイアウトを示す。
【０１０２】
これによって、第１上部配線パターン３１０、第１ダミー上部配線パターン３２０、及び第２ダミー上部配線パターン３４０が形成された第３マスク３００に光近接補正を遂行する。
【０１０３】
具体的に、前記基準サイズ未満のサイズを有する第１上部配線パターン３１０及び第１ダミー上部配線パターン３２０に光近接補正を遂行し、前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミー上部配線パターン３４０の場合、前記光近接補正が遂行されない。
【０１０４】
前記光近接補正を遂行した結果、第３マスク３００のレイアウトが補正される。即ち、第３マスク３００は補正された第１上部配線パターン３１５、補正された第１ダミー上部配線パターン３２５、及び第２ダミー上部配線パターン３４０を含む。
【０１０５】
図７を参照すると、図５を参照にして説明した工程と実質的に同一又は類似の工程を遂行したレイアウトを示す。
【０１０６】
即ち、前記上部配線構造物パターンの残り部分及び前記ダミー上部配線構造物パターンの残り部分を含む第４マスク４００のレイアウトを示す。
【０１０７】
具体的に、第４マスク４００は、前記上部配線構造物パターンのうちの第２上部配線パターン４１０、及び前記ダミー上部配線構造物パターンのうちの第３ダミー上部配線パターン４２０、及び第４ダミー上部配線パターン４４０を含む。
【０１０８】
例示的な実施形態において、第２上部配線パターン４１０、第３ダミー上部配線パターン４２０、及び第４ダミー上部配線パターン４４０は、各々第１上部配線パターン３１０、第１ダミー上部配線パターン３２０、及び第２ダミー上部配線パターン３４０と類似の形状及び位置を有する。これによって、図示しないが、第２上部配線パターン４１０のサイズは第５長さ（Ｌ５）で、第３ダミー上部配線パターン４２０のサイズは第６長さ（Ｌ６）で、各第４ダミー上部配線パターン４４０のサイズは第７長さ（Ｌ７）である。
【０１０９】
単に、第３及び第４マスク３００、４００を垂直的にオーバラップさせた時、第２上部配線パターン４１０、第３ダミー上部配線パターン４２０、及び第４ダミー上部配線パターン４４０は、各々、第１上部配線パターン３１０、第１ダミー上部配線パターン３２０、及び第２ダミー上部配線パターン３４０に対して水平的に近接するが、垂直方向にオーバラップされない、ようにダミー上部配線パターンが配置される。これによって、相対的に小さなサイズを有する各第３ダミー上部配線パターン４２０は、第２上部配線パターン４１０に対して相対的に近接し、相対的に大きいサイズを有する各第４ダミー上部配線パターン４４０は、第２上部配線パターン４１０から相対的に離隔する。
【０１１０】
例示的な実施形態において、前記上部配線構造物パターン及び前記ダミー上部配線構造物パターンは、各々第３及び第４マスク３００、４００により複数個の部分に分割される。これとは異なり、前記各上部配線構造物パターン及び前記ダミー上部配線構造物パターンが複数の部分に分割されず、１つのマスク、例えば第３マスク３００のみによりレイアウトが設計される場合もある。但し、以下では説明の便宜上、各パターンが２つの部分に分割されて２つのマスクを用いてレイアウトされる場合のみを記述する。
【０１１１】
図８を参照すると、図６を参照して説明した工程と実質的に同一又は類似の工程を図７に対して遂行したレイアウトを示す。
【０１１２】
これによって、第２上部配線パターン４１０、第３ダミー上部配線パターン４２０、及び第４ダミー上部配線パターン４４０が形成された第４マスク４００に光近接補正を遂行する。
【０１１３】
例示的な実施形態において、前記基準サイズ未満のサイズを有する第２上部配線パターン４１０及び第３ダミー上部配線パターン４２０に光近接補正を遂行し、前記基準サイズ以上のサイズを有する第４ダミー上部配線パターン４４０の場合、前記光近接補正が遂行されない。
【０１１４】
前記光近接補正を遂行した結果、第４マスク４００のレイアウトが補正される。即ち、第４マスク４００は補正された第２上部配線パターン４１５、補正された第３ダミー上部配線パターン４２５、及び第４ダミー上部配線パターン４４０を含む。
【０１１５】
図９を参照すると、ビア構造物パターンの一部及びダミービア構造物パターンの一部を含む第５マスク５００のレイアウトを示す。
【０１１６】
具体的に、第５マスク５００は、前記ビア構造物パターンのうちの第１ビアパターン５１０、及び前記ダミービア構造物パターンのうちの第１ダミービアパターン５２０、５２２、及び第２ダミービアパターン５４０を含む。
【０１１７】
例示的な実施形態において、第１ビアパターン５１０、第１ダミービアパターン５２０、５２２、及び第２ダミービアパターン５４０は、各々上面から見た時、正方形の形状を有するが、本発明の概念は必ずこれに限定されるものではない。
【０１１８】
例示的な実施形態において、第１ビアパターン５１０、第１ダミービアパターン５２０、５２２、及び第２ダミービアパターン５４０は、各々第８長さ（Ｌ８）、第９長さ（Ｌ９）、及び第１０長さ（Ｌ１０）のサイズを有する。
【０１１９】
例示的な実施形態において、第８長さ（Ｌ８）及び第９長さ（Ｌ９）、即ち各第１ビアパターン５１０及び第１ダミービアパターン５２０、５２２のサイズは第１０長さ（Ｌ１０）、即ち各第２ダミービアパターン５４０のサイズより小さい。即ち、各第１ビアパターン５１０及び第１ダミービアパターン５２０、５２２のサイズは前記基準サイズ未満であり、各第２ダミービアパターン５４０のサイズは前記基準サイズ以上である。
【０１２０】
例示的な実施形態において、各第１ダミービアパターン５２０、５２２は第１ビアパターン５１０に対して相対的に近接して形成され、各第２ダミービアパターン５４０は第１ビアパターン５１０から相対的に離隔して形成される。
【０１２１】
例示的な実施形態において、第１ビアパターン５１０は前記下部配線構造物パターン及び前記上部配線構造物パターンに垂直的にオーバラップするように形成され、各第１ダミービアパターン５２０、５２２及び各第２ダミービアパターン５４０は、前記ダミー下部配線構造物パターン及び前記ダミー上部配線構造物パターンに垂直的にオーバラップするように形成される。
【０１２２】
具体的に、第１ビアパターン５１０は前記下部配線構造物パターンの第１及び第２下部配線パターン１１０、２１０のうちの１つ、及び前記上部配線構造物パターンの第１及び第２上部配線パターン３１０、４１０のうちの１つに垂直的にオーバラップするように形成される。
【０１２３】
各第１ダミービアパターン５２０は前記ダミー下部配線構造物パターンの第１及び第３ダミー下部配線パターン１２０、１３０、２２０、２３０のうちの１つ、及び前記ダミー上部配線構造物パターンの第１及び第３ダミー上部配線パターン３２０、４２０のうちの１つに垂直的にオーバラップするように形成される。
例示的な実施形態において、各第１ダミービアパターン５２２は前記ダミー下部配線構造物パターンの第２及び第４ダミー下部配線パターン１４０、２４０のうちの１つ、及び前記ダミー上部配線構造物パターンの第１及び第３ダミー上部配線パターン３２０、４２０のうちの１つに垂直的にオーバラップするように形成される。
【０１２４】
各第２ダミービアパターン５４０は前記ダミー下部配線構造物パターンの第２及び第４ダミー下部配線パターン１４０、２４０のうちの１つ、及び前記ダミー上部配線構造物パターンの第２及び第４ダミー上部配線パターン３４０、４４０のうちの１つにオーバラップするように形成される。
【０１２５】
図１０を参照すると、図２を参照して説明した工程と実質的に同一又は類似の工程を図９に対して遂行したレイアウトを示す。
【０１２６】
これによって、第１ビアパターン５１０、第１ダミービアパターン５２０、５２２、及び第２ダミービアパターン５４０が形成された第５マスク５００に光近接補正を遂行する。
即ち、前記基準サイズ未満のサイズを有する第１ビアパターン５１０及び第１ダミービアパターン５２０、５２２に光近接補正を遂行し、前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミービアパターン５４０の場合、前記光近接補正が遂行されない。
【０１２７】
前記光近接補正を遂行した結果、第５マスク５００のレイアウトが補正される。即ち、第５マスク５００は補正された第１ビアパターン５１５、補正された第１ダミービアパターン５２５、５２７、及び第２ダミービアパターン５４０を含む。
【０１２８】
図１１を参照すると、図９を参照して説明した工程と実質的に同一又は類似の工程が遂行される。
【０１２９】
これによって、前記下部配線構造物パターンの残り部分、及び前記ダミー下部配線構造物パターンの残り部分を含む第６マスク６００のレイアウトを示す。
例示的な実施形態において、第６マスク６００は前記ビア構造物パターンのうちの第２ビアパターン６１０、及び前記ダミービア構造物パターンのうちの第３ダミービアパターン６２０、６２２、及び第４ダミービアパターン６４０を含む。
【０１３０】
例示的な実施形態において、第２ビアパターン６１０、第３ダミービアパターン６２０、６２２、及び第４ダミービアパターン６４０は、各々第１ビアパターン５１０、第１ダミービアパターン５２０、５２２、及び第２ダミービアパターン５４０と類似の形状及び位置を有する。これによって、第２ビアパターン６１０、第３ダミービアパターン６２０、６２２、及び第４ダミービアパターン６４０は、各々第８長さ（Ｌ８）、第９長さ（Ｌ９）、及び第１０長さ（Ｌ１０）のサイズを有する。
【０１３１】
例示的な実施形態において、第８長さ（Ｌ８）及び第９長さ（Ｌ９）、即ち各第２ビアパターン６１０及び第３ダミービアパターン６２０、６２２のサイズは第１０長さ（Ｌ１０）、即ち各第４ダミービアパターン６４０のサイズより小さい。即ち、各第２ビアパターン６１０及び第３ダミービアパターン６２０、６２２のサイズは前記基準サイズ未満であり、各第４ダミービアパターン６４０のサイズは前記基準サイズ以上である。
【０１３２】
例示的な実施形態において、各第３ダミービアパターン６２０、６２２は第２ビアパターン６１０に対して相対的に近接して形成され、各第４ダミービアパターン６４０は第２ビアパターン６１０から相対的に離隔して形成される。
【０１３３】
例示的な実施形態において、第２ビアパターン６１０は前記下部配線構造物パターンの第１及び第２下部配線パターン１１０、２１０のうちの１つ、及び前記上部配線構造物パターンの第１及び第２上部配線パターン３１０、４１０のうちの１つに垂直的にオーバラップするように形成される。
【０１３４】
各第３ダミービアパターン６２０は、前記ダミー下部配線構造物パターンの第１及び第３ダミー下部配線パターン１２０、１３０、２２０、２３０のうちの１つ、及び前記ダミー上部配線構造物パターンの第１及び第３ダミー上部配線パターン３２０、４２０のうちの１つに垂直的にオーバラップするように形成される。
例示的な実施形態において、各第３ダミービアパターン６２２は前記ダミー下部配線構造物パターンの第２及び第４ダミー下部配線パターン１４０、２４０のうちの１つ、及び前記ダミー上部配線構造物パターンの第１及び第３ダミー上部配線パターン３２０、４２０のうちの１つに垂直的にオーバラップするように形成される。
【０１３５】
各第４ダミービアパターン６４０は前記ダミー下部配線構造物パターンの第２及び第４ダミー下部配線パターン１４０、２４０のうちの１つ、及び前記ダミー上部配線構造物パターンの第２及び第４ダミー上部配線パターン３４０、４４０のうちの１つにオーバラップするように形成される。
【０１３６】
図１２を参照すると、図２を参照して説明した工程と実質的に同一又は類似の工程を図１１に対して遂行したレイアウトを示す。
【０１３７】
これによって、第２ビアパターン６１０、第３ダミービアパターン６２０、６２２、及び第４ダミービアパターン６４０が形成された第６マスク６００に光近接補正を遂行する。
即ち、前記基準サイズ未満のサイズを有する第２ビアパターン６１０及び第３ダミービアパターン６２０、６２２に光近接補正を遂行し、前記基準サイズ以上のサイズを有する第４ダミービアパターン６４０の場合、前記光近接補正が遂行されない。
【０１３８】
前記光近接補正を遂行した結果、第６マスク６００のレイアウトが補正される。即ち、第６マスク６００は補正された第２ビアパターン６１５、補正された第３ダミービアパターン６２５、６２７、及び第４ダミービアパターン６４０を含む。
【０１３９】
上述のマスクを活用することによって、後述するように、本発明に係る配線構造物を形成できる。
【０１４０】
上述のマスクを活用すると、基準サイズ未満の小さなサイズに形成される各種配線パターン（例えば、第１及び第２下部配線パターン１１０、２１０、第１及び第２上部配線パターン３１０、４１０、及び第１及び第２ビアパターン５１０、６１０）に対して、各々、相対的に近接するようにダミー配線パターン（例えば、第１及び第３ダミー下部配線パターン１２０、１３０、２２０、２３０、第１及び第３ダミー上部配線パターン３２０、４２０、及び第１及び第３ダミービアパターン５２０、６２０）が形成され、これらは全て前記基準サイズ未満の小さなサイズを有する。
これによって、以後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により前記各配線パターン（例えば、第１及び第２下部配線パターン１１０、２１０、第１及び第２上部配線パターン３１０、４１０、及び第１及び第２ビアパターン５１０、６１０）を形成する時、前記各配線パターンは、前記ダミー配線パターン（例えば、第１及び第２下部配線パターン１１０、２１０、第１及び第２上部配線パターン３１０、４１０、及び第１及び第２ビアパターン５１０、６１０）の影響を受けないので、これによって前記各配線パターンは、全てサイズ及び／又は形状の歪み無しで所望のサイズ及び／又は形状に形成される。
【０１４１】
また、前記基準サイズ未満のサイズを有する配線パターン（例えば、第１及び第２下部配線パターン１１０、２１０、第１及び第２上部配線パターン３１０、４１０、及び第１及び第２ビアパターン５１０、６１０）だけでなく、前記基準サイズ未満のサイズを有するダミー配線パターン（例えば、第１及び第３ダミー下部配線パターン１２０、１３０、２２０、２３０、第１及び第３ダミー上部配線パターン３２０、４２０、及び第１及び第３ダミービアパターン５２０、６２０）に対しても光近接補正を遂行することによって、以後のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程においてこれらが所望のサイズ及び／又は形状を有するように形成でき、結果的に、これらに近接して形成される配線パターン（例えば、第１及び第２下部配線パターン１１０、２１０、第１及び第２上部配線パターン３１０、４１０、及び第１及び第２ビアパターン５１０、６１０が全て所望のサイズ及び／又は形状を有するように形成できる。
【０１４２】
特に、第１及び第３ダミービアパターン５２０、６２０の場合、第１及び第２ビアパターン５１０、６１０に各々近接するように形成されるが、これらは各々、第５及び第６マスク５００、６００を用いる２グループに分割されて形成されるので、大きい密度を有しながらも容易に形成できる。
【０１４３】
図１３〜図１８は、別の例示的な実施形態に係る、配線構造物を形成するためのマスクレイアウトの平面図である。
【０１４４】
本実施形態に係るマスクレイアウトは、上述の実施形態に係る、図１〜図１２を参照して説明したマスクレイアウトのうち、図２、図４、図６、図８、図１０、及び図１２を参照して説明したマスクレイアウトが相異なる、即ち、マスクレイアウトにおける光近接補正方法が相異なる。
【０１４５】
即ち、図１３〜図１８を参照すると、第１及び第２下部配線パターン１１０、２１０、第１及び第２上部配線パターン３１０、４１０、及び第１及び第２ビアパターン５１０、６１０に対する光近接補正は、図２、図４、図６、図８、図１０、及び図１２を参照して説明したマスクレイアウトと実質的に同一又は類似しており、各パターンに対してサイズを全体的に拡張し、且つコーナー処理を遂行する、という同一の光近接補正（ＯＰＣ）を遂行する。
これによって、各々補正された第１及び第２下部配線パターン１１５、２１５、補正された第１及び第２上部配線パターン３１５、４１５、及び補正された第１及び第２ビアパターン５１５、６１５が形成される。
【０１４６】
しかしながら、本実施形態においては、第１及び第３ダミー下部配線パターン１２０、１３０、２２０、２３０、第１及び第３ダミー上部配線パターン３２０、４２０、及び第１及び第３ダミービアパターン５２０、５２２、６２０、６２２に対する光近接補正は、図２、図４、図６、図８、図１０、及び図１２を参照して説明したマスクレイアウトと相異なり、各パターンに対してサイズを全体的に拡張することのみを遂行し、コーナー処理を省略する、という別の光近接補正（ＯＰＣ）を遂行する。
これによって、各光近接補正を遂行するラン−タイム（工程時間）を短縮しているにも拘らず小さなサイズを有する実質的に同じ品質の各パターンを形成できる。従って、第１及び第２下部配線パターン１１０、２１０、第１及び第２上部配線パターン３１０、４１０、及び第１及び第２ビアパターン５１０、６１０が所望のサイズ及び／又は形状を有するように形成できる。
【０１４７】
図１３〜図１８上では、第１及び第３ダミー下部配線パターン１２０、１３０、２２０、２３０、第１及び第３ダミー上部配線パターン３２０、４２０、及び第１及び第３ダミービアパターン５２０、５２２、６２０、６２２の全てに対する光近接補正において、前記コーナー処理が省略されているが、本発明の概念はこれに限定されず、これらのうちの一部に対する光近接補正を遂行できる。
【０１４８】
図１９〜図５８は、例示的な実施形態に係る配線構造物を、その形成方法と共に説明するための平面図及び断面図である。具体的に、図１９、図２４、図２９、図３２、図３５、図４０、図４５、図５０、図５３、及び図５６は平面図であり、図２０〜図２３、図２５〜図２８、図３０〜図３１、図３３〜図３４、図３６〜図３９、図４１〜図４４、図４６〜図４９、図５１〜図５２、図５４〜図５５、及び図５７〜図５８は断面図である。この際、図２０、図２２、図２５、図２７、図３０、図３３、図３６、図３８、図４１、図４３、図４６、図４８、図５１、図５４、及び図５７は、対応する各平面図のＡ−Ａ’線を切断した断面図であり、図２１、図２３、図２６、図２８、図３１、図３４、図３７、図３８、図４２、図４４、図４７、図４９、図５２、図５５、及び図５８は、対応する各平面図のＢ−Ｂ’線を切断した断面図である。
【０１４９】
本実施形態に係る配線構造物は、図１〜図１２又は図１３〜図１８を参照して説明したマスクレイアウトを用いて形成するものであるので、該マスクレイアウトに関する詳細な説明は省略する。
【０１５０】
図１９〜図２１を参照すると、まず図１及び図２を参照して説明したレイアウトを有する第１マスク１００に基づいて第１フォトマスク（図示せず）を製作する。前記第１フォトマスクは、例えばレチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ）である。
【０１５１】
以後、基板７００上に第１層間絶縁膜７１０及び第１エッチングマスク膜７２０を順次に形成し、第１エッチングマスク膜７２０上に第１フォトレジスト膜を形成した後、前記製作された第１フォトマスクを使用する第１フォト工程により前記第１フォトレジスト膜をパターニングすることによって、第１エッチングマスク膜７２０上に第１フォトレジストパターン１０を形成する。
【０１５２】
前記第１フォトマスクは、図２を参照して説明した光近接補正を遂行した第１マスク１００のレイアウトによって製作されたものであるので、これを使用する前記第１フォト工程により形成される第１フォトレジストパターン１０は、図１に示された第１マスク１００のレイアウトと実質的に同一又は類似のレイアウトを有する。
これによって、第１フォトレジストパターン１０には第１下部配線パターン１１０、第１ダミー下部配線パターン１２０、１３０、及び第２ダミー下部配線パターン１４０の形状に各々対応する第１開口８１０、第２開口８２０、８３０、及び第３開口８４０が形成され、各第１〜第３開口８１０、８２０、８３０、８４０は第１エッチングマスク膜７２０の上面を露出させる。
【０１５３】
即ち、第１〜第３開口８１０、８２０、８３０、８４０は、上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有し、これらの短辺の長さ又は一辺の長さが第１〜第４長さ（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４）である。
【０１５４】
基板７００は、シリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウム、又はＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物を含み得る。一部の実施形態によれば、基板７００はシリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）基板、又はゲルマニウム−オン−インシュレータ（ＧＯＩ）基板である。
【０１５５】
基板７００上には各種素子、例えば、ゲート構造物、ゲートスペーサ、ソース／ドレイン層、コンタクトプラグなどが形成され、これらの各種素子を含む基板７００は第１層間絶縁膜７１０によりカバーされる。
【０１５６】
第１層間絶縁膜７１０は、例えばシリコン酸化物のような酸化物を含み得る。これとは異なり、第１層間絶縁膜７１０は低誘電物質、例えば、炭素がドーピングされたシリコン酸化物（ＳｉＣＯＨ）、フッ素がドーピングされたシリコン酸化物（Ｆ−ＳｉＯ２）、多孔性シリコン酸化物、スピンオン有機ポリマー、ＨＳＳＱ（ｈｙｄｒｏｇｅｎ＿ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）、ＭＳＳＱ（ｍｅｔｈｙｌ＿ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）などの無機ポリマーなどを含み得る。第１エッチングマスク膜７２０は、例えばシリコン窒化物又は金属窒化物のような窒化物を含む。
【０１５７】
一方、第１層間絶縁膜７１０の下方には、例えばシリコン窒化物のような窒化物を含むエッチング阻止膜（図示せず）がさらに形成され得る。
【０１５８】
図２２及び図２３を参照すると、第１フォトレジストパターン１０をエッチングマスクに使用して、その下方の第１エッチングマスク膜７２０をエッチングすることによって、予備第１エッチングマスク７２２を形成する。
【０１５９】
これによって、予備第１エッチングマスク７２２は第１〜第３開口８１０、８２０、８３０、８４０を含む第１フォトレジストパターン１０の形状に対応する形状を有する。
【０１６０】
以後、第１フォトレジストパターン１０は除去される。例示的な実施形態において、第１フォトレジストパターン１０はアッシング（ａｓｈｉｎｇ）及び／又はストリップ（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）工程により除去される。
【０１６１】
図２４〜図２６を参照すると、まず図３及び図４を参照して説明したレイアウトを有する第２マスク２００に基づいて第２フォトマスク（図示せず）を製作する。
【０１６２】
以後、第１層間絶縁膜７１０及び予備第１エッチングマスク７２２上に第２フォトレジスト膜を形成した後、前記製作された第２フォトマスクを使用する第２フォト工程により前記第２フォトレジスト膜をパターニングすることによって、第２フォトレジストパターン２０を形成する。例示的な実施形態において、前記第２フォト工程における前記第２フォトマスクの位置は、前記第１フォト工程における前記第１フォトマスクの位置と実質的に同一であり得る。
【０１６３】
前記第２フォトマスクは、図３に示された第２マスク２００のレイアウトと実質的に同一又は類似のレイアウトを有する。これによって、第２フォトレジストパターン２０には第２下部配線パターン２１０、第３ダミー下部配線パターン２２０、２３０、及び第４ダミー下部配線パターン２４０の形状に各々対応する第４開口９１０、第５開口９２０、９３０、及び第６開口９４０が形成され、各第４〜第６開口９１０、９２０、９３０、９４０は予備第１エッチングマスク７２２の上面を露出する。
【０１６４】
この際、第４〜第６開口９１０、９２０、９３０、９４０は、やはり上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有し、これらの短辺の長さ又は一辺の長さは各々第１〜第４長さ（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４）である。
【０１６５】
図２７及び図２８を参照すると、第２フォトレジストパターン２０をエッチングマスクに使用して、その下方の予備第１エッチングマスク７２２をエッチングすることによって、第１エッチングマスク７２５を形成する。
【０１６６】
これによって、第１エッチングマスク７２５は第１〜第３開口８１０、８２０、８３０、８４０を含む第１フォトレジストパターン１０の形状に第４〜第６開口９１０、９２０、９３０、９４０を含む第２フォトレジストパターン２０の形状が互いに垂直的にオーバラップされた形状を有する。即ち、第１エッチングマスク７２５には第１〜第６開口８１０、８２０、８３０、８４０、９１０、９２０、９３０、９４０に各々対応する開口が形成される。
【０１６７】
図２９〜図３１を参照すると、第１エッチングマスク７２５を使用して、その下方の第１層間絶縁膜７１０をエッチングすることによって、第１層間絶縁膜７１０を貫通して基板７００の上面を露出する第１〜第３ホールを形成し、これらを充填する下部配線８１５、第１ダミー下部配線８２５、８３５、及び第２ダミー下部配線８４５を形成する。
【０１６８】
具体的に、前記第１ホールは第１及び第４開口８１０、９１０に対応して形成され、前記第２ホールは第２及び第５開口８２０、８３０、９２０、９３０に対応して形成され、前記第３ホールは第３及び第６開口８４０、９４０に対応して形成される。
【０１６９】
下部配線８１５、及び第１及び第２ダミー下部配線８２５、８３５、８４５は、前記露出した基板７００の上面、前記第１〜第３ホールの側壁及び第１層間絶縁膜７１０の上面に第１バリア膜を形成し、前記第１バリア膜上に前記第１〜第３ホールを充填する第１導電膜を形成した後、第１層間絶縁膜７１０の上面が露出するまで前記第１導電膜及び前記第１バリア膜を平坦化することによって形成される。
【０１７０】
例示的な実施形態において、前記平坦化工程は化学機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ）工程及び／又はエッチバック工程により遂行される。
【０１７１】
前記第１バリア膜は、例えばタンタル窒化物、チタン窒化物などの金属窒化物及び／又は、例えばタンタル、チタンなどの金属を含み、前記第１導電膜は、例えば銅、アルミニウム、タングステンなどの金属を含むれる。
【０１７２】
下部配線８１５は前記第１ホールを埋め立て（充填）、第１導電パターン８１５ｂ及びその側壁及び底面をカバーする第１バリアパターン８１５ａを含む。第１ダミー下部配線８２５、８３５は前記第２ホールを埋め立て、第２導電パターン８２５ｂ、８３５ｂ及びその側壁及び底面をカバーする第２バリアパターン８２５ａ、８３５ａを含む。第２ダミー下部配線８４５は前記第３ホールを埋め立て、第３導電パターン８４５ｂ及びその側壁及び底面をカバーする第３バリアパターン８４５ａを含む。
【０１７３】
下部配線８１５、及び第１及び第２ダミー下部配線８２５、８３５、８４５は、上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有する。例示的な実施形態において、基準サイズ未満のサイズを有する下部配線８１５に相対的に近接して前記基準サイズ未満のサイズを有する第１ダミー下部配線８２５、８３５が形成され、前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミー下部配線８４５は、下部配線８１５から相対的に離隔して形成される。これによって、下部配線８１５のサイズ及び／又は形状が周辺の構造物により歪曲されず、所望のサイズ及び／又は形状を有する。
【０１７４】
また、下部配線８１５、及び第１及び第２ダミー下部配線８２５、８３５、８４５を形成するためのエッチング工程が２回に分けられて進行されることによって、これらが密集している場合にも容易に形成できる。本発明の概念は単にこれに限定されず、該エッチング工程が１回で完了し、又は３回以上に分けられて進行される場合もある。
【０１７５】
今までは下部配線８１５、及び第１及び第２ダミー下部配線８２５、８３５、８４５が所謂シングルダマシン（ｓｉｎｇｌｅ  ｄａｍａｓｃｅｎｅ）工程により形成される場合を説明したが、本発明の概念はこれに限定されず、例えばデュアルダマシン（ｄｕａｌ  ｄａｍａｓｃｅｎｅ）工程により形成できる。
【０１７６】
図３２〜図３４を参照すると、まず図５及び図６を参照して説明したレイアウトを有する第３マスク３００に基づいて第３フォトマスク（図示せず）を製作する。
【０１７７】
以後、第１層間絶縁膜７１０、下部配線８１５、及び第１及び第２ダミー下部配線８２５、８３５、８４５上に第２層間絶縁膜７３０及び第２エッチングマスク膜７４０を順次に形成し、第２エッチングマスク膜７４０上に第３フォトレジスト膜を形成した後、前記製作された第３フォトマスクを使用する第３フォト工程により前記第３フォトレジスト膜をパターニングすることによって、第２エッチングマスク膜７４０上に第３フォトレジストパターン３０を形成する。例示的な実施形態において、前記第３フォト工程における前記第３フォトマスクの位置は、前記第１フォト工程における前記第１フォトマスクの位置と実質的に同一である。
【０１７８】
前記第３フォトマスクを使用する前記第３フォト工程により形成される第３フォトレジストパターン３０は、図５に図示された第３マスク３００のレイアウトと実質的に同一又は類似のレイアウトを有する。これによって、第３フォトレジストパターン３０には、第１上部配線パターン３１０、第１ダミー上部配線パターン３２０、及び第２ダミー上部配線パターン３４０の形状に各々対応する第７開口１０１０、第８開口１０２０、及び第９開口１０４０が形成され、第７〜第９開口１０１０、１０２０、１０４０は第２エッチングマスク膜７４０の上面を露出する。
【０１７９】
第７〜第９開口１０１０、１０２０、１０４０は、やはり上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有し、これらの短辺の長さ又は一辺の長さは各々第５〜第７長さ（Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７）である。
【０１８０】
例示的な実施形態において、第７開口１０１０は下部配線８１５に少なくとも部分的にオーバラップする。
【０１８１】
第２層間絶縁膜７３０は低誘電物質、例えば炭素がドーピングされたシリコン酸化物（ＳｉＣＯＨ）、フッ素がドーピングされたシリコン酸化物（Ｆ−ＳｉＯ２）、多孔性シリコン酸化物、スピンオン有機ポリマー、ＨＳＳＱ、ＭＳＳＱなどの無機ポリマーなどを含み得る。これとは異なり、第２層間絶縁膜７３０は、例えばシリコン酸化物のような酸化物を含み得る。第２エッチングマスク膜７４０は、例えば金属窒化物又はシリコン窒化物のような窒化物を含む。
【０１８２】
一方、第２層間絶縁膜７３０の下方には、例えばシリコン窒化物のような窒化物を含むエッチング阻止膜（図示せず）がさらに形成され得る。
【０１８３】
図３５〜図３７を参照すると、まず第３フォトレジストパターン３０をエッチングマスクとして使用してその下方の第２エッチングマスク膜７４０をエッチングすることによって、予備第２エッチングマスク７４２を形成する。
【０１８４】
これによって、予備第２エッチングマスク７４２は、第７〜第９開口１０１０、１０２０、１０４０を含む第３フォトレジストパターン３０の形状に対応する形状を有する。
【０１８５】
第３フォトレジストパターン３０を除去した後、図７及び図８を参照して説明したレイアウトを有する第４マスク４００に基づいて第４フォトマスク（図示せず）を製作する。
【０１８６】
以後、第２層間絶縁膜７３０及び予備第２エッチングマスク７４２上に第４フォトレジスト膜を形成した後、前記製作された第４フォトマスクを使用する第４フォト工程により前記第４フォトレジスト膜をパターニングすることによって、第４フォトレジストパターン４０を形成する。例示的な実施形態において、前記第４フォト工程における前記第４フォトマスクの位置は前記第１フォト工程における前記第１フォトマスクの位置と実質的に同一である。
【０１８７】
前記第４フォトマスクは、図７に示された第４マスク４００のレイアウトと実質的に同一又は類似のレイアウトを有する。これによって、第４フォトレジストパターン４０には、第２上部配線パターン４１０、第３ダミー上部配線パターン４２０、及び第４ダミー上部配線パターン４４０の形状に各々対応する第１０開口１１１０、第１１開口１１２０、及び第１２開口１１４０が形成され、第１０〜第１２開口１１１０、１１２０、１１４０は、予備第２エッチングマスク７４２の上面を露出する。
【０１８８】
この際、第１０〜第１２開口１１１０、１１２０、１１４０は、やはり上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有し、これらの短辺の長さ又は一辺の長さは各々第５〜第７長さ（Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７）である。
【０１８９】
図３８及び図３９を参照すると、第４フォトレジストパターン４０をエッチングマスクとして使用して、その下方の予備第２エッチングマスク７４２をエッチングすることによって第２エッチングマスク７４５を形成する。
【０１９０】
これによって、第２エッチングマスク７４５は、第７〜第９開口１０１０、１０２０、１０４０を含む第３フォトレジストパターン３０の形状に、第１０〜第１２開口１１１０、１１２０、１１４０を含む第４フォトレジストパターン４０の形状が互いに垂直的にオーバラップされた形状を有する。即ち、第２エッチングマスク７４５には第７〜第１２開口１０１０、１０２０、１０４０、１１１０、１１２０、１１４０に各々対応する開口が形成される。
【０１９１】
図４０〜図４２を参照すると、まず図９及び図１０を参照して説明したレイアウトを有する第５マスク５００に基づいて第５フォトマスク（図示せず）を製作する。
【０１９２】
以後、第２層間絶縁膜７３０及び第２エッチングマスク７４５上に第３エッチングマスク膜７５０を形成し、第３エッチングマスク膜７５０上に第５フォトレジスト膜を形成した後、前記製作された第５フォトマスクを使用する第５フォト工程により前記第５フォトレジスト膜をパターニングすることによって、第３エッチングマスク膜７５０上に第５フォトレジストパターン５０を形成する。例示的な実施形態において、前記第５フォト工程における前記第５フォトマスクの位置は前記第１フォト工程における前記第１フォトマスクの位置と実質的に同一である。
【０１９３】
前記第５フォトマスクを使用する前記第５フォト工程により形成される第５フォトレジストパターン５０は、図９に示された第５マスク５００のレイアウトと実質的に同一又は類似のレイアウトを有する。これによって、第５フォトレジストパターン５０には第１ビアパターン５１０、第１ダミービアパターン５２０、５２２、及び第２ダミービアパターン５４０の形状に各々対応する第１３開口１２１０、第１４開口１２２０、１２２２、及び第１５開口１２４０が形成され、各第１３〜第１５開口１２１０、１２２０、１２２２、１２４０は第３エッチングマスク膜７５０の上面を露出する。
【０１９４】
即ち、第１３〜第１５開口１２１０、１２２０、１２２２、１２４０は上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有し、これらの短辺の長さ又は一辺の長さは第８〜第１０長さ（Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０）である。
【０１９５】
例示的な実施形態において、第１３開口１２１０は、下部配線８１５、並びに第７及び第１０開口１０１０、１１１０に対応する第２エッチングマスク７４５の開口のうちの１つにオーバラップするように形成される。
【０１９６】
各１４開口１２２０は、第１ダミー下部配線８２５、８３５のうちの１つ、並びに第８及び第１１開口１０２０、１１２０のうちの１つにオーバラップするように形成される。
【０１９７】
例示的な実施形態において、各第１４開口１２２２は、第２ダミー下部配線８４５のうちの１つ、及び第８及び第１１開口１０２０、１１２０のうちの１つにオーバラップするように形成される。これとは異なり、図示してはいないが、各第１４開口１２２２は第１ダミー下部配線８２５、８３５のうちの１つ、並びに第９及び第１２開口１０４０、１１４０のうちの１つにオーバラップするように形成され得る。
【０１９８】
各第１５開口１２４０は、第２ダミー下部配線８４５のうちの１つ、並びに第９及び第１２開口１０４０、１１４０のうちの１つにオーバラップするように形成される。
【０１９９】
第３エッチングマスク膜７５０は、例えばスピン−オン−ハードマスク（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｈａｒｄｍａｓｋ、ＳＯＨ）を含むように形成し得る。
【０２００】
図４３及び図４４を参照すると、第５フォトレジストパターン５０をエッチングマスクとして使用して、その下方の第３エッチングマスク膜７５０をエッチングすることによって、予備第３エッチングマスク７５２を形成する。
【０２０１】
これによって、予備第３エッチングマスク７５２は第１３〜第１５開口１２１０、１２２０、１２２２、１２４０を含む第５フォトレジストパターン５０の形状に対応する形状を有するように形成される。
【０２０２】
以後、第５フォトレジストパターン５０は除去される。
【０２０３】
図４５〜図４７を参照すると、まず図１１及び図１２を参照して説明したレイアウトを有する第６マスク６００に基づいて第６フォトマスク（図示せず）を製作する。
【０２０４】
以後、第２層間絶縁膜７３０及び予備第３エッチングマスク７５２上に第６フォトレジスト膜を形成した後、前記製作された第６フォトマスクを使用する第６フォト工程により前記第６フォトレジスト膜をパターニングすることによって、第２層間絶縁膜７３０及び予備第３エッチングマスク７５２上に第６フォトレジストパターン６０を形成する。例示的な実施形態において、前記第６フォト工程における前記第６フォトマスクの位置は、前記第１フォト工程における前記第１フォトマスクの位置と実質的に同一である。
【０２０５】
前記第６フォトマスクを使用する前記第６フォト工程により形成される第６フォトレジストパターン６０は、図１１に示された第６マスク６００のレイアウトと実質的に同一又は類似のレイアウトを有する。これによって、第６フォトレジストパターン６０には第２ビアパターン６１０、第３ダミービアパターン６２０、６２２、及び第４ダミービアパターン６４０の形状に各々対応する第１６開口１３１０、第１７開口１３２０、１３２２、及び第１８開口１３４０が形成され、各第１６〜第１８開口１３１０、１３２０、１３２２、１３４０は予備第３エッチングマスク７５２の上面を露出する。
【０２０６】
即ち、第１６〜第１８開口１３１０、１３２０、１３２２、１３４０は、上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有し、これらの短辺の長さ又は一辺の長さは、第８〜第１０長さ（Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０）である。
【０２０７】
例示的な実施形態において、第１６開口１３１０は、下部配線８１５、並びに第７及び第１０開口１０１０、１１１０に対応する第２エッチングマスク７４５の開口のうちの１つにオーバラップするように形成される。
【０２０８】
各１７開口１３２０は、第１ダミー下部配線８２５、８３５のうちの１つ、並びに第８及び第１１開口１０２０、１１２０のうちの１つにオーバラップするように形成される。
【０２０９】
例示的な実施形態において、各第１７開口１３２２は第２ダミー下部配線８４５のうちの１つ、並びに第８及び第１１開口１０２０、１１２０のうちの１つにオーバラップするように形成される。これとは異なり、図示してはいないが、各第１７開口１３２２は、第１ダミー下部配線８２５、８３５のうちの１つ、並びに第９及び第１２開口１０４０、１１４０のうちの１つにオーバラップするように形成し得る。
【０２１０】
各第１８開口１３４０は、第２ダミー下部配線８４５のうちの１つ、並びに第９及び第１２開口１０４０、１１４０のうちの１つにオーバラップするように形成される。
【０２１１】
図４８及び図４９を参照すると、第６フォトレジストパターン６０をエッチングマスクとして使用して下部の予備第３エッチングマスク７５２をエッチングすることによって、第３エッチングマスク７５５を形成する。
【０２１２】
これによって、第３エッチングマスク７５５は、第１３〜第１５開口１２１０、１２２０、１２２２、１２４０を含む第５フォトレジストパターン５０の形状に、第１６〜第１８開口１３１０、１３２０、１３２２、１３４０を含む第６フォトレジストパターン６０の形状が互いに垂直的にオーバラップされた形状を有する。即ち、第３エッチングマスク７５５には第１３〜第１８開口１２１０、１２２０、１２２２、１２４０、１３１０、１３２０、１３２２、１３４０に各々対応する開口が形成される。
【０２１３】
以後、第６フォトレジストパターン６０は除去できる。
【０２１４】
図５０〜図５２を参照すると、第２及び第３エッチングマスク７４５、７５５を使用して、その下方の第２層間絶縁膜７３０の上部をエッチングすることによって、第１〜第３リセス１４１０、１４２０、１４２２、１４４０を形成する。
【０２１５】
例示的な実施形態において、第１リセス１４１０は第１３及び第１６開口１２１０、１３１０に対応して形成され、第２リセス１４２０、１４２２は第１４及び第１７開口１２２０、１２２２、１３２０、１３２２に対応して形成され、第３リセス１４４０は第１５及び第１８開口１２４０、１３４０に対応して形成される。
【０２１６】
図５３〜図５５を参照すると、第３エッチングマスク７５５を除去した後、第２エッチングマスク７４５を使用して下部の第２層間絶縁膜７３０をエッチングすることによって、第２層間絶縁膜７３０の下部に第１〜第３ビアホール１５１０、１５２０、１５２２、１５４０を形成し、第２層間絶縁膜７３０の上部に第１〜第３トレンチ１６１０、１６２０、１６４０を形成する。
【０２１７】
第１〜第３ビアホール１５１０、１５２０、１５２２、１５４０は、各々第１〜第３リセス１４１０、１４２０、１４２２、１４４０に対応して形成される。この際、第１ビアホール１５１０は下部配線８１５の上面を露出し、各第２ビアホール１５２０は第１ダミー下部配線８２５、８３５の上面を露出し、各第２ビアホール１５２２は第２ダミー下部配線８４５の上面を露出し、各第３ビアホール１５４０は第２ダミー下部配線８４５の上面を露出する。これとは異なり、図示してはいないが、各第２ビアホール１５２２は第１ダミー下部配線８２５、８３５の上面を露出する。
【０２１８】
第１〜第３トレンチ１６１０、１６２０、１６４０は、各々第７〜第１２開口１０１０、１０２０、１０４０、１１１０、１１２０、１１４０に対応する第２エッチングマスク７４５の開口に対応して形成される。具体的に、第１トレンチ１６１０は第７及び第１０開口１０１０、１１１０に対応する第２エッチングマスク７４５の開口に対応して形成され、第２トレンチ１６２０は第８及び第１１開口１０２０、１１２０に対応して形成され、第３トレンチ１６４０は第９及び第１２開口１０４０、１１４０に対応して形成される。
【０２１９】
例示的な実施形態において、各第１〜第３ビアホール１５１０、１５２０、１５２２、１５４０は、第１〜第３トレンチ１６１０、１６２０、１６４０のうちの１つに連通する。
【０２２０】
図５６〜図５８を参照すると、第１〜第３ビアホール１５１０、１５２０、１５２２、１５４０、及び第１〜第３トレンチ１６１０、１６２０、１６４０を充填するビア１５１５、第１及び第２ダミービア１５２５、１５２７、１５４５、上部配線１６１５、及び第１及び第２ダミー上部配線１６２５、１６４５を形成することによって、前記配線構造物を形成することができる。
【０２２１】
ビア１５１５、第１及び第２ダミービア１５２５、１５２７、１５４５、上部配線１６１５、及び第１及び第２ダミー上部配線１６２５、１６４５は、前記露出した下部配線８１５、及び第１及び第２ダミー下部配線８２５、８３５、８４５の上面、第１〜第３ビアホール１５１０、１５２０、１５２２、１５４０及び第１〜第３トレンチ１６１０、１６２０、１６４０の内壁、及び第２層間絶縁膜７３０の上面に第２バリア膜を形成し、前記第２バリア膜上に第１〜第３ビアホール１５１０、１５２０、１５２２、１５４０及び第１〜第３トレンチ１６１０、１６２０、１６４０を充填する第２導電膜を形成した後、第２層間絶縁膜７３０の上面が露出するまで前記第２導電膜及び前記第２バリア膜を平坦化することによって形成する。
【０２２２】
例示的な実施形態において、前記平坦化工程は化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程及び／又はエッチバック工程により遂行できる。
【０２２３】
前記第２バリア膜は、例えばタンタル窒化物、チタン窒化物などの金属窒化物及び／又は、例えばタンタル、チタンなどの金属を含み、前記第２導電膜は、例えば銅、アルミニウム、タングステンなどの金属を含む。
【０２２４】
ビア１５１５は第１ビアホール１５１０を埋め立てるように形成され、第４導電パターン１５１５ｂ及びその側壁及び底面をカバーする第４バリアパターン１５１５ａを含む。第１ダミービア１５２５、１５２７は、第２ビアホール１５２０、１５２２を埋め立てる。この際、第１ダミービア１５２５は、第５導電パターン１５２５ｂ及びその側壁及び底面をカバーする第５バリアパターン１５２５ａを含む。第２ダミービア１５４５は、第３ビアホール１５４０を埋め立て、第６導電パターン１５４５ｂ及びその側壁及び底面をカバーする第６バリアパターン１５４５ａを含む。
【０２２５】
また、上部配線１６１５は第１トレンチ１６１０を埋め立て、第７導電パターン１６１５ｂ及びその側壁及び底面の一部をカバーする第７バリアパターン１６１５ａを含む。第１ダミー上部配線１６２５は第２トレンチ１６２０を埋め立て、第８導電パターン１６２５ｂ及びその側壁及び底面の一部をカバーする第８バリアパターン１６２５ａを含む。第２ダミー上部配線１６４５は第３トレンチ１６４０を埋め立て、第９導電パターン１６４５ｂ及びその側壁及び底面の一部をカバーする第９バリアパターン１６４５ａを含む。
【０２２６】
ビア１５１５、第１及び第２ダミービア１５２５、１５２７、１５４５、上部配線１６１５、及び第１及び第２ダミー上部配線１６２５、１６４５は、上面から見た時、長方形又は正方形の形状を有する。
【０２２７】
例示的な実施形態において、基準サイズ未満のサイズを有するビア１５１５に相対的に近接して前記基準サイズ未満のサイズを有する第１ダミービア１５２５が形成され、前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミービア１５４５は、ビア１５１５から相対的に離隔して形成される。これによって、ビア１５１５のサイズ及び／又は形状が周辺の構造物により歪曲されず、所望のサイズ及び／又は形状を有する。
【０２２８】
同様に、例示的な実施形態において、基準サイズ未満のサイズを有する上部配線１６１５に相対的に近接して前記基準サイズ未満のサイズを有する第１ダミー上部配線１６２５が形成され、前記基準サイズ以上のサイズを有する第２ダミー上部配線１６４５は、上部配線１６１５から相対的に離隔して形成される。これによって、上部配線１６１５のサイズ及び／又は形状が周辺の構造物により歪曲されず、所望のサイズ及び／又は形状を有する。
【０２２９】
また、ビア１５１５、及び第１及び第２ダミービア１５２５、１５２７、１５４５を形成するためのエッチング工程と、上部配線１６１５、及び第１及び第２ダミー上部配線１６２５、１６４５を形成するためのエッチング工程が各々２回に分けられて進行されることによって、これらが密集している場合にも容易に形成できる。本発明の概念は単にこれに限定されず、該エッチング工程が１回で完了し、又は３回以上に分けられて進行される場合もある。
【０２３０】
前述したように、基準サイズ未満の小さなサイズに形成されるビア１５１５に近接するように第１ダミービア１５２５、１５２７が形成され、これらは全て前記基準サイズ未満の小さなサイズに形成できる。これによって、フォト及びエッチング工程で、第１ダミービア１５２５の影響によりビア１５１５のサイズ及び／又は形状が歪曲されず、所望のサイズ及び／又は形状に形成できる。
【０２３１】
また、前記基準サイズ未満のサイズを有するビア１５１５だけでなく、前記基準サイズ未満のサイズを有する第１ダミービア１５２５、１５２７に対しても光近接補正を遂行することによって、フォト及びエッチング工程でこれらが所望のサイズ及び／又は形状を有するように形成され、結果的に、これらに近接して形成されるビア１５１５が所望のサイズ及び／又は形状を有するように形成される。
【０２３２】
特に、ビア１５１５に近接して形成される第１ダミービア１５２５、１５２７は、２回のエッチング工程により分けられて形成されるので、大きい密度を有しながらも容易に形成できる。
【産業上の利用可能性】
【０２３３】
前述した配線構造物の設計方法、配線構造物の形成方法、及び配線構造物は、例えば中央処理処置（ＣＰＵ、ＭＰＵ）、アプリケーションプロセッサ（ＡＰ）などのロジック素子、例えばＳＲＡＭ装置、ＤＲＡＭ装置などの揮発性メモリ装置、及び例えばフラッシュメモリ装置、ＰＲＡＭ装置、ＭＲＡＭ装置、ＲＲＡＭ（登録商標）装置などの不揮発性メモリ装置の配線構造物に適用できる。
【符号の説明】
【０２３４】
１０、２０、３０、４０、５０、６０    第１〜第６フォトレジストパターン
１００、２００、３００、４００、５００、６００    第１〜第６マスク
１１０、２１０    第１及び第２下部配線パターン
１２０、１３０    第１ダミー下部配線パターン
１４０、２４０    第２及び第４ダミー下部配線パターン
２２０、２３０    第３ダミー下部配線パターン
３１０、４１０    第１及び第２上部配線パターン
３２０、３４０、４２０、４４０    第１〜第４ダミー上部配線パターン
５１０、６１０    第１及び第２ビアパターン
５２０、５２２    第１ダミービアパターン
５４０、６４０    第２及び第４ダミービアパターン
６２０、６２２    第３ダミービアパターン
７００    基板
７１０、７３０    第１及び第２層間絶縁膜
７２０、７４０、７５０    第１、第２、及び第３エッチングマスク膜
７２２、７４２、７５２    予備第１、第２、及び第３エッチングマスク
７２５、７４５、７５５    第１、第２、及び第３エッチングマスク
８１０    第１開口
８１５    下部配線
８２０、８３０    第２開口
８２５、８３５    第１ダミー下部配線
８４０、９１０    第３及び第４開口
８４５    第２ダミー下部配線
９２０、９３０    第５開口
９４０、１０１０、１０２０、１０４０、１１１０、１１２０、１１４０、１２１０    第６〜第１３開口
１２２０、１２２２    第１４開口
１２４０、１３１０    第１５及び第１６開口
１３２０、１３２２    第１７開口
１３４０    第１８開口
１４１０    第１リセス
１４２０、１４２２    第２リセス
１４４０    第３リセス
１５１０    第１ビアホール
１５１５    ビア
１５２０、１５２２    第２ビアホール
１５２５、１５２７    第１ダミービア
１５４０    第３ビアホール
１５４５    第２ダミービア
１６１０、１６２０、１６４０    第１〜第３トレンチ
１６１５    上部配線
１６２５、１６４５    第１及び第２ダミー上部配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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