(57)【要約】【課題】酸化物半導体からなる半導体活性層を有する薄膜トランジスタが配置されたＭＥＭＳディスプレイにおいて、半導体活性層に紫外線が照射され難くする。【解決手段】表示パネル（１１）は、アクティブマトリクス基板（１２）と、対向基板（１３）とを含む。アクティブマトリクス基板は、複数の薄膜トランジスタ（Ｔ１）と、複数のシャッタ機構（Ｓ１１）と、ＵＶカット層（３３）とを含む。複数の薄膜トランジスタは、複数のシャッタ機構の各々に対応して配置されている。複数の薄膜トランジスタの各々は、酸化物半導体からなる半導体活性層（７２）を含み、対応するシャッタ機構の動作を制御する。ＵＶカット層は、半導体活性層よりも観察者側に配置されている。【選択図】図３
2017021132.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、
前記表示パネルに光を照射するバックライトとを備え、
前記表示パネルは、
アクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板と前記バックライトとの間に配置された対向基板とを含み、
前記アクティブマトリクス基板は、
複数の画素と、
前記複数の画素の各々に形成された開口に対応して配置された複数のシャッタ機構と、
前記複数のシャッタ機構の各々に対応して配置され、酸化物半導体からなる半導体活性層を含み、対応するシャッタ機構の動作を制御する複数の薄膜トランジスタと、
前記半導体活性層に対して前記対向基板と反対側に配置されたＵＶカット層とを含む、表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記アクティブマトリクス基板は、さらに、
可視光を透過するベース基板を含み、
前記ＵＶカット層は、前記ベース基板と前記複数の薄膜トランジスタとの間に配置されている、表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の表示装置であって、
前記ＵＶカット層は、
前記シャッタ機構と対応する位置に開口を有する遮光膜と、
ＵＶカット成分を含有し、前記開口内に形成された光透過膜とを含む、表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の表示装置であって、
前記光透過膜は、前記遮光膜を覆う、表示装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の表示装置であって、
前記ＵＶカット成分は、紫外線散乱剤である、表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記ＵＶカット層は、前記アクティブマトリクス基板に貼り付けられたＵＶカットフィルムである、表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記ＵＶカット層は、前記アクティブマトリクス基板が有するベース基板である、表示装置。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の表示装置であって、
前記表示装置は、ＭＥＭＳディスプレイである、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、詳しくは、ＭＥＭＳディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)を用いた表示装置（以下、ＭＥＭＳディスプレイ）が提案されている。ＭＥＭＳディスプレイは、例えば、特開２０１３−５０７２０号公報に開示されている。
【０００３】
ＭＥＭＳディスプレイは、表示パネルと、バックライトとを備える。バックライトは、観察者から観て、表示パネルの裏側に配置される。表示パネルは、アクティブマトリクス基板と、対向基板とを含む。
【０００４】
アクティブマトリクス基板は、対向基板よりも、観察者側に配置される。アクティブマトリクス基板は、可視光を透過するベース基板を含む。観察者から観て、ベース基板の裏面側（対向基板側）には、複数の画素と、複数のシャッタ機構と、複数の薄膜トランジスタとが形成されている。複数の画素の各々には、開口が形成されている。複数のシャッタ機構は、複数の画素の各々に形成された開口に対応して配置されている。複数の薄膜トランジスタは、複数のシャッタ機構の各々に対応して配置されている。薄膜トランジスタは、駆動回路からの信号により、対応して配置されたシャッタ機構の動作を制御する。
【０００５】
対向基板には、バックライトからの光を透過する開口が形成されている。当該開口は、アクティブマトリクス基板に形成された複数の画素の各々に対応して形成されている。
【０００６】
シャッタ機構の動作を制御することにより、バックライトからの光の透過量が制御される。その結果、各画素における輝度が調整される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−５０７２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のように、薄膜トランジスタにより、シャッタ機構の動作が制御される。したがって、シャッタ機構の動作速度を向上させるためには、薄膜トランジスタの動作速度を向上させればよい。薄膜トランジスタの動作速度を向上させる方法として、例えば、薄膜トランジスタのチャネル層としての半導体活性層を酸化物半導体で形成することが考えられる。
【０００９】
ここで、ＭＥＭＳディスプレイでは、アクティブマトリクス基板が、対向基板よりも、観察者側に配置される。また、ＭＥＭＳディスプレイでは、液晶ディスプレイとは異なり、カラーフィルタや偏光板を必要としない。そのため、ＭＥＭＳディスプレイでは、薄膜トランジスタが有する半導体活性層に対して、紫外線が照射され易い。
【００１０】
上記のように、半導体活性層を酸化物半導体で形成する場合、半導体活性層に紫外線が照射されると、薄膜トランジスタの閾値電圧がマイナス方向にシフトする。そのため、薄膜トランジスタの動作に悪影響が及ぼされる。その結果、シャッタ機構の動作に悪影響が及ぼされ、例えば、表示不良が発生するおそれがある。
【００１１】
本発明の目的は、酸化物半導体からなる半導体活性層を有する薄膜トランジスタが配置されたＭＥＭＳディスプレイにおいて、半導体活性層に紫外線が照射され難くすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の実施の形態による表示装置は、表示パネルと、バックライトとを備える。バックライトは、表示パネルに光を照射する。表示パネルは、アクティブマトリクス基板と、対向基板とを含む。対向基板は、アクティブマトリクス基板とバックライトとの間に配置されている。アクティブマトリクス基板は、画素と、シャッタ機構と、薄膜トランジスタと、ＵＶカット層とを含む。シャッタ機構は、画素ごとに形成された開口に対応して配置されている。薄膜トランジスタは、シャッタ機構に対応して配置されている。薄膜トランジスタは、酸化物半導体からなる半導体活性層を含み、対応するシャッタ機構の動作を制御する。ＵＶカット層は、半導体活性層に対して対向基板と反対側に配置されている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の実施の形態による表示装置においては、半導体活性層に紫外線が照射され難くなる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施の形態による表示装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】アクティブマトリクス基板の回路構成を示すブロック図である。
【図３】表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態による表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態による表示装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施の形態による表示装置は、表示パネルと、バックライトとを備える。バックライトは、表示パネルに光を照射する。表示パネルは、アクティブマトリクス基板と、対向基板とを含む。対向基板は、アクティブマトリクス基板とバックライトとの間に配置されている。アクティブマトリクス基板は、画素と、シャッタ機構と、薄膜トランジスタと、ＵＶカット層とを含む。シャッタ機構は、画素ごとに形成された開口に対応して配置されている。薄膜トランジスタは、シャッタ機構に対応して配置されている。薄膜トランジスタは、酸化物半導体からなる半導体活性層を含み、対応するシャッタ機構の動作を制御する。ＵＶカット層は、半導体活性層に対して対向基板と反対側に配置されている。
【００１６】
上記表示装置においては、アクティブマトリクス基板が対向基板よりも観察者側に配置されている。そのため、アクティブマトリクス基板に紫外線が照射されやすくなっている。
【００１７】
ここで、上記表示装置においては、ＵＶカット層が半導体活性層に対して対向基板と反対側に配置されている。つまり、ＵＶカット層が半導体活性層よりも観察者側に位置している。そのため、アクティブマトリクス基板に紫外線が入射しても、ＵＶカット層により、紫外線の半導体活性層への照射が抑制される。
【００１８】
上記アクティブマトリクス基板は、可視光を透過するベース基板をさらに含んでいてもよい。この場合、ＵＶカット層は、ベース基板と薄膜トランジスタとの間に配置されていてもよい。ＵＶカット層は、例えば、遮光膜と、光透過膜とを含む。遮光膜は、シャッタ機構と対応する位置に開口を有する。光透過膜は、ＵＶカット成分を含有し、遮光膜が有する開口内に形成されている。
【００１９】
上記態様においては、遮光膜により、紫外線が半導体活性層に直接照射されるのを抑制できる。また、光透過膜により、開口を通過した紫外線が半導体活性層に照射されるのを抑制できる。
【００２０】
上記態様において、光透過膜は、好ましくは、遮光膜を覆う。この場合、光透過膜を容易に形成することができる。
【００２１】
ＵＶカット成分は、好ましくは、紫外線散乱剤である。この場合、紫外線吸収剤と比べて、ＵＶカット機能を長期間に亘って安定して付与することができる。
【００２２】
ＵＶカット層は、アクティブマトリクス基板に貼り付けられたＵＶカットフィルムであってもよい。この場合、表示パネルの製造工程を変更しなくてもよい。
【００２３】
ＵＶカット層は、アクティブマトリクス基板が有するベース基板であってもよい。この場合、表示パネルの製造工程を変更しなくてもよい。
【００２４】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００２５】
[第１の実施の形態]
図１を参照しながら、本発明の第１の実施の形態による表示装置１０について説明する。図１は、表示装置１０の概略構成を示す斜視図である。
【００２６】
表示装置１０は、透過型のＭＥＭＳディスプレイである。表示装置１０は、表示パネル１１と、バックライト１４とを備える。
【００２７】
表示パネル１１は、アクティブマトリクス基板１２と、対向基板１３とを含む。アクティブマトリクス基板１２は、対向基板１３よりも、観察者側に配置されている。
【００２８】
アクティブマトリクス基板１２は、表示領域１２Ａと、ゲートドライバ１２Ｂと、ソースドライバ１２Ｃとを有する。表示領域１２Ａは、画像を表示する。表示領域１２Ａは、複数の画素ＰＩＸ（図２参照）を有する。複数の画素ＰＩＸは、例えば、マトリクス状に配置されている。ゲートドライバ１２Ｂ及びソースドライバ１２Ｃにより、各画素ＰＩＸにおける光の透過を制御する信号が駆動回路Ｓ１２（図２参照）に供給される。
【００２９】
対向基板１３には、複数の開口５２１（図３参照）が形成されている。複数の開口５２１は、複数の画素ＰＩＸ（図２参照）と対応する位置に形成されている。
【００３０】
バックライト１４は、表示パネル１１が表示する画像を観る観察者から見て、表示パネル１１の裏側に配置される。バックライト１４は、表示パネル１１に光を照射する。バックライト１４は、例えば、赤色の光源、緑色の光源、及び、青色の光源を有している。バックライト１４は、入力される制御信号に基づいて、所定の光源を発光させる。
【００３１】
図２は、アクティブマトリクス基板１２の回路構成を示すブロック図である。図２を参照して、アクティブマトリクス基板１２には、複数のゲート線ＧＬと、複数のソース線ＳＬとが形成されている。複数のゲート線ＧＬは、複数のソース線ＳＬと交差している。隣り合う２つのゲート線ＧＬと、隣り合う２つのソース線ＳＬとで囲まれた領域により、１つの画素ＰＩＸが形成されている。
【００３２】
画素ＰＩＸには、シャッタ部Ｓ１が配置されている。シャッタ部Ｓ１は、シャッタ機構Ｓ１１と、駆動回路Ｓ１２とを含む。シャッタ機構Ｓ１１は、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスである。シャッタ機構Ｓ１１の動作により、光の透過及び非透過を制御する。駆動回路Ｓ１２は、シャッタ機構Ｓ１１の動作を制御する。なお、シャッタ部Ｓ１は、従来から公知のものが何れも採用可能であるため、その詳細な説明は省略する。
【００３３】
ゲート線ＧＬは、ゲートドライバ１２Ｂに接続されている。ソース線ＳＬは、ソースドライバ１２Ｃに接続されている。ゲートドライバ１２Ｂは、複数のゲート線ＧＬの各々にゲート選択信号を順次入力する。ソースドライバ１２Ｃは、ゲートドライバ１２Ｂによるゲート線ＧＬの走査に同期して、複数のソース線ＳＬの各々にデータ信号を入力する。これにより、選択されたゲート線ＧＬに接続された駆動回路Ｓ１２に対して、シャッタ機構Ｓ１１を動作させるための信号が供給される。
【００３４】
図３は、表示装置１０の断面図である。図３を参照しながら、アクティブマトリクス基板１２及び対向基板１３の具体的な構造について説明する。なお、図３の上下方向は、図１の上下方向と逆になっている。つまり、図３では、アクティブマトリクス基板１２よりも下側に観察者が位置する。
【００３５】
先ず、アクティブマトリクス基板１２について説明する。アクティブマトリクス基板１２は、ベース基板３０と、シャッタ部Ｓ１と、駆動回路Ｓ１２とを含む。シャッタ部Ｓ１及び駆動回路Ｓ１２は、ベース基板３０上に形成されている。なお、図３では、駆動回路Ｓ１２を構成する薄膜トランジスタＴ１は１つしか図示されていないが、実際には、駆動回路Ｓ１２は、複数の薄膜トランジスタＴ１を有する。
【００３６】
ベース基板３０は、可視光を透過する。ベース基板３０は、例えば、ガラス基板である。
【００３７】
表示パネル１２の観察者から見て、ベース基板３０の裏面（対向基板１３側の面）には、下地層３１が形成されている。下地層３１は、遮光膜３２と、透過膜３３と、透明絶縁膜３４と、透明絶縁膜３６と、透明絶縁膜３８とを含む。
【００３８】
遮光膜３２は、ベース基板３０の裏面に接して形成されている。遮光膜３２は、表示領域１２Ａを覆っている。遮光膜３２には、画素ＰＩＸごとに、開口３２１、３２２が形成されている。遮光膜３２の膜厚は、例えば、０．５〜１．５μｍである。
【００３９】
遮光膜３２は、薄膜トランジスタＴ１よりも前に形成される。そのため、遮光膜３２の材料としては、薄膜トランジスタＴ１の製造工程において薄膜トランジスタＴ１の特性に影響を与えず、且つ、薄膜トランジスタＴ１の製造工程での熱処理温度に耐え得る材料を選択する必要がある。また、遮光膜３２の材料は、例えば、観察者側から表示パネル１１に入射した外光が遮光膜３２で反射されて観察者側に戻ってゆくのを抑制する観点や、駆動回路Ｓ１２を構成する回路素子（例えば、薄膜トランジスタＴ１）が有する導電膜との間に形成される寄生容量を小さくする観点も考慮して選択することが好ましい。このような条件を満たす材料からなる遮光膜３２としては、例えば、暗色に着色された高融点樹脂膜やＳＯＧ（Spin On Glass）膜等が挙げられる。高融点樹脂膜としては、例えば、ポリイミド膜がある。遮光膜３２は、例えば、カーボンブラックを含有することにより、暗色に着色することができる。遮光膜３２は、暗色に着色されているので、紫外線を透過させ難い。
【００４０】
透過膜３３は、遮光膜３２を覆っている。透過膜３３は、開口３２１、３２２内にも形成されている。透過膜３３は、可視光を透過する。透過膜３３は、例えば、塗布型の材料で形成されている。ここで、塗布型の材料とは、塗布により成膜可能な材料である。具体的には、透過膜３３は、例えば、透明の高融点樹脂膜やＳＯＧ膜である。高融点樹脂膜としては、例えば、ポリイミド膜がある。透過膜３３のうち、遮光膜３２を覆う部分の膜厚は、例えば、遮光膜３２よりも少なくとも０．５μｍ厚く、１〜３μｍである。
【００４１】
透過膜３３を上記塗布型の材料で形成することにより、遮光膜３２のパターンで生じた凹凸を平坦にすることができる。そのため、薄膜トランジスタＴ１の製造工程において、パターンニングをするときに、レジスト等の液溜まりをなくすことができ、優れたパターンニング精度を得ることができる。
【００４２】
また、透過膜３３を上記塗布型の材料で形成することにより、透過膜３３を厚くすることができる。これにより、遮光膜３２と、駆動回路Ｓ１２を構成する回路素子（例えば、薄膜トランジスタＴ１）が有する導電膜との間隔を大きく確保することができ、両者間に生じる寄生容量を大きく抑制することができる。
【００４３】
遮光膜３２と透過膜３３との間には、透明絶縁膜３４及び透明絶縁膜３６が設けられている。透明絶縁膜３６は、開口３２１、３２２内にも形成されている。透明絶縁膜３４及び透明絶縁膜３６の膜厚は、例えば、５０〜２００ｎｍである。
【００４４】
透過膜３３を覆うようにして、透明絶縁膜３８が設けられている。そのため、透過膜３３をパターンニングするときのレジスト材料との濡れ性及び密着性を向上することができる。また、後述するゲート電極７０、配線９０及びゲート絶縁膜１０１と下地層３１との密着性を向上させることができる。透明絶縁膜３８の膜厚は、例えば、５０〜２００ｎｍである。
【００４５】
薄膜トランジスタＴ１は、ゲート電極７０と、半導体活性層７２と、ソース電極７４と、ドレイン電極７６とを含む。薄膜トランジスタＴ１は、所謂ボトムゲート構造を有する。以下、薄膜トランジスタＴ１について説明する。
【００４６】
ゲート電極７０は、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属からなる金属膜であってもよいし、これらの金属の何れかを含む合金からなる合金膜であってもよい。金属膜及び合金膜は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
【００４７】
ゲート電極７０は、ゲート絶縁膜７８で覆われている。ゲート絶縁膜７８は、例えば、シリコン窒化膜であってもよいし、シリコン酸化膜であってもよいし、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜とを積層したものであってもよい。
【００４８】
なお、ゲート電極７０が形成された層には、複数の配線９０が形成されている。配線９０は、ゲート電極７０と同じ材料で形成されている。配線９０は、駆動回路Ｓ１２を構成する。配線９０は、ゲート絶縁膜７８で覆われている。
【００４９】
半導体活性層７２は、ゲート絶縁膜７８に接して形成されている。半導体活性層７２は、酸化物半導体からなる。酸化物半導体は、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）からなる化合物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）であってもよいし、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｔｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）からなる化合物（Ｉｎ−Ｔｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）であってもよいし、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）からなる化合物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）であってもよい。酸化物半導体は、例えば、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうち少なくとも１種の金属元素を含んでいればよい。半導体活性層７２は、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体を含む。ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であればよく、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの割合（組成比）は特に限定されない。Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの割合（組成比）は、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等である。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体は、アモルファスでもよいし、結晶質でもよい。結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体が好ましい。半導体活性層７２は、単一の酸化物半導体層であってもよいし、複数の酸化物半導体層が積層されたものであってもよい。
【００５０】
半導体活性層７２を覆うようにして、エッチングストッパ層８０が形成されている。エッチングストッパ層８０は、例えば、シリコン酸化膜である。エッチングストッパ層８０は、ゲート絶縁膜７８も覆っている。
【００５１】
ソース電極７４及びドレイン電極７６は、エッチングストッパ層８０に接して形成されている。ソース電極７４及びドレイン電極７６は、エッチングストッパ層８０に形成されたコンタクトホールＣＨ１を介して、半導体活性層７２に接続されている。ソース電極７４及びドレイン電極７６は、ゲート電極７０と同様な材料で形成されている。
【００５２】
ソース電極７４及びドレイン電極７６を覆うようにして、パッシベーション膜９４が形成されている。パッシベーション膜９４は、例えば、シリコン酸化膜である。
【００５３】
なお、ソース電極７４及びドレイン電極７６が形成された層には、複数の配線９２が形成されている。配線９２は、例えば、ソース電極７４及びドレイン電極７６と同じ材料で形成されている。配線９２は、駆動回路Ｓ１２を構成する。配線９２は、パッシベーション膜９４で覆われている。
【００５４】
パッシベーション膜９４を覆うようにして、平坦化膜９６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、感光性樹脂からなる。
【００５５】
平坦化膜９６を覆うようにして、パッシベーション膜９８が形成されている。パッシベーション膜９８は、例えば、シリコン窒化膜である。
【００５６】
パッシベーション膜９８に接して、複数の配線１００が形成されている。複数の配線１００の何れかは、コンタクトホールＣＨ２を介して、ドレイン電極７６に接続されている。配線１００は、ゲート電極７０と同様な材料で形成されている。配線１００は、駆動回路Ｓ１２を構成し、シャッタ機構Ｓ１１に接続されている。配線１００は、パッシベーション膜１０２で覆われている。
【００５７】
パッシベーション膜１０２上に、シャッタ機構Ｓ１１が設けられている。シャッタ機構Ｓ１１は、シャッタ１６と、電極１８と、電極２０とを含む。
【００５８】
続いて、対向基板１３について説明する。図３に示すように、対向基板１３は、ベース基板５０と、遮光膜５２とを含む。
【００５９】
ベース基板５０は、可視光を透過する。ベース基板５０は、例えば、ガラス基板である。
【００６０】
表示パネル１２の観察者から見て、ベース基板５０の表面（アクティブマトリクス基板１２側の面）に、遮光膜５２が形成されている。遮光膜５２は、例えば、カーボンブラックを含む樹脂材料や、Ｔｉ、クロム等の金属からなる。遮光膜５２には、バックライト１４からの光を透過する開口５２１が形成されている。開口５２１は、画素ＰＩＸごとに１つ形成されている。
【００６１】
ここで、表示パネル１２においては、透過膜３３にＵＶカット成分が含まれている。つまり、透過膜３３は、ＵＶカット機能を有する。
【００６２】
ＵＶカット成分は、紫外線吸収剤であってもよいが、好ましくは、紫外線散乱剤である。その理由は、以下のとおりである。
【００６３】
紫外線吸収剤は、紫外線吸収剤そのものの化学変化により、紫外線を吸収する。これに対して、紫外線散乱剤は、紫外線を散乱するときに、紫外線散乱剤そのものが変化しない。つまり、紫外線散乱剤は、紫外線吸収剤と比べて、長期間に亘って、安定したＵＶカット機能を発揮することができる。
【００６４】
紫外線散乱剤は、酸化亜鉛であってもよいし、酸化チタンであってもよい。酸化チタンを用いる場合には、粒子径の小さいものを採用することが好ましい。その理由は、以下のとおりである。
【００６５】
酸化チタンは、可視光線を反射する。そのため、粒子径が大きい酸化チタンは、白色に見える。粒子径が小さくなると、可視光線を反射し難くなる。したがって、酸化チタンを用いる場合には、粒子径が小さいほうが好ましい。例えば、粒子径が５０ｎｍ以下の微粒子酸化チタンや、超微粒子酸化チタンが好適に用いられる。
【００６６】
透過膜３３におけるＵＶカット成分の含有量は、例えば、透過膜３３の材料や、透過膜３３を成膜するときの熱処理温度、バックライト１４からの光の透過量等を考慮して、適宜、設定される。
【００６７】
表示装置１０は、アクティブマトリクス基板１２に下地層３１を有する。下地層３１は、遮光膜３２と、透過膜３３とを含む。遮光膜３２は、遮光性を有するので、ＵＶカット機能を有する。透過膜３３は、ＵＶカット成分を含有するので、ＵＶカット機能を有する。つまり、表示装置１０においては、下地層３１がＵＶカット層として機能する。その結果、アクティブマトリクス基板１２の観察者側から入射する紫外線が半導体活性層７２に照射されるのを抑制できる。具体的には、以下のとおりである。
【００６８】
遮光膜３２が、観察者から見て、薄膜トランジスタＴ１と重なる位置に形成されている。そのため、アクティブマトリクス基板１２の観察者側から入射する紫外線のうちベース基板３０に対して垂直に入射する紫外線が半導体活性層７２に直接照射されるのを抑制できる。
【００６９】
透過膜３３が開口３２１、３２２内に形成されている。そのため、アクティブマトリクス基板１２の観察者側から開口３２１、３２２を介して入射する紫外線（特に、ベース基板３０に観察者側の面に対して斜めから入射する紫外線）が半導体活性層７２に照射されるのを抑制できる。例えば、紫外線が開口３２１、３２２から表示パネル１１内に入ると、表示パネル１１内の金属配線（例えば、ゲート線やソース線）等で反射や散乱が起こり、半導体活性層７２に紫外線が入射することがある。透過膜３３が開口３２１、３２２内に形成されていれば、上記のような半導体活性層７２への紫外線の入射を防ぐことができる。
【００７０】
ここで、透過膜３３は、塗布型の材料で形成されている。そのため、下地層３１を構成する膜のなかでも、膜厚を大きくしやすい。膜厚が大きくなれば、透過膜３３の体積が増える。透過膜３３の体積が増えると、より多くのＵＶカット成分を含有できる。その結果、ＵＶカット機能を発揮し易くなる。
【００７１】
特に、透過膜３３のうち、開口３２１、３２２内に位置する部分は、遮光膜３２を覆う部分と比べて、膜厚がさらに大きくなる。そのため、透過膜３３にＵＶカット機能を付与することは、ＵＶカット機能を発揮させる点において、極めて効果的である。
【００７２】
表示装置１０においては、ＵＶカット成分を含有する透過膜３３を形成すればよいので、表示パネル１１を製造するときの工程数を、透過膜３３がＵＶカット成分を含有しない場合と同じにすることができる。
【００７３】
表示装置１０においては、半導体活性層７２よりもベース基板３０側にゲート電極７０が配置されている。そのため、半導体活性層７２への紫外線の照射を抑制できる。
【００７４】
本実施形態では、透過膜３３が遮光膜３２を覆っていたが、その理由は、製造工程を考慮したためである。つまり、遮光膜３２を覆うようにして、透過膜３３を形成すれば、透過膜３３を容易に形成できるからである。
【００７５】
アクティブマトリクス基板１２の観察者側から開口３２１、３２２を介して入射する紫外線（特に、ベース基板３０に観察者側の面に対して斜めから入射する紫外線）が半導体活性層７２に照射されるのを抑制することだけを考慮すれば、透過膜３３が遮光膜３２を覆っていなくてもよい。
【００７６】
[第２の実施の形態]
図４を参照しながら、本発明の第２の実施の形態による表示装置１０Ａについて説明する。図４は、表示装置１０Ａの概略構成を示す断面図である。
【００７７】
表示装置１０Ａは、表示装置１０と比べて、透過膜３３がＵＶカット成分を含有していない。その代わりに、ＵＶカット層としてのＵＶカットフィルム１５を備えている。ＵＶカットフィルム１５は、観察者から見て、ベース基板３０の表面に貼り付けられている。
【００７８】
表示装置１０Ａにおいては、ＵＶカットフィルム１５により、アクティブマトリクス基板１２の観察者側から入射する紫外線が半導体活性層３２に照射されるのを抑制できる。
【００７９】
表示装置１０Ａにおいては、ＵＶカットフィルム１５をベース基板３０に貼り付ければよいので、表示パネル１１の製造工程を変更しなくてよい。
【００８０】
［第３の実施の形態］
図５を参照しながら、本発明の第３の実施の形態による表示装置１０Ｂについて説明する。図５は、表示装置１０Ｂの概略構成を示す断面図である。
【００８１】
表示装置１０Ｂは、表示装置１０と比べて、透過膜３３がＵＶカット成分を含有していない。ベース基板３０の代わりに、ベース基板３０Ａが採用されている。
【００８２】
ベース基板３０Ａは、ＵＶカット機能を有する。ベース基板３０ＡにＵＶカット機能を付与する方法としては、例えば、ベース基板３０Ａを構成するガラス基板そのものにＵＶカット成分を含有させる方法等がある。
【００８３】
表示装置１０Ｂにおいては、ベース基板３０ＡがＵＶカット機能を有する。そのため、アクティブマトリクス基板１２の観察者側から入射する紫外線が半導体活性層３２に照射されるのを抑制できる。
【００８４】
表示装置１０Ｂにおいては、ベース基板３０の代わりに、ベース基板３０Ｂを採用すればよいので、表示パネル１１の製造工程を変更しなくてもよい。
【００８５】
以上、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。
【００８６】
例えば、遮光膜３２は、薄膜トランジスタＴ１が形成された領域に設けられていればよい。
【００８７】
例えば、第１の実施の形態では、透明絶縁膜３６が設けられていたが、透明絶縁膜３６はなくてもよい。
【００８８】
例えば、第１の実施の形態において、透明絶縁膜３６が遮光膜３２の全面を覆う場合には、透明絶縁膜３８が高温アニールにおけるカーボンブラックの透明化を防ぐことができる。この場合、透明絶縁膜３４を省略することができる。
【００８９】
例えば、第２及び第３の実施の形態において、透過膜３３はなくてもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１０：表示装置、１１：表示パネル、１２：アクティブマトリクス基板、１３：対向基板、１４：バックライト、３０：ベース基板、３１：下地層、３２：遮光膜、３２１：開口、３２２：開口、３３：透過膜、７２：半導体活性層、ＰＩＸ：画素、Ｓ１１：シャッタ機構、Ｔ１：薄膜トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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