(57)【要約】【課題】本発明は、耐熱性のない素材の基板に機能層を設けた電界感応シート及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電界感応シート１は、ＰＥＴフィルムからなる基板２と、基板２の表面に設けられた第１電極３と、第１電極３の表面に設けられ電界に応じて光学透過率が変化する機能層４と、機能層４の表面に設けられたｐ型半導体層５と、ｐ型半導体層５の表面に設けられた第２電極６とを備えている。本発明では、電界感応シート１の製造方法において従来は必要であった焼成工程を不要とした。これにより、基板２等について、ＰＥＴフィルム等の比較的耐熱性の低い素材を用いることができるようになった。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱温度が２００℃以下の素材により形成された基板と、
前記基板の表面に固定された第１電極と、
前記第１電極の表面に固定された機能層と、
前記機能層の表面に固定されたｐ型半導体層と、
前記ｐ型半導体層の表面に固定された第２電極とを備え、
前記機能層は、絶縁性物質で覆われたｎ型金属酸化物半導体を光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成して電子を捕獲することができるものであることを特徴とする電界感応シート。
【請求項２】
請求項１に記載の電界感応シートであって、
前記第２電極の表面に絶縁層を備え、
前記絶縁層の表面に、前記第１電極と、前記機能層と、前記ｐ型半導体層と、前記第２電極とがさらに積層されていることを特徴とする電界感応シート。
【請求項３】
基板上の表面に導電性を有する第１電極を形成する第１工程と、
少なくとも前記第１電極の表面に、ｎ型金属酸化物半導体と絶縁性物質との混合体を塗布する第２工程と、
前記混合体に紫外線を照射して、前記ｎ型金属酸化物半導体を光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成して電子を捕獲することができる機能層を形成する第３工程と、
前記機能層の表面にｐ型半導体層を形成する第４工程と、
前記ｐ型半導体層の表面に導電性を有する第２電極を形成する第５工程とを備えたことを特徴とする電界感応シートの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電界感応シートの製造方法において、
前記第３工程において、加工対象物を冷却しながら前記紫外線の照射を行うことを特徴とする電界感応シートの製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の電界感応シートの製造方法において、
前記第５工程を経た電界感応シートの表面に絶縁層を形成する第６工程と、
前記絶縁層の表面に、前記第１工程から第５工程までの工程をさらに付加することを特徴とする電界感応シートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電圧の印加によって可視光透過率の値を制御できる電界感応シート及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願発明者は、電圧の印加によって可視光透過率の値を制御することができる表示デバイスを提供している（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１においては、支持体に固着した第１の電極層に、金属酸化物とそれを覆う絶縁体とからなる透光性の層を被覆し、被覆後に乾燥し焼成し、透光性の層に紫外線を照射して変質させ、透光性の層を電圧の印加によって可視光透過率の値を制御することができる機能層とした。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ２００８／０５３５６１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１においては、前記焼成処理を行う際に約３００℃〜４００℃の温度で焼成を行っていた。従って、前記機能層を塗布する基板をはじめ、各部の素材は耐熱性を有するものに限られていた。
【０００６】
また、前記機能層を複数積層したい場合、上記工程を一通り行った後、光励起構造変化が行われた層の上に機能層の原料を塗布して乾燥及び焼成を行う必要があるが、焼成を行うと光励起構造変化が熱により可逆的変化を起こしてしまうため、機能層を複数積層することが困難であった。
【０００７】
また、従来は金属電極の表面に機能層を設ける場合、焼成によって金属表面が酸化されてしまうので、金属表面に防酸化処理等を施す必要があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、耐熱性のない素材の基板に機能層を設けた電界感応シート及び素材の耐熱性の有無にかかわらず製造可能な電界感応シートの製造方法を提供することを目的とする。また、他の目的は、前記機能層が複数積層された電界感応シート及びその製造方法を提供することである。また、他の目的は、防酸化処理等を行っていない金属材料に機能層を設けた電界感応シート及びその製造方法を提供することである。
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の電界感応シートは、耐熱温度が２００℃以下の素材により形成された基板と、前記基板の表面に固定された第１電極と、前記第１電極の表面に固定された機能層と、前記機能層の表面に固定されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層の表面に固定された第２電極とを備え、前記機能層は、絶縁性物質で覆われたｎ型金属酸化物半導体を光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成して電子を捕獲することができるものであることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、基板として耐熱温度が２００℃以下の素材であるため、耐熱性のないＰＥＴフィルムや紙等を用いることができる。また、この耐熱温度という概念は、本願においては、金属の場合には加熱により表面が実質的に酸化されない温度を示す。従って、基板として加熱により表面が酸化されやすい銅やアルミニウム等の素材を用いることができる。
【００１１】
前記機能層は、第１電極及び第２電極間の電圧の印加によって可視光透過率の値が変化するものであるため、ＰＥＴフィルム等、薄くて軽く、さらにある程度の折り曲げにも強い調光フィルム又は電子ペーパーとすることができる。
【００１２】
本発明の電界感応シートにおいては、前記第２電極の表面に絶縁層を備え、前記絶縁層の表面に、前記第１電極と、前記機能層と、前記ｐ型半導体層と、前記第２電極とがさらに積層されたものとすることができる。このように、電界感応シートにおいて、前記電極及び機能層等が積層されたものであるときは、１層の電界感応シートよりも多様な表示態様が可能となる。
【００１３】
本発明の電界感応シートの製造方法は、基板上の表面に導電性を有する第１電極を形成する第１工程と、少なくとも前記第１電極の表面に、ｎ型金属酸化物半導体と絶縁性物質との混合体を塗布する第２工程と、前記混合体に紫外線を照射して、前記ｎ型金属酸化物半導体を光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成して電子を捕獲することができる機能層を形成する第３工程と、前記機能層の表面にｐ型半導体層を形成する第４工程と、前記ｐ型半導体層の表面に導電性を有する第２電極を形成する第５工程とを備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の電界感応シートの製造方法によれば、従来のように第２工程の後で塗布された混合体を焼成する工程を不要としたため、基板や電極等に耐熱性の低い素材を用いることができる。従って、基板や電極等について、幅広い素材を用いることができる。このため、電界感応シートの軽量化や機能性の大幅な向上、及びコスト削減等も可能となる。
【００１５】
本発明の電界感応シートの製造方法においては、前記第３工程において、加工対象物を冷却しながら前記紫外線の照射を行うことが好ましい。このように、加工対象物を冷却しながら加工することにより、耐熱性の低い素材を基板や電極等に用いることができる。ここで、加工対象物の冷却とは、加工対象物を直接冷却する場合の他、加工対象物の雰囲気温度を下げて加工対象物を冷却する場合を含む。
【００１６】
また、本発明の電界感応シートの製造方法においては、前記第５工程を経た電界感応シートの表面に絶縁層を形成する第６工程と、前記絶縁層の表面に、前記第１工程から第５工程までの工程をさらに付加することが好ましい。この場合、積層数は２層のみならず、３層或いはそれ以上の積層数とすることができる。
【００１７】
このように、第１工程から第５工程で形成された電界感応シートに、さらに電界感応シートを積層することにより、前記機能層が電界感応層である場合、１層の電界感応シートよりも多様な表示態様が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（Ａ）は本発明の電界感応シートの一実施形態を示す模式図、（Ｂ）は（Ａ）の一点鎖線で表された箇所の部分断面図。
【図２】本発明の電界感応シートの製造方法に用いられる装置を示す模式図。
【図３】本発明の第２の実施形態の電界感応シートを示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態として、印加された電界に応じて光学透過率が変化する電界感応シート１について、図１を参照して説明する。
【００２０】
第１実施形態の電界感応シート１は、ＰＥＴフィルムからなる基板２と、基板２の表面に設けられた第１電極３と、第１電極３の表面に設けられ電界に応じて光学透過率が変化する機能層４と、機能層４の表面に設けられたｐ型半導体層５と、ｐ型半導体層５の表面に設けられた第２電極６とを備えている。
【００２１】
基板２は、一般に用いられているＰＥＴフィルムで構成されており、厚さは０．１ｍｍである。基板２の素材や厚さは、用途に応じて適宜選択可能である。基板２の素材としては、従来から用いられているガラスや金属等のみならず、耐熱性のない各種樹脂や紙等を用いることができる。
【００２２】
第１電極３は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなり、基板２上に真空蒸着法により形成されている。この第１電極３は帯状に形成され、基板２の表面に平行に複数配列されている。この第１電極３の厚さは０．２μｍである。
【００２３】
機能層４は、ｎ型金属酸化物半導体である二酸化チタンと、二酸化チタンの周囲を覆う絶縁体である二酸化ケイ素とを含む。この機能層４は、脂肪酸塩であるカプロン酸チタンに、絶縁体であるシリコーンオイル及び有機溶媒であるキシレンを混合し、基板２及び第１電極３の表面に塗布し、乾燥後に紫外線を照射することにより形成されている。本実施形態では厚さは０．３μｍとなっている。
【００２４】
ｐ型半導体層５は、酸化ニッケルからなり、帯状に形成され、第１電極３とは９０°異なる方向に平行に複数配列されている。
【００２５】
第２電極６は、ＩＴＯからなり、帯状に形成され、ｐ型半導体層５の表面に設けられている。この第２電極６も、帯状に形成され、ｐ型半導体層５に積層されている。この第２電極６の厚さは０．２μｍである。
【００２６】
第１の実施形態の電界感応シート１では、図１（Ａ）において一点鎖線で囲んだ第１電極３と第２電極６との交点の部分Ｂが、印加された電界に応じて光学透過率が変化する電界感応部となる。
【００２７】
第１の実施形態の電界感応シート１は、印加された電界に応じて光学透過率が変化する機能を有している。その原理は、次の通りである。国際公開公報ＷＯ２００８／０５３５６１に開示されているように、第１電極であるＩＴＯ上のｎ型金属酸化物半導体に紫外線が照射されると、ｎ型金属酸化物半導体の価電子帯の電子が伝導帯に励起される。
【００２８】
ＩＴＯとｎ型金属酸化物半導体との界面付近では、この電子がある確率で絶縁物を通り抜けて一時的にＩＴＯに捕獲され、価電子帯の電子が抜けた部位の二酸化チタンの原子間距離が変化する。捕獲されていた電子は再びｎ型金属酸化物半導体の価電子帯に戻るが、このときの準位はバンドギャップ内に移動している。
【００２９】
このような事象が繰り返し起こり、紫外線が照射されている間にバンドギャップ内に多数の準位ができる。しかし、これら準位に捕らえられるべき電子は紫外線により励起されてＩＴＯに移動する。こうして生じた電子不在のバンドギャップ内の準位は、紫外線照射を終えた後も残存する。
【００３０】
ｎ型金属酸化物半導体が吸収する光のエネルギー（波長）はバンドギャップ内の準位に依存する。ｎ型金属酸化物半導体の場合、バンドギャップ内の電子が少ない状態では透過率の値が大きい（透明な状態）。
【００３１】
第１の実施形態では、バンドギャップ内に準位をもつ透明な状態のｎ型金属酸化物半導体に、第１電極３に−３Ｖ、第２電極６をアース側にして電圧を印加すると、第１電極３の電子が絶縁物による障壁を越えてｎ型金属酸化物半導体に移る。移った電子がｎ型金属酸化物半導体のバンドギャップ間準位に捕獲されると、ｎ型金属酸化物半導体の透過率の値が小さくなる。すなわち、透明な状態から暗色を呈する状態に変わる。電界を取り去っても、障壁の帯電荷によって暗色の状態が維持される。第１の実施形態では、電界感応シート１の光透過率は３０％であった。
【００３２】
逆に、第１電極３に＋３Ｖ、第２電極６をアース側にして電圧を印加すると、バンドギャップに捕獲されていた電子は、ある確率で伝導帯の自由電子になる。この自由電子は第１電極３に移動する。このため、最終的にはバンドギャップ内の準位に電子のない状態になる。これによって暗色の状態から透明な状態に戻る。第１の実施形態では、電界感応シート１の光透過率は７０％であった。
【００３３】
第１の実施形態の電界感応シート１では、第１電極３及び第２電極６との間の電圧の値によってバンドギャップ内に捕獲される電子の数を制御することができるので、両電極に印加する電圧の強弱によって光学透過率を変化させることができる。従って、第１の実施形態の電界感応シート１を電子ペーパー等のディスプレイ装置に用いた場合、多段階調のディスプレイとすることができる。
【００３４】
また、後述するように、第１の実施形態の電界感応シート１は、従来のように焼成工程を必要としないので、これを構成する素材については、耐熱性の有無を問わず様々な素材を用いることができる。従って、電界感応シート１を電子ペーパー等のディスプレイ装置に用いた場合、ＰＥＴフィルムや紙のように軽量で変形性に富む素材を用いることができるので、より紙に近い電子ペーパーとすることができる。
【００３５】
また、第１の実施形態の電界感応シート１では、シートを暗色の状態にすると、シートを透過する光の量を減少させることができる。従って、例えば、電界感応シート１を建材用の窓ガラスに貼ることにより、外光の透過する量を制御できる。このため、夏季に電界感応シート１を暗色の状態にすれば、外光（近赤外線も含む）が遮断されるので、室内の冷房のための電力を削減することも可能となる。
【００３６】
なお、上記第１の実施形態において、耐熱温度が２００℃以下の基板としてＰＥＴフィルムを用いているが、これに限らず、熱可塑性樹脂として、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカポネード、四フッ化エチレン、エチレン酸ビコポリマー等の種々の樹脂を用いることができる。また、熱硬化性樹脂として、ベークライト、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、又はエポキシ樹脂等を用いることができる。また、紙、繊維等の織物を用いることもできる。さらに、アルミ箔等の熱により変形しやすく、また酸化しやすい金属フィルム、金属電極を用いることもできる。
【００３７】
また、上記第１の実施形態において、第１電極３及び第２電極６は共にＩＴＯを用いているが、これに限らず、ポリピロール等の導電性ポリマーを用いることもできる。また、ＳｎＯ２（酸化スズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、或いはカーボンナノチューブを利用した透明電極を用いることができる。また、電極として樹脂に金属粒子を分散した電極を用いることもできる。
【００３８】
また、上記第１の実施形態において、機能層４のｎ型金属酸化物半導体として二酸化チタンを用いているが、酸化スズ（ＳｎＯ２）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いてもよい。
【００３９】
また、機能層４の絶縁物としてシリコーンオイルを用いているが、絶縁被覆材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、酢酸セルロースなどの熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコン樹脂などの熱硬化性樹脂がある。その他に、パラフィン、鉱油、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などがある。
【００４０】
また、上記第１の実施形態において、機能層４の原料として、脂肪酸塩であるカプロン酸チタンを用いているが、脂肪酸としては、例えば、脂肪族モノカルボン酸や、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族トリカルボン酸、脂肪族テトラカルボン酸等の脂肪族ポリカルボン酸が使用可能である。
【００４１】
より具体的には、飽和脂肪族モノカルボン酸として、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ステアリン酸等が挙げられる。不飽和脂肪族モノカルボン酸としては、アクリル酸、ブテン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、リノレン酸、オレイン酸等の高度不飽和モノカルボン酸が使用可能である。
また、上記第１の実施形態において、ｐ型半導体層５の材料としては、酸化ニッケルの他に、銅アルミ酸化物（ＣｕＡｌＯ２）等が使用可能である。
【００４２】
次に、第１の実施形態の電界感応シート１の製造方法について、図２を参照して説明する。電界感応シート１の製造方法は、次の第１工程〜第５工程により行われる。
【００４３】
第１工程では、基板２となるＰＥＴフィルム上に、真空蒸着法を用いてＩＴＯを積層し、第１電極３を配列させる。その際、基板２上の第１電極３以外の箇所についてはマスキングを行う。
【００４４】
第２工程では、カプロン酸チタンと、シリコーンオイルと、キシレンとを混合した混合液をつくる。その混合液をスピンオン（１８００ｒｐｍ、５ｓｅｃ）によって塗布し、その後３０℃の雰囲気に５分間晒してキシレンを揮発さて乾燥させる。
【００４５】
第３工程では、図２に示す装置を用いて、乾燥された層に低圧水銀ランプ１２の紫外線を照射する。図２に示すように、紫外線照射装置１０は、複数の低圧水銀ランプ１２と、その背後に設けられた反射板１１と、冷却装置１３とを備えている。
【００４６】
紫外線の照射条件は、本実施形態では波長２５４ｎｍ、６０ｍＷ／ｃｍ２で６０分である。低圧水銀ランプ１２を用いて紫外線を照射すると、紫外線の照射範囲内で酸素が活性化されてオゾンが発生し、オゾン雰囲気下での紫外線照射となる。
【００４７】
このオゾン雰囲気下での紫外線照射により、カプロン酸チタンの脂肪酸部分が分解されて二酸化チタンが形成される。また、シリコーンオイルが分解されて二酸化ケイ素が形成される。この結果、二酸化ケイ素が二酸化チタンの周囲を覆った状態となる。第１の実施形態では、以上の第２工程及び第３工程によって機能層４を形成する。
【００４８】
第３工程においては、基板２及び第１電極３が設けられた電界感応シート１を冷却装置１３の上に載置した状態で紫外線照射を行っている。冷却装置表面の温度は、本実施形態では２５℃としている。これにより、基板２及び第１電極３も、ほぼ２５℃に保たれる。
【００４９】
第４工程では、機能層４の表面に、スパッタリング法を用いて酸化ニッケルを積層し、ｐ型半導体層５を形成する。その際、基板２上のｐ型半導体層５以外の箇所についてはマスキングを行う。
【００５０】
第５工程では、ｐ型半導体層５が形成された状態で、さらに真空蒸着法を用いてＩＴＯを積層し、第２電極６を配列させる。この第２電極の形成後にマスキングを除去する。以上の工程により、第１実施形態の電界感応シート１が形成される。
【００５１】
このように、本発明の製造方法では、従来のように機能層４の原料を塗布した後の焼成工程を必要としない。従って、本発明の電界感応シート１を構成する素材及び原料は、耐熱性の有無を問わず選択することができ、電界感応シート１の軽量化、多機能化、及び低コスト化が可能となる。
【００５２】
従来は、基板２としてガラス板や金属板等の耐熱性のある素材のみしか選択できなかったが、耐熱温度が２００℃以下の素材として、熱可塑性樹脂や紙等、耐熱性のない素材も用いることができる。また、機能層４にフィラー、顔料、染料等の材料を任意に添加することができるので、光応答性能、色彩を任意に制御することができる。また、第１電極３及び第２電極６も、ＩＴＯのみならず、耐熱性のない（耐熱温度が２００℃以下）導電性樹脂等を用いることができる。
【００５３】
また、従来行っていた焼成工程においては、焼成のための温度上昇及びその後の温度下降のために多くの時間を要していたが、本実施形態の製造方法では、この焼成工程そのものを省略しているため、電界感応シート１の製造工程に要する時間を大幅に短縮することができる。
【００５４】
また、従来の製造方法では、酸化されやすい金属を基板や電極として用いることが困難であったが、本実施形態においては、焼成の熱による酸化の問題が生じないので、銅、アルミニウムなどの金属も表面処理なしで用いることができる。
【００５５】
また、本実施形態の製造方法では、焼成工程を必要としないので、大面積のシート或いは複雑な形状のシートを形成することも可能である。また、本実施形態の製造方法では、電子素子、電子部品、生体素子を組み込んだ基材の任意の箇所に機能層４を直接形成することもできる。
【００５６】
なお、上記第１実施形態の電界感応シート１の製造方法においては、第２工程において、混合液を塗布した後に乾燥工程を実施しているが、これに限らず、自然乾燥としてもよく、直接第３工程に移ってもよい。
【００５７】
また、第３工程において、紫外線の照射条件を上記実施形態のようにしているが、本発明においては、これに限定されず、紫外線の波長は４００ｎｍ以下で適用することができる。また、出力及び照射時間は６０ｍＷ／ｃｍ２で６０分であったが、これに限らず素材に応じて適宜出力と時間を調節してもよい。
【００５８】
また、第３工程の冷却装置の温度を２５℃としているが、温度範囲は１０℃〜５０℃の任意の範囲としてもよい。１０℃未満の場合は、加工を行うシートの表面に結露が生じるおそれがある。また、５０℃を超える場合は、基板２等に対する影響が大きくなるため好ましくない。
【００５９】
この１０℃〜５０℃の内、好適な範囲としては１５℃〜３０℃であり、最も好ましいのは２０℃〜２５℃の間である。電界感応シート１の製造方法において、この温度範囲には、上記実施形態のように冷却装置を用いる場合の他、空調機器等により雰囲気温度を制御するようにしてもよい。
【００６０】
次に、本発明の第２実施形態として、印加された電界に応じて光学透過率が変化する機能層が複数積層された電界感応シート２０について、図３を参照して説明する。
【００６１】
第２実施形態の電界感応シート２０は、図３に示すように、図の下から基板２、第１電極３、機能層４、ｐ型半導体層５、及び第２電極６が積層されている。また、第２電極６の表面には絶縁シート２１が積層され、その表面に第１電極２２、機能層２３、ｐ型半導体層２４、及び第２電極２５が積層されている。
【００６２】
この第２の実施形態の電界感応シート２０は、各第１電極３，２２、機能層４，２３、ｐ型半導体層５，２４、及び第２電極６，２５は、上記第１の実施形態における構成と同様の構成を有している。
【００６３】
第２の実施形態では、下層の第２電極６と上層の第１電極２２との間に絶縁シート２１を設けているが、この絶縁シート２１はエポキシ樹脂を下層の第２電極６の表面に塗布し、乾燥させることにより形成している。
【００６４】
第２の実施形態の電界感応シート２０は、第１の実施形態と同様に、第１電極３と第２電極６との交点の部分が、印加された電界に応じて光学透過率が変化する電界感応部となる。
【００６５】
第２の実施形態の電界感応シート２０では、電界感応部が２層積層されているため、下層及び上層に印加する電圧の組み合わせによって、１層のシートよりも多様な表示態様が可能となる。
【００６６】
次に、第２実施形態の電界感応シート２０の製造方法について説明する。電界感応シート２０の製造方法は、次の第１工程〜第１１工程により行われるが、第１工程から第５工程までは、第１実施形態と同様の工程となる。また、本実施形態の第７工程〜第１１工程は、第１工程〜第５工程と同様の工程となっている。
【００６７】
第２実施形態では、第５工程後に、第６工程として、第２電極６が形成された状態のシートの表面にエポキシ樹脂をスピンオンにより塗布し、これを乾燥させて絶縁シート２１を形成する。このエポキシ樹脂は、一般に回路基板の防水コーティング等に用いられているものを用いることができる。
【００６８】
第７工程では、絶縁シート２１の表面に真空蒸着法を用いてＩＴＯを積層し、第１電極２２を配列させる。その際、基板２上の第１電極２２以外の箇所についてはマスキングを行う。
第８工程では、第２工程と同様の工程で機能層２３の原料を第７工程後の電界感応シート２０に塗布し、乾燥させる。
【００６９】
第９工程では、第３工程と同様に、この乾燥された層に紫外線照射装置１０を用いて紫外線を照射し、オゾン雰囲気下での紫外線照射を行う。この第９工程においても、第８工程後の電界感応シート２０を冷却装置１３の上に載置して紫外線照射を行う。
【００７０】
第１０工程では、第４工程と同様に、第９工程後の電界感応シート２０の表面にスパッタリング法を用いて酸化ニッケルを積層し、ｐ型半導体層５を形成する。その際、基板２上のｐ型半導体層５以外の箇所についてはマスキングを行う。
【００７１】
第１１工程では、第５工程と同様に、ｐ型半導体層５が形成された状態で、さらに真空蒸着法を用いてＩＴＯを積層し、第２電極６を配列させる。この第２電極の形成後にマスキングを除去する。以上の工程により、第２実施形態の電界感応シート２０が形成される。
【００７２】
このように、本発明の製造方法では、従来のように機能層４及び２３の原料を塗布した後の焼成工程を必要としない。従って、機能層を複数積層しても、光励起構造変化が熱により可逆的変化を起こすことがないので、用途に応じて機能層を任意に複数積層することが可能となる。
【００７３】
なお、上記第２実施形態においては、絶縁シート２１の原料としてエポキシ樹脂を用いているが、これに限らず、絶縁性及び接着性を有するものであれば他の材料を用いてもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１…電界感応シート、２…基板、３…第１電極、４…機能層、５…ｐ型半導体層、６…第２電極、２０…電界感応シート、２１…絶縁シート、２２…第１電極、２３…機能層、２４…ｐ型半導体層、２５…第２電極。
【図１】
2017078757.tif 000003
【図２】
2017078757.tif 000004
【図３】
2017078757.tif 000005