(57)【要約】【課題】下引層を介さず導電性基体上に直接設けられた単層型の感光層を備え、画像形成を繰り返しても傷をきっかけとした感光層の剥がれが発生しにくい電子写真感光体を提供すること。【解決手段】導電性基体と、前記導電性基体上に直接設けられ、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含み最表面を構成する単層型の感光層と、を備え、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６のクロスカット法で測定した前記導電性基体と前記感光層との付着性が分類０又は１である電子写真感光体。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、
前記導電性基体上に直接設けられ、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含み、最表面を構成する単層型の感光層と、
を備え、
ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６のクロスカット法で測定した前記導電性基体と前記感光層との付着性が分類０又は１である電子写真感光体。
【請求項２】
前記感光層における前記結着樹脂の含有量が、前記感光層の全質量に対して４８質量％以上６０質量％以下である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記感光層が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも１種の電荷発生材料と、下記一般式（１）で表される正孔輸送材料と、下記一般式（２）で表される電子輸送材料とを含む、請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
【化１】
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一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、又はフェノキシ基を表し、ｍ及びｎは各々独立に０又は１を表す。
【化２】
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一般式（２）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又はアリール基を表し、Ｒ１８はアルキル基又はアリール基を表す。
【請求項４】
導電性基体の表面をｐＨ７．０以上９．０以下の水に接触させる工程と、
前記水に接触後の前記導電性基体の表面に、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含む感光層形成用組成物を塗布し乾燥させて感光層を形成する工程と、
を有し、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を製造する製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【請求項６】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【請求項７】
前記現像剤が、トナー及びキャリアを含む現像剤である、請求項６に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像形成装置が備える感光体の感光層として、例えば特許文献１〜４に単層型感光層が開示されている。
特許文献１には、有機アクセプター化合物を含む単層型感光層が開示されている。
特許文献２には、（４−カルボニル−９−フルオレニリデン）マロノニトリルの２−エチルヘキサノール誘導体を含む単層型感光層が開示されている。
特許文献３には、トリフェニルアミン誘導体を含む単層型感光層が開示されている。
特許文献４には、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される電荷発生材料と、トリフェニルアミン系正孔輸送材料と、（４−カルボニル−９−フルオレニリデン）マロノニトリルの２−エチルヘキサノール誘導体とを含む単層型感光層が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−１２３９８１号公報
【特許文献２】特開２００５−２１５６７７号公報
【特許文献３】特開平８−２９５６５５号公報
【特許文献４】特開２０１３−２３１８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、下引層を介さず導電性基体上に単層型の感光層が直接設けられた態様において、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６のクロスカット法で測定した導電性基体と感光層との付着性が分類２乃至５である場合に比べ、画像形成を繰り返しても傷をきっかけとした感光層の剥がれが発生しにくい電子写真感光体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。
【０００６】
請求項１に係る発明は、
導電性基体と、
前記導電性基体上に直接設けられ、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含み、最表面を構成する単層型の感光層と、
を備え、
ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６のクロスカット法で測定した前記導電性基体と前記感光層との付着性が分類０又は１である電子写真感光体。
【０００７】
請求項２に係る発明は、
前記感光層における前記結着樹脂の含有量が、前記感光層の全質量に対して４８質量％以上６０質量％以下である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【０００８】
請求項３に係る発明は、
前記感光層が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも１種の電荷発生材料と、下記一般式（１）で表される正孔輸送材料と、下記一般式（２）で表される電子輸送材料とを含む、請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
【０００９】
【化１】
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【００１０】
一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、又はフェノキシ基を表し、ｍ及びｎは各々独立に０又は１を表す。
一般式（２）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又はアリール基を表し、Ｒ１８はアルキル基又はアリール基を表す。
【００１１】
請求項４に係る発明は、
導電性基体の表面をｐＨ７．０以上９．０以下の水に接触させる工程と、
前記水に接触後の前記導電性基体の表面に、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含む感光層形成用組成物を塗布し乾燥させて感光層を形成する工程と、
を有し、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を製造する製造方法。
【００１２】
請求項５に係る発明は、
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【００１３】
請求項６に係る発明は、
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【００１４】
請求項７に係る発明は、
前記現像剤が、トナー及びキャリアを含む現像剤である、請求項６に記載の画像形成装置。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１又は３に係る発明によれば、下引層を介さず導電性基体上に単層型の感光層が直接設けられた態様において、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６のクロスカット法で測定した導電性基体と感光層との付着性が分類２乃至５である場合に比べ、画像形成を繰り返しても傷をきっかけとした感光層の剥がれが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
請求項２に係る発明によれば、下引層を介さず導電性基体上に単層型の感光層が直接設けられた態様において、結着樹脂の含有量が感光層の全質量に対して４８質量％未満である場合に比べ、画像形成を繰り返しても傷をきっかけとした感光層の剥がれが発生しにくい電子写真感光体が提供される。
【００１６】
請求項４に係る発明によれば、下引層を介さず導電性基体上に単層型の感光層を直接設ける態様において、導電性基体をｐＨ９．０超の水に接触させた場合に比べ、画像形成を繰り返しても傷をきっかけとした感光層の剥がれが発生しにくい電子写真感光体を製造する製造方法が提供される。
【００１７】
請求項５、６又は７に係る発明によれば、下引層を介さず導電性基体上に単層型の感光層が直接設けられた態様において、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６のクロスカット法で測定した導電性基体と感光層との付着性が分類２乃至５である場合に比べ、画像形成を繰り返しても傷をきっかけとした感光層の剥がれが発生しにくい電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本明細書において、「電子写真感光体」を単に「感光体」ともいう。
【００２０】
＜電子写真感光体＞
本実施形態に係る感光体は、導電性基体と、該導電性基体上に直接設けられた、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含む単層型感光層とを備える。本実施形態において単層型感光層は、下引層を介さず、導電性基体上に直接設けられた層であり、且つ、感光体の最表面を構成する。
【００２１】
本実施形態において導電性基体と単層型感光層とは、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６（１９９９年制定）のクロスカット法で測定した付着性が分類０又は１である。
【００２２】
感光体としては、製造コストを抑える観点からは、導電性基体上に単層型感光層が直接積層されており且つ保護層を備えない感光体が望ましい。ただし、この感光体は、下引層を備えないこと、感光層が単層であること、及び保護層を備えないことから、感光層に傷が生じた場合、画像形成を繰り返すと傷を起点にして感光層が剥がれやすい。特に、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤を用いた画像形成においてはキャリアが現像装置から感光体表面に移行することがあり、キャリアによって感光体表面に傷が付き、画像形成を繰り返すと傷を起点にして感光層が剥がれることがある。
【００２３】
これに対して、本実施形態に係る感光体では、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６のクロスカット法で測定した導電性基体と単層型感光層との付着性が分類０又は１であるため、画像形成を繰り返しても傷を起点にした剥がれが発生しにくい。上記の分類を０又は１に制御する方法については、後述の＜電子写真感光体の製造方法＞において説明する。
【００２４】
以下、感光体の各要素について説明する。
【００２５】
［導電性基体］
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００２６】
導電性基体の外周面には、鏡面研磨、脱脂洗浄などの公知の処理が施されていてもよい。
【００２７】
本実施形態における導電性基体としては、金属製又は合金製の板、ドラム、ベルト等が好ましく、アルミニウム製の板、ドラム、ベルト等がより好ましい。
【００２８】
［単層型感光層］
単層型感光層は、結着樹脂と、電荷発生材料と、正孔輸送材料と、電子輸送材料と、必要に応じてその他添加剤とを含む層である。
【００２９】
−結着樹脂−
結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
【００３０】
感光層に含まれる結着樹脂の量は、傷をきっかけとした剥がれの発生を抑制する観点から、感光層の全質量に対して、４８質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、５５質量％以上が更に好ましい。一方、感光層の感度の観点からは、感光層の全質量に対して、６０質量％以下が好ましく、５５質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。感光層の剥がれの抑制と感光層の感度とを両立する観点からは、４８質量％以上６０質量％以下が好ましく、５０質量％以上６０質量％以下がより好ましい。
【００３１】
結着樹脂としては、感光層の成膜性の観点から、粘度平均分子量３００００以上８００００以下のポリカーボネート樹脂が好ましい。ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量は、下記の方法により測定される値である。樹脂１ｇをメチレンクロライド１００ｃｍ３に溶解し、２５℃の測定環境下でウベローデ粘度計により、比粘度ηｓｐを測定し、ηｓｐ／ｃ＝〔η〕＋０．４５〔η〕２ｃの関係式（但しｃは濃度（ｇ／ｃｍ３））から極限粘度〔η〕（ｃｍ３／ｇ）を求め、Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌによって与えられている関係式〔η〕＝１．２３×１０−４Ｍｖ０．８３から粘度平均分子量Ｍｖを求める。
【００３２】
感光層に用いる結着樹脂としては、後述する表面処理工程による効果が顕著である観点から、ビフェニル骨格を有する構造単位を含むビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂（「ＢＰポリカーボネート樹脂」という。）が好ましい。
【００３３】
ＢＰポリカーボネート樹脂としては、例えば、ビフェニル骨格を有する構造単位として、下記一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位と、他の構造単位とを有するビフェニル共重合型ポリカーボネート樹脂が挙げられる。他の構造単位としては、ビスフェノール骨格（例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＢ、ビスフェノールＢＰ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＺ等）を有する構造単位等が挙げられる。
【００３４】
ＢＰポリカーボネート樹脂としては、より具体的には、ジヒドロキシビフェニル化合物と、ジヒドロキシビスフェノール化合物との共重合体が挙げられる。この共重合体は、例えば、ジヒドロキシビフェニル化合物及びジヒドロキシビスフェノール化合物を原料として用い、ホスゲン等の炭酸エステル形成性化合物との重縮合又はビスアリールカーボネートとのエステル交換反応等の方法によって得られる。
【００３５】
ジヒドロキシビフェニル化合物は、ビフェニル骨格を有し、ビフェニル骨格の２つのベンゼン環に、各々、一つのヒドロキシル基を有するビフェニル化合物である。ジヒドロキシビフェニル化合物としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジシクロヘキシルビフェニル、３，３’−ジフルオロ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジフェニルビフェニル等が挙げられる。これらジヒドロキシビフェニル化合物は、１種を単独で用いてもよいし、複数種を併用してもよい。
【００３６】
ジヒドロキシビスフェノール化合物は、ビスフェノール骨格を有し、ビスフェノール骨格の２つのベンゼン環に、各々、一つのヒドロキシル基を有するビスフェノール化合物である。ジヒドロキシビスフェノール化合物としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）イソブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−アミル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１−フェニル−１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等が挙げられる。これらビスフェノール化合物は、１種を単独で用いてもよいし、複数種を併用してもよい。
【００３７】
ＢＰポリカーボネート樹脂は、後述する表面処理工程による効果が顕著である観点から、下記一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位と、下記一般式（ＰＣＢ）で表される構造単位と、を含むポリカーボネート樹脂であることが好ましい。
【００３８】
【化２】
2017156579.tif 000004
【００３９】
一般式（ＰＣＡ）及び一般式（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３及びＲＰ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。ＸＰ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又はシクロアルキレン基を表す。
【００４０】
一般式（ＰＣＡ）及び一般式（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３及びＲＰ４が表すアルキル基としては、炭素数１以上６以下（好ましくは１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。直鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。分岐状のアルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基等の低級アルキル基が好ましい。
【００４１】
一般式（ＰＣＡ）及び一般式（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３及びＲＰ４が表すシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルが挙げられる。
【００４２】
一般式（ＰＣＡ）及び一般式（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３及びＲＰ４が表すアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
【００４３】
一般式（ＰＣＡ）及び一般式（ＰＣＢ）中、ＸＰ１が表すアルキレン基としては、炭素数１以上１２以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキレン基が挙げられる。直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ノニレン基、ｎ−デシレン基、ｎ−ウンデシレン基、ｎ−ドデシレン基等が挙げられる。分岐状のアルキレン基としては、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ−ヘキシレン基、ｔｅｒｔ−ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ−ヘプチレン基、ｔｅｒｔ−ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ−オクチレン基、ｔｅｒｔ−オクチレン基、イソノニレン基、ｓｅｃ−ノニレン基、ｔｅｒｔ−ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ−デシレン基、ｔｅｒｔ−デシレン基、イソウンデシレン基、ｓｅｃ−ウンデシレン基、ｔｅｒｔ−ウンデシレン基、ネオウンデシレン基、イソドデシレン基、ｓｅｃ−ドデシレン基、ｔｅｒｔ−ドデシレン基、ネオドデシレン基等が挙げられる。これらの中でも、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ブチレン基等の低級アルキル基が好ましい。
【００４４】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＸＰ１が表すシクロアルキレン基としては、炭素数３以上１２以下（好ましくは３以上１０以下、より好ましくは５以上８以下）のシクロアルキレン基が挙げられる。シクロアルキレン基としては、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基、シクロドデカニレン基等が挙げられ、シクロヘキシレン基が好ましい。
【００４５】
一般式（ＰＣＡ）及び一般式（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４及びＸＰ１が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子）、アルキル基（例えば炭素数１以上６以下のアルキル基）、シクロアルキル基（例えば炭素数５以上７以下のシクロアルキル基）、アルコキシ基（例えば炭素数１以上４以下のアルコキシ基）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等）等が挙げられる。
【００４６】
一般式（ＰＣＡ）において、ＲＰ１及びＲＰ２は、各々独立に、水素原子又は炭素数１以上６以下のアルキル基であることが好ましく、ＲＰ１及びＲＰ２は、水素原子であることがより好ましい。
一般式（ＰＣＢ）において、ＲＰ３及びＲＰ４は、各々独立に、水素原子又は炭素数１以上６以下のアルキル基であることが好ましく、ＸＰ１はアルキレン基又はシクロアルキレン基であることが好ましい。
【００４７】
ＢＰポリカーボネート樹脂の具体例としては、例えば、下記の化合物（ＰＣ−１）〜（ＰＣ−３）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。化合物（ＰＣ−１）〜（ＰＣ−３）において、ｐｍ及びｐｎは共重合比（モル比）を示す。
【００４８】
【化３】
2017156579.tif 000005
【００４９】
ＢＰポリカーボネート樹脂において、一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位の含有割合（共重合比）は、ＢＰポリカーボネート樹脂を構成する全構造単位に対して５モル％以上９５モル％以下の範囲がよく、感光層の耐磨耗性を高める観点から、好ましくは５モル％以上５０モル％以下の範囲、より好ましくは１５モル％以上３０モル％以下の範囲である。
【００５０】
化合物（ＰＣ−１）〜（ＰＣ−３）において、ｐｍ：ｐｎ（モル比）は、９５：５から５：９５までの範囲が好ましく、５０：５０から５：９５までの範囲がより好ましく、１５：８５から３０：７０までの範囲が更に好ましい。
【００５１】
ＢＰポリカーボネート樹脂は、他の結着樹脂と併用してもよい。ただし、他の結着樹脂は、全結着樹脂に対して１０質量％以下（好ましくは５質量％以下）で併用することがよい。
【００５２】
−電荷発生材料−
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【００５３】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【００５４】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【００５５】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【００５６】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【００５７】
電荷発生材料としては、電荷発生効率の観点から、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも１種が好ましく、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより好ましく、Ｖ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が更に好ましい。感光層の剥がれを抑制する観点から結着樹脂の含有量をより多くした場合においても高感度の感光層を得るために、電荷発生材料としては上記の顔料が好ましい。
【００５８】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、６００ｎｍから９００ｎｍの波長域での分光吸収スペクトルにおいて８１０ｎｍから８３９ｎｍの範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が、分散性に優れる観点から好ましい。
【００５９】
８１０ｎｍから８３９ｎｍの範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が特定の範囲であることが好ましい。具体的には、平均粒径が０．２０μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であることがより好ましく、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍ２／ｇ以上であることがより好ましく、５５ｍ２／ｇ以上１２０ｍ２／ｇ以下であることが更に好ましい。平均粒径は、体積平均粒径であり、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置（堀場製作所ＬＡ−７００）にて測定した値である。ＢＥＴ比表面積は、流動式比表面積自動測定装置（島津製作所フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。
【００６０】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の最大粒径（一次粒径の最大値）は、１．２μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以下が更に好ましい。
【００６１】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が０．２μｍ以下であり、且つ、最大粒径が１．２μｍ以下であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。
【００６２】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜に回折ピークを有するＶ型であることが好ましい。
【００６３】
クロロガリウムフタロシアニン顔料としては、感光層の感度を向上させる観点から、ブラッグ角度（２θ±０．２°）７．４°，１６．６°，２５．５°，２８．３°に回折ピークを有する化合物が好ましい。クロロガリウムフタロシアニン顔料の最大ピーク波長、平均粒径、最大粒径、及びＢＥＴ比表面積の好ましい範囲は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と同様である。
【００６４】
電荷発生材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６５】
単層型感光層に含まれる電荷発生材料の量は、例えば、結着樹脂に対して０．５質量％以上３０質量％以下であり、好ましくは１質量％以上１５質量％以下、より好ましくは２質量％以上１０質量％以下である。
【００６６】
−正孔輸送材料−
正孔輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等が挙げられる。正孔輸送材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６７】
正孔輸送材料の含有量は、結着樹脂の量に対して１０質量％以上９８質量％以下が好ましく、より好ましくは６０質量％以上９５質量％以下、更に好ましくは７０質量％以上９０質量％以下である。
【００６８】
正孔輸送材料としては、感光層の剥がれを抑制する観点から結着樹脂の含有量をより多くした場合においても高感度の感光層を得るために、下記の一般式（１）で表される化合物が好ましい。
【００６９】
【化４】
2017156579.tif 000006
【００７０】
一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、又はフェノキシ基を表し、ｍ及びｎは各々独立に０又は１を表す。
【００７１】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【００７２】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。直鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。分岐状のアルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【００７３】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。直鎖状のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。分岐状のアルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【００７４】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子及び基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基等）が挙げられる。
【００７５】
一般式（１）中、ｍ及びｎは各々独立に０又は１であり、ｍ及びｎが共に０又１であることが好ましく、ｍ及びｎが共に１であることが好ましい。
【００７６】
一般式（１）で表される化合物としては、感光層の感度を向上させる観点及び画像の点欠陥を抑制する観点から、Ｒ１〜Ｒ６が各々独立に、水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、又は炭素数１以上４以下のアルコキシ基を表し、ｍ及びｎが１を表す化合物が好ましい。
【００７７】
以下に、一般式（１）で表される化合物の例示として化合物（１−１）〜（１−６４）を挙げるが、これに限定されるわけではない。置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示す。
【００７８】
【化５】
2017156579.tif 000007
【００７９】
【化６】
2017156579.tif 000008
【００８０】
【化７】
2017156579.tif 000009
【００８１】
【化８】
2017156579.tif 000010
【００８２】
−電子輸送材料−
電子輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物；などが挙げられる。電子輸送材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００８３】
電子輸送材料の含有量は、結着樹脂の量に対して１０質量％以上７０質量％以下が好ましく、より好ましくは１５質量％以上５０質量％以下、更に好ましくは２０質量％以上４０質量％以下である。
【００８４】
電子輸送材料としては、感光層の剥がれを抑制する観点から結着樹脂の含有量をより多くした場合においても高感度の感光層を得るために、下記の一般式（２）で表される化合物が好ましい。
【００８５】
【化９】
2017156579.tif 000011
【００８６】
一般式（２）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又はアリール基を表し、Ｒ１８はアルキル基又はアリール基を表す。
【００８７】
一般式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【００８８】
一般式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下、更に好ましくは１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。直鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。分岐状のアルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【００８９】
一般式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下、更に好ましくは１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。直鎖状のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。分岐状のアルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【００９０】
一般式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。具体的には、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
【００９１】
一般式（２）中、Ｒ１８が表すアルキル基としては、Ｒ１１〜Ｒ１７が表すアルキル基と同様の基が挙げられる。Ｒ１８が表すアルキル基としては、炭素数５以上１０以下の直鎖状のアルキル基が好ましい。
【００９２】
一般式（２）中、Ｒ１８が表すアリール基としては、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基等が挙げられ、フェニル基が好ましい。
【００９３】
一般式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１８が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子及び基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基等）が挙げられる。
【００９４】
一般式（２）で表される化合物としては、感光層の感度を向上させる観点及び画像の点欠陥を抑制する観点から、Ｒ１１〜Ｒ１７が各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、又はフェニル基を表し、Ｒ１８が炭素数５以上１０以下の直鎖状のアルキル基を表す化合物が好ましい。
【００９５】
以下に、一般式（２）で表される化合物の例示として化合物（２−１）〜（２−１５）を挙げるが、これに限定されるわけではない。
【００９６】
【化１０】
2017156579.tif 000012
【００９７】
−その他の電荷輸送材料−
本実施形態における感光層は、電荷輸送材料として、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で表されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で表されるベンジジン誘導体から選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００９８】
【化１１】
2017156579.tif 000013
【００９９】
構造式（ａ−１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２及びＡｒＴ３は各々独立に、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を表す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７及びＲＴ８は各々独立に、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換されたアミノ基が挙げられる。
【０１００】
【化１２】
2017156579.tif 000014
【０１０１】
構造式（ａ−２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を表す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を表し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に、０、１又は２を表す。上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換されたアミノ基が挙げられる。
【０１０２】
構造式（ａ−１）で表されるトリアリールアミン誘導体、及び構造式（ａ−２）で表されるベンジジン誘導体としては、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点から好ましい。
【０１０３】
本実施形態における感光層は、全電荷輸送材料（正孔輸送材料及び電子輸送材料）の９０質量％以上が、一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。
【０１０４】
本実施形態における感光層が含有する正孔輸送材料と電子輸送材料との質量比は、正孔輸送材料：電子輸送材料＝５０：５０から９０：１０までの範囲が好ましく、より好ましくは６０：４０から８０：２０までの範囲である。
【０１０５】
−その他添加剤−
感光層は、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤、フッ素樹脂粒子、シリコーンオイル等の公知の添加剤を含んでいてもよい。
【０１０６】
＜電子写真感光体の製造方法＞
本実施形態に係る製造方法は、本実施形態に係る感光体を製造する方法であり、導電性基体の表面をｐＨ７．０以上９．０以下の水に接触させる工程（「表面処理工程」という。）と、前記水に接触した後の導電性基体の表面に、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含む感光層形成用組成物を塗布し乾燥させて感光層を形成する工程（「感光層形成工程」という。）と、を有する。
【０１０７】
本実施形態に係る製造方法は、導電性基体の表面をｐＨ７．０以上９．０以下の水に接触させる表面処理工程により、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６のクロスカット法で測定した導電性基体と感光層との付着性を分類０又は１に制御する。
【０１０８】
［表面処理工程］
表面処理工程は、導電性基体の表面を、ｐＨ７．０以上９．０以下の水（以下、「弱アルカリ水」ともいう。）に接触させる工程である。導電性基体は、少なくとも感光層が設けられる表面が弱アルカリ水に接触すればよい。
【０１０９】
表面処理工程には、ｐＨ７．０以上９．０以下の水を用いる。表面処理に用いる液体が水であるので、導電性基体表面に感光層の接着を減弱させるような不純物が付着しない。そして、ｐＨが７．０以上９．０以下である水に接触することにより、導電性基体表面が適度に還元され、感光層（特に、感光層に含まれる結着樹脂）との接着に適した性状になるものと考えられる。水のｐＨが７．０未満であると、導電性基体表面が酸化され感光層との接着が減弱し、水のｐＨが９．０超であると、導電性基体表面が劣化しやすく感光層が剥がれやすくなると推測され、いずれも場合もＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６の付着性分類を０又は１にすることが困難である。表面処理工程に用いる水のｐＨの範囲は、好ましくはｐＨ７．０超９．０以下であり、より好ましくは８．０以上８．８以下であり、更に好ましくは８．３以上８．８以下である。
【０１１０】
表面処理工程に用いる水は、例えば、水道水を逆浸透膜で処理することにより調製する。水のｐＨは、例えば、水を電気分解することにより調整する。
【０１１１】
表面処理工程に用いる弱アルカリ水の温度は、特に限定されないが、例えば、２５℃以上７０℃以下であり、３５℃以上６５℃以下が好ましく、４５℃以上５０℃以下がより好ましい。なお、水のｐＨは水温によって変動するところ、本実施形態においては、導電性基体に接触する際の水のｐＨが７．０以上９．０以下である。
【０１１２】
導電性基体の表面に弱アルカリ水を接触させる方法としては、例えば、弱アルカリ水に導電性基体を浸漬する方法、導電性基体に弱アルカリ水を吹きかける方法等が挙げられる。表面処理工程は、複数回行なってもよい。例えば、導電性基体を弱アルカリ水に浸漬することを複数回行ってもよい。
【０１１３】
導電性基体と弱アルカリ水とが接触している時間は、特に限定されないが、例えば、１０秒間以上１８０秒間以下であり、３０秒間以上１２０秒間以下が好ましく、６０秒間以上１００秒間以下がより好ましい。
【０１１４】
表面処理工程の後、導電性基体表面に接触した弱アルカリ水は、導電性基体表面から除去されることが望ましい。導電性基体表面から弱アルカリ水を除去する方法としては、例えば、熱処理により弱アルカリ水を蒸発させる方法が挙げられる。
【０１１５】
本実施形態に係る製造方法は、表面処理工程の前に他の工程を有していてもよい。他の工程としては、導電性基体の表面を脱脂洗浄する工程；脱脂洗浄した導電性基体を水で洗浄する工程；水で洗浄した導電性基体をさらに水ですすぐ工程；など、金属製部材に施される公知の工程が挙げられる。
【０１１６】
［感光層形成工程］
感光層形成用組成物は、例えば、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを溶剤に溶解又は分散させた組成物であり、液状組成物であることが望ましい。
【０１１７】
感光層形成用組成物を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類；などの有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【０１１８】
感光層形成用組成物中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
【０１１９】
感光層形成用組成物を導電性基体上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
【０１２０】
導電性基体上に塗布された感光層形成用組成物を乾燥することによって、導電性基体上に感光層が形成される。感光層形成用組成物の乾燥のために、加熱処理（例えば、１２０℃乃至１５０℃、１０分間乃至６０分間）を行ってもよい。
【０１２１】
単層型感光層の層厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【０１２２】
＜画像形成装置、プロセスカートリッジ＞
本実施形態に係る画像形成装置は、感光体と、感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、感光体として、本実施形態に係る感光体が適用される。
【０１２３】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；感光体の温度を上昇させ、相対湿度を低減させるための感光体加熱部材を備える装置；などの公知の画像形成装置が適用される。
【０１２４】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【０１２５】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【０１２６】
本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。プロセスカートリッジは、感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【０１２７】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。以下、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【０１２８】
図１は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図１に示すように、感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば紙）に転写する二次転写装置も有している。中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
【０１２９】
図１に示すプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、感光体７の表面に接触するように配置されている。クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【０１３０】
図１には、画像形成装置として、潤滑材１４を感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【０１３１】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【０１３２】
［帯電装置］
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【０１３３】
［露光装置］
露光装置９としては、例えば、感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０１３４】
［現像装置］
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【０１３５】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、公知のものが適用される。
【０１３６】
［クリーニング装置］
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【０１３７】
［転写装置］
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０１３８】
［中間転写体］
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【０１３９】
図２は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図２に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの感光体が使用される構成となっている。画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【実施例】
【０１４０】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
以下の説明において、特に断りのない限り、「部」は質量基準である。
【０１４１】
＜感光体の作製＞
［実施例１］
・結着樹脂：ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量５万）  ４８部
・電荷発生材料：Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料                    ２部
・正孔輸送材料：一般式（１）で表される化合物（１−１）                    ３８部
・電子輸送材料：一般式（２）で表される化合物（２−１）                    １２部
・溶剤：テトラヒドロフラン                                              ２５０部
上記の材料を混合し、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散処理を行い、感光層形成用組成物を得た。
【０１４２】
鏡面研磨、脱脂洗浄および水洗浄を施したアルミニウム製基体（直径３０ｍｍ、長さ２４４．５ｍｍ、肉厚０．７ｍｍの管状）を用意した。このアルミニウム製基体を、水を入れた水槽に浸し、表１に記載の条件にて表面処理工程を行った。水槽から出したアルミニウム製基体を乾燥させた後、感光層形成用組成物をアルミニウム製基体に浸漬塗布し、１４０℃で３０分間の乾燥を行い、層厚３０μｍの単層型感光層を形成した。
【０１４３】
［実施例２〜２４、比較例１〜９］
表１に従って、表面処理工程の条件又は感光層の材料を変更した以外は、実施例１と同様にして感光体を作製した。
【０１４４】
＜評価＞
各例の感光体について、以下の評価を行った。その結果を表１に示す。
【０１４５】
［ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６のクロスカット法で測定した付着性］
ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６（１９９９年制定）に従ってクロスカット試験を行い、導電性基体と感光層との付着性を下記のとおり分類した。カットの間隔は３ｍｍとした。
【０１４６】
分類０：カットの縁が完全に滑らかで、どの格子の目にもはがれがない。
分類１：カットの交差点における塗膜の小さなはがれ。クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に５％を上回ることはない。 
分類２：塗膜がカットの縁に沿って、及び／又は交差点においてはがれている。クロスカット部分で影響を受けるのは明確に５％を超えるが１５％を上回ることはない。
分類３：塗膜がカットの縁に沿って、部分的又は全面的に大はがれを生じており、及び／又は目のいろいろな部分が、部分的又は全面的にはがれている。クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に１５％を超えるが３５％を上回ることはない。
分類４：塗膜がカットの縁に沿って、部分的又は全面的に大はがれを生じており、及び／又は数か所の目が部分的又は全面的にはがれている。クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に３５％を超えるが６５％を上回ることはない。
分類５：はがれの程度が分類４を超える場合。
【０１４７】
［感光層の剥がれと画質］
画像形成装置として富士ゼロックス社ＤｏｃｕＰｒｉｎｔ  Ｐ３５０ｄの改造機を用意した。該画像形成装置に、各例の感光体を装填し、二成分系現像剤を用いて、温度２８℃、相対湿度８５％の環境下で、Ａ３サイズの紙に、画像密度３０％のハーフトーン画像を５万枚連続出力した（感光体５０００００回転に相当する。）。画像形成後の感光層と、５万枚目の画像を目視で観察し、下記の通りに分類した。
【０１４８】
Ａ：感光層に極小さな傷があるが、感光層の剥がれは認められず、画像欠陥も認められない。
Ｂ：感光層に極小さな塗布膜の浮き上がりがあり、画像に白点が認められるが、許容範囲である。
Ｃ：感光層に小さな剥がれがあり、画像に黒点が認められる。
Ｄ：感光層に長さ３ｍｍを超える剥がれがあり、画像に大きな黒点が認められる。
【０１４９】
【表１】
2017156579.tif 000015
【０１５０】
表１の略称は、下記の化合物を意味する。
−結着樹脂−
・ＰＣＺ：ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂、粘度平均分子量５万。
・ＰＣ−１：化合物（ＰＣ−１）、重合比（モル比）７５：２５、粘度平均分子量４万。
・ＰＣ−２：化合物（ＰＣ−２）、重合比（モル比）７５：２５、粘度平均分子量４万。
【０１５１】
−電荷発生材料−
・ＨＯＧａＰＣ：Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料。Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有する。６００ｎｍから９００ｎｍの波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長８２０ｎｍ、平均粒径０．１２μｍ、最大粒径０．２μｍ、ＢＥＴ比表面積６０ｍ２／ｇ。
・ＣｌＧａＰＣ：クロロガリウムフタロシアニン顔料。Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．４゜，１６．６゜，２５．５゜，２８．３゜の位置に回折ピークを有する。６００ｎｍから９００ｎｍの波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長７８０ｎｍ、平均粒径０．１５μｍ、最大粒径０．２μｍ、ＢＥＴ比表面積５６ｍ２／ｇ。
【符号の説明】
【０１５２】
１００  画像形成装置、３００  プロセスカートリッジ、７  感光体、８  帯電装置、９  露光装置、１１  現像装置、１３  クリーニング装置、１４  潤滑剤、４０  転写装置、５０  中間転写体、１３１  クリーニングブレード、１３２  繊維状部材、１３３  繊維状部材
【図１】
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【図２】
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