(57)【要約】【課題】実施形態は、放熱性を向上させた半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、基板と、前記基板上に設けられ、第１導電形の第１半導体と、第２導電形の第２半導体と、前記第１半導体と前記第２半導体との間に設けられた発光層と、を含む発光体と、前記基板と前記発光体との間に設けられ、前記第１半導体および前記第２半導体のいずれかに電気的に接続された金属層と、前記発光体の下方において前記基板中に埋め込まれ、前記金属層に接続された金属体と、を備える。【選択図】図１
2017055045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、第１導電形の第１半導体と、第２導電形の第２半導体と、前記第１半導体と前記第２半導体との間に設けられた発光層と、を含む発光体と、
前記基板と前記発光体との間に設けられ、前記第１半導体および前記第２半導体のいずれかに電気的に接続された金属層と、
前記発光体の下方において前記基板中に埋め込まれ、前記金属層に接続された金属体と、
を備えた半導体発光装置。
【請求項２】
前記金属体は、前記基板に設けられたリセス部に埋め込まれた第１部分と、前記第１部分から前記基板中に延びる第２部分と、を有する請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記金属体は、前記基板中を前記発光体から前記基板に向かう方向に延びる請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記基板中を前記発光体から前記基板に向かう方向に延びる複数の前記金属体を備えた請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記金属層の外縁は、前記基板表面に平行な方向において、前記基板の外縁の内側に位置する請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記金属体は、前記基板を貫通し、前記基板の前記金属層とは反対側の表面に露出された端面を有する請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置の高輝度化のためには、その発光効率を向上させることが重要である。例えば、半導体発光装置の駆動電流を大きくすると光出力は大きくなるが、ジュール熱により発光層の温度が上昇し、発光効率は低下する。したがって、半導体発光装置内で発生する熱を効率良く放散させる技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２７８１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、放熱性を向上させた半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体発光装置は、基板と、前記基板上に設けられ、第１導電形の第１半導体と、第２導電形の第２半導体と、前記第１半導体と前記第２半導体との間に設けられた発光層と、を含む発光体と、前記基板と前記発光体との間に設けられ、前記第１半導体および前記第２半導体のいずれかに電気的に接続された金属層と、前記発光体の下方において前記基板中に埋め込まれ、前記金属層に接続された金属体と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態に係る半導体発光装置を示す模式図である。
【図２】実施形態に係る半導体発光装置の製造過程を示す模式断面図である。
【図３】図２に続く製造過程を示す模式断面図である。
【図４】図３に続く製造過程を示す模式断面図である。
【図５】図４に続く製造過程を示す模式断面図である。
【図６】実施形態に係る基板の製造過程を示す模式断面図である。
【図７】図６に続く製造過程を示す模式断面図である。
【図８】図７に続く製造過程を示す模式断面図である。
【図９】実施形態に係る基板を示す模式平面図である。
【図１０】実施形態の変形例に係る半導体発光装置を示す模式図である。
【図１１】実施形態の別の変形例に係る半導体発光装置を示す模式図である。
【図１２】実施形態の他の変形例に係る半導体発光装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【０００８】
さらに、各図中に示すＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交し、それぞれＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を表す。また、Ｚ方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。
【０００９】
実施形態の記載は例示であり、発明をそれに限定するものではない。また、各実施例を構成する要素は、技術的に可能であれば、共通に適用されるものである。
【００１０】
図１は、第１実施形態に係る半導体発光装置１を表す模式断面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）中に示すＡ−Ａ線に沿った断面図である。図１（ｂ）は、上面図である。
【００１１】
図１（ａ）に示すように、半導体発光装置１は、基板１０と、発光体２０と、金属層３０と、金属体４０と、を含む。基板１０は、例えば、導電性を有するシリコン基板である。発光体２０は、金属層３０および金属体４０を介して基板１０の上に設けられる。
【００１２】
発光体２０は、第１半導体（以下、ｎ形半導体２１）と、発光層２３と、第２半導体（ｐ形半導体２５）と、を含む。発光層２３は、ｎ形半導体２１とｐ形半導体２５との間に設けられる。発光体２０の上面２０ａは、光取り出し効率を向上させるために粗面化される。
【００１３】
金属層３０および金属体４０は、発光体２０の下方に設けられる。金属層３０は、発光体２０と金属体４０との間に位置し、金属体４０に接合される。金属体４０は、基板１０の内部に設けられる。金属体４０は、第１部分４１と第２部分４３とを含む。第１部分４１は、基板１０に設けられたリセス部１０ａ中に埋め込まれる。第２部分４３は、基板１０中を第１部分４１から下方に延びる。第２部分４３は、例えば、基板１０の裏面１０ｂに達しない深さに設けられる。
【００１４】
半導体発光装置１は、金属層４５をさらに有する。金属層４５は、基板１０と金属体４０との間に設けられ、バリアメタル層として機能する。金属層４５は、金属体４０から基板１０への金属原子の拡散を抑制する。金属層４５は、例えば、タンタル（Ｔａ）および窒化タンタル（ＴａＮ）、チタニウム（Ｔｉ）および白金（Ｐｔ）の少なくともいずれかを含む。
【００１５】
半導体発光装置１は、金属層３１と、ｐ側電極５１と、ｎ側電極５３と、ボンディングパッド５５と、をさらに備える。
【００１６】
金属層３１は、発光体２０と金属層３０との間に設けられる。金属層３１は、バリアメタルを含み、金属層３０から発光体２０への金属原子の拡散を抑制する。金属層３１は、例えば、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）などのバリアメタルを含む。
【００１７】
ｐ側電極５１は、発光体２０と金属層３１との間に設けられ、ｐ形半導体２１に電気的に接続される。ｐ側電極５１は、発光層２３から放射される光を反射する金属を含む。ｐ側電極５１は、例えば、銀（Ａｇ）を含む。金属層３１は、金属層３０からｐ側電極５１への金属原子の拡散を抑制することにより、ｐ側電極５１の反射率の低下、および、ｐ形半導体２５とｐ側電極５１との間のコンタクト抵抗の増大を防ぐ。
【００１８】
ｎ側電極５３は、例えば、発光体２０の上に設けられ、ｎ形半導体２１に電気的に接続される。ｎ側電極５３は、例えば、ボンディングパッドとしても機能する。ボンディングパッド５５は、発光体２０の外側に露出した金属層３１の上に設けられる。
【００１９】
金属層３０および３１は、ｐ側電極５１を介してｐ形半導体２５に電気的に接続される。また、ボンディングパッド５５は、金属層３０および３１を介してｐ側電極５１に電気的に接続される。
【００２０】
半導体発光装置１は、裏面金属層１３と、発光体２０の側面を覆うパッシベーション膜２７と、をさらに備える。裏面金属層１３は、基板１０の裏面に電気的に接続される。パッシベーション膜２７は、例えば、シリコン酸化膜であり、発光層２３の端面を保護する。
【００２１】
半導体発光装置１は、例えば、実装基板上にマウントされる。そして、外部の駆動回路に裏面金属層１３とｎ側電極５３、もしくは、ｎ側電極５３とボンディングパッド５５とを介して電気的に接続される。さらに、発光体２０において発生するジュール熱は、ｐ側電極５１、金属層３０、金属体４０、基板１０および裏面金属層１３を介して実装基板側に放散される。この例では、基板１０の内部に金属体４０を埋め込むことにより、上記の放熱経路における熱伝導性を向上させる。これにより、半導体発光装置１の発光効率を向上させ、高出力化することができる。
【００２２】
図１（ｂ）に示すように、半導体発光装置１は、例えば、四角形の外形を有する。基板１０の上面において、金属層３０の外縁３０ｐは、基板１０の外縁１０ｐよりも内側に位置する。また、発光体２０の外縁２０ｐは、金属層３０の外縁３０ｐよりも内側に位置する。すなわち、発光体２０を囲むダイシング領域ＤＬには、基板１０が露出する。
【００２３】
次に、図２（ａ）〜図５（ｂ）を参照して、実施形態に係る半導体発光装置１の製造方法を説明する。図２（ａ）〜図５（ｂ）は、半導体発光装置１の製造過程を順に表す模式断面図である。
【００２４】
図２（ａ）に示すように、基板１００の上にｎ形半導体層１２１、発光層１２３およびｐ形半導体層１２５を順にエピタキシャル成長する。なお、図２（ａ）〜図２（ｃ）では、上下を逆に表示している。
【００２５】
基板１００は、例えば、シリコン基板である。ｎ形半導体層１２１、発光層１２３およびｐ形半導体層１２５は、例えば、有機金属を原料とするＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）を用いて形成される。
【００２６】
ｎ形半導体層１２１は、例えば、ｎ形窒化ガリウム層（ＧａＮ層）を含む。また、ｎ形半導体層１２１は、ＧａＮ、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）などを含むバッファ層をさらに含んでも良い。バッファ層は、基板１００とｎ形ＧａＮ層の間に設けられる。
【００２７】
発光層１２３は、例えば、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）からなる井戸層と、ＧａＮからなる障壁層と、により構成される量子井戸を含む。また、発光層１２３は、複数の量子井戸を含む多重量子井戸構造を有しても良い。
【００２８】
ｐ形半導体層１２５は、例えば、ｐ形ＡｌＧａＮ層とｐ形ＧａＮ層とを積層した構造を有する。ｐ形ＡｌＧａＮ層は、発光層１２３の上に形成され、ｐ形ＧａＮ層は、ｐ形ＡｌＧａＮ層の上に形成される。
【００２９】
さらに、図２（ａ）に示すように、ｐ形半導体層１２５の上にｐ側電極５１および絶縁層３５を選択的に形成する。ｐ側電極５１は、例えば、銀を含む金属層である。絶縁層３５は、例えば、プラズマＣＶＤ（Plasuma enhanced Chemincal Vapor Deposition）を用いて形成されるシリコン酸化層である。また、絶縁層３５は、開口３５ａを含む。
【００３０】
ここで、「選択的に形成する」とは、ｐ形半導体層１２５の全面ではなく、所定の領域を覆うように形成することを言う。開口３５ａは、例えば、ｐ形半導体層１２５の表面全体に形成された絶縁層３５中に、フォトリソグラフィを用いて形成される。また、ｐ側電極５１は、開口３５ａの底面に露出したｐ形半導体層１２５の上に形成される。
【００３１】
図２（ｂ）に示すように、金属層３０および３１を形成する。金属層３１は、絶縁層３５の上面および開口３５ａの内面を覆うように形成される。金属層３１は、ｐ側電極５１を覆う。金属層３０は、金属層３１の上に形成される。
【００３２】
金属層３１は、例えば、スパッタ法を用いて形成され、例えば、窒化タンタル（ＴａＮ）層、タンタル（Ｔａ）層、銅（Ｃｕ）層とを積層した構造を有する。例えば、窒化タンタル層は、絶縁層３５および開口３５ａの内面に接する。銅層は、金属層３１の発光体２０とは反対側の表面全体に露出される。タンタル層は、窒化タンタル層と銅層との間に設けられる。窒化タンタル層およびタンタル層は、例えば、バリアメタル層として機能し、金属層３０から各半導体層への金属原子の拡散を抑制する。
【００３３】
金属層３０は、例えば、メッキ法を用いて形成される銅層である。金属層３０は、例えば、開口３５ａを埋め込み、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を用いてその表面を平坦化できる厚さを有する。例えば、金属層３０の層厚は、金属層３１とｐ側電極５１とを合わせた層厚よりも厚い。
【００３４】
図２（ｃ）に示すように、金属層３０の表面を平坦化する。例えば、ＣＭＰを用いて、金属層３０および金属層３１のそれぞれの一部を除去し、絶縁層３５を露出させる。これにより、基板１００の上に金属層３０の表面および絶縁層３５の表面を含む平坦化された面を形成する。
【００３５】
図３（ａ）に示すように、基板１０を基板１００に対向させて配置する。金属体４０は、基板１０に埋め込まれている。金属体４０は、第１部分４１と第２部分４３とを含む。第２部分４３は、基板１０の内部において、第１部分から下方に延びる。金属体４０は、図７（ａ）〜図８（ｃ）に示す製造過程により形成される。金属体４０は、例えば、銅を含む。基板１０と金属体４０との間には、金属層４５が形成される。金属層４５は、例えば、窒化タンタル（ＴａＮ）およびタンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）もしくは白金（Ｐｔ）などを含む。
【００３６】
金属層３０および金属体４０は、例えば、プラズマ活性化、もしくは、クエン酸等を用いてその表面を処理され、表面酸化膜が除去される。続いて、例えば、両面アライメント法を用いて金属層３０と金属体４０を対向させる。
【００３７】
図３（ｂ）に示すように、金属層３０と金属体４０とを接触させて接合する。この過程は、例えば、Fusion bonding法を用いて実施される。例えば、基板１０および基板１００の裏面側から加圧し、また昇温を必要に応じて実施する。金属層３０と金属体４０との接合と同時に、基板１０と絶縁層３５も接合される。金属層３０と金属体４０との接合は、低温、例えば、常温（室温）で実施することが可能で有り、接合後における基板１０と発光体２０との間の応力の発生を抑制できる。
【００３８】
続いて、基板１００をｎ形半導体層１２１の表面から除去する。基板１００は、例えば、研削により薄層化された後、ウェットエッチングを用いて除去される。
【００３９】
図４（ａ）に示すように、発光体２０を形成する。例えば、基板１００を除去した後に露出するｎ形半導体層１２１の表面を粗面化する。例えば、ｎ形半導体層１２１の表面をアルカリ溶液を用いてウェットエッチングする。その後、ｎ形半導体層１２１、発光層１２３およびｐ形半導体層１２５を選択的に除去し、発光体２０を形成する。ｎ形半導体層１２１、発光層１２３およびｐ形半導体層１２５は、例えば、熱リン酸を用いてウェットエッチングすることができる。発光体２０は、ｎ形半導体２１と、発光層２３と、ｐ形半導体２５と、を含む。ｎ形半導体２１、発光層２３およびｐ形半導体２５は、それぞれｎ形半導体層１２１、発光層１２３およびｐ形半導体層１２５の一部である。
【００４０】
図４（ｂ）に示すように、パッシベーション膜２７を形成し、発光体２０の側面２０ｂを覆う。パッシベーション膜２７は、例えば、プラズマＣＶＤを用いて形成されるシリコン酸化膜である。パッシベーション膜２７は、側面２０ｂに露出する発光層２３を保護する。また、パッシベーション膜２７を選択的にエッチングし、発光体２０の外側に露出した金属層３１に連通する開口２７ａを形成する。さらに、基板１０の上面において、パッシベーション膜２７および絶縁層３５を除去し、発光体２０を囲むダイシング領域ＤＬを形成する。
【００４１】
続いて、ｎ側電極５３とボンディングパッド５５とを形成する。ｎ側電極５３は、発光体２０の上に選択的に形成される。ボンディングパッド５５は、開口２７ａの内部において金属層３１に接する。ｎ側電極５３およびボンディングパッド５５には、例えば、真空蒸着法を用いて形成されるアルミニウム層を用いることができる。また、ｎ側電極５３およびボンディングパッド５５は、同時に形成することができる。
【００４２】
図５（ａ）に示すように、基板１０の裏面に裏面金属層１３を形成する。例えば、発光体２０の上面２０ａに粘着シート６１を貼り付けた後、基板１０の裏面を所定の厚さ（１００〜２００μｍ）に研削する。続いて、例えば、チタニウム（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）を順に蒸着し、裏面金属層１３を形成する。この例では、金属体４０の第２部分４３と裏面金属層１３との間に基板１０の一部が介在するように形成される。例えば、第２部分４３が基板１０を貫通し、裏面金属層１３に接するように形成しても良い。
【００４３】
図５（ｂ）に示すように、半導体発光装置１をチップ化する。例えば、基板１０の裏面にダイシングシート６３を貼り付け、ダイシングブレードを用いて基板１０および裏面金属層１３をカットする。ダイシング領域ＤＬには、基板１０が露出し、裏面金属層１３以外の金属が介在しない。裏面金属層１３は、例えば、厚さが数１０ナノメートル以下の薄層である。このため、ダイシングは容易となり、チッピング等の欠陥を抑制することができる。結果として、半導体発光装置１の製造歩留りを向上させることができる。
【００４４】
次に、図６（ａ）〜図８（ｃ）を参照して、実施形態に係る基板１０の製造方法を説明する。図６（ａ）〜図８（ｃ）は、基板１０の製造過程を順に表す模式断面図である。
【００４５】
図６（ａ）に示すように、基板１０の上に絶縁層１０１を形成し、さらに、絶縁層１０１の上にレジストマスク１０３を形成する。レジストマスク１０３は、例えば、フォトリソグラフィを用いて形成される。レジストマスク１０３は、絶縁層１０１を露出させた開口１０３ａを有する。絶縁層１０１は、例えば、シリコン酸化層である。
【００４６】
図６（ｂ）に示すように、レジストマスク１０３を用いて絶縁層１０１を選択的にエッチングし、開口１０１ａを形成する。続いて、図６（ｃ）に示すように、絶縁層１０１をマスクとして基板１０をエッチングし、リセス部１０ａを形成する。
【００４７】
図７（ａ）に示すように、基板１０の上に絶縁層１０５を形成し、リセス部１０ａの内面および基板１０の上面１０ｃを覆う。絶縁層１０５は、例えば、シリコン酸化層である。
【００４８】
図７（ｂ）に示すように、絶縁層１０５に開口１０５ａを形成する。開口１０５ａは、例えば、フォトリソグラフィを用いて形成され、リセス部１０ａの底面に連通する。
【００４９】
図７（ｃ）に示すように、基板１０に複数のトレンチ１０７を形成する。トレンチ１０７は、例えば、絶縁層１０５をマスクとして基板１０を選択的にエッチングすることにより形成される。トレンチ１０７は、基板１０中を下方に延び、例えば、５０μｍ〜１５０μｍの深さを有する。トレンチ１０７は、例えば、基板１０の表面に平行な方向において１０〜５０μｍの幅を有する。トレンチ１０７は、基板１０を貫通しないように形成される。
【００５０】
図８（ａ）に示すように、基板１０上に金属層４５を形成する。金属層４５は、例えば、スパッタ法を用いて形成され、窒化タンタル層、タンタル層および銅層を順に積層した構造を有する。金属層４５は、基板１０の上面、リセス部１０ａの内面およびトレンチ１０７の内面を覆う。窒化タンタル層は、基板１０の表面に接し、その全面を覆う。銅層は、金属層４５の表面全体に露出する。タンタル層は、窒化タンタル層と銅層との間に形成される。
【００５１】
図８（ｂ）に示すように、金属層４５の上に金属層１１０を形成する。金属層１１０は、例えば、メッキ法を用いて形成される銅層である。金属層１１０は、金属層４５の表面全体を覆い、１０７の内部を埋め込むように形成される。
【００５２】
図８（ｃ）に示すように、基板１０の表面を平坦化する。基板１０は、例えば、ＣＭＰを用いて平坦化される。金属層１１０は、基板１０の上面１０ｃがリセス部１０ａの周りに露出するまで研磨され除去される。これにより、基板１０の内部に埋め込まれた金属体４０が形成される。金属体４０は、リセス部１０ａを埋め込んだ第１部分４１と、トレンチ１０７を埋め込んだ第２部分４３と、を含む。また、基板１０には、その上面１０ｃおよび第１部分４１の表面を含む平坦化された面が形成される。
【００５３】
図９（ａ）および図９（ｂ）は、基板１０中に設けられた金属体４０を示す模式平面図である。図９（ａ）および図９（ｂ）は、図８（ｃ）中に示すＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００５４】
図９（ａ）に示すように、金属体４０の第２部分４３は、例えば、Ｙ方向に延びるストライプ状に形成されても良い。第２部分４３のＸ方向の幅Ｗ１は、例えば、１０〜５０μｍである。また、隣接する第２部分４３の間隔Ｗ２は、例えば、Ｗ１よりも狭く設けられる。
【００５５】
図９（ｂ）に示すように、金属体４０の第２部分４３は、例えば、円形の断面を有し、Ｚ方向に延びるピラー状に形成されても良い。第２部分４３の直径Ｒ１は、例えば、１０〜５０μｍである。また、隣接する第２部分４３の間隔Ｗ３は、例えば、Ｒ１よりも狭く設けられる。
【００５６】
このように、本実施形態では、基板１０に金属体４０を埋め込むことにより、その熱伝導率を大きくすることができる。そして、その基板１０の上に発光体２０を設けることにより、発光体２０からの熱の放散を向上させることができる。
【００５７】
また、金属層３０と金属体４０とを、低温、例えば、常温で接合することが可能であり、基板１０と発光体２０との間の接合を容易にすることができる。また、基板１０と発光体２０との間の応力を抑制することが可能で有り、その接合強度も高くなる。これにより、半導体発光装置１の信頼性を向上させることができる。
【００５８】
図１０〜１２は、実施形態の変形例に係る半導体発光装置２、３および４を示す模式断面図である。
【００５９】
図１０に示す半導体発光装置２は、基板１０の内部に複数の金属体６０を備える。また、基板１０と金属体６０との間に設けられた金属層６５を備える。金属体６０は、例えば、基板１０の表面に設けられた絶縁層４７を貫通して基板１０の内部に延びる。そして、金属層３０の下面と、絶縁層４７中に露出した金属体６０の上面と、を接合させることにより、発光体２０は基板１０の上に設けられる。また、金属層３０と金属体６０を接合する際に、絶縁層３５と絶縁層４７、および、金属層３０と絶縁層４７が接続される。金属層６５は、例えば、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、チタニウム（Ｔｉ）もしくは白金（Ｐｔ）などを含み、バリアメタル層として機能する。この例では、半導体発光装置１における金属体４０の第１部分４１に相当する部分を形成する必要が無く、図７（ａ）〜図８（ｃ）に示す工程よりもその製造過程を簡略化できる。
【００６０】
図１１に示す半導体発光装置３は、基板１０の内部に金属体７０を有する。また、基板１０と金属体７０との間に設けられた金属層７５を備える。金属体７０は、基板１０に設けられたリセス部１０ｄに埋め込まれる。リセス部１０ｄは、前述したリセス部１０ａよりも深く形成される。リセス部１０ｄの深さは、例えば、１００μｍ〜１５０μｍである。発光体２０は、金属層３０の下面と、金属体７０の上面と、を接合させることにより基板１０の上に設けられる。金属層７５は、例えば、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、チタニウム（Ｔｉ）もしくは白金（Ｐｔ）などを含み、バリアメタル層として機能する。この例では、基板１０中に設けられる金属体７０の体積を大きくできるため、基板１０の熱伝導をさらに向上させることができる。
【００６１】
図１２に示す半導体発光装置４では、金属体４０の第２部分４３が基板１０を貫通し、裏面金属層１３に接する。半導体発光装置４は、例えば、図５（ａ）に示す工程において、裏面に第２部分４３の端面４３ａが露出するまで基板１０を薄層化することにより形成される。この例では、金属体４０は裏面金属層１３に接続されるため、基板１０の熱伝導をさらに向上させることができる。
【００６２】
なお、本願明細書において、「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）のIII−Ｖ族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎ（窒素）に加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶も含むものとする。さらに、上記の組成を有し、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【００６３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６４】
１、２、３、４・・・半導体発光装置、  １０・・・基板、  １０ａ、１０ｄ・・・リセス部、  １０ｂ・・・裏面、  １０ｃ、２０ａ・・・上面、  １０ｐ、２０ｐ、３０ｐ・・・外縁、  １３・・・裏面金属層、  ２０・・・発光体、  ２０ｂ・・・側面、  ２１・・・ｎ形半導体、  ２３、１２３・・・発光層、  ２５・・・ｐ形半導体、  ２７・・・パッシベーション膜、  ２７ａ、３５ａ、１０１ａ、１０３ａ・・・開口、  ３０、３１、４５、６５、７５・・・金属層、  ３５、４７、１０１、１０５、１０５ａ・・・絶縁層、  ４０、６０、７０、１１０・・・金属体、  ４１・・・第１部分、  ４３・・・第２部分、  ４３ａ・・・端面、  ５１・・・ｐ側電極、  ５３・・・ｎ側電極、  ５５・・・ボンディングパッド、  ６１・・・粘着シート、  ６３・・・ダイシングシート、  １００・・・基板、  １０３・・・レジストマスク、  １０７・・・トレンチ、  １２１・・・ｎ形半導体層、  １２５・・・ｐ形半導体層、  ＤＬ・・・ダイシング領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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