(57)【要約】【課題】磁気センサの出力の線形性を良好にしつつ磁気センサを小型にする。【解決手段】ブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗素子が基板の上面に形成されている磁気センサ素子１１０と、上記基板の上面との間に複数の磁気抵抗素子が位置するように、磁気センサ素子１１０上に固定された１つのバイアス磁石１２０とを備える。バイアス磁石１２０による磁化方向２０が、磁気センサ素子１１０の磁界検出方向１０に対して９０°以外の角度で交差するように、バイアス磁石１２０が配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗素子が基板の上面に形成されている磁気センサ素子と、
前記基板の前記上面との間に前記複数の磁気抵抗素子が位置するように、前記磁気センサ素子上に固定された１つのバイアス磁石とを備え、
前記バイアス磁石による磁化方向が、前記磁気センサ素子の磁界検出方向に対して９０°以外の角度で交差するように、前記バイアス磁石が配置されている、磁気センサ。
【請求項２】
前記複数の磁気抵抗素子のうちの、前記磁気センサ素子の前記磁界検出方向と直交する方向に延びる磁化容易軸を有する第１磁気抵抗素子の磁化容易軸と、前記バイアス磁石による前記磁化方向とのなす角度が、２９°以上３４°以下である、請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記バイアス磁石の外形が、円柱状または円環状である、請求項１または請求項２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記バイアス磁石が、等方性磁石である、請求項３に記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記磁気センサ素子と前記バイアス磁石とは、接合材によって互いに固定されている、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサに関し、特に、磁気抵抗素子を含む磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気センサの構成を開示した先行文献として、特開平５−３４１０２６号公報(特許文献１)がある。特許文献１に記載された磁気センサは、ブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗素子が基板の上面に形成されている磁気センサ素子と、磁気センサ素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁石とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３４１０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された磁気センサにおいては、磁気センサ素子の基板の下面側にバイアス磁石が配置されている。そのため、複数の磁気抵抗素子とバイアス磁石との間に、基板の厚さに相当するギャップが生ずる。このギャップによって、複数の磁気抵抗素子の各々に印加されるバイアス磁界が減衰する。複数の磁気抵抗素子の各々に印加されるバイアス磁界の強度が低い場合、磁気センサの出力の線形性が低下する。
【０００５】
複数の磁気抵抗素子の各々に印加されるバイアス磁界の強度を維持するために大きなバイアス磁石を用いた場合、磁気センサの小型化の妨げとなる。
【０００６】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、出力の線形性が良好な小型の磁気センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に基づく磁気センサは、ブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗素子が基板の上面に形成されている磁気センサ素子と、上記基板の上面との間に複数の磁気抵抗素子が位置するように、磁気センサ素子上に固定された１つのバイアス磁石とを備える。バイアス磁石による磁化方向が、磁気センサ素子の磁界検出方向に対して９０°以外の角度で交差するように、バイアス磁石が配置されている。
【０００８】
本発明の一形態においては、複数の磁気抵抗素子のうちの、磁気センサ素子の磁界検出方向と直交する方向に延びる磁化容易軸を有する第１磁気抵抗素子の磁化容易軸と、バイアス磁石による磁化方向とのなす角度が、２９°以上３４°以下である。
【０００９】
本発明の一形態においては、バイアス磁石の外形が、円柱状または円環状である。
本発明の一形態においては、バイアス磁石が、等方性磁石である。
【００１０】
本発明の一形態においては、磁気センサ素子とバイアス磁石とは、接合材によって互いに固定されている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、磁気センサの出力の線形性を良好にしつつ磁気センサを小型にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態１に係る磁気センサの構成を示す斜視図である。
【図２】図１の磁気センサを矢印ＩＩ方向から見た平面図である。
【図３】図１の磁気センサを矢印ＩＩＩ方向から見た側面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る磁気センサが備える磁気センサ素子の平面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る磁気センサが備える磁気センサ素子に設けられているブリッジ回路の等価回路図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る磁気センサが備える磁気センサ素子の積層構造を示す断面図である。
【図７】実験例１の結果を示すグラフである。
【図８】磁気センサの出力の誤差率を説明するためのグラフである。
【図９】実験例２において第１の実験条件で解析した結果を示すグラフである。
【図１０】実験例２において第２の実験条件で解析した結果を示すグラフである。
【図１１】バイアス磁石の外形が円柱状である、第１変形例に係る磁気センサの構成を示す斜視図である。
【図１２】バイアス磁石の外形が円環状である、第２変形例に係る磁気センサの構成を示す斜視図である。
【図１３】バイアス磁石の外形が角柱状である、第３変形例に係る磁気センサの構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の実施形態２に係る磁気センサの外観を示す斜視図である。
【図１５】本発明の実施形態２に係る磁気センサにおいて樹脂封止前の状態の外観を示す斜視図である。
【図１６】図１５の磁気センサを矢印ＸＶＩ方向から見た平面図である。
【図１７】図１６の磁気センサを矢印ＸＶＩＩ方向から見た側面図である。
【図１８】図１６の磁気センサを矢印ＸＶＩＩＩ方向から見た正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の各実施形態に係る、磁気センサについて図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。
【００１４】
(実施形態１)
図１は、本発明の実施形態１に係る磁気センサの構成を示す斜視図である。図２は、図１の磁気センサを矢印ＩＩ方向から見た平面図である。図３は、図１の磁気センサを矢印ＩＩＩ方向から見た側面図である。
【００１５】
図１〜３に示すように、本発明の実施形態１に係る磁気センサ１００は、磁気センサ素子１１０と、磁気センサ素子１１０上に固定された１つのバイアス磁石１２０とを備える。平面視にて、バイアス磁石１２０による磁化方向２０が、磁気センサ素子１１０の磁界検出方向１０に対して９０°以外の角度で交差するように、バイアス磁石１２０が配置されている。磁気センサ素子１１０とバイアス磁石１２０とは、接合材１３０によって互いに固定されている。図１〜３においては、磁気センサ素子１１０における、幅方向をＸ軸方向、長さ方向をＹ軸方向、厚さ方向をＺ軸方向として示している。
【００１６】
図４は、本発明の実施形態１に係る磁気センサが備える磁気センサ素子の平面図である。図５は、本発明の実施形態１に係る磁気センサが備える磁気センサ素子に設けられているブリッジ回路の等価回路図である。図６は、本発明の実施形態１に係る磁気センサが備える磁気センサ素子の積層構造を示す断面図である。
【００１７】
図４〜６に示すように、磁気センサ素子１１０においては、ブリッジ回路を構成する４つの磁気抵抗素子が、基板１１１の上面に形成されている。基板１１１上には、電源端子Ｖｃｃ、接地端子ＧＮＤ、第１出力端子Ｖ+および第２出力端子Ｖ-が形成されている。４つの磁気抵抗素子は、互いに電気的に接続されてホイートストンブリッジ型のブリッジ回路を構成している。
【００１８】
具体的には、第１磁気抵抗素子ＭＲ１および第２磁気抵抗素子ＭＲ２の直列接続体と、第３磁気抵抗素子ＭＲ３および第４磁気抵抗素子ＭＲ４の直列接続体とが、電源端子Ｖｃｃと接地端子ＧＮＤとの間に並列接続されている。第１磁気抵抗素子ＭＲ１と第２磁気抵抗素子ＭＲ２との接続点には、第１出力端子Ｖ+が接続されている。第３磁気抵抗素子ＭＲ３と第４磁気抵抗素子ＭＲ４との接続点には、第２出力端子Ｖ-が接続されている。
【００１９】
第１磁気抵抗素子ＭＲ１、第２磁気抵抗素子ＭＲ２、第３磁気抵抗素子ＭＲ３および第４磁気抵抗素子ＭＲ４の各々は、ＡＭＲ(Anisotropic Magneto Resistance)素子である。
【００２０】
基板１１１は、Ｓｉなどから構成されており、表面にＳｉＯ2層またはＳｉ3Ｎ4層などが設けられている。４つの磁気抵抗素子は、基板１１１の上面に設けられた、ＮｉとＦｅとを含む合金からなる磁性体層１１２が、イオンミリング法などによりパターニングされることにより形成されている。
【００２１】
基板１１１上には、ＡｕまたはＡｌなどからなる導電層１１３が、ウエットエッチングによりパターニングされることにより形成されている。導電層１１３は、磁性体層１１２の上面に形成されている。なお、導電層１１３の一部が、基板１１１の上面に設けられていてもよい。電源端子Ｖｃｃ、接地端子ＧＮＤ、第１出力端子Ｖ+および第２出力端子Ｖ-の各々は、導電層１１３によって構成されている。
【００２２】
磁性体層１１２および導電層１１３は、ＳｉＯ2からなる保護層１１４によって覆われている。保護層１１４には、電源端子Ｖｃｃ、接地端子ＧＮＤ、第１出力端子Ｖ+および第２出力端子Ｖ-の各々の上方に位置する部分に、外部接続用の開口部１１４ｈが設けられている。開口部１１４ｈに、半田バンプが形成されていてもよい。
【００２３】
第１磁気抵抗素子ＭＲ１、第２磁気抵抗素子ＭＲ２、第３磁気抵抗素子ＭＲ３および第４磁気抵抗素子ＭＲ４の各々を構成する磁性体層１１２は、つづら折り状に設けられており、外形が略矩形状である。第１磁気抵抗素子ＭＲ１、第２磁気抵抗素子ＭＲ２、第３磁気抵抗素子ＭＲ３および第４磁気抵抗素子ＭＲ４は、全体として略正方形状である。
【００２４】
第１磁気抵抗素子ＭＲ１および第４磁気抵抗素子ＭＲ４の各々を構成する磁性体層１１２においては、Ｘ軸方向に延在する複数の長手部と、Ｙ軸方向に延在する複数の短手部とが、直列に接続されており、Ｘ軸方向に延びる磁化容易軸３０を有している。
【００２５】
第２磁気抵抗素子ＭＲ２および第３磁気抵抗素子ＭＲ３の各々を構成する磁性体層１１２においては、Ｙ軸方向に延在する複数の長手部と、Ｘ軸方向に延在する複数の短手部とが、直列に接続されており、Ｙ軸方向に延びる磁化容易軸を有している。
【００２６】
第１磁気抵抗素子ＭＲ１および第４磁気抵抗素子ＭＲ４の各々の磁化容易軸３０と、磁気センサ素子１１０の磁界検出方向１０とのなすバイアス角度θは、磁気センサ１００の用途に応じて、５°以上８５°以下の範囲において設定可能である。後述するように、磁気センサ１００の出力の線形性の観点からは、バイアス角度θは、２９°以上３４°以下であることが好ましく、３１°であることがより好ましい。
【００２７】
本実施形態においては、磁気センサ素子１１０は、直方体状の外形を有しており、たとえば、幅が０．２ｍｍ、長さが０．４５ｍｍ、厚さが０．３ｍｍである。
【００２８】
バイアス磁石１２０は、直方体状の外形を有しており、たとえば、幅が０．３ｍｍ、長さが０．３ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍである。バイアス磁石１２０は、等方性磁石である。等方性磁石としては、等方性アルニコ、等方性クロムコバルト、等方性バリウムフェライト、等方性酸化物系ボンド磁石、および、等方性希土類コバルト系ボンド磁石などがある。
【００２９】
接合材１３０としては、エポキシ樹脂系接着剤、銀ペーストなどの導電性接着剤、または、ダイアタッチフィルムなどを用いることができる。接合材１３０は、磁気センサ素子１１０の保護層１１４とバイアス磁石１２０とを接合している。磁気センサ素子１１０の基板１１１の上面とバイアス磁石１２０との間に４つの磁気抵抗素子が位置するように、バイアス磁石１２０が接合材１３０によって磁気センサ素子１１０上に固定されている。
【００３０】
ここで、バイアス磁石を磁気センサ素子の基板の上面側に配置することによって、バイアス磁石を磁気センサ素子の基板の下面側に配置した場合に比較して、磁気抵抗素子に印加されるバイアス磁界の強度を維持しつつバイアス磁石を小型にできることを、シミュレーション解析によって検証した実験例１について説明する。
【００３１】
実験例１においては、実施例１および比較例１〜３の４種類の磁気センサについて解析を行なった。実施例１に係る磁気センサにおいては、実施形態１に係る磁気センサと同様の構成を有し、基板１１１の厚さを０．１ｍｍ、接合材１３０の層の厚さを０．０３ｍｍとした。
【００３２】
比較例１〜３の各々に係る磁気センサにおいては、バイアス磁石を磁気センサ素子の基板の下面側に配置し、接合材１３０の層の厚さを０．０３ｍｍとした。基板１１１の厚さについて、比較例１は０．１ｍｍ、比較例２は０．２ｍｍ、比較例３は０．３ｍｍとした。
【００３３】
よって、磁気抵抗素子とバイアス磁石との間のＺ方向の距離は、実施例１は０．０３ｍｍ、比較例１は０．１３ｍｍ、比較例２は０．２３ｍｍ、比較例３は０．３３ｍｍとなる。
【００３４】
実施例１および比較例１〜３の各々に係る磁気センサにおいて、磁気抵抗素子に印加されるバイアス磁界の強度が１５５ｍＴとなるために必要なバイアス磁石の最小体積を算出した。
【００３５】
図７は、実験例１の結果を示すグラフである。図７においては、縦軸にバイアス磁石の最小体積(ｍｍ3)、横軸に磁気抵抗素子とバイアス磁石との間のＺ方向の距離(ｍｍ)を示している。
【００３６】
図７に示すように、バイアス磁石の最小体積は、実施例１は０．０１３５ｍｍ3、比較例１は０．１０８ｍｍ3、比較例２は０．５４ｍｍ3、比較例３は１．６２ｍｍ3であった。
【００３７】
実験例１の結果から、バイアス磁石１２０を磁気センサ素子１１０の基板１１１の上面側に配置することによって、磁気抵抗素子に印加されるバイアス磁界の強度を維持しつつバイアス磁石１２０を小型にできることが確認できた。基板１１１の一般的な厚さは０．２ｍｍ程度であり、一般的な厚さより薄い基板を有する比較例１に係る磁気センサと比較しても、実施例１に係る磁気センサは、バイアス磁石を１／８の大きさに小型にできることが確認できた。
【００３８】
ここで、バイアス磁界による磁化方向と磁気センサの出力の線形性との関係についてシミュレーション解析した実験例２について説明する。まず、磁気センサの出力の線形性誤差率について定義する。図８は、磁気センサの出力の誤差率を説明するためのグラフである。図８においては、縦軸に出力電圧(Ｖ)、横軸に外部磁界の磁束密度(ｍＴ)を示している。図８においては、実測出力電圧を実線で、仮想出力電圧を二点鎖線で示している。
【００３９】
仮想出力電圧は、外部磁界の測定予定範囲における実測出力電圧を直線近似して求められている。具体的には、仮想出力電圧は、入力磁束密度および実測出力電圧を最小二乗法を用いて１次関数にて近似して求められている。
【００４０】
磁気センサにおける外部磁界の測定予定範囲に対応する出力電圧の最大値と最小値との間の間隔である出力電圧のフルスケールに対する、実測出力電圧と仮想出力電圧との差の比率を、磁気センサの出力の線形性誤差率と定義する。
【００４１】
たとえば、磁気センサにおける外部磁界の測定予定範囲が±２０ｍＴであり、外部磁界の磁束密度が２０ｍＴのときの仮想出力電圧を２．０Ｖ、外部磁界の磁束密度が−２０ｍＴのときの仮想出力電圧を−２．０Ｖとすると、出力電圧のフルスケールは４．０Ｖとなる。外部磁界の磁束密度が１５ｍＴのとき、実測出力電圧が１．５Ｖ、仮想出力電圧が１．４８Ｖであった場合、磁気センサの出力の線形性誤差率は、(１．５−１．４８)／４．０×１００＝０．５％となる。
【００４２】
上記のように定義される磁気センサの出力の線形性誤差率は、バイアス磁界による磁化方向およびバイアス磁界の強度によって変化する。磁気センサの出力の線形性誤差率が、±２．０％以内であることが好ましい。
【００４３】
実験例２においては、第１の実験条件として、電源端子Ｖｃｃの電位を５Ｖとし、バイアス磁界の磁束密度を９０ｍＴとし、バイアス磁界による磁化方向として、上記のバイアス角度θを２０°、２５°、３０°、３５°、４０°および４５°の６種類設定した。外部磁界は、磁気センサ素子の磁界検出方向に印加されている。
【００４４】
図９は、実験例２において第１の実験条件で解析した結果を示すグラフである。図９においては、縦軸に線形性誤差率(％)、横軸に外部磁界の磁束密度(ｍＴ)を示している。
【００４５】
図９に示すように、線形性誤差率は、外部磁界の磁束密度が０ｍＴおよび±２０ｍＴのとき大きく、外部磁界の磁束密度が±１２ｍＴのとき略０％となった。バイアス角度θが３０°のとき、線形性誤差率が最も小さくなった。
【００４６】
次に、実験例２の第２の実験条件として、電源端子Ｖｃｃの電位を５Ｖとし、バイアス磁界の磁束密度を、９０ｍＴ、１００ｍＴ、１５０ｍＴ、２００ｍＴおよび２５０ｍＴの５種類設定し、バイアス磁界による磁化方向としては、上記のバイアス角度θを２５°以上３５°以下の範囲で１°間隔の１１種類設定した。外部磁界は、磁気センサ素子の磁界検出方向に印加されている。
【００４７】
図１０は、実験例２において第２の実験条件で解析した結果を示すグラフである。図１０においては、縦軸に線形性誤差率(％)、横軸にバイアス角度(°)を示している。
【００４８】
図１０に示すように、バイアス磁界の強度が大きくなるに従って、線形性誤差率は小さくなった。バイアス角度θが２９°以上３４°以下の範囲においては、バイアス磁界の磁束密度が９０ｍＴ以上にて線形性誤差率が２．０％以下であった。バイアス角度θが３１°のとき、線形性誤差率が最も小さかった。
【００４９】
実験例２の結果から、バイアス角度θを３１°とすることにより、磁気センサの出力の線形性を最も良好にすることができ、バイアス角度θを２９°以上３４°以下にすることにより、磁気センサの出力の線形性を良好にすることができることが確認できた。
【００５０】
上記の実験例１および実験例２の結果から分かるように、本実施形態に係る磁気センサ１００においては、バイアス磁石１２０を複数の磁気抵抗素子に接近させて配置することにより、バイアス磁界の減衰を抑制して効果的にバイアス磁界を複数の磁気抵抗素子の各々に印加することができる。その結果、磁気センサ１００の出力の線形性を良好にしつつバイアス磁石１２０を小型にすることができ、ひいては磁気センサ１００を小型にすることができる。また、バイアス角度を２９°以上３４°以下にすることによっても、磁気センサ１００の出力の線形性を良好にすることができる。
【００５１】
本実施形態に係る磁気センサ１００の磁気センサ素子１１０においては、第１磁気抵抗素子ＭＲ１、第２磁気抵抗素子ＭＲ２、第３磁気抵抗素子ＭＲ３および第４磁気抵抗素子ＭＲ４によってフルブリッジ回路が構成されているが、磁気センサ素子１１０の構成は上記に限られず、第１磁気抵抗素子ＭＲ１および第２磁気抵抗素子ＭＲ２によってハーフブリッジ回路が構成されていてもよい。この場合、磁気センサ素子１１０には、第３磁気抵抗素子ＭＲ３、第４磁気抵抗素子ＭＲ４および第２出力端子Ｖ-は設けられない。
【００５２】
本実施形態においては、バイアス磁石１２０の外形は直方体状であるが、バイアス磁石１２０の外形は、直方体状に限られず、角柱状、円柱状または円環状などであってもよい。図１１は、バイアス磁石の外形が円柱状である、第１変形例に係る磁気センサの構成を示す斜視図である。図１２は、バイアス磁石の外形が円環状である、第２変形例に係る磁気センサの構成を示す斜視図である。図１３は、バイアス磁石の外形が角柱状である、第３変形例に係る磁気センサの構成を示す斜視図である。
【００５３】
図１１に示すように、第１変形例に係る磁気センサ１００ａは、磁気センサ素子１１０と、磁気センサ素子１１０上に固定された１つのバイアス磁石１２０ａとを備える。バイアス磁石１２０ａの外形は、円柱状である。
【００５４】
図１２に示すように、第２変形例に係る磁気センサ１００ｂは、磁気センサ素子１１０と、磁気センサ素子１１０上に固定された１つのバイアス磁石１２０ｂとを備える。バイアス磁石１２０ｂの外形は、円環状である。
【００５５】
図１３に示すように、第３変形例に係る磁気センサ１００ｃは、磁気センサ素子１１０と、磁気センサ素子１１０上に固定された１つのバイアス磁石１２０ｃとを備える。バイアス磁石１２０ｃの外形は、角柱状である。具体的には、バイアス磁石１２０ｃの外形は、八角柱状である。
【００５６】
第１変形例に係る磁気センサ１００ａにおいては、バイアス磁石１２０ａの外形は、円柱状であり、形状異方性を有さない。また、バイアス磁石１２０ａの材料が等方性である。そのため、バイアス磁石１２０ａの磁化方向を高精度に制御することができる。その結果、バイアス角度θを高精度で維持して、磁気センサ１００ａの出力の線形性を良好にすることができる。さらに、バイアス磁石１２０ａを磁気センサ素子１１０上に固定した後でバイアス磁石１２０ａを着磁するため、バイアス磁石１２０ａを磁気センサ素子１１０上に配置する際にバイアス磁石１２０ａの向きを固定する必要がなく、磁気センサの組み立てが容易である。
【００５７】
第２変形例に係る磁気センサ１００ｂにおいても、第１変形例に係る磁気センサ１００ａと同様の効果を得ることができる。第３変形例に係る磁気センサ１００ｃにおいては、角の数を多くすることにより、バイアス磁石１２０ｃのチッピングの発生を抑制することができ、その結果、バイアス磁石１２０ｃのチッピングによるバイアス磁界の乱れが生じることを抑制できる。
【００５８】
(実施形態２)
以下、本発明の実施形態２に係る磁気センサについて説明する。なお、本発明の実施形態２に係る磁気センサは、フレームに実装された状態でパッケージされている点のみ本発明の実施形態１に係る磁気センサと異なるため、本発明の実施形態１に係る磁気センサと同様の構成については説明を繰り返さない。
【００５９】
図１４は、本発明の実施形態２に係る磁気センサの外観を示す斜視図である。図１５は、本発明の実施形態２に係る磁気センサにおいて樹脂封止前の状態の外観を示す斜視図である。図１６は、図１５の磁気センサを矢印ＸＶＩ方向から見た平面図である。図１７は、図１６の磁気センサを矢印ＸＶＩＩ方向から見た側面図である。図１８は、図１６の磁気センサを矢印ＸＶＩＩＩ方向から見た正面図である。
【００６０】
図１４〜１８に示すように、本発明の実施形態２に係る磁気センサ２００は、磁気センサ素子１１０と、磁気センサ素子１１０上に固定された１つのバイアス磁石１２０と、磁気センサ素子１１０が実装されたフレーム２１０と、磁気センサ素子１１０、バイアス磁石１２０およびフレーム２１０を覆う封止樹脂２２０とを備える。磁気センサ２００は、直方体状の外形を有している。磁気センサ２００は、たとえば、幅が２ｍｍ、長さが２ｍｍである。
【００６１】
フレーム２１０は、磁気センサ素子１１０が載置される平板部と、平板部と間隔をあけて位置する複数の端子部とを含む。複数の端子部は、互いに間隔をあけて並んでいる。複数の端子部の各々の一部は、封止樹脂２２０に覆われておらず、磁気センサ２００の外表面に露出している。フレーム２１０は、導電材料の表面に金メッキが施されて構成されている。フレーム２１０の厚さは、たとえば、０．１ｍｍである。
【００６２】
磁気センサ素子１１０において、電源端子Ｖｃｃ、接地端子ＧＮＤ、第１出力端子Ｖ+および第２出力端子Ｖ-は、フレーム２１０の複数の端子部のいずれか１つにワイヤ２３０によってそれぞれ接続されている。ワイヤ２３０の材料は、たとえば金である。ワイヤ２３０の直径は、たとえば０．０８ｍｍである。
【００６３】
封止樹脂２２０としては、たとえば、エポキシ樹脂などのマトリックス樹脂に、シリカフィラーが充填された熱硬化性樹脂が用いられる。
【００６４】
本発明の実施形態２に係る磁気センサ２００においては、磁気センサ２００の機械的強度が向上しているため、自動機によって磁気センサ２００を実装することが可能となる。
【００６５】
上述した実施形態の説明において、組み合わせ可能な構成を相互に組み合わせてもよい。
【００６６】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６７】
１０  磁界検出方向、２０  磁化方向、３０  磁化容易軸、１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，２００  磁気センサ、１１０  磁気センサ素子、１１１  基板、１１２  磁性体層、１１３  導電層、１１４  保護層、１１４ｈ  開口部、１２０，１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ  バイアス磁石、１３０  接合材、２１０  フレーム、２２０  封止樹脂、２３０  ワイヤ、ＧＮＤ  接地端子、ＭＲ１  第１磁気抵抗素子、ＭＲ２  第２磁気抵抗素子、ＭＲ３  第３磁気抵抗素子、ＭＲ４  第４磁気抵抗素子、Ｖ+  第１出力端子、Ｖ-  第２出力端子、Ｖｃｃ  電源端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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