(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性不良の低減を可能とする半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、フォトルミネッサンス法により識別可能な第１の識別マーク１１０と、可視光により識別可能な第２の識別マーク１２０と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトルミネッサンス法により識別可能な第１の識別マークと、
可視光により識別可能な第２の識別マークと、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第１の識別マークが、シリコンよりもバンドギャップの広い半導体層に設けられた非晶質領域又は多結晶質領域を含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の識別マークが、シリコンよりもバンドギャップの広い半導体層に設けられたｎ型不純物領域又はｐ型不純物領域を含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の識別マークと前記第２の識別マークとが、素子領域との間に前記素子領域を囲む終端領域を挟んで設けられた領域に設けられた請求項１乃至請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体層はＳｉＣ層である請求項２乃至請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体層中の結晶欠陥が、半導体デバイスの信頼性不良の原因となる場合がある。例えば、ＳｉＣ基板を用いたＳｉＣデバイスにおいて、ＳｉＣ基板中の基底面転位（ＢＰＤ：Ｂａｓａｌ  Ｐｌａｎｅ  Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）からデバイス動作中に成長する積層欠陥（ＳＦ：Ｓｔａｃｋｉｎｇ  Ｆａｕｌｔ）が、ＳｉＣデバイスの信頼性不良の原因となることが知られている。このため、良品と不良品を選別するダイソートの際に信頼性不良を生じ得る半導体チップを識別できることが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３４９４８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、信頼性不良の低減を可能とする半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体装置は、フォトルミネッサンス法により識別可能な第１の識別マークと、可視光により識別可能な第２の識別マークと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態の半導体装置の模式上面図。
【図２】第１の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図３】第１の実施形態の第１の識別マークの模式図。
【図４】第１の実施形態の第２の識別マークの模式図。
【図５】第１の実施形態の半導体装置の検査方法の説明図。
【図６】第２の実施形態の第１の識別マーク及び第２の識別マークの模式図。
【図７】第３の実施形態の第１の識別マーク及び第２の識別マークの模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の又は類似の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。
【０００８】
また、以下の説明において、ｎ＋、ｎ、ｎ−及び、ｐ＋、ｐ、ｐ−の表記は、各導電型における不純物濃度の相対的な高低を表す。すなわちｎ＋はｎよりもｎ型の不純物濃度が相対的に高く、ｎ−はｎよりもｎ型の不純物濃度が相対的に低いことを示す。また、ｐ＋はｐよりもｐ型の不純物濃度が相対的に高く、ｐ−はｐよりもｐ型の不純物濃度が相対的に低いことを示す。なお、ｎ＋型、ｎ−型を単にｎ型、ｐ＋型、ｐ−型を単にｐ型と記載する場合もある。
【０００９】
（第１の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、フォトルミネッサンス法により識別可能な第１の識別マークと、可視光により識別可能な第２の識別マークと、を備える。
【００１０】
図１は、本実施形態の半導体装置の模式上面図である。図２は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’断面図である。本実施形態の半導体装置は、ＳｉＣ基板を用いたＰＩＮダイオードである。
【００１１】
ＰＩＮダイオード１００は、素子領域１００ａ、終端領域１００ｂ、ダイシング領域１００ｃ、第１の識別マーク１１０、第２の識別マーク１２０を備える。素子領域１００ａは、終端領域１００ｂに囲まれる。終端領域１００ｂは、ダイシング領域１００ｃに囲まれる。
【００１２】
素子領域１００ａは、ＰＩＮダイオード１００の順バイアス時に主に電流が流れる領域として機能する。
【００１３】
終端領域１００ｂは、ＰＩＮダイオード１００の逆バイアス時に、素子領域１００ａの端部に印加される電界の強度を緩和し、ＰＩＮダイオード１００の素子耐圧を向上させる領域として機能する。終端領域１００ｂは、例えば、リサーフ構造やガードリング構造を備える。
【００１４】
ダイシング領域１００ｃは、半導体層をダイシングにより複数の半導体チップに分割するための切断予定領域である。本明細書中では、切断後に半導体チップに残ったダイシング領域１００ｃの一部も、単に、ダイシング領域１００ｃと称する。
【００１５】
第１の識別マーク１１０と第２の識別マーク１２０は、終端領域１００ｂとダイシング領域１００ｃとの間の領域に設けられる。言いかえれば、第１の識別マーク１１０と第２の識別マーク１２０は、素子領域１００ａとの間に、終端領域１００ｂを挟んで設けられた領域に設けられる。
【００１６】
ＰＩＮダイオード１００は、半導体層１０、ベース酸化膜（第１の絶縁膜）１２、層間絶縁膜（第２の絶縁膜）１４、アノード電極１６、カソード電極１８を備える。半導体層１０中に、ｎ＋型のカソード領域２０、ｎ−型のドリフト領域２２、ｐ型のアノード領域２４、ｐ−型のリサーフ領域２５、ｐ型のガードリング領域２６が設けられる。
【００１７】
ｐ型のアノード領域２４は素子領域１００ａに設けられる。ｐ−型のリサーフ領域２５は、終端領域１００ｂに設けられる。ｐ−型のリサーフ領域２５は、ｐ型のアノード領域２４を囲んで環状に設けられる。ｐ−型のリサーフ領域２５は、ｐ型のアノード領域２４に接する。ｐ−型のリサーフ領域２５は、ｐ型のアノード領域２４よりもｐ型不純物濃度が低い。ｐ型のガードリング領域２６は、終端領域１００ｂに設けられる。ｐ型のガードリング領域２６は、複数個設けられ、各々が環状の形状を備える。
【００１８】
半導体層１０は、シリコンよりもバンドギャップの広い半導体である。半導体層１０は、例えば、４Ｈ−ＳｉＣ構造のＳｉＣ層である。半導体層１０の膜厚は、例えば、５μｍ以上６００μｍ以下である。
【００１９】
ベース酸化膜１２は、例えば、熱酸化膜である。ベース酸化膜１２は、例えば、シリコン酸化膜である。
【００２０】
層間絶縁膜１４は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成される堆積膜である。層間絶縁膜１４は、例えば、シリコン酸化膜である。
【００２１】
第１の識別マーク１１０は、フォトルミネッサンス法（ＰＬ法）により識別可能なマークである。フォトルミネッサンス法は、物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に遷移する際に発生する光を観測する方法である。励起光として、例えば、紫外線レーザを用いる。フォトルミネッサンス法により、例えば、単結晶中の結晶欠陥や不純物を評価することが可能となる。
【００２２】
図３は、本実施形態の第１の識別マークの模式図である。図３（ａ）は上面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である
【００２３】
第１の識別マーク１１０は、例えば、図３（ａ）に示すように文字列を含む。第１の識別マーク１１０には、文字列以外にも１次元や２次元のバーコードを適用することも可能である。
【００２４】
第１の識別マーク１１０は、非晶質のＳｉＣ領域（非晶質領域）１１０ａを含む。非晶質のＳｉＣ領域１１０ａは、半導体層１０に設けられる。非晶質のＳｉＣ領域１１０ａが、例えば、文字列のパターンとなるよう形成されている。
【００２５】
非晶質のＳｉＣ領域１１０ａは、例えば、半導体層１０に選択的にアルゴン（Ａｒ）をイオン注入することにより形成することが可能である。また、非晶質のＳｉＣ領域１１０ａは、例えば、半導体層１０に選択的に電子線を照射することにより形成することで可能である。
【００２６】
単結晶の半導体層１０中に非晶質のＳｉＣ領域１１０ａを設けることで、フォトルミネッサンス法により非晶質のＳｉＣ領域１１０ａが発光し、第１の識別マーク１１０を識別することが可能となる。
【００２７】
なお、非晶質のＳｉＣ領域１１０ａにかえて、多結晶質のＳｉＣ領域（多結晶質領域）を設けても構わない。ＳｉＣ領域１１０ａは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等のｐ型不純物のイオン注入により形成されたｐ型不純物領域、又は、窒素（Ｎ）等のｎ型不純物のイオン注入により形成されたｎ型不純物領域であってもかまわない。
【００２８】
第２の識別マーク１２０は、可視光により識別可能なマークである。可視光は、例えば、波長が３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光である。
【００２９】
図４は、本実施形態の第２の識別マークの模式図である。図４（ａ）は上面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ’断面図である
【００３０】
第２の識別マーク１２０は、例えば、図４（ａ）に示すように文字列を含む。第２の識別マーク１２０には、文字列以外にも１次元や２次元のバーコードを適用することも可能である。
【００３１】
第２の識別マーク１２０は、金属領域１２０ａを含む。金属領域１２０ａは、層間絶縁膜１４上に設けられる。金属領域１２０ａが、例えば、文字列のパターンとなるよう形成されている。
【００３２】
金属領域１２０ａは、例えば、層間絶縁膜１４上に形成した金属膜をパターニングすることで形成することが可能である。金属領域１２０ａは、例えば、アノード電極１６と同時形成することが可能である。
【００３３】
金属領域１２０ａを設けることで、可視光により第２の識別マーク１２０を識別することが可能となる。
【００３４】
本実施形態では、第１の識別マーク１１０と、第２の識別マーク１２０は同一のパターンである。しかし、第１の識別マーク１１０と第２の識別マーク１２０との対応付けがとれることを前提に、異なるパターンを採用することも可能である。
【００３５】
次に、本実施形態の半導体装置の検査方法について、図１〜図５を参照して説明する。本実施形態の半導体装置の検査方法は、半導体層にフォトルミネッサンス法により識別可能な複数の異なる第１の識別マークを形成し、上記半導体層上に可視光により識別可能な複数の異なる第２の識別マークを形成し、上記半導体層に対しフォトルミネッサンス法を用いて結晶欠陥検査を行い、上記結晶欠陥検査により検出された結晶欠陥と、フォトルミネッサンス法を用いて識別した上記第１の識別マークの対応付けを行い、結晶欠陥と対応付けされた上記第１の識別マークを有する半導体チップを、上記第１の識別マークと対応する上記第２の識別マークを可視光により識別することで不良品と判定する。
【００３６】
図５は、本実施形態の半導体装置の検査方法の説明図である。図５は、本実施形態の半導体装置の検査方法で検査される半導体装置のダイソート直前の状態を示す。図５（ａ）が半導体装置の上面図、図５（ｂ）が図５（ａ）の一部領域の拡大図である。
【００３７】
例えば、半導体層１０上に複数の半導体チップが形成されている。各半導体チップはＰＩＮダイオード１００である。複数の半導体チップがダイシング領域１００ｃを間に挟んで格子状に配置される。
【００３８】
図５（ａ）が、半導体層１０上にリソグラフィー法のステップアンドリピート方式でパターン形成する際の１ショットに対応するパターンを示す。すなわち、本実施形態では、２０チップ分のパターンが１ショットで形成可能であるとする。
【００３９】
まず、ｎ＋型のカソード領域２０と、ｎ−型のドリフト領域２２を備える半導体層１０を準備する。半導体層１０は、４Ｈ−ＳｉＣの基板である。
【００４０】
次に、半導体層１０に第１の識別マーク１１０のパターンを形成する。例えば、半導体層１０を熱酸化してベース酸化膜１２を形成する。
【００４１】
次に、リソグラフィー法によりフォトレジスト膜を第１の識別パターン１１０に対応するパターンにパターニングする。この時、１ショットで形成する２０チップは、それぞれが異なる第１の識別マーク１２０を備える。
【００４２】
次に、フォトレジスト膜をマスクにアルゴン（Ａｒ）のイオン注入を行い、非晶質のＳｉＣ領域１１０ａを形成する。
【００４３】
その後、フォトルミネッサンス法により、半導体層１０の結晶欠陥検査を行う。例えば、信頼性不良の原因となり得る結晶欠陥が発見された場合、その結晶欠陥に対応するチップの第１の識別マーク１１０をフォトルミネッサンス法により識別する。結晶欠陥が発見されたチップの第１の識別マーク１１０を記憶する。
【００４４】
その後、公知のプロセス技術により、ｐ型のアノード領域２４、ｐ−型のリサーフ領域２５、ｐ型のガードリング領域２６、アノード電極１６を形成する。
【００４５】
アノード電極１６を形成する際に、同時に第２の識別マーク１２０のパターンを形成する。すなわち、金属領域１２０ａをパターニングにより形成する。１ショットで形成する２０チップは、それぞれが第１の識別マーク１１０に対応付けられた異なる第２の識別マーク１２０を備える。
【００４６】
その後、公知のプロセス技術により、カソード電極１８を形成する。
【００４７】
次に、製造された複数の半導体チップの良品と不良品とを選別するダイソートを行う。ダイソートの際に、例えば、各半導体チップの第２の識別マーク１２０を可視光により読み取る。信頼性不良の原因となり得る結晶欠陥が発見されたチップの第１の識別マーク１１０に対応する第２の識別マーク１２０を備える半導体チップは不良品と判定する。
【００４８】
ダイソートの後に、半導体層１０は、例えば、ダイシングブレードを用いてダイシング領域１００ｃに沿って切断され、半導体チップが個片化される。
【００４９】
なお、各半導体チップの第２の識別マーク１２０を可視光で読み取り、不良品を選別することは、半導体チップが個片化された後に行うことも可能である。
【００５０】
次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。
【００５１】
半導体層中の結晶欠陥が、半導体デバイスの信頼性不良の原因となる場合がある。例えば、ＳｉＣ基板の場合、ＳｉＣ基板に含まれるＢＰＤが、ＳｉＣ基板上にＳｉＣ層をエピタキシャル成長する際に、ＳｉＣ層中に伝搬する。ＳｉＣ層に伝搬したＢＰＤの内、表層まで達したＢＰＤから、半導体デバイスの動作によりが拡張する。拡張したＳＦが、オン電圧の変動等の信頼性不良の原因となる。しかし、信頼性不良は、半導体デバイス製造直後の電気的評価では識別することが困難である。
【００５２】
信頼性不良の原因となり得る結晶欠陥の内、ＢＰＤのような線欠陥は、可視光による検査では発見できない。しかし、例えば、半導体チップの製造前、或いは、製造途中でフォトルミネッサンス法を用いた結晶欠陥検査を行うことにより発見することが可能である。しかしながら、半導体層には複数の半導体チップが形成されるため、発見された結晶欠陥と半導体チップを対応づけることが困難である。
【００５３】
例えば、半導体層を載置したステージの位置情報で、対応付けることも考えられる。しかし、この方法では、特に、半導体チップのサイズが小さくなると十分な精度が得られず対応付けが困難となる。
【００５４】
本実施形態では、フォトルミネッサンス法により識別可能な第１の識別マーク１１０を半導体チップに設ける。半導体層に形成される複数の半導体チップの間で、第１の識別マーク１１０が異なるようにする。
【００５５】
したがって、半導体チップの製造前、或いは、製造途中でフォトルミネッサンス法を用いた結晶欠陥検査で発見された結晶欠陥を、第１の識別マーク１１０を用いることで、特定の半導体チップと対応付けすることが可能となる。
【００５６】
更に、可視光により識別可能で、第１の識別マーク１１０と対応付けがされている第２の識別マーク１２０を用いて、半導体チップの製造後に容易に不良品である上記特定の半導体チップを識別することが可能となる。
【００５７】
本実施形態の半導体装置によれば、結晶欠陥を原因として信頼性不良を生じ得る半導体チップを不良品として選別することが可能となる。よって、信頼性不良の低減を可能とする半導体装置を提供することが可能となる。
【００５８】
（第２の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第２の識別マークが、シリコンよりもバンドギャップの広い半導体層上の第１の絶縁膜の間に設けられた第２の絶縁膜の一部の領域を含み、第１の識別マークが、上記一部の領域下の半導体層に設けられた非晶質領域、多結晶質領域、ｎ型不純物領域又はｐ型不純物領域を含むこと以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００５９】
図６は、本実施形態の第１の識別マーク及び第２の識別マークの模式図である。図６（ａ）は上面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ’断面図である
【００６０】
本実施形態では、第１の識別マーク１１０と第２の識別マーク１２０とが平面的に同じ位置に設けられる。
【００６１】
第１の識別マーク１１０及び第２の識別マーク１２０は、例えば、図６（ａ）に示すように文字列を含む。第１の識別マーク１１０には、文字列以外にも１次元や２次元のバーコードを適用することも可能である。
【００６２】
第１の識別マーク１１０は、ｐ型不純物を含むｐ型のＳｉＣ領域（ｐ型不純物領域）１１０ｂを含む。ｐ型不純物は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）である。
【００６３】
ｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂは、半導体層１０に設けられる。ｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂが、例えば、文字列のパターンとなるよう形成されている。
【００６４】
単結晶の半導体層１０中にｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂを設けることで、フォトルミネッサンス法によりｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂが発光し、第１の識別マーク１１０を識別することが可能となる。
【００６５】
第２の識別マーク１２０は、半導体層１０上に設けられたべース絶縁膜（第１の絶縁膜）１２の間に挟まれた層間絶縁膜（第２の絶縁膜）１４の一部の領域１４ａを含む。
領域１４ａが、例えば、文字列のパターンとなるよう形成されている。
【００６６】
層間絶縁膜１４の領域１４ａの上面は、凹凸が形成されている。領域１４ａの上面は、凹凸が形成されることで、可視光により第２の識別マーク１２０を識別することが可能となる。
【００６７】
なお、領域１４ａの下の半導体層１０に、ｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂが設けられている。
【００６８】
第１の識別マーク１１０及び第２の識別マーク１２０は、以下の方法で形成することが可能である。
【００６９】
まず、半導体層１０上にベース酸化膜１２を形成する。次に、リソグラフィー法によりフォトレジスト膜を第１の識別パターン１１０に対応するパターンにパターニングする。
【００７０】
パターニングされたベース酸化膜１２をマスクに半導体層１０にｐ型不純物をイオン注入して、ベース酸化膜１２の溝部の下の半導体層１０にｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂを形成する。
【００７１】
次に、ベース酸化膜１２上に層間絶縁膜１４を堆積する。ベース酸化膜１２の溝部は、層間絶縁膜１４により埋め込まれる。埋め込まれたベース酸化膜１２の溝部が領域１４ａとなる。層間絶縁膜１４の領域１４ａの上面は、凹凸形状となる。
【００７２】
なお、ｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂにかえてｎ型不純物を含むｎ型のＳｉＣ領域（ｎ型不純物領域）を適用することも可能である。また、ｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂにかえて非晶質のＳｉＣ領域（非晶質領域）や、多結晶質のＳｉＣ領域（多結晶質領域）を適用することも可能である。
【００７３】
本実施形態の半導体装置によれば、第１の実施形態同様、結晶欠陥を原因として信頼性不良を生じ得る半導体チップを不良品として選別することが可能となる。よって、信頼性不良の低減を可能とする半導体装置を提供することが可能となる。
【００７４】
また、第１の識別マーク１１０と第２の識別マーク１２０とが平面的に同じ位置に設けられる。このため、第１の識別マーク１１０と第２の識別マーク１２０とを設けるために必要な面積を削減できる。また、第１の識別マーク１１０と第２の識別マーク１２０の形成が容易となる。
【００７５】
（第３の実施形態）
本実施形態の半導体装置は、第２の識別マークが、半導体層表面に設けられた凹部を含み、第１の識別マークが、上記凹部下の半導体層に設けられた非晶質領域、多結晶質領域、ｎ型不純物領域又はｐ型不純物領域を含むこと以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００７６】
図７は、本実施形態の第１の識別マーク及び第２の識別マークの模式図である。図７（ａ）は上面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＤ−Ｄ’断面図である
【００７７】
本実施形態では、第１の識別マーク１１０と第２の識別マーク１２０とが平面的に同じ位置に設けられる。
【００７８】
第１の識別マーク１１０及び第２の識別マーク１２０は、例えば、図７（ａ）に示すように文字列を含む。第１の識別マーク１１０には、文字列以外にも１次元や２次元のバーコードを適用することも可能である。
【００７９】
第１の識別マーク１１０は、ｐ型不純物を含むｐ型のＳｉＣ領域（ｐ型不純物領域）１１０ｂを含む。ｐ型不純物は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）である。
【００８０】
ｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂは、半導体層１０に設けられる。ｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂが、例えば、文字列のパターンとなるよう形成されている。
【００８１】
単結晶の半導体層１０中にｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂを設けることで、フォトルミネッサンス法によりｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂが発光し、第１の識別マーク１１０を識別することが可能となる。
【００８２】
第２の識別マーク１２０は、半導体層１０表面に設けられた凹部（溝）１５を含む。凹部１５が、例えば、文字列のパターンとなるよう形成されている。
【００８３】
半導体層１０表面及びベース酸化膜１２の上面は、凹凸が形成されている。半導体層１０表面及びベース酸化膜１２の上面に、凹凸が形成されることで、可視光により第２の識別マーク１２０を識別することが可能となる。
【００８４】
なお、凹部１５の下の半導体層１０に、ｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂが設けられている。
【００８５】
本実施形態では、例えば、ベース酸化膜１２上に層間絶縁膜は設けられない。
【００８６】
第１の識別マーク１１０及び第２の識別マーク１２０は、以下の方法で形成することが可能である。
【００８７】
まず、半導体層１０上にマスク材を形成する。マスク材は、例えば、シリコン酸化膜である。次に、マスク材上にリソグラフィー法によりフォトレジスト膜を第１の識別パターン１１０に対応するパターンにパターニングする。
【００８８】
次に、マスク材を、フォトレジスト膜をマスクにＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）でパターニングする。次に、フォトレジスト膜を剥離する。
【００８９】
次に、半導体層１０を、マスク材をマスクにＲＩＥでエッチングし、凹部１５を形成する。次に、マスク材をマスクに半導体層１０にｐ型不純物をイオン注入して、凹部１５の下の半導体層１０にｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂを形成する。
【００９０】
次に、マスク材を剥離し、熱酸化によりベース酸化膜１２を形成する。半導体層１０表面及びベース酸化膜１２の上面に、凹凸が形成される。
【００９１】
なお、ｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂにかえてｎ型不純物を含むｎ型のＳｉＣ領域（ｎ型不純物領域）を適用することも可能である。また、ｐ型のＳｉＣ領域１１０ｂにかえて非晶質のＳｉＣ領域（非晶質領域）や、多結晶質のＳｉＣ領域（多結晶質領域）を適用することも可能である。
【００９２】
また、本実施形態では、半導体層１０表面に凹部１５を形成し、第２の識別マーク１２０に用いる場合を例に説明したが、例えば、半導体層１０表面に凹部１５を設けず、イオン注入のマスクとして用いたマスク材を剥離せずに残し、マスク材の凹凸を第２の識別マーク１２０用いることも可能である。
【００９３】
本実施形態の半導体装置によれば、第１の実施形態同様、結晶欠陥を原因として信頼性不良を生じ得る半導体チップを不良品として選別することが可能となる。よって、信頼性不良の低減を可能とする半導体装置を提供することが可能となる。
【００９４】
また、第１の識別マーク１１０と第２の識別マーク１２０とが平面的に同じ位置に設けられる。このため、第１の識別マーク１１０と第２の識別マーク１２０とを設けるために必要な面積を削減できる。また、第１の識別マーク１１０と第２の識別マーク１２０の形成が容易となる。
【００９５】
第１乃至第３の実施形態では、第１の識別マーク１１０及び第２の識別マーク１２０を、終端領域１００ｂとダイシング領域１００ｃとの間に設ける場合を例に説明したが、第１の識別マーク１１０及び第２の識別マーク１２０を、ダイシング領域１００ｃに設けることも可能である。この形態は、半導体チップ内に、第１の識別マーク１１０及び第２の識別マーク１２０を設けるスペースが確保できない場合に有効である。
【００９６】
第１乃至第３の実施形態では、ＰＩＮダイオードを例に説明したが、ショットキーバリアダイオード、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｕｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等、その他のデバイスにも本発明を適用することが可能である。
【００９７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換え又は変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９８】
１０      半導体層
１２      ベース酸化膜（第１の絶縁膜）
１４      層間絶縁膜（第２の絶縁膜）
１００    ＰＩＮダイオード（半導体装置）
１００ａ  素子領域
１００ｂ  終端領域
１００ｃ  ダイシング領域
１１０    第１の識別マーク
１１０ａ  非晶質のＳｉＣ領域（非晶質領域）
１１０ｂ  ｐ型のＳｉＣ領域（ｐ型不純物領域）
１２０    第２の識別マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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