(57)【要約】【課題】実施形態に係るナノインプリントリソグラフィ用微細パターンの形成方法は、露光されたレジスト層を有する基板を現像室内に搬入する工程と、前記現像室内に現像液を注入して、前記基板の前記レジスト層に前記現像液を接触させる工程と、前記現像室内の現像液を加圧する工程と、を備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光されたレジスト層を有する基板を現像室内に搬入する工程と、
前記現像室内に現像液を注入して、前記基板の前記レジスト層に前記現像液を接触させる工程と、
前記現像室内の現像液を加圧する工程と、
を具備するナノインプリントリソグラフィ用微細パターンの形成方法。
【請求項２】
前記接触する工程において、前記基板が前記現像液に浸漬され、
前記加圧する工程において、前記現像室内の容積を低減することによって、前記現像液が加圧される
請求項１記載のナノインプリントリソグラフィ用微細パターンの形成方法。
【請求項３】
前記接触する工程において、前記基板上に前記現像液の層が形成され、
前記加圧する工程において、前記現像室内にガスを注入することによって、前記現像液が加圧される
請求項１記載のナノインプリントリソグラフィ用微細パターンの形成方法。
【請求項４】
前記加圧する工程において、前記現像液を８［ａｔｍ］以上に加圧する
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のナノインプリントリソグラフィ用微細パターンの形成方法。
【請求項５】
前記露光されたレジスト上に、フッ素化合物が点在し、
前記接触させる工程において、前記フッ素化合物上に気泡が発生し、
前記加圧する工程において、前記気泡の大きさが低減する、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のナノインプリントリソグラフィ用微細パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ナノインプリントリソグラフィ用微細パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の集積度の増加に伴い、その寸法、配線やゲートなどの幅が微細化されている。
こうした微細パターンを形成する技術として、ナノインプリントリソグラフィ（Ｎａｎｏｉｍｐｒｉｎｔ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ；ＮＩＬ）が注目されている。この技術では、ナノスケールの微細パターンを有するテンプレート（モールド）を基板上に形成されたレジストに押しつけることで、テンプレートの微細パターンをレジストに転写する。
テンプレートのパターンは、従来のＡｒＦリソグラフィと比較して、微細であるため、その僅かな欠陥が、製作される半導体装置の不具合の原因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１２３８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、欠陥の低減を図ったナノインプリントリソグラフィ用微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係るナノインプリントリソグラフィ用微細パターンの形成方法は、露光されたレジスト層を有する基板を現像室内に搬入する工程と、前記現像室内に現像液を注入して、前記基板の前記レジスト層に前記現像液を接触させる工程と、前記現像室内の現像液を加圧する工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】ＮＩＬ用テンプレートの製造方法の概略を表すフロー図である。
【図２】図１の製造工程中のテンプレート基板を表す断面図である。
【図３】現像工程中のテンプレート基板を表す断面図である。
【図４】現像工程中のテンプレート基板を表す断面図である。
【図５】アッシング後、現像工程中のテンプレート基板を表す断面図である。
【図６】現像工程の一例を表すフロー図である。
【図７】図６の現像工程を実施可能な現像装置の一例を表す模式図である。
【図８】図６の現像工程を実施可能な現像装置の一例を表す模式図である。
【図９】現像処理中の現像装置の状態の一例を表す模式図である。
【図１０】現像処理中の現像装置の状態の一例を表す模式図である。
【図１１】現像工程中のテンプレート基板を表す断面図である。
【図１２】気泡を拡大して表す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図１は、本実施形態に係るＮＩＬ（ナノインプリントリソグラフィ）用テンプレートの製造方法の概略を表すフロー図である。
図２は、ＮＩＬ用テンプレートの製造に用いられるテンプレート基板を表す断面図である。
【０００８】
（１）テンプレート基板１０の用意（ステップＳ１１、図２（ａ））
テンプレート基板１０を用意する。テンプレート基板１０は、基板本体１１上に、マスク層１２，レジスト層１３が順に積層されている。
基板本体１１は、テンプレート（モールド）の構成材料であり、例えば、紫外光を透過する石英を用いることができる。テンプレートをこのような材料で作ることにより、ナノインプリントリソグラフィにおいて、テンプレート側から光を照射可能となる。
マスク層１２は，基板本体１１をエッチングするときのマスクを構成し、例えば、酸化クロムや窒化クロムなどを用いることができる。
レジスト層１３は、マスク層１２をエッチングするときのマスクを構成し、例えば、ポジ型またはネガ型の有機材料を用いることができる。
【０００９】
（２）レジストの露光（ステップＳ１２、図２（ｂ））
レジスト層１３を露光する。電子ビーム露光装置によって、テンプレート基板１０に電子ビームをパターン状に照射する。この結果、レジスト層１３の電子ビームが照射された箇所に、パターン潜像１３ａが形成される。
【００１０】
（３）レジストの現像（ステップＳ１３、図２（ｃ））
レジスト層１３を現像する。テンプレート基板１０を現像液で現像し、レジスト層１３をパターニングする。現像によって、レジスト層１３のパターン潜像１３ａ部分が除去される。この例では、ポジ型のレジストを用い、電子ビームの照射箇所が除去されているが、ネガ型のレジストを用い、電子ビームの照射箇所が存置されても良い。
後述のように、この現像工程において、現像液が加圧され、その結果、欠陥の少ないテンプレートを作成できる。
【００１１】
（４）マスク層のエッチング（ステップＳ１４、図２（ｄ））
パターニングされたレジスト層１３をマスクとして用い、例えば、反応性ガスによって、マスク層１２をエッチングする。このエッチングによって、マスク層１２がパターニングされる。なお、エッチングの結果、レジスト層１３は薄くなる。
【００１２】
（５）基板本体のエッチング（ステップＳ１５、図２（ｅ）、（ｆ））
レジスト層１３を除去し、パターニングされたマスク層１２をマスクとして用い、例えば、反応性ガスによって、基板本体１１をエッチングする。この反応性ガスは、エッチングの対象が異なることから、ステップＳ１４での反応性ガスと異なる。このエッチングによって、基板本体１１がパターニングされる（図２（ｅ）参照）。
その後、マスク層１２を除去することによって、ＮＩＬ用テンプレートが形成される（図２（ｆ）参照）。
【００１３】
ＮＩＬ用テンプレートは、次のように、半導体装置の製造に用いられる。すなわち、ＮＩＬ用テンプレートを半導体基板上に塗布されたレジストに接触させる。これにより、テンプレートのパターンをレジストに転写できる。
【００１４】
テンプレートと半導体基板とを、レジストに凹部が対向するようにして重ね合わせ、テンプレートをレジストに密着させる。すると、レジストは、テンプレートの表面の凹凸に対応する形状となる。
【００１５】
次いで、テンプレートと半導体基板とが密着した状態で、テンプレートを介してレジストに紫外線を照射してレジストを硬化させる。
【００１６】
その後、テンプレートを取り去ると、半導体基板上のレジストが、テンプレートの凹部に嵌合するパターン形状に加工されている。すなわち、テンプレートを用いたＮＩＬ技術によって、レジストパターンが形成される。
【００１７】
このように、パターン化されたレジストを用いて、基板をエッチング等することで、半導体装置を作成できる。
【００１８】
ここでは、ＮＩＬ用テンプレートを用いて、半導体基板上のレジストをパターニングし、半導体装置用を製造している。
これに対して、ＮＩＬ用テンプレートを用いて、マスク基板を製造しても良い。この場合、このマスク基板を用いて、半導体基板上のレジストをパターニングし、半導体装置用を製造することができる。
このように、ＮＩＬ用テンプレートは、半導体装置製造用の型として、直接、または間接に用いることができる。
【００１９】
（比較例）
以下、本実施形態の比較例を説明する。
この比較例では、レジストの現像時において、加圧を行わない。このような場合、現像したレジストに欠陥が発生し易く、調査の結果、この欠陥の箇所に、フッ素化合物が存在していることが見出された。この調査の結果からすると、欠陥の発生メカニズムは、次のようなものと考えられる。
【００２０】
フッ素化合物は、次のように、電子ビーム描画装置に起因する可能性がある。すなわち、電子ビーム描画装置の真空描画室内には、摺動部やシール部の潤滑のために、フォンブリンオイルなどの真空オイルが用いられる。
フォンブリンは、炭素、フッ素、酸素の３原子よりなる完全フッ素化油であり、また安定な炭素−フッ素結合を有することから、化学的に極めて安定、不活性である。このため、フォンブリンオイルは、真空中での潤滑等のための真空オイルとして用いられる。
【００２１】
しかしながら、真空オイル（フォンブリンオイル等のフッ素化合物）は、極めて小さいが蒸気圧を有し、従って、ごく僅かではあるが揮発する。この僅かな揮発成分がレジスト層１３の表面に付着し、レジストのパタン欠陥を誘発すると考えられる。
【００２２】
すなわち、図３（ａ）に示すように、露光後のテンプレート基板１０上に、フッ素化合物Ｃが点在している。この例では、判り易さのために、パターン潜像１３ａ上にのみ、フッ素化合物Ｃが配置された状態を表している。実際には、フッ素化合物Ｃは、レジスト層１３上にランダムに配置される。ここでは、狭いパターン幅Ｗ上に配置されるフッ素化合物Ｃが欠陥の主たる原因と考えられるため、パターン潜像１３ａ上にのみ、フッ素化合物Ｃが配置された状態を表している。
【００２３】
描画後、レジスト層１３の現像工程で、パタン欠陥が生じる。フッ素化合物Ｃは撥水性が高いため、フッ素化合物Ｃの近傍で、現像液Ｌ１が弾かれ、レジスト層１３と接触せず、現像が進まない（図３（ｂ）。現像液は、通常、アルカリ性の水溶液であるため、フッ素化合物Ｃによって弾かれる。
この結果、フッ素化合物Ｃが、パターン潜像１３ａ上にあるとき、そのパターン潜像１３ａは現像されずに残り、欠陥となる（図３（ｃ）参照）。
【００２４】
ここで、パターン幅Ｗが大きければ、パターン潜像１３ａ上にフッ素化合物Ｃが存在しても、欠陥は発生し難い。
例えば、ＡｒＦリソグラフィ用等従来のマスクでは、ＮＩＬテンプレートのパターン幅Ｗの４倍のパターン幅Ｗ１（＝４Ｗ）を有する。この場合、このパターン幅Ｗ１（＝４Ｗ）に対して、フッ素化合物Ｃの気泡Ｂが小さい（図４（ａ）、（ｂ）参照）。この結果、気泡Ｂの周辺から現像液がレジスト内に浸透するため、パターン潜像１３ａは現像される（図４（ｃ）参照）。
【００２５】
これに対して、ＮＩＬテンプレートでは、パターン幅Ｗが小さく、僅かなフッ素化合物Ｃに起因してレジストパターンの欠陥が発生する。このため、ＮＩＬテンプレート作成の歩留まりやパタンの品質が劣化するおそれがある。
従来のマスク製造が縮小露光を前提としているのに対して、既述のように、ＮＩＬテンプレートは等倍での転写である。すなわち、パターン幅Ｗは、半導体基板上のパターン幅と同一寸法となり、非常に小さい。この結果、気泡Ｂの直径ｄがパタンサイズ（パターン幅Ｗ）を超え、欠陥の原因となり易い。
【００２６】
ここで、プラズマアッシング等によって、テンプレート基板１０上のフッ素化合物Ｃを除去することが考えられる。すなわち、レジストの現像前にアッシングを実行し、レジスト層１３の表面を削り、フッ素化合物Ｃをレジストごと除去する（図５（ａ）〜図５（ｄ）参照）。
【００２７】
このように、アッシングを行うことで、フッ素化合物Ｃを低減し、欠陥の個数を低減できる。アッシングを行わない場合（図３（ａ）〜図３（ｃ））に比べて、欠陥の個数が低減する。すなわち、アッシングによって、図５（ａ）の左側のフッ素化合物Ｃが除去され（図５（ｂ）参照）、その結果、欠陥の個数が低減している。
【００２８】
但し、プラズマアッシングには、次のような制約がある。
・工程が増えプロセス時間（工程時間（ＴＡＴ：Ｔｕｒｎ  Ａｒｏｕｎｄ  Ｔｉｍｅ））が長くなる。
・アッシングによってレジスト層１３のラフネスが劣化し、パターン欠陥が発生し易くなる。
・アッシングによってレジスト層１３の厚さが低減するため（図５（ａ）、（ｂ）参照）、それを考慮して、レジスト層１３を形成する必要がある（次のエッチングエ程に備えてある程度の膜厚を確保する必要がある）。
プラズマアッシングを用いる場合、これらの制約を考慮して、製造プロセス全体を設計する必要があり、更なる微細化がし難くなる。
【００２９】
（本実施形態におけるレジストの現像の詳細）
既述のように、本実施形態では、レジストの現像中に加圧することで、レジストパターンの欠陥を低減できる。
図６は、本実施形態に係る現像工程を表すフロー図である。
図７、図８はそれぞれ、図６の現像工程を実行できる現像装置の一例である。
図９、図１０はそれぞれ、現像処理中の現像装置２０、２０ａの状態を表す模式図である。
図１１は、現像工程中のテンプレート基板１０を表す断面図である。
【００３０】
図７に示す現像装置２０は、いわゆるディップ方式での現像に用いられ、現像室２１、現像液供給部２２、制御部２３を有する。
現像室２１は、テンプレート基板１０を搬入、搬出可能であると共に、密閉可能である。
現像室２１は、ホルダ３１，固定壁３２，可動壁３３，可動壁駆動機構３４，現像液供給口３５、リンス液供給口３６，乾燥用ガス供給口３７，排出口３８、を有する。ここでは、判り易さのために、テンプレート基板１０を搬入、搬出する機構の記載は省略している。
【００３１】
ホルダ３１は、現像室２１内の支柱３１ａ上に保持され、テンプレート基板１０を載置、固定する。ホルダ３１は、テンプレート基板１０を載置した状態で、支柱３１ａを回転中心として、回転可能である。判り易さのために、テンプレート基板１０を固定するための機構およびホルダ３１を回転するための機構（回転機構）の記載は省略する。
【００３２】
固定壁３２，可動壁３３は、現像室２１の内部空間を画定する。可動壁３３は、固定壁３２に対して移動可能である。可動壁３３を移動することによって、現像室２１の内部空間の容積を調節し、現像液Ｌ１を加圧できる。
ここでは、可動壁３３は現像室２１の上面に配置され、図面の上下方向に可動壁３３が移動可能としている。但し、可動壁３３の配置および移動方向は、適宜に変更できる。
可動壁駆動機構３４は、可動壁３３を移動して、現像室２１の内部空間の容積を調節するための駆動部である。
【００３３】
現像液供給口３５、リンス液供給口３６，乾燥用ガス供給口３７はそれぞれ、現像室２１内に現像液Ｌ１，リンス液Ｌ２，乾燥用ガスＧを供給する供給口であり、現像室２１内を密閉するため、開閉可能な適宜のバルブを有する。
リンス液供給機構（図示せず）からリンス液供給口３６にリンス液Ｌ２（例えば、純水）が供給される。また、乾燥用ガス供給機構（図示せず）から乾燥用ガス供給口３７に乾燥用ガスＧ（乾燥した不活性ガス（アルゴン等の希ガスや窒素ガス））が供給される。
ここで、現像液供給口３５、リンス液供給口３６，乾燥用ガス供給口３７は、可動壁３３に取り付けられているが、固定壁３２に取り付けられても良い。
【００３４】
排出口３８は、現像室２１内から現像液Ｌ１，リンス液Ｌ２，乾燥用ガスＧを排出するものであり、現像室２１内を密閉するため、開閉可能な適宜のバルブを有する。
【００３５】
現像液供給部２２は、現像液タンク４１，温度調節器４２，現像液供給機構４３を有する。
現像液タンク４１は、現像液Ｌ１を保持するタンクである。
温度調節器４２は、現像液Ｌ１の温度を調節するための加熱、冷却機構である。現像時に現像液を適正な温度に保持するためである。
【００３６】
現像液供給機構４３は、適宜の手段により、現像液タンク４１中の現像液Ｌ１を、現像液供給口３５を通じて、現像室２１内に供給する。この供給には、例えば、ポンプ機構を用いることができる。
【００３７】
制御部２３は、現像室２１内への現像液Ｌ１，リンス液Ｌ２，乾燥用ガスＧの供給、排出、現像液Ｌ１の加圧および温度（温度調節器４２）を制御する。
【００３８】
図８に示す現像装置２０ａは、いわゆるパドル方式での現像に用いられ、現像室２１ａ、現像液供給部２２、制御部２３ａを有する。
現像室２１ａは、テンプレート基板１０を搬入、搬出可能であると共に、密閉可能である。
【００３９】
現像室２１ａは、ホルダ３１，固定壁３２ａ，加圧ガス供給部３９，現像液供給口３５、リンス液供給口３６，乾燥用ガス供給口３７，排出口３８を有する。すなわち、現像装置２０ａの現像室２１ａは、現像装置２０の現像室２１と異なり、全面が固定壁３２ａであり、可動壁３３および可動壁駆動機構３４を有せず、その代わりに、加圧ガス供給部３９を有する。
【００４０】
加圧ガス供給部３９は、加圧された不活性ガスＧ１（例えば、アルゴン等の希ガスや窒素ガス）を現像室２１ａ内に供給する。この結果、現像装置２０ａは、後述のように、加圧された不活性ガスＧ１によって、現像液Ｌ１を間接的に加圧する。
これに対して、現像装置２０では、可動壁３３を駆動することによって、現像液Ｌ１を直接的に加圧する。
【００４１】
制御部２３ａは、現像室２１ａ内への現像液Ｌ１，リンス液Ｌ２，乾燥用ガスＧの供給、排出、現像液Ｌ１の加圧および温度（温度調節器４２）を制御する。
【００４２】
以下、現像工程の詳細を説明する。
（１）基板のロード（ステップＳ２１）
現像室２１（または現像室２１ａ）内に、テンプレート基板１０を搬入し、ホルダ３１上に保持する。
【００４３】
（２）現像液の吐出（ステップＳ２２、図９（ａ）、図１０（ａ）、図１１（ａ））
現像室２１（または現像室２１ａ）内に、現像液Ｌ１を供給する。このとき、供給される現像液Ｌ１の温度は、温度調節器４２によって、適宜に調節される。
ここで、現像室２１の場合、現像室２１内が現像液Ｌ１でほぼ満たされ、テンプレート基板１０は現像液Ｌ１に浸漬された状態となる（図９（ａ））。
これに対して、現像室２１ａの場合、現像液Ｌ１はテンプレート基板１０上のみに、盛られた状態となる（図１０（ａ））。この場合、現像液Ｌ１の供給量は少なくて済む一方、現像時に現像液Ｌ１の状態（組成、温度等）が変化し易くなる。すなわち、供給される現像液Ｌ１の量および温度は、このような現像液Ｌ１の状態の変化を考慮したものであることが好ましい。
【００４４】
このとき、いずれにしても、図１１（ａ）に示すように、テンプレート基板１０のレジスト層１３上は現像液Ｌ１に覆われる。そして、レジスト層１３上、フッ素化合物Ｃの近傍に気泡Ｂが生じ、この気泡Ｂ内ではレジスト層１３と現像液Ｌ１が接触していない。
【００４５】
（３）現像液の加圧（ステップＳ２３，２３ａ、図９（ｂ）、図１０（ｂ）、図１１（ｂ））
現像液Ｌ１を加圧する。現像室２１の場合、可動壁３３を駆動し、現像室２１の内容積を低減することで、現像液Ｌ１を加圧する（図９（ｂ）参照）。現像室２１ａの場合、加圧ガス供給部３９から加圧された不活性ガスを現像室２１ａ内に供給することで、現像液Ｌ１を加圧する（図１０（ｂ）参照）。
現像液Ｌ１を加圧した状態は、規定した現像時間ｔ１０の間続行し、レジスト層１３が現像される。
【００４６】
このとき、現像液の吐出と加圧の間に時間を置かないことが好ましい。現像液の吐出から加圧までに時間が経過すると、気泡Ｂの無い箇所の現像が進み過ぎて好ましくない。この観点から、例えば、総現像時間ｔ１１の１０％未満程度の時間内に、吐出と加圧を切り替えることが好ましい。なお、総現像時間ｔ１１は、現像液Ｌ１の吐出から後述の排出に至るまでの時間である。
【００４７】
図１１（ｂ）に示すように、現像液Ｌ１を加圧することで、気泡Ｂの直径が小さくなる。この結果、パターン潜像１３ａの幅Ｗの一部は現像液Ｌ１と接触し、パターン潜像１３ａの現像が進む。
後述のように、このときの圧力は、８［ａｔｍ］以上であることが好ましい。
【００４８】
（４）現像液の減圧・排出（ステップＳ２４、Ｓ２５、図９（ｃ）、図１０（ｃ）、図１１（ｃ））
規定した現像時間ｔ１０が経過したら、現像液Ｌ１を減圧し、現像室２１（または現像室２１ａ）から排出する。
このとき、ステップＳ２３，２３ａと同様、現像液Ｌ１の減圧と排出の間に時間を置かないことが好ましい。例えば、総現像時間ｔ１１の１０％未満程度の時間内に、減圧と排出を切り替えることが好ましい。
図１１（ｃ）に示すように、現像液Ｌ１の減圧時には、フッ素化合物Ｃが存在する（あるいは現像前に存在していた）箇所でもパターン潜像１３ａが現像されている。
【００４９】
（５）基板のリンス（ステップＳ２６，２６ａ）
リンス液供給口３６からリンス液（例えば、純水）を供給し、テンプレート基板１０をリンスする。このリンスは、規定したリンス時間ｔ２０の間続行する。
【００５０】
（６）基板の乾燥（ステップＳ２７，２７ａ）
乾燥用ガス供給口３７から乾燥用ガス（例えば、不活性ガス）を供給し、既述の回転機構でテンプレート基板１０（ホルダ３１）を回転させることによって、テンプレート基板１０を乾燥する。この乾燥は、規定した乾燥時間ｔ３０の間続行する。
【００５１】
（７）基板のアンロード（ステップＳ２８）
ホルダ３１上に保持されたテンプレート基板１０を現像室２１（または現像室２１ａ）内から取り出す。
【００５２】
以下、圧力について考察する。
気泡Ｂを半球として近似すると、その直径ｄ、体積Ｖに、次の式（１）の関係がある。
Ｖ＝πｄ３／１２                        ……  （１）
ｄ：気泡Ｂの直径
Ｖ：気泡Ｂの体積
【００５３】
また、気泡Ｂ中の気体の状態方程式は、次の式（２）で表される。
Ｐ＝ｎＲＴ／Ｖ＝１２ｎＲＴ／（πｄ３）        ……  （２）
Ｒ：気体定数
Ｐ：気泡Ｂ中の気体の圧力
Ｔ：気泡Ｂ中の気体の温度
ｎ：気泡Ｂ中の気体のモル数
【００５４】
ここで、経験上、マスクパタン（パターン幅Ｗ１＝４Ｗ）では、フッ素化合物Ｃによるパターンのエッジラフネスの低下は実質的に見られない。このため、気泡Ｂの直径ｄ０は２Ｗ程度と考えられる。また、加圧していないことから、このときの圧力Ｐ０は、大気圧（約１［ａｔｍ］）である。
【００５５】
ＮＩＬパタンで、この気泡Ｂの影響が事実上現れないようにするには、直径ｄ１がＷ未満となる圧力Ｐｌ（＞Ｐ０）を現像液Ｌ１に印加すれば良い。
加圧前後で温度Ｔが同一とすると、圧力Ｐ１，Ｐ０，直径ｄ１、ｄ０は次の式（３）で表される。
Ｐ０＝１２ｎＲＴ／（πｄ０３）
Ｐ１＝１２ｎＲＴ／（πｄ１３）        ……  （３）
【００５６】
一方、ｄ１＜ｄ０／２の関係により、次の式（４）が導かれる。
Ｐ１＝１２ｎＲＴ／（πｄ１３）＞１２ｎＲＴ／［π（ｄ０／２）３］＝８Ｐ０
……  （４）
以上から、現像液Ｌ１に８Ｐ０（約８［ａｔｍ］）より大きい圧力Ｐ１（事実上、８［ａｔｍ］以上）を加えれば良いことが判る。
【００５７】
以上のように、本実施形態によれば、次のような利点を享受できる。
・フッ素化合物による現像液の撥水現象を抑制し、現像ムラに起因する欠陥を低減できる。
・アッシングが不要なので工程を短縮でき、工程時間（ＴＡＴ：Ｔｕｒｎ  Ａｒｏｕｎｄ  Ｔｉｍｅ）の増加を抑制できる。
また、アッシングに起因するエッジラフネスの劣化がなくなる。
・アッシングによるレジスト層の厚さの低減が無い。このため、その厚さの低減分だけレジスト層を薄くでき、更なる寸法の微細化が容易となる。
【００５８】
（その他の実施形態）
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、上記実施形態は、例示であり、本発明を上記実施形態に限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施することが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。
【符号の説明】
【００５９】
１０…テンプレート基板、１１…基板本体、１２…マスク層、１３…レジスト層、１３ａ…パターン潜像、２０，２０ａ…現像装置、２１，２１ａ…現像室、２２…現像液供給部、２３，２３ａ…制御部、３１…ホルダ、３１ａ…支柱、３２，３２ａ…固定壁、３３…可動壁、３４…可動壁駆動機構、３５…現像液供給口、３６…リンス液供給口、３７…乾燥用ガス供給口、３８…排出口、３９…加圧ガス供給部、４１…現像液タンク、４２…温度調節器、４３…現像液供給機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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