(57)【要約】【課題】塩化水素を含有するにも関わらず、塩化銀を主成分とする残渣の発生を抑制しつつ、より速いスピードで銀含有材料をエッチングすることができ、かつ、膜腹の細りが少ない細線を形成することが可能な銀含有材料用エッチング液組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）硝酸０．１〜１０質量％、（Ｂ）硫酸０．１〜２０質量％、（Ｃ）塩化水素１３〜３０質量％、及び水を含有し、比重が１．１０〜１．１５であり、ｐＨが１未満である銀含有材料用エッチング液組成物である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）硝酸０．１〜１０質量％、
（Ｂ）硫酸０．１〜２０質量％、
（Ｃ）塩化水素１３〜３０質量％、及び水を含有し、
比重が１．１０〜１．１５であり、ｐＨが１未満である銀含有材料用エッチング液組成物。
【請求項２】
さらに（Ｄ）塩化物塩０．１〜１０質量％を含有する請求項１に記載の銀含有材料用エッチング液組成物。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の銀含有材料用エッチング液組成物を用いて基体上の銀含有材料をエッチングする工程を有するエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀含有材料をエッチングするために用いる銀含有材料用エッチング液組成物、及びそれを用いたエッチング方法に関する。さらに詳しくは、微細パターンの回路配線を形状不良なく良好にエッチングしうる銀含有材料用エッチング液組成物、及びそれを用いたエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に回路を形成したプリント配線板（又はフィルム）が、電子部品や半導体素子等を実装するために広く用いられている。これらのプリント配線板等に用いられる配線には銅を用いたものが多いが、銀を用いた配線についても活発に検討されている。そして、近年の電子機器の小型化や高機能化の要求に伴い、プリント配線板等に対しては薄型化や回路配線の高密度化が望まれている。高密度な回路配線をウェットエッチングで形成する方法としては、サブトラクティブ法やセミアディティブ法と呼ばれる方法がある。
【０００３】
微細パターンの回路配線を形成するためには、エッチング部分の残膜がないこと、上部からみた回路配線の側面が直線となること、回路配線の断面が矩形となること、高いエッチングファクターを示すこと、早いスピードでエッチングが完了すること、及び基板や周辺の部材へのダメージがないことが理想である。
【０００４】
銀をエッチングするために用いられるエッチング液について、これまでに多数報告されている。例えば、特許文献１には、銀を主成分とする金属薄膜をエッチングするために用いられる、リン酸、硝酸、酢酸、及び水を配合したエッチング液組成物が開示されている。また、特許文献２には、ヨウ素とヨウ化物を水性媒体中に含有させた銀系薄膜用エッチング液が開示されている。さらに、特許文献３には、硫酸第２鉄を有効成分として含有する酸性水溶液からなる銀薄膜用エッチング液が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１７６１１５号公報
【特許文献２】特開２００３−２１３４６０号公報
【特許文献３】特開平１０−０６０６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の銀含有材料用のエッチング液組成物を用いた場合、いずれもエッチングスピードが遅いことや、配線の腹部に大きな細りが発生する場合が多いことが課題となっていた。銅のエッチング液組成物の場合、エッチングスピードを向上させる目的で塩酸（塩化水素）を使用することがある。しかしながら、多くの文献等に記載されているように、銀は塩酸と反応して沈殿物である塩化銀を形成することが知られている。このため、塩酸を含有するエッチング液を用いて銀含有材料をエッチングして細線をパターニングすると、塩化銀を主成分とする残渣が細線の間に残ってしまうという問題があった。したがって、銀含有材料をエッチングするエッチング液の構成成分として塩酸が積極的に採用されることはなかった。
【０００７】
したがって、本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、その課題とするところは、塩化水素を含有するにも関わらず、塩化銀を主成分とする残渣の発生を抑制しつつ、より速いスピードで銀含有材料をエッチングすることができ、かつ、膜腹の細りが少ない細線を形成することが可能な銀含有材料用エッチング液組成物を提供することにある。また、本発明の課題とするところは、上記銀含有材料用エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記問題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の成分を含有させるとともに、比重及びｐＨを所定の範囲としたエッチング液組成物が上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明によれば、（Ａ）硝酸０．１〜１０質量％、（Ｂ）硫酸０．１〜２０質量％、（Ｃ）塩化水素１３〜３０質量％、及び水を含有し、比重が１．１０〜１．１５であり、ｐＨが１未満である銀含有材料用エッチング液組成物が提供される。
【００１０】
本発明においては、さらに（Ｄ）塩化物塩０．１〜１０質量％を含有することが好ましい。
【００１１】
また、本発明によれば、上記の銀含有材料用エッチング液組成物を用いて基体上の銀含有材料をエッチングする工程を有するエッチング方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、塩化水素を含有するにも関わらず、塩化銀を主成分とする残渣の発生を抑制しつつ、より速いスピードで銀含有材料をエッチングすることができ、かつ、膜腹の細りが少ない細線を形成することが可能な銀含有材料用エッチング液組成物を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について具体的に説明する。本明細書における「エッチング」とは、化学薬品などの腐食作用を利用した塑形又は表面加工の技法を意味する。本発明の銀含有材料用エッチング液組成物の具体的な用途としては、例えば、除去剤、表面平滑化剤、表面粗化剤、パターン形成用薬剤、基体に微量付着した成分の洗浄液などを挙げることができる。本発明の銀含有材料用エッチング液は、銀を含有する層の除去速度が速いことから除去剤として好適に用いることができる。また、３次元構造を有する微細な形状のパターンの形成に用いると、矩形などの所望の形状のパターンを得ることができるため、パターン形成用薬剤としても好適に用いることができる。
【００１４】
本明細書における「（銀含有材料用）エッチング液組成物の比重」とは、一般的な比重の測定方法により測定したエッチング液の比重を意味する。より具体的には、圧力１０１，３２５Ｐａの条件下における４℃の水の質量に対する、この水と同体積の１５℃のエッチング液組成物の質量の比（エッチング液組成物の質量／水の質量）の値を意味する。比重の測定方法としては、例えば、浮秤などの比重計を用いる方法や、固有振動周期測定方式の振動式密度比重測定用装置（例えば、商品名「ＤＡ−６５０」（京都電子社製）など）を用いる方法を挙げることができる。
【００１５】
本発明の銀含有材料用エッチング液組成物（以下、単に「エッチング液組成物」とも記す）は、（Ａ）硝酸０．１〜１０質量％、（Ｂ）硫酸０．１〜２０質量％、（Ｃ）塩化水素１３〜３０質量％、及び水を含有し、比重が１．１０〜１．１５であり、ｐＨが１未満である。
【００１６】
本発明のエッチング液組成物中の（Ａ）硝酸（以下、「（Ａ）成分」とも記す）の濃度は、０．１〜１０．０質量％である。（Ａ）成分の濃度が０．１質量％未満であると、エッチング速度が著しく遅くなる。一方、（Ａ）成分の濃度が１０．０質量％超であると、エッチング速度が速くなりすぎてしまい、エッチング速度を制御することが困難になる。（Ａ）成分の濃度が０．５〜５質量％であると、エッチング速度が制御可能な範囲で速いことから好ましい。
【００１７】
本発明のエッチング液組成物中の（Ｂ）硫酸（以下、「（Ｂ）成分」とも記す）の濃度は、０．１〜２０質量％である。（Ｂ）成分の濃度が０．１質量％未満であると、エッチング速度が著しく遅くなる。一方、（Ｂ）成分の濃度が２０質量％超であると、エッチング速度が速くなりすぎてしまい、エッチング速度を制御することが困難になる。（Ｂ）成分の濃度が０．１〜１５質量％であると、エッチング速度が速いために好ましい。
【００１８】
本発明のエッチング液組成物中の（Ｃ）塩化水素（以下、「（Ｃ）成分」とも記す）の濃度は、１３〜３０質量％である。（Ｃ）成分の濃度が１３質量％未満であると、エッチング時に塩化銀の沈殿物が発生する。一方、（Ｃ）成分の濃度が３０質量％超であると、基材や周辺部材の変色、基材や周辺部材表面の粗化、及び基材や周辺部材表面からの金属成分の溶出等が発生する。（Ｃ）成分の濃度が１５〜３０質量％であると、塩化銀の沈殿物がほとんど発生しないために好ましい。
【００１９】
本発明のエッチング液組成物の比重は、１．１０〜１．１５である。エッチング液組成物の比重が１．１０未満又は１．１５超であると、塩化銀の沈殿物が発生する。本発明のエッチング液組成物には、比重を上記の範囲とするために、水溶性有機化合物や水溶性金属塩などを比重調整剤として添加することができる。但し、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び水のみで比重を１．１０〜１．１５の範囲とすること、又は後述する（Ｄ）成分を用いる場合には（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分、及び水のみで比重を１．１０〜１．１５の範囲とすることが好ましい。エッチング液組成物の比重は、１．１０〜１．１２であることがさらに好ましい。エッチング液組成物の比重を上記の範囲とすることで、エッチング速度が特に速くなるともに、配線上部の幅と、配線下部の幅との差が特に小さい細線を形成することができる。
【００２０】
本発明のエッチング液組成物のｐＨは１未満である。エッチング液組成物のｐＨが１以上であると、銀含有材料をエッチングできない場合や、塩化銀の沈殿物が発生する場合がある。本発明のエッチング液組成物は、（Ａ）〜（Ｃ）成分及び水、上記比重の範囲、並びに上記ｐＨの範囲を組み合わせてはじめて所期の効果を奏する。
【００２１】
本発明のエッチング液組成物には、さらに（Ｄ）塩化物塩（以下、「（Ｄ）成分」とも記す）を含有させることが好ましい。（Ｄ）成分をさらに含有させることで、膜腹の細りを抑制する効果をさらに向上させることができる。エッチング液組成物中の（Ｄ）成分の濃度は、０．１〜１０質量％であることが好ましく、０．１〜５質量％であることがさらに好ましい。塩化物塩の種類は特に限定されず、水溶液中で塩化物イオンを供給しうるものであればよい。塩化物塩としては、例えば、塩化ナトリウム、塩化カリウム等のアルカリ金属の塩化物塩；塩化カルシウム、塩化マグネシウム等のアルカリ土類金属の塩化物塩；塩化アンモニウム、塩化アルミニウム、塩化チタンなどを挙げることができる。これらのなかでも、塩化ナトリウムを（Ｄ）成分として好適に使用することができる。
【００２２】
本発明のエッチング液組成物に含有される上記成分以外の成分は水である。すなわち、本発明のエッチング液組成物は、上記成分を必要量含有する水溶液である。本発明のエッチング液組成物は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び水からなる水溶液であり、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分、及び水からなる水溶液であることがさらに好ましい。
【００２３】
本発明のエッチング液組成物には、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分、及び水以外の成分として、本発明の効果を阻害することのない範囲で、周知の添加剤を含有させることができる。添加剤としては、還元剤、界面活性剤、エッチング液組成物の安定化剤、各成分の可溶化剤、消泡剤、比重調整剤、粘度調整剤、濡れ性改善剤、酸化剤、ポリアルキレングリコール化合物、有機酸、アミノ酸類化合物、アゾール類化合物、ピリミジン類化合物、チオ尿素類化合物、アミン類化合物、アルキルピロリドン類化合物、有機キレート剤化合物、ポリアクリルアミド類化合物、過酸化水素、及び過硫酸塩を挙げることができる。これらの添加剤の濃度は、一般的に、０．００１〜５０質量％の範囲である。
【００２４】
ポリアルキレングリコール化合物としては、例えば、ポリエチレングリコール；ポリエチレングリコールジメチルエーテル；エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−ブタノール及び１，４−ブタノール等のジオールにエチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドをブロック又はランダム付加させたポリアルキレングリコールを挙げることができる。
【００２５】
界面活性剤としては、例えば、フルオロアルキルベタイン及びフルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル等のフッ素系両性界面活性剤；上記ポリアルキレングリコール化合物以外のノニオン系界面活性剤を挙げることができる。
【００２６】
有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリコール酸、乳酸、スルファミン酸、ニコチン酸、アスコルビン酸、ヒドロキシピバリン酸、レブリン酸、及びβ−クロロプロピオン酸等を挙げることができる。
【００２７】
アミノ酸類化合物としては、例えば、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、セリン、フェニルアラニン、トリプトファン、グルタミン酸、アスパラギン酸、リシン、アルギニン及びヒスチジン等のアミノ酸；これらのアルカリ金属塩及びアンモニウム塩等を挙げることができる。
【００２８】
アゾール類化合物としては、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、及び２−メチルベンゾイミダゾール等のアルキルイミダゾール類；ベンゾイミダゾール、２−メチルベンゾイミダゾール、２−ウンデシルベンゾイミダゾール、２−フェニルベンゾイミダゾール、及び２−メルカプトベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール類；１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、５−フェニル−１，２，４−トリアゾール、５−アミノ−１，２，４−トリアゾール、１，２，３−ベンゾトリアゾール、１−アミノベンゾトリアゾール、４−アミノベンゾトリアゾール、１−ビスアミノメチルベンゾトリアゾール、１−メチル−ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、及び５−クロロベンゾトリアゾール等のトリアゾール類；１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−シクロヘキシル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、及び５，５'−ビス−１Ｈ−テトラゾール等のテトラゾール類；並びにベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−フェニルチアゾール、２−アミノベンゾチアゾール、２−アミノ−６−ニトロベンゾチアゾール、２−アミノ−６−メトキシベンゾチアゾール、及び２−アミノ−６−クロロベンゾチアゾール等のチアゾール類等を挙げることができる。
【００２９】
ピリミジン類化合物としては、例えば、ジアミノピリミジン、トリアミノピリミジン、テトラアミノピリミジン、及びメルカプトピリミジン等を挙げることができる。
【００３０】
チオ尿素類化合物としては、例えば、チオ尿素、エチレンチオ尿素、チオジグリコール、メルカプタン等を挙げることができる。
【００３１】
アミン類化合物としては、例えば、ジアミルアミン、ジブチルアミン、トリエチルアミン、トリアミルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、エタノールイソプロパノールアミン、ジエタノールイソプロパノールアミン、エタノールジイソプロパノールアミン、ポリアリルアミン、ポリビニルピリジン、及びこれらの塩酸塩等を挙げることができる。
【００３２】
アルキルピロリドン類化合物としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ブチル−２−ピロリドン、Ｎ−アミル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプチル−２−ピロリドン、及びＮ−オクチル−２−ピロリドン等を挙げることができる。
【００３３】
有機キレート剤化合物としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、テトラエチレンペンタミン七酢酸、ペンタエチレンヘキサミン八酢酸、ニトリロ三酢酸、これらのアルカリ金属塩、及びこれらのアンモニウム塩等を挙げることができる。
【００３４】
ポリアクリルアミド類化合物としては、例えば、ポリアクリルアミド、及びｔ−ブチルアクリルアミドスルホン酸等を挙げることができる。
【００３５】
過硫酸塩としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、及び過硫酸カリウムを挙げることができる。
【００３６】
本発明のエッチング方法は、上記の本発明のエッチング液組成物を用いて基体上の銀含有材料をエッチングする工程を有する。銀含有材料をエッチングする方法は特に限定されず、一般的なエッチング方法を採用すればよい。例えば、ディップ式、スプレー式、スピン式等によるエッチング方法を挙げることができる。被エッチング材料である銀含有材料としては、例えば、銀銅合金等の銀合金や銀を挙げることができる。なかでも、銀が好ましい。また、エッチング方法や条件についても特に限定されず、バッチ式、フロー式、エッチャントの酸化還元電位、比重、酸濃度によるオートコントロール式等の周知一般の様々な方式を採用することができる。
【００３７】
ディップ式のエッチング方法によって、シリコン基板上に金属銀層が成膜された基材をエッチングする場合、この基材を適切なエッチング条件にてエッチング液組成物に浸漬した後、引き上げることで、シリコン基板上の金属銀層をエッチングすることができる。
【００３８】
ディップ式のエッチング方法におけるエッチング条件は特に限定されず、基材（被エッチング体）の形状や膜厚等に応じて任意に設定すればよい。例えば、エッチング温度は１０〜４０℃とすることが好ましく、２０〜４０℃とすることがさらに好ましい。エッチング液組成物の温度は反応熱により上昇することがある。このため、必要に応じて、エッチング液組成物の温度を上記の範囲内に維持するように公知の手段によって温度制御してもよい。また、エッチング時間は、エッチングが完了するのに十分な時間とすればよく、特に限定されない。例えば、膜厚１ｎｍ〜１μｍ程度であれば、上記の温度範囲で１０秒〜１時間程度エッチングすればよい。
【００３９】
スプレー式のエッチング方法によって、ガラスエポキシ基板上に銀が成膜された基材をエッチングする場合、エッチング液組成物を適切な条件で基材に噴霧することで、ガラスエポキシ基板上の銀をエッチングすることができる。
【００４０】
スプレー式のエッチング方法におけるエッチング条件は特に限定されず、被エッチング体の形状や膜厚等に応じて任意に設定すればよい。例えば、噴霧条件は０．０１〜１．０ＭＰａの範囲から選択することができ、好ましくは０．０２〜０．１ＭＰａの範囲、さらに好ましくは０．０３〜０．０８ＭＰａの範囲である。本発明のエッチング液組成物を用いてスプレー法によって細線を形成する場合、スプレー圧を０．０３〜０．０８ＭＰａの範囲とすると、形成される細線の上部の幅と下部の幅との差を非常に小さくできるために特に好ましい。また、エッチング温度は１０〜６０℃とすることが好ましく、２０〜４０℃とすることがさらに好ましい。エッチング液組成物の温度は反応熱により上昇することがある。このため、必要に応じて、エッチング液組成物の温度を上記の範囲内に維持するように公知の手段によって温度制御してもよい。また、エッチング時間は、エッチングが完了するのに十分な時間とすればよく、特に限定されない。例えば、膜厚１ｎｍ〜１μｍ程度であれば、上記の温度範囲で１０秒〜１時間程度エッチングすればよい。
【００４１】
本発明のエッチング方法においては、エッチングの繰り返しによるエッチング液組成物の劣化を回復させるために、エッチング液組成物に補給液を加えることが好ましい。特に、前述のオートコントロール式のエッチングの場合、エッチング装置に補給液を予めセットしておけば、エッチング液組成物に補給液を適宜添加することができる。補給液としては、例えば、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び水を含有する水溶液や、（Ｄ）成分及び水を含有する水溶液などを用いることができる。各成分の濃度は、エッチング液組成物中の各成分の濃度の３〜２０倍程度とすればよい。この補給液には、本発明のエッチング液組成物に必須又は任意で使用される前述の各成分を必要に応じて添加してもよい。
【００４２】
本発明のエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を用いたエッチング方法によれば、微細パターンの精密な回路配線を形成することができる。このため、本発明のエッチング液組成物及びエッチング方法は、タッチセンサー用の電極形成等のプリント配線基板の他、ファインピッチが要求されるパッケージ用基板、ＣＯＦ、ＴＡＢ用途のサブトラクティブ法、及びセミアディティブ法に好適に使用することができる。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。しかしながら、本発明は、以下の実施例等によって何ら制限を受けるものではない。
【００４４】
＜エッチング液組成物＞
（実施例１〜６）
表１に示す配合となるように各成分を混合してエッチング液組成物（実施例１〜６）を得た。表１中、（Ａ）〜（Ｄ）成分以外の成分は、合計が１００質量％となるように配合した水である。また、塩化ナトリウムを（Ｄ）成分として用いた。
【００４５】
2017171992.tif 000002
【００４６】
（比較例１〜７）
表２に示す配合となるように各成分を混合してエッチング液組成物（比較例１〜７）を得た。表２中、（Ａ）〜（Ｄ）成分以外の成分は、合計が１００質量％となるように配合した水である。また、塩化ナトリウムを（Ｄ）成分として用いた。
【００４７】
2017171992.tif 000003
【００４８】
＜エッチング方法＞
（実施例７〜１２）
ＰＥＴ基板上に銀合金層及び金属酸化物の積層膜（厚み８０〜１００ｎｍ）を形成した基体上に、ネガ型ドライフィルムレジストを用いて幅６０μｍ、開口部６０μｍのレジストパターンを形成した。レジストパターンを形成した基体を５０ｍｍ×５０ｍｍに切断してテストピースを得た。得られたテストピースに対し、実施例１〜６のエッチング液組成物を用いて、４０℃、スプレー圧０．０５ＭＰａの条件でスプレー法によるエッチングを行って、実施例パターンＮｏ．１〜６を形成した。エッチング処理時間は、３０秒以内であった。
【００４９】
（比較例８〜１４）
比較例１〜７のエッチング液組成物を用いたこと以外は、前述の実施例７〜１２と同様にして、比較例パターン１〜７を形成した。
【００５０】
＜評価＞
（評価１）
光学顕微鏡を使用して実施例パターンＮｏ．１〜６及び比較例パターン１〜７を上部から観察し、細線間の残渣の有無を確認した。そして、残渣が確認されない場合を「＋＋」、残渣が確認された場合を「−」とそれぞれ評価した。評価結果を表３に示す。
【００５１】
2017171992.tif 000004
【００５２】
表３に示す結果から、実施例パターンＮｏ．１〜６の細線間には、いずれも残渣が確認されなかったことがわかる。一方、比較例パターン１〜７の細線間には、いずれも大量の残渣が確認された。
【００５３】
（評価２）
ＳＥＭを使用して実施例パターンＮｏ．１〜６及び比較例パターン１〜７の断面を観察した。そして、下記式（Ａ）から膜腹の細り「Ｌ」を算出して評価した。「Ｌ」が５μｍ未満である場合を「＋＋」、５μｍ以上である場合を「−」とそれぞれ評価した。「Ｌ」の値が小さいほど、所望とする矩形のパターンが形成されたことを意味する。評価結果を表４に示す。
【００５４】
Ｌ＝（細線上部と細線下部を比べて狭い方の幅）−細線中央部の幅    ・・・（Ａ）
【００５５】
2017171992.tif 000005
【００５６】
表４に示す結果から、実施例パターンＮｏ．１〜６のＬはいずれも５μｍ未満であり、所望とする矩形の細線が形成されたことがわかる。以上より、本発明のエッチング液組成物を用いれば、銀含有材料をエッチング後の残渣が抑制されるとともに、速いスピードで銀含有材料をエッチングすることができ、かつ、膜腹の細りも少なくすることができることがわかった。