(57)【要約】【課題】  帯電した液体を吐出する液体吐出装置において、吐出された液体の直進性を向上させる。【解決手段】  液体吐出装置１は、吐出電極１１１と、対向電極２と、電源部１２０と、吐出電極１１１と対向電極２とが対向する空間内に配置される中間電極１１２と、を有する。吐出電極１１１上の位置であって対向電極２と最も近接する位置である第１の位置Ｐ１の座標を（０，０，０）とし、対向電極２上の位置であって前記第１の位置に最も近接する位置である第２の位置Ｐ２の座標を（０，０，ｚａ）（ただし、ｚａ＞０）とする。中間電極１１２の吐出電極１１１と対向する面上の２点の座標をそれぞれ（ｘ１，ｙ１，ｚ１）、（ｘ２，ｙ２，ｚ２）とすると、ｘ１２＋ｙ１２＞ｘ２２＋ｙ２２の関係が成り立つとき、すべての２点についてｚ１≧ｚ２の関係が成り立つとともに、ｚ１＞ｚ２である２点が存在する。【選択図】  図１
2017019250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出電極と、
前記吐出電極と離間し、該吐出電極と対向して配置される対向電極と、
前記吐出電極と前記対向電極との間に電位差を与えることで電界を発生させ、該電界により前記吐出電極から前記対向電極に向けて帯電した液体を吐出させる電源部と、
前記吐出電極と前記対向電極とが対向する空間内に配置される中間電極と、を有する液体吐出装置であって、
前記吐出電極上の位置であって前記対向電極と最も近接する位置である第１の位置の座標を（０，０，０）とし、前記対向電極上の位置であって前記第１の位置に最も近接する位置である第２の位置の座標を（０，０，ｚａ）（ただし、ｚａ＞０）とし、前記第１の位置と前記第２の位置とを結ぶ直線をｚ軸として、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸が互いに直交する座標系を設定した場合に、
前記中間電極の前記吐出電極と対向する面上の２点の座標をそれぞれ（ｘ１，ｙ１，ｚ１）、（ｘ２，ｙ２，ｚ２）とし、ｘ１２＋ｙ１２＞ｘ２２＋ｙ２２の関係が成り立つとき、すべての２点についてｚ１≧ｚ２の関係が成り立つとともに、ｚ１＞ｚ２である２点が存在することを特徴とする液体吐出装置。
【請求項２】
前記中間電極の前記対向電極と対向する面上の２点の座標をそれぞれ（ｘ３，ｙ３，ｚ３）、（ｘ４，ｙ４，ｚ４）とし、ｘ３２＋ｙ３２＞ｘ４２＋ｙ４２の関係が成り立つとき、
すべての２点についてｚ３≧ｚ４の関係が成り立つとともに、ｚ３＞ｚ４である２点が存在することを特徴とする請求項１に記載の液体吐出装置。
【請求項３】
吐出電極と、
前記吐出電極と離間し、該吐出電極と対向して配置される対向電極と、
前記吐出電極と前記対向電極との間に電位差を与えることで電界を発生させ、該電界により前記吐出電極から前記対向電極に向けて帯電した液体を吐出させる電源部と、
前記吐出電極と前記対向電極とが対向する空間内に配置される中間電極と、を有する液体吐出装置であって、
前記吐出電極上の位置であって前記対向電極と最も近接する位置である第１の位置の座標を（０，０，０）とし、前記対向電極上の位置であって前記第１の位置に最も近接する位置である第２の位置の座標を（０，０，ｚａ）（ただし、ｚａ＞０）とし、前記第１の位置と前記第２の位置とを結ぶ直線をｚ軸として、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸が互いに直交する座標系を設定した場合に、
前記中間電極の前記吐出電極と対向する面上の２点の座標をそれぞれ（ｘ１，ｙ１，ｚ１）、（ｘ２，ｙ２，ｚ２）とし、ｘ１２＋ｙ１２＞ｘ２２＋ｙ２２の関係が成り立つとき、すべての２点についてｚ１＞ｚ２の関係が成り立つことを特徴とする液体吐出装置。
【請求項４】
前記中間電極の前記対向電極と対向する面上の２点の座標をそれぞれ（ｘ３，ｙ３，ｚ３）、（ｘ４，ｙ４，ｚ４）とし、ｘ３２＋ｙ３２＞ｘ４２＋ｙ４２の関係が成り立つとき、
すべての２点についてｚ３＞ｚ４の関係が成り立つことを特徴とする請求項３に記載の液体吐出装置。
【請求項５】
前記吐出電極が、前記対向電極に向かって突出した形状を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液体吐出装置。
【請求項６】
前記吐出電極の先端に前記液体を供給する流路を有することを特徴とする請求項５に記載の液体吐出装置。
【請求項７】
前記吐出電極および前記中間電極の材質が、ケイ素化合物を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の液体吐出装置。
【請求項８】
前記吐出電極を複数有し、
前記複数の吐出電極が列を形成して配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の液体吐出装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の液体吐出装置を有し、前記吐出電極と前記対向電極との間に被記録媒体を配置して、前記吐出電極から吐出された前記液体により記録することを特徴とする記録装置。
【請求項１０】
吐出電極と、
前記吐出電極と離間し、該吐出電極と対向して配置される中間電極と、を有する液体吐出ヘッドであって、
前記液体吐出ヘッドは、前記吐出電極に前記中間電極を挟んで対向配置される対向電極と前記吐出電極との間に電位差を与えた際に、電界により前記吐出電極から前記対向電極に向けて帯電した液体を吐出させるものであり、
前記吐出電極上の位置であって前記対向電極と最も近接する位置である第１の位置の座標を（０，０，０）とし、前記対向電極上の位置であって前記第１の位置に最も近接する位置である第２の位置の座標を（０，０，ｚａ）（ただし、ｚａ＞０）とし、前記第１の位置と前記第２の位置とを結ぶ直線をｚ軸として、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸が互いに直交する座標系を設定した場合に、
前記中間電極の前記吐出電極と対向する面上の２点の座標をそれぞれ（ｘ１，ｙ１，ｚ１）、（ｘ２，ｙ２，ｚ２）とし、ｘ１２＋ｙ１２＞ｘ２２＋ｙ２２の関係が成り立つとき、すべての２点についてｚ１≧ｚ２の関係が成り立つとともに、ｚ１＞ｚ２である２点が存在することを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１１】
吐出電極と、
前記吐出電極と離間し、該吐出電極と対向して配置される中間電極と、を有し、
前記中間電極を挟んで前記吐出電極と対向配置される対向電極と、前記吐出電極と、の間に電位差を与えた際に、電界により前記吐出電極から前記対向電極に向けて帯電した液体を吐出させる液体吐出ヘッドの製造方法であって、
前記吐出電極および前記中間電極は、前記液体の吐出方向に対して垂直でない傾斜を有する斜面をそれぞれ有し、
前記斜面を異方性エッチングにより形成する工程を含むことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出装置、記録装置、液体吐出ヘッド、および液体吐出ヘッドの製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電気力を利用してインク等の液体を被記録媒体に向けて吐出させて記録を行う、いわゆる静電吐出方式のインクジェット記録装置が知られている。
【０００３】
静電吐出方式のインクジェット記録装置では、吐出電極と、吐出電極と対向配置される対向電極との間に被記録媒体を配置して記録を行う。吐出電極にはインク等の液体が供給される。吐出電極と対向電極との間に電位差を与えることで電界を発生させ、該電界によって、帯電した液体が吐出電極から対向電極に向かって吐出される（特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
特許文献１および特許文献２に記載の液体吐出装置は、吐出電極と対向電極とが対向する空間内に中間電極を有している。この中間電極に所定の電位を与えることで、吐出された液体の飛翔方向や飛翔速度を制御し、液体の着弾位置を制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３４７１８１号公報
【特許文献２】特表２０１３−５０４４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１や特許文献２に記載の液体吐出装置では、吐出された液体の飛翔方向の制御能力が不十分であった。すなわち従来の液体吐出装置では、吐出された液体の飛翔方向が、吐出電極と中間電極との間に形成される電界によって横方向（吐出方向に垂直な方向）へと曲げられてしまうことがあった。これにより、吐出された液体の着弾精度が低いという課題があった。
【０００７】
そこで本発明は、上述の課題に鑑み、吐出された液体の着弾精度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液体吐出装置は、吐出電極と、前記吐出電極と離間し、該吐出電極と対向して配置される対向電極と、前記吐出電極と前記対向電極との間に電位差を与えることで電界を発生させ、該電界により前記吐出電極から前記対向電極に向けて帯電した液体を吐出させる電源部と、前記吐出電極と前記対向電極とが対向する空間内に配置される中間電極と、を有する液体吐出装置であって、前記吐出電極上の位置であって前記対向電極と最も近接する位置である第１の位置の座標を（０，０，０）とし、前記対向電極上の位置であって前記第１の位置に最も近接する位置である第２の位置の座標を（０，０，ｚａ）（ただし、ｚａ＞０）とし、前記第１の位置と前記第２の位置とを結ぶ直線をｚ軸として、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸が互いに直交する座標系を設定した場合に、前記中間電極の前記吐出電極と対向する面上の２点の座標をそれぞれ（ｘ１，ｙ１，ｚ１）、（ｘ２，ｙ２，ｚ２）とし、ｘ１２＋ｙ１２＞ｘ２２＋ｙ２２の関係が成り立つとき、すべての２点についてｚ１≧ｚ２の関係が成り立つとともに、ｚ１＞ｚ２である２点が存在することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、吐出された液体の着弾精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係る液体吐出装置を備えたインクジェット記録装置の構成を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構造を示す斜視図である。
【図３】第１の実施形態に係る液体吐出装置における電界の分布を模式的に示す図である。
【図４】第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドの製造プロセスを示す断面図である。
【図５】第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドの製造プロセスの一部を示す断面図および上面図である。
【図６】第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドの製造プロセスの一部を示す断面図および上面図である。
【図７】第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドの製造プロセスの一部を示す断面図である。
【図８】第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドの製造プロセスの一部を示す断面図および上面図である。
【図９】半導体プロセスによって製造した液体吐出ヘッドを備えるインクジェット記録装置を示す断面図および上面図である。
【図１０】第１の実施形態に係る液体吐出装置における電界の分布を示す図と、比較例に係る液体吐出装置における電界の分布を示す図である。
【図１１】特定のｚ座標における、吐出電極の先端からの距離と電界の水平方向（ｙ軸方向）成分の関係を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について適宜図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明は以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明においては、その趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下に説明する実施形態に対して適宜変更、改良等が加えられたものについても本発明の範囲に含まれる。
【００１２】
（第１の実施形態）
＜構成＞
第１の実施形態に係るインクジェット記録装置１（以下、「記録装置１」と称する）について、図１から図３を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る液体吐出装置を備えた記録装置１の構成を示す断面図である。
【００１３】
記録装置１は、液体吐出ヘッド１１０（以下、「ヘッド１１０」と称する）中の吐出電極１１１から対向電極２に向けて液滴ＬＤを静電気力により吐出して、対向電極２上に載置される被記録媒体３に所望の画像やパターンを記録する装置である。記録装置１は、液体吐出装置１０を有する。液体吐出装置１０は、ヘッド１１０と、対向電極２と、電源部１２０と、液体供給部１３０と、を有する。ヘッド１１０は、吐出電極１１１と、中間電極１１２と、流路１１３と、を有する。
【００１４】
吐出電極１１１は、対向電極２に向かって突出した形状を有する針状の電極である。ただし、吐出電極１１１の形状はこれに限定はされず、対向電極２と平行な平面を有する電極であってもよい。吐出電極１１１は、導電体または半導体で形成されており、後述する電源部１２０と接続されている。これにより、吐出電極１１１の電位は所定の電位に制御される。本実施形態では液体吐出装置１０が電源部１２０を内蔵する構成としたが、これに限定はされず、外部電源によって各電極の電位を制御する構成としてもよい。
【００１５】
流路１１３は、液体供給部１３０と接続され、吐出電極１１１にインク等の液体Ｌを供給する。本実施形態では、吐出電極１１１の両側に複数の流路壁１１４ａおよび複数の流路壁１１４ｂを配置し、これによって流路１１３ａおよび流路１１３ｂを形成している。すなわち、流路の底面となる吐出電極１１１と、流路の側面となる複数の流路壁１１４ａとによって囲まれた領域が、流路１１３ａとなる。同様に、流路の底面となる吐出電極１１１と、流路の側面となる複数の流路壁１１４ｂとによって囲まれた領域が、流路１１３ｂとなる。
【００１６】
図１のように、液体供給部１３０から供給された液体Ｌは、流路１１３ａ内を矢示１１５ａの方向に流れ、吐出電極１１１の先端を経由して、流路１１３ｂ内を矢示１１５ｂの方向に流れ、液体供給部１３０へと戻る。
【００１７】
図２に示すように、本実施形態では流路１１３ａおよび流路１１３ｂは、吐出電極１１１の反対側の面において開放されている。しかし流路１１３ａおよび流路１１３ｂの幅方向のサイズは十分に小さいため、液体Ｌの表面張力は液体Ｌにかかる重力より大きくなる。そのため、流路１１３ａおよび流路１１３ｂの開放部分、および吐出電極１１１の先端において、液体Ｌは滴り落ちることはない。なお、本実施形態では流路１１３ａおよび流路１１３ｂの１つの面を開放する構成としたが、これに限定はされず、開放面にも流路壁を設けて流路１１３ａおよび流路１１３ｂを覆ってしまってもよい。ただしこの場合は吐出電極１１１の近傍において流路を開放する必要がある。
【００１８】
吐出電極１１１と、吐出電極１１１と離間し吐出電極１１１と対向して配置される対向電極２との間には電源部１２０によって所定の電位差が与えられる。また、中間電極１１２と吐出電極１１１との間にも所定の電位差が与えられている。本実施形態では、対向電極２が接地されている。また、中間電極電圧印加部１２２によって、対向電極２と中間電極１１２との間に中間電極電圧が印加してある。さらに、ヘッドＤＣ電圧印加部１２２によって、中間電極１１２と吐出電極１１１との間にヘッドＤＣ電圧が印加してある。この吐出電極１１１と対向電極２または中間電極１１２との間の電位差により、吐出電極１１１の先端に付着した液体Ｌは対向電極２の方向へと吸引され、液体ＬによってメニスカスＭが形成される。
【００１９】
液滴ＬＤの吐出を行う際にはさらに、パルス電圧印加部１２３によって、中間電極１１２と吐出電極１１との間にパルス電圧を重畳して印加する。これにより、所望のタイミングで、メニスカスＭの先端から液体Ｌの液滴ＬＤが吐出される。
【００２０】
吐出電極１１１の先端から吐出された液滴ＬＤは、吐出電極１１１と中間電極１１２、および対向電極２の間に形成される電界により加速されて飛翔する。これにより、吐出された液滴ＬＤは矢示１１６の方向に飛翔して、被記録媒体３上に着弾してドット３１を形成する。すなわち、矢示１１６の方向は液滴ＬＤの吐出方向である。さらに、対向電極２をヘッド１１０に対して相対的に移動可能に構成し、コントロール部（不図示）によって走査することで、被記録媒体３に所望のパターンを形成することができる。
【００２１】
図２は、ヘッド１１０の構造を示す斜視図である。ヘッド１１０においては、複数の吐出電極１１１がｘ方向に所定のピッチで列を形成して、一次元的に配置されている。すなわち、ヘッド１１０は複数の吐出電極１１１が列を形成して配置された吐出電極一次元アレイを有する。図２では一例として、３つの吐出電極１１１が列を形成して配置された一次元アレイを有するヘッド１１０を示しているが、ヘッド１１０の有する吐出電極１１１の数はこれに限定はされない。
【００２２】
図２（ａ）は、ヘッド１１０のうち中間電極１１２以外の部分の構造を示している。図２では図示していないが、実際にはそれぞれの吐出電極１１１に対して電気配線が接続され、電源部１２０に接続されている。これにより、それぞれの吐出電極１１１の電位は電源部１２０によって個別に制御することができる。図２（ａ）に示すように、それぞれの吐出電極１１１の上方に複数の流路壁１１４ａが、下方に複数の流路壁１１４ｂがそれぞれ配置されている。これにより、複数の流路１１３ａおよび複数の流路１１３ｂが形成されている。なお、それぞれの吐出電極１１１の流路１１３の間は、流路壁１１４によって仕切られている。
【００２３】
図２（ｂ）は、中間電極１１２も含めたヘッド１１０の全体の構造を示している。本実施形態では中間電極１１２は、２つの平板状の電極によって構成されており、中間電極１１２ａと中間電極１１２ｂとの間には開口部１１２ｃが形成されている。吐出電極１１１から吐出された液滴ＬＤは、この開口部１１２ｃを通過して、対向電極２へと飛翔する。吐出電極１１１は、開口部１１２ｃの中心が吐出電極１１１の先端の延長線上にくるように配置されている。なお、図１は図２（ｂ）のＡ−Ａ′断面図に相当する。
【００２４】
本実施形態では、中間電極１１２ａおよび中間電極１１２ａを、複数の吐出電極１１１に対して１つ設ける構成としたが、これに限定はされず、それぞれの吐出電極１１１に対してそれぞれ中間電極１１２を設けてもよい。また、本実施形態では中間電極１１２を２枚の電極によって構成したが、１枚の電極によって構成してもよい。すなわち、１枚の電極に所定の形状の穴を開けて開口部１１２ｃを形成すれば、１枚の電極によって中間電極１１２を構成することもできる。なおこのとき、電極として折れ曲がった板状の電極を用いてもよい。
【００２５】
＜中間電極の配置＞
図３は、本実施形態に係る液体吐出装置における電界の分布を模式的に示す図である。本実施形態では上述のとおり、吐出電極１１１の先端の延長線（矢示１１６）が開口部１１２ｃの中心にくるように吐出電極１１１を配置してある。また、対向電極２は吐出電極１１１の先端の延長線に垂直に配置してある。これにより、吐出電極１１１と対向電極２との間に、吐出電極１１１の先端の延長線に関して対称な電界を形成することができる。この対称な電界によって、図１に示すように液滴ＬＤを矢示１１６の方向に飛翔させることができる。
【００２６】
図３において、各点線は等電位線を示している。等電位線の間隔は電界の強さを表しており、等電位線の間隔が狭いほど、電界は強い。また、電界の向きは、各等電位線に直行する方向となる。
【００２７】
中間電極１１２は図３に示すように、吐出電極１１１に面する第１の面Ｓ１と、対向電極に面する第２の面Ｓ２と、を有する。本実施形態では中間電極１１２の有する第１の面Ｓ１が、矢示１１６の方向に対して垂直または平行ではなく、斜めに配置されている。第１の面Ｓ１の配置について、以下に詳述する。
【００２８】
吐出電極１１１上の位置であって対向電極２と最も近接する位置である第１の位置Ｐ１の座標を（０，０，０）とし、対向電極２上の位置であって第１の位置Ｐ１に最も近接する位置である第２の位置Ｐ２の座標を（０，０，ｚａ）とする。ただし、ｚａ＞０とする。さらに、図３に示すように第１の位置Ｐ１と第２の位置Ｐ２とを結ぶ直線をｚ軸として、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸が互いに直交する座標系を設定する。このとき、中間電極１１２の吐出電極１１１と対向する第１の面Ｓ１上の任意の２点の座標をそれぞれ（ｘ１，ｙ１，ｚ１）、（ｘ２，ｙ２，ｚ２）とする。本実施形態では、ｘ１２＋ｙ１２＞ｘ２２＋ｙ２２の関係が成り立つとき、すべての２点についてｚ１≧ｚ２の関係が成り立つとともに、ｚ１＞ｚ２である２点が存在するように、中間電極１１２の有する第１の面Ｓ１が配置されている。
【００２９】
これは第１の面Ｓ１上の任意の点について、ｘ軸方向またはｙ軸方向へとｚ軸から遠ざかるほど、ｚ座標が大きくなることを示している。すなわち、第１の面Ｓ１の少なくとも一部が、矢示１１６の方向に対して垂直または平行ではなく、図３に示すように斜めに配置されている。
【００３０】
これにより、吐出電極１１１と中間電極１１２との間の電界を図３のように形成することができる。すなわち、吐出電極１１１と中間電極１１２との間の等電位線ＥＰ１の中に、対向電極２と平行な等電位線ＥＰ０を形成することができる。等電位線ＥＰ０の近傍における電界の向きは、矢示１１６と平行な向き（ｚ軸方向）となる。そのため、吐出電極１１１と中間電極１１２との間の電界の水平成分（ｙ軸方向成分）を小さくすることができる。
【００３１】
この結果、吐出電極１１１から吐出された液滴ＬＤの飛翔初期において、液滴ＬＤのｙ軸方向への広がりを抑制することができる。これにより、液滴ＬＤを安定的にｚ軸方向（矢示１１６の方向）に飛翔させることができる。すなわち、吐出電極１１１から吐出された液滴ＬＤの直進性を向上させることができる。このように液滴ＬＤのｙ軸方向への広がりを抑制することで、液滴ＬＤが被記録媒体３に着弾する際の着弾精度を向上させたり、着弾して形成されるドット３１の径を小さくしたりすることができる。
【００３２】
第１の面Ｓ１は少なくとも、第１の面Ｓ１上の部分のうちｚ軸に最も近接する部分が、矢示１１６の方向に対して垂直または平行ではなく、斜めに配置されていることが好ましい。図３に示すように、吐出電極１１１と対向電極２とを最短で結ぶ直線に沿った方向（ベクトル）であって、吐出電極１１１から遠ざかる方向を第１の方向Ｄ１とする。また、中間電極１１２の吐出電極１１１と面する第１の面Ｓ１に沿った方向（ベクトル）であって、第１の方向Ｄ１と垂直な成分が吐出電極１１１から遠ざかる成分である方向を第２の方向Ｄ２とする。このとき、第２の方向Ｄ２の始点は、第１の面Ｓ１上の点であって吐出電極１１１と最も近接する点とする。このとき、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２とがなす角をαとしたときに、０°＜α＜９０°を満たすように、第１の面Ｓ１が配置されていることが好ましい。
【００３３】
さらに、第１の面Ｓ１は、その全体が矢示１１６の方向に対して垂直または平行ではなく、斜めに配置されていることが特に好ましい。すなわち、ｘ１２＋ｙ１２＞ｘ２２＋ｙ２２の関係が成り立つとき、すべての２点についてｚ１＞ｚ２の関係が成り立つように、中間電極１１２の有する第１の面Ｓ１が配置されていることが特に好ましい。これにより、液滴ＬＤの着弾精度をさらに向上させることができる。
【００３４】
第１の面Ｓ１を上述のように配置することに加えて、中間電極１１２の有する第２の面Ｓ２を、矢示１１６の方向に対して垂直または平行ではなく、斜めに配置することが好ましい。第２の面Ｓ２の配置について、以下に詳述する。
【００３５】
中間電極１１２の対向電極２と対向する第２の面Ｓ２上の任意の２点の座標をそれぞれ（ｘ３，ｙ３，ｚ３）、（ｘ４，ｙ４，ｚ４）とする。このとき、ｘ３２＋ｙ３２＞ｘ４２＋ｙ４２の関係が成り立つとき、すべての２点についてｚ３≧ｚ３の関係が成り立つとともに、ｚ３＞ｚ３である２点が存在するように、中間電極１１２の有する第２の面Ｓ２が配置されていることが好ましい。
【００３６】
これは第２の面Ｓ２上の任意の点について、ｚ軸からｘ軸方向またはｙ軸方向に遠ざかるほど、ｚ座標が大きくなることを示している。すなわち、第２の面Ｓ２の少なくとも一部が、矢示１１６の方向に対して垂直または平行ではなく、図３に示すように斜めに配置されている。
【００３７】
これにより、中間電極１１２と対向電極２との間の電界を図３のように形成することができる。すなわち、中間電極１１２と対向電極２との間に等電位線ＥＰ２を図３のように形成でき、矢示１１６の方向に抑え込む方向に電界を形成することができる。
【００３８】
この結果、吐出電極１１１から吐出された液滴ＬＤの飛翔後期、すなわち中間電極１１２の開口部１１２ｃを通過した後において、液滴ＬＤのｙ軸方向への広がりをさらに抑制することができる。これにより、液滴ＬＤを安定的にｚ軸方向（矢示１１６の方向）に飛翔させることができる。すなわち、吐出電極１１１から吐出された液滴ＬＤの直進性をさらに向上させることができる。このように液滴ＬＤのｙ軸方向への広がりを抑制することで、液滴ＬＤが被記録媒体３に着弾する際の着弾精度をさらに向上させたり、着弾して形成されるドット３１の径をさらに小さくしたりすることができる。
【００３９】
第２の面Ｓ２は少なくとも、第１の面Ｓ１上の部分のうちｚ軸に最も近接する部分が、矢示１１６の方向に対して垂直または平行ではなく、斜めに配置されていることが好ましい。図３に示すように、中間電極１１２の対向電極２と面する第２の面Ｓ２に沿った方向（ベクトル）であって、第１の方向Ｄ１と垂直な成分が吐出電極１１１から遠ざかる成分である方向を第３の方向Ｄ３とする。このとき、第３の方向Ｄ３の始点は、第２の面Ｓ２上の点であって吐出電極１１１と最も近接する点とする。このとき、第１の方向Ｄ１と第３の方向Ｄ３とがなす角をβとしたときに、０°＜β＜９０°を満たすように、第２の面Ｓ２を配置することが好ましい。
【００４０】
さらに、第２の面Ｓ２は、その全体が矢示１１６の方向に対して垂直または平行ではなく、斜めに配置されていることが特に好ましい。すなわち、ｘ３２＋ｙ３２＞ｘ４２＋ｙ４２の関係が成り立つとき、すべての２点についてｚ３＞ｚ４の関係が成り立つように、中間電極１１２の有する第２の面Ｓ２が配置されていることが特に好ましい。これにより、液滴ＬＤの着弾精度をさらに向上させることができる。
【００４１】
第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２の位置関係は特に限定はされないが、第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２とは平行であることが好ましい。すなわち、α＝βを満たすことが好ましい。これにより、中間電極１１２を平板状の電極によって形成することができ、中間電極１１２を容易に形成することができる。
【００４２】
なお、第１の面Ｓ１や第２の面Ｓ２が複数存在する場合は、いずれの面についても上記関係を満たすように、第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２がそれぞれ配置されていることが好ましい。
【００４３】
αは大きいほうが吐出電極１１１と中間電極１１２との間の電界の水平成分（ｙ軸方向成分）を小さくすることができるため、例えばαは３０°より大きいほうが好ましい。また、αは小さいほうが、吐出電極１１１と対向電極２との間の距離を小さくできるため、例えばαは６０°より小さいことが好ましい。そのため、例えば３０°＜α＜６０°であることが好ましい。
【００４４】
＜製造プロセス＞
本実施形態に係るヘッド１１０の製造方法について説明する。本実施形態に係る液体吐出ヘッドの製造方法は、半導体プロセスを利用した製造方法である。より具体的には、イオン注入やフォトリソグラフィ、エッチング、ダイシングなどの工程を含む、半導体プロセスを利用した製造方法である。
【００４５】
図４〜図８は、本実施形態に係るヘッド１１０の製造プロセスを示す断面図または上面図である。なお、下記の説明においては簡単のため、リソグラフィ工程における感光性レジスト塗布や露光、現像、レジスト除去などの小工程の説明は省略することがある。
【００４６】
［基板の裏面を異方性エッチングによって加工し、側斜面を有するＶ字溝状の凹部を形成する工程］
まず、シリコン基板５１の両面に、膜厚１μｍの熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）５２を成膜する。なお、シリコン基板５１は結晶方位＜１００＞、厚さ４００μｍのシリコン基板を用いる。その後、両面に熱酸化膜５２を成膜したシリコン基板５１の両面に、ＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、膜厚０．５μｍの窒化膜５３を成膜する（図４（ａ））。
【００４７】
次に、シリコン基板５１の裏面に感光性レジストを用いてパターンマスクを形成する。パターンマスクの形成後、パターンマスクに覆われていない窒化膜５３および熱酸化膜５２をドライエッチングによって除去し、シリコン基板５１を露出させる。
【００４８】
パターンマスクを除去した後、Ｓｉ異方性ウェットエッチング液によってシリコン基板５１の裏面をエッチングする。Ｓｉ異方性ウェットエッチング液としては、水酸化カリウム（ＫＯＨ）液または水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）液などを用いることができる。異方性エッチングにより、シリコン基板５１の裏面に凹部６２が形成される。本実施形態ではシリコンの結晶方位＜１１０＞に沿って異方性エッチングを行い、Ｖ字型の溝状の凹部６２が形成される。凹部６２の側斜面はエッチング耐性が最も強い結晶面（１１１）になる。このとき、窒化膜５３はＳｉ異方性ウェットエッチングに対する耐性が高いため、エッチングマスクとして使用することができる。Ｓｉ異方性ウェットエッチングの結果、凹部６２の側斜面とシリコン基板５１の裏面とがなす角γは約５４．７°となる（図４（ｂ））。
【００４９】
［基板の裏面をエッチングによって加工し、Ｖ字溝状の凹部の一部（最深部）を基板の表面に貫通させ、複数のテーパー部を形成する工程］
次に、凹部６２を形成したシリコン基板５１を洗浄した後、シリコン基板５１の裏面にホウ素をドープし、ドープ層５４を形成する（図４（ｃ））。このとき、熱酸化膜５２および窒化膜５３はホウ素拡散に対する遮断性が高いため、ホウ素ドープの際のマスクとして使用することができる。
【００５０】
ドープ層５４を形成した後、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈ）法を用いて、シリコン基板５１の裏面に形成された窒化膜５３を完全に除去する。さらに、フッ酸を用いて、シリコン基板５１の裏面に形成された熱酸化膜５２を完全に除去する。シリコン基板５１の裏面に形成された窒化膜５３および熱酸化膜５２を除去した後、基板５１をもう一度熱酸化し、シリコン基板５１の裏面に膜厚１μｍの熱酸化膜５２を新たに形成する（図４（ｄ））。
【００５１】
次に、シリコン基板５１の裏面に感光性レジストを用いてパターンマスクを形成する。形成したパターンマスクを用いてドライエッチングすることで、シリコン基板５１の表面に形成された窒化膜５３および熱酸化膜５２の一部を除去する。これにより、シリコン基板５１の表面にシリコン基板５１を露出させた開口部７４を形成する（図５（ｃ））。
【００５２】
このパターンマスクを用いて、シリコン基板５１の裏面に形成されている熱酸化膜５２をドライエッチングにより除去し、熱酸化膜５２のパターンを形成する。そしてこの熱酸化膜５２のパターンをエッチングマスクとして、ＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈ）法でシリコン基板５１の裏面をドライエッチングする。これにより、溝部６３、流路１１３、流路壁１１４、および流路底部１１７が一体形成される。このとき、溝部６３、流路１１３、および流路壁１１４のパターン辺縁部は、シリコンの結晶方位＜１１０＞に沿ってＤＲＩＥ法によるドライエッチングが進行する。
【００５３】
ＤＲＩＥ法によるドライエッチングは、溝部６３がシリコン基板５１の表面に到達するまで行う。すなわち、凹部６２の最深部（谷部）がシリコン基板５１の表面に貫通するまで行う。この結果、溝部６３のうちシリコン基板５１の表面に到達した部分は平坦となる。この平坦な部分を特に、底部６５と称する（図５（ａ））。また、ドライエッチングによって、複数のテーパー部６６が形成される。
【００５４】
図５（ｂ）は、図５（ａ）のシリコン基板５１をｙ軸方向から見た図、すなわち図５（ａ）のシリコン基板５１の裏面の上面図である。なお、図５（ａ）と図５（ｂ）との間の点線は、溝部６３の端部の位置、流路１１３および流路壁１１４の傾斜の位置および端部の位置の位置関係を示している。
【００５５】
凹部６２の側斜面の一部は、ＤＲＩＥ法によるドライエッチングによって、側斜面の傾きを保ったまま、ｙ軸に平行な方向に平行移動する。すなわち、テーパー部６６の側斜面の結晶面は、凹部６２の側斜面と同じく（１１１）面となる。テーパー部６６ａの側斜面は、後に形成される吐出電極１１１の針側面となる。また、テーパー部６６ｂの側斜面は、後に形成される中間電極１１２の第１の面Ｓ１となる。
【００５６】
なお、図５（ｂ）では３つの流路１１３が列を形成して配置されたアレイを示しているが、形成する流路１１３の数、すなわち吐出電極１１１の数はこれに限定はされない。すなわち、４つ以上の流路１１３が列を形成して配置されたアレイも、図５（ａ）に示す工程におけるパターンマスクの形状を変えることで形成することができる。
【００５７】
また、流路１１３を形成する工程（図５（ａ）、図５（ｂ））において、パターンマスクの形状を変えることで、流路１１３に供給するインクを貯蔵するタンク部５８（図８（ｂ））を形成してもよい。
【００５８】
［基板の表面をエッチングにより加工し、中間電極の開口部を形成する工程］
次に、シリコン基板５１の裏面にホウ素を再びドープし、溝部６３の内面にドープ層５４を形成する。その後、シリコン基板５１の表面に感光性レジストを用いてパターンマスクを形成する。形成したパターンマスクを用いてドライエッチングすることで、シリコン基板５１の表面に形成された窒化膜５３および熱酸化膜５２の一部を除去する。これにより、シリコン基板５１の表面にシリコン基板５１を露出させた開口部７４を形成する（図５（ｃ））。
【００５９】
次に、開口部７４を形成する際に用いたパターンマスクを除去しない状態で、シリコン基板５１の表面からＤＲＩＥ法によるドライエッチングを行い、段差部６８を形成する（図５（ｄ））。この段差部６８は、最終的に形成される中間電極１１２の有する開口部１１２ｃとなる。なお、段差部６８の深さは、開口部１１２ｃの幅の半分となる。
【００６０】
［基板の表面を異方性エッチングにより加工し、形成したテーパー部の裏側に斜面を形成する工程］
次に、Ｓｉ異方性ウェットエッチング液を用いて、シリコン基板５１の表面をエッチングする。これにより、シリコン基板５１の表面に凹部６４を形成する。Ｓｉ異方性ウェットエッチング液としては、ＫＯＨ液やＴＭＡＨ液、エチレンジアミンピロカテコール（ＥＤＰ）液を用いることができる。中でもＥＤＰ液はホウ素ドープＳｉに対するエッチング選択性が高いため好ましい。すなわち、Ｓｉ異方性エッチングにより、熱酸化膜５２および窒化膜５３、ドープ層５４はほとんどエッチングされず、シリコン基板５１のみを選択的にエッチングすることができる。この結果、凹部６４を形成することができる（図６（ａ））。
【００６１】
図６（ａ）では、形成される中間電極１１２の厚さをドープ層５４の厚さと同じ厚さで示しているが、これに限定はされない。例えば図６（ａ）の異方性エッチングの工程の前に、シリコン基板５１の表面の段差部６８に感光性レジストによってパターンマスクを形成すれば、中間電極１１２の厚さを任意に調整することができる。
【００６２】
凹部６２の場合と同様、凹部６４の側斜面はエッチング耐性が最も強い結晶面（１１１）となる。Ｓｉ異方性ウェットエッチングの結果、凹部６４の側斜面とシリコン基板５１の表面とがなす角は約５４．７°となる。なお、凹部６４の側斜面６６ｃは、中間電極１１２の第２の面Ｓ２となる。
【００６３】
このように、異方性エッチングによって形成した斜面にドープ層５４を形成した後に、ドープ層５４の反対側の面に再び異方性エッチングを施すことで、ドープ層５４を挟む表面と裏面の傾きを同じにすることができる。すなわち、本工程を行うことで中間電極１１２の有する第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２の傾きを調節することができる。具体的には、第１の面Ｓ１の傾きである、第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２とがなす角αと、第２の面Ｓ２の傾きである、第１の方向Ｄ１と第３の方向Ｄ３とがなす角βとを、いずれもγと等しくすることができる。すなわち、α＝β＝γ≒５４．７°となる。本工程を行うことで、上述のとおり、吐出する液体の直進性をさらに向上させることができる。
【００６４】
［基板の表面をエッチングにより加工し、吐出電極の先端を形成する工程］
次に、シリコン基板５１の表面の窒化膜５３および熱酸化膜５２を、ドライエッチングによって除去する。その後、シリコン基板５１の表面に感光性レジストを用いてパターンマスクを形成する。このとき、感光性レジストはスピンコート法などにより塗布することができ、例えば膜厚２μｍのパターンマスクを形成する。このパターンマスクを用いて、ＤＲＩＥ法によるドライエッチングで、シリコン基板５１の表面が溝部６３まで貫通するように加工して、針状の吐出電極１１１の先端の形状を形成する（図６（ｂ））。
【００６５】
図６（ｃ）は、図６（ｂ）のシリコン基板５１をｙ軸方向に沿って見た図、すなわち図６（ｃ）のシリコン基板５１の表面の上面図である。なお、図６（ｂ）と図６（ｃ）との間の点線は、溝部６３の端部の位置、流路１１３および流路壁１１４の傾斜の位置および端部の位置の位置関係を示している。
【００６６】
図６（ｃ）に示すように、ＤＲＩＥ法によってドライエッチングした領域は、吐出電極１１１の針形状形成用の非マスク領域６７である。このとき３つの針状の吐出電極は、裏面に形成されている３つの流路１１３の位置と位置合わせして形成される。なお、ここでは３つの吐出電極１１１に対して１つの中間電極１１２を形成しているが、これに限定はされない。すなわち、中間電極１１２を分離して形成して、それぞれの吐出電極１１１ごとに、中間電極１１２をそれぞれ独立に形成してもよい。なお、上述のとおり、流路１１３および吐出電極１１１の数は特に限定はされない。
【００６７】
［上記工程を経た基板を２枚用意し、基板同士を貼り合わせる工程］
以上の工程によって加工された図６（ｂ）または図６（ｃ）のシリコン基板５１を２枚用意する（図７（ａ））。そしてシリコン基板５１の表面同士を、位置合わせして接合する。接合の際は、まず、接合する前にシリコン基板５１の表面を洗浄して、接合面７０をプラズマで活性化し、シリコン基板５１同士を貼り合わせる。この仮接合を常温で行った後、接合強度を上げるために、接合した基板を加熱してアニールする。アニールの条件は特に限定はされないが、例えば４００℃に加熱を行う。接合により、吐出電極１１１と流路１１３が完成し、中間電極１１２の開口部１１２ｃが形成される。
【００６８】
接合後、接合した基板を一枚のガラス基板６１（例えば、Ｃｏｒｎｉｎｇ社Ｐｙｒｅｘ（登録商標）７７４０）に接着剤を用いて接合する。簡略化のため、図７（ｂ）には接着剤を示していない。
【００６９】
［接合した基板を切断する工程］
次に、接合した基板をダイシングソーを用いて切断する（ダイシング）。具体的には、図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、切断面７１および絶縁部５６を形成するように切断を行う。これにより、中間電極１１２と吐出電極１１１との間を電気的に絶縁し、中間電極１１２の開口部１１２ｄを形成することができる。
【００７０】
図８（ｂ）は、図８（ａ）のシリコン基板５１をｙ軸方向に沿って見た図、すなわち図８（ａ）のシリコン基板５１の表面の上面図である。図８（ｂ）に示すように、ダイシングにより形成した絶縁部５６によって、中間電極１１２は吐出電極１１１と電気的に絶縁している。すなわち、絶縁部５６は接合した基板をダイシングした溝である。
【００７１】
なお、本実施形態ではダイシングによって絶縁部５６および開口部１１２ｄの形成を行ったが、これに限定はされず、例えばＤＲＩＥ法によるエッチングによって絶縁部５６および開口部１１２ｄの形成を行ってもよい。
【００７２】
以上の工程により、ヘッド１１０を製造することができる。
【００７３】
次に、上述の製造方法によって製造したヘッド１１０を有する記録装置１の構成について説明する。図９は、本実施形態に係る記録装置１の構成を示す図である。図９（ａ）は記録装置１の断面図であり、図９（ｂ）は記録装置１の上面図である。基本的な構成は上述の図１と同様である。
【００７４】
対向電極２に電極パッド１２４を形成し、中間電極１１２に電極パッド１２５を形成し、吐出電極１１１に電極パッド１２６を形成する。これらの電極パッドに電源部１２０を接続し、吐出電極１１１と中間電極１１２、対向電極２の間に適切な電圧を印加する。これにより、液滴ＬＤを吐出電極１１１から対向電極２に向けて吐出し、飛翔させることができる。
【００７５】
なお、本実施形態ではヘッド１１０を半導体プロセスを用いて製造し、吐出電極１１１および中間電極１１２をケイ素化合物で形成されているものとしたが、これに限定はされない。例えば、本実施形態に係る製造方法によって製造したヘッド１１０をもとにモールドを形成し、該モールドを用いて射出成型によって液体吐出ヘッドを製造してもよい。
【００７６】
モールドの形成方法の一例を以下に示す。上述の製造プロセスによって製造したヘッド１１０の表面にクロム、金の薄膜をスパッタによって成膜した後、金の薄膜をシード層として、その上にニッケルをめっきする。ニッケルをめっきした後、シリコン基板５１をフッ素系ガス（たとえばＸｅＦ２ガス）によるドライエッチングによって除去する。これにより、中空状のニッケルモールドを形成することができる。この中空状のニッケルモールドを用いて、熱可塑性樹脂を射出成型すれば、樹脂製の液体吐出ヘッドを簡易かつ大量に製造することができる。熱可塑性樹脂としては、例えばポリ乳酸（ＰＬＡ）を用いることができる。なお熱可塑性樹脂を用いて液体吐出ヘッドを製造する際には、中間電極および吐出電極に導電性を付与するために、導電体を内蔵させることが好ましい。
【００７７】
＜電界分布計算＞
本実施形態に係る液体吐出装置１０について、液体吐出装置１０における電界の分布を計算によって求めた。その結果を、図１０および図１１に示す。
【００７８】
図１０（ａ）は、本実施形態に係る液体吐出装置１０における電界の分布を示す図である。また、図１０（ｂ）は、比較例に係る液体吐出装置における電界の分布を示す図である。
【００７９】
電界分布の計算は、有限要素法を用いて行った。計算の際には計算を効率化するために、ヘッド１１０がｚ軸に平行な対称軸を有するものとし、該対称軸に関して右側半分の領域をモデル化して、計算を行った。
【００８０】
図１０においては、図１０中の長方形の左辺が、吐出電極１１１の軸中心に沿う軸対称線を示している。なお、吐出電極１１１から吐出された液滴ＬＤは流路１１３から離間しており、流路１１３を流れる液体の体積は吐出電極１１１、中間電極１１２、対向電極２の各電極の体積に比べて小さい。そのため、電界分布の計算においては流路１１３および流路１１３を流れる液体の影響を無視して計算を行った。
【００８１】
計算の際の各種条件を以下に示す。吐出電極１１１のｙ軸方向についての幅は０．２ｍｍ、中間電極１１２および中間電極２１２の幅は０．５ｍｍ、厚さは０．１ｍｍとした。また、中間電極１１２および中間電極２１２と吐出電極１１１の先端との間の水平方向（ｙ軸方向）距離は０．５ｍｍ、中間電極１１２および中間電極２１２と吐出電極１１１の先端との間の垂直方向（ｚ軸方向）距離は０．６ｍｍとした。また、吐出電極１１１への印加電圧は１００Ｖ、中間電極１１２および中間電極２１２への印加電圧は５０Ｖ、対向電極は接地してあるものとした。
【００８２】
本実施形態に係る液体吐出装置１０においては、α＝β＝５４．７°として計算を行った。また、比較のために、中間電極の有する第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２が、第１の方向Ｄ１と垂直となるように中間電極を配置した液体吐出装置を比較例として、同様の計算を行った。すなわち、比較例に係る液体吐出装置においては、α＝β＝９０°として計算を行った。図１０に、それぞれの電界の分布を示す。
【００８３】
図１１に、特定のｚ座標における、吐出電極１１１の先端からの距離と電界の水平方向（ｙ軸方向）成分の関係を表す図を示す。
【００８４】
図１１において、横軸は吐出電極１１１の先端からの水平距離（ｙ軸方向への距離）を示す。縦軸は電界の水平方向（ｙ軸方向）成分の強度を示す。なお、図１０におけるｙ軸の方向をプラス、その逆をマイナスとして強度を表示している。
【００８５】
図１１（ａ）は液滴ＬＤの飛行初期に関与する電界の分布、すなわち吐出電極１１１と中間電極１１２との間の空間における電界の分布を示している。具体的には、図１１（ａ）は図１０において点線で示した直線Ｂ１および直線Ｂ２における電界の分布を示している。また、図１１（ｂ）は液滴ＬＤの飛行後期に関与する電界の分布、すなわち中間電極１１２と対向電極２との間の空間における電界の分布を示している。具体的には、図１１（ｂ）は図１０において点線で示した直線Ｃ１および直線Ｃ２における電界の分布を示している。
【００８６】
図１０（ａ）に示すように、第１の実施形態に係る飛行初期の液滴ＬＤの飛翔軌道に影響する電界の水平方向成分の強度は、比較例に係る飛行初期の液滴ＬＤの飛翔軌道に影響する電界の水平成分の強度より小さいことがわかった。具体的には、第１の実施形態に係る電界の水平方向成分の強度は、比較例に係る電界の水平成分の強度の４７％〜９３％となった。
【００８７】
すなわち、本実施形態のように０°＜α＜９０°とすることで、飛行初期の液滴ＬＤの軌道に影響する電界の水平成分を小さくすることができる。この結果、吐出された液体の直進性を向上させることができることがわかった。
【００８８】
図１０（ｂ）に示すように、第１の実施形態に係る飛行後期の液滴ＬＤの飛翔軌道に影響する電界の水平方向成分の強度は、比較例に係る飛行後期の液滴ＬＤの飛翔軌道に影響する電界の水平成分の強度より大幅に小さいことがわかった。いずれの場合でも、該電界の水平方向成分の強度はマイナス、すなわち液滴ＬＤの飛翔方向を中心側へと抑え込む方向に電界が形成されていた。しかし、第１の実施形態では比較例１に比べて電界の水平方向成分の強度の絶対値が大きく、液滴ＬＤの飛翔方向を中心側へと抑え込む効果がかなり大きいことがわかった。
【００８９】
すなわち、本実施形態のように０°＜β＜９０°とすることで、飛行後期の液滴ＬＤの軌道を中心方向へと抑え込むように電界を形成することができる。この結果、吐出された液体の直進性を向上させることができることがわかった。
【符号の説明】
【００９０】
２  対向電極
１１１  吐出電極
１１２  中間電極
１２０  電源部
Ｓ１  第１の面（中間電極の吐出電極と対向する面）
Ｐ１  第１の位置
Ｐ２  第２の位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１１】
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【図１０】
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