(57)【要約】【課題】ビアホールの位置ずれによる特性変動を抑制し、調整の手間を省き、小型化の可能なＬＣ共振回路を得ること。【解決手段】ＬＣ共振回路１０Ｍでインダクタンスを実現する時に用いられるショートスタブにおいて主線路１１に接続された副線路１２に対して対称に第１および第２のショートスタブ１４，１５を配置し、接地導体１６に接続する第１および第２のビアホール１４ａ,１５ａを左右相反する方向にずらして配置する構成とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面に接地導体を有する誘電体基板と、第２主面に形成されたマイクロストリップ線路からなり、主線路と、前記主線路に接続された副線路と、前記副線路上の点から、前記点に対して対称に配され、長さの等しい２つのショートスタブと、前記ショートスタブをそれぞれ前記接地導体に接続する２つのビアホールとを備え、
前記ビアホールが前記各ショートスタブの中心を結ぶ中心線から互いに反対方向にずれ、前記点に対して点対称をなすことを特徴とするＬＣ共振回路。
【請求項２】
前記ショートスタブは、
前記副線路に対して直交する第１の方向に配された第１のショートスタブと、
前記副線路に対して直交するとともに前記第１の方向と逆方向である第２の方向に配された第２のショートスタブとを備えたことを特徴とする請求項１に記載のＬＣ共振回路。
【請求項３】
前記ショートスタブは、
副線路に接続されたスタブ線路と、
前記スタブ線路の端部に配されたパッドとを有し、
前記ビアホールは前記パッド上に前記パッドの中心からずれて配されたことを特徴とする請求項１または２に記載のＬＣ共振回路。
【請求項４】
第１主面に接地導体を有する誘電体基板と、第２主面に形成されたマイクロストリップ線路からなり、主線路と、前記主線路に接続された副線路と、前記副線路上の１点から、前記１点に対して対称に配され、長さの等しい第１および第２のショートスタブとを備えを備えたＬＣ共振回路であって、
前記第１のショートスタブは、前記副線路上の１点から伸長された第１のスタブ線路と、第１のスタブ線路の他端に配された第１のパッドと、前記第１のパッドの中心からずれて配された第１のビアホールとを備え、
第２のショートスタブは、前記１点から伸長された第２のスタブ線路と、第２のスタブ線路の他端に配された第２のパッドと、前記第２のパッドの中心からずれて配された第２のビアホールとを備え、
前記第１のビアホールと前記第２のビアホールはそれぞれ反対方向にずれて配されたことを特徴とするＬＣ共振回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣ共振回路に係り、特に基板裏面の共通接地面とマイクロストリップ線路との接続のためのビアホールの配置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信機器あるいはレーダ装置の小型化、薄型化、高機能化に伴い、主要部品である高周波信号の信号伝送回路においても多層化による高密度実装が求められている。回路基板の高密度多層化技術としては、貫通孔に導電性ペースト等の導電材料を充填し１層ずつ積層することで層間接続としてＩＶＨ（Ｉｎｎｅｒ  Ｖｉａ  Ｈａｌｌ：  インナービアホール）構造を用いた多層化技術が知られている。
【０００３】
マイクロ波半導体集積回路（ＭＩＣ：Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）においては、主線路のインピーダンス調整のために接続されるマイクロストリップ線路からなるスタブ回路を用いたＬＣ（インダクタンス−キャパシタンス）共振回路が広く用いられている。従来のスタブ回路は、共通接地面を有する基板上に形成されたマイクロストリップ線路からなる主線路に接続されている。スタブ回路は、一端を主線路に接続され、他端をビアホールを介して基板裏面の共通接地面に接続されてなり、主線路に対しショートスタブ回路として機能する。ショートスタブは、ＬＣ共振回路でインダクタンスＬを実現する。スタブ回路において、ショートスタブを調整するには、ショートスタブの線路長を直接、もしくは等価的に変更する必要がある。言い換えれば、ショートスタブの線路長さが変化すれば電気特性が変化するということになる。一方キャパシタンスＣは配線パターンの配線容量の和となる。
【０００４】
製造誤差によってビアホールの位置がずれるとショートスタブ線路長が変化することになる。そこで、従来は、例えば特許文献１に示されるように、調整用のビアホールおよび調整用回路パターンをもつスタブ線路にボンディングワイヤで接続してショートスタブの線路長を等価的に変化させ、製造誤差にて変化した線路長をキャンセルする調整をしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−７６１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記に示した特許文献１の技術では、製造誤差によるビアホールの位置ずれによる特性変動を調整する必要があり、調整用パターンを配置することにより回路規模が大きくなり、回路寸法の微細化を阻む要因となっていた。また上記技術では、ワイヤボンディングを実施する手間が発生し、製造作業性向上を阻む原因となっていた。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、ビアホールの位置ずれによる特性変動を抑制し、調整の手間を省き、小型化の可能なＬＣ共振回路を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、第１主面に接地導体を有する誘電体基板と、第２主面に形成されたマイクロストリップ線路からなり、主線路と、主線路に接続された副線路と、副線路上の点に対して対称に配され、長さの等しい２つのショートスタブと、ショートスタブをそれぞれ接地導体に接続する２つのビアホールとを備える。ビアホールが各ショートスタブの中心を結ぶ中心線から互いに反対方向にずれ、点に対して点対称をなすことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、特性変動を抑制し、調整の手間を省くことができ、小型化の可能なＬＣ共振回路を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１のマイクロ波半導体集積回路におけるＬＣ共振回路の構成を示す図であり、（ａ）は、上面図、（ｂ）は、（ａ）の図Ｉｂ−Ｉｂ断面図、（ｃ）は、（ａ）の図Ｉｃ−Ｉｃ断面図
【図２】実施の形態１のＬＣ共振回路におけるビアホールの配置を説明するための配置説明図
【図３】実施の形態１のＬＣ共振回路におけるビアホールの配置を説明するための配置説明図
【図４】実施の形態１のＬＣ共振回路におけるビアホールの配置を説明するための配置説明図
【図５】実施の形態１のＬＣ共振回路におけるビアホールの配置を説明するための配置説明図
【図６】実施の形態１のＬＣ共振回路におけるビアホールの配置を説明するための配置説明図
【図７】実施の形態１のＬＣ共振回路におけるビアホールの配置による、主線路の通過特性を示すグラフ
【図８】従来例のＬＣ共振回路におけるビアホールの配置による、主線路の通過特性を示すグラフ
【図９】実施の形態２のＬＣ共振回路におけるビアホールの配置を説明するための配置説明図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明にかかるＬＣ共振回路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため各層あるいは各部材の縮尺が現実と異なる場合があり、各図面間においても同様である。
【００１２】
実施の形態１．
以下に、実施の形態１にかかる電圧制御発振器のＬＣ共振回路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１３】
図１は、実施の形態１のマイクロ波半導体集積回路（ＭＩＣ）におけるＬＣ共振回路の構成を示す図であり、（ａ）は、上面図、（ｂ）は、（ａ）の図Ｉｂ−Ｉｂ断面図、（ｃ）は、（ａ）の図Ｉｃ−Ｉｃ断面図である。図１（ａ）から（ｃ）においては、スタブ回路のみを示しており、その他の回路を構成する回路部品が搭載されているが、ここでは図示していない。実施の形態１のＬＣ共振回路１０Ｍは、主線路１１に接続される副線路１２の先端に、オープンスタブ１３が接続される。副線路１２に対し対称な第１および第２のスタブ線路１４ｂ，１５ｂを備えた第１および第２のショートスタブ１４，１５を配置する。そして、図１（ａ）および図２に示すように、第１および第２のショートスタブ１４，１５の第１および第２のビアホール１４ａ，１５ａを第１および第２のスタブ線路１４ｂ，１５ｂの中心を結ぶ中心線の中心である点Ｏより互いに逆方向にずらして配置している。図２は図１のビアホールの配置を説明するための配置説明図である。２つのショートスタブには中心が存在し、中心同士を結ぶ中心線なるものがある。その中心線から反対方向にずれているものとする。ショートスタブの中心が特定しにくい場合には副線路上の点から、点に対して対称に配されたショートスタブの中心線上でかつ副線路上の当該点からの距離が等しい点を結ぶ線を中心線とするものとする。
【００１４】
実施の形態１のＬＣ共振回路１０Ｍでは、アルミナからなる誘電体基板１０の表面１０Ａに形成された主線路１１に接続された副線路１２に、インダクタンスＬを形成する第１のショートスタブ１４と第２のショートスタブ１５とが接続されている。副線路１２の先端にはオープンスタブ１３が形成されている。オープンスタブ１３は、一端を開放としたマイクロストリップ線路からなるλ／４先端開放スタブである。
【００１５】
オープンスタブ１３と同一位置で副線路１２に直交し、副線路１２に対して線対称に接続されたマイクロストリップ線路からなる第１および第２のスタブ線路１４ｂ，１５ｂとが形成されている。
【００１６】
第１のショートスタブ１４は、副線路１２に接続された第１のスタブ線路１４ｂと、第１のスタブ線路１４ｂの先端に形成された幅広の第１のパッド１４Ｐとで構成され、第１のパッド１４Ｐには第１のビアホール１４ａが形成されている。
【００１７】
第２のショートスタブ１５は、副線路１２に接続された第２のスタブ線路１５ｂと、第２のスタブ線路１５ｂの先端に形成された幅広の第２のパッド１５Ｐとで構成され、第２のパッド１５Ｐには第２のビアホール１５ａが形成されている。
【００１８】
第１のビアホール１４ａと第２のビアホール１５ａとが、副線路１２との交点である点Ｏに対して点対称にずらして配置されている。つまり、第１のビアホール１４ａと第２のビアホール１５ａとが、第１のスタブ線路１４ｂと第２のスタブ線路１５ｂからなるスタブ線路の中心に相当する点Ｏより互いに逆方向にずらして配置されている。つまり本来の第１のスタブ線路１４ｂと第２のスタブ線路１５ｂの中心線上にある本来の第１のパッド１４Ｐと第２のパッド１５Ｐの中心位置１４Ｏ，１５Ｏから、逆方向にずらして第１のビアホール１４ａと第２のビアホール１５ａとが配置されている。第１のビアホール１４ａと第２のビアホール１５ａとは、第１のパッド１４Ｐと第２のパッド１５Ｐの本来の中心位置１４Ｏ，１５Ｏの中心Ｏに対して互いに点対称となる方向にずらして形成されたマスクパターンを用いてフォトリソグラフィによりパターン形成される。
【００１９】
誘電体基板１０の裏面１０Ｂ側は、全面が接地導体１６で被覆されており、それぞれ第１のビアホール１４ａと第２のビアホール１５ａとを介して第１のスタブ線路１４ｂと第２のスタブ線路１５ｂとが接地導体１６に接続されている。
【００２０】
実施の形態１のＬＣ共振回路１０Ｍは、例えば、第１および第２のビアホール１４ａ，１５ａを形成したアルミナ基板からなる誘電体基板１０の表面１０Ａおよび裏面１０Ｂに真空蒸着によりニッケル薄膜等の金属薄膜を形成し、金属薄膜をパターニングした後、さらに金属薄膜上に金めっき層などの金属めっき層を形成して構成されるいわゆるＭＩＣ回路である。
【００２１】
この構成により、製造誤差によりパターンに対して同一方向へビアホールの位置がずれた場合において、第１のショートスタブ１４によるインダクタンスＬは大きくなるが、他方の第２ショートスタブ１５によるインダクタンスＬは小さくなるため、合成されたインダクタンスＬの変動は小さくなり、特性変動が抑圧される。
【００２２】
図３は、ビアホールの形成位置がフォトリソグラフィによるマスク合わせで＋Ｘ方向にずれた場合の第１および第２のビアホール１４ａ，１５ａの配置を示す。副線路１２と第１のスタブ線路１４ｂとの接続部に相当する中心Ｏから第１のビアホール１４ａまでの距離が長くなる、つまり第１のショートスタブ１４の第１のインダクタンスＬ１が大きくなる。一方で副線路１２と第２のスタブ線路１５ｂとの接続部から第２のビアホール１５ａまでの距離が短くなる、つまり第２のショートスタブ１２の第２のインダクタンスＬ２が小さくなる。第１のインダクタンスＬ１と第２のインダクタンスＬ２は逆方向に増減するため、合成した合成インダクタンスＬ３＝Ｌ１＋Ｌ２は変動が抑制され、特性変動が小さくなる。
【００２３】
図４、図５および図６に、図３の位置から第１および第２のビアホール１４ａ，１５ａが−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向にずれた場合の第１および第２のビアホールの配置を示す。図２と同様に、第１および第２のインダクタンスＬ１とＬ２は逆方向に増減するため、合成した合成インダクタンスＬ３の値は変動が抑制され、特性変動が小さくなる。
【００２４】
図７は、主線路１１の通過特性を示すグラフである。横軸は周波数、縦軸は通過損失を示す図である。実線ａ0は第１および第２のビアホール１４ａ，１５ａが本来のビアホールの位置である第１および第２のパッドの中心位置に形成された場合を示す。破線ａ+Yは第１および第２のビアホール１４ａ，１５ａが＋Ｙ方向にずれて形成された場合のＬＣ共振回路１０Ｍの通過特性を示す。破線ａ-Yは第１および第２のビアホール１４ａ，１５ａが−Ｙ方向にずれて形成された場合のＬＣ共振回路１０Ｍの通過特性を示す。１点鎖線ａ+Xは第１および第２のビアホール１４ａ，１５ａが＋Ｘ方向にずれて形成された場合のＬＣ共振回路１０Ｍの通過特性を示す。２点鎖線ａ-Xは第１および第２のビアホール１４ａ，１５ａが−Ｘ方向にずれて形成された場合のＬＣ共振回路１０Ｍの通過特性を示す。各方向にずれた場合でも特性変動がほとんどなく、ピーク周波数の変動幅が極めて小さく抑制されていることが分かる。
【００２５】
比較として、図８に、ショートスタブを１つだけ形成した場合に、ビアホールが各方向にずれた場合のＬＣ共振回路の通過特性を示す。主線路に接続された副線路の先端に、例えば図１（ａ）における第１のビアホール１４ａと第１のスタブ線路１４ｂからなるショートスタブ１４とオープンスタブ３とが接続されるＬＣ共振回路である。図８に示されるとおり、ビアホールの位置ずれによりＬが変動するため特性が大きく変動しており、ピーク波長の変動幅は図７の場合の１０倍以上であった。
【００２６】
実施の形態１のＬＣ共振回路１０Ｍによれば、上記構成をとることにより、特性変動が抑制されるため、調整の手間を省くことができる。また、調整用のパターンを配置する必要がないため、回路寸法を小さくすることが可能となる。
【００２７】
実施の形態２．
図９は、実施の形態２のマイクロ波半導体集積回路におけるＬＣ共振回路２０Ｍのビアホールの配置を説明するための図である。実施の形態２のＬＣ共振回路２０Ｍでは、第１のスタブ線路２４ｂと第２のスタブ線路２５ｂとが、副線路２２に対して直交配置されているが、実施の形態２のＬＣ共振回路２０Ｍでは、第１のスタブ線路２４ｂと第２のスタブ線路２５ｂとが、副線路２２に対して角度θだけ傾斜して交差配置されている。つまり副線路２２上の１点である点Ｏから、点Ｏに対して対称に配され、長さの等しい第１および第２のショートスタブ２４，２５とを備える。第１のショートスタブ２４は、副線路２２上の点Ｏから伸長された第１のスタブ線路２４ｂと、第１のスタブ線路２４ｂの他端に配された第１のパッド２４Ｐと、第１のパッド２４Ｐの中心からずれて配された第１のビアホール２４ａとを備える。第２のショートスタブ２５は、１点Ｏから伸長された第２のスタブ線路２５ｂと、第２のスタブ線路２５ｂの他端に配された第２のパッド２５Ｐと、第２のパッド２５Ｐの中心からずれて配された第２のビアホール２５ａとを備える。他の構成については実施の形態１のＬＣ共振回路１０Ｍと同様である。
【００２８】
図９においては、スタブ回路のみを示しており、その他の回路を構成する回路部品が搭載されているが、ここでは図示していない。実施の形態２のＬＣ共振回路２０Ｍは、実施の形態１のＬＣ共振回路１０Ｍと同様、主線路２１に接続される副線路２２の先端に、オープンスタブ２３が接続される。副線路２２に対し対称な第１および第２のスタブ線路２４ｂ，２５ｂを備えた第１および第２のショートスタブ２４，２５を配置する。そして、図９に示すように、第１および第２のショートスタブ２４，２５の第１および第２のビアホール２４ａ，２５ａを第１および第２のスタブ線路２４ｂ，２５ｂの中心である点Ｏより互いに逆方向に、ずらして配置している。第１および第２のビアホール２４ａ，２５ａは、本来形成すべき位置である第１および第２のパッド２４Ｐ，２５Ｐの中心位置２４Ｏ，２５Ｏから、点Ｏに対して対称位置となるようにずらして配置している。
【００２９】
実施の形態２のＬＣ共振回路２０Ｍでは、アルミナからなる誘電体基板２０の表面に形成された主線路２１に接続された副線路２２に、インダクタンスＬを形成する第１のショートスタブ２４と第２のショートスタブ２５とが接続されている。副線路２２の先端にはオープンスタブ２３が形成されている。オープンスタブ２３は、実施の形態１のＬＣ共振回路１０Ｍと同様、一端を開放としたマイクロストリップ線路からなるλ／４先端開放スタブである。
【００３０】
第１のビアホール２４ａと第２のビアホール２５ａとが、副線路２２との交点であるＯに対して点対称に配置されている。つまり、第１のビアホール２４ａと第２のビアホール２５ａとが、本来の第１のスタブ線路２４ｂと第２のスタブ線路２５ｂの中心線上にある本来の第１のパッド２４Ｐと第２のパッド２５Ｐの中心位置２４Ｏ，２５Ｏから、逆方向にずらして第１のビアホール２４ａと第２のビアホール２５ａとが配置されている。第１のビアホール２４ａと第２のビアホール２５ａとは、第１のパッド２４Ｐと第２のパッド２５Ｐの本来の中心位置２４Ｏ，２５Ｏの中心である点Ｏに対して互いに点対称となる方向にずらして形成されたマスクパターンを用いてフォトリソグラフィにより形成される。
【００３１】
誘電体基板２０の裏面側は、全面が図示しない接地導体で被覆されており、それぞれ第１のビアホール２４ａと第２のビアホール２５ａとを介して第１のスタブ線路２４ｂと第２のスタブ線路２５ｂとが接地導体に接続されている。
【００３２】
この構成により、製造誤差によりパターンに対して同一方向へビアホールの位置がずれた場合において、第１のショートスタブ２４によるインダクタンスＬは大きくなるが、他方の第２ショートスタブ２５によるインダクタンスＬは小さくなるため、合成されたインダクタンスＬの変動は小さくなり、特性変動が抑圧される。
【００３３】
なお、実施の形態１では、第１および第２のショートスタブが副線路に対して直交配置されたＬＣ共振回路、実施の形態２では、第１および第２のショートスタブが副線路に対して傾斜配置されたＬＣ共振回路について説明したが、第１および第２のショートスタブは、副線路に対して線対称、あるいは、副線路との交点に対して点対称に配置されていればよい。つまり第１および第２のショートスタブは、副線路上の１点である点Ｏから線対称または点対称に配される。
【００３４】
また、実施の形態１および２ともに、第１および第２のビアホールが、第１および第２のショートスタブを通る中心線上にある、第１および第２のショートスタブと副線路との交点に対して、本来の第１および第２のショートスタブの中心から点対称位置にずらして形成された第１および第２のビアホールパターンをもつマスクを用いてビアホールが形成されるようにした。レーザ描画によってビアホールを形成する場合には、本来の第１および第２のショートスタブの中心から点対称位置にずらして形成された第１および第２のビアホールパターンを描画すればよい。第１および第２のショートスタブの配置については実施の形態１，２に限定されるものではなく、副線路に対して、副線路上の１点に対して点対称となるように配すればよい。第１および第２のビアホールのずれ量についても、適宜調整可能である。
【００３５】
ワイヤボンディングあるいはビアホールなどによる付加インダクタンス成分の影響は設計周波数が高くなるほど無視できなくなり、その同調感度劣化は顕著となるが、実施の形態１，２のＬＣ共振回路によれば、調整が不要で信頼性の高いものとなる。
【００３６】
実施の形態１，２では、誘電体基板としてアルミナ基板を用い、真空蒸着法あるいはスパッタリングなどにより金属薄膜層を形成した後、金属めっき層を形成したが、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙ  Ｔｅｔｒａ  Ｆｌｕｏｒｏ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ：４フッ化エチレン樹脂）基板のような低誘電率、低誘電正接である材料からなる樹脂基板を用いてもよい。ビアホール内は薄膜を形成しても良いし、電極ペーストを充填することによって導電性を持たせることもできる。また、多層化するためには、ストリップ導体の上下に誘電体基板を挟んで接地導体を設けるストリップ線路方式がよく用いられるが、ストリップ線路方式では、誘電体基板の厚さが薄くなるとストリップ導体幅の製造誤差によるインピーダンスの変動が大きくなるため、伝送線路としての特性ばらつきが大きくなる。そのため、電子回路用の基板と比較して誘電体基板を厚くする必要があり、例えば、Ｘ帯では０．５から１．０ｍｍ程度の基板厚が用いられる。
【００３７】
なお、第１および第２のビアホールのずれ方向およびずれ量については、実施の形態１および２に限定されるものではなく、製造誤差の生じ易い方向に対して、第１および第２のビアホールが反対の方向にずれるように、ビアホールのパターン設計を行うのが望ましい。反対の方向とは、副線路に対して線対称、または、副線路上の１点に対して点対称である方向ベクトルをもつものとするが、ビアホールの形成方法によっていずれを選択するかが決定される。レーザ描画による場合は、１点の基準位置を位置合わせし、レーザヘッドを走査することで形成されるため、副線路上の１点に対して点対称となるようにすべきである。フォトリソグラフィによる場合はマスクの位置合わせ基準に応じて決定すればよい。また製造工程において誘電体基板を載置するステージの駆動方向によってもずれが生じる可能性があるため、Ｘ方向、Ｙ方向又は回転方向のずれが生じ易い場合は、ビアホールの形成位置もずれの生じ易い方向を考慮してずれの基準位置とずれの方向とを決定するのが望ましい。
【００３８】
また基準とする点についても、マスク合わせの合わせマーク位置などの基準位置、あるいは複数の基準位置がある場合には複数の基準位置の中点、つまり各基準位置から等しい位置を基準点とし、基準点に対して回転またはずれが生じる場合に、基準点に対して反対側にずれを持つように形成すればよい。
【００３９】
また、実施の形態１および２においては、スタブ線路の先端に幅広のパッドが配された例について説明したが、パッドは必須ではなく、スタブ線路上にビアホールが形成されていればよい。
【００４０】
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１０Ｍ，２０Ｍ  ＬＣ共振回路、１０，２０  誘電体基板、１０Ａ  表面、１０Ｂ  裏面、１１，２１  主線路、１２，２２  副線路、１３，２３  オープンスタブ、１４，２４  第１のショートスタブ、１４ａ，２４ａ  第１のビアホール、１４ｂ，２４ｂ  第１のスタブ線路、１５，２５  第２のショートスタブ、１５ａ，２５ａ  第２のビアホール、１５ｂ，２５ｂ  第２のスタブ線路、１６  接地導体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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