(57)【要約】【課題】画素の開口率を低下させることなく混色に起因する表示品位の低下を抑えることができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置において、第１基板は、複数のゲート線と、複数のデータ線と、複数の画素電極と、平面的に見て前記複数のゲート線、前記複数のデータ線及び前記複数の画素電極に重畳する絶縁膜と、を含み、第２基板は、第１の色の光を透過する第１着色部と、第２の色の光を透過する第２着色部と、前記第１着色部及び前記第２着色部の境界部分に配置され、前記第１の色の光及び前記第２の色の光の透過を遮断する遮光部と、を含み、前記絶縁膜は、平面的に見て前記第１着色部又は前記第２着色部に重なる第１部分と、平面的に見て前記遮光部に重なり、前記第１部分よりも膜厚が厚い第２部分とを含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された、第１基板と第２基板とを含み、
前記第１基板は、複数のゲート線と、複数のデータ線と、複数の画素電極と、平面的に見て前記複数のゲート線、前記複数のデータ線及び前記複数の画素電極に重畳する絶縁膜と、を含み、
前記第２基板は、第１の色の光を透過する第１着色部と、第２の色の光を透過する第２着色部と、前記第１着色部及び前記第２着色部の境界部分に配置され、前記第１の色の光及び前記第２の色の光の透過を遮断する遮光部と、を含み、
前記絶縁膜は、平面的に見て前記第１着色部又は前記第２着色部に重なる第１部分と、平面的に見て前記遮光部に重なり、前記第１部分よりも膜厚が厚い第２部分とを含む、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記絶縁膜は、有機絶縁膜である、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１基板は、さらに、共通電極を含み、
前記絶縁膜は、前記共通電極と前記複数の画素電極との間に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
複数のゲート線と、複数のデータ線と、複数の画素電極と、平面的に見て前記複数のゲート線、前記複数のデータ線及び前記複数の画素電極に重畳する、有機材料で形成された有機絶縁膜と、を含む前記第１基板と、
第１の色の光を透過する第１着色部と、第２の色の光を透過する第２着色部と、前記第１着色部及び前記第２着色部の境界部分に配置され、前記第１の色の光及び前記第２の色の光の透過を遮断する遮光部と、を含む前記第２基板と、
を含む液晶表示装置の製造方法であって、
前記有機絶縁膜を形成する工程は、
感光性の有機材料を塗布して有機膜を形成する工程と、
平面的に見て前記有機膜の前記第１着色部又は前記第２着色部に重なる第１部分と、平面的に見て前記有機膜の前記遮光部に重なる第２部分とに、異なる光量の光を照射する光照射工程と、
を含み、
前記有機絶縁膜を形成する工程において、前記第２部分を前記第１部分よりも膜厚を厚く形成する、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１基板は、さらに薄膜トランジスタを含み、
前記光照射工程は、平面的に見て前記有機絶縁膜の前記薄膜トランジスタと重畳する第３部分に対して、前記第１部分及び前記第２部分とも異なる光量の光を照射し、前記第３部分の前記有機絶縁膜を除去する、
ことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記感光性の有機材料はポジ型感光性樹脂であり、
前記光照射工程において、前記第１部分に照射する光量を、前記第２部分に照射する光量と比べて多くする、
ことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記光照射工程において、平面的に見て前記有機絶縁膜の前記薄膜トランジスタと重畳する第３部分に照射する光量を、前記第１部分に照射する光量と比べて多くする、
ことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
複数のゲート線と、複数のデータ線と、複数の画素電極と、平面的に見て前記複数のゲート線、前記複数のデータ線及び前記複数の画素電極に重畳する、無機材料で形成された無機絶縁膜と、を含む前記第１基板と、
第１の色の光を透過する第１着色部と、第２の色の光を透過する第２着色部と、前記第１着色部及び前記第２着色部の境界部分に配置され、前記第１の色の光及び前記第２の色の光の透過を遮断する遮光部と、を含む前記第２基板と、
を含む液晶表示装置の製造方法であって、
前記無機絶縁膜を形成する工程は、
無機膜を形成する工程と、
前記無機膜の上に感光性の有機材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜において、平面的に見て前記第１着色部又は前記第２着色部に重なる第１領域と、平面的に見て前記遮光部に重なる第２領域とに異なる光量の光を照射する光照射工程と、
前記第２領域のレジスト膜を残す一方で、前記第１領域のレジスト膜を除去する第１レジスト除去工程と、
平面的に見て前記第１領域と重なる前記無機膜の第１部分の一部をエッチングする第１エッチング工程と、
前記第２領域のレジスト膜を除去する第２レジスト除去工程と、
を含み、
前記無機絶縁膜を形成する工程において、前記第２領域と平面的に見て重畳する前記無機膜の第２部分を、前記第１部分よりも膜厚を厚く形成する、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１基板は、さらに薄膜トランジスタを含み、
前記光照射工程において、平面的に見て前記薄膜トランジスタの少なくとも一部と重なる第３領域に対して、前記第１領域及び前記第２領域とも異なる光量の光を照射し、前記レジスト膜を除去し、
前記第３領域と重畳する前記無機膜の第３部分をエッチングにより除去する第２エッチング工程をさらに含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記感光性の有機材料はポジ型感光性樹脂であり、
前記光照射工程において、前記第１領域に照射する光量を、前記第２領域に照射する光量と比べて多くする、
ことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
光照射工程において、平面的に見て前記薄膜トランジスタの少なくとも一部と重なる第３領域に照射する光量を、前記第１部分に照射する光量と比べて多くする、
ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板（以下、ＴＦＴ基板という。）と、ＴＦＴ基板に対向するカラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板という。）と、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板の間に挟持される液晶層と、を含んでいる。ＣＦ基板には、異なる色（例えば赤色、緑色、青色）の光を透過する着色部と、各着色部の境界部分に配置される遮光部（以下、ブラックマトリクスという。）が形成されている。従来、上記液晶表示装置において、隣り合う画素領域からの光漏れに起因した混色が発生する問題が知られている。上記混色は、例えば、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とを貼り合わせる際の位置ずれ等により発生する。上記混色は、特に視野方向が斜め方向となる場合に顕著に表れ、表示品位の低下を招く。例えば、赤色画像を表示したときに、赤色画素を斜め方向から見ると緑色又は青色が混ざった色味となる。
【０００３】
上記混色の発生を低減する技術が、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１の液晶表示装置では、ブラックマトリクスの形成領域に、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とを貼り合わせる際の位置ずれ量を考慮した領域と、表示画面を斜め方向から見た場合の遮光を考慮した領域とを加えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−７２８０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の技術では、ブラックマトリクスの幅が大きくなるため、画素の開口率が低下するという問題が生じる。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、画素の開口率を低下させることなく混色に起因する表示品位の低下を抑えることができる液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る液晶表示装置は、上記課題を解決するために、対向配置された、第１基板と第２基板とを含み、前記第１基板は、複数のゲート線と、複数のデータ線と、複数の画素電極と、平面的に見て前記複数のゲート線、前記複数のデータ線及び前記複数の画素電極に重畳する絶縁膜と、を含み、前記第２基板は、第１の色の光を透過する第１着色部と、第２の色の光を透過する第２着色部と、前記第１着色部及び前記第２着色部の境界部分に配置され、前記第１の色の光及び前記第２の色の光の透過を遮断する遮光部と、を含み、前記絶縁膜は、平面的に見て前記第１着色部又は前記第２着色部に重なる第１部分と、平面的に見て前記遮光部に重なり、前記第１部分よりも膜厚が厚い第２部分とを含む、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る液晶表示装置では、前記絶縁膜は有機絶縁膜でもよい。
【０００９】
本発明に係る液晶表示装置では、前記第１基板は、さらに、共通電極を含み、前記絶縁膜は、前記共通電極と前記複数の画素電極との間に配置されてもよい。
【００１０】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、複数のゲート線と、複数のデータ線と、複数の画素電極と、平面的に見て前記複数のゲート線、前記複数のデータ線及び前記複数の画素電極に重畳する、有機材料で形成された有機絶縁膜と、を含む前記第１基板と、第１の色の光を透過する第１着色部と、第２の色の光を透過する第２着色部と、前記第１着色部及び前記第２着色部の境界部分に配置され、前記第１の色の光及び前記第２の色の光の透過を遮断する遮光部と、を含む前記第２基板と、を含む液晶表示装置の製造方法であって、前記有機絶縁膜を形成する工程は、感光性の有機材料を塗布して有機膜を形成する工程と、平面的に見て前記有機膜の前記第１着色部又は前記第２着色部に重なる第１部分と、平面的に見て前記有機膜の前記遮光部に重なる第２部分とに、異なる光量の光を照射する光照射工程と、を含み、前記有機絶縁膜を形成する工程において、前記第２部分を前記第１部分よりも膜厚を厚く形成する、ことを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第１基板は、さらに薄膜トランジスタを含み、前記光照射工程は、平面的に見て前記有機絶縁膜の前記薄膜トランジスタと重畳する第３部分に対して、前記第１部分及び前記第２部分とも異なる光量の光を照射し、前記第３部分の前記有機絶縁膜を除去してもよい。
【００１２】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記感光性の有機材料はポジ型感光性樹脂であり、前記光照射工程において、前記第１部分に照射する光量を、前記第２部分に照射する光量と比べて多くしてもよい。
【００１３】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記光照射工程において、平面的に見て前記有機絶縁膜の前記薄膜トランジスタと重畳する第３部分に照射する光量を、前記第１部分に照射する光量と比べて多くしてもよい。
【００１４】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、複数のゲート線と、複数のデータ線と、複数の画素電極と、平面的に見て前記複数のゲート線、前記複数のデータ線及び前記複数の画素電極に重畳する、無機材料で形成された無機絶縁膜と、を含む前記第１基板と、第１の色の光を透過する第１着色部と、第２の色の光を透過する第２着色部と、前記第１着色部及び前記第２着色部の境界部分に配置され、前記第１の色の光及び前記第２の色の光の透過を遮断する遮光部と、を含む前記第２基板と、を含む液晶表示装置の製造方法であって、前記無機絶縁膜を形成する工程は、無機膜を形成する工程と、前記無機膜の上に感光性の有機材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜において、平面的に見て前記第１着色部又は前記第２着色部に重なる第１領域と、平面的に見て前記遮光部に重なる第２領域とに異なる光量の光を照射する光照射工程と、前記第２領域のレジスト膜を残す一方で、前記第１領域のレジスト膜を除去する第１レジスト除去工程と、平面的に見て前記第１領域と重なる前記無機膜の第１部分の一部をエッチングする第１エッチング工程と、前記第２領域のレジスト膜を除去する第２レジスト除去工程と、を含み、前記無機絶縁膜を形成する工程において、前記第２領域と平面的に見て重畳する前記無機膜の第２部分を、前記第１部分よりも膜厚を厚く形成する、ことを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第１基板は、さらに薄膜トランジスタを含み、前記光照射工程において、平面的に見て前記薄膜トランジスタの少なくとも一部と重なる第３領域に対して、前記第１領域及び前記第２領域とも異なる光量の光を照射し、前記レジスト膜を除去し、前記第３領域と重畳する前記無機膜の第３部分をエッチングにより除去する第２エッチング工程をさらに含んでもよい。
【００１６】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記感光性の有機材料はポジ型感光性樹脂であり、前記光照射工程において、前記第１領域に照射する光量を、前記第２領域に照射する光量と比べて多くしてもよい。
【００１７】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、光照射工程において、平面的に見て前記薄膜トランジスタの少なくとも一部と重なる第３領域に照射する光量を、前記第１部分に照射する光量と比べて多くしてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法によれば、画素の開口率を低下させることなく混色に起因する表示品位の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本実施形態に係る表示パネルの一部の構成を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ´断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ´断面図である。
【図５】本実施形態に係る液晶表示装置における有機絶縁膜の形成工程の一部を示す図である。
【図６】本実施形態に係る液晶表示装置における有機絶縁膜の形成工程の一部を示す図である。
【図７】本実施形態に係る表示パネルの他の構成を示すＢ−Ｂ´断面図である。
【図８】本実施形態に係る液晶表示装置における上層絶縁膜の形成工程の一部を示す図である。
【図９】本実施形態に係る液晶表示装置における上層絶縁膜の形成工程の一部を示す図である。
【図１０】本実施形態に係る液晶表示装置における上層絶縁膜の形成工程の一部を示す図である。
【図１１】本実施形態に係る表示パネルの他の構成を示すＢ−Ｂ´断面図である。
【図１２】本実施形態に係る液晶表示装置における上層絶縁膜の他の形成工程の一部を示す図である。
【図１３】本実施形態に係る液晶表示装置における上層絶縁膜の他の形成工程の一部を示す図である。
【図１４】本実施形態に係る液晶表示装置における上層絶縁膜の他の形成工程の一部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施形態について、図面を用いて以下に説明する。
【００２１】
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。液晶表示装置１は、画像を表示する表示パネル１０と、表示パネル１０を駆動する駆動回路（データ線駆動回路、ゲート線駆動回路）と、駆動回路を制御する制御回路（図示せず）と、表示パネル１０に背面側から光を照射するバックライト（図示せず）と、を含んで構成されている。なお、駆動回路は、表示パネル１０に搭載されていてもよい。
【００２２】
図２は表示パネル１０の一部の構成を示す平面図である。図３は図２のＡ−Ａ´断面図であり、図４は図２のＢ−Ｂ´断面図である。図３に示すように、表示パネル１０は、背面側に配置される薄膜トランジスタ基板１００（以下、ＴＦＴ基板という。）と、前面側（表示面側）に配置され、ＴＦＴ基板１００に対向するカラーフィルタ基板２００（以下、ＣＦ基板という。）と、ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００の間に挟持される液晶層３００と、を含んでいる。なお、図２は便宜上、前面側から、ＣＦ基板２００を透視し、ＴＦＴ基板１００を見た状態を示している。
【００２３】
図１及び図２に示すように、ＴＦＴ基板１００には、列方向に延在する複数のデータ線１１と、行方向に延在する複数のゲート線１２とが形成され、複数のデータ線１１と複数のゲート線１２とのそれぞれの交差部近傍に薄膜トランジスタ１３（以下、ＴＦＴという。）が形成され、隣り合う２本のデータ線１１と隣り合う２本のゲート線１２とにより囲まれる矩形領域が１つの画素１４として規定され、該画素１４がマトリクス状（行方向及び列方向）に複数配置されている。各画素１４には画素電極１５が設けられている。またＴＦＴ基板１００には、各画素１４に共通する１つの共通電極２０（図３及び図４参照）が設けられている。図２に示すように、各画素電極１５は、開口部（例えばスリット）を有し、ストライプ状に形成されている。ＴＦＴ１３は、ゲート絶縁膜１０３（図３及び図４参照）上に、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層１８が形成され、半導体層１８上にドレイン電極１６及びソース電極１７が形成されている。ドレイン電極１６はデータ線１１に電気的に接続され、ソース電極１７と画素電極１５とはコンタクトホール１９を介して電気的に接続されている。また、ＴＦＴ基板１００には有機絶縁膜１０５が形成されており、有機絶縁膜１０５は、図２に示すように、平面的に見てソース電極１７付近が開口されている。
【００２４】
各データ線１１には、データ線駆動回路からデータ信号（階調電圧）が供給され、各ゲート線１２には、ゲート線駆動回路からゲート信号（ゲート電圧）が供給される。共通電極２０には、共通配線２１（図３及び図４参照）を介して共通電圧Ｖｃｏｍが供給される。ゲート信号のオン電圧（ゲートオン電圧）がゲート線１２に供給されると、ゲート線１２に接続されたＴＦＴ１３がオンし、ＴＦＴ１３に接続されたデータ線１１を介して、データ電圧が画素電極１５に供給される。画素電極１５に供給されたデータ電圧と、共通電極２０に供給された共通電圧Ｖｃｏｍとの差により電界が生じる。この電界により液晶を駆動してバックライトの光の透過率を制御することによって画像表示を行う。なお、カラー表示を行う場合は、ストライプ状の着色部で形成された赤色、緑色、青色に対応するそれぞれの画素１４の画素電極１５に接続されたそれぞれのデータ線１１に、所望のデータ電圧を供給することにより実現される。
【００２５】
図３及び図４に示すように、ＣＦ基板２００には、各画素１４に対応して複数の着色部２０２が形成されている。各着色部２０２は、光の透過を遮断するブラックマトリクス２０３で囲まれており、例えば矩形状に形成されている。また、複数の着色部２０２は、赤色（Ｒ色）の材料で形成され、赤色の光を透過する赤色部２０２Ｒと、緑色（Ｇ色）の材料で形成され、緑色の光を透過する緑色部２０２Ｇと、青色（Ｂ色）の材料で形成され、青色の光を透過する青色部２０２Ｂと、を含んでいる。赤色部２０２Ｒ、緑色部２０２Ｇ、及び青色部２０２Ｂは、行方向にこの順に繰り返し配列され、同一色の着色部２０２が列方向に配列され、行方向及び列方向に隣り合う着色部２０２の境界部分にブラックマトリクス２０３が形成されている。
【００２６】
図１及び図２に示すように、複数の画素１４は、赤色部２０２Ｒに対応する赤色画素１４Ｒと、緑色部２０２Ｇに対応する緑色画素１４Ｇと、青色部２０２Ｂに対応する青色画素１４Ｂと、を含んでいる。また、これらの画素１４は着色部２０２の配置に対応して配列されており、赤色画素１４Ｒ、緑色画素１４Ｇ、及び青色画素１４Ｂが行方向にこの順に繰り返し配列され、同一色の画素１４が列方向に配列されている。
【００２７】
次に、図３及び図４を用いて、画素１４の断面構造について具体的に説明する。図３は、図２においてＴＦＴ１３を含む領域を行方向に切断した断面を示し、図４は、図２において画素１４の開口領域を行方向に切断した断面を示している。
【００２８】
図３を参照すると、ＴＦＴ基板１００において、ガラス基板１０１上にゲート線１２が形成されている。ゲート線１２は、アルミニウムＡｌ、モリブデンＭｏ、チタンＴｉあるいは銅Ｃｕを主成分とする金属材料、又は上記の複数の積層層、又は上記金属材料にタングステンＷ、マンガンＭｎあるいはチタンＴｉなどが添加された合金、又は上記の組み合わせにおける積層金属層から形成される。
【００２９】
ゲート線１２を覆うように、ゲート絶縁膜１０３が形成されている。ゲート絶縁膜１０３の材料としては、シリコンナイトライドＳｉＮを用いることができる。ゲート絶縁膜１０３上には半導体層１８が形成されている。半導体層１８上には、データ線１１と、ＴＦＴ１３を構成するドレイン電極１６及びソース電極１７とが形成されている。ドレイン電極１６は、データ線１１に電気的に接続されている。
【００３０】
データ線１１とドレイン電極１６とソース電極１７とを覆うように、層間絶縁膜１０４が形成されている。層間絶縁膜１０４の材料としては、シリコンナイトライドＳｉＮ又は二酸化シリコンＳｉＯ２を用いることができる。
【００３１】
層間絶縁膜１０４上には、有機絶縁膜１０５が形成されている。有機絶縁膜１０５の材料としては、アクリルを主成分とする感光性の有機材料を用いることができる。有機材料は、例えば比誘電率が４以下であり、シリコンナイトライドＳｉＮの６．７に比べて低い。また製法上、有機材料は、シリコンナイトライドＳｉＮに比べて厚く成膜することができる。有機絶縁膜１０５の厚さは、例えば１．５μｍから３μｍに設定されている。比誘電率を低く、かつ膜厚を厚くすることができるため、有機絶縁膜１０５の上に配置される共通電極２０と、有機絶縁膜１０５の下に配置されるデータ線１１又はゲート線１２との間に形成される配線容量を大幅に低減することができる。
【００３２】
有機絶縁膜１０５の上には、共通電極２０が形成されている。共通電極２０は、透明の電極材料ＩＴＯで構成されている。共通電極２０の材料としては、例えば、インジウム・錫・酸化物や、インジウム・亜鉛・酸化物を用いることができる。各画素１４の領域は、ＴＦＴ１３が形成される領域を除いて、共通電極２０に覆われている。すなわち、共通電極２０は、データ線１１を覆っており、シールド電極としての機能を有している。これにより、例えばデータ線１１から発せられる電界ノイズが液晶層３００へ侵入することを防止することができる。共通電極２０の上には、共通電極２０に共通電圧Ｖｃｏｍを供給する共通配線２１が形成されている。共通配線２１は、平面的に見て、データ線１１の少なくとも一部に重なるように列方向に延在して形成されている。
【００３３】
共通電極２０及び共通配線２１を覆うように、上層絶縁膜１０６が形成されている。上層絶縁膜１０６の材料としては、シリコンナイトライドＳｉＮを用いることができる。上層絶縁膜１０６の上には、画素電極１５が形成されている。画素電極１５は、透明の電極材料ＩＴＯで構成されている。画素電極１５は、層間絶縁膜１０４及び上層絶縁膜１０６に形成されたコンタクトホール１９を介して、ソース電極１７に電気的に接続されている。図示はしていないが、画素電極１５を覆うように配向膜が形成されており、ガラス基板１０１の外側には偏光板が形成されている。
【００３４】
ＣＦ基板２００において、ガラス基板２０１上に着色部２０２（図４参照）とブラックマトリクス２０３とが形成されている。着色部２０２は、例えば赤色、緑色及び青色の顔料分散レジストによる着色層により形成されており、ブラックマトリクス２０３は、黒色の顔料を用いた樹脂材料あるいは金属材料で形成されている。着色部２０２及びブラックマトリクス２０３を覆うようにオーバーコート膜２０４が形成されており、オーバーコート膜２０４の上に配向膜２０５が形成されている。図示はしないが、ガラス基板２０１の外側には偏光板が形成されている。
【００３５】
図４に示すように、有機絶縁膜１０５は、表示パネル１０を平面的に見て、着色部２０２（画素１４の開口部分）に重なる第１部分１０５ａと、隣り合う２つの着色部２０２の境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる第２部分１０５ｂと、を含んでいる。例えば、表示パネル１０を平面的に見て、赤色部２０２Ｒ、緑色部２０２Ｇ及び青色部２０２Ｂ（各画素１４の開口部分）に重なる位置に第１部分１０５ａが形成されており、赤色部２０２Ｒ及び緑色部２０２Ｇの境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる位置と、緑色部２０２Ｇ及び青色部２０２Ｂの境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる位置と、青色部２０２Ｂ及び赤色部２０２Ｒの境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる位置とに、第２部分１０５ｂが形成されている。また、第２部分１０５ｂは、表示パネル１０を平面的に見て、データ線１１に重なる位置に形成されている。
【００３６】
また、第２部分１０５ｂの膜厚ｔ２は、第１部分１０５ａの膜厚ｔ１よりも厚くなっている（ｔ２＞ｔ１）。また、データ線１１とゲート線１２とが交差する領域付近に形成される有機絶縁膜１０５（図３参照）の膜厚ｔ３は、第１部分１０５ａの膜厚ｔ１と略同一になっている（ｔ３≒ｔ１）。このように、有機絶縁膜１０５は場所に応じて異なる膜厚を有している。有機絶縁膜１０５の膜厚を場所に応じて異ならせる方法として、例えば、有機絶縁膜１０５を形成する工程において、露光量を場所に応じて異ならせる方法（所謂、ハーフトーン露光）や、一旦ベース層を形成した後に、ベース層の上にもう一層形成した後にエッチングすることにより段差を設ける方法などを用いることができる。ハーフトーン露光を用いた有機絶縁膜１０５を形成する具体的な方法は後述する。
【００３７】
有機絶縁膜１０５上には共通電極２０が形成されており、共通電極２０上には共通配線２１が形成されており、共通電極２０及び共通配線２１を覆うように、上層絶縁膜１０６が形成されている。上層絶縁膜１０６上には、ストライプ形状の画素電極１５が形成されている。
【００３８】
上記構成によれば、隣り合う着色部２０２の境界に位置する液晶層３００の厚み（以下、セルギャップという。）を、画素１４の開口部のセルギャップよりも小さくすることができる。これにより、隣り合う着色部２０２の境界に位置する液晶層３００を斜めに通過する光の偏光状態の変化を抑え、当該光をＣＦ基板２００側の偏光板にて遮り易くすることができる。この結果、表示画面を斜め方向から見たときに生じ得る混色を低減することができる。また、上記構成では、従来のようにブラックマトリクス２０３の幅を広げる必要がないため、開口率が低下することもない。さらに、上記構成では、既存の部材（例えば有機絶縁膜）を用いて上記セルギャップを小さくすることができ、新たな部材を追加する必要がないため製品コストの増加を抑えることもできる。
【００３９】
次に、液晶表示装置１の製造方法について説明する。ＣＦ基板２００は周知の方法により製造することができるため説明を省略する。ここでは、ＴＦＴ基板１００の製造方法について説明する。本実施形態に係る液晶表示装置１の製造方法は、例えば第１ホトエッチング工程〜第６ホトエッチング工程を含んでいる。
【００４０】
第１ホトエッチング工程では、ガラス基板１０１上に金属材料をスパッタにより成膜しパターン化する。これにより、平面パターンとしてゲート線１２及びゲート電極１０２が形成される。金属材料は、例えば、厚さが１００ｎｍから３００ｎｍの銅Ｃｕと、その上に成膜したモリブデンＭｏとの積層膜である。
【００４１】
第２ホトエッチング工程では、化学気層成長法ＣＶＤにより、ゲート線１２を覆うように、シリコンナイトライドＳｉＮのゲート絶縁膜１０３を積層し、ゲート絶縁膜１０３上にアモルファスシリコンａ−Ｓｉの半導体層１８を積層する。さらに半導体層１８上に、モリブデンＭｏと銅Ｃｕとの積層膜をスパッタで成膜する。続いて、データ線１１とドレイン電極１６とソース電極１７とを、ハーフトーン露光を用いて同時に形成する。金属配線の材料は、ゲート線１２の材料と同様である。次に、データ線１１とドレイン電極１６とソース電極１７とを覆うように、化学気層成長法ＣＶＤにより、シリコンナイトライドＳｉＮの層間絶縁膜１０４を積層する。
【００４２】
第３ホトエッチング工程では、層間絶縁膜１０４上に、ハーフトーン露光を用いて有機絶縁膜１０５を形成する。図５は、ＴＦＴ１３を含む領域における有機絶縁膜１０５の形成工程を示す図である。図６は、画素１４の開口領域における有機絶縁膜１０５の形成工程を示す図である。有機絶縁膜１０５を形成する工程には、主に塗布工程、露光工程、及び現像工程が含まれる。
【００４３】
図５及び図６に示すように、塗布工程において、層間絶縁膜１０４上にアクリルを主成分とするポジ型の感光性の有機材料６０を塗布する。次に、露光工程において、ハーフトーン露光を用いて、第２部分１０５ｂの膜厚ｔ２が、第１部分１０５ａの膜厚ｔ１よりも厚くなるように有機材料６０を露光する。例えば、隣り合う２つの着色部２０２の境界に対応する領域の有機材料６０に対しては露光量をゼロ（露光なし）に設定し、ＴＦＴ１３の形成部分に対応する領域の有機材料６０に対しては露光量を１（フル露光）に設定し、画素１４の開口部分に対応する領域の有機材料６０に対しては露光量を１／２（ハーフ露光）に設定する。最後に、現像工程において、有機材料６０の露光部を除去することにより、有機絶縁膜１０５を形成する。これにより、膜厚ｔ１を有する第１部分１０５ａと膜厚ｔ２を有する第２部分１０５ｂとで構成される有機絶縁膜１０５を形成することができる。なお、層間絶縁膜１０４として、ネガ型の感光性の有機材料６０を使用することも出来る。この場合、隣り合う２つの着色部２０２の境界に対応する領域の有機材料６０に対しては露光量を１（フル露光）に設定し、ＴＦＴ１３の形成部分に対応する領域の有機材料６０に対しては露光量をゼロ（露光なし）に設定する。
【００４４】
第４ホトエッチング工程では、有機絶縁膜１０５上に、インジウム、錫、酸化物ＩＴＯを成膜した後、ホトエッチング加工により共通電極２０を形成する。
【００４５】
第５ホトエッチング工程では、共通電極２０上に、金属材料からなる共通配線２１を形成する。
【００４６】
第６ホトエッチング工程では、共通電極２０及び共通配線２１を覆うように、化学気層成長法ＣＶＤにより上層絶縁膜１０６を形成する。また、層間絶縁膜１０４及び上層絶縁膜１０６をドライエッチング加工して、ソース電極１７に達するコンタクトホール１９を形成する。
【００４７】
第７ホトエッチング工程では、上層絶縁膜１０６上及びコンタクトホール１９内に、スパッタにより透明電極材料であるインジウム、錫、酸化物ＩＴＯを成膜し、ホトエッチング加工により、画素電極１５を形成する。画素電極１５は、スリットを有するパターンに加工する。画素電極１５の一部は、ソース電極１７上に直接成膜する。これにより、画素電極１５とソース電極１７とが電気的に接続される。
【００４８】
以上の工程を経て、液晶表示装置１のＴＦＴ基板１００が製造される。
【００４９】
液晶表示装置１の構成は、上記構成に限定されない。より具体的には、隣り合う着色部２０２の境界部分に位置するセルギャップを、画素１４の開口部に位置するセルギャップよりも小さくするための構成は、上記構成に限定されない。例えば、図７に示すように、上層絶縁膜１０６は、表示パネル１０を平面的に見て、着色部２０２（画素１４の開口部分）に重なる第１部分１０６ａと、隣り合う２つの着色部２０２の境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる第２部分１０６ｂと、を含んでもよい。具体的には、表示パネル１０を平面的に見て、赤色部２０２Ｒ、緑色部２０２Ｇ及び青色部２０２Ｂ（画素１４の開口部分）に重なる位置に第１部分１０６ａが形成されており、赤色部２０２Ｒ及び緑色部２０２Ｇの境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる位置と、緑色部２０２Ｇ及び青色部２０２Ｂの境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる位置と、青色部２０２Ｂ及び赤色部２０２Ｒの境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる位置とに、第２部分１０６ｂが形成されている。また、第２部分１０６ｂは、表示パネル１０を平面的に見て、データ線１１に重なる位置に形成されている。そして第２部分１０６ｂの膜厚は、第１部分１０６ａの膜厚よりも厚くなっている。上記構成によれば、隣り合う着色部２０２の境界部分に位置するセルギャップを、画素１４の開口部に位置するセルギャップよりもさらに小さくすることができる。
【００５０】
図７に示す上層絶縁膜１０６の形成方法について、図８〜図１１を用いて説明する。
【００５１】
第１工程では、上層絶縁膜１０６上にポジ型のレジスト５０を塗布する（図８（ａ）参照）。次に、露光工程において、ハーフトーン露光を用いて、レジスト５０における、隣り合う着色部２０２の境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる部分５０ａの膜厚を、各着色部２０２（画素１４の開口部分）に重なる部分の膜厚よりも厚くなるように露光する。例えば、隣り合う着色部２０２の境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる部分５０ａのレジスト５０に対しては露光量をゼロ（露光なし）に設定し、ＴＦＴ１３のソース電極１７に対応するレジスト５０に対しては露光量を１（フル露光）に設定し、画素１４の開口部分に対応するレジスト５０に対しては露光量を１／２（ハーフ露光）に設定する。最後に、現像工程において、余分なレジストを除去することにより、膜厚の異なるレジスト５０を形成する。また、レジスト５０における、ソース電極１７の上方に位置する部分を開口する。なお、レジスト５０として、ネガ型の感光材を使用することもできる。この場合、隣り合う２つの着色部２０２の境界に対応する領域のレジスト５０に対しては露光量を１（フル露光）に設定し、ＴＦＴ１３のソース電極１７に対応する領域のレジスト５０に対しては露光量をゼロ（露光なし）に設定する。
【００５２】
第２工程では、第１工程でパターニングされた上記レジスト５０を用いて、上記開口された領域に露出されている上層絶縁膜１０６を、場合によっては層間絶縁膜１０４をドライエッチング加工する（図８（ｂ）参照）。ここで、残渣となる絶縁膜の厚さが、下記の第４工程においてドライエッチングされる上層絶縁膜１０６の厚さと実質的に同じ厚さになるように設定する。
【００５３】
第３工程では、アッシングによりレジスト５０の一部を除去する（図９（ａ）参照）。これにより、隣り合う着色部２０２の境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる部分５０ａを除いた領域のレジスト５０が除去される。
【００５４】
第４工程では、レジスト５０の部分５０ａを用いて、上層絶縁膜１０６と上記開口された領域に露出されている層間絶縁膜１０４とをドライエッチング加工する（図９（ｂ）参照）。これにより、ソース電極１７が露出され、コンタクトホール１９が形成される。
【００５５】
第５工程では、レジスト５０の部分５０ａを除去する。これにより、隣り合う着色部２０２の境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる部分５０ａの膜厚が、各着色部２０２に重なる部分の膜厚よりも厚くなる上層絶縁膜１０６を形成することができる。
【００５６】
上記エッチング工程ではドライエッチングを用いたが、ウエットエッチングを用いても良い。なお、上記の説明では、上層絶縁膜１０６の膜厚に差を設ける方法について説明したが、ゲート絶縁膜１０３や層間絶縁膜１０４についても同様の方法で、膜厚に差を設けることができる。
【００５７】
なお、図７に示す構成において、有機絶縁膜１０５は、膜厚が略均一（ｔ１≒ｔ２≒ｔ３）であってもよい。
【００５８】
また、液晶表示装置１は、有機絶縁膜１０５を有していなくてもよい。この場合、図７に示すように、上層絶縁膜１０６が、膜厚が厚い部分５０ａを有していてもよいし、図示はしないが、ゲート絶縁膜１０４が、上層絶縁膜１０６と同様に膜厚が厚い部分を有していてもよい。
【００５９】
上層絶縁膜１０６の形成方法は上記方法に限定されない。以下、上層絶縁膜１０６の他の形成方法について、図１２〜図１４を用いて説明する。尚、以下では、図８〜図１０に示した製造工程と同一の工程については説明を省略する。
【００６０】
第１工程は、図８（ａ）に示した第１工程と同一である（図１２（ａ）参照）。第１工程により、ソース電極１７の上方に位置する領域が開口されるとともに、部分的に膜厚の異なるレジスト５０が形成される。
【００６１】
第２工程では、第１工程で形成されたレジスト５０を用いて、上記開口された領域の下に位置する上層絶縁膜１０６及び層間絶縁膜１０４を、ソース電極１７が露出するまでドライエッチング加工する（図１２（ｂ）参照）。これにより、ソース電極１７が露出され、コンタクトホール１９が形成される。
【００６２】
第３工程は、図９（ａ）に示した第３工程と同一である（図１３（ａ）参照）。第３工程により、隣り合う着色部２０２の境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる部分５０ａを除いた領域のレジスト５０が除去される。
【００６３】
第４工程では、レジスト５０の部分５０ａを用いて、上層絶縁膜１０６を所望の膜厚にドライエッチング加工する（図１３（ｂ）参照）。
【００６４】
第５工程は、図１０に示した第５工程と同一である（図１４参照）。第５工程により、隣り合う着色部２０２の境界に位置するブラックマトリクス２０３に重なる部分５０ａの膜厚が、各着色部２０２に重なる部分の膜厚よりも厚くなる上層絶縁膜１０６が形成される。
【００６５】
以上のように、液晶表示装置１は、平面的に見てゲート線１２、データ線１１及び画素電極１５と重畳する絶縁膜が、平面的に見て、第１の色の光を透過する第１着色部２０２又は第２の色の光を透過する第２着色部２０２に重なる第１部分と、平面的に見てブラックマトリクス２０３に重なり、上記第１部分よりも膜厚が厚い第２部分とを含んでいる。上記構成において、さらに、図１１に示すように、共通配線２１の膜厚を厚くしてもよい。このように、本実施形態では、液晶表示装置１を構成する既存の部材を用いて、隣り合う着色部２０２の境界のセルギャップを、画素１４の開口部のセルギャップよりも小さくしている。
【００６６】
また、上述した液晶表示装置１の画素構造は、横電界方式（例えばＩＰＳ方式）の構造を有しているが、これに限定されない。例えば、共通電極２０がＣＦ基板２００に形成されていてもよい。また、上述した液晶表示装置１では、共通電極２０が下層に配置され、画素電極１５が上層に配置されているが、画素電極１５が下層に配置され、共通電極２０が上層に配置されてもよい。
【００６７】
また、上述した液晶表示装置１では、着色部２０２が、赤色部２０２Ｒ、緑色部２０２Ｇ及び青色部２０２Ｂを含んでいるが、これに限定されず、赤緑青以外の色を透過する着色部が含まれてもよい。
【００６８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００６９】
１  液晶表示装置、１０  表示パネル、１００  ＴＦＴ基板、２００  ＣＦ基板、３００  液晶層、１１  データ線、１２  ゲート線、１３  ＴＦＴ、１４  画素、１５  画素電極、１６  ドレイン電極、１７  ソース電極、１８  半導体層、１９  コンタクトホール、２０  共通電極、２１  共通配線、１０２  ゲート電極、１０３  ゲート絶縁膜、１０４  層間絶縁膜、１０５  有機絶縁膜、１０５ａ  第１部分、１０５ｂ  第２部分、１０６  上層絶縁膜、１０６ａ  第１部分、１０６ｂ  第２部分、２０２  着色部、２０２Ｒ  赤色部、２０２Ｇ  緑色部、２０２Ｂ  青色部、２０３  ブラックマトリクス、５０  レジスト、６０  有機材料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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