(57)【要約】【課題】生産性に優れるコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を提供すること。【解決手段】ＪＩＳ標準篩による篩分で測定される粒度分布において、２ｍｍ以上の粒子の割合が０．５質量％以下であり、１ｍｍ以上且つ２ｍｍ未満の粒子の割合が０．５質量％未満であり、２５０μｍ未満の微粉の割合が５質量％以下であるコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＪＩＳ標準篩による篩分で測定される粒度分布において、
２ｍｍ以上の粒子の割合が０．５質量％以下であり、
１ｍｍ以上且つ２ｍｍ未満の粒子の割合が０．５質量％未満であり、
２５０μｍ未満の微粉の割合が５質量％以下であるコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物。
【請求項２】
前記篩分における２５０μｍの篩上の粒子のうち、最長長さ（Ｌ）が３ｍｍ以下であり、且つ最短径（Ｓ）が０．５ｍｍ以下である粒子の割合が５０質量％以上である、請求項１に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する工程を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物の硬化物と、当該硬化物によって封止されている半導体素子と、を備える、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体素子を封止するのに適したコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物、並びに、それを用いた半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の各種半導体素子は、従来、セラミックパッケージ等によって封止され、半導体装置化されていた。しかしながら、最近では、コスト、量産性の観点から、プラスチックパッケージを用いた樹脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止には、従来から、エポキシ樹脂組成物が使用されており、良好な成績を収めている。しかしながら、半導体分野の技術革新によって集積度の向上とともに素子サイズの大形化、及び、配線の微細化が進み、パッケージも小形化，薄形化する傾向にある。これに伴って封止材料に対してこれまで以上に信頼性を向上することが要求されている。
【０００３】
近年、さらなる小形軽量化に対応すべく、パッケージの形態もＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａ１１  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）といったものから、より多ピン化に対応しやすく、かつより高密度実装が可能なＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）を含めたＢＧＡ（Ｂａ１１  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等のエリア実装パッケージヘ移行しつつある。高速化、多機能化に伴い、素子の微細配線化・小型化と多ピン化のため、パッケージとしてはチップと基板を接続するワイヤの狭ピッチ化、細線化、長ワイヤ化が進んでいる。これらパッケージの封止は、エポキシ樹脂成形材料によるトランスファー成形が主流であり、ワイヤの狭ピッチ化、細線化、長ワイヤ化に対しては、エポキシ樹脂成形材料の高流動化が図られている。
【０００４】
しかしながら、従来のトランスファー成形では、溶融した封止用エポキシ樹脂成形材料を圧力により金型内に流し込むため、その成形材料の流動によりワイヤが流され、変形する。成形材料の高流動化によりワイヤ流れの抑制を図っているが、成形材料の高流動化には限界があり、更なるワイヤの狭ピッチ化、細線化、長ワイヤ化への対応が困難になってきている。近年、トランスファー成形に変わるパッケージ成形技術として、コンプレッション成形の検討が行われている。コンプレッション成形では、金型に直接封止用エポキシ樹脂成形材料をのせ、溶融した成形材料をゆっくりと基板に押し当てるように圧力をかけ成形するため、従来のトランスファー成形のような成形材料の流動がほとんどなく、ワイヤ流れ抑制が可能となる。
【０００５】
コンプレッション成形により半導体素子を封止した半導体装置に関する技術としては、金型内を減圧下にしつつコンプレッション成形をして樹脂封止する方法（例えば、特許文献１参照。）、封止用の成形材料を厚さ３．０ｍｍ以下のペレット状又はシート状としたものを用いる方法（例えば、特許文献２参照。）、及び、細粒状の樹脂組成物をキャビティに供給し、樹脂組成物を溶融させ、半導体素子を浸漬し、硬化して封止する方法（例えば、特許文献３参照。）等が開示されている。
【０００６】
このようなコンプレッション成形の技術分野において、搬送、計量等における目詰まり及びブロッキングを解決する方法として、粒度分布の検討（例えば、特許文献４参照。）、樹脂特性等の検討（例えば、特許文献５参照。）等が提案されている。しかしながら、従来の検討では、特に薄型パッケージ向けの蒔きむら又は搬送性などに起因する生産性の問題を解消するには不十分であるといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−０２１９０８号公報
【特許文献２】特開２００６−２１６８９９号公報
【特許文献３】特開２００４−２１６５５８号公報
【特許文献４】特許第３１３５９２６号公報
【特許文献５】特開２００８−１２１００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、一つの側面において、コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し半導体装置を得る際に、生産性に優れるコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を提供することを目的とする。また、そのようなコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を用いることによって、信頼性に優れる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、一つの側面において、ＪＩＳ標準篩による篩分で測定される粒度分布において、２ｍｍ以上の粒子の割合が０．５質量％以下であり、１ｍｍ以上且つ２ｍｍ未満の粒子の割合が０．５質量％未満であり、２５０μｍ未満の微粉の割合が５質量％以下であるコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を提供する。
【００１０】
上記コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、ＪＩＳ標準篩による篩分における２５０μｍの篩上の粒子のうち、最長長さ（Ｌ）が３ｍｍ以下であり、且つ最短径（Ｓ）が０．５ｍｍ以下である粒子の割合が５０質量％以上であることが好ましい。
【００１１】
本発明は、別の側面において、上記コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する工程を有する、半導体装置の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明は、さらに別の側面において、コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物の硬化物と、当該硬化物によって封止されている半導体素子と、を備える、半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を用いて、コンプレッション成形により半導体素子を封止し半導体装置を得る際に、生産性に優れるコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を提供することができる。また、そのようなコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を用いることによって、信頼性に優れる半導体装置、及びそのような半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物に含まれる粒子の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、場合により図面を参照して、本発明の一実施形態を以下に説明する。ただし、以下の実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定する趣旨ではない。説明において、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、寸法及び比率は図示の寸法及び比率に限られるものではない。
【００１６】
本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、コンプレッション成形により半導体素子を封止してなる半導体装置に用いられる。このコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物（以下、単に「樹脂組成物」ということもある。）は、以下の構成を備える。
【００１７】
本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、細粒状であり、コンプレッション成形金型への安定した供給性と良好な秤量精度を得るため、ＪＩＳ標準篩を用いて篩分により測定される粒度分布において、２ｍｍ以上の粒子の割合が全樹脂組成物に対して０．５質量％以下であり、好ましくは０．１質量％以下である。これは、粒子サイズが大きくなるほどその質量、体積とも大きくなることから、サイズの大きな粒子の割合が多いほど、秤量時の秤量精度が低下し、成形後の半導体装置における品質低下の一因となったり、搬送路への供給口での詰まり等の問題が生じたりするためである。上記上限値以下の範囲とすると、良好な秤量精度が得られる。これによって、半導体装置における品質の低下を引き起こす恐れが低くなり、また搬送路への供給口での詰まり等の問題を生じる恐れも低くなる。２ｍｍ以上の粒子（粗粒）の割合の下限値については、特に限定されるものではなく、例えば０質量％であってもよい。
【００１８】
本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、安定した搬送性、生産性、安定した秤量精度を得るため、ＪＩＳ標準篩を用いて篩分により測定した粒度分布における、２５０μｍ未満の微粉の割合が全樹脂組成物に対して５質量％以下であり、好ましくは３質量％以下である。これは、２５０μｍ未満の微粉が、細粒状の樹脂組成物の保管中における固着、細粒状の樹脂組成物の搬送経路上での粒子同士の固着及び搬送装置への付着を生じ、搬送不良の原因となり、連続生産性及び生産のタクトタイムに支障をきたしたりするためである。上記上限値以下の範囲とすると、粒子同士の固着及び搬送装置への付着が殆どなく、良好な連続生産性及び安定した生産性が得られる。粒径２５０μｍ未満の微粉の割合の下限値については、特に限定されるものではなく、例えば０質量％であってもよい。
【００１９】
細粒状の樹脂組成物の粒度分布は、音波ふるい分け測定器に備え付けたＪＩＳ標準篩（７段）を用い、これらの篩を２０分間に亘って振動（振動レベル６，篩時間３分／回，パルス間隔１秒／回）させながら１０ｇの試料を篩に通し分級して測定する。なお、この方法の場合、アスペクト比の高い粒子（径が篩の目開きより小さく、長さが篩の目開きより大きい粒子）は、それぞれの篩を通過する可能性があるが、本明細書では、上述の方法により分級される成分の質量割合を樹脂組成物の粒度分布と定義する。
【００２０】
従来用いられてきたコンプレッション成形用の半導体封止用樹脂組成物は、各原料成分をミキサーで予備混合した後、ロール、ニーダー又は押出機等の混練機により加熱混練後、冷却、粉砕工程を経て粉砕物としたものである。この場合、ＪＩＳ標準篩を用いて篩分により測定される粒度分布において、全樹脂組成物に対して、２５０μｍ未満の微粉量は０．１質量％を超えるもの、１．０ｍｍ以上の粗粒量は８０質量％程度のものであって、広い粒度分布を有するものであった。また、特開２０００−０２１９０８号公報（特許文献１）に記載されたエポキシ樹脂成形材料は、粉砕して微細粉をカットした粗粒、または微細粉を固めた細粒状の樹脂組成物であり、例えば、ほぼ球状で平均粒径が約２ｍｍのもの等であった。即ち、特許文献１に記載されたエポキシ樹脂成形材料については、２ｍｍ以上の粗粒を相当量含んでいるものであった。
【００２１】
一方、本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、コンプレッション成形金型への供給時における蒔きむらを低減させるために、ＪＩＳ標準篩を用いて篩分により測定される粒度分布における、１ｍｍ以上且つ２ｍｍ未満の粒子の割合が、全樹脂組成物に対して、０．５質量％以下であり、好ましくは０．４質量％以下であり、より好ましくは０．３質量％以下である。上記上限値以下の範囲とすると、供給ばらつきによる金型キャビティへの蒔きむらを抑えることができ、充填不良及びワイヤ流れといった不具合を生じる恐れが低い。また、上記範囲とすることによって、小粒径成分が増大することによる粒子同士の固着及び搬送路への付着を生じることがなく、搬送に支障をきたす恐れが低い。また、上記数値範囲内とすることにより、安定した生産性及び成形性を得ることが可能となる。
【００２２】
図１は、本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物に含まれる粒子の一例を示す図である。振動フィーダー等の搬送手段による搬送性、及びコンプレッション成形時の溶融性の観点から、コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物において、最長長さ（Ｌ）が３ｍｍ以下であり、かつ最短径（Ｓ）が０．５ｍｍ以下である粒子が、２５０μｍ以上の粒子全体の５０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましい。上記数値範囲内にすることにより、蒔きむらの原因となる搬送性と、溶融性とのバランスが取れ、安定した生産性、及び成形性が得られる。なお、最長長さ（Ｌ）とは、一つの粒子において、粒子内を貫通し且つ粒子の表面における異なる２点を結ぶ直線の最大値である。最短径（Ｓ）は、一つの粒子において、粒子内を貫通し且つ粒子の表面における異なる２点を結ぶ直線の最小値である。
【００２３】
コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物において、粒度分布、及び、最長長さ（Ｌ）が３ｍｍ以下であり、かつ最短径（Ｓ）が０．５ｍｍ以下である粒子の割合を上述の範囲となるようにするには、後述するコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を得る方法を用い、エポキシ樹脂と硬化剤及び硬化促進剤の種類と含有割合を調整することで達成される。
【００２４】
次に、コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物の作用効果について説明する。細粒状の樹脂組成物を用いて半導体素子を封止するコンプレッション成形法の場合、コンプレッション成形金型の下型キャビティの底面に対して細粒状の樹脂組成物が均一に蒔かれていることが好ましい。
【００２５】
しかしながら、振動フィーダー等の搬送手段を用いて細粒状の樹脂組成物を搬送する工程を含む方法の場合においては、振動フィーダー等の搬送手段の搬送路で、細粒状の樹脂組成物の粒子同士が固着したり、細粒状の樹脂組成物が搬送路へ付着したりする場合がある。また、搬送路への供給口で細粒状の樹脂組成物が目詰まり（ホッパーブリッジ）したり、搬送路上で細粒状の樹脂組成物が滞留したりする場合もある。このような固着、付着、目詰まり、滞留等によって、振動フィーダー等の搬送手段による細粒状の樹脂組成物の供給がばらつくと、コンプレッション成形金型の下型キャビティの底面に対して蒔きむらが発生することとなる。このような蒔きむらの発生により、下型キャビティの底面の場所によって細粒状の樹脂組成物の量が少ない場所、多い場所が存在すると、半導体素子の封止成形時に細粒状の樹脂組成物量の多い場所から少ない場所への横方向の流動が生じることとなる。これによって、半導体素子のワイヤ流れがおきたり、細粒状の樹脂組成物の量が少ない場所において巣及びボイド等の充填不良を起こしたりする可能性があった。
【００２６】
また、細粒状の樹脂組成物がある程度の粒度分布を有する場合には、その粒子形状（例えば球状）によっては粒子間の溶融速度のばらつきが起き易く、巣又はボイド等の充填不良の問題が発生する場合があった。特に半導体素子上の封止材の厚みが薄い半導体装置の場合には、使用される樹脂組成物の量が少なくなるため、コンプレッション成形金型の下型キャビティへの蒔きむらの影響が顕著となり、ワイヤ流れ及び充填不足等の問題がより生じ易くなる。また、固着、付着、目詰まり、滞留等が起こると、搬送時間が長くかかることとなり、生産性が低下することにもなる。
【００２７】
これに対し、本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、コンプレッション成形により半導体素子を封止してなる半導体装置に用いるコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物であって、コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物全体に対して、ＪＩＳ標準篩を用いて篩分により測定した粒度分布における、２ｍｍ以上の粒子の割合が０．５質量％以下であり、１ｍｍ以上、２ｍｍ未満の粒子の割合が０．５質量％未満、２５０μｍ未満の微粉の割合が５質量％以下である。すなわち、本実施形態の樹脂組成物は、２５０μｍを超え、且つ１ｍｍ未満である粒子を主成分として含有する。
【００２８】
これにより、細粒状の樹脂組成物の固着を防止し、蒔きむらを低減し、搬送性及び生産性を向上させることができる。また、本実施形態の半導体装置の製造方法は、上述のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を用いて、コンプレッション成形により半導体素子を封止することを特徴とするものである。この製造方法によって、充填不良及びワイヤ流れといった不具合を回避して半導体装置を製造することができる。
【００２９】
半導体装置は、例えば、リードフレーム又は回路基板と、リードフレーム又は回路基板上に積層又は並列して搭載された１以上の半導体素子と、リードフレーム又は回路基板と半導体素子とを電気的に接続するボンディングワイヤと、半導体素子及びボンディングワイヤを封止する封止材とを備える。封止材は、本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物をコンプレッション成形することによって形成される硬化物により構成されている。
【００３０】
半導体素子上の封止材の厚みが薄くなるほど、使用される樹脂組成物の量が極端に少なくなり、細粒状の樹脂組成物が金型キャビティ内にまばらになり過ぎてしまい、未充填等の問題が生じる可能性が高まる傾向にある。また、半導体素子上の封止材の厚みが厚くなるほど、使用される樹脂組成物の量が多くなるため、供給にばらつきが生じても影響が少なくなる傾向にある。このような観点から、半導体装置において、半導体素子上の封止材の厚みは、好ましくは０．０８ｍｍ以上、より好ましくは０．１ｍｍ以上である。このような厚みとすることによって、充填不良及びワイヤ流れの悪化等の不具合を一層低減することができる。
【００３１】
ここで、半導体素子上の封止材の厚みとは、半導体素子のリードフレーム又は回路基板搭載面とは反対側の表面を覆う封止材の厚みを意味するものである。１以上の半導体素子がリードフレーム又は回路基板上に積層して搭載されている場合には、リードフレーム又は回路基板搭載面とは反対側の最上面の半導体素子の表面を覆う封止材の厚みを意味するものである。
【００３２】
以上のように、コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を用いて、コンプレッション成形により半導体素子を封止して半導体装置を得る場合において、細粒状の樹脂組成物の固着を防止し、蒔きむらを低減させ、搬送性を向上させることができる。さらには生産性の向上が可能となるコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を得ることができる。また、このコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を用いて、コンプレッション成形により半導体素子を封止することにより、充填不良及びワイヤ流れといった不具合を回避して、信頼性に優れた半導体装置を製造することができる。
【００３３】
コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物（コンプレッション成形用半導体封止樹脂材料）は、ファインピッチのワイヤ、長ワイヤ若しくは小径ワイヤ等によりリードフレーム又は回路基板と半導体素子が接続された半導体装置、特に半導体素子上の封止材の厚みが０．５ｍｍ以下となる半導体装置に好適に用いることができる。
【００３４】
［樹脂組成物の成分］
本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、例えば半導体封止用エポキシ化合物を含む。このようなエポキシ化合物としては、（Ａ）１分子中にエポキシ基を２個以上含有するエポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているもので特に制限はない。
【００３５】
例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、α‐ナフトール、β‐ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のフェノール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの、アルキル置換、芳香環置換又は非置換のビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ビフェノール、チオジフェノール等のジグリシジルエーテル、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンとフェノール類の共縮合樹脂のエポキシ化物、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂、フェノール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂のエポキシ化物、トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３６】
これらのなかでも、流動性と硬化性の両立の観点からはアルキル置換、芳香環置換又は非置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂を含有していることが好ましい。硬化性の観点からはノボラック型エポキシ樹脂を含有していることが好ましく、耐熱性及び低反り性の観点からはナフタレン型エポキシ樹脂及び／又はトリフェニルメタン型エポキシ樹脂を含有していることが好ましい。流動性と難燃性の両立の観点からはアルキル置換、芳香環置換又は非置換のビスフェノールＦのジグリシジルエーテルであるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有していることが好ましい。流動性とリフロー性の両立の観点からはアルキル置換、芳香環置換又は非置換のチオジフェノールのジグリシジルエーテルであるチオジフェノール型エポキシ樹脂を含有していることが好ましい。硬化性と難燃性の両立の観点からはアルキル置換、芳香環置換又は非置換のフェノールとビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化物を含有していることが好ましい。保存安定性と難燃性の両立の観点からはアルキル置換、芳香環置換又は非置換のナフトール類とジメトキシパラキシレンから合成されるナフトール・アラルキル樹脂のエポキシ化物を含有していることが好ましい。
【００３７】
ビフェニル型エポキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３８】
【化１】
2017130546.tif 000002
一般式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０又は１〜３の整数を示す。
【００３９】
上記一般式（Ｉ）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂は、ビフェノール化合物にエピクロルヒドリンを公知の方法で反応させることによって得られる。一般式（Ｉ）中のＲ１〜Ｒ８としては、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等の炭素数１〜１０のアルケニル基などが挙げられ、これらのなかでも水素原子又はメチル基が好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル又は４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂、エピクロルヒドリンと４，４’−ビフェノール又は４，４’−（３，３’，５，５’−テトラメチル）ビフェノールとを反応させて得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。これらのなかでも４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂が好ましい。そのようなエポキシ樹脂としては、市販品としてジャパンエポキシレジン株式会社製のＹＸ−４０００（商品名）が入手可能である。上記ビフェニル型エポキシ樹脂の配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量中２０質量％以上とすることが好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上がさらに好ましい。
【００４０】
チオジフェノール型エポキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（ＩＩ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。 
【００４１】
【化２】
2017130546.tif 000003
一般式（ＩＩ）中、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０又は１〜３の整数を示す。
【００４２】
上記一般式（ＩＩ）で示されるチオジフェノール型エポキシ樹脂は、チオジフェノール化合物にエピクロルヒドリンを公知の方法で反応させることによって得られる。一般式（ＩＩ）中のＲ１〜Ｒ８としては、たとえば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等の炭素数１〜１０のアルケニル基などが挙げられる。これらのなかでも、水素原子、メチル基又はｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。
【００４３】
このようなエポキシ樹脂としては、たとえば、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィドのジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂、２，２’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィドのジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂、２，２’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシ−５，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルスルフィドのジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、２，２’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシ−５，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルスルフィドのジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂が好ましい。そのようなエポキシ樹脂としては、市販品として新日鐵化学株式会社製のＹＳＬＶ−１２０ＴＥ（商品名）が入手可能である。上記チオジフェノール型エポキシ樹脂の配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量中２０質量％以上とすることが好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上がさらに好ましい。
【００４４】
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（ＩＩＩ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００４５】
【化３】
2017130546.tif 000004
一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０又は１〜３の整数を示す。
【００４６】
上記一般式（ＩＩＩ）で示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、ビスフェノールＦ化合物にエピクロルヒドリンを公知の方法で反応させることによって得られる。一般式（ＩＩＩ）中のＲ１〜Ｒ８としては、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等の炭素数１〜１０のアルケニル基などが挙げられ、これらのなかでも水素原子又はメチル基が好ましい。
【００４７】
このようなエポキシ樹脂としては、例えば、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェノール）のジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂、４，４’−メチレンビス（２，３，６−トリメチルフェノール）のジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂、４，４’−メチレンビスフェノールのジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂等が挙げられる。これらのなかでも４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェノール）のジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂が好ましい。そのようなエポキシ樹脂としては、市販品として新日鐵化学株式会社製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（商品名）が入手可能である。上記ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量中２０質量％以上とすることが好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上がさらに好ましい。
【００４８】
ノボラック型エポキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（ＩＶ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００４９】
【化４】
2017130546.tif 000005
【００５０】
一般式（ＩＶ）中、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の整数を示す。上記一般式（ＩＶ）で示されるノボラック型エポキシ樹脂は、ノボラック型フェノール樹脂にエピクロルヒドリンを反応させることによって容易に得られる。これらのなかでも、上記一般式（ＩＶ）中のＲとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましい。ｎは０〜３の整数が好ましい。
【００５１】
上記一般式（ＩＶ）で示されるノボラック型エポキシ樹脂のなかでも、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。ノボラック型エポキシ樹脂を使用する場合、その配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量中２０質量％以上とすることが好ましく、３０質量％以上がより好ましい。
【００５２】
ナフタレン型エポキシ樹脂としては、例えば下記一般式（Ｖ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。トリフェニルメタン型エポキシ樹脂としては、例えば下記一般式（ＶＩ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。下記一般式（Ｖ）で示されるナフタレン型エポキシ樹脂としては、ｍ個の構成単位及びｎ個の構成単位をランダムに含むランダム共重合体、交互に含む交互共重合体、規則的に含む共重合体、ブロック状に含むブロック共重合体が挙げられる。これらのいずれか１種を単独で用いても、２種以上を組合せて用いてもよい。また、下記一般式（ＶＩ）で示されるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂としては特に制限はないが、サリチルアルデヒド型エポキシ樹脂が好ましい。
【００５３】
【化５】
2017130546.tif 000006
一般式（Ｖ）中、Ｒ１〜Ｒ３は、水素原子及び炭素数１〜１２の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、これらは全てが同一でも異なっていてもよい。ｐは１又は０で、ｍ、ｎはそれぞれ０〜１１の整数であって、（ｍ＋ｎ）が１〜１１の整数でかつ（ｍ＋ｐ）が１〜１２の整数となるように選ばれる。ｉは０〜３の整数、ｊは０〜２の整数、ｋは０〜４の整数を示す。
【００５４】
【化６】
2017130546.tif 000007
【００５５】
一般式（ＶＩ）中、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは１〜１０の整数を示す。これらのナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エポキシ樹脂は、いずれか１種を単独で用いても両者を組合せて用いてもよいが、その配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量中、合わせて２０質量％以上とすることが好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上とすることがさらに好ましい。
【００５６】
フェノールアラルキル樹脂のエポキシ化物としては、たとえば下記一般式（ＶＩＩ）で示されるエポキシ樹脂、及び、下記一般式（ＶＩＩＩ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００５７】
【化７】
2017130546.tif 000008
一般式（ＶＩＩ）中、Ｒ１〜Ｒ５は水素原子、炭素数１〜１２の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、すべてが同一でも異なっていてもよい。ｉは０又は１〜３の整数を示し、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。
【００５８】
【化８】
2017130546.tif 000009
【００５９】
一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ１〜Ｒ９は水素原子、炭素数１〜１２の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、すべてが同一でも異なっていてもよい。ｉは０又は１〜３の整数を示し、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。
【００６０】
上記一般式（ＶＩＩ）で示されるフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化物は、アルキル置換、芳香環置換又は非置換のフェノールとジメトキシパラキシレンから合成されるフェノールアラルキル樹脂にエピクロルヒドリンを公知の方法で反応させることによって得られる。また、上記一般式（ＶＩＩＩ）で示されるビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂のエポキシ化物は、アルキル置換、芳香環置換又は非置換のフェノールとビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂にエピクロルヒドリンを公知の方法で反応させることによって得られる。
【００６１】
一般式（ＶＩＩ）中のＲ１〜Ｒ５、及び一般式（ＶＩＩＩ）中のＲ１〜Ｒ９としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の環状アルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアリール基置換アルキル基、メトキシ基置換アルキル基、エトキシ基置換アルキル基、ブトキシ基置換アルキル基等のアルコキシ基置換アルキル基、アミノアルキル基、ジメチルアミノアルキル基、ジエチルアミノアルキル基等のアミノ基置換アルキル基、水酸基置換アルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等の無置換アリール基、トリル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ジメチルナフチル基等のアルキル基置換アリール基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、メトキシナフチル基等のアルコキシ基置換アリール基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアミノ基置換アリール基、水酸基置換アリール基などが挙げられる。これらのなかでも水素原子又はメチル基が好ましい。
【００６２】
一般式（ＶＩＩ）および一般式（ＶＩＩＩ）中のｎとしては平均で６以下がより好ましい。そのようなエポキシ樹脂としては、一般式（ＶＩＩ）は、市販品として日本化薬株式会社製のＮＣ−２０００Ｌ（商品名）が、一般式（ＶＩＩＩ）は、市販品として日本化薬株式会社製のＮＣ−３０００Ｓ（商品名）が入手可能である。
【００６３】
難燃性と耐リフロー性、流動性の両立の観点からは上記一般式（Ｉ）及び（ＶＩＩＩ）で示されるエポキシ樹脂を組み合わせて含有することが好ましい。上記一般式（Ｉ）のＲ１〜Ｒ８は水素原子、且つｎ＝０であり、上記一般式（ＶＩＩＩ）のＲ１〜Ｒ８が水素原子であることがより好ましい。上記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂と、上記一般式（ＶＩＩＩ）で示されるエポキシ樹脂の配合質量比は、（Ｉ）／（ＶＩＩＩ）＝５０／５０〜５／９５であることが好ましく、４０／６０〜１０／９０であるものがより好ましく、３０／７０〜１５／８５であるものがさらに好ましい。このような配合質量比を満足する化合物としては、日本化薬株式会社のＣＥＲ−３０００Ｌ（商品名）等が市販品として入手可能である。
【００６４】
ナフトール・アラルキル樹脂のエポキシ化物としては、たとえば下記一般式（ＩＸ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００６５】
【化９】
2017130546.tif 000010
【００６６】
一般式（ＩＸ）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜１２の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、すべてが同一でも異なっていてもよい。ｉは０又は１〜３の整数を示し、Ｘは芳香環を含む二価の有機基を示し、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。Ｘは、たとえばフェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基、トリレン基等のアルキル基置換アリーレン基、アルコキシル基置換アリーレン基、アラルキル基置換アリーレン基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基から得られる二価の基、キシリレン基等のアリーレン基を含む二価の基などが挙げられる。これらのなかでも、難燃性及び保存安定性の両立の観点からはフェニレン基、ビフェニレン基が好ましい。
【００６７】
上記一般式（ＩＸ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂のエポキシ化物は、アルキル置換、芳香環置換又は非置換のナフトールとジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるナフトール・アラルキル樹脂にエピクロルヒドリンを公知の方法で反応させることによって得られる。
【００６８】
一般式（ＩＸ）中のＲとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の環状アルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアリール基置換アルキル基、メトキシ基置換アルキル基、エトキシ基置換アルキル基、ブトキシ基置換アルキル基等のアルコキシ基置換アルキル基、アミノアルキル基、ジメチルアミノアルキル基、ジエチルアミノアルキル基等のアミノ基置換アルキル基、水酸基置換アルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等の無置換アリール基、トリル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ジメチルナフチル基等のアルキル基置換アリール基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、メトキシナフチル基等のアルコキシ基置換アリール基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアミノ基置換アリール基、水酸基置換アリール基などが挙げられる。これらのなかでも水素原子又はメチル基が好ましく、例えば下記一般式（Ｘ）又は（ＸＩ）で示されるナフトール・アルキル樹脂のエポキシ化物が挙げられる。
【００６９】
ｎは０又は１〜１０の整数を示し、平均で６以下がより好ましい。下記一般式（Ｘ）で示されるエポキシ樹脂としては市販品として新日鐵化学株式会社製のＥＳＮ−３７５（商品名）が挙げられる。下記一般式（ＸＩ）で示されるエポキシ樹脂としては市販品として新日鐵化学株式会社製のＥＳＮ−１７５（商品名）が挙げられる。上記ナフトール・アラルキル樹脂のエポキシ化物の配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量中２０質量％以上とすることが好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上がさらに好ましい。
【００７０】
【化１０】
2017130546.tif 000011
一般式（Ｘ）中、Ｘは芳香環を含む二価の有機基を示し、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。
【００７１】
【化１１】
2017130546.tif 000012
【００７２】
一般式（ＸＩ）中、Ｘは芳香環を含む二価の有機基を示し、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。複数あるＸは、同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
【００７３】
上記のビフェニル型エポキシ樹脂、チオジフェノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル樹脂のエポキシ化物及びナフトール・アラルキル樹脂のエポキシ化物は、いずれか１種を単独で用いてもよく、２種以上を組合せて用いてもよい。２種以上を組み合わせて用いる場合の配合量は、エポキシ樹脂全量中合わせて５０質量％以上とすることが好ましく、６０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。 
【００７４】
（Ａ）エポキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物中、３質量％以上、１５質量％未満が好ましい。
【００７５】
本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、（Ｂ）硬化剤を含んでいてもよい。ここで用いられる（Ｂ）硬化剤は、封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているもので特に制限はなく、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、チオジフェノール、アミノフェノール、α−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のフェノール類とホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、フェノール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂、フェノールノボラック構造とフェノールアラルキル構造がランダム、ブロック又は交互に繰り返された共重合型フェノールアラルキル樹脂、パラキシリレン及び／又はメタキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂などが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組合せて用いてもよい。
【００７６】
これらのなかでも、流動性、難燃性及び耐リフロー性の観点からはフェノールアラルキル樹脂、共重合型フェノールアラルキル樹脂及びナフトール・アラルキル樹脂が好ましく、耐熱性、低膨張率及び低そり性の観点からはトリフェニルメタン型フェノール樹脂が好ましく、硬化性の観点からはノボラック型フェノール樹脂が好ましく、これらのフェノール樹脂の少なくとも１種を含有していることが好ましい。 
【００７７】
フェノールアラルキル樹脂としては、例えば下記一般式（ＸＩＩ）で示される樹脂が挙げられる。
【００７８】
【化１２】
2017130546.tif 000013
【００７９】
一般式（ＸＩＩ）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜１２の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、すべてが同一でも異なっていてもよい。ｉは０又は１〜３の整数を示し、Ｘは芳香環を含む二価の有機基を示し、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。
【００８０】
上記一般式（ＸＩＩ）中のＲとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の環状アルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアリール基置換アルキル基、メトキシ基置換アルキル基、エトキシ基置換アルキル基、ブトキシ基置換アルキル基等のアルコキシ基置換アルキル基、アミノアルキル基、ジメチルアミノアルキル基、ジエチルアミノアルキル基等のアミノ基置換アルキル基、水酸基置換アルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等の無置換アリール基、トリル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ジメチルナフチル基等のアルキル基置換アリール基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、メトキシナフチル基等のアルコキシ基置換アリール基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアミノ基置換アリール基、水酸基置換アリール基などが挙げられる。これらのなかでも水素原子又はメチル基が好ましい。
【００８１】
上記一般式（ＸＩＩ）中のＸは芳香環を含む基を示し、例えばフェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基、トリレン基等のアルキル基置換アリーレン基、アルコキシル基置換アリーレン基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基から得られる二価の基、アラルキル基置換アリーレン基、キシリレン基等のアリーレン基を含む二価の基などが挙げられる。これらのなかでも、難燃性、流動性と硬化性の両立の観点からは置換又は非置換のフェニレン基が好ましい。その例として、下記一般式（ＸＩＩＩ）で示されるフェノールアラルキル樹脂が挙げられる。難燃性と耐リフロー性の両立の観点から、Ｘは置換又は非置換のビフェニレン基が好ましい。その例として、下記一般式（ＸＩＶ）で示されるフェノールアラルキル樹脂が挙げられる。ｎは０又は１〜１０の整数を示し、平均で６以下がより好ましい。
【００８２】
【化１３】
2017130546.tif 000014
一般式（ＸＩＩＩ）中、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。
【００８３】
【化１４】
2017130546.tif 000015
一般式（ＸＩＶ）中、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。
【００８４】
上記一般式（ＸＩＩＩ）で示されるフェノールアラルキル樹脂としては、市販品として三井化学株式会社製のＸＬＣ（商品名）が挙げられる。一般式（ＸＩＶ）で示されるビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂としては、市販品として明和化成株式会社製のＭＥＨ−７８５１（商品名）が挙げられる。上記フェノールアラルキル樹脂の配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全量中２０質量％以上とすることが好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上がさらに好ましい。
【００８５】
ナフトール・アラルキル樹脂としては、たとえば下記一般式（ＸＶ）で示される樹脂が挙げられる。
【００８６】
【化１５】
2017130546.tif 000016
【００８７】
一般式（ＸＶ）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜１２の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、すべてが同一でも異なっていてもよい。ｉは０又は１〜３の整数を示し、Ｘは芳香環を含む二価の有機基を示し、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。
【００８８】
上記一般式（ＸＶ）中のＲとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の環状アルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアリール基置換アルキル基、メトキシ基置換アルキル基、エトキシ基置換アルキル基、ブトキシ基置換アルキル基等のアルコキシ基置換アルキル基、アミノアルキル基、ジメチルアミノアルキル基、ジエチルアミノアルキル基等のアミノ基置換アルキル基、水酸基置換アルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等の無置換アリール基、トリル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ジメチルナフチル基等のアルキル基置換アリール基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、メトキシナフチル基等のアルコキシ基置換アリール基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアミノ基置換アリール基、水酸基置換アリール基などが挙げられる。これらのなかでも水素原子又はメチル基が好ましい。
【００８９】
一般式（ＸＶ）中、Ｘは芳香環を含む二価の有機基を示し、例えばフェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基、トリレン基等のアルキル基置換アリーレン基、アルコキシル基置換アリーレン基、アラルキル基置換アリーレン基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基から得られる二価の基、キシリレン基等のアリーレン基を含む二価の基などが挙げられる。これらのなかでも、保存安定性と難燃性の観点からは置換又は非置換のフェニレン基及びビフェニレン基が好ましく、フェニレン基がより好ましい。そのような例として、下記一般式（ＸＶＩ）及び（ＸＶＩＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂が挙げられる。下記一般式（ＸＶＩ）及び（ＸＶＩＩ）中、ｎは０又は１〜１０の整数を示し、平均で６以下がより好ましい。
【００９０】
【化１６】
2017130546.tif 000017
一般式（ＸＶＩ）中、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。
【００９１】
【化１７】
2017130546.tif 000018
一般式（ＸＶＩＩ）中、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。
【００９２】
上記一般式（ＸＶＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂としては、市販品として新日鐵化学株式会社製のＳＮ−４７５（商品名）が挙げられる。上記一般式（ＸＶＩＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂としては、市販品として新日鐵化学株式会社製のＳＮ−１７０（商品名）が挙げられる。上記ナフトール・アラルキル樹脂の配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全量中２０質量％以上とすることが好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上がさらに好ましい。 
【００９３】
上記一般式（ＸＩＩ）で示されるフェノールアラルキル樹脂、一般式（ＸＶＩ）及び一般式（ＸＶＩＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂は、難燃性の観点からその一部又は全部がアセナフチレンと予備混合されていることが好ましい。アセナフチレンはアセナフテンを脱水素して得ることができるが、市販品を用いてもよい。また、アセナフチレンの代わりにアセナフチレンの重合物又はアセナフチレンと他の芳香族オレフィンとの重合物として用いることもできる。アセナフチレンの重合物又はアセナフチレンと他の芳香族オレフィンとの重合物を得る方法としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合等が挙げられる。また、重合に際しては従来公知の触媒を用いることができるが、触媒を使用せずに熱だけで行うこともできる。この際、重合温度は８０〜１６０℃が好ましく、９０〜１５０℃がより好ましい。
【００９４】
得られるアセナフチレンの重合物又はアセナフチレンと他の芳香族オレフィンとの重合物の軟化点は、６０〜１５０℃が好ましく、７０〜１３０℃がより好ましい。６０℃より低いと成形時の染み出しにより成形性が低下する傾向にあり、１５０℃より高いと樹脂との相溶性が低下する傾向にある。アセナフチレンと共重合させる他の芳香族オレフィンとしては、スチレン、α−メチルスチレン、インデン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ビニルナフタレン、ビニルビフェニル又はそれらのアルキル置換体等が挙げられる。また、上記した芳香族オレフィン以外に本発明の効果に支障の無い範囲で脂肪族オレフィンを併用することもできる。脂肪族オレフィンとしては、（メタ）アクリル酸及びそれらのエステル、無水マレイン酸、無水イタコン酸、フマル酸及びそれらのエステル等が挙げられる。これら脂肪族オレフィンの使用量は重合モノマー全量中２０質量％以下が好ましく、９質量％以下がより好ましい。
【００９５】
硬化剤の一部又は全部とアセナフチレンとの予備混合の方法としては、硬化剤及びアセナフチレンをそれぞれ微細に粉砕し固体状態のままミキサー等で混合する方法、両成分を溶解する溶媒に均一に溶解させた後、溶媒を除去する方法、硬化剤及び／又はアセナフチレンの軟化点以上の温度で両者を溶融混合する方法等で行うことができるが、均一な混合物が得られて不純物の混入が少ない溶融混合法が好ましい。上述の方法により予備混合物（アセナフチレン変性硬化剤）が、製造される。溶融混合は、硬化剤及び／又はアセナフチレンの軟化点以上の温度であれば制限はないが、１００〜２５０℃が好ましく、１２０〜２００℃がより好ましい。また、溶融混合は両者が均一に混合すれば混合時間に制限はないが、１〜２０時間が好ましく、２〜１５時間がより好ましい。硬化剤とアセナフチレンを予備混合する場合、混合中にアセナフチレンが重合もしくは硬化剤と反応しても構わない。
【００９６】
トリフェニルメタン型フェノール樹脂としては、たとえば下記一般式（ＸＶＩＩＩ）で示されるフェノール樹脂等が挙げられる。
【００９７】
【化１８】
2017130546.tif 000019
【００９８】
一般式（ＸＶＩＩＩ）中、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の整数を示す。上記一般式（ＸＶＩＩＩ）中のＲとしては、たとえば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基、ハロゲン化アルキル基、アミノ基置換アルキル基、メルカプト基置換アルキル基などの炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基が挙げられる。これらのなかでもメチル基、エチル基等のアルキル基及び水素原子が好ましく、メチル基及び水素原子がより好ましい。トリフェニルメタン型フェノール樹脂を用いる場合、その配合量はその性能を発揮するために硬化剤全量中３０質量％以上とすることが好ましく、５０質量％以上がより好ましい。
【００９９】
ノボラック型フェノール樹脂としては、たとえば下記一般式（ＸＩＸ）で示されるフェノール樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂等が挙げられる。これらのなかでも下記一般式（ＸＩＸ）で示されるノボラック型フェノール樹脂が好ましい。
【０１００】
【化１９】
2017130546.tif 000020
【０１０１】
一般式（ＸＩＸ）中、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の整数を示す。上記一般式（ＸＩＸ）中のＲとしては、たとえば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基、ハロゲン化アルキル基、アミノ基置換アルキル基、メルカプト基置換アルキル基などの炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基が挙げられる。これらのなかでもメチル基、エチル基等のアルキル基及び水素原子が好ましく、水素原子がより好ましく、ｎの平均値が０〜８であることが好ましい。ノボラック型フェノール樹脂を用いる場合、その配合量はその性能を発揮するために硬化剤全量中３０質量％以上とすることが好ましく、５０質量％以上がより好ましい。
【０１０２】
共重合型フェノールアラルキル樹脂としては、たとえば下記一般式（ＸＸ）で示されるフェノール樹脂が挙げられる。
【０１０３】
【化２０】
2017130546.tif 000021
【０１０４】
一般式（ＸＸ）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜１２の置換又は非置換の一価の炭化水素基及び水酸基から選ばれ、すべてが同一でも異なっていてもよい。またＸは芳香環を含む二価の基を示す。ｎ及びｍは、０又は１〜１０の整数を示す。上記一般式（ＸＸ）中のＲとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の環状アルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアリール基置換アルキル基、メトキシ基置換アルキル基、エトキシ基置換アルキル基、ブトキシ基置換アルキル基等のアルコキシ基置換アルキル基、アミノアルキル基、ジメチルアミノアルキル基、ジエチルアミノアルキル基等のアミノ基置換アルキル基、水酸基置換アルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等の無置換アリール基、トリル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ジメチルナフチル基等のアルキル基置換アリール基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、メトキシナフチル基等のアルコキシ基置換アリール基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアミノ基置換アリール基、水酸基置換アリール基などが挙げられる。これらのなかでも水素原子又はメチル基が好ましい。
【０１０５】
一般式（ＸＸ）中、ｎ及びｍは０又は１〜１０の整数を示し、平均で６以下がより好ましい。上記一般式（ＸＸ）中のＸとしては、例えばフェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基、トリレン基等のアルキル基置換アリーレン基、アルコキシル基置換アリーレン基、アラルキル基置換アリーレン基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基から得られる二価の基、キシリレン基等のアリーレン基を含む二価の基などが挙げられる。これらのなかでも、保存安定性と難燃性の観点からは置換又は非置換のフェニレン基及びビフェニレン基が好ましい。一般式（ＸＸ）で示される化合物としては、エア・ウォーター株式会社製のＨＥ−５１０（商品名）等が市販品として入手可能である。共重合型フェノールアラルキル樹脂を用いる場合、その配合量はその性能を発揮するために硬化剤全量中３０質量％以上とすることが好ましく、５０質量％以上がより好ましい。
【０１０６】
上記のフェノールアラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、ノボラック型フェノール脂及び共重合型フェノールアラルキル樹脂は、いずれか１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組合せて用いてもよい。２種以上を組み合わせて用いる場合の配合量は、フェノール樹脂全量中合わせて５０質量％以上とすることが好ましく、６０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。
【０１０７】
（Ｂ）硬化剤の含有量は、樹脂組成物中、０．５質量％以上、５．０質量％未満が好ましい。
【０１０８】
本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、（Ｃ）１分子中にフェノール性水酸基を１個以上有するベンゾフェノン誘導体を含んでいてもよい。（Ｃ）１分子中にフェノール性水酸基を１個以上有するベンゾフェノン誘導体は、置換または非置換のベンゾフェノン、ナフチルフェニルケトン、ジナフチルケトン、キサントン、フルオレノンなどの芳香環に１個以上水酸基が直接結合していれば特に制限はなく、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１０９】
具体的には、ｏ−ヒドロキシベンゾフェノン、ｍ−ヒドロキシベンゾフェノン、ｐ−ヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクチルオキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−アリルオキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３’，４，４’，５−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンおよびこれらの位置異性体及び置換体などが挙げられる。
【０１１０】
熱応力低減（リフロー温度での弾性率の低減）の観点では、ｏ−ヒドロキシベンゾフェノン、ｍ−ヒドロキシベンゾフェノン、ｐ−ヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシベンゾフェノンが好ましい。さらなる接着性向上の観点では、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノンが好ましい。
【０１１１】
（Ｃ）１分子中にフェノール性水酸基を１個以上有するベンゾフェノン誘導体の全含有量は樹脂組成物中０．１質量％以上、１．０質量％未満が好ましい。０．１質量％未満では得られる効果が小さくなる傾向にあり、１．０質量％以上では封止用エポキシ樹脂成形組成物の硬度が大幅に低下する傾向がある。 
【０１１２】
本実施形態において、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）１分子中にフェノール性水酸基を１個以上有するベンゾフェノン誘導体との当量比、すなわち（Ａ）エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対する、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）１分子中にフェノール性水酸基を１個以上有するベンゾフェノン誘導体中の水酸基数の比（硬化剤および１分子中にフェノール性水酸基を１個以上有するベンゾフェノン誘導体中の水酸基数／エポキシ樹脂中のエポキシ基数）は、特に制限はないが、それぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５以上、２．０未満の範囲であることが好ましく、０．６以上、１．３未満がより好ましい。成形性に優れる封止用エポキシ樹脂成形組成物を得るためには０．８以上、１．２未満の範囲に設定されることがさらに好ましい。
【０１１３】
本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、（Ｄ）シラン化合物を含有してもよい。（Ｄ）シラン化合物とは、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物である。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルジメチルメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルジメチルエトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルジメチルメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルジメチルエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−［ビス（β−ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルシランジオール、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、トリフェニルシラノール、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、２−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）フェニルイミン、３−（３−（トリエトキシシリル）プロピルアミノ）−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ−トリエトキシシリルプロピル−β−アラニンメチルエステル、３−（トリエトキシシリルプロピル）ジヒドロ−３，５−フランジオン、ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン等のシラン系化合物、１Ｈ−イミダゾール、２−アルキルイミダゾール、２，４−ジアルキルイミダゾール、４−ビニルイミダゾール等のイミダゾール化合物とγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のγ−グリシドキシプロピルアルコキシシランの反応物であるイミダゾール系シラン化合物が挙げられる。これらの１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１４】
（Ｄ）シラン化合物の全配合量は、成形性及び流動性の観点から、樹脂組成物中０．０６質量％以上２質量％未満が好ましく、０．１質量％以上０．７５質量％未満がより好ましく、０．２質量％以上０．７質量％未満がさらに好ましい。０．０６質量％未満では流動性が低下する傾向にあり、２質量％以上ではボイド等の成形不良が発生しやすい傾向がある。
【０１１５】
本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、従来公知のカップリング剤を含有してもよい。たとえば、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等が挙げられる。これらの１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１６】
これらのカップリング剤の全含有量は成形性及び接着性の観点から樹脂組成物中、０．０６質量％以上、２質量％未満が好ましく、０．１質量％以、上０．７５質量％未満がより好ましく、０．２質量％以上、０．７質量％未満がさらに好ましい。０．０６質量％未満では流動性が低下する傾向にあり、２質量％以上ではボイド等の成形不良が発生しやすい傾向がある。
【０１１７】
本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、（Ｅ）硬化促進剤を含有してもよい。本実施形態で用いられる（Ｅ）硬化促進剤としては、封止用エポキシ樹脂組成物で一般に使用されているものが挙げられる。例えば、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５、５，６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等のシクロアミジン化合物及びこれらの化合物に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合を有する化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の三級アミン類及びこれらの誘導体、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２―フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれらの誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類及びこれらのホスフィン類に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムエチルトリフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムテトラブチルボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール・テトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリン・テトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体などが挙げられる。これらの１種を単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【０１１８】
第三ホスフィンとキノン化合物との付加物に用いられる第三ホスフィンとしては特に制限はない。例えば、ジブチルフェニルホスフィン、ブチルジフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（４−エチルフェニル）ホスフィン、トリス（４−プロピルフェニル）ホスフィン、トリス（４−ブチルフェニル）ホスフィン、トリス（イソプロピルフェニル）ホスフィン、トリス（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，４−ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，６−ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，６−ジメチル−４−エトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−エトキシフェニル）ホスフィン等のアリール基を有する第三ホスフィンが挙げられる。成形性の点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。
【０１１９】
第三ホスフィンとキノン化合物との付加物に用いられるキノン化合物としては特に制限はなく、例えば、ｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、ジフェノキノン、１，４−ナフトキノン、アントラキノン等が挙げられる。耐湿性又は保存安定性の観点からはｐ−ベンゾキノンが好ましい。
【０１２０】
硬化促進剤の含有量は、硬化促進効果が達成される量であれば特に限定されるものではない。硬化促進剤の配合量は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）１分子中にフェノール性水酸基を１個以上有するベンゾフェノン誘導体の合計量１００質量部に対して、０．１質量部以上、１０質量部未満が好ましく、０．３質量部以上、５質量部未満がより好ましい。０．１質量部未満では短時間で硬化させることが困難となり、１０質量部以上では硬化速度が早すぎて良好な成形品が得られない傾向がある。
【０１２１】
本実施形態のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物は、（Ｆ）無機充填剤を含有してもよい。本実施形態で用いられる（Ｆ）無機充填剤は、吸湿性、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度向上のために成形材料に配合されるものであり、封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているものを用いることができる。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられる。これらを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのなかでも、線膨張係数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナがそれぞれ好ましく、充填剤の形状は成形時の流動性及び金型摩耗性の点から球形が好ましい。特にコストと性能のバランスの観点からは球状溶融シリカが好ましい。
【０１２２】
（Ｆ）無機充填剤の含有量は、難燃性、成形性、吸湿性、線膨張係数低減及び強度向上の観点から、樹脂組成物中６０質量％以上、９５質量％未満が好ましい。７０質量％未満では、難燃性が低下する傾向があり、９５質量％以上では流動性が不足する傾向がある。
【０１２３】
本実施形態の樹脂組成物は、ＩＣの耐湿性、高温放置特性を向上させる目的で陰イオン交換体を必要に応じて含有することができる。陰イオン交換体としては特に制限はなく、従来公知のものを用いることができる。例えば、ハイドロタルサイト類、マグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ビスマスから選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられる。これらを単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらのなかでも、下記組成式（ＸＸＩ）で示されるハイドロタルサイトが好ましい。
【０１２４】
Ｍｇ１−ｘＡｌｘ（ＯＨ）２（ＣＯ３）ｘ／２・ｍＨ２Ｏ      （ＸＸＩ）
【０１２５】
組成式（ＸＸＩ）中、０＜Ｘ≦０．５であり、ｍは正の数である。陰イオン交換体の配合量は、ハロゲンイオンなどの陰イオンを捕捉するのに十分な量であれば特に限定されない。陰イオン交換体の配合量は、（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上、３０質量部未満が好ましく、１質量部以上、５質量部未満がより好ましい。
【０１２６】
本実施形態の樹脂組成物には、必要に応じて離型剤を含有してもよい。離型剤としては、酸化型又は非酸化型のポリオレフィンを（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して０．０１質量部以上、１０質量部未満用いることが好ましく、０．１質量部以上、５質量部未満用いることがより好ましい。０．０１質量部未満では離型性が不十分となる傾向があり、１０質量部以上では接着性が低下する傾向がある。
【０１２７】
酸化型又は非酸化型のポリオレフィンとしては、ヘキスト株式会社製のＨ４及びＰＥ（以上、商品名）、ＰＥＤシリーズ等の数平均分子量が５００〜１００００程度の低分子量ポリエチレンなどが挙げられる。また、これ以外の離型剤としては、たとえばカルナバワックス、モンタン酸エステル、モンタン酸、ステアリン酸等が挙げられる。これらの１種を単独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。酸化型又は非酸化型のポリオレフィンに加えてこれら他の離型剤を併用する場合、その配合量は合わせて（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して０．１質量部以上、１０質量部未満が好ましく、０．５質量部以上、３質量部未満がより好ましい。
【０１２８】
本実施形態の樹脂組成物には従来公知の難燃剤を必要に応じて含有することができる。難燃剤としては、例えば、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、赤リン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、酸化亜鉛等の無機物及び／又はフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂等で被覆された赤リン、リン酸エステル等のリン化合物、メラミン、メラミン誘導体、メラミン変性フェノール樹脂、トリアジン環を有する化合物、シアヌル酸誘導体、イソシアヌル酸誘導体等の窒素含有化合物、シクロホスファゼン等のリン及び窒素含有化合物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム及び下記一般式（ＸＸＩＩ）で示される複合金属水酸化物などが挙げられる。
【０１２９】
ｐ（Ｍ１ａＯｂ）・ｑ（Ｍ２ｃＯｄ）・ｒ（Ｍ５ｅＯｆ）・ｍＨ２Ｏ    （ＸＸＩＩ）
一般式（ＸＸＩＩ）中、Ｍ１、Ｍ２及びＭ３は、互いに異なる金属元素を示し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｐ、ｑ及びｍは正の数、ｒは０又は正の数を示す。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｐ、ｑ、ｍ及びｒは、同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。
【０１３０】
上記組成式（ＸＸＩＩ）中のＭ１、Ｍ２及びＭ３は、互いに異なる金属元素であれば特に制限はない。難燃性の観点からは、Ｍ１が第３周期の金属元素、ＩＩＡ族のアルカリ土類金属元素、ＩＶＢ族、ＩＩＢ族、ＶＩＩＩ族、ＩＢ族、ＩＩＩＡ族及びＩＶＡ族に属する金属元素から選ばれ、Ｍ２がＩＩＩＢ〜ＩＩＢ族の遷移金属元素から選ばれることが好ましい。同様の観点から、Ｍ１がマグネシウム、カルシウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれ、Ｍ２が鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれることがより好ましい。
【０１３１】
流動性の観点からは、Ｍ１がマグネシウム、Ｍ２が亜鉛又はニッケルで、ｒ＝０のものが好ましい。ｐ、ｑ及びｒのモル比は特に制限はないが、ｒ＝０で、ｐ／ｑが１／９９〜１／１であることが好ましい。なお、金属元素の分類は、典型元素をＡ亜族、遷移元素をＢ亜族とする長周期型の周期律表（出典：共立出版株式会社発行「化学大辞典４」１９８７年２月１５日縮刷版第３０刷）に基づく。
【０１３２】
具体例としては、酸化亜鉛、錫酸亜鉛、硼酸亜鉛、酸化鉄、酸化モリブデン、モリブデン酸亜鉛、ジシクロペンタジエニル鉄等の金属元素を含む化合物などが挙げられる。これらの１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組合せて用いてもよい。難燃剤の配合量は特に制限はないが、（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して１質量部以上、３０質量部未満が好ましく、２質量部以上、１５質量部未満がより好ましい。
【０１３３】
本実施形態の樹脂組成物には、カーボンブラック、有機染料、有機顔料、酸化チタン、鉛丹、ベンガラ等の着色剤を含んでもよい。さらに、その他の添加剤として、シリコーンオイル及びシリコーンゴム粉末等の応力緩和剤等を必要に応じて含有することができる。
【０１３４】
本実施形態の樹脂組成物は、各種成分を均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用いても調製できる。一般的な手法として、所定の配合量の成分をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロール、押出機等によって溶融混練した後、冷却、粉砕する方法を挙げることができる。たとえば、上述した成分の所定量を均一に撹拌、混合し、予め７０〜１４０℃に加熱してあるニーダー、ロール、エクストルーダーなどで混練、冷却し、粉砕するなどの方法で得ることができる。成形条件に合うような寸法及び質量でタブレット化すると使いやすい。
【０１３５】
［細粒状の樹脂組成物の製造方法］
本実施形態の樹脂組成物は、例えば、上記成分、さらに必要に応じて他の添加剤を配合し混合した後、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混練することにより、製造することができる。
【０１３６】
樹脂組成物の製造方法は所定の粒度分布を満足すれば特に限定されるものではない。例えば、次の方法が挙げられる。
（ｉ）複数の小孔を有する円筒状外周部に溶融混練された樹脂組成物を供給し、その樹脂組成物を、溶融押出し、その後、冷却、粉砕工程を経て粉砕物を得る方法（以下、「グラニュール法」とも言う。）
（ｉｉ）各原料成分をミキサーで予備混合後、ロール、ニーダー又は押出機等の混練機により加熱混練後、冷却、粉砕工程を経て粉砕物としたものを、篩を用いて粗粒と微紛の除去を行って得る方法（以下、「粉砕篩分法」とも言う。）
（ｉｉｉ）各原料成分をミキサーで予備混合後、スクリュー先端部に小径を複数配置したダイを設置した押出機を用いて、加熱混練を行うとともに、ダイに配置された小孔からストランド状に押し出されてくる溶融樹脂をダイ面に略平行に摺動回転するカッターで切断して得る方法（以下、「ホットカット法」とも言う。）
【０１３７】
いずれの方法でも混練条件、遠心条件、粉砕条件、篩分条件、切断条件等を選ぶことによって、粒度分布及び顆粒密度を調節することができる。
【０１３８】
砕篩分法は、篩分により発生する多量の微粉及び粗粒の処理方法を検討する必要はあるものの、篩分装置等は樹脂組成物の既存製造ラインで使用されているものを用いてもよい。この場合、従来の製造ラインをそのまま使用できる点で好ましい。また、粉砕篩分法は、粉砕前に溶融樹脂をシート化する際のシート厚の選択、粉砕時の粉砕条件、スクリーンの選択、及び篩分時の篩の選択等、粒度分布を調節するうえで、独立して制御可能な因子を多くすることができる。このように、所望の粒度分布に調整するための手段の選択肢が多い点で好ましい。また、ホットカット法も、例えば、押出機の先端にホットカット機構を付加する程度で、従来の製造ラインをそのまま利用できる点で好ましい。
【０１３９】
［半導体装置及びその製造方法］
コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を用いてコンプレッション成形により半導体素子を封止してなる半導体装置の一実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置は、上述した細粒状の樹脂組成物を用いてコンプレッション成形を行い、半導体素子を封止して形成される。すなわち、半導体装置は、半導体素子と、これを封止するコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物の硬化物とを備える。本実施形態の半導体装置で封止される半導体素子としては、特に限定されるものではなく、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられる。
【０１４０】
本実施形態の樹脂組成物の硬化体で封止された素子を備える半導体装置としては、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、又はシリコンウエハ等の支持部材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、若しくはサイリスタ等の能動素子、又は、コンデンサ、抵抗体、若しくはコイル等の受動素子等の素子を搭載し、必要な部分を本実施形態の樹脂組成物で封止した、半導体装置などが挙げられる。
【０１４１】
このような半導体装置としては、例えば、リードフレーム上に半導体素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の端子部とリード部をワイヤボンディング又はバンプで接続した後、上述の樹脂組成物を用いてコンプレッション成形等により封止してなる、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｌｅａｄｅｄ  Ｃｈｉｐ  Ｃａｒｒｉｅｒ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｊ−ｌｅａｄ  ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ  Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ  Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の一般的な樹脂封止型ＩＣが挙げられる。また、テープキャリアにバンプで接続した半導体チップを、上述の樹脂組成物で封止したＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。さらに、配線板又はガラス上に形成した配線に、ワイヤボンディング、フリップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及び／又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、上述の樹脂組成物で封止したＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）モジュール、ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュール、裏面に配線板接続用の端子を形成した有機基板の表面に素子を搭載し、バンプ又はワイヤボンディングにより素子と有機基板に形成された配線を接続した後、上述実施形態の樹脂組成物で素子を封止したＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）などが挙げられる。また、プリント回路板にも、上述の樹脂組成物は有効に使用できる。
【０１４２】
半導体装置の具体例は、上述のものに限定されない。例えば、クワッド・フラット・ノンリーデッド・パッケージ（ＱＦＮ）、スモールアウトライン・ノンリーデッド・パッケージ（ＳＯＮ）、リードフレーム・ＢＧＡ（ＬＦ−ＢＧＡ）等であってもよい。
【０１４３】
コンプレッション成形で樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止した本実施形態の半導体装置は、そのまま、或いは８０℃から２００℃程度の温度で、１分間から１０時間程度の時間をかけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。
【０１４４】
リードフレーム又は回路基板と、リードフレーム又は回路基板上に積層又は並列して搭載された１以上の半導体素子と、リードフレーム又は回路基板と半導体素子とを電気的に接続するボンディングワイヤと、半導体素子とボンディングワイヤを封止する封止材とを備える半導体装置について説明する。なお、本発明はボンディングワイヤを用いたものに限定されるものではない。
【０１４５】
コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物を用いて、リードフレームに搭載した半導体素子を封止して得られる半導体装置の断面は、ダイパッド上に、ダイボンド材硬化体を介して半導体素子が固定される。半導体素子の電極パッドとリードフレームとの間はワイヤによって接続される。半導体素子は、コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物の硬化体で構成される封止材によって封止される。
【０１４６】
細粒状のコンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物の硬化体で構成される封止材によって、回路基板の半導体素子が搭載された片面側のみが封止されてもよい。回路基板上の電極パッドは回路基板上の非封止面側の半田ボールと内部で接合されてもよい。
【０１４７】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではない。
【実施例】
【０１４８】
実施例及び比較例を参照して本発明の内容をより詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【０１４９】
後述する表１に示す各成分を同表１に示す割合で配合し、ミキサーにて充分混合した後、２軸混練機を用い１００℃にて２分間溶融混練した。次に、この溶融物を冷却した後、固体状になったものを粉末状に粉砕することにより目的とする細粒状のエポキシ樹脂組成物を作製した。
【０１５０】
＜樹脂組成物の原料＞
（エポキシ樹脂）
・エポキシ樹脂１：エポキシ当量１９６ｇ/ｅｑ、軟化点１０７℃のテトラメチルビフェノール型固形エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社、商品名ＹＸ−４０００Ｈ）  
・エポキシ樹脂２：エポキシ当量２４０ｇ/ｅｑ、軟化点９６℃のα−ヒドロキシフェニル−ω−ヒドロポリ（ｎ＝１−７）（ビフェニルジメチレン−ヒドロキシフェニレン）／１−クロロ−２，３−エポキシプロパンとの重縮合物（日本化薬株式会社製、商品名：ＣＥＲ−３０００Ｌ）
【０１５１】
（硬化剤）
・フェノール樹脂：水酸基当量１０６ｇ／ｅｑ、軟化点６４℃のフェノールノボラック樹脂（明和化成株式会社製、商品名：Ｈ−４）
【０１５２】
（硬化促進剤）
・水酸基当量１００ｇ／ｅｑ、軟化点８２℃のビスフェノールＦとトリフェニルホスフィン・パラベンゾキノンの混合物
【０１５３】
（カップリング剤）  
・カップリング剤１：Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＭ−５７３)
・カップリング剤２：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＭ−４０３）
【０１５４】
（無機充填剤）
フィラー１：ＦＢ−９４５４（電気化学工業株式会社製、商品名、平均粒径：２０μｍ、比表面積：３ｍ２／ｇ）
【０１５５】
（その他の添加剤）
・離型剤：リコワックスＥ（クラリアント社製、商品名）
・着色剤：カーボンブラック＃２０（三菱化学株式会社製、商品名）
【０１５６】
【表１】
2017130546.tif 000022
【０１５７】
＜細粒状の樹脂組成物の製造＞
（実施例１）
上記表１に示す質量比率で配合して混合した後、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混練し、０．８ｍｍの小孔を有するノズルより押出した。ついで、これを室温に冷却固化させた後、公知の手段によって粉砕し、０．２５ｍｍ篩上のものを採取し、エポキシ樹脂組成物を製造した。これを実施例１の細粒状のエポキシ樹脂組成物とした。
【０１５８】
（比較例１、２、４）
上記表１に示す質量比率で配合して混合した後、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混練し、１．５ｍｍの小孔を有するノズルより押出した。ついで、これを室温に冷却固化させた後、公知の手段によって粉砕し、０．２５ｍｍの篩に加え、１ｍｍ、２ｍｍの篩で分けた各分級成分を調合して粒度を調整して、エポキシ樹脂組成物を製造した。これを比較例１、２、４の細粒状のエポキシ樹脂組成物とした。
【０１５９】
（比較例３）
上記表１に示す質量比率で配合して混合した後、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混練し、シート状に延ばして、これを室温まで冷却して冷却固化させた。その後、公知の手段によって粉砕し、エポキシ樹脂組成物を製造した。これを比較例３の細粒状のエポキシ樹脂組成物とした。
【０１６０】
＜エポキシ樹脂組成物の評価＞
上述のとおりにして得られた実施例１及び比較例１〜３の各エポキシ樹脂組成物の評価を以下の手順で行った。なお、エポキシ樹脂組成物の成形は、コンプレッション成形機により、成形温度１７５℃，成形時間３００秒間の条件にて行った。また、後硬化は、１７５℃で５時間の条件にて行った。
【０１６１】
得られた細粒状のエポキシ樹脂組成物１０ｇを、１ｍｇまで秤量したものを試料とした。音波ふるい分け測定器に備え付けた目開き２５０μｍのＪＩＳ標準篩（７段）を用い、篩を２０分間に亘って振動（振動レベル６，篩時間３分／回，パルス間隔１秒／回）させながら試料を篩に通して分級した。
【０１６２】
次いで、２５０μｍの篩を通過した微粉の質量、２ｍｍの篩を通過し、１ｍｍの篩上の残った粒子の質量、及び２ｍｍの篩上に残った粒子の質量を測定し、分級前の全試料質量に対する質量比を求めた。このようにして、２ｍｍ以上の粒子の質量割合、１ｍｍ以上且つ２ｍｍ未満の粒子の質量割合、及び２５０μｍ未満の微粉の質量割合を求めた。評価結果を表２に示す。
【０１６３】
最長長さ（Ｌ）３ｍｍ以下、最短径（Ｓ）０．５ｍｍ以下の粒子の割合を、以下のとおりにして測定した。実施例１及び比較例１〜３のエポキシ樹脂組成物１０ｇを１ｍｇまで秤量したものを試料とした。音波ふるい分け測定器に備え付けた目開き２５０μｍのＪＩＳ標準篩（７段）を用い、篩を２０分間に亘って振動（振動レベル６，篩時間３分／回，パルス間隔１秒／回）させながら試料を篩に通して分級し、６３μｍ未満の微粉を除去した。
【０１６４】
次いで、２５０μｍの篩上に残った粒子からランダムに１００個を選び、個々の粒子の最長長さ（Ｌ）と最短径（Ｓ）を測定した。そして、最長長さ（Ｌ）が３ｍｍ以下で、且つ最短径（Ｓ）が０．５ｍｍ以下である粒子と、それ以外の粒子との仕分けを行った。次いで、最長長さ（Ｌ）が３ｍｍ以下で、かつ最短径（Ｓ）が０．５ｍｍ以下である粒子の総質量（Ｗ）を測定した。仕分け前の１００個の総質量に対する総質量Ｗの割合を求めた。この割合を、最長長さ（Ｌ）３ｍｍ以下、最短径（Ｓ）０．５ｍｍ以下の粒子の割合とした。表２に割合Ａとして示す。
【０１６５】
搬送性（固着性）は、次の手順で評価した。振動フィーダー（Ａ＆Ｄ社製、トラフの寸法：４５０ｍｍ長×５５ｍｍ幅）のホッパーに細粒状のエポキシ樹脂組成物１２０ｇを投入し、ゲートの隙間を０．４ｍｍに調整した。初期搬送速度が１０ｇ／分になるように一定振動させて細粒状のエポキシ樹脂組成物を搬送し、はかりに載せた容器で細粒状のエポキシ樹脂組成物を受けた。１分毎に容器の質量を測定し、その質量増加量を調べた。
【０１６６】
測定終了後、樹脂粒子同士が固着、又はフィーダー内面に付着したり、途中で詰まったりしている粒子及び微粉の有無を目視で調べた。続けての搬送に支障の無いものを「Ａ」、固着、付着又は詰まりが多数存在し、それらによって続けての搬送性がやや劣るものを「Ｂ」、固着、付着又は詰まりが著しく、それらにより続けての搬送性にかなり影響するものを「Ｃ」とした。得られた結果を表２に示す。
【０１６７】
蒔きむらは、次のとおり評価した。１分後、３分後、５分後、７分後、１０分後における質量増加量を調べ、１０分後における質量増加量と理論質量増加量との差が±１ｇの範囲に入っている場合を「Ａ」、±２ｇの範囲に入っている場合を「Ｂ」、それ以外を「Ｃ」とした。得られた結果を表２に示す。
【０１６８】
充填性は、次のとおり評価した。耐熱性グレードがＦＲ−４であるガラス基材エポキシ樹脂銅張り積層板からなる、厚み０．５ｍｍ、幅５０ｍｍ、長さ２１０ｍｍの回路基板上に、厚み０．２ｍｍ、５ｍｍ×１０ｍｍ角の第一の半導体素子を１２個等間隔で銀ペーストを用いて接着した。さらに同寸法の第二の半導体素子を、第一の半導体素子に対してＸＹ平面で９０°回転させた状態で、第一の半導体素子上に銀ペーストで接着した。このようにして模擬素子を準備した。
【０１６９】
次いで、コンプレッション成形機（ＴＯＷＡ株式会社製）により、１２個の模擬素子を一括で封止成形し、模擬素子上の封止材の厚み（ｔ）が０．１５ｍｍである模擬半導体装置のＭＡＰ成形品を得た。この際の成形条件は、金型温度１７５℃、成形圧力３．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で行った。得られたＭＡＰ成形品を個片化せずに、そのまま、超音波探傷装置を用いて充填性を評価した。
【０１７０】
１２個の模擬素子のうち、全ての模擬素子の周辺を完全に充填しているものを「Ａ」、１〜５個の模擬素子の周辺において巣及びボイド等の充填不良が起きているものを「Ｂ」、６個以上の模擬素子の周辺において巣及びボイド等の充填不良が起きているものを「Ｃ」と判定した。得られた結果を表２に示した。
【０１７１】
【表２】
2017130546.tif 000023
【０１７２】
実施例１の樹脂組成物は、固着等の発生が殆どなく、搬送性及び充填性が良好であった。
【図１】
2017130546.tif 000024