(57)【要約】【課題】モールド及び当該モールドに接触される被成形材料を配置する基材に帯電した静電気を軟Ｘ線によって効果的に除電する。【解決手段】本実施の形態に係るインプリント装置は、基材４０を保持する基材保持部１２Ｂを有するステージユニット１２と、基材４０上に配置される被成形材料に接触されるモールド５０を保持するモールド保持部１７と、平面視において、転写位置とは重ならないよう、配置され、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合う状態で基材４０とモールド５０との間に間隙Ｓが形成された際に、当該間隙Ｓに、水平方向に沿った軟Ｘ線を照射可能な軟Ｘ線型イオナイザ１８と、を備える。【選択図】図１
2017055110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を保持する基材保持部を有するステージユニットと、
前記基材上に配置される被成形材料に接触されるモールドを保持するモールド保持部と、
平面視において、転写位置とは重ならないよう、配置され、前記基材と前記モールドとが鉛直方向に向き合う状態で前記基材と前記モールドとの間に間隙が形成された際に、当該間隙に、水平方向に沿った軟Ｘ線を照射可能な軟Ｘ線型イオナイザと、を備える、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記軟Ｘ線型イオナイザは、軟Ｘ線発生源から放射状に照射される軟Ｘ線の中心を通る照射中心軸が水平方向に沿うように配置され、前記軟Ｘ線型イオナイザは、前記照射中心軸上の軟Ｘ線を前記間隙に照射可能となっている、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
基材を保持する基材保持部を有するステージユニットと、
前記基材上に配置される被成形材料に接触されるモールドを保持するモールド保持部と、
モールド除電用の軟Ｘ線型イオナイザと、
前記軟Ｘ線型イオナイザの軟Ｘ線を検出するための軟Ｘ線センサと、を備える、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項４】
平面視において、転写位置を挟んで、一方の側に前記軟Ｘ線型イオナイザが配置され、他方の側に前記軟Ｘ線センサが配置される、
ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記軟Ｘ線センサは、前記軟Ｘ線型イオナイザからの軟Ｘ線の強度を検出し、
前記軟Ｘ線センサにより検出された強度が所定値以下である場合に、警告を通知する通知手段がさらに設けられている、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記基材と前記モールドとの間に形成される間隙、前記軟Ｘ線型イオナイザが軟Ｘ線を水平方向に沿って照射する照射位置、及び前記軟Ｘ線センサの検出面の各々の鉛直方向の位置が、水平面上に並ぶように、前記ステージユニット、前記モールド保持部、前記軟Ｘ線型イオナイザ及び前記軟Ｘ線センサの鉛直方向の相対位置を自動で調整する位置調整機構を、さらに備える、
ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載のインプリント装置。
【請求項７】
水平方向において一側から他側に向かう気流を形成し、当該気流を転写位置へ供給する気流形成部をさらに備え、
前記軟Ｘ線型イオナイザは、前記気流の流れ方向で、前記転写位置の上流側で且つ前記気流形成部の下流側に配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記軟Ｘ線型イオナイザとは異なる一つ又は複数のイオナイザをさらに備える、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記軟Ｘ線型イオナイザには、第１軟Ｘ線型イオナイザと第２軟Ｘ線型イオナイザとが含まれ、
前記軟Ｘ線センサには、第１軟Ｘ線センサと第２軟Ｘ線センサとが含まれ、
平面視において、転写位置を挟んで、一方の側に前記第１軟Ｘ線型イオナイザが配置され、他方の側に前記第１軟Ｘ線センサが配置され、
前記第１軟Ｘ線型イオナイザ及び前記第１軟Ｘ線センサが並ぶ方向に沿う方向で、前記転写位置を挟んで、前記他方の側に前記第２軟Ｘ線型イオナイザが配置され、前記一方の側に前記第２軟Ｘ線センサが配置される、ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
平面視において、前記第１軟Ｘ線型イオナイザ及び前記第１軟Ｘ線センサが並ぶ方向に対して交差する方向で、前記転写位置を挟んで、一方の側に第３軟Ｘ線型イオナイザが配置され、他方の側に第３軟Ｘ線センサが配置される、ことを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
ステージユニットの基材保持部上に基材を保持する基材保持工程と、
前記基材に被成形材料を配置する材料配置工程と、
前記基材とモールド保持部に保持されたモールドとが鉛直方向に向き合うように位置決めする位置決め工程と、
前記モールドと前記基材とを近接させることにより、前記モールドと前記基材との間に前記被成形材料を展開して転写層とする接触工程と、
前記転写層を硬化する硬化工程と、
硬化された前記転写層と前記モールドとを引き離す離型工程と、
前記離型工程後に、前記基材と前記モールドとの間に間隙が形成された際に、当該間隙に水平方向に沿った軟Ｘ線を軟Ｘ線型イオナイザから照射する除電工程と、
を備える、ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１２】
前記軟Ｘ線型イオナイザは、軟Ｘ線発生源から放射状に照射される軟Ｘ線の中心を通る照射中心軸が水平方向に沿うように配置され、
前記除電工程では、前記照射中心軸上の軟Ｘ線を前記間隙に照射する、
ことを特徴とする請求項１１に記載のインプリント方法。
【請求項１３】
前記除電工程において前記軟Ｘ線型イオナイザが軟Ｘ線を照射する際に当該軟Ｘ線が前記間隙を通過するように、前記軟Ｘ線型イオナイザの鉛直方向の位置を予め調整する照射位置予備調整工程を、さらに備える、
ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載のインプリント方法。
【請求項１４】
前記間隙を前記軟Ｘ線型イオナイザからの軟Ｘ線が所定条件で通過しない場合に、前記軟Ｘ線型イオナイザの鉛直方向の位置を調整する工程を、さらに備える、
ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれかに記載のインプリント方法。
【請求項１５】
軟Ｘ線センサによって、前記軟Ｘ線型イオナイザからの軟Ｘ線を検出する検出工程を、さらに備える、
ことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれかに記載のインプリント方法。
【請求項１６】
平面視において、転写位置を挟んで、一方の側に前記軟Ｘ線型イオナイザが配置され、他方の側に前記軟Ｘ線センサが配置される、
ことを特徴とする請求項１５に記載のインプリント方法。
【請求項１７】
前記検出工程にて、前記軟Ｘ線センサが前記間隙を通過する軟Ｘ線を検出可能となるように、前記軟Ｘ線センサの鉛直方向の位置を予め調整するセンサ位置予備調整工程を、さらに備える、
ことを特徴とする請求項１５又は１６に記載のインプリント方法。
【請求項１８】
前記センサ位置予備調整工程は、
前記基材と前記モールドとが鉛直方向に向き合うように位置決めするとともに、前記基材と前記モールドとの間に前記間隙と同等の調整間隙を形成する工程と、
前記調整間隙を通過するように、水平方向に沿ってレーザー光を照射する工程と、
前記調整間隙を通過したレーザー光が、前記軟Ｘ線センサの検出面に照射されるように、前記軟Ｘ線センサの鉛直方向の位置を調整する工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項１７に記載のインプリント方法。
【請求項１９】
前記検出工程では、前記軟Ｘ線センサによって前記軟Ｘ線型イオナイザからの軟Ｘ線の強度を検出し、
前記軟Ｘ線センサにより検出された強度が所定値以下である場合に、警告を通知する通知工程をさらに備える、
ことを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれかに記載のインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置及びインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フォトリソグラフィ技術に代わるパターン形成技術として、インプリントを用いたパターン形成技術が注目されている。インプリントは、例えば微細な凹凸構造を有するモールドを用い、モールドの凹凸構造を被成形材料に等倍転写するパターン形成技術である。
【０００３】
例えば、被成形材料として光硬化性樹脂組成物を用いたインプリントは、以下のように行われる。まず、転写基板（基材）の表面に光硬化性樹脂組成物の液滴を供給する。次に、所望の凹凸構造を有するモールドと転写基板とを所定の状態に位置決めする。その後、モールドと光硬化性樹脂組成物とを接触させることによりモールドの凹凸構造内に光硬化性樹脂組成物を充填する。この状態でモールド側から光を照射して光硬化性樹脂組成物を硬化させることにより樹脂層を形成する。その後、モールドと樹脂層とを引き離す（離型）。これにより、モールドの凹凸構造が反転した凹凸構造を有するパターン構造体が形成される。
【０００４】
このようなインプリントでは、離型の際にモールドと転写基板とに剥離帯電が生じる。このような帯電した状態で基材アンロードなど次の動作に移ると、周辺に存在しているパーティクルが、モールド及び転写基板に付着する場合がある。この場合においてインプリントを継続して行うと、モールドの破損や転写精度の低下が生じ得る。
【０００５】
そのため、インプリント分野では、モールドに帯電した静電気を除電するための種々の技術が従来から提案されている。例えば、特許文献１には、モールドのパターン形成面とは反対側の面から、パターン形成面に向けて電磁波を照射することで、モールドの除電を行うインプリント装置が開示されている。また、特許文献２には、除電手段として、イオン化気体を噴射する手段を備えるインプリント装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２６０２７３号公報
【特許文献２】特開２００９−２８６０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、帯電部分の近傍に軟Ｘ線を照射することで、有効な除電効果が得られることが知られている。しかしながら、軟Ｘ線は、物体に照射された際に吸収され易く、特許文献１に係る構成において適用した場合には、軟Ｘ線がモールドに吸収されてしまい、有効な除電効果を得ることが困難である。
【０００８】
また、特に高精細のインプリント工程を行う場合においては、高精度のインプリントを行うため、モールドあるいは基材の駆動距離は小さい傾向がある。このため離型後においてもモールドと基材の間隙は非常に狭く、軟Ｘ線をこの間隙に有効に働かせることは困難であった。
【０００９】
本発明は、上記実情を考慮してなされたものであって、モールド及び当該モールドに接触される被成形材料を配置する基材に帯電した静電気を軟Ｘ線によって効果的に除電することができるインプリント装置及びインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基材を保持する基材保持部を有するステージユニットと、前記基材上に配置される被成形材料に接触されるモールドを保持するモールド保持部と、平面視において、転写位置とは重ならないよう、配置され、前記基材と前記モールドとが鉛直方向に向き合う状態で前記基材と前記モールドとの間に間隙が形成された際に、当該間隙に、水平方向に沿った軟Ｘ線を照射可能な軟Ｘ線型イオナイザと、を備える、ことを特徴とするインプリント装置、である。
【００１１】
本発明のインプリント装置において、前記軟Ｘ線型イオナイザは、軟Ｘ線発生源から放射状に照射される軟Ｘ線の中心を通る照射中心軸が水平方向に沿うように配置され、前記軟Ｘ線型イオナイザは、前記照射中心軸上の軟Ｘ線を前記間隙に照射可能となっていてもよい。
【００１２】
また、本発明のインプリント装置は、基材を保持する基材保持部を有するステージユニットと、前記基材上に配置される被成形材料に接触されるモールドを保持するモールド保持部と、モールド除電用の軟Ｘ線型イオナイザと、前記軟Ｘ線型イオナイザの軟Ｘ線を検出するための軟Ｘ線センサと、を備える、ことを特徴とするインプリント装置である。
本発明のインプリント装置では、平面視において、転写位置を挟んで、一方の側に前記軟Ｘ線型イオナイザが配置され、他方の側に前記軟Ｘ線センサが配置されていてもよい。
【００１３】
本発明のインプリント装置において、前記軟Ｘ線センサは、前記軟Ｘ線型イオナイザからの軟Ｘ線の強度を検出し、当該インプリント装置には、前記軟Ｘ線センサにより検出された強度が所定値以下である場合に、警告を通知する通知手段がさらに設けられていてもよい。
【００１４】
本発明のインプリント装置は、前記基材と前記モールドとの間に形成される間隙、前記軟Ｘ線型イオナイザが軟Ｘ線を水平方向に沿って照射する照射位置、及び前記軟Ｘ線センサの検出面の各々の鉛直方向の位置が、水平面上に並ぶように、前記ステージユニット、前記モールド保持部、前記軟Ｘ線型イオナイザ及び前記軟Ｘ線センサの鉛直方向の相対位置を自動で調整する位置調整機構を、さらに備えていてもよい。
【００１５】
本発明のインプリント装置は、水平方向において一側から他側に向かう気流を形成し、当該気流を転写位置へ供給する気流形成部をさらに備え、前記軟Ｘ線型イオナイザは、前記気流の流れ方向で、前記転写位置の上流側で且つ前記気流形成部の下流側に配置されていてもよい。
【００１６】
本発明のインプリント装置は、前記軟Ｘ線型イオナイザとは異なる一つ又は複数のイオナイザをさらに備えていてもよい。
また、本発明のインプリント装置において、前記軟Ｘ線型イオナイザには、第１軟Ｘ線型イオナイザと第２軟Ｘ線型イオナイザとが含まれ、前記軟Ｘ線センサには、第１軟Ｘ線センサと第２軟Ｘ線センサとが含まれ、平面視において、転写位置を挟んで、一方の側に前記第１軟Ｘ線型イオナイザが配置され、他方の側に前記第１軟Ｘ線センサが配置され、前記第１軟Ｘ線型イオナイザ及び前記第１軟Ｘ線センサが並ぶ方向に沿う方向で、前記転写位置を挟んで、前記他方の側に前記第２軟Ｘ線型イオナイザが配置され、前記一方の側に前記第２軟Ｘ線センサが配置されてもよい。
この場合、平面視において、前記第１軟Ｘ線型イオナイザ及び前記第１軟Ｘ線センサが並ぶ方向に対して交差する方向で、前記転写位置を挟んで、一方の側に第３軟Ｘ線型イオナイザが配置され、他方の側に第３軟Ｘ線センサが配置されてもよい。
【００１７】
また、本発明は、ステージユニットの基材保持部上に基材を保持する基材保持工程と、前記基材に被成形材料を配置する材料配置工程と、前記基材とモールド保持部に保持されたモールドとが鉛直方向に向き合うように位置決めする位置決め工程と、前記モールドと前記基材とを近接させることにより、前記モールドと前記基材との間に前記被成形材料を展開して転写層とする接触工程と、前記転写層を硬化する硬化工程と、硬化された前記転写層と前記モールドとを引き離す離型工程と、前記離型工程後に、前記基材と前記モールドとの間に間隙が形成された際に、当該間隙に水平方向に沿った軟Ｘ線を軟Ｘ線型イオナイザから照射する除電工程と、を備える、ことを特徴とするインプリント方法、である。
【００１８】
本発明のインプリント方法において、前記軟Ｘ線型イオナイザは、軟Ｘ線発生源から放射状に照射される軟Ｘ線の中心を通る照射中心軸が水平方向に沿うように配置され、前記除電工程では、前記照射中心軸上の軟Ｘ線を前記間隙に照射してもよい。
【００１９】
本発明のインプリント方法は、前記除電工程において前記軟Ｘ線型イオナイザが軟Ｘ線を照射する際に当該軟Ｘ線が前記間隙を通過するように、前記軟Ｘ線型イオナイザの鉛直方向の位置を予め調整する照射位置予備調整工程を、さらに備えていてもよい。
【００２０】
本発明のインプリント方法は、前記間隙を前記軟Ｘ線型イオナイザからの軟Ｘ線が所定条件で通過しない場合に、前記軟Ｘ線型イオナイザの鉛直方向の位置を調整する工程を、さらに備えていてもよい。
【００２１】
本発明のインプリント方法は、軟Ｘ線センサによって、前記軟Ｘ線型イオナイザからの軟Ｘ線を検出する検出工程を、さらに備えていてもよい。
この場合、平面視において、転写位置を挟んで、一方の側に前記軟Ｘ線型イオナイザが配置され、他方の側に前記軟Ｘ線センサが配置されていてもよい。
【００２２】
本発明のインプリント方法は、前記検出工程にて、前記軟Ｘ線センサが前記間隙を通過する軟Ｘ線を検出可能となるように、前記軟Ｘ線センサの鉛直方向の位置を予め調整するセンサ位置予備調整工程を、さらに備えていてもよい。
【００２３】
本発明のインプリント方法において、前記センサ位置予備調整工程は、前記基材と前記モールドとが鉛直方向に向き合うように位置決めするとともに、前記基材と前記モールドとの間に前記間隙と同等の調整間隙を形成する工程と、前記調整間隙を通過するように、水平方向に沿ってレーザー光を照射する工程と、前記調整間隙を通過したレーザー光が、前記軟Ｘ線センサの検出面に照射されるように、前記軟Ｘ線センサの鉛直方向の位置を調整する工程と、を含んでいてもよい。
【００２４】
本発明のインプリント方法において、前記検出工程では、前記軟Ｘ線センサによって前記軟Ｘ線型イオナイザからの軟Ｘ線の強度を検出し、当該インプリント方法は、前記軟Ｘ線センサにより検出された強度が所定値以下である場合に、警告を通知する通知工程をさらに備えていてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、モールド及び当該モールドに接触される被成形材料を配置する基材に帯電した静電気を軟Ｘ線によって効果的に除電することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるインプリント装置の側面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態によるインプリント装置の平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態によるインプリント方法のフローチャートである。
【図４】本発明の第１の実施の形態によるインプリント方法のうち、材料配置工程を説明する側面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態によるインプリント方法のうち、位置決め工程を説明する側面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態によるインプリント方法のうち、接触工程を説明する側面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態によるインプリント方法のうち、離型工程及び軟Ｘ線による除電工程を説明する側面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態によるインプリント方法のうち、センサ位置予備調整工程を説明する側面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態によるインプリント方法のうち、照射位置予備調整工程を説明する側面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態によるインプリント方法のうち、軟Ｘ線の検出工程を説明するグラフを示した図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態によるインプリント装置の平面図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態によるインプリント装置の側面図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態によるインプリント装置の平面図である。
【図１４】本発明の第５の実施の形態によるインプリント装置の平面図である。
【図１５】本発明の第６の実施の形態によるインプリント装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しながら本発明の各実施の形態について説明する。図面は例示であり、説明のために特徴部を誇張しており、実物とは異なる。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付している。
【００２８】
また、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【００２９】
（第１の実施の形態）
まず、第１の実施の形態について図１乃至図１０を用いて説明する。
【００３０】
［インプリント装置］
図１は本実施の形態によるインプリント装置１０を示す側面図であり、図２はインプリント装置１０の平面図である。図１に示すように、本実施の形態によるインプリント装置１０は、ステージ定盤１１と、ステージ定盤１１上に配置され、インプリント用の基材４０を保持するとともに水平方向に移動可能なステージユニット１２と、ステージユニット１２の上方に配置された支持部１３と、ステージユニット１２の移動等を制御する制御部１４と、制御部１４から出力される情報を表示する表示部１５と、を備えている。詳細は後述するが、基材４０は平坦な表面及び平坦な裏面を有する平板状基板であり、本実施の形態において「水平方向」とは、基材４０の表面に対して水平な方向を意味する。
【００３１】
支持部１３には、ディスペンサヘッド１６と、モールド保持部１７と、軟Ｘ線型イオナイザ１８と、軟Ｘ線センサ１９とが、それぞれ取り付けられて固定されている。このうちモールド保持部１７には、モールド５０が保持されている。
【００３２】
また、本実施の形態よるインプリント装置１０には、水平方向において一側から他側（本実施の形態においては、図中のＸ軸方向マイナス側からＸ軸方向プラス側）に向かう気流Ｆを形成する気流形成部２０が設けられている。さらに、モールド保持部１７の上方には、光（例えば紫外光）を、ディスペンサヘッド１６から基材４０の上に供給された被成形材料としての光硬化性樹脂組成物に向けて照射する照射部２１が設けられている。なお、以上に説明した制御部１４及び表示部１５を除く各構成部材は、図示省略するチャンバ内に収容されている。また、以下の説明で用いる図において、Ｘ軸は水平面における一方向を示し、Ｚ軸は鉛直方向を示し、Ｙ軸はＸ軸及びＺ軸に直交する方向を示している。
【００３３】
以下、インプリント装置１０を構成する各要素について更に説明する。
【００３４】
図１に示すように、ステージユニット１２は、ステージ定盤１１上で水平方向に移動する移動ステージ１２Ａと、移動ステージ１２Ａ上に設けられ、インプリント用の基材４０を保持する基材保持部（チャック）１２Ｂと、を有している。移動ステージ１２Ａは、水平方向に沿って基材保持部１２Ｂを移動させて、基材４０を所定の位置に位置決めするものである。すなわち、基材保持部１２Ｂは、移動ステージ１２Ａによって駆動され、移動ステージ１２Ａと一体となって水平方向に移動可能となっている。
【００３５】
図１においては、ステージユニット１２の基材保持部１２Ｂが、モールド保持部１７の下方に移動され、基材４０とモールド保持部１７に保持されたモールド５０とが鉛直方向に向き合うように位置決めされた状態が示されているが、ステージユニット１２は、水平方向に移動して、例えばディスペンサヘッド１６の下方に位置決めされることも可能となっている。
【００３６】
このようなステージユニット１２における移動ステージ１２Ａは、基材４０のＸＹ方向位置の調整を行うほか、θ（Ｚ軸周りの回転）方向の位置を調整（補正）する機能、基材４０のＺ軸方向の位置を調整する機能、及び基材４０の傾きを調整する機能を有していてもよい。また、本実施の形態において、基材保持部１２Ｂは、吸引による保持機構を用いて基材４０を保持しているが、これに限らず、例えば、機械挟持による保持機構、静電気による保持機構等により基材４０を保持してもよい。
【００３７】
インプリント用の基材４０は、平坦な表面及び平坦な裏面を有する平板状基板からなっている。この基材４０は、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラスや、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレン等の樹脂等、またはこれらの任意の積層材からなる透明基板等であってもよい。また、基材４０として、ニッケル、チタン、アルミニウム等の金属基板、シリコン、窒化ガリウム等の半導体基板等も用いることができる。このような基材４０は、例えばマスターテンプレートであるモールド５０のレプリカを作製するためのレプリカブランクであってもよい。あるいは、基材４０は、光学素子又は磁気記録媒体等であってもよい。なお、基材４０の形状は、平板状基板に限らず、基板の表面に周囲より突出した段差構造が形成され、この段差構造の表面が平坦となる形状となっていてもよい。また、基材４０の形状は、撓むことによってモールド５０から剥離し易くなるように、基板の裏面の中央部分が厚み方向にくりぬかれ、当該中央部分の厚みが周囲よりも薄くなる形状となっていてもよい。
【００３８】
ディスペンサヘッド１６は、基材保持部１２Ｂに保持された基材４０上に、例えばインクジェット式で被成形材料としての光硬化性樹脂組成物の液滴４１（図４等参照）を吐出するものである。ディスペンサヘッド１６には、当該ディスペンサヘッド１６の所望の動作、例えば、水平方向移動等を可能とする駆動部、ディスペンサヘッド１６への樹脂組成物供給部（共に図示省略）が設けられおり、本実施の形態では、これらディスペンサヘッド１６、駆動部及び樹脂組成物供給部が制御部１４によって制御されるようになっている。なお、ディスペンサヘッド１６に所望の動作をさせることなく、ディスペンサヘッド１６の下で、基材４０を基材保持部１２Ｂで固定した移動ステージ１２Ａによって移動させながら、光硬化性樹脂組成物を吐出させることにより所望のパターンに光硬化性樹脂組成物を塗付してもよい。
【００３９】
モールド保持部１７は、その下方にステージユニット１２の基材保持部１２Ｂが移動され、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合うように位置決めされた際に、モールド５０の凹凸構造５１を有する面をステージユニット１２方向に向けた状態で、モールド５０を保持するものである。このモールド保持部１７は、例えば、吸引による保持機構、機械挟持による保持機構、静電気による保持機構等によりモールド５０を保持するものであり、保持機構の具体的構成には特に制限はない。
【００４０】
モールド保持部１７には、高さ制御機構３１が取り付けられており、これによりモールド５０の高さ方向（Ｚ軸方向）位置を制御ないし調整可能となっている。高さ制御機構３１は、モールド５０を下方向に移動させることによって、基材４０上の光硬化性樹脂組成物にモールド５０を接触させる。また、高さ制御機構３１は、モールド５０を上方向に移動させることによって、基材４０上の光硬化性樹脂組成物からモールド５０を剥離（離型）する。
【００４１】
図１においては、高さ制御機構３１がモールド５０を上方向に移動させ、光硬化性樹脂組成物からモールド５０を離型させて、光硬化性樹脂組成物とモールド５０とを離間させた状態が示されている。以下では、基材４０上の光硬化性樹脂組成物から離間して、静止状態に保持されたときのモールド５０の位置を「離型位置」と呼び、基材４０上の光硬化性樹脂組成物と接触しているときのモールド５０の位置を「接触位置」と呼ぶ。また、平面視において、ステージユニット１２の基材保持部１２Ｂ上に保持される基材４０上の光硬化性樹脂組成物と、モールド保持部１７に保持されるモールド５０と、が接触される位置のことを、「転写位置ＴＰ」と呼ぶ。本実施の形態では、モールド保持部１７が配置されている位置よりも内側であって、モールド保持部１７がモールド５０を保持している領域が、「転写位置ＴＰ」に対応している。
【００４２】
モールド５０は、その下面の中央領域に形成された微細な凹凸構造５１を有している。この凹凸構造５１は、例えば電子線リソグラフィ法によって形成されたものである。本実施の形態において、モールド５０は、照射部２１からの光を透過する材料で構成され、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、これらの任意の積層材からなる。モールド５０は、基材４０に転写すべき凹凸構造５１が形成されたパターン面を有する。このモールド５０は、モールド用基板の表面に電子線レジストを塗布し、電子線レジストに電子線描画を行ってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクとしてモールド用基板をエッチングして凹凸構造５１を形成することで、製造されている。また、凹凸構造５１は、電子線リソグラフィ以外の手法によって形成されもよく、例えばインプリント法によって形成されたものでもよい。
【００４３】
凹凸構造５１は、図中では概略的に示されているが、凹凸構造５１の凸部の高さ（凹部の深さ）、ピッチ、数、配置面積（モールド５０の主面に対する凹凸構造５１の占有面積）、形状（ライン形状、ドット形状（モスアイ状）等）は、特に限定されるものではなく、製造の対象となる基材に応じて適宜設定され得る。また、凹凸構造５１の寸法は、特に限定されるものではないが、例えば、凸部の幅が４０ｎｍ以下、好ましく１０〜３０ｎｍであり、隣接する凸部の間の間隔は、４０ｎｍ以下、好ましく１０〜３０ｎｍである。なお、基材４０がレプリカテンプレート作製用のレプリカブランクである場合、モールド５０は、レプリカテンプレートを作製するためのマスターテンプレートであってもよい。
【００４４】
照射部２１は、基材４０の上に供給（塗布）された光硬化性樹脂組成物に光を照射する。本実施の形態では、基材４０の上に供給される樹脂組成物は光硬化性樹脂組成物であるため、かかる光硬化性樹脂組成物は照射部２１からの光の照射によって硬化する。なお、モールド保持部１７には、照射部２１からの光を通過させる開口が設けられている。
【００４５】
気流形成部２０は、上述したように、水平方向において、すなわちＸ軸方向において一側から他側（本実施の形態においては、図１のＸ軸方向マイナス側からＸ軸方向プラス側）に向かう気流Ｆを形成するものであり、この気流Ｆを転写位置ＴＰに供給するようになっている。すなわち、気流Ｆは、気流形成部２０から転写位置ＴＰに向かう気流である。より詳しくは、気流形成部２０は、モールド保持部１７の下方にステージユニット１２の基材保持部１２Ｂが移動され、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合うように位置決めされた際に、転写位置ＴＰに位置付けられた基材４０及びモールド５０に向けて側方から水平方向に沿って流れる気流Ｆを供給するようになっている。
【００４６】
気流形成部２０は、平面視で、モールド保持部１７に対してディスペンサヘッド１６の反対側に配置されている。気流形成部２０は、チャンバ内をパーティクル等の異物の影響を除いた良好な転写環境にするものであり、例えば清浄な空気（クリーンエア）からなる気流Ｆを送り込むものであってもよい。なお、クリーンエアとしては、外気を取り込んだものであってもよく、例えば、フィルターを通した外気を用いることが好ましい。
【００４７】
また、図１及び図２に示すように、本実施の形態においては、ディスペンサヘッド１６が、気流Ｆの流れ方向で、モールド保持部１７の下流側（Ｘ軸方向プラス側）に配置されている。これにより、ディスペンサヘッド１６で発生したパーティクル等の異物が、気流Ｆによってモールド５０側へ運ばれることを防止し、異物がモールド５０に付着することを防止している。なお、本明細書中、「部材Ａが、気流の流れ方向で、部材Ｂの下流側に配置される」とは、「部材Ａのうち気流の流れ方向で最も上流側に位置する部分が、部材Ｂのうち気流の流れ方向で最も下流側に位置する部分よりも、下流側に配置される」ことを意味する。
【００４８】
また、この場合、図１に示すように、モールド保持部１７とディスペンサヘッド１６とは、気流Ｆの流れ方向で、一直線状に並んで配置されていることが好ましい。これにより、ステージユニット１２は、後述する接触工程より前の各工程の間、気流Ｆの上流に向かって遡る方向に移動し、モールド５０の下方を通過することがない。この結果、ステージユニット１２の影響によってパーティクル等の異物がモールド５０に付着することが防止される。
【００４９】
軟Ｘ線型イオナイザ１８は、軟Ｘ線を照射する装置であって、モールド除電用に、特にモールド５０及び基材４０に帯電した静電気を除電するために設けられている。軟Ｘ線型イオナイザ１８は、図１及び図２に示すように、平面視において、転写位置ＴＰとは重ならないよう、配置されている。
【００５０】
軟Ｘ線型イオナイザ１８は、内部に配置される軟Ｘ線発生源１８Ｓから照射面を介して放射状に拡がるように軟Ｘ線を照射する。ここで、本実施の形態における軟Ｘ線型イオナイザ１８は、放射状に拡がるように照射される軟Ｘ線の中心を通る照射中心軸Ｌ１（図１及び図２参照）が水平方向に沿うように配置されている。
【００５１】
軟Ｘ線型イオナイザ１８は、図１に示すように、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合う状態で基材４０とモールド５０との間に間隙Ｓが形成された際に、当該間隙Ｓに、水平方向に沿った軟Ｘ線を照射可能となっている。言い換えると、軟Ｘ線型イオナイザ１８は、間隙Ｓを通過するように軟Ｘ線を水平方向に沿って照射可能となっている。本実施の形態において、上述の間隙Ｓは、モールド５０を基材４０上の光硬化性樹脂組成物に接触させて硬化させた後、光硬化性樹脂組成物からモールド５０を離型させ光硬化性樹脂組成物とモールド５０とを離間させた「離型位置」において、基材４０とモールド５０との間に形成される間隙のことを意味する。
【００５２】
上述の間隙Ｓに軟Ｘ線を水平方向に沿って照射可能とするために、図１に示すように、本実施の形態における軟Ｘ線型イオナイザ１８は、昇降装置１８Ａを介して支持部１３に支持され、その鉛直方向の位置を調整可能となっている。これにより、インプリント装置１０においては、基材４０及びモールド５０と軟Ｘ線型イオナイザ１８との鉛直方向における相対位置が調整可能となっている。
【００５３】
上述の構成によれば、上述の間隙Ｓが形成された際に軟Ｘ線型イオナイザ１８からの軟Ｘ線が間隙Ｓを通過するように、予め軟Ｘ線型イオナイザ１８の位置を調整したり、上述の間隙Ｓが形成された後、間隙Ｓを軟Ｘ線が所望の状態で通過しない場合に、軟Ｘ線型イオナイザ１８の鉛直方向の位置を調整したりすることができる。これにより、軟Ｘ線型イオナイザ１８は、間隙Ｓを通過するように軟Ｘ線を水平方向に沿って照射可能となっている。より詳しくは、図２に示すように、本実施の形態における軟Ｘ線型イオナイザ１８は、照射中心軸Ｌ１上の軟Ｘ線が間隙Ｓを通過し、且つ平面視における基材４０とモールド５０の略中央を通過するように軟Ｘ線を照射可能となっている。なお、上述の略中央とは、転写位置ＴＰに位置付けられた基材４０とモールド５０との平面視における中央又は中央の近傍領域を意味する。ここで、中央の近傍領域とは、平面視におけるモールド５０の中央からの放射方向で、モールド５０の外縁よりもモールド５０の中央に近い側に位置付けられる領域を意味する。また、本実施の形態では、軟Ｘ線が基材４０とモールド５０との略中央を通過するように軟Ｘ線を照射可能となっているが、軟Ｘ線型イオナイザ１８は、軟Ｘ線が基材４０とモールド５０の略中央から外れた位置で間隙Ｓを通過するように配置されてもよい。
【００５４】
また、図２に示すように、この例において、軟Ｘ線型イオナイザ１８は、気流Ｆの流れ方向で、基材４０及びモールド５０、すなわち転写位置ＴＰの上流側で且つ気流形成部２０の下流側に配置されている。この場合、基材４０及びモールド５０の上流側で生成されたイオンが、気流Ｆによって気流Ｆの下流側に流されるので、モールド５０及び基材４０を効果的に除電することができる。
【００５５】
また、図２に示すように、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合うように位置決めされた際に、軟Ｘ線型イオナイザ１８は、気流Ｆの流れ方向に沿って見た場合に、Ｙ軸方向のプラス側に配置され、且つ、気流形成部２０と基材４０及びモールド５０とが重なる二点鎖線で示す領域Ｔ１の外側に配置されている。図示の例において、領域Ｔ１は、気流形成部２０から転写位置ＴＰへ向かう気流Ｆが存在する領域を示している。気流Ｆは、平面視において、領域Ｔ１で示される範囲に設定される通流経路上を流れる。つまり、本実施の形態では、軟Ｘ線型イオナイザ１８が、気流Ｆの通流経路上に配置されていない。より詳しくは、軟Ｘ線型イオナイザ１８は、上述の通流経路のうちの気流形成部２０から基材４０及びモールド５０に直線的に向かう気流Ｆが通過する範囲に配置されていない。この場合、軟Ｘ線型イオナイザ１８が、基材４０及びモールド５０に向かう気流Ｆの流れを乱すことが抑制されるため、上流側で生成されたイオンによるモールド５０及び基材４０の除電効果が低下することを抑制することができる。また、気流Ｆの通流経路上に軟Ｘ線型イオナイザ１８が配置されないことで、軟Ｘ線型イオナイザ１８からの発塵が生じた場合でも、モールド５０等の汚染を抑制できる。
【００５６】
また、図２に示すように、本実施の形態によるインプリント装置１０においては、ディスペンサヘッド１６と軟Ｘ線型イオナイザ１８との間に、軟Ｘ線型イオナイザ１８から照射された軟Ｘ線を遮る遮蔽部材３３が配置されている。この遮蔽部材３３は、金属材料又は塩化ビニル樹脂等の樹脂材料からなっていてもよい。このように遮蔽部材３３を設けたことにより、軟Ｘ線型イオナイザ１８からの軟Ｘ線の影響によってディスペンサヘッド１６から供給される光硬化性樹脂組成物が変質してしまう不具合を防止することができる。
【００５７】
次に図１及び図２に示すように、軟Ｘ線センサ１９は、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合うように位置決めされた際に、基材４０とモールド５０を挟んで軟Ｘ線型イオナイザ１８とは反対側に位置し、具体的には、平面視で、Ｙ軸方向のマイナス側であって、基材４０とモールド５０の略中央を挟んで軟Ｘ線型イオナイザ１８と対向する位置に位置している。すなわち、本実施の形態では、平面視において、転写位置ＴＰを挟んで、一方の側に軟Ｘ線型イオナイザ１８が配置され、他方の側に軟Ｘ線センサ１９が配置されている。軟Ｘ線センサ１９は、軟Ｘ線型イオナイザ１８からの軟Ｘ線を検出し、その強度を検出する。なお、軟Ｘ線型イオナイザ１８と軟Ｘ線センサ１９の平面視上の位置は、各々、調整可能となっていてもよく、軟Ｘ線型イオナイザ１８と軟Ｘ線センサ１９は、実際にインプリントをする際に、所望の配置位置に配置できればよい。なお、軟Ｘ線センサ１９は、その軟Ｘ線の検出面の中央を軟Ｘ線型イオナイザ１８からの軟Ｘ線の照射中心軸Ｌ１が通るように配置されることが好ましく、本実施の形態における軟Ｘ線センサ１９は、その検出面の中央を軟Ｘ線型イオナイザ１８からの軟Ｘ線の照射中心軸Ｌ１が通るように配置されている。しかしながら、軟Ｘ線センサ１９の配置は、適正に軟Ｘ線を検出可能であれば、このような配置に限られるものでない。
【００５８】
図１に示すように、本実施の形態における軟Ｘ線センサ１９は、昇降装置１９Ａを介して支持部１３に支持され、その鉛直方向の位置を調整可能となっている。これにより、インプリント装置１０においては、基材４０及びモールド５０と、軟Ｘ線型イオナイザ１８と、軟Ｘ線センサ１９との鉛直方向における相対位置が調整可能となっている。
【００５９】
制御部１４は、本実施の形態において、ステージユニット１２、ディスペンサヘッド１６、モールド保持部１７、軟Ｘ線型イオナイザ１８、及び表示部１５の各種動作を制御するようになっている。具体的に、制御部１４は、ステージユニット１２を移動させて、ディスペンサヘッド１６の下方に位置決めする制御や、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合うように位置決めする制御を行うことが可能となっている。また、制御部１４は、ステージユニット１２がディスペンサヘッド１６の下方に位置決めされた際に基材４０上に光硬化性樹脂組成物を吐出する制御や、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合うように位置決めされた際に、モールド保持部１７を高さ制御機構３１によって上下移動させる制御等を行うことが可能となっている。
【００６０】
また、制御部１４は、軟Ｘ線型イオナイザ１８の軟Ｘ線の照射及び停止の切換や、昇降装置１８Ａによる軟Ｘ線型イオナイザ１８の位置調整等の制御も行うことが可能となっている。とりわけ、制御部１４は、モールド保持部１７においてモールド５０の近傍に配置された電位センサ３４からモールド５０の電位を出力され、電位センサ３４によって検出された電位が所定値以下となった場合に、軟Ｘ線型イオナイザ１８による軟Ｘ線の照射を停止するようになっている。
【００６１】
さらに、本実施の形態において、制御部１４は、軟Ｘ線型イオナイザ１８から間隙Ｓを通過するように照射された軟Ｘ線の強度を軟Ｘ線センサ１９から出力され、軟Ｘ線センサ１９によって検出された強度が所定値以下である場合に、警告を表示部１５にて通知するようにもなっている。ここで、本発明でいう通知手段は、上述のように警告を通知する処理を行う制御部１４及び表示部１５に対応する。
【００６２】
また、本実施の形態では、制御部１４の制御により、上述の間隙Ｓ、軟Ｘ線型イオナイザ１８が軟Ｘ線を水平方向に沿って照射する照射位置、及び軟Ｘ線センサ１９の検出面の各々の鉛直方向の位置が、水平面上に並ぶように、ステージユニット１２、モールド保持部１７、軟Ｘ線型イオナイザ１８及び軟Ｘ線センサ１９の鉛直方向の相対位置を自動で調整することも可能となっている。
【００６３】
具体的に本実施の形態においては、間隙Ｓが形成された状態において、軟Ｘ線型イオナイザ１８が軟Ｘ線を照射し、この軟Ｘ線の強度を軟Ｘ線センサ１９で検出して、軟Ｘ線センサ１９で検出した強度が所定値以上となるように、軟Ｘ線型イオナイザ１８の鉛直方向の位置を調整することにより、間隙Ｓ、軟Ｘ線型イオナイザ１８の上述の照射位置、及び軟Ｘ線センサ１９の検出面の各々の鉛直方向の位置が、水平面上に並ぶように、自動で調整することができる。ここで、本発明でいう位置調整機構は、制御部１４、および制御部１４によって制御される軟Ｘ線型イオナイザ１８及び軟Ｘ線センサ１９の鉛直方向の位置を調整可能な部材に対応する。
【００６４】
なお、本実施の形態では、制御部１４が、上述で例示した複数の要素を制御可能となっているが、制御部１４は、これら全てを必ずしも制御しなくてもよいし、ここで例示した要素以外の要素に対する制御を行うように構成されてもよい。
【００６５】
［インプリント方法］
次に、上述したインプリント装置１０を用いてインプリントを行うインプリント方法について、図３乃至図１０を参照して説明する。図３は、本実施の形態によるインプリント方法を示すフローチャートであり、図４乃至図９はそれぞれ本実施の形態によるインプリント方法の一工程を示す側面図であり、図１０は、インプリント方法の一工程のうちの後述する軟Ｘ線の検出工程を説明するグラフを示した図である。
【００６６】
図３に示すフローチャートにおいては、まず、ディスペンサヘッド１６の下方及びモールド保持部１７の下方とは異なる図示しない領域（ロード領域）において、ステージユニット１２の基材保持部１２Ｂ上に基材４０を保持する工程（基材保持工程、図３のＳ１０１）が行われる。
【００６７】
次いで、図４に示すように、ステージユニット１２を移動することにより、基材４０をディスペンサヘッド１６の下方に移動し、基材保持部１２Ｂに保持された基材４０に、ディスペンサヘッド１６から光硬化性樹脂組成物の液滴４１を吐出して配置する（材料配置工程、図３のＳ１０２）。この材料配置工程Ｓ１０２では、ディスペンサヘッド１６の下方位置にある基材４０上の所望の領域に、ディスペンサヘッド１６から光硬化性樹脂組成物の液滴４１を吐出して供給する。
【００６８】
なお、光硬化性樹脂組成物は、一般に主剤、開始剤、架橋剤により構成され、また、必要に応じて、モールド５０との付着を抑制するための離型剤や、基材４０との密着性を向上させるための密着剤を含有している。本実施の形態で使用する光硬化性樹脂組成物には特に制限はなく、公知の光硬化性樹脂組成物から、インプリントで製造するパターン構造体の用途、要求される特性、物性等に応じて適宜選択することができる。また、ディスペンサヘッド１６から基材４０上に供給される光硬化性樹脂組成物の液滴４１の個数、隣接する液滴４１同士の距離は、個々の液滴４１の滴下量、必要とされる光硬化性樹脂組成物の総量、基材４０に対する光硬化性樹脂組成物の濡れ性、後工程である接触工程におけるモールド５０と基材４０との間隙等から適宜設定することができる。
【００６９】
また、本実施の形態においては、気流形成部２０によって気流Ｆが形成されている。これにより、ディスペンサヘッド１６から基材４０上に吐出された液滴４１からの揮発成分やミストが、モールド５０側へ拡散してモールド５０等に付着することが防止される。
【００７０】
次いで、図５に示すように、ステージユニット１２をＸ軸方向マイナス側に移動することにより、基材４０をモールド保持部１７に保持されたモールド５０の下方に移動し、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合うように位置決めする（位置決め工程、図３のＳ１０３）。
【００７１】
その後、図６に示すように、モールド５０と基材４０とを近接させて接触させることにより、モールド５０と基材４０との間に液滴４１を展開して転写層４２を形成する（接触工程、図３のＳ１０４）。この接触工程Ｓ１０４においては、高さ制御機構３１によってモールド保持部１７が下降して接触位置に移行し、モールド保持部１７と基材保持部１２Ｂとが近接する。これにより、モールド５０と基材４０とが近接し、モールド５０と基材４０との間に光硬化性樹脂組成物の液滴４１が展開され、転写層４２が形成される。
【００７２】
次いで、照射部２１からの光によって光照射を行い、転写層４２を硬化させる。これにより、転写層４２にモールド５０の凹凸構造５１が転写される（硬化工程、図３のＳ１０５）。この硬化工程Ｓ１０５においては、モールド保持部１７が下降した状態で、モールド保持部１７の上方に位置する照射部２１から光照射を行う。これにより転写層４２を光硬化させて、モールド５０の凹凸構造５１が転写された転写層４２が得られる。
【００７３】
その後、図７に示すように、硬化された転写層４２とモールド５０とを引き離す（離型工程、図３のＳ１０６）。この離型工程Ｓ１０６においては、高さ制御機構３１によってモールド保持部１７が上昇して離型位置に移行することにより、転写層４２とモールド５０とが離間した状態となる。これにより、基材４０上に凹凸パターン構造を有する転写層４２が固定される。また、ここで、基材４０とモールド５０との間には、間隙Ｓが形成される。
【００７４】
このとき、図７に示すように、間隙Ｓに水平方向に沿った軟Ｘ線を軟Ｘ線型イオナイザ１８から照射する（除電工程、図３のＳ１０７）。なお、厳密にいうと、ここでは、基材４０上の転写層４２とモールド５０との間を水平方向に沿う軟Ｘ線が通過するように、軟Ｘ線型イオナイザ１８から軟Ｘ線が照射される。モールド５０及び基材４０は離型時の剥離帯電により帯電する場合がある。除電工程においては、軟Ｘ線型イオナイザ１８からの軟Ｘ線が間隙Ｓの間に存在する分子をイオン化し、生成されたイオンがモールド５０及び基材４０に帯電した静電気を除電する。これにより、モールド５０及び基材４０に異物が付着することを防止することができる。このような軟Ｘ線型イオナイザ１８を用いた場合、発塵することがなく、安定した除電性能を得ることができる。
【００７５】
ここで、本実施の形態においては、除電工程の際に、照射中心軸Ｌ１に沿って照射される軟Ｘ線が間隙Ｓを通過するように、基材保持工程Ｓ１０１の前に軟Ｘ線型イオナイザ１８の鉛直方向の位置が予め調整されている（照射位置予備調整工程）。この照射位置予備調整工程の詳細は、図９を用いて後述する。なお、本実施の形態では、離型工程Ｓ１０６の後に、除電工程Ｓ１０７が行われるが、除電工程Ｓ１０７を開始するタイミングは、離型開始と同時であってもよいし、離型の途中であってもよいし、離型が完了した後であってもよい。
【００７６】
そして、除電工程が開始されると、軟Ｘ線型イオナイザ１８からの軟Ｘ線を軟Ｘ線センサ１９によって検出する（検出工程、図３のＳ１０８）。検出工程においては、軟Ｘ線センサ１９によって検出された軟Ｘ線の強度が制御部１４に出力される。また、本実施の形態では、検出工程の際に、軟Ｘ線センサ１９が間隙Ｓを通過する軟Ｘ線を検出可能となるように、基材保持工程Ｓ１０１の前に軟Ｘ線センサ１９の鉛直方向の位置が予め調整されている（センサ位置予備調整工程）。このセンサ位置予備調整工程の詳細は、図８を用いて後述する。
【００７７】
次いで、軟Ｘ線センサ１９によって検出された軟Ｘ線の強度が所定値以上であるか否かが、制御部１４によって判定される（判定工程、図３のＳ１０９）。ここで、軟Ｘ線の強度が所定値以上である場合には、制御部１４が、電位センサ３４の検出した電位に基づき電位が所定値以下になったか否かを確認する（電位確認工程、図３のＳ１１０）。電位確認工程にて、電位が所定値よりも大きい場合には、検出工程Ｓ１０８に戻り、電位が所定値以下になった場合には、軟Ｘ線型イオナイザ１８による軟Ｘ線の照射を停止し（照射停止工程、図３のＳ１１２）、インプリントが終了する。
【００７８】
一方、判定工程Ｓ１０９において、軟Ｘ線の強度が所定値よりも小さい場合には、警告を表示部１５にて通知する（通知工程、図３のＳ１１１）。その後、制御部１４は、軟Ｘ線型イオナイザ１８による軟Ｘ線の照射を停止し（照射停止工程、図３のＳ１１２）、インプリントが終了する。
【００７９】
ここで、図１０は、検出工程における軟Ｘ線の強度の検出の様子の一例が示されている。本実施の形態における軟Ｘ線センサ１９は、軟Ｘ線の強度を電圧として検出する。図１０の例においては、間隙Ｓが２ｍｍである場合の検出の様子が示されている。横軸は、間隙Ｓの中間に対する軟Ｘ線型イオナイザ１８（照射位置）のずれ量を示し、縦軸は、軟Ｘ線の強度に応じて検出される電圧と、ある電圧に帯電したモールド５０を所定の電圧まで降圧するように除電する際の軟Ｘ線の強度に応じたモールド５０の除電時間とを示している。横軸においては、間隙Ｓの中間が基準点（０）となっており、基準点からのずれ量が大きいほど、間隙Ｓの中間に対して軟Ｘ線型イオナイザ１８の照射位置のずれ量が大きいことを示している。また、図１０では、間隙Ｓの中間に対する軟Ｘ線型イオナイザ１８のずれ量ごとの軟Ｘ線センサ１９の検出強度（電圧）を実線で結び、軟Ｘ線の強度に応じたモールド５０の除電時間を一点鎖線で結んでいる。
【００８０】
図１０の実線に示すように、間隙Ｓの中間と軟Ｘ線型イオナイザ１８の照射位置とが合致している場合には、軟Ｘ線センサ１９が検出する強度（電圧）は最大値Ｖｍａｘとなる。この場合には、一点鎖線に示すように除電時間も最短となる。これに対して、間隙Ｓの中間と軟Ｘ線型イオナイザ１８の照射位置とのずれ量が大きいほど、軟Ｘ線センサ１９が検出する強度（電圧）は最大値Ｖｍａｘに対して低下し、除電時間も長くなる。そして、この例では、ずれ量が１ｍｍ以上となった際の軟Ｘ線の強度では、除電時間が急激に長くなっており、除電が有効に行われていない。なお、図１０では、間隙Ｓが２ｍｍである例を説明したが、軟Ｘ線型イオナイザ１８と間隙Ｓとの距離にもよるが、間隙Ｓは、５ｍｍ以下、とりわけ３ｍｍ以下であることが好ましい。このような範囲は、モールド５０の駆動距離を小さくでき、高精度なインプリントを行うために好ましい。
【００８１】
また、上述の判定工程Ｓ１０９における所定値は、例えば、有効に除電を行うことが可能な軟Ｘ線の強度の値に設定される。図１０の例のように軟Ｘ線の強度が検出される場合には、例えば、０．８×Ｖｍａｘ等の値を、判定工程Ｓ１０９における所定値として設定してもよい。軟Ｘ線型イオナイザ１８による除電力を効率的に発揮するためには、軟Ｘ線の照射の際に、間隙Ｓを正確に狙う必要があるが、そのためにはモールド５０と軟Ｘ線型イオナイザ１８とが同一平面上に位置することが好ましい。一方で、モールド５０と軟Ｘ線型イオナイザ１８とが同一平面上に位置すると、軟Ｘ線型イオナイザ１８とステージユニット１２との干渉の問題が生じる。それを防ぐためには、ステージユニット１２の可動範囲すなわち移動経路外に軟Ｘ線型イオナイザ１８を設置する必要がある。そのため、本実施の形態では、ステージユニット１２の可動範囲から一定の距離をおいて軟Ｘ線型イオナイザ１８が配置されている。その結果、ステージユニット１２の移動によって基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合うように位置決めされた際に、軟Ｘ線型イオナイザ１８とステージユニット１２とが一定の距離をおいて離れることに応じて、軟Ｘ線型イオナイザ１８とモールド５０及び間隙Ｓも、一定の距離をおいて離れるようにもなる。軟Ｘ線型イオナイザ１８はモールド５０からの距離が遠くなると除電の能力が低下し、間隙Ｓへの照射の困難性も増すが、本実施の形態では、軟Ｘ線センサ１９を用いることで、間隙Ｓへの軟Ｘ線の確実な照射を確保することで、除電の能力の低下の問題を解決し、軟Ｘ線型イオナイザ１８とモールド５０とが一定の距離をおいて離れる場合でも除電力を効果的に発揮させることができる。なお、本実施の形態では、平面視における間隙Ｓの中心、換言するとモールド５０の中心から軟Ｘ線型イオナイザ１８までの距離が一例として約６０ｃｍとなっている。この程度の距離である場合には、間隙Ｓが２ｍｍであっても、軟Ｘ線センサ１９を用いることにより、間隙Ｓへの軟Ｘ線の確実な照射を確保することができる。
【００８２】
次に、上述した照射位置予備調整工程及びセンサ位置予備調整工程について詳述する。本実施の形態では、センサ位置予備調整工程を行った後に、照射位置予備調整工程が行われる。まず、センサ位置予備調整工程について説明する。
【００８３】
図８は、センサ位置予備調整工程を説明する側面図を示している。本実施の形態におけるセンサ位置予備調整工程では、図８に示すように、まず、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合うように位置決めするとともに、基材４０とモールド５０との間に間隙Ｓと同等の調整間隙Ｓ’を形成する。次いで、調整間隙Ｓ’を通過するように、レーザー光源６０から水平方向に沿ってレーザー光を照射する。次いで、調整間隙Ｓ’を通過したレーザー光が、軟Ｘ線センサ１９の検出面に照射されるように、軟Ｘ線センサ１９の鉛直方向の位置を調整する。これにより、軟Ｘ線センサ１９は、軟Ｘ線型イオナイザ１８から照射され間隙Ｓを通過する軟Ｘ線を適切に検出可能な位置に調整される。ここで、可視のレーザー光を用いることで、レーザー照射位置を目視しながら、軟Ｘ線センサ１９の位置を調節し易くなる。以上のように調整された軟Ｘ線センサ１９は、間隙Ｓと同一の水平面上で並ぶ位置となり、軟Ｘ線型イオナイザ１８の照射位置が間隙Ｓと合致していれば、軟Ｘ線を適切に検出することができる。軟Ｘ線型イオナイザ１８と軟Ｘ線センサ１９との位置調整を、軟Ｘ線型イオナイザ１８から軟Ｘ線を照射しつつ軟Ｘ線センサ１９で検出して行う場合には、軟Ｘ線センサ１９の検出強度が弱くずれが生じていることが判明しても、軟Ｘ線型イオナイザ１８及び軟Ｘ線センサ１９のいずれがずれているかが分からず、位置調整に非常に手間がかかる。これに対して、上述のようにレーザー光を用いて、まず軟Ｘ線センサ１９を適切な位置に調整することで、その後の軟Ｘ線型イオナイザ１８の位置調整を容易に行うことができる。
【００８４】
なお、センサ位置予備調整工程は、基材４０に光硬化性樹脂組成物を塗布し、光硬化性樹脂組成物とモールド５０とを接触させ、離型した後に、行うことが好ましい。例えば、センサ位置予備調整工程は、初回のインプリントの際に行ってもよいし、初回のインプリントの前に行う慣らしのインプリント（いわゆるプライミング）の際に行ってもよいし、初回のインプリントやプライミングとは別の独立した工程として行ってもよい。
【００８５】
続いて、図９は、照射位置予備調整工程を説明する側面図を示している。本実施の形態における照射位置予備調整工程では、図９に示すように上述のセンサ位置予備調整工程にて位置調整された軟Ｘ線センサ１９に対して、軟Ｘ線型イオナイザ１８から軟Ｘ線を照射する。そして、軟Ｘ線センサ１９によって検出される軟Ｘ線の強度が十分な強度と判断され得る値となるように、軟Ｘ線型イオナイザ１８の鉛直方向の位置を調整する。上述の値は、例えば、図１０に示したＶｍａｘ等の値に設定される。これにより、軟Ｘ線型イオナイザ１８は、離型工程の後に間隙Ｓが形成された際に、間隙Ｓを通過するように軟Ｘ線を照射することが可能となる。
【００８６】
なお、本実施の形態によるインプリント方法では、判定工程Ｓ１０９において、軟Ｘ線の強度が所定値よりも小さい場合に、警告を表示部１５にて表示して通知し、その後、軟Ｘ線型イオナイザ１８による軟Ｘ線の照射を停止する。このような処理に代えて、判定工程Ｓ１０９において、軟Ｘ線の強度が所定値よりも小さい場合に、軟Ｘ線が間隙Ｓを通過しないと判定して、軟Ｘ線型イオナイザ１８の鉛直方向の位置を調整してもよい。
【００８７】
以上に説明したように本実施の形態によれば、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合う状態で基材４０とモールド５０との間に間隙Ｓが形成された際に、軟Ｘ線型イオナイザ１８が間隙Ｓに水平方向に沿った軟Ｘ線を照射することが可能となっている。これにより、軟Ｘ線を、基材４０やモールド５０に吸収させることなく除電の対象となる基材４０及びモールド５０の近傍の領域である間隙Ｓに通過させることができる。したがって、モールド５０及び基材４０に帯電した静電気を軟Ｘ線によって効果的に除電することができる。
【００８８】
とりわけ、軟Ｘ線型イオナイザ１８は、軟Ｘ線発生源１８Ｓから放射状に照射される軟Ｘ線の中心を通る照射中心軸Ｌ１が水平方向に沿うように配置され、照射中心軸Ｌ１上の軟Ｘ線が間隙Ｓを通過するように、軟Ｘ線を照射可能となっている。これにより、間隙Ｓ内を効率的に軟Ｘ線が通過することで、除電を効果的に行うことができる。
【００８９】
また、基材４０及びモールド５０と軟Ｘ線型イオナイザ１８との鉛直方向における相対位置を調整可能となっている。具体的には、軟Ｘ線型イオナイザ１８が、鉛直方向の位置を調整可能となっていることで、基材４０及びモールド５０と軟Ｘ線型イオナイザ１８との鉛直方向における相対位置を調整可能となっている。これにより、間隙Ｓと軟Ｘ線型イオナイザ１８との位置関係を柔軟に調整することができる。したがって、例えば基材４０の変更等によって間隙Ｓの位置が変更された場合であっても、軟Ｘ線を好適に間隙Ｓに通過させることが可能となる。
【００９０】
また、基材４０とモールド５０とが鉛直方向に向き合うように位置決めされた際に、基材４０及びモールド５０を挟んで軟Ｘ線型イオナイザ１８とは反対側に位置する軟Ｘ線センサ１９が設けられている。すなわち、平面視において、転写位置ＴＰを挟んで、一方の側に軟Ｘ線型イオナイザ１８が配置され、他方の側に軟Ｘ線センサ１９が配置されている。そして、軟Ｘ線センサ１９は、軟Ｘ線型イオナイザ１８からの軟Ｘ線を検出する。これにより、軟Ｘ線センサ１９の検出に基づき、軟Ｘ線型イオナイザ１８からの軟Ｘ線が適切に照射されているか否かを判定することができる。とりわけ、軟Ｘ線センサ１９は、軟Ｘ線の強度を検出するため、軟Ｘ線が適切に照射されているか否かを正確に判定することができる。
【００９１】
また、軟Ｘ線センサ１９は、鉛直方向の位置を調整可能となっているため、間隙Ｓとの位置関係を柔軟に調整することができる。これにより、例えば基材４０の変更等によって間隙Ｓの位置が変更された場合であっても、軟Ｘ線を好適に検出することができる。
【００９２】
また、軟Ｘ線センサ１９により検出された強度が所定値以下である場合に、警告が通知される。これにより、軟Ｘ線に影響によるモールド５０の損傷等の損害を、最小限に抑えることができる。
【００９３】
（第２の実施の形態）
次に、図１１には本発明の第２の実施の形態によるインプリント装置の平面図が示されている。本実施の形態における第１の実施の形態と同様の構成部分については、同一の符号を示し、説明を省略する。
【００９４】
図１１に示すように、本実施の形態では、軟Ｘ線型イオナイザ１８とは異なるイオナイザ１８１がさらに設けられている。本実施の形態において、イオナイザ１８１は、軟Ｘ線型イオナイザとして構成されているが、イオン化気体を噴出する形式のものでもよい。イオナイザ１８１は、Ｙ軸方向或いは平面視において、基材４０及びモールド５０を挟んで軟Ｘ線型イオナイザ１８とは反対側に配置され、基材４０及びモールド５０側に軟Ｘ線を照射するようになっている。
【００９５】
イオナイザ１８１は、軟Ｘ線の照射中心軸が水平方向に沿うように配置されていてもよい。この場合、鉛直方向の位置を調整可能とされ、軟Ｘ線型イオナイザ１８の鉛直方向の位置と同一の位置に調整されるように構成されることが好ましい。また、本実施の形態においては、イオナイザ１８１とディスペンサヘッド１６との間に、遮蔽部材３３１が配置されている。
【００９６】
このような本実施の形態によれば、除電効果を向上できる。なお、本実施の形態では、軟Ｘ線型イオナイザ１８とは異なるイオナイザ１８１が一つ設けられるが、追加のイオナイザは複数設けられてもよい。
【００９７】
（第３の実施の形態）
続いて、図１２には本発明の第３の実施の形態によるインプリント装置の側面図が示されている。本実施の形態における第１及び第２の実施の形態と同様の構成部分については、同一の符号を示し、説明を省略する。
【００９８】
図１２に示すように、本実施の形態では、向き合う状態の基材４０とモールド５０に対して、溶解性ガスと電離性ガスとを切換可能に供給するガス供給機構１００が設けられている。ガス供給機構１００は、第１ポート、第２ポート及び第３ポートを有する三方弁１０１と、三方弁１０１の第１ポートに配管を介して接続され、溶解性ガスを貯留する溶解性ガスタンク１０２と、三方弁１０１の第２ポートに配管を介して接続され、電離性ガスを貯留する電離性ガスタンク１０３と、三方弁１０１の第３ポートに配管を介して接続された複数の噴射ノズル１０４と、を有している。
【００９９】
三方弁１０１は、第１ポートと第３ポートとを連通させ、噴射ノズル１０４から溶解性ガスが噴出される状態と、第２ポートと第３ポートとを連通させ、噴射ノズル１０４から電離性ガスを噴出させる状態と、を切換可能になっている。溶解性ガスタンク１０２に貯留される溶解性ガスは、例えばＨｅであり、電離性ガスタンク１０３に貯留される電離性ガスは、例えばＮ２である。
【０１００】
図１２においては、複数の噴射ノズル１０４のうちの第１噴射ノズル１０４Ａが示されている。第１噴射ノズル１０４Ａは、気流Ｆの流れ方向で、基材４０及びモールド５０の上流側であって、軟Ｘ線型イオナイザ１８から照射される水平方向に沿う軟Ｘ線の照射経路よりも鉛直方向において上方に配置されている。より詳しくは、第１噴射ノズル１０４Ａは、モールド保持部１７に支持され、向き合う状態の基材４０及びモールド５０の斜め上方の位置から、これら基材４０及びモールド５０の間隙にガスを噴射するように配置されている。
【０１０１】
また、図１２においては、複数の噴射ノズル１０４のうちの第２噴射ノズル１０４Ｂも示されている。第２噴射ノズル１０４Ｂは、向き合う状態の基材４０及びモールド５０を挟んで第１噴射ノズル１０４Ａと対向する位置に配置されている。また、第２噴射ノズル１０４Ｂも、モールド保持部１７に支持され、向き合う状態の基材４０及びモールド５０の斜め上方の位置から、これら基材４０及びモールド５０の間隙にガスを噴射するように配置されている。
【０１０２】
上述したガス供給機構１００では、インプリント装置内部（チャンバの内部）の雰囲気に対して、溶解性ガスと電離性ガスとを任意のタイミングで切り換えて供給することができる。これにより、インプリント前においては溶解性ガスを供給することで、残存ガスの溶解性を高めて、光硬化性樹脂組成物とモールド５０との接触時の凹凸構造５１への光硬化性樹脂組成物の充填性を高めることができる。また、充填後において、電離性ガスを供給することで、軟Ｘ線型イオナイザ１８による除電を効率的に行うことができる。その結果、充填欠陥が少なく、付着異物の少ないパターン構造体を製造することができる。
【０１０３】
本実施の形態において、溶解性ガスの供給のタイミングは、モールド５０と光硬化性樹脂組成物とを接触させる前が好ましく、この接触前で且つディスペンサヘッド１６から基材４０に光硬化性樹脂組成物を塗布した後がより好ましく、モールド５０と光硬化性樹脂組成物との接触開始直後であることがさらに好ましい。また、電離性ガスの供給のタイミングは、モールド５０と光硬化性樹脂組成物とを離型する前が好ましく、この離型前で且つ光硬化性樹脂組成物に対する光の照射（硬化工程）後がより好ましく、光の照射直後であることがさらに好ましい。
【０１０４】
なお、本実施の形態では、ガス供給機構１００が複数の噴射ノズル１０４を有するが、ガス供給機構１００は一つの噴射ノズル１０４を有していてもよい。また、噴射ノズル１０４の配置位置は、本実施の形態の態様に限定されない。
【０１０５】
（第４の実施の形態）
次に、図１３には本発明の第４の実施の形態によるインプリント装置の平面図が示されている。本実施の形態における第１乃至第３の実施の形態と同様の構成部分については、同一の符号を示し、説明を省略する。
【０１０６】
上述の第２の実施の形態においては、イオナイザ１８１とディスペンサヘッド１６との間に配置された遮蔽部材３３１が、イオナイザ１８１とディスペンサヘッド１６との間であって、軟Ｘ線センサ１９とディスペンサヘッド１６との間に配置されていた。これに代えて、本実施の形態では、遮蔽部材３３１が、イオナイザ１８１とディスペンサヘッド１６との間であって、イオナイザ１８１と軟Ｘ線センサ１９との間に配置されている。これにより、遮蔽部材３３１は、イオナイザ１８１から軟Ｘ線センサ１９及びディスペンサヘッド１６に向かう軟Ｘ線を遮るように構成されている。
【０１０７】
このような実施の形態では、軟Ｘ線型イオナイザ１８からの軟Ｘ線を検出する軟Ｘ線センサ１９が、イオナイザ１８１からの軟Ｘ線によって不所望な影響を受けることを抑制することができる。
【０１０８】
（第５の実施の形態）
次に、図１４には本発明の第５の実施の形態によるインプリント装置の平面図が示されている。本実施の形態における第１乃至第３の実施の形態と同様の構成部分については、同一の符号を示し、説明を省略する。
【０１０９】
図１４に示すように、本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、平面視において、転写位置ＴＰを挟んで、一方の側に軟Ｘ線型イオナイザ１８（以下、第１軟Ｘ線型イオナイザ１８）が配置され、他方の側に軟Ｘ線センサ１９（以下、第１軟Ｘ線センサ１９）が配置されている。また、これら第１軟Ｘ線型イオナイザ１８及び第１軟Ｘ線センサ１９が並ぶ方向に沿う方向で、転写位置ＴＰを挟んで、他方の側に第２軟Ｘ線型イオナイザ１８が配置され、一方の側に第２軟Ｘ線センサ１９が配置されている。第２軟Ｘ線型イオナイザ１８および第２軟Ｘ線センサ１９は、配置位置が異なる点を除いて、第１軟Ｘ線型イオナイザ１８及び第１軟Ｘ線センサ１９と同様に構成されている。
【０１１０】
とりわけ、本実施の形態では、転写位置ＴＰを挟んで、一方の側の第１軟Ｘ線型イオナイザ１８と第２軟Ｘ線センサ１９が隣接して配置され、しかも一体化されている。また、第２軟Ｘ線センサ１９の軟Ｘ線の検出面は、隣接する第１軟Ｘ線型イオナイザ１８の軟Ｘ線の照射面よりも後退した位置に配置されている。これにより、第２軟Ｘ線センサ１９が隣接する第１軟Ｘ線型イオナイザ１８からの軟Ｘ線によって不所望な影響を受けることを抑制することができる。なお、転写位置ＴＰを挟んで他方の側の第２軟Ｘ線型イオナイザ１８および第１軟Ｘ線センサ１９も、上述した第１軟Ｘ線型イオナイザ１８および第２軟Ｘ線センサ１９と同様に構成を有する。
【０１１１】
このような実施の形態では、複数の軟Ｘ線型イオナイザ１８が設けられることにより、除電効果を向上させることができる。具体的に説明すると、モールド５０が基材４０から離型される場合、モールド５０の中央側と基材４０との間隙は、その周囲よりも小さくなる状況が生じ得る。この場合、軟Ｘ線型イオナイザ１８が一つである場合、モールド５０の中央に対して軟Ｘ線型イオナイザ１８が配置される側とは反対側の部分では、軟Ｘ線による除電効果が、軟Ｘ線型イオナイザ１８が配置される側によりも低くなる状況が生じ得る。このような状況が生じた場合であっても、本実施の形態では、モールド５０の中央に対する一方側及び他方側から軟Ｘ線を照射することにより、極めて効率的に除電を行うことができる。
【０１１２】
（第６の実施の形態）
次に、図１５には本発明の第６の実施の形態によるインプリント装置の平面図が示されている。本実施の形態における第１乃至第３の実施の形態と同様の構成部分については、同一の符号を示し、説明を省略する。
【０１１３】
図１５に示すように、本実施の形態では、第５の実施の形態と同様に、平面視において、転写位置ＴＰを挟んで、一方の側に第１軟Ｘ線型イオナイザ１８及び第２軟Ｘ線センサ１９が配置され、他方の側に第１軟Ｘ線センサ１９及び第２軟Ｘ線型イオナイザ１８が配置されている。さらに、平面視において、第１軟Ｘ線型イオナイザ１８及び第１軟Ｘ線センサ１９が並ぶ方向に対して交差する方向（図示の例では直交する方向）で、転写位置ＴＰを挟んで、一方の側に第３軟Ｘ線型イオナイザ１８が配置され、他方の側に第３軟Ｘ線センサ１９が配置され、且つ、これら第３軟Ｘ線型イオナイザ１８及び第３軟Ｘ線センサ１９が並ぶ方向に沿う方向で、転写位置ＴＰを挟んで、他方の側に第４軟Ｘ線型イオナイザ１８が配置され、一方の側に第４軟Ｘ線センサ１９が配置されている。第３，４軟Ｘ線型イオナイザ１８および第３，４軟Ｘ線センサ１９は、配置位置が異なる点を除いて、第１軟Ｘ線型イオナイザ１８及び第１軟Ｘ線センサ１９と同様に構成されている。
【０１１４】
このような実施の形態では、複数の軟Ｘ線型イオナイザ１８が設けられることにより、除電効果を向上させることができる。なお、本実施の形態においては、第４軟Ｘ線型イオナイザ１８及び第４軟Ｘ線センサ１９が削除されてもよい。また、本実施の形態においては、さらに他の軟Ｘ線型イオナイザ１８及び軟Ｘ線センサ１９が設けられてもよい。
【０１１５】
（実施例）
次に、軟Ｘ線型イオナイザ１８の鉛直方向の位置を調整して間隙Ｓを通るように軟Ｘ線を照射した実施例１と、軟Ｘ線型イオナイザ１８の鉛直方向の位置調整を行わずに軟Ｘ線を照射した場合の実施例２とを説明する。
【０１１６】
実施例１では、軟Ｘ線型イオナイザ１８の鉛直方向の位置を、図９で説明した照射位置予備調整工程によって調整して、離型工程の後に間隙Ｓが形成された際に、軟Ｘ線型イオナイザ１８から軟Ｘ線を照射した。一方、実施例２では、軟Ｘ線型イオナイザ１８の鉛直方向の位置を間隙Ｓに大まかに合わせて軟Ｘ線型イオナイザ１８から軟Ｘ線を照射した。
【０１１７】
これら実施例１，２では、７０００Ｖに帯電したモールド５０が軟Ｘ線によって、どの程度まで降圧されるように除電されるかを検証した。そして、実施例１の場合には、軟Ｘ線の照射開始から２分後のモールド５０の電位が４０００Ｖとなったことが確認された。一方、実施例２の場合には、軟Ｘ線の照射開始から２分後のモールド５０の電位が５０００Ｖとなったことが確認された。さらに、実施例１の場合には、軟Ｘ線の照射開始から５分後のモールド５０の電位が２５００Ｖとなったことが確認された。一方、実施例２の場合には、軟Ｘ線の照射開始から５分後のモールド５０の電位が４０００Ｖとなったことが確認された。このような実施例１，２においては、軟Ｘ線型イオナイザ１８の位置を適切に調整することで、効果的な除電が可能であることが確認された。
【０１１８】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は、上述の実施の形態に限定されることなく種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【０１１９】
１０  インプリント装置
１２  ステージユニット
１２Ａ  移動ステージ
１２Ｂ  基材保持部
１３  支持部
１４  制御部
１５  表示部
１６  ディスペンサヘッド
１７  モールド保持部
１８  軟Ｘ線型イオナイザ
１８Ａ  昇降装置
１８Ｓ  軟Ｘ線発生源
１９  軟Ｘ線センサ
１９Ａ  昇降装置
２０  気流形成部
２１  照射部
３１  高さ制御機構
３３  遮蔽部材
３４  電位センサ
４０  基材
４２  転写層
５０  モールド
５１  凹凸構造
６０  レーザー光源
１００  ガス供給機構
１０１  三方弁
１０２  溶解性ガスタンク
１０３  電離性ガスタンク
１０４  噴射ノズル
１０４Ａ  第１噴射ノズル
１０４Ｂ  第２噴射ノズル
１８１  イオナイザ
ＴＰ  転写位置
Ｆ  気流
Ｓ  間隙
Ｓ’  調整間隙
【図１】
2017055110.tif 000003
【図２】
2017055110.tif 000004
【図３】
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【図４】
2017055110.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2017055110.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2017055110.tif 000017