(57)【要約】【課題】塗布法を用いて有機層の少なくとも一部を形成する場合において、有機層の膜厚のばらつきを抑制しつつ、発光装置の寿命の低下を抑制する。【解決手段】第１電極１１０は陽極であり、第２電極１３０は陰極である。有機層１２０の少なくとも一部は、塗布法を用いて形成されている。この塗布法は、塗布工程及び乾燥工程を有している。塗布工程において、有機材料は第１気圧の雰囲気で有機材料を塗布される。塗布された有機材料は、乾燥工程において第１気圧よりも低い第２気圧の雰囲気で熱処理される。そして、この熱処理の温度は、塗布された有機材料のガラス転移点以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１気圧の雰囲気で有機材料を塗布する塗布工程と、
前記第１気圧よりも低い第２気圧の雰囲気で、前記塗布工程で塗布された前記有機材料を熱処理する乾燥工程と、
を備え、
前記乾燥工程における処理温度は、前記有機材料のガラス転移点以下である発光装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
前記発光装置は第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を備え、
前記有機層の少なくとも一部は前記塗布工程及び前記乾燥工程により形成される発光装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置の製造方法において、
前記乾燥工程の後に、前記有機層の一部又は前記第２電極を蒸着する蒸着工程を有する発光装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記塗布工程において、前記有機材料は溶媒と混ざった状態で塗布され、
前記溶媒の沸点は２００℃以上３００℃以下である発光装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記乾燥工程において、光照射により前記有機材料を熱処理する発光装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置の製造方法において、
前記乾燥工程において、光源としてハロゲンランプを用いる発光装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記第１気圧は大気圧であり、前記第２気圧は１００Ｐａ以下である発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、陽極となる第１電極と陰極となる第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。有機層は、例えば、第１電極側から順に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一つ、発光層、並びに電子注入層及び電子輸送層の少なくとも一つを、この順に重ねた構成を有している。
【０００３】
有機層は、例えば蒸着法又は塗布法を用いて形成される。例えば特許文献１には、塗布法を用いて有機層を形成する方法の一例が記載されている。例えば、特許文献１には、塗布後の乾燥工程において、雰囲気を減圧にすること、及び、乾燥温度を（有機材料のガラス転移点温度（Ｔｇ）＋５０）℃以下にすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２２８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
塗布法を用いて有機層を形成する場合、有機層の膜厚のばらつきを抑制するためにはある程度沸点が高い溶媒を用いる必要がある。一方、沸点が高い溶媒を用いると、乾燥時の熱処理温度を高くする必要があり、その結果、有機層が劣化して発光装置の寿命が短くなってしまう。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題としては、塗布法を用いて有機層の少なくとも一部を形成する場合において、有機層の膜厚のばらつきを抑制しつつ、発光装置の寿命の低下を抑制することが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、第１気圧の雰囲気で有機材料を塗布する塗布工程と、
前記第１気圧よりも低い第２気圧の雰囲気で、前記塗布工程で塗布された前記有機材料を熱処理する乾燥工程と、
を備え、
前記乾燥工程における処理温度は、前記有機材料のガラス転移点以下である発光装置の製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】有機層を製造する製造装置の構成を示す図である。
【図３】発光装置の輝度と駆動時間の関係を示すグラフである。
【図４】発光装置の輝度と駆動時間の関係を示すグラフである。
【図５】第２の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図６】実施例１に係る発光装置の平面図である。
【図７】図６から第２電極を取り除いた図である。
【図８】図７から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。
【図９】図６のＡ−Ａ断面図である。
【図１０】実施例２に係る発光装置の平面図である。
【図１１】図１０から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。
【図１２】図１０のＢ−Ｂ断面図である。
【図１３】図１０のＣ−Ｃ断面図である。
【図１４】図１０のＤ−Ｄ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。第１電極１１０は陽極であり、第２電極１３０は陰極である。有機層１２０の少なくとも一部は、塗布法を用いて形成されている。この塗布法は、塗布工程及び乾燥工程を有している。塗布工程において、有機材料は第１気圧の雰囲気で有機材料を塗布される。塗布された有機材料は、乾燥工程において第１気圧よりも低い第２気圧の雰囲気で熱処理される。そして、この熱処理の温度は、塗布された有機材料のガラス転移点以下である。以下、詳細に説明する。
【００１２】
発光装置１０は発光部１４０を備えている。発光部１４０は、上記した第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。発光部１４０は、ボトムエミッション型の発光部であってもよいし、トップエミッション型の発光部であってもよい。発光部１４０は、基板１００の一面に形成されている。
【００１３】
発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。一方、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は上述した透光性の材料で形成されていてもよいし、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
【００１４】
第１電極１１０及び第２電極１３０の少なくとも一方は、光透過性を有する透明電極である。例えば発光装置１０がボトムエミッション型の発光装置である場合、少なくとも第１電極１１０は透明電極である。一方、発光装置１０がトップエミッション型の発光装置である場合、少なくとも第２電極１３０は透明電極である。なお、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透明電極であってもよい。
【００１５】
透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
【００１６】
第１電極１１０及び第２電極１３０のうち透光性を有していない電極は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
【００１７】
なお、発光装置１０がトップエミッション型の発光装置である場合、第１電極１１０は、金属層と透明導電層をこの順に積層した構造であってもよい。
【００１８】
有機層１２０は、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、電子阻害層１２３、発光層１２４、正孔阻害層１２５、電子輸送層１２６、及び電子注入層１２７を有している。ただし、正孔注入層１２１及び正孔輸送層１２２の一方は形成されていなくてもよい。また、電子輸送層１２６及び電子注入層１２７の一方は形成されていなくてもよい。
【００１９】
正孔注入層１２１及び正孔輸送層１２２は、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）を用いて形成されている。正孔注入層１２１の厚さは例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。また、正孔輸送層１２２は正孔注入層１２１よりも薄く、その厚さは例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００２０】
電子阻害層１２３は、発光層１２４を突き抜けた電子が正孔輸送層１２２や正孔注入層１２１に到達することを抑制するために設けられている。電子阻害層１２３は、発光層１２４に接している。電子阻害層１２３は、例えば、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）の少なくとも一つを用いて形成することができる。電子阻害層１２３の厚さは、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００２１】
発光層１２４は、電子と正孔の再結合に伴って発光する材料を用いて形成されている。発光層１２４の発光色は何色であってもよい。このため、発光層１２４の材料は発光性の有機材料であれば何であってもよい。
【００２２】
正孔阻害層１２５は、発光層１２４のうち電子阻害層１２３とは逆側の面に接しており、正孔が発光層１２４を突き抜けて電子輸送層１２６又は電子注入層１２７に到達することを抑制する。正孔阻害層１２５は、例えば電子が移動することができる材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成される。正孔阻害層１２５の厚さは、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００２３】
電子輸送層１２６は、電子が移動する材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成されている。このような材料としては、例えば、含窒素芳香族複素環誘導体、芳香族炭化水素環誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体が挙げられる。電子輸送層１２６の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００２４】
電子注入層１２７は、例えばＬｉＦなどのアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、又はリチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体を用いて形成される。電子注入層１２７の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【００２５】
なお、有機層１２０のうち、正孔注入層１２１及び正孔輸送層１２２の一方は無くてもよい。また、電子阻害層１２３及び正孔阻害層１２５の少なくとも一方、もしくは両方無くてもよい。また、電子輸送層１２６及び電子注入層１２７の一方はなくてもよい。
【００２６】
そして、有機層１２０を構成する各層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されている。ここで用いられる成膜方法は、例えば、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法である。例えば、有機層１２０のうち正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、及び発光層１２４の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されている。この塗布材料は、有機材料に溶媒を混ぜたものである。大気圧における溶媒の沸点は、好ましくは２００℃以上３００℃以下である。なお、有機層１２０の残りの層は、蒸着法を用いて形成されている。
【００２７】
図２は、有機層１２０を製造する製造装置２００の構成を示す図である。製造装置２００は、塗布装置２１０、焼成装置２２０、及び蒸着装置２３０を有している、塗布装置２１０は、フランジ及び継手を介して焼成装置２２０に接続しており、蒸着装置２３０はフランジ及び継手を介して蒸着装置２３０に接続している。
【００２８】
基板１００は、第１電極１１０が形成された後に、塗布装置２１０、焼成装置２２０、及び蒸着装置２３０の順に移動する。塗布装置２１０は、有機層１２０のうち塗布法により形成されるべき層（例えば電子阻害層１２３を有さない有機層１２０における、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、及び発光層１２４）を形成する。焼成装置２２０は、基板１００に塗布された有機層の焼成処理（乾燥処理）を行う。焼成装置２２０が有する熱源は、例えばハロゲンランプなどの光源２２２である。この場合、焼成装置２２０は、光照射により有機層の乾燥処理を行う。なお、焼成装置２２０内で後述する第２気圧で焼成を行うまえに、第２気圧よりも低圧にする真空乾燥工程を行ってもよい。この場合、気圧は１０Ｐａ以下である。この工程は焼成装置２２０で行ってもよいし、塗布装置２１０と焼成装置２２０の間に別の装置を設けて行ってよい。蒸着装置２３０は、有機層１２０の残りの層を蒸着法を用いて形成する。
【００２９】
塗布装置２１０の内部の気圧（第１気圧）は、例えば大気圧である。一方、乾燥処理が行われるときの焼成装置２２０の内部の気圧は、第１気圧よりも低い気圧（第２気圧）、例えば１００Ｐａ以下である。焼成装置２２０の気圧が低くなることにより、焼成装置２２０内において、塗布材料に含まれる溶媒の沸点は低下する。このため、焼成装置２２０内が第１気圧と同じ圧力の場合と比較して、乾燥処理における処理温度を低くすることができる。その結果、この処理温度を有機材料のガラス転移点以下にすることができる。
【００３０】
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００の上に第１電極１１０を形成する。次いで、有機層１２０を形成する。有機層１２０の形成方法は、図２を用いて説明したとおりである。次いで、有機層１２０の上に第２電極１３０を形成する。
【００３１】
図３は、発光装置１０の輝度と駆動時間の関係を示すグラフである。本グラフにおいて、縦軸（輝度）は、初期の輝度を１としたときの相対値で示されている。
【００３２】
試料１（比較例１）、試料２（比較例２）、及び試料３（実施形態）は、有機層１２０のうち塗布法で形成された層の乾燥条件を除いて、互いに同一の方法で形成されている。いずれの試料においても、塗布工程における気圧は大気圧であり、また、加熱温度は塗布された有機材料のガラス転移温度（Ｔｇ）に等しい。そして、試料１の乾燥条件は、大気圧の窒素雰囲気において、基板１００を載置するステージを介して塗布材料を加熱するものである。試料２の乾燥条件は、大気圧の窒素雰囲気において、ハロゲンランプを用いて塗布材料を加熱するものである。試料３の乾燥条件は、減圧雰囲気（２００〜１０Ｐａ）において、ハロゲンランプを用いて塗布材料を加熱するものである
【００３３】
図３から、実施形態に係る試料３の輝度は、比較例に係る試料１，２の輝度よりも低下しにくいことが示された。また、試料１及び試料２とでは、輝度の低下速度にほとんど差がないことが示された。
【００３４】
図４は、試料４（比較例３）、試料５（比較例４）、及び上記した試料３（実施形態）の輝度と駆動時間の関係を示すグラフである。本グラフにおいても、縦軸（輝度）は、初期の輝度を１としたときの相対値で示されている。試料３〜５は、乾燥時の温度を除いて、互いに同一の条件で製造されている。すなわち、試料３〜５の製造工程において、乾燥処理は、いずれも減圧雰囲気においてハロゲンランプを用いて行われている。なお、試料３における加熱温度はＴｇに等しい。一方、試料４における加熱温度は（Ｔｇ＋２０）℃であり、試料５における加熱温度は（Ｔｇ＋１０）℃である。
【００３５】
図４において、輝度の低下速度は、試料３、試料５、及び試料４の順に低いことがわかる。このことから、乾燥時の温度を下げることにより、輝度の低下速度が低くなることがわかる。
【００３６】
このように、本実施形態によれば、塗布法を用いて有機層の少なくとも一部を形成する場合において、有機層１２０の膜厚のばらつきを抑制するために塗布材料の溶媒として沸点の高い物質を用いても、発光装置１０の寿命の低下を抑制することができる。
【００３７】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態の図１に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は、いわゆるタンデム構造を有している点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構成を有している。
【００３８】
詳細には、第１電極１１０と第２電極１３０の間には、正孔注入層１２１〜電子注入層１２７を重ねた積層構造が、複数重なっている。そして、それぞれの積層構造の間には、電荷発生層１２８が設けられている。電荷発生層１２８は、正孔及び電子を生成し、電荷発生層１２８の下に位置する電子注入層１２７に電子を供給するとともに、電荷発生層１２８の上に位置する正孔注入層１２１に正孔を供給する。
【００３９】
そして、正孔注入層１２１〜電子注入層１２７の製造方法は、第１の実施形態に示した通りである。また、電荷発生層１２８は、塗布法を用いて形成されていてもよいし、蒸着法を用いて形成されていてもよい。電荷発生層１２８が塗布法を用いて形成される場合、電荷発生層１２８の成膜条件は図２を用いて説明した条件であってもよい。
【００４０】
本実施形態によっても、実施形態と同様に、有機層１２０の膜厚のばらつきを抑制するために塗布材料の溶媒として沸点の高い物質を用いても、発光装置１０の寿命の低下を抑制することができる。
【００４１】
（実施例１）
図６は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図７は図６から第２電極１３０を取り除いた図である。図８は図７から有機層１２０及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図９は、図６のＡ−Ａ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は照明装置であり、基板１００のほぼ全面に発光部１４０が形成されている。
【００４２】
詳細には、基板１００の一面には第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子１３２が形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０と同じ材料を用いて形成された層を有している。この層は、第１電極１１０と同一の工程で形成される。また、第１端子１１２のうち第１電極１１０と同様の材料で形成されている層は、第１電極１１０と一体になっている。一方、第２端子１３２は第１電極１１０から分離している。
【００４３】
また、第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０を挟んで互いに逆側に位置している。本図に示す例では基板１００は矩形である。そして、第１端子１１２は基板１００の一辺に沿って形成されており、第２端子１３２は、基板１００の４辺のうち第１端子１１２とは逆側の辺に沿って形成されている。
【００４４】
基板１００のうち有機層１２０が形成されるべき領域は、絶縁層１５０によって囲まれている。絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の材料を用いて形成されており、露光及び現像工程を経て、所定の形状に形成される。絶縁層１５０は、第１電極１１０が形成された後、かつ有機層１２０が形成される前に形成される。ただし、絶縁層１５０は形成されていなくてもよい。
【００４５】
有機層１２０は、絶縁層１５０で囲まれた領域の内側に形成されている。有機層１２０の構成は、実施形態に示した通りである。また、有機層１２０の上には第２電極１３０が形成されている。第２電極１３０の一部は、絶縁層１５０をまたいで第２端子１３２の上まで延在している。
【００４６】
本実施例によれば、有機層１２０は第１の実施形態又は第２の実施形態に示した構成を有しており、また、これらの実施形態に示した方法を用いて製造されている。このため、各実施形態に示したように、有機層１２０の膜厚のばらつきを抑制するために塗布材料の溶媒として沸点の高い物質を用いても、発光装置１０の寿命の低下を抑制することができる。
【００４７】
（実施例２）
図１０は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。図１１は、図１０から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１２は図１０のＢ−Ｂ断面図であり、図１３は図１０のＣ−Ｃ断面図であり、図１４は図１０のＤ−Ｄ断面図である。
【００４８】
実施例２に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
【００４９】
第１電極１１０は、第１方向（図１０におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
【００５０】
引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００５１】
絶縁層１５０は、図１０、及び図１２〜図１４に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１０におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。
【００５２】
開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１０におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
【００５３】
引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００５４】
開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の構成は、第１の実施形態又は第２の実施形態に示したとおりである。そして、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
【００５５】
なお、図１２及び図１３に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１０に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１４に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
【００５６】
第２電極１３０は、図１０、図１２〜図１４に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１０におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
【００５７】
隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
【００５８】
次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。
【００５９】
次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０を形成する。有機層１２０の形成方法は、第１の実施形態又は第２の実施形態に示したとおりである。次いで、第２電極１３０を形成する。
【００６０】
本実施例においても、有機層１２０は第１の実施形態又は第２の実施形態に示した構成を有しており、また、これらの実施形態に示した方法を用いて製造されている。このため、各実施形態に示したように、有機層１２０の膜厚のばらつきを抑制するために塗布材料の溶媒として沸点の高い物質を用いても、発光装置１０の寿命の低下を抑制することができる。
【００６１】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００６２】
１０  発光装置
１００  基板
１１０  第１電極
１２０  有機層
１３０  第２電極
１４０  発光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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