(57)【要約】      （修正有）【課題】１ｘ１０7Ω/□以上のシート抵抗と、膜厚１０ｎｍにおいて、波長４５０ｎｍでの透過率（透光率）が８２％以上である帯電防止膜、およびこれを備えたディスプレイ入力装置を提供する。【解決手段】透光性基板３の上にマグネトロンスパッタ法により形成した透光性を有するＩｎと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｏとを含む帯電防止膜１であって、薄膜のキャリア密度を適正に制御する観点から、Ｉｎ含有量を２１．２原子％とし、良好なウエットエッチングレートを得る観点から、Ｚｎ含有量を５〜５５原子％とし、ウエットエッチング耐性向上の観点から、Ｓｎ含有量を８〜４０原子％とした帯電防止膜である。【選択図】図１
2017179599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性部材の上に設けた透光性を有する帯電防止膜であって、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｏとを含む帯電防止膜。
【請求項２】
さらに、Ｖ、Ｍｎ、ＣｏおよびＭｏからなる群から選択される少なくとも１種を含む請求項１に記載の帯電防止膜。
【請求項３】
一方の面にカラーフィルタが設けられた前記透光性部材である透明基板において、他方の面に設けた請求項１または２に記載の帯電防止膜。
【請求項４】
シート抵抗が１×１０７〜１×１０１３Ω／□であり、
膜厚１０ｎｍにおいて、波長４５０ｎｍの光の透過率が８２％以上である、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の帯電防止膜。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の帯電防止膜を備えたディスプレイ入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性を有する帯電防止膜およびこれを用いたディスプレイ入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォン、タブレットまたはノートＰＣ等には、入力装置としてタッチパネルを登載したディスプレイが広く用いられている。タッチパネルを登載したディスプレイとして、例えば、抵抗膜方式または静電容量方式が挙げられ、ディスプレイの用途等に応じて選択されている。
【０００３】
特許文献１には、タッチ駆動または検知電極としても働くインセルブラックマトリックス材料を含むインセルタッチセンサ構成要素、またはオンセルブラックマトリックス材料を含むオンセルタッチセンサ構成要素を使用するディスプレイが提案されている（特許文献１）。
特許文献２には、インセル型の静電容量式タッチセンサ付き液晶ディスプレイに関して、簡略化された構造が提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１４−５３２１９２号公報
【特許文献２】特開２０１４−４１６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
静電容量方式のタッチパネルでは、ディスプレイ近傍における低周波ノイズによるディスプレイの誤動作を防ぐための帯電防止機能と、十分な量のディスプレイの光を透過できる透明（透光性）導電膜、すなわち帯電防止膜が必要とされる。帯電防止膜のシート抵抗が低すぎる場合、タッチパネルの感度（容量）である高周波信号も遮断されるという問題がある。この問題は、インセル型のタッチパネルでより多く発生する。そこで、帯電防止膜は、概ね１×１０７Ω／□以上のシート抵抗が求められている。しかし、特許文献１および２に開示されているディスプレイについては、上記の問題について検討されていない。
【０００６】
一般的に使用されている透明（透光性）導電膜として、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）薄膜があるが、実用的な膜厚におけるシート抵抗は１０４Ω／□程度であり、高抵抗を有する透明導電膜の実現は難しい。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に着目してなされたものであって、その目的は、高いシート抵抗と高い透過率（透光率）とを有する帯電防止膜を提供することである。また、そのような帯電防止膜を備えたディスプレイ入力装置を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る帯電防止膜は、透光性部材の上に設けた透光性を有する帯電防止膜であって、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｏとを含む。
【０００９】
本発明に係る帯電防止膜は、さらに、Ｖ、Ｍｎ、ＣｏおよびＭｏからなる群から選択される少なくとも１種を含んでよい。
【００１０】
本発明に係る帯電防止膜は、一方の面にカラーフィルタが設けられた前記透光性部材である透明基板において、他方の面に設けられていてよい。
【００１１】
本発明に係る帯電防止膜は、シート抵抗が１×１０７〜１×１０１３Ω／□であってよく、膜厚１０ｎｍにおいて、波長４５０ｎｍの光の透過率が８２％以上であってよい。
【００１２】
本発明に係るディスプレイ入力装置は、本発明に係る帯電防止膜を備えている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る帯電防止膜は、高いシート抵抗と高い透過率とを有する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明に係る実施形態のディスプレイ入力装置の構成を模式的に示す分解斜視図である。
【図２】図２は、本発明に係る実施形態のディスプレイ入力装置の構成を模式的に示す分解斜視図である。
【図３】図３は、本発明に係る実施形態の帯電防止膜のシート抵抗と、帯電防止膜成膜時のキャリアガスの酸素分圧との関係を示したグラフである。
【図４】図４は、本発明に係る実施形態の帯電防止膜のシート抵抗と、帯電防止膜の膜厚との関係を示したグラフである。
【図５】図５は、本発明に係る実施形態の帯電防止膜のシート抵抗と、帯電防止膜成膜時のキャリアガスの酸素分圧との関係を示したグラフである。
【図６】図６は、本発明に係る実施形態の帯電防止膜の４５０ｎｍの光の透過率と、帯電防止膜成膜時のキャリアガスの酸素分圧との関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明に係る帯電防止膜は、透光性部材の上に設けた透光性を有する帯電防止膜であって、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｏとを含む。以下に、本発明に係る帯電防止膜について詳述する。
【００１６】
＜１．帯電防止膜＞
［帯電防止膜の組成］
本発明に係る帯電防止膜は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｏとを含む。また、本発明に係る帯電防止膜は、さらに、Ｖ、Ｍｎ、ＣｏおよびＭｏからなる群から選択される少なくとも１種を含んでよい。
以下に各金属元素ついて詳述する。
本明細書において、金属元素の含有量とは、帯電防止膜を構成する金属元素の合計１００原子％［ａｔ％］中の割合を意味するものとする。
【００１７】
（１）Ｉｎ
Ｉｎは、薄膜のキャリア密度の制御に有効な元素である。室温で帯電防止膜を成膜する場合、薄膜のキャリア密度が低くなると抵抗が増加しやすく、特にスパッタ時の酸素分圧が低い場合、その傾向が大きくなる。また、薄膜のキャリア密度が低いほど透過率は高くなり、特に赤外領域における透過率が高くなる。従って、Ｉｎの含有量を調整することにより、薄膜のキャリア密度を制御することができ、優れた透過率とシート抵抗とを両立することができる。
薄膜のキャリア密度を適正に制御する観点から、Ｉｎの含有量は、例えば、２１．２原子％とすることができる。
【００１８】
（２）Ｚｎ
Ｚｎは、ウェットエッチングレートに影響を及ぼす元素であり、Ｚｎが少な過ぎると酸化物半導体加工用ウェットエッチング液を用いた場合のウェットエッチングレートが遅くなることがある。良好なウェットエッチングレートを得る観点から、Ｉｎの含有量の好ましい下限は５原子％、より好ましくは１５原子％である。
一方、Ｚｎ含有量が多過ぎると、酸化物半導体加工用ウェットエッチング液に対するウェットエッチングレートが早過ぎて、所望のパターン形状とすることが困難となる場合があるため、Ｚｎの含有量の好ましい上限は５５原子％、より好ましくは４５原子％である。
【００１９】
（３）Ｓｎ
Ｓｎは、ウェットエッチング耐性向上に有効な元素である。Ｓｎの含有量が少な過ぎると、ウェットエッチング速度が増加して、帯電防止膜をウェットエッチングする際、酸化防止膜の膜厚の減少またはその表面へのダメージが増加するため、帯電防止膜のシート抵抗等の特性が低下することがある。また酸化物半導体加工用ウェットエッチング液に対するウェットエッチング性が悪くなることもある。従って、Ｓｎの含有量の好ましい下限は８原子％、より好ましくは１５原子％である。
一方、Ｓｎの含有量が多過ぎると、酸化物半導体加工用ウェットエッチング液に対するウェットエッチングレートが低下する（ウェットエッチング性が低下する）ことがある。とりわけ、酸化物半導体加工用ウェットエッチング液として汎用されるシュウ酸等の有機酸に不溶となり、帯電防止膜の加工ができなくなることがある。
また、室温で帯電防止膜を成膜する場合、Ｓｎの含有量が多過ぎると、薄膜のキャリア密度が低くなることにより、抵抗が増加しやすくなる。特に、スパッタ時の酸素分圧が低い場合、その傾向が大きくなる。また、薄膜のキャリア密度が低いほど透過率は高く、特に赤外領域における透過率が高くなる。
従って、Ｓｎの含有量の好ましい上限は４０原子％、より好ましくは３０原子％である。
【００２０】
（４）Ｖ、Ｍｎ、ＣｏおよびＭｎ
後述するように、帯電防止膜の製造時において、キャリアガスに酸素を導入し、キャリアガス中の酸素分圧を調整するが、形成される帯電防止膜のシート抵抗は、スパッタ時の酸素分圧に依存することが知られている。
高いシート抵抗を得るためには、酸素分圧を高くすることが有効である。しかし、酸素分圧が高い場合、シート抵抗が所望の値より高くなり、シート抵抗の制御が難しいことがある。一方、酸素分圧が低い場合、帯電防止膜のシート抵抗が変動しやすいため、その変動に応じた酸素分圧の調整が難しいことがある。
Ｖ、Ｍｎ、ＣｏおよびＭｎは、高いシート抵抗を得るために必要な酸素分圧を低下させる効果があり、シート抵抗が変動しにくく、酸素分圧の調整が容易になる。従って、Ｖ、Ｍｎ、ＣｏおよびＭｎの少なくとも１種を含むことにより、高いシート抵抗を有する帯電防止膜をより安定して製造することができる。
酸素分圧を低下させ、酸素分圧の調整を容易にする観点から、Ｖの含有量の好ましい下限は０．２原子％、より好ましくは０．５原子％であり、好ましい上限は５．０原子％、より好ましくは３．０原子％である。
同様の観点から、Ｍｎの含有量の好ましい下限は０．５原子％、より好ましくは０．８原子％であり、好ましい上限は６．０原子％、より好ましくは４．０原子％である。
同様の観点から、Ｃｏの含有量の好ましい下限は０．７原子％、より好ましくは１．０原子％であり、好ましい上限は１５原子％、より好ましくは１２原子％である。
同様の観点から、Ｍｏの含有量の好ましい下限は１．０原子％、より好ましくは２．０原子％であり、好ましい上限は１０．０原子％、より好ましくは８．０原子％である。
また、酸素分圧の調整を容易にしつつ、高い透過率を得る観点から、Ｖ、ＭｎおよびＣｏがより好ましい。
【００２１】
本発明に係る帯電防止膜は、不可避的不純物を含むことがあり、原料、資材または製造設備等の状況によって持ち込まれ得る。不可避的不純物としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、ＣｒおよびＺｒ等が挙げられる。不可避的不純物の含有量の好ましい上限は０．０５ｗｔ％である。
【００２２】
また、高温高湿条件下における耐久性（耐環境性）を良好にする観点から、帯電防止膜の密度を調整することが好ましく、帯電防止膜の密度の好ましい下限は５．５ｇ／ｃｍ３、より好ましくは６．０ｇ／ｃｍ３である。
【００２３】
本明細書において、シート抵抗とは、抵抗率計を用いて測定した値である。
より良好な帯電防止性およびタッチパネルの感度を両立する観点から、本発明に係る帯電防止膜のシート抵抗の好ましい下限は１×１０７Ω／□、より好ましくは１×１０８Ω／□であり、好ましい上限は１×１０１３Ω／□、より好ましくは１×１０１２Ω／□である。
【００２４】
膜厚は、段差計または断面観察により測定してよい。
より良好な透過率とシート抵抗とを両立する観点から、本発明に係る帯電防止膜の膜厚の好ましい下限は１０ｎｍ、より好ましくは１５ｎｍであり、好ましい上限は５０ｎｍ、より好ましくは４０ｎｍである。
【００２５】
透過率（透光率）は、紫外分光光度計を用いて分光反射率を測定した値であり、基準ミラーの透過光強度に対する帯電防止膜の透過光強度の比率である。
帯電防止膜において、膜厚１０ｎｍにおける４５０ｎｍの光の透過率の好ましい下限は８２％、より好ましくは９０％、さらに好ましくは９５％である。４５０ｎｍの光の透過率を測定することにより、ディスプレイの透過率の特性を評価することができる。
【００２６】
本発明に係る帯電防止膜は高いシート抵抗と高い透過率とを有しているため、ディスプレイに好ましく用いられてよく、優れた帯電防止性を発揮すると共に、さらに電磁遮蔽性にも優れている。また、本発明に係る帯電防止膜は、製造工程において、エッチングした際に残渣が少なく、効率よく製造することができる。
【００２７】
［帯電防止膜の製造方法］
本発明に係る帯電防止膜は、スパッタリングターゲットを用いて、公知のスパッタリング法、例えばマグネトロンスパッタリング法により製造することができる。
また、本発明に係る帯電防止膜において、帯電防止膜を構成する金属元素の組成は、当該帯電防止膜の成膜に用いたスパッタリングターゲットとは異なることがある。例えば、Ｚｎの蒸気圧は他の金属元素と比較して高いため、成膜する際の真空条件下で、他の金属元素と比べてＺｎが蒸発しやすく、帯電防止膜中のＺｎの比率は、成膜に用いたスパッタリングターゲット中のものより小さくなることがある。従って、所望の組成を有する帯電防止膜を得るために、スパッタリングターゲットの組成を適宜調整してよい。
【００２８】
帯電防止膜をスパッタリング法で成膜する場合、真空状態を保ったまま連続的に薄膜を成膜することが望ましい。帯電防止膜を成膜する際に大気中に暴露すると、空気中の水分または有機成分が薄膜の表面に付着し、コンタミ（品質不良）の原因となるからである。
【００２９】
スパッタリング法で成膜する場合、成膜時のガス圧、ガス中の酸素添加量（酸素分圧）、スパッタリングターゲットへの投入パワー、基板温度、Ｔ−Ｓ間距離（スパッタリングターゲットと基板との距離）等を適切に制御することが好ましい。具体的には、例えば、下記スパッタリング条件で成膜することが好ましい。
【００３０】
スパッタリング法で成膜する場合、室温〜２００℃程度に基板温度を制御し、酸素添加量を適切に制御して行うことが好ましい。
【００３１】
酸素添加量（酸素分圧）は、帯電防止膜として好ましいシート抵抗および／または透過率、例えば、５．０×１０６〜１×１０１４Ω／□のシート抵抗および／または８０％以上の透過率が得られるように、スパッタリング装置の構成またはスパッタリングターゲットの組成等に応じて適切に制御すればよい。
【００３２】
またスパッタリング成膜時のガス圧、スパッタリングターゲットへの投入パワー、ＴＳ間距離（スパッタリングターゲットと基板との距離）などを適切に制御して、上述のように、高温高湿条件下における耐久性（耐環境性）を良好にする観点から、帯電防止膜の密度を調整することが好ましい。
上述のような密度を得るために、例えば成膜時のガス圧は、おおむね１〜３ｍＴｏｒｒの範囲内であることが好ましい。また投入パワーも高いほどよく、おおむね２００Ｗ以上に設定することが好ましい。
【００３３】
また帯電防止膜の密度は、成膜後の熱処理条件によっても影響を受けるため、成膜後の熱処理条件も適切に制御することが好ましい。成膜後の熱処理として、プレアニール処理（帯電防止膜層をウェットエッチングした後のパターニング後の熱処理）が挙げられ、大気雰囲気下または水蒸気雰囲気下、１２０℃で５分程度行ってよい。
【００３４】
＜２．ディスプレイ入力装置＞
本発明に係る帯電防止膜は、透光性部材の上に設けた透光性を有する帯電防止膜であり任意のディスプレイに用いてよく、またタッチセンサを備えたディスプレイ入力装置に用いることができる。透光性部材としては、例えば、後述のような透明基板等が挙げられる。
本発明に係るディスプレイ入力装置は、本発明に係る帯電防止膜を備えており、さらに後述のようなタッチセンサを有することにより、ユーザーの指先等でディスプレイ入力装置の操作が可能となる。優れた帯電防止性および透光率を有する当該帯電防止膜を備えることにより、当該ディスプレイ入力装置は、誤作動が少なく、且つディスプレイの光の優れた透過率を有する。
【００３５】
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明の実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケール、間隔および位置関係等が誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称および符号については原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略することとする。
【００３６】
図１は、本発明に係る実施形態のディスプレイ入力装置１００の構成を模式的に示す分解斜視図である。当該ディスプレイ入力装置１００はインセル型であり、タッチセンサ４は、第１の透明基板２と第２の透明基板３との間に設けられている。
また、タッチセンサ４は、第１の透明基板２上に設けられている。
帯電防止膜１は、カラーフィルタ５が設けられた第２の透明基板３の反対側の面上に設けられている。
【００３７】
図２は、本発明に係る実施形態のディスプレイ入力装置１００Ａの構成を模式的に示す分解斜視図である。当該ディスプレイ入力装置１００Ａはインセル型であり、タッチセンサ４は、第１の透明基板２と第２の透明基板３との間に設けられている。
また、タッチセンサ４は、ディスプレイ入力装置１００と異なり、液晶層６上に設けられている。
帯電防止膜１は、ディスプレイ入力装置１００と異なり、タッチセンサ４が設けられた第２の透明基板３の反対側の面上に設けられている。
【００３８】
以下、各構成部材について説明する。
【００３９】
第１の透明基板２はガラス基板であり、ＴＦＴが設けられている。
ＴＦＴを構成する材料としては、例えば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体薄膜（ＩＺＴＯ）、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体薄膜（ＩＧＴＯ）、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体薄膜（ＩＧＺＴＯ）、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体薄膜（ＩＧＺＯ）、アモルファスシリコンまたは低温ポリシリコン等が挙げられるが、ディスプレイの構成または用途等に応じて適当に選択されてよい。
【００４０】
カラーフィルタ５および液晶層６は、第１の透明基板２のＴＦＴ上に設けられている。
カラーフィルタ５は、例えば、赤色、緑色または青色の光を透過させるように構成されてよい。液晶の種類としては、ＴＮ方式、ＶＡ方式、ＦＦＳ方式またはＩＰＳ方式等の液晶駆動方式に応じて適当に選択されてよいが、広視野角を得る観点から、ＦＦＳ方式またはＩＰＳ方式がより好ましい。
【００４１】
第２の透明基板３はガラス基板であり、カラーフィルタ５および液晶層６上に設けられている、第１の透明基板２と対向した透明基板であり、カラーフィルタ５および液晶層６を当該透明基板との間に配置し、ディスプレイ入力装置１００の本体を形成する。
【００４２】
タッチセンサ４は、タッチ駆動電極と誘電体層とタッチ感知電極とを含む静電容量式であり、指先等の導電体との間での静電容量の変化を捉えることにより、位置を検出する。
タッチセンサ４は、図１または図２に示される実施形態のディスプレイ入力装置１００および１００Ａのように、第１の透明基板２と第２の透明基板３との間に配置されてよく、インセル型のディスプレイ入力装置を構成してよい。また、タッチセンサ４は、ディスプレイ入力装置の構成に応じて、第１の透明基板２と第２の透明基板３との間の外側に配置されてもよく、オンセル型のディスプレイ入力装置を構成してよい。
【００４３】
上述の他に、ディスプレイ入力装置１００は、偏光板７およびバックライト８を含む。
また、ディスプレイ入力装置１００および１００Ａは、その構成に応じて、適当に配置された透明電極、配向膜、ブラックマトリックス、スペーサー、絶縁膜、粘着層またはフィルム層等を含んでよく、各構成部材の間に適当に配置されてよい。
【実施例】
【００４４】
［実施例１］
（１）帯電防止膜の作成
Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝２０．０原子％：５６．６原子％：２３．４原子％の組成を有するスパッタリングターゲットをアルバック社製ＤＣマグネトロンスパッタリング装置「ＣＳ２００」のチャンバー内の電極に取り付けた後、チャンバー内の圧力を１ｍＴｏｒｒに調整した。次に、キャリアガス（ＡｒおよびＯ２の混合ガス、酸素分圧：Ｏ２／（Ｏ２＋Ａｒ）＝４％）を、チャンバー内に導入し、チャンバー内の圧力を２ｍＴｏｒｒに調整した。その後、室温で、スパッタリングターゲットにＤＣ３００Ｗのスパッタパワーを印加し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ、直径２インチ×厚さ０．７ｍｍ）上に、膜厚が４０ｎｍの表１のＮｏ．１の帯電防止膜を作成した。
表１のようにキャリアガスの酸素分圧を８〜２０％の間で変化させたこと以外は、上記と同様にして、Ｎｏ．２〜６の帯電防止膜を作成した。
【００４５】
（２）組成分析
ＩＣＰ発光分析法により、金属元素の合計を１００原子％としたときの各金属元素の組成を算出したところ、Ｎｏ．１〜６の帯電防止膜の組成は、いずれもＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝２１．２原子％：５４．７原子％：２４．１原子％であった。
【００４６】
（３）熱履歴試験
三菱化学アナリテック社製抵抗率計「ハイレスタＵＰ」（型番：ＭＣＰ−ＨＴ４５０、測定方式：リング電極方式）を用いて、上記（１）で得られたＮｏ．１〜６の帯電防止膜のシート抵抗を測定した。
その後、１２０℃で５分間のベークを行って、実際の製造工程に相当する熱履歴を与え、シート抵抗を測定した。シート抵抗の測定結果を表１に示す。また、シート抵抗と酸素分圧の関係を示したグラフを図３に示す。
【００４７】
【表１】
2017179599.tif 000003
【００４８】
表１および図３に示すように、Ｎｏ．１〜６の帯電防止膜は全て、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｏとを含んでおり、帯電防止膜の成膜時のキャリアガスの酸素分圧に依らず、熱履歴試験前および熱履歴試験後のいずれにおいても、シート抵抗が１×１０７〜１×１０１３Ω／□と優れたシート抵抗を有していた。
また、Ｎｏ．２〜４の帯電防止膜は、シート抵抗が８．０×１０８〜８．４×１０１２Ω／□であり、より良好な帯電防止性およびタッチパネルの感度を両立することができる。
【００４９】
［実施例２］
（１）帯電防止膜の作成
酸素分圧を８％にしたこと以外は、実施例１と同様にして、表２に示す膜厚（１０〜４０ｎｍ）のＮｏ．７〜１０の帯電防止膜を作成した。
【００５０】
（２）組成分析
ＩＣＰ発光分析法により、金属元素の合計を１００原子％としたときの各金属元素の組成を算出したところ、Ｎｏ．７〜９の帯電防止膜の組成は、いずれもＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝２１．２原子％：５４．７原子％：２４．１原子％であった。
【００５１】
（３）熱履歴試験
実施例１と同様にして、上記（１）で得られたＮｏ．７〜１０の帯電防止膜のシート抵抗を測定した。
その後、１２０℃で５分間のベークを行って、実際の製造工程に相当する熱履歴を与え、シート抵抗を測定した。シート抵抗の測定結果を表２に示す。また、シート抵抗と膜厚の関係を示したグラフを図４に示す。
【００５２】
（４）レジスト剥離工程に対する耐性試験［耐性試験１］
上記（１）で得られたＮｏ．７〜１０の帯電防止膜について、実際のレジスト剥離工程における条件を模して、レジスト剥離液に対する耐性試験を行った。
まず、上記（１）で得られたＮｏ．７〜１０の帯電防止膜について、１２０℃で５分間のベークを行い、実際の製造工程に相当する熱履歴を与えた。
その後、当該帯電防止膜を、東京応化社製レジスト剥離液「ＴＯＫ１０４」に、７０℃で１０分間浸漬した。次いで、当該帯電防止膜を５分間水洗し、１２０℃で３０分間のベークを行った。その後、常温まで冷却し、シート抵抗を測定した。シート抵抗の測定結果を表２に示す。また、シート抵抗と膜厚の関係を示したグラフを図４に示す。
【００５３】
（５）エッチング工程に対する耐性試験［耐性試験２］
上記（１）で得られたＮｏ．７〜１０の帯電防止膜について、実際のエッチング工程における条件を模して、エッチング液およびレジスト剥離液に対する耐性試験を下記の手順で行った。
まず、上記（１）で得られたＮｏ．７〜９の帯電防止膜について、１２０℃で５分間のベークを行い、実際の製造工程に相当する熱履歴を与えた。
その後、当該帯電防止膜にＡｌ電極を成膜し、エッチング液（リン酸：７０質量％、硝酸１．９質量％、酢酸：１０質量％、水：１８．１質量％）に室温で浸漬した。浸漬時間は、Ａｌ電極が全てエッチングされる時間の１２０％の時間とした。
その後、当該帯電防止膜を、東京応化社製レジスト剥離液「ＴＯＫ１０４」に、８０℃で１０分間浸漬した。次いで、当該帯電防止膜を５分間水洗し、１２０℃で３０分間のベークを行った。その後、常温まで冷却し、シート抵抗を測定した。シート抵抗の測定結果を表２に示す。また、シート抵抗と膜厚の関係を示したグラフを図４に示す。
【００５４】
【表２】
2017179599.tif 000004
【００５５】
表２および図４に示すように、Ｎｏ．７〜１０の帯電防止膜は全て、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｏとを含んでおり、帯電防止膜の膜厚に依らず、熱履歴試験前、熱履歴試験後、耐性試験１後および耐性試験２後のいずれにおいても、シート抵抗が１×１０７〜１×１０１３Ω／□と優れたシート抵抗を有しており、より良好な帯電防止性およびタッチパネルの感度を両立することができる。
【００５６】
［実施例３］
（１）帯電防止膜の作成
実施例２と同様にして、表２のＮｏ．７の帯電防止膜を作成し、１２０℃で５分間のベークを行い、実際の製造工程に相当する熱履歴を与えた。
【００５７】
（２）エッチング性試験
ＫＬＡ−ＴＥＮＣＯＲ社製「α−ＳＴＥＰ」を用いて、エッチング前の帯電防止膜の膜厚を測定した。次に、フォトレジストを用いて、上記（１）で得られた帯電防止膜上にマスキングを行い、関東科学社製蓚酸「ＩＴＯ−０７Ｎ」を用いて、２５℃で数分間エッチングを行った。その後、エッチング後の帯電防止膜の膜厚を測定し、下記の式でエッチング速度を算出した。
エッチング速度［ｎｍ／ｍｉｎ］＝（エッチング前の帯電防止膜の膜厚−エッチング後の帯電防止膜の膜厚）／（エッチング液への浸漬時間）
その結果、エッチング速度が１０．５ｎｍ／ｍｉｎであり、且つ残渣の無い良好なエッチング性が確認された。
【００５８】
［実施例４］
（１）帯電防止膜の作成
実施例２と同様にして、表２のＮｏ．１０の帯電防止膜を作成し、１２０℃で５分間のベークを行い、実際の製造工程に相当する熱履歴を与えた。
【００５９】
（２）耐久性試験
実施例１と同様にして、上記（１）で得られた帯電防止膜のシート抵抗を測定した。その後、高温高湿試験機を用いて、湿度８５％および８０℃の下で９６時間の耐久性試験を行い、耐久性試験後のシート抵抗を測定した。
その結果、耐久性試験前において、シート抵抗が１．６×１０１１Ω／□であるのに対し、耐久性試験後は、シート抵抗が１．４×１０１１Ω／□であり、優れたシート抵抗および耐久性が得られた。
【００６０】
（３）透過率測定
日本分光株式会社製可視・紫外分光光度計「Ｖ−５７０」（日本分光株式会社製）を用いて、ガラス板上に成膜した帯電防止膜について、８５０〜２５０ｎｍの範囲の分光透過率を測定した。
その結果、耐久性試験前において、波長４５０ｎｍの光の透過率が９６．２％であるのに対し、耐久性試験後は、波長４５０ｎｍの光の透過率が９６．０％であり、優れた透過率および耐久性が得られた。
【００６１】
［実施例５］
（１）帯電防止膜の作成
膜厚を２０ｎｍとしたこと、および表３のようにキャリアガスの酸素分圧を０〜８％の間で変化させたこと以外は、実施例１と同様にして、Ｎｏ．１１〜１５の帯電防止膜を作成した。
また、Ｉｎ、ＺｎおよびＳｎにＶを添加して、Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ｖ＝１９．６原子％：５５．５原子％：２２．９原子％：２．０原子％の組成を有するスパッタリングターゲットを用いたこと以外は、上記と同様にして、Ｎｏ．１６〜１９の帯電防止膜を作成した。
また、表３のようにＶをＭｎ、ＣｏまたはＭｏに置き換えたこと以外は、上記と同様にして、Ｎｏ．２０〜３１の帯電防止膜を作成した。
その後、Ｎｏ．１１〜３１の帯電防止膜について、１２０℃で５分間のベークを行って、実際の製造工程に相当する熱履歴を与えた。
【００６２】
（２）組成分析
ＩＣＰ発光分析法により、金属元素の合計を１００原子％としたときの各金属元素の組成を算出した。
Ｎｏ．１１〜１５の帯電防止膜の組成は、いずれもＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ＝２１．２原子％：５４．７原子％：２４．１原子％であった。
Ｎｏ．１６〜１９の帯電防止膜の組成は、いずれもＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ｖ＝２２．０原子％：５１．８原子％：２４．７原子％：１．５原子％であった。
Ｎｏ．２０〜２３の帯電防止膜の組成は、いずれもＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ｍｎ＝２２．７原子％：４９．２原子％：２５．１原子％：３．０原子％であった。
Ｎｏ．２４〜２７の帯電防止膜の組成は、いずれもＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ｃｏ＝２０．７原子％：４５．９原子％：２３．１原子％：１０．３原子％であった。
Ｎｏ．２８〜３１の帯電防止膜の組成は、いずれもＩｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ｍｏ＝２１．７原子％：４９．７原子％：２３．９原子％：４．７原子％であった。
【００６３】
（３）シート抵抗および透過率試験
実施例１と同様にして、上記（１）で得られたＮｏ．１１〜３１の帯電防止膜のシート抵抗を測定した。
また、実施例４と同様にして、上記（１）で得られたＮｏ．１１〜３１の帯電防止膜について、４５０ｎｍの光の透過率を測定した。
シート抵抗および４５０ｎｍの光の透過率の測定結果を表３に示す。また、シート抵抗と酸素分圧との関係および透過率と酸素分率との関係を示したグラフをそれぞれ図５および図６に示す。
なお、表３並びに図５および６中、Ｎｏ．１１〜１５、Ｎｏ．１６〜１９、Ｎｏ．２０〜２３、Ｎｏ．２４〜２７およびＮｏ．２８〜３１の帯電防止膜を、それぞれ「ＩＺＴＯ」、「ＩＺＴＯ＋Ｖ」、「ＩＺＴＯ＋Ｍｎ」、「ＩＺＴＯ＋Ｃｏ」および「ＩＺＴＯ＋Ｍｏ」と示す。
【００６４】
【表３】
2017179599.tif 000005
【００６５】
表３並びに図５および６に示すように、Ｖ、Ｍｎ、ＣｏまたはＭｏを添加した帯電防止膜は、添加しない帯電防止膜と比較して、低い酸素分圧でも高いシート抵抗を得ることができた。酸素分圧が低いため、帯電防止膜のシート抵抗が変動しにくく、酸素分圧の調整が容易であった。
さらに、Ｖ、ＭｎまたはＣｏを添加した帯電防止膜は、Ｍｏを添加した帯電防止膜と比較して、高い透過率を得ることができ、高シート抵抗と高透過率との両立がより容易であった。
【００６６】
本明細書の開示内容は、以下の態様を含む。
態様１：
透光性部材の上に設けた透光性を有する帯電防止膜であって、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｓｎと、Ｏとを含む帯電防止膜。
態様２：
さらに、Ｖ、Ｍｎ、ＣｏおよびＭｏからなる群から選択される少なくとも１種を含む態様１に記載の帯電防止膜。
態様３：
Ｖ、ＭｎまたはＣｏからなる群から選択される少なくとも１種を含む態様２に記載の帯電防止膜。
態様４：
一方の面にカラーフィルタが設けられた前記透光性部材である透明基板において、他方の面に設けた態様１〜３のいずれかに記載の帯電防止膜。
態様５：
シート抵抗が１×１０７〜１×１０１３Ω／□であり、
膜厚１０ｎｍにおいて、波長４５０ｎｍの光の透過率が９５％以上である、
態様１〜４のいずれかに記載の帯電防止膜。
態様６：
態様１〜５のいずれかに記載の帯電防止膜を備えたディスプレイ入力装置。
【符号の説明】
【００６７】
１                  帯電防止膜
２                  第１の透明基板
３                  第２の透明基板
４                  タッチセンサ
５                  カラーフィルタ
６                  液晶層
７                  偏光板
８                  バックライト
１００、１００Ａ    ディスプレイ入力装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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