(57)【要約】【課題】部品点数が少なく小型で、反射特性やアイソレーションのばらつきを抑えた非可逆回路素子を提供する。【解決手段】本発明の非可逆回路素子は、誘電体基板上に設けられているフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体の上面を覆う上面部と、前記上面部に接続し絶縁体を介して前記フェリ磁性体の側面に接する複数の位置決め部と、前記位置決め部に各々接続し前記誘電体基板上に設けられた複数の信号伝送線と電気的に各々接続する複数の接続部と、を有する導体カバーと、前記フェリ磁性体に磁界を印加する磁界発生部と、を有する。【選択図】      図１
2017076835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板上に設けられているフェリ磁性体と、
前記フェリ磁性体の上面を覆う上面部と、前記上面部に接続し絶縁体を介して前記フェリ磁性体の側面に接する複数の位置決め部と、前記位置決め部に各々接続し前記誘電体基板上に設けられた複数の信号伝送線と電気的に各々接続する複数の接続部と、を有する導体カバーと、
前記フェリ磁性体に磁界を印加する磁界発生部と、を有する非可逆回路素子。
【請求項２】
前記上面部と前記位置決め部と前記接続部とは一体に形成されている、請求項１記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記位置決め部は、折り曲げ形状もしくは湾曲形状を有する、請求項１または２記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記位置決め部は、くの字形状を有する、請求項１または２記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記絶縁体は、前記フェリ磁性体の側面に設けられている、請求項１から４の内の１項記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記絶縁体は、前記位置決め部の前記フェリ磁性体の側面に対向する面に設けられている、請求項１から４の内の１項記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記フェリ磁性体は、フェライトを有する、請求項１から６の内の１項記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
高周波信号を送出する送出回路と、
請求項１から７の内の１項記載の非可逆回路素子を含み、前記送出回路からの高周波信号を伝達する伝達回路と、
前記伝達回路から前記高周波信号を受信する受信回路と、を備える通信装置。
【請求項９】
フェリ磁性体を誘電体基板上に実装し、
前記フェリ磁性体の上面を覆う上面部と、前記上面部に接続し絶縁体を介して前記フェリ磁性体の側面に接する複数の位置決め部と、前記位置決め部に各々接続し前記誘電体基板上に設けた複数の信号伝送線と電気的に各々接続する複数の接続部と、を有する導体カバーを前記フェリ磁性体と組み合わせ、
前記フェリ磁性体に磁界を印加する磁界発生部を前記誘電体基板に実装する、非可逆回路素子の製造方法。
【請求項１０】
前記上面部と前記位置決め部と前記接続部とを一体に形成する、請求項９記載の非可逆回路素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非可逆回路素子に関し、特に、回路基板上に実装する非可逆回路素子、およびその非可逆回路素子を含む回路を備えた通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
非可逆回路素子であるサーキュレータやアイソレータの小型化や部品点数を減らす簡素化は、高周波回路における重要な課題である。サーキュレータには、導波管型とＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）型とがある。
【０００３】
導波管型のサーキュレータは、導波管内部にフェライトを配置する方式のサーキュレータである。この構造では、導波管内部に高周波信号が閉じ込められるため、放射損失の影響を考慮する必要がない。一方で、導波管型のサーキュレータは、立体的な構造であるため小型化が難しい。更に、高周波回路における回路部品のほとんどはＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ；プリント回路基板）上に実装されるため、ＰＣＢ上の信号伝送線から導波管へ高周波信号を伝達する際には信号の変換が必要となる。すなわち、導波管型のサーキュレータには信号変換のための回路が必要となる。このため、導波管型のサーキュレータは構造の簡素化や小型化が難しい。
【０００４】
ＳＭＴ型のサーキュレータは、誘電体基板に設けられた信号伝送線上に構成される方式のサーキュレータである。ＳＭＴ型のサーキュレータは、信号伝送線を使用しているので、導波管型のサーキュレータに比べて非常に小型である。誘電体基板としてＰＣＢを使用すれば、ＰＣＢ内にサーキュレータを集積することが容易である。従って、ＳＭＴ型のサーキュレータは、小型で、かつ、ＰＣＢへの実装性が高いという特徴を有する。
【０００５】
一方で、ＳＭＴ型のサーキュレータは、導波管型のサーキュレータに比較して挿入損失が大きくなりやすい。ＳＭＴ型のサーキュレータは信号伝送線を使用しているため、信号伝送線から入力された高周波信号により生じる電磁界をサーキュレータ内部に閉じ込めることができない場合、放射損失が生じて挿入損失が大きくなってしまう。
【０００６】
部品点数が少なく小型で、かつ、放射損失を低減することのできるＳＭＴ型のサーキュレータが、特許文献１に開示されている。特許文献１のサーキュレータは、回路基板上に設けられたフェリ磁性体と、フェリ磁性体の上面を覆い、一体として形成される導体カバーと、導体カバーと回路基板上の複数の信号伝送線のそれぞれとを電気的に接続する複数の接続部と、フェリ磁性体に対して磁界をかける磁石とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１３／０８８６１８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に開示されたサーキュレータは、フェリ磁性体側面と導体カバーとの間に隙間を有する。このため、フェリ磁性体と導体カバーとの相対的な位置にはばらつきが生じている。このばらつきは、サーキュレータの反射特性やアイソレーションなどの素子特性のばらつきの原因となっている。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、部品点数が少なく小型で、反射特性やアイソレーションのばらつきを低減した非可逆回路素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の非可逆回路素子は、誘電体基板上に設けられているフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体の上面を覆う上面部と、前記上面部に接続し絶縁体を介して前記フェリ磁性体の側面に接する複数の位置決め部と、前記位置決め部に各々接続し前記誘電体基板上に設けられた複数の信号伝送線と電気的に各々接続する複数の接続部と、を有する導体カバーと、前記フェリ磁性体に磁界を印加する磁界発生部と、を有する。
【００１１】
本発明の非可逆回路素子の製造方法は、フェリ磁性体を誘電体基板上に実装し、前記フェリ磁性体の上面を覆う上面部と、前記上面部に接続し絶縁体を介して前記フェリ磁性体の側面に接する複数の位置決め部と、前記位置決め部に各々接続し前記誘電体基板上に設けた複数の信号伝送線と電気的に各々接続する複数の接続部と、を有する導体カバーを前記フェリ磁性体と組み合わせ、前記フェリ磁性体に磁界を印加する磁界発生部を前記誘電体基板に実装する。
【００１２】
本発明の通信装置は、高周波信号を送出する送出回路と、本発明の非可逆回路素子を含み、前記送出回路からの高周波信号を伝達する伝達回路と、前記伝達回路から前記高周波信号を受信する受信回路と、を備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、部品点数が少なく小型で、反射特性やアイソレーションのばらつきを低減した非可逆回路素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態の非可逆回路素子の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態の非可逆回路素子の構造を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態の通信装置の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施形態の非可逆回路素子の構造を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態の非可逆回路素子の変形例の構造を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態の非可逆回路素子の変形例の構造を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態の非可逆回路素子の変形例の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図を参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい限定がされているが、発明の範囲を以下に限定するものではない。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態の非可逆回路素子の構造を示す断面図である。図２は、本実施形態の非可逆回路素子の構造を示す平面図である。図１は図２のＡ−Ａ’の断面を示す。
【００１７】
本実施形態の非可逆回路素子１０は、誘電体基板２０上に設けられているフェリ磁性体３０を有する。さらに、フェリ磁性体３０の上面を覆う上面部４１と、上面部４１に接続し絶縁体５０を介してフェリ磁性体３０の側面に接する複数の位置決め部４２（４２−１、４２−２、４２−３）と、位置決め部４２（４２−１、４２−２、４２−３）に各々接続し誘電体基板２０上に設けられた複数の信号伝送線６０（６０−１、６０−２、６０−３）と電気的に各々接続する複数の接続部４３（４３−１、４３−２、４３−３）と、を有する導体カバー４０を有する。さらに、フェリ磁性体３０に磁界を印加する磁界発生部７０を有する。また、上面部４１と位置決め部４２と接続部４３とは一体に形成されることができる。
【００１８】
非可逆回路素子１０は、表面に導体パターン８０が形成されている誘電体基板２０上に設けられている。導体パターン８０が形成されている誘電体基板２０は、ＰＣＢとすることができる。非可逆回路素子１０は、フェリ磁性体３０と、信号伝送線６０−１、６０−２、６０−３に接続する接続部４３−１、４３−２、４３−３を有する導体カバー４０と、磁界発生部７０と、を備える３ポートのＳＭＴ型のサーキュレータとすることができる。フェリ磁性体３０はフェライトとすることができる。導体カバー４０は銅などの金属とすることができる。磁界発生部７０は永久磁石とすることができる。
【００１９】
導体カバー４０の位置決め部４２−１、４２−２、４２−３は、絶縁体５０を介して、フェリ磁性体３０の側面を挟み込んでいる。位置決め部４２−１、４２−２、４２−３は、絶縁体５０を押し付けていてもよい。また、位置決め部４２−１、４２−２、４２−３は、絶縁体５０に接しているだけでもよい。位置決め部４２の形状は、折り曲げ形状や湾曲形状とすることができる。
【００２０】
磁界発生部７０は、誘電体基板２０のフェリ磁性体３０の搭載面とは反対側の面に設けられている。磁界発生部７０は、フェリ磁性体３０に磁界を印加する。
【００２１】
以上の構成により、導体カバー４０が非可逆回路素子１０へ高周波信号を伝達するため、部品点数が少なく小型のサーキュレータをＰＣＢ上へ容易に実装することができるようになる。さらに、フェリ磁性体３０の側面は、絶縁体５０を介して位置決め部４２−１、４２−２、４２−３に接している。このため、フェリ磁性体３０と導体カバー４０との相対的な位置のばらつきが抑制される。その結果、非可逆回路素子１０の反射特性やアイソレーションなどの素子特性のばらつきが抑制される。
【００２２】
以下、非可逆回路素子１０の各部について詳細に説明する。
【００２３】
誘電体基板２０は、非可逆回路素子１０が実装されるＰＣＢとすることができ、信号伝送路６０や導体パターン８０を形成する銅などの金属層が形成されている。金属層は多層積層されていてもよい。なお、誘電体基板２０は、ＰＣＢには限定されず、その他の構成を有する回路基板でもよい。
【００２４】
導体パターン８０は、誘電体基板２０の上面もしくは下面もしくは両面に形成される。導体パターン８０は、信号線およびグラウンドパターンを有する。導体パターン８０は、フェリ磁性体３０の搭載部分には形成されていない。但し、後述するように（図４など）、導体パターン８０上に絶縁層を介してフェリ磁性体３０を搭載することもできる。
【００２５】
フェリ磁性体３０は、円柱状のフェライトとすることができる。フェライトはフェリ磁性を有するフェリ磁性体であり、例えばＹＩＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ  Ｉｒｏｎ  Ｇａｒｎｅｔ）、バリウムフェライト、ストロンチウムフェライトなどの物質である。なお、フェリ磁性を有し、後述するジャイロ磁気効果が発生する磁性体であれば、フェリ磁性体３０はフェライトに限られない。また、フェライトの形状は円柱には限定されず、多角柱などでもよい。
【００２６】
フェリ磁性体３０の側面は、絶縁体５０を介して、導体カバー４０の位置決め部４２−１、４２−２、４２−３に接している。これにより、導体カバー４０の位置決め部４２−１、４２−２、４２−３でのフェリ磁性体３０との絶縁が保たれる。その結果、後述する、非可逆回路素子１０のサーキュレータとしての動作が可能となる。
【００２７】
導体カバー４０は、上面部４１と位置決め部４２−１、４２−２、４２−３と接続部４３−１、４３−２、４３−３とが一体化している構造を有する。導体カバー４０は、導電性を有する材料で構成され、銅やアルミニウムなどの金属や、導電性樹脂などで構成することができる。
【００２８】
導体カバー４０の上面部４１は、フェリ磁性体３０の上面を覆う。上面部４１は、フェリ磁性体３０の上面に接していても良く、また、フェリ磁性体３０の上面に対して任意の隙間を有していても良い。フェライトは一般的に誘電率１０を超える高誘電率の誘電体であるので、高周波電界は上面部４１の上層（空気層）よりも下層（フェライト）に集中する。このため、上面部４１から空気層に放射される電磁波を抑制することができる。
【００２９】
図１と図２では、上面部４１はフェリ磁性体３０の上面全体を覆っているが、これには限定されない。上面部４１がフェリ磁性体３０の上面を部分的に覆う場合であっても、上面部４１の下層（フェリ磁性体３０側）への電界強度が上層（空気層）へのそれに比べて大きくなるために放射損失が抑制される。また、上面部４１の形状は円形には限定されず、多角形などとすることもできる。
【００３０】
導体カバー４０は、３つの接続部４３−１、４３−２、４３−３によって誘電体基板２０に設けられた信号伝送線６０−１、６０−２、６０−３に電気的に接続（導通）し固定されている。この構成により、導体カバー４０は接続部を介して入力された高周波信号を伝達し、他の接続部に出力する。なお、３つの接続部４３−１、４３−２、４３−３、および、３本の信号伝送線６０−１、６０−２、６０−３の各々の成す角度は略１２０°とすることができるが、これには限定されない。
【００３１】
なお、図１において、誘電体基板２０の上面、フェリ磁性体３０の上面、導体カバー４０の上面部４１は、略平行の位置関係にある。ただし、導体カバー４０の上面部４１を高周波信号が通過する際に、導体カバー４０の上面部４１と誘電体基板２０との間に生じる磁界が、磁界発生部７０が印加する直流磁界と直交するならば、前記略平行の位置関係には限定されない。
【００３２】
磁界発生部７０は、誘電体基板２０のフェリ磁性体３０を設けている面と反対側の面に、フェリ磁性体３０に対向して設置される。磁界発生部７０は、フェリ磁性体３０に図１において上向き又は下向きの直流磁界を印加する。この直流磁界の向きは、導体カバー４０の上面部４１を高周波信号が通過する際にフェリ磁性体３０内に生じる高周波磁界に対して垂直方向である。
【００３３】
なお、図１において磁界発生部７０の上面の面積は、フェリ磁性体３０の上面の面積よりも大きいが、これには限定されない。また、磁界発生部７０は、導体カバー４０の上面部４１を高周波信号が通過する際に生じるフェリ磁性体３０内の高周波磁界に対して垂直な方向の直流磁界を発生できるのであれば、誘電体基板２０の下側以外の位置に設けられてもよい。例えば、フェリ磁性体３０と同じ側に設けられてもよい。また、磁界発生部７０を永久磁石とした場合、永久磁石の数は、１個でも複数の組でもよい。また、直流磁界を生じることができれば、永久磁石には限定されず、例えば、電磁石でもよい。
【００３４】
信号伝送線６０−１、６０−２、６０−３は、高周波信号を伝送する配線である。信号伝送線６０−１、６０−２、６０−３は、各々、非可逆回路素子１０への外部からの高周波信号の入力端となる給電点を有する。
【００３５】
以下、図１と図２とを用いて、非可逆回路素子１０のサーキュレータとしての動作を説明する。まず、高周波信号が信号伝送線６０−１、接続部４３−１、位置決め部４２−１を介して導体カバー４０の上面部４１へと入力される。上面部４１へ入力された高周波信号は、上面部４１と誘電体基板２０との間に高周波電磁界を発生する。具体的には、誘電体基板２０の表面に垂直方向（図１におけるフェリ磁性体３０の高さ方向）に電界が発生し、誘電体基板２０の表面に平行方向に磁界が発生する。
【００３６】
フェリ磁性体３０には、磁界発生部７０によりフェリ磁性体３０の高さ方向に直流磁界が印可されている。この直流磁界の方向は、高周波信号によってフェリ磁性体３０に生じる高周波磁界に垂直方向である。この直流磁界と高周波磁界とによりフェリ磁性体３０にジャイロ磁気効果が生じ、入力した高周波信号はフェリ磁性体３０の表面方向で回転する。直流磁界が図１の上向きの場合には、高周波信号は接続部４３−２を介して信号伝送線６０−２に出力される。直流磁界が図１の下向きの場合には、高周波信号は接続部４３−３を介して信号伝送線６０−３に出力される。以上のようにして、高周波信号は直流磁界の方向に対応して一方向に出力される。
【００３７】
高周波信号が信号伝送線６０−２や信号伝送線６０−３を介して入力された場合も、以上と同様の原理により、高周波信号は一方向に出力される。
【００３８】
本実施形態においては、サーキュレータを例にして説明したが、３つの接続部４３−１、４３−２、４３−３のうち１つに整合の取れた負荷を接続することにより、アイソレータを構成してもよい。また、信号伝送線が３本のサーキュレータには限定されず、信号伝送線が４本以上設けられたサーキュレータについても、本実施形態の構成を適用することができる。
【００３９】
本実施形態の非可逆回路素子は、高周波信号の伝達を行う伝達回路に備えることができる。そして、このような伝達回路を有する通信装置を実現することができる。図３は、本発明の実施形態の通信装置の構成を示すブロック図である。通信装置１は、送出回路２と伝達回路３と受信回路４とを有する。
【００４０】
送出回路２は、高周波信号を生成し伝達回路３に送出する。
【００４１】
伝達回路３は、本実施形態の非可逆回路素子を有する。伝達回路３は、送出回路２から送出された高周波信号を、所定の信号伝達線（ポート）を介して受信回路４に送出する。伝達回路３はまた、高周波信号を無線などで受信した受信回路４から当該高周波信号を受け、所定の信号伝達線（ポート）を介して通信装置１に備えられている信号処理回路（図示省略）などに送出することもできる。
【００４２】
受信回路４は、伝達回路３から高周波信号を受けると無線などで送信することができる。また、無線などで受信した高周波信号を伝達回路３に送出することもできる。
【００４３】
本実施形態の非可逆回路素子１０は、以下のようにして製造することができる。
【００４４】
まず、信号伝送線６０や導体パターン８０の形成された誘電体基板２０上に、フェライトなどのフェリ磁性体３０と、金属などの導体カバー４０とを実装する。導電カバー４０は、フェリ磁性体３０の上面を覆う上面部４１と、上面部４１に接続し絶縁体５０を介してフェリ磁性体３０の側面を挟み込む複数の位置決め部４２と、位置決め部４２に各々接続し誘電体基板上２０に設けられた複数の信号伝送線６０と電気的に各々接続する複数の接続部４３と、を有し、フェリ磁性体３０と組み合わされる。
【００４５】
フェリ磁性体３０には、導体カバー４０の位置決め部４２−１、４２−２、４２−３と接する側面に、絶縁体５０が予め形成される。絶縁体５０は、接着剤などによりフェリ磁性体３０の側面に固定することができる。フェリ磁性体３０は接着剤などにより誘電体基板２０に固定することができる。導体カバー４０は、接続部４３−１、４３−２、４３−３により、誘電体基板２０に設けられた信号伝送線６０−１、６０−２、６０−３に導電性接着剤などによって電気的に接続（導通）し固定される。
【００４６】
このとき、フェリ磁性体３０の側面と導体カバー４０の位置決め部４２−１、４２−２、４２−３は、絶縁体５０を介して接触している。これにより、フェリ磁性体３０と導体カバー４０との相対的な位置のばらつきは抑制される。また、位置決め部４２−１、４２−２、４２−３を、例えばくの字型に折り曲げた形状にすることで、ばねの効果により絶縁体５０に密着させることもできる。
【００４７】
なお、導体カバー４０は、フェリ磁性体３０が誘電体基板２０に実装された後に、フェリ磁性体３０と組み合わされてもよい。あるいは、フェリ磁性体３０と導体カバー４０とが予め組み合わされた後に、誘電体基板２０上に実装されてもよい。フェリ磁性体３０と導体カバー４０は、接着剤などにより接着されても良い。
【００４８】
磁界発生部７０は、誘電体基板２０のフェリ磁性体３０と反対側の面に実装される。磁界発生部７０は、接着剤などにより誘電体基板２０に固定されることができる。ここで、磁界発生部７０は、フェリ磁性体３０及び導体カバー４０が誘電体基板２０上に実装された後に実装されてもよいし、その逆でもよい。磁界発生部７０は、導体カバー４０の上面部４１を高周波信号が通過する際に生じるフェリ磁性体３０の位置での高周波磁界の方向に対して、垂直方向に直流磁界を発生する任意の位置に実装することができる。
【００４９】
以上のようにして、非可逆回路素子１０は製造される。
【００５０】
次に、本実施形態の非可逆回路素子のバリエーションを説明する。以下に示す図４から図７の断面図は、図２のＡ−Ａ’断面に相当する。
【００５１】
図４は、本実施形態の非可逆回路素子の構造を示す断面図である。非可逆回路素子１０ａは、信号伝送線６０ａや導体パターン８０ａの形成された誘電体基板２０ａ上に、フェリ磁性体３０ａと導体カバー４０ａと磁界発生部７０ａとを有する。フェリ磁性体３０ａは樹脂９０ａを介して導体パターン８０ａに接する。上面部４１ａは樹脂９１ａを介してフェリ磁性体３０ａに接する。接続部４３ａは信号伝送線６０ａに導通し固定されている。
【００５２】
位置決め部４２ａは、フェリ磁性体３０ａの側面に設けられた絶縁体５０ａを介してフェリ磁性体３０ａを挟み込む。位置決め部４２ａは、くの字に折り曲げた形状を有する。
【００５３】
図５は、本実施形態の非可逆回路素子の変形例の構造を示す断面図である。非可逆回路素子１０ｂは、信号伝送線６０ｂや導体パターン８０ｂの形成された誘電体基板２０ｂ上に、フェリ磁性体３０ｂと導体カバー４０ｂと磁界発生部７０ｂとを有する。フェリ磁性体３０ｂは樹脂９０ｂを介して導体パターン８０ｂに接する。上面部４１ｂは樹脂９１ｂを介してフェリ磁性体３０ｂに接する。接続部４３ｂは信号伝送線６０ｂに導通し固定されている。
【００５４】
位置決め部４２ｂは、位置決め部４２ｂの表面（フェリ磁性体３０ｂの側面に対向する面）に設けられた絶縁体５０ｂを介してフェリ磁性体３０ｂを挟み込む。位置決め部４２ｂは、くの字に折り曲げた形状を有する。
【００５５】
図６は、本実施形態の非可逆回路素子の別の変形例の構造を示す断面図である。非可逆回路素子１０ｃは、信号伝送線６０ｃや導体パターン８０ｃの形成された誘電体基板２０ｃ上に、フェリ磁性体３０ｃと導体カバー４０ｃと磁界発生部７０ｃとを有する。フェリ磁性体３０ｃは樹脂９０ｃを介して導体パターン８０ｃに接する。上面部４１ｃは樹脂９１ｃを介してフェリ磁性体３０ｃに接する。接続部４３ｃは信号伝送線６０ｃに導通し固定されている。
【００５６】
位置決め部４２ｃは、フェリ磁性体３０ｃの側面に設けられた絶縁体５０ｃを介してフェリ磁性体３０ｃを挟み込む。絶縁体５０ｃは、フェリ磁性体３０ｃの側面で位置決め部４２ｃに接する位置に部分的に設けられている。位置決め部４２ｃは、くの字に折り曲げた形状を有する。
【００５７】
図７は、本実施形態の非可逆回路素子の更に別の変形例の構造を示す断面図である。非可逆回路素子１０ｄは、信号伝送線６０ｄや導体パターン８０ｄの形成された誘電体基板２０ｄ上に、フェリ磁性体３０ｄと導体カバー４０ｄと磁界発生部７０ｄとを有する。フェリ磁性体３０ｄは樹脂９０ｄを介して導体パターン８０ｄに接する。上面部４１ｄは樹脂９１ｄを介してフェリ磁性体３０ｄに接する。接続部４３ｄは信号伝送線６０ｄに導通し固定されている。
【００５８】
位置決め部４２ｄは、フェリ磁性体３０ｄの側面に設けられた絶縁体５０ｄを介してフェリ磁性体３０ｄを挟み込む。位置決め部４２ｄは、湾曲形状を有する。
【００５９】
以上のように、位置決め部４２の形状は折り曲げ形状や湾曲形状としているが、これには限定されない。すなわち、絶縁体５０を介してフェリ磁性体３０の側面に接する形状であれば、例えば、折り曲げや湾曲のない平面的な形状とすることもできる。ただし、ばねの効果で押し付ける効果を得るためには、折り曲げ形状や湾曲形状が好ましい。
【００６０】
以上のように、本実施形態によれば、部品点数が少なく小型で、反射特性やアイソレーションのばらつきを低減した非可逆回路素子を提供することができる。
【００６１】
本発明は上記実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものである。
【００６２】
また、上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。
【００６３】
付記
（付記１）
誘電体基板上に設けられているフェリ磁性体と、
前記フェリ磁性体の上面を覆う上面部と、前記上面部に接続し絶縁体を介して前記フェリ磁性体の側面に接する複数の位置決め部と、前記位置決め部に各々接続し前記誘電体基板上に設けられた複数の信号伝送線と電気的に各々接続する複数の接続部と、を有する導体カバーと、
前記フェリ磁性体に磁界を印加する磁界発生部と、を有する非可逆回路素子。
（付記２）
前記上面部と前記位置決め部と前記接続部とは一体に形成されている、付記１記載の非可逆回路素子。
（付記３）
前記位置決め部は、折り曲げ形状もしくは湾曲形状を有する、付記１または２記載の非可逆回路素子。
（付記４）
前記位置決め部は、くの字形状を有する、付記１または２記載の非可逆回路素子。
（付記５）
前記絶縁体は、前記フェリ磁性体の側面に設けられている、付記１から４の内の１項記載の非可逆回路素子。
（付記６）
前記絶縁体は、前記位置決め部の前記フェリ磁性体の側面に対向する面に設けられている、付記１から４の内の１項記載の非可逆回路素子。
（付記７）
前記絶縁体は、樹脂もしくはセラミックを有する、付記１から６の内の１項記載の非可逆回路素子。
（付記８）
前記フェリ磁性体は、フェライトを有する、付記１から７の内の１項記載の非可逆回路素子。
（付記９）
前記磁界発生部は、永久磁石を有する、付記１から８の内の１項記載の非可逆回路素子。
（付記１０）
前記磁界発生部は、前記フェリ磁性体に、前記上面部を流れる電流が前記フェリ磁性体内に形成する磁界に垂直方向の磁界を印加する、付記１から９の内の１項記載の非可逆回路素子。
（付記１１）
高周波信号を送出する送出回路と、
付記１から１０の内の１項記載の非可逆回路素子を含み、前記送出回路からの高周波信号を伝達する伝達回路と、
前記伝達回路から前記高周波信号を受信する受信回路と、を備える通信装置。
（付記１２）
前記送出回路は、前記高周波信号を生成して送出する、付記１１記載の通信装置。
（付記１３）
前記伝達回路は、前記高周波信号を所定の信号伝達線を介して伝達する、付記１１または１２記載の通信装置。
（付記１４）
前記受信回路は、前記高周波信号を送信する、付記１１から１３の内の１項記載の通信装置。
（付記１５）
フェリ磁性体を誘電体基板上に実装し、
前記フェリ磁性体の上面を覆う上面部と、前記上面部に接続し絶縁体を介して前記フェリ磁性体の側面に接する複数の位置決め部と、前記位置決め部に各々接続し前記誘電体基板上に設けた複数の信号伝送線と電気的に各々接続する複数の接続部と、を有する導体カバーを前記フェリ磁性体と組み合わせ、
前記フェリ磁性体に磁界を印加する磁界発生部を前記誘電体基板に実装する、非可逆回路素子の製造方法。
（付記１６）
前記上面部と前記位置決め部と前記接続部とを一体に形成する、付記１５記載の非可逆回路素子の製造方法。
（付記１７）
前記位置決め部を、折り曲げ形状もしくは湾曲形状とする、付記１５または１６記載の非可逆回路素子の製造方法。
（付記１８）
前記位置決め部を、くの字形状とする、付記１５または１６記載の非可逆回路素子の製造方法。
（付記１９）
前記絶縁体を、前記フェリ磁性体の側面に設ける、付記１５から１８の内の１項記載の非可逆回路素子の製造方法。
（付記２０）
前記絶縁体を、前記位置決め部の前記フェリ磁性体の側面に対向する面に設ける、付記１５から１８の内の１項記載の非可逆回路素子の製造方法。
（付記２１）
前記絶縁体を、樹脂もしくはセラミックとする、付記１５から２０の内の１項記載の非可逆回路素子の製造方法。
（付記２２）
前記フェリ磁性体を、フェライトとする、付記１５から２１の内の１項記載の非可逆回路素子の製造方法。
（付記２３）
前記磁界発生部を、永久磁石とする、付記１５から２２の内の１項記載の非可逆回路素子の製造方法。
（付記２４）
前記磁界発生部が前記フェリ磁性体に、前記上面部を流れる電流が前記フェリ磁性体内に形成する磁界に垂直方向の磁界を印加するよう、前記磁界発生部を実装する、付記１５から２３の内の１項記載の非可逆回路素子の製造方法。
【符号の説明】
【００６４】
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ    非可逆回路素子
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ    誘電体基板
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ    フェリ磁性体
４０、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ    導体カバー
４１、４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ    上面部
４２、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ    位置決め部
４２−１、４２−２、４２−３    位置決め部
４３、４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ    接続部
４３−１、４３−２、４３−３    接続部
５０、５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ    絶縁体
６０、６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ    信号伝送線
６０−１、６０−２、６０−３    信号伝送線
１    通信装置
２    送出回路
３    伝達回路
４    受信回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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