(57)【要約】【課題】ビアホールを用いたキャパシタを容易に製造できるようにする。【解決手段】蓄電装置を、基板８の一方の表面側に設けられた第１表面電極１と、基板の他方の表面側に設けられた第２表面電極２と、基板の一方の表面側から設けられた第１ビアホール３と、基板の他方の表面側から設けられた第２ビアホール４と、第１ビアホールの内部に設けられ、第１表面電極から突出する第１金属ビア電極５と、第１ビアホールの内部に設けられ、第１金属ビア電極の表面を覆う絶縁膜６と、第２ビアホールの内部に設けられ、第２表面電極から突出する第２金属ビア電極７とを備え、第１金属ビア電極と第２金属ビア電極の間に絶縁膜の少なくとも一部分が挟まれてキャパシタ９を構成しているものとする。【選択図】図１
2017130583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の表面側に設けられた第１表面電極と、
前記基板の他方の表面側に設けられた第２表面電極と、
前記基板の一方の表面側から設けられた第１ビアホールと、
前記基板の他方の表面側から設けられた第２ビアホールと、
前記第１ビアホールの内部に設けられ、前記第１表面電極から突出する第１金属ビア電極と、
前記第１ビアホールの内部に設けられ、前記第１金属ビア電極の表面を覆う絶縁膜と、
前記第２ビアホールの内部に設けられ、前記第２表面電極から突出する第２金属ビア電極とを備え、
前記第１金属ビア電極と前記第２金属ビア電極の間に前記絶縁膜の少なくとも一部分が挟まれてキャパシタを構成していることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
前記第１金属ビア電極の中心位置と前記第２金属ビア電極の中心位置がずれていることを特徴とする、請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項３】
前記第１金属ビア電極の中心位置と前記第２金属ビア電極の中心位置が一致していることを特徴とする、請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項４】
前記第１金属ビア電極の径と前記第２金属ビア電極の径が異なることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の蓄電装置。
【請求項５】
前記第１金属ビア電極の径と前記第２金属ビア電極の径が同じであることを特徴とする、請求項１又は２に記載の蓄電装置。
【請求項６】
複数の前記第１金属ビア電極と、
複数の前記第２金属ビア電極とを備え、
前記複数の第１金属ビア電極のピッチと前記複数の第２金属ビア電極のピッチが異なることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の蓄電装置。
【請求項７】
前記複数の第１金属ビア電極のピッチが異なり、
前記複数の第２金属ビア電極のピッチが異なることを特徴とする、請求項６に記載の蓄電装置。
【請求項８】
センサと、
ＣＰＵと、
蓄電ユニットと、
メモリを含むコントロール通信ユニットとを備え、
前記蓄電ユニットは、請求項１〜７のいずれか１項に記載の蓄電装置によって構成されていることを特徴とするセンサ装置。
【請求項９】
請求項８に記載のセンサ装置と、
前記センサ装置にネットワークを介して接続されたサーバとを備えることを特徴とする情報処理システム。
【請求項１０】
基板の一方の表面側からエッチングを行なって第１ビアホールを形成する工程と、
前記第１ビアホールに絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の他方の表面側からエッチングを行なって第２ビアホールを形成する工程と、
前記基板の一方の表面側に第１表面電極を形成するとともに前記第１ビアホールの内部の前記絶縁膜上に前記第１表面電極から突出する第１金属ビア電極を形成する工程と、
前記第１金属ビア電極との間に前記絶縁膜の少なくとも一部が挟まれてキャパシタが構成されるように、前記基板の他方の表面側に第２表面電極を形成するとともに前記第２ビアホールの内部に前記第２表面電極から突出する第２金属ビア電極を形成する工程とを含むことを特徴とする蓄電装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１ビアホールを形成する工程において、金属を利用した異方性エッチングを行なって、前記第１ビアホールを形成し、
前記第２ビアホールを形成する工程において、前記絶縁膜とのエッチング選択比を利用して、金属を利用した異方性エッチングを行なって、前記第２ビアホールを形成することを特徴とする、請求項１０に記載の蓄電装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蓄電装置及びその製造方法、センサ装置、情報処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ワイヤレス・ヘルスケアの新しい市場が立ち上がりつつあり、ウエアラブル・デバイスを用いてヘルスケア情報を取得し、その情報をもとにクラウドサーバにデータを蓄積するサービスが今後増えてくると予想される。
電子回路部品において、近年では、小型パッケージング化が進み、集積パッケージに搭載する電源回路用のチップコンデンサなどの周辺部品の点数が多くなってきている。
【０００３】
このような小型機器搭載部品の微細化や高集積化は、今後の市場の拡大に伴って、技術開発が継続して行なわれる。
一方、ウエアラブル機器やスマートフォンなどに代表するように小型電子機器に適用するバッテリーは大型化してきている。
電子機器の小型化が進む一方で消費電力は減少するが、データ処理量の増大から、単位面積あたりの消費電力の減少は、デバイス自身の低消費電力化が進まないと期待できない。
【０００４】
したがって、高度な情報処理が進む昨今では小型電子機器の構成モジュールの中でのバッテリーの占有する容積比率は高くなると予想される。
大容量バッテリー化ではリチウムイオンなどの二次電池が有効である。
一方、蓄電コンデンサであるキャパシタ方式は、得られた電気をそのまま電気で蓄積するため、電気−液を利用した湿式の二次電池よりもロスが少なく、蓄電効率が良い。
【０００５】
現在では、リチウムイオンキャパシタに代表されるように、大容量二次電池の代替としての置き換えも進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００６／０５１７２７号
【特許文献２】特開２０１１−１０１００９号公報
【特許文献３】特開２０１２−７９９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、キャパシタ（コンデンサ）は、蓄電池として、長い間、その容量が小さいために、蓄電用途として使用されてこなかったが、近年、一部の低消費デバイスをより効率よく蓄電した電力によって駆動させるべく、直接的に電荷蓄積が行なえるコンデンサ蓄電であるキャパシタを電源に用いることが検討されている。
例えば、基板に複数のビアホールを設け、これらのビアホールの内部に、金属−絶縁膜−金属（ＭＩＭ）からなるキャパシタ構造を形成して、キャパシタとすることが考えられる。
【０００８】
この場合、キャパシタ容量を増加させるには、ビアホールの高密度化を図り、ビアホールの深さを深くて高アスペクト比とすることになる。
しかしながら、電源に用いることができる程度にキャパシタ容量を増加させるには、一般的に用いられるドライエッチングによる製造限界に近いサイズやピッチのビアホールを形成することになり、これ以上のサイズやピッチのビアホールの形成は技術的に困難である。さらに、このようなビアホールの内部にＭＩＭからなるキャパシタ構造を形成するのはさらに困難である。
【０００９】
本発明は、ビアホールを用いたキャパシタを容易に製造できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
１つの態様では、蓄電装置は、基板の一方の表面側に設けられた第１表面電極と、基板の他方の表面側に設けられた第２表面電極と、基板の一方の表面側から設けられた第１ビアホールと、基板の他方の表面側から設けられた第２ビアホールと、第１ビアホールの内部に設けられ、第１表面電極から突出する第１金属ビア電極と、第１ビアホールの内部に設けられ、第１金属ビア電極の表面を覆う絶縁膜と、第２ビアホールの内部に設けられ、第２表面電極から突出する第２金属ビア電極とを備え、第１金属ビア電極と第２金属ビア電極の間に絶縁膜の少なくとも一部分が挟まれてキャパシタを構成している。
【００１１】
１つの態様では、蓄電装置の製造方法は、基板の一方の表面側からエッチングを行なって第１ビアホールを形成する工程と、第１ビアホールに絶縁膜を形成する工程と、基板の他方の表面側からエッチングを行なって第２ビアホールを形成する工程と、基板の一方の表面側に第１表面電極を形成するとともに第１ビアホールの内部の絶縁膜上に第１表面電極から突出する第１金属ビア電極を形成する工程と、第１金属ビア電極との間に絶縁膜の少なくとも一部が挟まれてキャパシタが構成されるように、基板の他方の表面側に第２表面電極を形成するとともに第２ビアホールの内部に第２表面電極から突出する第２金属ビア電極を形成する工程とを含む。
【００１２】
１つの態様では、センサ装置は、センサと、ＣＰＵと、蓄電ユニットと、メモリを含むコントロール通信ユニットとを備え、蓄電ユニットは、上述の蓄電装置によって構成されていること。
１つの態様では、情報処理システムは、上述のセンサ装置と、センサ装置にネットワークを介して接続されたサーバとを備える。
【発明の効果】
【００１３】
１つの側面として、ビアホールを用いたキャパシタを容易に製造できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタの構成を示す模式的断面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタの構成の一例を示す模式図であって、（Ａ）は基板の面内方向に沿う断面図であり、（Ｂ）は基板の厚さ方向に沿う断面図であり、（Ｃ）、（Ｄ）は、本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタの構成の一例を示す模式図であって、（Ｃ）は基板の面内方向に沿う断面図であり、（Ｄ）は基板の厚さ方向に沿う断面図であり、（Ｅ）、（Ｆ）は、本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタの構成の一例を示す模式図であって、（Ｅ）は基板の面内方向に沿う断面図であり、（Ｆ）は基板の厚さ方向に沿う断面図である。
【図３】本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタの構成の一例を示す模式的断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタの構成の一例を示す模式的断面図である。
【図５】本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタにおいて、絶縁膜を薄膜化し、密度を増加させた場合のキャパシタ容量をシミュレーションした結果を示している。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態にかかるキャパシタを備える蓄電装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｆ）は、本実施形態にかかるキャパシタを備える蓄電装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図８】本実施形態にかかるセンサ装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図９】本実施形態にかかる情報処理システムの構成の一例を示す模式図である。
【図１０】従来のビアホールを用いたキャパシタの構成を示す模式的断面図である。
【図１１】本発明の課題を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる蓄電装置及びその製造方法、センサ装置、情報処理システムについて、図１〜図１１を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる蓄電装置は、ビアホールを用いたキャパシタであって、ＭＩＭキャパシタ構造を有するキャパシタを備え、例えば、センサデバイス、センサモジュール、電源用デカップリング容量、電源用キャパシタなどに用いられる。つまり、小型の電子機器への電源供給源としてのビアを用いた小型のキャパシタである。なお、異種混載デバイス用大規模キャパシタともいう。
【００１６】
本蓄電装置は、図１に示すように、第１表面電極１と、第２表面電極２と、第１ビアホール３と、第２ビアホール４と、第１金属ビア電極５と、絶縁膜６と、第２金属ビア電極７とを備える。
ここで、第１表面電極１は、基板８の一方の表面側に設けられている。ここでは、基板８は、シリコン基板である。この場合、半導体チップと同様のＳｉプロセスを用いてビアホールやビアを形成することができる。例えば、半導体回路上に高密度にキャパシタを形成することも可能である。なお、基板８は、シリコン基板に限られるものではなく、例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰなどの化合物半導体からなる基板、ガラス基板、セラミック基板、樹脂基板などであっても良い。なお、基板の一方の表面を、単に表面、又は、上面ともいう。
【００１７】
第２表面電極２は、基板８の他方の表面側に設けられている。なお、基板８の他方の表面を、裏面、又は、下面ともいう。
第１ビアホール３は、基板８の一方の表面側から設けられている。つまり、第１ビアホール３は、基板８の一方の表面側から基板８の内部へ向けて設けられている。なお、第１ビアホール３は、基板８の表面側から延びているため、表面側ビアホールともいう。
【００１８】
第２ビアホール４は、基板８の他方の表面側から設けられている。つまり、第２ビアホール４は、基板８の他方の表面側（裏面側）から基板８の内部へ向けて設けられている。なお、第２ビアホール４は、基板８の裏面側から延びているため、裏面側ビアホールともいう。
第１金属ビア電極５は、第１ビアホール３の内部に設けられ、第１表面電極１から突出している。つまり、第１金属ビア電極５は、基板８の表面側から、即ち、第１表面電極１の基板８側の表面から第１ビアホール３の内部へ向けて突出している。なお、第１金属ビア電極５は、基板８の表面側から延びているため、表面側金属ビア電極又は表面ビアともいう。
【００１９】
絶縁膜６は、第１ビアホール３の内部に設けられ、第１金属ビア電極５の表面を覆っている。つまり、絶縁膜６は、第１ビアホール３の側面及び底面を覆うように設けられている。また、この絶縁膜６上に第１金属ビア電極５が形成されているため、第１金属ビア電極５の側面及び底面を絶縁膜６が覆っていることになる。この絶縁膜６は、第１金属ビア電極５の側面及び底面（壁面）を覆うライナー絶縁膜（壁面絶縁膜）である。
【００２０】
第２金属ビア電極７は、第２ビアホール４の内部に設けられ、第２表面電極２から突出している。つまり、第２金属ビア電極７は、基板８の裏面側から、即ち、第２表面電極２の基板８側の表面から第２ビアホール４の内部へ向けて突出している。なお、第２金属ビア電極７は、基板８の裏面側から延びているため、裏面側金属ビア電極又は裏面ビアともいう。
【００２１】
そして、第１金属ビア電極５と第２金属ビア電極７の間に絶縁膜６の少なくとも一部分が挟まれてキャパシタ９を構成している。つまり、第１金属ビア電極５、絶縁膜６、第２金属ビア電極７によって構成されるＭＩＭキャパシタ構造を有するキャパシタ９を備える。このキャパシタ９は、基板８の両側から形成された第１金属ビア電極５と第２金属ビア電極７との間の絶縁膜６に電荷を蓄積する構造である。また、後述するように、絶縁膜６を挟んだキャパシタ構造をセルフアラインで形成することもでき、また、ビアの微細化と高密度化によって、単位面積あたりの電荷容量を高くすることが可能である。
【００２２】
この場合、第１ビアホール３と第２ビアホール４は、少なくとも一部分が重なり合うように、基板８の反対側から互いに対向するように設けられることになる。つまり、第１金属ビア電極５と第２金属ビア電極７は、少なくとも一部分が重なり合うように、基板８の反対側から互いに対向するように設けられることになる。
なお、絶縁膜６の少なくとも一部分が介在して一体化された第１金属ビア電極５と第２金属ビア電極７は、基板８を貫通しているため、これを貫通ビア電極ともいう。ここでは、シリコン基板８を用いているため、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）電極ともいう。このため、本実施形態のキャパシタ構造はＴＳＶを利用したキャパシタ構造である。
【００２３】
ここでは、複数の第１金属ビア電極５と、複数の第２金属ビア電極７とを備える。つまり、第１表面電極１の基板８側の表面に沿って並べられた複数の第１金属ビア電極５と、第２表面電極２の基板８側の表面に沿って並べられた複数の第２金属ビア電極７とを備える。
ここで、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように、第１金属ビア電極５の中心位置と第２金属ビア電極７の中心位置が一致していても良いし（同心円タイプ）、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）、図４（Ａ）に示すように、第１金属ビア電極５の中心位置と第２金属ビア電極７の中心位置がずれていても良い（偏心タイプ）。
【００２４】
また、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）に示すように、第１金属ビア電極５の径と第２金属ビア電極７の径が異なっていても良いし（異径タイプ）、図４（Ａ）に示すように、第１金属ビア電極５の径と第２金属ビア電極７の径が同じであっても良い（同径タイプ）。
例えば、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）に示すように、第１金属ビア電極５の中心位置と第２金属ビア電極７の中心位置がずれていて、第１金属ビア電極５の径と第２金属ビア電極７の径が異なっていても良いし（異径＋偏心タイプ）、図４（Ａ）に示すように、第１金属ビア電極５の中心位置と第２金属ビア電極７の中心位置がずれていて、第１金属ビア電極５の径と第２金属ビア電極７の径が同じであっても良い（同径＋偏心タイプ）。
【００２５】
なお、上述の同心円タイプ（図２（Ａ）、図２（Ｂ）参照）では、第２金属ビア電極７の径を第１金属ビア電極５の径よりも大きくすることになるため、異径タイプとなる。
また、図４（Ｂ）に示すように、隣接する第１金属ビア電極５の間に介在するように、第１金属ビア電極５の径と同じ径の第２金属ビア電極７が設けられていても良いし（同径電極共有タイプ）、図２（Ｅ）、図２（Ｆ）に示すように、隣接する第１金属ビア電極５の間に介在するように、第１金属ビア電極５の径と異なる径の第２金属ビア電極７が設けられていても良い（異径電極共有タイプ）。
【００２６】
また、図４（Ｃ）に示すように、複数（ここでは２つ）の第１金属ビア電極５が内包されるように第２金属ビア電極７が設けられていても良い（内包タイプ）。
また、複数の第１金属ビア電極５のピッチと複数の第２金属ビア電極７のピッチが異なっていても良いし（例えば図３、図４（Ｄ）参照）、複数の第１金属ビア電極５のピッチと複数の第２金属ビア電極７のピッチが同じであっても良い（例えば図２（Ａ）、図２（Ｂ）参照）。
【００２７】
また、複数の第１金属ビア電極５のピッチが異なり、複数の第２金属ビア電極７のピッチが異なっていても良い（例えば図３、図４（Ｄ）参照）。また、複数の第１金属ビア電極のピッチが同じであり、複数の第２金属ビア電極のピッチが同じであっても良い（例えば図２（Ａ）、図２（Ｂ）参照）。また、複数の第１金属ビア電極５のピッチが異なり、複数の第２金属ビア電極７のピッチが同じであっても良い。また、複数の第１金属ビア電極５のピッチが同じであり、複数の第２金属ビア電極７のピッチが異なっていても良い。
【００２８】
例えば、図３、図４（Ｄ）に示すように、複数の第１金属ビア電極５のピッチと複数の第２金属ビア電極７のピッチが異なり、複数の第１金属ビア電極５のピッチが異なり、複数の第２金属ビア電極７のピッチが異なっていても良い。つまり、複数の第１金属ビア電極５がランダムに設けられ、複数の第２金属ビア電極７がランダムに設けられていても良い（ランダムタイプ）。
【００２９】
なお、単位面積当たりの密度が同じ場合、同心円タイプ（図２（Ａ）、図２（Ｂ）参照）は、第１金属ビア電極５の表面を覆う絶縁膜６の全体が第１金属ビア電極５と第２金属ビア電極７の間に挟まれる。このため、絶縁膜６が部分的に第１金属ビア電極５と第２金属ビア電極７の間に挟まれる他のタイプと比較して、実効電極面積が広くなるため、この点で好ましい。
【００３０】
しかしながら、正確な位置合わせを行なうためには、コストが高くなる。つまり、基板裏面側から第２金属ビア電極７（第２ビアホール４）を形成する場合、その位置合わせは、例えば赤外光を用いた位置合わせマークの読み取りによって行なうことになるが、金属ビア電極５、７が微細化し、高密度になるほど、その位置合わせは困難になる。例えば、約５００μｍ以上の厚さのＳｉ基板８で約２μｍ以下の金属ビア電極５、７（ビアホール３、４）の位置合わせを行なうためには高価なプロセス装置が必要になる。このため、コストが高くなる。
【００３１】
これに対し、内包タイプ（図４（Ｃ）参照）の場合、位置がずれていても良いため、高価なプロセス装置を用いて正確な位置合わせを行なう場合と比較してコストを低く抑えることができる。また、内包タイプの場合、絶縁膜６が部分的に第１金属ビア電極５と第２金属ビア電極７の間に挟まれる他のタイプと比較して、実効電極面積が広くなるため、この点で好ましい。
【００３２】
また、偏心タイプ（図２（Ｃ）、図２（Ｄ）、図４（Ａ）参照）、電極共有タイプ（図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図４（Ｂ）参照）、ランダムタイプ（図３、図４（Ｄ）参照）の場合、位置がずれていても良いため、高価なプロセス装置を用いて正確な位置合わせを行なう場合と比較してコストを低く抑えることができる。そして、偏心タイプ、電極共有タイプ、ランダムタイプの場合、第１金属ビア電極５の表面を覆う絶縁膜６の一部が第１金属ビア電極５と第２金属ビア電極７の間に挟まるだけであるが、微細化、高密度化を図ることで、単位面積当たりの実効電極面積を十分に確保することが可能である。
【００３３】
また、同心円タイプ（図２（Ａ）、図２（Ｂ）参照）、内包タイプ（図４（Ｃ）参照）、偏心タイプ（図２（Ｃ）、図２（Ｄ）、図４（Ａ）参照）、電極共有タイプ（図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図４（Ｂ）参照）の場合、例えばマスクを用いたリソグラフィで形成することができる。
これに対し、ランダムタイプ（図３、図４（Ｄ）参照）の場合、セルフアラインで形成することができ、この場合も、第１及び第２金属ビア電極５、７の間に絶縁膜６の一部が介在し、ＭＩＭ構造が形成されることになるため、製造が容易であり、マスクや高価なプロセス装置を用いて正確な位置合わせを行なう場合と比較してコストも低く抑えることができる。そして、微細化、高密度化を図ることで、単位面積当たりの実効電極面積を十分に確保することが可能である。
【００３４】
例えば、後述するように、銀又は金などの金属粒子を用いたウェットエッチングを行なってビアホール３、４をランダムに形成する場合、金属粒子を吹き付けるなどして金属粒子を付着させてエッチング処理を行なえば良く、また、金属粒子の大きさが揃っていなくても良いため、製造が容易であり、マスクや高価なプロセス装置を用いて正確な位置合わせを行なう場合と比較してコストも低く抑えることができる。
【００３５】
ところで、上述のように、基板８の一方の表面側から突出している第１金属ビア電極５と、他方の表面側から突出している第２金属ビア電極７の間に、絶縁膜６の少なくとも一部分が挟まれてキャパシタ９が構成されるようにしているのは、以下の理由による。
ビアホール１００の内部に外部電極１０１、絶縁膜１０２、内部電極１０３を形成して金属−絶縁膜−金属（ＭＩＭ）からなるキャパシタ構造を形成する場合（図１０参照）、実効的な電極面積が小さく、デバイスを駆動するほどの大きなキャパシタ容量を得ることができない。
【００３６】
このような構造のキャパシタは、例えば約１ｍｍ２電極当たり約１×１０−８〜約１×１０−７Ｆ／ｍｍ２程度の容量しか蓄積できないため、現在、電源ノイズキャンセル用のＭＩＭとしての利用しかできていない。
２次蓄電池と同様にデバイス駆動するためには、約１×１０−２Ｆ／ｍｍ２程度と５桁高い蓄電容量のキャパシタを形成することが必要である。なお、ここでのデバイス駆動は、約１１ｍＡ・ｓ＠約１．１ＶでＢＴ通信が約１ｓｅｃ可能な蓄電容量をいう。
【００３７】
ここで、ビアホール１００の内部に外部電極１０１、絶縁膜１０２、内部電極１０３を形成して金属−絶縁膜−金属（ＭＩＭ）からなるキャパシタ構造を形成する場合（図１０参照）、キャパシタ容量はビアホール１００の内部に形成した同心円状の絶縁膜１０２の実効面積に依存する。
例えば、キャパシタを、約１０μｍ径、約１００μｍの深さのビアホールに厚さ約１μｍの絶縁膜を備えるものとし、これを約２０μｍピッチで整列させた場合の約１０ｍｍ２当たりのキャパシタ容量は、約５．６×１０−５Ｆ程度しか得られず、図１１に示すように、ダブルキャパシタよりもキャパシタ容量を増加させることができるものの、従来のコンデンサには及ばない。
【００３８】
この場合、キャパシタ容量を増加させるには、ビアホールの高密度化を図り、ビアホールの深さを深くて高アスペクト比とすることになる。
しかしながら、電源に用いることができる程度にキャパシタ容量を増加させるには、一般的に用いられるドライエッチングによる製造限界に近いサイズやピッチのビアホールを形成することになり、これ以上のサイズやピッチのビアホールの形成は技術的に困難である。
【００３９】
また、製造限界に近いサイズのビアホールよりも高アスペクト比のビアホールの形成は製造コストで見合わない。
さらに、このようなビアホールの内部にＭＩＭからなるキャパシタ構造を形成するのはさらに困難である。
つまり、高密度で高アスペクト比のビアホールを製造するのが技術的に困難な領域において、更に、同軸形状のＭＩＭからなるキャパシタ構造を、通常のＳｉプロセスやＭＥＭＳプロセスで形成することは更に困難である。
【００４０】
また、高アスペクト比のビアホールの中へのＭＩＭ構造の形成は、微細なビアホールであればあるほど、ビアホールの内部に堆積するメタルや絶縁膜のカバレッジ（被覆率）の確保なども難しくなる。
そこで、ビアホールを用いたキャパシタを容易に製造できるようにすべく、上述のように、図１に示すように、基板８の一方の表面側から突出している第１金属ビア電極５と、他方の表面側から突出している第２金属ビア電極７の間に、絶縁膜６の少なくとも一部分が挟まれてキャパシタ９が構成されるようにしている。
【００４１】
これにより、単位面積当たりの対向するビア電極５、７の面積（実効電極面積）が大きく、且つ、容量が大きい、２次電池としてデバイス駆動が可能な微細高密度キャパシタ構造を実現することができる。
この場合、第１ビアホール３の内部に第１金属ビア電極５及び絶縁膜６を設け、第２ビアホール４の内部に第２金属ビア電極７を設けるだけで良いため、ビアホール１００の内部に外部電極１０１、絶縁膜１０２、内部電極１０３を形成して金属−絶縁膜−金属（ＭＩＭ）からなるキャパシタ構造を形成する場合（図１０参照）と比較して、製造が容易になる。
【００４２】
なお、上述のように、基板８の両側から互いに対向するように設けられた第１金属ビア電極５及び第２金属ビア電極７の間に絶縁膜６が挟まれるようにしてキャパシタ９を構成した場合であっても、小径ビアによる同軸構造の形成が可能である。
また、基板８の両側から互いに対向するように設けられた第１金属ビア電極５及び第２金属ビア電極７と、第１金属ビア電極５の壁面を覆うライナー絶縁膜６を用いて、キャパシタ９を構成しているため、容量を大きくすることができ、また、サイズ及びピッチを小さくすることができ、高密度化を図ることが可能となる。
【００４３】
また、キャパシタ９を構成する第１金属ビア電極５及び第２金属ビア電極７は、それぞれ、基板８の一方の側の表面に設けられた第１表面電極１及び他方の側に設けられた第２表面電極２に接続されているため、第１及び第２表面電極１、２のレイアウトが容易となり、単位面積当たりの第１及び第２表面電極１、２の面積を大きくすることができる。また、複数の第１金属ビア電極５及び複数の第２金属ビア電極７を設ける場合に、これらを設ける領域の面積を小さくすることが可能となる。
【００４４】
これに対し、ビアホール１００の内部に外部電極１０１、絶縁膜１０２、内部電極１０３を形成して金属−絶縁膜−金属（ＭＩＭ）からなるキャパシタ構造を形成する場合（図１０参照）には、片側の面に内部電極１０３に接続される表面電極１０４と外部電極１０１に接続される表面電極１０５の両方を設けなくてはならないため、これらの表面電極１０４、１０５（さらには引き出し配線など）を設ける関係上、複数のキャパシタ構造を設ける領域の面積を小さくするのが難しい。
【００４５】
ところで、キャパシタ容量を増加させるためには、絶縁膜６を薄膜化したり、キャパシタ実効面積を増加させたりすることが考えられる。
ここで、絶縁膜６を薄膜化した薄膜キャパシタは、例えばビア壁面に設けられるライナー絶縁膜６を利用し、そのデポジション膜厚を薄くすることで実現することができ、これにより、キャパシタ容量を増加することが可能である。
【００４６】
一方、キャパシタ実効面積を増加させるには、単位面積あたりのキャパシタ（即ち、ビアホール）の数を増やして、その密度を増加させること、あるいは、ビアホール３、４の深さを深くすることなどが考えられる。
ここで、図５は、絶縁膜６を薄膜化し、密度を増加させた場合のキャパシタ容量をシミュレーションした結果を示している。
【００４７】
ここでは、図５中、条件１は、キャパシタを、約１０μｍ径、約５００μｍの深さの第１ビアホール３に厚さ約２００ｎｍの絶縁膜６（ここではＳｉＯ２膜）及び第１金属ビア電極５を備え、第１ビアホール３よりも径が大きく、同じ深さの第２ビアホール４に第２金属ビア電極７を備え、マスクを用いて第１及び第２ビアホール３、４を形成することによってこれらの中心位置を一致させたものとし、これを約２０μｍピッチで整列させた場合の約１０ｍｍ２当たりのキャパシタ容量を示している。
【００４８】
この条件１では、ドライエッチングで第１及び第２ビアホール３、４を形成する。条件１のようなサイズ及びピッチのビアホール３、４の形成は、ドライエッチングによる製造プロセスの限界に近い値であり、これ以上の高アスペクト比のビアホールの形成は、製造コストで見合わない。
そこで、以下の条件２〜４では、ドライエッチングに代えて、ウェットエッチングによってビアホール３、４を形成することで、ドライエッチングによる製造限界によって形成が困難なサイズのビアホールを形成している。
【００４９】
図５中、条件２は、キャパシタを、約５μｍ径、約５００μｍの深さの第１ビアホール３に厚さ約２００ｎｍの絶縁膜６（ここではＳｉＯ２膜）及び第１金属ビア電極５を備え、第１ビアホール３よりも径が大きく、同じ深さの第２ビアホール４に第２金属ビア電極７を備え、マスクを用いて第１及び第２ビアホール３、４を形成することによってこれらの中心位置を一致させたものとし、これを約１０μｍピッチで整列させた場合の約１０ｍｍ２当たりのキャパシタ容量を示している。
【００５０】
図５中、条件３は、キャパシタを、約２μｍ径、約５００μｍの深さの第１ビアホール３に厚さ約２００ｎｍの絶縁膜６（ここではＳｉＯ２膜）及び第１金属ビア電極５を備え、第１ビアホール３よりも径が大きく、同じ深さの第２ビアホール４に第２金属ビア電極７を備え、マスクを用いて第１及び第２ビアホール３、４を形成することによってこれらの中心位置を一致させたものとし、これを約４μｍピッチで整列させた場合の約１０ｍｍ２当たりのキャパシタ容量を示している。
【００５１】
図５中、条件４は、キャパシタを、約１μｍ径、約５００μｍの深さの第１ビアホール３に厚さ約２００ｎｍの絶縁膜６（ここではＳｉＯ２膜）及び第１金属ビア電極５を備え、第１ビアホール３よりも径が大きく、同じ深さの第２ビアホール４に第２金属ビア電極７を備え、セルフアラインで第１及び第２ビアホール３、４を形成し、その有効キャパシタンス面積が約５０％のものとし、これを約１．５μｍピッチで整列させた場合の約１０ｍｍ２当たりのキャパシタ容量を示している。
【００５２】
図５中、条件１に示すように、絶縁膜６の厚さを約１μｍから約２００ｎｍまで薄くし、ビアホール３、４の深さを約１００μｍから約５００μｍまで深くすることで、キャパシタ容量は約１．３×１０−３Ｆ／ｍｍ２となり、２桁の容量増加の効果があることがわかる。しかし、最低限のデバイス動作が必要としている約１×１０−２Ｆ／ｍｍ２までは届いていない。
【００５３】
また、図５中、条件２〜４に示すように、さらに高密度化を図ることで、キャパシタ容量を増加させることができることがわかる。特に、条件４によれば、微細化、高密度化を図ることで、条件１の場合と比較して、約１０．３倍の容量増加の効果があり、デバイス駆動が可能な容量（蓄電容量）が得られる。
次に、上述のように構成されるキャパシタ９を備える蓄電装置の製造方法について説明する。
【００５４】
本実施形態にかかる蓄電装置の製造方法は、基板８の一方の表面側からエッチングを行なって第１ビアホール３を形成する工程（図６（Ａ）参照）と、第１ビアホール３に絶縁膜６を形成する工程（図６（Ａ）参照）と、基板８の他方の表面側からエッチングを行なって第２ビアホール４を形成する工程（図６（Ｃ）参照）と、基板８の一方の表面側に第１表面電極１を形成するとともに第１ビアホール３の内部の絶縁膜６上に第１表面電極１から突出する第１金属ビア電極５を形成する工程（図６（Ｂ）参照）と、第１金属ビア電極５との間に絶縁膜６の少なくとも一部が挟まれてキャパシタ９が構成されるように、基板８の他方の表面側に第２表面電極２を形成するとともに第２ビアホール４の内部に第２表面電極２から突出する第２金属ビア電極７を形成する工程（図６（Ｃ）参照）とを含む。
【００５５】
この場合、第１ビアホール３を形成する工程、第１ビアホール３に絶縁膜６を形成する工程、第１表面電極１及び第１金属ビア電極５を形成する工程、第２ビアホール４を形成する工程、第２表面電極２及び第２金属ビア電極７を形成する工程の順に各工程を行なっても良い。
また、第１ビアホール３を形成する工程、第１ビアホール３に絶縁膜６を形成する工程、第２ビアホール４を形成する工程、第１表面電極１及び第１金属ビア電極５を形成する工程及び第２表面電極２及び第２金属ビア電極７を形成する工程の順に各工程を行っても良い。この場合、第１金属ビア電極５及び第１表面電極１を形成する工程と第２金属ビア電極７及び第２表面電極２を形成する工程は同時に行なっても良い。
【００５６】
ここでは、第１ビアホール３を形成する工程において、Ｓｉ基板８の表面側から、Ｓｉ基板８が貫通しない深さまで、Ｓｉ基板８をエッチングして、第１ビアホール３を形成する。
また、第１ビアホール３に絶縁膜６を形成する工程において、絶縁膜６として熱酸化膜（ここではＳｉＯ２膜）を形成する。ここで、熱酸化膜６は、例えばＣＶＤ法などの気相成長法によって形成された絶縁膜と比べ、ビアホールの内部における厚さ均一性が非常に高くなる。このため、深さの深いビアホール、即ち、アスペクトが高いビアホールの内部に絶縁膜を形成する場合に特に好ましい。
【００５７】
なお、ここでは、絶縁膜６として熱酸化膜を形成しているが、デバイスによっては高温工程が困難な場合がある。この場合には例えばＣＶＤ法などの他の方法で絶縁膜６を形成すれば良い。また、絶縁膜６は、酸化膜でも良いし、窒化膜、酸窒化膜などでも良い。また、絶縁膜６は、例えばポリマーなどの高分子有機膜であっても良い。この場合、気相成長法で形成すれば良い。ここで、キャパシタ容量は、絶縁膜６の誘電率が高いほど容量が大きくなるため、設計する容量によって材料を変更しても良い。
【００５８】
また、第２ビアホール４を形成する工程において、Ｓｉ基板８の裏面側から、Ｓｉ基板８が貫通しない深さまで、Ｓｉ基板８をエッチングして、第２ビアホール４を形成する。この場合、第２ビアホール４は、第１ビアホール３と少なくとも一部が重なるように形成する。これにより、第１ビアホール３の内部に形成される第１金属ビア電極５と、第２ビアホール４の内部に形成される第２金属ビア電極７との間に絶縁膜６の少なくとも一部が挟まれてキャパシタ９が構成されるようにすることができる。
【００５９】
ところで、第１ビアホール３を形成する工程において、金属を利用した異方性エッチングを行なって、第１ビアホール３を形成し、第２ビアホール４を形成する工程において、絶縁膜６とのエッチング選択比を利用して、金属を利用した異方性エッチングを行なって、第２ビアホール４を形成するのが好ましい。
本実施形態では、シリコン基板８の両側から第１及び第２ビアホール３、４を形成するのに、例えば銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）などの金属を利用した異方性エッチング（ウェットエッチング）を行なうようにしている。
【００６０】
これは、シリコンに、銀や金などの金属の粒子を、フッ酸と過酸化水素水の混合液中で接触させると、銀や金などの金属の触媒作用で、過酸化水素の還元作用が起こり、その際、シリコン側は電子を受け取るため、シリコンの酸化・溶解が起こり、シリコンに対するエッチングが進行することを利用している。
このような金属を利用した異方性ウェットエッチングは、基板８の表面に垂直な方向にエッチングして、ＭＩＭキャパシタを形成するための高アスペクト比のビアホールを形成するのに適している。
【００６１】
これにより、ドライエッチングを用いる場合よりも高アスペクト比のビアホールを形成することが可能となる。例えば、ドライエッチングを用いる場合、約１０μｍ径、約５００μｍ深さ、約２０μｍピッチのビアホールを形成するのは製造プロセスの限界に近い値であり、これ以上の高アスペクト比のビアホールの形成は、製造コストで見合わない。これに対し、上述のような金属を利用した異方性ウェットエッチングを用いれば、このような高アスペクト比のビアホールの形成も可能となる。
【００６２】
以下、より具体的に図７（Ａ）〜図７（Ｆ）を参照しながら説明する。
ここでは、基板８にＳｉ基板を用い、金属に銀粒子を用いる場合を例に挙げて説明する。
まず、Ｓｉ基板（Ｓｉウェハ）８を、バックグラインドによって、厚さ約５５０μｍまで薄くする。
【００６３】
次に、図７（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板８の表面に、銀粒子１０を付着させる。銀粒子１０は均一に付着させるのが好ましい。
ここで、銀の粒子１０は約１０μｍ径としたが、粒径は±３μｍのばらつきを持っている。また、銀粒子１０を付着させる方法は、例えば圧縮気体を用いたコールドスプレー方式などを用いれば良い。
【００６４】
次に、Ｓｉ基板８の表面側から、過酸化水素水とフッ酸の混合液を用いてエッチング（異方性ウェットエッチング）を行なって、ビアホール（第１ビアホール）３を形成する。このエッチングは、銀を触媒とした過酸化水素とフッ酸の混合液中での食孔である。
ここで、過酸化水素とフッ酸の混合液における混合比は、エッチングスピードに関係するため、適宜混合比を変えて行なうと良い。また、このようにして形成されるビアホール３の径は、銀粒子１０と同等の径になるが、部分的に銀粒子１０が隣接した領域では、これらが結合した形状でエッチングが進行するため、真円ではない場合もある。ここでは、エッチング深さは約５００μｍである。このエッチング深さは、エッチングレートのビア径依存性によってばらつきが生ずる。
【００６５】
次に、図７（Ｂ）に示すように、熱酸化処理を行なって、Ｓｉ基板８に、絶縁膜６としての熱酸化膜（酸化膜）を形成する。これにより、第１ビアホール３の内部に、絶縁膜６としての熱酸化膜が形成される。
ここでは、熱酸化膜６の厚さは約２００ｎｍである。ここでは、酸素雰囲気中で高温にし、Ｓｉ基板８の表面を酸化させて、熱酸化膜６を形成する。このような熱酸化法によって形成した熱酸化膜６は、例えば気相成長法（例えばＣＶＤ法）で形成した膜よりも、膜厚均一性が高いため、第１ビアホール３の内部に均一な膜厚の絶縁膜６を形成することが可能である。
【００６６】
次に、図７（Ｃ）に示すように、Ｓｉ基板８の裏面に、銀粒子１０を塗布して、付着させる。なお、Ｓｉ基板８の裏面に酸化膜６が形成されている場合は、酸化膜６をエッチングなどで除去してから、銀粒子１０を付着させる。
次に、図７（Ｄ）に示すように、Ｓｉ基板８の裏面側から、過酸化水素水とフッ酸の混合液を用いてエッチング（異方性ウェットエッチング）を行なって、ビアホール（第２ビアホール）４を形成する。このエッチングは、銀を触媒とした過酸化水素とフッ酸の混合液中での食孔である。
【００６７】
このＳｉ基板８の裏面側からのエッチングは、酸化膜６とのエッチング選択比を利用して行なわれる。このため、エッチングの進行は、Ｓｉ基板８の表面側から形成された第１ビアホール３の内部、即ち、第１ビアホール３の側面及び底面（壁面）に形成された酸化膜６でストップする。そして、第１ビアホール３の近傍でエッチングが進行して第２ビアホール４が形成される。ここでは、エッチング深さは、上述の第１ビアホール３を形成する場合と同様に、約５００μｍである。しかしながら、Ｓｉ基板８の裏面側から形成される第２ビアホール４の深さは、表面側から形成される第１ビアホール３の深さよりも均一性は低い。なお、第２ビアホール４を形成するためのエッチングは、酸化膜６とのエッチング選択比によって、酸化膜６でエッチングストップするため、電極間にショート不良が発生するおそれはない。
【００６８】
なお、上述のようにして銀粒子１０を付着させて第２ビアホール４を形成する場合、銀粒子１０が付着する位置はランダムになってしまうため、第１ビアホール３の位置に対して位置合わせすることは難しいが、第１ビアホール３の内部に形成される第１金属ビア電極５と、第２ビアホール４の内部に形成される第２金属ビア電極７との間に、絶縁膜６の少なくとも一部が挟まれてキャパシタ９が構成されるようにすることはできる。この場合、位置合わせを行なう必要がないため、製造が容易である。なお、銀粒子１０を付着させる際にマスクを使用することによって第１ビアホール３と第２ビアホール４との位置合わせを行なうことは可能である。
【００６９】
次に、図７（Ｅ）に示すように、再度、熱酸化処理を行なって、両面からビアホール３、４が形成されているＳｉ基板８に熱酸化膜６を形成する。ここでは、熱酸化膜６の厚さは約２００ｎｍである。
なお、このように形成される熱酸化膜６は、Ｓｉ基板８との絶縁のために用いるが、Ｓｉ基板８と同電位でも良い場合は、この熱酸化処理工程は省略しても良い。
【００７０】
次に、図７（Ｆ）に示すように、Ｓｉ基板８の表面側に第１表面電極１を形成するとともに第１ビアホール３の内部の酸化膜６上に第１金属ビア電極５を形成すると同時に、Ｓｉ基板８の裏面側に第２表面電極２を形成するとともに第２ビアホール４の内部に第２金属ビア電極７を形成する。
ここでは、第１ビアホール３及び第２ビアホール４を形成するためのエッチングに用いた銀粒子１０は、エッチングとともにＳｉ基板８の内部へ移動し、エッチングによって形成される第１及び第２ビアホール３、４の底に留まっている。
【００７１】
このため、第１及び第２ビアホール３、４の底に留まっている銀粒子１０を触媒にして、ここでは、銅の無電解めっきを行なって、第１表面電極１、第１金属ビア電極５、第２表面電極２、第２金属ビア電極７を同時に形成する。
なお、ここでは、無電解めっきを両側から同時に行なっているが、これに限られるものではなく、片側ずつ行なっても良い。ただし、Ｓｉ基板８の変形を考慮した場合は両側から同時に行なうのが好ましい。また、ここでは、各電極１、２、５、７の材料に銅を用いているが、これに限られるものではなく、例えばＮｉやＡｕを用いても良い。つまり、例えばＮｉやＡｕの無電解めっきを行なって、第１表面電極１、第１金属ビア電極５、第２表面電極２、第２金属ビア電極７を形成しても良い。
【００７２】
なお、ここでは、より高アスペクト比のビアホール３、４を形成するために、金属を利用した異方性ウェットエッチングを用いているが、これに限られるものではなく、上述のように構成されるキャパシタ９を備える蓄電装置を製造するには、例えばドライエッチングを用いても良い。また、シリコン基板以外の他の基板を用いても良い。
したがって、本実施形態にかかる蓄電装置及びその製造方法によれば、ビアホール３、４を用いたキャパシタ９を容易に製造できるという効果を有する。
【００７３】
例えば、単位面積当たりの対向する金属ビア電極５、７の面積が大きく、且つ、容量が大きい、２次電池としてデバイス駆動が可能な微細高密度キャパシタ構造を実現することができる。また、上述のような製造方法を採用することで、ドライエッチングによる製造限界によってビアホールの形成が困難なサイズのビアホールも形成できる。これにより、微細化、高密度化によって単位面積当たりのキャパシタ面積を大きくすることができ、単位面積当たりのキャパシタ容量を大きくすることが可能であり、デバイス動作が可能なキャパシタを実現することができる。また、バッテリー領域を従来の電解方式やコンデンサよりも小型化することができ、集積デバイスの小型パッケージング化が可能となる。
【００７４】
ところで、上述のように構成されるキャパシタ９は、電源供給源として用いることができ、例えば固体２次電池として用いることができる。固体２次電池に電荷を直接蓄電する方法は、液体を使用する方法よりも効率が高く、安全であるため、充放電を頻繁に行う低消費小型センサデバイスなどの電源に有効的である。
例えばセンサノードのようなセンサ装置に備えられる電源供給源としての蓄電ユニットに用いることができる。この場合、例えば図８に示すように、センサ装置１１は、センサ１２と、ＣＰＵ１３と、蓄電ユニット１４と、メモリを含むコントロール通信ユニット１５とを備え、蓄電ユニット１４が、上述のように構成されるキャパシタ９を備える蓄電装置によって構成されることになる。
【００７５】
また、このように構成されるセンサ装置１１を、ネットワークを介してサーバ（例えばクラウドサーバ；図９の符号１９参照）に接続することで、情報処理システムを構成することもできる。この場合、情報処理システムは、上述のように構成されるセンサ装置１１と、センサ装置１１にネットワークを介して接続されたサーバとを備えることになる。
例えば、情報処理システムとしての生産管理システムに適用することができる。例えば、生産管理システムは、例えばクラウドサービスを提供するネットワークシステム、即ち、クラウドサーバにおいて各種処理を行なって、ユーザにサービスを提供するネットワークシステムによって構成すれば良い。この場合、生産管理システムは、例えば図９に示すように、例えば植物などの複数の個体（図示せず）のそれぞれに設けられた複数のセンサノード（センサ装置）１１を備えるセンサネットワーク１６と、フィールドサーバ１７と、ポスト集計サーバ１８と、クラウドサーバ１９とを備えるものとすれば良い。
【００７６】
なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
以下、上述の実施形態に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
基板の一方の表面側に設けられた第１表面電極と、
前記基板の他方の表面側に設けられた第２表面電極と、
前記基板の一方の表面側から設けられた第１ビアホールと、
前記基板の他方の表面側から設けられた第２ビアホールと、
前記第１ビアホールの内部に設けられ、前記第１表面電極から突出する第１金属ビア電極と、
前記第１ビアホールの内部に設けられ、前記第１金属ビア電極の表面を覆う絶縁膜と、
前記第２ビアホールの内部に設けられ、前記第２表面電極から突出する第２金属ビア電極とを備え、
前記第１金属ビア電極と前記第２金属ビア電極の間に前記絶縁膜の少なくとも一部分が挟まれてキャパシタを構成していることを特徴とする蓄電装置。
【００７７】
（付記２）
前記第１金属ビア電極の中心位置と前記第２金属ビア電極の中心位置がずれていることを特徴とする、付記１に記載の蓄電装置。
（付記３）
前記第１金属ビア電極の中心位置と前記第２金属ビア電極の中心位置が一致していることを特徴とする、付記１に記載の蓄電装置。
【００７８】
（付記４）
前記第１金属ビア電極の径と前記第２金属ビア電極の径が異なることを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項に記載の蓄電装置。
（付記５）
前記第１金属ビア電極の径と前記第２金属ビア電極の径が同じであることを特徴とする、付記１又は２に記載の蓄電装置。
【００７９】
（付記６）
複数の前記第１金属ビア電極と、
複数の前記第２金属ビア電極とを備え、
前記複数の第１金属ビア電極のピッチと前記複数の第２金属ビア電極のピッチが異なることを特徴とする、付記１〜５のいずれか１項に記載の蓄電装置。
【００８０】
（付記７）
複数の前記第１金属ビア電極と、
複数の前記第２金属ビア電極とを備え、
前記複数の第１金属ビア電極のピッチと前記複数の第２金属ビア電極のピッチが同じであることを特徴とする、付記１〜５のいずれか１項に記載の蓄電装置。
【００８１】
（付記８）
前記複数の第１金属ビア電極のピッチが異なり、
前記複数の第２金属ビア電極のピッチが異なることを特徴とする、付記６又は７に記載の蓄電装置。
（付記９）
前記複数の第１金属ビア電極のピッチが同じであり、
前記複数の第２金属ビア電極のピッチが同じであることを特徴とする、付記６又は７に記載の蓄電装置。
【００８２】
（付記１０）
前記複数の第１金属ビア電極のピッチが異なり、
前記複数の第２金属ビア電極のピッチが同じであることを特徴とする、付記６に記載の蓄電装置。
（付記１１）
前記複数の第１金属ビア電極のピッチが同じであり、
前記複数の第２金属ビア電極のピッチが異なることを特徴とする、付記６に記載の蓄電装置。
【００８３】
（付記１２）
センサと、
ＣＰＵと、
蓄電ユニットと、
メモリを含むコントロール通信ユニットとを備え、
前記蓄電ユニットは、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の蓄電装置によって構成されていることを特徴とするセンサ装置。
【００８４】
（付記１３）
付記１２に記載のセンサ装置と、
前記センサ装置にネットワークを介して接続されたサーバとを備えることを特徴とする情報処理システム。
（付記１４）
基板の一方の表面側からエッチングを行なって第１ビアホールを形成する工程と、
前記第１ビアホールに絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の他方の表面側からエッチングを行なって第２ビアホールを形成する工程と、
前記基板の一方の表面側に第１表面電極を形成するとともに前記第１ビアホールの内部の前記絶縁膜上に前記第１表面電極から突出する第１金属ビア電極を形成する工程と、
前記第１金属ビア電極との間に前記絶縁膜の少なくとも一部が挟まれてキャパシタが構成されるように、前記基板の他方の表面側に第２表面電極を形成するとともに前記第２ビアホールの内部に前記第２表面電極から突出する第２金属ビア電極を形成する工程とを含むことを特徴とする蓄電装置の製造方法。
【００８５】
（付記１５）
前記第１ビアホールを形成する工程において、金属を利用した異方性エッチングを行なって、前記第１ビアホールを形成し、
前記第２ビアホールを形成する工程において、前記絶縁膜とのエッチング選択比を利用して、金属を利用した異方性エッチングを行なって、前記第２ビアホールを形成することを特徴とする、付記１４に記載の蓄電装置の製造方法。
【符号の説明】
【００８６】
１  第１表面電極
２  第２表面電極
３  第１ビアホール
４  第２ビアホール
５  第１金属ビア電極
６  絶縁膜
７  第２金属ビア電極
８  基板（シリコン基板）
９  キャパシタ
１０  銀粒子
１１  センサ装置
１２  センサ
１３  ＣＰＵ
１４  蓄電ユニット
１５  メモリを含むコントロール通信ユニット
１６  センサネットワーク
１７  フィールドサーバ
１８  ポスト集計サーバ
１９  クラウドサーバ
【図１】
2017130583.tif 000003
【図２】
2017130583.tif 000004
【図３】
2017130583.tif 000005
【図４】
2017130583.tif 000006
【図５】
2017130583.tif 000007
【図６】
2017130583.tif 000008
【図７】
2017130583.tif 000009
【図８】
2017130583.tif 000010
【図９】
2017130583.tif 000011
【図１０】
2017130583.tif 000012
【図１１】
2017130583.tif 000013