(57)【要約】      （修正有）【課題】反りを小さくできる、薄膜付き強化ガラス基板の製造方法の提供。【解決手段】対向する第１，第２の主面１１ａ，１１ｂを有するガラス基板をイオン交換法で化学強化し、第１，第２の主面に、各々第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂを形成し、強化ガラス基板２１を作製する強化工程と、薄膜３を、強化ガラス基板２１の第１の圧縮応力層２１ａ及び第２の圧縮応力層２１ｂの内の少なくとも一方の上に形成し、薄膜付き強化ガラス基板１を作製する成膜工程とを備え、強化工程で、第１の圧縮応力層２１ａ及び第２の圧縮応力層２１ｂの、表面圧縮応力値及び圧縮応力深さの内の少なくとも一方を異ならせて、第１の圧縮応力層２１ａの外表面に対し垂直な第１の方向Ｙ１への反りが形成された強化ガラス基板２１を作製し、成膜工程で、強化ガラス基板２１の第１の方向Ｙ１の反りを低減させるように薄膜３を形成する方法。【選択図】図１
2017030997.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向し合う第１，第２の主面を有するガラス基板をイオン交換法で化学強化することにより、前記第１，第２の主面に対して、それぞれ第１，第２の圧縮応力層を形成し、強化ガラス基板を作製する強化工程と、
薄膜を、前記強化ガラス基板の前記第１の圧縮応力層及び前記第２の圧縮応力層の内の少なくとも一方の上に形成し、薄膜付き強化ガラス基板を作製する成膜工程と、を備え、
前記強化工程において、前記第１の圧縮応力層及び前記第２の圧縮応力層の、表面圧縮応力値（ＣＳ）及び圧縮応力深さ（ＤＯＬ）の内の少なくとも一方を異ならせることにより、前記強化ガラス基板の前記第１の圧縮応力層の外表面に対し垂直な第１の方向に凸または凹となるように反りを形成し、
前記成膜工程において、前記強化ガラス基板の前記反りを低減させるように前記薄膜を形成する、薄膜付き強化ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記成膜工程において、前記薄膜形成後の前記薄膜付き強化ガラス基板の反り量をδとし、長さをＬとしたときの、反り率｜δ｜／Ｌ２が、４０×１０−９μｍ−１以下となるまで前記第１の方向への反りを低減させる、請求項１に記載の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記ガラス基板の厚みが０．１ｍｍ以上である、請求項１または２に記載の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記強化工程において、前記第１の圧縮応力層と前記第２の圧縮応力層との表面圧縮応力値（ＣＳ）及び圧縮応力深さ（ＤＯＬ）の内の少なくとも一方を異ならせるように化学強化することにより、前記強化ガラス基板を作製する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記成膜工程において、前記強化ガラス基板の前記第１の圧縮応力層の表面圧縮応力値（ＣＳ）と圧縮応力深さ（ＤＯＬ）との積と、前記第２の圧縮応力層の表面圧縮応力値と圧縮応力深さとの積との差をΔ（ＣＳ×ＤＯＬ）、前記強化ガラス基板の厚みをＴ、前記薄膜の膜応力をσｆ、前記薄膜の膜厚をｄｆとしたときに定義される量｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２を、９×１０９Ｐａ／ｍ以下となるように前記薄膜を形成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記強化工程において、前記ガラス基板を化学強化する前に、前記ガラス基板の前記第１の主面及び前記第２の主面の内の少なくとも一方にイオン交換抑制膜を形成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１の主面及び前記第２の主面の内の一方の上にのみ前記イオン交換抑制膜を形成する、請求項６に記載の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１の主面に前記イオン交換抑制膜を形成し、前記第１の主面に形成された前記イオン交換抑制膜とは膜厚または膜組成が異なるイオン交換抑制膜を前記第２の主面に形成する、請求項６に記載の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法。
【請求項９】
前記強化工程において、前記ガラス基板を前記第１，第２の圧縮応力層の表面圧縮応力値（ＣＳ）及び圧縮応力深さ（ＤＯＬ）が同じとなるように化学強化した後、前記第１の圧縮応力層または前記第２の圧縮応力層の少なくとも一部を除去する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法。
【請求項１０】
前記強化ガラス基板の前記第１の圧縮応力層の表面圧縮応力値（ＣＳ）と圧縮応力深さ（ＤＯＬ）との積と、前記第２の圧縮応力層の表面圧縮応力値と圧縮応力深さとの積の差Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）が、６００Ｐａ・ｍ以上である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法。
【請求項１１】
前記薄膜が、傷防止膜である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法。
【請求項１２】
対向し合う第１，第２の圧縮応力層を有する強化ガラス基板と、
前記第１の圧縮応力層及び前記第２の圧縮応力層の内の少なくとも一方の上に設けられた薄膜とを備え、
前記第１の圧縮応力層と前記第２の圧縮応力層において表面圧縮応力値（ＣＳ）及び圧縮応力深さ（ＤＯＬ）の内の少なくとも一方が異なっており、
前記強化ガラス基板の反り量をδとし、長さをＬとしたときの、反り率｜δ｜／Ｌ２が、４０×１０−９μｍ−１以下である、薄膜付き強化ガラス基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強化ガラス基板の表面に薄膜が形成された薄膜付き強化ガラス基板の製造方法及び薄膜付き強化ガラス基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、化学強化された強化ガラス基板は、スマートフォンやタブレットＰＣなどの電子機器に搭載されるタッチパネルディスプレイのカバーガラスとして用いられている。このような強化ガラス基板は、一般的に、アルカリ金属を組成として含むガラス基板を強化液で化学的に処理し、表面に圧縮応力層を形成することによって製造される。このような強化ガラス基板は、主表面に圧縮応力層を有することによって、主表面への耐衝撃性が向上する。
【０００３】
また、下記の特許文献１及び２には、このような強化ガラス板に、傷防止や反射防止のための膜を成膜することが記載されている。
【０００４】
下記の特許文献３にも、ガラス基板の表面に、反射防止のための薄膜を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／００９３７１１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１４／００９０８６４号明細書
【特許文献３】特開２０１０−５８９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、ガラス基板の表面に薄膜を形成する場合、スパッタリング法などの方法において、高い運動エネルギーを有する粒子をガラス基板に衝突させることにより、該粒子を堆積させる。カバーガラスとしての耐傷性を高めるために、例えば、緻密な薄膜を形成しようとした場合、非常に高い運動エネルギーを有する粒子をガラス基板に衝突させる必要がある。その際、膜応力が高くなり、ガラス基板が反る場合がある。しかしながら、特許文献１及び２では、上記反りについては考慮されていない。
【０００７】
特許文献３では、ガラス基板の表面に薄膜を形成する前に、ガラス基板を塑性変形させることが記載されている。それによって、成膜後のガラス基板を平坦にし得るとされている。塑性変形の方法としては、ガラス基板を歪点付近の温度で加熱して保持することが挙げられている。しかしながら、強化ガラス基板の製造方法において、塑性変形させるためにイオン交換前にガラス基板を歪点付近の温度において長時間保持すると、イオン交換が進行し難くなる。また、イオン交換後に強化ガラス基板を加熱して塑性変形させると、耐衝撃性が低下する。特許文献３において、塑性変形の方法として、ガラス基板の一方の主面側をイオン交換することも挙げられているが、ガラス基板の一方の主面側のみをイオン交換することは困難である。
【０００８】
本発明の目的は、反りを小さくすることができる薄膜付き強化ガラス基板の製造方法及び薄膜付き強化ガラス基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法は、対向し合う第１，第２の主面を有するガラス基板をイオン交換法で化学強化することにより、第１，第２の主面に対して、それぞれ第１，第２の圧縮応力層を形成し、強化ガラス基板を作製する強化工程と、薄膜を、強化ガラス基板の第１の圧縮応力層及び第２の圧縮応力層の内の少なくとも一方の上に形成し、薄膜付き強化ガラス基板を作製する成膜工程とを備え、強化工程において、第１の圧縮応力層及び第２の圧縮応力層の、表面圧縮応力値（ＣＳ）及び圧縮応力深さ（ＤＯＬ）の内の少なくとも一方を異ならせることにより、強化ガラス基板の第１の圧縮応力層の外表面に対し垂直な第１の方向に凸または凹となるように反りを形成し、成膜工程において、強化ガラス基板の反りを低減させるように薄膜を形成する。
【００１０】
成膜工程において、薄膜形成後の薄膜付き強化ガラス基板の反り量をδとし、長さをＬとしたときの、反り率｜δ｜／Ｌ２が、４０×１０−９μｍ−１以下となるまで第１の方向への反りを低減させることが好ましい。
【００１１】
ガラス基板の厚みが０．１ｍｍ以上であることが好ましい。
【００１２】
強化工程において、第１の圧縮応力層と第２の圧縮応力層との表面圧縮応力値（ＣＳ）及び圧縮応力深さ（ＤＯＬ）の内の少なくとも一方を異ならせるように化学強化することにより、強化ガラス基板を作製することが好ましい。
【００１３】
例えば、成膜工程において、強化ガラス基板の第１の圧縮応力層の表面圧縮応力値（ＣＳ）と圧縮応力深さ（ＤＯＬ）との積と、第２の圧縮応力層の表面圧縮応力値と圧縮応力深さとの積との差をΔ（ＣＳ×ＤＯＬ）、強化ガラス基板の厚みをＴ、薄膜の膜応力をσｆ、薄膜の膜厚をｄｆとしたときに定義される量｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２を、９×１０９Ｐａ／ｍ以下となるように薄膜を形成することが好ましい。
【００１４】
強化工程において、ガラス基板を化学強化する前に、ガラス基板の第１の主面及び第２の主面の内の少なくとも一方にイオン交換抑制膜を形成することが好ましい。
【００１５】
上記のようにイオン交換抑制膜を形成する場合、例えば、第１の主面及び第２の主面の内の一方の上にのみイオン交換抑制膜を形成することが好ましい。
【００１６】
第１の主面にイオン交換抑制膜を形成し、第１の主面に形成されたイオン交換抑制膜とは膜厚または膜組成が異なるイオン交換抑制膜を第２の主面に形成することが好ましい。
【００１７】
また、強化工程において、ガラス基板を第１，第２の圧縮応力層の表面圧縮応力値（ＣＳ）及び圧縮応力深さ（ＤＯＬ）が同じとなるように化学強化した後、第１の圧縮応力層または第２の圧縮応力層の少なくとも一部を除去してもよい。
【００１８】
強化ガラス基板の第１の圧縮応力層の表面圧縮応力値（ＣＳ）と圧縮応力深さ（ＤＯＬ）との積と、第２の圧縮応力層の表面圧縮応力値と圧縮応力深さとの積の差Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）が、６００Ｐａ・ｍ以上であることが好ましい。
【００１９】
薄膜は、例えば、傷防止膜であることが好ましい。
【００２０】
本発明の薄膜付き強化ガラス基板は、対向し合う第１，第２の圧縮応力層を有する強化ガラス基板と、第１の圧縮応力層及び第２の圧縮応力層の内の少なくとも一方の上に設けられた薄膜とを備え、第１の圧縮応力層と第２の圧縮応力層において表面圧縮応力値（ＣＳ）及び圧縮応力深さ（ＤＯＬ）の内の少なくとも一方が異なっており、強化ガラス基板の反り量をδとし、長さをＬとしたときの、反り率｜δ｜／Ｌ２が、４０×１０−９μｍ−１以下である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、反りを小さくすることができる薄膜付き強化ガラス基板の製造方法及び薄膜付き強化ガラス基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図２】本発明における反り量の定義を説明するための図である。
【図３】薄膜付き強化ガラス基板における強化ガラス基板の厚み方向の位置と、圧縮応力値との関係を示す図である。
【図４】薄膜付き強化ガラス基板における強化ガラス基板の厚み方向の位置と、曲げ応力及び薄膜の膜応力との関係を示す図である。
【図５】反り率｜δ｜／Ｌ２と｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２との関係を示す図である。
【図６】イオン交換抑制膜の膜厚と、表面圧縮応力値ＣＳ及び圧縮応力深さＤＯＬとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
【００２４】
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態の製造方法を説明するための模式的断面図である。第１の実施形態の薄膜付き強化ガラス基板の製造方法では、図１（ａ）に示すように、対向し合う第１，第２の主面１１ａ，１１ｂを有する矩形のガラス基板１１を用意する。ガラス基板１１の材質は、イオン交換法により化学強化し得る材質であれば、特に限定されない。例えば、ガラス基板１１は、ソーダライムガラスやアルミシリケートガラスなどからなっていてもよい。
【００２５】
ガラス基板１１の厚みは、０．１ｍｍ〜２ｍｍであることが好ましい。詳細は後述するが、ガラス基板１１の厚みが薄いほどガラス基板が反りやすいため、本発明を好適に用いることができる。ガラス基板の厚みが０．１ｍｍよりも薄い場合、ガラス基板に割れが生じやすい。ガラス基板１１の厚みは、０．２ｍｍ〜１．５ｍｍであることがより好ましく、０．２ｍｍ〜０．７ｍｍであることが更に好ましく、０．２ｍｍ〜０．５５ｍｍであることがより望ましい。この場合には、本発明をより一層好適に適用することができる。
【００２６】
ガラス基板１１は、特に限定されないが、例えば、オーバーフローダウンドロー法やフロート法などにより成形することができる。
【００２７】
次に、図１（ｂ）に示すように、ガラス基板１１の第１の主面１１ａ上に、イオン交換抑制膜２を形成する。本実施形態では、イオン交換抑制膜２は、ＳｉＯ２からなる。なお、イオン交換抑制膜２の材質は、特に限定されず、例えば、金属、金属酸化物膜、金属窒化物膜、金属炭化物膜、金属酸窒化物膜、金属酸炭化物膜、金属炭窒化物膜などからなっていてもよい。より具体的には、イオン交換抑制膜２は、例えば、酸化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化スズ、酸化亜鉛または酸化インジウムなどからなっていてもよい。
【００２８】
イオン交換抑制膜２の膜厚は、１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましい。イオン交換抑制膜２の膜厚が３００ｎｍよりも厚い場合、イオン交換が進行しないおそれがある。イオン交換抑制膜２の膜厚が１０ｎｍよりも薄い場合は、イオン交換を抑制することができないおそれがある。
【００２９】
イオン交換抑制膜２は、スパッタリング法や真空蒸着法などのＰＶＤ法（物理気相成長法）、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法（化学気相成長法）、あるいは、ディップコート法、スピンコート法やスリットコート法などのウェットコート法を用いて形成することができる。特に、スパッタリング法を用いることが好ましい。スパッタリング法を用いた場合、イオン交換抑制膜２の膜厚の均一性が特に高い。
【００３０】
ＰＶＤ法やＣＶＤ法においては、成膜レートや成膜時間を制御することにより、イオン交換抑制膜２の膜厚を制御することができる。ディップコート法においては、ガラス基板１１を引き上げる際のガラス基板１１の角度を調整することにより、上記膜厚を制御することができる。スリットコート法においては、塗布量の調整などにより、上記膜厚を制御することができる。
【００３１】
次に、イオン交換法により、ガラス基板１１の化学強化を行う。それによって、ガラス基板１１を、図１（ｃ）に示す、対向し合う第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂを有する強化ガラス基板２１とする。より具体的には、この強化工程において、本実施形態では、ガラス基板１１を４３０℃の硝酸カリウム溶融塩に５時間浸漬する。それによって、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂは第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂとなる。
【００３２】
強化ガラス基板２１の厚みは、ガラス基板１１の厚みと同様に、０．１ｍｍ〜２ｍｍが好ましい。強化ガラス基板２１の厚みは、０．２ｍｍ〜１．５ｍｍであることがより好ましく、０．２ｍｍ〜０．７ｍｍであることが更に好ましく、０．２ｍｍ〜０．５５ｍｍであることがより望ましい。
【００３３】
ここで、図１（ｂ）に示したガラス基板１１の第１の主面１１ａにはイオン交換抑制膜２が形成されている。そのため、第１の主面１１ａではイオン交換が抑制される。他方、第２の主面１１ｂにはイオン交換抑制膜が形成されていない。よって、第１の主面１１ａよりも第２の主面１１ｂの方が、イオン交換の進度が大きい。そのため、強化ガラス基板２１の第１の圧縮応力層２１ａと第２の圧縮応力層２１ｂとにおいて、表面圧縮応力値（ＣＳ）及び圧縮応力深さ（ＤＯＬ）の内の少なくとも一方が異なる。より具体的には、強化ガラス基板２１の第１の圧縮応力層２１ａの表面圧縮応力値及び圧縮応力深さの積（ＣＳ×ＤＯＬ）よりも、第２の圧縮応力層２１ｂの表面圧縮応力値及び圧縮応力深さの積（ＣＳ×ＤＯＬ）の方が大きい。このように、第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂにおける上記積に差を生じさせることにより、強化ガラス基板２１を反らせる。本実施形態では、強化ガラス基板２１を、第２の圧縮応力層２１ｂ側から第１の圧縮応力層２１ａ側に向かう方向である、第１の方向Ｙ１に凹状に反らせる。
【００３４】
なお、本実施形態では、第１の圧縮応力層２１ａのみにイオン交換抑制膜２を形成して化学強化を行ったが、第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂの両方にイオン交換抑制膜を形成して化学強化を行ってもよい。この場合には、例えば、第１の圧縮応力層２１ａ上のイオン交換抑制膜２の膜厚と第２の圧縮応力層２１ｂ上のイオン交換抑制膜との膜厚を異ならせればよい。あるいは、第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂ上のイオン交換抑制膜の膜組成を互いに異ならせてもよい。それによっても、強化ガラス基板２１の第１の圧縮応力層２１ａと第２の圧縮応力層２１ｂとにおいて、表面圧縮応力値及び圧縮応力深さの内の少なくとも一方を異ならせることができる。よって、強化ガラス基板２１を反らせることができる。
【００３５】
イオン交換抑制膜の膜厚を異ならせて、本実施形態のように強化ガラス基板２１を第１の方向Ｙ１に反らせる場合、ガラス基板１１の第１の主面１１ａ上に形成するイオン交換抑制膜２の膜厚を、第２の主面１１ｂ上に形成するイオン交換抑制膜の膜厚より厚くする。また、イオン交換抑制膜の膜組成を異ならせて、本実施形態のように強化ガラス基板２１を第１の方向Ｙ１に反らせる場合、ガラス基板１１の第１の主面１１ａ上に形成するイオン交換抑制膜２として、第２の主面１１ｂ上に形成するイオン交換抑制膜よりイオン交換抑制能が強い膜組成のものを用いる。また、当然のことながら、膜厚及び膜組成の両方を異ならせてもよい。
【００３６】
なお、第１，第２の主面１１ａ，１１ｂの内の少なくとも一方に、イオン交換を促進する処理を施すことにより、第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂの表面圧縮応力値及び圧縮応力深さの内の少なくとも一方を異ならせてもよい。
【００３７】
次に、図１（ｄ）に示すように、強化ガラス基板２１の第１の圧縮応力層２１ａ上に成膜されたイオン交換抑制膜２上に、薄膜３を形成する。この成膜工程により、薄膜付き強化ガラス基板１を得ることができる。本実施形態の薄膜３は、強化ガラス基板２１を第１の方向Ｙ１と逆方向である第２の方向Ｙ２に反らせる方向の応力を有する。それによって、薄膜付き強化ガラス基板１の反りを低減する。  
【００３８】
本実施形態において、薄膜３は、傷防止膜である。薄膜３は、例えば、酸化アルミニウム、酸化珪素、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化スズ、またはＤＬＣなどからなる。薄膜３は、単層であってもよく、あるいは上記材料などからなる層が積層された積層体であってもよい。本実施形態のように、イオン交換抑制膜２の上に薄膜３を形成する場合、イオン交換抑制膜２の膜組成として、薄膜３の成分と、強化ガラス基板２１の成分である酸化珪素を含む膜組成としてもよい。
【００３９】
薄膜３の成膜工程においては、スパッタリング法、イオンアシスト蒸着法、あるいは、エアロゾルディポジッション法などを用いることができる。それによって、薄膜３の密度を高めることができる。よって、耐傷性を高めることができる。なお、本実施形態の薄膜３は、圧縮応力を有する。そのため、より一層耐傷性を高めることができる。
【００４０】
なお、薄膜３により、反射の抑制、あるいは反射率を高めるなどの機能を付与してもよい。例えば、薄膜３を、低屈折率層と高屈折率層とを積層した光学多層膜とすることにより、強化ガラス基板２１の表面に反射の抑制などの機能を付与することができる。
【００４１】
本実施形態では、薄膜３を第１の圧縮応力層２１ａ側のみに形成しているが、第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂの両方に薄膜を形成してもよい。この場合には、第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂの薄膜の組成や膜厚などを異ならせることにより、薄膜付き強化ガラス基板１の反りを低減することができる。
【００４２】
また、本実施形態では、イオン交換抑制膜２の上に薄膜３を形成しているが、イオン交換抑制膜２を除去した後、強化ガラス基板２１の上に薄膜３を形成してもよい。
【００４３】
ここで、図１（ｃ）における強化ガラス基板２１の第１の圧縮応力層２１ａの表面圧縮応力値（ＣＳ）と圧縮応力深さ（ＤＯＬ）との積と、第２の圧縮応力層２１ｂの表面圧縮応力値と圧縮応力深さとの積との差をΔ（ＣＳ×ＤＯＬ）とする。強化ガラス基板２１を反らせる工程及び薄膜３の成膜工程において、Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）、強化ガラス基板２１の厚みＴ、図１（ｄ）における薄膜３の膜応力σｆ及び薄膜３の膜厚ｄｆにより定義される量｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２が９×１０９Ｐａ／ｍ以下となるように、薄膜３を形成することが好ましい。それによって、薄膜付き強化ガラス基板１の反りを効果的に低減することができる。この詳細を以下において説明する。
【００４４】
図２は、本発明における反り量の定義を説明するための図である。
【００４５】
強化ガラス基板２１の長さＬと、強化ガラス基板２１の曲率半径ρ及び角度θとの関係は、下記の式１により表すことができる。なお、長さＬとは、矩形の強化ガラス基板２１の長辺の寸法を指す。また、強化ガラス基板２１が矩形でない場合、長さＬとは、強化ガラス基板２１の第１の圧縮応力層２１ａに沿った最長の寸法を指す。図２は、長さＬに沿った方向に切断した断面図である。角度θは、半径がρであり、強化ガラス基板２１に接している仮想上の円の中心と強化ガラス基板２１の一方端部とを結ぶ仮想線ｌ１及び上記中心と強化ガラス基板２１の中央部とを結ぶ仮想線ｌ２がなす角度である。
【００４６】
２ρθ＝Ｌ…式１
【００４７】
さらに、強化ガラス基板２１の反り量δと、曲率半径ρ及び角度θとの関係はδ＝ρ−ρｃｏｓθの式により表すことができる。δ＝ρ−ρｃｏｓθ＝ρ（１−ｃｏｓθ）において、角度θが０に近くなると、１−ｃｏｓθがθ２／２に近似されるという近似式を用いると、下記の式２により表すことができる。
【００４８】
δ＝ρθ２／２…式２
【００４９】
なお、反り量δは、図２のように、強化ガラス基板２１が第１の方向Ｙ１に反っている場合は、強化ガラス基板２１の両端部を結ぶ仮想線ｌ３と、第１の圧縮応力層２１ａの外表面との距離の内最大の距離である。強化ガラス基板２１が第２の方向Ｙ２に反っている場合は、反り量δは、仮想線ｌ３と第２の圧縮応力層２１ｂの外表面との距離の内最大の距離である。反りの方向は、強化ガラス基板２１の第１の方向Ｙ１を正とする。
【００５０】
式１及び式２から、反り量δと長さＬとの関係は、下記の式３により表すことができる。
【００５１】
δ＝Ｌ２／８ρ…式３
【００５２】
このように、強化ガラス基板２１の反り量δは、長さＬの２乗に依存する。ここで、式３より、長さＬに依存しない、反り率｜δ｜／Ｌ２を定義することができる。なお、図２を用いて、強化ガラス基板２１の反り量について説明したが、薄膜付き強化ガラス基板においても同様に反り率｜δ｜／Ｌ２を定義することができる。
【００５３】
ここで、薄膜付き強化ガラス基板の反り率｜δ｜／Ｌ２は、４０×１０−９μｍ−１以下であることが好ましい。反り率｜δ｜／Ｌ２が４０×１０−９μｍ−１よりも大きい場合、例えば、薄膜付き強化ガラス基板１をカバーガラスとして他の部材などに貼り合わせる際に、貼り合わせが困難となることがある。より好ましくは、反り率｜δ｜／Ｌ２は、３０×１０−９μｍ−１以下であることが望ましい。それによって、薄膜付き強化ガラス基板１を他の部材などに貼り合わせやすい。さらに好ましくは、反り率｜δ｜／Ｌ２は、２５×１０−９μｍ−１以下であることが望ましい。それによって、薄膜付き強化ガラス基板１を他の部材などにより一層貼り合わせやすい。最も好ましくは、反り率｜δ｜／Ｌ２は、２０×１０−９μｍ−１以下であることが望ましい。それによって、薄膜付き強化ガラス基板１を他の部材などにさらにより一層貼り合わせやすい。
【００５４】
次に、反り率｜δ｜／Ｌ２と｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２との関係を説明する。  
【００５５】
第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂの表面圧縮応力値ＣＳ、圧縮応力深さＤＯＬ、強化ガラス基板の厚みＴ、薄膜３の膜応力σｆ及び薄膜３の膜厚ｄｆから、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２及び反り率｜δ｜／Ｌ２を求めることができる。
【００５６】
第１の圧縮応力層２１ａの表面圧縮応力値をσ１、第２の圧縮応力層２１ｂの表面圧縮応力値をσ２、第１の圧縮応力層２１ａの圧縮応力深さをＤ１、第２の圧縮応力層２１ｂの圧縮応力深さをＤ２としたとき、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２は下記の式４により求めることができる。  
【００５７】
｜（σ１・Ｄ１−σ２・Ｄ２）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２…式４
【００５８】
反り率｜δ｜／Ｌ２は、以下のように求めることができる。
【００５９】
図３は、薄膜付き強化ガラス基板１における強化ガラス基板２１の厚み方向の位置と、圧縮応力値との関係を示す図である。
【００６０】
強化ガラス基板２１の第１の圧縮応力層２１ａの外表面は、強化ガラス基板２１の厚み方向（ｘ方向）の位置０に相当する。強化ガラス基板２１の第２の圧縮応力層２１ｂの外表面は、強化ガラス基板２１の厚み方向の位置Ｔに相当する。第１の圧縮応力層２１ａの外表面から、厚み方向の位置Ｄ１までの距離Ｄ１が、第１の圧縮応力層２１ａにおける圧縮応力深さに相当する。第２の圧縮応力層２１ｂの外表面から、厚み方向の位置Ｔ−Ｄ２までの距離Ｄ２が、第２の圧縮応力層２１ｂにおける圧縮応力深さに相当する。
【００６１】
第１の圧縮応力層２１ａにおける圧縮応力値はσ１であり、厚み方向の位置Ｄ１までは、厚み方向に比例して小さくなる。厚み方向の位置Ｄ１からＴ−Ｄ２までは、圧縮応力値は一定の値である−ＣＴとなる。厚み方向の位置Ｔ−Ｄ２から第２の圧縮応力層２１ｂの外表面までは、厚み方向に比例して圧縮応力値が大きくなる。第２の圧縮応力層２１ｂにおける圧縮応力値はσ２である。これを、厚み方向の位置をｘ、圧縮応力値をσＳ（ｘ）として、下記の式５〜式７により表すことができる。
【００６２】
σＳ（ｘ）＝−σ１ｘ／Ｄ１＋σ１  （０＜ｘ＜Ｄ１）…式５
σＳ（ｘ）＝−ＣＴ  （Ｄ１≦ｘ≦Ｔ−Ｄ２）…式６
σＳ（ｘ）＝σ２ｘ／Ｄ２−σ２（Ｔ／Ｄ２−１）  （Ｔ−Ｄ２＜ｘ＜Ｔ）…式７
【００６３】
ここで、薄膜付き強化ガラス基板１における強化ガラス基板２１の厚み方向全体としては、圧縮応力が釣り合っている。この力の釣り合いを考慮すると、圧縮応力値σＳ（ｘ）の厚み方向全体の積分値は、∫０ＴｄｘσＳ（ｘ）＝０となる。この式を、式５〜式７を用いて展開すると、下記の式８を得ることができる。
【００６４】
−ＣＴ＝−（（Ｄ１σ１／２）＋（Ｄ２σ２／２））／（Ｔ−Ｄ１−Ｄ２）…式８
【００６５】
他方、それぞれの厚み方向の位置ｘにおける、圧縮応力による力のモーメントは、ｘσＳ（ｘ）の式で表すことができる。圧縮応力による力のモーメントは、厚み方向全体において釣り合っていない。そのため、強化ガラス基板２１が反る。それによって、曲げ応力σＢ（ｘ）が発生する。上述したように、この強化ガラス基板２１の第１の圧縮応力層２１ａには、薄膜３が形成されている。よって、薄膜付き強化ガラス基板１には、薄膜３の膜応力σｆ（ｘ）も発生している。
【００６６】
図４は、薄膜付き強化ガラス基板１における強化ガラス基板２１の厚み方向の位置と、曲げ応力及び薄膜３の膜応力との関係を示す図である。なお、薄膜３は強化ガラス基板２１の第１の圧縮応力層２１ａ上に成膜されているため、薄膜３が形成されている位置は負の値となる。
【００６７】
膜応力σｆ（ｘ）は、−ｄｆ＜ｘ＜０において、一定の値σｆとなる。曲げ応力σＢ（ｘ）は、０＜ｘ＜Ｔにおいて、厚み方向の位置に依存する一次式により表すことができる。
【００６８】
曲げ応力σＢ（ｘ）及び膜応力σｆ（ｘ）の力のモーメントは、ｘσＢ（ｘ）及びｘσｆ（ｘ）の式で表すことができる。薄膜付き強化ガラス基板１の厚み方向全体における力のモーメントは釣り合う。すなわち、圧縮応力、曲げ応力及び膜応力による力のモーメントの厚み方向全体の積分値は０となる。これを、下記の式９により表すことができる。
【００６９】
∫０Ｔｄｘ・ｘ［σＳ（ｘ）＋σＢ（ｘ）＋σｆ（ｘ）］＝０…式９
【００７０】
さらに、図３及び図４に示す圧縮応力、曲げ応力及び膜応力は、厚み方向全体において釣り合っている。この関係を、下記の式１０により表すことができる。
【００７１】
∫０Ｔｄｘ［σＳ（ｘ）＋σＢ（ｘ）＋σｆ（ｘ）］＝０…式１０
【００７２】
上述したように、∫０ＴｄｘσＳ（ｘ）＝０なので、式１０より∫０Ｔｄｘ［σＢ（ｘ）＋σｆ（ｘ）］＝０となる。ここで、薄膜３の膜応力σｆ（ｘ）は、薄膜３が形成されている部分において一定値σｆである。また、強化ガラス基板２１のヤング率をＥ’とし、曲率半径をρとすると、曲げ応力は、Ｅ’／ρを係数とする一次式で表すことができる。なお、Ｅ’は、ヤング率Ｅをポアソン比νにより補正したヤング率である。より具体的には、Ｅ’＝Ｅ／（１−ν）の式で表すことができる。
【００７３】
次に、式９に式８、σｆ（ｘ）及びσＢ（ｘ）を代入することにより得た式に、Ｅ、ν、σ１、σ２、σｆ、Ｄ１、Ｄ２、ｄｆ及びＴの値を代入することにより、ρを求めることができる。
【００７４】
求めた曲率半径ρ及び式３から、反り率｜δ｜／Ｌ２を求めることができる。
【００７５】
ここで、下記の表１に示すそれぞれのパラメータを異ならせて、上述のように各｜（σ１・Ｄ１−σ２・Ｄ２）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２及び各｜δ｜／Ｌ２を求めた。なお、ヤング率Ｅを７０ＧＰａとし、ポアソン比νを０．２とした。
【００７６】
【表１】
2017030997.tif 000003
【００７７】
表１に示されているＡでは、薄膜３の膜厚を異ならせた。第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂの表面圧縮応力値及び圧縮応力深さ並びに強化ガラス基板２１の厚みは、表１に示すように一定値とした。Ｂでは、第１の圧縮応力層２１ａの表面圧縮応力値を異ならせた。第２の圧縮応力層２１ｂの表面圧縮応力値及び第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂの圧縮応力深さ並びに強化ガラス基板２１の厚みは、表１に示すように一定値とした。Ｃでは、第２の圧縮応力層２１ｂの圧縮応力深さを異ならせた。第１，第２の圧縮応力層２１ａ，２１ｂの表面圧縮応力値及び第１の圧縮応力層２１ａの圧縮応力深さ並びに強化ガラス基板２１の厚みは、表１に示すように一定値とした。
【００７８】
図５は、反り率｜δ｜／Ｌ２と｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２との関係を示す図である。なお、実線は表１におけるＡの結果を示す。破線はＢの結果を示す。一点鎖線はＣの結果を示す。
【００７９】
図５に示されているように、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２が大きくなるほど、反り率｜δ｜／Ｌ２が大きくなっている。上述したように、反り率｜δ｜／Ｌ２は、４０×１０−９μｍ−１以下であることが好ましい。｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２を９×１０９Ｐａ／ｍ以下とすることにより、反り率｜δ｜／Ｌ２を４０×１０−９μｍ−１以下とすることができる。なお、反り量δが負の値の場合においても、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２を９×１０９Ｐａ／ｍ以下とすることにより、反り率｜δ｜／Ｌ２を４０×１０−９μｍ−１以下とすることができる。
【００８０】
本実施形態では、薄膜付き強化ガラス基板１の｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２が９×１０９Ｐａ／ｍ以下となるように、強化ガラス基板２１を反らせ、薄膜３を形成する。それによって、薄膜付き強化ガラス基板１の反りを効果的に小さくすることができる。
【００８１】
ここで、薄膜３の膜応力σｆと膜厚ｄｆとの積σｆ・ｄｆは、３００Ｐａ・ｍ以上、３００００Ｐａ・ｍ以下であることが好ましい。σｆ・ｄｆが３００Ｐａ・ｍ以上の場合、膜厚は充分に厚く、かつ膜応力は充分に大きい。よって、耐傷性を効果的に高めることができる。他方、σｆ・σｄが３００００Ｐａ・ｍよりも大きい場合、薄膜３が剥離し易い。なお、上述したように、本実施形態の膜応力は、圧縮応力である。
【００８２】
このとき、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２を小さくするためには、Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）が６００Ｐａ・ｍ以上、６００００Ｐａ・ｍ以下であることが好ましい。この場合には、薄膜付き強化ガラス基板１の耐傷性が高く、かつ反りが小さい。
【００８３】
＜イオン交換抑制膜２の膜厚と強化ガラス基板２１の表面圧縮応力値ＣＳ及び圧縮応力深さＤＯＬとの関係及び薄膜３の膜応力＞
｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２が９×１０９Ｐａ／ｍ以下となるように、強化ガラス基板２１を反らせ、薄膜３を形成するためには、イオン交換抑制膜２の膜厚の目標値と、薄膜３の膜厚の目標値とを設定する必要がある。このためには、イオン交換抑制膜２の膜厚とその膜厚でイオン交換して得られる強化ガラス基板２１の表面圧縮応力値ＣＳ及び圧縮応力深さＤＯＬとの関係を知ることが必要となる。また、薄膜３の膜応力を求めることが必要となる。
【００８４】
イオン交換抑制膜２の膜厚とその膜厚でイオン交換して得られる強化ガラス基板２１の表面圧縮応力値ＣＳ及び圧縮応力深さＤＯＬとの関係を以下のように求めた。
【００８５】
ガラス基板（厚み０．５５ｍｍ、長辺の長さ１３０ｍｍ、短辺の長さ６５ｍｍ）の両主面の上に、それぞれイオン交換抑制膜を、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、及び１００ｎｍと膜厚を異ならせて形成した。ここで、ガラス基板としては、主面が矩形形状を有するものを用いた。ガラス基板の長辺に沿った方向を長さ方向とする。イオン交換抑制膜を形成したガラス基板を、第１の実施形態と同様に、４３０℃の硝酸カリウム溶融塩に５時間浸漬することにより、イオン交換法で化学強化して複数の強化ガラス基板を作製した。また、イオン交換抑制膜を形成していないガラス基板、すなわち膜厚が０ｎｍであるガラス基板についても、上記と同様にイオン交換法で化学強化し、強化ガラス基板を作製した。
【００８６】
なお、イオン交換抑制膜には、酸化珪素を用いた。
【００８７】
次に、各強化ガラス基板の表面圧縮応力値ＣＳ及び圧縮応力深さＤＯＬを、表面応力計（折原製作所社製ＦＳＭ‐６０００）により測定した。表面圧縮応力値ＣＳ及び圧縮応力深さＤＯＬの測定方法としては、他にも、ＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｐｒｏｂｅ  ｍｉｃｒｏ  ａｎａｌｙｚｅｒ）やＧＤＯＥＳ（Ｇｌｏｗ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）などを用いることができる。
【００８８】
図６は、イオン交換抑制膜の膜厚と、表面圧縮応力値ＣＳ及び圧縮応力深さＤＯＬとの関係を示す図である。
【００８９】
図６の結果にフィッティングすることにより、イオン交換抑制膜の膜厚と表面圧縮応力値ＣＳとの関係式である下記の式１１を求めた。同様に、イオン交換抑制膜の膜厚と圧縮応力深さＤＯＬとの関係式である下記の式１２を求めた。式１１において、イオン交換抑制膜の膜厚をｘとし、ｙを表面圧縮応力値ＣＳとする。式１２において、イオン交換抑制膜の膜厚をｘとし、ｙを圧縮応力深さＤＯＬとする。
【００９０】
ｙ＝０．００８６ｘ２−０．２２５５ｘ＋７９１．８４…式１１
ｙ＝−０．００１８ｘ２−０．０１３７ｘ＋５２．９４７…式１２
【００９１】
次に、薄膜の膜応力を求めた。
【００９２】
ガラス基板の一方主面に膜厚５００ｎｍの薄膜を形成した。なお、薄膜は、窒化珪素からなる。成膜に際しては、ＲＡＳ（Ｒａｄｉｃａｌ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法を用いた。Ｓｉの成膜条件は、成膜圧力０．１２Ｐａ、Ａｒ１００ｓｃｃｍ、電力５ｋｗとした。窒化に際しては、ラジカルガンを用い、Ｎ２４０ｓｃｃｍ、電力４．５ｋｗとした。それによって、ガラス基板に膜応力を付加することにより、ガラス基板を反らせた。
【００９３】
次に、ガラス基板の反りを測定した。ガラス基板の長さ方向に沿って、レーザ式変位センサを走査させることにより、反りを測定した。レーザ式変位センサを走査させた線上におけるガラス基板の一方端部と他方端部とを結んだ線と、各測定点との距離の内で最大の距離を反りとした。測定したガラス基板の反りから、薄膜の膜応力を求めた。薄膜の膜応力は、１６７０ＭＰａの圧縮応力であった。
【００９４】
式１１、式１２並びに薄膜の膜応力及び膜厚の値を用いて、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２が９×１０９Ｐａ／ｍ以下となるように、イオン交換抑制膜の膜厚及び薄膜の膜厚を設定することができる。
【００９５】
＜実施例１及び２並びに比較例＞
｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２が９×１０９Ｐａ／ｍ以下である実施例１及び２の薄膜付き強化ガラス基板を以下のようにして作製した。他方、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２が９×１０９Ｐａ／ｍより大きい比較例の薄膜付き強化ガラス基板を、イオン交換抑制膜を形成せずに、以下のようにして作製した。ガラス基板としては、厚み０．５５ｍｍ、長辺の長さ１３０ｍｍ、短辺の長さ６５ｍｍの基板を用いた。実施例１及び２のイオン交換抑制膜は酸化珪素からなる。実施例１及び２並びに比較例の薄膜は窒化珪素からなる。薄膜の膜応力は、膜厚に依存しないものと想定して、上述のように求めた１６７０ＭＰａとした。
【００９６】
（実施例１）
薄膜の膜厚を１０００ｎｍに設定し、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２の値を、１．４×１０９Ｐａ／ｍとして、イオン交換抑制膜の膜厚を算出したところ、４５ｎｍとなった。
【００９７】
イオン交換抑制膜（膜厚４５ｎｍ）をガラス基板の第１の主面上に成膜し、上記と同様にして、４３０℃の硝酸カリウム溶融塩に５時間浸漬することにより、イオン交換法で化学強化して強化ガラス基板を作製した。得られた強化ガラス基板に形成されているイオン交換抑制膜上に、薄膜（膜厚１０００ｎｍ）を形成した。
【００９８】
得られた薄膜付き強化ガラス基板の長さ方向に沿って、レーザ式変位センサを走査させることにより、反り量δを測定した。薄膜付き強化ガラス基板の長さ方向は、本実施例のように、薄膜付き強化ガラス基板の平面形状が長方形である場合には長辺方向とした。なお、薄膜付き強化ガラス基板の平面形状が長方形ではない場合には、第１の圧縮応力層に沿った最長の寸法に沿った方向を指す。そして、その場合、最長の寸法直線上にレーザ式変位センサを走査させることにより、反り量δを測定する。レーザ式変位センサを走査させた線上における基板の一方端部と他方端部とを結んだ線と、各測定点との距離の内で最大の距離を反り量δとした。
【００９９】
反り量δの測定結果を表２に示す。また、表２には、第１，第２の圧縮応力層の表面圧縮応力値及び圧縮応力深さ、並びに反り率｜δ｜／Ｌ２、Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２を併せて示す。
【０１００】
（実施例２）
薄膜の膜厚を１５００ｎｍに設定し、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２の値を、１．１×１０９Ｐａ／ｍとして、イオン交換抑制膜の膜厚を算出したところ、５９ｎｍとなった。
【０１０１】
イオン交換抑制膜（膜厚５９ｎｍ）をガラス基板の第１の主面上に形成し、上記と同様にして、イオン交換法で化学強化して強化ガラス基板を作製した。得られた強化ガラス基板に成膜されているイオン交換抑制膜上に、薄膜（膜厚１５００ｎｍ）を形成した。
【０１０２】
上記と同様にして、得られた薄膜付き強化ガラス基板の反り量δを測定した。反り量δの測定結果を表２に示す。また、表２には、第１，第２の圧縮応力層の表面圧縮応力値及び圧縮応力深さ、並びに反り率｜δ｜／Ｌ２、Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２を併せて示す。  
【０１０３】
（比較例）
イオン交換抑制膜をガラス基板上に形成せずに、上記と同様にして、４３０℃の硝酸カリウム溶融塩に５時間浸漬することにより、イオン交換法で化学強化して強化ガラス基板を作製した。得られた強化ガラス基板の第１の圧縮応力層上に、薄膜（膜厚１０００ｎｍ）を形成した。
【０１０４】
上記と同様にして、得られた薄膜付き強化ガラス基板の反り量δを測定した。反り量δの測定結果を表２に示す。また、表２には、第１，第２の圧縮応力層の表面圧縮応力値及び圧縮応力深さ、並びに反り率｜δ｜／Ｌ２、Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２を併せて示す。
【０１０５】
下記の表２に、実施例１及び実施例２並びに比較例の結果を示す。
【０１０６】
【表２】
2017030997.tif 000004
【０１０７】
表２に示されているように、比較例では、反り率｜δ｜／Ｌ２は、４７．４×１０−９μｍ−１となっており、４０×１０−９μｍ−１も大きい。
【０１０８】
これに対して、実施例１では、反り率｜δ｜／Ｌ２は２．９×１０−９μｍ−１であり、２０×１０−９μｍ−１よりも小さくすることができている。実施例２においても、反り率｜δ｜／Ｌ２は０．７×１０−９μｍ−１であり、充分に小さい。
【０１０９】
（第２の実施形態）
第２の実施形態では、ガラス基板の第１，第２の主面上にはイオン交換抑制膜を成膜せずに、ガラス基板の化学強化を行う。よって、強化工程においては、強化ガラス基板の反りは生じ難い。なお、ガラス基板を用意する工程及び強化工程は、第１の実施形態と同様の方法により行うことができる。
【０１１０】
強化工程の後に、強化ガラス基板の第１の圧縮応力層の少なくとも一部を、例えば、エッチングや研磨などにより除去する。それによって、第１の圧縮応力層と第２の圧縮応力層との、表面圧縮応力値及び圧縮応力深さの内の少なくとも一方を異ならせることができる。これにより、強化ガラス基板を反らせる。本実施形態では、強化ガラス基板は、第１の実施形態と同様に、第１の方向に反らせる。なお、第１の圧縮応力層及び第２の圧縮応力層の少なくとも一部を除去してもよい。  
【０１１１】
次に、強化ガラス基板の第１の圧縮応力層上に薄膜を形成する。
【０１１２】
薄膜付き強化ガラス基板の｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２が９×１０９Ｐａ／ｍ以下となるように、圧縮応力層の除去を行う深さ及び薄膜の膜厚を設定して、上記の強化ガラス基板を反らせる工程及び成膜工程を行う。それによって、第１の実施形態と同様に、反り率｜δ｜／Ｌ２を４０×１０−９μｍ−１以下とする。これにより、反りが小さい、薄膜付き強化ガラス基板を得ることができる。
【０１１３】
圧縮応力層を除去する深さは、上記の式５、式６または式７を用いて設定することができる。
【０１１４】
なお、強化工程の前に、第１，第２の主面上に膜厚を異ならせて第１，第２のイオン交換抑制膜を形成してもよい。あるいは、第１，第２の主面の内の一方にイオン交換抑制膜を形成してもよい。この場合には、強化ガラス基板を反らせる工程の一部を強化工程が含む。強化工程後において、第１の圧縮応力層及び第２の圧縮応力層の内の少なくとも一方の少なくとも一部を除去することにより、Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）を調整することができる。あるいは、第１，第２の主面に同じ膜厚のイオン交換抑制膜を形成して、ガラス基板を化学強化した後に、上記除去を行ってもよい。この場合においても、強化ガラス基板を反らせることができる。
【０１１５】
この強化ガラス基板の第１及び第２の圧縮応力層の内の少なくとも一方に薄膜を形成し、｜Δ（ＣＳ×ＤＯＬ）−２・σｆ・ｄｆ｜／Ｔ２を９×１０９Ｐａ／ｍ以下とすればよい。
【符号の説明】
【０１１６】
１…薄膜付き強化ガラス基板
２…イオン交換抑制膜
３…薄膜
１１…ガラス基板
１１ａ，１１ｂ…第１，第２の主面
２１…強化ガラス基板
２１ａ，２１ｂ…第１，第２の圧縮応力層
【図１】
2017030997.tif 000005
【図２】
2017030997.tif 000006
【図３】
2017030997.tif 000007
【図４】
2017030997.tif 000008
【図５】
2017030997.tif 000009
【図６】
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