(57)【要約】【課題】半導体発光素子を製造する過程で発生する中間品又は最終製品の管理を可能にする、半導体発光素子の製造方法及び製造システムを実現する。【解決手段】  半導体発光素子の製造方法であって、基板を準備する工程（ａ）と、基板の上層に、ｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層が積層されてなる半導体層を形成する工程（ｂ）と、半導体層の上面に反射電極を形成する工程（ｃ）と、基板の面に平行な方向に関して、反射電極に隣接するか、又は反射電極に囲まれてなる第一領域内に、反射電極よりも反射率の低い識別体を形成する工程（ｄ）とを有する。【選択図】        図１Ｎ
2017005024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子の製造方法であって、
基板を準備する工程（ａ）と、
前記基板の上層に、ｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層が積層されてなる半導体層を形成する工程（ｂ）と、
前記半導体層の上面に反射電極を形成する工程（ｃ）と、
前記基板の面に平行な方向に関して、前記反射電極に隣接するか、又は前記反射電極に囲まれてなる第一領域内に、前記反射電極よりも反射率の低い識別体を形成する工程（ｄ）とを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）は、成長基板を準備する工程であり、
前記工程（ｂ）は、前記成長基板上に前記半導体層を形成する工程であり、
前記工程（ｃ）の後、前記反射電極の上層に保護層を形成する工程（ｅ）と、
前記保護層の上層に接合層を形成する工程（ｆ）と、
前記成長基板とは別の支持基板を準備し、前記接合層を介して前記成長基板と前記支持基板とを貼り合わせる工程（ｇ）とを有し、
前記工程（ｄ）は、前記成長基板を剥離した後、エッチングして前記半導体層の上面を露出させると共に、当該エッチング時の加熱によって前記接合層の一部を前記第一領域内に流入させて前記識別体を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｅ）は、前記基板の面に直交する方向に関して、前記第一領域となる予定の領域と対向する位置に溝部を設けた状態で前記保護層を形成する工程であり、
前記工程（ｆ）は、前記溝部を充填するように前記接合層を形成する工程であることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｃ）の後、前記工程（ｅ）の前に、前記反射電極の上面のうち、前記基板の面に直交する方向に関して、前記第一領域となる予定の領域と対向する位置に、突起状の第一材料層を形成する工程（ｈ）を有し、
前記工程（ｅ）は、前記第一材料層の上面を覆うように前記保護層を形成する工程であり、
前記工程（ｄ）は、エッチング時の加熱によって、前記基板の面に直交する方向に関して前記第一材料層に接触している領域の前記保護層を離脱させ、当該離脱した領域内に前記接合層の一部を流入させて前記識別体を形成する工程であることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｄ）は、前記第一領域に位置する前記反射電極に対して局所的に加熱して組成を変化させることで前記識別体を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｄ）は、前記第一領域に位置する前記反射電極に対して光を照射する工程であることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）は、前記基板の面に直交する方向に関して、前記第一領域となる予定の領域と対向する領域に欠陥部を有した状態で前記半導体層を形成する工程であって、
前記工程（ｄ）は、通電する工程であって、前記反射電極のうちの前記第一領域に位置する領域に対しては、その他の領域よりも前記欠陥部を通じて高い電流を供給して反射率の低い材料に変質させることで前記識別体を形成する工程であることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
半導体発光素子であって、
基板と、
前記基板の上層に形成された、ｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層が積層されてなる半導体層と、
前記半導体層に接触して形成された反射電極と、
前記基板の面に平行な方向に関して、前記反射電極に囲まれてなる第一領域内に、前記反射電極よりも反射率の低い識別体を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項９】
前記識別体は、前記反射電極を構成する金属材料の化合物からなることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記基板の上層に形成された接合層と、
前記接合層の上層に形成された保護層とを有し、
前記反射電極は、前記保護層と前記半導体層に挟まれる位置に形成されており、
前記識別体は、前記保護層を構成する材料からなることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
半導体発光素子の製造システムであって、
成長基板の上層に、ｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層が積層されてなる半導体層を形成する第一処理部と、
前記半導体層の上層に反射電極を形成する第二処理部と、
前記成長基板の面に平行な方向に関して、前記反射電極に隣接するか、又は前記反射電極に囲まれてなる第一領域内に、前記反射電極よりも反射率の低い識別体を形成する第三処理部と、
前記半導体層及び前記反射電極を含むウェハに関する識別情報と、前記識別体とが関連付けられてなる管理情報を記憶する記憶部と、
前記ウェハを撮像する撮像部と、
前記撮像部で撮像されたデータと前記管理情報を照合する照合部とを備えたことを特徴とする半導体発光素子の管理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光素子の製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体発光素子は、例えば、一枚のウェハから厚さ数百μｍで１ｍｍ角のＬＥＤチップが大量に切り出されることによって製造されている。その具体的な製造工程の一例が、下記特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１４２５０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、工業製品を製造するに際しては、製品管理や品質管理を目的として、当該製品に対して、型番や製造時期を示す文字や記号がマーキング加工されるのが通例である。具体的な例としては、製品に対して識別用としての罫書き、刻印、又はラベル貼付等が施され、各製品に施されたこれらの識別用の情報に基づいて、当該製品の管理が行われている。特に近年では、製品のＩＴ管理・効率化が推し進められており、製造又は流通等における製品管理や品質管理の必要性が高まっている。
【０００５】
しかしながら、半導体発光素子の分野においては、精密な製造工程が必要とされているため、製造工程時の中間品や製品自体に、上述のようなマーキング加工を施すことは困難であり、これまで行われていない。現時点では、最終製品の包装物等に識別文字や記号が付与され、この情報に基づいて最終製品の管理が行われている。
【０００６】
半導体発光素子を製造するにあたっては、異なる装置を用いた複数の工程を経る必要がある。このため、製造途中の中間品が、次の工程で用いられる装置の設置された場所に運搬されることになる。また、工程の内容によっては、別の業者に該当する工程の実行を依頼する場合もあり、この場合は車輌等を用いて中間品を別の場所に運搬する必要性がある。これらの事情に鑑みると、製造過程において中間品の取り違えが生じる可能性は否定できない。
【０００７】
また、上述したように、最終製品については、これまで包装物等に識別文字や記号が付されるに留まっていたため、包装物を開封した後の製品については管理することができなかった。このため、誤った製品を機器に取り付けてしまう可能性は否定できない。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑み、半導体発光素子を製造する過程で発生する中間品又は最終製品の管理を可能にする、半導体発光素子の製造方法及び製造システムを実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、半導体発光素子の製造方法であって、
基板を準備する工程（ａ）と、
前記基板の上層に、ｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層が積層されてなる半導体層を形成する工程（ｂ）と、
前記半導体層の上面に反射電極を形成する工程（ｃ）と、
前記基板の面に平行な方向に関して、前記反射電極に隣接するか、又は前記反射電極に囲まれてなる第一領域内に、前記反射電極よりも反射率の低い識別体を形成する工程（ｄ）とを有することを特徴とする。
【００１０】
上記の方法によれば、基板の面に平行な方向に関して反射電極に隣接するか又は囲まれた領域内に、反射電極よりも反射率の低い識別体が付与される。これにより、基板、半導体層、及び反射電極を含むウェハの段階で識別体を確認することで、当該ウェハ（中間品）の管理が可能となる。また、通常、最終製品の状態において半導体層の上面に例えば封止材等の他の部材が覆われているが、半導体発光素子は光を照射するための素子であるところ、この封止材等の部材は透光性を有している。このため、半導体発光素子の光取り出し面から素子を肉眼で観察するか、又は撮像装置によって撮像することで、明るさの異なる領域、すなわち識別体の存在が確認できるため、最終製品の管理も可能となる。
【００１１】
上記の内容は、例えば以下の２つの方法で実現することができる。まず第一の方法について説明し、第二の方法は後述する。
【００１２】
第一の方法は、
前記工程（ａ）は、成長基板を準備する工程であり、
前記工程（ｂ）は、前記成長基板上に前記半導体層を形成する工程であり、
前記工程（ｃ）の後、前記反射電極の上層に保護層を形成する工程（ｅ）と、
前記保護層の上層に接合層を形成する工程（ｆ）と、
前記成長基板とは別の支持基板を準備し、前記接合層を介して前記成長基板と前記支持基板とを貼り合わせる工程（ｇ）とを有し、
前記工程（ｄ）は、前記成長基板を剥離した後、エッチングして前記半導体層の上面を露出させると共に、当該エッチング時の加熱によって前記接合層の一部を前記第一領域内に流入させて前記識別体を形成する工程であることを特徴とする。
【００１３】
第一の方法において、工程（ｄ）は、半導体層の上面をエッチングによって露出させる工程に対応する。この工程では、半導体層を含む素子（ウェハ）に熱が加えられる。かかる熱によって接合層の一部が溶融し、第一領域内に流入される。接合層を構成する材料は、反射電極を構成する材料よりも反射率が低いため、かかる方法によって、第一領域内に識別体が形成される。
【００１４】
このとき、前記工程（ｅ）は、前記基板の面に直交する方向に関して、前記第一領域となる予定の領域と対向する位置に溝部を設けた状態で前記保護層を形成する工程であり、
前記工程（ｆ）は、前記溝部を充填するように前記接合層を形成する工程であるものとしても構わない。
【００１５】
上記の方法によれば、成長基板を剥離する前の段階において、保護層内に設けられた溝部内に接合層が充填されている。すなわち、この溝部内に充填された接合層は、反射電極と接触又は近接している。この状態で、工程（ｄ）においてエッチングされることで、接合層を構成する材料が溶融した状態（溶融金属）で反射電極と接触し、反射電極を構成する材料が前記溶融金属内に溶ける。この結果、溝部に連結している箇所において、反射電極の一部に接合層を構成する材料が流入し、反射率が低下する。これにより、反射電極よりも反射率の低い識別体が形成される。
【００１６】
また、第一の方法において、
前記工程（ｃ）の後、前記工程（ｅ）の前に、前記反射電極の上面のうち、前記基板の面に直交する方向に関して、前記第一領域となる予定の領域と対向する位置に、突起状の第一材料層を形成する工程（ｈ）を有し、
前記工程（ｅ）は、前記第一材料層の上面を覆うように前記保護層を形成する工程であり、
前記工程（ｄ）は、エッチング時の加熱によって、前記基板の面に直交する方向に関して前記第一材料層に接触している領域の前記保護層を離脱させ、当該離脱した領域内に前記接合層の一部を流入させて前記識別体を形成する工程であるものとしても構わない。
【００１７】
上記の方法によれば、第一材料層の上面を覆うように保護層が形成されていることで、保護層は、一部の箇所が突出した状態で形成されている。この領域は、他の保護層の領域よりも安定性が低い。つまり、この状態で工程（ｄ）においてエッチングされる結果、エッチング時の加熱によって、接合層が溶融すると共に、突出部を形成していた保護層が剥がれ、当該剥がれた領域に溶融した接合層が流入する。これにより、溶融した接合層と反射電極が接触するため、この領域内において反射電極の反射率が低下する。これにより、反射電極よりも反射率の低い識別体が形成される。
【００１８】
また、第二の方法は、
前記工程（ｄ）は、前記第一領域に位置する前記反射電極に対して局所的に加熱して組成を変化させることで前記識別体を形成する工程であることを特徴とする。
【００１９】
一部の領域内に位置する反射電極に対して局所的に加熱することで、当該領域内の反射電極を、反射電極を構成する材料の化合物に変成することができる。この化合物としては、例えば酸化物、窒化物、硫化物などが挙げられる。これらの化合物は、いずれも反射電極を構成する材料よりも反射率が低い。この結果、当該領域に位置していた反射電極の反射率が低下して、識別体が形成される。
【００２０】
ここで、前記工程（ｄ）は、前記第一領域に位置する前記反射電極に対して光を照射する工程であるものとしても構わない。これにより、反射電極の一部を局所的に加熱することができる。なお、この場合において、前記工程（ｄ）において、前記第一領域以外をマスクで覆った状態で前記反射電極に対して光を照射するものとしても構わないし、集光光学系を用いて、又はビーム光によって、前記第一領域に対してのみ光を照射するものとしても構わない。
【００２１】
また、前記工程（ｂ）は、前記基板の面に直交する方向に関して、前記第一領域となる予定の領域と対向する領域に欠陥部を有した状態で前記半導体層を形成する工程であって、
前記工程（ｄ）は、通電する工程であって、前記反射電極のうちの前記第一領域に位置する領域に対しては、その他の領域よりも前記欠陥部を通じて高い電流を供給して反射率の低い材料に変質させることで前記識別体を形成する工程であるものとしても構わない。
【００２２】
上記方法によっても、前記第一領域に位置する前記反射電極に対して局所的に加熱させることができるため、当該領域に位置する反射電極の組成を変化させて識別体を形成することができる。なお、この場合、前記工程（ａ）において、前記基板の面のうち、前記基板の面に直交する方向に関して、前記第一領域となる予定の領域と対向する領域に異物を載せておくものとしても構わない。このように基板を準備した状態で、工程（ｂ）において半導体層が形成されることで、当該異物の上方に欠陥部が形成されやすくなる。
【００２３】
また、本発明は、半導体発光素子であって、
基板と、
前記基板の上層に形成された、ｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層が積層されてなる半導体層と、
前記半導体層に接触して形成された反射電極と、
前記基板の面に平行な方向に関して、前記反射電極に囲まれてなる第一領域内に、前記反射電極よりも反射率の低い識別体を有することを特徴とする。
【００２４】
上記の半導体発光素子によれば、半導体発光素子の光取り出し面から素子を肉眼で観察するか、又は撮像装置によって撮像することで、反射電極の近傍において、明るさの異なる領域、すなわち識別体の存在が確認できるため、製品の管理が可能となる。
【００２５】
反射電極は、活性層から射出される光に対する反射率を９０％以上とするのが好ましい。また、識別体の反射率を例えば５０％以下とすることで、反射電極との反射率の差が大きくなるため、肉眼で容易に識別が可能となる。
【００２６】
また、反射電極と識別体の反射率の差が１０％程度の場合、肉眼での識別は難しいものの、撮像装置によって撮像することで明るさが異なる箇所を識別することができる。このような構成とすることで、撮像装置を含む管理システムによって半導体発光素子の管理を行うことを可能にしながら、利用者が、肉眼で素子を観察した場合に、一部に明るさが異なる領域を検知することで不良品であると判断するおそれを回避することができる。
【００２７】
前記半導体発光素子において、前記識別体は、前記反射電極を構成する金属材料の化合物からなるものとしても構わない。
【００２８】
前記半導体発光素子において、前記基板の上層に形成された接合層と、
前記接合層の上層に形成された保護層とを有し、
前記反射電極は、前記保護層と前記半導体層に挟まれる位置に形成されており、
前記識別体は、前記保護層を構成する材料からなるものとしても構わない。
【００２９】
本発明は、半導体発光素子の製造システムであって、
成長基板の上層に、ｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層が積層されてなる半導体層を形成する第一処理部と、
前記半導体層の上層に反射電極を形成する第二処理部と、
前記成長基板の面に平行な方向に関して、前記反射電極に隣接するか、又は前記反射電極に囲まれてなる第一領域内に、前記反射電極よりも反射率の低い識別体を形成する第三処理部と、
前記半導体層及び前記反射電極を含むウェハに関する識別情報と、前記識別体とが関連付けられてなる管理情報を記憶する記憶部と、
前記ウェハを撮像する撮像部と、
前記撮像部で撮像されたデータと前記管理情報を照合する照合部とを備えたことを特徴とする。
【００３０】
上記のシステムによれば、照合部において、撮像部でウェハを撮像することで得られたデータと、記憶部で記憶されている管理情報とが照合される。ここで、ウェハに対して上記識別体が付与されていれば、照合部において当該ウェハの識別情報を検出することができるため、ウェハの管理が可能となる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、半導体発光素子を製造する過程で識別体を付与することができるため、当該識別体に基づいて半導体発光素子の中間品又は最終製品の管理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１Ａ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｂ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｃ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｄ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｅ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｆ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｇ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｈ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｉ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｊ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｋ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｌ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｍ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１Ｎ】第一実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図２Ａ】実施例の半導体発光素子を模式的に示す平面図である。
【図２Ｂ】比較例の半導体発光素子を模式的に示す平面図である。
【図３Ａ】第一実施形態の半導体発光素子の別の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｂ】第一実施形態の半導体発光素子の別の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｃ】第一実施形態の半導体発光素子の別の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｄ】第一実施形態の半導体発光素子の別の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｅ】第一実施形態の半導体発光素子の別の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図４】第一実施形態の半導体発光素子の製造システムを模式的に示す図面である。
【図５Ａ】第二実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図５Ｂ】第二実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図５Ｃ】第二実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図６Ａ】第三実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図６Ｂ】第三実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図６Ｃ】第三実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図６Ｄ】第三実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図７Ａ】第四実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図７Ｂ】第四実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図７Ｃ】第四実施形態の半導体発光素子の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の半導体発光素子の製造方法及び製造システムにつき、図面を参照して説明する。なお、各図において図面の寸法比と実際の寸法比は必ずしも一致しない。
【００３４】
また、以下において、ＡｌＧａＮという記述は、ＡｌmＧａ1-mＮ（０＜ｍ＜１）という記述と同義であり、ＡｌとＧａの組成比の記述を単に省略して記載したものであって、ＡｌとＧａの組成比が１：１である場合に限定する趣旨ではない。ＩｎＧａＮ等という記述についても同様である。
【００３５】
＜第一実施形態＞
本発明の第一実施形態について説明する。
【００３６】
［製造方法］
第一実施形態の半導体発光素子の製造方法の一例について、図１Ａ〜図１Ｎに示す工程断面図を参照して説明する。
【００３７】
（ステップＳ１）
図１Ａに示すように、成長基板２５を準備する。具体的な一例としては、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相蒸着）装置の処理炉内に、成長基板２５を構成するｃ面サファイア基板を配置し、処理炉内に所定の流量の水素ガスを流しながら、炉内温度を所定の温度（例えば１１５０℃）に昇温することにより行われる。
【００３８】
このステップＳ１が工程（ａ）に対応する。
【００３９】
（ステップＳ２）
図１Ｂに示すように、成長基板２５上に半導体層４０を形成する。このステップＳ２は、例えば以下の手順により行われる。
【００４０】
成長基板２５の表面にアンドープ層２７を形成する。アンドープ層２７は低温バッファ層及び下地層を含む。
【００４１】
アンドープ層２７の具体的な形成方法の一例としては、まず、МОＣＶＤ装置の炉内圧力を所定の圧力（例えば１００ｋＰａ）、炉内温度を所定温度（例えば４８０℃）に設定した状態で、処理炉内にキャリアガスとして所定の流量の窒素ガス及び水素ガスを流しながら、原料ガスとして、所定の流量のトリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びアンモニアを処理炉内に供給する。これにより、成長基板２５の表面にＧａＮからなる低温バッファ層が形成される。次に、ＭＯＣＶＤ装置の炉内温度を昇温し（例えば１１５０℃）、同様のキャリアガス及び原料ガスを所定の流量で供給する。これにより、低温バッファ層の表面にＧａＮからなる下地層が形成される。
【００４２】
次に、アンドープ層２７の上面にｎ型半導体層７を形成する。具体的には、引き続き炉内温度を所定の温度（例えば１１５０℃）とした状態で、同様のキャリアガスを流しながら、原料ガスとして、所定の流量のＴＭＧ、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アンモニア及びｎ型化するためのテトラエチルシランを処理炉内に供給する。これにより、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型半導体層７がアンドープ層２７の上層に形成される。このｎ型ＡｌＧａＮの上面にｎ型ＧａＮを形成しても構わない。
【００４３】
なお、原料ガスとして、更にトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を所定の流量で供給することで、ｎ型半導体層７をＡｌＩｎＧａＮで構成しても構わない。また、ｎ型ドーパントとしては、Ｓｉ以外にＧｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｎ又はＴｅを用いることもできる。
【００４４】
次に、ｎ型半導体層７の上層に活性層９を形成する。具体的には、ＭＯＣＶＤ装置の炉内温度を所定の温度（例えば８３０℃）とした状態で、同様のキャリアガスを流しながら、原料ガスとして、所定の流量のＴＭＧ、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）及びアンモニアを処理炉内に供給するステップと、所定の流量のＴＭＧ、ＴＭＡ、テトラエチルシラン及びアンモニアを処理炉内に供給するステップを繰り返す。これにより、ＩｎＧａＮよりなる発光層及びｎ型ＡｌＧａＮよりなる障壁層が多周期繰り返された多重量子井戸構造を有する活性層９が、ｎ型半導体層７の上層に形成される。なお、活性層９を構成する材料としては、バンドギャップの異なる複数の半導体層の積層体であればよく、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮの積層体に限定されるものではない。
【００４５】
次に、活性層９の上層にｐ型半導体層１１を形成する。具体的には、ＭＯＣＶＤ装置の処理炉内に、同様のキャリアガスを流しながら、炉内温度を昇温する（例えば１０２５℃まで）。その後、原料ガスとして、所定の流量のＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア及びｐ型不純物をドープするためのビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を処理炉内に供給する。これにより、ｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型半導体層１１が活性層９の上面に形成される。なお、ｐ型ドーパントとしては、Ｍｇ以外にＢｅ、Ｚｎ、又はＣ等を用いることもできる。
【００４６】
このようにして成長基板２５上に、アンドープ層２７、ｎ型半導体層７、活性層９及びｐ型半導体層１１からなる半導体層４０が形成される。このステップＳ２が工程（ｂ）に対応する。
【００４７】
（ステップＳ３）
次に、ステップＳ２で得られたウェハに対して活性化処理を行う。より具体的には、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal：急速加熱）装置を用いて、窒素雰囲気下で所定の温度（例えば６５０℃）で活性化処理を行う。
【００４８】
（ステップＳ４）
次に、図１Ｃに示すように、ｐ型半導体層１１の上面の所定箇所に絶縁層２４を形成する。具体的には、スパッタリング装置によって、Ａｌ2Ｏ3を所定の膜厚成膜することで、絶縁層２４を形成することができる。なお、成膜する材料は絶縁性材料であればよく、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ2でも良い。
【００４９】
図１Ｃに示すように、絶縁層２４は、ｐ型半導体層１１の上面の一部の領域にのみ形成される。絶縁層２４をこのように形成するための方法としては、例えば絶縁層２４を形成しない領域にフォトレジスト膜を成膜した状態で、全面に絶縁層２４を成膜した後、フォトレジスト膜上に形成された絶縁層２４をリフトオフすることで実現できる。この絶縁層２４は、後のステップＳ１３におけるエッチング工程の際、エッチングストッパーとして機能する。
【００５０】
（ステップＳ５）
次に、図１Ｄに示すように、ｐ型半導体層１１の上面の別の所定箇所に反射電極１３を形成する。具体的には、スパッタリング装置によって、Ｎｉ／Ａｇを所定の膜厚だけ成膜することで反射電極１３が形成される。なお、反射電極１３の材料としては、活性層９からの射出光に対する反射率が高く、且つ導電性を示す材料であればよく、例えばＡＰＣ（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金）等を用いても構わない。
【００５１】
本実施形態の構成では、図１Ｄに示すように、反射電極１３は、ｐ型半導体層１１の上面のうち絶縁層２４が形成されていない領域に形成される。反射電極１３をこのように形成するための方法としては、ステップＳ４と同様に、例えば反射電極１３を形成しない領域にフォトレジスト膜を成膜した状態で全面に反射電極１３を成膜した後、フォトレジスト膜上に形成された反射電極１３をリフトオフすることで実現できる。
【００５２】
なお、反射電極１３を形成後、ＲＴＡ装置を用いてドライエアー雰囲気中でコンタクトアニールを行うものとしても構わない。
【００５３】
このステップＳ５が、工程（ｃ）に対応する。なお、ステップＳ４とステップＳ５は、実行される順序を入れ替えても構わない。
【００５４】
（ステップＳ６）
次に、図１Ｅに示すように、反射電極１３の上面のうちの特定の領域に、マスク１８を形成する。このマスク１８は、成長基板２５の面に直交する方向に関して、後の工程で識別体２を付す対象となる領域と対向する領域に形成される。マスク１８は、フォトレジストや、金属又はセラミックスの小片などで構成することができる。
【００５５】
（ステップＳ７）
次に、図１Ｆに示すように、反射電極１３、絶縁層２４、及びマスク１８を覆うように、保護層１４を形成する。具体的には、露出している上面、すなわち反射電極１３、絶縁層２４、及びマスク１８の上面に、電子線蒸着装置によって例えばＴｉ／Ｐｔの多層構造からなる保護層１４を所定の膜厚で形成する。
【００５６】
（ステップＳ８）
次に、図１Ｇに示すように、例えばフォトリソグラフィー技術を利用して、保護層１４の下層に形成されていたマスク１８を除去し、溝部１６を形成する。これにより、反射電極１３の一部が露出される。
【００５７】
本実施形態では、ステップＳ６〜Ｓ８が工程（ｅ）に対応する。なお、図１Ｇに示すように、一部の領域に溝部１６を有した状態で保護層１４を形成できるのであれば、上述した方法以外の方法を用いても構わない。
【００５８】
（ステップＳ９）
次に、図１Ｈに示すように、溝部１６を充填し、且つ保護層１４の上面を覆うように、接合層１７を形成する。具体的には、電子線蒸着装置によってＡｕ−Ｓｎハンダからなる接合層１７を所定の膜厚で形成する。
【００５９】
このステップＳ９が工程（ｆ）に対応する。本実施形態の態様では、ステップＳ９の実行後、接合層１７の一部が反射電極１３と接触する。
【００６０】
（ステップＳ１０）
図１Ｉに示すように、成長基板２５とは別に準備された支持基板３の上面に、ステップＳ７と同様の方法で保護層２３を形成した後、ステップＳ９と同様の方法で接合層２１を形成する。支持基板３としては、ＣｕＷ、Ｗ、Ｍｏ等の導電性基板、Ｓｉ等の半導体基板、又は絶縁性基板上に配線パターンが施されたもの等を利用することができる。なお、保護層２３については形成しないものとしても構わない。
【００６１】
（ステップＳ１１）
図１Ｊに示すように、成長基板２５の上層に形成された接合層１７と、支持基板３の上層に形成された接合層２１を接触させて、成長基板２５と支持基板３の貼り合わせを行う。具体的な一例としては、２８０℃の温度、０．２ＭＰａの圧力下で、貼り合わせ処理が行われる。
【００６２】
この工程により、接合層１７及び接合層２１が溶融して接合されることで、支持基板３と成長基板２５が表裏面に貼り合わされた構造が形成される。つまり、接合層１７と接合層２１は、本ステップ以後においては一体化されているものとして構わない。
【００６３】
本ステップＳ１１が工程（ｇ）に対応する。
【００６４】
（ステップＳ１２）
図１Ｋに示すように、成長基板２５を剥離する。具体的には、成長基板２５を上に向け、支持基板３を下に向けた状態で、成長基板２５側からレーザ光を照射する。ここで、照射するレーザ光を、成長基板２５の構成材料（本実施形態ではサファイア）を透過し、アンドープ層２７の構成材料（本実施形態ではＧａＮ）によって吸収されるような波長の光とする。これにより、アンドープ層２７でレーザ光が吸収されるため、成長基板２５とアンドープ層２７の界面が高温化してＧａＮが分解され、成長基板２５が剥離される。
【００６５】
（ステップＳ１３）
ウェハ上に残存しているアンドープ層２７を、ＩＣＰ装置を用いたドライエッチングによって除去し、図１Ｌに示すようにｎ型半導体層７を露出させる。本ステップＳ１３によって、ｐ型半導体層１１、活性層９、及びｎ型半導体層７が、支持基板３側からこの順に積層されてなる半導体層１０が残存する。
【００６６】
ところで、このエッチング工程時にウェハ（支持基板３を含む積層体）に対して熱が加えられる。この結果、接合層（１７，２１）の構成材料（例えばハンダ）の少なくとも一部が溶融する。そして、溶融した接合層（１７，２１）の材料に反射電極１３の一部が溶け出し、反射電極１３の形成領域内に接合層（１７，２１）の材料が侵入する（領域２ａ）。つまり、この領域２ａは、反射電極１３に比べて、活性層９から放射される光に対する反射率が低い材料で構成される。
【００６７】
ステップＳ１２及びＳ１３が工程（ｄ）に対応する。
【００６８】
（ステップＳ１４）
図１Ｍに示すように、隣接する素子同士を分離する。具体的には、隣接素子との境界領域に対し、ＩＣＰ装置を用いて絶縁層２４の上面が露出するまで半導体層１０をエッチング（メサエッチング）する。上述したように、絶縁層２４はエッチングストッパーとしての機能を果たす。この工程により、隣接する素子同士が分離される。分離された各素子は、それぞれ反射電極１３内において反射率の低い領域２ａが付与されている。
【００６９】
（ステップＳ１５）
図１Ｎに示すように、ｎ型半導体層７の上面に電極１５を形成する。具体的には、ｎ型半導体層７の上面のうち、電極１５を形成する予定の領域以外をレジスト等でマスクした状態で、ｎ型半導体層７の上面に、例えば膜厚１００ｎｍのＣｒと膜厚３μｍのＡｕを蒸着する。その後、マスクを剥離して、窒素雰囲気中で２５０℃、１分間程度のアニール処理を行う。このとき、支持基板３の面に直交する方向に関して、絶縁層２４に対向する位置に電極１５を形成するのが好ましい。これにより、活性層９内を流れる電流を、支持基板３の面に平行な方向に拡げる効果が得られ、発光効率が高められる。
【００７０】
その後は、各素子同士を例えばレーザダイシング装置によって分離し、支持基板３の裏面を例えばＡｇペーストにてパッケージと接合する。そして、電極１５の一部領域に対してワイヤボンディングを行う。以上の工程を経て、半導体発光素子１（図１Ｎ参照）が製造される。
【００７１】
図２Ａは、上述した方法によって製造された半導体発光素子（実施例）を、光取り出し面４側から見たときの構成を模式的に示す平面図である。図２Ｂは、異なる方法で製造された半導体発光素子（比較例）の構成を模式的に示す平面図である。なお、光取り出し面４は、上述した実施形態の構成の場合には、ｎ型半導体層７に対応する。
【００７２】
上述したように、本発明の方法によれば、反射電極１３が形成されている領域内において、特定の領域２ａが反射率の低い材料で構成される。この領域２ａは、ステップＳ６においてマスク１８を形成した領域に対応する。すなわち、本発明の方法によれば、反射電極１３が形成されている領域のうちの特定の領域に、反射率の低い材料で構成される領域２ａを形成することができる。この結果、図２Ａに示すように、これらの反射率の低い領域２ａの形状等を識別体２として機能させることができる。
【００７３】
これに対し、図２Ｂに示すように、比較例の半導体発光素子９０においては、反射率の低い領域がほとんど存在しない。もしくは、製造時の条件次第によっては、一部の箇所に反射率の低い領域９１が形成される可能性もあり得るが、この場合、素子毎に反射率の低い領域９１の形状が異なる。よって、半導体発光素子１を光取り出し面４側から観察若しくは撮像して、光取り出し面４側の明暗状態を確認することによって、半導体発光素子の管理を行うことができる。
【００７４】
また、この方法によれば、半導体発光素子を製造する際に利用される一般的な方法を経て識別体２を付与することができる。よって、通常の工業製品に対して識別体を付与するために行われるマーキング加工のような工程を行うことなく、半導体発光素子の中間品や最終製品に対しても管理のための識別体２を付与することが可能となる。
【００７５】
［別の製造方法］
以下、本実施形態における別の製造方法について説明する。
【００７６】
〈１〉  本実施形態は、反射電極１３の層の一部に、接合層（１７，２１）の構成材料を侵入させることで、当該領域の反射率を反射電極１３の反射率よりも低下させ、識別体２を有した半導体発光素子１を製造する内容である。このような半導体発光素子１は、例えば以下の方法でも実現できる。
【００７７】
（ステップＳ１〜Ｓ５）
上記実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ５を順次実行することで、成長基板２５の上面に半導体層４０を成長させ、半導体層４０の上面に絶縁層２４及び反射電極１３を形成する。
【００７８】
（ステップＳ２１）
図３Ａに示すように、反射電極１３の上面のうちの特定の領域に、突起状の材料層３１（「第一材料層」に対応する）を形成する。この材料層３１は、成長基板２５の面に直交する方向に関して、後の工程で識別体２を付す対象となる領域と対向する領域に形成される。本実施形態では、材料層３１を、反射電極１３と同一の材料で構成されるものとするが、他の材料であっても構わない。このステップＳ２１が工程（ｈ）に対応する。
【００７９】
（ステップＳ２２）
図３Ｂに示すように、反射電極１３、絶縁層２４、及び材料層３１を覆うように、保護層１４を形成する。図３Ａに示したように、ステップＳ２２の開始時点で突出状の材料層３１が形成されているため、保護層１４は突出部１４ａを有して形成される。保護層１４の形成方法は、ステップＳ７と同様の方法を用いることができる。このステップＳ２２が工程（ｅ）に対応する。
【００８０】
（ステップＳ２３）
図３Ｃに示すように、保護層１４を覆うように接合層１７を形成する。接合層１７の形成方法は、ステップＳ９と同様の方法を用いることができる。このステップＳ２３が工程（ｆ）に対応する。
【００８１】
（ステップＳ１０〜Ｓ１２）
上記実施形態と同様に、ステップＳ１０〜Ｓ１２を順次実行することで、成長基板２５と支持基板３を貼り合わせた後、成長基板２５を剥離させる。
【００８２】
（ステップＳ２４）
ステップＳ１３と同様に、ウェハ上に残存しているアンドープ層２７を、ＩＣＰ装置を用いたドライエッチングによって除去し、図３Ｄに示すようにｎ型半導体層７を露出させる。この工程で加えられる熱により、保護層１４の突出部１４ａ近傍が断裂し、この断裂した領域を介して、溶融した接合層（１７，２１）が反射電極１３側に侵入する。この結果、図３Ｅに示すように、溶融した接合層（１７，２１）が反射電極１３内の所定の領域に侵入する。これにより、上述した方法と同様に、反射電極１３内に反射率の低い領域２ａが形成される。このステップＳ２４が工程（ｄ）に対応する。
【００８３】
（ステップＳ１４〜Ｓ１５）
上記実施形態と同様に、ステップＳ１４〜Ｓ１５を実行する。これにより、反射電極１３の層内の特定の領域に接合層（１７，２１）の構成材料を侵入させることで、識別体２を付与した半導体発光素子１が実現される。
【００８４】
〈２〉  上記の実施形態では、ステップＳ８において、反射電極１３の上面が露出するように溝部１６を形成した（図１Ｇ参照）。すなわち、溝部１６の深さを、保護層１４の厚み程度、又はそれ以上とした。しかし、ステップＳ８において、溝部１６の深さを保護層１４の厚みよりも薄くすることで、溝部１６の底面より成長基板２５側に保護層１４を残存させても構わない。この方法によれば、ステップＳ１３におけるエッチング工程時に加えられる熱によって、厚みの薄い領域において保護層１４が断裂し、この結果、接合層（１７，２１）の構成材料を反射電極１３側に侵入させることができる。
【００８５】
［製造システム］
次に、本実施形態の製造システムについて説明する。図４は、製造システムの一例を模式的に示す図面である。なお、図４は、半導体発光素子を製造する際に用いられる構成の一部が示されている。
【００８６】
図４に示されるように、本実施形態の製造システム５０は、第一処理部５１、第二処理部５２、第三処理部５３、撮像部５５、照合部５７、及び記憶部５９を備えている。なお、図４では、処理対象となる中間品をウェハ６０として表現している。
【００８７】
本実施形態の製造システム５０において、第一処理部５１は、成長基板２５上に半導体層４０を形成するための装置であり、例えばエピタキシャル装置に対応する。第二処理部５２は、半導体層４０の上層に反射電極２３を形成するための装置であり、例えばスパッタリング装置に対応する。
【００８８】
本実施形態の製造システム５０において、第三処理部５３は、ウェハ６０から成長基板２５を剥離した後に残存するアンドープ層２７をエッチングするための装置であり、例えばＩＣＰ装置に対応する。本実施形態では、第三処理部５３による処理が完了した後のウェハ６０に識別体２が付与されることになる。なお、図４では、第二処理部５２と第三処理部５３の間の処理部を省略しているが、他の処理部が介在しているものとして構わない。
【００８９】
撮像部５５は、第三処理部５３における処理が完了したウェハ６０を撮像し、その撮像データを照合部５７に出力する。撮像部５５は、例えばＣＣＤカメラ等の撮像装置で構成される。記憶部５９は、例えばＲＡＭ等のメモリで構成され、予めウェハ６０に関する識別情報（ロット番号等）と識別体２に関する情報とが関連付けられた情報（管理情報）を記憶する。照合部５７は、例えばＣＰＵ等のプロセッサで構成され、撮像部５５から送られてきた撮像データと、記憶部５９から読み出した管理情報に基づいて照合を行う。具体的には、照合部５７は、撮像データから認識された識別体２が、管理情報に含まれたものであるかどうか、及び対象となるウェハ６０が後の工程に進行させるべきロット番号が付されたものかどうかを判断する。そして、照合部５７は、上記判断の結果、問題がなければ、ウェハ６０を後の工程（本実施形態ではメサエッチング工程）に進行させる指示を行い、問題があれば工程を中断させる指示を行う。
【００９０】
このシステムによれば、中間品（ウェハ６０）の搬送時に取り違えが生じたり、不良品が混在した場合であっても、工程の途中の段階で前記の事態を検出することが可能となる。
【００９１】
第三処理部５３における処理（本実施形態ではステップＳ１３又はステップＳ２４に対応）が完了した後、撮像部５５によって撮像されたウェハ６０の撮像データとウェハ６０に関する識別情報とを関連付けた管理情報が作成されて、記憶部５９に記憶されるものとしても構わない。そして、その後の工程（ステップＳ１４）の実行前において、再び撮像部５５がウェハ６０を撮像し、照合部５７が撮像データと記憶部５９から読み出された管理情報との照合を行うものとしても構わない。
【００９２】
照合部５７は、必要に応じて撮像データに対してコントラストや明るさの調整等の画像処理を行った後、識別体２の形状等を読み出して管理情報に記載されている識別体に関する情報と照らし合わせるものとしても構わない。より具体的な一例としては、照合部５７は、撮像されたデータの明るさや色を座標毎に数値化し、当該数値を管理情報に記載されている識別体に関する情報と照合する。そして、照合部５７は、所定の閾値（例えば９０％）以上の点で一致している識別体があれば照合対象となっているウェハ６０が、当該識別体に関連付けられたロット番号が付されたものであると判断する。
【００９３】
＜第二実施形態＞
本発明の第二実施形態について説明する。なお、第一実施形態と共通の内容については、その旨を記載して説明を適宜割愛する。
【００９４】
［製造方法］
第二実施形態の半導体発光素子の製造方法の一例について、図５Ａ〜図５Ｄに示す工程断面図を参照して説明する。
【００９５】
（ステップＳ１〜Ｓ５）
まず、ステップＳ１〜Ｓ５と同様にして、成長基板２５の上面に半導体層４０を成長させ、その上層に絶縁層２４及び反射電極１３を形成する（図１Ｄ参照）。
【００９６】
（ステップＳ３１）
図５Ａに示すように、反射電極１３の上面のうちの特定の領域に光３３を照射する。具体的な方法の一例としては、細い径のビームを用いたり、又は集光光学系を用いることで、特定の領域にのみ光３３を照射する。これにより、反射電極１３のうち、光３３が照射された領域が活性化され、構成材料が変成する（領域１３ａ）。当該領域１３ａは、例えば反射電極１３の酸化物、窒化物、硫化物等、雰囲気ガスに応じた材料に変成する。これにより、当該領域１３ａは、活性層９から放射される光に対する反射率が反射電極１３よりも低くなり、識別体２としての機能を果たす（図２Ａ参照）。
【００９７】
なお、ステップＳ３１を実行するに際しては、図５Ｂに示すように、特定の領域にのみ光３３が照射されるよう、マスク３４を介して光を照射するものとしても構わない。
【００９８】
本ステップＳ３１が工程（ｄ）に対応する。
【００９９】
（ステップＳ７、Ｓ９〜Ｓ１５）
その後は、上述したステップＳ７及びＳ９〜Ｓ１５と同様の工程を実行して、半導体発光素子１が形成される。図５Ｃに示すように反射電極１３が形成されている領域内において、特定の領域２ａが反射率の低い材料で構成されるため、第一実施形態と同様に、反射率の低い領域２ａの形状等を識別体２として機能させることができる。
【０１００】
［別の製造方法］
図５Ａ及び図５Ｂでは、光３３を照射することで厚み方向に関して反射電極１３の一部のみを変成させている状態を図示しているが、反射電極１３の厚み方向全体にわたって変成させるものとしても構わない。なお、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、厚み方向に関して反射電極１３の一部のみを変成させた場合であっても、当該領域の反射率は低下するため、識別体２として機能させることができる。
【０１０１】
［製造システム］
本実施形態においても、図４に示した製造システム５０によってウェハの管理が可能である。なお、本実施形態の製造システム５０において、第三処理部５３は、反射電極１３に対して光３３を照射して一部の領域を変成するための装置であり、光源装置に対応する。
【０１０２】
照合部５７は、撮像データから認識された識別体２が、管理情報に含まれたものであるかどうか、及び対象となるウェハ６０が後の工程に進行させるべきロット番号が付されたものかどうかを判断する。そして、照合部５７は、上記判断の結果、問題がなければ、ウェハ６０を後の工程（本実施形態では保護層１４の形成工程）に進行させる指示を行い、問題があれば工程を中断させる指示を行うものとすることができる。
【０１０３】
＜第三実施形態＞
本発明の第三実施形態について説明する。なお、第一実施形態と共通の内容については、その旨を記載して説明を適宜割愛する。
【０１０４】
［製造方法］
第三実施形態の半導体発光素子の製造方法の一例について、図６Ａ〜図６Ｄに示す工程断面図を参照して説明する。
【０１０５】
（ステップＳ１、Ｓ４１）
ステップＳ１と同様の方法で成長基板２５を準備した後、この成長基板２５の上面に異物２５ａを配置する（図６Ａ参照）。この異物２５ａは、成長基板２５の面に直交する方向に関して、後の工程で識別体２を付す対象となる領域と対向する領域に配置される。この異物は任意の材料で構成される。ステップＳ１及びＳ４１が工程（ａ）に対応する。
【０１０６】
（ステップＳ２）
上述したステップＳ２と同様の方法により、成長基板２５の上面に半導体層４０を成長させる。このとき、成長基板２５の上面に異物２５ａが形成されていることで、当該異物２５ａの上方に欠陥部４０ａを有した状態で半導体層４０が形成される（図６Ｂ参照）。このステップＳ２が工程（ｂ）に対応する。
【０１０７】
（ステップＳ３〜Ｓ５、Ｓ７、Ｓ９〜Ｓ１５）
第一実施形態と同様の方法により、ステップＳ３〜Ｓ５、Ｓ７、Ｓ９〜Ｓ１５を順次実行する。これにより、図６Ｃに示すような半導体発光素子が形成される。このとき、半導体層１０内には欠陥部４０ａが形成されている。
【０１０８】
（ステップＳ４２）
電極１５と反射電極１３の間に電圧を印加して、素子に対して電流を流す。このとき、欠陥部４０ａに対して他の領域よりも高い電流４１が流れることで、局所的に著しく温度が上昇する。これにより、反射電極１３のうち、欠陥部４０ａに連絡されている領域が他の領域よりも大きく加熱され、酸化物、窒化物、硫化物等、雰囲気ガスに応じた材料に変成する（領域２ａ）。これにより、当該領域２ａは、活性層９から放射される光に対する反射率が反射電極１３よりも低くなり、識別体２としての機能を果たす。
【０１０９】
このステップＳ４２が工程（ｄ）に対応する。
【０１１０】
［製造システム］
本実施形態においても、図４に示した製造システム５０によって管理が可能である。なお、本実施形態の製造システム５０において、第三処理部５３は、ステップＳ４２において発光素子に対して電流を注入する装置に対応する。
【０１１１】
照合部５７は、撮像データから認識された識別体２が、管理情報に含まれたものであるかどうか、及び対象となる発光素子１が後の工程に進行させるべきロット番号が付されたものかどうかを判断する。そして、照合部５７は、上記判断の結果、問題がなければ発光素子１を市場に供給する対象商品として決定する。
【０１１２】
＜第四実施形態＞
本発明の第四実施形態について説明する。なお、第一実施形態と共通の内容については、その旨を記載して説明を適宜割愛する。
【０１１３】
［製造方法］
第四実施形態の半導体発光素子の製造方法の一例について、図７Ａ〜図７Ｃに示す工程断面図を参照して説明する。
【０１１４】
（ステップＳ１〜Ｓ４）
第一実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ４を実行し、成長基板２５の上層に半導体層４０及び絶縁層２４を形成する（図１Ｃ参照）。
【０１１５】
（ステップＳ５１）
ｐ型半導体層１１の上面のうち、成長基板２５の面に直交する方向に関して、後の工程で識別体２を付す対象となる領域と対向する領域に材料層３２を形成する。材料層３２としては、活性層９から放射される光に対する反射率が反射電極１３よりも低い材料であれば、金属、金属化合物、絶縁物等の材料で構成して構わない。
【０１１６】
（ステップＳ５）
第一実施形態と同様の方法で、露出しているｐ型半導体層１１の上面に反射電極１３を形成する（図７Ｂ参照）。本ステップＳ５の実行後、成長基板２５の面に平行な方向に関し、反射電極１３の一部領域内に、反射電極１３よりも反射率の低い材料層３２を有したウェハが形成される。ステップＳ５１が工程（ｄ）に対応し、ステップＳ５が工程（ｃ）に対応する。なお、ステップＳ５１とステップＳ５の順番は逆転しても構わない。ｌ
【０１１７】
（ステップＳ７、Ｓ９〜Ｓ１５）
第一実施形態と同様の方法により、ステップＳ７、Ｓ９〜Ｓ１５を順次実行する。これにより、図７Ｃに示すような半導体発光素子１が形成される。図７Ｃに示すように反射電極１３が形成されている領域内において、特定の領域２ａに反射率の低い材料層３２が形成されるため、第一実施形態と同様に、反射率の低い領域２ａの形状等を識別体２として機能させることができる。
【０１１８】
［製造システム］
本実施形態においても、図４に示した製造システム５０によってウェハの管理が可能である。本実施形態の製造システム５０において、第二処理部５２が半導体層４０の上層に反射電極２３を形成するための装置であり、第三処理部５３が材料層３２を形成するための装置である。この形態においては、第三処理部５３による処理が完了した後のウェハ６０に識別体２が付与されることになる。
【０１１９】
なお、第三処理部５３を第二処理部５２よりも前段に設けても構わない。この場合においても、第二処理部５２における処理が完了した後のウェハ６０に識別体２が付与される。
【０１２０】
照合部５７は、撮像データから認識された識別体２が、管理情報に含まれたものであるかどうか、及び対象となるウェハ６０が後の工程に進行させるべきロット番号が付されたものかどうかを判断する。そして、照合部５７は、上記判断の結果、問題がなければ、ウェハ６０を後の工程（本実施形態では保護層１４の形成工程）に進行させる指示を行い、問題があれば工程を中断させる指示を行うものとすることができる。
【０１２１】
＜別実施形態＞
以下、別実施形態について説明する。
【０１２２】
〈１〉  上記の各実施形態では、活性層９を介してｎ側の電極１５とｐ側の電極（反射電極）１３が対向する位置に配置される構造、いわゆる「縦型構造」を示す素子を製造する態様について説明した。しかし、第二実施形態以後の各方法においては、活性層９に対してｎ側の電極１５とｐ側の電極１３が同一面側に配置される構造、いわゆる「横型構造」を示す素子を製造する場合に対しても適用可能である。
【０１２３】
〈２〉  上記の各実施形態では、反射電極１３よりも反射率の低い領域２ａは、周囲を反射電極１３に取り囲まれている箇所に形成されるものとして説明したが、反射電極１３の端部の領域に形成されるものとしても構わない。
【０１２４】
〈３〉  上記の各実施形態において、ｎ型半導体層７を光取り出し面４とする半導体発光素子を製造する場合について説明したが、本発明の方法は、ｐ型とｎ型の配置が逆転した素子に対しても適用可能である。
【０１２５】
更に、上述した各実施形態では、窒化物半導体層で構成された半導体発光素子を製造する場合について説明したが、本発明の方法は、ＧａＡｓ系やＧａＰ系等、窒化物半導体以外の半導体で構成された発光素子を製造する場合にも適用可能である。
【符号の説明】
【０１２６】
１      ：    半導体発光素子
２      ：    識別体
２ａ    ：    反射率の低い領域
３      ：    支持基板
４      ：    光取り出し面
７      ：    ｎ型半導体層
９      ：    活性層
１０      ：    半導体層
１１      ：    ｐ型半導体層
１３      ：    反射電極
１３ａ    ：    電極変成領域
１４      ：    保護層
１４ａ    ：    保護層の突出部
１５      ：    電極
１６      ：    溝部
１７      ：    接合層
１８      ：    マスク
２１      ：    接合層
２３      ：    保護層
２４      ：    絶縁層
２５      ：    成長基板
２５ａ    ：    異物
２７      ：    アンドープ層
３１      ：    材料層
３２      ：    材料層
３３      ：    光
３４      ：    光マスク
４０      ：    半導体層
４０ａ    ：    欠陥部
４１      ：    電流
５０      ：    製造システム
５１      ：    第一処理部
５２      ：    第二処理部
５３      ：    第三処理部
５５      ：    撮像部
５７      ：    照合部
５９      ：    記憶部
６０      ：    ウェハ
９０      ：    比較例の半導体発光素子
９１      ：    反射率の低い領域
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
2017005024.tif 000004
【図１Ｃ】
2017005024.tif 000005
【図１Ｄ】
2017005024.tif 000006
【図１Ｅ】
2017005024.tif 000007
【図１Ｆ】
2017005024.tif 000008
【図１Ｇ】
2017005024.tif 000009
【図１Ｈ】
2017005024.tif 000010
【図１Ｉ】
2017005024.tif 000011
【図１Ｊ】
2017005024.tif 000012
【図１Ｋ】
2017005024.tif 000013
【図１Ｌ】
2017005024.tif 000014
【図１Ｍ】
2017005024.tif 000015
【図１Ｎ】
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【図２Ａ】
2017005024.tif 000017
【図２Ｂ】
2017005024.tif 000018
【図３Ａ】
2017005024.tif 000019
【図３Ｂ】
2017005024.tif 000020
【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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【図５Ａ】
2017005024.tif 000025
【図５Ｂ】
2017005024.tif 000026
【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
2017005024.tif 000028
【図６Ｂ】
2017005024.tif 000029
【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７Ａ】
2017005024.tif 000032
【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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