(57)【要約】【課題】基板から金属酸化物層や金属配線層が剥がれることを抑制する技術を提供する。【解決手段】配線基板は、ガラスもしくはセラミックにより形成された基板と、前記基板上に形成された金属酸化物層と、前記金属酸化物層上に形成された金属配線層と、を備える配線基板であって、前記配線基板を断面視した場合に、前記金属酸化物層の方が前記金属配線層よりも幅が狭く、前記基板と前記金属配線層との間に形成され、かつ、前記金属酸化物層の側面に接触するポーラス金属層を備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスもしくはセラミックにより形成された基板と、
前記基板上に形成された金属酸化物層と、
前記金属酸化物層上に形成された金属配線層と、を備える配線基板であって、
前記配線基板を断面視した場合に、前記金属酸化物層の方が前記金属配線層よりも幅が狭く、
前記基板と前記金属配線層との間に形成され、かつ、前記金属酸化物層の側面に接触するポーラス金属層を備えることを特徴とする、配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記ポーラス金属層は、前記金属配線層の側面の少なくとも一部においても接触することを特徴とする、配線基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の配線基板であって、
前記金属配線層は、銅、ニッケル、銀からなる群より選ばれる少なくとも一つを含むことを特徴とする、配線基板。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の配線基板であって、
前記金属酸化物層は、亜鉛、チタン、スズ、クロムからなる群より選ばれる少なくとも一つを含む酸化物層であることを特徴とする、配線基板。
【請求項５】
配線基板の製造方法であって、
ガラスもしくはセラミックにより形成された基板と、前記基板上に形成された金属酸化物層と、前記金属酸化物層上に形成された金属配線層と、を備え、断面視した場合に、前記金属酸化物層の方が前記金属配線層よりも幅が狭いコア基板を準備する準備工程と、
金属インクを前記基板上に滴下した後、焼成することにより、前記基板と前記金属配線層との間であり、かつ、前記金属酸化物層の側面に接触するようにポーラス金属層を形成するポーラス金属層形成工程と、を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の配線基板の製造方法であって、
前記基板はガラスにより形成されていることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＣパッケージ基板やインターポーザなどに利用される配線基板として、基板上に、金属酸化物層と、金属配線層とをこの順に備える配線基板が知られている（例えば、特許文献１）。特許文献１には、金属酸化物層をパターニングした後、金属酸化物層の上に、無電解銅メッキにより金属配線層を形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２１３４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の金属配線層の形成方法では、金属配線層の寸法精度が低い。このため、金属配線層の寸法精度を高めるために、金属酸化物層の上に金属配線層を積層した後にウェットエッチングによるパターニングを行うことが好ましい。
【０００５】
金属酸化物層の上に金属配線層を積層した後にウェットエッチングを行う場合、金属配線層よりもエッチングレートが高い金属酸化物層が優先的にエッチングされる。この結果として、金属配線層と基板との間に隙間が生じる虞があった。そして、この隙間により、基板と金属酸化物層との接着面積や金属酸化物層と金属配線層との接着面積が減少し、金属配線層や金属酸化物層が基板から剥がれる虞があった。特に、この隙間に液体や気体が侵入し、その状態で熱を受けた場合、侵入した液体や気体が膨張することにより、金属配線層や金属酸化物層が基板から剥がれる虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することができる。
【０００７】
（１）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、ガラスもしくはセラミックにより形成された基板と、前記基板上に形成された金属酸化物層と、前記金属酸化物層上に形成された金属配線層と、を備える配線基板であって、前記配線基板を断面視した場合に、前記金属酸化物層の方が前記金属配線層よりも幅が狭く、前記基板と前記金属配線層との間に形成され、かつ、前記金属酸化物層の側面に接触するポーラス金属層を備えることを特徴とする。この形態の配線基板によれば、ポーラス金属層を備えることにより、基板から金属酸化物層や金属配線層が剥がれることを抑制できる。
【０００８】
（２）上記形態の配線基板において、前記ポーラス金属層は、前記金属配線層の側面の少なくとも一部においても接触していてもよい。この形態の配線基板によれば、基板と金属配線層との密着性を向上させることができる。
【０００９】
（３）上記形態の配線基板において、前記金属配線層は、銅、ニッケル、銀からなる群より選ばれる少なくとも一つを含んでもよい。この形態の配線基板によれば、導電性を向上させることができる。
【００１０】
（４）上記形態の配線基板において、前記金属酸化物層は、亜鉛、チタン、スズ、クロムからなる群より選ばれる少なくとも一つを含む酸化物層としてもよい。この形態の配線基板によれば、基板と金属酸化物層との密着性を向上させることができる。
【００１１】
（５）本発明の他の形態によれば、配線基板の製造方法が提供される。この配線基板の製造方法は、ガラスもしくはセラミックにより形成された基板と、前記基板上に形成された金属酸化物層と、前記金属酸化物層上に形成された金属配線層と、を備え、断面視した場合に、前記金属酸化物層の方が前記金属配線層よりも幅が狭いコア基板を準備する準備工程と、金属インクを前記基板上に滴下した後、焼成することにより、前記基板と前記金属配線層との間であり、かつ、前記金属酸化物層の側面に接触するようにポーラス金属層を形成するポーラス金属層形成工程と、を備えることを特徴とする。この形態の配線基板の製造方法によれば、ポーラス金属層を備えることにより、基板から金属酸化物層や金属配線層が剥がれることを抑制できる。
【００１２】
（６）上記形態の配線基板の製造方法において、前記基板はガラスにより形成されていてもよい。この形態の配線基板の製造方法によれば、金属酸化物層が形成されている面とは反対側の基板の面から、カメラ等により金属酸化物層を観察しながら金属インクを基板上に滴下できるため、効率的にポーラス金属層を形成できる。
【００１３】
なお、本発明は、上述した配線基板や配線基板の製造方法としての形態に限らず、種々の形態で実現することが可能である。本発明は、例えば、配線基板を備えた電気機器の態様で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態の配線基板の説明図。
【図２】配線基板の製造方法を示す工程図。
【図３】準備工程を説明する図。
【図４】ポーラス金属層形成工程を説明する図。
【図５】粗化処理の後にポーラス金属層形成工程を行う場合を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
Ａ．実施形態：
Ａ１．配線基板の構成：
図１は、本実施形態の配線基板１０の説明図である。本実施形態の配線基板１０は、例えば、ＩＣパッケージ基板やインターポーザとして利用される。図１に示すように、配線基板１０は、基板１００と、金属酸化物層１１０と、金属配線層１２０と、絶縁層１３０と、ポーラス金属層１４０とを備える。図１には、配線基板１０の一部を示している。
【００１６】
基板１００は、本実施形態において、３００ｍｍ四方で厚さが０．３ｍｍの無アルカリガラスにより形成されている。本実施形態において、基板１００は貫通孔が形成されていないが、基板１００は貫通孔が形成されていてもよい。また、本実施形態において、基板１００はガラスにより形成されているが、基板１００はセラミックにより形成されていてもよい。
【００１７】
金属酸化物層１１０は、金属酸化物により形成されている層であり、基板１００上に形成されている。金属酸化物層１１０は、基板１００と密着性の高い材料を用いることが好ましく、例えば、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）からなる群より選ばれる少なくとも一つを含む酸化物層であることが好ましい。本実施形態において、金属酸化物層１１０は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）により形成されている。本実施形態において、金属酸化物層１１０の厚さは、約１００ｎｍである。
【００１８】
金属配線層１２０は、金属により形成されている層であり、配線に用いられる。金属配線層１２０は、金属酸化物層１１０上に形成されている。金属配線層１２０は、金属酸化物層１１０と接する層から順に、シード層１２２と、メッキ層１２５とを備える。金属配線層１２０は、導電性の高い金属から形成されていることが好ましく、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも一つを含むことが好ましい。本実施形態において、金属配線層１２０は、銅（Ｃｕ）により形成されている。
【００１９】
後述する準備工程（工程Ｐ１００）でのエッチングにより、配線基板１０を断面視した場合に、金属酸化物層１１０の方が金属配線層１２０よりも幅が狭くなる。この結果として、基板１００と金属配線層１２０との間には隙間が生じる。なお、「配線基板１０を断面視した場合」とは、基板１００上で金属配線層１２０が延びる方向に垂直な断面において、配線基板１０を見た場合を示す。「幅」とは、断面視したときに、金属酸化物層１１０が金属配線層１２０に積層される方向に垂直な方向における寸法を示す。
【００２０】
ポーラス金属層１４０は、基板１００と金属配線層１２０との間に形成され、かつ、金属酸化物層１１０の側面に接触している。ここで、ポーラス金属層１４０とは、多数の空孔が存在する金属層をいう。ポーラス金属層１４０が金属酸化物層１１０の側面に接触するとは、ポーラス金属層１４０の少なくとも一部が金属酸化物層１１０の側面に接触していることを示す。本実施形態において、ポーラス金属層１４０は、金属配線層１２０の側面の一部においても接触している。
【００２１】
本実施形態では、ポーラス金属層１４０は、後述するように、金属インクを焼成することにより形成されている。なお、金属インクとは、金属ナノ粒子を含む懸濁液を示す。金属ナノ粒子としては、例えば、銅ナノ粒子や銀ナノ粒子が挙げられる。本実施形態では、銅ナノ粒子を用いる。金属ナノ粒子として、銀ナノ粒子を用いる場合、銅ナノ粒子を用いる場合と比較して、後述する焼成時の焼成温度を低く設定することができるため、好ましい。本実施形態において、金属インクに含まれる銅ナノ粒子の平均粒子径は、１５ｎｍから５０ｎｍである。また、ポーラス金属層１４０内の平均空孔径は、１０ｎｍから１００ｎｍ程度である。また、ポーラス金属層１４０の空孔率は２０％から５０％である。
【００２２】
絶縁層１３０は、樹脂により形成されている層であり、絶縁特性を有する層である。絶縁層１３０は、金属配線層１２０やポーラス金属層１４０を覆っている。本実施形態において、絶縁層１３０は、エポキシ樹脂により形成されており、所望の強度や耐熱性を付与するためにシリカ等の無機材料からなるフィラーが含まれている。
【００２３】
Ａ２．配線基板１０の製造方法：
図２は、配線基板１０の製造方法を示す工程図である。配線基板１０の製造者は、まず、工程Ｐ１００において、基板１００上に金属酸化物層１１０と金属配線層１２０とを備えるコア基板を準備する。工程Ｐ１００は、準備工程とも呼ぶ。
【００２４】
本実施形態では、準備工程において、製造者は、基板１００上に金属酸化物層１１０と金属配線層１２０とを形成する。金属酸化物層１１０と金属配線層１２０との形成方法としては、例えば、サブトラクティブ法やセミアディティブ法が挙げられる。本実施形態では、金属酸化物層１１０と金属配線層１２０との形成方法としてサブトラクティブ法を用いる。
【００２５】
図３は、準備工程（工程Ｐ１００）を説明する図である。具体的には、まず、製造者は、基板１００上に、金属酸化物層１１０となる酸化亜鉛（ＺｎＯ）の層１１０Ａを形成し、次に、無電解銅メッキにより、層１１０Ａの上にシード層１２２となる層１２２Ａを形成する（図３（ａ）参照）。層１１０Ａの形成方法としては、例えば、ＭＯＤ（金属有機化合物分解：Metal Organic Decomposition）法、ゾル‐ゲル法、ＣＶＤ（化学気相成長：Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、スクリーン印刷法が挙げられる。本実施形態では、層１１０Ａの形成方法としてＭＯＤ法を用いる。
【００２６】
次に、製造者は、電解銅メッキにより、層１２２Ａの上にメッキ層１２５となる層１２５Ａを形成する（図３（ｂ）参照）。その後、製造者は、層１２５Ａの上に、ドライフィルムレジストによるパターン１６０を形成し、ウェットエッチングを行う。図３（ｃ）は、ウェットエッチングによって層１２５Ａがエッチングされている様子を示す。ウェットエッチングにより、層１１０Ａ，１２２Ａ，１２５Ａのうち、上方がパターン１６０により覆われていない不要な部分を除去した後に、パターン１６０を除去することにより、製造者は、基板１００と、金属酸化物層１１０と、金属配線層１２０とを備えるコア基板１０Ａを得る（図３（ｄ）参照）。
【００２７】
図３（ｄ）に示すように、コア基板１０Ａは、断面視した場合に、金属酸化物層１１０の方が金属配線層１２０よりも幅が狭い。この理由としては、上述のウェットエッチングによるエッチングレートが金属配線層１２０よりも金属酸化物層１１０の方が高いため、金属配線層１２０よりも金属酸化物層１１０の方が優先的にエッチングされる点が挙げられる。
【００２８】
以上により、準備工程（工程Ｐ１００）が完了する。なお、本実施形態では、コア基板１０Ａを作製しているが、予め作製されたコア基板１０Ａを用いてもよい。
【００２９】
準備工程（工程Ｐ１００）（図２参照）の後、製造者は、工程Ｐ１０５において、基板１００にシランカップリング処理を行う。具体的には、製造者は、基板１００にシランカップリング剤を塗布する。シランカップリング処理（工程Ｐ１０５）は、基板１００と後述する工程にて形成されるポーラス金属層１４０との密着性を向上させるための工程である。シランカップリング処理（工程Ｐ１０５）は、金属配線層１２０の形成後、ポーラス金属層１４０の形成前に行われる。
【００３０】
シランカップリング処理（工程Ｐ１０５）の後、製造者は、工程Ｐ１１０において、基板１００と金属配線層１２０との間であり、かつ、金属酸化物層１１０の側面に接触するようにポーラス金属層１４０を形成する。工程Ｐ１１０は、ポーラス金属層形成工程とも呼ぶ。
【００３１】
図４は、ポーラス金属層形成工程（工程Ｐ１１０）を説明する図である。ポーラス金属層形成工程（工程Ｐ１１０）において、製造者は、まず、銅ナノ粒子が含まれる金属インク１４０Ａを基板１００上に滴下する。本実施形態では、製造者は、基板１００の金属配線層１２０を備える面に、金属インク１４０Ａをインクジェット法により滴下する。インクジェット法としては、ピエゾ方式やサーマル方式を採用でき、また、超微細なインクジェットを用いたスーパーインクジェット方式を採用してもよい。
【００３２】
本実施形態では、基板１００がガラスにより形成されている。このため、図４に示すように、金属酸化物層１１０が形成されている面とは反対側の基板１００の面から、金属酸化物層１１０をカメラ２２０によって観察しながら、ノズル２１０から金属インクを基板１００上に滴下できる。この結果として、基板１００と金属酸化物層１１０とが接する部分が少ない箇所へ重点的に金属インクを滴下できるため、ポーラス金属層１４０の形成精度を向上でき、また、効率的にポーラス金属層１４０を形成できる。
【００３３】
金属インク１４０Ａの滴下時において、金属インク１４０Ａは、基板１００と金属配線層１２０との間の隙間に浸入し、金属酸化物層１１０の側面と接触する。また、金属インク１４０Ａの滴下時において、金属インク１４０Ａの表面張力により、金属インク１４０Ａは、金属配線層１２０の側面下方においても付着する。この結果、後述する焼成後において、ポーラス金属層１４０は、金属配線層１２０の側面下方においても固着する。
【００３４】
次に、製造者は、金属インク１４０Ａを焼成することにより、この金属インク１４０Ａをコア基板１０Ａに焼き付ける。焼成は、酸化雰囲気もしくは還元雰囲気のいずれで行ってもよい。本実施形態では、焼成は３００〜４００℃程度の温度で行われる。なお、焼成において、マイクロ波プラズマ法を用いてもよい。
【００３５】
以上により、ポーラス金属層形成工程（工程Ｐ１１０）が完了する。ポーラス金属層形成工程（工程Ｐ１１０）において、ポーラスな金属層が形成されるメカニズムとしては、（ｉ）金属インク１４０Ａに含まれる溶媒が焼成により揮発し、溶媒が存在していた部分が空孔となる、もしくは、（ｉｉ）金属インク１４０Ａに含まれる隣り合う金属ナノ粒子同士が焼成を経ても部分的に溶融せずに存在することで空孔が形成される、と考えられる。
【００３６】
ポーラス金属層形成工程（工程Ｐ１１０）（図２参照）の後、製造者は、工程Ｐ１２０において、金属配線層１２０の表面の粗化処理を行う。本実施形態において、粗化処理の方法としては、ウェットエッチングを用いる。この工程を経ることにより、金属配線層１２０の表面が粗くなり、金属配線層１２０と次の工程において形成される絶縁層１３０との密着性を向上させることができる。
【００３７】
金属配線層１２０の表面の粗化処理（工程Ｐ１２０）の後、製造者は、工程Ｐ１３０において、金属配線層１２０を覆う絶縁層１３０を形成する。工程Ｐ１３０は、絶縁層形成工程とも呼ぶ。これらの工程を経て、配線基板１０が完成する。
【００３８】
本実施形態の配線基板１０は、基板１００と金属配線層１２０との間に形成され、かつ、金属酸化物層１１０の側面に接触するポーラス金属層１４０を備える。このため、本実施形態の配線基板１０によれば、基板１００と金属配線層１２０との隙間を埋めることができる。この結果、この隙間に気体や液体が侵入を防ぐことができる。また、ポーラス金属層１４０が金属配線層１２０に密着するため、金属配線層１２０や金属酸化物層１１０が基板１００から剥がれることを抑制することができる。この結果、配線基板１０の歩留りを向上させることができる。
【００３９】
また、本実施形態の配線基板１０において、ポーラス金属層１４０は、金属配線層１２０の側面の一部においても接触する。このため、ポーラス金属層１４０が金属配線層１２０の側面と接触しない場合と比較して、ポーラス金属層１４０と金属配線層１２０との密着性が向上する。この結果として、金属配線層１２０や金属酸化物層１１０が基板１００から剥がれることを効果的に抑制することができる。
【００４０】
空孔を備えるポーラス金属層１４０は、空孔を備えない金属酸化物層１１０と比較して、弾性率が低くなる。このため、基板１００と金属酸化物層１１０との熱膨張差によって発生する応力をポーラス金属層１４０が緩和することができる。この結果として、熱膨張差に起因して、配線基板１０に熱衝撃が加わった場合に基板１００が金属酸化物層１１０から剥がれることを抑制できる。なお、ポーラス金属層１４０の代わりにガラス層を設けることも可能であるが、この場合、基板１００とガラス層との熱膨張差は小さいが、金属酸化物層１１０とガラス層との熱膨張差は大きい。このため、基板１００が金属酸化物層１１０から剥がれることを抑制する観点から、ガラス層を用いるよりもポーラス金属層１４０を用いる方が好ましい。
【００４１】
本実施形態の配線基板１０の製造方法では、粗化処理（工程Ｐ１２０）の前に、ポーラス金属層形成工程（工程Ｐ１１０）を行う。一方、粗化処理の後にポーラス金属層形成工程を行う場合以下のようなことが起こる虞がある。
【００４２】
図５は、粗化処理の後にポーラス金属層形成工程を行う場合を説明するための図である。図５（ａ）は、粗化処理前のコア基板１０Ａを示す。コア基板１０Ａが粗化処理工程を経ることにより、図５（ｂ）に示すように、金属酸化物層１１０及びシード層１２２が削られる。このため、図５（ａ）に示す粗化処理前の金属酸化物層１１０の幅と比較して、図５（ｂ）に示す粗化処理後の金属酸化物層１１０の幅はさらに狭くなる。この結果、図５（ｃ）に示すように、基板１００から金属配線層１２０が剥がれる虞がある。
【００４３】
このため、本実施形態の配線基板１０の製造方法によれば、粗化処理の後にポーラス金属層形成工程を行う場合と比較して、ポーラス金属層１４０が金属酸化物層１１０の周囲を覆うことにより、粗化処理によって金属酸化物層１１０が削れることを抑制することができる。
【００４４】
本実施形態の配線基板１０の金属酸化物層１１０は、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）からなる群より選ばれる少なくとも一つを含む酸化物層である。このため、基板１００と金属酸化物層１１０との密着性を向上させることができる。また、配線基板１０の金属配線層１２０は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも一つを含む。このため、配線基板１０の導電性を向上させることができる。また、配線基板１０は、ポーラス金属層１４０を備えている。このため、上記に列挙した金属酸化物層１１０と金属配線層１２０とを組み合わせた結果、ウェットエッチングにより生じる基板１００と金属配線層１２０との間の隙間が生じやすくなったとしても、金属配線層１２０や金属酸化物層１１０が基板１００から剥がれることを、効果的に抑制することができる。
【００４５】
Ｂ．変形例：
Ｂ１．変形例１：
上述の実施形態において、金属酸化物層１１０と金属配線層１２０との形成方法としてサブトラクティブ法を用いる。しかし、これに限定されない。金属酸化物層１１０と金属配線層１２０との形成方法として、セミアディティブ法を用いてもよい。なお、サブトラクティブ法の方が、セミアディティブ法と比較して、金属酸化物層１１０と金属配線層１２０との密着性が良好な配線基板１０が形成できるため好ましい。
【００４６】
また、シード層１２２として、無電解銅メッキの代わりに、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）を密着層とした銅スパッタ膜を用いてもよい。この場合、密着層の除去に、銅のウェットエッチングに用いるエッチング処理剤とは異なるエッチング処理剤を用いる必要があるため、基板１００と金属配線層１２０との間に隙間が生じやすい傾向にある。しかし、本実施形態の配線基板１０は、ポーラス金属層１４０を備えるため、金属配線層１２０や金属酸化物層１１０が基板１００から剥がれることを抑制することができる。
【００４７】
Ｂ２．変形例２：
上述の実施形態において、配線基板１０は、金属酸化物層１１０と金属配線層１２０とを一層ずつ備える。しかし、本発明はこれに限定されない。配線基板１０は、例えば、基板１００の上に、複数の金属酸化物層１１０や金属配線層１２０を備えてもよい。
【００４８】
Ｂ３．変形例３：
上述の実施形態において、ポーラス金属層１４０は、金属配線層１２０の側面の一部に接触している。しかし、本発明はこれに限定されない。ポーラス金属層１４０は、金属配線層１２０の側面の全部に接触していてもよく、金属配線層１２０の側面に接触していなくてもよい。
【００４９】
Ｂ４．変形例４：
上述の実施形態において、シランカップリング処理（工程Ｐ１０５）を行っているが、本発明はこれに限られず、シランカップリング処理を行わなくてもよい。
【００５０】
本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１０…配線基板
１０Ａ…コア基板
１００…基板
１１０…金属酸化物層
１１０Ａ…層
１２０…金属配線層
１２２…シード層
１２２Ａ…層
１２５…メッキ層
１２５Ａ…層
１３０…絶縁層
１４０…ポーラス金属層
１４０Ａ…金属インク
１６０…パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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