(57)【要約】【課題】本発明は、半導体ウエハや半導体ウエハに貼合された接着剤層に効率よく張力を伝えることができ、接着剤層の破片で半導体ウエハが汚染されることを防止することができるウエハ加工用テープを提供する。【解決手段】基材フィルム上に直接的または間接的に粘着剤層が設けられた粘着フィルムと、前記粘着フィルムの上に直接的または間接的に形成された接着剤層とを有し、半導体ウエハの加工に使用されるウエハ加工用テープであって、前記接着剤層の直径が、前記半導体ウエハの直径の１．０１〜１．０６倍であることを特徴とする。【選択図】図１
2017005160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に直接的または間接的に粘着剤層が設けられた粘着フィルムと、
前記粘着フィルムの上に直接的または間接的に形成された接着剤層とを有し、半導体ウエハの加工に使用されるウエハ加工用テープであって、
前記接着剤層の直径が、前記半導体ウエハの直径の１．０１〜１．０６倍であることを特徴とするウエハ加工用テープ。
【請求項２】
前記接着剤層と前記粘着フィルムとの間の剥離力が、０．４〜２．０Ｎ/２５ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項３】
少なくとも以下の工程を順不同で含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
（ａ）前記半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記接着剤層を貼合する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光またはブレードで、分断ラインを形成する工程、
（ｃ）前記粘着フィルムをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程、
（ｄ）前記接着剤層が付いた前記半導体チップを前記粘着剤層からピックアップする工程
【請求項４】
少なくとも以下の工程を順不同で含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
（ａ）前記半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記接着剤層を貼合する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの分割予定部分の内部に焦点光を合わせ、レーザー光を照射することにより、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記粘着フィルムをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを前記切断予定部に沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程、
（ｄ）前記接着剤層が付いた前記半導体チップを前記粘着剤層からピックアップする工程
【請求項５】
少なくとも以下の工程を順不同で含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
（ａ）前記半導体ウエハを、レーザー光またはダイシングブレードを用いて分断予定ラインに沿って前記ウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハの裏面を研削することにより、半導体チップに分断するバックグラインド工程、
（ｄ）前記半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップに分断された前記ウエハ裏面に、前記接着剤層を貼合する工程、
（ｅ）前記半導体チップに分断された前記半導体ウエハ表面から半導体表面保護テープを剥離する工程、
（ｆ）前記粘着フィルムをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップに対応して分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程、
（ｇ）前記接着剤層が付いた前記半導体チップを前記粘着剤層からピックアップする工程
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ加工用テープに関し、特に、ダイシングテープとダイボンディングフィルムの２つの機能を有するウエハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣなどの半導体装置の製造工程では、回路パターン形成後の半導体ウエハを薄膜化するために半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程、半導体ウエハの裏面に粘着性および伸縮性のある半導体ウエハ加工用テープを貼り付けた後、半導体ウエハをチップ単位に分断するダイシング工程、ウエハ加工用テープを拡張（エキスパンド）するエキスパンド工程、分断されたチップをピックアップするピックアップ工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する（あるいは、スタックドパッケージにおいては、チップ同士を積層、接着する）ダイボンディング（マウント）工程が実施される。
【０００３】
上記バックグラインド工程では、半導体ウエハの回路パターン形成面（ウエハ表面）を汚染から保護するために、表面保護テープが使用される。半導体ウエハの裏面研削終了後、この表面保護テープを半導体ウエハ表面から剥離する際には、以下に述べるウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングテープ）を半導体ウエハ裏面に貼合した後、吸着テーブルにウエハ加工用テープ側を固定し、表面保護テープに、半導体ウエハに対する接着力を低下させる処理を施した後、表面保護テープを剥離する。表面保護テープが剥離された半導体ウエハは、その後、裏面に半導体ウエハが貼合された状態で、吸着テーブルから取り上げられ、次のダイシング工程に供される。なお、上記の接着力を低下させる処理とは、表面保護テープが紫外線等のエネルギー線硬化性成分からなる場合は、エネルギー線照射処理である。また、表面保護テープの構成成分に関わらず、接着力を低下させる処理として加熱処理が、単独で用いられることもあれば、エネルギー線照射処理等の他の処理と併用されることもある。
【０００４】
上記バックグラインド工程の後のダイシング工程〜マウント工程では、基材フィルムに、粘着剤層と接着剤層とが、この順に積層されたウエハ加工用テープが使用される。一般に、半導体ウエハを用いる場合は、まず、半導体ウエハの裏面に半導体ウエハの接着剤層を貼合して半導体ウエハを固定し、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハおよび接着剤層をチップ単位にダイシングする。その後、テープを半導体ウエハの径方向に拡張することによって、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程が実施される。このエキスパンド工程は、その後のピックアップ工程において、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、チップをピックアップする際に、隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。その後、チップは、ピックアップ工程にて接着剤層とともに粘着剤層から剥離してピックアップされ、マウント工程にて、リードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着される。このように、ウエハ加工用テープを用いることで、接着剤層付きのチップをリードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着することが可能となるので、接着剤の塗布工程や別途各チップにダイボンディングフィルムを接着する工程を省略することができる。
【０００５】
しかしながら、前記ダイシング工程では、上述のように、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハと接着剤層とを一緒にダイシングするため、半導体ウエハの切削屑だけでなく、接着剤層の切削屑も発生してしまう。そして、接着剤層の切削屑が半導体ウエハのダイシング溝に詰まった場合、チップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生し、半導体装置の製造歩留まりが低下してしまうという問題があった。
【０００６】
このような問題を解決するために、ダイシング工程ではブレードにより半導体ウエハのみをダイシングし、エキスパンド工程において、ウエハ加工用テープを拡張することにより、接着剤層を個々のチップ毎に分断する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。このような、拡張時の張力を利用した接着剤層の分断方法によれば、接着剤の切削屑が発生せず、ピックアップ工程において悪影響を及ぼすこともない。
【０００７】
また、近年、半導体ウエハの切断方法として、レーザー加工装置を用いて、非接触で半導体ウエハを切断できる、いわゆるステルスダイシング法が提案されている。例えば、特許文献２には、ステルスダイシング法として、接着剤層（ダイボンド樹脂層）を介在させて、シートが貼り付けられた半導体基板の内部に焦点光を合わせ、レーザー光を照射することにより、半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域を切断予定部とする工程と、シートを拡張させることにより、切断予定部に沿って半導体基板および接着剤層を切断する工程とを備えた半導体基板の切断方法が開示されている。
【０００８】
また、レーザー加工装置を用いた別の半導体ウエハの切断方法として、例えば、特許文献３には、半導体ウエハの裏面にダイボンディング用の接着剤層（接着フィルム）を装着する工程と、該接着剤層が貼合された半導体ウエハの接着剤層側に、伸長可能な保護粘着テープを貼合する工程と、保護粘着テープを貼合した半導体ウエハの表面から、ストリートに沿ってレーザー光線を照射し、個々のチップに分割する工程と、保護粘着テープを拡張して接着剤層に引張力を付与し、接着剤層をチップ毎に破断する工程と、破断された接着剤層が貼合されているチップを保護粘着テープから離脱する工程を含む半導体ウエハの分割方法が提案されている。
【０００９】
これら特許文献２および特許文献３に記載の半導体ウエハの切断方法によれば、レーザー光の照射およびテープの拡張によって、非接触で半導体ウエハを切断するので、半導体ウエハへの物理的負荷が小さく、現在主流のブレードダイシングを行う場合のような半導体ウエハの切削屑（チッピング）を発生させることなく半導体ウエハの切断が可能である。また、拡張によって接着剤層を分断するので、接着剤層の切削屑を発生させることもない。このため、ブレードダイシングに代わり得る優れた技術として注目されている。
【００１０】
上記特許文献１〜３に記載にされたように、拡張によって接着剤層を分断する方法では、使用される半導体ウエハには、チップに沿って接着剤層を確実に分断するために、基材フィルムの均一かつ等方的な拡張性が接着剤層に十分に伝わる必要がある。
【００１１】
そこで、接着剤層の直径を粘着剤層の直径と同じか、または同直径に近づけることで、エキスパンドによってウエハ加工用テープが受ける張力を接着剤層にも均一に印加させることができ、接着剤層を均一に伸張させるようにしたウエハ加工用テープが開示されている（例えば、特許文献４参照）。これにより、接着剤層の分断のムラがなくなり、接着剤層の分断性を向上させることができる。また、接着剤層の分断性の向上により、エキスパンド条件の最適化に要する時間や労力を軽減することができるという効果が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−５５３０号公報
【特許文献２】特開２００３−３３８４６７号公報
【特許文献３】特開２００４−２７３８９５号公報
【特許文献４】特開２００９−０９４１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
特許文献４に記載のウエハ加工用テープでは、半導体ウエハの外側に存在する接着剤層は、半導体ウエハが個片化された後のチップを基板や他のチップ上に実装するためには使われない、不要な部分である。この不要な部分を増やすことで、本来半導体ウエハや半導体ウエハに貼合された接着剤層に伝わるべき張力が小さくなってしまう。また、半導体ウエハに貼合されていない部分が大きな張力を受けることで、無秩序に破断してしまい、それによって生じた接着剤層の破片で半導体ウエハが汚染される。
【００１４】
そこで、本発明は、半導体ウエハや半導体ウエハに貼合された接着剤層に効率よく張力を伝えることができ、接着剤層の破片で半導体ウエハが汚染されることを防止することができるウエハ加工用テープを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
以上の課題を解決するため、本発明に係るウエハ加工用テープは、基材フィルム上に直接的または間接的に粘着剤層が設けられた粘着フィルムと、前記粘着フィルムの上に直接的または間接的に形成された接着剤層とを有し、半導体ウエハの加工に使用されるウエハ加工用テープであって、前記接着剤層の直径が、前記半導体ウエハの直径の１．０１〜１．０６倍であることを特徴とする。
【００１６】
また、上記ウエハ加工用テープは、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの間の剥離力が、０．４〜２．０Ｎ/２５ｍｍであることが好ましい。
【００１７】
また、上記ウエハ加工用テープは、少なくとも以下の工程を順不同で含む半導体装置の製造方法に使用されることが好ましい。
（ａ）前記半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記接着剤層を貼合する工程、
（ｂ）半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光またはブレードで、分断ラインを形成する工程、
（ｃ）前記粘着フィルムをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程、
（ｄ）前記接着剤層が付いた前記半導体チップを前記粘着剤層からピックアップする工程
【００１８】
また、上記ウエハ加工用テープは、少なくとも以下の工程を順不同で含む半導体装置の製造方法に使用されてもよい。
（ａ）前記半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記接着剤層を貼合する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの分割予定部分の内部に焦点光を合わせ、レーザー光を照射することにより、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記粘着フィルムをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを前記切断予定部に沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程、
（ｄ）前記接着剤層が付いた前記半導体チップを前記粘着剤層からピックアップする工程
【００１９】
また、上記ウエハ加工用テープは、少なくとも以下の工程を順不同で含む半導体装置の製造方法に使用されてもよい。
（ａ）前記半導体ウエハを、レーザー光またはダイシングブレードを用いて分断予定ラインに沿って前記ウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハの裏面を研削することにより、半導体チップに分断するバックグラインド工程、
（ｄ）前記半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップに分断された前記ウエハ裏面に、前記接着剤層を貼合する工程、
（ｅ）前記半導体チップに分断された前記半導体ウエハ表面から半導体表面保護テープを剥離する工程
（ｆ）前記粘着フィルムをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップに対応して分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程、
（ｇ）前記接着剤層が付いた前記半導体チップを前記粘着剤層からピックアップする工程
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、半導体ウエハや半導体ウエハに貼合された接着剤層に効率よく張力を伝えることができ、接着剤層の破片で半導体ウエハが汚染されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明のウエハ加工用テープの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明のウエハ加工用テープの接着剤層の直径と半導体ウエハの直径との関係を模式的に示す平面図である。
【図３】ウエハに、表面保護テープが貼合された状態を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体加工用テープに、ウエハとリングフレームとを貼合する工程を説明するための断面図である。
【図５】ウエハの表面から表面保護テープを剥離する工程を説明する断面図である。
【図６】レーザー加工によりウエハに改質領域が形成された様子を示す断面図である。
【図７】（ａ）本発明の実施形態に係る半導体加工用テープがエキスパンド装置に搭載された状態を示す断面図である。（ｂ）半導体加工用テープの拡張により、ウエハをチップに分断する過程を示す断面図である。（ｃ）拡張後の半導体加工用テープ、接着剤層、およびチップを示す断面図である。
【図８】ヒートシュリンク工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係るウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングテープ）の一例を模式的に示す断面図である。
【００２３】
図１に示すように、ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１１上に直接的または間接的に粘着剤層１２が設けられた粘着フィルム１５と、粘着フィルム１５の上に直接的または間接的に形成された接着剤層１３とを有する。また、ウエハ加工用テープ１０は、接着剤層１３の上に図示しない離型フィルムが設けられていてもよい。
【００２４】
以下、本実施形態のウエハ加工用テープ１０の各構成要素について詳細に説明する。
【００２５】
（粘着フィルム１５）
粘着フィルム１５としては、特に制限はなく、ウエハをダイシングする際にはウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層から剥離できるよう低い粘着力を示すものであればよいが、本実施の形態で示すように、基材フィルム１１に粘着剤層１２を設けたものを好適に使用できる。
【００２６】
粘着フィルム１５の基材フィルム１１としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等、およびこれらの混合物を用いることができ、これらは多層構造を有していてもよい。
【００２７】
基材フィルム１１の厚さは、作業性を損なわない範囲で適宜選択される。但し、粘着剤層１２を構成する粘着剤として、高エネルギー線（中でも紫外線）硬化性粘着剤を用いる場合は、その高エネルギー線の透過を阻害しない厚みとする。通常１０〜５００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍである。
【００２８】
基材フィルム１１と粘着剤層１２との密着性を向上させるために、基材フィルムの表面に、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的表面処理を施してもよい。
【００２９】
また、本実施の形態においては、基材フィルム１１の上に直接的に粘着剤層１２を設けたが、密着性をあげるためのプライマ層や、ダイシング時の切削性向上ためのアンカー層、応力緩和層、静電防止層等を介して間接的に設けてもよい。
【００３０】
粘着フィルム１５の粘着剤層１２に使用される粘着剤としては、室温で粘着力があり、基材フィルム１１に対し密着力を有するものが好ましい。粘着剤層１２を構成する粘着剤としては、アクリル系樹脂、各種合成ゴム、天然ゴム、ポリイミド樹脂などを使用できる。アクリル系樹脂としては、例えば、重量平均分子量が１０万〜８０万のアクリル共重合体が好適に用いられる。粘着剤としては、紫外線や放射線等の高エネルギー線や熱によって硬化する（すなわち、粘着力を低下させることができる）ものがさらに好ましい。
【００３１】
高エネルギー線（又は紫外線）によって硬化する粘着剤としては、高エネルギー線（又は紫外線）の照射によって、粘着力が低下するものが特に好ましい。エネルギー線を用いて硬化させる場合には、エネルギー線硬化粘着成分を含有させることが好適である。
【００３２】
粘着剤層１２の厚さは、通常は１〜１００μｍ、好ましくは２〜３０μｍ、更に好ましくは３〜３０μｍである。
【００３３】
（離型フィルム）
離型フィルムは、接着剤層１３の取り扱い性をよくするとともに接着剤層１３を保護するためのものである。本発明のウエハ加工用テープ１０に用いられる離型フィルムとしては、ポリエステル（ＰＥＴ、ＰＢＴ、ＰＥＮ、ＰＢＮ、ＰＴＴ）系、ポリオレフィン（ＰＰ、ＰＥ）系、共重合体（ＥＶＡ、ＥＥＡ、ＥＢＡ）系、またこれらの材料を一部置換して、更に接着性や機械的強度を向上したフィルム使用することができる。また、これらのフィルムの積層体であってもよい。
【００３４】
離型フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、２５〜５０μｍが好ましい。
【００３５】
（接着剤層１３）
接着剤層１３は、半導体ウエハ等が貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、チップ裏面に付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層１３は、ウエハの形状に対応する円形ラベル形状を有する。
【００３６】
接着剤層１３を構成する樹脂としては、例えば、ベース樹脂として、ポリイミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアミド、ブタジエンゴム、アクリルゴム、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート及びこれらの混合物等のフィルム形成性のあるものを含む。ベース樹脂の割合は樹脂全体量に対して３０〜８５質量％が好ましい。
【００３７】
ベース樹脂は、特に、官能性モノマを含む重量平均分子量が１００，０００以上である高分子量成分、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマを含有し、かつ重量平均分子量が１００，０００以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましい。
【００３８】
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。
【００３９】
上記の他に好ましいベース樹脂としては、フェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂は、各種のビスフェノールとエピクロルヒドリンとを反応させる方法、または、液状エポキシ樹脂とビスフェノールとを反応させる方法により得られる樹脂が好ましく、ビスフェノールとしては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールビスフェノールＡＦ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳが挙げられる。フェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂と構造が類似していることからエポキシ樹脂との相溶性がよく、接着フィルムに良好な接着性を付与するのに好ましい。
【００４０】
本発明で使用するフェノキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂が挙げられる。
【化１】
2017005160.tif 000003
【００４１】
一般式（１）において、Ｘは単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−または−ＳＯ2−が挙げられる。ここで、アルキレン基は、炭素数１〜１０のアルキレン基が好ましく、−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）−がより好ましい。Ｒ1、Ｒ2は水素原子またはアルキル基を表し、該アルキル基としては炭素数１〜８の直鎖もしくは分岐のアルキル基が好ましく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、イソオクチル、２−エチルヘキシル、１，３，３−トリメチルブチル等が挙げられる。また、該アルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよく、例えば、トリフルオロメチル基が挙げられる。Ｘは、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、フルオレン基または−ＳＯ2−が好ましく、アルキレン基、−ＳＯ2−がより好ましい。なかでも、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2−、−ＳＯ2−が好ましく、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2−がより好ましく、−Ｃ（ＣＨ3）2−が特に好ましい。
【００４２】
上記一般式（１）で表されるフェノキシ樹脂は、繰り返し単位を有するのであれば、上記一般式（１）のＸが異なった繰り返し単位を複数有する樹脂であっても、Ｘが同一の繰り返し単位のみから構成されていてもよい。本発明においては、Ｘが同一の繰り返し単位のみから構成されている樹脂が好ましい。
【００４３】
また、上記一般式（１）で表されるフェノキシ樹脂に、水酸基、カルボキシル基等の極性置換基を含有させると、熱重合性成分との相溶性が向上し、均一な外観や特性を付与することができる。
【００４４】
フェノキシ樹脂の質量平均分子量が５０００以上であるとフィルム形成性の点で優れる。より好ましくは１０，０００以上であり、さらに好ましくは３０，０００以上である。また、質量平均分子量が１５０，０００以下であると、加熱圧着時の流動性や他の樹脂との相溶性の点で好ましい。より好ましくは１００，０００以下である。また、ガラス転移温度が−５０℃以上であると、フィルム形成性の点で優れ、より好ましくは０℃以上であり、さらに好ましくは５０℃以上である。ガラス転移温度が１５０℃であると、ダイボンディング時の接着剤層の接着力が優れ、より好ましくは１２０℃以下、さらに好ましくは１１０℃以下である。
【００４５】
また、接着剤層１３を構成する樹脂は、熱硬化成分として、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン樹脂、フェノール樹脂等の熱により硬化するものが挙げられる。熱硬化性樹脂は、さらに熱硬化性成分と反応する硬化剤を含んでもよく、硬化時間を長くするためポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で硬化剤を被覆してマイクロカプセル化してもよい。
【００４６】
熱硬化成分は、エポキシ樹脂及びその硬化剤であることが好ましい。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られている樹脂を適用することができる。エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂、アミン系化合物が好ましい。エポキシ樹脂及びその硬化剤の割合は樹脂全体量に対して、１５〜７０質量％であることが好ましい。
【００４７】
接着剤層１３は、半導体ウエハとの接着強度を上げるためにカップリング剤を含んでもよく、カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられる。シラン系カップリング剤としては、例えば、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシランが挙げられ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４８】
接着剤層１３には、その流動性を制御し、弾性率を向上させる観点で、フィラーを加えてもよい。この場合、Ｂステージ状態の接着シートの破断強度、破断伸びの低減、接着剤の取扱性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与等を目的として、比表面積が３０〜４００ｍ2／ｇのフィラーを用いることが好ましい。フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、ムライト、コージェライト等の複合酸化物、モンモリロナイト、スメクタイトが挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。フィラーの割合は、接着剤層１３を構成する組成物全重量に対して、５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。
【００４９】
接着剤層１３は、イオン捕捉剤を添加することで、イオン性不純物を吸着し、吸湿時の絶縁信頼性をよくすることもできる。イオン捕捉剤としては、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物や、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤が挙げられる。
【００５０】
接着剤層１３を形成する際に、熱硬化性樹脂はワニス化されていてもよい。熱硬化性樹脂をワニス化するための溶剤としては、有機溶媒であれば特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを沸点から考慮して決めることができる。例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒はフィルム作製時にフィルムの硬化が進まない点で好ましい。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５１】
接着剤層１３は、Ｂステージ状態における２５℃における破断伸びが４０％超であることが好ましく、１００％超がより好ましく、１５０％超がさらに好ましく、上限は通常７００％程度である。
接着剤層１３は、半導体ウエハＷの反りを小さくし、室温（２５℃）での取扱い性を良くするため、４０〜１００℃の間でウエハラミネートすることが好ましい。
【００５２】
なお、接着剤層１３は、上記各特性に加えて、半導体素子搭載用支持部材に半導体素子を実装する場合に要求される、耐熱性及び耐湿性を有するものであることが好ましい。
【００５３】
接着剤層１３は、ガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と言う。）が、−３０℃〜５０℃で、重量平均分子量が、１０，０００〜１，０００，０００であることが好ましい。Ｔｇが−３０℃〜５０℃であると、適度な柔軟性が得られ、半導体ウエハＷの分断時に接着剤層１３が破断するため好ましい。また、重量平均分子量が１０，０００〜１，０００，０００であると、十分な耐熱性及び流動性が得られるため好ましい。
【００５４】
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値であり、ポンプとして、株式会社日立製作所製、商品名Ｌ−６０００を使用し、カラムとして日立化成工業株式会社製、商品名ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４４０、ゲルパックＧＬ−Ｒ４５０及びゲルパックＧＬ−Ｒ４００Ｍ〔各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ〕をこの順に連結したカラムを使用し、溶離液としてテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と言う。）を使用し、試料１２０ｍｇを、ＴＨＦ：５ｍｌに溶解させたサンプルについて、流速１．７５ｍＬ／分で測定することができる。
【００５５】
接着剤層１３の厚さは、通常は５〜２００μｍ、好ましくは５〜１５０μｍ、更に好ましくは５〜１００μｍ、より更に好ましくは１０〜１００μｍである。５μｍよりも薄いとウエハとの十分な接着力を確保するのが困難となったり、回路基板の凸電極を埋められなくなるといった問題が生じる。一方、２００μｍよりも厚いと不経済で、半導体装置の小型化の要求にも応えられない傾向となり、特性上の利点もない。
【００５６】
接着剤層１３の主面の形状（平面視形状）は、略円形であることが好ましい。そして、接着剤層１３の直径は、図２に示すように、半導体装置の製造において使用することになる半導体ウエハＷの直径の１．０１〜１．０６倍である。１．０１倍以上であると、半導体ウエハを接着剤層１３に貼合する際に、半導体ウエハが接着剤層１３からはみ出すことを防止できる点で好ましい。１．０６倍以下であると、エキスパンド分断を行う際に、接着剤層１３の半導体ウエハに貼合されていない部分（半導体ウエハの周辺部分）が大きな張力を受けることで、無秩序に破断してしまい、それによって生じた接着剤層の破片で半導体ウエハが汚染されるというリスクを低減できる点で好ましい。
【００５７】
接着剤層１３は、例えば以下に述べる方法により作製できる。すなわち、離型フィルム上に、接着剤層１３の原料樹脂組成物を有機溶剤等の溶媒に溶解させてワニス化したものを、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等により長尺に塗工し、溶媒を除去して接着剤層１３を形成する。その後、所定の大きさの円形ラベル形状に押切刃を用いてプリカットし、周辺の不要部分を除去する。または、スクリーン等を用いて予め所定の大きさの円形ラベル形状に塗工し、溶媒を除去して接着剤層１３を形成することもできる。
【００５８】
その後、接着剤層１３と粘着剤層１２とが接するように、円形の接着剤層１３が設けられた離型フィルムに粘着フィルム１１をラミネートし、場合によっては粘着フィルム１１も所定の大きさの円形ラベル形状にプリカットすることにより、ウエハ加工用テープ１０が作られる。
【００５９】
本実施の形態においては、粘着剤層１２の上に直接的に接着剤層１３を設けたが、ピックアップ性を向上させるための剥離層や、チップと接着剤層１３と共に粘着剤層１２から剥離してチップに機能を付与するための機能層（例えば、保護層、放熱層、識別層等）等を介して間接的に設けてもよい。
【００６０】
（その他）
粘着フィルム１５と接着剤層１３間の９０°ピール剥離力は、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおいて、０．４〜２．０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。０．４〜１．５Ｎ／２５ｍｍであることがより好ましく、０．４〜１．２Ｎ／２５ｍｍであることがさらに好ましい。粘着フィルム１５と接着剤層１３間の９０°ピール剥離力が０．４Ｎ／２５ｍｍ以上であると、エキスパンドした際に、基材フィルムの均一かつ等方的な拡張性が、粘着剤層を通して接着剤層に十分に伝搬され、接着剤層が効率よく分断される。また、接着剤層に張力を効率よく伝えるためには、剥離力は大きい方が好ましいが、拡張後に粘着フィルム１５と接着剤層１３間を剥離し、また場合によっては剥離力を低下させてから剥離し、良好なピックアップ性能を得るためには、９０°ピール剥離力の上限は２．０Ｎ／２５ｍｍ程度であることが好ましい。
【００６１】
接着剤層１３と粘着フィルム１５の剥離力は、９０°ピール剥離力で測定する。粘着フィルム１５の粘着剤層側を、常温〜６０℃で接着剤層１３に積層する。接着剤層１３に加熱温度４０〜１００℃に設定したラミネータによってウエハをラミネートした後、２５ｍｍ幅の切込みを入れて引張り測定用の短冊をサンプルとして準備する。
【００６２】
ウエハをステージに押さえつけ、短冊にしたサンプルの一端（粘着フィルム１５）を引張り測定機の引張り治具に固定して９０°ピール試験を行い、接着剤層１３から引き剥がす。この測定によって接着剤層１３と粘着フィルム１５の９０°ピール剥離力が測定できる。
【００６３】
＜用途＞
本発明のウエハ加工用テープ１０は、少なくとも拡張により接着剤層１３を分断するエキスパンド工程を含む半導体装置の製造方法に使用されるものである。したがって、その他の工程や工程の順序などは特に限定されない。例えば、以下の半導体装置の製造方法（Ａ）〜（Ｄ）において好適に使用できる。
【００６４】
半導体装置の製造方法（Ａ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記ウエハと前記ウエハ加工用テープの前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【００６５】
半導体装置の製造方法（Ｂ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記ウエハ表面の分断ラインに沿ってレーザー光を照射し、前記ウエハをチップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【００６６】
半導体装置の製造方法（Ｃ）
（ａ）回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）前記ウエハを加熱した状態で、前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記ウエハを分断ラインに沿って切削し、チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）前記接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【００６７】
半導体装置の製造方法（Ｄ）
（ａ）回路パタ−ンが形成されたウエハを、ダイシングブレードを用いて分断予定ラインに沿って前記ウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
（ｂ）前記ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記ウエハ裏面を研削してチップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）前記ウエハを加熱した状態で、前記チップに分断された前記ウエハ裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記チップに分断された前記ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを拡張することにより、前記接着剤層を前記チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数のチップを得るエキスパンド工程と、
（ｇ）拡張後の前記ウエハ加工用テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去し、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記チップを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【００６８】
＜使用方法＞
本発明のウエハ加工用テープ１０を、上記半導体装置の製造方法（Ａ）に適用した場合の、テープの使用方法について、図３〜図８を参照しながら説明する。まず、図３に示すように、回路パターンが形成された半導体ウエハＷの表面に、紫外線硬化性成分を粘着剤に含む、回路パターン保護用の表面保護テープ１４を貼合し、バックグラインド装置１５にて半導体ウエハＷの裏面を研削するバックグラインド工程を実施する。
【００６９】
バックグラインド工程の終了後、図４に示すように、ウエハマウンターのヒーターテーブル２５上に、表面側を下にして半導体ウエハＷを載置した後、半導体ウエハＷの裏面にウエハ加工用テープ１０を貼合する。ここで使用するウエハ加工用テープ１０は、半導体ウエハＷと貼合する面においては、接着剤層１３が露出した領域の周囲に粘着剤層１２が露出している。このウエハ加工用テープ１０の接着剤層１３が露出した部分とウエハＷの裏面を貼り合わせるとともに、接着剤層１３の周囲の粘着剤層１２が露出した部分とリングフレーム２０を貼り合わせる。このとき、ヒーターテーブル２５は４０〜１００℃に設定されており、これにより加熱貼合が実施される。
【００７０】
次に、ウエハ加工用テープ１０が貼合された半導体ウエハＷをヒーターテーブル２５上から搬出し、図５に示すように、ウエハ加工用テープ１０側を下にして吸着テーブル２６上へ載置する。そして、吸着テーブル２６に吸着固定された半導体ウエハＷの上方から、エネルギー線光源２７を用いて、例えば１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を表面保護テープ１４の基材面側に照射し、表面保護テープ１４の半導体ウエハＷに対する接着力を低下させ、半導体ウエハＷ表面から表面保護テープ１４を剥離する。
【００７１】
次に、図６に示すように、半導体ウエハＷの分割予定部分にレーザー光を照射して、半導体ウエハＷの内部に多光子吸収による改質領域を３２形成する。
【００７２】
次に、図７（ａ）に示すように、半導体ウエハＷおよびリングフレーム２０が貼り合わされたウエハ加工用テープ１０を、基材フィルム１１側を下にして、エキスパンド装置のステージ２１上に載置する。
【００７３】
次に、図６（ｂ）に示すように、リングフレーム２０を固定した状態で、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材２２を上昇させ、ウエハ加工用テープ１０を拡張（エキスパンド）する。拡張条件としては、エキスパンド速度が、例えば５〜５００ｍｍ／ｓｅｃであり、エキスパンド量（突き上げ量）が、例えば５〜２５ｍｍである。このようにウエハ加工用テープ１０が半導体ウエハＷの径方向に引き伸ばされることで、半導体ウエハＷが、前記改質領域３２を起点として半導体チップ３４単位に分断される。このとき、接着剤層１３は、半導体ウエハＷの裏面に接着している部分では拡張による伸び（変形）が抑制されて破断は起こらないが、半導体チップ３４間の位置では、テープの拡張による張力が集中して破断する。したがって、図７（ｃ）に示すように、半導体ウエハＷとともに接着剤層１３も分断されることになる。これにより、接着剤層１３が付いた複数の半導体チップ３４を得ることができる。
【００７４】
次に、図８に示すように、突き上げ部材２２を元の位置に戻し、先のエキスパンド工程において発生したウエハ加工用テープ１０の弛みを除去して、半導体チップ３４の間隔を安定に保持するための工程を行う。この工程では、例えば、ウエハ加工用テープ１０における半導体チップ３４が存在する領域と、リングフレーム２０との間の円環状の加熱収縮領域２８に、温風ノズル２９を用いて９０〜１２０℃の温風を当てて基材フィルム１１を加熱収縮させ、ウエハ加工用テープ１０を緊張させる。なお、この工程は、必須ではなく、ウエハ加工用テープ１０の弛みが問題となる場合にのみ行うとよい。その後、粘着剤層１２にエネルギー線硬化処理または熱硬化処理等を施し、粘着剤層１２の接着剤層１３に対する粘着力を弱めた後、半導体チップ３４をピックアップする。
【実施例】
【００７５】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００７６】
〔ウエハ加工用テープの作製〕
【００７７】
（１）接着剤層の形成
＜接着剤層Ａ１＞
フェノキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製、商品名ＦＸ２９３）を２５重量部、エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名１０３２Ｈ６０）を２０部、液状エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名８２８）を１５部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤（旭化成エレクトロニクス株式会社製、商品名ＨＸ３９４１ＨＰ）を４０部用い、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解した。この溶液に、大粒径を除去するための５μｍの分級処理を行った平均粒径１μｍのコージェライト粒子（２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2、比重２．４、線膨張係数１．５×１０-6／℃、屈折率１．５７）を１００部加え、撹拌して分散した。そして、この分散液をセパレータフィルム（ＰＥＴフィルム）上にロールコータを用いて塗布した後、７０℃のオーブンで１０分間乾燥させて、セパレータフィルム上に厚み２５μｍの接着剤層Ａ１を得た。
【００７８】
＜接着剤層Ａ２＞
フェノキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製、商品名ＺＸ−１３５６−２）を２５重量部、エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名１０３２Ｈ６０）を２５部、液状エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、商品名８２８）を１０部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤（旭化成エレクトロニクス株式会社製、商品名ＨＸ３９４１ＨＰ）を３５部用い、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解した。この溶液に、大粒径を除去するための５μｍの分級処理を行った平均粒径１μｍのコージェライト粒子（２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2、比重２．４、線膨張係数１．５×１０-6／℃、屈折率１．５７）を８７．５部、コアシェルタイプの耐衝撃改質剤（三菱レーヨン株式会社製、商品名ＫＷ−４４２６）１０部加え、撹拌して分散した。そして、この分散液をセパレータフィルム（ＰＥＴフィルム）上にロールコータを用いて塗布した後、７０℃のオーブンで１０分間乾燥させて、セパレータ上に厚み２５μｍの接着剤層Ａ２を得た。
【００７９】
＜接着剤層Ａ３＞
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製、商品名ＹＤＣＮ−７０３、エポキシ当量２１０）３６質量部と、エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂（三井化学株式会社製、商品名ミレックスＸＬＣ−ＬＬ、フェノール樹脂）３０．１質量部と、シランカップリング剤（日本ユニカー株式会社製、商品名Ａ−１１６０）２．１質量部、及びシランカップリング剤（日本ユニカー株式会社製、商品名Ａ−１８９）１．１質量部と、シリカフィラー（粒子）（日本アエロジル株式会社製、商品名アエロジルＲ９７２、平均粒径０．０１６μｍ、比表面積１２０ｍ２／ｇ）２１．２質量部と、からなる組成物に、シクロヘキサノンを加え、撹拌混合してからビーズミルを用いてさらに９０分混練した。
【００８０】
これにグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートに由来するモノマー単位を３質量％含むアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、商品名ＳＧ−Ｐ３、重量平均分子量８０万）２００質量部、及び、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．０７５質量部を加え、攪拌混合して、接着剤組成物のワニスを得た。
【００８１】
なお、樹脂全体量に対して、エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量の割合は、２４．８質量％であり、アクリルゴムの割合は、７５．２質量％であった。また、樹脂１００質量部に対して、シリカフィラー（粒子）の割合は７．９７質量部であった。
【００８２】
このワニスをセパレータフィルム（ＰＥＴフィルム）上に塗布し、９０℃で１０分間、１２０℃で５分間加熱することにより乾燥させて、セパレータフィルム上に厚み４０μｍの接着剤層Ａ３を得た。
【００８３】
（２）粘着フィルムの作製
＜粘着フィルムＢ１＞
粘着剤には、主モノマーとして２−エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸を用いたアクリル共重合体を溶液重合法にて得た。次に、ヨウ素価が２０となるように、２−イソシアナトエチルメタクリレートを添加し、更にアクリル共重合体を調製した。この調製したアクリル共重合体の重量平均分子量は４０万、ガラス転移点は−３８℃であった。このアクリル共重合体１００重量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業株式会社製、商品名コローネートＨＬ）を１０重量部配合した粘着剤溶液を調製し、ポリオレフィンフィルム（厚さ１００μｍ）の上に乾燥時の粘着剤厚さが１０μｍになるよう塗工乾燥し、粘着フィルムＢ１を得た。更に、シリコーン系離型剤を塗布した二軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ（厚さ２５μｍ）を粘着剤面にラミネートし室温で１週間放置し十分にエージングを行った。
【００８４】
＜粘着フィルムＢ２＞
粘着剤には、主モノマーとして２−エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルメタクリレートを用いたアクリル共重合体を溶液重合法にて得た。この合成したアクリル共重合体の重量平均分子量は５５万、ガラス転移点は−７０℃であった。このアクリル共重合体１００重量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（住化バイエルウレタン株式会社製、スミジュールＮ７５）を５重量部配合した粘着剤溶液を調製し、ポリオレフィンフィルム（厚さ１００μｍ）の上に乾燥時の粘着剤厚さが１０μｍになるよう塗工乾燥し、粘着フィルムＢ２を得た。更に、シリコーン系離型剤を塗布した二軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ（厚さ２５μｍ）を粘着剤面にラミネートし室温で１週間放置し十分にエージングを行った。
【００８５】
（実施例１）
冷蔵保管していた離型フィルム上に形成された接着剤層Ａ１を常温に戻し、接着剤層Ａ１に対して、離型フィルムの厚さの１／２以下の切り込み深さになるように調整して直径３０６ｍｍの円形プリカット加工を行った。その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムＢ１をその粘着剤層が接着剤層Ａ１と接するように、離型フィルムに室温でラミネートした。そして、粘着フィルムＢ１に対して、離型フィルムの厚さの１／２以下の切り込み深さになるように調節して接着剤層と同心円状に直径３７０ｍｍの円形プリカット加工を行い、実施例１のウエハ加工用テープを作製した。
【００８６】
（実施例２〜５、比較例１，２）
実施例１と同様の方法で、表１の組合せの接着剤層及び粘着フィルムを用いて、１２インチ（直径３００ｍｍ）の半導体ウエハに対して表１の比となるように接着剤層をプリカット加工して、実施例２〜５および比較例１，２のウエハ加工用テープを作製した。
【００８７】
（実施例６）
実施例１と同様の方法で、表１の組合せの接着剤層及び粘着フィルムを用いて、１２インチ（直径３００ｍｍ）の半導体ウエハに対して表１の比となるように接着剤層をプリカット加工した。その後、ウエハ貼合予定部分に相当する領域に対して、粘着フィルム側からＵＶを５０ｍＪ／ｃｍ2照射し、実施例６のウエハ加工用テープを作製した。
【００８８】
＜剥離力＞
実施例１〜６および比較例１，２のウエハ加工用テープの接着剤層に加熱温度８０℃に設定したラミネータによって半導体ウエハをラミネートした後、２５ｍｍ幅の切込みを入れて引張り測定用の短冊をサンプルとして準備した。ウエハをステージに押さえつけ、短冊にしたサンプルの一端（粘着フィルム）を引張り測定機の引張り治具に固定して９０°ピール試験を行い、接着剤層から引き剥がし、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける９０°ピール剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定した。その結果を表１に示す
【００８９】
＜貼合性＞
実施例１〜６および比較例１，２のウエハ加工用テープ５０枚について、以下の条件で、接着剤層が半導体ウエハと貼り合わさるよう、貼合実験を行った。目視にて観察し、５０枚すべてにおいて半導体ウエハが接着剤層からはみ出さずに貼合出来たものを優良品として「◎」とし、１枚でも半導体ウエハが接着剤層からはみ出してしまったものを不良品として「×」として評価した。評価結果を表１に示す。
（貼合条件）
貼り付け装置：ウエハマウンターＤＡＭ−８１２Ｍ  （株式会社タカトリ製）
貼り付け速度計：５０ｍｍ／ｓｅｃ
貼り付け圧力：０．１ＭＰａ
貼り付け温度：８０℃
【００９０】
＜エキスパンド分断によるウエハの汚染性試験＞
半導体ウエハ（厚さ５０μｍ、径３００ｍｍ）に、レーザー光を照射し、ウエハ内部に改質領域を形成した。レーザー照射後の半導体ウエハ及びステンレス製のリングフレームに、実施例１〜６および比較例１，２のウエハ加工用テープをラミネートした。次に、株式会社ディスコ社製ＤＤＳ−２３００で、ウエハ加工用テープに貼合されたリングフレームを、株式会社ディスコ社製ＤＤＳ−２３００のエキスパンドリングにより押し下げ、ウエハ加工用テープのウエハ貼合部位外周の、ウエハに重ならない部分を円形の突き上げ部材に押し付けることでエキスパンドを実施し、半導体ウエハの改質領域を起点として、半導体ウエハを分断予定ラインに沿って分断するとともに、接着剤層についても半導体ウエハの分断予定ラインに対応する部分で分断した。エキスパンド速度は３００ｍｍ／ｓｅｃ、エキスパンド量（突き上げ量）は２０ｍｍとした。その後、目視にてウエハ周辺の接着剤層に破断が生じて、その断片が飛散してウエハ表面を汚染していないかどうかを観察した。接着剤層の断片が飛散していないものを優良品として「◎」とし、接着剤層の断片が飛散してウエハ表面を汚染してしまったものを不良品として「×」として評価した。評価結果を表１に示す。なお、比較例２については、半導体ウエハ貼合時に半導体ウエハが接着剤層からのはみ出しが発生したため、ウエハの汚染性の試験は行っていない。
【００９１】
＜エキスパンドによる接着剤層の分断性試験＞
また、上記のエキスパンド分断後、目視にて分断ラインを観察し、接着剤層と粘着フィルムとが密着した状態で、接着剤層が分断されていたものを優良品として「◎」とし、接着剤層の一部がダイシングテープから浮いた状態であったものの、接着剤層が分断されていたものを良品として「○」とし、接着剤層が分断されていない部分があったものを不良品として「×」として評価した。評価結果を表１に示す。なお、比較例２については、半導体ウエハ貼合時に半導体ウエハが接着剤層からのはみ出しが発生したため、分断性の試験は行っていない。また、比較例１については、ウエハの汚染が発生したため、分断性の評価は行っていない。
【００９２】
＜ピックアップ性＞
上記のエキスパンド分断後、必要に応じて粘着フィルムに紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ2照射し、粘着フィルムの粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させた。その後、分断されたチップ１００個について、ダイスピッカー装置（キヤノンマシナリー社製、商品名ＣＡＰ−３００ＩＩ）を用いてピックアップを行った。接着剤層が付着したチップが粘着剤層から剥離されて問題なくピックアップできたもの成功としてピックアップ成功率を求めた。成功率が１００％のものを優良品として「◎」とし、９５％以上１００％未満のものを良品として「○」とし、９０％以上９５％未満のものを許容品として「△」として評価した。その結果を表１に示す。なお、比較例２については、半導体ウエハ貼合時に半導体ウエハが接着剤層からのはみ出しが発生したため、ピックアップ性の評価は行っていない。また、比較例１については、ウエハの汚染が発生したため、ピックアップ性の評価は行っていない。
【００９３】
【表１】
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【００９４】
表１に示すように、実施例に係るウエハ加工用テープは、接着剤層の直径が半導体ウエハの直径の１．０１〜１．０６倍であるため、半導体ウエハの貼合性、半導体ウエハへの汚染性、接着剤層の分断性のすべてにおいて、良好な結果となった。さらに、実施例１〜５に係るウエハ加工用テープは、接着剤層と粘着フィルムとの間の剥離力が０．４５Ｎ/２５ｍｍ以上と請求項２に規定の０．４Ｎ/２５ｍｍよりも高いため、半導体チップのピックアップ性についても優れた結果となった。
実施例６に係るウエハ加工用テープは、接着剤層と粘着フィルムとの間の剥離力が請求項２に規定の０．４Ｎ/２５ｍｍよりも低いため、接着剤層の一部がダイシングテープから浮いた状態、すなわちチップが反った状態になってしまい、チップにダメージが与えられた可能性がある。また、接着剤層の一部がダイシングテープから浮いた状態で紫外線を当てたため、浮いた部分は空気中の酸素により硬化阻害が起こって、粘着力の低下が不十分となったが、ピックアップ成功率は９０％以上９５％未満と許容範囲であった。
【００９５】
これに対して、比較例１に係るウエハ加工用テープは、接着剤層の直径が半導体ウエハの直径の１．０６倍を超えるため、エキスパンド分断の際に半導体ウエハ周辺の接着剤層が破断し、その断片が飛散して半導体ウエハの汚染が発生した。また、比較例２に係るウエハ加工用テープは、接着剤層の直径が半導体ウエハの直径の１．０１倍より低いため、半導体ウエハ貼合時に半導体ウエハが接着剤層からはみ出してしまった。
【符号の説明】
【００９６】
１０：ウエハ加工用テープ
１１：基材フィルム
１２：粘着剤層
１３：接着剤層
１５：粘着フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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