(57)【要約】【課題】２箇所で支持されているシャッター体の剛性を保ちつつ、シャッター体が下方の物体と接触することを防止する。【解決手段】シャッタービーム（２３・２５）により支持されたシャッター体（２２）に、シャッター体開口部（３１）と凸部（３２・３３）が設けられ、凸部（３２・３３）における第１面（３２ｃ・３３ｃ）のＹ方向の長さ（Ｙ２）はシャッター体開口部（３１）のＹ方向の長さ（Ｙ１）より短い。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に配置された第１電極及び第２電極に挟まれており、当該第１電極及び第２電極の電位により動作するシャッター体と、
上記シャッター体のスライド方向を第１方向とし、当該スライド方向と垂直であり上記基板と平行な方向を第２方向とすると、
上記シャッター体における上記第２方向で対向する当該シャッター体の第１端部及び第２端部のうち、当該シャッター体の当該第１端部に近い側の２箇所に接続され、上記シャッター体を上記基板から離間させた状態であってスライド可能に支持する第１シャッタービーム及び第２シャッタービームとを備え、
上記シャッター体における上記基板側の面は、上記基板に近く当該基板と対向する第１面と、当該第１面より上記基板から遠い第２面とを有し、
上記シャッター体は、上記基板に向けて突出し少なくとも一部が上記第１面である凸部と、上記第２面に形成されたシャッター体開口部とを有し、
上記凸部における上記第１面の上記第２方向の長さは、上記シャッター体開口部の上記第２方向の長さより短いことを特徴とするＭＥＭＳシャッター。
【請求項２】
上記シャッター体は、上記第２方向における当該シャッター体の上記第２端部から上記シャッター体開口部までの距離と比べ、上記第２方向における上記第２端部から上記凸部の上記第１面までの距離の方が長いことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳシャッター。
【請求項３】
上記シャッター体開口部は、上記シャッター体の上記第１端部近傍から上記シャッター体の上記第２端部近傍に向けて延伸し、
上記凸部は、上記シャッター体の上記第１端部から上記シャッター体の上記第２端部近傍に向けて延伸していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＭＥＭＳシャッター。
【請求項４】
上記凸部は、上記シャッター体の上記第２端部と近い側の端部であって、上記シャッター体の上記第１面と上記第２面とを接続する第３面を有し、
上記第３面は、上記第１面及び第２面に対して傾斜していることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のＭＥＭＳシャッター。
【請求項５】
上記シャッター体は、湾曲した形状であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＭＥＭＳシャッター。
【請求項６】
基板に配置された第１電極及び第２電極に挟まれており、当該第１電極及び第２電極の電位により動作するシャッター体と、
上記シャッター体のスライド方向を第１方向とし、当該スライド方向と垂直であり上記基板と平行な方向を第２方向とすると、
上記シャッター体における上記第２方向で対向する当該シャッター体の第１端部及び第２端部のうち、当該シャッター体の当該第１端部に近い側の２箇所に接続され、上記シャッター体を上記基板から離間させた状態であってスライド可能に支持する第１シャッタービーム及び第２シャッタービームとを備え、
上記シャッター体における上記基板側の面は、上記基板から遠く当該基板と対向する第１面と、当該第１面より上記基板に近い第２面とを有し、
上記シャッター体は、上記基板から離れる方向へ突出し少なくとも一部が上記第１面である凸部と、上記第２面に形成されたシャッター体開口部とを有することを特徴とするＭＥＭＳシャッター。
【請求項７】
上記凸部における上記第１面の上記第２方向の長さは、上記シャッター体開口部の上記第２方向の長さより長いことを特徴とする請求項６に記載のＭＥＭＳシャッター。
【請求項８】
上記第１電極及び上記第２電極は、それぞれ、
上記基板に配置された配線と接続された駆動ビームアンカーと、
駆動ビームの第１端部から当該駆動ビームの第２端部へかけて延伸し、当該駆動ビームの当該第１端部と当該駆動ビームの当該第２端部とのうち当該駆動ビームの当該第１端部近傍が上記駆動ビームアンカーと接続されることで、上記基板から離間した状態で支持されている上記駆動ビームとを備え、
上記第１シャッタービームは、上記シャッター体との接続部から、上記第１電極の上記駆動ビームと対向して延伸し、上記基板に配置された配線と接続された第１シャッタービームアンカーと接続されており、
上記第２シャッタービームは、上記シャッター体との接続部から、上記第２電極の上記駆動ビームと対向して延伸し、上記基板に配置された配線と接続された第２シャッタービームアンカーと接続されていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載のＭＥＭＳシャッター。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載のＭＥＭＳシャッターを備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１〜８の何れか１項に記載のＭＥＭＳシャッターを備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２スプリング構造のＭＥＭＳシャッター、当該ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置、及び、当該ＭＥＭＳシャッターを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を用いた電子機器が開発されている。例えば、ＭＥＭＳを用いた表示装置は、画素毎に配置されたＭＥＭＳが備えるシャッターを開閉することで、シャッターを透過する光の量を制御し、これにより画像の表示を行う。
【０００３】
ＭＥＭＳを構成するシャッターは、ＭＥＭＳが配置される電子機器の機能に応じて種々の形状のものが採用されている。
【０００４】
特許文献１の図４Ａ及び図４Ｂには、いわゆる「４スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターが開示されている。シャッター体は、第１電極と第２電極との間に配置されている。そして、「４スプリング」構造においては、シャッター体は、一方の側面の略中央部に接続された２本のシャッタービームと、他方の側面の略中央部に接続された２本のシャッタービームとによって、基板から浮いた状態に支持される。そして、第１電極、第２電極、及び、シャッター体に印加される電圧レベルに応じて、シャッター体は第１電極側へスライドしたり、第２電極側へスライドしたりする。このとき、一方の側面の略中央部に接続された２本のシャッタービームと、他方の側面の略中央部に接続された２本のシャッタービームとはバネとして機能する。このようにシャッターの開閉が行われる。
【０００５】
つまり「４スプリング」構造は、駆動ビームと対向し、バネとして機能するシャッタービームを４本有する構造である。
【０００６】
特許文献１にはさらに、「２スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターが開示されている。この「２スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターについて図１４を用いて説明する。
【０００７】
図１４に示すように、ＭＥＭＳシャッター５１０は、基板に配置された第１電極５１１及び第２電極５１４と、シャッター構造５２１とを備えている。第１電極５１１は基板に配置された配線と接続された駆動ビームアンカー５１２と、第１端部から第２端部へ延伸し、第１端部近傍が駆動ビームアンカー５１２と接続された駆動ビーム５１３とを備えている。第２電極５１４は基板に配置された配線と接続された駆動ビームアンカー５１５と、第１端部から第２端部へ延伸し、第１端部近傍が駆動ビームアンカー５１５と接続された駆動ビーム５１６とを備えている。
【０００８】
シャッター構造５２１は、第１電極５１１と第２電極５１４とに挟まれたシャッター体５２２と、シャッター体５２２を支持するシャッタービーム５２３・５２５と、基板に配置されたシャッタービームアンカー５２４・５２６とを備えている。
【０００９】
シャッタービーム５２４・５２５は、シャッター体５２２における互いに対向する第１端部５２２ａ及び第２端部５２２ｂのうち、第１端部５２２ａ近傍にてシャッター体５２２と接続されている。シャッタービーム５２４は、シャッター体５２２と接続された第１端部から駆動ビーム５１３に沿って延伸し、第２端部がシャッタービームアンカー５２４と接続されている。シャッタービーム５２５は、シャッター体５２２と接続された第１端部から駆動ビーム５１４に沿って延伸し、第２端部がシャッタービームアンカー５２６と接続されている。シャッタービーム５２４・５２５によって、シャッター体５２２は、下方に配置されている基板から浮いた状態に支持されている。
【００１０】
シャッター体５２２には、第１端部５２２ａから第２端部５２２ｂにかけて延伸するシャッター体開口部５３１が形成されている。また、シャッター体５２２には、シャッター体５２２の剛性を保つために、シャッター体開口部５３１の両側に、第１端部５２２ａから第２端部５２２ｂにかけて延伸する凸部５３２・５３３が形成されている。シャッター体５２２における、下方に配置された基板と対向する下面のうち、凸部５３２・５３３が形成されている領域は、基板に向けて突出した形状となっている。
【００１１】
ＭＥＭＳシャッター５１０は、第１電極５１１、第２電極５１４、及び、シャッター構造５２１それぞれに印加される電圧に応じて、シャッター体５２２は第１電極５１１に近づく方向へスライドしたり、第２電極５１４に近づく方向へスライドしたりする。このとき、シャッタービーム５２３・５２５はバネとして機能する。基板に設けられた基板開口部と、シャッター体５２２に設けられたシャッター体開口部５３１とが重なるようにシャッター体５２２がスライドすると、ＭＥＭＳシャッター５１０は光を透過させる状態となる。一方、基板に設けられた基板開口部とシャッター体５２２に設けられたシャッター体開口部５３１とが重ならないようにシャッター体５２２がスライドすると、ＭＥＭＳシャッター５１０は光を遮光する状態となる。このように、ＭＥＭＳシャッター５１０は光を透過したり遮光したりするシャッターとして機能する。
【００１２】
ＭＥＭＳシャッター５１０は、シャッター体５２２が、シャッタービーム５２３・５２５により２箇所支持された「２スプリング」構造である。つまり「２スプリング」構造は、駆動ビームと対向し、バネとして機能するシャッタービームを２本有する構造である。
【００１３】
「２スプリング」構造のＭＥＭＳシャッター５１０は、「４スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターと比べて、シャッター開閉の動作速度が速い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】米国特許第８５９９４６３号明細書（２０１３年１２月３日登録）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
シャッター体５２２には、剛性を向上させるため、第１端部５２２ａから第２端部５２２ｂの方向へ延伸する凸部５３２・５３３が形成されている。凸部５３２・５３３は、シャッター体開口部５３１よりも、シャッター体５２２の第２端部５２２ｂに近くなる程度に、第２端部５２２ｂの方向に延伸して形成されている。
【００１６】
ところが、上述のように、シャッター体５２２は、第１端部５２２ａ近傍がシャッタービーム５３５・５２５と接続されることで、下方の基板から浮いた状態に保持されているものの、第２端部５２２ｂ近傍は支持されていないため、第２端部５２２ｂは、第１端部５２２ａよりも、位置が下方へ下がりやすい。
【００１７】
図１５は、図１４に示すＢ５００‐Ｂ５００’線断面図である。
【００１８】
図１５に示すように、シャッター体５２２が基板５４２に対し平行となるように支持されている場合、シャッター体５２２における基板５４２との対向面が基板５４２と接触することはない。
【００１９】
しかし、図１５の矢印Ｍ５００に示すように、第２端部５２２ｂが下方へ下がると、凸部５３３（凸部５３２）が、下方の基板５４２や基板５４２に配置されている配線５４７などと接触しやすくなる。特に、凸部５３３（凸部５３２）が、シャッター体開口部５３１よりも第２端部５２２ｂへ近くなる程度に、第２端部５２２ｂの近傍にまで延伸しているため、第２端部５２２ｂが下方へ下がった場合、凸部５３３（凸部５３２）が基板５４２や配線５４７などと接触しやすい。シャッター体５２２が、下方の基板５４２や配線５４７等と接触すると、シャッター体５２２は正常なスライド動作ができなくなり、ＭＥＭＳシャッター５１０としての動作不良の原因となる。
【００２０】
本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、２箇所で支持されているシャッター体の剛性を保ちつつ、シャッター体が下方の物体と接触することを防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るＭＥＭＳシャッターは、基板に配置された第１電極及び第２電極に挟まれており、当該第１電極及び第２電極の電位により動作するシャッター体と、上記シャッター体のスライド方向を第１方向とし、当該スライド方向と垂直であり上記基板と平行な方向を第２方向とすると、上記シャッター体における上記第２方向で対向する当該シャッター体の第１端部及び第２端部のうち、当該シャッター体の当該第１端部に近い側の２箇所に接続され、上記シャッター体を上記基板から離間させた状態であってスライド可能に支持する第１シャッタービーム及び第２シャッタービームとを備え、上記シャッター体における上記基板側の面は、上記基板に近く当該基板と対向する第１面と、当該第１面より上記基板から遠い第２面とを有し、上記シャッター体は、上記基板に向けて突出し少なくとも一部が上記第１面である凸部と、上記第２面に形成されたシャッター体開口部とを有し、上記凸部における上記第１面の上記第２方向の長さは、上記シャッター体開口部の上記第２方向の長さより短いことを特徴とする。
【００２２】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るＭＥＭＳシャッターは、基板に配置された第１電極及び第２電極に挟まれており、当該第１電極及び第２電極の電位により動作するシャッター体と、上記シャッター体のスライド方向を第１方向とし、当該スライド方向と垂直であり上記基板と平行な方向を第２方向とすると、上記シャッター体における上記第２方向で対向する当該シャッター体の第１端部及び第２端部のうち、当該シャッター体の当該第１端部に近い側の２箇所に接続され、上記シャッター体を上記基板から離間させた状態であってスライド可能に支持する第１シャッタービーム及び第２シャッタービームとを備え、上記シャッター体における上記基板側の面は、上記基板から遠く当該基板と対向する第１面と、当該第１面より上記基板に近い第２面とを有し、上記シャッター体は、上記基板から離れる方向へ突出し少なくとも一部が上記第１面である凸部と、上記第２面に形成されたシャッター体開口部とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の一態様によれば、２箇所で支持されているシャッター体の剛性を保ちつつ、シャッター体が下方の物体と接触することを防止するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターの構成を表す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置の構成を表す図である。
【図３】（ａ）は本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターの構成を表す平面図であり、（ｂ）はシャッターが閉の状態のＭＥＭＳシャッターの構成を表す断面図であり、（ｃ）はシャッターが開の状態のＭＥＭＳシャッターの構成を表す断面図である。
【図４】図３の（ａ）に示すＢ‐Ｂ’線断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターの製造工程の前半を表す図である。
【図６】本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターの製造工程の後半を表す図である。
【図７】（ａ）は、本発明の実施形態２に係るＭＥＭＳシャッターの構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ１‐Ａ１’線断面図である。
【図８】図７の（ａ）に示すＢ１‐Ｂ１’線断面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の実施形態３に係るＭＥＭＳシャッターの構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ２‐Ａ２’線断面図である。
【図１０】図９の（ａ）に示すＢ２‐Ｂ２’線断面図である。
【図１１】（ａ）は、実施形態３の変形例に係るＭＥＭＳシャッターの構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ３‐Ａ３’線断面図である。
【図１２】（ａ）は、本発明の実施形態４に係るＭＥＭＳシャッターの構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ４‐Ａ４’線断面図である。
【図１３】図１２の（ａ）に示すＢ４‐Ｂ４’線断面図である。
【図１４】従来の２スプリング構造のＭＥＭＳシャッターの構成を表す図である。
【図１５】図１４に示すＢ５００‐Ｂ５００’線断面図である。
【図１６】図２の表示装置の画素の等価回路を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
〔実施形態１〕
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００２６】
（表示装置の構成）
図２は、シャッター機構であるＭＥＭＳシャッター１０を用いた表示装置１の構成を表す図である。図２に示す表示装置１は、ＭＥＭＳシャッター１０を用いた電子機器の一例である。
【００２７】
表示装置１は、基板４０と、当該基板４０と対向配置されている対向基板５１（図３参照）と、コントローラ８と、バックライト９とを備えている。バックライト９は、基板４０における、対向基板が配置されている側とは逆側に対向配置されている。
【００２８】
基板４０は、表示部２と、表示部２の一辺（紙面上側の辺）に沿って延伸して配置されているソースドライバ３Ｄと、表示部２の他の一辺（紙面左側の辺）に沿って延伸して配置されているゲートドライバ３Ｇとを有している。なお、ソースドライバ３Ｄとゲートドライバ３Ｇとの配置は、図２に示したものに限定されるものではない。
【００２９】
表示部２では、ソースドライバ３Ｄから延伸するデータ線Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄ２ｍと、ゲートドライバ３Ｇから延伸するゲート線Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇ２ｎとが交差している。データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうち奇数番目のデータ線（データ線Ｄ１、Ｄ３、・・・）と、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうち奇数番目のゲート線（ゲート線Ｇ１、Ｇ３、・・・）とにより区画されている領域が画素７である。各画素７は、表示部２においてマトリクス状に配置されている。各画素７には、ＭＥＭＳシャッター１０と、スイッチング素子５Ａ・５Ｂと、保持容量６Ａ・６Ｂとが配置されている。
【００３０】
スイッチング素子５Ａ・５Ｂは、一例としてＴＦＴ素子である。スイッチング素子５Ａの、ソース端子は、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうちゲートドライバ３Ｇに近い側から数えて奇数番目のデータ線Ｄ１、Ｄ３、・・・、Ｄ２ｍ−１の何れかと接続されており、ゲート端子は、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうちソースドライバ３Ｄに近い側から数えて奇数番目のゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎ−１の何れかと接続されており、ドレイン端子は保持容量６Ａの一方の端子と接続されていると共にＭＥＭＳシャッター１０と接続されている。保持容量６Ａの他方の端子はＭＥＭＳシャッター１０と接続されていると共にグランドと接続されている。スイッチング素子５Ｂの、ソース端子は、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうちゲートドライバ３Ｇに近い側から数えて偶数番目のデータ線Ｄ２、Ｄ４、・・・、Ｄ２ｍの何れかと接続されており、ゲート端子は、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうちソースドライバ３Ｄに近い側から数えて偶数番目のゲート線Ｇ２〜Ｇ２ｎの何れかと接続されており、ドレイン端子は保持容量６Ｂの一方の端子と接続されていると共にＭＥＭＳシャッター１０と接続されている。保持容量６Ｂの他方の端子はＭＥＭＳシャッター１０と接続されていると共にグランドと接続されている。
【００３１】
コントローラ８は、ソースドライバ３Ｄ、ゲートドライバ３Ｇ、及び、バックライト９の駆動を制御する。
【００３２】
ソースドライバ３Ｄは、コントローラ８からの指示により、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍを介してスイッチング素子５Ａ・５Ｂへデータ信号を供給する。ゲートドライバ３Ｇは、コントローラ８からの指示により、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎを介してスイッチング素子５Ａ・５Ｂへゲート信号を供給する。スイッチング素子５Ａ・５Ｂは、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうち自身が接続されているデータ線から供給されるデータ信号と、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうち自身が接続されているゲート線から供給されるゲート信号とから、ＭＥＭＳシャッター１０を駆動する。
【００３３】
なお、本実施形態では、ＭＥＭＳシャッター１０は表示装置１に用いられるものとして説明しているが、ＭＥＭＳシャッター１０の使用用途は表示装置１に限定されるものではない。ＭＥＭＳシャッター１０を、例えば、３次元プリンター等、表示装置１以外の他の電子機器に用いてもよい。
【００３４】
（ＭＥＭＳシャッター１０の構成）
図１は、本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッター１０の構成を表す斜視図である。図３の（ａ）はＭＥＭＳシャッター１０の構成を表す平面図である。図１及び図３を用いて、ＭＥＭＳシャッター１０の構成について説明する。基板４０は、基板４２と、基板４２に設置されたＭＥＭＳシャッター１０とを含む。
【００３５】
図３の（ｂ）（ｃ）に示すように、基板４２の上方には、ＭＥＭＳシャッター１０を介して対向基板５１が対向配置されている。基板４２と対向基板５１とはシール材により貼り合わされており、基板４２と対向基板５１との間にはシリコンオイル５２が充填されている。
【００３６】
図１及び図３に示すように、ＭＥＭＳシャッター１０は、第１電極１１と、第２電極１４と、シャッター構造２１とを有する。ＭＥＭＳシャッター１０は、いわゆる「２スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターである。以下の説明では、シャッター構造２１がスライドする方向をＸ方向（第１方向）とし、スライド方向と垂直であり基板４２と平行な方向をＹ方向（第２方向）とする。
【００３７】
第１電極１１と、第２電極１４とは、シャッター構造２１をスライドさせるための電極である。第１電極１１と、第２電極１４とは、シャッター構造２１を介して略平行に対向配置されている。
【００３８】
第１電極１１は、駆動ビームアンカー１２と、駆動ビーム１３とを備えている。駆動ビームアンカー１２は、基板４２に配置された配線と接続されることで、基板４２に固定して配置されている。駆動ビームアンカー１２は、基板４２の表面から駆動ビーム１３を離間させて、駆動ビーム１３を支持している。駆動ビームアンカー１２は駆動ビーム１３の両端部のうち第１端部１３ａ近傍において駆動ビーム１３と接続されている。駆動ビーム１３は、駆動ビームアンカー１２との接続部近傍である第１端部１３ａを始点として、当該第１端部１３ａから逆側の第２端部１３ｂにかけて延伸している。すなわち、駆動ビーム１３の両端部のうち第１端部１３ａは、駆動ビームアンカー１２に近い側の端部であり、第２端部１３ｂは駆動ビームアンカー１２から遠い側の端部である。駆動ビーム１３のうち、第１端部１３ａと第２端部１３ｂとはＹ方向で互いに対向する端部である。
【００３９】
第２電極１４は、駆動ビームアンカー１５と、駆動ビーム１６とを備えている。駆動ビームアンカー１５は、基板４２に配置された配線と接続されることで、基板４２に固定して配置されている。駆動ビームアンカー１５は、基板４２の表面から駆動ビーム１６を離間させて、駆動ビーム１６を支持している。駆動ビームアンカー１５は駆動ビーム１６の両端部のうち第１端部１６ａ近傍において駆動ビーム１６と接続されている。駆動ビーム１６は、両端部のうち駆動ビームアンカー１５との接続部近傍である第１端部１６ａを始点として、当該第１端部１６ａから逆側の第２端部１６ｂにかけて延伸している。すなわち、駆動ビーム１６の両端部うち第１端部１６ａは、駆動ビームアンカー１５に近い側の端部であり、第２端部１６ｂは駆動ビームアンカー１５から遠い側の端部である。駆動ビーム１６のうち第１端部１６ａと第２端部１６ｂとはＹ方向で互いに対向する端部である。
【００４０】
シャッター構造２１は、シャッター体２２と、シャッタービームアンカー（第１シャッタービームアンカー）２４及びシャッタービームアンカー（第２シャッタービームアンカー）２６と、シャッタービーム（第１シャッタービーム）２３及びシャッタービーム（第１シャッタービーム）２５とを備えている。
【００４１】
シャッタービームアンカー２４・２６は、基板４２に配置された配線と接続されることで、基板４２に固定して設置されている。シャッタービームアンカー２４・２６は、シャッタービーム２３・２５と、シャッター体２２とを基板４２の表面からから離間させて支持する。
【００４２】
シャッタービーム２３・２５は可撓性を有する。基板４２に固定されたシャッタービームアンカー２４・２６と、シャッタービームアンカー２４・２６とシャッター体２２とを接続し可撓性を有するシャッタービーム２３・２５により、シャッター体２２は、基板４２に対してスライド可能な状態で支持される。また、シャッター体２２は、シャッタービームアンカー２４・２６及びシャッタービーム２３・２５を介して基板４２に設けられた配線と電気的に接続されている。
【００４３】
このように、ＭＥＭＳシャッター１０は、シャッター体２２の第１側部２２ｄが１本のシャッタービーム２３により支持され、シャッター体２２における第１側部２２ｄと対向する第２側部２２ｅが１本のシャッタービーム２５により支持されることで、シャッター体２２が合計２個のシャッタービーム２３・２５により支持された構造を有する。すなわち、ＭＥＭＳシャッター１０は、駆動ビーム１３・１６と対向し、バネとして働くシャッタービーム２３・２５の数が２個である、いわゆる「２スプリング」構造を有する。
【００４４】
シャッタービームアンカー２４は、第１電極１１の駆動ビーム１３における第２端部１３ｂの近傍に設置されている。シャッタービームアンカー２６は、第２電極１４の駆動ビーム１６における第２端部１６ｂの近傍に設置されている。
【００４５】
シャッター体２２は、第１電極１１の駆動ビーム１３と、第２電極１４の駆動ビーム１６との間に挟まれて配置されている。シャッター体２２は、本実施形態では、平面視において長方形状である。
【００４６】
シャッター体２２は、第１端部２２ａと、第２端部２２ｂと、第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとを有する。
【００４７】
シャッター体２２のうち、第１端部２２ａと、第２端部２２ｂとは、Ｙ方向で互いに対向する端部であり、長手方向に直交する短手方向（Ｘ方向）に延伸する端部である。第１端部２２ａと、第２端部２２ｂとのうち、第１端部２２ａは、シャッタービーム２３・２５の第１端部２３ａ・２５ａとの接続部近傍の端部であり、第２端部２２ｂは、シャッタービーム２３・２５の第１端部２３ａ・２５ａから遠い非接続端部である。シャッター体２２は、第１端部２２ａから第２端部２２ｂにかけて延伸している。
【００４８】
シャッター体２２のうち、第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとは、Ｘ方向で互いに対向し、長手方向（Ｙ方向）に延伸する端部である。第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとは、第１端部２２ａと、第２端部２２ｂとを接続する。第１側部２２ｄは、第１端部２２ａ近傍においてシャッタービーム２３の第１端部２３ａと接続されている。第１側部２２ｄは、シャッタービーム２３の対向部２３ｃに沿って延伸している。第２側部２２ｅは、第１端部２２ａ近傍においてシャッタービーム２５の第１端部２５ａと接続されている。第２側部２２ｅは、シャッタービーム２５の対向部２５ｃに沿って延伸している。
【００４９】
シャッター体２２は、略中央部分には、第１端部２２ａ近傍から第２端部２２ｂ近傍へ延伸するシャッター体開口部３１が設けられている。シャッター体開口部３１は矩形形状を有する。
【００５０】
シャッター体開口部３１と基板４２に設けられている基板開口部４１とが重なる位置に、シャッター体２２が移動することで、バックライト９（図２参照）からの光が透過する。一方、シャッター体開口部３１が、基板開口部４１と重ならない位置にシャッター体２２が移動するとバックライト９からの光はシャッター体２２により遮光される。このようにして、表示装置１は、各画素７（図２参照）毎にＭＥＭＳシャッター１０の駆動を制御することで画像を表示部２に表示する。
【００５１】
シャッター体２２のうち、シャッター体開口部３１と、第１側部２２ｄとの間には、第１端部２２ａ側から第２端部側２２ｂへ（Ｙ方向へ）向けて延伸する凸部３２が形成されている。また、シャッター体２２のうち、シャッター体開口部３１と、第２側部２２ｅとの間には、第１端部２２ａ側から第２端部近傍２２ｂへ（Ｙ方向へ）向けて延伸する凸部３３が形成されている。
【００５２】
シャッター体２２における基板４２側の面は、基板４２に近く基板４２と対向する第１面３２ｃ・３３ｃと、第１面３２ｃ・３３ｃより基板４２から遠い第２面２２ｃとを有している。凸部３２・３３が設けられている箇所は、基板４２に向けて突出した形状となっている。逆に、シャッター体２２における対向基板５１側の面（上面）のうち、凸部３２・３３が設けられている箇所は凹部となっている。このように、シャッター体２２に、少なくとも一方向に延伸し、シャッター体２２の下方に設けられた基板４２に向けて突出する凸部３２・３３を設けることで、シャッター体２２の剛性を高めることができる。
【００５３】
凸部３２・３３は、共に、シャッター体２２において、シャッター体２２の第１端部２２ａ側は、第１端部２２ａである端まで設けられている一方、シャッター体２２の第２端部２２ｂ側は、端である第２端部２２ｂまでは延伸しておらず、第１端部２２ａと第２端部２２ｂとの間近傍まで延伸した形状となっている。凸部３２・３３は、基板４２と対向し、Ｙ方向に延伸する第１面３２ｃ・３３ｃを有する。
【００５４】
これにより、シャッター体２２のうち、第１端部２２ａ近傍は、凸部３２・３３が設けられていることで下方の基板４２に向けて突出した形状となっている。一方、シャッター体２２のうち、第２端部２２ｂ近傍は、凸部３２・３３が設けられていないため、平坦な形状となっている。なお、この凸部３２・３３の形状の詳細は後述する。
【００５５】
シャッタービーム２３は、シャッター体２２の第１側部２２ｄと接続された第１端部２３ａを始点として、シャッタービームアンカー２４と接続された第２端部２３ｂにかけて延伸している。上述のように、シャッタービーム２３の第１端部２３ａは、シャッター体２２の第１端部２２ａと第２端部２２ｂとのうち、第１端部２２ａに近い位置でシャッター体２２と接続されている。特に、本実施形態では、シャッタービーム２３は、第１端部２２ａの近傍に接続されている。シャッタービーム２３は、第１端部２３ａから第１電極１１の駆動ビーム１３に近づく方向へ延伸すると、駆動ビーム１３の延伸方向へ屈曲して駆動ビーム１３に沿って延伸し、駆動ビーム１３の第２端部１３ｂ近傍にて第２端部１３ｂを囲むように外側へ屈曲し、第２端部２３ｂがシャッタービームアンカー２４と接続されている。このように、シャッタービーム２３は、第１端部２３ａと第２端部２３ｂとの間に、駆動ビーム１３と対向する対向部２３ｃを有する。
【００５６】
シャッタービーム２５は、シャッター体２２の第２側部２２ｅと接続された第１端部２５ａを始点として、シャッタービームアンカー２６と接続された第２端部２５ｂにかけて延伸している。上述のように、シャッタービーム２５の第１端部２５ａは、シャッター体２２の第１端部２２ａと第２端部２２ｂとのうち、第１端部２２ａに近い位置でシャッター体２２と接続されている。特に、本実施形態では、シャッタービーム２５は、第１端部２２ａの近傍に接続されている。シャッタービーム２５は、第１端部２５ａから第２電極１４の駆動ビーム１６に近づく方向へ延伸すると、駆動ビーム１６の延伸方向へ屈曲して駆動ビーム１６に沿って延伸し、駆動ビーム１６の第２端部１６ｂ近傍にて第２端部１６ｂを囲むように外側へ屈曲し、第２端部２５ｂがシャッタービームアンカー２６と接続されている。このように、シャッタービーム２５は、第１端部２５ａと第２端部２５ｂとの間に、駆動ビーム１６と対向する対向部２５ｃを有する。
【００５７】
シャッタービーム２３・２５は、シャッター体２２がスライドする際にバネとして機能する。
【００５８】
シャッタービーム２３・２５は、シャッター体２２を基板４２から離間させた状態であってスライド可能に支持する。
【００５９】
（基板４２の断面構造及びシャッターの開閉動作）
図３の（ｂ）はシャッターが閉の状態のＭＥＭＳシャッター１０の構成を表す断面図である。図３の（ｃ）はシャッターが開の状態のＭＥＭＳシャッター１０の構成を表す断面図である。図３の（ｂ）（ｃ）は図３の（ａ）におけるＡ‐Ａ’線断面図である。図１６は、図２の画素７の等価回路を表す図である。
【００６０】
図３の（ｂ）（ｃ）に示すように、基板４２は、ガラス基板４３と、ガラス基板４３に配置された遮光部４４と、遮光部４４上に直接又は間接的に配置された配線４５と、遮光部４４及び配線４５とを覆う絶縁層４６とを有する。遮光部４４には矩形の基板開口部４１が形成されている。
【００６１】
絶縁層４６上には配線４７が配置されている。シャッタービームアンカー２４は、テーパー状に下方に凹み、下面が配線４７と接触することで、配線４７と電気的に接続されている。これにより、シャッタービームアンカー２４は、基板４２に固定されている。なお、図示しないが、シャッタービームアンカー２６、駆動ビームアンカー１２・１５も、配線４７と接触することで電気的に接続されている。
【００６２】
図３の（ｂ）及び図１６に示すように、第１電極１１及びシャッター体２２にハイ（Ｈ）の電圧を加え、第２電極１４にロウ（Ｌ）の電圧を加えると、シャッター体２２は、第１電極１１から離れ、第２電極１４に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２のシャッター体開口部３１と、基板４２の基板開口部４１とは非重畳となり、ＭＥＭＳシャッター１０は閉じた状態となる。これにより、バックライト９（図２参照）から出射された光はシャッター体２２により遮光される。
【００６３】
なお、第１電極１１及びシャッター体２１にロウ（Ｌ）の電圧を加え、第２電極１４にハイ（Ｈ）の電圧を加えても、シャッター体２２は、第１電極１１から離れ、第２電極１４に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２のシャッター体開口部３１と、基板４２の基板開口部４１とは非重畳となり、ＭＥＭＳシャッター１０は閉じた状態となる。
【００６４】
図３の（ｃ）及び図１６に示すように、第１電極１１にロウ（Ｌ）の電圧を加え、シャッター体２１及び第２電極１４にハイ（Ｈ）の電圧を加えると、シャッター体２２は、第２電極１４から離れ、第１電極１１に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２のシャッター体開口部３１と、基板４２の基板開口部４１とは重なり、ＭＥＭＳシャッター１０が開いた状態となる。これにより、バックライト９（図２参照）から出射された光は基板開口部４１及びシャッター体開口部３１を通りＭＥＭＳシャッター１０から出射される。
【００６５】
なお、第１電極１１にハイ（Ｈ）の電圧を加え、シャッター体２１及び第２電極１４にロウ（Ｌ）の電圧を加えても、シャッター体２２は、第２電極１４から離れ、第１電極１１に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２のシャッター体開口部３１と、基板４２の基板開口部４１とは重なり、ＭＥＭＳシャッター１０は開いた状態となる。
【００６６】
（シャッター体２２の凸部３２・３３）
図１及び図３の（ａ）に示したように、シャッター体２２には、シャッター体２２の補強のための凸部３２・３３が設けられている。このため、シャッター体２２における基板４２側の面において、凸部３２・３３が設けられている箇所は、基板４２に向けて突出した形状となっている。
【００６７】
また、本実施形態に係るＭＥＭＳシャッター１０は「２スプリング」構造である。すなわち、シャッター体２２は、第１端部２２ａ近傍は両側から２本のシャッタービーム２３・２５によって支持されているものの、第２端部２２ｂ近傍は支持されていない。このため、シャッター体２２は、第１端部２２ａと比べて第２端部２２ｂの位置が下方へ下がりやすい。
【００６８】
このように、第１端部２２ａと比べて第２端部２２ｂの位置が下方へ下がりやすい原因として、以下の（１）〜（４）に示すことが起因していると考えられる。
（１）シャッター体２２、シャッタービーム２３・２５などを構成する膜がもつ膜ストレス（製造起因）
（２）シャッター体２２、シャッタービーム２３・２５の形状起因
（３）シャッター駆動時などで発生するシャッター体２２と基板４２や配線４７との間の電位差（シャッター駆動起因）
（４）その他、シャッター体２２に加わる振動などの外力起因
このため、図１５に示したシャッター体５２２のように、他方の端部５２２ｂの近傍まで凸部５３３が延伸していると、シャッター体５２２のうち凸部５３３が設けられている箇所の裏面（基板５４２との対向面）と、基板５４２の表面や、基板５４２の表面に設けられている配線５３３等と接触しやすく、シャッター体５２２の動作不良の原因となる。
【００６９】
一方、図３の（ａ）に示すように、本実施形態に係るＭＥＭＳシャッター１０が有するシャッター体２２においては、凸部３２・３３における第１面３２ｃ・３３ｃのＹ方向の長さＹ１は、シャッター体開口部３１のＹ方向の長さＹ２より短い。そして、Ｙ方向におけるシャッター体２２の第２端部２２ｂからシャッター体開口部３１までの距離Ｄ１と比べ、Ｙ方向におけるシャッター体２２の第２端部２２ｂから凸部３２・３３の第１面３２ｃ・３３ｃまでの距離Ｄ２の方が長い。
【００７０】
図４は、図３の（ａ）に示すＢ‐Ｂ’線断面図である。図１、図３及び図４に示すように、凸部３２・３３のうちシャッター体２２の第２端部２２ｂに近い側の端部であって、凸部３２・３３の第１面３２ｃ・３３ｃと、シャッター体２２の第２面２２ｃとを接続する面を第３面３２ｂ・３３ｂとする。本実施形態では、第３面３２ｂ・３３ｂは、第１面３２ｃ・３３ｃ及び第２面２２ｃに対して略垂直となっている。
【００７１】
凸部３２・３３における第１面３２ｃ・３３ｃは、シャッター体２２において、最も基板４２に距離が近い箇所である。このため、上述のように、シャッター体２２においては、平面視したときの、第２端部２２ｂからシャッター体開口部３１までの距離Ｄ１と比べ、第２端部２２ｂから凸部３２・３３における第１面３２ｃ・３３ｃまでの距離Ｄ２の方が長い構成とすることで、シャッター体２２の第２端部２２ｂから、凸部３２・３３の第１面３２ｃ・３３ｃまでの距離Ｄ２を十分確保されている。
【００７２】
このため、図４の矢印Ｍに示すように、シャッタービーム２３・２５により支持されていない側の端部である第２端部２２ｂが、第１端部２２ａより下方へ下がっても、凸部３３における基板４２と対向する第１面３３ｃが、下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。なお、凸部３２の第１面３２ｃについても同様に、下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【００７３】
このように、ＭＥＭＳシャッター１０によると、シャッタービーム２３・２５によって２箇所で支持されているシャッター体２２の剛性を保ちつつ、シャッター体２２が下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【００７４】
（ＭＥＭＳシャッター１０の製造方法）
次に、図５及び図６を用いて、ＭＥＭＳシャッター１０の製造方法について説明する。
【００７５】
図５はＭＥＭＳシャッター１０の製造工程の前半を表す図である。図６はＭＥＭＳシャッター１０の製造工程の後半を表す図である。
【００７６】
図５の（ａ）に示すように、基板４２上に配線４７をパターン形成する。次に、図５の（ｂ）に示すように、基板４２及び配線４７を覆って、第１レジスト層６１を塗布することで積層する。
【００７７】
そして、図５の（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィーにより、第１レジスト層６１をパターニングする。これにより、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における第１レジスト層６１に凹部を形成することで、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における配線４７を露出させる。
【００７８】
次に、図５の（ｄ）に示すように、第１レジスト層６１上に、第２レジスト層６２を塗布することで積層する。このとき、第１レジスト層６１に形成した凹部にも第２レジスト層６２が充填される。
【００７９】
そして、図５の（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィーにより、第２レジスト層６２をパターニングする。これにより、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域（すなわち、第１レジスト層６１に凹部が形成されている領域）、駆動ビーム１３・１６、シャッタービーム２３・２５、及び、シャッター体２２の凹部３２・３３の形成領域における第２レジスト層６２に凹部を形成する。
【００８０】
次に、図６の（ａ）に示すように、デポジションにより、高濃度に不純物がドープされた不純物半導体６３（例えば、ｎ＋アモルファスシリコン）、金属膜６４、及び、保護膜６５を順に積層する。これにより、第１レジスト層６１及び第２レジスト層６２が開口された凹部の底面において、不純物半導体６３と配線４７とが接触する。なお、保護膜６５の一例としては、酸化シリコン(ＳｉＯ２)、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、シリコンオキシナイトライド(ＳｉＮＯ)等の無機膜を挙げることができる。
【００８１】
金属膜６４は、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）膜等の金属膜又はその合金を含む膜を積層することで得ることができる。ここでは、金属膜６４は、Ｔｉ/Ａｌ/Ｔｉの積層構造とする。
【００８２】
そして、図６の（ｂ）に示すように、保護膜６５上に第３レジスト層６６を塗布することで積層する。次に、フォトリソグラフィーにより、第３レジスト層６６をパターニングする。これにより、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における第３レジスト層６６に凹部を形成することで、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における保護膜６５を露出させる。
【００８３】
次に、図６の（ｃ）に示すように、ドライエッチングにより、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５をパターニングする。
【００８４】
これにより、第３レジスト層６６に形成された凹部内において、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５のうち、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における不純物半導体６３のみを残し、金属膜６４、及び、保護膜６５を除去する。
【００８５】
そして、図６の（ｄ）に示すように、ＣＦ４及びＯ２を用いたフルアッシングによるドライエッチングにより、全レジスト層（第１レジスト層６１、第２レジスト層６２、及び、第３レジスト層６６）を剥離する。
【００８６】
次に、図６の（ｅ）に示すように、ＰＥＣＶＤ法により、保護層６８を、保護膜６５の上方から積層する。これにより、ＭＥＭＳシャッター１０が完成する。
【００８７】
この後、ＭＥＭＳシャッター１０が設けられた基板４２を対向基板と貼り合せ、ＭＥＭＳシャッター１０が設けられた基板４２と、対向基板との間にシリコンオイルを注入し、各種回路を接続することで、表示装置１が完成する。
【００８８】
〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、図７〜図８に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【００８９】
図７の（ａ）は、本発明の実施形態２に係るＭＥＭＳシャッター１０Ａの構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ１‐Ａ１’線断面図である。図８は、図７の（ａ）に示すＢ１‐Ｂ１’線断面図である。
【００９０】
ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、ＭＥＭＳシャッター１０（図１参照）のうちシャッター体２２に換えて、シャッター体２２Ａを備えている点で、ＭＥＭＳシャッター１０と相違する。シャッター体２２Ａは、シャッター体２２が有していた凸部３２・３３に換えて、凸部３２Ａ・３３Ａを備えている。
【００９１】
凸部３２Ａ・３３Ａは、シャッター体２２Ａの第２端部２２ｂに近い側の端部の形状が、凸部３２・３３とは異なる。
【００９２】
凸部３２Ａ・３３Ａは、基板４２と対向し、Ｙ方向に延伸する第１面３２Ａｃ・３３Ａｃを有する。凸部３２Ａ・３３Ａにおける第１面３２Ａｃ・３３Ａｃは、シャッター体２２Ａにおいて、最も基板４２に距離が近い箇所である。
【００９３】
凸部３２Ａ・３３Ａのうちシャッター体２２Ａの第２端部２２ｂに近い側の端部であって、凸部３２Ａ・３３Ａの第１面３２Ａｃ・３３Ａｃと、シャッター体２２Ａの第２面２２Ａｃとを接続する面を第３面３２Ａｂ・３３Ａｂとする。
【００９４】
また、第１面３２Ａｃ・３３Ａｃと第３面３２Ａｂ・３３Ａｂとの接続部を第１屈曲部３２Ａｄ・３３Ａｄとし、第３面３２Ａｂ・３３Ａｂとシャッター体２２Ａの第２面２２Ａｃとの接続部を第２屈曲部３２Ａｅ・３３Ａｅとする。
【００９５】
第３面３２Ａｂ・３３Ａｂは凸部３２Ａ・３３Ａにおける、シャッター体２２Ａの第２端部２２ｂに近い側の側面である。本実施形態では、第３面３２Ａｂ・３３Ａｂは、第１面３２ｃ・３３ｃから第２面２２Ａｃにかけて緩やかに傾斜している。
【００９６】
そして、凸部３２Ａ・３３Ａにおける第１面３２Ａｃ・３３ＡｃのＹ方向の長さＹ２Ａは、シャッター体開口部３１のＹ方向の長さＹ１より短い。そして、第２端部２２ｂからシャッター体開口部３１までの距離Ｄ１と比べ、第２端部２２ｂから第１面３２Ａｃ・３３Ａｃまでの距離Ｄ２Ａ（すなわち、第２端部２２Ａｂから第１屈曲部３２Ａｄ・３３Ａｄまでの距離）の方が長い。
【００９７】
これにより、第２端部２２ｂから、第１面３２Ａｃ・３３Ａｃまで十分な距離を確保することができる。
【００９８】
このため、図８の矢印ＭＡに示すように、シャッタービーム２３・２５により支持されていない側の端部である第２端部２２ｂが、第１端部２２ａより下方へ下がっても、凸部３３Ａにおける基板４２と対向する第１面３３Ａｃが、下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。なお、凸部３２Ａの第１面３２Ａｃについても同様に、下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【００９９】
このように、ＭＥＭＳシャッター１０Ａによると、シャッタービーム２３・２５によって２箇所で支持されているシャッター体２２Ａの剛性を保ちつつ、シャッター体２２Ａが下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【０１００】
〔実施形態３〕
本発明の実施形態３について、図９〜図１１に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１、２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１０１】
図９の（ａ）は、本発明の実施形態３に係るＭＥＭＳシャッター１０Ｂの構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ２‐Ａ２’線断面図である。図１０は、図９の（ａ）に示すＢ２‐Ｂ２’線断面図である。
【０１０２】
ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、ＭＥＭＳシャッター１０（図１参照）のうちシャッター体２２に換えて、シャッター体２２Ｂを備えている点で、ＭＥＭＳシャッター１０と相違する。シャッター体２２Ｂは、シャッター体２２が有していた凸部３２・３３に換えて、凸部３２Ｂ・３３Ｂを備えている。さらに、シャッター体２２Ｂは板状ではなく、湾曲した形状である。
【０１０３】
凸部３２Ｂ・３３Ｂは、シャッター体２２Ｂの第１端２２ａから第２端部２２ｂへ向けて延伸しているものの、長さが凸部３２・３３（図１参照）よりも短く、シャッター体２２Ｂの第１端部２２ａと第２端部２２ｂとの中間にも届かない長さである。
【０１０４】
凸部３２Ｂ・３３Ｂは、基板４２と対向し、Ｙ方向に延伸する第１面３２Ｂｃ・３３Ｂｃを有する。凸部３２Ｂ・３３Ｂにおける第１面３２Ｂｃ・３３Ｂｃは、シャッター体２２Ｂにおいて、最も基板４２に距離が近い箇所である。
【０１０５】
凸部３２Ｂ・３３Ｂのうちシャッター体２２Ｂの第２端部２２ｂに近い側の端部であって、凸部３２Ｂ・３３Ｂの第１面３２Ｂｃ・３３Ｂｃと、シャッター体２２Ｂの第２面２２Ｂｃとを接続する面を第３面３２Ｂｂ・３３Ｂｂとする。
【０１０６】
第３面３２Ｂｂ・３３Ｂｂは凸部３２Ｂ・３３Ｂにおける、シャッター体２２Ｂの第２端部２２ｂに近い側の側面である。本実施形態では、第３面３２Ａｂ・３３Ａｂは、第１面３２ｃ・３３ｃ及び第２面２２Ｂｃに対して略垂直となっている。
【０１０７】
図９の（ｂ）に示すように、シャッター体２２Ｂにおいては、シャッター体開口部３１と第１側部２２ｄとに挟まれた領域と、シャッター体開口部３１と第２側部２２ｅとに挟まれた領域とは、それぞれ、基板４２から離れる方向に突出する湾曲した形状を有する。すなわち、第２面２２Ｂｃが湾曲した形状である。第２面２２Ｂｃにおける、シャッター体開口部３１と第１側部２２ｄとに挟まれた領域と、シャッター体開口部３１と第２側部２２ｅとに挟まれた領域とは、基板４２と離れる方向に向けて突出するように曲率を持って湾曲している。これにより、シャッター体２２Ｂが平坦な板状である場合と比べて、剛性を向上させることができる。
【０１０８】
なお、シャッター体２２Ｂは、第２面２２Ｂｃだけではなく、シャッター体２２Ｂ全体を湾曲させた形状としてもよい。
【０１０９】
シャッター体２２Ｂに持たせる曲率は、シャッター体２２Ｂを構成する膜自体の内部応力（ストレス）を用いて形成してもよいし、シャッター体２２Ｂを形成する際の下層である第２レジスト層６２表面に曲率を持たせて、当該第２レジスト層６２の表面にシャッター体２２Ｂの構成材料を成膜することで、シャッター体２２Ｂを、曲率をもって湾曲させた形状としてもよい。
【０１１０】
図９の（ａ）に示すように、凸部３２Ｂ・３３Ｂにおける第１面３２Ｂｃ・３３ＢｃのＹ方向の長さＹ２Ｂは、シャッター体開口部３１のＹ方向の長さＹ１より短い。そして、第２端部２２ｂからシャッター体開口部３１までの距離Ｄ１と比べ、第２端部２２ｂから凸部３２・３３の第１面３２Ｂｃ・３３Ｂｃまでの距離Ｄ２Ｂの方が長い。本実施形態では、凸部３２Ｂ・３３Ｂの長さは短く、シャッター体２２Ｂの第１端部２２Ｂａから、第１端部２２Ｂａと第２端部３３Ｂｂとの中間までの距離より短い。
【０１１１】
このため、第２端部２２Ｂｂから第１面３２Ｂｃ・３３Ｂｃまでの距離を確保することができる。
【０１１２】
このため、図１０の矢印ＭＢ１に示すように、シャッタービーム２３・２５により支持されていない側の端部である第２端部２２ｂが、第１端部２２ａより下方へ下がっても、凸部３３Ｂにおける基板４２と対向する第１面３３Ｂｃが、下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。なお、凸部３２Ｂの第１面３２Ｂｃについても同様に、下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【０１１３】
このように、ＭＥＭＳシャッター１０Ｃによると、シャッタービーム２３・２５によって２箇所で支持されているシャッター体２２Ｂの剛性を保ちつつ、シャッター体２２Ｂが下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【０１１４】
加えて、シャッター体２２Ｂは、第２面Ｂｃが上方（基板４２と離れる方向）に向けて突出するように湾曲しているため、第２面２２Ｂｃが平坦である場合と比べて、下方の基板４２や配線４７との距離（図１０の矢印ＭＢ２に示す距離）が離れる。これにより、シャッター体２２Ｂと基板４２の間に電位差が発生しても、シャッター体２２Ｂが基板４２側へ引き寄せられ難くなるという効果を得ることもできる。
【０１１５】
図１１の（ａ）は、実施形態３の変形例に係るＭＥＭＳシャッター１０Ｂの構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ３‐Ａ３’線断面図である。シャッター体２２Ｂは、湾曲した形状であればよい、図９の（ｂ）に示した形状以外にも種々の形状を取り得る。
【０１１６】
図１１の（ａ）（ｂ）に示すように、シャッター体２２Ｂは、シャッター体開口部３１から第１側部２２ｄにかけて下方（基板４２へ近づく方向）へ湾曲しつつ傾斜し、シャッター体開口部３１から第２側部２２ｅにかけて下方（基板４２へ近づく方向）へ湾曲しつつ傾斜した形状を有してもよい。すなわち、シャッター体２２Ｂの第２面２２Ｂｃが湾曲した形状である。第２面２２Ｂｃにおいても、シャッター体開口部３１から第１側部２２ｄにかけて湾曲しつつ傾斜し、シャッター体開口部３１から第２側部２２ｅにかけて湾曲つつ傾斜してる。これによっても、シャッター体２２Ｂが平坦な板状である場合と比べて、剛性を向上させることができる。なお、図１１のＢ２‐Ｂ２’線断面図は図１０と同様である。
【０１１７】
〔実施形態４〕
本発明の実施形態４について、図１２〜図１３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１〜３にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１１８】
図１２の（ａ）は、本発明の実施形態４に係るＭＥＭＳシャッター１０Ｃの構成を表す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ４‐Ａ４’線断面図である。図１３は、図１２の（ａ）に示すＢ４‐Ｂ４’線断面図である。
【０１１９】
ＭＥＭＳシャッター１０Ｃは、ＭＥＭＳシャッター１０（図１参照）のうちシャッター体２２に換えて、シャッター体２２Ｃを備えている点で、ＭＥＭＳシャッター１０と相違する。シャッター体２２Ｃは、シャッター体２２が有していた凸部３２・３３に換えて、凸部３２Ｃ・３３Ｃを備えている。
【０１２０】
凸部３２Ｃ・３３Ｃは、基板４２から離れる方向、すなわち、対向基板５１へ近づく方向に突出している。凸部３２Ｃはシャッター体開口部３１と第１側部２２ｄとの間に配置されている。凸部３３Ｃはシャッター体開口部３１と第２側部２２ｅとの間に配置されている。凸部３２Ｃ・３３Ｃは、シャッター体２２Ｃの第１端部２２ａから、第２端部２２ｂに延伸している。
【０１２１】
凸部３２Ｃ・３３Ｃは、基板４２と対向し、Ｙ方向に延伸する第１面３２Ｃｃ・３３Ｃｃを有する。本実施形態においては、凸部３２Ｃ・３３Ｃにおける第１面３２Ｃｃ・３３Ｃｃは、シャッター体２２Ｃにおいて、最も基板４２に距離が近い箇所ではない。
【０１２２】
凸部３２Ｃ・３３Ｃのうちシャッター体２２Ｃの第２端部２２ｂに近い側の端部であって、凸部３２Ｃ・３３Ｃの第１面３２Ｃｃ・３３Ｃｃと、シャッター体２２Ｃの第２面２２Ｃｃとを接続する面を第３面３２Ｃｂ・３３Ｃｂとする。
【０１２３】
第３面３２Ｃｂ・３３Ｃｂは凸部３２Ｃ・３３Ｃにおける、シャッター体２２Ｃの第２端部２２Ｃｂに近い側の側面である。本実施形態では、第３面３２Ｃｂ・３３Ｃｂは、第１面３２ｃ・３３ｃ及び第２面２２ｃに対して略垂直となっている。
【０１２４】
凸部３２Ｃ・３３Ｃにおける第１面３２Ｃｃ・３３ＣｃのＹ方向の長さＹ２Ｃは、シャッター体開口部３１のＹ方向の長さＹ１より長い。そして、第２端部２２ｂからシャッター体開口部３１までの距離Ｄ１と比べ、第２端部２２ｂから第１面３２Ｃｃ・３３Ｃｃまでの距離Ｄ２Ｃの方が短い。
【０１２５】
すなわち、凸部３２Ｃ・３３Ｃは、シャッター体開口部３１よりもシャッター体２２Ｃの第２端部２２Ｃｂへ近づく程度に第２端部２２Ｃｂへ延伸している。これにより、十分にシャッター体２２Ｃの剛性を確保することができる。
【０１２６】
シャッター体２２Ｃの下面のうち、凸部３２Ｃ・３３Ｃが形成されている領域は、上方（基板４２から離れる方向）へ突出した形状である。
【０１２７】
このため、図１３の矢印ＭＣ１に示すように、シャッタービーム２３・２５により支持されていない側の端部である第２端部２２ｂが、第１端部２２ａ（図１２の（ａ）参照）より下方へ下がっても、凸部３３Ｃにおける基板４２と対向する第１面３３Ｃｃが、下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。なお、凸部３２Ｃの第１面３２Ｃｃについても同様に、下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【０１２８】
シャッター体２２Ｃに、凸部３２Ｃ・３３Ｃを形成するには、図６の（ａ）に示した保護膜６５を積層したあと、第２レジスト層６２と同様の材料からなるレジスト層を塗布する。そして、当該レジスト層を、凸部３２Ｃ・３３Ｃ形成領域を開口させるようにパターニングする。そして、当該レジスト層上から、凸部３２Ｃ・３３Ｃとなる不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５を成膜しパターニングする。この後、図６の（ｂ）を用いて説明した処理を順に行っていく。
【０１２９】
このように、ＭＥＭＳシャッター１０Ｃによると、シャッタービーム２３・２５によって２箇所で支持されているシャッター体２２Ｃの剛性を保ちつつ、シャッター体２２Ｃが下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【０１３０】
加えて、シャッター体２２Ｃは、シャッター体２２Ｃの下面（基板４２との対向面）のうち、凸部３２Ｃ・３３Ｃが形成されている領域は、上方（基板４２から離れる方向）へ突出した形状であるため、シャッター体２２Ｃの下面が下方へ突出した凸部を設ける構成と比べて、シャッター体２２Ｃの下面と、基板４２表面との距離（図１３の矢印ＭＣ２に示す距離）が離れる。
【０１３１】
これにより、シャッター体２２Ｃと基板４２の間に電位差が発生しても、シャッター体２２Ｃが基板４２側へ引き寄せられ難くなるという効果を得ることもできる。なお、この電位差の発生原因としては、静電気のほか、駆動時の電気信号、製造プロセス中であれば、基板の搬送時の剥離帯電、保護層成膜時のプラズマなどを挙げることができる。
【０１３２】
また、平面視において、シャッター体２２Ｃの凸部３２Ｃ・３３Ｃは、シャッター体開口部３１よりも、第２端部２２Ｃｂからの距離が近くなるように、第１端部２２Ｃａから第２端部２２Ｃｂにかけて延伸している。これにより、シャッター体２２Ｃの剛性を十分に確保することができる。
【０１３３】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係るＭＥＭＳシャッター１０は、基板４２に配置された第１電極１１及び第２電極１４に挟まれており、当該第１電極１１及び第２電極１４の電位により動作するシャッター体２２と、上記シャッター体２２のスライド方向を第１方向（Ｘ方向）とし、当該スライド方向（Ｘ方向）と垂直であり上記基板と平行な方向を第２方向（Ｙ方向）とすると、上記シャッター体２２における上記第２方向で対向する当該シャッター体２２の第１端部２２ａ及び第２端部２２ｂのうち、当該シャッター体２２の当該第１端部２２ａに近い側の２箇所に接続され、上記シャッター体２２を上記基板４２から離間させた状態であってスライド可能に支持する第１シャッタービーム（シャッタービーム２３）及び第２シャッタービーム（シャッタービーム２５）とを備え、上記シャッター体２２における上記基板４２側の面は、上記基板４２に近く当該基板４２と対向する第１面３２ｃ・３３ｃと、当該第１面３２ｃ・３３ｃより上記基板４２から遠い第２面２２ｃとを有し、上記シャッター体２２は、上記基板４２に向けて突出し少なくとも一部が上記第１面３２ｃ・３３ｃである凸部３２・３３と、上記第２面２２ｃに形成されたシャッター体開口部３１とを有し、上記凸部３２・３３の上記第２方向（Ｙ方向）の長さ（Ｙ１）は、上記シャッター体開口部３１の上記第２方向（Ｙ方向）の長さ（Ｙ２）より短いことを特徴とする。
【０１３４】
上記構成によると、上記シャッター体２２は、上記基板４２に向けて突出し少なくとも一部が上記第１面３２ｃ・３３ｃである凸部３２・３３を有する。このため、凸部３２・３３がない板状のシャッター体と比べて剛性を有する。
【０１３５】
そして、上記シャッター体２２における上記第２方向で対向する当該シャッター体２２の第１端部２２ａ及び第２端部２２ｂのうち、当該シャッター体２２の当該第１端部２２ａに近い側の２箇所に接続され、上記シャッター体２２を上記基板４２から離間させた状態であってスライド可能に支持する第１シャッタービーム（シャッタービーム２３）及び第２シャッタービーム（シャッタービーム２５）とを備えている。すなわち、ＭＥＭＳシャッター１０は、いわゆる「２スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターである。このため、いわゆる「４スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターと比べて動作速度が速い。
【０１３６】
そして、上記凸部３２・３３の上記第２方向（Ｙ方向）の長さ（Ｙ１）は、上記シャッター体開口部３１の上記第２方向（Ｙ方向）の長さ（Ｙ２）より短い。このため、第１シャッタービーム（シャッタービーム２３）及び第２シャッタービーム（シャッタービーム２５）により支持されていない側の端部である上記シャッター体２２の第２端部２２ｂが、上記シャッター体２２の第１端部２２ａより下方へ下がっても、基板４２に近い第１面３２ｃ・３３ｃが、下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【０１３７】
このように、ＭＥＭＳシャッター１０によると、第１シャッタービーム（シャッタービーム２３）及び第２シャッタービーム（シャッタービーム２５）によって２箇所で支持されているシャッター体２２の剛性を保ちつつ、シャッター体２２が下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【０１３８】
本発明の態様２に係るＭＥＭＳシャッター１０は、上記態様２において、上記シャッター体２２は、上記第２方向（Ｙ方向）における当該シャッター体２２の上記第２端部２２ｂから上記シャッター体開口部３１までの距離と比べ、上記第２方向（Ｙ方向）における当該シャッター体２２の上記第２端部２２ｂから上記凸部３２・３３の上記第１面３２ｃ・３３ｃまでの距離の方が長いことが好ましい。
【０１３９】
このため、第１シャッタービーム（シャッタービーム２３）及び第２シャッタービーム（シャッタービーム２５）により支持されていない側の端部である当該シャッター体２２の第２端部２２ｂが、当該シャッター体２２の第１端部２２ａより下方へ下がっても、基板４２に近い第１面３２ｃ・３３ｃが、下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【０１４０】
また、本発明の態様３に係るＭＥＭＳシャッター１０は、上記態様１又は２において、上記シャッター体開口部３１は、上記シャッター体２２の上記第１端部２２ａ近傍から上記シャッター体２２の上記第２端部２２ｂ近傍に向けて延伸していることが好ましい。これにより、シャッター体２２のスライドにより、シャッターとしての機能を十分発揮することができる。また、上記凸部３２・３３は、上記シャッター体２２の上記第１端部２２ａから上記シャッター体２２の上記第２端部２２ｂ近傍に向けて延伸していることが好ましい。これにより、シャッター体２２の剛性を十分に保つことができる。
【０１４１】
また、本発明の態様４に係るＭＥＭＳシャッター１０Ａは、上記態様１〜３において、上記シャッター体２２Ａの上記第２端部２２Ａｂと近い側の端部であって、上記シャッター体２２Ａの上記第１面３３Ａｃ・３３Ａｃと上記第２面２２Ａｃとを接続する第３面３２Ａｂ・３３Ａｂを有し、上記第３面３２Ａｂ・３３Ａｂは、上記第１面第１面３３Ａｃ・３３Ａｃ及び第２面２２Ａｃに対して傾斜していることが好ましい。
【０１４２】
これにより、上記シャッター体２２の第２端部２２ｂから第１面３２Ａｃ・３３Ａｃまで十分な距離を確保することができる。
【０１４３】
このため、上記シャッター体２２の第２端部２２ｂが、上記シャッター体２２の第１端部２２ａより下方へ下がっても、基板４２と対向する第１面３２Ａｃ・３３Ａｃが、下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【０１４４】
このように、ＭＥＭＳシャッター１０Ａによると、第１シャッタービーム（シャッタービーム２３）及び第２シャッタービーム（シャッタービーム２５）によって２箇所で支持されているシャッター体２２の剛性を保ちつつ、シャッター体２２Ａが下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。
【０１４５】
また、本発明の態様５に係るＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、上記態様１〜４において、シャッター体２２Ｂが湾曲した形状であってもよい。これにより、凸部３２Ｂ・３３Ｂを短くしたとしても、シャッター体２２Ｂの剛性を保つことができる。さらに、シャッター体２２Ｂと基板４２との距離を離すことができるため、シャッター体２２Ｂと基板４２の間に電位差が発生しても、シャッター体２２Ｂが基板４２側へ引き寄せられ難くなるという効果を得ることもできる。
【０１４６】
また、本発明の態様６に係るＭＥＭＳシャッター１０Ｃは、上記態様５において、基板４２に配置された第１電極１１及び第２電極１４に挟まれており、当該第１電極１１及び第２電極１４の電位により動作するシャッター体２２Ｃと、上記シャッター体２２Ｃのスライド方向を第１方向（Ｘ方向）とし、当該スライド方向（Ｘ方向）と垂直であり上記基板４２と平行な方向を第２方向（Ｙ方向）とすると、上記シャッター体２２Ｃにおける上記第２方向（Ｙ方向）で対向する当該シャッター体２２Ｃの第１端部２２ａ及び上記シャッター体２２Ｃの第２端部２２ｂのうち、当該シャッター体２２Ｃの当該第１端部２２ａに近い側の２箇所に接続され、上記シャッター体２２Ｃを上記基板４２から離間させた状態であってスライド可能に支持する第１シャッタービーム（シャッタービーム２３）及び第２シャッタービーム（シャッタービーム２５）とを備え、シャッター体２２Ｃにおける基板４２側の面は、上記基板４２から遠く当該基板４２と対向する第１面３２Ｃ・３３Ｃｃと、当該第１面３２Ｃ・３３Ｃｃより上記基板４２に近い第２面２２Ｃｃとを有し、上記シャッター体２２Ｃは、上記基板４２から離れる方向へ突出し少なくとも一部が上記第１面３２Ｃｃ・３３Ｃｃである凸部３２Ｃ・３３Ｃと、上記第２面２２Ｃｃに形成されたシャッター体開口部３１とを有することを特徴とする。
【０１４７】
上記構成によると、第１シャッタービーム（シャッタービーム２３）及び第２シャッタービーム（シャッタービーム２５）によって２箇所で支持されているシャッター体２２Ｃの剛性を保ちつつ、シャッター体２２Ｃが下方の基板４２や配線４７等と接触することを防止することができる。加えて、シャッター体２２Ｃと基板４２の間に電位差が発生しても、シャッター体２２Ｃが基板４２側へ引き寄せられ難くなるという効果を得ることもできる。
【０１４８】
また、本発明の態様７に係るＭＥＭＳシャッター１０Ｃは、上記態様６において、上記凸部３２Ｃ・３３Ｃにおける第１面３２Ｃｃ・３３Ｃｃの上記第２方向（Ｙ方向）の長さ（Ｙ１）は、上記シャッター体開口部３１の上記第２方向（Ｙ方向）の長さ（Ｙ２Ｃ）より長いことが好ましい。これにより、シャッター体２２Ｃの剛性を十分に確保することができる。
【０１４９】
また、本発明の態様８に係るＭＥＭＳシャッター１０は、上記態様１〜７において、上記第１電極１１及び上記第２電極１４は、それぞれ、上記基板４２に配置された配線４７と接続された駆動ビームアンカー１２・１５と、駆動ビーム１３・１６の第１端部１３ａ・１６ａから駆動ビーム１３・１６の第２端部１３ｂ・１６ｂへかけて延伸し、当該駆動ビーム１３・１６の当該第１端部１３ａ・１６ａと当該駆動ビーム１３・１６の第２端部１３ｂ・１６ｂのうち当該駆動ビーム１３・１６の第１端部１３ａ・１６ａ近傍が上記駆動ビームアンカー１２・１５と接続されることで、上記基板４２から離間した状態で支持されている上記駆動ビーム１３・１６とを備え、上記第１シャッタービーム（シャッタービーム２３）は、上記シャッター体２２との接続部から、上記第１電極１１の上記駆動ビーム１３と対向して延伸し、上記基板４２に配置された配線４７と接続されたシャッタービームアンカー２４と接続されており、上記第２シャッタービーム（シャッタービーム２５）は、上記シャッター体２２との接続部から、上記第２電極１４の上記駆動ビーム１６と対向して延伸し、上記基板４２に配置された配線４７と接続されたシャッタービームアンカー２６と接続されていることが好ましい。これにより、いわゆる「２スプリング」構造のＭＥＭＳシャッター１０を得ることができる。
【０１５０】
また、本発明の態様９に係る表示装置１は、上記ＭＥＭＳシャッター１０〜１０Ｃを備えていることが好ましい。また、本発明の態様１０に係る電子機器は、上記ＭＥＭＳシャッター１０〜１０Ｃを備えていることが好ましい。
【０１５１】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【０１５２】
１  表示装置
３Ｄ  ソースドライバ
３Ｇ  ゲートドライバ
５Ａ、５Ｂ  スイッチング素子
６Ａ、６Ｂ  保持容量
７  画素
８  コントローラ
９  バックライト
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ  ＭＥＭＳシャッター
１０Ａ、２１、２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ  シャッター体
１１  第１電極
１２・１５  駆動ビームアンカー
１３・１６  駆動ビーム
１３ａ  駆動ビーム１３の第１端部
１３ｂ  駆動ビーム１３の第２端部
１４  第２電極
１６ａ  駆動ビーム１６の第１端部
１６ｂ  駆動ビーム１６の第２端部
２１  シャッター構造
２２・２２Ａ〜２２Ｃ  シャッター体
２２ａ  シャッター体２２・２２Ａ〜２２Ｃの第１端部
２２ｂ  シャッター体２２・２２Ａ〜２２Ｃの第２端部
２２Ａｃ、２２Ｂｃ、２２Ｃｃ  第２面
２３  シャッタービーム（第１シャッタービーム）
２３ａ  シャッタービーム２３の第１端部
２３ｂ  シャッタービーム２３の第２端部
２３ｃ  シャッタービーム２３の対向部
２５  シャッタービーム（第２シャッタービーム）
２５ａ  シャッタービーム２５の第１端部
２５ｂ  シャッタービーム２５の第２端部
２５ｃ  シャッタービーム２５の対向部
２４  シャッタービームアンカー（第１シャッタービームアンカー）
２６  シャッタービームアンカー（第２シャッタービームアンカー）
３１  シャッター体開口部
３２・３２Ａ〜３２Ｃ  凸部
３３・３３Ａ〜３３Ｃ  凸部
３２ｂ・３２Ａｂ〜３２Ｃｂ  第３面
３３ｂ・３３Ａｂ〜３３Ｃｂ  第３面
３２ｃ・３２Ａｃ〜３２Ｃｃ  第１面
３３ｃ・３３Ａｃ〜３３Ｃｃ  第１面
３２Ａｄ  第１屈曲部
３３Ａｄ  第１屈曲部
３２Ａｅ  第２屈曲部
３３Ａｅ  第２屈曲部
４０、４２、４７  基板
４１  基板開口部
４３  ガラス基板
４４  遮光部
４５、４７  配線
４６  絶縁層
５１  対向基板
５２  シリコンオイル
６１  第１レジスト層
６２  第２レジスト層
６３  不純物半導体
６４  金属膜
６５  保護膜
６６  第３レジスト層
６８  保護層
【図１】
2017181914.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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