(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェハ上へのガス導入に起因するプロセス不均一性を低減する半導体製造装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】チャンバ１の側面に複数のガスインジェクタ５Ａ〜５Ｈをウェハの中心Ｏに対し対照的な位置に設置し、各ガスインジェクタ５Ａ〜５Ｈは、ウェハＷの側部から中心Ｏに向かって同一種のガスＧ２を噴出する。各ガスインジェクタ５Ａ、５Ｂにはノズル６Ａ、６Ｂを設け、各ノズル６Ａ、６ＢにはＺ軸に対してθ４＞θ３＞θ２＞θ１となる複数の噴出角θ１〜θ４を設定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを収容するチャンバと、
前記チャンバ内で前記ウェハを保持するステージと、
ウェハ面に対する鉛直軸に対してＮ（Ｎは２以上の整数）個の噴出角が設定され、前記ウェハの側部から中心に向かって同一種のガスを前記Ｎ個の噴出角で噴出可能な第１ガスインジェクタとを備える半導体製造装置。
【請求項２】
前記第１ガスインジェクタは前記ウェハの側部のＭ（Ｍは２以上の整数）カ所に配置されている請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記Ｎ個の噴出角ごとに前記ガスの噴射を制御する噴射制御部を備える請求項１または２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記ウェハ上から前記ウェハ面に向かってガスを噴出する第２ガスインジェクタをさらに備える請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
ウェハ上にガスを噴出しながら前記ウェハを処理する半導体装置の製造方法であって、
ウェハ面に対する鉛直軸に対してＮ（Ｎは２以上の整数）個の噴出角を前記ウェハの側部から中心に向かって設定し、
前記Ｎ個の噴出角が設定された第１ガスを前記ウェハ上に同時に噴出する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスにおけるエッチング工程やＣＶＤ工程では、エッチングガスやデポガスなどをウェハ上に導入することが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００８−５３７９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの実施形態は、ウェハ上へのガス導入に起因するプロセス不均一性を低減させることが可能な半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの実施形態によれば、半導体製造装置は、チャンバと、ステージと、第１ガスインジェクタとを備える。チャンバは、ウェハを収容する。ステージは、前記チャンバ内で前記ウェハを保持する。第１ガスインジェクタは、ウェハ面に対する鉛直軸に対してＮ（Ｎは２以上の整数）個の噴出角が設定され、前記ウェハの側部から中心に向かって同一種のガスを前記Ｎ個の噴出角で噴出可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）は、第１実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のガスインジェクタのウェハ上での配置例を示す上面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）のガスインジェクタを拡大して示す断面図、図１（ｄ）は、図１（ａ）のガスインジェクタの構成例を示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、図１（ａ）の半導体製造装置が適用される半導体装置の製造方法を示す断面図、図２（ｃ）は、図２（ｂ）の半導体装置のライン寸法とウェハ位置との関係を示す図である。
【図３】図３は、第２実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】図４は、図３のガス噴射制御部の一例を示す図である。
【図５】図５は、図３のガス噴射制御部のその他の例を示す図である。
【図６】図６は、第３実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
【図７】図７は、第４実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る半導体製造装置および半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のガスインジェクタのウェハ上での配置例を示す上面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）のガスインジェクタを拡大して示す断面図、図１（ｄ）は、図１（ａ）のガスインジェクタの構成例を示す斜視図である。
図１（ａ）〜図１（ｄ）において、チャンバ１内には、ウェハＷを保持するステージ２が設けられている。チャンバ１は、ウェハＷを収容し、ウェハＷ上の雰囲気を外界から隔離することができる。ステージ２上には、ウェハＷを吸着する静電チャック３が設けられている。チャンバ１の下面には排気管１４が設けられている。排気管１４は真空ポンプ４に接続されている。真空ポンプ４は、排気管１４を介してチャンバ１内を排気し、チャンバ１内を所定の真空度に維持することができる。
【０００９】
チャンバ１の上面にはガスインジェクタ９が設置され、チャンバ１の側面にはガスインジェクタ５Ａ〜５Ｈが設置されている。各ガスインジェクタ５Ａ〜５Ｈは、ウェハＷの側部から中心Ｏに向かって同一種のガスＧ２を噴出することができる。同一種のガスＧ２は、同一組成のガスであってもよい。ガスインジェクタ５Ａ〜５Ｈは、ウェハＷの側部のＭ（Ｍは２以上、より好ましくは３以上の整数）カ所に配置することができる。図１（ｂ）では、ウェハＷの側部の８カ所に配置した例を示した。ガスインジェクタ５Ａ〜５Ｈは、ウェハＷの中心Ｏに対して（点）対称的な位置に配置され、ウェハＷの中心Ｏに対して対称性を有するＭ方向から、同一種のガスＧ２が略均等な流量で噴出されることが望ましい。また、図１（ａ）に示すように、例えば、各ガスインジェクタ５Ａ、５Ｂにはノズル６Ａ、６Ｂが設けられている。ここで、ウェハ面がＸＹ平面内に設置され、ウェハ面に対する鉛直軸がＺ軸方向であるとすると、各ノズル６Ａ、６ＢはＺ軸に対してＮ（Ｎは２以上の整数）個の噴出角が設定される。図１（ａ）および図１（ｃ）では、各ノズル６Ａ、６ＢはＺ軸に対して４個の噴出角θ１〜θ４が設定される例を示した。この時、θ４＞θ３＞θ２＞θ１とすることができる。各ノズル６Ａ、６Ｂの噴出角θ１〜θ４は、ウェハ面に対する同一の鉛直面内に設定することができる。なお、各ガスインジェクタ５Ａ、５Ｂにノズル６Ａ、６Ｂを設ける方法としては、セラミックなどの多面体ブロックに貫通孔を形成する方法であってもよいし、ノズル６Ａ、６Ｂとなるパイプを支持体で保持する方法であってもよい。各ノズル６Ａ、６Ｂは噴出角θ１〜θ４ごとに分流管７に接続され、分流管７は本流管８に合流することができる。各ノズル６Ｃ〜６Ｈについても各ノズル６Ａ、６Ｂと同様に構成することができる。本流管８は、同一のガス供給源に接続することができる。ここで、４個の噴出角θ１〜θ４を持つガスインジェクタ５Ａ〜５Ｈが８カ所に配置されているものとすると、分流管７は本流管８から送出されるガスＧ２を８×４個に分流させることができる。
【００１０】
ガスインジェクタ９は、ウェハＷ上からウェハ面に向かってガスＧ１を噴出するとともに、ウェハＷ上の水平方向もしくは斜め方向にガスＧ１を噴出することができる。ガスインジェクタ９は配管１０に接続されている。ガスＧ１は、チャンバ１内でのプロセスを進行させるメインガスとすることができる。チャンバ１内でのプロセスは、例えば、プラズマ処理を挙げることができる。このプラズマ処理は、プラズマエッチング処理であってもよいし、プラズマＣＶＤ処理であってもよい。プラズマエッチング処理では、ガスＧ１はエッチングガスを主として用いることができる。プラズマＣＶＤ処理では、ガスＧ１はデポガスを主として用いることができる。ガスＧ２は、ウェハ面上でのガスＧ１の流れの特異点を調整するチューニングガスとすることができる。エッチング処理において、ガスＧ１の流れの特異点では、エッチングで形成されるラインの寸法やホールの径などが不均一となる。また、成膜処理において、ガスＧ１の流れの特異点では、ＣＶＤで形成される膜の厚さや膜質などが不均一となる。ガスＧ２は、エッチングガス、デポガスおよびデポ除去ガスの少なくともいずれか１つを含むことができる。エッチングガスは、ウェハＷ上の膜をエッチングするのに用いることができる。デポガスはウェハＷ上に膜を形成するのに用いることができる。デポ除去ガスはデポガスにて形成される膜を除去するのに用いることができる。なお、エッチング処理においては、エッチングから保護するための保護膜の形成にデポガスを用いるようにしてもよい。この保護膜としては、例えば、カーボン系の膜を用いることができる。例えば、異方性エッチングによるホール形成時にホールの側壁に保護膜が形成されるようにデポガスをウェハＷ上に導入することで、ホールのアスペクト比を向上させることができる。エッチングガスは、例えば、ＣＦ４、ＣＨＦ３またはＣ４Ｆ８などのフルオロカーボン系のガスを用いることができる。デポガスは、例えば、Ｃ４Ｆ６またはＣＨ４などのフルオロカーボン系またはハイドロカーボン系のガスを用いることができる。デポ除去ガスは、例えば、Ｏ２またはＮ２などを用いることができる。
【００１１】
図２（ａ）および図２（ｂ）は、図１（ａ）の半導体製造装置が適用される半導体装置の製造方法を示す断面図、図２（ｃ）は、図２（ｂ）の半導体装置のライン寸法とウェハ位置との関係を示す図である。なお、図２（ａ）および図２（ｂ）の例では、図１（ａ）の半導体製造装置をエッチング装置として用いた場合を示した。
図２（ａ）において、ウェハＷ上には被処理膜Ｔ´が形成されている。なお、被処理膜Ｔ´は、ＳｉＯ２などの絶縁膜であってもよいし、ＡｌやＣｕなどの金属膜であってもよいし、多結晶シリコンなどの半導体膜であってもよい。そして、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、被処理膜Ｔ´上にレジストパターンＲを形成する。レジストパターンＲは、ラインパターンであってもよいし、ホールパターンであってもよい。次に、レジストパターンＲをマスクとして、被処理膜Ｔ´をエッチング処理することにより、ウェハＷ上に加工パターンＴを形成する。
この被処理膜Ｔ´のエッチング処理では、図１（ａ）の半導体製造装置を用いることができる。この時、被処理膜Ｔ´が形成されたウェハＷがステージ２上に置かれ、静電チャック３にてステージ２上に固定される。そして、排気管１４を介してチャンバ１内が排気されながら、ガスインジェクタ９からガスＧ１が噴出されるとともに、各ガスインジェクタ５Ａ〜５ＨからガスＧ２が噴出される。そして、ガスＧ１、Ｇ２をプラズマ化することにより被処理膜Ｔ´をエッチング処理することができる。
【００１２】
ここで、ガスインジェクタ９からガスＧ１だけしか噴出されない場合、ウェハＷの中心Ｏに向かってガスＧ１が吹き降ろされる。そして、ウェハ面上では、ウェハＷの中心Ｏから側部Ｐ１、Ｐ２に向かってガスＧ１が水平に流れる。この時、ウェハＷの中心Ｏと側部Ｐ１、Ｐ２との間の中間部では、ガスＧ１の流れに特異点Ａ１、Ａ２が発生する。このため、例えば、加工パターンＴがラインパターンであるとすると、図２（ｃ）の点線Ｓ１で示すように、特異点Ａ１、Ａ２では、加工パターンＴのライン寸法が不均一化する。
一方、ガスインジェクタ９からガスＧ１が噴出されている時に各ガスインジェクタ５Ａ〜５ＨからガスＧ２を噴出することで、ウェハＷの側部Ｐ１、Ｐ２またはウェハＷの中心Ｏと側部Ｐ１、Ｐ２との間の中間部に向かってガスＧ２を吹き付けることができる。そして、ウェハＷの側部Ｐ１、Ｐ２から中心Ｏに向かってガスＧ２を水平に流すことができる。この時、ウェハＷの中心Ｏと側部Ｐ１、Ｐ２との間の中間部でガスＧ１の流れをチューニングすることができ、ガスＧ１の流れの特異点Ａ１、Ａ２を解消することができる。このため、図２（ｃ）の実線Ｓ２で示すように、加工パターンＴのライン寸法をウェハＷの中心Ｏから側部Ｐ１、Ｐ２にかけて均一化することができる。
【００１３】
なお、エッチング処理において、ガスインジェクタ９からガスＧ１だけしか噴出されない場合に特異点Ａ１、Ａ２でライン寸法が小さくなる場合、ガスＧ２としてデポガスを用いることができる。一方、エッチング処理において、ガスインジェクタ９からガスＧ１だけしか噴出されない場合に特異点Ａ１、Ａ２でライン寸法が大きくなる場合、ガスＧ２としてエッチングガスまたはデポ除去ガスを用いることができる。
一方、成膜処理において、ガスインジェクタ９からガスＧ１だけしか噴出されない場合に特異点Ａ１、Ａ２で膜厚が小さくなる場合、ガスＧ２としてデポガスを用いることができる。一方、成膜処理において、ガスインジェクタ９からガスＧ１だけしか噴出されない場合に特異点Ａ１、Ａ２で膜厚が大きくなる場合、ガスＧ２としてエッチングガスまたはデポ除去ガスを用いることができる。
【００１４】
（第２実施形態）
図３は、第２実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
図３の構成では、図１（ａ）の構成にガス噴射制御部１１が追加されている。ガス噴射制御部１１は、分流管７に流れるガスＧ２の流れを噴出角θ１〜θ４ごとに制御することができる。この時、ガス噴射制御部１１は、図１（ｂ）のガスインジェクタ５Ａ〜５ＨごとにガスＧ２を分流させる分流管７を噴出角θ１〜θ４ごとに合流させる分流管７´に対して設けることが好ましい。
ここで、図１（ａ）の構成にガス噴射制御部１１を設けることにより、噴出角θ１〜θ４ごとにガス流量を制御することが可能となる。このため、ウェハ面上での特異点Ａ１、Ａ２の位置に応じてガスＧ２の流れを調整することが可能となることから、ウェハ面上での加工パターンＴの均一性を向上させることが可能となる。
また、ガス噴射制御部１１を分流管７´に対して設けることにより、ガスインジェクタ５Ａ〜５Ｈが８カ所に設置されている場合においても、ガス噴射制御部１１を１台で済ませることができ、ガス噴射制御部１１を分流管７に対して設ける構成に比べてガス噴射制御部１１の台数を減らすことができる。
【００１５】
図４は、図３のガス噴射制御部の一例を示す図である。なお、図４の例では、ガスインジェクタ５Ｂのみを抜き出して示したが、ガスインジェクタ５Ａ、５Ｃ〜５Ｈにも同様に適用することができる。
図４の構成では、ガス噴射制御部１１Ａが設けられている。ガス噴射制御部１１Ａには、バルブ１２Ａ〜１２Ｄが噴出角θ１〜θ４ごとに分流管７´に設けられている。バルブ１２Ａ〜１２Ｄは、噴出角θ１〜θ４ごとにガスＧ２を流したり、止めたりすることができる。例えば、バルブ１２Ｂを開き、バルブ１２Ａ、１２Ｃ、１２Ｄを閉じることにより、ノズル６Ｂから噴出角θ３でガスＧ２を噴出させ、ノズル６Ｂから噴出角θ１、θ２、θ４でガスＧ２を噴出されるのを止めることができる。このため、ウェハ面上において、噴出角θ３の方向のガスＧ２の流量を増やし、噴出角θ１、θ２、θ４の方向のガスＧ２の流量を減らすことができる。
【００１６】
図５は、図３のガス噴射制御部のその他の例を示す図である。
図５の構成では、ガス噴射制御部１１Ｂが設けられている。ガス噴射制御部１１Ｂには、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１３Ａ〜１３Ｄが噴出角θ１〜θ４ごとに分流管７´に設けられている。マスフローコントローラ１３Ａ〜１３Ｄは、噴出角θ１〜θ４ごとにガスＧ２の流量を調整することができる。例えば、噴出角θ３ではノズル６ＢからのガスＧ２の流量を増やし、噴出角θ１、θ２、θ４ではノズル６ＢからのガスＧ２の流量を減らすことができる。このため、ウェハ面上において、噴出角θ３の方向のガスＧ２の流量を増やし、噴出角θ１、θ２、θ４の方向のガスＧ２の流量を減らすことができる。
【００１７】
（第３実施形態）
図６は、第３実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。なお、図６では、容量結合型（平行平板型）プラズマエッチング装置を例にとった。
図６において、チャンバ２１内には、ウェハＷを保持するステージ２２が設けられている。チャンバ２１は、Ａｌなどの導電体で構成することができる。この時、チャンバ２１は接地することができる。ステージ２２は、支持体２５でチャンバ２１内に保持されている。ステージ２２の周囲には絶縁リング２３が設けられている。ステージ２２と絶縁リング２３との境界には、ウェハＷの外周に沿ってフォーカスリング２４が埋め込まれている。フォーカスリング２４は、ウェハＷの周縁部での電界の偏向を防止することができる。ステージ２２は、ブロッキングコンデンサ３２および整合器３３を順次介して高周波電源３４に接続されている。ブロッキングコンデンサ３２は、エッチング時のイオン衝突による損傷を緩和することができる。整合器３３は、高周波電源３４の負荷とインピーダンス整合をとることができる。チャンバ２１内の下方には排気管３１が設けられている。排気管３１の上流側にはバッフル板２８が設けられている。バッフル板２８は排気系における排気抵抗を調整することができる。この時、バッフル板２８には、排気孔２９を設けることができる。
【００１８】
チャンバ２１内の上方にはシャワーヘッド２６が設置され、チャンバ内２１の側面にはガスインジェクタ３５Ａ、３５Ｂが設置されている。シャワーヘッド２６は、ウェハＷ上からウェハ面に向かってガスＧ１を鉛直方向に噴出することができる。この時、シャワーヘッド２６には、ガスＧ１を噴出する噴出孔２７を設けることができる。シャワーヘッド２６上には、シャワーヘッド２６にガスＧ１を供給する配管３０が設けられている。ガスＧ１は、チャンバ２１内でのプラズマエッチング処理を進行させるメインガスとすることができる。なお、シャワーヘッド２６は、プラズマ生成時の上部電極として用いることができる。ステージ２２は、プラズマ生成時の下部電極として用いることができる。
各ガスインジェクタ３５Ａ、３５Ｂは、ウェハＷの側部から中心に向かって同一種のガスＧ２を噴出することができる。各ガスインジェクタ３５Ａ、３５Ｂには、ガスＧ２を噴出するノズル３６Ａ、３６Ｂが設けられている。各ノズル３６Ａ、３６Ｂは、ウェハ面に対する鉛直軸に対してＮ（Ｎは２以上の整数）個の噴出角が設定される。図６では、各ノズル３６Ａ、３６Ｂは鉛直軸に対して４個の噴出角が設定される例を示した。なお、各ノズル３６Ａ、３６Ｂは、図１（ａ）のノズル６Ａ、６Ｂと同様に構成することができる。各ノズル３６Ａ、３６Ｂは噴出角ごとに分流管３７に接続され、分流管３７は本流管に合流することができる。
【００１９】
そして、排気管３１を介してチャンバ２１内が排気されながら、シャワーヘッド２６からガスＧ１が噴出されるとともに、各ガスインジェクタ３５Ａ、３５ＢからガスＧ２が噴出される。この時、高周波電源３４からステージ２２に高周波電力が供給されると、ガスＧ１、Ｇ２が電離され、ウェハＷ上でプラズマが発生する。このプラズマがウェハＷを攻撃したり、ウェハＷ上で反応することで、エッチング処理が行われる。
ここで、各ガスインジェクタ３５Ａ、３５ＢからガスＧ２を噴出させることにより、シャワーヘッド２６からガスＧ１だけしか噴出されない場合に比べて、プラズマエッチングでウェハＷ上に形成されるパターンの均一性を向上させることができる。
【００２０】
（第４実施形態）
図７は、第４実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。なお、図７では、誘導結合型プラズマエッチング装置を例にとった。
図７において、チャンバ４１内には、ウェハＷを保持するステージ４２が設けられている。ステージ４２は高周波電源５２に接続されている。チャンバ４１の下面には排気管５４が設けられている。排気管５４は真空ポンプ４４に接続されている。チャンバ４１の上面は開口されている。そして、チャンバ４１の上面上には、支持体４８を介して高周波導入窓４９が設置されている。高周波導入窓４９上には、高周波アンテナ５０が設けられている。高周波アンテナ５０の一端は接地され、他端は高周波電源５１に接続されている。チャンバ４１の側面にはガス導入管５５が設けられている。ガス導入管５５は、ウェハＷ上の水平方向にガスＧ１を噴出することができる。チャンバ４１の側面において、ガス導入管５５の下方にはガスインジェクタ４５Ａ、４５Ｂが設けられている。
【００２１】
各ガスインジェクタ４５Ａ、４５Ｂは、ウェハＷの側部から中心に向かって同一種のガスＧ２を噴出することができる。各ガスインジェクタ４５Ａ、４５Ｂには、ガスＧ２を噴出するノズル４６Ａ、４６Ｂが設けられている。各ノズル４６Ａ、４６Ｂは、ウェハ面に対する鉛直軸に対してＮ（Ｎは２以上の整数）個の噴出角が設定される。図７では、各ノズル４６Ａ、４６Ｂは鉛直軸に対して４個の噴出角が設定される例を示した。なお、各ノズル４６Ａ、４６Ｂは、図１（ａ）のノズル６Ａ、６Ｂと同様に構成することができる。各ノズル４６Ａ、４６Ｂは噴出角ごとに分流管４７に接続され、分流管４７は本流管に合流することができる。
【００２２】
そして、排気管５４を介してチャンバ４１内が排気されながら、ガス導入管５５からガスＧ１が噴出されるとともに、各ガスインジェクタ４５Ａ、４５ＢからガスＧ２が噴出される。この時、高周波電源５２からステージ４２に高周波電力が供給されるとともに、高周波電源５１から高周波アンテナ５０に高周波電力が供給されると、ガスＧ１、Ｇ２が電離され、ウェハＷ上でプラズマが発生する。このプラズマがウェハＷを攻撃したり、ウェハＷ上で反応することで、エッチング処理が行われる。
ここで、各ガスインジェクタ４５Ａ、４５ＢからガスＧ２を噴出させることにより、ガス導入管５５からガスＧ１だけしか噴出されない場合に比べて、プラズマエッチングでウェハＷ上に形成されるパターンの均一性を向上させることができる。
【００２３】
なお、図７の例では、誘導結合型プラズマエッチング装置を例にとったが、本発明はマイクロ波ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマエッチング装置に適用してもよい。また、上述した実施形態では、プラズマエッチング装置について示したが、本発明はプラズマＣＶＤ装置に適用してもよい。
【００２４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００２５】
１  チャンバ、２  ステージ、３  静電チャック、４  真空ポンプ、５Ａ〜５Ｈ、９  ガスインジェクタ、６Ａ、６Ｂ  ノズル、  ７  分流管、８  本流管、１０  配管、１１、１１Ａ、１１Ｂ  ガス噴射制御部、１２Ａ〜１２Ｄ  バルブ、１３Ａ〜１３Ｄ  マスフローコントローラ、１４  排気管
【図２】
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【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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