(57)【要約】【課題】温度センサをシャント抵抗の近くに実装できない場合でも回路の過熱状態を検知できるモータ制御装置を提供する。【解決手段】駆動回路５６は、バッテリ８０から供給された電力からモータ１８の巻線の第１端子１８Ａ、第２端子１８Ｂに印加する電圧を生成すると共に、当該電圧の極性を切り換えることにより、モータ１８の回転方向を切り換える。逆接防止ＦＥＴ７０は、バッテリ８０と駆動回路５６とに直列に接続され、駆動回路５６がモータ１８の巻線の第１端子１８Ａ、第２端子１８Ｂに印加する電圧を生成する際に、モータ１８の回転方向に拘らず同じ極性の電流が通電されて発熱する。サーミスタ７２Ａは逆接防止ＦＥＴ７０の近くに実装され、マイコン５８は、サーミスタ７２Ａによって検知された温度が所定温度以上の場合に、駆動回路５６が生成する電圧を抑制する制御をする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源から供給された電力からモータの巻線に印加する電圧を生成すると共に、該電圧の極性を切り換えることにより、前記モータの回転方向を切り換える駆動回路と、
前記電源と前記駆動回路とに直列に接続され、前記駆動回路が前記モータの巻線の端子に印加する電圧を生成する際に、前記モータの回転方向に拘らず同じ極性の電流が通電されて発熱する発熱性素子と、
基板上の前記発熱性素子の近くに実装された温度検知部と、
前記温度検知部が検知した温度が所定温度以上の場合に、前記駆動回路が生成する電圧を抑制する制御をする制御部と、
を含むモータ制御装置。
【請求項２】
前記モータは、ワイパブレードを動作させるためのワイパモータであり、正回転及び逆回転のいずれかで回転することにより前記ワイパブレードを往復動作させ、
前記駆動回路の電流は前記ワイパモータの負荷が高いほど大きくなり、
前記発熱性素子は、前記駆動回路の電流に応じて発熱する請求項１記載のモータ制御装置。
【請求項３】
前記ワイパモータの負荷は、外力により前記ワイパブレードの動作が阻害された場合に高くなる請求項２記載のモータ制御装置。
【請求項４】
前記発熱性素子は、前記電源が逆接続された場合に前記電源の電力を前記駆動回路に通電しない逆接続防止素子及び前記駆動回路の電流を検知するための電流検知素子の少なくとも一方である請求項１〜３のいずれか１項記載のモータ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モータ制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウィンドシールドガラスへの積雪等により、ウィンドシールドガラス上を往復動作するワイパブレードの抵抗が大きくなると、ワイパブレードを駆動させるワイパモータ（以下、「モータ」と称する）の負荷が高まり、モータ及びモータの制御回路が過熱しやすくなる。モータ及び制御回路の過熱状態はサーミスタ等を用いた温度センサで検知し、過熱状態を検知した場合には、モータの回転速度を抑制する等によって、過熱状態を解消させる。
【０００３】
サーミスタ等の温度センサは、制御回路の基板に実装されるが、モータを駆動する電圧を生成する駆動回路の電流を測定するために実装されているシャント抵抗の近くに設けられる場合が一般的である。モータの負荷が大きくなれば、駆動回路の電流も大きくなる。シャント抵抗の発熱は、駆動回路の電流が大きくなるほど、すなわち駆動回路の負荷が大きくなるほど顕著になるので、温度センサをシャント抵抗の近くに実装することにより、モータ及び制御回路の過熱状態を検知しやすくなる。
【０００４】
特許文献１に記載のインバータ装置では、シャント抵抗の近くに実装したサーミスタを用いて、回路の過熱状態を検知している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３２５３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、制御回路の素子の構成によっては、シャント抵抗の近くにサーミスタを常に実装できるとは限らない。シャント抵抗から離れた位置にサーミスタを実装した場合には、駆動回路の負荷に応じた発熱を的確に検知できないという問題点があった。
【０００７】
本発明は上記に鑑みてなされたもので、温度センサをシャント抵抗の近くに実装できない場合でも回路の過熱状態を検知できるモータ制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、請求項１に記載のモータ制御装置は、電源から供給された電力からモータの巻線に印加する電圧を生成すると共に、該電圧の極性を切り換えることにより、前記モータの回転方向を切り換える駆動回路と、前記電源と前記駆動回路とに直列に接続され、前記駆動回路が前記モータの巻線の端子に印加する電圧を生成する際に、前記モータの回転方向に拘らず同じ極性の電流が通電されて発熱する発熱性素子と、基板上の前記発熱性素子の近くに実装された温度検知部と、前記温度検知部が検知した温度が所定温度以上の場合に、前記駆動回路が生成する電圧を抑制する制御をする制御部と、を含んでいる。
【０００９】
このモータ制御装置によれば、モータが正回転及び逆回転させるいずれの場合であっても同じ極性の電流が通電されて発熱する発熱性素子の近くに、サーミスタ等の温度検知部を実装している。
【００１０】
モータを動作させている際に、モータの回転方向に拘らず同一の極性の電流が通電される素子は、シャント抵抗以外に存在するので、サーミスタ等を用いた温度センサをシャント抵抗の近くに実装できない場合でも回路の過熱状態を検知できる。
【００１１】
請求項２に記載のモータ制御装置は、請求項１記載のモータ制御装置において、前記モータは、ワイパブレードを動作させるためのワイパモータであり、正回転及び逆回転のいずれかで回転することにより前記ワイパブレードを往復動作させ、前記駆動回路の電流は前記ワイパモータの負荷が高いほど大きくなり、前記発熱性素子は、前記駆動回路の電流に応じて発熱する。
【００１２】
このモータ制御装置によれば、ワイパモータの負荷が高いほど発熱が顕著になる素子の近くに温度検知部であるサーミスタを実装することにより、回路の過熱を検知することができる。
【００１３】
請求項３に記載のモータ制御装置は、請求項２記載のモータ制御装置において、前記ワイパモータの負荷は、外力により前記ワイパブレードの動作が阻害された場合に高くなる。
【００１４】
このモータ制御装置によれば、ワイパブレードの動作が積雪等による外力の作用によって阻害されてワイパモータの負荷が増大したことを、駆動回路の電流値から検知できる。
【００１５】
請求項４に記載のモータ制御装置は、請求項１〜３のいずれか１項記載のモータ制御装置において、前記発熱性素子は、前記電源が逆接続された場合に前記電源の電力を前記駆動回路に通電しない逆接続防止素子及び前記駆動回路の電流を検知するための電流検知素子の少なくとも一方である。
【００１６】
このモータ制御装置によれば、電流検知素子であるシャント抵抗以外にも、逆接続防止素子である逆接防止ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）等の素子の近くに温度検知部であるサーミスタを実装して、回路の過熱状態を検知できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態に係るモータ制御装置を含むワイパ装置の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るモータ制御装置の基板の概略図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るモータ制御装置の概略を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るモータ制御装置におけるモータの正回転時の電流を示した概略図で、（Ａ）は回路の概略図での電流、（Ｂ）は基板上での電流を各々示している。
【図５】本発明の実施の形態に係るモータ制御装置におけるモータの逆回転時の電流を示した概略図で、（Ａ）は回路の概略図での電流、（Ｂ）は基板上での電流を各々示している。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本実施の形態に係るモータ制御装置１０を含むワイパ装置１００の構成を示す概略図である。ワイパ装置１００は、例えば、乗用自動車等の車両に備えられたウィンドシールドガラス１２を払拭するためのものであり、一対のワイパ１４，１６と、モータ１８と、リンク機構２０と、モータ制御装置１０とを備えている。
【００１９】
ワイパ１４，１６は、それぞれワイパアーム２４，２６とワイパブレード２８，３０とにより構成されている。ワイパアーム２４，２６の基端部は、後述するピボット軸４２、４４に各々固定されており、ワイパブレード２８，３０は、ワイパアーム２４，２６の先端部に各々固定されている。
【００２０】
ワイパ１４，１６は、ワイパアーム２４，２６の動作に伴ってワイパブレード２８，３０がウィンドシールドガラス１２上を往復動作し、ワイパブレード２８，３０がウィンドシールドガラス１２を払拭する。
【００２１】
モータ１８は、ブラシ付きＤＣモータである。モータ１８は、主にウォームギアで構成された減速機構５２と、減速機構５２を介して正逆回転可能な出力軸３２と共にモータユニット６０を構成する。また、リンク機構２０は、クランクアーム３４と、第１リンクロッド３６と、一対のピボットレバー３８，４０と、一対のピボット軸４２，４４と、第２リンクロッド４６とを備えている。
【００２２】
クランクアーム３４の一端側は、出力軸３２に固定されており、クランクアーム３４の他端側は、第１リンクロッド３６の一端側に動作可能に連結されている。また、第１リンクロッド３６の他端側は、ピボットレバー３８のピボット軸４２を有する端とは異なる端寄りの箇所に動作可能に連結されており、ピボットレバー３８のピボット軸４２を有する端とは異なる端及びピボットレバー４０におけるピボットレバー３８の当該端に対応する端には、第２リンクロッド４６の両端がそれぞれ動作可能に連結されている。
【００２３】
また、ピボット軸４２，４４は、車体に設けられた図示しないピボットホルダによって動作可能に支持されており、ピボットレバー３８，４０におけるピボット軸４２，４４を有する端は、ピボット軸４２，４４を介してワイパアーム２４，２６が各々固定されている。
【００２４】
本実施の形態に係るモータ制御装置１０を含むワイパ装置１００では、出力軸３２が所定の範囲の回転角θ１で正逆回転されると、この出力軸３２の回転力がリンク機構２０を介してワイパアーム２４，２６に伝達され、このワイパアーム２４，２６の往復動作に伴ってワイパブレード２８，３０がウィンドシールドガラス１２上における下反転位置Ｐ２と上反転位置Ｐ１との間で往復動作をする。θ１の値は、モータ制御装置のリンク機構の構成等によって様々な値をとり得るが、本実施の形態では、一例として１４０°である。
【００２５】
本実施の形態に係るモータ制御装置１０を含むワイパ装置１００では、図１に示されるように、ワイパブレード２８，３０が格納位置Ｐ３に位置された場合には、クランクアーム３４と第１リンクロッド３６とが直線状をなす構成とされている。
【００２６】
格納位置Ｐ３は、下反転位置Ｐ２の下方に設けられている。ワイパブレード２８，３０が下反転位置Ｐ２にある状態から、出力軸３２がθ２回転することにより、ワイパブレード２８，３０は格納位置Ｐ３に動作する。θ２の値は、ワイパ装置のリンク機構の構成等によって様々な値をとり得るが、本実施の形態では、一例として１０°とする。なお、θ２が「０」の場合は、下反転位置Ｐ２と格納位置Ｐ３は一致し、ワイパブレード２８，３０は、下反転位置Ｐ２で停止し、格納される。
【００２７】
モータ１８には、モータ１８の回転を制御するためのモータ制御装置１０が接続されている。本実施の形態に係るモータ制御装置１０は、例えば、モータ１８の出力軸３２の回転速度及び回転角を検知する回転角度センサ５４、モータ１８を作動させるための電流をＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御によって生成してモータ１８に供給する駆動回路５６を有している。また、モータ制御装置１０の基板には、基板の温度を検知するためのサーミスタ７２Ａが実装されている。
【００２８】
駆動回路５６は、スイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）を含み、後述するマイクロコンピュータ５８の制御によって、所定のデューティ比の電圧を生成する。
【００２９】
本実施の形態に係るモータ１８は、前述のように減速機構５２を有しているので、出力軸３２の回転速度及び回転角は、モータ１８の回転速度及び回転角と同一ではない。しかしながら、本実施の形態では、モータ１８及び減速機構５２はモータユニット６０として一体不可分に構成されているので、以下、出力軸３２の回転速度及び回転角を、モータ１８の回転速度及び回転角とみなすものとする。
【００３０】
回転角度センサ５４は、モータ１８の減速機構５２内に設けられ、出力軸３２に連動して回転するセンサマグネットの磁界（磁力）を電流に変換して検出する。回転角度センサ５４は、一例として、磁気抵抗効果センサ（ＭＲセンサ）である。
【００３１】
モータ制御装置１０は、回転角度センサ５４が検出した出力軸３２の回転角からワイパブレード２８，３０のウィンドシールドガラス１２上での位置を算出可能で当該位置に応じて出力軸３２の回転速度が変化するように駆動回路５６を制御するマイクロコンピュータ５８を有する。また、モータ制御装置１０には、モータ１８の回転制御に必要な情報を記憶したメモリ４８があり、モータ制御装置１０のマイクロコンピュータ５８には、ワイパスイッチ５０が接続されている。メモリ４８は、例えば、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）又はフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶装置である。
【００３２】
ワイパスイッチ５０は、電源である車両のバッテリからモータ１８に供給される電力をオン又はオフするスイッチである。ワイパスイッチ５０は、ワイパブレード２８，３０を、低速で動作させるＬｏモード選択位置、高速で動作させるＨｉモード選択位置、一定周期で間欠的に動作させるＩＮＴモード選択位置、格納（停止）モード選択位置に切換可能である。また、各モードの選択位置に応じた回転速度の指令の信号をマイクロコンピュータ５８に出力する。
【００３３】
ワイパスイッチ５０から各モードの選択位置に応じて出力された信号がマイクロコンピュータ５８に入力されると、マイクロコンピュータ５８はワイパスイッチ５０からの出力信号に対応する制御を行う。
【００３４】
図２は、本実施の形態に係るモータ制御装置１０の基板９０の概略図である。図２に示した基板９０には、駆動回路５６を構成するスイッチング素子であり各々Ｎ型のＦＥＴ５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ，５６Ｄが実装されている。ＦＥＴ５６Ｃの近くには、駆動回路５６の電流を検知するためのシャント抵抗７４Ａが実装されている。
【００３５】
また、図２の基板には、車両のバッテリを反対の極性で接続した場合に駆動回路５６を保護するための逆接防止ＦＥＴ７０が実装され、逆接防止ＦＥＴ７０の近くには、温度検知用のサーミスタ７２Ａが実装されている。逆接防止ＦＥＴ７０は、例えば、Ｎ型ＦＥＴのドレインとゲートを短絡した、いわゆるダイオード接続されたＦＥＴである。逆接防止ＦＥＴ７０は、バッテリが正常な極性で接続されている場合には通電されるが、バッテリが反対の極性で接続された場合には通電されないダイオードとして機能する。
【００３６】
基板９０の中央部から下部にわたって電源電圧を安定化させるための平滑コンデンサ７６が実装されている。平滑コンデンサ７６は、複数の大容量の電解コンデンサ７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃ，７６Ｄで構成されている。
【００３７】
図３は、本実施の形態に係るモータ制御装置１０の概略を示す図である。駆動回路５６は、モータ１８に供給する電力をスイッチングする。駆動回路５６のＦＥＴ５６Ａ，５６Ｂの各々のドレインは、ノイズ除去用のチョークコイル６８を介してバッテリ８０の正極に接続されている。また、ＦＥＴ５６Ｃ，５６Ｄの各々のソースは、逆接防止ＦＥＴ７０を介してバッテリ８０の負極に接続されている。
【００３８】
本実施の形態では、駆動回路５６を構成するＦＥＴ５６Ａ〜５６Ｄは下記のように動作する。例えば、モータ１８を正回転させる場合には、ＦＥＴ５６Ａ及びＦＥＴ５６Ｄがオンになり、モータ１８内部のコイル（図示せず）がＦＥＴ５６Ａ及びモータ１８の第１端子１８Ａを介して電気的に接続されると共に、モータ１８内部のコイルは第２端子１８ＢとＦＥＴ５６Ｄを介してバッテリ８０の負極に接続される。
【００３９】
モータ１８を逆回転させる場合には、ＦＥＴ５６Ｂ及びＦＥＴ５６Ｃがオンになり、モータ１８内部のコイルがＦＥＴ５６Ｂ及びモータ１８の第２端子１８Ｂを介して電気的に接続されると共に、モータ１８内部のコイルは第１端子１８ＡとＦＥＴ５６Ｃを介してバッテリ８０の負極に接続される。
【００４０】
本実施の形態では、モータ１８はブラシ付きＤＣモータなので、第１端子１８Ａ、第２端子１８Ｂに印加する電圧の極性を切り換えることで、モータ１８の回転を正回転及び逆回転のいずれかに切り換えることができる。
【００４１】
本実施の形態では、出力軸３２と同軸に設けられたセンサマグネット５４Ａの磁界を回転角度センサ５４が検出する。マイクロコンピュータ５８は、回転角度センサ５４により検出された磁界に基づいてワイパブレード２８，３０のウィンドシールドガラス１２上での位置を算出し、算出したワイパブレード２８，３０の位置に応じて駆動回路５６のスイッチングの制御を行う。
【００４２】
マイクロコンピュータ５８には、ワイパスイッチ５０と、サーミスタ７２Ａと抵抗７２Ｂとで構成された分圧回路７２と、駆動回路５６とバッテリ８０の負極との間に設けられた電流センサ７４とが接続されている。
【００４３】
分圧回路７２を構成するサーミスタ７２Ａは、回路の基板９０の温度に応じて抵抗値が変化するので、分圧回路７２が出力する信号の電圧は基板９０の温度に応じて変化する。マイクロコンピュータ５８は、分圧回路７２から出力される信号の電圧の変化に基づいて、基板９０の温度を算出する。本実施の形態では、便宜上、分圧回路７２から出力される信号をサーミスタ７２Ａの検知結果に基づく信号とする。また、本実施の形態では、サーミスタ７２Ａの検知結果に基づいて算出された回路の基板９０の温度を、サーミスタ７２Ａが検知した回路の基板９０の温度とする。
【００４４】
電流センサ７４は、例えば、シャント抵抗７４Ａとシャント抵抗７４Ａの両端の電位差を増幅するアンプ７４Ｂとを有している。マイクロコンピュータ５８は、アンプ７４Ｂが出力した信号に基づいて、駆動回路５６の電流を算出する。なお、駆動回路５６の電流は、モータ１８の負荷が高いほど大きくなる。モータ１８の負荷は、例えば、ウィンドシールドガラス１２上の摩擦が大きくなった、又は積雪若しくは走行風等による外力がワイパブレードに作用した等により、ワイパブレード２８，３０の動作が阻害された場合に増大する。
【００４５】
本実施の形態では、サーミスタ７２Ａからの信号、電流センサ７４が出力した信号、及び回転角度センサ５４が出力した信号は、マイクロコンピュータ５８内の温度保護制御部６２に入力される。温度保護制御部６２は、各々入力された信号に基づいて基板９０の素子の温度、駆動回路５６の電流、及びワイパブレード２８，３０の位置を算出する。また、温度保護制御部６２には、電源であるバッテリ８０が接続されており、温度保護制御部６２は、バッテリ８０の電圧を電源電圧として検知する。
【００４６】
温度保護制御部６２及び速度制御部６４に接続されたメモリ４８は、上述のように、モータ１８の回転制御に必要な情報を記憶した記憶装置である。メモリ４８は、ワイパスイッチ５０のＬｏモード選択位置、Ｈｉモード選択位置、ＩＮＴモード選択位置の各々の場合におけるワイパブレード２８，３０の位置に応じたモータ１８の回転速度を記憶している。また、メモリ４８は、モータ１８の回転速度を、サーミスタ７２Ａが検知した回路の温度、及び電流センサ７４が検知した駆動回路５６の電流に応じて補正するための補正値を記憶している。
【００４７】
ワイパスイッチ５０からの制御信号は、マイクロコンピュータ５８内の速度制御部６４に入力される。速度制御部６４には、回転角度センサ５４が出力した信号も入力される。速度制御部６４は、上述のメモリ４８を参照し、ワイパスイッチ５０からの制御信号及び回転角度センサ５４が出力した信号から算出されたワイパブレード２８，３０の位置に基づいてモータ１８の回転速度を算出し、モータ１８の回転速度が算出した回転速度になるように駆動回路５６のスイッチングの制御に係るＰＷＭ制御のデューティ比を算出する。
【００４８】
速度制御部６４が算出したデューティ比を示す信号は、ＰＷＭ出力部６６と温度保護制御部６２とに入力される。温度保護制御部６２は、基板９０の素子の温度、駆動回路５６の電流又は電源電圧に基づいて、速度制御部６４が算出したデューティ比を補正して、速度制御部６４にフィードバックする。例えば、サーミスタ７２Ａによって検知された基板９０の素子の温度が所定の閾値を超えた場合には、デューティ比を低下させて、モータ１８の第１端子１８Ａ、第２端子１８Ｂに印加する電圧を抑制する。
【００４９】
速度制御部６４は、温度保護制御部６２による補正を、例えばＰＩ制御（Proportional Integral Controller）等によって自身が算出したデューティ比にフィードバックし、当該フィードバックを行ったデューティ比を示す信号をＰＷＭ出力部６６に出力する。ＰＷＭ出力部６６は、入力された信号が示すデューティ比の電圧を生成するように駆動回路５６のスイッチングを制御する。
【００５０】
図４は、本実施の形態に係るモータ制御装置１０におけるモータ１８の正回転時の電流を示した概略図である。図４（Ａ）は回路の概略図での電流９２、図４（Ｂ）は基板９０上での電流９２を各々示している。
【００５１】
図４（Ａ）に示したように、モータ１８が正回転する場合には、バッテリ８０の正極からの電流９２は、チョークコイル６８、ＦＥＴ５６Ａを介してモータ１８の第１端子１８Ａに至る。また、電流９２は第１端子１８Ａからモータ１８内部のコイル、第２端子１８Ｂ、ＦＥＴ５６Ｄ、シャント抵抗７４Ａ、逆接防止ＦＥＴ７０を介して、バッテリ８０の負極に至る。
【００５２】
図４（Ｂ）に示したように、基板９０において電流９２は、ＦＥＴ５６Ａ、ＦＥＴ５６Ｄ、シャント抵抗７４Ａ、逆接防止ＦＥＴ７０を流れている。サーミスタ７２Ａは、シャント抵抗７４Ａ及び逆接防止ＦＥＴ７０の近くに実装されているので、電流９２の通電時には、シャント抵抗７４Ａのみならず逆接防止ＦＥＴ７０の発熱による温度を検知できる。
【００５３】
図５は、本実施の形態に係るモータ制御装置１０におけるモータ１８の逆回転時の電流を示した概略図である。図５（Ａ）は回路の概略図での電流９４、図５（Ｂ）は基板９０上での電流９４を各々示している。
【００５４】
図５（Ａ）に示したように、モータ１８が逆回転する場合には、バッテリ８０の正極からの電流９４は、チョークコイル６８、ＦＥＴ５６Ｂを介してモータ１８の第２端子１８Ｂに至る。また、電流９４は第２端子１８Ｂからモータ１８内部のコイル、第１端子１８Ａ、ＦＥＴ５６Ｃ、シャント抵抗７４Ａ、逆接防止ＦＥＴ７０を介して、バッテリ８０の負極に至る。
【００５５】
図５（Ｂ）に示したように、基板９０において電流９４は、ＦＥＴ５６Ｂ、ＦＥＴ５６Ｃ、シャント抵抗７４Ａ、逆接防止ＦＥＴ７０を流れている。サーミスタ７２Ａは、シャント抵抗７４Ａ及び逆接防止ＦＥＴ７０の近くに実装されているので、電流９４の通電時には、シャント抵抗７４Ａのみならず逆接防止ＦＥＴ７０の発熱による温度を検知できる。
【００５６】
すなわち、モータ１８が、正回転する場合であっても、逆回転する場合であっても、シャント抵抗７４Ａ及び逆接防止ＦＥＴ７０は同じ極性の電流が通電され、通電された電流に応じて発熱する。従って、シャント抵抗７４Ａの近くに実装されることが多いサーミスタ７２Ａを、逆接防止ＦＥＴ７０の近くに実装することによっても、回路の過熱状態を検知できる。
【００５７】
本実施の形態では、図２等に示したように、温度センサであるサーミスタ７２Ａを、シャント抵抗７４Ａ及び逆接防止ＦＥＴ７０の近くに実装しているので、シャント抵抗７４Ａの発熱と逆接防止ＦＥＴ７０の発熱とを検知している。
【００５８】
しかしながら、基板９０の素子の構成によっては、サーミスタ７２Ａをシャント抵抗７４Ａの近くに実装できない場合もある。かかる場合には、サーミスタ７２Ａを逆接防止ＦＥＴ７０の近くに実装し、逆接防止ＦＥＴ７０の発熱に基づいて回路の過熱状態を検知する。
【００５９】
一般に、シャント抵抗７４Ａの近くにサーミスタ７２Ａが実装される理由は、駆動回路５６を構成するＦＥＴ５６Ａ〜５６Ｄは、図４，５に示したように、モータ１８の回転方向によってはスイッチング動作をしない場合があるが、シャント抵抗７４Ａは、モータ１８の回転方向が正回転又は逆回転のいずれの場合であっても、通電されるからである。
【００６０】
また、シャント抵抗７４Ａは、電源であるバッテリと駆動回路５６とに直列に接続されているので、駆動回路５６の電流が大きくなると、シャント抵抗７４Ａの電流も大きくなり、発熱が顕著になる。
【００６１】
逆接防止ＦＥＴ７０も、図４，５に示したように、モータ１８の回転方向が正回転又は逆回転のいずれの場合であっても、通電されている。また、逆接防止ＦＥＴ７０も、バッテリ８０と駆動回路５６とに直列に接続されているので、駆動回路５６の電流が大きくなると、逆接防止ＦＥＴ７０の電流も大きくなり、発熱が顕著になる。
【００６２】
従って、サーミスタ７２Ａをシャント抵抗７４Ａの近くに実装できない場合には、逆接防止ＦＥＴ７０の近くに実装することにより、駆動回路５６の過熱状態を検知することが可能となる。
【００６３】
以上説明したように、本実施の形態によれば、温度センサであるサーミスタ７２Ａをシャント抵抗７４Ａの近くに実装できない場合でも回路の過熱状態を検知できる。
【符号の説明】
【００６４】
１０…モータ制御装置、１２…ウィンドシールドガラス、１４，１６…ワイパ、１８…モータ、１８Ａ…第１端子、１８Ｂ…第２端子、２０…リンク機構、２４，２６…ワイパアーム、２８，３０…ワイパブレード、３２…出力軸、３４…クランクアーム、３６…リンクロッド、３８，４０…ピボットレバー、４２，４４…ピボット軸、４６…リンクロッド、４８…メモリ、５０…ワイパスイッチ、５２…減速機構、５４…回転角度センサ、５４Ａ…センサマグネット、５６…駆動回路、５８…マイクロコンピュータ、６０…モータユニット、６２…温度保護制御部、６４…速度制御部、６６…ＰＷＭ出力部、６８…チョークコイル、７２…分圧回路、７２Ａ…サーミスタ、７２Ｂ…抵抗、７４…電流センサ、７４Ａ…シャント抵抗、７４Ｂ…アンプ、７６…平滑コンデンサ、７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃ，７６Ｄ…電解コンデンサ、８０…バッテリ、９０…基板、９２，９４…電流、１００…ワイパ装置、θ１，θ２…回転角、７０…逆接防止ＦＥＴ、Ｐ１…上反転位置、Ｐ２…下反転位置、Ｐ３…格納位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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