(57)【要約】【課題】コントラストを向上させることができる発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る発光ダイオード１１は、電極３１及び３２が設けられたパッケージ基板２０と、パッケージ基板２０上に設けられた発光ダイオードチップ５０と、発光ダイオードチップ５０と電極３１及び３２とを電気的に接続する電源線６１及び６２と、電極３１及び３２における電源線６１及び６２が接続した部分を含む電極を覆うように設けられた黒色層７０と、を備えたものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が設けられたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板上に設けられた発光ダイオードチップと、
前記発光ダイオードチップと前記電極とを電気的に接続する電源線と、
前記電極における前記電源線が接続した部分を含む前記電極を覆うように設けられた黒色層と、
を備えた発光ダイオード。
【請求項２】
前記パッケージ基板の上面から前記黒色層の上面までの厚さをA、前記パッケージ基板の上面から前記発光ダイオードチップの上面までの厚さをBとしたときに、A/Bは、1.0以下である請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記発光ダイオードチップは、発光層を有し、
前記パッケージ基板の上面から前記黒色層の上面までの厚さをA、前記パッケージ基板の上面から前記発光層の下面までの厚さをCとしたときに、A/Cは、1.0以下である請求項１または２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記黒色層の上面は、前記電極の上面よりも上方に位置し、前記黒色層の上面は、略平面である請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記黒色層は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂に着色剤が添加されたものである請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記発光ダイオードチップと、前記パッケージ基板との間にサブマウントをさらに備えた請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記発光ダイオードチップの配置は、フェースアップチップ型である請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記発光ダイオードチップの配置は、フリップチップ型である請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
発光ダイオードチップを電極が設けられたパッケージ基板上に接合させる工程と、
前記発光ダイオードチップと前記電極とを電源線により電気的に接続する工程と、
前記電極における前記電源線が接続した部分を含む前記電極を覆うように黒色層を前記パッケージ基板上に形成する工程と、
を備えた発光ダイオードの製造方法。
【請求項１０】
前記発光ダイオードチップを電極が設けられたパッケージ基板に接合させる工程は、
複数の前記発光ダイオードチップをウエハに接合する工程と
複数の前記発光ダイオードチップが接合された前記ウエハをダイシングすることによりサブマウント上に接合された前記発光ダイオードチップを形成する工程と、
前記サブマウント上に接合された前記発光ダイオードチップを前記パッケージ基板上に接合させる工程と、
を含む請求項９に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
前記発光ダイオードチップを電極が設けられたパッケージ基板に接合させる工程は、
前記パッケージ基板に設けられた電極層をエッチングすることにより、前記電極及びサブマウントを形成する工程と、
前記発光ダイオードチップを前記サブマウント上に接合することにより、前記発光ダイオードチップを前記パッケージ基板上に接合させる工程と、
を含む請求項９に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１２】
前記発光ダイオードチップを電極が設けられたパッケージ基板に接合させる工程は、
前記発光ダイオードチップの下方に配置された基板の側面を、下方になるほど裾が広がるように傾斜させ、前記基板をサブマウントとする工程と、
前記サブマウント上に形成された前記発光ダイオードチップを前記パッケージ基板上に接合させる工程と、
を含む請求項９に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１３】
前記黒色層を前記パッケージ基板上に形成する工程は、
ディスペンサーで前記パッケージ基板上に前記黒色層を塗布する請求項９〜１２のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１４】
前記黒色層を前記パッケージ基板上に形成する工程は、
シルク印刷で前記パッケージ基板上に前記黒色層を塗布する請求項９〜１２のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光ダイオードがプリント基板上に複数個並べて実装された発光ダイオード表示装置。
【請求項１６】
請求項９〜１４のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法の後に、前記発光ダイオードをプリント基板上に複数個並べて実装する工程を含む発光ダイオード表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示装置の製造方法に関し、例えば、コントラストを向上させた発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード表示装置は、発光ダイオードを画素としてプリント基板上に複数個配列させたものである。発光ダイオード（light emitting diode：LEDともいう）は、p型半導体及びn型半導体をpn接合させた発光ダイオードチップを、パッケージ基板上の電極に接続した構造を有している。発光ダイオードチップと、パッケージ基板上の電極とは、例えば、導線により接続される。パッケージ基板上の電極及び導線には、金また銀ペースト及び金線または銅線等が用いられている。電極及び電源線に用いられる金属は、可視光に対する反射率が高いものとなっている。したがって、外部から発光ダイオードに可視光が入射すると、電極及び電源線、さらに場合によっては、パッケージ基板表面等で可視光は反射する。このことは、発光ダイオード表示装置のコントラストを低下させる原因となっている。
【０００３】
特許文献１には、パッケージ基板上に黒色レジストを形成し、外部から発光ダイオードに入射した可視光の反射を抑制させた発光ダイオード表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４２９９５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の発光ダイオード表示装置では、黒色レジストに開口部が設けられている。そして、黒色レジストの開口部に、発光ダイオードチップが配置されている。また、黒色レジストの開口部には、パッケージ基板に設けられた電極の一部が露出している。開口部に露出した電極部分に、発光ダイオードチップに電流を供給する導線が接続されている。
【０００６】
このように、特許文献１の発光ダイオード表示装置の電極は、黒色レジストに覆われていない部分があるため、外部からの入射光がこの部分で反射する。よって、発光ダイオード及び発光ダイオード表示装置のコントラストを向上させることができなかった。
【０００７】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、コントラストを向上させることができる発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明にかかる発光ダイオードは、電極が設けられたパッケージ基板と、前記パッケージ基板上に設けられた発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップと前記電極とを電気的に接続する電源線と、前記電極における前記電源線が接続した部分を含む前記電極を覆うように設けられた黒色層と、を備える。このような構成とすることにより、低反射率の黒色層により、電極を覆うことができるので、外部からの入射光の反射を抑制し、コントラストを向上させることができる。
【０００９】
前記パッケージ基板の上面から前記黒色層の上面までの厚さをA、前記パッケージ基板の上面から前記発光ダイオードチップの上面までの厚さをBとしたときに、A/Bは、1.0以下である。このような構成とすることにより、発光層からの発光量に対する影響を抑制することができる。
【００１０】
また、前記発光ダイオードチップは、発光層を有し、前記パッケージ基板の上面から前記黒色層の上面までの厚さをA、前記パッケージ基板の上面から前記発光層の下面までの厚さをCとしたときに、A/Cは、1.0以下である。このような構成とすることにより、発光層からの発光量に対する影響を抑制することができる。
【００１１】
さらに、前記黒色層の上面は、前記電極の上面よりも上方に位置し、前記黒色層の上面は、略平面である。このような構成とすることにより、外部からの入射光の黒色層による正反射光を、発光ダイオード表示装置の観察者の視野に到達しないようにすることができる。
【００１２】
また、前記黒色層は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂に着色剤が添加されたものである。このような構成とすることにより、黒色層における可視光線の透過率を低減させ、外部からの入射光の反射を抑制させることができる。
【００１３】
前記発光ダイオードチップと、前記パッケージ基板との間にサブマウントをさらに備える。このような構成とすることにより、黒色層の厚さをサブマウントの厚さ分だけ大きくすることができ、黒色層の透過率を低減させ、外部からの入射光の反射を抑制することができる。
【００１４】
前記発光ダイオードチップの配置は、フェースアップチップ型である。このような構成とすることにより、発光ダイオードチップの実装を容易にすることができる。
【００１５】
前記発光ダイオードチップの配置は、フリップチップ型である。このような構成とすることにより、発光ダイオードチップを実装した発光ダイオードのコントラストを向上させることができる。
【００１６】
また、本発明にかかる発光ダイオードの製造方法は、発光ダイオードチップを電極が設けられたパッケージ基板上に接合させる工程と、前記発光ダイオードチップと前記電極とを電源線により電気的に接続する工程と、前記電極における前記電源線が接続した部分を覆う黒色層を前記パッケージ基板上に形成する工程と、を備える。このような構成とすることにより、発光ダイオードチップと電極とを電源線により接続した後に、黒色層を形成するため、電源線の一部も黒色層に覆われる。よって、電源線による反射を抑制することができる。
【００１７】
さらに、前記発光ダイオードチップを電極が設けられたパッケージ基板に接合させる工程は、複数の前記発光ダイオードチップをウエハに接合する工程と複数の前記発光ダイオードチップが接合された前記ウエハをダイシングすることによりサブマウント上に接合された前記発光ダイオードチップを形成する工程と、前記サブマウント上に接合された前記発光ダイオードチップを前記パッケージ基板上に接合させる工程と、を含む。このような構成とすることにより、サブマウントを有する発光ダイオードを容易に形成することができ、サブマウントの分だけ黒色層を厚くすることができる。
【００１８】
前記発光ダイオードチップを電極が設けられたパッケージ基板に接合させる工程は、前記パッケージ基板に設けられた電極層をエッチングすることにより、前記電極及びサブマウントを形成する工程と、前記発光ダイオードチップを前記サブマウント上に接合することにより、前記発光ダイオードチップを前記パッケージ基板上に接合させる工程と、を含む。このような構成とすることにより、サブマウントを有する発光ダイオードを容易に形成することができ、サブマウントの分だけ黒色層を厚くすることができる。
【００１９】
また、前記パッケージ基板上に前記黒色層を形成する工程は、ディスペンサーで前記パッケージ基板上に前記黒色層を塗布する。このような構成とすることにより、製造コストを低減させることができる。
【００２０】
また、前記パッケージ基板上に前記黒色層を形成する工程は、シルク印刷で前記パッケージ基板上に前記黒色層を塗布する。このような構成とすることにより、製造コストを低減させることができる。
【００２１】
本発明にかかる発光ダイオード表示装置は、発光ダイオードがプリント基板上に複数個並べて実装されたものである。このような構成とすることにより、発光ダイオード表示装置のコントラストを向上させることができる。
【００２２】
本発明にかかる発光ダイオード表示装置の製造方法は、発光ダイオードの製造方法の後に、前記発光ダイオードをプリント基板上に複数個並べて実装する工程を含む。このような構成とすることにより、発光ダイオード表示装置のコントラストを向上させることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明により、コントラストを向上させることができる発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施形態１に係る発光ダイオード表示装置を例示した上面図である。
【図２】実施形態１に係る発光ダイオードを例示した図であり、（ａ）は、黒色層形成前の上面図を示し、（ｂ）は、黒色層形成後の上面図を示し、（ｃ）は、黒色層を透過して示した側面図を示す。
【図３】（ａ）は、実施形態１に係る発光ダイオードチップを例示した図であり、（ｂ）は、実施形態１の変形例２に係る発光ダイオードチップを例示した図である。
【図４】実施形態２に係る発光ダイオードを例示した図であり、（ａ）は、黒色層形成前の上面図を示し、（ｂ）は、黒色層形成後の上面図を示し、（ｃ）は、黒色層を透過して示した側面図を示す。
【図５】実施形態３に係る発光ダイオードを例示した図であり、（ａ）は、黒色層形成前の上面図を示し、（ｂ）は、黒色層形成後の上面図を示し、（ｃ）は、黒色層を透過して示した側面図を示す。
【図６】実施形態４に係る発光ダイオードを例示した図であり、（ａ）は、黒色層形成前の上面図を示し、（ｂ）は、黒色層形成後の上面図を示し、（ｃ）は、黒色層を透過して示した側面図を示す。
【図７】実施形態５に係る発光ダイオードを例示した図であり、黒色層を透過して示した側面図を示す。
【図８】（ａ）は、実施形態７に係る発光ダイオード表示装置を例示した図であり、（ａ）は、黒色層形成前の上面図を示し、（ｂ）は、黒色層を透過して示した側面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
（実施形態１）
実施形態１に係る発光ダイオード表示装置を説明する。まず、発光ダイオード表示装置の構成を説明する。図１は、実施形態１に係る発光ダイオード表示装置を例示した上面図である。
【００２６】
図１に示すように、発光ダイオード表示装置１は、プリント基板１０、複数個の発光ダイオード１１を有している。プリント基板１０は、例えば、絶縁性の部材に回路等がプリントされた部材である。プリント基板１０は板状の部材である。プリント基板１０の一方の板面を上面１０ａとすると、上面１０ａは、矩形の形状をしている。発光ダイオード表示装置１には、発光ダイオード１１がプリント基板１０上に複数個並べて実装されている。複数個の発光ダイオード１１は、例えば、アレイ状に配置されている。
【００２７】
次に、発光ダイオード表示装置１の画素を構成する発光ダイオード１１を説明する。図２は、実施形態１に係る発光ダイオードを例示した図であり、（ａ）は、黒色層形成前の上面図を示し、（ｂ）は、黒色層形成後の上面図を示し、（ｃ）は、黒色層を透過して示した側面図を示す。
【００２８】
図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光ダイオード１１は、パッケージ基板２０、電極３０〜３２、サブマウント４０、１つまたは複数の発光ダイオードチップ５０、電源線６１及び６２、黒色層７０、封止層８０を有している。
【００２９】
パッケージ基板２０は、例えば、板状の部材である。パッケージ基板２０は、例えば、絶縁性の基板である。パッケージ基板２０の一方の面の上面２０ａ上には、複数の電極３０〜３２が設けられている。
【００３０】
電極３０〜３２は、例えば、パッケージ基板２０の上面２０ａにおいて、間隔を空けて並べて設けられている。例えば、電極３０は、電極３１と電極３２との間に配置されている。電極３０及び３２は、例えば、陰極の電極となっている。電極３１は、例えば、陽極の電極となっている。
【００３１】
サブマウント４０は、板状の部材である。サブマウント４０は、パッケージ基板２０上に設けられている。サブマウント４０は、パッケージ基板２０上に、電極３０を介して配置されている。すなわち、サブマウント４０は、パッケージ基板２０上に設けられた電極３０の上に配置されている。なお、サブマウント４０は、電極３０を介さずに、パッケージ基板２０上に設けられてもよい。
【００３２】
サブマウント４０の一方の板面が上面であり、他方の板面が下面である。サブマウント４０の下面は、電極３０またはパッケージ基板２０に接合している。サブマウント４０の側面は、傾斜している。例えば、上方から見て下面の端縁が上面の端縁よりも外側になっている。そのため、サブマウント４０の側面は、側方から見て上面の端縁から下面の端縁に裾を拡げるように傾斜している。サブマウント４０は、例えば、シリコンを材料として含んでいる。なお、サブマウント４０の側面は、傾斜せずに上面及び下面に直交した面でもよい。
【００３３】
発光ダイオードチップ５０は、パッケージ基板２０上に設けられている。発光ダイオードチップ５０は、直方体状の形状をしている。発光ダイオードチップ５０は、パッケージ基板２０上に、電極３０及びサブマウント４０を介して配置されている。すなわち、発光ダイオードチップ５０は、サブマウント４０上に設けられている。したがって、発光ダイオードチップ５０と、パッケージ基板２０との間にサブマウント４０が設けられている。
【００３４】
図３（ａ）は、実施形態１に係る発光ダイオードチップを例示した図である。図３（ａ）に示すように、発光ダイオードチップ５０は、p型半導体とn型半導体とがpn接合したものである。例えば、発光ダイオードチップ５０は、シリコンまたはサファイア等を含む基板５１と、基板５１上に設けられたn型窒化ガリウム（n-GaN）層５２と、ｎ型窒化ガリウム（n-GaN）層５２上に設けられた発光層５３と、発光層５３上に設けられたｐ型窒化ガリウム（p-GaN）層５４と、ｐ型窒化ガリウム層５４上に設けられた透明電極５５と、ｐ型窒化ガリウム層５４と接続したパッド９１と、ｎ型窒化ガリウム（n-GaN）層５２と接続したパッド９２と、を有している。
【００３５】
図２及び図３（ａ）に示すように、発光ダイオードチップ５０の上面５０ａには、パッド９１が設けられている。また、発光ダイオードチップ５０には、上方に面したパッド９２が設けられている。このように、発光ダイオードチップ５０の配置は、フェースアップチップ型となっている。
【００３６】
電源線６１及び６２は、例えば、線状の部材である。電源線６１及び６２は、例えば、金線または銅線等の導線である。電源線６１の一端は、電極３１に接続されている。電源線６１の他端は、発光ダイオードチップ５０のパッド９１に接続されている。電源線６２の一端は、電極３２に接続されている。電源線６２の他端は、発光ダイオードチップ５０のパッド９２に接続されている。これにより、電源線６１及び６２は、発光ダイオードチップ５０と電極３１及び３２とを電気的に接続している。
【００３７】
黒色層７０は、パッケージ基板２０上に設けられている。また、黒色層７０は、電極３１及び３２における電源線６１及び６２が接続した部分を覆っている。黒色層７０は、電極３１及び３２における電源線６１及び６２が接続した部分を含む電極３１及び３２を覆うように設けられている。黒色層７０は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂に着色剤が添加されたものである。エポキシ樹脂又はシリコン樹脂に着色剤を添加することにより、黒色層７０における可視光線の透過率を低減させることができる。
【００３８】
黒色層７０の上面７０ａは、発光ダイオードチップ５０の上面５０ａ以下となっている。パッケージ基板２０の上面２０ａから黒色層７０の上面７０ａまでの厚さをA、パッケージ基板２０の上面２０ａから発光ダイオードチップ５０の上面５０ａまでの厚さをBとしたときに、A/Bは、1.0以下である。好ましくは、パッケージ基板２０の上面２０ａから黒色層７０の上面７０ａまでの厚さをAとし、パッケージ基板２０の上面２０ａから発光ダイオードチップ５０の発光層５３の下面までの厚さをCとしたときに、A/Cが、1.0以下となっている。黒色層７０の上面７０ａは、電極３０〜３２の上面よりも上方に位置している。また、黒色層７０の上面７０ａは、略平面となっている。よって、パッケージ基板２０及び電極３１及び３２上に平坦状に設けられた黒色層７０の上面７０ａから、発光ダイオードチップ５０の上面５０ａを含む一部が露出している。また、黒色層７０は、発光ダイオードチップ５０の上面５０ａを含む一部及び発光ダイオードチップ５０に接続した電源線６１及び６２の一部以外を覆っている。黒色層７０は、電極３１及び３２を露出した部分がないように覆っている。本実施形態では、黒色層７０の上面７０ａを、サブマウント４０の上面４０ａ以下としている。
【００３９】
封止層８０は、パッケージ基板２０上に、電極３０〜３２、サブマウント４０、発光ダイオードチップ５０、電源線６１及び６２、並びに、黒色層７０を覆うように設けられている。封止層８０は、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂を材料として含んでいる。エポキシ樹脂又はシリコン樹脂には、透明なものが使用される。なお、封止層８０のエポキシ樹脂又はシリコン樹脂に、着色剤が添加されてもよい。また、散乱粒子が添加されてもよい。これにより、外部からの光の透過率を低減させることができる。
【００４０】
次に、実施形態１に係る発光ダイオード表示装置１の製造方法を説明する。まず、発光ダイオード１１を製造する。
【００４１】
図３（ａ）に示すような発光ダイオードチップ５０を複数個用意する。次に、複数の発光ダイオードチップ５０をウエハに接合する。ウエハは、例えば、シリコンウエハまたはセラミックウエハである。複数の発光ダイオードチップ５０をウエハの上面に接合する。
【００４２】
次に、複数の発光ダイオードチップ５０が接合されたウエハをダイシングする。例えば、ダイヤモンドソーを用いてウエハをダイシングする。ダイシングされたウエハの各部分は、サブマウント４０となる。このようにして、サブマウント４０上に接合された発光ダイオードチップ５０を形成する。ダイシングされたウエハの断面が、サブマウント４０の側面となる。ダイシングに用いたダイヤモンドソーの先端部の断面がＶ字の形状をしている場合において、ウエハの上面側から、ダイヤモンドソーでダイシングする。これにより、サブマウント４０の側面を、側方から見て上面の端縁から下面の端縁に裾を拡げるように傾斜させることができる。なお、ダイヤモンドソーの先端部を深く挿入した場合には、サブマウント４０の側面を、上面及び下面に垂直な面とすることができる。
【００４３】
次に、サブマウント４０上に接合された発光ダイオードチップ５０をパッケージ基板２０上に接合させる。具体的には、上面に発光ダイオードチップ５０が接合されたサブマウント４０の下面を電極３０に接合させる。このようにして、発光ダイオードチップ５０を電極３０〜３２が設けられたパッケージ基板２０に接合させる。なお、サブマウント４０の下面を電極３０ではなく、パッケージ基板２０の上面に接合させてもよい。
【００４４】
次に、図２（ａ）に示すように、発光ダイオードチップ５０と、電極３１及び３２とを、それぞれ電源線６１及び６２により電気的に接続する。具体的には、発光ダイオードチップ５０と電極３１及び３２とをワイヤーボンディングする。ワイヤーボンディングは、発光ダイオードチップ５０のパッド９１に電源線６１の一端を接続させ、電極３１に電源線６１の他端を接続させることにより行う。また、発光ダイオードチップ５０のパッド９２に電源線６２の一端を接続させ、電極３２に電源線６２の他端を接続させることにより行う。
【００４５】
次に、図２（ｂ）に示すように、パッケージ基板２０上に黒色層７０を形成する。黒色層７０を、電極３１における電源線６１が接続した部分を含む電極３１を覆うように形成する。また、電極３２における電源線６２が接続した部分を含む電極３２を覆うように形成する。黒色層７０の上面７０ａが、発光ダイオードチップ５０の上面５０ａ以下となるように黒色層７０を形成する。パッケージ基板２０の上面２０ａから黒色層７０の上面７０ａまでの厚さをA、パッケージ基板２０の上面２０ａから発光ダイオードチップ５０の上面５０ａまでの厚さをBとしたときに、A/Bが、1.0以下となるように黒色層７０を形成する。好ましくは、パッケージ基板２０の上面２０ａから黒色層７０の上面７０ａまでの厚さをAとし、パッケージ基板２０の上面２０ａから発光ダイオードチップ５０の発光層５３の下面までの厚さをCとしたときに、A/Cが、1.0以下となるように黒色層７０を形成する。すなわち、黒色層７０は、発光ダイオードチップ５０の発光層５３の側面を覆っていないことが好ましい。
【００４６】
黒色層７０の上面７０ａを、電極３０〜３２の上面よりも上方に位置するように形成する。また、黒色層７０の上面７０ａが、略平面となるように黒色層７０を形成する。本実施形態では、黒色層７０の上面７０ａを、サブマウント４０の上面４０ａ以下となるようにしている。パッケージ基板２０上に黒色層７０を形成する際には、ディスペンサーでパッケージ基板２０上に黒色層７０を塗布してもよいし、シルク印刷でパッケージ基板２０上に黒色層７０を塗布してもよい。
【００４７】
次に、パッケージ基板２０上に、電極３０〜３２、サブマウント４０、発光ダイオードチップ５０、電源線６１及び６２、黒色層７０を覆うように樹脂を形成する。樹脂は、例えば、透明な熱硬化性のエポキシ樹脂またはシリコン樹脂である。樹脂には着色剤が添加されてもよい。また、樹脂には、散乱粒子が添加されてもよい。次に、パッケージ基板２０上に形成された樹脂を硬化させる。これにより、樹脂が硬化し、封止層８０が形成される。
【００４８】
次に、電極３０〜３２、サブマウント４０、発光ダイオードチップ５０、電源線６１及び６２を含むように、封止層８０、黒色層７０及びパッケージ基板２０を切断する。これにより、図２（ｃ）に示すような発光ダイオード１１が製造される。
【００４９】
次に、図１に示すように、発光ダイオード１１をプリント基板１０上に複数個並べて実装する。複数個の発光ダイオード１１を、例えば、アレイ状に配置して実装する。このようにして、発光ダイオード表示装置１が製造される。
【００５０】
本実施形態の発光ダイオード１１によれば、低反射率の黒色層７０により、電極３０〜３２、電源線６１及び６２の一部、並びに、パッケージ基板２０の上面２０ａを覆っている。電極３１においては、電源線６１が接続した部分も覆い、電極３２においては、電源線６２が接続した部分も覆っている。よって、電極３０〜３２、電源線６１及び６２の一部、並びに、パッケージ基板２０の上面２０ａにおける外部からの入射光の反射を抑制し、発光ダイオード表示装置１のコントラストを向上させることができる。すなわち、発光ダイオード表示装置１がOFFのときに、画面の黒色をより一層際立たせることができる。
【００５１】
また、黒色層７０の上面７０ａを、発光ダイオードチップ５０の上面５０ａ以下としている。すなわち、パッケージ基板２０の上面２０ａから黒色層７０の上面７０ａまでの厚さをA、パッケージ基板２０の上面２０ａから発光ダイオードチップ５０の上面５０ａまでの厚さをBとしたときに、A/Bは、1.0以下である。よって、主要な出光面である上面５０ａからの発光量を確保することができる。さらに、好ましくは、パッケージ基板２０の上面２０ａから黒色層７０の上面７０ａまでの厚さをA、パッケージ基板２０の上面２０ａから発光層５３の下面までの厚さをCとしたときに、A/Cが、1.0以下となっている。したがって、黒色層７０は、発光ダイオードチップ５０の発光層５３の側面を覆っていない。よって、発光層の端面からの出射を遮らないため、発光量の低下を抑えられ、視野角の低減を防止できる。
【００５２】
さらに、黒色層７０の上面を、略平面としている。よって、黒色層７０による外部からの入射光の正反射光を、観察者の視野に到達させないようにすることができる。一般的に、発光ダイオード表示装置１は、鉛直方向に立てて用いられる。観察者は、発光ダイオード表示装置１のプリント基板１０の上面１０ａに対向する方向から観察する。したがって、黒色層７０の上面７０ａを略平面とした場合には、日照または室内の照明等の上方から入射した光の正反射光は、床面に到達する。よって、観察者には、正反射光が到達しないので、コントラストを向上させることができる。
【００５３】
また、黒色層７０におけるエポキシ樹脂又はシリコン樹脂には着色剤を添加させる。これにより、黒色層７０における外部からの可視光線の透過率を低減させ、外部からの入射光の反射を抑制することができる。
【００５４】
発光ダイオードチップ５０と、パッケージ基板２０との間にサブマウント４０を設けている。よって、黒色層７０の厚さをサブマウント４０の厚さ分だけ大きくすることができる。さらに、サブマウント４０の厚さを調整することにより、黒色層７０の厚さを調整することができる。よって、黒色層７０の透過率に応じて厚さを調整し、電極３１及び３２等による反射を抑制することができる。
【００５５】
黒色層７０の上面７０ａをサブマウント４０の上面４０ａ以下とした場合には、発光ダイオードチップ５０は、黒色層７０に覆われないため、発光量の減少を抑制することができる。また、サブマウント４０を形成することにより、黒色層７０が、発光ダイオードチップ５０に接触させないようにすることができる。これにより、発光ダイオードチップ５０による表面張力の影響を抑制し、黒色層７０を略平面に塗布することを容易にすることができる。
【００５６】
また、サブマウント４０の側面を、サブマウント４０の上面の端縁から下面の端縁に渡って外側に拡がるように傾斜させている。よって、パッケージ基板２０上を覆う黒色層７０の量を低減させ、コストを低減させることができる。また、サブマウント４０には、熱伝導率が高いシリコンウエハ、セラミックウエハ、または、金属板を用いることができる。これにより、発光ダイオードチップ５０で発生する熱を、サブマウント４０を介して排除することができ、熱的影響を抑制することができる。
【００５７】
また、発光ダイオードチップ５０と電極３１及び３２とをワイヤーボンディングした後に黒色層７０を形成している。このため、電源線６１及び６２の一部も黒色層７０に覆われるので、電源線６１及び６２による反射を抑制することができる。
【００５８】
パッケージ基板２０上に黒色層７０を形成する際には、ディスペンサーまたはシルク印刷で塗布してもよい。これにより、黒色層７０を容易に形成することができ、製造コストを低減させることができる。また、黒色層７０を容易に略平面に形成することができる。
【００５９】
封止層８０の材料として、透明なエポキシ樹脂またはシリコン樹脂を用いることにより、光の吸収を抑制し、発光量の減少を抑制することができる。また、封止層８０に着色剤または散乱粒子を添加することにより、発光量が減少する可能性もあるが、封止層８０の外部からの光の透過率を低減させ、電極３１及び３２等による反射を抑制することができる。
【００６０】
封止層８０を形成した後、発光ダイオード１１を製造するために切断する際には、一般的な半導体ダイシング装置を使用して切断可能である。よって、製造コストを低減させることができる。
【００６１】
（変形例１）
次に、実施形態１の変形例１に係る発光ダイオード表示装置を説明する。本変形例において、サブマウント４０は、パッケージ基板２０に設けられた電極層をエッチングすることにより形成される。サブマウント４０の下面は、電極３０またはパッケージ基板２０に接している。サブマウント４０側面は、エッチングにより、上面の端縁から下面の端縁に裾を拡げるように傾斜してもよいし、上面及び下面に直交した面となっていてもよい。その他の構成は、実施形態１と同様である。
【００６２】
次に、実施形態１の変形例１に係る発光ダイオード表示装置の製造方法を説明する。本変形例では、パッケージ基板２０として、電極層が設けられたパッケージ基板２０を用いる。そして、パッケージ基板２０に設けられた電極層をエッチングすることにより、電極３０〜３２の形成時に、サブマウント４０を同時に形成する。すなわち、パッケージ基板２０に設けられた電極層をエッチングすることにより、電極３０〜３２及びサブマウント４０を形成する。サブマウント４０の上面を、電極３１及び３２の上面より上方に位置するようにエッチングを行ってもよい。
【００６３】
次に、発光ダイオードチップ５０をサブマウント４０上に接合する。これにより、発光ダイオードチップ５０をパッケージ基板２０上に接合させる。このようにして、発光ダイオードチップ５０を電極３０〜３２が設けられたパッケージ基板２０上に接合させる。その他の工程は、実施形態１と同様である。
【００６４】
本変形例によれば、発光ダイオードチップ５０をウエハに接合する工程及び発光ダイオードチップが接合されたウエハをダイシングする工程を省くことができ、製造工程を短縮することができる。また、サブマウント４０を、電極と同じ金属を含むようにすることができる。よって、熱伝導率を向上させることができる。さらに、エッチングを用いることにより、サブマウント４０の厚さを容易に制御することができる。その他の効果は、実施形態１と同様である。
【００６５】
（変形例２）
次に、実施形態１の変形例２に係る発光ダイオード表示装置を説明する。図３（ｂ）は、実施形態１の変形例２に係る発光ダイオードチップを例示した図である。図３（ｂ）に示すように、発光ダイオードチップ２５０の基板２５１は、台形状をしている。すなわち、基板２５１の側面は、側方から見て、上面の端縁から下面の端縁に裾を拡げるように傾斜している。これにより、基板２５１の部分は、サブマウントと同じ形状となっている。したがって、基板２５１はサブマウントと同じ機能を有している。
【００６６】
本変形例では、発光ダイオードチップ２５０をサブマウント４０上に接合し、サブマウントの機能を、基板２５１及びサブマウント４０に持たせてもよいし、発光ダイオードチップ２５０を、電極３０またはパッケージ基板２０上に接合して、サブマウントの機能を、基板２５１に持たせてもよい。その他の構成は、実施形態１と同様である。
【００６７】
本変形例の製造方法において、発光ダイオードチップ２５０をカットする際に、基板２５１の部分を台形状になるように基板２５１をカットする。そして、発光ダイオードチップ２５０を、電極３１及び３２が設けられたパッケージ基板２０に接合させる工程は、発光ダイオードチップ２５０の下方に配置された基板２５１の側面を、下方になるほど裾が広がるように傾斜させ、基板２５１をサブマウントとする工程と、サブマウント上に形成された発光ダイオードチップ２５０をパッケージ基板２０上に接合させる工程とを含んでいる。その他の工程は、実施形態１と同様である。
【００６８】
本変形例によれば、発光ダイオードチップ２５０の基板２５１をサブマウントとしている。よって、ウエハを用いてサブマウントを形成する必要がないので、サブマウント４０の材料のコスト及びサブマウント４０を設けるための製造コストを低減させることができる。その他の効果は、実施形態１と同様である。
【００６９】
（実施形態２）
次に、実施形態２に係る発光ダイオード表示装置２を説明する。実施形態２の発光ダイオード表示装置２では、発光ダイオード１２として、サブマウント４０を省いたものを用いている。図４は、実施形態２に係る発光ダイオードを例示した図であり、（ａ）は、黒色層形成前の上面図を示し、（ｂ）は、黒色層形成後の上面図を示し、（ｃ）は、黒色層を透過して示した側面図を示す。
【００７０】
図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光ダイオード表示装置２における発光ダイオード１２は、サブマウント４０を有していない。発光ダイオードチップ５０は、パッケージ基板２０上に設けられている。発光ダイオードチップ５０は、パッケージ基板２０上に、電極３０を介して配置されている。なお、発光ダイオードチップ５０は、電極３０を介さずに、パッケージ基板２０上に設けられてもよい。
【００７１】
黒色層７０は、電極３１における電源線６１が接続した部分を覆い、電極３２における電源線６２が接続した部分を覆っている。黒色層７０の上面７０ａは、発光ダイオードチップ５０の上面５０ａよりも下方に配置されている。好ましくは、発光ダイオードチップ５０の発光層５３よりも下方に配置されている。また、黒色層７０の上面７０ａは、電極３０〜３２の上面よりも上方に位置している。例えば、本実施形態では、黒色層７０の上面７０ａは、発光ダイオードチップ５０の側面に位置している。その他の構成は、実施形態１と同様である。
【００７２】
次に、実施形態２に係る発光ダイオード表示装置の製造方法を説明する。まず、発光ダイオード１２を製造するために、図３に示すような発光ダイオードチップ５０を複数個用意する。次に、複数の発光ダイオードチップ５０をパッケージ基板２０に接合する。具体的には、発光ダイオードチップ５０を電極３０上に接合する。なお、発光ダイオードチップ５０をパッケージ基板２０の上面２０ａに接合してもよい。
【００７３】
次に、図４（ａ）に示すように、発光ダイオードチップ５０と電極３１及び３２とを電源線６１及び６２により電気的に接続する。発光ダイオードチップ５０のパッド９１に電源線６１の一端を接続させ、電極３１に電源線６１の他端を接続させる。また、発光ダイオードチップ５０のパッド９２に電源線６２の一端を接続させ、電極３２に電源線６２の他端を接続させる。
【００７４】
次に、図４（ｂ）に示すように、パッケージ基板２０上に黒色層７０を形成する。黒色層７０を、電極３１及び３２における電源線６１及び６２が接続した部分を覆うように形成する。黒色層７０の上面７０ａを、発光ダイオードチップ５０の上面５０ａよりも下方に配置させる。好ましくは、黒色層７０の上面７０ａを、発光ダイオードチップ５０の発光層５３の下面よりも下方に配置し、電極３０〜３２の上面よりも上方に位置するように形成する。本実施形態では、黒色層７０の上面７０ａを、発光ダイオードチップ５０の側面に位置するように形成する。本実施形態におけるその他の製造工程は、実施形態１と同様である。
【００７５】
本実施形態の発光ダイオード１２によれば、サブマウント４０を設けていない。よって、サブマウント４０の材料のコスト及びサブマウント４０を設けるための製造コストを低減させることができる。また、本実施形態では、サブマウント４０が設けられていないが、黒色層７０の上面を、発光ダイオードチップ５０の側面に位置するようにして、黒色層７０の厚さを大きくしている。よって、外部からの入射光の反射を抑制することができる。その他の効果は、実施形態１と同様である。
【００７６】
（実施形態３）
次に、実施形態３に係る発光ダイオードを説明する。実施形態３の発光ダイオードは、実施形態１の発光ダイオード１１において、サブマウント４０を有していないものであると共に、発光ダイオードチップ５０の発光層５３の側面を黒色層７０で覆ったものである。図５は、実施形態３に係る発光ダイオードを例示した図であり、（ａ）は、黒色層形成前の上面図を示し、（ｂ）は、黒色層形成後の上面図を示し、（ｃ）は、黒色層を透過して示した側面図を示す。
【００７７】
図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光ダイオード１３は、サブマウント４０を有していない。発光ダイオードチップ５０は、パッケージ基板２０上に設けられている。発光ダイオードチップ５０は、パッケージ基板２０上に、電極３０を介して配置されている。なお、発光ダイオードチップ５０は、電極３０を介さずに、パッケージ基板２０上に設けられてもよい。
【００７８】
本実施形態でも、黒色層７０の上面７０ａは、発光ダイオードチップ５０の上面５０ａよりも下方であり、電極３０〜３２の上面よりも上方に位置している。しかしながら、黒色層７０は、発光ダイオードチップ５０の発光層５３の側面を覆っている。
【００７９】
封止層８０には、散乱粒子を添加させることが好ましい。これにより、視野角を大きくすることができる。なお、封止層８０に散乱粒子を添加する代わりに、封止層８０の上面８０ａに凹凸形状を付けてもよいし、拡散Film等を貼りつけてもよい。また、散乱粒子、凹凸形状及び拡散Film等のいくつかを併用してもよい。その他の構成は、実施形態１及び２と同様である。
【００８０】
実施形態３の発光ダイオード１３の製造方法は、実施形態２の発光ダイオード１２の製造方法において、黒色層７０を形成する際に、黒色層７０の上面７０ａの位置を、発光ダイオードチップ５０の上面５０ａ以下であって、発光ダイオードチップ５０の発光層５３の上面以上に位置させる点が異なる以外は、実施形態２の発光ダイオード１２の製造方法と同様である。
【００８１】
実施形態３の発光ダイオード１３によれば、黒色層７０は発光ダイオードチップ５０の発光層５３の側面を覆う。このため、黒色層７０の厚さが大きくなり、黒色層７０の透過率が低減して、電極３１及び３２等による外部からの入射光の反射をより一層抑制することができる。
【００８２】
また、発光ダイオードチップ５０の発光層５３の側面より発光する光は、黒色層７０で遮られる。よって、発光ダイオードチップ５０の発光層５３の側面から斜め方向に出射する光が少なくなるので、視野角特性が低下する可能性がある。しかしながら、その場合には、封止層８０に、散乱粒子、凹凸形状及び拡散Film等を設けることにより、視野角特性の低下を抑制することができる。散乱粒子、凹凸形状及び拡散Film等は、いくつかを併用してもよい。その他の効果は、実施形態１及び２と同様である。
【００８３】
（実施形態４）
次に、実施形態４に係る発光ダイオードを説明する。実施形態４の発光ダイオードは、実施形態１の発光ダイオード１１において、封止層８０を設ける代わりにカバー８５を設けたものである。
【００８４】
図６は、実施形態４に係る発光ダイオードを例示した図であり、（ａ）は、黒色層形成前の上面図を示し、（ｂ）は、黒色層形成後の上面図を示し、（ｃ）は、黒色層を透過して示した側面図を示す。
【００８５】
図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光ダイオード１４は、封止層８０を有していない。封止層８０を設ける代わりにカバー８５が設けられている。カバー８５は、電極３０〜３２、サブマウント４０、発光ダイオードチップ５０、電源線６１及び６２を囲むように、パッケージ基板２０上及び黒色層７０上に設けられている。カバー８５と、電極３０〜３２、サブマウント４０、発光ダイオードチップ５０、電源線６１及び６２との間は空洞となっている。カバー８５は、例えば、樹脂またはガラスを材料として含んでいる。カバー８５には、散乱粒子または着色剤により透過率を調整することができる。その他の構成は、実施形態１と同様である。
【００８６】
実施形態４の発光ダイオード１４の製造方法は、実施形態１の発光ダイオードの製造方法において、封止層８０を形成する代わりに、電極３０〜３２、サブマウント４０、発光ダイオードチップ５０、電源線６１及び６２を囲むように、パッケージ基板２０上及び黒色層７０上にカバー８５を接合させる。カバー８５は、各発光ダイオード１４の部分に凹部が形成され、各発光ダイオード１４の間は、黒色層７０との接合面８６となっている。よって、各発光ダイオード１４は、別々の凹部に囲まれている。そして、カバー８５の接合面８６を通るように、カバー８５、黒色層７０及びパッケージ基板２０を切断して、発光ダイオード１４を形成する。１つの発光ダイオード１４の電極３０〜３２、サブマウント４０、発光ダイオードチップ５０、電源線６１及び６２は、カバー８５の凹部で囲まれている。このようにして、図６（ｃ）に示すような発光ダイオード１４が製造される。これ以外の工程は、実施形態１の発光ダイオード１１の製造方法における製造工程と同様である。
【００８７】
実施形態４の発光ダイオード１４によれば、封止層８０が設けられていない。よって、発光ダイオードチップ５０、電源線６１及び６２等が、封止層８０を形成する際に、加熱処理及び加熱時の歪によるダメージを受けることがない。よって、発光ダイオードチップ５０の品質の劣化を抑制することができる。
【００８８】
（実施形態５）
次に、実施形態５に係る発光ダイオード表示装置を説明する。本実施形態は、発光ダイオードにおける発光ダイオードチップの配置を、フリップチップ型としたものである。図７は、実施形態５に係る発光ダイオードを例示した図である。
【００８９】
図７に示すように、本実施形態の発光ダイオード１５は、パッケージ基板２０、電極３１及び３２、サブマウント１４０、発光ダイオードチップ１５０、電源線１６１及び１６２、黒色層７０、封止層８０を有している。電極３１及び３２は、パッケージ基板２０上に設けられている。電源線１６１は、配線１６１ａ〜１６１ｃ及びバンプ１６１ｄを含んでいる。電源線１６２は、配線１６２ａ〜１６２ｃ及びバンプ１６２ｄを含んでいる。
【００９０】
配線１６１ａ〜１６１ｃは、サブマウント１４０の上面１４０ａ、側面１４０ｂ及び下面１４０ｃに渡って形成されている。配線１６２ａ〜１６２ｃは、サブマウント１４０の上面１４０ａ、側面１４０ｂ及び下面１４０ｃに渡って形成されている。すなわち、配線１６１ａ及び１６２ａは、サブマウント１４０の上面１４０ａに形成されている。配線１６１ｂ及び１６２ｂは、サブマウント１４０の側面１４０ｂに形成されている。配線１６１ｃ及び１６２ｃは、サブマウント１４０の下面１４０ｃに形成されている。
【００９１】
配線１６１ｃ及び１６２ｃは、それぞれ電極３１及び３２に接続されている。発光ダイオードチップ１５１の下面には、パッド９１及び９２が設けられている。バンプ１６１ｄは、パッド９１と配線１６１ａとを接続している。バンプ１６２ｄは、パッド９２と配線１６２ａとを接続している。
【００９２】
黒色層７０は、パッケージ基板２０上に設けられている。黒色層７０は、電極３１及び３２における電源線１６１及び１６２が接続した部分を覆っている。黒色層７０の上面７０ａは、発光ダイオードチップ１５０の上面以下となっている。好ましくは、パッケージ基板２０の上面２０ａから黒色層７０の上面７０ａまでの厚さをA、パッケージ基板２０の上面２０ａから発光ダイオードチップ１５０の上面１５０ａまでの厚さをBとしたときに、A/Bは、1.0以下であることが好ましい。さらに、黒色層７０の上面７０ａは、電極３１及び３２の上面よりも上方に位置し、黒色層７０の上面７０ａは、略平面であることが好ましい。
【００９３】
次に、本実施形態の発光ダイオード表示装置５の製造方法を説明する。まず、図７に示すように、フリップチップ型の配置とすることができる発光ダイオードチップ１５０を複数個用意する。また、サブマウント１４０を用意する。サブマウント１４０は、上面１４０ａ、側面１４０ｂ及び下面１４０ｃに渡ってそれぞれ配線１６１ａ、配線１６１ｂ及び配線１６１ｃが形成されている。また、上面１４０ａ、側面１４０ｂ及び下面１４０ｃに渡ってそれぞれ配線１６２ａ、配線１６２ｂ及び配線１６２ｃが形成されている。
【００９４】
次に、発光ダイオード１５１をサブマウント１４０に接合する。それと共に、発光ダイオード１５１のパッド９１と配線１６１ａとをバンプ１６１ｄで接続する。また、発光ダイオード１５１のパッド９２と配線１６２ａとをバンプ１６２ｄで接続する。
【００９５】
次に、サブマウント１４０を電極３１及び３２が設けられたパッケージ基板２０上に接合させる。それと共に、配線１６１ｃ及び１６２ｃを、それぞれ電極３１及び３２に接続させる。これにより、発光ダイオードチップ１５０を電極３１及び３２が設けられたパッケージ基板２０上に接合させるとともに、発光ダイオードチップ１５０と電極３１及び３２とを電源線１６１及び１６２により電気的に接続する。次に、黒色層７０をパッケージ基板２０上に形成する。その他の製造工程は、実施形態１と同様である。
【００９６】
本実施形態の発光ダイオード表示装置５によれば、発光ダイオードチップ１５０の配置は、フリップチップ型である。よって、発光ダイオードチップ１５０の上面には、パッド及び電源線を有していないので、発光した光を遮るものがなく、発光量を大きくすることができる。その他の効果は、実施形態１と同様である。
【００９７】
なお、本実施形態において、サブマウント１４０を設けなくてもよい。その場合には、電源線１６１及び１６２は、バンプ１６１ｄ及び１６２ｄを含んでいる。バンプ１６１ｄは、パッド９１と電極３１とを接続する。バンプ１６２ｄは、パッド９２と電極３２とを接続する。
【００９８】
（実施形態６）
次に、実施形態６に係る発光ダイオード表示装置６を説明する。本実施形態では、プリント基板１０の上面１０ａに、電極３１及び３２が設けられている。そして、発光ダイオードチップ５０は、プリント基板１０上に接合されている。発光ダイオードチップ５０は、例えば、アレイ上に配列するように、プリント基板１０上に接合されている。発光ダイオードチップ５０におけるパッド９１及び９２を、それぞれプリント基板１０上に設けられた電極３１及び３２に電源線６１及び６２により電気的に接続させている。
【００９９】
黒色層７０は、プリント基板１０上において、電極３１及び３２における電源線６１及び６２が接続した部分を覆うように形成されている。また、黒色層７０の上面７０ａは、発光ダイオードチップ５０の上面５０ａ以下となっている。プリント基板１０上には、封止層８０が、電極３０〜３２、発光ダイオードチップ５０、電源線６１及び６２、黒色層７０を覆うように設けられている。なお、プリント基板１０と発光ダイオードチップ５０との間に、サブマウント４０が設けられてもよい。また、封止層８０の代わりに、各発光ダイオードチップ５０を囲む凹部が形成されたカバー８５でプリント基板１０上を覆ってもよい。
【０１００】
本実施形態によれば、プリント基板１０に発光ダイオードチップ５０を複数配列させている。よって、パッケージ基板２０を用いて発光ダイオード１１を形成するための材料のコスト及び発光ダイオード１１を製造するための製造コストを低減させることができる。それ以外の効果は、実施形態１〜５と同様である。
【０１０１】
（実施形態７）
次に、実施形態７に係る発光ダイオード表示装置を説明する。本実施形態では、パッケージ基板３２０の上面３２０ａに、複数の電極及び複数の発光ダイオードチップ３５０を実装して、画素となる発光ダイオード１７を複数形成する。そして、複数の発光ダイオード１７が実装されたパッケージ基板３２０を発光ダイオード表示装置７として使用する。
【０１０２】
図８（ａ）は、実施形態７に係る発光ダイオード表示装置を例示した図であり、（ａ）は、黒色層形成前の上面図を示し、（ｂ）は、黒色層を透過して示した側面図を示す。図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、パッケージ基板３２０の上面３２０ａに、複数の電極及び複数の発光ダイオードチップ３５０を実装する。これにより、画素となる発光ダイオード１７が複数形成されている。画素となる発光ダイオード１７を、例えば、アレイ上に配列させて実装する。その後、パッケージ基板３２０上に、黒色層３７０及び封止層３８０を形成する。そして、ダイシングを行わず、そのまま発光ダイオード表示装置７として使用する。その場合には、パッケージ基板３２０の裏面３２０ｂに回路部３９０を実装する。なお、このままでも、発光ダイオード表示装置７として使用できるが、これらを複数個スタックして、一枚の大きなディスプレイとして使用してもよい。
【０１０３】
本実施形態によれば、パッケージ基板３２０に画素となる発光ダイオード１７を複数配列させている。よって、プリント基板１０を用いて発光ダイオード表示装置を形成するための材料のコスト及び製造コストを低減させることができる。それ以外の効果は、実施形態１〜６と同様である。
【０１０４】
以上に記載した実施の形態１〜７及び変形例１、２は、適宜組み合わせることができる。また、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【０１０５】
例えば、サブマウント４０のある場合及びない場合のどちらの場合でも、黒色層７０の上面７０ａを、発光ダイオードチップ５０の上面以下、発光層５３の下面以下、サブマウント４０の上面４０ａ以下等、適宜変更可能である。また、実施形態１〜６及び変形例において、封止層８０またはカバー８５のどちらを適用してもよい。その場合に、樹脂には、着色剤、拡散粒子、上面の凹凸形状及び拡散Filmのいくつかを有するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１０６】
１、２、３、４、５、６、７  発光ダイオード表示装置
１０  プリント基板
１０ａ  上面
１１、１２、１３、１４、１５、１７  発光ダイオード
２０  パッケージ基板
２０ａ  上面
３０、３１、３２  電極
４０  サブマウント
４０ａ  上面
５０  発光ダイオードチップ
５０ａ  上面
５１  基板
５２  n型窒化ガリウム層
５３  発光層
５４  p型窒化ガリウム層
５５  透明電極
６１、６２  電源線
７０  黒色層
７０ａ  上面
８０  封止層
８０ａ  上面
８５  カバー
８６  接合面
９１、９２  パッド
１４０  サブマウント
１４０ａ  上面
１４０ｂ  側面
１４０ｃ  下面
１５０  発光ダイオードチップ
１５０ａ  上面
１６１、１６２  電源線
１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃ  配線
１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃ  配線
１６１ｄ  バンプ
１６２ｄ  バンプ
２５０  発光ダイオードチップ
２５１  基板
３２０  パッケージ基板
３２０ａ  上面
３２０ｂ  裏面
３５０  発光ダイオードチップ
３７０  黒色層
３８０  封止層
３９０  回路部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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