(57)【要約】【課題】本発明の目的は、プラスチック等のフレキシブルなフィルムへの印刷に適した２００℃未満の硬化温度においても高い絶縁破壊強度を有する優れた電気絶縁性、良好な基材との密着性、優れた耐溶剤性、高い比誘電率、を有する絶縁膜形成用組成物、および、該絶縁膜形成用組成物を用いたゲート絶縁膜を具備する信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することにある。【解決手段】上記課題は、特定のアクリロイル基を６個以上有する化合物（Ａ）と、金属酸化物（Ｂ）と、溶剤と、を含有する絶縁膜形成用組成物および該絶縁膜形成用組成物により得られる絶縁膜によって解決される。【選択図】図１
2017165887.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるアクリロイル基を６個以上有する化合物（Ａ）と、金属酸化物（Ｂ）と、溶剤とを含有する絶縁膜形成用組成物。
一般式（１）
【化１】
2017165887.tif 000017
［一般式（１）中、Ｒ１は、下記いずれかの４価の有機残基を表す。
【化２】
2017165887.tif 000018
一般式（１）中、Ｒ２は、下記いずれかの１価の有機残基を表す。
【化３】
2017165887.tif 000019
一般式（１）中、Ｒ３は、１価の有機残基を示す。］
【請求項２】
さらに重合開始剤を含む請求項１に記載の絶縁膜形成用組成物。
【請求項３】
重合開始剤が、熱重合開始剤と光重合開始剤とを含む請求項２に記載の絶縁膜形成用組成物。
【請求項４】
金属酸化物（Ｂ）が、チタニウム、亜鉛、ジルコニウム、インジウム、スズ、アルミニウム、珪素およびリンからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する請求項１〜３いずれか一項に記載の絶縁膜形成用組成物。
【請求項５】
金属酸化物（Ｂ）が、酸化チタンまたはチタン酸バリウムである請求項１〜４いずれか一項に記載の絶縁膜形成用組成物。
【請求項６】
金属酸化物（Ｂ）のＤ５０粒子径が、０.００５〜０．２００μmである請求項１〜５いずれか一項に記載の絶縁膜形成用組成物。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか一項に記載の絶縁膜形成用組成物の硬化物である絶縁膜。
【請求項８】
請求項１〜６いずれか一項に記載の絶縁膜形成用組成物の硬化物を、ゲート絶縁膜として備える薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁膜を形成するための組成物に関する。また、当該組成物を用いて形成されたゲート絶縁膜および有機薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリシリコンやアモルファスシリコンなどの無機材料を用いた電界効果トランジスタは、半導体層の成膜工程で化学気相成長法や酸化法を用いるため、真空装置などの大規模な設備が必要で、かつ複雑で多数の工程が必要である。また、半導体層の結晶化工程で300〜1000℃の加熱を必要とする為、基板に耐熱性が求められる。
【０００３】
一方、有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタは、無機半導体より低温で製造できるため、その基板としてフレキシブルなプラスチック基板やフィルムを用いることができ、軽量で壊れにくい素子を得ることができる。また、有機材料を含む溶液の塗布や印刷法を用いた成膜により素子作製でき、大面積の基板に多数の素子を低コストで製造できる可能性があり、近年注目されている。
【０００４】
有機薄膜トランジスタの素子構成の一つであるボトムゲート型では、有機半導体層がゲート絶縁層に重ねて形成される。そのため、塗布や印刷法で製造する場合、ゲート絶縁層には、高い絶縁破壊強度や低いリーク電流密度などの電気絶縁性と、基板への密着性だけでなく、有機半導体を溶解する溶媒に対する耐溶剤性が求められる。
このような材料として、様々な有機材料が検討開発されており、ポリビニルアルコール（特許文献１） やポリイミド系ポリマー（特許文献２） 、シリコン系ポリマー（特許文献３）、アクリル系ポリマー（特許文献４）などの有機材料を絶縁膜として用いたトランジスタが提案されているが、絶縁膜表面に存在する水酸基などの極性基の存在により良好な半導体特性示さず、シランカップリング剤などで表面処理を施してから用いなければ機能せず煩雑なプロセスを必要とし、表面処理無しに単層で未だ満足する特性を示す有機絶縁膜材料は得られていない。
また、特許文献５にはシルセスキオキサン系の有機無機ハイブリッド材料が開示されている。優れた電気絶縁性を有し、耐溶剤性にも優れた材料であるという。しかしながら、当該硬化材料は硬化時間が長いことや硬化温度が高いことから、短時間に印刷成膜できない、使用できる基材が限られる等の生産性に課題が残る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−０２７５２４号公報
【特許文献２】特開２００４−３４９３１９号公報
【特許文献３】特開２００７−０４３０５５号公報
【特許文献４】特開２００７−２２４２９３号公報
【特許文献５】特開２０１２―００９７９６号公報
【特許文献６】特開２００５―０２６６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、プラスチック等のフレキシブルなフィルムへの印刷に適した２００℃未満の硬化温度においても高い絶縁破壊強度を有する優れた電気絶縁性、良好な基材との密着性、優れた耐溶剤性、高い比誘電率を有する絶縁膜形成用組成物、および、該絶縁膜形成用組成物を用いたゲート絶縁膜を具備する信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す絶縁膜形成用組成物およびそれを用いた絶縁膜により目標達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表されるアクリロイル基を６個以上有する化合物（Ａ）と、金属酸化物（Ｂ）と、溶剤とを含有する絶縁膜形成用組成物に関する。
【０００９】
一般式（１）
【化１】
2017165887.tif 000003
［一般式（１）中、Ｒ１は、下記いずれかの４価の有機残基を表す。
【化２】
2017165887.tif 000004
一般式（１）中、Ｒ２は、下記いずれかの１価の有機残基を表す。
【化３】
2017165887.tif 000005
一般式（１）中、Ｒ３は、１価の有機残基を示す。］
【００１０】
また、本発明は、さらに重合開始剤を含む上記絶縁膜形成用組成物に関する。
【００１１】
また、本発明は、重合開始剤が、熱重合開始剤と光重合開始剤とを含む上記絶縁膜形成用組成物に関する。
【００１２】
また、本発明は、金属酸化物（Ｂ）が、チタニウム、亜鉛、ジルコニウム、インジウム、スズ、アルミニウム、珪素およびリンからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する上記絶縁膜形成用組成物に関する。
【００１３】
また、本発明は、金属酸化物（Ｂ）が、酸化チタンまたはチタン酸バリウムである上記絶縁膜形成用組成物に関する。
【００１４】
また、本発明は、金属酸化物（Ｂ）のＤ５０粒子径が、０.００５〜０．２００μmである上記絶縁膜形成用組成物に関する。
【００１５】
また、本発明は、上記絶縁膜形成用組成物の硬化物である絶縁膜に関する。
【００１６】
また、本発明は、上記絶縁膜形成用組成物の硬化物を、ゲート絶縁膜として備える薄膜トランジスタに関する。
【発明の効果】
【００１７】
化合物（Ａ）は、金属酸化物（Ｂ）に対して高い分散能を有しており、かつ、アクリロイル基を多数含有していることから光または熱硬化性を有する分散剤として機能する。さらに、金属酸化物（Ｂ）は、高い誘電率を有しており、化合物（Ａ）により均一に分散させることで、硬化性が高く、かつ優れた電気絶縁性、耐溶剤性、密着性、高い比誘電率を兼ね備えた絶縁膜を形成することが可能である。これにより、本発明の絶縁膜形成用組成物を用いて形成された硬化膜は、ゲート絶縁膜およびそれを用いた有機薄膜トランジスタに好適に用いることができる。さらに、硬化温度が低いことから、耐熱性の低い各種プラスチックフィルムに印刷が可能で、フレキシブルな薄膜トランジスタ用のゲート絶縁膜にも好適である。
すなわち、本発明により、硬化開始温度が低く各種プラスチックフィルムに印刷可能であり、かつ、得られた硬化膜が、優れた電気絶縁性、耐溶剤性、密着性、比誘電率を達成する絶縁膜形成用組成物を提供することができる。また絶縁膜形成用組成物を用いたゲート絶縁膜および良好な信頼性を有する薄膜有機トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
図１乃至図２ に本発明のゲート絶縁膜を用いた薄膜トランジスタの構成例を示す。図１および図２の例では、本発明の薄膜トランジスタは、基板１上にゲート電極２が形成されており、ゲート電極２は、本発明のゲート絶縁膜３で覆われている。
【００１９】
【図１】図１の例では、ゲート絶縁膜３の上にソース電極４とドレイン電極４とが設置されており、これらを覆うように半導体層５が形成されている。
【図２】図２の例では、ゲート絶縁膜３の上に半導体層５が形成され、その上にソース電極４とドレイン電極４とが設置されている。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜絶縁膜形成用組成物＞
本発明の絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表されるアクリロイル基を６個以上有する化合物（Ａ）と、金属酸化物（Ｂ）と、溶剤とを含有することを特徴とする。以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本願では、「（メタ）アクリロイル」、「（メタ）アクリル酸」、「（メタ）アクリレート」、「（メタ）アクリロイルオキシ」、及び「（メタ）アリル」と表記した場合には、特に説明がない限り、それぞれ、「アクリロイル及び／又はメタクリロイル」、「アクリル酸及び／又はメタクリル酸」、「アクリレート及び／又はメタクリレート」、「アクリロイルオキシ及び／又はメタクリロイルオキシ」、及び「アリル及び／又はメタリル」を表すものとする。
【００２１】
［一般式（１）で表されるアクリロイル基を６個以上有する化合物（Ａ）］
一般式（１）
【化４】
2017165887.tif 000006
［一般式（１）中、Ｒ１は、下記いずれかの４価の有機残基を表す。
【化５】
2017165887.tif 000007
一般式（１）中、Ｒ２は、下記いずれかの１価の有機残基を表す。
【化６】
2017165887.tif 000008
一般式（１）中、Ｒ３は、１価の有機残基を示す。］
【００２２】
一般式（１）において、Ｒ1は４価の有機残基であって、フェニル骨格残基（ｘ１−１）、ビフェニル骨格残基（ｘ１−２）、フルオレン骨格残基（ｘ１−３）、ブチレン基残基（ｘ１−４）を含む。これらのうち、芳香環を含む有機残基である、フェニル骨格残基、ビフェニル骨格残基、フルオレン骨格残基がより好ましく、ビフェニル骨格残基が特に好ましい。
【００２３】
一般式（１）において、Ｒ３の有機残基としては、芳香環を含む有機残基、（メタ）アクリロイルを含む有機残基等が挙げられる。中でもビフェニル骨格残基を有するものが好ましく、下記式（３）で表される１価の有機残基がより好ましい。
【００２４】
式（３）
【化７】
2017165887.tif 000009
【００２５】
［化合物（Ａ）の合成方法］
Ｒ３が上記式（３）で表される構造である化合物（Ａ）は、例えば、下記一般式（２）で示されるテトラカルボン酸の二無水物（ｘ１）と、ペンタエリスリトールトリアクリレートおよびジペンタエリスリトールペンタアクリレートから選ばれる１種または２種の、ヒドロキシル基含有多官能モノマーである化合物（ｘ２）との反応物であるカルボキシル基を有する化合物（Ｘ）と、エポキシ基含有化合物（Ｙ）とを反応させて得ることができる。エポキシ基含有化合物（Ｙ）としてビフェニルグリシジルエーテルを用いると、Ｒ３が上記式（３）で表される構造である化合物（Ａ）を得ることができ好ましい。ここで、光硬化性とハードコート性の観点から、上記化合物（ｘ２）がペンタエリスリトールトリアクリレートおよびジペンタエリスリトールペンタアクリレートであることが必要である。
【００２６】
（一般式（２）で表されるテトラカルボン酸の二無水物（ｘ１）とヒドロキシル基含有多官能モノマー化合物（ｘ２）との反応）
一般式（２）
【化８】
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【００２７】
一般式（２）におけるＲ１は、一般式（１）におけるＲ１と同義である。
【００２８】
上記一般式（２）で示されるテトラカルボン酸二無水物（ｘ１）としては、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニル骨格を有する３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、フルオレン骨格を有する９，９−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フルオレン二無水物、あるいは、９，９−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］フルオレン二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
【００２９】
これらテトラカルボン酸二無水物のうち、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物は、ビフェニル骨格を有するものであり、ビフェニル骨格を化合物（Ａ）の分子内に効率よく導入でき、さらに硬化膜のハードコート性と金属酸化物の良好な分散性を併せ持つことができるため、特に好ましい。
【００３０】
化合物（ｘ２）であるペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートの具体的な市販品としては、ビスコート＃３００（大阪有機化学工業（株）製）、ＫＡＹＡＲＡＤ ＰＥＴ３０（日本化薬（株）製）、ＰＥＴＩＡ（ダイセルＵＣＢ（株）製）、アロニックスＭ３０５（東亞合成（株）製）、ＮＫエステルＡ−ＴＭＭ−３ＬＭＮ（新中村化学工業（株）製）、ライトアクリレートＰＥ−３Ａ（共栄社化学（株）製）、ＳＲ−４４４（サートマー（株）製）、ライトアクリレートＤＰＥ−６Ａ（共栄社化学（株）製）、ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ（日本化薬（株）製）、アロニック
スＭ４０２（東亞合成（株）製）等が挙げられる。
【００３１】
なお、化合物（ｘ２）の市販品は、それぞれ副成分としてヒドロキシル基を２個有するペンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレートを５〜１５重量％程度含有する。
そのため、化合物（Ａ）を得る反応においては化合物（Ａ）の他、副成分由来の反応物、化合物（Ａ）などが高分子量化した樹脂も同時に生成し、化合物（Ａ）のみを算出できないことがある。よって、化合物（Ａ）を「化合物（Ａ）を含む反応物」と記載することがある。
【００３２】
上記テトラカルボン酸二無水物（ｘ１）と、化合物（ｘ２）との反応は、テトラカルボン酸二無水物の有する２つのカルボン酸無水物基と、化合物（ｘ２）が有するヒドロキシル基との反応であり、それ自体当該分野においてよく知られている。例えば、テトラカルボン酸二無水物（ｘ１）と、化合物（ｘ２）とを、シクロヘキサノンのような有機溶媒中、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンのような触媒の存在下、５０〜１２０℃の温度で反応させることができる。この場合、反応系に、メチルハイドロキノン（２−ＭＥＴＨＹＬＨＹＤＲＯＱＵＩＮＯＮＥ)のような重合禁止剤を添加することができる。
【００３３】
（カルボキシル基含有化合物（Ｘ）とエポキシ基含有化合物（Ｙ）との反応）
上記反応後、カルボキシル基を有する化合物（Ｘ）を含む反応混合物に、これを精製することなく、エポキシ基含有化合物（Ｙ）を添加し、カルボキシル基とエポキシ基との反応させることで、化合物（Ａ）を得ることができる。エポキシ基含有化合物（Ｙ）の例としては、グリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルのようなエポキシ基含有（メタ）アクリレート；ｏ−フェニルフェノールグリシジルエーテル、ｐ−フェニルフェノールグリシジルエーテル、モノスチレン化フェノールグリシジルエーテル、４−シアノ−４−ヒドロキシビフェニルグリシジルエーテル、４，４'−ビフェノールモノグリシジルエーテル、４，４'−ビフェノールジグリシジルエーテルのような芳香族グリシジルエーテル化合物等が好ましい。中でも、分散安定性の観点から下記一般式（５）に示したビフェニルグリシジルエーテルが特に好ましい。
【００３４】
一般式（５）
【化９】
2017165887.tif 000011
【００３５】
カルボキシル基含有化合物（Ｘ）と一般式（４）で表されるエポキシ基含有化合物（Ｙ）との反応は、カルボキシル基とエポキシ基との反応であり、それ自体当該分野においてよく知られている。例えば、この反応は、ジメチルベンジルアミン等のようなアミン触媒の存在下、５０〜１２０℃の温度で行なうことができる。
【００３６】
これらの反応は、無溶媒で行なってもよく、あるいは反応に対して不活性な溶媒中で行なってもよい。かかる溶媒としては、例えば、ｎ−ヘキサン、ベンゼンまたはトルエン等の炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトンまたはメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒；酢酸エチルまたは酢酸ブチル等のエステル系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフランまたはジオキサン等のエーテル系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンまたはパークレン等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン等の極性溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は、２種類以上を併用しても差し支えない。
【００３７】
化合物（Ａ）のアクリロイル基は６個以上であることが必要である。本発明において、アクリロイル基の個数が６個未満の化合物を併用することができるが、化合物（Ａ）を含まない場合、得られる硬化膜の硬度が低下する。
【００３８】
［金属酸化物（Ｂ）］
金属酸化物は、Ｄ５０粒子径が０．００５〜０．２００μｍであることが好ましい。金属酸化物のＤ５０粒子径は、例えば、動的光散乱法を利用した日機装（株）製「ナノトラックＵＰＡ」などを用いて測定できる。Ｄ５０粒子径が０．００５μｍ未満の絶縁膜形成用組成物の場合、微粒子同士の凝集力が非常に大きいことから、透明性の高い一次粒子レベルの分散性が低下する傾向である。一方、Ｄ５０粒子径が０．２００μｍを超える場合、粒子径が大きいことから可視光などの光に対して散乱が生じ易く、硬化膜にて濁りが生じる傾向である。
金属酸化物（Ｂ）の粒子の形状としては、球状、針状、鱗片状等さまざまであるが、その中でも、誘電率の観点から鱗片状が最も好ましい。
【００３９】
金属酸化物（Ｂ）としては、チタニウム、亜鉛、ジルコニウム、アルミニウム、珪素、リン及びフッ素からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を含有するものが好ましい。特に、チタニウム、亜鉛、ジルコニウム、アルミニウム、珪素およびリンのいずれか一種の元素を含有する金属酸化物が、より好ましい。具体的には、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム等が挙げられ、中でも、高い比誘電率である、酸化チタン、酸化ジルコニウムおよびチタン酸バリウムを用いることが好ましく、酸化チタンまたはチタン酸バリウム等が特に好ましい。これらの金属酸化物は表面を有機物もしくは無機物で処理しても差し支えない。またこれらの金属酸化物は、２種類以上を併用しても差し支えない。
【００４０】
金属酸化物の市販品としては、
石原産業（株）製：ＴＴＯ−５５（Ａ）（酸化チタン）、ＴＴＯ−５５（Ｂ）（酸化チタン）、ＴＴＯ−５５（Ｃ）（酸化チタン）、ＴＴＯ−５５（Ｄ）（酸化チタン）、ＴＴＯ−５５（Ｓ）（酸化チタン）、ＴＴＯ−５５（Ｎ）（酸化チタン）、ＴＴＯ−５１（Ａ）（酸化チタン）、ＴＴＯ−５１（Ｃ）（酸化チタン）、ＴＴＯ−Ｓ−１（酸化チタン）、ＴＴＯ−Ｓ−２（酸化チタン）、ＴＴＯ−Ｓ−３（酸化チタン）、ＴＴＯ−Ｓ−４（酸化チタン）、ＴＴＯ−Ｆ−１（鉄含有酸化チタン）、ＴＴＯ−Ｆ−２（鉄含有酸化チタン）、ＴＴＯ−Ｆ−３（鉄含有酸化チタン）、ＴＴＯ−Ｆ−１１（鉄含有酸化チタン）、ＳＴ−０１（酸化チタン）、ＳＴ−２１（酸化チタン）、ＳＴ−３０Ｌ（酸化チタン）、ＳＴ−３１（酸化チタン）、
シーアイ化成（株）製：ナノテックＴｉＯ２、ナノテックＳｉＯ２、ナノテックＡｌ２Ｏ３、ナノテックＺｎＯ、
ハクスイテック（株）製：ＰａｚｅｔＣＫ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）、
堺化学工業（株）製：ＦＩＮＥＸ−２５（酸化亜鉛）、ＦＩＮＥＸ−２５ＬＰ（酸化亜鉛）、ＦＩＮＥＸ−５０（酸化亜鉛）、ＦＩＮＥＸ−５０ＬＰ（酸化亜鉛）、ＦＩＮＥＸ−７５（酸化亜鉛）、ＮＡＮＯＦＩＮＥ−５０Ａ（酸化亜鉛）、ＮＡＮＯＦＩＮＥ−５０ＳＤ（酸化亜鉛）、ＥＺ−１（酸化亜鉛）、ＳＴＲ−６０Ｃ（酸化チタン）、ＳＴＲ−６０Ｃ-ＬＰ（酸化チタン）、ＳＴＲ−１００Ｃ（酸化チタン）、ＳＴＲ−１００Ｃ−ＬＰ（酸化チタン）、ＳＴＲ−１００Ａ−ＬＰ（酸化チタン）、ＳＴＲ−１００Ｗ（酸化チタン）、ＫＺＭ−２０（チタン酸バリウム）
住友大阪セメント（株）製：ＯＺＣ−３ＹＣ（酸化ジルコニウム）、ＯＺＣ−３ＹＤ（酸化ジルコニウム）、ＯＺＣ−３ＹＦＡ（酸化ジルコニウム）、ＯＺＣ−８ＹＣ（酸化ジルコニウム）、ＯＺＣ−０Ｓ１００（酸化ジルコニウム）、
日本電工（株）製：ＰＣＳ（酸化ジルコニウム）、ＰＣＳ−６０（酸化ジルコニウム）、ＰＣＳ−９０（酸化ジルコニウム）、Ｔ−０１（酸化ジルコニウム）、
テイカ（株）製：ＭＴ−１００Ｓ（酸化チタン）、ＭＴ−１００ＨＤ（酸化チタン）、ＭＴ−１００ＳＡ(酸化チタン)、ＭＴ−５００ＨＤ（酸化チタン）、ＭＴ−５００ＳＡ（酸化チタン）、ＭＴ−６００ＳＡ（酸化チタン）、ＭＴ−７００ＨＤ（酸化チタン）、ＭＺ−３０３Ｓ（酸化亜鉛）、ＭＺＹ−３０３Ｓ（酸化亜鉛）、ＭＺ−３０３Ｍ（酸化亜鉛）、ＭＺ−５０５Ｓ（酸化亜鉛）、ＭＺＹ−５０５Ｓ（酸化亜鉛）、ＭＺ−５０５Ｍ（酸化亜鉛）、
日本アエロジル（株）製：Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ Ｃ（酸化アルミニウム）、ＡＥＲＯＳＩＬ１３０（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬ２００（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬ２００Ｖ（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬ２００ＣＦ（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬ２００ＦＡ（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬ３００（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬ３００ＣＦ（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬ３８０（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬＲ９７２（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬＲ９７４（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬＲ９７６（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬＲ２０２（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬＲ８０５（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬＲ８１２（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬＲ８１２Ｓ（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬＭＯＸ５０（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬＴＴ６００（酸化ケイ素）、ＡＥＲＯＳＩＬＭＯＸ８０（酸化ケイ素/酸化アルミニウム）、ＡＥＲＯＳＩＬＭＯＸ１７０（酸化ケイ素/酸化アルミニウム）、ＡＥＲＯＳＩＬＣＯＸ８４（酸化ケイ素/酸化アルミニウム）、
等が挙げられる。
【００４１】
絶縁膜形成用組成物における金属酸化物（Ｂ）と化合物（Ａ）との配合は特に制限されないが、金属酸化物（Ｂ）１００重量部に対し、化合物（Ａ）を含む反応物が１０重量部以上５０重量部以下であることが好ましく、１０重量部以上３５重量部以下であることがより好ましい。上記範囲であると、特に分散性と成膜性に優れる。
【００４２】
溶剤を加える場合は、溶剤を揮発させた後に硬化処理を行なうことが好ましい。溶剤としては、特に制限されるものでなく、様々な公知の有機溶剤を用いることができる。具体的には例えば、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、アセトン、アセチルアセトン、トルエン、キシレン、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、エタノール、メタノール、３−メトキシ−１−ブタノール、３−メトキシ−２−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノｎ−ブチルエーテル、２−エトキシエタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、ジアセトンアルコール、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２−エトキシエチルアセテート、ブチルアセテート、イソアミルアセテート、アジピン酸ジメチル、コハク酸ジメチル、グルタル酸ジメチル、テトラヒドロフラン、メチルピロリドンなどが挙げられる。これらの有機溶剤は、２種類以上を併用しても差し支えない。
【００４３】
中でも、水酸基含有溶剤は、親水性の高い粒子表面物性を持つ金属酸化物に対して濡れ性が良いことから、溶剤組成中に含有されることで、金属酸化物の分散性及びその絶縁膜形成用組成物の経時安定性の向上において非常に効果的であり、かつ塗工工程のレベリング性も向上することから好ましい。全溶剤組成中の水酸基含有溶剤含有量は、１０〜１００重量％であることが好ましい。具体的には、水酸基含有溶剤としては、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、エタノール、メタノール、３−メトキシ−１−ブタノール、３−メトキシ−２−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノｎ−ブチルエーテル、２−エトキシエタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、ジアセトンアルコール、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。特に、３−メトキシ−１−ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノｎ−ブチルエーテルは、金属酸化物の分散性と分散安定性がより良好となることから好ましい。
【００４４】
本発明のゲート絶縁膜形成用組成物は、化合物（Ａ）と金属酸化物粉末を単に混合して調製しても、十分に目的とする効果が得られる。ただし、ニーダー、ロール、アトライター、スーパーミル、乾式粉砕処理機などにより機械的に混合するか、金属酸化物粉末と有機溶剤などによるサスペンジョン系に化合物（Ａ）を含む溶液を添加し、金属酸化物表面に化合物（Ａ）を沈着させるなどの緊密な混合系で行なえば、さらに良好な結果を得ることができる。
【００４５】
この絶縁膜形成用組成物は、金属酸化物粉末が均一に分散した金属酸化物分散体であることが好ましい。金属酸化物分散体は、化合物（Ａ）を用い、金属酸化物（Ｂ）を、有機溶剤存在下で分散させることにより、好ましく製造できる。分散の程度としては、動的光散乱法を利用した日機装（株）製「ナノトラックＵＰＡ」で測定した場合、分散粒径Ｄ５０は２００ｎｍ未満が好ましく、より好ましくは１５０ｎｍ未満である。
【００４６】
有機溶剤などの非水系ビヒクル中への化合物（Ａ）、金属酸化物（Ｂ）、または絶縁膜形成用組成物の分散または溶解、及びこれらの混合などには、ペイントコンディショナー（レッドデビル社製）、ボールミル、サンドミル（シンマルエンタープライゼス社製「ダイノーミル」等）、アトライター、パールミル（アイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、コボールミル、ホモミキサー、ホモジナイザー（エム・テクニック社製「クレアミックス」等）、湿式ジェットミル（ジーナス社製「ジーナスＰＹ」、ナノマイザー社製「ナノマイザー」）、微小ビーズミル（寿工業（株）製「スーパーアペックミル」、「ウルトラアペックミル」）等の分散機が使用できる。分散機にメディアを使う場合には、ガラスビーズ、ジルコニアビーズ、アルミナビーズ、磁性ビーズ、スチレンビーズ等を用いることが好ましい。分散に関しては、２種類以上の分散機、または大きさの異なる２種類以上のメディアをそれぞれ用い、段階的に使用しても差し支えない。
【００４７】
本発明の絶縁膜形成用組成物は、さらに様々な添加剤を、本発明の目的や効果を損なわない範囲において含むことができる。具体的には、光重合開始剤、光硬化性化合物、重合禁止剤、光増感剤、レベリング剤、界面活性剤、抗菌剤、アンチブロッキング剤、可塑剤、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、酸化防止剤、シランカップリング剤、導電性ポリマー、導電性界面活性剤、無機充填剤、顔料、染料などが挙げられる。
【００４８】
化合物（Ａ）及び金属酸化物（Ｂ）、溶剤以外の成分を含む絶縁膜形成用組成物の製造方法としては、特に制限されず、いくつかの方法が挙げられる。具体的には、初めに化合物（Ａ）及び金属酸化物（Ｂ）を有機溶剤中で混合分散し、安定な金属酸化物分散体を得た後、他の様々な添加剤を添加及び調整し製造する方法；初めから、化合物（Ａ）、金属酸化物（Ｂ）、有機溶剤及びその他の添加剤の全てが混合された状態で、分散し製造する方法；などが挙げられる。
【００４９】
［重合開始剤］
本発明の絶縁膜形成用組成物は、さらに、重合開始剤を含むことができ、熱重合開始剤および光重合開始剤より少なくとも１種を硬化条件に応じて使用することができる。熱重合開始剤および光重合開始剤を併用すると、アクリロイル基の架橋を効率的に進行させることができ、耐溶剤性が向上するため好ましい。
【００５０】
（熱重合開始剤）
熱重合開始剤の例としては、２，２’−アゾビスイソブチロニトリルや２，２’−アゾビス(２−メチルブチロニトリル)、１，１’−アゾビス（シクロヘキサン１−カルボニトリル）や２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチル−４−メトキシバレロニトリル）やジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、４，４’−アゾビス（４−シアノバレリック酸）や２，２’−アゾビス（２−ヒドロキシメチルプロピオニトリル）、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］などのアゾ系化合物が挙げられる。
【００５１】
また、過酸化ベンゾイルやｔｅｒｔ−ブチルパーベンゾエート、クメンヒドロパーオキシドやジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネートやジ（２−エトキシエチル）パーオキシジカーボネート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオデカノエートやｔｅｒｔ−ブチルパーオキシビバレート、（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキシドやジプロピオニルパーオキシド、ジアセチルパーオキシドなどの有機過酸化物が挙げられる。
【００５２】
これらの中でも、保存安定性と重合性の観点から、２，２’−アゾビスイソブチロニトリルおよびジベンゾイルジオキシダンやｔｅｒｔ−ブチルパーベンゾエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエートが好ましい。
【００５３】
（光重合開始剤）
光重合開始剤としては、光励起によって化合物（Ａ）のアクリル基のビニル重合を開始できる機能を有するものであれば特に限定はなく、例えばモノカルボニル化合物、ジカルボニル化合物、アセトフェノン化合物、ベンゾインエーテル化合物、アシルホスフィンオキシド化合物、アミノカルボニル化合物などが使用できる。
【００５４】
具体的には、モノカルボニル化合物としては、ベンゾフェノン、４−メチル−ベンゾフェノン、２,４,６−トリメチルベンゾフェノン、メチル−ｏ−ベンゾイルベンゾエート、４−フェニルベンゾフェノン、４−（４−メチルフェニルチオ）フェニル−エタノン、３,３´−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、４−（１，３−アクリロイル−１，３，３´−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、４−（１,３−アクリロイル−１,４,７,１０，１３−ペンタオキソトリデシル）ベンゾフェノン、３，３’，´,４，４’´−テトラ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、４−ベンゾイル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロパンアミン塩酸塩、４−ベンゾイル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−２−（１−オキソ−２−プロペニルオキシエチル）メタアンモニウムシュウ酸塩、２−／４−イソ−プロピルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、２−ヒドロキ−３−（３，４−ジメチル−９−オキソ−９Ｈチオキサントン−２−イロキシ−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロパンアミン塩酸塩、ベンゾイルメチレン−３−メチルナフト（１，２−ｄ）チアゾリン等が挙げられる。
【００５５】
ジカルボニル化合物としては、１，２，２−トリメチル−ビシクロ［２.１.１］ヘプタン−２，３−ジオン、ベンザイル、２−エチルアントラキノン、９，１０−フェナントレンキノン、メチル−α−オキソベンゼンアセテート、４−フェニルベンザイル等が挙げられる。
アセトフェノン化合物としては、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−ジ-２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−スチリルプロパン−１−オン重合物、ジエトキシアセトフェノン、ジブトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２，２−ジエトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）ブタン−１−オン、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、３，６−ビス（２−メチル−２−モルホリノ−プロパノニル）−９−ブチルカルバゾール等が挙げられる。
【００５６】
ベンゾインエーテル化合物としては、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイゾブチルエーテル、ベンゾインノルマルブチルエーテル等が挙げられる。
アシルホスフィンオキシド化合物としては、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、４−ｎ−プロピルフェニル−ジ（２，６−ジクロロベンゾイル）ホスフィンオキシド等が挙げられる。
【００５７】
アミノカルボニル化合物としては、メチル−４−（ジメトキシアミノ）ベンゾエート、エチル−４−（ジメチルアミノ）ベンゾエート、２−ｎ−ブトキシエチル−４−（ジメチルアミノ）ベンゾエート、イソアミル−４−（ジメチルアミノ）ベンゾエート、２−（ジメチルアミノ）エチルベンゾエート、４，４’´−ビス−４−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’´−ビス−４−ジエチルアミノベンゾフェノン、２，５’´−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン等が挙げられる。
光重合開始剤の市販品としてはチバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製イルガキュア１８４、６５１、５００、９０７、１２７、３６９、７８４、２９５９、ＢＡＳＦ社製ルシリンＴＰＯ、日本シイベルヘグナー（株）製エサキュアワン等があげられる。
【００５８】
重合開始剤は、上記化合物に限定されず、熱や紫外線により重合を開始させる能力があれば、どのようなものでも構わない。これらの重合開始剤は、一種類で用いられるほか、二種類以上を混合して用いてもよい。重合開始剤の使用量は、特に制限はされないが、化合物（Ａ）を含む重合性化合物の全量（化合物（Ａ）以外の重合性化合物を含む場合は、化合物（Ａ）と化合物（Ａ）以外の重合性化合物の合計量）１００重量部に対して０．５〜２０重量部の範囲内で使用することが好ましい。
さらに、重合開始剤は、ラジカル重合用開始剤のほかに、カチオン重合用の開始剤を併用することもできる。また、増感剤として、公知の有機アミン等を加えることもできる。
【００５９】
絶縁膜形成用組成物は、化合物（Ａ）の他に、その他のバインダー樹脂や、化合物（Ａ）以外の重合性化合物を含んでいてもよい。
バインダー樹脂としては、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリウレア樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、ポリエステル樹脂（化合物（Ａ）を除く）、ポリエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、アミノ樹脂、スチレン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、ビニル樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、一種類で用いても、二種類以上を混合して用いてもよい。バインダー樹脂は、絶縁膜形成用組成物の固形分（溶剤以外の成分。以下、同じ。）の全量を基準（１００重量部）として、２０重量部以下の範囲内で使用することが好ましい。
【００６０】
重合性化合物としては、例えば、（メタ）アクリル系化合物、脂肪酸ビニル化合物、アルキルビニルエーテル化合物、α−オレフィン化合物、ビニル化合物、エチニル化合物等の重合性不飽和二重結合基を有する化合物を用いることができる。これらの重合性不飽和二重結合基を有する化合物は、さらに水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アミド基、シラノール基等の官能基を有していてもよい。この重合性化合物は、絶縁膜形成用組成物の固形分の全量を基準（１００重量部）として、５０重量部未満の範囲内、特に５〜４０重量部の範囲内で使用することが好ましい。
【００６１】
（メタ）アクリル系化合物としては、ベンジル（メタ）アクリレート、アルキル系（メタ）アクリレート、アルキレングリコール系（メタ）アクリレート、カルボキシル基と重合性不飽和二重結合とを有する化合物、水酸基を有する（メタ）アクリル系化合物、窒素含有（メタ）アクリル系化合物等がある。また、単官能化合物、多官能化合物（化合物（Ａ）を除く）を適宜使用することができる。重合性、耐溶剤性の観点からは、多官能のものが好ましい。
【００６２】
単官能の（メタ）アクリル系化合物として具体的には、アルキル系（メタ）アクリレートとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ヘプタデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、ノナデシル（メタ）アクリレート、イコシル（メタ）アクリレート、ヘンイコシル（メタ）アクリレート、ドコシル（メタ）アクリレート等の炭素数１〜２２のアルキレン（メタ）アクリレートが挙げられる。極性の調整を目的とする場合には、炭素数２〜１０、さらに好ましくは炭素数２〜８のアルキル基を有するアルキル基含有（メタ）アクリレートを用いることが好ましい。また、レべリング性の調節等を目的とする場合には、炭素数６以上のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートを用いることが好ましい。
【００６３】
アルキレングリコール系（メタ）アクリレートとしては、ジエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ヘキサエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコール（メタ）アクリレート等の、末端に水酸基を有しポリオキシアルキレン鎖を有するモノ（メタ）アクリレート；メトキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシテトラエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシテトラエチレングリコール（メタ）アクリレート、プロポキシテトラエチレングリコール（メタ）アクリレート、ｎ−ブトキシテトラエチレングリコール（メタ）アクリレート、ｎ−ペンタキシテトラエチレングリコール（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシテトラプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシテトラプロピレングリコール（メタ）アクリレート、プロポキシテトラプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ｎ−ブトキシテトラプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ｎ−ペンタキシテトラプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリテトラメチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等の、末端にアルコキシ基を有しポリオキシアルキレン鎖を有するモノ（メタ）アクリレート；フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシテトラプロピレンエチレングリコール（メタ）アクリレート等の、末端にフェノキシまたはアリールオキシ基を有するポリオキシアルキレン系（メタ）アクリレートが挙げられる。
【００６４】
カルボキシル基及び重合性不飽和二重結合を有する化合物としては、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、または、これらのアルキルもしくはアルケニルモノエステル、フタル酸β−（メタ）アクリロキシエチルモノエステル、イソフタル酸β−（メタ）アクリロキシエチルモノエステル、コハク酸β−（メタ）アクリロキシエチルモノエステル、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、けい皮酸等が挙げられる。
【００６５】
水酸基含有（メタ）アクリル系化合物としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシビニルベンゼン、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００６６】
窒素含有（メタ）アクリル系化合物としては、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル−（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エトキシメチル−（メタ）アクリルアミド、Ｎ−プロポキシメチル−（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル−（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ペントキシメチル−（メタ）アクリルアミド等のモノアルキロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ（メチロール）アクリルアミド、Ｎ−メチロール−Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ（メチロール）アクリルアミド、Ｎ−エトキシメチル−Ｎ−メトキシメチルメタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ（エトキシメチル）アクリルアミンド、Ｎ−エトキシメチル−Ｎ−プロポキシメチルメタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ（プロポキシメチル）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル−Ｎ−（プロポキシメチル）メタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ（ブトキシメチル）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル−Ｎ−（メトキシメチル）メタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ（ペントキシメチル）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル−Ｎ−（ペントキシメチル）メタアクリルアミド等のジアルキロール（メタ）アクリルアミド等のアクリルアミド系不飽和化合物；ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、メチルエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノスチレン、ジエチルアミノスチレン等のジアルキルアミノ基を有する不飽和化合物；及び、対イオンとしてＣｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-等のハロゲンイオンまたはＱＳＯ３−（Ｑ：炭素数１〜１２のアルキル基）を有するジアルキルアミノ基含有不飽和化合物の４級アンモニウム塩等がある。
【００６７】
その他の不飽和化合物としては、パーフルオロメチルメチル（メタ）アクリレート、パーフルオロエチルメチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロブチルエチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロヘキシルエチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロオクチルエチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロイソノニルエチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロノニルエチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロデシルエチル（メタ）アクリレート、パーフルオロプロピルプロピル（メタ）アクリレート、パーフルオロオクチルプロピル（メタ）アクリレート、パーフルオロオクチルアミル（メタ）アクリレート、パーフルオロオクチルウンデシル（メタ）アクリレート等の、炭素数１〜２０のパーフルオロアルキル基を有するパーフルオロアルキルアルキル（メタ）アクリレート類を挙げることができる。
【００６８】
さらに、パーフルオロブチルエチレン、パーフルオロヘキシルエチレン、パーフルオロオクチルエチレン、パーフルオロデシルエチレン等のパーフルオロアルキル、アルキレン類等のパーフルオロアルキル基含有ビニルモノマー；ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアルコキシシリル基含有ビニル化合物及びその誘導体；グリシジルアクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルアクリレート等のグリシジル基含有アクリレートが挙げられる。
【００６９】
脂肪酸ビニル化合物としては、酢酸ビニル、酪酸ビニル、クロトン酸ビニル、カプリル酸ビニル、ラウリン酸ビニル、クロル酢酸ビニル、オレイン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等が挙げられる。アルキルビニルエーテル化合物としては、ブチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル等が挙げられる。
【００７０】
α−オレフィン化合物としては、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン等が挙げられる。
ビニル化合物としては、アリル酢酸、アリルアルコール、アリルベンゼン、シアン化アリル等のアリル化合物、シアン化ビニル、ビニルシクロヘキサン、ビニルメチルケトン、スチレン、α−メチルスチレン、２−メチルスチレン、クロロスチレン等が挙げられる。
エチニル化合物としては、アセチレン、エチニルベンゼン、エチニルトルエン、１−エチニル−１−シクロヘキサノール等が挙げられる。
これらは、一種類で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。
【００７１】
これらのなかでも、化合物（Ａ）以外の光硬化性化合物としては、塗膜強度、耐擦傷性の観点より、少なくとも３つの官能基を有するポリウレタンポリ（メタ）アクリレート、ポリエポキシポリ（メタ）アクリレート等のポリ（メタ）アクリレート類、分子内に３個以上のアクリロイル基を有する多官能のアクリレート類を好適に使用することができる。
ポリエポキシポリ（メタ）アクリレートは、エポキシ樹脂のエポキシ基を（メタ）アクリル酸でエステル化して、官能基を（メタ）アクリロイル基としたものであり、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂への（メタ）アクリル酸付加物、ノボラック型エポキシ樹脂への（メタ）アクリル酸付加物等がある。
【００７２】
ポリウレタンポリ（メタ）アクリレートは、例えば、ジイソシアネートと水酸基を有する（メタ）アクリレート類とを反応させて得られるもの、ポリオールとポリイソシアネートとをイソシアネート基過剰の条件下に反応させてなるイソシアネート基含有ウレタンプレポリマーを、水酸基を有する（メタ）アクリレート類と反応させて得られるものがある。あるいは、ポリオールとポリイソシアネートとを水酸基過剰の条件下に反応させてなる水酸基含有ウレタンプレポリマーを、イソシアネート基を有する（メタ）アクリレート類と反応させて得ることもできる。
【００７３】
ポリオールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ブチレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、３−メチル−１，５−ペンタングリコール、ネオペンチルグリコール、ヘキサントリオール、トリメリロールプロパン、ポリテトラメチレングリコール、アジピン酸とエチレングリコールとの縮重合物等が挙げられる。
【００７４】
ポリイソシアネートとしては、トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられる。
水酸基を有する（メタ）アクリレート類としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート，２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
イソシアネート基を有する（メタ）アクリレート類としては、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート等が挙げられる。
【００７５】
重合性化合物の市販品としては、以下のものが例示できる。
東亜合成（株）製：アロニックスＭ−４００、アロニックスＭ−４０２、アロニックスＭ−４０８、アロニックスＭ−４５０、アロニックスＭ−７１００、アロニックスＭ−８０３０、アロニックスＭ−８０６０、
大阪有機化学工業（株）製：ビスコート♯４００、
化薬サートマー（株）製：ＳＲ−２９５、
ダイセルＵＣＢ（株）製：ＤＰＨＡ、Ｅｂｅｃｒｙｌ ２２０、Ｅｂｅｃｒｙｌ １２９０Ｋ、Ｅｂｅｃｒｙｌ ５１２９、Ｅｂｅｃｒｙｌ ２２２０、Ｅｂｅｃｒｙｌ ６６０２、
新中村化学工業（株）製：ＮＫエステルＡ−ＴＭＭＴ、ＮＫエステルＡ−ＢＰＥＦ、ＮＫオリゴＥＡ−１０２０、ＮＫオリゴＥＭＡ−１０２０、ＮＫオリゴＥＡ−６３１０、ＮＫオリゴＥＡ−６３２０、ＮＫオリゴＥＡ−６３４０、ＮＫオリゴＭＡ−６、ＮＫオリゴＵ−４ＨＡ、ＮＫオリゴＵ−６ＨＡ、ＮＫオリゴＵ−３２４Ａ、
ＢＡＳＦ社製：ＬａｒｏｍｅｒＥＡ８１、
サンノプコ（株）製：フォトマー３０１６、
荒川化学工業（株）製：ビームセット３７１、ビームセット５７５、ビームセット５７７、ビームセット７００、ビームセット７１０；
根上工業（株）製：アートレジンＵＮ−３３２０ＨＡ、アートレジンＵＮ−３３２０ＨＢ、アートレジンＵＮ−３３２０ＨＣ、アートレジンＵＮ−３３２０ＨＳ、アートレジンＵＮ−９０００Ｈ、アートレジンＵＮ−９０１Ｔ、アートレジンＨＤＰ、アートレジンＨＤＰ−３、アートレジン Ｈ６１、
日本合成化学工業（株）製：紫光ＵＶ−７６００Ｂ、紫光ＵＶ−７６１０Ｂ、紫光ＵＶ−７６２０ＥＡ、紫光ＵＶ−７６３０Ｂ、紫光ＵＶ−１４００Ｂ、紫光ＵＶ−１７００Ｂ、紫光ＵＶ−６３００Ｂ、
共栄社化学（株）製：ライトアクリレートＰＥ−４Ａ、ライトアクリレートＤＰＥ−６Ａ、ＵＡ−３０６Ｈ、ＵＡ−３０６Ｔ、ＵＡ−３０６Ｉ、
日本化薬（株）製：ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ、ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ２Ｃ、ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ−４０Ｈ、ＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ−３１０、ＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ−３３０。
大阪ガスケミカル（株）製：ＯＧＳＯＬ ＥＡ−２０００、ＯＧＳＯＬ ＥＡ−３０００、ＯＧＳＯＬ ＧＡ−５０００。
【００７６】
＜絶縁膜形成用組成物の製造と絶縁膜＞
本発明の絶縁膜形成用組成物は、化合物（Ａ）中に金属酸化物（Ｂ）を分散し、必要に応じて、重合開始剤やその他の成分を配合、混合することによって製造することができる。攪拌・混合する際には、減圧装置を備えた１軸または多軸エクストルーダー、ニーダー、ディソルバーのような汎用の機器を使用し攪拌・混合することにより調製してもよい。攪拌・混合する際の温度は、通常、１０〜６０℃に設定されるのが好ましい。１０〜６０℃にすることで、より均一な撹拌・混合が可能となり、また、熱による硬化反応が抑制されるため好ましい。
【００７７】
絶縁膜形成用組成物を、基板上に塗布する方法は、公知の方法を用いればよく、例えば、塗布方法としては、インクジェット法、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、ドクターブレード法、カーテンコート法、スリットコート法、スクリーン印刷法、反転印刷法等を挙げることができる。
【００７８】
本発明における絶縁膜形成用組成物は、代表的には５０００ｎｍ以下の膜厚を有する絶縁膜が形成されるように塗工されて使用される。
塗工によって形成される上記絶縁膜の厚さは、１００〜５０００ｎｍが好ましく、３００ｎｍ〜３０００ｎｍがより好ましい。絶縁層の厚さを１００ｎｍ以下にすると、絶縁膜の絶縁性が不足する場合があり、安定な塗工も困難な場合がある。一方、樹脂層の厚さが５０００ｎｍを超えると、コンデンサとしての機能が低下し、消費電力が高くなる場合がある。
【００７９】
乾燥方法には特に制限はなく、熱風乾燥、赤外線や減圧法を利用したものが挙げられる。乾燥条件としては絶縁膜形成用組成物の架橋硬化形態、膜厚や選択した有機溶剤にもよるが、通常６０〜２００℃程度の熱風加熱が用いられる。また、基材としてＰＥＴやＰＥＮ等のプラスチックフィルムを用いる場合は、基材が熱で変形する場合があるため、６０〜１５０℃がより好ましい。
【００８０】
硬化処理は、公知の技術を用いて、例えば、紫外線、電子線、波長４００〜５００ｎｍの可視光線等の活性エネルギー線を照射することにより行なうことができる。紫外線および波長４００〜５００ｎｍの可視光線の線源（光源）には、例えば高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ガリウムランプ、キセノンランプ、カーボンアークランプ等を使用することができる。電子線源には、熱電子放射銃、電解放射銃等を使用することができる。
【００８１】
また、熱硬化による処理も好適に使用することができる。具体的には乾燥処理と同様の条件が使用でき、通常６０〜２００℃程度の熱風加熱が用いられる。また、熱による硬化のみによる絶縁膜の形成や、紫外線等の活性エネルギー線による硬化＋熱硬化の併用による絶縁膜の形成も可能である。中でも、活性エネルギー線による硬化＋熱硬化の併用が好ましい。
【００８２】
＜ゲート絶縁膜＞
ゲート絶縁膜は本発明の絶縁膜形成用組成物を硬化することで、絶縁膜とすることができる。例えば、本発明の絶縁材料を基板上に塗布し、硬化させることで、絶縁膜を得ることができる。絶縁膜を形成するには、形成したい基板上に直接本発明の絶縁材料を塗布、塗工、印刷等の方法で展開し、硬化させて得ることができる。また、別の基板上や型へと展開し、硬化させてから、絶縁膜として各種電子部材へと使用してもよく、絶縁材料を押し出し成形等の公知の成形方法でフィルム上に製膜したうえで、硬化させて得られる絶縁膜であってもかまわない。
【００８３】
本発明の絶縁膜に使用される基材としては、プラスチックフィルム、金属板、あるいはガラス板が使用され、プラスチックフィルムとしては、例えば、透明性、着色安定性、機械的強度、熱安定性、水分遮断性、等方性、あるいは意匠性等の特性に優れる熱可塑性樹脂から構成される各種フィルムが使用され、各種プラスチックシートとも称され、特に限定されない。具体例として、例えば、ポリビニルアルコールフィルム、ポリトリアセチルセルロースフィルム、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリシクロオレフィン、及びエチレン−酢酸ビニル共重合体などのポリオレフィン系フィルム、ポリエチレンテレフタレート及びポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル系フィルム、ポリカーボネート系フィルム、ポリノルボルネン系フィルム、ポリアリレート系フィルム、ポリアクリル系フィルム、ポリフェニレンサルファイド系フィルム、ポリスチレン系フィルム、ポリ塩化ビニル系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリフッ素系フィルム並びにポリオキシラン系フィルムなどが挙げられる。ラミネートすることのできるプラスチックフィルムの厚みは、特に限定されないが、例えば、５００μｍの厚さのものも使用することができる。
【００８４】
これらの中でも、本発明の絶縁膜形成用組成物は熱重合を用いる場合においても、１５０℃以下の低温の条件においても架橋反応を進行させることが可能であることから、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムがより好ましい。
【００８５】
また、プラスチックフィルムは、表面がコロナ放電、プラズマ処理、フレーム処理等の物理的処理や、フィルム表面を酸やアルカリなどで改質する化学的処理、フィルム表面に微細な凹凸をつけ、基材の表面積を高めたフィルム、あるいは表面にケイ素、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、カリウム、スズ、ナトリウム、ホウ素、チタン、鉛、ジルコニウム、イットリウムなどの金属酸化物、若しくは非金属無機酸化物が蒸着されたプラスチックフィルム等、絶縁膜形成用組成物に対して、易接着処理されているものや、用途別に機能性を付与したものを好適に用いることができる。
【００８６】
＜薄膜トランジスタ＞
本発明の薄膜トランジスタに用いられる電極材料（ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極）としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、カルシウムなどの金属や、カーボンブラック、フラーレン類、カーボンナノチューブなどの無機材料、さらには、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフルオレンおよびこれらの誘導体などの有機π 共役ポリマーなどが挙げられる。
【００８７】
電極の形成方法としては、真空蒸着、スパッタなどを用いるのが一般的であるが、製造方法の簡略化のため、スプレーコート法、印刷法、インクジェット法などの塗布法による電極の形成方法が提案されている。また近年では紫外線照射によってゲート絶縁膜の面エネルギーを一部変化させ高精細な電極パターンを形成する塗布方法も提案されている。塗布可能な電極材料としては、ナノ金属微粒子や有機π 共役ポリマーなどがある。
【００８８】
塗布法による電極形成の際、本発明のゲート絶縁膜上に塗布される為、ゲート絶縁膜は耐溶剤性が求められる。ナノ金属インクや有機π 共役ポリマーに用いる溶媒としては、各種アルコール類が好ましい。また、Ｎ ， Ｎ − ジメチルホルムアミド、Ｎ ， Ｎ − ジメチルアセトアミド、２ − ピロリドン、Ｎ − メチル− ２ − ピロリドン、ｎ − エチル− ２ − ピロリドン、ｎ − ビニル− ２ − ピロリドン、Ｎ − メチルカプロラクム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素などの極性溶媒も電極材料の溶解性に優れる観点から好ましいが、これらは、本発明のゲート絶縁膜へのダメージが少ない範囲において少量、使用することが好ましい。
【００８９】
本発明の薄膜トランジスタに含まれる半導体層に用いられる材料は、本発明のゲート絶縁膜上、上記の電極上、及び上記のプラスチック基板上に形成可能であれば特に限定されないが、具体例として、ペンタセン、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン誘導体などの有機低分子材料、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などのπ 共役ポリマー、ＩｎＧａＺｎＯ系、ＩｎＧａＯ系、ＺｎＧａＯ系、ＩｎＺｎＯ系、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等の酸化物半導体などが挙げられる。
【００９０】
これら半導体材料の成膜方法は、スパッタ法、真空蒸着法、インクジェット法、スプレー法などを用いることができる。特に、インクジェット法、スプレー法などの塗布法は簡便であり、製造コストを下げることができるので好ましい。
【実施例】
【００９１】
以下、製造例、実施例に基づき本発明をさらに詳しく説明する。特に記載がない限り、部および％は、質量部および質量％をそれぞれ表す。
使用した原料は、以下のとおりである。
【００９２】
＜カルボン酸無水物＞
ＢＰＤＡ：三菱化学（株）製、３，３’、４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ＢＰＡＦ：ＪＦＥケミカル（株）製、９，９−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物
リカシッドＢＴ−１００：新日本理化（株）製、１，２，３，４-ブタンテトラカルボン酸二無水物
ＰＭＤＡ：（株）ダイセル製  ピロメリット酸二無水物、１，２，４，５-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物
無水フタル酸（和光純薬工業（株）製）
【００９３】
＜化合物（ｘ２）＞
ＫＡＹＡＲＡＤ ＰＥＴ−３０：（日本化薬（株）製、ペンタエリスリトールトリアクリレート（１）、副生成物としてペンタエリスリトールテトラアクリレートも含む）
Ａ−ＴＭＭ−３ＬＭ−Ｎ：（新中村化学工業（株）製、ペンタエリスリトールトリアクリレート（２）、副生成物としてペンタエリスリトールテトラアクリレートも含む）
Ａ-９５７０Ｗ：（新中村化学工業（株）製、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、副生成物としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレートも含む）
＜アクリレート化合物＞
２ＨＥＡ：日本触媒（株）製、２−ヒドロキシエチルアクリレート
【００９４】
＜重合禁止剤＞
メチルヒドロキノン（和光純薬工業（株）製）
【００９５】
＜触媒＞
１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（東京化成工業（株）製）
ジメチルベンジルアミン（和光純薬工業（株）製）
【００９６】
＜エポキシ基含化合物＞
メタクリルグリシジルエーテル（ダウ・ケミカル日本（株）製、ＧＭＡ）
４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル（日本化成（株）製、商品名：４ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル）
２−フェニルフェノールグリシジルエーテル（三光（株）製、商品名：ＯＰＰ―Ｇ）
【００９７】
＜アクリロイル基を６個以上有する化合物（Ａ）の合成＞
（合成例１：化合物（Ａ−１））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに３，３’、４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８０．０部、水酸基価１２２ｍｇＫＯＨ／ｇのペンタエリスリトールトリアクリレート（１）２５０．０部、メチルヒドロキノン０．２４部、シクロヘキサノン２１７．８部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン１．６５部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、９４ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
続いて、この溶液中に２−フェニルフェノールグリシジルエーテル１４０．０部、シクロヘキサノン９１．０部を加え、次いで触媒としてジメチルベンジルアミン２．６５部を加え、１００℃で６時間撹拌し、反応させた。反応を継続しながら定期的に反応物の酸価を測定し、酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になったところで、室温まで冷却して反応を停止させ、化合物（Ａ−１）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％、また最終的な酸価は３．０ｍｇＫＯＨ/ｇであることから、得られた樹脂ワニスの反応物固形分中の化合物（Ａ）を含む反応物は７９％である。
尚、化合物（Ａ）を含む反応物とは、化合物（Ａ）の他、化合物（ｘ２）において水酸基を複数含む副生成物に由来する高分子量反応物を表す。化合物（Ａ）を含む反応物の割合は、樹脂ワニスの最終酸価より算出した。残りは、反応に用いた化合物（ｘ２）において水酸基を有しない化合物や未反応原料を表す。表中では化合物（Ａ）を含む反応物を「反応物」と略記した。以下の合成２〜５においても同様である。
【００９８】
（合成例２化合物（Ａ−２））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに１，２，３，４-ブタンテトラカルボン酸二無水物８０．０部、水酸基価１１３ｍｇＫＯＨ／ｇのペンタエリスリトールトリアクリレート（２）４０２．０部、メチルヒドロキノン０．３３部、シクロヘキサノン３１８．０部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン２．４１部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、９５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
続いて、この溶液中に、２−フェニルフェノールグリシジルエーテル１８２．９部、シクロヘキサノン１１８．０部を加え、次いで触媒として、ジメチルベンジルアミン３．８８部を加え、１００℃で６時間撹拌した。反応を継続しながら定期的に反応物の酸価を測定し、酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になったところで、室温まで冷却して反応を停止させ、化合物（Ａ−２）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％、最終的な酸価は３．０ｍｇＫＯＨ/ｇであったことから、得られた反応物固形分中の化合物（Ａ）を含む反応物は７３％である。
【００９９】
（合成例３化合物（Ａ−３））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに１，２，４，５-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物８０．０部、水酸基価１１３ｍｇＫＯＨ／ｇのペンタエリスリトールトリアクリレート（２）３６４．９部、メチルヒドロキノン０．３１部、シクロヘキサノン２９４．１部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン２．２２部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、９３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
続いて、この溶液中に、２−フェニルフェノールグリシジルエーテル１６６．０部、シクロヘキサノン１０７．１部を加え、次いで触媒として、ジメチルベンジルアミン３．５８部を加え、１００℃で６時間撹拌し、室温まで冷却して反応を終了した。反応を継続しながら定期的に反応物の酸価を測定し、酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になったところで、室温まで冷却して反応を停止させ、化合物（Ａ−３）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％、最終的な酸価は３．２ｍｇＫＯＨ/ｇであったことから、得られた反応物固形分中の化合物（Ａ）を含む反応物は７４％である。
【０１００】
（合成例４化合物（Ａ−４））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに９，９−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物８０．０部、水酸基価１２２ｍｇＫＯＨ／ｇのペンタエリスリトールトリアクリレート（１）１６０．２部、メチルヒドロキノン０．１６部、シクロヘキサノン１５８．８部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン１．２０部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、８２ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
その後、２−フェニルフェノールグリシジルエーテル７９．０部、シクロヘキサノン５０．７部を加え、次いで触媒として、ジメチルベンジルアミン１．９３部を加え、１００℃で６時間撹拌し、反応を継続しながら定期的に反応物の酸価を測定し、酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になったところで、室温まで冷却して反応を停止させ、化合物（Ａ−４）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％、最終的な酸価は３．０ｍｇＫＯＨ/ｇであったことから、得られた樹脂ワニスの固形分中の化合物（Ａ）を含む反応物は７９％である。
【０１０１】
（合成例５化合物（Ａ−５））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに３，３‘、４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８０．０部、水酸基価８５ｍｇＫＯＨ／ｇのジペンタエリスリトールペンタアクリレート３５９．０部、メチルヒドロキノン０．２９部、シクロヘキサノン２９０．１部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン２．１９部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、７４ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
その後、メタクリルグリシジルエーテル７８．３部、シクロヘキサノン４８．７部を加え、次いで触媒として、ジメチルベンジルアミン３．５３部を加え、１００℃で６時間撹拌し、反応を継続しながら定期的に反応物の酸価を測定し、酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になったところで、室温まで冷却して反応を停止させ、化合物（Ａ−５）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％、最終的な酸価は３．０ｍｇＫＯＨ/ｇであったことから、得られた樹脂ワニスの固形分中の反応物は６９％である。
【０１０２】
（合成例６化合物（Ａ−６））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに３，３‘、４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８０．０部、水酸基価１２２ｍｇＫＯＨ／ｇのペンタエリスリトールトリアクリレート（１）２５０．０部、メチルヒドロキノン０．２４部、シクロヘキサノン２１７．８部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン１．６５部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、９４ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
その後、メタクリルグリシジルエーテル７８．３部、シクロヘキサノン５４．０部を加え、次いで触媒として、ジメチルベンジルアミン２．６５部を加え、１００℃で６時間撹拌し、反応を継続しながら定期的に反応物の酸価を測定し、酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になったところで、室温まで冷却して反応を停止させ、化合物（Ａ−６）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％、最終的な酸価は３．０ｍｇＫＯＨ/ｇであったことから、得られた樹脂ワニスの固形分中の反応物は７６％である。
【０１０３】
（合成例７化合物（Ａ−７））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに１，２，３，４-ブタンテトラカルボン酸二無水物８０．０部、水酸基価１１３ｍｇＫＯＨ／ｇのペンタエリスリトールトリアクリレート（２）４０２．０部、メチルヒドロキノン０．３４部、シクロヘキサノン２０３．８部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン１．７５部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、９５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
その後、メタクリルグリシジルエーテル１１６．４部、シクロヘキサノン１８８．５部を加え、次いで触媒として、ジメチルベンジルアミン３．８８部を加え、１００℃で６時間撹拌し、反応を継続しながら定期的に反応物の酸価を測定し、酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になったところで、室温まで冷却して反応を停止させ、化合物（Ａ−７）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％、最終的な酸価は３．０ｍｇＫＯＨ/ｇであったことから、得られた樹脂ワニスの固形分中の反応物は７１％である。
【０１０４】
（合成例８化合物（Ａ−８））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに１，２，４，５-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物８０．０部、水酸基価１２２ｍｇＫＯＨ／ｇのペンタエリスリトールトリアクリレート（２）２６８．７部、メチルヒドロキノン０．２５部、シクロヘキサノン２３０．４部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン１．７４部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、８８ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
その後、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル１１０部、シクロヘキサノン６９．１部を加え、次いで触媒として、ジメチルベンジルアミン２．８０部を加え、１００℃で６時間撹拌し、反応を継続しながら定期的に反応物の酸価を測定し、酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になったところで、室温まで冷却して反応を停止させ、化合物（Ａ−８）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％、最終的な酸価は３．０ｍｇＫＯＨ/ｇであったことから、得られた樹脂ワニスの固形分中の反応物は７２％である。
【０１０５】
（比較合成例１：比較化合物（Ａ−１））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに３，３‘、４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８０．０部、水酸基価４８３ｍｇＫＯＨ／ｇの２−ヒドロキシエチルアクリレート６３．１部、メチルヒドロキノン０．１１部、シクロヘキサノン９４．６部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン０．７２部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、２１５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
その後、メタクリルグリシジルエーテル７８．３部、シクロヘキサノン５１．１部を加え、次いで触媒として、ジメチルベンジルアミン１．１５部を加え、１００℃で６時間撹拌し、反応を継続しながら定期的に反応物の酸価を測定し、酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になったところで、室温まで冷却して反応を停止させ、比較化合物（Ａ−１）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％、最終的な酸価は３．０ｍｇＫＯＨ/ｇであったことから、得られた樹脂ワニスの固形分中の反応物は８７％である。
【０１０６】
（比較合成例２：比較化合物（Ａ−２））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに１，２，３，４-ブタンテトラカルボン酸二無水物８０．０部、水酸基価４８３ｍｇＫＯＨ／ｇの２−ヒドロキシエチルアクリレート９３．７部、メチルヒドロキノン０．１５部、シクロヘキサノン１１４．８部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン０．８７部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、２６４ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
その後、メタクリルグリシジルエーテル１１６．４部、シクロヘキサノン７６．２部を加え、次いで触媒として、ジメチルベンジルアミン１．４部を加え、１００℃で６時間撹拌し、反応を継続しながら定期的に反応物の酸価を測定し、酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になったところで、室温まで冷却して反応を停止させ、比較化合物（Ａ−２）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％、最終的な酸価は３．０ｍｇＫＯＨ/ｇであったことから、得られた樹脂ワニスの固形分中の反応物は８６％である。
【０１０７】
（比較合成例３：比較化合物（Ａ−３））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに３，３’，４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８０．０部、水酸基価４８３ｍｇＫＯＨ／ｇの２−ヒドロキシエチルアクリレート６３．１部、メチルヒドロキノン０．１１部、シクロヘキサノン９４．６部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン０．７２部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、２１５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
その後、２−フェニルフェノールグリシジルエーテル１２３．１部、シクロヘキサノン８０．９部を加え、次いで触媒として、ジメチルベンジルアミン１．１５部を加え、１００℃で６時間撹拌し、反応を継続しながら定期的に反応物の酸価を測定し、酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になったところで、室温まで冷却して反応を停止させ、比較化合物（Ａ−３）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％、最終的な酸価は３．０ｍｇＫＯＨ/ｇであったことから、得られた樹脂ワニスの固形分中の反応物は８９％である。
【０１０８】
（比較合成例４：比較化合物（Ａ−４））
撹拌機、還流冷却管、ドライエアー導入管、温度計を備えた４口フラスコに３，３‘、４，４’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８０．０部、水酸基価８５ｍｇＫＯＨ／ｇのジペンタエリスリトールペンタアクリレート３５９．０部、メチルヒドロキノン０．２９部、シクロヘキサノン２９０．１部を仕込み、６０℃まで昇温した。次いで触媒として１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン２．１９部を加え、９０℃で８時間撹拌した。反応物のＩＲ測定で酸無水物基のピーク、すなわち、１７８０-ｃｍおよび１８５０ｃｍ-1付近のピークが消滅していることを確認した後、冷却し、反応を停止させた。この時点で反応物の酸価を慣用の方法で測定したところ、７４ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
その後のエポキシ基含有化合物との反応を実施せずに、比較化合物（Ａ−４）を含む樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスは淡黄色透明で、固形分６０％であった。
【０１０９】
表１に上記合成例１〜８、比較合成例１〜４で得られた化合物の概要を示す。
【０１１０】
【表１】
2017165887.tif 000012
【０１１１】
ＢＰＤＡ：３，３‘，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物
ＰＭＤＡ：１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物
ＢＰＡＦ：９，９−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物
ＢＴ−１００：１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物
ＰＥＴ３０：ペンタエリスリトールトリアクリレートとペンタエリスリトールテトラアクリレートの混合物
Ａ−ＴＭＭ−３ＬＭ−Ｎ：ペンタエリスリトールトリアクリレートとペンタエリスリトールテトラアクリレートの混合物
ＤＰＰＡ：ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物
２ＨＥＡ：２−ヒドロキシエチルアクリレート
ＯＰＰ−Ｇ：２-フェニルフェノールグリシジルエーテル
ＧＭＡ：グリシジルメタクリレート
４ＨＢＡＧＥ:４-ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル
ＤＢＵ：１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン
ＤＭＢＡ：ジメチルベンジルアミン
【０１１２】
＜金属酸化物分散ペーストの調整＞
（金属酸化物分散ペースト（Ｐ−１）〜（Ｐ−２８）の調整）
上記合成した各化合物を含有する樹脂ワニスを用い、表２、３に示す配合により金属酸化物（Ｂ）の分散を行ない、金属酸化物分散ペーストを作成した。配合量は固形分量を示す。分散方法は、ジルコニアビーズ（０．５ｍｍ）をメディアとして用い、ペイントシェイカーで１時間分散（前分散）した後、ジルコニアビーズ（０．１ｍｍ）をメディアとして用い、寿工業（株）製分散機ＵＡＭ−０１５で本分散という２段階で行なった。
【０１１３】
【表２】
2017165887.tif 000013
【０１１４】
【表３】
2017165887.tif 000014
【０１１５】
表２、３において、
ＴｉＯ２：テイカ（株）製「ＭＴ−０５」（平均一次粒子径：１０ｎｍ）
ＺｒＯ２：日本電工（株）製「ＰＣＳ−６０」（平均一次粒子径：２０ｎｍ）
ＢａＴｉＯ３−１：堺化学工業（株）製「ＫＺＭ−５０」（平均一次粒子径：２０ｎｍ）
ＢａＴｉＯ３−２：関東電化工業（株）製「チタン酸バリウム」（平均一次粒子径：２５ｎｍ）
ＺｎＯ：堺化学工業（株）製「ＦＩＮＥＸ−５０」（平均一次粒子径：２０ｎｍ）
ＳｉＯ２：日本アエロジル（株）製「ＡＥＲＯＳＩＬ５０」（平均一次粒子径：５０ｎｍ）
ＭＥＫ：メチルエチルケトン
ＩＰＡ：イソプロピルアルコール
【０１１６】
＜金属酸化物分散ペーストの分散性評価＞
［分散直後の状態］
得られた金属酸化物分散ペーストの状態を目視で観察し、下記基準で評価した。
Ａ：流動性がある。
Ｂ：固化しているが、激しく振れば流動性が確認できる。
Ｃ：固化している。
【０１１７】
［Ｄ５０粒子径］
得られた金属酸化物ペーストのＤ５０粒子径を、日機装（株）製「ナノトラックＵＰＡ」を用いて測定した。実用的には  ２００ｎｍ以下であることが必要である。
【０１１８】
＜絶縁膜形成用組成物の製造＞
［実施例１〜１６、比較例１〜９］
（絶縁膜形成用組成物（Ｓ−１）〜（Ｓ−３３）の製造）
上記で得られた各金属酸化物ペースト１００部に対して、表４、５に示すように、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア１８４」）を１．０部、熱重合開始剤（日油社製「パーブチルＯ」）を０．３部および溶剤シクロヘキサノンを２７部、を混合、撹拌、溶解させ、絶縁膜形成用組成物（Ｓ−１）〜（Ｓ−３３）を得た。
【０１１９】
＜絶縁膜形成用組成物の評価＞
［絶縁膜の作成］
２００μｍのアルミ板および１２０μｍのＰＥＮフィルム上に、得られた絶縁膜形成用組成物を、１μｍ孔フィルタを付けたシリンジで滴下し、スピンコート法によりそれぞれ塗布した。その後、高圧水銀ランプで４００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射した後、１３０℃、３０分間加熱処理を行い、厚み１０００ｎｍの絶縁膜が塗布されたアルミ板およびＰＥＮフィルムを得た。得られた絶縁膜について下記評価を行った。結果を表４、５に示す。
【０１２０】
［耐溶剤性試験］
絶縁膜付きＰＥＮフィルムを用いて、ｏ−ジクロロベンゼンおよびブチルカルビトールアセテートをスポイドで数滴垂らし、各溶剤に対して、５分および６０分さらした後に拭き取り、外観を３段階で評価した。「△」評価以上の場合、実際の使用時に特に問題ない。
○：６０分浸漬後も外観変化が無い。
△：５分浸漬後は外観変化がないが、６０分浸漬後に一部に剥がれや絶縁膜の膨潤が観測される。
×：５分浸漬後に一部に剥がれや絶縁膜の膨潤が観測される。
【０１２１】
［密着性（碁盤目テープ試験）］
絶縁膜付きＰＥＮフィルムに対し、カッターナイフを用いて、ＰＥＮフィルムに達する1mm間隔で11本の切り傷をつけ100個の碁盤目を作成した。碁盤目部分にセロハンテープを強く圧着させ、テープの端を45°の角度で一気に引き剥がし、碁盤目の状態を目視で観察し、３段階で評価した。「△」評価以上の場合、実際の使用時に特に問題ない。
○：どの格子の目も剥れが無い。
△：塗膜がカットの線に沿って部分的、全面的に３５％未満の面積の範囲で剥がれが生じている。
×：塗膜がカットの線に沿って部分的、全面的に３５％以上の面積で剥がれが生じている。
【０１２２】
［絶縁破壊電圧］
絶縁膜付きアルミ板を使用し、ＴＭ６５０耐電圧試験機（鶴賀電気株式会社製）を用いて絶縁耐電圧の評価を実施し、３段階で評価した。「△」評価以上の場合、実際の使用時に特に問題ない。
○：絶縁破壊電圧が、２．０ＭＶ/ｃｍ以上である。
△：絶縁破壊電圧が、１．０ＭＶ/ｃｍ以上２．０ＭＶ/ｃｍ未満である。
×：絶縁破壊電圧が、１．０ＭＶ/ｃｍ未満である。
【０１２３】
［比誘電率測定］
絶縁膜付きアルミ板を使用し、真空蒸着装置を用いて、絶縁膜上に厚さ５００Å、１４ｍｍφのアルミ電極を作成し、コンデンサを形成した。作成したコンデンサについて、インピーダンスアナライザーを用いて、１ｋＨｚ、１０Ｖ印加時での薄膜の静電容量Ｃ（Ｆ）を測定した。絶縁膜の膜厚は段差計（アルバック製、Ｄｅｋｔａｋ）を用いて測定した。絶縁膜の比誘電率εを下記式により算出し、３段階で評価した。比誘電率は高いほうがコンデンサとして静電容量を高くでき、より好ましい。
ε＝Ｃ×ｔ／ε０×Ａ
Ｃ：静電容量（Ｆ）、ε０：真空の誘電率（８．８５Ｘ１０−１２）、ｔ：膜厚（ｍ）、Ａ：面積（ｍ２）
【０１２４】
○：比誘電率が  １０．０以上である。
△：比誘電率が、５．０以上１０．０未満である。
×：比誘電率が、５．０未満である。
【０１２５】
［トランジスタ特性評価］
（トランジスタの作成）
ＰＥＮフィルム（基材）上にアルミ（Ａｌ）を用いて厚さ５００Åのゲート電極２を形成し、その上に得られた絶縁膜形成用組成物を２０００ｒｐｍ、３０ｓｅｃの条件でスピンコートにより塗布し、１３０℃、３０分間加熱処理を行い、ゲート絶縁膜３を形成した。さらに基板温度は常温、レート０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件でペンタセンを蒸着し厚さ１０００Åの有機半導体層４を形成させ、その上にチャネル長さ（Ｌ）８０μｍ、チャネル幅（Ｗ）２ｍｍのマスクを用いて蒸着によって厚さ３００Åのソース／ドレインＡｕ電極５、６を形成し薄膜トランジスタを製作した。作成した有機薄膜トランジスタについて、半導体特性評価システム４２００（ケースレー製）を用いて以下駆動条件での電流伝達特性の曲線よりＯＮ／ＯＦＦ比を評価した。
【０１２６】
《駆動条件》
作製したトランジスタにおいてソース／ドレイン間に−４０Ｖの電圧を印加した状態で、ゲート電極に２０〜−４０Ｖで印加した際のソース／ ドレイン間電流量（Ｉｄ）をプロットし伝達特性とした。
【０１２７】
（ＯＮ／ＯＦＦ電流比）
オン時の電流Ｉｏｎは、電流伝達特性の曲線において飽和領域での最大電流値とし、オフ時の電流Ｉｏｆｆは、オフ状態の最小電流から求めた。ＯＮ／ＯＦＦ電流比Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆは、オン状態の最大電流値とオフ状態の最小電流値との比から算出した。「△」評価以上の場合、実際の使用時に特に問題ない。
○：ＯＮ／ＯＦＦ電流比が、１．０×１０4以上である。
△：ＯＮ／ＯＦＦ電流比が、１．０×１０３以上１．０×１０４未満である。
×：ＯＮ／ＯＦＦ電流比が、１．０×１０３未満である。
【０１２８】
【表４】
2017165887.tif 000015
【０１２９】
【表５】
2017165887.tif 000016
【０１３０】
表４，５中の略号は以下の通りである。
光重合開始剤：ＢＡＳＦ社製「イルガキュア１８４」
熱重合開始剤：日油社製「パーブチルＯ」（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート）
*１：金属酸化物ペーストが分散不良だったので作成不可
【０１３１】
表４に示したように、実施例１〜２４に示した絶縁膜形成用組成物は、耐溶剤性に優れ、優れた絶縁性と高い誘電率を有することを特徴とする絶縁膜を形成できていることがわかる。その中でも、ＴｉＯ２やＢａＴｉＯ３を分散した絶縁膜形成用組成物は、分散性安定性が高く、高い比誘電率と、耐溶剤性や絶縁性の両立が容易である。さらに、Ｒ１がビフェニル骨格の（ｘ１−２）であり、Ｒ３が、式（３）で表される構造である化合物（Ａ−１）を用いた絶縁膜形成用組成物は、特に優れる結果であった。また、光重合開始剤と熱重合開始剤とを併用することで、耐溶剤性の向上が確認できた。さらに、アクリロイル基を２つしか有さない比較例１においては架橋密度が低く、耐溶剤性や絶縁性が劣るという結果となった。
【０１３２】
本発明に係る絶縁膜形成用組成物は、特に２００℃以下の低温での架橋が必要なプラスチックフィルムに好適に使用でき、柔軟なフィルムに印刷により塗布して使用するゲート絶縁膜や、そのゲート絶縁膜を用いた有機トランジスタに好適に適用することができる。
【図１】
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【図２】
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