(57)【要約】【課題】ミラーが配置されている空間への水分の侵入を効果的に抑制することのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００では、配線基板９０に、ミラー５０およびミラー５０を駆動する駆動素子が形成されたチップ２と、平面視でミラー５０を覆う透光性のカバー７１と、カバー７１とチップ２との間に位置するスペーサー６１とが配置されている。また、カバー７１とスペーサー６１との境界７９、およびチップ２とスペーサー６１との境界、および配線基板９０の一部は、酸化アルミニウム膜等の無機膜８によって覆われている。無機膜８は、チップ側端子１７や内部端子９４の一部や、導電部材９９も覆っている。【選択図】図４
2017181626.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の一方面に実装され、ミラーおよび前記ミラーを駆動する駆動素子が形成されたチップと、
前記ミラーを覆う透光性のカバーと、
前記カバーと前記チップとの間に位置するスペーサーと、
前記カバーと前記スペーサーとの境界、前記チップと前記スペーサーとの境界、および前記配線基板の一部を覆う無機膜と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記配線基板の前記一方面に設けられた第１端子と、
前記駆動素子に電気的に接続され、前記チップに設けられた第２端子と、
前記第１端子と前記第２端子とを接続する導電部材と、
を有し、
前記無機膜は、絶縁膜であって、前記導電部材を覆っていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置において、
前記無機膜は、前記第１端子の一部を覆っていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記スペーサーと前記カバーとの境界に、ＯＨ基を含む接着剤からなる接着層を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
配線基板に、ミラーおよび前記ミラーを駆動する駆動素子が形成されたチップ、前記ミラーを覆うカバー、および前記カバーと前記チップとの間に位置するスペーサーを設けるチップ設置工程と、
前記チップ設置工程の後、前記カバーと前記スペーサーとの境界、および前記スペーサーと前記チップとの境界を覆う無機膜を形成する無機膜形成工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記配線基板は、前記一方面に第１端子を有し、
前記チップは、前記駆動素子に電気的に接続された第２端子を有し、
前記無機膜は、絶縁膜であり、
前記チップ設置工程の後、前記無機膜形成工程の前に、前記第１端子と前記第２端子とを導電部材によって接続する接続工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記無機膜形成工程の後、前記無機膜は、前記導電部材を覆っていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記無機膜形成工程の後、前記無機膜は、前記第１端子の一部を覆っていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記無機膜形成工程は、前記カバーを覆うように前記無機膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記カバーの前記ミラーとは反対側の面である外面に重なる前記無機膜を除去する無機膜除去工程と、を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記成膜工程では、前記外面を保護部材で覆った状態で前記無機膜を成膜し、
前記無機膜除去工程では、前記外面から前記保護部材を除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項５乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記無機膜形成工程では、前記無機膜を原子層堆積法により成膜することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
前記ミラーに光源光を照射する光源部を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミラーを備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器として、例えば、光源から出射された光をＤＭＤ（デジタル・ミラー・デバイス）と呼ばれる電気光学装置の複数のミラー（マイクロミラー）によって変調した後、変調光を投射光学系によって拡大投射することにより、スクリーンに画像を表示する投射型表示装置等が知られている。かかる投射型表示装置等に用いられる電気光学装置は、例えば、ミラーおよびミラーを駆動する駆動素子が形成されたチップと、平面視でミラーを覆う透光性のカバーと、カバーとチップとの間に位置するスペーサーとを有している。電気光学装置において、ミラーが配置されている空間に水分が侵入すると、ミラーの周辺に付着した水滴にミラーが傾いた姿勢で吸着されてしまい、動作不良が発生するおそれがある。そこで、カバーおよびスペーサーの側面を封止樹脂で覆った構造が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許  ＵＳ  ７，８９８，７２４  Ｂ２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の構成のように封止しても、カバーと封止樹脂との界面から水分が侵入し、かかる水分がカバーとスペーサーとの境界からミラーが配置されている空間に侵入するおそれがある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ミラーが配置されている空間への水分の侵入を効果的に抑制することのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、配線基板と、前記配線基板の一方面に実装され、ミラーおよび前記ミラーを駆動する駆動素子が形成されたチップと、前記ミラーを覆う透光性のカバーと、前記カバーと前記チップとの間に位置するスペーサーと、前記カバーと前記スペーサーとの境界、前記チップと前記スペーサーとの境界、および前記配線基板の一部を覆う無機膜と、を有することを特徴とする。
【０００７】
かかる電気光学装置の製造方法の一態様は、配線基板に、ミラーおよび前記ミラーを駆動する駆動素子が形成されたチップ、前記ミラーを覆うカバー、および前記カバーと前記チップの間に位置するスペーサーを設けるチップ設置工程と、前記チップ設置工程の後、前記カバーと前記スペーサーとの境界、および前記スペーサーと前記チップとの境界を覆う無機膜を形成する無機膜形成工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明では、カバーとスペーサーとの境界、およびチップとスペーサーの境界が無機膜によって覆われており、無機膜は成膜工程を経て形成される。このため、カバー、スペーサーおよびチップとの密着性が高いので、水分がカバーと無機膜との界面から侵入しにくい。従って、カバーとスペーサーとの境界、およびチップとスペーサーの境界を通って、ミラーが配置されている空間に水分が侵入しようとすることを効果的に抑制することができる。それ故、ミラーの周辺に付着した水滴によってミラーが傾いた姿勢で吸着される等の不具合が発生しにくい。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置において、前記配線基板の前記一方面に設けられた第１端子と、前記駆動素子に電気的に接続され、前記チップに設けられた第２端子と、前記第１端子と前記第２端子とを接続する導電部材と、を有し、前記無機膜は、絶縁膜であって、前記導電部材を覆っている態様を採用することができる。かかる態様の電気光学装置の製造方法において、前記配線基板は、前記一方面に第１端子を有し、前記チップは、前記駆動素子に電気的に接続された第２端子を有し、前記無機膜は、絶縁膜であり、前記チップ設置工程の後、前記無機膜形成工程の前に、前記第１端子と前記第２端子とを導電部材によって接続する接続工程を行う。かかる態様の電気光学装置によれば、無機膜によって導電部材の短絡等を防止することができる。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置において、前記無機膜は、前記第１端子の一部を覆っている態様を採用することができる。かかる態様の電気光学装置の製造方法では、前記無機膜形成工程の後、前記無機膜は、前記導電部材を覆っている構成とする。
【００１１】
本発明に係る電気光学装置において、前記スペーサーと前記カバーとの境界に、ヒドロキシ基（ＯＨ基）を含む接着剤からなる接着層を有する態様を採用することができる。カバーとスペーサーとの境界に設けられた接着層がヒドロキシ基（ＯＨ基）を有している場合、接着層上で原子層堆積法による化学反応が速やかに進行し、接着層と無機膜との密着性が向上する。それ故、ミラーの劣化を抑制することができる。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記無機膜形成工程は、前記カバーを覆うように前記無機膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記カバーの前記ミラーとは反対側の面である外面に重なる前記無機膜を除去する無機膜除去工程と、を行う態様を採用することがきる。
【００１３】
この場合、前記成膜工程では、前記外面を保護部材で覆った状態で前記無機膜を成膜し、前記無機膜除去工程では、前記外面から前記保護部材を除去することを特徴とする態様を採用することができる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記無機膜形成工程では、前記無機膜を原子層堆積法により成膜することが好ましい。原子層堆積法によれば、段差の被覆性に優れているので、カバーとスペーサーとの境界、およびチップとスペーサーの境界を確実に覆うことができる。
【００１５】
本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器に用いることができ、この場合、電子機器には、前記ミラーに光源光を照射する光源部が設けられる。また、電子機器として投射型表示装置を構成した場合、電子機器には、さらに、前記ミラーによって変調された光を投射する投射光学系が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明を適用した投射型表示装置に設けられた光学系の一例を模式的に示す説明図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の基本構成の一例を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置のミラー周辺の断面を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置全体の断面を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置の製造に用いた第２ウエハー等の製造方法を示す工程図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置の製造方法においてチップ等を配線基板に設置する工程を示す工程断面図である。
【図８】本発明を適用した電気光学装置の製造方法においてチップを封止する無機膜の形成方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置の別の製造方法においてチップを封止する無機膜の形成方法を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、本発明を適用した電子機器として投射型表示装置を説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。図面に示しているミラー等の数は、図面上で認識可能な程度の大きさとなるように設定しているが、この図面に示した数よりも多くのミラー等を設けてもよい。
【００１８】
（電子機器としての投射型表示装置）
図１は、本発明を適用した投射型表示装置に設けられた光学系の一例を模式的に示す説明図である。図１に示す投射型表示装置１０００（電子機器）は、光源部１００２と、光源部１００２から照射された光源光を画像情報に応じて変調する電気光学装置１００と、電気光学装置１００で変調された光を投射画像としてスクリーン等の被投射物１１００に投射する投射光学系１００４とを有している。光源部１００２は、光源１０２０と、カラーフィルター１０３０とを備えている。光源１０２０は、光源光として白色光を出射し、カラーフィルター１０３０は、回転に伴って各色の光を出射し、電気光学装置１００は、カラーフィルター１０３０の回転に同期したタイミングで、入射した光を変調する。なお、カラーフィルター１０３０に代えて、光源１０２０から出射された光を各色の光に変換する蛍光体基板を用いてもよい。また、各色の光毎に光源部１００２および電気光学装置１００を設けてもよい。
【００１９】
（電気光学装置１００の基本構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の基本構成の一例を模式的に示す説明図であり、図２には、その一部を分解した様子も示してある。図３は、本発明を適用した電気光学装置１００のミラー５０周辺の断面を模式的に示す説明図であり、図３には、ミラー５０が一方側に傾いた状態、およびミラー５０が他方側に傾いた状態を示してある。
【００２０】
図２および図３に示すように、電気光学装置１００は、素子基板１の一方面１ｓに複数のミラー５０がマトリクス状に配置されたチップ２を備えており、チップ２において、ミラー５０は素子基板１から離間している。素子基板１は、例えば、シリコン基板である。ミラー５０は、例えば、１辺の長さが例えば１０〜３０μｍの平面サイズを有するマイクロミラーである。ミラー５０は、例えば、８００×６００から１０２８×１０２４の配列をもって配置されており、１つのミラー５０が画像の１画素に対応する。
【００２１】
ミラー５０の表面はアルミニウム等の反射金属膜からなる反射面になっている。チップ２は、素子基板１の一方面１ｓに形成された基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を含む１階部分１００ａと、高架アドレス電極３２、３３およびヒンジ３５を含む２階部分１００ｂと、ミラー５０を含む３階部分１００ｃとを備えている。１階部分１００ａでは、素子基板１にアドレス指定回路１４が形成されている。アドレス指定回路１４は、各ミラー５０の動作を選択的に制御するためのメモリセルや、ワード線、ビット線の配線１５等を備えており、ＣＭＯＳ回路１６を備えたＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）に類似した回路構成を有している。
【００２２】
２階部分１００ｂは、高架アドレス電極３２、３３、ヒンジ３５、およびミラーポスト５１を含んでいる。高架アドレス電極３２、３３は、電極ポスト３２１、３３１を介して基板側アドレス電極１２、１３に導通しているとともに、基板側アドレス電極１２、１３によって支持されている。ヒンジ３５の両端からはヒンジアーム３６、３７が延在している。ヒンジアーム３６、３７は、アームポスト３９を介して基板側バイアス電極１１に導通しているとともに、基板側バイアス電極１１によって支持されている。ミラー５０は、ミラーポスト５１を介してヒンジ３５に導通しているとともに、ヒンジ３５によって支持されている。従って、ミラー５０は、ミラーポスト５１、ヒンジ３５、ヒンジアーム３６、３７、アームポスト３９を介して基板側バイアス電極１１に導通しており、基板側バイアス電極１１からバイアス電圧が印加される。なお、ヒンジアーム３６、３７の先端には、ミラー５０が傾いたときに当接して、ミラー５０と高架アドレス電極３２、３３との接触を防止するストッパー３６１、３６２、３７１、３７２が形成されている。
【００２３】
高架アドレス電極３２、３３は、ミラー５０との間に静電力を発生させてミラー５０を傾くように駆動する駆動素子３０を構成している。また、基板側アドレス電極１２、１３も、ミラー５０との間に静電力を発生させてミラー５０を傾くように駆動するように構成される場合があり、この場合、駆動素子３０は、高架アドレス電極３２、３３、および基板側アドレス電極１２、１３によって構成されることになる。ヒンジ３５は、高架アドレス電極３２、３３に駆動電圧が印加されて、図３に示すように、ミラー５０が高架アドレス電極３２あるいは高架アドレス電極３３に引き寄せられるように傾いた際にねじれ、高架アドレス電極３２、３３に対する駆動電圧の印加が停止してミラー５０に対する吸引力が消失した際、ミラー５０が素子基板１に平行な姿勢に戻す力を発揮する。
【００２４】
図３に示すように、電気光学装置１００において、例えば、ミラー５０が一方側の高架アドレス電極３２の側に傾くと、光源部１００２から出射された光がミラー５０によって投射光学系１００４に向けて反射するオン状態となる。これに対して、ミラー５０が他方側の高架アドレス電極３３の側に傾くと、光源部１００２から出射された光がミラー５０によって光吸収装置１００５に向けて反射するオフ状態となり、かかるオフ状態では、投射光学系１００４に向けて光が反射されない。かかる駆動は、複数のミラー５０の各々で行われる結果、光源部１００２から出射された光は、複数のミラー５０で画像光に変調されて投射光学系１００４から投射され、画像を表示する。
【００２５】
なお、基板側アドレス電極１２、１３と対向する平板状のヨークをヒンジ３５と一体に設け、高架アドレス電極３２、３３とミラー５０との間に発生する静電力に加えて、基板側アドレス電極１２、１３とヨークとの間に作用する静電力も利用してミラー５０を駆動することもある。
【００２６】
（電気光学装置１００の封止構造）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００全体の断面を模式的に示す説明図である。図４に示すように、本形態の電気光学装置１００において、図２および図３を参照して説明したミラー５０が複数形成された素子基板１（チップ２）は、一方面１ｓが、枠状のスペーサー６１、および透光性を有する平板状の透光性のカバー７１とからなる封止部材７５によって封止された後、配線基板９０の基板実装部９３に固定され、その後、封止材９８によって封止される。配線基板９０において、基板実装部９３は、側板部９２に囲まれた有底の凹部になっており、素子基板１は、配線基板９０の底板部９１に接着層９７で固定されている。このようにして、ミラー５０およびチップ２は、水分等から保護されている。
【００２７】
本形態において、カバー７１は、平面視（例えば、チップ２のミラーが設けられた面を見たときに平面視）でミラー５０を覆っており、スペーサー６１は、カバー７１とチップ２との間でチップ２の一方面２ｓに接している。より具体的には、スペーサー６１の素子基板１側の端部６１ｅは、チップ２の一方面２ｓに、エポキシ系接着剤等からなる接着層７６によって接着されており、接着層７６は、スペーサー６１とチップ２の境界７７を構成している。本形態において、チップ２の一方面２ｓは、素子基板１の一方面１ｓからなる。
【００２８】
カバー７１は、スペーサー６１の素子基板１と対向する端部とは反対側の端部６１ｆにエポキシ系接着剤等からなる接着層７８によって接着され、接着層７８は、スペーサー６１とカバー７１の境界７９を構成している。この状態で、カバー７１は、ミラー５０に対して所定の距離を隔てた位置でミラー５０の表面と対向している。従って、光は、カバー７１を透過してミラー５０に入射した後、ミラー５０で反射した光は、カバー７１を透過して出射される。
【００２９】
本形態において、スペーサー６１およびカバー７１はいずれも、平面形状が四角形であり、かつ、外形のサイズが等しい。このため、スペーサー６１のミラー５０とは反対側に位置する側面６１ｗと、カバー７１の側面７１ｗとは、連続した平面を構成している。カバー７１はガラス製である。スペーサー６１は、ガラス製、シリコン製、金属製、樹脂製のいずれであってもよく、本形態では、スペーサー６１として、ガラス基板やシリコン基板が用いられている。カバー７１、スペーサー６１で囲まれ、ミラー５０が配置されている空間は、空気が存在する構成、空気に代えて不活性ガス等が充填された構成、あるいは真空となっている構成が採用される。本形態において、ミラー５０が配置されている空間は、真空となっている。
【００３０】
素子基板１の一方面１ｓにおいて、ミラー５０と重ならない端部（スペーサー６１より外側）には複数のチップ側端子１７（第２端子）が形成されている。本形態において、チップ側端子１７は、ミラー５０を挟むように２列に配置されている。複数のチップ側端子１７の一部は、図２および図３を参照して説明したアドレス指定回路１４や基板側アドレス電極１２、１３を介して高架アドレス電極３２、３３（駆動素子３０）に電気的に接続されている。複数のチップ側端子１７の他の一部は、図２および図３を参照して説明したアドレス指定回路１４、基板側バイアス電極１１およびヒンジ３５を介してミラー５０に電気的に接続されている。複数のチップ側端子１７のさらに他の一部は、図２および図３を参照して説明したアドレス指定回路１４の前段に設けられた駆動回路等に電気的に接続されている。
【００３１】
チップ側端子１７は、素子基板１とは反対側が開放状態にある、また、配線基板９０は、底板部９１の素子基板１側の面（一方面９１ｓ）に内部端子９４（第１端子）を備えており、チップ側端子１７と内部端子９４とは、ワイヤーボンディング用のワイヤー等からなる導電部材９９によって電気的に接続されている。配線基板９０の底板部９１は、多層配線基板になっており、内部端子９４は、底板部９１に形成されたスルーホールや配線からなる多層配線部９５を介して、底板部９１の素子基板１とは反対側の外面９１ｔに形成された外部端子９６と導通している。
【００３２】
配線基板９０の側板部９２の内側（凹部）には、エポキシ樹脂等の樹脂からなる封止材９８が設けられている。封止材９８は、導電部材９９、導電部材９９とチップ側端子１７の接合部、導電部材９９と内部端子９４の接合部、素子基板１の周り、スペーサー６１と素子基板１との境界７７（接着層７６）、およびスペーサー６１とカバー７１との境界７９（接着層７８）の周りを覆うとともに、スペーサー６１の側面６１ｗの全体、およびカバー７１の側面７１ｗの全体を覆っている。
【００３３】
（封止用の無機膜８の構成）
本形態の電気光学装置１００において、スペーサー６１の側面６１ｗおよびカバー７１の側面７１ｗには無機膜８が形成されており、封止材９８は、無機膜８を介してスペーサー６１の側面６１ｗおよびカバー７１の側面７１ｗを覆っている。無機膜８は、スペーサー６１の側面６１ｗからカバー７１の側面７１ｗを経てチップ２の一方面２ｓ（素子基板１の一方面１ｓ）まで繋がっている。従って、無機膜８は、スペーサー６１とカバー７１との境界７９、およびスペーサー６１とチップ２との境界７７を覆っており、封止材９８は、無機膜８を介して境界７７、７９を覆っている。
【００３４】
本形態において、無機膜８は、ワイヤーからなる導電部材９９を覆っている。また、無機膜８は、チップ２の一方面２ｓ、接着層９７の表面、配線基板９０の底板部９１の一方面９１ｓおよび側板部９２の内面９２ｓを経由して側板部９２の先端面９２ｔまで繋がっている。このため、無機膜８は、チップ側端子１７において導電部材９９が接合している部分を除く部分（一部）を覆うとともに、内部端子９４において導電部材９９が接合している部分を除く部分（一部）を覆っている。このため、封止材９８は、無機膜８を介して導電部材９９、チップ側端子１７の一部、および内部端子９４の一部を覆っている。
【００３５】
本形態において、無機膜８は、酸化シリコン膜、酸化アルミウニム膜、酸化タンタル膜、酸化チタン膜、酸化ニオブ膜、酸化ハフニウム膜等の酸化膜や、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化タンタル膜、窒化チタン膜、窒化ニオブ膜、窒化ハフニウム膜等の窒化膜等の単層膜または多層膜からなる。
【００３６】
（電気光学装置１００の製造方法）
図５、図６、図７および図８を参照して、本発明を適用した電気光学装置１００の製造方法を説明する。図５は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。図６は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造に用いた第２ウエハー２０等の製造方法を示す工程図であり、図６には、各工程におけるウエハーの平面図を示すとともに、平面図の下段には切断端面図を示してある。図７は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造方法においてチップ２等を配線基板９０に設置する工程を示す工程断面図である。図８は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造方法においてチップ２を封止する無機膜８の形成方法を示す工程断面図である。なお、図６ではミラー５０等の図示を省略し、図５では、図４、図７および図８と比べてミラー５０の数を減らして３つのミラー５０が１枚の素子基板１に形成されるものとして示してある。
【００３７】
本形態では、ウエハーから複数の素子基板１等を多数取りする。このため、以下の説明では、多数取りされる複数の素子基板１のうち、１つの基板が得られる領域に形成されるミラー５０およびチップ側端子１７を各々、第１ミラー５０ａおよび第１チップ側端子１７ａとして説明する等、各符号の後ろにａを付して説明する。また、複数の素子基板１のうち、第１ミラー５０ａおよび第１チップ側端子１７ａが形成された領域と隣り合う領域に形成されるミラー５０およびチップ側端子１７を各々、第２ミラー５０ｂおよび第２チップ側端子１７ｂとして説明する等、各符号の後ろにｂを付して説明する。但し、いずれの素子基板１かを特定する必要がない場合、上記のａやｂを付さずに説明する。
【００３８】
本形態の電気光学装置１００を製造するには、図５に示す工程ａ５、および図６に示す工程ａ６、ｂ６（第１ウエハー準備工程）において、素子基板１を多数取りできる大型の第１ウエハー１０を用意する。第１ウエハーの一方面１０ｓ（第１面）には、素子基板１が分割される領域毎に、ミラー５０、チップ側端子１７および駆動素子３０（図示せず）が形成されている。
【００３９】
従って、第１ウエハー１０の一方面１０ｓには、第１ミラー５０ａが形成されるとともに、第１ミラー５０ａと平面視で隣り合う位置に、第１ミラー５０ａを駆動する第１駆動素子３０ａ（図２および図３を参照）に電気的に接続された第１チップ側端子１７ａが形成されている。また、第１ウエハー１０の一方面１０ｓには、第１チップ側端子１７ａに対して第１ミラー５０ａと反対側に第２ミラー５０ｂが形成されるとともに、第１チップ側端子１７ａと第２ミラー５０ｂの間には、第２ミラー５０ｂを駆動する第２駆動素子３０ｂ（図２および図３を参照）に電気的に接続された第２チップ側端子１７ｂが形成されている。
【００４０】
また、図５に示す工程ａ５（第２ウエハー形成工程）においては、スペーサー６１およびカバー７１を多数取りできる大型の第２ウエハー２０を準備する。第２ウエハー２０の一方面からなる第２面２０ｓでは、スペーサー６１およびカバー７１が分割される領域毎に、底部が透光性の凹部２１が形成されているとともに、互いに直角に交差する２方向に延在して複数の凹部２１の各々を囲む有底の溝２２が形成されている。複数の凹部２１のうちの１つが第１凹部２１ａであり、第１凹部２１ａと隣り合う凹部２１が第２凹部２１ｂである。従って、第２ウエハー２０の第２面２０ｓには、底部が透光性の第１凹部２１ａ、底部が透光性の第２凹部２１ｂ、および第１凹部２１ａと第２凹部２１ｂとの間に沿って延在する有底の溝２２が形成される。
【００４１】
かかる第２ウエハー２０を形成するにあたって、第２ウエハー形成工程では、例えば、図６に示す工程ｃ６〜ｆ６を行う。まず、工程ｃ６では、カバー７１を多数取りできる透光性ウエハー７０（第４ウエハー）を準備する。また、工程ｄ６では、スペーサー６１を多数取りできるスペーサー用ウエハー６０（第３ウエハー）を準備した後、第１工程において、エッチング等の処理によって、凹部２１を構成するための貫通穴６６をスペーサー用ウエハー６０に形成する。複数の貫通穴６６の１つが第１凹部２１ａを構成するための第１貫通穴６６ａであり、第１貫通穴６６ａと隣り合う貫通穴６６が、第２凹部２１ｂを構成するための第２貫通穴６６ｂである。次に、工程ｅ６では、ハーフエッチング等の処理によって、互いに直角に交差する２方向に延在して複数の凹部２１の各々を囲む有底の溝２２を形成する。なお、第１工程では、貫通穴６６を形成した後、溝２２を形成したが、溝２２を形成した後、貫通穴６６を形成してもよい。
【００４２】
次に、第２工程では、工程ｆ６に示すように、スペーサー用ウエハー６０の溝２２が開口している面６０ｓとは反対側の面６０ｔに透光性ウエハー７０を重ね、接着層７８によって接着する。その結果、スペーサー用ウエハー６０と透光性ウエハー７０とが積層された第２ウエハー２０が形成され、かかる第２ウエハー２０では、スペーサー用ウエハー６０の面６０ｓによって、第２ウエハー２０の第２面２０ｓが構成され、透光性ウエハー７０のスペーサー用ウエハー６０とは反対側の面によって、第２ウエハー２０の第３面２０ｔが構成される。また、貫通穴６６（第１貫通穴６６ａおよび第２貫通穴６６ｂ）の一方の開口端は、透光性ウエハー７０によって塞がれ、底部が透光性の凹部２１（第１凹部２１ａおよび第２凹部２１ｂ）となる。
【００４３】
次に、接着工程では、図５に示す工程ｂ５において、ミラー５０に凹部２１が平面視（例えば、第１ウエハー１０を一方面１０ｓ側から見たときの平面視）で重なり、チップ側端子１７に溝２２が重なるように第１ウエハー１０の一方面１０ｓと第２ウエハー２０の第２面２０ｓとを接着層７６によって接着する。その結果、第１ミラー５０ａに第１凹部２１ａが平面視で重なり、第２ミラー５０ｂに第２凹部２１ｂが平面視で重なり、第１チップ側端子１７ａ、第２チップ側端子１７ｂ、および第１チップ側端子１７ａと第２チップ側端子１７ｂとに挟まれた領域に共通の溝２２が平面視で重なる。この状態で、第２ウエハー２０において第１凹部２１ａと溝２２とに挟まれた部分は、第１ミラー５０ａと第１チップ側端子１７ａとの間に接着され、第２ウエハー２０において第２凹部２１ｂと溝２２とに挟まれた部分は、第２ミラー５０ｂと第２チップ側端子１７ｂとの間に接着される。従って、第１チップ側端子１７ａおよび第２チップ側端子１７ｂは、第２ウエハー２０とは接着されない。
【００４４】
次に、図５に示す工程ｃ５（第２ウエハーダイシング工程）において、第２ウエハー用ダイシングブレード８２（第１ダイシングブレード）を第２ウエハー２０の第２面２０ｓとは反対側の面からなる第３面２０ｔから進入させて溝２２に沿って第２ウエハー２０をダイシングする。その結果、第２ウエハー２０が分割され、第２ウエハー２０のうち、透光性ウエハー７０から分割された平板部分によってカバー７１が構成され、スペーサー用ウエハー６０から分割された枠部分によってスペーサー６１が構成される。本形態において、第２ウエハー用ダイシングブレード８２の厚さＷ２は、溝２２の幅Ｗ０と同等である。
【００４５】
次に、図５に示す工程ｄ５（第１ウエハーダイシング工程）では、第１ウエハー用ダイシングブレード８１（第２ダイシングブレード）によって、第１ウエハー１０において素子基板１が分割される領域（第１チップ側端子１７ａと第２チップ側端子１７ｂとに挟まれた領域）に沿って第１ウエハー１０をダイシングする。その結果、第１ウエハー１０は、第１チップ側端子１７ａと第２チップ側端子１７ｂとの間でダイシングされる。本形態において、第１ウエハー用ダイシングブレード８１の厚さＷ１は、第２ウエハー用ダイシングブレード８２の厚さＷ２より薄い。従って、第１ウエハーダイシング工程では、第１ウエハー用ダイシングブレード８１を第１ウエハー１０に対して第２ウエハー２０の側から、第２ウエハー２０の切断個所（隣り合うカバー７１の間、および隣り合うスペーサー６１の間）に進入させて第１ウエハー１０をダイシングする。
【００４６】
その結果、ミラー５０が複数形成された素子基板１の一方面１ｓがスペーサー６１およびカバー７１によって封止された電気光学装置１００が複数製造される。本形態では、電気光学装置１００を、さらに図４に示すように、配線基板９０、無機膜８および封止材９８によって封止する。
【００４７】
まず、図７に示す工程ａ７では、基板実装部９３が側板部９２に囲まれた凹部になった配線基板９０を準備した後、図７に示す工程ｂ７（チップ設置工程）では、基板実装部９３の底部にチップ２（素子基板１）を接着層９７によって固定する。その結果、配線基板９０の一方面９１ｓに、ミラー５０および駆動素子３０（図３参照）が形成されたチップ２、平面視でミラー５０を覆うカバー７１、およびカバー７１とチップ２の間に位置するスペーサー６１が設けられる。
【００４８】
次に、図７に示す工程ｃ７（接続工程）では、素子基板１のチップ側端子１７と配線基板９０の内部端子９４とを導電部材９９によって電気的に接続する。
【００４９】
次に、図８に示す無機膜形成工程において、カバー７１とスペーサー６１との境界７９、およびスペーサー６１とチップ２との境界７７を覆う無機膜８を形成する。本形態では、図８に示す工程ｂ８（成膜工程）においてカバー７１を覆うように無機膜８を成膜した後、図８に示す工程ｃ８（無機膜除去工程）において、カバー７１のミラー５０とは反対側の面である外面７４に重なる無機膜８を除去する。かかる無機膜除去工程を行うにあたって、図８に示す工程ａ８において、カバー７１の外面７４にテープ状の保護部材８５を設け、図８に示す工程ｂ８（成膜工程）においては、カバー７１の外面７４を保護部材８５で覆った状態で無機膜８を成膜する。そして、図８に示す工程ｃ８（無機膜除去工程）では、カバー７１の外面７４から保護部材８５を除去し、保護部材８５を覆う無機膜８を除去する。従って、カバー７１の外面７４に重なる無機膜８を容易に除去することができる。
【００５０】
本形態では、図８に示す無機膜形成工程を終了した時点で、無機膜８がワイヤーからなる導電部材９９を覆っている。また、無機膜８は、チップ側端子１７において導電部材９９が接合している部分を除く部分（一部）を覆うとともに、内部端子９４において導電部材９９が接合している部分を除く部分（一部）を覆っている。また、無機膜８は、配線基板９０の底板部９１の一方面９１ｓ、側板部９２の内面９２ｓ、および先端面９２ｔを覆っている。
【００５１】
図８に示す工程ｂ８（成膜工程）では、無機膜８を原子層堆積法（ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法）や化学的気相成長法（ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法）等により成膜する。例えば、原子層堆積法により、無機膜８として、酸化シリコン膜、酸化アルミウニム膜、酸化タンタル膜、酸化チタン膜、酸化ニオブ膜、酸化ハフニウム膜等の酸化膜や、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化タンタル膜、窒化チタン膜、窒化ニオブ膜、窒化ハフニウム膜等の窒化膜等の単層膜または多層膜を形成する。原子層堆積法によれば、段差の被覆性に優れているので、カバー７１とスペーサー６１との境界７７、およびチップ２とスペーサー６１の境界７９を無機膜８によって確実に覆うことができる。本形態において、無機膜８は、酸化アルミニウム膜であり、絶縁膜である。
【００５２】
しかる後には、図４に示すように、配線基板９０の側板部９２の内側に封止材９８を注入した後、封止材９８を硬化させ、封止材９８によって素子基板１を封止する。その結果、ミラー５０がスペーサー６１、カバー７１、配線基板９０、無機膜８および封止材９８によって封止された電気光学装置１００を得ることができる。
【００５３】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００およびその製造方法では、透光性のカバー７１とスペーサー６１との境界７９、およびチップ２とスペーサー６１の境界７７が無機膜８によって覆われており、無機膜８は、カバー７１、スペーサー６１およびチップ２に対する成膜工程を経て形成される。このため、無機膜８は、カバー７１、スペーサー６１およびチップ２との密着性が高い。従って、無機膜８とカバー７１との間から水分が侵入しにくいので、カバー７１とスペーサー６１との境界７９、およびチップ２とスペーサー６１との境界７７を通って、ミラー５０が配置されている空間に水分が侵入しようとすることを効果的に抑制することができる。このため、ミラー５０の周辺に付着した水滴によってミラー５０が傾いた姿勢で吸着される等の不具合が発生しにくい。
【００５４】
また、本形態では、無機膜８が導電部材９９を覆っており、無機膜８は、導電部材９９の保護膜として機能する。このため、封止材９８を設ける際の圧力によって、導電部材９９が断線することを抑制することができる。また、無機膜８が絶縁膜であるので、導電部材９９同士の短絡等を防止することができる。
【００５５】
また、チップ２とスペーサー６１の境界７７、および透光性のカバー７１とスペーサー６１との境界７９に設けられた接着層７６、７８は、エポキシ系接着剤等のＯＨ基を有しているため、接着層上で原子層堆積法による化学反応が速やかに進行し、接着層と無機膜との密着性が向上する。それ故、ミラー５０の劣化を抑制することができる。
【００５６】
（電気光学装置１００の別の製造方法）
図９は、本発明を適用した電気光学装置１００の別の製造方法においてチップ２を封止する無機膜８の形成方法を示す工程断面図である。
【００５７】
本形態でも、図７を参照した工程ａ７（チップ設置工程）において、配線基板９０の一方面９１ｓに、ミラー５０および駆動素子３０（図３参照）が形成されたチップ２、平面視でミラー５０を覆うカバー７１、およびカバー７１とチップ２の間に位置するスペーサー６１を設ける。次に、図９に示す無機膜形成工程において、カバー７１とスペーサー６１との境界７９、およびスペーサー６１とチップ２との境界７７を覆う無機膜８を形成する。
【００５８】
本形態では、図９に示す工程ａ９（成膜工程）においてカバー７１を覆うように無機膜８を成膜した後、図９に示す工程ｂ９（無機膜除去工程）において、カバー７１のミラー５０の外面７４に重なる無機膜８を除去する。かかる無機膜除去工程を行うにあたって、本形態では、矢印Ｅで示すように、カバー７１の外面７４に対して垂直な方向にエッチング指向性を有する異方性エッチングを行い、カバー７１の外面７４に重なる無機膜８を除去する。その結果、カバー７１とスペーサー６１との境界７９、およびスペーサー６１とチップ２との境界７７を覆う無機膜８が形成される。但し、無機膜除去工程では、導電部材９９、チップ側端子１７および内部端子９４を覆う無機膜８や、配線基板９０の底板部９１や側板部９２の先端面９２ｔを覆う無機膜８が除去され、配線基板９０では、側板部９２の内面９２ｓのみが無機膜８で覆われる。
【００５９】
その後、図４に示すように、配線基板９０の側板部９２の内側に封止材９８を注入した後、封止材９８を硬化させ、封止材９８によって素子基板１を封止する。その結果、ミラー５０がスペーサー６１、カバー７１、配線基板９０、無機膜８および封止材９８によって封止された電気光学装置１００を得ることができる。
【００６０】
かかる製造方法でも、無機膜８は、カバー７１、スペーサー６１およびチップ２との密着性が高いので、無機膜８とカバー７１との間から水分が侵入しにくいので、カバー７１とスペーサー６１との境界７９、およびチップ２とスペーサー６１との境界７７を通って、ミラー５０が配置されている空間に水分が侵入しようとすることを効果的に抑制することができる。このため、ミラー５０の周辺に付着した水滴によってミラー５０が傾いた姿勢で吸着される等の不具合が発生しにくい等の効果を奏する。
【００６１】
（他の実施の形態）
上記実施の形態では、内部端子９４（第１端子）とチップ側端子１７（第２端子）とをワイヤーボンディング用のワイヤーによって電気的に接続したが、チップ２が面実装タイプになっている場合に本発明を適用してもよい。この場合、チップ２と重なる位置に内部端子９４（第１端子）およびチップ側端子１７（第２端子）が設けられるため、無機膜８で覆われることがない。
【符号の説明】
【００６２】
１…素子基板、１ｓ…素子基板の一方面、２ｓ…チップの一方面、９１ｓ…配線基板の一方面、２…チップ、８…無機膜、１０…第１ウエハー、１７…チップ側端子（第２端子）、２０…第２ウエハー、３０…駆動素子、５０…ミラー、６０…スペーサー用ウエハー、６１…スペーサー、６１ｗ…スペーサーの、７１ｗ…カバーの側面、７０…透光性ウエハー、７１…カバー、７４…カバーの外面、７５…封止部材、７６、７８、９７…接着層、７７、７９…境界、８５…保護部材、９０…配線基板、９１…底板部、９２…側板部、９２ｓ…内面、９２ｔ…先端面、９３…基板実装部、９４…内部端子（第１端子）、９８…封止材、９９…導電部材、１００…電気光学装置、１０００…投射型表示装置、１００２…光源部、１００４…投射光学系、１０２０…光源、１１００…被投射物。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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