(57)【要約】      （修正有）【課題】特性を向上させることが可能な光電変換素子を提供する。【解決手段】光電変換素子は、半導体基板１の第１の面１ｂ側の第１導電型非晶質半導体膜３と第２導電型非晶質半導体膜５とを備えている。半導体基板１と第２導電型非晶質半導体膜５との間に第２のｉ型非晶質半導体膜４を備えている。半導体基板１と第２のｉ型非晶質半導体膜４との間に介在するｉ型非晶質半導体膜２を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面および第２の面を有する第１導電型または第２導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１の面側の第１導電型非晶質半導体膜と、
前記半導体基板の前記第１の面側の第２導電型非晶質半導体膜と、
前記半導体基板と前記第１導電型非晶質半導体膜との間の第１のｉ型非晶質半導体膜と、
前記半導体基板と前記第２導電型非晶質半導体膜との間の第２のｉ型非晶質半導体膜と、
前記第１導電型非晶質半導体膜上の第１電極と、
前記第２導電型非晶質半導体膜上の第２電極と、
前記半導体基板と前記第２のｉ型非晶質半導体膜との間に介在するｉ型非晶質半導体膜と、を備えた、光電変換素子。
【請求項２】
前記介在するｉ型非晶質半導体膜は、前記第１のｉ型非晶質半導体膜が前記半導体基板と前記第２のｉ型非晶質半導体膜との間に延在した部分を含む、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記第１のｉ型非晶質半導体膜の厚さは、前記介在するｉ型非晶質半導体膜の厚さと異なっている、請求項１または請求項２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記介在するｉ型非晶質半導体膜の厚さは、前記第１のｉ型非晶質半導体膜の厚さよりも薄い、請求項３に記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記第２のｉ型非晶質半導体膜と前記第２導電型非晶質半導体膜との積層体と、前記第１導電型非晶質半導体膜との間には間隔が設けられており、
前記間隔に位置する前記介在するｉ型非晶質半導体膜上に絶縁膜をさらに備えた、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項６】
半導体基板の第１の面上に第１のｉ型非晶質半導体膜と第１導電型非晶質半導体膜とをこの順に形成する工程と、
前記第１導電型非晶質半導体膜の一部を厚さ方向に除去するとともに、前記第１のｉ型非晶質半導体膜の一部を厚さ方向に一部残すように除去する工程と、
前記第２のｉ型非晶質半導体膜と前記第２導電型非晶質半導体膜とをこの順に形成する工程と、
前記第１導電型非晶質半導体膜上に第１電極を形成する工程と、
前記第２導電型非晶質半導体膜上に第２電極を形成する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換素子および光電変換素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
裏面接合型太陽電池セルは、従来、結晶シリコン基板の受光面側に設けられていたｐｎ接合および電極を結晶シリコン基板の裏面側に形成することによって、結晶シリコン基板の受光面側に設けられる電極による影をなくし、太陽光をより多く吸収する高効率の太陽電池である。
【０００３】
このような裏面接合型太陽電池セルとしては、結晶シリコン基板の裏面に不純物を熱拡散することによってｐｎ接合を形成したものが量産されている。また、さらに高効率の裏面接合型太陽電池セルとするために、結晶シリコン基板の裏面にアモルファスシリコン層を形成したヘテロ接合型バックコンタクトセルの開発が進められている。
【０００４】
たとえば特許文献１には、以下の裏面接合型太陽電池セルの製造方法が記載されている。まず、半導体基板の裏面上にｉ型非晶質半導体層、ｎ型非晶質半導体層および絶縁層をこの順に積層した後に、絶縁層の一部を除去し、残部の絶縁層をマスクとしてｉ型非晶質半導体層およびｎ型非晶質半導体層のアルカリエッチングを行って半導体基板の裏面の一部を露出させる。次に、半導体基板の露出した裏面ならびにｉ型非晶質半導体層、ｎ型非晶質半導体層および絶縁層の積層体を覆うようにｉ型非晶質半導体層およびｐ型非晶質半導体層をこの順に積層する。次に、ｉ型非晶質半導体層およびｐ型非晶質半導体層のそれぞれの一部をエッチングすることによって絶縁層の一部を露出させ、露出した絶縁層を厚さ方向にエッチングすることによってｐ型非晶質半導体層を露出させる。その後、ｎ型非晶質半導体層上およびｐ型非晶質半導体層上のそれぞれに電極を形成することによって、裏面接合型太陽電池セルとする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−８０８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載されているような裏面接合型太陽電池セルの技術分野においては、特性をさらに向上させることが要望されている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ここで開示された実施形態は、第１の面および第２の面を有する第１導電型または第２導電型の半導体基板と、半導体基板の第１の面側の第１導電型非晶質半導体膜と、半導体基板の第１の面側の第２導電型非晶質半導体膜と、半導体基板と第１導電型非晶質半導体膜との間の第１のｉ型非晶質半導体膜と、半導体基板と第２導電型非晶質半導体膜との間の第２のｉ型非晶質半導体膜と、第１導電型非晶質半導体膜上の第１電極と、第２導電型非晶質半導体膜上の第２電極と、半導体基板と第２のｉ型非晶質半導体膜との間に介在するｉ型非晶質半導体膜と、を備えた、光電変換素子である。
【０００８】
ここで開示された実施形態は、半導体基板の第１の面上に第１のｉ型非晶質半導体膜と第１導電型非晶質半導体膜とをこの順に形成する工程と、第１導電型非晶質半導体膜の一部を厚さ方向に除去するとともに、第１のｉ型非晶質半導体膜の一部を厚さ方向に一部残すように除去する工程と、第２のｉ型非晶質半導体膜と第２導電型非晶質半導体膜とをこの順に形成する工程と、第１導電型非晶質半導体膜上に第１電極を形成する工程と、第２導電型非晶質半導体膜上に第２電極を形成する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
ここで開示された実施形態によれば、特性を向上させることが可能な光電変換素子を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルの模式的な断面図である。
【図２】実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図である。
【図３】実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図である。
【図４】実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図である。
【図５】実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図である。
【図６】実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図である。
【図７】実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図である。
【図８】実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図である。
【図９】実施形態２のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図である。
【図１０】実施形態３のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図である。
【図１１】実施形態４のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図である。
【図１２】実施形態４のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図である。
【図１３】実施形態４のヘテロ接合型バックコンタクトセルの好ましい変形例の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、ここで開示される実施形態の光電変換素子の一例としての実施形態１〜４のヘテロ接合型バックコンタクトセルについて説明する。なお、実施形態の説明に用いられる図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１２】
［実施形態１］
＜ヘテロ接合型バックコンタクトセルの構造＞
図１に、実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルの模式的な断面図を示す。図１に示すように、実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、ｐ型またはｎ型の半導体基板１を備えている。半導体基板１は、受光面１ａと、受光面１ａと向かい合う裏面１ｂとを備えている。半導体基板１の受光面１ａ上には誘電体膜６が設けられており、半導体基板１の裏面１ｂ上には、半導体基板１の裏面１ｂの全面を覆う第１のｉ型非晶質半導体膜２が設けられている。
【００１３】
第１のｉ型非晶質半導体膜２の厚さＴ１を有する領域上には、ｐ型非晶質半導体膜３が設けられている。第１のｉ型非晶質半導体膜２の厚さＴ２を有する領域上には、第２のｉ型非晶質半導体膜４とｎ型非晶質半導体膜５とがこの順に積層されている。すなわち、半導体基板１の裏面１ｂと、第２のｉ型非晶質半導体膜４との間には、第１のｉ型非晶質半導体膜２の延在した部分が介在している。
【００１４】
ｐ型非晶質半導体膜３が位置している部分の第１のｉ型非晶質半導体膜２の厚さＴ１と、それ以外の部分（第２のｉ型非晶質半導体膜４とｎ型非晶質半導体膜５との積層体が位置している部分）の第１のｉ型非晶質半導体膜２の厚さＴ２とは異なっており、厚さＴ１は厚さＴ２よりも厚くなっている（Ｔ１＞Ｔ２）。第２のｉ型非晶質半導体膜４とｎ型非晶質半導体膜５との積層体の端部は第１のｉ型非晶質半導体膜２とｐ型非晶質半導体膜３との積層体の端部上に重なっている。
【００１５】
ｐ型非晶質半導体膜３上にはｐ電極７が設けられており、ｎ型非晶質半導体膜５上にはｎ電極８が設けられている。
【００１６】
＜ヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法＞
以下、図２〜図８の模式的断面図を参照して、実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、半導体基板１の受光面１ａ上に誘電体膜６を形成する。誘電体膜６の形成方法は特に限定されないが、たとえばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いることができる。
【００１７】
次に、図３に示すように、半導体基板１の裏面１ｂの全面に第１のｉ型非晶質半導体膜２およびｐ型非晶質半導体膜３をこの順に積層する。第１のｉ型非晶質半導体膜２およびｐ型非晶質半導体膜３の形成方法は特に限定されないが、たとえばプラズマＣＶＤ法を用いることができる。
【００１８】
半導体基板１としては、ｐ型またはｎ型の単結晶シリコン基板を好適に用いることができるがこれに限定されず、たとえば従来から公知のｐ型またはｎ型の半導体基板を適宜用いることができる。
【００１９】
第１のｉ型非晶質半導体膜２としては、ｉ型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがｉ型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のｉ型非晶質半導体膜を用いることもできる。
【００２０】
なお、本実施形態において、「ｉ型」とは、完全な真性の状態だけでなく、十分に低濃度（ｎ型不純物濃度が１×１０15個／ｃｍ3未満、かつｐ型不純物濃度が１×１０15個／ｃｍ3未満）であればｎ型またはｐ型の不純物が混入された状態のものも含む意味である。
【００２１】
また、本実施形態において、「非晶質シリコン」には、シリコン原子の未結合手（ダングリングボンド）が水素で終端されていない非晶質シリコンだけでなく、水素化非晶質シリコンなどのシリコン原子の未結合手が水素等で終端されたものも含まれるものとする。
【００２２】
ｐ型非晶質半導体膜３としては、ｐ型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがｐ型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のｐ型非晶質半導体膜を用いることもできる。
【００２３】
ｐ型非晶質半導体膜３に含まれるｐ型不純物としては、たとえばボロンを用いることができる。また、本実施形態において、「ｐ型」とは、ｐ型不純物濃度が１×１０15個／ｃｍ3以上の状態を意味する。
【００２４】
次に、図４に示すように、ｐ型非晶質半導体膜３の一部の領域上にエッチングペースト９を塗布する。ここで、エッチングペースト９としては、たとえば、ｐ型非晶質半導体膜３の一部の領域を厚さ方向にすべて除去することができるとともに、第１のｉ型非晶質半導体膜２の一部の領域を厚さ方向に一部残すように除去することが可能なエッチングペーストを用いることができる。従前のエッチングペーストを用いたエッチング技術では、薄膜の第１のｉ型非晶質半導体膜２を厚さ方向に一部残すことは困難であったが、エッチングペーストを用いたエッチング技術の発展により、薄膜の第１のｉ型非晶質半導体膜２を厚さ方向に一部残すことも可能となっている。
【００２５】
次に、エッチングペースト９を加熱することによって、図５に示すように、ｐ型非晶質半導体膜３の一部を厚さ方向にすべて除去するとともに、第１のｉ型非晶質半導体膜２の一部を厚さ方向に一部残す。これにより、エッチングペースト９が塗布されていない第１のｉ型非晶質半導体膜２の部分においては厚さＴ１が維持され、エッチングペースト９が塗布された第１のｉ型非晶質半導体膜２の部分においては厚さがＴ１からＴ２に低減する。
【００２６】
次に、図６に示すように、第１のｉ型非晶質半導体膜２およびｐ型非晶質半導体膜３を覆うように第２のｉ型非晶質半導体膜４およびｎ型非晶質半導体膜５をこの順に積層する。第２のｉ型非晶質半導体膜４およびｎ型非晶質半導体膜５の形成方法は特に限定されないが、たとえばプラズマＣＶＤ法を用いることができる。
【００２７】
第２のｉ型非晶質半導体膜４としては、ｉ型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがｉ型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のｉ型非晶質半導体膜を用いることもできる。
【００２８】
ｎ型非晶質半導体膜５としては、ｎ型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがｎ型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のｎ型非晶質半導体膜を用いることもできる。
【００２９】
なお、ｎ型非晶質半導体膜５を構成するｎ型非晶質シリコン膜に含まれるｎ型不純物としては、たとえばリンを用いることができる。また、本実施形態において、「ｎ型」とは、ｎ型不純物濃度が１×１０15個／ｃｍ3以上の状態を意味する。
【００３０】
次に、図７に示すように、ｎ型非晶質半導体膜５の一部の領域上にエッチングペースト１０を塗布する。ここで、エッチングペースト１０としては、たとえば、ｉ型非晶質半導体膜４とｎ型非晶質半導体膜５との積層体を厚さ方向にすべて除去することが可能なエッチングペーストを用いることができる。
【００３１】
次に、エッチングペースト１０を加熱することによって、図８に示すように、ｉ型非晶質半導体膜４とｎ型非晶質半導体膜５との積層体の一部の領域を厚さ方向にすべて除去する。これにより、ｐ型非晶質半導体膜３の一部の表面が露出する。
【００３２】
その後、図１に示すように、ｐ型非晶質半導体膜３上にｐ電極７を形成するとともに、ｎ型非晶質半導体膜５上にｎ電極８を形成することによって、実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルを製造することができる。
【００３３】
特許文献１の裏面接合型太陽電池セルは、半導体基板の裏面上へのｉ型非晶質半導体層とｎ型非晶質半導体層と絶縁層との積層体の形成後に、ｉ型非晶質半導体層およびｐ型非晶質半導体層の積層体を半導体基板の露出した裏面に接触させる必要があるために、半導体基板の裏面を被覆しているｉ型非晶質半導体層とｎ型非晶質半導体層と絶縁層との積層体の一部を除去して半導体基板の裏面を露出させる必要がある。このとき、半導体基板の露出した裏面が外気に曝されることにより、半導体基板の裏面が汚染され、ｐ型非晶質半導体層の下方のｉ型非晶質半導体層による半導体基板の裏面のパッシベーション性が低下することがあった。
【００３４】
一方、実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、半導体基板１の裏面１ｂにｉ型非晶質半導体膜２を形成した後には、ヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造中に半導体基板１の裏面１ｂを外気に曝す必要がない。これにより、実施形態１においては、半導体基板１の裏面１ｂが外気に曝されることによるパッシベーション性の低下を抑制することができるため、半導体基板１の裏面１ｂが外気に曝される場合と比べて、特性を向上させることが可能となる。
【００３５】
また、実施形態１のヘテロ接合型バックコンタクトセルにおいては、半導体基板１の裏面１ｂが外気に曝されることによって生じた汚染を除去するための洗浄工程を行なう必要がないため、コストを抑えて作製することも可能である。
【００３６】
なお、半導体基板１の裏面１ｂの全面をｉ型非晶質半導体膜２で覆うことが好ましいことは言うまでもないが、必ずしも全面に限定されるものでもなく、特性向上の効果が得られる範囲で、半導体基板１の裏面１ｂが第１のｉ型非晶質半導体膜２によって覆われていればよい。
【００３７】
また、上記においては、ｎ型とｐ型とが入れ替わっていてもよいことは言うまでもない。
【００３８】
［実施形態２］
図９に、実施形態２のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図を示す。実施形態２においては、レーザ光１１の照射により、ｐ型非晶質半導体膜３の一部を厚さ方向にすべて除去するとともに、第１のｉ型非晶質半導体膜２の一部を厚さ方向に一部残すことを特徴としている。
【００３９】
実施形態２における上記以外の説明は実施形態１と同様であるため、その説明については繰り返さない。
【００４０】
［実施形態３］
図１０に、実施形態３のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明するための模式的な断面図を示す。実施形態３においては、フォトレジスト膜２１をマスクとして用いたフォトエッチングにより、ｐ型非晶質半導体膜３の一部を厚さ方向にすべて除去するとともに、ｉ型非晶質半導体膜２の一部を厚さ方向に一部残すことを特徴としている。
【００４１】
実施形態３における上記以外の説明は実施形態１と同様であるため、その説明については繰り返さない。
【００４２】
［実施形態４］
図１１に、実施形態４のヘテロ接合型バックコンタクトセルの模式的な断面図を示す。実施形態４のヘテロ接合型バックコンタクトセルにおいては、第２のｉ型非晶質半導体膜４と第２導電型非晶質半導体膜５との積層体と、第１導電型非晶質半導体膜３との間に間隔５１が設けられていることを特徴としている。
【００４３】
以下、図１２の模式的断面図を参照して、実施形態４のヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法の一例について説明する。実施形態４においては、図１２に示すように、厚さ方向に一部残すように除去されたｉ型非晶質半導体膜２上に、メタルマスク３１をマスクとして用いて、ｉ型非晶質半導体膜４とｎ型非晶質半導体膜５とをこの順に積層することを特徴としている。
【００４４】
図１３に、実施形態４のヘテロ接合型バックコンタクトセルの好ましい変形例の模式的な断面図を示す。図１３に示す例においては、第２のｉ型非晶質半導体膜４と第２導電型非晶質半導体膜５との積層体と、第１導電型非晶質半導体膜３との間に間隔５１に位置する第１のｉ型非晶質半導体膜２上に絶縁膜４１がさらに設けられていることを特徴としている。この場合には、絶縁膜４１によって、半導体基板１の裏面１ｂの厚さＴ２の部分の第１のｉ型非晶質半導体膜２の部分の厚さを増大することができるため、半導体基板１の裏面１ｂのパッシベーション性をさらに向上することができる。
【００４５】
実施形態４における上記以外の説明は実施形態１〜３と同様であるため、その説明については繰り返さない。
【００４６】
［付記］
（１）ここで開示された実施形態は、第１の面および第２の面を有する第１導電型または第２導電型の半導体基板と、半導体基板の第１の面側の第１導電型非晶質半導体膜と、半導体基板の第１の面側の第２導電型非晶質半導体膜と、半導体基板と第１導電型非晶質半導体膜との間の第１のｉ型非晶質半導体膜と、半導体基板と第２導電型非晶質半導体膜との間の第２のｉ型非晶質半導体膜と、第１導電型非晶質半導体膜上の第１電極と、第２導電型非晶質半導体膜上の第２電極と、半導体基板と第２のｉ型非晶質半導体膜との間に介在するｉ型非晶質半導体膜と、を備えた、光電変換素子である。このような構成とすることにより、特性を向上させることが可能な光電変換素子を提供することが可能となる。
【００４７】
（２）ここで開示された実施形態の光電変換素子においては、介在するｉ型非晶質半導体膜は、第１のｉ型非晶質半導体膜が半導体基板と第２のｉ型非晶質半導体膜との間に延在した部分を含んでいてもよい。この場合にも、特性を向上させることが可能な光電変換素子を提供することが可能となる。
【００４８】
（３）ここで開示された実施形態の光電変換素子においては、第１のｉ型非晶質半導体膜の厚さは、介在するｉ型非晶質半導体膜の厚さと異なっていてもよい。この場合にも、特性を向上させることが可能な光電変換素子を提供することが可能となる。
【００４９】
（４）ここで開示された実施形態の光電変換素子においては、介在するｉ型非晶質半導体膜の厚さは、第１のｉ型非晶質半導体膜の厚さよりも薄くてもよい。この場合にも、特性を向上させることが可能な光電変換素子を提供することが可能となる。
【００５０】
（５）ここで開示された実施形態の光電変換素子においては、第２のｉ型非晶質半導体膜と第２導電型非晶質半導体膜との積層体と、第１導電型非晶質半導体膜との間に間隔が設けられており、間隔に位置する介在するｉ型非晶質半導体膜上に絶縁膜がさらに備えられていてもよい。この場合にも、特性を向上させることが可能な光電変換素子を提供することが可能となる。
【００５１】
（６）ここで開示された実施形態は、半導体基板の第１の面上に第１のｉ型非晶質半導体膜と第１導電型非晶質半導体膜とをこの順に形成する工程と、第１導電型非晶質半導体膜の一部を厚さ方向に除去するとともに、第１のｉ型非晶質半導体膜の一部を厚さ方向に一部残すように除去する工程と、第２のｉ型非晶質半導体膜と第２導電型非晶質半導体膜とをこの順に形成する工程と、第１導電型非晶質半導体膜上に第１電極を形成する工程と、第２導電型非晶質半導体膜上に第２電極を形成する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法である。この場合にも、特性を向上させることが可能な光電変換素子を製造することが可能となる。
【００５２】
（７）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、第１導電型非晶質半導体膜および第１のｉ型非晶質半導体膜は、エッチングペースト、フォトエッチング、およびレーザ光の照射からなる群から選択された少なくとも１つの方法により除去されてもよい。この場合にも、特性を向上させることが可能な光電変換素子を製造することが可能となる。
【００５３】
（８）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法は、第２導電型非晶質半導体膜の一部を厚さ方向に除去するとともに第２のｉ型非晶質半導体膜の一部を厚さ方向に除去して第１導電型非晶質半導体膜を露出させる工程をさらに含み、第２のｉ型非晶質半導体膜と第２導電型非晶質半導体膜とは、第１導電型非晶質半導体膜上にこの順に形成されてもよい。この場合にも、特性を向上させることが可能な光電変換素子を製造することが可能となる。
【００５４】
（９）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、第２のｉ型非晶質半導体膜および第２導電型非晶質半導体膜は、エッチングペースト、フォトエッチング、およびレーザ光の照射からなる群から選択された少なくとも１つの方法により除去されてもよい。この場合にも、特性を向上させることが可能な光電変換素子を製造することが可能となる。
【００５５】
（１０）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、第２のｉ型非晶質半導体膜および第２導電型非晶質半導体膜をこの順に形成する工程は、メタルマスクを用いて、第２のｉ型非晶質半導体膜と第２導電型非晶質半導体膜とをこの順に形成する工程を含んでいてもよい。この場合にも、特性を向上させることが可能な光電変換素子を製造することが可能となる。
【００５６】
以上のように実施形態について説明を行なったが、上述の各実施形態の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【００５７】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
ここで開示された実施形態は、光電変換素子および光電変換素子の製造方法に利用することができ、好適にはヘテロ接合型バックコンタクトセルおよびヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造方法に利用できる可能性がある。
【符号の説明】
【００５９】
１  半導体基板、１ａ  受光面、１ｂ  裏面、２  第１のｉ型非晶質半導体膜、３  ｐ型非晶質半導体膜、４  第２のｉ型非晶質半導体膜、５  ｎ型非晶質半導体膜、６  誘電体膜、７  ｐ電極、８  ｎ電極、９，１０  エッチングペースト、１１  レーザ光、２１  フォトレジスト膜、３１  メタルマスク、４１  絶縁膜、５１  間隔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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