(57)【要約】【課題】シャッタ体からの光漏れが起きにくい光シャッタ基板を提案する。【手段】アクティブマトリクス層（１９）と、アクティブマトリクス層上に設けられ、シャッタ体のスライドによって光源（ＢＬ）からの光を遮断あるいはアクティブマトリクス層側に通過させる光シャッタ機構とを備えた光シャッタ基板（２０）であって、前記シャッタ体は、アクティブマトリクス層（１９）に向けて突出し、光源側からみるとアクティブマトリクス層側に窪んだ凹部（２８ｒ）を有し、凹部（２８ｒ）は、開口部（２８ａ）よりも底部（２８ｂ）が小さい形状である。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス層と、アクティブマトリクス層上に設けられ、シャッタ体のスライドによって光源からの光を遮断あるいはアクティブマトリクス層側に通過させる光シャッタ機構とを備えた光シャッタ基板であって、
前記シャッタ体は、アクティブマトリクス層に向けて突出し、前記光シャッタ機構に対してアクティブマトリクス層の反対側からみるとアクティブマトリクス層側に窪んだ凹部を有し、
前記凹部は、開口部よりも底部が小さい形状であることを特徴とする光シャッタ基板。
【請求項２】
前記凹部は、アクティブマトリクス層側に向けて幅が小さくなることを特徴とする請求項１記載の光シャッタ基板。
【請求項３】
前記凹部は、基板法線に対して傾きをもつ遮光性金属膜を含むことを特徴とする請求項１または２記載の光シャッタ基板。
【請求項４】
前記凹部は、アクティブマトリクス基板側に凸となる曲面形状の遮光性金属膜を含むことを特徴とする請求項３記載の光シャッタ基板。
【請求項５】
前記光シャッタ機構は、シャッタ体をスライドさせるためのビームを有し、
前記凹部の内側面の法線と基板面とがなす角は、ビームの側面の法線と基板面とがなす角よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光シャッタ基板。
【請求項６】
前記凹部の開口位置とビームの上面の高さが等しく、
前記凹部の最深位置とビームの下面の高さが等しく、
凹部の開口位置から最深位置までの経路長が、ビームの上面から下面までの経路長よりも大きいことを特徴とする請求項５記載の光シャッタ基板。
【請求項７】
前記凹部は、前記遮光性金属膜を挟む保護膜および導電膜を含むことを特徴とする請求項３または４に記載の光シャッタ基板。
【請求項８】
光シャッタ機構は、保護膜および導電膜を含み、遮光性金属膜を含まないビームを有することを特徴とする請求項７記載の光シャッタ基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の光シャッタ基板を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の光シャッタ基板を備えることを特徴とするプリンタヘッド。
【請求項１１】
アクティブマトリクス層上に設けられ、シャッタ体とビームとを備える光シャッタ機構の製造方法であって、
アクティブマトリクス層の上層に形成された犠牲膜の第１および第２エリアにフォトリソグラフィを行い、フォトリソグラフィが行われた犠牲膜の形状に従うように成膜を行うことで、第１エリアに前記シャッタ体の凹部を形成し、第２エリアに前記ビームを形成する光シャッタ機構の製造方法であって、
前記フォトリソグラフィでは、第１エリアへの露光量を、第１および第２エリアの間隙エリアへの露光量よりも小さくすることを特徴とする光シャッタ機構の製造方法。
【請求項１２】
前記フォトリソグラフィによって第１エリアの犠牲膜に形成される第１ホールは、開口部よりも底部が小さい形状であることを特徴とする請求項１１記載の光シャッタ機構の製造方法。
【請求項１３】
前記第１ホールの側壁に沿った、開口位置から最深位置に至るまでの経路長が、前記フォトリソグラフィによって第２エリアの犠牲膜に形成される第２ホールの側壁に沿った、開口位置から最深位置に至るまでの経路長よりも大きいことを特徴とする請求項１２記載の光シャッタ機構の製造方法。
【請求項１４】
ハーフフォトマスク用い、１回の露光で、前記第１ホールを形成することを特徴とする請求項１２に記載の光シャッタ機構の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳを用いた光シャッタ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、表示装置の画素に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を用いた従来技術が開示されている。
【０００３】
この従来技術は、画素ごとに、シャッタ体および駆動ビームを含む光シャッタ機構と、駆動ビームに接続するトランジスタ（ＴＦＴ）とを設けて光シャッタ機構に光を照射し、シャッタ体の機械的な動作によって光を遮断あるいは通過させるものである。
【０００４】
具体的には、光シャッタ機構を通過した光が通る光透過経路を設けるとともに、シャッタ体に繋がるシャッタビーム（バネ）と対向するように駆動ビームを配置し、シャッタビームと駆動ビームとの間の静電気力によってシャッタビームを変形させ、シャッタ体をスライドさせることで、光透過経路からの出射光量を画素ごとに制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２５２２０５号公報（２０１２年１２月１０日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＭＥＭＳを用いた光シャッタ基板は、複数の薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクス層と、このアクティブマトリクス層の光源側に配され、光シャッタ機構を含むメカニカル層とを備える。光シャッタ機構のシャッタ体は、補強を目的とする立体形状部（例えば、アクティブマトリクス層側に凸となる形状をもつ部分）を有するが、この立体形状部の形成においては、基板面に対して垂直あるいはこれに近い角度になる箇所の厚みが小さくなり易く、この箇所から光漏れが生じることを発明者は見出した。
【０００７】
本発明の目的の１つは、シャッタ体からの光漏れが起きにくい光シャッタ基板を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る光シャッタ基板は、アクティブマトリクス層と、アクティブマトリクス層上に設けられ、シャッタ体のスライドによって光源からの光を遮断あるいはアクティブマトリクス層側に通過させる光シャッタ機構とを備えた光シャッタ基板であって、前記シャッタ体は、アクティブマトリクス層に向けて突出し、前記光シャッタ機構に対してアクティブマトリクス層の反対側からみるとアクティブマトリクス層側に窪んだ凹部を有し、前記凹部は、開口部よりも底部が小さい形状であるは、開口部よりも底部が小さい形状であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
前記光シャッタ基板によれば、シャッタ体の凹部（アクティブマトリクス層に向けて突出する部分）が薄くなることを防ぐことができ、シャッタ体からの光漏れを起きにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態１にかかる表示装置の構成を示す模式図ある。
【図２】実施形態１にかかる光シャッタ基板の構成を示す断面図である。
【図３】光シャッタ機構の構成を示す斜視図である。
【図４】実施形態１にかかる光シャッタ機構の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】実施形態１にかかる光シャッタ機構の製造方法の要部を示す断面図である。
【図６】実施形態１にかかる光シャッタ機構の各部の構成を示す断面図である。
【図７】実施形態２にかかる光シャッタ機構の製造方法を示す断面図である。
【図８】実施形態３にかかる３Ｄプリンタヘッドの構成を示す模式図ある。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
〔実施形態１〕
図１は実施形態１にかかる表示装置の構成を示す模式図であり、図２は実施形態１の光シャッタ装置の構成を示す断面図である。図１に示すように、実施形態１にかかる表示装置ＤＰは、光シャッタ基板１および光シャッタ基板１に対向する対向基板３０を含む光シャッタ装置ＳＤと、対向基板３０を介して光シャッタ基板１にＬＥＤ（発光ダイオード）光あるいはレーザ光を照射するバックライトＢＬとを備える。
【００１２】
図１・２に示すように、光シャッタ基板１は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むアクティブマトリクス層１９と、このアクティブマトリクス層のバックライト側に配され、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）である光シャッタ機構２１を含むメカニカル層２０とを備え、画素ごとに、光シャッタ機構２１と、光シャッタ機構２１を通過した光が通る光透過経路とが設けられている。
【００１３】
光シャッタ機構２１は、図１・２に示すように、シャッタ体２８と、シャッタ体２８の一側端に接続するシャッタビーム２３ｘと、他の側端に接続するシャッタビーム２３ｙと、シャッタビーム２３ｘと向かい合う駆動ビーム２２ｘと、シャッタビーム２３ｙと向かい合う駆動ビーム２２ｙと、シャッタビーム２３ｘに接続するシャッタアンカー２３ｂと、シャッタビーム２３ｙに接続するシャッタアンカー２３ｄと、駆動ビーム２２ｘに接続する駆動アンカー２２ｂと、駆動ビーム２３ｙに接続する駆動アンカー２２ｄとを含む。
【００１４】
シャッタビーム２３ｘはシャッタアンカー２３ｂを介してアクティブマトリクス層のシャッタ線に接続され、シャッタビーム２３ｙはシャッタアンカー２３ｄを介してアクティブマトリクス層のシャッタ線に接続され、駆動ビーム２２ｘは駆動アンカー２２ｂを介してアクティブマトリクス層のＴＦＴに接続され、駆動ビーム２２ｙは駆動アンカー２２ｄを介してアクティブマトリクス層の別のＴＦＴに接続されており、駆動ビーム２２ｘ・２２ｙの電位制御によってバネ状のシャッタビーム２３ｘ・２３ｙが変形し、シャッタ体２８が基板面に平行な方向にスライドすることで、光シャッタ機構２１および光透過経路を通って視認者側へ出射する光の量が制御される。
【００１５】
ここでは、例えばフィールドシーケンシャル方式を用い、赤色光、緑色光、および青色光をバックライトから順次照射し、赤色光の光量、緑色光の光量、および青色光の光量それぞれを調整することで画素の階調表現が可能となる。
【００１６】
以下、光シャッタ基板１については、バックライト光が入射する側の面を上面（上側の面）、その反対側で、光が出ていく側の面を下面（下側の面）として説明する。
【００１７】
図２に示すように、光シャッタ基板１のアクティブマトリクス層１９には、ガラス基板２と、ガラス基板２の上層に形成された下層金属膜５ｘ・５ｙと、下層金属膜５ｘ・５ｙの上層に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６の上層に形成された、半導体膜７ｘ・７ｙ（例えば、酸化物半導体膜）と、半導体膜７ｘ・７ｙの上層に形成されたエッチングストッパ膜８と、エッチングストッパ膜８の上層に形成された中層金属膜９ａ〜９ｄと、中層金属膜９ａ〜９ｄの上層に形成されたパッシベーション膜１０と、パッシベーション膜１０の上層に形成された平坦化膜１１（例えば、中層金属膜よりも厚く塗布することが可能な樹脂膜）と、平坦化膜１１の上層に形成された透光性金属膜１８と、透光性金属膜１８の上層に形成された上層金属膜１２ｃ・１２ｄとが含まれている。
【００１８】
なお、半導体膜７ｘは、中層金属膜９ａ・９ｂそれぞれと接触しており、中層金属膜９ｂは、パッシベーション膜１０および平坦化膜１１を貫通するコンタクトホールによって上層金属膜１２ｃに接続されている。すなわち、下層金属膜５ｘと、ゲート絶縁膜６と、半導体膜７ｘと、中層金属膜９ａ・９ｂとでＴＦＴが構成される。
【００１９】
また、半導体膜７ｙは、中層金属膜９ｃ・９ｄそれぞれと接触しており、中層金属膜９ｄは、パッシベーション膜１０および平坦化膜１１を貫通するコンタクトホールによって上層金属膜１２ｄに接続されている。すなわち、下層金属膜５ｙと、ゲート絶縁膜６と、半導体膜７ｙと、中層金属膜９ｃ・９ｄとでＴＦＴが構成される。
【００２０】
図１〜図３に示すように、光シャッタ基板１のメカニカル層２０には、シャッタ体２８、シャッタビーム２３ｘ・２３ｙ、および駆動ビーム２２ｘ・２２ｙを含む光シャッタ機構２１が設けられる。
【００２１】
図３は、光シャッタ機構の構成を示す斜視図である。図２および図３に示すように、シャッタ体２８は、アクティブマトリクス層１９に向けて突出し、光源ＢＬ側からみるとアクティブマトリクス層側に窪んだ凹部であるリブ形状部２８ｒと、開口２８ｋとを含む。リブ形状部２８ｒは、遮光性であり、シャッタ体２８の強度を高めるための折板構造を有する。なお、シャッタ体２８の両側にシャッタビーム２３ｘ・２３ｙが接続され、駆動ビーム２２ｙは、駆動アンカ２２ｄおよび上層金属膜１２ｄを介して中層金属膜９ｄ（ＴＦＴの導通電極）に接続されている。
【００２２】
光シャッタ機構２１では、図１および図２（ａ）のように、駆動ビーム２２ｘ・２２ｙの電位制御によってシャッタ体２８が駆動ビーム２２ｙ側に引き寄せられると、開（オープン）状態となり、図１および図２（ｂ）のように、駆動ビーム２２ｘ・２２ｙの電位制御によってシャッタ体２８が駆動ビーム２２ｘ側に引き寄せられると、閉（クローズ）状態となる。
【００２３】
図１・２に示す光シャッタ装置ＳＤでは、光シャッタ基板１とバックライトＢＬとの間に、ガラス基板３１上に金属等の対向遮光膜３３を形成してなる対向基板３０が設けられ、対向遮光膜３３に形成されたスリット３３ｓから、基板面に垂直な方向に向かって光シャッタ基板の下面に至る光透過経路ＬＷが形成されている。
【００２４】
そして、図２（ａ）のようにシャッタ体２８の開口２８ｋが光透過経路ＬＷと重なる（光シャッタ機構がオープン状態の）ときにバックライト光は光シャッタ機構および光透過経路ＬＷを通って視認者側に出射し、図２（ｂ）のようにシャッタ体２８の開口以外の部分が光透過経路ＬＷと重なる（光シャッタ機構がクローズ状態の）ときにバックライト光は遮断される。
【００２５】
実施形態１では、光シャッタ機構を図４〜図６のように形成する。ここでは、図５に示すように、第２犠牲膜２４ｂの第１エリアＲａおよび第２エリアＳａにフォトリソグラフィを行った後に、第１エリア（Ｒａ）および第２エリア（Ｓａ）上に成膜を行うことで、第１エリアＲａにシャッタ体２８のリブ形状部２８ｒを形成し、第２エリアＳａの両端部にビーム（駆動ビーム２２ｘおよびシャッタビーム２３ｘ）を形成する。
【００２６】
図４に示すように、まず、ステップＳ１００でアクティブマトリクス層１９上に第１犠牲膜２４ａを形成（フォトリソグラフィおよびパターニング）し、第１犠牲膜２４ａ上に、第２犠牲膜２４ｂを成膜する（ステップＳ１０１）。
【００２７】
ステップＳ１０２では、図５（ａ）〜図５（ｃ）のようにして、ネガレジストである第２犠牲膜２４ｂのフォトリソグラフィを行う。
【００２８】
まず、図５（ａ）のように、透光部および遮光部を備えるフォトマスクを用い、第１エリアＲａおよび第２エリアＳａそれぞれに遮光部を対応させ、第１および第２エリアの間隙エリアＺａに透光部を対応させ、第１露光を行う。
【００２９】
次いで、図５（ｂ）に示すように、透光部および遮光部を備えるフォトマスクを用い、第１エリアＲａの両端部Ｒｐ・Ｒｑそれぞれに透光部を対応させ、第２エリアに遮光部を対応させ、第１露光よりも弱い第２露光を行う。
【００３０】
これら第１および第２露光によって、第１エリアＲａの両端部Ｒｐ・Ｒｑへの露光量を、間隙エリアＺａよりも少なくすることができる。
【００３１】
第１および第２露光後に現像を行うと、図５（ｃ）に示すように、第１エリアＲａの両端部Ｒｐ・Ｒｑに挟まれた領域と第２エリアＳａの第２犠牲膜２４ｂが除去される一方、間隙エリアＺａと第１エリアＲａの両端部Ｅｐ・Ｅｑの一部に第２犠牲膜２４ｂが残り、この両端部Ｅｐ・Ｅｑについては下方に向けてモールド残量が増えるため、第２犠牲膜２４ｂの第１エリアＲａに、開口部よりも底部が小さな第１ホールＨ１が形成され、第２犠牲膜２４ｂの第２エリアＳａに、開口部と底部が同サイズの第２ホールＨ２が形成される。
【００３２】
実施形態１では、図５（ｃ）のように、第１ホールＨ１の側壁は、基板法線に対して傾きをもつ曲面形状となり、第２ホールＨ２の側壁は、基板法線に対して実質的に傾きをもたない平面形状となる。すなわち、第１ホールＨ１の側壁に沿った、開口位置から最深位置までの経路長は、第２ホールＨ２の側壁に沿った、開口位置から最深位置までの経路長よりも大きくなる。
【００３３】
図４に戻って、ステップＳ１０３では、フォトリソグラフィが行われた第２犠牲膜２４ｂ上に導電膜２６（例えば、ｎ＋アモルファスシリコン膜）を成膜し、ステップＳ１０４では、導電膜２６上に遮光性金属膜２７（例えば、窒化モリブデン膜）を成膜し、続くステップＳ１０５で、遮光性金属膜２７上に保護膜３２（例えば、窒化シリコン膜）を成膜する。
【００３４】
ここでは、図５（ｄ）に示すように、第１エリアＲａ上では、第１ホールＨ１の内側に沿うように、導電膜２６、遮光性金属膜２７および保護膜３２が成膜され、第２エリアＳａ上では、第２ホールＨ２の内側に沿うように、導電膜２６、遮光性金属膜２７および保護膜３２が成膜される。なお、図５（ｄ）では、導電膜２６、遮光性金属膜２７および保護膜３２の積層膜４０を図示している。
【００３５】
図４に戻って、ステップＳ１０６では、フォトリソグラフィ工程によって保護膜３２上にレジストを形成する。ステップＳ１０７では、レジストをマスクとして、保護膜３２をドライエッチングし、続くステップＳ１０８で、遮光性金属膜２７をドライエッチングする。ここでは、第２ホールＨ２の側壁に形成された遮光性金属膜２７（縦部分）を除去するウェットエッチングを併せて行う。そして、ステップＳ１０９では、導電膜２６をドライエッチングする（図５（ｅ））。
【００３６】
そして、ステップ１１０で犠牲膜（第１犠牲膜２４ａ・第２犠牲膜２４ｂ）とレジストとを除去し（リリース）、２つのリブ形状部２８ｒを含むシャッタ体２８、駆動ビーム２２ｘ・２２ｙ、およびシャッタビーム２３ｘ・２３ｙを分離する（図５（ｆ））。
【００３７】
以上により、図６のように、導電膜２６と、保護膜３２と、導電膜２６および保護膜３２間に挟まれた遮光性金属膜２７とを含む、リブ形状部２８ｒが形成される。また、導電膜２６および保護膜３２を含み、遮光性金属膜２７を含まないビーム（駆動ビーム２２ｘおよびシャッタビーム２３ｘ）が形成される。
【００３８】
シャッタ体２８のリブ形状部２８ｒは、アクティブマトリクス層１９に向けて突出し、光源ＢＬ側からみるとアクティブマトリクス層１９側に窪んだ凹部であり、開口部２８ａの幅ｗａよりも底部２８ｂの幅ｗｂが小さい形状である。
【００３９】
リブ形状部２８ｒに含まれる膜（導電膜２６・遮光性金属膜２７・保護膜３２）は曲面状に形成されており、基板法線に対して傾きをもつ部分、およびアクティブマトリクス基板側に凸となる部分を含んでいる。また、ビーム（駆動ビーム２２ｘおよびシャッタビーム２３ｘ）の導電膜は基板法線に対して実質的に傾きをもたない。
【００４０】
実施形態１では、図６に示すように、リブ形状部２８ｒの導電膜２６の開口位置と、シャッタビーム２３ｘの導電膜２６の上面とのレベルが等しく、リブ形状部２８ｒの導電膜２６の最深位置とシャッタビーム２３ｘの導電膜２６の下面とのレベルが等しく、リブ形状部２８ｒの導電膜２６についての開口位置から最深位置までの経路長ＫＬｒが、シャッタビーム２３ｘの導電膜２６についての上面から下面までの経路長ＬＫｘよりも大きくなっている。
【００４１】
実施形態１では、図５（ｃ）のように、第１エリアＲａの両端Ｒｐ・Ｒｑに、基板法線に対して傾きをもつ曲面状の側壁が形成され、この側壁に沿って、遮光性金属膜２７が成膜される。したがって、開口から縦（基板法線方向）に落ちるような平面状の側壁に沿って成膜した場合と比べて、安定的に遮光性金属膜２７の膜厚を確保することができ、リブ形状部２８ｒでの光漏れを防ぐことができる。同様に、導電膜２６や保護膜３２についても、リブ形状部２８ｒにおいて安定的に膜厚を確保することができる。これにより、強度が高く、光漏れが起きにくいシャッタ体２８を構成することができる。
【００４２】
実施形態１では、図５（ｃ）のように、第２エリアＳａの両端部（エッジ）に、基板に対して実質的に傾きをもたない平面状の側壁が形成され、この側壁に沿ってビーム（駆動ビーム２２ｘおよびシャッタビーム２３ｘ）が形成される。すなわち、シャッタ体２８のリブ形状部２８ｒは基板法線に対して傾きをもたせた形状として光漏れを防止する一方、シャッタビーム２３ｘおよび駆動ビーム２２ｘには基板法線に対して傾きをもたせず、それぞれを基板面に対してほぼ垂直に立てることで、シャッタビーム２３ｘおよび駆動ビーム２２ｘ間の静電容量を高め、シャッタ体２８の高速駆動を可能としている。
【００４３】
〔実施形態２〕
実施形態１では、図５（ａ）・（ｂ）のように２回の露光を行っているがこれに限定されない。図７のようなハーフフォトマスクを用いて１回だけ露光してもよい。具体的には、透光部、遮光部、および制限透光部（透光部と遮光部の間の光透過率をもつ）を備えるフォトマスクＰＭｃを用い、第１エリアＲａの両端部Ｒｐ・Ｒｑに制限透光部を対応させ、第２エリアに遮光部を対応させ、第１および第２エリアの間隙エリアＺａに透光部を対応させる。
【００４４】
こうすれば、１回の露光で、第１エリアＲａの両端部Ｒｐ・Ｒｑへの露光量を、間隙エリアＺａよりも少なくすることができ、工程数を削減することができる。
【００４５】
〔実施形態３〕
図８に示すように、実施の形態３にかかる３Ｄ（三次元）プリンタヘッドＰＦは、光シャッタ基板１および光シャッタ基板１に対向する対向基板３０を含む光シャッタ装置ＳＤと、対向基板を介して光シャッタ基板にＵＶ光（紫外線）を照射するＵＶ光源ＬＳとを備える。光シャッタ基板１に設けられた光シャッタ機構２１を通過したＵＶ光は、ＵＶ硬化材料６０に照射される。
【００４６】
実施形態３では、３ＤプリンタヘッドＰＦの光シャッタ基板１に設けられる光シャッタ機構２１を図４〜図７のように製造することで、強度が高く、光漏れが起きにくいシャッタ体２８を構成することができ、精度の良い３ＤプリンタヘッドＰＦを実現することができる。
【００４７】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る光シャッタ基板は、アクティブマトリクス層と、アクティブマトリクス層上に設けられ、シャッタ体のスライドによって光源からの光を遮断あるいはアクティブマトリクス層側に通過させる光シャッタ機構とを備えた光シャッタ基板であって、前記シャッタ体は、アクティブマトリクス層に向けて突出し、前記光シャッタ機構に対してアクティブマトリクス層の反対側からみるとアクティブマトリクス層側に窪んだ凹部を有し、前記凹部は、開口部よりも底部が小さい形状であることを特徴とする。
【００４８】
本発明の態様２に係る光シャッタ基板は、前記態様１において、  前記凹部は、アクティブマトリクス層側に向けて幅が小さくなる構成である。
【００４９】
本発明の態様３に係る光シャッタ基板は、前記態様１または２において、前記凹部は、基板法線に対して傾きをもつ遮光性金属膜を含む構成である。
【００５０】
本発明の態様４に係る光シャッタ基板は、前記態様３において、前記凹部は、アクティブマトリクス基板側に凸となる曲面形状の遮光性金属膜を含む構成である。
【００５１】
本発明の態様５に係る光シャッタ基板は、前記態様１〜４のいずれか１つにおいて、前記光シャッタ機構は、シャッタ体をスライドさせるためのビームを有し、前記凹部の内側面の法線と基板面とがなす角は、ビームの側面の法線と基板面とがなす角よりも大きい構成である。
【００５２】
本発明の態様６に係る光シャッタ基板は、前記態様５において、  前記凹部の開口位置とビームの上面の高さが等しく、前記凹部の最深位置とビームの下面の高さが等しく、凹部の開口位置から最深位置までの経路長が、ビームの上面から下面までの経路長よりも大きい構成である。
【００５３】
本発明の態様７に係る光シャッタ基板は、前記態様３または４において、前記凹部は、前記遮光性金属膜を挟む保護膜および導電膜を含む構成である。
【００５４】
本発明の態様８に係る光シャッタ基板は、前記態様７において、光シャッタ機構は、保護膜および導電膜を含み、遮光性金属膜を含まないビームを有する構成である。
【００５５】
本発明の態様９に係る表示装置は、前記態様１〜８のいずれか１つの光シャッタ基板を備えることを特徴とする。
【００５６】
本発明の態様１０に係るプリンタヘッドは、前記態様１〜８のいずれか１つの光シャッタ基板を備えることを特徴とする。
【００５７】
本発明の態様１１に係る光シャッタ機構の製造方法は、アクティブマトリクス層上に設けられ、シャッタ体とビームとを備える光シャッタ機構の製造方法であって、アクティブマトリクス層の上層に形成された犠牲膜の第１および第２エリアにフォトリソグラフィを行い、フォトリソグラフィが行われた犠牲膜の形状に従うように成膜を行うことで、第１エリアに前記シャッタ体の凹部を形成し、第２エリアに前記ビームを形成する光シャッタ機構の製造方法であって、前記フォトリソグラフィでは、第１エリアへの露光量を、第１および第２エリアの間隙エリアへの露光量よりも小さくすることを特徴とする。
【００５８】
本発明の態様１２に係る光シャッタ機構の製造方法は、前記態様１１において、  前記フォトリソグラフィによって第１エリアの犠牲膜に形成される第１ホールは、開口部よりも底部が小さい形状である手法である。
【００５９】
本発明の態様１３に係る光シャッタ機構の製造方法は、前記態様１２において、前記第１ホールの側壁に沿った、開口位置から最深位置に至るまでの経路長が、前記フォトリソグラフィによって第２エリアの犠牲膜に形成される第２ホールの側壁に沿った、開口位置から最深位置に至るまでの経路長よりも大きい手法である。
【００６０】
本発明の態様１４に係る光シャッタ機構の製造方法は、前記態様１２において、ハーフフォトマスク用い、１回の露光で、前記第１ホールを形成する手法である。
【００６１】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１  光シャッタ基板
１９  アクティブマトリクス層
２０  メカニカル層
２１  光シャッタ機構
２２ｘ・２２ｙ  駆動ビーム
２３ｘ・２３ｙ  シャッタビーム
２４ａ  第１犠牲膜
２４ｂ  第２犠牲膜
２６  導電膜
２７  遮光性金属膜
２８  シャッタ体
２８ｒ  リブ形状部（凹部）
２８ａ  開口部
２８ｂ  底部
３２  保護膜
３０  対向基板
Ｒａ  第１エリア
Ｓａ  第２エリア
Ｈ１  第１ホール
Ｈ２  第２ホール
Ｒｐ・Ｒｑ  第１エリアの両端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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