(57)【要約】      （修正有）【課題】薄い基板等を切断する際や把持して取り扱う際に破損を生じにくい液体吐出ヘッドを提供する。【解決手段】一方の面に圧力発生素子が形成され、他方の面の、圧力発生素子と平面的に重なる位置に圧力室３が形成される素子基板２と、素子基板の一方の面に接合される支持部材１と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法が、一方の面に、端子部１７ａと端子部につながっている配線とを備える支持部材を用意する工程と、配線が圧力発生素子に接続されるように、支持部材の一方の面と素子基板の一方の面とを接合する工程と、素子基板の、端子部に対向する部分を除去して切り欠き部２５を形成し、切り欠き部を介して端子部を露出させる工程と、を含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に圧力発生素子が形成され、他方の面の、前記圧力発生素子と平面的に重なる位置に圧力室が形成される素子基板と、前記素子基板の前記一方の面に接合される支持部材と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
一方の面に、端子部と該端子部につながっている配線とを備える支持部材を用意する工程と、
前記配線が前記圧力発生素子に接続されるように、前記支持部材の前記一方の面と前記素子基板の前記一方の面とを接合する工程と、
前記素子基板の、前記端子部に対向する部分を除去して切り欠き部を形成し、該切り欠き部を介して前記端子部を露出させる工程と、
を含む、液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記支持部材を用意する工程において、前記支持部材には、該支持部材を貫通し、前記圧力室に液体を供給するための液体流入路が形成されている、請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記圧力室と前記圧力発生素子と前記液体流入路がそれぞれ複数形成されており、互いに接合されている前記支持部材および前記素子基板を切断することによって、複数の液体吐出ヘッドを得る、請求項１または２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記端子部を露出させる工程では、前記素子基板の前記他方の面から前記一方の面に向かう方向に前記素子基板を切断して前記切り欠き部を形成する、請求項１から３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
液体を吐出する吐出口を有する吐出口形成部材と前記素子基板の前記他方の面とを接合する工程をさらに含み、当該接合工程の後に前記端子を露出させる工程を行う、請求項４に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記支持部材の前記一方の面と前記素子基板の前記一方の面とを接合する工程の前に、前記素子基板の、前記端子部に対向する部分に凹部を設けておく、請求項１から５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法の各工程と、
配線基板を、前記素子基板の前記切り欠き部を介して、露出している前記端子部に接続する工程と、
を含む、液体吐出装置の製造方法。
【請求項８】
一方の面に圧力発生素子が形成され、他方の面の、前記圧力発生素子と平面的に重なる位置に圧力室が形成される素子基板と、前記素子基板の前記一方の面に接合される支持部材と、を有する液体吐出ヘッドであって、
前記支持部材の一方の面に、端子部と該端子部につながっている配線とが設けられ、前記配線が前記圧力発生素子に接続されており、
前記素子基板の、前記端子部に対向する部分に、前記端子部を露出させる切り欠き部が設けられている、液体吐出ヘッド。
【請求項９】
前記素子基板には、前記切り欠き部の前記一方の面における開口面積よりも前記他方の面における開口面積の方が大きくなるように段差部が設けられている、請求項８に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の液体吐出ヘッドと、
前記素子基板の前記切り欠き部を介して、露出している前記端子部に接続されている配線基板と、
を含む、液体吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置とそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体吐出装置の一例であり、液体のインクを吐出して記録媒体に画像を記録するインクジェット記録装置には、一般に、液体を吐出する液体吐出ヘッドが搭載されている。液体吐出ヘッドが液体を吐出する機構として、圧電素子によって容積が収縮可能な圧力室を用いる機構が知られている。この液体吐出機構では、電圧を印加された圧電素子の変形により圧力室が収縮することによって、圧力室内のインクが加圧され、圧力室の一部に形成された吐出口から外部に向かって吐出する。
【０００３】
特許文献１には、１枚の基板に多数の液体吐出機構を形成した後に、基板を切断して、各々が液体吐出機構を有する複数のチップに分割することにより、１枚の基板から複数の液体吐出ヘッドを製造する方法が開示されている。この液体吐出ヘッドの製造方法について、図１３を参照して説明する。
【０００４】
図１３（ａ）に示すように、貫通孔である流入チャネル（液体流入路）６と流出チャネル（液体流出路）７とを有する第１の基板１と、圧力発生素子１８と圧力室３と端子部１７とを有する第２の基板２を、空隙形成材５およびバンプ１２を介して接合する。第１の基板１にはトランジスタ１９が内部に作り込まれている。また、第２の基板２の、圧力発生素子１８が形成された面（一方の面）と反対側の面（他方の面）と、吐出口４１を有する吐出口形成部材４とを接合する。第１の基板１と第２の基板２と吐出口形成部材４は大面積であり、流入チャネル６、流出チャネル７、圧力発生素子１８、圧力室３、端子部１７、空隙形成材５、バンプ１２、および吐出口４１からなる液体吐出機構が複数形成されている。
【０００５】
次に、図１３（ｂ）に示すように、第１の基板１と第２の基板２と吐出口形成部材４の積層体を切断線８に沿って切断して、多数のチップに分割する。各チップには液体吐出機構が含まれている。そして、各チップにおいて、第１の基板１の、端子部１７の上の位置する部分を除去して切り欠き部２５を形成して端子部１７を露出させる。このようにして、端子部１７が露出している複数のチップ（液体吐出ヘッド）を１つの積層体から効率よく作製する。この液体吐出ヘッドを組み込んだ液体吐出装置を構成する場合には、図１３（ｃ）に示すように、フレキシブル回路基板２０を、切り欠き部２５を介して端子部１７に接続する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２０１２−５３２７７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述したチップ（液体吐出ヘッド）の製造方法では、端子部１７を露出させるために、第１の基板１に切り欠き部２５を形成する必要がある。しかし、特許文献１には、切り欠き部２５を製造する工程や、積層体を分断して多数のチップを作製する工程については開示されていない。切り欠き部２５の形成、すなわち不要部分の除去と積層体の切断（多数のチップの作製）に関して、最も一般的な方法は、吐出口形成部材４の表面に切断テープを貼り付け、第１の基板側から図１３（ｂ）に示す切断線８に沿ってブレードで切断する方法である。
【０００８】
高周波数の液体吐出を可能にするためには、圧力室３の各基板１，２に直交する方向の高さは低いほど有利であり、特許文献１に記載された例では２５μｍである。また、特許文献１に記載された例では、吐出口形成部材４の厚さは３０μｍである。厚さが３０μｍ程度の薄い吐出口形成部材４に切断テープを貼る際には、吐出口形成部材４や、圧力室３を有する第２の基板２が破損する危険性が大きい。
【０００９】
一方、液体吐出ヘッドの量産性を考えると、各チップに分割する前の積層体において、積層体の厚さの途中まで切断（ハーフカット）して不要部分を除去して切り欠き部２５を形成し、電気検査を行う。その後に、積層体を切断して複数のチップを作製することが好ましい。
【００１０】
仮に、前述したように薄い吐出口形成部材４に切断テープを貼り付ける際に破損を回避して切り欠き部を形成できたとしても、ハーフカットの後に残された厚さ数十μｍの第２の基板２および吐出口形成部材４を把持して取り扱うことは困難である。例えば、第２の基板２および吐出口形成部材４を把持して移動させて電気検査に供する時に、第２の基板２や吐出口形成部材４に破損を生じる可能性がある。
【００１１】
また、ブレードを用いてハーフカットを行う場合には、ブレードの切り込み量を、空隙形成材５によって規定される第１の基板１と第２の基板２の間の空隙の範囲内に収める必要がある。それよりもブレードの切り込み量が小さすぎると、不要部分が除去されずに残って切り欠き部が形成できず、ブレードの切り込み量が大きすぎると、第２の基板２に形成された端子部１７を傷つけてしまうおそれがある。
【００１２】
そこで本発明の目的は、薄い基板等を切断する際や把持して取り扱う際に破損を生じにくい液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置とそれらの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の、一方の面に圧力発生素子が形成され、他方の面の、圧力発生素子と平面的に重なる位置に圧力室が形成される素子基板と、素子基板の一方の面に接合される支持部材と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法は、一方の面に、端子部と端子部につながっている配線とを備える支持部材を用意する工程と、配線が圧力発生素子に接続されるように、支持部材の一方の面と素子基板の一方の面とを接合する工程と、素子基板の、端子部に対向する部分を除去して切り欠き部を形成し、切り欠き部を介して端子部を露出させる工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、液体吐出ヘッドの薄い基板等を切断する際や把持して取り扱う際に破損を生じにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の液体吐出ヘッドを組み込んだ液体吐出装置の要部を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１の液体吐出ヘッドの製造方法の第１の基板の作製工程を示す断面図である。
【図３】実施形態１の液体吐出ヘッドの製造方法の第２の基板の作製工程を示す断面図である。
【図４】実施形態１の液体吐出ヘッドの製造方法の基板接合工程を示す断面図である。
【図５】図４に示す基板接合工程の一部を示す斜視図である。
【図６】実施形態１の液体吐出ヘッドの製造方法の切断工程を示す断面図である。
【図７】図６に示す切断工程の一部を示す斜視図および拡大図である。
【図８】本発明の実施形態２の液体吐出ヘッドの製造方法の切断工程を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態３の液体吐出ヘッドの製造方法の切断工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施形態４の液体吐出ヘッドの製造方法の切断工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施形態５の液体吐出ヘッドの製造方法の第１の基板の作製工程を示す断面図である。
【図１２】実施形態５の液体吐出ヘッドの製造方法の切断工程を示す断面図である。
【図１３】従来の液体吐出ヘッドの製造方法の切断工程と、その液体吐出ヘッドを組み込んだ液体吐出装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
まず、本発明によって製造される液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置の基本構造について図１を参照して簡単に説明する。この液体吐出ヘッドでは、流入チャネル（液体流入路）６が形成された第１の基板（支持部材）１と、一方の面に圧力発生素子１８が形成され他方の面に圧力室３を構成する凹部を有する第２の基板（素子基板）２とが、空隙形成材５を介して積層されている。そして、第２の基板２の他方の面に吐出口形成部材４が接合されている。吐出口形成部材４は、第２の基板２の凹部を塞いで圧力室３を形成するとともに、圧力室３に連通する吐出口４１を有している。第１の基板１の第２の基板２に接合される面には、圧力発生素子１８にバンプ１２を介して接続されている配線１７ｂと、その配線１７ｂにつながっている端子部１７ａとが設けられている。第２の基板の端子部１７ａに対向する部分には切り欠き部２５が設けられており、端子部１７ａは切り欠き部２５を介して露出している。
【００１７】
本発明の液体吐出ヘッドでは、端子部１７ａが、圧力発生素子１８が形成されている第２の基板２ではなく、第１の基板１に設けられており、第２の基板２に切り欠き部２５が形成されることによって露出している。従って、この液体吐出ヘッドを組み込んだ液体吐出装置（例えばインクジェット記録装置）を構成する場合には、液体吐出装置の制御装置（不図示）に接続されたフレキシブル回路基板２０を、切り欠き部２５を介して第１の基板１の端子部１７ａに直接接続する。フレキシブル回路基板２０は液体吐出ヘッドの圧力発生素子１８に信号または電力を供給する配線基板である。信号や電力が供給された圧力発生素子１８は圧電変形して圧力室３の容積が縮小し、圧力室３内の液体が加圧される。加圧された液体は、圧力室３から吐出口４１を介して外部に吐出される。
【００１８】
［実施形態１］
図２〜図６は、図１に示す液体吐出ヘッドを製造するための、本発明の実施形態１に係る方法を示している。
（第１の基板の作製工程）
第１の基板（支持部材）１を作製するために、図２（ａ）に示すように厚さが６２５μｍで直径が１５０ｍｍの円形のシリコンウェハー１００に、流入チャネル６として直径１００μｍの穴を開ける。シリコンウェハー１００の表面を熱酸化して絶縁膜１６を形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、シリコンウェハー１００の一方の面に、端子部１７ａとそれにつながっている配線１７ｂとを形成する。その後、図２（ｃ）に示すように、配線１７ｂの一端（端子部１７ａと反対側の端部）に、高さ２５μｍのバンプ１２を形成する。このように、本実施形態では、図１３に示す従来例とは異なり、第２の基板２ではなく第１の基板１に端子部１７ａを形成する。なお、図２等の正面図や側面図では端子部１７ａと配線１７ｂの区別が明確でないが、平面的に見ると端子部１７ａと配線１７ｂの形状は異なっている。このようにして第１の基板１を用意する。
【００１９】
（第２の基板の作製工程）
第１の基板１の作製と並行して第２の基板（素子基板）２を作製するために、図３（ａ）に示すように厚さが６２５μｍで直径が１５０ｍｍの円形のシリコンウェハー１００を用意する。図３（ｂ）に示すように、シリコンウェハー１００の一方の面に、振動板２４となる厚さ０．８μｍのＳｉＮ薄膜をＬＰ−ＣＶＤ法（low pressure chemical vapor deposition method）で成膜する。
【００２０】
続いて、図３（ｃ）に示すように、ＳｉＮ薄膜からなる振動板２４上に、後述する上部電極２１とともに圧電体２２に電圧を印加するための下部電極２３を形成する。下部電極２３は、振動板２４上に、厚さ０．０１μｍのＴｉ膜と厚さ０．１５μｍのＰｔ膜をこの順に成膜することで形成される。さらに、図３（ｄ）に示すように、下部電極２４の上に、圧電体２２である厚さ２．０μｍのＰＺＴ膜をゾルゲル法により成膜し、７００℃で２０分の焼成を行って結晶化させる。次いで、圧電体２２の上面に上部電極２１を成膜し、図３（ｅ）に示すようにウェットエッチングでパターニングする。上部電極２１は、厚さ０．０１μｍのＴｉ膜と厚さ０．１５μｍのＡｕ膜をこの順に成膜することで形成される。続いて、図３（ｆ）に示すように、圧電体２２をウェットエッチングして、上部電極２１よりも一回り大きい形状にパターニングする。さらに、図３（ｇ）に示すように、下部電極２３をドライエッチングして一部を除去する。その後、残った下部電極２３の上に保護膜（不図示）を形成してパターニングする。こうして、振動板２４上に、下部電極２３と圧電体２２と上部電極２１とからなる圧力発生素子１８が形成される。
【００２１】
このようにして作製された第２の基板２に、図３（ｈ）に示すように、高さ２５μｍの空隙形成材５を設ける。具体的には、例えば日立化成工業株式会社製のダイアタッチフィルムのＤＦシリーズの厚さ２５μｍの接着性フィルムを形成して、通常のネガレジストと同様に露光および現像を行ってパターニングする。
【００２２】
（第１の基板と第２の基板の接合工程）
図２（ｃ）に示す第１の基板１の一方の面（端子部１７ａが形成された面）と、図３（ｈ）に示す第２の基板２の一方の面（圧力発生素子１８が形成された面）を互いに対向させて、空隙形成材５を介して接合する（図４（ａ），５（ａ）参照）。空隙形成材５は接着性フィルムなので、上面に接着剤を塗布することなく両基板１，２を接合できる。接合した両基板１，２を加圧しながら、２００℃で２時間の熱硬化を実施する。それによって、空隙形成材５の高さが２５μｍから２０μｍに低減するとともに、バンプ１２がつぶれて上部電極２１と接合される。こうして、第１の基板１と第２の基板２とが空隙形成材５を介して接合される。
【００２３】
次に、図４（ｂ）に示すように、第２の基板２の他方の面（第１の基板１との接合面の反対側の面）を研磨して厚さを６２５μｍから８０μｍに低減する。さらに、図４（ｃ），５（ｂ）に示すように、第２の基板２の他方の面（研磨された面）に、ドライエッチングによって圧力室３を形成する。本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、１つの積層体ウェハーから、それぞれが６個の圧力室３を有する１６のチップ９を作製するため、第２の基板に９６個の圧力室３を形成する。
【００２４】
続いて、図４（ｄ），５（ｃ）に示すように、吐出口形成部材４を第２の基板２の他方の面（研磨され圧力室３が形成された面）に接合する。具体的には、第２の基板２の他方の面に不図示の接着剤を転写し、吐出口形成部材４を加圧しながら加熱して接合する。吐出口形成部材４には、圧力室３に対向する位置に吐出口４１が設けられている。
【００２５】
このようにして構成された液体吐出機構における液体の流入経路は、図４（ｄ）に矢印で示すように、流入チャネル６から圧力室３に至る。図示されている流入チャネル６に加えて、図示しない流出チャネルをさらに設けて循環流路を構成してもよい。
【００２６】
（切断工程）
図６（ａ）に示すように、第１の基板１の他方の面（第２の基板２との接合面と反対側の面）に切断テープ２６を貼る。そして、図６（ｂ）に示すように、ブレード２７を用いて切断線８（図６（ａ）参照）に沿って切断して不要部分を除去する。本実施形態では、１本の切断線８に沿ってブレードで２回切り込んで切断を行う。このようにして不要部分を除去して、図６（ｃ），７（ｂ），７（ｃ）に示すように切り欠き部２５を形成する。それによって、端子部１７ａが、第２の基板２に遮られずに、切り欠き部２５を介して外部に露出する。この切断工程では、図６（ｂ）から明らかなように、ブレード２７による切り込み量が、第２の基板２を完全に切断し、かつ第１の基板１の端子部１７ａおよび配線１７ｂに到達しない範囲でなければならない。すなわち、ブレード２７による積層体の切り込み量は、第２の基板２の厚さよりも大きく、かつ第２の基板２の厚さと空隙形成部材５の高さ（空隙の高さ）の合計よりも小さい必要がある。具体的には、本実施形態では、第２の基板２の厚さは８０μｍで空隙形成材５の高さは２０μｍであるため、ブレード２７による積層体の切り込み量は、８０μｍ以上かつ１００μｍ未満でなければならない。このように積層体の一方の側から途中まで切り込むことをハーフカット加工と言う。
【００２７】
このハーフカット加工では、薄い吐出口形成部材４（厚さ３０μｍ程度）や第２の基板２（厚さ８０μｍ）ではなく、厚い第１の基板１（厚さ６２５μｍ）に切断テープ２６を貼りつける。そのため、切断テープ２６の貼り付け時や、切り欠き部２５を形成した後の取り扱い（把持および移動）時に破損する可能性は小さい。図７（ｂ）の一部を拡大して示す図７（ｃ）から明らかなように、ウェハーは分断されずにつながった状態であるが、端子部１７ａは外部に露出している。従って、このようにウェハーが分断されずにつながった状態のままで電気検査を容易に行うことが可能である。
【００２８】
続いて、図６（ｃ）〜６（ｄ），７（ｄ）に示すように、ブレード２７を用いて積層体を切断線８に沿って切断し、それから切断テープ２６を剥がす。それにより、図６（ｅ），７（ｅ）に示すように、積層体が複数の小片（チップ９）に分割される。このようにして、各々が液体吐出機構を有する複数のチップ（液体吐出ヘッド）９を得ることができる。
【００２９】
このようにして形成した液体吐出ヘッド９が、液体吐出装置を構成する筐体内に組み込まれ、ヘッド外部の制御装置（不図示）に接続された配線基板であるフレキシブル回路基板２０が、切り欠き部２５を介して端子部１７ａに接続される（図１参照）。こうして本発明の液体吐出装置の要部が構成される。
【００３０】
以上述べたように、本実施形態によれば、液体吐出ヘッドの端子部１７ａを露出させるためのハーフカット加工や、積層体を分断して複数のチップ９を得る際に、薄い第２の基板２や吐出口形成部材４に切断テープ２６を貼り付ける必要がない。厚い第１の基板１に切断テープ２６を貼り付けるため、切断テープ２６を貼り付ける際に破損する危険性が小さい。また、ハーフカット加工時には薄い第２の基板２に切り込み、厚い第１の基板１は分断されずつながった状態に保たれるので、取り扱いが容易で、例えば第１の基板１を把持して移動させて電気検査に供することなどが容易に行える。
【００３１】
また、フレキシブル回路基板２０等の配線基板が接続させる端子部１７ａは、厚い第１の基板１に設けられているため、薄い基板に端子部が設けられている場合に比べて、フレキシブル回路基板２０の接続作業によって基板が破損する危険性が小さい。
【００３２】
本実施形態では、厚い第１の基板１に端子部１７ａが設けられ、薄い第２の基板２と吐出口形成部材４に切り欠き部２５が形成されている。従って、薄い第２の基板２と吐出口形成部材４の平面形状は、厚い第１の基板１の平面形状よりも小さく、薄い第２の基板２と吐出口形成部材４が第１の基板１の側方に庇状に張り出すことがないため、破損が生じにくい。第１の基板１が、薄い第２の基板２と吐出口形成部材４の側方に庇状に張り出しても、厚さが厚いため破損しにくい。
【００３３】
［実施形態２］
本発明の実施形態２について、図８を参照して説明する。本実施形態では、第２の基板２の、端子部１７ａと対向する切り欠き部２５を形成する位置に、予め凹部２８を形成している。それ以外の構成や工程は実施形態１と同様なので説明を省略する。具体的には、図８（ａ）に示すように、第２の基板２の、端子部１７ａと対向する位置に、ブレードを用いる切削加工やドライエッチングによって深さ２０μｍの凹部２８を形成する。そして、図８（ｂ）に示すように、実施形態１と同様にブレード２７を用いて切断線８（図８（ａ）参照）に沿って切断（２度切り）して不要部分を除去し、図８（ｃ）に示す切り欠き部２５を形成する。それにより、切り欠き部２５は、第２の基板２の一方の面（第１の基板１との接合面）における開口面積よりも他方の面（吐出口形成部材４との接合面）における開口面積の方が大きくなり、凹部２８の一部が段差部２８ａとして残る。本実施形態では、凹部２８を形成することによって第２の基板２の厚さが部分的に２０μｍ小さくなっている。従って、本実施形態では、ブレード２７による積層体の切り込み量は６０μｍ以上かつ１００μｍ未満である。すなわち、本実施形態によるとブレード２７による切り込み量の許容範囲（マージン）が４０μｍに広がるため、切削加工をより容易に実施でき、端子部７ａを傷つけることなく不要部を除去することが容易に可能である。
【００３４】
本実施形態では、ブレード２７によって切り込む切断線８同士の幅は、凹部２８の幅よりも若干広く設定される。それにより、切り欠き部２５は凹部２８よりも広い幅に形成されて、図８（ｃ）に示すように吐出口形成部材４および第２の基板２の積層体の端部は２段形状になり、段差部２８ａが形成される。仮にこのような段差部２８ａが吐出口形成部材４に形成されると、破損しやすい構成になる。しかし、本実施形態では、第２の基板２の第１の基板１との接合部分に近い位置、すなわち液体吐出ヘッドの厚さ方向の中間部に段差部２８ａが形成されるため、この段差部２８ａが破損する可能性は小さい。なお、多段構造の凹部を形成して複数段の段差部２８ａを形成してもよい。
【００３５】
［実施形態３］
本発明の実施形態３について、図９を参照して説明する。本実施形態では、図９（ａ）に示すように、第２の基板２の端子部１７ａと対向する位置の、ブレード２７によって切り込む切断線８の位置にのみ凹部２８が形成されている。すなわち、切り欠き部２５の両端部にあたる位置にそれぞれ凹部２８が形成され、切り欠き部２５の中央部にあたる位置には凹部は設けられていない。それ以外の構成や工程は実施形態２と同様なので説明を省略する。本実施形態によると、図９（ｂ）に示すように、実施形態２と同様にブレード２７による切り込み量の許容範囲（マージン）が大きくなり、端子部７ａを傷つけることなく不要部を除去することが容易にできる。さらに、本実施形態では、第２の基板２の切り欠き部２５の中央部にあたる位置に凹部が設けられていないので、第２の基板２の強度をある程度確保でき、第２の基板２の取り扱いが容易になるとともに、研磨時にクラックが発生しにくくなる。なお、本実施形態によって形成された液体吐出ヘッドは、図６（ｅ）に示す実施形態１の液体吐出ヘッドと実質的に同じ構成になる。
【００３６】
［実施形態４］
本発明の実施形態４について、図１０を参照して説明する。本実施形態では、図１０（ａ）に示すように、実施形態３と同様に第２の基板２の切り欠き部２５の両端部にあたる位置にそれぞれ凹部２８が形成され、切り欠き部２５の中央部にあたる位置には凹部は設けられていない。この構成において、図１０（ｂ）に示すように、幅広のブレード２７を用いてハーフカット加工を行う。すなわち、２つの切断線８に挟まれる範囲（不要部）を一回の切り込み工程によって一気に除去する。それ以外の構成や工程は実施形態２と同様なので説明を省略する。本実施形態によると、実施形態３と同様の効果が得られるとともに、ハーフカット加工が１回の切り込み工程で完了し、作業が容易かつ短時間になる。
【００３７】
［実施形態５］
本発明の実施形態５について、図１１，１２を参照して説明する。本実施形態では、実施形態１〜４において設けられていた空隙形成材５を設けず、第１の基板１に凹部２９を形成することによって、第１の基板１と第２の基板２の間の空隙を確保する。具体的には、第１の基板１の作製時に、図１１（ａ）に示すように、シリコンウェハー１００に流入チャネル６として穴を開けるとともに、一方の面に深さ２０μｍの凹部２９を形成し、表面を熱酸化して絶縁膜１６を形成する。それから、図１１（ｂ）に示すように、シリコンウェハー１００の一方の面に、端子部１７ａと配線１７ｂを形成する。配線１７ｂはシリコンウェハー１００の凸状の部分と凹部２９とにまたがって形成される。そして、図１１（ｃ）に示すように、配線１７ｂの一端に高さ２５μｍのバンプ１２を形成する。
【００３８】
本実施形態で用いられる第２の基板２は、実施形態１の第２の基板２から空隙形成材５を取り除いた構成、すなわち図３（ｇ）に示す構成である。図１１（ｃ）に示す第１の基板１の一方の面（端子部１７ａおよび配線１７ｂおよびバンプ１２が形成された面）と、図３（ｇ）に示す第２の基板２の一方の面（圧力発生素子１８が形成された面）とが互いに対向するようにして接合する。そして、第１の基板１に切断テープ２６を貼り付ける（図１２（ａ）参照）。それから、図６に示す実施形態１の工程と実質的に同様に、図１２（ｂ），１２（ｃ）に示すようにブレード２７を用いてハーフカット加工を行い、切り欠き部２５を形成する。そして、図１２（ｄ）に示すようにブレード２７を用いて第１の基板１を切断し、図１２（ｅ）に示すように切断テープ２６を剥がして、液体吐出ヘッド９が完成する。本実施形態では、有機材料からなる空隙形成材５の代わりに、第１の基板１を構成する熱酸化シリコンを用いて空隙を形成しているので、有機材料からなる空隙形成材５よりも剛性が高く、かつ耐インク性の高い構成になる。
【符号の説明】
【００３９】
１  第１の基板（支持部材）
２  第２の基板（素子基板）
３  圧力室
４  吐出口形成部材
５  空隙形成材
１７ａ  端子部
１８  圧力発生素子
２５  切り欠き部
２７  ブレード
４１  吐出口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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