(57)【要約】【課題】例えばガスセルに用いられる加工基板を容易に低コストで製造すること。【解決手段】  加工基板の製造方法は、基板（シリコン基板１１０）の一面及び他面に、少なくとも１つの開口部を有するエッチングマスク（エッチングマスクとしての誘電体膜１２１）を形成する第１工程と、基板の一面及び他面から異方性エッチングを行い、基板に第１及び第２の貫通穴１１１、１１２と、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２を空間的に連結する連結溝１１３（連通させる凹部）とを形成する第２工程と、を含み、開口部の総数は、５つである。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一面及び他面の少なくとも一方に、少なくとも１つの開口部を有するエッチングマスクを形成する第１工程と、
前記一面及び他面のうち前記エッチングマスクが形成された面から異方性エッチングを行い、前記基板に第１及び第２の開口と、前記第１及び第２の開口を連通させる凹部とを形成する第２工程と、を含み、
前記開口部の総数は、少なくとも３つである加工基板の製造方法。
【請求項２】
少なくとも３つの前記開口部は、前記第１の開口を形成するための開口部、前記第２の開口を形成するための開口部及び前記凹部を形成するための開口部を含み、
前記第１の開口を形成するための開口部、前記第２の開口を形成するための開口部及び前記凹部を形成するための開口部は、互いに連通しないことを特徴とする請求項１に記載の加工基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の開口は、前記異方性エッチングの際のサイドエッチングにより前記凹部を介して連通することを特徴とする請求項２に記載の加工基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程では、前記一面及び他面の双方に前記エッチングマスクを形成し、
前記第２工程では、前記一面及び他面から異方性エッチングを行い、
前記基板の厚さをＴ（μｍ）、＜１００＞面のエッチングレートをＥ１（μｍ／ｈｒ）、＜１１１＞面のエッチングレートをＥ２（μｍ／ｈｒ）、前記第１及び第２の開口それぞれを形成するための前記エッチングマスクの開口と前記凹部を形成するための前記エッチングマスクの開口の間隔をＬ１（μｍ）としたとき、
｛Ｔ／（Ｅ１×２×１．４）｝×（Ｅ２×２）×０．８≦Ｌ１≦｛Ｔ／（Ｅ１×２×１．４）｝×（Ｅ２×２）×１．２であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の加工基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１工程では、前記第１の開口を形成するための開口部、前記第２の開口を形成するための開口部及び前記凹部を形成するための開口部を有する前記エッチングマスクを前記一面に形成するとともに、前記第１の開口を形成するための開口部及び前記第２の開口を形成するための開口部を有する前記エッチングマスクを前記他面に形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の加工基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１工程では、前記第１の開口を形成するための開口部及び前記第２の開口を形成するための開口部を有する前記エッチングマスクを前記一面に形成するとともに、前記凹部を形成するための開口部を有する前記エッチングマスクを前記他面に形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の加工基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１工程では、前記第１の開口を形成するための開口部及び前記凹部を形成するための開口部を有する前記エッチングマスクを前記一面に形成するとともに、前記第２の開口を形成するための開口部を有する前記エッチングマスクを前記他面に形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の加工基板の製造方法。
【請求項８】
基板の一面及び他面の少なくとも一方に、少なくとも１つの開口部を有するエッチングマスクを形成する工程と、
前記一面及び他面のうち前記エッチングマスクが形成された面から異方性エッチングを行い、前記基板に第１及び第２の開口と、前記第１及び第２の開口を連通させる凹部を形成する工程と、
前記第１及び第２の開口の一方にアルカリ金属のディスペンサーを配置する工程と、
前記一面及び他面を封止する工程と、を含み、
前記開口部の総数は、少なくとも３つであるガスセルの製造方法。
【請求項９】
基板の一面及び他面の少なくとも一方に、少なくとも１つの開口を有するエッチングマスクを形成する工程と、
前記一面及び他面のうち前記エッチングマスクが形成された面から異方性エッチングを行い、前記基板に第１及び第２の開口と、前記第１及び第２の開口を連通させる凹部とを形成する工程と、を含み、
前記開口部の総数は、少なくとも３つである基板加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工基板の製造方法、ガスセルの製造方法及び基板加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
極めて正確に時間を計る時計として原子時計（原子発振器）があり、この原子時計を小型化する技術等の検討がなされている。原子時計とは、アルカリ金属等の原子を構成している電子の遷移エネルギー量を基準とする発振器であり、特に、アルカリ金属の原子における電子の遷移エネルギーは外乱がない状態では、非常に精密な値が得られる。よって、水晶発振器に比べて、数桁高い周波数安定性を得ることができる。
【０００３】
このような原子時計には、幾つかの方式があるが、中でも、ＣＰＴ（Coherent Population Trapping）方式の原子時計は、従来の水晶発振器に比べて周波数安定性が３桁程度高く、また、超小型、超低消費電力を望むことができる。
【０００４】
ＣＰＴ方式の原子時計では、図１に示すように、レーザ素子等の光源９１０と、ガスセルの一例としてアルカリ金属を封入したアルカリ金属セル９４０と、アルカリ金属セル９４０を透過したレーザ光を受光する光検出器９５０とを有している。ＣＰＴ方式の原子時計においては、レーザ光は変調され、特定波長である搬送波の両側に出現するサイドバンド波長により、アルカリ金属原子における電子の２つの遷移を同時に行ない励起する。この遷移における遷移エネルギーは不変であり、レーザ光のサイドバンド波長と遷移エネルギーに対応する波長とが一致したときに、アルカリ金属における光の吸収率が低下する透明化現象が生じる。このように、アルカリ金属による光の吸収率が低下するように、搬送波の波長を調整するとともに、光検出器９５０において検出された信号を変調器９６０にフィードバックし、変調器９６０によりレーザ素子等の光源９１０からのレーザ光の変調周波数を調整することを特徴とした原子時計である。尚、レーザ光は、光源９１０より発せられ、コリメートレンズ９２０及びλ／４板９３０を介し、アルカリ金属セル９４０に照射される。
【０００５】
超小型の原子時計におけるアルカリ金属セルとしては、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて生産する方法が開示されている（特許文献１、２）。これらに開示されている方法では、最初に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術によりＳｉ基板に開口部を形成した後、陽極接合によりガラスとＳｉ基板とを接合する。陽極接合は、２００℃〜４５０℃の温度で、ガラスとＳｉ基板との界面に２５０Ｖ〜１０００Ｖ程度の電圧を印加することにより行なわれる。この後、アルカリ金属とバッファガスを入れて、上面となる開口部分にガラスを陽極接合することにより封止する。このようにして形成されたものをセルごとに切り出すことにより、アルカリ金属セルが形成される。
【０００６】
アルカリ金属をアルカリ金属セル内に封入する方法としては、大気中で安定なＣｓディスペンサーをセル内に投入しセルを封止した後、Ｃｓディスペンサーのみにレーザ光を照射して加熱し、Ｃｓを発生させる方法がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＭＥＭＳ技術を用いてアルカリ金属セル等のガスセルに用いられる加工基板を作製する場合、極めて困難な製造工程が必要となる場合や、高額な装置が必要となる場合があり、実際に製造することが困難であったり、製造コストが高くなったりするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板の一面及び他面の少なくとも一方に、少なくとも１つの開口部を有するエッチングマスクを形成する第１工程と、前記一面及び他面のうち前記エッチングマスクが形成された面から異方性エッチングを行い、前記基板に第１及び第２の開口と、前記第１及び第２の開口を連通させる凹部とを形成する第２工程と、を含み、前記開口部の総数は、少なくとも３つである加工基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えばガスセルに用いられる加工基板を容易に低コストで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】原子発振器を説明するための図である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、アルカリ金属セルを説明するための図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｄ）は、それぞれ比較例のアルカリ金属セルの製造方法を説明するための図（その１〜その４）である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は、それぞれ比較例のアルカリ金属セルの製造方法を説明するための図（その５〜その７）である。
【図５】比較例のアルカリ金属セルの製造方法による不具合を説明するための図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、それぞれ第１実施形態のアルカリ金属セルの製造方法を説明するための図（その１及びその２）である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、それぞれ第１実施形態のアルカリ金属セルの製造方法を説明するための図（その３及びその４）である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｆ）は、それぞれ第１実施形態のアルカリ金属セルの製造方法を説明するための図（その５〜その１０）である。
【図９】第１実施形態における異方性エッチングの進行状況を説明するための図である。
【図１０】第１実施形態におけるエッチングマスクのパターンについて説明するための図である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、それぞれ第２実施形態のアルカリ金属セルの製造方法を説明するための図（その１及びその２）である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｄ）は、それぞれ第２実施形態のアルカリ金属セルの製造方法を説明するための図（その３〜その６）である。
【図１３】図１３（ａ）及び１３（ｂ）は、それぞれ第３実施形態のアルカリ金属セルの製造方法を説明するための図（その１及びその２）である。
【図１４】図１４（ａ）〜図１４（ｃ）は、それぞれ第３実施形態のアルカリ金属セルの製造方法を説明するための図（その３〜その５）である。
【図１５】図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、それぞれ第３実施形態の変形例のアルカリ金属セルの製造方法を説明するための図（その１及びその２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１２】
最初に、原子発振器に用いられるアルカリ金属セルの製造方法について説明する。図２は、原子発振器に用いられるアルカリ金属セルの構造を模式的に示した図である。尚、図２（ａ）は上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）における一点鎖線２Ａ−２Ｂにおいて切断した断面図である。
【００１３】
アルカリ金属セルは、シリコン基板１０に形成された２つの貫通穴（開口）、即ち、第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２により形成された２つの空間と、この２つの空間を接続（連結）する連結経路となる連結溝１３（凹部）とを有している。第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２により形成される２つの空間は、第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２が形成されているシリコン基板１０の一側の面（一面）に第１の透明基板４１、他側の面（他面）に第２の透明基板４２を張り付け真空封止することにより形成されている。尚、第１の透明基板４１及び第２の透明基板４２は、ガラス基板等により形成されていてもよい。
【００１４】
第２の貫通穴１２により形成される空間には、アルカリ金属発生剤であるＣｓディスペンサー５０が設置されており、Ｃｓディスペンサー５０にレンズ６１を介してレーザ光６２を照射し加熱することにより、アルカリ金属ガスであるＣｓの気体を発生させる。
【００１５】
このように、Ｃｓディスペンサー５０にレーザ光を照射することにより発生した気体のＣｓは、第２の貫通穴１２により形成された空間より、連結溝１３を介し、第１の貫通穴１１により形成された空間に拡散する。これにより、第１の貫通穴１１により形成された空間を含む領域により、図１に示される原子発振器におけるアルカリ金属セルが形成される。
【００１６】
次に、上述したアルカリ金属セルの比較例の製造方法について図３（ａ）〜図５に基づき説明する。
【００１７】
最初に、図３（ａ）に示されるように、シリコン基板１０の表裏両面、即ち、シリコン基板１０の一側の面と他側の面に、誘電体膜２１を形成する。尚、図３（ａ）は誘電体膜２１が表裏両面に形成されたシリコン基板１０の断面図である。
【００１８】
次に、図３（ｂ）に示されるように、シリコン基板１０において、第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２が形成される領域における誘電体膜２１に開口部２１ａを形成する。誘電体膜２１に形成される開口部２１ａは、シリコン基板１０の両面において対応する位置に形成する。尚、シリコン基板１０は、レーザ光との相互作用長を十分に確保するため、厚さが１〜２ｍｍのものを用いている。尚、図３（ｂ）において、右図は上面図であり、左図は右図のＡ−Ａ´断面図である。
【００１９】
次に、図３（ｃ）に示されるように、誘電体膜２１の開口部２１ａにおけるシリコン基板１０におけるシリコンを異方性エッチングにより除去し貫通させることにより、シリコン基板１０に、第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２を形成する。尚、図３（ｃ）において、右図は上面図であり、左図は右図のＢ−Ｂ´断面図である。
【００２０】
次に、図３（ｄ）に示されるように、連結溝１３が形成される領域に開口部を有するレジストパターン３１を形成し、シリコン基板１０において連結溝１３が形成される領域における誘電体膜２１を除去する。尚、図３（ｄ）において、右図は上面図であり、左図は右図のＣ−Ｃ´断面図である。
【００２１】
次に、図４（ａ）に示されるように、誘電体膜２１が除去された領域におけるシリコン基板１０における表面のシリコンを一部除去することにより連結溝１３を形成し、レジストパターン３１を除去する。尚、図４（ａ）において、右図は上面図であり、左図は右図のＤ−Ｄ´断面図である。
【００２２】
次に、図４（ｂ）に示されるように、誘電体膜２１を除去した後、第１の貫通穴１１、第２の貫通穴１２及び連結溝１３が形成されているシリコン基板１０の一側の面に第１の透明基板４１を張り付ける。尚、図４（ｂ）において、右図は上面図であり、左図は右図のＥ−Ｅ´断面図である。
【００２３】
次に、図４（ｃ）に示されるように、第２の貫通穴１２が形成されている空間にＣｓディスペンサー５０を設置し、バッファガスを封入し、シリコン基板１０の他側の面に第２の透明基板４２を張り付ける。尚、図４（ｃ）において、右図は上面図であり、左図は右図のＦ−Ｆ´断面図である。
【００２４】
この後、各々のチップに分割し、図２（ｂ）に示すようにアルカリ金属発生剤であるＣｓディスペンサー５０にレーザ光を照射し、アルカリ金属ガスであるＣｓを発生させることによりアルカリ金属セルが完成する。
【００２５】
ところで、上記のアルカリ金属セルの製造方法においては、図６に示されるような、第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２が形成されているシリコン基板１０の両面に、レジストパターン３１を形成することは容易なことではない。具体的には、以下の問題点を有している。
【００２６】
通常、レジストパターン３１を形成するためのフォトレジストを塗布する際には、シリコン基板１０を真空チャックにより保持する方式がとられている。しかしながら、第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２を有する穴あきのシリコン基板１０の場合、真空チャックにより保持することができない。
【００２７】
また、シリコン基板１０を真空チャックしフォトレジストを塗布する方法としては、シリコン基板１０の一側の面に第１の透明基板４１を張り付けた状態でフォトレジストをスピンコートする方法が考えられる。しかしながら、この方法では、フォトレジストは遠心力により第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２からはみ出してしまい、フォトレジストの膜厚にバラツキが生じてしまうため、綺麗にレジストパターンを形成することができない。
【００２８】
また、第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２が形成されているシリコン基板１０にフォトレジストを塗布する方法としては、スプレーコート法がある。しかしながら、スプレーコート装置は高額であり、また、スプレーコートによる塗布条件設定も難しい。
【００２９】
また、第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２が形成されているシリコン基板１０にフォトレジストを塗布することを回避する方法としては、連結溝１３を形成した後、第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２を形成する方法が考えられる。しかしながら、連結溝１３を形成した後、第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２を異方性エッチングにより形成しようとすると、図５の破線で示されるように、連結溝１３の両端から中央に向けてエッチングが進行するため、第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２、連結溝１３を所望の形状となるように形成することができない。特に、連結溝１３の形状が破たんすることが懸念される。また、ドライエッチングにより第１の貫通穴１１及び第２の貫通穴１２を形成する場合、シリコン基板１０の厚さが１〜２ｍｍと厚いため、短時間でエッチングすることのできる装置は高価であり、また、貫通穴を形成することまでは考慮されたものではない。
【００３０】
〔第１実施形態〕
次に、第１実施形態におけるアルカリ金属セルの製造方法について、図６（ａ）〜図１０に基づき説明する。
【００３１】
第１実施形態のアルカリ金属セルも、上記比較例と同様に、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２（開口）と、該第１及び第２の貫通穴１１１、１１２を連結する（連通させる）連結溝１１３（凹部）が形成された加工基板を有している（図８（ｆ）参照）。
【００３２】
最初に、図６（ａ）に示されるように、シリコン基板１１０の表裏両面、即ち、シリコン基板１１０の一面（例えば表面）と他面（例えば裏面）に、誘電体膜１２１を成膜する。尚、図６（ａ）は誘電体膜１２１が表裏両面に形成されたシリコン基板１１０の断面図である。以下では、シリコン基板１１０を単に「基板」とも呼び、誘電体膜１２１を単に「誘電体膜」とも呼ぶ。
【００３３】
ここでは、シリコン基板１１０は、φ１００ｍｍ、厚さ２ｍｍ、面方位＜１００＞で、ＯＦは＜１１０＞の円板状のＳｉ基板である。
【００３４】
誘電体膜１２１としては、ＬＰ−ＣＶＤ法やＰ−ＣＶＤ法によって成膜したＳｉＮ膜やＳｉを酸化したＳｉＯ２膜を用いることができ、膜厚はＳｉ基板のエッチングに耐えられる膜厚（例えば２００ｎｍ）であれば良い。ここでは、ＬＰ−ＣＶＤ法によるＳｉＮ膜を２００ｎｍの膜厚で成膜した。すなわち、第１実施形態において、「誘電体膜」とは、無機材料により形成されているものであり、酸化物、窒化物、酸窒化物を含むものである。
【００３５】
次に、図６（ｂ）に示されるように、シリコン基板１１０の表面に形成された誘電体膜１２１に、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２と連結溝１１３が形成される領域に開口部１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃを有する第１のレジストパターン１３１を形成する。また、シリコン基板１１０の裏面に形成された誘電体膜１２１に、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２が形成される領域に開口部１３２ａ、１３２ｂを有する第２のレジストパターン１３２を形成する。なお、図６（ｂ）には、アルカリ金属セルの１チップ分が示されている。この工程においては、シリコン基板１１０の表面は平坦であるため、フォトリソグラフィ工程を容易に行うことができる。ここでは、各レジストパターンの材料は、有機材料からなるフォトレジストである。尚、図６（ｂ）において、第１図は上面図であり、第２図は第１図のＧ−Ｇ´断面であり、第３図は下面図である。
【００３６】
一例として、各貫通穴は、３ｍｍ×３ｍｍの正方形であり、チップの外形寸法は８．０ｍｍ×５．０ｍｍである。ここでは、各貫通穴の大きさ、形状が同じであるが、異なっていても良い。
【００３７】
ここで、第１のレジストパターン１３１において、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２に対応する開口部１３１ａ、１３１ｂは、連結溝１１３に対応する開口部１３１ｃを挟む両側に、該開口部１３１ｃに対してそれぞれ間隔Ｌ１をおいて形成されている。すなわち、開口部１３１ａ、１３１ｂと開口部１３１ｃは、接続されていない（連通していない）。間隔Ｌ１の詳細は、後の異方性エッチングの説明時に述べる。
【００３８】
次に、図７（ａ）に示されるように、第１及び第２のレジストパターン１３１、１３２をマスクとしてドライエッチングを行うことにより、第１のレジストパターン１３１の開口部１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃにおける誘電体膜１２１を除去するとともに、第２のレジストパターン１３２の開口部１３２ａ、１３２ｂにおける誘電体膜１２１を除去する。この結果、シリコン基板１１０の表面上の誘電体膜１２１に、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２、連結溝１１３を形成するための３つの開口部が形成されるとともに、シリコン基板１１０の裏面上の誘電体膜１２１に、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２を形成するための２つの開口部が形成される。ドライエッチングは、ＲＩＥ装置でＣＦ４ガス＋Ｈ２ガスによるエッチングである。尚、図７（ａ）において、第１図は上面図であり、第２図は第１図のＨ−Ｈ´断面図であり、第３図は下面図である。
【００３９】
次に、図７（ｂ）に示されるように、第１及び第２のレジストパターン１３１、１３２を除去し、第１及び第２のレジストパターン１３１、１３２で保護された（残留した）誘電体膜１２１をエッチングマスクとして、異方性エッチング（異方性のウェットエッチング）を行う。以下では、エッチングマスクとしての誘電体膜１２１において、各貫通穴を形成するための開口部を貫通穴パターンと呼び、連結溝１１３を形成するための開口部を溝パターンと呼ぶ。貫通穴パターンと溝パターンは、接続されていない（連通していない）。尚、図７（ｂ）において、第１図は上面図であり、第２図の左図は第１図のＩ−Ｉ´断面図であり、第２図の右図は第１図のＪ−Ｊ´断面図であり、第３図は下面図である。
【００４０】
ここでは、ＫＯＨ溶液（３０％）を用いて８５°で異方性エッチングを行う。なお、図７（ｂ）は、異方性エッチングの途中の状態を表している。
【００４１】
この異方性エッチングでは、誘電体膜１２１（ここではＳｉＮ膜やＳｉＯ２膜）をエッチングマスクとしてＳｉをエッチングするものであり、シリコン基板１１０の表面及び裏面の面方位は＜１００＞となっており、ＫＯＨ溶液でのエッチングレートはおよそ１００μｍ/ｈｒとなっている。表面及び裏面からのエッチングが進行すると面方位＜１１１＞面が現れるが、この＜１１１＞面はエッチングレートが遅く＜１００＞面の１／３００程度である。
【００４２】
ここでは、溝パターンの長さＬ２を２００μｍとした。エッチングによって＜１１１＞が現れるが反対側からの＜１１１＞と接続すると深さ方向のエッチングが遅くなるため溝の深さは約１３０μｍとなる（見掛け上エッチングが止まる）。
【００４３】
各貫通穴パターンにおける＜１００＞面のエッチングは進行し、図８（ａ）に示されるようにシリコン基板１１０に２つの貫通穴が形成される。２つの貫通穴が形成されるまでに要するエッチング時間はおよそ１０時間である。尚、図８（ａ）は、図７（ｂ）第２図の左図に対応する断面図である。
【００４４】
連結溝１１３の部分は、前述したように＜１１１＞面のエッチングレートが遅いので基板の途中で止まっている。このときエッチング側壁は＜１１１＞面によって三角形となっているが、三角形の頂点が露出する（貫通穴が形成されると）とその頂点からエッチングが進む。ここでは、図８（ｂ）に示されるように、側壁が垂直になるまでエッチングを進めるが、そのエッチング時間はシリコン基板１１０が貫通してから約４時間必要となる。尚、図８（ｂ）は、図８（ａ）に対応する断面図である。
【００４５】
異方性エッチングでは、面方位によってエッチングレートが違うことを利用してシリコン基板１１０に貫通穴を形成できるが、前述したように＜１１１＞面であってもエッチングは進行する。
【００４６】
図９には、貫通穴パターンと溝パターンにおけるエッチングの進み方が模式的に表されており、＜１００＞面と＜１１１＞面のエッチングのされ方を破線で示している。基板表面及び基板裏面は＜１００＞となっているため、貫通穴パターン及び溝パターンにおける深さ方向のエッチングは早い（１００μｍ／ｈｒ）が、＜１１１＞面のエッチングは＜１００＞面と比較して約１／３００（約０．３３μｍ／ｈｒ）と遅い。しかし、異方性エッチング前に接続されていなかった溝パターンと貫通穴パターンは、図８（ｃ）に示されるように、長時間のエッチングにより＜１１１＞面のエッチングが進み、空間的に接続する（連通する）こととなる。
【００４７】
次に、誘電体膜１２１を除去することで、図８（ｄ）に示されるように、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２と該第１及び第２の貫通穴１１１、１１２を連結する連結溝１１３が形成された加工基板が得られる。尚、図８（ｃ）は、図８（ｂ）に対応する断面図である。図８（ｄ）は、図８（ｃ）に対応する断面図である。
【００４８】
貫通穴パターンと溝パターンの距離Ｌ１の中心値（設計値）Ｌ１ｃは、次の（１）式で求めることができる。（１）式において、Ｔ（μｍ）はシリコン基板１１０の厚さ、Ｅ１（μｍ／ｈｒ）は＜１００＞面のエッチングレート、Ｅ２（μｍ／ｈｒ）は＜１１１＞面のエッチングレートである。
Ｌ１ｃ＝｛Ｔ／（Ｅ１×２×１．４）｝×（Ｅ２×２）・・・（１）
【００４９】
ただし、連結溝１１３を形成する際には、サイドエッチング等により寸法が変化することが分かっており、（１）式に示される中心値Ｌ１ｃに対して±２０％の寸法変化量が見込まれる。すなわち、Ｌ１ｃ×０．８≦Ｌ１≦Ｌ１ｃ×１．２となることが想定される。
【００５０】
上記（１）式を詳しく説明すると、Ｔ／（Ｅ１×２×１．４）はエッチング時間を算出するもので、エッチングは基板両面から進行するためＥ１（＜１００＞面エッチングレート）×２倍となり、さらに貫通穴のジャストエッチング＋貫通穴の側壁が垂直になる時間＝１．４倍としている。次の（Ｅ２×２）でも同様に、Ｅ２（＜１１１＞面のエッチングレート）は溝パターンと貫通穴パターンからの２方向から進行するので２倍としている。
【００５１】
異方性エッチングは、前述したように基板が貫通するまでの約１０時間と貫通穴側壁が垂直になるまでエッチングする約４時間の合計１４時間行う。＜１１１＞面のエッチングレートは０．３３μｍ／ｈｒなので１４時間だと４．６２μｍ、エッチングは溝側と貫通穴側の両側から進むためその２倍だとすればＬ１を９．２４μｍ以下にすることで、溝と貫通穴を＜１１１＞面のサイドエッチングによって空間的に接続（連通）できることになる。
【００５２】
計算では９．２４μｍと求めることができるが、実際にはフォトリソ条件によるレジスト寸法変化や誘電体膜のドライエッチング時のサイドエッチング、または基板と誘電体膜の密着性等による寸法変化があるため、様々なＬ１寸法でテストエッチングを行った上でＬ１寸法を決めるのが理想的である。
【００５３】
本実施形態では、Ｌ１として様々な長さ（３μｍ〜１５μｍ：０．５μｍ間隔）のフォトマスクを作製し、予備実験として１４時間の異方性エッチングを行い、溝と貫通穴を接続するためのサイドエッチングの出来具合を評価した結果、フォトマスク寸法（Ｌ１）が８．５μｍのものが溝の形状が良好（２つの貫通穴が連結溝を介して接続され、溝の頂点の後退量（図５：破線部）が１００μｍ以下）であった。
【００５４】
次に、図８（ｅ）に示されるように、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２と連結溝１１３が形成されているシリコン基板１１０、すなわち加工基板の表面に第１の透明基板１４１（例えばガラス板）を張り付ける。尚、図８（ｅ）は、図８（ｄ）に対応する断面図である。
【００５５】
次に、図８（ｆ）に示されるように、加工基板における第２の貫通穴１１２が形成されている空間にＣｓディスペンサー１５０を設置し、バッファガスを封入し、加工基板の裏面に第２の透明基板１４２（例えばガラス板）を張り付ける。尚、図８（ｆ）は、図８（ｅ）に対応する断面図である。
【００５６】
このようにして、加工基板を、Ｃｓディスペンサーを内包するように２枚の透明基板により封止することでアルカリ金属セル群が完成する。
【００５７】
次に、アルカリ金属セル群を、各々のチップに分割し、アルカリ金属発生剤であるＣｓディスペンサー１５０にレーザ光を照射しアルカリ金属ガスである気体のＣｓを発生させることにより、アルカリ金属セルが完成する。尚、アルカリ金属発生剤は、通常、アルカリ金属化合物により形成されている。
【００５８】
ところで、従来、アルカリ金属セル等のガスセルの製造においては、貫通口パターンと溝パターンを別々のフォトマスク（レジストパターン）によってパターニングしていたが、第１実施形態の加工基板の製造方法では、貫通穴パターンと溝パターンを共通のフォトマスクによってパターンニングすることが可能となる。
【００５９】
図１０には、第１実施形態のエッチングマスクとしての誘電体膜１２１のマスクパターンが示されている。図１０では、貫通穴パターンは中央線α−α´に関して左右対称に同数配置されているが、溝パターンは中央線α−α´を境に片側のみに配置されている。このような配置にすれば貫通穴パターンは基板の表裏両面に、溝パターンは片面のみに１枚：ｐのフォトマスクで形成することができる。
【００６０】
以上説明した第１実施形態の加工基板の製造方法は、基板（シリコン基板１１０）の一面及び他面に、少なくとも１つの開口部を有するエッチングマスク（エッチングマスクとしての誘電体膜１２１）を形成する第１工程と、基板の一面及び他面から異方性エッチングを行い、基板に第１及び第２の貫通穴１１１、１１２と、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２を空間的に連結する連結溝１１３（連通させる凹部）とを形成する第２工程と、を含み、開口部の総数は、少なくとも３つ（ここでは５つ）である。
【００６１】
この場合、１度の異方性エッチングにより、各貫通穴と連結溝１１３を形成できるため、製造工程の簡略化を実現できる。
【００６２】
この結果、例えばガスセルに用いられる加工基板を容易に低コストで製造することができる。
【００６３】
また、少なくとも３つの開口部は、第１の貫通穴１１１を形成するための開口部、第２の貫通穴１１２を形成するための開口部及び連結溝１１３を形成するための開口部を含み、第１の貫通穴１１１を形成するための開口部、第２の貫通穴１１２を形成するための開口部及び連結溝１１３を形成するための開口部は、互いに連通しない。
【００６４】
この場合、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２と連結溝１１３を形成する際のエッチングを独立に進行させることができ、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２と連結溝１１３の形状が所望の形状から変化するのを抑制できる。
【００６５】
また、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２は、異方性エッチングの際のサイドエッチングにより連結溝１１３（凹部）を介して接続される（連通する）。
【００６６】
この場合、連結溝１１３は異方性エッチングによる貫通穴形成後にサイドエッチングにより形成され、各貫通穴と連結溝１１３は比較的短時間で接続されるため、貫通穴形状の変化や溝形状の破綻を防止できる。
【００６７】
この結果、各貫通穴と連結溝１１３を所望の形状とした加工基板を製造することができ、歩留りを向上することができる。
【００６８】
また、上記第１工程では、基板の一面及び他面の双方に少なくとも１つの開口部を有するエッチングマスクを形成し、第２工程では、基板の一面及び他面から異方性エッチングを行い、基板の厚さをＴ（μｍ）、異方性エッチングの＜１００＞面のエッチングレートをＥ１（μｍ／ｈｒ）、＜１１１＞面のエッチングレートをＥ２（μｍ／ｈｒ）、各貫通穴を形成するためのエッチングマスクの開口部（貫通穴パターン）と連結溝１１３を形成するためのエッチングマスクの開口部（溝パターン）の間隔をＬ１（μｍ）としたとき、｛Ｔ／（Ｅ１×２×１．４）｝×（Ｅ２×２）×０．８≦Ｌ１≦｛Ｔ／（Ｅ１×２×１．４）｝×（Ｅ２×２）×１．２である。
【００６９】
この場合、貫通穴パターンと溝パターンとの間隔Ｌ１を規定したことで所望の貫通穴形状及び溝形状の加工基板を高歩留まりで製造することが可能となる。
【００７０】
また、上記第１工程では、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２を形成するための２つの開口部（貫通穴パターン）及び連結溝１１３を形成するための１つの開口部（溝パターン）を有するエッチングマスクを基板の一面に形成するとともに、第１及び第２の開口を形成するための２つの開口部を有するエッチングマスクを他面に形成する。
【００７１】
この場合、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２と、連結溝１１３を短時間に形成できる。
【００７２】
なお、第１実施形態では、基板の他面にもマスクを形成しているが、必ずしも形成しなくても良い。すなわち、基板の一面のみに、２つの貫通穴パターン及び溝パターンを有するマスクを形成しても、１度の異方性エッチングにより、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２と、連結溝１１３を形成できる。
【００７３】
この場合、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２と、連結溝１１３の形成時間の短縮化は望めないが、製造工程の更なる簡略化を実現できる。
【００７４】
また、第１実施形態のアルカリ金属セル（ガスセル）の製造方法は、基板の一面及び他面に、少なくとも１つの開口部を有するエッチングマスクを形成する工程と、一面及び他面から異方性エッチングを行い、基板に第１及び第２の貫通穴１１１、１１２と、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２を空間的に連結する連結溝１１３を形成する工程と、第１及び第２の貫通穴１１１、１１２の一方にアルカリ金属のディスペンサーを配置する工程と、一面及び他面を封止する工程と、を含む。
【００７５】
この場合、アルカリ金属セルを容易に低コストで製造することができる。
【００７６】
また、第１実施形態の基板加工方法は、基板の一面及び他面に、少なくとも１つの開口部を有するエッチングマスクを形成する工程と、基板の一面及び他面から異方性エッチングを行い、基板に第１及び第２の貫通穴１１１、１１２（開口）と、該第１及び第２の貫通穴１１１、１１２を空間的に連結する連結溝１１３（連通させる凹部）とを形成する工程と、を含む。
【００７７】
この場合、１度の異方性エッチングにより、各貫通穴と連結溝１１３を形成できるため、製造工程の簡略化を実現できる。
【００７８】
この結果、例えばガスセルに用いられる加工基板を容易に低コストで製造することができる。
【００７９】
また、上記第１工程は、基板の一面及び他面に誘電体膜１２１を形成するサブ工程と、基板の一面に形成された誘電体膜１２１に、３つの開口部１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃを有する第１のレジストパターン１３１を形成するとともに基板の他面に形成された誘電体膜１２１に、２つの開口部１３２ａ、１３２ｂを有する第２のレジストパターン１３２を形成するサブ工程と、第１及び第２のレジストパターン１３１、１３２をマスクとして誘電体膜１２１をエッチングすることによりエッチングマスクとしての誘電体膜１２１を形成するサブ工程と、を含む。
【００８０】
この場合、各貫通穴及び連結溝１１３を形成するための開口部を誘電体膜１２１に精度良く形成することができる。
【００８１】
また、第１実施形態におけるアルカリ金属セルの製造方法においては、第１の貫通穴１１１及び第２の貫通穴１１２が形成されているシリコン基板１１０に、フォトレジストを塗布する工程が含まれていない。従って、高額な装置を必要とすることなく、高い歩留まりでアルカリ金属セルを製造することができる。また、異方性エッチングであれば、最も時間のかかるシリコン基板１１０の穴開け工程を複数枚同時に処理することができるため効率がよい。
【００８２】
〔第２実施形態〕
第２実施形態のアルカリ金属セルも、上記第１実施形態と同様に、第１及び第２の貫通穴２１１、２１２（開口）と、該第１及び第２の貫通穴２１１、２１２を空間的に連結する（連通させる）連結溝１１３（凹部）が形成された加工基板を有している（図１２（ｄ）参照）。
【００８３】
第２実施形態では、図１１（a）に示されるように、基板の表面側に２つの貫通穴パターンを形成するとともに、基板の裏面側に溝パターンを形成している。尚、図１１（ａ）において、第１図は上面図であり、第２図は第１図のＫ−Ｋ´断面図であり、第３図は下面図である。
【００８４】
具体的には、基板（シリコン基板２１０）の表面及び裏面に誘電体膜２２１を形成し、基板の表面上の誘電体膜２２１に、第１及び第２の貫通穴２１１、２１２が形成される領域に２つの開口部を有する第１のレジストパターンを形成するとともに、基板の裏面上の誘電体膜２２１に、連結溝２１３が形成される領域に開口部を有する第２のレジストパターンを形成する。そして、第１及び第２のレジストパターンをマスクとして誘電体膜２２１をエッチングすることで、基板の表面上の誘電体膜２２１に第１及び第２の貫通穴２１１、２１２を形成するための開口部（貫通穴パターン）を形成するとともに、基板の裏面上の誘電体膜２２１に連結溝２１３を形成するための開口部（溝パターン）を形成する。
【００８５】
以下に第２実施形態の実施例について説明する。
基板はφ１００ｍｍ、厚さ１ｍｍ、面方位＜１００＞、ＯＦが＜１１０＞の円板状のＳｉ基板である。基板には誘電体膜（ここではＳｉＮ膜やＳｉＯ２）を２００ｎｍ成膜した。
【００８６】
基板表面側に貫通穴パターンをフォトリソグラフィ法及びドライエッチングにより形成した。各貫通穴パターンは３ｍｍ×３ｍｍの正方形状であり、２つの貫通穴パターンの間隔は０．５ｍｍである。
【００８７】
基板裏面側に溝パターンをフォトリソグラフィ法及びドライエッチングにより形成した。溝パターンは、幅０．２ｍｍ×長さ約１．９ｍｍである。
【００８８】
異方性エッチングを約５時間行うことで、図１１（ｂ）に示されるように、各貫通穴が基板表面側から形成される。貫通穴は表面側からのエッチングとなるため＜１１１＞面が図１１（ｂ）第２図のように形成されるため、オーバーエッチングを行っても、第１実施形態と異なり、側壁が垂直にはならない。尚、図１１（ｂ）において、第１図は上面図であり、第２図は第１図のＭ−Ｍ´断面図であり、第３図は下面図である。
【００８９】
基板裏面側に形成された溝パターンからも同様にエッチングが行われるが、溝パターンの幅が狭いため＜１１１＞面同士が接続したところでエッチングが見掛け上停止する。＜１１１＞面は＜１００＞面に対して５４．７°傾斜していることから各貫通穴の基板裏面側の端は基板表面側の端からおよそ０．７ｍｍ内側に位置し、２つの貫通穴の基板裏面側の内端の間隔Ｌ３は１．９ｍｍとなる。貫通穴パターンと溝パターンの距離Ｌ１は数μｍであり、ジャストエッチング＋αのエッチング時間で、図１２（ａ）に示されるような連結溝２１３が形成され、２つの貫通穴２１１、２１２が連結溝２１３を介して空間的に接続される。貫通穴パターンと溝パターンの間隔Ｌ１は、上記（１）式から６．６μｍと求められるので、連結溝２１３の長さ＝Ｌ３−（６．６μｍ×２）となる。尚、図１２（ａ）において、第１図は上面図であり、第２図は第１図のＮ−Ｎ´断面図であり、第３図は下面図である。
【００９０】
ここに示した寸法やエッチング時間はおおよそのものであり、エッチングマスクとなる誘電体膜のサイドエッチング量などにより変動する可能性がある。
【００９１】
その後、２時間のオーバーエッチングを行い、誘電体膜２２１を除去することで、図１２（ｂ）に示されるような加工基板が得られる。尚、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）第２図（Ｎ−Ｎ´断面図）に対応する断面図である。
【００９２】
次に、図１２（ｃ）に示されるように、第１及び第２の貫通穴２１１、２１２と連結溝２１３が形成されているシリコン基板２１０、すなわち加工基板の表面に第１の透明基板２４１（例えばガラス板）を張り付ける。尚、図１２（ｃ）は、図１２（ｂ）に対応する断面図である。
【００９３】
次に、図１２（ｄ）に示されるように、加工基板における第２の貫通穴２１２が形成されている空間にＣｓディスペンサー２５０を設置し、バッファガスを封入し、第１及び第２の貫通穴２１１、２１２が形成されているシリコン基板２１０の裏面に第２の透明基板２４２（例えばガラス板）を張り付ける。尚、図１２（ｄ）は、図１２（ｃ）に対応する断面図である。
【００９４】
このようにして、加工基板を、Ｃｓディスペンサー２５０を内包するように２枚の透明基板により封止することでアルカリ金属セル群が完成する。
【００９５】
次に、アルカリ金属セル群を、各々のチップに分割し、アルカリ金属発生剤であるＣｓディスペンサー２５０にレーザ光を照射しアルカリ金属ガスである気体のＣｓを発生させることにより、アルカリ金属セルが完成する。尚、アルカリ金属発生剤は、通常、アルカリ金属化合物により形成されている。
【００９６】
以上説明した第２実施形態の加工基板の製造方法は、基板（シリコン基板２１０）の一面及び他面に、少なくとも１つの開口部を有するエッチングマスク（エッチングマスクとしての誘電体膜２２１）を形成する第１工程と、基板の一面及び他面から異方性エッチングを行い、基板に第１及び第２の貫通穴２１１、２１２と、第１及び第２の貫通穴２１１、２１２を空間的に連結する連結溝２１３（連通させる凹部）とを形成する第２工程とを含み、第１工程では、第１及び第２の貫通穴２１１、２１２を形成するための２つの開口部を有するマスクを基板の一面に形成し、連結溝２１３を形成するための１つの開口部を有するマスクを基板の他面に形成する。
【００９７】
第２実施形態の加工基板の製造方法によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、２つの貫通穴を近接させることが可能となるため加工基板の外形寸法を小さくすることが可能となる。この結果、アルカリ金属セルの小型化も可能となる。
【００９８】
［第３実施形態］
第３実施形態のアルカリ金属セルも、上記第１、２実施形態と同様に、第１及び第２の貫通穴３１１、３１２（開口）と、該第１及び第２の貫通穴３１１、３１２を空間的に連結する（連通させる）連結溝３１３（凹部）が形成された加工基板を有している（図１４（ｃ）参照）。
【００９９】
第３実施形態では、図１３（a）、図１３（ｂ）に示されるように、基板の表面側に１つの貫通口パターンを形成し、基板の裏側にもう１つの貫通口パターンを形成し、基板の表面側及び裏面側の一方（図１３（ａ）、図１３（ｂ）では表面側）に溝パターンを形成している。尚、図１３（ａ）において、第１図は上面図であり、第２図は第１図のＯ−Ｏ´断面図であり、第３図は下面図である。尚、図１３（ｂ）において、第１図は上面図であり、第２図は第１図のＰ−Ｐ´断面図であり、第３図は下面図である。
【０１００】
図１３（ａ）には、異方性エッチングのジャストエッチングまで終了した状態が示され、図１３（ｂ）では、オーバーエッチングを行い、２つの貫通穴が連結溝で空間的に連結された（連通した）状態が示されている。
【０１０１】
具体的には、基板（シリコン基板３１０）の表面及び裏面に誘電体膜３２１を形成し、基板の表面上の誘電体膜３２１に、第１の貫通穴３１１及び連結溝３１３が形成される領域に２つの開口部を有する第１のレジストパターンを形成するとともに、基板の裏面上の誘電体膜３２１に、第２の貫通穴３１２が形成される領域に開口部を有する第２のレジストパターンを形成する。そして、第１及び第２のレジストパターンをマスクとして誘電体膜３２１をエッチングすることで、基板の表面上の誘電体膜３２１に第１の貫通穴３１１及び連結溝３１３を形成するための２つの開口部（貫通穴パターン及び溝パターン）を形成するとともに、基板の裏面上の誘電体膜３２１に第２の貫通穴３１２を形成するための開口部（溝パターン）を形成する。
【０１０２】
ここでは、基板はφ１００ｍｍ、厚さ１ｍｍ、面方位＜１００＞、ＯＦが＜１１０＞の円板状のＳｉ基板である。基板には誘電体膜（ここではＳｉＮ膜やＳｉＯ２）を２００ｎｍ成膜した。
【０１０３】
基板の表裏両面に１つずつ貫通穴パターンをフォトリソグラフィ法及びドライエッチングにより形成した。貫通穴パターンは３ｍｍ×３ｍｍの正方形状であり、２つの貫通穴パターンは上面側あるいは下面側より透過して見た場合パターンエッジが一致する（間隔が０ｍｍとなる）よう配置した（図１３（ａ）参照）。
【０１０４】
基板の表面に溝パターンをフォトリソグラフィ法及びドライエッチングにより形成した。溝パターンは、基板の表面側に幅０．２ｍｍ×長さ０．７ｍｍで形成した（図１３（ａ）参照）。
【０１０５】
異方性エッチングを約５時間行うことで、図１３（ａ）に示されるように、貫通穴パターンが表面側及び裏面側から形成される。溝パターンもエッチングされるが、＜１１１＞が露出すると見掛け上エッチングが停止する。
【０１０６】
第２実施形態と同様に、貫通穴パターンと溝パターンの距離Ｌ１は数μｍであり、ジャストエッチング＋αのエッチング時間（例えば２時間のオーバーエッチング）で、図１３（ｂ）に示されるように、２つの貫通穴が連結溝を介して空間的に接続される（連通する）。
【０１０７】
その後、誘電体膜３２１を除去することで、図１４（ａ）に示されるような加工基板が得られる。尚、図１４（ａ）は、図１３（ｂ）第２図（Ｐ−Ｐ´断面図）に対応する断面図である。
【０１０８】
次に、図１４（ｂ）に示されるように、第１及び第２の貫通穴３１１、３１２と連結溝３１３が形成されているシリコン基板３１０、すなわち加工基板の表面に第１の透明基板３４１（例えばガラス板）を張り付ける。尚、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に対応する断面図である。
【０１０９】
次に、図１４（ｃ）に示されるように、加工基板における第２の貫通穴３１２が形成されている空間にＣｓディスペンサー３５０を設置し、バッファガスを封入し、加工基板の裏面に第２の透明基板３４２（例えばガラス板）を張り付ける。尚、図１４（ｃ）は、図１４（ｂ）に対応する断面図である。
【０１１０】
このようにして、加工基板を、Ｃｓディスペンサー３５０を内包するように２枚の透明基板により封止することでアルカリ金属セル群が完成する。
【０１１１】
次に、アルカリ金属セル群を、各々のチップに分割し、アルカリ金属発生剤であるＣｓディスペンサー３５０にレーザ光を照射しアルカリ金属ガスである気体のＣｓを発生させることにより、アルカリ金属セルが完成する。尚、アルカリ金属発生剤は、通常、アルカリ金属化合物により形成されている。
【０１１２】
以上のように、２つの貫通穴パターンを基板表裏面に別々に配置することで、２つの貫通穴パターンの基板に平行な方向の間隔（距離）を狭くすることが可能となるため、ガスセルの外形寸法を小さくすることが可能となる。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）では２つの貫通穴パターンを同じ大きさにしているが、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示されるようにＣｓディスペンサ（１×１×０．６ｍｍ）を収納する貫通穴を形成するための貫通穴パターンをもう１つの貫通穴パターンよりも小さくすることができ、さらなる小型化を実現することが可能となる。
【０１１３】
以上説明した第３実施形態の加工基板の製造方法は、基板（シリコン基板３１０）の一面及び他面に、少なくとも１つの開口部を有するエッチングマスク（エッチングマスクとしての誘電体膜３２１）を形成する第１工程と、基板の一面及び他面から異方性エッチングを行い、基板に第１及び第２の貫通穴３１１、３１２と、第１及び第２の貫通穴３１１、３１２を空間的に連結する連結溝３１３（連通させる凹部）とを形成する第２工程とを含み、第１工程では、第１の貫通穴３１１及び連結溝３１３を形成するための２つの開口部を有するエッチングマスクを基板の一面に形成し、第２の貫通穴３１２を形成するための開口部を有するエッチングマスクを基板の他面に形成する。
【０１１４】
この場合、上記第１、第２実施形態と同様の効果を奏するとともに、加工基板の更なる小型化を実現することが可能となる。
【０１１５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【０１１６】
例えば、ディスペンサーに用いられるアルカリ金属として、Ｃｓに代えて、例えばＮａ、Ｌｉ、Ｒｂ、Ｋ等を用いても良い。
【０１１７】
また、上記各実施形態では、第１の貫通穴を形成するための開口部、第２の貫通孔を形成するための開口部及び連結溝を形成するための開口部は、互いに連通（空間的に接続）していないが、これらの少なくとも２つを互いに連通させても良い。
【符号の説明】
【０１１８】
１１０、２１０、３１０…シリコン基板（基板）、１１１、２１１、３１１…第１の貫通穴（第１の開口）、１１２、２１２、３１２…第２の貫通穴（第２の開口）、１１３、２１３、３１３…連結溝（凹部）、１２１、２２１、３２１…誘電体膜、１３１、２３１、３３１…第１のレジストパターン、１３２、２３２、３３２…第２のレジストパターン、１５０、２５０、３５０…Ｃｓディスペンサー（アルカリ金属のディスペンサー）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１１９】
【特許文献１】特開２００９−２１２４１６号公報
【特許文献２】特開２００９−２８３５２６号公報
【図１】
2017005038.tif 000003
【図２】
2017005038.tif 000004
【図５】
2017005038.tif 000005
【図１０】
2017005038.tif 000006
【図１１】
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【図１２】
2017005038.tif 000008
【図１３】
2017005038.tif 000009
【図１４】
2017005038.tif 000010
【図１５】
2017005038.tif 000011
【図３】
2017005038.tif 000012
【図４】
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【図６】
2017005038.tif 000014
【図７】
2017005038.tif 000015
【図８】
2017005038.tif 000016
【図９】
2017005038.tif 000017