(57)【要約】【課題】スクリーニング工程において、半導体レーザの出力の変化率を、高い精度で評価する。【解決手段】半導体レーザを準備する工程と、光学モジュールを用いて、前記半導体レーザを選別するスクリーニング工程と、を備える半導体レーザの製造方法であって、前記光学モジュールが、複数の貫通孔を備える金属板と、前記半導体レーザから放射され、前記貫通孔を通過したレーザ光を受光する受光部と、を備える、半導体レーザの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザを準備する工程と、
光学モジュールを用いて、前記半導体レーザを選別するスクリーニング工程と、を備える半導体レーザの製造方法であって、
前記光学モジュールが、
複数の貫通孔を備える金属板と、
前記半導体レーザから放射され、前記貫通孔を通過したレーザ光を受光する受光部と、を備える、半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
前記光学モジュールが、さらに、前記レーザ光のビーム径を拡大させる拡散板を備え、
前記受光部は、前記拡散板および前記貫通孔をこの順に通過した前記レーザ光を受光する、請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項３】
前記レーザ光の波長が７８０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項４】
少なくとも一枚の前記金属板の前記貫通孔を通過させて、前記レーザ光の強度を１０％以下に減衰させる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項５】
前記金属板における前記レーザ光と交わる領域の開口率が１〜１５％である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項６】
前記金属板における前記レーザ光と交わる領域が、前記レーザ光の光軸と交わる第１領域と、前記第１領域以外の第２領域と、を備えており、
前記第１領域の開口率と前記第２領域の開口率との差が０．５％未満である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項７】
前記金属板における前記レーザ光と交わる領域が、前記レーザ光の光軸と交わる第１領域と、前記第１領域以外の第２領域と、を備えており、
前記第１領域の開口率が、前記第２領域の開口率よりも０．５％以上小さい、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項８】
レーザ光を通過させるための複数の貫通孔を備える金属板と、
前記金属板に対向するように配置され、前記貫通孔を通過した前記レーザ光を受光する受光部と、を備える、光学モジュール。
【請求項９】
さらに、前記金属板の前記受光部とは反対側に、前記金属板に対向するように配置され、前記レーザ光のビーム径を拡大させる拡散板を備える、請求項８に記載の光学モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザの製造方法に関し、特にスクリーニング工程で使用される光学モジュールの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは、高出力であり、高周波域での動作が可能であるため、各種光通信システム、照明機器、電子機器の光源等として用いられている。半導体レーザは、出荷前にスクリーニング工程に供され、良品および不良品に選別される。半導体レーザの信頼性は、このスクリーニング工程によって担保されている。
【０００３】
スクリーニング工程では、定電流制御方式（ＡＣＣ：Auto Current Control）あるいは定光出力制御方式（ＡＰＣ：Auto Power Control）を用いて、半導体レーザに一定の電流あるいは光出力で所定の時間、通電する。このとき、半導体レーザからはレーザ光が放射され、レーザ光は受光素子であるフォトダイオードに入射する。フォトダイオードに入射したレーザ光は、電圧に変換される。フォトダイオードは電圧測定装置に接続しており、半導体レーザからの出力が、電圧値として測定される。すなわち、スクリーニング工程では、このようなフォトダイオードを備える光学モジュールによって測定された電圧値の変化から、出力の変化率を評価する。出力の変化率が所定の閾値を超える場合、その半導体レーザは不良品として除去される。
【０００４】
レーザ光をフォトダイオードの受光感度特性に適応させるため、通常、半導体レーザとフォトダイオードとの間にＮＤ（Neutral Density）フィルタと言われるフィルタを介在させ、レーザ光を減光させている。ＮＤフィルタは、特許文献１および２に教示されるように、光量を測定するモジュールに一般的に配される部材であり、発色に影響を与えずに光量を低減させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１３５４７号公報
【特許文献２】特開２０１３−１２７４４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＮＤフィルタは、一般的に、ガラスおよびガラスに分散された光吸収物質により形成されており、レーザ光を吸収することによって減光させる。ＮＤフィルタのレーザ光に対する吸収率（換言すれば、レーザ光のＮＤフィルタに対する透過率）は、経時的に変化する場合がある。この場合、光学モジュールによって測定される電圧値は、半導体レーザの出力だけでなく、上記透過率の変化の影響を受ける。そのため、半導体レーザの出力の変化率を、精度良く評価することは困難である。また、ＮＤフィルタは、入射する波長帯に応じた分光特性（分光分布）を有することが知られている。つまり、レーザ光のＮＤフィルタに対する透過率は、波長によってばらつきがある。そのため、測定対象となるレーザ光の波長域が広い場合、半導体レーザの出力の変化率を精度良く評価することは困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一局面は、半導体レーザを準備する工程と、光学モジュールを用いて、前記半導体レーザを選別するスクリーニング工程と、を備える半導体レーザの製造方法であって、前記光学モジュールが、複数の貫通孔を備える金属板と、前記半導体レーザから放射され、前記貫通孔を通過したレーザ光を受光する受光部と、を備える、半導体レーザの製造方法に関する。
【０００８】
本発明の他の一局面は、レーザ光を通過させるための複数の貫通孔を備える金属板と、前記金属板に対向するように配置され、前記貫通孔を通過した前記レーザ光を受光する受光部と、を備える、光学モジュールに関する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、スクリーニング工程において、半導体レーザの出力の変化率を精度良く評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る光学モジュールを模式的に示す上面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る金属板の入射領域を模式的に示す平面図である。
【図３Ａ】本発明の他の実施形態に係る金属板の入射領域を模式的に示す平面図である。
【図３Ｂ】本発明のさらに他の実施形態に係る金属板の入射領域を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
レーザ光のＮＤフィルタに対する透過率が経時的に変化する理由としては、ＮＤフィルタの劣化が考えられる。近年、半導体レーザの用途の拡大に伴い、その出力が高まっている。そのため、スクリーニング工程において、ＮＤフィルタには、レーザ光が高い光密度（強度）で一定の狭い領域に集中して入射する。ＮＤフィルタに、レーザ光が高い強度で入射すると、吸収による発熱量が増加し、光吸収物質の化学的変化も大きくなる。そのため、ＮＤフィルタの劣化の程度が大きくなって、レーザ光のＮＤフィルタに対する透過率が経時的に変化するものと考えられる。この傾向は、レーザ光の波長が４５０ｎｍより短い場合に特に顕著である。
【００１２】
そこで、本実施形態では、レーザ光の強度を減衰させるための部材として、複数の貫通孔を備える金属板を用いる。すなわち、半導体レーザの製造方法の一工程であるスクリーニング工程において、複数の貫通孔を備える金属板と上記貫通孔を通過したレーザ光を受光する受光部とを備える光学モジュールを用いる。金属板は、電磁波の吸収率が低い。そのため、レーザ光が高い出力で入射する場合であっても、経時的な劣化を生じ難い。よって、スクリーニング工程において測定環境が安定し、半導体レーザの出力の変化率を精度良く評価することができる。また、金属板の電磁波に対する吸収率は、その波長には影響され難い。よって、レーザ光の波長域が広い場合であっても、半導体レーザの出力の変化率を精度良く評価することができる。
【００１３】
すなわち、半導体レーザは、半導体レーザを準備する工程と、上記金属板と受光部とを備える光学モジュールを用いて、半導体レーザを選別するスクリーニング工程と、を備える方法により製造される。
【００１４】
光学モジュールは、さらに、レーザ光のビーム径を拡大させる拡散板を備えることが好ましい。拡散板は、レーザ光の一部を乱反射させる部材である。レーザ光は、高い指向性および直進性を有している。金属板および受光部に、拡散板を通過したレーザ光を入射させることにより、レーザ光が、金属板および受光部のレーザ光の光軸と交わる狭い領域に集中して入射することが抑制される。よって、金属板および受光部にかかるストレスが低減されて、金属板、さらには受光部の経時的な劣化が抑制される。また、金属板は、レーザ光の一部を反射することにより、レーザ光の強度を減衰させる部材である。拡散板を、半導体レーザと金属板との間に介在させることにより、金属板から拡散板に向かって反射されたレーザ光もまた、拡散板により乱反射される。そのため、金属板からの反射光による誤差が生じ難くなって、出力の変化率の評価の精度がさらに向上する。
【００１５】
レーザ光の波長は７８０ｎｍ以下、さらには４５０ｎｍ以下であってもよい。金属板は、電磁波に対する反射率が高い。言い換えれば、金属板は電磁波に対する吸収率が低いため、このように波長が短く、大きな光エネルギーを有するレーザ光であっても、金属板の経時的な劣化は抑制される。ここで、レーザ光の波長とは、ピーク波長を指す（以下同じ）。
【００１６】
光学モジュールでは、少なくとも一枚の金属板の貫通孔を通過させることによって、レーザ光の強度を１０％以下に減衰させることが好ましい。これにより、受光部にかかるストレスがさらに低減される。レーザ光を上記範囲に減衰させるには、金属板におけるレーザ光と交わる領域（入射領域）の開口率を、例えば１〜１５％にすればよい。なお、金属板は、光学モジュールに複数枚配置されてもよい。
【００１７】
金属板の入射領域の開口率は均一であってもよいし、入射領域は、開口率の小さな領域とより大きな領域とを備えていてもよい。後者の場合、レーザ光の光軸が交わる領域（第１領域）の開口率をより小さくする。これにより、集中が緩和された状態で、レーザ光は受光部に入射するため、受光部にかかるストレスがさらに低減する。
【００１８】
また、本実施形態に係る光学モジュールは、レーザ光を通過させるための複数の貫通孔を備える金属板と、金属板に対向するように配置され、貫通孔を通過したレーザ光を受光する受光部と、を備える。光学モジュールは、さらに拡散板を備えることが好ましい。拡散板は、金属板を介して受光部と対向するように配置される。
【００１９】
以下、図１を参照しながら、光学モジュールの構成要素について説明する。図１は、本実施形態に係る光学モジュール１０を模式的に示す上面図である。光学モジュール１０は、貫通孔を備える金属板１１と、レーザ光を受光する受光部１２とを備える。光学モジュール１０は、さらに、金属板１１を介して受光部１２と対向するように配置された拡散板１３を備えている。半導体レーザ３０から出力されたレーザ光（図示せず）は、拡散板１３で拡散されて、ビーム径が拡大する。その後、レーザ光の一部は金属板１１の貫通孔（図示せず）を通過して、受光部１２に入射する。受光部１２は、例えば電圧測定装置２０に接続しており、半導体レーザ３０からの出力が電圧値として測定される。電圧値の測定は、例えば、半導体レーザ３０に、所定の時間、一定の電流を通電させる方式（ＡＣＣ）により行われる。この間の電圧値の変化から、半導体レーザ３０の出力の安定性が評価される。あるいは、一定の光出力で通電させる方式（ＡＰＣ）により、半導体レーザ３０の出力の安定性が評価される。この場合、測定された電圧値をフィードバック値として使用し、駆動電流の変化から、半導体レーザ３０の出力の安定性を評価する。
【００２０】
（金属板）
金属板１１は、金属がレーザ光を含む電磁波に対して高い反射率（例えば、６０％以上）を有する特性を利用し、半導体レーザ３０から出力されるレーザ光の強度を減衰させるために用いられる。半導体レーザ３０の出力が高く、例えば、出力が１０Ｗ以上の場合でも、金属板１１には物理的あるいは化学的な変化が生じ難く、レーザ光の金属板１１に対する透過率は経時的に変化し難い。よって、半導体レーザ３０の出力の変化率の評価の精度が向上する。金属板１１には、複数の貫通孔が設けられており、この貫通孔を通過するレーザ光のみが、受光部１２に入射する。
【００２１】
金属板１１の形状は特に限定されず、例えば、円形、楕円形、矩形、その他の多角形であってもよい。金属板１１の材質も特に限定されず、例えば、ステンレス鋼、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム等が挙げられる。なかでも、線膨張係数の小さい（例えば、１５×１０−６／℃以下）金属が好ましい。上記金属は、他の金属（例えば、クロム、モリブデン、チタン、マンガン、錫、コバルト等）との合金として金属板１１を形成していてもよい。また、金属板１１は、上記金属を含む板材に貫通孔を形成した後、各種めっき処理されることにより得られたものであってもよい。
【００２２】
金属板１１の大きさは特に限定されず、光学モジュールの大きさ等に応じて適宜設定すれば良い。金属板１１の厚みは、半導体レーザ３０から放射されたレーザ光が受光部１２に入射するまでの光路長を考慮して、適宜決定すれば良い。ここで、光路長は、効率的にレーザ光の強度を減衰できる点で、可能な限り長い方が好ましい。光路長は、例えば、厚い金属板１１を用いる方法、複数（例えば２〜５枚。図１では２枚）の金属板１１を用いる方法、複数の金属板１１同士の間をスペーサなどで離間させる方法等により、長くすることができる。なかでも、コストの点で、厚み５０〜３００μｍの複数の金属板１１の間にスペーサ（図示せず）を配置して、光路長を調整する方法が好ましい。光路長は、具体的には、１０〜２５ｍｍであることが好ましい。なお、光路長は、半導体レーザ３０の放射部分から受光部１２の受光部分（いずれも図示せず）までの最短距離に、レーザ光の経路における屈折率を乗じて算出される。
【００２３】
半導体レーザ３０から放射されるレーザ光の強度が高い場合、例えば２Ｗ以上、さらには１０Ｗ以上である場合、受光部１２の受光量等を考慮すると、受光部１２に入射するレーザ光の強度は、半導体レーザ３０から放射されるレーザ光の強度の１０％以下であることが好ましく、１％以下であることがより好ましい。言い換えれば、少なくとも一枚の金属板１１の貫通孔を通過させることによって、受光部１２に入射するレーザ光の強度を、当初のレーザ光の強度の１０％以下（好ましくは１％以下）に減衰させることが好ましい。半導体レーザ３０から放射されるレーザ光の強度に対する、受光部１２に入射するレーザ光の強度の割合（透過率）は、光学モジュール１０に配置される金属板１１（拡散板１３が配置される場合には、拡散板１３および金属板１１）に入射した光量に対する、金属板１１を通過した光量の割合によって算出される。
【００２４】
上記透過率は、金属板１１に対するレーザ光の透過率（以下、金属板透過率と称す）に大きく影響される。金属板透過率は、金属板１１に入射するレーザ光の光量に対する、金属板１１を透過したレーザ光の光量の割合（金属板１１を透過したレーザ光の光量／金属板１１に入射するレーザ光の光量）×１００）である。金属板透過率は、１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましい。
【００２５】
金属板透過率は、金属板１１の開口率に大きく影響される。上記透過率を１０％以下にする場合、金属板１１におけるレーザ光と交わる領域（入射領域）の開口率Ａは、１〜１５％であることが好ましい。開口率Ａを上記範囲にすることにより、上記透過率を１０％以下にすることが容易となる。
【００２６】
ここで、１枚の金属板１１が光学モジュール１０に配置される場合、開口率Ａとは、その金属板１１の入射領域における開口率である。複数枚の金属板１１が光学モジュール１０に配置される場合、開口率Ａとは、各金属板１１の入射領域における開口率を乗じることにより算出される値である。以下、後述する開口率Ａ１およびＡ２においても、同様にして算出される。
【００２７】
そのため、複数枚の金属板１１を用いる場合、個々の金属板１１の入射領域における開口率は１５％より大きくてもよい。例えば、入射領域の開口率がそれぞれ３８％である２枚の金属板１１を用いる場合、開口率Ａは３８％×３８％≒１４％となる。つまり、複数枚の金属板１１を用いる場合、個々の金属板１１の入射領域における開口率は特に限定されず、それぞれの入射領域における開口率を乗じた値が、好ましくは１〜１５％になるように、適宜選択すればよい。なかでも、後述するように、金属板１１に配置される貫通孔の孔径がビーム径よりも十分小さいことを考慮すると、金属板１１の生産性やコストの観点から、個々の金属板１１の入射領域における開口率は、５〜２０％であることが好ましく、８〜１５％であることが好ましく、１０〜１３％であることがより好ましい。個々の金属板１１の入射領域における開口率は同じでもよいし、異なっていてもよい。
【００２８】
入射領域は、受光部１２の光電効果を有する領域（受光領域）に対応するが、便宜的に、例えば、金属板１１とレーザ光の光軸とが交わる点（交点）を中心とする一辺１０ｍｍの正方形と見なすことができる。受光部１２の受光領域が一辺１０ｍｍの正方形より小さい場合、入射領域を、受光部１２の受光領域に内包される最大の正方形とみなしてもよい。なお、後述するように、入射領域が開口率の異なる第１領域と第２領域とを備える場合、開口率Ａは、第１領域および第２領域における各開口率の平均値である。金属板１１の入射領域以外の領域における開口率は特に限定されず、開口率Ａより小さくてもよいし、大きくてもよい。また、金属板１１の入射領域以外の領域には、貫通孔が配置されていなくてもよい。
【００２９】
貫通孔は、例えばパターン状に配置されている。貫通孔がパターン状に配置されているとは、貫通孔がある規則性に則って配置されていることを言う。貫通孔の配列は特に限定されない。貫通孔は、例えば、金属板１１の一方の主面に描かれた仮想の格子線上に位置するように配置されてもよいし、同様に仮想の同心円上に位置するように配置されてもよい。また、貫通孔は、ランダムに（規則性なく）配置されていてもよい。貫通孔の形状は特に限定されず、例えば、円形、楕円形、矩形、その他の多角形であってもよい。貫通孔の配列ピッチも特に限定されず、開口率に応じて適宜設定すれば良い。
【００３０】
貫通孔の孔径は、金属板１１に入射するレーザ光（拡散板１３が配置されている場合は、拡散後のレーザ光）のビーム径よりも十分小さい限り、特に限定されない。孔径は、金属板１１を一方の主面の法線方向から見たとき、貫通孔の外縁の任意の点から中心を通って、対向する外縁までをつなぐ直線の平均の長さである。貫通孔の孔径は、例えば１０〜１００μｍである。なお、貫通孔の中心は、貫通孔が円形の場合、円の直径の中点であり、貫通孔が楕円形の場合、長径および短径の中点である。また、貫通孔が円および楕円以外の点対称な形状（例えば、矩形）である場合、貫通孔の中心は複数の対角線の交点である。貫通孔が上記以外の形状である場合、貫通孔の中心は、貫通孔を密度が一様な平板で閉塞したと仮定して求められる重心とみなすことができる。以下、金属板１１の中心についても同様に決定できる。なお、金属板１１の重心は、金属板１１を密度が一様な平板であると仮定して求めればよい。
【００３１】
貫通孔は、入射領域に均等に配置されていてもよい。すなわち、入射領域における開口率は均一であってもよい。具体的には、入射領域のうち、金属板１１とレーザ光の光軸との交点（入射領域の中心）を含む領域（第１領域）の開口率と、これ以外の領域（第２領域）の開口率との差が０．５％未満であってもよい。図２に、正方形の入射領域１１０に、一定の孔径Ｄを有する複数の円形の貫通孔１１０Ｈが、一定のピッチＰで配置されている場合を示す。貫通孔１１０Ｈは、入射領域１１０の仮想の格子線上に配置されている。なお、図２では、一部の貫通孔１１０Ｈのみを示し、仮想の格子線の一部を破線で示している。また、便宜上、第１領域１１０ａをハッチングを入れて示している。図３Ａおよび図３Ｂについても同様である。
【００３２】
ここで、第１領域１１０ａは、入射領域１１０を正方形とした場合、例えば、この正方形の一辺に平行で当該一辺と同じ長さＷの長辺と、当該一辺の１／２の長さ（Ｗ／２）の短辺とからなる長方形であって、中心が、入射領域１１０の中心Ｃに一致する領域である。第２領域１１０ｂは、入射領域１１０のうち第１領域１１０ａ以外の領域であり、この場合、第１領域１１０ａを挟むように２箇所に配置される。なお、金属板１１の中心または重心（図示せず）を、入射領域１１０の中心Ｃとしてもよい。この場合、レーザ光の光軸と金属板１１との交点が、金属板１１の中心または重心の近傍になるように光学モジュール１０を配置することが好ましい。なお、貫通孔１１０Ｈの形状および配置はこれに限定されない。
【００３３】
また、貫通孔１１０Ｈは、第１領域１１０ａの開口率がより小さくなるように（第２領域１１０ｂの開口率よりも０．５％以上小さくなるように）、配置されてもよい。レーザ光は指向性および直進性が高い。そのため、通常、レーザ光は、受光部１２の受光領域のうち、特にレーザ光の光軸との交点の近傍に集中して入射する。第１領域１１０ａにおける開口率を小さくすることにより、レーザ光は、集中が緩和された状態で受光部に入射されるため、受光部１２にかかるストレスがさらに低減する。
【００３４】
図３Ａおよび図３Ｂに、正方形の入射領域１１０を備え、第１領域１１０ａの開口率が、第２領域１１０ｂの開口率よりも０．５％以上小さい場合を示す。入射領域１１０内には、円形の貫通孔１１０Ｈ（１１０Ｈａおよび１１０Ｈｂ）が仮想の格子線上に配置されている。入射領域１１０の一辺の長さはＷであり、第１領域１１０ａの短辺の長さは１／２×Ｗである。
【００３５】
この場合、レーザ光の集中が抑制され易い点で、第１領域１１０ａの開口率Ａ１と第２領域１１０ｂの開口率Ａ２との比：Ａ２／Ａ１は、２〜５０であることが好ましく、５〜３０であることがより好ましい。具体的には、第１領域１１０ａの開口率Ａ１は、０．１％以上、５％以下であることが好ましい。電圧値の測定の精度を高める観点から、第２領域１１０ｂの開口率Ａ２は、５％以上、１０％以下であることが好ましい。このとき、入射領域１１０における開口率は、第１領域１１０ａの中心Ｃから入射領域１１０の外縁に向かって徐々に大きくなっていてもよいし、段階的に大きくなっていてもよい。また、入射領域１１０における開口率は、中心Ｃを通り、第１領域１１０ａの長辺に平行な直線Ｌから外側に向かって徐々に大きくなっていてもよいし、段階的に大きくなっていてもよい。
【００３６】
第１領域１１０ａと第２領域１１０ｂとの開口率を相違させる方法としては、例えば、図３Ａに示すように、第１領域１１０ａに配置される貫通孔１１０Ｈａと第２領域１１０ｂに配置される貫通孔１１０Ｈｂとの配列ピッチＰを変える方法、図３Ｂに示すように、貫通孔１１０Ｈａと貫通孔１１０Ｈｂとの孔径Ｄを変える方法が挙げられる。
【００３７】
図３Ａでは、貫通孔１１０Ｈａと貫通孔１１０Ｈｂとの孔径を変えずに、貫通孔１１０Ｈａの配列ピッチＰａを貫通孔１１０Ｈｂの配列ピッチＰｂよりも大きくすることにより、第１領域１１０ａの開口率Ａ１を第２領域１１０ｂの開口率Ａ２よりも小さくしている。
【００３８】
図３Ｂでは、貫通孔１１０Ｈａと貫通孔１１０Ｈｂとの配列ピッチＰを変えずに、貫通孔１１０Ｈａの孔径Ｄａを貫通孔１１０Ｈｂの孔径Ｄｂよりも小さくすることにより、第１領域１１０ａの開口率Ａ１を第２領域１１０ｂの開口率Ａ２よりも小さくしている。さらに、それぞれの配列ピッチＰおよび孔径Ｄのいずれも変化させて、第１領域１１０ａの開口率Ａ１を第２領域１１０ｂの開口率Ａ２よりも小さくしてもよい。配列ピッチＰおよび／または孔径Ｄは、第１領域１１０ａの中心Ｃから入射領域１１０の外縁に向かって徐々に変化させてもよいし、段階的に変化させてもよい。また、配列ピッチＰおよび／または孔径Ｄは、直線Ｌから外側に向かって徐々に大きくなっていてもよいし、段階的に大きくなっていてもよい。
【００３９】
ここで、配列ピッチＰａは、金属板１１を一方の主面の法線方向から見たとき、第１領域１１０ａにおいて隣接する貫通孔１１０Ｈａの中心（あるいは上記重心）間の平均の距離である。配列ピッチＰｂも同様にして求められる。孔径Ｄ（Ｄａ、Ｄｂ）および配列ピッチＰ（Ｐａ、Ｐｂ）は、第１領域と第２領域とにまたがって配置されている貫通孔１１０Ｈを除外して算出すればよい。配列ピッチＰおよび孔径Ｄは、金属板１１に入射するレーザ光のビーム径および各領域の開口率Ａ（Ａ１、Ａ２）に応じて適宜設定すれば良い。
【００４０】
（受光部）
受光部１２は、半導体レーザ３０から放射された後、金属板１１の貫通孔１１０Ｈを通過したレーザ光を受ける部材である。光学モジュール１０が後述する拡散板１３を備える場合、受光部１２には、拡散板１３および金属板１１の貫通孔１１０Ｈをこの順に通過したレーザ光が入射する。受光部１２は、例えばフォトダイオードである。フォトダイオードは、入射したレーザ光を電流−電圧変換回路を通して電圧に変換する。このときの電圧は、フォトダイオード（受光部１２）に接続された電圧測定装置２０で測定される。測定される電圧の変化から、半導体レーザ３０の出力の安定性を評価する。半導体レーザ３０は、この評価結果に基づいて、良品であるか不良品であるか選別される。
【００４１】
（拡散板）
拡散板１３は、入射するレーザ光を乱反射させて、そのビーム径を面方向に拡大させる部材である。上記のとおり、レーザ光は指向性および直進性が高いため、拡散板１３を用いない場合、金属板１１、さらには受光部１２のレーザ光の光軸と交わる狭い領域に集中して入射する。金属板１１および受光部１２に、拡散板１３を通過したレーザ光を入射させることにより、金属板１１および受光部１２にかかるストレスが低減し、これらの経時的な劣化がさらに抑制される。
【００４２】
拡散板１３としては、例えば、片面もしくは両面がすりガラス状に加工されたガラス基板、凹凸を有する樹脂フィルム、片面もしくは両面がすりガラス状に加工された石英等が挙げられる。樹脂フィルムの材質は特に限定されず、例えば、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリエステル等が挙げられる。
【００４３】
拡散板１３に対するレーザ光の透過率は特に限定されない。なかでも、電圧値の測定精度の観点から、半導体レーザ３０から放射されるレーザ光の波長域において、上記透過率は高い（例えば８５％以上）ことが好ましい。特に、７８０ｎｍ以下、さらには４５０ｎｍ以下の波長をもつレーザ光の拡散板１３に対する透過率は、８５％以上であることが好ましい。拡散板１３によるレーザ光の拡散角も特に限定されず、拡散板１３と金属板１１との距離等に応じて適宜設定すればよい。
【００４４】
（半導体レーザ）
半導体レーザ３０は、例えば、ｎ型半導体を含むｎ−クラッド層とｐ型半導体を含むｐ−クラッド層と上記両クラッド層の間に介在する活性層とを含む積層体である。積層体に順電流を流すと、ｎ型半導体の電子とｐ型半導体の正孔とがそれぞれ活性層に流入して、活性層の内部で両者が再結合し、光が発生する。発生した光は活性層内で増幅されて、やがて誘導放出を生じて、レーザ光として発振される。
【００４５】
使用される半導体の種類は特に限定されず、所望のレーザ光の波長に応じて適宜決定すればよい。例えば、７８０ｎｍ以下の波長を有するレーザ光を放射させる場合、半導体として窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）を用いればよい。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明に係る光学モジュールは経時的な劣化が小さく、半導体レーザの出力の変化率を、高い精度で評価することができるため、各種半導体レーザのスクリーニング工程に好適に使用できる。
【符号の説明】
【００４７】
１０：光学モジュール、１１：金属板、１１０：入射領域、１１０ａ：第１領域、１１０ｂ：第２領域、１１０Ｈ、１１０Ｈａ、１１０Ｈｂ：貫通孔、１２：受光部、１３：拡散板、２０：電圧測定装置、３０：半導体レーザ
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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