(57)【要約】      （修正有）【課題】穏和な条件にて絶縁膜の製造が可能な光硬化性樹脂の提供。【解決手段】式（１ａ）、式（１ｂ）、式（１ｃ）又は式（１ｄ）で表される繰り返し単位から選ばれる１種以上と、式（２ａ）又は式（２ｂ）で表される繰り返し単位から選ばれる１種以上とを含み、末端に（メタ）アクリル基を有するポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートと、重合性化合物と、光重合開始剤とを含む、光硬化性樹脂組成物。2017165870.tif 000008【選択図】図１
2017165870.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１ａ）、式（１ｂ）、式（１ｃ）、及び式（１ｄ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位と、下記式（２ａ）及び式（２ｂ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を含み、末端に（メタ）アクリル基を有するポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートと、
重合性化合物と、
光重合開始剤とを含む、
光硬化性樹脂組成物。
【化１】
2017165870.tif 000007
（式中、Ｚは炭素原子数２〜１２の直鎖状の二価の脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、又は炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基を示し、ｎは式（１ａ）〜（１ｃ）の繰り返し単位数である。
なお、Ｚ中の任意の炭素原子が硫黄原子となっていても良い。
Ｒは炭素原子数２〜１２の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基、又は炭素原子数６〜１８の二価の芳香族炭化水素基を示す。）
【請求項２】
請求項１記載の光硬化性樹脂組成物を硬化させた絶縁膜。
【請求項３】
請求項２記載の絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光硬化性樹脂組成物、それを用いた絶縁膜、有機薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子素子はテレビやコンピュータ機器の構成部品であり、現在、シリコンなどの無機物を主材料にして製造されているが、高温プロセスが必要である。
近年、有機物を用いた有機電子素子、特に有機薄膜トランジスタ（以下、ＯＴＦＴと称する）が注目を集めている。ＯＴＦＴは、プラスチック基板上に、高温プロセスを用いず省エネルギーで生産できるというメリットがある。
【０００３】
ＯＴＦＴの一般的な構成は基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体、ソース・ドレイン電極からなる。ＯＴＦＴはゲート絶縁膜と有機半導体との界面をキャリアが流れることによって電流が流れ、その界面の状態によってＯＴＦＴの特性は大きく異なる。
【０００４】
また、ゲート絶縁膜と有機半導体の間に界面処理層を入れる場合もあり、これも界面の状態によってＯＴＦＴの特性は大きく異なる。有機半導体の分子配列が高い規則性を有すると、ＯＴＦＴの特性は向上することが知られており、熱処理によって高い規則性を獲得させることができる。現在、有機半導体材料の熱処理条件は１５０℃以上で高いＯＴＦＴ特性を発現する報告がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１５／０４１０２６号公報
【特許文献２】特開２００７−６５４８８号公報
【特許文献３】特開２０１０−１０６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら。特許文献１の方法では、ポリエチレンテレフタレートなどの耐熱性の低いプラスチック基板上にＯＴＦＴを作成する場合、１５０℃より低いプロセス温度で作成しなければならないため、実用化に向けて大きな課題となっていた。
【０００７】
この課題に対して、有機半導体素子等の機能を阻害することなく低温硬化が可能なものとして、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂（例えば、特許文献２参照）、及びブロックイソシアネートを用いたゲート絶縁膜が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
これらの方法では、絶縁膜の低温作成は可能であるが、半導体素子作成後の有機半導体層のアニールの要否については言及しておらず、高い移動度が出ているかは不明であり、具体的な解決には至っていない。
【０００８】
それゆえ、半導体素子作成時に、高温アニールが不要で、かつ低温にて絶縁膜の形成が可能な光硬化性樹脂組成物が求められていた。
【０００９】
本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、穏和な条件にて絶縁膜の製造が可能な光硬化性樹脂を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の課題は、
下記式（１ａ）、式（１ｂ）、式（１ｃ）、及び式（１ｄ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位と、下記式（２ａ）及び式（２ｂ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を含み、末端に（メタ）アクリル基を有するポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートと、
光重合開始剤を含む、
光硬化性樹脂組成物によって解決される。
【００１１】
【化１】
2017165870.tif 000003
【００１２】
（式中、Ｚは炭素原子数２〜１２の直鎖状の二価の脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、又は炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基を示し、ｎは式（１ａ）〜（１ｃ）の繰り返し単位数である。
なお、Ｚ中の任意の炭素原子が硫黄原子となっていても良い。
Ｒは炭素原子数２〜１２の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基、又は炭素原子数６〜１８の二価の芳香族炭化水素基を示す。）
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、穏和な条件にて絶縁膜の製造が可能な光硬化性樹脂組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１に示す（１−１）〜（１−３）は有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）の層構成を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［光硬化性樹脂組成物］
本発明の光硬化性樹脂組成物は、
下記式（１ａ）、式（１ｂ）、式（１ｃ）、及び式（１ｄ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位と、下記式（２ａ）及び式（２ｂ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を含み、末端に（メタ）アクリル基を有するポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートと、光重合開始剤を含むものである。
【００１６】
【化２】
2017165870.tif 000004
【００１７】
（式中、Ｚは炭素原子数２〜１２の直鎖状の二価の脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、又は炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基を示し、ｎは式（１ａ）〜（１ｃ）の繰り返し単位数である。
なお、Ｚ中の任意の炭素原子が硫黄原子となっていても良い。
Ｒは炭素原子数２〜１２の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基、又は炭素原子数６〜１８の二価の芳香族炭化水素基を示す。）
【００１８】
なお、「ポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレート」とは、末端がアクリル基を有するポリ（チオ）ウレタンアクリレートと、末端がメタアクリル基を有するポリ（チオ）ウレタンメタアクリレートとの総称である。
また、「（メタ）アクリル基」とは、（メタ）アクリロイル基を少なくとも１つ有する原子団を示し、「（メタ）アクリロイル基」とは、（メタ）アクリル酸の水酸基を除いた官能基を示す。
【００１９】
［ポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレート］
（式（１ａ）〜式（１ｄ）で示される繰り返し単位）
前記式（１ａ）〜式（１ｄ）で示される繰り返し単位は、「ポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレート」を合成する際に使用する「ポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オールを」に由来する構成成分である。
なお、「ポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オール」とは、ポリカーボネートポリオール、ポリチオカーボネートポリオール、ポリカーボネートポリチオール、及びポリチオカーボネートポリチオールの総称である。
【００２０】
式中、Ｚは炭素原子数２〜１２の直鎖状の二価の脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、又は炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基を示す。
【００２１】
前記「炭素原子数２〜１２の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基」とは、「炭素原子数２〜１２の直鎖状の脂肪族炭化水素」から２つの水素を除いた基を示し、例えば、エチレン基、トリメチレン基（プロピレン基）、テトラメチレン基（ブチレン基）、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基などが挙げられるが、好ましくはテトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基である。
なお、当該繰り返し単位は、異なる繰り返し単位は複数種が含まれていても良く、任意の炭素原子が硫黄原子となっていても良い。
【００２２】
前記「炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基」とは、「炭素原子数３〜１２の分岐状脂肪族炭化水素」から２つの水素原子を除いた基を示し、例えば、２−メチル−１，３−トリメチル基、２−又は３−メチル−１，５−ペンチル基、２，２，４−又は２，４，４−トリメチルヘキサメチレン基、１，５−ヘキシレン基などが挙げられる。
なお、当該繰り返し単位は、異なる繰り返し単位は複数種が含まれていても良く、任意の炭素原子が硫黄原子となっていても良い。
【００２３】
前記「炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基」とは、「炭素原子数６〜１８の環状脂肪族炭化水素」から２つの水素を除いた基を示し、例えば、１，３−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−ジメチレンシクロヘキシレン基（メチレン−シクロヘキシレン−メチレン基）などが挙げられる。
なお、当該繰り返し単位は、異なる繰り返し単位は複数種が含まれていても良く、任意の炭素原子が硫黄原子となっていても良い。
【００２４】
なお、ｎは式（１ａ）〜式（１ｄ）の繰り返し単位数であり、ポリカーボネートポリオールの数平均分子量に寄るが、好ましくは１〜４０、更に好ましくは２〜３０、より好ましくは３〜２５である。
【００２５】
（式（２）で示される繰り返し単位）
前記式（２）で示される繰り返し単位は、「ポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレート」を合成する際に「ポリ（チオ）イソシアネート」に由来する構成成分である。
なお、「ポリ（チオ）イソシアネート」とは、ポリイソシアネート、及びポリチオイソシアネートの総称である。
【００２６】
式（２）中、Ｒは炭素原子数２〜１２の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基、又は炭素原子数６〜１８の二価の芳香族炭化水素基を示す。
【００２７】
前記「炭素原子数２〜１２の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基」、「炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基」、「炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基」は、式（１ａ）〜式（１ｄ）で示したものと同義である。
【００２８】
前記「炭素原子数６〜１８の二価の芳香族炭化水素基」とは、「炭素原子数６〜１８の芳香族炭化水素」から２つの水素原子を除いた基を示し、例えば、フェニレン基、トリレン基、キシリレン基、テトラメチルキシリレン基、４，４’−ジフェニレンメチレン基などが挙げられる。
【００２９】
（（メタ）アクリル基）
ポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートが末端に有する「（メタ）アクリル基」は、「多官能（メタ）アクリル基」と「単官能（メタ）アクリル基」が挙げられる。
なお、これらの基が「エチレンオキシ基」や「プロピレンオキシ基」などのアルキレンオキシ基で変性されているものも含む。
【００３０】
前記多官能（メタ）アクリル基としては、例えば、下記式（ａ−１）〜（ｂ−２）で示される基が好適であり、前記「単官能（メタ）アクリル基」としては、例えば、式（ｃ）で示される基が好適である。
【００３１】
【化３】
2017165870.tif 000005
【００３２】
（式中、Ａは（メタ）アクリロイル基を示し、ｍは２〜８の整数を示す。なお、複数のＡの一部のＡが水素となっていても良い。）
Ａは（メタ）アクリロイル基（（メタ）アクリル酸から水酸基を除いた基）を示す。これらのＡは同一又は異なっていても良い。なお、複数のＡの一部は加水分解されて水素となっていても良い。
【００３３】
（ポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートの製造方法）
本発明のポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートは、式（１ａ）〜式（１ｄ）で示される繰り返し単位として有する「ポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オール」と、式（２ａ）〜式（２ｂ）で示される繰り返し単位を有する「ポリ（チオ）イソシアネート」と、式（ａ−１）〜（ｂ−２）、及び式（ｃ）で示される「水酸基含有（メタ）アクリレート化合物」とを、反応させることによって得ることができる（以下、本発明の反応と称することもある）。その反応形態は特に限定されず、公知のワンショット法やプレポリマー法を適宜選択できる。
なお、目的とするポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートの機能や特性などを向上させるために、複数種のポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オールや、同一種であっても分子量が異なるポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オールを使用しても良い。また、同一の理由によりポリ（チオ）イソシアネートを複数種使用しても良い。
【００３４】
（ポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オール）
本発明の反応において使用するポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オールは、式（１ａ）〜式（１ｄ）で示される骨格を有するものである。
このようなポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オールは、例えば、ポリ（チ）オールと、（チオ）炭酸エステルとを、触媒の存在下で反応させることによって得られる。
【００３５】
（ポリ（チ）オール）
炭素原子数２〜１２の直鎖状の二価の脂肪族炭化水素基を有するポリ（チ）オールとしては、例えば、１，２−エタンジオール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、１，１１−ドデカンジオール、１，１２−ウンデカンジオールなどが挙げられるが、好ましくは１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオールが使用される。
また、１，２−エタンチオール、１，３−プロパンチオール、１，４−ブタンチオール、１，５−ペンタンチオール、１，６−ヘキサンチオール、１，７−ヘプタンチオール、１，８−オクタンチオール、１，９−ノナンチオール、１，１０−デカンチオール、１，１１−ドデカンチオール、１，１２−ウンデカンチオールなどが挙げられるが、好ましくは１，４−ブタンチオール、１，５−ペンタンチオール、１，６−ヘキサンチオールが使用される。
【００３６】
炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基を有するポリ（チ）オールとしては、例えば、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２−又は３−メチル−１，５−ペンタンジオール、２，２，４−又は２，４，４−トリメチルヘキサンジオール、１，５−ヘキサンジオールなどが挙げられる。
また、２−メチル−１，３−プロパンチオール、２−又は３−メチル−１，５−ペンタンチオール、２，２，４−又は２，４，４−トリメチルヘキサンチオール、１，５−ヘキサンチオールなどが挙げられる。
【００３７】
炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基を有するポリ（チ）オールとしては、例えば、１，３−シクロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノールなどが挙げられる。
また、１，３−シクロヘキサンチオール、１，４−シクロヘキサンチオール、１，４−シクロヘキサンジメタンチオールなどが挙げられる。
【００３８】
なお、当該ポリ（チ）オールは、２種以上を併用しても良い。
【００３９】
また、これらのポリ（チ）オールは、任意の炭素原子が硫黄原子となっていても良く、そのようなポリ（チ）オールとしては、例えば、
ビス（２−メルカプトエチル）スルフィド、ビス（２−メルカプトエチル）ジスルフィド、２，２’−（エチレンジチオ）ジエタンチオール；
２，５−ビス（メルカプトメチル）−１，４−ジチアン、２，５−ビス（メルカプトエチルチオ）−１，４−ジチアン；
１，１，１−トリス（メルカプトメチル）エタン、２−エチル−２−メルカプトメチル−１，３−プロパンジチオール；
テトラキス（メルカプトメチル）メタン、３，３’−チオビス（プロパン−１，２−ジチオール）、２，２’−チオビス（プロパン−１，３−ジチオール）
などが挙げられるが、好ましくはビス（２−メルカプトエチル）スルフィド、ビス（２−メルカプトエチル）ジスルフィド、２，２’−（エチレンジチオ）ジエタンチオールが使用される。
なお、当該ポリ（チ）オールは、２種以上を併用しても良い。
【００４０】
（（チオ）炭酸エステル）
前記（チオ）炭酸エステルとは、炭酸エステルとチオ炭酸エステル（炭酸エステルのケト基の酸素が硫黄となったもの）との総称である。
【００４１】
式（１ａ）及び式（１ｂ）の由来となる炭酸エステルは、例えば、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸メチルエチルなどの炭酸ジアルキル；炭酸ジフェニルなどの炭酸ジアリール；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート（４−メチル−１，３−ジオキソラン−２−オン、トリメチレンカーボネート）、ブチレンカーボネート（４−エチル−１，３−ジオキソラン−２−オン、テトラメチレンカーボネート）、５−メチル−１，３−ジオキサン−２−オンなどの環状カーボネートが挙げられるが、好ましくはジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネートが使用される。
なお、これらの炭酸エステルは、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
【００４２】
また、式（１ｃ）及び式（１ｄ）の由来となるチオ炭酸エステルは、例えば、チオ炭酸ジメチル、チオ炭酸ジエチル、チオ炭酸メチルエチルなどのチオ炭酸ジアルキル；チオ炭酸ジフェニルなどのチオ炭酸ジアリール；エチレンチオカーボネート、プロピレンチオカーボネート（４−メチル−１，３−ジオキソラン−２−チオン、トリメチレンチオカーボネート）、ブチレンチオカーボネート（４−エチル−１，３−ジオキソラン−２−チオン、テトラメチレンチオカーボネート）、５−メチル−１，３−ジオキサン−２−チオンなどの環状チオカーボネートが挙げられるが、好ましくはジメチルチオカーボネート、ジエチルチオカーボネート、エチレンチオカーボネートが使用される。
なお、これらのチオ炭酸エステルは、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
【００４３】
前記（チオ）炭酸エステルの使用量は、ポリ（チ）オール１モルに対して、好ましくは０．８〜２．０モル、更に好ましくは０．９〜１．５モルである。
この範囲することで、十分な反応速度で、効率良く目的とするポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オールを得ることができる。
【００４４】
（反応温度、及び反応圧力）
反応温度は、（チオ）炭酸エステルの種類に応じて適宜調整するが、好ましくは５０〜２５０℃、更に好ましくは７０〜２３０℃であり、一段法、二段法のいずれを採用する場合も同じである。
また、反応圧力は、低沸点成分を除去しながら反応させる態様となるような圧力ならば特に制限されず、好ましくは常圧又は減圧下で行われる。
この範囲とすることで、逐次反応や副反応が起こることなく、効率良く目的とするポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オールを得ることができる。
【００４５】
（触媒）
反応で使用する触媒として、公知のエステル交換触媒を使用することができ、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、コバルト、ゲルマニウム、スズ、セリウムなどの金属、及びそれらの水酸化物、アルコキシド、カルボン酸塩、炭酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、リン酸塩、硝酸塩、有機金属などが挙げられるが、好ましくは水素化ナトリウム、チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラブトキシド、ジルコニウムテトラブトキシド、ジルコニウムアセチルアセトナート、オキシ酢酸ジルコニウム、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジメトキシド、ジブチルスズオキサイドが使用される。
なお、これらの触媒は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
【００４６】
前記触媒の使用量は、ポリ（チ）オール１モルに対して、好ましくは０．００１〜０．１ミリモル、更に好ましくは０．００５〜０．０５ミリモル、より好ましくは０．０１〜０．０３ミリモルである。
この範囲とすることで、後処理を煩雑とすることなく、効率良く目的とするポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オールを得ることができる。
なお、当該触媒は、反応開始時に一括で使用しても、反応開始時、及び反応開始後に分割して使用（添加）しても良い。
【００４７】
（ポリ（チオ）イソシアネート）
本発明の反応において使用するポリ（チオ）イソシアネートは、式（２ａ）〜式（２ｂ）で示される骨格を有するものである。
炭素原子数２〜１２の直鎖状の二価の脂肪族炭化水素基を有するポリ（チオ）イソシアネートとしては、例えば、ヘキサメチレンジ（チオ）イソシアネートなど；
炭素原子数３〜１２の二価の分岐状脂肪族炭化水素基を有するポリ（チオ）イソシアネートとしては、例えば、２−又は３−メチル−１，５−ペンチルジ（チオ）イソシアネート、２，２，４−又は２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジ（チオ）イソシアネートなど；
炭素原子数６〜１８の二価の環状脂肪族炭化水素基を有するポリ（チオ）イソシアネートとしては、例えば、１，４−シクロヘキシレンジ（チオ）イソシアネート、メチルシクロヘキシレンジ（チオ）イソシアネート、４，４’−メチレンビスシクロヘキシルジ（チオ）イソシアネート、イソホロンジ（チオ）イソシアネート、シクロヘキサン−１，２−ジイルビス（メチレン）ジ（チオ）イソシアネート、ノルボルニルジ（チオ）イソシアネートなど；
炭素原子数６〜１８の二価の芳香族炭化水素基を有するポリ（チオ）イソシアネートとしては、例えば、フェニレンジ（チオ）イソシアネート、２，４−トリレンジ（チオ）イソシアネート、２，６−トリレンジ（チオ）イソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジ（チオ）イソシアネート、ナフタレン−１，５−ジ（チオ）イソシアネート、３，３’−ジメチル−４，４’−ビフェニレンジ（チオ）イソシアネート、ポリメチレンポリフェニル（チオ）イソシアネート、テトラメチルキシリレンジ（チオ）イソシアネート、キシリレンジ（チオ）イソシアネート（ＸＤＩ）など
が使用される。
なお、これらのポリ（チオ）イソシアネートは、単独又は二種以上を混合して使用しても良く、その構造の一部又は全部がイソシアヌレート化、カルボジイミド化、又はビウレット化など誘導化されていても良い。
【００４８】
（水酸基含有多官能（メタ）アクリレート化合物）
本発明の反応において使用する「水酸基含有多官能（メタ）アクリレート化合物」は、式（ａ−１）〜（ｂ−２）で示される基を有するもの（また、これらのエチレンオキシ変性品やラクトン変性品も含む）であれば特に限定されず、また複数のＡのうち一部のＡが水素になっていても良く、例えば、
ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、又は、これらのエチレンオキシ変性品やプロピレンオキシ変性品、ラクトン変性品が挙げられるが、好ましくはペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレートが使用される。
なお、これらの水酸基含有多官能（メタ）アクリレート化合物は、単独又は複数種を混合して使用しても良く、また、水酸基を含有しない飽和多官能（メタ）アクリレート化合物を含んでいても良い。
【００４９】
（水酸基含有単官能（メタ）アクリレート化合物）
本発明の反応において使用する「水酸基含有単官能（メタ）アクリレート化合物」は、式（ｃ）で示される基を有するもの（また、これらのエチレンオキシ変性品やラクトン変性品も含む）であれば特に限定されず、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシ（ヘプチル）メタアクリレート、ヒドロキシオクチル（メタ）アクリレートなどが挙げられるが、好ましくはヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートが使用される。
なお、これらの水酸基含有単官能基（メタ）アクリレート化合物は、単独又は複数種を混合して使用しても良く、各種異体も含む。また、水酸基を含有しない飽和単官能（メタ）アクリレート化合物を含んでいても良い。
【００５０】
本発明の反応において、ポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オールの水酸基及び水酸基含有アクリレート化合物の水酸基の合計水酸基量（ＯＨ基）と、ポリ（チオ）イソシアネートの（チオ）イソシアネート基（ＮＣＯ基またはＮＳＯ基）のモル比率（ＯＨ基／ＮＣＯ基またはＮＳＯ基）が、好ましくは０．８／１〜１．４／１、更に好ましくは０．９／１〜１．３／１、より好ましくは１／１〜１．２／１である。
この範囲とすることにより、ポリ（チオ）ウレタンの末端（チオ）イソシアネート基が、実質的に（メタ）アクリロイル基を複数有する末端基に変換され、残存する未反応の（チオ）イソシアネート基を低減させることができる。
【００５１】
（触媒）
本発明の反応においては、反応速度を向上させるために公知の重合触媒を用いることができ、例えば、ジブチルスズジアセテート、ジブチルスズジラウレートなどの有機スズ化合物や、チタンテトラアセチルアセトネート、チタンジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）などの有機チタン化合物や、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムジブトキシビス（エチルアセトアセテート）などの有機ジルコニウム化合物や、トリエチルアミンなどの三級アミンが好適に使用される。
なお、当該触媒については、吉田敬治著「ポリウレタン樹脂」（日本工業新聞社刊、１９６９年）の第２３〜３２頁を参照することができる。
【００５２】
前記触媒の使用量は、ポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オール、ポリ（チオ）イソシアネート、及び水酸基含有（メタ）アクリレート化合物の合計量に対して、好ましくは０．０００５〜０．１質量％、更に好ましくは０．００１〜０．０５質量％である。
この範囲とすることで、十分な反応速度を得ることができるとともに、触媒の残存量が少ないため後処理が煩雑とならない。
【００５３】
（溶媒）
本発明の反応においては、（チオ）イソシアネート基と反応しない溶媒を適宜使用することができ、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類が使用できる。
なお、これらの溶媒は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。また、溶媒を使用することで、ポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートの溶媒溶液を得ることができる。
【００５４】
前記溶媒の使用量は、ポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オール、ポリ（チオ）イソシアネート、水酸基含有多官能（メタ）アクリレート化合物、及び水酸基含有単官能（メタ）アクリレート化合物の合計量に対して、好ましくは５〜２００質量％、更に好ましくは１０〜１００質量％、より好ましくは２０〜８０質量％である。
この範囲とすることで、反応液の均一性や攪拌性が向上する。
【００５５】
（重合禁止剤）
本発明の反応においては、原料の水酸基含有多官能（メタ）アクリレート化合物、水酸基含有単官能（メタ）アクリレート化合物や、生成したポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートの重合や酸化を抑制するために、重合禁止剤や酸化防止剤を存在させることが望ましく、例えば、ハイドロキノン、ｐ−メトキシフェノール、２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノール、２，６−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ｐ−ベンゾキノン、２，５−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノンなどが使用される。
なお、これらの重合禁止剤や酸化防止剤は、単独又は複数種を混合して使用しても良い。
【００５６】
前記重合防止剤や酸化防止剤の添加量は、ポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オール、ポリ（チオ）イソシアネート、水酸基含有多官能（メタ）アクリレート化合物、及び水酸基含有単官能（メタ）アクリレート化合物の合計量に対して、好ましくは０．００００５〜０．０１質量％、更に好ましくは０．０００１〜０．００５質量％、より好ましくは０．０００３〜０．００３質量％である。
この範囲とすることで、十分に重合や酸化を抑止でき、またこれらの後処理が煩雑とならない。
【００５７】
（鎖延長剤）
本発明の反応においては、分子量を増大させることを目的として、鎖延長剤を用いることができる。使用する鎖延長剤としては、目的や用途に応じて適宜選択できるが、例えば、
水；
エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１，１０−デカンジオール、１，１−シクロヘキサンジメタノール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、トリシクロデカンジメタノール、キシリレングリコール、ビス（ｐ−ヒドロキシ）ジフェニル、ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホン、１，１−ビス［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］シクロヘキサンなどの低分子ポリオール；
ポリエステルポリオール、ポリエステルアミドポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリエーテルエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリオレフィンポリオールなどの高分子ポリオール；
エチレンジアミン、イソホロンジアミン、２−メチル−１，５−ペンタンジアミン、アミノエチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミンなどのポリアミン
が使用される。
なお、鎖延長剤については、例えば、「最新ポリウレタン応用技術」（株式会社ＣＭＣ社、１９８５年に発行）を参照することができ、前記高分子ポリオールについては、例えば、「ポリウレタンフオーム」（高分子刊行会、１９８７年）を参照することができる。
【００５８】
本発明の反応は、ポリ（チオ）カーボネートポリ（チ）オール、ポリ（チオ）イソシアネート、触媒、及び溶媒を混合して、好ましくは０〜１５０℃、更に好ましくは２０〜１００℃で反応させた後、得られた反応液に、重合禁止剤、酸化防止剤、及び水酸基含有多官能（メタ）アクリレート化合物、及び水酸基含有単官能（メタ）アクリレート化合物を加え、更に同温度で反応させる方法によって好適に行われる。
【００５９】
得られたポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートは、光や大気中の酸素に必ずしも安定ではないため、特に単離・精製することなく、ポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートの溶媒溶液として必要な用途に使用するのが望ましい。
【００６０】
（光重合開始剤）
前記光重合開始剤として、例えば、アセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイン−ｎ−プロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインｎ−ブチルエーテル、ベンゾインジメチルケタール、チオキサントン、ｐ−イソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２，４，６，−トリメチルベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタノンなどが挙げられるが、好ましくは１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイドが使用される。
なお、これらの光重合開始剤は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
【００６１】
前記光重合開始剤の使用量、ポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートに対して、好ましくは０．３〜１０質量量％、更に好ましくは０．５〜５重量％である。
この範囲とすることで、十分な反応速度を得ることができるとともに、光重合開始剤の残存量が少ないため後処理が煩雑とならない。
【００６２】
［重合性化合物］
前記重合性化合物としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルや、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートなどの単官能（メタ）アクリレート化合物；
ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレートなどのトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンヘキサ（メタ）アクリレートなどの多官能（メタ）アクリレート化合物、またはこれらの又は、これらのエチレンオキシ変性品やプロピレンオキシ変性品、ラクトン変性品が使用できる。
なお、これらの重合性化合物は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
【００６３】
ポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートを製造する際に、水酸基含有多官能（メタ）アクリレート化合物や水酸基含有単官能（メタ）アクリレート化合物を過剰に用いた場合には、残存する水酸基含有多官能（メタ）アクリレート化合物や水酸基含有単官能（メタ）アクリレート化合物で重合性化合物を代用することもできる。
また、ポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートを製造する際に、水酸基含有多官能（メタ）アクリレート化合物と飽和多官能（メタ）アクリレート化合物（水酸基を含まないアクリレート化合物）との混合物を用いた場合には、飽和多官能（メタ）アクリレート化合物はポリ（チオ）ウレタン（メタ）アクリレートの製造には関与せずに残存するため、これを重合性化合物として代用することもできる。なお、水酸基含有単官能（メタ）アクリレート化合物と飽和単官能（メタ）アクリレート化合物の混合物を使用した場合も同様である。
【００６４】
前記重合性化合物の使用量は、ウレタン（メタ）アクリレートに対して、好ましくは当モル以下である。
【００６５】
（その他の成分）
本発明の光硬化性樹脂組成物には、必要に応じて更に光増感剤、酸化防止剤、黄変防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、着色剤、可塑剤、安定剤、充填剤などのいわゆる添加剤を本発明の効果を損なわない範囲で添加してもよい。
【００６６】
光増感剤としては、例えば、トリエチルアミン、ジエチルアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、エタノールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルなどが挙げられる。
【００６７】
本発明の光硬化性樹脂組成物は、また、熱可塑性有機重合体を用いることによって、硬化物の特性を改善することもできる。
前記熱可塑性有機重合体としては、例えば、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、メチルメタクリレート−エチルアクリレート共重合体、ポリ（メタ）アクリル酸、スチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、（メタ）アクリル酸−メチルメタクリレート共重合体、ポリビニルブチラール、セルロースエステル、ポリアクリルアミド、飽和ポリエステル等が挙げられる。熱可塑性有機重合体は一種類を使用してもよいし、複数種を併用してもよい。
【００６８】
［絶縁膜（光硬化性樹脂層）］
本発明の光硬化性樹脂組成物を用いて「絶縁膜（光硬化性樹脂組成物層）」を形成する方法としては、特に制限はなく、例えば、光硬化性樹脂組成物を用いて、スピンコート法、ディップコート法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法、カーテンコート法、グラビアコート法、スクリーンコート法、インクジェットコート法、浸漬法などの塗布方法が挙げられる。
光硬化性樹脂組成物が、前記有機溶剤で希釈されて樹脂溶液となっている場合、樹脂溶液を塗工後、必要に応じて乾燥工程を入れて、光硬化性樹脂組成物層を得ても良い。乾燥方法は特に制限されない。
また、一旦フィルム等の支持基材上に光硬化性樹脂組成物層を設けた後、前記基材上に転写する方法、光硬化性樹脂組成物を用いた樹脂フィルムを予め作製しておき、それを前記基材上に積層する方法なども用いることができる。
基材上に光硬化性樹脂組成物層を設けた後、プリベーク処理を行ってもよい。
【００６９】
［有機薄膜トランジスタ］
次に、本発明の有機薄膜トランジスタ（以下、有機ＴＦＴとも称する）について説明する。
【００７０】
図１に、本発明のＯＴＦＴの一例の層構成を示す。
図１の（１−１）に示す有機ＴＦＴは、ボトムゲート−トップコンタクト構造のものであり、基板１上に、ゲート電極２と、絶縁層３と、表面修飾層４、３と４をゲート絶縁層８、有機半導体層５と、ソース電極６およびドレイン電極７をこの順に積層して構成されている。本発明の光硬化性樹脂組成物は、有機ＴＦＴの絶縁層３及び表面修飾層４のゲート絶縁層８に用いることができる。
【００７１】
また、ボトムゲート−トップコンタクト構造以外の構造として、図１の（１−２）に示す有機ＴＦＴのボトムゲート−ボトムコンタクト構造、（１−３）に示す有機ＴＦＴのトップゲート−ボトムコンタクト構造がある。トランジスタ素子の微細化および集積化の観点からは、通常、ボトムゲート−ボトムコンタクト構造、あるいはトップゲート−ボトムコンタクト構造が適している。
なお、図１の（１−２）、（１−３）における各符号は、（１−１）におけるものと同様である。
【００７２】
有機半導体層５を構成する有機半導体分子の分子配列の均一性が高い程、良好なトランジスタ特性を示すことが知られていることから、有機半導体層５を構成する有機半導体分子の分子配列の均一性を制御する目的で、有機半導体薄膜が接する界面の制御を行うと良い。ここでいう界面とは、具体的には、ゲート絶縁層８と有機半導体層との界面、並びにドレイン電極７及びソース電極６と有機半導体層８との界面である。
【００７３】
有機ＴＦＴにおける基板１としては、ガラス基板やプラスチック基板等公知の基板材料を用いることができる。
【００７４】
本発明の有機薄膜トランジスタは、低温形成が可能なものであることから、基板１としては、通常では熱によって伸縮等を生じやすいプラスチック基板を良好に適用することが可能である。プラスチック基板を適用することで、トランジスタの軽量化やフレキシブル化が容易となる。
【００７５】
具体的には、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリパラキシリレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホン、ポリウレタン、ポリテトラフルオロエチレンなどのポリフッ化炭素樹脂、ポリシロキサンなどのシリコーン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、及びゴムである。なお、これらの材料のうち２種以上が化学的又は物理的に混合されている材料も、前記基板材料に含まれる。
【００７６】
そのため、本発明によれば、耐熱性の比較的低い各種プラスチック材料も基板１として利用可能になり、可撓性を有する材料を使用することができる。この場合には、基板１を可撓性（フレキシブル）基板とすることができ、これにより、有機ＴＦＴを平面上だけでなく曲面等の上にも配置することが可能になる。すなわち、有機ＴＦＴを備える有機エレクトロニクスデバイス全体の設計自由度が高まる。
この目的では、Ａ群の中でもポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリパラキシリレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホン、ポリウレタン、ポリテトラフルオロエチレン等のポリフッ化炭素樹脂、ポリシロキサン等のシリコーン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂が好適である。
【００７７】
ゲート電極２、ソース電極６およびドレイン電極７としては、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、亜鉛、タンタル、マグネシウム、カルシウム、リチウム、コバルト、インジウム、スズ、シリコン、及びニッケルなどの金属材料を用いることができる。また、スズドープ酸化インジウム、酸化インジウム、酸化スズ、及び酸化亜鉛などの金属酸化物、グラファイト、及びカーボンナノチューブなどの炭素材料、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、及びＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸の混合物）などの導電性高分子材料、ポリシリコン、及びアモルファスシリコンなどのシリコン材料を用いることができる。なお、これらの材料のうち２種以上が化学的又は物理的に混合されている材料も用いることができる。これらは真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタ法または印刷法等の周知の膜作製方法により形成することができる。
【００７８】
金属として、金、銀、銅、アルミニウムが、炭素材料として、カーボンナノチューブが、導電性高分子化合物としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが好適である。
【００７９】
各種電極は、これらの材料を使用して、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタ法または印刷法等の周知の膜作製方法により、ゲート電極などを形成することができる。
【００８０】
絶縁層３としては、当該光硬化性樹脂または、下記に示す材料を用い、当該光硬化性樹脂組成物を表面修飾層４として用いてゲート絶縁層８を作ることができる。
【００８１】
本発明の絶縁層３の材料として、金属酸化物、金属窒化物や非導電性高分子化合物を用いることができる。例えば、金属酸化物または金属窒化物としては、がＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、及びＴａ２Ｏ５が挙げられる。また、非導電性高分子化合物としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリビニルフェノール、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート樹脂、ジビニルテトラメチルシロキサンベンゾシクロブテン樹脂、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホン、ポリウレタン、ポリテトラフルオロエチレン等のポリフッ化炭素樹脂、ポリシロキサン等のシリコーン樹脂、ナイロン樹脂、ビニロン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、シクロブテン含有ポリマー、シクロオレフィン含有ポリマー、フルオレン含有ポリマー、シルセスキオキサン含有ポリマー等のプラスチック、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、ポリブタジエンゴム、アクリルゴム、アクリロニトリルゴム、ウレタンゴム等のゴムが挙げられる。
なお、これらの材料のうち２種以上が化学的又は物理的に混合されている材料も含まれる。
【００８２】
また、２種以上で積層してゲート絶縁層を成す場合、ＳｉＯ２上にポリスチレン、ＳｉＯ２上にポリメチルメタクリレート、ＳｉＯ２上にポリフッ化炭素樹脂、ＳｉＯ２上にポリビニルフェノールとメラミン樹脂の複合樹脂、ＳｉＯ２上にジビニルテトラメチルシロキサンベンゾシクロブテン樹脂、の積層の組合せが、好適な例として挙げられる。
【００８３】
これらはゲート電極２と同様の周知の膜作製方法により形成することができる。
【００８４】
絶縁層３の表面を修飾することで、ゲート絶縁層８が接触する有機半導体層５との界面を制御することができる。この修飾は、図１の（１−１）に示す有機ＴＦＴのボトムゲート−トップコンタクト構造、（１−２）に示す有機ＴＦＴのボトムゲート−ボトムコンタクト構造で好適である。
【００８５】
当該発明の光硬化性樹脂組成物を絶縁層３の表面修飾層４として用いることができる。当該発明の光硬化性樹脂を使用して、以下に示される方法等により、絶縁層３の表面を修飾することができる。
・溶液を調製し、絶縁層３に塗布した後、溶媒を除去する。
・溶液を調製し、絶縁層３を前記溶液に含浸させ、光硬化性樹脂組成物を絶縁層３表面に吸着させた後、溶媒を除去する。
【００８６】
絶縁層３の表面を修飾することで、ゲート絶縁層８が接触する有機半導体層５との界面を制御することができる。この修飾は、図１の（１−１）に示す有機ＴＦＴのボトムゲート−トップコンタクト構造、（１−２）に示す有機ＴＦＴのボトムゲート−ボトムコンタクト構造で好適である。この修飾のためＥ群から選ばれる材料を用いる方法とは別に、化学エッチング処理、物理エッチング処理、プラズマ処理、ＵＶオゾン処理等の、ゲート絶縁層表面の物理的状態もしくは化学的組成を変えることができる処理を用いてもよい。
【００８７】
本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層５は、有機半導体として機能しうるものであれば、特に限定されない。例えば、芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物等が例示される。より具体的には、ｐ型の有機半導体材料としては、ペンタセン等の低分子有機化合物、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリアズレン類等の高分子有機化合物が例示される。また、ｎ型の有機半導体材料としては、ナフタレンテトラカルボン酸類、シアノキノジメタン類、フラーレン類、ベンゾビス（チアジアゾール）類などが挙げられる。これらは、一種類使用しても良いし、複数種を併用してもよい。
【実施例】
【００８８】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
【００８９】
（ポリチオカーボネートポリチオールの物性）
１．メルカプト基価（ＳＨ価；ｍｇＫＯＨ／ｇ）：
１００ｍＬ（ミリリットル）サンプル瓶に試料を秤量し（質量はグラム単位で小数点以下４桁まで正確に読み取る）、無水酢酸−テトラヒドロフラン溶液（溶液１００ｍＬ中に無水酢酸４ｇを含む）５ｍＬと４−ジメチルアミノピリジン−テトラヒドロフラン溶液（溶液１００ｍＬ中に４−ジメチルアミノピリジン１ｇを含む）１０ｍＬを正確に加えて試料を完全に溶解させた後、室温で１時間放置し、次いで、超純水１ｍＬを正確に加えて室温で３０分間撹拌した後、０．５ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム−エタノール溶液で滴定した（指示薬：フェノールフタレイン）。ＳＨ価は次式により算出した。
【００９０】
ＳＨ価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）＝２８．０５×（Ｂ−Ａ）／Ｓ
（但し、式中、Ｓは試料採取量（ｇ）、Ａは試料の滴定に要した０．５ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム−エタノール溶液の量（ｍＬ）、Ｂは空試験で要した０．５ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム−エタノール溶液の量（ｍＬ）を表す。）
【００９１】
２．数平均分子量（Ｍｎ）：
実施例及び比較例で用いたポリチオカーボネートポリチオールは、ポリチオカーボネートジチオールであり、価数が２である。数平均分子量は次式により算出した。
Ｍｎ＝１１２２００／ＳＨ価
【００９２】
３．酸価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）：
試料をトルエン−エタノール溶液（等容量混合溶液）２００ｍＬに溶解して０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム−エタノール溶液で滴定した（指示薬：フェノールフタレイン）。酸価は次式により算出した。
【００９３】
酸価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）＝５．６１（Ｔ−Ｕ）ｆ’／Ｓ’
（但し、式中、Ｓ’は試料採取量（ｇ）、Ｔは試料の滴定に要した０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム−エタノール溶液の量（ｍＬ）、Ｕは空試験に要した０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム−エタノール溶液の量（ｍＬ）、ｆ’は０．１Ｍ水酸化カリウム−エタノール溶液のファクターを表す。）
【００９４】
合成例１（ポリウレタンアクリレート（ＵＡ−１）の合成）
撹拌機及び加熱器を備えた反応装置に、ポリカーボネートジオール（商品名  ＵＨ−２００、宇部興産社製、水酸基価  ５５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ポリオール成分が１，６−ヘキサンジオールであるポリカーボネートジオール）１０１．０ｇ（０．０４９５モル）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６５．８ｇを、窒素を導入しながら仕込んだ。その後７０℃で撹拌した。次に、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）を１６．８ｇ（０．０７５６モル）、触媒としてジブチルスズジラウレートを０．０３ｇ加え８０℃で、２時間撹拌した。次に、空気を導入し、空気雰囲気下にした。次いで、メトキノン０．０３ｇ、ジブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）０．０３ｇ、ヒドロキシエチルアクリレート４．２７ｇ（０．０３６８モル）を加え、１時間反応させ最後にプロピレングリコールモノメチルエーテル１３．７ｇ加えて撹拌しポリウレタンアクリレート（ＵＡ−１）溶液（固形分；６２．０％）を得た。
【００９５】
参考例１（ポリチオカーボネートポリチオールの合成）
撹拌機、温度計、蒸留塔（分留管、還流ヘッド、コンデンサーを塔頂部に備える）を設置した内容積５００ｍＬのガラス製反応器に、１，６−ヘキサンジチオール（ＨＤＴ）１０３．９ｇ（０．６９１モル）、ビス（２−メルカプトエチル）スルフィド（ＭＥＳ）８９．３ｇ（０．５７８モル）、ジフェニルカーボネート２１７．５ｇ（１．０２モル）、及び１０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド−メタノール溶液１．０３ｇ（０．４０ミリモル）を仕込み、２００ｍｍＨｇ（２７ｋＰａ）、１６０℃で還流させながら２時間保持した。次いで、フェノールを留去しながら、８時間かけて５０ｍｍＨｇ（６．７ｋＰａ）まで徐々に減圧した後、フェノールが留出しなくなったところで圧力を３０ｍｍＨｇ（４．０ｋＰａ）から１５ｍｍＨｇ（２．０ｋＰａ）まで３時間かけて徐々に減圧し、ビス（２−メルカプトエチル）スルフィド、１，６−ヘキサンジチオールとフェノールの混合物を留出させながら更に反応させて目的のポリチオカーボネートポリチオールを得た。
得られたポリチオカーボネートポリチオールのメルカプト基価：１３７．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量（Ｍｎ）：８１９、ＨＤＴ／ＭＥＳ＝５８／４２（モル比）である。なお、モル比はＮＭＲのピーク面積比より算出した値である。
【００９６】
合成例２（ポリチオウレタンアクリレート（ＵＡ−２）の合成）
撹拌機及び加熱器を備えた反応装置に、参考例１で合成したポリチオカーボネートポリチオール２０．１ｇ（０．０２４５モル）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート３２．５ｇを、窒素を導入しながら仕込んだ。その後７０℃で撹拌した。次に、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）を２２．０ｇ（０．０９９２モル）、触媒としてジブチル錫ジラウレートを０．０２ｇ加え１００℃で、３時間撹拌した。次に、ジメチロールプロピオン酸を６．８９ｇ（０．０５１４モル）を加え１００℃で８時間反応した。次いで、反応液の温度を８０℃にし、空気を導入し、空気雰囲気下にした。次いで、メトキノン０．０６ｇ、ジブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）０．０５ｇ、ペンタエリスリトールトリアクリレート（ダイセルサイテック（株）製、商品名ＰＥＴＲＡ）１５．８ｇ（０．０５３０モル）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１１．５ｇを加え、５時間反応させた。最後に乳酸エチル１０．０ｇ加えて撹拌しポリチオウレタンアクリレート（ＵＡ−２）溶液（固形分；８３．９％）を得た。
【００９７】
参考例２（ブロック化イソシアヌレート（ＢＬ０１）の合成）
撹拌機及び加熱器を備えた反応装置に、ＨＤＩ変性イソシアヌレート（商品名  デュラネートＴＰＡ−１００、旭化成社製、イソシアネート基含量２３．２ｗｔ％）９４．０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２０．８ｇを室温で窒素を導入しながら仕込んだ。次に、メチルエチルケトンオキシム４３．８ｇ（０．５０３モル）をゆっくりと滴下し、次いで８０℃に過熱して１時間撹拌し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５９．４ｇ加えて撹拌し、ブロック化イソシアヌレート（ＢＬ０１）溶液（固形分；１２．０％）を得た。
【００９８】
合成例３（有機半導体（ＯＳＣ０１）の合成）
国際公開第２０１５／０４１０２６号に記載の方法に準じて、４，８−ビス［５−（４−シアノ−３−ドデシルフェニル）チオフェン−２−イル］ベンゾ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾール（以下、ＯＳＣ０１と称することもある。）を合成した。
【００９９】
実施例１（光硬化性樹脂組成物（Ｉｎｓ００１）の合成）
合成例１で合成したポリウレタンアクリレート（ＵＡ−１）９７．６ｇ、ペンタエリスリトールトリアクリレートモノグルタレート（アロニックス  Ｍ−５１０；東亞合成（株）製）、合成例４で合成したブロック化イソシアヌレート（ＢＬ０１）１９．０ｇ、ジフェニル（２，４，６−トリメトキシベンゾイル）ホスフィンスルフィド（Ｌｕｃｉｒｉｎ  ＴＰＯ；ＢＡＳＦ社製））２．０ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６８．０ｇを混合し、光硬化性樹脂組成物（以下、Ｉｎｓ００１と称することもある。）を得た。
【０１００】
実施例２（光硬化性樹脂組成物（Ｉｎｓ００２）の合成
合成例２で合成したポリチオウレタンアクリレート（ＵＡ−２）９７．６ｇ、ω−カルボキシポリカプロラクトンモノアクリレート（アロニックス  Ｍ−５３００；東亞合成（株）製）８．１ｇ、ペンタエリスリトールトリアクリレートモノグルタレート（アロニックス  Ｍ−５１０；東亞合成（株）製）８．１ｇ、ジフェニル（２，４，６−トリメトキシベンゾイル）ホスフィンスルフィド（Ｌｕｃｉｒｉｎ  ＴＰＯ；ＢＡＳＦ社製））２．０ｇ、及び乳酸エチル１６．０ｇを混合し、光硬化性樹脂組成物（以下、Ｉｎｓ００２と称することもある。）を得た。
【０１０１】
実施例３（光硬化性樹脂組成物（Ｉｎｓ００３）の合成）
５０質量％ポリウレタンアクリレート・酢酸ブチル溶液（ＵＡ−００３６Ｂ；宇部興産（株）製、固形分５０．０％）１００ｇ、及びジフェニル（２，４，６−トリメトキシベンゾイル）ホスフィンスルフィド（Ｌｕｃｉｒｉｎ  ＴＰＯ；ＢＡＳＦ社製））２．０ｇを混合し、光硬化性樹脂組成物（以下、Ｉｎｓ００３と称することもある。）を得た。
【０１０２】
なお、実施例１〜３で得られた光硬化性樹脂組成物を、更にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートにより希釈して固形分１質量％とし、ゲート絶縁膜用樹脂として用いた。
【０１０３】
（ベア基板の作製）
有機ＴＦＴの基板として、表面に膜厚２００ｎｍの熱酸化シリコンを形成した市販のシリコンウェハを用いた。シリコンウェハは低抵抗のものとし、ＯＴＦＴのゲート電極としても機能させた。また、酸化シリコン膜をゲート絶縁膜として用いた。上記シリコンウェハは、過酸化水素水と硫酸の混合液で洗浄し、次工程で使用する直前にＵＶオゾン処理により表面を清浄して用いた。このように処理した基板を以降「ベア基板」と表記する。
【０１０４】
（電界効果移動度の評価）
電界効果移動度（μ）は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ社の半導体特性評価システム４２００−ＳＣＳ型を用いて、作製した有機ＴＦＴの伝達特性を測定した結果から求めた。
電  界効果移動度（μ）は、ドレイン電流Ｉｄを表わす式（Ａ）を用いて算出することができる。
［式（Ａ）］
Ｉｄ＝（Ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ−Ｖｔ）２        ・・・式（Ａ）
ここで、ＬおよびＷはチャネル長およびチャネル幅である。また、Ｃｉは絶縁層の単位面積当たりの容量である。Ｖｇはゲート電圧であり、Ｖｔはしきい値電圧である。上記伝達特性測定から、あるゲート電圧時におけるしきい値電圧とドレイン電流の値が示されるので、電界効果移動度を求めることができる。
【０１０５】
（比誘電率の測定）
ガラス基板を過酸化水素水と硫酸の混合液で洗浄したのち、金属マスクを用いて金を真空蒸着法でガラス基板上に成膜した。この基板の上に、各種光硬化性樹脂を５００ｎｍになるように成膜してゲート絶縁膜層を形成した。その後、金属マスクを用いて金を真空蒸着法に成膜して電極を形成した。この積層基板を用いてＬＣＲメーター（ＮＦ回路設計ブロック社製ＺＭ２３７６）で比誘電率を測定した。
【０１０６】
（成膜性評価）
絶縁膜の成膜性は、以下に記載する各有機ＴＦＴ作成時において、絶縁膜製膜後に有機半導体層を形成した後の状態で、綿棒で有機半導体層をこすった際に、絶縁膜が基板上に残存するかどうか、を目視で判断した。
○：絶縁膜は剥がれず、成膜性は良好。
×：絶縁膜も剥がれてしまい、成膜性は不良。
【０１０７】
実施例４（有機ＴＦＴの製造と評価）
実施例１で得られたＩｎｓ００１をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで１質量％となるように調製し、この溶液を「ベア基板」上にスピンコートし、次いでＭＯＲＩＴＥＸ社製UV照射装置ＭＵＶ−２０２(水銀キセノンランプ)で積算光量１５００ｍＪ/ｃｍ２照射して光硬化させ、「ベア基板」表面におよそ２０ｎｍの表面修飾層を形成し、ゲート絶縁膜を作成した。
このゲート絶縁膜上に、有機半導体ＯＳＣ０１の０．１質量％クロロホルム溶液に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約２０ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、この積層基板を１２０℃で３５分間加熱して、アニール処理をおこなった。
有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で製膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作成した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ２０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。
【０１０８】
実施例５（有機ＴＦＴの製造と評価）
実施例１で得られたＩｎｓ００１をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで１質量％となるように調製した。この溶液を「ベア基板」上にスピンコートし、１８０℃５分乾燥させた。次いでＭＯＲＩＴＥＸ社製UV照射装置ＭＵＶ−２０２(水銀キセノンランプ)で積算光量１５００ｍＪ/ｃｍ２照射して光硬化させた。その後、１８０℃で１０分加熱して、「ベア基板」表面におよそ２０ｎｍの表面修飾層を形成し、ゲート絶縁膜を作成した。
このゲート絶縁膜上に、有機半導体ＯＳＣ０１の０．１質量％クロロホルム溶液に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約２０ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、この積層基板を１２０℃で３５分間加熱して、アニール処理をおこなった。
有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で製膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作成した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ２０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。
【０１０９】
実施例６（有機ＴＦＴの製造と評価）
実施例１で得られたＩｎｓ００１をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで１質量％となるように調製した。この溶液を「ベア基板」上にスピンコートし、１８０℃５分乾燥させた。次いでＭＯＲＩＴＥＸ社製UV照射装置ＭＵＶ−２０２(水銀キセノンランプ)で積算光量１５００ｍＪ/ｃｍ２照射して光硬化させた。その後、１８０℃で１０分加熱して、「ベア基板」表面におよそ２０ｎｍの表面修飾層を形成し、ゲート絶縁膜を作成した。
このゲート絶縁膜上に、有機半導体ＯＳＣ０１の０．１質量％クロロホルム溶液に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約２０ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、この積層基板を１２０℃で３５分間加熱して、アニール処理をおこなった。
有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で製膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作成した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ２０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。
【０１１０】
実施例７（有機ＴＦＴの製造と評価）
実施例２で得られたＩｎｓ００２をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで１質量％となるように調製した。この溶液を「ベア基板」上にスピンコートし、次いでＭＯＲＩＴＥＸ社製UV照射装置ＭＵＶ−２０２(水銀キセノンランプ)で積算光量１５００ｍＪ/ｃｍ２照射して光硬化させ、「ベア基板」表面におよそ２０ｎｍの表面修飾層を形成し、ゲート絶縁膜を作成した。
このゲート絶縁膜上に、有機半導体ＯＳＣ０１の０．１質量％クロロホルム溶液に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約２０ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、この積層基板を１２０℃で３５分間加熱して、アニール処理をおこなった。
有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で製膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作成した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ２０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。
【０１１１】
実施例８（有機ＴＦＴの製造と評価）
実施例２で得られたＩｎｓ００２をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで１質量％となるように調製した。この溶液を「ベア基板」上にスピンコートし、次いでＭＯＲＩＴＥＸ社製UV照射装置ＭＵＶ−２０２(水銀キセノンランプ)で積算光量１５００ｍＪ/ｃｍ２照射して光硬化させ、「ベア基板」表面におよそ２０ｎｍの表面修飾層を形成し、ゲート絶縁膜を作成した。
このゲート絶縁膜上に、有機半導体ＯＳＣ０１の０．１質量％クロロホルム溶液に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約２０ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、この積層基板を１８０℃で３５分間加熱して、アニール処理をおこなった。
有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で製膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作成した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ２０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。
【０１１２】
実施例９（有機ＴＦＴの製造と評価）
実施例３で得られたＩｎｓ００３をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで１質量％となるように調製した。この溶液を「ベア基板」上にスピンコートし、次いでＭＯＲＩＴＥＸ社製UV照射装置ＭＵＶ−２０２(水銀キセノンランプ)で積算光量１５００ｍＪ/ ｃｍ２照射して光硬化させ、「ベア基板」表面におよそ２０ｎｍの表面修飾層を形成し、ゲート絶縁膜を作成した。
このゲート絶縁膜上に、有機半導体ＯＳＣ０１の０．１質量％クロロホルム溶液に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約２０ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、この積層基板を１２０℃で３５分間加熱して、アニール処理をおこなった。
有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で製膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作成した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ２０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。
【０１１３】
実施例１０（有機ＴＦＴの製造と評価）
実施例３で得られたＩｎｓ００３をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで１質量％となるように調製した。この溶液を「ベア基板」上にスピンコートし、次いでＭＯＲＩＴＥＸ社製UV照射装置ＭＵＶ−２０２(水銀キセノンランプ)で積算光量１５００ｍＪ/ ｃｍ２照射して光硬化させ、「ベア基板」表面におよそ２０ｎｍの表面修飾層を形成し、ゲート絶縁膜を作成した。
このゲート絶縁膜上に、有機半導体ＯＳＣ０１の０．１質量％クロロホルム溶液に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約２０ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、この積層基板を１８０℃で３５分間加熱して、アニール処理をおこなった。
有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で製膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作成した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ２０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。
【０１１４】
比較例１（有機ＴＦＴの製造と評価）
「ベア基板」に、ポリビニルフェノール（メーカー名の記入）とメラミン（メーカー名）から調製したプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを溶媒とする、ポリビニルフェノールとメラミンの混合溶液をスピンコートし、次いで１８０℃で１時間加熱して、基板表面におよそ２０ｎｍのポリビニルフェノール−メラミン薄膜を作製した。このように処理した基板を以降「ＰＶＰ基板」と表記する。
このゲート絶縁膜上に、有機半導体ＯＳＣ０１の０．１質量％クロロホルム溶液に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約２０ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、この積層基板を１２０℃で３５分間加熱して、アニール処理をおこなった。
【０１１５】
比較例２（有機ＴＦＴの製造と評価）
有機半導体アニール温度２を１８０℃とした以外は、比較例１と同様に行った。
【０１１６】
比較例３（有機ＴＦＴの製造と評価）
「ベア基板」に、ポリビニルフェノール（メーカー名の記入）とメラミン（メーカー名）から調製したプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを溶媒とする、ポリビニルフェノールとメラミンの混合溶液をスピンコートし、次いで１２０℃で１時間加熱して、基板表面におよそ２０ｎｍのポリビニルフェノール−メラミン薄膜を作製した。このように処理した基板を以降「ＰＶＰ基板」と表記する。
このゲート絶縁膜上に、有機半導体ＯＳＣ０１の０．１質量％クロロホルム溶液に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約２０ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、この積層基板を１２０℃で３５分間加熱して、アニール処理をおこなった。
【０１１７】
比較例４（有機ＴＦＴの製造と評価）
有機半導体アニール温度を１８０℃とした以外は、比較例３と同様に行った。
【０１１８】
実施例４〜１０、及び比較例１〜４で作製した有機ＴＦＴを、ドレイン電圧が５０Ｖの条件で伝達特性を測定した。得られた結果を表１に示す。
【０１１９】
【表１】
2017165870.tif 000006
【０１２０】
本発明に係る光硬化性樹脂組成物は、硬化温度および半導体アニール温度が低くても高移動度を引き出すことができる一方で、比較例の材料では、絶縁膜を低温硬化すると、脆い絶縁膜となり、一方で、硬化を十分に進行させても、低温で半導体のアニールを行うと、半導体の移動度を十分に引き出すことができないことがわかった。
【産業上の利用可能性】
【０１２１】
本発明は、光硬化性樹脂組成物、それを用いた絶縁膜、有機薄膜トランジスタに関する。本発明の光硬化性樹脂組成物は、高温処理を不要とし、樹脂基板上でのＯＴＦＴの作成を可能にする有用な組成物である。
【符号の説明】
【０１２２】
１  基板
２  ゲート電極
３  絶縁層
４  表面修飾層
５  有機半導体層
６  ソース電極
７  ソース電極
８  ゲート絶縁膜層
【図１】
2017165870.tif 000009