(57)【要約】【課題】放熱ビアによって多層基板内に形成される熱伝導経路の熱伝導効率を高め、多層基板の放熱性能を向上させる。【解決手段】最上層，最下層及び中間層を備え、動作中に熱を発する駆動用ＩＣ１１が実装されるモジュール基板５であって、前記中間層に設けられたベリードビア７０と，前記最上層に設けられ、駆動用ＩＣ１１及びベリードビア７０と熱的に接続された第１ブラインドビア８０と，を含み、駆動用ＩＣ１１から発せられた熱をモジュール基板５の裏面に伝える放熱ビア６０を有する。ベリードビア７０は、前記中間層を貫通する貫通穴の内周面に形成された筒状のビア部７１と，ビア部７１の上端面を覆う第１ランド部７２と，を有し、第１ブラインドビア８０は、第１ランド部７２を挟んでビア部７１の上端面と重なっている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
最上層，最下層及びこれら最上層と最下層との間の中間層を備え、動作中に熱を発する発熱体が実装される多層基板であって、
前記中間層に設けられたベリードビアと，前記最上層に設けられ、前記発熱体及び前記ベリードビアと熱的に接続された第１ブラインドビアと，を含み、前記発熱体から発せられた熱を該発熱体が実装されている前記多層基板の一面と反対側の他の一面に伝える放熱ビアを有し、
前記ベリードビアは、前記中間層の全部又は一部を貫通する貫通穴の内周面に形成された筒状のビア部と，前記ビア部の上端面を覆う第１ランド部と，を有し、
前記第１ブラインドビアは、前記第１ランド部を挟んで前記ビア部の前記上端面と重なっている、多層基板。
【請求項２】
請求項１に記載の多層基板であって、
複数の前記第１ブラインドビアが、前記ビア部の周方向に沿って配置されている、多層基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の多層基板であって、
前記ビア部の下端面を覆う第２ランド部と、
前記第２ランド部を挟んで前記ビア部の前記下端面と重なる第２ブラインドビアと、を有する、多層基板。
【請求項４】
請求項３に記載の多層基板であって、
複数の前記第２ブラインドビアが、前記ビア部の周方向に沿って配置されている、多層基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の多層基板であって、
前記ビア部の内側に充填され、前記貫通穴を埋める充填部材を有し、
前記１ランド部は、前記ビア部の前記上端面及び前記充填部材の上端面を覆っている、多層基板。
【請求項６】
多層基板と、該多層基板に実装された光素子及び電子部品と、を備える通信モジュールであって、
前記多層基板は、
最上層，最下層及びこれら最上層と最下層との間の中間層と、
前記中間層に設けられたベリードビアと，前記最上層に設けられ、前記電子部品及び前記ベリードビアと熱的に接続された第１ブラインドビアと，を含み、前記電子部品から発せられた熱を該電子部品が実装されている前記多層基板の一面と反対側の他の一面に伝える放熱ビアと、を有し、
前記ベリードビアは、前記中間層の全部又は一部を貫通する貫通穴の内周面に形成された筒状のビア部と，前記ビア部の上端面を覆う第１ランド部と，を有し、
前記第１ブラインドビアは、前記第１ランド部を挟んで前記ビア部の前記上端面と重なっている、通信モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の通信モジュールであって、
複数の前記第１ブラインドビアが、前記ビア部の周方向に沿って配置されている、通信モジュール。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の通信モジュールであって、
前記ビア部の下端面を覆う第２ランド部と、
前記第２ランド部を挟んで前記ビア部の前記下端面と重なる第２ブラインドビアと、を有する、通信モジュール。
【請求項９】
請求項８に記載の通信モジュールであって、
複数の前記第２ブラインドビアが、前記ビア部の周方向に沿って配置されている、通信モジュール。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか一項に記載の通信モジュールであって、
前記ビア部の内側に充填され、前記貫通穴を埋める充填部材を有し、
前記１ランド部は、前記ビア部の前記上端面及び前記充填部材の上端面を覆っている、通信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板に関するものであり、特に、動作中に熱を発する発熱体が実装される多層基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的な通信モジュールは、コネクタを備えた筐体と、筐体に収容され、該筐体が備えるコネクタと電気的に接続された基板と、を備えている。通信モジュールが備える基板は、一般的に“モジュール基板”と呼ばれ、通信モジュールが接続される基板（一般的に“ホストボード”と呼ばれる。）と区別される。以下の説明では、上記区別に従って、通信モジュールが備える基板を“モジュール基板”と呼び、通信モジュールが接続される基板を“ホストボード”と呼ぶ場合がある。
【０００３】
モジュール基板には、光素子（発光素子や受光素子）や電子部品等が実装される。例えば、モジュール基板上には、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の発光素子と該発光素子を駆動するための駆動用ＩＣ(Integrated Circuit)とが実装され、また、ＰＤ（Photodiode）等の受光素子と該受光素子から出力される電気信号を増幅する増幅用ＩＣ(Integrated Circuit)とが実装される。さらに、モジュール基板上には、上記のような光素子と光ファイバとを光結合させるレンズブロック等も搭載される。
【０００４】
上記のようなモジュール基板には多層基板が用いられることが多く、光素子や電子部品等は多層基板の一面に実装される。ここで、多層基板の一面に実装される光素子や電子部品等は、その動作中に熱を発する。以下の説明では、多層基板に実装される光素子や電子部品等であって、その動作中に熱を発するものを“発熱体”と総称する。
【０００５】
上記のような状況の下、発熱体から発生する熱をそれら発熱体が実装される多層基板を介して放熱する必要があり、発熱体が実装される一面と該一面と反対側の他の一面とに跨る複数の放熱ビア（サーマルビア）を備える多層基板が知られている。
【０００６】
従来の多層基板に設けられている放熱ビアの一例を図６に示す。図示されている放熱ビア１００は、多層基板２００の内層２０１を貫通するベリードビア（Buried Via）１０１と、多層基板２００の最上層２０２及び最下層２０３にそれぞれ設けられた２つのブラインドビア（Blind Via）１０２，１０３と、から構成されている。
【０００７】
ベリードビア１０１は、上側ランド部１０１ａと下側ランド部１０１ｂとの間に設けられ、これらランド部１０１ａ，１０１ｂを熱的に接続する円筒状のビア部１０１ｃを有する。また、一方のブラインドビア１０２は、ベリードビア１０１の上側ランド部１０１ａの上に形成されており、他方のブラインドビア１０３は、ベリードビア１０１の下側ランド部１０１ｂの下に形成されている。上側ランド部１０１ａの上に形成されているブラインドビア（上側ブラインドビア）１０２は、上側ランド部１０１ａ及び多層基板２００の一面に実装されている発熱体３００の双方と熱的に接続されている。また、下側ランド部１０１ｂの下に形成されているブラインドビア（下側ブラインドビア）１０３は、下側ランド部１０１ｂ及び多層基板２００の他の一面の双方と熱的に接続されている。以下の説明では、発熱体３００が実装されている多層基板２００の一面を“実装面”と呼び、実装面と反対側の多層基板２００の他の一面を“裏面”と呼ぶ場合がある。
【０００８】
すなわち、多層基板２００の実装面に実装されている発熱体３００は、上側ブラインドビア１０２，ベリードビア１０１及び下側ブラインドビア１０３を介して多層基板２００の裏面と熱的に接続されている。よって、発熱体３００から発せられた熱は、上側ブラインドビア１０２⇒ベリードビア１０１⇒下側ブラインドビア１０３の順に移動して多層基板２００の裏面に伝わり、空気中に放熱される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−６４３７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のように、従来の多層基板２００には、放熱ビア１００によって、実装面に実装されている発熱体３００から発せられた熱を裏面に伝える熱伝導経路が形成されており、この熱伝導経路は、上側ブラインドビア１０２，ベリードビア１０１及び下側ブラインドビア１０３によって構成されている。よって、実装面に実装されている発熱体３００から発せられた熱は、上側ブラインドビア１０２⇒ベリードビア１０１⇒下側ブラインドビア１０３の順で移動する。より詳細には、発熱体３００から発せられた熱は、上側ブラインドビア１０２⇒上側ランド部１０１ａ⇒ビア部１０１ｃ⇒下側ランド部１０１ｂ⇒下側ブラインドビア１０３の順で移動する。
【００１１】
ここで、上側ブラインドビア１０２及び下側ブラインドビア１０３は、ベリードビア１０１のビア部１０１ｃの径方向内側に配置されており、ビア部１０１ｃとは重なっていない。よって、上側ブラインドビア１０２からベリードビア１０１へ熱が伝わるとき、その熱は、上側ランド部１０１ａの内側から外側に向かって拡散しつつビア部１０１ｃに伝わる。また、ベリードビア１０１から下側ブラインドビア１０３へ熱が伝わるとき、その熱は、下側ランド部１０１ｂの外側から内側に向かって集中しつつ下側ブラインドビア１０３に伝わる。しかし、上側ランド部１０１ａ及び下側ランド部１０１ｂは、ビア部１０１ｃに比べて断面積が小さい。換言すれば、上側ランド部１０１ａ及び下側ランド部１０１ｂは、ビア部１０１ｃに比べて熱抵抗が大きい。
【００１２】
尚、図６に示されている下側ブラインドビア１０３が省略され、下側ランド部１０１ｂが最下層２０３と直に熱接続される場合もある。しかし、この場合であっても、上側ブラインドビア１０２からベリードビア１０１へ伝わる熱は、その過程で熱抵抗の大きな上側ランド部１０１ａを通過する。
【００１３】
すなわち、従来の多層基板に設けられている熱伝導経路は、熱抵抗の大きなベリードビアのランド部が占める割合が多く、熱伝導効率が悪い。
【００１４】
本発明の目的は、放熱ビアによって多層基板内に形成される熱伝導経路の熱伝導効率を高め、多層基板の放熱性能を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の多層基板は、最上層，最下層及びこれら最上層と最下層との間の中間層を備え、動作中に熱を発する発熱体が実装される多層基板である。この多層基板は、前記中間層に設けられたベリードビアと，前記最上層に設けられ、前記発熱体及び前記ベリードビアと熱的に接続された第１ブラインドビアと，を含み、前記発熱体から発せられた熱を該発熱体が実装されている前記多層基板の一面と反対側の他の一面に伝える放熱ビアを有する。前記ベリードビアは、前記中間層の全部又は一部を貫通する貫通穴の内周面に形成された筒状のビア部と，前記ビア部の上端面を覆う第１ランド部と，を有する。また、前記第１ブラインドビアは、前記第１ランド部を挟んで前記ビア部の前記上端面と重なっている。
【００１６】
本発明の通信モジュールは、多層基板と、該多層基板に実装された光素子及び電子部品と、を備える。前記多層基板は、最上層，最下層及びこれら最上層と最下層との間の中間層と、前記中間層に設けられたベリードビアと，前記最上層に設けられ、前記電子部品及び前記ベリードビアと熱的に接続された第１ブラインドビアと，を含み、前記電子部品から発せられた熱を該電子部品が実装されている前記多層基板の一面と反対側の他の一面に伝える放熱ビアと、を有する。前記ベリードビアは、前記中間層の全部又は一部を貫通する貫通穴の内周面に形成された筒状のビア部と，前記ビア部の上端面を覆う第１ランド部と，を有し、前記第１ブラインドビアは、前記第１ランド部を挟んで前記ビア部の前記上端面と重なっている。
【００１７】
本発明の一態様では、複数の前記第１ブラインドビアが、前記ビア部の周方向に沿って配置される。
【００１８】
本発明の他の態様では、前記ビア部の下端面を覆う第２ランド部と、前記第２ランド部を挟んで前記ビア部の前記下端面と重なる第２ブラインドビアと、が設けられる。
【００１９】
本発明の他の態様では、複数の前記第２ブラインドビアが、前記ビア部の周方向に沿って配置される。
【００２０】
本発明の他の態様では、前記ビア部の内側に充填され、前記貫通穴を埋める充填部材が設けられ、前記１ランド部は、前記ビア部の前記上端面及び前記充填部材の上端面を覆う。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、放熱ビアによって多層基板内に形成される熱伝導経路の熱伝導効率を高め、多層基板の放熱性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明が適用された通信モジュールの一例を示す斜視図である。
【図２】（ａ）はモジュール基板上に設けられている光電変換部の構成を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は側面図である。
【図３】モジュール基板の構造を示す断面図である。
【図４】放熱モジュールの構造を模式的に示す斜視図である。
【図５】（ａ）は第１ブラインドビアとベリードビアのビア部との位置関係を示す端面図であり、（ｂ）は第２ブラインドビアとベリードビアのビア部との位置関係を示す端面図である。
【図６】従来のモジュール基板の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態の一例について説明する。図１に示される通信モジュール１は、不図示のＩＴ（Information Technology）装置等が備える不図示のホストボードに接続され、光信号を電気信号に変換したり、電気信号を光信号に変換したりする。通信モジュール１の先端にはプラグコネクタ２が設けられており、このプラグコネクタ２がホストボードに設けられているレセプタクルコネクタに接続される。すなわち、本実施形態に係る通信モジュール１は、ホストボードに設けられているレセプタクルコネクタに挿抜可能なプラグコネクタ２を備えており、プラグコネクタ２がレセプタクルコネクタに挿入されると、通信モジュール１がホストボードに接続される。
【００２４】
上記のようにして通信モジュール１が接続されるホストボードには通信用半導体チップが実装されており、ホストボードに接続された通信モジュール１は、ホストボードに形成されている電気配線を介して通信用半導体チップと接続される。また、ホストボード上には複数のレセプタクルコネクタが配置されており、それぞれのレセプタクルコネクタを介して複数の通信モジュール１が通信用半導体チップと接続される。
【００２５】
通信モジュール１は、光ファイバ（ファイバリボン）３の一端側が引き入れられた筐体４と該筐体４に収容された多層基板５とを有し、多層基板上には光電変換部６が設けられている。以下の説明では、多層基板５を“モジュール基板５”と呼ぶ。尚、筐体４は、図示されている下側ケース４ａと不図示の上側ケースとから構成されている。下側ケース４ａと上側ケースとは互いに突き合わされてモジュール基板５を収容可能な空間を備える筐体４を構成する。
【００２６】
図１では省略されているが、モジュール基板５に設けられている光電変換部６は、モジュール基板５の一面に設けられた光素子，電子部品，レンズブロック等によって構成されている。光電変換部６を構成している各要素のうち、少なくとも電子部品は、その動作中に熱を発する発熱体である。図２（ａ）に示されるように、光電変換部６は、光素子の一つである発光素子１０と、電子部品の一つであって、発光素子１０を駆動する駆動用ＩＣ１１と、を含んでいる。また、光電変換部６は、光素子の他の一つである受光素子２０と、電子部品の他の一つであって、受光素子２０から出力される電気信号を増幅する増幅用ＩＣ２１と、を含んでいる。さらに、図２（ｂ）に示されるように、モジュール基板５の一面には、発光素子１０及び受光素子２０（図２（ａ））と光ファイバ３とを光結合させるレンズブロック３０も設けられている。レンズブロック３０は、樹脂製のホルダ部材３１を介してモジュール基板５に固定されており、発光素子１０及び受光素子２０（図２（ａ））の上方にこれらを覆うように配置されている。換言すれば、レンズブロック３０は、ホルダ部材３１によってモジュール基板上の所定位置に保持されている。以下の説明では、光電変換部６等が設けられているモジュール基板５の一面を“実装面”と呼び、実装面と反対側のモジュール基板５の他の一面を“裏面”と呼ぶ場合がある。
【００２７】
筐体４（図１）内に引き入れられている光ファイバ３の一端は、不図示のＭＴ（Mechanically Transferable）コネクタを介してレンズブロック３０に接続（光接続）されている。具体的には、レンズブロック３０の突き当て面にＭＴコネクタの先端面が突き当てられている。さらに、レンズブロック３０の突き当て面からは一対のガイドピンが突出しており、このガイドピンがＭＴコネクタの先端面に形成されているガイド穴に挿入されている。尚、本実施形態では、図２（ａ）に示される発光素子１０にＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が用いられ、同図に示される受光素子２０にＰＤ（Photodiode）が用いられている。もっとも、発光素子１０及び受光素子２０は、特定の発光素子や受光素子に限定されない。また、図１に示されるように、筐体４の後端には、プラグコネクタ２をレセプタクルコネクタから引き抜く際に摘ままれるプルタブ７が取り付けられている。
【００２８】
図３に示されるように、モジュール基板５は、絶縁層４０を介して６つの導体層５０が積層された６層の多層基板であって、絶縁層４０及び導体層５０の積層方向がモジュール基板５の厚み方向である。以下の説明では、図３中において最も上層に位置する導体層５０を“第１導体層５１”と呼び、最も下層に位置する導体層５０を“第６導体層５６”と呼ぶ場合がある。また、第１導体層５１の下の導体層５０を“第２導体層５２”と呼び、第２導体層５２の下の導体層５０を“第３導体層５３”と呼び、第３導体層５３の下の導体層５０を“第４導体層５４”と呼び、第４導体層５４の下の導体層５０を“第５導体層５５”と呼ぶ場合がある。第１導体層５１，第２導体層５２，第３導体層５３，第４導体層５４，第５導体層５５及び第６導体層５６の全部又は一部は、ウエットエッチング，ドライエッチングその他の任意の方法によってパターンニングされて配線パターンを形成している。
【００２９】
また、以下の説明では、第１導体層５１と第２導体層５２との間に介在している絶縁層４０を“第１絶縁層４１”と呼ぶ場合がある。以下同様に、第２導体層５２と第３導体層５３との間に介在している絶縁層４０を“第２絶縁層４２”と呼び、第３導体層５３と第４導体層５４との間に介在している絶縁層４０を“第３絶縁層４３”と呼び、第４導体層５４と第５導体層５５との間に介在している絶縁層４０を“第４絶縁層４４”と呼び、第５導体層５５と第６導体層５６との間に介在している絶縁層４０を“第５絶縁層４５”と呼ぶ場合がある。第１絶縁層４１，第２絶縁層４２，第３絶縁層４３，第４絶縁層４４及び第５絶縁層４５のそれぞれは、その上下の導体層５０の間を電気的に絶縁する層間絶縁膜を形成している。
【００３０】
図３に示されるように、本実施形態では、第１導体層５１がモジュール基板５の最上層であり、第６導体層５６が最上層と反対側のモジュール基板５の最下層である。また、第１絶縁層４１，第２導体層５２，第２絶縁層４２，第３導体層５３，第３絶縁層４３，第４導体層５４，第４絶縁層４４，第５導体層５５及び第５絶縁層４５が、最上層と最下層との間に位置する中間層である。すなわち、本実施形態におけるモジュール基板５の中間層には、積層された複数の絶縁層及び導体層が含まれる。尚、最上層である第１導体層５１や、最下層である第６導体層５６の表面にはソルダーレジストや金メッキ等によって保護層が形成されることもある。
【００３１】
モジュール基板５には、該モジュール基板５をその厚み方向に貫通する複数の放熱ビア６０が形成されている。それぞれの放熱ビア６０は、中間層に設けられたベリードビア７０と、最上層である第１導体層５１に設けられた第１ブラインドビア８０と、最下層である第６導体層５６に設けられた第２ブラインドビア９０と、を含んでいる。換言すれば、放熱ビア６０は、２つのブラインドビア８０，９０とそれらの間の１つのベリードビア７０とによって構成されている。モジュール基板５の実装面に実装されている駆動用ＩＣ１１や増幅用ＩＣ２１（図２）から発せられた熱は、放熱ビア６０を介して実装面と反対側のモジュール基板５の裏面に伝えられる。尚、図３に示されている放熱ビア６０は、駆動用ＩＣ１１とモジュール基板５の裏面とを熱的に接続する放熱ビアであるが、増幅用ＩＣ２１（図２）とモジュール基板５の裏面とを熱的に接続する不図示の放熱ビアも、図示されている放熱ビア６０と同一の構造を有する。
【００３２】
図３に示されている放熱ビア６０を構成しているベリードビア７０は、中間層を貫通する筒状のビア部７１と、ビア部７１の上下に設けられ、ビア部７１と熱的に接続された第１ランド部７２及び第２ランド部７３と、を有する。
【００３３】
ベリードビア７０の一部であるビア部７１は、中間層を構成する第１絶縁層４１，第２導体層５２，第２絶縁層４２，第３導体層５３，第３絶縁層４３，第４導体層５４，第４絶縁層４４，第５導体層５５及び第５絶縁層４５の全部を貫通する一連の貫通穴（スルーホール）の内周面に形成された金属層である。本実施形態では、熱伝導性に優れた金属の一つである銅によってビア部７１としての金属層が形成されている。具体的には、第１絶縁層４１，第２導体層５２，第２絶縁層４２，第３導体層５３，第３絶縁層４３，第４導体層５４，第４絶縁層４４，第５導体層５５及び第５絶縁層４５を貫通する一連の貫通穴がドリルによって形成され、その貫通穴の内周面に金属層（銅層）が形成されている。
【００３４】
ビア部７１の内側には貫通穴を埋める充填部材７４が形成されている。充填部材７４は、貫通穴の内周面に金属層（銅層）を形成した後、つまりビア部７１を形成した後、形成されたビア部７１の内側に樹脂材料を充填して形成したものである。
【００３５】
ベリードビア７０の他の一部である第１ランド部７２及び第２ランド部７３は、モジュール基板５の各層に対して平行に広がる金属層である。本実施形態では、熱伝導性に優れた金属の一つである銅によって第１ランド部７２及び第２ランド部７３としての金属層がそれぞれ形成されている。第１ランド部７２は、少なくともビア部７１の上端面及び充填部材７４の上端面を覆っている。また、第２ランド部７３は、少なくともビア部７１の下端面及び充填部材７４の下端面を覆っている。ビア部７１を形成している金属層，第１ランド部７２を形成している金属層及び第２ランド部７３を形成している金属層は、一連の金属層であって、熱的に一体である。
【００３６】
放熱ビア６０を構成している第１ブラインドビア８０は、モジュール基板５の最上層（第１導体層５１）に設けられ、モジュール基板５の実装面に実装されている駆動用ＩＣ１１と直接的又は間接的に熱接続され、かつ、ベリードビア７０と直接的又は間接的に熱接続されている。
【００３７】
放熱ビア６０を構成している第２ブラインドビア９０は、モジュール基板５の最下層（第６導体層５６）に設けられ、ベリードビア７０と直接的又は間接的に熱接続され、かつ、モジュール基板５の最下層（第６導体層５６）と直接的又は間接的に熱接続されている。
【００３８】
図４は、これまでに説明した放熱ビア６０の構造を模式的に示す斜視図である。以下、図３，図４に基づいて、放熱ビア６０の主な特徴について再度説明する。放熱ビア６０は、ベリードビア７０と、ベリードビア７０の上下に配置された第１ブラインドビア８０及び第２ブラインドビア９０と、を有する。ベリードビア７０は、中間層の全部を貫通する円筒状のビア部７１と、ビア部７１の上端面を覆う第１ランド部７２と、ビア部７１の下端面を覆う第２ランド部７３と、を有し、ビア部７１の内側は充填部材７４によって埋められている。
【００３９】
ビア部７１の上端面を覆っている第１ランド部７２の上には、ビア部７１の周方向に沿って複数（本実施形態では４つ）の第１ブラインドビア８０が等間隔で配置されている。また、ビア部７１の下端面を覆っている第２ランド部７３の下には、ビア部７１の周方向に沿って複数（本実施形態では４つ）の第２ブラインドビア９０が等間隔で配置されている。
【００４０】
図５（ａ）に示されるように、それぞれの第１ブラインドビア８０は、第１ランド部７２を挟んでビア部７１のリング状の上端面７１ａと重なっている。図５（ｂ）に示されるように、それぞれの第２ブラインドビア９０は、第２ランド部７３を挟んでビア部７１のリング状の下端面７１ｂと重なっている。換言すれば、第１ブラインドビア８０は、ビア部７１の真上に配置されており、第２ブラインドビア９０は、ビア部７１の真下に配置されている。
【００４１】
第１ブラインドビア８０及び第２ブラインドビア９０の直径（ｄ）は、ビア部７１の厚み（ｔ）の約２倍であり、本実施形態における第１ブラインドビア８０及び第２ブラインドビア９０の直径（ｄ）は約１００［μｍ］であり、ビア部７１の厚み（ｔ）は約５０［μｍ］である。
【００４２】
再び図３を参照する。上記のように、モジュール基板５には、放熱ビア６０によって、実装面に実装されている駆動用ＩＣ１１及び増幅層ＩＣ２１（図２）から発せられた熱を裏面に伝える熱伝導経路が形成されており、この熱伝導経路は、第１ブラインドビア８０，ベリードビア７０及び第２ブラインドビア９０によって構成されている。よって、実装面に実装されている駆動用ＩＣ１１や増幅層ＩＣ２１から発せられた熱は、第１ブラインドビア８０⇒ベリードビア７０⇒第２ブラインドビア９０の順で移動する。より詳細には、駆動用ＩＣ１１や増幅層ＩＣ２１から発せられた熱は、第１ブラインドビア８０⇒第１ランド部７２⇒ビア部７１⇒第２ランド部７３⇒第２ブラインドビア９０の順で移動する。
【００４３】
ここで、第１ブラインドビア８０及び第２ブラインドビア９０は、ベリードビア７０のビア部７１の真上又は真下に配置されており、ビア部７１の端面と重なっている。よって、第１ブラインドビア８０から第１ランド部７２を介してビア部７１へ熱が伝わるとき、その熱は最短距離でビア部７１へ伝わる。また、ビア部７１から第２ランド部７３を介して第２ブラインドビア９０へ熱が伝わるとき、その熱は最短距離で第２ブラインドビア９０へ伝わる。つまり、モジュール基板５に設けられている熱伝導経路は、熱抵抗の大きなベリードビア７０の第１ランド部７２及び第２ランド部７３が占める割合が少なく、熱伝導効率が高い。
【００４４】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その特徴を変更しない範囲で種々変更可能である。例えば、上記実施形態におけるモジュール基板５は６層の多層基板であったが、多層基板の積層数は特定の数に限定されない。例えば、３層の多層基板や８層の多層基板をモジュール基板５として用いることもできる。
【００４５】
上記実施形態におけるベリードビア７０は、中間層の全部を貫通していたが、ベリードビア７０が中間層の一部のみを貫通する実施形態もある。この場合、第１ブラインドビア８０や第２ブラインドビア９０が適宜延長され、第１ブラインドビア８０，ベリードビア７０及び第２ブラインドビア９０が相互に熱接続される。
【００４６】
ベリードビア７０の内側を埋める充填部材７４の材料は樹脂材料に限られず、金属材料その他の材料であってもよい。一方、充填部材７４を省略し、ベリードビア７０を中空にしてもよい。
【００４７】
第２ブラインドビア９０を省略し、ベリードビア７０の第２ランド部７３を直接的又は間接的にモジュール基板５の最下層と熱接続させてもよい。第１ブラインドビア８０や第２ブラインドビア９０の数は適宜増減することができる。また、複数の第１ブラインドビア８０や第２ブラインドビア９０が設けられる場合、それらの配置間隔は等間隔に限られない。さらに、第１ブラインドビア８０と第２ブラインドビア９０の数や大きさは互いに同一でなくともよい。
【００４８】
上記実施形態における絶縁層４０（第１絶縁層４１，第２絶縁層４２，第３絶縁層４３，第４絶縁層４４及び第５絶縁層４５）の材料は、“プリプレグ”と呼ばれる繊維含有樹脂材料であるが、絶縁層４０の材料は特定の樹脂材料に限定されず、プリプレグ以外のエポキシ樹脂やガラスエポキシ樹脂などを用いてもよい。また、上記実施形態における導体層５０（第１導体層５１，第２導体層５２，第３導体層５３，第４導体層５４，第５導体層５５及び第６導体層５６）の材料は銅であるが、導体層５０の材料は特定の金属材料に限定されない。
【００４９】
多層基板に実装される発熱体は駆動用ＩＣや増幅用ＩＣに限定されるものではなく、多層基板に実装され、動作中に熱を発する他の電子部品や光素子等も発熱体に含まれる。本発明は、光通信用の通信モジュールが備えるモジュール基板ではなく、電気通信用の通信モジュールが備えるモジュール基板にも適用できる。さらに、本発明は、モジュール基板のみでなく、広く多層基板一般に適用することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１    通信モジュール
２    プラグコネクタ
３    光ファイバ
４    筐体
５    多層基板（モジュール基板）
６    光電変換部
１０    発光素子
１１    駆動用ＩＣ
２０    受光素子
２１    増幅用ＩＣ
４０    絶縁層
４１    第１絶縁層
４２    第２絶縁層
４３    第３絶縁層
４４    第４絶縁層
４５    第５絶縁層
５０    導体層
５１    第１導体層
５２    第２導体層
５３    第３導体層
５４    第４導体層
５５    第５導体層
５６    第６導体層
６０    放熱ビア
７０    ベリードビア
７１    ビア部
７１ａ    上端面
７１ｂ    下端面
７２    第１ランド部
７３    第２ランド部
７４    充填部材
８０    第１ブラインドビア
９０    第２ブラインドビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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