(57)【要約】【課題】光シャッタ機構の一部である導電膜とアクティブマトリクス層の金属膜との間の接触不良が起きにくい、光シャッタ基板を提案する。【手段】半導体膜並びに透光性金属膜および光反射性金属膜を含むアクティブマトリクス層と、アクティブマトリクス層の上層に配され、導電膜を含む光シャッタ機構とを備える光シャッタ基板であって、透光性金属膜（１８）および導電膜（２６）が接触する第１コンタクト領域（ＣＲ１）と、透光性金属膜（１８）および光反射性金属膜（１２）が接触する第２コンタクト領域（ＣＲ２）とが設けられている。【選択図】図５
2017181955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜並びに透光性金属膜および光反射性金属膜を含むアクティブマトリクス層と、当該アクティブマトリクス層の上層に配され、導電膜を含む光シャッタ機構とを備える光シャッタ基板であって、
前記透光性金属膜および前記導電膜が接触する第１コンタクト領域と、
前記透光性金属膜および前記光反射性金属膜が接触する第２コンタクト領域とが設けられていることを特徴とする光シャッタ基板。
【請求項２】
第１および第２コンタクト領域が接していることを特徴とする請求項１記載の光シャッタ基板。
【請求項３】
前記第２コンタクト領域において、前記透光性金属膜と前記光反射性金属膜と前記導電膜とが重畳し、前記光反射性金属膜が、前記透光性金属膜および導電膜と接触していることを特徴とする請求項２記載の光シャッタ基板。
【請求項４】
前記第１および第２コンタクト領域が接していないことを特徴とする請求項１記載の光シャッタ基板。
【請求項５】
前記導電膜の一部はｎ型不純物がドープされたアモルファスシリコンであり、
前記第１コンタクト領域において、前記透光性金属膜と前記アモルファスシリコンとが接触することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光シャッタ基板。
【請求項６】
上面視したときに、浮島状の第２コンタクト領域を、透光性金属膜が取り囲んでいることを特徴とする請求項１に記載の光シャッタ基板。
【請求項７】
前記透光性金属膜の上層に前記光反射性金属膜が形成され、前記光反射性金属膜の上層に前記導電膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光シャッタ基板。
【請求項８】
前記導電膜の上層に遮光性金属膜が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の光シャッタ基板。
【請求項９】
前記遮光性金属膜の上層に保護膜が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の光シャッタ基板。
【請求項１０】
前記光反射性金属膜は、前記半導体膜をチャネルとするトランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の光シャッタ基板。
【請求項１１】
半導体膜並びに透光性金属膜および光反射性金属膜を含むアクティブマトリクス層とその上層に配された光シャッタ機構とを有する光シャッタ基板の製造方法であって、
透光性金属膜上に光反射性金属膜を形成する第１工程と、
光反射性金属膜上に犠牲膜を形成する第２工程と、
前記犠牲膜にコンタクトホールを形成することでコンタクトホールの底に前記透光性金属膜を露出させる第３工程と、
当該第３工程で露出させた透光性金属膜と接触するように、前記光シャッタ機構の一部となる導電膜を成膜する第４工程とを含むことを特徴とする光シャッタ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第３および第４工程の間にアッシングを行うことで、前記露出させた透光性金属膜の表面をトリートすることを特徴とする請求項１１に記載の光シャッタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳを用いた光シャッタ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、表示装置の画素に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を用いた従来技術が開示されている。
【０００３】
この従来技術は、画素ごとに、シャッタ体および駆動ビームを含む光シャッタ機構と、駆動ビームに接続するトランジスタ（ＴＦＴ）とを設けて光シャッタ機構に光を照射し、シャッタ体の機械的な動作によって光を遮断あるいは通過させるものである。
【０００４】
具体的には、光シャッタ機構を通過した光が通る光透過経路を設けるとともに、シャッタ体に繋がるシャッタビーム（バネ）と対向するように駆動ビームを配置し、シャッタビームと駆動ビームとの間の静電気力によってシャッタビームを変形させ、シャッタ体をスライドさせることで、光透過経路からの出射光量を画素ごとに制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２５２２０５号公報（２０１２年１２月１０日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＭＥＭＳを用いた光シャッタ基板は、複数の薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクス層と、このアクティブマトリクス層の光源側に配され、光シャッタ機構を含むメカニカル層とを備える。メカニカル層の形成過程では、光シャッタ機構の一部である導電膜を、犠牲膜に形成したコンタクトホール内でアクティブマトリクス層の金属膜に接触させるが、このコンタクトホールの形成不良に起因して両者（光シャッタ機構の一部である導電膜とアクティブマトリクス層の金属膜）の間に接触不良が生じることを発明者は見出した。
【０００７】
本発明の目的の１つは、光シャッタ機構の一部である導電膜とアクティブマトリクス層の金属膜との接触不良が起きにくい光シャッタ基板を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る光シャッタ基板は、半導体膜並びに透光性金属膜および光反射性金属膜を含むアクティブマトリクス層と、当該アクティブマトリクス層の上層に配され、導電膜を含む光シャッタ機構とを有する光シャッタ基板であって、前記透光性金属膜および前記導電膜が接触する第１コンタクト領域と、前記透光性金属膜および前記光反射性金属膜が接触する第２コンタクト領域とが設けられていることを特徴とする。なお、前記光シャッタ基板については、光源からの光が入射する側の面を上面、その反対側で、光が出ていく側の面を下面とする。
【発明の効果】
【０００９】
上記光シャッタ基板によれば、光シャッタ機構の一部である導電膜とアクティブマトリクス層の金属膜との接触不良が起きにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態１にかかる表示装置の構成を示す模式図ある。
【図２】実施形態１にかかる光シャッタ基板の構成を示す断面図である。
【図３】実施形態１にかかる光シャッタ機構の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】実施形態１における犠牲膜、透光性金属膜、遮光性金属膜、およびコンタクトホールの配置を示す平面図である。
【図５】実施形態１にかかる光シャッタ機構の製造方法の要部を示す断面図である。
【図６】実施形態２における犠牲膜、透光性金属膜、遮光性金属膜、およびコンタクトホールの配置を示す平面図である。
【図７】実施形態２にかかる光シャッタ機構の製造方法の要部を示す断面図である。
【図８】実施形態３における犠牲膜、透光性金属膜、遮光性金属膜、およびコンタクトホールの配置を示す平面図である。
【図９】実施形態４にかかる３Ｄプリンタヘッドの構成を示す模式図ある。
【図１０】参考形態にかかる光シャッタ機構の製造方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
〔実施形態１〕
図１は実施形態１にかかる表示装置の構成を示す模式図であり、図２は実施形態１の光シャッタ装置の構成を示す断面図である。図１に示すように、実施形態１にかかる表示装置ＤＰは、光シャッタ基板１および光シャッタ基板１に対向する対向基板３０を含む光シャッタ装置ＳＤと、対向基板３０を介して光シャッタ基板１にＬＥＤ（発光ダイオード）光あるいはレーザ光を照射するバックライトＢＬとを備える。
【００１２】
図１・２に示すように、光シャッタ基板１は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むアクティブマトリクス層１９と、このアクティブマトリクス層のバックライト側に配され、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）である光シャッタ機構２１を含むメカニカル層２０とを備え、画素ごとに、光シャッタ機構２１と、光シャッタ機構２１を通過した光が通る光透過経路とが設けられている。
【００１３】
光シャッタ機構２１は、図１・２に示すように、シャッタ体２８と、シャッタ体２８の一側端に接続するシャッタビーム２３ｘと、他の側端に接続するシャッタビーム２３ｙと、シャッタビーム２３ｘと向かい合う駆動ビーム２２ｘと、シャッタビーム２３ｙと向かい合う駆動ビーム２２ｙと、シャッタビーム２３ｘに接続するシャッタアンカー２３ｂと、シャッタビーム２３ｙに接続するシャッタアンカー２３ｄと、駆動ビーム２２ｘに接続する駆動アンカー２２ｂと、駆動ビーム２３ｙに接続する駆動アンカー２２ｄとを含む。
【００１４】
シャッタビーム２３ｘはシャッタアンカー２３ｂを介してアクティブマトリクス層のシャッタ線に接続され、シャッタビーム２３ｙはシャッタアンカー２３ｄを介してアクティブマトリクス層のシャッタ線に接続され、駆動ビーム２２ｘは駆動アンカー２２ｂを介してアクティブマトリクス層のＴＦＴに接続され、駆動ビーム２２ｙは駆動アンカー２２ｄを介してアクティブマトリクス層の別のＴＦＴに接続されており、駆動ビーム２２ｘ・２２ｙの電位制御によってバネ状のシャッタビーム２３ｘ・２３ｙが変形し、シャッタ体２８が基板面に平行な方向にスライドすることで、光シャッタ機構２１および光透過経路を通って視認者５０側へ出射する光の量が制御される。
【００１５】
ここでは、例えばフィールドシーケンシャル方式を用い、赤色光、緑色光、および青色光をバックライトから順次照射し、赤色光の光量、緑色光の光量、および青色光の光量それぞれを調整することで画素の階調表現が可能となる。
【００１６】
以下、光シャッタ基板１については、バックライト光が入射する側の面を上面（上側の面）、その反対側で、光が出ていく側の面を下面（下側の面）として説明する。
【００１７】
図２に示すように、光シャッタ基板１のアクティブマトリクス層１９には、ガラス基板２と、ガラス基板２の上層に形成された下層金属膜５ｘ・５ｙと、下層金属膜５ｘ・５ｙの上層に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６の上層に形成された、半導体膜７ｘ・７ｙ（例えば、酸化物半導体膜）と、半導体膜７ｘ・７ｙの上層に形成されたエッチングストッパ膜８と、エッチングストッパ膜８の上層に形成された中層金属膜９ａ〜９ｄと、中層金属膜９ａ〜９ｄの上層に形成されたパッシベーション膜１０と、パッシベーション膜１０の上層に形成された平坦化膜１１（例えば、中層金属膜よりも厚く塗布することが可能な樹脂膜）と、平坦化膜１１の上層に形成された透光性金属膜１８と、透光性金属膜１８の上層に形成された上層金属膜（光反射性金属膜）１２ｃ・１２ｄとが含まれている。透光性金属膜１８は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等で構成される。
【００１８】
なお、半導体膜７ｘは、中層金属膜９ａ・９ｂそれぞれと接触しており、中層金属膜９ｂは、パッシベーション膜１０および平坦化膜１１を貫通するコンタクトホールによって上層金属膜１２ｃに接続されている。すなわち、下層金属膜５ｘと、ゲート絶縁膜６と、半導体膜７ｘと、中層金属膜９ａ・９ｂとでＴＦＴが構成される。
【００１９】
また、半導体膜７ｙは、中層金属膜９ｃ・９ｄそれぞれと接触しており、中層金属膜９ｄは、パッシベーション膜１０および平坦化膜１１を貫通するコンタクトホールによって上層金属膜１２ｄに接続されている。すなわち、下層金属膜５ｙと、ゲート絶縁膜６と、半導体膜７ｙと、中層金属膜９ｃ・９ｄとでＴＦＴが構成される。
【００２０】
図１〜図３に示すように、光シャッタ基板１のメカニカル層２０には、シャッタ体２８、シャッタビーム２３ｘ・２３ｙ、および駆動ビーム２２ｘ・２２ｙを含む光シャッタ機構２１が設けられる。
【００２１】
図３は、光シャッタ機構の構成を示す斜視図である。図２および図３に示すように、シャッタ体２８は、アクティブマトリクス層１９に向けて突出し、光源ＢＬ側からみるとアクティブマトリクス層側に窪んだ凹部であるリブ形状部２８ｒと、開口２８ｋとを含む。リブ形状部２８ｒは、遮光性であり、シャッタ体２８の強度を高めるための折板構造を有する。なお、シャッタ体２８の両側にシャッタビーム２３ｘ・２３ｙが接続され、駆動ビーム２２ｙは、駆動アンカー２２ｄおよび上層金属膜１２ｄを介して中層金属膜９ｄ（ＴＦＴの導通電極）に接続されている。
【００２２】
光シャッタ機構２１では、図１および図２（ａ）のように、駆動ビーム２２ｘ・２２ｙの電位制御によってシャッタ体２８が駆動ビーム２２ｙ側に引き寄せられると、開（オープン）状態となり、図１および図２（ｂ）のように、駆動ビーム２２ｘ・２２ｙの電位制御によってシャッタ体２８が駆動ビーム２２ｘ側に引き寄せられると、閉（クローズ）状態となる。
【００２３】
図１・２に示す光シャッタ装置ＳＤでは、光シャッタ基板１とバックライトＢＬとの間に、ガラス基板６１上に金属等の対向遮光膜３３を形成してなる対向基板３０が設けられ、対向遮光膜３３に形成されたスリット３３ｓから、基板面に垂直な方向に向かって光シャッタ基板の下面に至る光透過経路ＬＷが形成されている。
【００２４】
そして、図２（ａ）のようにシャッタ体２８の開口２８ｋが光透過経路ＬＷと重なる（光シャッタ機構がオープン状態の）ときにバックライト光は光シャッタ機構および光透過経路ＬＷを通って視認者５０側に出射し、図２（ｂ）のようにシャッタ体２８の開口以外の部分が光透過経路ＬＷと重なる（光シャッタ機構がクローズ状態の）ときにバックライト光は遮断される。
【００２５】
実施形態１では、メカニカル層２０の上層部分および光シャッタ機構を図３〜図５のように形成する。すなわち、ステップＳ１０１で、平坦化膜１１上に透光性金属膜１８を形成（成膜およびパターニング）し、ステップＳ１０２で、透光性金属膜１８上に上層金属膜（光反射性金属膜）１２を形成（成膜およびパターニング）する。これにより、透光性金属膜１８と上層金属膜１２とが接触し、両者が電気的に接続される。
【００２６】
ステップＳ１０３で、アクティブマトリクス層１９の透光性金属膜１８および上層金属膜１２を覆うように、ネガレジストである犠牲膜２４を成膜し、フォトリソグラフィによってパターニングする。ステップＳ１０３では、犠牲膜２４にコンタクトホールが形成される。
【００２７】
ここでは、図４のように、上面視において、コンタクトホールＣＨの開口全体が透光性金属膜１８と重なり、かつ上層金属膜１２のエッジがコンタクトホール１１の開口を縦断することで、コンタクトホールＣＨの開口の半分が上層金属膜１２および透光性金属膜１８と重なり、コンタクトホールＣＨの開口の残り半分が上層金属膜１２と重ならず、透光性金属膜１８とだけ重なるように、透光性金属膜１８および上層金属膜１２並びにコンタクトホールＣＨを形成している。
【００２８】
より具体的には、図５（ａ）のように、コンタクトホール形成位置の上部にフォトマスクＰＭを配置し、犠牲膜２４（ネガレジスト）に露光する。そうすると、コンタクトホール形成位置にある犠牲膜２４のうち、上層金属膜１２のエッジから離れた領域２４ｘは、上層金属膜１２の光反射によって露光される一方、上層金属膜１２のエッジ近傍および上層金属膜１２がない領域２４ｙは、上層金属膜１２の光反射の影響を受けない（露光されない）。したがって、犠牲膜２４（ネガレジスト）を現像すると、上層金属膜１２のエッジ近傍および上層金属膜１２がない領域２４ｙが除去され（上層金属膜１２のエッジから離れた領域２４ｘは残留）、コンタクトホールＣＨの底に、上層金属膜１２および透光性金属膜１８が露出する（図５（ｂ））。
【００２９】
図３のステップＳ１０４では、コンタクトホールＣＨの底に露出した透光性金属膜１８および上層金属膜１２にトリート処理を行い（図５（ｃ））、後に成膜する導電膜２６と透光性金属膜１８との導通を確実にする。具体的には、犠牲膜２４のフォトリソグラフィの影響を受けた透光性金属膜１８の表面および上層金属膜１２の表面に、プラズマ等を用いたアッシングを行い、レジスト残渣等の有機物を除去する。
【００３０】
ステップＳ１０５では、コンタクトホールＣＨの底でトリートされた透光性金属膜１８および上層金属膜１２を覆うように導電膜２６（例えば、ｎ＋アモルファスシリコン等の、電気信号を導通させる、リンやヒ素等のｎ型不純物が高濃度にドープされた不純物半導体）を成膜し、コンタクトホールＣＨ内で、透光性金属膜１８および上層金属膜１２と、導電膜２６とを接触させる。ステップＳ１０６では、導電膜２６上に遮光性金属膜２７（例えば、窒化モリブデン膜）を成膜し、続くステップＳ１０７で、保護膜３２を成膜する（図５（ｄ））。なお、遮光性金属膜２７は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＭｏＮ等の金属膜あるいはそれらの合金、またはこれら金属膜が積層された膜であってもよい。また、保護膜３２は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等の無機膜であってよい。
【００３１】
続くステップＳ１０８では、フォトリソグラフィ工程によって保護膜３２上にレジストを形成し、ステップＳ１０９では、レジストをマスクとして、保護膜３２をドライエッチングし、続くステップＳ１１０で、遮光性金属膜２７をドライエッチングする。
【００３２】
ステップＳ１１１では、導電膜２６をドライエッチングし、ステップ１１２で犠牲膜２４とレジストとを除去し（リリース）、アンカー２９（シャッタアンカーあるいは駆動アンカー）を形成する（図５（ｅ））。
【００３３】
これにより、透光性金属膜１８および導電膜２６が接触する第１コンタクト領域ＣＲ１と、透光性金属膜１８および上層金属膜（光反射性金属膜）１２が接触する第２コンタクト領域ＣＲ２とを設けることができ、導電膜２６を含む光シャッタ機構２１と上層金属膜１２とを電気的に接続することができる。ここでは、第１コンタクト領域ＣＲ１と第２コンタクト領域ＣＲ２とが接している。すなわち、第１コンタクト領域ＣＲ１において、導電膜２６および透光性金属膜１８が重畳することで導電膜２６および透光性金属膜１８が接触し、第２コンタクト領域ＣＲ２において、透光性金属膜１８と上層金属膜（光反射性金属膜）１２と導電膜２６とが重畳し、上層金属膜１２が透光性金属膜１８および導電膜２６と接触している。
【００３４】
実施形態１では、図４のように、上面視において、コンタクトホールＣＨの開口の一部が上層金属膜１２と重なり、コンタクトホールＣＨの開口の残部が上層金属膜１２と重ならない（透光性金属膜１８とだけ重なる）ように、透光性金属膜１８および上層金属膜１２並びにコンタクトホールＣＨを配置している。そうすると、コンタクトホール形成位置にある犠牲膜２４のうち、上層金属膜１２のエッジ近傍および上層金属膜１２がない領域２４ｙは、上層金属膜１２の光反射の影響を受けないため（図５（ａ））、図５（ｂ）のように、上層金属膜１２および透光性金属膜１８がコンタクトホールＣＨの底に露出するまで犠牲膜２４を除去することができる（少なくとも、透光性金属膜１８上には犠牲膜の残渣が残らない）。
【００３５】
これにより、図５（ｄ）・図（ｅ）のように、アンカー（シャッタアンカーあるいは駆動アンカー）の一部となる導電膜２６と、アクティブマトリクス層の金属膜（上層金属膜１２および透光性金属膜１８）との接触不良を回避することができる。
【００３６】
さらに、実施形態１では、トリート処理として、コンタクトホールＣＨの底に露出した透光性金属膜１８および上層金属膜１２にアッシングを行っている（図５（ｃ））。これにより、犠牲膜２４のフォトリソグラフィの影響を受けた透光性金属膜１８の表面および上層金属膜１２の表面をトリートすることができ、導電膜２６と、上層金属膜１２および透光性金属膜１８との接触をより確実なものにすることができる。
【００３７】
また、実施形態１では、導電膜２６を上層金属膜１２および透光性金属膜１８に接触させているため、接触抵抗を低減させることができる。
【００３８】
一方、図１０（ａ）に示す参考形態では、コンタクトホールＣＨの開口全体が上層金属膜１２と重なっているため、図１０（ｂ）のように、コンタクトホール形成位置にある犠牲膜２４（ネガレジスト）全体が上層金属膜１２の光反射の影響を受ける。これにより、図１０（ｃ）のように、上層金属膜１２がコンタクトホールＣＨの底に露出するまで犠牲膜２４が除去されない（コンタクトホールＣＨがネガレジストで埋まる）可能性があり、後の工程で、光シャッタ機構の一部となる導電膜（アモルファスシリコン膜）と、上層金属膜１２（アクティブマトリクス層の金属膜）との接触不良が起きるおそれがある。
【００３９】
〔実施形態２〕
実施形態２では、図６のように、上面視において、コンタクトホールＣＨの開口全体が上層金属膜１２と重ならない（開口全体が透光性金属膜１８とだけ重なる）ように、透光性金属膜１８および上層金属膜１２並びにコンタクトホールＣＨを配置する。そうすると、図７（ａ）のように、コンタクトホール形成位置にある犠牲膜２４の全体が上層金属膜１２の光反射の影響を受けないため、図７（ｂ）のように、透光性金属膜１８がコンタクトホールＣＨの底に露出するまで犠牲膜２４を除去する（コンタクトホール内に犠牲膜の残渣が残らないようにする）ことができる。
【００４０】
さらに、図７（ｃ）のように、コンタクトホールＣＨの底に露出した透光性金属膜１８に酸素アッシングを行い、犠牲膜２４のフォトリソグラフィの影響を受けた透光性金属膜１８の表面をトリートする。
【００４１】
そして、コンタクトホールＣＨの底でトリートされた透光性金属膜１８を覆うように導電膜２６（導電膜）を成膜し、コンタクトホールＣＨ内で透光性金属膜１８と、導電膜２６（導電膜）とを接触させる。次いで、導電膜２６上に遮光性金属膜２７（遮光性金属膜）を成膜し、次いで、保護膜である保護膜３２を成膜する（図７（ｄ））。次いで、導電膜２６をドライエッチングし、犠牲膜２４とレジストとを除去し（リリース）、アンカー２９（シャッタアンカーあるいは駆動アンカー）を形成する（図７（ｅ））。
【００４２】
これにより、図７（ｄ）・図７（ｅ）のように、アンカーの一部となる導電膜２６と、アクティブマトリクス層の金属膜（透光性金属膜１８）との接触不良を回避することができる。
【００４３】
実施形態２では、透光性金属膜１８および導電膜２６が接触する第１コンタクト領域ＣＲ１と、透光性金属膜１８および上層金属膜（光反射性金属膜）１２が接触する第２コンタクト領域ＣＲ２とを設けることができ、導電膜２６を含む光シャッタ機構２１と上層金属膜１２とを電気的に接続することができる。ここでは、第１コンタクト領域ＣＲ１と第２コンタクト領域ＣＲ２とが接しない。すなわち、第１コンタクト領域ＣＲ１において、導電膜２６および透光性金属膜１８が重畳することで導電膜２６および透光性金属膜１８が接触し、第２コンタクト領域ＣＲ２において、透光性金属膜１８および上層金属膜（光反射性金属膜）１２は接触するが、上層金属膜１２および導電膜２６は接触しない。
【００４４】
〔実施形態３〕
実施形態３では、図８のように、コンタクトホールＣＨの底を上面視したときに、浮島状の上層金属膜１２を透光性金属膜１８が取り囲むように、透光性金属膜１８および上層金属膜１２並びにコンタクトホールＣＨを配置する。そうすると、浮島状の上層金属膜１２上にある犠牲膜２４およびその周囲にある犠牲膜２４は上層金属膜１２の光反射の影響を受けないため、浮島状の上層金属膜１２およびその周囲の透光性金属膜１８がコンタクトホールＣＨの底に露出するまで犠牲膜２４を除去することができる。これにより、導電膜２６と、上層金属膜１２および透光性金属膜１８との接触をより確実にしつつ、接触抵抗を低減することができる。
【００４５】
〔実施形態４〕
図９に示すように、実施の形態４にかかる３Ｄ（三次元）プリンタヘッドＰＦは、光シャッタ基板１および光シャッタ基板１に対向する対向基板３０を含む光シャッタ装置ＳＤと、対向基板３０を介して光シャッタ基板１にＵＶ光（紫外線）を照射するＵＶ光源ＬＳとを備える。光シャッタ基板１に設けられた光シャッタ機構２１を通過したＵＶ光は、ＵＶ硬化材料６０に照射される。
【００４６】
実施形態４では、３ＤプリンタヘッドＰＦの光シャッタ基板１に設けられる光シャッタ機構２１を図３〜図８のように製造することで、光シャッタ機構２１のアンカー２９（シャッタアンカーあるいは駆動アンカー）とアクティブマトリクス層の金属膜（透光性金属膜１８）との接触不良が生じにくくなり、精度の良い３ＤプリンタヘッドＰＦを実現することができる。
【００４７】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る光シャッタ基板の製造方法は、半導体膜並びに透光性金属膜および光反射性金属膜を含むアクティブマトリクス層とその上層に配された光シャッタ機構とを有する光シャッタ基板の製造方法であって、透光性金属膜上に光反射性金属膜を形成する第１工程と、光反射性金属膜上に犠牲膜を形成する第２工程と、前記犠牲膜にコンタクトホールを形成することでコンタクトホールの底に前記透光性金属膜を露出させる第３工程と、当該第３工程で露出させた透光性金属膜と接触するように、前記光シャッタ機構の一部となる導電膜を成膜する第４工程とを含むことを特徴とする。
【００４８】
上記光シャッタ基板の製造方法によれば、光反射性金属膜の光反射によってコンタクトホールが形成不良となるおそれが低減し、光シャッタ機構の一部である導電膜とアクティブマトリクス層の金属膜との接触不良が起きにくくなる。
【００４９】
本発明の態様２に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１において、前記第３工程では、前記コンタクトホールの底の一部に透光性金属膜を露出させる手法とすることができる。
【００５０】
本発明の態様３に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１において、前記第３工程では、コンタクトホールの底の全てに前記透光性金属膜を露出させる手法とすることができる。
【００５１】
本発明の態様４に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１〜３のいずれか１つにおいて、前記第３および第４工程の間にアッシングを行うことで、前記露出させた透光性金属膜の表面をトリートすることを特徴とする手法とすることができる。
【００５２】
本発明の態様５に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様２において、前記第３工程では、コンタクトホールの底に前記透光性金属膜と光反射性金属膜とを露出させる手法とすることができる。
【００５３】
本発明の態様６に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１〜５のいずれか１つにおいて、前記犠牲膜は、ネガレジストである手法とすることができる。
【００５４】
本発明の態様７に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１〜６のいずれか１つにおいて、前記第４工程の後に、導電膜上に遮光性金属膜を成膜する第５工程を含む手法とすることができる。
【００５５】
本発明の態様８に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様７において、前記第５工程の後に、遮光性金属膜上に保護膜を成膜する第６工程を含む手法とすることができる。
【００５６】
本発明の態様９に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様８において、前記第６工程の後に、上記犠牲膜を除去する第７工程を含む手法とすることができる。
【００５７】
本発明の態様１０に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様９において、前記第７工程によって、前記透光性金属膜と接触する導電膜を含む駆動ビームが形成される手法とすることができる。
【００５８】
本発明の態様１１に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１０において、前記駆動ビームは、前記導電膜および保護膜間に遮光性金属膜が挟まれてなる手法とすることができる。
【００５９】
本発明の態様１２に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１〜１１のいずれか１つにおいて、  前記光反射性金属膜は、前記半導体膜をチャネルとするトランジスタと電気的に接続されている構成とすることもできる。
【００６０】
本発明の態様１３に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１〜１２のいずれか１つにおいて、前記導電膜は、ｎ＋アモルファスシリコン膜である手法とすることができる。
【００６１】
本発明の態様１４に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１〜１３のいずれか１つにおいて、前記半導体膜が酸化物半導体で構成されている手法とすることができる。
【００６２】
本発明の態様１５に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様３において、前記コンタクトホールの開口を上面視したときに、浮島状の光反射性金属膜を、透光性金属膜が取り囲んでいる手法とすることができる。
【００６３】
本発明の態様１６に係る光シャッタ基板は、半導体膜並びに透光性金属膜および光反射性金属膜を含むアクティブマトリクス層と、当該アクティブマトリクス層の上層に配され、導電膜を含む光シャッタ機構とを備える光シャッタ基板であって、前記透光性金属膜および前記導電膜が接触する第１コンタクト領域と、前記透光性金属膜および前記光反射性金属膜が接触する第２コンタクト領域とが設けられていることを特徴とする。
【００６４】
本発明の態様１７に係る光シャッタ基板は、前記態様１６において、第１および第２コンタクト領域が接している構成である。
【００６５】
本発明の態様１８に係る光シャッタ基板は、前記態様１７において、前記第２コンタクト領域において、前記透光性金属膜と前記光反射性金属膜と前記導電膜とが重畳し、前記光反射性金属膜が前記透光性金属膜および導電膜と接触している構成である。
【００６６】
本発明の態様１９に係る光シャッタ基板は、前記態様１６において、前記第１および第２コンタクト領域が接していない構成である。
【００６７】
本発明の態様２０に係る光シャッタ基板は、前記態様１６〜１９において、前記導電膜の一部はｎ型不純物がドープされたアモルファスシリコンであり、前記第１領域において、前記透光性金属膜と前記アモルファスシリコンとが接触する構成である。
【００６８】
本発明の態様２１に係る光シャッタ基板は、前記態様１６〜２０において、上面視したときに、浮島状の第２コンタクト領域を、透光性金属膜が取り囲んでいる構成である。
【００６９】
本発明の態様２２に係る光シャッタ基板は、前記態様１６〜２１において、前記透光性金属膜の上層に前記光反射性金属膜が形成され、前記光反射性金属膜の上層に前記導電膜が形成されている構成である。
【００７０】
本発明の態様２３に係る光シャッタ基板は、前記態様２２において、前記導電膜の上層に遮光性金属膜が形成されている構成である。
【００７１】
本発明の態様２４に係る光シャッタ基板は、前記態様２３において、前記遮光性金属膜の上層に保護膜が形成されている構成である。
【００７２】
本発明の態様２５に係る光シャッタ基板は、前記態様１６〜２４において、前記光反射性金属膜は、前記半導体膜をチャネルとするトランジスタと電気的に接続されている構成である。
【００７３】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１  光シャッタ基板
１２  上層金属膜（光反射性金属膜）
１８  透光性金属膜
１９  アクティブマトリクス層
２０  メカニカル層
２１  光シャッタ機構
２２ｘ・２２ｙ  駆動ビーム
２３ｘ・２３ｙ  シャッタビーム
２４  犠牲膜
２６  導電膜
２７  遮光性金属膜
２８  シャッタ体
２９  アンカー
３２  保護膜
３０  対向基板
ＣＨ  コンタクトホール
ＣＲ１  第１コンタクト領域
ＣＲ２  第２コンタクト領域
【図１】
2017181955.tif 000003
【図２】
2017181955.tif 000004
【図３】
2017181955.tif 000005
【図４】
2017181955.tif 000006
【図５】
2017181955.tif 000007
【図６】
2017181955.tif 000008
【図７】
2017181955.tif 000009
【図８】
2017181955.tif 000010
【図９】
2017181955.tif 000011
【図１０】
2017181955.tif 000012