(57)【要約】【課題】表示エリアのＭＥＭＳシャッターの破損を防止することで、画像の表示不良の発生を防止する。【解決手段】表示装置（１）の表示パネル（５０）における素子基板（４０）は、表示エリア（ＡＲ１）にマトリクス状に配置され画像の表示に寄与するＭＥＭＳシャッター（１０Ａ）と、表示エリア（ＡＲ１）の周囲を囲むダミーエリア（ＡＲ２）に配置され、画像の表示に寄与しないＭＥＭＳシャッター（１０Ｂ）配置されている。【選択図】図１
2017181814.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示エリアを有する表示パネルを備えた表示装置であって、
上記表示パネルは、
上記表示エリアにマトリクス状に配置され、上記画像の表示に寄与する第１ＭＥＭＳシャッターと、上記表示エリアの周囲を囲むダミーエリアに配置され、上記画像の表示に寄与しない第２ＭＥＭＳシャッターとを有する素子基板と、
液状材料を介して、上記素子基板と対向配置された対向基板とを備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
上記第２ＭＥＭＳシャッターは、上記表示エリアの各辺の延伸方向に並んで配置され、
上記第２ＭＥＭＳシャッターが並ぶ列は、上記表示エリアの各辺の延伸方向に平行に複数列配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
上記第１ＭＥＭＳシャッターは、当該第１ＭＥＭＳシャッターを駆動するためのスイッチング素子と接続されており、
上記第２ＭＥＭＳシャッターは、スイッチング素子とは接続されていないことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
上記素子基板には、上記ダミーエリアの周囲を囲む枠状の側壁が配置されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
上記ダミーエリアの最外周に位置する上記第２ＭＥＭＳシャッターと、上記ダミーエリアの周囲を囲む上記側壁との距離は、互いに隣接する、上記第１ＭＥＭＳシャッター間の距離、上記第１ＭＥＭＳシャッターと上記第２ＭＥＭＳシャッターとの距離、及び、上記第２ＭＥＭＳシャッター間の距離より広いことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
上記第１ＭＥＭＳシャッター及び上記第２ＭＥＭＳシャッターは開口部を有し、
上記素子基板には、上記第１ＭＥＭＳシャッターの上記開口部と重畳するための開口部が設けれており、上記第２ＭＥＭＳシャッターの上記開口部と重畳するための開口部は設けられていないことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
上記素子基板は、上記第１ＭＥＭＳシャッターを駆動させるためのゲートドライバを有し、
上記ゲートドライバは、上記ダミーエリア内に配置されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
上記素子基板は、上記第１ＭＥＭＳシャッターを駆動させるためのソースドライバを有し、
上記ソースドライバは、上記ダミーエリア内に配置されていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＭＥＭＳシャッターを備える表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を用いた電子機器が開発されている。
【０００３】
特許文献１には、ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置が開示されている。ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置は、画素毎に配置されたＭＥＭＳシャッターを開閉することで、ＭＥＭＳシャッターを透過する光の量を制御し、これにより画像の表示を行う。
【０００４】
上記表示装置は、表示パネルを備えている。表示パネルは、各画素毎に、ＭＥＭＳシャッター及び当該ＭＥＭＳシャッターを駆動するためのスイッチング素子が配置された素子基板と、当該素子基板と対向配置される対向基板とを、シール材を介して対向配置させたあと、シール材の一部に設けられた注入口から、素子基板と対向基板との間にシリコンオイルが注入されることで作製される。このように、素子基板と対向基板との間にシリコンオイルが充填されることで、ＭＥＭＳシャッターが備えるシャッター体は、スムーズにスライドすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第８５９９４６３号明細書（２０１３年１２月３日登録）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、ＭＥＭＳシャッターが備えるシャッター体は、バネとして機能する細いシャッタービームにより支持されている。このため、素子基板と対向基板との間にシリコンオイルが注入された際、当該シリコンオイルが流れる圧力によって、特に、画像を表示する表示エリアの最外周に位置するＭＥＭＳシャッターのシャッタービームが折れるなど破損しやすい。このように、表示エリアに配置されたＭＥＭＳシャッターが破損すると、表示エリアにて表示される画像に表示不良が発生してしまう。
【０００７】
本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示エリアに配置されたＭＥＭＳシャッターの破損を防止することで、表示エリアにて表示される画像に表示不良が発生することを防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置は、画像を表示する表示エリアを有する表示パネルを備えた表示装置であって、上記表示パネルは、上記表示エリアにマトリクス状に配置され、上記画像の表示に寄与する第１ＭＥＭＳシャッターと、上記表示エリアの周囲を囲むダミーエリアに配置され、上記画像の表示に寄与しない第２ＭＥＭＳシャッターとを有する素子基板と、液状材料を介して、上記素子基板と対向配置された対向基板とを備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様によれば、表示エリアに配置されたＭＥＭＳシャッターの破損を防止することで、表示エリアにて表示される画像に表示不良が発生することを防止するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態１に係る表示装置の素子基板の構成を表す図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置の構成を表す図である。
【図３】本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターの構成を表す斜視図である。
【図４】図１の表示装置の画素の等価回路を表す図である。
【図５】図１に示す表示エリアにおけるＭＥＭＳシャッターの製造工程を表す図である。
【図６】図１に示すダミーエリアにおける最外周のＭＥＭＳシャッターの製造工程を表す図である。
【図７】表示パネルにシリコンオイルを注入している様子を表す図である。
【図８】本発明の実施形態２に係る表示装置の素子基板の構成を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
〔実施形態１〕
（表示装置１の概略構成）
図２は、本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置１の構成を表す図である。
【００１２】
表示装置１は、表示パネル５０と、表示パネル５０の背面側に配置されたバックライト９と、図示しないコントローラとを少なくとも備えている。当該コントローラは、表示パネル、及び、バックライト９の駆動を制御する。バックライト９は、表示パネル５０の背面側に配置されている。
【００１３】
表示パネル５０は、各画素毎にＭＥＭＳシャッター（第１ＭＥＭＳシャッター）１０Ａ及び当該ＭＥＭＳシャッター１０Ａを駆動するためのスイッチング素子（ＴＦＴ素子）が配置された素子基板４０と、シール材を介して素子基板４０に対向配置された対向基板５１と、素子基板４０と対向基板５１との間に充填されているシリコンオイル（液状材料）５２とを備えている。このシリコンオイル５２は、素子基板４０と対向基板５１とがシール材５３を介して対向配置された後、シール材５３に設けられた注入口５３ａから、素子基板４０と対向基板５１との間の空間へ注入されることで充填される。
【００１４】
（素子基板４０）
図１は、本発明の実施形態１に係る表示装置１の素子基板４０の構成を表す図である。
【００１５】
素子基板４０は、画像を表示するエリアである表示エリアＡＲ１と、当該表示エリアＡＲ１の周囲を囲むエリアであるダミーエリアＡＲ２とを有する。また、素子基板４０は、表示エリアＡＲ１の一辺（紙面上側の辺）に沿って延伸して配置されているソースドライバ３Ｄと、表示エリアＡＲ１の他の一辺（紙面左側の辺）に沿って延伸して配置されているゲートドライバ３Ｇとを有している。なお、ソースドライバ３Ｄとゲートドライバ３Ｇとの配置は、図１に示したものに限定されるものではない。
【００１６】
シール材５３は、素子基板４０が対向基板５１と貼り合わされる際、素子基板４０の縁ソースドライバ３Ｄ、及び、ゲートドライバ３Ｇより内側であり、ダミーエリアＡＲ２より外側に、枠状に設けられる。また、素子基板４０には、シール材５３より内側であり、ダミーエリアＡＲ２の外周を囲って枠状の側壁６９が設けらえれている。
【００１７】
表示エリアＡＲ１では、ソースドライバ３Ｄから延伸するデータ線Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、・・・、Ｄ２ｍ−３、Ｄ２ｍ−２、Ｄ２ｍ−１、Ｄ２ｍと、ゲートドライバ３Ｇから延伸するゲート線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、・・・、Ｇ２ｎ−３、Ｇ２ｎ−２、Ｇ２ｎ−１、Ｇ２ｎとが交差している。データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうち奇数番目のデータ線（データ線Ｄ１、Ｄ３、Ｄ５、・・・）と、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうち奇数番目のゲート線（ゲート線Ｇ１、Ｇ３、・・・）とにより区画されている領域が画素７である。各画素７は、表示エリアＡＲ１においてマトリクス状に配置されている。各画素７には、ＭＥＭＳシャッター１０と、スイッチング素子５Ａ・５Ｂと、保持容量６Ａ・６Ｂとが配置されている。
【００１８】
スイッチング素子５Ａ・５Ｂは、一例としてＴＦＴ素子である。スイッチング素子５Ａの、ソース端子は、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうちゲートドライバ３Ｇに近い側から数えて奇数番目のデータ線Ｄ１、Ｄ３、・・・、Ｄ２ｍ−１の何れかと接続されており、ゲート端子は、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうちソースドライバ３Ｄに近い側から数えて奇数番目のゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎ−１の何れかと接続されており、ドレイン端子は保持容量６Ａの一方の端子と接続されていると共にＭＥＭＳシャッター１０Ａと接続されている。保持容量６Ａの他方の端子はＭＥＭＳシャッター１０Ａと接続されていると共にグランドと接続されている。
【００１９】
スイッチング素子５Ｂの、ソース端子は、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうちゲートドライバ３Ｇに近い側から数えて偶数番目のデータ線Ｄ２、Ｄ４、・・・、Ｄ２ｍの何れかと接続されており、ゲート端子は、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうちソースドライバ３Ｄに近い側から数えて偶数番目のゲート線Ｇ２、Ｇ４、・・・、Ｇ２ｎー２、Ｇ２ｎの何れかと接続されており、ドレイン端子は保持容量６Ｂの一方の端子と接続されていると共にＭＥＭＳシャッター１０Ａと接続されている。保持容量６Ｂの他方の端子はＭＥＭＳシャッター１０Ａと接続されていると共にグランドと接続されている。
【００２０】
ソースドライバ３Ｄは、コントローラ（不図示）からの指示により、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍを介してスイッチング素子５Ａ・５Ｂへデータ信号を供給する。ゲートドライバ３Ｇは、コントローラ（不図示）からの指示により、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎを介してスイッチング素子５Ａ・５Ｂへゲート信号を供給する。スイッチング素子５Ａ・５Ｂは、データ線Ｄ１〜Ｄ２ｍのうち自身が接続されているデータ線から供給されるデータ信号と、ゲート線Ｇ１〜Ｇ２ｎのうち自身が接続されているゲート線から供給されるゲート信号とから、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを駆動する。
【００２１】
ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、表示エリアＡＲ１内においてマトリクス状に配置されている。ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、表示装置１に配置されたＭＥＭＳシャッターのうち、画像表示に寄与する。
【００２２】
ダミーエリアＡＲ２は、表示エリアＡＲ１の周囲を囲む領域である。ダミーエリアＡＲ２は、表示エリアＡＲ１より外側の領域であり、シール材５３及び側壁６９が配置される領域よりも内側の領域である。ダミーエリアＡＲ２には、ＭＥＭＳシャッター１０Ａと同パターンであるダミーのＭＥＭＳシャッター（第２ＭＥＭＳシャッター）１０Ｂがマトリクス状に配置されている。なお、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂのうち、最外周に位置するＭＥＭＳシャッター１０Ｂを、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと称する場合がある。
【００２３】
また、図１では、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、表示エリアＡＲ１と、ゲートドライバ３Ｇ及びソースドライバ３Ｄとの間の領域に配置されているものとして示しているが、ゲートドライバ３Ｇ及びソースドライバ３Ｄ上に配置されていてもよく、さらに、ゲートドライバ３Ｇ及びソースドライバ３Ｄの外側に至る領域にも配置されていてもよい。
【００２４】
ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、表示装置１に配置されたＭＥＭＳシャッターのうち、画像表示に寄与しないダミーのＭＥＭＳシャッターである。ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、ＭＥＭＳシャッター１０の周囲に配置された、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを保護する構造体であると表現することもできる。
【００２５】
ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、ＭＥＭＳシャッター１０Ａとは異なり、スイッチング素子、保持容量、及び各種配線と接続されていない。よって、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂには、画像を表示するために用いられる信号が入力されない。
【００２６】
（ＭＥＭＳシャッター１０Ａの構成）
図３は、本発明の実施形態１に係るＭＥＭＳシャッター１０Ａの構成を表す斜視図である。図１を用いて、ＭＥＭＳシャッター１０Ａの構成について説明する。なお、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、ＭＥＭＳシャッター１０Ａの構成と同様であるため説明を省略する。
【００２７】
素子基板４０は、素子基板４９と、素子基板４９に設置されたＭＥＭＳシャッター１０Ａとを含む。
【００２８】
ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、第１電極１１と、第２電極１４と、シャッター構造２１とを有する。本実施形態では、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、駆動ビームと対向しバネとして機能するシャッタービームの個数が２個である、いわゆる「２スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターであるものとする。なお、ＭＥＭＳシャッター１０Ａの構成は、「２スプリング」構造に限定されず、例えば、駆動ビームと対向しバネとして機能するシャッタービームの個数が４個である、いわゆる「４スプリング」構造のＭＥＭＳシャッターなどであってもよい。
【００２９】
第１電極１１と、第２電極１４とは、シャッター構造２１をスライドさせるための電極である。第１電極１１と、第２電極１４とは、シャッター構造２１を介して略平行に対向配置されている。
【００３０】
第１電極１１は、駆動ビームアンカー１２と、駆動ビーム１３とを備えている。駆動ビームアンカー１２は、素子基板４９に配置された配線と接続されることで、素子基板４９に固定して配置されている。駆動ビームアンカー１２は、素子基板４９の表面から駆動ビーム１３を離間させて、駆動ビーム１３を支持している。駆動ビームアンカー１２は駆動ビーム１３の両端部のうち第１端部１３ａ近傍において駆動ビーム１３と接続されている。駆動ビーム１３は、駆動ビームアンカー１２との接続部近傍である第１端部１３ａを始点として、当該第１端部１３ａから逆側の第２端部１３ｂにかけて延伸している。すなわち、駆動ビーム１３の両端部のうち第１端部１３ａは、駆動ビームアンカー１２に近い側の端部であり、第２端部１３ｂは駆動ビームアンカー１２から遠い側の端部である。
【００３１】
第２電極１４は、駆動ビームアンカー１５と、駆動ビーム１６とを備えている。駆動ビームアンカー１５は、素子基板４９に配置された配線と接続されることで、素子基板４９に固定して配置されている。駆動ビームアンカー１５は、素子基板４９の表面から駆動ビーム１６を離間させて、駆動ビーム１６を支持している。駆動ビームアンカー１５は駆動ビーム１６の両端部のうち第１端部１６ａ近傍において駆動ビーム１６と接続されている。駆動ビーム１６は、両端部のうち駆動ビームアンカー１５との接続部近傍である第１端部１６ａを始点として、当該第１端部１６ａから逆側の第２端部１６ｂにかけて延伸している。すなわち、駆動ビーム１６の両端部うち第１端部１６ａは、駆動ビームアンカー１５に近い側の端部であり、第２端部１６ｂは駆動ビームアンカー１５から遠い側の端部である。
【００３２】
シャッター構造２１は、シャッター体２２と、シャッタービームアンカー２４・２６と、シャッタービーム２３・２５とを備えている。
【００３３】
シャッタービームアンカー２４・２６は、素子基板４９に配置された配線と接続されることで、素子基板４９に固定して設置されている。シャッタービームアンカー２４・２６は、シャッタービーム２３・２５と、シャッター体２２とを素子基板４９の表面から離間させて支持する。
【００３４】
シャッタービーム２３・２５は可撓性を有する。素子基板４９に固定されたシャッタービームアンカー２４・２６と、シャッタービームアンカー２４・２６とシャッター体２２とを接続し可撓性を有するシャッタービーム２３・２５により、シャッター体２２は、素子基板４９に対してスライド可能な状態で支持される。また、シャッター体２２は、シャッタービームアンカー２４・２６及びシャッタービーム２３・２５を介して素子基板４９に設けられた配線と電気的に接続されている。
【００３５】
このように、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、シャッター体２２の第１側部２２ｄが１本のシャッタービーム２３により支持され、シャッター体２２における第１側部２２ｄと対向する第２側部２２ｅが１本のシャッタービーム２５により支持されることで、シャッター体２２が合計２個のシャッタービーム２３・２５により支持された構造を有する。すなわち、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、駆動ビーム１３・１６と対向し、バネとして働くシャッタービーム２３・２５の数が２個である、いわゆる「２スプリング」構造を有する。
【００３６】
シャッタービームアンカー２４は、第１電極１１の駆動ビーム１３における第２端部１３ｂの近傍に設置されている。シャッタービームアンカー２６は、第２電極１４の駆動ビーム１６における第２端部１６ｂの近傍に設置されている。
【００３７】
シャッター体２２は、第１電極１１の駆動ビーム１３と、第２電極１４の駆動ビーム１６との間に挟まれて配置されている。シャッター体２２は、本実施形態では、平面視において長方形状である。
【００３８】
シャッター体２２は、第１端部２２ａと、第２端部２２ｂと、第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとを有する。
【００３９】
第１端部２２ａと、第２端部２２ｂとは、互いに対向する端部であり、長手方向に直交する短手方向に延伸する端部である。第１端部２２ａと、第２端部２２ｂとのうち、第１端部２２ａは、シャッタービーム２３・２５の第１端部２３ａ・２５ａとの接続部近傍の端部であり、第２端部２２ｂは、シャッタービーム２３・２５の第１端部２３ａ・２５ａから遠い非接続端部である。シャッター体２２は、第１端部２２ａから第２端部２２ｂにかけて延伸している。
【００４０】
第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとは、互いに対向し、長手方向に延伸する端部である。第１側部２２ｄと、第２側部２２ｅとは、第１端部２２ａと、第２端部２２ｂとを接続する。第１側部２２ｄは、第１端部２２ａ近傍においてシャッタービーム２３の第１端部２３ａと接続されている。第１側部２２ｄは、シャッタービーム２３の対向部２３ｃに沿って延伸している。第２側部２２ｅは、第１端部２２ａ近傍においてシャッタービーム２５の第１端部２５ａと接続されている。第２側部２２ｅは、シャッタービーム２５の対向部２５ｃに沿って延伸している。
【００４１】
シャッター体２２は、略中央部分には、第１端部２２ａ側から第２端部２２ｂ側へ延伸する開口部３１が設けられている。開口部３１は矩形形状を有する。
【００４２】
開口部３１と素子基板４９に設けられている開口部ＯＰとが重なる位置に、シャッター体２２が移動することで、バックライト９（図２参照）からの光が透過する。一方、開口部３１が、開口部ＯＰと重ならない位置にシャッター体２２が移動するとバックライト９からの光はシャッター体２２により遮光される。このようにして、表示装置１は、各画素７（図１参照）毎にＭＥＭＳシャッター１０Ａの駆動を制御することで画像を表示エリアＡＲ１に表示する。なお、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂの下方には、開口部ＯＰは形成されていない。
【００４３】
また、図３において、素子基板４９に、１つのシャッター体２２に対し開口部ＯＰが１つだけ設けられているように記載しているが、開口部ＯＰの個数は１つに限定されるものではない。１つのシャッター体２２に対し２つ以上の開口部ＯＰが設けられていてもよい。
【００４４】
シャッター体２２のうち、開口部３１と、第１側部２２ｄとの間には、第１端部２２ａ側から第２端部側２２ｂへ向けて延伸する凸部３２が形成されている。また、シャッター体２２のうち、開口部３１と、第２側部２２ｅとの間には、第１端部２２ａ側から第２端部側２２ｂへ向けて延伸する凸部３３が形成されている。シャッター体２２における素子基板４９との対向面（下面）のうち、凸部３２・３３が設けられている箇所は、素子基板４９に向けて突出した形状となっている。逆に、シャッター体２２における素子基板４９との対向面とは逆側の面（上面）のうち、凸部３２・３３が設けられている箇所は凹部となっている。このように、シャッター体２２に、少なくとも一方向に延伸し、シャッター体２２の下方に設けられた素子基板４９に向けて突出する凸部３２・３３を設けることで、シャッター体２２の剛性を高めることができる。
【００４５】
凸部３２・３３は、共に、シャッター体２２において、シャッター体２２の第１端部２２ａ側は、第１端部２２ａである端まで設けられている一方、シャッター体２２の第２端部２２ｂ側は、端である第２端部２２ｂ近傍まで延伸した形状となっている。
【００４６】
これにより、シャッター体２２のうち、第１端部２２ａ近傍は、凸部３２・３３が設けられていることで、シャッター体２２における素子基板４９との対向面は、下方の素子基板４９に向けて突出した形状となっている。一方、シャッター体２２のうち、第２端部２２ｂ近傍は、凸部３２・３３が設けられていないため、シャッター体２２における素子基板４９との対向面は、平坦な形状となっている。
【００４７】
シャッタービーム２３は、シャッター体２２の第１側部２２ｄと接続された第１端部２３ａを始点として、シャッタービームアンカー２４と接続された第２端部２３ｂにかけて延伸している。上述のように、シャッタービーム２３の第１端部２３ａは、シャッター体２２の第１端部２２ａと第２端部２２ｂとのうち、第１端部２２ａに近い位置でシャッター体２２と接続されている。特に、本実施形態では、シャッタービーム２３は、第１端部２２ａの近傍に接続されている。シャッタービーム２３は、第１端部２３ａから第１電極１１の駆動ビーム１３に近づく方向へ延伸すると、駆動ビーム１３の延伸方向へ屈曲して駆動ビーム１３に沿って延伸し、駆動ビーム１３の第２端部１３ｂ近傍にて第２端部１３ｂを囲むように外側へ屈曲し、第２端部２３ｂがシャッタービームアンカー２４と接続されている。このように、シャッタービーム２３は、第１端部２３ａと第２端部２３ｂとの間に、駆動ビーム１３と対向する対向部２３ｃを有する。
【００４８】
シャッタービーム２５は、シャッター体２２の第２側部２２ｅと接続された第１端部２５ａを始点として、シャッタービームアンカー２６と接続された第２端部２５ｂにかけて延伸している。上述のように、シャッタービーム２５の第１端部２５ａは、シャッター体２２の第１端部２２ａと第２端部２２ｂとのうち、第１端部２２ａに近い位置でシャッター体２２と接続されている。特に、本実施形態では、シャッタービーム２５は、第１端部２２ａの近傍に接続されている。シャッタービーム２５は、第１端部２５ａから第２電極１４の駆動ビーム１６に近づく方向へ延伸すると、駆動ビーム１６の延伸方向へ屈曲して駆動ビーム１６に沿って延伸し、駆動ビーム１６の第２端部１６ｂ近傍にて第２端部１６ｂを囲むように外側へ屈曲し、第２端部２５ｂがシャッタービームアンカー２６と接続されている。このように、シャッタービーム２５は、第１端部２５ａと第２端部２５ｂとの間に、駆動ビーム１６と対向する対向部２５ｃを有する。
【００４９】
シャッタービーム２３・２５は、シャッター体２２がスライドする際にバネとして機能する。
【００５０】
シャッタービーム２３・２５は、シャッター体２２を素子基板４９から離間させた状態であってスライド可能に支持する。
【００５１】
（シャッター体２２の開閉動作）
図４は、図１の画素７の等価回路を表す図である。
【００５２】
図４に示すように、第１電極１１及びシャッター体２２にハイ（Ｈ）の電圧を加え、第２電極１４にロウ（Ｌ）の電圧を加えると、シャッター体２２は、第１電極１１から離れ、第２電極１４に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２の開口部３１と、素子基板４９の開口部ＯＰとは非重畳となり、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは閉じた状態となる。これにより、バックライト９（図２参照）から出射された光はシャッター体２２により遮光される。
【００５３】
なお、第１電極１１及びシャッター体２２にロウ（Ｌ）の電圧を加え、第２電極１４にハイ（Ｈ）の電圧を加えても、シャッター体２２は、第１電極１１から離れ、第２電極１４に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２の開口部３１と、素子基板４９の開口部ＯＰとは非重畳となり、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは閉じた状態となる。
【００５４】
また、第１電極１１にロウ（Ｌ）の電圧を加え、シャッター体２２及び第２電極１４にハイ（Ｈ）の電圧を加えると、シャッター体２２は、第２電極１４から離れ、第１電極１１に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２の開口部３１と、素子基板４９の開口部ＯＰとは重なり、ＭＥＭＳシャッター１０Ａが開いた状態となる。これにより、バックライト９（図２参照）から出射された光は開口部ＯＰ・３１を通りＭＥＭＳシャッター１０から出射される。
【００５５】
なお、第１電極１１にハイ（Ｈ）の電圧を加え、シャッター体２２及び第２電極１４にロウ（Ｌ）の電圧を加えても、シャッター体２２は、第２電極１４から離れ、第１電極１１に近づく方向へ移動する。これにより、シャッター体２２の開口部３１と、素子基板４９の開口部ＯＰとは重なり、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは開いた状態となる。
【００５６】
（ＭＥＭＳシャッター１０Ａの製造方法）
図５は、図１に示す表示エリアＡＲ１におけるＭＥＭＳシャッター１０Ａの製造工程を表す図である。
【００５７】
図５の（ａ）に示すように、表示エリアＡＲ１においては、ガラスなどからなる基板４１上に、カーボンブラックを含有させたポリイミド等からなる遮光部４２に開口部ＯＰを設けてパターン形成し、遮光部４２上に、ＳｉＯ２などからなる第１絶縁層４４、及び、第１配線４５を順にパターン形成する。
【００５８】
次に、開口部ＯＰ内、第１絶縁層４４、及び、第１配線４５を覆うと共に、所定の第１配線４５を露出させるように、ＳｉＯ２などからなる第２絶縁層４６をパターン形成する。そして、第２絶縁層４６上であって、上記所定の第１配線４５上にコンタクトホールが形成されるように、有機絶縁膜４７をパターン形成する。
【００５９】
さらに、有機絶縁膜４７上に、ＩＴＯなどからなる第２配線４８をパターン形成する。この際、第２配線４８は、有機絶縁膜４７に形成された上記コンタクトホール内にも成膜されることで、当該コンタクトホール内の上記所定の第１配線４５と接触する。
【００６０】
次に、第２配線４８上及び有機絶縁膜４７を覆って、第１レジスト層６１を塗布することで積層する。
【００６１】
そして、フォトリソグラフィーにより、第１レジスト層６１をパターニングする。これにより、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における第１レジスト層６１に凹部を形成することで、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における第２配線４８を露出させる。
【００６２】
次に、第１レジスト層６１上に、第２レジスト層６２を塗布することで積層する。このとき、第１レジスト層６１に形成した凹部にも第２レジスト層６２が充填される。
【００６３】
そして、フォトリソグラフィーにより、第２レジスト層６２をパターニングする。これにより、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域（すなわち、第１レジスト層６１に凹部が形成されている領域）、駆動ビーム１３・１６、シャッタービーム２３・２５、及び、シャッター体２２の凸部３２・３３の形成領域における第２レジスト層６２に凹部を形成する。
【００６４】
次に、図５の（ｂ）に示すように、デポジションにより、高濃度に不純物がドープされた不純物半導体６３（例えば、ｎ＋アモルファスシリコン）、金属膜６４、及び、保護膜６５を順に積層する。これにより、第１レジスト層６１及び第２レジスト層６２が開口された凹部の底面において、不純物半導体６３と第２配線４８とが接触する。なお、保護膜６５の一例としては、酸化シリコン(ＳｉＯ２)、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、シリコンオキシナイトライド(ＳｉＮＯ)等の無機膜を挙げることができる。
【００６５】
金属膜６４は、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）膜等の金属膜又はその合金を含む膜を積層することで得ることができる。ここでは、金属膜６４は、Ｔｉ/Ａｌ/Ｔｉの積層構造とする。
【００６６】
そして、保護膜６５上に第３レジスト層６６を塗布することで積層する。次に、フォトリソグラフィーにより、第３レジスト層６６をパターニングする。これにより、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における第３レジスト層６６に凹部を形成することで、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における保護膜６５を露出させる。
【００６７】
次に、図５の（ｃ）に示すように、ドライエッチングにより、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５をパターニングする。
【００６８】
これにより、第３レジスト層６６に形成された凹部内において、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５のうち、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域における不純物半導体６３のみを残し、金属膜６４、及び、保護膜６５を除去する。
【００６９】
そして、図５の（ｄ）に示すように、ＣＦ４及びＯ２を用いたフルアッシングによるドライエッチングにより、全レジスト層（第１レジスト層６１、第２レジスト層６２、及び、第３レジスト層６６）を剥離する。
【００７０】
次に、図５の（ｅ）に示すように、ＰＥＣＶＤ法により、保護層６８を、保護膜６５の上方から積層する。これにより、ＭＥＭＳシャッター１０Ａが完成する。
【００７１】
（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａの製造方法）
図６は、図１に示すダミーエリアＡＲ２における最外周のＭＥＭＳシャッター１０Ｂａの製造工程を表す図である。
【００７２】
図６の（ａ）に示すように、ダミーエリアＡＲ２においては、ガラスなどからなる基板４１上に、遮光部４２、第１絶縁層４４、第２絶縁層４６、及び、有機絶縁膜４７を順に成膜する。このとき、遮光部４２、第１絶縁層４４、第２絶縁層４６、及び、有機絶縁膜４７はパターン形成されなくてもよい。遮光部４２、第１絶縁層４４、第２絶縁層４６、及び、有機絶縁膜４７は、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域、すなわち、ダミーエリアＡＲ２の外側の領域にも成膜される。
【００７３】
さらに、有機絶縁膜４７上に、第１レジスト層６１を塗布することで積層する。第１レジスト層６１は、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域にも積層される。
【００７４】
そして、フォトリソグラフィーにより、第１レジスト層６１をパターニングする。これにより、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における第１レジスト層６１に凹部を形成することで、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域における有機絶縁膜４７が露出する。
【００７５】
さらに、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域と、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域との間における第１レジスト層６１にも凹部を形成する。
【００７６】
次に、第１レジスト層６１上に、第２レジスト層６２を塗布することで積層する。このとき、第１レジスト層６１に形成した凹部にも第２レジスト層６２が充填される。また、第２レジスト層６２は、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域にも積層される。
【００７７】
そして、フォトリソグラフィーにより、第２レジスト層６２をパターニングする。これにより、駆動ビームアンカー１２・１５及びシャッタービームアンカー２４・２６の形成領域（すなわち、第１レジスト層６１に凹部が形成されている領域）、駆動ビーム１３・１６、シャッタービーム２３・２５、及び、シャッター体２２の凸部３２・３３の形成領域における第２レジスト層６２に凹部を形成する。
【００７８】
さらに、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域と、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域との間における第２レジスト層６２にも凹部を形成する。
【００７９】
次に、図６の（ｂ）に示すように、デポジションにより、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５を順に積層する。これにより、第１レジスト層６１及び第２レジスト層６２が開口された凹部の底面において、不純物半導体６３と有機絶縁膜４７とが接触する。
【００８０】
また、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５は、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域との間における第２レジスト層６２上にも積層される。
【００８１】
そして、保護膜６５上に第３レジスト層６６を塗布することで積層する。次に、フォトリソグラフィーにより、第３レジスト層６６をパターニングする。これにより、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域とＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域との間における凹部、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域における第３レジスト層６６を除去することで、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域とＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域との間における凹部、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域における保護膜６５を露出させる。
【００８２】
次に、図６の（ｃ）に示すように、ドライエッチングにより、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５をパターニングする。
【００８３】
これにより、第３レジスト層６６に形成された凹部内において、不純物半導体６３、金属膜６４、及び、保護膜６５のうち、駆動ビーム１３・１６、及び、シャッタービーム２３・２５形成領域、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域における不純物半導体６３を残し、金属膜６４、及び、保護膜６５を除去する。
【００８４】
そして、図６の（ｄ）に示すように、ＣＦ４及びＯ２を用いたフルアッシングによるドライエッチングにより、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域において、全レジスト層（第１レジスト層６１、第２レジスト層６２、及び、第３レジスト層６６）を剥離する。一方、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域においては、第１レジスト層６１、第２レジスト層６２を残す。
【００８５】
次に、図６の（ｅ）に示すように、ＰＥＣＶＤ法により、保護層６８を、保護膜６５の上方から積層する。これにより、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａが完成する。また、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ形成領域の外側の領域であって、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと隣接する側壁６９が完成する。この側壁６９は、枠状であり、ダミーエリアＡＲ２の外周を囲っている。すなわち、ダミーエリアＡＲ２の最外周のＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと、側壁６９とは隣接している。
【００８６】
このＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと、側壁６９との距離は、互いに隣接する、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ａ間、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ｂ間、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ・１０Ｂ間の距離と同じ程度である。
【００８７】
（ダミーエリアＡＲ２を設けることの主な利点）
図７は、表示パネルにシリコンオイルを注入している様子を表す図であり、（ａ）はダミーエリアを設けていない表示パネルにシリコンオイルを注入している様子を表す図であり、（ｂ）は本発明の実施形態１に係る表示パネル５０にシリコンオイルを注入している様子を表す図である。
【００８８】
図２に示したように、ＭＥＭＳシャッター１０を備えた表示パネル５０は、ＭＥＭＳシャッター１０等がパターニングされた素子基板４０と、対向基板５１とを、シール材５３によって貼り合せた後、シール材５３に設けられた注入口５３ａから、素子基板４０と対向基板５１との間の空間へシリコンオイル５２が充填されることで製造される。
【００８９】
図７の（ａ）に示す表示パネル１５０は、ＭＥＭＳシャッター１１０が表示エリアＡＲ１０１にのみ配置され、表示エリアＡＲ１０１の外側エリアＡＲ１０２には配置されていない。
【００９０】
このため、図７の（ａ）に示す矢印のように、シール材１５３の注入口１５３ａから表示パネル１５０内にシリコンオイル１５２が注入されると、シリコンオイル１５２の流れによる圧力によって、特に、マトリクス状にＭＥＭＳシャッター１１０が配置された表示エリアＡＲ１０１における、最外周のＭＥＭＳシャッター１１０が破損しやすい。特に、ＭＥＭＳシャッター１１０のシャッター体を支持する２本のシャッタービームは細く長い形状であるため、この２本のシャッタービームが折れやすい。このように、ＭＥＭＳシャッター１１０においてシャッタービームが折れると、ＭＥＭＳシャッター１１０は駆動せず、表示エリアＡＲ１０１に表示される画像に表示不良が発生する。
【００９１】
一方、図７の（ｂ）に示すように、本実施形態に係る表示パネル５０は、マトリクス状にＭＥＭＳシャッター１０Ａが配置された表示エリアＡＲ１の外側の領域であるダミーエリアＡＲ２にもＭＥＭＳシャッター１０Ｂがマトリクス状に配置されている。
【００９２】
このため、図７の（ｂ）に示す矢印のように、シール材５３の注入口５３ａから表示パネル５０内にシリコンオイル５２が注入されたとしても、当該シリコンオイル５２の流れによる圧力を主に受けるのは、表示エリアＡＲ１の外側の領域であるダミーエリアＡＲ２に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ｂであり、特に、最外周のＭＥＭＳシャッター１０Ｂａである。このＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、画像の表示には寄与しないため、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ、特に、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａのシャッタービーム２３・２５が折れたとしても、ＭＥＭＳシャッターの不良によって画像の表示不良が発生することを防止することができる。
【００９３】
すなわち、表示エリアＡＲ１に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ａへのシリコンオイル５２の流れによる圧力を、表示エリアＡＲ１の周囲であるダミーエリアＡＲ２に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ｂによって吸収することができる。このため、シリコンオイル５２を表示パネル５０内に注入することに伴う表示エリアＡＲ１内のＭＥＭＳシャッター１０Ａの破損を防止することができる。
【００９４】
また、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、表示エリアＡＲ１の各辺の延伸方向に並んで配置されている。そして、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂが並ぶ列は、表示エリアＡＲ１の各辺の延伸方向に平行に複数列配置されている。このように、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、ダミーエリアＡＲ２にマトリクス状に配置されている。このため、より確実に、シリコンオイル５２を表示パネル５０内に注入することに伴う表示エリアＡＲ１内のＭＥＭＳシャッター１０Ａの破損を防止することができる。
【００９５】
ＭＥＭＳシャッター１０Ｂが並ぶ列が平行に並ぶ個数は、特に限定されるものではないが、一例として、１０列程度あれば、十分に、シリコンオイル５２を表示パネル５０内に注入することに伴う表示エリアＡＲ１内のＭＥＭＳシャッター１０Ａの破損を防止することができる。
【００９６】
また、ＭＥＭＳシャッター１０Ａは、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを駆動するためのスイッチング素子５Ａ・５Ｂ及び保持容量６Ａ・６Ｂと接続されている。一方、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、スイッチング素子や保持容量などとは接続されていない。このように、表示エリアＡＲ１に配置されているＭＥＭＳシャッター１０Ａの形成領域を表示エリアＡＲ１外側のダミーエリアＡＲ２にまで広げるだけで、表示エリアＡＲ１に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ａを囲って、ダミーエリアＡＲ２にＭＥＭＳシャッター１０Ｂを形成することができる。このため、ＭＥＭＳシャッターではなく別の構造体を、表示エリアＡＲ１の周囲に配置する場合と比べて、容易に、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを保護する構造体であるＭＥＭＳシャッター１０Ｂを、表示エリアＡＲ１の外周に配置することができる。このため、容易に、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを保護することができる。
【００９７】
また、表示エリアＡＲ１の外周にダミーエリアＡＲ２が配置されている。このため、表示エリアＡＲ１の最外周に位置するＭＥＭＳシャッター１０Ａは、ダミーエリアＡＲ２に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ｂと隣接して配置されている。
【００９８】
ここで、表示エリアの外周にダミーエリアを設けない場合、表示エリアの外周を囲って、枠状の側壁が設けられることになる。この側壁部分は、露光不足によりレジストの残渣が残りやすい。
【００９９】
この結果、表示エリアの外周にＭＥＭＳシャッター（ダミーエリア）を配置しない場合、表示エリアの最外周に位置するＭＥＭＳシャッターに含まれる不純物半導体（＋アモルファスシリコンなど）と、当該ＭＥＭＳシャッターに隣接する側壁に含まれる不純物半導体（ｎ＋アモルファスシリコンなど）とが繋がってしまい、当該ＭＥＭＳシャッターは動作不良を生じる。
【０１００】
一方、実施形態に係る表示パネル５０は、表示エリアＡＲ１の外周にＭＥＭＳシャッター１０Ｂを配置している。すなわち、表示エリアＡＲ１と、側壁６９との間にダミーエリアＡＲ２を設けている。さらに換言すると、ＭＥＭＳシャッターの形成領域を、表示エリアＡＲ１の周囲のダミーエリアＡＲ２にまで拡大している。
【０１０１】
このＭＥＭＳシャッター１０Ｂは、画像の表示に寄与しないため、側壁６９の不純物半導体６３と、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａの不純物半導体６３とが繋がったとしても、表示エリアＡＲ１内に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ａの動作により表示される画像に表示不良が発生することを防止することができる。
【０１０２】
また、素子基板４９には、ＭＥＭＳシャッター１０Ａの開口部３１と重畳するための開口部ＯＰが設けれている一方、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂの開口部ＯＰと重畳するための開口部は設けられていない。すなわち、ダミーエリアＡＲ２には、開口部ＯＰは設けられていない。
【０１０３】
このように、表示エリアＡＲ１に配置されているＭＥＭＳシャッター１０Ａの形成領域を表示エリアＡＲ１外側のダミーエリアＡＲ１にまで広げるだけで、表示エリアＡＲ１に配置されたＭＥＭＳシャッター１０Ａを囲って、ダミーエリアＡＲ２にＭＥＭＳシャッター１０Ｂを形成することができる。このため、ＭＥＭＳシャッターではなく別の構造体を、表示エリアＡＲ１の周囲に配置する場合と比べて、容易に、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを保護する構造体であるＭＥＭＳシャッター１０Ｂを、表示エリアＡＲ１の外周に配置することができる。このため、容易に、ＭＥＭＳシャッター１０Ａを保護することができる。
【０１０４】
（変形例）
本発明の実施形態１の変形例について説明する。素子基板４０には、ダミーエリアＡＲ２の外周を囲って枠状の側壁６９が設けられている。そして、素子基板４０には、側壁６９の外周を囲って枠状のシール材５３が設けられている。
【０１０５】
本変形例に係る素子基板４０においては、ダミーエリアＡＲ２に配置された最外周のＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと、側壁６９との距離は、互いに隣接する、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ａ間、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ｂ間、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ・１０Ｂ間の距離より広い。
【０１０６】
このように、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと側壁６９との距離を、ＭＥＭＳシャッター間の距離よりも広げてもよい。
【０１０７】
これによると、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと側壁６９との距離が、ＭＥＭＳシャッター間の距離と同じ場合や狭い場合と比べて、側壁６９とＭＥＭＳシャッター１０Ｂａとが繋がってしまうことを抑制することができる。
【０１０８】
なお、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａと、側壁６９との距離が、互いに隣接する、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ａ間、ＭＥＭＳシャッター１０Ａ・１０Ｂ間、及び、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ・１０Ｂ間の距離より狭い構成であってもよい。
【０１０９】
〔実施形態２〕
図８は、本発明の実施形態２に係る表示装置１の素子基板４０の構成を表す図である。
【０１１０】
本実施形態２に係る素子基板４０は、実施形態１にて説明した素子基板４０よりも範囲が広いダミーエリアＡＲ２を有する。図８に示すように、実施形態２に係る素子基板４０のダミーエリアＡＲ２内に、ソースドライバ３Ｄと、ゲートドライバ３Ｇとが形成されている。換言すると、ダミーエリアＡＲ２は、ソースドライバ３Ｄの形成領域と、ゲートドライバ３Ｇの形成領域とを含む。
【０１１１】
そして、素子基板４０を平面視すると、ダミーエリアＡＲ２において、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂと、ソースドライバ３Ｄとは重畳しており、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂと、ゲートドライバ３Ｇとは重畳している。ソースドライバ３Ｄは、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂの下層に配置されており、ゲートドライバ３Ｇは、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂの下層に配置されている。
【０１１２】
このように、ダミーエリアＡＲ２にゲートドライバ３Ｇ、及び、ソースドライバ３Ｓを形成することで、狭額縁の表示パネルを形成することができる。
【０１１３】
また、ＭＥＭＳシャッター１０Ｂが、ソースドライバ３Ｄ及びゲートドライバ３Ｇと重畳する程度に、ダミーエリアＡＲ２を広げることで、より確実に、シリコンオイル５２を表示パネル５０内に注入することに伴う表示エリアＡＲ１内のＭＥＭＳシャッター１０Ａの破損を防止することができる。
【０１１４】
なお、本実施形態２においても、ダミーエリアＡＲ２は、表示エリアＡＲ１より外側の領域であり、シール材５３が配置される領域よりも内側の領域である。
【０１１５】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る表示装置１は、画像を表示する表示エリアＡＲ１を有する表示パネル５０を備えた表示装置１であって、上記表示パネル５０は、上記表示エリアＡＲ１にマトリクス状に配置され、上記画像の表示に寄与する第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）と、上記表示エリアＡＲ１の周囲を囲むダミーエリアＡＲ２に配置され、上記画像の表示に寄与しない第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）とを有する素子基板４０と、液状材料（シリコンオイル５２）を介して、上記素子基板４０と対向配置された対向基板５１とを備えていることを特徴とする。
【０１１６】
上記構成によると、上記液状材料を、上記素子基板と上記対向基板との間に注入する際に生じる圧力によって、上記画像の表示に寄与する第１ＭＥＭＳシャッターが破損してしまうことを防止することができる。また、上記表示エリアＡＲ１の周囲のダミーエリアに配置された第２ＭＥＭＳシャッターは、上記画像の表示に寄与しないため、第２ＭＥＭＳシャッターが破損しても画像の表示不良が発生することはない。このように、上記構成によると、ＭＥＭＳシャッターが破損することに起因する画像の表示不良の発生を防止することができる。
【０１１７】
本発明の態様２に係る表示装置１は、上記態様１において、上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）は、上記表示エリアＡＲ１の各辺の延伸方向に並んで配置され、上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）が並ぶ列は、上記表示エリアＡＲ１の各辺の延伸方向に平行に複数列配置されていることが好ましい。このため、より確実に、上記液状材料を上記表示パネル内に注入することに伴う表示エリア内の第１ＭＥＭＳシャッターの破損を防止することができる。
【０１１８】
また、本発明の態様３に係る表示装置１は、上記態様１又は２において、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）は、当該第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）を駆動するためのスイッチング素子５Ａ・５Ｂと接続されており、  上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）は、スイッチング素子とは接続されていないことが好ましい。
【０１１９】
このように、表示エリアに配置されている第１ＭＥＭＳシャッターの形成領域を表示エリア外側のダミーエリアにまで広げるだけで、表示エリアに配置された第１ＭＥＭＳシャッターを囲って、ダミーエリアに第２ＭＥＭＳシャッターを形成することができる。このため、ＭＥＭＳシャッターではなく別の構造体を、表示エリアの周囲に配置する場合と比べて、容易に、第１ＭＥＭＳシャッターを保護する構造体である第２ＭＥＭＳシャッターを、表示エリアの外周に配置することができる。このため、容易に、第１ＭＥＭＳシャッターを保護することができる。
【０１２０】
また、本発明の態様４に係る表示装置１は、上記態様１〜３において、素子基板４０には、上記ダミーエリアＡＲ２の周囲を囲む枠状の側壁６９が配置されていることが好ましい。ここで、上記側壁部分は、露光不足によりレジストの残渣が残りやすい。この結果、側壁と、当該側壁と隣接するＭＥＭＳシャッターとが繋がってしまう場合がある。
【０１２１】
そこで、上記構成によると、上記側壁と、上記表示エリアとの間に、上記ダミーエリアが設けられている。このダミーエリアに配置されている第２ＭＥＭＳシャッターは、画像の表示に寄与しないため、側壁の構成材料と、第２ＭＥＭＳシャッターの構成材料とが繋がったとしても、表示エリア内に配置された第１ＭＥＭＳシャッターの動作により表示される画像に表示不良が発生することを防止することができる。
【０１２２】
また、本発明の態様５に係る表示装置１は、上記態様４において、上記ダミーエリアＡＲ２の最外周に位置する上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂａ）と、上記ダミーエリアＡＲ２の周囲を囲む側壁６９との距離は、互いに隣接する、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）間の距離、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）と上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）との距離、及び、上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）間の距離より広いことが好ましい。
【０１２３】
上記構成によると、上記第２ＭＥＭＳシャッターと上記側壁との距離が、互いに隣接する、上記第１ＭＥＭＳシャッター間の距離、上記第１ＭＥＭＳシャッターと上記第２ＭＥＭＳシャッターとの距離、及び、上記第２ＭＥＭＳシャッター間の距離と同じ場合や狭い場合と比べて、上記第２ＭＥＭＳシャッターと上記側壁とが繋がってしまうことを抑制することができる。
【０１２４】
また、本発明の態様６に係る表示装置１は、上記態様１〜５において、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）及び上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）は開口部３１を有し、上記素子基板４９には、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）の上記開口部３１と重畳するための開口部ＯＰが設けれており、上記第２ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ｂ）の上記開口部ＯＰと重畳するための開口部は設けられていないことが好ましい。
【０１２５】
このように、表示エリアに配置されている第１ＭＥＭＳシャッターの形成領域を表示エリア外側のダミーエリアにまで広げるだけで、表示エリアに配置された第１ＭＥＭＳシャッターを囲って、ダミーエリアに第２ＭＥＭＳシャッターを形成することができる。このため、容易に、第１ＭＥＭＳシャッターを保護することができる。
【０１２６】
また、本発明の態様７に係る表示装置１は、上記態様１〜６において、上記素子基板４９は、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）を駆動させるためのゲートドライバ３Ｇを有し、上記ゲートドライバ３Ｇは、上記ダミーエリアＡＲ２内に配置されていることが好ましい。
【０１２７】
上記構成によると、上記ゲートドライバは、上記ダミーエリア内に配置されるため、狭額縁の表示パネルを形成することができる。
【０１２８】
また、ゲートドライバを含む程度にダミーエリアを広げることで、より確実に、シリコンオイルを表示パネル内に注入することに伴う表示エリア内の第１ＭＥＭＳシャッターの破損を防止することができる。
【０１２９】
また、本発明の態様８に係る表示装置１は、上記態様１〜７において、上記素子基板４９は、上記第１ＭＥＭＳシャッター（ＭＥＭＳシャッター１０Ａ）を駆動させるためのソースドライバ３Ｄを有し、上記ソースドライバ３Ｄは、上記ダミーエリアＡＲ２内に配置されていることが好ましい。
【０１３０】
上記構成によると、上記ソースドライバは、上記ダミーエリア内に配置されるため、狭額縁の表示パネルを形成することができる。
【０１３１】
また、ソースドライバを含む程度にダミーエリアを広げることで、より確実に、シリコンオイルを表示パネル内に注入することに伴う表示エリア内の第１ＭＥＭＳシャッターの破損を防止することができる。
【０１３２】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【０１３３】
１  表示装置
３Ｄ  ソースドライバ
３Ｇ  ゲートドライバ
５Ａ・５Ｂ  スイッチング素子
６Ａ・６Ｂ  保持容量
７  画素
９  バックライト
１０Ａ  ＭＥＭＳシャッター（第１ＭＥＭＳシャッター）
１０Ｂ  ＭＥＭＳシャッター（第２ＭＥＭＳシャッター）
１１  第１電極
１２・１５  駆動ビームアンカー
１３・１６  駆動ビーム
１４  第２電極
２１  シャッター構造
２２  シャッター体
２３・２５  シャッタービーム
２４・２６  シャッタービームアンカー
３１  開口部
３２・３３  凸部
４０、４９  素子基板
４１  基板
４２  遮光部
４４  第１絶縁層
４５  第１配線
４６  第２絶縁層
４７  有機絶縁膜
４８  第２配線
５０  表示パネル
５１  対向基板
５２  シリコンオイル（液状材料）
５３  シール材
５３ａ  注入口
６１  第１レジスト層
６２  第２レジスト層
６３  不純物半導体
６４  金属膜
６５  保護膜
６６  第３レジスト層
６８  保護層
６９  側壁
ＡＲ１  表示エリア
ＡＲ２  ダミーエリア
Ｄ１、Ｄ２  データ線
Ｇ１、Ｇ２  ゲート線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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