(57)【要約】【課題】導電層とめっき層との密着強度の低下を抑制する。【解決手段】配線基板の製造方法は、導電層の上に絶縁層が積層され、該絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料を、導電層を溶かす酸性溶液に浸漬する浸漬工程と、貫通孔が形成された配線基板材料に対して、酸素を含んだ雰囲気中で紫外線を照射する光照射工程と、浸漬工程および光照射工程の両方を経た配線基板材料の、貫通孔の底を含む表面に、導電材料からなるめっき層を形成するめっき工程と、を含む。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層の上に絶縁層が積層され、該絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料を、前記導電層を溶かす酸性溶液に浸漬する浸漬工程と、
前記貫通孔が形成された前記配線基板材料に対して、酸素を含んだ雰囲気中で紫外線を照射する光照射工程と、
前記浸漬工程および前記光照射工程の両方を経た前記配線基板材料の、前記貫通孔の底を含む表面に、導電材料からなるめっき層を形成するめっき工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記浸漬工程の後に前記光照射工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記光照射工程の後に前記浸漬工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層は、粒状フィラーが含有された樹脂よりなり、
前記光照射工程の後に、前記配線基板材料に対して物理的振動を与える振動工程を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記振動工程が、前記配線基板材料を前記酸性溶液に浸漬し、該酸性溶液中の該配線基板材料に対して物理的振動を与える、前記浸漬工程を兼ねた工程であることを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記酸性溶液が、硫酸、硝酸、又はこれらの混合溶液であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記酸性溶液が過硫酸であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記請求項１〜７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法により製造された配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板の製造方法、およびその製造方法によって製造された配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント基板製造工程におけるスミアの除去（デスミア）処理として、紫外線を用いた光処理方法が知られている。特に、エキシマランプなどから放射される真空紫外線により生成されるオゾンや酸素ラジカル等の活性種を利用した方法は、より効率良く短時間で所定の処理を行うことができることから、好適に利用されている。
例えば特許文献１には、デスミア処理方法として、オゾンや酸素を含むガス雰囲気下で、ビアホールが形成された基板に紫外線を照射する方法が開示されている。
デスミア処理が施されたビアホールには、めっき処理が施され、ビアホールの底に露出した導電層とめっき層とが接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２３９１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者らは、鋭意検討の結果、ビアホールの底の導電層（銅）の表面上に酸化銅（ＣｕＯやＣｕ２Ｏ）が形成されることを見出した。酸化銅の形成理由はいろいろ考えられるが、１つの形成理由を以下に説明する。
導電層（銅）上に絶縁層（樹脂）が積層されたプリント基板に対して、レーザ加工を用いてビアホールが形成された場合、レーザは絶縁層を貫通し、導電層（銅）にまで達する。このとき、レーザが照射された導電層（銅）の表面は酸化し、酸化銅となる。ビアホール内において、絶縁層材料に起因するスミアは、上記により形成された酸化銅の上に積もる。
レーザ加工時にビアホールの底の導電層表面に形成される酸化銅は、意図したものではなく、本来不要なものである。上記のようにビアホールの底の導電層表面に酸化銅が存在していると、導電層とめっき層との密着強度が低下する虞がある。
そこで、本発明は、導電層とめっき層との密着強度の低下を抑制することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明に係る配線基板の製造方法の一態様は、導電層の上に絶縁層が積層され、該絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料を、前記導電層を溶かす酸性溶液に浸漬する浸漬工程と、前記貫通孔が形成された前記配線基板材料に対して、酸素を含んだ雰囲気中で紫外線を照射する光照射工程と、前記浸漬工程および前記光照射工程の両方を経た前記配線基板材料の、前記貫通孔の底を含む表面に、導電材料からなるめっき層を形成するめっき工程と、を含む。
このように、貫通孔（ビアホール）が形成された基板を、導電層を溶かす酸性溶液に浸漬させることで、ビアホールの底面に相当する導電層表面を溶かし、導電層表面の金属とともに導電層表面の金属酸化物を除去することができる。また、光照射工程によってスミアを除去することができる。そして、金属酸化物とスミアとがビアホールから除去された後に、めっき層を形成することができる。これにより、導電層とめっき層との密着強度の低下を抑制することができるとともに、電気抵抗の悪化も防ぐことができる。
【０００６】
また、上記の配線基板の製造方法において、前記浸漬工程の後に前記光照射工程を行ってもよく、前記光照射工程の後に前記浸漬工程を行ってもよい。
浸漬工程の後に光照射工程を行うと、スミアが強固に結びついた酸化物が除去された後でスミアが除去されることになり、スミアの除去（デスミア）の処理速度を速くすることができる。一方、光照射工程の後に浸漬工程を行うと、光照射工程の際に場合によって発生することがある金属酸化物も浸漬工程によって除去されるので、導電層とめっき層との密着強度の低下を確実に抑制することができる。
【０００７】
さらに、上記の配線基板の製造方法において、前記絶縁層は、粒状フィラーが含有された樹脂よりなり、前記光照射工程の後に、前記配線基板材料に対して物理的振動を与える振動工程を行ってもよい。これにより、有機物質に起因するスミアは、光照射工程により分解することができ、無機物質に起因するスミアは、物理的振動により分解することができる。このように、有機物質および無機物質のいずれに起因するスミアであっても、確実に除去することができる。
【０００８】
また、上記の配線基板の製造方法において、前記振動工程が、前記配線基板材料を前記酸性溶液に浸漬し、該酸性溶液中の該配線基板材料に対して物理的振動を与える、前記浸漬工程を兼ねた工程であってもよい。これにより、振動工程と浸漬工程とを同時に行うことができ、処理時間の短縮化に寄与することができる。
さらに、上記の配線基板の製造方法において、前記酸性溶液が、硫酸、硝酸、又はこれらの混合溶液であってもよい。また、前記酸性溶液が過硫酸であってもよい。上記の酸性溶液は、入手も取り扱いも容易であるため実施が容易である。また、上記の酸性溶液は、酸化力の強い溶液であるため、効率的に金属酸化物を除去することができる。
また、本発明に係る配線基板の一態様は、上記のいずれかの配線基板の製造方法により製造される。これにより、当該配線基板は、導電層とめっき層との密着性が担保された信頼性の高い配線基板とすることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、酸化物の存在による導電層とめっき層との密着強度の低下が抑制され、信頼性の高い配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態の配線基板の製造方法を示す図である。
【図２】浸漬処理の詳細を説明する図である。
【図３】比較形態の配線基板の製造方法を示す図である。
【図４】ピール試験時に生じるビアの各種状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態の配線基板の製造方法を示す図である。本実施形態において、製造対象の配線基板は、コア基板上に導電層（配線層）と絶縁層とを積層してなる多層配線基板である。コア基板は、例えばガラスエポキシ樹脂などによって構成されている。導電層（配線層）を構成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、銀、亜鉛などを用いることができる。
絶縁層は、例えば無機物質よりなる粒状フィラーが含有された樹脂などによって構成されている。このような樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。また、粒状フィラーを構成する材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタンなどを用いることができる。
【００１２】
多層配線基板を製造する場合、先ず、図１（ａ）に示すように、絶縁層１０と、絶縁層１０の表面上に積層された所要のパターンを有する導電層１１と、導電層１１を含む絶縁層１０上に積層された絶縁層１２とを含んで構成される配線基板材料を形成する。導電層１１の上に絶縁層１２を形成する方法としては、液状の熱硬化性樹脂中に粒状フィラーが含有されてなる絶縁層形成材料を塗布した後、当該絶縁層形成材料を硬化処理する方法や、粒状フィラーが含有された絶縁シートを熱圧着等によって貼り合わせる方法などを利用することができる。
【００１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、絶縁層１２を、レーザＬを用いて加工するなどにより、導電層１１に到達する深さのビアホール（貫通孔）１２ａを形成する。レーザ加工の方法としては、ＣＯ２レーザを用いる方法や、ＵＶレーザを用いる方法などを利用することができる。なお、ビアホール１２ａを形成する方法は、レーザ加工に限定されるものではなく、例えばドリル加工などを用いてもよい。ビアホール１２ａを形成する方法は、ビアホール１２ａの開口径などに応じて適宜選択する。
このようにしてビアホール１２ａを形成すると、レーザは絶縁層１２を貫通して導電層１１にまで達し、レーザが照射された導電層１１の表面は酸化して酸化膜Ｆが形成される。そして、絶縁層１２におけるビアホール１２ａの内壁面（サイドウォール）、絶縁層１２の表面におけるビアホール１２ａの周辺領域、およびビアホール１２ａの底部、即ち酸化膜Ｆの表面などには、絶縁層１２を構成する材料に主に起因するスミア（残渣）Ｓが降り積もる。この降り積もったスミアＳは酸化膜Ｆに強固に結びつく。
【００１４】
次に、本実施形態では、図１（ｃ）に示すように、ビアホール１２ａが形成された配線基板材料を、酸性溶液ＬＱに浸す浸漬処理が行われる。酸性溶液ＬＱとしては、酸化力の強い、硫酸、硝酸、またはこれらの混合溶液、もしくは過硫酸が入手や取り扱いの容易さという点で好ましい。このような酸性溶液ＬＱに配線基板材料を浸すことにより、導電層１１から酸化膜Ｆが除去される。また、このとき、酸化膜Ｆに強固に結びついたスミアＳも、酸化膜Ｆとともに除去される。この浸漬処理について、図２を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
導電層１１の表面に形成された酸化膜Ｆは、図２（ａ）に示すように島状となっており、ビア底において、酸化膜Ｆと酸化膜Ｆとの隙間には導電層１１の酸化していない金属部分が存在する。図２（ａ）に示す配線基板材料を酸性溶液ＬＱに浸すと、酸性溶液ＬＱが酸化膜Ｆと酸化膜Ｆとの隙間から侵入し、当該隙間の導電層１１を構成する金属を溶かす。すると、図２（ｂ）に示すように、溶けた金属１１ａとともに導電層１１上から酸化膜Ｆが除去され、その酸化膜ＦとともにスミアＳが除去される。このとき、導電層１１には、ビア底の径よりも少し広い孔１１ｂが空くことになる。このように酸性溶液ＬＱに配線基板材料を浸した後は、配線基板材料に対して純水での洗浄と乾燥を行う。
上記の浸漬処理では、酸化膜Ｆとともにビア底に降り積もったスミアＳは除去されるが、サイドウォール等に降り積もったスミアＳは残ったままとなる。そこで、次に、配線基板材料に対してスミアＳを完全に除去するための処理（デスミア処理）を行う。このデスミア処理により、図２（ｃ）に示すように、スミアＳが完全に除去される。本実施形態では、デスミア処理として、図１（ｄ）に示すように、被処理部分に対して紫外線（ＵＶ）を照射することでスミアＳを除去する、所謂フォトデスミア処理を用いる。
【００１６】
フォトデスミア処理は、例えば大気などの酸素を含む雰囲気下において行うことができる。紫外線光源としては、波長２２０ｎｍ以下、好ましくは１９０ｎｍ以下の紫外線（真空紫外線）を出射する種々のランプを利用できる。例えば、キセノンガスを封入したキセノンエキシマランプ（ピーク波長１７２ｎｍ）、低圧水銀ランプ（１８５ｎｍ輝線）などを用いることができる。なかでも、デスミア処理に用いるものとしては、例えばキセノンエキシマランプが好適である。
【００１７】
有機物質に起因するスミアは、フォトデスミア処理において、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解される。また、無機物質に起因するスミア、具体的にはシリカやアルミナは、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。本実施形態では、スミアＳが強固に結びついていた酸化膜Ｆは、上述した浸漬処理において除去されている。そのため、フォトデスミア処理では、残りのスミアＳが紫外線やオゾンや活性酸素によって効率よく分解され、処理速度は速い。なお、紫外線の照度や紫外線の照射時間などは、スミアＳの残留状態などを考慮して適宜設定することができる。
【００１８】
次に、フォトデスミア処理（光照射処理）で残ったスミアＳを除去するため、図１（ｅ）に示すように、配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理が行われる。物理的振動処理は、例えば超音波振動処理によって行うことができる。
無機物質に起因するスミアＳは、有機物質に起因するスミアＳの除去により露出し、さらに、紫外線が照射されることによって脆いものとなっている。その状態のスミアＳに物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物質に起因するスミアＳや有機物質に起因するスミアＳの残部は、振動による機械的作用によって破壊され、除去される。或いは、無機物質に起因するスミアＳの収縮や、紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、スミア間にわずかな隙間が生じ、無機物質に起因するスミアＳは、物理的振動処理を施すことにより配線基板材料から離脱する。
【００１９】
超音波振動処理における超音波の周波数は、例えば２０ｋＨｚ以上７０ｋＨｚ以下であることが好ましい。超音波の周波数が７０ｋＨｚを超えると、無機物質に起因するスミアを破壊して配線基板材料から離脱させることが困難となるためである。
このような超音波振動処理においては、超音波の振動媒体として、水などの液体および空気などの気体を用いることができる。
具体的に説明すると、振動媒体として例えば水等を用いる場合には、配線基板材料を、当該水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、超音波振動処理を行うことができる。超音波の振動媒体として液体を用いる場合には、超音波振動処理の処理時間は、例えば１０秒間〜６００秒間である。
また、振動媒体として空気を用いる場合には、圧縮空気を超音波振動させながら配線基板材料に吹きつけることにより、超音波振動処理を行うことができる。ここで、圧縮空気の圧力は、例えば０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。また、圧縮空気による超音波振動処理の処理時間は、例えば５秒間〜６０秒間である。
このように、フォトデスミア処理と物理的振動処理の両方を行うことで、配線基板材料から無機物質に起因するスミアＳと、有機物質に起因するスミアＳとが完全に除去される。
【００２０】
フォトデスミア処理および物理的振動処理は、上記の順でそれぞれ１回ずつ行ってもよいが、フォトデスミア処理および物理的振動処理を交互に繰り返して行うことが好ましい。ここで、フォトデスミア処理および物理的振動処理の繰り返し回数は、各フォトデスミア処理における紫外線の照射時間などを考慮して適宜設定されるが、例えば１回〜５回である。
フォトデスミア処理および物理的振動処理が完了すると、次に、図１（ｆ）に示すように、例えば電解めっきにより、ビアホール１２ａ内から絶縁層１２の表面にかけてめっき層１４を形成する。めっき層１４としては、例えば、Ｃｕ（銅）などからなる層（２０μｍ〜５０μｍ程度）を用いることができる。このように形成されるめっき層１４は、導電層１１の上層の配線層となるものであり、ビアホール１２ａの底で導電層１１とめっき層１４がスミアＳや酸化膜Ｆに邪魔されること無く接続されるので密着強度が高く、配線層同士の抵抗悪化も防がれる。
【００２１】
また、本実施形態では、上述した浸漬処理により、図２（ｂ）および（ｃ）に示すように、導電層１１には絶縁層１２の導電層１１側の開口径よりも少し広い孔１１ｂが形成される。そのため、この孔１１ｂにめっきがされると、めっき層１４は、絶縁層１２に対して楔状の形状を有することになり、絶縁層１２に対する接続性が強化される。
なお、図１に示す各工程のうち、図１（ｃ）に示す工程が、酸性溶液に浸漬する浸漬工程に対応し、図１（ｄ）に示す工程が、酸素を含んだ雰囲気中で紫外線を照射する光照射工程に対応している。また、図１（ｅ）に示す工程が、光照射工程の後に物理的振動を与える振動工程に対応し、図１（ｆ）に示す工程が、導電材料からなるめっき層を形成するめっき工程に対応している。
【００２２】
ここで、本実施形態と比較する比較形態について説明する。
図３は、比較形態の配線基板の製造方法を示す図である。
比較形態の場合も、製造対象の配線基板は、コア基板上に導電層（配線層）と絶縁層とを積層してなる多層配線基板であり、先ず、図３（ａ）に示すように、絶縁層１０上に導電層１１と絶縁層１２とが積層されてなる配線基板材料を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁層１２を、レーザＬを用いて加工するなどにより、導電層１１に到達する深さのビアホール１２ａを形成する。
次に、比較形態では、図１に示す実施形態のような浸漬処理を行わずに、図３（ｃ）に示すように、スミアＳを除去する処理（デスミア処理）を行う。このデスミア処理としては、図１に示す実施形態におけるフォトデスミア処理と同様のフォトデスミア処理を行うが、比較形態ではスミアＳが酸化膜Ｆと強固に結びついているため、デスミア処理の速度が遅い。また、デスミア処理後も酸化膜Ｆは残っている。
【００２３】
次に、デスミア処理で残ったスミアＳを除去するため、図３（ｄ）に示すように、配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理が行われる。
そして、図３（ｅ）に示すように、ビアホール１２ａ内から絶縁層１２の表面にかけてめっき層１４を形成する。このように形成されためっき層１４と導電層１１との間には酸化膜Ｆが挟まっており、この酸化膜Ｆの存在によってめっき層１４と導電層１１との密着強度が低下し、めっき層１４が属する配線層と導電層１１が属する配線層との抵抗が悪化する虞もある。
ところで、図１に示す実施形態では、フォトデスミア処理の後に物理的振動処理を行なっているが、物理的振動処理は必須ではない。例えば絶縁層がフィラーを有さない絶縁層である場合などには物理的振動処理を省略することができる。
また、図１に示す実施形態では、浸漬処理の後にフォトデスミア処理を行っているが、フォトデスミア処理の後に浸漬処理を行ってもよい。フォトデスミア処理では、場合によっては導電層１１上に新たに酸化膜が形成される場合がある。そのため、フォトデスミア処理の後に浸漬処理を行うと、フォトデスミア処理において形成された酸化膜も除去されるので、導電層１１とめっき層１４との接続の信頼性を一層高めることができる。
【００２４】
フォトデスミア処理の後に浸漬処理を行う場合、物理的振動処理の実行手順を考慮すると以下の４つの実行パターンが考えられる。
１番目は、物理的振動処理を省略するパターンで、フィラーを有さない絶縁層である場合などに採用される。
２番目は、浸漬処理の前に物理的振動処理を行うパターンで、スミアを全て除去してから酸化膜を除去する。
３番目は、浸漬処理の後に物理的振動処理を行うパターンで、酸化膜を除去することでスミアの残りが導電層から浮くので物理的振動処理によるスミアの除去が、より速くより確実となる。
４番目は、浸漬処理と物理的振動処理とを同時に行うパターンで、浸漬処理の酸性溶液を、物理的振動処理の超音波の振動媒体としても用いる。浸漬処理と物理的振動処理とを同時に行うことで全体としての処理時間短縮となる。
【００２５】
（実施例）
次に、本発明の効果を確認するために行った実施例について説明する。
＜配線基板材料＞
先ず、ガラスエポキシ樹脂と銅からなるプリプレグのコア材に、２５μｍのエポキシ樹脂を両面真空ラミネートし、高圧プレスとベーキングにより作成した積層体を用意した。この積層体に、ビア加工機（ＣＯ２レーザもしくはＵＶレーザ）によってレーザ加工を施すことにより、ブラインドビアを、５００μｍピッチで格子状に作成した。ビア開口径は、φ５０μｍとした。このようにして、配線基板材料を得た。また、このとき、配線基板材料のブラインドビアの底部に、スミアが残留していることを確認した。
【００２６】
＜実施例１＞
上記配線基板材料に対し、酸性溶液として硫酸を用いた１５秒間の浸漬処理を行った。そして、フォトデスミア処理と物理的振動処理を行い、めっき層（Ｃｕ層）を形成し、配線基板を得た。同様の処理を行って得た配線基板のサンプルを５枚用意した。
＜実施例２＞
上記配線基板材料に対し、酸性溶液として硝酸を用いた１５秒間の浸漬処理を行った。そして、フォトデスミア処理と物理的振動処理を行い、めっき層（Ｃｕ層）を形成し、配線基板を得た。同様の処理を行って得た配線基板のサンプルを５枚用意した。
＜実施例３＞
上記配線基板材料に対し、酸性溶液として硫酸と硝酸との混合溶液を用いた１５秒間の浸漬処理を行った。そして、フォトデスミア処理と物理的振動処理を行い、めっき層（Ｃｕ層）を形成し、配線基板を得た。同様の処理を行って得た配線基板のサンプルを５枚用意した。
＜実施例４＞
上記配線基板材料に対し、酸性溶液として過硫酸を用いた７秒間の浸漬処理を行った。そして、フォトデスミア処理と物理的振動処理を行い、めっき層（Ｃｕ層）を形成し、配線基板を得た。同様の処理を行って得た配線基板のサンプルを５枚用意した。
【００２７】
＜比較例１＞
上記配線基板材料に対し、酸性溶液として塩酸を用いた１５秒間の浸漬処理を行った。そして、フォトデスミア処理と物理的振動処理を行い、めっき層（Ｃｕ層）を形成し、配線基板を得た。同様の処理を行って得た配線基板のサンプルを５枚用意した。
＜比較例２＞
上記配線基板材料に対し、酸性溶液として塩酸を用いた４時間の浸漬処理を行った。そして、フォトデスミア処理と物理的振動処理を行い、めっき層（Ｃｕ層）を形成し、配線基板を得た。同様の処理を行って得た配線基板のサンプルを２枚用意した。
上記の実施例１〜４、比較例１〜２について、配線基板のＣｕ層をＪＩＳ  Ｈ８６３０付属書１に記載の方法に準拠して、１ｃｍの幅にカッターナイフで切り込みを入れ、引っ張り試験器で９０度方向に引き剥がすピール試験を行った。そして、後で説明するビア接続性の確認を行った。その結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
2017157634.tif 000003
【００２９】
上述したビア接続性の確認とは、各サンプル上のビアに対してピール試験を行い、そのビアの様子を顕微鏡で観察し、接続性が良好か不良かを確認したものである。
図４は、ピール試験時に生じるビアの各種状態を示す図である。
例えば、図４（ａ）に示すように、ピール試験において、試料１００の絶縁層１１２に形成されたビア１１２ａの底とサイドウォールとの両方でめっき層１１４が剥がれた場合、接続性が不良であると判定する。この図４（ａ）に示すパターンは、ビア底（導電層１１１とめっき層１１４）とビアのサイドウォール（絶縁層１１２とめっき層１１４）の両方の密着性が低い場合に起こる。
【００３０】
これに対して、ピール試験において、めっき層１１４と導電層１１１の接続界面が接着維持された状態のまま、図４（ｂ）（ｄ）に示すように導電層１１１が絶縁層１１０から引き剥がされた場合、あるいは図４（ｃ）のようにめっき層１１４が絶縁層１１２表面から剥がれた場合は、接続性が良好であると判定する。
表１に示すように、実施例１〜４では、５つのサンプルのいずれについてもビア接続性が良好であることが確認された。また、酸性溶液の中でも、より酸化力の強い過硫酸については、浸漬時間が短くても良好なビア接続性が得られることが確認された。
【００３１】
これに対して比較例１〜２では、酸性溶液であっても塩酸である場合には、酸化力が弱いために、浸漬時間が１５秒間であっても４時間であっても、全てのサンプルでビア接続性が不良であることが確認された。
このように、本実施形態における配線基板の製造方法は、導電層の上に絶縁層が積層され、該絶縁層を貫通する貫通孔（ビアホール）が形成された配線基板材料を、導電層を溶かすような酸化力の強い酸性溶液に浸漬する浸漬工程を含む。そのため、この浸漬工程において、ビア底に相当する導電層表面の金属とともに、導電層表面に形成された金属酸化物を除去することができる。さらに、このとき、金属酸化物とともに、当該金属酸化物と強固に結びついたスミアも除去することができる。また、本実施形態における配線基板の製造方法は、貫通孔（ビアホール）が形成された配線基板材料に対して、酸素を含んだ雰囲気中で紫外線を照射するフォトデスミア処理を行う光照射工程を含む。したがって、浸漬工程と光照射工程とを経た配線基板材料は、金属酸化物とスミアとが完全に除去されたものとなり、めっき層を形成した際のめっき層と導電層との密着強度を向上させることができ、良好なビア接続性が得られる。
【００３２】
ここで、酸性溶液は、硫酸、硝酸、又はこれらの混合溶液を用いることができる。これらの酸性溶液は、入手も取り扱いも容易であるため実施が容易である。また、これらの酸性溶液は、酸化力の強い溶液であるため、効率的に金属酸化物を除去することができる。
さらに、酸性溶液は過硫酸（Ｈ2ＳＯ5）であってもよい。過硫酸は硫酸過水と呼ばれることもある。硫酸と過酸化水素とを混合させた過硫酸は、例えば硫酸と比較して高い酸化力を有する。したがって、酸性溶液として過硫酸を用いることで、より効率的に金属酸化物を除去することができ、金属酸化物の除去に要する時間を短縮することができる。
以上のように、本実施形態における配線基板の製造方法では、導電層とめっき層との密着性が担保された信頼性の高い配線基板を作製することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１０…絶縁層、１１…導電層、１２…絶縁層、１２ａ…ビアホール、１４…めっき層、Ｌ…レーザ、ＬＱ…酸性溶液、Ｓ…スミア、Ｆ…酸化膜
【図１】
2017157634.tif 000004
【図２】
2017157634.tif 000005
【図３】
2017157634.tif 000006
【図４】
2017157634.tif 000007