(57)【要約】【課題】二回めっきや熱処理によることなく、表面が平滑で摩擦抵抗が小さく、信頼性の高い端子および端子材を安価に製造する。【解決手段】銅又は銅合金からなる基材の上にニッケルまたはニッケル合金からなるニッケル層が積層されており、ニッケル層は、結晶粒径が０．０２μｍ以上０．３μｍ以下で厚みが０．１μｍ以上５．０μｍ以下であり、そのニッケル層の上に、金、金合金、銀、銀合金のいずれかからなる厚みが０．０５μｍ以上５．０μｍ以下の貴金属層が積層される。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅又は銅合金からなる基材の上にニッケルまたはニッケル合金からなるニッケル層が積層されており、前記ニッケル層は、結晶粒径が０．０２μｍ以上０．３μｍ以下で厚みが０．１μｍ以上５．０μｍ以下であることを特徴とするめっき付銅端子材。
【請求項２】
前記基材は、Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物のみからなるＣｕとＭｇの２元系合金、又は、Ｚｎを３．４％（ｍａｓｓ％、以下同じ）越え３２．５％以下、Ｓｎを０．１％以上０．９％以下、Ｎｉを０．０５％以上１．０％未満、Ｆｅを０．００１％以上０．１０％未満、Ｐを０．００５％以上０．１０％以下、含有している銅合金のいずれかであることを特徴とする請求項１記載のめっき付銅端子材。
【請求項３】
前記ニッケル層の上に、金、金合金、銀、銀合金のいずれかからなる厚みが０．０５μｍ以上５．０μｍ以下の貴金属層が積層されていることを特徴とする請求項１又は２記載のめっき付銅端子材。
【請求項４】
請求項３記載のめっき付銅端子材により形成されているめっき付銅端子。
【請求項５】
請求項１又は２記載のめっき付銅端子材の製造方法であって、前記基材として、薄膜Ｘ線回折法により測定される（３１１）面と（１１１）面の積分強度比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）が０．０７以上である銅合金を用い、その基材の表面に、ニッケルめっきを施して前記ニッケル層を形成することを特徴とするめっき付銅端子材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は自動車や民生機器等の電気配線の接続に使用されるコネクタ用端子として有用なめっき付銅端子材その製造方法並びにそのめっき付銅端子材を用いて製造した端子に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車や民生機器等の電気配線の接続に使用されるコネクタ用端子は、一般に、銅又は銅合金基材の表面に錫、金、銀などのめっきを施しためっき付銅端子材が用いられる。このうち、金、銀などの貴金属をめっきした端子材は、耐熱性に優れるため、高温環境下での使用に適している。
従来、このような貴金属をめっきした端子材として、以下の特許文献に開示のものがある。
【０００３】
特許文献１には、銅又は銅合金からなる母材の表面に、母材側となる下層側の第一の銀めっき層と、第一の銀めっき層の上に形成され、銀めっき端子の表面に露出する上層側の第二の銀めっき層とからなる二層構造の銀めっき層を形成した端子材が開示されており、銅の表面への拡散を抑制して、端子の挿抜が良好で耐摩耗性に優れると記載されている。
【０００４】
特許文献２には、８０〜１１０ｇ／Ｌの銀と７０〜１６０ｇ／Ｌのシアン化カリウムと５５〜７０ｍｇ／Ｌのセレンを含む銀めっき液中において、液温１２〜２４℃、電流密度３〜８Ａ／ｄｍ２で且つ銀めっき液中のシアン化カリウムの濃度と電流密度の積が８４０ｇ・Ａ／Ｌ・ｄｍ２以下の範囲で電気めっきを行って、素材上に銀からなる表層を形成することにより、表層の優先配向面が｛１１１｝面であり、５０℃で１６８時間加熱する前の｛１１１｝面のＸ線回折ピークの半価幅に対する加熱した後の｛１１１｝面のＸ線回折ピークの半価幅の比が０．５以上である銀めっき材を製造することが開示されており、高い硬度を維持したまま、接触抵抗の増加を防止することができると記載されている。
【０００５】
特許文献３には、銅または銅合金からなる素材上にニッケルからなる下地層が形成され、この下地層の表面に銀からなる厚さ１０μｍ以下の表層が形成された銀めっき材において、下地層の厚さを２μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以下にし、表層の｛２００｝方位の面積分率を１５％以上、好ましくは２５％以上にすることが開示されており、曲げ加工性が良好であると記載されている。
【０００６】
特許文献４には、導電性金属基体と貴金属層との間に、平均結晶粒径が０．３μｍ以上である、ニッケル、コバルト、亜鉛、銅などのうちの１層以上の下地層が形成された電気接点用貴金属被覆材が開示されており、高温環境下での基体成分の拡散を抑制して、長期信頼性が高いと記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１６９４０８号公報
【特許文献２】特開２０１５−１１０８３３号公報
【特許文献３】特開２０１４−１８１３５４号公報
【特許文献４】特開２０１５−１３７４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１〜３記載の発明では銀めっき層の構造を最適化することにより接触抵抗など端子特性を向上させているが、二回めっきが必要であったり、銀めっき浴の組成が著しく限定されるなどのため、製造が煩雑になる。特許文献４記載の発明では下地めっきの結晶粒径を肥大化することにより貴金属接点の信頼性を向上させているが、下地めっき層肥大化のために熱処理を必要とすることから、銅合金の組織も肥大化し所望の材料特性が得られないという問題がある。肥大なニッケルめっき層を形成した場合、貴金属めっき表面の粗さが増大し、貴金属めっき層の下からニッケルが露出しやすくなるとともに、粗さの増大に伴い挿入時に摩擦抵抗が高くなるという問題があった。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、二回めっきや熱処理によることなく、表面が平滑で摩擦抵抗が小さく、信頼性の高い端子および端子材を安価に製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のめっき付銅端子材は、銅又は銅合金からなる基材の上にニッケルまたはニッケル合金からなるニッケル層が積層されており、前記ニッケル層は、結晶粒径が０．０２μｍ以上０．３μｍ以下で厚みが０．１μｍ以上５．０μｍ以下である。
【００１１】
このめっき付銅端子材は、ニッケル層の上に金や銀の貴金属めっきが施されて端子に加工されるが、ニッケル層の結晶粒径が小さく、緻密で欠陥が少ないために基材との密着性も良好で、かつ表面も微細で平滑性の高いニッケル層となっている。このため、このニッケル層の上に形成される貴金属層も表面が平滑で摩擦係数が小さく、貴金属としての優れた特性を安定的に維持することができる。
この場合、ニッケル層の結晶粒径が０．０２μｍ未満では物理特性が非晶質に近づくためめっき膜の伸びが減少し折曲げ性が悪化するとともに、銅の拡散経路となる結晶粒界が増大するため加熱後の接触抵抗が悪化する。ニッケル層の結晶粒径が０．３μｍを超えると膜の平滑性が失われて摩擦係数が高くなるとともに、曲げ加工時に割れが発生しやすくなる。
このニッケル層は、基材の銅に対するバリア層としても機能しており、その厚みが０．１μｍ未満では、銅の拡散を防止する効果が低く、５．０μｍを超えると曲げ加工性が悪化する。
【００１２】
本発明のめっき付銅端子材において、前記基材は、Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物のみからなるＣｕとＭｇの２元系合金、又は、Ｚｎを３．４％（ｍａｓｓ％、以下同じ）越え３２．５％以下、Ｓｎを０．１％以上０．９％以下、Ｎｉを０．０５％以上１．０％未満、Ｆｅを０．００１％以上０．１０％未満、Ｐを０．００５％以上０．１０％以下、含有している銅合金のいずれかであるとよい。
【００１３】
本発明のめっき付銅端子材の製造方法は、前記基材として、薄膜Ｘ線回折法により測定される（３１１）面と（１１１）面の積分強度比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）が０．０７以上である銅合金を用い、その基材の表面に、ニッケルめっきを施して前記ニッケル層を形成する方法である。
【００１４】
基材の表面の薄膜Ｘ線回折法により測定される積分強度比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）を０．０７以上に制御することにより、基材表面の組織が微細かつニッケルめっき層が微細に成長しやすい結晶方位を持った表面が生成し、その上に形成されるニッケル層の結晶組織が微細化し、表面を平滑化することができる。その基材表面の積分強度比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）が０．０７未満では、ニッケル層の結晶組織の微細化が不十分で摩擦係数低下効果が乏しくなる。
この基材表面の積分強度比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）を制御する方法として、基材表面に対して、ショットブラスト、ウエットブラスト、バフ研磨、ワイヤブラシ研磨などの機械的表面処理を施すとよく、この機械的表面処理を施した後に、前記ニッケルめっきを施すとよい。機械的表面処理時の圧力、処理時間により基材表面の積分強度比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）が決まり、たとえばワイヤブラシ研磨では強い圧力で研磨処理を長時間実施すると積分強度比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）の値が高くなる。
【００１５】
本発明のめっき付銅端子材において、前記ニッケル層の上に、金、金合金、銀、銀合金のいずれかからなる厚みが０．０５μｍ以上５．０μｍ以下の貴金属層が積層されている。
緻密で微細なニッケル層により、基材、ニッケル層、貴金属層が強固に結合され、貴金属層の特性を長期的に維持することができる。
この場合、貴金属層の厚みが０．０５μｍ未満では耐熱性向上、接触抵抗の低減などの貴金属としての特性を得られない。貴金属層の厚みが５．０μｍを超えると曲げ加工時に割れ等が生じ易い。
【００１６】
そして、本発明の端子は、前記ニッケル層の上に前記貴金属層が積層されためっき付銅端子材によって形成されている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ニッケル層の結晶粒径を小さくして、緻密で微細なニッケル層を介在させたので、表面が平滑で摩擦係数が小さく、また、二回めっきや熱処理によることなく、信頼性の高いめっき付端子材及び端子を安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施例７の断面のＳＩＭ像である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について説明する。
本発明のめっき付銅端子材は、銅又は銅合金板からなる基材と、この基材の表面に形成されたニッケル又はニッケル合金からなるニッケル層と、このニッケル層の上に形成された金、金合金、銀、銀合金のいずれかからなる貴金属層とを有している。
基材の銅又は銅合金は、その材質が必ずしも限定されるものではないが、銅合金としては以下の二種類のうちのいずれかであるとよい。
【００２０】
その一つの銅合金は、Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物のみからなるＣｕとＭｇの２元系合金とされ、好ましくは導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの含有量をＡ原子％としたときに、σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ａ２＋０．６５６９×Ａ＋１．７）×１００の範囲内とされた銅合金であり、更に好ましくは導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの含有量をＡ原子％としたときに、σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ａ２＋０．６５６９×Ａ＋１．７）×１００の範囲内とされ、かつ走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上の金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ２以下とされた銅合金である。この銅合金は、低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた曲げ加工性を有し、端子材として好適である。またＣｏｐｐｅｒ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎが公開しているＣ１８６７０でも良い。
【００２１】
他の一つの銅合金は、Ｚｎを３．４％（ｍａｓｓ％、以下同じ）越え３２．５％以下、Ｓｎを０．１％以上０．９％以下、Ｎｉを０．０５％以上１．０％未満、Ｆｅを０．００１％以上０．１０％未満、Ｐを０．００５％以上０．１０％以下、含有し、好ましくはさらにＦｅの含有量とＮｉの含有量との比Ｆｅ／Ｎｉが、原子比で、０．００２≦Ｆｅ／Ｎｉ＜１．５を満たし、かつＮｉおよびＦｅの合計含有量（Ｎｉ＋Ｆｅ）とＰの含有量との比（Ｎｉ＋Ｆｅ）／Ｐが、原子比で、３＜（Ｎｉ＋Ｆｅ）／Ｐ＜１５を満たし、さらにＳｎの含有量とＮｉおよびＦｅの合計量（Ｎｉ＋Ｆｅ）との比Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ）が、原子比で、０．３＜Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｆｅ）＜５を満たすように定められ、残部がＣｕおよび不可避的不純物よりなり、しかもＣｕ、ＺｎおよびＳｎを含有するα相の結晶粒の平均粒径が０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲内にあり、さらにＦｅとＮｉとＰとを含有する析出物が含まれている銅合金である。この銅合金は、耐応力緩和特性が確実かつ十分に優れていて、従来よりも部品素材の薄肉化を図ることができ、しかも強度も高く、さらに曲げ加工性や導電率などの諸特性も優れている。また、Ｃｏｐｐｅｒ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎが公開しているＣ４１１２５でも良い。
【００２２】
ニッケル層は、結晶粒径が０．０２μｍ以上０．３μｍ以下で厚みが０．１μｍ以上５．０μｍ以下である。
結晶粒径は、集束イオンビーム（ＦＩＢ）により断面加工し、測定した走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）像を用いて表面と平行に５μｍ分の長さになる線を引き、その線が結晶粒界と交わった数を用いて線分法により求められ、その測定値の最小値と最大値の範囲である。
結晶粒径が０．０２μｍ未満では物理特性が非晶質に近づくためめっき膜の伸びが減少し折曲げ性が悪化するとともに、銅の拡散経路となる結晶粒界が増大するため加熱後の接触抵抗が悪化する。ニッケル層の結晶粒径が０．３μｍを超えると膜の平滑性が失われて摩擦係数が高くなるとともに、曲げ加工時に割れが発生しやすくなる。
ニッケル層の厚みは０．１μｍ未満ではバリア層として基材からの銅の拡散を防止する効果が低く、５．０μｍを超えると曲げ加工性が悪化する。
【００２３】
貴金属層は厚みが０．０５μｍ以上５．０μｍ以下に形成される。厚みが０．０５μｍ未満では耐熱性向上、接触抵抗の低減などの貴金属としての特性を得られない。貴金属層の厚みが５．０μｍを超えると曲げ加工時に割れ等が生じ易い。
【００２４】
次に、この端子材の製造方法について説明する。
基材として、前述した銅又は銅合金を用いる。
基材は、表面の薄膜Ｘ線回折法により測定される積分強度比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）を０．０７以上に制御しておく。
薄膜Ｘ線回折法は、入射Ｘ線を低角度で入射させることにより、Ｘ線の分析深さを浅くして基材のごく表面の結晶配向性を評価することができ、このＸ線回折法における（３１１）面の回折ピークの積分強度Ｉ（３１１）と、（１１１）面の回折ピークの積分強度Ｉ（１１１）との比が０．０７以上であるとよい。この積分強度比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）が０．０７未満では、ニッケル層の結晶組織の微細化が不十分で摩擦係数低下効果が乏しくなる。
基材の表面の積分強度比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）が０．０７以上となる方位とするために、前処理を最適化する必要がある。
その好適な処理として、基材表面に対して、ショットブラスト、ウエットブラスト、バフ研磨、ワイヤブラシ研磨などの機械的表面処理を施す。これら機械的表面処理は、基材の表面を撹拌するように衝撃力や摩擦力を付与する処理である。
【００２５】
この機械的表面処理によって基材の表面の結晶方位を調整した後、ニッケルめっきを施し、厚みが０．１μｍ以上５．０μｍ以下のニッケル層を形成する。
ニッケルめっき浴は緻密なニッケル主体の膜が得られるものであれば特に限定されず、公知のワット浴やスルファミン酸浴、クエン酸浴などを用いて電気めっきにより形成することができる。ニッケル合金めっきとしては、ニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）合金、ニッケルリン（Ｎｉ−Ｐ）合金、ニッケルコバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）合金、ニッケルクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金、ニッケル鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）合金、ニッケル亜鉛（Ｎｉ−Ｚｎ）合金、ニッケルボロン（Ｎｉ−Ｂ）合金などを利用することができる。表面の平滑性を向上させるために、ブチンジオールやアリルスルホン酸塩などの第二光沢剤成分を含めることが望ましい。
このニッケルめっきにより、基材の表面に、結晶粒径が小さく、基材との密着性も良好で、かつ表面も微細で平滑性の高いニッケル層が形成される。
【００２６】
最後に、ニッケル層の上に貴金属めっきを施して、厚みが０．０５μｍ以上５．０μｍ以下の貴金属層を形成する。
この貴金属めっきも、金、金合金、銀、銀合金は緻密な貴金属主体の膜が得られるものであれば特に限定されず、公知のシアン化金浴、シアン化銀浴、アンチモン添加シアン化銀浴、金-コバルト浴、金-ニッケル浴などを用いて形成することができる。
【００２７】
このようにして製造された端子材は、端子の形状に加工されて使用に供される。基材と表面の貴金属層との間に、結晶粒径が小さく、欠陥が少ない緻密なニッケル層が形成されているため、基材の銅に対するバリア層として有効に機能するとともに、その平滑な表面に貴金属層が形成されているので、貴金属層も表面が平滑で摩擦係数が小さく、また、貴金属が有する高い耐熱性、低い接触抵抗などの優れた特性を安定的に維持することができる。しかも、基材の表面をブラストや研磨などの機械的表面処理によって調整してニッケルめっきするという簡単な方法によって製造することができ、安価に製造することができる。
【実施例】
【００２８】
基材に、純銅板としてＣｏｐｐｅｒ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎが公開しているＣ１０２００、銅合金板としてＪＩＳにおいて組成が規定されているＣ２６０００、Ｃ５１２００、Ｃ１８６６５、Ｃ１８６７０、Ｃ４１１２５の厚み０．２５ｍｍのものを用い、前処理として、表面をバフ研磨し脱脂酸洗を実施した。
比較例として、バフ研磨等の機械的表面処理を施さないものも作製した。
これら基材の表面組織についてＢｒｕｋｅｒ  ＡＸＳ社製のＤ８  ＡＤＶＡＮＣＥにてＸ線出力４０ｋＶ  ４０ｍＡ、入射角１°、角度範囲３５〜１００°、ステップ幅０．０５°、スキャン速度１ｓｅｃ／ｓｔｅｐにて薄膜Ｘ線回折法による測定を実施し、（３１１）面の積分強度Ｉ（３１１）と（１１１）面の積分強度Ｉ（１１１）を求め、積分強度比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）を算出した。
その上に、ニッケル又はニッケル合金からなるニッケルめっきを施してニッケル層を形成した後、表面に銀又は銀合金、金又は金合金からなる貴金属めっきを施して貴金属層を形成した。これらの層の厚みを測定するとともに、ニッケル層の結晶粒径を測定した。
結晶粒径は、集束イオンビーム（ＦＩＢ）により断面加工し、測定した走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）像を用いて表面と平行に５μｍ分の長さになる線を引き、その線が結晶粒界と交わった数を用いて線分法により求めた。
これらの測定結果を表１に示す。
【００２９】
【表１】
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【００３０】
これらの試料に対して、動摩擦係数、接触抵抗、曲げ加工性を評価した。
動摩擦係数については、嵌合型のコネクタのオス端子とメス端子の接点部を模擬するように、各試料について板状のオス端子試験片と内径１．５ｍｍの半球状としたメス試験片とを作成し、株式会社トリニティーラボ製の摩擦測定機（μＶ１０００）を用い、両試験片間の摩擦力を測定して動摩擦係数を求めた。具体的には、水平な台上にオス端子試験片を固定し、その上にメス試験片の半球凸面を置いてめっき面同士を接触させ、メス試験片に錘によって１００ｇｆ以上５００ｇｆ以下の荷重Ｐをかけてオス端子試験片を押さえた状態とし、この荷重Ｐをかけた状態で、オス端子試験片を摺動速度８０ｍｍ／分で水平方向に１０ｍｍ引っ張り、摺動距離２〜３ｍｍ間の摩擦力Ｆをロードセルによって測定した。その摩擦力Ｆの平均値Ｆａｖと荷重Ｐより動摩擦係数（＝Ｆａｖ／Ｐ）を求めた。
【００３１】
接触抵抗は、ＪＣＢＡ−Ｔ３２３に準拠し、４端子接触抵抗試験機（山崎精機研究所製：ＣＲＳ−１１３−ＡＵ）を用い、摺動式（１ｍｍ）で荷重０．９８Ｎ時の接触抵抗を測定した。平板試料の表面に対して測定を実施し、その評価は、初期の接触抵抗を測定し、大気中で１７５℃１０００時間保持した後に再度接触抵抗を測定し、初期の測定からの接触抵抗変化率が１０％未満のものを「◎」とし、初期からの接触抵抗変化率が１０％以上、１５％未満のものを「○」とし、１５％以上、２５％未満のものを「△」とし、２５％以上のものを「×」とした。
曲げ加工性については、圧延方向に対して曲げの軸が直交方向になるように、特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍの試験片を複数採取し、ＪＣＢＡ（日本伸銅協会技術標準）Ｔ３０７の４試験方法に準拠して、曲げ角度が９０度、曲げ半径が０．５ｍｍのＷ型の治具を用い、９．８×１０３Ｎの荷重でＷ曲げ試験を行った。その後、実体顕微鏡にて観察を行った。曲げ加工性の評価は、試験後の曲げ加工部に明確なクラックが認められないレベルを「◎」と評価し、めっき面に部分的に微細なクラックが発生しているが銅合金母材の露出は認められないレベルを「○」と評価し、銅合金母材の露出はないが「○」と評価したレベルより大きいクラックが発生しているレベルを「△」と評価し、発生したクラックにより銅合金母材が露出しているレベルを「×」と評価した。
これらの結果を表２に示す。
【００３２】
【表２】
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【００３３】
この結果から明らかなように、実施例１および２の端子材は、Ａｇめっきの厚みが最適でないために接触抵抗や曲げ加工性がやや劣るものの、動摩擦係数が小さく、比較的低い接触抵抗を示した。実施例３〜５の端子材はニッケル層の結晶粒径と厚みおよびＡｇめっき層の厚みが適切であるため動摩擦係数が低く、接触抵抗および曲げ加工性も良好な結果であった。実施例６および７は基材に曲げ加工性に優れる材料を用いたために動摩擦係数が低く、接触抵抗が優れていながら、曲げ加工性がさらにもっとも良好であった。図１は、実施例７のニッケル層のＳＩＭ像を示しており、ニッケル層の結晶粒径が微細で緻密な結晶組織となっているのがわかる。
これに対して、比較例は、動摩擦係数が大きく、接触抵抗も高くなっている。そのうち、比較例１は、ニッケル層の結晶粒径が大きいため摩擦係数が大きく、貴金属層が厚過ぎたため、曲げ加工において母材が露出する程度のクラックが認められた。比較例２はニッケル層の結晶粒径が微細すぎたため接触抵抗および曲げ加工性が悪化した。比較例３ではニッケル厚が薄く結晶粒径が大きかったため摩擦係数が大きく、接触抵抗が悪化した。比較例４では結晶粒径が大きくニッケル層が厚かったため母材が露出する程度のクラックが認められ、貴金属層が薄かったため接触抵抗が悪化した。
【図１】
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