(57)【要約】【課題】放熱性を高めつつ、電気的な接続不良及び接合強度の低下を防止した部品実装基板を提供する【解決手段】放熱部材４０の一部である導電性接合材２６は、部品本体９１の下面９１Ｓに接合されていない。従って、高周波部品９０の実装基板１０への実装時に、部品本体９１の下面９１Ｓは、放熱部材４０から押圧の作用を受けることがない。また、高周波部品９０と放熱部材４０とは、アンダーフィル材によって、互いに接合されていない。従って、高周波部品９０の実装後においても、下面９１Ｓは、アンダーフィル材を介して放熱部材４０から押圧の作用を受けることがない。これにより、高周波部品９０の位置ズレ、および上面１０Ｓに対する下面９１Ｓの傾きは防止される。また、高周波部品９０がアンダーフィル材と接合されていないため、アンダーフィル材による熱応力を低減できる。【選択図】  図１
2017005101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品主面を有する部品本体を含む電子部品と、前記部品主面に対向し前記電子部品が実装される主面を有する実装基板とを備える部品実装基板であって、
前記電子部品は、前記部品主面に設けられている増幅素子、および複数の端子を有し、
前記実装基板は、前記複数の端子と接合され、前記主面に設けられている複数のランド電極を有し、
前記実装基板は、平面視して前記増幅素子と重なる領域を有しており、前記主面から前記電子部品に向かって突出する突出部を含み、前記電子部品と接合されていない放熱部材を有している、
部品実装基板。
【請求項２】
前記放熱部材の前記突出部の厚みが、前記複数のランド電極の厚みより大きい、
請求項１に記載の部品実装基板。
【請求項３】
前記実装基板は、複数の絶縁体層が積層されてなる多層基板であり、
前記実装基板の前記複数の絶縁体層うち少なくとも一部の層は、平面視して前記放熱部材と重なっていない、
請求項１または２に記載の部品実装基板。
【請求項４】
前記実装基板は、複数の絶縁体層が積層されてなる多層基板であり、
前記ランド電極は、前記多層基板の積層方向に沿って延伸する第１層間接続導体と接続され、
前記放熱部材は、前記多層基板の積層方向に沿って延伸する第２層間接続導体の一部を含んでおり、
前記第２層間接続導体の体積は、前記第１層間接続導体の体積より大きい、
請求項１または２に記載の部品実装基板。
【請求項５】
前記第１層間接続導体は、グランド電位に接続され、
前記多層基板の内部において、前記第２層間接続導体と前記第１層間接続導体とを接続している層間配線を有している、請求項４に記載の部品実装基板。
【請求項６】
前記放熱部材は、前記主面に設けられている表面電極を含み、該表面電極はグランド電位に接続されている前記ランド電極と接続されている、請求項１または２に記載の部品実装基板。
【請求項７】
前記電子部品は、前記複数の端子から前記複数のランド電極に向かって突出する複数の柱状電極を有し、
前記主面から前記突出部の端部まで長さは、前記主面から前記柱状電極までの長さより大きい、
請求項１〜６のいずれかに記載の部品実装基板。
【請求項８】
前記電子部品は、増幅回路と、前記増幅回路に接続されている周辺回路を有し、
前記増幅回路は、前段増幅素子と、該前段増幅素子の後段に接続されており、前記前段増幅素子より増幅率が高い後段増幅素子とを含み、
前記放熱部材は、平面視して前記後段増幅素子と重なっており、前記周辺回路及び前記前段増幅素子と重なっていない、
請求項１〜７のいずれかに記載の部品実装基板。
【請求項９】
部品本体の部品主面に設けられている複数の端子及び増幅素子を有する電子部品が、前記部品主面と対向する主面を有する実装基板の該主面に実装されてなる部品実装基板の製造方法であって、
前記主面に、前記電子部品の前記複数の端子に接続される複数のランド電極を形成する第１工程と、
平面視して、前記主面の前記増幅素子と重なる領域に、放熱部材を形成する第２工程と、
前記電子部品と前記放熱部材とを接合せずに、前記複数の端子に接続される前記複数のランド電極とを接合する第３工程と、
を備えている、
部品実装基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１工程と前記第２工程とを同時に実施する、請求項９に記載の部品実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品と、前記電子部品が主面に実装された実装基板とを備える部品実装基板に関し、特に、電子部品からの熱を放熱する部品実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、底面に複数の端子を備える電子部品を実装基板の主面のランド電極に接続するフリップチップ実装が知られている（特許文献１を参照）。フリップチップ実装では、電子部品の各端子と実装基板の各ランド電極とがバンプ等の接合部材を介して接合されることで、部品実装基板が得られる。
【０００３】
特許文献１に開示された部品実装基板は、電子部品の発熱部からの熱を放熱するために、実装基板に放熱部材を備えている。電子部品からの熱を伝導するために、実装基板と電子部品の間は、アンダーフィル材で充填されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２２３３２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電子部品を実装基板へフリップチップ実装する場合においても、電子部品と実装基板とに接合するアンダーフィル材によって、電子部品に押圧、熱応力を受けることがある。この押圧、熱応力の作用により、実装時の位置ズレ、実装基板の主面に対する電子部品の実装の傾き、接合部のき裂、破断を生じることがある。すると、部品実装基板の電気的な接続不良及び接合強度の低下が発生する。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、放熱性を高めつつ、電気的な接続不良及び接合強度の低下を防止した部品実装基板、及びこの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の部品実装基板は、部品主面を有する部品本体を含む電子部品と、前記部品主面に対向し前記電子部品が実装される主面を有する実装基板とを備える。前記電子部品は、前記部品主面に設けられている増幅素子、および複数の端子を有する。前記実装基板は、前記複数の端子と接合され、前記主面に設けられている複数のランド電極を有する。前記実装基板は、平面視して前記増幅素子と重なる領域を有しており、前記主面から前記電子部品に向かって突出する突出部を含み、前記電子部品と接合されていない放熱部材を有していることを特徴とする。
【０００８】
前記増幅素子と前記放熱部材とは、重なる領域を有する。放熱部材は、増幅素子と重なり、かつ突出部が電子部品側に突出するので、増幅素子に近づけられている。この構成により、増幅素子からの熱は、増幅素子に近づけられた放熱部材へ伝導し、放熱される。
【０００９】
また、前記放熱部材の前記突出部の厚みが、前記複数のランド電極の厚みより大きくてもよい。
【００１０】
また、部品実装基板は次の構成であってもよい。前記実装基板は、複数の絶縁体層が積層されてなる多層基板である。前記実装基板の前記複数の絶縁体層うち少なくとも一部の層は、平面視して前記放熱部材と重なっていない。
【００１１】
また、部品実装基板は次の構成であってもよい。前記実装基板は、複数の絶縁体層が積層されてなる多層基板である。前記ランド電極は、前記多層基板の積層方向に沿って延伸する第１層間接続導体と接続される。前記放熱部材は、前記多層基板の積層方向に沿って延伸する第２層間接続導体の一部を含んでいる。前記第２層間接続導体の体積は、前記第１層間接続導体の体積より大きい。
【００１２】
また、部品実装基板は次の構成であってもよい。前記多層基板の内部において、前記第２層間接続導体と前記第１層間接続導体とを接続している層間配線を有している。
【００１３】
また、前記放熱部材は、前記主面に設けられている表面電極を含み、該表面電極はグランド電位に接続されている前記ランド電極と接続されていてもよい。
【００１４】
また、部品実装基板は次の構成であってもよい。前記電子部品は、前記複数の端子から前記複数のランド電極に向かって突出する複数の柱状電極を有する。前記主面から前記突出部の端部まで長さは、前記主面から前記柱状電極までの長さより大きい。
【００１５】
また、部品実装基板は次の構成であってもよい。前記電子部品は、増幅回路と、前記増幅回路に接続されている周辺回路を有する。前記増幅回路は、前段増幅素子と、該前段増幅素子の後段に接続されており、前記前段増幅素子より増幅率が高い後段増幅素子とを含む。前記放熱部材は、平面視して前記後段増幅素子と重なっており、前記周辺回路及び前記前段増幅素子と重なっていない。
【００１６】
また、本発明は、部品本体の部品主面に設けられている複数の端子及び増幅素子を有する電子部品が、前記部品主面と対向する主面を有する実装基板の該主面に実装されてなる部品実装基板の製造方法であってもよい。
【００１７】
本発明の部品実装基板の製造方法は、前記主面に、前記電子部品の前記複数の端子に接続される複数のランド電極を形成する第１工程と、平面視して、前記主面の前記増幅素子と重なる領域に、放熱部材を形成する第２工程と、前記電子部品と前記放熱部材とを接合せずに、前記複数の端子に接続される前記複数のランド電極とを接合する第３工程と、を備えている。
【００１８】
また、部品実装基板の製造方法は、前記第１工程と前記第２工程とを同時に実施してもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の部品実装基板によれば、放熱部材で放熱性を高めつつも、電子部品と実装基板との間における電気的な接続不良及び接合強度の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る部品実装基板の側面断面図である。
【図２】（Ａ）は、同部品実装基板の回路ブロック図、（Ｂ）は、高周波部品の部品本体の平面図。
【図３】同部品実装基板の製造方法の各工程を示すフローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る部品実装基板の側面断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る部品実装基板の側面断面図である。
【図６】本発明の第４の実施形態に係る部品実装基板の側面断面図である。
【図７】（Ａ）は、本発明の第５の実施形態に係る部品実装基板の側面断面図、（Ｂ）は、同側面断面図の部分拡大図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の第１の実施形態に係る部品実装基板１００について図を参照して説明する。図１は、部品実装基板１００の側面断面図である。図２（Ａ）は、部品実装基板１００の回路ブロック図である。図２（Ｂ）は、高周波部品９０の部品本体９１の部品主面である下面９１Ｓを示す平面図である。ただし、図１は、説明のために、表面電極２１、及びバンプ９２等の高さ（積層方向の長さ）を誇張して示している。また、図１において、高周波部品９０が配置される側の面を積層体１０Ｌの主面を上面１０Ｓとして、以下説明する。
【００２２】
図１に示すように、部品実装基板１００は、高周波部品９０と、実装基板１０と、実装部品８０と、を備えている。部品実装基板１００は、高周波部品９０及び実装部品８０が実装基板１０に実装されてなる。高周波部品９０が電子部品に相当する。実装部品８０は、インダクタ、キャパシタなどが相当する。
【００２３】
図１及び図２（Ａ）に示すように、高周波部品９０は、部品本体９１と、後段増幅素子９３と、前段増幅素子９５と、周辺回路９６と、複数の端子９７と、を備えている。周辺回路９６は、増幅素子を駆動させるバイアス電圧を与えるバイアス回路を含む。部品本体９１の下面９１Ｓを視て、後段増幅素子９３の周囲に配置されている複数の端子９７は、他の端子よりも面積が大きいことが好ましい。比較して大きな面積を持つ複数の端子９７は、下面９１Ｓ上で互いに対向する１対の端子を少なくとも有する。図２に示すように、高周波部品９０は、比較して大きな面積を持つ２対の端子９７を有しており、この２対の端子９７は、後段増幅素子９３を間に挟むように配置されている。
【００２４】
高周波部品９０は、所謂フリップチップ実装されている。図１に示すように、高周波部品９０は、下面９１Ｓに複数の端子９７を備えている。複数の端子９７にバンプ９２が接合されている。
【００２５】
後段増幅素子９３は、部品本体９１の下面９１Ｓに配置されている。図示は省略するが前段増幅素子９５、および周辺回路９６は、下面９１Ｓに配置されている。部品本体９１の下面９１Ｓは、端子９７の領域を除き、絶縁性を有する酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなるパッシベーション膜９４で覆われている。
【００２６】
図２（Ａ）の回路ブロック図に示すように、後段増幅素子９３は、前段増幅素子９５と、周辺回路９６とで、高周波部品９０の回路を構成している。後段増幅素子９３および前段増幅素子９５は、増幅回路を構成し、周辺回路９６からの駆動電圧により駆動する。送信端子Ｔｘから入力された高周波信号（例えば９００ＭＨｚ帯域の信号）は、前段増幅素子９５に入力される。前段増幅素子９５が増幅した高周波信号は、後段増幅素子９３に入力される。後段増幅素子９３が増幅した高周波信号は、アンテナ端子Ａｎｔへ出力される。後段増幅素子９３の増幅率は、前段増幅素子９５の増幅率より高く、後段増幅素子９３の発熱量は、前段増幅素子９５の発熱量より大きい。
【００２７】
実装基板１０は、積層体１０Ｌと、複数の表面電極２０，２１を含むランド電極２９と、複数の内部配線３０と、複数の層間接続導体３１，３２，３３と、表面電極２２を含む放熱部材４０と、を備えている。
【００２８】
放熱部材４０は、実装基板１０と比べて熱伝導率が高い材料が用いられる。放熱部材４０は、金属粉を含む樹脂でもよく、金属でもよい。積層された金属により、放熱部材４０が構成されることが望ましい。放熱部材４０が導電性を有する場合、放熱部材４０が高周波部品９０の回路構成と短絡することを防ぐために、下面９１Ｓを絶縁膜であるパッシベーション膜９４に覆よって覆われていることが望ましい。パッシベーション膜９４は、ＳｉＯ２を用いた。
【００２９】
積層体１０Ｌは、絶縁体層１４，１３，１２，１１が積層方向に沿って順に積層されてなる。複数の表面電極２０，２１，２２は、積層体１０Ｌの上面１０Ｓに配置されている。表面電極２０，２１は、ランド電極２９の少なくとも一部を構成している。表面電極２２は、放熱部材４０の少なくとも一部を構成している。放熱性を高めるため、表面電極２２は、表面電極２０、および表面電極２１に比べて面積（上面１０Ｓに平行な方向の面積）が大きい。表面電極２０，２１，２２の厚みは互いに等しいことが望ましい。
【００３０】
複数の内部配線３０は、絶縁体層１１，１２，１３，１４の層間に配置されている。複数の層間接続導体３１，３２，３３は、積層方向に沿って積層体１０Ｌの内部を延伸している。層間接続導体３１は、表面電極２０と内部配線３０とを接続している。層間接続導体３２は、表面電極２１と内部配線３０とを接続している。図示しないが、互いに異なる層間に設けられた複数の内部配線を接続する層間接続導体を設けることができる。
【００３１】
２つの層間接続導体３３は、放熱性の高い表面電極２２に接続されている。各層間接続導体３３は、積層体１０Ｌの上面１０Ｓから下面までを貫通している。各層間接続導体３３は、上端で表面電極２２に接続されている。
【００３２】
次に、実装基板１０への高周波部品９０の実装について説明する。
表面電極２０の上面には、めっき膜２３が形成されている。このめっき膜２３は、ニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）からなる。各表面電極２１の上面には、ニッケル及び金からなるめっき膜２４が形成されている。表面電極２２の上面には、ニッケル及び金からなるめっき膜２５が形成されている。
【００３３】
めっき膜２５の上面には、導電性接合材２６（例えば半田からなる）が形成されている。めっき膜２３の上面にも導電性接合材２６が形成されている。めっき膜２５は、めっき膜２３，２４に比べて厚い。ただし、めっき膜の厚みは、めっき膜の積層方向の長さである。ランド電極２９は、表面電極２０、めっき膜２３、導電性接合材２６によって構成されている。導電性接合材２６は、めっき膜２５が厚いので高周波部品９０側に近づけられている。表面電極２２、めっき膜２５、導電性接合材２６、及び２つの層間接続導体３３は放熱部材４０を構成している。ただし、放熱部材４０が高周波部品９０側に近づけられればよく、めっき膜２５の上面の導電性接合材２６は省略されてもよい。すなわち、ランド電極２９は、表面電極２０、２１とめっき膜２３、２４によって構成することもできる。
【００３４】
複数のバンプ９２は、複数のめっき膜２４に接合されている。これにより、高周波部品９０は、実装基板１０に実装されている。実装部品８０の端子（不図示）とランド電極２９は、接合されている。
【００３５】
前段増幅素子９５より増幅率の高い後段増幅素子９３は、部品本体９１の下面９１Ｓにおいて、図２（Ｂ）の点線に示す領域に配置されている。従って、高周波部品９０は、この点線に示す領域からの発熱量が大きい。後段増幅素子９３は、図１に示すように、部品実装基板１００を積層方向に沿って視ると、放熱部材４０に重なっている。また、上述のように、放熱部材４０は、高周波部品９０側に近づけられている。ランド電極２９よりも後段増幅素子９３の近くに配置された放熱部材４０を伝導する熱を増加させることにより、後段増幅素子９３から発生する熱の放熱性を高めることができる。後段増幅素子９３を覆うパッシベーション膜９４に放熱部材４０が固定されずに当接している構成は、放熱性をさらに高める効果がある点で望ましい。
【００３６】
図２（Ｂ）の一点破線の領域に示すように、前段増幅素子９５および周辺回路９６は、発熱が大きい点線に示す領域以外の領域に配置されている。すなわち、放熱部材４０は、積層体１０Ｌを積層方向に沿って視ると、周辺回路９６及び後段増幅素子９３より増幅率が低い前段増幅素子９５と重なっていない。従って、部品実装基板１００は、増幅率が低く発熱量が小さい領域に放熱部材４０を配置しないので、他の回路構成を実装するための実装基板１０の設計領域を放熱部材４０が占有することを最小限に抑えている。
【００３７】
ここで、図１に示すように、放熱部材４０の一部である導電性接合材２６は、部品本体９１の下面９１Ｓに接合されていない。従って、部品本体９１の下面９１Ｓは、高周波部品９０の実装基板１０への実装時に、放熱部材４０から押圧の作用を受けることがない。これにより、実装時における高周波部品９０の位置決め精度を高められ、上面１０Ｓに対する下面９１Ｓの傾きが低減される。
【００３８】
なお、放熱部材４０と高周波部品９０とが接合されていないとは、放熱部材４０から押圧の作用を受けないように、放熱部材４０と高周波部品９０とが接合されていないことを意味する。放熱部材４０が高周波部品９０に接触してもよく、放熱部材４０が高周波部品９０に接触せずに間隙を介して配置されていてもよい。
【００３９】
また、高周波部品９０と放熱部材４０とは、アンダーフィル材によって、互いに接合されていない。従って、高周波部品９０の実装後においても、下面９１Ｓは、アンダーフィル材を介して放熱部材４０から押圧の作用を受けることがない。これにより、実装後においても、高周波部品９０の位置ズレ、および上面１０Ｓに対する下面９１Ｓの傾きは防止される。また、高周波部品９０がアンダーフィル材と接合されていないため、アンダーフィル材による熱応力を低減できる。
【００４０】
以上のように、本実施形態に係る部品実装基板１００は、放熱部材４０によって放熱性を高めつつ、実装基板１０と高周波部品９０との間における電気的な接続不良及び接合強度の低下を防止することができる。
【００４１】
なお、上述の例では、パッシベーション膜９４と導電性接合材２６とは間隙を介していた。しかし、部品本体９１の下面９１Ｓと導電性接合材２６とが接合、あるいは固定されなければ、パッシベーション膜９４と導電性接合材２６とは当接してもよい。
【００４２】
上述の部品実装基板１００を製造するには、図３のフローチャートに示すように、まず、複数の絶縁体層の主面に導電材料を塗布する（Ｓ１）。すると、複数の絶縁体層の積層後に、内部配線３０が形成される。また、絶縁体層に形成した孔に、導電材料を充填し、層間接続導体３１，３２，３３を形成する（Ｓ１）。
【００４３】
その後、積層体１０Ｌに対し、上面１０Ｓに導電材料を印刷法により塗布することで、表面電極２０，２１，２２を形成する（Ｓ２）。内部配線３０、層間接続導体３１，３２，３３、表面電極２０，２１，２２が設けられた積層された複数の絶縁体層を焼成する。そして、表面電極２０，２１，２２の上面にめっき膜２３，２４，２５を形成する。めっき膜２３，２４，２５の形成は、電解めっき法、あるいは無電解めっき法など公知の方法を用いた。めっき膜２５は、表面電極の面積が大きければ大きいほどめっき膜の成長速度が速くなるので、めっき膜２３，２４に比べて厚くなる。このように、めっき膜２３，２４，２５は同時に形成される。従って、めっき膜２５を厚くするだけの工程は、不要である。
【００４４】
ただし、めっき膜２５をより厚く形成するために、表面電極２２のめっき形成の繰り返し回数を他の表面電極より増やしてもよい。
【００４５】
次に、めっき膜２３、及びめっき膜２５の上面に半田で導電性接合材２６を形成する。その後、高周波部品９０の部品本体９１の下面９１Ｓと、実装基板１０の積層体１０Ｌの上面１０Ｓとを位置決めし、リフロー炉において導電性接合材２６を溶融させる。すると、高周波部品９０の端子９７と、バンプ９２と、めっき膜２３，２５とは電気的に接続され及び物理的に接合される（Ｓ３）。
【００４６】
次に、実施形態２に係る部品実装基板１００Ａについて図４を用いて説明する。図４は、部品実装基板１００Ａの側面断面図である。部品実装基板１００Ａは、２つの層間接続導体３３Ａによって、後段増幅素子９３からの熱を放熱する点において、実施形態１に係る部品実装基板１００と相違する。すなわち、２つの層間接続導体３３Ａの一部は本発明の放熱部材４０Ａを構成する。
【００４７】
実装基板１０Ａは、２つの層間接続導体３３Ａを備えている。各層間接続導体３３Ａは、部品実装基板１００Ａを平面視して、後段増幅素子９３と重なる位置に設けられている。各層間接続導体３３Ａは、積層体１０Ｌを貫通し、積層体１０Ｌの上面１０Ｓから突出している突出部を有する。２つの層間接続導体３３Ａの突出部が放熱部材４０Ａを構成する。ただし、層間接続導体３３Ａは２つに限らず、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。
【００４８】
各層間接続導体３３Ａは、層間接続導体３１，３２に比べて径が大きい。ただし、層間接続導体３３Ａの径とは、積層体１０Ｌの上面１０Ｓに平行な方向における層間接続導体３３Ａの寸法である。
【００４９】
このように、積層体１０Ｌの上面１０Ｓから突出した層間接続導体３３Ａを形成するためには、絶縁体層に形成する孔を、他の層間接続導体が内部に設けられる孔に比べて大きくする。すると、層間接続導体３３Ａは、他の層間接続導体３１，３２に比べて、上端が積層体１０Ｌの上面１０Ｓから突出する。
【００５０】
絶縁体層に形成された孔に充填する導電材料の量を多くすることで、上面１０Ｓから突出する層間接続導体３３Ａを形成してもよい。また、積層体１０Ｌを積層方向に沿って視て、層間接続導体３３Ａと重なる領域に塗布で電極を形成してもよい。これにより、層間接続導体３３Ａは、積層体１０Ｌの上面１０Ｓから突出する。すなわち、層間接続導体３３Ａの体積が、各層間接続導体３１，３２の体積より大きくなるようにすれば、焼結時に上面１０Ｓから突出する層間接続導体３３Ａが形成される。
【００５１】
層間接続導体３２及び層間接続導体３３Ａを形成する導電体材料を充填する絶縁体層の孔の径が、層間接続導体３２に対応する孔より層間接続導体３３Ａに対応する孔を大きくすることで、層間接続導体３３Ａを形成する導電体材料の体積を大きく形成する。特に、積層方向の長さが同じ場合は、径を大きくすることで、層間接続導体３３Ａを層間接続導体３２よりも実装基板１０の主面１０Ｓから突出する長さを容易に大きくできる。
【００５２】
各層間接続導体３３Ａは、部品本体９１の下面９１Ｓに接合されていない。これにより、本実施形態に係る部品実装基板１００Ａでは、各層間接続導体３３Ａによって放熱性を高めつつ、実装基板１０Ａと高周波部品９０との間における電気的な接続不良及び接合強度の低下を防止することができる。
【００５３】
また、各層間接続導体３３Ａは、他の層間接続導体３１，３２と同時に形成される。従って、部品実装基板１００Ａは、簡易に製造可能である。
【００５４】
次に、実施形態３に係る部品実装基板１００Ｂについて図５を用いて説明する。図５は、部品実装基板１００Ｂの側面断面図である。部品実装基板１００Ｂは、実装基板１０Ｂの積層体１０Ｌの内部において、放熱部材４０Ｂの下方に設計領域を確保する点において、実施形態１に係る部品実装基板１００と相違する。
【００５５】
放熱部材４０Ｂは、表面電極２２と、めっき膜２５と、導電性接合材２６と、２つの層間接続導体３３Ｂとを備えている。
【００５６】
各層間接続導体３３Ｂは、実施形態１における層間接続導体３３に比べて、積層方向の長さが短い。各層間接続導体３３Ｂは、絶縁体層１１及び絶縁体層１２を貫通し、絶縁体層１３及び絶縁体層１４を貫通していない。各層間接続導体３３Ｂは、内部配線３４を介して、層間接続導体３２Ｂに接続されている。層間接続導体３２Ｂは、内部配線３４を介して、積層体１０Ｌの下面のグランド電極３４Ｇに接続されている。これにより、後段増幅素子９３からの熱は、各層間接続導体３３Ｂ、及び内部配線３４を順に伝導する。部品実装基板のグランド電極３４Ｇは、例えば移動体通信端末内部に設けられる端末基板の主面上のグランド導体に半田バンプを介して接合される。後段増幅素子９３の熱は、グランド電極３４Ｇを通して、端末基板のグランド電位に接続されるグランド導体に伝導する。
【００５７】
本実施形態に係る部品実装基板１００Ｂは、放熱性を維持しつつも、各層間接続導体３３Ａが絶縁体層１３及び絶縁体層１４を貫通していないので、絶縁体層１３及び絶縁体層１４における設計領域を確保することができる。この設計領域には、例えば、整合回路及びＬＣ回路からなるデュプレクサが配置される。
【００５８】
なお、層間接続導体３３Ｂを省略し、表面電極２２、めっき膜２５、および導電性接合材２６で放熱部材を構成してもよい。これにより、表面電極２２の下の全ての領域を設計領域とすることができる。
【００５９】
次に、実施形態４に係る部品実装基板１００Ｃについて図６を用いて説明する。図６は、部品実装基板１００Ｃの側面断面図である。部品実装基板１００Ｃは、放熱部材４０Ｃの一部を構成する表面電極とバンプ９２に接続されるランド電極の一部を構成する表面電極とが一体になっている点において、実施形態１に係る部品実装基板１００と相違する。
【００６０】
図６に示すように、実装基板１０Ｃは、表面電極２２Ｃを積層体１０Ｌの上面１０Ｓに備えている。表面電極２２Ｃは、層間接続導体３２Ｂと接続されている。表面電極２２Ｃは、層間接続導体３２Ｂ及び内部配線３０を介してグランド電極３４Ｇに接続されている。
【００６１】
なお、放熱部材４０Ｃが、実装基板１０Ｃの上面１０Ｓから突出する部分のみで構成されることも好ましい。この構成によれば、部品実装基板１００Ｃを平面視して、後段増幅素子９３と重なる位置において、実装基板１０Ｃの上面１０Ｓの下方の空間Ａには放熱部材４０Ｃ及び図１に示した放熱部材４０Ｃに接続された層間接続導体が存在しない。実装基板１０Ｃの放熱部材４０Ｃの下の内部領域を、ＬＣフィルタなどの回路構成を形成する空間として容易に確保できる。
【００６２】
本実施形態に係る部品実装基板１００Ｃは、表面電極２２Ｃが放熱部材４０Ｃの一部を構成する電極とランド電極２９の一部とを兼ねるので、より簡易に製造可能である。放熱部材４０Ｃが導電性を有し、表面電極２２Ｃを一部に含むランド電極２９がグランド電位に接続される場合、放熱部材４０Ｃは、後段増幅素子９３の電磁シールドとして作用するため好ましい。
【００６３】
次に、実施形態５に係る部品実装基板１００Ｄについて図７（Ａ）及び図７（Ｂ）を用いて説明する。図７（Ａ）は、部品実装基板１００Ｄの側面断面図である。図７（Ｂ）は、同側面断面図の部分拡大図である。
【００６４】
部品実装基板１００Ｄは、複数の柱状電極９９と複数のバンプ９２Ｄとを介して高周波部品９０Ｄが実装基板１０に実装される点において、実施形態１に係る部品実装基板１００と相違する。すなわち、本実施形態では、柱状電極９９とバンプ９２Ｄとは本発明の端子に相当する。柱状電極９９は、柱状の銅からなる金属部材によって構成されることが望ましい。
【００６５】
図７（Ａ）に示すように、複数の柱状電極９９は、部品本体９１の下面９１Ｓに配置されている。各バンプ９２Ｄは、各柱状電極９９の下面９７Ｓに配置されている。各バンプ９２Ｄは、めっき膜２４に物理的且つ電気的に接続されている。
【００６６】
ここで、図７（Ｂ）に示すように、表面電極２２、めっき膜２５、および導電性接合材２６の合計の厚みＴ２は、放上面１０Ｓから熱部材４０Ｄの突出部端部のまでの突出長に相当する。表面電極２１、めっき膜２４、及びバンプ９２Ｄの合計の厚みＴ１は、ランド電極２９の厚みとバンプ９２Ｄの厚みに相当する。厚みＴ１は、上面１０Ｓから柱状電極９９の下面９７Ｓまでの長さに相当する。
【００６７】
図７（Ｂ）に示すように、本実施形態では、厚みＴ２は、厚みＴ１より厚い。従って、放熱部材４０Ｄの高周波部品９０Ｄ側の端面は、柱状電極９９の下面９７Ｓより、高周波部品９０Ｄ側に突出している。これにより、後段増幅素子９３からの熱は、後段増幅素子９３に近づけられた放熱部材４０Ｄに伝導しやすくなる。
【００６８】
また、放熱部材４０Ｄの導電性接合材２６と高周波部品９０Ｄとは接合されていない。従って、部品実装基板１００Ｄは、高周波部品９０Ｄが複数の柱状電極９９を備える構造であっても、放熱性を高めつつ、実装基板１０と高周波部品９０Ｄとの間における電気的な接続不良及び接合強度の低下を防止することができる。
【００６９】
なお、柱状電極９９を有する高周波部品９０Ｄは、実施形態２，３，４に係る実装基板１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃに対しても実装可能である。
【００７０】
上述の例では、放熱部材４０Ｄ及び層間接続導体３３Ａは、導電材料から構成されたが、放熱部材４０Ｄ及び層間接続導体３３Ａは、実装基板１０に比べて熱を伝導しやすいものであれば何でもよい。例えば、放熱部材は、金属粉を含む樹脂、これらの組み合わせで構成されてもよい。
【符号の説明】
【００７１】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…実装基板
１０Ｌ…積層体
１１，１２，１３，１４…絶縁体層
２０，２１，２２，２２Ｃ…表面電極
２３，２４，２５…めっき膜
２６…導電性接合材３０…内部配線
３１，３２，３２Ｂ，３３，３３Ａ…層間接続導体
３４…内部配線
３４Ｇ…グランド電極
４０，４０Ｂ，４０Ｃ、４０Ｄ…放熱部材
２９…ランド電極
８０…実装部品
９０，９０Ｄ…高周波部品
９１…部品本体
９２，９２Ｄ…バンプ
９３…増幅素子
９４…パッシベーション膜
９５…増幅素子
９６…周辺回路
９７…端子
９９…柱状電極
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ…部品実装基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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