(57)【要約】【課題】曲面状の表示面を有する表示装置において、表示画面の四隅付近に生じる光漏れを低減する。【解決手段】曲面状の表示面を有する表示装置であって、第１方向に曲げられた第１基板と、前記第１方向に曲げられ、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール部と、を含み、前記シール部は、前記第１方向に直交する第２方向に延在する第１シール部と、前記第１方向に延在する第２シール部とを含み、前記第１シール部の前記第１方向の幅は、前記第２シール部の前記第２方向の幅よりも大きい。【選択図】図５
2017181816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
曲面状の表示面を有する表示装置であって、
第１方向に曲げられた第１基板と、
前記第１方向に曲げられ、前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール部と、を含み、
前記シール部は、前記第１方向に直交する第２方向に延在する第１シール部と、前記第１方向に延在する第２シール部とを含み、
前記第１シール部の前記第１方向の幅は、前記第２シール部の前記第２方向の幅よりも大きい、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１シール部の前記第１方向の幅は、前記第２シール部の前記第２方向の幅の１．１〜５．０倍である、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
第１方向に曲げられた第１基板と、前記第１方向に曲げられ前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶層とを含み、曲面状の表示面を有し、前記第１基板及び前記第２基板に略平行な電界を前記液晶層に印加する横電界方式の液晶表示装置であって、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール部を含み、
前記シール部は、前記第１方向に直交する第２方向に延在する第１シール部と、前記第１方向に延在する第２シール部とを含み、
前記第１シール部の前記第１方向の幅は、前記第２シール部の前記第２方向の幅よりも大きい、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１シール部の前記第１方向の幅は、前記第２シール部の前記第２方向の幅の１．１〜５．０倍である、
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
第１基板を製造する工程と、
第２基板を製造する工程と、
前記第１基板にシール材を塗布する工程と、
前記シール材が塗布された前記第１基板に前記第２基板を貼り合せる工程と、
前記シール材を硬化させる工程と、
前記第１基板及び前記第２基板を第１方向に曲げる工程と、
を含み、
前記シール材を塗布する工程では、前記第１方向に直交する第２方向に塗布する第１シール材の前記第１方向の幅が、前記第１方向に塗布する第２シール材の前記第２方向の幅よりも大きくなるように、前記シール材を塗布する、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記シール材を塗布する工程では、前記第１シール材を塗布するときの塗布速度を、前記第２シール材を塗布するときの塗布速度よりも遅くする、
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記シール材を塗布する工程では、前記第１シール材を塗布するときの塗布回数を、前記第２シール材を塗布するときの塗布回数よりも多くする、
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、液晶表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、曲面状の表示面を有する液晶表示装置が提案されている（例えば特許文献１）。このような液晶表示装置では、一対の基板（薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）及びカラーフィルタ基板（ＣＦ基板））それぞれが曲面状に湾曲するように形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−９２８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、本願発明者らは、曲面状の表示面を有する液晶表示装置のうち特にＩＰＳ（In-Place-Switching）方式に代表される横電界方式の液晶表示装置において、表示画面の四隅付近に光漏れ（白浮き）が発生することを見出した。具体的には例えば、表示面側が凸状となるように両基板を曲面状に形成した場合、ＴＦＴ基板を構成するガラス基板には圧縮応力が働き、ＣＦ基板を構成するガラス基板には延伸応力が働く。これにより、両ガラス基板間において、液晶分子に対して斜め方向に位相差が発生する。横電界方式では、液晶分子が両基板に略平行に配置されているため、斜め方向の光（偏光）が上記位相差の影響によりさらに回転する。この結果、偏光の回転が偏光板により相殺されず、光漏れが発生し、黒表示の際に白浮きが視認され易くなる。この光漏れは、ガラス基板面において応力が集中する四隅付近において顕著に現れる。
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、曲面状の表示面を有する表示装置において、表示画面の四隅付近に生じる光漏れを低減することができる表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、曲面状の表示面を有する表示装置であって、第１方向に曲げられた第１基板と、前記第１方向に曲げられ、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール部と、を含み、前記シール部は、前記第１方向に直交する第２方向に延在する第１シール部と、前記第１方向に延在する第２シール部とを含み、前記第１シール部の前記第１方向の幅は、前記第２シール部の前記第２方向の幅よりも大きい、ことを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る液晶表示装置では、前記第１シール部の前記第１方向の幅は、前記第２シール部の前記第２方向の幅の１．１〜５．０倍であってもよい。
【０００８】
また本発明に係る液晶表示装置は、第１方向に曲げられた第１基板と、前記第１方向に曲げられ前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶層とを含み、曲面状の表示面を有し、前記第１基板及び前記第２基板に略平行な電界を前記液晶層に印加する横電界方式の液晶表示装置であって、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール部を含み、前記シール部は、前記第１方向に直交する第２方向に延在する第１シール部と、前記第１方向に延在する第２シール部とを含み、前記第１シール部の前記第１方向の幅は、前記第２シール部の前記第２方向の幅よりも大きい、ことを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る液晶表示装置では、前記第１シール部の前記第１方向の幅は、前記第２シール部の前記第２方向の幅の１．１〜５．０倍であってもよい。
【００１０】
また本発明に係る表示装置の製造方法は、第１基板を製造する工程と、第２基板を製造する工程と、前記第１基板にシール材を塗布する工程と、前記シール材が塗布された前記第１基板に前記第２基板を貼り合せる工程と、前記シール材を硬化させる工程と、前記第１基板及び前記第２基板を第１方向に曲げる工程と、を含み、前記シール材を塗布する工程では、前記第１方向に直交する第２方向に塗布する第１シール材の前記第１方向の幅が、前記第１方向に塗布する第２シール材の前記第２方向の幅よりも大きくなるように、前記シール材を塗布する、ことを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記シール材を塗布する工程では、前記第１シール材を塗布するときの塗布速度を、前記第２シール材を塗布するときの塗布速度よりも遅くしてもよい。
【００１２】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記シール材を塗布する工程では、前記第１シール材を塗布するときの塗布回数を、前記第２シール材を塗布するときの塗布回数よりも多くしてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法によれば、曲面状の表示面を有する表示装置において、表示画面の四隅付近に生じる光漏れを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成の概略を示す図である。
【図２】本実施形態に係る表示パネルの画素の構成例を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶表示装置の他の構成を示す平面図である。
【図７】図５のＣ−Ｃ断面図である。
【図８】比較例に係る液晶表示装置における光の透過率分布を示す図である。
【図９】比較例に係る液晶表示装置におけるＴ／Ｃズレ量を測定した結果を示すグラフである。
【図１０】比較例に係る液晶表示装置を構成するガラス基板のＸＹ平面における応力分布を示す図である。
【図１１】本実施形態に係る液晶表示装置における光の透過率分布を示す図である。
【図１２】本実施形態に係る液晶表示装置と比較例に係る液晶表示装置のＴ／Ｃズレ量を比較したグラフである。
【図１３】本実施形態に係る液晶表示装置を構成するガラス基板のＸＹ平面における応力分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の一実施形態について、図面を用いて以下に説明する。図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す図である。液晶表示装置１は、画像を表示する表示パネル１０と、表示パネル１０を駆動する駆動回路（データ線駆動回路２０、ゲート線駆動回路３０等）と、駆動回路を制御する制御回路４０と、表示パネル１０に背面側から光を照射するバックライト装置５０とを含んで構成されている。駆動回路は、表示パネル１０に設けられてもよい。液晶表示装置１は、表示面側又は背面側が凸状となるように湾曲した曲面状の外形を有している。なお、表示面側又は背面側が凹状になるように湾曲した曲面状の外形の場合も同様である。この場合には、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）を構成するガラス基板には延伸応力が働き、カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）を構成するガラス基板には圧縮応力が働く。
【００１６】
表示パネル１０には、列方向に延在する複数のデータ線１１と、行方向に延在する複数のゲート線１２とが設けられている。各データ線１１と各ゲート線１２との各交差部には、薄膜トランジスタ１３（ＴＦＴ）が設けられている。各データ線１１及び各ゲート線１２は、液晶表示装置１の曲げ方向に応じて湾曲した形状（凸状）に形成される。上記曲げ方向とは、表示面に水平な方向であって、例えば行方向又は列方向をいう。例えば、上記曲げ方向が行方向の場合（後述の図５参照）、データ線１１は直線状に形成され、ゲート線１２は湾曲状に形成される。また上記曲げ方向が列方向の場合（後述の図６参照）、データ線１１は湾曲状に形成され、ゲート線１２は直線状に形成される。
【００１７】
表示パネル１０には、各データ線１１と各ゲート線１２との各交差部に対応して、複数の画素１４がマトリクス状（行方向及び列方向）に配置されている。詳細は後述するが、表示パネル１０は、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）と、カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）と、両基板間に挟持された液晶層とを含んでいる。ＴＦＴ基板には、各画素１４に対応して設けられた複数の画素電極１５と、各画素１４に共通する１つの共通電極１６とが設けられている。共通電極１６は、１つの画素１４又は複数の画素１４ごとに分割して配置されていてもよい。
【００１８】
制御回路４０は、外部から入力された入力データ（同期信号、映像信号等）に基づき、データ線駆動回路２０及びゲート線駆動回路３０の駆動タイミングを制御するための各種の制御信号と、表示パネル１０の表示領域に表示する画像に対応する画像データとを出力する。
【００１９】
データ線駆動回路２０は、制御回路４０から入力された制御信号及び画像データに基づいて、各データ線１１にデータ信号（データ電圧）を出力する。
【００２０】
ゲート線駆動回路３０は、外部から入力された電源電圧と、制御回路４０から入力された制御信号とに基づいてゲート信号（ゲート電圧）を生成し、各ゲート線１２に出力する。
【００２１】
図２は、表示パネル１０の画素１４の構成例を示す平面図である。図３は図２のＡ−Ａ断面図であり、図４は図２のＢ−Ｂ断面図である。図２〜図４を参照しつつ、画素１４の具体的な構成について説明する。
【００２２】
図２において、隣り合う２本のデータ線１１と、隣り合う２本のゲート線１２とで区画された領域が１つの画素１４に相当する。各画素１４には、薄膜トランジスタ１３が設けられている。薄膜トランジスタ１３は、絶縁膜１０２（図３参照）上に形成された半導体層２１と、半導体層２１上に形成されたドレイン電極２２及びソース電極２３とを含んで構成されている（図２参照）。ドレイン電極２２はデータ線１１に電気的に接続されており、ソース電極２３はスルーホール２４を介して画素電極１５に電気的に接続されている。
【００２３】
各画素１４には、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる画素電極１５が形成されている。画素電極１５は、複数の開口部（スリット）を有しており、ストライプ状に形成されている。開口部の形状は限定されない。各画素１４に共通して、表示領域全体にＩＴＯ等の透明導電膜からなる１つの共通電極１６が形成されている。共通電極１６における、スルーホール２４及び薄膜トランジスタ１３のソース電極２３に重なる領域には、画素電極１５とソース電極２３とを電気的に接続させるための開口部（図２の点線囲みに相当）が形成されている。
【００２４】
図３に示すように、表示パネル１０は、ＴＦＴ基板１００と、ＣＦ基板２００と、ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００の間に挟持される液晶層３００と、を含んで構成されている。
【００２５】
ＴＦＴ基板１００では、ガラス基板１０１上にゲート線１２（図４参照）が形成され、ゲート線１２を覆うように絶縁膜１０２が形成されている。絶縁膜１０２上にはデータ線１１（図３参照）が形成され、データ線１１を覆うように絶縁膜１０３が形成されている。絶縁膜１０３上には共通電極１６が形成され、共通電極１６を覆うように絶縁膜１０４が形成されている。絶縁膜１０４上には画素電極１５が形成され、画素電極１５を覆うように配向膜１０５が形成されている。ガラス基板１０１におけるバックライト装置５０側（液晶層３００側とは反対側）の面（背面）には偏光板１０６が貼り付けられている。
【００２６】
ＣＦ基板２００では、ガラス基板２０１上にブラックマトリクス２０３及び着色部２０２（例えば、赤色部、緑色部、青色部）が形成され、これらを覆うようにオーバコート層２０４が形成されている。オーバコート層２０４上には配向膜２０５が形成されている。ガラス基板２０１における表示面側（液晶層３００側とは反対側）の面（表面）には偏光板２０６が貼り付けられている。画素１４を構成する各部の積層構造は、図３及び図４の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。
【００２７】
液晶層３００には、液晶３０１が封入されている。液晶３０１は、誘電率異方性が負のネガ型液晶であってもよいし、誘電率異方性が正のポジ型液晶であってもよい。配向膜１０５，２０５は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。
【００２８】
上記のように、液晶表示装置１は、ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００に略平行な電界を液晶層３００に印加する横電界方式の構成を有している。液晶表示装置１は、例えば、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式の構成を有している。
【００２９】
液晶表示装置１の駆動方法を簡単に説明する。ゲート線１２にはゲート線駆動回路３０から走査用のゲート電圧（ゲートオン電圧、ゲートオフ電圧）が供給される。データ線１１にはデータ線駆動回路２０から映像用のデータ電圧が供給される。ゲート線１２にゲートオン電圧が供給されると、薄膜トランジスタ１３がオン状態になり、データ線１１に供給されたデータ電圧が、ドレイン電極２２及びソース電極２３を介して画素電極１５に伝達される。共通電極１６には、共通電極駆動回路（図示せず）から共通電圧（Ｖｃｏｍ）が供給される。共通電極１６は、絶縁膜１０４を介して画素電極１５に重なっており、画素電極１５には、開口部（スリット）が形成されている。これにより、画素電極１５から液晶層３００を経て画素電極１５の開口部を介して共通電極１６に至る電界により液晶３０１が駆動する。液晶３０１が駆動して液晶層３００を透過する光の透過率を制御することにより画像が表示される。なお、カラー表示を行う場合は、縦ストライプ状のカラーフィルタで形成された赤色部、緑色部、青色部等に対応するそれぞれの画素１４の画素電極１５に接続されたデータ線１１に、所望のデータ電圧を供給することにより実現される。液晶表示装置１の駆動方法は上記の方法に限定されず、周知の方法を適用することができる。
【００３０】
図５は、液晶表示装置１の概略構成を示す平面図である。図５では、ＴＦＴ基板１００と、ＣＦ基板２００と、両基板を貼り合わせるためのシール部６０とを示し、他の構成部材は省略している。シール部６０は、画像を表示する表示領域の周囲を囲うように枠状に形成されている。シール部６０は、例えば光硬化性の樹脂材料から成り、光（例えば紫外線）を照射することによって硬化する。ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００の間にシール部６０を介在させてシール部６０を硬化させることにより、ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００を貼り合わせて固定する。シール部６０の内側のＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００の間には液晶が注入されて封止される。なお、シール部６０の内側に液晶を注入するための開口部が、シール部６０に設けられていてもよい。
【００３１】
具体的には図５に示すように、シール部６０は、液晶表示装置１の曲げ方向に直交する方向に延在する第１シール部６１及び第２シール部６２と、液晶表示装置１の曲げ方向に平行する方向に延在する第３シール部６３及び第４シール部６４とを含んで、枠状に形成されている。第１シール部６１及び第２シール部６２の幅Ｗ１は、第３シール部６３及び第４シール部６４の幅Ｗ２よりも大きくなっている。液晶表示装置１の曲げ方向は、図５に示すように行方向であってもよいし、図６に示すように列方向であってもよい。第１シール部６１の幅Ｗ１と第２シール部６２の幅Ｗ１とは、互いに同一であってもよいし異なっていてもよい。また第３シール部６３の幅Ｗ２と第４シール部６４の幅Ｗ２とは、互いに同一であってもよいし異なっていてもよい。
【００３２】
図７は、図５に示す液晶表示装置１のＣ−Ｃ断面図である。図７に示す液晶表示装置１は、表示面側が凸状となり、行方向に曲げられた曲面状の外形を有している。例えば、液晶表示装置１は、背面側に曲率中心を取り、曲率半径が５００ｍｍの形状を有している。なお、液晶表示装置１は、背面側が凸状となるように湾曲した曲面状の外形を有していてもよい。また、曲率半径の具体的な数値は限定されない。シール部６０は、例えば、ＴＦＴ基板１００の配向膜１０５とＣＦ基板２００の配向膜２０５との間に配置される。
【００３３】
次に、表示画面の四隅付近に生じる光漏れについて検証した結果を以下に示す。
【００３４】
図８は、比較例に係る液晶表示装置において、第１シール部６１及び第２シール部６２の幅Ｗ１と、第３シール部６３及び第４シール部６４の幅Ｗ２とが互いに同一である場合の光の透過率分布を示している。図８（ｂ）には、シール部６０の幅をＷ１＝Ｗ２＝０．８ｍｍとし、曲率半径を５００ｍｍに設定して行方向に曲げた液晶表示装置において、表示画面の中央から表示画面の右上の領域における光の透過率を測定した結果を示している。図８（ｂ）に示すように、表示画面の中央から１４１ｍｍの付近をピークとして、その周辺領域において透過率が高くなっていることが分かる。なお、透過率のピーク値は０．００２５６８であり、透過率が０．０００５以上となる領域が１４４ｍｍ２であった。すなわち、上記領域において光漏れが多く生じていることが分かる。
【００３５】
図９（ｂ）は、上記比較例に係る液晶表示装置を曲げたときのＴＦＴ基板とＣＦ基板とのズレ量（Ｔ／Ｃズレ量）を測定した結果を示すグラフである。図９（ａ）、（ｂ）に示すように、透過率（光漏れ量）が高い領域では、Ｔ／Ｃズレ量が大きいことが分かる。さらに、図１０（ａ）、（ｂ）は、上記比較例に係る液晶表示装置を構成するＴＦＴガラス基板及びＣＦガラス基板のＸＹ平面における応力分布を示す図である。図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、透過率（光漏れ量）が高くＴ／Ｃズレ量が大きい領域では、応力が大きいことが分かる。これらのことから、シール部の幅、特には液晶表示装置の曲げ方向に直交する方向に延在するシール部の幅Ｗ１（図８（ａ）参照）が小さい場合は、Ｔ／Ｃズレ量が大きくなり（図９（ｂ）参照）、Ｔ／Ｃズレ量が大きい領域に応力が集中し（図１０参照）、この応力変化に起因して生じる位相差の影響により光の透過率（光漏れ量）が高くなることが推察される。
【００３６】
上記の推察に基づき、本実施形態に係る液晶表示装置１では、液晶表示装置１の曲げ方向に直交する方向に延在するシール部（第１シール部６１及び第２シール部６２）の幅Ｗ１が、上記曲げ方向に平行する方向に延在するシール部（第３シール部６３及び第４シール部６４）の幅Ｗ２よりも大きい構成を有している。
【００３７】
図１１は、本実施形態に係る液晶表示装置１において、第１シール部６１及び第２シール部６２の幅Ｗ１が、第３シール部６３及び第４シール部６４の幅Ｗ２より大きい場合の光の透過率分布を示している。図１１（ｂ）には、第１シール部６１及び第２シール部６２の幅をＷ１＝３．０ｍｍ、第３シール部６３及び第４シール部６４の幅をＷ２＝０．８ｍｍとし、曲率半径を５００ｍｍに設定して行方向に曲げた液晶表示装置１において、表示画面の中央から表示画面の右上の領域における光の透過率を測定した結果を示している。ここでは、透過率のピーク値は０．００１７０２であり、透過率が０．０００５以上となる領域が５１ｍｍ２であった。図１１（ｂ）に示すように、表示画面の中央から１４１ｍｍの付近において、透過率が、比較例に係る液晶表示装置の場合（図８（ｂ））と比べて低くなっていることが分かる。すなわち、上記領域において光漏れ量が減少していることが分かる。
【００３８】
図１２は、第１シール部６１及び第２シール部６２の幅Ｗ１が、０．８ｍｍ（比較例に係る液晶表示装置）の場合と、３．０ｍｍ（本実施形態に係る液晶表示装置１）の場合のＴ／Ｃズレ量を比較したグラフである。図１２に示すように、Ｗ１＝３．０ｍｍの方が基板の全領域に亘ってＴ／Ｃズレ量が小さいことが分かる。さらに、図１３（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る液晶表示装置１を構成するＴＦＴガラス基板及びＣＦガラス基板のＸＹ平面における応力分布を示す図である。図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｗ１＝３．０ｍｍの方が、Ｗ１＝０．８ｍｍの場合（比較例に係る液晶表示装置）（図１０参照）と比べて、応力が小さいことが分かる。
【００３９】
以上のことから、液晶表示装置の曲げ方向に直交する方向に延在するシール部の幅Ｗ１を大きくする、例えば幅Ｗ１を上記曲げ方向に平行する方向に延在するシール部の幅Ｗ２よりも大きくすることにより（Ｗ１＞Ｗ２）、Ｔ／Ｃズレ量が小さくなり（図１２（ｂ）参照）、ガラス基板における応力が分散し応力集中が生じ難くなるため（図１３参照）、光の透過率（光漏れ量）が低くなることが推察される。よって、本実施形態に係る液晶表示装置１によれば、表示画面の四隅付近に生じる光漏れを低減することができる。なお、液晶表示装置１において、第３シール部６３及び第４シール部６４の幅Ｗ２は０．７ｍｍ〜１．１ｍｍであることが好ましい。また、第１シール部６１及び第２シール部６２の幅Ｗ１は、幅Ｗ２の１．１〜５．０倍であることが好ましい。
【００４０】
次に、本実施形態に係る液晶表示装置１の製造方法について説明する。液晶表示装置１の製造工程には、ＴＦＴ基板製造工程、ＣＦ基板製造工程、基板貼り合せ工程、偏光板貼り付け工程、曲げ工程、液晶注入工程が含まれる。
【００４１】
ＴＦＴ基板製造工程では、横電界方式（ＩＰＳ方式）の構成を実現するための周知の工程を適用することができる。例えば、ガラス基板１０１の第１面上に、ゲート線１２となる金属材料をスパッタにより成膜してホトエッチング工程でパターン化する。これにより、平面パターンとしてゲート線１２が形成される。次に、化学気層成長法ＣＶＤにより、ゲート線１２を覆うように絶縁膜１０２を積層し、絶縁膜１０２上に半導体層２１を積層する。さらに半導体層２１上に、データ線１１となる金属材料をスパッタで成膜する。データ線１１とソース電極２３とをハーフトーン露光を用いて同時に形成する。次に、データ線１１とソース電極２３とを覆うように、ＣＶＤにより絶縁膜１０３を積層する。次に、絶縁膜１０３上にＩＴＯを成膜した後、ホトエッチング加工により共通電極１６を形成する。次に、共通電極１６を覆うように、ＣＶＤにより絶縁膜１０４を形成する。また、絶縁膜１０３及び絶縁膜１０４をドライエッチング加工して、ソース電極２３に達するスルーホール２４を形成する。絶縁膜１０４上及びスルーホール２４内に、スパッタによりＩＴＯを成膜した後、ホトエッチング加工により画素電極１５を形成する。画素電極１５は、スリットを有するパターンに加工する。画素電極１５の一部は、ソース電極２３上に直接成膜する。これにより、画素電極１５とソース電極２３とが電気的に接続される。
【００４２】
ＣＦ基板製造工程では、例えば、ガラス基板２０１の第１面上に、カラーフィルタ２０２とブラックマトリクス２０３とを形成する。
【００４３】
基板貼り合せ工程では、ＴＦＴ基板製造工程において製造されたＴＦＴ基板１００にシール材（シール部６０）を塗布する工程と、液晶材料を滴下するＯＤＦ工程と、シール材が塗布されたＴＦＴ基板１００に、ＣＦ基板製造工程において製造されたＣＦ基板２００を位置合わせして貼り合わせる工程と、シール材に光を照射して硬化させる工程とを行う。
【００４４】
ここで、シール材を塗布する工程では、液晶表示装置１の曲げ方向に直交する方向に延在するシール材（第１シール部６１及び第２シール部６２）を塗布するときの塗布速度を、上記曲げ方向に平行する方向に延在するシール材（第３シール部６３及び第４シール部６４）を塗布するときの塗布速度よりも遅くする。また、シール材を塗布する他の方法として、液晶表示装置１の曲げ方向に直交する方向に延在するシール材（第１シール部６１及び第２シール部６２）を塗布するときの塗布回数を、上記曲げ方向に平行する方向に延在するシール材（第３シール部６３及び第４シール部６４）を塗布するときの塗布回数よりも多くする。これにより、第１シール部６１及び第２シール部６２の幅Ｗ１を、第３シール部６３及び第４シール部６４の幅Ｗ２よりも大きくすることができる。なおシール材を塗布する方法は、上記方法に限定されず、Ｗ１＞Ｗ２を満たすようにシール材を塗布すればよい。
【００４５】
偏光板貼り付け工程では、ガラス基板１０１の第１面とは反対側の第２面上に偏光板１０６を貼り付けるとともに、ガラス基板２０１の第１面とは反対側の第２面上に偏光板２０６を貼り付ける。
【００４６】
曲げ工程では、貼り合わされたＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００を所望の一軸方向（例えば行方向又は列方向）に曲げる。曲げ方法は、限定されず、治具を用いてもよいし、熱収縮フィルムを用いてもよい。
【００４７】
その後、バックライト装置等の組立工程、検査工程等を経て、液晶表示装置１が完成する。
【００４８】
以上の説明では、横電界方式（ＩＰＳ方式）の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限定されない。上述したシール部６０の構成及びシール部６０の塗布方法は、横電界方式以外の液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等の各種の表示装置に適用することもできる。
【００４９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５０】
１  液晶表示装置、１０  表示パネル、２０  データ線駆動回路、３０  ゲート線駆動回路、４０  制御回路、５０  バックライト装置、６０  シール部、６１  第１シール部、６２  第２シール部、６３  第３シール部、６４  第４シール部、１１  データ線、１２  ゲート線、１３  薄膜トランジスタ、１４  画素、１５  画素電極、１６  共通電極、１００  薄膜トランジスタ基板、１０１  ガラス基板、１０６  偏光板、２００  カラーフィルタ基板、２０１  ガラス基板、２０６  偏光板、３００  液晶層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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