(57)【要約】      （修正有）【課題】簡易な構成で切削溝の底とウェーハの裏面との距離を測定するウェーハ研削装置、測定装置及び測定方法を提供する。【解決手段】可視光を照射する照射部８０と、照射部に対向して設けられた受光部８４であって、受光した光に応じた信号を出力する受光部と、表面に切削溝２が形成されたウェーハＷを照射部と受光部との間に保持する保持部３６と、照射部から照射された可視光のうちウェーハを透過した透過光に対する受光部の出力信号に基づいて、切削溝の底とウェーハの裏面との距離を測定する測定部と、を備えた。【選択図】図４
2017181064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光を照射する照射部と、
前記照射部に対向して設けられた受光部であって、受光した光に応じた信号を出力する受光部と、
表面に切削溝が形成されたウェーハを前記照射部と前記受光部との間に保持する保持部と、
前記照射部から照射された可視光のうち前記ウェーハを透過した透過光に対する前記受光部の出力信号に基づいて、前記切削溝の底と前記ウェーハの裏面との距離を測定する測定部と、
を備えた測定装置。
【請求項２】
前記照射部は、複数の波長の光を含む可視光を照射し、
前記透過光を波長毎に分光する分光部を備え、
前記受光部は、前記分光された透過光を受光する請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記保持部は、前記ウェーハを載置面に載置するテーブルを備え、
前記載置面は前記可視光を透過する透過部を備え、
前記照射部は、前記透過部を介して前記ウェーハに前記可視光を照射する請求項１又は２に記載の測定装置。
【請求項４】
前記ウェーハは前記表面を被載置面として前記載置面に向けて載置され、
前記照射部は、前記可視光を前記表面に照射する請求項３に記載の測定装置。
【請求項５】
前記可視光を出射する光源と、
前記光源から出射する可視光を前記照射部に導く導光部と、
を備えた請求項１から４のいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項６】
表面に切削溝が形成されたウェーハの裏面に対して単位時間当たりの研削量が相対的に大きい粗研削を行う粗研削部と、
前記粗研削を行いながら前記切削溝の底と前記ウェーハの裏面との距離を測定する請求項１から５のいずれか１項に記載の測定装置と、
前記測定した距離と閾値とを比較する比較部と、
前記測定した距離が前記閾値以下になると前記裏面に対して前記単位時間当たりの研削量が相対的に小さい精研削を行う精研削部と、
を備えたウェーハ研削装置。
【請求項７】
表面に切削溝が形成されたウェーハを可視光で照射する照射工程と、
受光した光に応じた信号を出力する受光部において、前記照射した可視光のうち前記ウェーハを透過した透過光を受光する受光工程と、
受光部の出力信号に基づいて、前記切削溝の底と前記ウェーハの裏面との距離を測定する測定工程と、
を備えた測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウェーハ研削装置、測定装置及び測定方法に係り、特に表面に溝入れ加工されたウェーハの溝の底の厚さを算出するウェーハ研削装置、測定装置及び測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、複数の半導体素子が形成されたチップをウェーハから分離する半導体装置の製造方法であって、ＤＢＧ法（Dicing Before Grinding）と称されるダイシング方法が適用された半導体装置の製造方法が開示されている。
【０００３】
ＤＢＧ法とは、ダイシング工程、貼付工程、及び裏面研削工程を含むものである。
【０００４】
ＤＢＧ法のダイシング工程では、図１３（Ａ）のウェーハＷの断面図に示すように、ウェーハＷの表面をブレード１によって切削加工を行い、ウェーハＷの裏面に貫通させない深さの溝、すなわち、ウェーハＷの厚さよりも浅い分離用の切削溝２を形成する。これによって、図１４のウェーハＷの平面図に示すように、ウェーハＷの表面に、ダイシングラインに沿った格子状の切削溝２が形成される。
【０００５】
次に、貼付工程では、図１３（Ｂ）に示すようにウェーハＷの上下を反転して、図中下側となった半導体素子ＳＤ（Semiconductor Device）の表面にバックグラインディング用テープ（保護テープ。以下、ＢＧテープという。）３を貼り付ける。
【０００６】
次に、裏面研削工程では、図１３（Ｃ）に示すように、図中上面となっているウェーハＷの裏面を、ウェーハ研削装置４によって、切削溝２に到達するまで裏面研削を行い、ウェーハＷを個々のチップＴに個片化する。裏面研削工程では、ＢＧテープ３を介してウェーハＷの表面側をテーブル５に保持させて、テーブル５を矢印ａ方向に、ウェーハ研削装置４を矢印ｂ方向に回転させ、かつウェーハ研削装置４を矢印ｃ方向に送り込みながら研削を行う。
【０００７】
この後、分離されたチップＴの裏面にウェーハ保持テープ（不図示）を貼り付けてテーブル５からＢＧテープ３を取り外し、次に、チップＴからＢＧテープ３を除去した後、ウェーハ保持テープからチップＴを取り出す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１００５８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＤＢＧ法の研削工程は、処理時間を短縮するためには、ウェーハの裏面が表面の切削溝に到達する直前までは単位時間当たりの研削量をできるだけ大きくした粗研削を行う必要がある。一方、チップの損傷を防止するためには、ウェーハの裏面をウェーハの表面の切削溝に到達させる際に、単位時間当たりの研削量を小さくした精研削を行うことが好ましい。
【００１０】
研削前のウェーハの裏面と切削溝の底との距離は、ダイシング工程において形成した切削溝の深さとウェーハの初期の厚さから推定することができる。したがって、粗研削を行いながらウェーハの厚さを測定することで、切削溝の底とウェーハの裏面との残りの距離を推定することができる。
【００１１】
しかしながら、ダイシング工程で形成される切削溝の深さにはばらつきが存在し、切削溝の底とウェーハの裏面との距離を適切に推定することはできなかった。
【００１２】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、簡易な構成で切削溝の底とウェーハの裏面との距離を測定するウェーハ研削装置、測定装置及び測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る測定装置は、可視光を照射する照射部と、照射部に対向して設けられた受光部であって、受光した光に応じた信号を出力する受光部と、表面に切削溝が形成されたウェーハを照射部と受光部との間に保持する保持部と、照射部から照射された可視光のうちウェーハを透過した透過光に対する受光部の出力信号に基づいて、切削溝の底とウェーハの裏面との距離を測定する測定部と、を備えた。
【００１４】
本態様によれば、ウェーハを透過した透過光に対する受光部の出力信号に基づいて切削溝の底とウェーハの裏面との距離を測定するようにしたので、溝の底と裏面との距離を簡易な構成で測定することができる。
【００１５】
本発明の他の態様に係る測定装置において、照射部は、複数の波長の光を含む可視光を照射し、透過光を波長毎に分光する分光部を備え、受光部は、分光された透過光を受光することができる。これにより、切削溝の底とウェーハの裏面との距離を適切に測定することができる。
【００１６】
本発明の他の態様に係る測定装置において、保持部は、ウェーハを載置面に載置するテーブルを備え、載置面は可視光を透過する透過部を備え、照射部は、透過部を介してウェーハに可視光を照射することができる。これにより、ウェーハに可視光を適切に照射することができる。
【００１７】
本発明の他の態様に係る測定装置において、ウェーハは表面を被載置面として載置面に向けて載置され、照射部は、可視光を表面に照射することができる。これにより、ウェーハの表面に可視光を照射し、ウェーハの裏面側から透過光を受光することができる。
【００１８】
本発明の他の態様に係る測定装置において、可視光を出射する光源と、光源から出射する可視光を照射部に導く導光部と、を備えることができる。これにより、ウェーハに可視光を適切に照射することができる。
【００１９】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るウェーハ研削装置は、表面に切削溝が形成されたウェーハの裏面に対して単位時間当たりの研削量が相対的に大きい粗研削を行う粗研削部と、粗研削を行いながら切削溝の底とウェーハの裏面との距離を測定する測定装置と、測定した距離と閾値とを比較する比較部と、測定した距離が閾値以下になると裏面に対して単位時間当たりの研削量が相対的に小さい精研削を行う精研削部と、を備えた。
【００２０】
本態様によれば、溝の底と裏面との距離を非接触で適切に測定することができるので、ウェーハの研削処理時間を短縮することができる。
【００２１】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る測定方法は、表面に切削溝が形成されたウェーハを可視光で照射する照射工程と、受光した光に応じた信号を出力する受光部において、照射した可視光のうちウェーハを透過した透過光を受光する受光工程と、受光部の出力信号に基づいて、切削溝の底とウェーハの裏面との距離を測定する測定工程と、を備えた。
【００２２】
本態様によれば、ウェーハを透過した透過光に対する受光部の出力信号に基づいて切削溝の底とウェーハの裏面との距離を測定するようにしたので、溝の底と裏面との距離を簡易な構成で測定することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、溝の底と裏面との距離を非接触で適切に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】ウェーハ研削装置の斜視図
【図２】ウェーハ研削装置の平面図
【図３】ウェーハ研削装置の構成を示したブロック図
【図４】溝底厚さ測定部の構成を示す概略図
【図５】切削溝の底の深さと、可視光に含まれる各波長の透過光量との関係を示す図
【図６】切削溝の底からウェーハの裏面までを透過する光を模式的に示した図
【図７】溝底厚さ測定部の他の態様のテーブルを示す平面
【図８】溝底厚さ測定部の他の態様の構成を示す概略図
【図９】溝底厚さ測定部の他の態様の構成を示す概略図
【図１０】ウェーハ研削方法の処理の一例を示すフローチャート
【図１１】研削工程における経過時間と切削溝の底の厚さとの関係を示す図
【図１２】粗研削部及び精研削部の研削加工動作を示した説明図
【図１３】半導体装置の製造方法を時系列的に示した説明図
【図１４】ダイシング工程にて切削溝が形成されたウェーハの平面図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、添付図面に従って本発明に係るウェーハ研削方法及びウェーハ研削装置の好ましい実施形態について説明する。
【００２６】
〔ウェーハ研削装置〕
図１は、本実施形態のウェーハ研削装置１０の斜視図であり、図２はウェーハ研削装置１０の平面図である。また、図３は、ウェーハ研削装置１０の構成を示したブロック図である。
【００２７】
図１、図２に示すように、ウェーハ研削装置１０の本体１２には、カセット収納部１４、ウェーハ搬送装置１６、アライメント部１８、インデックステーブル２０、粗研削部２２、及び精研削部２４が所定の位置に設けられている。これらの装置及び各部は、図３に示すコントローラ２６によって統括制御されている。コントローラ２６は、入力装置２８から入力されるウェーハＷの品種等を示す情報に基づいてこれらの装置及び各部を制御する。制御内容については後述する。なお、図１、図２の粗研削部２２及び精研削部２４は、不図示のカバーによって覆われており、粗研削部２２、精研削部２４で使用した加工液が外部に飛散するのを防止している。
【００２８】
〈カセット収納部〉
カセット収納部１４には、裏面研削前の複数枚のウェーハＷが収納されたカセット３０と、裏面研削終了後のウェーハＷが収納されるカセット３２が着脱自在に装着される。
【００２９】
裏面研削前のウェーハＷの表面には、不図示のダイシング装置による溝加工工程を経ることによって、半導体素子を分離するための深さｄの切削溝２（図１３参照）が形成されている。すなわち、ウェーハＷの表面には、複数の半導体素子を区画するダイシングラインに沿ってウェーハＷの表面側からウェーハＷの初期厚さＷ０よりも浅い切削溝２が加工されている。そして、そのウェーハＷの表面には、半導体素子を保護するＢＧテープ３（図１３参照）が貼り付けられている。
【００３０】
カセット３０に収納されたウェーハＷは、ウェーハ搬送装置１６の吸着部３４によって１枚ずつ吸着保持されて、アライメント部１８に搬送される。ウェーハ搬送装置１６は、汎用の６軸関節ロボットであり、その構成は周知であるので、ここではその説明を省略する。
【００３１】
〈アライメント部〉
アライメント部１８は、カセット３０から搬出されたウェーハＷを所定の位置に位置合わせする装置である。アライメント部１８で位置合わせされたウェーハＷは、ウェーハ搬送装置１６の吸着部３４に再度吸着保持された後、空のテーブル３６に搬送され、テーブル３６の上面の吸着面にウェーハＷの表面側が吸着保持される。テーブル３６は、インデックステーブル２０の上面に設置され、また、同機能を備えたテーブル３８、４０、４２がインデックステーブル２０の上面に設置されている。
【００３２】
〈インデックステーブル〉
インデックステーブル２０は円盤状に構成され、図２の破線で示す回転軸４４を介して本体１２に回転自在に支持されている。また、回転軸４４には、図２の破線で示すモータ４６の回転軸（不図示）が連結されている。よって、インデックステーブル２０はモータ４６の動力によって回転され、このモータ４６が図３に示すコントローラ２６によって制御されている。なお、前述した４台のテーブル３６〜４２は、インデックステーブル２０の回転軸４４を中心とする同心円上に９０度の間隔をもって設置されている。
【００３３】
〈テーブル〉
図１、図２において、テーブル３６はウェーハＷの受取位置に、テーブル３８は粗研削部２２による粗研削位置に、テーブル４０は精研削部２４による精研削位置に、テーブル４２はウェーハＷの受渡位置にそれぞれ配置される。
【００３４】
ウェーハＷは、受取位置に位置するテーブル３６に保持された後、インデックステーブル２０の９０度の間欠的な回動によって粗研削位置に移動され、ここで粗研削加工される。粗研削加工が終了するとウェーハＷは、インデックステーブル２０の同方向の９０度の間欠的な回動によって精研削位置に移動され、ここで精研削加工及びスパークアウト加工される。精研削加工が終了するとウェーハＷは、インデックステーブル２０の同方向の９０度の間欠的な回動によって受渡位置に移動され、ここでウェーハ搬送装置１６に保持された後、カセット３２に収納される。
【００３５】
テーブル３６〜４２は、インデックステーブル２０の下面に支持された不図示のモータの回転軸に連結され、モータの駆動力によって回転される。
【００３６】
テーブル３６〜４２の吸着面は、セラミックス等の焼結体からなるポーラス材で構成され、不図示のサクションポンプに連結されている。サクションポンプの吸引力を吸着面に作用させることにより、ウェーハＷの表面側（被載置面の一例）が吸着面（載置面の一例）に吸着保持（載置の一例）される。
【００３７】
〈粗研削部〉
粗研削部２２は、ウェーハＷの裏面を粗研削するカップ型砥石４８、モータ５０、送込装置５２、非接触式厚さ測定手段である溝底厚さ測定部５４を備える。
【００３８】
カップ型砥石４８は図１に示すように、モータ５０の不図示の回転軸に連結され、モータ５０の駆動力によって回転される。また、カップ型砥石４８は、モータ５０及びモータ支持部５６を介して送込装置５２に取り付けられている。
【００３９】
送込装置５２は、カップ型砥石４８をモータ５０とともに、粗研削位置に対して昇降移動させる装置であり、下降移動による送込移動によってカップ型砥石４８をウェーハＷの裏面に押し付ける。カップ型砥石４８のモータ５０による回転と送込装置５２による押し付けによって、ウェーハＷの裏面粗研削加工を行うことができる。
【００４０】
送込装置５２によるカップ型砥石４８の送込速度は、カップ型砥石４８の砥粒の番手等の砥石の仕様及びウェーハＷの材質等の研削条件に基づいて一定速度に設定される。また、送込装置５２によるカップ型砥石４８の送込量は、ウェーハＷの裏面から切削溝２の底までの距離（切削溝２の底の厚さ）Ｄｘに応じて、図３に示すコントローラ２６によって制御される。
【００４１】
溝底厚さ測定部５４は、切削溝２の底からウェーハＷの裏面までを透過する光を用いて切削溝２の底の厚さを測定する。溝底厚さ測定部５４の詳細については後述する。
【００４２】
粗研削部２２にて粗研削工程が行われたウェーハＷは、ウェーハＷからカップ型砥石４８が上方に退避移動した後、インデックステーブル２０の９０度の回動で精研削部２４に移動される。
【００４３】
〈精研削部〉
図１、図２に示すように、精研削部２４は、ウェーハＷの裏面を精研削するカップ型砥石６４、モータ６６、送込装置６８、溝底厚さ測定部７０を備える。
【００４４】
カップ型砥石６４は、モータ６６の不図示の回転軸に連結され、モータ６６の駆動力によって回転される。また、カップ型砥石６４は、モータ６６及びモータ支持部７２を介して送込装置６８に取り付けられている。
【００４５】
送込装置６８は、カップ型砥石６４をモータ６６とともに、精研削位置に対して昇降移動させる装置であり、下降移動による送込移動によってカップ型砥石６４をウェーハＷの裏面に押し付ける。カップ型砥石６４のモータ６６による回転と送込装置６８による押し付けによって、ウェーハＷの裏面粗研削加工を行うことができる。
【００４６】
送込装置６８によるカップ型砥石６４の送込速度は、カップ型砥石６４の砥粒の番手等の砥石の仕様及びウェーハＷの材質等の研削条件に基づいて設定される。また、送込装置６８によるカップ型砥石６４の送込量は、切削溝２の底の厚さＤｘに応じて、図３に示すコントローラ２６によって制御される。
【００４７】
溝底厚さ測定部７０の構成は、溝底厚さ測定部５４の構成と同様である。
【００４８】
また、精研削部２４においては、カップ型砥石６４による精研削工程の後、カップ型砥石６４によるスパークアウト工程に移行することもできる。スパークアウト工程とは、研削の最終段階で行われる工程であり、カップ型砥石６４の送り込みを停止し、カップ型砥石６４を回転させて、研削による火花や研削音がなくなるまでウェーハＷの裏面を加工する工程である。
【００４９】
精研削部２４にて裏面がスパークアウトされたウェーハＷは、ウェーハＷからカップ型砥石６４が上方に退避移動した後、インデックステーブル２０の同方向の９０度の回動で受渡位置に移動される。
【００５０】
〈溝底厚さ測定部〉
溝底厚さ測定部５４及び溝底厚さ測定部７０（測定装置の一例）の構成は同様であるので、ここでは代表して溝底厚さ測定部５４の構成及び作用について説明する。
【００５１】
図４は、溝底厚さ測定部５４の構成を示す概略図である。同図に示すように、溝底厚さ測定部５４は、光源８０、分光器８２、及び受光部８４を備えている。
【００５２】
光源８０（照射部の一例）は、テーブル３６の吸着面とは反対面側に配置され、所定範囲の波長（複数の波長）を含む可視光を、テーブル３６の吸着面の反対面に向けて照射する。テーブル３６（保持部の一例）は光源８０が照射した可視光を透過する素材（透過部の一例）で構成されている。
【００５３】
テーブル３６の吸着面側であって、テーブル３６に吸着保持されたウェーハＷから離れた位置には、分光器８２及び受光部８４が配置される。分光器８２（分光部の一例）は、所定の波長成分を含む光を波長毎に分光する光学素子であり、例えばプリズムや回折格子を用いることができる。分光器８２は、入射した光を波長毎に分光させ、受光部８４に入射させる。受光部８４は、入射した光の量に応じた電気信号を出力する光学素子である。受光部８４は、波長毎に分光されて入射した光から、波長毎の強度を検出する。
【００５４】
このように構成された溝底厚さ測定部５４は、以下のように作用する（測定方法の一例）。
【００５５】
光源８０によりテーブル３６を介してウェーハＷの表面に、テーブル３６を介して可視光を照射する（照射工程の一例）。このとき、ウェーハＷの裏面側には、切削溝２の底から底の深さＤｘに応じた波長の光が透過する。この透過した光を分光器８２によって分光し、受光部８４で受光する（受光工程の一例）。受光部８４は、受光した光に応じた信号を出力する。コントローラ２６（測定部の一例）は、受光部８４の出力信号を解析し、切削溝２の底の深さＤｘを算出する（測定工程の一例）。
【００５６】
図５は、切削溝２の底の深さＤｘと、光源８０が照射する可視光に含まれる波長λ１、λ２、及びλ３（λ１＞λ２＞λ３）の透過光量との関係を示す図である。同図に示すように、波長によって切削溝２の底を透過する臨界厚みが異なっており、波長λ１は臨界厚みＤ１、波長λ２は臨界厚みＤ２、波長λ３は臨界厚みＤ３（Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３）を有している。
【００５７】
また、図６は、切削溝２の底からウェーハＷの裏面までを透過する光を模式的に示した図である。なお、同図においては、波長λ１の光、波長λ２の光、及び波長λ３を個別に示しているが、光源８０からウェーハＷの表面に照射される可視光は、これらの波長が混合された光である。
【００５８】
図６（Ａ）に示すように、切削溝２の底の深さＤｘが厚さＤ１より大きい場合には、ウェーハＷの表面から照射された波長λ１、λ２、及びλ３を含む可視光は、ウェーハＷの裏面には透過しない。
【００５９】
図６（Ｂ）に示すように、切削溝２の底の深さＤｘがＤ１より小さく、かつＤ２より大きい場合には、ウェーハＷの表面から照射された可視光は、切削溝２以外の領域ではウェーハＷの裏面に透過しないが、臨界厚みがＤ１である波長λ１の光は、切削溝２の底からウェーハＷの裏面までを透過する。この光は、分光器８２を介して受光部８４において受光される。コントローラ２６は、この受光した光の波長から、切削溝２の底の深さＤｘがＤ２＜Ｄｘ＜Ｄ１であることを算出することができる。
【００６０】
図６（Ｃ）に示すように、切削溝２の底の深さＤｘがＤ２より小さく、かつＤ３より大きい場合には、ウェーハＷの表面から照射された可視光は、切削溝２以外の領域ではウェーハＷの裏面に透過しないが、臨界厚みがＤ１である波長λ１の光及び臨界厚みがＤ２である波長λ２の光は切削溝２の底からウェーハＷの裏面までを透過する。この光は、分光器８２を介して受光部８４において受光される。コントローラ２６は、この受光した光の波長から、切削溝２の底の深さＤｘがＤ３＜Ｄｘ＜Ｄ２であることを算出することができる。
【００６１】
図６（Ｄ）に示すように、切削溝２の底がウェーハＷの裏面に到達している場合には、ウェーハＷの表面から照射された可視光は、切削溝２以外の領域ではウェーハＷの裏面に透過しないが、切削溝２の領域では全ての波長の光が切削溝２を通過し、分光器８２を介して受光部８４において受光される。コントローラ２６は、この受光した光の波長及び光量から、切削溝２が貫通したことを検出することができる。
【００６２】
図４に示した例では、テーブル３６は全体が可視光を透過する素材で構成されていたが、全体が可視光を透過する素材で構成されている必要はなく、例えば図７のテーブル３６の平面図に示すように、部分的に透過部３７ａが設けられていればよい。
【００６３】
また、テーブル３６の下面から吸着面までを可視光が透過する必要はなく、図８の概略図に示すように、テーブル３６の内部に光源８０を備え、吸着面に透過部３７ｂを備えてもよい。
【００６４】
さらに、図４に示す例では、光源８０と分光器８２及び受光部８４とをウェーハＷを挟んで対向するように配置したが、光源８０と分光器８２及び受光部８４の配置はこれに限定されず、光源８０から出射した光によってウェーハＷの表面側又を照射できればよい。例えば、図９の概略図に示すように、ウェーハＷの表面側に対向しない位置に光源８０を配置し、光源８０から出射した光を導光板８６（照射部の一例、導光部の一例）によりウェーハＷの表面側に導いて、ウェーハＷの表面側を照射してもよい。
【００６５】
光源８０は、複数の波長の光が混合された可視光を照射したが、波長を順次切り替えて単一の波長の光を照射してもよい。例えば、波長λ１の光、波長λ２の光、及び波長λ３の光を交互にウェーハＷに照射してもよい。
【００６６】
また、図４、図９に示した例では、ウェーハＷの表面側から照射した光を裏面側で受光したが、ウェーハＷの裏面側に光源８０を、表面側に分光器８２及び受光部８４を配置してもよい。
【００６７】
〔ウェーハ研削方法〕
図１０は、粗研削部２２による粗研削工程（ステップＳ１０、Ｓ２０）、精研削部２４による精研削工程（ステップＳ４０、Ｓ５０、Ｓ６０、Ｓ７０）を含むウェーハ研削方法の処理の一例を示すフローチャートである。また、図１１は、粗研削工程及び精研削工程における経過時間と切削溝２の底の厚さＤｘとの関係を示す図であり、図１２（Ａ）〜（Ｅ）は、粗研削部２２及び精研削部２４の研削加工動作を示した説明図である。
【００６８】
以下、図１０〜図１２を参照しながら説明する。
【００６９】
〈粗研削工程〉
ウェーハＷの表面には、不図示のダイシング装置により切削溝２が形成されている。ウェーハＷは、ウェーハＷの表面をテーブル３６の吸着面側に向けて、テーブル３６に吸着保持される。
【００７０】
図１２（Ａ）は、テーブル３６が粗研削位置に移動した図である。この後、図１２（Ｂ）に示すように、ウェーハＷの上方からカップ型砥石４８を下降移動させ、ウェーハＷの裏面にカップ型砥石４８が当接したところで粗研削を開始する（ステップＳ１０）。
【００７１】
粗研削工程では、カップ型砥石４８による送込速度を第１送込速度Ｖ１に制御して、ウェーハＷの裏面を粗研削する。第１送込速度Ｖ１は、ウェーハＷの裏面にカップ型砥石４８によるダメージを与えることなく、裏面研削工程に費やす処理時間を短縮し、裏面研削工程を効率よく実施することを優先して設定された速度である。
【００７２】
ここでは、カップ型砥石４８によってウェーハＷの裏面を粗研削しながら、溝底厚さ測定部５４によって切削溝２の底の厚さＤｘを測定する。そして、ステップＳ２０において、コントローラ２６（比較部の一例）は、切削溝２の底の厚さＤｘと第１厚さＤ１（閾値の一例）とを比較し、切削溝２の底の厚さＤｘが第１厚さＤ１に到達したか否かを判定する。第１厚さＤ１に到達した場合（切削溝の底の厚さＤｘが閾値以下の場合）はステップＳ３０に移行し、到達していない場合はステップＳ１０に戻り、同様の処理を繰り返す。
【００７３】
ステップＳ３０では、カップ型砥石４８を上方に退避移動させて、インデックステーブル２０を９０度回動させる。さらに、図１２（Ｃ）に示すように、テーブル３６を精研削位置に移動させ、精研削工程に移行する。
【００７４】
〈精研削工程〉
精研削工程は、第１精研削工程（ステップＳ４０、Ｓ５０）と第２精研工程（ステップＳ６０、Ｓ７０）との２つの工程に分けて実施する。
【００７５】
ステップＳ４０では、図１２（Ｄ）に示すように、カップ型砥石６４による第１精研削工程を開始する。
【００７６】
第１精研削工程では、カップ型砥石６４による送込速度を第１送込速度Ｖ１よりも低速な第２送込速度Ｖ２に制御する。第２送込速度Ｖ２は、ウェーハＷの裏面にカップ型砥石６４によるダメージを与えることなく、粗面であったウェーハＷの裏面を鏡面化することを優先して設定された速度である。そのため、第１送込速度Ｖ１よりも低速に第２送込速度Ｖ２を設定し、図１１に示すように、粗研削工程よりも単位時間当たりの研削量を低減させている（粗研削工程よりも単位時間当たりの研削量が相対的に小さい）。よって、第１精研削工程において、ウェーハＷの裏面が鏡面に研削される。
【００７７】
ここでは、カップ型砥石６４によってウェーハＷの裏面を精研削しながら、溝底厚さ測定部７０によって切削溝２の底の厚さＤｘを測定する。そして、ステップＳ５０において、コントローラ２６は、切削溝２の底の厚さＤｘが第２厚さＤ２に到達したか否かを判定する。第２厚さＤ２に到達した場合はステップＳ６０に移行し、到達していない場合はステップＳ４０に戻り、同様の処理を繰り返す。
【００７８】
ステップＳ６０では、図１２（Ｅ）に示すように、カップ型砥石６４による第２精研削工程を開始する。
【００７９】
第２精研削工程では、カップ型砥石６４による送込速度を第２送込速度Ｖ２よりも低速な第３送込速度Ｖ３に制御してウェーハＷを精研削する。
【００８０】
ここでは、カップ型砥石６４によってウェーハＷの裏面を精研削しながら、溝底厚さ測定部７０によって切削溝２の底の厚さＤｘを測定する。そして、ステップＳ７０において、コントローラ２６は、切削溝２の底の厚さＤｘが第３厚さＤ３（Ｄ３＝０）に到達したか否かを判定する。第３厚さＤ３に到達した場合はステップＳ８０に移行し、到達していない場合はステップＳ６０に戻り、同様の処理を繰り返す。
【００８１】
第３送込速度Ｖ３は、ウェーハＷの裏面にカップ型砥石６４によるダメージを与えない速度であることはもちろんであるが、切削溝２の底の厚さＤｘが第３厚さＤ３まで研削された直後、すなわち切削溝２がウェーハＷの裏面に到達してウェーハＷがチップに分割された直後に、送込装置６８によるカップ型砥石６４の下降移動を直ちに停止させることを優先して設定された速度である。つまり、ウェーハＷがチップに分割された時間とカップ型砥石６４の下降移動の停止時間の僅かな差に起因する、裏面研削量の過多を防止するために設定された速度である。
【００８２】
第２精研削工程のウェーハＷは、第２送込速度Ｖ２よりも低速な第３送込速度Ｖ３に制御されたカップ型砥石６４によって、第２厚さＤ２から第３厚さＤ３まで時間をかけて徐々に研削されていく。したがって、第２精研削工程では、図１１に示すように、第１精研削工程よりも単位時間当たりの研削量を低減されている。
【００８３】
そして、溝底厚さ測定部７０によって切削溝２の底の厚さＤｘ＝０が検出されると、コントローラ２６は送込装置６８によるカップ型砥石６４の下降移動を直ちに停止する。
【００８４】
これにより、研削加工によって生じたスラッジが隣接するチップＴの間の隙間に入り込み、チップＴの側面にスラッジが付着するという問題を軽減することができる。また、個片化された直後のチップＴのずれも抑制できるので、チップＴ同士の接触によるチップＴの損傷を防止することができる。
【００８５】
<スパークアウト工程>
ステップＳ８０では、カップ型砥石６４の送り込みを停止して、カップ型砥石６４によってスパークアウトを設定時間Ｓ１だけ実行する。これにより、ウェーハＷ（チップ）の裏面の切り残しを除去し、ウェーハＷの仕上げ面である裏面の品質が向上する。
【００８６】
その後、インデックステーブル２０を９０度回動させてテーブル３６を受渡位置に移動させる。
【００８７】
このように、本実施形態のウェーハ研削装置１０によれば、粗研削工程においてウェーハＷの研削を適切な量だけ行ってから精研削工程へ切り替えることができる。これにより、ウェーハＷを個片化するまでの研削処理時間を短縮することができる。
【００８８】
ウェーハＷの表面にウェーハＷを貫通しない溝を加工する溝入れ工程と、溝入れ工程によって溝が形成されたウェーハＷを本実施形態に係る研削方法によってチップに個片化する工程を組み合わせることで、ダイシング方法を構成する態様も可能である。
【００８９】
また、本実施形態に係る研削方法は、コンピュータに上記の各工程を実行せるためのプログラムとして構成し、当該プログラムを記憶したＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disk-Read Only Memory）等の非一時的な記録媒体を構成することも可能である。
【００９０】
本発明の技術的範囲は、上記の実施形態に記載の範囲には限定されない。各実施形態における構成等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、各実施形態間で適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【００９１】
１０…ウェーハ研削装置、１２…本体、１４…カセット収納部、１６…ウェーハ搬送装置、１８…アライメント部、２０…インデックステーブル、２２…粗研削部、２４…精研削部、２６…コントローラ、２８…入力装置、３０、３２…カセット、３４…吸着部、３６、３８、４０、４２…テーブル、４４…回転軸、４６…モータ、４８…カップ型砥石、５０…モータ、５２…送込装置、５４…溝底厚さ測定部、５６…モータ支持部、５７…レーザ光源、５８…分岐部、５９…参照部、６０…出射部、６１…入射部、６２…合成部、６３…演算部、６４…カップ型砥石、６６…モータ、６８…送込装置、７０…溝底厚さ測定部、８０…光源、８２…分光器、８４…受光部、８６…導光板、Ｗ…ウェーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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