(57)【要約】【課題】内蔵する電子部品の数を増やしつつ、剛性の低下を抑制することが可能な電子部品内蔵基板及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る電子部品内蔵基板１０は、開口５２Ａに電子部品としてのキャパシタ１７を収容する第１のコア層５０と、第１のコア層５０の表側に配置される第２のコア層６０と、第２のコア層６０の表側に配置されると共に、開口７２Ａに電子部品としてのインダクタ１８を収容する第３のコア層７０と、複数の導体層２２と複数の層間樹脂絶縁層２１とからなり、第１のコア層５０の裏側と第３のコア層７０の表側のそれぞれに配置される外側のビルドアップ部２０と、を有し、第２のコア層６０は、第１のコア層５０と第３のコア層７０の何れのコア層よりも剛性が高い。【選択図】図２
2017157792.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を備え且つその開口に電子部品を収容する第１のコア層と、
前記第１のコア層の表側に配置される第２のコア層と、
前記第２のコア層の表側に配置されると共に、開口を備え且つその開口に電子部品を収容する第３のコア層と、
複数の導体層と複数の層間樹脂絶縁層とからなり、前記第１のコア層の裏側と前記第３のコア層の表側のそれぞれに配置される外側のビルドアップ部と、を有し、
前記第２のコア層は、前記第１のコア層と前記第３のコア層の何れのコア層よりも剛性が高い電子部品内蔵基板。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記第２のコア層の厚みは、前記第１のコア層の厚みと前記第３のコア層の厚みのそれぞれに対して１．５倍以上である。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子部品内蔵基板であって、
導体層と層間樹脂絶縁層とからなり、前記第１のコア層の表裏の両面上と前記第３のコア層の表裏の両面上とに形成されて、前記第１のコア層の裏側に配置される前記外側のビルドアップ部と前記第１のコア層との間、前記第１のコア層と前記第２のコア層との間、前記第２のコア層と前記第３のコア層との間、前記第３のコア層の表側に配置される前記外側のビルドアップ部と前記第３のコア層との間のそれぞれに配置される内側のビルドアップ部をさらに有する。
【請求項４】
請求項３に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記第１のコア層の裏側に配置される前記外側のビルドアップ部と前記第１のコア層との間の前記内側のビルドアップ部に含まれる前記層間樹脂絶縁層には、前記第１のコア層の開口に収容された電子部品の電極に接続されるビア導体が形成され、
前記第３のコア層の表側に配置される前記外側のビルドアップ部と前記第３のコア層との間の前記内側のビルドアップ部に含まれる前記層間樹脂絶縁層には、前記第３のコア層の開口に収容された電子部品の電極に接続されるビア導体が形成されている。
【請求項５】
請求項４に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記第１のコア層と前記第２のコア層との間の前記内側のビルドアップ部に含まれる前記層間樹脂絶縁層には、前記第１のコア層の開口に収容された電子部品の電極に接続されるビア導体が形成され、
前記第２のコア層と前記３のコア層との間の前記内側のビルドアップ部に含まれる前記層間樹脂絶縁層には、前記第３のコア層の開口に収容された電子部品の電極に接続されるビア導体が形成されている。
【請求項６】
請求項３乃至５のうち何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記内側のビルドアップ部に含まれる前記層間樹脂絶縁層には、熱硬化性樹脂と無機フィラーとが含まれる。
【請求項７】
請求項１乃至６のうち何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記第１のコア層と前記第２のコア層とは、接着層を介して接着され、
前記第２のコア層と前記第３のコア層とは、接着層を介して接着されている。
【請求項８】
請求項７に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記接着層には、心材と樹脂とが含まれる。
【請求項９】
請求項１乃至８のうち何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記外側のビルドアップ部に含まれる前記層間樹脂絶縁層には、熱硬化性樹脂と無機フィラーとが含まれる。
【請求項１０】
開口を備え且つその開口に電子部品を収容する第１のコア層と、前記第１のコア層の表裏の両面に配置される導体層及び層間樹脂絶縁層と、前記層間樹脂絶縁層に形成され且つ前記第１のコア層の開口に収容された電子部品の電極に接続されるビア導体と、を含む第１中間基材を準備することと、
前記第２のコア層を含む第２中間基材を準備することと、
開口を備え且つその開口に電子部品を収容する第３のコア層と、前記第１のコア層の表裏の両面に配置される導体層及び層間樹脂絶縁層と、前記層間樹脂絶縁層に形成され且つ前記第３のコア層の開口に収容された電子部品の電極に接続されるビア導体と、を含む第３中間基材を準備することと、
前記第１中間基材と前記第２中間基材との間、及び、前記第２中間基材と前記第３中間基材との間に、接着層を介在させて、前記第１中間基材と前記第２中間基材と前記第３中間基材とを積層一体化することと、
前記第１中間基材の外側と前記第３中間基材の外側とに、複数の導体層と複数の層間樹脂絶縁層とを含むビルドアップ部を形成することと、を含む電子部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の電子部品内蔵基板として、コア基板を貫通する開口に電子部品が収容されるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２１９６号公報（段落［００１４］〜［００１５］、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来の電子部品内蔵基板では、内蔵する電子部品の数を増やすために、コア基板を貫通する開口の数を増やすと、電子部品内蔵基板の剛性が低下するという問題が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、内蔵する電子部品の数を増やしつつ、剛性の低下を抑制することが可能な電子部品内蔵基板及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためなされた請求項１に係る発明は、開口を備え且つその開口に電子部品を収容する第１のコア層と、前記第１のコア層の表側に配置される第２のコア層と、前記第２のコア層の表側に配置されると共に、開口を備え且つその開口に電子部品を収容する第３のコア層と、複数の導体層と複数の層間樹脂絶縁層とからなり、前記第１のコア層の裏側と前記第３のコア層の表側のそれぞれに配置される外側のビルドアップ部と、を有し、前記第２のコア層は、前記第１のコア層と前記第３のコア層の何れのコア層よりも剛性が高い電子部品内蔵基板である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】電子部品内蔵基板の（Ａ）使用状態を説明する図、（Ｂ）断面図
【図２】電子部品内蔵基板の一部を拡大した断面図
【図３】キャパシタ部品の（Ａ）斜視図、（Ｂ）断面図
【図４】インダクタ部品の（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図、（Ｃ）側面図
【図５】（Ａ）第１中間基材の断面図、（Ｂ）第２中間基材の断面図、（Ｃ）第３中間基材の断面図
【図６】第１中間基材の製造工程を示す図
【図７】第１中間基材の製造工程を示す図
【図８】第１中間基材の製造工程を示す図
【図９】第２中間基材の製造工程を示す図
【図１０】第３中間基材の製造工程を示す図
【図１１】第３中間基材の製造工程を示す図
【図１２】第３中間基材の製造工程を示す図
【図１３】電子部品内蔵基板の製造工程を示す図
【図１４】電子部品内蔵基板の製造工程を示す図
【図１５】電子部品内蔵基板の製造工程を示す図
【図１６】電子部品内蔵基板の製造工程を示す図
【図１７】電子部品内蔵基板の製造工程を示す図
【図１８】電子部品内蔵基板の製造工程を示す図
【図１９】電子部品内蔵基板の製造工程を示す図
【図２０】電子部品内蔵基板の製造工程を示す図
【図２１】電子部品内蔵基板の製造工程を示す図
【図２２】電子部品内蔵基板の製造工程を示す図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態を、図１〜図２２に基づいて説明する。図１（Ａ）に示すように、本実施形態の電子部品内蔵基板１０は、例えば、半導体部品に用いられ、電子部品内蔵基板１０上には、半導体素子１０１（例えば、ＬＳＩ）や半導体素子１０１を駆動するための電源素子１００（例えば、ＤＣ−ＤＣコンバータ）といった電子部品が実装される。図１（Ｂ）に示すように、電子部品内蔵基板１０は、コア基板１１の表側（図１（Ｂ）の上側）と裏側（図１（Ｂ）の下側）のそれぞれに、外側のビルドアップ部２０を有する構造になっている。
【０００９】
「ビルドアップ基板用の絶縁フィルム」に一括変換
図１（Ｂ）に示すように、外側のビルドアップ部２０は、複数の層間樹脂絶縁層２１と複数の導体層２２とが交互に積層されてなる。隣り合う導体層２２，２２同士は、層間樹脂絶縁層２１に形成されたビア導体２３により接続されている。層間樹脂絶縁層２１は、例えば、ビルドアップ基板用の絶縁フィルム（熱硬化性絶縁樹脂に補強材としての無機フィラーを３０〜７０重量％含有してなるフィルム）で構成されている。
【００１０】
外側のビルドアップ部２０のうち最も外側（即ち、コア基板１１から最も離れた側）に配置される最外の導体層２２Ａ上には、ソルダーレジスト層２５が積層されている。ソルダーレジスト層２５には、開口２５Ａが形成されていて、最外の導体層２２Ａのうち開口２５Ａにより露出する部分によりパッド２７が形成されている。電子部品内蔵基板１０の表側に形成されるパッド２７は、電子部品内蔵基板１０上に実装される部品としての電源素子１００や半導体素子１０１（図１（Ａ）参照）に接続される。
【００１１】
図２に示すように、コア基板１１は、第１のコア層５０と、第２のコア層６０と、第３のコア層７０とを、裏側から順に備えている。第１のコア層５０の表裏の両面と、第３のコア層７０の表裏の両面とには、内側のビルドアップ部８３が積層されている。なお、第１のコア層５０の裏側に形成された内側のビルドアップ部８３上と、第３のコア層７０の表側に形成された内側のビルドアップ部８３上のそれぞれに、上述した外側のビルドアップ部２０が積層されている。
【００１２】
第２のコア層６０の表側と裏側とには、接着層６５が形成されている。そして、第１のコア層５０の表側に形成された内側のビルドアップ部８３と第２のコア層６０とが、第２のコア層６０の裏側に形成された接着層６５を介して接着され、第３のコア層７０の裏側に形成された内側のビルドアップ部８３と第２のコア層６０とが、第２のコア層６０の表側に形成された接着層６５を介して接着されている。接着層６５は、例えば、プリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）や上述のビルドアップ基板用の絶縁フィルムで構成されている。
【００１３】
第１のコア層５０は、第１絶縁性基材５２により構成されている。第１絶縁性基材５２には、複数の開口５２Ａが貫通形成されていて、各開口５２Ａには、電子部品としてのキャパシタ部品１７又はインダクタ部品１８が収容されている（図２には、キャパシタ部品１７が収容された例が示されている。）。
【００１４】
図３（Ａ）に示すように、キャパシタ部品１７は、ブロック状をなす素子本体１７１と、素子本体１７１の外面を覆う金属膜状の端子電極１７２，１７２と、を備える。素子本体１７１は、複数のセラミックシート１７３を積層してなる（図３（Ｂ）参照）。なお、セラミックシート１７３には、片面に内部電極１７４が形成されているものと片面に内部電極１７４が形成されていないものの２種類がある。
【００１５】
図４（Ａ）に示すように、インダクタ部品１８は、磁性体材料を含む磁性体１８７を開口１８１Ａ内に備える樹脂製のコア基材１８１と、コア基材１８１の表側面であるＦ面１８１Ｆ側に形成された第１樹脂絶縁層１８２Ｆと、コア基材の裏側面であるＳ面１８１Ｓ側に形成された第２樹脂絶縁層１８２Ｓと、第１樹脂絶縁層１８２Ｆ上に形成された第１導体層１８３と、第２樹脂絶縁層１８２Ｓ上に形成された第２導体層１８４と、第１導体層１８３と第２導体層１８４を接続する複数の導体１８５と、を備える。
【００１６】
図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）に示すように、第１導体層１８３は、導体１８５の直上に形成されるランド１８３Ｒと、近接するランド１８３Ｒ，１８３Ｒ同士を接続する接続パターン１８３Ｌとからなる。第２導体層１８４についても同様に、導体１８５の直上に形成されるランド１８４Ｒと、近接するランド１８４Ｒ，１８４Ｒ同士を接続する接続パターン１８４Ｌとからなる。第１導体層１８３と第２導体層１８４は、導体１８５を介してヘリカル状（インダクタ部品１８の表裏面に対して平行な軸線上に沿った螺旋状）に配置されている。
【００１７】
図２に示すように、第１のコア層５０の表側面であるＦ面５０Ｆ上と裏側面であるＳ面５０Ｓ上には、所定パターンの導体層５５が形成されている。表裏の各導体層５５上には、層間樹脂絶縁層５６が積層され、各層間樹脂絶縁層５６上には、所定パターンの導体層５７が積層されている。また、層間樹脂絶縁層５６には、ビア導体５８が形成されている。そして、ビア導体５８によって、導体層５５と導体層５７との間、及び、開口５２Ａに収容されているキャパシタ部品１７又はインダクタ部品１８（図２には、キャパシタ部品１７の例が示されている。）の電極と導体層５７との間が接続されている。なお、Ｆ面５０Ｆ側の層間樹脂絶縁層５６と導体層５７とは、第１のコア層５０の表側に配置される内側のビルドアップ部８３を構成する。
【００１８】
第１のコア層５０のＳ面５０Ｓ側の導体層５７上には、層間樹脂絶縁層８２が積層され、層間樹脂絶縁層８２上には、上述した導体層８５が積層されている。また、層間樹脂絶縁層８２には、ビア導体８４が形成されている。そして、ビア導体８４によって、導体層５７と導体層８５との間が接続されている。なお、Ｓ面５０Ｓ側の層間樹脂絶縁層５６，８２と導体層５７，８５とは、第１のコア層５０の裏側に配置される内側のビルドアップ部８３を構成する。
【００１９】
第３のコア層７０は、第３絶縁性基材７２によって構成されている。第３絶縁性基材７２には、複数の開口７２Ａが貫通形成されていて、各開口７２Ａには、電子部品としてのキャパシタ部品１７又はインダクタ部品１８が収容されている（図２には、インダクタ部品１８が収容された例が示されている。）。
【００２０】
第３のコア層７０の表側面であるＦ面７０Ｆと裏側面であるＳ面７０Ｓの上には、所定パターンの導体層７５が形成されている。表裏の各導体層７５上には、層間樹脂絶縁層７６が積層され、各層間樹脂絶縁層７６上には、所定パターンの導体層７７が積層されている。また、層間樹脂絶縁層７６には、ビア導体７８が形成されている。そして、ビア導体７８によって、導体層７５と導体層７７との間、及び、開口７２Ａに収容されているキャパシタ部品１７又はインダクタ部品１８（図２には、キャパシタ１８の例が示されている。）の電極と導体層７７との間が接続されている。なお、Ｓ面７０Ｓ側の層間樹脂絶縁層７６及び導体層７７は、第３のコア層７０の裏側に配置される内側のビルドアップ部８３を構成する。
【００２１】
第３のコア層７０のＦ面７０Ｆ側の導体層７７上には、層間樹脂絶縁層８２が積層され、層間樹脂絶縁層８２上には、導体層８５が積層されている。また、層間樹脂絶縁層８２には、ビア導体８４が形成されている。そして、ビア導体８４によって、導体層７７と導体層８５との間が接続されている。なお、Ｆ面７０Ｆ側の層間樹脂絶縁層７６，８２と導体層５７，８５とは、第３のコア層７０の表側に配置される内側のビルドアップ部８３を構成する。
【００２２】
第２のコア層６０は、第２絶縁性基材６２により構成されている。第２絶縁性基材６２は、上述した第１絶縁性基材５２及び第３絶縁性基材７２と異なり、電子部品を収容するための開口を有しない。そして、第２のコア層６０は、第１のコア層５０と第３のコア層７０の何れよりも剛性が高くなっている。具体的には、第２のコア層６０の厚み（例えば、約８００μｍ）は、第１のコア層５０の厚み（例えば、約４００μｍ）と第３のコア層の厚み（例えば、約４００μｍ）のそれぞれに対して１．５倍以上となっている。また、第２のコア層６０の厚みを厚くすることの他に、第２のコア層６０を構成する材料を、第１のコア層５０及び第３のコア層７０を構成する材料と異ならせることで、第２のコア層６０の剛性が高くなっていてもよい。具体的には、コア層に含まれる補強材としてのガラスクロスの厚みや枚数、コア層に含まれる熱硬化性樹脂の分子量などを異ならせることが挙げられる。なお、第２のコア層６０は、複数の第２絶縁性基材６２が接着層を介して積層されてなる多層コアで構成されていてもよい。
【００２３】
第２のコア層６０の表側面と裏側面の上には、所定パターンの導体層６３が形成されている。そして、表側と裏側の各導体層６３の上に、上述した接着層６５が積層されている。裏側の接着層６５は、第１のコア層５０のＦ面５０Ｆ側の導体層５７上に積層されている。そして、裏側の接着層６５は、第２のコア層６０の裏側に形成された隣り合う導体層６３，６３同士の間に充填されると共に、第１のコア層５０のＦ面５０Ｆ側の隣り合う導体層５７，５７同士の間にも充填されている。また、表側の接着層６５上には、第３のコア層７０のＳ面７０Ｓ側の導体層７７が積層されている。そして、表側の接着層６５は、第２のコア層６０の表側に形成された隣り合う導体層６３，６３同士の間に充填されると共に、第３のコア層７０のＳ面７０Ｓ側の隣り合う導体層７７，７７同士の間にも充填されている。
【００２４】
第１のコア層５０の裏側に形成された内側のビルドアップ部８３に含まれる導体層８５と、第３のコア層７０の表側に形成された内側のビルドアップ部８３に含まれる導体層８５とは、コア基板１１を貫通するスルーホール導体１３によって接続されている。スルーホール導体１３は、コア基板１１を貫通する貫通孔１３Ａの壁面に、例えば、銅めっきが形成されることで形成されている。なお、スルーホール導体１３の内側には、非導電性の充填剤１４が充填されている。
【００２５】
スルーホール導体１３は、コア基板１１の裏側に形成された外側のビルドアップ２０に含まれる導体層２２を介して、第１のコア層５０の開口５２Ａに収容される電子部品（図１，２の例では、キャパシタ部品１７）に接続されている。具体的には、図２に示されるように、第１のコア層５０に収容されるキャパシタ部品１７のうち裏側に配置される電極は、ビア導体２３，５８，８４を介して導体層２２に接続され、この導体層２２が、別のビア導体２３を介して、スルーホール導体１３の裏側に配置される導体層８５に接続される。
【００２６】
また、スルーホール導体１３は、電子部品内蔵基板１０の表側に形成されるパッド２７に接続されている。これにより、第１のコア層５０の開口５２Ａに収容される電子部品はと電子部品内蔵基板１０上に実装される電子部品とが電気的に接続される。具体的には、コア基板１１の表側に形成された外側のビルドアップ部２０に含まれる複数の導体層２２は、スルーホール導体１３に重ねて配置されていて、スルーホール導体１３の表側に配置される導体層８５と複数の導体層２２とが、複数のビア導体２３を介して接続されている。なお、スルーホール１３上の導体層８５と複数の導体層２２とを接続する複数のビア導体２３は、電子部品内蔵基板１０の厚み方向で直線状に並ぶスタックビアを形成している。
【００２７】
第３のコア層７０の開口７２Ａに収容される電子部品は、電子部品内蔵基板１０の表側に形成されるパッド２７に接続されている。これにより、第３のコア層７０に収容される電子部品と電子部品内蔵基板１０に実装される電子部品とが電気的に接続される。具体的には、図２に示されるように、第３のコア層７０に収容されるインダクタ１８のうち表側に配置される電極は、ビア導体７８，８４を介して、コア基板１１の表側の導体層８５に接続されている。また、コア基板１１の表側に配置される外側のビルドアップ部２０に含まれる複数の導体層２２は、インダクタ１８の電極に接続される導体層８５の上に重ねて配置されていて、その導体層８５と複数の導体層２２とが、複数のビア導体２３を介して接続されている。なお、インダクタ１８の電極に接続される複数のビア導体２３は、電子部品内蔵基板１０の厚み方向で直線状に並ぶスタックビアを形成している。
【００２８】
次に、本実施形態の電子部品内蔵基板１０の製造方法について説明する。ここで、電子部品内蔵基板１０は、図５（Ａ）に示す第１中間基材５０Ｋと、図５（Ｂ）に示す第２中間基材６０Ｋと、図５（Ｃ）に示す第３中間基材７０Ｋと、を用いて製造されるので、まず、以下の［Ａ］〜［Ｃ］において、第１中間基材５０Ｋ、第２中間基材６０Ｋ及び第３中間基材７０Ｋの製造方法について説明する。
【００２９】
［Ａ］第１中間基材５０Ｋの製造方法
第１中間基材５０Ｋは、公知の方法（例えば、国際公開公報ＷＯ２０１３／００８５５２に記載の方法）により製造される。具体的には、第１中間基材５０Ｋは、以下のようにして製造される。
【００３０】
［Ａ１］第１絶縁性基材５２の表裏の両面に銅箔５２Ｃがラミネートされている第１銅張積層板５１が用意される（図６（Ａ）参照）。
【００３１】
［Ａ２］レーザ加工により第１銅張積層板５１を貫通する導電用貫通孔５３が形成されると共に（図６（Ｂ）参照）、無電解めっき処理により銅箔５２Ｃ上と導電用貫通孔５３の内面に無電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、銅箔５２Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト５５Ｒが形成される（図６（Ｃ）参照）。
【００３２】
［Ａ３］電解めっき処理が行われ、電解めっきが導電用貫通孔５３内に充填されて導体５４が形成されると共に、銅箔５２Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト５５Ｒの非形成部分に電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、めっきレジスト５５Ｒが剥離されると共に、めっきレジスト５５Ｒの下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔５２が除去される。すると、第１絶縁性基材５２の表側面であるＦ面５２Ｆと裏側面であるＳ面５２Ｓとに、銅箔５２Ｃ、無電解めっき膜及び電解めっき膜からなる導体層５５が形成され、表側の導体層５５と裏側の導体層５５とが導体５４によって接続される（図６（Ｄ）参照）。
【００３３】
［Ａ４］ルータ加工又はレーザ加工により、第１絶縁性基材５２を貫通する開口５２Ａが形成され、その開口５２Ａが塞がれるように、ＰＥＴフィルムからなるテープ９１が第１絶縁性基材５２のＳ面５２Ｓ上に張り付けられる（図７（Ａ）参照）。そして、キャパシタ部品１７がマウンター（図示せず）によって開口５２Ａ内に収められる（図７（Ｂ）参照）。
【００３４】
［Ａ５］第１絶縁性基材５２のＦ面５２Ｆ上の導体層５５上に、層間樹脂絶縁層５６としてのビルドアップ基板用の絶縁フィルムと、銅箔５６Ｃとが積層されてから、加熱プレスされる。このとき、第１絶縁性基材５２のＦ面５２Ｆ上の導体層５５，５５同士の間がビルドアップ基板用の絶縁フィルムにて埋められ、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムの熱硬化性樹脂が開口５２Ａの内面とキャパシタ部品１７との隙間に充填される（図７（Ｃ）参照）。
【００３５】
［Ａ６］テープ９１が除去され、第１絶縁性基材５２のＳ面５２Ｓ上の導体層５５上に層間樹脂絶縁層５６としてのビルドアップ基板用の絶縁フィルムと、銅箔５６Ｃとが積層されてから、加熱プレスされる。このとき、第１絶縁性基材５２のＳ面５２Ｓ上の導体層５５，５５同士の間がビルドアップ基板用の絶縁フィルムにて埋められ、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムの熱硬化性樹脂が開口５２Ａの内面とキャパシタ部品１７との隙間に充填される（図７（Ｄ）参照）。
【００３６】
［Ａ７］表側と裏側の層間樹脂絶縁層５６，５６にＣＯ２レーザが照射されて、複数のビアホール５８Ａが形成される。それら複数のビアホール５８Ａの一部のビアホール５８Ａは、導体層５５上に配置され、他の一部のビアホール５８Ａはキャパシタ部品１７の電極上に配置される（図８（Ａ）参照）。次いで、無電解めっき処理により銅箔５６Ｃ上とビアホール５８Ａの内面に無電解めっき膜（図示せず）が形成され、銅箔５６Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト５７Ｒが形成される（図８（Ｂ）参照）。
【００３７】
［Ａ８］電解めっき処理が行われ、電解めっき膜がビアホール５８Ａ内に充填されてビア導体５８が形成されると共に、銅箔５６Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト５７Ｒの非形成部分に電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、めっきレジスト５７Ｒが剥離されると共に、めっきレジスト５７Ｒの下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔５６Ｃが除去される。すると、第１絶縁性基材５２の表裏の各層間樹脂絶縁層５６上に、銅箔５６Ｃ、無電解めっき膜及び電解めっき膜からなる導体層５７が形成され、導体層５７の一部と導体層５５とがビア導体５８によって接続されると共に、導体層５７の他の一部とキャパシタ部品１７の電極とがビア導体５８によって接続される（図８（Ｃ）参照）。以上により、図５（Ａ）に示した第１中間基材５０Ｋが得られる。
【００３８】
［Ｂ］第２中間基材６０Ｋの製造方法
第２中間基材６０Ｋは、以下のようにして製造される。
【００３９】
［Ｂ１］第２絶縁性基材６２の表裏の両面に銅箔６２Ｃがラミネートされている第２銅張積層板６１が用意される（図９（Ａ）参照）。
【００４０】
［Ｂ２］第２銅張積層板６１の表裏の両面に無電解めっき処理と電解めっき膜が施され、銅箔６２Ｃ上に無電解めっき膜と電解めっき膜が形成される。次いで、電解めっき膜の上に所定パターンのエッチングレジスト（図示せず）が形成される。次いで、エッチングレジストの非形成部分の電解めっき膜、無電解めっき膜及び銅箔６２Ｃがエッチング液にて除去される。すると、第２絶縁性基材６２の表側面であるＦ面６２Ｆと裏側面であるＳ面６２Ｓとに、銅箔６２Ｃと無電解めっき膜と電解めっき膜とからなる導体層６３が形成される（図９（Ｂ）参照）。以上により、図５（Ｂ）に示した第２中間基材６０Ｋが得られる。
【００４１】
［Ｃ］第３中間基材７０Ｋの製造方法
第３中間基材７０Ｋは、上述した第１中間基材５０Ｋの製造方法と同様の方法で製造される。具体的には、第３中間基材７０Ｋは、以下のようにして製造される。
【００４２】
［Ｃ１］第３絶縁性基材７２の表裏の両面に銅箔７２Ｃがラミネートされている第３銅張積層板７１が用意される（図１０（Ａ）参照）。
【００４３】
［Ｃ２］レーザ加工により第３銅張積層板７１を貫通する導電用貫通孔７３が形成されると共に（図１０（Ｂ）参照）、無電解めっき処理により銅箔７２Ｃ上と導電用貫通孔７３の内面に無電解めっき膜（図示せず）が形成され、銅箔７２Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト７５Ｒが形成される（図１０（Ｃ）参照）。
【００４４】
［Ｃ３］電解めっき処理が行われ、電解めっきが導電用貫通孔７３内に充填されて導体７４が形成されると共に、銅箔７２Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト７５Ｒの非形成部分に電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、めっきレジスト７５Ｒが剥離されると共に、めっきレジスト７５Ｒの下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔７２が除去される。すると、第１絶縁性基材７２の表側面であるＦ面７２Ｆと裏側面であるＳ面７２Ｓとに、銅箔７２Ｃ、無電解めっき膜及び電解めっき膜からなる導体層７５が形成され、表側の導体層７５と裏側の導体層７５とが導体７４によって接続される（図１０（Ｄ）参照）。
【００４５】
［Ｃ４］ルータ加工又はレーザ加工により、第３絶縁性基材７２に開口７２Ａが形成され、その開口７２Ａが塞がれるように、ＰＥＴフィルムからなるテープ９２が第３絶縁性基板７２の表側面であるＦ面７２Ｆ上に張り付けられる（図１１（Ａ）参照）。そして、インダクタ部品１８がマウンター（図示せず）によって開口７２Ａに収められる（図１１（Ｂ）参照）。なお、インダクタ部品１８は、公知の方法（例えば、特開２０１４―１１６４６５号公報に示される方法）によって得られる。
【００４６】
［Ｃ５］第３絶縁性基材７２の裏側面であるＳ面７２Ｓ側の導体層７５上に、層間樹脂絶縁層７６としてのビルドアップ基板用の絶縁フィルムと、銅箔７６Ｃとが積層されてから、加熱プレスされる。このとき、第３絶縁性基材７２のＳ面７２Ｓ上の導体層７５，７５同士の間がビルドアップ基板用の絶縁フィルムにて埋められ、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムの熱硬化性樹脂が開口７２Ａの内面とインダクタ部品１８との隙間に充填される（図１１（Ｃ）参照）。
【００４７】
［Ｃ６］テープ９２が除去され、第３絶縁性基材７２のＦ面７２Ｆ上の導体層７５上に層間樹脂絶縁層７６としてのビルドアップ基板用の絶縁フィルムと、銅箔７６Ｃとが積層されてから、加熱プレスされる。このとき、第３絶縁性基材７２のＦ面７２Ｆ上の導体層７５，７５同士の間がビルドアップ基板用の絶縁フィルムにて埋められ、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムの熱硬化性樹脂が開口７２Ａの内面とインダクタ部品１８との隙間に充填される（図１１（Ｄ）参照）。
【００４８】
［Ｃ７］表側と裏側の層間樹脂絶縁層７６，７６にＣＯ２レーザが照射されて、複数のビアホール７８Ａが形成される。それら複数のビアホール７８Ａの一部のビアホール７８Ａは、導体層７５上に配置され、他の一部のビアホール７８Ａはインダクタ部品１８の電極上に配置される（図１２（Ａ）参照）。次いで、無電解めっき処理により銅箔７６Ｃ上とビアホール７８Ａの内面に無電解めっき膜（図示せず）が形成され、銅箔７６Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト７７Ｒが形成される（図１２（Ｂ）参照）。
【００４９】
［Ｃ８］電解めっき処理が行われ、電解めっき膜がビアホール７８Ａ内に充填されてビア導体７８が形成されると共に、銅箔７６Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト７７Ｒの非形成部分に電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、めっきレジスト７７Ｒが剥離されると共に、めっきレジスト７７Ｒの下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔７６Ｃが除去される。すると、第３絶縁性基材７２の表裏の各層間樹脂絶縁層７６上に、銅箔７６Ｃ、無電解めっき膜及び電解めっき膜からなる導体層７７が形成され、導体層７７の一部と導体層７５とがビア導体７８によって接続されると共に、導体層７７の他の一部とインダクタ部品１８の電極とがビア導体７８によって接続される（図１２（Ｃ）参照）。以上により、図５（Ｃ）に示した第３中間基材７０Ｋが得られる。
【００５０】
以上が、第１中間基材５０Ｋ、第２中間基材６０Ｋ及び第３中間基材７０Ｋの製造方法に関する説明である。次に、第１中間基材５０Ｋ、第２中間基材６０Ｋ及び第３中間基材７０Ｋを用いた電子部品内蔵基板１０の製造方法について説明する。
【００５１】
電子部品内蔵基板１０は、以下のようにして製造される。
（１）第１中間基材５０Ｋ、第２中間基材６０Ｋ及び第３中間基材７０Ｋにアライメントマーク（図示せず）が形成される。アライメントマークの例としては、各中間基材５０Ｋ，６０Ｋ，７０Ｋを貫通するピン孔が挙げられる。
【００５２】
（２）第１中間基材５０Ｋの表側に第２中間基材６０Ｋが重ねられると共に、第２中間基材６０Ｋの表側に第３中間基材７０Ｋが重ねられる（図１３参照）。このとき、第１中間基材５０Ｋの裏側に、層間樹脂絶縁層８２としてのプリプレグと銅箔８２Ｃが順に重ねられると共に、第３中間基材７０Ｋの表側に、層間樹脂絶縁層８２としてのビルドアップ基板用の絶縁フィルムと銅箔８２Ｃが順に重ねられる。また、第１中間基材５０Ｋと第２中間基材６０Ｋとの間、及び、第２中間基材６０Ｋと第３中間基材７０Ｋとの間には、接着層６５としてのプリプレグが配置される。第１中間基材５０Ｋ、第２中間基材６０Ｋ及び第３中間基材７０Ｋの水平方向の配置は、アライメントマークを基準にして決定される。なお、接着層６５として、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムが用いられてもよい。
【００５３】
（３）加熱プレスが行われ、第１中間基材５０Ｋの下に層間樹脂絶縁層８２と銅箔８２Ｃが積層されると共に、第１中間基材５０Ｋの上に、接着層６５を介して第２中間基材６０Ｋが積層される。また、第２中間基材６０Ｋの上に、接着層６５を介して第３中間基材７０Ｋが積層されると共に、第３中間基材７０Ｋの上に層間樹脂絶縁層８２と銅箔８２Ｃが積層される（図１４（Ａ）参照）。すると、第１中間基材５０Ｋと、第２中間基材６０Ｋと、第３中間基材７０Ｋとが順に積み重ねられて一体となった多層基材８１が形成される。このとき、第１絶縁性基材５２と第２絶縁性基材６２と第３絶縁性基材７２によって、第１のコア層５０と第２のコア層６０と第３のコア層７０が形成され、第１絶縁性基材５２のＦ面５２Ｆ及びＳ面５２Ｓが、第１のコア層５０のＦ面５０Ｆ及びＳ面５０Ｓとなり、第３絶縁性基材７２のＦ面７２Ｆ及びＳ面７２Ｓが第３のコア層７０のＦ面７０Ｆ及びＳ面７０Ｓとなる。また、第１のコア層５０のＦ面５０Ｆ側の層間樹絶縁層５６と導体層５７とによって、第１のコア層５０と第２のコア層６０との間に配置される内側のビルドアップ部８３が形成され、第３のコア層７０のＳ面７０Ｓ側の層間樹脂絶縁層７６と導体層７７とによって、第２のコア層６０と第３のコア層７０との間に配置される内側のビルドアップ部８３が形成される。
【００５４】
（４）ルータ加工により、多層基材８１を貫通する貫通孔１３Ａが形成される（図１４（Ｂ）参照）。さらに、貫通孔１３Ａ内にデスミア処理が行われる。
【００５５】
（５）無電解めっき処理及び電解めっき処理が行われ、銅箔８２Ｃ上に無電解めっき膜と電解めっき膜（共に図示せず）が形成されると共に、貫通孔１３Ａの内壁に形成される無電解めっき膜と電解めっき膜とからなるスルーホール導体１３が形成される（図１５（Ａ）参照）。
【００５６】
（６）スクリーン印刷により、貫通孔１３Ａ内（詳細には、スルーホール導体１３の内側）に充填剤１４が充填される（図１５（Ｂ）参照）。
【００５７】
（７）多層基板８１の表裏の両側からレーザが照射され、表側と裏側の層間樹脂絶縁層８２の所定の位置にビアホール（図示せず）が形成される。
【００５８】
（８）無電解めっき処理と電解めっき処理が順に行われ、図１６（Ａ）に示すように、ビア導体８４が形成されると共に、層間樹脂絶縁層８２上に、銅箔８２Ｃとめっき膜とからなる導体層８５が形成される。このとき、スルーホール１３に充填された充填剤１４が導体層８５によって覆われ、導体層７７と導体層８５とがビア導体８４によって接続される。
【００５９】
（９）めっき膜上に所定パターンのエッチングレジスト（図示せず）が形成される。次いで、エッチングレジストが形成されていない部分の導体層８５がエッチング液にて除去され、残った導体層８５の一部がスルーホール１３の充填剤１４を覆い、残った導体層８５の他の一部がビア導体８４を介して導体層５７，７７に接続される（図１６（Ｂ）参照）。これにより、コア基板１１が形成される。このとき、第１のコア層５０のＳ面５０Ｓ側の層間樹脂絶縁層５６，８２と導体層５７，８７とによって、第１のコア層５０の下側に配置される内側のビルドアップ部８３が形成され、第３のコア層７０のＦ面７０Ｆ側の層間樹脂絶縁層７６，８２と導体層７７，８５とによって、第３のコア層７０の上側に配置される内側のビルドアップ部８３が形成される。
【００６０】
（１０）コア基板１１の表裏の両面に、層間樹脂絶縁層２１としてのビルドアップ基板用の絶縁フィルムが積層される（図１７（Ａ）参照）。次いで、コア基板１１の表側と裏側の両方からレーザが照射され、層間樹脂絶縁層２１の所定の位置にビアホール２３Ａが形成される（図１７（Ｂ）参照）。
【００６１】
（１１）層間樹脂絶縁層２１上に所定パターンのめっきレジスト２４が形成される（図１８参照）。次いで、電解めっき処理が行われ、電解めっき膜がビアホール２３Ａ内に充填されてビア導体２３が形成されると共に、めっきレジスト７７Ｒの非形成部分に導体層２２が形成される（図１９参照）。
【００６２】
（１２）上述の工程（１０）〜（１１）が繰り返されて、コア基板１１の表側と裏側とに、複数の層間樹脂絶縁層２１と導体層２２とが交互に積層されてなる外側のビルドアップ部２０が形成される（図２０参照）。
【００６３】
（１３）外側のビルドアップ部２０のうち最も外側（即ち、コア基板１１から最も離れた側）に配置される最外の導体層２２Ａ上に、ソルダーレジスト層２５が積層される（図２１参照）。
【００６４】
（１４）コア基板１１の表側と裏側とからソルダーレジスト層２５の所定位置にレーザが照射されて、ソルダーレジスト層２５に開口２５Ａが形成される（図２２参照）。そして、最外の導体層２２Ａのうち開口２５Ａによって露出する部分によって、パッド２７が形成される。以上により、図２に示した電子部品内蔵基板１０が完成する。
【００６５】
本実施形態の電子部品内蔵基板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に電子部品内蔵基板１０の作用効果について説明する。
【００６６】
本実施形態の電子部品内蔵基板１０では、コア基板１１が、第１のコア層５０と、第２のコア層６０と、第３のコア層７０という３つのコア層を厚み方向に重ねて有し、それら３つのコア層のうちの第１のコア層５０と第３のコア層７０が備える開口５２Ａ，７２Ａに、電子部品としてのキャパシタ部品１７又はインダクタ部品１８が収容されている。このように、本実施形態の電子部品内蔵基板１０では、第１のコア層５０と第３のコア層７０という２つのコア層に電子部品が収容されるので、従来のように、１つのコア層のみを備えて、そのコア層に電子部品を収容する構成と比較して、内蔵する電子部品を多くすることが可能となる。しかも、本実施形態では、電子部品を収容する２つのコア層（第１のコア層５０と第３のコア層７０）が、電子部品内蔵基板１０の厚み方向に重ねて配置されるので、電子部品内蔵基板１０の剛性の低下が抑えられる。
【００６７】
また、本実施形態の電子部品内蔵基板１０では、電子部品を収容する２つのコア層（第１のコア層５０と第３のコア層７０）のほかに、開口を備えない第２のコア層６０が含まれているので、電子部品を収容する２つのコア層のみを備える場合と比較して、コア基板１１の剛性の低下が抑えられ、電子部品内蔵基板１０の剛性の低下を抑制することが可能となる。しかも、第２のコア層６０は、第１のコア層５０と第３のコア層７０の何れのコア層よりも剛性が高くなっているので、電子部品内蔵基板１０の剛性の向上を図ることが可能となる。さらに、第２のコア層６０は、第１のコア層５０と第３のコア層７０との間に配置されるので、電子部品内蔵基板１０の表側と裏側の両方でバランスよく剛性の向上を図ることが可能となる。
【００６８】
また、本実施形態の電子部品内蔵基板１０では、第１のコア層５０と第３のコア層７０に収容される電子部品（キャパシタ部品１７とインダクタ１８）の表側の電極と裏側の電極のそれぞれに、ビア導体５８が接続されることで、表裏の片側の電極だけにビア導体５８が接続される場合よりも、電子部品を良好に作動させることが可能となる。
【００６９】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００７０】
（１）上記実施形態では、本発明の「電子部品」の例としてキャパシタ部品１７及びインダクタ部品１８を例示したが、例えば、インターポーザであってもよいし、抵抗であってもよい。なお、本発明の「電子部品」は、受動部品に限られるものでなく、能動部品であってもよい。
【００７１】
（２）上記実施形態では、内側のビルドアップ部８３が１又は２の層間樹脂絶縁層と、１又は２の導体層とからなる例が示されていたが、３つ以上の層間樹脂絶縁層と、３つ以上の導体層とからなっていてもよい。
【００７２】
（３）上記実施形態では、第１のコア層５０と第３のコア層７０に収容される電子部品（キャパシタ部品１７とインダクタ１８）の表側の電極と裏側の電極のそれぞれにビア導体５８が接続される構成であったが、第１のコア層５０に収容される電子部品については、裏側の電極にのみビア導体５８が接続され、第３のコア層７０に収容される電子部品については、表側の電極にのみビア導体５８が接続される構成であってもよい。
【符号の説明】
【００７３】
１０    電子部品内蔵基板
１１    コア基板
１３    スルーホール導体
２０    外側のビルドアップ部
２１    層間樹脂絶縁層
２２    導体層
５０    第１のコア層
５５，５７    導体層
５６    層間樹脂絶縁層
６０    第２のコア層
６５    接着層
７０    第３のコア層
７５，７７    導体層
７６    層間樹脂絶縁層
８２    層間樹脂絶縁層
８５    導体層
８３    内側のビルドアップ部
【図１】
2017157792.tif 000003
【図２】
2017157792.tif 000004
【図３】
2017157792.tif 000005
【図４】
2017157792.tif 000006
【図５】
2017157792.tif 000007
【図６】
2017157792.tif 000008
【図７】
2017157792.tif 000009
【図８】
2017157792.tif 000010
【図９】
2017157792.tif 000011
【図１０】
2017157792.tif 000012
【図１１】
2017157792.tif 000013
【図１２】
2017157792.tif 000014
【図１３】
2017157792.tif 000015
【図１４】
2017157792.tif 000016
【図１５】
2017157792.tif 000017
【図１６】
2017157792.tif 000018
【図１７】
2017157792.tif 000019
【図１８】
2017157792.tif 000020
【図１９】
2017157792.tif 000021
【図２０】
2017157792.tif 000022
【図２１】
2017157792.tif 000023
【図２２】
2017157792.tif 000024
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月7日(2017.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
図１（Ｂ）に示すように、外側のビルドアップ部２０は、複数の層間樹脂絶縁層２１と複数の導体層２２とが交互に積層されてなる。隣り合う導体層２２，２２同士は、層間樹脂絶縁層２１に形成されたビア導体２３により接続されている。層間樹脂絶縁層２１は、例えば、ビルドアップ基板用の絶縁フィルム（熱硬化性絶縁樹脂に補強材としての無機フィラーを３０〜７０重量％含有してなるフィルム）で構成されている。