(57)【要約】【課題】基板の側から半導体層に斜めから光が入射することをよく確実に抑制することのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、基板１０ｗの一方面１０ｓには、Ｘ方向に延在する半導体層１ａのＹ方向の両側に第１凹部１１および第２凹部１２が設けられている。第２遮光膜としてのゲート電極３ｃは、第１凹部１１の内側および第２凹部１２の内側を通って半導体層１ａとは反対側まで延在する第１延在部分３ｃ１および第２延在部分３ｃ２を備えており、第１開口部４１ａおよび第２開口部４１ｂの内側において第１遮光層４ａと接している。【選択図】図７
2017076022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方面側に設けられた第１遮光層と、
前記第１遮光層に対して前記基板とは反対側に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に対して前記基板とは反対側の前記第１遮光層と平面視で重なる位置に設けられ、第１方向に延在する半導体層と、
前記半導体層に対して前記基板とは反対側に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層に対して前記基板とは反対側の前記半導体層と平面視で重なる位置に設けられた第２遮光層と、
を有し、
前記基板の前記一方面は、前記半導体層に対して前記第１方向と交差した第２方向の側に第１凹部を備え、
前記第１遮光層は、前記第１凹部と前記半導体層との間に位置する第１部分と、前記第１凹部の前記半導体層とは反対側に位置する第２部分と、を備え、
前記第１絶縁層は、前記第１遮光層の前記第１部分および前記第２部分の各々の一部が露出するように前記第１凹部と平面視で重なる位置に第１開口部を備え、
前記第２遮光層は、前記半導体層と平面視で重なる位置から前記第１凹部の内部まで延在し、かつ、前記第１遮光層の前記第１部分および前記第２部分と接していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記第２遮光層は、ゲート電極であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光層は、バックゲート電極であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第２遮光層に対して前記基板とは反対側に設けられた第３遮光層を有し、
前記第３遮光層は、一部が前記第１凹部の内部に位置していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置において、
前記第３遮光層は、データ線であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項４に記載の電気光学装置において、
前記半導体層に電気的に接続された画素電極を有し、
前記画素電極は、前記第３遮光層を介して前記半導体層に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光層は、前記第１凹部の内部には設けられていないことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光層は、一部が前記第１凹部の内部に設けられ、
前記第１遮光層の前記第１部分および前記第２部分は、前記第１遮光層の前記第１凹部の内部に設けられた部分を介して電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記基板の前記一方面は、前記半導体層に対して前記第１凹部とは反対側に第２凹部が設けられ、
前記第１遮光層は、前記第１凹部と前記半導体層との間に位置する第３部分と、前記第１凹部の前記半導体層とは反対側に位置する第４部分と、を備え、
前記第１絶縁層は、前記第１遮光層の前記第３部分および前記第４部分の各々の一部が露出するように前記第２凹部と平面視で重なる位置に第２開口部を備え、
前記第２遮光層は、前記半導体層と平面視で重なる位置から前記第２凹部の内部まで延在し、かつ、前記第１遮光層の前記第３部分および前記第４部分と接していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光層は、前記第１方向に沿って延在する走査線であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光層および前記第２遮光層のうちの一方は、前記第２方向に沿って延在する走査線であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
基板の一方面側に一部が離間した第１遮光層を形成する工程と、
第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１遮光層と平面視で重なる位置に第１方向に延在する半導体層を形成する工程と、
第２絶縁層を形成する工程と、
前記基板の一方面側の前記第１遮光層の離間した部分に第１凹部を形成する工程と、
前記半導体層と平面視で重なる位置に第２遮光層を形成する工程と、を有し、
前記第１凹部を形成する工程では、離間した前記第１遮光層の各々の一部が露出され、
前記第１遮光層の離間した部分は、前記半導体層に対して前記第１方向と交差した第２方向の側に位置し、
前記第２遮光層は、前記半導体層と平面視で重なる位置から前記第１凹部の内部まで延在し、かつ、離間した前記第１遮光層とそれぞれ接していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
基板の一方面側に一部が離間した第１遮光層を形成する工程と、
前記基板の一方面側の前記第１遮光層の離間した部分に第１凹部を形成する工程と、
第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１遮光層と平面視で重なる位置に第１方向に延在する半導体層を形成する工程と、
第２絶縁層を形成する工程と、
前記第１凹部と平面視で重なる位置に、離間した前記第１遮光層の各々の一部が露出するように第１開口部を形成する工程と、
前記半導体層と平面視で重なる位置に第２遮光層を形成する工程と、を有し、
前記第１遮光層の離間した部分は、前記半導体層に対して前記第１方向と交差した第２方向の側に位置し、
前記第２遮光層は、前記半導体層と平面視で重なる位置から前記第１凹部の内部まで延在し、かつ、離間した前記第１遮光層とそれぞれ接していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
基板の一方面側に第１凹部を形成する工程と、
前記基板の一方面側に前記第１凹部と平面視で重なる位置で一部が離間するように第１遮光層を形成する工程と、
第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１遮光層と平面視で重なる位置に第１方向に延在する半導体層を形成する工程と、
第２絶縁層を形成する工程と、
前記第１凹部と平面視で重なる位置に、離間した前記第１遮光層の各々の一部が露出するように第１開口部を形成する工程と、
前記半導体層と平面視で重なる位置に第２遮光層を形成する工程と、を有し、
前記第１遮光層の離間した部分は、前記半導体層に対して前記第１方向と交差した第２方向の側に位置し、
前記第２遮光層は、前記半導体層と平面視で重なる位置から前記第１凹部の内部まで延在し、かつ、離間した前記第１遮光層とそれぞれ接していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にスイッチング素子が設けられた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数の画素およびスイッチング素子が設けられた素子基板と、素子基板に対向配置された対向基板との間に電気光学物質（例えば、液晶など）を備えた電気光学装置が知られている。電気光学装置として、例えば、投射型表示装置の液晶ライトバルブとして用いられる液晶装置などを挙げることができ、この場合、液晶ライトバルブには光源からの強力な光が入射する。その際、スイッチング素子を構成する半導体層に光が入射すると、光リーク電流が生じて表示画像にフリッカーや画素ムラが生じてしまう。そのため、半導体層の下層側に遮光層を設けた構造が採用されている。
【０００３】
一方、液晶ライトバルブ等の電気光学装置においては、光が透過する画素領域の開口率の向上が求められるが、開口率を向上させるために遮光層を狭小化すると、遮光層の脇から半導体層に対して斜め方向に光が入射しやすくなる。そこで、基板の一方面において半導体層の側方に位置する部分に凹部を設けるとともに、遮光層と半導体層との間に介在する絶縁層において凹部と重なる位置に開口部を設け、開口部を通って凹部の内側にゲート電極を延在させて凹部の半導体層側の側面を覆った構造が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１３７５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の構造のように、ゲート電極を凹部の半導体層側の側面に重なるように延在させた場合には、遮光層の脇から半導体層に対して斜め方向に入射しようとする光を確実に遮ることができないおそれがある。具体的には、ゲート電極となる導電膜を形成する際、凹部の側面に導電膜を成膜することが難しいため、導電膜をパターニングしてゲート電極を形成した際、ゲート電極が凹部の半導体層側の側面に十分に形成されないおそれがある。また、導電膜を凹部の側面に形成することができても、導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する際、マスクずれ等によって、ゲート電極が凹部の半導体層側の側面に十分に形成されないおそれがある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板の側から半導体層に斜めから光が入射することをよく確実に抑制することのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、基板の一方面側に設けられた第１遮光層と、前記第１遮光層に対して前記基板とは反対側に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層に対して前記基板とは反対側の前記第１遮光層と平面視で重なる位置に設けられ、第１方向に延在する半導体層と、前記半導体層に対して前記基板とは反対側に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層に対して前記基板とは反対側の前記半導体層と平面視で重なる位置に設けられた第２遮光層と、を有し、前記基板の前記一方面は、前記半導体層に対して前記第１方向と交差した第２方向の側に第１凹部を備え、前記第１遮光層は、前記第１凹部と前記半導体層との間に位置する第１部分と、前記第１凹部の前記半導体層とは反対側に位置する第２部分と、を備え、前記第１絶縁層は、前記第１遮光層の前記第１部分および前記第２部分の各々の一部が露出するように前記第１凹部と平面視で重なる位置に第１開口部を備え、前記第２遮光層は、前記半導体層と平面視で重なる位置から前記第１凹部の内部まで延在し、かつ、前記第１遮光層の前記第１部分および前記第２部分と接していることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る電気光学装置の一態様では、半導体層に対して基板の側に第１遮光層が設けられているため、基板の側から半導体層に向けて入射しようとする光を第１遮光層によって遮ることができる。また、半導体層の第２方向の一方側では、基板の一方面に第１凹部が設けられており、第２遮光層は、絶縁層の第１開口部を通って第１凹部の内部まで延在し、第１遮光層の第１部分および第２部分と接している。このため、基板の側から半導体層に向けて第２方向の一方側から斜めに入射しようとする光を第２遮光層によって遮ることができる。また、第２遮光層は、半導体層と平面視で重なる位置から第２凹部の内部まで延在している。このため、第２遮光層を形成する際、凹部の側面に第２遮光層が適正に成膜されにくいという事態や、第２遮光層を形成する際の第２方向でのマスクずれ等が発生しても、第２遮光層を第１凹部の内側に確実に設けることができる。このため、基板の側から半導体層に向けて第２方向の一方側から斜めに入射しようとする光を第２遮光層によって確実に遮ることができる。従って、半導体層およびゲート絶縁層を備えたスイッチング素子において、光の入射に起因する光リーク電流の発生等を抑制することができる。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置の他の態様において、前記第２遮光層は、ゲート電極である構成を採用することができる。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置の他の態様において、前記第１遮光層は、バックゲート電極である構成を採用することができる。
【００１１】
本発明に係る電気光学装置の他の態様において、前記第２遮光層に対して前記基板とは反対側に設けられた第３遮光層を有し、前記第３遮光層は、一部が前記第１凹部の内部に位置していることが好ましい。かかる態様によれば、基板の側から半導体層に向けて第２方向の一方側から斜めに入射しようとする光を第３遮光層によって遮ることができる。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置の他の態様において、前記第３遮光層は、データ線である構成を採用することができる。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置の他の態様において、前記半導体層に電気的に接続された画素電極を有し、前記画素電極は、前記第３遮光層を介して前記半導体層に電気的に接続されている構成を採用することができる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の他の態様において、前記第１遮光層は、前記第１凹部の内部には設けられていない態様を採用することができる。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置の他の態様において、前記第１遮光層は、一部が前記第１凹部の内部に設けられ、前記第１遮光層の前記第１部分および前記第２部分は、前記第１遮光層の前記第１凹部の内部に設けられた部分を介して電気的に接続されていることが好ましい。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置の他の態様において、前記基板の前記一方面は、前記半導体層に対して前記第１凹部とは反対側に第２凹部が設けられ、前記第１遮光層は、前記第１凹部と前記半導体層との間に位置する第３部分と、前記第１凹部の前記半導体層とは反対側に位置する第４部分と、を備え、前記第１絶縁層は、前記第１遮光層の前記第３部分および前記第４部分の各々の一部が露出するように前記第２凹部と平面視で重なる位置に第２開口部を備え、前記第２遮光層は、前記半導体層と平面視で重なる位置から前記第２凹部の内部まで延在し、かつ、前記第１遮光層の前記第３部分および前記第４部分と接していることが好ましい。かかる構成によれば、基板の側から半導体層に向けて第２方向の他方側から斜めに入射しようとする光を第２遮光層によって遮ることができる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置の他の態様において、前記第１遮光層は、前記第１方向に沿って延在する走査線である構成を採用することができる。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置の他の態様において、前記第１遮光層および前記第２遮光層のうちの一方は、前記第２方向に沿って延在する走査線である構成を採用することができる。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様は、基板の一方面側に一部が離間した第１遮光層を形成する工程と、第１絶縁層を形成する工程と、前記第１遮光層と平面視で重なる位置に第１方向に延在する半導体層を形成する工程と、第２絶縁層を形成する工程と、前記基板の一方面側の前記第１遮光層の離間した部分に第１凹部を形成する工程と、前記半導体層と平面視で重なる位置に第２遮光層を形成する工程と、を有し、前記第１凹部を形成する工程では、離間した前記第１遮光層の各々の一部が露出され、前記第１遮光層の離間した部分は、前記半導体層に対して前記第１方向と交差した第２方向の側に位置し、前記第２遮光層は、前記半導体層と平面視で重なる位置から前記第１凹部の内部まで延在し、かつ、離間した前記第１遮光層とそれぞれ接していることを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の別の態様は、基板の一方面側に一部が離間した第１遮光層を形成する工程と、前記基板の一方面側の前記第１遮光層の離間した部分に第１凹部を形成する工程と、第１絶縁層を形成する工程と、前記第１遮光層と平面視で重なる位置に第１方向に延在する半導体層を形成する工程と、第２絶縁層を形成する工程と、前記第１凹部と平面視で重なる位置に、離間した前記第１遮光層の各々の一部が露出するように第１開口部を形成する工程と、前記半導体層と平面視で重なる位置に第２遮光層を形成する工程と、を有し、前記第１遮光層の離間した部分は、前記半導体層に対して前記第１方向と交差した第２方向の側に位置し、前記第２遮光層は、前記半導体層と平面視で重なる位置から前記第１凹部の内部まで延在し、かつ、離間した前記第１遮光層とそれぞれ接していることを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置の製造方法のさらに別の態様は、基板の一方面側に第１凹部を形成する工程と、前記基板の一方面側に前記第１凹部と平面視で重なる位置で一部が離間するように第１遮光層を形成する工程と、第１絶縁層を形成する工程と、前記第１遮光層と平面視で重なる位置に第１方向に延在する半導体層を形成する工程と、第２絶縁層を形成する工程と、前記第１凹部と平面視で重なる位置に、離間した前記第１遮光層の各々の一部が露出するように第１開口部を形成する工程と、前記半導体層と平面視で重なる位置に第２遮光層を形成する工程と、を有し、前記第１遮光層の離間した部分は、前記半導体層に対して前記第１方向と交差した第２方向の側に位置し、前記第２遮光層は、前記半導体層と平面視で重なる位置から前記第１凹部の内部まで延在し、かつ、離間した前記第１遮光層とそれぞれ接していることを特徴とする。
【００２２】
本発明に係る電気光学装置は各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置には、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成の一態様を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の一態様を模式的に示す平面図である。
【図３】図２に示す電気光学装置のＨ−Ｈ′断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板において隣り合う画素の一態様を示す平面図である。
【図５】図４に示す画素の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置における画素トランジスターに対する遮光構造の一態様を示す平面図である。
【図７】図６に示す遮光構造の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法の第１例を示す工程断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法の第１例を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法の第２例を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の素子基板において隣り合う画素の一態様を示す平面図である。
【図１２】図１１に示す画素の断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置における画素トランジスターに対する遮光構造の一態様を示す平面図である。
【図１４】図１３に示す遮光構造の断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置における画素トランジスターに対する遮光構造の一態様を示す断面図ある。
【図１６】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置における画素トランジスターに対する遮光構造の一態様を示す断面図ある。
【図１８】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置および製造方法に本発明を適用した例を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板が位置する側を意味する。
【００２５】
また、以下の説明では、素子基板１０の基板面に沿う方向のうち、走査線３ａが延在している方向をＸ方向とし、データ線６ａが延在している方向をＹ方向とし、半導体層１ａが延在している方向を第１方向Ｃとし、半導体層と交差する方向を第２方向Ｄとして説明する。また、Ｘ方向、Ｙ方向、第１方向Ｃおよび第２方向Ｄの一方側を各々、一方側Ｘ１、Ｙ１、Ｃ１およびＤ１とし、Ｘ方向、Ｙ方向、第１方向Ｃおよび第２方向Ｄの他方側を各々、他方側Ｘ２、Ｙ２、Ｃ２およびＤ２として説明する。なお、以下に説明する実施の形態のうち、実施の形態１、３では、第１方向ＣがＸ方向に相当し、第２方向ＤがＹ方向に相当する。これに対して、実施の形態２、４では、第１方向ＣがＹ方向に相当し、第２方向ＤがＸ方向に相当する。
【００２６】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成の一態様を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードやＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶パネル１００ｐを有する液晶装置であり、かかる液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差に対応して画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２７】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２８】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ａが形成されており、容量線５ａには共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。
【００２９】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の一態様を模式的に示す平面図である。図３は、図２に示す電気光学装置１００のＨ−Ｈ′断面図である。
【００３０】
図２および図３に示すように、電気光学装置１００では、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって封止されている。
【００３１】
液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００３２】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００３３】
図４および図５等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００３４】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００３５】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。
【００３６】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。
【００３７】
本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の透光性導電膜からなる。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３８】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。また、電気光学装置１００がＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる場合、素子基板１０や対向基板２０において画素電極９ａと重なる位置にマイクロレンズが形成されることがある。
【００３９】
（画素の具体的構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０において隣り合う画素１００ａの一態様を示す平面図である。図５は、図４に示す画素１００ａの断面図であり、図４のＦ１−Ｆ１′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。また、図４では、各領域を以下の線で表してある。
【００４０】
第１遮光層４ａ（第１遮光層）＝細い実線
半導体層１ａ＝細い一点鎖線
ゲート電極３ｃ（第２遮光層）および走査線３ａ＝太い実線
第３遮光層６ｂ（データ線６ａ）およびドレイン電極６ｃ＝太い一点鎖線
容量電極７ａ＝細い二点鎖線
容量線５ａ＝細くて長い破線
画素電極９ａ＝太くて短い破線
第１凹部１１、第２凹部１２、第１開口部４１ａおよび第２開口部４１ｂ＝点線
【００４１】
図４に示すように、素子基板１０には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた縦横の画素間領域１０ｆと重なる領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向に延在する第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って走査線３ａが延在し、Ｙ方向に延在する第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿ってデータ線６ａが延在している。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。また、素子基板１０には、データ線６ａと重なるように、容量線５ａが形成されている。
【００４２】
図４および図５に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板１０ｗ（基板）を有している。基板１０ｗの一方面１０ｓ側には、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の金属膜、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属化合物等の遮光性の導電膜からなる第１遮光層４ａ（第１遮光層）が形成されている。第１遮光層４ａは、後述するように、画素トランジスター３０に対するバックゲート電極としても機能している。第１遮光層４ａは、走査線３ａとして構成されており、第１方向Ｃ（Ｘ方向）に延在している。
【００４３】
基板１０ｗの一方面１０ｓ側において、第１遮光層４ａの上層側には、シリコン酸化膜等の第１絶縁層４１（第１絶縁層）が形成されており、かかる第１絶縁層４１の上層側に、画素トランジスター３０を構成するための半導体層１ａが形成されている。
【００４４】
画素トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域において、走査線３ａに沿って第１方向Ｃ（Ｘ方向）に延在する半導体層１ａと、半導体層１ａと交差する第２方向Ｄ（Ｙ方向）に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃ（第２遮光層）とを備えている。画素トランジスター３０は、半導体層１ａの上層側にゲート絶縁層２（第２絶縁層）を有しており、ゲート絶縁層２の上層側にゲート電極３ｃ（第２遮光層）を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域１ｂ１、１ｃ１を備え、低濃度領域１ｂ１、１ｃ１に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域１ｂ２、１ｃ２を備えている。
【００４５】
半導体層１ａは、多結晶シリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、例えば、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる第２ゲート絶縁層との２層構造からなる。
【００４６】
ゲート電極３ｃは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属膜、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属化合物等の遮光性の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、図６および図７を参照して後述するように、半導体層１ａの第２方向Ｄの両側において、ゲート絶縁層２および第１絶縁層４１を貫通する第１開口部４１ａの内側および第２開口部４１ｂの内側で第１遮光層４ａと接している。
【００４７】
ゲート電極３ｃの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２（第２絶縁層）が形成されており、層間絶縁膜４２の上層には、第３遮光層６ｂおよびドレイン電極６ｃが同一種類の導電膜によって形成されている。第３遮光層６ｂおよびドレイン電極６ｃは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属膜、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属化合物等の遮光性の導電膜からなる。第３遮光層６ｂは、層間絶縁膜４２およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂの高濃度領域１ｂ２に導通している。ドレイン電極６ｃは、層間絶縁膜４２およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン領域１ｃの高濃度領域１ｃ２に導通している。第３遮光層６ｂは、データ線６ａとして構成されており、半導体層１ａの延在方向と交差する第２方向Ｄ（Ｙ方向）に延在している。
【００４８】
第３遮光層６ｂおよびドレイン電極６ｃの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されている。層間絶縁膜４４の表面は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等によって平坦面になっている。
【００４９】
層間絶縁膜４４の上層側には容量電極７ａが形成され、容量電極７ａの上層側には誘電体層４０が形成されている。誘電体層４０の上層側には容量線５ａが形成されている。容量線５ａは、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分から第２画素間領域１０ｈ（データ線６ａ）と重なるようにＹ方向に延在する本線部分５ａ１と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分から第１画素間領域１０ｇ（走査線３ａ）と重なるように他方側Ｘ２に突出した突出部分５ａ２とを有している。容量電極７ａは、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分から第２画素間領域１０ｈ（データ線６ａ）と重なるようにＹ方向の他方側Ｙ２に向けて延在する本線部分７ａ１と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分から、第１画素間領域１０ｇ（走査線３ａ）と重なるようにＸ方向の他方側Ｘ２に向けて突出した突出部分７ａ２とを備えたＬ字形状に形成されている。容量電極７ａおよび容量線５ａは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属膜、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属化合物等の遮光性の導電膜からなる。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。
【００５０】
容量電極７ａと誘電体層４０の端部との間等には、シリコン酸化膜等の透光性の絶縁膜４６がエッチングストッパー層として形成されており、かかる絶縁膜４６には、容量電極７ａと重なる領域に開口部４６ａが形成されている。従って、容量電極７ａと容量線５ａとは、開口部４６ａの内側で誘電体層４０を介して対向し、蓄積容量５５を構成している。開口部４６ａは、図４では図示を省略するが、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分から第２画素間領域１０ｈ（データ線６ａ）と重なるようにＹ方向の他方側Ｙ２に向けて延在する本線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分から、第１画素間領域１０ｇ（走査線３ａ）と重なるようにＸ方向の他方側Ｘ２に向けて突出した突出部分とを備えたＬ字形状に形成されている。容量電極７ａは、ドレイン電極６ｃと平面視で部分的に重なっており、層間絶縁膜４４に形成されたコンタクトホール４４ａを介して、ドレイン電極６ｃと導通している。
【００５１】
容量線５ａの上層側には透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、層間絶縁膜４５の上層側には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、容量電極７ａのうち、容量線５ａから露出している部分に平面視で部分的に重なっており、層間絶縁膜４５に形成されたコンタクトホール４５ａを介して容量電極７ａと導通している。従って、画素電極９ａは、容量電極７ａおよびドレイン電極６ｃを介して画素トランジスター３０のドレイン領域１ｃの高濃度領域１ｃ２に導通している。
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。
【００５２】
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００５３】
（画素トランジスター３０に対する遮光構造）
図６は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００における画素トランジスター３０に対する遮光構造の一態様を示す平面図である。図７は、図６に示す遮光構造の断面図であり、画素トランジスター３０の周辺を図６のＧ１−Ｇ１′線に相当する位置で切断したときの断面図である。なお、図６および図７には、基板１０ｗ、第１遮光層４ａ、第１絶縁層４１、半導体層１ａ、ゲート絶縁層２（第２絶縁層）、ゲート電極３ｃ（第２遮光層）、層間絶縁膜４２、第３遮光層６ｂ（データ線６ａ）、およびドレイン電極６ｃのみを示し、第３遮光層６ｂより上層側の図示を省略してある。
【００５４】
本形態において、半導体層１ａには、上層側の第３遮光層６ｂ、ドレイン電極６ｃ、容量電極７ａ、および容量線５ａ等の遮光層が平面視で重なっている。このため、半導体層１ａに対して上層側から入射しようとする光は、上記の遮光層で遮られる。
【００５５】
また、図６および図７に示すように、素子基板１０は、基板１０ｗの一方面１０ｓ側に、導電性の第１遮光層４ａと、第１遮光層４ａの上層側に設けられた第１絶縁層４１（絶縁層）とを有しており、第１絶縁層４１の上層側には、Ｘ方向（第１方向）に延在して第１遮光層４ａと全体が平面視で重なるように半導体層１ａが形成されている。第１遮光層４ａは、同一の幅寸法（Ｙ方向の寸法）をもってＸ方向に延在し、データ線６ａと交差する部分は、幅広の遮光部分４ｅになっている。このため、半導体層１ａのチャネル領域１ｇ、ソース領域１ｂの低濃度領域１ｂ１、およびドレイン領域１ｃの低濃度領域１ｃ１に基板１０ｗの側からから入射しようとする光は、第１遮光層４ａで遮られる。
【００５６】
ここで、基板１０ｗの一方面１０ｓには、半導体層１ａに対して第２方向Ｄの一方側Ｄ１（Ｙ方向の一方側Ｙ１）に第１凹部１１が形成され、半導体層１ａに対して第２方向Ｄの他方側Ｄ２（Ｙ方向の他方側Ｙ２）に第２凹部１２が形成されている。従って、第１遮光層４ａは、第１凹部１１の内部および第２凹部１２内部に設けられておらず、第２方向Ｄで離間する部分を有している。より具体的には、第１遮光層４ａは、第１凹部１１と半導体層１ａとの間に位置する第１部分４ａ１と、第１凹部１１の半導体層１ａとは反対側に位置する第２部分４ａ２とを備えており、第１部分４ａ１の半導体層１ａとは反対側の縁、および第２部分４ａ２の半導体層１ａ側の縁は、第１凹部１１の開口縁と平面視で重なっている。また、第１遮光層４ａは、第２方向Ｄで離間する部分を有している。また、第１遮光層４ａは、第２凹部１２と半導体層１ａとの間に位置する第３部分４ａ３と、第２凹部１２の半導体層１ａとは反対側に位置する第４部分４ａ４とを備えており、第３部分４ａ３の半導体層１ａとは反対側の縁、および第４部分４ａ４の半導体層１ａ側の縁は、第２凹部１２の開口縁と平面視で重なっている。
【００５７】
第１絶縁層４１には、第１凹部１１と平面視で重なる位置に第１開口部４１ａが形成されている。本形態において、第１開口部４１ａは、ゲート絶縁層２および第１絶縁層４１を貫通するように形成されている。第１開口部４１ａは、第１凹部１１より平面サイズが大きく、第１開口部４１ａの開口縁は、第１凹部１１の開口縁より第１方向Ｃの外側に位置する。このため、第１開口部４１ａは、第１遮光層４ａの第１部分４ａ１の少なくとも一部（第１凹部１１と隣り合う部分）、および第１遮光層４ａの第２部分４ａ２の少なくとも一部（第１凹部１１と隣り合う部分）を露出させている。
【００５８】
また、第１絶縁層４１には、第２凹部１２と平面視で重なる位置に第２開口部４１ｂが形成されている。本形態において、第２開口部４１ｂは、ゲート絶縁層２および第１絶縁層４１を貫通するように形成されている。第２開口部４１ｂは、第２凹部１２より平面サイズが大きく、第２開口部４１ｂの開口縁は、第２凹部１２の開口縁より第２方向Ｄの外側に位置する。このため、第２開口部４１ｂは、第１遮光層４ａの第３部分４ａ３の少なくとも一部（第２凹部１２と隣り合う部分）、および第１遮光層４ａの第４部分４ａ４の少なくとも一部（第２凹部１２と隣り合う部分）を露出させている。
【００５９】
ゲート電極３ｃは、半導体層１ａと平面視で重なる位置から第１凹部１１の内側を通って第１開口部４１ａよりＹ方向の一方側Ｙ１に向けて延在した第１延在部分３ｃ１と、半導体層１ａと平面視で重なる位置から第２凹部１２の内側を通って第２開口部４１ａよりＹ方向の他方側Ｙ２に向けて延在した第２延在部分３ｃ２とを有している。
【００６０】
第１延在部分３ｃ１は、第１開口部４１ａの内側において第１遮光層４ａの第１部分４ａ１と接し、さらに、第１凹部１１の内部では第１凹部１１のＹ方向の他方側Ｙ２の側面１１ａ、第１凹部１１の底部１１ｃ、および第１凹部１１のＹ方向の一方側Ｙ１の側面１１ｂに沿うように延在して第１開口部４１ａの内側において第１遮光層４ａの第２部分４ａ２と接している。第２延在部分３ｃ２は、第２開口部４１ａの内側において第１遮光層４ａの第３部分４ａ３と接し、さらに、第２凹部１２の内部では第２凹部１２のＹ方向の一方側Ｙ１の側面１２ａ、第２凹部１２の底部１２ｃ、および第２凹部１２のＹ方向の他方側Ｙ２の側面１２ｂに沿うように延在して第２開口部４１ｂの内側において第１遮光層４ａの第４部分４ａ４と接している。
【００６１】
ゲート電極３ｃの第１延在部分３ｃ１は、第１凹部１１の底部１１ｃと重なる部分が、基板１０ｗを基準としたときの高さ方向において、第１遮光層４ａより低い位置にあり、ゲート電極３ｃの第２延在部分３ｃ２は、第２凹部１２の底部１２ｃと重なる部分が、基板１０ｗを基準としたときの高さ方向において、第１遮光層４ａより低い位置にある。
【００６２】
第３遮光層６ｂは、Ｙ方向に延在し、第１開口部４１ａ、第１凹部１１、第２開口部４１ｂ、および第２凹部１２と平面視で重なっている。このため、第３遮光層６ｂは、層間絶縁膜４２とともに、第１開口部４１ａを介して第１凹部１１の内部まで形成されており、第３遮光層６ｂは、第１凹部１１の底部１１ｃと重なる部分が、基板１０ｗを基準としたときの高さ方向において第１遮光層４ａより低い位置にある。また、第３遮光層６ｂは、層間絶縁膜４２とともに、第２開口部４１ｂを介して第２凹部１２の内部まで形成されており、第３遮光層６ｂは、第２凹部１２の底部１２ｃと重なる部分が、基板１０ｗを基準としたときの高さ方向において第１遮光層４ａより低い位置にある。
【００６３】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、半導体層１ａの第２方向Ｄの一方側Ｄ１では、基板１０ｗの一方面１０ｓに第１凹部１１が設けられており、ゲート電極３ｃ（第２遮光層）には、第１絶縁層４１の第１開口部４１ａを通って第１凹部１１の内側まで延在して第１遮光層４ａの第１部分４ａ１および第２部分４ａ２と接する第１延在部分３ｃ１が設けられている。このため、基板１０ｗの側から半導体層１ａに向けて第２方向Ｃの一方側Ｃ１から斜めに入射しようとする光をゲート電極３ｃの第１延在部分３ｃ１および第１遮光層４ａによって遮ることができる。また、半導体層１ａの第２方向Ｄの他方側Ｄ２では、基板１０ｗの一方面１０ｓに第２凹部１２が設けられており、ゲート電極３ｃには、第１絶縁層４１の第２開口部４１ａを通って第２凹部１２の内側まで延在して第１遮光層４ａの第３部分４ａ３および第４部分４ａ４と接する第２延在部分３ｃ２が設けられている。このため、基板１０ｗの側から半導体層１ａに向けてＤ方向の他方側Ｄ２から斜めに入射しようとする光をゲート電極３ｃの第２延在部分３ｃ２および第１遮光層４ａによって遮ることができる。
【００６４】
特に、本形態では、半導体層１ａのドレイン領域１ｃの低濃度領域１ｃ１が第２方向Ｄにおいて第１凹部１１と第２凹部１２とに挟まれているため、半導体層１ａの低濃度領域１ｃ１に対して、基板１０ｗの側から半導体層１ａに向けてＸ方向から斜めに入射しようとする光をゲート電極３ｃの第１延在部分３ｃ１および第２延在部分３ｃ２によって遮ることができる。それ故、画素トランジスター３０において、光リーク電流に起因する誤動作が発生しにくい。
【００６５】
また、ゲート電極３ｃの第１延在部分３ｃ１は、第１凹部１１の内側を通って第１開口部４１ａから半導体層１ａとは反対側（第２方向Ｄの一方側Ｄ１）まで延在している。また、ゲート電極３ｃの第２延在部分３ｃ２は、第２凹部１２の内側を通って第２開口部４１ｂから半導体層１ａとは反対側（第２方向Ｄの他方側Ｄ２）まで延在している。このため、ゲート電極３ｃとなる導電膜を形成する際、第１凹部１１および第２凹部１２の側面に導電膜が適正に成膜されにくいという事態や、ゲート電極３ｃを形成する際の第２方向Ｄでのマスクずれ等が発生しても、ゲート電極３ｃの第１延在部分３ｃ１が第１凹部１１の内側に確実に設けられ、ゲート電極３ｃの第２延在部分３ｃ２が第２凹部１２の内側に確実に設けられる。このため、基板１０ｗの側から半導体層１ａに向けてＸ方向から斜めに入射しようとする光をゲート電極３ｃの第１延在部分３ｃ１および第２延在部分３ｃ２によって十分に遮ることができる。従って、半導体層１ａ、ゲート絶縁層２、およびゲート電極３ｃを備えた画素トランジスター３０において、光の入射に起因する光リーク電流の発生等を抑制することができる。
【００６６】
また、第１遮光層４ａは、走査線３ａのうち、半導体層１ａに第１絶縁層４１を介して重なる部分からなる。このため、第１遮光層４ａは、バックゲート電極としても機能するので、画素トランジスター３０の動作特性を向上することができる。
【００６７】
また、第３遮光層６ｂは、第１凹部１１の内部および第２凹部１２の内部まで設けられている。このため、基板１０ｗの側から半導体層１ａに向けてＸ方向から斜めに入射しようとする光をデータ線６ａによって遮ることができる。
【００６８】
（製造方法の第１例）
図８および図９は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法の第１例を示す工程断面図である。図８は、第１凹部１１および第２凹部１２を形成するまでの工程を示す説明図であり、図９は、第１凹部１１および第２凹部１２を形成した後、第３遮光膜を形成するまでの工程を示す説明図である。
【００６９】
本形態では、以下に説明するいずれの製造方法でも、ゲート電極３ｃを形成する前に、凹部形成工程において、基板１０ｗの一方面１０ｓに第１凹部１１および第２凹部１２を形成する。また、ゲート電極３ｃを形成する前、かつ、凹部形成工程の前あるいは後に、開口部形成工程において、第１絶縁層４１に第１開口部４１ａおよび第２開口部４１ｂを形成する。また、ゲート電極３ｃを形成する第２遮光層形成工程では、第１延在部分３ｃ１および第２延在部分３ｃ２をゲート電極３ｃに設ける。
【００７０】
より具体的には、まず、図８に示す第１遮光層工程ＳＴ１１、ＳＴ１２では、基板１０Ｗの一方面１０ｓ側に第１遮光層４を形成した後、第１遮光層４の表面にマスク（図示せず）を形成した状態で第１遮光層４をエッチングする。その結果、第１遮光層４では、半導体層１ａの形成予定領域の第２方向Ｄの両側で、第１部分４ａ１（一部）と第２部分４ａ２（一部）とが離間し、第３部分４ａ３（一部）と第４部分４ａ４（一部）とが離間する。次に、第１絶縁層形成工程ＳＴ１３では、第１遮光層４ａの上層側に第１絶縁層４１を形成する。
【００７１】
次に、半導体層形成工程ＳＴ１４では、第１絶縁層４１の上層に半導体膜を形成した後、半導体膜の表面にマスク（図示せず）を形成した状態で半導体膜をエッチングし、第１遮光層４ａと平面視で重なる位置に第１方向Ｃに延在する半導体層１ａを形成する。次に、半導体層１ａの上層側にゲート絶縁層２（第２絶縁層）を形成する。
【００７２】
次に、凹部形成工程ＳＴ１５において、ゲート絶縁層２の表面にマスク（図示せず）を形成した状態でゲート絶縁層２および第１絶縁層４１をエッチングし、第１絶縁層４１の半導体層１ａの第２方向Ｄの両側において、第１遮光層４ａの離間した部分に第１開口部４１ａ、および第２開口部４１ｂを形成する。続いて、第１開口部４１ａおよび第２開口部４１ｂを介して、基板１０ｗの一方面１０ｓのうち、第１遮光層４ａの離間した部分に第１凹部１１および第２凹部１２をエッチングにより形成する。その結果、第１遮光層４ａにおいて離間した各々の一部（第１部分４ａ１、第２部分４ａ２、第３部分４ａ３および第４部分４ａ４の一部）が露出する。また、第１遮光層４ａの離間した部分は、後に形成する半導体層１ａと交差した第２方向Ｄの側に位置する。かかる凹部形成工程ＳＴ１５において、第１開口部４１ａおよび第２開口部４１ｂの形成と、第１凹部１１および第２凹部１２の形成とは、連続して行ってもよいし、別々の工程で行ってもよい。
【００７３】
次に、図９に示すゲート電極形成工程ＳＴ１６では、ゲート絶縁層２の表面に第２遮光層３を形成した後、第２遮光層３の表面にマスク（図示せず）を形成した状態で第２遮光層３をエッチングし、半導体層１ａと重なる位置にゲート電極３ｃを形成する。その際、ゲート電極３ｃには、半導体層１ａと平面視で重なる位置から第１凹部１１および第２凹部１２の内部まで延在する第１延在部分３ｃ１および第２延在部分３ｃ２が形成され、ゲート電極３ｃは、第１遮光層４ａにおいて離間する各々の一部（第１部分４ａ１、第２部分４ａ２、第３部分４ａ３、第４部分４ａ４の一部）に接する。次に、ゲート電極３ｃをマスクにして半導体層１ａに対する高濃度不純物の注入、およびゲート電極３ｃを広めに覆うマスクを形成した状態での半導体層１ａに対する低濃度度不純物の注入を行い、半導体層１ａにソース領域１ｂ、チャネル領域１ｇ、およびドレイン領域１ｃを形成する。
【００７４】
次に、第２絶縁層形成工程ＳＴ１７において層間絶縁膜４２を形成する。次に、第３遮光層形成工程ＳＴ１８において、層間絶縁膜４２の表面に第３遮光層６を形成した後、第３遮光層６の表面にマスク（図示せず）を形成した状態で第３遮光層６をエッチングし、図７等に示す第３遮光層６ｂ（データ線６ａ）およびドレイン電極６ｃを形成する。
【００７５】
その後、図５に示す層間絶縁膜４４、容量電極７ａ、絶縁膜４６、誘電体層４０、容量線５ａ、層間絶縁膜４５、画素電極９ａ、および配向膜１６を順次形成する。
【００７６】
このような方法によれば、凹部形成工程ＳＴ１５において第１開口部４１ａ、および第２開口部４１ｂを形成した後、第１遮光層４ａをマスクにして、第１遮光層４ａの離間する部分に対して自己整合的に第１凹部１１および第２凹部１２を形成することができる。
【００７７】
（製造方法の第２例）
図１０は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法の第２例を示す説明図である。本形態では、図１０に示す第１遮光層工程ＳＴ１１、ＳＴ１２において、基板１０Ｗの一方面１０ｓ側に第１遮光層４を形成した後、第１遮光層４の表面にマスク（図示せず）を形成した状態で第１遮光層４をエッチングする。その結果、半導体層１ａの形成予定領域の両側に、第１部分４ａ１（一部）と第２部分４ａ２（一部）とが離間し、第３部分４ａ３（一部）と第４部分４ａ４（一部）とが離間した第１遮光層４ａが形成される。
【００７８】
続いて、凹部形成工程ＳＴ２３では、第１遮光層４ａの離間した部分に第１凹部１１および第２凹部１２を形成する。その結果、第１遮光層４ａにおいて離間した各々の一部が露出する。また、第１遮光層４ａの離間した部分は、後に形成する半導体層１ａに対して第２方向Ｄの側に位置する。
【００７９】
次に、第１絶縁層形成工程ＳＴ２３では、第１遮光層４ａの上層側に第１絶縁層４１を形成する。次に、半導体層形成工程ＳＴ２４では、第１絶縁層４１の上層に半導体膜を形成した後、半導体膜の表面にマスク（図示せず）を形成した状態で半導体膜をエッチングし、第１遮光層４ａと重なる位置に半導体層１ａを形成する。次に、半導体層１ａの上層側にゲート絶縁層２（第２絶縁層）を形成する。
【００８０】
次に、開口部形成工程ＳＴ２５において、ゲート絶縁層２の表面にマスク（図示せず）を形成した状態でゲート絶縁層２および第１絶縁層４１をエッチングし、ゲート絶縁層２および第１絶縁層４１に対して、第１凹部１１と平面視で重なる第１開口部４１ａ、および第２凹部１２と平面視で重なる第２開口部４１ｂを半導体層１ａの第２方向の両側に形成する。その結果、第１遮光層４ａにおいて離間した各々の一部（第１部分４ａ１、第２部分４ａ２、第３部分４ａ３および第４部分４ａ４の一部）が露出する。
【００８１】
その後は、図９を参照して説明したゲート電極形成工程ＳＴ１６、不純物注入工程、第２絶縁層形成工程ＳＴ１７、および第３遮光層形成工程ＳＴ１８等を行う。
【００８２】
［実施の形態２］
（画素の具体的構成）
図１１は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の素子基板１０において隣り合う画素１００ａの一態様を示す平面図である。図１２は、図１１に示す画素１００ａの断面図であり、図１１のＦ２−Ｆ２′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。
【００８３】
図１３は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００における画素トランジスター３０に対する遮光構造の一態様を示す平面図である。図１４は、図１３に示す遮光構造の断面図であり、画素トランジスター３０の周辺を図１２のＧ２−Ｇ２′線に相当する位置で切断したときの断面図である。なお、図１２には、第１遮光層４ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ｃ（第２遮光層）、ソース電極６ｄ、第３遮光層６ｅ（ドレイン電極）、およびデータ線６ａ等を示し、図１３には、基板１０ｗ、第１遮光層４ａ、第１絶縁層４１、半導体層１ａ、ゲート絶縁層２（第２絶縁層）、ゲート電極３ｃ（第２遮光層）、層間絶縁膜４２、ソース電極６ｄ、および第３遮光層６ｅ（ドレイン電極）等を示してある。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００８４】
図１１、図１２、図１３および図１４に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、基板１０ｗの一方面１０ｓ側において、第１遮光層４ａの上層側にはシリコン酸化膜等の第１絶縁層４１（第１絶縁層）が形成されている。第１絶縁層４１の上層側に、画素トランジスター３０を構成するための半導体層１ａが形成されている。
【００８５】
本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａに沿って第１方向Ｃ（Ｙ方向）に延在する半導体層１ａと、半導体層１ａと交差する第２方向Ｄ（Ｘ方向）に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃ（第２遮光層）とを備えている。画素トランジスター３０は、半導体層１ａの上層側にゲート絶縁層２を有しており、ゲート絶縁層２の上層側にゲート電極３ｃを有している。ゲート電極３ｃは半導体層１ａの第２方向Ｄの両側において、ゲート絶縁層２および第１絶縁層４１を貫通する第１開口部４１ａの内側および第２開口部４１ｂの内側で第１遮光層４ａと接している。本形態において、第１遮光層４ａは、第２方向Ｄ（Ｘ方向）に延在する走査線３ａであり、画素トランジスター３０に対するバックゲートとしても構成されている。
【００８６】
ゲート電極３ｃの上層側には層間絶縁膜４２（第２絶縁層）が形成されており、層間絶縁膜４２の上層には、ソース電極６ｄおよび第３遮光層６ｅ（ドレイン電極）が同一種類の導電膜によって形成されている。ソース電極６ｄおよび第３遮光層６ｅは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属膜、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属化合物等の遮光性の導電膜からなる。
【００８７】
ソース電極６ｄは、層間絶縁膜４２およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂの高濃度領域１ｂ２に導通している。第３遮光層６ｅは、層間絶縁膜４２およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン領域１ｃの高濃度領域１ｃ２に導通している。
【００８８】
ソース電極６ｄおよび第３遮光層６ｅ（ドレイン電極）の上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４３が形成されている。層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ処理等によって平坦面になっている。層間絶縁膜４３の上層には、第１方向Ｃ（Ｙ方向）に延在する導電膜８ａが形成されており、かかる導電膜８ａによってデータ線６ａが構成されている。
【００８９】
データ線６ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されている。層間絶縁膜４４の上層側の構成は、実施の形態１と同様であり、画素電極９ａは、容量電極７ａおよび第３遮光層６ｅを介して画素トランジスター３０のドレイン領域１ｃの高濃度領域１ｃ２に導通している。
【００９０】
本形態でも、以下に説明するように、実施の形態１と同様な遮光構造が設けられている。まず、素子基板１０は、基板１０ｗの一方面１０ｓ側に、導電性の第１遮光層４ａと、第１遮光層４ａの上層側に設けられた第１絶縁層４１とを有しており、第１絶縁層４１の上層側には、第１方向Ｃ（Ｙ方向）に延在して第１遮光層４ａと略全体が平面視で重なるように半導体層１ａが形成されている。第１遮光層４ａは、同一の幅寸法（Ｙ方向の寸法）をもってＸ方向に延在し、データ線６ａと交差する部分は、幅広の遮光部分４ｅになっている。このため、半導体層１ａのチャネル領域１ｇ、ソース領域１ｂの低濃度領域１ｂ１、およびドレイン領域１ｃの低濃度領域１ｃ１に基板１０ｗの側からから入射しようとする光は、第１遮光層４ａで遮られる。
【００９１】
ここで、基板１０ｗの一方面１０ｓには、半導体層１ａに対して第２方向Ｄ（Ｘ方向）の一方側Ｄ１（一方側Ｘ１）に第１凹部１１が形成され、半導体層１ａに対して第２方向Ｄ（Ｘ方向）の他方側Ｄ２（他方側Ｘ２）に第２凹部１２が形成されている。従って、第１遮光層４ａは、第１凹部１１と半導体層１ａとの間に位置する第１部分４ａ１と、第１凹部１１の半導体層１ａとは反対側に位置する第２部分４ａ２とを備えており、第１部分４ａ１の半導体層１ａとは反対側の縁、および第２部分４ａ２の半導体層１ａ側の縁は、第１凹部１１の開口縁と平面視で重なっている。また、第１遮光層４ａは、第２凹部１２と半導体層１ａとの間に位置する第３部分４ａ３と、第２凹部１２の半導体層１ａとは反対側に位置する第４部分４ａ４とを備えており、第３部分４ａ３の半導体層１ａとは反対側の縁、および第４部分４ａ４の半導体層１ａ側の縁は、第２凹部１２の開口縁と平面視で重なっている。
【００９２】
第１絶縁層４１には、第１凹部１１と平面視で重なる位置に第１開口部４１ａが形成されており、第１開口部４１ａは、第１遮光層４ａの第１部分４ａ１の少なくとも一部（第１凹部１１と隣り合う部分）、および第１遮光層４ａの第２部分４ａ２の少なくとも一部（第１凹部１１と隣り合う部分）を露出させている。また、第１絶縁層４１には、第２凹部１２と平面視で重なる位置に第２開口部４１ｂが形成されている。第２開口部４１ｂは、第１遮光層４ａの第３部分４ａ３の少なくとも一部（第２凹部１２と隣り合う部分）、および第１遮光層４ａの第４部分４ａ４の少なくとも一部（第２凹部１２と隣り合う部分）を露出させている。
【００９３】
ゲート電極３ｃ（第２遮光層）は、半導体層１ａと平面視で重なる位置から第１凹部１１の内側を通って第１開口部４１ａより第２方向Ｄの一方側Ｄ１に向けて延在した第１延在部分３ｃ１と、半導体層１ａと平面視で重なる位置から第２凹部１２の内側を通って第２開口部４１ａより第２方向Ｄの他方側Ｄ２に向けて延在した第２延在部分３ｃ２とを有している。このため、第１延在部分３ｃ１は、第１開口部４１ａの内側において第１遮光層４ａの第１部分４ａ１と第２部分４ａ２とに接している。第２延在部分３ｃ２は、第２開口部４１ａの内側において第１遮光層４ａの第３部分４ａ３と第４部分４ａ４とに接している。
【００９４】
第３遮光層６ｅは、第２方向Ｄに延在し、第１開口部４１ａを介して第１凹部１１の内部まで形成され、第２開口部４１ｂを介して第２凹部１２の内部まで形成されている。ここで、第３遮光層６ｅは、第１凹部１１の底部１１ｃと重なる部分、および第２凹部１２の底部１２ｃと重なる部分が、基板１０ｗを基準としたときの高さ方向において第１遮光層４ａより低い位置にある。
【００９５】
このように構成した場合も、実施の形態１と同様、基板１０ｗの側から半導体層１ａに向けて第２方向Ｄから斜めに入射しようとする光をゲート電極３ｃの第１延在部分３ｃ１、および第２延在部分３ｃ２によって遮ることができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００９６】
なお、上記の遮光構造は、図８、図９および図１０を参照して説明した工程によって実現することができる。
【００９７】
［実施の形態３］
図１５は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００における画素トランジスター３０に対する遮光構造の一態様を示す断面図であり、図７に相当する断面図である。図１６は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００９８】
実施の形態１では、第１遮光層４ａが第１凹部１１の内部および第２凹部１２の内部には形成されていなかったが、本形態では、図１１に示すように、第１遮光層４ａが第１凹部１１の内部および第２凹部１２の内部にも形成されている。このため、第１遮光層４ａは、第１凹部１１の内部では側面１１ａ、底部１１ｃ、および側面１１ｂに沿うように設けられ、第２凹部１２の内部では第２凹部１２の側面１２ａ、底部１２ｃ、および側面１２ｂに沿うように設けられている。その他の構成は、実施の形態１と同様である。
【００９９】
かかる構成によれば、第１遮光層４ａおよびゲート電極３ｃが、第１凹部１１の内側を通って第１開口部４１ａから半導体層１ａとは反対側まで延在しているとともに、第２凹部１２の内側を通って第２開口部４１ｂから半導体層１ａとは反対側まで延在している。このため、ゲート電極３ｃとなる導電膜を形成する際、第１凹部１１および第２凹部１２の側面に導電膜が適正に成膜されにくいという事態や、ゲート電極３ｃを形成する際の第２方向Ｄでのマスクずれ等が発生しても、ゲート電極３ｃの第１延在部分３ｃ１が第１凹部１１の内側に確実に設けられ、ゲート電極３ｃの第２延在部分３ｃ２が第２凹部１２の内側に確実に設けられる。従って、基板１０ｗの側から半導体層１ａに向けてＸ方向から斜めに入射しようとする光を確実に遮ることができる。
【０１００】
本形態の電気光学装置１００を製造する際も、実施の形態１と同様、ゲート電極３ｃを形成する前に、凹部形成工程において、基板１０ｗの一方面１０ｓに第１凹部１１および第２凹部１２を形成する。また、ゲート電極３ｃを形成する前、かつ、凹部形成工程の前あるいは後に、開口部形成工程において、第１絶縁層４１に第１開口部４１ａおよび第２開口部４１ｂを形成する。また、ゲート電極３ｃを形成する第２遮光層形成工程では、第１延在部分３ｃ１および第２延在部分３ｃ２をゲート電極３ｃに設ける。
【０１０１】
より具体的には、まず、図１２に示す凹部形成工程ＳＴ３１、ＳＴ３２では、まず、基板１０ｗの一方面１０ｓにマスク（図示せず）を形成した状態で基板１０ｗの一方面１０ｓをエッチングし、半導体層１ａの形成予定領域の両側に第１凹部１１および第２凹部１２を形成する。
【０１０２】
次に、遮光層形成工程ＳＴ３３では、基板１０ｗの一方面１０ｓに第１遮光層４を形成した後、第１遮光層４の表面にマスク（図示せず）を形成した状態で第１遮光層４をエッチングする。その結果、図１５に示すように、第１凹部１１および第２凹部１２と平面視で重なる位置で一部が離間するように第１遮光層４ａが形成される。
【０１０３】
その後、第１絶縁層４１の形成工程、半導体層１ａの形成工程、第２絶縁層２の形成工程、第１開口部４１ａおよび第２開口部４１ｂの形成工程、ゲート電極３ｃ（第２遮光層）の形成工程等、実施の形態１の製造方法の第２例と同様な工程を行う。
【０１０４】
［実施の形態４］
図１７は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置における画素トランジスターに対する遮光構造の一態様を示す断面図あり、図１４に相当する断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【０１０５】
実施の形態２では、第１遮光層４ａが第１凹部１１の内部および第２凹部１２の内部には形成されていなかったが、本形態では、図１７に示すように、実施の形態３と同様、第１遮光層４ａが第１凹部１１の内部および第２凹部１２の内部にも形成されている。このため、第１遮光層４ａは、第１凹部１１の内部では側面１１ａ、底部１１ｃ、および側面１１ｂに沿うように設けられ、第２凹部１２の内部では第２凹部１２の側面１２ａ、底部１２ｃ、および側面１２ｂに沿うように設けられている。その他の構成は、実施の形態２、３と同様である。かかる構成によれば、基板１０ｗの側から半導体層１ａに向けて第２方向Ｄから斜めに入射しようとする光を確実に遮ることができる等、実施の形態２と同様な効果を奏する。
【０１０６】
［他の実施の形態］
上記実施の形態２、４では、第１遮光層４ａが走査線３ａの一部であったが、ゲート電極３ｃが走査線３ａの一部であってもよい。
【０１０７】
上記実施の形態では、ゲート電極３ｃが第２遮光層として形成されていたが、絶縁性の遮光層等を第２遮光層として第１開口部４１ａの内側および第２開口部４１ｂの内側で第１遮光層４ａと接する構成を採用してもよい。
【０１０８】
［電子機器への搭載例］
図１８は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００が用いられているが、いずれの電気光学装置１００にも、本発明を適用した電気光学装置１００が用いられている。
【０１０９】
図１８に示す投射型表示装置１１０は、透過型の電気光学装置１００を用いた液晶プロジェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材１１１に光を照射し、画像を表示する。投射型表示装置１１０は、装置光軸Ｌに沿って、照明装置１６０と、照明装置１６０から出射された光が供給される複数の電気光学装置１００（液晶ライトバルブ１１５〜１１７）と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９（光合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１１９により合成された光を投射する投射光学系１１８とを有している。また、投射型表示装置１１０は、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０を備えている。投射型表示装置１１０において、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００を構成している。
【０１１０】
照明装置１６０では、装置光軸Ｌに沿って、光源部１６１、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第１インテグレーターレンズ１６２、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第２インテグレーターレンズ１６３、偏光変換素子１６４、およびコンデンサーレンズ１６５が順に配置されている。光源部１６１は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを含む白色光を出射する光源１６８と、リフレクター１６９とを備えている。光源１６８は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター１６９は、放物線状の断面を有している。第１インテグレーターレンズ１６２および第２インテグレーターレンズ１６３は、光源部１６１から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子１６４は、光源部１６１から出射された光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする。
【０１１１】
ダイクロイックミラー１１３は、照明装置１６０から出射された光に含まれる赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち、青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、照明装置１６０から出射された光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分離する色分離光学系を構成している。
【０１１２】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光Ｒを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【０１１３】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【０１１４】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。
【０１１５】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【０１１６】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【０１１７】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射する。反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射する。
【０１１８】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射する。
【０１１９】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン等の被投射部材１１１に投射する。
【０１２０】
［他の投射型表示装置］
上記投射型表示装置においては、透過型の電気光学装置１００を用いたが、反射型の電気光学装置１００を用いて投射型表示装置を構成してもよい。また、投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１２１】
［他の電子機器］
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話等に用いてもよい。
【符号の説明】
【０１２２】
１ａ…半導体層、１ｂ…ソース領域、１ｂ１…低濃度領域、１ｂ２…高濃度領域、１ｃ…ドレイン領域、１ｃ１…低濃度領域、１ｃ２…高濃度領域、１ｇ…チャネル領域、２…ゲート絶縁層（第２絶縁層）、３ａ…走査線、３ｃ…ゲート電極（第２遮光層）、３ｃ１…第１延在部分、３ｃ２…第２延在部分、４ａ…第１遮光層、４ａ１…第１部分、４ａ２…第２部分、４ａ３…第３部分、４ａ４…第４部分、５ａ…容量線、６ａ…データ線、６ｂ、６ｅ…第３遮光層、６ｃ…ドレイン電極、６ｄ…ソース電極、７ａ…容量電極、９ａ…画素電極、１０…素子基板、１０ｓ…一方面、１０ｔ…他方面、１０ｗ…基板、１１…第１凹部、１１ａ、１１ｂ…側面、１１ｃ…底部、１２…第２凹部、１２ａ、１２ｂ…側面、１２ｃ…底部、２０…対向基板、３０…画素トランジスター、４１…第１絶縁層、４１ａ…第１開口部、４１ｂ…第２開口部、４２、４３、４４、４５…層間絶縁膜、５０…液晶層、５５…蓄積容量、１００ａ…画素、１００ｐ…液晶パネル、Ｃ…第１方向、Ｄ…第２方向
【図１】
2017076022.tif 000003
【図２】
2017076022.tif 000004
【図３】
2017076022.tif 000005
【図４】
2017076022.tif 000006
【図５】
2017076022.tif 000007
【図６】
2017076022.tif 000008
【図７】
2017076022.tif 000009
【図８】
2017076022.tif 000010
【図９】
2017076022.tif 000011
【図１０】
2017076022.tif 000012
【図１１】
2017076022.tif 000013
【図１２】
2017076022.tif 000014
【図１３】
2017076022.tif 000015
【図１４】
2017076022.tif 000016
【図１５】
2017076022.tif 000017
【図１６】
2017076022.tif 000018
【図１７】
2017076022.tif 000019
【図１８】
2017076022.tif 000020