(57)【要約】【課題】ミラーが設けられたチップの温度上昇を抑制することのできる電気光学装置、電気光学ユニットおよび電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００は、ミラー５０およびミラー５０を駆動する駆動素子が形成されたチップ２と、平面視でミラー５０を覆う透光性のカバー７１と、カバー７１とチップ２との間でチップ２の一方面２ｓに接するスペーサー６１とを有している。チップ２の一方面２ｓのスペーサー６１と接する部分の全てが、第１熱伝導率を有するシリコン酸化膜等の第１物質からなり、スペーサー６１は、第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率を有する水晶等の第２物質からなる。カバー７１は、第２熱伝導率よりも高い第３熱伝導率を有するサファイア等の第３物質からなる。【選択図】図４
2017181624.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミラーおよび前記ミラーを駆動する駆動素子が形成されたチップと、
平面視で前記ミラーを覆う透光性のカバーと、
前記カバーと前記チップとの間に位置し、前記チップの一方面に接するスペーサーと、
を有し、
前記一方面の前記スペーサーと接する部分の全てが、第１熱伝導率を有する第１物質からなり、
前記スペーサーは、前記第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率を有する第２物質からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
さらに、前記スペーサーの側面の全体および前記カバーの側面の全体を覆う封止材を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記カバーは、前記第２熱伝導率よりも高い第３熱伝導率を有する第３物質からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記カバーは、前記第２熱伝導率よりも低い第３熱伝導率を有する第３物質からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記スペーサーと前記カバーは、同じ物質からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置を有する電気光学ユニットであって、
前記電気光学装置に空気を供給する送風器を有することを特徴とする電気光学ユニット。
【請求項７】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
前記ミラーに光源光を照射する光源部を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミラーを備えた電気光学装置、電気光学ユニットおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器として、例えば、光源から出射された光をＤＭＤ（デジタル・ミラー・デバイス）と呼ばれる電気光学装置の複数のミラー（マイクロミラー）によって変調した後、変調光を投射光学系によって拡大投射することにより、スクリーンに画像を表示する投射型表示装置等が知られている。かかる投射型表示装置等に用いられる電気光学装置は、例えば、ミラーおよびミラーを駆動する駆動素子が形成されたチップと、平面視でミラーを覆う透光性のカバーと、カバーとチップとの間に位置するスペーサーとを有しており、スペーサーは、カバーとチップとに接している。このように構成した電気光学装置において、光源からの光は、カバーを透過してミラーに入射し、ミラーで反射した光は、カバーを透過して出射される。このため、カバーは、光の照射が原因で温度が上昇し、それに伴い、チップの温度が上昇する。また、動作時には、チップ自身も発熱する。かかるチップの温度の上昇は、電気光学装置の誤動作や寿命低下の原因となるため、好ましくない。
【０００３】
一方、支持基板に実装したデバイスの放熱性を高める方法として、スペーサーの側面を封止樹脂で覆うとともに、封止樹脂の表面がスペーサーと接触する位置より高い位置で、封止樹脂の表面が透光性のカバーと接する構成が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許  ＵＳ  ７，８９８，７２４  Ｂ２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の構成によって、カバーから封止樹脂への熱の伝達効率を高めても、封止樹脂自身の熱伝導性が低いため、チップの温度上昇を十分に抑制することができないという問題点がある。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ミラーが設けられたチップの温度上昇を抑制することのできる電気光学装置、電気光学ユニットおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様は、ミラーおよび前記ミラーを駆動する駆動素子が形成されたチップと、平面視で前記ミラーを覆う透光性のカバーと、前記カバーと前記チップとの間に位置し、前記チップの一方面に接するスペーサーと、を有し、前記一方面の前記スペーサーと接する部分の全てが、第１熱伝導率を有する第１物質からなり、前記スペーサーは、前記第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率を有する第２物質からなることを特徴とする。
【０００７】
本発明では、光は、カバーを透過してミラーに入射し、ミラーで反射した光は、カバーを透過して出射される。その際、カバーは、光の照射が原因で温度が上昇するが、スペーサーは、チップの一方面のスペーサーと接する部分を構成する第１物質より熱伝導率が高い第２物質からなる。このため、カバーの熱がスペーサーを介してチップに伝わりにくい。また、チップが発生した熱は、スペーサーの側に逃げやすい。それ故、チップの温度上昇を抑制することができる。
【０００８】
本発明において、さらに、前記スペーサーの側面の全体および前記カバーの側面の全体を覆う封止材を有する態様を採用することができる。かかる態様によれば、カバーの熱およびスペーサーの熱を封止材に逃がすことができる。
【０００９】
本発明において、前記カバーは、前記第２熱伝導率よりも高い第３熱伝導率を有する第３物質からなる態様を採用することができる。かかる態様によれば、チップの熱を、スペーサーを介してカバーに逃がすことができる。
【００１０】
本発明において、前記カバーは、前記第２熱伝導率よりも低い第３熱伝導率を有する第３物質からなる態様を採用してもよい。
【００１１】
本発明において、前記スペーサーと前記カバーは、同じ物質からなる態様を採用してもよい。
【００１２】
本発明を適用した電気光学装置を有する電気光学ユニットでは、前記電気光学装置に空気を供給する送風器を有することが好ましい。かかる構成によれば、電気光学装置の熱を効率よく逃がすことができるので、電気光学装置の信頼性の低下等を抑制することができる。
【００１３】
本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器に用いることができ、この場合、電子機器には、前記ミラーに光源光を照射する光源部が設けられる。また、電子機器として投射型表示装置を構成した場合、電子機器には、さらに、前記ミラーによって変調された光を投射する投射光学系が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用した投射型表示装置に設けられた光学系の一例を模式的に示す説明図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の基本構成の一例を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置のミラー周辺の断面を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置全体の断面を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置の製造に用いた第２ウエハー等の製造方法を示す工程図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置の製造工程において基板および封止樹脂によって基板を封止する工程を示す工程断面図である。
【図８】本発明を適用した電気光学ユニットの説明図である。
【図９】本発明を適用した電気光学ユニットにおける送風方向を示す説明図である。
【図１０】本発明を適用した電気光学ユニットの別態様における送風方向を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、本発明を適用した電子機器として投射型表示装置を説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。図面に示しているミラー等の数は、図面上で認識可能な程度の大きさとなるように設定しているが、この図面に示した数よりも多くのミラー等を設けてもよい。
【００１６】
［電子機器としての投射型表示装置］
図１は、本発明を適用した投射型表示装置に設けられた光学系の一例を模式的に示す説明図である。図１に示す投射型表示装置１０００（電子機器）は、光源部１００２と、光源部１００２から照射された光源光を画像情報に応じて変調する電気光学装置１００と、電気光学装置１００で変調された光を投射画像としてスクリーン等の被投射物１１００に投射する投射光学系１００４とを有している。光源部１００２は、光源１０２０と、カラーフィルター１０３０とを備えている。光源１０２０は、光源源として白色光を出射し、カラーフィルター１０３０は、回転に伴って各色の光を出射し、電気光学装置１００は、カラーフィルター１０３０の回転に同期したタイミングで、入射した光を変調する。なお、カラーフィルター１０３０に代えて、光源１０２０から出射された光を各色の光に変換する蛍光体基板を用いてもよい。また、各色の光毎に光源部１００２および電気光学装置１００を設けてもよい。
【００１７】
［電気光学装置１００の基本構成］
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の基本構成の一例を模式的に示す説明図であり、図２には、その一部を分解した様子も示してある。図３は、本発明を適用した電気光学装置１００のミラー５０周辺の断面を模式的に示す説明図であり、図３には、ミラー５０が一方側に傾いた状態、およびミラー５０が他方側に傾いた状態を示してある。
【００１８】
図２および図３に示すように、電気光学装置１００は、素子基板１の一方面１ｓに複数のミラー５０がマトリクス状に配置されたチップ２を備えており、チップ２において、ミラー５０は素子基板１から離間している。素子基板１は、例えば、シリコン基板である。ミラー５０は、例えば、１辺の長さが例えば１０〜３０μｍの平面サイズを有するマイクロミラーである。ミラー５０は、例えば、８００×６００から１０２８×１０２４の配列をもって配置されており、１つのミラー５０が画像の１画素に対応する。
【００１９】
ミラー５０の表面はアルミニウム等の反射金属膜からなる反射面になっている。チップ２は、素子基板１の一方面１ｓに形成された基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を含む１階部分１００ａと、高架アドレス電極３２、３３およびヒンジ３５を含む２階部分１００ｂと、ミラー５０を含む３階部分１００ｃとを備えている。１階部分１００ａでは、素子基板１にアドレス指定回路１４が形成されている。アドレス指定回路１４は、各ミラー５０の動作を選択的に制御するためのメモリセルや、ワード線、ビット線の配線１５等を備えており、ＣＭＯＳ回路１６を備えたＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）に類似した回路構成を有している。
【００２０】
２階部分１００ｂは、高架アドレス電極３２、３３、ヒンジ３５、およびミラーポスト５１を含んでいる。高架アドレス電極３２、３３は、電極ポスト３２１、３３１を介して基板側アドレス電極１２、１３に導通しているとともに、基板側アドレス電極１２、１３によって支持されている。ヒンジ３５の両端からはヒンジアーム３６、３７が延在している。ヒンジアーム３６、３７は、アームポスト３９を介して基板側バイアス電極１１に導通しているとともに、基板側バイアス電極１１によって支持されている。ミラー５０は、ミラーポスト５１を介してヒンジ３５に導通しているとともに、ヒンジ３５によって支持されている。従って、ミラー５０は、ミラーポスト５１、ヒンジ３５、ヒンジアーム３６、３７、アームポスト３９を介して基板側バイアス電極１１に導通しており、基板側バイアス電極１１からバイアス電圧が印加される。なお、ヒンジアーム３６、３７の先端には、ミラー５０が傾いたときに当接して、ミラー５０と高架アドレス電極３２、３３との接触を防止するストッパー３６１、３６２、３７１、３７２が形成されている。
【００２１】
高架アドレス電極３２、３３は、ミラー５０との間に静電力を発生させてミラー５０を傾くように駆動する駆動素子３０を構成している。また、基板側アドレス電極１２、１３も、ミラー５０との間に静電力を発生させてミラー５０を傾くように駆動するように構成される場合があり、この場合、駆動素子３０は、高架アドレス電極３２、３３、および基板側アドレス電極１２、１３によって構成されることになる。ヒンジ３５は、高架アドレス電極３２、３３に駆動電圧が印加されて、図３に示すように、ミラー５０が高架アドレス電極３２あるいは高架アドレス電極３３に引き寄せられるように傾いた際にねじれ、高架アドレス電極３２、３３に対する駆動電圧の印加が停止してミラー５０に対する吸引力が消失した際、ミラー５０が素子基板１に平行な姿勢に戻す力を発揮する。
【００２２】
図３に示すように、電気光学装置１００において、例えば、ミラー５０が一方側の高架アドレス電極３２の側に傾くと、光源部１００２から出射された光がミラー５０によって投射光学系１００４に向けて反射するオン状態となる。これに対して、ミラー５０が他方側の高架アドレス電極３３の側に傾くと、光源部１００２から出射された光がミラー５０によって光吸収装置１００５に向けて反射するオフ状態となり、かかるオフ状態では、投射光学系１００４に向けて光が反射されない。かかる駆動は、複数のミラー５０の各々で行われる結果、光源部１００２から出射された光は、複数のミラー５０で画像光に変調されて投射光学系１００４から投射され、画像を表示する。
【００２３】
なお、基板側アドレス電極１２、１３と対向する平板状のヨークをヒンジ３５と一体に設け、高架アドレス電極３２、３３とミラー５０との間に発生する静電力に加えて、基板側アドレス電極１２、１３とヨークとの間に作用する静電力も利用してミラー５０を駆動することもある。
【００２４】
［電気光学装置１００の封止構造］
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００全体の断面を模式的に示す説明図である。図４に示すように、本形態の電気光学装置１００において、図２および図３を参照して説明したミラー５０が複数形成された素子基板１（チップ２）は、一方面１ｓが、枠状のスペーサー６１および透光性を有する平板状の透光性のカバー７１とからなる封止部材７５によって封止された後、基板９０の基板実装部９３に固定され、その後、封止材９８によって封止される。基板９０において、基板実装部９３は、側板部９２に囲まれた有底の凹部になっており、素子基板１は、基板９０の底板部９１に接着剤９７で固定されている。このようにして、ミラー５０およびチップ２は、水分等から保護されている。
【００２５】
本形態において、カバー７１は、平面視でミラー５０を覆っており、スペーサー６１は、カバー７１とチップ２との間でチップ２の一方面２ｓに接している。より具体的には、スペーサー６１の素子基板１側の端部６１ｅは、チップ２の一方面２ｓに接着されており、チップ２の一方面２ｓに接している。本形態において、チップ２の一方面２ｓは、素子基板１の一方面１ｓからなる。カバー７１は、スペーサー６１の素子基板１と対向する端部とは反対側の端部である端部６１ｆに接着され、端部６１ｆに支持されている。この状態で、カバー７１は、ミラー５０に対して所定の距離を隔てた位置でミラー５０の表面と対向している。従って、光は、カバー７１を透過してミラー５０に入射した後、ミラー５０で反射した光は、カバー７１を透過して出射される。
【００２６】
素子基板１の一方面１ｓにおいて、ミラー５０と重ならない端部（スペーサー６１より外側）には複数の端子１７が形成されている。本形態において、端子１７は、ミラー５０を挟むように２列に配置されている。複数の端子１７の一部は、図２および図３を参照して説明したアドレス指定回路１４や基板側アドレス電極１２、１３を介して高架アドレス電極３２、３３（駆動素子３０）に電気的に接続されている。複数の端子１７の他の一部は、図２および図３を参照して説明したアドレス指定回路１４、基板側バイアス電極１１およびヒンジ３５を介してミラー５０に電気的に接続されている。複数の端子１７のさらに他の一部は、図２および図３を参照して説明したアドレス指定回路１４の前段に設けられた駆動回路等に電気的に接続されている。
【００２７】
ここで、端子１７は、素子基板１とは反対側が開放状態にあるので、基板９０の底板部９１の素子基板１側の面９１ｓに形成された内部端子９４とワイヤーボンディング用のワイヤー９９によって電気的に接続されている。基板９０の底板部９１は、多層配線基板になっており、内部端子９４は、底板部９１に形成されたスルーホールや配線からなる多層配線部９５を介して、底板部９１の素子基板１とは反対側の外面９１ｔに形成された外部端子９６と導通している。
【００２８】
かかる基板９０の側板部９２の内側（凹部）には、エポキシ樹脂等の樹脂からなる封止材９８が設けられている。封止材９８は、ワイヤー９９、ワイヤー９９と端子１７の接合部、ワイヤー９９と内部端子９４の接合部、素子基板１の周り、およびスペーサー６１と素子基板１との接着部の周りを覆うとともに、スペーサー６１の側面６１ｗ（例えば、スペーサー６１の素子基板１と対向する端部と、その反対側の端部である端部６１ｆとを接続する面）の全体、およびカバー７１の側面７１ｗ（例えば、カバー７１の素子基板１と対向する面と、その反対側の面とを接続する面）の全体を覆っている。
【００２９】
（発熱対策の第１構成例）
このように構成した電気光学装置１００において、カバー７１は、光の照射が原因で温度が上昇し、かかる熱がチップ２に伝達されると、チップ２の温度が上昇し、信頼性が低下してしまう。そこで、本形態では、チップ２、スペーサー６１およびカバー７１の熱伝導率の相対的な大小を、以下に説明するように、設定してある。
【００３０】
まず、チップ２の一方面２ｓは、スペーサー６１と接する部分の全てが、第１熱伝導率を有する第１物質からなる。本形態において、チップ２の一方面２ｓは、素子基板１の一方面１ｓからなり、一方面１ｓにおいてスペーサー６１と接する部分の全ては、半導体プロセスによってアドレス指定回路１４（図２参照）等を形成する際に成膜されたシリコン酸化膜（第１物質）からなる。シリコン酸化膜（第１物質）の熱伝導率（第１熱伝導率）は、３．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である。
【００３１】
スペーサー６１は、シリコン酸化膜（第１物質）の熱伝導率（第１熱伝導率）より高い第２熱伝導率を有する第２物質からなる。本形態において、スペーサー６１は、水晶（第２物質）からなり、水晶（第２物質）の熱伝導率（第２熱伝導率）は、約８．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
【００３２】
本形態において、カバー７１は、水晶（第２物質）の熱伝導率（第２熱伝導率）より高い第３熱伝導率を有する第３物質からなる。本形態において、カバー７１は、サファイア（第３物質）からなり、サファイア（第３物質）の熱伝導率（第３熱伝導率）は、約４２Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
【００３３】
従って、本形態において、熱伝導率は以下の関係にある。
チップ２の一方面２ｓ＜スペーサー６１＜カバー７１
このため、カバー７１の熱がスペーサー６１を介してチップ２に伝わりにくい。また、動作時には、チップ２自身が発熱するが、チップ２で発生した熱は、スペーサー６１を介してカバー７１の側に逃げやすい。それ故、チップ２の温度上昇を抑制することができるので、チップ２および電気光学装置１００の信頼性を向上することができる。
【００３４】
また、本形態において、封止材９８は、スペーサー６１より外側でチップ２の一方面２ｓを覆っている。このため、チップ２の熱を封止材９８に逃がすことができる。また、封止材９８は、スペーサー６１の側面６１ｗの全体、およびカバー７１の側面７１ｗの全体を覆っている。このため、カバー７１の熱およびスペーサー６１の熱を封止材９８に逃がすことができる。
【００３５】
（発熱対策の第２構成例）
チップ２の温度上昇を緩和するにあたっては、以下の構成を採用してもよい。まず、チップ２の一方面２ｓ（素子基板１の一方面１ｓ）においてスペーサー６１と接する部分の全ては、シリコン酸化膜（第１物質）からなり、シリコン酸化膜（第１物質）の熱伝導率（第１熱伝導率）は、３．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である。
【００３６】
スペーサー６１は、シリコン酸化膜（第１物質）の熱伝導率（第１熱伝導率）より高い第２熱伝導率を有する第２物質からなる。本形態において、スペーサー６１は、サファイア（第２物質）からなり、サファイア（第２物質）の熱伝導率（第２熱伝導率）は、約４２Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
【００３７】
カバー７１は、サファイア（第２物質）の熱伝導率（第２熱伝導率）より低い第３熱伝導率を有する第３物質からなる。本形態において、カバー７１は、水晶（第３物質）からなり、水晶（第３物質）の熱伝導率（第３熱伝導率）は、約８．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。このため、カバー７１の熱伝導率（第３熱伝導率）は、チップ２の一方面２ｓの熱伝導率（第１熱伝導率）より高い。
【００３８】
従って、本形態において、熱伝導率は以下の関係にある。
チップ２の一方面２ｓ＜カバー７１＜スペーサー６１
このため、構成例１と同様、カバー７１の熱がスペーサー６１を介してチップ２に伝わりにくい。また、動作時には、チップ２自身が発熱するが、チップ２で発生した熱は、スペーサー６１に逃げやすい。それ故、チップ２の温度上昇を抑制することができるので、チップ２および電気光学装置１００の信頼性を向上することができる。
【００３９】
また、本形態において、封止材９８は、スペーサー６１より外側でチップ２の一方面２ｓを覆っている。このため、チップ２の熱を封止材９８に逃がすことができる。また、封止材９８は、スペーサー６１の側面６１ｗの全体、およびカバー７１の側面７１ｗの全体を覆っている。このため、カバー７１の熱およびスペーサー６１の熱を封止材９８に逃がすことができる。
【００４０】
（発熱対策の第３構成例）
チップ２の温度上昇を緩和するにあたっては、以下の構成を採用してもよい。まず、チップ２の一方面２ｓ（素子基板１の一方面１ｓ）においてスペーサー６１と接する部分の全ては、シリコン酸化膜（第１物質）からなり、シリコン酸化膜（第１物質）の熱伝導率（第１熱伝導率）は、３．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である。
【００４１】
スペーサー６１は、シリコン酸化膜（第１物質）の熱伝導率（第１熱伝導率）より高い第２熱伝導率を有する第２物質からなる。本形態において、スペーサー６１は、サファイア（第２物質）からなり、サファイア（第２物質）の熱伝導率（第２熱伝導率）は、約４２Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。カバー７１は、スペーサー６１と同じ物質（サファイア）からなる。また、スペーサー６１およびカバー７１のいずれをも、サファイアによって構成してもよい。
【００４２】
従って、本形態において、熱伝導率は以下の関係にある。
チップ２の一方面２ｓ＜スペーサー６１＝カバー７１
このため、構成例１と同様、カバー７１の熱がスペーサー６１を介してチップ２に伝わりにくい。また、動作時には、チップ２自身が発熱するが、チップ２で発生した熱は、スペーサー６１およびカバー７１に逃げやすい。それ故、チップ２の温度上昇を抑制することができるので、チップ２および電気光学装置１００の信頼性を向上することができる。
【００４３】
また、本形態において、封止材９８は、スペーサー６１より外側でチップ２の一方面２ｓを覆っている。このため、チップ２の熱を封止材９８に逃がすことができる。また、封止材９８は、スペーサー６１の側面６１ｗの全体、およびカバー７１の側面７１ｗの全体を覆っている。このため、カバー７１の熱およびスペーサー６１の熱を封止材９８に逃がすことができる。
【００４４】
なお、本例では、スペーサー６とカバー７１とが同じ物質からなるので、スペーサー６とカバー７１とが一体の封止部材７５を用いてもよい。
【００４５】
［電気光学装置１００の製造方法］
図５、図６および図７を参照して、本発明を適用した電気光学装置１００の製造方法を説明する。図５は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。図６は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造に用いた第２ウエハー２０等の製造方法を示す工程図であり、図６には、各工程におけるウエハーの平面図を示すとともに、平面図の下段には切断端面図を示してある。図７は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造工程において基板９０および封止材９８によって素子基板１を封止する工程を示す工程断面図である。図６ではミラー５０等の図示を省略し、図５では、図４と比べてミラー５０の数を減らして３つのミラー５０が１枚の素子基板１に形成されるものとして示してある。
【００４６】
本形態では、ウエハーから複数の素子基板１等を多数取りする。このため、以下の説明では、多数取りされる複数の素子基板１のうち、１つの基板が得られる領域に形成されるミラー５０および端子１７を各々、第１ミラー５０ａおよび第１端子１７ａとして説明する等、各符号の後ろにａを付して説明する。また、複数の素子基板１のうち、第１ミラー５０ａおよび第１端子１７ａが形成された領域と隣り合う領域に形成されるミラー５０および端子１７を各々、第２ミラー５０ｂおよび第２端子１７ｂとして説明する等、各符号の後ろにｂを付して説明する。但し、いずれの素子基板１かを特定する必要がない場合、上記のａやｂを付さずに説明する。
【００４７】
本形態の電気光学装置１００を製造するには、図５に示す工程ａ５、および図６に示す工程ａ６、ｂ６（第１ウエハー準備工程）において、素子基板１を多数取りできる大型の第１ウエハー１０の一方面１０ｓ（第１面）には、素子基板１が分割される領域毎に、ミラー５０および端子１７が形成された第１ウエハー１０を用意する。
【００４８】
従って、第１ウエハー１０の一方面１０ｓには、第１ミラー５０ａが形成されるとともに、第１ミラー５０ａと平面視で隣り合う位置に、第１ミラー５０ａを駆動する第１駆動素子３０ａ（図２および図３を参照）に電気的に接続された第１端子１７ａが形成されている。また、第１ウエハー１０の一方面１０ｓには、第１端子１７ａに対して第１ミラー５０ａと反対側に第２ミラー５０ｂが形成されるとともに、第１端子１７ａと第２ミラー５０ｂの間には、第２ミラー５０ｂを駆動する第２駆動素子３０ｂ（図２および図３を参照）に電気的に接続された第２端子１７ｂが形成されている。
【００４９】
また、図５に示す工程ａ５（第２ウエハー形成工程）においては、スペーサー６１およびカバー７１を多数取りできる大型の第２ウエハー２０を準備する。第２ウエハー２０の一方面からなる第２面２０ｓでは、スペーサー６１およびカバー７１が分割される領域毎に、底部が透光性の凹部２１が形成されているとともに、互いに直角に交差する２方向に延在して複数の凹部２１の各々を囲む有底の溝２２が形成されている。複数の凹部２１のうちの１つが第１凹部２１ａであり、第１凹部２１ａと隣り合う凹部２１が第２凹部２１ｂである。従って、第２ウエハー２０の第２面２０ｓには、底部が透光性の第１凹部２１ａ、底部が透光性の第２凹部２１ｂ、および第１凹部２１ａと第２凹部２１ｂとの間に沿って延在する有底の溝２２が形成される。
【００５０】
かかる第２ウエハー２０を形成するにあたって、第２ウエハー形成工程では、例えば、図６に示す工程ｃ６〜ｆ６を行う。まず、工程ｃ６では、カバー７１を多数取りできる透光性ウエハー７０（第４ウエハー）を準備する。また、工程ｄ６では、スペーサー６１を多数取りできるスペーサー用ウエハー６０（第３ウエハー）を準備した後、第１工程において、エッチング等の処理によって、凹部２１を構成するための貫通穴６６をスペーサー用ウエハー６０に形成する。複数の貫通穴６６の１つが第１凹部２１ａを構成するための第１貫通穴６６ａであり、第１貫通穴６６ａと隣り合う貫通穴６６が、第２凹部２１ｂを構成するための第２貫通穴６６ｂである。次に、工程ｅ６では、ハーフエッチング等の処理によって、互いに直角に交差する２方向に延在して複数の凹部２１の各々を囲む有底の溝２２を形成する。なお、第１工程では、貫通穴６６を形成した後、溝２２を形成したが、溝２２を形成した後、貫通穴６６を形成してもよい。
【００５１】
次に、第２工程では、工程ｆ６に示すように、スペーサー用ウエハー６０の溝２２が開口している面６０ｓとは反対側の面６０ｔに透光性ウエハー７０を重ねて接着する。その結果、スペーサー用ウエハー６０と透光性ウエハー７０とが積層された第２ウエハー２０が形成され、かかる第２ウエハー２０では、スペーサー用ウエハー６０の面６０ｓによって、第２ウエハー２０の第２面２０ｓが構成され、透光性ウエハー７０のスペーサー用ウエハー６０とは反対側の面によって、第２ウエハー２０の第３面２０ｔが構成される。また、貫通穴６６（第１貫通穴６６ａおよび第２貫通穴６６ｂ）の一方の開口端は、透光性ウエハー７０によって塞がれ、底部が透光性の凹部２１（第１凹部２１ａおよび第２凹部２１ｂ）となる。
【００５２】
次に、接着工程では、図５に示す工程ｂ５では、ミラー５０に凹部２１が平面視（例えば、第１ウエハー１０を一方面１０ｓ側から見たときの平面視）で重なり、端子１７に溝２２が重なるように第１ウエハー１０の一方面１０ｓと第２ウエハー２０の第２面２０ｓとを接着する。その結果、第１ミラー５０ａに第１凹部２１ａが平面視で重なり、第２ミラー５０ｂに第２凹部２１ｂが平面視で重なり、第１端子１７ａ、第２端子１７ｂ、および第１端子１７ａと第２端子１７ｂとに挟まれた領域に共通の溝２２が平面視で重なる。この状態で、第２ウエハー２０において第１凹部２１ａと溝２２とに挟まれた部分は、第１ミラー５０ａと第１端子１７ａとの間に接着され、第２ウエハー２０において第２凹部２１ｂと溝２２とに挟まれた部分は、第２ミラー５０ｂと第２端子１７ｂとの間に接着される。従って、第１端子１７ａおよび第２端子１７ｂは、第２ウエハー２０とは接着されない。
【００５３】
次に、図５に示す工程ｃ５（第２ウエハーダイシング工程）において、第２ウエハー用ダイシングブレード８２（第１ダイシングブレード）を第２ウエハー２０の第２面２０ｓとは反対側の面からなる第３面２０ｔから進入させて溝２２に沿って第２ウエハー２０をダイシングする。その結果、第２ウエハー２０が分割され、第２ウエハー２０のうち、透光性ウエハー７０から分割された平板部分によってカバー７１が構成され、スペーサー用ウエハー６０から分割された枠部分によってスペーサー６１が構成される。本形態において、第２ウエハー用ダイシングブレード８２の厚さＷ２は、溝２２の幅Ｗ０と同等である。
【００５４】
次に、図５に示す工程ｄ５（第１ウエハーダイシング工程）では、第１ウエハー用ダイシングブレード８１（第２ダイシングブレード）によって、第１ウエハー１０において素子基板１が分割される領域（第１端子１７ａと第２端子１７ｂとに挟まれた領域）に沿って第１ウエハー１０をダイシングする。その結果、第１ウエハー１０は、第１端子１７ａと第２端子１７ｂとの間でダイシングされる。本形態において、第１ウエハー用ダイシングブレード８１の厚さＷ１は、第２ウエハー用ダイシングブレード８２の厚さＷ２より薄い。従って、第１ウエハーダイシング工程では、第１ウエハー用ダイシングブレード８１を第１ウエハー１０に対して第２ウエハー２０の側から、第２ウエハー２０の切断個所（隣り合うカバー７１の間、および隣り合うスペーサー６１の間）に進入させて第１ウエハー１０をダイシングする。
【００５５】
その結果、ミラー５０が複数形成された素子基板１の一方面１ｓがスペーサー６１およびカバー７１によって封止された電気光学装置１００が複数製造される。かかる電気光学装置１００を、さらに図４に示すように、基板９０および封止材９８によって封止する場合には、図７に示す工程を行う。
【００５６】
まず、図７に示す工程ａ７では、基板実装部９３が側板部９２に囲まれた凹部になった基板９０を準備した後、図７に示す工程ｂ７では、基板実装部９３の底部に素子基板１を接着剤９７によって固定する。次に、図７に示す工程ｃ７では、素子基板１の端子１７と基板９０の内部端子９４とをワイヤーボンディング用のワイヤー９９によって電気的に接続する。次に、図４に示すように、基板９０の側板部９２の内側に封止材９８を注入した後、封止材９８を硬化させ、封止材９８によって素子基板１を封止する。その結果、素子基板１がスペーサー６１、カバー７１、基板９０および封止材９８によって封止された電気光学装置１００を得ることができる。
【００５７】
［電気光学ユニット１８０の構成］
図８は、本発明を適用した電気光学ユニット１８０の説明図である。図９は、本発明を適用した電気光学ユニット１８０における送風方向を示す説明図である。図１０は、本発明を適用した電気光学ユニット１８０の別態様における送風方向を示す説明図である。
【００５８】
図２〜図７を参照して説明した電気光学装置１００を図１に示す投射型表示装置１０００等に用いる際、本形態では、図８および図９に示すように、電気光学装置１００と、電気光学装置１００に空気を供給する送風器１９０とによって電気光学ユニット１８０を構成する。本形態の電気光学装置１００のサイズは、端子１７が並ぶＸ方向より、端子１７がカバー７１を挟んで対向するＹ方向の方が小さく、本形態において、送風器１９０は、電気光学装置１００のサイズが小さいＹ方向から送風する。
【００５９】
なお、図１０に示すように、送風器１９０が電気光学装置１００のサイズが大きいＸ方向から送風するように構成してもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１…素子基板、１ｓ…素子基板の一方面、２…チップ、２ｓ…チップの一方面、１０…第１ウエハー、１１…基板側バイアス電極、１２、１３…基板側アドレス電極、１４…アドレス指定回路、１７…端子、２０…第２ウエハー、３０…駆動素子３２、３３…高架アドレス電極、３５…ヒンジ、３６、３７…ヒンジアーム、５０…ミラー、６０…スペーサー用ウエハー、６１…スペーサー、６１ｅ、６１ｆ…端部、６１ｗ…スペーサーの側面、７１…カバー、７１ｗ…カバーの側面、７５…封止部材、９０…基板、９８…封止材、１００…電気光学装置、１８０…電気光学ユニット、１９０…送風器、１０００…投射型表示装置（電子機器）、１００２…光源部、１００４…投射光学系、１０２０…光源、１０３０…カラーフィルター、１１００…被投射物。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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