(57)【要約】【課題】非発光時における発光素子の劣化を抑制することが可能な表示装置の駆動方法を提供する。【解決手段】行列状に配置され、少なくともアノード、アノード上の発光層、発光層上のカソードを含む複数の発光素子を有する表示装置の前記複数の発光素子の各々に対し、Ｃ−Ｖ特性を用いて検出された発光層へのキャリア注入開始電圧を検出し、キャリア注入開始電圧よりも負電圧側の逆方向電圧を、非発光時に所定の時間印加することを含む表示装置の駆動方法である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配置され、少なくともアノード、前記アノード上の発光層、前記発光層上のカソードを含む複数の発光素子を有する表示装置の前記複数の発光素子の各々に対し、Ｃ−Ｖ特性を用いて検出された前記発光層へのキャリア注入開始電圧よりも負電圧側の逆方向電圧を、非発光時に所定の時間印加することを含む表示装置の駆動方法。
【請求項２】
前記発光層は、永久双極子を有する分子を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項３】
前記永久双極子を有する分子は、自発分極していることを特徴とする請求項２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項４】
前記永久双極子を有する分子は、ＴＰＢｉ、ＢＣＰ、Ａｌｑ３及びＯＸＤ−７のうちいずれか単数又は複数の組み合わせであることを特徴とする請求項３に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５】
前記発光素子は、複数層の発光層を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記逆方向電圧は、台形状の印加波形を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項７】
前記逆方向電圧は、三角形状の印加波形を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項８】
前記表示装置は、前記発光素子の容量を検出するための容量検出回路を更に有し、
前記逆方向電圧は、前記容量検出回路が検出した前記発光素子の容量に基づいて決定されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項９】
前記所定の時間は、２０ｍｓ以上１ｓ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
前記所定の時間は、１フレーム期間よりも長いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記逆方向電圧を所定の時間印加することは、前記表示装置の電源の切断を開始するためのスイッチが入力されたことを条件に開始することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記表示装置は、前記発光素子に前記逆方向電圧を印加するための逆方向電圧印加回路を更に有し、
前記逆方向電圧は、前記逆方向電圧印加回路によって印加されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１３】
前記発光素子は、少なくとも３色の光のうちいずれかを発し、
前記共通電極は、同色の光を発する発光素子毎に共通して配置され、
前記逆方向電圧印加回路は、前記同色の光を発する発光素子毎に共通の前記逆方向電圧を印加することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記表示装置は、前記配列状に配置され、映像信号に応じたデータが書き込まれる複数の画素を有し、
前記複数の発光素子の各々は、複数の画素の各々に備えられ、
前記複数の画素へ前記データの書き込みが停止される待機時を有し、
負電圧側の逆方向電圧は、前記待機時に印加することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１５】
アノードと発光層とカソードを備えた有機発光ダイオード素子を有する表示装置の駆動方法であって、
前記有機発光ダイオード素子は、前記発光層へのキャリア注入が開始されるキャリア注入開始電圧を有し、
前記キャリア注入開始電圧は、前記有機発光ダイオード素子のダイオード特性において逆バイアスとなる第１の逆バイアス電圧であり、
前記有機発光ダイオード素子へ、前記第１の逆バイアス電圧よりも絶対値が大きい第２の逆バイアス電圧を、非発光時に所定の時間印加することを含む表示装置の駆動方法。
【請求項１６】
前記第２の逆バイアス電圧は、前記表示装置の電源をオフにする時に印加されることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
行列状に配置され、アノード、カソード及び前記アノード及びカソードに挟持された発光層を有する複数の発光素子と、
前記発光素子に逆方向電圧を印加するための逆方向電圧印加回路とを具備する表示装置。
【請求項１８】
前記複数の発光素子のＣ―Ｖ特性を取得するための容量検出回路を更に具備し、前記容量検出回路によって検出されたＣ−Ｖ特性に応じて決定された前記発光層へのキャリア注入開始電圧に応じて前記逆方向電圧を変更することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関する。特に、画素に設けられる発光素子を電流駆動する表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置において、発光層中に電子又は正孔（キャリア）が過剰に注入され、再結合せずに蓄積されてしまうと、非発光時においても発光層中の分子がイオン化された状態が維持され、それによって発光素子が劣化するという問題がある。
【０００５】
このような問題に対し、例えば特許文献１では、発光素子中の電界を逆にすることによって、発光層中に蓄積したキャリアを排斥することが記載されている。      
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１３１０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、発光素子の構造と、発光層へのキャリア注入・蓄積との関係が詳細に調べられてきたことによって、上記の従来技術では発光層中に蓄積したキャリアを完全に排除するには不十分な場合があることが明らかになってきた。そのため、上記の従来技術においては非発光時において発光層中の分子がイオン化し、発光素子が劣化する懸念がある。
【０００８】
本発明は、発光層中に蓄積したキャリアを十分に排斥し、非発光時における発光素子の劣化を抑制することが可能な表示装置の駆動方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による表示装置の駆動方法の一態様は、行列状に配置され、少なくともアノード、前記アノード上の発光層、前記発光層上のカソードを含む複数の発光素子を有する表示装置の前記複数の発光素子の各々に対し、Ｃ−Ｖ特性を用いて検出された前記発光層へのキャリア注入開始電圧よりも負電圧側の逆方向電圧を、非発光時に所定の時間印加することを含む。
【００１０】
本発明による表示装置の一態様は、行列状に配置され、アノード、カソード及び前記アノード及びカソードに挟持された発光層を有する複数の発光素子と、
前記発光素子に逆方向電圧を印加するための逆方向電圧印加回路とを具備する。  
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の回路構成を説明する図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の回路構成を説明する図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の回路構成を説明する図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の回路構成を説明する図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
【図１０】タンデム型発光素子の層構造を説明する図である。
【図１１】タンデム型発光素子の一部分の層構造を説明する図である。
【図１２】タンデム型発光素子において取得したＣ−Ｖ特性を示す図である。
【図１３】タンデム型発光素子の一部分の層構造において取得したＣ−Ｖ特性を示す図である。
【図１４】タンデム型発光素子の一部分の層構造におけるエネルギーダイヤグラムを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１３】
有機ＥＬ発光素子（以下、単に「発光素子」と呼ぶ。有機発光ダイオード素子と呼ぶ場合もある。）は、素子中に固定電荷が存在する場合がある。近年の研究から、発光層中に永久双極子を有する分子が存在し、それらが自発分極することが、固定電荷の要因の一つとなり得ることがわかってきた。つまり、発光層の界面に負の実効的な固定電荷が誘起されると、その逆側の界面には正の実効的な固定電荷が誘起される場合がある。
【００１４】
永久双極子を有し、発光素子中において自発分極することによって発光層の界面に固定電荷を誘起させる分子としては、例えば、ＴＰＢｉ、ＢＣＰ、Ａｌｑ３及びＯＸＤ−７等が挙げられる。
【００１５】
そのような固定電荷が存在すると、電圧の無印加時のみならず、発光素子を発光させるために印加すべき電圧とは逆符号の電圧（逆方向電圧）が印加された状態であっても、キャリアを発光層に注入・蓄積させてしまう場合があることが明らかになってきた。これによって、非発光時においても発光層へのキャリアの注入・蓄積が持続し、発光層中の分子がイオン化し、発光素子の劣化を促進させてしまうことが懸念される。
【００１６】
特に、発光層のアノード側の界面に負の固定電荷が誘起された場合、その界面から発光層への正孔の注入・蓄積が深刻である。
【００１７】
発光素子内のキャリアの挙動を調べるためには、発光素子の静電容量Ｃの電圧依存性（Ｃ−Ｖ特性）を調べることが一般的であり、インピーダンス分光（ＩＳ）測定が広く使用されている。本発明の発明者らは、２層の発光層を含む所謂タンデム型の白色有機ＥＬ素子と、それを構成する上部ユニット（Ｕｎｉｔ  Ａ）を抽出した素子との２種の素子を作製し、それらについてＣ−Ｖ特性を取得した。
【００１８】
図１０は、本実験で用いたタンデム型発光素子の層構造、図１１は、当該タンデム型発光素子の一部を構成するＵｎｉｔ  Ａの層構造を示す断面図である。ＩＳ測定には、ソーラトロン社製インピーダンスアナライザ（１２６０型）と誘電率測定インターフェース（１２９６型）を使用した。また、Ｃ−Ｖ測定時のＡＣ電圧の振幅は１００ｍＶ、周波数は１０Ｈｚとした。ＤＣ電圧は、−６Ｖから４Ｖまで掃引させて測定を行った。
【００１９】
先ず、タンデム型の白色有機ＥＬ素子のＣ−Ｖ特性の測定結果を図１２に示す。縦軸は規格化容量Ｃｎｏｒｍ、横軸はカソードを基準としたアノードの電位を示している。規格化容量Ｃｎｏｒｍは、アノードに十分な負電圧（−４Ｖ）を印加した場合の容量値を用いて、実測の容量値Ｃを規格化したものであり、Ｃｎｏｒｍ＝１の場合は素子が完全に空乏化している状態を意味している。つまり、Ｃｎｏｒｍ＝１の場合は素子中のキャリアが完全に排斥された状態を意味している。Ｃ−Ｖ特性の測定結果を見ると、アノードの電圧が−１．３Ｖ付近でＣｎｏｒｍの増加が確認され、これはキャリアが素子中に注入していることを意味している（以降、Ｃｎｏｒｍの増加開始電圧をキャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊと呼ぶ。）。つまり、キャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊが負の値を取ることは、逆方向電圧印加時においてさえ、発光層中にキャリアが注入・蓄積されていることを意味している。
【００２０】
尚、本明細書においては、特に断らない限り「電圧」という表現はカソードを基準とした場合の電位に相当する。つまり、上記の場合において、「カソードを基準としたアノードの電位」については、「アノードの電圧」、「アノードに印加された電圧」等とも呼ぶ。よって、発光素子に印加される「電圧」が正であることは、発光素子に電流が流れ、発光素子が発光する「順方向電圧」とも呼ぶ。一方、発光層に印加される「電圧」が負であることは、発光素子に殆ど電流が流れず、発光素子が発光しない「逆方向電圧」とも呼ぶ。
【００２１】
次いで、Ｕｎｉｔ  ＡのＣ−Ｖ特性の測定結果を図１３に示す。図１３には、発光層の膜厚ｄＥＭＬを、２５ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍとした場合の結果を合わせてプロットしている。Ｃ−Ｖ特性の測定結果を見ると、アノードに十分な負電圧を印加した場合は、どの素子も容量Ｃが印加電圧の変化に対して一定となっており、発光素子が完全に空乏化していることを意味している。アノードの電圧を負から正に掃引して容量Ｃを検出すると、発光層の膜厚ｄＥＭＬが１００ｎｍの素子ではキャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊが−４Ｖ、５０ｎｍの素子ではキャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊが−１．５Ｖ、２５ｎｍの素子ではキャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊが０．３Ｖであった。これらの発光層の膜厚ｄＥＭＬとキャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊとの関係を図１３の挿入図に示した。このように、キャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊは発光層の膜厚ｄＥＭＬに対して一次の依存性を示し、膜厚ｄＥＭＬが厚いほど負電圧側へ移動している。
【００２２】
この様なキャリアの注入・蓄積は、電子又は正孔のいずれに依るものかについて考察する。図１４は、Ｕｎｉｔ  Ａにおけるアノード及びカソード間の、外部電圧無印加時のエネルギーダイヤグラムである。図１４のエネルギーダイヤグラムに示すように、本実験に用いた有機ＥＬ素子は、正孔注入層ＨＩＬと正孔輸送層ＨＴＬとの接合部におけるキャリア対の生成を利用し、正孔が発光層へ注入される。
【００２３】
一方、電子注入層ＥＩＬとカソードとの接合部には、電子に関して大きなエネルギー障壁が存在するため、アノードに十分に大きな正の電圧が印加されない限り、電子の発光層への注入・蓄積は生じにくい。このため、キャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊから始まる容量Ｃの増加は、主に正孔の注入・蓄積に起因することが推測される。
【００２４】
更に、図１３の挿入図に示すようなキャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊの膜厚依存性は、ＮＰＤ／Ａｌｑ３から成る有機ＥＬ発光素子で観測され、この現象は発光層のアノード側の界面に存在する負の固定電荷に起因することが明らかになっている（Ｗ．  Ｂｒｕｅｔｔｉｎｇ，  Ｓ．  Ｂｅｒｌｅｂ，  ａｎｄ  Ａ．  Ｇ．  Ｍｕｅｃｋｌ，  Ｏｒｇ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．  ２，  １（２００１））。
【００２５】
以上のように、永久双極子を有する分子を発光層に用いると、発光素子内に固定電荷が誘起され、逆方向電圧印加時でも発光層中にキャリアが注入・蓄積し得ることがわかった。これは通常の非発光状態（黒表示状態）でも発光層中の分子がイオン化し得ることを示しており、発光素子の劣化が懸念される。
【００２６】
このような非発光状態における発光素子の劣化を防ぐためには、発光素子内に蓄積したキャリアを完全に排斥してから非発光状態（電源切断、待機状態等）にする必要がある。
【００２７】
以上のような、非発光時においても発光層に注入されてしまうキャリアを排斥し、発光層の劣化を抑制することが可能な、本発明による表示装置及びその駆動方法について以下で説明する。
【００２８】
＜第１実施形態＞
本発明による表示装置の駆動方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置の駆動方法が適用される表示装置１００の回路構成を説明する図である。表示装置１００は、少なくとも、表示領域１０２に行列状に配置された複数の画素回路１０４、データ駆動回路１０６及び走査駆動回路１０８を有している。
【００２９】
画素回路１０４は、少なくとも選択トランジスタ１１０、駆動トランジスタ１１２、蓄積容量１１４及び発光素子１１６を有している。本実施形態に係る表示装置１００においては、画素回路１０４は付加容量１１８を更に有している。
【００３０】
走査駆動回路１０８からは、表示領域１０２の各行に設けられた複数の走査線１２０に信号が出力される。データ駆動回路１０６からは、表示領域１０２の各列に設けられた複数のデータ線１２２に信号が出力される。複数の走査線１２０の各々は、表示領域１０２の同一行に配置された複数の選択トランジスタ１１０のゲート電極に接続されており、走査駆動回路１０８から信号が出力されると、当該複数の選択トランジスタ１１０がオン状態になる。そこで、データ駆動回路１０６からデータ線１２２に信号が印加されると、蓄積容量１１４に電荷が蓄積され、駆動トランジスタ１１２のゲート電極に電圧が印加されて、駆動トランジスタ１１２がオン状態になる。ここで選択トランジスタ１１０がオフ状態となっても、蓄積容量１１４に蓄えられた電荷により、一定時間は駆動トランジスタ１１２がオン状態を維持する。
【００３１】
発光素子１１６のアノードは、画素電極として駆動トランジスタ１１２のドレインに接続され、当該駆動トランジスタ１１２のソース・ドレイン間を通じて電源線１２４に接続されている。発光素子１１６のカソードは、共通電極として共通電位線１２６に接続されている。これによって、駆動トランジスタ１１２のゲートに印加される電圧に応じて発光素子１１６に電流が流れ、発光素子１１６が発光することとなる。また、本実施形態のように、付加容量１１８が発光素子１１６のアノードとカソードとの間に形成されてもよい。付加容量１１８は、蓄積容量１１４に書き込まれる電圧を安定させる効果を発揮し、発光素子１１６の安定動作に寄与する。以上、本実施形態に係る表示装置１００の回路構成について説明した。
【００３２】
次いで、発光素子の構造について説明する。発光素子としては、少なくともアノード、アノード上の発光層、発光層上のカソードを有していればよい。つまり、発光層は、アノード及びカソードに挟持されている。更に、発光素子のカソード側に電子注入層ＥＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ等を有してもよく、発光素子１１６のアノード側に正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入層ＨＩＬ等を有してもよい。
【００３３】
発光素子１１６は、例えば白色発光を示すものであってもよい。また、発光素子１１６が有する発光層としては単層であってもよく、複数層であってもよい。複数の発光層を備える発光素子１１６は所謂タンデム型発光素子であり、図１０に示した発光素子は２層の発光層を有するタンデム型発光素子である。タンデム型発光素子の場合、複数の発光層の各々が発する光の色は異なってもよい。例えば、２層の発光層を有するタンデム型発光素子の場合、一方が黄色の光を発し、他方が青の光を発することによって、全体として白色発光を示す構成としてもよい。このような白色発光を示す発光素子を用いる場合、表示装置１００は、異なる少なくとも３色のカラーフィルタのいずれかを発光素子１１６毎に配置することによってフルカラー表示を実現する。
【００３４】
発光素子１１６のカソードは、表示領域１０２の全ての画素に共通する共通電極として配置される。共通電極には、共通電位線１２６を介して、少なくとも表示装置の動作時において共通電位Ｖｃが印加される。
【００３５】
以上、本実施形態に係る表示装置の駆動方法が適用される表示装置１００の構成について説明した。次いで、本実施形態に係る表示装置１００の駆動方法について、図面を参照しながら説明する。
【００３６】
図２は、アノードの電圧Ｖを示すタイミングチャートを、横軸を時間ｔとして説明する図である。
【００３７】
時刻Ｔ１までは、表示装置１００は動作状態であり発光素子１１６の各々は発光状態である。この期間において、アノードの電圧Ｖは、発光素子１１６の各々において、正の電位となっている。
【００３８】
時刻Ｔ１において、表示装置１００の電源を切断する準備に入る。時刻Ｔ１以降、表示領域１０２内の発光素子１１６は非発光状態（黒表示状態）である。時刻Ｔ１から時刻Ｔ２において、アノードの電圧Ｖは、キャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊよりも負電圧側の逆方向電圧Ｖｂに推移している。
【００３９】
この所定時間（時刻Ｔ１から時刻Ｔ２）発光素子１１６に印加する逆方向電圧Ｖｂによって、発光素子１１６中に注入され、再結合せずに蓄積したキャリアを完全に排斥することができる。よって、本実施形態に係る表示装置の駆動方法によれば、非発光状態における発光層ＥＭＬ中の分子のイオン化、ひいては発光素子１１６の劣化を抑制することができる。
【００４０】
尚、予め設定された、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２の逆方向電圧Ｖｂを印加する期間としては、好ましくは２０ｍｓ以上１ｓ以下である。この範囲より短い時間では発光層ＥＭＬ中のキャリアを排斥するのに不十分である。この範囲より長い時間では、表示装置１００を非動作状態とするために要する時間が使用者にとって無視できる範囲を超え、表示装置１００の利便性が低下する。
【００４１】
また、予め設定された、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２の逆方向電圧Ｖｂを印加する期間としては、画像の表示における１フレーム期間よりも長いことが好ましい。この時間よりも短いと、発光層中のキャリアを排斥するのに不十分である。
【００４２】
時刻Ｔ２以降は、表示装置１００の電源が切断される。
【００４３】
＜第２実施形態＞
次いで、第２実施形態に係る表示装置及びその駆動方法について説明する。図３は、本実施形態に係る表示装置の駆動方法が適用される表示装置２００の回路構成を説明する図である。表示装置２００は、逆方向電圧印加回路１３０を備える点で表示装置１００と相違している。
【００４４】
共通電位線１２６は、スイッチＳＷ１を介して共通電圧印加回路１２８に接続され、且つスイッチＳＷ２を介して逆方向電圧印加回路１３０に接続されている。逆方向電圧印加回路１３０は、発光素子１１６の各々に逆方向電圧Ｖｂを印加し、完全に空乏化させるために設けられる。つまり、発光素子１１６中のキャリアを排斥するために設けられる。当該逆方向電圧Ｖｂは、アノードの電圧Ｖが、キャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊよりも負電圧側となるように決定される。ここで、キャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊは、例えば表示装置２００が動作状態に入る前に、予めＣ−Ｖ特性を取得して検出しておく必要がある。
【００４５】
スイッチＳＷ１とスイッチＳＷ２は互いに排他的な動作をするように設けられてもよく、その場合はいずれか一方がオン（導通）のときに他方はオフ（非導通）となる。
【００４６】
表示装置２００の動作時においては、スイッチＳＷ１がオン、且つスイッチＳＷ２がオフとなり、共通電位線１２６には電源電圧印加回路１３０によって共通電位Ｖｃが供給される。
【００４７】
一方、表示装置２００の非動作時において逆方向電圧Ｖｂを印加する期間は、スイッチＳＷ１がオフ、且つスイッチＳＷ２がオンとなり、共通電位線１２６には逆方向電圧印加回路１３０によって逆方向電圧Ｖｂが印加される。
【００４８】
図４は、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２の動作を示すタイミングチャートと、アノードの電圧Ｖを示すタイミングチャートとを、横軸を時間ｔとして説明する図である。この例においては、アノードの電圧Ｖは、第１実施形態で例示した動作と共通である。つまり、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２の開閉によって、容易に第１実施形態で例示した動作を実現している。
【００４９】
時刻Ｔ１までは、表示装置２００は動作状態であり発光素子１１６の各々は発光状態である。この期間においては、スイッチＳＷ１がオン、スイッチＳＷ２がオフであり、共通電位線１２６は共通電圧印加回路１２８と導通し、共通電位Ｖｃが供給されている。
【００５０】
時刻Ｔ１において、表示装置２００の電源を切断する準備に入る。つまり、時刻Ｔ１において、表示装置２００は非動作状態に切り替わる。時刻Ｔ１以降、表示領域１０２内の発光素子１１６は非発光状態（黒表示状態）である。
【００５１】
時刻Ｔ１から時刻Ｔ２においては、スイッチＳＷ１がオフ、スイッチＳＷ２がオンであり、共通電位線１２６は逆方向電圧印加回路１３０と導通し、逆方向電圧Ｖｂが供給されている。
【００５２】
この所定時間（時刻Ｔ１から時刻Ｔ２）発光素子に印加する逆方向電圧Ｖｂによって、発光素子１１６中に注入され、再結合せずに蓄積したキャリアを完全に排斥することができる。よって、本実施形態に係る表示装置２００の駆動方法によれば、非発光状態における発光層中の分子のイオン化、ひいては発光素子１１６の劣化を抑制することができる。
【００５３】
時刻Ｔ２以降は、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２が共にオフとなり、表示装置２００の電源が切断される。
【００５４】
以上、表示装置２００の電源を切断する際における逆方向電圧Ｖｂの印加について説明した。しかし、逆方向電圧Ｖｂを印加することによって発光素子１１６中のキャリアを排斥する処理は、電源の切断時に限られない。電源の切断時以外の例として、表示装置２００の待機時が挙げられる。待機時とは、例えば、各画素へ映像信号に応じたデータを書き込み、画像を表示した後に、次の映像信号に応じたデータへの書き換えを停止及び発光の停止をした時のことをいう。例えば、所定の時間、利用者が表示装置の操作をしない場合に画素書き換え停止及び発光の停止、即ち待機時が開始される。
【００５５】
図５は、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２の動作を示すタイミングチャートと、アノードの電圧Ｖを示すタイミングチャートとを、横軸を時間ｔとして説明する図である。
【００５６】
時刻Ｔ１までは、表示装置２００は動作状態であり発光素子１１６の各々は発光状態である。この期間においては、スイッチＳＷ１がオン、スイッチＳＷ２がオフであり、共通電位線１２６は共通電圧印加回路１２８と導通し、共通電位Ｖｃが供給されている。
【００５７】
時刻Ｔ１において、表示装置２００を待機状態とするための準備に入る。つまり、時刻Ｔ１において、表示装置２００は非動作状態に切り替わる。時刻Ｔ１以降、表示領域１０２内の発光素子１１６は非発光状態（黒表示状態）である。時刻Ｔ１以降は、スイッチＳＷ１がオフ、スイッチＳＷ２がオンであり、共通電位線１２６は逆方向電圧印加回路１３０と導通し、逆方向電圧Ｖｂが供給されている。この電圧印加状態は、表示装置２００が待機状態である期間維持してもよい。
【００５８】
この期間に発光素子１１６に印加する逆方向電圧によって、発光素子１１６中に注入され、再結合せずに蓄積したキャリアを完全に排斥することができる。よって、本実施形態に係る表示装置２００の駆動方法によれば、非発光状態における発光層中の分子のイオン化、ひいては発光素子の劣化を抑制することができる。
【００５９】
＜第３実施形態＞
次いで、第３実施形態に係る表示装置の駆動方法について説明する。図６は、本実施形態に係る表示装置の駆動方法が適用される表示装置３００の回路構成を説明する図である。表示装置３００は、容量検出回路１３２を更に備えている点で表示装置２００と相違している。容量検出回路１３２は、発光素子１１６におけるキャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊを検出するために設けられている。前述のように、容量検出回路１３２を用いて発光素子１１６のＣ−Ｖ特性を検出することによって、キャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊを決定することができる。つまり、前述のように、発光素子への印加電圧Ｖに対して容量Ｃの増加が開始される電圧がキャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊである。
【００６０】
キャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊに基づいて逆方向電圧Ｖｂを決定、又は最新の値に変更することができる。当該逆方向電圧Ｖｂを発光素子１１６に印加することによって、発光素子１１６を完全に空乏化させることができる。つまり、発光素子１１６中のキャリアを排斥することができる。当該逆方向電圧Ｖｂは、少なくともキャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊよりも負電圧側の電圧であればよい。尚、容量検出回路１３２は、図６に示す様にＡＣ電圧電源とＤＣ電圧源から成る構成でもよいし、ＡＣ電圧源のみの構成でも、三角波電圧を発生する電源から成る構成でもよい。
【００６１】
＜第４実施形態＞
次いで、第４実施形態に係る表示装置の駆動方法について説明する。本実施形態に係る表示装置の駆動方法は、逆方向電圧Ｖｂの印加波形が第１乃至第３実施形態に係る表示装置の駆動方法と相違している。
【００６２】
図７は、アノードの電圧Ｖを示すタイミングチャートの２つの例を、横軸を時間ｔとして説明する図である。先ず、図７（ａ）に示したタイミングチャートを例として説明する。
【００６３】
時刻Ｔ１までは、表示装置４００は動作状態であり、発光素子１１６の各々は発光状態である。この期間においては、共通電位線１２６は共通電圧印加回路１２８と導通し、共通電位Ｖｃが供給されている。
【００６４】
時刻Ｔ１において、表示装置４００の電源を切断する準備に入る。つまり、時刻Ｔ１において、表示装置４００は非動作状態に切り替わる。時刻Ｔ１以降、表示領域１０２内の発光素子１１６は非発光状態（黒表示状態）である。時刻Ｔ１から時刻Ｔ２において、逆方向電圧Ｖｂが供給されている。
【００６５】
ここで、当該逆方向電圧Ｖｂの印加波形は台形の形状を示している。つまり、印加波形は時刻Ｔ１から時間に対して一次の関係で推移し、有限の時間を経た後に一定の逆方向電圧Ｖｂに到達する。
【００６６】
第１乃至第３実施形態に係る表示装置の駆動方法は、逆方向電圧Ｖｂについて階段状の印加波形としていた。このような印加波形では、特に表示領域１０２の中心部付近に配置された発光素子１１６中のキャリアは、共通電位線１２６の抵抗のために、印加される逆方向電圧Ｖｂに追従できない可能性が懸念される。つまり、表示領域１０２の周縁部付近に配置された発光素子１１６中のキャリアは完全に排斥されたとしても、中心部付近に配置された発光素子１１６中のキャリアは十分に排斥されずに残存してしまう可能性が懸念される。その結果、表示領域１０２の中心部付近の発光素子の劣化が促進され、表示ムラ等の表示不良が発生する懸念がある。
【００６７】
そこで、逆方向電圧Ｖｂの印加波形を、例えば上記で示した台形状とすることによって、表示領域１０２の中心部付近に配置された発光素子中のキャリアが、印加波形に追従し易くなる。これによって、表示装置の全面に亘って発光素子１１６中のキャリアを十分に排斥することができ、表示ムラ等の表示不良を抑制することができる。
【００６８】
上記では、印加波形として台形の形状を有する例を挙げて説明したが、これに限られない。例えば、図７（ｂ）に示すように、三角形の形状を有する印加波形であってもよい。この例では、印加波形は時刻Ｔ１から時間に対して一次の関係で推移し、時刻Ｔ２において逆方向電圧Ｖｂに到達し、表示装置の電源が切断される。
【００６９】
印加波形の例としては、当然上記に限られるものではなく、様々な態様が考えられる。つまり、台形又は三角形に限らず、他の多角形であってもよい。また、曲線状でもよく、曲線と直線の組み合わせであってもよい。表示装置１０２内に亘る発光素子１１６内のキャリアが追従でき、それらを発光素子から排斥するために十分な逆方向電圧Ｖｂを経由する印加波形であればよい。
【００７０】
また、これまで説明してきた印加波形は、パルス状であり、当該パルスは１回であった。当然、パルスは１回に限られず、複数回印加してもよい。
【００７１】
＜第５実施形態＞
次いで、第５実施形態に係る表示装置の駆動方法について説明する。図８は、本実施形態に係る表示装置の駆動方法が適用される表示装置５００の回路構成を説明する図である。表示装置５００は、表示装置２００と比較すると、画素の構成及び逆方向電圧印加回路１３０の構成が相違している。
【００７２】
画素については、表示装置５００の発光素子は、表示装置２００のように白色発光を示すものではなく、少なくとも３色の互いに異なる光のいずれかを発するものに分類される。表示装置５００の画素の各々は、当該少なくとも３色の互いに異なる光を発する発光素子によって構成され、カラーフィルタを用いずにフルカラー表示を実現する。このような表示装置５００は塗り分け型の表示装置とも呼ばれる。
【００７３】
このような塗り分け型の表示装置の場合、発光素子のキャリア注入開始電圧Ｖｉｎｊは、一般に、発光素子が発する光の色毎に異なる。そのため、表示装置２００のように、表示領域１０２内の全ての発光素子１１６に共通した共通電位線１２６を設けることは好ましくない。
【００７４】
そこで、本実施形態に係る表示装置５００は、発光素子が発する光の色毎に共通の共通電位線が接続される。例えば、本実施形態に係る表示装置５００における発光素子は、赤色、緑色及び青色の光を発する発光素子１１６Ｒ、１１６Ｇ及び１１６Ｂに分類され、それぞれの色毎に共通の共通電位線１２６Ｒ、１２６Ｇ及び１２６Ｂが接続されている。
【００７５】
共通電位線１２６Ｒ、１２６Ｇ及び１２６Ｂは、スイッチＳＷ１を介してそれぞれ共通電圧印加回路１２８Ｒ、１２８Ｇ及び１２８Ｂに接続され、且つスイッチＳＷ２を介して各色に対して設けられた逆方向電圧印加回路１３０Ｒ、１３０Ｇ及び１３０Ｂにそれぞれ接続されている。
【００７６】
このような構成を有することによって、所謂塗り分け型の表示装置においても本発明に係る表示装置の駆動方法を適用することができる。
【００７７】
尚、この例では共通電圧印加回路１２８Ｒ、１２８Ｇ及び１２８Ｂを設け、発光素子が発する光の色毎に分類される態様を示したが、共通電圧印加回路は、全ての発光色に限らず、全ての発光素子に共通としても構わない。
【００７８】
以上、本実施形態に係る表示装置の駆動方法が適用される表示装置の構成について説明した。次いで、本実施形態に係る表示装置５００の駆動方法について、図面を参照しながら説明する。
【００７９】
図９は、アノードの電圧Ｖを示すタイミングチャートを、横軸を時間ｔとして説明する図である。第１実施形態において図２に示したタイミングチャートと比較すると、発光素子が発する光の色に応じて、印加波形を変えている点で相違している。これは、発光素子１１６Ｒ、１１６Ｇ及び１１６Ｂが、それぞれ互いに異なるキャリア注入開始電圧ＶｉｎｊＲ、ＶｉｎｊＧ及びＶｉｎｊＢを有することによる。
【００８０】
時刻Ｔ１までは、表示装置５００は動作状態であり、発光素子１１６の各々は発光状態である。この期間において、アノードの電圧Ｖは、発光素子１１６の各々において、正となっている。
【００８１】
時刻Ｔ１において、表示装置１００の電源を切断する準備に入る。時刻Ｔ１以降、表示領域１０２内の発光素子１１６は非発光状態（黒表示状態）である。時刻Ｔ１から時刻Ｔ２において、アノードの電圧Ｖとして、発光素子１１６Ｒ、１１６Ｇ及び１１６Ｂにはそれぞれ、キャリア注入開始電圧ＶｉｎｊＲ、ＶｉｎｊＧ及びＶｉｎｊＢよりも負電圧側に推移した逆方向電圧ＶｂＲ、ＶｂＧ及びＶｂＢが印加されている。
【００８２】
この所定時間（時刻Ｔ１から時刻Ｔ２）発光素子１１６Ｒ、１１６Ｇ及び１１６Ｂにそれぞれ印加する逆方向電圧ＶｂＲ、ＶｂＧ及びＶｂＢによって、発光素子１１６Ｒ、１１６Ｇ及び１１６Ｂ中に注入され、再結合せずに蓄積したキャリアを完全に排斥することができる。よって、本実施形態に係る表示装置の駆動方法によれば、非発光状態における発光層ＥＭＬ中の分子のイオン化、ひいては発光素子１１６Ｒ、１１６Ｇ及び１１６Ｂの劣化を抑制することができる。
【符号の説明】
【００８３】
１００：表示装置
１０２：表示領域
１０４：画素回路
１０６：データ駆動回路
１０８：走査駆動回路
１１０：選択トランジスタ
１１２：駆動トランジスタ
１１４：蓄積容量
１１６：発光素子
１１８：付加容量
１２０：走査線
１２２：データ線
１２４：電源線
１２６：共通電位線
１２８：共通電圧印加回路
１３０：逆方向電圧印加回路
１３２：容量検出回路
Ｖｉｎｊ：キャリア注入開始電圧
Ｖｃ：共通電位
Ｖｂ：逆方向電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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