(57)【要約】【課題】コア基板の厚みを厚くしつつも無駄なスペースを減らすことが可能な電子部品内蔵基板の提供を目的とする。【解決手段】本発明の電子部品内蔵基板１０では、コア基板１１は、開口５１ＫにＭＬＣＣ１７を収容する第１のコア層５１と、第１のコア層５１の表側に配置され、開口５２ＫにＭＬＣＣ１７を収容する第２のコア層５２と、第１のコア層５１と第２のコア層５２との間に挟まれる接着層５３と、第１のコア層５１の裏側面と第２のコア層５２の表側面のそれぞれに形成される内側の層間樹脂絶縁層５４，５４と、内側の層間樹脂絶縁層５４上に形成される導体回路層１２，１２と、を含む。そして、第１のコア層５１の開口５１Ｋと第２のコア層５２の開口５２Ｋとが、コア基板１１の厚み方向において互いに重ならない部分をそれぞれ有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を内蔵するコア基板と、
前記コア基板の表側面と裏側面のそれぞれに形成され、且つ、複数の導体層と複数の層間樹脂絶縁層とからなる外側のビルドアップ部と、を有する電子部品内蔵基板であって、
前記コア基板は、
開口を備え且つその開口に前記電子部品を収容する第１のコア層と、
前記第１のコア層の表側に配置され、開口を備え且つその開口に前記電子部品を収容する第２のコア層と、
前記第１のコア層と前記第２のコア層との間に挟まれる接着層と、
前記第１のコア層の裏側面と前記第２のコア層の表側面のそれぞれに形成される内側の層間樹脂絶縁層と、
前記内側の層間樹脂絶縁層上に形成される内側の導体層と、を含み、
前記第１のコア層の開口と前記第２のコア層の開口とが、前記コア基板の厚み方向において互いに重ならない部分をそれぞれ有し、
前記第１のコア層の開口に収容される電子部品の電極と、前記第１のコア層の裏側に配置される前記内側の導体層とが、前記第１のコア層の裏側面に形成される前記内側の層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体を介して接続され、
前記第２のコア層の開口に収容される電子部品の電極と、前記第２のコア層の表側に配置される前記内側の導体層とが、前記第２のコア層の表側面に形成される前記内側の層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体を介して接続されている。
【請求項２】
電子部品を内蔵するコア基板と、
前記コア基板の表側面と裏側面のそれぞれに形成され、且つ、複数の導体層と複数の層間樹脂絶縁層とからなる外側のビルドアップ部と、を有する電子部品内蔵基板であって、
前記コア基板は、
開口を備え且つその開口に前記電子部品を収容する第１のコア層と、
前記第１のコア層の表側に配置され、開口を備え且つその開口に前記電子部品を収容する第２のコア層と、
前記第１のコア層と前記第２のコア層との間に挟まれる接着層と、
前記第１のコア層の裏側面と前記第２のコア層の表側面のそれぞれに形成される内側の層間樹脂絶縁層と、
前記内側の層間樹脂絶縁層上に形成される内側の導体層と、を含み、
前記第１のコア層の開口と前記第２のコア層の開口とが、前記コア基板の厚み方向において互いに重ならない部分をそれぞれ有し、
前記第１のコア層の開口に収容される電子部品の電極と、前記第２のコア層の表側に配置される前記内側の導体層とが、前記接着層と、前記第２のコア層と、前記第２のコア層の表側面に形成される前記内側の層間樹脂絶縁層とを貫通するビア導体を介して接続され、
前記第２のコア層の開口に収容される電子部品の電極と、前記第２のコア層の表側に配置される前記内側の導体層とが、前記第２のコア層の表側面に形成される前記内側の層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体を介して接続されている。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記コア基板の表側面に形成される前記外側のビルドアップ部に含まれる前記導体層と、前記コア基板の裏側面に形成される前記外側のビルドアップ部に含まれる前記導体層とが、前記第１のコア層と前記第２のコア層とを貫通する導体によって接続されている。
【請求項４】
請求項１乃至３のうち何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記第１のコア層の前記開口の内面とその開口に収容される前記電子部品との隙間、及び、前記第２のコア層の前記開口の内面とその開口に収容される前記電子部品との隙間に、前記接着層又は前記内側の層間樹脂絶縁層を構成する樹脂が、充填されている。
【請求項５】
請求項１乃至４のうち何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記接着層は、心材と樹脂とを含んでいる。
【請求項６】
請求項１乃至５のうち何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記外側のビルドアップ部に含まれる前記層間樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂と無機フィラーとを含んでいる。
【請求項７】
請求項１乃至６のうち何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵基板であって、
前記内側の層間樹脂絶縁層は、心材と樹脂とを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板に電子部品が内蔵されている電子部品内蔵基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の電子部品内蔵基板として、コア基板を厚み方向に貫通する開口に電子部品が収容されているものが知られている。（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２５８５４２号公報（段落［００３７］、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した従来の電子部品内蔵基板では、剛性向上のためにコア基板の厚みを厚くすると、開口内において電子部品が配置されていない無駄なスペースが増えることが考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、コア基板の厚みを厚くしつつも無駄なスペースを減らすことが可能な電子部品内蔵基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためなされた請求項１に係る発明は、電子部品を内蔵するコア基板と、前記コア基板の表側面と裏側面のそれぞれに形成され、且つ、複数の導体層と複数の層間樹脂絶縁層とからなる外側のビルドアップ部と、を有する電子部品内蔵基板であって、前記コア基板は、開口を備え且つその開口に前記電子部品を収容する第１のコア層と、前記第１のコア層の表側に配置され、開口を備え且つその開口に前記電子部品を収容する第２のコア層と、前記第１のコア層と前記第２のコア層との間に挟まれる接着層と、前記第１のコア層の裏側面と前記第２のコア層の表側面のそれぞれに形成される内側の層間樹脂絶縁層と、前記内側の層間樹脂絶縁層上に形成される内側の導体層と、を含み、前記第１のコア層の開口と前記第２のコア層の開口とが、前記コア基板の厚み方向において互いに重ならない部分をそれぞれ有し、前記第１のコア層の開口に収容される電子部品の電極と、前記第１のコア層の裏側に配置される前記内側の導体層とが、前記第１のコア層の裏側面に形成される前記内側の層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体を介して接続され、前記第２のコア層の開口に収容される電子部品の電極と、前記第２のコア層の表側に配置される前記内側の導体層とが、前記第２のコア層の表側面に形成される前記内側の層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体を介して接続されている。
【０００７】
請求項２の発明は、電子部品を内蔵するコア基板と、前記コア基板の表側面と裏側面のそれぞれに形成され、且つ、複数の導体層と複数の層間樹脂絶縁層とからなる外側のビルドアップ部と、を有する電子部品内蔵基板であって、前記コア基板は、開口を備え且つその開口に前記電子部品を収容する第１のコア層と、前記第１のコア層の表側に配置され、開口を備え且つその開口に前記電子部品を収容する第２のコア層と、前記第１のコア層と前記第２のコア層との間に挟まれる接着層と、前記第１のコア層の裏側面と前記第２のコア層の表側面のそれぞれに形成される内側の層間樹脂絶縁層と、前記内側の層間樹脂絶縁層上に形成される内側の導体層と、を含み、前記第１のコア層の開口と前記第２のコア層の開口とが、前記コア基板の厚み方向において互いに重ならない部分をそれぞれ有し、前記第１のコア層の開口に収容される電子部品の電極と、前記第２のコア層の表側に配置される前記内側の導体層とが、前記接着層と、前記第２のコア層と、前記第２のコア層の表側面に形成される前記内側の層間樹脂絶縁層とを貫通するビア導体を介して接続され、前記第２のコア層の開口に収容される電子部品の電極と、前記第２のコア層の表側に配置される前記内側の導体層とが、前記第２のコア層の表側面に形成される前記内側の層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体を介して接続されている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係る電子部品内蔵基板の側断面図
【図２】電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図３】電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図４】電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図５】電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図６】電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図７】電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図８】電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図９】電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図１０】電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図１１】電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図１２】電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図１３】第２実施形態の電子部品内蔵基板の側断面図
【図１４】第２実施形態の電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図１５】第２実施形態の電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図１６】第３実施形態の電子部品内蔵基板の側断面図
【図１７】第３実施形態の電子部品内蔵基板の製造工程を示す側断面図
【図１８】変形例に係る電子部品内蔵基板の側断面図
【図１９】変形例に係る電子部品内蔵基板の側断面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［第１実施形態］
以下、第１実施形態を図１〜図１２に基づいて説明する。本実施形態の電子部品内蔵基板１０は、図１に示すように、電子部品を内蔵するコア基板１１を有している。コア基板１１の表側面であるＦ面１１Ｆと、裏側面であるＳ面１１Ｓとには、それぞれ導体回路層１２，１２（本発明の「内側の導体層」に相当する。）が形成されていて、各導体回路層１２上に、外側のビルドアップ部２０が積層されている。
【００１０】
外側のビルドアップ部２０は、複数の層間樹脂絶縁層２１と複数の導体層２２とが交互に積層されてなる。層間樹脂絶縁層２１には複数のビア導体２１Ｄが形成されている。そして、それらビア導体２１Ｄによって、外側のビルドアップ部２０のうち、隣り合う導体層２２，２２同士が接続されていると共に、最も内側（コア基板１１に最も近い側）の導体層２２，２２とコア基板１１のＦ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの導体回路層１２，１２とがそれぞれ接続されている。なお、ビア導体２１Ｄは、層間樹脂絶縁層２１におけるコア基板１１側へ向かって徐々に縮径するテーパー状のビアホール２１Ｈ内に、めっきが充填されてなる。各層間樹脂絶縁層２１は、例えば、ビルドアップ基板用の絶縁フィルム（無機フィラーを含む熱硬化性樹脂からなるフィルム）で構成されている。
【００１１】
本実施形態の例では、各外側のビルドアップ部２０は、層間樹脂絶縁層２１と導体層２２とを２層ずつ有していて、具体的には、コア基板１１側から順に、第１層間樹脂絶縁層２１Ａ、第１導体層２２Ａ、第２層間樹脂絶縁層２１Ｂ、及び第２導体層２２Ｂを有している。なお、外側のビルドアップ部２０が、導体層２２（層間樹脂絶縁層２１）を３層以上有する構成となっていてもよい。
【００１２】
各外側のビルドアップ部２０上（第２導体層２２Ｂ上）には、ソルダーレジスト層２５が積層されている。ソルダーレジスト層２５には、複数の開口２６Ａが形成されている。そして、第２導体層２２Ｂの外面のうち開口２６Ａによりソルダーレジスト層２５から露出する部分によって、パッド２６が形成されている。なお、電子部品内蔵基板１０の表側面であるＦ面１０Ｆ側のパッド２６上には、電子部品内蔵基板１０上に実装される電子部品（図示せず）と接続される半田バンプ２７が形成されている。
【００１３】
コア基板１１は、第１のコア層５１と第２のコア層５２とを裏側から順に備えている。第１のコア層５１と第２のコア層５２とは、絶縁性基材１１Ｋからなり、接着層５３によって互いに接着されている。また、第１のコア層５１の裏側面であるＳ面５１Ｓ上と第２のコア層５２の表側面であるＦ面５２Ｆ上とには、それぞれ内側の層間樹脂絶縁層５４が形成されている。各内側の層間樹脂絶縁層５４上には、上述の導体回路層１２が形成されている。なお、接着層５３と内側の層間樹脂絶縁層５４は、例えば、プリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）で構成されている。
【００１４】
第１のコア層５１と第２のコア層５２とには、それぞれ厚み方向に開口５１Ｋ，５２Ｋが貫通形成されている。第１のコア層５１の開口５１Ｋと第２のコア層５２の開口５２Ｋとは、コア基板１１の厚み方向で互いに重ならない配置となっている。
【００１５】
各開口５１Ｋ，５２Ｋには、上述した電子部品としての積層セラミックコンデンサ１７（以下、ＭＬＣＣ１７という。）が収容されている。ＭＬＣＣ１７は、例えば略直方体であって、ＭＬＣＣ１７の平面形状は開口５１Ｋ，５２Ｋの平面形状より一回り小さくなっている。また、ＭＬＣＣ１７の厚さは、各コア層５１，５２の厚さより薄くなっている。そして、各ＭＬＣＣ１７と開口５１Ｋ，５２Ｋの内面との間の隙間は、充填樹脂１６で充填されている。本実施形態では、充填樹脂１６は、主に内側の層間樹脂絶縁層５４を構成する樹脂からなると共に、接着層５３を構成する樹脂も一部に含んでいる。なお、開口５１Ｋ、開口５２Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７，１７の電極の接着層５３側の端面は、それぞれ第１のコア層５１の表側面であるＦ面５１Ｆ，第２のコア層の裏側面であるＳ面５２Ｓと略面一となっている。
【００１６】
コア基板１１のＦ面１１Ｆ側に配置される内側の層間樹脂絶縁層５４には、ビアホール６２Ｈ，６２Ｈが貫通形成されている。そして、これらビアホール６２Ｈ，６２Ｈ内に形成されているビア導体６２Ｄ，６２Ｄを介してコア基板１１のＦ面１１Ｆ側の導体回路層１２と第２のコア層５２の開口５２Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７とが接続されている。これにより、開口５２Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７は、上述の半田バンプ２７と接続され、電子部品内蔵基板１０上に実装される電子部品と電気的に接続される。
【００１７】
コア基板１１のＳ面１１Ｓ側に配置される内側の層間樹脂絶縁層５４には、ビアホール６１Ｈ，６１Ｈが貫通形成されている。そして、これらビアホール６１Ｈ，６１Ｈ内に形成されているビア導体６１Ｄ，６１Ｄを介してコア基板１１のＳ面１１Ｓ側の導体回路層１２と第１のコア層５１の開口５１Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７とが接続されている。
【００１８】
コア基板１１のうち、Ｆ面１１Ｆ側に形成される導体回路層１２とＳ面１１Ｓ側に形成される導体回路層１２とは、第１のコア層５１、第２のコア層５２、接着層５３及び内側の層間樹脂絶縁層５４，５４を貫通する筒状のスルーホール導体１３によって接続されている。従って、第１のコア層５１の開口５１Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７は、スルーホール導体１３を介して電子部品内蔵基板１０のＦ面１０Ｆ上に形成される半田バンプ２７に接続されている。これにより、開口５１Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７は、電子部品内蔵基板１０上に実装される電子部品と電気的に接続される。なお、スルーホール導体１３の内側には、充填剤１４（例えば、非導電性の充填剤）が充填されている。スルーホール導体１３及び充填剤１４におけるコア基板１１の厚み方向の両端上には、電解めっき膜３６，３６が形成されている。
【００１９】
本実施形態の電子部品内蔵基板１０は、以下のようにして製造される。
（１）図２（Ａ）に示すように、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材とからなる絶縁性基材１１Ｋが用意される。
【００２０】
（２）図２（Ｂ）に示すように、ルータ加工やレーザ加工等により、絶縁性基材１１Ｋを貫通する開口５０Ｋが形成される。図２（Ｃ）に示すように、開口５０Ｋを塞ぐように、ＰＥＴフィルムからなるテープ５９が絶縁性基材１１Ｋの底面６０Ｂに貼り付けられる。そして、マウンタ（図示せず）によって、開口５０Ｋ内にＭＬＣＣ１７が収容される（図３（Ａ）参照）。
【００２１】
（３）樹脂絶縁シート（例えば、プリプレグ）が絶縁性基材１１Ｋ上に重ねられ、それらが加熱プレスされる。この際、開口５０Ｋの内面とＭＬＣＣ１７との間の隙間が、樹脂絶縁シートから染み出る樹脂によって充填されて上述の充填樹脂１６の一部が形成されると共に、絶縁性基材１１Ｋ上の樹脂絶縁シートの本体部分から樹脂絶縁層６６が形成される（図３（Ｂ）参照）。なお、この加熱プレスでは、以下の（４）で、テープ５９が絶縁性基材１１Ｋから剥がされてもＭＬＣＣ１７が開口５０Ｋから落ちない程度に充填樹脂１６が仮硬化されることが好ましい。
【００２２】
（４）樹脂絶縁層６６が形成された絶縁性基材１１Ｋの底面６０Ｂからテープ５９が剥がされて、電子部品内蔵積層体６０が形成される（図３（Ｃ）参照）。
【００２３】
（５）電子部品内蔵積層体６０が１対用意される。そして、図４に示すように、１対の電子部品内蔵積層体６０，６０が底面６０Ｂ同士を向い合わせて配置されると共に、それらの間に樹脂絶縁シート６７（例えば、プリプレグ）が挟まれ、さらに各電子部品内蔵積層体６０の樹脂絶縁層６６上に銅箔３７が重ねられる。この際、電子部品内蔵積層体６０，６０同士は、それぞれの開口５０Ｋ，５０Ｋ同士が絶縁性基材１１Ｋの厚み方向で重ならないように配置される。なお、銅箔３７は、上記（３）において、樹脂絶縁シート上に重ねられ、加熱プレスにより電子部品内蔵積層体６０の樹脂絶縁層６６上に積層されていてもよい。
【００２４】
（６）重ねられた電子部品内蔵積層体６０，６０、樹脂絶縁シート６７及び銅箔３７，３７が加熱プレスされて、積層基材７０が形成される（図５（Ａ）参照）。このとき、１対の絶縁性基材１１Ｋ，１１Ｋから、第１のコア層５１と第２のコア層５２とが形成され、第１のコア層５１、第２のコア層５２にそれぞれ形成されている各開口５０Ｋが、開口５１Ｋ、開口５２Ｋとなる。また、樹脂絶縁層６６，６６から内側の層間樹脂絶縁層５４，５４が形成される。樹脂絶縁シート６７からは接着層５３が形成されると共に、加熱プレスの際に、樹脂絶縁シート６７から染み出して各開口５１Ｋ，５２Ｋ内に入り込んだ樹脂によって、上述の充填樹脂１６の一部が形成される。
【００２５】
（７）ルータ加工により、積層基材７０に貫通孔１３Ａが貫通形成され（図５（Ｂ）参照）、貫通孔１３Ａの内面がデスミア処理される。
【００２６】
（８）図６（Ａ）に示すように、上述の積層基材７０の表裏の両面に、レーザが照射されて、積層基材７０の表側（第２のコア層５２側）の面にビアホール６２Ｈ，６２Ｈが形成されると共に、裏側（第１のコア層５１側）の面にビアホール６１Ｈ，６１Ｈが形成される。それら各ビアホール６１Ｈ，６２Ｈは、第１のコア層５１の開口５１Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７の電極上と第２のコア層５２の開口５２Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７の電極上とにそれぞれ配置される。
【００２７】
（９）無電解めっき処理が行われ、銅箔３７上と、貫通孔１３Ａの内面と、各ビアホール６１Ｈ，６２Ｈの内面と、に無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００２８】
（１０）図６（Ｂ）に示すように、銅箔３７上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３３が形成される。
【００２９】
（１１）電解めっき処理が行われ、図７（Ａ）に示すように、電解めっきがビアホール６１Ｈ，６２Ｈ内に充填されてビア導体６１Ｄ，６２Ｄが形成されると共に、貫通孔１３Ａの内面の無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成されることでスルーホール導体１３が形成される。また、銅箔３７上の無電解めっき膜のうちめっきレジスト３３から露出している部分に、電解めっき膜３４が形成される。なお、スルーホール導体１３の両端部は、積層基材７０の表側と裏側の電解めっき膜３４，３４とそれぞれ接続される。
【００３０】
（１２）めっきレジスト３３が剥離される。なお、この際、めっきレジスト３３の下側の無電解めっき膜及び銅箔３７は、残される。
【００３１】
（１３）図７（Ｂ）に示すように、スルーホール導体１３の内側に充填剤１４が充填される。
【００３２】
（１４）無電解めっき処理が行われ、充填剤１４上、スルーホール導体１３上及び電解めっき膜３４上に無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００３３】
（１５）図８（Ａ）に示すように、電解めっき膜３４上の無電解めっき膜上に、めっきレジスト３５が形成される。めっきレジスト３５は、めっきレジスト３５からスルーホール導体１３の両端及び充填剤１４の両端が露出するように形成される。
【００３４】
（１６）電解めっき処理が行われ、図８（Ｂ）に示すように、貫通孔１３Ａに蓋をするように、スルーホール導体１３の両端及び充填剤１４の両端に、電解めっき膜３６が形成される。
【００３５】
（１７）めっきレジスト３５が剥離されると共に、めっきレジスト３５の下側の無電解めっき膜及び銅箔３７が除去され、図９（Ａ）に示すように、内側の層間樹脂絶縁層５４上の残された電解めっき膜３４、無電解めっき膜及び銅箔３７により、導体回路層１２が形成される。そして、第１のコア層５１、第２のコア層５２、接着層５３、１対の内側の層間樹脂絶縁層５４，５４及び１対の導体回路層１２，１２からコア基板１１が形成される。コア基板１１の表側面であるＦ面１１Ｆ側の導体回路層１２と、コア基板１１の裏側面であるＳ面１１Ｓ側の導体回路層１２とは、スルーホール導体１３によって接続される。
【００３６】
（１８）図９（Ｂ）に示すように、コア基板１１の表裏の両面の導体回路層１２上に、第１層間樹脂絶縁層２１Ａとしての樹脂フィルム（ビルドアップ基板用の絶縁フィルム）と銅箔（図示せず）が積層されてから、それらが加熱プレスされる。その際、コア基板１１の表裏の各導体回路層１２の隙間が樹脂フィルムの樹脂にて埋められる。
【００３７】
（１９）図１０（Ａ）に示すように、コア基板１１の表側と裏側の第１層間樹脂絶縁層２１Ａ，２１Ａにレーザが照射されて、複数のビアホール２１Ｈが形成される。それら複数のビアホール２１Ｈは、導体回路層１２上に配置される。
【００３８】
（２０）無電解めっき処理が行われ、各第１層間樹脂絶縁層２１Ａに積層されている各銅箔上と、各ビアホール２１Ｈの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００３９】
（２１）導体回路層１２の形成と同様に、めっきレジストを用いて電解めっき処理が行われる。電解めっきが各ビアホール２１Ｈ内に充填されてビア導体２１Ｄが形成されると共に、コア基板１１の表側と裏側の各第１層間樹脂絶縁層２１Ａ上に所定パターンの第１導体層２２Ａが形成される（図１０（Ｂ）参照）。そして、コア基板１１の表側と裏側の各第１導体層２２Ａと各導体回路層１２とがビア導体２１Ｄによって接続される。
【００４０】
（２２）上述した（１８）〜（２１）と同様の処理により、図１１（Ａ）に示すように、コア基板１１の表側と裏側の各第１導体層２２Ａ上に、第２層間樹脂絶縁層２１Ｂと第２導体層２２Ｂとが形成されると共に、第２層間樹脂絶縁層２１Ｂに第２導体層２２Ｂと第１導体層２２Ａとを接続するビア導体２１Ｄが形成される。
【００４１】
（２３）図１１（Ｂ）に示すように、コア基板１１の表側と裏側の各第２導体層２２Ｂ上にソルダーレジスト層２５が積層される。
【００４２】
（２４）図１２に示すように、コア基板１１の表側と裏側のソルダーレジスト層２５，２５の所定箇所に、例えば、レーザ加工やフォトレジスト処理等により、開口２６Ａが形成される。そして、コア基板１１の表側と裏側の第２導体層２２Ｂ，２２Ｂのうち開口２６Ａから露出した部分でパッド２６が形成される。
【００４３】
（２５）コア基材１１の表側に配置されるパッド２６上に、半田バンプ２７が形成される（図１参照）。以上で電子部品内蔵基板１０が完成する。
【００４４】
本実施形態の電子部品内蔵基板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に電子部品内蔵基板１０の作用効果について説明する。本実施形態の電子部品内蔵基板１０では、コア基板１１に第１のコア層５１と第２のコア層５２とが備えられ、各コア層５１，５２に形成される開口５１Ｋ，５２Ｋにそれぞれ電子部品としてのＭＬＣＣ１７が収容される。このように、ＭＬＣＣ１７が収容される開口５１Ｋ，５２Ｋが各コア層５１，５２毎に形成されているので、コア基板１１における厚み方向全体に亘って開口が形成される従来の電子部品内蔵基板に比べて、コア基板１１の厚みを厚くしつつも開口５１Ｋ，５２Ｋ内においてＭＬＣＣ１７が配置されていない無駄なスペースを減らすことが可能となる。しかも、第１のコア層５１の開口５１Ｋと第２のコア層５２の開口５２Ｋとがコア基板１１の厚み方向で互いに重ならないように配置されているので、開口５１Ｋ，５２Ｋの形成によってコア基板１１の剛性が低下することを抑制可能となる。また、各開口５１Ｋ，５２Ｋがコア基板１１の厚み方向で互いに重ならないように配置されていることで、接着層５３を構成すると共に各開口５１Ｋ，５２Ｋの充填もする樹脂が局所的に不足することを抑制することが可能となる。
【００４５】
［第２実施形態］
第２実施形態を図１３〜図１５に基づいて説明する。本実施形態の電子部品内蔵基板１０Ｖは、第１実施形態の電子部品内蔵基板１０のコア基板１１と異なる構成のコア基板１１Ｖを有している。具体的には、図１３に示すように、コア基板１１Ｖでは、各コア層５１，５２の開口５１Ｋ，５２Ｋ内の各ＭＬＣＣ１７の配置が上記第１実施形態のコア基板１１と異なる。コア基板１１Ｖでは、開口５１Ｋ内のＭＬＣＣ１７の電極のうちコア基板１１ＶのＳ面１１Ｓ側の端面が、第１のコア層５１のＳ面５１Ｓと略面一になっている。また、開口５２Ｋ内のＭＬＣＣ１７の電極のうちコア基板１１ＶのＦ面１１Ｆ側の端面が、第２のコア層５２のＦ面５２Ｆと略面一になっている。
【００４６】
本実施形態の電子部品内蔵基板１０Ｖは、以下のようにして製造される。上記第１実施形態における（１）〜（４）の製造方法と同様にして、１対の電子部品内蔵積層体６０，６０が用意される。そして、図１４（Ａ）に示すように、電子部品内蔵積層体６０，６０は、絶縁樹脂層６６同士が向かい合うようにして重ねられると共に、各電子部品内蔵積層体６０の底面６０Ｂ上に、樹脂絶縁シート６７と、銅箔３７とが重ねられる。この際、上記第１実施形態と同様に、電子部品内蔵積層体６０，６０同士は、それぞれの開口５０Ｋ，５０Ｋ同士が絶縁性基材１１Ｋの厚み方向で重ならないように配置される。
【００４７】
そして、重ねられた電子部品内蔵積層体６０，６０、樹脂絶縁シート６７及び銅箔３７，３７が加熱プレスされて、積層基材７０Ｖが形成される（図１４（Ｂ）参照）。このとき、電子部品内蔵積層体６０，６０の絶縁樹脂層６６，６６から接着層５３Ｖが形成される。また、このとき、１対の樹脂絶縁シート６７，６７から、内側の層間樹脂絶縁層５４Ｖが形成されると共に、１対の樹脂絶縁シート６７，６７から樹脂が染み出て各開口５１Ｋ，５２Ｋ内に入り込むことで、上述の充填樹脂１６の一部が形成される。
【００４８】
上記第１実施形態の（７）〜（１７）と同様の製造方法によって、導体回路層１２、スルーホール導体１３等が形成され、コア基板１１Ｖが形成される。（図１５参照）、さらに、（１８）〜（２５）と同様にして、図１３に示す電子部品内蔵基板１０Ｖが完成する。
【００４９】
本実施形態の電子部品内蔵基板１０Ｖによっても、第１実施形態と同様の効果を奏することが可能となる。しかも、本実施形態では、各ＭＬＣＣ１７が、各コア層５１，５２の開口５１Ｋ，５２Ｋ内においてコア基板１１の厚み方向外側に寄って配置されているので、ＭＬＣＣ１７と導体回路層１２とを接続するビア導体６１Ｄ，６２Ｄを短くすることが可能となり、ビアホール６１Ｈ，６２Ｈとビア導体６１Ｄ，６２Ｄとを容易に形成することが可能となる。なお、上記第１施形態では、本実施形態に比べて、コア基板１１を構成するための樹脂絶縁シート６７が１枚少なくて済むので、電子部品内蔵基板を製造するための使用材料数を少なくすることが可能となる。
【００５０】
［第３実施形態］
本実施形態の電子部品内蔵基板１０Ｗでは、コア基板１１Ｗに、上記第２実施形態におけるビア導体６１Ｄ，６１Ｄの代わりに、第１のコア層５１の開口５１Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７の電極と、コア基板１１ＷのＦ面１１Ｆ側に配置される導体回路層１２と、を接続するビア導体６１ＤＷ，６１ＤＷが形成されている（図１６参照）。ビア導体６１ＤＷ，６１ＤＷは、接着層５３Ｖと第２のコア層５２と第２のコア層５２上の内側の層間樹脂絶縁層５４Ｖとを貫通している。
【００５１】
本実施形態の電子部品内蔵基板１０Ｗは、以下のようにして製造される。上記第２実施形態と同様にして、図１７（Ａ）に示す積層基板７０Ｖが形成される。この積層基材７０Ｖに、ルータ加工により、貫通孔１３Ａが貫通形成される（１７（Ｂ）参照）。さらに、積層基材７０Ｖには、レーザ加工により、ビアホール６２Ｈ，６２Ｈが形成されると共に、接着層５３Ｖ、第２のコア層５２、及び第２のコア層５２上の内側の層間樹脂絶縁層５４Ｖを貫通するビアホール６１ＨＷ，６１ＨＷが形成される。そして、上記第１実施形態と同様にして、無電解めっき処理、電解めっき処理等が行なわれ、ビアホール６１ＨＷ内にビア導体６１ＤＷが形成されると共に、ビア導体６２Ｄ、スルーホール導体１３及び所定パターンの導体回路層１２等が形成され、コア基板１１Ｗが形成される（図１７（Ｃ）参照）。以降、上記第１実施形態及び上記第２実施形態と同様の製造方法によって、電子部品内蔵基板１０Ｗが完成する。
【００５２】
本実施形態の電子部品内蔵基板１０Ｗによっても、上記第２実施形態と同様の効果を奏することが可能となる。しかも、本実施形態では、第１のコア層５１の開口５１Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７と半田バンプ２７とが、ビア導体６１ＤＷを介して接続されるので、スルーホール導体１３を介して接続される上記第１実施形態及び上記第２実施形態に比べて、伝送距離を短くすることが可能となる。
［他の実施形態］
【００５３】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００５４】
（１）上記実施形態では、コア基板１１の厚み方向において、第１のコア層５１の開口５１Ｋと第２のコア層５２の開口５２Ｋとが、全体的に互いに重ならない配置となっていたが、部分的に互いに重なる配置となってもよい。
【００５５】
（２）図１８に示す電子部品内蔵基板１０Ｘのように、第１のコア層５１と第２のコア層５２との間に接着層５３Ｖ（５３）を介して第３のコア層８０が備えられているコア基板１１Ｘを有する構成であってもよい。なお、この場合、第３のコア層８０が複数備えられていてもよい。
【００５６】
（３）上記実施形態では、開口５１Ｋ，５２Ｋに収容されている電子部品が、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）１７であったが、他の電子部品、例えば、ＭＬＣＣ以外のコンデンサ、インダクタ等であってもよい。
【００５７】
（４）上記実施形態では、各開口５１Ｋ，５２Ｋに充填される充填樹脂１６が、接着層５３（５３Ｖ）を構成する樹脂と内側の層間樹脂絶縁層５４（５４Ｖ）を構成する樹脂との両方からなっていたが、接着層５３（５３Ｖ）を構成する樹脂のみからなっていてもよいし、内側の層間樹脂絶縁層５４（５４Ｖ）を構成する樹脂のみからなっていてもよい。
【００５８】
（５）第１のコア基板５１の開口５１Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７と、第２のコア基板５２の開口５２Ｋに収容されるＭＬＣＣ１７とのそれぞれの電極の端面が、第１のコア層５１、第２のコア層５２の表側面５１Ｆ，５２Ｆと略面一になっている構成であってもよいし（図１９（Ａ）参照）、第１のコア層５１、第２のコア層５２の裏側面５１Ｓ，５２Ｓと略面一になっている構成であってもよい（図１９（Ｂ）参照）。これらの構成では、樹脂絶縁シート６７を１枚（図１９（Ａ）の例では表側に配置される内側の層間樹脂絶縁層５４Ｖとして、図１９（Ｂ）の例では裏側に配置される内側の層間樹脂絶縁層５４Ｖとして、）使用すればよいので、樹脂絶縁シート６７を２枚使用する上記第２実施形態に比べて、電子部品内蔵基板を製造するための使用材料数を少なくすることが可能となる。
【符号の説明】
【００５９】
１０，１０Ｖ，１０Ｗ，１０Ｘ    電子部品内蔵基板
１１，１１Ｖ，１１Ｗ，１１Ｘ    コア基板
１２    導体回路層（内側の導体層）
１７    積層セラミックコンデンサ（電子部品）
２０    外側のビルドアップ部
２１    層間樹脂絶縁層
２２    導体層
５１    第１のコア層
５２    第２のコア層
５３，５３Ｖ    接着層
５４，５４Ｖ    内側の層間樹脂絶縁層
５１Ｋ，５２Ｋ    開口
６１Ｄ，６２Ｄ，６１ＤＷ    ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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