(57)【要約】【課題】基板面内で均一な微細パターンの形成方法を提供する。【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、第一領域と第二領域とを含む半導体基板上に第一膜を形成し、前記第一膜上に第二膜を形成し、前記第二膜の一部を除去して前記第一膜を露出させ、露出した前記第一膜上に自己組織化材料を塗布し、前記自己組織化材料を熱処理によって第一ポリマー部と第二ポリマー部とに相分離させ、前記第一領域と前記第二領域とで異なる照射量の光を照射し、前記第一ポリマー部及び前記第二ポリマー部のいずれかを除去し、前記第一ポリマー部及び第二ポリマー部の残部をマスクとして前記第一膜をエッチングする。【選択図】図６
2017157632.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一領域と第二領域とを含む半導体基板上に第一膜を形成し、
前記第一膜上に第二膜を形成し、
前記第二膜の一部を除去して前記第一膜を露出させ、
露出した前記第一膜上に自己組織化材料を塗布し、
前記自己組織化材料を熱処理によって第一ポリマー部と第二ポリマー部とに相分離させ
、
前記第一領域と前記第二領域とで異なる照射量の光を照射し、
前記第一ポリマー部及び前記第二ポリマー部のいずれかを除去し、
前記第一ポリマー部及び第二ポリマー部の残部をマスクとして前記第一膜をエッチング
する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第一領域と第二領域とを含む基板上に第一膜を形成し、
前記第一膜上に第二膜を形成し、
前記第二膜の一部を除去して前記第一膜を露出させ、
露出した前記第一膜上に前記第一領域と前記第二領域とで異なる量の自己組織化材料を
塗布し、
前記自己組織化材料を熱処理によって第一ポリマー部と第二ポリマー部とに相分離させ
、
前記第一ポリマー部及び前記第二ポリマー部のいずれかを除去し、
前記第一ポリマー部及び第二ポリマー部の残部をマスクとして前記第一膜をエッチング
する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第一領域と第二領域とを含む基板上に第一膜を形成し、
前記第一膜上に第二膜を形成し、
前記第一領域と前記第二領域とで異なる寸法の前記第二膜を除去し前記第一膜を露出さ
せ、
露出した前記第一膜に自己組織化材料を塗布し、
前記自己組織化材料を熱処理によって第一ポリマー部及び第二ポリマー部に相分離させ
、
前記第一ポリマー部及び前記第二ポリマー部のいずれかを除去し、
前記第一ポリマー部及び第二ポリマー部の残部をマスクとして前記第一膜をエッチング
する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記自己組織化材料を塗布する工程は、スピン塗布またはインクジェット塗布によって
行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第二領域は前記第一領域の外側にあることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理は前記第一領域と前記第二領域とで加熱時間が異なることを特徴とする請求
項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
第一領域と第二領域とを含む基板上に第一膜を形成し、
前記第一膜上に第二膜を形成し、
前記第二膜の一部を除去して前記第一膜を露出させ、
露出した前記第一膜上に自己組織化材料を塗布し、
前記自己組織化材料を熱処理によって第一ポリマー部と第二ポリマー部とに相分離させ
、
前記第一領域と前記第二領域とで異なる照射量の光を照射し、
前記第一ポリマー部及び前記第二ポリマー部のいずれかを除去し、
前記第一ポリマー部及び第二ポリマー部の残部をマスクとして前記第一膜をエッチング
する、
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項８】
第一領域と第二領域とを含む基板上に第一膜を形成し、
前記第一膜上に第二膜を形成し、
前記第二膜の一部を除去して前記第一膜を露出させ、
露出した前記第一膜上に前記第一領域と前記第二領域とで異なる量の自己組織化材料を
塗布し、
前記自己組織化材料を熱処理によって第一ポリマー部と第二ポリマー部とに相分離させ
、
前記第一ポリマー部及び前記第二ポリマー部のいずれかを除去し、
前記第一ポリマー部及び第二ポリマー部の残部をマスクとして前記第一膜をエッチング
する、
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】
第一領域と第二領域とを含む基板上に第一膜を形成し、
前記第一膜上に第二膜を形成し、
前記第一領域と前記第二領域とで異なる寸法の前記第二膜を除去し前記第一膜を露出さ
せ、
露出した前記第一膜に自己組織化材料を塗布し、
前記自己組織化材料を熱処理によって第一ポリマー部及び第二ポリマー部に相分離させ
、
前記第一ポリマー部及び前記第二ポリマー部のいずれかを除去し、
前記第一ポリマー部及び第二ポリマー部の残部をマスクとして前記第一膜をエッチング
する、
ことを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法及びパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の回路パターン形成方法として、自己組織化
（ＤＳＡ：Ｄｉｒｅｃｔｅｄ  Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）の活用が注目されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／０２９１８７８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、基板面内で均一な微細パターンの形成方法を提供す
ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、第一領域と第二領域とを含む半導体基板上に第
一膜を形成し、前記第一膜上に第二膜を形成し、前記第二膜の一部を除去して前記第一膜
を露出させ、露出した前記第一膜上に自己組織化材料を塗布し、前記自己組織化材料を熱
処理によって第一ポリマー部と第二ポリマー部とに相分離させ、前記第一領域と前記第二
領域とで異なる照射量の光を照射し、前記第一ポリマー部及び前記第二ポリマー部のいず
れかを除去し、前記第一ポリマー部及び第二ポリマー部の残部をマスクとして前記第一膜
をエッチングする。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第一乃至第三の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するフローチャート。
【図２】第一の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第一工程を説明する断面図。
【図３】第一の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第二工程を説明する断面図。
【図４】第一の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第三工程を説明する断面図。
【図５】第一の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第四工程を説明する断面図。
【図６】第一の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第五工程を説明する断面図。
【図７】第一の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第六工程を説明する断面図。
【図８】第一の実施形態にかかるＵＶ照射方法を説明する平面図。
【図９】第二の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第一工程を説明する断面図。
【図１０】第二の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第二工程を説明する断面図。
【図１１】第二の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第三工程を説明する断面図。
【図１２】第二の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第四工程を説明する断面図。
【図１３】第二の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第五工程を説明する断面図。
【図１４】第三の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第一工程を説明する断面図。
【図１５】第三の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第二工程を説明する断面図。
【図１６】第三の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第三工程を説明する断面図。
【図１７】第三の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第四工程を説明する断面図。
【図１８】第三の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第五工程を説明する断面図。
【図１９】第三の実施形態にかかる半導体装置の製造方法の第六工程を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
（第一の実施形態）
以下、第一の実施形態にかかる半導体装置の製造方法について図１〜図８を参照して説
明する。なお、以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の
符号で表している。ただし、図面は膜厚と平面寸法との関係、比率等は現実のものとは異
なり、模式的なものである。
【０００８】
図１は、第一の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
本実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、ガイド溝形成（Ｓ１０）、自己組織化材料
塗布（Ｓ１１）、熱処理（Ｓ１２）、ＵＶ照射（Ｓ１３）、現像及びエッチング（Ｓ１４
）の段階を経て行なわれる。
【０００９】
次に、図２〜図７を用いて図１に示したフローチャートの詳細を説明する。
【００１０】
図２（ａ）、（ｂ）はそれぞれウエハ中心部、ウエハエッジ部の任意の領域を示す断面
図である。図２（ｃ）は図２（ａ）、（ｂ）の平面図であり、Ａ１−Ａ２線の断面図が図
２（ａ）、（ｂ）に相当する。なお、後の図３以降の断面図においても、（ａ）はウエハ
中心部、（ｂ）はウエハエッジ部を示すものとする。
【００１１】
図２（ａ）、（ｂ）は半導体装置の製造方法の第一工程であるガイド溝形成（Ｓ１０）
を説明する断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１００上に被加工膜１
０１を形成し、その上にハードマスク１０２及び反射防止膜１０３を順に形成する。
【００１２】
基板１００は例えばＰ型シリコン基板である。
【００１３】
被加工膜１０１は、例えば膜厚３００ｎｍ程度であり、ゲート絶縁膜となるシリコン酸
化膜１０１ａ及びゲート電極となるポリシリコン１０１ｂを含む。なお、以降の図面にお
いてシリコン酸化膜１０１ａ及びポリシリコン１０１ｂの記載は省略し、被加工膜１０１
として扱う。
【００１４】
ハードマスク１０２は、例えばＣＶＤ（化学気相成長）を用いて形成された膜厚１００
ｎｍの炭素膜である。また、反射防止膜１０３は、例えば回転塗布にて形成された膜厚１
５ｎｍの酸化膜である。
【００１５】
次に、反射防止膜１０３上にレジスト材料を回転塗布し、膜厚１２０ｎｍのレジスト膜
１０４を作成する。ＡｒＦ液浸エキシマレーザを、透光部を有するマスクを介してレジス
ト膜１０４上に照射する。その後現像によってレジスト膜１０４に円形のガイド溝１０５
ａ、１０５ｂを形成する。ガイド溝１０５ａ、１０５ｂの円の直径は例えば７０ｎｍであ
る。レジスト膜１０４は、後の工程で自己組織化材料が相分離する際の物理ガイドとして
の機能を有する。
【００１６】
次に、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、レジスト膜１０４上に自己組織化材料を塗布
する。ガイド溝１０５ａ、１０５ｂ内に自己組織化材料１０６ａ、１０６ｂが充填される
。自己組織化材料は例えばブロックコポリマーを用いる。ブロックコポリマーは２つの異
なる高分子が化学結合によって直鎖状に結合した構造を有する。なお、自己組織化材料は
ブロックコポリマーに限らず自己組織化特性を有する高分子材料であれば良い。
【００１７】
本実施形態において自己組織化材料１０６ａ、１０６ｂは例えば以下の方法で基板上に
塗布される。まず、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のブ
ロック共重合体（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）を１．０ｗｔ％の濃度となるようにプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）溶液に溶解し、ブロックコポリマ
ーのＰＧＭＥＡ溶液を作成する。次にウエハを回転数１５００ｒｐｍで回転させながら、
ブロックコポリマーのＰＧＭＥＡ溶液をレジスト膜１０４上に吐出する。このあとさらに
回転数１０００ｒｐｍで基板を３０秒間回転させてスピン乾燥させる。このようにしてウ
エハ面上に膜厚が均一な自己組織化材料１０６ａ、１０６ｂを形成することができる。な
お、塗布方法はスピン塗布に限らず、例えばインクジェットを用いた塗布方法でも良い。
【００１８】
本実施形態の自己組織化材料はＰＳとＰＭＭＡの平均分子量（Ｍｎ）がそれぞれ４７０
０と２４０００である。この分子量において、ＰＳとＰＭＭＡは、熱工程によってガイド
溝１０５ａ、１０５ｂの直径が例えば５０〜１００ｎｍのときにガイド溝１０５ａ、１０
５ｂ内で中央の円柱部分とその外側部分に相分離する。円柱はガイド溝１つに対して１本
形成される。
【００１９】
なお、本実施形態において、自己組織化材料はブロック共重合体ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡを
用いたが、これに限定されない。また、ブロック共重合体の分子量や相分離した際の形状
は、目的のパターンに応じて適宜選択可能である。
【００２０】
次に、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ウエハをホットプレート上に置き、２４０℃
で３分間加熱する。これにより、自己組織化材料１０６ａ、１０６ｂが相分離し、ＰＳを
多く含む第一ポリマー部１０７ａ、１０７ｂとＰＭＭＡを多く含む第二ポリマー部１０８
ａ、１０８ｂとから構成される自己組織化相が形成される。このように中央の円柱部分と
その外側部分に相分離した状態をシリンダー状と称する。このときたとえば、ＰＳを多く
含む第一ポリマー部１０７ａ、１０７ｂがガイド溝１０５ａ、１０５ｂの側壁部に形成（
偏析）され、ＰＭＭＡを多く含む第二ポリマー部１０８ａ、１０８ｂがガイド溝１０５ａ
、１０５ｂの中心に一本の円柱状に形成される。
【００２１】
次に、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、ウエハ全面にＵＶ照射を行い、ＰＭＭＡの主
鎖を切断して第二ポリマー部のみがＩＰＡ（イソプロピルアルコール）に可溶な状態にす
る。このＵＶ照射処理は、例えば図８（ａ）、（ｂ）に示すように、二段階のＵＶ照射に
よって行なう。まず、図８（ａ）に示すように第一のＵＶ照射によってウエハ面内全体に
同じ照射量のＵＶを照射する。この時棒状のＵＶランプをウエハの一端から他端に矢印の
向きに動かして照射する。次に、図８（ｂ）に示すように、第二のＵＶ照射によってウエ
ハのエッジ部よりも中心部に多くＵＶが照射されるようにする。このとき、ウエハ上に遮
光体を介した状態で、第一のＵＶ照射と同様にＵＶランプを動かしＵＶを照射する。この
遮光体は、エッジ部から中心部にかけて遮光率が小さくなるように設定する。例えば、エ
ッジ部から中心部にかけて、遮光率が、９０、７０、５０、３０、１０、０％となるよう
にする。この二段階のＵＶ照射方法によって、例えば中心部には２０００ｍＪ／ｃｍ２、
エッジ部には１０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量のＵＶが照射される。つまり、中心部とエッ
ジ部との間の中間部には１５００ｍＪ／ｃｍ２の照射量のＵＶが照射されることになる。
なお、照射量とは任意の範囲に照射される光の強度である。
【００２２】
発明者の考察によれば、上記のＵＶ照射によって、ＵＶ照射量の少ないエッジ部では第
二ポリマー部を構成するＰＭＭＡの主鎖の少なくとも一部の化学結合が切断されＩＰＡに
可溶となるが、ＵＶ照射量の多い中心部ではＰＭＭＡ主鎖の化学結合が切断されるだけで
なく、ＰＭＭＡとＰＳとの結合部の化学結合も切断されることが考えられる。その結果、
中心部のＵＶによる化学結合切断部位が多くなり、ＩＰＡに可溶な領域が増す。そのため
、ＵＶ照射量の多い中心部では現像後のホールの直径は大きくなり、ＵＶ照射量の少ない
エッジ部ではホールの直径は小さくなる。
【００２３】
次に図６（ａ）、（ｂ）に示すように、上記ＵＶ照射後のウエハをＩＰＡにさらすと、
ＩＰＡに可溶なポリマーが除去される。本実施形態ではＰＭＭＡを多く含む第二ポリマー
部が除去される。その結果、ガイド溝１０５ａ、１０５ｂの中心に円柱状のホールパター
ン１０９ａ、１０９ｂが形成される。ＵＶ照射量が多い中心部のホールパターン１０９ａ
の直径はたとえば２５ｎｍであり、ＵＶ照射量が少ないエッジ部のホールパターン１０９
ｂの直径はたとえば２２ｎｍである。この寸法差はＵＶ照射量の違いによって生じたもの
である。
【００２４】
次に、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、残存した第一ポリマー部１０７ａ、１０７ｂ
及びレジスト膜１０４をマスクにし、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎ
ｇ）により反射防止膜１０３及びハードマスク１０２を加工する。反射防止膜１０３及び
ハードマスク１０２にホールパターン１０９ａ、ホールパターン１０９ｂが転写され、ホ
ール１１０ａ、１１０ｂが形成される。このとき本実施形態における加工転写条件ではエ
ッジ部でエッチングレートが大きくなる。そのため、中心部のハードマスク１０２及び反
射防止膜１０３に転写されるホール１１０ａの直径は、レジスト膜のホールパターン１０
９ａと同じ２５ｎｍで転写されるのに対し、エッジ部のハードマスク１０２及び反射防止
膜１０３に転写されるホール１１０ｂの直径は、レジスト膜のホールパターン１０９ｂよ
りも３ｎｍ拡大して転写され２５ｎｍとなる。上記の方法により、ウエハ面内で均一な寸
法を有したパターン形成が可能となる。
【００２５】
本実施形態において、ＵＶ照射する際に、エッジ部から中心部にかけて遮光率が小さく
なる遮光体を用いてＵＶ照射量を中心部とエッジ部とで変化させ、転写加工後のパターン
寸法を補正したが、ＵＶ照射量はウエハ中心部とエッジ部に限らず、ウエハ面内で適宜変
化させても良い。その際、ウエハのエッチングレートの面内依存性を考慮し、ホールパタ
ーン１０９が面内依存性を持つように照射量を調整する。
【００２６】
中心部よりもエッジ部でエッチングレートが大きい場合、ウエハ面内で均一な直径のホ
ールパターンを形成しても反射防止膜及びハードマスクへと加工転写した際にエッジ部で
のホール直径が大きくなり、ウエハ面内で直径のばらつきが生じてしまう。本実施形態に
かかる半導体装置の製造方法によれば、ウエハ中心部とエッジ部とで現像後のホールパタ
ーン１０９ａ、１０９ｂの直径にあらかじめ差をつけることにより、ウエハ面内でエッチ
ングレートが異なる条件でエッチングした場合でも、均一な寸法のパターン形成が可能と
なる。
【００２７】
なお、本実施形態において、中心部と比較してエッジ部でエッチングレートが大きい場
合に、中心部のＵＶ照射量をエッジ部と比較して大きくすることを示したがこれに限らな
い。中心部または中心部とエッジ部との間の中間部でエッチングレートが最も大きい場合
にも適用できる。中心部でエッチングレートが大きくなる場合は、中心部からエッジ部に
かけてＵＶ照射量を大きくする。中間部でエッチングレートが大きい場合は、中間部でＵ
Ｖ照射量を小さく、中心部とエッジ部にかけて大きくなるようにすればよい。
【００２８】
また本実施形態ではレジスト膜１０４をガイド溝とする場合について説明したが、これ
に限らない。レジスト膜１０４をハードマスク１０２及び反射防止膜１０３まで転写した
パターンをガイド溝として用いてもよい。
【００２９】
さらに、ガイド溝はホール径形成だけでなく、ラインアンドスペースパターン形成やそ
の他の自己組織化可能なパターンの形成にも応用できる。つまり、ラインアンドスペース
パターンの場合だと、図６の段階で開口寸法としてのスペース幅が互いに異なるラインア
ンドスペースパターンが形成されるような制御を行なえばよい。その他のパターンについ
ても同様に開口寸法が異なるように制御すればよい。
【００３０】
（第二の実施形態）
次に、第二の実施形態について、図９〜図１３を参照しながら説明する。
【００３１】
第二の実施形態は、第一の実施形態で示した半導体装置の製造方法においてＵＶ照射量
の代わりに、自己組織化材料１０６の膜厚がウエハ中心部とウエハエッジ部で異なる。し
たがって、以下の形成方法の説明では、第一の実施形態と異なる部分を説明し、同じ工程
となる部分は省略する。
【００３２】
第一の実施形態と同様な方法でガイド溝を形成する（Ｓ１０）。
【００３３】
次に、第二工程である自己組織化材料塗布（Ｓ１１）以降の工程について説明する。図
９（ａ）、（ｂ）は本実施形態における半導体装置の製造方法の第二工程である自己組織
化材料塗布を説明するウエハ中心部及びエッジ部の断面図である。第一の実施形態同様に
ウエハの中心部の断面図を（ａ）、エッジ部の断面図を（ｂ）に示す。本実施形態にかか
る自己組織化材料塗布方法は、第一の実施形態と同様なブロックコポリマーのＰＧＭＥＡ
溶液を作成し、基板を第一の実施形態よりも遅い速度である回転数１０００ｒｐｍで回転
させながらＰＧＭＥＡ溶液をレジスト膜１０４上に吐出する。次に回転数１０００ｒｐｍ
で基板を３０秒間回転させてスピン乾燥させる。スピン塗布方法は中心部に吐出したブロ
ックコポリマーのＰＧＭＥＡ溶液を遠心力によってエッジ部へと広げる方法である。その
ため回転数が少ない場合、ウエハにかかる遠心力が弱くなり、自己組織化材料１０６ａ、
１０６ｂは中心部に留まりエッジ部へ広がりにくくなる。図９（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、この塗布方法によって中心部では塗布膜厚が大きく、エッジ部では塗布膜厚が小さい
自己組織化材料１０６ａ、１０６ｂが形成される。なお、本実施形態における自己組織化
材料はブロックコポリマーを用いたが、これに限定されない。
【００３４】
次に、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、第一の実施形態同様ウエハをホットプレー
ト上に置き、２４０℃で３分間加熱する。この熱処理によって自己組織化材料１０６ａ、
１０６ｂが相分離し、ＰＳを多く含む第一ポリマー部１０７ａ、１０７ｂがガイド溝１０
５ａ、１０５ｂの側壁部に形成（偏析）され、ＰＭＭＡを多く含む第二ポリマー部１０８
ａ、１０８ｂがガイド溝１０５ａ、１０５ｂの中心に円柱状に形成される。この時、膜厚
が大きいウエハ中心部では相分離した際の第二ポリマー部の直径が大きくなり、一方で膜
厚の小さいエッジ部では第二ポリマー部の直径が小さくなる。
【００３５】
次に、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、ＵＶ照射処理を行い、ＰＭＭＡの主鎖を切
断して第二ポリマー部のみがＩＰＡ（イソプロピルアルコール）可溶となるようにする。
ＵＶ照射は第一の実施形態とは異なり一段階の照射で行い、ウエハ面内で照射量が均一に
なるようにする。照射量はたとえば、２０００ｍＪ／ｃｍ２である。
【００３６】
次に図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、ウエハをＩＰＡにさらすと、ＩＰＡに可溶な
ポリマーが現像され、ホールパターン１０９ａ、１０９ｂが形成される。現像によって生
じた中心部のホールパターン１０９ａの直径はたとえば２５ｎｍであり、エッジ部のホー
ルパターン１０９ｂの直径はたとえば２２ｎｍである。この寸法差は自己組織化材料の塗
布膜厚の違いによって生じたものである。
【００３７】
次に、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、残存した第一ポリマー部１０７ａ、１０７
ｂ及びレジスト膜１０４をマスクとし、ＲＩＥにより反射防止膜１０３及びハードマスク
１０２を加工する。反射防止膜１０３及びハードマスク１０２にはホールパターン１０９
ａ、ホールパターン１０９ｂが転写される。このとき本実施形態における転写加工条件で
はエッジ部でエッチングレートが大きいため、中心部のハードマスク１０２及び反射防止
膜１０３に転写されるホール１１０ａの直径はレジスト膜のホールパターン１０９ａと同
じ２５ｎｍで転写されるのに対し、エッジ部のハードマスク１０２及び反射防止膜１０３
に転写されるホール１１０ｂの直径はレジスト膜のホールパターン１０９ｂよりも３ｎｍ
拡大して転写され２５ｎｍとなる。上記の方法により、ウエハ面内での均一な寸法のパタ
ーン形成が可能となる。
【００３８】
本実施形態において、中心部とエッジ部とで自己組織化材料１０６の塗布膜厚に変化を
つけるために、スピン塗布の回転数や塗布量を調整して自己組織化材料１０６の膜厚を制
御した。塗布膜厚の制御方法はこの方法に限らず、たとえばインクジェットを用いた塗布
によって、所望の領域にノズルから所望の量の自己組織化材料を吐出し、膜厚差のある自
己組織化材料１０６を形成してもよい。そのほか、ガイド溝１０５ａ、１０５ｂへの自己
組織化材料１０６の流れ込み量の制御によって膜厚差をつけても良い。この場合、例えば
膜厚を抑えたい領域のレジスト膜１０４の表面をＵＶ照射等によって親水化する。レジス
ト膜１０４表面が親水化した領域は、疎水性の自己組織化材料のＰＧＭＥＡ溶液がガイド
溝１０５ａ、１０５ｂ内に流れ込みにくくなり、その結果、膜厚が小さくなる。
【００３９】
本実施形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、エッチングレートが中心部よりも
エッジ部で大きいことをあらかじめ考慮しウエハの中心部とエッジ部とで自己組織化材料
１０６の膜厚に差をつける。膜厚が大きい中心部では第二ポリマー部の直径が大きくなり
、膜厚が小さいエッジ部では第二ポリマー部の直径が小さくなる。その結果エッジ部でエ
ッチングレートが大きい場合でもエッジング終了時にウエハ面内で寸法が均一なパターン
形成が可能となる。
【００４０】
なお、本実施形態では転写加工条件が中心部と比較してエッジ部でエッチングレートが
大きい条件であるため、塗布膜厚をエッジ部で小さく、中心部で大きくしたが、中心部ま
たは中心部とエッジ部との間の中間部でエッチングレートが大きい条件の場合は、それを
補正するように自己組織化材料の塗布膜厚を領域ごとに適宜選定して形成すればよい。例
えば、ウエハ中心部でエッチングレートが大きい条件の場合は中心部で膜厚が小さくエッ
ジ部で大きくなるような塗布膜厚面内傾向を持たせて自己組織化材料１０６ａ、１０６ｂ
を形成し、中心部とエッジ部との間の中間部でエッチングレートが大きい条件の場合は、
中間部で膜厚が小さく、中心部とエッジ部とで膜厚が大きくなるように塗布膜厚面内傾向
を持たせて自己組織化材料１０６ａ、１０６ｂを形成する。
【００４１】
また本実施形態ではレジスト膜１０４をガイド溝１０５とする場合について説明したが
、レジスト膜１０４をハードマスク１０２及び反射防止膜１０３まで転写したパターンを
ガイド溝１０５として用いることもできる。
【００４２】
（第三の実施形態）
次に、第三の実施形態について、図１４〜図１９を参照しながら説明する。
【００４３】
第三の実施形態は、第一及び第二の実施形態で示した半導体装置の製造方法においてＵ
Ｖ照射量や自己組織化材料の膜厚ではなく、ガイド溝の直径がウエハ中心部とウエハエッ
ジ部で異なっている。したがって、以下の形成方法の説明では、第一及び第二の実施形態
と異なる部分を説明し、同じ工程となる部分は省略する。
【００４４】
以下、本実施形態にかかるガイド溝形成方法について図を用いて説明する。
【００４５】
図１４（ａ）、（ｂ）は本実施形態における半導体装置の製造方法の第一工程であるガ
イド溝形成（Ｓ１０）を説明するウエハ中心部及びエッジ部の断面図である。第一及び第
二の実施形態同様にウエハの中心部の断面図を（ａ）、エッジ部の断面図を（ｂ）に示す
。図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１００上の被加工膜１０１及びハードマスク
１０２上に形成された反射防止膜１０３上に膜厚１２０ｎｍとなるようレジスト材料を回
転塗布し、レジスト膜１０４を形成する。その後透光部を有するマスクを介してレジスト
膜１０４上にＡｒＦ液浸エキシマレーザを照射する。ＡｒＦ光の照射量は、たとえばウエ
ハ中心部で露光量２０ｍＪ／ｃｍ２、エッジ部で露光量１８ｍＪ／ｃｍ２となるように調
整する。ガイド溝１０５の直径を小さくしたい領域には照射量を少なくする。その後、現
像し、レジスト膜１０４に円形のガイド溝１０５ａ、１０５ｂを形成する。このとき中心
部のガイド溝１０５ａの直径は例えば７０ｎｍであり、エッジ部のガイド溝１０５ｂの直
径は例えば６５ｎｍである。
【００４６】
次に図１５（ａ）、（ｂ）に示すように第一の実施形態と同様の方法で中心部とエッジ
部で同量の自己組織化材料を塗布する。（Ｓ１１）
【００４７】
その後、図１６（ａ）、（ｂ）に示すように第一及び第二の実施形態と同様に熱処理に
よって自己組織化材料１０６を相分離させる。（Ｓ１２）この時、ガイド溝１０５の直径
が小さく、自己組織化材料１０６の体積が少ないエッジ部では、中心部と比較して第二ポ
リマー部１０８の体積が小さくなる。
【００４８】
次に、図１７及び図１８の（ａ）、（ｂ）に示すように、第二の実施形態と同様の方法
で第一ポリマー部及び第二ポリマー部にＵＶを照射する。その後ＩＰＡを用いて、第二ポ
リマー部を除去し、ホールパターン１０９ａ、１０９ｂが形成される。この時、中心部の
ホールパターン１０９ａの直径はたとえば２５ｎｍであり、エッジ部のホールパターン１
０９ｂの直径はたとえば２２ｎｍである。この寸法差はガイド溝１０５ａ、１０５ｂの直
径の違いに由来する第二ポリマー部１０８ａ、１０８ｂの直径の違いによって生じたもの
である。
【００４９】
最後に、図１９（ａ）、（ｂ）に示すように第一及び第二の実施形態と同様の方法で、
エッチングを行う。このとき本実施形態における転写加工条件ではエッジ部でエッチング
レートが大きいため、中心部のハードマスク１０２及び反射防止膜１０３に転写されるホ
ール１１０ａの直径はレジスト膜のホールパターン１０９ａと同じ２５ｎｍで転写される
のに対し、エッジ部のハードマスク１０２及び反射防止膜１０３に転写されるホール１１
０ｂの直径はレジスト膜のホールパターン１０９ｂよりも３ｎｍ拡大して転写され２５ｎ
ｍとなる。
【００５０】
本実施形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、エッチングレートが大きいエッジ
部にあらかじめ直径の小さいガイド溝を形成する。ガイド溝の直径が小さいと自己組織化
材料が相分離した際にできる第二ポリマー部の直径も小さくなる。そのためエッチング後
のパターン寸法をウエハ面内で均一にできる。
【００５１】
なお、第一、第二及び第三の実施形態で示した半導体装置の製造方法は、第一の実施形
態ではＵＶ照射量を、第二の実施形態では自己組織化材料の膜厚を、第三の実施形態では
ガイド溝の直径を、エッチングレートに合わせてあらかじめウエハ面内の領域ごとに差を
つけるというものである。その結果エッチング後の面内のパターン寸法を均一にすること
ができる。面内のパターン寸法を均一にするにはそれぞれの実施形態の半導体装置の製造
方法のみで行う場合に限らない。上記半導体装置の製造方法は、組み合わせて用いること
も可能である。たとえば、エッジ部でのエッチングレートが中心部と比較してきわめて大
きい場合、第一及び第二の実施形態で示したように、エッジ部と中心部でのＵＶ照射量と
自己組織化材料の塗布膜厚の両方に変化をつけても良い。そのときは、エッジ部では中心
部よりもＵＶ照射量を小さくし、塗布膜厚を小さくすれば良い。
【００５２】
また、上記組み合わせだけでなく、第一、第二及び第三の実施形態においてウエハ中心
部とエッジ部とで自己組織化材料塗布後の熱処理が異なっていても良い。熱処理の際に、
ウエハをホットプレート上でベークするが、この時のベーク時間が長くなると相分離した
際の第二ポリマー部の直径が小さくなる。そのため第一、第二及び第三の実施形態ではエ
ッジ部のベーク時間を例えば２分とし、中心部のベーク時間を例えば１分とすることで中
心部とエッジ部とで現像後のホールパターンの直径の差が顕著になり、エッチングレート
がエッジ部できわめて大きい場合でも対応できる。この場合、領域ごとに温度設定が可能
なホットプレートを用い、ベーク途中で中心部のみ温度を下げれば良い。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したも
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
【符号の説明】
【００５３】
１００  基板
１０１  被加工膜
１０２  ハードマスク
１０３  反射防止膜
１０４  レジスト膜
１０５ａ、１０５ｂ  ガイド溝
１０６ａ、１０６ｂ  自己組織化材料
１０７ａ、１０７ｂ  第一ポリマー部
１０８ａ、１０８ｂ  第二ポリマー部
１０９ａ、１０９ｂ  ホールパターン
１１０ａ、１１０ｂ  ホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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