(57)【要約】      （修正有）【課題】型と基板との間における異物の挟み込みを低減するうえで有利なインプリント装置およびインプリント方法を提供する。【解決手段】本発明は、型２基板５上にインプリント材８のパターンを形成するインプリント装置１に関する。インプリント装置１は、基板５を保持する基板保持部６と、基板保持部６の型２と対向する側の面および当該面の付近の異物の少なくとも一方を、型２の帯電極性と同極性に帯電させる帯電手段と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部の前記型と対向する側の面および前記面の付近の異物の少なくとも一方を、前記型の帯電極性と同極性に帯電させる帯電手段と、を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記型の帯電極性を検出する検出手段をさらに有し、
前記帯電手段は、前記検出手段による検出結果に基づいて、前記基板保持部の前記型と対向する側の面および前記面の付近の異物の少なくとも一方を帯電させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記型と対向する側の面は、前記基板保持部における前記基板の配置位置の周辺部の面であり、
前記帯電手段は、前記周辺部の面に向けて、前記型の帯電極性と同極性のイオンを供給するイオン供給部であることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記イオン供給部は、前記イオン供給部の前記型の帯電極性と同極性のイオンを供給するイオン供給口が前記基板保持部と対向する状態で前記同極性のイオンを供給することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記型を保持する型保持部の外周部に配置した気体吹き出し口を備え、該吹き出し口から気体を吹き出す気体吹き出し部を有し、
前記イオン供給部は、前記気体吹き出し口から前記気体とともに前記型の帯電極性と同極性のイオンを供給することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記帯電手段は、前記基板の配置位置の周辺部の電位を制御する電位制御手段であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記基板保持部は、前記基板の配置位置の周辺部に、絶縁性の板部材または接地された導電性の板部材を有し、
前記帯電手段は、該絶縁性の板部材または該接地された導電性の板部材の上面、および、該上面の付近の異物の少なくとも一方を前記型の帯電極性と同極性に帯電させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記板部材は、前記上面の高さが保持された前記基板の前記型と対向する側の面と同程度の高さである同面板であることを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
型を用いて前記基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
型の電位を計測する計測工程と、
前記計測工程で計測された電位に基づいて、前記基板保持部の前記型と対向する側の面および前記面の付近の異物の少なくとも一方を、前記型の帯電極性と同極性に帯電させる工程とを有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上に硬化したインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンの形成された前記基板を加工する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の物品の製造のために微細なパターンを形成する装置として、インプリント装置が知られている。インプリント装置は、基板上の被処理領域に供給されたインプリント材と型と接触させた状態で、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
【０００３】
インプリント装置では、型とインプリント材とを引き離した際に型が帯電してしまい、電荷を帯びた雰囲気中の異物（パーティクル）が型に付着しやすくなる。インプリント材と型とを接触させた際に型と基板との間に異物を挟みこんでしまうと、形成される硬化物のパターンに欠陥が生じる恐れがある。特許文献１は、型のパターン面が対向する空間と対向する位置に放電極を配置したインプリント装置において、型の帯電極性と逆極性のイオンを選択的に供給することにより型を除電することを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１８３０６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願発明者は、型の除電以外の方法について新たに検討をし、基板を保持する保持部材の型と対向している側の面および当該面上の異物の帯電極性と型が帯びている極性との関係性に新たに着目した。
【０００６】
本発明は、型と基板との間における異物の挟み込みを低減するうえで有利なインプリント装置およびインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部の前記型と対向する側の面および前記面の付近の異物の少なくとも一方を、前記型の帯電極性と同極性に帯電させる帯電手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係るインプリント装置およびインプリント方法によれば、型と基板との間における異物の挟み込みを低減するうえで有利となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す図である。
【図２】型の上方に配置された電位計の配置を示す図である。
【図３】ステージに配置された電位計の配置を示す図である。
【図４】インプリント方法を示すフローチャートである。
【図５】第１実施形態に係るイオン供給による作用について説明する図である。
【図６】第２実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図７】第３実施形態に係るイオン供給部の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１実施形態］
（装置構成）
図１は、第１実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す図である。インプリント装置１は、基板５上のインプリント材８と型２との接触および引き離しによって基板５上にインプリント材８のパターンを形成する。本実施形態ではインプリント材８と型２との接触中にインプリント材８を硬化する方法として光硬化法を採用した例を示すが、硬化方法はこれに限られるものではない。以下の説明において、照明系１００の光軸と平行な方向をＺ軸をとし、Ｚ軸に垂直な平面内において互いに直交する方向をＸ軸およびＹ軸とする。
【００１１】
照明系１００は、インプリント材８に対して硬化用の紫外線１０１を照射する。型２は外周形状が四角形であり、型２の基板５に対向する面は、３次元形状にパターンの形成されたパターン部３を含む。パターン部３には例えば回路パターン等の、インプリント材８に転写されるパターンが形成されている。
【００１２】
型２には、インプリント材８を硬化する光が透過可能な材料が用いられる。例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類でもよい。サファイアや窒化ガリウム、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレンなどの材料でもよい。又はこれらの任意の積層材でもよい。型２は、加圧または減圧によるＺ軸方向の変形を容易とするための凹部９を有していてもよい。
【００１３】
型保持部４は、型２を保持する保持部材である。凹部９の外周領域を、真空吸着力、静電力、又は機械的手段により引き付けることにより型２を保持する。型保持部４は、インプリント材８と型２との接触（押印）、または引き離し（離型）を行うように型２を主にＺ軸方向に沿って移動させる。型保持部４の駆動機構のアクチュエータとして、例えばリニアモータまたはエアシリンダを採用してもよい。
【００１４】
型保持部４の駆動機構は、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。複数の駆動系を有することにより、型２の高精度な位置決めができる。さらに、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向、またはθ方向の位置調整機能（回転機構）や、型２の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成を有していてもよい。
【００１５】
ステージ６は、基板５を保持する基板保持部材である。ステージ６に含まれる部分１３が、基板５を引き付けて保持する。例えば、部分１３は、基板５を真空吸着力や静電力により引き付けることにより基板５を保持する。又は、機械的手段により基板５がステージ６に対して位置ずれしにくいように保持してもよい。
【００１６】
ステージ６は、基板５を移動させる移動体でもあり、６軸方向に移動可能とする駆動機構（不図示）を有する。干渉計等の計測部１９によるステージ６の位置の計測結果に基づいて、制御部２５の指示に従い目標位置へ基板５を移動させる。ステージ６の駆動機構のアクチュエータとして、例えばリニアモータまたは平面モータを採用してもよい。
【００１７】
ステージ６の駆動機構は、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。複数の駆動系を有することにより、基板５の高精度な位置決めができる。なお、インプリント材８と型２との接触および引き離し動作は、型保持部４およびステージ６の少なくとも一方をＺ軸方向に移動させることで行えばよい。
【００１８】
ステージ６は、型２と対向する側の面を有する。ステージ６の型２と対向する側の面は、ステージ６における基板５の配置位置の周辺部の面である。本実施形態では、ステージ６の型２と対向する側の面は、ステージ６の＋Ｚ方向側の面である。板部材１０の上面を含んでいてもよいし、板部材１０の配置されていない部分１７の上面でもよい。
基板５の配置位置とは、例えば部分１３である。
【００１９】
本実施形態に係る板部材１０は、基板５の配置位置の外周を囲むように配置されている。しかし、板部材（同面板）１０は、基板５の表面に沿う方向と直交方向から見たときに、基板５の配置位置の外周の少なくとも一部と対向するように配置されていればよい。
【００２０】
板部材１０の高さは任意に選択可能だが、板部材１０の側面が載置された基板５の外周と対向可能であることが好ましい。特に、板部材１０の型２と対向する側の面の高さが、ステージ６上に保持された基板５の型２と対向する側の面の高さと同程度であることが好ましい。例えば基板５と板部材１０の高低差が１ｍｍ以下であることが好ましい。本実施形態に係る板部材１０は絶縁性材料である。特に、耐摩耗性および化学的安定性の高い、アルミナ等のセラミックスを使用することが好ましい。
【００２１】
板部材１０は基板５の外周部と天板２６と高低差を小さくする役割がある。板部材１０が配置されていることによって、基板５上の端側の領域にパターンを形成する際のインプリント材８と型２との接触動作において、基板５の端部に応力が集中し、形成されるパターンに欠陥を生じることを抑制している。
【００２２】
供給部７は、基板５上にインプリント材８を供給する。
【００２３】
インプリント装置１は、インプリント空間に気体を吹き出す気体吹き出し部を有する。本実施形態においてインプリント空間とは、型２とステージ６とが対向している状態において、型保持部４および型２と、ステージ６との間の空間のことである。気体吹き出し部は、気体を供給する供給源１４、供給源１４からの気体１５を吹き出す吹き出し口１６、供給源１４と吹き出し口１６との間を連通する経路１８とを有する。
【００２４】
これにより、気体吹き出し部は、型保持部４の外周部に配置された吹き出し口１６から気体１５を吹き出す。吹き出し口１６は、型２の周囲を囲むような環状をしていることが好ましい。または、吹き出し口１６は、複数の吹き出し口が環状に配列して構成されていてもよい。気体１５は空気に限定されない。ヘリウム、窒素などの不活性ガスを用いても良い。
【００２５】
イオン供給部（帯電手段）２４は、少なくとも、基板５の配置位置の周辺部の面に向けて、型２の帯電極性と同極性のイオンを供給する。これにより、イオン供給部３４は、ステージ６の型２と対向する側の面および当該面の付近の異物の少なくとも一方を、型２の帯電極性と同極性に帯電させる。面の付近の異物とは、ステージ６の型２と対向する側の面に付着している異物や、当該面に対して０．２ｍｍ以下の距離だけ離れて存在する異物である。
【００２６】
なお、以下の説明において、型２の帯電極性とは、型２が帯びている電荷の極性である。  本実施形態に係るイオン供給部２４は、少なくとも、正イオンを発生させる発生器２０、負イオン発生させる発生器２１、および切り替え部（調整部）２２を有する。発生器２０および発生器２１はコロナ放電式のイオン発生器である。発生器２１では針状電極（不図示）に負の電圧を印加して負イオンを放出する。発生器２０では、針状電極（不図示）に正の電圧を印加して正イオンを放出する。
【００２７】
切り替え部２２は、後述の電位計１２の計測結果（検出結果）に基づいて供給するイオンの極性を切り替える。切り替え部２２で選択された極性のイオンが経路１８に排出される。排出されたイオンは、経路１８内を気体１５とともに通過する。このようにして、イオン供給部２４は、吹き出し口１６からステージ６の型２が対向している側の面に向けて、気体１５とともに型２と同極性のイオンを供給する。
【００２８】
イオン供給部２４は、本実施形態のように、ステージ６と対向可能な位置からイオンを供給することが好ましい。板部材１０や板部材１０上の異物に効率よくイオンを供給することができる。
【００２９】
イオン供給部２４の専用のイオンの吹き出し口（不図示）（イオン供給口）を設けても構わないが、当該イオンの吹き出し口と吹き出し口１６を兼用するほうが好ましい。専用のイオンの吹き出し口やイオンが通過する専用の経路を配置する場合に比べて、設置スペースの削減ができる。また、イオン供給部２４は必ずしも正イオンおよび負イオンのどちらか一方だけを供給しなくてもよい。切り替え部２２を制御して両極性のイオンを供給することも可能である。
【００３０】
型２の帯電極性を検出する検出手段として、インプリント装置１は、電位計１２を有する。図２は型２の上方に配置された電位計１２の配置を示す図である。電位計１２は、基準電位に対する型２の電位を計測する。電位計１２は凹部９の中に配置された状態（実線）で電位を計測する。基準電位として、例えば、ステージ６上のいずれかの部分の電位を使用してもよい。型２の電位に基づいて電位計１２は型２の帯電極性を後述の制御部２５に出力する。
【００３１】
電位計１２は移動可能であり、少なくとも、照明系１００から紫外線１０１を照射する間は凹部９から退避された位置（破線）に移動する。このように電位計１２を用いて電位を計測することで、パターン部３とインプリント材８の接触面の表面状態、不純物の有無、等の違いにより帯電列の順位とは逆に帯電した場合であっても型２が帯びている電荷の極性を計測できる。
【００３２】
図３はステージ６に配置された電位計１２の配置を示す図である。所定のタイミングで、ステージ６が電位計１２を型２と対向する位置に位置決めすると、電位計１２は電位を計測する。所定のタイミングとは、例えば、１ショット領域にパターンを形成するごと、１枚の基板にパターンを形成し終えるごと、所定枚数の基板（例えば１ロットの基板）に対してパターンを形成し終えるごと、所定の時間間隔ごと、等である。
【００３３】
図１の説明に戻る。制御部２５は、照明系１００、型保持部４、ステージ６、電位計１２、供給源１４、計測部１９、イオン供給部２４と、有線または無線で接続されている。制御部２５は、不図示の、ＣＰＵやメモリ（ＲＯＭ、ＲＡＭ）等を含む。
【００３４】
制御部２５のメモリには、例えば、後述の図４のフローチャートに示すプログラムや、板部材１０に向けて供給すべきイオンの極性の情報、等が記憶されている。当該メモリに記憶されているプログラムに従って制御部２５に接続された各構成部材を制御することによってインプリント処理を実行する。制御部２５は、制御部２５が実行すべき機能を備えていれば、別個の制御基板の集合体であってもよいし、１つの制御基板であってもよい。
【００３５】
（インプリント方法）
図４は、インプリント方法、すなわちインプリント処理の流れを示すフローチャートである。図４は、１つのショット領域に対してパターンを形成するごとに型２の電位を計測する場合のインプリント方法を示している。まず、電位計１２が凹部９に移動し、型２の電位を計測する（Ｓ１０１）。電位計１２は計測結果を制御部２５に出力し、制御部２５は計測結果に基づいてイオン供給部２４から供給すべきイオンの極性を決定する（Ｓ１０２）。
【００３６】
Ｓ１０２において制御部２５は、型２のパターン部３が正に帯電している場合にはイオン供給部２４に正イオンを供給するように指示をする。型２のパターン部３が負に帯電している場合にはイオン供給部２４に負イオンを供給するように指示する。型２の帯電極性と逆極性のイオンを含む場合は、イオン供給部２４は、吹き出し口１６から吹き出される単位体積当たりの気体１５に含まれる総電荷量が、型２の帯電極性と同極性のイオンのほうが逆極性のイオンよりも大きくなるように供給する。
【００３７】
イオン供給部２４は切り替え部２２を制御し、Ｓ１０２で制御部２５により決定されたイオンを基板５の配置位置の周辺部にの面に向けて供給し始める（Ｓ１０３）。イオン供給部２４がイオンを供給している間に、制御部２５は、供給部７、照明系１００、型保持部４、ステージ６、計測部１９を制御して、基板５上にパターンを形成する。
【００３８】
パターンの形成工程は少なくとも、Ｓ１０４〜Ｓ１０７の工程を含む。供給部７による基板５へのインプリント材８の供給工程（Ｓ１０４）、インプリント材８と型２を接触させる押印工程（Ｓ１０５）、照明系１００によるインプリント材８の硬化工程（Ｓ１０６）、インプリント材８と型２を引き離す離型工程（Ｓ１０７）である。パターン形成後は、Ｓ１０１〜Ｓ１０７を繰り返す。Ｓ１０１で計測された型２の電位の絶対値に応じて、供給するイオンの極性や電荷量を調整してもよい。
【００３９】
（型と同極性のイオン供給による作用および効果）
図５を用いて、インプリント装置１および上述のインプリント方法による作用および効果について説明する。離型動作によってパターン部３は正負の両極性に帯電する可能性があるが、以下の説明ではパターン部３が正に帯電している場合を例に説明する。
【００４０】
図５（ａ）〜（ｃ）は、板部材１０上に到達した異物９０の状態を示している。このとき、板部材１０と異物９０との間には分子間力が働いている。図５（ａ）に示すようにイオン供給部２４が正イオン２３を板部材１０に供給することにより、正イオン２３を供給する前の異物９０の極性に依らず、異物９０および板部材１０は正に帯電し始める。すなわち、型２と同極性に帯電する。さらに帯電が進むと、異物９０と板部材１０との間で分子間力よりも強くクーロン力による斥力が働き、図５（ｂ）に示すように異物９０は板部材１０から離れて浮遊し始める。
【００４１】
異物９０は正に帯電した状態のまま浮遊し、同じ極性に帯電したパターン部３からも斥力を受けるためパターン部３には付着し難い。よって吹き出し口１６からインプリント空間に供給された気体１５に運ばれてインプリント空間外に排出される。インプリント空間外に排出された異物は、インプリント装置１に配置された空調からインプリント装置１の外部へ排出される。吹き出し口１６の内側に気体を排出する排気口（不図示）が配置されている場合は、当該排気口を通じてインプリント装置１の外部に排出される。
【００４２】
このようにして、イオン供給部２４が、板部材１０の型２と対向する側の面および当該面上の異物９０を型２の帯電極性と同極性に帯電させる。これにより、異物９０が型２に付着することを低減でき、異物９０が型２と基板５との間に挟まれることを防止又は低減することができる。よって、形成されるパターンの欠陥を抑制し、本実施形態に係るインプリント方法を用いて製造する物品の歩留まりの低下を抑制することができる。
【００４３】
本実施形態によれば、異物９０が導電性材料および絶縁性材料のいずれであっても、上述の作用によって同様の効果を得ることができる。基板５がＳｉウエハ等の絶縁性材料の場合は、型２と同極性のイオンが基板５上にも供給されることで基板５上に付着した異物９０が型２に付着することを低減することもできる。
【００４４】
イオン供給部２４は、ステージ６上に配置されていてもよい。型２の帯びている電荷とは同極性のイオンを供給するイオン供給部２４がステージ６上に配置されていれば、ステージ６の型２と対向する側の面および当該面上の異物９０に常に型２の帯電極性と同極性のイオンを供給することができる。よって、本実施形態の代わりに、型２と逆極性のイオンを供給して型２とステージ６とが対向するわずかな時間で型２を除電する場合に比べて、ステージ６側から型２に移動し付着しようとする異物９０を十分に低減させておくことができる。
【００４５】
［第２実施形態］
図６は、第２実施形態に係るインプリント装置５０の構成の一部を示す図である。絶縁性の板部材１０の代わりに、電気的に接地された導電性の板部材１１を使用する。以下の説明では第１実施形態と同様に、パターン部３が正に帯電している場合を例に説明する。また、異物９０は絶縁性材料とする。
【００４６】
図６（ａ）は正イオン２３が供給される前の状態を示している。正に帯電した型２が導電性の板部材１１に近づいた状態では板部材１１の表面は静電誘導により負の極性を帯びる。図６（ｂ）は正イオン２３が供給された状態を示している。
【００４７】
イオン供給部２４が正イオン２３を供給することにより、正イオン２３を供給する前の異物９０の極性に依らず異物９０は正に帯電する。一方、板部材１１は導電性を有するため、板部材１１に接触した正イオン２３は電流として接地端に流れるため、板部材１１の電位は負電位のままである。これにより、異物９０と板部材１１との間でクーロン力による引力が働き、かつ異物９０と型２との間にはクーロン力による引力が働くため、異物９０は板部材１１に強く付着した状態となる。
【００４８】
異物９０が導電性の金属系材料であった場合、正に帯電したパターン部３が導電性の板部材１１に近づいた状態では静電誘導によって異物９０の表面に負電荷が誘導される。異物９０は型２からクーロン力による引力を受けて板部材１１から離れようとするが、板部材１０から離れた異物９０は再び正イオン２３によって正に帯電し、板部材１１からの引力を受けて板部材１１に付着する。
【００４９】
このようにして、異物９０が導電性の場合も絶縁性の場合も、板部材１０の型２と対向する側の面の付近の異物９０を型２の帯電極性と同極性に帯電させる。これにより、異物９０が型２に付着することを低減でき、異物９０が型２と基板５との間に挟まれることを防止又は低減することができる。よって、形成されるパターンの欠陥を抑制し、本実施形態に係るインプリント方法を用いて製造する物品の歩留まりの低下を抑制することができる。
【００５０】
第２実施形態に係るインプリント方法は、所定のタイミングで板部材１１に堆積した異物９０を除去するクリーニング工程を有していてもよい。又は、所定のタイミングで板部材１１を交換する工程を有していてもよい。
【００５１】
［第３実施形態］
第３実施形態は、コロナ放電式のイオン供給部２４の代わりに、電離放射線式のイオン供給部（帯電手段）３０を使用する実施形態である。図７はイオン供給部３０の構成を示す図である。イオン供給部３０は、送風部３１、軟Ｘ線源３４、電源３８、切り替え部３９、電極４０を有する。
【００５２】
送風部３１は外部から空気３２を取り込み、筐体３３内に空気３２を送風する。軟Ｘ線源３４は筐体３３内に軟Ｘ線３５を出射する。軟Ｘ線３５の照射により、筐体３３内の空気３２は正イオン２３と負イオン３９とに電離する。イオン供給部３０は、電源３８および切り替え部３９を用いて、ステージ６の型２側の面が対向している空間に供給するイオンの極性を調整可能である。
【００５３】
切り替え部３９が電源３８への接続先を切り替えることによって、電極４０に対して正の電位又は負の電位を与えられる。電極４０は、例えば複数の小さな開口を有するメッシュ形状である。例えば、電極４０に正の電位を与えると、負イオン３９は電極４０に捕捉され、メッシュを通過した正イオン２３のみが経路１８に供給される。
【００５４】
電源３８印加する電圧の大きさを変更することによって電極４０の負イオン３９を引き付ける強さを変更することができるので、ステージ６の型２側の面が対向している空間に供給するイオンの極性の比を調整することも可能である。
【００５５】
イオン供給部３０を用いた場合も、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果を得ることができる。イオン供給部３０において、軟Ｘ線源３４の代わりにα線源、紫外線源等の放射線源等を用いてもよい。
【００５６】
［その他の実施形態］
帯電手段として電圧源等の電位制御手段を用いて、ステージ６の基板５と対向する側の面を型２の帯電極性と同極性に帯電させてもよい。型２に付着しやすい異物の少なくとも一部を捕捉することができ、型２に付着する異物の数を低減することができる。これにより、異物９０の型２と基板５と間に挟まれることを防止又は低減することができる。
【００５７】
また、上述の実施形態において帯電手段は、型２の帯電の状態に応じて、型２の除電のためのイオナイザとして機能したり、イオン供給部３４として機能してもよい。  型２の帯電極性を検出する検出手段は、電位の測定に限定するものではなく、例えば電荷や電界等の測定結果から型２の帯電極性を評価するものであってもよい。検出手段は、帯電極性とともに帯電量を計測してもよい。
【００５８】
上述のインプリント方法において、インプリント装置１の内部で、電位計１２による型２の電位計測を行わなくてもよい。例えば、所定枚数の基板５にパターンを形成するごとに型２をインプリント装置１の外部に搬出し、搬出先で計測された型２の電荷の極性を制御部２５が取得してもよい。係る場合は、制御部２５が取得した型２が帯びている電荷の極性と同極性のイオンを、当該同極性のイオンとは逆極性のイオンよりも多く供給するように、イオン供給部２４又はイオン供給部２４を制御する。
【００５９】
また、パターン部３とインプリント材８の材料とが帯電列において十分に離れた関係にあり、型２が正負のどちらの極性に帯電しやすいかが明らかな場合、かつ、型２の極性が安定しやすい場合は、インプリント装置１は電位計１２を有していなくてもよい。この場合、制御部２５が型２の材料とインプリント材８の材料との関係から型２が帯びやすい電荷の極性を予め求めておいても良い。そして、制御部２５が、型２が帯電しやすい極性と同極性のイオンを供給するようにイオン供給部２４を制御してもよい。
【００６０】
例えば、型２に使用されやすい石英に比べて、インプリント材８は多くの場合石英よりも帯電列が下位となる素材が使用されやすい。この場合はパターン部３は正に帯電しやすいので、イオン供給部２４又は３４にする。
【００６１】
本明細書において、「異物」とは、パターン形成に関与することを目的としていない物質である。例えば、供給部７により吐出されたインプリント材８がミストとして漂い乾燥した固形物、インプリント装置１を構成する部材から生じる微粒子、外部空間から進入してインプリント装置１内に存在する塵などである。
【００６２】
インプリント装置１、５０で使用するインプリント材８には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
【００６３】
硬化性組成物は、上述の実施形態のように光の照射により硬化する組成物であってもよいし、又は、加熱により硬化する組成物であってもよい。光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００６４】
インプリント材８は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材８の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００６５】
［物品の製造方法］
前述の各実施形態に係るリソグラフィ装置で基板上に形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。
【００６６】
基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板は、具体的には、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラス等である。
【００６７】
物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用の型（パターンが複製される側の型）等が挙げられる。
【００６８】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。加工工程はさらに、他の周知の処理工程（現像、酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含んでもよい。
【００６９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１、５０  インプリント装置
２  型
３  パターン部
５  基板
６  ステージ（基板保持部）
８  インプリント材
２４、３０  イオン供給部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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