(57)【要約】【課題】温度が変化しても安定した出力が得られる位置変換器を提供する。【解決手段】位置変換器は、回転制限モータの回転軸の円周方向の一部で回転軸の周りに突出する突出面を有し、回転軸に取り付けられて回転軸とともに回転する回転部材と、突出面に対向して配置された拡散光源と、２対のフォトダイオードアレイで構成される検出器であって、同一のチップ上にモノリシックに形成された第１および第２のフォトダイオードで各フォトダイオードアレイが構成され、突出面に拡散光源からの光が照射されることにより第１および第２のフォトダイオードの上に円周方向に移動する像が形成され、第１のフォトダイオードでの受光面積に応じた第１の信号および第２のフォトダイオードでの受光面積に応じた第２の信号を各フォトダイオードアレイが出力する検出器と、第１の信号の温度変化成分を、第２の信号を用いて補償する信号処理回路とを有する。【選択図】図９
2017181473.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転制限モータの回転軸の円周方向の一部で前記回転軸の周りに突出する突出面を有し、前記回転軸に取り付けられて前記回転軸とともに回転する回転部材と、
前記突出面に対向して配置された拡散光源と、
２対のフォトダイオードアレイで構成される検出器であって、同一のチップ上にモノリシックに形成された第１および第２のフォトダイオードで各フォトダイオードアレイが構成され、前記突出面に前記拡散光源からの光が照射されることにより前記第１および第２のフォトダイオードの上に前記円周方向に移動する像が形成され、前記第１のフォトダイオードでの受光面積に応じた第１の信号および前記第２のフォトダイオードでの受光面積に応じた第２の信号を各フォトダイオードアレイが出力する検出器と、
１対のフォトダイオードアレイが出力する２つの前記第１の信号の温度変化成分を前記１対のフォトダイオードアレイが出力する２つの前記第２の信号を用いて補償する信号処理回路と、
を有することを特徴とする位置変換器。
【請求項２】
前記信号処理回路は、
１対のフォトダイオードアレイが出力する前記第２の信号同士の差信号を生成する第１の減算器と、
前記第１のフォトダイオードに対する前記第２のフォトダイオードの面積比に逆比例する増幅率で前記差信号を増幅する増幅器と、
前記１対のフォトダイオードアレイが出力する前記第１の信号同士の和信号から前記増幅器の出力信号を減算する第２の減算器と、
を有する、請求項１に記載の位置変換器。
【請求項３】
前記拡散光源から見て前記回転部材の背後に、前記回転部材から距離を持って前記回転部材を取り囲むように前記回転制限モータの固定側に設置され、前記突出面に当たらなかった前記拡散光源からの照射光を吸収する拡散光吸収部材をさらに有し、
前記回転部材は、前記突出面として反射面を有する反射器であり、
前記検出器は、前記反射器に対して前記拡散光源と同じ側に、前記反射面に対向して配置されている、請求項１または２に記載の位置変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位置変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を走査するためのミラーなどの光学部品を駆動する回転制限されたモータに搭載される位置変換器が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、回転要素の回転角度を検出する、いわゆる透過型の光学式位置検出装置（位置変換器）が開示されている。特許文献１の位置検出装置は、回転要素の長軸方向に均等で広角な光界を提供する１体の光源と、長軸周囲に整合されており、光源からの光を受領する複数の扇形光センサーと、回転要素に接続されており、光センサーを照射する光の一部を周期的にブロックするために長軸周囲を回転する光ブロック部材とを含む。光源と光センサーとの間の空間には光ブロック部材を除いて障害物が存在せず、光源からの光は光ブロック部材がブロックしていない光センサー部分を直接的に照射する。光センサーからの線形出力は回転要素の角位置の測定に利用される。
【０００４】
特許文献２には、回転制限モータの回転角度を検出する、いわゆる反射型の光学式位置変換器が開示されている。特許文献２の位置変換器は、回転制限モータの回転軸に取り付けられ、回転軸から放射状に突出する複数の反射面を有する反射器と、反射器の反射面の中央部分に対向して配置される、反射面の個数と同数の拡散光源と、拡散光源から見て反射器の背後に、反射器から距離を持って反射器を取り囲むように回転制限モータの固定側に設置され、反射面に当たらなかった拡散光源からの照射光を吸収する拡散光吸収部材と、拡散光源と同一の回路基板上に実装され、反射器により反射された像を検出する複数の検出器とを有する。拡散光源と複数の検出器は、複数の反射面がなす角度に合わせてそれぞれ配置されている。
【０００５】
特許文献３には、受光面が開放されている受光用ホトダイオードと、受光用ホトダイオードと同一半導体チップ上に作製されかつ受光面が金属蒸着膜によつて被覆された補償用ホトダイオードと、受光用ホトダイオード、補償用ホトダイオードの出力信号を増幅する増幅器と、増幅された信号の差を増幅する演算増幅器とを有し、ホトダイオードの暗電流を実効的に０にした光受信回路が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００２−５１２３６４号公報
【特許文献２】特許第５５９５５５０号公報
【特許文献３】特開昭５９−２８３８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
位置変換器では、動作中の各部材の発熱などに起因して温度変化が発生すると、検出器のピーク感度波長や、拡散光源の発光量、発光波長および発光分布、光ブロック部材または反射器の形状、検出器と反射器との間の距離、反射器の反射率、拡散光吸収部材の光吸収率などが変化する。温度によるこれらの特性変化は、位置変換器の出力変化であるドリフトを招くため、回転角度の検出精度を低下させることになる。位置変換器の検出精度を高めるためには、検出器の出力信号に対する信号処理を工夫するなどして、温度変化によるドリフトの発生を抑える必要がある。
【０００８】
そこで、本発明は、温度が変化しても安定した出力が得られる位置変換器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
回転制限モータの回転軸の円周方向の一部で回転軸の周りに突出する突出面を有し、回転軸に取り付けられて回転軸とともに回転する回転部材と、突出面に対向して配置された拡散光源と、２対のフォトダイオードアレイで構成される検出器であって、同一のチップ上にモノリシックに形成された第１および第２のフォトダイオードで各フォトダイオードアレイが構成され、突出面に拡散光源からの光が照射されることにより第１および第２のフォトダイオードの上に円周方向に移動する像が形成され、第１のフォトダイオードでの受光面積に応じた第１の信号および第２のフォトダイオードでの受光面積に応じた第２の信号を各フォトダイオードアレイが出力する検出器と、１対のフォトダイオードアレイが出力する２つの第１の信号の温度変化成分を１対のフォトダイオードアレイが出力する２つの第２の信号を用いて補償する信号処理回路とを有することを特徴とする位置変換器が提供される。
【００１０】
上記の位置変換器では、信号処理回路は、１対のフォトダイオードアレイが出力する第２の信号同士の差信号を生成する第１の減算器と、第１のフォトダイオードに対する第２のフォトダイオードの面積比に逆比例する増幅率で差信号を増幅する増幅器と、１対のフォトダイオードアレイが出力する第１の信号同士の和信号から増幅器の出力信号を減算する第２の減算器とを有することが好ましい。
【００１１】
上記の位置変換器は、拡散光源から見て回転部材の背後に、回転部材から距離を持って回転部材を取り囲むように回転制限モータの固定側に設置され、突出面に当たらなかった拡散光源からの照射光を吸収する拡散光吸収部材をさらに有し、回転部材は、突出面として反射面を有する反射器であり、検出器は、反射器に対して拡散光源と同じ側に、反射面に対向して配置されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
上記の位置変換器によれば、温度が変化しても安定した出力が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】位置変換器１００の縦断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに対して９０度側方から見た位置変換器１００の縦断面図である。
【図１Ｃ】位置変換器１００の分解斜視図である。
【図１Ｄ】位置変換器１００を一部破断して示した斜視図である。
【図２】拡散光吸収部材３ｄの表面の拡大図である。
【図３】バタフライ形状反射器７の上面図である。
【図４】プリント基板６上の検出器１１の配置を示す図である。
【図５】位置変換器１００の信号処理回路１３の回路図である。
【図６】フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２とバタフライ形状の像１２ａ，１２ｂ，１２ｃの位置関係を示す図である。
【図７】位置変換器出力Ｖｏと回転角度の関係を示したグラフである。
【図８Ａ】位置変換器２００の縦断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａのバタフライ形状反射器７が９０度回転したときの位置変換器２００の縦断面図である。
【図９】位置変換器２００の検出器１１ａの配置を示す図である。
【図１０】フォトダイオードアレイの構造を説明するための模式的な断面図である。
【図１１】位置変換器１００の信号処理回路１３の要部を示す回路図である。
【図１２】位置変換器２００の信号処理回路１４の要部を示す回路図である。
【図１３】位置変換器３００の縦断面図である。
【図１４】位置変換器３００の検出器１１ｂの配置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、位置変換器について詳細に説明する。ただし、本発明は図面または以下に記載される実施形態には限定されないことを理解されたい。
【００１５】
図１Ａは、位置変換器１００の縦断面図である。図１Ｂは、図１Ａに対して９０度側方から見た位置変換器１００の縦断面図である。図１Ｃは、位置変換器１００の分解斜視図である。図１Ｄは、位置変換器１００を一部破断して示した斜視図である。
【００１６】
位置変換器１００は、回転制限モータ１、拡散光吸収体３、ＬＥＤダイ４、ケース５、プリント基板６、バタフライ形状反射器７、検出器１１などから構成される。位置変換器１００は、ＬＥＤダイ４から出射され、バタフライ形状反射器７により反射された光を検出器１１で検出することにより、回転制限モータ１の回転角度を検出する反射型光学式位置変換器である。
【００１７】
回転制限モータ１は、ロータ１０の端部に回転軸２を有し、回転軸２は軸受け８により支持されている。回転軸２の先端部には反射器取付部２ａが突出している。反射器取付部２ａには、バタフライ形状反射器７が取り付けられる。バタフライ形状反射器７は、回転部材の一例であり、回転制限モータ１の駆動により、回転軸２とともに回転する。
【００１８】
回転制限モータ１の上部には、バタフライ形状反射器７から距離を持って拡散光吸収体３が配置されている。図１Ｄに示すように、拡散光吸収体３は、円板形状部３ｃと、円板形状部３ｃの中央付近に形成された台形形状部３ａと、台形形状部３ａの中央に形成された貫通孔３ｂとを有する。拡散光吸収体３は、回転軸２が貫通孔３ｂを挿通するように、回転制限モータ１の上端に取り付けられている。拡散光吸収体３は、円筒形のケース５に組み込まれている。
【００１９】
拡散光吸収体３とケース５は、回転制限モータ１によっては回転しない固定側の部材である。バタフライ形状反射器７の反射面から距離を持った固定側の拡散光吸収体３とケース５の表面には、ＬＥＤダイ４からの光を吸収する拡散光吸収部材３ｄ（図２参照）が配置されている。すなわち、拡散光吸収体３とケース５で形成される内部の空間は、拡散光吸収部材３ｄで取り囲まれている。拡散光吸収体３とケース５は、ＬＥＤダイ４から出射され、バタフライ形状反射器７に当たらなかった光を、拡散光吸収部材３ｄにより吸収する。
【００２０】
図２は、拡散光吸収部材３ｄの表面の拡大図である。拡散光吸収部材３ｄは、表面処理が施された黒色の部材であり、その表面に、光の波長に合うピッチおよび高さをもった凹凸などの、立体的で複雑な微細構造を有する。拡散光吸収部材３ｄは、その表面への入射光Ｌをこの微細構造にて繰り返し反射させることにより、その光を閉じ込めて吸収する（迷光効果）。表面処理は、蒸着、めっき、無機系焼付塗装、または静電植毛などの方法により行われる。
【００２１】
ケース５の上には、プリント基板６（回路基板の一例）が被せて取り付けられている。ＬＥＤダイ４は、図１Ａに示すように、プリント基板６の下面で、回転軸２の中心に対応する位置に実装されている。ＬＥＤダイ４は、バタフライ形状反射器７に対向して、プリント基板６上に配置される。ＬＥＤダイ４は、一点から光が出射し、出射した光が所定の広がりをもって放出される拡散光源である。図１Ａおよび図１Ｂでは、ＬＥＤダイ４から照射される光を矢印で示している。位置変換器１００では、ＬＥＤダイ４として、例えば、ピーク波長が８７０ｎｍであるアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）が使用される。
【００２２】
プリント基板６には、１０ピンの端子を有するコネクタ９が取り付けられている。コネクタ９の各ピンは、プリント基板６に形成されているパターン（図示されていない）の各ランドに、半田付けなどによって電気的に接続されている。図１Ｃでは５個のピン９ａが見えており、残りのピンはコネクタの裏側に配置されており見えていない。各ピンは、検出器１１やＬＥＤダイ４の端子に繋がるパターンに接続されている。コネクタ９には、信号処理回路の接続端子などが接続されている雌（または雄）のコネクタ（図示されていない）が電気結合される。
【００２３】
図３は、バタフライ形状反射器７の上面図である。バタフライ形状反射器７は、嵌合により回転軸２の反射器取付部２ａに取り付けるための取付孔７ａを中央に有し、その中央部分の円周方向の一部で回転軸２の周りに突出するバタフライ形状の平坦な反射面７ｂを有する。バタフライ形状反射器７は、反射領域である反射面７ｂを有するが、非反射領域を有していない。ＬＥＤダイ４から出射され、バタフライ形状反射器７の反射面７ｂに当たった光は、反射面７ｂで検出器１１に向けて反射される。一方、ＬＥＤダイ４から出射された光のうち、反射面７ｂ以外の領域を通過してバタフライ形状反射器７の裏面側へ通り抜けた光は、拡散光吸収部材３ｄで吸収される。
【００２４】
バタフライ形状反射器７は、冷間圧延などによる鏡面仕上げ加工された金属板をエッチングやワイヤカットなどでバタフライ形状に加工して作製される。反射面７ｂにアルミ、銀、金などを蒸着して金属コーティングを施すことにより、バタフライ形状反射器７の反射率をさらに向上させてもよい。
【００２５】
図４は、プリント基板６上の検出器１１の配置を示す図である。検出器１１は、４つのフォトダイオードダイＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２で構成され、バタフライ形状反射器７に対してＬＥＤダイ４と同じ側に、反射面７ｂに対向して配置されている。フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２は、プリント基板６の下面で、ＬＥＤダイ４の周囲に配置されている。それぞれのフォトダイオードは、感度波長が８００〜９００ｎｍのシリコンウェハにより構成される。フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２の分光感度波長は、ＬＥＤダイ４のピーク波長と同じであることが好ましい。ＬＥＤダイ４とフォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２は、パッケージングされることなく、プリント基板６に直接実装されている（チップオンボード）。
【００２６】
フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２は、プリント基板６の中央点に配置されたＬＥＤダイ４を挟んで、フォトダイオードＡ１，Ａ２が互いに向かい合い、フォトダイオードＢ１，Ｂ２も互いに向かい合うように実装されている。さらに、フォトダイオードＡ１，Ｂ１は互いに近接して実装され、フォトダイオードＢ２，Ａ２も互いに近接して実装されている。また、プリント基板６上では、フォトダイオードＡ１，Ａ２が並列に接続され、フォトダイオードＢ１，Ｂ２が並列に接続されている。
【００２７】
ＬＥＤダイ４から出射されバタフライ形状反射器７により反射されたバタフライ形状の像は、回転制限モータ１の回転とともに移動する。検出器１１は、回転する複数の反射面７ｂによる反射光の像を受光して、２つのフォトダイオードの間における像の受光面積の割合に応じて変化する信号を出力する。具体的には、フォトダイオードＡ１，Ａ２とフォトダイオードＢ１，Ｂ２は、その像を受光して、それぞれの受光領域の面積に応じた光電流Ｉａ，Ｉｂを出力する。光電流Ｉａ，Ｉｂは、次に説明する信号処理回路１３により電流電圧変換されて、それぞれ電圧Ｖａ，Ｖｂとなる。この電圧差Ｖａ−Ｖｂが位置変換器１００の出力となる。
【００２８】
図５は、位置変換器１００の信号処理回路１３の回路図である。図１Ａ〜図１Ｄには示していないが、位置変換器１００は、回転制限モータ１の回転角度に応じたフォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２よる光電流を電圧信号に変換する信号処理回路１３を有する。
【００２９】
フォトダイオードＡ１，Ａ２の出力である光電流Ｉａは、電流電圧変換部２１ａに入力される。また、フォトダイオードＢ１，Ｂ２の出力である光電流Ｉｂは、電流電圧変換部２１ｂに入力される。電流電圧変換部２１ａの出力電圧Ｖａと電流電圧変換部２１ｂの出力電圧Ｖｂは、減算器２２に入力され、減算処理がなされる。信号処理回路１３で処理された位置変換器出力Ｖｏは、
Ｖｏ＝（Ｉａ−Ｉｂ）Ｖｒｅｆ／（Ｉａ＋Ｉｂ）  ・・・（１）
となる。Ｖｒｅｆは参照電圧である。
【００３０】
また、信号処理回路１３は、高精度な位置変換出力を得るために、光学系で補償しきれない温度変化に対する温度補償および直線性補償を行うＡＧＣ回路２８ａを有する。電流電圧変換部２１ａの出力電圧Ｖａと電流電圧変換部２１ｂの出力電圧Ｖｂは、ＡＧＣ回路２８ａに導かれ、加算器２３で加算される。この加算出力は、比較器２４により参照電圧Ｖｒｅｆと比較される。比較器２４の出力は、積分回路２５で積分処理され、電流アンプ２６ａによって増幅される。これにより、抵抗器２７を介してＬＥＤ２０に電流Ｉｆが供給される。
【００３１】
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２とバタフライ形状の像１２ａ，１２ｂ，１２ｃの位置関係を示す図である。バタフライ形状反射器７からフォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２に照射された像は、図６（ａ）〜図６（ｃ）の像１２ａ，１２ｂ，１２ｃのように、回転制限モータ１の回転角度により移動する。
【００３２】
以下では、フォトダイオードＡ１，Ａ２の受光領域の面積をＳａとして、フォトダイオードＡ１，Ａ２の受光領域のことを「Ｓａ領域」という。同様に、フォトダイオードＢ１，Ｂ２の受光領域の面積をＳｂとして、フォトダイオードＢ１，Ｂ２の受光領域のことを「Ｓｂ領域」という。図６（ａ）〜図６（ｃ）は、それぞれ、Ｓａ領域がＳｂ領域よりも大きい場合、Ｓａ領域とＳｂ領域が同じ大きさの場合、Ｓａ領域がＳｂ領域よりも小さい場合を示す。
【００３３】
例えば、バタフライ形状の像が像１２ａ，１２ｂ，１２ｃであるときに、それぞれ回転角度が正、０、負であるとする。すると、図６（ａ）の場合は面積差がＳａ−Ｓｂ＞０であるから、回転角度が正であることに対応して、位置変換器１００の出力電圧はＶａ−Ｖｂ＞０になる。また、図６（ｂ）の場合は面積差がＳａ−Ｓｂ＝０であるから、回転角度が０であることに対応して、位置変換器１００の出力電圧はＶａ−Ｖｂ＝０になる。図６（ｃ）の場合は面積差がＳａ−Ｓｂ＜０であるから、回転角度が負であることに対応して、位置変換器１００の出力電圧はＶａ−Ｖｂ＜０になる。
【００３４】
図７は、位置変換器出力Ｖｏと回転角度の関係を示したグラフである。位置変換器出力は、図７に示すように、回転角度に比例して増大する。
【００３５】
一般に、反射器からの照度に対する光電流の変換係数をＫｒ、反射器からの受光面積をＳａ，Ｓｂ、反射器の反射率をαｒ、拡散光吸収体からの照度に対する光電流の変換係数をＫｅ、フォトダイオードの総面積をＳ、拡散光吸収体からの反射の受光面積をＳ−Ｓａ，Ｓ−Ｓｂ、拡散光吸収体の反射率をβｒと表すと、フォトダイオードの光電流Ｉａ，Ｉｂは、
Ｉａ＝Ｋｒ・Ｓａ・αｒ＋Ｋｅ・（Ｓ−Ｓａ）・βｒ  ・・・（２）
Ｉｂ＝Ｋｒ・Ｓｂ・αｒ＋Ｋｅ・（Ｓ−Ｓｂ）・βｒ  ・・・（３）
となる。これらを（１）式に代入することで、実際に近い出力Ｖｏが計算される。
【００３６】
拡散光が反射器を介して検出器に到達するまでの光学距離と、拡散光が拡散光吸収体を介して検出器に到達するまでの光学距離が実質的に同じである場合、αｒに対するβｒの比率を小さくしないと良好なコントラストが得られず、Ｓ／Ｎ比が悪化してしまう。位置変換器としての信号を大きくするためには、ＬＥＤの順電流を大きくする必要があるため、ＬＥＤ光源のジャンクション温度が上昇し、ＬＥＤ光源の温度変化に影響を与えてしまう。
【００３７】
図６（ｂ）に示すようにＳａ＝Ｓｂの場合は、（１）式の分子項はゼロとなるので、温度による位置変換器の出力変化は発生しない。しかしながら、図６（ａ）および図６（ｃ）に示すようにＳａ≠Ｓｂの場合は、温度によりαｒに対するβｒの比率が変化するため、温度変化時に、位置変換器の出力変化であるドリフトが発生する。このドリフトにより、図７に示すように、位置変換器出力Ｖｏと回転角度の比例関係の傾きが変化する。このドリフトのことを、「ゲインドリフト」という。高精度な位置変換器では、ゲインドリフトができるだけ小さいことが要求される。また、上記のＫｅまたはβｒを小さく保つことにより、（１）式を理想に近づけることが可能となる。つまり、ゲインドリフトを低下させることが可能となる。
【００３８】
反射光は光学距離の２乗に反比例して減衰するため、位置変換器１００では、バタフライ形状反射器７から固定側の拡散光吸収体３までの距離を適切にとることで、拡散光吸収体３からの照度に対する光電流の変換係数Ｋｅを低下させている。これにより、反射領域と非反射領域を反射器の同一平面上に設けた場合と比べてＳ／Ｎ比が向上する。また、ＬＥＤダイ４の温度に対する発光波長の変化の影響と、温度上昇による拡散光吸収体３の吸収率変化の影響が低減され、温度に対する出力の安定性が向上する。
【００３９】
また、位置変換器１００では、反射領域と非反射領域が、バタフライ形状反射器７と、その反射器から距離を持って固定側に設置された拡散光吸収体３とで構成される。これにより、反射器に反射性または非反射性の微粒子が付着したとしても、検出器に照射される像に悪影響が及びにくくなる。また、位置変換器１００では、反射領域と非反射領域が別部材であるから、それぞれを高反射膜、高光吸収膜とすることが容易になる。さらに、バタフライ形状反射器７は、非反射領域の部分がないため、低イナーシャとなり、回転制限モータ１の高速応答性に有利になる。
【００４０】
図８Ａは、位置変換器２００の縦断面図である。また、図８Ｂは、図８Ａのバタフライ形状反射器７が９０度回転したときの位置変換器２００の縦断面図である。位置変換器２００は、ＬＥＤダイおよび検出器の構成のみが図１Ａ〜図１Ｄに示した位置変換器１００とは異なる。それ以外の点では、位置変換器２００の構成は、位置変換器１００のものと同じである。以下では、位置変換器２００について、位置変換器１００と異なる点を説明し、位置変換器１００と共通する点については説明を省略する。
【００４１】
位置変換器２００は、プリント基板６の下面上にチップオンボードで実装された２つのＬＥＤダイ４ａ，４ｂを有する。ＬＥＤダイ４ａ，４ｂは、プリント基板６の下面上で回転軸２の中心に対応する位置に、バタフライ形状反射器７に対向して配置されている。ＬＥＤダイ４ａ，４ｂは、ともに同じ拡散光源であり、バタフライ形状反射器７に向けて光を照射する。図８Ａおよび図８Ｂでは、ＬＥＤダイ４ａ，４ｂから照射される光を矢印で示している。
【００４２】
拡散光源としてＬＥＤダイを２個使用することにより、出射光の強度が平均化され、ＬＥＤの個体差によるバラツキが平均化される。このため、位置変換器２００は、位置変換器１００よりも出力がさらに安定する。また、位置変換器２００では、位置変換器１００と比べてＬＥＤの順電流を低くしても、ＬＥＤダイが１個のときと同じ出力が得られる。このため、位置変換器２００では、Ｓ／Ｎ比を良好に維持したまま、ＬＥＤの順電流を低下させることが可能になる。さらに、ＬＥＤの順電流を低下させれば、ＬＥＤのジャンクション温度の影響が小さくなり、温度に対する出力の安定性がより向上する。ＬＥＤの順電流を低下させることで、省電力化およびＬＥＤの長寿命化が図れるという効果もある。
【００４３】
図９は、位置変換器２００の検出器１１ａの配置を示す図である。図９では、位置変換器２００について、図１Ａ〜図１Ｄに示したプリント基板６上におけるＬＥＤダイと検出器の位置関係を示している。また、図９では、バタフライ形状反射器７からの反射光がプリント基板６上に照射して形成された像の形状も、破線で重ねて示している。
【００４４】
位置変換器２００の検出器１１ａは、４つのフォトダイオードアレイ１５〜１８で構成され、バタフライ形状反射器７に対してＬＥＤダイ４ａ，４ｂと同じ側に、反射面７ｂに対向して配置されている。フォトダイオードアレイ１５〜１８は、プリント基板６の下面上にチップオンボードで実装されている。フォトダイオードアレイ１５，１６は互いに近接し、フォトダイオードアレイ１７，１８も互いに近接しているが、フォトダイオードアレイ１５，１６とフォトダイオードアレイ１７，１８との間は、ＬＥＤダイ４ａ，４ｂを挟んで離れている。
【００４５】
位置変換器２００では、ＬＥＤダイ４ａとフォトダイオードアレイ１５，１６とが対応し、ＬＥＤダイ４ｂとフォトダイオードアレイ１７，１８とが対応するように、ＬＥＤダイ４ａ，４ｂおよびフォトダイオードアレイ１５〜１８が配置されている。このため、ＬＥＤダイ４ａからの出射光は、バタフライ形状反射器７の一方の反射面７ｂで反射し、その反射光は、主にフォトダイオードアレイ１５，１６により受光される。また、ＬＥＤダイ４ｂからの出射光は、バタフライ形状反射器７の他方の反射面７ｂで反射し、その反射光は、主にフォトダイオードアレイ１７，１８により受光される。
【００４６】
フォトダイオードアレイ１５〜１８のそれぞれは、同一のチップ上にモノリシックに形成された２つのフォトダイオードで構成される。具体的には、フォトダイオードアレイ１５はフォトダイオードＡ１，Ａ３で、フォトダイオードアレイ１６はフォトダイオードＢ１，Ｂ３で、フォトダイオードアレイ１７はフォトダイオードＡ２，Ａ４で、フォトダイオードアレイ１８はフォトダイオードＢ２，Ｂ４で、それぞれ構成される。フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２は、第１のフォトダイオードの一例であり、回転制限モータ１の回転角度を検出するために設けられている。フォトダイオードＡ３，Ａ４，Ｂ３，Ｂ４は、第２のフォトダイオードの一例であり、検出器１１ａからの出力信号の温度変化成分を補償するために設けられている。
【００４７】
プリント基板６の下面上で、フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２は、回転軸２（図１Ｃなどを参照）の直上の位置を中心Ｏとする同一円周上に配置され、フォトダイオードＡ３，Ａ４，Ｂ３，Ｂ４は、その外側の同一円周上に配置されている。フォトダイオードＡ１，Ａ３とフォトダイオードＡ２，Ａ４は、中心Ｏを挟んで互いに向かい合い、フォトダイオードＢ１，Ｂ３とフォトダイオードＢ２，Ｂ４も、中心Ｏを挟んで互いに向かい合っている。
【００４８】
図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、フォトダイオードアレイの構造を説明するための模式的な断面図である。例えば、フォトダイオードアレイ１５は、図１０（ａ）に示すような、基板１０１の上にｐ型コンタクト層１０２、光吸収層１０３、電界制御層１０４、電子走行層１０５およびｎ型コンタクト層１０６が順に積層された１つの積層構造体を、公知のエッチング技術により図１０（ｂ）に示すようにパターニングして形成される。すなわち、フォトダイオードアレイ１５のフォトダイオードＡ１，Ａ３は、同一の基板（チップ）上に集積して（モノリシックに）形成されたものであり、ｐ層およびｎ層が共通の半導体層に由来するため、同一の特性を有する。このことは、フォトダイオードアレイ１６〜１８のフォトダイオードＢ１，Ｂ３、フォトダイオードＡ２，Ａ４およびフォトダイオードＢ２，Ｂ４についても同様である。
【００４９】
フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２はそれぞれ同じ受光面積を有し、フォトダイオードＡ３，Ａ４，Ｂ３，Ｂ４もそれぞれ同じ受光面積を有する。ただし、フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２の受光面積の方が、フォトダイオードＡ３，Ａ４，Ｂ３，Ｂ４の受光面積よりも大きい。また、プリント基板６上では、フォトダイオードＡ１，Ａ２、フォトダイオードＡ３，Ａ４、フォトダイオードＢ１，Ｂ２およびフォトダイオードＢ３，Ｂ４がそれぞれ並列に接続されている。
【００５０】
ＬＥＤダイ４ａ，４ｂから光が照射され、バタフライ形状反射器７の反射面７ｂで反射することで、フォトダイオードアレイ１５〜１８の上にバタフライ形状の像が形成され、この像は回転制限モータ１の回転とともに円周方向に移動する。検出器１１ａは、反射面７ｂによる反射光の像を受光して、２つのフォトダイオードアレイの間における受光面積の割合に応じて変化する信号を出力する。具体的には、フォトダイオードアレイ１５，１６は、フォトダイオードＡ１，Ａ３，Ｂ１，Ｂ３の受光面積に応じた光電流Ｉａ１，Ｉａ３，Ｉｂ１，Ｉｂ３を出力する。また、フォトダイオードアレイ１７，１８は、フォトダイオードＡ２，Ａ４，Ｂ２，Ｂ４の受光面積に応じた光電流Ｉａ２，Ｉａ４，Ｉｂ２，Ｉｂ４を出力する。光電流Ｉａ１，Ｉａ２，Ｉｂ１，Ｉｂ２は第１の信号の一例であり、光電流Ｉａ３，Ｉａ４，Ｉｂ３，Ｉｂ４は第２の信号の一例である。
【００５１】
図１１は、位置変換器１００の信号処理回路１３の要部を示す回路図である。図１１では、図５に示した信号処理回路１３のうちで、ＡＧＣ回路２８ａ以外の部分を示している。また、信号処理回路１３は電流電圧変換部２１ａ，２１ｂを有し、フォトダイオードで生成された光電流は電圧に変換されて出力されるが、図１１では、簡単のため、電流電圧変換部２１ａ，２１ｂの記載を省略し、電流についての信号処理回路として示している。また、ＬＥＤ２０と抵抗器２７も、説明に必要ないため、図１１では省略している。
【００５２】
フォトダイオードＡ１，Ａ２の温度係数をα、フォトダイオードＢ１，Ｂ２の温度係数をβとおく。温度係数αは、温度変化時の、フォトダイオードＡ１の光電流に対するフォトダイオードＡ２の光電流の変化量を表す係数である。同様に、温度係数βは、温度変化時の、フォトダイオードＢ１の光電流に対するフォトダイオードＢ２の光電流の変化量を表す係数である。温度による特性変化を考慮して、（１）式を電流についての式に書き直すと、位置変換器１００の出力信号Ｉｏｕｔは、
【数１】
2017181473.tif 000003
となる。ただし、ＩａはフォトダイオードＡ１，Ａ２による光電流の和であり、ＩｂはフォトダイオードＢ１，Ｂ２による光電流の和である。また、Ｉｒｅｆは参照電流である。
【００５３】
温度係数α，βが等しければ、（４）式における温度変化成分であるαとβの項は分母分子で打ち消し合う。しかしながら、実際には、フォトダイオードＡ１，Ａ２とフォトダイオードＢ１，Ｂ２では温度特性が異なるため、αとβは同じではなく、（４）式における温度変化成分が残るため、温度変化時にゲインドリフトが発生する。そこで、位置変換器２００の信号処理回路では、フォトダイオードＡ３，Ａ４，Ｂ３，Ｂ４の出力信号を用いて、フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２の出力信号の温度変化成分を補償する。
【００５４】
図１２は、位置変換器２００の信号処理回路１４の要部を示す回路図である。信号処理回路１４でも、各フォトダイオードで生成された光電流は電圧に変換されて出力されるが、図１２では、簡単のため、電流電圧変換部の記載を省略し、電流についての信号処理回路として示している。また、信号処理回路１４も、図５の信号処理回路１３と同じＬＥＤ２０（ただし、位置変換器２００ではＬＥＤダイ４ａ，４ｂに対応して２個になる）、抵抗器２７ＡおよびＡＧＣ回路２８ａを有するが、説明に必要ないため、図１２では省略している。
【００５５】
図１２に示すように、信号処理回路１４は、減算器３１、増幅器３２、減算器３３、減算器３４、増幅器３５および減算器３６で構成される温度補償回路３０を有する。温度補償回路３０は、１対のフォトダイオードアレイ１５，１７と他の１対のフォトダイオードアレイ１６，１８のそれぞれについて、２つの光電流Ｉａ１，Ｉａ２（またはＩｂ１，Ｉｂ２）の温度変化成分を、他の２つの光電流Ｉａ３，Ｉａ４（またはＩｂ３，Ｉｂ４）を用いて補償する。例えば、フォトダイオードアレイ１５，１７について、信号処理回路１４は、光電流Ｉａ１，Ｉａ２の合成信号から光電流Ｉａ３，Ｉａ４に含まれる温度変化成分を減算することにより、その合成信号に含まれる温度変化成分を補償する。フォトダイオードアレイ１６，１８についても同様である。
【００５６】
減算器３１は、第１の減算器の一例であり、フォトダイオードアレイ１５，１７のフォトダイオードＡ３，Ａ４が出力する光電流Ｉａ３と光電流（１＋α）Ｉａ４との差信号を生成する。ただし、係数αは、温度変化時の、フォトダイオードＡ３の光電流に対するフォトダイオードＡ４の光電流の変化量を表す温度係数である。フォトダイオードＡ３，Ａ４の受光面積は同じであるため、生成される光電流も等しく、Ｉａ３＝Ｉａ４である。よって、減算器３１が生成する差信号は、（１＋α）Ｉａ４−Ｉａ３＝αＩａ４となる。
【００５７】
増幅器３２は、フォトダイオードＡ１，Ａ２に対するフォトダイオードＡ３，Ａ４の面積比に逆比例する増幅率で、減算器３１の出力信号αＩａ４を増幅する。フォトダイオードＡ３，Ａ４の受光面積がフォトダイオードＡ１，Ａ２の受光面積の１／Ｋであるとすると、増幅器３２は、減算器３１の出力信号をＫ倍に増幅する。これにより、温度補償用の光電流Ｉａ４のレベルが角度検出用の光電流Ｉａ２のレベルに合わせられるため、増幅器３２の出力信号は、ＫαＩａ４＝αＩａ２となる。なお、フォトダイオードＡ１，Ａ３とフォトダイオードＡ２，Ａ４はそれぞれ同じ温度特性を有するため、温度変化時のフォトダイオードＡ１の光電流に対するフォトダイオードＡ２の光電流の変化量を表す温度係数も、上記と同じ値αである。
【００５８】
減算器３３は、第２の減算器の一例であり、フォトダイオードアレイ１５，１７のフォトダイオードＡ１，Ａ２が出力する光電流Ｉａ１および光電流（１＋α）Ｉａ２の和信号から、増幅器３２の出力信号αＩａ２を減算する。減算器３３が生成する差信号は、Ｉａ１＋（１＋α）Ｉａ２−αＩａ２＝Ｉａ１＋Ｉａ２となる。これをＩａとおく（Ｉａ１＋Ｉａ２＝Ｉａ）。
【００５９】
減算器３４は、第１の減算器の一例であり、フォトダイオードアレイ１６，１８のフォトダイオードＢ３，Ｂ４が出力する光電流Ｉｂ３と光電流（１＋β）Ｉｂ４との差信号を生成する。ただし、係数βは、温度変化時の、フォトダイオードＢ３の光電流に対するフォトダイオードＢ４の光電流の変化量を表す温度係数である。フォトダイオードＢ３，Ｂ４の受光面積は同じであるため、生成される光電流も等しく、Ｉｂ３＝Ｉｂ４である。よって、減算器３４が生成する差信号は、（１＋β）Ｉｂ４−Ｉｂ３＝βＩｂ４となる。
【００６０】
増幅器３５は、フォトダイオードＢ１，Ｂ２に対するフォトダイオードＢ３，Ｂ４の面積比に逆比例する増幅率で、減算器３４の出力信号βＩｂ４を増幅する。フォトダイオードＡ３，Ａ４の受光面積がフォトダイオードＡ１，Ａ２の受光面積の１／Ｋであるとすると、フォトダイオードＢ３，Ｂ４の受光面積もフォトダイオードＢ１，Ｂ２の受光面積の１／Ｋであるため、増幅器３５は、減算器３４の出力信号をＫ倍に増幅する。これにより、温度補償用の光電流Ｉｂ４のレベルが角度検出用の光電流Ｉｂ２のレベルに合わせられるため、増幅器３５の出力信号は、ＫβＩｂ４＝βＩｂ２となる。なお、フォトダイオードＢ１，Ｂ３とフォトダイオードＢ２，Ｂ４はそれぞれ同じ温度特性を有するため、温度変化時のフォトダイオードＢ１の光電流に対するフォトダイオードＢ２の光電流の変化量を表す温度係数も、上記と同じ値βである。
【００６１】
減算器３６は、第２の減算器の一例であり、フォトダイオードアレイ１６，１８のフォトダイオードＢ１，Ｂ２が出力する光電流Ｉｂ１および光電流（１＋β）Ｉｂ２の和信号から、増幅器３５の出力信号βＩｂ２を減算する。減算器３６が生成する差信号は、Ｉｂ１＋（１＋β）Ｉｂ２−βＩｂ２＝Ｉｂ１＋Ｉｂ２となる。これをＩｂとおく（Ｉｂ１＋Ｉｂ２＝Ｉｂ）。
【００６２】
この後の信号処理は、信号処理回路１３と同様である。すなわち、減算器３３の出力信号Ｉａと減算器３６の出力信号Ｉｂは、減算器２２に入力され、差信号Ｉａ−Ｉｂが位置変換器２００の出力Ｉｏｕｔとなる。また、減算器３３の出力信号Ｉａと減算器３６の出力信号Ｉｂは、加算器２３で加算され、和信号Ｉａ＋Ｉｂが比較器２４により参照電流Ｉｒｅｆと比較される。図１２には示していないが、比較器２４の出力が図５の積分回路２５で積分処理され、さらに電流アンプ２６ａによって増幅されて、ＬＥＤ２０に供給される電流Ｉｆが得られる。
【００６３】
以上説明したように、位置変換器２００の検出器１１ａは、同一チップ上の共通の半導体層から形成された２つのフォトダイオードでそれぞれが構成される４つのフォトダイオードアレイ１５〜１８を有する。信号処理回路１４は、フォトダイオードＡ３，Ａ４，Ｂ３，Ｂ４の光電流を用いて、フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２の光電流の温度変化成分（温度係数α，βを含む項）を補償する。フォトダイオードＡ１，Ａ３、フォトダイオードＡ２，Ａ４、フォトダイオードＢ１，Ｂ３およびフォトダイオードＢ２，Ｂ４はそれぞれ同じ温度特性を有するため、光電流Ｉａ３，Ｉａ４および光電流Ｉｂ３，Ｉｂ４からそれぞれ温度変化成分を抽出し、それを減算することで、光電流Ｉａ１，Ｉａ２および光電流Ｉｂ１，Ｉｂ２の温度変化成分が打ち消される。したがって、位置変換器２００では、温度変化によるゲインドリフトの発生が抑えられ、温度が変化しても安定した出力が得られる。
【００６４】
フォトダイオードアレイ１５〜１８のフォトダイオードＡ１，Ａ３、フォトダイオードＢ１，Ｂ３、フォトダイオードＡ２，Ａ４およびフォトダイオードＢ２，Ｂ４は、それぞれ、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示したように、同一チップ上の共通の半導体層から形成されている必要がある。フォトダイオードＡ１，Ａ３として別々のチップ上に形成されたものを用いると、温度特性が互いに異なるため、信号処理回路１４の信号処理では温度変化成分を打ち消せなくなる。このことは、フォトダイオードＢ１，Ｂ３、フォトダイオードＡ２，Ａ４およびフォトダイオードＢ２，Ｂ４についても同様である。
【００６５】
なお、位置変換器２００は２つのＬＥＤダイ４ａ，４ｂを有するが、複数個のＬＥＤダイを設ける代わりに、例えば、長方形状のＬＥＤチップを使用し、その中央部を遮光性部品で覆って２つの光源としてもよい。また、拡散光源として、チップ面積の大きいＬＥＤを使用してもよい。光学素子の材質を変更し、可視光領域の光を使用してもよい。また、ＬＥＤダイの拡散光を効率よくバタフライ形状反射器に向けるために、チクソ性の高い透明樹脂やガラスなどを用いて、半球状のレンズを設けてもよい。
【００６６】
ＬＥＤダイは、プリント基板に直接実装し、ＬＥＤダイの拡散光が直接フォトダイオードに照射されないようにすることが好ましい。しかしながら、ＬＥＤダイとフォトダイオードを必ずしも同一平面上に配置しなくてもよい。
【００６７】
反射器は、金型などで例えばバタフライ形状に製作した樹脂にメッキなどを施して反射面を設けたものを使用してもよい。また、中央部に孔を設けた反射器を、回転制限モータの回転軸に嵌合だけでなく圧入で固定してもよい。反射器を回転軸に嵌合で取り付けることによって、回転軸との調芯作業が不要となり、製造コストが削減される。
【００６８】
拡散光吸収部材には、黒色つや消しを施したアルミ材を利用してもよい。また、黒ニッケルメッキなどの非反射コーティング剤や黒色樹脂などを利用してもよい。可視光領域の光を使用する場合には、拡散光吸収部材として、陽極酸化被膜（黒色つや消しアルマイト）を利用してもよい。
【００６９】
バタフライ形状反射器の反射面から拡散光吸収体までの距離は、実用的には０．２ｍｍ〜５ｍｍ程度とするのが好ましい。なお、反射器以外から検出器に届く光が十分減衰する距離に回転制限モータの固定側の部材がある場合には、固定側の部材に拡散光吸収部材を配置しなくてもよい。ケースの内面が検出器から十分に離れている場合には、ケースの内面を拡散光吸収部材で覆わなくてもよい。
【００７０】
なお、位置変換器２００の検出器１１ａと信号処理回路１４は、反射型の光学式位置変換器に限らず、透過型の光学式位置変換器にも適用可能である。そこで、以下では、上記の信号処理を透過型の光学式位置変換器に適用した場合の例を説明する。
【００７１】
図１３は、位置変換器３００の縦断面図である。図１４は、位置変換器３００の検出器１１ｂの配置を示す図である。図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った位置変換器３００の断面を示している。位置変換器３００は、特許文献１の位置検出装置と同じ基本構成を有する透過型光学式位置変換器であり、回転制限モータ１、ＬＥＤ光源４０、ケース５、バタフライ形状遮光器７’、検出器１１ｂなどから構成される。位置変換器３００は、ＬＥＤ光源４０から出射され、バタフライ形状遮光器７’により遮光されずに検出器１１ｂに到達した光を検出することにより、回転制限モータ１の回転角度を検出する。
【００７２】
位置変換器３００は、位置変換器２００のＬＥＤダイ４ａ，４ｂ、バタフライ形状反射器７、検出器１１ａに代えて、ＬＥＤ光源４０、バタフライ形状遮光器７’および検出器１１ｂを有する点が位置変換器２００とは異なる。また、位置変換器３００は、拡散光吸収体３を有していない点が位置変換器２００とは異なる。それ以外の点では、位置変換器３００の構成は位置変換器２００のものと同じであるから、位置変換器２００と共通する点については、上記と同一の符号を使用し、重複する説明を省略する。
【００７３】
バタフライ形状遮光器７’は、回転部材の一例であり、図３に示したバタフライ形状反射器７と同様に、回転制限モータ１の回転軸２の円周方向の一部で回転軸２の周りに突出する２つの突出面７ｂ’を有し、回転軸２に取り付けられて回転軸２とともに回転する。図１４では、バタフライ形状遮光器７’の形状も破線で重ねて示している。バタフライ形状遮光器７’は、ＬＥＤ光源４０から出射された光を部分的に遮光するものであるから、バタフライ形状反射器７とは異なり反射面を有しておらず、例えば樹脂成型により形成される。
【００７４】
ＬＥＤ光源４０は、拡散光源の一例であり、ケース５の上端の中央に、バタフライ形状遮光器７’の突出面７ｂ’に対向して配置されている。ＬＥＤ光源４０は、ＬＥＤダイ４ｃと、ＬＥＤダイ４ｃを覆う樹脂製の半球状の湾曲窓４１とで構成され、ケース５内の下方のバタフライ形状遮光器７’および検出器１１ｂに向けて、全角均等強度で光を照射する。
【００７５】
検出器１１ｂは、位置変換器２００の検出器１１ａとは異なり、バタフライ形状遮光器７’に対してＬＥＤ光源４０とは反対側に配置されているが、検出器１１ａと同じ４つのフォトダイオードアレイ１５〜１８で構成される。ＬＥＤ光源４０から光が照射され、バタフライ形状遮光器７’の突出面７ｂ’で遮光されることで、フォトダイオードアレイ１５〜１８の上にバタフライ形状の像（影）が形成され、この像は回転制限モータ１の回転とともに円周方向に移動する。検出器１１ｂは、フォトダイオードアレイ１５，１６の間およびフォトダイオードアレイ１７，１８の間における受光面積の割合に応じて変化する信号を出力する。
【００７６】
図示しないが、位置変換器３００の信号処理回路は、図１２に示した位置変換器２００の信号処理回路１４と同じである。位置変換器３００の信号処理回路も、信号処理回路１４と同様に、フォトダイオードＡ３，Ａ４，Ｂ３，Ｂ４の光電流を用いて、フォトダイオードＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２の光電流の温度変化成分を補償する。したがって、位置変換器３００でも、温度変化によるゲインドリフトの発生が抑えられ、温度が変化しても安定した出力が得られる。
【符号の説明】
【００７７】
１    回転制限モータ
２    回転軸
３    拡散光吸収体
４，４ａ，４ｂ，４ｃ    ＬＥＤダイ
５    ケース
６    プリント基板
７    バタフライ形状反射器
８    軸受け
９    コネクタ
１０    ロータ
１１，１１ａ，１１ｂ    検出器
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ    像
１３，１４    信号処理回路
１５，１６，１７，１８    フォトダイオードアレイ
３１，３３，３４，３６    減算器
３２，３５    増幅器
１００，２００，３００    位置変換器
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４    フォトダイオード
【図１Ａ】
2017181473.tif 000004
【図１Ｂ】
2017181473.tif 000005
【図１Ｃ】
2017181473.tif 000006
【図１Ｄ】
2017181473.tif 000007
【図２】
2017181473.tif 000008
【図３】
2017181473.tif 000009
【図４】
2017181473.tif 000010
【図５】
2017181473.tif 000011
【図６】
2017181473.tif 000012
【図７】
2017181473.tif 000013
【図８Ａ】
2017181473.tif 000014
【図８Ｂ】
2017181473.tif 000015
【図９】
2017181473.tif 000016
【図１０】
2017181473.tif 000017
【図１１】
2017181473.tif 000018
【図１２】
2017181473.tif 000019
【図１３】
2017181473.tif 000020
【図１４】
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