(57)【要約】      （修正有）【課題】第１基板に台座が形成され、第２基板にスペーサが形成された表示装置において、基板同士を貼り合わせたときの位置ずれにより、スペーサが台座でない領域に接触することを防止する表示装置を提供する。【解決手段】第１基板と、第２基板と、両基板間に設置されたスペーサと、を含み、第１基板は、スペーサを保持する複数の台座130ａ，130ｂと、列方向に延在するデータ線11と、行方向に延在するゲート線12と、データ線とゲート線とのそれぞれの交差部近傍に形成された薄膜トランジスタ13ａ、13ｂと、行方向及び列方向に配列された画素領域のそれぞれに対応して配置された画素電極と、画素電極に対向配置される共通電極と、共通電極に電気的に接続され行方向に延在する共通配線116と、を含み、共通配線は、スペーサを保持する複数の台座のうち少なくとも１つの台座を迂回する屈曲部126を含んで形成されている。【選択図】図４
2017076010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設置された複数のスペーサと、を含み、
前記第１基板は、
前記複数のスペーサそれぞれを保持する複数の台座と、列方向に延在する複数のデータ線と、行方向に延在する複数のゲート線と、前記複数のデータ線と前記複数のゲート線とのそれぞれの交差部近傍に形成された複数の薄膜トランジスタと、行方向及び列方向に配列された複数の画素領域のそれぞれに対応して配置された複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向配置される共通電極と、前記共通電極に電気的に接続され行方向に延在する複数の共通配線と、を含み、
前記各共通配線は、前記複数の台座のうち少なくとも一つの前記台座を迂回する屈曲部を含む、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数の台座は、第１台座と、前記第１台座より表面積が小さい第２台座とを含み、
前記屈曲部は、前記第１台座を迂回するように形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数のスペーサは、第１スペーサと、前記第１スペーサよりも高さが低い第２スペーサとを含み、
前記第１スペーサは前記第１台座に対向して形成され、前記第２スペーサは前記第２台座に対向して形成される、
ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記屈曲部の少なくとも一部と、前記画素電極とは積層方向に重畳し、前記共通配線における前記屈曲部でない領域と、前記画素電極とは積層方向に重畳しない、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１基板は、第１絶縁膜と第２絶縁膜と有機絶縁膜と第３絶縁膜と半導体層とをさらに含み、
前記第１絶縁膜は、前記複数のゲート線を覆うように形成され、
前記半導体層は、前記第１絶縁膜上に形成され、
前記複数のデータ線それぞれの一部は、前記半導体層上に形成され、
前記第２絶縁膜は、前記複数のデータ線を覆うように形成され、
前記有機絶縁膜は、前記第２絶縁膜上に形成され、
前記共通電極は、前記第２絶縁膜上に形成され、
前記共通配線は、前記共通電極上に形成され、
前記第３絶縁膜は、前記共通電極と前記共通配線とを覆うように形成され、
前記複数の画素電極は、前記第３絶縁膜上に形成され、
前記台座は、少なくとも前記ゲート線と前記半導体層と前記データ線と前記有機絶縁膜とが積層方向に互いに重畳する重畳領域に形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記各共通配線は、行方向に延在する第１共通配線と、前記第１共通配線から列方向に延在する複数の第２共通配線とを含み、
前記台座は、前記重畳領域に形成された前記第２共通配線である、
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１共通配線は、前記屈曲部を含み、
前記複数の第２共通配線の少なくとも一つは、前記屈曲部に接続されている、
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記屈曲部と、前記半導体層とは積層方向に重畳しない、
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１基板は、有機絶縁膜をさらに含み、
前記共通電極は、前記有機絶縁膜上に形成され、
前記共通配線は、前記共通電極上に形成され、
前記画素電極は、前記有機絶縁膜に形成された開口部を介して前記薄膜トランジスタを構成するソース電極に接続され、
前記各共通配線の一部は、前記開口部に形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、第１基板と第２基板との間に封止された液晶の配向により光の透過を制御することで画像を表示している。第１基板は、列方向に延在する複数のデータ線と、行方向に延在する複数のゲート線と、複数のデータ線と複数のゲート線とのそれぞれの交差部近傍に形成された複数の薄膜トランジスタと、を含んで形成されている。液晶表示装置のうちＩＰＳ方式の液晶表示装置では、第１基板に画素電極と共通電極とを含んでいる。
【０００３】
液晶表示装置には、第１基板と第２基板との間の距離（ギャップ）を保持するために複数のスペーサが配置される。例えば、第１基板に台座が形成され、第２基板にスペーサが形成され、台座とスペーサとが接触するように第１基板と第２基板とを貼り合わせることによって、上記ギャップを保持する。スペーサは、画素の開口率を低下させない位置に配置されることが望ましい。例えば、特許文献１には隣り合う２つの薄膜トランジスタの間にスペーサが配置されることが開示されている。また特許文献２には、画素の開口率の向上を図るために、対向電極（共通電極）に基準信号を供給する対向電圧信号線（共通配線）を、ゲート線の走行方向に沿って、かつゲート線に重畳して形成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９６３３８号公報
【特許文献２】特開２００９−１２２２９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、近年の表示装置では、高精細化によりスペーサを配置する領域が小さくなっているため、両基板同士を貼り合わせたときの位置ずれによりスペーサが台座でない領域に接触し、表示ムラなどの表示不良が生じる恐れがある。特に共通配線がゲート線に沿って、かつゲート線に重畳して形成されている場合には、共通配線が形成される領域の積層構造が高くなり、当該領域にスペーサが接触しやすくなる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、その目的は、スペーサが台座でない領域に接触することを防止する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設置された複数のスペーサと、を含み、前記第１基板は、前記複数のスペーサそれぞれを保持する複数の台座と、列方向に延在する複数のデータ線と、行方向に延在する複数のゲート線と、前記複数のデータ線と前記複数のゲート線とのそれぞれの交差部近傍に形成された複数の薄膜トランジスタと、行方向及び列方向に配列された複数の画素領域のそれぞれに対応して配置された複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向配置される共通電極と、前記共通電極に電気的に接続され行方向に延在する複数の共通配線と、を含み、前記各共通配線は、前記複数の台座のうち少なくとも一つの前記台座を迂回する屈曲部を含む、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る表示装置では、前記複数の台座は、第１台座と、前記第１台座より表面積が小さい第２台座とを含み、前記屈曲部は、前記第１台座を迂回するように形成されてもよい。
【０００９】
本発明に係る表示装置では、前記複数のスペーサは、第１スペーサと、前記第１スペーサよりも高さが低い第２スペーサとを含み、前記第１スペーサは前記第１台座に対向して形成され、前記第２スペーサは前記第２台座に対向して形成されてもよい。
【００１０】
本発明に係る表示装置では、前記屈曲部の少なくとも一部と、前記画素電極とは積層方向に重畳し、前記共通配線における前記屈曲部でない領域と、前記画素電極とは積層方向に重畳しなくてもよい。
【００１１】
本発明に係る表示装置では、前記第１基板は、第１絶縁膜と第２絶縁膜と有機絶縁膜と第３絶縁膜と半導体層とをさらに含み、前記第１絶縁膜は、前記複数のゲート線を覆うように形成され、前記半導体層は、前記第１絶縁膜上に形成され、前記複数のデータ線それぞれの一部は、前記半導体層上に形成され、前記第２絶縁膜は、前記複数のデータ線を覆うように形成され、前記有機絶縁膜は、前記第２絶縁膜上に形成され、前記共通電極は、前記第２絶縁膜上に形成され、前記共通配線は、前記共通電極上に形成され、前記第３絶縁膜は、前記共通電極と前記共通配線とを覆うように形成され、前記複数の画素電極は、前記第３絶縁膜上に形成され、前記台座は、少なくとも前記ゲート線と前記半導体層と前記データ線と前記有機絶縁膜とが積層方向に互いに重畳する重畳領域に形成されてもよい。
【００１２】
本発明に係る表示装置では、前記各共通配線は、行方向に延在する第１共通配線と、前記第１共通配線から列方向に延在する複数の第２共通配線とを含み、前記台座は、前記重畳領域に形成された前記第２共通配線であってもよい。
【００１３】
本発明に係る表示装置では、前記第１共通配線は、前記屈曲部を含み、前記複数の第２共通配線の少なくとも一つは、前記屈曲部に接続されてもよい。
【００１４】
本発明に係る表示装置では、前記屈曲部と、前記半導体層とは積層方向に重畳しなくてもよい。
【００１５】
本発明に係る表示装置では、前記第１基板は、有機絶縁膜をさらに含み、前記共通電極は、前記有機絶縁膜上に形成され、前記共通配線は、前記共通電極上に形成され、前記画素電極は、前記有機絶縁膜に形成された開口部を介して前記薄膜トランジスタを構成するソース電極に接続され、前記各共通配線の一部は、前記開口部に形成されてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る表示装置によれば、共通配線が台座を迂回するように屈曲して形成されていることでスペーサが台座でない領域に接触することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】画素の構成を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】本実施形態に係るＴＦＴ基板の部分拡大図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ’断面図である。
【図６】図４のＣ−Ｃ’断面図である。
【図７】図４のＤ−Ｄ’断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の一実施形態について、図面を用いて以下に説明する。本実施形態では、液晶表示装置を例にして説明するが、本発明に係る表示装置は液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば、有機ＥＬ表示装置等であってもよい。
【００１９】
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。液晶表示装置は、画像を表示する表示パネル１０と、表示パネル１０を駆動する駆動回路（データ線駆動回路、ゲート線駆動回路）と、駆動回路を制御する制御回路（図示せず）と、表示パネル１０に背面側から光を照射するバックライト（図示せず）とを含んで構成されている。表示パネル１０の表示領域１０ａには、隣り合う２本のデータ線１１と、隣り合う２本のゲート線１２とで囲まれた画素１４が、行方向及び列方向にマトリクス状に複数配列されている。なお、データ線１１が延在する方向を列方向、ゲート線１２が延在する方向を行方向とする。また図１には、後述するスペーサ２１０を示している。
【００２０】
図２は、画素１４の構成を示す平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。図２及び図３を参照しつつ、表示パネル１０の具体的な構成について説明する。
【００２１】
図２において、隣り合う２本のデータ線１１と、隣り合う２本のゲート線１２とで区画された領域が１つの画素１４に相当する。各画素１４には、薄膜トランジスタ１３が設けられている。薄膜トランジスタ１３は、データ線１１とゲート線１２とのそれぞれの交差部近傍に形成されている。薄膜トランジスタ１３は、第１絶縁膜１０２上に形成された半導体層２１と、半導体層２１上に形成されたドレイン電極２２及びソース電極２３とを含んで構成されている（図３参照）。ドレイン電極２２はデータ線１１に電気的に接続されており、ソース電極２３はコンタクトホール２４を介して画素電極１５に電気的に接続されている。
【００２２】
各画素１４には、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる画素電極１５が形成されている。画素電極１５は、複数の開口部（スリット）を有しており、ストライプ状に形成されている。各開口部の形状及び数限定されない。各画素１４に共通して、表示領域全体にＩＴＯ等の透明導電膜からなる１つの共通電極１６が画素電極１５に対向して形成されている。なお、共通電極１６における、コンタクトホール２４及び薄膜トランジスタ１３のソース電極２３に重なる領域には、画素電極１５とソース電極２３とを電気的に接続させるための開口部が形成されている。つまり、各画素１４は、薄膜トランジスタ１３が形成される領域を除いて、共通電極１６に覆われている。共通電極１６には、複数の共通配線１１６が電気的に接続されている。各共通配線１１６は、ゲート線１２に重畳して行方向に延在して形成されている。
【００２３】
図３に示すように、表示パネル１０は、背面側に配置されるＴＦＴ基板１００（第１基板）と、表示面側に配置されるＣＦ基板２００（第２基板）と、ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００の間に挟持される液晶層３００と、を含んでいる。
【００２４】
ＴＦＴ基板１００では、ガラス基板１０１上にゲート線１２が形成され、ゲート線１２を覆うように第１絶縁膜１０２が形成されている。第１絶縁膜１０２の表面には、ゲート線１２の平面形状や厚さを反映した段差が生じる。ゲート線１２は、アルミニウムＡｌ、モリブデンＭｏ、チタンＴｉあるいは銅Ｃｕを主成分とする金属材料、又は上記の複数の積層層、又は上記金属材料にタングステンＷ、マンガンＭｎあるいはチタンＴｉなどが添加された合金、又は上記の組み合わせにおける積層金属層から形成される。第１絶縁膜１０２の材料としては、周知の材料を用いることができる。
【００２５】
第１絶縁膜１０２上には半導体層２１が形成されている。半導体層２１上にはドレイン電極２２と、ソース電極２３とが形成され、ドレイン電極２２と、ソース電極２３とを覆うように第２絶縁膜１０３が形成されている。第２絶縁膜１０３上に有機絶縁膜１０４が形成されている。第２絶縁膜１０３の表面には、半導体層２１、ドレイン電極２２、及びソース電極２３の平面形状や厚さを反映した段差が生じる。有機絶縁膜１０４の表面には、第２絶縁膜１０３の表面に生じる段差の影響を受けた緩やかな曲面状の傾斜が生じる。第２絶縁膜１０３としては、シリコンナイトライドＳｉＮあるいは二酸化シリコンＳｉＯ２を用いることができる。有機絶縁膜１０４は、アクリルを主成分とする感光性の有機材料からなる。
【００２６】
有機絶縁膜１０４上には共通電極１６が形成され、共通電極１６上に共通配線１１６が形成されている。共通電極１６の表面は、有機絶縁膜１０４の表面形状を反映した形状に形成される。共通配線１１６の表面は、共通電極１６の表面形状を反映した形状に形成される。共通配線１１６は、金属材料からなり、共通電極１６に電気的に接続される。
【００２７】
共通電極１６及び共通配線１１６を覆うように第３絶縁膜１０５が形成されている。第３絶縁膜１０５の表面は、共通電極１６、共通配線１１６及び有機絶縁膜１０４の表面形状や厚さを反映した形状に形成される。第３絶縁膜１０５の材料としては、周知の材料を用いることができる。
【００２８】
第３絶縁膜１０５上には画素電極１５が形成され、画素電極１５を覆うように配向膜１０６が形成されている。画素電極１５は、第２絶縁膜１０３、有機絶縁膜１０４、及び第３絶縁膜１０５に形成されたコンタクトホール２４を介して、ソース電極２３に電気的に接続される。配向膜１０６は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。
【００２９】
その他、図示はしていないが、ＴＦＴ基板１００には、偏光板等が形成されている。
【００３０】
ＣＦ基板２００では、ガラス基板２０１上にカラーフィルタ２０２（例えば、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタ）、及びブラックマトリクス２０３が形成され、これらを覆うようにオーバコート層２０４が形成されている。ブラックマトリクス２０３は、黒色顔料を用いた樹脂材料あるいは金属材料で構成される。オーバコート層２０４は、有機材料で構成される。
【００３１】
オーバコート層２０４上には配向膜２０５が形成されている。配向膜２０５は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。
【００３２】
その他、図示はしていないが、ＣＦ基板２００には、偏光板等が形成されている。
【００３３】
液晶層３００には、液晶３０１が封入されている。液晶３０１は、誘電率異方性が負のネガ型液晶であってもよいし、誘電率異方性が正のポジ型液晶であってもよい。
【００３４】
画素１４を構成する各部の積層構造は、図３の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。また上記のように、液晶表示装置は、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の構成を有している。液晶表示装置の構成は、上記構成に限定されない。
【００３５】
ここで、液晶表示装置の駆動方法を簡単に説明する。ゲート線１２にはゲート線駆動回路から走査用のゲート電圧（ゲートオン電圧、ゲートオフ電圧）が供給される。データ線１１にはデータ線駆動回路から映像用のデータ電圧が供給される。ゲート線１２にゲートオン電圧が供給されると、薄膜トランジスタ１３がオン状態になり、データ線１１に供給されたデータ電圧が、ドレイン電極２２及びソース電極２３を介して画素電極１５に伝達される。共通電極１６には、共通電極駆動回路（図示せず）から共通配線１１６を介して共通電圧（Ｖｃｏｍ）が供給される。これにより、画素電極１５から液晶層３００を経て画素電極１５の開口部を介して共通電極１６に至る電界により液晶３０１が駆動する。液晶３０１が駆動して液晶層３００を透過する光の透過率を制御することにより画像が表示される。液晶表示装置の駆動方法は上記の方法に限定されず、周知の方法を適用することができる。
【００３６】
本実施形態に係る液晶表示装置には、ＴＦＴ基板１００とＣＦ基板２００との間の距離（ギャップ）を保持するための複数のスペーサ２１０が配置される。ＴＦＴ基板１００に台座１３０が形成され、ＣＦ基板２００にスペーサ２１０が形成され、台座１３０とスペーサ２１０とが接触するようにＴＦＴ基板１００とＣＦ基板２００とを貼り合わせることによりギャップを保持する。
【００３７】
スペーサ２１０は、画素の開口率を低下させない位置、例えば薄膜トランジスタ１３の近傍に配置されることが好ましい。スペーサ２１０（メインスペーサ２１０ａ、サブスペーサ２１０ｂ）は、例えば図２に示すように、平面視で、行方向に隣り合う薄膜トランジスタ１３の間に配置されるようにＣＦ基板２００に形成されている。また、ＴＦＴ基板１００には、ＣＦ基板２００と貼り合されたときに複数のスペーサ２１０のそれぞれを保持する複数の台座１３０が形成されている。台座１３０は、スペーサ２１０に対向する領域に形成される。台座１３０は、例えば、ＴＦＴ基板１００において、平面視で、行方向に隣り合う薄膜トランジスタ１３の間に配置されるようにＴＦＴ基板１００に形成されている。なお、スペーサ２１０は、互いに高さが異なる２種類のスペーサを含んでいてもよい。具体的には、スペーサ２１０は、通常状態において台座１３０に接するメインスペーサ２１０ａと、通常状態では台座１３０に接しておらず、表示パネル１０が変形したときに台座１３０に接するサブスペーサ２１０ｂとを含んでいてもよい。なお、サブスペーサ２１０ｂは、メインスペーサ２１０ａより数が少ないこととする。サブスペーサ２１０ｂを設けることにより、耐圧性の向上と低温時の気泡発生の抑制を図ることができる。
【００３８】
本実施形態に係る液晶表示装置は、表示パネルの高精細化により台座１３０及びスペーサ２１０を配置する領域が限られており、ＴＦＴ基板１００とＣＦ基板２００とを貼り合わせたときの位置ずれによりスペーサ２１０が台座１３０でない領域に接し、表示ムラなどの表示不良が生じることがある。特に、共通配線１１６が形成されている領域は積層構造が高くなるため、当該領域にスペーサ２１０が接しやすくなる。本実施形態に係る液晶表示装置は、行方向に延在する共通配線１１６が台座１３０を迂回するように屈曲して形成されることで、ＴＦＴ基板１００とＣＦ基板２００とを貼り合わせたときの位置ずれによりスペーサ２１０が台座１３０でない領域に接することを防止する構成としている。
【００３９】
図４〜図６を参照して、本実施形態に係る共通配線１１６の具体的構成について説明する。図４は、本実施形態に係るＴＦＴ基板１００の部分拡大図である。図４は、図２に示した表示パネル１０において行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３（薄膜トランジスタ１３ａ及び薄膜トランジスタ１３ｂとする）の近傍を示している。図５は、図４のＢ−Ｂ’断面図である。なお図５は、図４のＴＦＴ基板１００に対してスペーサ２１０が形成されたＣＦ基板２００を貼り合わせた状態におけるＢ−Ｂ’断面図である。図６は、図４のＣ−Ｃ’断面図である。なお図６は、図４のＴＦＴ基板１００に対してスペーサ２１０が形成されたＣＦ基板２００を貼り合わせた状態におけるＣ−Ｃ’断面図である。図４〜図６におけるＴＦＴ基板１００側の構成は、データ線１１、共通配線１１６（第１共通配線１１６ａ及び第２共通配線１１６ｂ）、重畳領域１２０、及び台座１３０を含むことを除けば、図３において説明した通りである。図５及び図６におけるＣＦ基板２００側の構成は、スペーサ２１０を含むことを除けば、図３において説明した通りである。したがって重複する説明はここでは省略する。
【００４０】
まず、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域の積層構造について説明する。ＴＦＴ基板１００における、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域では、半導体層２１上にはデータ線１１が形成され、データ線１１を覆うように第２絶縁膜１０３が形成され、第２絶縁膜１０３上に有機絶縁膜１０４が形成されている。データ線１１の表面には、ゲート線１２、第１絶縁膜１０２、及び半導体層２１の平面形状や厚さを反映した段差が生じる。第２絶縁膜１０３の表面には、半導体層２１及びデータ線１１の平面形状や厚さを反映した段差が生じる。有機絶縁膜１０４の表面には、第２絶縁膜１０３に生じる段差の影響を受けた緩やかな曲面状の傾斜が生じる。有機絶縁膜１０４上には共通電極１６が形成され、共通電極１６上に共通配線１１６が形成されている。共通配線１１６は、共通電極１６の表面形状を反映した形状に形成される。また、共通配線１１６は、列方向に隣り合う画素１４の間を行方向に延在する第１共通配線１１６ａと、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域において第１共通配線１１６ａから列方向に延在する複数の第２共通配線１１６ｂとを含む。そして、共通電極１６と共通配線１１６とを覆うように第３絶縁膜１０５が形成されている。第３絶縁膜１０５の表面は、有機絶縁膜１０４、共通電極１６、及び共通配線１１６の形状や厚さを反映した形状に形成される。
【００４１】
台座１３０は、スペーサ２１０に対向する領域であって、例えば行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域に形成されている。図４に示すように台座１３０は、メインスペーサ２１０ａを保持するための第１台座１３０ａと、サブスペーサ２１０ｂを保持するための第２台座１３０ｂとを含む。本実施形態では、メインスペーサ２１０ａとサブスペーサ２１０ｂとの異なるスペーサ２１０を含む場合を説明するが、メインスペーサ２１０ａとサブスペーサ２１０ｂとにおいて共通の構成を説明するときは単にスペーサ２１０と表記する。同様に、第１台座１３０ａと第２台座１３０ｂとにおいて共通の構成を説明するときは単に台座１３０と表記する。
【００４２】
本実施形態に係る台座１３０の具体的構成について説明する。台座１３０は、スペーサ２１０に対向する領域であって、少なくとも、ゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４とが、積層方向に互いに重畳する重畳領域１２０に形成されている。具体的には、台座１３０は、ゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４とが、積層方向に互いに重畳する重畳領域１２０であって、有機絶縁膜１０４より上層に形成される段差部である。また、台座１３０は、台座１３０の外周全体と重畳領域１２０とが、積層方向に重畳するように形成されている。上述したように、ＴＦＴ基板１００の有機絶縁膜１０４には、下層の段差の影響をうけて緩やかな曲面状の傾斜が生じることがある。このような傾斜が生じている領域に台座１３０が形成されないことが好ましい。ここでは、ゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４とが、積層方向に互いに重畳する重畳領域１２０は平坦性を有することから、重畳領域１２０に台座１３０全体が形成されることとしている。本実施形態では、重畳領域１２０であって有機絶縁膜１０４より上層に形成される共通配線１１６を台座１３０としている。具体的には、重畳領域１２０であって有機絶縁膜１０４より上層に形成される第２共通配線１１６ｂを台座１３０としている。なお、重畳領域１２０に形成される第２共通配線１１６ｂと第２共通配線１１６ｂの上部に形成される第３絶縁膜１０５とを合わせて台座１３０としてもよい。また、重畳領域１２０のうち、ＴＦＴ基板１００におけるゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４と共通電極１６と共通配線１１６とが積層方向に互いに重畳する領域を、台座１３０と規定してもよい。具体的には、ＴＦＴ基板１００におけるゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と共通電極１６と第２共通配線１１６ｂとが積層方向に互いに重畳する領域を、台座１３０と規定してもよい。
【００４３】
また第２台座１３０ｂは、通常状態においてサブスペーサ２１０ｂに接しないことから、第１台座１３０ａより表面積が小さく形成されている。つまりは、第２台座１３０ｂにおける第２共通配線１１６ｂの列方向の幅は、第１台座１３０ａにおける第２共通配線１１６ｂの列方向の幅より小さい。なお第１台座１３０ａと第２台座１３０ｂとにおいて、第２共通配線１１６ｂの行方向の幅は等しいものとする。また第２台座１３０ｂが形成される領域におけるゲート線１２の列方向の幅は、第１台座１３０ａが形成される領域におけるゲート線１２の列方向の幅より小さくてもよい。また第２台座１３０ｂが形成される領域における半導体層２１の列方向の幅は、第１台座１３０ａが形成される領域における半導体層２１の列方向の幅より小さくてもよい。
【００４４】
ＣＦ基板２００において、オーバコート層２０４上にスペーサ２１０が形成され、スペーサ２１０を覆うように配向膜２０５が形成されている。スペーサ２１０は、平面的に見て、ブラックマトリクス２０３に重なるようにＣＦ基板２００に形成されている。また、図５に示すように、メインスペーサ２１０ａは、メインスペーサ２１０ａのＴＦＴ基板１００側の表面の少なくとも一部が第１台座１３０ａの表面に接触するようにＣＦ基板２００に形成されている。また、図６に示すように、サブスペーサ２１０ｂは、通常状態において第２台座１３０ｂの表面に接触しないようにＣＦ基板２００に形成されている。なお、スペーサ２１０及び台座１３０は、赤色用画素と青色用画素と緑色用画素とを含む１つの画素組に対して１つ又は複数の割合で設けられていてもよいし、複数の画素組に対して１つの割合で設けられていてもよい。また、スペーサ２１０の形状は、円柱状、角柱状、円錐状等とすることができる。
【００４５】
共通配線１１６は、複数の台座１３０のうち少なくとも一つの台座１３０を迂回する屈曲部１２６を含んで形成されている。本実施形態では、第１共通配線１１６ａが屈曲部１２６を含んで形成されており、第１台座１３０ａを構成する第２共通配線１１６ｂが屈曲部１２６に接続されている。
【００４６】
図４及び図５に示すように、第１共通配線１１６ａは、列方向に隣り合う画素１４の間を行方向に直線状に延在し、第１共通配線１１６ａの屈曲部１２６は第１台座１３０ａを迂回するように形成されている。つまりは、第１共通配線１１６ａは、屈曲部１２６において第１台座１３０ａから離間するように列方向に屈曲している。また第１共通配線１１６ａは、屈曲部１２６において重畳領域１２０から離間するように列方向に屈曲してもよい。また、第１共通配線１１６ａは、屈曲部１２６において屈曲部１２６と半導体層２１とが積層方向に重畳しないように列方向に屈曲してもよい。また、第１共通配線１１６ａは、屈曲部１２６において屈曲部１２６の一部とゲート線１２とが積層方向に重畳しないように列方向に屈曲してもよい。
【００４７】
ここで第１共通配線１１６ａは、通常状態においてサブスペーサ２１０ｂに接しない第２台座１３０ｂを迂回せず、通常状態においてメインスペーサ２１０ａに接する第１台座１３０ａを迂回するように形成されている。したがって第１共通配線１１６ａは、第２台座１３０ｂが形成される領域において、重畳領域１２０、半導体層２１、ゲート線１２と積層方向に重畳してよい。具体的には、図４及び図６に示すように、第１共通配線１１６ａと第２台座１３０ｂとは、平面視で接するように形成されている。また第２台座１３０ｂが形成される領域において、第１共通配線１１６ａとゲート線１２とは積層方向に重畳している。また第２台座１３０ｂが形成される領域において、第１共通配線１１６ａの一部と半導体層２１とは積層方向に重畳している。
【００４８】
このように、屈曲部１２６と第１台座１３０ａとが列方向に離間することで、メインスペーサ２１０ａが、第１共通配線１１６ａが形成される領域に接触することを防止することができる。
【００４９】
また、屈曲部１２６の少なくとも一部と、画素電極１５とは積層方向に重畳し、第１共通配線１１６ａにおける屈曲部１２６でない領域と、画素電極１５とは積層方向に重畳しない。これにより、メインスペーサ２１０ａが、第１共通配線１１６ａが形成される領域に接触することを防止するとともに、画素領域の開口率の低下を抑制することができる。
【００５０】
また、図４に示すように、有機絶縁膜１０４における、コンタクトホール２４及び薄膜トランジスタ１３のソース電極２３に重なる領域には、画素電極１５とソース電極２３とを電気的に接続させるための開口部１０４ａが形成されている。図７は図４のＤ−Ｄ’断面図である。共通配線の一部は、薄膜トランジスタ１３が形成されている領域において、有機絶縁膜１０４の開口部に近い位置に形成されることが好ましい。具体的には、図４に示すように、第１共通配線１１６ａは、平面的に見て、ゲート線１２と半導体層２１とドレイン電極２２とが重畳する領域において、第１共通配線１１６ａの一部と開口部１０４ａの一部とが重なるように形成される。つまりは、第１共通配線１１６ａの一部が、有機絶縁膜１０４の開口部１０４ａに形成される。図７に示すように、共通電極１６の一部及び第１共通配線１１６ａの一部が有機絶縁膜１０４の開口部１０４ａに形成されている。有機絶縁膜１０４の開口部１０４ａに形成された共通電極１６及び第１共通配線１１６ａにより、有機絶縁膜１０４の開口部１０４ａに段差が生じる。この段差によりコンタクトホール２４内への配向膜１０６の進入が容易になり、配向膜１０６の塗れ広がり性が向上する。
【００５１】
なお、共通配線１１６は上述した構成に限定されない。例えば、第１共通配線１１６ａと第２共通配線１１６ｂとは離間して形成されてもよい。つまり列方向に隣り合う画素１４の間を行方向に延在する第１共通配線１１６ａと、行方向に隣り合う画素１４の間を列方向に延在する第２共通配線１１６ｂと、が別々に形成されてもよい。また、第２共通配線１１６ｂは、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域にアイランド状に形成されてもよい。つまり、第２共通配線１１６ｂは、第１共通配線１１６ａと同一層に、同一材料（例えば、金属層とする）で、かつ第１共通配線１１６ａから離間して形成されてもよい。この場合、第２共通配線１１６ｂは、第２共通配線１１６ｂ全体が重畳領域１２０に含まれるように形成されてもよい。
【００５２】
なお、台座１３０は、第２共通配線１１６ｂである構成に限定されない。例えば、台座１３０は、ＴＦＴ基板１００におけるゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４とが、積層方向に互いに重畳する重畳領域１２０に形成される、例えば樹脂材料からなる樹脂層であってもよい。樹脂層は、共通電極１６上であって、共通配線１１６と同一の層に形成されてもよいし、第３絶縁膜１０５上に形成されてもよい。樹脂層が第３絶縁膜１０５上に形成される場合は、樹脂層の表面とスペーサ２１０とが接触することとなる。このように、本実施形態に係る液晶表示装置では、ゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４とが積層方向に互いに重畳する重畳領域１２０に形成される層（例えば、第２共通配線１１６ｂ、樹脂層、金属層等）を、台座１３０として規定することができる。
【００５３】
なお、図４において第１共通配線１１６ａは、通常状態においてサブスペーサ２１０ｂに接しない第２台座１３０ｂを迂回しないで形成されているが、第１共通配線１１６ａは、第２台座１３０ｂを迂回して形成されてもよい。これにより、表示パネル１０が変形したときにサブスペーサ２１０ｂが、第１共通配線１１６ａが形成される領域に接することを防止することができる。
【００５４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５５】
１０  表示パネル、１０ａ  表示領域、１１  データ線、１２  ゲート線、１３，１３ａ，１３ｂ  薄膜トランジスタ、１４  画素、１５  画素電極、１６  共通電極、２１  半導体層、２２  ドレイン電極、２３  ソース電極、２４  コンタクトホール、１００  ＴＦＴ基板、１０１，２０１  ガラス基板、１０２  第１絶縁膜、１０３  第２絶縁膜、１０４  有機絶縁膜、１０４ａ  開口部、１０５  第３絶縁膜、１０６，２０５  配向膜、１１６  共通配線、１１６ａ  第１共通配線、１１６ｂ  第２共通配線、１２０  重畳領域、１２６  屈曲部、１３０  台座、１３０ａ  第１台座、１３０ｂ  第２台座、２００  ＣＦ基板、２０２  カラーフィルタ、２０３  ブラックマトリクス、２０４  オーバコート層、２１０  スペーサ、２１０ａ  メインスペーサ、２１０ｂ  サブスペーサ、３００  液晶層、３０１  液晶。
【図１】
2017076010.tif 000003
【図２】
2017076010.tif 000004
【図３】
2017076010.tif 000005
【図４】
2017076010.tif 000006
【図５】
2017076010.tif 000007
【図６】
2017076010.tif 000008
【図７】
2017076010.tif 000009