(57)【要約】【課題】第１のシンチレータ層の角部の輝度低下を抑制することができる放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することを課題とする。【解決手段】放射線検出装置の製造方法は、光を電荷に変換する光電変換部（１０４）を有する基板（１０３）の上に、放射線を光に変換する第１のシンチレータ層（１０６ａ）を形成する工程と、前記第１のシンチレータ層の角部を覆うように、放射線を光に変換する第２のシンチレータ層（１０６ｂ）を形成する工程とを有することを特徴とする。【選択図】図８
2017049104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を電荷に変換する光電変換部を有する基板の上に、放射線を光に変換する第１のシンチレータ層を形成する工程と、
前記第１のシンチレータ層の角部を覆うように、放射線を光に変換する第２のシンチレータ層を形成する工程と
を有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記第１のシンチレータ層を形成した後かつ前記第２のシンチレータ層を形成する前に、前記第１のシンチレータ層を乾燥する工程と、
前記第２のシンチレータ層を形成した後、前記第２のシンチレータ層を乾燥する工程とを有することを特徴とする請求項１記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項３】
さらに、前記第２のシンチレータ層を形成した後、前記第１のシンチレータ層及び前記第２のシンチレータ層を乾燥する工程を有することを特徴とする請求項１記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項４】
さらに、前記第１のシンチレータ層及び前記第２のシンチレータ層の上に反射層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１のシンチレータ層は、スリットコート法により形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２のシンチレータ層は、ポッティング法により形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２のシンチレータ層は、スクリーン印刷法により形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１のシンチレータ層及び前記第２のシンチレータ層は、それぞれ、放射線を光に変換する複数のシンチレータ粒子と、前記複数のシンチレータ粒子を前記基板の上に固定するバインダとを有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項９】
前記光電変換部は、光を電荷に変換する光電変換素子を含む画素が行列状に配置されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１０】
光を電荷に変換する光電変換部を有する基板と、
前記基板の上に形成され、放射線を光に変換する第１のシンチレータ層と、
前記第１のシンチレータ層の角部を覆うように形成され、放射線を光に変換する第２のシンチレータ層と
を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項１１】
さらに、前記第１のシンチレータ層及び前記第２のシンチレータ層の上に形成されている反射層を有することを特徴とする請求項１０記載の放射線検出装置。
【請求項１２】
前記第１のシンチレータ層及び前記第２のシンチレータ層は、それぞれ、放射線を光に変換する複数のシンチレータ粒子と、前記複数のシンチレータ粒子を前記基板の上に固定するバインダとを有することを特徴とする請求項１０又は１１記載の放射線検出装置。
【請求項１３】
前記光電変換部は、光を電荷に変換する光電変換素子を含む画素が行列状に配置されていることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
放射線を発生する放射線源と
を有することを特徴とする放射線検出システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線検出システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線を光に変換するシンチレータ層と、シンチレータ層の光を検出する複数の光電変換素子が配置されたセンサパネルとを備える放射線検出装置が知られている。特許文献１には、有機バインダ中に蛍光体の微粒子を分散させた材料を光電変換層の表面上に塗布し、乾燥させることによってシンチレータ層を形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２２１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
蛍光体の微粒子を分散させた材料を光電変換層の表面上に塗布し、乾燥させることによってシンチレータ層を形成する方法は、生産性が高い点で優れている。しかし、ナイフコートやドクターブレード等の方法では、正確なエリアへの塗布が難しく、スクリーン印刷による方法では、求める厚膜を成膜することが難しい。そこで、塗布精度が高く、簡易的に成膜する方法として、スリットコート法による塗布方法が知られている。しかし、この方法において製造されたシンチレータ層は、塗布端角部を直角に形成することが難しく、よって角部画素領域において輝度の低下が生じてしまう。近年、特に撮影領域を拡大する要求が高く、実装領域が狭くなっており、塗布端直線部を画素領域に合わせると、角部画素領域においては輝度の低下が大きく生じることが課題である。
【０００５】
本発明の目的は、第１のシンチレータ層の角部の輝度低下を抑制することができる放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の放射線検出装置の製造方法は、光を電荷に変換する光電変換部を有する基板の上に、放射線を光に変換する第１のシンチレータ層を形成する工程と、前記第１のシンチレータ層の角部を覆うように、放射線を光に変換する第２のシンチレータ層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、第１のシンチレータ層の角部の輝度低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】放射線検出パネルの構成例を示す図である。
【図２】放射線検出パネルが組み込まれた放射線検出装置の断面図である。
【図３】放射線検出パネルの一部分（周辺部）を拡大した表面図である。
【図４】放射線検出パネルの一部分（周辺部）を拡大した断面図である。
【図５】シンチレータ層の製造方法を示す図である。
【図６】シンチレータ層の製造方法を示す図である。
【図７】シンチレータ層の製造方法を示す図である。
【図８】放射線検出装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】放射線検出装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】放射線検出システムの構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第１の実施形態）
図１（Ａ）は本発明の第１の実施形態による放射線検出パネル１００の構成例を示す平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った放射線検出パネル１００の断面図である。図２は、放射線検出パネル１００が組み込まれた放射線検出装置２００の断面図である。図３は、図１（Ｂ）のシンチレータ層（蛍光体層）１０６の周辺部を拡大した表面図である。図４は、図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００１０】
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、放射線検出パネル１００は、波長変換部１０１と、センサパネル１０２とを有する。波長変換部１０１は、放射線を光に変換するシンチレータ層１０６を有する。センサパネル１０２は、シンチレータ層１０６によって変換された光を検出する光電変換部１０４を有する。放射線は、例えば、Ｘ線であるが、α線、β線又はγ線などであってもよい。
【００１１】
センサパネル１０２は、光電変換部１０４の他、センサ基板１０３と、光電変換部１０４を保護するセンサ保護層１０５と、接続パッド部１１１とを有する。センサ保護層１０５は、光電変換部１０４を保護する。光電変換部１０４は、２次元行列状に配置されている複数の画素を有する。各画素は、シンチレータ層１０６の光を電荷に変換する光電変換素子と、光電変換素子が発生した電荷に応じた信号を読み出すためのスイッチング素子とを含む。センサ基板１０３は、ガラス基板などの絶縁性基板、又は、半導体基板である。図２に示すように、接続パッド部１１１には、センサパネル１０２と実装基板１１５とを接続するためのフレキシブルケーブルなどの接続配線部１１２が接続される。
【００１２】
センサ保護層１０５は、光電変換部１０４を覆うように形成される。センサ保護層１０５は、例えば、ＳｉＮ、ＴｉＯ2、ＬｉＦ、Ａｌ2Ｏ3又はＭｇＯで構成される。また、センサ保護層１０５は、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂又はポリアリレート樹脂などで構成されてもよい。また、センサ保護層１０５は、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂で構成されてもよい。ただし、シンチレータ層１０６によって変換された光がセンサ保護層１０５を通過することができるように、センサ保護層１０５は、シンチレータ層１０６で変換された光の波長に対して高い透過率を有する材料で構成される。
【００１３】
シンチレータ層１０６は、図３及び図４に示すように、光電変換部１０４の領域に対応して形成される第１のシンチレータ層１０６ａと、第１のシンチレータ層１０６ａの角の部分である角部に形成される第２のシンチレータ層１０６ｂにより構成される。シンチレータ層１０６は、光電変換部１０４を覆うように設けられたセンサ保護層１０５上に直接形成される。第１のシンチレータ層１０６ａは、光電変換部１０４の領域上にスリットコート法で形成することができる。第２のシンチレータ層１０６ｂがない場合、図５（Ｂ）に示すように、領域１２０は、第１のシンチレータ層１０６ａの領域の中で、シンチレータ層１０６ａの中央部と同等の輝度が得られる領域である。領域１２０から第１のシンチレータ層１０６ａの塗布端部までの距離は、第１のシンチレータ層１０６ａの厚み、第１のシンチレータ層１０６ａの粒子及びバインダ性状により変動する。また、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、距離Ｘは、領域１２０から光電変換部１０４の端の直線部までの距離である。距離Ｙは、領域１２０から光電変換部１０４の端の角部までの距離である。この場合、Ｘ＜Ｙの関係を有し、光電変換部１０４において、角部の輝度落ち領域が大きい。第２のシンチレータ層１０６ｂは、第１のシンチレータ層１０６ａの輝度落ちが大きい角部領域に形成される。第２のシンチレータ層１０６ｂの形成方法は、ディスペンサ等によるポッティング法、スクリーン印刷法などがあげられる。シンチレータ層１０６ｂの形状は、図３及び図４のように、光電変換部１０４の角部の直角を概ね被覆するように形成されるが、第１のシンチレータ層１０６ａの塗布形状に応じて所望の形状で形成することができる。第２のシンチレータ層１０６ｂの形状は、図６（Ａ）のように、第１のシンチレータ層１０６ａの輝度落ち部分を覆うように設ければよいが、図６（Ｂ）、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）のように、光電変換部１０４の外側又は内側へ広げることも可能である。
【００１４】
図１（Ｂ）及び図２に示すように、波長変換部１０１は、シンチレータ層１０６の他に、第１の接着層１０７、反射層１０８、第２の接着層１０９及び保護層１１０を有する。第１の接着層１０７は、シンチレータ層１０６と反射層１０８とを結合する。第２の接着層１０９は、反射層１０８と保護層１１０とを結合し、保護層１１０をセンサパネル１０２に固定する。
【００１５】
シンチレータ層１０６は、放射線を光に変換する複数のシンチレータ粒子と、複数のシンチレータ粒子をセンサ基板１０３の上に固定するバインダとを有する。バインダは、例えば樹脂で構成される。
【００１６】
放射線検出装置２００は、放射線検出パネル１００と、実装基板１１５と、実装基板１１５を保持し保護するサポートパネル１１４と、センサパネル１０２とサポートパネル１１４との間に配置されたダンパ材１１３と、それらを収容する筐体１１６を有する。実装基板１１５は、センサパネル１０２を制御したりセンサパネル１０２からの信号を処理する回路を有し、接続配線部１１２を介して、センサパネル１０２と接続されている。
【００１７】
シンチレータ層１０６を構成するシンチレータ粒子は、例えば、微量のテルビウム（Ｔｂ）が添加された硫酸化ガドリニウム（ＧＯＳ：Ｔｂ）で構成される。シンチレータ粒子は、耐湿性、発光効率、熱プロセス耐性、残光性の観点で、一般式Ｍｅ2Ｏ2Ｓ：Ｒｅで示される金属酸硫化物で構成されることが好ましい。ここで、ＭｅはＬａ、Ｙ、Ｇｄのいずれか１つであり、ＲｅはＴｂ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｍの少なくとも１つである。
【００１８】
シンチレータ層１０６を構成するバインダは、有機溶剤に溶解するものであり、かつチクソトロピックな特性を有するものが好ましい。具体的には、バインダは、エチルセルロース、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂、ポリメチルメタアクリレート等のアクリル系、ポリビニルブチラール溶剤系グレードなどのポリビニルアセタール系樹脂で構成されることが好ましい。バインダは、これらの樹脂の２種類以上の組み合わせで構成されてもよい。
【００１９】
シンチレータ粒子及びバインダは、バインダを溶解する有機溶剤に添加される。これによって、ペーストが形成され、ペーストがセンサパネル１０２の上に塗布され、その後、乾燥工程を経て、シンチレータ層１０６が形成される。有機溶剤は、バインダを溶解し、チクソトロピックな特性を有するものが好ましい。また、有機溶剤は、塗工性の観点において、飽和蒸気圧の低いものが好ましい。シンチレータ層１０６は、撮影用途に応じて必要厚みを塗布領域全体に形成する。一般撮影用の放射線検出装置では、ペースト乾燥後のシンチレータ層の中央部厚みが１０〜５００μｍ、望ましくは１５０〜２５０μｍになるように、形成される。
【００２０】
反射層１０８は、シンチレータ層１０６が放射線から変換した光のうち光電変換部１０４側とは反対側に進行した光を光電変換部１０４に向けて反射することにより、感度を向上させる。また、反射層１０８は、シンチレータ層１０６が発生した光以外の光（外部光）が光電変換部１０４に入射することを防止する機能も備える。反射層１０８の構成材料としては、例えば、拡散反射する機能を有する白ＰＥＴが好ましい。反射層１０８の厚さは、１０μｍ以上かつ２００μｍ以下であることが好ましい。反射層１０８の厚さが１０μｍより薄いと、シンチレータ層１０６より進行してきた光の一部を反射できず透過してしまい、光利用効率が低下してしまう。反射層１０８の厚さが２００μｍ以上であると、加熱又は冷却プロセス時の伸縮力が強く、剥がれの原因や、シンチレータ層１０６の破壊につながりうる。
【００２１】
第１の接着層１０７は、シンチレータ層１０６と反射層１０８とを結合する。第１の接着層１０７は、シンチレータ層１０６によって変換された光が通過することができるように、その光の波長に対して高い透過率を有する材料で構成される。
【００２２】
保護層１１０は、シンチレータ層１０６を保護する他、電磁シールドとして機能する。保護層１１０は、例えば、金属箔又は金属薄膜で構成される。保護層１１０の厚さは、１μｍ以上かつ１００μｍ以下であることが好ましい。保護層１１０の厚さが１μｍより薄いと、保護層１１０の形成時にピンホール欠陥が発生しやすく、また遮光性に劣る。一方、保護層１１０の厚さが１００μｍを超えると、放射線の吸収量が大きくなり過ぎ、また、保護層１１０によって形成される段差が大きくなり過ぎる。保護層１１０の材料としては、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、アルミ合金などの金属材料を挙げることができる。これらの中で、特に、放射線透過性の高い材料であるアルミニウムが好ましい。また、保護層１１０は、金属材料層に対する耐擦傷性を向上させるために樹脂層を最外層に形成することができる。
【００２３】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態による放射線検出装置２００の製造方法を説明する。まず、図８（Ａ）の工程では、光を電荷に変換する光電変換部１０４を有するセンサ基板１０３の上に、ポリイミドからなる保護層材料を塗布し、これを２００度で２時間硬化させることによって、センサ保護層１０５を形成した。これによって、センサ保護層１０５を有するセンサ基板１０３が得られた。
【００２４】
次に、図８（Ｂ）の工程では、保護層１０５が形成されたセンサ基板１０３の上に、第１のシンチレータ層１０６ａを光電変換部１０４の領域に合わせて形成する。具体的には、溶媒（ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート）に、バインダ（ポリビニルブチラール）を溶解したものにＧｄ2Ｏ2Ｓからなるシンチレータ粒子を混合してペーストを作成した。そのペーストを、スリットコーターによるスリットコート法を用いて、センサ基板１０３の上に塗工し、第１のシンチレータ層１０６ａを形成した。第１のシンチレータ層１０６ａは、放射線を光に変換する。第１のシンチレータ層１０６ａを形成した後、１１０℃の熱風式乾燥炉で、第１のシンチレータ層１０６ａを１０分乾燥させた。
【００２５】
次に、図８（Ｃ）の工程では、センサ保護層１０５上に形成された四角形の第１のシンチレータ層１０６ａの４個の角部を覆うように、第２のシンチレータ層１０６ｂを形成した。第２のシンチレータ層１０６ｂのシンチレータ材料は、第１のシンチレータ層１０６ａと同様のペーストを使用し、ディスペンサによるポッティング法を用いて、第２のシンチレータ層１０６ｂを形成した。第２のシンチレータ層１０６ｂは、放射線を光に変換する。第２のシンチレータ層１０６ｂを形成した後、１１０℃の熱風式乾燥炉で、第２のシンチレータ層１０６ｂを３０分乾燥させた。ディスペンサからの塗布量は、乾燥後に、シンチレータ層１０６の中央部の厚みと角部の厚みが同等になるように調整した。第１のシンチレータ層１０６ａの４個の角部上に塗工された第２のシンチレータ層１０６ｂのペーストは、第１のシンチレータ層１０６ａの厚みが中央部より薄い角部の領域及び第１のシンチレータ層１０６ａが形成されない領域に形成される。これにより、光電変換部１０４の角部までシンチレータ層１０６が形成された。シンチレータ層１０６は、第１のシンチレータ層１０６ａ及び第２のシンチレータ層１０６ｂを有する。
【００２６】
次に、図８（Ｄ）の工程では、保護層１１０として、ＰＥＴからなる層にＡｌからなる反射層が積層されたフィルム状シートを準備した。そして、保護層１１０に、拡散反射性を有する白顔料含有ＰＥＴからなる反射層１０８を、第２の接着層１０９を介して接着した。そして、反射層１０８の上に第１の接着層１０７を接着した。これによって、積層構造のシートを得た。
【００２７】
次に、図８（Ｅ）の工程では、シンチレータ層１０６を覆うように、第１の接着層１０７を介して上記の積層構造のシートを接着した。これにより、シンチレータ層１０６の上には、反射層１０８及び保護層１１０が形成される。さらに、第２の接着層１０９の端部をセンサ基板１０３に接着し、シンチレータ層１０６全体が保護層１１０によって被覆される構造とした。
【００２８】
次に、図９（Ａ）の工程では、センサ基板１０３に設けられた接続パッド部１１１に接続配線部１１２を熱圧着した。これにより、放射線検出パネル１００が形成された。
【００２９】
次に、図９（Ｂ）の工程では、放射線検出パネル１００を、ダンパ材１１３を介して、サポートパネル１１４に接着した。サポートパネル１１４には、実装基板１１５が取り付けられている。
【００３０】
次に、図９（Ｃ）の工程では、接続配線部１１２を実装基板１１５に接続し、放射線検出パネル１００、ダンパ材１１３及びサポートパネル１１４を含む構造体を筐体１１６で覆った。これによって、放射線検出装置２００が得られた。
【００３１】
以上の製造方法に従って放射線検出装置２００を製造し、次のような評価を行った。感度の評価を以下の方法により行った。放射線検出装置２００を評価装置にセットし、放射線検出装置２００とＸ線源との間に軟Ｘ線除去用の２０ｍｍＡｌフィルタをセットした。次いで、放射線検出装置２００とＸ線源との間の距離を１３０ｃｍに調整し、放射線検出装置２００を電気駆動系に接続した。この状態で、管電圧８０ｋＶ、管電流２５０ｍＡ、５０ｍｓでＸ線パルスを３回爆射した。この方法により測定した光電変換部１０４の角部の感度は全体平均の８０％であった。
【００３２】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態による放射線検出装置２００の製造方法を説明する。本実施形態は、第２の実施形態に対して、第２のシンチレータ層１０６ｂの形成において、第１のシンチレータ層１０６ａの形成後に乾燥工程を実施せずに、第２のシンチレータ層１０６ｂを形成した点が異なる。第１のシンチレータ層１０６ａを形成した後、第１のシンチレータ層１０６ａの乾燥工程なしで、第２のシンチレータ層１０６ｂを形成する。第２のシンチレータ層１０６ｂを形成した後、第１のシンチレータ層１０６ａ及び第２のシンチレータ層１０６ｂを乾燥する工程を行う。上記のように、第１のシンチレータ層１０６ａの乾燥工程を実施せずに第２のシンチレータ層１０６ｂを形成したので、第１のシンチレータ層１０６ａと第２のシンチレータ層１０６ｂの境界領域によるムラが低減した。本実施形態の他の工程は、第２の実施形態と同じである。
【００３３】
以上の製造方法により、放射線検出装置２００が得られた。第２の実施形態と同様に、本実施形態の放射線検出装置２００の感度の評価を行った結果、光電変換部１０４の角部の感度は全体平均の８０％であった。
【００３４】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態による放射線検出装置２００の製造方法を説明する。本実施形態は、第２の実施形態に対して、第２のシンチレータ層１０６ｂを、スクリーン印刷法を用いて形成した点が異なる。スクリーン印刷法を用いるため、センサパネル１０２に対する位置精度が向上した。本実施形態の他の工程は、第２の実施形態と同じである。
【００３５】
以上の製造方法により、放射線検出装置２００が得られた。第２の実施形態と同様に、本実施形態の放射線検出装置２００の感度の評価を行った結果、光電変換部１０４の角部の感度は全体平均の７０％であった。
【００３６】
（比較例）
比較例による放射線検出装置の製造方法を説明する。比較例では、特開２０１１−２２１４２号公報に記載されたように、シンチレータ層の形成方法として、スリットコーター等でペーストを塗布し、それを熱風乾燥により乾燥させた。第２の実施形態と同様に、比較例の感度の評価を行った結果、光電変換部の角部の感度は全体平均の５０％であった。
第２〜４の実施形態は、比較例に比べ、光電変換部１０４の角部の感度が高い。
【００３７】
（第５の実施形態）
第１〜第４の実施形態による放射線検出装置２００は、放射線検査装置等に代表される放射線検出システムに適用することができる。放射線検出システムは、例えば、放射線検出装置２００を含む撮像装置と、イメージプロセッサ等を含む信号処理部と、ディスプレイ等を含む表示部と、放射線を発生させるための放射線源とを有する。
【００３８】
図１０は、本発明の第５の実施形態による放射線検出システムの例を示す図である。撮像装置６０４０は、上記の放射線検出装置２００を有する。Ｘ線チューブ（放射線源）６０５０は、Ｘ線（放射線）６０６０を発生する。Ｘ線（放射線）６０６０は、患者等の被検者６０６１の胸部６０６２を透過し、撮像装置６０４０に入射する。入射したＸ線６０６０には被検者６０６１の体内部の情報が含まれている。撮像装置６０４０では、入射したＸ線６０６０に応じた電気的情報が得られる。その後、この情報はデジタル変換され、イメージプロセッサ（信号処理部）６０７０により画像処理され、コントロールルーム（制御室）のディスプレイ（表示部）６０８０により検査結果として表示される。また、この情報は、電話、ＬＡＮ、インターネット等のネットワーク（伝送処理手段）６０９０により遠隔地へ転送される。これにより、この情報をドクタールーム等の別の場所におけるディスプレイ６０８１に検査結果として表示し、遠隔地の医師が診断することが可能である。また、この情報及び検査結果を、例えば、光ディスク等に保存することもできるし、フィルムプロセッサ６１００によってフィルム６１１０等の記録媒体に記録することもできる。
【００３９】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１０３  センサ基板、１０４  光電変換部、１０６ａ  第１のシンチレータ層、１０６ｂ  第２のシンチレータ層
【図１】
2017049104.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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