(57)【要約】【課題】粘着層の表面に残留した静電気による画像のノイズを低減することができる放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することを課題とする。【解決手段】放射線検出装置は、光を電荷に変換する光電変換部（１１３）を有する基板（１０７）と、前記基板の上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層（１０５）と、前記シンチレータ層の上に形成されている第１の粘着層（４０３）とを有し、前記第１の粘着層は、導電性を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を電荷に変換する光電変換部を有する基板と、
前記基板の上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の上に形成されている第１の粘着層とを有し、
前記第１の粘着層は、導電性を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
前記第１の粘着層は、定電位ノードに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記第１の粘着層の表面抵抗率は、１．０×１０12Ω／□以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の放射線検出装置。
【請求項４】
前記第１の粘着層は、波長５００〜６００ｎｍの領域において光透過率が５０％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
さらに、前記第１の粘着層の上に形成されている反射層を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
さらに、前記反射層の上に形成されている第２の粘着層を有することを特徴とする請求項５記載の放射線検出装置。
【請求項７】
さらに、前記第２の粘着層の上に形成されている保護層を有することを特徴とする請求項６記載の放射線検出装置。
【請求項８】
前記第１の粘着層は、前記基板の電極に接続されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項９】
さらに、前記基板の上に形成されている導電層を有し、
前記第１の粘着層は、前記導電層に接続されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１０】
前記導電層は、前記基板の光電変換部を覆うように形成されていることを特徴とする請求項９記載の放射線検出装置。
【請求項１１】
前記導電層は、波長５００〜６００ｎｍの領域において光透過率が５０％以上であることを特徴とする請求項１０記載の放射線検出装置。
【請求項１２】
前記導電層の表面抵抗率は、１．０×１０12Ω／□以下であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１３】
前記第１の粘着層は、回路基板に接続されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１４】
前記光電変換部は、光を電荷に変換する光電変換素子を含む画素を行列状に複数有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
放射線を発生する放射線源と
を有することを特徴とする放射線検出システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出装置及び放射線検出システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大面積ガラス上にアレイ状に形成された光電変換素子の表面に、放射線を照射することによって発光するシンチレータ層を積層したデジタル放射線検出装置が商品化されている。このデジタル放射線検出装置は、主に複数のフォトセンサ及びスイッチング素子等の素子が２次元状に配置されている光検出器（以下センサ基板という）上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するためのシンチレータ層を形成している。このように、画像情報を有する放射線をシンチレータ層などの波長変換体により光電変換素子が感知可能な波長の光に変換し、変換された光を光電変換素子により電気信号に変換してデジタル画像情報を取得するものは、間接変換方式の放射線検出装置と呼ばれている。
【０００３】
通常、シンチレータ層は、被検体を透過した放射線を光電変換素子の感度特性に見合った波長の光に変換するシンチレータ層、及びシンチレータ層からの発光を効率的にセンサ基板側へ誘導するための反射層を備える。また、シンチレータ層上部には、センサ基板及びシンチレータ層を外部環境から保護する目的でアルミニウム等の薄膜フィルムを用いた保護層が設けられる。
【０００４】
特許文献１には、保護層の外側、又は保護層の外側と蛍光体側に帯電防止フィルムを用いる方法が開示されている。特許文献１によると、保護層の構成中に帯電防止フィルムを含ませることにより、プロセス時、又は製品使用時に発生する静電気による帯電を防ぐことができ、安定した画像品質を保証することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２１７９０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、光電変換素子を含む固体検出器上に形成された波長変換層の上部に接合剤層を介して光反射層を有する指示体の貼り合わせを行っている。しかし、特許文献１では、接合剤層と第２の剥離フィルムとを剥離する際の剥離帯電が発生し、接合剤表面に残留した静電気に対する対策がなされておらず、静電気の影響により、画像にアーチファクトのノイズが発生する課題がある。
【０００７】
本発明の目的は、粘着層の表面に残留した静電気による画像のノイズを低減することができる放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の放射線検出装置は、光を電荷に変換する光電変換部を有する基板と、前記基板の上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層の上に形成されている第１の粘着層とを有し、前記第１の粘着層は、導電性を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第１の粘着層の静電気を除去し、静電気による局所的な暗電流の増加を低減し、画像のノイズを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】放射線検出装置の構成例を示す図である。
【図２】他の放射線検出装置の構成例を示す図である。
【図３】複合フィルムの構成例を示す断面図である。
【図４】吸着台での離型フィルムの帯電を説明する図である。
【図５】転写台での複合フィルム貼り合わせ方法を説明する図である。
【図６】レイアウトパターンを示す図である。
【図７】他のレイアウトパターンを示す図である。
【図８】他のレイアウトパターンを示す図である。
【図９】他のレイアウトパターンを示す図である。
【図１０】検出システムの構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
図１（Ａ）は本発明の第１の実施形態による放射線検出装置１１の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の放射線検出装置１１の線Ｘ−Ｘに沿った断面図であり、図６は図１（Ａ）及び（Ｂ）の放射線検出装置１１のレイアウトパターンを示す図である。放射線検出装置１１は、センサ基板１０７と、回路基板１１１と、回路基板１１２と、フレキシブルプリント基板１１０とを有する。センサ基板１０７は、フレキシブルプリント基板１１０を介して、信号を読み出すための回路基板１１１と、放射線検出装置１１を駆動するための回路基板１１２に接続される。放射線検出装置１１は、入射した放射線を光に変換するためのシンチレータ層（蛍光体層）１０５と、その光を検出するためのセンサ基板１０７とを有する。シンチレータ層１０５は、センサ基板１０７の上に形成されている。センサ基板１０７は、光を電荷に変換する光電変換部１１３を有する。光電変換部１１３は、光を電荷に変換する光電変換素子と薄膜トランジスタ（スイッチング素子）とを含む画素を行列状に複数有し、複数の画素信号を生成する。光電変換部１１３により生成された画素信号は、回路基板１１２から入力された駆動信号に従って、回路基板１１１に出力される。
【００１２】
次に、シンチレータ層１０５について説明する。シンチレータ層１０５は、放射線を可視光に変換する。シンチレータ層１０５としては、ハロゲン化アルカリ系の材料からなるもの、又は金属酸硫化物の母体に、発光中心としてテルビウムやユーロピウムといった３価の希土類を微量ドープした粉末蛍光体の堆積層を用いることが可能である。ハロゲン化アルカリを主成分とする材料としては、例えばＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌ、ＮａＩ：Ｔｌ、ＬｉＩ：Ｅｕ、ＫＩ：Ｔｌ等が用いられる。金属酸硫化物粉末蛍光体としては、例えばＧｄ2Ｏ2ＳにＴｂをドープした粉末蛍光体（ＧＯＳ）等を塗布・乾燥によりシンチレータ層１０５を形成することができる。
【００１３】
次に、センサ基板１０７について説明する。センサ基板１０７は、ガラス基板上に光電変換素子及びＴＦＴを２次元アレイ状に複数配置した光電変換部１１３を有する。また、センサ基板１０７は、シリコーン基板上に光電変換素子を２次元アレイ状に複数配置した光電変換部１１３を形成したＣＭＯＳセンサやＣＣＤセンサを用いてもよい。ガラス基板上に光電変換素子を形成する場合、光電変換素子の構成は特に限定されず、ＭＩＳ型センサ又はＰＩＮ型センサ等を用いることができる。複数の光電変換素子は、それぞれ、光を電荷に変換することにより、画素信号を生成する。
【００１４】
次に、複合フィルム４０３について説明する。複合フィルム４０３は、シンチレータ層１０５を保護する目的とシンチレータ層１０５の発光を反射させる目的と電磁シールドを目的とし、シンチレータ層１０５の上に設けられる。
【００１５】
図３は、複合フィルム４０３の構成例を示す断面図である。複合フィルム４０３は、樹脂フィルム上に金属薄膜を形成した保護層３０１と、第２の粘着層３０２と、反射層３０３と、第１の粘着層３０４とを有する。保護シート付きフィルム４０４は、この複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４を保護する目的で、複合フィルム４０３に離型フィルム３０５を貼り合わせたものである。
【００１６】
第１の粘着層３０４は、シンチレータ層１０５の上に形成される。反射層３０３は、第１の粘着層３０４の上に形成される。第２の粘着層３０２は、反射層３０３の上に形成される。保護層３０１は、第２の粘着層３０２の上に形成される。
【００１７】
保護層３０１は、樹脂フィルム層及び金属層を有する。樹脂フィルム層としては、例えばＰＥＴやＰＥＮ、ポリイミド、パリレン、ポリ塩化ビニリデン、ＰＣＴＦＥ、ナイロン等の一般的な樹脂フィルムを用いることができる。金属層としては、樹脂フィルム上にアルミニウムや銅、銀、金等の金属薄膜を蒸着等の手法により形成したもの、又は粘着層を介して上記金属箔を貼り合わせることにより形成したものを用いることができる。金属層の目的は、放射線検出装置１１の内部、又は外部からの電磁ノイズを遮蔽することである。また、貼り合わせ性の観点から、樹脂フィルムは１０００μｍ以下、金属層は５００μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
反射層３０３は、シンチレータ層１０５から発せられ、センサ基板１０７と反対側に進行する光を反射し、効率的にセンサ基板１０７へ送り届けることを目的とする。反射層３０３は、Ａｌ2Ｏ3やＴｉＯ2、ＳｉＯ2等の白色の金属酸化物粒子を樹脂中に分散させたものを用いることが好ましく、例えば、東レ社製ルミラーＥ２０等を用いることができる。また、反射層３０３は、導電性を有していてもよく、ＰＥＴ中に金属フィラーや導電性樹脂（ポリアセチレンやポリチオフェン、ポリピロール等）を混ぜ込んだものを使用してもよい。反射層３０３は、反射率が８０％以上であり、表面抵抗率が１．０×１０12Ω／□以下であることが好ましい。
【００１９】
第２の粘着層３０２は、保護層３０１と反射層３０３とを貼り合わせるために配置されている。第２の粘着層３０２に用いられる粘着剤は、必ずしも導電性を有している必要はない。第２の粘着層３０２としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂からなる常温で接着性を有する粘着シートを用いることができる。また、第２の粘着層３０２として、加熱により接着性を有するホットメルト樹脂を用いることができる。また、第２の粘着層３０２に導電性を持たせるために金属フィラーや導電性樹脂、炭素粉末（カーボンブラック等）を混ぜ込むことができる。金属フィラーとしては、アルミニウムやニッケル等の一般的な金属粉末を用いることができ、導電性樹脂としてはポリアセチレンやポリチオフェン、ポリピロール等を使用することができる。
【００２０】
第１の粘着層３０４は、複合シート４０３とシンチレータ層１０５とを貼り合わせるために配置されている。第１の粘着層３０４に用いられる粘着剤は、導電性を有している必要がある。第１の粘着層３０４としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂からなる常温で接着性を有する粘着シートを用いることができる。また、第１の粘着層３０４として、加熱により接着性を有するホットメルト樹脂を用いることができる。第１の粘着層３０４に導電性を持たせるために、金属フィラーや導電性樹脂、炭素粉末（カーボンブラック等）を混ぜ込むことができる。金属フィラーとしては、アルミニウムやニッケル等の一般的な金属粉末を用いることができ、導電性樹脂としてはポリアセチレンやポリチオフェン、ポリピロール等を用いることができる。また、第１の粘着層３０４は、シンチレータ層１０５により変換された光に対して透明であり導電性を有することが望ましく、特に波長５００〜６００ｎｍの領域において光透過率が５０％以上である。第１の粘着層３０４の表面抵抗率は、１．０×１０12Ω／□以下であることが好ましい。
【００２１】
保護シート付きフィルム４０４は、複合フィルム４０３と剥離フィルム３０５を貼り合わせたものである。剥離フィルム３０５は、ＰＥＴやナイロン等の一般的な樹脂フィルムに離型剤（シリコーン系でもフッ素系でも非シリコーン系でもよい）を塗布したフィルムを用いることができる。
【００２２】
図４は、保護シート付きフィルム４０４の剥離帯電を示す図である。保護シート付きフィルム４０４は、取り扱い上の問題から、まず位置を合わせた上でラミネータ装置の吸着台４０１に吸着させ、この後に離型フィルム３０５を剥離する。この離型フィルム３０５を剥離する際に大きな剥離帯電が発生し、第１の粘着層３０４の表面に正の電荷が帯電し、正の帯電は第１の粘着層３０４の表面に偏在してしまう。ここで、吸着台４０１は、転写台への移動や精度といった点から通常ＳＵＳを用いるため、導電性であり装置を通じて接地されている。吸着台４０１が導電性で接地されている場合、静電誘導現象が発生し、剥離帯電により発生した静電気が見かけ上は打ち消されるため帯電が±０Ｖになり、除電ブロワ４０２等による除電は困難である。上記の理由により、複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４は正に帯電しており、この状態でセンサ基板１０７上に転写、接着されることになる。
【００２３】
次に、図５に示すように、吸着台４０１は、転写台上に設置されているシンチレータ層１０５の形成されたセンサ基板１０７上に移動される。複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４をセンサ基板１０７の端部に接触させた後、転写ロール５０１を移動回転させることにより、複合フィルム４０３をセンサ基板１０７に転写する。この際、複合フィルム４０３は吸着台４０１と接触することによる静電誘導現象により帯電していないように見えていたが、本来、複合フィルム４０３は正に帯電しており、吸着台４０１と引き離されると、静電誘導により見えていなかった静電気が発現する。この状態で、シンチレータ層１０５が形成されたセンサ基板１０７上に静電気を有する複合フィルム４０３が貼り合わせられる。図１（Ａ）及び（Ｂ）の定電位電極１１６がない場合、複合フィルム４０３の静電気の影響で、センサ基板１０７の容量変化が引き起こされ、画像にアーチファクトのノイズが発生してしまう。本実施形態では、定電位電極１１６を設けることにより、複合フィルム４０３の静電気を除去し、アーチファクトのノイズを防止する。以下、その詳細を説明する。
【００２４】
次に、複合フィルム４０３を定電位ノード（例えば接地ノード）に接続する方法を説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）及び図６に示すように、定電位電極１１６は、センサ基板１０７に設けられる。複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４は、導電性を有し、センサ基板１０７上に配置した定電位電極１１６に接続される。定電位電極１１６は、フレキシブルプリント基板１１０に接続される。フレキシブルプリント基板１１０は、回路基板１１１又は１１２に配置された定電位ノードに接続される。これにより、第１の粘着層３０４は、定電位ノードに電気的に接続される。この構造にすることにより、複合フィルム４０３とセンサ基板１０７とを貼り合わせる際に複合フィルム４０３の表面に残留していた静電気を、導電性を有する第１の粘着層３０４を介して定電位電極１１６に接続されている定電位ノードに逃がすことができる。また、静電気起因のアーチファクトのノイズを防止することができる。
【００２５】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態は、第１の実施形態による放射線検出装置１１の具体例を示す。シンチレータ層（蛍光体層）１０５は、蛍光体として硫酸化ガドリニウム（ＧＯＳ）粒子を、バインダー剤としてポリビニルブチラールを用い、センサ基板１０７上にスクリーン印刷により塗布を行った。
【００２６】
次に、図３の複合フィルム４０３について説明する。保護層３０１として、ＰＥＴフィルム５０μｍ上にウレタン系接着剤を介してＡｌ箔を貼り合わせたものを使用した。第２の粘着層３０２として、厚さ２５μｍのリンテック社製アクリル系粘着剤を使用した。反射層３０３として、東レ社製ＰＥＴフィルムＥ２０（厚さ１８８μｍ）を使用した。第１の粘着層３０４として、厚さ２５μｍのタニムラ株式会社製ＭＫ−ＡＰＴ粘着シート（１．０×１０9Ω／□）を使用した。また、複合フィルム４０３を保護するための離型フィルム３０５として、シリコーン系離型剤を塗布した厚さ７５μｍのＰＥＴフィルムを使用し、保護シート付きフィルム４０４を形成した。
【００２７】
次に、図４に示すように、保護シート付きフィルム４０４をラミネータの吸着台４０１に吸着させ、離型フィルム３０５を剥離した。この際、剥離フィルム３０５は、負に帯電し、複合フィルム４０３（第１の粘着層３０４）は正に帯電するが、静電誘導により、複合フィルム４０３は帯電していないように見えるため、除電ブロワ４０２により完全に除電することはできない。
【００２８】
次に、図５に示すように、シンチレータ層１０５を形成したセンサ基板１０７上に複合フィルム４０３の貼り合わせを行う。センサ基板１０７として、０．７ｍｍの厚さのガラス上にＰＩＮ型センサ（光電変換素子）を形成した。
【００２９】
この際、複合フィルム４０３（第１の粘着層３０４）を定電位電極１１６に接続する。これにより、複合フィルム４０３とセンサ基板１０７とを貼り合わせる際に複合フィルム４０３の表面に残留していた静電気を、導電性を有する第１の粘着層３０４を介して定電位電極１１６に接続されている定電位ノードに逃がすことができる。その結果、静電気起因のアーチファクトのノイズを防止することができる。
【００３０】
（第３の実施形態）
図１（Ｃ）は本発明の第３の実施形態による放射線検出装置１１の構成例を示す断面図であり、図７は図１（Ｃ）の放射線検出装置１１のレイアウトパターンを示す図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。本実施形態は、第１の実施形態に対して、導電層１１４及び基板保護層１０１を追加したものである。以下、本実施形態が第１の実施形態と異なる点を説明する。
【００３１】
導電層１１４は、センサ基板１０７の光電変換部１１３を覆うように、センサ基板１０７の上に形成される。基板保護層１０１は、導電層１１４及びシンチレータ層１０５の間に形成される。複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４は、センサ基板１０７上に配置された導電層１１４に接続される。導電層１１４は、定電位電極１１６に接続される。定電位電極１１６は、フレキシブルプリント基板１１０に接続される。フレキシブルプリント基板１１０は、回路基板１１１又は１１２に配置された定電位ノードに接続される。第１の粘着層３０４の少なくとも一部が、導電層１１４又は定電位電極１１６に接続されていればよい。基板保護層１０１は、センサ基板１０７の表面や導電層１１４をシンチレータ層１０５から保護する目的で設けられる。なお、基板保護層１０１は、図８のように、削除してもよい。
【００３２】
導電層１１４は、光電変換部１１３上に配置されるので、シンチレータ層１０５により変換された光に対して透明であり導電性を有することが好ましい。例えば、導電層１１４は、波長５００〜６００ｎｍの領域において光透過率が５０％以上であり、表面抵抗率が１．０×１０12Ω／□以下であることが好ましい。この場合、シンチレータ層１０５による光を効率的に受光するために、導電層１１４の厚さは１μｍ以下であることが好ましい。例えば、導電層１１４は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＺｎＯ（酸化亜鉛）や酸化インジウム等の無機物やポリアセチレンやポリチオフェン、ポリピロール等の導電性を有する有機物が好ましい。導電層１１４の作成方法としては、真空蒸着やＣＶＤ等の真空チャンバー中で成膜する方法と、スクリーン印刷やスリットコート等の塗布により成膜する方法とのいずれでもよい。なお、図７では、導電層１１４は、複合フィルム４０３の外側にはみ出しているが、複合フィルム４０３に被覆されていてもよい。
【００３３】
次に、複合フィルム４０３と定電位ノードとの接続について説明する。複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４は、導電層１１４に接続される。導電層１１４は、定電位電極１１６に接続される。定電位電極１１６は、ＡＣＦ（異方導電フィルム）を介してフレキシブルプリント基板１１０に接続される。フレキシブルプリント基板１１０は、ＡＣＦを介して回路基板１１１又は１１２に配置された定電位ノードに接続される。これにより、複合フィルム４０３は、定電位ノードに接続される。なお、第１の粘着層３０４による粘着のみでは十分な耐久性を得ることができない場合には、金属製のネジを用いて、複合フィルム４０３を接着させてもよい。
【００３４】
これにより、複合フィルム４０３とセンサ基板１０７とを貼り合わせる際に複合フィルム４０３の表面に残留していた静電気を、導電性を有する第１の粘着層３０４を介して定電位ノードに逃がすことができる。その結果、静電気起因のアーチファクトのノイズを防止することができる。
【００３５】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態は、第３の実施形態による放射線検出装置１１の具体例を示す。本実施形態は、第３の実施形態と同様に、複合フィルム４０３（第１の粘着層３０４）の表面に帯電した静電気を、導電層１１４を介して定電位電極１１６に接続された定電位ノードに逃がすことができる。以下、本実施形態が第２の実施形態と異なる点を説明する。
【００３６】
導電層１１４として、ＩＴＯを使用した。ＩＴＯの成膜方法は、光電変換部１１３と定電位電極１１６とを含む領域をマスクしたセンサ基板１０７を準備し、ＣＶＤを用いて所定の領域にＩＴＯ膜を形成した。
【００３７】
また、シンチレータ層１０５として、ＣｓＩを使用した。そのため、図７に示すように、センサ基板１０７の保護のため、基板保護層１０１で光電変換部１１３全面を被覆し、かつ複合フィルム４０３よりも狭い領域に、かつ定電位電極１１６に接さない領域に基板保護層１０１を配置した。基板保護層１０１として、高い耐熱性を有するポリイミド樹脂を使用した。
【００３８】
図１（Ｃ）及び図７において、光電変換部１１３の点ＡＡでの断面は、下から順に、光電変換部１１３−導電層１１４−基板保護層１０１−シンチレータ層１０５−複合フィルム４０３の順に積層されている。複合フィルム４０３は、導電層１１４に接続されており、複合フィルム４０３の静電気は定電位電極１１６を介して定電位ノードに放出される。その結果、静電気起因のアーチファクトのノイズを防止することができる。
【００３９】
（第５の実施形態）
図１（Ｄ）は本発明の第５の実施形態による放射線検出装置１１の構成例を示す断面図であり、図９は図１（Ｄ）の放射線検出装置１１のレイアウトパターンを示す図である。図１（Ｄ）は、図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。本実施形態は、第２の実施形態に対して、導電層１１４を追加したものである。
【００４０】
導電層１１４は、第３の実施形態（図１（Ｃ））に対して、位置が異なる。導電層１１４は、シンチレータ層１０５の境界部付近にのみ形成され、光電変換部１１３上には形成されない。この場合、導電層１１４は、シンチレータ層１０５により変換された光を透過する必要がないため、必ずしも透明である必要はない。導電層１１４は、環境保全や製造コストに鑑みると、インジウムのような高価なレアメタルの使用を抑えることができ、例えば導電性の高いＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属を使用することが可能であり、厚さも任意である。
【００４１】
光電変換部１１３上には、導電層１１４が形成されず、シンチレータ層１０５が形成される。そのため、図１（Ｃ）の保護層１０１が不要である。第３の実施形態と同様に、シンチレータ層１０５の第１の粘着層３０４は、導電層１１４に接続される。導電層１１４は、定電位電極１１６に接続される。定電位電極１１６は、フレキシブルプリント基板１１０に接続される。フレキシブルプリント基板１１０は、回路基板１１１又は１１２に配置された定電位ノードに接続される。
【００４２】
複合フィルム４０３は、定電位ノードに接続されるので、複合フィルム４０３の静電気は定電位ノードに放出される。その結果、静電気起因のアーチファクトのノイズを防止することができる。
【００４３】
（第６の実施形態）
本発明の第６の実施形態は、第５の実施形態による放射線検出装置１１の具体例を示す。以下、本実施形態が第４の実施形態と異なる点を説明する。導電層１１４として、Ａｌを使用した。本実施形態では、導電層１１４として、ＩＴＯの様な高価な透明材料を用いる必要がなく、また、自由度の高い場所に定電位電極１１６を配置することができる。
【００４４】
（第７の実施形態）
図２（Ａ）は本発明の第７の実施形態による放射線検出装置１１の上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の放射線検出装置１１の線Ｘ−Ｘに沿った断面図である。本実施形態は、第１の実施形態（図１（Ａ）及び（Ｂ））に対して、定電位電極１１６を削除し、複合フィルム４０３に延長部４０５を追加したものである。以下、本実施形態が第１の実施形態と異なる点を説明する。
【００４５】
延長部４０５は、複合フィルム４０３の一部が引き出された部位である。複合フィルム４０３の延長部４０５は、直接、回路基板１１１又は１１２の定電位ノードに接続される。具体的には、延長部４０５の導電性を有する第１の粘着層３０４は、直接、回路基板１１１又は１１２の定電位ノードに接続される。そのため、本実施形態は、導電層１１４や定電位層１１６を配置する必要がなく、半導体チップ１０７の製造コストを低減することができる。
【００４６】
複合フィルム４０３の静電気は、延長部４０５の第１の粘着層３０４を通り、回路基板１１１の定電位ノードに放出される。本実施形態では、センサ基板１０７上に定電位電極１１６や導電層１１４を形成する必要がなくなるため、低コストで、効果的に静電気を除去することができる。
【００４７】
（第８の実施形態）
図１０は、本発明の第８の実施形態による放射線検出システムの構成例を示す図である。放射線検出システムは、放射線検出装置６０４０を有する。放射線検出装置６０４０は、第１〜第７の実施形態の放射線検出装置１１に対応する。Ｘ線チューブ６０５０は、放射線源であり、Ｘ線６０６０を発生する。Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、前述の放射線撮像装置１１に代表される放射線検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には被験者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータ層１０５は発光し、これを光電変換部１１３の光電変換素子で光電変換して、電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換され、信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され、コントロールルーム（制御室）の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００４８】
また、この情報は、電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどの表示手段となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、この情報は、記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【００４９】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１１  放射線検出装置、１０５  シンチレータ層、１０７  センサ基板、１１３  光電変換部、３０４  第１の粘着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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