(57)【要約】【課題】視認性を高める環境を供し、または消費電力が低減され、または信頼性が向上された照明装置を提供する。【解決手段】自発光型の調光手段と、反射型の調光手段と、照度測定手段と、入力手段と、演算装置と、を有する照明装置を提供する。前記演算装置は、前記入力手段と、前記照度測定手段から得られる情報に基づいて、前記自発光型の調光手段の輝度と、前記反射型の調光手段の反射率と、を制御する機能を備える。入力手段からは、室内環境下にある電子機器等からの情報を受信することができる。自発光型の調光手段は、ＥＬ層を有し、反射型の調光手段は、液晶層を有する。【選択図】図１
2017212207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自発光型の調光手段と、反射型の調光手段と、
照度測定手段と、演算装置と、を有し、
前記演算装置は、前記自発光型の調光手段の輝度と、前記反射型の調光手段の反射率と、を制御し、
前記制御は、前記照度測定手段から得られる情報に基づいて行う機能を備える、照明装置。
【請求項２】
自発光型の調光手段と、反射型の調光手段と、
照度測定手段と、入力手段と、演算装置と、を有し、
前記演算装置は、前記自発光型の調光手段の輝度と、前記反射型の調光手段の反射率と、を制御し、
前記制御は、前記入力手段と、前記照度測定手段と、から得られる情報に基づいて行う機能を備える、照明装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記入力手段は、画像出力装置から出力情報を取得する手段を有し、
前記出力情報は、前記画像出力装置が光を射出する情報を含む、照明装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１において、
コントローラを有し、
前記コントローラは、前記自発光型の調光手段の輝度を制御する機能を有し、
前記コントローラは、前記反射型の調光手段の反射率を制御する機能を有する、照明装置。
【請求項５】
自発光型の調光手段と、反射型の調光手段と、
コントローラと、を有し、
前記コントローラは、前記自発光型の調光手段の輝度を制御する機能を有し、
前記コントローラは、前記反射型の調光手段の反射率を制御する機能を有する、照明装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１において、
前記自発光型の調光手段は、ＥＬ層を有する、照明装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１において、
前記反射型の調光手段は、液晶層を有する、照明装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１の照明装置と、表示装置と、を有し、
表示装置は、自発光型の画素と、反射型の画素と、を有する、電子機器。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４のいずれか１の照明装置と、表示装置と、を有し、
表示装置は、自発光型の画素と、反射型の画素と、を有し、
前記演算装置は、前記照度測定手段から得られる情報に基づいて、表示の明るさを制御する、電子機器。
【請求項１０】
請求項９において、
前記自発光型の調光手段は、ＥＬ層を有する、電子機器。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記反射型の調光手段は、液晶層を有する、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を用いた照明装置に関する。またこの照明装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、一対の電極間に有機化合物を含む発光層（以下ＥＬ層とも称する）を有する発光素子（エレクトロルミネッセンス素子：ＥＬ素子とも言う）の開発が盛んに行われている。その用途として注目されている分野のひとつが照明分野である。この理由として、ＥＬ素子は薄型軽量に作製できること、面での発光が可能であること等、他の照明器具にはない特徴があることが挙げられる。
【０００３】
一方、近年、オゾン層の破壊、地球温暖化などの様々な問題がクローズアップされ、二酸化炭素削減が重要な課題になっている。照明分野でも、自然に豊富にある昼光を利用して有効に節電を行うことが見直され、「昼光利用技術」が再検討されている。昼光を利用して、室内の照明を行うことを採光と言う。
【０００４】
発光素子による光と、採光とを組み合わせた方法による光環境の制御が検討されている。特許文献１では、昼光を窓から取り入れ、かつ人工光源の照明器を備え、照度センサにより制御する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許公開  ２０１０−１６０９７５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一態様では、室内での投影画像等の視認性を高める環境を供する照明装置を提供することを課題とする。また本発明の一態様では、消費電力を低減させる照明装置を提供することを課題とする。また本発明の一態様では、信頼性を向上させる照明装置を提供することを課題とする。また本発明の一態様では、新規な照明装置、または電子機器を提供することを課題とする。
【０００７】
本発明の一態様では上記課題の少なくとも一を解決することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、発光素子と、反射素子とを好適に組み合わせて作製した照明装置が上記課題を解決できることを見出した。
【０００９】
すなわち、本発明の一態様は、自発光型の調光手段と、反射型の調光手段と、照度測定手段と、演算装置と、を有する照明装置である。演算装置は、照度測定手段から得られる情報に基づいて、自発光型の調光手段の輝度と、反射型の調光手段の反射率と、を制御する機能を備える。
【００１０】
上記構成において、入力手段を有すると好ましい。また入力手段は、画像出力装置から出力情報を取得する手段を有し、出力情報は、画像出力装置が光を射出する情報を含み、反射型の調光手段の反射率を減らしても好ましい。
【００１１】
上記各構成において、自発光型の調光手段は、ＥＬ層を有すると好ましい。反射型の調光手段は、液晶層を有すると好ましい。
【００１２】
上記各構成において、コントローラを有し、コントローラは、自発光型の調光手段の輝度を制御する機能を有し、また反射型の調光手段の反射率を制御する機能を有すると好ましい。
【００１３】
本発明の別の一態様は、上記各構成の照明装置と、自発光型の画素と、反射型の画素と、を有する表示装置を有する電子機器である。
【００１４】
上記構成において、表示装置は、照度測定手段から得られる情報に基づいて、表示の明るさを制御すると好ましい。
【００１５】
このような本発明の一態様の照明装置は、外光の小さい環境下では、発光素子のみで光を照射することができる。
【００１６】
また本発明の別の一態様の照明装置は、外光の大きい環境下にて、発光素子の代わり、もしくは併用して、反射素子を用いることで、照明装置を作動させる電力を低減させることができる。
【００１７】
また本発明の別の一態様の照明装置は、外光の大きい環境下にて、室内の照度を小さい任意の値に設定するとき、反射率の低い発光素子と、反射素子とが室内に設けられることで、照度を好適に制御し、室内での投影画像等の視認性を高めることができる。
【００１８】
また本発明の別の一態様の照明装置は、外光の大きい環境下にて、反射素子を積極的に動作させる。すなわち光環境を制御する際の発光素子の光照射電力量は低減され、反射素子に比べて寿命の短い発光素子の動作時間を減らし、照明装置の信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の一態様の照明装置または電子機器は、室内での投影画像等の視認性を高めることができる。また、本発明の一態様の照明装置または電子機器は、信頼性を向上させることができる。また、本発明の一態様の照明装置または電子機器は、照明装置を作動させる電力を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一態様である照明装置を表す図。
【図２】本発明の一態様である情報処理装置の構成例を表す図。
【図３】本発明の一態様であるフローチャートの例を表す図。
【図４】本発明の一態様であるフローチャートの例を表す図。
【図５】本発明の一態様である発光素子と照明装置を表す図。
【図６】本発明の一態様である照明装置を表す図。
【図７】本発明の一態様である照明装置を表す図。
【図８】本発明の一態様であるフローチャートの例を表す図。
【図９】本発明の一態様であるフローチャートの例及び照明装置の一部を表す図。
【図１０】実施の形態に係る表示装置の構成を説明するブロック図。
【図１１】実施の形態に係る情報処理装置の表示部の構成を説明するブロック図。
【図１２】実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図。
【図１３】実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する断面図。
【図１４】実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する断面図。
【図１５】実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する下面図。
【図１６】実施の形態に係る表示装置に用いることができる表示パネルの画素回路を説明する回路図。
【図１７】実施の形態に係る表示装置に用いることができる画素の反射膜の形状を説明する模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２２】
（実施の形態１）
【００２３】
本実施の形態では、本発明の一態様の照明装置について説明する。
【００２４】
図１（Ａ）は室内にて、天井に本発明の一態様の照明装置１００１が配置されている。照明装置１００１は照明装置の一領域１００２が平面状に繰り返して配置されたものである。
【００２５】
また同じ室内に、画像出力装置１００３と、画像出力装置１００３から照射される投影画像の投射面であるスクリーン１００４とがある。また本発明の一態様の照明装置１００１に含まれない、照明１００５と、窓１００６とがある。
【００２６】
図１（Ｂ）は照明装置の一領域１００２を示す。照明装置の一領域１００２には、発光素子１０１０と反射素子１０１１とがタイル状に並んでいる。発光素子１０１０は自発光型の調光手段であり、反射素子１０１１は反射型の調光手段である。本発明の一態様の照明装置は、発光素子１０１０が照射する光の輝度を変えることができ、また反射素子１０１１が光を反射するときの反射率を変えることができる。図１（Ｂ）は各素子への配線の引き回しの便利のため、発光素子１０１０と反射素子１０１１とは格子状に並んでいるが、図１（Ｂ）に示された並びに限らず、３角形の各素子を隙間なく敷き詰めた形でも良い。
【００２７】
本発明の一態様の照明装置１００１は、図１（Ａ）に示すように、検知部２５０を有していても良い。また入力部２４０を有しても良い。検知部２５０は一例として照度測定手段である。入力部２４０は一例として電子機器からの信号等の入力手段である。
【００２８】
本発明の一態様の照明装置１００１は、検知部２５０により、照明装置１００１が配置された室内の光環境を取得する。本発明の一態様の照明装置１００１は、照明１００５からの光、窓１００６からの外光、等の光量が小さく、光環境において照度が小さい場合、発光素子１０１０にて室内に光を照射することができる。
【００２９】
本発明の一態様の照明装置１００１は、照明１００５からの光、窓１００６からの外光、、等の光量が大きく、光環境において照度が大きい場合、反射素子１０１１にて室内に光を照射することができる。このとき発光素子１０１０からの光の照射は低減もしくは０とすることができる。尚、本明細書中で反射について説明するとき、反射は光反射と同じ意味で用いる。また反射素子からの光の反射は、反射素子から室内への光の照射と同じ意味で用いる。
【００３０】
本発明の一態様の照明装置１００１は、照明１００５からの光、窓１００６からの外光等により、光環境において照度が大きい場合、かつ入力部２４０から、画像出力装置１００３がスクリーン１００４に光を投影している情報を取得した場合、発光素子１０１０からの光の照射、または反射素子１０１１からの光の反射、を低減することができる。
【００３１】
上記、発光素子１０１０または反射素子１０１１から照射される光の強度の制御は、本発明の一態様の照明装置１００１が有する、情報処理装置２００（図２参照）にて行うことができる。情報処理装置２００は、本発明の一態様の照明装置１００１を制御する演算装置である。
【００３２】
上記の構成を有することにより、本発明の一態様の照明装置は、発光素子の消費電力を低減させ、信頼性を向上させることができる。また本発明の一態様の照明装置は、外光による室内の照度を低減し、室内の画像出力装置等から投影される画像等の視認性を高める環境を供することができる。
【００３３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の照明装置に用いることができる情報処理装置２００の構成について、図２乃至図３を参照しながら説明する。
【００３４】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３５】
図２は、本発明の一態様の照明装置に用いることができる情報処理装置２００の構成を説明するブロック図である。
【００３６】
図３は情報処理装置２００に用いることができるプログラムを説明するフローチャートである。
【００３７】
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、入出力装置２２０と、演算装置２１０と、を有する（図２参照）。
【００３８】
入出力装置２２０は、検知情報Ｐ２を供給する機能を備える。また、入出力装置２２０は、調光情報Ｖ１、調光情報Ｖ２を供給される機能を備える。
【００３９】
演算装置２１０は、検知情報Ｐ２を供給される機能を備える。また、演算装置２１０は、調光情報Ｖ１、調光情報Ｖ２を供給する機能を備える。
【００４０】
入出力装置２２０は、照射部２３０、反射部２３５、入力部２４０および検知部２５０を備える。
【００４１】
入力部２４０は入力情報Ｐ１を演算装置２１０に供給する機能を備える。入力情報Ｐ１は電子機器からの信号等を含む。
【００４２】
検知部２５０は検知情報Ｐ２を演算装置２１０に供給する機能を備える。検知部２５０は、一例として照度測定手段を備え、このとき検知情報Ｐ２は照度測定手段により取得される、情報処理装置２００が使用される環境の照度情報を含む。
【００４３】
照射部２３０は、調光情報Ｖ１に基づき、発光素子１０１０が照射する光の輝度を調節する機能を有する。本発明の一態様では、調光情報Ｖ１は数値とし、該数値が大きくなるほど発光素子１０１０の輝度は大きくなるよう対応する。反射部２３５は、調光情報Ｖ２に基づき、反射素子１０１１にて環境の光を反射するときの反射率を調節する機能を有する。本発明の一態様では、調光情報Ｖ２は数値とし、この値が大きくなるほど反射素子１０１１の反射率は大きくなるよう対応する。
【００４４】
演算装置２１０は、調光情報Ｖ１、調光情報Ｖ２を生成する機能を備える。
【００４５】
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、入力情報Ｐ１および検知情報Ｐ２に基づいて調光情報Ｖ１、調光情報Ｖ２を供給する機能を備える演算装置を含んで構成される。その結果、利便性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【００４６】
《構成例》
情報処理装置２００は、演算装置２１０、入出力装置２２０、照射部２３０、反射部２３５、入力部２４０、及び検知部２５０を有する。
【００４７】
《演算装置２１０》
演算装置２１０は、演算部２１１を備える。また、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。
【００４８】
《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
【００４９】
《プログラム》
例えば、入力情報Ｐ１、及び検知情報Ｐ２に基づいて、発光素子の光量と、反射素子の反射率を決定するプログラムを、演算装置２１０に用いることができる。
【００５０】
具体的には、下記のステップを有するプログラムを用いることができる。
【００５１】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、検知部２５０から供給される検知情報Ｐ２を取得する（図３（Ｔ１）参照）。このときの検知情報Ｐ２は、室内の照度を含む。
【００５２】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、外環境の照度を算出し、該照度が大きいか判断する（図３（Ｔ２）参照）。ここでいう外環境とは、本発明の一態様の照明装置以外からの光による、室内の光環境のことである。外環境は例えば図１にて、照明１００５、または窓１００６、等本実施の形態の一態様である照明装置以外からの光の照射による光環境である。外環境による光照射と、本実施の形態の一態様である照明装置による光照射とが、室内の照度に影響を与えており、検知情報Ｐ２に含まれる室内の照度は、この２つの光照射を区別していない。
【００５３】
本実施の形態の一態様である照明装置は、直前に出力された調光情報Ｖ１、調光情報Ｖ２により照射を行った条件化にて、演算部２１１が有する外環境の照度と検知情報Ｐ２との相関情報より、外環境の照度を算出する。該相関情報は、本実施の形態の一態様である照明装置を室内に設置した後、調光情報Ｖ１と、調光情報Ｖ２とをそれぞれ変化させ検知情報Ｐ２の変化を取得することで取得できる。また該相関情報は室内に置かれたもの等により変化するため、定期的に更新することが好ましい。
【００５４】
外環境は照度が大きいと判断できるとき、第３−１のステップに進む。外環境は照度が小さいと判断できるとき、第３−２のステップに進む。
【００５５】
《第３−１のステップ》
第３−１のステップにおいて、外環境は照度が大きいことから、調光手段を反射素子のみとする。発光素子を用いないことにより、ＥＬ層を代表とした発光素子の劣化を防ぐことができる（図３（Ｔ３−１）参照）。
【００５６】
《第３−２のステップ》
第３−２のステップにおいて、外環境は照度が大きいことから、調光手段を反射素子のみとする（図３（Ｔ３−２）参照）。
【００５７】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、入力部２４０から供給される入力情報Ｐ１を取得する（図３（Ｔ４）参照）。このときの入力情報Ｐ１は、例えば画像出力装置１００３や、携帯端末を例とした電子機器から得られる情報を含む。
【００５８】
《第５のステップ》
第５のステップにおいて、入力情報Ｐ１を基に、本発明の一態様の照明装置から照射される光による照度を下げた方が良いか判断する（図３（Ｔ５）参照）。例えば画像出力装置１００３が画像すなわち光を投影している場合には、本発明の一態様の照明装置から照射される光による照度を下げた方が良いと判断できる。また例えば携帯端末を例とした電子機器から、本発明の一態様の照明装置から照射される光による照度を下げる指示が出た場合も、指示通りの判断をする。照明装置から照射される光による照度を下げた方が良いと判断できるときには、第６−１のステップに進む。それ以外の場合、第６−２のステップに進む。
【００５９】
《第６−１のステップ》
第６−１のステップにおいて、調光情報Ｖ１及び調光情報Ｖ２による照度を小さい設定値とする。特に外環境の照度が大きいとき、調光情報Ｖ２を小さくすることで、好適に室内の照度を小さくすることができる（図３（Ｔ６−１）参照）。本発明の一態様の照明装置から照射される光による照度は、調光情報Ｖ１、調光情報Ｖ２として出力される。
【００６０】
《第６−２のステップ》
第６−２のステップにおいて、調光情報Ｖ１及び調光情報Ｖ２による照度を標準の設定値とする（図３（Ｔ６−２）参照）。
【００６１】
以上のステップを経て、最初のステップに戻る。
【００６２】
《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。
【００６３】
伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、供給される機能を備える。例えば、演算部２１１、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。
【００６４】
《入出力装置２２０》
入出力装置２２０は、照射部２３０、反射部２３５、入力部２４０、検知部２５０を備える。
【００６５】
例えば、照射部２３０、反射部２３５と、照射部２３０、反射部２３５と重なる領域を備える入力部２４０と、を備える。タッチパネル等を入出力装置２２０に用いることができる。具体的には、実施の形態５で説明するタッチパネルを入出力装置２２０に用いることができる。
【００６６】
《照射部２３０、反射部２３５》
照射部２３０は、発光素子１０１０と、発光素子１０１０に電源を供給する回路を有する。発光素子１０１０は、ＥＬ層を用いることができる。調光情報Ｖ１に基づいた光量を照射する機能を有する。
また反射部２３５は、反射素子１０１１と、反射素子１０１１に信号を供給する回路を有する。反射素子１０１１は、反射型液晶素子を用いることができる。環境光を調光情報Ｖ２に基づいた反射率にて反射する機能を有する。
【００６７】
発光素子が偏光フィルターを透過するときの光透過率の上限は、５０％である。そのため、発光素子の光を偏光フィルターを透過させず、室内に照射することが、発光素子の劣化を防ぐ上で望ましい。発光素子と、反射型液晶素子とを用い、かつ反射型液晶素子が、偏光フィルターを加工できるサイズ、好ましくは直径が０．５ｍｍ角以上１ｍ角以下である場合、反射型液晶素子の領域のみに偏光フィルターを設ける。このとき発光素子の光は偏光フィルターを透過しないため、強度が低減されることなく室内に照射される。
【００６８】
《トランジスタ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【００６９】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを用いることができる。
【００７０】
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。
【００７１】
例えば、１４族の元素を含む半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【００７２】
なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。
【００７３】
また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【００７４】
また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて優れる。
【００７５】
例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【００７６】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、半導体膜に酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることができる。
【００７７】
また、例えば、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。
【００７８】
例えば、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
【００７９】
《入力部２４０》
入力部２４０は、本発明の一態様の照明装置の近傍に配置された画像出力装置等からの出力情報を取得し、該出力情報に基づいて入力情報Ｐ１を演算装置２１０に供給する。該画像出力装置は、好ましくはテレビ、プラネタリウム、映画等をスクリーンに再生するプロジェクターである。出力情報を取得する方法としては無線方式あるいは有線方式であり、好ましくは入力部２４０が受信部を備え、電気信号、赤外線、マイクロ波として出力情報を受信する。さらに好ましくは前記受信部は無線送受信部であり、出力情報はｗｉ−ｆｉ方式で送受信されても良い。
【００８０】
上記出力情報は、本発明の一態様の照明装置の照射範囲において、画像出力装置等から画像が投影される、すなわち光が射出されているか否かを含むことが好ましい。これは本発明の一態様の照明装置が置かれた環境において、画像出力装置等から画像が投影されているときには、上記照明装置からの光の射出を抑える、あるいは環境から照明装置への光の反射を抑えることを目的の一としているからである。
【００８１】
上記出力情報は、本発明の一態様の照明装置の照射範囲から離れた場所にて、携帯端末等より無線方式、好ましくはｗｉ−ｆｉ方式で送受信されても良い。このとき上記出力情報は、調光情報Ｖ１、調光情報Ｖ２を制御する情報を含むことが好ましい。この出力情報の送受信方法は、例えば電気料金の変動や、太陽光発電システムの発電あるいは蓄電率情報による、照明装置の制御を目的とすることができる。
【００８２】
《検知部２５０》
周囲の状態を検知して検知情報Ｐ２を演算装置２１０に供給する機能を備えるセンサを、検知部２５０に用いることができる。検知部２５０は照度センサを含む。検知情報Ｐ２は、環境下の照度を検知する照度センサから得られる照度の情報を含む。
【００８３】
検知部２５０は、例えば人感センサ等を含んでも良い。例えば人が動作するときは、演算部にて、照射部２３０と反射部２３５と、から照射される光量を上げるような関連付けをすることができる。
【００８４】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００８５】
上記の情報処理装置を有することにより、本発明の一態様の照明装置の有する、発光素子の光照射電力量は低減される。その結果、反射素子に比べて寿命の短い発光素子の動作時間を減らし、本発明の一態様の照明装置の信頼性を向上させることができる。また本発明の一態様の照明装置は、外光による室内の照度を低減し、室内の画像出力装置等から投影される画像等の視認性を高める環境を供することができる。
【００８６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２で説明したプログラム中の、外環境は照度が大きいか判断する部分（図３（Ｔ２、Ｔ３−１、Ｔ３−２）参照）について、検知情報Ｐ２に基づいて反射素子と、発光素子と、を使い分ける判断の一態様を詳細に説明する。
【００８７】
具体的には、下記のステップを有するプログラムを用いることができる。
【００８８】
《第２−１、第２−２、第２−３、第２−４のステップ》
実施の形態２と同様に、第１のステップの後、第２−１のステップにおいて、検知情報Ｐ２を基に外環境の照度を算出する（図４（Ａ）Ｔ２−１参照）。
【００８９】
ここで演算部２１１は、外環境の照度の閾値と、外環境の照度とを比較する。該閾値は閾値Ａと、閾値Ａより小さい閾値Ｂと、閾値Ｂより小さい閾値Ｃと、閾値Ｃより小さい閾値Ｄと、とを含む。本発明の一態様の閾値Ａ、閾値Ｂ、閾値Ｃ、閾値Ｄ、はそれぞれ照度に対応する数値であり、閾値Ａに対応する照度は大きく、閾値Ｄに対応する照度は小さい（図４（Ｂ）参照）。
【００９０】
外環境の照度が、閾値Ｄ以上であれば、第２−２のステップに進む（図４（Ａ）Ｔ２−２参照）。また外環境の照度が、閾値Ｄ未満であれば、第３−１のステップに進む（図４（Ａ）Ｔ３−１参照）。
【００９１】
外環境の照度が、閾値Ｃ以上であれば、第２−３のステップに進む（図４（Ａ）Ｔ２−３参照）。また外環境の照度が、閾値Ｄ未満であれば、第３−２のステップに進む（図４（Ａ）Ｔ３−２参照）。
【００９２】
外環境の照度が、閾値Ｂ以上であれば、第２−４のステップに進む（図４（Ａ）Ｔ２−４参照）。また外環境の照度が、閾値Ｄ未満であれば、第３−３のステップに進む（図４（Ａ）Ｔ３−３参照）。
【００９３】
外環境の照度が、閾値Ａ以上であれば、第３−５のステップに進む（図４（Ａ）Ｔ２−５参照）。また外環境の照度が、閾値Ｄ未満であれば、第３−４のステップに進む（図４（Ａ）Ｔ３−４参照）。
【００９４】
《第３−１、第３−２、第３−３、第３−４、第３−５のステップ》
第３−１のステップにおいては、発光素子から照射される光の強度の上限を最大とする調光情報Ｖ１、反射素子からの光の反射率の上限値の１００％とする調光情報Ｖ２を、設定する。
【００９５】
第３−２のステップにおいては、発光素子から照射される光の強度の上限を調整した値とする調光情報Ｖ１、反射素子からの光の反射率の上限値の１００％とする調光情報Ｖ２を、設定する。上記調整した値は、最大から０の範囲にて外環境の照度が大きくなるにつれ大きくなる。
【００９６】
第３−３のステップにおいては、発光素子から照射される光の強度の上限を０とする調光情報Ｖ１、反射素子からの光の反射率の上限値の１００％とする調光情報Ｖ２を、設定する。
【００９７】
第３−４のステップにおいては、発光素子から照射される光の強度の上限を０とする調光情報Ｖ１、反射素子からの光の反射率の上限値を調整した値とする調光情報Ｖ２を、設定する。上記調整した値は、光の反射率の上限値において、０％以上１００％以下の範囲にて外環境の照度が大きくなるにつれ大きくなる。
【００９８】
第３−４のステップにおいては、発光素子から照射される光の強度の上限を０とする調光情報Ｖ１、反射素子からの光の反射の上限を０とする調光情報Ｖ２を、設定する。
【００９９】
上記のように、第３−１、第３−２、第３−３、第３−４、第３−５のステップの、いずれかを経て、図３の第４ステップに進む。
【０１００】
《第４のステップ以降》
第４のステップ以降は、図３で示されるフローチャートと同じステップとすることができる。但し、図３の第５のステップ、図３の第６のステップにおいて、調光情報Ｖ１、及び調光情報Ｖ２、は、第３−１、第３−２、第３−３、第３−４、第３−５のステップにて設定された範囲にて再度設定される。
【０１０１】
上記のプログラムを有することにより、本発明の一態様の照明装置は、発光素子の消費電力を低減させ、信頼性を向上させることができる。
【０１０２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の照明装置に用いることができる、発光素子について図５（Ａ）、図５（Ｂ）を用いて説明する。
【０１０３】
図５（Ａ）に示す基板１００は、少なくともＥＬ層１０４から発する波長の光を透過する。具体的には、ガラス基板や石英基板、有機樹脂からなる基板やフィルムを用いることができる。有機樹脂としては、例えばアクリル樹脂や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。基板１００はこれら基板もしくはフィルムに保護膜や補強のための部材が設けられた構造体であっても良い。
【０１０４】
基板１００上には、透明導電膜よりなる第１の電極１０１が設けられている。透明導電膜としては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウム酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２：ＩＴＯとも言う）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）やガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を充分な透光性を有する程度に薄く形成することによって透明導電膜とし、第１の電極１０１として用いることもできる。
【０１０５】
なお、上述の材料は第１の電極１０１が陽極である場合に用いることが好ましい、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）材料である。第１の電極１０１が陰極である場合には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）材料、具体的には元素周期表の１族または２族に属する金属、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなど）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、アルミニウム（Ａｌ）およびその合金等を用いることができる。これらの材料も、充分な透光性を有する程度に薄く形成することによって透明導電膜とし、第１の電極１０１として用いることが可能となる。
【０１０６】
また、導電性高分子を用いることも可能であり、導電性高分子としては、例えば、ポリアニリン及びまたはその誘導体、ポリピロール及びまたはその誘導体、ポリチオフェン及びまたはその誘導体、これらの２種以上の共重合体など、π電子共役系導電性高分子を用いることができる。
【０１０７】
ＥＬ層１０４は第１の電極１０１を覆って形成される。ＥＬ層１０４の積層構造については特に限定されず、発光層、電子輸送性の高い物質を含む電子輸送層または正孔輸送性の高い物質を含む正孔輸送層、電子注入性の高い物質を含む電子注入層、正孔注入性の高い物質を含む正孔注入層、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質を含むバイポーラ層など、各機能層を適宜組み合わせて構成すればよい。これら機能層は発光層以外は必須ではなく、また、上述以外の他の機能層を備えていても良い。なお、このような積層構造を発光ユニットとも称することもある。
【０１０８】
ＥＬ層１０４は、正孔注入層１７０１、正孔輸送層１７０２、発光層１７０３、電子輸送層１７０４、電子注入層１７０５を有する。各層の構成及び材料について以下に具体的に示す。
【０１０９】
正孔注入層１７０１は、陽極に接して設けられ、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層１７０１を形成することができる。
【０１１０】
また、正孔注入層１７０１として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることもできる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、陽極として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料も用いることができる。アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい材料である。
【０１１１】
複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
【０１１２】
例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【０１１３】
複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
【０１１４】
また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【０１１５】
また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４以上４２以下である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【０１１６】
複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【０１１７】
また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもできる。
【０１１８】
このような複合材料からなる層は、厚く形成しても駆動電圧の上昇がほとんど無いことから、発光層から発する光の取り出し効率や指向性などを制御するための光学設計を行う際に非常に好適に用いることができる。
【０１１９】
なお、複合材料を用いて正孔注入層１７０１を形成した場合、仕事関数にかかわらず電極材料を選択することが可能になることを上で述べた。複合材料を正孔注入層１７０１として用いると、第１の電極１０１が陽極であり酸化物層１０３が形成されていない場合、補助電極１０２が仕事関数の小さい材料で形成されている場合であっても正孔注入層から正孔輸送層や発光層に正孔が注入されてしまい、補助電極１０２と第２の電極との間で発光が起こってしまう。この発光は補助電極１０２にさえぎられて取り出すことができないため、電力効率の低下につながる。しかし、本実施の形態のように、補助電極１０２を酸化させて絶縁性の酸化物層１０３を形成することによってこのような無駄な発光が起こらなくなり、電力効率の低下を抑制することができる。このように、本実施の形態の構成は、正孔注入層１７０１に複合材料を用いた場合に、特に有用な構成であることがわかる。
【０１２０】
正孔輸送層１７０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１２１】
また、正孔輸送層１７０２として、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
【０１２２】
発光層１７０３は、発光性の物質を含む層である。発光層１７０３の種類としては、発光中心物質を主成分とする単膜の発光層であっても、ホスト材料中に発光中心材料を分散するいわゆるホスト−ゲスト型の発光層であってもどちらでも構わない。
【０１２３】
用いられる発光中心材料に制限は無く、公知の蛍光又は燐光を発する材料を用いることができる。蛍光発光性材料としては、例えばＮ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、等の他、発光波長が４５０ｎｍ以上の４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。燐光発光性材料としては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、の他、発光波長が４７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲にある、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、発光波長が５００ｎｍ（緑色発光）以上のトリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］���エニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等が挙げられる。以上のような材料又は他の公知の材料の中から、各々の発光素子における発光色を考慮し選択すれば良い。
【０１２４】
ホスト材料を用いる場合は、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，���−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、各々が分散する発光中心物質のエネルギーギャップ（燐光発光の場合は三重項エネルギー）より大きなエネルギーギャップ（三重項エネルギー）を有する物質を有し、且つ各々の層が有すべき輸送性に合致した輸送性を示す物質を選択すればよい。
【０１２５】
電子輸送層１７０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層１７０４として用いても構わない。
【０１２６】
また、電子輸送層１７０４は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１２７】
また、電子輸送層１７０４と発光層１７０３との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層１７０３を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
【０１２８】
電子注入層１７０５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層１７０５として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いた構成は、第２の電極１０５からの電子注入が効率良く行われるため、より好ましい構成である。
【０１２９】
第２の電極１０５を形成する物質としては、第２の電極１０５を陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、陰極と電子輸送層１７０４との間に、電子注入層１７０５を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を陰極として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法や真空蒸着法等を用いて成膜することが可能である。
【０１３０】
また、第２の電極１０５を陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、酸化亜鉛を０．１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。また、上述の複合材料を陽極に接して設けることによって、仕事関数の高低にかかわらず電極の材料を選択することができる。
【０１３１】
なお、上述のＥＬ層１０４は第１の電極１０１と第２の電極１０５との間に少なくとも発光層１７０３を含む発光ユニットが図５（Ｂ）のように複数積層されている構造であっても良い。この場合、積層された第１の発光ユニット８００と第２の発光ユニット８０１との間には、電荷発生層８０３を設けることが好ましい。電荷発生層８０３は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層８０３は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、発光ユニット間におけるエネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方の発光ユニットで燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。なお、発光ユニットは、発光層、電子輸送性の高い物質を含む電子輸送層または正孔輸送性の高い物質を含む正孔輸送層、電子注入性の高い物質を含む電子注入層、正孔注入性の高い物質を含む正孔注入層、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質を含むバイポーラ層など、各機能層を適宜組み合わせて構成すればよい。なお、これら機能層は発光層以外は必須ではなく、また、上述以外の他の機能層を備えていても良い。これらの層の詳しい説明は上述したので繰り返しとなる説明を省略する。
【０１３２】
特に図５（Ｂ）の構成は白色の発光を得る場合に好ましく、図１及び図５（Ａ）の構成と組み合わせることによって高品質な発光装置、または照明装置を得ることができる。
【０１３３】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の照明装置について図６を用いて説明する。
【０１３４】
図６は本発明の一態様を適用して形成される照明装置を、室内の天井部と、壁面部と、に設けた例である。本発明の一態様の発光装置は、天井固定型の照明装置１００１に示す以外にも大面積の照明装置に用いることができる。
【０１３５】
例えば、壁面型の照明装置１０２１、１０２２、１０２３を備えることができる。
【０１３６】
本発明の一態様を適用して形成される照明装置は、信頼性が高く、消費電力が小さく、高品質であり且つ安価な照明装置を提供することができる。
【０１３７】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の照明装置に、表示機能を有する例について、図７と図８とを用いて説明する。
【０１３８】
図７は、図６の照明装置１０２２の一部に、表示装置である表示領域１０２４を設けた例を示す。表示領域１０２４は、発光素子と、反射素子とを微細化することにより画素とし、映像を表示することができる。表示領域１０２４の有する発光素子と反射素子とは、いずれも照明装置として使用できる程度の光を照射することができ、すなわち表示機能と照明機能を有する。
【０１３９】
本発明の一態様として、入力情報Ｐ１により、室内の照度を上げるほうが良いと判断したとき、表示領域１０２４に映像を示すフローチャートを図８に示す。該フローチャートを用いる一態様として、室内にて画像出力装置１００３から映像が出力されないとき、広告映像を壁面に映す例が挙げられる。
【０１４０】
図８では、図３に示されたフローにおいてＴ６−１、Ｔ６−２までは共通しているが、Ｔ６−２に次いで、Ｔ−７にて表示領域１０２４に映像を表示させる。表示領域１０２４は、検知情報Ｐ２に基づいて、照明装置１０２２同様に表示の明るさを制御されても良い。
【０１４１】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の照明装置の有する、室内の照度を調節する手段について、図９を用いて説明する。特に、照度を簡便に手動にて制御する方法について説明する。
【０１４２】
本発明の一態様として、室内の照度を手動で制御する場合のフローチャートを図９（Ａ）に示す。図９（Ａ）は、図９（Ｂ）に示されたコントローラ１０３１を用いて制御する例である。
【０１４３】
図９（Ｂ）は、本発明の一態様の照明装置が有するコントローラ１０３１である。コントローラ１０３１は、一例として図１において入力部２４０内にあってもよい。コントローラ１０３１は、発光素子と、反射素子と、のいずれを制御するかを選択するスイッチ１０３２を有する。また室内の照度を調節するコントローラ１０３３を有する。
【０１４４】
《第１のステップ》
第１のステップでは、制御する照明手段を選択する（図９（Ａ）Ｔ１参照）。すなわち発光素子、あるいは反射素子、のいずれの照明手段を用いるか、スイッチ１０３２によって手動で選択する。発光素子を選択した場合は第２−１のステップに、反射素子を選択した場合は第２−２のステップに進む。
【０１４５】
《第２−１、第２−２のステップ》
第１のステップで、スイッチ１０３２によって選択された照明手段により、室内に光が照射される。室内の照度調整を行いたい場合、発光素子を選択した場合は第３−１のステップに、反射素子を選択した場合は第３−２のステップに進む。室内の照度調整を行う必要が無い場合、終了となる。
【０１４６】
《第３−１、第３−２のステップ》
第１のステップで、スイッチ１０３２によって選択された照明手段による室内の照度を、コントローラ１０３３で出力を調整する。コントローラ１０３３が調節するのは、発光素子を選択した場合は、発光素子が照射する光の輝度である。また反射素子を選択した場合は、光の反射率である。
【０１４７】
本発明の一態様では、第１のステップで選択された照明手段とは異なる照明手段は、室内への光の照射を０とする。または、第１のステップで選択された照明手段とは異なる照明手段は、室内への光の照射を直前の設定としてもよい。
【０１４８】
また、本発明の一態様の照明装置は、図９（Ｃ）に示されたコントローラ１０３６を有してもよい。コントローラ１０３６は、発光素子により室内の照度を調節するコントローラ１０３７を有する。また、反射素子により室内の照度を調節するコントローラ１０３８を有する。このようなコントローラ１０３６を用いることで、発光素子から照射する光の輝度と、反射素子の反射率とを独立に手動で制御することができる。
【０１４９】
本実施の形態では、コントローラ１０３１またはコントローラ１０３６を有する照明装置の例を示したが、これは演算装置２１０の使用と併用しても良い。すなわち通常は演算装置２１０にて照明装置を制御し、所望したときコントローラ１０３１またはコントローラ１０３６にて、演算装置２１０に優先する、照明装置の制御を行っても良い。
【０１５０】
または、本発明の一態様の照明装置は、コントローラ１０３１またはコントローラ１０３６を有し、演算装置２１０を有しない構成でも良い。このときは、常に手動にて照明装置を制御する。
【０１５１】
（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態６において説明する表示領域１０２４に用いることができる表示パネル７００の構成について、図１０乃至図１７を参照しながら説明する。
【０１５２】
図１０は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。表示装置は表示パネルを有する。
【０１５３】
図１１は本発明の一態様の表示装置の表示パネルの構成を説明するブロック図である。図１１は図１０に示す構成とは異なる構成を説明するブロック図である。
【０１５４】
図１２は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図である。図１２（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。図１２（Ｃ）は図１２（Ｂ）に示す画素の構成を説明する模式図である。
【０１５５】
図１３および図１４は表示パネルの構成を説明する断面図である。図１３（Ａ）は図１２（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の一部を説明する図である。
【０１５６】
図１４（Ａ）は図１２（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８、切断線Ｘ９−Ｘ１０における断面図であり、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の一部を説明する図である。
【０１５７】
図１５（Ａ）は図１２（Ｂ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する下面図であり、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）に示す構成の一部を省略して説明する下面図である。
【０１５８】
図１６は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。
【０１５９】
図１７は表示パネルの画素に用いることができる反射膜の形状を説明する模式図である。
【０１６０】
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【０１６１】
＜表示パネルの構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図１０参照）。また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる。
【０１６２】
また、表示パネルは、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示パネル７００Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有する（図１１参照）。
【０１６３】
《表示領域２３１》
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する（図１０、図１５または図１６参照）。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、第３の導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【０１６４】
一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。
【０１６５】
他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。
【０１６６】
走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０１６７】
列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。
【０１６８】
《駆動回路ＧＤ》
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【０１６９】
一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【０１７０】
例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
【０１７１】
また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度を、異ならせることができる。具体的には、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示する領域より高い頻度で、動画像を滑らかに表示する領域に選択信号を供給することができる。
【０１７２】
《駆動回路ＳＤ、駆動回路ＳＤ１、駆動回路ＳＤ２》
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、情報Ｖ１２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図１０参照）。
【０１７３】
駆動回路ＳＤ１は、一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。
【０１７４】
駆動回路ＳＤ２は、一の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする他の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。例えば、有機ＥＬ素子を駆動することができる。
【０１７５】
例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０１７６】
例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０１７７】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子にすることが実装できる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。
【０１７８】
＜画素の構成例＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）および機能層５２０の一部を備える（図１２（Ｃ）、図１３（Ａ）および図１４（Ａ）参照）。
【０１７９】
《機能層》
機能層５２０は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜５０１Ｃと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、を含む（図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）参照）。また、機能層５２０は、絶縁膜５２１と、絶縁膜５２８と、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む。
【０１８０】
なお、機能層５２０は、基板５７０および基板７７０の間に挟まれる領域を備える。
【０１８１】
《絶縁膜５０１Ｃ》
絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図１４（Ａ）参照）。
【０１８２】
《第１の導電膜》
例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。第１の導電膜は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０１８３】
《第２の導電膜》
例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。
【０１８４】
第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。
【０１８５】
《画素回路》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図１６参照）。
【０１８６】
これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【０１８７】
スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０１８８】
例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【０１８９】
例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図１６参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図１４（Ａ）および図１６参照）。
【０１９０】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む（図１６参照）。
【０１９１】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。
【０１９２】
例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。
【０１９３】
容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０１９４】
例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。
【０１９５】
トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。
【０１９６】
なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。
【０１９７】
容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。
【０１９８】
なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、第１の表示素子７５０を駆動することができる。
【０１９９】
また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第３の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極５５２を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。
【０２００】
《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。
【０２０１】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される（図１３（Ａ）および図１４（Ａ）参照）。
【０２０２】
なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟む領域を備える。
【０２０３】
《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０２０４】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える（図１３（Ａ）参照）。
【０２０５】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において視認できるように配設される。例えば、反射する外光の強度を制御して画像情報を表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印で図中に示す（図１４（Ａ）参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印で図中に示す（図１３（Ａ）参照）。
【０２０６】
これにより、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、表示パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０２０７】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）と、を備える（図１３（Ａ）参照）。
【０２０８】
第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０２０９】
発光性の材料を含む層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の間に挟まれる領域を備える。
【０２１０】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続され、第４の電極５５２は、第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図１６参照）。
【０２１１】
《中間膜》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、中間膜７５４Ａと、中間膜７５４Ｂと、中間膜７５４Ｃと、を有する。
【０２１２】
中間膜７５４Ａは、絶縁膜５０１Ｃとの間に第１の導電膜を挟む領域を備え、中間膜７５４Ａは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と接する領域を備える。中間膜７５４Ｂは導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。中間膜７５４Ｃは導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。
【０２１３】
《絶縁膜５０１Ａ》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、絶縁膜５０１Ａを有する（図１３（Ａ）参照）。
【０２１４】
絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａ、第２の開口部５９２Ｂおよび開口部５９２Ｃを備える（図１３（Ａ）または図１４（Ａ）参照）。
【０２１５】
第１の開口部５９２Ａは、中間膜７５４Ａおよび第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域または中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える。
【０２１６】
第２の開口部５９２Ｂは、中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。
【０２１７】
また、開口部５９２Ｃは、中間膜７５４Ｃおよび導電膜５１１Ｃと重なる領域を備える。
【０２１８】
また、絶縁膜５０１Ａは、導電膜５１１Ｂとの間に絶縁膜５０１Ｃを挟む領域を備える。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃの開口部５９１Ｂにおいて導電膜５１１Ｂと接する。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃの開口部５９１Ｃにおいて導電膜５１１Ｃと接する。
【０２１９】
絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａの周縁に沿って、中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ａは、第２の開口部５９２Ｂの周縁に沿って、中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂの間に挟まれる領域を備える。
【０２２０】
《絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６等》
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０２２１】
絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に配設され、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【０２２２】
第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極の短絡を防止する。
【０２２３】
絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０２２４】
絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
【０２２５】
《端子等》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂおよび端子５１９Ｃを有する。
【０２２６】
端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂと、中間膜７５４Ｂと、を備え、中間膜７５４Ｂは、導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。端子５１９Ｂは、例えば信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。
【０２２７】
端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃと、中間膜７５４Ｃと、を備え、中間膜７５４Ｃは、導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。
【０２２８】
導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。
【０２２９】
《基板等》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基板５７０と、基板７７０と、を有する。
【０２３０】
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。
【０２３１】
《接合層、封止材、構造体等》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。
【０２３２】
接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。
【０２３３】
封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。
【０２３４】
構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【０２３５】
《機能膜等》
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、機能膜７７０Ｄと、を有する。また、着色膜ＣＦ１および着色膜ＣＦ２を有する。
【０２３６】
遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。着色膜ＣＦ２は、絶縁膜５０１Ｃおよび第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に配設され、開口部７５１Ｈと重なる領域を備える（図１３（Ａ）参照）。
【０２３７】
絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０２３８】
機能膜７７０Ｐは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【０２３９】
機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。
【０２４０】
＜構成要素の例＞
表示パネル７００は、基板５７０、基板７７０、構造体ＫＢ１、封止材７０５または接合層５０５を有する。
【０２４１】
また、表示パネル７００は、機能層５２０、絶縁膜５２１または絶縁膜５２８を有する。
【０２４２】
また、表示パネル７００は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭまたは第３の導電膜ＡＮＯを有する。
【０２４３】
また、表示パネル７００は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。
【０２４４】
また、表示パネル７００は、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。
【０２４５】
また、表示パネル７００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。
【０２４６】
また、表示パネル７００は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜、開口部、液晶材料を含む層７５３または第２の電極７５２を有する。
【０２４７】
また、表示パネル７００は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄを有する。
【０２４８】
また、表示パネル７００は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２または発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を有する。
【０２４９】
また、表示パネル７００は、絶縁膜５０１Ａおよび絶縁膜５０１Ｃを有する。
【０２５０】
また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。
【０２５１】
《基板５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。
【０２５２】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０２５３】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。
【０２５４】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。
【０２５５】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。
【０２５６】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。
【０２５７】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。
【０２５８】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。
【０２５９】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０等に用いることができる。
【０２６０】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。
【０２６１】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０等に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。
【０２６２】
また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。
【０２６３】
例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。
【０２６４】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０２６５】
《基板７７０》
例えば、透光性を備える材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、基板５７０に用いることができる材料から選択された材料を基板７７０に用いることができる。
【０２６６】
例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
【０２６７】
また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。
【０２６８】
《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。
【０２６９】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０２７０】
《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。
【０２７１】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。
【０２７２】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。
【０２７３】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。
【０２７４】
《接合層５０５》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。
【０２７５】
《絶縁膜５２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０２７６】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。
【０２７７】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０２７８】
これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【０２７９】
《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。
【０２８０】
《絶縁膜５０１Ａ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０２８１】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０２８２】
例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０２８３】
具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。
【０２８４】
《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【０２８５】
例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。
【０２８６】
《中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ》
例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する膜を、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃに用いることができる。なお、本明細書において、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃを中間膜という。
【０２８７】
例えば、水素を透過または供給する機能を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０２８８】
例えば、導電性を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０２８９】
例えば、透光性を備える材料を中間膜に用いることができる。
【０２９０】
具体的には、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を備える。
【０２９１】
具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。
【０２９２】
なお、エッチングストッパーとして機能する膜が積層された材料を中間膜に用いることができる。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜と、インジウム、スズおよび酸素を含む厚さ２０ｎｍの膜と、をこの順で積層した積層材料を中間膜に用いることができる。
【０２９３】
《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、第３の導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、端子７１９、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。
【０２９４】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０２９５】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０２９６】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０２９７】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０２９８】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０２９９】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０３００】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【０３０１】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０３０２】
なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。
【０３０３】
《第１の導電膜、第２の導電膜》
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。
【０３０４】
また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。
【０３０５】
また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。
【０３０６】
《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。
【０３０７】
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０３０８】
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０３０９】
第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極と、第２電極と、液晶材料を含む層と、を有する。液晶材料を含む層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
【０３１０】
《液晶材料を含む層７５３》
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【０３１１】
《第１の電極７５１（ｉ，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３１２】
《反射膜》
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。
【０３１３】
反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、第１の表示素子７５０を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。
【０３１４】
例えば、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を反射膜に用いることができる。
【０３１５】
例えば、液晶材料を含む層７５３と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える膜を、反射膜に用いることができる。または、液晶材料を含む層７５３との間に透光性を有する第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える膜を、反射膜を用いることができる。
【０３１６】
反射膜は、例えば第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域が形成される形状を備える。
【０３１７】
例えば、単数または複数の開口部を備える形状を反射膜に用いることができる。
【０３１８】
多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈに用いることができる。
【０３１９】
非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。
【０３２０】
また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性を損なう場合がある。
【０３２１】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１７（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図１７（Ｂ）参照）。
【０３２２】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、行方向に延びる直線上に配設される（図１７（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０３２３】
または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図１７（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。
【０３２４】
これにより、一の画素に隣接する他の画素の開口部に重なる領域を備える第２の素子を、一の画素の開口部に重なる領域を備える第２の表示素子から遠ざけることができる。または、一の画素に隣接する他の画素の第２の表示素子に、一の画素の第２の表示素子が表示する色とは異なる色を表示する表示素子を配設することができる。または、異なる色を表示する複数の表示素子を、隣接して配設する難易度を軽減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０３２５】
なお、例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｅが形成されるように、端部が切除されたような形状を備える材料を、反射膜に用いることができる（図１７（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された第１の電極７５１（ｉ．ｊ）を反射膜に用いることができる。
【０３２６】
《第２の電極７５２》
例えば、導電性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。可視光について透光性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。
【０３２７】
例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０３２８】
具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０３２９】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。
【０３３０】
《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
【０３３１】
例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。
【０３３２】
《着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜に用いることができる。
【０３３３】
なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜ＣＦ２に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。
【０３３４】
《遮光膜ＢＭ》
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
【０３３５】
《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。
【０３３６】
《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０３３７】
具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。
【０３３８】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０３３９】
具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。
【０３４０】
《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、発光素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３４１】
例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。より詳細には、実施の形態４で示した発光素子を用いることができる。
【０３４２】
例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。
【０３４３】
例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０３４４】
例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０３４５】
また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。
【０３４６】
例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３４７】
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０３４８】
具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。
【０３４９】
例えば、配線等に用いることができる材料を第４の電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、第４の電極５５２に用いることができる。
【０３５０】
《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
【０３５１】
例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図１３（Ｂ）参照）。
【０３５２】
なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。
【０３５３】
《トランジスタ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０３５４】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０３５５】
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
【０３５６】
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０３５７】
なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。
【０３５８】
また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【０３５９】
ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて優れる。
【０３６０】
また、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。
【０３６１】
また、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
【０３６２】
例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【０３６３】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０３６４】
これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【０３６５】
例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図１４（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。
【０３６６】
導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０３６７】
導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【０３６８】
また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図１３（Ｂ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続する。
【０３６９】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０３７０】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【０３７１】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。
【０３７２】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。
【０３７３】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０３７４】
ＡＮＯ    導電膜
ＦＰＣ１    フレキシブルプリント基板
ＳＷ１    スイッチ
ＳＷ２    スイッチ
ＶＣＯＭ２    導電膜
１００    基板
１０１    第１の電極
１０２    補助電極
１０３    酸化物層
１０４    ＥＬ層
１０５    第２の電極
２１０    演算装置
２１１    演算部
２１４    伝送路
２１５    入出力インターフェース
２２０    入出力装置
２３０    照射部
２３１    表示領域
２３５    反射部
２４０    入力部
２５０    検知部
５０１Ａ    絶縁膜
５０１Ｃ    絶縁膜
５０４    導電膜
５０５    接合層
５０６    絶縁膜
５０８    半導体膜
５１１Ｂ    導電膜
５１１Ｃ    導電膜
５１２Ａ    導電膜
５１２Ｂ    導電膜
５１６    絶縁膜
５１８    絶縁膜
５１９Ｂ    端子
５１９Ｃ    端子
５２０    機能層
５２１    絶縁膜
５２２    接続部
５２４    導電膜
５２８    絶縁膜
５３０    画素回路
５５０    表示素子
５５１    電極
５５２    電極
５５３    発光性の材料を含む層
５７０    基板
５９１Ａ    開口部
５９１Ｂ    開口部
５９１Ｃ    開口部
５９２Ａ    開口部
５９２Ｂ    開口部
５９２Ｃ    開口部
７００    表示パネル
７００Ｂ    表示パネル
７０２    画素
７０５    封止材
７１９    端子
７５０    表示素子
７５１    第１の電極
７５１Ｅ    領域
７５１Ｈ    開口部
７５２    第２の電極
７５３    液晶材料を含む層
７５４Ａ    中間膜
７５４Ｂ    中間膜
７５４Ｃ    中間膜
７７０    基板
７７０Ｄ    機能膜
７７０Ｐ    機能膜
７７１    絶縁膜
８００  第１の発光ユニット
８０１  第２の発光ユニット
８０３  電荷発生層
１００１    照明装置
１００２    領域
１００３    画像出力装置
１００４    スクリーン
１００５    照明
１００６    窓
１０１０    発光素子
１０１１    反射素子
１０２１    照明装置
１０２２    照明装置
１０２３    照明装置
１０２４    表示領域
１０３１    コントローラ
１０３２    スイッチ
１０３３    コントローラ
１０３６    コントローラ
１０３７    コントローラ
１０３８    コントローラ
１７０１  正孔注入層
１７０２  正孔輸送層
１７０３  発光層
１７０４  電子輸送層
１７０５  電子注入層
【図１】
2017212207.tif 000003
【図２】
2017212207.tif 000004
【図３】
2017212207.tif 000005
【図４】
2017212207.tif 000006
【図５】
2017212207.tif 000007
【図６】
2017212207.tif 000008
【図７】
2017212207.tif 000009
【図８】
2017212207.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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