(57)【要約】【課題】ペリクル膜の結晶性や膜厚変動に起因する位相欠陥を検査するペリクル検査方法、およびペリクル検査装置を提供する。【解決手段】フォトマスクまたはレチクルマスクに用いられるペリクル２０の、結晶性に起因する欠陥、および膜厚変動に起因する位相欠陥を検査するペリクル検査方法であって、前記ペリクル２０に対し、波面の揃った、波長が１３〜１４ｎｍもしくは６〜７ｎｍの光を、前記ペリクルに対して、入射角度を６度にて照射し、ペリクルを通過させ、前記ペリクルを通過した光を、参照ミラー５２にて反射され、再度ペリクルに入射角度を−６度にて通過させ、検出器５７に到達する光学系とし、前記照射光が、ペリクルを２回透過する。【選択図】図９
2017053893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクまたはレチクルマスクに用いられるペリクルの、結晶性に起因する欠陥および膜厚変動に起因する位相欠陥を検査するペリクル検査方法であって、
前記ペリクルに対し、波面の揃った、波長が１３〜１４ｎｍもしくは６〜７ｎｍの光を、前記ペリクルに対して入射角度を６度にて照射してペリクルを通過させ、
前記ペリクルを通過した光を参照ミラーにて反射させ、再度ペリクルに入射角度を−６度にて通過させて検出器に到達する光学系とし、
前記光が、ペリクルを２回透過することを特徴とするペリクル検査方法。
【請求項２】
フォトマスクまたはレチクルマスクに用いられるペリクルの、結晶性に起因する欠陥、および膜厚変動に起因する位相欠陥を検査するペリクル検査装置であって、
下部に参照ミラーが設けられたＸ−Ｙステージ上に、被検査体であるペリクルをセットする設置部と、
波面が揃い、波長が１３〜１４ｎｍもしくは６〜７ｎｍの光を供する光源と、
前記光を検出する第一の検出器と第二の検出器と、
前記第一の検出器と第二の検出器のいずれかに光路を切り替えるためのライトチョッパーとを備え、
第二の検出器には、前記ライトチョッパーから直接光が到達し、
第一の検出器には、光が前記ペリクルに対して６度の入射角度にて通過し、前記参照ミラーにより反射され、再度ペリクルに−６度の入射角度にて通過して第一の検出器に光が到達する光学系を備えたことを特徴とするペリクル検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ用ペリクル、特に極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）を使用したリソグラフィで使用するペリクル検査方法およびペリクル検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。リソグラフィの露光も従来の波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光を用いた露光では、理論的にパターン寸法が３２ｎｍ以下のパターンは単一露光での解像は困難であるとされており、これに代わる新たな露光技術として波長が１３．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外線）領域の光を用いた露光技術が注目されている。
【０００３】
次に、ＥＵＶ用ペリクルの欠陥の事例を説明する。ＥＵＶ用ペリクルの欠陥は３つのモードを例示することができる。第一番目の欠陥モードを図４で説明する。
【０００４】
図４はペリクル膜２１の断面図であり、密度が段階的に変化した場合を示す。図４では３段階の場合を示しており、密度が高い領域３０、密度が低い領域３２とその中間密度領域３１を示している。
【０００５】
密度が高い領域３０は入射波面４１に対して波面が遅く進行する。密度が低い領域３２は波面が早く進行する。この結果、ペリクル膜２１を透過した光の波面は出射波面４２に示すように密度に応じた歪が生じることになる。この歪は位相変化として説明できる。
【０００６】
図４では密度の段階的変化を説明の便宜上例示したが、現実的には図５に示すように境界領域が連続的に変化する場合が想定される。
【０００７】
図６に第二番目の結果モードを説明する。図６ではペリクル膜２１の断面図であり、膜厚変化が段階的に変化した場合を示す。図６では膜厚が厚い領域３６、膜厚が薄い領域３４とその中間領域３５を示している。膜厚が厚い領域３６は光路長が相対的に長いため波面が遅く進行する。この結果、ペリクル膜２１を透過した光の波面は出射波面４２に示すように遅れが生じる。膜厚が薄い領域３４は他の部分よりも早く出射するため相対的に波面は進む。
【０００８】
この波面の遅れと進みは位相変化として説明できる。
【０００９】
図６のような膜厚の段階的変化は現実的には図７に示すように境界領域が連続的に変化する場合が想定される。
【００１０】
図８に第三番目の結果モードを説明する。図８ではペリクル膜２１にピンホール３７が存在した場合を示す。ピンホール３７部は他の領域３８に対して光路長が相対的に短いため波面が速く進行する。この結果、ペリクル膜２１を透過した光の波面は出射波面４２に示すように進みが生じる。この波面の進みが位相変化として説明できる。
【００１１】
以上でペリクル膜２１に想定される３種類の欠陥モードを説明した。
【００１２】
一般的にＫｒＦ光やＡｒＦ光を用いた光リソグラフィ用マスクにおいては、パターニン
グの際にフォトマスクのパターン形成面に異物が付着するのを防止するために、ペリクルをフォトマスク上に配置する。
【００１３】
ペリクルは、一般的に露光用の光に対して高い透過率を有するニトロセルロース、酢酸セルロースなどのセルロース系樹脂や、フッ化樹脂などによって作成されたペリクル膜を、アルミニウム、ステンレスなどによって形成されたペリクルフレームの一方の面に接着し、ペリクルフレームの他方の面にアクリル樹脂やシリコン樹脂などからなる、フォトマスクに付着させるための粘着層を形成して作製されている。
【００１４】
このように構成されたペリクルをフォトマスクのパターン形成面に取り付けて、フォトマスクを介して半導体ウェハーに形成されたフォトレジスト膜を露光すると、ゴミなどの異物はペリクルの表面に付着し、フォトマスクの表面には直接付着しないため、フォトマスクに形成されたパターン上に焦点が合うように露光光を照射すれば、ゴミなどの異物の影響を排除することが可能となる。
【００１５】
一方、ＥＵＶ光に対しては、多くの有機物質が高い光吸収性を有するため、従来のペリクル材料が使用できない。このためＥＵＶ光に対して高い透過性と化学的安定性を有する材料が求められるが、現状そのような要求を満たすＥＵＶマスク用ペリクルは開発が遅れているのが現状である。
【００１６】
ＥＵＶ光に対して透明な材料は現在の所知られていないが、シリコン（Ｓｉ）はＥＵＶ光に対する透過率が比較的高いことから、ＥＵＶマスク用のペリクル膜材料として注目されており、シリコン単結晶膜を備えたペリクルが提案されている（特許文献１）。
【００１７】
しかしながら、ＥＵＶマスク用のペリクル膜は前記したシリコン（Ｓｉ）のような無機材料もしくはその酸化物や金属酸化物であるため、光マスク用ペリクルのような樹脂材料とは異なり、材料の結晶性に起因する欠陥や膜厚変動に起因する波面の変形が位相欠陥となりやすい問題がある。
【００１８】
また、ペリクル膜における品質の検査として、膜の破損や膜上に付着した異物が挙げられ、このような破損や異物の検査に、レーザーを用い表面からの散乱光を検査原理とする検査装置が提案されている（特許文献２）。
【００１９】
波面の変形については、ＥＵＶ光の波長が１３．５ｎｍとなることから、従来のＡｒＦレーザー光の１９３ｎｍよりも短波長であるためペリクル膜の断面を透過する光路長への影響が単位膜厚あたりで大きくなる。光路長への影響はＥＵＶリソグラフィでは波面歪の要因となり位相欠陥として発現してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】特開２０１０−２５６４３４号公報
【特許文献２】特開２０１０−３２３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ペリクル膜の結晶性や膜厚変動に起因する位相欠陥を検査するペリクル検査方法、およびペリクル検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記の課題を解決するための手段として、請求項１に記載の発明は、フォトマスクまたはレチクルマスクに用いられるペリクルの、結晶性に起因する欠陥および膜厚変動に起因する位相欠陥を検査するペリクル検査方法であって、
前記ペリクルに対し、波面の揃った、波長が１３〜１４ｎｍもしくは６〜７ｎｍの光を、前記ペリクルに対して入射角度を６度にて照射してペリクルを通過させ、
前記ペリクルを通過した光を参照ミラーにて反射させ、再度ペリクルに入射角度を−６度にて通過させて検出器に到達する光学系とし、
前記光が、ペリクルを２回透過することを特徴とするペリクル検査方法である。
【００２３】
また、請求項２に記載の発明は、フォトマスクまたはレチクルマスクに用いられるペリクルの、結晶性に起因する欠陥および膜厚変動に起因する位相欠陥を検査するペリクル検査装置であって、
下部に参照ミラーが設けられたＸ−Ｙステージ上に被検査体であるペリクルをセットする設置部と、
波面が揃い、波長が１３〜１４ｎｍもしくは６〜７ｎｍの光を供する光源と、
前記光を検出する第一の検出器と第二の検出器と、
前記第一の検出器と第二の検出器のいずれかに光路を切り替えるためのライトチョッパーとを備え、
第二の検出器には前記ライトチョッパーから直接光が到達し、
第一の検出器には、光が前記ペリクルに対して６度の入射角度にて通過し、前記参照ミラーにより反射され、再度ペリクルに−６度の入射角度にて通過して第一の検出器に到達する光学系を備えたことを特徴とするペリクル検査装置である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明により、極端紫外光の波長１３〜１４ｎｍもしくは６〜７ｎｍに対して吸収率の低いシリコン結晶膜などの金属薄膜をペリクル膜として使用している場合においても、結晶性や膜厚変動を、位相欠陥として検出できるペリクル検査方法およびペリクル検査装置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施例で用いたＥＵＶ用マスクとペリクルを説明した概念図である。
【図２】本発明の実施例で用いたペリクルを説明した概念図である。
【図３】本発明の実施例で用いたＥＵＶマスクとペリクルを接合した状態を説明した概念図である。
【図４】ペリクルの波面（位相変動）を説明した断面概念図である。
【図５】ペリクルの波面（位相変動）を説明した断面概念図である。
【図６】ペリクルの波面（位相変動）を説明した断面概念図である。
【図７】ペリクルの波面（位相変動）を説明した断面概念図である。
【図８】ペリクルの波面（位相変動）を説明した断面概念図である。
【図９】本発明の第１の実施例におけるペリクル検査装置の光学系を示した概念図である。
【図１０】本発明に用いたライトチョッパーと、回転によるタイミングチャートを示した概念図である。
【図１１】本発明の第２の実施例におけるペリクル検査装置の光学系を示した概念図である。
【図１２】本発明の第３の実施例における暗視野型のペリクル検査装置の光学系を示した概念図である。
【図１３】本発明の第１の実施例に係るペリクル検査装置１００を示した概念図である。
【図１４】本発明の第１の実施例に係る検査方法のフローを示した概念図である。
【図１５】本発明の第１の実施例に係る検査方法のフローを示した概念図である。
【図１６】本発明の第２の実施例に係るペリクル検査装置２００を示した概念図である。
【図１７】本発明の第３の実施例に係るペリクル検査装置３００を示した概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下本発明を実施するための形態を、図面を用いて詳細に説明する。図１は本発明の実施形態で用いるＥＵＶマスク１０の平面図と断面図である。ＥＵＶマスクは低熱膨張石英を主成分として酸化チタン（ＴｉＸＯＹ）を添加した基板１１にモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）をそれぞれ２．８ｎｍ、４．２ｎｍ交互に４０対層、合計８０層積層した多層反射膜１２を積層する。その上面にルテニウム（Ｒｕ）２．５ｎｍを保護膜１３として積層する。
【００２７】
その上面にタンタル（Ｔａ）７０ｎｍを吸収膜１４として積層する。吸収膜１４はＤＵＶ波長を光源とした検査装置の感度確保のためにタンタル（Ｔａ）の酸化物や窒化物をさらに上層に積層して２層膜であっても良い。吸収膜１４の一部をリソグラフィ法などにより半導体パターンを形成してＥＵＶマスクが完成する。
【００２８】
図２はＥＵＶ用ペリクル２０の平面図と断面図である。ＥＵＶ用ペリクル２０はその構造の形態として１３．５ｎｍの波長の光に対する吸収率が低い単結晶シリコン膜やポリシリコン膜をペリクル膜２１として用いる。その両面に洗浄時の薬品耐性向上や酸化防止などを目的として窒化シリコン（ＳｉＸＮＹ）数ｎｍを保護膜２２として、いずれか一方もしくは両面に積層する。
【００２９】
ペリクル膜２１は光学原理的にマスクの結像平面から異物を遠ざけて焦点位置をオフセットさせて設置することが必要である。このためペリクル膜２１はペリクルフレーム２４を介してマスクに接合する。このペリクルフレーム２４を用いる形態は波長１９３ｎｍを光源とするマスク用として従来から採用されている。本実施例では従来の形態を例示する。ペリクルフレーム２４に接着剤２３を塗布してペリクル膜２１を接合する。
【００３０】
ペリクルフレームの反対面側にも同様に接着剤２５を塗布してＥＵＶマスクに接合する。ここで、本発明においては、ペリクル膜２１の形成法、構造に関しては特別な制限はなく、公知の製造方法によって製造された１３．５ｎｍの波長の光に対する吸収係数が低い膜、すなわち１３．５ｎｍの波長の光の透過率が高い膜とする。また、接着剤２３や接着剤２５には、ボリブデン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン系粘着材等を用いることができる。
【００３１】
図３に前記したＥＵＶマスク１０とＥＵＶ用ペリクル２０を接合した状態を示す。ＥＵＶ用ペリクル２０はＥＵＶマスク１０の半導体パターンを覆うように設置する。
【００３２】
次に本発明のペリクル検査装置における光学系の第１の実施例を図９に示す。
【００３３】
ＥＵＶ用ペリクル２０をＸ−Ｙステージ５１に設置する。Ｘ−Ｙステージ５１の内部位置に参照ミラー５２を配置する。ＥＵＶ用ペリクル２０と参照ミラー５２の距離Ａは図３で示したように、ＥＵＶマスク１０とＥＵＶ用ペリクル２０と同じとする。光源５３から波面の揃った波長１３．５ｎｍの光を放射する。
【００３４】
光はライトチョッパー５８を通過してミラー５４にてＥＵＶ用ペリクル２０および参照ミラー５２に照射する。
【００３５】
この時の入射角度は、実際のＥＵＶ露光装置における光学系の主光線（一点鎖線）の入射角度（ＣＲＡ：Ｃｈｉｅｆ  Ｒａｙ  Ａｎｇｌｅ）と同一とし、たとえば６度である。また、ミラー５４は実際のＥＵＶ露光装置の光学系の開口数（ＮＡ：ＮｕｍｅｒｉｃａｌＡｎｇｌｅ）と同一とし、たとえば０．３３である。
【００３６】
尚、検査光の入射〜出射角度は、６°（−６°）に限定されるべきではなく、露光機のＮＡ（開口数）設計に応じて、主光線角度を中心として幅を持つことを考慮し、ＮＡ＝０．７までの増加を想定して、主光線角度に応じて６〜１０°（−６〜−１０°）で可変することも、本発明の主旨を逸脱するものではない。
【００３７】
参照ミラー５２で反射した光は再びＥＵＶ用ペリクル２０を透過し、ミラー５５を介して検出器５６に入射する。ミラー５５はミラー５４と同じく、ＣＲＡと出射ＮＡを入射光側と同じとする。検出器５６は例えばＣＣＤカメラである。
【００３８】
ＥＵＶ用ペリクルの欠陥に起因した波面の変化は検出器５６においてＥＵＶ用ペリクルがない場合との比較において、ミラー５２からの反射光との波面の比較で計測される。ＥＵＶ用ペリクル２０の全面領域の検査はＸ−Ｙステージ５１を走査して行う。
【００３９】
また、光源５３からの光はＥＵＶ用ペリクル２０の計測時間中に変動する場合が考えられる。この補償として光源光強度の参照モニターとして検出器５７を設置する。検出器５７への光路切替えにはライトチョッパー５８や光路切替え用のミラーを用いれば良い。
【００４０】
参照ミラー５２とミラー５４とミラー５５はＥＵＶマスク１０と同じく基板表面にモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）がそれぞれ２．８ｎｍ、４．２ｎｍの膜厚で成膜したものを１対として４０対層以上を堆積したものである。さらに保護膜としてルテニウム（Ｒｕ）などを成膜しても良い。
【００４１】
ライドチョッパー５８の構造を図１０に示す。ライトチョッパー５８は回転円盤９１の表面に前記ミラーが成膜されている。ミラー面は光源５３側であり、前述のミラーと同じくモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を４０対層以上が堆積されている。回転円盤９１には円周上に等間隔で開口部９３が設けてある。
【００４２】
光源５３からの光が開口部９３を通過する場合は検出器５６（測定側）に、非開口部である反射部９４に照射した場合は反射によって光は検出器５７（参照側）に導かれる。開口部９３と反射部９４の切替えはモータ９２を用いて回転により行う。
【００４３】
モータ９２はＣＰＵ８７からの指示に従い検出器制御部８３と連動して、所定の回転数で回転を行なう。この回転により、図１０に示したタイミングチャートのように検出器５６（測定側）と検出器５７（参照側）では交互に受光と遮光が行われる。
【００４４】
尚、本実施例では回転円盤側のライトチョッパーの構造を例示したが、光を交互に分配すれば良いので、ガルバノミラーなど他の偏向手段を用いても良い。
【００４５】
次に本発明のペリクル検査装置における光学系の第２の実施例を図１１に示す。図９と同じ構成については同一の番号で示す。
【００４６】
図１１は図９で示したミラー５５を削除した形態であり、ミラー５２からの反射光を検出器５６に直接結像さえる事例であり、ミラー５５に依存する波面歪の影響を排除可能な利点を有する。
【００４７】
本実施例の検査方法は第１の実施例と同じである。すなわち、ＥＵＶ用ペリクルの欠陥に起因した波面の変化が検出器５６においてＥＵＶ用ペリクルがない場合との比較において、ミラー５２からの反射光との波面の比較で計測される。ＥＵＶ用ペリクル２０の全面
領域の検査はＸ−Ｙステージ５１を走査して行う。
【００４８】
次に本発明のペリクル検査装置における光学系の第３の実施例を図１２に示す。図９、図１０および図１１と同じ構成については同一の番号で示す。
【００４９】
図１２は暗視野型の検査装置の形態である。光源５３から波面の揃った波長１３．５ｎｍの光を放射し、ミラー５９にてＥＵＶ用ペリクル２０およびミラー５２に照射する。この時の入射角度は、実際のＥＵＶ露光装置における光学系の開口数と同一とし、たとえば０．３３である。
【００５０】
参照ミラー５２でペリクル２０の欠陥に起因して生じた波面歪によって散乱反射した光は再びＥＵＶ用ペリクル２０を透過し、ミラー６０とミラー６１を介して検出器５６に入射する。ミラー６０とミラー６１は公知のシバルツシルド光学系の構成であり、反射面には前記したモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）が４０対層以上成膜されている。
【００５１】
本発明の暗視野型の検査装置においてもＥＵＶ用ペリクルの欠陥に起因した波面の変化が検出器５６においてＥＵＶ用ペリクルがない場合との比較において、ミラー５２からの反射光との波面の比較で計測される。ＥＵＶ用ペリクル２０の全面領域の検査はＸ−Ｙステージ５１を走査して行う。
【００５２】
本発明によれば、ペリクル膜の材質の密度や膜厚の変動を位相欠陥として検出する検査装置を提供することが可能となる。
【００５３】
本発明のＥＵＶ用ペリクル検査装置１００の実施例を図１３に、検査工程フローを図１４に示す。図９、図１０で示した光学系の第一の実施例は図１３における検査室７３の詳細となる。
【実施例】
【００５４】
＜実施例１＞
＜ペリクル２０のローディング工程〕
まず、図１３において、検査対象であるペリクル２０をペリクル台７４に設置する。次にゲート制御部８６の信号に従いゲート７９Ａを開き、ペリクル台７４をステージ制御部８５の信号に従いロード室７１から真空置換室７２に移動する。次にゲート７９Ａを閉じ、真空ポンプ７５Ａと真空ポンプ７５Ｂを真空制御部８４からの信号に従って稼動する。
【００５５】
圧力計７６Ａと圧力計７６Ｂが規定に達したらゲート７９Ｂを開く。次にペリクル台７４を検査室７３に移動してＸ−Ｙステージ７８に設置する。次にゲート７９Ｂを閉じる。
【００５６】
＜参照ミラー５２の反射率測定＞
次に参照ミラー５２の反射率を測定する。測定工程の説明では図１３に示す制御器２０内に示した各部を引用する。まず、検査開始をキーボード９０から入力する。ペリクル台７４をステージ制御部８５からの信号に基づいてＸ−Ｙステージを駆動して光軸外に移動する。
【００５７】
次に参照ミラー５２が設置された昇降ステージ７７をステージ制御部８５からの信号に基づいて所定の位置（距離Ａ）まで上昇する。次に光源制御部３１からの信号に基づき光源５３を点灯する。検出器５７（参照側）で受光した反射光と参照ミラー５２からの反射光を検出器５６（測定側）で各々受光し、検出器制御部８３からの信号に従いそれぞれの検出器からの信号をメモリ８８に格納する。
【００５８】
メモリ８８に格納された検出器５６（測定側）および検出器５７（参照側）の信号をＣ
ＰＵ８７で比較演算して反射率ＲＲ（Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  Ｒａｗ）を表示部８９に出力する。同時に比較演算後の反射率はメモリ８８に格納される。以上で参照ミラー５２の反射率測定が実施された
＜ペリクル２０の検査＞
ペリクル２０の検査を開始する。検査工程は図１５を用いて説明する。検査工程の説明では図１３に示す制御器２０内に示した各部を引用する。検査開始をキーボード９０から入力する。まず、参照ミラー５２が設置された昇降ステージ７７を下降させる。次にペリクル２０が設置されたペリクル台７４をステージ制御部８５からの信号に基づいてＸ−Ｙステージ７８を駆動して、最初の検査座標の部位を光軸Ｃに移動する。次に光源制御部８１からの信号に基づき光源５３を点灯する。
【００５９】
検出器５７（参照側）で受光した反射光と参照ミラー５２からの反射光を検出器５６（測定側）で各々受光し、検出器制御部８３からの信号に従いそれぞれの検出器からの信号をメモリ８８に格納する。
【００６０】
メモリ８８に格納された検出器５６（測定側）からの信号は、前記反射率測定ＲＲで得た検出器５６（測定側）からの信号とを、ＣＰＵ８７で差分演算する。差分演算の結果が位相変化ＲＰＲ（Ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｒａｗ）である。
【００６１】
ここで、検査時間内に変動した光源発光強度の変動を補償する。補償には検出器５７（参照側）からの信号を用いる。検査ＣＰＵ８７にて開始時と終了後の信号強度の比をＲＰＲに乗算して初回検査時の反射率ＲＰＣ（Ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｏｒｒｅｃｔｅｄ）とする。この補償後の演算結果（ＲＰＣ）を表示部８９に出力する。同時にメモリ８８に格納する。
【００６２】
＜次の検査＞
次にＸ−Ｙステージ７８を駆動し、次の検査座標に移動する。前記と同じ工程でＲＰＲとＲＰＣを算出してこの補償後の演算結果（ＲＰＣ）を表示部８９に出力する。同時にメモリ８８に格納する。この工程をペリクル２０面内全域の座標において、Ｘ−Ｙステージ７８を移動して繰り返し実施する。設定した座標全体の検査を達成したら測定結果ＲＰＣを格納したメモリ８８のデータを展開してＣＰＵで座標マップとして表示部８９に出力する。以上で検査終了となる。
【００６３】
＜ペリクル２０のアンロード＞
検査終了後、昇降ステージ７７を下降する。次にゲート７９Ｂを開き、ペリクル台７４を真空置換室２２に移動する。ゲート７９Ｂを閉じ、真空ポンプ７５Ａを停止する。その後、ガス制御部８２からガス供給器７８にガス供給開始の信号を送る。ガス供給器７８から窒素ガスを供給する。圧力計７６Ａが大気圧に到達したらゲート７９Ａを開く。その後、ペリクル台７４をロード室７１に移動する。その後、ゲート７９Ａを閉じる。
以上で検査が終了した。
【００６４】
＜実施例２＞
本発明のＥＵＶペリクル検査装置２００の実施例を図１６に示す。本実施例は図１３で示した第一のＥＵＶペリクル検査機１００と同様の構成であるが、検査室７３内の光学系を第２の光学系の実施例である図１１としたものである。検査工程は前記図１４および図１５と同一である。
【００６５】
＜実施例３＞
本発明のＥＵＶペリクル検査装置３００の実施例を図１７に示す。本実施例は図１３で示した第一のＥＵＶペリクル検査機１００と同様の構成であるが、検査室７３内の光学系
を第３の光学系の実施例で図１２としたものである。検査工程は前記図１４および図１５と同一である。
【００６６】
本発明は、フォトマスクなど光学部品に対して周辺環境から降下してくる塵埃などに対して防護を目的とするペリクル膜の光学的品質の検査に適用可能であり、特にＥＵＶマスクに好適に適用可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１０・・・ＥＵＶマスク
１１・・・基板
１２・・・多層反射膜
１３・・・保護膜
１４・・・吸収膜
１５・・・裏面導電膜
２０・・・ＥＵＶ用ペリクル
２１・・・ペリクル膜
２２・・・保護膜
２３・・・接着剤
２４・・・ペリクルフレーム
２５・・・接着剤
３０・・・高密度部
３１・・・中間密度部
３２・・・低密度部
３４・・・薄い膜厚部
３５・・・中間膜厚部
３６・・・厚い膜厚部
３７・・・ピンホール部
３８・・・正常部
４１・・・入射波面
４２・・・出射波面
５１・・・Ｘ−Ｙステージ
５２・・・参照ミラー
５３・・・光源
５４・・・ミラー
５５・・・ミラー
５６・・・検出器
５７・・・検出器
５８・・・ライトチョッパー
５９・・・ミラー
６０・・・ミラー
６１・・・ミラー
７１・・・ロード室
７２・・・真空置換室
７３・・・検査室
７４・・・ペリクル台
７５・・・真空ポンプ
７６・・・圧力計
７７・・・昇降ステージ
７８・・・Ｘ−Ｙステージ
７９・・・ゲート
８０・・・制御器
８１・・・光源制御部
８２・・・ガス制御部
８３・・・検出器制御部
８４・・・真空制御部
８５・・・ステージ制御部
８６・・・ゲート制御部
８７・・・ＣＰＵ
８８・・・メモリ
８９・・・表示部
９０・・・キーボード
９１・・・回転円盤
９２・・・モータ
９３・・・開口部
９４・・・反射部
１００・・・ペリクル検査装置
２００・・・ペリクル検査装置
３００・・・ペリクル検査装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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