(57)【要約】【課題】長期信頼性に優れた半導体装置を作製するために有用な難燃性に優れた封止用樹脂組成物、および半導体装置を提供する。【解決手段】インターポーザ上に搭載された半導体素子を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、レゾール樹脂と、エポキシ樹脂と、メチロール基を有しないフェノール樹脂と、を含み、当該封止用樹脂組成物全量に対する臭素含有量が１５ｐｐｍ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターポーザ上に搭載された半導体素子を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、
レゾール樹脂と、
エポキシ樹脂と、
メチロール基を有しないフェノール樹脂と、
を含み、
当該封止用樹脂組成物全量に対する臭素含有量が１５ｐｐｍ以下である、封止用樹脂組成物。
【請求項２】
前記エポキシ樹脂が非ハロゲン化エポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の封止用樹脂組成物。
【請求項３】
前記レゾール樹脂は、２５℃において固形状である、請求項１または２に記載の封止用樹脂組成物。
【請求項４】
前記レゾール樹脂と前記エポキシ樹脂の合計量に対する前記レゾール樹脂の含有量が、２０質量％以上９０質量％以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の封止用樹脂組成物。
【請求項５】
当該封止用樹脂組成物全量に対する前記レゾール樹脂の含有量をＣ１とし、当該封止用樹脂組成物全量に対する前記エポキシ樹脂の含有量をＣ２としたとき、Ｃ１／Ｃ２の値が、０．２以上９以下である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の封止用樹脂組成物。
【請求項６】
無機充填剤を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の封止用樹脂組成物。
【請求項７】
前記無機充填剤は、平均粒径（Ｄ５０）が１．０μｍ以下である微粉シリカを含む、請求項６に記載の封止用樹脂組成物。
【請求項８】
当該封止用樹脂組成物全量に対する前記無機充填剤の含有量は、３０質量％以上７５質量％以下である、請求項６または７に記載の封止用樹脂組成物。
【請求項９】
１７５℃で３分加熱硬化した際の収縮率が０．７％以上３％以下である、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の封止用樹脂組成物。
【請求項１０】
モールドアンダーフィル材料として用いられる、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の封止用樹脂組成物。
【請求項１１】
顆粒状、シート状またはタブレット状に加工されている、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の封止用樹脂組成物。
【請求項１２】
インターポーザと、
前記インターポーザ上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子を封止する樹脂硬化体と、
を備え、
前記樹脂硬化体が、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物である半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止用樹脂組成物および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、たとえば、封止用樹脂組成物を用いて基板上に搭載された半導体素子を封止成形することにより形成される。このような封止用樹脂組成物に関する技術としては、たとえば特許文献１に記載のものが挙げられる。特許文献１には、エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、および無機充填剤を必須成分とする封止用エポキシ樹脂組成物が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１２０１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、本発明者らは、特許文献１に記載の技術を採用して、インターポーザ上に搭載された半導体素子を封止してなる半導体装置を作製した場合、得られた半導体装置について、配線にわずかな腐食が生じ、長期信頼性という観点において改善の余地があることを見出した。
【０００５】
以上を踏まえ、本発明は、長期信頼性に優れた半導体装置を作製するために有用な難燃性に優れた封止用樹脂組成物、および半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、インターポーザ上に搭載された半導体素子を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、
レゾール樹脂と、
エポキシ樹脂と、
メチロール基を有しないフェノール樹脂と、
を含み、
当該封止用樹脂組成物全量に対する臭素含有量が１５ｐｐｍ以下である、封止用樹脂組成物が提供される。
【０００７】
さらに、本発明によれば、インターポーザと、
前記インターポーザ上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子を封止する樹脂硬化体と、
を備え、
前記樹脂硬化体が、上記封止用樹脂組成物の硬化物である半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、長期信頼性に優れた半導体装置を作製するために有用な難燃性に優れた封止用樹脂組成物、および半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】構造体の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、インターポーザ上に搭載された半導体素子を封止するために用いられるものである。かかる封止用樹脂組成物は、レゾール樹脂と、エポキシ樹脂と、メチロール基を有しないフェノール樹脂と、を含み、当該封止用樹脂組成物全量に対する臭素含有量が１５ｐｐｍ以下であるものである。こうすることで、インターポーザ上に搭載された半導体素子を封止してなることを前提とした半導体装置の長期信頼性を向上することが可能であり、かつハロゲン化合物を実質的に含有させることなく、難燃性に優れた樹脂組成物を実現することができる。
【００１２】
インターポーザ上に搭載された半導体素子を封止してなることを前提としている従来の半導体装置は、使用時に配線にわずかな腐食が生じ、長期信頼性という観点において改善の余地を有していた。
【００１３】
半導体素子を封止成形するために用いる封止用樹脂組成物には、当該半導体素子を搭載した半導体装置を使用する際に加わる熱履歴に対処できる程度に優れた難燃性が要求される。かかる難燃性を実現すべく、従来の樹脂組成物には、ハロゲン元素のひとつであり難燃性に優れた臭素含有化合物を反応させた臭素系エポキシ樹脂等の含ハロゲン化合物が配合されてきた。しかし、半導体素子を封止成形するために用いる封止用樹脂組成物について、環境保全の観点から、近年、難燃材として配合していた含ハロゲン化合物の含有量を低減させることへの要求が高まっている。本発明者は、インターポーザ上に搭載された半導体素子を封止してなることを前提としている半導体装置について、従来の封止用樹脂組成物では十分な難燃効果が得られないことを知見した。くわえて、本発明者は、従来の封止用樹脂組成物に含まれている微量の含ハロゲン化合物に起因して発生したハロゲンガスによる影響で、配線に生じる腐食という不都合が顕在化することも見出した。
【００１４】
こうした事情を踏まえ、本発明者は、長期信頼性に優れ、かつインターポーザ上に搭載された半導体素子を封止してなることを前提としている半導体装置を作製するために有用な難燃性に優れた封止用樹脂組成物を実現すべく鋭意検討した結果、当該樹脂組成物の配合組成を工夫することが、その設計指針として有効であることを見出した。具体的には、本発明者は、レゾール樹脂と、エポキシ樹脂とを併用することを前提に、上述した２種類の樹脂にくわえて、メチロール基を有しないフェノール樹脂を併用することで、良好な難燃特性を付与し、かつ長期信頼性に優れた半導体装置を実現できるという知見を得て、本実施形態に係る封止用樹脂組成物を実現した。こうすることで、レゾール樹脂またはエポキシ樹脂のみを含む従来の樹脂組成物と比べて、封止材の界面剥離を効果的に抑制することが可能である。
【００１５】
また、本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、上述したように、レゾール樹脂と、エポキシ樹脂と、メチロール基を有しないフェノール樹脂と、を含むことを前提として、かかる樹脂組成物全量に対する臭素含有量が１５ｐｐｍ以下となるように制御した構成を採用している。このように、本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、樹脂組成物全量に対する臭素含有量について、ＩＥＣ６１２４９−２−２１に規定されているハロゲンフリーの定義として記載されている上限値（９００ｐｐｍ）を大幅に下回るように制御したものである。すなわち、本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、実質的に、臭素化エポキシ樹脂を含まないものである。こうすることで、半導体装置の高温高湿環境下における接続信頼性を向上させることができる。
具体的には、本実施形態に係る封止用樹脂組成物のように臭素含有量を上記数値範囲内とした場合、少なくとも銅ワイヤを備えた半導体装置については、かかる銅ワイヤと電極（たとえば、アルミ電極等）との接合部におけるＣｕ−Ａｌ系金属間化合物の成長を抑制することもできる。そのため、本実施形態に係る封止用樹脂組成物によれば、高温高湿環境下における接続信頼性に優れた半導体装置を実現することができる。また、本実施形態に係る封止用樹脂組成物による上述したＣｕ−Ａｌ系金属間化合物の成長抑制効果は、銅ワイヤの純度が高いほど顕在化する傾向にある。なお、半導体装置の高温高湿環境下における接続信頼性は、たとえば、ＨＡＳＴ（不飽和耐湿性試験）やＨＴＳＬ（高温保管試験）を行うことにより評価することが可能である。
【００１６】
ここで、本実施形態に係る封止用樹脂組成物において、当該封止用樹脂組成物全量に対する臭素含有量は、１５ｐｐｍ以下であるが、好ましくは、１０ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは、５ｐｐｍ以下である。こうすることで、半導体装置の長期信頼性をより一層顕著に向上させることができる。また、臭素含有量を上記数値範囲内とすることにより、近年要求されている半導体封止用樹脂組成物のハロゲンフリー化も合わせて実現することができる。それ故、本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、実質的に臭素及びアンチモンを含まない配合組成とすることが好ましい。
【００１７】
以下、本実施形態に係る封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体について詳細に説明する。
【００１８】
まず、封止用樹脂組成物について説明する。
封止用樹脂組成物は、上述したように、インターポーザ上に搭載された半導体素子を封止するために用いられる。封止用樹脂組成物を用いた封止成形方法としては、たとえば、トランスファー成形法、圧縮成形法、インジェクション成形法、ラミネーション法等が挙げられる。中でも、半導体装置の接続信頼性を向上させる観点から、上記封止成形方法としてトランスファー成形法または圧縮成形法、ラミネーション法を採用することが好ましい。また、かかる封止用樹脂組成物の形態は、顆粒状、タブレット状またはシート状に加工されたものであることが好ましい。なお、上記封止成形方法として圧縮成形法を採用する場合には、粉粒状の形態に加工された樹脂組成物を用いてもよい。また、タブレット状に加工された封止用樹脂組成物とは、封止用樹脂組成物の粉砕物をタブレット形状へ成形したものである場合を指す。
ここで、半導体素子は、ワイヤボンディングまたはフリップチップ接続等により、インターポーザに電気的に接続される。
【００１９】
封止用樹脂組成物を用いた封止成形によりインターポーザ上に搭載された半導体素子を封止して得られる半導体装置の具体例としては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＬＦ−ＢＧＡ（Ｌｅａｄ  Ｆｌａｍｅ  ＢＧＡ）が挙げられる。また、ＢＧＡやＣＳＰについては、半導体素子の上面が封止樹脂から露出したエクスポーズドタイプのパッケージであってもよい。また、本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、近年これらのパッケージの成形に多く適用されるＭＡＰ（Ｍｏｌｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｅ）成形により形成される構造体にも係るものである。この場合、インターポーザ上に搭載される複数の半導体素子を、封止用樹脂組成物を用いて一括して封止することにより上記構造体が得られる。
【００２０】
封止用樹脂組成物は、たとえばモールドアンダーフィル材料として用いることができる。モールドアンダーフィル材料は、基板上に配置された半導体素子の封止と、基板と半導体素子との間の隙間の充填と、を一括して行う材料である。これにより、半導体装置の製造時における工数の削減を図ることができる。また、本実施形態に係る封止用樹脂組成物を基板と半導体素子の間にも充填できることから、半導体装置に対して難燃特性を効果的に付与することも可能となる。
【００２１】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物を用いて形成される半導体装置においては、封止樹脂の厚さを０．４ｍｍ以下とすることが好ましく、０．３ｍｍ以下とすることがより好ましい。これにより、半導体パッケージの薄型化を図ることができる。また、インターポーザ上に搭載された半導体素子を封止してなることを前提とした半導体パッケージであっても、本実施形態に係る封止用樹脂組成物を用いることによって、パッケージ反りの発生を抑制することが可能となる。ここで、封止樹脂の厚さとは、インターポーザの一面の法線方向における、上記一面を基準とした封止樹脂の厚さを指す。また、本実施形態においては、たとえば封止樹脂の厚さを、有機基板の厚さ以下とすることができる。これにより、半導体パッケージをより効率的に薄型化することができる。
【００２２】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、半導体装置の反りや信頼性などに優れたものとする観点から、１７５℃で３分加熱硬化した際の収縮率Ｓ１が、０．７％以上３％以下であることが好ましく、０．８％以上２％以下であることがより好ましく、０．８５％以上１．５％以下であることがとくに好ましい。こうすることで、インターポーザの収縮量と樹脂組成物の硬化時の収縮量との整合がとれて半導体パッケージの反りが抑制された形状に安定させることができるものと考えられる。そのため、結果として、封止用樹脂組成物を用いて形成される半導体装置の室温における反りが抑制されるものと推測される。
【００２３】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、半導体装置の反りを抑制する観点から、１７５℃で３分加熱硬化した後、１７５℃で４時間熱処理して得られる硬化物の、２６０℃における曲げ弾性率Ｅ（２６０）が、好ましくは、０．５ＧＰａ以上３．０ＧＰａ以下であり、より好ましくは、０．５５ＧＰａ以上２．０ＧＰａ以下であり、最も好ましくは、０．５５ＧＰａ以上１．５ＧＰａ以下である。こうすることで、外部からの応力や、熱応力を効果的に緩和して、耐半田性等を向上させて、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。さらに、曲げ弾性率Ｅ（２６０）を上記数値範囲内とすることで、高温時における半導体装置の反りを効果的に抑制することもできる。これにより、たとえば半導体装置をプリント配線板へ実装する際のリフロー処理によって半導体装置に反りが発生することを抑制し、安定的な実装を可能とすることができる。
【００２４】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃で３分加熱硬化した後、１７５℃で４時間熱処理した際の収縮率Ｓ２が０．７％以上である。これにより、半導体装置の反りをより効果的に抑制することが可能となる。この理由は明らかではないが、後硬化後においても収縮率を一定以上に保つことができるため、クライ反りが抑制された成型品の形状を後硬化後も安定的に維持することができるためであると推測される。なお、半導体装置の反りを抑制する観点からは、収縮率Ｓ２が０．９％以上であることがより好ましく、０．９５％以上であることがとくに好ましい。
一方で、収縮率Ｓ２は、５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、２％以下であることがとくに好ましい。収縮率Ｓ２を上記上限値以下とすることにより、半導体装置の長期信頼性などを優れたものとすることができる。
【００２５】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃で３分加熱硬化した後、１７５℃で４時間熱処理して得られる硬化物の、２５℃における曲げ弾性率Ｅ（２５）が、１．０ＧＰａ以上であることが好ましく、３．０ＧＰａ以上であることがより好ましく、５．０ＧＰａ以上であることがとくに好ましい。曲げ弾性率Ｅ（２５）を上記下限値以上とすることにより、室温における半導体装置の反りをより効果的に抑制することが可能となる。一方で、曲げ弾性率Ｅ（２５）は、５０ＧＰａ以下であることが好ましく、３０ＧＰａ以下であることがより好ましく、２０ＧＰａ以下であることがとくに好ましい。曲げ弾性率Ｅ（２５）を上記上限値以下とすることにより、外部からの応力を効果的に緩和して、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。
【００２６】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃で３分加熱硬化した後、１７５℃で４時間熱処理して得られる硬化物の、２５℃における曲げ強度σ（２５）が、３０ＭＰａ以上であることが好ましく、５０ＭＰａ以上であることがより好ましい。これにより、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。曲げ強度σ（２５）の上限値は、たとえば３００ＭＰａとすることができる。
また、封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃で３分加熱硬化した後、１７５℃で４時間熱処理して得られる硬化物の、２６０℃における曲げ強度σ（２６０）が、１ＭＰａ以上であることが好ましく、５ＭＰａ以上であることがより好ましい。これにより、半導体装置の、とくに高温における信頼性を効果的に向上させることができる。曲げ強度σ（２６０）の上限値は、たとえば３００ＭＰａとすることができる。
【００２７】
上記収縮率Ｓ１および上記収縮率Ｓ２は、たとえば次のように測定することができる。まず、トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、成形圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分の条件下で封止用樹脂組成物を金型キャビティ内に注入成形して円盤状の第１試験片を作製する。次いで、第１試験片を２５℃まで冷却する。ここで、１７５℃における金型キャビティの内径寸法と、２５℃における第１試験片の外形寸法と、から以下のようにして収縮率Ｓ１（％）を算出する。
Ｓ１＝｛（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）−（２５℃における第１試験片の外径寸法）｝／（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）×１００
次いで、第１試験片に対し、１７５℃のオーブン中で４時間、熱処理して後硬化を行い、第２試験片を作製する。次いで、第２試験片を２５℃まで冷却する。ここで、１７５℃における金型キャビティの内径寸法と、２５℃における第２試験片の外形寸法と、から以下のようにして収縮率Ｓ２（％）を算出する。
Ｓ２＝｛（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）−（２５℃における第２試験片の外径寸法）｝／（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）×１００
【００２８】
上記曲げ弾性率Ｅ（２６０）、上記曲げ弾性率Ｅ（２５）、上記曲げ強度σ（２６０）、および上記曲げ強度σ（２５）は、たとえば次のように測定することができる。まず、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で封止用樹脂組成物を注入成形し、幅１０ｍｍ×厚さ４ｍｍ×長さ８０ｍｍの試験片を得る。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で熱処理して後硬化する。次いで、試験片の、２５℃における曲げ強度σ（２５）および曲げ弾性率Ｅ（２５）と、２６０℃における曲げ強度σ（２６０）および曲げ弾性率Ｅ（２６０）と、をＪＩＳ  Ｋ  ６９１１に準じて測定する。
【００２９】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃で３分加熱硬化した後、１７５℃で４時間熱処理することにより得られる硬化物のガラス転移温度Ｔｇが１６０℃以上であることが好ましく、１６５℃以上であることがより好ましい。これにより、半導体装置の耐熱性を効果的に向上させることができる。なお、ガラス転移温度Ｔｇの上限値は、たとえば２５０℃以下とすることができる。
【００３０】
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃で３分加熱硬化した後、１７５℃で４時間熱処理することにより得られる硬化物の、ガラス転移温度Ｔｇ以下における線膨張係数α１が、３ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。これにより、基板と封止樹脂との線膨張係数の差に起因した半導体パッケージにおける反りの発生を抑制することが可能となる。
また、封止用樹脂組成物は、たとえば１７５℃で３分加熱硬化した後、１７５℃で４時間熱処理することにより得られる硬化物の、ガラス転移温度Ｔｇ超過における線膨張係数α２が５ｐｐｍ／℃以上１５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。これにより、とくに高温環境下において、基板と封止樹脂との線膨張係数の差に起因した半導体パッケージの反りの発生をより効果的に抑制することが可能となる。
【００３１】
上記ガラス転移温度Ｔｇ、上記線膨張係数α１、および上記線膨張係数α２は、たとえば次にように測定することができる。まず、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で封止用樹脂組成物を注入成形し、１５ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの試験片を得る。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間の条件で熱処理して後硬化する。次いで、後硬化後の上記試験片に対し熱機械分析装置を用いた測定を行い、測定結果からガラス転移温度Ｔｇ、ガラス転移温度Ｔｇ以下における線膨張係数α１、ガラス転移温度Ｔｇ超過における線膨張係数α２を算出する。
【００３２】
なお、収縮率Ｓ１、収縮率Ｓ２、曲げ弾性率Ｅ（２６０）、曲げ弾性率Ｅ（２５）、曲げ強度σ（２６０）、曲げ強度σ（２５）、ガラス転移温度Ｔｇ、線膨張係数α１、および線膨張係数α２は、封止用樹脂組成物に含まれる各成分の種類や配合割合をそれぞれ調製することにより制御することが可能である。これらの中でも、収縮率Ｓ１、収縮率Ｓ２、曲げ弾性率Ｅ（２６０）、および曲げ弾性率Ｅ（２５）については、とくに後述するレゾール樹脂、エポキシ樹脂、メチロール基を有しないフェノール樹脂、無機充填剤による影響が大きいものと推測されている。
【００３３】
封止用樹脂組成物は、レゾール樹脂を含んでいる。
【００３４】
レゾール樹脂は、フェノール類とアルデヒド類を、塩基性物質を触媒として反応させて得られるものであり、フェノール性水酸基およびメチロール基を有するモノマー、オリゴマー、およびポリマー、ならびにこれらの混合物全般を用いることができる。レゾール樹脂の原料となるフェノール類は、たとえばフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール等のクレゾール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール等のキシレノール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール等のエチルフェノール、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等のブチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、ｐ−クミルフェノール等のアルキルフェノール、フルオロフェノール、クロロフェノール、ブロモフェノール、ヨードフェノール等のハロゲン化フェノール、ｐ−フェニルフェノール、アミノフェノール、ニトロフェノール、ジニトロフェノール、トリニトロフェノール等の１価フェノール置換体、および１−ナフトール、２−ナフトール等の１価のフェノール類、レゾルシン、アルキルレゾルシン、ピロガロール、カテコール、アルキルカテコール、ハイドロキノン、アルキルハイドロキノン、フロログルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ジヒドロキシナフタリン等の多価フェノール類等から選択される一種または二種以上を含む。また、レゾール樹脂の原料となるアルデヒド類は、たとえばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ポリオキシメチレン、クロラール、ヘキサメチレンテトラミン、フルフラール、グリオキザール、ｎ−ブチルアルデヒド、カプロアルデヒド、アリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、テトラオキシメチレン、フェニルアセトアルデヒド、ｏ−トルアルデヒド、およびサリチルアルデヒド等から選択される一種または二種以上を含む。
【００３５】
また、レゾール樹脂を合成する際に用いられる塩基性物質としては、たとえば水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物、カルシウム、マグネシウム、バリウム等のアルカリ土類金属の酸化物及び水酸化物、アンモニア、モノエタノールアミン等の第１級アミン、ジエタノールアミン等の第２級アミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロウンデセン等の第３級アミン等のアミン系化合物、および炭酸ナトリウム、ヘキサメチレンテトラミン等のアルカリ性物質等が挙げられる。これらは、一種を単独で用いてもよく、二種類以上組み合わせて使用してもよい。
【００３６】
レゾール樹脂は、たとえばメチロール型レゾール樹脂、もしくはジメチレンエーテル型レゾール樹脂、またはこれらを桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、半導体装置の反りを抑制する観点からはジメチレンエーテル型レゾール樹脂を用いることがより好ましく、２５℃で固形のジメチレンエーテル型レゾール樹脂を用いることがとくに好ましい。
【００３７】
レゾール樹脂の含有量は、レゾール樹脂と後述するエポキシ樹脂の合計量に対して２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、４０質量％以上であることがとくに好ましい。これにより、半導体装置の反りをより効果的に抑制することが可能となる。一方で、レゾール樹脂の含有量は、レゾール樹脂と後述するエポキシ樹脂の合計量に対して９０質量％以下であることが好ましく、８５質量％以下であることがよりに好ましい。これにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂の熱時曲げ弾性率を、所望の範囲内へ制御することが容易となる。このため、半導体装置の信頼性向上に寄与することが可能となる。
【００３８】
封止用樹脂組成物全量に対するレゾール樹脂の含有量をＣ１とし、封止用樹脂組成物全量に対するエポキシ樹脂の含有量をＣ２としたとき、Ｃ１／Ｃ２の値が、好ましくは、０．２以上９以下であり、さらに好ましくは、０．３以上５．５以下である。これにより、半導体装置の反りをより効果的に抑制することが可能となり、かつ封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂の熱時曲げ弾性率を、所望の範囲内へ制御することが容易となるため、結果として、半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。
【００３９】
封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含んでいる。エポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。本実施形態においては、エポキシ樹脂として、とくに非ハロゲン化エポキシ樹脂を採用することが好ましい。これにより、ハロゲン化エポキシ樹脂を含まない封止用樹脂組成物が実現される。
【００４０】
本実施形態において、エポキシ樹脂は、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂から選択される一種類または二種類以上を含むものである。
これらのうち、耐湿信頼性と成形性のバランスを向上させる観点からは、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、およびトリフェノールメタン型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一つを含むことがより好ましい。また、半導体装置の反りを抑制する観点からは、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂およびノボラック型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一つを含むことがとくに好ましい。さらに流動性を向上させるためにはビフェニル型エポキシ樹脂がとくに好ましく、高温の弾性率を制御するためにはフェノールアラルキル型エポキシ樹脂がとくに好ましい。
【００４１】
エポキシ樹脂としては、たとえば下記式（１）で表されるエポキシ樹脂、下記式（２）で表されるエポキシ樹脂、下記式（３）で表されるエポキシ樹脂、下記式（４）で表されるエポキシ樹脂、および下記式（５）で表されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含有するものを用いることができる。これらの中でも、下記式（１）で表されるエポキシ樹脂、および下記式（４）で表されるエポキシ樹脂から選択される一種以上を含むものがより好ましい態様の一つとして挙げられる。
【００４２】
【化１】
2017132914.tif 000003
【００４３】
（式（１）中、Ａｒ１はフェニレン基またはナフチレン基を表し、Ａｒ１がナフチレン基の場合、グリシジルエーテル基はα位、β位のいずれに結合していてもよい。Ａｒ２はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基のうちのいずれか１つの基を表す。ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。ｇは０〜５の整数であり、ｈは０〜８の整数である。ｎ３は重合度を表し、その平均値は１〜３である）
【００４４】
【化２】
2017132914.tif 000004
【００４５】
（式（２）中、複数存在するＲｃは、それぞれ独立に水素原子または炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ５は重合度を表し、その平均値は０〜４である）
【００４６】
【化３】
2017132914.tif 000005
【００４７】
（式（３）中、複数存在するＲｄおよびＲｅは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ６は重合度を表し、その平均値は０〜４である）
【００４８】
【化４】
2017132914.tif 000006
【００４９】
（式（４）中、複数存在するＲｆは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ７は重合度を表し、その平均値は０〜４である）
【００５０】
【化５】
2017132914.tif 000007
【００５１】
（式（５）中、複数存在するＲｇは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ８は重合度を表し、その平均値は０〜４である）
【００５２】
封止用樹脂組成物中におけるレゾール樹脂とエポキシ樹脂の合計の含有量は、封止用樹脂組成物全量に対して２質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましい。レゾール樹脂とエポキシ樹脂の合計の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性を向上させ、成形性のさらなる向上を図ることができる。一方で、封止用樹脂組成物中におけるレゾール樹脂とエポキシ樹脂の合計の含有量は、封止用樹脂組成物全量に対して５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましい。レゾール樹脂とエポキシ樹脂の合計の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂を備える半導体装置について、耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。
【００５３】
封止用樹脂組成物は、メチロール基を有しないフェノール樹脂を含む。メチロール基を有しないフェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤としても作用するものであり、これを用いることにより、封止用樹脂組成物について耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、および保存安定性等についてのバランスを向上させることができる。かかるメチロール基を有しないフェノール樹脂の具体例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型樹脂；ポリビニルフェノール；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、封止用樹脂組成物の充填性を向上させる観点や、半導体装置の反りを低減させる観点からは、アラルキル型樹脂およびノボラック型樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましい。
【００５４】
封止用樹脂組成物中におけるメチロール基を有しないフェノール樹脂の含有量は、封止用樹脂組成物全量に対して１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上であることがより好ましい。メチロール基を有しないフェノール樹脂の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性を向上させ、成形性のさらなる向上を図ることができる。一方で、封止用樹脂組成物中におけるメチロール基を有しないフェノール樹脂の含有量は、封止用樹脂組成物全量に対して５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましい。メチロール基を有しないフェノール樹脂の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂を備える半導体装置について、耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。
【００５５】
（硬化促進剤）
封止用樹脂組成物は、たとえば硬化促進剤をさらに含むことができる。硬化促進剤は、自己重合性を有するレゾール樹脂の架橋反応を促進させるもの、あるいは、エポキシ樹脂のエポキシ基とメチロール基を有しないフェノール樹脂のフェノール性水酸基との架橋反応を促進させるものであればよく、一般の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用するものを用いることができる。
【００５６】
本実施形態において、硬化促進剤は、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等が例示されるアミジンや３級アミン、前記アミジンやアミンの４級塩等の窒素原子含有化合物から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。また、成形性と硬化性のバランスを向上させる観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するものを含むことがより好ましい。
【００５７】
封止用樹脂組成物で用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィンが挙げられる。
【００５８】
封止用樹脂組成物で用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式（６）で表される化合物等が挙げられる。
【００５９】
【化６】
2017132914.tif 000008
【００６０】
（上記一般式（６）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は芳香族基またはアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１〜３の数、ｚは０〜３の数であり、かつｘ＝ｙである。）
【００６１】
一般式（６）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式（６）で表される化合物を沈殿させることができる。一般式（６）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。上記フェノール類としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコールなどの単環式フェノール類、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、アントラキノールなどの縮合多環式フェノール類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳなどのビスフェノール類、フェニルフェノール、ビフェノールなどの多環式フェノール類などが例示される。
【００６２】
封止用樹脂組成物で用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば、下記一般式（７）で表される化合物等が挙げられる。
【００６３】
【化７】
2017132914.tif 000009
【００６４】
（上記一般式（７）において、Ｒ８は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ９はヒドロキシル基を表す。ｆは０〜５の数であり、ｇは０〜３の数である。）
【００６５】
一般式（７）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。
【００６６】
封止用樹脂組成物で用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば、下記一般式（８）で表される化合物等が挙げられる。
【００６７】
【化８】
2017132914.tif 000010
【００６８】
（上記一般式（８）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５は水素原子または炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１４とＲ１５が結合して環状構造となっていてもよい。）
【００６９】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換またはアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。
【００７０】
また、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
【００７１】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
【００７２】
一般式（８）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ１０、Ｒ１１およびＲ１２がフェニル基であり、かつＲ１３、Ｒ１４およびＲ１５が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。
【００７３】
封止用樹脂組成物で用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（９）で表される化合物等が挙げられる。
【００７４】
【化９】
2017132914.tif 000011
【００７５】
（上記一般式（９）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８およびＲ１９は、それぞれ、芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｒ２０は、基Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。式中Ｒ２１は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｒ２０、およびＲ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
【００７６】
一般式（９）において、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８およびＲ１９としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等のアルキル基、アルコキシ基、水酸基などの置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。
【００７７】
また、一般式（９）において、Ｒ２０は、Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。同様に、Ｒ２１は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｒ２０およびＲ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（９）中の−Ｙ２−Ｒ２０−Ｙ３−、およびＹ４−Ｒ２１−Ｙ５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、分子内にカルボキシル基、または水酸基を少なくとも２個有する有機酸が好ましく、さらには芳香環を構成する隣接する炭素にカルボキシル基または水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物が好ましく、芳香環を構成する隣接する炭素に水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物がより好ましく、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２'−ビフェノール、１，１'−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオールおよびグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。
【００７８】
また、一般式（９）中のＺ１は、芳香環または複素環を有する有機基または脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基およびビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基等のグリシジルオキシ基、メルカプト基、アミノ基を有するアルキル基およびビニル基等の反応性置換基等が挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。
【００７９】
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。
【００８０】
本実施形態において、硬化促進剤の含有量は、封止用樹脂組成物全量に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましく、０．１５質量％以上であることがとくに好ましい。硬化促進剤の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止成形時における硬化性を効果的に向上させることができる。
一方で、硬化促進剤の含有量は、封止用樹脂組成物全量に対して２．０質量％以下であることが好ましく、１．０質量％以下であることがより好ましい。硬化促進剤の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止成形時における流動性の向上を図ることができる。
【００８１】
（無機充填剤）
封止用樹脂組成物は、たとえば無機充填剤を含むことができる。無機充填剤の構成材料としては、とくに限定されないが、たとえば溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられ、これらのうちいずれか１種以上を使用できる。これらの中でも、汎用性に優れている観点から、シリカを用いることがより好ましく、溶融シリカを用いることがとくに好ましい。また、無機充填剤は、球状であることが好ましく、さらには球状シリカであることが好ましい。これにより、封止成形時における封止用樹脂組成物の流動性を効果的に向上させることができる。
【００８２】
無機充填剤は、たとえば異なる平均粒径（Ｄ５０）の球状シリカを二種以上併用することができる。これにより、半導体装置の反りの抑制に寄与することも可能となる。また、本実施形態においては、無機充填剤が平均粒径１μｍ以下の微粉シリカを含むことが、封止用樹脂組成物の充填性を向上させる観点や、半導体装置の反りを抑制する観点から、好ましい態様の一つとして挙げられる。
【００８３】
無機充填剤の含有量は、封止用樹脂組成物全量に対して３０質量％以上であることが好ましく、３５質量％以上であることがより好ましい。無機充填剤の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂の低吸湿性および低熱膨張性を向上させ、耐湿信頼性や耐リフロー性をより効果的に向上させることができる。一方で、無機充填剤の含有量は、７５質量％以下であることが好ましい。無機充填剤の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性の低下にともなう成形性の低下や、高粘度化に起因したボンディングワイヤ流れ等を抑制することが可能となる。なお、無機充填剤の上記上限値については、上記に限られず、有機基板の線膨張係数等の物性や厚み等に合わせて適宜選択することが可能である。このような観点から、無機充填剤の含有量は、有機基板の種類にあわせて７０質量％以下とすることが可能である。
【００８４】
（カップリング剤）
封止用樹脂組成物は、たとえばカップリング剤を含むことができる。カップリング剤としては、たとえばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、メタクリルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を用いることができる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−［ビス（β−ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミンの加水分解物等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシランまたはビニルシランのシラン系化合物がより好ましい。また、充填性や成形性をより効果的に向上させる観点からは、フェニルアミノプロピルトリメトキシシランに代表される２級アミノシランを用いることがとくに好ましい。
【００８５】
カップリング剤の含有量は、封止用樹脂組成物全量に対して０．１質量％以上であることが好ましく、０．１５質量％以上であることがより好ましい。カップリング剤の含有量を上記下限値以上とすることにより、無機充填剤の分散性を良好なものとすることができる。一方で、カップリング剤の含有量は、封止用樹脂組成物全量に対して１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましい。カップリング剤の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止成形時における封止用樹脂組成物流動性を向上させ、充填性や成形性の向上を図ることができる。
【００８６】
（低応力剤）
封止用樹脂組成物は、たとえば低応力剤を含むことができる。低応力剤は、たとえばシリコーンオイル、シリコーンゴム、ポリイソプレン、１，２−ポリブタジエン、１，４−ポリブタジエン等のポリブタジエン、スチレン−ブタジエンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレン、ポリ（オキシプロピレン）、ポリ（オキシテトラメチレン）グリコール、ポリオレフィングリコール、ポリ−ε−カプロラクトン等の熱可塑性エラストマー、ポリスルフィドゴム、およびフッ素ゴムから選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、シリコーンゴム、シリコーンオイル、およびアクリロニトリル−ブタジエンゴムのうちの少なくとも一方を含むことが、曲げ弾性率や収縮率を所望の範囲に制御して、得られる半導体パッケージの反りの発生を抑える観点から、とくに好ましい態様として選択し得る。
【００８７】
低応力剤の含有量は、封止用樹脂組成物全量に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１０質量％以上であることがより好ましい。一方で、低応力剤の含有量は、封止用樹脂組成物全量に対して１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましい。低応力剤の含有量をこのような範囲に制御することにより、得られる半導体パッケージの反りをより確実に抑制することができる。
【００８８】
封止用樹脂組成物には、さらに必要に応じて、ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤；カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤；カルナバワックス等の天然ワックス、モンタン酸エステルワックス等の合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸およびその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼン等の難燃剤；酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい
【００８９】
封止用樹脂組成物としては、たとえば前述の各成分を、公知の手段で混合し、さらにロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で溶融混練し、冷却した後に粉砕したもの、粉砕後にタブレット状に打錠成型したもの、また必要に応じて適宜分散度や流動性等を調整したもの等を用いることができる。
【００９０】
次に、半導体装置１００について説明する。
図１は、半導体装置１００の一例を示す断面図である。半導体装置１００は、インターポーザ１０と、インターポーザ１０の一面上に搭載された半導体素子２０と、インターポーザ１０のうちの上記一面および半導体素子２０とを封止する封止樹脂３０と、を備えた半導体パッケージである。すなわち、半導体装置１００は、インターポーザ１０のうちの上記一面とは反対の他面が封止樹脂３０によって封止されない、片面封止型の半導体パッケージである。封止樹脂３０は、上述の封止用樹脂組成物の硬化物により構成される。これにより、半導体装置１００の反りを抑制することができる。なお、封止樹脂３０は、上述した封止用樹脂組成物を、たとえば、トランスファー成形法、圧縮成形法、インジェクション成形法、ラミネーション法等用いて封止成形することにより形成される。また、本実施形態において、半導体素子２０の上面は、図１に示すように封止樹脂３０により封止されていてもよく、封止樹脂３０から露出していてもよい。
【００９１】
図１においては、インターポーザ１０のうち半導体素子２０を搭載する表面とは反対側の裏面には、たとえば複数の半田ボール１２が設けられる。また、半導体素子２０は、たとえばインターポーザ１０上にフリップチップ実装される。この場合、半導体素子２０は、たとえば複数のバンプ２２を介してインターポーザ１０へ電気的に接続される。一方で、半導体素子２０は、ボンディングワイヤを介してインターポーザ１０へ電気的に接続されていてもよい。
【００９２】
図１に示す例では、半導体素子２０がインターポーザ１０上にフリップチップ実装されている。本例において、半導体素子２０とインターポーザ１０との間の隙間は、たとえばアンダーフィル３２によって充填される。このアンダーフィル３２としては、たとえばフィルム状または液状のアンダーフィル材料を使用することができる。一方で、封止用樹脂組成物は、たとえばモールドアンダーフィル材料として用いることもできる。この場合、半導体素子２０の封止と、インターポーザ１０と半導体素子２０との間の隙間の充填と、が一括して行われることとなる。
【００９３】
本実施形態において、封止樹脂３０の厚さは、たとえば０．４ｍｍ以下であることが好ましく、０．３ｍｍ以下であることがより好ましい。これにより、半導体パッケージの薄型化を図ることができる。また、このような薄型の半導体パッケージであっても、本実施形態に係る封止用樹脂組成物を用いて封止樹脂３０を形成することにより、半導体装置１００の反りを抑制することが可能となる。ここで、封止樹脂３０の厚さとは、インターポーザ１０のうちの半導体素子２０を搭載する一面の法線方向における、上記一面を基準とした封止樹脂３０の厚さを指す。また、本実施形態においては、たとえば封止樹脂３０の厚さを、インターポーザ１０の厚さ以下とすることができる。これにより、半導体装置１００をより効率的に薄型化することができる。
【００９４】
次に、構造体１０２について説明する。
図２は、構造体１０２の一例を示す断面図である。構造体１０２は、ＭＡＰ成形により形成された成形品である。このため、構造体１０２を半導体素子２０毎に個片化することにより、複数の半導体パッケージが得られることとなる。
【００９５】
構造体１０２は、インターポーザ１０と、複数の半導体素子２０と、封止樹脂３０と、を備えている。複数の半導体素子２０は、インターポーザ１０の一面上に配列されている。図２においては、各半導体素子２０が、インターポーザ１０に対してフリップチップ実装される場合が例示されている。この場合、各半導体素子２０は、複数のバンプ２２を介してインターポーザ１０へ電気的に接続される。一方で、各半導体素子２０は、ボンディングワイヤを介してインターポーザ１０に電気的に接続されていてもよい。なお、インターポーザ１０および半導体素子２０は、半導体装置１００において例示したものと同様のものを用いることができる。
図２に示す例では、各半導体素子２０とインターポーザ１０との間の隙間は、たとえばアンダーフィル３２によって充填される。アンダーフィル３２としては、たとえばフィルム状または液状のアンダーフィル材料を使用することができる。一方で、封止用樹脂組成物は、たとえばモールドアンダーフィル材料として用いることもできる。この場合、半導体素子２０の封止と、インターポーザ１０と半導体素子２０との間の隙間の充填と、が一括して行われる。
【００９６】
封止樹脂３０は、複数の半導体素子２０と、インターポーザ１０のうちの上記一面と、を封止している。この場合、インターポーザ１０のうちの上記一面とは反対の他面は、封止樹脂３０により封止されない。また、封止樹脂３０は、上述した封止用樹脂組成物の硬化物により構成される。これにより、構造体１０２や、構造体１０２を個片化して得られる半導体パッケージの反りを抑制することができる。封止樹脂３０は、たとえば封止用樹脂組成物をトランスファー成形法または圧縮成形法等の公知の方法を用いて封止成形することにより形成される。また、本実施形態において、各半導体素子２０の上面は、図２に示すように封止樹脂３０により封止されていてもよく、封止樹脂３０から露出していてもよい。
【００９７】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【実施例】
【００９８】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００９９】
（封止用樹脂組成物の調製）
まず、表１に従い配合された各原材料を常温でミキサーを用いて混合した後、７０〜１００℃でロール混練した。次いで、得られた混練物を冷却した後、これを粉砕して封止用樹脂組成物を得た。表１中における各成分の詳細は下記のとおりである。また、表１中の単位は、質量％である。くわえて、表１中に記載した臭素含有量（ｐｐｍ）については、イオンクロマトグラフを用い、燃焼管燃焼法にて測定した。かかる臭素含有量（ｐｐｍ）の値については、検出装置（イオンクロマトグラフ）による測定限界（５〜３０ｐｐｍ）を下回る値であった場合については、「ｎ．ｄ．」と評価した。
【０１００】
（レゾール樹脂）
レゾール樹脂１：ジメチルエーテル型レゾール樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−５３５２９）
【０１０１】
（エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂１：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００）
エポキシ樹脂２：下記式（１０）で表される化合物においてａ＝０である化合物を主成分とするエポキシ樹脂２５質量％と、下記式（１１）で表される化合物においてｄ＝０である化合物を主成分とするエポキシ樹脂７５質量％と、の混合物（三菱化学社製、ＹＬ６６７７）
エポキシ樹脂３：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−６６０）
エポキシ樹脂４：ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ４０００Ｋ）
エポキシ樹脂５：臭素化エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＢＲＥＮ−Ｓ）
【０１０２】
【化１０】
2017132914.tif 000012
【０１０３】
【化１１】
2017132914.tif 000013
【０１０４】
（メチロール基を有しないフェノール樹脂）
メチロール基を有しないフェノール樹脂１：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（日本化薬社製、ＧＰＨ−６５）
メチロール基を有しないフェノール樹脂２：フェノールアラルキル樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８００ＳＳ）
メチロール基を有しないフェノール樹脂３：フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−ＨＦ−３）
【０１０５】
（硬化促進剤）
硬化促進剤１：下記式（１３）で示される化合物
【０１０６】
【化１２】
2017132914.tif 000014
【０１０７】
（上記式（１３）で示される化合物の合成方法）
撹拌装置付きのセパラブルフラスコに４，４'−ビスフェノールＳ３７．５ｇ（０．１５モル）、メタノール１００ｍｌを仕込み、室温で撹拌溶解し、更に攪拌しながら予め５０ｍｌのメタノールに水酸化ナトリウム４．０ｇ（０．１モル）を溶解した溶液を添加した。次いで予め１５０ｍｌのメタノールにテトラフェニルホスホニウムブロマイド４１．９ｇ（０．１モル）を溶解した溶液を加えた。しばらく攪拌を継続し、３００ｍｌのメタノールを追加した後、フラスコ内の溶液を大量の水に撹拌しながら滴下し、白色沈殿を得た。沈殿を濾過、乾燥し、白色結晶の上記式（１３）で示される化合物を得た。
【０１０８】
（無機充填剤）
無機充填剤１：球状シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−５ＳＤＣ、平均粒径（Ｄ５０）４．５μｍ）
無機充填剤２：球状シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒径（Ｄ５０）０．５μｍ）
無機充填剤３：球状シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ５、平均粒径（Ｄ５０）１．６μｍ）
【０１０９】
（カップリング剤）
カップリング剤１：フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング社製、ＣＦ４０８３）
【０１１０】
（低応力剤）
低応力剤１：シリコーンオイル（東レダウコーニング社製、ＦＺ―３７３０）
低応力剤２：アクリロニトリル−ブタジエンゴム（宇部興産社製、ＣＴＢＮ１００８ＳＰ）
【０１１１】
（その他の成分）
離型剤：ＷＥ―４（クラリアントジャパン社製）
イオンキャッチャー：ＤＨＴ−４Ｈ（協和化学社製）
着色剤：カーボン＃５（三菱化学社製）
難燃剤：水酸化アルミニウム（住友化学社製、ＣＬ−３０３）
【０１１２】
（収縮率）
各実施例および各比較例のそれぞれについて、得られた封止用樹脂組成物の収縮率を次のように測定した。まず、トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、成形圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分の条件下で封止用樹脂組成物を金型キャビティ内に注入成形して円盤状の第１試験片を作製した。次いで、第１試験片を２５℃まで冷却した。ここで、１７５℃における金型キャビティの内径寸法と、２５℃における第１試験片の外形寸法と、から以下のようにして収縮率Ｓ１（％）を算出した。
Ｓ１＝｛（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）−（２５℃における第１試験片の外径寸法）｝／（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）×１００
【０１１３】
次いで、第１試験片に対し、１７５℃のオーブン中で４時間、後硬化を行い、第２試験片を作製した。次いで、第２試験片を２５℃まで冷却した。ここで、１７５℃における金型キャビティの内径寸法と、２５℃における第２試験片の外形寸法と、から以下のようにして収縮率Ｓ２（％）を算出した。
Ｓ２＝｛（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）−（２５℃における第２試験片の外径寸法）｝／（１７５℃における金型キャビティの内径寸法）×１００
結果を表１に示す。
【０１１４】
（ガラス転移温度、線膨張係数（α１、α２））
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度および線膨張係数を、次のように測定した。まず、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で封止用樹脂組成物を注入成形し、１５ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの試験片を得た。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で後硬化した後、熱機械分析装置（セイコー電子工業（株）製、ＴＭＡ１００）を用いて、測定温度範囲０℃〜３２０℃、昇温速度５℃／分の条件下で測定を行った。この測定結果から、ガラス転移温度以下における線膨張係数（α１）、ガラス転移温度超過における線膨張係数（α２）を算出した。表１中、α１とα２の単位はｐｐｍ／℃であり、ガラス転移温度の単位は℃である。
【０１１５】
（曲げ弾性率、曲げ強度）
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率および曲げ強度を、次のように測定した。まず、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で封止用樹脂組成物を注入成形し、幅１０ｍｍ×厚さ４ｍｍ×長さ８０ｍｍの試験片を得た。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で後硬化した。次いで、試験片の、２５℃における曲げ強度σ（２５）および曲げ弾性率Ｅ（２５）と、２６０℃における曲げ強度σ（２６０）および曲げ弾性率Ｅ（２６０）と、をＪＩＳ  Ｋ  ６９１１に準じて測定した。曲げ強度と曲げ弾性率の単位はＭＰａである。結果を表１に示す。
【０１１６】
（難燃性の評価）
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度および線膨張係数を、次のように測定した。まず、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で封止用樹脂組成物を注入成形し、３．２ｍｍ×１３ｍｍ×１２５ｍｍの試験片を得た。得られた試験片について、ポストキュアとして１７５℃で８時間処理した後、ＵＬ−９４垂直試験（試験片厚さ１／８ｉｎｃｈ）を行い、難燃性を判定した。ここでは、判定結果がＶ−０（１０秒以上燃焼を続けた試験片がない）である場合を、○とし、それ以外である場合を、×とした。
【０１１７】
（耐半田性の評価）
各実施例および各比較例のそれぞれについて、耐半田性の評価を行った。まず、次のタイプのパッケージ（以下、ＰＫＧと略す）をＭＡＰ成形用のトランスファー成形機を用いて準備した。１０×１０×０．１５ｍｍのＳｉチップをマウントした基板に、ＰＫＧサイズが１４×１４×０．４８ｍｍ、基板厚みが０．２８ｍｍ、樹脂厚みが０．２０ｍｍになるように設計したＰＫＧを用いた。次いで、上記ＰＫＧ１０個を、６０℃、相対湿度６０％の環境下に９６時間放置した。次いで、放置後のＰＫＧ１０個に対し、ＩＲリフロー処理（２６０℃）を行った。次いで、処理後のＰＫＧ内部を超音波探傷装置で観察し、封止樹脂と、チップや基板界面等と、において剥離が生じた面積を算出した。ここでは、１０個のＰＫＧにおける剥離面積の最大値が、封止樹脂の投影面積全体の５％未満であった場合を◎とし、５％以上１０％以下であった場合を○とし、１０％を超える場合を×とした。
【０１１８】
（高温保管特性の評価）
各実施例および各比較例のそれぞれについて、高温保管特性の評価を行った。まず、  アルミニウム製電極パッド（Ａｌ純度９９．９質量％、厚み１μｍのアルミニウムパッド）を備えるＴＥＧ（ＴＥＳＴ  ＥＬＥＭＥＮＴ  ＧＲＯＵＰ）チップ（３．５ｍｍ×３．５ｍｍ）を３５２ピンＢＧＡ（基板は厚さ０．５６ｍｍ、ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基板、パッケージサイズは３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ）のダイパッド部に接着し、ＴＥＧチップのアルミニウム製電極パッドと基板の電極パッドとをデイジーチェーン接続となるように、銅純度が９８．９９質量％の銅ワイヤを用いてワイヤピッチ８０μｍでワイヤボンディングした。これを、低圧トランスファー成形機（ＴＯＷＡ製「Ｙシリーズ」）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分の条件で、各封止用樹脂組成物を用いて封止成形して、３５２ピンＢＧＡパッケージを作製した。このパッケージを１７５℃、４時間の条件で後硬化した後、半導体装置を得た。
得られた半導体装置についてＨＡＳＴ（不飽和耐湿性試験）及びＨＴＳＬ（高温保管試験）を行った。その結果を表１に示す。なお、単位は、時間（ｈｏｕｒ）である。
具体的には、ＨＡＳＴは、ＩＥＣ６８−２−６６に準拠して実施した。試験条件は、温度を１３０℃、および１４０℃とし、８５％ＲＨ、印加電圧２０Ｖで処理し、不良が発生する時間を調べた。
また、ＨＴＳＬは、１７５℃で処理し、不良が発生する時間を調べた。
なお、ＨＡＳＴ及びＨＴＳＬにおいて不良の判定は、作製したパッケージ１０個を用いて評価し、初期抵抗に対する処理後の抵抗値が１．２倍を超えたパッケージが発生した時間を不良時間とした。
【０１１９】
【表１】
2017132914.tif 000015
【０１２０】
各実施例および各比較例のそれぞれに係る封止用樹脂組成物を用いて、図１に示す半導体装置を作製した。その結果、封止用樹脂組成物全量に対する臭素含有量が１５ｐｐｍ以下である各実施例の封止用樹脂組成物を用いて作製した半導体装置は、いずれも、配線に腐食が生じることのない長期信頼性にすぐれたものであった。一方、比較例の封止用樹脂組成物を用いて作製した半導体装置は、封止した半導体素子の配線に腐食が生じ、結果として長期信頼性の観点において、要求水準を満たすものではなかった。
【符号の説明】
【０１２１】
１００  半導体装置
１０２  構造体
１０  インターポーザ
１２  半田ボール
２０  半導体素子
２２  バンプ
３０  封止樹脂
３２  アンダーフィル
【図１】
2017132914.tif 000016
【図２】
2017132914.tif 000017