(57)【要約】【課題】特に半導体基板の薄化工程において発生した異物に起因する製造不良を低減することが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供すること。【解決手段】研削された一方の面を有する半導体基板ＷＡＦの他方の面と支持基板２２の一方の面とが接着された対象基板ＯＢの支持基板２２の他方の面側に接触して支持基板２２の他方の面を洗浄する洗浄部２６と、多孔性物質により構成された吸着部を備えると共に吸着部により対象基板ＯＢの半導体基板ＷＡＦの一方の面側を保持する置載部１８と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研削された一方の面を有する半導体基板の他方の面と支持基板の一方の面とが接着された対象基板の前記支持基板の他方の面側に接触して前記支持基板の他方の面を洗浄する洗浄部と、
多孔性物質により構成された吸着部を備えると共に前記吸着部により前記対象基板の前記半導体基板の一方の面側を保持する置載部と、
を含む半導体製造装置。
【請求項２】
前記吸着部は、前記対象基板の前記半導体基板の一方の面側を保持すると共に直径が２０μｍ以下の吸着孔を含む置載面を備え、
前記置載部は、前記吸着孔を介して前記置載面に負圧を付与する真空ラインをさらに備える
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記洗浄部は、前記支持基板の他方の面側に接触するブラシ、及び前記ブラシを前記支持基板の他方の面側に押圧する押圧部を備える
請求項１又は請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
一方の面に能動素子が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の一方の面に支持基板の一方の面を貼り付け対象基板を形成する貼付工程と、
前記対象基板の前記半導体基板の他方の面側を研削する研削工程と、
多孔性物質で構成された吸着部を備えた置載部により前記対象基板の前記半導体基板の他方の面側を真空吸着し、前記対象基板の前記支持基板の他方の面側に洗浄部を接触させて前記支持基板の他方の面を洗浄する洗浄工程と、
を含む半導体製造方法。
【請求項５】
前記洗浄工程の後に、前記半導体基板の他方の面をエッチングするエッチング工程をさらに含む
請求項４に記載の半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置、及び半導体製造方法に関し、特に異物除去装置を備えた半導体製造装置、及び異物除去装置を用いた半導体製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を製造する半導体製造工程では、各工程で発生する異物（パーティクル）を、各工程に適した異物除去装置を用いて除去することが行われてきた。例えば、リソグラフィ工程の前工程などでは、ブラシを用いて半導体基板（ウェハ）の表面に付着したパーティクルを除去するブラシスクラバが使用されてきた。
【０００３】
他方、近年では、製造される半導体素子の特性上等の理由から、半導体素子が形成されるウェハの薄型化の要求が高まっている。そのような半導体素子の一例として、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のウェハの厚さ（縦）方向に電流を流す電力用半導体素子がある。ＩＧＢＴ等の電力用半導体素子では、ウェハの裏面に電極を有するので、ウェハの厚さそのものによる抵抗成分が無視できない。そのため、ウェハの厚さに起因する半導体装置のオン特性あるいはオフ特性の劣化等を回避するように、ウェハに薄化加工を施し、ウェハの厚さをより薄くすることが求められている。
【０００４】
ウェハの薄化加工の一例として、半導体素子が形成されたウェハの表面に支持体を貼り合わせた後、ウェハの裏面を研削することによりウェハを薄膜化する技術がある。これは、ウェハを薄膜化（例えば、１００μｍ以下）すると、ウェハの自重により撓みが発生し、ハンドリング（取り扱い）が困難になる等の理由による。この薄膜化技術において、研削を行った後に支持体が貼り合わされていたウェハの表面に付着した糊剤などを除去する異物除去装置として、不活性ガスと洗浄液との混合物（２流体）をウェハの表面に吹き付けることで除去するジェットスクラバが知られている。
【０００５】
上記従来技術に関連して、特許文献１には、支持基板でウェハを保持し、ウェハの裏面を研削することにより６０μｍ程度の厚さとした薄型ウェハを用いてＩＧＢＴを形成する半導体素子の製造方法が開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、回転ブラシを用いたスクラバ洗浄装置が開示されている。特許文献２に開示されたスクラバ洗浄装置では、オゾン水噴出を伴った回転ブラシによるスクラブ洗浄を採用することにより有機物の除去が容易になるとされている。特許文献２に開示されたスクラバ洗浄装置では、ウェハ裏面を真空吸着するスピンチャックを支持台に配置してウェハを置載している。
【０００７】
一方、特許文献３には、ウェハの裏面を研削した後、ウェハの表面に不活性ガスと洗浄液の混合物（２流体）を供給して、支持体が接着されていたウェハの表面に付着したパーティクルを除去する洗浄装置（ジェットスクラバ）が開示されている。特許文献３に開示されたジェットスクラバでは、洗浄工程においてウェハを保持し回転させるチャックとしてポーラスチャック、又はスピンチャックを用いている。
【０００８】
ポーラスチャックとは、ウェハを置載するステージの置載面にポーラス（多孔質体）を配置し、該多孔質体を介して真空ポンプなどによりウェハに負圧を印加することによりウェハを吸着する装置（真空チャック）である。また、ここでいうスピンチャックとは、ウェハを置載するステージの置載面に真空ポンプ等に接続された吸引口を設け、この吸引口を介してウェハに負圧を印加することによりウェハを吸着する真空チャックである。つまり、従来技術においては、ウェハの裏面を研削した後のウェハ表面を洗浄するジェットスクラバのウェハの裏面吸着には、ポーラスチャックとスピンチャックとが用途等に合わせて適宜使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１２９６５３号公報
【特許文献２】特開２００２−２０８５８０号公報
【特許文献３】特開２０１３−２３６０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、ＩＧＢＴに代表される縦型の半導体素子の製造工程の一部である、ウェハの裏面を研削する工程（バックグラインド処理）においては、以下の問題があることが本発明者により明らかにされた。すなわち、ウェハの裏面の研削で生じるウェハの削れカス、例えばウェハがシリコンウェハの場合ではシリコンの削れカス等の異物が支持基板（例えば、サポートガラス）の表面に付着し、支持基板の表面に付着したこの異物を除去する必要があるという問題である。さらに、この異物は支持基板の表面に強固に付着するため、２流体を使用したジェットスクラバを用いても除去できず、ブラシスクラバによる除去が必要となることも明らかにされた。
【００１１】
一方、バックグラインド処理を行った後には、ウェハの裏面研削でダメージを受けた層を除去するためにウェハ裏面のウェットエッチング（バックエッチング）を行うのが一般的である。ところが、ブラシスクラバにより支持基板の表面に付着した異物を除去する工程においてスピンチャック型の真空チャックを用いると、後工程のウェットエッチング処理において、スピンチャックの置載面に配置された吸引口に沿った凹凸（チャック痕）が発生するという問題が判明した。このチャック痕が発生すると、ウェハの概観検査において不良となる可能性が高くなり、ウェハの歩留が低下するのでウェハのコストアップの要因となる。
【００１２】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、特に半導体基板の薄化工程において発生した異物に起因する製造不良を低減することが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体製造装置は、研削された一方の面を有する半導体基板の他方の面と支持基板の一方の面とが接着された対象基板の前記支持基板の他方の面側に接触して前記支持基板の他方の面を洗浄する洗浄部と、多孔性物質により構成された吸着部を備えると共に前記吸着部により前記対象基板の前記半導体基板の一方の面側を保持する置載部と、を含むものである。
【００１４】
また、上記目的を達成するために、本発明に係る半導体製造方法は、半導体基板の一方の面に能動素子を形成する形成工程と、前記半導体基板の一方の面に支持基板の一方の面を貼り付け対象基板を形成する貼付工程と、前記対象基板の前記半導体基板の他方の面側を研削する研削工程と、多孔性物質で構成された吸着部を備えた置載部により前記対象基板の前記半導体基板の他方の面側を真空吸着し、前記対象基板の前記支持基板の他方の面側に洗浄部を接触させて前記支持基板の他方の面を洗浄する洗浄工程と、を含むものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、特に半導体基板の薄化工程において発生した異物に起因する製造不良を低減することが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態に係る半導体製造装置の構成の一例を示す図である。
【図２】実施の形態に係る真空チャックの構成の一例を示す図である。
【図３】実施の形態に係る半導体素子の構成の一例を示す縦断面図である。
【図４】実施の形態に係る半導体製造方法を示すフローチャートである。
【図５】実施の形態に係るスクラバ洗浄処理を説明する図である。
【図６】比較例に係る半導体製造装置の構成を示す図である。
【図７】比較例に係る真空チャックの構成を示す図である。
【図８】比較例に係るスクラバ洗浄処理を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図１ないし図５を参照して、本実施の形態に係る半導体製造装置及び半導体製造方法について詳細に説明する。
【００１８】
図１に示すように、本実施の形態に係る半導体製造装置１０（異物除去装置）は、スクラブ部２６、洗浄液用配管１６、真空チャック３０、及び制御部４０を備えている。図１は、異物除去処理（スクラバ洗浄処理）の対象となる支持基板２２とウェハＷＡＦとが貼り合わされた処理対象基板ＯＢが、真空チャック３０に置載された状態を図示している。
ウェハＷＡＦは、例えばシリコンウェハであり、支持基板２２は、例えば石英ガラス製のサポートガラスである。
【００１９】
スクラブ部２６は、ブラシ１２、及び押圧部１４を含んで構成されている。ブラシ１２は、処理対象基板ＯＢにおける支持基板２２の表面、すなわちウェハＷＡＦが保持された面とは反対側の面に接触しつつ擦り洗いを行い、支持基板２２の表面に付着した異物を除去するためのものである。その際、異物の除去をより確実に行うために、ブラシ１２には押圧部１４から押圧Ｐが印加され、ブラシ１２と支持基板２２の表面との密着がより強固にされる。スクラブ部２６は、図視しない駆動部によって支持基板２２の径方向に移動可能なように構成されており、スクラブ部２６の移動によって支持基板２２の表面全体に対し擦り洗いが行われる。
【００２０】
洗浄液用配管１６は、図示しない洗浄液供給源からの洗浄液を通過させ、支持基板２２の表面に供給する部位である。洗浄液用配管１６の先端には図示しないノズルが設けられており、該ノズルを介して洗浄液が支持基板２２の表面にシャワー状に供給される。このように、本実施の形態では、ブラシ１２による擦り洗いは、ノズルによって支持基板２２の表面に洗浄液を供給しつつ行われる。
【００２１】
真空チャック３０は、置載部１８（ステージ）とチャック駆動部３２を備え、置載部１８に処理対象基板ＯＢを置載する。また、チャック駆動部３２は、置載部１８と置載部１８に置載された処理対象基板ＯＢを所定の速度で回転できる。
【００２２】
制御部４０は、スクラブ部２６と真空チャック３０を制御する機能を有し、処理対象基板ＯＢに付着した異物を効果的に除去可能な押圧Ｐ並びにスクラブ部２６の移動をスクラブ部２６に指示すると共に処理対象基板ＯＢを最適な速度で回転させる制御を真空チャック３０に対して行うことが可能である。
【００２３】
図２を参照して、真空チャック３０の構成についてより詳細に説明する。図２（ａ）は、置載部１８を図１の紙面上方より見た斜視図であり、図２（ｂ）は、真空チャック３０の縦断面図である。図２（ａ）に示すように、置載部１８は多孔質体２４を備え、置載部１８の置載面Ｓ（吸着面）と面一に多孔質体２４の表面が露出している。多孔質体とは、一般にセラミック多孔質焼結体のことをいい、セラミック粒子を高温で焼き固めたものである。多孔質体は気孔を有し通気性がありことから、チャックの吸着面に利用されている。
【００２４】
図２（ｂ）に示すように、多孔質体２４には、図示しない真空装置（真空ポンプ等）と接続された真空ライン２０が連通されている。そして、真空装置によって真空引きし、多孔質体２４に負圧を与えることによって処理対象基板ＯＢを吸着する。
【００２５】
次に、半導体製造装置１０による半導体製造方法について説明する。本実施の形態では、本発明に係る半導体製造方法を、ＩＧＢＴに代表される縦型の半導体素子の製造に適用した形態を例示して説明する。
【００２６】
まず、図３を参照して、本実施の形態に係る半導体素子１００の一例であるトレンチゲート構造のＩＧＢＴについて説明する。図３は、本実施の形態に係る半導体素子１００の縦断面図を示している。図３に示すように、半導体素子１００は、トレンチゲート１２４、ゲート酸化膜１２２、Ｎ型エミッタ層１１８、Ｐ型チャネル層１２０、中間膜１１６、表面金属電極１１２、及び保護膜１１４を含む基板の厚さ方向に流れる電流を制御する能動領域（絶縁ゲート構造）を備えている。また、該能動領域の下部には、Ｎ型基板１２６、バッファ層（フィールド・ストップ層：ＦＳ層）１２８、Ｐ型コレクタ層１３０、及び裏面金属電極１３２を備えている。Ｎ型基板１２６は、一例としてシリコン基板を用いている。本実施の形態に係るＮ型基板１２６は、最終的に６０μｍ〜８０μｍ程度に薄膜化される。
【００２７】
半導体素子１００では、トレンチゲート１２４に電圧を印加することでＰ型チャネル層１２０を経由してＮ型エミッタ層１１８からＮ型基板１２６（ドリフト層として機能する）に電子が注入され、Ｐ型コレクタ層１３０から正孔がＮ型基板１２６に注入される。これにより、Ｎ型基板１２６において伝導度変調効果が起こり、抵抗が大幅に減少して大電流を流すことが可能となる。この際バッファ層１２８はＮ型基板１２６中に広がった空乏層を止める機能を有している。
【００２８】
図４は、本実施の形態に係る半導体製造方法を示すフローチャートである。
【００２９】
まず、工程Ｐ１００で、ウェハＷＡＦ（半導体基板）の表面に、能動素子である回路素子（ＩＧＢＴ）を形成する（能動領域形成工程）。ウェハＷＡＦは、一例としてＮ型のシリコン基板を用いている。しかしながら、これに限られずＧａＡｓ基板等の他の基板を用いてもよい。
【００３０】
次に、工程Ｐ１０２で、支持基板２２をウェハＷＡＦの表面に貼り合わせる（支持基板接着工程）。支持基板２２に貼り合わせるウェハＷＡＦの面は、工程Ｐ１００で回路素子が形成された側の面である。以下、ウェハＷＡＦの回路素子が形成された面を「回路面」、回路面と反対側の面を「裏面」という場合がある。
【００３１】
次に、工程Ｐ１０４で、ウェハＷＡＦの裏面を機械的に研削し、ウェハを薄膜化する（裏面研削工程）。この研削は、例えば、インフィード式のグラインダ装置等を用いて行うことができる。
【００３２】
次に、工程Ｐ１０６で、支持基板２２の表面に付着したシリコンの削れカス等の異物を除去する（支持基板表面洗浄工程）。本工程において、本発明に係る半導体製造装置１０（異物除去装置）が使用される。
【００３３】
次に、工程Ｐ１０８で、工程Ｐ１０４におけるウェハＷＡＦの裏面研削により生じたダメージ層（切削痕）をウェットエッチング等を用いて除去し、鏡面加工する（裏面ウェットエッチング工程）。本ウェットエッチングの際の薬液としては、例えば、弗酸、硝酸、及びリン酸を含む混合薬液（エッチング液）を用いることができる。
【００３４】
次に、工程Ｐ１１０で、ウェハＷＡＦの裏面より不純物を注入する（裏面不純物注入工程）。本工程では、まず、ウェハＷＡＦの裏面から、例えばリン（３１Ｐ＋）を数百ｋｅＶの加速エネルギーでイオン注入してバッファ層（フィールドストップ層）１２８を形成する。続けて、ウェハＷＡＦの裏面から、例えばボロン（１１Ｂ＋）を数十ｋｅＶの加速エネルギーでイオン注入し、Ｐ型コレクタ層１３０を形成する。
【００３５】
次に、工程Ｐ１１２で、工程Ｐ１１０においてウェハＷＡＦの裏面から注入された不純物を活性化させる（裏面不純物活性化工程）。本工程は、例えば不純物に対するレーザアニール処理等によって行われる。
【００３６】
次に、工程Ｐ１１４で、ウェハＷＡＦの裏面に裏面金属電極１３２を形成する（裏面金属電極形成工程）。
【００３７】
以上の工程により、本実施の形態に係る半導体素子（ＩＧＢＴ）が回路面に形成された、ウェハレベルの半導体素子が完成する。その後はダイシング等を行って、適宜個別の半導体素子のチップに個片化する。
【００３８】
次に、図５を参照して、本実施の形態に係る半導体製造装置１０の作用について説明するが、その前に、図６ないし図８を参照して比較例に係る半導体製造装置（異物除去装置）の問題点について説明する。
【００３９】
図６に示すように、比較例に係る半導体製造装置５０は、スクラブ部２６、洗浄液用配管１６、及び真空チャック７０を備えている。図６は、半導体製造装置５０によるスクラバ洗浄処理の対象となる処理対象基板ＯＢが、真空チャック７０に置載された状態を図示している。半導体製造装置５０は、図１に示す半導体製造装置１０における真空チャック３０を真空チャック７０に変えた形態である。従って、真空チャック７０以外の構成は、半導体製造装置１０と同様であるので、同じ構成には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４０】
真空チャック７０は、置載部５２（ステージ）を備え、置載部５２に処理対象基板ＯＢを置載する。
【００４１】
図７（ａ）は、置載部５２を図６の紙面上方より見た斜視図を、図７（ｂ）は、真空チャック７０の縦断面図を各々示している。図７（ａ）に示すように、置載部５２の置載面Ｓには溝５６が設けられている。図７（ｂ）に示すように、溝５６は、図示しない真空装置（真空ポンプ等）に接続された真空ライン５４と連通しており、真空ライン５４を真空引きすることにより溝５６が真空状態とされ、処理対象基板ＯＢが置載面Ｓに真空吸着される。なお、溝５６の幅は、一例として約２ｍｍである。
【００４２】
半導体製造装置５０は、上記半導体製造方法の工程Ｐ１０６の支持基板表面洗浄工程において使用される。すなわち、当該工程において、半導体製造装置５０により、支持基板２２の表面に付着したシリコンの削れカス等の異物を除去するスクラバ洗浄処理が行われる。このスクラバ洗浄処理は、支持基板２２の表面に洗浄液を流しつつ、ブラシ１２をウェハＷＡＦ表面に押圧することでウェハＷＡＦの表面の洗浄を行う処理である。
【００４３】
図８を参照して、比較例に係るスクラバ洗浄処理についてより詳細に説明する。図８（ａ）は、上記工程Ｐ１０４の裏面研削工程終了後、処理対象基板ＯＢを置載部５２上に設置した状態を示している。この状態においては、異物Ｇ（シリコンの削れカス等）が支持基板２２の表面に付着している。上記工程Ｐ１０６では、図８（ａ）の状態の処理対象基板ＯＢに対し半導体製造装置５０を用いたスクラバ洗浄処理が行われる。
【００４４】
図８（ｂ）は、スクラバ洗浄処理後の処理対象基板ＯＢの状態を示している。図８（ｂ）に示すように、この状態において、ウェハＷＡＦの裏面には、置載部５２の溝５６に沿ってマイクロクラックＭが発生している。スクラバ洗浄処理において処理対象基板ＯＢを真空チャック７０に真空吸着した際には、ブラシ１２から処理対象基板ＯＢに対し押し付ける力が働く。真空チャック７０により強固に真空吸着されたウェハＷＡＦの裏面が、ブラシ１２により置載面Ｓにさらに押し付けられる。このことと、置載面Ｓの一部の領域に配置された幅が約２ｍｍの溝５６に形成される真空により処理対象基板ＯＢを吸着固定するために真空吸着力を高める必要があるということが相乗し、微小な傷、すなわちマイクロクラックＭが発生する。以上のようなメカニズムでマイクロクラックＭが発生することが、本発明者によって明らかにされた。
【００４５】
次に、工程Ｐ１０８においてウェハＷＡＦの裏面に対しウェットエッチング処理（バックエッチング）が行われる。ここで、本工程において、真空チャック７０（スピンチャック）の置載面Ｓの状態を反映した凹凸が発生するという問題が、本発明者により明らかにされた。これは、スクラバ洗浄処理において発生したウェハＷＡＦ裏面のマイクロクラックＭにウェットエッチング処理におけるエッチング液が浸透し、マイクロクラックＭ及びその近傍の領域を侵食、拡大して凹部Ｃ（チャック痕）を生ずるためと考えられる。本発明者の測定によると、凹部Ｃの深さは約１μｍであることがわかった。
【００４６】
図８（ｄ）に、ウェットエッチング処理後のウェハＷＡＦの裏面の状態を示す。凹部Ｃは、真空チャック７０の置載面ＳがウェハＷＡＦと接触した箇所に生じるため、置載面ＳとウェハＷＡＦとが接触する接触領域５２Ｓにおいて、溝５６の形状がウェハＷＡＦの裏面に転写されている。
【００４７】
本実施の形態に係る半導体製造装置１０は、比較例に係る半導体製造装置５０の上記問題、すなわちチャック痕の発生を抑制することを目的としている。
【００４８】
図５は、半導体製造装置１０を用いた場合のスクラバ洗浄処理を説明する図である。図５（ａ）は、上記工程Ｐ１０４の裏面研削工程終了後、処理対象基板ＯＢを置載部１８上に置載した状態を示している。この状態においては、異物Ｇ（シリコンの削れカス）が支持基板２２の表面に付着している。図５（ａ）の状態の処理対象基板ＯＢに対し、上記工程Ｐ１０６で、半導体製造装置１０を用いたスクラバ洗浄処理が行われる。
【００４９】
図５（ｂ）は、スクラバ洗浄処理後の処理対象基板ＯＢの状態を示している。図５（ｂ）に示すように、この状態において、ウェハＷＡＦの裏面には、マイクロクラックＭが発生していないか、あるいは発生しているとしてもごく微細である。これは、置載部１８に配置された多孔質体２４には気孔２８（吸着孔）が存在するものの、この気孔の直径が、例えば１０μｍ〜２０μｍと非常に微細であるため、スクラバ洗浄処理において、処理対象基板ＯＢを真空チャック３０に真空吸着した状態でブラシ１２から処理対象基板ＯＢに対し押し付ける力が働いても、圧力が分散される。さらに、置載面Ｓの外縁に隣接する領域に接して配置された多孔性物質の全面が、処理対象基板ＯＢのウェハＷＡＦの裏面を真空吸着するため、真空吸着力を低くすることが可能となるためである。
【００５０】
従って、工程Ｐ１０８においてウェハＷＡＦの裏面に対しウェットエッチング処理（バックエッチング）が行われても、マイクロクラックＭが微細であるため、マイクロクラックＭにエッチング液が浸透し、マイクロクラックＭを侵食することが極力抑えられる。そのため、図５（ｃ）に示すように、ウェハＷＡＦの裏面における凹部Ｃ（チャック痕）の発生が抑制され、このことにより、ウェハＷＡＦの外見検査において不良になる率が抑制される。
【００５１】
すなわち、本実施の形態に係る半導体製造装置、及び半導体製造方法によれば、ウェハＷＡＦの裏面を保持する置載部に多孔性物質（多孔質体）で構成された真空吸着部を備えることで、圧力を分散しつつ、真空吸着力を低くし、置載面の全体でウェハＷＡＦの裏面を真空吸着することが可能となる。そのため、ブラシによる洗浄時に十分な吸着力が確保でき、かつブラシがウェハＷＡＦを置載部に押し付けたとしても、ウェハＷＡＦの裏面に生じる微細な傷の発生を抑制できるという効果が得られる。このことにより、続いて行われるウェットエッチング処理において、ウェハＷＡＦの裏面に凹凸（凹部Ｃ、チャック痕）が発生することが抑制されるという効果を奏する。
【符号の説明】
【００５２】
１０    半導体製造装置
１２    ブラシ
１４    押圧部
１６    洗浄液用配管
１８    置載部
２０    真空ライン
２２    支持基板
２４    多孔質体
２６    スクラブ部
２８    気孔
３０    真空チャック
３２    チャック駆動部
４０    制御部
５０    半導体製造装置
５２    置載部
５２Ｓ  接触領域
５４    真空ライン
５６    溝
７０    真空チャック
１００  半導体素子
１１２    表面金属電極
１１４    保護膜
１１６    中間膜
１１８    Ｎ型エミッタ層
１２０    Ｐ型チャネル層
１２２    ゲート酸化膜
１２４    トレンチゲート
１２６    Ｎ型基板
１２８    バッファ層
１３０    Ｐ型コレクタ層
１３２  裏面金属電極
Ｃ      凹部
Ｇ      異物
Ｍ      マイクロクラック
Ｐ      押圧
Ｓ      置載面
ＷＡＦ  ウェハ
【図１】
2017212345.tif 000003
【図２】
2017212345.tif 000004
【図３】
2017212345.tif 000005
【図４】
2017212345.tif 000006
【図５】
2017212345.tif 000007
【図６】
2017212345.tif 000008
【図７】
2017212345.tif 000009
【図８】
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