(57)【要約】【課題】ドライフィルムレジストをマスクとして使用し、銅膜又は銅合金膜を有する金属膜の銅膜又は銅合金膜をエッチングするために用いられるエッチング液であって、サイドエッチング量が少なく、エッチングレートが高く、かつ、銅膜又は銅合金膜を選択的にエッチングすることが可能なエッチング液を提供すること。【解決手段】ドライフィルムレジストをマスクとして使用し、銅膜又は銅合金膜を有する金属膜の銅膜又は銅合金膜をエッチングするために用いられるエッチング液であって、（Ａ）銅イオン源、（Ｂ）無機酸、（Ｃ）トリエタノールアミン、及び、（Ｄ）アゾールを含有し、銅イオンの含有量が０．１〜１．３重量％であり、ｐＨが５．０未満であることを特徴とするエッチング液。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライフィルムレジストをマスクとして使用し、銅膜又は銅合金膜を有する金属膜の銅膜又は銅合金膜をエッチングするために用いられるエッチング液であって、
（Ａ）銅イオン源、
（Ｂ）無機酸、
（Ｃ）トリエタノールアミン、及び、
（Ｄ）アゾールを含有し、
銅イオンの含有量が０．１〜１．３重量％であり、
ｐＨが５．０未満であることを特徴とするエッチング液。
【請求項２】
（Ａ）銅イオン源は塩化銅又は硝酸銅である、請求項１に記載のエッチング液。
【請求項３】
（Ｂ）無機酸はリン酸、硫酸又は硝酸である、請求項１又は２に記載のエッチング液。
【請求項４】
（Ｄ）アゾールはイミダゾール又は２−メチルイミダゾールである、請求項１〜３のいずれか１項に記載のエッチング液。
【請求項５】
ドライフィルムレジストは、ｐＨ５．０未満の水溶液に２８℃で３分間浸漬した後の膨潤率が０．３〜１．０重量％である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のエッチング液。
【請求項６】
金属膜は、銅膜又は銅合金膜と、インジウム、亜鉛、スズ、ガリウム及びアルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有する酸化金属膜とを有する積層金属膜であり、銅膜又は銅合金膜を選択的にエッチングする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のエッチング液。
【請求項７】
酸化金属膜は、酸化インジウムスズ膜、酸化インジウム亜鉛膜及び酸化インジウムガリウム亜鉛膜からなる群から選択される少なくとも１つである、請求項６に記載のエッチング液。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のエッチング液を、ドライフィルムレジストをマスクとして使用し、銅膜又は銅合金膜を有する金属膜の銅膜又は銅合金膜と接触させる工程を含むことを特徴とするエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング液及びエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、プリント配線や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）において銅配線が使用されている。昨今、タッチパネルにおいても、普及の拡大に伴いより高性能化が求められ、現在主流のアルミニウム配線から、より低抵抗な銅配線への移行が望まれている。
【０００３】
プリント配線、ＴＦＴ、タッチパネルの銅配線を形成するために用いられるエッチング液には、エッチングレートが高く、サイドエッチング量が少ないことが要求される。また、タッチパネルの銅配線の下層には酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜があるため、銅膜又は銅合金膜を選択的にエッチングすることのできるエッチング液が求められている。
【０００４】
銅膜又は銅合金膜に用いるエッチング液として、例えば特許文献１及び２には、銅イオン、有機酸及び窒素含有化合物を含有するエッチング剤が記載されている。しかしながら、これらの有機酸を含有するエッチング液は、エッチングレートに対してサイドエッチング量の比率が大きいという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１２９３０４号公報
【特許文献２】特開２０１３−６５８９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ドライフィルムレジストをマスクとして使用し、銅膜又は銅合金膜を有する金属膜の銅膜又は銅合金膜をエッチングするために用いられるエッチング液であって、サイドエッチング量が少なく、エッチングレートが高く、かつ、銅膜又は銅合金膜を選択的にエッチングすることが可能なエッチング液を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、銅イオン源、トリエタノールアミン及びアゾールを含有するエッチング液において、無機酸を配合し、ｐＨを特定の範囲内に調整することによりサイドエッチング量が少なく、エッチングレートが高く、かつ、銅膜又は銅合金膜を選択的にエッチングすることが可能なエッチング液が得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００８】
すなわち、本発明のエッチング液は、
ドライフィルムレジストをマスクとして使用し、銅膜又は銅合金膜を有する金属膜の銅膜又は銅合金膜をエッチングするために用いられるエッチング液であって、
（Ａ）銅イオン源、
（Ｂ）無機酸、
（Ｃ）トリエタノールアミン、及び、
（Ｄ）アゾールを含有し、
銅イオンの含有量が０．１〜１．３重量％であり、
ｐＨが５．０未満であることを特徴とする。
【０００９】
本発明のエッチング液において、（Ａ）銅イオン源は塩化銅又は硝酸銅であることが好ましい。
【００１０】
本発明のエッチング液において、（Ｂ）無機酸はリン酸、硫酸又は硝酸であることが好ましい。
【００１１】
本発明のエッチング液において、（Ｄ）アゾールはイミダゾール又は２−メチルイミダゾールであることが好ましい。
【００１２】
本発明のエッチング液において、ドライフィルムレジストは、ｐＨ５．０未満の水溶液に２８℃で３分間浸漬した後の膨潤率が０．３〜１．０重量％であることが好ましい。
【００１３】
本発明のエッチング液において、金属膜は、銅膜又は銅合金膜と、インジウム、亜鉛、スズ、ガリウム及びアルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有する酸化金属膜とを有する積層金属膜であり、銅膜又は銅合金膜を選択的にエッチングすることが好ましい。また、酸化金属膜は、酸化インジウムスズ膜、酸化インジウム亜鉛膜及び酸化インジウムガリウム亜鉛膜からなる群から選択される少なくとも１つであることが好ましい。
【００１４】
本発明のエッチング方法は、本発明のエッチング液を、ドライフィルムレジストをマスクとして使用し、銅膜又は銅合金膜を有する金属膜の銅膜又は銅合金膜と接触させる工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のエッチング液は、（Ａ）銅イオン源、（Ｂ）無機酸、（Ｃ）トリエタノールアミン、及び、（Ｄ）アゾールを含有し、（Ｂ）無機酸によってｐＨが特定の範囲内に調整されているため、ドライフィルムレジストを適度に膨潤させることができるためサイドエッチング量が少なく、エッチングレートが高く、かつ、銅膜又は銅合金膜を選択的にエッチングすることが可能であり、ドライフィルムレジストをマスクとして使用し、銅膜又は銅合金膜を有する金属膜の銅膜又は銅合金膜をエッチングするために好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】参考例１〜７の結果をプロットしたグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜＜エッチング液＞＞
本発明のエッチング液は、
ドライフィルムレジストをマスクとして使用し、銅膜又は銅合金膜を有する金属膜の銅膜又は銅合金膜をエッチングするために用いられるエッチング液であって、
（Ａ）銅イオン源、
（Ｂ）無機酸、
（Ｃ）トリエタノールアミン、及び、
（Ｄ）アゾールを含有し、
銅イオンの含有量が０．１〜１．３重量％であり、
ｐＨが５．０未満であることを特徴とする。
【００１８】
＜（Ａ）銅イオン源＞
（Ａ）銅イオン源は、本発明のエッチング液において銅イオン（Ｃｕ２＋）の供給源となる成分である。Ｃｕ２＋は、銅膜又は銅合金膜中のＣｕを酸化してＣｕ＋とする酸化剤として作用し、この作用により銅膜又は銅合金膜のエッチングが進行する。（Ａ）銅イオン源としては、銅を含有する化合物であれば特に限定されないが、例えば、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅、リン酸銅、炭酸銅、過塩素酸銅等が挙げられる。これらの中では、溶解度及び安全性の観点から、塩化銅、硝酸銅が好ましい。これらの（Ａ）銅イオン源は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００１９】
本発明のエッチング液において、（Ａ）銅イオン源から供給される銅イオンの含有量は、０．１〜１．３重量％である限り特に限定されないが、０．２〜１．２重量％であることが好ましく、０．３〜１．０重量％であることがより好ましい。銅イオンの含有量が０．１重量％未満であると、エッチングレートが低くなることがあり、１．３重量％を超えると、サイドエッチング量が多くなることがある。
【００２０】
＜（Ｂ）無機酸＞
（Ｂ）無機酸としては、特に限定されないが、例えば、リン酸、硫酸、硝酸、塩酸、過塩素酸等が挙げられる。これらの中では、サイドエッチングの抑制の観点から、リン酸、硫酸、硝酸が好ましい。これらの（Ｂ）無機酸は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００２１】
本発明のエッチング液において、（Ｂ）無機酸の含有量は特に限定されないが、エッチング液中、１．０〜１５重量％であることが好ましく、３〜９重量％であることがより好ましい。（Ｂ）無機酸の含有量が１．０重量％未満である場合や１５重量％を超える場合には、サイドエッチング量が多くなることがある。
【００２２】
＜（Ｃ）トリエタノールアミン＞
（Ｃ）トリエタノールアミンは、本発明のエッチング液において、エッチングレートを向上させる機能を有する。また、銅膜又は銅合金膜のエッチングにより発生した銅イオンと錯体を形成し、銅イオンを安定化させ、銅の析出を防止する機能を有する。
【００２３】
本発明のエッチング液において、（Ｃ）トリエタノールアミンの含有量は特に限定されないが、エッチング液中、１〜１２重量％であることが好ましく、３〜１０重量％であることがより好ましい。（Ｃ）トリエタノールアミンの含有量が１重量％未満である場合や１２重量％を超える場合には、サイドエッチング量が多くなることがある。
【００２４】
＜（Ｄ）アゾール＞
（Ｄ）アゾールは、本発明のエッチング液において、エッチングレートを向上させるとともに、サイドエッチングを抑制する機能を有する。また、銅膜又は銅合金膜のエッチングにより発生した銅イオンと錯体を形成し、銅イオンを安定化させ、銅の析出を防止する機能を有する。
【００２５】
（Ｄ）アゾールとしては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、ピラゾール、イミダゾリン、ピロール、チアゾール、オキサゾール、フラザン、２，４−ジメチルイミダゾール、２，４，５−トリメチル−１Ｈ−イミダゾール、２，２，４−トリメチル−２Ｈ−イミダゾール、１−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール等が挙げられる。これらの中では、エッチングレートの向上及びサイドエッチングの抑制の観点から、イミダゾール、２−メチルイミダゾールが好ましい。これらの（Ｄ）アゾールは、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００２６】
本発明のエッチング液において、（Ｄ）アゾールの含有量は特に限定されないが、エッチング液中、１重量％以上であることが好ましく、３重量％以上であることがより好ましい。（Ｄ）アゾールの含有量が１重量％未満であると、エッチングレートが低く、サイドエッチング量が多くなることがある。（Ｄ）アゾールの含有量の上限は、特に限定されないが、例えば、１０重量％である。
【００２７】
本発明のエッチング液は、（Ａ）銅イオン源、（Ｂ）無機酸、（Ｃ）トリエタノールアミンおよび（Ｄ）アゾール以外に、任意に他の成分を含有していてもよい。他の成分としては、例えば、溶媒、界面活性剤、ｐＨ調整剤、酸化剤、防食剤等が挙げられる。
【００２８】
＜溶媒＞
溶媒としては、銅がイオン化されるものであれば特に制限されることはないが、好ましくは水である。使用される水としては、イオン交換水、純水、超純水等のイオン性物質や不純物を除去した水が好ましい。溶媒の他の具体例としてはアルコール類、エーテル類、グリコール類、グリコールエーテル等が挙げられる。これらの溶媒は１種類のみを使用してもいいし、２種以上を混合して使用してもよい。本発明のエッチング液が溶媒を含有する場合、その含有量は、特に限定されないが、エッチング液中、６０〜９７重量％であることが好ましく、７０〜９０重量％であることがより好ましい。溶媒として、水と他の溶媒との混合物を用いる場合、水の占める割合は溶媒中６０重量％以上であることが好ましい。
【００２９】
＜界面活性剤＞
本発明のエッチング液に界面活性剤を配合することにより、濡れ性が向上し、エッチングムラを防止することができる。界面活性剤としては、特に限定されないが、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル等のノニオン界面活性剤や親油基にフッ素を含有してなる界面活性剤、ベタイン等の両性界面活性剤、脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル、アルキルリン酸エステル塩等のアニオン界面活性剤、グリコールやグリコールエーテルとそれらの縮合物等が挙げられる。これらの界面活性剤は単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。本発明のエッチング液が界面活性剤を含有する場合、その含有量は特に限定されないが、エッチング液中、０．００１〜３０重量％であることが好ましい。
【００３０】
＜ｐＨ調整剤＞
ｐＨ調整剤としては、特に限定されないが、例えば、アンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、エタノールイソプロパノールアミン、ジエタノールイソプロパノールアミン、エタノールジイソプロパノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、ヒドロキシルアミン等のアミン、グリコール酸等のカルボン酸等が挙げられる。これらのｐＨ調整剤は単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。本発明のエッチング液がｐＨ調整剤を含有する場合、その含有量は特に限定されないが、エッチング液中、０．００１〜３０重量％であることが好ましい。
【００３１】
＜酸化剤＞
本発明のエッチング液に酸化剤を配合することにより、エッチング時に生成されるＣｕ＋を酸化してより安定なＣｕ２＋とすることができる。酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、過塩素酸、過マンガン酸塩等が挙げられる。これらの酸化剤は単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。本発明のエッチング液が酸化剤を含有する場合、その含有量は特に限定されないが、エッチング液中、０．００１〜１０重量％であることが好ましい。
【００３２】
＜防食剤＞
本発明のエッチング液に防食剤を配合することにより、銅膜又は銅合金膜と酸化金属膜のエッチング選択比を向上させ銅膜又は銅合金膜をより選択的にエッチングすることができる。防食剤としては、一般的なものであれば使用できる。本発明のエッチング液が防食剤を含有する場合、その含有量は特に限定されないが、エッチング液中、０．００１〜５重量％であることが好ましい。
【００３３】
本発明のエッチング液のｐＨは、５．０未満である限り特に限定されないが、０．５〜５．０未満であることが好ましく、１．０〜５．０未満であることがより好ましい。さらに金属膜に酸化インジウムスズ膜（ＩＴＯ層）を有する場合には、ＩＴＯの腐食を抑制する観点から、ｐＨが２．０〜５．０未満であることが好ましい。ｐＨが０．５未満である場合や５．０以上の場合には、サイドエッチング量が多くなることがある。
【００３４】
本発明のエッチング液が（Ａ）銅イオン源として塩化銅を含有する場合等には、本発明のエッチング液は塩素イオンを含有する。これらの場合において、塩素イオンの含有量は、特に限定されないが、エッチング液中、０．１〜２．０重量％であることが好ましく、０．３〜１．５重量％であることがより好ましい。塩素イオンの含有量が０．１重量％未満である場合や２．０重量％を超える場合には、サイドエッチング量が多くなることがある。
【００３５】
本発明でマスクとして使用されるドライフィルムレジストについて、ｐＨ５．０未満の水溶液に２８℃で３分間浸漬した後の膨潤率は、特に限定されないが、０．３〜１．０重量％であることが好ましく、０．５〜０．８５重量％であることがより好ましい。膨潤率が０．３重量％未満であると、サイドエッチング量が多くなることがあり、１．０重量％を超えると、エッチング後のＣｕ線幅がまばらになることがある。
【００３６】
膨潤率は、ｐＨを変化させた水溶液にドライフィルムレジストを浸漬させ、その前後の重量変化から計算できる。具体的には、膜厚１０μｍのドライフィルムレジストを面積が約２００ｃｍ２となるように切り出して重量を測定し（浸漬前の重量）、硫酸又は水酸化ナトリウム水溶液を目的ｐＨとなるよう水で希釈して調整した水溶液に、２８℃で３分間浸漬し、その後ドライフィルムレジストを水洗、窒素ブローすることで水分を飛ばした後に再度重量を測定し（浸漬後の重量）、浸漬前後のドライフィルムレジストの重量変化から下記式により膨潤率を算出することができる。
膨潤率（重量％）＝（（浸漬後のドライフィルムレジストの重量）−（浸漬前のドライフィルムレジストの重量））×１００／（浸漬前のドライフィルムレジストの重量）
【００３７】
ここで、ドライフィルムレジストは、感光性の材料であれば特に限定されず、ポジ型、ネガ型いずれも使用できるが、ネガ型であることが好ましい。また、ドライフィルムレジストとしてはアクリル系のものが好ましく、例えば、旭化成イーマテリアルズ株式会社製ＳＵＮＦＯＲＴ、日立化成株式会社製フォテック、デュポン株式会社製Ｒｉｓｔｏｎ等が挙げられる。
【００３８】
なお、本明細書においては、膨潤率を、露光後のドライフィルムレジストを用いて測定する。具体的には、ドライフィルムレジストがネガ型である場合、波長３６５ｎｍの光線を、照度２４ｍＷ／ｃｍ２で６秒間照射したものを用いて重量変化を測定すればよい。
【００３９】
＜用途＞
本発明のエッチング液は、ドライフィルムレジストをマスクとして使用し、銅膜又は銅合金膜を有する金属膜の銅膜又は銅合金膜をエッチングするために用いられる。
【００４０】
本発明のエッチング液の用途の一例として、半導体、ガラス、樹脂等の基板と、必要に応じてＩＴＯ層などの酸化金属膜と、銅膜又は銅合金膜と、ドライフィルムレジストが順に積層された積層体において、ドライフィルムレジストをパターニングし、これをマスクとして本発明のエッチング液を用いて銅膜又は銅合金膜を選択的にエッチングすることにより、銅配線を形成することができる。銅配線の具体例としては、特に限定されないが、例えば、プリント配線の他、比較的微細加工が要求されるパッケージ用配線、タッチパネル用配線、更なる微細加工が必要なＴＦＴ用配線等が挙げられる。なお、必要に応じて基板と金属膜との密着性、或いは金属膜間の密着性を向上させるための密着層を設けても良い。
【００４１】
金属膜は、銅膜又は銅合金膜を有するものであれば特に限定されない。態様としては、例えば、銅膜単独、銅合金膜単独、銅膜及び銅合金膜の併用、銅膜又は銅合金膜と酸化金属膜との併用、銅膜及び銅合金膜と酸化金属膜との併用等が挙げられる。銅と合金を形成する金属としては、特に限定されないが、例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎｉ等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕの拡散バリア性、耐食性の観点から、Ｍｇ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｎｉが好ましい。これらの金属は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００４２】
銅膜又は銅合金膜は低抵抗だが透明性は酸化金属膜に劣る。一方で酸化金属膜は銅膜又は銅合金膜よりも高抵抗であるが、透明性は高い。これらのことから、金属膜は、透明性と導電性を両立させる観点から、銅膜又は銅合金膜と、インジウム、亜鉛、スズ、ガリウム及びアルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有する酸化金属膜とを有する積層金属膜であることが好ましい。このような酸化金属膜としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）膜、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、酸化アルミ亜鉛（ＡＺＯ）膜、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）膜等が挙げられる。特に、透明性の観点から、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）膜、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）膜が好ましい。
【００４３】
＜＜エッチング方法＞＞
本発明のエッチング方法は、本発明のエッチング液を、ドライフィルムレジストをマスクとして使用し、銅膜又は銅合金膜を有する金属膜の銅膜又は銅合金膜と接触させる工程を含むことを特徴とする。金属膜として銅膜又は銅合金膜以外に酸化金属膜を有する場合、本発明のエッチング液は銅膜又は銅合金膜の選択的エッチングに有効である。
【００４４】
エッチング条件は特に限定されず、通常、エッチング温度２０〜５０℃、エッチング時間３０〜３００秒の条件で行えばよい。本発明のエッチング液によれば、ウェットエッチングを行った際に、被エッチング層（銅膜又は銅合金膜）のサイドエッチングを抑制することができる。
【００４５】
本発明のエッチング液を、ドライフィルムレジストと積層された銅膜又は銅合金膜と接触させる方法としては、特に限定されないが、例えば、シャワー式、浸漬式、揺動浸漬式、ＵＳ浸漬式等が挙げられる。また、エッチング液中の銅イオンの濃度や酸化還元電位、比重、酸濃度によるオートコントロール等の周知の様々な方式で使用することができる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。以下、「部」又は「％」は特記ない限り、それぞれ「重量部」又は「重量％」を意味する。
【００４７】
（使用材料）
１．（Ａ）銅イオン源
・塩化銅
・硝酸銅
２．（Ｂ）無機酸
・リン酸
・硫酸
・硝酸
３．有機酸
・酢酸
・リンゴ酸
・シュウ酸
４．（Ｃ）トリエタノールアミン
・トリエタノールアミン（ＴＥＡ）
５．（Ｄ）アゾール
・イミダゾール
【００４８】
（実施例１〜６、比較例１〜７）
下記表１に示す重量比で各成分を混合し、エッチング液を得た。得られたエッチング液について、後述する方法によりＣｕエッチングレート、３０ｓエッチング時の片側Ｃｕサイドエッチング量、３０ｓエッチング時の片側Ｃｕサイドエッチング量／Ｃｕエッチングレート、ｐＨ、及び、ＩＴＯダメージを評価した。結果を表１に示す。
【００４９】
（評価方法）
１．Ｃｕエッチングレート
Ｃｕ薄膜の膜厚を測定し、２８℃のエッチング液に５秒間浸漬した。浸漬後Ｃｕ薄膜を取出し、浸漬後のＣｕ膜厚を測定した。浸漬前後のＣｕ膜厚の差を浸漬時間で割りＣｕエッチングレートとした。なお、Ｃｕエッチングレートは浸漬時間を分に換算して算出した。
【００５０】
２．３０ｓエッチング時の片側Ｃｕサイドエッチング量
Ｃｕ薄膜上にドライフィルムレジストを貼り付け、波長３６５ｎｍの光線を、照度２４ｍＷ／ｃｍ２で６秒間照射した。その後２５℃の０．０５％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に３０秒間浸漬することで現像・パターニングし、２８℃のエッチング液に３０秒間浸漬した。水洗、窒素ブローすることで水分を飛ばした後にドライフィルムレジスト端からサイドエッチされたＣｕ端までの距離を測定し３０ｓエッチング時の片側Ｃｕサイドエッチング量とした。
【００５１】
３．３０ｓエッチング時の片側Ｃｕサイドエッチング量／Ｃｕエッチングレート
３０ｓエッチング時の片側Ｃｕサイドエッチング量をＣｕエッチングレートで割って求めた。
【００５２】
４．ｐＨ
２５℃のエッチング液のｐＨを、株式会社堀場製作所製ｐＨ  ＭＥＴＥＲ  Ｆ−５２を用いて測定した。
【００５３】
５．ＩＴＯダメージ
基板、密着層、ＩＴＯ薄膜、Ｃｕ薄膜の順に積層し、さらにＣｕ薄膜の上部にドライフィルムレジストを貼り付け、波長３６５ｎｍの光線を、照度２４ｍＷ／ｃｍ２で６秒間照射した。その後２５℃の０．０５％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に３０秒間浸漬することで現像・パターニングし、２８℃のエッチング液に３０秒間浸漬した。水洗、窒素ブローすることで水分を飛ばした後に、目視にてＩＴＯの腐食を確認し、下記の基準で評価した。
○：腐食無し
△：一部のみ腐食
×：大部分が腐食
【００５４】
【表１】
2017212358.tif 000002
【００５５】
（参考例）
硫酸又は水酸化ナトリウム水溶液を目的ｐＨとなるよう水で希釈することにより、１．３〜８．１の互いに異なるｐＨを有する水溶液を調整した。これらの水溶液を用いて、ｐＨ変化によるアクリル系ドライフィルムレジストの膨潤率変化について測定した。具体的には、まず、ドライフィルムレジストに波長３６５ｎｍの光線を照度２４ｍＷ／ｃｍ２で６秒間照射した。その後２５℃の０．０５％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に３０秒間浸漬することで現像した。次に、上述の方法により露光、現像した後のドライフィルムレジスト（膜厚１０μｍ）約２００ｃｍ２の重さを測定し（浸漬前の重量）、ｐＨを変化させた水溶液に２８℃で３分浸漬した。その後ドライフィルムレジストを水洗、窒素ブローすることで水分を吹き飛ばした後、重量を測定した（浸漬後の重量）。浸漬前後のドライフィルムレジストの重量変化から下記式により膨潤率を計算した。結果を表２及び図１に示す。
膨潤率（重量％）＝（（浸漬後のドライフィルムレジストの重量）−（浸漬前のドライフィルムレジストの重量））×１００／（浸漬前のドライフィルムレジストの重量）
【００５６】
【表２】
2017212358.tif 000003
【図１】
2017212358.tif 000004