(57)【要約】【課題】モールド樹脂の材料の使用を抑えたウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】格子状の分割予定ラインによって区画された複数の領域の表面に、電極バンプを有するデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、該分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側からウェーハの仕上がり厚さ以上の深さの溝を形成する溝形成ステップと、該溝にモールド樹脂を充填する樹脂充填ステップと、該モールド樹脂が充填された該溝に沿って該溝の幅より狭い幅の分割溝を形成することにより、デバイスチップの側面を被覆する該モールド樹脂でなる膜を形成する分割溝形成ステップと、を備え、該樹脂充填ステップでは、インクジェット法により該モールド樹脂を形成する材料を該溝に選択的に供給し、該電極バンプは該モールド樹脂から露出していることを特徴とするウェーハの加工方法。【選択図】図６
2017212242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子状の分割予定ラインによって区画された複数の領域の表面に、電極バンプを有するデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
該分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側からウェーハの仕上がり厚さ以上の深さの溝を形成する溝形成ステップと、
該溝にモールド樹脂を充填する樹脂充填ステップと、
該モールド樹脂が充填された該溝に沿って該溝の幅より狭い幅の分割溝を形成することにより、デバイスチップの側面を被覆する該モールド樹脂でなる膜を形成する分割溝形成ステップと、を備え、
該樹脂充填ステップでは、インクジェット法により該モールド樹脂を形成する材料を該溝に選択的に供給し、該電極バンプは該モールド樹脂から露出していることを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該樹脂充填ステップの後に、
ウェーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、
該保護テープを貼着したウェーハを裏面側から研削することにより、ウェーハを所定の仕上がり厚さにする研削ステップと、
をさらに備えることを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスチップの製造プロセスにおいては、シリコンや化合物半導体からなるウェーハの表面にストリートと呼ばれる格子状の分割予定ラインが設定され、分割予定ラインによって区画される各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成される。これらのウェーハは分割予定ラインに沿って分割されることで個々のデバイスチップが製造される。
【０００３】
製造された個々のデバイスチップの信頼性を高めるために、外部環境から半導体デバイスチップを保護するべく、パッケージングが行われる。近年、パッケージの小型化を実現するために、ウェーハを個々のデバイスに分割するとともにデバイスチップを樹脂等で被覆するパッケージ技術が開発されている。特許文献１には該パッケージ技術の一例が開示されている。
【０００４】
該パッケージ技術においては、まず、表面にデバイスが形成されているウェーハの裏面を樹脂で被覆する。次に、ウェーハ表面から分割予定ラインに沿って該樹脂に達する溝を形成する。次に、ウェーハ表面にモールド樹脂を設け、各デバイスを被覆するとともに該溝にモールド樹脂を埋設する。さらに、ウェーハの表面に設けられた突起電極である電極バンプ（単にバンプともいう）をモールド樹脂から露出させるために、ウェーハ表面のモールド樹脂を研磨等して薄化する。
【０００５】
その後、該溝の幅よりも小さい厚みを有する切削ブレードを用いて、該溝に充填されたモールド樹脂のうち溝の幅方向中央付近を分割予定ラインに沿って切断する。すると、ウェーハが分割されて、デバイスチップが樹脂で被覆された複数のパッケージとなる。
【０００６】
該溝に充填されたモールド樹脂は、溝の幅方向中央付近を除いて一部が残る。残されたモールド樹脂によりデバイスチップの側面が被覆されて保護されるため、信頼性の高いパッケージが得られる。しかし、該パッケージ技術において、溝に充填されたモールド樹脂を切断する際、該切削ブレードを該溝の幅方向中央付近に正しく位置付けるのは容易ではない。
【０００７】
モールド樹脂を切断するステップにおいては、ウェーハの表面がモールド樹脂で被覆されているため、切削ブレードはモールド樹脂の表面から露出させた電極バンプを基準として該溝に沿って位置付けられることとなる。しかし、電極バンプと分割予定ラインとが必ずしも正確な位置関係にはならないため、電極バンプを基準とすると切削ブレードが該溝から外れた位置に位置付けられる可能性がある。
【０００８】
該溝から外れた位置に位置付けられた切削ブレードを下降して該溝に充填されたモールド樹脂を切断しようとすると、切削ブレードが該溝の外を切削しデバイスを傷つける。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−１００５３５公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
切削ブレードを正確に位置付けるには、例えば、次のような手順で遂行されるウェーハの加工方法が考えられる。まず、デバイスが形成されているウェーハの表面側から分割予定ラインに沿って溝を形成し、ウェーハ表面にモールド樹脂を設けるとともに該溝にモールド樹脂を埋設する。次に、ウェーハの表面に設けられた電極バンプをモールド樹脂から露出させるために、ウェーハ表面のモールド樹脂を研磨等して薄化する。
【００１１】
次に、ウェーハの外周縁に沿ってウェーハ表面のモールド樹脂を環状に除去し該溝を部分的に表出させ、外周縁に沿った領域において該溝に埋設されたモールド樹脂をウェーハ表面に露出させる。そして、露出された該溝に埋設されたモールド樹脂を検出して、該モールド樹脂を基準として切削溝の幅よりも小さい厚みを有する切削ブレードを該溝の幅方向中央に位置付ける。そして、該切削ブレードを用いて、ウェーハ全面において該溝に充填されたモールド樹脂のうち溝の幅方向中央付近を分割予定ラインに沿って切断する。
【００１２】
上記の方法によれば、表面のモールド樹脂が除去され溝が露出した領域において、切削装置のセンサー（カメラ）等が溝に埋設されたモールド樹脂を直接捕捉することができるため、切削ブレードを正確に位置付けることができる。そのため、該溝の幅方向中央のモールド樹脂が正確に切断され、デバイスの側面が傷つけられない。
【００１３】
しかし、当該方法は優れているもののさらに改善する余地がある。当該方法においては、デバイス表面に形成されたバンプを露出するために該モールド樹脂を研磨して薄化する工程を必要とする。例えば、ウェーハ表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）で研磨するか、或いは、サーフェースプレナーで切削する必要があり、時間的及び金銭的なコストがかかる。
【００１４】
また、ウェーハ表面に設けられたモールド樹脂は最終的に該薄化する工程でその大半がウェーハ表面から除去される。つまり、該モールド樹脂を形成する材料をパッケージに残す量よりも極めて多く使用するため、多大なコストがかかる。
【００１５】
さらに、近年デバイスの小型化の傾向が著しく、それに伴い電極バンプも小型化し高さが低くなる傾向にある。電極バンプの高さが低い場合、モールド樹脂を研削し薄化していくときに、デバイス表面に損傷を与えることなくウェーハ上のすべての電極バンプを確実に露出させる適度な研削を実施するのは容易ではない。
【００１６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電極バンプを露出する工程を省き、また、モールド樹脂の材料の使用量を極力抑えることができるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一態様によれば、格子状の分割予定ラインによって区画された複数の領域の表面に、電極バンプを有するデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、該分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側からウェーハの仕上がり厚さ以上の深さの溝を形成する溝形成ステップと、該溝にモールド樹脂を充填する樹脂充填ステップと、該モールド樹脂が充填された該溝に沿って該溝の幅より狭い幅の分割溝を形成することにより、デバイスチップの側面を被覆するモールド樹脂でなる膜を形成する分割溝形成ステップと、を備え、該樹脂充填ステップでは、インクジェット法により該モールド樹脂を形成する材料を該溝に選択的に供給し、該電極バンプは該モールド樹脂から露出していることを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
【００１８】
本発明の一態様に係るウェーハの加工方法においては、該樹脂充填ステップの後に、ウェーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、該保護テープを貼着したウェーハを裏面側から研削することにより、ウェーハを所定の仕上がり厚さにする研削ステップと、をさらに備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るウェーハの加工方法では、インクジェット法によりモールド樹脂を形成する材料を溝に選択的に供給する。そのため、ウェーハ表面の電極バンプはモールド樹脂で覆われることなく露出している。したがって、モールド樹脂から電極バンプを露出させる工程は不要である。
【００２０】
さらに、デバイスを構成するパターンも露出しているため、切削装置のセンサー等がデバイスの該パターンを常時捕捉することができる。そのため、デバイスの特異なパターンを用いたパターンマッチングを行うことにより切削ブレードを正確に位置付けることができる。また、切削装置は切削の前に切削ブレードを正確に位置付けられるだけではなく、切削の途中でも切削ブレードの軌道を修正できる。したがって、該溝の幅方向中央のモールド樹脂を極めて正確に切断できる。
【００２１】
また、本発明に係るウェーハの加工方法では、該溝を充填するのに十分な量のモールド樹脂を形成する材料を供給すればよい。そのため、最終的にパッケージに残らずにパッケージの構成物として使用されない該材料は極めて少ない。高機能な樹脂材料は高価であるが、本発明に係るウェーハの加工方法により樹脂材料の使用量を少なくすることができ、パッケージの生産コストを抑えられる。
【００２２】
したがって、本発明により、電極バンプを露出する工程を省き、また、モールド樹脂の材料の使用量を極力抑えることができるウェーハの加工方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】分割予定ラインで区画された領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウェーハを模式的に示す斜視図とその拡大図である。
【図２】切削装置の一例を模式的に示す斜視図である。
【図３】レーザー加工装置の一例を模式的に示す斜視図である。
【図４】溝形成ステップを模式的に説明する斜視図である。
【図５】図５（Ａ）は、溝を形成する前におけるウェーハと切削ブレードとを示す断面模式図であり、図５（Ｂ）は、溝を形成した後におけるウェーハと切削ブレードとを示す断面模式図であり、図５（Ｃ）は、ウェーハに切削ブレードを切り込ませた状態を説明する断面模式図であり、図５（Ｄ）は、ウェーハに形成された溝を示す断面模式図である。
【図６】樹脂充填ステップを模式的に説明する断面図である。
【図７】図７（Ａ）は、樹脂充填前におけるウェーハの上面模式図であり、図７（Ｂ）は、樹脂充填後におけるウェーハの上面模式図である。
【図８】図８（Ａ）は、研削ステップを模式的に説明する斜視図であり、図８（Ｂ）は、研削ステップを模式的に説明する断面図であり、図８（Ｃ）は、研削ステップ実施後のウェーハを示す断面模式図である。
【図９】図９（Ａ）は、分割溝を形成する前におけるウェーハと切削ブレードとを示す断面模式図であり、図９（Ｂ）は、分割溝を形成した後におけるウェーハと切削ブレードとを示す断面模式図であり、図９（Ｃ）は、ウェーハに切削ブレードを切り込ませた状態を説明する断面模式図であり、図９（Ｄ）は、ウェーハに形成された分割溝を示す断面模式図である。
【図１０】図１０（Ａ）は、作製されたパッケージを模式的に示す斜視図であり、図１０（Ｂ）は、作製されたパッケージを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
添付図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係る被加工物となるウェーハについて説明する。図１は、ウェーハの一例を模式的に示す斜視図とその拡大模式図である。ウェーハ１は、シリコン、サファイア、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、または、その他化合物半導体等の材料でなる略円盤状のウェーハである。
【００２５】
図１に示すように、ウェーハ１の表面１ａは、格子状に配列された分割予定ライン３で複数の領域に区画されており、各領域にはＩＣ、ＭＥＭＳ等のデバイス５が形成されている。ウェーハ１は、最終的に分割予定ライン３に沿って分割され複数のパッケージが作製される。また、個々のデバイスには表面１ａ側に複数の電極バンプ５ａが形成されており、該電極バンプ５ａを通して電気信号をデバイスに入力またはデバイスから出力することができる。
【００２６】
ウェーハ１は、取り扱いを容易にするため、例えば、ウェーハ１の表面１ａ側、または、裏面１ｂ側にウェーハ１よりも径の大きいテープを貼り付けてもよい。その場合、該テープの外周部分には、ステンレスやアルミニウム等の材料でなる環状のフレームを固定しておく。これにより、ウェーハ１は、テープを介して環状のフレームに支持される。
【００２７】
次に、本実施形態に係る加工方法の溝形成ステップ（図５参照）、及び、分割溝形成ステップ（図９参照）にそれぞれ使用することができる加工装置について説明する。これらのステップにおいては、例えば切削装置、または、レーザー加工装置を用いることができる。
【００２８】
まず、溝形成ステップ、及び、分割溝形成ステップにおいてそれぞれ使用することができる切削装置について図２を用いて説明する。図２は、切削装置の一例を模式的に示す斜視図である。
【００２９】
図２は、切削装置（加工装置）の構成例を模式的に示す斜視図である。図２に示すように、切削装置（加工装置）２は、各構造を支持する基台４を備えている。基台４の上面には、Ｘ軸方向（前後方向、加工送り方向）に長い矩形状の開口４ａが形成されている。
【００３０】
この開口４ａ内には、Ｘ軸移動テーブル６、Ｘ軸移動テーブル６をＸ軸方向に移動させるＸ軸移動機構（加工送り機構）（不図示）、及びＸ軸移動機構を覆う防塵防滴カバー８が設けられている。Ｘ軸移動機構は、Ｘ軸方向に平行な一対のＸ軸ガイドレール（不図示）を備えており、Ｘ軸ガイドレールには、Ｘ軸移動テーブル６がスライド可能に取り付けられている。
【００３１】
Ｘ軸移動テーブル６の下面側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレールに平行なＸ軸ボールネジ（不図示）が螺合されている。Ｘ軸ボールネジの一端部には、Ｘ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｘ軸パルスモータでＸ軸ボールネジを回転させることで、Ｘ軸移動テーブル６はＸ軸ガイドレールに沿ってＸ軸方向に移動する。
【００３２】
Ｘ軸移動テーブル６上には、ウェーハ１を吸引、保持するための保持テーブル（チャックテーブル）１０が設けられている。保持テーブル１０は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル１０は、上述したＸ軸移動機構でＸ軸方向に加工送りされる。
【００３３】
保持テーブル１０の表面（上面）は、ウェーハ１を吸引、保持する保持面１０ａとなっている。この保持面１０ａは、保持テーブル１０の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）に接続されている。保持テーブル１０の周囲には、ウェーハ１を支持する環状のフレームを固定するためのクランプ１０ｂが設けられている。
【００３４】
支持構造１６から離れた基台４の角部には、突き出た突出部１２が設けられている。突出部１２の内部には空間が形成されており、この空間には、昇降可能なカセットエレベータ１２ａが設置されている。カセットエレベータ１２ａの上面には、複数のウェーハ１を収容可能なカセット１２ｂが載せられる。
【００３５】
開口４ａに近接する位置には、上述したウェーハ１を保持テーブル１０へと搬送する搬送ユニット（不図示）が設けられている。搬送ユニットでカセット１２ｂから引き出されたウェーハ１（環状のフレーム）は、例えば、表面１ａ側が上方に露出する態様で保持テーブル１０の保持面１０ａに載せられる。
【００３６】
基台４の上面には、ウェーハ１を切削する切削ユニット（加工ユニット）１４を支持する支持構造１６が、開口４ａの上方に張り出すように配置されている。支持構造１６の前面上部には、切削ユニット１４をＹ軸方向（割り出し送り方向）及びＺ軸方向に移動させる切削ユニット移動機構（割り出し送り機構）１８が設けられている。
【００３７】
切削ユニット移動機構１８は、支持構造１６の前面に配置されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール２０を備えている。Ｙ軸ガイドレール２０には、切削ユニット移動機構１８を構成するＹ軸移動プレート２２がスライド可能に取り付けられている。Ｙ軸移動プレート２２の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール２０に平行なＹ軸ボールネジ２４が螺合されている。
【００３８】
Ｙ軸ボールネジ２４の一端部には、Ｙ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｙ軸パルスモータでＹ軸ボールネジ２４を回転させれば、Ｙ軸移動プレート２２は、Ｙ軸ガイドレール２０に沿ってＹ軸方向に移動する。Ｙ軸移動プレート２２の表面（前面）には、Ｚ軸方向に平行な一対のＺ軸ガイドレール２６が設けられている。Ｚ軸ガイドレール２６には、Ｚ軸移動プレート２８がスライド可能に取り付けられている。
【００３９】
Ｚ軸移動プレート２８の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール２６に平行なＺ軸ボールネジ３０が螺合されている。Ｚ軸ボールネジ３０の一端部には、Ｚ軸パルスモータ３２が連結されている。Ｚ軸パルスモータ３２でＺ軸ボールネジ３０を回転させれば、Ｚ軸移動プレート２８は、Ｚ軸ガイドレール２６に沿ってＺ軸方向に移動する。
【００４０】
Ｚ軸移動プレート２８の下部には、ウェーハ１を切削する切削ユニット１４が設けられている。また、切削ユニット１４に隣接する位置には、ウェーハ１の表面１ａ側を撮像するためのカメラ（撮像ユニット）３４が設置されている。切削ユニット移動機構１８で、Ｙ軸移動プレート２２をＹ軸方向に移動させれば、切削ユニット１４及びカメラ３４は割り出し送りされ、Ｚ軸移動プレート２８をＺ軸方向に移動させれば、切削ユニット１４及びカメラ３４は昇降する。
【００４１】
切削ユニット１４は、Ｙ軸方向に平行な回転軸を構成するスピンドル（不図示）の一端側に装着された円環状の切削ブレード３６を備えている。スピンドルの他端側にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドルに装着された切削ブレード３６を回転させる。
【００４２】
加工後のウェーハ１は、例えば、搬送機構（不図示）によって保持テーブル１０から洗浄ユニット４０へと搬送される。洗浄ユニット４０は、筒状の洗浄空間内でウェーハ１を吸引、保持するスピンナテーブル４０ａを備えている。スピンナテーブル４０ａの下部には、スピンナテーブル４０ａを所定の速さで回転させる回転駆動源（不図示）が連結されている。
【００４３】
スピンナテーブル４０ａの上方には、ウェーハ１に向けて洗浄用の流体（代表的には、水とエアーとを混合した二流体）を噴射する噴射ノズル４０ｂが配置されている。ウェーハ１を保持したスピンナテーブル４０ａを回転させて、噴射ノズル４０ｂから洗浄用の流体を噴射することで、ウェーハ１を洗浄できる。洗浄ユニット４０で洗浄されたウェーハ１は、例えば、搬送機構（不図示）でカセット１２ｂに収容される。
【００４４】
Ｘ軸移動機構、保持テーブル１０、搬送ユニット、カセットエレベータ１２ａ、切削ユニット１４、切削ユニット移動機構１８、洗浄ユニット４０等の構成要素は、それぞれ、制御ユニット（不図示）に接続されている。この制御ユニットは、ウェーハ１の加工条件等に合わせて、上述した各構成要素を制御する。
【００４５】
次に、溝形成ステップ、及び、分割溝形成ステップにおいてそれぞれ使用することができるレーザー加工装置について図３を用いて説明する。図３は、レーザー加工装置の一例を模式的に示す斜視図である。図３に示すように、レーザー加工装置（加工装置）４２は、各構造を支持する基台４４を備えている。基台４４の端部には、Ｚ軸方向（鉛直方向、高さ方向）に延在する支持構造４６が設けられている。
【００４６】
支持構造４６から離れた基台４４の角部には、上方に突き出た突出部４４ａが設けられている。突出部４４ａの内部には空間が形成されており、この空間には、昇降可能なカセットエレベータ４８が設置されている。カセットエレベータ４８の上面には、複数のウェーハ１を収容可能なカセット５０が載せられる。
【００４７】
突出部４４ａに近接する位置には、上述したウェーハ１を仮置きするための仮置き機構５２が設けられている。仮置き機構５２は、例えば、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）に平行な状態を維持しながら接近、離隔される一対のガイドレール５２ａ，５２ｂを含む。
【００４８】
各ガイドレール５２ａ，５２ｂは、ウェーハ１が保持された環状のフレーム７を支持する支持面と、支持面に概ね垂直な側面とを備え、搬送機構（搬送ユニット）（不図示）によってカセット５０から引き出されたフレーム７をＸ軸方向（加工送り方向）において挟み込んで所定の位置に合わせる。
【００４９】
基台４４の中央には、移動機構（加工送り機構、割り出し送り機構）５６が設けられている。移動機構５６は、基台４４の上面に配置されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール５８を備えている。Ｙ軸ガイドレール５８には、Ｙ軸移動テーブル６０がスライド可能に取り付けられている。
【００５０】
Ｙ軸移動テーブル６０の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール５８に平行なＹ軸ボールネジ６２が螺合されている。Ｙ軸ボールネジ６２の一端部には、Ｙ軸パルスモータ６４が連結されている。Ｙ軸パルスモータ６４でＹ軸ボールネジ６２を回転させれば、Ｙ軸移動テーブル６０は、Ｙ軸ガイドレール５８に沿ってＹ軸方向に移動する。
【００５１】
Ｙ軸移動テーブル６０の表面（上面）には、Ｘ軸方向に平行な一対のＸ軸ガイドレール６６が設けられている。Ｘ軸ガイドレール６６には、Ｘ軸移動テーブル６８がスライド可能に取り付けられている。
【００５２】
Ｘ軸移動テーブル６８の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレール６６に平行なＸ軸ボールネジ７０が螺合されている。Ｘ軸ボールネジ７０の一端部には、Ｘ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｘ軸パルスモータでＸ軸ボールネジ７０を回転させれば、Ｘ軸移動テーブル６８は、Ｘ軸ガイドレール６６に沿ってＸ軸方向に移動する。
【００５３】
Ｘ軸移動テーブル６８の表面側（上面側）には、テーブルベース７２が設けられている。テーブルベース７２の上部には、ウェーハ１を吸引、保持するための保持テーブル（チャックテーブル）７４が配置されている。保持テーブル７４の周囲には、ウェーハ１を支持する環状のフレーム７を四方から固定する４個のクランプ７６が設けられている。
【００５４】
保持テーブル７４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向、高さ方向）に概ね平行な回転軸の周りに回転する。上述した移動機構５６でＸ軸移動テーブル６８をＸ軸方向に移動させれば、保持テーブル７４はＸ軸方向に加工送りされる。また、移動機構５６でＹ軸移動テーブル６０をＹ軸方向に移動させれば、保持テーブル７４はＹ軸方向に割り出し送りされる。
【００５５】
保持テーブル７４の上面は、ウェーハ１を保持する保持面７４ａとなっている。この保持面７４ａは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して概ね平行に形成されており、保持テーブル７４やテーブルベース７２の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。
【００５６】
支持構造４６には、基台４４の中央側に向けて突出する支持アーム４６ａが設けられており、この支持アーム４６ａの先端部には、下方に向けてレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット（加工ユニット）７８が配置されている。また、レーザービーム照射ユニット７８に隣接する位置には、ウェーハ１を撮像するカメラ（撮像ユニット）８０が設置されている。
【００５７】
レーザービーム照射ユニット７８は、ウェーハ１又はモールド樹脂に対して吸収性を示す波長のレーザービームをパルス発振するレーザー発振器（不図示）を備えている。例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハ１をアブレーション加工したい場合には、波長が３５５ｎｍのレーザービームをパルス発振するＮｄ：ＹＡＧ等のレーザー媒質を備えたレーザー発振器等を用いることができる。
【００５８】
また、レーザービーム照射ユニット７８は、レーザー発振器からパルス発振されたレーザービーム（パルスレーザービーム）を集光する集光器（不図示）を備えており、保持テーブル７４に保持されたウェーハ１等に対してこのレーザービームを照射、集光する。レーザービーム照射ユニット７８でレーザービームを照射しながら、保持テーブル７４をＸ軸方向に加工送りさせることで、ウェーハ１をＸ軸方向に沿ってレーザー加工（アブレーション加工）できる。
【００５９】
加工後のウェーハ１は、例えば、搬送機構（不図示）によって保持テーブル７４から洗浄ユニット８２へと搬送される。洗浄ユニット８２は、筒状の洗浄空間内でウェーハ１を吸引、保持するスピンナテーブル８４を備えている。スピンナテーブル８４の下部には、スピンナテーブル８４を所定の速さで回転させる回転駆動源（不図示）が連結されている。
【００６０】
スピンナテーブル８４の上方には、ウェーハ１に向けて洗浄用の流体（代表的には、水とエアーとを混合した二流体）を噴射する噴射ノズル８６が配置されている。ウェーハ１を保持したスピンナテーブル８４を回転させて、噴射ノズル８６から洗浄用の流体を噴射することで、ウェーハ１を洗浄できる。洗浄ユニット８２で洗浄されたウェーハ１は、例えば、搬送機構（不図示）で仮置き機構５２に載せられ、カセット５０に収容される。
【００６１】
搬送機構（不図示）、移動機構５６、保持テーブル７４、レーザービーム照射ユニット７８、カメラ４０、洗浄ユニット８２等の構成要素は、それぞれ、制御ユニット８８に接続されている。この制御ユニット８８は、ウェーハ１の加工に必要な一連の工程に合わせて、上述した各構成要素を制御する。
【００６２】
次に、本実施形態に係るウェーハの加工方法を説明する。本実施の形態に係るウェーハの加工方法は、溝形成ステップ（図４、図５（Ａ）乃至図５（Ｄ）参照）と、樹脂充填ステップ（図６乃至図７（Ｂ）参照）と、分割溝形成ステップ（図９（Ａ）乃至図９（Ｄ）参照）と、を有する。なお、本実施形態に係るウェーハの加工方法においては、該樹脂充填ステップの後に保護テープ貼着ステップと、研削ステップ（図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）参照）と、をさらに有してもよい。
【００６３】
溝形成ステップでは、切削装置またはレーザー加工装置を用いて、分割予定ラインに沿ってウェーハの仕上がり厚さ以上の深さの溝をウェーハの表面に形成する。該溝には後の樹脂充填ステップにおいてモールド樹脂が充填される。
【００６４】
樹脂充填ステップでは、インクジェット法を用いて溝形成ステップにおいて形成された溝にモールド樹脂の材料を選択的に供給し、該材料を硬化することにより該溝にモールド樹脂を充填する。インクジェット法では必要最低限の該材料をインクジェットノズルから吐出すればよいため、スピンコート法等の他の方法と比べ材料を大幅に節約することができる。また、樹脂充填ステップでは、デバイス表面の電極バンプを樹脂で被覆しないため、本実施形態に係る加工方法では該電極バンプを露出するステップが不要となる。
【００６５】
保護テープ貼着ステップでは、ウェーハの表面に保護テープを貼着する。本実施形態に係るウェーハの加工方法においては、ウェーハ表面はモールド樹脂により覆われておらず損傷を受けやすい。そのため、該損傷からウェーハ表面を保護するべく保護テープを貼着する。なお、表面がモールド樹脂で覆われている場合は該樹脂で十分に表面が保護されるため、保護を目的としてテープを貼着する必要はない。
【００６６】
研削ステップでは、ウェーハを裏面側から研削することにより、ウェーハを所定の仕上がり厚さにする。ここで、溝形成ステップで形成される溝は該仕上がり厚さ以上の深さを有するため、ウェーハを仕上がり厚さとなるまで裏面側から研削すると、該溝の底部が除去され該溝に充填されたモールド樹脂が露出される。
【００６７】
分割溝形成ステップにおいては、切削装置またはレーザー加工装置を用いて、該モールド樹脂が充填された該溝に沿って該溝の幅より狭い幅の分割溝を形成する。本実施形態に係る加工方法においては、ウェーハ表面がモールド樹脂により覆われていないため、カメラ（撮像ユニット）がデバイスを構成するパターンを捕捉でき、切削ブレード等を正確に位置合わせできる。そのため、分割溝から外れた領域が切削されることがなく、デバイスに損傷を生じにくい。
【００６８】
次に、本実施形態に係るウェーハの加工方法が有する各ステップをそれぞれ詳説する。
【００６９】
最初に、溝形成ステップについて、図４、図５（Ａ）乃至図５（Ｄ）を用いて説明する。溝形成ステップは上述のレーザー加工装置を用いて実施することもできるが、ここでは、切削装置（図２参照）を用いて実施する場合を例に説明する。図４は、溝形成ステップにおけるウェーハ１と切削ユニット１４とを模式的に示す斜視図である。
【００７０】
切削ユニット１４は、Ｚ軸移動プレートにＺ軸方向に移動可能に支持されており、回転する切削ブレード３６をウェーハ１中の所定の深さまで切り込むようにＺ軸方向に沿って垂直に下降することができる。
【００７１】
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）では、溝が形成される分割予定ラインに沿った断面を示す。図５（Ａ）は、溝を形成する前の状態を示す断面模式図であり、図５（Ｂ）は、溝を形成した後の状態を示す断面模式図である。図５（Ｃ）及び図５（Ｄ）では、溝が形成される分割予定ラインに垂直な断面を拡大して示す。図５（Ｃ）は、溝を形成している際の断面模式図であり、図５（Ｄ）は、溝が形成された後の状態を示す断面模式図である。
【００７２】
まず、ウェーハ１は、複数のデバイスが形成された表面１ａを上側に向け、裏面１ｂを下側に向けて、保持テーブル１０の保持面１０ａ上に載置される。そして、ウェーハ１は該吸引源が生じさせた負圧により保持面１０ａ上に吸着保持される。なお、ウェーハ１は裏面１ｂ側にテープが貼着されていてもよく、該テープを介して保持面１０ａ上に保持されてもよい。
【００７３】
次に、カメラ（撮像ユニット）を用いてウェーハ１の表面を捉えて、ウェーハ１の向きや位置に関する情報を得る。得られた情報をもとに保持テーブル１０を回転・移動させて、分割予定ラインに沿った溝を形成できるように切削ブレード３６を位置付ける。
【００７４】
その後、切削ブレード３６が回転を開始する。そして、切削ブレード３６の回転を継続したまま切削ブレード３６がウェーハ１中の所定の深さまで切り込むように切削ユニットがＺ軸方向に沿って垂直に下降する。なお、該所定の深さとは、最終的なウェーハの仕上がり厚さ（例えば、後述の研削ステップ後のウェーハの厚さ）以上の深さである。
【００７５】
次に、切削ブレード３６と、ウェーハ１と、をＸ軸方向に沿って相対的に移動（加工送り）させ、切削ブレード３６に分割予定ラインに沿ってウェーハ１を切削させることにより、ウェーハの仕上がり厚さ以上の深さを有する溝９を形成する。
【００７６】
上述の手順を繰り返し、例えば、第１の方向に伸びるすべての分割予定ラインに沿って溝９を形成した後には、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動、回転させる。そして、第１の方向とは異なる第２の方向に伸びる分割予定ラインに沿って同様の手順で溝９を形成する。すべての分割予定ラインに沿って溝９を形成されると、溝形成ステップは終了する。
【００７７】
次に、溝形成ステップ後に実施される樹脂充填ステップについて、図６乃至図７（Ｂ）を用いて説明する。図６は、モールド樹脂の材料を溝９に選択的に供給するインクジェット装置９０と、ウェーハ１と、を示す断面模式図である。図７（Ａ）は、樹脂充填前におけるウェーハ１の上面模式図であり、図７（Ｂ）は、樹脂充填後におけるウェーハ１の上面模式図である。
【００７８】
インクジェット装置９０は、吐出材料を貯留する貯留タンク９０ａと、該貯留タンク９０ａに接続された吐出材料を供給する供給ライン９０ｂと、該供給ライン９０ｂの先端部に取り付けられたノズル９０ｃと、を有する。さらに、制御部９０ｄを供給ライン９０ｂに有する。該制御部９０ｄはノズル９０ｃの材料の吐出または非吐出、及び材料の供給量を制御できる。なお、制御部９０ｄは供給ライン９０ｂに設けられていなくてもよく、ノズル９０ｃに内蔵されていてもよい。
【００７９】
貯留タンク９０ａには、溝９に充填されるモールド樹脂を形成する材料が吐出材料として保持される。該材料は分散媒に分散された樹脂を有していてもよく、重合してポリマーとなるモノマーを有していてもよい。該材料は高温で柔らかくなり流動性が高まる性質を有していてもよく、貯留タンク９０ａは該材料を加熱する機構を備えていてもよい。
【００８０】
該材料は、供給ライン９０ｂ中を通りノズル９０ｃから円滑に吐出されるだけの流動性を有する。該材料が溝９に供給された後は重力に従って上面が概略平坦となり、所定の措置により硬化してモールド樹脂となる。モールド樹脂を形成する材料は、溝９に供給された後、熱的な刺激、光学的な刺激、または、電気的な刺激が与えられることで硬化してもよく、該材料が有する分散媒が気化することで硬化してもよい。該モールド樹脂は、最終的にパッケージの一部を構成し、ウェーハ１の側面等を保護する。
【００８１】
インクジェット装置９０は複数のノズル９０ｃを有し、ノズル保持部材９０ｅに該複数のノズル９０ｃを直線状に並べて保持している。ノズル保持部材９０ｅは、ウェーハ１の直径を超える長さの長辺と、該長辺に垂直でウェーハ１の表面と平行な短辺と、を有する概略直方体である形状を有している。
【００８２】
インクジェット装置９０と、該インクジェット装置９０が有する保持テーブル９２と、は、ノズル保持部材９０ｅの短辺方向に相対的に移動することができる。また、インクジェット装置９０は、該複数のノズル９０ｃにそれぞれ接続された供給ライン９０ｂが有する制御部９０ｄにより、各ノズル９０ｃの吐出または非吐出を個別に制御する。
【００８３】
インクジェット装置９０は、該保持テーブル９２に対して相対移動しながら複数のノズル９０ｃの吐出または非吐出をそれぞれ制御することにより、該保持テーブル上に保持された被吐出物の任意の領域に向けて所定の量の材料を吐出することができる。なお、材料の吐出または非吐出は、インクジェット装置９０に設けられたカメラ（撮像ユニット）が読み取る被吐出物の表面に関する情報をもとに制御されてもよく、予め入力された吐出する領域及び吐出量に関する情報をもとに制御されてもよい。
【００８４】
インクジェット装置９０が有する保持テーブル９２は、ノズル保持部材９０ｅに対して相対的に移動可能であり、保持テーブル９２の上面中央部分にはポーラスセラミック材が配されている。該ポーラスセラミック材は、保持テーブル９２の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）に接続されている。なお、保持テーブル９２は、切削ステップにて説明した保持テーブル１０と同様に構成されている。
【００８５】
本実施形態に係るウェーハの加工方法における樹脂充填ステップでは、まず、ウェーハ１は、溝９が形成された表面１ａを上側に向け、裏面１ｂを下側に向けて、保持テーブル９２のポーラスセラミック材上に載置される。そして、ウェーハ１は該吸引源が生じさせた負圧により保持面上に吸着保持される。なお、ウェーハ１は裏面１ｂ側にテープが貼着されていてもよく、該テープを介して保持面上に保持されてもよい。
【００８６】
次に、インクジェット装置９０が、保持テーブル９０の一端の上方に位置付けられる（図７（Ａ）参照）。ノズル保持部材９０ｅが該一端からウェーハ１を挟んで反対側の他端に向けてウェーハ１に対して相対的に移動を開始する。そして、複数のノズル９０ｃはウェーハ１に形成された溝９の上方に到達した際、溝９に選択的にモールド樹脂を形成する材料を吐出する。ノズル保持部材９０ｅが該他端に到達した後、溝９に供給された該材料を硬化して、溝９をモールド樹脂で充填する。
【００８７】
この方法では、少なくともモールド樹脂で溝のすべてを充填するのに必要な量の材料を供給すれば足りるため、該材料はインクジェット法以外の方法で供給される場合に比べて極めて少量で済む。また、インクジェット法以外の方法で供給する場合に比べて、より細い溝及びより深い溝にモールド樹脂を充填できる。さらに、本実施形態に係るウェーハの加工方法においては、電極バンプ５ａはモールド樹脂に覆われないため、モールド樹脂の薄化工程を要しない。
【００８８】
なお、該材料は上述した量よりも多くの材料が溝９に供給されてもよく、図６に示す通り、該材料が電極バンプ５ａに触れない程度に多く供給されてもよい。該モールド樹脂を形成する材料が上述した量より多く供給されることにより、溝９を確実にモールド樹脂で充填できるだけでなく、デバイスの表面の溝９に沿った角部が該モールド樹脂により覆われる。その場合、該溝９においてモールド樹脂の厚さは、溝９の深さを超える。
【００８９】
該材料を上述した量よりも多く溝９に供給した場合、デバイスの溝９に面した側面が保護されるだけでなく角部も保護されるため、角部にクラック等の損傷が生じにくくなりデバイスはより確実に保護される。なお、以下の各ステップの説明においては、該角部がモールド樹脂により覆われている場合を例に説明する。
【００９０】
樹脂充填ステップ後には保護テープ貼着ステップを実施する。本ステップにおいては、ウェーハの表面に保護テープを貼着する。次に実施される研削ステップでは、ウェーハ１の裏面１ｂが研削されるため、表面１ａが被保持面となり保護テープを介して研削装置に保持される。
【００９１】
次に、保護テープ貼着ステップ後に実施される研削ステップについて、図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）を用いて説明する。図８（Ａ）は、研削装置と、ウェーハ１と、保持テーブルと、を模式的に示す斜視図である。図８（Ｂ）は、研削ステップを説明するための断面模式図であり、図８（Ｃ）は、研削ステップ実施後におけるウェーハ１の断面模式図である。
【００９２】
図８（Ａ）に示す通り、本ステップに用いる研削装置９４は、保持テーブル９６と、該保持テーブル９６に保持させた被加工物を研削する研削機構９８と、を有する。
【００９３】
保持テーブル９６は、載置面９６ａに垂直な軸を中心に回転可能である。保持テーブル９６の上面中央部分にはポーラスセラミック材が配されている。該ポーラスセラミック材は、保持テーブル９６の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）に接続されている。なお、保持テーブル９６は、切削ステップにて説明した保持テーブル１０と同様に構成されている。
【００９４】
研削機構９８は、スピンドルハウジング１００と、該スピンドルハウジング１００に回転可能に保持されるスピンドル１０２と、該スピンドル１０２に装着されたマウンター１０４と、該マウンター１０４の下面に取り付けられた研削ホイール１０６と、を備える。研削ホイール１０６は、円環状の基台１０８と、該基台１０８の下面に環状に装着された研削砥石１１０と、を備え、基台１０８がマウンター１０４の下面に締結ボルト１１２によって取り付けられている。
【００９５】
本実施形態に係るウェーハの加工方法における研削ステップでは、まず、ウェーハ１は被加工面となる裏面１ｂを上側に向けて、表面１ａを下側に向けて、表面１ａに貼着された保護テープ１３を介して保持テーブル９６のポーラスセラミック材上に載置される。そして、ウェーハ１は図示しない吸引源が生じさせた負圧によりに吸着保持される。次に、保持テーブル９６は回転を開始する。保持テーブル９６の回転に伴いウェーハ１も回転する。
【００９６】
一方、研削機構９８側もスピンドル１０２の回転を開始する。そして、該スピンドル１０２の回転に伴い研削ホイール１０６も回転する。保持テーブル９６と、研削ホイール１０６と、が回転している状態でスピンドルハウジング１００を下降させる。スピンドルハウジング１００の下降量は、ウェーハ１の裏面１ｂに研削砥石１１０の下面が押し当てられる程度に調整される（図８（Ｂ）参照）。
【００９７】
さらに、スピンドルハウジング１００を下降させると、研削砥石１１０によるウェーハ１の裏面１ｂの研削が開始される。そして、ウェーハ１が仕上がり厚さとなるまで研削されるようにスピンドルハウジング１００を下降させる。これにより溝９の底部が研削されて溝９に充填されたモールド樹脂１１がウェーハ１の裏面１ｂ側から露出する（図８（Ｃ）参照）。ウェーハ１が仕上がり厚さとなるまで薄化されると研削ステップは終了する。
【００９８】
なお、本実施形態に係るウェーハの加工方法において、ウェーハ１の表面１ａは上述の角部以外がモールド樹脂から露出している。そのため、衝撃によりクラック等の損傷が生じやすい状態である。表面１ａの全面にモールド樹脂が形成されている場合においては、表面１ａは該モールド樹脂により保護される。しかし、本実施形態に係るウェーハの加工方法においては、表面１ａに保護テープを貼着することにより該表面１ａの全面を保護できる。
【００９９】
これにより、研削ステップにおいてウェーハ１に衝撃等によるクラック等の損傷が生じる可能性を低減することができる。また、保護テープによりウェーハ１のハンドリング性が向上する。
【０１００】
次に、研削ステップ後に実施される分割溝形成ステップについて、図９（Ａ）乃至図９（Ｄ）を用いて説明する。
【０１０１】
図９（Ａ）及び図９（Ｂ）では、分割溝が形成される分割予定ラインに沿った断面を示す。図９（Ａ）は、分割溝を形成する前の状態を示す断面模式図であり、図９（Ｂ）は、分割溝を形成した後の状態を示す断面模式図である。図９（Ｃ）及び図９（Ｄ）では、分割溝が形成される分割予定ラインと垂直な断面を拡大して示す。図９（Ｃ）は、分割溝を形成している際の断面模式図であり、図９（Ｄ）は、分割溝が形成された後の状態を示す断面模式図である。
【０１０２】
本ステップにおいては、溝９に充填されているモールド樹脂１１の幅方向中央付近を分割予定ラインに沿って除去し、分割溝１５を形成する。モールド樹脂１１の除去には切削装置を用いてもよく、レーザー加工装置を用いてもよい。以下、本実施形態においては、切削装置を使用する場合について説明する。
【０１０３】
切削には、すでに説明した切削装置２と同様の構成の切削装置を用いることができる。ただし、本ステップにおいては、溝９よりも狭い幅を有する分割溝１５を形成するため、切削ブレードには、溝９の幅よりも狭い幅を有する切削ブレードを用いる必要がある。図９（Ａ）乃至（Ｃ）に、溝９の幅よりも狭い幅を有する切削ブレード３８を示す。
【０１０４】
本ステップにおいてはまず、ウェーハ１の裏面１ｂ側に分割テープ１７を貼着する。最終的に分割溝１５が形成されたとき、各デバイスを繋ぐモールド樹脂１１が切断されるため、各パッケージが分割テープ１７に支持されることとなる。ウェーハ１は複数のデバイスが形成された表面１ａを上側に向け、裏面１ｂを下側に向けて、保持テーブル１０のポーラスセラミック材上に分割テープ１７を介して載置される。そして、ウェーハ１は吸引源が生じさせた負圧により保持面１０ａ上に吸着保持される。
【０１０５】
次に、カメラ（撮像ユニット）を用いてウェーハ１の表面１ａを捉えて、ウェーハ１の向き及び位置、並びに、デバイス５を構成するパターンに関する情報を得る。得られた情報をもとに保持テーブル１０を回転・移動させて、溝９の幅方向中央近傍を溝９に沿って切削して分割溝１５を形成できるように切削ブレード３８を位置付ける。
【０１０６】
このとき、ウェーハ１の表面１ａには、モールド樹脂１１が全面を覆うようには形成されていないため、カメラ（撮像ユニット）は、該溝９に充填されたモールド樹脂１１、及び、ウェーハ１の表面に形成されたデバイス５を構成するパターン等を検出することができる。
【０１０７】
切削ブレード３８の位置を電極バンプ５ａの位置を基準に決定すると、電極バンプ５ａと分割予定ラインとが必ずしも正確な位置関係にはならないため、切削ブレード３８が溝９から外れた位置に位置付けられる可能性がある。しかし、例えばウェーハ１の表面１ａに形成されたデバイス５を構成する特異なパターンを捉え、パターンマッチングを行うことにより切削ブレード３８を正確に位置付けることができる。
【０１０８】
切削ブレード３８を溝９の幅方向中央近傍を切削するよう位置付けた後に、回転する切削ブレード３８が溝９に充填されたモールド樹脂１１を所定の深さまで切り込むように切削ユニットがＺ軸方向に沿って垂直に下降する。なお、該所定の深さとは、ウェーハの仕上がり厚さ以上の深さである。このとき切削ブレード３８は、モールド樹脂１１を突き抜ける。
【０１０９】
次に、切削ブレード３８と、ウェーハ１と、をＸ軸方向に沿って相対的に移動（加工送り）させ、切削ブレード３８に分割予定ラインに沿って溝９に充填されたモールド樹脂１１を切削させることにより、溝９より狭い幅を有する分割溝１５を形成する。
【０１１０】
上述の手順を繰り返し、例えば、第１の方向に伸びるすべての溝９に沿って分割溝１５を形成した後には、保持テーブル１０と切削ユニット１４とを相対的に移動、回転させて、第１の方向とは異なる第２の方向に伸びる分割予定ラインに沿って同様の手順で分割溝１５を形成する。すべての溝９に沿って分割溝１５が形成されると、分割溝形成ステップは終了する。
【０１１１】
分割溝形成ステップにおいて切削ブレード３８は正確に位置付けられているため、分割溝１５は溝９の幅方向中央付近に溝９に沿って形成される。そして、溝９に充填されているモールド樹脂１１のうち切削ブレード３８により除去されずに残留した部分は、ウェーハ１に形成されているデバイスの側面等を被覆する膜となる。そして、分割テープが除去されると、側面がモールド樹脂１１により被覆されたデバイスチップ（パッケージ）が形成される。
【０１１２】
本実施形態に係るウェーハの加工方法により形成されたデバイスチップ（パッケージ）の一例を図１０に示す。図１０（Ａ）は、デバイスチップ（パッケージ）１９を模式的に表した斜視図であり、図１０（Ｂ）は、デバイスチップ（パッケージ）１９を模式的に表した断面図である。本実施形態に係るウェーハの加工方法により、側面４面と表面側角部がモールド樹脂１１に被覆された信頼性の高いデバイスチップ（パッケージ）１９が形成される。
【０１１３】
なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、研削ステップ後にウェーハ１の裏面に分割テープを貼着して表面側からモールド樹脂を切削して分割溝を形成した。しかし、例えば、研削ステップ後にウェーハ１の表面に貼着されている保護テープを除去せずに、そのまま裏面側から溝９に充填されているモールド樹脂１１に分割溝を形成してデバイスチップ１９を作製してもよい。なお、分割溝形成用の切削ブレード等は、裏面に露出した溝９を基準に位置付ける。
【０１１４】
また、上記実施形態では、研削ステップの後に分割溝形成ステップを実施する場合について説明した。しかし、本発明に係るウェーハの加工方法においては、研削ステップと、分割溝形成ステップと、を入れ替えて実施してもよい。その場合、分割溝が形成されたウェーハ１を裏面から研削することにより、ウェーハ１が分断されてデバイスチップ（パッケージ）１９が形成される。
【０１１５】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【０１１６】
１  ウェーハ
１ａ  表面
１ｂ  裏面
３  分割予定ライン
５  デバイス
５ａ  電極バンプ
７  フレーム
９  溝
１１  モールド樹脂
１３  保護テープ
１５  分割溝
１７  分割テープ
１９  デバイスチップ（パッケージ）
２  切削装置（加工装置）
４  基台
４ａ  開口
６  Ｘ軸移動テーブル
８  防塵防滴カバー
１０  保持テーブル（チャックテーブル）
１０ａ  保持面
１０ｂ  クランプ
１２  突出部
１２ａ  カセットエレベータ
１２ｂ  カセット
１４  切削ユニット（加工ユニット）
１６  支持構造
１８  切削ユニット移動機構（割り出し送り機構）
２０  Ｙ軸ガイドレール
２２  Ｙ軸移動プレート
２４  Ｙ軸ボールネジ
２６  Ｚ軸ガイドレール
２８  Ｚ軸移動プレート
３０  Ｚ軸ボールネジ
３２  Ｚ軸パルスモータ
３４  カメラ（撮像ユニット）
３６，３８  切削ブレード
３６ａ，３８ａ  スピンドル
４０  洗浄ユニット
４０ａ  スピンナテーブル
４０ｂ  噴射ノズル
４２  レーザー加工装置（加工装置）
４４  基台
４４ａ  突出部
４６  支持構造
４６ａ  支持アーム
４８  カセットエレベータ
５０  カセット
５２  仮置き機構
５２ａ，５２ｂ  ガイドレール
５６  移動機構（加工送り機構、割り出し送り機構）
５８  Ｙ軸ガイドレール
６０  Ｙ軸移動テーブル
６２  Ｙ軸ボールネジ
６４  Ｙ軸パルスモータ
６６  Ｘ軸ガイドレール
６８  Ｘ軸移動テーブル
７０  Ｘ軸ボールネジ
７２  テーブルベース
７４  保持テーブル（チャックテーブル）
７４ａ  保持面
７６  クランプ
７８  レーザービーム照射ユニット（加工ユニット）
８０  カメラ（撮像ユニット）
８２  洗浄ユニット
８４  スピンナテーブル
８６  噴射ノズル
８８  制御ユニット
９０  インクジェット装置
９０ａ  貯留タンク
９０ｂ  供給ライン
９０ｃ  ノズル
９０ｄ  制御部
９０ｅ  ノズル保持部材
９２  保持テーブル
９４  研削装置
９６  保持テーブル
９６ａ  載置面
９８  研削機構
１００  スピンドルハウジング
１０２  スピンドル
１０４  マウンター
１０６  研削ホイール
１０８  基台
１１０  研削砥石
１１２  締結ボルト
【図１】
2017212242.tif 000003
【図２】
2017212242.tif 000004
【図３】
2017212242.tif 000005
【図４】
2017212242.tif 000006
【図５】
2017212242.tif 000007
【図６】
2017212242.tif 000008
【図７】
2017212242.tif 000009
【図８】
2017212242.tif 000010
【図９】
2017212242.tif 000011
【図１０】
2017212242.tif 000012