(57)【要約】【課題】  垂直記録媒体の内径（ＩＤ）ゾーン、中径（ＭＤ）ゾーンおよび外径（ＯＤ）ゾーンを有する層のスパッタ堆積のための、ゾーンに特有の性質を有する適当なマグネトロンスパッタターゲットを提供することにより、垂直記録媒体における膜特性を制御するためのアプローチを提示する。記録媒体の各ゾーンの要求に適合するためのスパッタプロセスのスパッタターゲットを提案する。【解決手段】  マグネトロンスパッタリングにより垂直記録媒体の層を形成するためのスパッタターゲットであって、スパッタターゲットの材料組成が、スパッタターゲットの半径に沿ってスパッタターゲットの中心からスパッタターゲットの外径まで変化する、スパッタターゲット。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネトロンスパッタリングにより垂直記録媒体の層を形成するためのスパッタターゲットであって、前記スパッタターゲットの材料組成が、前記スパッタターゲットの半径に沿って前記スパッタターゲットの中心から前記スパッタターゲットの外径まで変化する、スパッタターゲット。
【請求項２】
前記スパッタターゲットの材料組成が、前記材料組成の漸次的変化により変化する、請求項１に記載のスパッタターゲット。
【請求項３】
前記スパッタターゲットの材料組成が、前記スパッタターゲットにおける複数の同心領域を備えることにより変化し、各同心領域は、前記複数の同心領域の他の同心領域と異なる材料組成を有する、請求項１に記載のスパッタターゲット。
【請求項４】
前記スパッタターゲットが１７０ｍｍの直径を有し、その中心を含む前記スパッタターゲットの第１の領域が半径４０ｍｍまで延在し、前記第１の領域に隣接し且つそこを超えた第２の領域が半径４０ｍｍから６０ｍｍまで延在し、前記第２の領域を超えた前記スパッタターゲットの残りの領域が前記スパッタターゲットの第３の領域を形成する、請求項３に記載のスパッタターゲット。
【請求項５】
前記層が記録層を含み、前記スパッタターゲットが、ＣｏＣｒＰｔＸ酸化物およびＣｏＣｒＯｔＸのうちの１つを含む、請求項１に記載のスパッタターゲット。
【請求項６】
前記スパッタターゲットが前記ＣｏＣｒＰｔＸ酸化物を含み、前記スパッタターゲット中の前記酸化物の割合が５％〜２５％の範囲である、請求項５に記載のスパッタターゲット。
【請求項７】
前記酸化物の割合が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加する、請求項６に記載のスパッタターゲット。
【請求項８】
前記酸化物の割合が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少する、請求項６に記載のスパッタターゲット。
【請求項９】
前記スパッタターゲット１００中のＰｔ：Ｃｒの比率が、６：１〜１：２の範囲である、請求項５に記載のスパッタターゲット。
【請求項１０】
Ｐｔ：Ｃｒの前記比率が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加する、請求項９に記載のスパッタターゲット。
【請求項１１】
Ｐｔ：Ｃｒの前記比率が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少する、請求項９に記載のスパッタターゲット。
【請求項１２】
前記スパッタターゲット１００中のＸの割合が、２％〜１５％の範囲である、請求項５に記載のスパッタターゲット。
【請求項１３】
Ｘの前記割合が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加する、請求項１２に記載のスパッタターゲット。
【請求項１４】
Ｘの前記割合が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少する、請求項１２に記載のスパッタターゲット。
【請求項１５】
Ｘが、Ｒｕ、ＣｕおよびＢからなる群から選択される、請求項１２に記載のスパッタターゲット。
【請求項１６】
前記スパッタターゲットの異方性定数Ｋｕが、２×１０６ｅｒｇ／ｃｃ〜１５×１０６ｅｒｇ／ｃｃの範囲である、請求項５に記載のスパッタターゲット。
【請求項１７】
前記異方性定数Ｋｕが、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加する、請求項１６に記載のスパッタターゲット。
【請求項１８】
前記異方性定数Ｋｕが、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少する、請求項１６に記載のスパッタターゲット。
【請求項１９】
前記スパッタターゲット１００の飽和磁化が、２００ｅｍｕ／ｃｃ〜１２００ｅｍｕ／ｃｃの範囲である、請求項５に記載のスパッタターゲット。
【請求項２０】
前記飽和磁化が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加する、請求項１９に記載のスパッタターゲット。
【請求項２１】
前記飽和磁化が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少する、請求項１９に記載のスパッタターゲット。
【請求項２２】
前記層が柔軟な下層を含み、前記スパッタターゲットがＣｏＦｅ−Ｙを含む、請求項１のスパッタターゲット。
【請求項２３】
前記スパッタターゲット中のＹの割合が、１０％〜３０％の範囲である、請求項２２に記載のスパッタターゲット。
【請求項２４】
Ｙの前記割合が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加する、請求項２３に記載のスパッタターゲット。
【請求項２５】
Ｙの前記割合が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少する、請求項２３に記載のスパッタターゲット。
【請求項２６】
Ｙが、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｒ、ＭｏおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つである、請求項２３に記載のスパッタターゲット。
【請求項２７】
前記スパッタターゲット中のＦｅ：Ｃｏの比率が、１：３〜３：１の範囲である、請求項２２に記載のスパッタターゲット。
【請求項２８】
Ｆｅ：Ｃｏの前記比率が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加する、請求項２７に記載のスパッタターゲット。
【請求項２９】
Ｆｅ：Ｃｏの前記比率が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少する、請求項２７に記載のスパッタターゲット。
【請求項３０】
前記スパッタターゲット１００の飽和磁化が、２００ｅｍｕ／ｃｃ〜１２００ｅｍｕ／ｃｃの範囲である、請求項２２に記載のスパッタターゲット。
【請求項３１】
前記飽和磁化が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加する、請求項３０に記載のスパッタターゲット。
【請求項３２】
前記飽和磁化が、前記スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少する、請求項３０に記載のスパッタターゲット。
【請求項３３】
前記スパッタリングターゲットのマグネトロンスパッタリングにより形成した前記層の組成が、前記層の半径に沿って前記層の中心から前記層の外径まで変化するように構成された、請求項１に記載のスパッタターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンスパッタリングにより垂直記録媒体の層を形成するためのスパッタターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直記録媒体は、商用および個人向けのストレージソリューション両方における様々なストレージ用途に幅広く使用される。垂直磁気記録媒体においては、適当な基材上に一般的には磁性材料の層を備える、垂直磁気異方性を有する垂直記録媒体の面に垂直な方向の磁場により、ビットが形成される。「単極」の磁気変換器または「ヘッド」をこのような垂直磁気媒体と共に用いることにより、非常に高い線記録密度が達成される。面密度能力（Areal density capacity）（ＡＤＣ）は、磁気記録媒体の性能についてのメリットの象徴であり、代替のストレージ技術との接戦をものにするために、粘り強い努力がさらなる改良に必要とされる。
【０００３】
より高いＡＤＣを得るために、より小さいグレインを有する垂直記録媒体、より高い磁気異方性材料およびより良好な書き込み性（writability）を有する記録層が必要とされる。グレインサイズ、異方性および書き込み性のようなパラメータは、記録媒体の半径方向に沿って変化し得ることが一般的に観察される。ディスク形状の垂直記録媒体において、垂直記録媒体の内径（ＩＤ）ゾーン、中径（ＭＤ）ゾーンおよび外径（ＯＤ）ゾーンにおける読み込み／書き込み（Ｒ／Ｗ）パラメータは、数ある中でも、スパッタプロセスの均一性、ヘッドスキューおよびデータアクセス速度のようないくつかの理由による差異を有する。例えば、記録媒体において、ＯＤゾーンにおけるより高い線速度に起因して、ＯＤゾーンにおけるデータアクセス速度はＩＤゾーンと比較して高く、記録媒体の外径（ＯＤ）ゾーンは最大の面積を有するが、その面密度は記録媒体の内側の領域よりも低い。従って、記録媒体の各ゾーン、とりわけＯＤゾーンにおける記録性能に対処するために戦略が必要とされる。
【０００４】
マグネトロンスパッタリングは、磁気記録層が基材上にスパッタリングで堆積されることによる磁気記録媒体の製作に用いられる共通の体積方法である。スパッタまたは堆積される磁気記録層の材料は、その表面の領域および深さに亘って均一な材料組成を一般的に有するスパッタターゲットと呼ばれるディスクの形態で提供される。しかし、磁気記録媒体において、上述のいくつかの理由により、同様のスパッタターゲット組成物が用いられる場合でさえも、異なるゾーンにおけるＲ／Ｗ性能が異なる。例えば、２．５インチの記録媒体において、ＭＤゾーンからＯＤゾーンに移動すると、ビット毎インチ（ＢＰＩ）が１０％と同じくらいの高さで低下することがある。このことは、ＯＤゾーンにおける記録ヘッドのスキューおよびより高い線速度の結果である。
【０００５】
現在のところ、垂直記録媒体の異なるゾーンにおけるパラメータを制御するためにいくつかの戦略が用いられている。しかし、それらの多くが、例えば、スパッタターゲットのマグネトロンの間隔、またはスパッタターゲットのシールドの間隔を変更するというプロセス制御に焦点を当てている。これらのプロセス制御戦略は、ディスクのＩＤゾーンからＯＤゾーンへのスパッタ層の厚さプロファイルを制御するのに役立ち、次にＲ／Ｗパラメータを制御する。磁気記録ディスクまたは磁気記録媒体の異なるゾーンにおけるスパッタ層の厚さを制御することは、書き込み性を調整するのに役立つが、ＭＤゾーンとＯＤゾーンとの間でＢＰＩの１０％の差異のギャップを縮めるにはいまだ不十分である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示は、垂直記録媒体の内径（ＩＤ）ゾーン、中径（ＭＤ）ゾーンおよび外径（ＯＤ）ゾーンを有する層のスパッタ堆積のための、ゾーンに特有の性質を有する適当なマグネトロンスパッタターゲットを提供することにより、垂直記録媒体における膜特性を制御するためのアプローチを提示する。スパッタプロセスの均一性および読み込み−書き込みプロセスに関連する制限に対処するために、異なる膜特性が異なるゾーンに提供される。本発明は、記録媒体の各ゾーンの要求に適合するためのスパッタプロセスのスパッタターゲットを提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の態様に従って、マグネトロンスパッタリングにより垂直記録媒体の層を形成するためのスパッタターゲットが提供され、スパッタターゲットの材料組成は、スパッタターゲットの半径に沿ってスパッタターゲットの中心からスパッタターゲットの外径まで変化する。
【０００８】
スパッタターゲットの材料組成は、材料組成の漸次的変化（または、段階的変化、グラデーション、gradation）により変化してよい。あるいは、スパッタターゲットの材料組成は、スパッタターゲットにおける複数の同心領域（concentric region）を備えることにより変化してよく、各同心領域は、複数の同心領域の他の同心領域と異なる材料組成を有する。
【０００９】
スパッタターゲットは１７０ｍｍの直径を有してよく、その中心を含むスパッタターゲットの第１の領域は半径４０ｍｍまで延在してよく、第１の領域に隣接し且つそこを超えた第２の領域は半径４０ｍｍから６０ｍｍまで延在してよく、第２の領域を超えたスパッタターゲットの残りの領域がスパッタターゲットの第３の領域を形成する。
【００１０】
層は記録層を含んでよく、スパッタターゲットは、ＣｏＣｒＰｔＸ酸化物およびＣｏＣｒＯｔＸのうちの１つを含んでよい。
【００１１】
スパッタターゲットはＣｏＣｒＰｔＸ酸化物を含んでよく、スパッタターゲット中の酸化物の割合は５％〜２５％の範囲であってよい。
【００１２】
酸化物の割合は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加してよい。あるいは、酸化物の割合は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少してよい。
【００１３】
スパッタターゲット１００中のＰｔ：Ｃｒの比率は、６：１〜１：２の範囲であってよい。
【００１４】
請求項９のスパッタターゲットにおいて、Ｐｔ：Ｃｒの比率は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加してよい。あるいは、Ｐｔ：Ｃｒの比率は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少してよい。
【００１５】
スパッタターゲット１００中のＸの割合は、２％〜１５％の範囲であってよい。
【００１６】
Ｘの割合は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加してよい。あるいは、Ｘの割合は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少してよい。
【００１７】
Ｘは、Ｒｕ、ＣｕおよびＢからなる群から選択されてよい。
【００１８】
スパッタターゲットの異方性定数Ｋｕは、２×１０６ｅｒｇ／ｃｃ〜１５×１０６ｅｒｇ／ｃｃの範囲であってよい。異方性定数Ｋｕは、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加してよい。あるいは、異方性定数Ｋｕは、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少してよい。
【００１９】
スパッタターゲット１００の飽和磁化は、２００ｅｍｕ／ｃｃ〜１２００ｅｍｕ／ｃｃの範囲であってよい。
【００２０】
飽和磁化は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加してよい。あるいは、飽和磁化は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少してよい。
【００２１】
層は柔軟な下層を含んでよく、スパッタターゲットはＣｏＦｅ−Ｙを含んでよい。
【００２２】
スパッタターゲット中のＹの割合は、１０％〜３０％の範囲であってよい。
【００２３】
Ｙの割合は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加してよい。あるいは、Ｙの割合は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少してよい。
【００２４】
Ｙは、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｒ、ＭｏおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つであってよい。
【００２５】
スパッタターゲット中のＦｅ：Ｃｏの比率は、１：３〜３：１の範囲であってよい。
【００２６】
Ｆｅ：Ｃｏの比率は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に増加してよい。あるいは、Ｆｅ：Ｃｏの比率は、スパッタターゲットの中心から外側の領域に向かって半径方向に減少してよい。
【００２７】
スパッタリングターゲットのマグネトロンスパッタリングにより形成した層の組成は、層の半径に沿って層の中心から層の外径まで変化するように構成されてよい。
【００２８】
添付の図面を参照して、例を挙げて本発明を説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、中心から外径まで徐々に変化する（または、段階的に変化する、gradated）組成プロファイルを有する本発明のスパッタターゲットの第１の実施形態の概略図である。
【図２】図２は、中心から外径まで２段階または３領域の組成プロファイルを有する本発明のスパッタターゲットの第２の実施形態の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
マグネトロンスパッタリングにより垂直記録媒体の層を形成するためのスパッタターゲット１００の例示的な実施形態を、図１および図２を参照して以下に説明する。図中、同じ引用番号が同じ部分を示すのに用いられる。
【００３１】
本発明は、磁性膜または記録層若しくは垂直記録媒体の柔軟な下層ＳＵＬのような層を堆積するのに用いられるスパッタターゲット１００の材料組成の変化を用いる、垂直記録媒体の異なるゾーンにおけるＲ／Ｗパラメータの制御を提案する。材料の選択により、スパッタ層のいくつかのパラメータ、すなわち、飽和磁化（Ｍｓ）、異方性定数（Ｋｕ）、粒間の結合およびグレインの配向性が制御されることができる。スパッタターゲット１００の異なるゾーン１０、２０および３０におけるスパッタターゲット１００の材料の制御の可能性は、よりはるかに広いＢＰＩの範囲を与え、それ故に、スパッタターゲット１００を用いるスパッタリングにより形成される磁気記録媒体のＯＤゾーンにおける面密度の改良を与える。
【００３２】
異なるゾーンにおける制御されたＲ／Ｗパラメータを有するそのような垂直記録媒体を実現するために、半径方向（図１および２において白矢印で示される）に沿って変化する材料組成を有するスパッタターゲット１００が、垂直記録媒体の層を形成するスパッタリングプロセスに使用するために提供される。材料組成の変化は、図１に示されるように徐々に変化することができ、または図２に示されるように、材料組成の変化は、スパッタターゲット１００において複数の同心領域１０、２０および３０を提供することにより、スパッタターゲット１００の中心Ｃから放射状に広がる段の形態であってよく、各同心領域１０、２０および３０は、他の同心領域とは異なる材料組成を有する。
【００３３】
スパッタターゲット１００の各領域１０、２０および３０の半径方向に沿った面積（サイズ）は、形成される記録媒体と同様に、プロセスに応じて制御されることができる。スパッタターゲット１００は、３つ以上の半径方向の異なる材料組成の領域１０、２０および３０を含んでよい。スパッタチャンバーの寸法、プロセス条件およびスパッタターゲットマグネトロンの寸法のようなプロセス変数は、スパッタターゲット１０を用いるスパッタリングの間考慮に入れられる事項の一部である。スパッタターゲット１００の正確な組成プロファイルはまた、各ゾーンにおける記録媒体の実際の要求によっても決まるだろうし、形成される垂直記録媒体の寸法によっても決まるだろう。
【００３４】
図２に示されるスパッタターゲット１００の段状の実施形態において、１７０ｍｍの直径を有するスパッタターゲット１００について、中心Ｃを含むスパッタターゲット１００の第１の領域１０は好ましくは半径４０ｍｍまで延在し、第１の領域に隣接し且つそこを超えた第２の領域２０は好ましくは半径４０ｍｍから６０ｍｍまで延在し、第２の領域１０を超えた残りの領域はスパッタターゲット１００の最も外側の領域または第３の領域３０を形成する。
【００３５】
様々な媒体の性能パラメータについての要求はゾーンに特有であるため、例えば、異なるゾーンＩＤ−ＭＤ−ＯＤは異なる書き込み性の要求を有する。従って本発明は、以下に示されるように、本発明を用いて形成される記録媒体を含むハードディスクドライブのゾーンに特有の要求を満たすための手段を提供することができる。
【００３６】
スパッタターゲット１００は、垂直記録媒体の記録層を形成するためのＣｏＣｒＰｔＸ酸化物を含んでよく、Ｘは、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｂ等のような元素であってよい。グラニュラー記録層における酸化物のより高い割合は、磁性グレインの分離（isolation）を改良することができる。このことは、今度は、クラスターサイズを減少すること、およびノイズ比に対する信号を高めることができ、より高い面密度能力を提供する。従って、本発明のスパッタターゲット１００における酸化物の割合は、スパッタターゲット１００を用いて形成される媒体の各ゾーン（ＩＤ、ＭＤおよびＯＤ）について所望の面密度能力を提供するために、５％〜２５％の範囲であるように構成されることができ、スパッタターゲット１００の中心Ｃから外側の領域３０に向かって半径方向に増加または減少のいずれかをするように、スパッタターゲット１００にわたって半径方向（図１および２において白矢印で示される）に変化するよう構成されることができる。
【００３７】
例えば、スパッタターゲット１００における酸化物の割合は、第１の領域１０における酸化物の割合が第２の領域２０における酸化物の割合より小さく、且つ第２の領域２０における酸化物の割合が第３の領域３０における酸化物の割合より小さいように、スパッタターゲット１００の第１の領域１０から第３の領域３０に向かってスパッタターゲット１００に沿って半径方向に増加してよい。あるいは、酸化物の割合は、第１の領域１０における酸化物の割合が第２の領域２０における酸化物の割合より大きく、且つ第２の領域２０における酸化物の割合が第３の領域３０における酸化物の割合より大きいように、スパッタターゲット１００の第１の領域１０から第３の領域３０に向かってスパッタターゲット１００に沿って半径方向に減少してよい。
【００３８】
上述のように、垂直記録媒体の記録層を形成するために、スパッタターゲット１００はＣｏＣｒＰｔＸ酸化物を含んでよく、あるいはスパッタターゲット１００はＣｏＣｒＰｔＸを含んでよい。スパッタターゲット１００中のＰｔ：Ｃｒの比率は、６：１〜１：２の範囲である。スパッタターゲット１００中のＰｔ：Ｃｒの比率はまた、スパッタターゲット１００にわたって半径方向に変化し、スパッタターゲット１００の中心Ｃから外側の領域３０に向かって半径方向（図１および２において白矢印で示される）に増加または減少のいずれかをしてよい。
【００３９】
垂直記録媒体の記録層を形成するためのＣｏＣｒＰｔＸ酸化物またはＣｏＣｒＰｔＸを含むスパッタターゲット１００中のＸの割合は、２％〜１５％の範囲である。スパッタターゲット中のＸの割合はまた、スパッタターゲット１００にわたって半径方向に変化し、スパッタターゲット１００の中心Ｃから外側の領域３０に向かって半径方向（図１および２において白矢印で示される）に増加または減少のいずれかをしてよい。
【００４０】
グラニュラー層についてのより高い異方性定数Ｋｕは、より高い熱安定性を提供することができ、隣接トラック干渉（adjacent track interference）（ＡＴＩ）および遠隔トラック干渉（far track interference）（ＦＴＩ）性能を改良することができる。従って、垂直記録媒体の記録層を形成するためのＣｏＣｒＰｔＸ酸化物またはＣｏＣｒＰｔＸスパッタターゲット１００における異方性定数Ｋｕは、スパッタターゲット１００を用いて形成される層の異なるゾーンＩＤ、ＭＤおよびＯＤについての所望の熱安定性、ＡＴＩおよびＦＴＩを提供するために、２×１０６〜１５×１０６ｅｒｇ／ｃｃの範囲であり、且つスパッタターゲット１００にわたって半径方向に変化するように構成されることができる。例えば、Ｋｕは、スパッタターゲット１００の中心Ｃから外側の領域３０に向かって半径方向（図１および２において白矢印で示される）に増加または減少のいずれかをしてよい。
【００４１】
垂直記録媒体の記録層を形成するためのＣｏＣｒＰｔＸを含むスパッタターゲット１００の飽和磁化（Ｍｓ）は、２００ｅｍｕ／ｃｃ〜１２００ｅｍｕ／ｃｃの範囲である。Ｍｓもまた、スパッタターゲット１００にわたって半径方向に変化し、スパッタターゲット１００の中心Ｃから外側の領域３０に向かって半径方向（図１および２において白矢印で示される）に増加または減少のいずれかをしてよい。
【００４２】
スパッタターゲット１００が垂直記録媒体の柔軟な下層（ＳＵＬ）を形成するのに用いられる場合には、スパッタターゲット１００の飽和磁化（Ｍｓ）はまた、２００ｅｍｕ／ｃｃ〜１２００ｅｍｕ／ｃｃの範囲である。媒体のＳＵＬおよびキャッピング層についてのより高い飽和磁化（Ｍｓ）は、書き込み性を高めることができ、一方、より低いＭｓは書き込み性を低下し得る。キャッピング層のより低いＭｓは、ＡＴＩおよびＦＴＩのようなクロストラック性能の改良に有益であることもできる。従って、Ｍｓは、異なるゾーンＩＤ、ＭＤおよびＯＤの望ましい書き込み性、ＡＴＩおよびＦＴＩに適合するために、柔軟な下層（ＳＵＬ）を形成するためのスパッタターゲット１００にわたって半径方向に変化するようにも構成され、スパッタターゲット１００の中心Ｃから外側の領域３０に向かって半径方向（図１および２において白矢印で示される）に増加または減少のいずれかをしてよい。特に、ＳＵＬ間のＡＦＣ−Ｒｕ層により、より低いＭｓを有するＳＵＬ材料は、記録媒体の書き込み性を改良することができる。
【００４３】
垂直記録媒体の柔軟な下層（ＳＵＬ）を形成するのに用いられ場合、スパッタターゲット１００はＣｏＦｅ−Ｙを含んでよく、ＹはＴａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｒ、ＭｏおよびＢ、またはこれらの元素の組み合わせであってよい。Ｙの割合は１０％から３０％の範囲であり、Ｆｅ：Ｃｏの比率は１：３〜３：１の範囲である。Ｙの比率およびＦｅ／Ｃｏの比率もまた、柔軟な下層（ＳＵＬ）を形成するためのスパッタターゲット１００にわたって半径方向に単独で変化し、スパッタターゲット１００の中心Ｃから外側の領域３０に向かって半径方向（図１および２において白矢印で示される）に増加または減少のいずれかをしてよい。
【００４４】
上述のように、ＯＤゾーンの性能は、その面積のパーセンテージが内側のゾーンより高いため重要であるが、ＯＤゾーンおよびＭＤゾーンの組成が同じ場合、ヘッドスキューおよびより高い線速度は、ＭＤゾーンと比較してＯＤゾーンのより劣った性能の原因となる。これを克服するため、本発明においては、半径に沿ってスパッタターゲット１００の組成を変化させ、且つスパッタターゲット１００を用いてスパッタ堆積により垂直記録媒体の１つ以上の層（例えば、記録層またはＳＵＬ）を形成することにより、ＯＤゾーンはＭＤゾーンとは異なる処理が与えられ、形成した層もまた、スパッタターゲット１００における組成の変化に相当する、半径に沿って変化した組成を有する。本発明のスパッタターゲット１００を用いて達成されるように、ＯＤゾーンにおけるＳＵＬ材料、キャップ層材料、粒状酸化物の組成および異方性（ＫｕまたはＨｋ）の組み合わせにより、従って、ＯＤゾーンのＡＤＣ（ＢＰＩ）性能におけるいくつかの回復が得られ得る。
【００４５】
上述の例示的な本発明の実施形態で説明されたが、設計、構成および／または操作の詳細における多くのバリエーションが、本発明から逸脱することなく行われてよいことは、関連する技術における当業者により理解されるだろう。例えば、スパッタターゲットの組成の変化は、上述のように半径方向に増加または減少のいずれかをする例で説明されたが、スパッタターゲットの組成の半径方向の変化の他の形態が、スパッタターゲットを用いるスパッタリングにより形成される媒体の層の所望の組成に従って構成されてよい。
【図１】
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【図２】
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【外国語明細書】
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