(57)【要約】【課題】電子装置の薄型化に対応すると共に、効率的な放熱を行うことを課題とする。【解決手段】放熱装置は、放熱部材と熱的に接続され、交互に形成された山部及び谷部を有する第１嵌合部と、基板に実装されている発熱部品と熱的に接続され、前記第１嵌合部が有する山部及び谷部と互いに嵌合する谷部及び山部を有する第２嵌合部と、を備え、前記第１嵌合部と前記第２嵌合部の少なくとも一方は、導電体を含み、前記第１嵌合部が有する山部と前記第２嵌合部が有する山部の少なくとも一方は、前記第１嵌合部と前記第２嵌合部との密着性を向上させる液体を保持する液体保持空隙部を有する。【選択図】図４
2017212402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱部材と熱的に接続され、交互に形成された山部及び谷部を有する第１嵌合部と、
基板に実装されている発熱部品と熱的に接続され、前記第１嵌合部が有する山部及び谷部と互いに嵌合する谷部及び山部を有する第２嵌合部と、を備え、
前記第１嵌合部と前記第２嵌合部の少なくとも一方は、導電体を含み、
前記第１嵌合部が有する山部と前記第２嵌合部が有する山部の少なくとも一方は、前記第１嵌合部と前記第２嵌合部との密着性を向上させる液体を保持する液体保持空隙部を有する、
放熱装置。
【請求項２】
前記導電体は、シリコンである請求項１に記載の放熱装置。
【請求項３】
前記導電体は、０．１Ωｃｍ以下の抵抗率である請求項１又は２に記載の放熱装置。
【請求項４】
前記発熱部品の周囲を覆うシールド壁を備える請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放熱装置。
【請求項５】
前記シールド壁は、前記基板に立設され、上端縁に前記第１嵌合部が被冠されている請求項４に記載の放熱装置。
【請求項６】
前記液体保持空隙部には、固体との間で相転移する液体が保持されている請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放熱装置。
【請求項７】
前記液体保持空隙部には、パラフィンが保持されている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放熱装置。
【請求項８】
筐体内に配置されている放熱部材と、
前記放熱部材と熱的に接続され、交互に形成された山部及び谷部を有する第１嵌合部と、
前記筐体内に配置されている基板と、
前記基板に実装されている発熱部品と熱的に接続され、前記第１嵌合部が有する山部及び谷部と互いに嵌合する谷部及び山部を有する第２嵌合部と、を備え、
前記第１嵌合部と前記第２嵌合部の少なくとも一方は、導電体を含み、
前記第１嵌合部が有する山部と前記第２嵌合部が有する山部の少なくとも一方は、前記第１嵌合部と前記第２嵌合部との密着性を向上させる液体を保持する液体保持空隙部を有する、
電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱装置及び電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品の放熱を行う構造が種々提案されている。例えば、電子部品の熱を、２個以上の伝熱ブロックを順に介して放熱部に伝えるように構成され、伝熱ブロック間は、凹溝と凸条との嵌合構造となっている電子部品の放熱構造が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２４１５５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、昨今の電子装置、とりわけ、スマートフォンをはじめとする携帯性を要求されるモバイル機器においては、その薄型化が推進されている。このような薄型のモバイル機器に使われているチップ類、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、パワーマネジメントチップ、通信用チップ等は、熱により機能低下を起こすため、冷却が必須である。特許文献１は、電子部品の放熱構造であるが、薄型化が推進される電子装置へ適用するにあたり、凹溝と凸条との接触状態の改善等、さらなる改良の余地を有している。また、モバイル機器では、ノイズ対策のために、これらのチップ類を、シールド機能を持った部材で覆う必要がある。通常、ノイズ対策のためにシールドを配置すると、その分だけ、厚みが増す。特許文献１は、シールド対策については開示しておらず、かかる観点からも改良の余地を有している。
【０００５】
１つの側面では、本明細書開示の放熱装置及び電子装置は、電子装置の薄型化に対応すると共に、効率的な放熱を行うことを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書開示の放熱装置は、放熱部材と熱的に接続され、交互に形成された山部及び谷部を有する第１嵌合部と、基板に実装されている発熱部品と熱的に接続され、前記第１嵌合部が有する山部及び谷部と互いに嵌合する谷部及び山部を有する第２嵌合部と、を備え、前記第１嵌合部と前記第２嵌合部の少なくとも一方は、導電体を含み、前記第１嵌合部が有する山部と前記第２嵌合部が有する山部の少なくとも一方は、前記第１嵌合部と前記第２嵌合部との密着性を向上させる液体を保持する液体保持空隙部を有する。
【０００７】
本明細書開示の電子装置は、筐体内に配置されている放熱部材と、前記放熱部材と熱的に接続され、交互に形成された山部及び谷部を有する第１嵌合部と、前記筐体内に配置されている基板と、前記基板に実装されている発熱部品と熱的に接続され、前記第１嵌合部が有する山部及び谷部と互いに嵌合する谷部及び山部を有する第２嵌合部と、を備え、前記第１嵌合部と前記第２嵌合部の少なくとも一方は、導電体を含み、前記第１嵌合部が有する山部と前記第２嵌合部が有する山部の少なくとも一方は、前記第１嵌合部と前記第２嵌合部との密着性を向上させる液体を保持する液体保持空隙部を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本明細書開示の放熱装置及び電子装置によれば、電子装置の薄型化に対応すると共に、効率的な放熱を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は実施形態の放熱装置を装備した電子装置の分解斜視図である。
【図２】図２は放熱板に設けられている蓋部を示す説明図である。
【図３】図３は基板に設けられている被冠部を示す説明図である。
【図４】図４は電子装置に搭載された放熱装置を模式的に示す説明図である。
【図５】図５（Ａ）は蓋部と被冠部とを分離した状態を示す説明図であり、図５（Ｂ）は蓋部と被冠部とを嵌合した状態を示す説明図である。
【図６】図６は、蓋部の山部と被冠部の谷部との嵌合位置を拡大して示す説明図である。
【図７】図７（Ａ）は実施形態の放熱装置に含まれる部品の積層状態を模式的に示す説明図であり、図７（Ｂ）は比較例に含まれる部品の積層状態を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。ただし、図面中、各部の寸法、比率等は、実際のものと完全に一致するようには図示されていない場合がある。また、図面によっては、説明の都合上、実際には存在する構成要素が省略されていたり、寸法が実際よりも誇張されて描かれていたりする場合がある。
【００１１】
（第１実施形態）
まず、図１乃至図６を参照しつつ、実施形態の電子装置１０について説明する。図１は実施形態の放熱装置を装備した電子装置の分解斜視図である。図２は放熱板に設けられている蓋部を示す説明図である。図３は基板に設けられている被冠部を示す説明図である。図４は電子装置に搭載された放熱装置を模式的に示す説明図である。図５（Ａ）は蓋部と被冠部とを分離した状態を示す説明図であり、図５（Ｂ）は蓋部と被冠部とを嵌合した状態を示す説明図である。図６は、蓋部の山部と被冠部の谷部との嵌合位置を拡大して示す説明図である。
【００１２】
図１を参照すると、電子装置１０は、いわゆるスマートフォンであり、フロントガラス１１、液晶ディスプレイ１２、放熱板１３及び基板１５を備える。フロントガラス１１及び液晶ディスプレイ１２は、枠状の筐体１８の前面側に装着される。放熱板１３及び基板１５は、筐体１８内に配置されている。筐体１８の裏面側には、裏面カバー１９が装着される。筐体１８の基板１５の下側には、電池２１が搭載されている。このような電子装置１０には、放熱装置１が搭載されている。放熱装置１は、放熱板１３、放熱板１３に設けられている第１蓋部１４ａ乃至第３蓋部１４ｃ、基板１５に設けられている第１被冠部１７ａ乃至第３被冠部１７ｃを含んでいる。放熱板１３は、筐体１８内のほぼ全域を覆う寸法とされている。これにより、放熱板１３は、電子装置１０内で発生した熱を電子装置１０の広範囲に伝熱して均熱化し、その表面から自然放熱させることで、電子装置１０の冷却を行う。放熱板１３は、放熱部材の一例である。
【００１３】
図２を参照すると、放熱板１３には、それぞれ第１嵌合部に相当する第１蓋部１４ａ、第２蓋部１４ｂ及び第３蓋部１４ｃが設けられている。第１蓋部１４ａ、第２蓋部１４ｂ及び第３蓋部１４ｃは、いずれもシリコンによって形成された導電体である。これにより、第１蓋部１４ａ、第２蓋部１４ｂ及び第３蓋部１４ｃは、チップ類に対するシールド性を発揮することができる。第１蓋部１４ａ、第２蓋部１４ｂ及び第３蓋部１４ｃを形成しているシリコンは、ドープ量を５×１０１６ｃｍ−３以上とすることで、抵抗率０．１Ωｃｍ以下とされている。これにより、ノイズ対策としてのシールド性を向上させることができる。なお、シリコンの熱伝導率は、１８０Ｗ／ｍＫである。
【００１４】
本実施形態では、３つの蓋部が設けられているが、これは、基板１５に実装されているチップ類の数及び配置に対応させたものである。従って、蓋部の数は、３つに限定されるものではなく、基板１５に実装されている発熱部品の態様によって適宜変更することができる。チップ類は、発熱部品に相当する。チップ類については、後に説明する。
【００１５】
第１蓋部１４ａは、放熱板１３に熱的に接続されている。放熱板１３は、金属板であり、第１蓋部１４ａは、ろう付けによって放熱板１３に熱的に接続した状態とされている。
【００１６】
第１蓋部１４ａは、外周溝部１４ａ１を備え、その内側に、交互に形成されている谷部１４ａ２及び山部１４ａ３を備えている。本実施形態における第１蓋部１４ａの総厚みは、０．２ｍｍに設定されており、このうち、谷部１４ａ２の深さ（山部１４ａ３の歯の高さ）が０．１ｍｍに設定されている。なお、第１蓋部１４ａと嵌合する第１被冠部１７ａにおける厚み方向の寸法も同一に設定されているため、第１蓋部１４ａと第１被冠部１７ａとが嵌合したとき、両者の合計厚みは、０．３ｍｍとなる。
【００１７】
山部１４ａ３には、液体保持空隙部１４ａ３１が形成されている。液体保持空隙部１４ａ３１は、毛細管力によって、第１蓋部１４ａと、後に詳説する第１被冠部１７ａとの密着性を向上させる液体２０を保持する。液体保持空隙部１４ａ３１は液体２０のポンプアウトを抑制するために設けられている。液体保持空隙部１４ａ３１は、本実施形態では、谷部１４ａ２及び山部１４ａ３が連続する方向と直交する方向に延びる複数条の液体保持溝が形成されている。本実施形態における液体保持空隙部１４ａ３１は、１０μｍピッチで設けられており、山部１４ａ３に対する空隙率が５０％に設定されている。すなわち、山部１４ａ３の体積のうち、５０％が空隙となるように、溝が形成されている。なお、液体保持空隙部１４ａ３１は、溝に代えて、液体保持孔としてもよい。例えば、連続気泡タイプのような連通した空孔としてもよく、その形態は、適宜選択することができる。
【００１８】
第１蓋部１４ａは、熱伝導性が高く、微細加工に適しているとの観点から、シリコンにより成形されている。シリコンは、熱伝導率が高く、バルク熱抵抗を低下させることができる点で有利である。また、シリンコンは、半導体製造プロセスを応用して湿式や乾式の微細加工を適用することができる。このため、外周溝部１４ａ１、谷部１４ａ２及び山部１４ａ３の加工を容易に行うことができる。さらに、液体保持空隙部１４ａ３１の加工も容易に行うことができる。
【００１９】
第１蓋部１４ａは、抵抗率０．１Ωｃｍ以下とされることで、シールド性が確保されているが、導電性が不足するような場合には、メッキ等を施して、導電性を補うようにしてもよい。なお、シリコンに代えて、他の導電性材料を用いてもよい。
【００２０】
本実施形態における液体２０は、パラフィンである。液体２０は、第１蓋部１４ａと、後に詳説する第１被冠部１７ａとの密着性を高める。ここで、第１蓋部１４ａと第１被冠部１７ａとは、高精度にかみ合うため、熱接合部材としての液体２０の厚みは数μｍ以下の厚みで十分である。このため、グリース状のフィラーの入った高熱伝導タイプよりも、フィラーの入っていないオイルやワックス類のみの方が適している。また，液体２０は低揮発性のものが望ましい。合成油、鉱物油、シリコーンオイル、フッ素系オイル等、様々なものを用いることができるが、安定した特性を得るには天然由来のものよりは人工合成系の材料が適している。さらにここで用いる液体２０に、電子装置１０の動作想定温度で固液の相転移をするものを用いると、ポンプアウトに対する耐性がさらに増すことができる。ここに用いられる液体２０の相転移は、固体−液体の相転移のほかに、ゾルゲルの相転移を用いることもできる。電子装置１０の動作温度内で相転移を起こす範囲に相転移温度が設定される材料を選択する必要がある。固液相転移ではパラフィンが扱いやすい材料である。そこで、本実施形態では、パラフィンを採用している。なお、ゾルゲル相転移として、低分子系のオイルゲル化剤を用いるとゾル化した時の粘度が扱いやすいため、これを液体２０として採用してもよい。
【００２１】
本実施形態で採用した液体２０としてのパラフィンは、融点が３０℃であり、電子装置１０の動作時には液状となる。パラフィン自体の熱伝導率は０．２４Ｗ／ｍＫであるが、第１蓋部１４ａと第１被冠部１７ａとが高精度にかみ合うため、その実効厚みは１μｍ以下と非常に薄くすることができる。このため、バルク部分の熱抵抗を非常に小さくすることができ、接触熱抵抗の改善のみに使用することができる。また、パラフィンは、非常に揮発しにくい材料であるため、揮発による目減りが抑制される。パラフィンは、電子装置１０の動作時に液状となるが、液体保持空隙部１４ａ３１の毛細管力で引き付けられるため、第１蓋部１４ａと第１被冠部１７ａと嵌合部近傍から押し出される目減りもほとんど確認されない。このため、スマートフォンのような電子装置１０の使用環境であっても信頼性を確保することができる。
【００２２】
第２蓋部１４ｂは、第１蓋部１４ａと同様に、外周溝部１４ｂ１、谷部１４ｂ２及び山部１４ｂ３を備え、第２嵌合部に相当する第２被冠部１７ｂと嵌合する。第２蓋部１４ｂは、山部１４ｂ３に液体保持空隙部１４ｂ３１を備える点においても第１蓋部１４ａと同様である。第３蓋部１４ｃも、第１蓋部１４ａと同様に、外周溝部１４ｃ１、谷部１４ｃ２及び山部１４ｃ３を備え、第２嵌合部に相当する第３被冠部１７ｃと嵌合する。第３蓋部１４ｃは、山部１４ｃ３に液体保持空隙部１４ｃ３１を備える点においても第１蓋部１４ａと同様である。従って、これらについての詳細な説明は省略する。
【００２３】
図３を参照すると、基板１５には、第１チップ１５ａ、第２チップ１５ｂ、第３チップ１５ｃが実装されている。これらのチップは、発熱部品である。発熱部品としては、ＣＰＵ、メモリー、無線通信用チップ及び電力管理用チップ等が想定される。基板１５には、第１チップ１５ａ、第２チップ１５ｂ及び第３チップ１５ｃにそれぞれ対応させて、第１被冠部１７ａ、第２被冠部１７ｂ及び第３被冠部１７ｃが設けられている。また、基板１５には、第１チップ１５ａ、第２チップ１５ｂ及び第３チップ１５ｃにそれぞれ対応させて、第１シールド壁１６ａ、第２シールド壁１６ｂ及び第３シールド壁１６ｃが設けられている。第１シールド壁１６ａは、第１チップ１５ａの周囲を覆っている。同様に、第２シールド壁１６ｂは、第２チップ１５ｂの周囲を覆い、第３シールド壁１６ｃは、第３チップ１５ｃの周囲を覆っている。第１シールド壁１６ａ、第２シールド壁１６ｂ及び第３シールド壁１６ｃは、基板１５に立設されている。
【００２４】
第１チップ１５ａには、第１被冠部１７ａがグリースを介して熱的に接続されている。第２チップ１５ｂには、第２被冠部１７ｂがグリースを介して熱的に接続されている。第３チップ１５ｃ上には、第３被冠部１７ｃがグリースを介して熱的に接続されている。第１被冠部１７ａ、第２被冠部１７ｂ及び第３被冠部１７ｃは、それぞれ第２嵌合部に相当する。第１被冠部１７ａ、第２被冠部１７ｂ及び第３被冠部１７ｃは、いずれもシリコンによって形成された導電体である。これにより、第１被冠部１７ａ、第２被冠部１７ｂ及び第３被冠部１７ｃは、それぞれ、第１チップ１５ａ、第２チップ１５ｂ及び第３チップ１５ｃに対するシールド性を発揮することができる。第１被冠部１７ａ、第２被冠部１７ｂ及び第３被冠部１７ｃを形成しているシリコンは、第１蓋部１４ａ、第２蓋部１４ｂ及び第３蓋部１４ｃと同様である。すなわち、シリコンは、ドープ量を５×１０１６ｃｍ−３以上とすることで、抵抗率０．１Ωｃｍ以下とされている。これにより、ノイズ対策としてのシールド性を向上させることができる。
【００２５】
また、第１被冠部１７ａ、第２被冠部１７ｂ及び第３被冠部１７ｃをシリコンで形成することで、以下の効果を得ることができる。すなわち、第１チップ４をはじめとするチップ類と熱膨張を合わせることできる。この結果、嵌合部に生じる熱膨張に起因するひずみ応力の発生を抑制することができる。
【００２６】
第１被冠部１７ａは、交互に形成されている山部１７ａ１及び谷部１７ａ２を備えている。第１被冠部１７ａは、第１蓋部１４ａと嵌合する。この際、山部１７ａ１及び谷部１７ａ２は、第１蓋部１４ａが備える谷部１４ａ２及び山部１４ａ３と嵌合する。すなわち、山部１７ａ１が谷部１４ａ２に入り込み、谷部１７ａ２に山部１４ａ３が入り込む。ここで、第１被冠部１７ａの総厚みは、０．２ｍｍに設定されており、このうち、谷部１７ａ２の深さが０．１ｍｍに設定されている。これにより、第１蓋部１４ａと第１被冠部１７ａとが嵌合したとき、両者の合計厚みは、０．３ｍｍとなる。
【００２７】
なお、本実施形態の第１被冠部１７ａが備える山部１７ａ１には、液体保持空隙部は設けられていない。液体保持空隙部は、第１蓋部１４ａと第１被冠部１７ａのいずれか一方に設けられていればよいからである。もちろん、第１蓋部１４ａに設けられている液体保持空隙部１４ａ３１を廃止し、第１被冠部１７ａ側に液体保持空隙部を設けてもよいし、双方に液体保持空隙部を設けてもよい。
【００２８】
第２被冠部１７ｂは、第１被冠部１７ａと同様に、山部１７ｂ１及び谷部１７ｂ２を備えている。第３被冠部１７ｃも、第１被冠部１７ａと同様に、山部１７ｃ１及び谷部１７ｃ２を備えている。従って、これらについての詳細な説明は省略する。
【００２９】
図４乃至図５（Ｂ）を参照すると、第１被冠部１７ａには、第１蓋部１４ａが被冠される。すなわち、山部１７ａ１が谷部１４ａ２に入り込み、谷部１７ａ２に山部１４ａ３が入り込む。同様に、第２被冠部１７ｂには、第２蓋部１４ｂが被冠され、第３被冠部１７ｃには、第３蓋部１４ｃが被冠される。このとき、基板１５に立設されている第１シールド壁１６ａ、第２シールド壁１６ｂ及び第３シールド壁１６ｃのそれぞれの上縁には、それぞれ、第１蓋部１４ａ、第２蓋部１４ｂ及び第３蓋部１４ｃが被冠される。具体的に、第１シールド壁１６ａの上端縁が外周溝部１４ａ１に入り込み、第２シールド壁１６ｂの上端縁が外周溝部１４ｂ１に入り込む。そして、第３シールド壁１６ｃの上端縁が外周溝部１４ｃ１に入り込む。これにより、各チップがシールドされる。
【００３０】
図６を参照すると、第１蓋部１４ａと第１被冠部１７ａとが嵌合したとき、両者間には、液体２０が介在し、両者を密着させている。これにより、熱伝導性が向上している。
【００３１】
ここで、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）を参照し、比較例を示しつつ、本願実施形態の放熱装置１の熱抵抗及び厚みについて考察する。
【００３２】
図７（Ａ）を参照すると、本実施形態の放熱装置１は、基板１５に近い側から順に、第１チップ１５ａ、第１被冠部１７ａ、第１蓋部１４ａ及び放熱板１３が積層された積層構造となっている。第１チップ１５ａが発した熱は、この順に放熱板１３に到達し、広い面積の放熱板１３で均熱化される。このような構造では、後述する比較例に対し高熱伝導率の材料が適応可能であり、大幅なバルク熱抵抗の低減が可能である。また、第１蓋部１４ａと放熱板１３とは、ろう付けされており、接触熱抵抗が大幅に低減されている。さらに、第１蓋部１４ａと第１被冠部１７ａとの接触は凹凸加工により表面積を大きくしている。このため、接触熱抵抗を下げることができる。
【００３３】
また、第１蓋部１４ａや第１被冠部１７ａが熱伝導を担うとともに、シールド機能を発揮するため、図７（Ｂ）に示すようなシールド板金を廃止することができる。この結果、伝熱に寄与する部分の厚みを薄くすることができる。本実施形態の放熱装置１における熱抵抗及び第１チップ１５ａから放熱板１３までの厚みｔ１は、以下のように概算される。
【００３４】
（１）  第１被冠部１７ａのバルク熱抵抗が０．００８℃ｃｍ／Ｗ
（２）  厚み０．１ｍｍ、空隙率５０％の液体保持空隙部１４ａ３１を有する第１蓋部１４ａのバルク熱抵抗が０．０１７℃ｃｍ／Ｗ
（３）  第１チップ１５ａと第１被冠部１７ａとの間（Ｐ２）における接触熱抵抗０．０５℃ｃｍ／Ｗ
（４）  第１蓋部１４ａと第１被冠部１７ａとの間（Ｐ１）における接触熱抵抗０．０８℃ｃｍ／Ｗ
合計  ０．１５５℃ｃｍ／Ｗ
となる。そして、第１チップ１５ａと放熱板１３との距離、すなわち、Ｐ１からＰ２までの距離は、０．３ｍｍである。
【００３５】
一方、図７（Ｂ）を参照すると、比較例は、基板１５に近い側から順に、第１チップ１５ａ、第１ＴＩＭ（Thermal Interface Material）３１、シールド板金３３、第２ＴＩＭ３２及び放熱板３４が積層された積層構造となっている。第１チップ１５ａが発した熱は、この順に放熱板１３に到達し、広い面積の放熱板１３で均熱化される。このような構造では、部品点数も多く、接触熱抵抗が４箇所で生じる構造となり、熱抵抗上昇の原因となる。また、各部材を薄型化しハンドリングを行うことは非常に難しくなる。ＴＩＭとして用いられる部材は、液状のグリース、使用温度範囲内に相転移温度を持ち固体−液体変化により密着性を増すフェイズチェンジ、柔軟性の固体でできているシートの３種が主としてあげられる。グリース、およびフェイズチェンジはゴム弾性がないため、薄い部位に反発力無く設置するには適しているが、ポンプアウトなどにより密着が保てなくなり、長期間の継続使用により、大幅に熱抵抗が増大する可能性がある。シートはゴム弾性を有しているため、ポンプアウトはなく、高い信頼性を期待できるが、圧縮しすぎると大きな反発力を持つ、このため、放熱板３４を押し返し、液晶にじみや蓋が閉まらないなどの問題を起こす可能性がある。また、柔軟性、熱伝導率が高いほど効果的であるが、おおむね熱伝導率が高いと柔軟性は低くなる傾向がある。柔軟性が高すぎると、組み立て工程時に取り扱えないなどの問題も生じ得る。これらの条件を考慮してＴＩＭを選択する必要がある。
【００３６】
比較例においては、信頼性を重視し、柔軟性シートを選択した。柔軟性シート状のＴＩＭは、反発力を考慮して硬度１０、高柔軟性としては熱伝導率が高い３Ｗ／ｍＫで、ハンドリング可能で入手性のよい厚み０．５ｍｍを選択した。熱的な接触の信頼性確保のため、０．５ｍｍのシートを、２０％圧縮して０．４ｍｍで使用した。シールド板金は導電性、剛性が必要なため、金属が使われている。シールド板金に用いられる金属は単材でも複合材でもよくＡｌ、ＳＵＳ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｇおよびその複合材料がよく用いられる。熱伝導性の補助にグラファイトシート等のシート材料を張り付けることも可能である。比較例では強度を優先し、０．１ｍｍの厚みを持つＳＵＳ３０４を用いた。この構造における第１チップ１５ａから放熱板３４までの熱抵抗と厚みは以下のように概算される。
【００３７】
（１）  第１ＴＩＭ３１のバルク熱抵抗が１．３３℃ｃｍ／Ｗ
（２）  シールド板金３３のバルク熱抵抗が０．０６℃ｃｍ／Ｗ
（３）  第２ＴＩＭ３２のバルク熱抵抗が１．３３℃ｃｍ／Ｗ
（４）  第１チップ１５ａと第１ＴＩＭ３１との間（Ｐ１４）における接触熱抵抗０．０５℃ｃｍ／Ｗ
（５）  第１ＴＩＭ３１とシールド板金３３との間（Ｐ１３）における接触熱抵抗０．０５℃ｃｍ／Ｗ
（６）  シールド板金３３と第２ＴＩＭ３２との間（Ｐ１２）における接触熱抵抗０．０５℃ｃｍ／Ｗ
（７）  第２ＴＩＭ３２と放熱板３４との間（Ｐ１１）における接触熱抵抗０．０５℃ｃｍ／Ｗ
合計  ２．９２℃ｃｍ／Ｗ
となる。そして、第１チップ１５ａと放熱板３４との距離、すなわち、Ｐ１１からＰ１４までの距離は、０．９ｍｍである。
【００３８】
以上のように本実施形態の放熱装置１によれば、放熱抵抗を低減して、効率的な熱伝達を行うことができるため、効率的な放熱を行うことができ、また、電子装置１０の薄型化に対応することができる。
【００３９】
以上本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【００４０】
１  放熱装置
１０  電子装置
１１  フロントガラス
１２  液晶ディスプレイ
１３  放熱板
１４ａ  第１蓋部
１４ａ１  外周溝部
１４ａ２  谷部
１４ａ３  山部
１４ａ３１  液体保持空隙部
１５  基板
１５ａ  第１チップ
１６ａ  第１シールド壁
１７ａ  第１被冠部
１７ａ１  山部
１７ａ２  谷部
【図１】
2017212402.tif 000003
【図２】
2017212402.tif 000004
【図３】
2017212402.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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