(57)【要約】【課題】ミラーと一体に筒状のミラー支持ポストを形成する場合でも、ミラー支持ポストの強度を高めることのできる電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００は、基板１の一方面１ｓから離間して設けられた光変調用のミラー５１およびミラー５１から基板１に向けて突出した筒状のミラー支持ポスト５２を備えた第１金属層５０を有している。かかる第１金属層５０は、開口部を備えた犠牲層の表面に金属層を形成した後、パターニングし、その後、犠牲層を除去する。その結果、開口部の内壁に沿うようにミラー支持ポスト５２が形成される。ここで、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２は、ミラー支持ポスト５２の長さＬ５２の１．５倍以上である。【選択図】図５
2017211402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方面から離間して設けられ、光変調用のミラーおよび前記ミラーから前記基板に向けて突出した筒状のミラー支持ポストを備えた第１金属層と、
前記第１金属層と前記基板との間で前記基板の一方面から離間して設けられ、前記ミラー支持ポストを介して前記ミラーを支持するねじれヒンジと、
前記ねじれヒンジと前記基板との間で前記ねじれヒンジを支持するヒンジ支持ポストと、
を有し、
前記ミラー支持ポストの太さは、前記ミラー支持ポストの長さの１．５倍以上であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記ミラー支持ポストは、前記ヒンジ支持ポストより細いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記ミラー支持ポストは、前記ヒンジ支持ポストより短いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記ねじれヒンジおよび前記ヒンジ支持ポストを備えた第２金属層を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置において、
前記ミラーと前記基板との間において前記ミラーおよび前記基板から離間する位置に設けられた高架アドレス電極と、
前記高架アドレス電極と前記基板との間で前記高架アドレス電極を支持する電極支持ポストと、
を有し、
前記高架アドレス電極は、前記ねじれヒンジと同一の層に設けられ、
前記電極支持ポストは、前記ヒンジ支持ポストと同一の層に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記ヒンジ支持ポストは、前記基板に支持されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項４に記載の電気光学装置において、
前記ねじれヒンジと前記基板との間に設けられたヒンジ支持層と、
前記ヒンジ支持層と前記基板との間で前記ヒンジ支持層を支持する支持ポストと、
を有し、
前記ヒンジ支持ポストは、前記ヒンジ支持層に支持されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置において、
前記ねじれヒンジおよび前記ヒンジ支持ポストを備えた第２金属層と、
前記ヒンジ支持層および前記支持ポストを備えた第３金属層と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の電気光学装置において、
前記ねじれヒンジおよび前記ヒンジ支持層のいずれかと同一の層に設けられた第１高架アドレス電極と、
前記第１高架アドレス電極と前記基板との間で前記第１高架アドレス電極を支持する第１電極支持ポストを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置において、
前記ヒンジ支持層と同一の層に設けられた第２高架アドレス電極と、
前記支持ポストと同一の層に設けられ、前記第２高架アドレス電極と前記基板との間で前記第２高架アドレス電極を支持する第２電極支持ポストと、
を有し、
前記第１高架アドレス電極は、前記ねじれヒンジと同一の層に設けられ、
前記第１電極支持ポストは、前記ヒンジ支持ポストと同一の層に設けられ、
前記第１電極支持ポストは、前記第２高架アドレス電極に支持されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記支持ポストは、前記基板に支持されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項７乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記ヒンジ支持層には、前記ミラーが揺動した際に当接して前記ミラーの揺動範囲を規定するスプリングチップが設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項７乃至１２の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記ヒンジ支持層は、前記ねじれヒンジより厚いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１２の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
前記ミラーに光源光を照射する光源部と、
前記電気光学装置から出射された変調光を投射する投射光学系と、
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
基板の一方面側に、ヒンジ支持ポスト、および前記ヒンジ支持ポストの前記基板とは反対側の端部に支持されたねじれヒンジを形成した後、
前記ねじれヒンジの前記基板とは反対側に前記ねじれヒンジまで到達する開口部を備えた犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記犠牲層の前記基板と反対側に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層をパターニングし、前記犠牲層に重なる光変調用のミラー、および前記開口部の内側で前記ミラーを支持する筒状のミラー支持ポストを形成するパターニング工程と、
前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、
を有し、
前記開口部の開口径を前記開口部の深さの１．５倍以上とすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミラーを備えた電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器として、例えば、光源から出射された光をＤＭＤ（デジタル・ミラー・デバイス）と呼ばれる電気光学装置の複数のミラー（マイクロミラー）によって変調する投射型表示装置等が知られている。かかる電子機器に用いられる電気光学装置において、ミラーは、基板の一方面から離間して設けられており、ミラーは、ミラーと基板との間に設けられたねじれヒンジにミラー支持ポストを介して支持されている。
【０００３】
電気光学装置の製造工程において、ミラーの製造工程では、ねじれヒンジを覆う犠牲層を形成した後、犠牲層に対してねじれヒンジまでに到達する開口部を形成し、金属層を成膜する。そして、金属層をパターニングした後、犠牲層を除去すれば、金属層のうち、犠牲層に重なっていた部分によってミラーが形成され、開口部の内壁に重なっていた部分によってミラー支持ポストが筒状に形成される。しかしながら、上記の方法でミラー支持ポストを形成すると、金属層を成膜する際、金属層には、開口部の開口縁から内側に張り出した部分が発生する。このため、張り出し部分の影になって開口部の内壁に金属層の薄い部分が発生し、ミラー支持ポストの強度が低下してしまう。それ故、ミラーを繰り返し揺動させた際、ミラー支持ポストが損傷するおそれがある。
【０００４】
そこで、樹脂からなるピラー材料によってねじれヒンジの上にポストを柱状に形成した後、ミラーを形成する方法が提案されている。また、柱状のミラー支持ポストの上端面および外周面を覆うように導電層を形成してミラーとねじれヒンジとを導通させた構造が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２２７０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の記載の構成のように、樹脂からなるピラー材料によってねじれヒンジの上に柱状のポストを形成した構造では、ねじれヒンジに加わる荷重が大きくなってしまうという問題点がある。また、柱状のミラー支持ポストの上端面および外周面を覆うように導電層を形成した場合、導電層がねじれヒンジと部分的に重なるため、ねじれヒンジの弾性が変動するという問題点もある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ミラーと一体に筒状のミラー支持ポストを形成する場合でも、ミラー支持ポストの強度を高めることのできる電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、基板と、前記基板の一方面から離間して設けられ、光変調用のミラーおよび前記ミラーから前記基板に向けて突出した筒状のミラー支持ポストを備えた第１金属層と、前記第１金属層と前記基板との間で前記基板の一方面から離間して設けられ、前記ミラー支持ポストを介して前記ミラーを支持するねじれヒンジと、前記ねじれヒンジと前記基板との間で前記ねじれヒンジを支持するヒンジ支持ポストと、前記ミラーと前記基板との間において前記ミラーおよび前記基板から離間する位置に設けられた第１高架アドレス電極と、前記第１高架アドレス電極と前記基板との間で前記第１高架アドレス電極を支持する第１電極支持ポストと、を有し、前記ミラー支持ポストの太さは、前記ミラー支持ポストの長さの１．５倍以上であることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置では、ミラー支持ポストの太さがミラー支持ポストの長さの１．５倍以上であるため、ミラー支持ポストのアスペクト比（ミラー支持ポストの長さ／ミラー支持ポストの太さ）が小さい。このため、ミラー支持ポストの強度を高めることができる。また、開口部を備えた犠牲層の表面に第１金属層を形成し、開口部の内壁に沿うようにミラー支持ポストを形成する場合でも、ミラー支持ポストに薄い部分が発生しにくい。それ故、筒状のミラー支持ポストを形成する場合でも、ミラー支持ポストの強度を高めることができる。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様は、基板の一方面側に、ヒンジ支持ポスト、および前記ヒンジ支持ポストの前記基板とは反対側の端部に支持されたねじれヒンジを形成した後、前記ねじれヒンジの前記基板とは反対側に前記ねじれヒンジまで到達する開口部を備えた犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲層の前記基板と反対側に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層をパターニングし、前記犠牲層に重なる光変調用のミラー、および前記開口部の内側で前記ミラーを支持する筒状のミラー支持ポストを形成するパターニング工程と、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を有し、前記開口部の開口径を前記開口部の深さの１．５倍以上とすることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る電気光学装置の製造方法では、開口部を備えた犠牲層の表面に金属層を形成し、開口部の内壁に沿うようにミラー支持ポストを形成する場合でも、開口部の開口径が開口部の深さの１．５倍以上である。このため、開口部のアスペクト比（開口部の深さ／開口部の開口径）が小さいため、ミラー支持ポストに薄い部分が発生しにくい。それ故、筒状のミラー支持ポストを形成する場合でも、ミラー支持ポストの強度を高めることができる。
【００１２】
本発明において、前記ミラー支持ポストは、前記ヒンジ支持ポストより細い態様を採用することができる。かかる態様によれば、ミラーの表面にミラー支持ポストに起因する凹部が形成された場合でも、凹部が小さいので、ミラーの反射特性の低下を抑制することができる。
【００１３】
本発明において、前記ミラー支持ポストは、前記ヒンジ支持ポストより短い態様を採用することができる。かかる態様によれば、ミラー支持ポストが短いので、ミラー支持ポストの強度を高めることができる。
【００１４】
本発明において、前記ねじれヒンジおよび前記ヒンジ支持ポストを備えた第２金属層を有する態様を採用することができる。
【００１５】
本発明において、前記ミラーと前記基板との間において前記ミラーおよび前記基板から離間する位置に設けられた高架アドレス電極と、前記高架アドレス電極と前記基板との間で前記高架アドレス電極を支持する電極支持ポストと、を有し、前記高架アドレス電極は、前記ねじれヒンジと同一の層に設けられ、前記電極支持ポストは、前記ヒンジ支持ポストと同一の層に設けられている態様を採用することができる。
【００１６】
本発明において、前記ヒンジ支持ポストは、前記基板に支持されている態様を採用することができる。
【００１７】
本発明において、前記ねじれヒンジと前記基板との間に設けられたヒンジ支持層と、前記ヒンジ支持層と前記基板との間で前記ヒンジ支持層を支持する支持ポストと、を有し、前記ヒンジ支持ポストは、前記ヒンジ支持層に支持されている態様を採用することができる。
【００１８】
本発明において、前記ねじれヒンジおよび前記ヒンジ支持ポストを備えた第２金属層と、前記ヒンジ支持層および前記支持ポストを備えた第３金属層と、を有する態様を採用することができる。
【００１９】
本発明において、前記ねじれヒンジおよび前記ヒンジ支持層のいずれかと同一の層に設けられた第１高架アドレス電極と、前記第１高架アドレス電極と前記基板との間で前記第１高架アドレス電極を支持する第１電極支持ポストを有する態様を採用することができる。
【００２０】
本発明において、前記ヒンジ支持層と同一の層に設けられた第２高架アドレス電極と、前記支持ポストと同一の層に設けられ、前記第２高架アドレス電極と前記基板との間で前記第２高架アドレス電極を支持する第２電極支持ポストと、を有し、前記第１高架アドレス電極は、前記ねじれヒンジと同一の層に設けられ、前記第１電極支持ポストは、前記ヒンジ支持ポストと同一の層に設けられ、前記第１電極支持ポストは、前記第２高架アドレス電極に支持されている態様を採用することができる。
【００２１】
本発明において、前記支持ポストは、前記基板に支持されている態様を採用することができる。
【００２２】
本発明において、前記ヒンジ支持層には、前記ミラーが揺動した際に当接して前記ミラーの揺動範囲を規定するスプリングチップが設けられている態様を採用することができる。かかる構成によれば、ミラーとスプリングチップとが大きく離間しているため、ミラーの揺動範囲を大きく設定することができる。
【００２３】
本発明において、前記ヒンジ支持層は、前記ねじれヒンジより厚い態様を採用することができる。
【００２４】
本発明を適用した電気光学装置は各種電子機器に用いることができる。電子機器を投射型表示装置とすて構成する場合、電子機器には、前記ミラーに光源光を照射する光源部と、前記電気光学装置から出射された変調光を投射する投射光学系とが設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明を適用した電子機器（投射型表示装置）の説明図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置のミラーの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の要部の分解斜視図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置の動作を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をねじれヒンジに沿って切断したときの断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造工程で形成された層の平面図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造工程で形成された層の平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の要部の分解斜視図である。
【図１１】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置をねじれヒンジに沿って切断したときの断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の一部を拡大して示す斜視図である。
【図１６】図１５に示す電気光学装置の一部の平面図である。
【図１７】図１５に示す電気光学装置の動作を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図面に示しているミラー等の数は、図面上で認識可能な程度の大きさとなるように設定しているが、この図面に示した数よりも多くのミラー等を設けてもよい。
【００２７】
［実施の形態１］
（電子機器１０００の全体構成）
図１は、本発明を適用した電子機器１０００（投射型表示装置）の説明図であり、図１には、電気光学装置１００に設けられた複数のミラー５１の１つのみを示してある。図１では、ミラー５１の定常姿勢を二点鎖線で示し、オン姿勢を実線で示し、オフ姿勢を点線で示してある。
【００２８】
図１に示す電子機器１０００は、光源部１１０と、光源部１１０から照射された光源光を画像情報に応じて変調する電気光学装置１００とを有している。また、電子機器１０００は、電気光学装置１００で変調された変調光を投射画像として壁面やスクリーン等の被投射物２００に投射する投射光学系１２０を有しており、投射型表示装置として構成されている。光源部１１０は、赤色光、緑色光および青色光を順次、出射し、電気光学装置１００は、赤色光、緑色光および青色光を順次、光変調して投射光学系１２０に出射する。従って、カラー画像を表示することができる。
【００２９】
光源部１１０には、例えば、光源から出射された白色光を、カラーフィルター（図示せず）を介して電気光学装置１００に出射する構成を採用することができる。また、光源部１１０には、赤色光を出射する発光素子、緑色光を出射する発光素子、および青色光を出射する発光素子を順次、点灯させて、赤色光、緑色光および青色光を順次、出射する構成を採用してもよい。いずれの場合も、電気光学装置１００は、光源部１１０が赤色光、緑色光および青色光が出射するタイミングに同期して、入射した光を変調する。
【００３０】
（電気光学装置１００の基本構成）
図２は、電気光学装置１００のミラー５１の説明図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の要部の分解斜視図である。図４は、本発明を適用した電気光学装置１００の動作を示す説明図であり、図４には、ミラー５１が一方側に傾いた状態、およびミラー５１が他方側に傾いた状態を模式的に示してある。
【００３１】
図２、図３および図４に示すように、電気光学装置１００は、基板１の一方面１ｓ側に複数のミラー５１がマトリクス状に配置されており、ミラー５１は基板１から離間している。基板１は、例えば、シリコン基板である。ミラー５１は、例えば、１辺の長さが例えば１０〜３０μｍの平面サイズを有するマイクロミラーである。ミラー５１は、例えば、６００×８００から１９２０×１０８０の配列をもって配置されており、１つのミラー５１が画像の１画素（単位ミラー部５）に対応する。
【００３２】
図３、図４および図５に示すように、ミラー５１の表面はアルミニウム等の反射金属層からなる反射面になっている。電気光学装置１００は、基板１の一方面１ｓに形成された基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を含む１階部分１００ａと、高架アドレス電極３２、３３およびねじれヒンジ３５を含む２階部分１００ｂと、ミラー５１を含む３階部分１００ｃとを備えている。１階部分１００ａでは、基板１にアドレス回路１４が形成されている。アドレス回路１４は、各ミラー５１の動作を選択的に制御するためのメモリセルや、ワード線、ビット線の配線１５等を備えており、ＣＭＯＳ回路１６を備えたＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）に類似した回路構成を有している。
【００３３】
２階部分１００ｂは、高架アドレス電極３２、３３、ねじれヒンジ３５、電極支持ポスト３２１、３３１、およびヒンジ支持ポスト３９を含んでいる。また、３階部分１００ｃは、ミラー５１、およびミラー支持ポスト５２を含んでいる。高架アドレス電極３２、３３は、電極支持ポスト３２１、３３１を介して基板１（基板側アドレス電極１２、１３）によって支持されているとともに、電極支持ポスト３２１、３３１を介して基板側アドレス電極１２、１３に導通している。従って、高架アドレス電極３２、３３は、電極支持ポスト３２１、３３１を介して基板側アドレス電極１２、１３からアドレス電圧が印加される。
【００３４】
ねじれヒンジ３５は、端部３６、３７が各々、２方向に延在している。ねじれヒンジ３５の端部３６、３７は、ヒンジ支持ポスト３９を介して基板１（基板側バイアス電極１１）に支持されているとともに、ヒンジ支持ポスト３９を介して基板側バイアス電極１１に導通している。ミラー５１は、ミラー支持ポスト５２を介してねじれヒンジ３５によって支持されているとともに、ミラー支持ポスト５２を介してねじれヒンジ３５に導通している。従って、ミラー５１は、ミラー支持ポスト５２、ねじれヒンジ３５、およびヒンジ支持ポスト３９を介して基板側バイアス電極１１に導通しており、基板側バイアス電極１１からバイアス電圧が印加される。なお、ねじれヒンジ３５の端部３６、３７には、ミラー５１が傾いたときに当接して、ミラー５１と高架アドレス電極３２、３３との接触を防止するスプリングチップ３６１、３６２、３７１、３７２が形成されている。
【００３５】
基板側アドレス電極１２、１３および高架アドレス電極３２、３３は、ミラー５１との間に静電力を発生させてミラー５１を傾くように駆動する駆動素子を構成している。具体的には、ねじれヒンジ３５は、基板側アドレス電極１２、１３および高架アドレス電極３２、３３に駆動電圧が印加されて、図４に示すように、ミラー５１が基板側アドレス電極１２および高架アドレス電極３２の側、あるいは基板側アドレス電極１３および高架アドレス電極３３に引き寄せられるように傾いた際に捩じれる。そして、基板側アドレス電極１２、１３および高架アドレス電極３２、３３に対する駆動電圧の印加が停止してミラー５１に対する吸引力が消失した際、ミラー５１が基板１に平行な姿勢に戻す力を発揮する。
【００３６】
電気光学装置１００において、例えば、ミラー５１が基板側アドレス電極１２および高架アドレス電極３２の側に傾くと、光源部１１０から出射された光がミラー５１によって投射光学系１２０に向けて反射するオン状態となる。これに対して、ミラー５１が基板側アドレス電極１３および高架アドレス電極３３の側に傾くと、光源部１１０から出射された光がミラー５１によって光吸収装置１４０に向けて反射するオフ状態となり、かかるオフ状態では、投射光学系１２０に向けて光が反射されない。かかる駆動は、複数のミラー５１の各々で行われる結果、光源部１１０から出射された光は、複数のミラー５１で画像光に変調されて投射光学系１２０から投射され、画像を表示する。
【００３７】
なお、基板側アドレス電極１２、１３と対向する平板状のヨークをねじれヒンジ３５と一体に設け、高架アドレス電極３２、３３とミラー５１との間に発生する静電力に加えて、基板側アドレス電極１２、１３とヨークとの間に作用する静電力も利用してミラー５１を駆動することもある。
【００３８】
（電気光学装置１００の詳細構成）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００をねじれヒンジ３５に沿って切断したときの断面図である。なお、図５には、電気光学装置１００の２階部分１００ｂおよび３階部分１００ｃのみを示し、基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を含む１階部分１００ａの図示を省略してある。また、図５では、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてあり、ミラー支持ポスト５２については他の部分より拡大してある。
【００３９】
図４および図５に示すように、電気光学装置１００は、ミラー５１から基板１に向けて突出したミラー支持ポスト５２を有しており、ミラー支持ポスト５２の基板１とは反対側の端部がミラー５１と繋がっている。すなわち、ミラー５１およびミラー支持ポスト５２は、一体の第１金属層５０からなり、第１金属層５０において、ミラー支持ポスト５２は、ミラー５１から基板１に向けて突出し、ミラー支持ポスト５２は、ねじれヒンジ３５に支持されている。
【００４０】
電気光学装置１００は、ねじれヒンジ３５から基板１に向けて突出したヒンジ支持ポスト３９を有しており、ヒンジ支持ポスト３９の基板１とは反対側の端部がねじれヒンジ３５と繋がっている。すなわち、ねじれヒンジ３５およびヒンジ支持ポスト３９は、一体の第２金属層３０からなり、第２金属層３０において、ヒンジ支持ポスト３９は、ねじれヒンジ３５から基板１に向けて突出し、ヒンジ支持ポスト３９は、基板１に支持されている。
【００４１】
電気光学装置１００は、高架アドレス電極３２、３３から基板１に向けて突出した電極支持ポスト３２１、３３１を有しており、電極支持ポスト３２１、３３１の基板１とは反対側の端部が各々、高架アドレス電極３２、３３と繋がっている。本形態において、高架アドレス電極３２、３３はねじれヒンジ３５と同一の層に形成され、電極支持ポスト３２１、３３１は、ヒンジ支持ポスト３９と同一の層に形成されている。すなわち、高架アドレス電極３２、３３および電極支持ポスト３２１、３３１は、第２金属層３０と同一の層に形成されている。
【００４２】
このように構成した電気光学装置１００において、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２は０．８μｍであり、ミラー支持ポスト５２の長さＬ５２は０．４μｍである。また、ヒンジ支持ポスト３９の太さφ３９は１．０μｍであり、ヒンジ支持ポスト３９の長さＬ３９は１．３μｍである。従って、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２は、ミラー支持ポスト５２の長さＬ５２の２倍であり、１．５倍以上である。また、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２は、ヒンジ支持ポスト３９の太さφ３９より細く、ミラー支持ポスト５２の長さＬ５２は、ヒンジ支持ポスト３９の長さＬ３９より短い。
【００４３】
（電気光学装置の製造方法）
図６〜図９を参照して、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造工程のうち、ねじれヒンジ３５、ミラー支持ポスト５２およびミラー５１を形成する工程を中心に説明する。図６および図７は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。図８および図９は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造工程で形成された層の平面図である。なお、図６〜図９では、電気光学装置１００に形成される複数のミラー５１のうち、１つのミラー５１に対するミラー支持ポスト５２およびねじれヒンジ３５のみを示してある。また、以下の説明では、適宜、図３を参照して説明した各部位との関係も説明する。
【００４４】
まず、図６に示す工程ＳＴ１において、シリコン基板からなるウエハー１０（基板）に、図３を参照して説明したアドレス回路１４、基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を形成する。
【００４５】
次に、図６に示す工程ＳＴ２において、ウエハー１０の一方面１０ｓにポジ型有機フォトレジスト等からなる感光性レジスト層２１を形成した後、図６に示す工程ＳＴ３において、感光性レジスト層２１に対して露光および現像を行い、ヒンジ支持ポスト用開口部２１１ａを備えた第１犠牲層２１１を形成する。その際、図８に示すように、工程ＳＴ３では、高架アドレス電極３２、３３の電極支持ポスト３２１、３３１を形成するための電極支持ポスト用開口部２１１ｂも形成する。かかる工程ＳＴ２、ＳＴ３が第１犠牲層形成工程である。第１犠牲層２１１の厚さは、例えば１．９μｍである。ヒンジ支持ポスト用開口部２１１ａの開口径φ２１１ａは、例えば約１．０μｍであり、深さＤ２１１ａは１．９μｍである。
【００４６】
次に、図６に示す工程ＳＴ４（第２金属層の形成工程）において、第１犠牲層２１１の表面（ウエハー１０とは反対側の面）に第２金属層３０を全面に形成する（図８の工程４参照）。その際、第２金属層３０は、ヒンジ支持ポスト用開口部２１１ａや電極支持ポスト用開口部２１１ｂの内壁および底部にも形成される。第２金属層３０は、例えば、アルミニウム層の単体膜、あるはアルミニウム層とチタン層との積層膜であり、厚さは、例えば０．０６μｍである。
【００４７】
次に、図６に示す工程ＳＴ５（第２金属層のパターニング工程）では、第２金属層３０の表面（ウエハー１０とは反対側の面）にレジストマスクを形成した状態で第２金属層３０をパターニングし、ヒンジ支持ポスト用開口部２１１ａの内壁および底部に残った第２金属層３０によって筒状のヒンジ支持ポスト３９がねじれヒンジ３５と一体に形成される。その際、図８に示すように、高架アドレス電極３２、３３が、電極支持ポスト用開口部２１１ｂの内壁および底部に筒状の電極支持ポスト３２１、３３１と一体に形成される。
【００４８】
次に、図６に示す工程ＳＴ６において、ねじれヒンジ３５のウエハー１０とは反対側に、ポジ型有機フォトレジスト等からなる感光性レジスト層２２を形成した後、図６に示す工程ＳＴ７において、感光性レジスト層２２に対して露光および現像を行い、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａを備えた第２犠牲層２２１を形成する（図８の工程ＳＴ７参照）。かかる工程ＳＴ６、ＳＴ７が第２犠牲層形成工程（犠牲層形成工程）である。
【００４９】
第２犠牲層２２１の厚さ（高さ）は、例えば０．４μｍである。ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの開口径φ２２１ａは、例えば０．８μｍであり、深さＤ２２１ａは０．４μｍである。従って、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの開口径φ２２１ａは、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの深さＤ２２１ａの２倍であり、１．５倍以上である。また、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａは、ヒンジ支持ポスト用開口部２１１ａより開口径が小さく、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａは、ヒンジ支持ポスト用開口部２１１ａより浅い。
【００５０】
次に、図６に示す工程ＳＴ８（第１金属層の形成工程／金属層形成工程）において、第２犠牲層２２１のウエハー１０とは反対側に第１金属層５０を形成する（図８の工程ＳＴ８参照）。第１金属層５０は、例えば、アルミニウム層の単体膜、あるはアルミニウム層とチタン層との積層膜であり、厚さは、例えば０．２５μｍである。
【００５１】
次に、図７に示す工程ＳＴ９において、ＰＥＶＣＤ法等により酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）等の無機膜９０を形成した後、図７に示す工程ＳＴ１０において、無機膜９０の表面（ウエハー１０とは反対側の面）にレジストマスクを形成した状態で無機膜９０をパターニングし、ミラー５１と同一の平面形状のエッチングストッパー層９１を形成する（図９の工程ＳＴ１０参照）。その後、レジストマスクを除去する。
【００５２】
次に、図７に示す工程ＳＴ１１では、エッチングストッパー層９１をマスクにして、第１金属層５０をパターニングし、ミラー５１を形成する（図９の工程ＳＴ１１参照）。その結果、第１金属層５０のうち、第２犠牲層２２１と重なっていた部分によってミラー５１が形成され、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの内壁および底部に重なっていた部分によって筒状のミラー支持ポスト５２が形成される。かかる工程ＳＴ９、ＳＴ１０、ＳＴ１１が第１金属層５０のパターニング工程である。
【００５３】
しかる後には、ウエハー１０を単品サイズの複数の基板１に分割し、その後、プラズマエッチング等を行って、第１犠牲層２１１および第２犠牲層２２１を除去する（犠牲層除去工程）。その際、エッチングストッパー層９１も除去する。その結果、図５に示す電気光学装置１００が得られる。
【００５４】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２がミラー支持ポスト５２の長さＬ５２の１．５倍以上であるため、ミラー支持ポスト５２のアスペクト比（ミラー支持ポスト５２の長さＬ５２／ミラー支持ポスト５２の太さφ５２）が小さい。このため、ミラー支持ポスト５２の強度を高めることができる。また、本形態の電気光学装置１００の製造方法では、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａを備えた犠牲層２２１の表面に第１金属層５０を形成し、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの内壁に沿うようにミラー支持ポスト５２を形成する場合でも、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの開口径φ２２１ａがミラー支持ポスト用開口部２２１ａの深さＤ２２１ａの１．５倍以上である。このため、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａのアスペクト比（ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの深さＤ２２１ａ／ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの開口径φ２２１ａ）が小さいため、ミラー支持ポスト５２に薄い部分が発生しにくい。それ故、ミラー支持ポスト５２に薄い部分が発生しても、その厚さはミラー５１の厚さの１／５〜１／１０程度を確保することができる。それ故、筒状のミラー支持ポスト５２を形成する場合でも、ミラー支持ポスト５２の強度を高めることができる。
【００５５】
これに対して、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２をミラー支持ポスト５２の長さＬ５２の１．５倍未満である場合、アスペクト比が大きいため、第１金属層５０を成膜する際、第１金属層５０には、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの開口縁から内側に張り出した部分が発生する。このため、張り出し部分の影になってミラー支持ポスト用開口部２２１ａの内壁に第１金属層５０の薄い部分が発生し、ミラー支持ポスト５２の強度が低下してしまう。従って、本形態では、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２は、ミラー支持ポスト５２の長さＬ５２の１．５倍以上に設定してある。
【００５６】
また、本形態では、ミラー支持ポスト５２のアスペクト比が小さいため、ミラー５１の重心がねじれヒンジ３５の近くに位置する。このため、ミラー５１が揺動する際、ねじれヒンジ３５に加わる応力が小さいので、ねじれヒンジ３５の損傷等が発生しにくい。
【００５７】
また、ミラー支持ポスト５２は、ヒンジ支持ポスト３９より細いため、ミラー５１の表面にミラー支持ポスト５２に起因する凹部が形成された場合でも、凹部が小さい。従って、ミラー５１の反射特性の低下を抑制することができる。また、ミラー支持ポスト５２は、ヒンジ支持ポスト３９より短い等、ミラー支持ポスト５２が短いので、ミラー支持ポスト５２の強度を高めることができる。
【００５８】
［実施の形態２］
本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であり、ミラー支持ポスト５２やミラー支持ポスト用開口部２２１ａ等の寸法等が相違する。従って、実施の形態１の説明に用いた図５および図６を参照して説明する。
【００５９】
本形態において、第１犠牲層２１１の厚さ（ヒンジ支持ポスト用開口部２１１ａの深さＤ２１１ａ）は０．５μｍであり、ヒンジ支持ポスト用開口部２１１ａの開口径φ２１１ａは０．８μｍである。従って、ヒンジ支持ポスト３９の長さＬ３９は０．５μｍであり、ヒンジ支持ポスト３９の太さφ３９は０．８μｍである。第２犠牲層２２１の厚さ（ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの深さＤ２２１ａ）は０．３μｍであり、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの開口径φ２２１ａは０．５μｍである。従って、ミラー支持ポスト５２の長さＬ５２は０．３μｍであり、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２は０．５μｍである。
【００６０】
それ故、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２がミラー支持ポスト５２の長さＬ５２の１．５倍以上であるため、ミラー支持ポスト５２のアスペクト比（ミラー支持ポスト５２の長さＬ５２／ミラー支持ポスト５２の太さφ５２）が小さい。すなわち、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの開口径φ２２１ａがミラー支持ポスト用開口部２２１ａの深さＤ２２１ａの１．５倍以上である。このため、筒状のミラー支持ポスト５２を形成する場合でも、ミラー支持ポスト５２の強度を高めることができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６１】
また、ミラー支持ポスト５２は、ヒンジ支持ポスト３９より細く、ミラー支持ポスト５２は、ヒンジ支持ポスト３９より短い等、実施の形態１と同様である。
なお、本形態において、第１金属層５０の厚さは０．１５μｍであり、第２金属層３０の厚さは０．０３μｍである。
【００６２】
［実施の形態３］
（電気光学装置１００の構成）
図１０は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の要部の分解斜視図である。図１１は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００をねじれヒンジ３５に沿って切断したときの断面図である。なお、図１１には、電気光学装置１００の２階部分１００ｂ、３階部分１００ｃおよび４階部分１００ｄのみを示し、基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を含む１階部分１００ａの図示を省略してある。また、図１１では、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてあり、ミラー支持ポスト５２については他の部分より拡大してある。また、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００６３】
図１０および図１１に示すように、本形態の電気光学装置１００は、４つの階部分（１階部分１００ａ、２階部分１００ｂ、２階部分１００ｃおよび４階部分１００ｄ）を有している。１階部分１００ａは、基板１の一方面１ｓに形成された基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を含んでいる。２階部分１００ｂは、ヒンジ支持層４６、４７や高架アドレス電極４２、４３（第２高架アドレス電極）を有している。３階部分１００ｃは、ねじれヒンジ３５や高架アドレス電極３２、３３（第１高架アドレス電極）を有している。４階部分１００ｃは、ミラー５１を有している。
【００６４】
２階部分１００ｂにおいて、ヒンジ支持層４６、４７は各々、支持ポスト４９を介して基板１（基板側バイアス電極１１）によって支持されているとともに、支持ポスト４９を介して基板側バイアス電極１１に導通している。２階部分１００ｂにおいて、高架アドレス電極４２、４３は、電極支持ポスト４２１、４３１（第２電極支持ポスト）を介して基板１（基板側アドレス電極１２、１３）によって支持されているとともに、電極支持ポスト４２１、４３１を介して基板側アドレス電極１２、１３に導通している。
【００６５】
３階部分に１００ｃにおいて、ヒンジ３５の端部３６、３７は各々、ヒンジ支持ポスト３９を介してヒンジ支持層４６、４７によって支持されているとともに、ヒンジ支持ポスト３９を介してヒンジ支持層４６、４７に導通している。３階部分１００ｃにおいて、高架アドレス電極３２、３３（第１高架アドレス電極）は、電極支持ポスト３２１、３３１（第１電極支持ポスト）を介して高架アドレス電極４２、４３によって支持されているとともに、電極支持ポスト３２１、３３１を介して高架アドレス電極４２、４３に導通している。従って、高架アドレス電極３２、３３は、電極支持ポスト３２１、３３１、高架アドレス電極４２、４３、および電極支持ポスト４２１、４３１を介して基板側アドレス電極１２、１３からアドレス電圧が印加される。
【００６６】
４階部分１００ｄにおいて、ミラー５１は、ミラー支持ポスト５２を介してねじれヒンジ３５によって支持されているとともに、ミラー支持ポスト５２を介してねじれヒンジ３５に導通している。従って、ミラー５１は、ミラー支持ポスト５２、ねじれヒンジ３５、ヒンジ支持ポスト３９、ヒンジ支持層４６、４７、および支持ポスト４９を介して基板側バイアス電極１１に導通しており、基板側バイアス電極１１からバイアス電圧が印加される。なお、ヒンジ支持層４６、４７の先端には、ミラー５１が傾いたときに当接して、ミラー５１と高架アドレス電極３２、３３等との接触を防止するスプリングチップ４６１、４６２、４７１、４７２が形成されている。
【００６７】
本形態において、ミラー支持ポスト５２の基板１とは反対側の端部はミラー５１と繋がっている。すなわち、ミラー５１およびミラー支持ポスト５２は、一体の第１金属層５０からなり、第１金属層５０において、ミラー支持ポスト５２は、ミラー５１から基板１に向けて突出し、ミラー支持ポスト５２は、ねじれヒンジ３５に支持されている。
【００６８】
ヒンジ支持ポスト３９の基板１とは反対側の端部はねじれヒンジ３５と繋がっている。すなわち、ねじれヒンジ３５およびヒンジ支持ポスト３９は、一体の第２金属層３０からなり、第２金属層３０において、ヒンジ支持ポスト３９は、ねじれヒンジ３５から基板１に向けて突出し、ヒンジ支持ポスト３９は、基板１に支持されている。電極支持ポスト３２１、３３１の基板１とは反対側の端部が各々、高架アドレス電極３２、３３と繋がっている。本形態において、高架アドレス電極３２、３３はねじれヒンジ３５と同一の層に形成され、電極支持ポスト３２１、３３１はヒンジ支持ポスト３９と同一の層に形成されている。すなわち、高架アドレス電極３２、３３および電極支持ポスト３２１、３３１は、第２金属層３０と同一の層に形成されている。
【００６９】
支持ポスト４９の基板１とは反対側の端部はヒンジ支持層４６、４７と繋がっている。すなわち、ヒンジ支持層４６、４７および支持ポスト４９は、一体の第３金属層４０からなり、第３金属層４０において、支持ポスト４９は、ヒンジ支持層４６、４７から基板１に向けて突出し、支持ポスト４９は、基板１に支持されている。ここで、ヒンジ支持層４６、４７はねじれヒンジ３５より厚い。本形態において、ヒンジ支持層４６、４７の厚さは０．２５μｍであり、ねじれヒンジ３５の厚さは０．０６μｍである。電極支持ポスト４２１、４３１の基板１とは反対側の端部は各々、高架アドレス電極４２、４３と繋がっている。本形態において、高架アドレス電極４２、４３はヒンジ支持層４６，４７と同一の層に形成され、電極支持ポスト４２１、４３１は支持ポスト４９と同一の層に形成されている。すなわち、高架アドレス電極４２、４３および電極支持ポスト４２１、４３１は、第３金属層４０と同一の層に形成されている。
【００７０】
このように構成した電気光学装置１００において、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２は０．５μｍであり、ミラー支持ポスト５２の長さＬ５２は０．２５μｍである。また、ヒンジ支持ポスト３９の太さφ３９は０．６μｍであり、ヒンジ支持ポスト３９の長さＬは０．３μｍである。従って、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２は、ミラー支持ポスト５２の長さＬ５２の２倍であり、１．５倍以上である。また、ミラー支持ポスト５２は、ヒンジ支持ポスト３９より細く、ミラー支持ポスト５２は、ヒンジ支持ポスト３９より短い。
【００７１】
（電気光学装置の製造方法）
図１２、図１３、および図１４を参照して、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の製造工程のうち、ねじれヒンジ３５、ミラー支持ポスト５２およびミラー５１を形成する工程を中心に説明する。図１２、図１３、および図１４は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。
【００７２】
まず、図１２に示す工程ＳＴ１０１において、シリコン基板からなるウエハー１０（基板）に、図３を参照して説明したアドレス回路１４、基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を形成する。
【００７３】
次に、図１２に示す工程ＳＴ１０２において、ウエハー１０の一方面１０ｓにポジ型有機フォトレジスト等からなる感光性レジスト層６０を形成した後、図１２に示す工程ＳＴ１０３において、感光性レジスト層６０に対して露光および現像を行い、支持ポスト用開口部６１ａを備えた第１犠牲層６１を形成する。その際、高架アドレス電極４２、４３の電極支持ポスト４２１、４３１を形成するための電極支持ポスト用開口部も形成する。かかる工程ＳＴ１０２、ＳＴ１０３が第１犠牲層形成工程である。第１犠牲層６１の厚さは、例えば０．５μｍである。支持ポスト用開口部６１ａの開口径φ６１ａは、例えば約０．６μｍであり、深さＤ６１ａは０．５μｍである。
【００７４】
次に、図１２に示す工程ＳＴ１０４（第３金属層の形成工程）において、第１犠牲層６１の表面（ウエハー１０とは反対側の面）に第３金属層４０を全面に形成する。その際、第３金属層４０は、支持ポスト用開口部６１ａおよび電極支持ポスト用開口部の内壁および底部にも形成される。第３金属層４０は、例えば、アルミニウム層の単体膜、あるはアルミニウム層とチタン層との積層膜であり、厚さは、例えば０．２５μｍである。
【００７５】
次に、図１２に示す工程ＳＴ１０５（第２金属層のパターニング工程）では、第３金属層４０の表面（ウエハー１０とは反対側の面）にレジストマスクを形成した状態で第３金属層４０をパターニングする。その結果、支持ポスト用開口部６１ａの内壁および底部に残った第３金属層４０によって筒状の支持ポスト４９がヒンジ支持層４６、４７と一体に形成される。その際、高架アドレス電極４２、４３が同時形成され、電極支持ポスト用開口部の内壁および底部に筒状の電極支持ポスト４２１、４３１が形成される。
【００７６】
次に、図１２に示す工程ＳＴ１０６において、第１犠牲層６１の表面（ウエハー１０とは反対側の面）にポジ型有機フォトレジスト等からなる感光性レジスト層７０（犠牲層）を形成した後、図１２に示す工程ＳＴ１０７において、感光性レジスト層７０に対して露光および現像を行い、ヒンジ支持ポスト用開口部７１ａを備えた第２犠牲層７１を形成する。その際、高架アドレス電極３２、３３の電極支持ポスト３２１、３３１を形成するための電極支持ポスト用開口部も形成する。かかる工程ＳＴ１０６、ＳＴ１０７が第２犠牲層形成工程である。第２犠牲層７１の厚さは、例えば０．３μｍである。ヒンジ支持ポスト用開口部７１ａの開口径φ７１ａは、例えば約０．６μｍであり、深さＤ７１ａは０．３μｍである。
【００７７】
次に、図１３に示す工程ＳＴ１０８（第２金属層の形成工程）において、第２犠牲層７１の表面（ウエハー１０とは反対側の面）に第２金属層３０を全面に形成する。その際、第２金属層３０は、ヒンジ支持ポスト用開口部７１ａおよび電極支持ポスト用開口部の内壁および底部にも形成される。第２金属層３０は、例えば、アルミニウム層の単体膜、あるはアルミニウム層とチタン層との積層膜であり、厚さは、例えば０．０６μｍである。
【００７８】
次に、図１３に示す工程ＳＴ１０９（第２金属層のパターニング工程）では、第２金属層３０の表面（ウエハー１０とは反対側の面）にレジストマスクを形成した状態で第２金属層３０をパターニングする。その結果、ヒンジ支持ポスト用開口部７１ａの内壁および底部に残った第２金属層３０によって筒状のヒンジ支持ポスト３９がねじれヒンジ３５と一体に形成される。その際、高架アドレス電極３２、３３が、電極支持ポスト用開口部の内壁および底部に筒状の電極支持ポスト３２１、３３１と一体に形成される。
【００７９】
次に、図１３に示す工程ＳＴ１１０において、ねじれヒンジ３５のウエハー１０とは反対側に、ポジ型有機フォトレジスト等からなる感光性レジスト層８０を形成した後、図１３に示す工程ＳＴ１１１において、感光性レジスト層８０に対して露光および現像を行い、ミラー支持ポスト用開口部８１ａを備えた第３犠牲層８１を形成する。かかる工程ＳＴ１１０、ＳＴ１１１が第３犠牲層形成工程（犠牲形成工程）である。
【００８０】
第３犠牲層８１の厚さ（高さ）は、例えば０．２５μｍである。ミラー支持ポスト用開口部８１ａの開口径φ８１ａは、例えば０．５μｍであり、深さＤ８１ａは０．２５μｍである。従って、ミラー支持ポスト用開口部８１ａの開口径φ８１ａは、ミラー支持ポスト用開口部８１ａの深さＤ８１ａの２倍であり、１．５倍以上である。また、ミラー支持ポスト用開口部８１ａは、ヒンジ支持ポスト用開口部７１ａより開口径が小さく、ミラー支持ポスト用開口部８１ａは、ヒンジ支持ポスト用開口部７１ａより浅い。
【００８１】
次に、図１３に示す工程ＳＴ１１２（第１金属層の形成工程／金属層形成工程）において、第３犠牲層８１のウエハー１０とは反対側に第１金属層５０を形成する。第１金属層５０は、例えば、アルミニウム層の単体膜、あるはアルミニウム層とチタン層との積層膜であり、厚さは、例えば０．１５μｍである。
【００８２】
次に、図１４に示す工程ＳＴ１１３において、ＰＥＶＣＤ法等により酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）等の無機膜９０を形成した後、図１４に示す工程ＳＴ１１４において、無機膜９０の表面（ウエハー１０とは反対側の面）にレジストマスクを形成した状態で無機膜９０をパターニングし、ミラー５１と同一の平面形状のエッチングストッパー層９１を形成する。その後、レジストマスクを除去する。
【００８３】
次に、図１４に示す工程ＳＴ１１５では、エッチングストッパー層９１をマスクにして、第１金属層５０をパターニングし、ミラー５１を形成する。その結果、第１金属層５０のうち、第３犠牲層８１と重なっていた部分によってミラー５１が形成され、ミラー支持ポスト用開口部８１ａの内壁および底部に重なっていた部分によって筒状のミラー支持ポスト５２が形成される。かかる工程ＳＴ１１２、ＳＴ１３、ＳＴ１１４、ＳＴ１１５が第１金属層５０のパターニング工程である。
【００８４】
しかる後には、ウエハー１０を単品サイズの複数の基板１に分割し、その後、プラズマエッチング等を行って、第１犠牲層６１、第２犠牲層７１および第３犠牲層８１を除去する（犠牲層除去工程）。その際、エッチングストッパー層９１を除去する。その結果、図１０および図１１に示す電気光学装置１００が得られる。
【００８５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、ミラー支持ポスト５２の太さφ５２がミラー支持ポスト５２の長さＬ５２の１．５倍以上であるため、ミラー支持ポスト５２のアスペクト比（ミラー支持ポスト５２の長さＬ５２／ミラー支持ポスト５２の太さφ５２）が小さい。このため、ミラー支持ポスト５２の強度を高めることができる。また、本形態の電気光学装置１００の製造方法では、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａを備えた犠牲層２２１の表面に第１金属層５０を形成し、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの内壁に沿うようにミラー支持ポスト５２を形成する場合でも、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの開口径φ２２１ａがミラー支持ポスト用開口部２２１ａの深さＤ２２１ａの１．５倍以上である。このため、ミラー支持ポスト用開口部２２１ａのアスペクト比（ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの深さＤ２２１ａ／ミラー支持ポスト用開口部２２１ａの開口径φ２２１ａ）が小さいため、ミラー支持ポスト５２に薄い部分が発生しにくい。それ故、ミラー支持ポスト５２に薄い部分が発生しても、その厚さはミラー５２の厚さの１／５〜１／１０程度を確保することができる。それ故、筒状のミラー支持ポスト５２を形成する場合でも、ミラー支持ポスト５２の強度を高めることができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００８６】
また、本形態では、ヒンジ支持層４６、４７にスプリングチップ４６１、４６２、４７１、４７２が設けられているため、ミラー５１とスプリングチップ４６１、４６２、４７１、４７２とが大きく離間している。このため、ミラー５１の揺動範囲を大きく設定することができる。
【００８７】
［実施の形態４］
図１５は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の一部を拡大して示す斜視図であり、定常姿勢の状態を示している。図１６は、図１５に示す電気光学装置１００の一部の平面図である。図１７は、図１５に示す電気光学装置１００の動作を示す説明図であり、ミラー５１が第１軸線Ｌａ周りの一方側ＣＷａに傾いたオフ姿勢、およびミラー５１が第２軸線Ｌｂ周りの一方側ＣＣＷｂに傾いたオン姿勢を示してある。なお、図１５および図１７では、ミラー５１を二点鎖線で示してある。
【００８８】
実施の形態１、２、３に係る電気光学装置１００では、ミラー５１を１つの軸線Ｌ周りに揺動させたが、本形態では、図１５、図１６および図１７を参照して以下に説明するように、ミラー５１は、平面視でミラー５１と重なって延在する第１軸線Ｌａ周りに揺動可能、かつ、平面視でミラー５１と重なって第１軸線Ｌａと直交する第２軸線Ｌｂ周りに揺動可能に構成されている。本形態では、図１７示すように、ミラー５１は、第１軸線Ｌａ周りの一方側ＣＷａに揺動してオフ姿勢となり、第２軸線Ｌｂの一方側ＣＣＷｂに揺動してオン姿勢となる。
【００８９】
より具体的には、図１５および図１６に示すように、電気光学装置１００において、電気光学装置１００は、ミラー５１と基板１との間においてミラー５１と平面視で重なる位置に、基板側バイアス電極１１、ねじれヒンジ３５、高架アドレス電極３２、３３等を有している。本形態において、基板側バイアス電極１１は、基板１の一方面１ｓにおいて、第１軸線Ｌａに平行かつ、第２軸線Ｌｂに平行に延在している。ねじれヒンジ３５は、基板側バイアス電極１１に沿って延在するヒンジアーム３４を有しており、ヒンジアーム３４は、ヒンジ支持ポスト３９を介して基板側バイアス電極１１に支持されている。ヒンジアーム３４の屈曲部からは、第１軸線Ｌａおよび第２軸線Ｌｂに対して交差する方向にヒンジ３５が突出しており、ねじれヒンジ３５の先端には、ミラー支持ポスト５２を介してミラー５１が支持されている。従って、ミラー５１は、ねじれヒンジ３５によって第１軸線Ｌａ周りおよび第２軸線Ｌｂ周りに揺動可能に支持されている。また、基板側バイアス電極１１は、ヒンジ支持ポスト３９、ヒンジアーム３４は、ねじれヒンジ３５およびミラー支持ポスト５２を介してミラー５１にバイアス電圧を印加することができる。
【００９０】
基板側バイアス電極１１からは、ヒンジ３５と沿うように中央バイアス電極１８が延在し、かかる中央バイアス電極１８の先端部には、ヒンジアーム３４と同層の電極３８が電極ポスト３８０を介して支持されている。ヒンジアーム３４および電極３８には、ミラー５１が傾いたときに当接するスプリングチップ３４１、３４２、３８１が形成されている。
【００９１】
本形態において、高架アドレス電極３２は、平面視で第１軸線Ｌａに対する一方側の側方で電極支持ポスト３２１を介して基板側アドレス電極１２に支持されている。高架アドレス電極３３は、平面視で第２軸線Ｌｂに対する一方側の側方で電極支持ポスト３３１を介して基板側アドレス電極１３に支持されている。従って、高架アドレス電極３２、３３に印加するアドレス電極を制御すれば、ミラー５１を第１軸線Ｌａ周りの一方側ＣＷａに揺動させることができるとともに、ミラー５１を第２軸線Ｌｂの一方側ＣＣＷｂに揺動させることができる。
【００９２】
このような構成の電気光学装置１００も、実施の形態１等と同様な方法で製造される。従って、ミラー支持ポスト５２の太さをミラー支持ポスト５２の長さの１．５倍以上に設定すれば、ミラー支持ポスト５２の強度を高めることができる。
【００９３】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、ミラー支持ポスト５２の太さをミラー支持ポスト５２の長さの２倍にする等、１．５倍以上に設定すれば、ミラー支持ポスト５２の強度を高めることができる。ここで、ミラー支持ポスト５２の太さをミラー支持ポスト５２の長さの１．５倍以上に設定すれば、ねじれヒンジ３５で支持可能であれば上限はないが、２．５倍以下にすれば、ねじれヒンジ３５の弾性や強度等を十分に確保できる。
【符号の説明】
【００９４】
１…基板、５１…ミラー、１ｓ…一方面、１０…ウエハー、１１…基板側バイアス電極、１２、１３…基板側アドレス電極、３０…第２金属層、３２、３３…高架アドレス電極（第１高架アドレス電極）、３５…ねじれヒンジ、３９…ヒンジ支持ポスト、４０…第３金属層、４２、４３…高架アドレス電極（第２高架アドレス電極）、４６、４７…ヒンジ支持層、４９…支持ポスト、５０…第１金属層、５１…ミラー、５２…ミラー支持ポスト、２２１…第２犠牲層（犠牲層）、８１…第３犠牲層（犠牲層）、１００…電気光学装置、１１０…光源部、１２０…投射光学系、１４０…光吸収装置、２００…被投射物、３２１、３３１…電極支持ポスト（第１電極支持ポスト）、４２１、４３１…電極支持ポスト（第２電極支持ポスト）、３４１、３４２、３６１、３６２、３７１、３７２、３８１、４６１、４６２、４７１、４７２…スプリングチップ、１０００…電子機器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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