(57)【要約】      （修正有）【課題】基板から複数のサブマウントを形成し、サブマウントの表面に形成した金属膜にダメージを与えることがなく、製造過程で生じるコンタミを除去し、高い清浄性を保つことができる製造方法を提供する。【解決手段】サブマウントの少なくとも１つの面を形成する第１の外形形成工程Ｓ１１０と、基板を洗浄する基板洗浄工程Ｓ１２０と、基板洗浄工程Ｓ１２０により清浄化されたサブマウントの面を含む表面に金属膜を形成する金属膜形成工程Ｓ１３０と、第１の外形形成工程Ｓ１１０にて形成した面を除くサブマウントの少なくとも一つの面を形成する第２の外形形成工程Ｓ１４０とを備える。これにより、金属膜にダメージを与えることがなく製造過程で生じたコンタミを有効に除去し高い清浄性を保つ。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板からサブマウントを形成するサブマウントの製造方法において、
前記基板を加工して前記サブマウントの少なくとも１つの面を形成する第１の外形形成工程と、
前記第１の外形形成工程の後に前記基板を洗浄する基板洗浄工程と、
前記基板洗浄工程により清浄化された前記サブマウントの表面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記第１の外形形成工程にて形成した前記面を除く前記サブマウントの少なくとも一つの面を形成する第２の外形形成工程と、
を備えることを特徴とするサブマウントの製造方法。
【請求項２】
前記基板洗浄工程は、酸を用いた洗浄工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項３】
前記第１の外形形成工程は、前記基板をドライエッチングすることで前記サブマウントの少なくとも１つの面を形成する工程であることを特徴とする請求項１または２に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項４】
前記基板洗浄工程の前に、前記基板の表面に酸化膜を形成する表面酸化膜形成工程を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項５】
前記基板洗浄工程は、フッ化水素酸溶液を用いた洗浄工程を含むことを特徴とする請求項４に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項６】
前記金属膜形成工程は、金属膜として下地金属膜層と接着用金属膜層を積層形成する工程であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項７】
前記第２の外形形成工程は、機械加工によって行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項８】
前記第１の外形形成工程によって形成する前記サブマウントの面は対向する２面であり、前記第２の外形形成工程によって形成する面は前記対向する２面に直交する他の対向した２面であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項９】
前記第１の外形形成工程は、細い枠状のスリットを形成し、前記枠状のスリットの内部の島状部を抜き落とすことによって幅広のスリットを形成することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のサブマウントの製造方法。
【請求項１０】
前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項１から９いずれか１項に記載のサブマウントの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイス（ＨＤＤ／ＤＶＤレコーダなどのピックアップ、光通信）用モジュールとして半導体レーザ素子等が実装されるサブマウントの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光デバイス用モジュールは、半導体レーザ素子等を、チップ部品（以下サブマウントと呼ぶ）を介してヘッド部に実装されることが知られている。サブマウントは上面に半導体レーザ素子を精度よく実装し、サブマウントの上面と接続する側面をヘッド部への実装面としてヘッド部に搭載される。このとき半導体レーザ素子が実装されたサブマウントの上面が、ヘッド部への実装面である側面に対し高い直角度が求められる。
【０００３】
そのようなサブマウントは極めて小さく（例えば各辺が０．５ｍｍ以下のサイズ）、例えば６インチの基板から多数個を製造することができる。そして半導体レーザ素子等を実装することによって半導体レーザ装置や、それを実装した光デバイスとして用いられ、その技術に関する多くの提案がなされている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１に記載された従来技術において、半導体レーザ素子の製造工程は、ウエハ状の半導体基板上に所定の半導体積層膜の形成工程、リッジ部形成工程、電極形成工程、切断工程による個片化を経て半導体レーザ素子を形成している。
【０００５】
一方、サブマウントの製造工程は、ウエハ状の基板に複数のサブマウントを形成する工程、半導体レーザ素子を設置する面側に所定の電極パターニングを施すロウ材形成工程、基板の対向面に放熱材料を成膜する下面放熱層形成工程、格子状に切断するサブマウント個片化工程を経てサブマウントを形成している。
【０００６】
次に、個片化されたサブマウントのロウ材上に半導体レーザ素子の電極を接着することによって半導体レーザ装置を得ている。半導体レーザ装置はサブマウントの背面に炭素を主成分とした放熱材料を積層しているので軽量で放熱性の高い半導体レーザ装置を得ている。
【０００７】
特許文献１に示した従来技術は、このような製造方法によって半導体レーザ装置を製造し、レーザ光を磁気記録ヘッドに設けられた光導波路に対して正確に照射することができるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１４−２２９３３７号公報（図１〜図７）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、特許文献１に記載された第２実施形態によれば、サブマウント基板の上面に電極となるロウ材（金属膜）を形成する工程、ドライエッチングによって溝部（以下、スリットと呼ぶ）を格子状に形成しサブマウントを分割する工程、そして放熱層の形成を行ったあとサブマウントを個片化するようにしたサブマウントの製造方法の例が記載されている。
【００１０】
このように基板にドライエッチングによりスリットを形成する場合、基板の上面に対しスリット側面は高い直角度が得られるものの、基板内に各種の汚染（以下コンタミと呼ぶ）が残りやすく、サブマウントを光デバイス等に実装する際に、サブマウントの実装面と光デバイス等の被実装面にコンタミが侵入することで光デバイス等に対するサブマウントの直角度に悪影響を及ぼす懸念がある。
【００１１】
しかしながら、特許文献１の第２実施形態によれば、ロウ材（金属膜）形成後の基板にドライエッチングによるスリットを形成する工程となっているので、基板の洗浄には電極にダメージを与える酸を用いる洗浄は行えない。一方、酸を用いない基板の洗浄方法ではコンタミが残りやすく清浄なサブマウントを得られないという課題がある。
【００１２】
（発明の目的）
本発明の目的は上記課題を解決し、金属膜にダメージを与えることなく高い清浄性を保つことができるサブマウントの製造方法を提供することである。さらには、高い直角度を有する面を有するとともに、製造工程の時間短縮と基板のウエハレベルのハンドリング性が改善された製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明におけるサブマウントの製造方法は以下の通りである。
基板からサブマウントを形成するサブマウントの製造方法において、前記基板を加工して前記サブマウントの少なくとも１つの面を形成する第１の外形形成工程と、前記第１の外形形成工程の後に前記基板を洗浄する基板洗浄工程と、前記基板洗浄工程により清浄化された前記サブマウントの表面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記第１の外形形成工程にて形成した前記面を除く前記サブマウントの少なくとも一つの面を形成する第２の外形形成工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、第１の外形形成工程によりサブマウントの少なくとも一つの面を形成し、次に基板洗浄工程により基板を洗浄するので、第１の外形形成工程で生じたコンタミを基板から除去し、清浄なサブマウントを得ることができる。そして基板洗浄工程の後に金属膜形成工程を行うので、金属膜に洗浄によるダメージを与えることがなく清浄性を高く保つことのできるサブマウントの製造方法が可能になる。
【００１５】
また、金属膜形成工程において基板表面は清浄性が保たれているので密着性の高い金属膜の形成を行うことができる。
【００１６】
また、基板洗浄工程は、酸を用いた洗浄工程を含むとよい。
【００１７】
これにより、第１の外形形成工程で生じたコンタミを強い洗浄により基板から除去し、より清浄性の高いサブマウントの製造方法が可能になる。
【００１８】
また、第１の外形形成工程は、基板をドライエッチングすることでサブマウントの少なくとも１側面を形成する工程であるとよい。
【００１９】
これにより、基板から第１の外形形成工程によって形成するサブマウントの面は高い直角度を得ることができる。
【００２０】
また、基板洗浄工程の前に、基板の表面に酸化膜を形成する表面酸化膜形成工程を設けるとよい。
【００２１】
これにより、基板の表面に安定した酸化膜を形成することでより強い洗浄を行うことができるので、より有効にコンタミの除去を行うことができる。
【００２２】
また、基板洗浄工程は、フッ化水素酸溶液を用いた洗浄工程を含むとよい。
【００２３】
これにより、フッ化水素酸溶液を用いて洗浄することで基板表面に形成された表面酸化膜及び表面酸化膜に取り込まれたコンタミまでも溶解して除去することができるので、より高い清浄性を得ることができる。また、同時にサブマウントの面の平滑性を向上することができる。
【００２４】
また、金属膜形成工程は、金属膜として下地金属膜層と接着用金属膜層を積層形成する工程であるとよい。
【００２５】
これにより、サブマウント表面に下地金属膜層として、例えば密着層、バリア層、導電層等を積層形成し、その上に接着用金属膜層を形成することで他部材との確実な機械的、電気的接合を行うことができる。
【００２６】
また、第２の外形形成工程は、機械加工によって行うとよい。
【００２７】
これにより、サブマウントの垂直性を必要としない側面は機械加工によって形成できるので加工時間を短縮し、基板からサブマウントを容易に個片化することができる。
【００２８】
また、第１の外形形成工程によって形成するサブマウントの側面は対向する２面であり、第２の外形形成工程によって形成する面は前記対向する２面に直交する他の対向する２面であるとよい。
【００２９】
これにより、２つの外形形成工程を好適に組み合わせることで、サブマウントの一方の対向した２面はエッチング等により高い直角度を有する面を精度よく形成し、他の対向する２面は機械加工等により加工時間を短縮することができる。
【００３０】
また、第１の外形形成工程は、細い枠状のスリットを形成し、枠状のスリットの内部の島状部を抜き落とすことによって幅広のスリットを形成するとよい。
【００３１】
これにより、第１の外形形成工程によって形成される側面は幅広であっても、より垂直性の高い側面を得ることができる。またサブマウントの側面と表面への金属膜の同時形成が可能になる。
【００３２】
また、基板は、シリコン基板であるとよい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によるサブマウントの製造方法によれば、金属膜にダメージを与えることなく高い清浄性を保つサブマウントを提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１の実施形態の製造方法により製造されたサブマウントの構成を  説明するための斜視図及び断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の製造方法を説明する製造工程図である。
【図３】図２の工程図の第１の外形形成工程を説明する平面図と斜視図である。
【図４】図２の工程図の金属膜形成工程を説明する平面図と斜視図である。
【図５】図２の工程図の第２の外形形成工程を説明する平面図と斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の製造方法を説明する製造工程図である。
【図７】図６の工程図の第１の外形形成工程、表面酸化膜形成工程、酸洗浄工程を説明する模式断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態の製造方法を説明する斜視図と部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、図面に基づいて本発明を詳述する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の思想を具体化するためのサブマウントの製造方法を例示するものであって、本発明は以下に説明する方法及び構成に特定するものではない。特に実施の形態に記載されている製造方法及び部材の形状、材質、その相対的配置等は特定的な記載がない限りは本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく説明例に過ぎない。また、各図面が示す製造方法及び部材の大きさや形状、位置関係等は説明をわかりやすくするために誇張していることがある。
【００３６】
本発明のサブマウントの製造方法は、サブマウントに形成する金属膜へのダメージを与えることなく高い清浄性を保つことができるサブマウントの製造方法を提供するものである。
【００３７】
このようなサブマウントの製造方法を実現するために、サブマウントの少なくとも１つの面を形成する第１の外形形成工程と、基板を洗浄する基板洗浄工程と、基板洗浄工程により清浄化されたサブマウントの表面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、第１の外形形成工程にて形成した面を除くサブマウントの少なくとも一つの面を形成する第２の外形形成工程とを備えるようにした。
【００３８】
このような製造方法とすることによって、高い直角度を有するサブマウントを形成とともにコンタミを有効に除去できるようになった。またサブマウントに形成する金属膜へのダメージを与えることなく高い清浄性を保つことができる製造方法が可能になった。
【００３９】
まず、図１〜図５を用いて第１の実施形態について説明し、次に図６〜図７を用いて第２の実施形態を説明し、次に図８を用いて第３の実施形態を説明する。
説明にあたっては、同一要素には同一番号を付し重複する説明は省略するものとする。また、発明に関係のない部分は省略している。
【００４０】
［第１の実施形態の説明：図１〜図５］
図１は、本発明の製造方法によって製造されるサブマウントの構成を示し、図２は、第１の実施形態の製造工程のフローチャートを示す。また、図３、図４、図５は、図２に示すＳ１１０、Ｓ１３０、Ｓ１４０の工程をそれぞれ平面図及び斜視図によって示す。
【００４１】
［サブマウントの構成：図１］
図１（ａ）はサブマウント２０の斜視図を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´断面を示す。図１（ａ）、（ｂ）に示すように、サブマウント２０は基板から形成された１つの直方体である。側面２０Ｓは基板から形成されたサブマウント２０の側面の１つであり、サブマウント２０をヘッド部などの被装着物に搭載する際の実装面である。また、側面２０Ｓに隣り合う２つの側面２０Ｋ、２０Ｋ´及び側面２０Ｓに対向する側面２０Ｓ´は、基板からサブマウント２０が個片化される時に形成される他の側面である。また、上面２０Ｊは基板の上面に相当し、下面２０Ｊ´は基板の下面に相当する。
【００４２】
サブマウント２０を例えば図示しない光デバイスなどの被装着物に実装する場合、側面２０Ｓを装着する。この場合、側面２０Ｓには金属膜を形成しておく必要がある。また、上面２０Ｊに例えば図示しない半導体レーザ素子などを実装する場合、同様に金属膜を形成しておく必要がある。したがって図１に示すように側面２０Ｓ、上面２０Ｊには例えばスパッタリング等の方法によって金属膜２１を形成している。
【００４３】
ここで図１に示す金属膜２１は、側面２０Ｓと上面２０Ｊとで分離しているが目的に応じて接続させてもよい。また金属膜の膜層構成として例えば下層側からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの順に形成しておくとよい。Ｔｉは基板との密着層として、ＰｔはＡｕの基板への拡散防止層として、Ａｕは例えばＡｕ／Ｓｎハンダとの接合保持層としての役割がある。
【００４４】
金属膜２１の形成を基板の上面側から行う場合、後述するように側面２０Ｓを形成するスリットの幅を必要量確保することで上面２０Ｊと側面２０Ｓに同時に形成することができる。
【００４５】
次に、サブマウント２０の上面２０Ｊには、例えば半導体レーザ素子などを実装するために、図１に示すような金属膜２２を金属膜２１の上面に形成しておく。例えばＡｕＳｎのハンダ膜を積層形成しておくとよい。
【００４６】
サブマウント２０は、上面２０Ｊに、例えば半導体レーザ素子などをＡｕＳn膜からなる金属膜２２を用いて実装し、サブマウント２０の側面２０Ｓを実装面として例えば光デバイスの所定の位置に実装することができる。これにより半導体レーザ素子などからの発光を光デバイスの所定の位置に所定の精度で導光することができる。
【００４７】
［製造工程フローチャート：図２］
次に、図２に製造工程フローチャートを示し、まず、第１の実施形態の製造方法について説明する。尚、ここでは基板の材料として半導体材料であるシリコン（Ｓｉ）を用いた例として説明する。また以下の各工程では特定の記載がない限り、それぞれの工程に必要な所定の検査、所定の洗浄等を行うことは当然のこととし、それらの詳細な説明は省略する。
【００４８】
［基板受け入れ工程］
まず、基板の受け入れ工程Ｓ１００では基板の所定の検査、所定の洗浄等を行う。
【００４９】
［第１の外形形成工程］
次に、基板に複数のサブマウント形成するために第１の外形形成工程Ｓ１１０を行い、サブマウントの実装面となる側面を形成するためのスリットを形成する。
【００５０】
［基板洗浄工程］
次に、第１の外形形成工程によりスリットが形成された基板に基板洗浄工程Ｓ１２０を行い、コンタミを除去する。
【００５１】
［金属膜形成工程］
次に、基板洗浄工程により清浄化された基板の各サブマウント部に金属膜形成工程Ｓ１３０を行い所定の金属膜を形成する。
【００５２】
［第２の外形形成工程］
次に、基板に形成された各サブマント部において、第２の外形形成工程Ｓ１４０を行い第１の外形形成工程により形成された側面以外の側面を形成し基板から各サブマウントを個片化する。
【００５３】
［各工程のより具体的な説明：図３〜図５］
次に、図３〜図５を用いて、図２の製造工程フローチャートの順に各工程をより具体的に説明する。尚、ここでは基板受け入れ工程Ｓ１００の詳細説明は省略する。
【００５４】
［第１の外形形成工程Ｓ１１０：図３］
図３（ａ）は、基板１０に複数のサブマウント２０（破線で示す）を形成する状況を示し、基板１０の一部を拡大して示している。図３（ｂ）は、基板１０の同じ部分を斜視図にて立体的に示している。
まず、図３（ａ）、（ｂ）において、第１の外形形成工程Ｓ１１０について説明する。シリコンからなり所定の厚さに形成された基板１０を例えばフォトリソグラフィー等によってレジストパターンを形成し、例えばエッチング等の方法によって基板１０の上面から下面にわたり貫通したスリット１２を複数形成する。各スリット１２は各サブマウント２０の実装面となる側面２０Ｓを有しておりサブマウント２０の側面２０Ｓがそれぞれ形成される。
【００５５】
破線で示す各サブマウント２０は、縦、横に格子状に配設しており、図３（ｂ）に示すように１つのサブマウント２０の側面２０Ｓの対向面側にも同じスリット１２が形成されている。また、対向面側のスリット１２はＹ方向に隣り合うサブマウント２０の側面２０Ｓを形成している。このようにＹ方向にサブマウント２０が複数並ぶ列が形成され、その列がＸ方向に複数配設される構成になっている。尚、図３（ｂ）に示すＢ−Ｂ´断面は後述する第２の実施形態にて説明するものである。
【００５６】
このように、スリット１２を隣り合うサブマウント２０が共有するように配設することにより効率的な多数個取りが可能である。尚、スリット１２は共有するように配置した例に限定されるものではなく、それぞれのサブマウント２０の両端面にあたる位置に固有のスリット１２を配設してもよい。ここで、特に限定はしないがスリット２０を形成する方法としては、例えばウエットエッチング、ドライエッチング、ブラスト加工などによって行うことができる。
【００５７】
［基板洗浄工程Ｓ１２０］
次に、基板洗浄工程について説明する。例えば、上述した基板１０に第１の外形形成工程Ｓ１１０によりスリットを形成する場合、レジストパターン形成、エッチング加工などの所定の工程において、粒子状汚染物、金属汚染物、有機性汚染物等のコンタミが発生するのでこれらのコンタミを除去する必要がある。特にスリット内に金属汚染物が残っているとサブマウントを光デバイスなどの被装着物実装に実装した際の被装着物とサブマウントの直角度に影響を与えるおそれがある。これらのコンタミの中で金属汚染物を除去するためには酸を用いた洗浄が有効である。
【００５８】
基板洗浄工程では、それぞれの汚染物に対応した洗浄を行うがここでは主に金属汚染物を除去するために酸を用いた洗浄例について説明する。このような金属汚染物の除去には、例えば過酸化水素水に塩酸を加え超純水で希釈したＨＰＭなどの酸による洗浄が有効である。このような酸を用いた洗浄を所定の手順で行うことによって、強酸性の性質により金属汚染物を有効に除去することができる。
【００５９】
また、金属膜形成工程の前に酸を用いた洗浄を行うことによって金属膜に酸によるダメージを与えることなく金属汚染物を除去することができる。ここで、特に限定はしないが基板洗浄工程に用いる洗浄方法をあげておく。例えば、酸を用いた洗浄、アルカリを用いた洗浄、純水を用いた洗浄などである。
【００６０】
［金属膜形成工程Ｓ１３０：図４］
図４は、前述の第１の外形形成工程Ｓ１１０にて基板１０に複数のスリット２０を形成し、各サブマウント２０に金属膜を形成した状態を示す。
【００６１】
サブマウント２０の側面２０Ｓ及び上面２０Ｊには金属膜を形成しておく必要がある。図４（ａ）、または（ｂ）に示すように、下地金属膜形成工程として、スリット１２が複数形成された基板１０に上面側から例えばスパッタリング等の方法により金属膜２１を形成する。金属膜２１の膜層構成として、例えば下層側からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの順に形成しておく。
【００６２】
ここで、スリット１２のＹ方向の幅がある程度大きければ基板１０の上面側から金属膜を形成するとスリット１２の側面にも同時に形成することが出来る。そして形成された金属膜をフォトリソグラフィーによりレジスト開口し、イオンミリング等により金属膜をエッチングし、基板１０の上面及びスリット１２の側面に所定の金属膜２１を形成する。
【００６３】
また、金属膜２１には用途に応じて回路パターンを構成してもよい。また、後述するサブマウント２０を基板１０から個片化するときに、ダイシング等の機械加工による切断領域には金属膜が形成されない金属膜開口部２３を設けておくと、基板１０からサブマウント２０を個片化する際の金属膜と工具の接触により発生する金属膜のバリを防止することができる。
【００６４】
次に、接着用金属膜形成工程として、金属膜２１に積層して金属膜２２を形成する。金属膜２２は、サブマウントの上面にフォトリソグラフィーによりレジスト開口し、例えば下層側からＰｔ／Ｆ−Ａｕ／ＡｕＳｎ／Ｆ−Ａｕの順に形成する。これにより半導体レーザ素子等をサブマウント２０に実装し接合することができる。尚、特に限定はしないが金属膜を形成する製造方法をあげておく。例えば真空蒸着法、スパッタリング法などである。
【００６５】
［第２の外形形成工程Ｓ１４０：図５］
図５は、第２の外形形成工程を示し、サブマウント２０の側面２０Ｓ以外の側面を形成する。図５（ａ）に示すようにサブマウント２０の側面２０Ｓ以外の側面となる切断溝１７を形成する。例えば、図示しないダイシング加工などを用いて切断することにより切断溝１７を各列に沿って順次形成する。
【００６６】
これにより、図５（ｂ）に示すように切断溝１７が各列に沿って形成され、基板１０から金属膜が形成されたサブマウント２０が個片化される。サブマウント２０に形成された金属膜は基板洗浄工程の後に形成されるので金属膜を構成する各膜層には洗浄によるダメージはなく、また密着性の高い金属膜とすることができる。尚、特に限定はしないが第２の外形形成工程の製造方法をあげておく。例えばダイシング加工、レーザ加工、スクライブ加工などである。
【００６７】
［効果の説明］
以上に説明したように、第１の外形形成工程によりサブマウントの側面に高い直角度を有する実装面を形成することができるとともに、金属膜形成工程の前に基板洗浄工程を行うので、金属膜にダメージを与えることがなくコンタミを除去し清浄性を保つことができる。
【００６８】
また、サブマウントの側面と上面、またはした面への金属膜の同時形成が可能になり金属膜形成時間の短縮が可能になる。さらにエッチングと機械加工の好適な組み合わせにより個片化の加工時間短縮を可能にできる。その結果、基板のウエハレベルの工程のハンドリング性を改善したサブマウントの製造方法を提供することができる。
【００６９】
尚、基板の材質は、シリコン基板として説明したがこれに限定されず、目的を同一とする他の材質を用いてもよい。また、第１の外形形成工程でサブマウントの対向２辺を形成し、他の対向２辺を第２の外形形成工程で形成する方法を説明したが、これに限定されず高い直角度を必要とする少なくとも１つの側面を第１の外形形成工程で形成し、残りの他の側面を第２の外形形成工程で形成してもよい。
【００７０】
［第２の実施形態の説明：図６〜図７］
次に、図６、図７を用いて第２の実施形態を説明する。図６は、第２の実施形態の製造方法を説明する製造工程のフローチャートを示し、図７は基板洗浄工程を説明する模式断面図を示している。
【００７１】
第２の実施形態の特徴は、基板洗浄工程の前に表面酸化膜形成工程を設けた点であり、基板の表面に安定した酸化膜を形成し酸洗浄を効果的に行うことによりコンタミをより有効に除去することを目的とした製造方法である。
サブマウントの構成と、製造工程の第１の外形形成工程、金属膜形成工程、第２の外形形成工程は基本的に同一であるので、説明にあっては第１の実施形態を説明した図を利用して一部説明し、また重複する説明は省略する。
【００７２】
［製造工程のフローチャートの説明：図６］
図６に、第２の実施形態の製造工程フローチャートを示す。
第２の実施形態が第１の実施形態と異なる点は、第１の外形形成工程Ｓ１１０の後であって基板洗浄工程Ｓ１２５の前に表面酸化膜形成工程Ｓ１１５を設けたことである。したがって、第２の実施形態に特有の製造工程である表面酸化膜形成工程Ｓ１１５と基板洗浄工程Ｓ１２５について、より具体的に説明する。
【００７３】
［表面酸化膜形成工程Ｓ１１５：図７］
図７（ａ）は、基板１０にドライエッチングによりスリット１２を形成しその断面を説明しやすいように模式的に示した拡大断面図である。ここで図７（ａ）は、前述した図３（ｂ）に示すＢ−Ｂ´断面に相当する。図７（ａ）において、基板１０にフォトリソグラフィーにより図示しないレジストパターンを形成し、ドライエッチング例えばＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によりスリット１２を形成する。
【００７４】
このとき、スリット１２の側面２０Ｓには凹凸（以下スキャロップと呼ぶ）１５が形成される。スキャロップ１５は基板１０の上面に対して平行で縞状の凹凸であり凹凸の段差がｓ１である。また、スキャロップ１５はスリット１２の内周に沿って連続的に形成される。そしてスリット１２内には特にＤＲＩＥの加工工程で生じる図示しない各種コンタミが付着している。
【００７５】
次に、図７（ｂ）は、スリット１２の内部を含む基板１０の表面に表面酸化膜１４が形成された状態を示す。表面酸化膜１４は、前述のＤＲＩＥ加工の後に、基板１０に例えば１１００℃程度の温度を所定時間加えて熱酸化により形成する。これにより、基板１０の表面及びスリット１２の内面に表面酸化膜（ＳｉＯ２）１４が形成される。
【００７６】
［基板洗浄工程Ｓ１２５：図７］
次に、図７（ｂ）に示す表面酸化膜１４が形成された状態で、例えば過酸化水素水に塩酸を加え超純水で希釈したＨＰＭなどを用いた基板１０の洗浄を行う。これにより強酸性の性質によりスキャロップ１５に付着したコンタミを有効に除去することができる。
【００７７】
あるいは、表面酸化膜１４を溶解する機能を有する例えばフッ化水素酸溶液などを用いて基板１０の洗浄を行うことにより、図７（ｃ）に示すように表面酸化膜１４をも溶解し除去することができる。これにより、スリット１２の内部の壁面に取り込まれたコンタミを有効に除去することができる。また、図７（ｃ）に示すように表面酸化膜１４が溶解除去されることによりスキャロップ１５の凹凸の段差がｓ１からｓ２に減少する。その結果、スリット１２の側面の平坦化を改善することができる。
【００７８】
［効果の説明］
以上に説明したように、表面酸化膜形成工程の後であって金属膜形成工程の前に、酸を用いた基板洗浄工程を行うので、金属膜にダメージを与えることなく、コンタミをより有効に除去することができる。これにより高い清浄性を保つことができるサブマウントの製造方法を提供することができる。また、表面酸化膜形成工程では高温による熱酸化を行うが、金属膜形成工程の前であるため特に金属膜形成には影響がない。
【００７９】
また、フッ化水素酸溶液を用いた洗浄を行うことで、より高い清浄性を得られると同時にサブマウントの側面の平坦化を改善することができる。
【００８０】
［第３の実施形態の説明：図８］
次に、図８を用いて第３の実施形態を説明する。図８は、第１の実施形態の説明で用いた図３（ｂ）に相当している。
【００８１】
第３の実施形態の特徴は、第１の外形形成工程におけるスリットの形成において、細い枠状のスリットを形成し、枠状のスリットの内部の島状部を抜き落とすことによって幅広のスリットを形成することである。基本的な製造方法は第１の実施形態と同様であるので、同一要素には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
【００８２】
図８（ａ）は、基板１０にサブマウントを形成するために第１の外形形成工程を行い細い枠状のスリットが形成された状態を示している。図８（ｂ）、（ｃ）は図８（ａ）に示すＣ部の拡大平面図である。図８（ｂ）において、細い枠状で幅がｔ１のスリット１１が貫通形成されていてスリット１１の内側には島状部１８が形成されている。
【００８３】
ドライエッチングでは、形成するスリット１１の幅が狭いほど高い直角度を有するスリットが得られることが知られているが、フォトリソグラフィーによるレジストの最小開口幅の制限があるのでスリット幅ｔ１は例えば１０〜２０μｍ程度であることが望ましい。
【００８４】
基板１０の下面を図示しないドライフィルムなどにより保持しておくことにより、貫通したスリット１１内の島状部１８を抜け落ちないように保持することができる。次に、スリット１１を複数形成した基板１０をレジスト剥離液に浸漬することによりレジストやドライフィルムを剥離除去する。
【００８５】
そのときに島状部１８をドライフィルムと共に基板１０から離脱させると図８（ｃ）に示すようにスリット幅ｔ２の幅広のスリット１２が形成される。これにより幅広であっても、より高い直角度を有するスリットが得られる。また金属膜の形成工程において、サブマウントの側面を含む表面への金属膜の同時形成が可能となる。
【００８６】
［効果の説明］
以上に説明したように、細い枠状のスリットを形成し枠状のスリットの内部の島状部を抜き落とすことにより、より高い直角度のスリットを形成することができるとともに、幅広のスリットによりサブマウントの側面と表面への金属膜の同時形成が可能になり金属膜形成時間の短縮が可能になる。
【符号の説明】
【００８７】
１０    基板（ウエハ）
１１    細い枠状のスリット
１２    スリット
１４    表面酸化膜
１５    スキャロップ（凹凸）
１７    切断溝
１８    島状部
２０    サブマウント
２０Ｊ    サブマウントの上面
２０Ｊ´  サブマウントの下面
２０Ｓ    サブマウントの側面（被装着物への実装面）
２０Ｓ´  サブマウントの対向側面
２０Ｋ    サブマウントの側面に隣り合う側面（機械加工面）
２０Ｋ´  サブマウントの側面に隣り合う側面（機械加工面）
２１    下地金属膜
２２    接着用金属膜
２３    金属開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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