(57)【要約】【課題】電極の低背化を図りつつ、粒子捕捉率の向上、ショートの防止及び接着強度の向上が図られた電子部品を提供する。【解決手段】基板２と、基板２の一面２ａ側に設けられ、複数の電極３，５が配列された電極領域４，６と、電極３，５が形成されていない非電極領域１０とを備え、異方性導電接着剤３０を介して接続対象部品と圧着される電子部品１において、非電極領域１０に、異方性導電接着剤３０が流入する一又は複数の窪み９が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、上記基板の一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備え、
上記非電極領域に、一又は複数の窪みが形成されている電子部品。
【請求項２】
上記電極領域は、上記基板の相対向する一対の側縁の一方側及び他方側に沿って上記電極が配列され、
上記窪みは、上記基板の相対向する一対の側縁と平行に形成されている請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
上記窪みは、溝状に形成されている請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
上記窪みは、直線からなる溝である請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
上記基板は矩形状に形成され、
上記窪みは、上記基板の長手方向に沿って存在する請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
上記電子部品を異方性導電接続する接着剤は、バインダー樹脂に導電性粒子が互いに非接触で独立して存在している請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
上記電子部品はＩＣチップである請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
上記窪みは、上記基板の側面に臨まされている請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
第１の電子部品と第２の電子部品とが異方性導電接着剤を介して接続された接続体において、
少なくとも一方の上記電子部品は、
基板と、上記基板の上記回路基板上に接続される一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備え、
上記非電極領域に、上記異方性導電接着剤が流入する一又は複数の窪みが形成されている接続体。
【請求項１０】
上記異方性導電接着剤は、導電性粒子が含有された導電性接着剤層と、上記導電性粒子が含有されていない絶縁性接着剤層とが積層され、上記導電性接着剤層側が上記基板の一面に貼付される請求項９に記載の接続体。
【請求項１１】
上記導電接着剤層は、上記導電性粒子が独立して配列されている請求項１０に記載の接続体。
【請求項１２】
基板と、上記基板の一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備える電子部品の設計方法において、
上記非電極領域に、一又は複数の窪みを形成する電子部品の設計方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、異方性導電接着剤を介して回路基板上に接続される電子部品、回路基板上に電子部品が接続された接続体、及び電子部品の設計方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種電子機器の回路基板にＩＣチップやＬＳＩチップ等の電子部品が接続された接続体が提供されている。近年、各種電子機器においては、ファインピッチ化、軽量薄型化等の観点から、電子部品として、実装面に突起状の電極であるバンプが配列されたＩＣチップやＬＳＩチップを用いて、これらＩＣチップ等の電子部品を直接回路基板上に実装するいわゆるＣＯＢ（chip  on  board）や、ＣＯＧ（chip  on  glass）、ＣＯＦ（chip  on  film）などが採用されている。
【０００３】
ＣＯＢ接続やＣＯＧ接続、ＣＯＦ接続においては、回路基板の端子部上に、異方性導電フィルムを介してＩＣチップが熱圧着されている。異方性導電フィルムは、熱硬化型のバインダー樹脂に導電性粒子を混ぜ込んでフィルム状としたもので、２つの導体間で加熱圧着されることにより導電性粒子で導体間の電気的導通がとられ、バインダー樹脂にて導体間の機械的接続が保持される。異方性導電フィルムを構成する接着剤としては、信頼性の高い熱硬化性の接着剤の他、光硬化性樹脂や、熱硬化と光硬化を併用する接着剤が用いられている。
【０００４】
バンプ付きＩＣチップ５０は、例えば図１５（Ａ）（Ｂ）に示すように、回路基板の実装面に、一方の側縁５０ａに沿って入力バンプ５１が一列で配列された入力バンプ領域５２が形成され、一方の側縁５０ａと対向する他方の側縁５０ｂに沿って出力バンプ５３が二列の千鳥状に配列された出力バンプ領域５４が設けられている。バンプ配列はＩＣチップの種類によって様々であるが、一般に、従来のバンプ付きＩＣチップは、入力バンプ５１の数よりも出力バンプ５３の数が多く、入力バンプ領域５２の面積よりも出力バンプ領域５４の面積が広くなり、また入力バンプ５１の形状が出力バンプ５３の形状よりも大きく形成されている。
【０００５】
そして、ＣＯＧ実装では、異方性導電フィルム５５を介して回路基板５６の電極端子５７上にＩＣチップ５０が搭載された後、緩衝材６０を介して熱圧着ツール５８によりＩＣチップ５０の上から加熱押圧する。この熱圧着ツール５８による熱加圧によって、異方性導電フィルム５５のバインダー樹脂が溶融して各入出力バンプ５１，５３と回路基板５６の電極端子５７との間から流動するとともに、各入出力バンプ５１，５３と回路基板５６の電極端子５７との間に導電性粒子が挟持され、この状態でバインダー樹脂が熱硬化する。これにより、ＩＣチップ５０は、回路基板５６上に電気的、機械的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−２２２７０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、電子部品が実装される電子部品や電子部品が実装される回路基板が小型化、薄型化、高集積化するとともに、電子部品の実装領域の狭小化が進んでいる。このような場合にも、外部応力が加わった際の電子部品の導通接続信頼性を確保するために、さらなる接着強度の向上が望まれている。
【０００８】
また、バンプを低背化することによって電子部品の薄型化、低コスト化を図ろうとすると、バンプ間のスペースに導電性粒子が過度に接触しやすくなり、バンプ間ショートの発生リスクが高まる。また、低背化によって、バインダー樹脂を充填させようとすると、従来から粘度条件を変更させる必要があり、設計工数の増加が懸念される。
【０００９】
さらに、電子部品の高集積化に伴いバンプ数が増加すると、異方性導電接続でバンプに挟持される導電性粒子の数も増加するため、押圧に必要な力もこれに比例して増加していく傾向にある。
【００１０】
しかし、押圧力を高めると電子部品への負荷が増して、損傷を与える恐れがある。また、電子部品の入出力バンプ領域に押圧力が局所的にかかり、電子部品の小型化、薄型化とあいまって反りや浮きが発生する恐れもある。
【００１１】
なお、バンプの低背化によって電子部品の圧着工程において接着樹脂の排除が不十分となり導通抵抗が上昇することを防止するために電子部品の基板のバンプ間領域に貫通孔を形成する技術も提案されている。しかし、基板に形成された貫通孔を介してバインダー樹脂が電子部品の押圧面まで回り、熱圧着ツールを汚損してしまうおそれがある。あるいは、熱圧着ツールと電子部品の押圧面との間に介在される緩衝材として、シリコンラバーのように繰り返し使用することを前提にした緩衝材に対しては、バインダー樹脂による汚損状況が安定しないため、不測の不良発生の原因となる。
【００１２】
また、電子部品が実装される電子機器の小型化、薄型化、高機能化等に伴い回路配線のファインピッチ化も進展している。これにより、異方性導電フィルムに分散されている導電性粒子の粒子密度を高めて、微細な電極上においても粒子捕捉率を確保する必要が生じている。一方で、狭小化された隣接するバンプ間のスペースに高密度充填された導電性粒子が凝集し、バンプ間ショートが発生するリスクも高まる問題があり、粒子捕捉率の向上とバンプ間ショートの防止を両立する必要が生じる。
【００１３】
バンプ間ショートを防止するために電子部品のバンプ高さを高くすることでバンプ間領域を広げる方法も考えられるが、電子部品の小型化、低背化を損ない、また接続に要する異方性導電接着剤の量も増え、熱圧着ツールによる押圧力も増加してしまう。
【００１４】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、電極の低背化を図りつつ、粒子捕捉率の向上、ショートの防止及び接着強度の向上が図られた電子部品、接続体、電子部品の設計方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述した課題を解決するために、本技術に係る電子部品は、基板と、上記基板の一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備え、上記非電極領域に、一又は複数の窪みが形成されているものである。
【００１６】
また、本技術に係る接続体は、第１の電子部品と第２の電子部品とが異方性導電接着剤を介して接続された接続体において、少なくとも一方の上記電子部品は、基板と、上記基板の上記回路基板上に接続される一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備え、上記非電極領域に、上記異方性導電接着剤が流入する一又は複数の窪みが形成されているものである。
【００１７】
また、本技術に係る電子部品の設計方法は、基板と、上記基板の一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備え、上記非電極領域に、一又は複数の窪みを形成するものである。
【発明の効果】
【００１８】
本技術によれば、窪みを設けることにより、電子部品が異方性導電接着剤を介して接続対象部品上に加熱押圧されると、バインダー樹脂が窪み内に流入する。したがって、電子部品とバインダー樹脂との接触面積が増加するとともに窪み内に充填されたバインダー樹脂によってアンカー効果が発現することにより、接続対象部品への接着強度が向上される。また、バインダー樹脂によって応力が緩和され、電子部品の剥離防止、反りや浮きの防止を図ることができる。
【００１９】
また、異方性導電接着剤は、窪み内へのバインダー樹脂の流入によって当該樹脂によって生じる分の電子部品の押し込み量が減ることで、電子部品の電極によるバインダー樹脂への押し込みによる圧力が吸収され、低圧で押圧することが可能になるとともに導電性粒子の流動が抑えられる。したがって、電子部品への負荷を減らし、反りや浮きを防止するとともに、ファインピッチ化された電極間においても、粒子を捕捉させ易くなるともに、隣接する電極間ショートの発生を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（Ａ）はＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す断面図であり、図１（Ｂ）はＩＣチップが回路基板に異方性導電接続された接続体を示す断面図である。
【図２】図２は、バンプ間領域に円形の非貫通孔を基板の長手方向に沿って形成したＩＣチップを示す平面図である。
【図３】図３（Ａ）は円形の非貫通孔を千鳥状に形成したＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す斜視図であり、図３（Ｂ）は円形の非貫通孔を基板の長手方向の両端側に形成したＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す斜視図であり、図３（Ｃ）は円形の非貫通孔を基板の長手方向の中央部に形成したＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す斜視図である。
【図４】図４は、バンプ間領域に溝を基板の長手方向に沿って形成したＩＣチップを示す平面図である。
【図５】図５（Ａ）は溝を基板の長手方向に破線状に形成したＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す斜視図であり、図５（Ｂ）は円形の非貫通孔及び溝を基板の長手方向に一点鎖線状に形成したＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す斜視図であり、図５（Ｃ）は円形の非貫通孔及び溝を基板の長手方向に二点鎖線状に形成したＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す斜視図であり、図５（Ｄ）は溝を基板の長手方向に曲線状に形成したＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す斜視図である。
【図６】図６（Ａ）は溝を基板の長手方向と直交する方向に形成したＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す斜視図であり、図６（Ｂ）は溝を基板の長手方向と斜交する方向に形成したＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す斜視図であり、図６（Ｃ）は溝を基板の長手方向と斜交する方向に形成したＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す斜視図である。
【図７】図７は、溝を基板の長手方向の側面に臨ませて形成したＩＣチップを回路基板に異方性導電接続する工程を示す斜視図である。
【図８】図８（Ａ）は基板の外縁部に円形の非貫通孔を形成したＩＣチップを示す平面図であり、図８（Ｂ）は基板の外縁部に溝を形成したＩＣチップを示す平面図である。
【図９】図９（Ａ）は基板の外縁部に円形の非貫通孔を形成したＩＣチップを示す平面図であり、図９（Ｂ）は基板の外縁部に溝を形成したＩＣチップを示す平面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は異方性導電フィルムの構成を示す断面図であり、図１０（Ｂ）は導電性粒子含有層と絶縁性接着剤層とが積層された異方性導電フィルムの構成を示す断面図である。
【図１１】図１１は、導電性粒子が格子状に規則配列された異方性導電フィルムを示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図１２】図１２は、導電性粒子が六方格子状に規則配列された異方性導電フィルムを示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図１３】図１３は、互いに非接触で独立する導電性粒子が不規則に遍在された異方性導電フィルムを示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図１４】図１４は、導電性粒子がランダムに分散された異方性導電フィルムを示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図１５】図１５（Ａ）はバンプ付きＩＣチップの平面図であり、図１５（Ｂ）は接続工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本技術が適用された電子部品、接続体、電子部品の設計方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本技術は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００２２】
［接続体２０］
図１（Ａ）（Ｂ）に示すように、接続体２０は、第１の電子部品となるＩＣチップ１を第２の電子部品となる回路基板１４上に異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）３０等の接着剤を介して接続した接続体である。接続体２０は、緩衝材１５を介してＩＣチップ１を熱圧着ツール４０によって回路基板１４上に加熱押圧することにより、ＩＣチップ１の実装面に設けられた入出力バンプ３，５と回路基板１４に設けられた入出力端子１６，１７とを導電接続したものである。ここで、第１の電子部品とは、加圧ツールによって押圧される側に配置される電子部品を指し、第２の電子部品とは台座に配置され第１の電子部品からの加圧を受けるものである。一般的に第１の電子部品はＩＣチップやＦＰＣであり、第２の電子部品はガラスなどの回路を備えた透明基板である。
【００２３】
［ＩＣチップ］
ＩＣチップ１は、基板２を有し、基板２の一面２ａが入出力バンプが配列され異方性導電フィルム３０を介して回路基板１４へ実装される実装面とされ、一面２ａと反対側の他面２ｂが熱圧着ツール４０によって加熱押圧される押圧面とされる。
【００２４】
ＩＣチップ１は、例えばシリコン基板からなる基板２に半導体回路が形成されるとともに、基板２の一面に入出力バンプ３，５が形成された素子である。ＩＣチップ１は、シリコンウェハ上に複数形成され、ダイシングによって個片化されることにより形成される。また、ＩＣチップ１は、ガラスエポキシやセラミック基板等の絶縁基板上に回路が形成されたパッケージ部品でもよい。
【００２５】
図２に示すように、基板２は、略矩形状をなし、長さ方向となる相対向する一対の側縁２ｃ，２ｄに沿って、出力バンプ３が配列された出力バンプ領域４及び入力バンプ５が配列された入力バンプ領域６が形成されている。ＩＣチップ１は、出力バンプ領域４が基板２の一方の側縁２ｃ側に形成され、入力バンプ領域６が基板２の他方の側縁２ｄ側に形成されている。これにより、ＩＣチップ１は、実装面２の幅方向に亘って出力バンプ領域４と入力バンプ領域６とが離間して形成され、実装面２の中央部にバンプが形成されていないバンプ間領域７が設けられている。
【００２６】
出力バンプ領域４には、複数の出力バンプ３が基板２の長手方向に沿って配列されることにより、例えば一方の側縁２ｃ側から順に２列の出力バンプ列３Ａ、３Ｂが形成されている。また、各出力バンプ列３Ａ、３Ｂの出力バンプ３は、千鳥状に配列されている。
【００２７】
また、入力バンプ領域６には、例えば複数の入力バンプ５が、基板２の長手方向に沿って１列で配列された入力バンプ列５Ａが形成されている。なお、入力バンプ５は、出力バンプ３よりも大きく形成される。これにより、ＩＣチップ１は、出力バンプ領域４と入力バンプ領域６とが面積差を有するとともに、基板２において非対称に配置されている。なお、入出力バンプ３，５は、互いに同一サイズで形成してもよい。
【００２８】
入出力バンプ３，５は、例えば銅バンプや金バンプ、あるいは銅バンプに金メッキを施したもの等が好適に用いられる。また、入出力バンプ３，５は、回路基板１４に設けられている入出力端子１６，１７に応じた配置で設けられ、ＩＣチップ１が回路基板１４に位置合わせされて接続されることにより、異方性導電フィルム３０を介して入出力端子１６，１７と接続される。
【００２９】
なお、入出力バンプ３，５の配列は、図２に示す以外にも、一方の側縁に一又は複数列で配列され、他方の側縁に一又は複数列で配列されるいずれの構成であってもよい。また、入出力バンプ３，５は、一列配列の一部が複数列となってもよく、複数列の一部が一列となってもよい。さらに、入出力バンプ３，５は、複数列の各列が平行且つ隣接する電極端子同士が並列するストレート配列で形成されてもよく、あるいは複数列の各列が平行且つ隣接する電極端子同士が均等にズレる千鳥配列で形成されてもよい。
【００３０】
なお、近年の液晶表示装置その他の電子機器の小型化、高機能化、低コスト化に伴い、ＩＣチップ１等の電子部品も小型化、低背化、低コスト化が求められ、入出力バンプ３，５も、その高さＨが低くなっている（特に限定されないが、例えば３〜１５μｍ）。
【００３１】
［窪み］
また、ＩＣチップ１は、基板２の一面２ａの非電極領域１０に、異方性導電フィルム３０のバインダー樹脂３３が流入する一又は複数の窪み９が設けられている。非電極領域１０とは、出力バンプ領域４及び入力バンプ領域６以外の領域をいい、例えば上述したバンプ間領域７である。この非電極領域１０に設けられる窪み９は、例えば円形の非貫通孔９ａ、あるいは溝９ｂである（図２、図４参照）。
【００３２】
非電極領域１０に窪み９を設けることにより、ＩＣチップ１は、異方性導電フィルム３０を介して回路基板１４の実装面上に加熱押圧されると、異方性導電フィルム３０のバインダー樹脂３３が窪み９内に流入する。したがって、ＩＣチップ１は、バインダー樹脂３３の接触面積が増加するとともに窪み９内に充填されたバインダー樹脂３３によってアンカー効果が発現することにより、回路基板１４への接着強度が向上される。
【００３３】
また、回路基板１４上にＩＣチップ１が異方性導電接続された接続体２０は、回路基板１４とＩＣチップ１との間における応力を緩和するバインダー樹脂３３の樹脂体積が増加するため、回路基板１４とＩＣチップ１との接着界面への負荷が減り、ＩＣチップ１の剥離を防止することができる。
【００３４】
さらに、接続体２０は、回路基板１４とＩＣチップ１との間における応力が緩和されることにより、ＩＣチップ１や回路基板１４の反りも抑制されるため、接続信頼性を向上できる他、回路基板１４が例えばＬＣＤパネル等の表示パネルの透明基板を構成する場合においては、表示部に対する反りの影響が抑えられ、表示ムラを防止することができる。
【００３５】
また、接続体２０は、窪み９内にバインダー樹脂３３が流入することにより、流入した樹脂の分だけＩＣチップ１の押し込み量が減り、熱圧着ツール４０による押圧力を減らすことができる。したがって、接続体２０は、熱圧着ツール４０による負荷が減り、ＩＣチップ１や回路基板１４の反りを抑制でき、またＩＣチップ１の損傷を防止することができる。また、接続体２０は、より低圧力で圧着することによっても、バインダー樹脂３３を排出させるとともに導電性粒子３２を十分に挟持することができ、良好な導通信頼性を維持することができる。
【００３６】
また、接続体２０は、入出力バンプ３，５によるバインダー樹脂３３への押し込みによる圧力が窪み９内へのバインダー樹脂３３の流入によって吸収され、導電性粒子３２への影響を抑えることができる。したがって、接続体２０は、導電性粒子３２の流動が抑えられているため、ファインピッチ化された入出力バンプ３，５及び入出力端子１６，１７間においても、粒子を捕捉できるとともに、バンプ間ショートの発生を低減させることができる。
【００３７】
その他、接続体２０は、回路基板１４とＩＣチップ１との間における応力が緩和されることにより、入出力バンプ３，５上に観察される導電性粒子３２の押圧痕が、入出力バンプ列の内側と外側とで同様に現れ、導通信頼性が向上されていることが容易に確認できる。
【００３８】
ここで、入出力バンプ領域４，６は、基板２の相対向する一対の側縁２ｃ，２ｄの一方側及び他方側に沿って入出力バンプ列３Ａ，３Ｂ，５Ａが配列されている場合、窪み９は、バンプ間領域７において、基板２の相対向する一対の側縁２ｃ，２ｄと平行に形成することができる。
【００３９】
例えば、図２に示すように、窪み９は、円形の非貫通孔９ａからなる。この非貫通孔９ａは、バンプ間領域７に基板２の側縁２ｃ，２ｄと平行に複数形成されている。基板２に非貫通孔９ａを形成する方法としては、例えば、メカニカルドリリング、化学エッチング、サンドブラスト法、電子ビーム加工、放電加工、レーザー穴あけ等の公知の方法を用いることができる。
【００４０】
非貫通孔９ａは、バンプ間領域７に一列に配列されてもよく、複数列に配列されてもよい。また、図３（Ａ）に示すように、非貫通孔９ａは、千鳥状に配列してもよい。また、非貫通孔９ａは、基板２の長手方向の両端側のみに形成してもよく（図３（Ｂ））、あるいは基板２の長手方向の中央部のみに形成してもよい（図３（Ｃ））。
【００４１】
また、非貫通孔９ａは、基板２の場所ごとに寸法や配置を変えることによりバインダー樹脂３３の充填量を変えてもよい。すなわち、非貫通孔９ａは、局所的に一列又は複数列に配列してもよい。また、非貫通孔９ａは、同じ開口深さであってもよく、異なる開口深さのものが混在していてもよい。また、非貫通孔９ａは、同じ開口径であってもよく、異なる開口径のものが混在していてもよい。
【００４２】
例えば、接続体２０は、矩形状に形成された基板２の長手方向の両端側に形成された非貫通孔９ａの開口径を、基板２の中央部に形成された非貫通孔９ａの開口径よりも大径に形成することにより、より多くのバインダー樹脂３３を基板２の両端部に充填させて接着強度を向上させることができ、ＩＣチップ１の両端部における浮きを防止でき、導通信頼性を向上させることができる。
【００４３】
また、矩形状に形成された基板２の基板２の中央部に形成された非貫通孔９ａの開口径を、長手方向の両端側に形成された非貫通孔９ａの開口径よりも大径に形成することにより、相対的に放熱しにくい基板２の中央部におけるバインダー樹脂３３の充填量を増やして熱収縮による応力を緩和し、反りを抑制することができる。また、バンプ間領域７には入出力バンプ領域４，６が支点となり熱圧着ツール４０の押圧力が集中しやすく樹脂が排除されやすい領域であるが、バンプ間領域７に形成された窪み９にバインダー樹脂３３を多く流入させることで、バインダー樹脂３３が過剰に排除されることなく、応力緩和、反りの防止を図ることができる。
【００４４】
このような非貫通孔９ａの寸法や配置は、ＩＣチップ１の基板寸法や材質、バインダー樹脂３３の溶融粘度、回路基板１４への圧着温度、圧力、時間等の圧着条件等によって生じる接着強度、反りや浮きといった接着性に関する課題に応じて、適宜設計することができる。
【００４５】
なお、非貫通孔９ａは、円形の他、楕円形、方形、角丸長方形、多角形等、その開口形状は問わない。
【００４６】
また、図４に示すように、窪み９は、溝９ｂとしてもよい。溝９ｂは、バンプ間領域７に基板２の側縁２ｃ，２ｄと平行に形成することができる。溝９ｂは、バンプ間領域７に一列に配列されてもよく、複数列に配列されてもよい。基板２に溝９ｂを形成する方法としては、例えば、化学エッチング、サンドブラスト法、電子ビーム加工、放電加工、レーザー加工等の公知の方法を用いることができるが、シリコンウェハからＩＣチップ１を切り出すダイシング工程において、溝入れすることが製造効率上、好ましい。
【００４７】
また、溝９ｂは、基板２の場所ごとに寸法や配置を変えることによりバインダー樹脂３３の充填量を変えてもよい。すなわち、溝９ｂは、局所的に一列又は複数列に配列してもよい。また、溝９ｂは、全長にわたって同じ深さであってもよく、深さが変動してもよい。また、溝９ｂは、全長にわたって同じ幅であってもよく、幅が変動してもよい。但し、溝９ｂは、直線状で且つ全長にわたって同一幅、同一深さとすることが製造効率上は好ましい。また、溝９ｂは、同じ幅の窪みが仮想直線状に点在しても製造効率上は好ましい。
【００４８】
また、溝９ｂは、基板２の長手方向にわたって連続して形成してもよく、図５（Ａ）に示すように、破線状に形成してもよい。また、窪み９は、溝９ｂと非貫通孔９ａとを混合して、例えば一点鎖線状（図５（Ｂ））、二点鎖線状（図５（Ｃ））に配列してもよい。また、溝９ｂは、直線状に形成する他、曲線状（図５（Ｄ））に形成してもよい。
【００４９】
また、溝９ｂは、基板２の相対向する一対の側縁２ｃ，２ｄと平行に形成する他にも、図６（Ａ）に示すように、基板２の側縁２ｃ，２ｄと直交する方向に形成してもよく、図６（Ｂ）（Ｃ）に示すように、基板２の側縁２ｃ，２ｄと斜交する方向に形成してもよく、あるいは基板２の側縁２ｃ，２ｄと平行、直交、斜交する溝９ｂを混在させてもよい。接続体２０は、基板２の側縁２ｃ，２ｄと斜交する溝９ｂを形成することにより、ＩＣチップ１のあらゆる方向に対する外力に対する耐性を向上させることができる。
【００５０】
また、溝９ｂは、非貫通孔９ａと同様に、基板２の長手方向の両端側のみに形成してもよく、あるいは基板２の長手方向の中央部のみに形成してもよい。
【００５１】
接続体２０は、窪み９内にバインダー樹脂３３が流入することにより、ＩＣチップ１の加熱押圧時におけるバインダー樹脂３３が基板２外へ流出する量を抑制することができる。したがって、ＬＣＤパネル等においてＩＣが実装される額縁領域が狭小化されていても、額縁領域にバインダー樹脂３３が流出する量を抑制し、フィレットを適宜調整することができる。例えば、実装面積が狭い場合には接着強度に適した最低限のフィレットの大きさにすることで接続体２０の小型化、薄型化に寄与することができる。
【００５２】
なお、図７に示すように、溝９ｂは、基板２の側面に臨まされていてもよい。これにより溝９ｂに流入したバインダー樹脂３３を基板２の側面に臨まされている溝９ｂの開口部１１より流出させることができ、加熱押圧時におけるバインダー樹脂３３の流動を制御することができる。また、開口部１１から基板２の側面に流出したバインダー樹脂３３はフィレットを形成することから、フィレットの生成場所を所定の場所に制御することができる。これもまた、実装面積が狭い場合に接続構造体の設計および製造の上では望ましい。
【００５３】
また、図８（Ａ）（Ｂ）に示すように、窪み９（非貫通孔９ａ、溝９ｂ）は、基板２の側縁２ｃ，２ｄと入出力バンプ列３Ａ，３Ｂ，５Ａとの間の外縁部２ｅに形成してもよい。また、図９（Ａ）（Ｂ）に示すように、窪み９（非貫通孔９ａ、溝９ｂ）は、基板２の側縁２ｃ，２ｄと直交する一対の側縁２ｆ，２ｇと入出力バンプ列３Ａ，３Ｂ，５Ａとの間の外縁部２ｈに形成してもよい。その他、窪み９は、入出力バンプ列３Ａ，３Ｂの各列の間や、入出力バンプ列３Ａ，３Ｂ，５Ａの各列内にスペースが形成されている場合は当該スペースに形成してもよい。
【００５４】
［基板の厚みＴに対する窪みの深さＤ］
ここで、窪み９の深さＤは、基板２の厚みＴの５０％以下とすることが好ましい。窪み９の深さＤを深くするほど、バインダー樹脂３３の流入量が増えて接着強度の向上や反り、浮きの抑制といった接着性が向上する。一方で、窪み９の深さＤを深くするほど基板２の剛性が低下し、ＩＣチップ１の加熱押圧時等に掛かる負荷に対する耐性が低下する。したがって、窪み９の深さＤは、基板２の材質や寸法、接着条件によって決定されるが、ＩＣチップ１の基板２として一般的に用いられるシリコン基板の場合、窪み９の深さＤは基板２の厚みＴの５０％以下とすることが好ましく、また、５０％以下であっても、十分に接着性の向上等を図ることができる。
【００５５】
また、ＩＣチップ１は、入出力バンプ３，５の高さＨを低くすることにより、ＩＣチップ１の低背化、低コスト化を促進し、接続体２０としても小型化、低コスト化を実現することができる。異方性導電フィルム３０は、入出力バンプ３，５の低背化に応じて、バインダー樹脂３３の厚みを薄くでき、これと窪み９への樹脂の流入の効果によりＩＣチップ１の押圧力を更に低減することができる。したがって、ＩＣチップ１を低圧で押圧することで、ＩＣチップ１に対する負荷を減らすことができ、また、導電性粒子を十分に押し込むことができ、導通性を確保することができる。
【００５６】
［回路基板］
回路基板１４は、接続体２０の用途に応じて選択されるものであり、例えば、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、セラミック基板、フレキシブル基板等、その種類は問わない。回路基板１４は、ＩＣチップ１に設けられた入出力バンプ３，５と接続される入出力端子１６，１７が形成されている。入出力端子１６，１７は、入出力バンプ３，５の配列と同じ配列を有する。なお、回路基板１４はＩＣチップ１であってもよい。この場合、接続体２０は、ＩＣチップ１を多層にスタックしたものとなる。
【００５７】
接続体２０は、第１の電子部品となるＩＣチップ１に代えて又はＩＣチップ１とともに、第２の電子部品となる回路基板１４に上述した窪み９（非貫通孔９ａ、溝９ｂ）を形成してもよい。接続体２０は、回路基板１４の入出力端子１６，１７が形成されていない非電極領域に窪み９を形成することによっても、ＩＣチップ１に形成する場合と同様の効果を奏する。また、接続体２０がＩＣチップ１を多層にスタックしたものである場合、接続体２０は、スタックされる一方及び／又は他方のＩＣチップ１の基板２に窪み９を形成してもよい。
【００５８】
［アライメントマーク］
なお、ＩＣチップ１及び回路基板１４は、重畳させることにより回路基板１４に対するＩＣチップ１のアライメントを行う図示しないアライメントマークが設けられている。基板側アライメントマーク及びＩＣ側アライメントマークは、組み合わされることにより回路基板１４とＩＣチップ１とのアライメントが取れる種々のマークを用いることができる。回路基板１４の入出力端子の配線ピッチやＩＣチップ１の入出力バンプ３，５のファインピッチ化が進んでいることから、ＩＣチップ１と回路基板１４とは、高精度のアライメント調整が求められることが多い。
【００５９】
また、窪み９をＩＣチップ１側のアライメントマークとして使用することで、例えばおおよその位置合わせを行った後に、別途設けられたアライメントマークで微修正をすることにより、アライメント工程の効率化を図ることもできる。
【００６０】
［ダミーバンプ］
また、ＩＣチップ１は、バンプレイアウトや製造工数の制約が許せば、出力バンプ領域４と入力バンプ領域６との間に、信号等の入出力には使用しないいわゆるダミーバンプが配列されたダミーバンプ領域を適宜設けてもよい。
【００６１】
［接着剤］
ＩＣチップ１を回路基板１４に接続する接着剤としては、異方性導電フィルム３０を好適に用いることができる。異方性導電フィルム３０は、図１０（Ａ）に示すように、通常、基材となるベースフィルム３１上に導電性粒子３２を含有するバインダー樹脂３３が積層されたものである。異方性導電フィルム３０は、図１に示すように、回路基板１４とＩＣチップ１との間にバインダー樹脂３３を介在させることで、回路基板１４とＩＣチップ１とを接続させるとともに、入出力バンプ３，５と入出力端子１６，１７とで導電性粒子３２を挟持させ、導通させるために用いられる。
【００６２】
バインダー樹脂３３の接着剤組成物は、例えば膜形成樹脂、熱硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する通常のバインダー成分からなる。
【００６３】
膜形成樹脂としては、平均分子量が１００００〜８００００程度の樹脂が好ましく、特にエポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が好ましい。
【００６４】
熱硬化性樹脂としては特に限定されず、例えば市販のエポキシ樹脂やアクリル樹脂等を用いることができる。
【００６５】
エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも、２種以上の組み合わせであってもよい。
【００６６】
アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じてアクリル化合物、液状アクリレート等を適宜選択することができる。例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、２−ヒドロキシ−１，３−ジアクリロキシプロパン、２，２−ビス[４−（アクリロキシメトキシ）フェニル]プロパン、２，２−ビス[４−（アクリロキシエトキシ）フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレート等を挙げることができる。なお、アクリレートをメタクリレートにしたものを用いることもできる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６７】
潜在性硬化剤としては、特に限定されないが、加熱硬化型の硬化剤が挙げられる。潜在性硬化剤は、通常では反応せず、熱、光、加圧等の用途に応じて選択される各種のトリガにより活性化し、反応を開始する。熱活性型潜在性硬化剤の活性化方法には、加熱による解離反応などで活性種（カチオンやアニオン、ラジカル）を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤を高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる溶出・硬化方法等が存在する。熱活性型潜在性硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミン塩、ジシアンジアミド等や、これらの変性物があり、これらは単独でも、２種以上の混合体であってもよい。ラジカル重合開始剤としては、公知のものを使用することができ、中でも有機過酸化物を好ましく使用することができる。
【００６８】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。
【００６９】
［導電性粒子］
バインダー樹脂３３に含有される導電性粒子３２としては、異方性導電フィルムにおいて使用されている公知の何れの導電性粒子を挙げることができる。すなわち、導電性粒子としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。導電性粒子３２の大きさは１〜１０μｍが好ましいが、これに限定されるものではない。
【００７０】
バインダー樹脂３３を構成する接着剤組成物は、このように膜形成樹脂、熱硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤等を含有する場合に限定されず、通常の異方性導電フィルムの接着剤組成物として用いられる何れの材料から構成されるようにしてもよい。
【００７１】
ここで、バインダー樹脂３３の最低溶融粘度範囲の一例としては、１０〜１×１０5Ｐａ・ｓである。もちろんバインダー樹脂３３の最低溶融粘度範囲は、この範囲に限定されるものではない。なお、バインダー樹脂３３の最低溶融粘度は、例えば回転式レオメータ（TA instrument社製）を用い、昇温速度が１０℃／分、測定圧力が５ｇで一定に保持し、直径８ｍｍの測定プレートを使用して測定することにより求めることができる。
【００７２】
バインダー樹脂３３を支持するベースフィルム３１は、例えば、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）、ＯＰＰ（Oriented Polypropylene）、ＰＭＰ（Poly-4-methylpentene-1）、ＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）等にシリコーン等の剥離剤を塗布してなり、異方性導電フィルム３０の乾燥を防ぐとともに、異方性導電フィルム３０の形状を維持する。
【００７３】
異方性導電フィルム３０は、何れの方法で作製するようにしてもよいが、例えば以下の方法によって作製することができる。膜形成樹脂、熱硬化性樹脂、潜在性硬化剤、シランカップリング剤、導電性粒子３２等を含有する接着剤組成物を調整する。調整した接着剤組成物をバーコーター、塗布装置等を用いてベースフィルム３１上に塗布し、オーブン等によって乾燥させることにより、ベースフィルム３１にバインダー樹脂３３が支持された異方性導電フィルム３０を得る。
【００７４】
なお、異方性導電フィルム３０の形状は、特に限定されないが、例えば、図１０に示すように、巻取リール３６に巻回可能な長尺テープ形状とし、所定の長さだけカットして使用することができる。また、異方性導電フィルム３０はバインダー樹脂３３のベースフィルム３１に支持されていない面に図示しない剥離フィルムが積層されていてもよい。
【００７５】
［導電粒子非接触型ＡＣＦ・配置型ＡＣＦ］
ここで、異方性導電フィルム３０は、平面視において、バンプ面積やレイアウトに応じて互いに非接触で独立して存在した導電性粒子３２が遍在されているものを好適に用いることができる。これは、全導電粒子数の９５％以上が個々に独立して存在していることが好ましく、９９％以上が個々に独立して存在していることがさらに好ましい。複数の導電性粒子３２を意図的に接触させユニット化させているものは当該ユニットを１個としてカウントする。また、このような導電粒子３２が互いに非接触で独立して存在する状態は、導電性粒子３２を意図的に所定の位置に配置することにより作成してもよい。
【００７６】
例えば、図１３（Ａ）（Ｂ）に示すように、互いに非接触で独立する導電性粒子３２は、バインダー樹脂３３中に平面視において粒子間距離が不規則とされた状態で遍在されている、即ち、方向によって異なる距離で存在してもよい。また、導電性粒子３２は所定の配列パターンで配列され、図１１（Ａ）（Ｂ）や図１２（Ａ）（Ｂ）に示すように、四方格子状に規則配列され、あるいは六方格子状に規則配列することにより、平面視において互いに非接触で独立して存在していてもよい。導電性粒子３２の配列パターンは、任意に設定することができ、これはバンプ面積やレイアウトに応じて適宜設定してもよい。
【００７７】
導電性粒子３２が平面視において互いに非接触で独立して存在することにより、異方性導電フィルム３０は、図１４（Ａ）（Ｂ）に示すように、導電性粒子３２がランダムに分散され、凝集体が形成される等により導電性粒子の分布に疎密が生じている場合に比して、個々の導電性粒子３２の補足される確率が向上するため、同一の高集積なＩＣチップ１を異方性接続する場合、導電性粒子３２の配合量を減少させることができる。これにより、導電性粒子３２がランダムに分散される場合は、導電性粒子数が一定量以上必要になることから隣接する入力バンプ３間や出力バンプ５間のスペースにおいて凝集体や連結の発生が懸念されていたが、平面視において互いに非接触で独立した状態にすることで、このようなバンプ間ショートの発生を抑制させることができ、また入出力バンプ３，５と入出力端子１６，１７間の導通に寄与しない導電性粒子３２の数を低減させることができる。
【００７８】
また、導電性粒子３２の粒子個数密度を低くすることができることから、ＩＣチップ１は、入出力バンプ３，５の高さを低くすることができ、さらなる小型化、薄型化を実現することができる。すなわち、接続体２０は、導電性粒子３２の粒子個数密度が低くなることから、狭小化された隣接する入出力バンプ３，５間のスペースにおいても、バンプ間ショートの発生リスクを低減させることができる。また、入出力バンプ３，５の低背化に応じてバインダー樹脂３３の厚みを薄くでき、ＩＣチップ１の押圧力を低減できること、及び窪み９内へのバインダー樹脂３３の流入によってＩＣチップ１の押し込み量が減ることから、導電性粒子３２の配列への影響を抑えることができる。したがって、接続体２０は、導電性粒子３２の流動が抑えられほぼ配列パターンの通りに押圧されるため、ファインピッチ化された入出力バンプ３，５及び入出力端子１６，１７間においても、粒子を捕捉できるとともに、バンプ間ショートの発生を低減させることができる。
【００７９】
また、異方性導電フィルム３０は、平面視において互いに非接触で独立した導電性粒子３２が遍在することにより、バインダー樹脂３３に高密度に充填した場合にも、フィルム面内における導電性粒子３２の疎密の発生が防止されている。したがって、導電性粒子３２が互いに非接触で独立して配列された異方性導電フィルム３０によれば、ファインピッチ化された入出力端子１６，１７や入出力バンプ３，５においても導電性粒子３２の捕捉率を向上することができる。
【００８０】
このような異方性導電フィルム３２は、例えば、延伸可能なシート上に粘着剤を塗布し、その上に導電性粒子３２を単層配列した後、当該シートを所望の延伸倍率で延伸させてバインダー樹脂３３に転写する方法、導電性粒子３２を基板上に所定の配列パターンに整列させた後、ベースフィルム３１に支持されたバインダー樹脂３３に導電性粒子３２を転写する方法、あるいはベースフィルム３１に支持されたバインダー樹脂３３上に、配列パターンに応じた開口部が設けられた配列板を介して導電性粒子３２を供給する方法等により製造することができる。
【００８１】
［積層ＡＣＦ］
ここで、本技術に係る異方性導電フィルムは、図１０（Ｂ）に示すように、バインダー樹脂３３のみからなる絶縁性接着剤層３４と導電性粒子３２を含有したバインダー樹脂３３からなる導電性粒子含有層３５とを積層した構成とすることが好ましい。図１０（Ｂ）に示す異方性導電フィルム３６は、ベースフィルム３１に絶縁性接着剤層３４が積層され、絶縁性接着剤層３４に導電性粒子含有層３５が積層され、導電性粒子含有層３５側を回路基板１４に貼付し、絶縁性接着剤層３４側からＩＣチップ１が搭載される。なお、異方性導電フィルム３６は、導電性粒子含有層３５に図示しない剥離フィルムが積層され、リール状に巻回されて用いられる。
【００８２】
異方性導電フィルム３６は、例えば絶縁性接着剤層３４の最低溶融粘度が導電性粒子含有層３５の最低溶融粘度より低い等により、絶縁性接着剤層３４の流動性が導電性粒子含有層３５の流動性よりも高い。したがって、異方性導電フィルム３６は、回路基板１４とＩＣチップ１との間に介在され、熱圧着ツール４０によって加熱押圧されると、先ず溶融粘度の低い絶縁性接着剤層３４が回路基板１４とＩＣチップ１との間に充填されるとともに窪み９内に流入する。溶融粘度の高い導電性粒子含有層３５は流動性が低いため、加熱押圧によりバインダー樹脂３３が回路基板１４とＩＣチップ１との間で溶融した場合にも、導電性粒子３２の流動が抑制される。また、先に流動し回路基板１４とＩＣチップ１との間に充填された絶縁性接着剤層３４が硬化反応を開始することによっても導電性粒子３２の流動が抑制される。したがって、接続体２０は、導電性粒子３２が隣接する出力バンプ３の間や入力バンプ５の間に凝集することなくバンプ間ショートの発生を低減させることができる。
【００８３】
絶縁性接着剤層３４、導電性粒子含有層３５、及び異方性導電フィルム３６の最低溶融粘度範囲の一例を挙げると、絶縁性接着剤層３４の最低溶融粘度範囲は１〜１×１０4Ｐａ・ｓ、導電性粒子含有層３５の最低溶融粘度範囲は１０〜１×１０5Ｐａ・ｓ、異方性導電フィルム３６全体の最低溶融粘度範囲は１０〜１×１０5Ｐａ・ｓである。もちろん絶縁性接着剤層３４、導電性粒子含有層３５、及び異方性導電フィルム３６の最低溶融粘度範囲は、ここにあげた範囲に限定されるものではない。なお、絶縁性接着剤層３４、導電性粒子含有層３５、及び異方性導電フィルム３６の最低溶融粘度は、上述したバインダー樹脂３３と同様に測定することにより求めることができる。
【００８４】
なお、異方性導電フィルム３６は、導電性粒子含有層３５のみが積層されたものであってもよい。この場合、各導電性粒子含有層３５の流動性は同じでもよく、異なっていてもよい。
【００８５】
なお、窪み９内に流入するバインダー樹脂３３の量が増えるほど、すなわち窪み９の体積に比例して流動性の高い絶縁性接着剤層３４が窪み９内に流入し、導電性粒子含有層３５の導電性粒子３２に対する影響を抑えることができる。したがって、窪み９が形成されていないと仮定した基板２に対して、窪み９を形成した基板２は、効果的に導電性粒子３２の流動を抑制し、粒子捕捉率を向上させ、またバンプ間ショートの発生率を下げることができる。また、窪み９内に流入するバインダー樹脂３３の量が増えるほど、回路基板１４とＩＣチップ１との間における応力を緩和する能力は上がる。
【００８６】
また、異方性導電フィルム３６は、図１１〜図１３に示すように、導電性粒子含有層３５に導電性粒子３２を平面視において互いに非接触で独立して配列させることにより、ファインピッチ化された入出力バンプ３，５及び入出力端子１６，１７間においても、粒子捕捉率を向上させるとともに、導電性粒子３２が隣接する出力バンプ３の間や入力バンプ５の間に凝集することなくバンプ間ショートの発生を低減させることができる。またこのような異方性導電フィルム３６を用いることで、窪み９による樹脂流動の低減化の効果はより効果を発現できる。即ち、導電性粒子３２の配置による捕捉効率の上昇と、樹脂流動の抑制による捕捉時の導電性粒子３２の不要な移動の抑制が同時に生じるからである。
【００８７】
また、導電性粒子含有層３５に導電性粒子３２を平面視において互いに非接触で独立して配列させることにより、導電性粒子３２の粒子個数密度が低くなることから、入出力バンプ３，５の低背化が可能となり、熱圧着ツール４０による入出力バンプ３，５の押し込み量が増えるが、異方性導電フィルム３６は、入出力バンプ３，５による絶縁性接着剤層３４への押し込みによる圧力が窪み９内へのバインダー樹脂３３の流入によって吸収され、絶縁性接着剤層３４の流動による導電性粒子含有層３５への影響を抑えることができる。したがって、接続体２０は、導電性粒子含有層３５に配列された導電性粒子３２の流動が抑えられているため、ファインピッチ化された入出力バンプ３，５及び入出力端子１６，１７間においても、確実に粒子を捕捉できるとともに、バンプ間ショートの発生を低減させることができる。
【００８８】
なお、上述の実施の形態では、異方性導電接着剤として、バインダー樹脂３３に適宜導電性粒子３２を含有した熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に成形した接着フィルムを例に説明したが、本技術に係る接着剤は、これに限定されず、例えばバインダー樹脂３３のみからなる絶縁性接着フィルムでもよい。また、異方性導電接着剤は、このようなフィルム成形されてなる接着フィルムに限定されず、バインダー樹脂組成物に導電性粒子３２が分散された導電性接着ペースト、あるいはバインダー樹脂組成物のみからなる絶縁性接着ペーストとしてもよい。本技術に係る異方性導電接着剤は、上述したいずれの形態をも包含するものである。
【００８９】
［接続工程］
次いで、回路基板１４にＩＣチップ１を接続する接続工程について説明する。先ず、回路基板１４の入出力端子１６，１７が形成された実装面上に異方性導電フィルム３０を仮貼りする。次いで、この回路基板１４を接続装置のステージ上に載置し、回路基板１４の実装面上に異方性導電フィルム３０を介してＩＣチップ１を配置する。
【００９０】
導電性粒子含有層３５と絶縁性接着剤層３４とが積層された異方性導電フィルム３６を用いる場合は、導電性粒子含有層３５側を回路基板１４に貼付し、縁性接着剤層３４側からＩＣチップ１を配置する。
【００９１】
次いで、バインダー樹脂３３を硬化させる所定の温度に加熱された熱圧着ツール４０によって、緩衝材１５を介してＩＣチップ１の押圧面となる基板２の他面２ｂ上を所定の圧力、時間で熱加圧する。これにより、異方性導電フィルム３０のバインダー樹脂３３は流動性を示し、ＩＣチップ１と回路基板１４の間から流出するとともに、バインダー樹脂３３中の導電性粒子３２は、出力バンプ３と出力端子１６との間、及び入力バンプ５と入力端子１７との間に挟持されて押し潰される。
【００９２】
このとき、本技術が適用されたＩＣチップ１によれば、入出力バンプ３，５が形成された基板２の一面２ａに窪み９が設けられているため、異方性導電フィルム３０のバインダー樹脂３３が窪み９内に流入する。これによりＩＣチップ１と回路基板１４との間から排出させるバインダー樹脂３３の量が減り、熱圧着ツール４０による押圧力を減らすことができる。したがって、接続体２０は、熱圧着ツール４０による負荷が減り、回路基板１４の反りを抑制でき、またＩＣチップ１の損傷を防止することができる。また、接続体２０は、より低圧力で圧着することによっても、バインダー樹脂３３を排出させるとともに導電性粒子３２を十分に挟持することができる。
【００９３】
また、絶縁性接着剤層３４と導電性粒子含有層３５とが積層された異方性導電フィルム３６では、低溶融粘度の絶縁性接着剤層３４が先にＩＣチップ１と回路基板１４との間に充填するとともに窪み９内に流入し、導電性粒子３２の流動を抑制する。これにより、導電性粒子３２がファインピッチ化された入出力バンプ３，５と入出力端子１６，１７との間に捕捉されるとともに、隣接する入出力バンプ３，５間のスペースに凝集することなく、バンプ間ショートが防止される。
【００９４】
その結果、入出力バンプ３，５と入出力端子１６，１７との間で導電性粒子３２を挟持することによりＩＣチップ１と回路基板１４とが電気的に接続され、この状態で熱圧着ツール４０によって加熱されたバインダー樹脂３３が硬化し、接続体２０が形成される。
【００９５】
接続体２０は、入出力バンプ３，５と回路基板１４の入出力端子１６，１７との間にない導電性粒子３２がバインダー樹脂３３に分散されており、電気的に絶縁した状態を維持している。これにより、ＩＣチップ１の出力バンプ３及び入力バンプ５と回路基板１４の入出力端子１６，１７との間のみで電気的導通が図られる。なお、バインダー樹脂として、ラジカル重合反応系の速硬化タイプのものを用いることで、短い加熱時間によってもバインダー樹脂を速硬化させることができる。また、異方性導電フィルム３０，３６としては、熱硬化型に限らず、加圧接続を行うものであれば、光硬化型もしくは光熱併用型の接着剤を用いてもよい。
【００９６】
このような接続体２０は、ＩＣチップ１に設けられた窪み９により、バインダー樹脂３３の接触面積が増加するとともに窪み９内に充填されたバインダー樹脂３３によってアンカー効果が発現することにより、回路基板１４への接着強度が向上されている。
【００９７】
また、接続体２０は、窪み９によりＩＣチップ１と回路基板１４との間に充填されるバインダー樹脂３３の樹脂体積が増加されているため、回路基板１４とＩＣチップ１との間における応力がより緩和され、回路基板１４とＩＣチップ１との接着界面への負荷が減り、ＩＣチップ１の剥離を防止することができる。
【００９８】
さらに、接続体２０は、回路基板１４とＩＣチップ１との間における応力が緩和されることにより、回路基板１４の反りも抑制されるため、回路基板１４が例えばＬＣＤパネル等の表示パネルの透明基板を構成する場合においては、表示部に対する反りの影響が抑えられ、表示ムラを防止することができる。
【符号の説明】
【００９９】
１  ＩＣチップ、２  基板、２ａ  一面、２ｂ  他面、２ｃ，２ｄ  側縁、３  出力バンプ、４  出力バンプ領域、５  入力バンプ、６  入力バンプ領域、７  バンプ間領域、９  窪み、９ａ  非貫通孔、９ｂ  溝、１０  非電極領域、１４  回路基板、１５  緩衝材、１６  出力端子、１７  入力端子、２０  接続体、３０  異方性導電フィルム、３１  ベースフィルム、３２  導電性粒子、３３  バインダー樹脂、３４  絶縁性接着剤層、３５  導電性粒子含有層、３６  異方性導電フィルム、４０  熱圧着ツール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年3月7日(2017.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、上記基板の一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備え、
上記非電極領域に、一又は複数の窪みが形成されている電子部品。
【請求項２】
上記電極領域は、上記基板の相対向する一対の側縁の一方側及び他方側に沿って上記電極が配列され、
上記窪みは、上記基板の相対向する一対の側縁と平行に形成されている請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
上記窪みは、溝状に形成されている請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
上記窪みは、直線からなる溝である請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
上記基板は矩形状に形成され、
上記窪みは、上記基板の長手方向に沿って存在する請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
上記電子部品はＩＣチップである請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
上記窪みは、上記基板の側面に臨まされている請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
第１の電子部品と第２の電子部品とが異方性導電接着剤を介して接続された接続体において、
少なくとも一方の上記電子部品は、
基板と、上記基板の上記回路基板上に接続される一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備え、
上記非電極領域に、上記異方性導電接着剤が流入する一又は複数の窪みが形成されている接続体。
【請求項９】
上記異方性導電接着剤は、バインダー樹脂に導電性粒子が互いに非接触で独立して存在している請求項８に記載の接続体。
【請求項１０】
上記異方性導電接着剤は、導電性粒子が含有された導電性接着剤層と、上記導電性粒子が含有されていない絶縁性接着剤層とが積層され、上記導電性接着剤層側が上記基板の一面に貼付される請求項８に記載の接続体。
【請求項１１】
上記導電接着剤層は、上記導電性粒子が独立して配列されている請求項１０に記載の接続体。
【請求項１２】
基板と、上記基板の一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備える電子部品の設計方法において、
上記非電極領域に、一又は複数の窪みを形成する電子部品の設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、図８（Ａ）（Ｂ）に示すように、窪み９（非貫通孔９ａ、溝９ｂ）は、基板２の側縁２ｃ，２ｄと入出力バンプ列３Ａ，３Ｂ，５Ａとの間の外縁部２ｅに形成してもよい。また、図９（Ａ）（Ｂ）に示すように、窪み９（非貫通孔９ａ、溝９ｂ）は、基板２の側縁２ｃ，２ｄと直交する一対の側縁２ｆ，２ｇと入出力バンプ列３Ａ，３Ｂ，５Ａとの間の外縁部２ｈに形成してもよい。その他、窪み９は、出力バンプ列３Ａ，３Ｂの各列の間や、入出力バンプ列３Ａ，３Ｂ，５Ａの各列内にスペースが形成されている場合は当該スペースに形成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
導電性粒子３２が平面視において互いに非接触で独立して存在することにより、異方性導電フィルム３０は、図１４（Ａ）（Ｂ）に示すように、導電性粒子３２がランダムに分散され、凝集体が形成される等により導電性粒子の分布に疎密が生じている場合に比して、個々の導電性粒子３２の補足される確率が向上するため、同一の高集積なＩＣチップ１を異方性接続する場合、導電性粒子３２の配合量を減少させることができる。これにより、導電性粒子３２がランダムに分散される場合は、導電性粒子数が一定量以上必要になることから隣接する出力バンプ３間や入力バンプ５間のスペースにおいて凝集体や連結の発生が懸念されていたが、平面視において互いに非接触で独立した状態にすることで、このようなバンプ間ショートの発生を抑制させることができ、また入出力バンプ３，５と入出力端子１６，１７間の導通に寄与しない導電性粒子３２の数を低減させることができる。