(57)【要約】【課題】改良された、レーザ加工後のデブリの除去のための材料及び方法が必要とされている。【解決手段】ウエハからレーザ加工後のデブリを除去する方法であって、一実施形態では、被パターン加工層上に犠牲層を形成するステップと、レーザアブレーションを用いて、犠牲層及び被パターン加工層をパターン加工するステップと、犠牲層及び該犠牲層上に堆積したデブリを水で除去するステップとを含む方法が提供される。犠牲層には、水溶性バインダと、水溶性紫外線（ＵＶ）吸収剤とが含まれる。レーザ加工後のデブリを除去するシステムも提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハからレーザ加工後のデブリを除去する方法であって、
被パターン加工層上に水溶性バインダ及び水溶性紫外線（ＵＶ）吸収剤を含む犠牲層を形成するステップと、
レーザアブレーションを用いて、前記犠牲層及び前記被パターン加工層をパターン加工するステップと、
前記犠牲層及び該犠牲層上に堆積したデブリを水で除去するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記レーザアブレーションにおいて、エキシマレーザを用いることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エキシマレーザが、２４８ｎｍ、３０８ｎｍまたは３５５ｎｍのエキシマレーザを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記水溶性バインダが、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）、ポリアクリル系材料、エチルセルロース、メチルエステル、及びそれらの組合せからなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記水溶性ＵＶ吸収剤が、ベンゾトリアゾール系ＵＶ吸収剤材料、トリアジン系ＵＶ吸収剤材料、及びそれらの組合せからなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記犠牲層の厚さが、約０．５〜２ミクロンであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記犠牲層の厚さが、約１〜１．５ミクロンであることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記被パターン加工層が、誘電体、ガラス、金属、またはそれらの組合せを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記犠牲層における前記水溶性バインダ対前記水溶性ＵＶ吸収剤の比率が、約３０：１ないし約５：１であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記水溶性バインダがポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）を含み、前記水溶性ＵＶ吸収剤が液体ヒドロキシフェニルトリアジンを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記犠牲層及び前記デブリを除去する前記ステップが、前記犠牲層上に水を噴射するステップまたは水浴を用いるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記犠牲層及びデブリを水で除去するステップの後に、前記被パターン加工層をアルコールですすぐステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法を実行するためのシステムであって、
レーザアブレーションシステムと、
水利用型デブリ除去システムと、
ウエハ処理システムとを含むことを特徴とするシステム。
【請求項１４】
ウエハからレーザ加工後のデブリを除去する方法であって、
水溶性バインダ及び水溶性紫外線（ＵＶ）吸収剤を組み合わせて溶液を生成するステップと、
前記溶液を誘電体、ガラス、または金属層に塗布して犠牲層を形成するステップと、
レーザアブレーションを用いて、前記犠牲層及び前記誘電体、ガラス、または金属層をパターン加工するステップと、
前記犠牲層及び該犠牲層上に堆積したデブリを水で除去するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記溶液が、前記水溶性バインダを約１〜１０重量％を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記水溶性バインダがポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）を含み、前記水溶性ＵＶ吸収剤が液体ヒドロキシフェニルトリアジンを含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記レーザアブレーションにおいて、エキシマレーザを用いることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記水溶性バインダが、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）、ポリアクリル系材料、エチルセルロース、メチルエステル、及びそれらの組合せからなる群から選択されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記水溶性ＵＶ吸収剤が、ベンゾトリアゾール系ＵＶ吸収剤材料、トリアジン系ＵＶ吸収剤材料、及びそれらの組合せからなる群から選択されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記犠牲層の厚さが、約１〜１．５ミクロンであることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記犠牲層及びデブリを水で除去するステップの後に、前記誘電体、ガラス、または金属層をアルコールですすぐステップをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
請求項１４に記載の方法を実行するためのシステムであって、
レーザアブレーションシステムと、
水利用型デブリ除去システムと、
ウエハ処理システムとを含むことを特徴とするシステム。
【請求項２３】
ウエハからレーザ加工後のデブリを除去する方法であって、
水溶性バインダ及び水溶性紫外線（ＵＶ）吸収剤を含む溶液を生成するステップと、
誘電体層上に犠牲層を形成するステップと、
エキシマレーザブレーションを用いて、前記犠牲層及び前記誘電体層をパターン加工するステップと、
前記犠牲層上に堆積したデブリ及び前記犠牲層を水噴射により除去するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記水溶性バインダがポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）を含み、前記水溶性ＵＶ吸収剤が液体ヒドロキシフェニルトリアジンを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記犠牲層における前記ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）対前記液体ヒドロキシフェニルトリアジンの比率が、約３０：１ないし約５：１であることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記犠牲層の厚さが、約１〜１．５ミクロンであることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記犠牲層及びデブリを水噴射により除去する前記ステップの後に、前記誘電体層をアルコールですすぐステップをさらに含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
請求項２３に記載の方法を実行するためのシステムであって、
レーザアブレーションシステムと、
水利用型デブリ除去システムと、
ウエハ処理システムとを含むことを特徴とするシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に電子基板及び半導体ウエハを作製する技術に関し、より詳細には、例えば、そのような基板及びウエハ上にレーザを用いて層をパターン加工し、レーザ加工後のデブリ（加工屑）を除去する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザアブレーションとは、高光子エネルギー（すなわち短波長であるが、必ずしも高強度ではない）を用いた材料の除去のことであり、非常に効果的なポリマーパターン加工法である。通常、紫外線（ＵＶ）光を適度な強度でポリマーに照射すると、光化学効果及び光熱効果の組合せによってポリマー鎖がより小さな揮発性分子に分離され、当該分子はデブリ除去システムで除去される。ポリイミドなどのポリマーをうまく除去することに加えて、レーザアブレーションを用いて金属及び無機材料を除去することもできる。
【０００３】
レーザアブレーションは、感光性媒体、現像液またはエッチャントなしで高解像度フィーチャをパターン加工することができるので、コスト効率の良いパターン加工方法であり得る。例えば、レーザアブレーションを用いて５μｍ未満の解像限界で材料をパターン加工することは既に成功している。レーザアブレーションレートは、波長、パルス幅及びフルエンスの関数であるので、アブレーションレートを正確に制御することができる。
【０００４】
エキシマレーザによるレーザアブレーションについても、既に実証が成功している。エキシマレーザは、過去２０年間でマイクロリソグラフィに不可欠なものとなった。エキシマレーザは最も強力なＵＶレーザ源であり、通常は希ガス及びハロゲンまたはハロゲン含有ガスを含む。一般的なエキシマレーザガスは、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）及びＡｒＦ（１９３ｎｍ）である。他のレーザとは異なり、エキシマレーザは、高解像度リソグラフィにとって理想的な、スペックル無しのインコヒーレントな光を生じさせる。エキシマレーザは、ＵＶスペクトルの光を効率良く発し、大きなビームサイズを有し、マイクロリソグラフィに容易に利用可能であるので、レーザアブレーションに理想的に適している。
【０００５】
しかし、レーザアブレーション加工によって、除去する必要がある材料の表面上にデブリ（パターン加工中に放出される材料の粒子）が発生する。このデブリは、基板を汚染し、後のステップで困難を引き起こす恐れがある。基板上でデブリ除去のために用いられる現在の材料は、レーザからのＵＶ照射を吸収しなかったり、完全ダイのレーザスキャニングに耐えられなかったりすることがあり、剥離する可能性もあり、表面からデブリを除去する効果を低下させ得る。
【０００６】
ＵＶレーザアブレーションデブリの除去のために多くの製品が商品化されてきた。これらの材料は、大部分はＵＶレーザ（ＣＯ２）または固体レーザ、例えばダイオード励起固体（ＤＰＳＳ）レーザなどに用いられた。ここで、レーザ加工は、一度に１ビアまたは１列実行される。これらの材料、例えば、レーザスクライビング用保護膜ＥＭＣ１１４６（エマルシトーン・ケミカルズ（Emulsitone Chemicals, LLC）から市販されている）、Ｄａｅｃｏａｔ製品群（ジョン・ムーア・コンサルティング（John Moore Consulting）から市販されている）、またはＨｏｇｏＭａｘ製品群（株式会社ディスコから市販されている）などは、エキシマレーザ加工を利用したマスクスキャニングシステムとともに使用する場合には効果的に機能しなかった。これらの材料は、スポットショット（spot shot）アブレーションとともにしか効果的に使用することできず、十分なＵＶ吸収能力を有していない。したがって、これらの材料は、エキシマレーザブレーション加工中にスキャンビームに露光されたときにリフトオフまたは剥離する。
【０００７】
多くの他の研究機関から、フォトレジスト材料の薄層を犠牲層として使用することが提案されてきた。しかし、溶媒のコスト及び使用は、大量生産においてこの選択肢を魅力のないものにする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、改良された、レーザ加工後のデブリの除去のための材料及び方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つ以上の実施形態に従って、先行技術の上記及びその他の欠点を回避または低減し得るようなレーザ加工後のデブリを除去するためのシステム及び方法が提供される。
【００１０】
１つの例示的な実施形態では、ウエハからレーザ加工後のデブリを除去する方法は、被パターン加工層上に水溶性バインダ及び水溶性紫外線（ＵＶ）吸収剤を含む犠牲層を形成するステップと、レーザアブレーションを用いて、犠牲層及び被パターン加工層をパターン加工するステップと、犠牲層及び該犠牲層上に堆積したデブリを水で除去するステップとを含む。
【００１１】
別の実施形態では、ウエハからレーザ加工後のデブリを除去する方法は、水溶性バインダ及び水溶性紫外線（ＵＶ）吸収剤を組み合わせて溶液を生成するステップと、該溶液を誘電体、ガラス、または金属層に塗布して犠牲層を形成するステップと、レーザアブレーションを用いて、犠牲層及び誘電体、ガラス、または金属層をパターン加工するステップと、犠牲層及び該犠牲層上に堆積したデブリを水で除去するステップとを含む。
【００１２】
別の実施形態では、ウエハからレーザ加工後のデブリを除去する方法は、水溶性バインダ及び水溶性紫外線（ＵＶ）吸収剤を含む溶液を生成するステップと、誘電体層上に犠牲層を形成するステップと、エキシマレーザブレーションを用いて、犠牲層及び誘電体層をパターン加工するステップと、犠牲層上に堆積したデブリ及び犠牲層を水噴射により除去するステップとを含む。
【００１３】
別の実施形態では、ウエハからレーザ加工後のデブリを除去する方法は、水溶性バインダ及び水溶性紫外線（ＵＶ）吸収剤を含む溶液を生成するステップと、誘電体層上に犠牲層を形成するステップと、エキシマレーザブレーションを用いて、犠牲層及び誘電体層をパターン加工するステップと、犠牲層上に堆積したデブリ及び犠牲層を水噴射により除去するステップと、誘電体層をアルコール（イソプロパノールやエタノールなど）ですすぐステップとを含む。
【００１４】
本発明のシステム及び方法の上記及びその他の特徴及び利点は、以下の本発明のいくつかの例示的な実施形態の詳細な説明の考慮から、特にそのような考慮が添付の図面とともになされる場合には、より良く理解することができ、添付の図面においては、１枚またはそれ以上の図面に示されている同様の構成要素を識別するために同様の符号が用いられている。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態によるレーザ加工後のデブリの除去方法のフローチャートである。
【図２Ａ】本発明の一実施形態によるレーザ加工後のデブリの除去方法の対象となる基板の垂直断面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態によるレーザ加工後のデブリの除去方法の対象となる基板の垂直断面図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態によるレーザ加工後のデブリの除去方法の対象となる基板の垂直断面図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態によるレーザ加工後のデブリの除去方法の対象となる基板の垂直断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態による、レーザ加工後のデブリが犠牲層の上に存在するレーザアブレーション後のウエハを示す。
【図３Ｂ】犠牲層及びレーザ加工後のデブリを除去する水噴射洗浄後の図３Ａのウエハを示す。
【図４】本発明の一実施形態によるレーザ加工後のデブリの除去システムのブロック図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
１つ以上の実施形態に従ってデブリを除去するための犠牲層について説明する。犠牲層には、スキャンアブレーションやスポットショットアブレーションなどのレーザアブレーション中にＵＶ光を吸収することができ、被パターン加工層とともにアブレートされる水溶性フィルムが含まれる。犠牲層は、アブレーション加工後に水で容易に除去される。犠牲層の除去は、犠牲層とともに、アブレーション中に堆積したデブリ全てを運んでいく。これにより、後の工程の準備ができている清浄なアブレートされたフィーチャが得られる。説明した方法は、半導体産業において用いられる完全ダイまたはマクロに用いることができ、ビア、バンプ、再配線層の形成、ラインアンドスペースアブレーション、またはデュアルダマシン工程として同時にアブレートされた再配線層とビアの組合せを含む高度な半導体パッケージングアプリケーションに用いられる誘電体に用いることができる。
【００１７】
犠牲層は、少なくとも２つの成分、すなわち（１）水溶性バインダ及び（２）水溶性ＵＶ吸収剤を含む。水溶性バインダは、ＵＶ光に露光されたときに安定である任意の適切なバインダである。水溶性ＵＶ吸収剤は、バインダに結合し、光安定性を示し、ＵＶ光に露光されたときに熱的に安定であるような、任意の適切な吸収剤である。これらの成分は、基板上の他の層とほとんどまたは全く反応しない犠牲層を形成するように選択される。バインダ及びＵＶ吸収剤が混合されたときに形成される犠牲層はＵＶ光を吸収し、当該犠牲層を用いて剥離やリフトオフなしに基板上の複数のフィーチャをパターン加工することもできる。犠牲層は、約０．２〜５ミクロン厚の膜を形成する。種々の実施形態では、膜の厚さは約０．５〜２ミクロンであり、他の実施形態では、膜の厚さは約１〜１．５ミクロンである。
【００１８】
適切なバインダには、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）、ポリアクリル酸などのポリアクリル系材料、エチルセルロース、及びメチルエステル、または任意の他の水溶性ポリマーが含まれるが、これらに限定されるものではない。適切なＵＶ吸収剤には、ベンゾトリアゾール及びトリアジン系ＵＶ吸収剤材料、例えば、Ｔｉｎｕｖｉｎ（登録商標）４００−ＤＷ、Ｔｉｎｕｖｉｎ（登録商標）４７７−ＤＷ、Ｔｉｎｕｖｉｎ（登録商標）９９−ＤＷなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。
【００１９】
熱安定性の向上を示すバインダは、水溶性ＰＥＯポリマーである。適切なバインダとしては、ザ・ダウ（登録商標）・ケミカル・カンパニーから市販されている、Ｐｏｌｙｏｘ（登録商標）ＷＳＲ  Ｎ−７５０及びＰｏｌｙｏｘ（登録商標）ＷＳＲ  Ｎ−３０００が挙げられる。約１〜１０重量％のＰＥＯを含む溶液と水溶性ＵＶ吸収剤材料、例えばＴｉｎｕｖｉｎ（登録商標）４００−ＤＷ溶液（ＢＡＳＦから市販されている液体ヒドロキシフェニルトリアジン）などとの混合液は、簡単な水洗ステップでアブレーション加工後のデブリを除去するための犠牲層として効果的であることが実証された。幾つかの実施形態では、犠牲層におけるバインダ対ＵＶ吸収剤の比率は、約３０：１ないし約５：１である。他の実施形態では、犠牲層におけるバインダ対ＵＶ吸収剤の比率は、約１５：２ないし約１０：１である。
【００２０】
ここで、添付の図面を参照しながら本発明の例示的な実施形態について説明する。
【００２１】
図１及び図２Ａ〜図２Ｄを参照すると、表面からレーザ加工後のデブリを除去する方法１００が説明されている。ステップ１０２及び図２Ａでは、基板２００上に、誘電体層２０５、またはレーザによってパターン加工することができる他の材料（金属やガラスなど）が形成される。種々の実施形態では、誘電体層は有機誘電体膜である。適切なパターン加工材料は当業者に知られている。
【００２２】
ステップ１０４及び図２Ｂに進み、誘電体層２０５上に犠牲層２１０を堆積させるかまたはコーティングする。いくつかの実施形態では、犠牲層２１０は、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、または当業者に知られている任意の適切な技法を用いて、誘電体層２０５の上に形成される。
【００２３】
ステップ１０６及び図２Ｃでは、アブレートされることになる基板２００の全領域がビーム２１４によってスキャンされるようにして、ＵＶレーザからのビーム２１４に誘電体層２０５及び犠牲層２１０を露光することによってマスクまたはレチクルを通してパターン（例えばビア及び／またはトレンチ）を形成する。種々の実施形態では、マスクスキャニングまたはスポットショットアブレーションが用いられる場合などに、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３０８ｎｍまたは３５５ｎｍのＵＶエキシマレーザが用いられる。レーザビーム２１４は誘電体層２０５及び犠牲層２１０に吸収され、基板２００の露光領域がアブレートされる。このレーザアブレーション加工によって、パターンからデブリ２１２が放出され、デブリ２１２は、犠牲層２１０上において、アブレートされたパターンの周囲に堆積される。
【００２４】
ステップ１０８及び図２Ｄでは、犠牲層２１０上のデブリ２１２及び犠牲層２１０の両方を除去するために水が噴射される。別の実施形態では、犠牲層２１０及びデブリ２１２を除去するために水浴が用いられる。後の加工、例えばシード層堆積やメッキのために、誘電体層２０５のパターン及び表面は清浄なままでデブリが存在しない。ステップ１０８では、従来の水噴射技術を用いる。
【００２５】
有利には、犠牲層及びデブリは、高価または有害な有機溶媒ではなく水だけで除去される。さらに、犠牲層は熱的に安定であり、パターン加工中に剥離またはリフトオフせず、ＵＶ照射を吸収する。犠牲層は、スポットショットアブレーション（ステップアンドリピート）のために働くかまたはエキシマレーザブレーション加工中にスキャンビームと協働するかのいずれかである。
【００２６】
種々の実施形態では、水が噴射された後、誘電体層２０５をアルコールですすぐことによって誘電体層２０５をさらに洗浄しかつ誘電体層２０５の乾燥を促進する。いくつかの実施形態では、誘電体層２０５は約１５〜３０秒間すすがれる。
【００２７】
図３Ａは、デブリが犠牲層の上に存在するアブレーション後のウエハを示している。図３Ｂは、犠牲層及びデブリが除去された、水噴射洗浄後のウエハを示している。図に示されているように、簡単な水洗だけで、基板は清浄でかつデブリが存在しない。
【実施例１】
【００２８】
１．５ｇのＰＥＯを４８．５ｍＬの脱イオン水に溶解して３％ＰＥＯ水溶液（バインダ溶液）を生成した。このバインダ溶液を別のビーカに１５ｍＬ量り、そこに０．５〜２ｍＬのＴｉｎｕｖｉｎ（登録商標）４００溶液（ＢＡＳＦ社製ＵＶ吸収剤）を加えた。この２つの材料を混合して白みがかった均質な溶液を生成した。誘電体でコーティングして完全に硬化させたウエハ（１００〜３００ｍｍ）または積層ドライフィルムウエハをスピンコータ具上に載置した。特定の量の溶液をウエハの上に供給し、その後ウエハを室温にて２５００ｒｐｍで３０秒間回転させた。ウエハのサイズによって溶液の量を変えた。１００〜１５０ｍｍウエハには、約５〜１０ｍＬを用いた。１５０〜２００ｍｍウエハには、約１０〜１５ｍＬを用いた。３００ｍｍウエハには、約１５〜２５ｍＬを用いた。これらの量の溶液をウエハ上に供給することによって、最良のカバレッジ及び均一な膜厚が確実にもたらされるようにした。その後、ウエハを取り出し、室温で窒素のスイープを用いて乾燥させた。形成された犠牲層の厚さは、約０．５〜２ミクロンであった。
【００２９】
次に、コーティングしたウエハをＵＶレーザのチャック上に載置し、誘電体または積層ドライフィルムに所望のフィーチャをアブレートした。アブレーション後、ウエハをデブリの有無、フィーチャ解像度及び限界寸法について検査した。その後、高圧ＣＯ２イオン化脱イオン水噴射具（ズース・マイクロテック社（SUSS MicroTec）製Ｄｅｌｔａ１２ＡＱ）内にウエハを投入した。以下の条件、すなわち水圧３０〜５０ｂａｒ、２５℃でウエハを水噴射にさらし、１０００ｒｐｍで３００秒間回転させ、その後１５００ｒｐｍで６０秒間回転乾燥（スピンドライ）させた。その後ウエハにデブリがないかを検査したが、誘電体または積層ドライフィルムの上に何ら材料の残存は見られなかった。アブレートされたフィーチャは全て清浄であった。
【実施例２】
【００３０】
１．５ｇのＰＥＯを４８．５ｍＬの脱イオン水に溶解して３％ＰＥＯ水溶液（バインダ溶液）を生成した。このバインダ溶液を別のビーカに３０ｍＬ量り、そこに１〜３ｍＬのＴｉｎｕｖｉｎ（登録商標）４００溶液（ＢＡＳＦ社製ＵＶ吸収剤）を加えた。この２つの材料を混合して白みがかった均質な溶液を生成した。誘電体でコーティングして完全に硬化させた２００ｍｍウエハまたは積層ドライフィルムウエハをスピンコータ具上に載置した。約１０〜１５ｍＬの溶液を２００ｍｍウエハの上に供給し、その後ウエハを室温にて２５００ｒｐｍで３０秒間回転させた。その後ウエハを取り出し、室温で窒素のスイープを用いて乾燥させた。形成された犠牲層の厚さは、約０．５〜２ミクロンであった。
【００３１】
次に、コーティングしたウエハをＵＶレーザのチャック上に載置し、誘電体または積層ドライフィルムに所望のフィーチャをアブレートした。アブレーション後、ウエハをデブリの有無、フィーチャ解像度及び限界寸法について検査した。その後、高圧ＣＯ２イオン化脱イオン水噴射具（ズース・マイクロテック社製Ｄｅｌｔａ１２ＡＱ）内にウエハを投入した。以下の条件、すなわち水圧３０〜５０ｂａｒ、２５℃でウエハを水噴射にさらし、１０００ｒｐｍで３００秒間回転させた。
【００３２】
その後ウエハを１５００ｒｐｍで回転させながらイソプロパノールリンス液に３０秒間さらし、その後、１５００ｒｐｍで６０秒間回転乾燥させた。その後ウエハにデブリがないかを検査したが、誘電体または積層ドライフィルムの上に何ら材料の残存は見られなかった。アブレートされたフィーチャは全て清浄であった。
【００３３】
図４は、１つ以上の実施形態に従ってレーザ加工後のデブリを除去するために用いることができるシステム４００を示している。システム４００は、レーザアブレーションシステム４０５と、水利用型デブリ除去システム４１０と、ウエハ処理システム４１５とを含む。レーザアブレーションシステム４０５は、レーザ光源、例えばエキシマレーザを用いて、誘電体層２０５及び犠牲層２１０をパターン加工する。次に、水利用型デブリ除去システム４１０において水を用いてデブリ２１２及び犠牲層２１０を除去する。水利用型デブリ除去システム４１０は、水噴射または水浴を含むことができる。レーザ加工後のデブリ２１２が除去されたら、後の加工、例えばシード層堆積やメッキなどを、ウエハ処理システム４１５において実行することができる。
【００３４】
当業者であればもう分かっているように、本発明の１つ以上の実施形態に従って、その趣旨及び範囲から逸脱することなく、レーザ加工後のデブリを除去する材料、装置、構成及び方法の数多くの変更形態、置換形態及び変形形態が可能である。したがって、本発明の範囲は、単なる例にすぎない本明細書に説明及び記載されている特定の実施形態に限定されるものではなく、むしろ、添付の特許請求の範囲及びその機能的等価物の範囲に完全に等しいものであるべきである。
【図１】
2017104908.tif 000003
【図２Ａ】
2017104908.tif 000004
【図２Ｂ】
2017104908.tif 000005
【図２Ｃ】
2017104908.tif 000006
【図２Ｄ】
2017104908.tif 000007
【図３Ａ】
2017104908.tif 000008
【図３Ｂ】
2017104908.tif 000009
【図４】
2017104908.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月1日(2017.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2017104908.tif 000011
【図２Ａ】
2017104908.tif 000012
【図２Ｂ】
2017104908.tif 000013
【図２Ｃ】
2017104908.tif 000014
【図２Ｄ】
2017104908.tif 000015
【図３Ａ】
2017104908.tif 000016
【図３Ｂ】
2017104908.tif 000017
【図４】
2017104908.tif 000018