(57)【要約】【課題】ランプ波形の傾きの程度によって表示すべき画像の輝度情報を供給することができる表示素子を提供する。【解決手段】表示素子は、発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されており、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態で、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加され、その後、ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧が印加されることによってランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部に保持される。【選択図】  図３
2017068033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、
駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されており、
駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態で、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加され、その後、ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧が印加されることによってランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部に保持される、
表示素子。
【請求項２】
表示素子は一定の周期で走査され、
駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
請求項１に記載の表示素子。
【請求項３】
ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
請求項２に記載の表示素子。
【請求項４】
駆動トランジスタはｎチャネル型の電界効果トランジスタから成り、
容量部は、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続されている、
請求項１に記載の表示素子。
【請求項５】
駆動回路は、更に、第１スイッチング素子を含んでおり、
第１スイッチング素子にあっては、一端にランプ波形の電圧が供給されると共に、他端は駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されており、
第１スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される、
請求項１に記載の表示素子。
【請求項６】
第１スイッチング素子の一端には、カップリング容量を介してランプ波形の電圧が供給される、
請求項５に記載の表示素子。
【請求項７】
第１スイッチング素子の他端は、カップリング容量を介して、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されている、
請求項５に記載の表示素子。
【請求項８】
駆動回路は、更に、第２スイッチング素子を含んでおり、
第２スイッチング素子にあっては、一端に所定の一定電圧が供給されると共に、他端は駆動トランジスタのゲート電極に接続されており、
第２スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加される、
請求項１に記載の表示素子。
【請求項９】
駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に初期化電圧が印加されて他方のソース／ドレイン領域の電位が初期化された後、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加された後その印加が遮断されることによって、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態とされる、
請求項１に記載の表示素子。
【請求項１０】
ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部に保持された後、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域へのランプ波形の電圧の印加と、駆動トランジスタのゲート電極への所定の一定電圧の印加とが遮断されることで、駆動トランジスタを介して流れる電流によって発光部を発光させる、
請求項１に記載の表示素子。
【請求項１１】
発光部は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から構成されている、
請求項１に記載の表示素子。
【請求項１２】
発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る、
請求項１１に記載の表示素子。
【請求項１３】
発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されている表示素子を用いて、
駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧を設定し且つゲート電極を電気的に浮遊している状態として、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧を印加し、その後、ランプ波形の電圧の印加を継続している状態でゲート電極に所定の一定電圧を印加することによって、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧を容量部に保持させる、
表示素子の駆動方法。
【請求項１４】
表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
を備えており、
表示素子は、発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が印加されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されており、
駆動部は、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧を設定し且つゲート電極を電気的に浮遊している状態として、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧を印加し、その後、ランプ波形の電圧の印加を継続している状態でゲート電極に所定の一定電圧を印加することによって、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧を容量部に保持させる、
表示装置。
【請求項１５】
表示装置を備えた電子機器であって、
表示装置は、
表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
を備えており、
表示素子は、発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されており、
駆動部は、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧を設定し且つゲート電極を電気的に浮遊している状態として、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧を印加し、その後、ランプ波形の電圧の印加を継続している状態でゲート電極に所定の一定電圧を印加することによって、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧を容量部に保持させる、
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示素子、表示素子の駆動方法、表示装置、及び、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電流駆動型の発光部を備えた表示素子、及び、係る表示素子を備えた表示装置が周知である。例えば、有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用した発光部を備えた表示素子（以下、単に、有機ＥＬ表示素子と略称する場合がある）は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な表示素子として注目されている。
【０００３】
液晶表示装置と同様に、例えば、有機ＥＬ表示素子を備えた表示装置においても、駆動方式として、単純マトリクス方式、及び、アクティブマトリクス方式が周知である。アクティブマトリクス方式は、構造が複雑になるといった欠点はあるが、画像の輝度を高いものとすることができる等の利点を有する。アクティブマトリクス方式により駆動される有機ＥＬ表示素子にあっては、発光層を含む有機層等から構成された発光部に加えて、発光部を駆動するための駆動回路を備えている。
【０００４】
このような表示素子の駆動にランプ波形の傾斜波電圧を利用するといったことが、例えば、特開２００３−２２３１３６号公報（特許文献１）等に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２２３１３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１などにおいて、ランプ波形は専ら、事前に表示素子に書き込んだ映像信号電圧との比較に用いられるに過ぎない。即ち、表示すべき画像の輝度情報は、映像信号電圧として表示素子に印加されるといった構成である。従って、表示素子には、ランプ波形と映像信号とを印加する必要がある。
【０００７】
本開示の目的は、ランプ波形のみ、より具体的には、ランプ波形の傾きの程度によって表示すべき画像の輝度情報を供給することができる表示素子、係る表示素子の駆動方法、係る表示素子を備えた表示装置、係る表示装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための本開示に係る表示素子は、
発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、
駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されており、
駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態で、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加され、その後、ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧が印加されることによってランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部に保持される、
表示素子である。
【０００９】
上記の目的を達成するための本開示に係る表示素子の駆動方法は、
発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されている表示素子を用いて、
駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧を設定し且つゲート電極を電気的に浮遊している状態として、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧を印加し、その後、ランプ波形の電圧の印加を継続している状態でゲート電極に所定の一定電圧を印加することによって、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧を容量部に保持させる、
表示素子の駆動方法である。
【００１０】
上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置は、
表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
を備えており、
表示素子は、発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されており、
駆動部は、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧を設定し且つゲート電極を電気的に浮遊している状態として、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧を印加し、その後、ランプ波形の電圧の印加を継続している状態でゲート電極に所定の一定電圧を印加することによって、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧を容量部に保持させる、
表示装置である。
【００１１】
上記の目的を達成するための本開示に係る電子機器は、
表示装置を備えた電子機器であって、
表示装置は、
表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
を備えており、
表示素子は、発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されており、
駆動部は、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧を設定し且つゲート電極を電気的に浮遊している状態として、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧を印加し、その後、ランプ波形の電圧の印加を継続している状態でゲート電極に所定の一定電圧を印加することによって、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧を容量部に保持させる、
電子機器である。
【発明の効果】
【００１２】
本開示に係る表示素子によれば、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態で、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加され、その後、ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧が印加されることによってランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部に保持される。従って、ランプ波形の傾きの程度によって表示すべき画像の輝度情報を供給することができる。また、容量部に保持される電圧は駆動トランジスタの特性にも影響されるので、結果として、駆動トランジスタの特性のばらつきによる輝度ばらつきも軽減される。本開示の表示装置や電子機器にあっては、輝度ムラが軽減された画像を表示することができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。
【図２】図２は、表示部における表示素子を含む部分の模式的な一部断面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係る表示装置の動作、より具体的には、表示装置の第（ｎ，ｍ）番目の表示素子の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。
【図４】図４は、図３に示す［期間−Ｈm］の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、第１の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、図５Ｂに引き続き、第１の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、図６Ｂに引き続き、第１の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、図７Ｂに引き続き、第１の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。
【図９】図９は、図８Ｂに引き続き、第１の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。
【図１０】図１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１０Ａにその正面図を示し、図１０Ｂにその背面図を示す。
【図１１】図１１は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。
【図１２】図１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示に係る表示素子、表示素子の駆動方法、表示装置、及び、電子機器全般に関する説明
２．第１の実施形態、その他
【００１５】
［本開示に係る表示素子、表示素子の駆動方法、表示装置、及び、電子機器全般に関する説明］
本開示に係る表示素子、表示素子の駆動方法、表示装置、及び、電子機器（以下、これらを単に、「本開示」と呼ぶ場合がある）にあっては、
表示素子は一定の周期で走査され、
駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
構成とすることができる。この場合において、
ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
構成とすることができる。
【００１６】
上述した好ましい構成を含む本開示にあっては、駆動トランジスタは電界効果トランジスタから成る構成とすることができる。電界効果トランジスタの構成は、動作に支障が生じない限り、特に限定されない。例えば、駆動トランジスタはｎチャネル型の電界効果トランジスタから成り、容量部は、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続されている構成とすることができる。
【００１７】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示において、
駆動回路は、更に、第１スイッチング素子を含んでおり、
第１スイッチング素子にあっては、一端にランプ波形の電圧が印加されると共に、他端は駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されており、
第１スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される構成とすることができる。
【００１８】
この場合において、第１スイッチング素子の一端には、カップリング容量を介してランプ波形の電圧が印加される構成とすることができる。あるいは又、第１スイッチング素子の他端は、カップリング容量を介して、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されている構成とすることができる。
【００１９】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示において、
駆動回路は、更に、第２スイッチング素子を含んでおり、
第２スイッチング素子にあっては、一端に所定の一定電圧が印加されると共に、他端は駆動トランジスタのゲート電極に接続されており、
第２スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加される構成とすることができる。
【００２０】
上述した第１スイッチング素子や第２スイッチング素子として、周知のスイッチング素子を使用することができる。尚、製造プロセスの共通化などといった観点からは、これらを、電界効果トランジスタから構成することが好ましい。
【００２１】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示にあっては、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に初期化電圧が印加されて他方のソース／ドレイン領域の電位が初期化された後、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加された後その印加が遮断されることによって、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態とされる構成とすることができる。
【００２２】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示にあっては、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部に保持された後、駆動トランジスタのゲート電極への所定の一定電圧の印加が遮断されることで、駆動トランジスタを介して流れる電流によって発光部を発光させる構成とすることができる。
【００２３】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示において、発光部は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から成る構成とすることができる。電流駆動型の発光部として、有機エレクトロルミネッセンス発光部、ＬＥＤ発光部、半導体レーザ発光部などを挙げることができる。これらの発光部は、周知の材料や方法を用いて構成することができる。平面型の表示装置を構成する観点からは、中でも、発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る構成が好ましい。
【００２４】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示に用いられる駆動部は、例えば、走査部、データドライバ、及び、電源部といった回路から構成される。これらは、周知の回路素子等を用いて構成することができる。
【００２５】
表示装置は、所謂モノクロ表示の構成であってもよいし、カラー表示の構成であってもよい。カラー表示の構成とする場合には、１つの画素は複数の副画素から成る構成、具体的には、１つの画素は、赤色発光副画素、緑色発光副画素、及び、青色発光副画素の３つの副画素から成る構成とすることができる。更には、これらの３種の副画素に更に１種類あるいは複数種類の副画素を加えた１組（例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた１組）から構成することもできる。
【００２６】
表示装置の画素（ピクセル）の値として、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ−ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ−ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
【００２７】
表示部を構成する表示素子は、或る平面内に形成され（例えば、支持体上に形成され）ており、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、発光部を駆動する駆動回路の上方に形成されている。
【００２８】
駆動回路を構成するトランジスタとして、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を挙げることができる。トランジスタは、エンハンスメント型であってもよいし、デプレッション型であってもよい。ｎチャネル型のトランジスタにあってはＬＤＤ構造（Lightly Doped Drain構造）が形成されていてもよい。場合によっては、ＬＤＤ構造は非対称に形成されていてもよい。例えば、駆動トランジスタに大きな電流が流れるのは表示素子の発光時であるので、発光時においてドレイン領域となる一方のソース／ドレイン領域にのみＬＤＤ構造を形成した構成とすることもできる。本開示の動作に適合する限り、駆動回路の構成は特に限定するものではない。
【００２９】
１つのトランジスタの有する２つのソース／ドレイン領域において、「一方のソース／ドレイン領域」という用語を、電源側に接続されたソース／ドレイン領域といった意味において使用する場合がある。また、トランジスタが導通状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されている状態を意味する。係るトランジスタの一方のソース／ドレイン領域から他方のソース／ドレイン領域に電流が流れているか否かは問わない。一方、トランジスタが非導通状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されていない状態を意味する。また、ソース／ドレイン領域は、不純物を含有したポリシリコンやアモルファスシリコン等の導電性物質から構成することができるだけでなく、金属、合金、導電性粒子、これらの積層構造、有機材料（導電性高分子）から成る層から構成することができる。
【００３０】
駆動回路を構成する容量部は、一方の電極、他方の電極、及び、これらの電極に挟まれた誘電体層から構成することができる。後述するカップリング容量や補助容量においても同様である。駆動回路を構成するトランジスタ等は、或る平面内に形成され（例えば、支持体上に形成され）、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、駆動回路を構成するトランジスタ及び容量部の上方に形成されている。また、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は、発光部の一端（発光部に備えられたアノード電極等）に、例えば、コンタクトホールを介して接続されている。尚、半導体基板等にトランジスタを形成した構成であってもよい。
【００３１】
走査線やデータ線、あるいは給電線などといった各種の配線は、或る平面上（例えば、支持体上）に形成される。これらの配線は、周知の構成や構造とすることができる。
【００３２】
支持体や後述する基板の構成材料として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）等のガラス材料の他、可撓性を有する高分子材料、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）やポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に例示される高分子材料を例示することができる。尚、支持体や基板の表面に各種のコーティングが施されていてもよい。支持体と基板の構成材料は、同じであってもよいし異なっていてもよい。可撓性を有する高分子材料から成る支持体および基板を用いれば、可撓性を有する表示装置を構成することができる。
【００３３】
本明細書における各種の式に示す条件は、式が数学的に厳密に成立する場合の他、式が実質的に成立する場合にも満たされる。式の成立に関し、表示素子や表示装置の設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。
【００３４】
以下の説明で用いるタイミングチャートにおいて、各期間を示す横軸の長さ（時間長）は模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。縦軸においても同様である。また、タイミングチャートにおける波形の形状も模式的なものである。
【００３５】
［第１の実施形態］
第１の実施形態は、本開示に係る表示素子、表示装置、及び、それらの駆動方法に関する。
【００３６】
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。
【００３７】
表示装置１は、発光部ＥＬＰと発光部ＥＬＰを駆動する駆動回路４とを備えた表示素子３が配置された表示部２、及び、表示部２を駆動する駆動部１００を備えている。
【００３８】
表示部２において、表示素子３は、第１走査線ＷＳ１、第２走査線ＷＳ２、給電線ＤＳ、及び、データ線ＤＴＬに接続された状態で、２次元マトリクス状に配置されている。第１走査線ＷＳ１、第２走査線ＷＳ２、及び、給電線ＤＳは、行方向（図１においてＸ方向）に延在して設けられ、データ線ＤＴＬは、列方向（図１においてＹ方向）に延在して設けられている。
【００３９】
尚、図示の都合上、図１においては、１つの表示素子３、より具体的には、後述する第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３についての結線関係を示した。
【００４０】
駆動部１００は、電源部１０１、走査部１０２、及び、データドライバ１０３から構成されてている。走査部１０２は、第１走査部１０２Ａと、第２走査部１０２Ｂとを備えている。
【００４１】
給電線ＤＳには、電源部１０１から駆動電圧などが供給される。第１走査線ＷＳ１には、第１走査部１０２Ａから信号が供給され、第２走査線ＷＳ２には第２走査部１０２Ｂから信号が供給される。データ線ＤＴＬには、データドライバ１０３から、ランプ波形の電圧が供給される。
【００４２】
図１では図示されていないが、表示部２が画像を表示する領域（表示領域）は、行方向にＮ個、列方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列された表示素子３から構成されている。表示領域における表示素子３の行数はＭであり、各行を構成する表示素子３の数はＮである。
【００４３】
第１走査線ＷＳ１、第２走査線ＷＳ２、及び、給電線ＤＳの本数は、それぞれＭ本である。第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２・・・，Ｍ）の表示素子３は、第ｍ番目の第１走査線ＷＳ１m、第ｍ番目の第２走査線ＷＳ２m、第ｍ番目の給電線ＤＳmに接続されており、１つの表示素子行を構成する。尚、図１では、第１走査線ＷＳ１m、第２走査線ＷＳ２m、及び、給電線ＤＳmのみが示されている。
【００４４】
また、データ線ＤＴＬの本数はＮ本である。第ｎ列目（但し、ｎ＝１，２・・・，Ｎ）の表示素子３は、第ｎ番目のデータ線ＤＴＬnに接続されている。尚、図１では、データ線ＤＴＬnのみが示されている。
【００４５】
表示素子３が備える駆動回路４は、駆動トランジスタＴＲDrvと容量部ＣHDとを少なくとも含んでいる。駆動トランジスタＴＲDrvにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部ＥＬＰに接続され、容量部ＣHDに保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタＴＲDrvを介して発光部ＥＬＰに流れるように構成されている。発光部ＥＬＰは、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、より具体的には、有機エレクトロルミネッセンス発光部から構成されている。
【００４６】
図３などを参照して後で詳しく説明するが、駆動部１００は、駆動トランジスタＴＲDrvが非導通状態となるように容量部ＣHDの電圧を設定し且つゲート電極を電気的に浮遊している状態として、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧を印加し、その後、ランプ波形の電圧の印加を継続している状態でゲート電極に所定の一定電圧を印加することによって、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧を容量部ＣHDに保持させる。
【００４７】
第１の実施形態において、駆動トランジスタＴＲDrvはｎチャネル型の電界効果トランジスタから構成されている。駆動トランジスタＴＲDrvにおいて、一方のソース／ドレイン領域は給電線ＤＳに接続されており、他方のソース／ドレイン領域は発光部ＥＬＰの一端、より具体的には、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に接続されている。容量部ＣHDは、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続されている。
【００４８】
容量部ＣHDは、駆動トランジスタＴＲDrvのソース領域に対するゲート電極の電圧（所謂ゲート−ソース間電圧）を保持するために用いられる。この場合の「ソース領域」とは、発光部ＥＬＰが発光するときに「ソース領域」として働く側のソース／ドレイン領域を意味する。表示素子３の発光状態においては、駆動トランジスタＴＲDrvの一方のソース／ドレイン領域（図１において給電線ＤＳに接続されている側）はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域（発光部ＥＬＰの一端、具体的には、アノード電極に接続されている側）はソース領域として働く。
【００４９】
駆動回路４は、更に、第１スイッチング素子ＴＲWS1を含んでいる。第１スイッチング素子ＴＲWS1は、駆動トランジスタＴＲDrvと同様にｎチャネル型の電界効果トランジスタから構成されている。第１スイッチング素子ＴＲWS1のゲート電極は第１走査線ＷＳ１に接続されており、第１スイッチング素子ＴＲWS1の導通／非導通は、第１走査部１０２Ａからの信号によって制御される。
【００５０】
第１スイッチング素子ＴＲWS1にあっては、一端（一方のソース／ドレイン領域）にランプ波形の電圧が印加されると共に、他端（他方のソース／ドレイン領域）は駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域に接続されている。そして、第１スイッチング素子ＴＲWS1が導通状態とされることによって、駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される。
【００５１】
図１に示す例では、第１スイッチング素子ＴＲWS1の一端は、カップリング容量ＣCPを介してデータ線ＤＴＬに接続されている。従って、第１スイッチング素子ＴＲWS1の一端には、カップリング容量ＣCPを介してランプ波形の電圧が印加される。尚、カップリング容量ＣCPの位置を入れ替えた構成、即ち、第１スイッチング素子ＴＲWS1の他端は、カップリング容量ＣCPを介して、駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域に接続されている構成としてもよい。
【００５２】
駆動回路４は、更に、第２スイッチング素子ＴＲWS2を含んでいる。第２スイッチング素子ＴＲWS2も、駆動トランジスタＴＲDrvと同様にｎチャネル型の電界効果トランジスタから構成されている。第２スイッチング素子ＴＲWS2のゲート電極は第２走査線ＷＳ２に接続されており、第２スイッチング素子ＴＲWS2の導通／非導通は、第２走査部１０２Ｂからの信号によって制御される。
【００５３】
第２スイッチング素子ＴＲWS2にあっては、一端（一方のソース／ドレイン領域）に所定の一定電圧ＶIniが印加されると共に、他端（他方のソース／ドレイン領域）は駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極に接続されている。そして、第２スイッチング素子ＴＲWS2が導通状態とされることによって、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極に所定の一定電圧ＶIniが印加される。
【００５４】
尚、第１スイッチング素子ＴＲWS1や第２スイッチング素子ＴＲWS2を、ｐチャネル型の電界効果トランジスタから構成することもできる。また、表示素子３は更に別のトランジスタを備えていてもよい。
【００５５】
符号ＮＤgは、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極に接続される要素で構成されるノードを示す。ノードＮＤgは、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極に、第２スイッチング素子ＴＲWS2の他端と、容量部ＣHDの一方の電極とが接続されて構成される。
【００５６】
符号ＮＤsは、駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域に接続される要素で構成されるノードを示す。ノードＮＤsは、駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域に、発光部ＥＬＰのアノード電極と、第１スイッチング素子ＴＲWS1の他端とが接続されて構成される。
【００５７】
表示装置１は、例えばモノクロ表示の表示装置であり、１つの表示素子３が１つの画素を構成する。走査部１０２からの走査信号によって、表示装置１は行単位で線順次走査される。第ｍ行、第ｎ列目に位置する表示素子３を、以下、第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３あるいは第（ｎ，ｍ）番目の画素と呼ぶ。また、第ｍ行目の表示素子３に割り当てられる走査期間（水平走査期間）を、符号Ｈmで表す。
【００５８】
表示装置１にあっては、第ｍ行目に配列されたＮ個の画素のそれぞれを構成する表示素子３が同時に駆動される。換言すれば、行方向に沿って配されたＮ個の表示素子３にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。表示装置１の表示フレームレートをＦＲ（回／秒）と表せば、表示装置１を行単位で線順次走査するときの１行当たりの走査期間（いわゆる水平走査期間）は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満である。
【００５９】
表示装置１には、例えば図示せぬ装置から、表示すべき画像に応じた階調を表す映像信号ＤSigが入力される。映像信号ＤSigは、８ビット、１６ビットおよび２４ビットなどといった階調ビット数のデジタル信号である。入力される映像信号ＤSigのうち、第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３に対応する映像信号をＤSig(n,m)と表す場合がある。
【００６０】
データドライバ１０３は、傾きの大きさが映像信号ＤSigの値に対応したランプ波形の電圧を生成し、データ線ＤＴＬに供給する。データ線ＤＴＬには、水平走査期間毎に、傾きの大きさが映像信号ＤSigの値に対応したランプ波形の電圧が供給される。映像信号ＤSigに対応するランプ波形の電圧をＶSigと表す。また、ランプ波形の電圧ＶSigが例えば第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３に対応するものであることを示す場合に、電圧ＶSig(n,m)と表す場合がある。
【００６１】
電源部１０１は、駆動電圧ＶDS-Hと初期化電圧ＶDS-Lを給電線ＤＳに供給する。
【００６２】
発光部ＥＬＰは、有機エレクトロルミネッセンス発光部から構成されている。発光部ＥＬＰは、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極等から成る周知の構成や構造を有する。
【００６３】
発光部ＥＬＰの他端（具体的には、カソード電極）には、電圧ＶCath（例えば０［ボルト］）が印加される。発光部ＥＬＰの発光に必要とされる閾値電圧をＶth-ELと表す。発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間にＶth-EL以上の電圧が印加されると、発光部ＥＬＰは発光する。
【００６４】
符号ＣELは、発光部ＥＬＰの容量を表す。尚、発光部ＥＬＰの容量が小さくて表示素子３を駆動する上で支障を生ずるなどといった場合には、発光部ＥＬＰに対して並列に接続される補助容量ＣSubを設ければよい。以下、補助容量ＣSubが設けられているとして説明するが、これは例示に過ぎない。補助容量ＣSubは省略されていてもよい。
【００６５】
ここで、発光部ＥＬＰやトランジスタなどの配置関係について説明する。図２は、表示部における表示素子を含む部分の模式的な一部断面図である。
【００６６】
駆動トランジスタＴＲDrv、第１スイッチング素子ＴＲWS1、及び、第２スイッチング素子ＴＲWS2、並びに、容量部ＣHD、及び、カップリング容量ＣCPは、支持体２１上に形成されている。そして、これらの上方に層間絶縁層４０を介して発光部ＥＬＰが形成されている。また、駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に、コンタクトホールを介して接続されている。尚、図２においては、駆動トランジスタＴＲDrvや容量部ＣHDのみを図示する。第１スイッチング素子ＴＲWS1、第２スイッチング素子ＴＲWS2、及び、カップリング容量ＣCPは隠れて見えない。
【００６７】
駆動トランジスタＴＲDrvは、ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３に設けられた一方のソース／ドレイン領域３５Ａ、他方のソース／ドレイン領域３５Ｂ、及び、一方のソース／ドレイン領域３５Ａと他方のソース／ドレイン領域３５Ｂとの間の半導体層３３の部分が該当するチャネル形成領域３４から構成されている。一方、容量部ＣHDは、一方の電極３６、ゲート絶縁層３２の延在部から構成された誘電体層、及び、他方の電極３７から成る。ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２の一部、及び、容量部ＣHDを構成する一方の電極３６は、支持体２１上に形成されている。駆動トランジスタＴＲDrvの一方のソース／ドレイン領域３５Ａは配線３８（給電線ＤＳに対応する）に接続され、他方のソース／ドレイン領域３５Ｂは他方の電極３７に接続されている。駆動トランジスタＴＲDrv及び容量部ＣHD等は、層間絶縁層４０で覆われており、層間絶縁層４０上に、アノード電極５１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極５３から成る発光部ＥＬＰが設けられている。尚、図面においては、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を１層５２で表した。発光部ＥＬＰが設けられていない層間絶縁層４０の部分の上には、第２層間絶縁層５４が設けられ、第２層間絶縁層５４及びカソード電極５３上には透明な基板２２が配置されており、発光層にて発光した光は、基板２２を通過して、外部に出射される。尚、他方の電極３７とアノード電極５１とは、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホールによって接続されている。また、カソード電極５３は、第２層間絶縁層５４、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホール５６，５５を介して、ゲート絶縁層３２の延在部上に設けられた配線３９（電圧ＶCathが供給される共通給電線に対応する）に接続されている。
【００６８】
尚、容量部ＣHDを構成する電極の面積に対して、発光部ＥＬＰを構成する電極の面積は大きい。一般的に、容量値は、発光部ＥＬＰの容量ＣEL＞容量部ＣHDの容量といった関係にある。
【００６９】
図１に示す駆動トランジスタＴＲDrvは、表示素子３の発光状態においては、飽和領域で動作するように電圧設定されており、以下の式（１）に従ってドレイン電流Ｉdsを流すように駆動される。上述したように、表示素子３の発光状態においては、駆動トランジスタＴＲDrvの一方のソース／ドレイン領域はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域はソース領域として働く。説明の都合上、以下、駆動トランジスタＴＲDrvの一方のソース／ドレイン領域を単にドレイン領域と呼び、他方のソース／ドレイン領域を単にソース領域と呼ぶ場合がある。尚、
μ  ：実効的な移動度
Ｌ  ：チャネル長
Ｗ  ：チャネル幅
Ｖgs：ソース領域に対するゲート電極の電圧（ゲート−ソース間電圧）
Ｖth：閾値電圧
Ｃox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃox
とする。
【００７０】
Ｉds＝ｋ・μ・（Ｖgs−Ｖth）2    （１）
【００７１】
このドレイン電流Ｉdsが発光部ＥＬＰを流れることで、表示素子３の発光部ＥＬＰが発光する。更には、このドレイン電流Ｉdsの値の大小によって、ドレイン電流Ｉdsが流れているときの発光部ＥＬＰにおける光の強さが制御される。
【００７２】
以上、表示装置１の概要について説明した。次いで、図を参照して、表示装置１の動作について説明する。
【００７３】
図３は、第１の実施形態に係る表示装置の動作、より具体的には、表示装置の第（ｎ，ｍ）番目の表示素子の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。図４は、図３に示す［期間−Ｈm］の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。図５ないし図９は、第１の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。
【００７４】
表示装置の動作の概要は以下の通りである。駆動部１００の動作に基づいて、表示素子３は一定の周期で走査される。先ず、駆動トランジスタＴＲDrvの一方のソース／ドレイン領域に初期化電圧ＶDS-Lが印加されて他方のソース／ドレイン領域の電位が初期化された後、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極に所定の一定電圧ＶIniが印加された後その印加が遮断されることによって、駆動トランジスタＴＲDrvが非導通状態となるように容量部ＣHDの電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態とされる（図３の［期間−Ｈm-P］〜［期間−Ｈm-1］）。次いで、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加され、その後、ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧ＶIniが印加されることによってランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部ＣHDに保持される（図３の［期間−Ｈm］の前半）。そして、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部ＣHDに保持された後、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極への所定の一定電圧ＶIniの印加が遮断されることで、駆動トランジスタＴＲDrvを介して流れる電流によって発光部ＥＬＰを発光させる（図３の［期間−Ｈm］の後半以降）。尚、駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている。そして、ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧ＶIniが印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている。
【００７５】
以下の説明において、電圧あるいは電位の値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。
【００７６】
ＶIni  ：第２スイッチング素子ＴＲWS2の一方のソース／ドレイン領域に印加される所
定の一定電圧
・・・０ボルト
ＶDS-L ：駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化するた
めの初期化電圧
・・・−１ボルト
ＶDS-H ：駆動電圧
・・・２０ボルト
Ｖth   ：駆動トランジスタＴＲDrvの閾値電圧
・・・３ボルト
ＶCath ：発光部ＥＬＰのカソード電極に印加される電圧
・・・０ボルト
Ｖth-EL：発光部ＥＬＰの閾値電圧
・・・４ボルト
【００７７】
尚、データ線ＤＴＬに供給されるランプ波形は、０ボルトを基準として映像信号ＤSigの値に対応して傾きが変化すると共に、映像信号ＤSigが最大のときに波高値が２０ボルトになるように設定されているものとする。
【００７８】
［期間−Ｈm-P］（図３、図５Ａ、及び、図５Ｂ参照）
この［期間−Ｈm-P］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、前回の各種の処理完了後に第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３が継続している発光を消灯させる期間である。尚、符号「Ｐ」の値は、表示装置の仕様などに基づいて適宜設定すればよい。
【００７９】
この期間の途中まで給電線ＤＳmには駆動電圧ＶDS-Hが供給され、第（ｎ，ｍ）番目の画素を構成する表示素子３における発光部ＥＬＰには、上述した式（１）に基づくドレイン電流Ｉds’が流れており、第（ｎ，ｍ）番目の画素を構成する表示素子３の輝度は、係るドレイン電流Ｉds’に対応した値である。駆動トランジスタＴＲDrvは導通状態、第１スイッチング素子ＴＲWS1と第２スイッチング素子ＴＲWS2は非導通状態である（図５Ａ参照）。
【００８０】
次いで、駆動トランジスタＴＲDrvの一方のソース／ドレイン領域に初期化電圧ＶDS-Lが印加されて他方のソース／ドレイン領域の電位が初期化される。
【００８１】
具体的には、［期間−Ｈm-P］の途中において、給電線ＤＳmに供給する電圧が駆動電圧ＶDS-Hから初期化電圧ＶDS-Lに切り替えられる。駆動トランジスタＴＲDrvは導通状態であるので、駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域の電位（換言すれば、ノードＮＤsの電位、符号Ｖsで表す）は、ＶDS-Lに初期化される。初期化電圧ＶDS-Lは（Ｖth-EL＋ＶCath）を超えないように設定されているので、発光部ＥＬＰの両端の電圧はＶth-EL未満となる。従って、発光部ＥＬＰには電流が流れなくなるので、発光部ＥＬＰは消灯する（図５Ｂ参照）。
【００８２】
［期間−Ｈm-(P-1)］（図３、図６Ａ、及び、図６Ｂ参照）
この［期間−Ｈm-(P-1)］において、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極に所定の一定電圧ＶIniが印加された後その印加が遮断されることによって、駆動トランジスタＴＲDrvが非導通状態となるように容量部ＣHDの電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態とされる。
【００８３】
即ち、第２走査線ＷＳ２mをハイレベルとして、第２スイッチング素子ＴＲWS2を導通状態とする。これによって、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極に一定電圧ＶIniが印加される。駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極の電位（換言すれば、ノードＮＤgの電位、符号Ｖgで表す）は、ＶIniとなる。
【００８４】
尚、ノードＮＤgの電位変化によって、ノードＮＤsの電位も変化する。しかしながら、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣELと補助容量ＣSubから成る容量値が、容量部ＣHDの値に対して大きな値であれば、ノードＮＤsの電位の変化は小さい。以下、ノードＮＤgの電位変化により生ずるノードＮＤsの電位の変化は考慮せずに説明を行う。
【００８５】
容量部ＣHDの電圧（換言すれば、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート−ソース間電圧Ｖgs）は、（ＶIni−ＶDS-L）に設定される。一定電圧ＶIniは、（ＶIni−ＶDS-L）が閾値電圧Ｖthを超えないように設定されている。従って、駆動トランジスタＴＲDrvは非導通状態となる（図６Ａ参照）。
【００８６】
その後、第２走査線ＷＳ２mをローレベルとして、第２スイッチング素子ＴＲWS2を非導通状態とする。これによって、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極における一定電圧ＶIniの印加が遮断される。ノードＮＤg及びノードＮＤsの電位は変化しない（図６Ｂ参照）。この状態を［期間−Ｈm-2］まで維持する。
【００８７】
［期間−Ｈm-1］（図３、及び、図７Ａ参照）
この［期間−Ｈm-1］の途中で、給電線ＤＳmに供給する電圧が初期化電圧ＶDS-Lから駆動電圧ＶDS-Hに切り替えられる。駆動トランジスタＴＲDrvは非導通状態であるので、ノードＮＤsの電位は従前の値を維持する。ノードＮＤgにおいても同様である。駆動トランジスタＴＲDrvが非導通状態となるように容量部ＣHDの電圧が設定されている状態であって、且つ、ゲート電極が電気的に浮遊している状態である。
【００８８】
［期間−Ｈm］（図３、図４、図７Ｂ、図８Ａ、図８Ｂ、及び、図９参照）
この［期間−Ｈm］において、駆動トランジスタＴＲDrvが非導通状態となるように容量部ＣHDの電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態で、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加され、その後、ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧ＶIniが印加されることによってランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部ＣHDに保持される。
【００８９】
駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される期間（換言すれば、図４において第１走査線ＷＳ１mがハイレベルとされる期間）は、周期内において一定の長さに設定されている。そして、ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧ＶIniが印加される期間（換言すれば、図４において第２走査線ＷＳ２mがハイレベルとされる期間）は、周期内において一定の長さに設定されている。尚、これらの期間の長さは、表示素子などの設計に応じて、適宜好適な値を選択して設定すればよい。
【００９０】
そして、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部ＣHDに保持された後、駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域へのランプ波形の電圧の印加と、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極への所定の一定電圧ＶIniの印加とが遮断されることで、駆動トランジスタＴＲDrvを介して流れる電流によって発光部ＥＬＰを発光させる。
【００９１】
［期間−Ｈm］において、データ線ＤＴＬnには、傾きの大きさが映像信号ＤSig(m,n)の値に対応したランプ波形の電圧ＶSig(m,n)が供給される。尚、第１の実施形態にあっては、ランプ波形は立ち下がる形状である。
【００９２】
［期間−Ｈm］の始期は、駆動トランジスタＴＲDrvが非導通状態となるように容量部ＣHDの電圧が設定されている状態であって、且つ、ゲート電極が電気的に浮遊している状態である。ここで、第１走査線ＷＳ１mをハイレベルとして、第１スイッチング素子ＴＲWS1を導通状態とする。ノードＮＤsには、カップリング容量ＣCPを介して、立ち下がるランプ波形の電圧が印加される。これによって、ノードＮＤsの電位も立ち下がり低下する。また、ノードＮＤgとノードＮＤsとは容量部ＣHDで接続されているので、ノードＮＤgの電位も立ち下がり、低下する（図４、図７Ｂ参照）。
【００９３】
その後、第１スイッチング素子ＴＲWS1の導通状態を維持し、ノードＮＤsへのランプ波形の電圧の印加が継続されている状態で、第２走査線ＷＳ２mをハイレベルとして、第２スイッチング素子ＴＲWS2を導通状態とする。これによって、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極に一定電圧ＶIniが印加される（図４、図８Ａ参照）。
【００９４】
ノードＮＤsの電位が立ち下がり低下している状態で、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極に一定電圧ＶIniが印加されるので、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート−ソース間電圧Ｖgsは拡大し、閾値電圧Ｖthを超える。これによって、駆動トランジスタＴＲDrvは導通状態となり、駆動トランジスタＴＲDrvを介した電流が、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣEL（更には、補助容量ＣSub）に流れ込み、ノードＮＤsの電位を上昇させようとする。一方、ノードＮＤsには、カップリング容量ＣCPを介してランプ波形の電圧の印加が継続されているので、ノードＮＤsの電位を立ち下げようとする。
【００９５】
結局、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート−ソース間電圧Ｖgs（換言すれば、容量部ＣHDの電圧）の値は、駆動トランジスタＴＲDrvを介した電流が流れることによるノードＮＤsの電位の上昇と、カップリング容量ＣCPを介してランプ波形の電圧の印加が継続されることによるノードＮＤsの電位の低下とがバランスを保つように落ちつく。
【００９６】
たとえば、あるランプ波形に対して傾きがより急峻になれば、ノードＮＤsの電位を低下させる作用が強くなり、ゲート−ソース間電圧Ｖgsは大きくなる。逆に、あるランプ波形に対して傾きがより緩やかになれば、ゲート−ソース間電圧Ｖgsは小さくなる。結果として、ランプ波形の傾きに応じた電圧が容量部ＣHDに保持される。
【００９７】
その後、第１走査線ＷＳ１m及び第２走査線ＷＳ２mをローレベルとし、第１スイッチング素子ＴＲWS1及び第２スイッチング素子ＴＲWS2を非導通状態とする。これによって、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部ＣHDに保持された後、駆動トランジスタＴＲDrvの他方のソース／ドレイン領域へのランプ波形の電圧の印加と、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極への所定の一定電圧ＶIniの印加とが遮断される（図４、図８Ｂ参照）。
【００９８】
駆動トランジスタＴＲDrvを介して流れる電流によってノードＮＤsの電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、容量部ＣHDが存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴＲDrvＴＲDのゲート電極に生じ、ノードＮＤgの電位も上昇する。
【００９９】
ノードＮＤsの電位が上昇し、（Ｖth-EL＋ＶCath）を超えると、発光部ＥＬＰは発光を開始する（図９参照）。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴＲDrvＴＲDのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉdsであるので、式（１）で表すことができる。
【０１００】
そして、駆動トランジスタＴＲDrvのゲート−ソース間電圧Ｖgsは、駆動トランジスタＴＲDrvの特性に依らずランプ波形の傾きの程度を反映する電流を出力するため、事実上、駆動トランジスタＴＲDrvの特性ばらつきは電流値に反映されないようになる。従って、良好なユニフォミティを実現できる。
【０１０１】
以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、基板、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。
【０１０２】
例えば、駆動トランジスタＴＲDrvをｐチャネル型トランジスタから構成することもできる。この場合、例えば、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極とを入れ替えた結線を行うとともに、導電型の相違に対応して、給電線に供給する電圧値や、データ線に供給するランプ波形などを適宜変更すればよい。
【０１０３】
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。
【０１０４】
本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
【０１０５】
（具体例１）
図１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１０Ａにその正面図を示し、図１０Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
【０１０６】
そして、カメラ本体部３１１の背面略中央にはモニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
【０１０７】
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ３１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ３１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【０１０８】
（具体例２）
図１１は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部４１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部４１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部４１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部４１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【０１０９】
（具体例３）
図１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ５１１は、本体部５１２、アーム５１３および鏡筒５１４で構成される。
【０１１０】
本体部５１２は、アーム５１３および眼鏡５００と接続される。具体的には、本体部５１２の長辺方向の端部はアーム５１３と結合され、本体部５１２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡５００と連結される。尚、本体部５１２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
【０１１１】
本体部５１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ５１１の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム５１３は、本体部５１２と鏡筒５１４とを接続させ、鏡筒５１４を支える。具体的には、アーム５１３は、本体部５１２の端部および鏡筒５１４の端部とそれぞれ結合され、鏡筒５１４を固定する。また、アーム５１３は、本体部５１２から鏡筒５１４に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。
【０１１２】
鏡筒５１４は、本体部５１２からアーム５１３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ５１１を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ５１１において、本体部５１２の表示部に、本開示の表示装置を用いることができる。
【０１１３】
尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
【０１１４】
尚、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
［１］
発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、
駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されており、
駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態で、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加され、その後、ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧が印加されることによってランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部に保持される、
表示素子。
［２］
表示素子は一定の周期で走査され、
駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
上記［１］に記載の表示素子。
［３］
ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
上記［１］又は［２］に記載の表示素子。
［４］
駆動トランジスタはｎチャネル型の電界効果トランジスタから成り、
容量部は、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続されている、
上記［１］ないし［３］のいずれかに記載の表示素子。
［５］
駆動回路は、更に、第１スイッチング素子を含んでおり、
第１スイッチング素子にあっては、一端にランプ波形の電圧が供給されると共に、他端は駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されており、
第１スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される、
上記［１］ないし［４］のいずれかに記載の表示素子。
［６］
第１スイッチング素子の一端には、カップリング容量を介してランプ波形の電圧が供給される、
上記［５］に記載の表示素子。
［７］
第１スイッチング素子の他端は、カップリング容量を介して、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されている、
上記［５］に記載の表示素子。
［８］
駆動回路は、更に、第２スイッチング素子を含んでおり、
第２スイッチング素子にあっては、一端に所定の一定電圧が供給されると共に、他端は駆動トランジスタのゲート電極に接続されており、
第２スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加される、
上記［１］ないし［７］のいずれかに記載の表示素子。
［９］
駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に初期化電圧が印加されて他方のソース／ドレイン領域の電位が初期化された後、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加された後その印加が遮断されることによって、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態とされる、
上記［１］ないし［８］のいずれかに記載の表示素子。
［１０］
ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部に保持された後、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域へのランプ波形の電圧の印加と、駆動トランジスタのゲート電極への所定の一定電圧の印加とが遮断されることで、駆動トランジスタを介して流れる電流によって発光部を発光させる、
上記［１］ないし［９］のいずれかに記載の表示素子。
［１１］
発光部は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から構成されている、
上記［１］ないし［１０］のいずれかに記載の表示素子。
［１２］
発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る、
上記［１１］に記載の表示素子。
［１３］
発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されている表示素子を用いて、
駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧を設定し且つゲート電極を電気的に浮遊している状態として、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧を印加し、その後、ランプ波形の電圧の印加を継続している状態でゲート電極に所定の一定電圧を印加することによって、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧を容量部に保持させる、
表示素子の駆動方法。
［１４］
表示素子は一定の周期で走査され、
駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
上記［１３］に記載の表示素子の駆動方法。
［１５］
ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
上記［１３］又は［１４］に記載の表示素子の駆動方法。
［１６］
駆動トランジスタはｎチャネル型の電界効果トランジスタから成り、
容量部は、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続されている、
上記［１３］ないし［１５］のいずれかに記載の表示素子の駆動方法。
［１７］
駆動回路は、更に、第１スイッチング素子を含んでおり、
第１スイッチング素子にあっては、一端にランプ波形の電圧が供給されると共に、他端は駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されており、
第１スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される、
上記［１３］ないし［１６］のいずれかに記載の表示素子の駆動方法。
［１８］
第１スイッチング素子の一端には、カップリング容量を介してランプ波形の電圧が供給される、
上記［１７］に記載の表示素子の駆動方法。
［１９］
第１スイッチング素子の他端は、カップリング容量を介して、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されている、
上記［１７］に記載の表示素子の駆動方法。
［２０］
駆動回路は、更に、第２スイッチング素子を含んでおり、
第２スイッチング素子にあっては、一端に所定の一定電圧が供給されると共に、他端は駆動トランジスタのゲート電極に接続されており、
第２スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加される、
上記［１３］ないし［１９］のいずれかに記載の表示素子の駆動方法。
［２１］
駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に初期化電圧が印加されて他方のソース／ドレイン領域の電位が初期化された後、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加された後その印加が遮断されることによって、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態とされる、
上記［１３］ないし［２０］のいずれかに記載の表示素子の駆動方法。
［２２］
ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部に保持された後、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域へのランプ波形の電圧の印加と、駆動トランジスタのゲート電極への所定の一定電圧の印加とが遮断されることで、駆動トランジスタを介して流れる電流によって発光部を発光させる、
上記［１３］ないし［２１］のいずれかに記載の表示素子の駆動方法。
［２３］
発光部は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から構成されている、
上記［１３］ないし［２２］のいずれかに記載の表示素子の駆動方法。
［２４］
発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る、
上記［２３］に記載の表示素子の駆動方法。
［２５］
表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
を備えており、
表示素子は、発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が印加されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されており、
駆動部は、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧を設定し且つゲート電極を電気的に浮遊している状態として、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧を印加し、その後、ランプ波形の電圧の印加を継続している状態でゲート電極に所定の一定電圧を印加することによって、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧を容量部に保持させる、
表示装置。
［２６］
表示素子は一定の周期で走査され、
駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
上記［２５］に記載の表示装置。
［２７］
ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
上記［２５］又は［２６］に記載の表示装置。
［２８］
駆動トランジスタはｎチャネル型の電界効果トランジスタから成り、
容量部は、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続されている、
上記［２５］ないし［２７］のいずれかに記載の表示装置。
［２９］
駆動回路は、更に、第１スイッチング素子を含んでおり、
第１スイッチング素子にあっては、一端にランプ波形の電圧が供給されると共に、他端は駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されており、
第１スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される、
上記［２５］ないし［２８］のいずれかに記載の表示装置。
［３０］
第１スイッチング素子の一端には、カップリング容量を介してランプ波形の電圧が供給される、
上記［２９］に記載の表示装置。
［３１］
第１スイッチング素子の他端は、カップリング容量を介して、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されている、
上記［２９］に記載の表示装置。
［３２］
駆動回路は、更に、第２スイッチング素子を含んでおり、
第２スイッチング素子にあっては、一端に所定の一定電圧が供給されると共に、他端は駆動トランジスタのゲート電極に接続されており、
第２スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加される、
上記［２５］ないし［３１］のいずれかに記載の表示装置。
［３３］
駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に初期化電圧が印加されて他方のソース／ドレイン領域の電位が初期化された後、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加された後その印加が遮断されることによって、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態とされる、
上記［２５］ないし［３２］のいずれかに記載の表示装置。
［３４］
ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部に保持された後、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域へのランプ波形の電圧の印加と、駆動トランジスタのゲート電極への所定の一定電圧の印加とが遮断されることで、駆動トランジスタを介して流れる電流によって発光部を発光させる、
上記［２５］ないし［３３］のいずれかに記載の表示装置。
［３５］
発光部は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から構成されている、
上記［２５］ないし［３４］のいずれかに記載の表示装置。
［３６］
発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る、
上記［３５］に記載の表示装置。
［３７］
表示装置を備えた電子機器であって、
表示装置は、
表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
を備えており、
表示素子は、発光部と発光部を駆動するための駆動回路とを備えており、駆動回路は、駆動トランジスタと容量部とを少なくとも含んでおり、駆動トランジスタにあっては、一方のソース／ドレイン領域には電圧が供給されると共に、他方のソース／ドレイン領域は発光部に接続され、容量部に保持される電圧に応じた電流が駆動トランジスタを介して発光部に流れるように構成されており、
駆動部は、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧を設定し且つゲート電極を電気的に浮遊している状態として、他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧を印加し、その後、ランプ波形の電圧の印加を継続している状態でゲート電極に所定の一定電圧を印加することによって、ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧を容量部に保持させる、
電子機器。
［３８］
表示素子は一定の周期で走査され、
駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
上記［３７］に記載の電子機器。
［３９］
ランプ波形の電圧の印加が継続されている状態でゲート電極に所定の一定電圧が印加される期間は、周期内において一定の長さに設定されている、
上記［３７］又は［３８］に記載の電子機器。
［４０］
駆動トランジスタはｎチャネル型の電界効果トランジスタから成り、
容量部は、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続されている、
上記［３７］ないし［３９］のいずれかに記載の電子機器。
［４１］
駆動回路は、更に、第１スイッチング素子を含んでおり、
第１スイッチング素子にあっては、一端にランプ波形の電圧が供給されると共に、他端は駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されており、
第１スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域にランプ波形の電圧が印加される、
上記［３７］ないし［４０］のいずれかに記載の電子機器。
［４２］
第１スイッチング素子の一端には、カップリング容量を介してランプ波形の電圧が供給される、
上記［４１］に記載の電子機器。
［４３］
第１スイッチング素子の他端は、カップリング容量を介して、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されている、
上記［４１］に記載の電子機器。
［４４］
駆動回路は、更に、第２スイッチング素子を含んでおり、
第２スイッチング素子にあっては、一端に所定の一定電圧が供給されると共に、他端は駆動トランジスタのゲート電極に接続されており、
第２スイッチング素子が導通状態とされることによって、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加される、
上記［３７］ないし［４３］のいずれかに記載の電子機器。
［４５］
駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に初期化電圧が印加されて他方のソース／ドレイン領域の電位が初期化された後、駆動トランジスタのゲート電極に所定の一定電圧が印加された後その印加が遮断されることによって、駆動トランジスタが非導通状態となるように容量部の電圧が設定され且つゲート電極が電気的に浮遊している状態とされる、
上記［３７］ないし［４４］のいずれかに記載の電子機器。
［４６］
ランプ波形の傾きの程度に応じた電圧が容量部に保持された後、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域へのランプ波形の電圧の印加と、駆動トランジスタのゲート電極への所定の一定電圧の印加とが遮断されることで、駆動トランジスタを介して流れる電流によって発光部を発光させる、
上記［３７］ないし［４５］のいずれかに記載の電子機器。
［４７］
発光部は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から構成されている、
上記［３７］ないし［４６］のいずれかに記載の電子機器。
［４８］
発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る、
上記［４７］に記載の電子機器。
【符号の説明】
【０１１５】
１・・・表示装置、２・・・表示部、３・・・表示素子、４・・・駆動回路、２１・・・支持体、２２・・・透明な基板、３１・・・ゲート電極、３２・・・ゲート絶縁層、３３・・・半導体層、３４・・・チャネル形成領域、３５Ａ・・・一方のソース／ドレイン領域、３５Ｂ・・・他方のソース／ドレイン領域、３６・・・一方の電極、３７・・・他方の電極、３８，３９・・・配線、４０・・・層間絶縁層、５１・・・アノード電極、５２・・・正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層、５３・・・カソード電極、５４・・・第２層間絶縁層、５５，５６・・・コンタクトホール、１００・・・駆動部、１０１・・・電源部、１０２・・・走査部、１０２Ａ・・・第１走査部、１０２Ｂ・・・第２走査部、１０３・・・データドライバ、ＷＳ１・・・第１走査線、ＷＳ２・・・第２走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＤＳ・・・給電線、ＴＲWS1・・・第１スイッチング素子、ＴＲWS2・・・第２スイッチング素子、ＴＲDrv・・・駆動トランジスタ、ＣHD・・・容量部、ＣCP・・・カップリング容量、ＥＬＰ・・・発光部、ＣEL・・・発光部ＥＬＰの容量、ＣSub・・・補助容量、ＮＤg・・・駆動トランジスタのゲート電極等により構成されるノード、ＮＤs・・・駆動トランジスタのソース領域等により構成されるノード、３１１・・・カメラ本体部、３１２・・・撮影レンズユニット、３１３・・・グリップ部、３１４・・・モニタ、３１５・・・ビューファインダ、５００・・・眼鏡、５１１・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、５１２・・・本体部、５１３・・・アーム、５１４・・・鏡筒
【図１】
2017068033.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2017068033.tif 000012
【図１１】
2017068033.tif 000013
【図１２】
2017068033.tif 000014