(57)【要約】【課題】スパッタリング時に異常放電の発生を抑制できるターゲット材を提供する。【解決手段】３原子％以上４０原子％以下のマンガンを含み、残部が銅および不可避的不純物からなり、スパッタリング面となる面における結晶粒の平均粒径が１０μｍ以上３０μｍ以下であり、電子後方散乱回折像法により、スパッタリング面となる面の結晶面を測定し、（１１１）面、（２００）面、（２１１）面、（３１１）面の各面の法線方向から１５°以内の結晶面をそれぞれ（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面に含めることとし、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面及び（３１１）面以外の結晶面をその他の面とし、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面及びその他の面の面積の合計を１００％としたとき、（１１１）面の面積率が１０％以上２０％以下であり、その他の面の面積率が２０％以下である。【選択図】図１
2017048446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３原子％以上４０原子％以下のマンガンを含み、残部が銅および不可避的不純物からなり、
スパッタリング面となる面における結晶粒の平均粒径が１０μｍ以上３０μｍ以下であり、
電子後方散乱回折像法により、前記スパッタリング面となる面の結晶面を測定し、
（１１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（１１１）面に含めることとし、
（２００）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（２００）面に含めることとし、
（２２０）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（２２０）面に含めることとし、
（３１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（３１１）面に含めることとし、
前記（１１１）面、前記（２００）面、前記（２２０）面及び前記（３１１）面以外の結晶面をその他の面とし、
前記（１１１）面、前記（２００）面、前記（２２０）面、前記（３１１）面及びその他の面の面積の合計を１００％としたとき、
前記（１１１）面の面積率が１０％以上２０％以下であり、
前記その他の面の面積率が２０％以下である
ターゲット材。
【請求項２】
３原子％以上４０原子％以下のマンガンを含み、残部が銅および不可避的不純物からなり、
スパッタリング面となる面における結晶粒の平均粒径が１０μｍ以上３０μｍ以下であり、
電子後方散乱回折像法により、前記スパッタリング面となる面の結晶面を測定し、
（１１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（１１１）面に含めることとし、
（２００）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（２００）面に含めることとし、
（２２０）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（２２０）面に含めることとし、
（３１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（３１１）面に含めることとし、
前記（１１１）面、前記（２００）面、前記（２２０）面及び前記（３１１）面以外の結晶面をその他の面とし、
前記（１１１）面、前記（２００）面、前記（２２０）面、前記（３１１）面及びその他の面の面積の合計を１００％としたとき、
前記（１１１）面の面積率が１０％以上２０％以下であり、
前記その他の面の面積率が２０％以下であるターゲット材を用いて形成したＣｕＭｎ合金層を備える
配線膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ターゲット材及び配線膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば液晶パネル等に用いられるトランジスタ（例えば薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、略称：ＴＦＴ）の電極配線をＣｕＭｎ合金膜と純銅膜（純Ｃｕ膜）との積層膜で形成することが提案されている。このＣｕＭｎ合金膜は、例えばＣｕＭｎ合金で形成されたターゲット材を用い、スパッタリングにより形成されている（例えば特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４０６５９５９号
【特許文献２】特開２００７−５１３５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＣｕＭｎ合金で形成されたターゲット材は、高抵抗であるため、スパッタリング時に異常放電が発生しやすい。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決し、スパッタリング時に異常放電が発生しにくいターゲット材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、
３原子％以上４０原子％以下のマンガンを含み、残部が銅および不可避的不純物からなり、
電子後方散乱回折像法により、スパッタリング面となる面の結晶面を測定し、
（１１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（１１１）面に含めることとし、
（２００）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（２００）面に含めることとし、
（２２０）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（２２０）面に含めることとし、
（３１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（３１１）面に含めることとし、
前記（１１１）面、前記（２００）面、前記（２２０）面及び前記（３１１）面以外の結晶面をその他の面とし、
前記（１１１）面、前記（２００）面、前記（２２０）面、前記（３１１）面及びその他の面の面積の合計を１００％としたとき、
前記（１１１）面の面積率が１０％以上２０％以下であり、
前記その他の面の面積率が２０％以下であり、
前記スパッタリング面となる面における結晶粒の平均粒径が１０μｍ以上３０μｍ以下であるターゲット材が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明にかかるターゲット材によれば、異常放電の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施例にかかるターゲット材の異常放電を検出する装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（発明者等が得た知見）
まず、本発明の実施形態の説明に先立ち、発明者等が得た知見について説明する。
【００１０】
近年、例えば液晶パネルの大画面化、高精細化が進んでおり、液晶パネル等に用いられるＴＦＴの電極配線（配線膜）にもさらなる高性能化が要求されている。そこで、ＴＦＴの配線膜を、従来のアルミニウム（Ａｌ）を含む膜よりも配線抵抗を低減できる純Ｃｕ膜で形成する技術が提案されている。また、ＴＦＴが有する半導体層を、従来のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体よりもシリコン（Ｓｉ）特性を向上させることができる結晶化Ｓｉや、ａ−Ｓｉ半導体よりも電子移動度が高いＩｎＧａＺｎＯ（以下、ＩＧＺＯという）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物半導体で形成する技術が提案されている。以下、半導体層が結晶化Ｓｉで形成されたＴＦＴをＳｉ−ＴＦＴともいい、半導体層がＩＧＺＯで形成されたＴＦＴをＩＧＺＯ−ＴＦＴともいう。
【００１１】
ＩＧＺＯ等の酸化物半導体で形成された半導体層上に純Ｃｕ膜からなる配線膜を形成すると、配線膜を形成した後に行われる加熱処理により、半導体層に含まれる酸素原子（Ｏ）が配線膜へ拡散したり、配線膜中のＣｕが半導体層へ拡散することがある。これらを抑制するため、半導体層の側から順に、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）から成るバリア層と、純Ｃｕ膜と、を積層して配線膜を形成することが提案されている。しかしながら、ＭｏやＴｉは材料コストが高い。また、配線膜（純Ｃｕ膜及びバリア層）の所定箇所をエッチングにより除去して電極配線を形成するが、ＭｏやＴｉから成るバリア層は、純Ｃｕ膜と同一のエッチング液ではエッチングを行うことが容易ではないため、エッチングコストが高くなることがある。
【００１２】
そこで、ＭｏやＴｉの代替材としてマンガン（Ｍｎ）を用いること、つまりバリア層をＣｕＭｎ合金層で形成することが提案されている。つまり、配線膜を純Ｃｕ膜とＣｕＭｎ合金層とを積層させて形成することが提案されている。
【００１３】
バリア層をＣｕＭｎ合金層で形成することで、配線膜を形成した後に行われる加熱処理により、ＣｕＭｎ合金層中のＭｎが、例えばバリア層と半導体層との間の界面や、バリア層と配線膜との間の界面に拡散、集積する。そして、例えばバリア層と半導体層との間の界面に集積したＭｎと半導体層中のＯとが反応し、バリア層と半導体層との間の界面にＭｎＯｘ層（ｘは整数）が形成されることとなる。このＭｎＯｘ層により、半導体層中のＯが配線膜へ拡散したり、配線膜中のＣｕがＩＧＺＯへ拡散することを抑制することができる。
【００１４】
また、バリア層をＣｕＭｎ合金層で形成することで、配線膜の所定箇所をエッチングにより除去して電極配線を形成する際、配線膜（つまり純Ｃｕ膜及びバリア層）のエッチングを同一のエッチング液で行うことができる。
【００１５】
例えば、ＩＧＺＯからなる半導体層上に、半導体層の側から順に、４原子％（４ａｔ％）のＭｎを含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる合金（Ｃｕ−４ａｔ％Ｍｎ合金）で形成したＣｕＭｎ合金層（バリア層）と、純Ｃｕ膜と、を有する配線膜を備えるＩＧＺＯ−ＴＦＴが提案されている。
【００１６】
ＩＧＺＯ上にＣｕ−４ａｔ％Ｍｎ合金層を形成すると、Ｃｕ−４ａｔ％Ｍｎ合金層を形成した後に例えば２５０℃程度の温度で行われる加熱処理によって、ＩＧＺＯとＣｕ−４ａｔ％Ｍｎ合金層との間の界面にＭｎＯｘ層が形成されることが確認されている。また、このＭｎＯｘ層によって、ＩＧＺＯ中のＯの配線膜への拡散や、ＣｕＭｎ合金中のＣｕのＩＧＺＯ中への拡散を防ぐことができることも確認されている。
【００１７】
また、ＩＧＺＯ上にＣｕ−４ａｔ％Ｍｎ合金層を積層して形成した配線膜は、良好なオーミック特性を有し、接触抵抗もＴｉと同等レベルであり充分に低いことが確認されている。また、この配線膜は、同一のエッチング液を用いてエッチングを行うことができることが確認されている。例えば、硝酸系のエッチャントを使用した場合、エッチングレートの選択比がＣｕ−４ａｔ％Ｍｎ：ＩＧＺＯ＝１０：１になることが確認されている（非特許文献１. 17th International Display Institute（IDW’10）予稿集  P.Yun, J.Koike,‘Microstructure Analysis and Electrical Properties of Cu-Mn Electrode for Back-Channel Etching a-IGZO TFT’ FMC2-3  P1875の右欄参照）。
【００１８】
上述のＣｕ−４ａｔ％Ｍｎ合金層は、Ｍｎが所定量含有された銅合金（ＣｕＭｎ合金）からなるターゲット材を用いてスパッタリングにより形成される。
【００１９】
その他、スパッタリングによりＣｕＭｎ合金層を形成する際に用いられるターゲット材として、例えば０．１〜２０．０ａｔ％のＭｎを含み、不可避的不純物の濃度が０．０５ａｔ％以下であるＣｕＭｎ合金からなるターゲット材が提案されている（例えば特許文献１参照）。また、例えばＭｎを０．６〜３０質量％含み、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、この不可避的不純物は、金属系不純物が４０ｐｐｍ以下であり、酸素が１０ｐｐｍ以下であり、水素が５ｐｐｍ以下であり、炭素が１０ｐｐｍ以下であり、結晶粒度が３０μｍ以下で再結晶等軸組織を有するターゲット材が提案されている（例えば特許文献２参照）。
【００２０】
しかしながら、ＣｕＭｎ合金からなるターゲット材は高抵抗である。例えば３原子％のＭｎが含有されたＣｕＭｎ合金のようなＭｎの含有量が少ないＣｕＭｎ合金からなるターゲット材であっても、その導電率は純Ｃｕからなるターゲット材の導電率の１／１０程度である。このような高抵抗なターゲット材を用いると、スパッタリング時に異常放電が発生することがある。
【００２１】
そこで、本発明者等が鋭意検討した結果、ＣｕＭｎ合金において、組成制御をするとともに結晶組織の制御を行うことで、ＣｕＭｎ合金からなるターゲット材を用いてスパッタリングを行う際、異常放電の発生を抑制することができることを見出した。本発明は、発明者が見出した上記知見に基づくものである。
【００２２】
（１）薄膜トランジスタの構成
まず、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構成について説明する。本実施形態にかかるＴＦＴは、半導体層と、半導体層上に形成される電極配線（配線膜）と、を有している。半導体層は、例えば結晶化Ｓｉや、ＩＧＺＯやＺｎＯ等の酸化物半導体で形成されている。配線膜は、半導体層の側から順に、バリア層としてのＣｕＭｎ合金層と、純Ｃｕ膜と、が積層されて形成されている。配線膜が有するＣｕＭｎ合金層は、後述のＣｕＭｎ合金からなるターゲット材を用い、スパッタリングにより形成される。
【００２３】
ＣｕＭｎ合金層を設けることで、ＣｕＭｎ合金層中のＭｎにより、配線膜中のＣｕが半導体層に拡散することを抑制することができる。また、例えば半導体層が酸化物半導体で形成されている場合、配線膜を形成した後の加熱処理により、ＣｕＭｎ合金層と半導体層との間の界面に上述のＭｎＯｘ層が形成される。このＭｎＯｘ層は、半導体層中のＯが配
線膜に拡散することを抑制するＯ拡散抑制層として機能したり、配線膜中のＣｕが半導体層に拡散することを抑制するＣｕ拡散抑制層として機能する。また、このＭｎＯｘ層は、ＣｕＭｎ合金層（配線膜）と半導体層とを密着させる層としても機能する。
【００２４】
（２）ターゲット材の構成
以下に、本発明の一実施形態にかかるターゲット材の構成について説明する。本実施形態にかかるターゲット材は、例えば上述のＣｕＭｎ合金層を形成する際に好適に用いられる。
【００２５】
本実施形態にかかるターゲット材は、所定量のＭｎを含み、残部が銅（Ｃｕ）及び不可避不純物からなっている。つまり、本実施形態にかかるターゲット材はＣｕＭｎ合金で形成されている。
【００２６】
ターゲット材の母材であるＣｕとして、例えば純度が９９．９％（３Ｎ）以上の無酸素銅（ＯＦＣ：Ｏｘｙｇｅｎ  Ｆｒｅｅ  Ｃｏｐｐｅｒ）等が好適に用いられる。
【００２７】
ターゲット材中のＭｎの含有量は例えば３原子％（３ａｔ％）以上４０原子％（４０ａｔ％）以下であることが好ましい。
【００２８】
ターゲット材中のＭｎの含有量が３原子％未満であると、このターゲット材を用いて形成したＣｕＭｎ合金層（以下、単にＣｕＭｎ合金層ともいう。）中に含まれるＭｎの量が少なくなる。従って、配線膜を形成した後に行われる加熱処理により、ＣｕＭｎ合金層と半導体層との界面に充分な量のＭｎを拡散（集積）させることができず、ＣｕＭｎ合金層をバリア層として機能させることができないことがある。つまり、ＣｕＭｎ合金層によって、配線膜（ＣｕＭｎ合金層や純Ｃｕ膜）中のＣｕの半導体層への拡散を抑制することができないことがある。また、上述の半導体層が例えば酸化物半導体で形成されている場合、所定のＭｎＯｘ層を形成できないことがある。
【００２９】
ターゲット材中のＭｎの含有量を３原子％以上にすることで、ＣｕＭｎ合金層中に充分な量のＭｎを含ませることができる。
【００３０】
これにより、配線膜を形成した後に行われる加熱処理により、ＣｕＭｎ合金層と半導体層との間の界面に充分な量のＭｎを拡散、集積させることができ、ＣｕＭｎ合金層をバリア層として機能させることができる。例えば配線膜中に含まれるＣｕの半導体層への拡散を抑制することができる。また、例えば半導体層が酸化物半導体で形成されている場合、ＣｕＭｎ合金層と半導体層との間の界面に所定の（例えば所定厚さの）ＭｎＯｘ層を形成し、ＭｎＯｘ層をＣｕ拡散抑制層、Ｏ拡散抑制層として機能させることができる。
【００３１】
ターゲット材中のＭｎの含有量が多いほど、ＣｕＭｎ合金層中に含まれるＭｎの量が多くなる。これにより、配線膜を形成した後に行われる加熱処理により、ＣｕＭｎ合金層と半導体層との界面に充分な量のＭｎを拡散（集積）させることができ、ＣｕＭｎ合金層をバリア層として確実に機能させることができる。
【００３２】
Ｍｎの含有量が４０原子％であるターゲット材により形成されたＣｕＭｎ合金層で、その耐酸化性を向上させる効果が飽和し、Ｍｎの含有量が４０原子％を超えると、Ｍｎの含有量増加による製造コストの増加を招くことがある。また、ターゲット材中のＭｎの含有量が４０原子％を超えると、ターゲット材を形成する鋳塊の鋳造が困難になることがある。
【００３３】
ターゲット材中のＭｎの含有量を４０原子％以下にすることで、ＣｕＭｎ合金層をバリ
ア層として機能させる効果を確実に得ながら、Ｍｎの含有量を適正に抑制し、ターゲット材の製造コストの増加を抑制することができる。また、ターゲット材を形成するＣｕＭｎ合金の鋳塊を容易に鋳造することができる。
【００３４】
また、ターゲット材中の不可避不純物（不可避的不純物）の濃度は、スパッタリング時におけるパーティクルを抑制する観点から、例えば１０００ｐｐｍ未満であることが好ましい。
【００３５】
ターゲット材中の不可避的不純物の濃度が１０００ｐｐｍ以上になるとスパッタリング時におけるパーティクルの発生を抑制できず、ＣｕＭｎ合金層中にパーティクルが混入したり、ＣｕＭｎ合金層の表面にパーティクルが付着することがある。
【００３６】
ターゲット材の結晶組織（多結晶体組織）は、スパッタリングによりスパッタ粒子が放出されることで消耗されるターゲット材の部分（エロージョン部分）が粗くなる（凹凸が大きくなる）ことを抑制し、異常放電の発生を抑制する観点から、微細な結晶粒からなる結晶組織（微細結晶粒組織）であることが好ましい。
【００３７】
具体的には、ターゲット材のスパッタリング面となる面に存在する結晶粒の平均粒径（以下、平均結晶粒径ともいう）が例えば１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。なお、スパッタリング面となる面とは、スパッタリングを行う際に例えばイオン化させたガスが衝突するターゲット材の面である。以下、スパッタリング面となる面をスパッタリング面ともいう。
【００３８】
スパッタリング面における平均結晶粒径が１０μｍ未満であると、スパッタリング面（ターゲット材中）に存在する結晶粒界が多くなる。このため、スパッタリング時に粒界に存在する空孔部に衝突粒子エネルギが吸収され、ターゲット材の原子がはじき出されにくくなる、すなわちスパッタ粒子が放出されにくくなることがある。その結果、スパッタレートが低下することがある。
【００３９】
スパッタリング面における平均結晶粒径を１０μｍ以上にすることで、スパッタリング面に存在する結晶粒界が低減し、充分なスパッタレートを確保することができる。
【００４０】
しかしながら、スパッタリング面における平均結晶粒径が３０μｍを超えると、スパッタリング面の凹凸差が大きくなり、異常放電が発生しやすくなる。スパッタリングは面方位によりスパッタレートが異なるため、スパッタリングが進むにつれてスパッタリング面の凹凸差が大きくなり、異常放電が発生しやすくなる。また、スパッタリングは凸部の方がスパッタされやすいという性質もある。これにより、ある程度大きくなった凹凸差は平坦化する。但し、凹凸周期が緩やかであるとこの性質は現れないので、粒径は細かくする必要がある。例えばスパッタリング面における平均結晶粒径は３０μｍ以下であることが好ましい。
【００４１】
ＣｕＭｎ合金は全率固溶系であるため、後述する熱間圧延等を行うことで、上述のＣｕＭｎ合金からなるターゲット材のスパッタリング面には、純Ｃｕからなるターゲット材と同様に、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面が主要結晶面として現れる。
【００４２】
本実施形態にかかるターゲット材のスパッタリング面は、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面及びその他の面の面積の合計を１００％としたとき、（１１１）面の面積率が例えば１０％以上２０％以下であることが好ましく、その他の面の面積率が例えば２０％以下であることが好ましい。
【００４３】
スパッタリング面に現れた結晶面の測定は、電子後方散乱回折像（ＥＢＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂａｃｋ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）法により行った。このとき、（１１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を（１１１）面に含めることとし、（２００）面の法線方向から１５°以内の結晶面を（２００）面に含めることとし、（２２０）面の法線方向から１５°以内の結晶面を（２２０）面に含めることとし、（３１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を（３１１）面に含めることとした。また、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面及び（３１１）面以外の結晶面（上記４つの結晶面のいずれにも含まれない結晶面）をその他の面とした。
【００４４】
（１１１）面は、原子の充填率が高い結晶面であり、ターゲット材の原子をはじき出しやすい面である。従って、スパッタリング面における（１１１）面の面積率が１０％未満であると、スパッタリング時にターゲット材からスパッタ粒子が放出されにくくなり、充分なスパッタレートを確保することができない。
【００４５】
スパッタリング面における（１１１）面の面積率を１０％以上にすることで、充分なスパッタレートを確保することができる。
【００４６】
しかしながら、スパッタリング面における（１１１）面の面積率が２０％を超えると、（１１１）面を有する結晶粒が粗大化し、ターゲット材の結晶組織を微細結晶粒組織にできないことがある。例えば、上述の平均結晶粒径が３０μｍを超えることがある。その結果、異常放電の発生を抑制できないことがある。
【００４７】
スパッタリング面における（１１１）面の面積率を２０％以下にすることで、（１１１）面を有する結晶粒の粗大化を抑制し、ターゲット材の結晶組織を微細結晶粒組織にすることができる。例えば、上述の平均結晶粒径を３０μｍ以下にすることができる。これにより、異常放電の発生を抑制することができる。
【００４８】
しかしながら、その他の面の面積率が２０％を超えると、スパッタリング面における（１１１）面の面積率が低下することがある。
【００４９】
その他の面の面積率を２０％以下にすることで、スパッタリング面における（１１１）面の面積率の低下を抑制することができる。例えば、スパッタリング面における（１１１）面の面積率を例えば１０％以上にすることができる。
【００５０】
なお、後述のように鋳造工程、熱間圧延工程等を経て形成されるターゲット材では、その他の面の面積率を１０％未満にすることは難しい。つまり、後述の製法で得られたターゲット材では、通常、その他の面の面積率は１０％以上になる。
【００５１】
（３）スパッタリング用銅ターゲット材の製造方法
次に、本実施形態にかかるターゲット材の製造方法について説明する。
【００５２】
（鋳造工程）
例えば溶解鋳造法によりＣｕＭｎ合金の鋳塊を鋳造する。具体的には、純度が例えば３Ｎ以上である無酸素銅と、所定量のＭｎ（例えばＭｎフレーク）とを例えば溶解炉が備える坩堝内に投入し、例えば大気中で無酸素銅及びＭｎフレークを溶解して銅合金（ＣｕＭｎ合金）の溶湯を生成する。なお、Ｍｎの添加量は、形成されるターゲット材中のＭｎの含有量が例えば３原子％以上４０原子％以下になるように調整する。このように生成した銅合金の溶湯を鋳型に注いで冷却して溶湯を凝固させ、所定形状の鋳塊を鋳造する。
【００５３】
上述の溶解鋳造法では、銅合金の溶湯が凝固する際、それぞれ異なる組成を有する（Ｍｎの濃度が異なる）固相と液相とに分離された後、銅合金の溶湯が凝固する。このため、溶解鋳造法により形成したＣｕＭｎ合金の鋳塊には、Ｍｎの濃度ムラが存在することがある。つまり鋳塊中におけるＭｎの濃度分布が不均一になることがある。また、鋳塊の液相部分が凝固した箇所には、溶湯が凝固する際に液相部分が熱収縮することでミクロなボイドが発生していることがある。
【００５４】
（熱間圧延工程）
鋳造工程が終了した後、鋳塊を所定温度に加熱する。そして、所定温度の鋳塊に対して、所定の加工度の熱間圧延を行い、所定厚さの熱間圧延材を形成する。熱間圧延では、複数回の圧延パスを行うことが好ましい。つまり、熱間圧延は、被圧延材を圧延機が備える圧延ロール間に複数回通板（パス）させて行うことが好ましい。
【００５５】
熱間圧延の条件は、ＣｕＭｎ合金の鋳塊中におけるＭｎの濃度分布を均一にしつつ、鋳塊の結晶組織（鋳造組織）が有する粗大な結晶粒を細かくするとともに、被圧延材（被熱間圧延材）中に再結晶を生じさせて（１１１）面を有する微細な結晶粒を圧延面に配向させることが可能な条件にすることが好ましい。
【００５６】
被圧延材の温度は圧延パスを経るにしたがって、つまり圧延パスの回数が多くなるほど低下する。熱間圧延終了時（熱間圧延終了直後）の圧延材の温度は、鋳塊の加熱温度、熱間圧延の総加工度（圧延パスの回数）等により変化する。熱間圧延終了時の圧延材の温度、圧延パスの条件（例えば加工量つまり加工度）により、得られるターゲット材の結晶組織は、下記（Ａ）〜（Ｄ）の４種類のいずれかの組織に分けられる。
【００５７】
（Ａ）例えば、熱間圧延の加工量が少なく（加工度が小さく）、熱間圧延が高温領域で完了した（熱間圧延終了時の圧延材の温度が高温である）場合、ターゲット材の結晶組織は、数百μｍ以上の鋳造組織の粗大粒径が残留し、百μｍ以下の加工組織の結晶粒との混粒組織となる。また、再結晶はほとんど発生せず、再結晶で加工面に配向する（１１１）面の面積率が少なくなる。
【００５８】
（Ｂ）例えば、熱間圧延の加工量は充分であるが、熱間圧延が比較的高温の領域で完了した（熱間圧延終了時の圧延材の温度が比較的高温である）場合、ターゲット材の結晶組織は、（１１１）面の面積率及びその他の面の面積率が高く、（１１１）面の粗大化により結晶粒の粒径も大きな組織となる。その他の面の面積率が高くなるのは、熱間圧延により充分な再結晶が得られるが、熱間圧延終了時の被圧延材の温度が比較的高温であるため、再結晶で配向した（１１１）面の粗大化が起こり、粗大化に伴い結晶粒界での適合を保つためと考えられる。なお、ここでの適合とは、例えば隣接する粗大化した（１１１）面間に形成される隙間（結晶粒界）が、（１１１）面以外の小さな結晶面で埋められていることを意味する。この場合は、異常放電が発生しやすくなるが、これは、（１１１）面の面積率の増加と（１１１）面の粗大化により粒径サイズ分布のバラツキが大きくなるためと考えられる。
【００５９】
（Ｃ）熱間圧延工程において例えば低温領域での加工量が多い場合、つまり、温度が低い圧延材に対して多くの熱間圧延が行われる場合、加工硬化した被圧延材に対して熱間圧延が行われることがある。加工硬化した状況での加工により被圧延材の組織が強変形し、その結果ターゲット材の組織は空孔やボイドが多く含まれる組織となる。これにより、ターゲット材の結晶組織は、（１１１）面の面積率が低く、その他の面の面積率が高いとともに、結晶粒の粒径が小さな組織となる。この場合、異常放電が発生しやすくなるが、これは、強変形した組織（強変形組織）ではスパッタリング時に電荷の堆積（チャージアップ）が発生しやすくなるためと考えられる。
【００６０】
（Ｄ）熱間圧延工程において、熱間圧延の加工度を所定の範囲とし、熱間圧延終了時の圧延材の温度が所定温度領域となるように鋳塊の加熱温度を調整することで、所定量（例えば３原子％以上４０原子％以下）のＭｎが含有されたＣｕＭｎ合金からなるターゲット材の結晶組織を所定の組織にすることができる。
【００６１】
なお、ＣｕＭｎ合金の２元系状態図から、例えばＭｎが３７原子％含有されたＣｕＭｎ合金の融点の最小値は８７１℃となる。上述したように鋳塊にはＭｎの濃度ムラが存在することがあるため、鋳塊の温度が８７１℃を超えると、鋳塊内部にＣｕＭｎ合金が溶融した溶融部が形成されることがある。従って、鋳塊の加熱温度は８５０℃以下であることが好ましい。
【００６２】
また、熱間圧延で行う圧延パスのうち、最初（１回目）の圧延パスの加工度は、割れ防止の観点から５％程度とすることが好ましい。
【００６３】
熱間圧延工程が終了した後、必要に応じて所定の冷間圧延等を行い、所定のターゲット材を形成する。
【００６４】
（４）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００６５】
（ａ）ＣｕＭｎ合金からなるターゲット材において、組成制御に加えて結晶組織の制御を行うことで、スパッタリング時に異常放電が発生することを抑制することができる。これにより、このターゲット材を用いて形成されるＣｕＭｎ合金層上やＣｕＭｎ合金層中にパーティクル等の不純物が混入することを抑制できる。従って、ＴＦＴの生産性をより向上させることができるとともに、より高性能な配線膜を形成することができる。
【００６６】
（ｂ）つまり、高抵抗なＣｕＭｎ合金からなるターゲット材において、平均結晶粒径と結晶面の配向とを制御し、ターゲット材の多結晶体組織を微細結晶粒組織にすることで、スパッタリングにより上述のエロージョン部分が粗くなることを抑制することができる。これにより、スパッタリング時の異常放電の発生を抑制することができる。
【００６７】
これに対し、ＣｕＭｎ合金のような高抵抗な合金で形成されるターゲット材において、組成制御（Ｍｎや不可避不純物の含有量の制御）のみ行い、結晶組織の制御を行わない場合、スパッタリングにより上述のエロージョン部分の凹凸が粗くなり、異常放電の発生を抑制できないことがある。
【００６８】
（ｃ）ＣｕＭｎ合金で形成されるターゲット材において、Ｍｎの含有量を３原子％以上４０原子％以下にすることで、このターゲット材を用いて形成されるＣｕＭｎ合金層をバリア層として機能させることができる。また、ＣｕＭｎ合金層自体の耐酸化性を向上させることができる。
【００６９】
（ｄ）ターゲット材中のＭｎの含有量が少なくなるほど、例えばＣｕＭｎ合金層と半導体層との間の界面に拡散、集積するＭｎの量が少なくなるため、ＣｕＭｎ合金層の耐酸化性が低くなる。従って、Ｍｎの含有量が少ない（例えばＭｎの含有量が３原子％の）ターゲット材は、後の加熱処理が還元性雰囲気で行われるＴＦＴ（Ｓｉ−ＴＦＴ）の配線膜の形成に用いられる場合に有効である。
【００７０】
（ｅ）３原子％以上４０原子％以下のＭｎを含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる鋳塊に対して、所定の熱間圧延を行ってターゲット材を形成することで、所定の結晶組織
を有するターゲット材を形成することができる。
【００７１】
これに対し、熱間圧延の代わりに、熱間鍛造を行ってターゲット材を形成した場合、熱間鍛造時に熱間圧延よりも再結晶が生じやすく、（１１１）面の粗大化が進みやすくなる。従って、熱間鍛造を行って形成したターゲット材の結晶組織は、熱間圧延を行って形成したターゲットの結晶組織よりも、結晶粒の粒径が大きくなったり、スパッタリング面における（１１１）面の面積率が大きくなる。その結果、スパッタリングにより上述のエロージョン部分の凹凸が粗くなりやすく、異常放電が発生しやすくなる。
【００７２】
（本発明の他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００７３】
上述の実施形態では、ＣｕＭｎ合金からなるターゲット材を用い、結晶化Ｓｉ又は酸化物半導体で形成される半導体層上にＣｕＭｎ合金層を形成する場合について説明したがこれに限定されない。半導体層は、結晶化Ｓｉや酸化物半導体以外の半導体により形成されていてもよい。また、ＣｕＭｎ合金層は、例えばガラス基板上や、絶縁層上、ＩＴＯ基板上、ＰＥＴフィルム上、他の機能性膜上に形成してもよい。この場合、ＣｕＭｎ合金層は、ガラス基板や絶縁層等と配線膜（ＣｕＭｎ合金層）とを密着させる層としても機能する。
【００７４】
上述の実施形態では、ターゲット材が、例えば液晶パネルのＴＦＴの配線膜を構成するＣｕＭｎ合金層の形成に用いられる場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えばタッチパネルのＴＦＴの配線膜の形成にも、本実施形態にかかるターゲット材を好適に用いることができる。
【００７５】
鋳造工程が終了した後、鋳塊に対して面削を行い、鋳塊の表面に形成された表面酸化層（黒皮）を削って除去してもよい。
【実施例】
【００７６】
次に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７７】
（試料１）
まず、溶解鋳造法により、ＣｕＭｎ合金の溶湯を作製した。具体的には、溶解炉が備える坩堝内に、純度が３Ｎ以上の無酸素銅と、純度が３Ｎ以上のＭｎフレーク材とを投入した。このとき、ＣｕＭｎ合金中におけるＭｎの濃度が１０原子％（１０ａｔ％）になるように、無酸素銅およびＭｎフレーク材の配合比を調整した。そして、大気中にて坩堝内の温度が１１００℃〜１２００℃になるように加熱して無酸素銅及びＭｎフレーク材を溶解して、銅合金（ＣｕＭｎ合金）の溶湯を作製した。そして、湯面（溶湯）の酸化防止のために湯面を酸化防止剤でキャップし、溶湯内におけるＭｎの濃度分布が充分に均一になるまで撹拌した後、溶湯を所定形状を有する鋳型に注いで所定形状の鋳塊を鋳造した。そして、鋳塊の表面に形成された酸化被膜（黒被）を除去する面削処理を行い、１０ｍｍｔ×１８０ｍｍＷ×１０００ｍｍＬのケーク材を形成した。
【００７８】
続いて、８５０℃に加熱したケーク材（鋳塊）に対して総加工度が９０％の熱間圧延を行って熱間圧延材を形成した。熱間圧延は、複数回の圧延パスを実施して行った。このとき、熱間圧延の総加工度が９０％になるように、各圧延パス毎に上下圧延ロール間の距離を調整し、各圧延パス毎の加工度を調整した。なお、各圧延パス毎の加工度は、上下圧延ロール間の距離＝板厚（被圧延材の厚さ）とし、下記（数１）により算出した。
【００７９】
（数１）
加工度（％）＝{（加工前の板厚−加工後の板厚）／加工前の板厚}×１００
【００８０】
具体的には、本実施例では、熱間圧延を、温度が高く、高い延性を保っている被圧延材に対して高い加工度（≒１５〜３０％）で行う第１熱間圧延（１段階目の熱間圧延）と、温度が下がり、延性が低下してきた被圧延材に対して低い加工度（≒１０％で一定）で行う第２熱間圧延（２段階目の熱間圧延）とに分けて実施した。
【００８１】
そして、表１に示すように、第１熱間圧延では、圧延パスの回数を９回とし、総加工度が７４．１％になるように各圧延パスの加工度を調整した。なお、第１熱間圧延では、最初（１パス目）の圧延パスの加工度を５％とし、２パス目以降の圧延パスの加工度をほぼ均等にした。また、第２熱間圧延では、圧延パスの回数を９回とし、総加工度が６１．４％になるように各圧延パスの加工度を調整し、総加工度が９０．０％の熱間圧延を行った。
【００８２】
熱間圧延が終了した後、必要に応じて、熱間圧延材の表面に形成された黒皮を面削にて除去したり、仕上げ圧延等の冷間圧延を行い、ターゲット材が形成されることとなる試料を作製した。これを試料１とした。
【００８３】
（試料２〜２０）
試料２〜２０では、Ｍｎの含有量、熱間圧延を行う際の鋳塊の加熱温度、熱間圧延（第１熱間圧延、第２熱間圧延）で行う圧延パスの回数、各圧延パスの加工度、第１熱間圧延の総加工度、第２熱間圧延の総加工度、熱間圧延の総加工度をそれぞれ表１に示す通りとした。なお、Ｍｎの含有量が３原子％であるＣｕＭｎ合金では、熱間圧延時に被圧延材に充分な再結晶を生じさせる観点から、鋳塊の加熱温度を８２０℃にした。また、Ｍｎの含有量が４０原子％であるＣｕＭｎ合金では、鋳塊の加熱温度が高いと熱間圧延時に被圧延材に割れが発生しやすくなるため、鋳塊の加熱温度を８００℃にした。その他は、試料１と同様にしてターゲット材が形成されることとなる試料を形成した。これらをそれぞれ試料２〜２０とする。
【００８４】
（試料２１〜２５）
試料２１〜２５では、熱間圧延の代わりに、所定温度に加熱した鋳塊に対して熱間鍛造を行った。具体的には、熱間鍛造材の厚さが１０ｍｍｔになるまで、加工度が９０．０％の熱間鍛造を行った。途中、被熱間鍛造材の温度が６００℃程度まで下がったら、被熱間鍛造材を初回の加熱温度（鋳塊の加熱温度）まで再加熱してから熱間鍛造を継続した。Ｍｎの含有量、熱間鍛造を行う際の鋳塊の加熱温度は表１に示す通りとした。その他は、試料１と同様にしてターゲット材が形成されることなる試料を形成した。これらをそれぞれ試料２１〜２５とする。
【００８５】
【表１】
2017048446.tif 000003
【００８６】
（評価）
＜熱間圧延完了時の熱間圧延材の温度＞
試料１〜２５のターゲット材となる各試料についてそれぞれ、熱間圧延完了時の熱間圧延材（又は熱間鍛造完了時の熱間鍛造材）の温度を測定した。具体的には、第１熱間圧延及び第２熱間圧延のそれぞれの最終の圧延パス（圧延ロール）を通過した直後の被圧延材の後端（圧延方向における後端）の温度をそれぞれ放射温度計でモニタすることで測定した。上記表１に、第１熱間圧延完了時の熱間圧延材の温度（第１熱間圧延完了時の温度）及び第２熱間圧延完了時の熱間圧延材の温度（第２熱間圧延完了時の温度）の測定結果をそれぞれ示す。本実施例では、第２熱間圧延完了時の熱間圧延材の温度が熱間圧延完了時の熱間圧延材の温度となる。
【００８７】
＜結晶組織の評価＞
試料１〜２５の各試料の結晶組織の評価を行った。具体的には、各試料の結晶組織の評価として、各試料からターゲット材を形成した際にスパッタリング面となる圧延面の平均結晶粒径を測定するとともに、圧延面における（１１１）面の面積率及びその他の面の面積率を測定した。
【００８８】
まず、結晶組織を評価する面が圧延面に平行になるようにして、各試料の所定箇所からブロック形状のサンプルを切り出した。このサンプルは各試料の前端、中央、後端からそれぞれ１個ずつ採取した。なお、試料の前端とは、圧延方向における先端部であり、後端とは、圧延方向における最後部であり、中央とは前端と後端との間である。
【００８９】
そして、ＥＢＳＤ法により、測定領域（視野領域）を１ｍｍ×３ｍｍとして、各サンプルの圧延面（測定領域）に存在する結晶粒の面方位（結晶面方位）を測定し、各サンプルの圧延面における結晶面方位の逆極点図を作成した。このとき、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面の各面の法線方向から１５°以内の結晶面をそれぞれ（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面に含めることとした。また、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面及び（３１１）面以外の結晶面をその他の面とした。
【００９０】
得られた逆極点図から、各試料の圧延面に存在する結晶粒の平均粒径（平均結晶粒径）を測定した。この測定結果を上記表１に示す。表１中の「混粒」とは、結晶組織が鋳造組織と加工組織との混粒組織になっていることを示している。
【００９１】
また、得られた逆極点図から、（１１１）面の面積率及びその他の面の面積率を測定した。なお、（１１１）面の面積率及びその他の面の面積率はそれぞれ、測定領域の面積を１００％としたときの割合である。また、各試料の前端、中央、後端からそれぞれ切り出した各サンプルの（１１１）面の面積率及びその他の面の面積率の平均値を、各試料の（１１１）面の面積率及びその他の面の面積率とした。この測定結果を上記表１に示す。
【００９２】
＜異常放電の発生回数の測定＞
試料１〜２５の各試料からそれぞれ、スパッタリング面が圧延面に平行になるようにして、φ１００ｍｍ×５ｍｍｔの円盤状のターゲット材を形成した。そして各試料から形成したターゲット材を用いてスパッタリングを行い、スパッタリング時に発生した異常放電の回数を測定した。異常放電の発生回数の測定は、図１に示す検出装置システム（アークモニタ）を用い、スパッタリング時の基板電極と、ターゲット材である各サンプルに接続されるカソード電極との間に印加する電流と電圧とをモニタして異常放電（アーク）の発生を判定し、カウントすることで行った。
【００９３】
表２に、異常放電の発生回数を測定した際のスパッタリング条件を示す。
【００９４】
【表２】
2017048446.tif 000004
【００９５】
表２に示すように、異常放電の発生回数の測定では、スパッタリングを行うチャンバ内の圧力を０．５Ｐａとし、放電パワー密度を１２．７Ｗ／ｃｍ２とし、プロセスガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを用い、連続２時間のスパッタリングを行った。なお、１２．７Ｗ／ｃｍ２の放電パワー密度は、ＣｕＭｎ合金からなるターゲット材に異常放電を発生させやすくする強めの放電パワー密度であるとともに、長時間（２時間）のスパッタリングによりボンディングが温度上昇して剥がれてしまうことがない極限の放電パワー密度である。
【００９６】
また、スパッタリング開始後３０秒間のプリスパッタリングで発生した異常放電は、ターゲット材が大気に触れた影響で発生した可能性があるため、異常放電の発生回数にはカウントしなかった。
【００９７】
試料１〜２５の各試料から形成したターゲット材を用いてスパッタリングを行った際に発生した異常放電の発生回数を表１に示す。
【００９８】
＜エロージョン部分の粗さの評価＞
次に、試料１〜２５の各試料から形成したターゲット材について、スパッタリングが終了した後のエロージョン部分の粗さを評価した。つまり、上述の異常放電の発生回数を測定した後の各ターゲット材のエロージョン部分の最深部分を含む３ｍｍ幅の領域の十点平均粗さ（Ｒｚ）を、株式会社東京精密製のＴＩＭＳ粗さ測定装置を用い、装置付属の解析ソフトにより測定した。Ｒｚは、各ターゲット材のエロージョン部分の３箇所で測定した。そして、３つのＲｚの平均値を求め、この平均値を各ターゲット材のエロージョン部分の粗さとした。エロージョン部分の粗さの測定結果を表１に示す。
【００９９】
Ｒｚの値が大きくなるほど、凹凸の深さが深い（凹凸の高低差が大きい）ことを示している。上述したように１２．７ｋＷ／ｃｍ２の放電パワー密度は、ＣｕＭｎ合金からなるターゲット材では強めのスパッタリング条件である。エロージョン部分の粗さは放電パワー密度が大きくなるにつれて粗くなるため、評価した値はかなり厳しい条件での値と言える。
【０１００】
（評価結果）
表１に示すように、試料１〜４、試料８〜１１、試料１５〜１７では、上記スパッタリング条件中に発生した異常放電の回数が０回である、つまり異常放電が発生しなかったことを確認した。つまり、Ｍｎの含有量が３原子％以上４０原子％以下であるＣｕＭｎ合金からなるターゲット材において、スパッタリング面の平均粒子径が１０μｍ以上３０μｍ以下になり、スパッタリング面における（１１１）面の面積率が１０％以上２０％以下になり、その他の面の面積率が２０％以下になるように結晶組織の制御を行うことで、スパッタリングによりターゲット材のエロージョン部分が粗くなることを抑止でき、異常放電の発生を抑制できることを確認した。
【０１０１】
例えば試料１と試料５との比較から、第１熱間圧延の総加工度が同程度であっても、第２熱間圧延完了時の熱間圧延材の温度が高いと、ターゲット材の結晶組織は、（１１１）
面の面積率及びその他の面の面積率が高く、（１１１）面の粗大化により結晶粒の粒径も大きな組織となることを確認した。また、試料８と試料１２との比較、試料１５と試料１８との比較からも同様のことを確認した。つまりＣｕＭｎ合金中におけるＭｎの含有量（Ｍｎ濃度）によらずに第２熱間圧延完了時の熱間圧延材の温度が高いと、ターゲット材の結晶組織は上述の（Ｂ）の結晶組織になることを確認した。
【０１０２】
また、試料５、試料１２、試料１８から、平均結晶粒径が大きくなると（例えば平均結晶粒径が３０μｍを超えると）、（１１１）面の面積率が増加し、異常放電が発生することがあることを確認した。
【０１０３】
例えば試料１と試料６との比較から、第１熱間圧延の総加工度と第２熱間圧延の総加工度とが共に低く（つまり熱間圧延の総加工度が低く）、第２熱間圧延完了時の熱間圧延材の温度が高いと、ターゲット材の結晶組織は、数百μｍ以上の鋳造組織の粗大粒径が残留し、百μｍ以下の加工組織の結晶粒と混粒組織となることを確認した。また、試料８と試料１３との比較、試料１５と試料１９との比較からも同様のことを確認した。つまりＣｕＭｎ合金中におけるＭｎの含有量によらずに熱間圧延の総加工度が低く、熱間圧延完了時の熱間圧延材の温度が高いと、ターゲット材の結晶組織は上述の（Ａ）の結晶組織になることを確認した。
【０１０４】
また、試料６、試料１３、試料１６から、加工組織と鋳造組織との混粒組織からなるターゲット材では、スパッタリングを行うと、スパッタリングによりターゲット材のエロージョン部分の凹凸が粗くなり、異常放電が発生することがあることを確認した。
【０１０５】
例えば試料１と試料７との比較から、第２熱間圧延の総加工度が高く、第２熱間圧延完了時の熱間圧延材の温度が低いと、温度が低い被圧延材に対して熱間圧延が行われ、ターゲット材の結晶組織が強変形組織となっていることを確認した。つまり、熱間圧延工程において低温領域での加工量が多いと、ターゲット材の結晶組織が強変形組織になることを確認した。また、試料８と試料１４との比較、試料１５と試料２０との比較からも同様のことを確認した。つまりＣｕＭｎ合金中におけるＭｎの含有量によらずに、低温領域での加工量が多いと、ターゲット材の結晶組織は上述の（Ｃ）の結晶組織になることを確認した。
【０１０６】
また、試料７、試料１４、試料２０から、ターゲット材の結晶組織が平均結晶粒径が小さな微細結晶粒組織であっても、強変形組織であると、異常放電が発生することがあることを確認した。
【０１０７】
試料２１〜２５から、熱間鍛造を行って形成したＣｕＭｎ合金からなるターゲット材は、熱間圧延を行って形成したＣｕＭｎ合金からなるターゲット材に比べて、（１１１）面を有する結晶粒の再結晶と粗大化が進みやすいことを確認した。その結果、熱間鍛造を行って形成したＣｕＭｎ合金からなるターゲット材は、その結晶組織を微細結晶粒組織で形成することができないことを確認した。
【０１０８】
＜好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１０９】
［付記１］
本発明の一態様によれば、
３原子％以上４０原子％以下のマンガンを含み、残部が銅および不可避的不純物からなり、
スパッタリング面となる面における結晶粒の平均粒径が１０μｍ以上３０μｍ以下であ
り、
電子後方散乱回折像法により、前記スパッタリング面となる面の結晶面を測定し、
（１１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（１１１）面に含めることとし、
（２００）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（２００）面に含めることとし、
（２２０）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（２２０）面に含めることとし、
（３１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（３１１）面に含めることとし、
前記（１１１）面、前記（２００）面、前記（２２０）面及び前記（３１１）面以外の結晶面をその他の面とし、
前記（１１１）面、前記（２００）面、前記（２２０）面、前記（３１１）面及びその他の面の面積の合計を１００％としたとき、
前記（１１１）面の面積率が１０％以上２０％以下であり、
前記その他の面の面積率が２０％以下であるターゲット材が提供される。
【０１１０】
［付記２］
付記１のターゲット材であって、好ましくは、
前記不可避的不純物の濃度が１０００ｐｐｍ未満である。
【０１１１】
［付記３］
本発明の他の態様によれば、
３原子％以上４０原子％以下のマンガンを含み、残部が銅および不可避的不純物からなり、
スパッタリング面となる面における結晶粒の平均粒径が１０μｍ以上３０μｍ以下であり、
電子後方散乱回折像法により、前記スパッタリング面となる面の結晶面を測定し、
（１１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（１１１）面に含めることとし、
（２００）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（２００）面に含めることとし、
（２２０）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（２２０）面に含めることとし、
（３１１）面の法線方向から１５°以内の結晶面を前記（３１１）面に含めることとし、
前記（１１１）面、前記（２００）面、前記（２２０）面及び前記（３１１）面以外の結晶面をその他の面とし、
前記（１１１）面、前記（２００）面、前記（２２０）面、前記（３１１）面及びその他の面の面積の合計を１００％としたとき、
前記（１１１）面の面積率が１０％以上２０％以下であり、
前記その他の面の面積率が２０％以下であるターゲット材を用いて形成したＣｕＭｎ合金層を備える
配線膜。
【図１】
2017048446.tif 000005