(57)【要約】【課題】傾きが互いに異なる複数のランプ信号のいずれを用いた場合でも画素信号を高精度にＡＤ変換するのに有利な技術を提供する。【解決手段】画素部と、信号値が単位時間あたり第１の変化量で変化する第１のランプ信号と、信号値が前記第１の変化量よりも大きい第２の変化量で変化する第２のランプ信号とを生成する信号生成部と、前記信号生成部からのランプ信号を用いて前記画素部からの信号をアナログデジタル変換する変換部とを備える固体撮像装置であって、前記信号生成部は、容量部と電流供給部と電荷排出部とを有しており、前記電流供給部を前記容量部に接続して前記容量部に電荷を蓄積することにより、前記第１のランプ信号と前記第２のランプ信号とを生成し、前記容量部と前記電荷排出部とを接続することにより、前記容量部に蓄積された電荷を前記電荷排出部に排出し、前記第２のランプ信号を生成する場合の前記容量部と前記電荷排出部との間の電気的経路の抵抗値は、前記第１のランプ信号を生成する場合に比べて小さい。【選択図】図１
2017175565.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、信号値が単位時間あたり第１の変化量で変化する第１のランプ信号と、信号値が前記第１の変化量よりも大きい第２の変化量で変化する第２のランプ信号とを生成する信号生成部と、前記信号生成部からのランプ信号を用いて前記画素部からの信号をアナログデジタル変換する変換部とを備える固体撮像装置であって、
前記信号生成部は、
容量部と電流供給部と電荷排出部とを有しており、
前記電流供給部を前記容量部に接続して前記容量部に電荷を蓄積することにより、前記第１のランプ信号と前記第２のランプ信号とを生成し、
前記容量部と前記電荷排出部とを接続することにより、前記容量部に蓄積された電荷を前記電荷排出部に排出し、
前記第２のランプ信号を生成する場合の前記容量部と前記電荷排出部との間の電気的経路の抵抗値は、前記第１のランプ信号を生成する場合に比べて小さい
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記画素部は、その出力の信号を初期化する機能を有しており、
前記変換部は、前記画素部からの信号であって前記初期化された信号であるＮ信号に対して前記第１のランプ信号を用いて第１のアナログデジタル変換を行い、前記画素部からの信号であって入射光に応じた信号であるＳ信号に対して前記第２のランプ信号を用いて第２のアナログデジタル変換を行い、
前記第２のアナログデジタル変換の場合の前記容量部と前記電荷排出部との間の電気的経路の抵抗値は、前記第１のアナログデジタル変換の場合に比べて小さい
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記画素部は、その出力の信号を初期化する機能を有しており、
前記変換部は、前記画素部からの信号であって前記初期化された信号であるＮ信号に対して前記第１のランプ信号を用いて第１のアナログデジタル変換を行い、前記画素部からの信号であって入射光に応じた信号であるＳ信号に対して前記第２のランプ信号を用いて第２のアナログデジタル変換を行い、
前記変換部は、
前記Ｓ信号の信号値が所定値より大きい場合には前記第２のランプ信号を用いて前記第２のアナログデジタル変換を行い、
前記Ｓ信号の信号値が前記所定値より小さい場合には前記第１のランプ信号を用いて前記第２のアナログデジタル変換を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記信号生成部は、前記電流供給部を前記容量部に接続して前記容量部に電荷を蓄積することにより前記所定値を生成し、
前記所定値を生成する場合の前記容量部と前記電荷排出部との間の電気的経路の抵抗値は、前記第１のランプ信号を生成する場合および前記第１のランプ信号を生成する場合に比べて小さい
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記信号生成部は、前記容量部と前記電荷排出部とを接続するための２つのＭＯＳトランジスタであって、前記第１のランプ信号および前記第２のランプ信号にそれぞれ対応する２つのＭＯＳトランジスタをさらに有しており、
前記２つのＭＯＳトランジスタは、導通状態での抵抗値が互いに異なる
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記２つのＭＯＳトランジスタは、互いに異なるチャネル幅を有する
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記２つのＭＯＳトランジスタは、それらのチャネル幅の比が前記第１の変化量と第２の変化量の比にしたがうように構成されている
ことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記電流供給部は、前記第１のランプ信号および前記第２のランプ信号に対応する２つの電流源を含み、
前記容量部は、前記２つの電流源に対応する２つの容量素子を含み、
前記２つのＭＯＳトランジスタは、前記２つの容量素子にそれぞれ接続されている
ことを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記変換部は、前記信号生成部からの前記第１のランプ信号および前記第２のランプ信号の一方を前記画素部からの信号に基づいて選択するセレクタと、前記セレクタにより選択された前記一方と前記画素部からの信号とを比較するコンパレータとを含む
ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記電流供給部は、前記第１のランプ信号および前記第２のランプ信号に対応する２つの電流源と、前記２つの電流源に対応し且つ該対応する電流源を活性化する２つのスイッチ素子とを含み、
前記容量部は単一の容量素子であり、
前記２つの電流源は、それぞれ、前記対応するスイッチ素子を介して前記容量素子の端子に共通に接続されており、
前記２つのＭＯＳトランジスタは、前記容量素子の前記端子に共通に接続されており、前記２つの電流源のいずれが活性化されたかに基づいて駆動される
ことを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記信号生成部は、前記２つの電流源の一方を、それに対応するスイッチ素子により活性化し、該一方により前記容量素子に電流を供給することによって前記第１のランプ信号および前記第２のランプ信号の一方を生成する
ことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
画素部と、第１のランプ信号と該第１のランプ信号よりも単位時間あたりの信号値の変化量が大きい第２のランプ信号とを生成する信号生成部と、前記第１のランプ信号及び前記第２のランプ信号の一方を用いて前記画素部からの信号をアナログデジタル変換する変換部とを備える固体撮像装置であって、
前記信号生成部は、
第１の端子を有する第１の容量素子と、
前記第１の端子に電圧が発生するように前記第１の容量素子に電流を供給する第１の電流源と、
前記第１の端子と基準電圧との間に配された第１のスイッチ素子と、
第２の端子を有する第２の容量素子と、
前記第２の端子に電圧が発生するように前記第２の容量素子に電流を供給する第２の電流源と、
前記第２の端子と前記基準電圧との間に配された第２のスイッチ素子と、
を含み、
前記信号生成部は、
前記第１の電流源及び前記第２の電流源が前記第１の容量素子及び前記第２の容量素子にそれぞれ電流を供給している間、前記第１のスイッチ素子及び前記第２のスイッチ素子を制御して前記第１の端子及び前記第２の端子をそれぞれ前記基準電圧に接続することによって、前記第１の端子及び前記第２の端子の電圧をそれぞれ所定の値に維持する第１動作と、
前記第１動作の後、前記第１の電流源及び前記第２の電流源が前記第１の容量素子及び前記第２の容量素子にそれぞれ電流を供給している状態のまま前記第１のスイッチ素子及び前記第２のスイッチ素子を制御して前記第１の端子及び前記第２の端子を前記基準電圧からそれぞれ遮断することによって、前記第１の端子及び前記第２の端子の電圧をそれぞれ変化させて前記第１のランプ信号及び前記第２のランプ信号をそれぞれ生成する第２動作と、
を行い、
前記第１動作における前記第２のスイッチ素子の抵抗値は、前記第１動作における前記第１のスイッチ素子の抵抗値よりも小さい
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１３】
画素部と、第１のランプ信号と該第１のランプ信号よりも単位時間あたりの信号値の変化量が大きい第２のランプ信号との一方を選択的に生成する信号生成部と、前記第１のランプ信号及び前記第２のランプ信号の前記一方を用いて前記画素部からの信号をアナログデジタル変換する変換部とを備える固体撮像装置であって、
前記信号生成部は、
容量素子と、
前記容量素子の端子に電圧が発生するように前記容量素子に電流を供給する第１の電流源と、
前記端子に電圧が発生するように前記容量素子に電流を供給する第２の電流源と、
前記端子と基準電圧との間に配され、前記第１の電流源に対応する第１のスイッチ素子と、
前記端子と前記基準電圧との間に配され、前記第２の電流源に対応する第２のスイッチ素子と、
を含み、
前記信号生成部は、
前記第１の電流源又は前記第２の電流源が前記容量素子に電流を供給している間、前記第１のスイッチ素子又は前記第２のスイッチ素子を制御して前記端子を前記基準電圧に接続することによって、前記端子の電圧を所定の値に維持する第１動作と、
前記第１動作の後、前記第１の電流源又は前記第２の電流源が前記容量素子に電流を供給している状態のまま前記第１のスイッチ素子又は前記第２のスイッチ素子を制御して前記端子を前記基準電圧からそれぞれ遮断することによって、前記端子の電圧を変化させて前記第１のランプ信号又は前記第２のランプ信号を生成する第２動作と、
を行い、
前記第１動作における前記第２のスイッチ素子の抵抗値は、前記第１動作における前記第１のスイッチ素子の抵抗値よりも小さい
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置からの信号を処理するプロセッサとを具備する
ことを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置及びカメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置は、例えば、複数の画素が配列された画素部と、各画素からの画素信号をアナログデジタル変換（ＡＤ変換）する変換部とを備えうる。ＡＤ変換は、例えば、時間の経過と共に信号値が線形に変化するランプ信号を用いて、該ランプ信号と画素信号との大小関係が変わるまでの時間を計測することによって為されうる。
【０００３】
ところで、単位時間あたりの信号値の変化率（傾き）が互いに異なる複数のランプ信号を生成し又は生成する準備し、ＡＤ変換を行うのに使用するランプ信号を、撮影条件や動作モード等に基づいて該複数のランプ信号のなかから選択する技術が用いられうる。例えば、傾きが大きいランプ信号を使用すればＡＤ変換に要する時間を短くすることができ、また、傾きが小さいランプ信号を使用すればＡＤ変換の精度を高くすることができる。また、特許文献１に示されるように、複数のランプ信号のいずれを使用するかを画素信号の信号値に基づいて決定することも可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−０３３３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ランプ信号を生成する信号生成部は、例えば、容量および電流供給部を含み、電流供給部により電流値が略一定の電流を容量に供給することによってランプ信号を生成する。上述の複数のランプ信号を生成する場合、例えば、電流供給部として複数の電流源を用いて、トランジスタ等のスイッチ素子により該複数の電流源のいずれかを選択し、該選択された電流源により容量に電流を供給する構成が考えられる。
【０００６】
ここで、ある傾きのランプ信号を信号生成部が出力する場合と、それとは異なる他の傾きのランプ信号を信号生成部が出力する場合とでは、ランプ信号の初期値が変わってしまう可能性がある。これは、例えば、信号生成部においてスイッチ素子の状態が変わったことに伴って出力オフセットが変わったことに起因すると考えられ、このことは、ＡＤ変換の精度の低下の原因となりうる。
【０００７】
本発明の目的は、傾きが互いに異なる複数のランプ信号のいずれを用いた場合でも画素信号を高精度にＡＤ変換するのに有利な技術を提供することにある。なお、特許文献１には、信号生成部の具体的な構成が開示されていない。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、前記固体撮像装置は、画素部と、信号値が単位時間あたり第１の変化量で変化する第１のランプ信号と、信号値が前記第１の変化量よりも大きい第２の変化量で変化する第２のランプ信号とを生成する信号生成部と、前記信号生成部からのランプ信号を用いて前記画素部からの信号をアナログデジタル変換する変換部とを備える固体撮像装置であって、前記信号生成部は、容量部と電流供給部と電荷排出部とを有しており、前記電流供給部を前記容量部に接続して前記容量部に電荷を蓄積することにより、前記第１のランプ信号と前記第２のランプ信号とを生成し、前記容量部と前記電荷排出部とを接続することにより、前記容量部に蓄積された電荷を前記電荷排出部に排出し、前記第２のランプ信号を生成する場合の前記容量部と前記電荷排出部との間の電気的経路の抵抗値は、前記第１のランプ信号を生成する場合に比べて小さいことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、上記複数のランプ信号のいずれを用いた場合でも画素信号を高精度にＡＤ変換することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】固体撮像装置の構成例を説明するための図である。
【図２】画素部および増幅部の構成例を説明するための図である。
【図３】信号生成部の構成例を説明するための図である。
【図４】固体撮像装置の動作を説明するためのタイミングチャートの例である。
【図５】固体撮像装置の構成例を説明するための図である。
【図６】画素部の構成例を説明するための図である。
【図７】信号生成部の構成例を説明するための図である。
【図８】固体撮像装置の動作を説明するためのタイミングチャートの例である。
【図９】カメラのシステム構成の例を説明するための図である。
【図１０】固体撮像装置の構成例を説明するための図である。
【図１１】固体撮像装置の動作を説明するためのタイミングチャートの例である。
【図１２】固体撮像装置の構成例を説明するための図である。
【図１３】信号生成部の構成例を説明するための図である。
【図１４】固体撮像装置の動作を説明するためのタイミングチャートの例である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図は、構造ないし構成を説明する目的で記載されたものに過ぎず、図示された各部材の寸法は必ずしも現実のものを反映するものではない。また、各図において、同一の部材または同一の構成要素には同一の参照番号を付しており、以下、重複する内容については説明を省略する。
【００１２】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る固体撮像装置１００ａの構成例を示すブロック図である。固体撮像装置１００ａは、例えば、画素アレイ１、垂直走査回路１０、定電流源２、列信号線３、信号増幅部４、アナログデジタル変換部１２、水平走査回路９および出力部１１を備える。変換部１２は、例えば、コンパレータ５、ランプジェネレータ６、メモリ部７、カウンタ８およびセレクタ１３を含む。
【００１３】
図２（ａ）に例示されるように、画素アレイ１は、アレイ状に（複数の行および複数の列を形成するように）配列された複数の画素ＰＩＸを含む。図中では、図を見やすくするため、２行×２列で配列された４つの画素ＰＩＸを例示したが、行の数および列の数はこの例に限られない。画素ＰＩＸは、例えば、光電変換素子であるフォトダイオード２０、リセットトランジスタ２１、転送トランジスタ２２、増幅トランジスタ２３および選択トランジスタ２４を含む。トランジスタ２１〜２４には、例えばＮチャネル型のＭＯＳトランジスタが用いられうる。
【００１４】
フォトダイオード２０では、画素ＰＩＸへの入射光の光量に応じた量の電荷が発生し蓄積される。転送トランジスタ２２のゲートには、垂直走査回路１０から制御信号ＰＴＸが供給される。転送トランジスタ２２は、信号ＰＴＸに基づいて、フォトダイオード２０の電荷を増幅トランジスタ２３のゲートに転送する。増幅トランジスタ２３は、ソースフォロワ動作を行い、増幅トランジスタ２３のソース電位は、増幅トランジスタ２３のゲートに転送された電荷量（それに伴うゲート電位の変動）に応じて変化する。選択トランジスタ２４のゲートには、垂直走査回路１０から制御信号ＰＳＥＬが供給されうる。選択トランジスタ２４は、信号ＰＳＥＬに基づいて、増幅トランジスタ２３のソース電位に応じた画素信号を列信号線３に出力する。また、リセットトランジスタ２１のゲートには、垂直走査回路１０から制御信号ＰＲＥＳが供給されうる。リセットトランジスタ２１は、信号ＰＲＥＳに基づいて、増幅トランジスタ２３のゲートを電源電圧ＶＤＤに接続することによって増幅トランジスタ２３のゲート電位をリセットする。
【００１５】
なお、画素ＰＩＸの構成は本例に限られないことは言うまでもなく、画素ＰＩＸは、入射光の光量に応じた値の信号を出力する手段および該信号の値（或いは画素ＰＩＸ）をリセットないし初期化する手段等を備えていればよい。
【００１６】
定電流源２、列信号線３および信号増幅部４は、各列に対応するように配されており、各画素ＰＩＸからの画素信号ＰＩＸＯＵＴは、対応する列信号線３を介して信号増幅部４に出力される。
【００１７】
図２（ｂ）に例示されるように、信号増幅部４は、差動増幅器３０、入力容量Ｃ０、帰還容量Ｃｆ、スイッチ素子ＳＷ１及びスイッチ素子ＳＷ２を含む。入力容量Ｃ０の一方の端子は、画素ＰＩＸから列信号線３を介して出力された画素信号ＰＩＸＯＵＴを受ける。入力容量Ｃ０の他方の端子は、差動増幅器３０の反転入力端子（「−」で図示された入力端子）に接続される。差動増幅器３０の出力端子と反転入力端子との間には、第１の帰還経路を形成するように、帰還容量Ｃｆおよびスイッチ素子ＳＷ１が直列に配される。また、差動増幅器３０の出力端子と反転入力端子との間には、第２の帰還経路（第１の帰還経路と並列な経路）を形成するように、スイッチ素子ＳＷ２が配される。また、差動増幅器３０の非反転入力端子（「＋」で図示された入力端子）には電圧ＶＣ０Ｒが供給される。スイッチ素子ＳＷ２は、制御信号ＰＣ０Ｒにより制御され、導通状態になることにより信号増幅部４をリセットする（差動増幅器３０の反転入力端子と出力端子とを電圧ＶＣ０Ｒにする。）。信号増幅部４は、スイッチ素子ＳＷ１が導通状態かつスイッチ素子ＳＷ２が非導通状態のとき、画素信号ＰＩＸＯＵＴをＣ０／Ｃｆで定まるゲインにより増幅し、信号ＡＭＰＯＵＴとして出力する。
【００１８】
再び図１を参照すると、変換部１２において、コンパレータ５、メモリ部７およびセレクタ１３は、各列に対応するように配されうる。ランプジェネレータ６は、ランプ信号を生成する信号生成部に対応する。セレクタ１３は、詳細は後述とするが、ランプジェネレータ６から２種類のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ及びＶＲＡＭＰ＿Ｌの双方を受け、それらの一方を、信号ＡＭＰＯＵＴに基づいて選択してコンパレータ５に供給する。例えば、セレクタ１３は、信号ＡＭＰＯＵＴが基準値より大きいか否かに基づいて、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ及びＶＲＡＭＰ＿Ｌの一方を選択する。セレクタ１３は、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ及びＶＲＡＭＰ＿Ｌのいずれを用いるかを判定する判定部と称されてもよいし、或いは決定部と称されてもよい。ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ及びＶＲＡＭＰ＿Ｌは、単位時間当たりの信号値の変化量（傾き）が互いに異なる。コンパレータ５は、セレクタ１３から受けたランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ又はＶＲＡＭＰ＿Ｌと、信号ＡＭＰＯＵＴとを比較し、該比較の結果をメモリ部７に出力する。
【００１９】
メモリ部７には、時間の経過と共にカウントアップ（又はカウントダウン）するカウンタ値がカウンタ８から供給されており、コンパレータ５からの出力に基づいてカウンタ値を保持する。メモリ部７には、ラッチ回路が用いられてもよく、この観点では、コンパレータ５からの出力はラッチ信号ＬＡＴＣＨと表現されてもよい。メモリ部７に保持されたカウンタ値は、画素信号ＰＩＸＯＵＴのデジタル信号に対応し、このようにして、変換部１２は、画素信号ＰＩＸＯＵＴをアナログデジタル変換（ＡＤ変換）する。
【００２０】
各列のメモリ部７に保持されたカウンタ値（デジタル信号）は、水平走査回路９からの制御信号に基づいて水平転送され、出力部１１により画像データＰＩＣＴＯＵＴとして出力される。なお、出力部１１は、画像データＰＩＣＴＯＵＴのグレイコードをバイナリコードに変換する等の所定の信号処理ないしデータ処理を行ってもよい。
【００２１】
図３は、ランプジェネレータ６の具体的な回路構成の例を示している。ランプジェネレータ６は、単位時間当たりの信号値の変化量（傾き）が互いに異なる２種類のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ及びＶＲＡＭＰ＿Ｌを生成することが可能である。なお、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈは、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌよりも傾きが大きいものとする。また、ここでは、２種類のランプ信号を生成する態様を例示するが、３種類以上のランプ信号を生成してもよい。
【００２２】
ランプジェネレータ６は、例えば、電流源４０、トランジスタ４１〜４３及び４６〜４９、並びに、容量素子４４及び４５を含む。トランジスタ４１〜４３、４８及び４９には、例えばＰＭＯＳトランジスタが用いられうる。トランジスタ４６及び４７には、例えばＮＭＯＳトランジスタが用いられうる。また、容量素子４４及び４５の容量値は、本例では互いに等しいものとする。
【００２３】
トランジスタ４１は、電流源４０と共に電源ノードと接地ノードとの間に電流経路を形成するように配され、そのゲートおよびドレインは互いに接続されている。なお、接地ノードは、ここでは０［Ｖ］に固定されるべきノードとするが、電圧値が略一定となる基準電圧に固定されればよい。
【００２４】
トランジスタ４２及び４３のゲートはトランジスタ４１のゲートに接続されており、即ち、トランジスタ４１〜４３はカレントミラーを形成している。トランジスタ４１〜４３のサイズ比（ここでは、チャネル幅の比とする。）は、本例では、この順に１：１：２とする（ここで「この順に」とは、「トランジスタ４１、４２、４３の順に」の意である。以下、他のサイズ比についても同様とし、「この順に」と記載しない。）。この場合、トランジスタ４１に流れる電流量（電流源４０の電流量）をＩ＿ＲＡＭＰ１とすると、トランジスタ４２に流れる電流量はＩ＿ＲＡＭＰ１であり、トランジスタ４３に流れる電流量Ｉ＿ＲＡＭＰ２は
Ｉ＿ＲＡＭＰ２＝２×Ｉ＿ＲＡＭＰ１
となる。
【００２５】
トランジスタ４８は、トランジスタ４２と直列に且つ電流経路を形成するように配され、そのゲートで受けた制御信号ＰＲＡＭＰ＿ＥＮに基づいてトランジスタ４２を活性化または非活性化する。同様に、トランジスタ４９は、信号ＰＲＡＭＰ＿ＥＮに基づいてトランジスタ４３を活性化または非活性化する。
【００２６】
トランジスタ４８のドレインと接地ノードとの間には容量素子４４が配され、また、トランジスタ４６が、トランジスタ４８のドレインと接地ノードとの間に電流経路を形成するように（即ち、容量素子４４と並列に）配される。トランジスタ４６は、そのゲートで受けた制御信号ＰＲＡＭＰ＿ＲＥＳに基づいて容量素子４４を接地ノードに接続して初期化（リセット）する。換言すると、トランジスタ４６は容量素子４４の電荷を接地ノードに排出し、該接地ノードは、容量素子４４の電荷を排出するための電荷排出部に対応する。容量素子４４の電圧は、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌとして出力され、より詳細には後述するが、トランジスタ４６が導通状態になると、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌは初期値になる。
【００２７】
トランジスタ４６及び容量素子４４同様に、トランジスタ４９のドレインには、トランジスタ４７及び容量素子４５が接続され、容量素子４５の電圧は、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈとして出力される。そして、トランジスタ４７が導通状態になると、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈは初期値になる。詳細は後述とするが、容量素子４４及び４５の容量値が互いに等しい場合、トランジスタ４６及び４７は、トランジスタ４２及び４３のサイズ比（１：２）に対応する関係が成立するように構成され、即ち、トランジスタ４６及び４７のサイズ比は１：２である。
【００２８】
なお、トランジスタ４８及び４９は、それらのオン抵抗が比較的小さくなるように設けられうるが、そうでない場合には（或いはそうであっても）、これらのサイズ比も１：２にしてもよい。
【００２９】
まとめると、トランジスタ４６が非導通状態の下、トランジスタ４８が導通状態になると、トランジスタ４２により電流量Ｉ＿ＲＡＭＰ１の電流が容量素子４４に供給され、容量素子４４にはランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌに対応する電圧が発生する。また、トランジスタ４７が非導通状態の下、トランジスタ４９が導通状態になると、トランジスタ４３により電流量Ｉ＿ＲＡＭＰ２の電流が容量素子４５に供給され、容量素子４５にはランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈに対応する電圧が発生する。この観点で、トランジスタ４２、４３、４８及び４９は、電流供給部Ｕ＿ＣＳを形成しており、トランジスタ４２及び４３は、電流源（又は電流源素子）としてそれぞれ作用し、トランジスタ４８及び４９は、電流源制御部としてそれぞれ作用する。
【００３０】
ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌの傾きｍＬとし、容量素子４４の容量値をＣ４４とすると、傾きｍＬは、
ｍＬ＝Ｉ＿ＲＡＭＰ１／Ｃ４４
となる。ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈの傾きｍＨとし、容量素子４５の容量値をＣ４５とすると、傾きｍＨは、
ｍＨ＝Ｉ＿ＲＡＭＰ２／Ｃ４５
となる。本例では、
Ｃ４４＝Ｃ４５、
Ｉ＿ＲＡＭＰ２＝２×Ｉ＿ＲＡＭＰ１
であるため、
ｍＨ＝２×ｍＬ
である（即ち、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈは、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌより傾きが２倍大きい。）。このような構成により、容量素子４４及び４５は、ランプ信号に従う電圧を保持するための容量部Ｕ＿ＣＰを形成している。
【００３１】
そして、トランジスタ４６を導通状態にすることにより、容量素子４４が初期化され、即ち、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌは初期値になる。また、トランジスタ４７を導通状態にすることにより、容量素子４５が初期化され、即ち、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈは初期値になる。この観点で、トランジスタ４６及び４７は、容量部Ｕ＿ＣＰをリセットするためのリセット部Ｕ＿ＲＳ（スイッチ部と称されてもよい。）であって容量部Ｕ＿ＣＰの端子部であって電流供給部Ｕ＿ＣＳからの電流を受ける側の端子部に接続されたリセット部Ｕ＿ＲＳを形成している。トランジスタ４６が導通状態のとき（且つ、定常状態になったとき）、トランジスタ４６には電流値Ｉ＿ＲＡＭＰ１の電流が流れる。また、トランジスタ４７が導通状態のとき（且つ、定常状態になったとき）、トランジスタ４７には電流値Ｉ＿ＲＡＭＰ２（＝２×Ｉ＿ＲＡＭＰ１）の電流が流れる。即ち、リセット部Ｕ＿ＲＳは、リセットを行う際、電流供給部Ｕ＿ＣＳからの電流が容量部Ｕ＿ＣＰに流れないように他の電流経路を形成し、それにより、容量部Ｕ＿ＣＰの電圧を所定の値に維持する。該所定の値に電圧が維持された状態は、本明細書において、リセットされている状態またはリセットされた状態として説明される。
【００３２】
ここで、前述のとおり、トランジスタ４６及び４７のサイズ比は１：２である。よって、トランジスタ４６の導通状態時のオン抵抗をＲ４６とし、トランジスタ４７の導通状態時のオン抵抗をＲ４７としたとき、
Ｒ４７＝Ｒ４６／２
である。ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌの初期値をＶＲＡＭＰ＿Ｌ＿ＩＮＩとし、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈの初期値をＶＲＡＭＰ＿Ｈ＿ＩＮＩとすると、
ＶＲＡＭＰ＿Ｌ＿ＩＮＩ＝Ｉ＿ＲＡＭＰ１×Ｒ４６、
ＶＲＡＭＰ＿Ｈ＿ＩＮＩ＝Ｉ＿ＲＡＭＰ２×Ｒ４７
となる。ここで、
Ｉ＿ＲＡＭＰ２＝２×Ｉ＿ＲＡＭＰ１、
Ｒ４７＝Ｒ４６／２
であるので、
ＶＲＡＭＰ＿Ｈ＿ＩＮＩ＝ＶＲＡＭＰ＿Ｌ＿ＩＮＩ
である。
【００３３】
即ち、本例によると、傾きが互いに異なる２種類のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈを生成する構成において、それらの初期値を互いに等しくすることができる。具体的には、リセット部Ｕ＿ＲＳは、それを形成するトランジスタ４６及び４７の抵抗成分が電流供給部Ｕ＿ＣＳの電流の供給量に基づく抵抗値を有し、それによりランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈの初期値が互いに等しくなるように構成されている。
【００３４】
例えば、ここでは理解を容易にするため、トランジスタ４６及び４７のサイズ比が１：２の場合を例示した。しかしながら、トランジスタ４７のサイズをトランジスタ４６より大きくすれば、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈの初期値を互いに近付けることができ、結果としてＡＤ変換を高精度化することができる。即ち、容量素子４５から接地ノードまでのトランジスタ４７を通る電気的経路の抵抗値が、容量素子４４から接地ノードまでのトランジスタ４６を通る電気的経路の抵抗値よりも小さければよい。
【００３５】
以上の各構成要素は、その機能が適切に実現されるように構成されればよいことは言うまでもなく、その趣旨を逸脱しない範囲で、ここで例示された構成の一部または全部が変更されてもよい。
【００３６】
図４は、固体撮像装置１００ａの動作を説明するためのタイミングチャートの例を、ある１つの画素ＰＩＸに着目して示している。図中の横軸は時間軸を示す。また、縦軸には、前述の各信号（ＰＳＥＬ、ＰＲＥＳ、ＰＴＸ、ＰＣ０Ｒ、ＰＩＸＯＵＴ、ＡＭＰＯＵＴ、ＰＲＡＭＰ＿ＲＥＳ、ＰＲＡＭＰ＿ＥＮ、ＶＲＡＭＰ（ＶＲＡＭＰ＿Ｈ、ＶＲＡＭＰ＿Ｌ）およびＬＡＴＣＨ）を示すと共に制御信号ＣＯＭＰＲＥＳを示す。信号ＣＯＭＰＲＥＳは、コンパレータ５のリセットに用いられ、信号ＣＯＭＰＲＥＳがＨレベルになることによりコンパレータ５はリセットされる。
【００３７】
なお、ランプ信号ＶＲＡＭＰの波形については、コンパレータ５による比較動作を分かりやすくするため、信号ＡＭＰＯＵＴの波形（二点鎖線の波形）と重ねて示す。また、以下において、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ又はＶＲＡＭＰ＿Ｌのいずれかを特に区別しない場合には単に「ＶＲＡＭＰ」と示す場合がある。
【００３８】
時刻ｔ４００では、信号ＰＳＥＬをローレベル（Ｌレベル）からハイレベル（Ｈレベル）にすることにより上記画素ＰＩＸが属する１行を選択し、より具体的には、該１行の各画素ＰＩＸ（上記画素ＰＩＸを含む。）の選択トランジスタ２４を導通状態にする。なお、時刻ｔ４００では、信号ＰＲＥＳはＨレベルであり、増幅トランジスタ２３のゲート電位はリセットトランジスタ２１によりリセットされている。また、時刻ｔ４００では、信号ＰＲＡＭＰ＿ＲＥＳはＨレベルであり、ランプジェネレータ６の容量素子４４及び４５はそれぞれトランジスタ４６及び４７により接地ノードに接続されており、それらの電圧は実質的に０［Ｖ］である。
【００３９】
時刻ｔ４０１では、信号ＰＲＥＳをＨレベルからＬレベルにし、それに応じて増幅トランジスタ２３のゲート電位のリセットが解除され、該ゲート電位が変化する。ここで、信号ＰＳＥＬはＨレベルであり（選択トランジスタ２４は導通状態であり）、よって、増幅トランジスタ２３のゲート電位の変化に伴って、画素信号ＰＩＸＯＵＴが変化する（本例では下がる）。また、時刻ｔ４０１では信号ＰＣ０ＲをＨレベルからＬレベルにすることによって信号増幅部３０のリセット状態が解除され、その結果、画素信号ＰＩＸＯＵＴの変化に伴って信号ＡＭＰＯＵＴが変化する（本例では上がる）。
【００４０】
画素信号ＰＩＸＯＵＴ（及びそれに伴う信号ＡＭＰＯＵＴ）が収束したときの時刻を時刻ｔ４０２とする。ここでの画素信号ＰＩＸＯＵＴは、フォトダイオード２０の蓄積電荷が転送トランジスタ２２によって増幅トランジスタ２３のゲートに転送される前の信号に対応し、画素ＰＩＸにおける暗電流成分を含む。以下、この信号を本明細書において「Ｎ信号」という。即ち、Ｎ信号は、信号ＰＲＥＳによって初期化された画素ＰＩＸの信号であり、画素信号ＰＩＸＯＵＴの初期値とも言える。
【００４１】
時刻ｔ４０３では、信号ＣＯＭＰＲＥＳを所定期間にわたってＨレベルにし、コンパレータ５をリセットする。
【００４２】
時刻ｔ４０４では、信号ＰＲＡＭＰ＿ＥＮをＨレベルからＬレベルにする。これにより、トランジスタ４８及び４９が導通状態になり、電流値Ｉ＿ＲＡＭＰ１及びＩ＿ＲＡＭＰ２の電流が容量素子４４及び４５にそれぞれ供給される。時刻ｔ４０４では、信号ＰＲＡＭＰ＿ＲＥＳはＨレベルのままであり、ランプジェネレータ６の容量素子４４及び４５は、それぞれ、トランジスタ４６及び４７により接地ノードに接続されている。ここで、トランジスタ４６及び４７には、定常状態では、電流値Ｉ＿ＲＡＭＰ１及びＩ＿ＲＡＭＰ２（＝２×Ｉ＿ＲＡＭＰ１）の電流がそれぞれ流れる。前述のとおり、トランジスタ４６及び４７のサイズ比を１：２にしている。そのため、時刻ｔ４０４でのトランジスタ４６及び４７のドレインの電位（即ち、容量素子４４及び４５の電圧）は、互いに略等しい（前述の初期値ＶＲＡＭＰ＿Ｌ＿ＩＮＩ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈ＿ＩＮＩにそれぞれ対応する。）。
【００４３】
時刻ｔ４０５では、信号ＰＲＡＭＰ＿ＲＥＳをＨレベルからＬレベルにしてトランジスタ４６及び４７を非導通状態にする。これにより、容量素子４４及び４５が接地ノードから電気的に遮断され、容量素子４４及び４５の初期化が解除される。そして、電流値Ｉ＿ＲＡＭＰ１及びＩ＿ＲＡＭＰ２の電流が容量素子４４及び４５にそれぞれ更に供給され、ランプ信号ＶＲＡＭＰの生成が開始される。また、ランプ信号ＶＲＡＭＰの生成の開始と実質的に同時に、例えばクロック信号等を用いて、カウンタ８により時間の計測が開始される。即ち、時刻ｔ４０５は、Ｎ信号（実際にはＮ信号に対応する信号ＡＭＰＯＵＴ）のＡＤ変換の開始の時刻ともいえる。Ｎ信号の信号値は比較的小さいため、本例では、傾きが小さいランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌを用いてＡＤ変換を行う。
【００４４】
ここで、時刻ｔ４０４からその後の時刻ｔ４０５までの期間（トランジスタ４６及び４７によりランプ信号ＶＲＡＭＰを初期値に維持する期間）を設けることにより、時刻ｔ４０５以降に生成されるランプ信号ＶＲＡＭＰの線形性を向上させることができる。或いは、該期間を設けることにより、ランプ信号ＶＲＡＭＰの生成開始時のノイズを低減することができる。
【００４５】
ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌと信号ＡＭＰＯＵＴとの大小関係が逆転する時刻を時刻ｔ４０６とする。これにより、コンパレータ５の出力であるラッチ信号ＬＡＴＣＨがＬレベルからＨレベルになる。信号ＬＡＴＣＨがＨレベルになったことに応答して、メモリ部７は、カウンタ８のカウンタ値を保持する。該保持されたカウンタ値は、Ｎ信号のデジタル信号を取得するのに用いられ、より具体的には、Ｎ信号のデジタル信号は、例えば、該保持されたカウンタ値と、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌの傾きｍＬとに基づいて取得されうる。
【００４６】
時刻ｔ４０７では、信号ＰＲＡＭＰ＿ＲＥＳ及びＰＲＡＭＰ＿ＥＮをＬレベルからＨレベルにしてランプ信号ＶＲＡＭＰの生成を中止し、ランプ信号ＶＲＡＭＰの信号値（容量素子４４及び４５の電圧）は実質的に０［Ｖ］となる。また、ランプ信号ＶＲＡＭＰの生成の中止と実質的に同時に、カウンタ８による時間の計測は中止され、カウンタ値は初期化されうる。
【００４７】
次に、時刻ｔ４０８では、信号ＰＴＸを所定期間にわたってＨレベルにして転送トランジスタ２２を導通状態にし、それにより、フォトダイオード２０の蓄積電荷を転送トランジスタ２２によって増幅トランジスタ２３のゲートに転送する。該転送された電荷によって増幅トランジスタ２３のゲート電位が変化し、それに伴って、画素信号ＰＩＸＯＵＴが変化し（本例では下がり）、信号ＡＭＰＯＵＴが変化する（本例では上がる）。ここでの画素信号ＰＩＸＯＵＴは、フォトダイオード２０の蓄積電荷が増幅トランジスタ２３のゲートに転送された後の信号に対応し、前述の暗電流成分の他、画素ＰＩＸへの入射光の光量に相当する信号成分を含む。以下、この信号を本明細書において「Ｓ信号」という。即ち、Ｓ信号は、該入射光の光量に相当する値の信号と、前述のＮ信号とを含む信号である。
【００４８】
なお、上記信号ＰＴＸをＨレベルに維持する期間（転送トランジスタ２２を導通状態に維持する期間）は、フォトダイオード２０から増幅トランジスタ２３のゲートへの電荷の転送に充分な時間であればよい。
【００４９】
時刻ｔ４０９では、時刻ｔ４０４同様、信号ＰＲＡＭＰ＿ＥＮをＨレベルからＬレベルにし、ランプ信号ＶＲＡＭＰ（容量素子４４及び４５の電圧）を初期値（ＶＲＡＭＰ＿Ｌ＿ＩＮＩ（＝ＶＲＡＭＰ＿Ｈ＿ＩＮＩ））にする。
【００５０】
時刻ｔ４１０では、時刻ｔ４０５同様、信号ＰＲＡＭＰ＿ＲＥＳをＨレベルからＬレベルにし、ランプ信号ＶＲＡＭＰの生成を開始する。また、ランプ信号ＶＲＡＭＰの生成の開始と実質的に同時に、カウンタ８による時間の計測が開始される。即ち、時刻ｔ４１０は、Ｓ信号（実際にはＳ信号に対応する信号ＡＭＰＯＵＴ）のＡＤ変換の開始の時刻ともいえる。Ｓ信号の信号値は前述のＮ信号に比べて大きいため、本例では、傾きが大きいランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈを用いてＡＤ変換を行う。
【００５１】
図中には、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌについても示されており、Ｓ信号の信号値が比較的小さかった場合には、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌを用いてＳ信号のＡＤ変換を行ってもよい。このことは、例えば、信号ＡＭＰＯＵＴの信号値に基づいて（基準値より大きいか否かに基づいて）セレクタ１３によりランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈの一方を選択し、該選択された一方をコンパレータ５に供給することにより実現されうる。
【００５２】
なお、詳細は後述とするが、時刻ｔ４０９以降において、比較例のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ’の波形を破線で図示している。比較例のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ’は、その初期値がランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌの初期値ＶＲＡＭＰ＿Ｌ＿ＩＮＩと一致していない。
【００５３】
ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈと信号ＡＭＰＯＵＴとの大小関係が逆転する時刻を時刻ｔ４１１とする。これにより、コンパレータ５の出力であるラッチ信号ＬＡＴＣＨがＬレベルからＨレベルになり、それに応答して、メモリ部７は、カウンタ８のカウンタ値を保持する。該保持されたカウンタ値は、Ｓ信号のデジタル信号を取得するのに用いられ、より具体的には、Ｓ信号のデジタル信号は、例えば、該保持されたカウンタ値と、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈの傾きｍＨとに基づいて取得されうる。
【００５４】
時刻ｔ４１２では、時刻ｔ４０７同様、信号ＰＲＡＭＰ＿ＲＥＳ及びＰＲＡＭＰ＿ＥＮをＬレベルからＨレベルにしてランプ信号ＶＲＡＭＰの生成を中止する。
【００５５】
即ち、時刻ｔ４０４〜ｔ４０５は、ランプ信号ＶＲＡＭＰ（特にＶＲＡＭＰ＿Ｌ）を生成するための準備期間に相当し、時刻ｔ４０５〜ｔ４０７は、生成されたランプ信号ＶＲＡＭＰを用いたＮ信号のＡＤ変換期間に相当する。また、時刻ｔ４０９〜ｔ４１０は、ランプ信号ＶＲＡＭＰ（特にＶＲＡＭＰ＿Ｈ）を生成するための準備期間に相当し、時刻ｔ４１０〜ｔ４１２は、生成されたランプ信号ＶＲＡＭＰを用いたＳ信号のＡＤ変換期間に相当する。
【００５６】
その後、このようにして得られたＮ信号及びＳ信号のデジタル信号の差を算出し、Ｓ信号に含まれるノイズ成分をキャンセルする。前述のとおり、Ｎ信号のデジタル信号は、該Ｎ信号のＡＤ変換時のメモリ部７のカウンタ値と、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌの傾きｍＬとに基づいて算出されうる。また、Ｓ信号のデジタル信号は、該Ｓ信号のＡＤ変換時のメモリ部７のカウンタ値と、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈの傾きｍＨとに基づいて算出されうる。これにより、上述の２つのデジタル信号を取得するのに傾きが互いに異なる２種類のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈを用いた場合でも、Ｓ信号に相当するノイズ成分を適切にキャンセルすることができる。他の例では、Ｎ信号のデジタル信号には、該Ｎ信号のＡＤ変換時のメモリ部７のカウンタ値を採用し、且つ、Ｓ信号のデジタル信号には、該Ｓ信号のＡＤ変換時のメモリ部７のカウンタ値を所定の係数（傾きの比ｍＬ／ｍＨ）で変換したものを採用してもよい。
【００５７】
以上の信号処理は、画素アレイ１の各画素ＰＩＸから出力された画素信号ＰＩＸＯＵＴについて順に為され、このようにして得られたデジタル信号の群は、その後、出力部１１により画像データＰＩＣＴＯＵＴとして出力される。
【００５８】
ところで、本例では、Ｎ信号のＡＤ変換にランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌを用い且つＳ信号のＡＤ変換にランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈを用いる場合を例示した。前述のとおり、本実施形態によると、トランジスタ４６及び４７のサイズ比を１：２にしたことにより、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈの初期値は互いに略等しい。よって、本実施形態によると、Ｎ信号及びＳ信号のそれぞれについてのＡＤ変換（特にカウンタ８による時間の計測）は、互いに等しい条件で開始されたとも言える。
【００５９】
ここで、Ｓ信号のＡＤ変換に上記比較例のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ’が用いられた場合について考える。比較例のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ’は、本例のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈの傾きｍＨを有し、且つ、初期値がランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌの初期値ＶＲＡＭＰ＿Ｌ＿ＩＮＩと異なる。このことは、例えば、トランジスタ４６及び４７を１：１のサイズ比で構成した場合等に生じうる。この場合、Ｎ信号についてのＡＤ変換と、Ｓ信号についてのＡＤ変換とは、互いに異なる条件で開始されてしまう。その結果、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ’と信号ＡＭＰＯＵＴとの大小関係が逆転する時刻（信号ＬＡＴＣＨがＨレベルになる時刻）が、本来の時刻ｔ４１１からシフトしてしまう（図中の時刻ｔ４１１’になってしまう。）。このことは、即ち、Ｓ信号のデジタル信号の値に誤差が生じることと等価であり、それにより、Ｎ信号及びＳ信号のデジタル信号の差を算出してＳ信号に含まれるノイズ成分を適切にキャンセルできなくなる可能性がある。そして、このことは、ＡＤ変換の精度の低下の原因となり得、画像データＰＩＣＴＯＵＴにより形成される画像の品質の低下をもたらしうる。
【００６０】
一方、本実施形態によると、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈの初期値が互いに略等しく、Ｓ信号のデジタル信号の値に生じうる上記誤差を低減し、又は、実質的になくすことができる。よって、本実施形態によると、上記２種類のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈのいずれを用いた場合でもＡＤ変換を高精度に行うことができ、画像の品質を維持することができる。ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈの初期値ＶＲＡＭＰ＿Ｈ＿ＩＮＩは、好適には、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌの初期値ＶＲＡＭＰ＿Ｌ＿ＩＮＩの±２０％の範囲内（より好適には±１０％の範囲内）となるとよい。
【００６１】
ここでは、Ｎ信号のＡＤ変換にランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌを用い、Ｓ信号のＡＤ変換ではランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈの一方をセレクタ１３により選択して用いる構成を例示した。しかし、本発明は、この例に限定されるものでないことは言うまでもなく、例えば、Ｓ信号のＡＤ変換には、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈが固定的に用いられてもよい。この場合、ランプジェネレータ６は、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈの双方を生成する必要はなく、これらのうち使用する一方を選択的に生成すればよい。
【００６２】
また、ここでは、ランプ信号を初期値に維持している間、リセット部Ｕ＿ＲＳを形成するトランジスタ４６及び４７のドレインの電位が互いに等しくなるようにする手段の一例として、トランジスタ４６及び４７のサイズ比を調整した。ここでは、サイズ比をチャネル幅の比としたが、サイズ比は、チャネル幅の比に限られず、ＭＯＳトランジスタを構成する各要素の寸法（例えば、チャネル長、ゲート絶縁膜の膜厚等、トランジスタのオン抵抗に関連するパラメータ）の比を含みうる。
【００６３】
他の例では、トランジスタ４６及び４７のゲートに供給される制御信号の信号レベルを変えることによっても、トランジスタ４６及び４７のドレインの電位を互いに等しくすることが可能である。即ち、トランジスタ４６及び４７は、それらの駆動力（電流を流す能力）が電流値Ｉ＿ＲＡＭＰ１及びＩ＿ＲＡＭＰ２にそれぞれ対応し、それによりトランジスタ４６及び４７のドレインの電位が互いに等しくなるように構成されればよい。換言すると、トランジスタ４６及び４７により形成されるリセット部Ｕ＿ＲＳに流れる電流の量は、電流供給部Ｕ＿ＣＳの電流供給量（電流値Ｉ＿ＲＡＭＰ１及びＩ＿ＲＡＭＰ２）に基づいて、ドレインの電位が互いに等しくなるように調整されている。
【００６４】
（第２実施形態）
図５は、第２実施形態に係る固体撮像装置１００ｂの構成例を示すブロック図である。固体撮像装置１００ｂは、画素アレイ１及びランプジェネレータ６にそれぞれ代替して、画素アレイ１’及びランプジェネレータ６’を備える。
【００６５】
図６は、画素アレイ１’の構成例を図２（ａ）同様に示している。画素アレイ１’は、アレイ状に配列された複数の画素ＰＩＸ’を含む。画素ＰＩＸ’は、２つのフォトダイオード（２０Ａ、２０Ｂ）と２つの転送トランジスタ（２２Ａ、２２Ｂ）とを含む、という点で前述の画素ＰＩＸ（図２（ａ）参照）と異なる。また、制御信号ＰＴＸＡ及びＰＴＸＢは、転送トランジスタ２２Ａ及び２２Ｂにそれぞれ対応する。本画素構成によると、撮像用の画素信号の他、焦点検出用の画素信号を得ることができる。
【００６６】
例えば、まず、前述の第１実施形態と同様の手順でＮ信号を取得する。その後、一方のフォトダイオード２０Ａでの蓄積電荷を転送トランジスタ２２Ａにより増幅トランジスタ２３のゲートに転送し（それに伴って該ゲートの電位が変化し）、それから前述の第１実施形態のＳ信号を取得する際と同様の手順で画素信号を取得する。即ち、該画素信号は、フォトダイオード２０Ａからの電荷の量に対応する信号（「ＳＡ信号」とする）である。
【００６７】
次に、他方のフォトダイオード２０Ｂでの蓄積電荷を転送トランジスタ２２Ｂにより増幅トランジスタ２３のゲートに転送し（それに伴って該ゲートの電位は更に変化し）、それから同様の手順で画素信号を取得する。即ち、該画素信号は、フォトダイオード２０Ａからの電荷の量と、フォトダイオード２０Ｂからの電荷の量とを加算した量に対応する信号（「ＳＡＢ信号」とする）である。換言すると、ＳＡＢ信号は、上記ＳＡ信号と、フォトダイオード２０Ｂからの電荷の量に対応する信号（「ＳＢ信号」とする）とを加算した信号である。
【００６８】
このようにしてＮ信号、ＳＡ信号およびＳＡＢ信号のそれぞれのデジタル信号が得られた後、例えば、Ｎ信号とＳＡ信号との差（より具体的にはデジタル信号の差。以下、単に「差」という場合がある。）を算出してＳＡ信号に含まれるノイズ成分をキャンセルし、第１の焦点検出用の画素信号を取得する。また、Ｎ信号とＳＡＢ信号との差を算出してＳＡＢ信号に含まれるノイズ成分をキャンセルし、撮像用の画素信号を取得する。更に、ＳＡ信号とＳＡＢ信号との差を算出して、ＳＢ信号（厳密にはノイズ成分がキャンセルされたＳＢ信号）を、第２の焦点検出用の画素信号として取得する。ノイズ成分がキャンセルされたＳＡ信号およびＳＢ信号（第１及び第２の焦点検出用の画素信号）は、位相差検出法に基づく焦点検出を行うのに用いられる。
【００６９】
なお、ここでは、多様な変形例の１つとして画素ＰＩＸ’を用いるが、前述の画素ＰＩＸ（図２（ａ）参照）が用いられてもよいことは言うまでもなく、目的等に応じて画素構成は変更されてもよい。また、他の例では、画素アレイ１における一部の画素ＰＩＸが画素ＰＩＸ’に置き換えられてもよい。
【００７０】
図７は、ランプジェネレータ６’の構成例を図３同様に示している。ランプジェネレータ６’では、単一の容量素子４４が配されており（容量素子４５は配されておらず）、容量素子４４はトランジスタ４８及び４９に共通に接続され且つトランジスタ４６及び４７に共通に接続されている。また、トランジスタ４８及び４９は、互いに異なる制御信号ＰＲＡＭＰ＿ＥＮ１及びＰＲＡＭＰ＿ＥＮ２によりそれぞれ制御される。また、トランジスタ４６及び４７は、互いに異なる制御信号ＰＲＡＭＰ＿ＲＥＳ１及びＰＲＡＭＰ＿ＲＥＳ２によりそれぞれ制御される。
【００７１】
ランプジェネレータ６’によると、トランジスタ４８及び４９は個別に駆動され、また、トランジスタ４６及び４７は個別に駆動される。即ち、トランジスタ４８及び／又は４９を制御することにより、対応するトランジスタ４２及び／又は４３が活性化され、該活性化されたトランジスタ４２及び／又は４３により容量素子４４に電流が供給される。また、トランジスタ４６及び／又は４７を制御することにより、容量素子４４の電圧を初期化することができる。本例では、トランジスタ４２及び４３のサイズ比を１：１とし、即ち、トランジスタ４２に流れる電流の値とトランジスタ４３に流れる電流の値とは実質的に等しい（即ち、Ｉ＿ＲＡＭＰ２＝Ｉ＿ＲＡＭＰ１）。トランジスタ４６及び４７は、トランジスタ４２及び４３のサイズ比（１：１）に対応する関係が成立するように構成され、即ち、トランジスタ４６及び４７のサイズ比は１：１である。
【００７２】
図８は、固体撮像装置１００ｂの動作を説明するためのタイミングチャートの例を図４同様に示している。時刻ｔ８００〜ｔ８０７については、前述の時刻ｔ４００〜ｔ４０７と同様である。時刻ｔ８０５〜ｔ８０７のＮ信号のＡＤ変換には、傾きが小さいランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌが用いられる。
【００７３】
時刻ｔ８０８では、２つのフォトダイオード２０Ａ及び２０Ｂのうちの一方（ここでは２０Ａ）について蓄積電荷の転送を行う、という点を除いて、前述の時刻ｔ４０８同様である。これにより、該一方のフォトダイオード２０Ａからの電荷の量に相当する量だけ、画素信号ＰＩＸＯＵＴ（及びそれに伴う信号ＡＭＰＯＵＴ）の電位が変化する。
【００７４】
時刻ｔ８０９〜ｔ８１２は、上記一方のフォトダイオード２０Ａからの電荷の量に対応するＳＡ信号をＡＤ変換する、という点を除いて、前述の時刻ｔ４０９〜ｔ４１２同様である。ＳＡ信号のＡＤ変換では、傾きが大きいランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈが用いられる。なお、詳細は後述とするが、時刻ｔ８０９からその後の時刻８１２までの期間において、前述の第１実施形態でも述べた比較用のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ’の波形を破線で図示している。
【００７５】
時刻ｔ８１３では、２つのフォトダイオード２０Ａ及び２０Ｂのうちの他方（ここでは２０Ｂ）について蓄積電荷の転送を行う、という点を除いて、前述の時刻ｔ４０８同様である。これにより、該他方のフォトダイオード２０Ｂからの電荷の量に相当する量だけ、画素信号ＰＩＸＯＵＴ（及びそれに伴う信号ＡＭＰＯＵＴ）の電位が更に変化する。即ち、時刻ｔ８０８以前（蓄積電荷の転送を行う前）からの画素信号ＰＩＸＯＵＴの総変化量は、一方のフォトダイオード２０Ａからの電荷の量と、他方のフォトダイオード２０Ｂからの電荷の量とを加算した量に対応する。
【００７６】
時刻ｔ８１４〜ｔ８１７は、フォトダイオード２０Ａからの電荷の量と、フォトダイオード２０Ｂからの電荷の量とを加算した量に対応するＳＡＢ信号をＡＤ変換する、という点を除いて、時刻ｔ８０４〜ｔ８０７同様である。ＳＡＢ信号については、ＳＡＢ信号による画像の品質への影響がＳＡ信号に比べて大きいため、本例では、傾きが小さいランプ信号ＶＲＡＭＰ＿ＬをＳＡＢ信号のＡＤ変換に用いた。
【００７７】
その後、このようにして得られたＮ信号、ＳＡ信号およびＳＡＢ信号のデジタル信号を用いて、前述のとおり、撮像用の画素信号、並びに、第１及び第２の焦点検出用の画素信号をそれぞれ取得すればよい。
【００７８】
ここで、時刻ｔ８０９〜ｔ８１２において、ＳＡ信号のＡＤ変換に上記比較例のランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ’が用いられた場合、Ｎ信号についてのＡＤ変換と、Ｓ信号についてのＡＤ変換とは、互いに異なる条件で開始されてしまう。その結果、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ’と信号ＡＭＰＯＵＴとの大小関係が逆転する時刻（信号ＬＡＴＣＨがＨレベルになる時刻）が、本来の時刻ｔ８１１からシフトしてしまう（図中の時刻ｔ８１１’になってしまう。）。そのため、前述同様、ＳＡ信号に含まれるノイズ成分を適切にキャンセルできなくなり、ＡＤ変換の精度が低下する可能性がある。これに対して、本実施形態によると、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈの初期値が互いに略等しいため、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＲＡＭＰ＿Ｈのいずれを用いた場合でもＡＤ変換を高精度に行うことができる。
【００７９】
本実施形態では、ＡＤ変換において、Ｎ信号については信号値が比較的小さいためランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌを使用したのに対して、ＳＡ信号については信号値が比較的大きいためランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈを使用した。一方、ＳＡＢ信号については、ＳＡＢ信号による画像の品質への影響がＳＡ信号に比べて大きいため、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌを使用した。しかしながら、本発明は、この態様に限られるものでないことは言うまでもなく、ＳＡＢ信号についてもランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈが使用されてもよい。
【００８０】
また、ここでは、電流供給部Ｕ＿ＣＳを形成するトランジスタ４２及び４３のサイズ比を１：１としたが、これらのサイズを互いに異なるものにし、生成可能なランプ信号の種類を多くしてもよい。例えば、上記サイズ比を１：２にした場合、トランジスタ４３のみを活性化させたときのランプ信号の傾きは、トランジスタ４２のみを活性化させたときの略２倍になる。更に、トランジスタ４２及び４３の双方を活性化させたときのランプ信号の傾きは、トランジスタ４２のみを活性化させたときの略３倍になる。この場合、リセット部Ｕ＿ＲＳを形成するトランジスタ４６及び４７のサイズ比も１：２にし、これらは、トランジスタ４２及び４３のいずれが活性化されたかに応じてそれぞれ制御されればよい。なお、電流供給部Ｕ＿ＣＳおよびリセット部Ｕ＿ＲＳを形成するトランジスタの数を増やすことにより、さらに多くの種類のランプ信号を生成することが可能である。
【００８１】
また、ここでは、ランプジェネレータ６’を用いた態様を例示したが、本実施形態においても前述のランプジェネレータ６（図３参照）が適用されてもよいことは言うまでもない。その場合には、例えばセレクタ１３により、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ及びＶＲＡＭＰ＿Ｌの一方が、上記ＳＡＢ信号等の信号値に基づいて選択されればよい。
【００８２】
（第３実施形態）
図１０は、第３実施形態に係る固体撮像装置１００ｃの構成を示すブロック図である。固体撮像装置１００ｃは、前述の第１実施形態の固体撮像装置１００ａのセレクタ１３に代替して、セレクタ１３＿１を備える。セレクタ１３＿１は、基準電圧ＶＲＥＦ（所定値）を比較部５に供給する機能を備え、比較部５は、信号ＡＭＰＯＵＴと基準電圧ＶＲＥＦとのいずれの電圧が高いかの判定を行う。比較部５での判定結果はセレクタ１３＿１に出力され、セレクタ１３＿１は、該判定結果に基づいてランプ信号ＶＲＡＭＰ＿ＨおよびＶＲＡＭＰ＿Ｌのいずれかを選択して比較部５に出力する。
【００８３】
図１１は、固体撮像装置１００ｃの動作を説明するためのタイミングチャートの例を図４同様に示している。時刻ｔ１１００〜ｔ１１０８については前述の時刻ｔ４００〜ｔ４０８と同様である。
【００８４】
時刻ｔ１１０９では、セレクタ１３＿１は基準電圧ＶＲＥＦを選択して比較部５に出力する。比較部５は、基準電圧ＶＲＥＦとＳ信号の信号ＡＭＰＯＵＴとを比較する。信号ＡＭＰＯＵＴが基準電圧ＶＲＥＦよりも電圧が低い場合、比較部５の出力であるラッチ信号ＬＡＴＣＨはＬレベルからＨレベルになる。これに応答してセレクタ１３＿１は、Ｓ信号のＡＤ変換期間にランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌを選択して比較部５に出力する。一方、信号ＡＭＰＯＵＴが基準電圧ＶＲＥＦよりも電圧が高い場合、比較部５の出力であるラッチ信号ＬＡＴＣＨはＬレベルのままであり、セレクタ１３＿１は、Ｓ信号のＡＤ変換期間にランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈを選択して比較部５に出力する。即ち、時刻ｔ１１０９以降、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿ＨおよびＶＲＡＭＰ＿ＬのいずれをＳ信号のＡＤ変換期間に使用するかが判定される。
【００８５】
時刻ｔ１１１０では、セレクタ１３＿１は基準電圧ＶＲＥＦの出力を終了し、これにより上記判定の終了となる。その後の時刻ｔ１１１１〜ｔ１１１４については前述の時刻ｔ４０９〜ｔ４１２と同様である。
【００８６】
本実施形態によると、セレクタ１３＿１には信号ＡＭＰＯＵＴが基準値より大きいかどうかを判定する機能は必要なく、代わりに比較部５が上述の判定を行う。本実施形態によると、第１実施形態同様の効果が得られる他、セレクタ１３＿１には上述の判定を行う機能が必要ないため、セレクタ１３＿１の回路構成を簡略化することができる。
【００８７】
（第４実施形態）
図１２は、第４実施形態に係る固体撮像装置１００ｄの構成を示すブロック図である。固体撮像装置１００ｄは、前述の第３実施形態の固体撮像装置１００ｃのセレクタ１３＿１及びランプジェネレータ６にそれぞれ代替して、セレクタ１３＿２及びランプジェネレータ６”を備える。
【００８８】
セレクタ１３＿２は、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊを比較部５に供給する機能を備え、比較部５は、信号ＡＭＰＯＵＴとランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊとのいずれの電圧が高いかの判定を行う。比較部５での判定結果はセレクタ１３＿２に出力され、セレクタ１３＿２は、該判定結果に基づいてランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ及びＶＲＡＭＰ＿Ｌのいずれかを選択して比較部５に出力する。
【００８９】
図１３は、ランプジェネレータ６”の構成例を図３同様に示している。ランプジェネレータ６”は、ランプジェネレータ６の構成にトランジスタ５０、５２及び５３、並びに、容量素子５１が追加されたものであり、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈ及びＶＲＡＭＰ＿Ｌの他、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊを生成することができる。
【００９０】
トランジスタ４２、４３及び５０のゲートは、トランジスタ４１のゲートに接続されており、即ち、トランジスタ４１、４２、４３及び５０はカレントミラーを形成している。トランジスタ４１、４２、４３及び５０のサイズ比は、例えば１：１：２：４とする。トランジスタ４２に流れる電流量をＩ＿ＲＡＭＰ１とし、トランジスタ５０に流れる電流量をＩ＿ＲＡＭＰ３とすると、Ｉ＿ＲＡＭＰ３は、
Ｉ＿ＲＡＭＰ３＝４×Ｉ＿ＲＡＭＰ１
となる。
【００９１】
トランジスタ５３は、トランジスタ５０と直列に且つ電流経路を形成するように配され、そのゲートで受けた制御信号ＰＲＡＭＰ＿Ｊ＿ＥＮに基づいて、トランジスタ５０を活性化または非活性化する。
【００９２】
トランジスタ５３のドレインと接地ノードとの間には、容量素子５１が配され、また、トランジスタ５３のドレインと接地ノードとの間には、トランジスタ５２が電流経路を形成するように配される。トランジスタ５２は、そのゲートで受けた制御信号ＰＲＡＭＰ＿Ｊ＿ＲＥＳに基づいて、容量素子５１を接地ノードに接続して初期化する。容量素子４４、４５及び５１の容量値が互いに等しい場合、トランジスタ４６、４７及び５２のサイズ比は、トランジスタ４２、４３及び５０のサイズ比に対応するように構成され、即ち、トランジスタ４６、４７及び５２のサイズ比は１：２：４である。このような構成によると、第１実施形態と同様、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ、ＶＲＡＭＰ＿Ｈ及びＶＲＡＭＰ＿Ｊの初期値が互いに等しくなるように構成されている。
【００９３】
トランジスタ４６、４７及び５２のサイズ比をトランジスタ４２、４３及び５０のサイズ比に対応するように構成することで、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌ及びＶＬＡＭＰ＿Ｈの初期値に、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊの初期値を合わせることができる。これにより、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊの傾きと、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈの傾き（あるいはランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌの傾き）との違いに起因する前述の第３実施形態の基準電圧ＶＲＥＦに相当する所定値ないし基準値の変動を生じにくくすることができる。
【００９４】
図１４は、固体撮像装置１００ｄの動作を説明するためのタイミングチャートの例を図４同様に示している。時刻ｔ１４００〜ｔ１４０８については前述の時刻ｔ４００〜ｔ４０８と同様である。
【００９５】
時刻ｔ１４０９〜ｔ１４１２では、セレクタ１３＿２は、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊを選択して比較部５に出力する。時刻ｔ１４０９では、信号ＰＲＡＭＰ＿Ｊ＿ＥＮをＨレベルからＬレベルにし、これにより、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊ（容量素子５１の電圧）を初期値にする。時刻ｔ１４１０では、信号ＰＲＡＭＰ＿Ｊ＿ＲＥＳをＨレベルからＬレベルにし、これにより、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊの生成を開始する。
【００９６】
時刻ｔ１４１１では、信号ＰＲＡＭＰ＿Ｊ＿ＥＮをＬレベルからＨレベルにし、これにより、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊの電圧変化が止まる。時刻ｔ１４１１でのランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊは、前述の実施形態３の基準電圧ＶＲＥＦに相当する。比較部５は、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿ＪとＳ信号の信号ＡＭＰＯＵＴとを比較する。信号ＡＭＰＯＵＴがランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊよりも電圧が低い場合、比較部５の出力であるラッチ信号ＬＡＴＣＨはＬレベルからＨレベルになる。これに応答してセレクタ１３＿１は、Ｓ信号のＡＤ変換期間にランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｌを選択して比較部５に出力する。信号ＡＭＰＯＵＴがランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊよりも電圧が高い場合、比較部５の出力であるラッチ信号ＬＡＴＣＨはＬレベルのままであり、セレクタ１３＿１は、Ｓ信号のＡＤ変換期間にランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｈを選択して比較部５に出力する。即ち、時刻ｔ１４１１以降、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿ＨおよびＶＲＡＭＰ＿ＬのいずれをＳ信号のＡＤ変換期間に使用するかが判定される。
【００９７】
時刻ｔ１４１２では、信号ＰＲＡＭＰ＿Ｊ＿ＲＥＳをＬレベルからＨレベルにし、これにより、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊの信号値は実質的に０[Ｖ]となる。セレクタ１３＿２は、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊの出力を終了し、これにより上記判定の終了となる。その後の時刻ｔ１４１３〜ｔ１４１６については前述の時刻ｔ４０９〜ｔ４１２と同様である。
【００９８】
本実施形態では、前述の第３実施形態の基準電圧ＶＲＥＦに相当する基準値としてランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊを固体撮像装置内で生成する。そのため、固体撮像装置外から基準電圧ＶＲＥＦを入力する必要がない。本実施形態によると、ランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊが所望の電圧値まで立ち上るための時間が必要となるため、用途、製品仕様等に基づいて最適な形態が選択されればよいことに留意されたい。なお、本実施形態ではランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊ用に容量素子５１を設ける構成を示したが、回路構成に必要な変更を加え、容量素子４４又は４５をランプ信号ＶＲＡＭＰ＿Ｊの生成に使用する構成にすることも可能である。
【００９９】
（その他）
図９は、以上の例で示された固体撮像装置１００ａ又は１００ｂ（以下、固体撮像装置１００）が適用されたカメラの構成例を説明するための図である。カメラは、固体撮像装置１００の他、例えば、処理部２００、ＣＰＵ３００（又はプロセッサ）、操作部４００、光学系５００を具備する。また、カメラは、静止画や動画をユーザに表示するための表示部６００、それらのデータを記憶するためのメモリ７００をさらに具備しうる。固体撮像装置１００は、光学系５００を通過した光に基づいてデジタル信号からなる画像データを生成する。該画像データは、処理部２００により所定の画像処理が為され、表示部６００やメモリ７００に出力される。また、ユーザにより操作部４００を介して入力された撮影条件に応じて、ＣＰＵ３００により、各ユニットの設定情報が変更され、又は、各ユニットの制御方法が変更されうる。なお、カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。
【０１００】
以上、いくつかの好適な態様を例示したが、本発明はこれらの例に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部が変更されてもよい。また、本明細書に記載された個々の用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、本発明は、その用語の厳密な意味に限定されるものでないことは言うまでもなく、その均等物をも含みうる。
【符号の説明】
【０１０１】
１００：固体撮像装置、１：画素部、６：信号生成部、１２：変換部、Ｕ＿ＣＰ：容量部、Ｕ＿ＣＳ：電流供給部、Ｕ＿ＲＳ：リセット部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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