(57)【要約】【課題】通信ドライバなどによる波形調整を妨げることなくリンギングを抑制する。【解決手段】リンギング抑制回路５は、伝送線路３を介して差動信号を伝送することで他のノードとの通信を行う通信回路６を備えたノードに設けられたものであり、抑制部７、動作制御部８および設定部９を備えている。抑制部７は、差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する動作を行う。動作制御部８は、抑制部７の動作を制御するものであり、差動信号の信号レベルがレセッシブに変化したことを検出すると所定の開始タイミングで抑制部７による動作を開始する。設定部９は、抑制部７による動作の開始タイミングを調整する。【選択図】図１
2017212585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の通信線（３Ｐ、３Ｎ）を介して差動信号を伝送することで他のノード（２）との通信を行う通信回路（６）を備えたノード（２）に設けられたリンギング抑制回路（５、４１、６１）であって、
前記差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する動作を行う抑制部（７）と、
前記抑制部の動作を制御するもので、前記差動信号の信号レベルがレセッシブに変化したことを検出すると所定の開始タイミングで前記抑制部による動作を開始する動作制御部（８）と、
前記開始タイミングを調整する調整部（９、４３、５２、５３、５５〜５７、６３）と、
を備えるリンギング抑制回路。
【請求項２】
前記抑制部は、前記一対の通信線間に接続されるスイッチング素子（１３）を備え、
前記動作制御部は、前記抑制部による動作を開始する際、前記スイッチング素子をオンするようになっており、
前記調整部（９、４３、５２、５３、５５〜５７、６３）は、前記スイッチング素子のターンオン時間を調整することで前記開始タイミングを調整する請求項１に記載のリンギング抑制回路。
【請求項３】
前記調整部（９、５２、５３）は、前記スイッチング素子の導通制御端子に接続される抵抗の値を調整することにより前記ターンオン時間を調整する請求項２に記載のリンギング抑制回路。
【請求項４】
前記調整部（４３、５５〜５７）は、ターンオン時に前記スイッチング素子の導通制御端子に供給される電流の値を調整することにより前記ターンオン時間を調整する請求項２に記載のリンギング抑制回路。
【請求項５】
さらに、前記差動信号に歪みが生じているか否かを検出する歪み検出部（６２）を備え、
前記調整部（６３）は、前記歪み検出部の検出結果に基づいて前記開始タイミングを調整する請求項１から４のいずれか一項に記載のリンギング抑制回路。
【請求項６】
前記調整部（６３）は、前記歪み検出部により歪みが検出されると、前記開始タイミングを変更する請求項５に記載のリンギング抑制回路。
【請求項７】
前記調整部（６３）は、前記歪み検出部により複数回連続して歪みが検出されると、前記開始タイミングを変更する請求項５に記載のリンギング抑制回路。
【請求項８】
前記調整部（９、４３）は、前記通信を介して与えられる設定値に基づいて前記開始タイミングを設定する請求項１から４のいずれか一項に記載のリンギング抑制回路。
【請求項９】
さらに、前記動作開始タイミングの設定値が記憶された記憶部（２０、４６）を備え、
前記調整部（９、４３）は、前記記憶部に記憶された前記設定値に基づいて前記開始タイミングを設定する請求項１から４のいずれか一項に記載のリンギング抑制回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の通信線を介した差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制するリンギング抑制回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の通信線からなる伝送線路を介してデジタル信号を伝送する場合、受信側においては、信号レベルが変化するタイミングで信号エネルギーの一部が反射することで、オーバーシュートやアンダーシュートのような波形の歪み、すなわちリンギングが生じる問題がある。従来、このような波形歪みを抑制するため、様々な技術が提案されている。
【０００３】
例えば、通信バス間にスイッチング素子を設け、差動信号のレベルが変化したことを検出すると上記スイッチング素子を一定期間オンさせるといった簡単な構成のリンギング抑制回路でリンギングを抑制して通信の信頼性を高める技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２５７２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した従来技術では、差動信号のレベルがドミナントからレセッシブに変化したことが検出されてからスイッチング素子のゲートに接続される抵抗の値などにより定まる一定時間が経過した時点でスイッチング素子がオンされる。つまり、上記従来技術では、スイッチング素子のオンタイミングが固定となっている。そのため、例えば差動信号のレベルがレセッシブに変化した後も波形調整を行うような構成の通信ドライバが存在する場合、その波形調整中にスイッチング素子がオンする可能性がある。そうすると、波形の調整が妨げられて波形に歪みが生じ、その結果、放射ノイズの増加を招くおそれがある。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、通信ドライバなどによる波形調整を妨げることなくリンギングを抑制することができるリンギング抑制回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載のリンギング抑制回路（５、４１、６１）は、一対の通信線（３Ｐ、３Ｎ）を介して差動信号を伝送することで他のノード（２）との通信を行う通信回路（６）を備えたノード（２）に設けられたものであり、抑制部（７）、動作制御部（８）および調整部（９、４３、５２、５３、５５〜５７、６３）を備えている。抑制部は、差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する動作を行う。動作制御部は、抑制部の動作を制御するものであり、差動信号の信号レベルがレセッシブに変化したことを検出すると所定の開始タイミングで抑制部による動作を開始する。
【０００８】
ここで、抑制部による動作の開始タイミングは、調整部により調整することが可能となっている。そのため、差動信号の信号レベルがレセッシブに変化した後も波形調整を行うような構成の通信ドライバが存在する場合でも、その波形調整が終了してから抑制部による動作を開始するように上記開始タイミングを調整すれば、抑制部の動作によって波形の調整が妨げられることはない。したがって、上記構成によれば、通信ドライバなどによる波形調整を妨げることなくリンギングを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係るリンギング抑制回路の概略構成を模式的に示す図
【図２】通信ネットワークの構成を模式的に示す図
【図３】リンギング抑制回路の具体的な構成を模式的に示す図
【図４】可変抵抗器および設定部の具体的な構成を模式的に示す図
【図５】リンギング抑制回路の動作をシミュレーションした結果を示す図
【図６】第２実施形態に係る可変抵抗器および設定部の具体的な構成を模式的に示す図
【図７】第３実施形態に係るリンギング抑制回路の概略構成を模式的に示す図
【図８】可変電流源および設定部の具体的な構成を模式的に示す図
【図９】第４実施形態に係る可変抵抗器の具体的な構成を模式的に示す図
【図１０】第５実施形態に係る可変電流源の具体的な構成を模式的に示す図
【図１１】第６実施形態に係るリンギング抑制回路の概略構成を模式的に示す図
【図１２】歪み検出部の具体的な構成を模式的に示す図
【図１３】差動信号の波形に歪みが生じている際における各部の波形を模式的に示すタイミングチャート
【図１４】第７実施形態に係る歪み検出部の具体的な構成を模式的に示す図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の複数の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図１〜図５を参照して説明する。
【００１１】
図２に示す通信ネットワーク１は、車両に搭載される複数のノード２間の制御通信のために、それらのノード２がツイストペア線で構成される伝送線路３を介して接続されたネットワークである。各ノード２は、それぞれ車両の状態を検出するためのセンサ類やセンサからの情報に基づいてアクチュエータをコントロールする電子制御装置である。各ノード２には、それぞれ図示しない通信回路が設けられており、伝送線路３での通信プロトコル、例えばＣＡＮプロトコルに従って送信データや受信データを通信信号に変換し、他のノード２との通信を行う。伝送線路３の途中には、適宜、伝送線路３を分岐するための分岐コネクタ４が設けられている。
【００１２】
図１に示すリンギング抑制回路５は、通信回路６とともに、図２に示したノード２に設けられる。リンギング抑制回路５は、抑制部７、動作制御部８および設定部９を備える。抑制部７は、高電位側信号線３Ｐおよび低電位側信号線３Ｎからなる伝送線路３のインピーダンスを低下させることにより、差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する動作を行う。なお、高電位側信号線３Ｐおよび低電位側信号線３Ｎは、一対の通信線に相当するものであり、以下、単に信号線３Ｐおよび信号線３Ｎと省略することもある。
【００１３】
動作制御部８は、抑制部７による動作を制御する。具体的には、動作制御部８は、差動信号の信号レベルがレセッシブを表すレベルに変化したことを検出すると所定の開始タイミングで抑制部７による動作を開始させる。設定部９は、外部より与えられる開始タイミング設定値に基づいて、動作制御部８における開始タイミングを設定する。つまり、本実施形態では、抑制部７による動作の開始タイミングを、開始タイミング設定値により調整することが可能となっている。したがって、設定部９は、開始タイミングを調整する調整部に相当する。
【００１４】
このようなリンギング抑制回路５の具体的な構成としては、例えば図３に示すような構成を採用することができる。図３に示すように、リンギング抑制回路５は、通信回路６とともに、信号線３Ｐ、３Ｎの間に並列に接続されている。リンギング抑制回路５は、ソースがいずれも信号線３Ｎに接続される４つのＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴであるトランジスタ１０〜１３を備えている。
【００１５】
トランジスタ１０、１２のゲートは、信号線３Ｐに接続されている。トランジスタ１３のドレインは、信号線３Ｐに接続されており、トランジスタ１１、１２のドレインは、トランジスタ１３のゲートに接続されているとともに可変抵抗器１４を介して電源線１５に接続されている。可変抵抗器１４の抵抗値は、設定部９により設定される。電源線１５には、リンギング抑制回路５の動作用の電源電圧ＶＣＣが供給される。
【００１６】
トランジスタ１０のドレインは、抵抗素子１６を介して電源線１５に接続されているとともに、抵抗素子１７を介してトランジスタ１１のゲートに接続されている。また、トランジスタ１１のゲートは、コンデンサ１８を介して信号線３Ｎに接続されている。抵抗素子１７およびコンデンサ１８は、ＲＣフィルタ回路１９を構成している。
【００１７】
このような構成において、トランジスタ１３により抑制部７が構成されている。なお、トランジスタ１３は、スイッチング素子に相当し、そのゲートは導通制御端子に相当する。また、トランジスタ１０〜１２、可変抵抗器１４、抵抗素子１６およびＲＣフィルタ回路１９により動作制御部８が構成されている。
【００１８】
可変抵抗器１４および設定部９の具体的な構成としては、例えば図４に示すような構成を採用することができる。図４に示すように、可変抵抗器１４は、一方の端子がトランジスタ１３のゲートに接続された３つの抵抗素子Ｒ１〜Ｒ３と、それら抵抗素子Ｒ１〜Ｒ３のそれぞれと電源線１５との間を開閉する３つのスイッチＳ１〜Ｓ３とにより構成されている。スイッチＳ１〜Ｓ３は、例えばＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴなどにより構成することができる。
【００１９】
設定部９は、設定値取得部２０および選択回路２１により構成されている。設定値取得部２０は、開始タイミング設定値を取得し、その取得した開始タイミング設定値に基づいて、スイッチＳ１〜Ｓ３のオンオフを指令する指令信号を出力する。設定値取得部２０は、通信などを介して外部より開始タイミング設定値を取得する構成を採用することができる。また、設定値取得部２０は、例えば開始タイミング設定値が予め記憶された不揮発性メモリなどの記憶部から、開始タイミング設定値を読み出すことで取得する構成を採用することもできる。選択回路２１は、設定値取得部２０から与えられる指令信号に従い、スイッチＳ１〜Ｓ３をオンオフする。
【００２０】
次に、上記構成の作用について説明する。
この場合、伝送線路３は、ハイレベル、ロウレベルの２値信号を差動信号として伝送する。例えば、電源電圧が５Ｖの場合、信号線３Ｐ、３Ｎは、非ドライブ状態においていずれも中間電位である２．５Ｖに設定され、差動電圧は０Ｖであり、差動信号はレセッシブを表すロウレベルとなる。
【００２１】
そして、通信回路６の送信回路（図示略）が伝送線路３をドライブすると、信号線３Ｐは例えば３．５Ｖ以上に、信号線３Ｎは例えば１．５Ｖ以下にドライブされ、差動電圧は２Ｖ以上となり、差動信号はドミナントを表すハイレベルとなる。また、図示しないが、信号線３Ｐ、３Ｎの両端は１２０Ωの抵抗素子により終端されている。したがって、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化する際には、伝送線路３が非ドライブ状態となり伝送線路３のインピーダンスが高くなることから、差動信号波形にリンギングが発生する。
【００２２】
そこで、リンギング抑制回路５は、差動信号の信号レベルがハイレベルからレセッシブを表すロウレベルに変化したことをトリガとして、トランジスタ１３をターンオンさせて抑制部７による抑制動作を開始する。この動作は、次のようにして実現される。すなわち、差動信号のレベルがハイレベルの場合、トランジスタ１０、１２がオンしているため、トランジスタ１１はオフしている。したがって、トランジスタ１３はオフ状態となっている。
【００２３】
この状態から、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化すると、トランジスタ１０、１２がターンオフするため、トランジスタ１３がターンオンする。すると、信号線３Ｐ、３Ｎの間は、トランジスタ１３のオン抵抗を介して接続されることになり、インピーダンスが低下する。これにより、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化する立ち下がり期間に発生する波形歪みのエネルギーが上記オン抵抗により消費され、リンギングが抑制される。
【００２４】
ここで、トランジスタ１３のターンオン時間は、可変抵抗器１４の抵抗値を含む時定数により定まる。そのため、抑制部７による動作が開始される開始タイミングは、可変抵抗器１４の抵抗値の設定により調整することができる。具体的には、可変抵抗器１４の抵抗値を低くするほど開始タイミングが早くなり、抵抗値を高くするほど開始タイミングが遅くなる。このように、本実施形態では、抑制部７による動作が開始される開始タイミング、つまり差動信号の信号レベルがレセッシブを表すロウレベルに変化してから抑制部７による動作が開始されるまでの時間を調整することが可能となっている。
【００２５】
以上説明した本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
従来のリンギング抑制回路では、抑制動作の開始タイミングは固定されていた。そのため、従来のリンギング抑制回路では、例えば、図５（ａ）に示すように、差動信号のレベルが十分に低下しないうちに、例えば差動信号が０．８Ｖ付近からトランジスタ１３のゲート電圧が上昇し、差動信号が０Ｖになるまでに抑制動作が行われてしまう可能性がある。そうすると、差動信号の波形に歪みが生じ、放射ノイズが増加するおそれがある。
【００２６】
これに対し、本実施形態のリンギング抑制回路５では、抑制部７による動作の開始タイミングは、設定部９により任意の値に設定すること、つまり調整が可能となっている。そのため、例えば、図５（ｂ）に示すように、差動信号のレベルが十分に低下してから、例えば差動信号が０．１Ｖ付近からトランジスタ１３のゲート電圧が上昇するように開始タイミングを設定することができる。このようにすれば、差動信号に波形歪みが生じることがなくなる。
【００２７】
なお、図５（ｃ）は、図５（ａ）および図５（ｂ）の各差動信号波形の差分を表している。この図５（ｃ）からも、本実施形態のリンギング抑制回路５によれば、抑制動作の開始タイミングの調整機能が無い従来の構成において開始タイミングが最適ではない場合に生じる１４０ｍＶ程度の波形歪みが解消されることが分かる。
【００２８】
このように、本実施形態のリンギング抑制回路５では、抑制部７による動作の開始タイミングを設定部９により任意の値に設定することが可能となっている。そのため、各ノード２のいずれかの通信回路６が、差動信号の信号レベルがレセッシブに変化した後も波形調整を行うような構成の通信ドライバを備えている場合でも、その波形調整が終了してから抑制部７による動作を開始するように開始タイミングを調整すれば、抑制部７の動作によって波形の調整が妨げられることはない。したがって、本実施形態によれば、通信ドライバなどによる波形調整を妨げることなくリンギングを抑制することができる。
【００２９】
また、本実施形態では、抑制部７は、信号線３Ｐ、３Ｎの間に接続されるトランジスタ１３により構成されており、設定部９は、そのトランジスタ１３のターンオン時間を可変抵抗器１４の抵抗値により調整することで開始タイミングを任意の値に設定するといった比較的簡単な回路構成となっている。したがって、本実施形態によれば、従来のリンギング抑制回路に対し、大幅な回路規模の増加を招くことなく、上述したような効果を得ることができる。
【００３０】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態について図６を参照して説明する。
第１実施形態では、トランジスタ１３のターンオン時間を調整するための可変抵抗器として、スイッチＳ１〜Ｓ３を介して３つの抵抗素子Ｒ１〜Ｒ３を並列接続し、スイッチＳ１〜Ｓ３のオンオフにより抵抗値を調整する構成を説明した。しかし、上記可変抵抗器としては、その抵抗値を任意の値に調整することが可能な構成であればよく、例えば、図６に示すような構成でもよい。
【００３１】
図６に示す可変抵抗器３１は、３つの抵抗素子Ｒ３１〜Ｒ３３と、２つのスイッチＳ３１、Ｓ３２とにより構成されている。抵抗素子Ｒ３１〜Ｒ３３は、電源線１５およびトランジスタ１３のゲートの間に直列接続されている。スイッチＳ３１は、電源線１５と抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２の相互接続点との間を開閉する。スイッチＳ３２は、電源線１５と抵抗素子Ｒ３２、Ｒ３３の相互接続点との間を開閉する。スイッチＳ３１、Ｓ３２は、例えばＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴなどにより構成することができる。
【００３２】
この場合、設定部９の設定値取得部２０は、開始タイミング設定値に基づいて、スイッチＳ３１、Ｓ３２のオンオフを指令する指令信号を出力する。また、設定部９の選択回路２１は、設定値取得部２０から与えられる指令信号に従い、スイッチＳ３１、Ｓ３２をオンオフする。このような構成によっても、抵抗値を任意の値に調整することができ、ひいては、抑制部７による動作の開始タイミングを調整することができる。したがって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用および効果を得ることができる。
【００３３】
なお、可変抵抗器として、３つの抵抗素子Ｒ１〜Ｒ３を並列に接続する構成や３つの抵抗素子Ｒ３１〜Ｒ３３を直列に接続する構成を説明したが、並列または直列に接続する抵抗素子の数は、２つでもよいし、４つ以上でもよい。そして、抵抗素子の数や、それらの抵抗値については、必要とする開始タイミングに応じて適宜変更すればよい。また、抵抗素子を直列に接続する構成と並列に接続する構成とを組み合わせて、所望する開始タイミングを実現することも可能である。
【００３４】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態について図７および図８を参照して説明する。
図７に示すように、本実施形態のリンギング抑制回路４１は、第１実施形態のリンギング抑制回路５に対し、可変抵抗器１４に代えて可変電流源４２を備えている点が異なる。可変電流源４２の電流値は、設定部４３により設定される。
【００３５】
可変電流源４２および設定部４３の具体的な構成としては、例えば図８に示すような構成を採用することができる。図８に示すように、可変電流源４２は、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴであるトランジスタ４４、４５、ダイオードＤ４１、抵抗素子Ｒ４１〜Ｒ４４およびスイッチＳ４１〜Ｓ４３により構成されている。
【００３６】
トランジスタ４４のドレインは、ダイオードＤ４１を順方向に介してトランジスタ１３のゲートに接続されている。トランジスタ４４、４５は、互いのソースおよびゲートがそれぞれ共通に接続されている。また、トランジスタ４５のゲートおよびドレインは接続されている。したがって、トランジスタ４４、４５によりカレントミラー回路が構成されている。トランジスタ４５のドレインと回路の基準電位となるグランドとの間には、抵抗素子Ｒ４１〜Ｒ４４が直列接続されている。
【００３７】
スイッチＳ４１は、抵抗素子Ｒ４１、Ｒ４２の相互接続点とグランドとの間を開閉する。スイッチＳ４２は、抵抗素子Ｒ４２、Ｒ４３の相互接続点とグランドとの間を開閉する。スイッチＳ４３は、抵抗素子Ｒ４３、Ｒ４４の相互接続点とグランドとの間を開閉する。スイッチＳ４１〜Ｓ４３は、例えばＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴなどにより構成することができる。
【００３８】
設定部４３の設定値取得部４６は、取得した開始タイミング設定値に基づいて、スイッチＳ４１〜Ｓ４３のオンオフを指令する指令信号を出力する。選択回路４７は、設定値取得部４６から与えられる指令信号に従い、スイッチＳ４１〜Ｓ４３をオンオフする。このような構成によれば、スイッチＳ４１〜Ｓ４３のオンオフに応じて、トランジスタ１３がターンオンする際にゲートに供給される電流の値が変化する。
【００３９】
したがって、このような構成によっても、トランジスタ１３のターンオン時間を任意の値に調整することができ、ひいては、抑制部７による動作の開始タイミングを調整することができる。したがって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用および効果を得ることができる。
【００４０】
（第４および第５実施形態）
以下、第４および第５実施形態について図９および図１０を参照して説明する。
上記各実施形態では、通信などを介して取得した開始タイミング設定値や予め記憶部に記憶された開始タイミング設定値などに基づいて開始タイミングの調整を行う構成を説明したが、例えば製造段階などでの初期的な調整において開始タイミングの調整を行うことも可能である。
【００４１】
図９に示すように、第４実施形態の可変抵抗器５１は、図６に示した可変抵抗器３１に対し、スイッチＳ３１、Ｓ３２に代えてヒューズ５２、５３を備えている点が異なる。この場合、リンギング抑制回路を含む電子制御装置などの製造工程において、所望する開始タイミングとなるように、ヒューズ５２、５３の溶断が行われる。したがって、第４実施形態では、設定値取得部２０および選択回路２１からなる設定部９が不要となり、ヒューズ５２、５３が調整部に相当する。
【００４２】
図１０に示すように、第５実施形態の可変電流源５４は、図８に示した可変電流源４２に対し、スイッチＳ４１〜Ｓ４３に代えてヒューズ５５〜５７を備えている点が異なる。この場合、リンギング抑制回路を含む電子制御装置などの製造工程において、所望する開始タイミングとなるように、ヒューズ５５〜５７の溶断が行われる。したがって、第５実施形態では、設定値取得部４６および選択回路４７からなる設定部４３が不要となり、ヒューズ５５〜５７が調整部に相当する。
【００４３】
これらの構成によっても、トランジスタ１３のターンオン時間を任意の値に調整することができ、ひいては、抑制部７による動作の開始タイミングを調整することができる。したがって、第４および第５実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用および効果を得ることができる。さらに、第４および第５実施形態によれば、設定部９、４３が不要となるため、その分だけ、回路規模を小さく抑えることができる。
【００４４】
（第６実施形態）
以下、第６実施形態について図１１〜図１３を参照して説明する。
図１１に示すように、第６実施形態のリンギング抑制回路６１は、差動信号に歪みが生じているか否かを検出する歪み検出部６２を備えている。調整部６３は、歪み検出部６２の検出結果に基づいて、抑制部７による動作の開始タイミングを調整する。つまり、本実施形態では、差動信号に歪みが生じているか否かに基づいて、開始タイミングが自動調整されるようになっている。
【００４５】
歪み検出部６２の具体的な構成としては、例えば図１２に示すような構成を採用することができる。図１２に示すように、歪み検出部６２は、微分回路６４、コンパレータ６５、電圧源６６、ボルテージフォロア６７およびエッジ検出回路６８を備えている。微分回路６４は、コンデンサＣ６１および抵抗素子Ｒ６１の直列回路から構成されており、その入力端子となるコンデンサＣ６１の一方の端子は信号線３Ｎに接続されている。微分回路６４の出力端子となるコンデンサＣ６１の他方の端子および抵抗素子Ｒ６１の一方の端子は、コンパレータ６５の非反転入力端子に接続されている。抵抗素子Ｒ６１の他方の端子は、基準電源線６９に接続されている。
【００４６】
電圧源６６は、基準電源線６９の電位を基準として、差動信号の歪み検出のためのしきい値となる閾値電圧を生成するもので、その閾値電圧はコンパレータ６５の反転入力端子に与えられている。ボルテージフォロア６７は、ＯＰアンプにより構成されており、その入力端子（ＯＰアンプの非反転入力端子）には所定の基準電位が与えられており、その出力端子（ＯＰアンプの出力端子）は基準電源線６９に接続されている。
【００４７】
エッジ検出回路６８は、Ｄフリップフロップにより構成されており、その入力端子Ｄには、回路の電源電圧が与えられている。エッジ検出回路６８のクロック端子Ｃには、コンパレータ６５の出力信号が与えられている。エッジ検出回路６８の出力端子Ｑから出力される出力信号は、調整部６３に与えられている。調整部６３は、エッジ検出回路６８に対し、後述するようなタイミングでリセット信号を出力する。
【００４８】
次に、上記構成の作用および効果について説明する。
第１実施形態で前述したとおり、差動信号のレベルが十分に低下しないうちに抑制動作が行われると差動信号の波形に歪みが生じる。そして、差動信号の波形に歪みが生じる期間における差動信号の低下の傾きは、波形に歪みが生じていない期間における傾きに比べ、急峻なものとなる。つまり、差動信号の波形に歪みが生じる期間では、差動信号の変化量が大きくなる（変化率が高くなる）。
【００４９】
本実施形態では、このような点に着目し、歪み検出部６２は、信号線３Ｎの電圧波形を微分することで波形の変化量を判定し、波形の変化量がしきい値以上になると差動信号の波形に歪みが生じていると判断する。そして、歪み検出部６２により波形に歪みが生じていると判断されると、調整部６３は、抑制部７の動作開始を遅らせるように開始タイミングを調整する。
【００５０】
以下、図１３のタイミングチャートを参照しながら、上記構成による動作を説明する。なお、この場合、開始タイミングの設定値は、例えば、設定値Ｔａ、ＴｂおよびＴｃの３つであり、それらのうち設定値Ｔａが最も早いタイミングであり、設定値Ｔｃが最も遅いタイミングであるとする。
【００５１】
図１３に示すように、差動信号のレベルが十分に低下するまでに抑制動作が開始されると差動信号の波形に歪みが生じる。これに伴い、時刻ｔ１にて微分回路６４の出力電圧が上昇して閾値電圧に達すると、コンパレータ６５の出力信号がハイレベルに転じる。すると、エッジ検出回路６８の出力信号がハイレベルとなり、これを受けて調整部６３は、開始タイミングの設定値を１段階遅らせる。例えば、この場合、当初の開始タイミングが設定値Ｔａであったとすると、それよりも１段階遅い設定値Ｔｂに変更される。なお、設定値は複数段階遅らせてもよい。
【００５２】
調整部６３は、開始タイミングを変更した後、あるいは変更すると同時に、エッジ検出回路６８に対し、リセット信号を出力する。これにより、エッジ検出回路６８の出力信号はロウレベルに転じる。上記構成では、このような動作が繰り返し実行されることで、抑制部７による動作の開始タイミングが最適なタイミングに自動的に調整される。
【００５３】
したがって、本実施形態によれば、通信やメモリなどへの記憶による手動での調整が不要になるというメリットがある。また、伝送線路３に接続されるノード２の数が変更されるなどして、差動信号がドミナントからレセッシブに変化する際の信号の傾き（変化率）が変化した場合でも、それに応じて自動的に最適な開始タイミングで抑制動作を実施することができる。
【００５４】
（第７実施形態）
以下、第７実施形態について図１４を参照して説明する。
第６実施形態では、歪み検出部６２により歪みが検出されると直ちに開始タイミングが変更されるようになっていたが、歪み検出部６２により複数回連続して歪みが検出されると開始タイミングを変更するようにしてもよい。このような変更は、図１４に示すように、歪み検出部６２と調整部６３との間にノイズ除去フィルタ７１を追加することで実現可能である。
【００５５】
このような構成によれば、例えば信号線３Ｎに重畳するノイズなどに起因して差動信号の波形に歪みが生じていると誤判定する可能性が低くなる。その結果、抑制部７による動作の開始タイミングが誤ったタイミングに設定されることを防止できる。
【００５６】
（その他の実施形態）
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で任意に変形、組み合わせ、あるいは拡張することができる。
抑制部７および動作制御部８の具体的構成としては、差動信号のレベルが変化すると伝送線路３のインピーダンスを低下させて差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する動作を行い得る構成であれば、適宜変更可能である。例えば、抑制部７として、特開２０１２−２４４２２０号公報に記載されているような構成、つまり信号線３Ｐ、３Ｎ間に複数のスイッチング素子を直列接続した構成を採用してもよい。あるいは、抑制部７として、信号線３Ｐ、３Ｎ間にスイッチング素子および抵抗素子を直列接続した構成を採用してもよい。そして、この場合、動作制御部８の構成についても、抑制部７の変更に合わせて変更すればよい。
【００５７】
第６および第７実施形態では、差動信号の波形に歪みが無いと判断された場合、開始タイミングの変更は行われず、現状の開始タイミングが維持されるようになっていた。しかし、差動信号の波形に歪みが無いと判断された場合、開始タイミングの設定値を１段階または複数段階早めるように変更してもよい。また、歪み検出部６２は、信号線３Ｎの電圧波形を微分することで波形の変化量を判定していたが、信号線３Ｐの電圧波形を微分することで波形の変化量を判定してもよい。この場合、歪み検出部６２の構成を適宜変更すればよい。
通信プロトコルはＣＡＮに限ることなく、一対の通信線を介して差動信号を伝送する通信プロトコルであれば適用が可能である。
【符号の説明】
【００５８】
２…ノード、３Ｐ…高電位側信号線、３Ｎ…低電位側信号線、５、４１、６１…リンギング抑制回路、６…通信回路、７…抑制部、８…動作制御部、９、４３…設定部、５２、５３、５５〜５７…ヒューズ、１３…トランジスタ、６２…歪み検出部、６３…調整部。
【図１】
2017212585.tif 000003
【図２】
2017212585.tif 000004
【図３】
2017212585.tif 000005
【図４】
2017212585.tif 000006
【図５】
2017212585.tif 000007
【図６】
2017212585.tif 000008
【図７】
2017212585.tif 000009
【図８】
2017212585.tif 000010
【図９】
2017212585.tif 000011
【図１０】
2017212585.tif 000012
【図１１】
2017212585.tif 000013
【図１２】
2017212585.tif 000014
【図１３】
2017212585.tif 000015
【図１４】
2017212585.tif 000016