(57)【要約】【課題】不慮のヒューズ切断による論理転換を防止することができ、信頼性が向上するワンタイムメモリの制御装置を得る。【解決手段】切断イネーブル信号によってヒューズ切断電流生成回路１０６からのヒューズ切断電流を流すように動作する切断電流生成用ヒューズＣ切断スイッチ１０９と切断電流生成用ヒューズＤ切断スイッチ１１０、並びに切断電流生成用ヒューズＣ１１３および切断電流生成用ヒューズＤ１１４のそれぞれに流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力されヒューズ切断許可信号１０１を生成するヒューズ切断許可信号生成回路２０１を備えている。【選択図】図１
2017212020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒューズを用いて情報を保持するワンタイムメモリにおいて、
ヒューズ切断許可信号によりヒューズ切断電流を生成するヒューズ切断電流生成回路、
第１の情報用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によって前記ヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第１の情報用ヒューズ切断スイッチ、第２の情報用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によって前記ヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第２の情報用ヒューズ切断スイッチ、第１の切断電流生成用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によって前記ヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第１の切断電流生成用ヒューズ切断スイッチ、
第２の切断電流生成用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によって前記ヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第２の切断電流生成用ヒューズ切断スイッチ、
前記第１の情報用ヒューズ、前記第２の情報用ヒューズ、前記第１の切断電流生成用ヒューズ、および前記第２の切断電流生成用ヒューズのそれぞれに流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力されるロジック部、
前記ロジック部に設けられ前記第１の切断電流生成用ヒューズおよび前記第２の切断電流生成用ヒューズのそれぞれに流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力され前記ヒューズ切断許可信号を生成するヒューズ切断許可信号生成回路を備えたことを特徴とするワンタイムメモリの制御装置。
【請求項２】
前記第１の情報用ヒューズおよび前記第２の情報用ヒューズは、半導体集積回路において製品出荷時に設定値の固有の情報を書き込み、保持するためのものであり、前記第１の切断電流生成用ヒューズおよび前記第２の切断電流生成用ヒューズは、半導体集積回路の製品出荷後に前記第１の情報用ヒューズおよび前記第２の情報用ヒューズを誤切断しないよう前記ヒューズ切断電流生成回路の動作を禁止するものであることを特徴とする請求項１に記載のワンタイムメモリの制御装置。
【請求項３】
車両用発電機の制御装置に実装されたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のワンタイムメモリの制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内蔵ヒューズを用いた自動車向けＬＳＩ（半導体集積回路）に適したワンタイムメモリの制御装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの出荷時に設定値等の固有の情報を書き込み、保持する手段としてヒューズのようなワンタイムメモリが用いられている。このワンタイムメモリに保持される情報の状態は、ヒューズの切断状態により論理が決定される。しかし、熱による膨張や、ストレスによるひずみ等によって切断したヒューズが接続され、不慮の論理転換が生じるといった問題がある。また、未切断のヒューズがノイズ等の外乱によって切断され、不慮の論理転換が生じるといった問題がある。
【０００３】
例えば、特許文献１で示されている半導体装置及びヒューズ回路の状態判定方法では、複数のヒューズを多重化し、論理和でヒューズ論理を判定する構成により、ヒューズ切断時における切断面での接触による不慮の論理転換を防止している。また、特許文献２で示されている半導体装置では、ヒューズ切断電流を制御するためのヒューズ書込イネーブル信号自身を無効化する構成により、ヒューズ非切断時の誤切断による不慮の論理転換を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２１０３１６号公報
【特許文献２】特開２００８−９７６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の場合、切断されたヒューズが接続された場合の不慮の論理転換を多重化により防止することはできるものの、誤ってヒューズ切断電流が流れ、ヒューズが切断されてしまうことを防止できないという問題があった。また、特許文献２の場合、ヒューズ切断電流生成回路の動作を禁止するためにヒューズが備わっているが、多重化されていないため信頼性が低いといった問題があった。
【０００６】
本発明は、前記のような問題を解消するためになされたものであり、ヒューズを誤切断することがなく、不慮のヒューズ切断による論理転換を防止することが出来るワンタイムメモリの制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のワンタイムメモリの制御装置は、ヒューズ切断許可信号によりヒューズ切断電流を生成するヒューズ切断電流生成回路、第１の情報用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によってヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第１の情報用ヒューズ切断スイッチ、第２の情報用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によってヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第２の情報用ヒューズ切断スイッチ、第１の切断電流生成用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によってヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第１の切断電流生成用ヒューズ切断スイッチ、第２の切断電流生成用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によってヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第２の切断電流生成用ヒューズ切断スイッチ、第１の情報用ヒューズ、第２の情報用ヒューズ、第１の切断電流生成用ヒューズ、および第２の切断電流生成用ヒューズのそれぞれに流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力されるロジック部、ロジック部に設けられ第１の切断電流生成用ヒューズおよび第２の切断電流生成用ヒューズのそれぞれに流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力されヒューズ切断許可信号を生成するヒューズ切断許可信号生成回路を備えたものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ヒューズ切断電流生成回路の動作を禁止するためのヒューズを多重化することにより、ヒューズを誤切断することがなく、不慮のヒューズ切断による論理転換を防止することができ、信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１におけるワンタイムメモリの制御装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るワンタイムメモリの制御装置におけるヒューズ切断許可信号生成回路を示すブロック図である。
【図３】本実施の形態２におけるワンタイムメモリの制御装置における制御シーケンスを示すシーケンス図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係るワンタイムメモリの制御装置を発電制御装置に適用した場合の一例を示すブロック構成図である。
【図５】本発明の適用例におけるヒューズ切断動作を説明するためのブロック構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
以下、本発明の実施の形態１を図１に基づいて説明する。
図１は、実施の形態１におけるワンタイムメモリの制御装置を示すブロック図である。本発明のワンタメモリの制御装置は、ＬＳＩ（半導体集積回路）において製品出荷時に設定値等の固有の情報を書き込み、保持するための情報用ヒューズ群、これら情報用ヒューズを切断するためのヒューズ切断電流生成回路、情報用ヒューズ群の切断すべきヒューズを選択するための情報用ヒューズ切断イネーブル信号、製品出荷後に情報用ヒューズを誤切断しないためにヒューズ切断電流生成回路の動作を禁止するための切断電流生成用ヒューズ、切断された切断電流生成用ヒューズが熱膨張等により誤って接続するのを防止する目的で複数のヒューズによる多重化と判定回路から構成されている。
【００１１】
具体的には、ヒューズ切断許可信号１０１によりヒューズ切断電流を生成するヒューズ切断電流生成回路１０６、第１の情報用ヒューズである情報用ヒューズＡ１１１に接続され情報用ヒューズＡ１１１の切断イネーブル信号１０２によってヒューズ切断電流生成回路１０６からのヒューズ切断電流を流すように動作する第１の情報用ヒューズ切断スイッチである情報用ヒューズＡ切断スイッチ１０７、第２の情報用ヒューズである情報用ヒューズＢ１１２に接続され情報用ヒューズＢ１１２の切断イネーブル信号１０３によってヒューズ切断電流生成回路１０６からのヒューズ切断電流を流すように動作する第２の情報用ヒューズ切断スイッチである情報用ヒューズＢ切断スイッチ１０８が設けられている。
【００１２】
また、第１の切断電流生成用ヒューズである切断電流生成用ヒューズＣ１１３に接続され切断電流生成用ヒューズＣ１１３の切断イネーブル信号によってヒューズ切断電流生成回路１０６からのヒューズ切断電流を流すように動作する第１の切断電流生成用ヒューズ切断スイッチである切断電流生成用ヒューズＣ切断スイッチ１０９、第２の切断電流生成用ヒューズである切断電流生成用ヒューズＤ１１４に接続され切断電流生成用ヒューズＤ１１４の切断イネーブル信号１０５によってヒューズ切断電流生成回路１０６からのヒューズ切断電流を流すように動作する第２の切断電流生成用ヒューズ切断スイッチである切断電流生成用ヒューズＤ切断スイッチ１１０が設けられている。
【００１３】
更に、第１の情報用ヒューズＡ１１１、第２の情報用ヒューズＢ１１２、第１の切断電流生成用ヒューズＣ１１３、および第２の切断電流生成用ヒューズＤ１１４のそれぞれに流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力されるロジック部２００が設けられている。ロジック部２００には、第１の切断電流生成用ヒューズＣ１１３および第２の切断電流生成用ヒューズＤ１１４のそれぞれに流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力されヒューズ切断許可信号１０１を生成するヒューズ切断許可信号生成回路２０１、並びに第１の情報用ヒューズＡ１１１および第２の情報用ヒューズＢ１１２の夫々に流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力される多重化部（第１の多重化部ともいう）２０２を有している。
【００１４】
図２は、ヒューズ切断許可信号生成回路２０１の具体的な構成の一例を示すブロック図である。
図２に示すように、ヒューズ切断許可信号生成回路２１０は、切断電流生成用ヒューズＣの論理信号が入力される多重化部（第２の多重化部ともいう）２０１１、切断電流生成用ヒューズＤの論理信号が入力される多重化部（第３の多重化部ともいう）２０１２、多重化部２０１１からの信号が入力される記憶素子（第１の記憶素子ともいう）２０１３、多重化部２０１２からの信号が入力される記憶素子（第２の記憶素子ともいう）２０１４、記憶素子２０１３および記憶素子２０１４からの信号が入力される多重化部（第４の多重化部ともいう）２０１５、多重化部２０１５からの信号および外部からの情報として使用されるシーケンス回路３００からの信号がヒューズ切断前かヒューズ切断後かの情報として入力されるセレクタ２０１６、セレクタ２０１６からの信号が入力される記憶素子（第３の記憶素子ともいう）２０１７から構成されている。記憶素子２０１３からの信号は多重化部２０１１に入力され、また記憶素子２０１４からの信号は多重化部２０１２に入力される。更に、記憶素子２０１７からの信号はセレクタ２０１６にヒューズ切断中の情報として入力される。
【００１５】
次に、このようなワンタイムメモリの制御装置の動作を説明する。
図１は、実施の形態１によるワンタイムメモリの制御装置の構成の一例を示す図である。
製品出荷時の設定値等の固有の情報がまだ書き込まれていない状態では、全てのヒューズは接続された状態である。
情報の書き込みを行うにあたり、外部から何らかの手段でヒューズ切断許可信号生成回路２０１を動作状態とすることで、ヒューズ切断許可信号１０１がイネーブルとなりヒューズ切断電流生成回路１０６は切断電流を出力する。
外部から何らかの手段で情報用ヒューズＡ切断イネーブル信号１０２のみをイネーブルとすることで情報用ヒューズＡ切断スイッチ１０７がオンとなり情報用ヒューズＡ１１１が切断される。実施の形態1では情報用ヒューズＡ１１１のみ切断とする。
情報用ヒューズの切断完了後、切断電流生成用ヒューズＣ切断イネーブル信号１０４のみイネーブルとすることで切断電流生成用ヒューズＣ切断スイッチ１０９がオンとなり切断電流生成用ヒューズＣ１１３が切断される。
続いて切断電流生成用ヒューズＤ切断イネーブル信号１０５のみイネーブルとすることで切断電流生成用ヒューズＤ切断スイッチ１１０がオンとなり切断電流生成用ヒューズＤ１１４が切断される。
切断電流生成用ヒューズＣ１１３と切断電流生成用ヒューズＤ１１４が切断されることによりヒューズ切断許可信号生成回路２０１はヒューズ切断許可信号１０１の出力をディセーブルとし、以降イネーブルとなることはない。
情報用ヒューズＡ１１１および情報用ヒューズＢ１１２は、半導体集積回路において製品出荷時に設定値の固有の情報を書き込み、保持するためのものであり、切断電流生成用ヒューズＣ１１３および切断電流生成用ヒューズＤ１１４は、半導体集積回路の製品出荷後に情報用ヒューズＡ１１１および情報用ヒューズＢ１１２を誤切断しないようヒューズ切断電流生成回路１０６の動作を禁止するものである
【００１６】
このように、切断電流生成用ヒューズＣ１１３と切断電流生成用ヒューズＤ１１４の２つのヒューズにより多重化しているため、切断済みのいずれかのヒューズが熱膨張等により誤って接続したとしても他方が切断状態であれば切断とみなし、ヒューズ切断許可信号１０１をイネーブルにはしないためヒューズ切断電流生成回路１０６が有効にはならず、誤って未切断のヒューズを切断してしまうのを防止することができる。
【００１７】
図２はヒューズ切断許可信号生成回路２０１の具体例を示すブロック図であり、このヒューズ切断許可信号生成回路２０１は判定回路と判定結果を変化させないように保持する機能を具備している。シーケンス回路３００からヒューズ切断状態を判定するための信号を受信し、切断電流生成用ヒューズＣと切断電流生成用ヒューズＤから切断／未切断の論理を受信する。記憶素子２０１３、２０１４は切断電流生成用ヒューズＣ、Ｄと前回値の切断電流生成用ヒューズＣ、Ｄの論理を多重化して記憶しており、ヒューズ切断前であれば、記憶素子２０１３、２０１４の多重化した結果を記憶素子２０１７から出力させる。  
ヒューズ切断中は記憶素子２０１７の値を常に出力させることで、切断電流生成用ヒューズＣ、Ｄの両方が切断されるまで、ヒューズ切断電流生成回路１０６はヒューズに対して電流を供給し続ける。ヒューズ切断後は切断電流生成用ヒューズＣと切断電流生成用ヒューズＤから受けた論理を切断することで、情報用ヒューズ切断イネーブル信号が出力されても、ヒューズ切断電流生成回路１０６からの電流の供給が断たれているため、誤ってヒューズが切断されることはない。
【００１８】
また、多重化された切断電流生成用ヒューズＣ１１３と切断電流生成用ヒューズＤ１１４のいずれか一つを切断した瞬間にヒューズ切断電流生成回路１０６の動作が停止しないように、情報用ヒューズの切断処理手順の途中ではヒューズ切断許可信号生成回路２０１が、ヒューズ切断許可信号１０１の出力をイネーブルとする状態を変化させないように保持する機能を有する。
【００１９】
実施の形態1では、ヒューズ切断許可信号生成回路２０１の生成論理として切断電流生成用ヒューズＣ、Ｄによる２重系で説明したが、２重系にこだわる必要はなく、任意の多重系での実施が可能である。
【００２０】
実施の形態２．
以下、本発明の実施の形態２を図３に基づいて説明する。
図３は、実施の形態２によるワンタイムメモリの制御装置の処理を示すシーケンス図である。なお、制御装置の構成は実施の形態１と同様である。
ＬＳＩの外部からヒューズの切断処理を行う場合はこのシーケンスに沿って動作する。
ステップＳ２０１で処理シーケンスを開始し、まずステップＳ２０２により既に切断されている切断電流生成用ヒューズを確認する。通常切断処理を開始する際は切断電流生成用ヒューズが接続された状態であるため、既に切断されている場合は何らかの要因により誤って切断シーケンスに入ろうとしているため、ＹＥＳ判定によりステップＳ２０９に移りシーケンスを終了する。
【００２１】
切断されているヒューズがない場合は、ステップＳ２０３に移る。
ステップＳ２０３ではヒューズ切断許可信号をイネーブルにし、切断電流生成用ヒューズＣ、Ｄの状態によらず、ステップＳ２０８までイネーブル状態を継続する。次にステップＳ２０４に移る。ステップＳ２０４では外部から８ｂｉｔ分からなる情報用ヒューズの切断情報を受信する。
ここで、ステップＳ２０１〜ステップＳ２０４は、ヒューズ切断前の状態であり、図２における記憶素子２０１３、２０１４の多重化した結果を記憶素子２０１７に出力させることになる。
次にステップＳ２０５に移る。
【００２２】
ステップＳ２０５では８ｂｉｔ分の情報用ヒューズ切断情報に基づき、１ｂｉｔずつ次の処理を実施する。切断する情報用ヒューズ切断イネーブル信号をイネーブルにすることでヒューズを切断し、その後イネーブルにした情報用ヒューズ切断イネーブル信号をディセーブルに戻す。８ｂｉｔ分の処理が終わればステップＳ２０６に移る。
ステップＳ２０６では他に切断すべき情報用ヒューズがあるかを確認する。他に切断すべき情報用ヒューズがある場合はステップＳ２０４に戻り処理を繰り返す。他に切断すべき情報用ヒューズが無い場合はステップＳ２０７に移る。
ここで、ステップＳ２０５〜ステップＳ２０７は、ヒューズ切断中の状態であり、図２における記憶素子２０１７の値を常に出力させることで、切断電流生成用ヒューズＣ、Ｄの両方が切断されるまで、ヒューズ切断電流生成回路１０６はヒューズに対して電流を供給し続ける。
【００２３】
ステップＳ２０７では切断電流生成用ヒューズＣ、Ｄを1つずつ次の処理を実施する。
切断する切断電流生成用ヒューズ切断イネーブル信号をイネーブルにすることでヒューズを切断し、その後イネーブルにした切断電流生成用ヒューズ切断イネーブル信号をディセーブルに戻す。２つ分の処理が終わればステップＳ２０８に移る。
ステップＳ２０８ではヒューズ切断許可信号をディセーブルにする。次にステップＳ２０９に移り、ヒューズの切断処理シーケンスを終了する。
ここで、ステップＳ２０８、ステップＳ２０９は、ヒューズ切断後の状態であり、切断電流生成用ヒューズＣと切断電流生成用ヒューズＤから受けた論理を切断することで、情報用ヒューズ切断イネーブル信号が出力されても、ヒューズ切断電流生成回路１０６からの電流の供給が断たれているため、誤ってヒューズが切断されることはない。
【００２４】
実施の形態２では、情報用ヒューズ情報を８ｂｉｔ単位で説明したが、８ｂｉｔ単位にこだわる必要はなく、任意の単位での実施が可能である。
【００２５】
実施の形態１および実施の形態２におけるワンタイムメモリの制御装置は、車両用発電機の制御装置に実装されると好適である。
図４、図５は、本発明を車両用発電機の発電制御装置に適用した一例を示している。なお、図４、図５において、図１と図２と同符号は同一又は相当部分を示すものとする。
先ず、図４に基づいて発電制御装置の構成と発電動作について説明する。
図４において、車両に搭載されている発電機１は、ステータコイル１１と内燃機関（図示せず）により回転駆動されるフィールドコイル１２と三相全波整流器１３、及び発電制御装置４００とにより構成されている。
三相全波整流器１３の出力端は、車両に搭載されたバッテリ２の正端子、車両に搭載された電気負荷である車両電気負荷３および発電制御装置４００に接続されている。また、フィールドコイル１２は、発電制御装置４００に接続されている。
発電制御装置４００は、フィールドコイル１２への電流を通電、遮断するために励磁ドライバ１４を備えている。この励磁ドライバ１４をＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御することで、フィールドコイル１２への電流量を調整している。
また、励磁ドライバ１４の通電、遮断の電流変化に伴うサージ抑制を目的とした還流ダイオード１５を備える。
発電機１に内蔵された発電制御装置４００は、励磁ドライバ１４をＰＷＭ制御することでフィールドコイル１２への電流量調整を行っている。
外部制御ユニット５００で決定された制御用のデータは送受信部４０１に送信される。送受信部４０１で受信されたデータはシーケンス回路３００、基準電圧設定部４０２に対して送信される。基準電圧設定部４０２では受信したテータに基づき制御のための基準電圧が設定される。基準電圧設定部４０２に設定される基準電圧と、発電機１の出力端電圧を抵抗分圧する電圧検知部４０３で検出して得られる電圧（入力電圧）とを比較器４０４で比較し、基準電圧よりも入力電圧が低い場合は励磁ドライバ１４に対するＰＷＭ信号のオンデューティを増加することでフィールドコイル１２への電流を増加させ、発電機の発電電圧を増加させる。
反対に、内部の基準電圧よりも入力電圧が高い場合には励磁ドライバ１４へのＰＷＭ信号のオンデューティを低下することでフィールドコイル１２への電流を減少させ、発電機の発電電圧を低下させる。
【００２６】
図４、図５における多重化部２０２、２０３は、情報用ヒューズの論理の多重化して結果を出力するブロックである。図４、５では2つの信号による多数決を行っているが、３重以上の多数決論理でも構わない。
デューティ検出部４０５は、励磁ドライバ１４を構成するトランジスタのオン、オフ論理のオン時間とオフ時間を計測し、デューティ（オン時間の割合、導通率）を算出するブロックであり、温度検出部４０６は、温度センサにより温度情報を電気信号に変換し出力するブロックであり、温度情報−Ａ／Ｄ変換部４０７は、温度検出部４０６が出力した温度と相関を持った電気信号をデジタル信号に変換した後、温度センサの製造ばらつきを補正するための入力信号の「補正値」によって温度センサのオフセットと傾きを補正して出力するためのブロックである。
ヒューズ切断許可信号生成回路２０１は、ヒューズに電流を供給するためのヒューズ切断電流生成回路１０６の機能をオン、オフさせる信号と、ヒューズの切断を実行するためのシーケンス回路３００にヒューズを切断してよいかの判定を伝える信号を生成するブロックである。
【００２７】
次にヒューズの切断動作について説明する。図５はヒューズ切断動作を説明するためのブロック構成図である。
ヒューズ切断するにはＬＳＩ出荷テスタ５０１から、送受信部４０１に対して通信コマンド（例えばＬＩＮ通信）を送信する。送信するコマンドでは切断するヒューズを特定するためのアドレス情報と、特定したヒューズの切断の有無情報が示されている。前記アドレス情報は複数ビットのヒューズを一塊として扱っており、前記ヒューズの切断の有無情報もアドレスによって特定された複数ビットのヒューズ各々に対して切断の有無を通知する。
シーケンス回路３００は、ＬＳＩ出荷テスタ５０１の指示した情報ヒューズおよび切断電流生成用ヒューズを切断する。発電制御装置４００に対しては、例えばコマンドをＬＩＮフレームで送信し、ヒューズを切断することができる。
シーケンス回路３００はヒューズ切断許可信号生成回路２０１に対して、切断電流生成用ヒューズＣ１１３か切断電流生成用ヒューズＤ１１４のどちらかが切断中である場合はそのことを通知する。ヒューズ切断許可信号生成回路２０１は両方が切断中は、切断電流生成用ヒューズＣ１１３か切断電流生成用ヒューズＤ１１４を多重化せずに、切断が完了した後にシーケンス回路３００とヒューズ切断電流生成回路１０６に対してヒューズ切断許可信号をディセーブルにすることで、以後の書き込みを禁止する。
【００２８】
本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することができる。
【符号の説明】
【００２９】
１０１  ヒューズ切断許可信号、１０２  情報用ヒューズＡ切断イネーブル信号、１０３  情報用ヒューズＢ切断イネーブル信号、１０４  切断電流生成用ヒューズＣ切断イネーブル信号、１０５  切断電流生成用ヒューズＤ切断イネーブル信号、１０６  ヒューズ切断電流生成回路、１０７  情報用ヒューズＡ切断スイッチ、１０８  情報用ヒューズＢ切断スイッチ、１０９  切断電流生成用ヒューズＣ切断スイッチ、１１０  切断電流生成用ヒューズＤ切断スイッチ、１１１  情報用ヒューズＡ、１１２  情報用ヒューズＢ、１１３  切断電流生成用ヒューズＣ、１１４  切断電流生成用ヒューズＤ、２０１  ヒューズ切断許可信号生成回路
【図１】
2017212020.tif 000003
【図２】
2017212020.tif 000004
【図３】
2017212020.tif 000005
【図４】
2017212020.tif 000006
【図５】
2017212020.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月17日(2017.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒューズを用いて情報を保持するワンタイムメモリにおいて、
ヒューズ切断許可信号によりヒューズ切断電流を生成するヒューズ切断電流生成回路、
第１の情報用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によって前記ヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第１の情報用ヒューズ切断スイッチ、
第２の情報用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によって前記ヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第２の情報用ヒューズ切断スイッチ、
第１の切断電流生成用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によって前記ヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第１の切断電流生成用ヒューズ切断スイッチ、
第２の切断電流生成用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によって前記ヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第２の切断電流生成用ヒューズ切断スイッチ、
前記第１の情報用ヒューズ、前記第２の情報用ヒューズ、前記第１の切断電流生成用ヒューズ、および前記第２の切断電流生成用ヒューズのそれぞれに流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力されるロジック部、
前記ロジック部に設けられ前記第１の切断電流生成用ヒューズおよび前記第２の切断電流生成用ヒューズのそれぞれに流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力され、多重化された前記第１の切断電流生成用ヒューズおよび前記第２の切断電流生成用ヒューズにより、前記ヒューズ切断許可信号を生成するヒューズ切断許可信号生成回路を備えたことを特徴とするワンタイムメモリの制御装置。
【請求項２】
前記第１の情報用ヒューズおよび前記第２の情報用ヒューズは、半導体集積回路において製品出荷時に設定値の固有の情報を書き込み、保持するためのものであり、前記第１の切断電流生成用ヒューズおよび前記第２の切断電流生成用ヒューズは、半導体集積回路の製品出荷後に前記第１の情報用ヒューズおよび前記第２の情報用ヒューズを誤切断しないよう前記ヒューズ切断電流生成回路の動作を禁止するものであることを特徴とする請求項１に記載のワンタイムメモリの制御装置。
【請求項３】
車両用発電機の制御装置に実装されたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のワンタイムメモリの制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のワンタイムメモリの制御装置は、ヒューズ切断許可信号によりヒューズ切断電流を生成するヒューズ切断電流生成回路、第１の情報用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によってヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第１の情報用ヒューズ切断スイッチ、第２の情報用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によってヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第２の情報用ヒューズ切断スイッチ、第１の切断電流生成用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によってヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第１の切断電流生成用ヒューズ切断スイッチ、第２の切断電流生成用ヒューズに接続され切断イネーブル信号によってヒューズ切断電流生成回路からのヒューズ切断電流を流すように動作する第２の切断電流生成用ヒューズ切断スイッチ、第１の情報用ヒューズ、第２の情報用ヒューズ、第１の切断電流生成用ヒューズ、および第２の切断電流生成用ヒューズのそれぞれに流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力されるロジック部、ロジック部に設けられ第１の切断電流生成用ヒューズおよび第２の切断電流生成用ヒューズのそれぞれに流れるヒューズ切断電流の状態による論理信号が入力され、多重化された前記第１の切断電流生成用ヒューズおよび前記第２の切断電流生成用ヒューズにより、ヒューズ切断許可信号を生成するヒューズ切断許可信号生成回路を備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図２は、ヒューズ切断許可信号生成回路２０１の具体的な構成の一例を示すブロック図である。
図２に示すように、ヒューズ切断許可信号生成回路２０１は、切断電流生成用ヒューズＣの論理信号が入力される多重化部（第２の多重化部ともいう）２０１１、切断電流生成用ヒューズＤの論理信号が入力される多重化部（第３の多重化部ともいう）２０１２、多重化部２０１１からの信号が入力される記憶素子（第１の記憶素子ともいう）２０１３、多重化部２０１２からの信号が入力される記憶素子（第２の記憶素子ともいう）２０１４、記憶素子２０１３および記憶素子２０１４からの信号が入力される多重化部（第４の多重化部ともいう）２０１５、多重化部２０１５からの信号および外部からの情報として使用されるシーケンス回路３００からの信号がヒューズ切断前かヒューズ切断後かの情報として入力されるセレクタ２０１６、セレクタ２０１６からの信号が入力される記憶素子（第３の記憶素子ともいう）２０１７から構成されている。記憶素子２０１３からの信号は多重化部２０１１に入力され、また記憶素子２０１４からの信号は多重化部２０１２に入力される。更に、記憶素子２０１７からの信号はセレクタ２０１６にヒューズ切断中の情報として入力される。