(57)【要約】【課題】  本発明は、描画以外の要因の影響を受けずに、適切にビーム成形偏向器を調整することができる荷電ビーム描画装置の調整方法を提供することを、主たる目的とする。【解決手段】  ＷL＋ＷR＝Ｗになる関係を満たすＷLとＷRを、それぞれ幅寸法の設定値として成形される一対となる２つの成形ビームを、互いの前記第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジであって幅方向に垂直なエッジの距離がＷLとなる設定で、隣接するように描画する工程と、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成される１本のライン状のパターンの幅寸法を測定する工程と、を備え、得られた寸法の結果から、適正にビーム成形偏向器を調整することにより、上記課題を解決する。【選択図】      図１
2017069238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを、ビーム成形偏向器に電圧を与えることにより偏向して、第２成形アパーチャの所望の位置に照射することで、該第２成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを所望の寸法を有する成形ビームとすることができる荷電ビーム描画装置の調整方法であって、
ＷL＋ＷR＝Ｗになる関係を満たすＷLとＷRを、それぞれ幅寸法の設定値として成形される一対となる２つの成形ビームを、互いの前記第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジであって幅方向に垂直なエッジの距離がＷLとなる設定で、隣接するように描画する工程と、
前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの幅寸法を測定する工程と、
を備え、
前記一対となる２つの成形ビームの前記ＷLと前記ＷRの数値を、ＷL＋ＷR＝Ｗとなる関係を満たす条件で変更して、各ＷRの数値に応じた複数のライン状のパターンを形成し、
前記複数のライン状のパターンの幅寸法を測定して得られた結果から、前記ビーム成形偏向器に与える電圧を調整することを特徴とする荷電ビーム描画装置の調整方法。
【請求項２】
第１成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを、ビーム成形偏向器に電圧を与えることにより偏向して、第２成形アパーチャの所望の位置に照射することで、該第２成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを所望の寸法を有する成形ビームとすることができる荷電ビーム描画装置の調整方法であって、
ＷL＋ＷR＝Ｗになる関係を満たすＷLとＷRを、それぞれ幅寸法の設定値として成形される一対となる２つの成形ビームを、互いの前記第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジであって幅方向に垂直なエッジの距離がＷLとなる設定で、隣接するように描画する工程と、
前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの幅寸法を測定する工程と、
を備え、
前記一対となる２つの成形ビームの前記ＷLと前記ＷRの数値を、ＷL＋ＷR＝Ｗとなる関係を満たす条件で変更して、各ＷRの数値に応じた複数のライン状のパターンを形成し、
前記複数のライン状のパターンの幅寸法を測定し、
前記ＷR又は前記ＷLの数値をＸ座標とし、該ＷR又は該ＷLに応じたライン状のパターンの幅寸法の測定値と前記Ｗとの数値の差をＹ座標として、前記測定した複数の点をＸＹ座標系にプロットし、
プロットした複数の点を直線近似して直線の傾きを算出し、
前記算出した直線の傾きから、傾きが０になる前記電圧を求め、
得られた前記電圧を、 前記ビーム成形偏向器に与える電圧とすることを特徴とする荷電ビーム描画装置の調整方法。
【請求項３】
第１成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを、ビーム成形偏向器に電圧を与えることにより偏向して、第２成形アパーチャの所望の位置に照射することで、該第２成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを所望の寸法を有する成形ビームとすることができる荷電ビーム描画装置の調整方法であって、
ＷL＋ＷR＝Ｗになる関係を満たすＷLとＷRを、それぞれ幅寸法の設定値として成形される一対となる２つの成形ビームを、互いの前記第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジであって幅方向に垂直なエッジの距離がＷLとなる設定で、隣接するように描画する工程と、
前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの幅寸法を測定する工程と、
を備え、
前記ビーム成形偏向器に与える電圧を変化させた状態で、前記一対となる２つの成形ビームの前記ＷLと前記ＷRの数値を、ＷL＋ＷR＝Ｗとなる関係を満たす条件で変更して、各ＷRの数値に応じた複数のライン状のパターンを形成し、
前記複数のライン状のパターンの幅寸法を測定し、
前記ＷR又は前記ＷLの数値をＸ座標とし、該ＷR又は該ＷLに応じたライン状のパターンの幅寸法の測定値と前記Ｗとの数値の差をＹ座標として、前記測定した複数の点を、前記各電圧に応じてＸＹ座標系にプロットして第１のグラフを作成し、
前記第１のグラフにおいてプロットした複数の点を、前記各電圧に応じて直線近似して、該各電圧に応じて得られた各直線の傾きを算出し、
次に、
前記各電圧に応じた数値をＸ座標とし、該各電圧に応じて得られた各直線の傾きの数値をＹ座標として、該各電圧に応じた複数の点をＸＹ座標系にプロットして第２のグラフを作成し、
前記第２のグラフにおいてプロットした複数の点を直線近似して得られた直線のＸ切片の数値に応じた電圧を、 前記ビーム成形偏向器に与える電圧とすることを特徴とする荷電ビーム描画装置の調整方法。
【請求項４】
前記直線近似が、最小二乗法による直線近似であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法。
【請求項５】
前記Ｗの数値が、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの寸法リニアリティが成立する領域の寸法であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法。
【請求項６】
前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの幅寸法を測定する工程が、
前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるレジストパターンの幅寸法を測定する工程であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法。
【請求項７】
前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの幅寸法を測定する工程が、
金属を含む材料から構成される薄膜層の上にレジスト層を積層した積層体に対して、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより、まず、レジストパターンを形成し、次に、前記レジストパターンをエッチングマスクに用いて前記薄膜層をエッチングして薄膜層パターンを形成し、前記薄膜層パターンの幅寸法を測定する工程であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法によって電圧を調整したビーム成形偏向器を用いて成形ビームを形成し、該成形ビームを用いて描画を行うことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法によって電圧を調整したビーム成形偏向器を用いて成形ビームを形成し、該成形ビームを用いた描画により、レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法によって電圧を調整したビーム成形偏向器を用いて成形ビームを形成し、該成形ビームを用いた描画によりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをエッチングマスクに用いたエッチングにより、マスクパターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用フォトマスクのマスクパターン等の微細パターンを描画するための、荷電ビーム描画装置の調整方法、荷電ビーム描画方法、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体用フォトマスクのマスクパターン等の微細パターンを描画する装置として、可変矩形成形型の荷電ビーム描画装置が使われている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
この可変矩形成形型の荷電ビーム描画装置は、２つの成形アパーチャの間にビーム成形偏向器を有しており、例えば、図１３に示すように、第１成形アパーチャ１０２の開口部を通過する荷電ビーム１０１を、ビーム成形偏向器１０３に電圧を与えることにより偏向して第２成形アパーチャ１０５の所望の位置に照射することで、この第２成形アパーチャ１０５の開口部を通過する成形ビーム１０６を、所望の寸法を有する成形ビームとすることができる。ビーム成形偏向器１０３には、成形アンプ１０４のゲイン値に応じた電圧が印加される。
【０００４】
上記のようにして形成された成形ビーム１０６は、縮小レンズ（図示せず）によって所定の倍率で縮小され、位置決め偏向器（図示せず）により、被描画物１０７の所望の位置に描画される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２９１９８号公報
【特許文献２】特開平９−６３９３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような荷電ビーム描画装置１００において、ビーム成形偏向器１０３に印加する電圧が不適切な場合、所望の寸法を有する成形ビーム１０６を形成することができない。
それゆえ、成形ビーム１０６が所望の寸法を有するビームとなるように、ビーム成形偏向器１０３に与える電圧の調整を行う必要がある。なお、このビーム成形偏向器１０３に与える電圧の調整は、具体的には、成形アンプ１０４のゲイン値の調整により行われる。
この調整方法として、例えば、成形ビームの設定寸法を変えて描画を行い、得られたレジストパターンやマスクパターンの寸法を測定して、設定寸法とのズレ量を求め、このズレを補正する方法がある。
【０００７】
しかしながら、レジストパターンの寸法リニアリティが成立しない微細な寸法領域においては、単に成形ビームの設定寸法を変えて描画を行っても、得られるレジストパターンの寸法は、描画以外の要因、例えば、レジストの解像度等の要因で変化してしまうため、描画のみの影響を反映するズレ量を直接求めることは困難である。
【０００８】
一方、フォトマスクに形成されるマスクパターンは、半導体デバイスの高集積化に伴って微細化が要求され、急速な微細化の進行により、近年では、ナノメートルレベルの寸法制御が要求されてきている。
それゆえ、上記の寸法リニアリティが成立しないような微細寸法領域のズレに対しても、適切に成形ビームを調整することが望まれている。
なお、上記の寸法リニアリティが成立しないような微細寸法領域は、レジストの解像度など各種材料の要因や、描画、現像、エッチングなどの各種プロセスの要因等によって変化するものであり、一律に特定することは難しい。
【０００９】
図１４は、荷電ビーム描画用レジストパターンの寸法リニアリティの一例を示す図である。
図１４から、例えば、７００ｎｍ未満の寸法領域が、寸法リニアリティが成立しないような微細寸法領域と言うことができる。より確実な特定をするならば、５００ｎｍ未満の寸法領域が、この寸法リニアリティが成立しないような微細寸法領域と言うことができる。
逆に言えば、例えば、５００ｎｍ以上２０００ｎｍの寸法領域は、寸法リニアリティが成立する寸法領域と言うことができる。より確実な特定をするならば、７００ｎｍ以上２０００ｎｍ未満の寸法領域が、寸法リニアリティが成立する寸法領域と言うことができる。
【００１０】
上記のような微細寸法領域のズレ量を評価する方法として、特定の寸法ａをｎ分割した成形ビームをｎ本並べて描画することで、得られるレジストパターンの寸法を寸法リニアリティが成立する領域の寸法に拡大して、ズレ量を評価する方法が提案されている（特許文献２）。
【００１１】
より詳しくは、図１５（ａ）に示すように、特定の寸法ａをｎ分割した成形ビーム２００（設定寸法ａ／ｎ）が、ズレ量（+δ）を有している場合に、設定寸法ａ／ｎが上記のような微細寸法だと、この成形ビーム２００を上下方向（図中Ｙ方向）に連ねて描画して得られるレジストパターンの寸法を測定して、直接ズレ量（+δ）を得ることには困難性がある。描画以外の要因でレジストパターンの寸法が変化してしまうからである。
そこで、図１５（ｂ）に示すように、この成形ビーム２００を左右方向（図中Ｙ方向）にｎ本並べて描画することで、得られる描画パターン３０１の寸法を寸法リニアリティが成立する領域の寸法に拡大し、この描画パターン３０１の寸法（ａ＋（ｎ×δ））を測定して、ズレ量（δ）を評価しようとするものである。描画パターン３０１の寸法測定に際しては、ズレ量（+δ）がｎ倍になるため、高精度にズレ量を評価できるとしている。
ここで、特許文献２において、例えば、ａ＝５００ｎｍ、ｎ＝５０、δ＝５ｎｍである。
【００１２】
しかしながら、上記の特許文献２の評価方法では、以下のような問題がある。
（１）特許文献２の評価方法では、実際には正確なズレ量を評価することは、困難である。特許文献２の評価方法で得られるレジストパターンは、実際には、図１５（ｂ）に示す描画パターン３０１のようにはならず、図１６（ｂ）に示す描画パターン３０２のようになるからである。これについては、後段で詳述する。
（２）また、特許文献２の評価方法で用いる成形ビームは、特定の寸法ａをｎ分割したものである。それゆえ、寸法ａに近い寸法の成形ビームについては、評価できない。例えば、ａ未満であってａ／２より大きい寸法の成形ビームや、ａ／２未満であってａ／３より大きい寸法の成形ビームについては、評価できない。すなわち、ズレ量の評価は不連続なものになり、特に、寸法ａに近い寸法領域において、評価の信頼性が低くなる。
【００１３】
上記（１）について、以下、詳しく説明する。
図１３に示すように、成形ビーム１０６の寸法は、第１成形アパーチャ１０２の開口部を通過した荷電ビームが、第２成形アパーチャ１０５に照射される位置によって決まる。そして、この第２成形アパーチャ１０５に照射される位置を決めるのが、ビーム成形偏向器１０３である。
すなわち、成形ビームの設定寸法からのズレは、荷電ビーム描画装置のビーム成形偏向器の調整不足により生じるものであることから、図１６（ａ）に示す成形ビーム２００において、ズレ量（+δ）に係る部分は、第１成形アパーチャの開口部で形成される側のエッジ２０２に形成される。
【００１４】
一方、上記のように、成形ビーム２００をｎ本並べて描画する場合、すなわち、成形ビーム２００を、ａ／ｎピッチの設定でｎ本並べて描画する場合、図１６（ｂ）に示すように、成形ビーム２００において第２成形アパーチャの開口部で形成される側のエッジ２０１は、荷電ビーム描画装置の位置決め偏向器によって、ａ／ｎピッチでレジストに描画される。
それゆえ、得られるレジストパターンは、図１６（ｂ）に示す描画パターン３０２のようになり、その寸法はａ＋δとなる。
すなわち、特許文献２の評価方法では、レジストパターンにおけるズレ量（+δ）は、図１５（ｂ）に示すようにｎ倍にはならず、それゆえ、高精度にズレ量を評価することは困難である。
【００１５】
なお、図１６（ｂ）に示す描画パターン３０２において、成形ビーム２００が隣接するエッジ２０１の箇所は、ズレ量（+δ）に相当する荷電ビームの露光量が加わるため、原理的には、描画パターン３０２の寸法はａ＋δよりも大きくなる。特に、成形ビーム２００の寸法（ａ／ｎ）がズレ量（+δ）と同等なくらいに小さくなる場合、顕著になる。
しかしながら、上記のようにａ／ｎピッチで描画していることから、描画パターン３０２の寸法は、単純にａ＋（ｎ×δ）にはならない。
すなわち、ｎ数を増やしても、正確なズレ量を評価することは、やはり困難である。さらに、ｎ数が多い場合は、荷電ビーム描画装置のビーム成形偏向器以外の要因でレジストパターンの寸法が変化してしまうおそれもある。
【００１６】
一方、ｎ数が少ない場合は、成形ビーム２００の寸法（ａ／ｎ）に対してズレ量（+δ）が小さいため、ズレ量（+δ）に相当する荷電ビームの露光量が加わるものの、描画パターン３０２の寸法が受ける影響は無視できるものになる。例えば、ａ＝５００ｎｍ、ｎ＝２、δ＝５ｎｍとした場合、成形ビーム２００の寸法（ａ／ｎ＝２５０ｎｍ）に対してズレ量（+δ＝＋５ｎｍ）は１／５０と小さいため、描画パターン３０１の寸法が受ける影響は無視できるものになる。
【００１７】
すなわち、上述の特許文献２の評価方法では、正確なズレ量を評価することは困難であり、それゆえ、適切にビーム成形偏向器を調整することも困難である。
【００１８】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、描画以外の要因の影響を受けずに、適切にビーム成形偏向器を調整することができる荷電ビーム描画装置の調整方法を提供することを、主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の請求項１に係る発明は、第１成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを、ビーム成形偏向器に電圧を与えることにより偏向して、第２成形アパーチャの所望の位置に照射することで、該第２成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを所望の寸法を有する成形ビームとすることができる荷電ビーム描画装置の調整方法であって、ＷL＋ＷR＝Ｗになる関係を満たすＷLとＷRを、それぞれ幅寸法の設定値として成形される一対となる２つの成形ビームを、互いの前記第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジであって幅方向に垂直なエッジの距離がＷLとなる設定で、隣接するように描画する工程と、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの幅寸法を測定する工程と、を備え、前記一対となる２つの成形ビームの前記ＷLと前記ＷRの数値を、ＷL＋ＷR＝Ｗとなる関係を満たす条件で変更して、各ＷRの数値に応じた複数のライン状のパターンを形成し、前記複数のライン状のパターンの幅寸法を測定して得られた結果から、前記ビーム成形偏向器に与える電圧を調整することを特徴とする荷電ビーム描画装置の調整方法である。
【００２０】
また、本発明の請求項２に係る発明は、第１成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを、ビーム成形偏向器に電圧を与えることにより偏向して、第２成形アパーチャの所望の位置に照射することで、該第２成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを所望の寸法を有する成形ビームとすることができる荷電ビーム描画装置の調整方法であって、ＷL＋ＷR＝Ｗになる関係を満たすＷLとＷRを、それぞれ幅寸法の設定値として成形される一対となる２つの成形ビームを、互いの前記第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジであって幅方向に垂直なエッジの距離がＷLとなる設定で、隣接するように描画する工程と、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの幅寸法を測定する工程と、を備え、前記一対となる２つの成形ビームの前記ＷLと前記ＷRの数値を、ＷL＋ＷR＝Ｗとなる関係を満たす条件で変更して、各ＷRの数値に応じた複数のライン状のパターンを形成し、前記複数のライン状のパターンの幅寸法を測定し、前記ＷR又は前記ＷLの数値をＸ座標とし、該ＷR又は該ＷLに応じたライン状のパターンの幅寸法の測定値と前記Ｗとの数値の差をＹ座標として、前記測定した複数の点をＸＹ座標系にプロットし、プロットした複数の点を直線近似して直線の傾きを算出し、前記算出した直線の傾きから、傾きが０になる前記電圧を求め、得られた前記電圧を、 前記ビーム成形偏向器に与える電圧とすることを特徴とする荷電ビーム描画装置の調整方法である。
【００２１】
また、本発明の請求項３に係る発明は、第１成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを、ビーム成形偏向器に電圧を与えることにより偏向して、第２成形アパーチャの所望の位置に照射することで、該第２成形アパーチャの開口部を通過する荷電ビームを所望の寸法を有する成形ビームとすることができる荷電ビーム描画装置の調整方法であって、ＷL＋ＷR＝Ｗになる関係を満たすＷLとＷRを、それぞれ幅寸法の設定値として成形される一対となる２つの成形ビームを、互いの前記第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジであって幅方向に垂直なエッジの距離がＷLとなる設定で、隣接するように描画する工程と、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの幅寸法を測定する工程と、を備え、前記ビーム成形偏向器に与える電圧を変化させた状態で、前記一対となる２つの成形ビームの前記ＷLと前記ＷRの数値を、ＷL＋ＷR＝Ｗとなる関係を満たす条件で変更して、各ＷRの数値に応じた複数のライン状のパターンを形成し、前記複数のライン状のパターンの幅寸法を測定し、前記ＷR又は前記ＷLの数値をＸ座標とし、該ＷR又は該ＷLに応じたライン状のパターンの幅寸法の測定値と前記Ｗとの数値の差をＹ座標として、前記測定した複数の点を、前記各電圧に応じてＸＹ座標系にプロットして第１のグラフを作成し、前記第１のグラフにおいてプロットした複数の点を、前記各電圧に応じて直線近似して、該各電圧に応じて得られた各直線の傾きを算出し、次に、前記各電圧に応じた数値をＸ座標とし、該各電圧に応じて得られた各直線の傾きの数値をＹ座標として、該各電圧に応じた複数の点をＸＹ座標系にプロットして第２のグラフを作成し、前記第２のグラフにおいてプロットした複数の点を直線近似して得られた直線のＸ切片の数値に応じた電圧を、 前記ビーム成形偏向器に与える電圧とすることを特徴とする荷電ビーム描画装置の調整方法である。
【００２２】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記直線近似が、最小二乗法による直線近似であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法である。
【００２３】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記Ｗの数値が、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの寸法リニアリティが成立する領域の寸法であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法である。
【００２４】
また、本発明の請求項６に係る発明は、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの幅寸法を測定する工程が、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるレジストパターンの幅寸法を測定する工程であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法である。
【００２５】
また、本発明の請求項７に係る発明は、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成されるライン状のパターンの幅寸法を測定する工程が、金属を含む材料から構成される薄膜層の上にレジスト層を積層した積層体に対して、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより、まず、レジストパターンを形成し、次に、前記レジストパターンをエッチングマスクに用いて前記薄膜層をエッチングして薄膜層パターンを形成し、前記薄膜層パターンの幅寸法を測定する工程であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法である。
【００２６】
また、本発明の請求項８に係る発明は、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法によって電圧を調整したビーム成形偏向器を用いて成形ビームを形成し、該成形ビームを用いて描画を行うことを特徴とする荷電ビーム描画方法である。
【００２７】
また、本発明の請求項９に係る発明は、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法によって電圧を調整したビーム成形偏向器を用いて成形ビームを形成し、該成形ビームを用いた描画により、レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法である。
【００２８】
また、本発明の請求項１０に係る発明は、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置の調整方法によって電圧を調整したビーム成形偏向器を用いて成形ビームを形成し、該成形ビームを用いた描画によりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをエッチングマスクに用いたエッチングにより、マスクパターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、描画以外の要因の影響を受けずに、適切にビーム成形偏向器を調整することができる。それゆえ、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法を施した荷電ビーム描画装置を用いれば、微細なパターンであっても、寸法精度良く描画することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法の流れの一例について示す図。
【図２】本発明に係る調整方法を施す前の成形ビームの一例について示す図。
【図３】本発明に係る調整方法を施す前の成形ビームの設定寸法と実際の寸法の関係について示す図。
【図４】本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法において用いる一対となる２つの成形ビームと描画パターンの一例について示す図。
【図５】本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法において用いる一対となる２つの成形ビームと描画パターンの関係について示す図。
【図６】本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法における第１のグラフの一例について示す図。
【図７】図６おいてプロットした複数の点を成形アンプの各ゲイン値に応じて直線近似して得られたグラフについて示す図。
【図８】本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法における第２のグラフの一例について示す図。
【図９】図８においてプロットした複数の点を直線近似して得られたグラフについて示す図。
【図１０】本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法を施した結果の一例について示す図。
【図１１】図１０においてプロットした複数の点を直線近似して得られたグラフについて示す図。
【図１２】本発明に係るフォトマスクの製造方法の一例について示す図。
【図１３】可変矩形成形型の荷電ビーム描画装置の要部について示す図。
【図１４】寸法リニアリティの一例を示す図
【図１５】従来の成形ビームのズレ量の評価方法の一例について示す図。
【図１６】従来の成形ビームのズレ量の評価方法の課題について示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
＜荷電ビーム描画装置の調整方法＞
まず、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法について、説明する。
本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法は、ＷL＋ＷR＝Ｗになる関係を満たすＷLとＷRを、それぞれ幅寸法の設定値として成形される一対となる２つの成形ビームを、互いの前記第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジであって幅方向に垂直なエッジの距離がＷLとなる設定で、隣接するように描画する工程と、前記一対となる２つの成形ビームを描画することにより形成される１本のライン状のパターンの幅寸法を測定する工程と、を備え、得られた寸法の結果から、適正にビーム成形偏向器を調整するものである。
以下、図面を用いて詳細に説明する。
【００３２】
（被描画物準備、所定の描画）
図１は、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法の流れの一例について示す図である。
本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法においては、まず、被描画物（例えば、レジスト層付きフォトマスクブランクス）を荷電ビーム描画装置のステージに搭載し（図１のＳ１）、次に、所定の２つの成形ビームを用いて所定の描画を行う（図１のＳ２）。
【００３３】
このＳ２の工程について、図２〜図５を用いて詳しく説明する。
ここで、図２は、本発明に係る調整方法を施す前の成形ビームの一例について示す図であり、図３は、本発明に係る調整方法を施す前の成形ビームの設定寸法と実際の寸法の関係について示す図であり、図４は、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法において用いる一対となる２つの成形ビームと描画パターンの一例について示す図であり、図５は、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法において用いる一対となる２つの成形ビームと描画パターンの関係について示す図である。
【００３４】
上述のように、ビーム成形偏向器は、第１成形アパーチャと第２成形アパーチャから形成される成形ビームが、所望の寸法になるように作用する。
ここで、荷電ビーム描画装置が備えている調整方法、例えば、ファラデーカップやステージ上の十字マーク等を用いた従来の調整方法によっても、成形ビームの寸法が１０００ｎｍ以上の寸法であれば、精度良く調整可能である。
なお、本明細書において、「成形ビームの寸法」は、荷電ビーム描画装置が備えている縮小レンズ系で縮小された後の、被描画物上における寸法（例えば、レジストパターンの寸法）を指すものとする。
【００３５】
しかしながら、１０００ｎｍ未満では、例えば、ファラデーカップやステージ上の十字マーク等を用いた調整方法では精度が不足し、さらに、７００ｎｍ未満の寸法領域では、上述のように、描画のみの影響を反映するズレ量を直接求めることが困難なことから、適正にビーム成形偏向器を調整することも困難であった。
例えば、図２に示すように、設定寸法０ｎｍの入力に対し、実際の成形ビームがズレ量（＋δ）を有していても、そのズレ量（＋δ）を正確に把握することは困難であり、それゆえ０ｎｍ〜１０００ｎｍの寸法領域においては、寸法リニアリティが良好な描画を行うことも困難性を伴っていた。
【００３６】
上記について、図３を用いて、より具体的に説明する。
ここで、図３（ａ）は、設定寸法１０００ｎｍの入力に対して実際の成形ビームがズレ量０ｎｍであり、設定寸法０ｎｍの入力に対して実際の成形ビームがズレ量１０ｎｍを有している場合の設定寸法と実際の寸法の関係を示し、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す各点Ｐ0〜Ｐ5における成形ビームの設定寸法に該当する領域（白抜きの領域）とズレ量に該当する領域（ドットパターンで示す領域）の関係を示す。
【００３７】
なお、上述のように、微細寸法領域の成形ビームのズレ量（＋δ）を正確に把握することは困難であり、図３に示す実際の寸法（例えば１０ｎｍ）も正確なものでは無い。図３は、あくまで、本発明に係る調整方法を施す前の成形ビームの設定寸法と実際の寸法の関係について、その概念を説明するためのものである。
【００３８】
図３（ａ）に示すように、設定寸法０ｎｍの入力に対して実際の成形ビームが＋１０ｎｍのズレを有している場合であっても、ビーム成形偏向器に与えられる電圧は、理想状態と同様に、成形アンプのゲイン値に応じて与えられるものであることから、設定寸法０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲における実際の寸法は、＋１０ｎｍをＹ切片とする傾き一定の直線に乗るものと考えられる。
換言すれば、理想状態においては、設定寸法０ｎｍ〜１０００ｎｍの入力に対して、成形アンプにおいて増幅された出力が０ｎｍ〜１０００ｎｍに相当する電圧になるところ、図３（ａ）に示す例においては、設定寸法−Ｘ1ｎｍ〜１０００ｎｍの入力に対して、成形アンプにおいて増幅された出力が０ｎｍ〜１０００ｎｍに相当する電圧になるように、ズレが生じている。
【００３９】
それゆえ、図３（ｂ）に示すように、実際の成形ビーム１０は、設定寸法１０００ｎｍにおいては、全領域が設定寸法に該当する領域（白抜きの領域）になるが、設定寸法が小さくなるにつれてズレ量に該当する領域（ドットパターンで示す領域）が大きくなり、設定寸法０ｎｍにおいては、全領域がズレ量に該当する領域（ドットパターンで示す領域）になると考えられる。
但し、繰り返しになるが、そのズレ量（＋δ）を直接求めることは困難である。
【００４０】
そこで、本発明においては、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ＷL＋ＷR＝Ｗになる関係を満たすＷLとＷRを、それぞれ幅寸法（図中Ｘ方向の寸法）の設定値として成形される一対となる２つの成形ビーム２０Ｌ、２０Ｒを用い、図４（ｃ）に示すように、成形ビーム２０Ｌのエッジ２１Ｌと成形ビーム２０Ｒのエッジ２１Ｒの距離がＷLとなる設定で、２つの成形ビーム２０Ｌ、２０Ｒが隣接するように描画して、１本のライン状の描画パターン３０を形成する。
【００４１】
ここで、成形ビーム２０Ｌのエッジ２１Ｌは、第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジであって、成形ビーム２０Ｌの幅方向（図中のＸ方向）に垂直なエッジである。
同様に、成形ビーム２０Ｒのエッジ２１Ｒは、第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジであって、成形ビーム２０Ｒの幅方向（図中のＸ方向）に垂直なエッジである。
【００４２】
上述のように、図１３に示すような荷電ビーム描画装置の成形ビームにおいて、ズレ量に該当する領域は、その構成上、第１成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジに内接して形成される。
それゆえ、  図４（ａ）に示すように、成形ビーム２０Ｌにおいて、ズレ量（+δL）に該当する領域（ドットパターンで示す領域）は、エッジ２１Ｌと対向するエッジ２２Ｌに内接して形成される。同様に、図４（ｂ）に示すように、成形ビーム２０Ｒにおいて、ズレ量（+δR）に該当する領域（ドットパターンで示す領域）は、エッジ２１Ｒと対向するエッジ２２Ｒに内接して形成される。
【００４３】
そして、上記のように、成形ビーム２０Ｌのエッジ２１Ｌと成形ビーム２０Ｒのエッジ２１Ｒの距離がＷLとなる設定で、２つの成形ビーム２０Ｌ、２０Ｒが隣接するように描画して、１本のライン状の描画パターン３０を形成した場合には、描画パターン３０は、図４（ｃ）に示すように、設定寸法Ｗ（＝ＷL＋ＷR）に該当する領域（白抜きの領域）の左側（エッジ２２Ｒ側）に、ズレ量（+δR）に該当する領域（ドットパターンで示す領域）を有するものとなり、その幅寸法（図中Ｘ方向の寸法）は、Ｗ＋δRになる。
【００４４】
なお、図４（ｃ）に示す描画パターン３０において、成形ビーム２０Ｌの設定寸法ＷLに該当する領域（白抜きの領域）と、成形ビーム２０Ｒが隣接するエッジ２１Ｌ（若しくはエッジ２１Ｒ）の箇所は、ズレ量（+δL）に相当する荷電ビームの露光量が加わることになる。
しかしながら、描画パターン３０の寸法（Ｗ＋δR）に対してズレ量（+δL）は極めて小さいため、その影響は無視できるものになる。
例えば、描画パターン３０の寸法（Ｗ＋δR）は概ね１０００ｎｍであるのに対し、ズレ量（+δL）は概ね１０ｎｍ以下であって、これは描画パターン３０の寸法（Ｗ＋δR）の１／１００以下と極めて小さいため、その影響は無視できるものになる。
【００４５】
図５は、上記２つの成形ビーム２０Ｌ、２０Ｒと描画パターン３０の関係について示す図である。
ここで、図５（ａ）は、成形ビーム２０Ｒの幅寸法ＷRの設定寸法を０ｎｍ〜１０００ｎｍに変更した場合の描画パターン３０の寸法ズレ量（ＣＤエラー）を示し、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す各点Ｐ10〜Ｐ15における描画パターン３０の各成形ビーム（２０Ｌ、２０Ｒ）の設定寸法に該当する領域（白抜きの領域）とズレ量（+δR）に該当する領域（ドットパターンで示す領域）の関係を示す。
なお、図５（ａ）においては、ＷRの設定寸法１０００ｎｍに対して描画パターン３０のズレ量が０ｎｍであり、ＷRの設定寸法０ｎｍに対して描画パターン３０のズレ量が１０ｎｍである場合を想定している。
【００４６】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、描画パターン３０においては、成形ビーム２０Ｒの幅寸法ＷRの設定寸法が小さくなるにつれて、ズレ量（+δR）に該当する領域（ドットパターンで示す領域）が大きくなる。
【００４７】
ここで、仮に、成形ビーム２０Ｒのみを用いて、幅寸法がＷR＋δRとなるライン状の描画パターンを形成し、その寸法を測定してズレ量（+δR）を求めようとしても、上述のように、微細寸法領域（例えば７００ｎｍ以下の寸法領域）では、描画以外の要因（例えば、レジストの解像度等の要因）の影響を受けるため、描画のみの影響を反映するズレ量（+δR）を求めることは困難である。
【００４８】
一方、本発明においては、図４（ａ）、（ｂ）に示す２つの成形ビーム２０Ｌ（設定寸法ＷL）、２０Ｒ（設定寸法ＷR）を用い、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、ＷLとＷRの数値を、ＷL＋ＷR＝Ｗとなる関係を満たす条件で変更して、図４（ｃ）に示す描画パターン３０（幅寸法Ｗ＋δR）を形成し、その寸法を測定して得られた結果からビーム成形偏向器を調整する。
それゆえ、例えば、Ｗの数値を、寸法リニアリティが成立する領域の寸法（例えば１０００ｎｍ以上）としておけば、描画以外の要因の影響を受けずに、微細寸法領域の成形ビームのズレ量を正確に把握することができ、把握したズレ量から適正にビーム成形偏向器を調整することができる。
【００４９】
特に、本発明においては、Ｗの数値を１０００ｎｍに設定することが好ましい。１０００ｎｍという寸法は、例えば、図１４に示すように、従来の荷電ビーム描画用のレジストパターンにおいて寸法リニアリティが成立する領域の寸法であり、さらに、従来の荷電ビーム描画装置が備えている調整方法、例えば、ファラデーカップやステージ上の十字マーク等を用いた従来の調整方法によっても、精度良く調整可能な寸法だからである。
Ｗの数値を１０００ｎｍに設定することで、例えば、図５（ａ）、（ｂ）に示す点Ｐ１５の測定値を、信頼性の高い数値とすることができる。
【００５０】
また、本発明においては、２つの成形ビーム２０Ｌ（設定寸法ＷL）と２０Ｒ（設定寸法ＷR）は、ＷL＋ＷR＝Ｗになる関係を満たすものであれば良く、ＷRの数値は、０以上Ｗ以下の数値範囲で自由に設定することができる。そして、ズレ量（+δR）はＷRの数値に応じて変化するものである。
それゆえ、本発明においては、ＷRの数値範囲が０以上Ｗ以下の数値範囲において、連続的にズレ量（+δR）を評価することができる。従って、本発明においては、０以上Ｗ以下の数値範囲のいずれの寸法の成形ビームにおいても、高い信頼性で適正にビーム成形偏向器を調整することができる。
【００５１】
一方、上述のように、特許文献２の評価方法においては、用いる成形ビームが特定の寸法ａをｎ分割したものであることから、寸法ａに近い寸法の成形ビームのズレについては、評価できないものであった。例えば、ａ未満であってａ／２より大きい寸法の成形ビームのズレや、ａ／２未満であってａ／３より大きい寸法の成形ビームのズレについては、評価できないものであった。
【００５２】
（描画パターンの寸法測定）
図１に戻り、上記のようにして、所定の描画（図１のＳ２）を行った後は、描画パターンの寸法測定を行う（図１のＳ３）。
この描画パターンは、上記の成形ビーム２０Ｌ（設定寸法ＷL）と２０Ｒ（設定寸法ＷR）を描画することにより形成されるライン状のパターンのことであり、本明細書において、「描画パターンの寸法測定」とは、具体的には、描画により形成される「レジストパターンの寸法測定」、若しくは、このレジストパターンをエッチングマスクに用いて形成される「薄膜層パターン（フォトマスクにおいては、マスクパターン）の寸法測定」を指すものとする。
【００５３】
上記の薄膜層パターンは、例えば、後述する図１２に示す例のように、金属を含む材料から構成される薄膜層の上にレジスト層を積層した積層体に対して、上記の２つの成形ビームを描画することにより、まず、レジストパターンを形成し、次に、このレジストパターンをエッチングマスクに用いて薄膜層をエッチングして形成することができる。
図１２については、後述の本発明に係るフォトマスクの製造方法において、詳しく説明する。
【００５４】
ここで、「描画パターンの寸法測定」として、「レジストパターンの寸法測定」を用いる場合、マスクパターンを作成する工程を省けるため、より容易に、短時間で、寸法結果を得ることができ、調整完了までの時間も短縮できる。
一方、「描画パターンの寸法測定」として、「マスクパターンの寸法測定」を用いる場合は、マスクパターンを作成する工程や時間が必要になるものの、より高精度な寸法結果を得ることができ、より精度の高い調整を行うことができる。
例えば、レジストパターンの寸法をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）型寸法測定機で測定する場合、電子線照射によるレジストのダメージによって、対象とするレジストパターンの寸法が変化してしまうおそれもあるが、マスクパターンであれば、通常、金属を含む材料から構成されているため、このようなダメージによる寸法変化は生じ難く、５ｎｍ以下のレベルでも高い精度で寸法測定可能である。
【００５５】
（第１のグラフ作成）
上記の描画パターンの寸法測定（図１のＳ３）が終わった後は、ＷR（又は前記ＷL）の数値をＸ座標とし、ＷR（又はＷL）に応じた描画パターンの寸法測定値とＷとの数値の差（描画パターンの寸法ズレ量、すなわち、ＣＤエラー）をＹ座標として、測定した複数の点をＸＹ座標系にプロットして、第１のグラフを作成する（図１のＳ４）。
【００５６】
図６は、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法における第１のグラフの一例について示す図である。
なお、図６に示す例おいては、日本電子製の可変矩形成形型の電子線描画装置を用いて、フォトマスクブランクス上に形成したポジ型電子線レジスト層に、上記の描画パターン３０を電子線描画して、まずレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクに用いてドライエッチングを施し、得られたマスクパターンの幅寸法を、ＳＥＭ型寸法測定機で測定した。
また、図６に示す例おいては、成形アンプの各ゲイン値（ビーム成形偏向器に与える各電圧に相当）として、異なる５種の値（図中、Ｇ−４〜Ｇ＋４）を用い、各ゲイン値において、ＷRの数値を、１００ｎｍ〜１０００ｎｍまで、１００ｎｍステップで変更させて描画を行った。
【００５７】
なお、本発明においては、上記の所定の描画（図１のＳ２）において、ビーム成形偏向器に与える電圧（より具体的には、ビーム成形偏向器を制御する成形アンプのゲイン値）は、１種類であっても構わない。
本発明においては、１種類の電圧に対する直線の傾きを取得できれば、その結果からビーム成形偏向器に与える電圧を導き出すことが可能だからである。
しかしながら、より高精度な調整を行うために、ビーム成形偏向器に与える電圧（成形アンプのゲイン値）には、複数種の数値を用いて、それに応じた複数の直線の傾きを取得することが好ましい。
【００５８】
本発明においては、この図６の結果から、各種の手法を用いてビーム成形偏向器を調整することが可能である。
例えば、図６において、最も寸法リニアリティが良好なゲイン値（Ｇ−４）に相当する電圧をビーム成形偏向器に与えても良い。
また、ゲイン値（Ｇ−４）に近い値のゲイン値を新たに数種選んで、図６に示す例と同様に描画（図１のＳ２）、寸法測定（図１のＳ３）を再び行って、さらに、寸法リニアリティが良好なゲイン値を見出して、このゲイン値に相当する電圧をビーム成形偏向器に与えても良い。
ここでは、本発明の好適な例として、図６の結果から、各ゲイン値におけるプロットの傾きを求め、この傾きからビーム成形偏向器に与えるゲイン値（ビーム成形偏向器に与える各電圧に相当）を得る方法について、以下、説明する。
【００５９】
図７は、図６おいてプロットした複数の点を、成形アンプの各ゲイン値（ビーム成形偏向器に与える各電圧に相当）に応じて直線近似して得られたグラフについて示す図である。
直線近似の方法としては、最小二乗法を好適に用いることができる。そして、このようにして得られた各直線の傾きを算出する。
【００６０】
本発明においては、この図７の結果から、各種の手法を用いてビーム成形偏向器を調整することが可能である。
例えば、算出した直線の傾きから、傾きが０になるゲイン値（ビーム成形偏向器に与える各電圧に相当）を導き出し、得られたゲイン値に相当する電圧をビーム成形偏向器に与えても良い。
ここでは、本発明の好適な例として、図７の結果から、傾きが０になるゲイン値（ビーム成形偏向器に与える電圧に相当）を導き出す方法として、第２のグラフを用いる方法（図１のＳ５）について、以下、説明する。
【００６１】
（第２のグラフ作成、ビーム成形偏向器の調整）
図８は、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法における第２のグラフの一例について示す図である。
より詳しくは、図８は、図７における各ゲイン値（ビーム成形偏向器に与える各電圧に相当）をＸ座標とし、図７において各ゲイン値に応じて得られた各直線の傾きの数値をＹ座標として、各ゲイン値に応じた複数の点をＸＹ座標系にプロットしたものである。
【００６２】
図９は、図８においてプロットした複数の点を直線近似して得られたグラフについて示す図である。
直線近似の方法としては、最小二乗法を好適に用いることができる。
そして、このようにして得られた直線のＸ切片の数値を、成形アンプのゲイン値（ビーム成形偏向器に与える各電圧に相当）として入力する（図１のＳ６）。
【００６３】
図１０は、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法を施した結果の一例について示す図である。また、図１１は、図１０においてプロットした複数の点を直線近似して得られたグラフについて示す図である。直線近似の方法としては、最小二乗法を用いた。
なお、図１０に示す例においても、図６に示す例と同様に、日本電子製の可変矩形成形型の電子線描画装置を用いて、フォトマスクブランクス上に形成したポジ型電子線レジスト層に、上記の描画パターン３０を電子線描画して、まずレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクに用いてドライエッチングを施し、得られたマスクパターンの幅寸法を、ＳＥＭ型寸法測定機で測定した。
但し、図１０に示す例においては、図６に示す例とは異なって、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法を施した、ビーム成形偏向器により形成された成形ビームが用いられている。
【００６４】
図１０、１１に示すように、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法を施した後においては、ＷRの設定寸法が１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲において、描画パターンの寸法ズレ量（ＣＤエラー）は、８０ｎｍ〜８２ｎｍの範囲に収まっており（寸法ばらつきはレンジで２ｎｍ）、図６、７に示す調整前のもの、例えば、図６、７に示すゲイン値（Ｇ±０）におけるものよりも、寸法リニアリティが良好なものであった。
【００６５】
以上、説明したように、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法によれば、描画以外の要因の影響を受けずに、適切にビーム成形偏向器を調整することができる。
それゆえ、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法を施した荷電ビーム描画装置を用いれば、微細なパターンであっても、寸法精度良く描画することができる。
【００６６】
また、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法においては、ＷRの数値範囲が０以上Ｗ以下の数値範囲において、連続的にズレ量（+δR）を評価することができる。従って、本発明においては、０以上Ｗ以下の数値範囲のいずれの寸法の成形ビームにおいても、高い信頼性でビーム成形偏向器を調整することができる。
【００６７】
＜荷電ビーム描画方法＞
本発明に係る荷電ビーム描画方法は、上記の荷電ビーム描画装置の調整方法によって電圧を調整したビーム成形偏向器を用いて成形ビームを形成し、該成形ビームを用いて描画を行うものである。
荷電ビーム描画装置としては、図１３に示すような構成を有する従来の可変矩形成形型の荷電ビーム描画装置を用いることができる。
【００６８】
上記のように、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法によれば、描画以外の要因の影響を受けずに、適切にビーム成形偏向器を調整することができる。
それゆえ、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法によって電圧を調整したビーム成形偏向器を用いて成形ビームを形成し、該成形ビームを用いて描画を行うことにより、微細なパターンであっても、寸法精度良く描画することができる。
【００６９】
＜レジストパターンの形成方法＞
本発明に係るレジストパターンの形成方法は、上記の本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法によって電圧を調整したビーム成形偏向器を用いて成形ビームを形成し、この成形ビームを用いた描画により、レジストパターンを形成するものである。
荷電ビーム描画装置としては、図１３に示すような構成を有する従来の可変矩形成形型の荷電ビーム描画装置を用いることができる。
【００７０】
上記のように、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法によれば、描画以外の要因の影響を受けずに、適切にビーム成形偏向器を調整することができる。
それゆえ、本発明に係るレジストパターンの形成方法によれば、微細なレジストパターンであっても、寸法精度良く形成することができる。
【００７１】
＜フォトマスクの製造方法＞
本発明に係るフォトマスクの製造方法は、上記の本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法によって電圧を調整したビーム成形偏向器を用いて成形ビームを形成し、この成形ビームを用いた描画によりレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクに用いたエッチングにより、マスクパターンを形成するものである。
荷電ビーム描画装置としては、図１３に示すような構成を有する従来の可変矩形成形型の荷電ビーム描画装置を用いることができる。
【００７２】
上記のように、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法によれば、描画以外の要因の影響を受けずに、適切にビーム成形偏向器を調整することができる。
それゆえ、本発明に係るフォトマスクの製造方法によれば、微細なマスクパターンであっても、寸法精度良く形成することができる。
【００７３】
図１２は、本発明に係るフォトマスクの製造方法の一例について示す図である。
例えば、フォトマスク７０を製造するには、まず、図１２（ａ）に示すように、透明基板５１の上に、金属を含む材料から構成される薄膜層であるマスク材料層５２Ａが積層され、その上にレジスト層５３Ａが積層された、レジスト層付きフォトマスクブランクス５０を準備する。
次に、上記の本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法によって電圧を調整したビーム成形偏向器を用いて成形ビーム６１を形成し、この成形ビーム６１を用いた描画によりレジストパターン５３を形成する（図１２（ｂ）、（ｃ））。
次に、レジストパターン５３をエッチングマスクに用いて、エッチングガス６２によりマスク材料層５２Ａをドライエッチングして、薄膜層パターンであるマスクパターン５２を形成し（図１２（ｄ））、その後、レジストパターン５３を除去して、フォトマスク７０を得る。
【００７４】
以上、本発明に係る荷電ビーム描画装置の調整方法、荷電ビーム描画方法、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法について、それぞれの実施形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００７５】
１０、２０Ｌ、２０Ｒ  成形ビーム
２１Ｌ、２１Ｒ  第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジ
２２Ｌ、２２Ｒ  第１成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジ
３０  描画パターン
５０  レジスト層付きフォトマスクブランクス
５１  透明基板
５２Ａ  マスク材料層
５２  マスクパターン
５３Ａ  レジスト層
５３  レジストパターン
６１  成形ビーム
６２  エッチングガス
７０  フォトマスク
１００  荷電ビーム描画装置
１０１  荷電ビーム
１０２  第１成形アパーチャ
１０３  ビーム成形偏向器
１０４  成形アンプ
１０５  第２成形アパーチャ
１０６  成形ビーム
１０７  被描画物
２００  成形ビーム
２０１  第２成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジ
２０２  第１成形アパーチャの開口部によって形成されるエッジ
３０１、３０２  描画パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１４】
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