(57)【要約】【課題】小型化及び狭額縁化が可能な表示装置を提供する。【解決手段】  第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、を有し、前記第２領域に形成された第１貫通部を有し、第２領域は第１領域より薄く形成された絶縁基板と、前記第１貫通部の上方に配置されたパッド電極と、前記パッド電極と電気的に接続された信号配線と、接続配線を有し、前記絶縁基板の下方に配置された配線基板と、前記第１貫通部内に配置され、前記パッド電極と前記接続配線とを電気的に接続する導電材料と、前記第１領域の下方に配置された第１保護部材と、前記第１保護部材の下方に配置された第２保護部材と、を備える表示装置。【選択図】      図３
2017151257.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、を有し、前記第２領域に形成された第１貫通部を有し、前記第２領域は前記第１領域より薄く形成された絶縁基板と、
前記第１貫通部の上方に配置されたパッド電極と、
前記パッド電極と電気的に接続された信号配線と、
接続配線を有し、前記絶縁基板の下方に配置された配線基板と、
前記第１貫通部内に配置され、前記パッド電極と前記接続配線とを電気的に接続する導電材料と、
前記第１領域の下方に配置された第１保護部材と、
前記第１保護部材の下方に配置された第２保護部材と、を備える表示装置。
【請求項２】
前記第２保護部材はアルミニウム、又はアルミニウム合金を用いて形成される請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１保護部材は、ポリエチレンテレフタラートを用いて形成される請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
さらに、前記絶縁基板と前記パッド電極との間に絶縁膜を備え、前記パッド電極と前記第１貫通部との間に第２貫通部を有する請求項１乃至３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２保護部材の厚さは、約３０〜５００ｎｍである請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１保護部材の端面は、前記第２保護部材の端面の直上に位置する請求項１乃至５の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１領域及び前記第２領域の境界面は、前記第１保護部材の端面の直上に位置する請求項１乃至６の何れか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の携帯情報端末機器では性能面や、デザイン性等の観点から、表示面に占める表示領域の割合がより大きい表示装置の要求が高まっている。例えば、より一層の狭額縁化を実現する表示装置が提案されている。
【０００３】
従来、電極を有する基板の表示領域周辺に駆動部が実装される構造が知られている。このような駆動部が実装された表示装置においては、入力信号や電圧を駆動部に入力するための配線基板としてフレキシブル・プリント基板（ＦＰＣ）が用いられることがある。一方で、ＦＰＣを用いずに、アレイ基板の下面側に形成された配線部を、アレイ基板を貫通するコンタクトホールを通して、アレイ基板の上面側に形成された駆動部と電気的に接続する方法が検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１０４６５１号公報
【特許文献２】特開２００９−２３７４１０号公報
【特許文献３】特開平１０−１８９８６３号公報
【特許文献４】特開２０１４−２３６２０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本実施形態の目的は、小型化及び狭額縁化が可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態によれば、第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、を有し、前記第２領域に形成された第１貫通部を有し、第２領域は第１領域より薄く形成された絶縁基板と、前記第１貫通部の上方に配置されたパッド電極と、前記パッド電極と電気的に接続された信号配線と、接続配線を有し、前記絶縁基板の下方に配置された配線基板と、前記第１貫通部内に配置され、前記パッド電極と前記接続配線とを電気的に接続する導電材料と、前記第１領域の下方に配置された第１保護部材と、前記第１保護部材の下方に配置された第２保護部材と、を備える表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態に係る表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示した表示装置の表示領域を示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した表示装置の非表示領域を含んだ断面図である。
【図４】図４は、図３に示した表示装置の一部を拡大して示す断面図であり、配線基板、異方性導電膜、第１絶縁基板、絶縁膜、及びパッド電極の構成を示す図である。
【図５】図５は、上記実施形態に係る第１基板を示す平面図であり、第１領域及び第２領域の位置関係等を示す図である。
【図６】図６は、第１絶縁基板１０から支持基板５を剥離する工程を説明するための断面図である。
【図７】図７は、第１絶縁基板に第１保護部材及び第２保護部材を貼付する工程を説明するための断面図である。
【図８】図８は、第１絶縁基板に第１コンタクトホールを形成する工程を説明するための断面図である。
【図９】図９は、第２領域において第１絶縁基板を薄膜化しつつ、絶縁膜に第２コンタクトホールを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１０】図１０は、配線基板を表示パネルに圧着する工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
まず、本実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成を概略的に示す斜視図である。図１は、第１方向Ｘと、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な第３方向Ｚによって規定される三次元空間を示している。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。以下、本実施形態において、表示装置が有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置である場合について説明する。
【００１０】
図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板１とを備えている。表示パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、を備えている。
【００１１】
本実施形態においては、第３方向Ｚの正の向き、あるいは、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの負の向き、あるいは、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下又は下方と定義する。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。
【００１２】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並べられ、マトリクス状に設けられている。
【００１３】
一例では、第１基板ＳＵＢ１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さと略等しい。また、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さと略等しい。つまり、第１基板ＳＵＢ１のＸ−Ｙ平面に平行な面積は、第２基板ＳＵＢ２のＸ−Ｙ平面に平行な面積と略等しい。本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１の各側縁は、第３方向Ｚにおいて、第２基板ＳＵＢ２の各側縁と揃っている。
【００１４】
配線基板１は、表示パネルＰＮＬの下方に配置されている。一例では、配線基板１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さより短い、もしくは同等である。また、配線基板１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さより短い、もしくは同等である。配線基板１は、非表示領域ＮＤＡ及び表示領域ＤＡに位置している。本実施形態において、配線基板１の第１方向Ｘに平行な一側縁は、第３方向Ｚにおいて、表示パネルＰＮＬの一端と揃っている。なお、配線基板１は、表示パネルＰＮＬと対向する領域よりも外側にはみ出すことはない。表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、互いに電気的に接続されている。
【００１５】
図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡを示す断面図である。  
図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、反射層４、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３、第１保護部材ＰＰ１、第２保護部材ＰＰ２等を備えている。第１絶縁基板１０は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えば、ポリイミドを用いて形成される。第１絶縁基板１０は、第１絶縁膜１１によって覆われている。
【００１６】
スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上方に形成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３はトップゲート型に構成されているが、ボトムゲート型であっても良い。スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、同一構成であるため、以下、スイッチング素子ＳＷ１に着目してその構造をより詳細に説明する。スイッチング素子ＳＷ１は、第１絶縁膜１１の上に形成された半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。
【００１７】
スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１２の上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜１３によって覆われている。また、第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。
【００１８】
このような第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、及び、第３絶縁膜１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機系材料によって形成されている。
【００１９】
スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールを通して半導体層ＳＣと電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ１は、第４絶縁膜１４によって覆われている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１４は、例えば、透明な樹脂等の有機系材料によって形成されている。
【００２０】
反射層４は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。反射層４は、アルミニウムや銀等の反射率が高い金属材料で形成される。なお、反射層４の表面（つまり、第２基板ＳＵＢ２側の面）は、平坦面であっても良いし、光散乱性を付与するための凹凸面であっても良い。
【００２１】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１はスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも第２基板ＳＵＢ２の側に向かって白色光を放射するトップエミッションタイプとして構成されている。このような有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも同一構造である。
【００２２】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、反射層４の上に形成された陽極ＰＥ１を備えている。陽極ＰＥ１は、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＷＤとコンタクトし、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。同様に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続された陽極ＰＥ２を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続された陽極ＰＥ３を備えている。陽極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。
【００２３】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、さらに、有機発光層ＯＲＧ及び共通電極（陰極）ＣＥを備えている。有機発光層ＯＲＧは、陽極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上にそれぞれ位置している。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧの上に位置している。共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、それぞれリブ１５によって区画されている。なお、図示しないが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、透明な封止膜によって封止されていることが望ましい。
【００２４】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板３０、カラーフィルタ層２２０等を備えている。第２絶縁基板３０は、例えば、ガラス基板や樹脂基板であっても良いし、光学フィルムや偏光板等を含んだ光学素子であっても良い。
【００２５】
カラーフィルタ層２２０は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａ側に配置されている。カラーフィルタ層２２０は、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、及び、カラーフィルタＣＦ３を備えている。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、互いに異なる色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。一例では、カラーフィルタＣＦ１は青色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ２は緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ３は赤色カラーフィルタである。なお、カラーフィルタ層２２０は、さらに、白色あるいは透明のカラーフィルタを含んでいても良い。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、それぞれ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３と対向している。
【００２６】
上記のような第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、表示領域ＤＡにおいて、透明な接着剤４１によって接着されている。また、後述するが、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、接着剤４１に加えて、非表示領域ＮＤＡにおいて、接着剤４１を囲むシール材によって接着されていても良い。
【００２７】
第１保護部材ＰＰ１は、第１絶縁基板１０の下方に配置されている。図示した例では、第１保護部材ＰＰ１は、第１絶縁基板１０の下に接着されているが、第１保護部材ＰＰ１と第１絶縁基板１０との間に他の薄膜が介在していても良い。第１保護部材ＰＰ１の材料としては、耐熱性、ガス遮断性、防湿性、強度に優れ、尚且つ安価な材料が好ましい。第１保護部材ＰＰ１は、表示装置ＤＳＰを製造する過程でのプロセス温度にて変質、変形しない程度の耐熱性を有する。また、第１保護部材ＰＰ１は、第１絶縁基板１０より大きな強度を有し、表示パネルＰＮＬが湾曲するのを抑制する支持層として機能する。また、第１保護部材ＰＰ１は、第１絶縁基板１０への水分等の侵入を抑制する防湿性及びガスの侵入を抑制するガス遮断性を有し、バリア層として機能する。本実施形態においては、第１保護部材ＰＰ１は、例えば、ポリエチレンテレフタラートを用いて形成されたフィルムである。
【００２８】
第２保護部材ＰＰ２は、第１保護部材の下方に配置されている。図示した例では、第２保護部材ＰＰ２は、第１保護部材ＰＰ１に蒸着された薄膜であるが、第１保護部材ＰＰ１と第２保護部材ＰＰ２との間に他の薄膜が介在していても良い。第２保護部材ＰＰ２の材料としては、後述する製造過程において、第１保護部材ＰＰ１よりも耐ガス性に優れた材料が好ましい。第２保護部材ＰＰ２は、例えば、アルミニウム、又はアルミニウム合金を用いて形成される。
【００２９】
このような表示装置においては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、それぞれの放射光（白色光）は、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、カラーフィルタＣＦ３を介してそれぞれ外部に出射される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１から放射された白色光のうち、青色波長の光がカラーフィルタＣＦ１を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２から放射された白色光のうち、緑色波長の光がカラーフィルタＣＦ２を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３から放射された白色光のうち、赤色波長の光がカラーフィルタＣＦ３を透過する。これにより、カラー表示が実現される。
【００３０】
図１に示した画素ＰＸは、例えば、カラー画像を構成する最小単位であり、上記の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を備えている。
【００３１】
なお、上記の構成例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３が共通の有機発光層ＯＲＧを備えていたが、これに限定されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が青色に発光する有機発光層を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２が緑色に発光する有機発光層を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３が赤色に発光する有機発光層を備えていても良く、このような構成例においては、カラーフィルタ層２２０を省略しても良い。
【００３２】
図３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの非表示領域ＮＤＡを含んだ断面図である。なお、ここでは、第２基板ＳＵＢ２は、図２に示した第２基板ＳＵＢ２の構造と略同一であるため、その詳細な構造についての説明は省略する。また、本実施形態においては、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１を見ることを平面視と定義する。
【００３３】
図３に示すように、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、接着剤４１に加えてシール材ＳＬによって貼り合わせられている。シール材ＳＬは、非表示領域ＮＤＡに形成されている。接着剤４１は、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＬによって囲まれた領域内に備えられている。なお、接着剤４１とシール材ＳＬは、同一材料を用いて形成されていても良いし、異なる材料を用いて形成されていても良い。
【００３４】
第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２は、非表示領域ＮＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１の端部まで延在しておらず途切れている。第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２を有している。第１領域ＡＲ１は、第１絶縁基板１０が第３方向Ｚに第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２と重なっている領域に相当し、第２領域ＡＲ２は、第１絶縁基板１０が第３方向Ｚに第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２と重なっていない領域に相当する。第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２は、第１絶縁基板１０の第１領域ＡＲ１の下方に配置されている。また、第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２は、第２領域ＡＲ２の下方には配置されていない。
【００３５】
第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１において厚さＷ１を有しており、第２領域ＡＲ２において厚さＷ２を有している。厚さＷ２は、厚さＷ１よりも小さい。本実施形態においては、例えば、厚さＷ１は約１０μｍであり、厚さＷ２は、０μｍより大きく、１μｍ以下である。
【００３６】
パッド電極ＰＤは、第１絶縁基板１０の上方に形成されている。図示した例では、パッド電極ＰＤと第１絶縁基板１０の層間に、第１絶縁膜１１と、第２絶縁膜１２と、第３絶縁膜１３と、が配置されている。ここで、第１絶縁基板１０とパッド電極ＰＤとの間に配置される第１乃至第３絶縁膜１１乃至１３を絶縁膜ＩＬと総称する。図示した例では、パッド電極ＰＤは、電極Ｐ１及び電極Ｐ２が積層されることによって構成されている。電極Ｐ１は、例えば、透明導電材料としてのＩＴＯを用いて形成される。電極Ｐ２は、例えば、金属材料等の導電材料を用いて形成される。電極Ｐ１は、例えば、島状に形成されている。
【００３７】
第１絶縁基板１０及び絶縁膜ＩＬには、パッド電極ＰＤまで貫通するコンタクトホールＣＨａが形成されている。コンタクトホールＣＨａは、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２に形成された第１コンタクトホールＣＨａ１と、絶縁膜ＩＬに形成された第２コンタクトホールＣＨａ２とがつながって形成されている。パッド電極ＰＤは、第１コンタクトホールＣＨａ１及び第２コンタクトホールＣＨａ２の上方に形成されている。パッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、シール材ＳＬの直下に位置している。パッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、第３方向Ｚに、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２と重なっている。また、コンタクトホールＣＨａは、第３方向Ｚに、シール材ＳＬと重なっている。なお、本実施形態においては、第１コンタクトホールＣＨａ１は第１貫通部に相当し、第２コンタクトホールＣＨａ２は第２貫通部に相当する。
【００３８】
信号配線６は、図示した例では、第３絶縁膜１３の上に形成され、パッド電極ＰＤと同層に形成されている。信号配線６は、パッド電極ＰＤと電気的に接続されている。信号配線６及びパッド電極ＰＤは、それぞれ別々に形成されていても良いし、一体的に形成されていても良い。図示した例では、信号配線６は、パッド電極ＰＤの電極Ｐ２と一体的に形成されている。信号配線６は、電源線や各種制御用配線等に相当する。第４絶縁膜１４は、信号配線６、パッド電極ＰＤ、第３絶縁膜１３を覆っている。
【００３９】
なお、信号配線６及びパッド電極ＰＤは、他の層に配置されていても良い。また、信号配線６及びパッド電極ＰＤが互いに異なる層に配置され、信号配線６及びパッド電極ＰＤの間の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して両者が電気的に接続されていても良い。
【００４０】
配線基板１は、第１絶縁基板１０の下方に位置している。配線基板１は、コア基板２００と、コア基板２００の表示パネルＰＮＬと対向する側の面に配置された接続配線１００と、コア基板２００の表示パネルＰＮＬと対向する側の面とは反対側の面に配置された駆動部２と、を備えている。
【００４１】
接続配線１００は、凸部Ｔを有している。凸部Ｔは、第１基板ＳＵＢ１側に突出している。凸部Ｔは、少なくとも一部がコンタクトホールＣＨａ内に設けられている。凸部Ｔは、例えば、接続配線１００の上にメッキ等の手法を用いて形成される。
【００４２】
駆動部２は、コア基板２００に形成されたスルーホール１１０を介して接続配線１００と電気的に接続されている。駆動部２は、表示パネルＰＮＬを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源等として機能する。なお、駆動部２の位置は、特に制限されるものではなく、コア基板２００の表示パネルＰＮＬと対向する側の面に配置されていても良い。
【００４３】
表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、導電材料である異方性導電膜３を介して互いに電気的に接続されると共に接着されている。すなわち、異方性導電膜３は、接着剤中に分散された導電粒子（後述する導電粒子ＣＰ）を含んでいる。このため、配線基板１と表示パネルＰＮＬとの間に異方性導電膜３を介在させた状態で、配線基板１及び表示パネルＰＮＬを第３方向Ｚに上下から加圧し、加熱することによって、両者が電気的及び物理的に接続される。異方性導電膜３は、表示パネルＰＮＬと配線基板１との間で、第１絶縁基板１０の下面からコンタクトホールＣＨａの内部に亘って充填され、パッド電極ＰＤと接し、電気的に接続されている。また、異方性導電膜３は、接続配線１００と接し、電気的に接続されている。これにより、接続配線１００は、異方性導電膜３を介して、パッド電極ＰＤ及び信号配線６と電気的に接続されている。
【００４４】
図４は、図３に示した表示装置ＤＳＰの一部を拡大して示す断面図であり、配線基板１、異方性導電膜３、第１絶縁基板１０、絶縁膜ＩＬ、及びパッド電極ＰＤの構成を示す図である。
【００４５】
図４に示すように、異方性導電膜３に含まれる導電粒子ＣＰ１は、コンタクトホールＣＨａにおいて、パッド電極ＰＤと接続配線１００の凸部Ｔとの間に介在している。配線基板１が表示パネルＰＮＬに圧着される際に、導電粒子ＣＰ１が凸部Ｔとパッド電極ＰＤとの間で押しつぶされ、両者を電気的に接続することができる。また、図示した例では、第２領域ＡＲ２のうち、異方性導電膜３に含まれる導電粒子ＣＰ２は、コンタクトホールＣＨａの外側において、第１絶縁基板１０と接続配線１００との間に介在している。このとき、導電粒子ＣＰ２は、第１絶縁基板１０と接続配線１００との間に噛みこんでいても良い。本実施形態において、導電粒子ＣＰ２が噛みこむとは、配線基板１と表示パネルＰＮＬとが圧着される際に、導電粒子ＣＰ２にかかる圧力に対して、導電粒子ＣＰ２がそれ以上押しつぶされない状態を指す。導電粒子ＣＰ１及びＣＰ２は、例えば、全体が金属製であってもよく、樹脂材料をニッケルや金等の金属材料でコーティングしたものであっても良い。
【００４６】
なお、導電粒子ＣＰは、配線基板１と表示パネルＰＮＬとの間において、第３方向Ｚに２個以上が重なって導通することはない。また、例えば、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙについては、隣り合う導電粒子ＣＰの間に異方性導電膜３を形成する接着剤（絶縁体）が入り込むため、導電粒子ＣＰ同士が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで互いに導通することはほとんどない。
【００４７】
なお、接続配線１００の異方性導電膜３に接する側の面は、図示したように凸部Ｔが形成されていても良いし、凸部Ｔが形成されずに平坦であっても良い。上記のように、接続配線１００が凸部Ｔを有することにより、コンタクトホールＣＨａにおいて、接続配線１００の凸部Ｔがパッド電極ＰＤとの間に設けられているより多くの数の導電粒子ＣＰ１を押しつぶすことが可能となる。このため、小さい圧着力で、接続配線１００とパッド電極ＰＤとをより確実に電気的に接続することができる。凸部Ｔが形成されていない場合と比べて製品歩留まり、製造歩留まり及び信頼性を向上することが可能となる。
【００４８】
図５は、上記実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１を示す平面図であり、第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２の位置関係等を示す図である。シール材ＳＬが形成される領域は、右上がりの斜線で示されている。
【００４９】
図３に示したような第１絶縁基板１０は、第１基板ＳＵＢ１の全面に亘って配置されている。第１領域ＡＲ１は、平面視で、第１絶縁基板１０と重なって第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２が配置されている領域に相当し、第２領域ＡＲ２は、平面視で、第１絶縁基板１０と重なって第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２が配置されていない領域に相当する。また、上述したように、第２領域ＡＲ２の厚さＷ２は、第１領域ＡＲ１の厚さＷ１より小さい。
【００５０】
図５において、第１領域ＡＲ１は、左上がりの斜線で示されている。第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２は、第１領域ＡＲ１の全面に重なって配置されている。第２領域ＡＲ２は、第１領域ＡＲ１に隣接し、第１基板ＳＵＢ１の一端部ＳＵＢ１ｅ側の非表示領域ＮＤＡにおいて、第１方向Ｘに延出している。複数のパッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、平面視で、第２領域ＡＲ２に重なり、第１方向Ｘに並んで配置されている。すなわち、パッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、第１絶縁基板１０のうち厚みの小さい領域に重なって位置している。また、コンタクトホールＣＨａは、平面視で、シール材ＳＬと重なる位置に形成されている。
【００５１】
次に、本実施形態の表示装置の製造工程について、図６から図１０を用いて説明する。図６乃至図１０においてパッド電極ＰＤより上層の構造は、図３に示した表示パネルＰＮＬにおける、パッド電極ＰＤより上層の構造と等しいため、その図示を省略する。
【００５２】
図６は、第１絶縁基板１０から支持基板５を剥離する工程を説明するための断面図である。すなわち、支持基板５の上に、第１基板ＳＵＢ１を構成する第１絶縁基板１０、絶縁膜ＩＬ、パッド電極ＰＤ、信号配線６等の各部材を順次形成した後、第２基板ＳＵＢ２を貼り合せる。
【００５３】
その後、第１絶縁基板１０から支持基板５を剥離するために、支持基板５の背面側からレーザー光ＬＬを照射する。ここで、本実施形態においては、例えば、支持基板５はガラスによって形成され、第１絶縁基板１０はポリイミドによって形成されている。支持基板５の背面側からレーザー光ＬＬが照射されると、レーザー光ＬＬは、第１絶縁基板１０の面１０Ａに到達する。第１絶縁基板１０は、支持基板５と第１絶縁基板１０との間の界面で、レーザー光ＬＬを吸収して分解する。これにより、支持基板５及び第１絶縁基板１０の界面に空間が生じ、第１絶縁基板１０から支持基板５が剥離される。
【００５４】
図７は、第１絶縁基板１０に第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２を貼付する工程を説明するための断面図である。  
まず、第１絶縁基板１０に第１保護部材ＰＰ１を貼付する前に、第１保護部材ＰＰ１の面Ｂに第２保護部材ＰＰ２を形成する。第２保護部材ＰＰ２は、例えば金属材料を用いて形成されており、第１保護部材ＰＰ１の面Ｂに蒸着することによって形成される。本実施形態においては、例えば、第１保護部材ＰＰ１は、ポリエチレンテレフタラートを用いて形成され、第２保護部材ＰＰ２は、アルミニウムを用いて形成される。
【００５５】
次に、第２保護部材ＰＰ２が一体化された第１保護部材ＰＰ１が、接着シートによって第１絶縁基板１０に貼付される。具体的には、第１絶縁基板１０及び第１保護部材ＰＰ１の間に接着シートを配置した状態で、第１保護部材ＰＰ１をアライメントした後、加温処理することで接着シートに接着性が発現し、第１保護部材ＰＰ１は、第１絶縁基板１０の下に接着される。これにより、第１保護部材ＰＰ１の位置ズレを抑制することができる。
【００５６】
ここで、第２保護部材ＰＰ２の第３方向Ｚに沿った厚さは、例えば、約３０〜５００ｎｍであり、より好ましくは、５０ｎｍ以上である。第２保護部材ＰＰ２は、第１保護部材ＰＰ１を保護するために、十分な膜厚として３０ｎｍより大きく形成され、膜厚が大きいほど、第１保護部材ＰＰ１を保護する効果は向上する。しかし、第２保護部材ＰＰ２の膜厚が大きいほど、その蒸着時間が長くなるため、製造時間の増大や製造効率の低下を抑制するために、第２保護部材ＰＰ２は５００ｎｍより小さく形成されるのが望ましい。
【００５７】
図８は、第１絶縁基板１０に第１コンタクトホールＣＨａ１を形成する工程を説明するための断面図である。  
第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２が貼付された後、第１絶縁基板１０に第１コンタクトホールＣＨａ１を形成する工程が行われる。すなわち、第１基板ＳＵＢ１の下方側から、パッド電極ＰＤと重なる領域に向けてレーザー光が照射されることによって、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２に絶縁膜ＩＬまで貫通した第１コンタクトホールＣＨａ１が形成される。本実施形態においては、例えば、２５８ｎｍ以下の波長域を有するレーザー光を用いるのが好ましい。
【００５８】
図９は、第２領域ＡＲ２において第１絶縁基板１０を薄膜化しつつ、絶縁膜ＩＬに第２コンタクトホールＣＨａ２を形成する工程を説明するための断面図である。  
第１絶縁基板１０に第１コンタクトホールＣＨａ１が形成された後に、絶縁膜ＩＬに第２コンタクトホールＣＨａ２を形成する工程が行われる。絶縁膜ＩＬが第１コンタクトホールＣＨａ１の内部でアッシング処理によって削られることにより、第２コンタクトホールＣＨａ２が形成される。第２コンタクトホールＣＨａ２は、第１コンタクトホールＣＨａ１に重なる位置に形成されている。第２コンタクトホールＣＨａ２は、第１コンタクトホールＣＨａ１につながっており、パッド電極ＰＤと第１コンタクトホールＣＨａ１との間に形成されている。アッシング処理に用いられるガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ６）が用いられる。
【００５９】
また、第２コンタクトホールＣＨａ２が形成される工程と同一工程で、第２領域ＡＲ２において第１絶縁基板１０が薄膜化される。つまり、第２コンタクトホールＣＨａ２を形成するためのアッシング処理により、第２領域ＡＲ２において第１保護部材ＰＰ１から露出した第１絶縁基板１０も削られる。第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１においては、第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２によって覆われているため削られない。そのため、第１領域ＡＲ１の厚さはアッシング処理前と変わらず、第２領域ＡＲ２は第１領域ＡＲ１よりも薄膜化される。
【００６０】
ここで、絶縁膜ＩＬがアッシング処理のガスに対する反応速度と、第１絶縁基板１０がアッシング処理のガスに対する反応速度は異なっている。そのため、絶縁膜ＩＬ及び第１絶縁基板１０のそれぞれのアッシング処理のガスに対する反応速度を考慮し、両者のアッシング処理前の膜厚を設定することにより、第２領域ＡＲ２において、絶縁膜ＩＬがパッド電極ＰＤまで貫通して削られる時間に、第１絶縁基板１０を所望の厚さＷ２まで削ることが可能となる。
【００６１】
一方、第１保護部材ＰＰ１は、アッシング処理において第１領域ＡＲ１の削れを防止するマスクとして機能する。この第１保護部材ＰＰ１は、アッシング処理のガスに対して耐性を有する第２保護部材ＰＰ２によって保護されているため、アッシング処理に際して第１保護部材ＰＰ１の削れや、第１保護部材ＰＰ１に要求される性能（耐熱性、ガス遮断性、防湿性、強度など）の劣化を抑制することができる。
【００６２】
上記のように、絶縁膜ＩＬの第２コンタクトホールＣＨａ２を形成する工程と、第１絶縁基板１０の薄膜化の工程が同時に行われることで、製造工程を増やさずに第１絶縁基板１０を薄膜化することが可能である。また、これにより製造コストを抑制することができる。
【００６３】
第１保護部材ＰＰ１の端面ＰＰ１ｅは、第２保護部材ＰＰ２の端面ＰＰ２ｅの直上に位置している。また、上記のように、第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２をマスクとして、第１絶縁基板１０のアッシング処理が行われるため、第１領域ＡＲ１と第２領域ＡＲ２との間の境界面Ｓは、第１保護部材ＰＰ１の端面ＰＰ１ｅ、及び、第２保護部材ＰＰ２の端面ＰＰ２ｅの直上に位置する。
【００６４】
図１０は、配線基板１を表示パネルＰＮＬに圧着する工程を説明するための断面図である。  
図１０に示すように、第１基板ＳＵＢ１に、コンタクトホールＣＨａが形成された後、異方性導電膜３を用いて、配線基板１を表示パネルＰＮＬに圧着する工程が行われる。すなわち、配線基板１と表示パネルＰＮＬとの間であってコンタクトホールＣＨａと対向する位置に、異方性導電膜３を配置し、配線基板１の下方及び表示パネルＰＮＬの上方から、図１０に示した矢印の方向に圧力を加え加熱する。これにより、異方性導電膜３が溶融してコンタクトホールＣＨａ内に浸潤するとともに、異方性導電膜３に含まれる導電粒子がパッド電極ＰＤに接触し、配線基板１及び表示パネルＰＮＬが電気的及び物理的に接続される。  
以上の工程により、配線基板１が表示パネルＰＮＬに圧着される。
【００６５】
本実施形態によれば、表示パネルＰＮＬは、第１絶縁基板１０の下方に配置された第１保護部材ＰＰ１と、第１保護部材ＰＰ２の下方に配置された第２保護部材ＰＰ２を備えている。第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２は、第１領域ＡＲ１の全面に配置されている。このため、第２コンタクトホールＣＨａ２を形成するために絶縁膜ＩＬにアッシング処理を行う工程において、アッシング処理のガスは第２保護部材ＰＰ２によって遮られ、第１保護部材ＰＰ１の面Ｂまで到達しない。よって、第１保護部材ＰＰ１がアッシング処理のガスによって劣化するのを抑制することができ、第１保護部材ＰＰ１の支持層としての機能やバリア層としての機能の低下を抑制することが可能である。
【００６６】
また、本実施形態によれば、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２は、第１絶縁基板１０の第１領域ＡＲ１より薄い。このため、図４に示したように、導電粒子ＣＰ２が、接続配線１００と第１絶縁基板１０との間に介在し押しつぶされていても、コンタクトホールＣＨａと対向する位置でのパッド電極ＰＤと接続配線１００の凸部Ｔとの間の距離は、導電粒子ＣＰ１を十分に押しつぶす程に小さくなる。つまり、接続配線１００とパッド電極ＰＤとの間の導電粒子ＣＰ１は、導電粒子ＣＰ２が接続配線１００と第１絶縁基板１０との間に噛みこむ以前に押しつぶされる。したがって、接続配線１００とパッド電極ＰＤの接続の歩留りを向上することが可能となる。
【００６７】
また、本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰにおいて、配線基板１が、表示パネルＰＮＬの下方（表示面とは反対の背面側）に配置され、配線基板１及び表示パネルＰＮＬは、コンタクトホールＣＨａ内の導電材料（上記の例では異方性導電膜３）を介して電気的に接続されている。また、駆動部２は、表示パネルＰＮＬの下方に配置されている。そのため、駆動部２や配線基板１を配置するために、第１基板ＳＵＢ１の実装部の面積を拡大する必要がなく、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを略同等の面積で形成することが可能となる。また、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが対向する領域内で、表示領域ＤＡを拡大することが可能となる。つまり、本実施形態の表示装置ＤＳＰの表示面において、表示領域ＤＡに寄与する面積の割合が向上し、狭額縁化することが可能である。
【００６８】
また、第１基板ＳＵＢ１の第２基板ＳＵＢ２と対向する側から配線基板１までを電気的に接続するための長尺のフレキシブル・プリント回路基板が不要であり、折り曲げたフレキシブル・プリント回路基板を収容するためのスペースも不要となる。このため、表示装置ＤＳＰを小型化することが可能となる。さらには、表示装置ＤＳＰを組み込んだ電子機器を小型化することも可能となる。  
さらに、フレキシブル・プリント回路基板を折り曲げて収容した際の配線の断線を回避することができるため、表示装置ＤＳＰの信頼性を向上することが可能となる。
【００６９】
以上説明したように、本実施形態によれば、小型化及び狭額縁化が可能な表示装置を得ることができる。
【００７０】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００７１】
例えば、上記絶縁膜ＩＬは、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３で形成されているが、これに限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、絶縁膜ＩＬは、単一層の絶縁膜、２層の絶縁膜、又は４層以上の絶縁膜で形成されていてもよい。
【００７２】
上記の実施形態は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に限らず、液晶表示装置に適用することも可能である。その場合、表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された液晶層と、を備えた液晶表示パネルである。表示パネルＰＮＬが液晶表示パネルである場合には、第２基板ＳＵＢ２側から入射する光を選択的に反射することで画像を表示する反射型であっても良いし、第１基板ＳＵＢ１側から入射する光を選択的に透過することで画像を表示する透過型であっても良い。なお、平面視で、表示領域ＤＡと配線基板１とが重畳する場合には、反射型が好適であるが、第１基板ＳＵＢ１と配線基板１との間にバックライトユニットを配置することが可能であれば、透過型であっても良い。なお、本実施形態に関する主要な構成については、表示装置ＤＳＰが液晶表示装置であった場合にも略同一である。
【符号の説明】
【００７３】
ＤＳＰ…表示装置、ＡＲ１…第１領域、ＡＲ２…第２領域、
ＣＨａ１…第１貫通部、ＣＨａ２…第２貫通部、
１０…第１絶縁基板、ＰＤ…パッド電極、
６…信号配線、１００…接続配線、
１…配線基板、３…異方性導電膜、
ＰＰ１…第１保護部材、ＰＰ２…第２保護部材、
Ｓ…境界面、ＰＰ１ｅ、ＰＰ２ｅ…端面。
【図１】
2017151257.tif 000003
【図２】
2017151257.tif 000004
【図３】
2017151257.tif 000005
【図４】
2017151257.tif 000006
【図５】
2017151257.tif 000007
【図６】
2017151257.tif 000008
【図７】
2017151257.tif 000009
【図８】
2017151257.tif 000010
【図９】
2017151257.tif 000011
【図１０】
2017151257.tif 000012