(57)【要約】【課題】液晶表示装置の表示品位を向上させる。【解決手段】一実施形態の液晶表示装置は、互いに対向する画素電極及び共通電極と、走査信号線及び映像信号線で区画された複数の副画素領域とを備える。副画素領域は、画素電極が形成される第１領域と、画素電極が形成されない第２領域とを有する。第１領域は、第１方向に延在する接続領域と、接続領域から延出する複数の枝領域とを有する。複数の副画素領域は、第１副画素領域と第２副画素領域とを有する。第１副画素領域の第１領域と、第２副画素領域の第１領域との最短距離が５μｍ以下である。画像を表示している場合、第１副画素領域の画素電極と、第２副画素領域の画素電極との極性が異なる。【選択図】図８
2017151206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と前記第１基板に対向する第２基板との間に、液晶分子を含む液晶層を有する液晶表示装置であって、
前記第１基板は、複数の映像信号線と、前記映像信号線に交差する複数の走査信号線と、前記映像信号線に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極との間で電界を発生させて前記液晶分子を回転させる共通電極と、複数の副画素領域と、を備え、
前記画素電極は、平面視において前記副画素領域内に第１領域と第２領域とを有し、
前記第１領域は前記画素電極が形成される領域であり、前記第２領域は前記画素電極が形成されない領域であり、
前記第１領域は、第１方向に延在する接続領域と、前記接続領域から前記第１方向に交差する第２方向に延出する複数の枝領域と、を有し、
前記枝領域は、幅方向において第１辺と第２辺とを有し、前記電界が発生している場合、前記第１辺の近傍と、前記第２辺の近傍とで、前記液晶分子の回転方向が異なり、
前記複数の副画素領域は、前記映像信号線又は前記走査信号線を介して隣り合う第１副画素領域と第２副画素領域とを有し、
前記第１副画素領域の前記第１領域と、前記第２副画素領域の前記第１領域との最短距離が５μｍ以下であり、
画像を表示している場合、前記第１副画素領域の前記画素電極と、前記第２副画素領域の前記画素電極との極性が異なる、液晶表示装置。
【請求項２】
第１基板と前記第１基板に対向する第２基板との間に、液晶分子を含む液晶層を有する液晶表示装置であって、
前記第１基板は、複数の映像信号線と、前記映像信号線に交差する複数の走査信号線と、前記映像信号線に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極との間で電界を発生させて前記液晶分子を回転させる共通電極と、複数の副画素領域と、を備え、
前記共通電極は、平面視において前記副画素領域内に第１領域と第２領域とを有し、
前記第２領域は前記共通電極が形成される領域であり、前記第１領域は前記共通電極が形成されない領域であり、
前記第１領域は、第１方向に延在する接続領域と、前記接続領域から前記第１方向に交差する第２方向に延出する複数の枝領域と、を有し、
前記枝領域は、幅方向において第１辺と第２辺とを有し、前記電界が発生している場合、前記第１辺の近傍と、前記第２辺の近傍とで、前記液晶分子の回転方向が異なり、
前記複数の副画素領域は、前記映像信号線又は前記走査信号線を介して隣り合う第１副画素領域と第２副画素領域とを有し、
前記第１副画素領域の前記第１領域と、前記第２副画素領域の前記第１領域との最短距離が５μｍ以下であり、
画像を表示している場合、前記第１副画素領域の前記画素電極と、前記第２副画素領域の前記画素電極との極性が異なる、液晶表示装置。
【請求項３】
前記副画素領域に含まれる複数の前記枝領域は前記第１方向に配列し、
前記第１方向における前記枝領域の配列のピッチをＰ［μｍ］、前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の一方の前記枝領域と他方の前記接続領域との間の幅をＷ［μｍ］とした場合に、ＰＷ＞８［μｍ２］が成り立つ、
請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１副画素領域において隣り合う前記枝領域の間の距離は、前記最短距離よりも大きい、
請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記電界が発生していない場合、前記液晶分子の初期配向状態として、前記第２方向と平行に前記液晶分子の長軸が並んでいる、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記複数の映像信号線は、第１映像信号線と、前記第１映像信号線に隣り合う第２映像信号線と、前記第２映像信号線に隣り合う第３映像信号線と、を含み、
前記第１映像信号線と前記第２映像信号線との間に形成される前記複数の副画素領域は、前記第１副画素領域であり、
前記第２映像信号線と前記第３映像信号線との間に形成される前記複数の副画素領域は、前記第２副画素領域である、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域は、前記第２方向に並び、
平面視において、前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の間に形成された遮光層をさらに備え、
前記遮光層の前記第２方向における中心は、前記第１副画素領域の前記枝領域の先端部と、前記第２副画素領域の前記接続領域との隙間の前記第２方向における中心よりも、前記第２副画素領域の側にある、
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域は、前記第２方向に並び、
平面視において、前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の間に形成された遮光層をさらに備え、
前記遮光層は、前記第１副画素領域の前記枝領域の先端部と平面視において重畳している、
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域は、前記第２方向に並び、
平面視において、前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の間に形成された遮光層をさらに備え、
前記遮光層の縁部は、前記第２副画素領域において、前記接続領域よりも当該接続領域から延出する前記枝領域の先端部側に位置している、
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域は、前記第２方向に並び、
平面視において、前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の間に形成された遮光層をさらに備え、
前記遮光層は、前記第１副画素領域の前記枝領域の先端部、及び、前記第２副画素領域の前記接続領域の少なくとも一部と平面視において重畳し、
前記第２方向において前記第２副画素領域の前記接続領域が前記遮光層と重畳する幅は第１幅であり、前記第２方向において前記第１副画素領域の前記枝領域の前記先端部が前記遮光層と重畳する幅は第２幅であり、
前記第１幅は前記第２幅よりも大きい、
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記画素電極が形成された第１層及び前記共通電極が形成された第２層と異なる第３層に形成されたシールド電極をさらに備え、
前記共通電極は、前記第１副画素領域の前記画素電極と対向する第１共通電極と、前記第２副画素領域の前記画素電極と対向する第２共通電極とを含み、
平面視において、前記第１共通電極と前記第２共通電極の間にスリットが形成されており、
前記シールド電極は、前記スリットと平面視において重畳する、
請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、ＩＰＳ（In-Plane-Switching）モードの液晶表示装置が知られている。ＩＰＳモードの液晶表示装置は、液晶層を介して対向する一対の基板のうちの一方に画素電極及び共通電極が設けられ、これら電極間に発生する横電界を利用して液晶層の液晶分子の配向を制御する。また、画素電極及び共通電極を異なる層に配置し、これらの電極間に発生するフリンジ電界を利用して液晶分子の配向を制御するＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶表示装置が実用化されている。
【０００３】
一方で、下記の特許文献１には、画素電極及び共通電極を異なる層に配置するとともに、液晶層に近い側の電極にスリットを設け、このスリットの幅方向における両側辺の近傍の液晶分子を互いに逆方向に回転させる液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置はＦＦＳモードとは明確に異なる方式であり、従来のＦＦＳモードに比べて応答速度を速めるとともに配向安定性を向上させることができる。以下、この種の液晶表示装置の構成を、高速応答モードと呼ぶ。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１１４４９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
高速応答モードの液晶表示装置において、隣接する画素電極の近傍における電界の相互作用により、配向が不安定となる領域が生じ得る。このような領域は、液晶表示装置の表示品位を低下させる一因となる。
【０００６】
本開示の一態様における目的は、表示品位を向上させることが可能な高速応答モードの液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と前記第１基板に対向する第２基板との間に、液晶分子を含む液晶層を有する液晶表示装置であって、前記第１基板は、複数の映像信号線と、前記映像信号線に交差する複数の走査信号線と、前記映像信号線に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極との間で電界を発生させて前記液晶分子を回転させる共通電極と、複数の副画素領域と、を備え、前記画素電極は、平面視において前記副画素領域内に第１領域と第２領域とを有し、前記第１領域は前記画素電極が形成される領域であり、前記第２領域は前記画素電極が形成されない領域であり、前記第１領域は、第１方向に延在する接続領域と、前記接続領域から前記第１方向に交差する第２方向に延出する複数の枝領域と、を有し、前記枝領域は、幅方向において第１辺と第２辺とを有し、前記電界が発生している場合、前記第１辺の近傍と、前記第２辺の近傍とで、前記液晶分子の回転方向が異なり、前記複数の副画素領域は、前記映像信号線又は前記走査信号線を介して隣り合う第１副画素領域と第２副画素領域とを有し、前記第１副画素領域の前記第１領域と、前記第２副画素領域の前記第１領域との最短距離が５μｍ以下であり、画像を表示している場合、前記第１副画素領域の前記画素電極と、前記第２副画素領域の前記画素電極との極性が異なる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、上記液晶表示装置の概略的な等価回路を示す図である。
【図３】図３は、上記液晶表示装置の断面の一部を示す図である。
【図４】図４は、上記液晶表示装置が備える副画素の概略的な平面図である。
【図５】図５は、上記液晶表示装置における液晶分子の初期配向状態を示す図である。
【図６】図６は、電界が作用した液晶分子の配向状態を示す図である。
【図７】図７は、同じ極性の電圧が供給された画素電極の境界近傍における等電位線を示す図である。
【図８】図８は、上記副画素が有する第１電極の平面的な配置例を示す図である。
【図９】図９は、異なる極性の電圧が供給された画素電極の境界近傍における等電位線を示す図である。
【図１０】図１０は、上記液晶表示装置が備える遮光層の平面形状を示す図である。
【図１１】図１１は、第２実施形態に係る副画素の平面的な配置例を示す図である。
【図１２】図１２は、第３実施形態に係る副画素の平面的な配置例を示す図である。
【図１３】図１３は、第４実施形態に係る液晶表示装置の構成の一部を示す図である。
【図１４】図１４は、上記液晶表示装置が備える第２電極のスリット近傍の概略的な構成を示す平面図である。
【図１５】図１５は、第５実施形態に係る液晶表示装置のスリット近傍における概略的な構成を示す平面図である。
【図１６】図１６は、図１５におけるXVI−XVI線に沿う概略的な断面図である。
【図１７】図１７は、第６実施形態に係る液晶表示装置の断面の一部を示す図である。
【図１８】図１８は、上記液晶表示装置が備える第１電極の概略的な平面図である。
【図１９】図１９は、図８と同様の手法を第６実施形態に適用した例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
【００１０】
各実施形態においては、液晶表示装置の一例として、透過型の液晶表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、他種の表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。他種の表示装置としては、例えば、外光を利用して画像を表示する反射型の液晶表示装置や、透過型と反射型の双方の機能を備えた液晶表示装置などが想定される。
【００１１】
（第１実施形態）  
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置１の概略的な構成を示す斜視図である。液晶表示装置１は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器、ウェアラブル端末等の種々の装置に用いることができる。
【００１２】
液晶表示装置１は、表示パネル２と、表示パネル２に対向するバックライト３と、表示パネル２を駆動するドライバＩＣ４と、表示パネル２及びバックライト３の動作を制御する制御モジュール５と、表示パネル２及びバックライト３へ制御信号を伝達するフレキシブル回路基板ＦＰＣ１，ＦＰＣ２とを備えている。
【００１３】
本実施形態においては、図１に示すように、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２を定義する。第１方向Ｄ１は、例えば表示パネル２の長辺に沿う方向である。第２方向Ｄ２は、例えば表示パネル２の短辺に沿う方向である。図示した例において、各方向Ｄ１，Ｄ２は互いに垂直に交わるが、各方向Ｄ１，Ｄ２は他の角度で交わっても良い。
【００１４】
表示パネル２は、互いに対向する第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２と、各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の間に配置された液晶層（後述の液晶層ＬＣ）とを備えている。表示パネル２は、画像を表示する表示領域ＤＡを有している。表示パネル２は、例えば、表示領域ＤＡにおいて、各方向Ｄ１，Ｄ２にマトリクス状に並ぶ複数の画素ＰＸを備えている。
【００１５】
図２は、液晶表示装置１の概略的な等価回路を示す図である。液晶表示装置１は、第１ドライバＤＲ１と、第２ドライバＤＲ２と、第１ドライバＤＲ１に接続された複数の走査信号線Ｇと、第２ドライバＤＲ２に接続された複数の映像信号線Ｓとを備えている。各走査信号線Ｇは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｄ２に延びるとともに第１方向Ｄ１に並んでいる。各映像信号線Ｓは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｄ１に延びるとともに第２方向Ｄ２に並び、各走査信号線Ｇと交差している。
【００１６】
液晶表示装置１は、複数の副画素領域Ａを有している。副画素領域Ａは、平面視において、各走査信号線Ｇ及び各映像信号線Ｓによって区画された領域である。各副画素領域Ａには、副画素ＳＰが形成される。本実施形態においては、１つの画素ＰＸが赤色、緑色、青色をそれぞれ表示する副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢを１つずつ含む場合を想定する。但し、画素ＰＸは、白色を表示する副画素ＳＰなどをさらに含んでも良いし、同一の色に対応する複数の副画素ＳＰを含んでも良い。
【００１７】
各副画素ＳＰは、スイッチング素子ＳＷと、第１電極Ｅ１と、第１電極Ｅ１に対向する第２電極Ｅ２とを備えている。第１電極Ｅ１は第１基板ＳＵＢ１の第１層に形成され、第２電極Ｅ２は第１基板ＳＵＢ１の第２層に形成されている。本実施形態において、第１電極Ｅ１は画素電極であり、スイッチング素子ＳＷとともに副画素ＳＰごとに設けられている。また、本実施形態において、第２電極Ｅ２は共通電極であり、複数の副画素ＳＰに亘って形成されている。スイッチング素子ＳＷは、走査信号線Ｇ、映像信号線Ｓ、及び第１電極Ｅ１と電気的に接続されている。
【００１８】
第１ドライバＤＲ１は、各走査信号線Ｇに対して走査信号を順次供給する。第２ドライバＤＲ２は、各映像信号線Ｓに対して映像信号を選択的に供給する。あるスイッチング素子ＳＷに対応する走査信号線Ｇに走査信号が供給され、かつこのスイッチング素子ＳＷに接続された映像信号線Ｓに映像信号が供給されると、この映像信号に応じた電圧が第１電極Ｅ１に印加される。このとき第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に生じる電界によって、液晶層ＬＣの液晶分子の配向が電圧の印加されていない初期配向状態から変化する。このような動作により、表示領域ＤＡに画像が表示される。
【００１９】
図３は、液晶表示装置１の断面の一部を示す図である。この図においては、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢの第２方向Ｄ２に沿う断面を示している。  
第１基板ＳＵＢ１は、光透過性を有するガラス基板や樹脂基板などの第１絶縁基板１０を備えている。第１絶縁基板１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する第１主面１０Ａと、第１主面１０Ａの反対側の第２主面１０Ｂとを有している。さらに、第１基板ＳＵＢ１は、スイッチング素子ＳＷと、第１電極Ｅ１と、第２電極Ｅ２と、第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第１配向膜１３とを備えている。
【００２０】
スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁基板１０の第１主面１０Ａに設けられ、第１絶縁層１１によって覆われている。なお、図３においては、走査信号線Ｇや映像信号線Ｓの図示を省略している。さらに、図３においては、スイッチング素子ＳＷを簡略化して示している。実際には、第１絶縁層１１が複数の層を含んでおり、スイッチング素子ＳＷはこれらの層に形成された半導体層や各種電極を含む。
【００２１】
図３の例において、第１電極Ｅ１は副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢに対して１つずつ設けられており、第２電極Ｅ２は副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢに亘って設けられている。第２電極Ｅ２は、第１絶縁層１１の上（上述の第２層）に形成されている。第２電極Ｅ２は、各第１電極Ｅ１に対向する位置において開口部１４を有している。第２電極Ｅ２は、第２絶縁層１２によって覆われている。
【００２２】
第１電極Ｅ１は、第２絶縁層１２の上（上述の第１層）に形成され、第２電極Ｅ２と対向している。各第１電極Ｅ１は、開口部１４を通じてそれぞれ副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢのスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの透明な導電材料で形成することができる。第１配向膜１３は、第１電極Ｅ１を覆い、液晶層ＬＣと接している。第１配向膜１３には、ラビング処理或いは光配向処理などの配向処理が施されている。
【００２３】
一方、第２基板ＳＵＢ２は、光透過性を有するガラス基板や樹脂基板などの第２絶縁基板２０を備えている。第２絶縁基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する第１主面２０Ａと、第１主面２０Ａの反対側の第２主面２０Ｂとを有している。さらに、第２基板ＳＵＢ２は、カラーフィルタ２１（２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ）と、遮光層２２と、オーバーコート層２３と、第２配向膜２４とを備えている。第２配向膜２４には、第１配向膜１３と同じく、ラビング処理或いは光配向処理などの配向処理が施されている。
【００２４】
遮光層２２は、平面視において、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢの境界に配置されている。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを覆うとともに、これらカラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの表面を平坦化している。第２配向膜２４は、オーバーコート層２３を覆っており、液晶層ＬＣと接している。
【００２５】
第１絶縁基板１０の第２主面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。また、第２絶縁基板２０の第２主面２０Ｂには、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。
【００２６】
図４は、副画素ＳＰの一例を概略的に示す平面図である。第１方向Ｄ１に隣り合う２本の走査信号線Ｇと、第２方向Ｄ２に隣り合う２本の映像信号線Ｓとで上述の副画素領域Ａが形成されている。副画素領域Ａは、第１領域Ａ１と、第２領域Ａ２とを有している。これら領域Ａ１，Ａ２は、いずれも上記第１層に含まれる。図４においては、第１領域Ａ１にドットのハッチングを付している。第２領域Ａ２は、副画素領域Ａから第１領域Ａ１を除いた形状である。
【００２７】
第１領域Ａ１は、第１方向Ｄ１に延在する長尺な接続領域３０と、接続領域３０から延出する複数の枝領域４０とを有している。枝領域４０は、例えば先端に向けて先細る形状である。図４においては、接続領域３０から第２方向Ｄ２に各枝領域４０が延出している。
【００２８】
さらに図４において、第１領域Ａ１は、端部領域５０を有している。端部領域５０は、枝領域４０と同じく、接続領域３０から第２方向Ｄ２に延出している。端部領域５０は、第１方向Ｄ１における幅が枝領域４０よりも大きい。
【００２９】
第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の一方は第１電極Ｅ１が形成される領域であり、他方は第１電極Ｅ１が形成されない領域である。図４の例では、第１領域Ａ１に第１電極Ｅ１が形成され、第２領域Ａ２に第１電極Ｅ１が形成されていない。
【００３０】
スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、接続位置Ｐ１において映像信号線Ｓに接続され、接続位置Ｐ２において第１電極Ｅ１に接続されている。図４の例において、接続位置Ｐ２は、端部領域５０に含まれる。半導体層ＳＣは、図中上側の走査信号線Ｇと２回交差している。すなわち、ここではスイッチング素子ＳＷがダブルゲート型である場合を例示している。但し、スイッチング素子ＳＷは、走査信号線Ｇと１回のみ交差するシングルゲート型であっても良い。
【００３１】
図４においては、遮光層２２の縁部を１点鎖線で示している。遮光層２２は、走査信号線Ｇ、映像信号線Ｓ、及びスイッチング素子ＳＷと重畳している。さらに図４の例において、遮光層２２は、接続領域３０の一部と重畳するとともに、枝領域４０の先端と重畳している。遮光層２２の詳細については、図１０を用いて後述する。
【００３２】
図３に示した第１配向膜１３及び第２配向膜２４は、第２方向Ｄ２と平行な配向処理方向ＡＤに沿って配向処理が施されている。これにより、第１配向膜１３及び第２配向膜２４は、液晶分子を配向処理方向ＡＤと平行な初期配向方向に配向する機能を有している。すなわち、本実施形態においては、枝領域４０の延出方向と、液晶分子の初期配向方向とが一致している。
【００３３】
このような構成においては、一般的なＦＦＳモードよりも応答速度の速い高速応答モードを実現することができる。なお、ここにいう応答速度は、例えば、第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２の間への電圧印加により液晶層ＬＣの光の透過率を所定レベルの間で遷移させる際の速度として定義することができる。
【００３４】
高速応答モードの動作原理につき、図５及び図６を用いて説明する。  
図５は、第１電極Ｅ１（第１領域Ａ１）の一部と、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子ＬＭの初期配向状態とを示す図である。枝領域４０は、幅方向（第１方向Ｄ１）において第１辺４１と第２辺４２とを有している。さらに、枝領域４０は、先端において、第１辺４１及び第２辺４２を繋ぐ頂辺４３を有している。第１辺４１は配向処理方向ＡＤに対して時計回りに鋭角である角度θ（例えば約１.０度）だけ傾いており、第２辺４２は配向処理方向ＡＤに対して反時計回りに角度θだけ傾いている。
【００３５】
隣り合う２本の枝領域４０の間において、接続領域３０は、底辺３１を有している。さらに、接続領域３０は、底辺３１の反対側に、側辺３２を有している。隣り合う２本の枝領域４０の間には、第１辺４１、第２辺４２、及び底辺３１で囲われたスリットＳＬが形成される。スリットＳＬは、第２領域Ａ２の一部である。
【００３６】
底辺３１及び第１辺４１により角部Ｃ１が形成され、第１辺４１及び頂辺４３により角部Ｃ２が形成され、底辺３１及び第２辺４２により角部Ｃ３が形成され、第２辺４２及び頂辺４３により角部Ｃ４が形成されている。
【００３７】
第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電圧が印加されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、図５に示すようにその長軸が配向処理方向ＡＤと一致するように初期配向される。
【００３８】
一般的に広く使用されているＦＦＳモードにおいて、２つの電極間にフリンジ電界が形成された場合、液晶分子は全て同一の方向に回転する。しかし、本発明の液晶モードにおける液晶分子の回転は、ＦＦＳモードの液晶分子の回転とは異なっている。図６は、オン状態における液晶分子ＬＭの配向状態を示す図である。本実施形態における液晶分子ＬＭは、誘電率異方性が正（ポジ型）である。そのため、図５に示したオフ状態から第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２の間に電圧が印加されると、これにより生じる電界の方向に対して長軸が平行となる（或いは等電位線に直交する）ように液晶分子ＬＭを回転させる力が働く。
【００３９】
角部Ｃ１，Ｃ２の近傍においては、液晶分子ＬＭが実線矢印で示す第１回転方向Ｒ１に回転する。また、角部Ｃ３，Ｃ４の近傍においては、液晶分子ＬＭが破線矢印で示す第２回転方向Ｒ２に回転する。第１回転方向Ｒ１及び第２回転方向Ｒ２は、互いに異なる方向（反対の回転方向）である。
【００４０】
角部Ｃ１〜Ｃ４は、第１辺４１及び第２辺４２の近傍における液晶分子ＬＭの回転方向を制御する配向制御機能（換言すると、配向を安定化する機能）を有している。すなわち、第１辺４１の近傍の液晶分子ＬＭは、角部Ｃ１，Ｃ２の近傍における液晶分子ＬＭの回転の影響を受けて、第１回転方向Ｒ１に回転する。また、第２辺４２の近傍の液晶分子ＬＭは、角部Ｃ３，Ｃ４の近傍における液晶分子ＬＭの回転の影響を受けて、第２回転方向Ｒ２に回転する。一方で、第１方向Ｄ１における枝領域４０の中心ＣＲ１及びスリットＳＬの中心ＣＲ２の近傍においては、第１回転方向Ｒ１に回転する液晶分子ＬＭと第２回転方向Ｒ２に回転する液晶分子ＬＭとが拮抗している。このため、このような領域の液晶分子ＬＭは、初期配向状態に維持され、殆ど回転しない。
【００４１】
このように、高速応答モードにおいては、第１辺４１及び第２辺４２の近傍において、底辺３１から頂辺４３まで液晶分子ＬＭの回転方向が揃う。これにより、電圧印加時における応答速度を速めるとともに、液晶分子ＬＭの回転方向のバラつきを抑えて配向安定性を高めることが可能となる。
【００４２】
なお、図５及び図６に示す枝領域４０において、第１辺４１及び第２辺４２が配向処理方向ＡＤに対して傾いていることも、配向安定性の向上に寄与している。すなわち、配向処理方向ＡＤに対して傾いた第１辺４１及び第２辺４２の近傍においては、電界の方向が配向処理方向ＡＤに対して直角以外の角度で交わるために、電圧印加時における液晶分子ＬＭの回転方向を概ね一定に定めることができる。
【００４３】
以上のような高速応答モードの液晶表示装置１において、液晶分子の配向を安定化するためには、副画素領域Ａ内に配置される各要素だけでなく、隣接する副画素ＳＰの関係を工夫する必要がある。図７は、隣接する副画素ＳＰの画素電極（本実施形態においては第１電極Ｅ１）の境界近傍における電界の等電位線の一例を示す図である。ここでは、液晶層ＬＣの断面における等電位線に加え、各所の液晶分子の長軸方向を線分にて示している。
【００４４】
図７中の２つの第１電極Ｅ１には、例えば、同じ極性の電圧Ｖが供給されている。この電圧Ｖにより、これら第１電極Ｅ１と、下方に存在する第２電極Ｅ２との間で電界が生じる。
【００４５】
図７の等電位線から分かるように、隣り合う第１電極Ｅ１に同じ極性の電圧Ｖが供給される場合には、液晶層ＬＣに到達する電界が弱い。そのため、これら第１電極Ｅ１の境界付近における液晶分子の配向が不安定となる。
【００４６】
本実施形態において、隣り合う第１電極Ｅ１の間の最短距離Ｄminは、例えば５μｍ以下である。このように副画素ＳＰが高精細化されている場合には、隣り合う第１電極Ｅ１の距離が近いために、これらの境界近傍において液晶分子の配向が一層不安定になり得る。
【００４７】
以下、隣り合う第１電極Ｅ１の境界付近における配向を安定化するための構成について説明する。  
図８は、複数の第１電極Ｅ１の平面的な配置例を示す図である。ここでは、５本の映像信号線Ｓの間に配列された複数の副画素ＳＰの第１電極Ｅ１を示している。以下、５本の映像信号線Ｓを、図中の左から順に第１映像信号線Ｓ１、第２映像信号線Ｓ２、第３映像信号線Ｓ３、第４映像信号線Ｓ４、第５映像信号線Ｓ５と呼ぶ。
【００４８】
表示領域ＤＡに配列された複数の副画素ＳＰは、第１副画素（第１副画素領域）ＳＰ１と、第２副画素（第２副画素領域）ＳＰ２とを含む。図８においては、第１副画素ＳＰ１に斜線を付して、各副画素ＳＰ１，ＳＰ２を区別している。
【００４９】
図８の例では、映像信号線Ｓ１，Ｓ２の間、及び、映像信号線Ｓ３，Ｓ４の間の各副画素ＳＰが、いずれも第１副画素ＳＰ１である。一方で、映像信号線Ｓ２，Ｓ３の間、及び、映像信号線Ｓ４，Ｓ５の間の各副画素ＳＰが、いずれも第２副画素ＳＰ２である。
【００５０】
表示領域ＤＡの全体を見た場合であっても、第１副画素ＳＰ１が第１方向Ｄ１に並ぶ垂直カラムと、第２副画素ＳＰ２が第１方向Ｄ１に並ぶ垂直カラムとが、第２方向Ｄ２において交互に並んでいる。垂直カラムは、隣り合う映像信号線Ｓの間で第１方向Ｄ１に並ぶ副画素ＳＰの列である。
【００５１】
図２に示した第２ドライバＤＲ２は、映像信号線Ｓ１，Ｓ３，Ｓ５に第１電圧Ｖ１を供給する。また、第２ドライバＤＲ２は、映像信号線Ｓ２，Ｓ４に第２電圧Ｖ２を供給する。第１電圧Ｖ１は、第２電極Ｅ２に供給される共通電圧よりも大きい電圧（正極性）の映像信号である。第２電圧Ｖ２は、共通電圧よりも小さい電圧（負極性）の映像信号である。各電圧Ｖ１，Ｖ２の値は、共通電圧との電位差が副画素ＳＰの表示色に応じた値となるように、フレームごと且つ副画素ＳＰごとに決定される。
【００５２】
映像信号線Ｓ１，Ｓ３に供給された第１電圧Ｖ１は、映像信号線Ｓ１，Ｓ２の間および映像信号線Ｓ３，Ｓ４の間にそれぞれ配置された各第１副画素ＳＰ１の第１電極Ｅ１に供給される。映像信号線Ｓ２，Ｓ４に供給された第２電圧Ｖ２は、映像信号線Ｓ２，Ｓ３の間および映像信号線Ｓ４，Ｓ５の間にそれぞれ配置された各第２副画素ＳＰ２の第１電極Ｅ１に供給される。すなわち、第１副画素ＳＰ１は、第１電圧Ｖ１が供給される副画素ＳＰであり、第２副画素ＳＰ２は、第２電圧Ｖ２が供給される副画素ＳＰである。
【００５３】
このように、図８の例においては、画像を表示している場合、第２方向Ｄ２に隣り合う第１電極Ｅ１に供給される電圧の極性が異なっている。この場合に２つの第１電極Ｅ１の境界近傍で生じる電界の等電位線の一例を、図９に示す。ここでは、図中左側の第１電極Ｅ１に正極性の第１電圧Ｖ１が供給され、図中右側の第１電極Ｅ１に負極性の第２電圧Ｖ２が供給されている。
【００５４】
上述の図７の例では、隣り合う第１電極Ｅ１の間に同じ極性の電圧Ｖが供給されていたため、これら第１電極Ｅ１の間に電位差が生じないか、生じる場合でも小さい値となる。一方で、図９の例では、隣り合う第１電極Ｅ１に逆極性の電圧Ｖ１，Ｖ２が供給されるので、これら第１電極Ｅ１の間の電位差が大きくなる。そのため、これら第１電極Ｅ１の間の等電位線が密になり、液晶層ＬＣにも良好に電界が作用する。これにより、隣り合う第１電極Ｅ１の間の最短距離Ｄminが例えば５μｍ以下に高精細化された場合であっても、境界近傍における液晶分子の配向が安定し、液晶表示装置１の表示品位が向上する。
【００５５】
隣り合う第１電極Ｅ１に供給される電圧の極性を異ならせることに加え、遮光層２２の形状を最適化することで、液晶表示装置１の表示品位を一層高めることができる。図１０は、遮光層２２の平面的な形状を複数の第１電極Ｅ１とともに示す図である。この図においては、走査信号線Ｇ及び映像信号線Ｓも示している。スイッチング素子ＳＷは、図示を省略している。
【００５６】
遮光層２２は、第１方向Ｄ１に隣り合う副画素ＳＰの間で第２方向Ｄ２に延びる第１部分２２Ａと、第２方向Ｄ２に隣り合う副画素ＳＰの間で第１方向Ｄ１に延びる第２部分２２Ｂとを有している。第１部分２２Ａは、平面視において、走査信号線Ｇやスイッチング素子ＳＷと重畳する。第２部分２２Ｂは、平面視において、映像信号線Ｓと重畳する。第１部分２２Ａ及び第２部分２２Ｂは、第１電極Ｅ１の一部とも重畳している。
【００５７】
遮光層２２の第２部分２２Ｂは、第１縁部ＥＤ１１と、第２縁部ＥＤ１２とを有している。これら縁部ＥＤ１１，ＥＤ１２は、例えば第１方向Ｄ１と平行である。
【００５８】
遮光層２２は、第２副画素ＳＰ２において、接続領域３０と重畳している。具体的には、遮光層２２の第１縁部ＥＤ１１は、接続領域３０の底辺３１と側辺３２の間に位置している。さらに、遮光層２２は、第１副画素ＳＰ１において、枝領域４０の先端部と重畳している。
【００５９】
遮光層２２が接続領域３０と重畳する第２方向Ｄ２の幅は、第１幅Ｗ１である。遮光層２２が枝領域４０の先端部と重畳する第２方向Ｄ２の幅は、第２幅Ｗ２である。枝領域４０の近傍は表示に寄与させるべき領域であり、開口率を高めるためには第２幅Ｗ２が小さい方が良い。一方で、接続領域３０の側辺３２の近傍は、第１電極Ｅ１に電圧が印加された際の液晶分子の配向が不安定となり得ることから、第１幅Ｗ１を大きくして遮光することが好ましい。このような理由から、図１０の例においては、第１幅Ｗ１が第２幅Ｗ２よりも大きくなっている（Ｗ１＞Ｗ２）。
【００６０】
他の観点から言えば、第２部分２２Ｂの第２方向Ｄ２における中心ＣＴ１は、第１副画素ＳＰ１の枝領域４０の先端部と、第２副画素ＳＰ２の接続領域３０との隙間の第２方向Ｄ２における中心ＣＴ２よりも、第２副画素ＳＰ２の側にある。中心ＣＴ２は、例えば映像信号線Ｓの第２方向Ｄ２における中心と一致している。
【００６１】
第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２の間に電界が形成された状態において、枝領域４０の先端近傍を透過する光の輝度は、枝領域４０の先端から離れるに連れて低下する。枝領域４０の先端を遮光層２２と重畳させることで、このような輝度変化が生じる部分を遮光し、副画素ＳＰのコントラストを高めることができる。なお、枝領域４０の先端と遮光層２２とを重畳させなくても良い（Ｗ２＝０）。この場合においては、副画素ＳＰにおける開口率を高めることができる。
【００６２】
同様の輝度変化は、枝領域４０の根本近傍においても生じる。そこで、さらにコントラストを高めるべく、第２部分２２Ｂの第１縁部ＥＤ１１を、接続領域３０よりもこの接続領域３０から延出する枝領域４０の先端側に位置させても良い。具体的には、例えば図１０に示したラインＬに第１縁部ＥＤ１１を位置させる。この場合、接続領域３０は、遮光層２２と完全に重畳する。
【００６３】
第１副画素ＳＰ１が左方に位置し、第２副画素ＳＰ２が右方に位置する第２部分２２Ｂは、いずれも以上の構成を有している。第２副画素ＳＰ２が左方に位置し、第１副画素ＳＰ１が右方に位置する第２部分２２Ｂも同様の構成を有する。
【００６４】
ここで、第１方向Ｄ１における枝領域４０の配列のピッチをＰ［μｍ］、第２方向Ｄ２に隣り合う２つの副画素ＳＰにおける一方の枝領域４０と、他方の接続領域３０との間の幅をＷ［μｍ］とする。幅Ｗを小さくすることで、副画素ＳＰの高精細化が可能となる。一方で、幅Ｗが小さいと、隣り合う第１電極Ｅ１同士の間で電界が生じ得る。そのため、枝領域４０の先端における液晶分子の配向が不安定となる。また、ピッチＰが大きいほど、隣り合う枝領域４０の間における液晶分子の配向が安定する。すなわち、ピッチＰを大きくすれば、幅Ｗを小さくしても配向の安定が保たれる。一例として、ピッチＰと幅Ｗを、ＰＷ＞８［μｍ２］好ましくはＰＷ＞１０［μｍ２］の関係が成り立つように定めれば、配向安定性と高精細化とを両立することができる。
【００６５】
図１０の例においては、第２方向Ｄ２に隣り合う２つの第１電極Ｅ１の一方の枝領域４０の先端部と、他方の接続領域３０との間の距離が、上述の最短距離Ｄminである。すなわち、最短距離Ｄminは幅Ｗと一致している。但し、最短距離Ｄminは、例えば第１副画素ＳＰ１の端部領域５０と第２副画素ＳＰ２の接続領域３０など、他の部分の間の距離であっても良い。図１０の例では、ピッチＰが最短距離Ｄmin及び幅Ｗよりも大きい（Ｐ＞Ｄmin，Ｗ）。さらに、枝領域４０の間の距離（例えば底辺３１の長さ）は、最短距離Ｄmin及び幅Ｗよりも大きい。このように幅Ｗ及び最短距離Ｄminを小さく定めることで、副画素ＳＰを好適に高精細化することができる。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態においては、第２方向Ｄ２に隣り合う第１電極Ｅ１に異なる極性の電圧を供給する。これにより、隣り合う第１電極Ｅ１の境界近傍における液晶分子の配向が安定化し、表示品位が向上する。さらに、遮光層２２の形状等を上述の通り工夫することで、表示品位を一層向上させることができる。
【００６７】
以上の他にも、本実施形態からは既述の好適な効果や、その他の種々の効果を得ることができる。
【００６８】
（第２実施形態）  
第２実施形態について説明する。ここでは主に第１実施形態との相違点に着目し、第１実施形態と同一の構成については説明を適宜省略する。
【００６９】
本実施形態は、第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２の配置態様において第１実施形態と相違する。図１１は、第２実施形態に係る副画素ＳＰの平面的な配置例を示す図である。図８と同じく、映像信号線Ｓ１〜Ｓ５とこれらの間の副画素ＳＰとを示している。
【００７０】
本実施形態において、図２に示した第２ドライバＤＲ２は、各映像信号線Ｓに供給する電圧を、正極性の第１電圧Ｖ１と負極性の第２電圧Ｖ２との間で、各水平ラインへの電圧供給タイミングごとに切り換える。水平ラインは、隣り合う走査信号線Ｇの間で第２方向Ｄ２に並ぶ副画素ＳＰのラインである。さらに、本実施形態では、各水平ラインへの電圧供給タイミングにおいて、隣り合う映像信号線Ｓに供給される電圧の極性が逆である。
【００７１】
このように各映像信号線Ｓに電圧が供給されると、図１１に示すように、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２のいずれにおいても、第１電圧Ｖ１が供給される第１副画素ＳＰ１と、第２電圧Ｖ２が供給される第２副画素ＳＰ２とが交互に並ぶ。これにより、第２方向Ｄ２に隣り合う第１電極Ｅ１の境界近傍だけでなく、第１方向Ｄ１に隣り合う第１電極Ｅ１の境界近傍における液晶分子の配向も安定させることができる。したがって、液晶表示装置１の表示品位をさらに高めることができる。  
その他、本実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００７２】
（第３実施形態）  
第３実施形態について説明する。ここでは主に上述の各実施形態との相違点に着目し、各実施形態と同一の構成については説明を適宜省略する。
【００７３】
本実施形態は、第１電極Ｅ１の形状、及び、第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２の配置態様において、上述の各実施形態と相違する。図１２は、第３実施形態に係る副画素ＳＰの平面的な配置例を示す図である。ここでは、映像信号線Ｓ１〜Ｓ４の間に配列された複数の副画素ＳＰの第１電極Ｅ１を示している。
【００７４】
図１２の第１電極Ｅ１においては、接続領域３０が第２方向Ｄ２に延在し、この接続領域３０から複数の枝領域４０が第１方向Ｄ１に延出している。第１配向膜１３及び第２配向膜２４の配向処理方向ＡＤは、第１方向Ｄ１と平行である。このような構成においても、高速応答モードを実現できる。
【００７５】
本実施形態においては、枝領域４０が第１方向Ｄ１に延びているために、第１方向Ｄ１に隣り合う第１電極Ｅ１の電圧の影響が、枝領域４０の近傍における液晶分子の配向に及びやすい。そこで、第１方向Ｄ１に隣り合う第１電極Ｅ１に供給する電圧の極性を異ならせる。具体的には、図２に示した第２ドライバＤＲ２は、各映像信号線Ｓに供給する電圧を、正極性の第１電圧Ｖ１と負極性の第２電圧Ｖ２との間で、各水平ラインへの電圧供給タイミングごとに切り換える。
【００７６】
このように各映像信号線Ｓに電圧が供給されると、図１２に示すように、第１副画素ＳＰ１が並ぶ水平ラインと、第２副画素ＳＰ２が並ぶ水平ラインとが、第１方向Ｄ１において交互に並ぶ。これにより、第１方向Ｄ１に隣り合う第１電極Ｅ１の境界近傍における液晶分子の配向を安定させることができる。その他、本実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００７７】
なお、第２実施形態と同じく、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２のいずれにおいても、第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２とが交互に並ぶように、各映像信号線Ｓに電圧が供給されても良い。この場合には、第１方向Ｄ１に隣り合う第１電極Ｅ１の境界近傍だけでなく、第２方向Ｄ２に隣り合う第１電極Ｅ１の境界近傍における液晶分子の配向も安定させることができる。
【００７８】
（第４実施形態）  
第４実施形態について説明する。ここでは主に上述の各実施形態との相違点に着目し、各実施形態と同一の構成については説明を適宜省略する。
【００７９】
本実施形態は、液晶表示装置１がタッチパネルの機能を有する点で、上述の各実施形態と相違する。図１３は、本実施形態に係る液晶表示装置１の構成の一部を示す平面図である。表示領域ＤＡには、共通電極として機能する複数の第２電極Ｅ２と、複数の検出電極ＲＸとが配置されている。
【００８０】
各第２電極Ｅ２は、第１方向Ｄ１に延在するとともに、第２方向Ｄ２に並んでいる。隣り合う第２電極Ｅ２の間には、第１方向Ｄ１に延在するスリットＥＳＬが形成される。各検出電極ＲＸは、第２方向Ｄ２に延在するとともに、第１方向Ｄ１に並んでいる。このような構成においては、第２電極Ｅ２と検出電極ＲＸの間に形成される容量の変化に基づいて、表示領域ＤＡに近接する指などの物体を検出することができる。
【００８１】
図１４は、スリットＥＳＬの近傍における概略的な構成を示す平面図である。ここでは、映像信号線Ｓを介して隣り合う２つの第１電極Ｅ１と、スリットＥＳＬとを示している。第１電極Ｅ１の形状は、第１実施形態と同じである。例えば、図中左側の第１電極Ｅ１は第１副画素ＳＰ１の第１電極Ｅ１であり、図中右側の第１電極Ｅ１は第２副画素ＳＰ２の第１電極Ｅ１である。スリットＥＳＬは、図中左側の第１電極Ｅ１と対向する第２電極Ｅ２（第１共通電極）と、図中右側の第１電極Ｅ１と対向する第２電極Ｅ２（第２共通電極）との境界に形成されている。
【００８２】
スリットＥＳＬは、平面視において、映像信号線Ｓと重畳している。図１４の例において、スリットＥＳＬの第２方向Ｄ２における中心ＣＴ３は、第１副画素ＳＰ１の枝領域４０の先端部と、第２副画素ＳＰ２の接続領域３０との隙間の第２方向Ｄ２における中心ＣＴ２よりも、第２副画素ＳＰ２の側にある。
【００８３】
スリットＥＳＬは、第１縁部ＥＤ２１と、第２縁部ＥＤ２２とを有している。これら縁部ＥＤ２１，ＥＤ２２は、例えば第１方向Ｄ１と平行である。スリットＥＳＬは、第２副画素ＳＰ２において、接続領域３０と重畳している。具体的には、第１縁部ＥＤ２１が接続領域３０の底辺３１と側辺３２の間に位置している。一方で、スリットＥＳＬは、第１副画素ＳＰ１において、枝領域４０の先端部と重畳しない。第２副画素ＳＰ２が左方に位置し、第１副画素ＳＰ１が右方に位置する場合であっても、スリットＥＳＬは同様の構成を有する。
【００８４】
側辺３２の近傍は表示に殆ど寄与しないため、図１４のようにスリットＥＳＬを接続領域３０と重畳させても表示品位に影響はない。さらに、第１縁部ＥＤ２１を接続領域３０と重畳させることで、スリットＥＳＬの幅を最大限に広げ、隣り合う第２電極Ｅ２の絶縁性を高めることができる。これにより、タッチ検出の精度が向上する。
【００８５】
一方で、枝領域４０の先端部や根本部は表示に寄与する領域である。これらの領域をスリットＥＳＬと重畳させないことで、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２の間で液晶分子を回転させるための電界が良好に形成される。これにより、表示品位が向上する。  
その他、本実施形態は、上述の各実施形態と同様の効果を奏する。
【００８６】
なお、本実施形態では隣り合う第２電極Ｅ２の間に形成されるスリットＥＳＬについて述べたが、同様の構成はダミースリットにも適用することができる。ダミースリットは、例えば表示領域ＤＡにおけるスリットの配置密度を高めてスリットＥＳＬの表示への影響を低減するもので、一定間隔で第２電極Ｅ２に設けられる。ダミースリットの両側の第２電極Ｅ２は、例えば表示領域ＤＡの外側の周辺領域などで電気的に接続されているため同電位である。
【００８７】
（第５実施形態）  
第５実施形態について説明する。ここでは主に上述の各実施形態との相違点に着目し、各実施形態と同一の構成については説明を適宜省略する。
【００８８】
本実施形態では、第４実施形態の構成に加え、さらなる改良点を有する液晶表示装置１を開示する。図１５は、本実施形態に係る液晶表示装置１のスリットＥＳＬの近傍における概略的な構成を示す平面図である。この図は、シールド電極ＳＥが設けられている点で、図１４と相違する。
【００８９】
シールド電極ＳＥは第１方向Ｄ１に延在し、平面視においてスリットＥＳＬと重畳している。シールド電極ＳＥは、スリットＥＳＬと同じく、接続領域３０と重畳するが枝領域４０とは重畳しない。シールド電極ＳＥは、第１電極Ｅ１が形成された第１層及び第２電極Ｅ２が形成された第２層とは異なる第３層に形成されている。
【００９０】
図１６は、図１５におけるXVI−XVI線に沿う概略的な断面を示す図である。この図の例においては、各第１電極Ｅ１が第３絶縁層１５で覆われている。シールド電極ＳＥは、第３絶縁層１５の上（上述の第３層）に形成されている。第１配向膜１３は、第３絶縁層１５及びシールド電極ＳＥを覆っている。
【００９１】
シールド電極ＳＥは、例えば各電極Ｅ１，Ｅ２と同じく、ＩＴＯなどの透明な導電材料で形成することができる。シールド電極ＳＥの電位は任意であるが、例えば第２電極Ｅ２と同じく共通電圧が印加される。
【００９２】
スリットＥＳＬを設けると、第１電極Ｅ１と映像信号線Ｓの間で電界が生じ、この電界が液晶層ＬＣに作用し得る。シールド電極ＳＥを配置すれば、このような電界が液晶層ＬＣに到達することを防止し、表示品位を一層高めることができる。
【００９３】
その他、本実施形態は、上述の各実施形態と同様の効果を奏する。
（第６実施形態）  
第６実施形態について説明する。ここでは主に上述の各実施形態との相違点に着目し、各実施形態と同一の構成については説明を適宜省略する。
【００９４】
本実施形態は、第１電極Ｅ１が共通電極であり、第２電極Ｅ２が画素電極である点で、上述の各実施形態と相違する。図１７は、第６実施形態に係る液晶表示装置１の断面の一部を示す図である。この図においては、図３と同じく、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢの第２方向Ｄ２に沿う断面を示している。また、走査信号線Ｇや映像信号線Ｓの図示を省略するとともに、スイッチング素子ＳＷを簡略化して示している。
【００９５】
図１７において、第１電極Ｅ１は、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢに亘って設けられている。一方で、第２電極Ｅ２は、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢに対して１つずつ設けられている。第２電極Ｅ２は、対応するスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。
【００９６】
図１８は、第１電極Ｅ１の概略的な平面図である。ここでは、主に１つの副画素ＳＰに対応する領域を示している。この図の例において、副画素領域Ａは、図４と同じく第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を有している。また、第１領域Ａ１は、接続領域３０及び複数の枝領域４０を有している。本実施形態においては、第２領域Ａ２に第１電極Ｅ１が形成され、第１領域Ａ１に第１電極Ｅ１が形成されていない。すなわち、第１領域Ａ１は、接続領域３０及び複数の枝領域４０を有したスリット（開口）である。第２電極Ｅ２は、例えば破線枠で示した外形を有し、平面視において第１領域Ａ１と重畳している。
【００９７】
接続領域３０及び各枝領域４０の形状等は図４の例と概ね同様である。但し、図１８においては、枝領域４０の第１方向Ｄ１における幅が、図４の例よりも大きい。例えば図４の例では、枝領域４０の先端近傍において、枝領域４０の幅が隣り合う枝領域４０の間隔よりも小さい。一方で、図１８においては、枝領域４０の先端近傍において、枝領域４０の幅が隣り合う枝領域４０の間隔よりも大きい。
【００９８】
第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２の間に電界が形成されると、枝領域４０の第１辺４１及び第２辺４２の近傍の液晶分子ＬＭは、図６の例と同様に回転する。すなわち、第１辺４１の近傍においては、底辺３１から頂辺４３まで液晶分子ＬＭが第１回転方向Ｒ１に回転する。また、第２辺４２の近傍においては、底辺３１から頂辺４３まで液晶分子ＬＭが第２回転方向Ｒ２に回転する。このように、本実施形態の構成においても、上述した各実施形態と同様の高速応答モードを実現できる。
【００９９】
本実施形態の構成においても、隣り合う画素電極、すなわち第２電極Ｅ２に同じ極性の電圧が供給されると、これら第２電極Ｅ２の境界近傍で液晶分子の配向が不安定となり得る。本実施形態の構成に対しても、図８や図１１を用いて説明した手法により、第２電極Ｅ２の境界近傍における液晶分子の配向を安定化することができる。
【０１００】
一例として、図８と同様の手法の適用例を図１９に示す。第１副画素ＳＰ１が第１方向Ｄ１に並ぶ垂直カラムと、第２副画素ＳＰ２が第１方向Ｄ１に並ぶ垂直カラムとが、第２方向Ｄ２において交互に並んでいる。ここでの第１副画素ＳＰ１は、第２電極Ｅ２に第１電圧Ｖ１が供給される副画素ＳＰである。第２副画素ＳＰ２は、第２電極Ｅ２に第２電圧Ｖ２が供給される副画素ＳＰである。
【０１０１】
なお、接続領域３０、枝領域４０、及び遮光層２２には、図１０を用いて説明した構成を適用できる。また、第１領域Ａ１の形状及び各副画素ＳＰ１，ＳＰ２のレイアウトには、図１２に示したものを適用することもできる。さらに、図１３乃至図１６を用いて説明した構成を適用することもできる。この場合、本実施形態では、共通電極である第１電極Ｅ１にスリットＥＳＬが設けられる。  
以上の本実施形態は、上述の各実施形態と同様の効果を奏する。
【０１０２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【０１０３】
例えば、図８及び図１９においては垂直カラムごとに第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２を交互に配置する例を示し、図１２においては水平ラインごとに第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２を交互に配置する例を示した。しかしながら、第２方向Ｄ２に並ぶｎ（ｎ≧２）の垂直カラムごとに第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２を交互に配置しても良いし、第１方向Ｄ１に並ぶｍ（ｍ≧２）の水平ラインごとに第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２を交互に配置しても良い。
【０１０４】
また、ｎ×ｍの副画素ＳＰを含むブロックの単位で、第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２を変更しても良い。この場合において、例えば第１副画素ＳＰ１が配置されたブロックと、第２副画素ＳＰ２が配置されたブロックとを、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に交互に並べても良い。
【０１０５】
各実施形態において例示した第１領域Ａ１の形状は、適宜に変形することができる。例えば、第１領域Ａ１において、接続領域３０の延在方向と枝領域４０の延在方向とが垂直を除く角度で交わっても良い。また、第１領域Ａ１が互いに接続された複数の接続領域３０を備え、各接続領域３０から枝領域４０が延出していても良い。
【０１０６】
各実施形態においては、液晶層ＬＣの液晶分子の誘電率異方性が正である場合に採用し得る構成を例示した。しかしながら誘電率異方性が負（ネガ型）である液晶分子により液晶層ＬＣを構成することもできる。この場合においては、配向処理方向ＡＤ（或いは液晶分子の初期配向方向）を枝領域４０の延出方向に直交する方向とすれば良い。
【符号の説明】
【０１０７】
１…液晶表示装置、２…表示パネル、３…バックライト、４…ドライバＩＣ、５…制御モジュール、１０…第１絶縁基板、１１…第１絶縁層、１２…第２絶縁層、１３…第１配向膜、２０…第２絶縁基板、２０…第２絶縁基板、２１…カラーフィルタ、２２…遮光層、２３…オーバーコート層、２４…第２配向膜、３０…接続領域、４０…枝領域、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＬＣ…液晶層、ＤＲ１…第１ドライバ、ＤＲ２…第２ドライバ、Ｄ１…第１方向、Ｄ２…第２方向、ＤＡ…表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ…副画素、Ｇ…走査信号線、Ｓ…映像信号線、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、ＳＷ…スイッチング素子、ＯＤ１…第１光学素子、ＯＤ２…第２光学素子、Ａ…副画素領域、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、ＡＤ…配向処理方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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