(57)【要約】      （修正有）【課題】低コストかつ小型の部材を用いて、簡易なアライメント調整で裏面から光電子集積回路上の受光素子への光照射を実現した光電子集積回路の実装方法を提供する。【解決手段】光電子集積回路パッケージ１は、光ファイバアレイ４と、ブロックの端面に光ファイバアレイ４の出射端面が露出するように、光ファイバアレイ４の出射側の端部に取り付けられたＶ溝ファイバブロック６と、Ｖ溝ファイバブロック６上に固定された光電子集積回路２とを備える。表面に受光素子が形成された光電子集積回路２の裏面とＶ溝ファイバブロック６の端面とが向かい合うようにして、Ｖ溝ファイバブロック６上に光電子集積回路２が載置され、光ファイバアレイ４から光電子集積回路２への光の入射位置と光電子集積回路２の受光素子の位置とが一致するように、Ｖ溝ファイバブロック６上の光電子集積回路２の位置が調整されている。【選択図】図１
2017049435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定用ブロックの端面に光ファイバアレイまたは光導波路アレイの出射端面が露出するように、前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイの出射側の端部に前記固定用ブロックを取り付ける工程と、
表面に受光素子が形成された光電子集積回路の裏面と前記固定用ブロックの端面とが向かい合うようにして、前記固定用ブロック上に前記光電子集積回路を載置する工程と、
前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイの入射端面に光を入力し、前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイから前記光電子集積回路への光の入射位置と前記光電子集積回路の受光素子の位置とが一致するように、前記固定用ブロック上の光電子集積回路の位置を調整する工程と、
前記光電子集積回路を前記固定用ブロックに固定する工程とを含むことを特徴とする光電子集積回路の実装方法。
【請求項２】
請求項１記載の光電子集積回路の実装方法において、
さらに、前記固定用ブロックが貫通可能なサイズの開口部が設けられたプリント基板と、このプリント基板上に搭載され、前記固定用ブロックが貫通可能なサイズの開口部が設けられたパッケージ筐体とに対して、前記プリント基板の裏側から前記プリント基板の開口部および前記パッケージ筐体の開口部に前記固定用ブロックを差し込む工程と、
前記固定用ブロックに固定された光電子集積回路と前記パッケージ筐体内に実装された内装基板の表面の高さが一致するように調整する工程と、
前記固定用ブロックを前記プリント基板に固定する固定と、
前記光電子集積回路と前記内装基板とをワイヤで電気的に接続する工程とを含むことを特徴とする光電子集積回路の実装方法。
【請求項３】
光ファイバアレイまたは光導波路アレイと、
ブロックの端面に前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイの出射端面が露出するように、前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイの出射側の端部に取り付けられた固定用ブロックと、
この固定用ブロック上に固定された光電子集積回路とを備え、
表面に受光素子が形成された前記光電子集積回路の裏面と前記固定用ブロックの端面とが向かい合うようにして、前記固定用ブロック上に前記光電子集積回路が載置され、前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイから前記光電子集積回路への光の入射位置と前記光電子集積回路の受光素子の位置とが一致するように、前記固定用ブロック上の光電子集積回路の位置が調整されていることを特徴とする光電子集積回路パッケージ。
【請求項４】
請求項３記載の光電子集積回路パッケージにおいて、
さらに、前記固定用ブロックが貫通可能なサイズの開口部が設けられたプリント基板上に搭載され、この開口部と一致する位置に前記固定用ブロックが貫通可能なサイズの開口部が設けられたパッケージ筐体と、
前記光電子集積回路と前記パッケージ筐体内に実装された内装基板とを電気的に接続するワイヤとを備え、
前記固定用ブロックは、前記プリント基板の裏側から前記プリント基板の開口部および前記パッケージ筐体の開口部に差し込まれ、前記光電子集積回路と前記内装基板の表面の高さが一致する位置で前記プリント基板に固定され、
前記光電子集積回路と前記内装基板とが前記ワイヤで電気的に接続されることを特徴とする光電子集積回路パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電子集積回路の表面に形成された受光素子への光照射を実現する光電子集積回路の実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在のデータセンタでは、数十〜数百万台のサーバが、多数のＬ２スイッチ（layer 2 switch）、Ｌ３スイッチ（layer 3 switch）やルータにより構成された階層構造のファットツリー型ネットワークにより接続されている。そのため、大規模化に伴い、電気スイッチやルータを経由したデータ転送の大きな遅延および遅延変動、膨大な消費電力や拡張性などが大きな問題となっており、光パケット交換などの光技術を導入したフラットなデータセンタ網の研究が活発に行われている。
【０００３】
図３（Ａ）に現在研究が進められているトーラス型構造を用いたデータセンタネットワークの構成を示し、図３（Ｂ）にデータセンタネットワークのノードに配置された光電子融合型光パケットルータの構成を示す。数十台のサーバ１１は、一つのラック１２に収納され、その上に置かれたＴｏＲ（Top of Rack）スイッチ１３に接続される。ＴｏＲスイッチ１３には、多数の光電子融合型光パケットルータ１４が接続されている。１つの光パケットルータ１４には、複数のＴｏＲスイッチ１３が接続されると共に、他の複数の光パケットルータ１４が光ファイバ１６を介して接続されている。そして、全ての光パケットルータ１４は、ネットワークコントローラ１５に接続されて当該ネットワークコントローラ１５により制御される。
【０００４】
送信元のサーバ１１に接続されたＴｏＲスイッチ１３から出力された１０ＧｂＥｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）のデータは、このＴｏＲスイッチ１３に接続された送信側の光パケットルータ１４内の共有バッファ４０に送り込まれ、このデータのＩＰ（Internet Protocol）ヘッダーおよびＭＡＣ（Media Access Control）ヘッダーを基に光パケット交換専用の固定長光ラベルをパケット先頭に挿入され、バーストモードの１００Ｇｂｐｓ光パケットとしてネットワーク内に送り出される。
【０００５】
宛先側のサーバ１１にＴｏＲスイッチ１３を介して接続された宛先側の光パケットルータ１４と、送信側の光パケットルータ１４との間には、中継の光パケットルータ１４が存在する。この中継光パケットルータ１４の光ラベル処理器４１は、受信した１００Ｇｂｐｓ光パケットの光ラベルに含まれた宛先情報を読み取り、高速な空間光スイッチ４２を制御して出力ポートを切り替える。図３（Ｂ）の４３は、２つの光パケットが衝突した際に一方の光パケットを一時的に退避させるために用いられる光ファイバ遅延線（Fiber Delay Line：ＦＤＬ)である。
【０００６】
宛先側の光パケットルータ１４の光ラベル処理器４１は、１００Ｇｂｐｓ光パケットを受信すると、この光パケットから光ラベルを削除して、再び通常の１０ＧｂＥｔｈｅｒｎｅｔ信号に変換し、この１０ＧｂＥｔｈｅｒｎｅｔ信号を宛先側のサーバ１１と接続されたＴｏＲスイッチ１３に送り出す。
【０００７】
このように光パケット交換ネットワークでは、バーストモードの入力光パケットのラベル情報の高速な読み取りや、バッファでの受信が不可欠である。そのためには、高速なパケット信号を低速、すなわちＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）回路で処理が可能な速度のパラレル信号に変換する必要がある。バーストモードにおいて、そのようなパラレル変換を実現するキーデバイスとして、超高速低消費電力な光電子集積回路（Opto-Electronic Ｉntegrated Circuit：ＯＥＩＣ）を用いたシリアル−パラレル変換器の研究が進められている。
【０００８】
次に、光ラベル処理器４１の構成例を図４に示す。光ラベル処理器４１は、光トリガパルス発生器４１０と、シリアル−パラレル変換器４１１と、高速受光素子４１２と、ＣＭＯＳプロセッサー４１３とを有する。
入力光パケットの一部は、光トリガパルス発生器４１０に入力される。光トリガパルス発生器４１０は、光パケットから先頭の光パルスのみを抽出する。
【０００９】
光トリガパルス発生器４１０によって抽出された光トリガパルスは光ラベルのビット数、例えば１６に分岐され、分岐された１６の光トリガパルスがτ（入力光パケットのビット間隔）の時間だけ順番にずれるように時間差を与えられ、シリアル−パラレル変換器４１１に照射される。このシリアル−パラレル変換器４１１は、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）とＭＳＭ−ＰＤ（Metal-Semiconductor-Metal Photo Detector）をモノリシックに集積したＯＥＩＣである。
【００１０】
高速受光素子４１２は、入力光パケットを電気信号に変換する。シリアル−パラレル変換器４１１は、高速受光素子４１２によって変換されたパケット信号が入力され、光トリガパルスがタイミングを合わせて照射されることにより、パケット信号からラベル情報のみを抽出して、低速なパラレル信号として出力するようになっている。よって、ＣＭＯＳプロセッサー４１３は、このパラレル信号を取り込むことによって、すぐにラベル情報を認識することが可能となる。
【００１１】
このように、ＯＥＩＣは、光トリガパルスを照射することによって、極めて高速かつ低消費電力に、様々な機能を実現することが可能である。しかし、前記光ラベル処理器の例では、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示すように、光トリガパルスを受光面積の小さなＭＳＭ−ＰＤに照射するための大掛かりな光ヘッドが必要となる。図５（Ａ）はＯＥＩＣ上に配置された光ヘッドの平面図、図５（Ｂ）は光ヘッドの断面図である。
【００１２】
光トリガパルス発生器４１０によって抽出された光トリガパルスは、ファイバアレイ４１４によって光ヘッド４１５へ導かれる。ファイバアレイ４１４は、複数本の光ファイバ芯線を束ねて１列に配置したものである。この複数本の光ファイバ芯線の長さを変えることにより、前述のように分岐された複数の光トリガパルスがτの時間だけ順番にずれるように時間差を与えられる。ファイバアレイ４１４の２５０μｍピッチで並んだ光ファイバ芯線は、光ヘッド４１５内のＶ溝ファイバブロック４１６によって固定される。
【００１３】
ファイバアレイ４１４の端部から出射した光パルスは、光ヘッド４１５内の４５度ミラー４１７で９０度曲げられ、マイクロレンズアレイ４１９，４２０によってＯＥＩＣ４２１上のＭＳＭ−ＰＤに照射される（非特許文献１参照）。図６（Ａ）はＯＥＩＣ４２１に形成されたＭＳＭ−ＰＤ４２２の平面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＩ−Ｉ線断面図、図７はＯＥＩＣ４２１上に配置された光ヘッド４１５を撮影した写真である。４２３はＯＥＩＣ４２１が形成されるＩｎＰ基板、４２４はＭＳＭ−ＰＤ４２２の光吸収層、４２５はＭＳＭ−ＰＤ４２２の＋（プラス）電極、４２６はＭＳＭ−ＰＤ４２２の−（マイナス）電極である。
【００１４】
以上のような光ヘッド４１５は、コストが掛かる上、ＭＳＭ−ＰＤ４２２に光トリガパルスを正確に照射するためのアライメント調整が非常に困難である。さらに、図６（Ａ）、図６（Ｂ）に示したようにＭＳＭ−ＰＤ４２２の表側から光を照射すると、電極４２５，４２６の表面で光の一部が反射され、光吸収層４２４に照射された光も一部は吸収されることなく光吸収層４２４を通過するため、ＭＳＭ−ＰＤ４２２の光電変換効率が劣化することとなる。
【００１５】
ＭＳＭ−ＰＤ４２２の光電変換効率を向上させるためには、ＭＳＭ−ＰＤ４２２の裏側（ＩｎＰ基板４２３側）から光を照射することが一般的に考えられる。この場合、照射された光は全て光吸収層４２４へ到達することができ、さらに光吸収層４２４を通過した一部の光は、電極４２５，４２６で反射し、再度光吸収層４２４へ送られるため、光電変換効率は大幅に向上する。しかし、ＭＳＭ−ＰＤ４２２の裏側から光を照射するには、ＯＥＩＣチップを上下反転させて、パッケージ内の内装基板上へＯＥＩＣチップをフリップチップ実装することが必要となり、実装工程がさらに複雑化することとなる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】Kiyohide Sakai et al.，“Photodiode Packaging Technique Using Ball Lens and Offset Parabolic Mirror”，JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY，VOL.27，NO.17，SEPTEMBER 1，2009，pp.3874-3879
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
前述したように、従来、ＯＥＩＣ上の受光面積の小さなＭＳＭ−ＰＤに光トリガパルスを照射するには、大掛かりな光ヘッドが必要であった。このような光ヘッドを使用すると、コストの上昇、サイズの増大およびアライメント調整の困難さが生じるため、大きな問題であった。さらに、ＭＳＭ−ＰＤを用いたＯＥＩＣでは、表面から光を照射すると、一部の光が吸収されないため、ＭＳＭ−ＰＤの光電変換効率が極めて低下するという問題点があった。光電変換効率を向上させるためには、ＯＥＩＣのフリップチップ実装が必要であるが、実装の複雑化、コストの上昇の面で、問題があった。
なお、以上の問題はＭＳＭ−ＰＤ以外の受光素子を使用する場合においても同様に発生し、また光トリガパルス以外の光照射においても同様に発生する。
【００１８】
本発明が解決しようとする課題は、大掛かりなレンズ系の光ヘッドを用いることなく、低コストかつ小型の部材を用いて、極めて簡易なアライメント調整で裏面からＯＥＩＣ上の受光素子への光照射を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の光電子集積回路の実装方法は、固定用ブロックの端面に光ファイバアレイまたは光導波路アレイの出射端面が露出するように、前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイの出射側の端部に前記固定用ブロックを取り付ける工程と、表面に受光素子が形成された光電子集積回路の裏面と前記固定用ブロックの端面とが向かい合うようにして、前記固定用ブロック上に前記光電子集積回路を載置する工程と、前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイの入射端面に光を入力し、前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイから前記光電子集積回路への光の入射位置と前記光電子集積回路の受光素子の位置とが一致するように、前記固定用ブロック上の光電子集積回路の位置を調整する工程と、前記光電子集積回路を前記固定用ブロックに固定する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の光電子集積回路の実装方法の１構成例は、さらに、前記固定用ブロックが貫通可能なサイズの開口部が設けられたプリント基板と、このプリント基板上に搭載され、前記固定用ブロックが貫通可能なサイズの開口部が設けられたパッケージ筐体とに対して、前記プリント基板の裏側から前記プリント基板の開口部および前記パッケージ筐体の開口部に前記固定用ブロックを差し込む工程と、前記固定用ブロックに固定された光電子集積回路と前記パッケージ筐体内に実装された内装基板の表面の高さが一致するように調整する工程と、前記固定用ブロックを前記プリント基板に固定する固定と、前記光電子集積回路と前記内装基板とをワイヤで電気的に接続する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００２１】
また、本発明の光電子集積回路パッケージは、光ファイバアレイまたは光導波路アレイと、ブロックの端面に前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイの出射端面が露出するように、前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイの出射側の端部に取り付けられた固定用ブロックと、この固定用ブロック上に固定された光電子集積回路とを備え、表面に受光素子が形成された前記光電子集積回路の裏面と前記固定用ブロックの端面とが向かい合うようにして、前記固定用ブロック上に前記光電子集積回路が載置され、前記光ファイバアレイまたは光導波路アレイから前記光電子集積回路への光の入射位置と前記光電子集積回路の受光素子の位置とが一致するように、前記固定用ブロック上の光電子集積回路の位置が調整されていることを特徴とするものである。
【００２２】
また、本発明の光電子集積回路パッケージの１構成例は、さらに、前記固定用ブロックが貫通可能なサイズの開口部が設けられたプリント基板上に搭載され、この開口部と一致する位置に前記固定用ブロックが貫通可能なサイズの開口部が設けられたパッケージ筐体と、前記光電子集積回路と前記パッケージ筐体内に実装された内装基板とを電気的に接続するワイヤとを備え、前記固定用ブロックは、前記プリント基板の裏側から前記プリント基板の開口部および前記パッケージ筐体の開口部に差し込まれ、前記光電子集積回路と前記内装基板の表面の高さが一致する位置で前記プリント基板に固定され、前記光電子集積回路と前記内装基板とが前記ワイヤで電気的に接続されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２３】
光電子集積回路上の受光径の小さな受光素子に光を照射する場合、従来はレンズ系を用いた大掛かりな光ヘッドが必要であった。これに対して、本発明では、レンズ系の光ヘッドが不要となり、極めて低コストかつ小型の固定用ブロックで受光素子への光の照射を実現することができる。また、本発明では、光の照射位置のアライメント調整が極めて簡便である。また、本発明では、裏面から光電子集積回路上の受光素子に光を照射することにより、受光素子の光電変換効率を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態に係る光電子集積回路パッケージの断面図および光電子集積回路パッケージの拡大断面図である。
【図２】Ｖ溝ファイバブロックと光電子集積回路とを撮影した写真である。
【図３】従来のトーラス型データセンタネットワークおよび光パケットルータの構成例を示す図である。
【図４】従来の光ラベル処理器の構成例を示す図である。
【図５】光電子集積回路上に配置された光ヘッドの平面図および断面図である。
【図６】光電子集積回路に形成されたＭＳＭ−ＰＤの平面図および断面図である。
【図７】光電子集積回路上に配置された光ヘッドを撮影した写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
［発明の原理］
光ファイバから空気中へ出射する光は、光ビームが大きく広がりながら伝搬する。そのため、微小な受光素子等に光を照射するには、レンズ系を用いて再び光を集光する必要がある。本発明では、光ファイバを固定するファイバブロックの上に直接ＯＥＩＣチップを貼り付けることを考える。このとき、光ファイバの出射端面上に半導体チップが直接接合されると、光ファイバの屈折率よりも半導体（例えばＩｎＰ基板）の屈折率の方が大きいため、光ビームは、あまり広がることなく半導体基板中を伝搬し、半導体基板の表面に作製された受光素子に裏面から入射することとなる。
【００２６】
したがって、従来の大掛かりなレンズ系の光ヘッドは不要となり、極めてコンパクトかつ低コストな構成を実現することができる。さらに、本発明では、必然的に裏面入射となるため、受光素子の光電変換効率は大きく向上する。
【００２７】
しかも、従来は光ヘッドから出力される光を受光素子に正確に照射するには、完全に手探り状態でｘｙｚ軸のアライメント調整を行う必要があり、極めて困難であった。しかし本発明では、ＯＥＩＣの上から顕微鏡で観察すると、光ビームの照射位置がはっきりと目視できるため、光ビームを観測しながら、光ビームの照射位置と受光素子の位置とが一致するようにＯＥＩＣの位置を調整するだけで、極めて容易に短時間で、しかも正確に光を受光素子上に照射することが可能となる。
【００２８】
［実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１（Ａ）は本発明の実施の形態に係るＯＥＩＣパッケージの断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＣの部分を拡大した断面図である。ここで本実施の形態で対象とするＯＥＩＣ２は、１：１６シリアル−パラレル変換器を集積したものであり、１６個のＭＳＭ−ＰＤ２０が２５０μｍ間隔で直線状に形成されているものとする。つまり、ＯＥＩＣパッケージ１は、１：１６シリアル−パラレル変換器をパッケージ化したものである。このＯＥＩＣパッケージ１は、プリント基板（Printed circuit board：ＰＣＢ）３上に搭載される。
【００２９】
ＭＳＭ−ＰＤ２０は、ＯＥＩＣ２のＩｎＰ基板２１と、ＩｎＰ基板２１上に形成された光吸収層２２と、光吸収層２２上に形成された＋（プラス）電極２３と、光吸収層２２上に形成された−（マイナス）電極２４とから構成される。
【００３０】
ＯＥＩＣ２のＭＳＭ−ＰＤ２０に照射される光を導く光ファイバアレイ４は、１６本の光ファイバ芯線５を束ねて１列に配置したものである。この光ファイバアレイ４の出射側の端部は、１６本の光ファイバ芯線５が２５０μｍ間隔で１列に並ぶようにＶ溝ファイバブロック６（固定用ブロック）によって固定されている。Ｖ溝ファイバブロック６は、ガラスやセラミックスからなるＶ溝基板の１６個のＶ字状溝中に光ファイバ芯線５を１本ずつ配置し、ガラスやセラミックスからなる押え板とＶ溝基板で光ファイバ芯線５を挟むようにして固定したものである。光ファイバアレイ４の出射端面は光学研磨されている。また、Ｖ溝ファイバブロック６の端面は光ファイバアレイ４の出射端面と同一の高さになるように研磨されている。
【００３１】
各光ファイバ芯線５の１０μｍコアから出射した光が、ＩｎＰ基板２１を伝搬し、表面に作製された平面視２０μｍ角のＭＳＭ−ＰＤ２０に効率よく入射するには、ＭＳＭ−ＰＤ２０に入射する光ビームの径が２０μｍ以内になる必要があり、そのためにはＯＥＩＣ２のＩｎＰ基板２１の厚さが１００μｍ程度になるように研磨する必要がある。さらに、ＯＥＩＣ２の裏面も同様に光学研磨しておき、光ファイバアレイ４およびＶ溝ファイバブロック６とＯＥＩＣ２との界面での光の反射を抑えるために、ＯＥＩＣ２の裏面（ＩｎＰ基板２１の裏面）には無反射コーティング材を蒸着しておくことが望ましい。
【００３２】
次に、Ｖ溝ファイバブロック６の出射端面（光ファイバアレイ４の各光ファイバ芯線５の出射端面が露出している面）とＯＥＩＣ２の裏面とが向かい合うようにして、Ｖ溝ファイバブロック６上にＯＥＩＣ２を載置する（図２）。この状態で、図示しない光源から光ファイバアレイ４の入射端面に光を入力し、光ファイバアレイ４で導いた光を裏面からＯＥＩＣ２に入射させる。
【００３３】
そして、ＯＥＩＣ２の上方からＩＲ（Infrared）カメラ付顕微鏡で、ＯＥＩＣ２を通過する光を観察し、光ファイバアレイ４からＯＥＩＣ２への光の入射位置とＯＥＩＣ２のＭＳＭ−ＰＤ２０の位置とが一致するように、Ｖ溝ファイバブロック６上のＯＥＩＣ２の位置を調整した後で、Ｖ溝ファイバブロック６とＯＥＩＣ２とを接着剤で固定する。ここでは、Ｖ溝ファイバブロック６とＯＥＩＣ２との界面に接着剤を付けず、位置調整を行なった後で固定するので、ＯＥＩＣ２の側面に付着させた接着剤でＯＥＩＣ２をＶ溝ファイバブロック６に固定する。
【００３４】
こうして、図２に示したような構成が完成し、ＯＥＩＣ２と光ファイバアレイ４との光学的な接続が実現できたことになる。なお、Ｖ溝ファイバブロック６の出射端面にＯＥＩＣ２を載せるので、Ｖ溝ファイバブロック６の出射端面の平面寸法はＯＥＩＣ２の平面寸法以上であることが望ましい。
【００３５】
ＯＥＩＣパッケージ１の例えばセラミックスからなるパッケージ筐体７は、前述のとおりプリント基板３上に搭載される。パッケージ筐体７には、パッケージ筐体７内に実装された内装基板８の平面と垂直な方向（図１（Ａ）上下方向）に沿ってＶ溝ファイバブロック６が貫通可能なサイズの開口部が設けられている。同様に、プリント基板３には、その平面と垂直な方向に沿ってＶ溝ファイバブロック６が貫通可能なサイズの開口部が設けられている。パッケージ筐体７は、開口部の位置がプリント基板３の開口部の位置と一致するようにプリント基板３上に搭載される。
【００３６】
パッケージ筐体７には、外部との電気的な接続のためのＧＰＰＯ（登録商標）コネクタ１０が取り付けられており、内装基板８上の配線（不図示）とＧＰＰＯコネクタ１０とが電気的に接続されている。さらに、パッケージ筐体７の外側には、内装基板８上の配線と接続された端子（不図示）が設けられており、この端子を介してプリント基板３上の配線（不図示）とＯＥＩＣパッケージ１とが電気的に接続されるようになっている。
【００３７】
次に、Ｖ溝ファイバブロック６上にＯＥＩＣ２を固定した状態で、Ｖ溝ファイバブロック６内の光の伝搬方向（図１（Ａ）の下から上への方向）に沿ってプリント基板３の裏側からプリント基板３の開口部およびパッケージ筐体７の開口部にＶ溝ファイバブロック６を差し込み、ＯＥＩＣ２と内装基板８の表面の高さが一致するように調整した後で、Ｖ溝ファイバブロック６をプリント基板３に接着剤で固定する。
【００３８】
そして、ＯＥＩＣ２に形成されたパッドと内装基板８に形成されたパッドとをワイヤ９で電気的に接続する。こうして、ＯＥＩＣ２と外部との電気的な接続が実現できたことになる。パッケージ筐体７に図示しないリッド（蓋）を取り付けることで、ＯＥＩＣパッケージ１が完成する。
【００３９】
なお、本実施の形態では、ＯＥＩＣ２の受光素子の例として、ＭＳＭ−ＰＤを例に挙げて説明したが、本発明はＭＳＭ−ＰＤ以外の受光素子に対しても適用可能である（ただし、１０μｍ以下の極小の受光素子には適用困難）。また、本発明はシリアル−パラレル変換器以外のＯＥＩＣにも適用可能である。
【００４０】
本実施の形態では、ＯＥＩＣ２の受光素子への光伝送用の手段として光ファイバアレイ４を用いたが、本発明はガラス導波路や半導体の光導波路アレイに対しても適用可能である。この場合は、光ファイバアレイ４の場合と同様に、光導波路アレイの出射側の端部を挟み込む形状のガラスやセラミックス製の固定用ブロックを光導波路アレイに接着する。固定用ブロックの出射端面（光導波路アレイの各光導波路の出射端面が露出している面）の平面寸法はＯＥＩＣの平面寸法以上であることが望ましい。光ファイバアレイの場合と同様に、固定用ブロックの出射端面および光導波路アレイの出射端面は光学研磨されている。
【００４１】
そして、固定用ブロックの出射端面とＯＥＩＣ２の裏面とが向かい合うようにして、固定用ブロック上にＯＥＩＣ２を載置し、光導波路アレイからＯＥＩＣ２への光の入射位置とＯＥＩＣ２の受光素子の位置とが一致するように、固定用ブロック上のＯＥＩＣ２の位置を調整した後で、固定用ブロックとＯＥＩＣ２とを接着剤で固定する。以降の工程は光ファイバアレイの場合と同じである。
【００４２】
また、本実施の形態では、光ファイバアレイの光ファイバ芯線を直線状に配置するＶ溝ファイバブロックを例に挙げて説明したが、固定用ブロック内の光ファイバ芯線または光導波路の配列は任意である。固定用ブロック内の光ファイバ芯線または光導波路の配置は、ＯＥＩＣ上の受光素子の配置に応じて変わる。本発明では、固定用ブロックの出射端面上にＯＥＩＣを載置したときに、光ファイバアレイまたは光導波路アレイからＯＥＩＣへの光の入射位置とＯＥＩＣの受光素子の位置とが一致する点が見つかればよく、このような一致点が生じるように固定用ブロック内の光ファイバ芯線または光導波路の配置を予め設定しておけばよい。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、光電子集積回路の表面に形成された受光素子へ裏面から光を照射する技術に適用することができる。
【符号の説明】
【００４４】
１…光電子集積回路パッケージ、２…光電子集積回路、３…プリント基板、４…光ファイバアレイ、５…光ファイバ芯線、６…Ｖ溝ファイバブロック、７…パッケージ筐体、８…内装基板、９…ワイヤ、１０…ＧＰＰＯコネクタ、２０…ＭＳＭ−ＰＤ、２１…ＩｎＰ基板、２２…光吸収層、２３…＋電極、２４…−電極。
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図２】
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【図６】
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【図７】
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