(57)【要約】      （修正有）【課題】被搭載体の被着面に対する半導体チップ搭載精度を維持しながら、ダイアタッチにかかる時間を短縮することができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体製造装置は、真空発生器に接続され、複数の半導体チップ１１３を有する半導体ウエハ１１１を吸着するステージ１０１と、ステージと真空発生器との接続部に接続され、ステージと真空発生器との接続を制御する吸着制御部と、複数の半導体チップの各々をピックアップするピックアップ部１０３と、ピックアップ部の移動及び回転を制御し、且つ、吸着制御部を制御する制御部と、を備える。ピックアップ部は、制御部によって半導体チップをステージから支持基板１１７上の実装位置に移動させて接着させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空発生器に接続され、複数の半導体チップを有する半導体ウエハを吸着するステージと、
前記ステージと前記真空発生器との接続部に接続され、前記ステージと前記真空発生器との接続を制御する吸着制御部と、
前記複数の半導体チップの各々をピックアップするピックアップ部と、
前記ピックアップ部の移動及び回転を制御し、且つ前記吸着制御部を制御する制御部と、
を備え、
前記ピックアップ部は、前記制御部によって前記半導体チップを前記ステージから支持基板上の実装位置に移動させて接着させる、半導体製造装置。
【請求項２】
前記ピックアップ部は、前記半導チップを保持するノズルを備え、
前記制御部は、前記ノズルの移動及び回転を制御する、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記半導体チップは、表面に光学的に読み取り可能に設けられたマーカーを有し、
前記マーカーを撮像する撮像部をさらに備え、
前記制御部は、前記撮像部によって撮像された前記マーカーの画像に基づいて、前記マーカーの位置を認識して、前記ノズルの移動及び回転を制御する、請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記半導体チップの端部を含む領域を撮像する撮像部をさらに備え、
前記制御部は、前記撮像部によって撮像された前記半導体チップの端部を含む画像に基づいて、前記半導体チップのコーナーの位置を認識して、前記ノズルの移動及び回転を制御する、請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記撮像部は、前記半導体チップの上面側又は裏面側から前記半導体チップの端部を含む領域を撮像する、請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記半導体チップの端部を含む領域の画像を２値化して前記半導体チップのコーナー位置を認識する、請求項４又は５に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記半導体ウエハの前記ステージに対向する面とは逆側の面に取り付けられた保護テープを剥離する剥離部をさらに備える、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
真空発生器に接続され、複数の半導体チップを有する半導体ウエハを吸着するステージと、
前記ステージと前記真空発生器との接続部に接続され、前記ステージと前記真空発生器との接続を制御する吸着制御部と、
前記複数の半導体チップを同時にピックアップするピックアップ部と、
前記ピックアップ部の移動及び回転を制御し、且つ前記吸着制御部を制御する制御部と、
を備え、
前記ピックアップ部は、前記複数の半導体チップの間隔を所定のピッチに変換して保持し、
前記ピックアップ部は、前記制御部によって前記複数の半導体チップを前記ステージから支持基板上の実装位置に移動させて、前記複数の半導体チップを前記実装位置に同時に接着させる、半導体製造装置。
【請求項９】
前記ピックアップ部は、前記複数の半導チップを各々保持する複数のノズルを備え、
前記制御部は、前記複数のノズルの各々の移動及び回転を制御する、請求項８に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記複数の半導体チップの各々は、表面に光学的に読み取り可能に設けられたマーカーを有し、
前記マーカーを撮像する撮像部をさらに備え、
前記制御部は、前記撮像部によって撮像された前記マーカーの画像に基づいて、前記マーカーの位置を認識して、前記複数のノズルの移動及び回転を制御する、請求項９に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
前記半導体チップの端部を含む領域を撮像する撮像部をさらに備え、
前記制御部は、前記撮像部によって撮像された前記半導体チップの端部を含む画像に基づいて、前記半導体チップのコーナーの位置を認識して、前記複数のノズルの移動及び回転を制御する、請求項９に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
前記撮像部は、前記半導体チップの上面側又は裏面側から前記半導体チップの端部を含む領域を撮像する、請求項１１に記載の半導体製造装置。
【請求項１３】
前記制御部は、前記半導体チップの端部を含む領域の画像を２値化して前記半導体チップのコーナー位置を認識する、請求項１１又は１２に記載の半導体製造装置。
【請求項１４】
前記半導体ウエハの前記ステージに対向する面とは逆側の面に取り付けられた保護テープを剥離する剥離部をさらに備える、請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項１５】
複数の半導体チップを有する半導体ウエハを、真空発生器に接続されたステージ上に配置し、
前記複数の半導体チップの各々をピックアップし、
前記複数の半導体チップの各々を支持基板上の実装位置に移動させて接着すること、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置する前に、
前記半導体ウエハの第１の表面上に保護テープを貼り付け、
前記第１の表面とは反対側の第２の表面を研削し、前記複数の半導体チップを個片化すること、をさらに含む、請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置することは、前記半導体ウエハの前記第２の表面を前記ステージに対向させて前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置することであり、
前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置した後、且つ前記複数の半導体チップを同時にピックアップする前に、
前記半導体ウエハの前記第１の表面から前記保護テープを剥離すること、をさらに含む、請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
複数の半導体チップを有する半導体ウエハを真空発生器に接続されたステージ上に配置し、
前記複数の半導体チップを同時にピックアップし、
前記複数の半導体チップの各々の間隔を所定のピッチに変換し、
前記複数の半導体チップを支持基板上の実装位置に移動させ、
前記複数の半導体チップを前記実装位置に同時に接着すること、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置する前に、
前記半導体ウエハの第１の表面上に保護テープを貼り付け、
前記第１の表面とは反対側の第２の表面を研削し、前記複数の半導体チップを個片化すること、をさらに含む、請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置することは、前記半導体ウエハの前記第２の表面を前記ステージに対向させて前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置することであり、
前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置した後、且つ前記複数の半導体チップを同時にピックアップする前に、
前記半導体ウエハの前記第１の表面から前記保護テープを剥離すること、をさらに含む、請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置及び製造方法に関し、特に、高速のダイアタッチを実現する半導体製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイシングされたウエハから半導体デバイスを取り出し、リードフレームや基板などの被搭載体に搭載するダイアタッチ装置では、一般的に、ダイシングされた半導体デバイスを個別に取り出し、被搭載体に対して位置合わせを行い、被搭載体の表面上にダイアタッチする。（例えば、特許文献１及び特許文献２）このようなダイアタッチ装置では、粘着層又は粘着シート上に配置された半導体デバイスを個々に取り出して被搭載体の表面に接着するため、ダイアタッチの工程に時間がかかるという問題がある。特に、半導体デバイスの厚さが薄いほど、半導体デバイスを粘着層又は粘着シートから剥離するのに時間が長くなり、ダイアタッチの工程にかかる時間の短縮化の妨げとなっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２０３０２３号公報
【特許文献２】特開２０１５−１７０７４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、被搭載体の被着面に対する半導体チップ搭載精度を維持しながら、ダイアタッチにかかる時間を短縮することができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る半導体製造装置は、真空発生器に接続され、複数の半導体チップを有する半導体ウエハを吸着するステージと、前記ステージと前記真空発生器との接続部に接続され、前記ステージと前記真空発生器との接続を制御する吸着制御部と、前記複数の半導体チップの各々をピックアップするピックアップ部と、前記ピックアップ部の移動及び回転を制御し、且つ前記吸着制御部を制御する制御部と、を備え、前記ピックアップ部は、前記制御部によって前記半導体チップを前記ステージから支持基板上の実装位置に移動させて接着させる、ことを特徴とする。
【０００６】
前記ピックアップ部は、前記半導チップを保持するノズルを備えてもよく、前記制御部は、前記ノズルの移動及び回転を制御してもよい。
【０００７】
前記半導体チップは、表面に光学的に読み取り可能に設けられたマーカーを有してもよく、前記マーカーを撮像する撮像部をさらに備えてもよく、前記制御部は、前記撮像部によって撮像された前記マーカーの画像に基づいて、前記マーカーの位置を認識して、前記ノズルの移動及び回転を制御してもよい。
【０００８】
前記半導体チップの端部を含む領域を撮像する撮像部をさらに備えてもよく、前記制御部は、前記撮像部によって撮像された前記半導体チップの端部を含む画像に基づいて、前記半導体チップのコーナーの位置を認識して、前記ノズルの移動及び回転を制御してもよい。
【０００９】
前記撮像部は、前記半導体チップの上面側又は裏面側から前記半導体チップの端部を含む領域を撮像してもよい。
【００１０】
前記制御部は、前記半導体チップの端部を含む領域の画像を２値化して前記半導体チップのコーナー位置を認識してもよい。
【００１１】
前記半導体ウエハの前記ステージに対向する面とは逆側の面に取り付けられた保護テープを剥離する剥離部をさらに備えてもよい。
【００１２】
本発明の一実施形態に係る半導体製造装置は、真空発生器に接続され、複数の半導体チップを有する半導体ウエハを吸着するステージと、前記ステージと前記真空発生器との接続部に接続され、前記ステージと前記真空発生器との接続を制御する吸着制御部と、前記複数の半導体チップを同時にピックアップするピックアップ部と、前記ピックアップ部の移動及び回転を制御し、且つ前記吸着制御部を制御する制御部と、を備え、前記ピックアップ部は、前記複数の半導体チップの間隔を所定のピッチに変換して保持し、前記ピックアップ部は、前記制御部によって前記複数の半導体チップを前記ステージから支持基板上の実装位置に移動させて、前記複数の半導体チップを前記実装位置に同時に接着させる、ことを特徴とする。
【００１３】
前記ピックアップ部は、前記複数の半導チップを各々保持する複数のノズルを備えてもよく、前記制御部は、前記複数のノズルの各々の移動及び回転を制御してもよい。
【００１４】
前記複数の半導体チップの各々は、表面に光学的に読み取り可能に設けられたマーカーを有してもよく、前記半導体製造装置は、前記マーカーを撮像する撮像部をさらに備え、前記制御部は、前記撮像部によって撮像された前記マーカーの画像に基づいて、前記マーカーの位置を認識して、前記複数のノズルの移動及び回転を制御してもよい。
【００１５】
前記半導体チップの端部を含む領域を撮像する撮像部をさらに備え、前記制御部は、前記撮像部によって撮像された半導体チップの端部を含む領域の画像に基づいて、前記半導体チップのコーナーの位置を認識して、前記複数のノズルの移動及び回転を制御してもよい。
【００１６】
前記撮像部は、前記半導体チップの上面側又は裏面側から前記半導体チップの端部を含む領域を撮像してもよい。
【００１７】
前記制御部は、前記半導体チップの端部を含む領域の画像を２値化して前記半導体チップのコーナーの位置を認識してもよい。
【００１８】
前記半導体製造装置は、前記半導体ウエハの前記ステージに対向する面とは逆側の面に取り付けられた保護テープを剥離する剥離部をさらに備えてもよい。
【００１９】
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを有する半導体ウエハを、真空発生器に接続されたステージ上に配置し、前記複数の半導体チップの各々をピックアップし、前記複数の半導体チップの各々を支持基板上の実装位置に移動させて接着すること、を含む。
【００２０】
前記半導体装置の製造方法は、前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置する前に、前記半導体ウエハの第１の表面上に保護テープを貼り付け、前記第１の表面とは反対側の第２の表面を研削し、前記複数の半導体チップを個片化すること、をさらに含んでもよい。
【００２１】
前記半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置することは、前記半導体ウエハの前記第２の表面を前記ステージに対向させて前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置することであり、前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置した後、且つ前記複数の半導体チップを同時にピックアップする前に、前記半導体ウエハの前記第１の表面から付前記保護テープを剥離すること、をさらに含んでもよい。
【００２２】
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、真空発生器に接続された複数の半導体チップを有する半導体ウエハをステージ上に配置し、前記複数の半導体チップを同時にピックアップし、前記複数の半導体チップの各々の間隔を所定のピッチに変換し、前記複数の半導体チップを支持基板上の実装位置に移動させ、前記複数の半導体チップを前記実装位置に同時に接着すること、を含む、ことを特徴とする。
【００２３】
前記半導体装置の製造方法は、前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置する前に、前記半導体ウエハの第１の表面上に保護テープを貼り付け、前記第１の表面とは反対側の第２の表面を研削し、前記複数の半導体チップを個片化する、ことをさらに含んでもよい。
【００２４】
前記半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置することは、前記半導体ウエハの前記第２の表面を前記ステージに対向させて前記半導体ウエハを前記ステージ上に配置することであり、前記半導体ウエハを吸着した後、且つ前記複数の半導体チップを同時にピックアップする前に、前記半導体ウエハの前記第１の表面から保護テープを剥離すること、をさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によると、被搭載体の被着面に対する半導体チップ搭載精度を維持しながら、ダイアタッチにかかる時間を短縮することができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置を示すブロック図である。
【図２Ａ】半導体ウエハに貼り付けられた保護フィルムを剥がす工程を説明する図面である。
【図２Ｂ】半導体ウエハに貼り付けられた保護フィルムを剥がす工程を説明する図面である。
【図２Ｃ】半導体ウエハに貼り付けられた保護フィルムを剥がす工程を説明する図面である。
【図３】本発明の第１の一実施形態に係る半導体製造装置１００を用いた半導体装置の製造方法を説明するフロー図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置を示すブロック図である。
【図５Ａ】半導体チップをピックアップし、半導体チップの間隔を所定のピッチに変換する工程を示す図面である。
【図５Ｂ】半導体チップをピックアップし、半導体チップの間隔を所定のピッチに変換する工程を示す図面である。
【図６】所定のピッチを空けた半導体チップの位置補正を行う工程を示す図面である。
【図７】半導体チップを支持基板上に接着する工程を示す図面である。
【図８】本発明の第２の一実施形態に係る半導体製造装置１００を用いた半導体装置の製造方法を説明するフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明に係る半導体製造装置について説明する。ただし、本発明の半導体製造装置は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。尚、以下の説明において。膜、領域などのある要素が、他の要素の「上」にあるとするとき、これは該他の要素の「直上」にある場合に限らず、その中間に更に別の要素がある場合も含む。
【００２８】
（第１実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置及び半導体装置の製造方法について図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２９】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置１００を示すブロック図である。図１を参照すると、半導体製造装置１００は、ステージ１０１、ピックアップ部１０３、制御部１０５及び吸着制御部１２３を備える。
【００３０】
ステージ１０１は、半導体ウエハ１１１を吸着して保持する。半導体ウエハ１１１は、個片化された複数の半導体チップ１１３を有している。各半導体チップ１１３の表面（上面又は裏面）上には、光学的に読み取り可能な第１のマーカーが設置されていてもよい。半導体ウエハ１１１は、ステージ１０１上に配置される前に、複数の半導体チップ１１３に個片化されるが、保護フィルム２０１によって固定されている。
【００３１】
保護フィルム２０１は、半導体チップ１１３が個片化される前に、素子が形成され、溝を設けた半導体ウエハの１１１の表面（第１の表面）に貼り付けられる。保護フィルム２０１が貼り付けられた後、半導体ウエハ１１１は、保護フィルム２０１が貼り付けられた表面（第１の表面）とは反対側の裏面（第２の表面）側から表面（第１の表面）側に設けられた溝に達するまで研削されて、複数の半導体チップ１１３が個片化される。個片化された複数の半導体チップ１１３は、保護フィルム２０１によって固定されている。
【００３２】
図２Ａに示すように、保護フィルム２０１が貼り付けられていない半導体ウエハ１１１の裏面（第２の表面）がステージ１０１に面して配置されて吸着された後、図２Ｂに示すように保護フィルム２０１は、半導体ウエハ１１１の表面（第１の表面）から剥離される。半導体製造装置１００は、半導体ウエハ１１１の表面に貼り付けられた保護フィルムを剥がす剥離部（図示せず）を有してもよい。図２Ｃに示すように、保護フィルム２０１が剥離されると、半導体チップ１１３の素子が形成された側の面が露出する。以後、露出された半導体チップ１１３の面を半導体チップ１１３の上面と呼び、ステージ１０１に対向する面を半導体チップ１１３の裏面と呼ぶこともある。
【００３３】
ステージ１０１は、第１の接続部１２５を介して真空ポンプなどの第１の真空発生器１１５に接続される。第１の接続部１２５は、例えば、ステージ１０１と第１の真空発生器１１５との接続／非接続を切り替える弁などであってもよい。ステージ１０１は、第１の接続部１２５に通じる開口部を備えてもよい。開口部は、半導体ウエハ１１１に含まれる半導体チップ１１３の数に対応した数であってもよく、半導体チップ１１３の数より多くてもよく、少なくてもよい。第１の接続部１２５の数は、ステージ１０１に設けられている開口部の数に対応していてもよい。また、ステージ１００は、例えば、多孔質材料で形成されていてもよい。ステージ１０１は、ステージ１０１と第１の真空発生器１１５とが第１の接続部１２５を介して接続されているとき（接続がオン状態のとき）、ステージ１０１に設けられた開口部、又はステージ１０１に設けられた複数の孔を通じて半導体ウエハ１１１を吸着して保持する。ステージ１０１と第１の真空発生器１１５との接続は、吸着制御部１２３によって制御される。
【００３４】
ピックアップ部１０３は、ステージ１０１上に保持された半導体ウエハ１１１から半導体チップ１１３をピックアップするノズル１０７と、ノズル１０７に接続された移動制御部１０９を有する。また、移動制御部１０９は、制御部１０５に接続される。
【００３５】
移動制御部１０９は、制御部１０５によって制御され、制御部１０５から出力される第１の制御信号に基づいて移動する。移動制御部１０９は、第１の制御信号に基づいて回転してもよい。また、移動制御部１０９は、ノズル１０７をＸＹＺ軸方向への移動（前後方向、左右方向及び上下方向への移動）及び回転させる。移動制御部１０９は、制御部１０５から出力される第２の制御信号に基づいてノズル１０７のＸＹＺ軸方向への移動及び回転を制御する。
【００３６】
ノズル１０７は、第２の接続部１２７を介して第２の真空発生器１２１に接続された中空部（図示せず）を備える。第２の接続部１２７は、例えば、ノズル１０７と第２の真空発生器１２１との接続のオン／オフを切り替える弁などであってもよい。第２の真空発生器１２１とノズル１０７とが第２の接続部１２７を介して接続されているとき（接続がオン状態のとき）、ノズル１０７は中空部を介して、半導体チップ１１３を真空チャックして保持する。第２の真空発生器１２１とノズル１０７との接続は、吸着制御部１２３によって制御される。ノズル１０７の半導体チップ１１３と接触する接触部分は、低弾性材料で構成されてもよい。例えば、各ノズル１０７の半導体チップ１１３と接触する接触部分は、ゴム硬度４０〜８０程度の材料から構成されることが好ましく、ＮＢＲ、フッ素ゴムなどによって構成されてもよい。
【００３７】
制御部１０５は、ピックアップ部１０３の移動及び回転を制御する。即ち、制御部１０５は、移動制御部１０９に第１の制御信号を出力し、移動制御部１０９の移動又は回転を制御する。また、制御部１０５は、移動制御部１０９に第２の制御信号を出力し、移動制御部１０９を介してノズル１０７のＸＹＺ軸方向（前後方向、左右方向及び上下方向への移動）への移動及び回転を制御する。制御部１０５は、ピックアップ部１０３をステージ１０１上に保持された半導体ウエハ１１１上に移動させ、移動制御部１０９を介してノズル１０７が所定の半導体チップ１１３をピックアップして保持するようにノズル１０７の移動及び回転を制御する。
【００３８】
制御部１０５は、図示していない撮像部（ＣＣＤカメラなど）によってステージ１０１の位置を認識し、ピックアップ部１０３を半導体チップウエハ１１１上の位置に合わせて、ノズル１０７で所定の半導体チップデバイス１１３を真空チャックして保持するようノズル１０７の移動を制御してもよい。また、制御部１０５は、図示していない撮像部（ＣＣＤカメラなど）によって半導体ウエハ１１１を撮影し、半導体チップ１１３に設けられた第１のマーカーを認識して、ピックアップ部１０３を所定の半導体チップ１１３上の位置に合わせて、ノズル１０７で所定の半導体チップデバイス１１３を真空チャックして保持するようノズル１０７の移動を制御してもよい。制御部１０５は、ノズル１０７が半導体チップ１１３を吸着保持すると、ピックアップ部１０３を半導体ウエハステージ１０１上から支持基板１１７上に移動させる。
【００３９】
また、制御部１０５は、第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを接続する第１の接続部１２５、及び第２の真空発生器１２１とノズル１０７とを接続する第２の接続部１２７に接続される吸着制御部１２３を制御する。制御部１０５は、吸着制御部１２３を制御するための第３の制御信号を出力してもよい。
【００４０】
吸着制御部１２３は、制御部１０５に接続され、制御部１０５から第３の制御信号を受ける。吸着制御部１２３は、第３の制御信号に基づいて、第１の接続部１２５を介して第１の真空発生器１１５とステージ１０１との接続を制御し、第２の接続部１２７を介して第２の真空発生器１２１とノズル１０７との接続を制御する。第３の制御信号は、例えば、ピックアップ部１０３の位置に関する信号であってもよく、吸着制御部１２３は、ピックアップ部１０３の位置に基づいて、第１の接続部１２５を介して第１の真空発生器１１５とステージ１０１との接続を制御し、第２の接続部１２７を介して第２の真空発生器１２１とノズル１０７との接続を制御してもよい。
【００４１】
例えば、吸着制御部１２３は、ノズル１０７が所定の半導体チップ１１３をピックアップする際、ピックアップ部１０３が半導体ウエハ１１１上に位置すると、第２の接続部１２７を介して第２の真空発生器１２１とノズル１０７とを接続状態（オン状態）にし、第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを非接続状態（オフ状態）にしてもよい。また、例えば、吸着制御部１２３は、ノズル１０７が所定の半導体チップ１１３をピックアップする際、ノズル１０７の半導体チップ１１３と接触する接触部分が所定の半導体チップ１１３と接触すると、第２の接続部１２７を介して第２の真空発生器１２１とノズル１０７とを接続状態（オン状態）にし、第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを非接続状態（オフ状態）にしてもよい。半導体ウエハ１１１が第１の真空発生器１１５に接続されたステージ１０１上に配置されているため、ノズル１０７が所定の半導体チップ１１３をピックアップする際、第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを非接続状態（オフ状態）にすることにより、ノズル１０７は容易に所定の半導体チップ１１３を吸着することができる。
【００４２】
ステージ１０１に複数の開口部が設けられ、開口部の数に対応する第１の接続部１２５が設けられている場合、吸着制御部１２３が第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを非接続状態（オフ状態）にする際には、吸着制御部１２３は、ピックアップ部１０３のノズル１０７によってピックアップされる所定の半導体チップ１１３が配置された領域においてのみ第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを非接続状態（オフ状態）にしてもよい。即ち、吸着制御部１２３は、ノズル１０７によってピックアップされる所定の半導体チップ１１３が配置された領域に位置する開口部に通じる第１の接続部１２５によって、該所定の半導体チップ１１３が配置された領域においてのみ第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを非接続状態（オフ状態）にし、該所定の半導体チップ１１３が配置された領域を除く領域は、第１の接続部１２５を介して第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを接続状態（オン状態）のまま維持してもよい。また、吸着制御部１２３は、半導体ウエハ１１１が配置された全領域において第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを非接続状態（オフ状態）にしてもよい。
【００４３】
吸着制御部１２３は、ピックアップ部１０３が半導体ウエハ１１１上に位置しない場合、第１の接続部１２５を介して第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを接続状態（オン状態）にしてもよい。また、吸着制御部１２３は、ノズル１０７の半導体チップ１１３と接触する接触部分が所定の半導体チップ１１３と接触していない場合、第１の接続部１２５を介して第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを接続状態（オン状態）にしてもよい。
【００４４】
支持基板１１７は、半導体チップ１１３が搭載される被搭載体である。支持基板１１７は、特に限定されないが、その表面上に半導体チップ１１３が搭載される実装位置を有する基板であってもよい。しかしながら、支持基板１１７はこれに限定されず、例えば、リードフレームなどであってもよい。支持基板１１７の表面上に位置する半導体チップ１１３の実装位置には、ダイアタッチフィルム又は接着剤が配置される。
【００４５】
ピックアップ部１０３は、制御部１０５によって半導体チップ１１３をステージ１０１上から支持基板１１７の実装位置に移動させる。ピックアップ部１０３は、半導体チップ１１３をステージ１０１上から支持基板１１７の実装位置上に移動させる過程で、制御部１０５からの第２の制御信号に基づき、半導体チップ１１３が支持基板１１７の被着面の実装位置に配置されるよう、半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行う。この際、制御部１０５は、移動制御部１０９を介してノズル１０７をＸＹＺ軸方向へ移動（前後方向、左右方向及び上下方向）及び回転させて半導体チップ１１３の位置補正を行う。
【００４６】
半導体チップ１１３の位置補正を行った後、ピックアップ部１０３は、半導体チップ１１３を支持基板１１７の実装位置に配置し、接着する。即ち、制御部１０５は、半導体チップ１１３が被着面の実装位置に配置されるよう、移動制御部１０９を介して半導体チップ１１３を保持したノズル１０７を移動させて、半導体チップ１１３を被着面上に配置し、加圧して接着させる。
【００４７】
半導体製造装置１００は、任意の撮像部１１９を備えてもよい。撮像部１１９は、半導体チップ１１３の表面の画像を撮影する光学機器であり、例えば、ＣＣＤカメラであってもよい。半導体置チップ１１３に第１のマーカーが設けられている場合、撮像部１１９は、半導体置チップ１１３の第１のマーカーを含む半導体チップ１１３の表面を撮像し、取得した表面の画像に対応する画像信号を制御部１０５に出力してもよい。制御部１０５は、撮像部１１９から伝達された画像信号に基づいて半導体チップ１１３の表面に設けられた第１のマーカーの位置を検出してもよい。
【００４８】
制御部１０５は、検出された第１のマーカーに基づいて、半導体チップ１１３の位置を認識し、半導体チップ１１３が支持基板１１７の被着面の実装位置に配置されるよう、ピックアップ部１０３に保持された半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行ってもよい。即ち、制御部１０５は、第１のマーカーに基づいて、移動制御部１０９を介してノズル１０７をＸＹＺ軸方向へ移動（前後方向、左右方向及び上下方向）及び回転（水平面での回転）させて半導体チップ１１３の位置補正を行ってもよい。半導体チップ１１３の位置補正を行った後、制御部１０５は、半導体チップ１１３が被着面の実装位置に配置されるよう、半導体チップ１１３を保持したノズル１０７を移動させて、半導体チップ１１３を被着面上に配置し、加圧して接着させる。
【００４９】
半導体チップ１１３の表面上に設けられた第１のマーカーを、半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正に用いることにより、半導体チップ１１３の支持基板１１７への搭載精度を向上させることができる。
【００５０】
また、制御部１０５は、第１のマーカーの検出をすることなしに、半導体チップ１１３の位置を認識してもよい。例えば、撮像部１１９は、半導体チップ１１３の端部を含む領域を撮像し、半導体チップ１１３の端部を含む領域の画像に対応する画像信号を制御部１０５に出力してもよい。このとき、撮像部１１９が撮像する画像には、少なくとも半導体チップ１１３の端部が含まれていればよく、撮像部１１９は、端部を含む半導体チップ１１３の一部を撮像してもよく、端部を含む半導体チップ１１３全体を撮像してもよい。制御部１０５は、撮像部１１９から伝達された画像信号を２値化して半導体チップ１１３のコーナーの位置を検出してもよい。撮像部１１９は、半導体チップ１１３を撮像する際、半導体チップ１１３の上面側から撮像してもよく、裏面側から撮像してもよい。
【００５１】
制御部１０５は、検出された半導体チップ１１３のコーナーの位置に基づいて、半導体チップ１１３の位置を認識し、半導体チップ１１３が支持基板１１７の被着面の実装位置に配置されるよう、ピックアップ部１０３に保持された半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行ってもよい。即ち、制御部１０５は、半導体チップ１１３のコーナーの位置に基づいて、移動制御部１０９を介してノズル１０７をＸＹＺ軸方向へ移動（前後方向、左右方向及び上下方向）及び回転（水平面での回転）させて半導体チップ１１３の位置補正を行ってもよい。半導体チップ１１３の位置補正を行った後、制御部１０５は、移動制御部１０９を介して半導体チップ１１３を保持したノズル１０７を移動させて、半導体チップ１１３を被着面上に配置し、加圧して接着させる。
【００５２】
また、被搭載体である支持基板１１７の表面上には光学的に読み取り可能な第２のマーカーが設けられてもよい。この場合、半導体製造装置１００は、第２のマーカーを撮像する任意の撮像部（図示せず）をさらに含んでもよい。撮像部は、支持基板１１７の被着面の表面の画像を撮影する光学機器であり、例えば、ＣＣＤカメラであってもよい。該撮像部は、第２のマーカーを含む支持基板１１７の表面の画像に対応する画像信号を制御部１０５に出力する。制御部１０５は、該撮像部から伝達された画像信号に基づいて支持基板１１７の表面に設けられた第２のマーカーの位置を検出してもよい。
【００５３】
制御部１０５は、半導体チップ１１３に設置された第１のマーカー又は半導体チップ１１３のコーナーの位置によって半導体チップ１１３の位置を認識し、さらに支持基板１１７上に設置された第２のマーカーに基づいて、半導体チップ１１３が支持基板１１７の被着面の実装位置に配置されるよう、ピックアップ部１０３に保持された半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行ってもよい。半導体チップ１１３の位置補正を行った後、制御部１０５は、移動制御部１０９を介して半導体チップ１１３を保持したノズル１０７を移動させて、半導体チップ１１３を被着面上に配置し、加圧して接着させる。
【００５４】
支持基板１１７上に設置された第２のマーカーを、半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正に用いることにより、半導体チップ１１３の支持基板１１７への搭載精度をさらに向上させることができる。
【００５５】
ピックアップ部１０３に保持された半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行い、ピックアップ部１０３のノズル１０７の位置が固定されると、吸着制御部１２３は、制御部１０５から出力されたピックアップ部１０３の位置を示す信号に基づいて、所定時間後に第２の真空発生器１２１とノズル１０７とを非接続状態（オフ状態）にする。第２の真空発生器１２１とノズル１０７とを非接続状態にすることによって、ノズル１０７による半導体チップ１１３の真空チャックが解除され、半導体チップ１１３の支持基板１１７へのダイアタッチが完了する。
【００５６】
本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置１００を用いてダイアタッチを行う場合、半導体チップ１１３を半導体ウエハ１１１からピックアップする際に、半導体チップ１１３を粘着層又は粘着シートから剥離するという従来の工程を必要としない。以上に述べたように、本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置１００では、半導体ウエハ１１１が第１の真空発生器１１５に接続されたステージ１０１上に配置されており、ノズル１０７が所定の半導体チップ１１３をピックアップする際、第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを非接続状態（オフ状態）にすることにより、ノズル１０７は容易に所定の半導体チップ１１３を吸着することができる。そのため、半導体ウエハ１１１から所定の半導体チップ１１３をピックアップするのに必要な時間を短縮することができ、ダイアタッチ工程全体にかかる時間を短縮化することができる。
【００５７】
図１及び図３を参照して、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の流れを説明する。図３は、本発明の第１の一実施形態に係る半導体製造装置１００を用いた半導体装置の製造方法を説明するフロー図である。
【００５８】
まず、複数に半導体チップ１１３を有する半導体ウエハ１１１を半導体製造装置１００のステージ１０１上に配置する（Ｓ１０１）。半導体ウエハ１１１がステージ１０１上に配置されると、ステージ１０１と第１の真空発生器１１５とが接続状態（オン状態）になり、ステージ１０１は半導体ウエハ１１１を吸着保持する。
【００５９】
ステージ１０１上に半導体ウエハ１１１を吸着保持した後、半導体ウエハ１１１の表面に貼り付けられた保護フィルムを剥離する（Ｓ１０２）。
【００６０】
保護フィルムを剥離した後、ピックアップ部１０３によって半導体ウエハ１１１から所定の半導体チップ１１３をピックアップする（Ｓ１０３）。ピックアップ部１０３の移動は、制御部１０５によって制御される。移動制御部１０９は、制御部１０５から出力される第１の制御信号に基づいて移動・回転する。また、移動制御部１０９は、制御部１０５から出力される第２の制御信号に基づいてノズル１０７のＸＹＺ軸方向への移動及び回転を制御する。ノズル１０７は、所定の半導体チップ１１３を吸着保持する。ノズル１０７が所定の半導体チップ１１３を吸着保持する際、ノズル１０７と第２の真空発生器１２１とが接続状態（オン状態）になり、ステージ１０１と第１の真空発生器１１５とが全体的に又は部分的に非接続状態（オフ状態）になる。
【００６１】
ノズル１０７が所定の半導体チップ１１３をピックアップすると、ピックアップ部１０３は、制御部１０５によって半導体チップ１１３をステージ１０１上から支持基板１１７の実装位置に移動させる。この際、ピックアップ部１０３は、制御部１０５からの第２の制御信号に基づき、半導体チップ１１３が支持基板１１７の被着面の実装位置に配置されるよう、半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行う（Ｓ１０４）。
【００６２】
半導体チップ１１３の位置補正を行った後、ピックアップ部１０３は、半導体チップ１１３を支持基板１１７の実装位置に配置し、接着する（Ｓ１０５）。半導体チップ１１３を支持基板１１７の実装位置に配置する際、ノズル１０７と第２の真空発生器１２１とは非接続状態（オフ状態）になる。
【００６３】
所定の半導体チップ１１３を支持基板１１７の実装位置に接着した後、制御部１０５は、半導体ウエハ１１１に含まれる全ての半導体チップ１１３のピックアップが完了したかどうか確認する（Ｓ１０６）。この際、制御部１０５は、撮像部１１９が撮像する画像に基づいて、全ての半導体チップ１１３のピックアップが完了したかどうか確認してもよい。全ての半導体チップ１１３のピックアップが完了していない場合は、Ｓ１０１〜Ｓ１０６の工程を繰り返す。全ての半導体チップ１１３のピックアップが完了していない場合は、ダイアタッチの工程が完了となる。
【００６４】
（第２実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置及び半導体装置の製造方法について図４〜図８を参照しながら説明する。
【００６５】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置２００を示すブロック図である。図４に示す半導体製造装置２００において、図１に示した本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００における構成と同一又は類似の構成については、図１に示し半導体装置１００の構成と同一の参照番号を付し、重複する説明を省略、又は簡略化する。
【００６６】
図４を参照すると、本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置２００は、ステージ１０１、ピックアップ部２０３、制御部１０５及び吸着制御部１２３を備える。半導体製造装置２００におけるピックアップ部２０３を除く構成は、本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置１００の構成と同一又は類似である。そのため、半導体製造装置２００におけるピックアップ部２０３を除く構成については、詳細な説明を省略する。
【００６７】
ピックアップ部２０３は、複数のノズル２０７と、複数のノズル２０７に接続されて、各ノズル２０７を移動及び回転させる移動制御部２０９を備える。移動制御部２０９は、制御部１０５に接続される。
【００６８】
移動制御部２０９は、制御部１０５によって制御され、制御部１０５から出力される第１の制御信号に基づいて移動する。移動制御部２０９は、第１の制御信号に基づいて回転してもよい。また、移動制御部２０９は、各ノズル２０７をＸＹＺ軸方向への移動（前後方向、左右方向及び上下方向への移動）及び回転させる。移動制御部２０９は、制御部１０５から出力される第２の制御信号に基づいて各ノズル２０７のＸＹＺ軸方向への移動及び回転を制御する。
【００６９】
複数のノズル２０７の各々は、第２の接続部１２７を介して第２の真空発生器１２１に接続された中空部（図示せず）を備える。第２の真空発生器１２１とノズル２０７とが第２の接続部１２７を介して接続されているとき（接続がオン状態のとき）、ノズル２０７は中空部を介して、半導体チップ１１３を真空チャックして保持する。第２の真空発生器１２１とノズル２０７との接続は、吸着制御部１２３によって制御される。各ノズル２０７の半導体チップ１１３と接触する接触部分は、低弾性材料で構成されてもよい。例えば、各ノズル２０７の半導体チップ１１３と接触する接触部分は、ゴム硬度４０〜８０程度の材料から構成されることが好ましく、ＮＢＲ、フッ素ゴムなどによって構成されてもよい。図４においては、ノズル２０７を４つ示しているが、ノズル２０７の数はこれに限定されず、２つ以上であればよい。
【００７０】
制御部１０５は、ピックアップ部２０３の移動及び回転を制御する。即ち、制御部１０５は、移動制御部２０９に第１の制御信号を出力し、移動制御部２０９の移動又は回転を制御する。また、制御部１０５は、移動制御部２０９に第２の制御信号を出力し、移動制御部２０９を介して複数のノズル２０７のＸＹＺ軸方向（前後方向、左右方向及び上下方向への移動）への移動及び回転を制御する。制御部１０５は、ピックアップ部２０３をステージ１０１上に保持された半導体ウエハ１１１上に移動させ、移動制御部２０９を介して各ノズル２０７が所定の半導体チップ１１３をピックアップして保持するようにノズル２０７の移動及び回転を制御する。
【００７１】
図５Ａに示すように、ピックアップ部２０３は、ステージ１０１上に保持された半導体ウエハから半導体チップ１１３を複数個同時にピックアップする。即ち、複数のノズル２０７の各々が半導体チップ１１３を同時に真空チャックして保持する。この際、吸着制御部１２３は、第２の接続部１２７を介して第２の真空発生器１２１と各ノズル２０７とを接続状態（オン状態）にし、第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを非接続状態（オフ状態）にする。複数のノズル２０７によって、複数個の半導体チップ１１３が保持されると、ピックアップ部２０３は、図５Ｂに示すように各ノズル２０７によって保持された複数の半導体チップ１１３の間隔を所定のピッチＰ１に変換する。即ち、ピックアップ部２０３の移動制御部１０９は、複数の半導体チップ１１３のうち、互いに隣接する半導体チップ１１３の間隔が所定のピッチＰ１になるように各ノズル２０７を移動させて、該ピッチＰ１を維持したまま複数の半導体チップを保持する。所定のピッチＰ１は、半導体チップ１１３の大きさに応じて決定されてもよい。
【００７２】
ピックアップ部２０３が複数の半導体チップ１１３を吸着保持する際、制御部１０５は、ピックアップ部２０３をステージ１０１上に保持されたウエハ１１１上に移動させ、複数のノズル２０７がそれぞれ同時に半導体チップ１１３をピックアップして保持し、移動制御部１０９を介して保持された複数の半導体チップ１１３の間隔が所定のピッチＰ１となるように複数のノズル２０７の移動を制御する。制御部１０５は、図示していない撮像部（ＣＣＤカメラなど）によってステージ１０１の位置を認識し、ピックアップ部２０３を半導体チップウエハ１１１の位置に合わせて、複数のノズル２０７で個片化された半導体チップデバイス１１３を複数個同時に吸着して保持し、保持された複数の半導体チップ１１３の間隔が所定のピッチＰ１となるようにノズル２０７の移動を制御してもよい。
【００７３】
ピックアップ部２０３は、互いに隣接する半導体チップ１１３の間隔を所定のピッチＰ１に設定した後、複数の半導体チップ１１３をステージ１０１上から支持基板１１７の被着面における各半導体チップ１１３の実装位置上に移動させる。ピックアップ部２０３は、ステージ１０１上から支持基板１１７上の実装位置上に移動する過程で、制御部１０５からの第２の制御信号に基づき、複数の半導体チップ１１３の各々が支持基板１１７の被着面の実装位置に配置されるよう、各半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行う。
【００７４】
この際、制御部１０５は、図６に示すように、半導体チップ１１３が支持基板１１７の被着面の各々の実装位置に配置されるよう、ピックアップ部２０３に保持された半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行う。即ち、制御部１０５は、移動制御部２０９を介して複数のノズル２０７の各々をＸＹＺ軸方向へ移動（前後方向、左右方向及び上下方向）させて半導体チップ１１３の位置補正を行う。図６では、制御部１０５がノズル２０７の各々をＸ軸方向及びＹ軸方向（前後方向及び左右方向）へ移動させて半導体チップ１１３の位置補正を行い、複数のノズル２０７によって保持された複数の半導体チップ１１３の間隔をピッチＰ１からピッチＰ２（Ｐ１≠Ｐ２）に補正した様子を示している。制御部１０５は、図６において矢印で示すように、ノズル１０７の各々を水平面で回転させてもよい。
【００７５】
半導体置チップ１１３に第１のマーカーが設けられている場合、制御部１０５は、第１のマーカーに基づいて、各半導体チップ１１３の位置を認識し、各半導体チップ１１３が支持基板１１７の被着面の実装位置にそれぞれ配置されるよう、ピックアップ部２０３に保持された半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行ってもよい。また、制御部１０５は、半導体チップ１１３のコーナーの位置に基づいて、半導体チップ１１３の位置を認識し、半導体チップ１１３が支持基板１１７の被着面の実装位置に配置されるよう、ピックアップ部２０３に保持された半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行ってもよい。また、支持基板１１７に第２のマーカーが設けられている場合、制御部１０５は、第２のマーカーに基づいて、半導体チップ１１３が支持基板１１７の被着面の実装位置に配置されるよう、ピックアップ部２０３に保持された半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行ってもよい。
【００７６】
支持基板１１７の被着面に対する半導体チップ１１３の位置補正を行った後、ピックアップ部２０３は、複数の半導体チップ１１３を支持基板１１７の実装位置に同時に配置し、接着する。即ち、制御部１０５は、半導体チップ１１３が被着面の実装位置に配置されるよう、移動制御部１０９を介して半導体チップ１１３を保持したノズル１０７を移動させて、半導体チップ１１３を被着面上に同時に配置し、加圧して接着させる。この際、制御部１０５は、複数の半導体チップ１１３の各々が支持基板１１７の被着面の実装位置に配置されるようピックアップ部２０３を移動させて、図７に示すように、複数の半導体チップ１１３を同時に被着面上に加圧して接着させる。その後、制御部１０５は、ピックアップ部２０３の各ノズル部２０７による半導体チップ１１３の真空チャックを解除する。これにより、複数の半導体チップ１１３の支持基板１１７へのダイアタッチが完了する。
【００７７】
本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置２００を用いてダイアタッチを行う場合、半導体チップ１１３を半導体ウエハ１１１からピックアップする際に、半導体チップ１１３を粘着層又は粘着シートから剥離するという従来の工程を必要としない。本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００と同様に、半導体製造装置２００では、半導体ウエハ１１１が第１の真空発生器１１５に接続されたステージ１０１上に配置されており、ノズル２０７が半導体チップ１１３をピックアップする際、第１の真空発生器１１５とステージ１０１とを非接続状態（オフ状態）にすることにより、ノズル２０７は容易に所定の半導体チップ１１３を吸着することができる。そのため、半導体ウエハ１１１から半導体チップ１１３をピックアップするのに必要な時間を短縮することができ、ダイアタッチ工程全体にかかる時間を短縮化することができる。
【００７８】
さらに、本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置２００によると、複数の半導体チップ１１３を同時にピックアップし、ピックアップした複数の半導体チップ１１３を同時に支持基板１１７上に接着することができる。そのため、被搭載体の被着面に対する半導体チップ搭載精度を維持しながら、ダイアタッチにかかる時間をさらに短縮することができる。
【００７９】
また、本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置２００によると、複数の半導体チップ１１３を同時にピックアップした後、半導体チップ１１３を保持したまま、半導体チップ１１３の間隔を所定のピッチＰ１に変換し、さらに支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行う。そのため、ピックアップした半導体チップ１１７を中間ステージなどに配置して位置補正を行う必要がないため、ダイアタッチにかかる時間をさらに短縮することができる。
【００８０】
図１及び図８を参照して、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の流れを説明する。図８は、本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置１００を用いた半導体装置の製造方法を説明するフロー図である。
【００８１】
まず、複数に半導体チップ１１３を有する半導体ウエハ１１１を半導体製造装置１００のステージ１０１上に配置する（Ｓ２０１）。半導体ウエハ１１１がステージ１０１上に配置されると、ステージ１０１と第１の真空発生器１１５とが接続状態（オン状態）になり、ステージ１０１は半導体ウエハ１１１を吸着保持する。
【００８２】
ステージ１０１上に半導体ウエハ１１１を吸着保持した後、半導体ウエハ１１１の表面に貼り付けられた保護フィルムを剥離する（Ｓ２０２）。
【００８３】
保護フィルムを剥離した後、ピックアップ部２０３によって半導体ウエハ１１１から複数の半導体チップ１１３をピックアップする（Ｓ２０３）。ピックアップ部２０３の移動は、制御部１０５によって制御される。移動制御部２０９は、制御部１０５から出力される第１の制御信号に基づいて移動・回転する。また、移動制御部２０９は、制御部１０５から出力される第２の制御信号に基づいて各ノズル２０７のＸＹＺ軸方向への移動及び回転を制御する。複数のノズル２０７の各々は、所定の半導体チップ１１３を吸着保持する。各ノズル２０７が所定の半導体チップ１１３を吸着保持する際、ノズル２０７と第２の真空発生器１２１とが接続状態（オン状態）になり、ステージ１０１と第１の真空発生器１１５とが全体的に又は部分的に非接続状態（オフ状態）になる。
【００８４】
各ノズル２０７が所定の半導体チップ１１３をピックアップすると、ピックアップ部１０３は、各ノズル２０７によって保持された複数の半導体チップ１１３の間隔を所定のピッチＰ１に変換する（Ｓ２０４）。
【００８５】
その後、ピックアップ部２０３は、制御部１０５によって各ノズル２０７に保持された半導体チップ１１３をステージ１０１上から支持基板１１７の実装位置に移動させる。この際、ピックアップ部１０３は、制御部１０５からの第２の制御信号に基づき、半導体チップ１１３が支持基板１１７の被着面の実装位置に配置されるよう、半導体チップ１１３の支持基板１１７の被着面に対する位置補正を行う（Ｓ２０５）。
【００８６】
半導体チップ１１３の位置補正を行った後、ピックアップ部２０３は、複数の半導体チップ１１３を支持基板１１７上の実装位置に同時に配置し、接着する（Ｓ２０６）。半導体チップ１１３を支持基板１１７の実装位置に配置する際、各ノズル２０７と第２の真空発生器１２１とは非接続状態（オフ状態）になる。
【００８７】
複数の半導体チップ１１３を支持基板１１７の実装位置に接着した後、制御部１０５は、半導体ウエハ１１１に含まれる全ての半導体チップ１１３のピックアップが完了したかどうか確認する（Ｓ２０７）。この際、制御部１０５は、撮像部１１９が撮像する画像に基づいて、全ての半導体チップ１１３のピックアップが完了したかどうか確認してもよい。全ての半導体チップ１１３のピックアップが完了していない場合は、Ｓ２０１〜Ｓ２０７の工程を繰り返す。全ての半導体チップ１１３のピックアップが完了していない場合は、ダイアタッチの工程が完了となる。
【００８８】
以上に述べたように、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置によると、半導体装置の製造方法におけるダイアタッチ工程にかかる時間を短縮することできる。
【符号の説明】
【００８９】
１００、２００：半導体製造装置
１０１：ステージ
１０３、２０３：ピックアップ部
１０５：制御部
１０７、２０７：ノズル
１０９、２０９：移動制御部
１１１：半導体ウエハ
１１３：半導体チップ
１１５：第１の真空発生器
１１７：支持基板
１１９：撮像部
１２１：第２の真空発生器
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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