(57)【要約】【課題】サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域の一方側に導電性ボールを搭載し、サブストレートを移動させることにより、残りの他方側の電極配列パターン領域に導電性ボールを搭載することができるボール配列用マスクを得る。【解決手段】マスク２の中央部に設けられ、導電性ボール３が通過する貫通孔２１を多数有する平坦状のパターン開口部２２と、パターン開口部と隣接してマスクの一方側に設けられ、貫通孔が形成されていない平坦状の非パターン領域２３と、パターン開口部と隣接してマスクの他方側に設けられ、下面に逃げ用空間２４が形成された立ち上がり凸部２５とを備える。【選択図】図１
2017069305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブストレートの電極上のフラックスに導電性ボールを搭載するためのボール配列用マスクであって、
マスクの中央部に設けられ、導電性ボールが通過する貫通孔を多数有する平坦状のパターン開口部と、
前記パターン開口部と隣接してマスクの一方側に設けられ、貫通孔が形成されていない平坦状の非パターン領域と、
前記パターン開口部と隣接してマスクの他方側に設けられ、下面に逃げ用空間が形成された立ち上がり凸部と、を備え、
前記パターン開口部は、サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、１個の電極配列パターン領域のみに対応しており、
前記非パターン領域は、サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、前記導電性ボールが未搭載の電極配列パターン領域に対応しており、
前記立ち上がり凸部は、サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、前記導電性ボールが搭載された電極配列パターン領域に対応していることを特徴とするボール配列用マスク。
【請求項２】
サブストレートの電極上のフラックスに導電性ボールを搭載するためのボール配列用マスクであって、
マスクの中央部に設けられ、導電性ボールが通過する貫通孔を多数有する平坦状のパターン開口部と、
前記パターン開口部と隣接してマスクの一方側に設けられ、貫通孔が形成されていない平坦状の非パターン領域と、
前記パターン開口部と隣接してマスクの他方側に設けられ、下面に逃げ用空間が形成された立ち上がり凸部と、
前記パターン開口部の下面及び前記非パターン領域の下面に、サブストレートのダイシングラインに沿うように設けられた柱状ポストと、を備え、
前記パターン開口部は、サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、１個の電極配列パターン領域のみに対応しており、
前記非パターン領域は、サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、前記導電性ボールが未搭載の電極配列パターン領域に対応しており、
前記立ち上がり凸部は、サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、前記導電性ボールが搭載された電極配列パターン領域に対応していることを特徴とするボール配列用マスク。
【請求項３】
パターン開口部と隣接してマスクの一方側に設けられ、貫通孔が形成されていない平坦状の非パターン領域は、サブストレートの移動方向に沿って２個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、導電性ボールが未搭載の１個の電極配列パターン領域に対応しており、
前記パターン開口部と隣接してマスクの他方側に設けられ、下面に逃げ用空間が形成された立ち上がり凸部は、サブストレートの移動方向に沿って２個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、導電性ボールが搭載された１個の電極配列パターン領域に対応していることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のボール配列用マスク。
【請求項４】
パターン開口部と隣接してマスクの一方側に設けられ、貫通孔が形成されていない平坦状の非パターン領域は、サブストレートの移動方向に沿って３個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、導電性ボールが未搭載の２個の電極配列パターン領域に対応しており、
前記パターン開口部と隣接してマスクの他方側に設けられ、下面に逃げ用空間が形成された立ち上がり凸部は、サブストレートの移動方向に沿って３個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、導電性ボールが搭載された２個の電極パターン領域に対応していることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のボール配列用マスク。
【請求項５】
パターン開口部と隣接してマスクの一方側に設けられ、貫通孔が形成されていない平坦状の非パターン領域は、サブストレートの移動方向に沿って４個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、導電性ボールが未搭載の３個の電極配列パターン領域に対応しており、
前記パターン開口部と隣接してマスクの他方側に設けられ、下面に逃げ用空間が形成された立ち上がり凸部は、サブストレートの移動方向に沿って４個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、導電性ボールが搭載された３個の電極パターン領域に対応していることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のボール配列用マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、導電性ボールを搭載するためのボール配列用マスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のボール配列用マスクでは、導電性ボールが配列される被配列体であるウエハーに導電性ボールを一括して搭載している（例えば、特許文献１参照）。
半導体パッケージ用基板であるサブストレート上に導電性ボールを一括して搭載する場合、サブストレートの中央を基点として左右両側に同一形状のパターン領域が形成されていることがある。例えばコスト削減等の要請により、導電性ボールを搭載するサブストレートの歪みが大きくなると、トータルピッチが合わせ難くなるという新たな問題が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−５２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の配列用マスクでは、サブストレートの中央を基点として左右両側に同一形状のパターン領域が形成されている横二連構造の場合、ボール配列用マスクをサブストレートの右側のパターン領域に位置を合わせると、左側のパターン領域のズレが大きくなり、反対にボール配列マスクを左側のパターン領域に位置を合わせると、右側のパターン領域のズレが大きくなる。昨今、ボールサイズが３００μｍから２００μｍへと徐々に小さくなるにつれて、パターン領域のズレが製品に及ぼす影響が大きくなる傾向にある。通常のボール配列用マスクのトータルピッチは、±１５μｍ程度であるが、仮に±１０μｍにしてもパターン領域のズレが大きく、横二連構造のサブストレートの左右両側のパターン領域に導電性ボールを一括して搭載することは困難であった。しかし、サブストレートの右側のみ、左側のみだけを見れば、ズレは少なくなるので、それぞれに分割して導電性ボールを搭載すれば、ズレによる不良を改善することができると考えられる。
【０００５】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域の一方側に導電性ボールを搭載し、サブストレートを移動させることにより、残りの他方側の電極配列パターン領域に導電性ボールを搭載することができるボール配列用マスクを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係るボール配列用マスクにおいては、サブストレートの電極上のフラックスに導電性ボールを搭載するためのボール配列用マスクであって、マスクの中央部に設けられ、導電性ボールが通過する貫通孔を多数有する平坦状のパターン開口部と、パターン開口部と隣接してマスクの一方側に設けられ、貫通孔が形成されていない平坦状の非パターン領域と、パターン開口部と隣接してマスクの他方側に設けられ、下面に逃げ用空間が形成された立ち上がり凸部と、を備え、パターン開口部は、サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、１個の電極配列パターン領域のみに対応しており、非パターン領域は、サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、導電性ボールが未搭載の電極配列パターン領域に対応しており、立ち上がり凸部は、サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域のうち、導電性ボールが搭載された電極配列パターン領域に対応しているものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明のボール配列用マスクによれば、サブストレートの移動方向に沿って複数個連接された同一形状の電極配列パターン領域に対して導電性ボールを複数回に分割して搭載することが可能となり、精度が向上する。これにより、サブストレートに多少の歪みがあっても、ズレによる不良を改善することできる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施例１におけるボール配列用マスクを示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】この発明の実施例１におけるボール配列用マスクを用いたボール搭載方法の第１工程を示す断面図及びサブストレートの平面図である。
【図４】この発明の実施例１におけるボール配列用マスクを用いたボール搭載方法の第２工程を示す断面図及びサブストレートの平面図である。
【図５】この発明の実施例１におけるボール配列用マスクの下面にポストを施す位置を示すための説明図である。
【図６】この発明の実施例２におけるボール配列用マスクを示す平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図８】この発明の実施例２におけるボール配列用マスクを用いたボール搭載方法の第１工程を示す断面図及びサブストレートの平面図である。
【図９】この発明の実施例２におけるボール配列用マスクを用いたボール搭載方法の第２工程を示す断面図及びサブストレートの平面図である。
【図１０】この発明の実施例２におけるボール配列用マスクを用いたボール搭載方法の第３工程を示す断面図及びサブストレートの平面図である。
【図１１】この発明の実施例３におけるボール配列用マスクを示す平面図である。
【図１２】図１１のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図１３】この発明の実施例３におけるボール配列用マスクを用いたボール搭載方法の第１工程を示す断面図及びサブストレートの平面図である。
【図１４】この発明の実施例３におけるボール配列用マスクを用いたボール搭載方法の第２工程を示す断面図及びサブストレートの平面図である。
【図１５】この発明の実施例３におけるボール配列用マスクを用いたボール搭載方法の第３工程を示す断面図及びサブストレートの平面図である。
【図１６】この発明の実施例３におけるボール配列用マスクを用いたボール搭載方法の第４工程を示す断面図及びサブストレートの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施例１．
この発明の実施例１におけるボール配列用マスクの構造及びそれを用いたボール搭載方法を図１〜図５により説明する。
先ず、前提として電極上のフラックスに導電性ボール３が搭載される半導体パッケージ用基板であるサブストレート１は、中央を基点として右側と左側にそれぞれ同一形状の電極配列パターン領域１１、１２が移動方向に連接されて形成されている横二連構造のサブストレートの場合を想定している。ボール配列用マスク２は、板厚が約２０〜５０μｍであり、その中央部に導電性ボール３が通過する貫通孔２１を多数有する平坦矩形状のパターン開口部２２を備えている。図１では、導電性ボール３が通過する貫通孔２１を一部省略して図示しているが、パターン開口部２２のほぼ全体に亘って設けられる。そして、ボール配列用マスク２の中央部のパターン開口部２２は、第１のボール搭載工程ではサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１の直上部に対応位置して、電極上のフラックスに導電性ボール３を搭載するが（図３（ａ）参照）、第１のボール搭載工程後、サブストレート１が図３の矢印方向にスライド移動した第２のボール搭載工程では、サブストレート１の左側の電極配列パターン領域１２の直上部に対応位置して、電極上のフラックスに導電性ボール３を搭載する（図４（ａ）参照）。図３（ｂ）、図４（ｂ）では、電極配列パターン領域１１、１２にそれぞれ搭載される導電性ボール３を一部省略して図示しているが、電極配列パターン領域１１、１２のほぼ全体に亘って搭載される。また、ボール配列用マスク２は、パターン開口部２２の左側（一方側）に貫通孔が形成されていない平坦状の非パターン領域２３を備えている。そして、第１のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にサブストレート１の左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１２が対応位置しているが（図３（ａ）参照）、第１のボール搭載工程後、サブストレート１が図３の矢印方向にスライド移動した第２の搭載工程では、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にはサブストレート１は位置していない（図４（ａ）参照）。また、ボール配列用マスク２は、パターン開口部２２の右側（他方側）に上方に突出し、その下面に逃げ用空間２４を形成する矩形状の立ち上がり凸部２５を備えている。立ち上がり凸部２５による逃げ用空間２４の深さは約１００〜２５０μｍ、立ち上がり凸部２５の大きさは電極配列パターン領域１１の１個分を収容できる大きさである。そして、第１のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部にはサブストレート１は位置していないが（図３（ａ）参照）、第１のボール搭載工程後、サブストレート１が図３の矢印方向にスライド移動した第２の搭載工程では、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部には導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１が対応位置する（図４（ａ）参照）。また、ボール配列用マスク２は、中央部のパターン開口部２２の下面及び左側（他方側）の非パターン領域２３の下面に多数の円柱状ポスト２６を備えており、円柱状ポスト２６の高さは約３０〜１００μｍである。この円柱状ポスト２６の形成エリアは、サブストレート１の電極配列パターン領域１１、１２のダイシングライン４上に沿って略等間隔に形成すると良い。なお、図５はサブストレート１の電極配列パターン領域１１、１２における碁盤目状のダイシングライン４を示しており、このダイシングライン４上と対応する位置に沿って円柱状ポスト２６を形成するイメージを仮想線で表している。
【００１０】
図３に示す第１のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２の直下部にサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１を対応位置させ、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にサブストレート１の左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１２を対応位置させる（図３（ａ）参照）。この時、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部にはサブストレート１は位置していない。この状態でボール配列用マスク２のパターン開口部２２を利用して、サブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１の電極上のフラックスのみに導電性ボール３を搭載する。
次に、図４に示す第２のボール搭載工程では、サブストレート１を図３の矢印方向にスライド移動することにより、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２の直下部にサブストレート１の残りの左側の電極配列パターン領域１２を対応位置させ、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部に導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１を対応位置させる（図４（ａ）参照）。この時、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の下面に形成された逃げ用空間２４は、電極配列パターン領域１１の電極上のフラックスに搭載された導電性ボール３が接触しないように逃げの役目をする。なお、この時、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にはサブストレート１は位置していない。ここで、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２を利用して、サブストレート１の左側の電極配列パターン領域１２の電極上のフラックスのみに導電性ボール３を搭載する。その後、サブストレート１を図４の矢印方向にスライド移動することにより、中央を基点として右側と左側にそれぞれ同一形状の電極配列パターン領域１１、１２が移動方向に２個連接されて形成されている横二連構造のサブストレート１に対する導電性ボール３の二分割による搭載が可能となり、精度が向上する。これにより、サブストレート１に多少の歪みがあっても、ズレによる不良を改善することできる。
【００１１】
実施例２．
この発明の実施例２におけるボール配列用マスクの構造及びそれを用いたボール搭載方法を図６〜図１０により説明する。
先ず、前提として電極上のフラックスに導電性ボール３が搭載される半導体パッケージ用基板であるサブストレート１は、右側、中央部、左側にそれぞれ同一形状の電極配列パターン領域１１、１２、１３が移動方向に連接されて形成されている横三連構造のサブストレートの場合を想定している。ボール配列用マスク２は、板厚が約２０〜５０μｍであり、その中央部に導電性ボール３が通過する貫通孔２１を多数有する平坦矩形状のパターン開口部２２を備えている。図６では、導電性ボール３が通過する貫通孔２１を一部省略して図示しているが、パターン開口部２２のほぼ全体に亘って設けられる。そして、ボール配列用マスク２の中央部のパターン開口部２２は、第１のボール搭載工程ではサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１の直上部に対応位置して、電極上のフラックスに導電性ボール３を搭載するが（図８（ａ）参照）、第１のボール搭載工程後、サブストレート１が図８の矢印方向にスライド移動した第２のボール搭載工程では、サブストレート１の中央部の電極配列パターン領域１２の直上部に対応位置して、電極上のフラックスに導電性ボール３を搭載し（図９（ａ）参照）、第２のボール搭載工程後、サブストレート１が図９の矢印方向にスライド移動した第３のボール搭載工程では、サブストレート１の左側の電極配列パターン領域１３の直上部に対応位置して、電極上のフラックスに導電性ボール３を搭載する（図１０（ａ）参照）。図８（ｂ）、図９（ｂ）、図１０（ｂ）では、電極配列パターン領域１１、１２、１３にそれぞれ搭載される導電性ボール３を一部省略して図示しているが、電極配列パターン領域１１、１２、１３のほぼ全体に亘って搭載される。また、ボール配列用マスク２は、パターン開口部２２の左側（一方側）に貫通孔が形成されていない平坦状の非パターン領域２３を備えており、非パターン領域２３の横方向（幅）の大きさは電極配列パターン領域１２、１３の２個分の大きさである。そして、第１のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にサブストレート１の中央部及び左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１２、１３が対応位置しているが（図８（ａ）参照）、第１のボール搭載工程後、サブストレート１が図８の矢印方向にスライド移動した第２の搭載工程では、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の右半分の直下部にはサブストレート１の左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１３のみが対応位置し、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の左半分の直下部にはサブストレート１は位置していない（図９（ａ）参照）。第２のボール搭載工程後、サブストレート１が図９の矢印方向にスライド移動した第３のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にはサブストレート１は位置していない（図１０（ａ）参照）。また、ボール配列用マスク２は、パターン開口部２２の右側（他方側）に上方に突出し、その下面に逃げ用空間２４を形成する横長矩形状の立ち上がり凸部２５を備えている。立ち上がり凸部２５による逃げ用空間２４の深さは約１００〜２５０μｍ、立ち上がり凸部２５の大きさは電極配列パターン領域１１、１２、１３のうちの２��分を収容できる大きさである。そして、第１のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部にはサブストレート１は位置していないが（図８（ａ）参照）、第１のボール搭載工程後、サブストレート１が図８の矢印方向にスライド移動した第２の搭載工程では、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部には導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１のみが対応位置する（図９（ａ）参照）。第２のボール搭載工程後、サブストレート１が図９の矢印方向にスライド移動した第３のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部には導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１及び中央部の電極配列パターン領域１２が対応位置する（図１０（ａ）参照）。また、ボール配列用マスク２は、中央部のパターン開口部２２の下面及び左側（他方側）の非パターン領域２３の下面に多数の円柱状ポスト２６を備えており、円柱状ポスト２６の高さは約３０〜１００μｍである。この円柱状ポスト２６の形成エリアは、サブストレート１のパターン領域１１、１２、１３のダイシングライン４上に沿って略等間隔に形成すると良い。なお、図５はサブストレート１のパターン領域１１、１２、１３における碁盤目状のダイシングライン４を示しており、このダイシングライン４上と対応する位置に沿って円柱状ポスト２６を形成するイメージを仮想線で表している。
【００１２】
図８に示す第１のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２の直下部にサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１を対応位置させ、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にサブストレート１の中央部及び左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１２、１３を対応位置させる（図８（ａ）参照）。この時、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部にはサブストレート１は位置していない。この状態でボール配列用マスク２のパターン開口部２２を利用して、サブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１の電極上のフラックスのみに導電性ボール３を搭載する。
次に、図９に示す第２のボール搭載工程では、サブストレート１を図８の矢印方向にスライド移動することにより、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２の直下部にサブストレート１の中央部の電極配列パターン領域１２を対応位置させ、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にサブストレート１の左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１３を対応位置させ、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部に導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１を対応位置させる（図９（ａ）参照）。この時、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の下面に形成された逃げ用空間２４は、パターン領域１１の電極上のフラックスに搭載された導電性ボール３が接触しないように逃げの役目をする。この時、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の右半分の直下部にはサブストレート１の左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１３のみが対応位置し、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の左半分の直下部にはサブストレート１は位置していない。ここで、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２を利用して、サブストレート１の中央部の電極配列パターン領域１２の電極上のフラックスのみに導電性ボール３を搭載する。
次に、図１０に示す第３のボール搭載工程では、サブストレート１を図９の矢印方向にスライド移動することにより、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２の直下部にサブストレート１の左側の電極配列パターン領域１３を対応位置させ、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にはサブストレート１は位置していない。また、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部に導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側及び中央部の電極配列パターン領域１１、１２を対応位置させる（図１０（ａ）参照）。この時、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の下面に形成された逃げ用空間２４は、電極配列パターン領域１１、１２の電極上のフラックスに搭載された導電性ボール３が接触しないように逃げの役目をする。ここで、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２を利用して、サブストレート１の左側の電極配列パターン領域１３の電極上のフラックスのみに導電性ボール３を搭載する。その後、サブストレート１を図１０の矢印方向にスライド移動することにより、右側、中央部、左側にそれぞれ同一形状の電極配列パターン領域１１、１２、１３が移動方向に３個連接されて形成されている横三連構造のサブストレート１に対する導電性ボール３の三分割による搭載が可能となり、精度が向上する。これにより、サブストレート１に多少の歪みがあっても、ズレによる不良を改善することできる。
【００１３】
実施例３．
この発明の実施例３におけるボール配列用マスクの構造及びそれを用いたボール搭載方法を図１１〜図１６により説明する。
先ず、前提として電極上のフラックスに導電性ボール３が搭載される半導体パッケージ用基板であるサブストレート１は、右側から左側に向けてそれぞれ同一形状の電極配列パターン領域１１、１２、１３、１４が移動方向に連接されて形成されている横四連構造のサブストレートの場合を想定している。ボール配列用マスク２は、板厚が約２０〜５０μｍであり、その中央部に導電性ボール３が通過する貫通孔２１を多数有する平坦矩形状のパターン開口部２２を備えている。図１１では、導電性ボール３が通過する貫通孔２１を一部省略して図示しているが、パターン開口部２２のほぼ全体に亘って設けられる。そして、ボール配列用マスク２の中央部のパターン開口部２２は、第１のボール搭載工程ではサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１の直上部に対応位置して、電極上のフラックスに導電性ボール３を搭載するが（図１３（ａ）参照）、第１のボール搭載工程後、サブストレート１が図１３の矢印方向にスライド移動した第２のボール搭載工程では、サブストレート１の右側から二番目の電極配列パターン領域１２の直上部に対応位置して、電極上のフラックスに導電性ボール３を搭載し（図１４（ａ）参照）、第２のボール搭載工程後、サブストレート１が図１４の矢印方向にスライド移動した第３のボール搭載工程では、サブストレート１の右側から三番目（左側から二番目）の電極配列パターン領域１３の直上部に対応位置して、電極上のフラックスに導電性ボール３を搭載し（図１５（ａ）参照）、第３のボール搭載工程後、サブストレート１が図１５の矢印方向にスライド移動した第４のボール搭載工程では、サブストレート１の左側の電極配列パターン領域１４の直上部に対応位置して、電極上のフラックスに導電性ボール３を搭載する（図１６（ａ）参照）。図１３（ｂ）、図１４（ｂ）、図１５（ｂ）、図１６（ｂ）では、電極配列パターン領域１１、１２、１３、１４にそれぞれ搭載される導電性ボール３を一部省略して図示しているが、電極配列パターン領域１１、１２、１３、１４のほぼ全体に亘って搭載される。また、ボール配列用マスク２は、パターン開口部２２の左側（一方側）に貫通孔が形成されていない平坦状の非パターン領域２３を備えており、非パターン領域２３の横方向（幅）の大きさは電極配列パターン領域１２、１３、１４の３個分の大きさである。そして、第１のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にサブストレート１の右側から二番目、三番目及び左側（他方側）のボール未搭載の電極配列パターン領域１２、１３、１４が対応位置しているが（図１３（ａ）参照）、第１のボール搭載工程後、サブストレート１が図１３の矢印方向にスライド移動した第２の搭載工程では、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の右側２／３の直下部にはサブストレート１の右側から三番目及び左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１３、１４が対応位置し、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の左側１／３の直下部にはサブストレート１は位置していない（図１４（ａ）参照）。第２のボール搭載工程後、サブストレート１が図１４の矢印方向にスライド移動した第３のボール搭載工程では、ボール配列用���スク２の非パターン領域２３の右側１／３の直下部にはサブストレート１の左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１４が対応位置し、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の左側２／３の直下部にはサブストレート１は位置していない（図１５（ａ）参照）。第３のボール搭載工程後、サブストレート１が図１５の矢印方向にスライド移動した第４のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にはサブストレート１は位置していない（図１６（ａ）参照）。また、ボール配列用マスク２は、パターン開口部２２の右側（他方側）に上方に突出し、その下面に逃げ用空間２４を形成する横長矩形状の立ち上がり凸部２５を備えている。立ち上がり凸部２５による逃げ用空間２４の深さは約１００〜２５０μｍ、立ち上がり凸部２５の大きさは電極配列パターン領域１１、１２、１３、１４のうちの３個分を収容できる大きさである。そして、第１のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部にはサブストレート１は位置していないが（図１３（ａ）参照）、第１のボール搭載工程後、サブストレート１が図１３の矢印方向にスライド移動した第２の搭載工程では、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部には導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１のみが対応位置する（図１４（ａ）参照）。第２のボール搭載工程後、サブストレート１が図１４の矢印方向にスライド移動した第３のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部には導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１及び右側から二番目の電極配列パターン領域１２が対応位置する（図１５（ａ）参照）。第３のボール搭載工程後、サブストレート１が図１５の矢印方向にスライド移動した第４のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部には導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１、右側から二番目の電極配列パターン領域１２及び右側から三番目の電極配列パターン領域１３が対応位置する（図１６（ａ）参照）。また、ボール配列用マスク２は、中央部のパターン開口部２２の下面及び左側の非パターン領域２３の下面に多数の円柱状ポスト２６を備えており、円柱状ポスト２６の高さは約３０〜１００μｍである。この円柱状ポスト２６の形成エリアは、サブストレート１の電極配列パターン領域１１、１２、１３、１４のダイシングライン４上に沿って略等間隔に形成すると良い。なお、図５はサブストレート１の電極配列パターン領域１１、１２、１３、１４における碁盤目状のダイシングライン４を示しており、このダイシングライン４上と対応する位置に沿って円柱状ポスト２６を形成するイメージを仮想線で表している。
【００１４】
図１３に示す第１のボール搭載工程では、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２の直下部にサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１を対応位置させ、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にサブストレート１の右側から二番目、三番目及び左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１２、１３、１４を対応位置させる（図１３（ａ）参照）。この時、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部にはサブストレート１は位置していない。この状態でボール配列用マスク２のパターン開口部２２を利用して、サブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１の電極上のフラックスのみに導電性ボール３を搭載する。
次に、図１４に示す第２のボール搭載工程では、サブストレート１を図１３の矢印方向にスライド移動することにより、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２の直下部にサブストレート１の右側から二番目の電極配列パターン領域１２を対応位置させ、ボール配列用マスク２の非パターン領域２ｂの直下部にサブストレート１の右側から三番目及び左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１３、１４を対応位置させ、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部に導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１のみを対応位置させる（図１４（ａ）参照）。この時、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の下面に形成された逃げ用空間２４は、電極配列パターン領域１１の電極上のフラックスに搭載された導電性ボール３が接触しないように逃げの役目をする。この時、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の右側２／３の直下部にはサブストレート１の右側から三番目及び左側（他方側）のボール未搭載の電極配列パターン領域１３、１４が対応位置し、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の左側１／３の直下部にはサブストレート１は位置していない。ここで、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２を利用して、サブストレート１の中央部の電極配列パターン領域１２の電極上のフラックスのみに導電性ボール３を搭載する。
次に、図１５に示す第３のボール搭載工程では、サブストレート１を図１４の矢印方向にスライド移動することにより、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２の直下部にサブストレート１の右側から三番目の電極配列パターン領域１３を対応位置させ、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にはサブストレート１の左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１４のみを対応位置させ、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部に導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１及び右側から二番目の電極配列パターン領域１２を対応位置させる（図１５（ａ）参照）。この時、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の下面に形成された逃げ用空間２４は、電極配列パターン領域１１、１２の電極上のフラックスに搭載された導電性ボール３が接触しないように逃げの役目をする。この時、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の右側１／３の直下部にはサブストレート１の左側のボール未搭載の電極配列パターン領域１４のみが対応位置し、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の左側２／３の直下部にはサブストレート１は位置していない。ここで、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２を利用して、サブストレート１の右側から三番目の電極配列パターン領域１３の電極上のフラックスのみに導電性ボール３を搭載する。
次に、図１６に示す第４のボール搭載工程では、サブストレート１を図１５の矢印方向にスライド移動することにより、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２の直下部にサブストレート１の左側の電極配列パターン領域１４を対応位置させ、ボール配列用マスク２の非パターン領域２３の直下部にはサブストレート１は位置していない（図１６（ａ）参照）。また、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の直下部に導電性ボール３が搭載されたサブストレート１の右側の電極配列パターン領域１１、右側から二番目の電極配列パターン領域１２、三番目の電極配列パターン領域１３を対応位置させる（図１６（ａ）参照）。この時、ボール配列用マスク２の立ち上がり凸部２５の下面に形成された逃げ用空間２４は、電極配列パターン領域１１、１２、１３の電極上のフラックスに搭載された導電性ボール３が接触しないように逃げの役目をする。ここで、ボール配列用マスク２のパターン開口部２２を利用して、サブストレート１の左側の電極配列パターン領域１４のみに導電性ボールを搭載する。その後、サブストレート１を図１６の矢印方向にスライド移動することにより、右側から左側に向けてそれぞれ同一形状の電極配列パターン領域１１、１２、１３、１４が移動方向に４個連接されて形成されている横四連構造のサブストレート１に対する導電性ボールの四分割による搭載が可能となり、パターンのズレによる不良を改善することできる。
【００１５】
実施例４．
上記実施例１〜３では、各電極配列パターン領域１１、１２、１３、１４の中にそれぞれ同一、単純形状のパターンが形成された場合について説明したが、各電極配列パターン領域１１、１２、１３、１４の中において、中央部の非パターン面を挟んで左右に分割配置された形状のパターンであっても、容易に実施可能である。
【符号の説明】
【００１６】
１  サブストレート（半導体パッケージ用基板）
２  ボール配列用マスク
３  導電性ボール
４  ダイシングライン
１１、１２、１３、１４  同一形状の電極配列パターン領域
２１  貫通孔
２２  パターン開口部
２３  非パターン領域
２４  逃げ用空間
２５  立ち上がり凸部
２６  円柱状ポスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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