(57)【要約】【課題】光焼成により基材との密着性および耐候性が良好な導電膜を形成することができる導電性ペーストおよびそれを用いた導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】平均粒径１０〜１００ｎｍの銅微粒子と、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積５０％粒子径（Ｄ５０）が４〜２５μｍの銅粗粒子とを含み、銅粗粒子のタップ密度が３．９ｇ／ｃｍ３以下、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比か３．６５以上であり、銅微粒子と銅粗粒子の総量に対する銅微粒子の質量の割合が２０％以上である、導電性ペーストを、スクリーン印刷によって基板に塗布して、真空乾燥により予備焼成した後、光を照射することによって基板上に導電膜を形成し、この導電膜をロールなどにより加圧して圧縮処理する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径１０〜１００ｎｍの銅微粒子と、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積５０％粒子径（Ｄ５０）が４〜２５μｍの銅粗粒子とを含み、銅粗粒子のタップ密度が３．９ｇ／ｃｍ３以下、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比か３．６５以上であり、銅微粒子と銅粗粒子の総量に対する銅微粒子の質量の割合が２０％以上であることを特徴とする、導電性ペースト。
【請求項２】
前記銅微粒子がアゾール化合物で被覆されていることを特徴とする、請求項１に記載の導電性ペースト。
【請求項３】
前記アゾール化合物がベンゾトリアゾールであることを特徴とする、請求項２に記載の導電性ペースト。
【請求項４】
前記導電性ペーストが溶剤と樹脂を含み、前記導電性ペースト中の前記銅微粒子と前記銅粗粒子の総量が５０〜９０質量％であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の導電性ペースト。
【請求項５】
前記溶剤がグリコール系溶剤であることを特徴とする、請求項４に記載の導電性ペースト。
【請求項６】
前記グリコール系溶剤がエチレングリコールであることを特徴とする、請求項５に記載の導電性ペースト。
【請求項７】
前記樹脂がポリビニルピロリドン樹脂であることを特徴とする、請求項４乃至６のいずれかに記載の導電性ペースト。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の導電性ペーストを基材に塗布して予備焼成した後、光を照射して焼成することにより基材上に導電膜を形成することを特徴とする、導電膜の製造方法。
【請求項９】
前記導電性ペーストの塗布がスクリーン印刷によって行われることを特徴とする、請求項８に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１０】
前記予備焼成が５０〜２００℃で真空乾燥することによって行われることを特徴とする、請求項８または９に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１１】
前記光の照射が、パルス周期５００〜２０００μｓ、パルス電圧１６００〜３８００Ｖで波長２００〜８００ｎｍの光を照射することによって行われることを特徴とする、請求項８乃至１０のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項１２】
前記基材上に形成された導電膜を圧縮処理することを特徴とする、請求項８乃至１１のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項１３】
前記圧縮処理が、前記基材上に形成された導電膜をロールにより加圧することによって行われることを特徴とする、請求項１２に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１４】
前記圧縮処理後の導電膜の平均膜厚が１〜３０μｍであることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の導電膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性ペーストに関し、特に、電子部品の電極や回路などを形成する導電膜の製造に使用する導電性ペーストおよびそれを用いた導電膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導電性ペーストを使用して導電膜を製造する方法として、ガラス微粒子などの無機微粒子と、感光性有機成分と、ベンゾトリアゾールなどのアゾール構造を持つ化合物とを含む感光性ペーストを基板に塗布し、露光した後、現像し、その後、焼成して（導電膜の）パターンを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、銅ナノ粒子を含む銅インク溶液を基板の表面に印刷して乾燥させた後、パルスに晒して銅ナノ粒子を光焼結により融合させて、光焼結銅ナノ粒子フィルム（導電膜）を製造する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。さらに、耐酸化性処理として表面にベンゾトリアゾールを被着させた銅微粒子を導電フィラーとして用いた導電インクが提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２１８５０８号公報（段落番号００１０−００５６）
【特許文献２】特表２０１０−５２８４２８号公報（段落番号０００９−００１４）
【特許文献３】特開２００８−２８５７６１号公報（段落番号０００８−００１０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１の方法では、感光性ペーストを基板に塗布し、露光した後、現像液を使用して現像し、その後、高温（５２０〜６１０℃）で焼成する必要があるので、工程が煩雑であり、光照射により焼成することができず、また、紙やＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムなどの熱に弱い基板にパターンを形成することができない。また、特許文献２の方法では、紙などの基板との密着性が十分な導電膜を形成することができず、また、耐候性が良好な導電膜を形成することができない。また、特許文献３の導電インクを光焼成用の導電性ペーストとして使用すると、基板に塗布して乾燥させた後に光照射により焼成して導電膜を形成する際に導電膜にクラックが入って導電性が悪くなる。
【０００５】
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、光焼成により基材との密着性および耐候性が良好な導電膜を形成することができる導電性ペーストおよびそれを用いた導電膜の製造方法を提供することを目的とする。
することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、平均粒径１０〜１００ｎｍの銅微粒子と、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積５０％粒子径（Ｄ５０）が４〜２５μｍの銅粗粒子とを含み、銅粗粒子のタップ密度が３．９ｇ／ｃｍ３以下、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比か３．６５以上であり、銅微粒子と銅粗粒子の総量に対する銅微粒子の質量の割合が２０％以上である、導電性ペーストを製造すれば、光焼成により基材との密着性および耐候性が良好な導電膜を形成することができる導電性ペーストを提供することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明による導電性ペーストは、平均粒径１０〜１００ｎｍの銅微粒子と、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積５０％粒子径（Ｄ５０）が４〜２５μｍの銅粗粒子とを含み、銅粗粒子のタップ密度が３．９ｇ／ｃｍ３以下、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比か３．６５以上であり、銅微粒子と銅粗粒子の総量に対する銅微粒子の質量の割合が２０％以上であることを特徴とする。
【０００８】
この導電性ペーストにおいて、銅微粒子がアゾール化合物で被覆されているのが好ましく、アゾール化合物がベンゾトリアゾールであるのが好ましい。また、導電性ペーストがさらに溶剤と樹脂を含み、導電性ペースト中の銅微粒子と銅粗粒子の総量が５０〜９０質量％であるのが好ましい。溶剤はグリコール系溶剤であるのが好ましく、グリコール系溶剤はエチレングリコールであるのが好ましい。樹脂はポリビニルピロリドン樹脂であるのが好ましい。
【０００９】
また、本発明による導電膜の製造方法は、上記の導電性ペーストを基材に塗布して予備焼成した後、光を照射して焼成することにより基材上に導電膜を形成することを特徴とする。
【００１０】
この導電膜の製造方法において、導電性ペーストの塗布はスクリーン印刷によって行われるのが好ましく、予備焼成は５０〜２００℃で真空乾燥することによって行われるのが好ましい。また、光の照射は、パルス周期５００〜２０００μｓ、パルス電圧１６００〜３８００Ｖで波長２００〜８００ｎｍの光を照射することによって行われるのが好ましい。また、基材上に形成された導電膜を圧縮処理するのが好ましく、この圧縮処理は、基材上に形成された導電膜をロールにより加圧することによって行われるのが好ましい。この圧縮処理後の導電膜の平均膜厚が１〜３０μｍであるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、光焼成により基材との密着性および耐候性が良好な導電膜を形成することができる導電性ペーストおよびそれを用いた導電膜の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例および比較例において基材上に印刷した導電性ペーストの形状（ＲＦＩＤ用アンテナ回路パターン）を示す平面図である。
【図２】実施例１で得られたＢＴＡ被覆銅微粒子の電解放出型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）写真（５万倍）である。
【図３】実施例１で得られたフレーク状銅粗粒子のＦＥ−ＳＥＭ写真（５千倍）である。
【図４】実施例１で得られた圧縮処理後の導電膜の断面のＦＥ−ＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明による導電性ペーストの実施の形態は、平均粒径１０〜１００ｎｍの銅微粒子と、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積５０％粒子径（Ｄ５０）が４〜２５μｍの銅粗粒子とを含み、銅粗粒子のタップ密度が３．９ｇ／ｃｍ３以下、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比か３．６５以上であり、銅微粒子と銅粗粒子の総量に対する銅微粒子の質量の割合が２０％以上である。
【００１４】
平均粒径１０〜１００ｎｍの銅微粒子は、焼結し易い粒子であるため、銅微粒子の表面がベンゾトリアゾールなどのアゾール化合物で被覆されているのが好ましい。このように銅微粒子の表面をアゾール化合物で被覆すれば、銅微粒子の保存安定性を向上させることができるとともに、光の吸収性を向上させることができ、光照射により焼結し易くすることができる。特に、アゾール化合物は、分子内に共役二重結合を有するため、紫外線波長領域（２００〜４００ｎｍ）の光を吸収して熱に変換することにより、銅微粒子を焼結し易くすることができる。
【００１５】
レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積５０％粒子径（Ｄ５０）が４〜２５μｍの銅粗粒子は、光照射により焼成して導電膜を形成する際に、銅微粒子の焼結に伴う導電膜の収縮を緩和して、導電膜にクラックが入るのを防止して導電性が悪くなるのを防止するとともに、導電膜が厚くなっても導電性が悪くなるのを抑制することができる。この銅粗粒子のタップ密度は、３．９ｇ／ｃｍ３以下であり、３．８ｇ／ｃｍ３以下であるのが好ましい。また、この銅粗粒子のレーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積１０％粒子径（Ｄ１０）に対する累積９０％粒子径（Ｄ９０）の比は、３．６５以上であり、３．７以上であるのが好ましい。また、この銅粗粒子のＢＥＴ比表面積は、０．３〜１．５ｍ２／ｇであるのが好ましく、０．４〜１．２ｍ２／ｇであるのがさらに好ましい。銅粗粒子中の酸素含有量は２質量％以下であるのが好ましく、０．１〜１質量％であるのがさらに好ましい。銅粗粒子中の炭素含有量は０．１〜５質量％であるのが好ましく、０．１〜１質量％であるのがさらに好ましい。
【００１６】
このような銅粗粒子は、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積５０％粒子径（Ｄ５０）が５〜５０μｍの電解銅粉または１〜１０μｍの湿式銅粉をステアリン酸やパルミチン酸などの脂肪酸で被覆した後、窒素雰囲気中において、振動ミルなどにより粉砕して、フレーク状銅粗粒子として得ることができる。この粉砕時間は、電解銅粉の場合は１０〜１５０分間程度であるのが好ましく、湿式銅粉の場合は１５０分間以上であるのが好ましい。
【００１７】
導電性ペースト中の銅微粒子と銅粗粒子の総量に対する銅微粒子の質量の割合は、２０％以上であり、３０％以上であるのが好ましい。また、導電性ペーストがさらに溶剤と樹脂を含むのが好ましく、この場合、導電性ペースト中の銅微粒子と銅粗粒子の総量は、５０〜９０質量％であるのが好ましく、６０〜８０質量％であるのがさらに好ましい。
【００１８】
この導電性ペーストを紙などの基板に塗布して導電膜を形成する場合、導電性ペーストの溶剤は、基板の濡れ性を向上させるために水溶性であるのが好ましく、酸化し易い銅の還元作用がある水酸基を有するのが好ましく、基板に連続的に印刷することができるように沸点１８０℃以上であるのが好ましい。このような性質を有する溶剤として、グリコール系溶剤を使用するのが好ましい。
【００１９】
このグリコール系溶剤として、エチレングリコール、イソプロピレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、ジプロピレングリコール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、（分子量２００程度の）ポリエチレングリコール、メチルペンタンジオール、トリエチレングリコールなどを使用することができ、エチレングリコールを使用するのが好ましい。
【００２０】
また、導電性ペーストを紙などの基板に塗布して導電膜を形成する場合、導電性ペーストに含まれる樹脂は、基板に対する密着性を向上させることができ、グリコール系溶剤に高濃度で溶解して適度な粘性とダレを付与することができ、屈曲性を有する導電膜を形成することができる樹脂であるのが好ましい。このような性質を有する樹脂として、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）樹脂およびポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂を使用することができ、ポリビニルピロリドン樹脂を使用するのが好ましい。
【００２１】
導電性ペーストがポリビニルピロリドン樹脂を含む場合には、導電性ペースト中のポリビニルピロリドン樹脂の量が銅微粒子と銅粗粒子の総量に対して３〜９質量％であるのが好ましく、導電性ペーストがポリビニルブチラールを含む場合には、導電性ペースト中のポリビニルブチラール樹脂の量が銅微粒子と銅粗粒子の総量に対して３〜６質量％であるのが好ましい。
【００２２】
ポリビニルピロリドン樹脂として、例えば、株式会社ＤＫＳ製のピッツコールＫ−３０（重量平均分子量４５，０００）、ピッツコールＫ−９０（重量平均分子量１，２００，０００）、株式会社和光純薬工業株式会社製のＰＶＰ  Ｋ−２５（重量平均分子量２０，０００）などを使用することができ、ポリビニルブチラール樹脂として、例えば、積水化学工業株式会社製のＳ−ＬＥＣ  Ｂシリーズ、Ｓ−ＬＥＣ  Ｋシリーズ、株式会社クラレ製のＭｏｗｉｔａｌ  Ｂシリーズなどを使用することができる。
【００２３】
導電性ペーストには、銅微粒子の分散性を向上させるために、溶剤に分散剤を添加してもよい。この分散剤の添加量は、導電性ペーストに対して０．１〜１０質量％であるのが好ましく、０．１〜２質量％であるのがさらに好ましい。この分散剤としては、銅微粒子の表面と親和性を有し且つグリコール系溶剤に対しても親和性を有するものであればよい。
【００２４】
このような性質を有する分散剤の例として、非イオンポリオキシエチレン（例えば、シグマアルドリッチ社製のＴＲＩＴＯＮ  Ｘ−１００）、ポリオキシエチレン（８）オクチルフェニルエーテル（例えば、シグマアルドリッチ社製のＴＲＩＴＯＮ  Ｘ−１１４）、高分子量ブロックコポリマー（例えば、ビックケミー・ジャパン株式会社製のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９０）、変性アクリル系ブロック共重合物（例えば、ビックケミー・ジャパン株式会社製のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０００、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２００１）、非イオンフッ素化ポリオキシエチレン（例えば、デュポン株式会社製のＺｏｎｙｌ  ＦＳ３００）、含フッ素基・親水性基含有オリゴマー（例えば、ＤＩＣ株式会社製のメガファックＥＸＰ  ＴＦ−１５４０、メガファックＥＸＰ  ＴＦ−１８７８、メガファックＦ−４８０ＳＦ）、ラウリルトリメチルアンモニウムクロライド（例えば、花王株式会社製のコータミン２４Ｐ）、ポリオキシエチレンヤシアルキルアミン（例えば、花王株式会社製のアミート１０２）、ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル（例えば、花王株式会社製のエマルゲンＡ−６０）、特殊ポリカルボン酸型界面活性剤（例えば、花王株式会社製のデモールＥＰ）、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物アンモニウム塩（例えば、花王株式会社製のＭＸ−２０４５Ｌ）、ポリオキシエチレン−ラウリルアミン（例えば、日油株式会社製のナイミーンＬ−２０２、マリアリムＨＫＭ−１５０Ａ）、スチレン−マレイン酸ハーフエステルコポリマーアンモニウム塩（例えば、株式会社ＤＫＳ製のＤＫＳディスコートＮ−１４）、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル（例えば、株式会社ＤＫＳ製のノイゲンＥＡ−１６７）、ポリオキシエチレン（２０）ノニルフェニルエーテル（例えば、和光純薬工業株式会社製）、カチオン系界面活性剤（例えば、サンノプコ株式会社製のノプコスパース０９２）、アセチレンジオールの酸化エチレン付加物（例えば、日信化学工業株式会社製のダイノール６０４）などの界面活性剤からなる分散剤が挙げられる。
【００２５】
また、導電性ペーストには、銅微粒子と銅粗粒子の総量に対するＣｌの質量の割合（Ｃｌ／Ｃｕ）が０．１〜０．５質量％になるように塩素化合物が添加されているのが好ましい。この塩素化合物として、次亜塩素酸などのオキソ酸、亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カリウム、次亜塩素酸カルシウムなどのオキソ酸塩、塩酸などの水素化物、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、バリウム塩、ストロンチウム塩、アンモニウム塩、ジルコニウム塩、アルミニウム塩、マグネシウム塩、カルシウム塩などの無機塩などを使用することができる。これらのうち、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、塩化カリウムおよび塩化カルシウムからなる群から選ばれる１種以上の塩素化合物を使用するのが好ましい。
【００２６】
また、導電性ペーストは、レオロジーコントロール剤、密着性付与剤、脱泡剤などの添加剤を含んでもよい。
【００２７】
なお、導電性ペーストを、攪拌脱泡ミキサー、三本ロールミル、遊星ボールミル、ビーズミル、乳鉢などにより、混練脱泡を行うのが好ましい。
【００２８】
また、本発明による導電膜の製造方法の実施の形態では、上記の導電性ペーストを基板に塗布して予備焼成した後、光を照射して焼成することにより基板上に導電膜を形成する。
【００２９】
この導電膜の製造方法において、導電性ペーストの塗布は、スクリーン印刷によって行われるのが好ましい。また、予備焼成は、真空乾燥機やＩＲランプヒーターなどにより加熱することによって行われるのが好ましい。真空乾燥機によって予備焼成を行う場合には、５０〜２００℃で１０〜１８０分間真空乾燥するのが好ましく、ＩＲランプヒーターによって予備焼成を行う場合には、大気中において熱量１４０〜６００Ｊで５〜２０秒間加熱するのが好ましい。また、光の照射は、パルス周期５００〜２０００μｓ、パルス電圧１６００〜３８００Ｖで波長２００〜８００ｎｍの光を照射することによって行われるのが好ましい。この光照射は、キセノンフラッシュランプなどにより光を照射して行うことができ、大気中において短時間で行うことができ、複数回行ってもよい。この光照射により導電性が良好な導電膜を形成することができる。
【００３０】
また、光照射により基材上に形成された導電膜を圧縮処理するのが好ましい。この圧縮処理は、基材上に形成された導電膜をロールにより加圧することによって行うのが好ましい。この圧縮処理により、平均膜厚１〜３０μｍで導電性および基材との密着性が良好な導電膜を形成することができる。
【００３１】
なお、本明細書中において、銅微粒子の「平均粒径」とは、電界放出型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）から算出される平均一次粒子径をいう。この「平均一次粒子径」については、例えば、銅微粒子または銅粗粒子を電界放出型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）（株式会社日立製作所製のＳ−４７００）により観察し、無作為に設定した観察視野内において、銅微粒子または銅粗粒子の全体像を表す輪郭が把握できる全ての粒子（すなわち、粒子の一部が他の粒子に遮られているか視野外にはみ出ているために粒子の輪郭が把握できない粒子を除く全ての粒子）を選択し、この選択した粒子のうちの（２００個以上の）総数Ｎの粒子の各々について、ＦＥ−ＳＥＭ画像における粒子の輪郭からその粒子の投影面積Ｓを求め、その投影面積Ｓと等しい面積の円の直径Ｄを求め、この直径Ｄの和を総数Ｎで除した値を平均一次粒子径として算出することができる。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明による導電性ペーストおよびそれを用いた導電膜の製造方法の実施例について詳細に説明する。
【００３３】
［実施例１］
まず、銅源として硫酸銅五水和物（ＪＸ日鉱日石金属株式会社製）２８０ｇと、分散剤としてベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）（和光純薬工業株式会社製）１ｇとを純水１３３０ｇに溶解した溶液Ａと、中和剤として５０質量％の苛性ソーダ水溶液（和光純薬工業株式会社製）２００ｇを純水９００ｇで希釈した溶液Ｂと、還元剤として８０質量％のヒドラジン一水和物（大塚化学株式会社製）１５０ｇを純水１３００ｇで希釈した溶液Ｃを用意した。
【００３４】
次に、溶液Ａと溶液Ｂを攪拌しながら混合し、６０℃の温度に調整した後、攪拌を維持したまま、この混合溶液に溶液Ｃを３０秒以内で全量添加して、約５分程度で反応が終了した。この反応で生成したスラリーを固液分離して得られた固形分にエチレングリコール（ＥＧ）（和光純薬工業株式会社製）を通液して、ＢＴＡ被覆銅微粒子がエチレングリコールに分散した分散液を得た。この分散液中の銅微粒子を電界放出型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）（株式会社日立製作所製のＳ−４７００）で観察したところ、図２に示すように、（ＢＴＡで被覆された）略球形の微粒子であり、平均粒径を算出すると、４６．１ｎｍであった。また、この分散液のＮ２中における示差分析により、分散液中の銅の含有量を求めたところ、８５．３質量％であった。
【００３５】
また、電解銅粉（福田金属箔粉工業社製のＦＣＣ−１１５（Ｄ５０＝２０．４μｍ））を用意し、この銅粉に対して０．５質量％のステアリン酸を混合して、ステアリン酸で被覆した銅粉を得た後、このステアリン酸で被覆した銅粉８７０ｇを窒素雰囲気中において振動ミルＭＢ−１（中央化工機株式会社製）で６０分間粉砕し、目開き５０μｍで篩分けして、図３に示すようなフレーク状銅粗粒子を得た。
【００３６】
このようにして得られたフレーク状銅粗粒子のＢＥＴ比表面積、タップ密度、酸素含有量、炭素含有量および粒度分布を求めたところ、ＢＥＴ比表面積は０．５７ｍ２／ｇ、タップ密度は３．６ｇ／ｃｍ３、酸素含有量は０．２７質量％、炭素含有量は０．３６質量％であった。また、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は２．２μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は５．７μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は１２．５μｍ、標準偏差（ＳＤ）は４．０μｍ、Ｄ９０／Ｄ１０は５．６、ＳＤ／Ｄ９０は０．７０であった。なお、銅粗粒子のＢＥＴ比表面積は、ＢＥＴ比表面積測定装置（ユアサイオニクス株式会社製の４ソーブＵＳ）を用いてＢＥＴ１点法により求めた。また、銅粗粒子のタップ密度は、特開２００７−２６３８６０号公報に記載された方法と同様に、銅粗粒子を内径６ｍｍの有底円筒形の容器に充填して銅粉層を形成し、この銅粉層に上部から０．１６Ｎ／ｍ２の圧力を加えた後、銅粉層の高さを測定し、この銅粉層の高さの測定値と、充填された銅粉の重量とから、銅粗粒子の密度を求めて、銅粗粒子のタップ密度とした。また、銅粗粒子中の酸素含有量は酸素・窒素分析装置（ＬＥＣＯ社製のＴＣ−４３６型）により測定し、銅粗粒子中の炭素含有量は炭素・硫黄分析装置（堀場製作所製のＥＭＩＡ−２２０Ｖ）により測定し、銅粗粒子の粒度分布は、銅粗粒子０．３ｇをイソプロピルアルコール３０ｍＬに加えて５分間超音波分散した試料を使用し、レーザー回折式粒度分布測定装置（マイクロトラック・ベル株式会社製のＭＴ３３００ＥＸＩＩ）により全反射モードにおいて体積基準で測定した。
【００３７】
次に、上記のＢＴＡ被覆銅微粒子の分散液５１．３ｇに、（ＢＴＡ被覆銅微粒子との質量の割合が６０：４０になるように）上記のフレーク状銅粗粒子２９．２ｇを添加し、分散剤としてナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物アンモニウム塩からなる界面活性剤（花王ケミカル社製のデモールＮＬ）５．５ｇ（Ｃｕに対する分散剤の有効成分の割合は３．０質量％）を添加し、６０質量％のポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）樹脂（第一工業製薬株式会社製のピッツコールＫ−３０、重量平均分子量４５，０００）を含むエチレングリコール溶液５．５ｇ（Ｃｕに対する樹脂の割合は４．５質量％）を添加し、塩素化合物として５質量％の塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）（和光純薬工業株式会社製）がエチレングリコールに溶解した塩素化合物溶液４．４ｇ（Ｃｕに対するＣｌの質量の割合（Ｃｌ／Ｃｕ）は０．３５質量％）を添加し、さらに（Ｃｕ濃度が７３．０質量％になるように）エチレングリコール４．１２ｇを添加した後、自公転式真空攪拌脱泡ミキサ（株式会社ＥＭＥ製のＶ−ｍｉｎｉ３００）により自転１４００ｒｐｍで６０秒間回転させて、ＢＴＡ被覆銅微粒子およびフレーク状銅粗粒子が均一になるように混練脱泡し、その後、三本ロールをパスしてＢＴＡ被覆銅微粒子およびフレーク状銅粗粒子を均一に分散させることによって、導電フィラーとしてのＢＴＡ被覆銅微粒子（導電フィラー１）とフレーク状銅粉（導電フィラー２）（Ｃｕ濃度７３．０質量％）と０．２２質量％のＮａＣｌを含む導電性ペースト１００ｇを得た。
【００３８】
次に、スクリーン版（株式会社ソノコム製のＳＴ２００−４０−８０、メッシュ数２００ＬＰＩ、線径４０μｍ、紗厚８０μｍ、乳剤厚１０μｍのスクリーン版）を使用し、基材としての塗工紙（三菱製紙製のＤＦカラーＭ７０）上の７０ｍｍ×１５ｍｍ程度の大きさの領域内に、上記の導電性ペーストを導電長１４６ｍｍの図１に示す形状（全長６９．８ｍｍ、全幅１４．６ｍｍ、線幅約０．７ｍｍのＲＦＩＤアンテナ１０の形状、参照符号１１はＩＣチップ実装部を示す）にスクリーン印刷し、予備焼成として真空乾燥機により１００℃で６０分の真空乾燥した後、パルス照射装置（Ｘｅｎｏｎ社製のＳｉｎｔｅｒｏｎ２０００）を使用して、大気雰囲気中においてパルス周期２０００μｓ、パルス電圧２９００Ｖでキセノンフラッシュランプにより波長２００〜８００ｎｍの光を照射して焼成することによって（ＲＦＩＤアンテナ１０の形状の）導電膜を得た。この導電膜の電気抵抗（ライン抵抗）をテスター（ＣＵＳＴＯＭ社製の型式ＣＤＭ−０３Ｄ）により測定したところ、２．７Ωであった。
【００３９】
次に、得られた導電膜と基材との密着性を高めるために、導電膜を基材とともに、ロールプレス機のワークロール（外部のヒータにより表面温度を制御可能な直径４００ｍｍのスチールロール）間に、線圧（ロールの軸方向の単位長さ当たりの荷重）１８１８Ｎ／ｍｍ、ロールの周速１／分、ロールの表面温度１８０℃として通過させて加圧することによって、圧縮処理を行った。このようにして圧縮処理を行った導電膜の断面のＦＥ−ＳＥＭ写真において無作為に選んだ５か所の膜厚の平均値として平均膜厚を求めたところ、圧縮処理後の導電膜の平均膜厚は１０．５μｍであった。また、この圧縮処理後の導電膜の電気抵抗（ライン抵抗）をテスター（ＣＵＳＴＯＭ社製の型式ＣＤＭ−０３Ｄ）により測定したところ、１．４Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は５２％（＝１．４×１００／２．７）であった。
【００４０】
次に、耐候性試験として、圧縮処理後の導電膜を温度８５℃、湿度８５％に設定した恒温恒湿装置内で１６８時間保持した後、導電膜の電気抵抗をテスター（ＣＵＳＴＯＭ社製の型式ＣＤＭ−０３Ｄ）により測定したところ、２．２Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は１５７％（＝２．２×１００／１．４）であった。
【００４１】
［実施例２］
ステアリン酸に代えてパルミチン酸を使用した以外は、実施例１と同様の方法により、パルミチン酸で被覆した銅粉を得た後、フレーク状銅粗粒子を得た。
【００４２】
このようにして得られたフレーク状銅粗粒子のＢＥＴ比表面積、タップ密度、酸素含有量、炭素含有量および粒度分布を実施例１と同様の方法により求めたところ、ＢＥＴ比表面積は０．９０ｍ２／ｇ、タップ密度は３．３ｇ／ｃｍ３、酸素含有量は０．４０質量％、炭素含有量は０．３９質量％であった。また、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は２．５μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は６．６μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は１５．２μｍ、標準偏差（ＳＤ）は４．８μｍ、Ｄ９０／Ｄ１０は６．２、ＳＤ／Ｄ９０は０．７３であった。
【００４３】
また、上記のフレーク状銅粗粒子を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２８５０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、２．７Ωであった。
【００４４】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．８Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は６７％（＝１．８×１００／２．７）であった。
【００４５】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、４．４Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は２４４％（＝４．４×１００／１．８）であった。なお、この耐候性試験後の電気抵抗の変化率が３００％以下であれば、紙基材を用いたＲＦＩＤアンテナとして実用的に優れた耐候性を有する導電膜であると評価することができる。
【００４６】
［実施例３］
粉砕時間を１５分間とした以外は、実施例１と同様の方法により、ステアリン酸で被覆した銅粉を得た後、フレーク状銅粗粒子を得た。
【００４７】
このようにして得られたフレーク状銅粗粒子のＢＥＴ比表面積、タップ密度、酸素含有量、炭素含有量および粒度分布を実施例１と同様の方法により求めたところ、ＢＥＴ比表面積は０．４５ｍ２／ｇ、タップ密度は３．２ｇ／ｃｍ３、酸素含有量は０．２６質量％、炭素含有量は０．３７質量％であった。また、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は３．０μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は７．４μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は１４．４μｍ、標準偏差（ＳＤ）は４．６μｍ、Ｄ９０／Ｄ１０は４．８、ＳＤ／Ｄ９０は０．６３であった。
【００４８】
また、上記のフレーク状銅粗粒子を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２９３０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、２．９Ωであった。
【００４９】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．５Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は５２％（＝１．５×１００／２．９）であった。
【００５０】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、２．９Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は１９３％（＝２．９×１００／１．５）であった。
【００５１】
［実施例４］
粉砕時間を３０分間とした以外は、実施例１と同様の方法により、ステアリン酸で被覆した銅粉を得た後、フレーク状銅粗粒子を得た。
【００５２】
このようにして得られたフレーク状銅粗粒子のＢＥＴ比表面積、タップ密度、酸素含有量、炭素含有量および粒度分布を実施例１と同様の方法により求めたところ、ＢＥＴ比表面積は０．５３ｍ２／ｇ、タップ密度は３．４ｇ／ｃｍ３、酸素含有量は０．３１質量％、炭素含有量は０．３８質量％であった。また、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は２．５μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は６．３μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は１３．２μｍ、標準偏差（ＳＤ）は４．２μｍ、Ｄ９０／Ｄ１０は５．２、ＳＤ／Ｄ９０は０．６７であった。
【００５３】
また、上記のフレーク状銅粗粒子を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２８７０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、２．２Ωであった。
【００５４】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．５Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は６８％（＝１．５×１００／２．２）であった。
【００５５】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、３．３Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は２２０％（＝３．３×１００／１．５）であった。
【００５６】
［実施例５］
粉砕時間を９０分間とした以外は、実施例１と同様の方法により、ステアリン酸で被覆した銅粉を得た後、フレーク状銅粗粒子を得た。
【００５７】
このようにして得られたフレーク状銅粗粒子のＢＥＴ比表面積、タップ密度、酸素含有量、炭素含有量および粒度分布を実施例１と同様の方法により求めたところ、ＢＥＴ比表面積は１．１７ｍ２／ｇ、タップ密度は３．４ｇ／ｃｍ３、酸素含有量は０．５１質量％、炭素含有量は０．３９質量％であった。また、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は３．０μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は８．０μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は１９．９μｍ、標準偏差（ＳＤ）は６．５μｍ、Ｄ９０／Ｄ１０は６．６、ＳＤ／Ｄ９０は０．８２であった。
【００５８】
また、上記のフレーク状銅粗粒子を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２９３０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、２．８Ωであった。
【００５９】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．６Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は５７％（１．６×１００／２．８）であった。
【００６０】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、２．９Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は１８１％（＝２．９×１００／１．６）であった。
【００６１】
［実施例６］
粉砕時間を１２０分間とした以外は、実施例１と同様の方法により、ステアリン酸で被覆した銅粉を得た後、フレーク状銅粗粒子を得た。
【００６２】
このようにして得られたフレーク状銅粗粒子のＢＥＴ比表面積、タップ密度、酸素含有量、炭素含有量および粒度分布を実施例１と同様の方法により求めたところ、ＢＥＴ比表面積は０．８４ｍ２／ｇ、タップ密度は３．３ｇ／ｃｍ３、酸素含有量は０．５４質量％、炭素含有量は０．３９質量％であった。また、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は６．５μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は１９．９μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は３７．０μｍ、標準偏差（ＳＤ）は１２．８μｍ、Ｄ９０／Ｄ１０は５．７、ＳＤ／Ｄ９０は０．６４であった。
【００６３】
また、上記のフレーク状銅粗粒子を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２８１０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、３．０Ωであった。
【００６４】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．７Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は５７％（＝１．７×１００／３．０）であった。
【００６５】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、４．９Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は２８８％＝４．９×１００／１．７）であった。
【００６６】
［実施例７］
電解銅粉（ＪＸ日鉱日石金属株式会社製の♯６（Ｄ５０＝２０．７μｍ））を使用した以外は、実施例１と同様の方法により、ステアリン酸で被覆した銅粉を得た後、フレーク状銅粗粒子を得た。
【００６７】
このようにして得られたフレーク状銅粗粒子のＢＥＴ比表面積、タップ密度、酸素含有量、炭素含有量および粒度分布を実施例１と同様の方法により求めたところ、ＢＥＴ比表面積は０．８８ｍ２／ｇ、タップ密度は３．０ｇ／ｃｍ３、酸素含有量は０．４１質量％、炭素含有量は０．３９質量％であった。また、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は４．９μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は１２．８μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は２５．６μｍ、標準偏差（ＳＤ）は８．２μｍ、Ｄ９０／Ｄ１０は５．２、ＳＤ／Ｄ９０は０．６４であった。
【００６８】
また、上記のフレーク状銅粗粒子を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２９４０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．９Ωであった。
【００６９】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．４Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は７４％（＝１．４×１００／１．９）であった。
【００７０】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、３．４Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は２４３％（＝３．４×１００／１．４）であった。
【００７１】
［実施例８］
電解銅粉（福田金属箔粉工業株式会社製のＣＥ−２０（Ｄ５０＝４４．０μｍ））を使用した以外は、実施例１と同様の方法により、ステアリン酸で被覆した銅粉を得た後、フレーク状銅粗粒子を得た。
【００７２】
このようにして得られたフレーク状銅粗粒子のＢＥＴ比表面積、タップ密度、酸素含有量、炭素含有量および粒度分布を実施例１と同様の方法により求めたところ、ＢＥＴ比表面積は０．７４ｍ２／ｇ、タップ密度は２．８ｇ／ｃｍ３、酸素含有量は０．３８質量％、炭素含有量は０．３５質量％であった。また、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は８．５μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は２１．４μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は３８．２μｍ、標準偏差（ＳＤ）は１２．１μｍ、Ｄ９０／Ｄ１０は４．５、ＳＤ／Ｄ９０は０．５７であった。
【００７３】
また、上記のフレーク状銅粗粒子を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２９３０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、２．２Ωであった。
【００７４】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．４Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は６４％（＝１．４×１００／２．２）であった。
【００７５】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、３．６Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は２５７％（＝３．６×１００／１．４）であった。
【００７６】
［実施例９］
電解銅粉に代えて湿式銅粉（ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、Ｄ５０＝３．０μｍ）を使用し、ステアリン酸の添加量を１．０質量％とし、粉砕時間を２００分間とした以外は、実施例１と同様の方法により、ステアリン酸で被覆した銅粉を得た後、フレーク状銅粗粒子を得た。
【００７７】
このようにして得られたフレーク状銅粗粒子のＢＥＴ比表面積、タップ密度、酸素含有量、炭素含有量および粒度分布を実施例１と同様の方法により求めたところ、ＢＥＴ比表面積は０．９８ｍ２／ｇ、タップ密度は３．７ｇ／ｃｍ３、酸素含有量は０．５３質量％、炭素含有量は０．７７質量％であった。また、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は２．２μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は４．３μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は８．０μｍ、標準偏差（ＳＤ）は２．２μｍ、Ｄ９０／Ｄ１０は３．７、ＳＤ／Ｄ９０は０．５０であった。
【００７８】
また、上記のフレーク状銅粗粒子を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を３０００Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、２．６Ωであった。
【００７９】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．３Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は５０％（＝１．３×１００／２．６）であった。
【００８０】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、３．５Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は２６９％（＝３．５×１００／１．３）であった。
【００８１】
［実施例１０］
（ＢＴＡ被覆銅微粒子とフレーク状銅粗粒子の質量の割合が３０：７０になるように）ＢＴＡ被覆銅微粒子の分散液の量を２５．７ｇとし、実施例１と同様のフレーク状銅粗粒子５１．１ｇを添加した以外は、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２７００Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、２．３Ωであった。
【００８２】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．７Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は７４％（＝１．７×１００／２．３）であった。
【００８３】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、４．８Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は２８２％（＝４．８×１００／１．７）であった。
【００８４】
［実施例１１］
（ＢＴＡ被覆銅微粒子とフレーク状銅粗粒子の質量の割合が５０：５０になるように）ＢＴＡ被覆銅微粒子の分散液の量を４２．８ｇとし、実施例１と同様のフレーク状銅粗粒子３６．５ｇを添加した以外は、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２７２０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、３．３Ωであった。
【００８５】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．５Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は４５％（＝１．５×１００／３．３）であった。
【００８６】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、３．５Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は２３３％（＝３．５×１００／１．５）であった。
【００８７】
［比較例１］
電解銅粉に代えて湿式銅粉（ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、Ｄ５０＝３．０μｍ）を使用し、ステアリン酸の添加量を１．０質量％とし、粉砕時間を３０分間とした以外は、実施例１と同様の方法により、ステアリン酸で被覆した銅粉を得た後、フレーク状銅粗粒子を得た。
【００８８】
このようにして得られたフレーク状銅粗粒子のＢＥＴ比表面積、タップ密度、酸素含有量、炭素含有量および粒度分布を実施例１と同様の方法により求めたところ、ＢＥＴ比表面積は０．３５ｍ２／ｇ、タップ密度は４．５ｇ／ｃｍ３、酸素含有量は０．５３質量％、炭素含有量は０．７５質量％であった。また、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は２．４μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は３．７μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は７．０μｍ、標準偏差（ＳＤ）は１．７μｍ、Ｄ９０／Ｄ１０は３．０、ＳＤ／Ｄ９０は０．４６であった。
【００８９】
また、上記のフレーク状銅粗粒子を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２９５０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、１１４．０Ωであった。
【００９０】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、２．４Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は２％（＝２．４×１００／１１４．０）であった。
【００９１】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１９．６Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は８１７％（＝１９．６×１００／２．４）であった。
【００９２】
［比較例２］
電解銅粉に代えて湿式銅粉（ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、Ｄ５０＝６．０μｍ）を使用し、粉砕時間を１００分間とした以外は、実施例１と同様の方法により、ステアリン酸で被覆した銅粉を得た後、フレーク状銅粗粒子を得た。
【００９３】
このようにして得られたフレーク状銅粗粒子のＢＥＴ比表面積、タップ密度、酸素含有量、炭素含有量および粒度分布を実施例１と同様の方法により求めたところ、ＢＥＴ比表面積は０．４６ｍ２／ｇ、タップ密度は４．０ｇ／ｃｍ３、酸素含有量は０．４０質量％、炭素含有量は０．４１質量％であった。また、累積１０％粒子径（Ｄ１０）は４．４μｍ、累積５０％粒子径（Ｄ５０）は９．７μｍ、累積９０％粒子径（Ｄ９０）は１６．１μｍ、標準偏差（ＳＤ）は４．４μｍ、Ｄ９０／Ｄ１０は３．６、ＳＤ／Ｄ９０は０．４６であった。
【００９４】
また、上記のフレーク状銅粗粒子を使用して、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２９２０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、２．７Ωであった。
【００９５】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、１．６Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は５９％（＝１．６×１００／２．７）であった。
【００９６】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、６．８Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は４２５％（＝６．８×１００／１．６）であった。
【００９７】
［比較例３］
（ＢＴＡ被覆銅微粒子とフレーク状銅粗粒子の質量の割合が０：１００になるように）ＢＴＡ被覆銅微粒子の分散液を使用せず、実施例１と同様のフレーク状銅粗粒子７３．０ｇを使用した以外は、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２８５０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、２４．９Ωであった。
【００９８】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、２６．０Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は１０４％（＝２６．０×１００／２４．９）であった。
【００９９】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、３６９．２Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は１４２０％（＝３６９．２×１００／２６．０）であった。
【０１００】
［比較例４］
（ＢＴＡ被覆銅微粒子とフレーク状銅粗粒子の質量の割合が１５：８５になるように）ＢＴＡ被覆銅微粒子の分散液の量を１２．８ｇとし、実施例１と同様のフレーク状銅粗粒子６２．１ｇを添加した以外は、実施例１と同様の方法により、導電性ペーストを得た後、この導電性ペーストを使用して、パルス電圧を２４５０Ｖとした以外は実施例１と同様の方法により、得られた導電膜の電気抵抗を測定したところ、１０．０Ωであった。
【０１０１】
また、得られた導電膜について、実施例１と同様の方法により、圧縮処理を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、３．２Ωであり、圧縮処理による電気抵抗の変化率は３２％（＝３．２×１００／１０．０）であった。
【０１０２】
また、圧縮処理を行った導電膜について、実施例１と同様の方法により、耐候性試験を行った後、導電膜の電気抵抗を測定したところ、２０．８Ωであり、耐候性試験による電気抵抗の変化率は６５０％（＝２０．８×１００／３．２）であった。
これらの実施例および比較例の導電性ペーストの製造条件および特性と、その導電性ペーストを使用した導電膜の製造条件および特性を表１〜表５に示す。
【０１０３】
【表１】
2017069012.tif 000003
【０１０４】
【表２】
2017069012.tif 000004
【０１０５】
【表３】
2017069012.tif 000005
【０１０６】
【表４】
2017069012.tif 000006
【０１０７】
【表５】
2017069012.tif 000007
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本発明による導電性ペーストから製造した導電膜を使用して形成されたＩＣタグ用アンテナなどのＲＦＩＤタグ用アンテナを組み込んで（ＩＣチップとアンテナからなる）インレイを製造すれば、実用的な通信距離のＩＣタグなどのＲＦＩＤタグを製造することができる。
【符号の説明】
【０１０９】
１０  ＲＦＩＤアンテナ
１１  ＩＣチップ実装部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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