(57)【要約】【課題】製造の際の歩留りを向上させることが可能なフレキシブルデバイスの製造方法およびフレキシブルデバイスの製造装置を提供する。【解決手段】フレキシブルデバイスの製造方法は、互いに対向する第１面および第２面を有する支持基板における第１面を、可撓性基板の裏面に貼り合わせ、可撓性基板の表面に素子層を形成し、支持基板の第２面側から支持基板と可撓性基板との界面付近に向けて、レーザ光を多方向から斜め照射することにより、支持基板を可撓性基板から剥離させるようにしたものである。【選択図】図１２
2017212135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１面および第２面を有する支持基板における前記第１面を、可撓性基板の裏面に貼り合わせ、
前記可撓性基板の表面に素子層を形成し、
前記支持基板の前記第２面側から前記支持基板と前記可撓性基板との界面付近に向けて、レーザ光を多方向から斜め照射することにより、前記支持基板を前記可撓性基板から剥離させる
フレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記界面付近に対する前記多方向からの前記斜め照射を、前記レーザ光の１回の照射にて行う
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項３】
レーザ光源から出射されたレーザ光の光路を、ビームスプリッタを用いて複数に分離することにより、前記多方向からの前記斜め照射を、前記レーザ光の１回の照射にて行う
請求項２に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記界面付近に対する前記多方向からの前記斜め照射を、前記レーザ光の複数回の照射にて行う
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記レーザ光の前記斜め照射の際の照射角度が固定されており、
前記斜め照射を行ってから前記支持基板を面内方向で回転させた後に、前記斜め照射を再度行うことにより、前記多方向からの前記斜め照射を、前記レーザ光の複数回の照射にて行う
請求項４に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項６】
１または複数のレーザ光源を用いて、前記界面付近に対する前記多方向からの前記斜め照射を行う
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記レーザ光の線状照射領域が前記界面付近の面内方向で順次移動するようにして、前記レーザ光の前記斜め照射を行う
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記レーザ光の前記斜め照射の際の照射角度が、調整可能となっている
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記可撓性基板と前記素子層とを有する前記フレキシブルデバイスが、表示装置または撮像装置である
請求項１に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記表示装置が、有機ＥＬ表示装置である
請求項９に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項１１】
互いに対向する第１面および第２面を有する支持基板における前記第１面が裏面に貼り合わされている可撓性基板の表面に、素子層を形成する素子形成部と、
前記支持基板の前記第２面側から前記支持基板と前記可撓性基板との界面付近に向けてレーザ光を照射する、１または複数のレーザ光源と
を備え、
前記界面付近に向けて前記レーザ光が多方向から斜め照射されることによって、前記支持基板が前記可撓性基板から剥離される
フレキシブルデバイスの製造装置。
【請求項１２】
前記レーザ光源が１つ設けられており、
前記レーザ光源から出射されたレーザ光の光路を複数に分離するビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタから出射して複数の光路上を進行するレーザ光をそれぞれ反射することによって、前記多方向からの前記斜め照射を行うミラーと
を更に備えた
請求項１１に記載のフレキシブルデバイスの製造装置。
【請求項１３】
前記レーザ光源が複数設けられており、
複数の前記レーザ光源が個別に前記斜め照射を行うことによって、前記多方向からの前記斜め照射が行われる
請求項１１に記載のフレキシブルデバイスの製造装置。
【請求項１４】
前記レーザ光源が１つ設けられていると共に、前記レーザ光の前記斜め照射の際の照射角度が固定されており、
前記レーザ光源による前記斜め照射が行われてから、前記支持基板が面内方向で回転された後に、前記レーザ光源による前記斜め照射が再度行われることによって、前記多方向からの前記斜め照射が行われる
請求項１１に記載のフレキシブルデバイスの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、可撓性基板を用いたフレキシブルデバイスの製造方法、および、そのようなフレキシブルデバイスの製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラスチック基板（樹脂基板）等の可撓性基板上に各種の素子層が形成されたフレキシブルデバイスとして、種々のものが提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このようなフレキシブルデバイスでは一般に、製造の際の歩留りを向上させることが求められている。製造の際の歩留りを向上させることが可能なフレキシブルデバイスの製造方法およびフレキシブルデバイスの製造装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスの製造方法は、互いに対向する第１面および第２面を有する支持基板における第１面を、可撓性基板の裏面に貼り合わせ、可撓性基板の表面に素子層を形成し、支持基板の第２面側から支持基板と可撓性基板との界面付近に向けて、レーザ光を多方向から斜め照射することにより、支持基板を可撓性基板から剥離させるようにしたものである。
【０００６】
本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスの製造装置は、互いに対向する第１面および第２面を有する支持基板における第１面が裏面に貼り合わされている可撓性基板の表面に、素子層を形成する素子形成部と、支持基板の第２面側から支持基板と可撓性基板との界面付近に向けてレーザ光を照射する１または複数のレーザ光源とを備えたものである。上記界面付近に向けてレーザ光が多方向から斜め照射されることによって、支持基板が可撓性基板から剥離されるようになっている。
【０００７】
本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスの製造方法およびフレキシブルデバイスの製造装置では、支持基板と可撓性基板との界面付近に向けてレーザ光が多方向から斜め照射されることにより、支持基板が可撓性基板から剥離される。これにより、例えば支持基板上に異物や傷が存在するような場合であっても、そのような異物や傷に起因したレーザ光の非照射領域の発生が、低減もしくは回避される。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスの製造方法およびフレキシブルデバイスの製造装置によれば、支持基板と可撓性基板との界面付近に向けてレーザ光を多方向から斜め照射することによって、支持基板を可撓性基板から剥離させるようにしたので、支持基板上の異物や傷に起因したレーザ光の非照射領域の発生を、低減もしくは回避することができる。よって、製造の際の歩留りを向上させることが可能となる。
【０００９】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスとしての表示装置の概略構成例を表す模式断面図である。
【図２】図１に示した表示装置を製造する際に用いられる支持基板について説明するための模式断面図である。
【図３】比較例に係るフレキシブルデバイスとしての表示装置の概略構成例を表す模式断面図である。
【図４】図３に示したレーザ光の照射領域の一例を表す模式断面図である。
【図５】図３に示した支持基板に異物が存在する場合の概略構成例を表す模式断面図である。
【図６】図５に示したレーザ光の照射領域および非照射領域の一例を表す模式断面図である。
【図７】実施の形態に係るレーザ光の斜め照射の一例を表す模式断面図である。
【図８】図７に示したレーザ光の照射領域および非照射領域の一例を表す模式断面図である。
【図９】実施の形態に係るレーザ光の斜め照射の他の例を表す模式断面図である。
【図１０】図９に示したレーザ光の照射領域および非照射領域の一例を表す模式断面図である。
【図１１】実施の形態に係るレーザ光の斜め照射の具体例を表す模式斜視図である。
【図１２】適用例１に係るフレキシブルデバイスの製造装置の構成例（第１の例）を表す模式図である。
【図１３】適用例１に係るフレキシブルデバイスの製造装置の構成例（第２の例）を表す模式図である。
【図１４】適用例１に係るフレキシブルデバイスの製造装置の構成例（第３の例）を表す模式図である。
【図１５】フレキシブルデバイスとしての表示装置の概略構成例を表すブロック図である。
【図１６】フレキシブルデバイスとしての撮像装置の概略構成例を表すブロック図である。
【図１７】図１５に示した表示装置または図１６に示した撮像装置を備えた電子機器への適用例（適用例２）を表すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（支持基板の剥離時にレーザ光を多方向から斜め照射する製造方法の例）
２．適用例１（製造装置への適用例）
３．適用例２（フレキシブルデバイスの電子機器への適用例）
４．変形例
【００１２】
＜１．実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスとしての表示装置（表示装置１）の概略構成例を、模式的に断面図で表したものである。表示装置１は、例えば有機電界発光（ＥＬ：Electro-Luminescence）装置であり、半導体装置１０上に表示素子層１３および保護層１４をこの順に備えたものである。半導体装置１０は、可撓性基板１１の上（表面）に、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）層１２を有している。なお、ＴＦＴ層１２および表示素子層１３はそれぞれ、本開示における「素子層」の一具体例に対応している。
【００１３】
可撓性基板１１は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＩ（ポリイミド），ＰＣ（ポリカーボネート），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート），ＰＡ（ポリアミド），ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）などの樹脂材料により構成されている。すなわち、この可撓性基板１１は、例えば樹脂基板（プラスチック基板）からなる。ただし、可撓性基板１１の構成材料としては、このような樹脂材料には限られず、他の材料を用いて可撓性基板１１を構成するようにしてもよい。
【００１４】
ＴＦＴ層１２は、薄膜トランジスタ等を含む層である。この薄膜トランジスタは、例えば、トップゲート型、ボトムゲート型あるいはデュアルゲート型の薄膜トランジスタであり、可撓性基板１１上の選択的な領域に半導体層を有している。この半導体層は、チャネル領域（活性層）を含んでおり、例えば、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），チタン（Ｔｉ）およびニオブ（Ｎｂ）等のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む、酸化物半導体により構成されている。具体的には、この酸化物半導体としては、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ: ＩｎＧａＺｎＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）および酸化インジウム（ＩｎＯ）等が挙げられる。なお、この半導体層が、低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）または非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）等から構成されていてもよい。
【００１５】
表示素子層１３は、複数の画素を含むと共に、上記した薄膜トランジスタが複数配置されたバックプレーンにより表示駆動される、表示素子（発光素子）を含んでいる。この表示素子としては、例えば有機ＥＬ素子または液晶表示素子などが挙げられる。このうちの有機ＥＬ素子は、ＴＦＴ層１２側から順に、例えば、アノード電極（第１電極）、有機電界発光層（表示機能層）およびカソード電極（第２電極）を有している。アノード電極は、例えば上記した薄膜トランジスタにおけるソース・ドレイン電極に接続されている。カソード電極には、例えば配線などを通じて、各画素に共通のカソード電位が供給されるようになっている。
【００１６】
保護層１４は、表示素子層１３を外部から保護するための層である。この保護層１４は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯx），窒化シリコン（ＳｉＮx），酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料により構成されている。ただし、保護層１４が、有機材料により構成されていてもよい。
【００１７】
ここで、例えば図２（Ａ）に示したように、このような表示装置１の製造の際には、詳細は後述するが、可撓性基板１１に対して、ガラス基板等からなる支持基板９が貼り合わされた状態となっている。具体的には、この支持基板９は、互いに対向する表面Ｓ１（第１面）および裏面Ｓ２（第２面）を有しており、支持基板９における表面Ｓ１が、可撓性基板１１の裏面に貼り合わせられるようになっている。
【００１８】
そして、可撓性基板１１上に各層（ＴＦＴ層１２、表示素子層１３および保護層１４）が形成された後、例えば図２（Ｂ）に示したように、支持基板９が可撓性基板１１から剥離されるようになっている（図２（Ｂ）中の矢印Ｐ１参照）。具体的には、詳細は後述するが、本実施の形態では、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けてレーザ光が照射されることによって、支持基板９が可撓性基板１１から剥離されるようになっている。
【００１９】
［製造方法］
上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２０】
まず、可撓性基板１１の裏面に、上記した支持基板９の表面Ｓ１を貼り合わせる。この際の貼り合わせの手法としては、例えば、支持基板９上にワニス等を塗布して焼き固める手法や、接着層等を用いて貼り合わせる手法などが挙げられる。この接着層の構成材料としては、例えば、シロキサン等が挙げられる。
【００２１】
次いで、このような支持基板９が貼り合わされた後、可撓性基板１１の表面に、素子層（ＴＦＴ層１２および表示素子層１３）を形成する。
【００２２】
具体的には、まず、可撓性基板１１上に、前述した材料（例えば酸化物半導体）よりなる半導体層を、例えばスパッタ法等を用いて成膜した後、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、この半導体層を所定の形状にパターニングする。そして、各種の絶縁膜や電極を形成することにより、ＴＦＴ層１２が形成される。
【００２３】
続いて、このＴＦＴ層１２上に、表示素子層１３を形成する。例えば表示素子層１３が有機ＥＬ素子を含む場合には、ＴＦＴ層１２上に、例えばアノード電極、有機電界発光層、およびカソード電極を含む表示素子層１３を形成する。
【００２４】
そののち、表示素子層１３上に、前述した材料よりなる保護層１４を、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法を用いて形成する。
【００２５】
そして、例えば図２（Ｂ）中の矢印Ｐ１で示したように、支持基板９を可撓性基板１１から剥離させる。具体的には、詳細は後述するが、支持基板９の裏面Ｓ２側から、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近（例えば前述した接着層）に向けてレーザ光を照射することにより、支持基板９を可撓性基板１１から剥離させる。なお、このようなレーザ光の照射によって、支持基板９が可撓性基板１１から剥離されるのは、例えば以下のメカニズムによる。すなわち、レーザ光が照射されると、例えば、可塑性基板１１を構成する原子間または分子間の結合力が消失もしくは減少すること、または、前述した接着層を構成する物質における原子間または分子間の結合力が消失または減少することによって、層内剥離や界面剥離が生じるようになっている。
【００２６】
以上により、図１に示した表示装置１が完成する。
【００２７】
［作用・効果］
（基本動作）
この表示装置１では、外部から入力される映像信号に基づいて、表示素子層１３における各画素が表示駆動され、映像表示がなされる。このとき、ＴＦＴ層１２では、例えば画素ごとに薄膜トランジスタが電圧駆動される。具体的には、この薄膜トランジスタに対して閾値電圧以上の電圧が供給されると、前述した半導体層が活性化され（チャネルが形成され）、その結果、薄膜トランジスタにおける一対のソース・ドレイン電極間に、電流が流れる。このような薄膜トランジスタに対する電圧駆動を利用して、表示装置１における映像表示が行われる。
【００２８】
（比較例）
ここで、図３〜図６は、比較例に係る表示装置１の製造方法を、断面図で模式的に表したものである。この比較例に係る製造方法では、前述した本実施の形態と同様に、可撓性基板１１上に各層（ＴＦＴ層１２、表示素子層１３および保護層１４）を形成した後に、レーザ光の照射を利用して支持基板９を可撓性基板１１から剥離させるようになっている。
【００２９】
具体的には、例えば図３に示したように、支持基板９の裏面Ｓ２側から、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて、レーザ光Ｌを垂直方向に照射する。これにより、例えば図４に示したように、レーザ光Ｌの照射領域Ａ１０１（この例では、支持基板９と可撓性基板１１との界面の全領域）において、支持基板９を可撓性基板１１から剥離することができるようになる。
【００３０】
ところが、例えば図５に示したように、支持基板９上（この例では裏面Ｓ２上）に異物８（あるいは傷：以下同様）が存在するような場合、この比較例では、レーザ光Ｌを利用した支持基板９の剥離の際に、以下の問題が生じ得る。
【００３１】
すなわち、例えば図６に示したように、この場合、支持基板９と可撓性基板１１との界面に、レーザ光Ｌの照射領域Ａ１０２と、異物８に起因したレーザ光Ｌの非照射領域Ａ１０３とが、それぞれ形成されることになる。換言すると、この非照射領域Ａ１０３は、レーザ光Ｌの照射の際に、異物８の影になった領域である。そして、このような非照射領域Ａ１０３では、支持基板９が可撓性基板１１から剥離しにくくなるか、あるいは剥離できなくなってしまう。つまり、支持基板９と可撓性基板１１との界面において、部分的に剥離困難な領域が生じることになる。その結果、この比較例に係る表示装置１の製造方法では、表示装置１を製造する際の歩留りが低下してしまうおそれがある。
【００３２】
（実施の形態）
これに対して本実施の形態に係る表示装置１の製造方法では、支持基板９を可撓性基板１１から剥離させる際に、以下のようにしてレーザ光の照射を行うようになっている。すなわち、本実施の形態では、支持基板９の裏面Ｓ２側から、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて、レーザ光を多方向（２以上の複数方向）から斜め照射することによって、支持基板９を可撓性基板１１から剥離させるようになっている。
【００３３】
具体的には、まず、例えば図７に示したように、支持基板９の裏面Ｓ２側から、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて、レーザ光の１回目の斜め照射を行う。詳細には、この例では、上記界面に対して、照射角度（入射角度）θ１（≠９０°，０°＜θ１＜９０°）にてレーザ光Ｌ１を照射することによって、１回目の斜め照射を行う。
【００３４】
ここで、上記比較例の場合と同様に、支持基板９上（この例では裏面Ｓ２上）に異物８が存在する場合（図７参照）、例えば図８に示したようになる。すなわち、支持基板９と可撓性基板１１との界面に、レーザ光Ｌ１の照射領域Ａ１１と、異物８に起因したレーザ光Ｌ１の非照射領域Ａ１２とが、それぞれ形成されることになる。ただし、本実施の形態では上記比較例とは異なり、レーザ光Ｌ１を界面に対して斜め照射していることから、支持基板９上における異物８の位置と、界面上における非照射領域Ａ１２の位置とが、照射角度θ１の大きさに応じて、互いにずれたものとなっている。
【００３５】
続いて、例えば図９に示したように、支持基板９の裏面Ｓ２側から、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて、レーザ光の２回目の斜め照射を行う。詳細には、この例では、上記界面に対して、１回目の照射角度θ１とは異なる照射角度θ２（≠９０°，０°＜θ２＜９０°）にてレーザ光Ｌ２を照射することによって、２回目の斜め照射を行う。つまり、１回目の照射角度θ１と２回目の照射角度θ２とが互いに異なっている（θ１≠θ２）ことで、多方向からのレーザ光の斜め照射を実現している。
【００３６】
すると、例えば図１０に示したように、この２回目の斜め照射によっても、支持基板９と可撓性基板１１との界面に、レーザ光Ｌ２の照射領域Ａ２１と、異物８に起因したレーザ光Ｌ２の非照射領域Ａ２２とが、それぞれ形成される。ただし、上記したように、１回目の照射角度θ１と２回目の照射角度θ２とが互いに異なっていることから、支持基板９と可撓性基板１１との界面全体では、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の双方とも非照射となる領域（レーザ光が全く照射されなかった領域）が、低減するか、あるいは無くなることになる。この図１０の例では、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の双方とも非照射となる領域が、界面全体で存在しなくなっている。
【００３７】
このようにして本実施の形態では、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けてレーザ光が多方向から斜め照射されることによって、支持基板９が可撓性基板１１から剥離される。これにより、例えば支持基板９上に異物や傷が存在するような場合であっても、そのような異物や傷に起因したレーザ光の非照射領域の発生が、低減もしくは回避される。その結果、支持基板９と可撓性基板１１との界面において、支持基板９が剥離困難となる領域が、生じにくくなるか、あるいは生じなくなる。
【００３８】
なお、本実施の形態では、より具体的には、例えば図１１に示したようにして、レーザ光の多方向からの斜め照射が行われる。すなわち、例えば、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の線状（矩形状）の照射領域Ａ１１，Ａ２１が、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近の面内方向で順次移動するようにして（図１１中の矢印Ｐ３参照）、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の斜め照射を行う（図１１中の矢印Ｐ２参照）。つまり、例えば、線状の照射領域Ａ１１，Ａ２１が順次移動するように、レーザ光Ｌ１，Ｌ２を斜め方向からスキャン照射するようにする。
【００３９】
また、このようなレーザ光の多方向からの斜め照射を行う際には、例えば、１または複数のレーザ光源を用いて、レーザ光の照射を行う。更に、レーザ光の多方向からの斜め照射を、レーザ光の１回または複数回の照射にて行う。なお、詳細については、後述する適用例１において説明する。
【００４０】
以上のように本実施の形態では、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けてレーザ光を多方向から斜め照射することによって、支持基板９を可撓性基板１１から剥離させるようにしたので、支持基板９上の異物や傷に起因したレーザ光の非照射領域の発生を、低減もしくは回避することができる。よって、表示装置１を製造する際の歩留りを向上させることが可能となる。
【００４１】
＜２．適用例１＞
続いて、上記実施の形態で説明した表示装置１の製造方法の、製造装置への適用例（適用例１）について説明する。すなわち、実施の形態で説明した表示装置１の製造方法を実現するための、表示装置１の製造装置について説明する。なお、実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００４２】
［第１の例］
図１２は、適用例１に係るフレキシブルデバイス（表示装置１）の製造装置（製造装置４）の構成例（第１の例）を、表示装置１の断面構成例とともに模式的に表したものである。この製造装置４は、素子形成部４０と、レーザ光源４１と、ビームスプリッタ４２と、２つのミラー４３１，４３２とを備えている。
【００４３】
素子形成部４０は、支持基板９が裏面に貼り合わされている可撓性基板１１の表面に、上記実施の形態にて説明した各種の形成方法にて、素子層等（この例では、ＴＦＴ層１２、表示素子層１３および保護層１４）を形成する機構部分である。
【００４４】
レーザ光源４１は、支持基板９の裏面Ｓ２側から支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて、レーザ光Ｌ０を照射する光源である。この第１の例では、このようなレーザ光源４１が１つだけ設けられている。また、この例では、この単一のレーザ光源４１は、支持基板９と可撓性基板１１との界面に対する垂直方向に、レーザ光Ｌ０を出射するようになっている。
【００４５】
ビームスプリッタ４２は、レーザ光源４１から出射されたレーザ光Ｌ０の光路を、複数（この例では２方向）に分離する光学部材である。具体的には、この例ではビームスプリッタ４２は、レーザ光Ｌ０を垂直方向にそれぞれ反射することで、レーザ光Ｌ０の光路を２方向に分離するようになっている。
【００４６】
ミラー４３１，４３２はそれぞれ、ビームスプリッタ４２から出射して光路上を進行するレーザ光を所定の反射角度にて反射することで、前述したレーザ光Ｌ１，Ｌ２を、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて照射する光学部材である。これにより、レーザ光Ｌ１，Ｌ２による多方向からの斜め照射が実現されるようになっている。
【００４７】
このような構成により製造装置４では、上記実施の形態と同様に、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて、レーザ光が多方向から斜め照射されることによって、支持基板９が可撓性基板１１から剥離される。したがって、この製造装置４を用いて表示装置１を製造することによって、上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能となる。すなわち、支持基板９上の異物や傷に起因したレーザ光の非照射領域の発生を低減もしくは回避することができ、その結果、表示装置１を製造する際の歩留りを向上させることが可能となる。
【００４８】
また、この第１の例では、界面付近に対する多方向からの斜め照射を、レーザ光の１回の照射（元となるレーザ光Ｌ０の出射）にて行っている。具体的には、レーザ光源４１から出射されたレーザ光Ｌ０の光路を、ビームスプリッタ４２を用いて複数に分離することによって、多方向からの斜め照射を、レーザ光Ｌ０の１回の出射にて行っている。したがって、特にこの第１の例では、製造装置４内に設けるレーザ光源４１が１つで済むことになり、製造装置４内の部材コストを低減することも可能となる。
【００４９】
なお、この第１の例では、例えば図１２中の矢印Ｐ４１，Ｐ４２でそれぞれ示したように、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の斜め照射の際の照射角度（照射角度θ１，θ２）が、例えばミラー４３１，４３２におけるレーザ光の反射角度を変化させることで、調整可能となっているようにしてもよい。このようにした場合、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の照射領域Ａ１１，Ａ２１を微調整することができるため、製造の歩留りを向上させ易くなり、ユーザの利便性を向上させることが可能となる。
【００５０】
［第２の例］
図１３は、適用例１に係る表示装置１の製造装置（製造装置４Ａ）の構成例（第２の例）を、表示装置１の断面構成例とともに模式的に表したものである。この製造装置４Ａは、素子形成部４０と、複数（２つ）のレーザ光源４１１，４１２とを備えている。
【００５１】
レーザ光源４１１は、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて、照射角度θ１にてレーザ光Ｌ１を出射することによって、レーザ光Ｌ１の斜め照射を行う光源である。同様に、レーザ光源４１２は、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて、照射角度θ２にてレーザ光Ｌ２を出射することによって、レーザ光Ｌ２の斜め照射を行う光源である。すなわち、この第２の例では、複数のレーザ光源４１１，４１２が個別にレーザ光Ｌ１，Ｌ２の斜め照射を行うことによって、多方向からのレーザ光の斜め照射が行われるようになっている。
【００５２】
このような構成により製造装置４Ａでは、上記実施の形態と同様に、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて、レーザ光が多方向から斜め照射されることによって、支持基板９が可撓性基板１１から剥離される。したがって、この製造装置４Ａを用いて表示装置１を製造することによって、上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能となる。すなわち、支持基板９上の異物や傷に起因したレーザ光の非照射領域の発生を低減もしくは回避することができ、その結果、表示装置１を製造する際の歩留りを向上させることが可能となる。
【００５３】
また、この第２の例では、複数のレーザ光源４１１，４１２が個別にレーザ光Ｌ１，Ｌ２の斜め照射を行うことによって、多方向からのレーザ光の斜め照射が行われる。また、この界面付近に対する多方向からの斜め照射を、レーザ光の１回または複数回の照射にて実現している。したがって、特にこの第２の例では、各レーザ光源４１１，４１２でのレーザ光Ｌ１，Ｌ２の出射パワーを、上記第１の例と比べて半分（１／２）に抑えることができ、製造装置４Ａにおける省電力化を図ることも可能となる。
【００５４】
なお、この第２の例においても、例えば図１３中の矢印Ｐ５１，Ｐ５２でそれぞれ示したように、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の斜め照射の際の照射角度（照射角度θ１，θ２）が、例えばレーザ光源４１１，４１２の配置方向（配置角度）を変化させることで、調整可能となっているようにしてもよい。このようにした場合、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の照射領域Ａ１１，Ａ２１を微調整することができるため、製造の歩留りを向上させ易くなり、ユーザの利便性を向上させることが可能となる。
【００５５】
［第３の例］
図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）は、適用例１に係る表示装置１の製造装置（製造装置４Ｂ）の構成例（第３の例）を、表示装置１の断面構成例とともに模式的に表したものである。この製造装置４Ｂは、素子形成部４０と、１つ（単一）のレーザ光源４１とを備えている。
【００５６】
この第３の例におけるレーザ光源４１は、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて、照射角度θ１（または照射角度θ２）にてレーザ光Ｌ１（またはレーザ光Ｌ２）を出射することによって、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の斜め照射を行う光源である。ただし、このレーザ光源４１自体からのレーザ光Ｌ１，Ｌ２の出射角度（照射角度θ１，θ２）は、固定されている。
【００５７】
そして、この第３の例では、例えば図１４（Ｂ）中の矢印Ｐ６で示したように、レーザ光Ｌ１の斜め照射（１回目の斜め照射）と、レーザ光Ｌ２の斜め照射（２回目の斜め照射）との間で、支持基板９が基板面内方向で回転するようになっている。つまり、それに伴って、支持基板９上の表示装置１全体も、基板面内で回転するようになっている。なお、このような支持基板９の回転動作は、例えば、製造装置４Ｂに設けられた回転機構を用いて自動的に行われるようにしてもよいし、あるいは、ユーザによる操作によって手動で行われるようにしてもよい。このようにして第３の例では、単一のレーザ光源４１による複数回のレーザ光の斜め照射の間に、支持基板９が基板面内で回転することで、多方向からのレーザ光の斜め照射が行われるようになっている。
【００５８】
このような構成により製造装置４Ｂでは、上記実施の形態と同様に、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けて、レーザ光が多方向から斜め照射されることによって、支持基板９が可撓性基板１１から剥離される。したがって、この製造装置４Ｂを用いて表示装置１を製造することによって、上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能となる。すなわち、支持基板９上の異物や傷に起因したレーザ光の非照射領域の発生を低減もしくは回避することができ、その結果、表示装置１を製造する際の歩留りを向上させることが可能となる。
【００５９】
また、この第３の例では、レーザ光源４１による斜め照射が行われてから、支持基板９が基板面内方向で回転された後に、レーザ光源４１による斜め照射が再度行われることによって、多方向からの斜め照射が行われる。したがって、特にこの第３の例では、製造装置４Ｂ自体の構成を簡易なものとすることも可能となる。
【００６０】
なお、この第３の例においても、例えば図１４（Ａ），図１４（Ｂ）中の矢印Ｐ６１，Ｐ６２でそれぞれ示したように、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の斜め照射の際の照射角度（照射角度θ１，θ２）が、例えばレーザ光源４１の配置方向（配置角度）を変化させることで、調整可能となっているようにしてもよい。このようにした場合、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の照射領域Ａ１１，Ａ２１を微調整することができるため、製造の歩留りを向上させ易くなり、ユーザの利便性を向上させることが可能となる。
【００６１】
＜３．適用例２＞
続いて、上記した実施の形態および適用例１に係るフレキシブルデバイス（表示装置１等）の、電子機器への適用例（適用例２）について説明する。
【００６２】
まず、本開示におけるフレキシブルデバイスの一具体例としての、表示装置および撮像装置のブロック構成例について、それぞれ説明する。
【００６３】
［表示装置１のブロック構成例］
図１５は、フレキシブルデバイスとしての表示装置１の概略構成例を、ブロック図で模式的に表したものである。この表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するものであり、前述した有機ＥＬディスプレイの他にも、例えば液晶ディスプレイなどにも適用される。表示装置１は、例えばタイミング制御部２１と、信号処理部２２と、駆動部２３と、表示画素部２４とを備えている。
【００６４】
タイミング制御部２１は、各種のタイミング信号（制御信号）を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、信号処理部２２等の駆動制御を行うものである。
【００６５】
信号処理部２２は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号に対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号を駆動部２３に出力するものである。
【００６６】
駆動部２３は、例えば走査線駆動回路および信号線駆動回路などを含んで構成され、各種制御線を介して表示画素部２４の各画素を駆動するものである。
【００６７】
表示画素部２４は、例えば有機ＥＬ素子または液晶表示素子等の表示素子（前述した表示素子層１３）と、表示素子を画素ごとに駆動するための画素回路とを含んで構成されている。これらのうち、例えば、駆動部２３または表示画素部２４の一部を構成する各種回路に、前述したＴＦＴ層１２を含む半導体装置１０が用いられている。
【００６８】
［撮像装置２のブロック構成例］
上記実施の形態等では、本開示におけるフレキシブルデバイスの具体例（半導体装置１０の適用例）として表示装置１を例に挙げて説明したが、本開示におけるフレキシブルデバイスが、表示装置１以外の他の装置（例えば撮像装置など）により構成されていてもよい。すなわち、半導体装置１０が、表示装置１の他にも、例えば撮像装置などに用いられてもよい。
【００６９】
図１６は、フレキシブルデバイスとしての撮像装置２の概略構成例を、ブロック図で模式的に表したものである。この撮像装置２は、例えば画像を電気信号として取得する固体撮像装置であり、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）またはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサなどから構成されている。撮像装置２は、例えばタイミング制御部２５と、駆動部２６と、撮像画素部２７と、信号処理部２８とを備えている。
【００７０】
タイミング制御部２５は、各種のタイミング信号（制御信号）を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、駆動部２６の駆動制御を行うものである。
【００７１】
駆動部２６は、例えば行選択回路、ＡＤ（Analog-to-Digital）変換回路および水平転送走査回路などを含んで構成され、各種制御線を介して撮像画素部２７の各画素から信号を読み出す駆動を行うものである。
【００７２】
撮像画素部２７は、例えばフォトダイオードなどの撮像素子（光電変換素子）と、信号読み出しのための画素回路とを含んで構成されている。なお、このような撮像素子としては、可視光を検出する素子の他、例えば、赤外光や紫外光、放射線（Ｘ線など）等を、直接もしくは間接的に検出する素子であってもよい。
【００７３】
信号処理部２８は、撮像画素部２７から得られた信号に対して様々な信号処理を施すものである。これらのうち、例えば、駆動部２６または撮像画素部２７の一部を構成する各種回路に、前述したＴＦＴ層１２を含む半導体装置１０が用いられている。
【００７４】
［電子機器の構成例］
上記実施の形態等において説明したフレキシブルデバイス（半導体装置１０を含む表示装置１または撮像装置２など）は、様々なタイプの電子機器に適用することが可能である。
【００７５】
図１７は、図１５に示した表示装置１または図１６に示した撮像装置２を備えた電子機器（電子機器３）への適用例（適用例２）を、ブロック図で表したものである。このような電子機器３としては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、スマートフォン、タブレット型ＰＣ、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
【００７６】
電子機器３は、例えば上記した表示装置１または撮像装置２と、インターフェース部３０とを備えている。インターフェース部３０は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部３０は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。
【００７７】
＜４．変形例＞
以上、実施の形態および適用例を挙げて本開示の技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【００７８】
例えば、上記実施の形態等に記載した各層の材料および厚みは列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。更に、半導体装置では、上記した全ての層を備えている必要はなく、あるいは上記した各層に加えて更に他の層を備えていてもよい。
【００７９】
また、レーザ光を多方向から斜め照射させる手法としては、上記実施の形態等で説明した手法には限られず、他の手法を用いて、多方向からの斜め照射を実現するようにしてもよい。具体的には、例えば、３以上の複数方向から、レーザ光の斜め照射を行うようにしてもよい。
【００８０】
更に、これまでに説明した各種の例を、任意の組み合わせで適用させるようにしてもよい。
【００８１】
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００８２】
また、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
互いに対向する第１面および第２面を有する支持基板における前記第１面を、可撓性基板の裏面に貼り合わせ、
前記可撓性基板の表面に素子層を形成し、
前記支持基板の前記第２面側から前記支持基板と前記可撓性基板との界面付近に向けて、レーザ光を多方向から斜め照射することにより、前記支持基板を前記可撓性基板から剥離させる
フレキシブルデバイスの製造方法。
（２）
前記界面付近に対する前記多方向からの前記斜め照射を、前記レーザ光の１回の照射にて行う
上記（１）に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（３）
レーザ光源から出射されたレーザ光の光路を、ビームスプリッタを用いて複数に分離することにより、前記多方向からの前記斜め照射を、前記レーザ光の１回の照射にて行う
上記（２）に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（４）
前記界面付近に対する前記多方向からの前記斜め照射を、前記レーザ光の複数回の照射にて行う
上記（１）に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（５）
前記レーザ光の前記斜め照射の際の照射角度が固定されており、
前記斜め照射を行ってから前記支持基板を面内方向で回転させた後に、前記斜め照射を再度行うことにより、前記多方向からの前記斜め照射を、前記レーザ光の複数回の照射にて行う
上記（４）に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（６）
１または複数のレーザ光源を用いて、前記界面付近に対する前記多方向からの前記斜め照射を行う
上記（１）ないし（５）のいずれかに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（７）
前記レーザ光の線状照射領域が前記界面付近の面内方向で順次移動するようにして、前記レーザ光の前記斜め照射を行う
上記（１）ないし（６）のいずれかに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（８）
前記レーザ光の前記斜め照射の際の照射角度が、調整可能となっている
上記（１）ないし（７）のいずれかに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（９）
前記可撓性基板と前記素子層とを有する前記フレキシブルデバイスが、表示装置または撮像装置である
上記（１）ないし（８）のいずれかに記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（１０）
前記表示装置が、有機ＥＬ表示装置である
上記（９）に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
（１１）
互いに対向する第１面および第２面を有する支持基板における前記第１面が裏面に貼り合わされている可撓性基板の表面に、素子層を形成する素子形成部と、
前記支持基板の前記第２面側から前記支持基板と前記可撓性基板との界面付近に向けてレーザ光を照射する、１または複数のレーザ光源と
を備え、
前記界面付近に向けて前記レーザ光が多方向から斜め照射されることによって、前記支持基板が前記可撓性基板から剥離される
フレキシブルデバイスの製造装置。
（１２）
前記レーザ光源が１つ設けられており、
前記レーザ光源から出射されたレーザ光の光路を複数に分離するビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタから出射して複数の光路上を進行するレーザ光をそれぞれ反射することによって、前記多方向からの前記斜め照射を行うミラーと
を更に備えた
上記（１１）に記載のフレキシブルデバイスの製造装置。
（１３）
前記レーザ光源が複数設けられており、
複数の前記レーザ光源が個別に前記斜め照射を行うことによって、前記多方向からの前記斜め照射が行われる
上記（１１）に記載のフレキシブルデバイスの製造装置。
（１４）
前記レーザ光源が１つ設けられていると共に、前記レーザ光の前記斜め照射の際の照射角度が固定されており、
前記レーザ光源による前記斜め照射が行われてから、前記支持基板が面内方向で回転された後に、前記レーザ光源による前記斜め照射が再度行われることによって、前記多方向からの前記斜め照射が行われる
上記（１１）に記載のフレキシブルデバイスの製造装置。
【符号の説明】
【００８３】
１…表示装置（フレキシブルデバイス）、１０…半導体装置、１１…可撓性基板、１２…ＴＦＴ層、１３…表示素子層、１４…保護層、２…撮像装置（フレキシブルデバイス）、２１，２５…タイミング制御部、２２，２８…信号処理部、２３，２６…駆動部、２４…表示画素部、２７…撮像画素部、３…電子機器、３０…インターフェース部、４，４Ａ，４Ｂ…製造装置、４０…素子形成部、４１，４１１，４１２…レーザ光源、４２…ビームスプリッタ、４３１，４３２…ミラー、８…異物、９…支持基板、Ｓ１…表面、Ｓ２…裏面、Ｌ，Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２…レーザ光、θ１，θ２…照射角度（入射角度）、Ａ１１，Ａ２１…照射領域、Ａ１２，Ａ２２…非照射領域。
【図１】
2017212135.tif 000003
【図２】
2017212135.tif 000004
【図３】
2017212135.tif 000005
【図４】
2017212135.tif 000006
【図５】
2017212135.tif 000007
【図６】
2017212135.tif 000008
【図７】
2017212135.tif 000009
【図８】
2017212135.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2017212135.tif 000012
【図１１】
2017212135.tif 000013
【図１２】
2017212135.tif 000014
【図１３】
2017212135.tif 000015
【図１４】
2017212135.tif 000016
【図１５】
2017212135.tif 000017
【図１６】
2017212135.tif 000018
【図１７】
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