(57)【要約】【課題】剥離工程を用いて、繰り返しの曲げに強い装置を作製する。剥離工程を用いて、非常に小さい曲率半径で曲げることができる装置を作製する。【解決手段】基板上に第１の絶縁層を形成する第１の工程と、第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する第２の工程と、第２の絶縁層上に剥離層を形成する第３の工程と、剥離層の表面にプラズマ処理を行う第４の工程と、剥離層上に第３の絶縁層を形成する第５の工程と、加熱処理を行う第６の工程と、剥離層と第３の絶縁層とを分離する第７の工程と、を有する。第１の絶縁層及び第３の絶縁層は、水素をブロックする機能を有し、例えば、窒化シリコン膜などを有する。第２の絶縁層は、加熱されることで水素を放出する機能を有し、例えば、酸化シリコン膜などを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁層を形成する、第１の工程と、
前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する、第２の工程と、
前記第２の絶縁層上に剥離層を形成する、第３の工程と、
前記剥離層の表面にプラズマ処理を行う、第４の工程と、
前記剥離層上に第３の絶縁層を形成する、第５の工程と、
加熱処理を行う、第６の工程と、
前記剥離層と前記第３の絶縁層とを分離する、第７の工程と、を有し、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、それぞれ、シリコン及び窒素を含み、
前記第２の絶縁層は、シリコン及び酸素を含む、剥離方法。
【請求項２】
基板上に第１の絶縁層を形成する、第１の工程と、
前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する、第２の工程と、
前記第２の絶縁層上に剥離層を形成する、第３の工程と、
前記剥離層の表面にプラズマ処理を行う、第４の工程と、
前記剥離層上に第３の絶縁層を形成する、第５の工程と、
加熱処理を行う、第６の工程と、
前記剥離層と前記第３の絶縁層とを分離する、第７の工程と、を有し、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、それぞれ、水素をブロックする機能を有し、
前記第２の絶縁層は、加熱されることで水素を放出する機能を有する、剥離方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、それぞれ、窒化シリコンを含む、剥離方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第２の絶縁層は、酸化窒化シリコンを含む、剥離方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、同一の成膜条件で成膜される、剥離方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記プラズマ処理は、亜酸化窒素を含む雰囲気下で行われる、剥離方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記プラズマ処理は、亜酸化窒素及びシランを含む雰囲気下で行われる、剥離方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記第４の工程では、前記プラズマ処理を行うことで、前記剥離層上に第４の絶縁層を形成する、剥離方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記第４の工程では、前記プラズマ処理を行うことで、前記剥離層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層は、前記剥離層に含まれる材料の少なくとも一つを含む、剥離方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第３の工程では、タングステンを含む前記剥離層を形成し、
前記第４の工程では、前記プラズマ処理を行うことで、タングステン及び酸素を含む前記酸化物層を形成する、剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、剥離方法、及び、剥離工程を有する装置の作製方法に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、可撓性を有する基板上に半導体素子、表示素子、発光素子などの機能素子が設けられたフレキシブルデバイスの開発が進められている。フレキシブルデバイスの代表的な例としては、照明装置、画像表示装置の他、トランジスタなどの半導体素子を有する種々の半導体回路などが挙げられる。
【０００４】
可撓性を有する基板を用いた装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板などの作製基板上に薄膜トランジスタや有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などの機能素子を作製したのち、可撓性を有する基板に該機能素子を転置する技術が開発されている。この方法では、作製基板から機能素子を含む層を剥離する工程（剥離工程と記す）が必要である。
【０００５】
例えば、特許文献１に開示されているレーザアブレーションを用いた剥離技術では、まず、基板上に非晶質シリコンなどからなる分離層を設け、分離層上に薄膜素子からなる被剥離層を設け、被剥離層を接着層により転写体に接着させる。そして、レーザ光の照射により分離層をアブレーションさせることで、分離層に剥離を生じさせている。
【０００６】
また、特許文献２には人の手などの物理的な力で剥離を行う技術が記載されている。特許文献２では、基板と酸化物層との間に金属層を形成し、酸化物層と金属層との結合が弱いことを利用して、酸化物層と金属層との界面で剥離を生じさせることで、被剥離層と基板とを分離している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【特許文献２】特開２００３−１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の一態様は、繰り返し曲げることができるフレキシブルデバイスを作製することを課題の一つとする。本発明の一態様は、非常に小さい曲率半径で曲げることができるフレキシブルデバイスを作製することを課題の一つとする。
【０００９】
本発明の一態様は、新規な剥離方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、剥離工程を用いて、繰り返しの曲げに強い装置を作製することを課題の一つとする。本発明の一態様は、剥離工程を用いて、非常に小さい曲率半径で曲げることができる装置を作製することを課題の一つとする。
【００１０】
本発明の一態様は、剥離工程における歩留まりを向上することを課題の一とする。本発明の一態様は、剥離性の高い剥離方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、生産性の高い装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【００１１】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様の剥離方法は、基板上に第１の絶縁層を形成する第１の工程と、第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する第２の工程と、第２の絶縁層上に剥離層を形成する第３の工程と、剥離層の表面にプラズマ処理を行う第４の工程と、剥離層上に第３の絶縁層を形成する第５の工程と、加熱処理を行う第６の工程と、剥離層と第３の絶縁層とを分離する第７の工程と、を有する。
【００１３】
本発明の一態様において、第１の絶縁層及び第３の絶縁層は、それぞれ、水素をブロックする機能を有する。本発明の一態様において、第１の絶縁層及び第３の絶縁層は、それぞれ、シリコン及び窒素を含む。
【００１４】
本発明の一態様において、第２の絶縁層は、加熱されることで水素を放出する機能を有する。本発明の一態様において、第２の絶縁層は、シリコン及び酸素を含む。
【００１５】
第１の絶縁層及び第３の絶縁層は、それぞれ窒化シリコンを含むことが好ましい。
【００１６】
第１の絶縁層及び第３の絶縁層は、同一の成膜条件で成膜されることが好ましい。
【００１７】
第２の絶縁層は、酸化窒化シリコンを含むことが好ましい。
【００１８】
プラズマ処理は、亜酸化窒素を含む雰囲気下で行われることが好ましい。プラズマ処理は、亜酸化窒素及びシランを含む雰囲気下で行われることが好ましい。
【００１９】
第４の工程では、プラズマ処理を行うことで、剥離層上に第４の絶縁層を形成することが好ましい。
【００２０】
第４の工程では、プラズマ処理を行うことで、剥離層上に酸化物層を形成することが好ましい。酸化物層は、剥離層に含まれる材料の少なくとも一つを含む。
【００２１】
第３の工程では、タングステンを含む剥離層を形成することが好ましい。第４の工程では、プラズマ処理を行うことで、タングステン及び酸素を含む酸化物層を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一態様により、繰り返し曲げることができるフレキシブルデバイスを作製することができる。本発明の一態様により、非常に小さい曲率半径で曲げることができるフレキシブルデバイスを作製することができる。
【００２３】
本発明の一態様により、新規な剥離方法を提供することができる。本発明の一態様により、剥離工程を用いて、薄型の装置を作製することができる。装置を薄型化することで、繰り返しの曲げに強くすることができる。装置を薄型化することで、非常に小さい曲率半径で曲げることができる。
【００２４】
本発明の一態様により、剥離工程における歩留まりを向上することができる。本発明の一態様により、剥離性の高い剥離方法を提供することができる。本発明の一態様により、生産性の高い装置の作製方法を提供することができる。
【００２５】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】剥離方法の一例を示す断面図。
【図２】剥離方法の一例を示す断面図。
【図３】発光装置の一例を示す上面図。
【図４】発光装置の一例を示す断面図。
【図５】発光装置の作製方法の一例を示す断面図。
【図６】発光装置の作製方法の一例を示す断面図。
【図７】発光装置の作製方法の一例を示す断面図。
【図８】発光装置の一例を示す断面図。
【図９】発光装置の一例を示す断面図。
【図１０】タッチパネルの一例を示す斜視図。
【図１１】タッチパネルの一例を示す断面図。
【図１２】タッチパネルの一例を示す断面図、並びに、トランジスタの上面図及び断面図。
【図１３】タッチパネルの一例を示す断面図。
【図１４】タッチパネルの一例を示す断面図。
【図１５】タッチパネルの一例を示す断面図。
【図１６】タッチパネルの一例を示す斜視図。
【図１７】タッチパネルの一例を示す断面図。
【図１８】タッチパネルの一例を示す断面図。
【図１９】電子機器及び照明装置の一例を示す図。
【図２０】電子機器の一例を示す図。
【図２１】電子機器の一例を示す図。
【図２２】（Ａ）実施例１の試料ＡのＴＤＳの結果を示す図。（Ｂ）実施例１の試料ＢのＴＤＳの結果を示す図。（Ｃ）実施例１の試料ＣのＴＤＳの結果を示す図。
【図２３】（Ａ）実施例１の試料ＡのＴＤＳの結果を示す図。（Ｂ）実施例１の試料ＢのＴＤＳの結果を示す図。（Ｃ）実施例１の試料ＣのＴＤＳの結果を示す図。
【図２４】（Ａ）実施例２の剥離に要する力の測定に用いた装置を示す斜視図。（Ｂ）実施例２の試料１を示す断面図。（Ｃ）、（Ｄ）実施例２の比較試料２を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２８】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００２９】
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００３０】
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。
【００３１】
なお、本明細書等において「酸化窒化シリコン」とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものをいう。また、本明細書等において、「窒化酸化シリコン」とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものをいう。
【００３２】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法について、説明する。
【００３３】
本発明の一態様では、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に剥離層を形成し、剥離層の表面にプラズマ処理を行い、プラズマ処理が施された剥離層上に第３の絶縁層を形成し、加熱処理を行った後、剥離層と第３の絶縁層とを分離する。
【００３４】
第３の絶縁層上には、機能素子を形成することができる。その後、剥離層と第３の絶縁層とを分離することで、基板から機能素子を分離し、可撓性を有する基板に該機能素子を転置することができる。これにより、フレキシブルデバイスを作製することができる。
【００３５】
第１の絶縁層及び第３の絶縁層は、それぞれ、水素をブロックする機能を有する。第２の絶縁層は、加熱されることで水素を放出する機能を有する。
【００３６】
剥離層の表面にプラズマ処理を行うことで、剥離層の表面状態を変化させる。プラズマ処理後に行われる加熱処理では、第２の絶縁層から水素が放出されることで、剥離層の状態が変化した領域に、水素が供給される。第１の絶縁層及び第３の絶縁層が水素をブロックする機能を有するため、第２の絶縁層から放出された水素は、第１の絶縁層及び第３の絶縁層を透過しにくい。したがって、剥離層の状態が変化した領域に水素を効率よく供給することができる。
【００３７】
例えば、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を含む雰囲気下でプラズマ処理を行うことで、剥離層の表面を酸化し、酸化物層を形成することができる。該酸化物層は、剥離層に含まれる材料の酸化物を含む。例えば、剥離層にタングステンを含む場合、酸化タングステンを含む酸化物層を形成することができる。
【００３８】
加熱処理により、第２の絶縁層から水素が放出されることで、酸化物層に水素が供給される。
【００３９】
第２の絶縁層は、加熱されることで、水素だけでなく窒素も放出する機能を有していてもよい。加熱処理により、第２の絶縁層から窒素が放出されることで、酸化物層に窒素が供給される。
【００４０】
第１の絶縁層及び第３の絶縁層は、水素及び窒素をブロックする機能を有していてもよい。これにより、第２の絶縁層から放出された水素及び窒素が、第１の絶縁層及び第３の絶縁層を透過することを抑制できる。したがって、酸化物層に水素及び窒素を効率よく供給することができる。
【００４１】
酸化物層内に供給された水素により、酸化物層内の酸化物が還元され、酸化物層中に酸素の組成の異なる複数の酸化物が混在した状態となる。例えば、剥離層にタングステンを含む場合には、プラズマ処理により形成されたＷＯ３が還元され、ＷＯ３よりも酸素の組成の少ないＷＯｘ（２＜ｘ＜３）やＷＯ２が生成され、これらが混在した状態となる。このような混合金属酸化物は酸素の組成に応じて異なる結晶構造を示すため、酸化物層内の機械的強度が脆弱化する。その結果、酸化物層の内部で崩壊しやすい状態が実現され、後の剥離工程における剥離性を向上させることができる。
【００４２】
さらに、酸化物層に供給された窒素により、剥離層に含まれる材料と窒素を含む化合物も生成される。このような化合物の存在により、酸化物層の機械的強度をより脆弱化させることができ、剥離性を高めることができる。剥離層に金属を含む場合、酸化物層に金属と窒素を含む化合物（金属窒化物）が生成される。例えば、剥離層にタングステンを含む場合には、タングステン窒化物が酸化物層に生成される。
【００４３】
酸化物層内に供給する水素が多いほど、ＷＯ３が還元されやすく、酸化物層中に酸素の組成の異なる複数の酸化物が混在した状態となりやすいため、剥離に要する力を少なくすることができる。酸化物層内に供給する窒素が多いほど、酸化物層の機械的強度を脆弱化させることができ、剥離に要する力を少なくすることができる。
【００４４】
水素（及び窒素）を放出する機能を有する層は、厚いほど、水素（及び窒素）を多く放出することができる。
【００４５】
剥離層と第３の絶縁層の間に、水素（及び窒素）を放出する機能を有する層を設ける場合、水素（及び窒素）を放出する機能を有する層がフレキシブルデバイスの構成要素の一つとなる。フレキシブルデバイスが厚いと、繰り返し曲げること、または、非常に小さい曲率半径で曲げることが難しくなる場合がある。フレキシブルデバイスを構成する積層構造のうち、中立面（応力歪みが発生しない面、伸び縮みしない面）から遠い層ほど、曲げにより大きな応力がかかり、破損しやすくなる。
【００４６】
本発明の一態様では、基板と剥離層の間に第２の絶縁層を設ける。第２の絶縁層は、フレキシブルデバイスを構成する層ではないため、厚く設けることができる。第２の絶縁層から水素を十分に放出させることで、被剥離層に水素（及び窒素）を放出する機能を有する層を設ける必要が無くなる。被剥離層の厚さ（及びフレキシブルデバイスの厚さ）を薄くすることができ、かつ、歩留まりよく剥離を行うことができる。フレキシブルデバイス自体の厚さを薄くすることで、曲げにより大きな応力がかかることを抑制でき、フレキシブルデバイスの破損を抑制できる。
【００４７】
本発明の一態様の剥離方法は、剥離層の、第３の絶縁層と接する面の状態を変える工程を有するため、第２の絶縁層と剥離層の間ではなく、剥離層と第３の絶縁層の間で確実に剥離を行うことができる。
【００４８】
本発明の一態様の剥離方法を用いて作製することができる装置としては、半導体装置、表示装置、発光装置、入出力装置等が挙げられる。表示装置が有する表示素子としては、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ等の発光素子、液晶素子、電気泳動素子、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子等が挙げられる。
【００４９】
本発明の一態様を用いることで、半導体装置、発光装置、表示装置、及び入出力装置等の薄型化、軽量化、及びフレキシブル化が可能となる。また、繰り返し曲げることができるフレキシブルデバイス、または、非常に小さい曲率半径で曲げることができるフレキシブルデバイスを作製することができる。
【００５０】
以下では、本発明の一態様の剥離方法について、図１及び図２を用いて説明する。なお、本実施の形態で説明に用いる図面には、酸化物層を図示している（図１（Ｄ）等に示す酸化物層１１１参照）が、本発明の一態様で形成する酸化物層は極めて薄く、視認や断面観察等での確認が困難である場合がある。
【００５１】
［第１の工程］
まず、作製基板１００上に、第１の絶縁層１０１を形成する（図１（Ａ））。
【００５２】
作製基板１００には、少なくとも作製工程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を用いる。作製基板１００としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板、プラスチック基板などを用いることができる。
【００５３】
なお、量産性を向上させるため、作製基板１００として大型のガラス基板を用いることが好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）以上第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）以下の各ガラス基板、又は第１０世代よりも大型のガラス基板を用いることが好ましい。
【００５４】
第１の絶縁層１０１は、窒素及びシリコンを含むことが好ましい。第１の絶縁層１０１としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜を用いることができる。特に、窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜が好ましい。
【００５５】
第１の絶縁層１０１は、後の加熱工程において、第２の絶縁層１０２から放出された水素（及び窒素）をブロックする機能を有する。
【００５６】
第１の絶縁層１０１は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの成膜方法により形成できる。例えば、第１の絶縁層１０１に含まれる窒化シリコン膜を、シランガス、水素ガス、及びアンモニア（ＮＨ３）ガスを含む成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜する。
【００５７】
第１の絶縁層１０１の厚さは特に限定されない。例えば、５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さとすることができる。
【００５８】
第１の絶縁層１０１に生じる応力の絶対値が小さいほど、作製基板１００の反りを抑制でき、好ましい。第１の絶縁層１０１に生じる応力の絶対値は、０Ｐａ以上５００ＭＰａ以下であることが好ましく、０Ｐａ以上１００ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。作製基板１００の反りを低減することで、作製基板１００が大判であっても、作製基板１００を容易に搬送することができる。
【００５９】
作製基板１００上に形成される積層構造に生じる応力の絶対値が小さいほど、作製基板１００の反りを抑制できる。当該積層構造に生じる応力の絶対値は、０Ｐａ以上５００ＭＰａ以下であることが好ましく、０Ｐａ以上１００ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。
【００６０】
なお、作製基板１００の水素（及び窒素）のブロック性が十分に高い場合、第１の絶縁層１０１を設けなくてもよいことがある。その際は、作製基板１００上に接して第２の絶縁層１０２を設けてもよい。
【００６１】
［第２の工程］
次に、第１の絶縁層１０１上に、第２の絶縁層１０２を形成する（図１（Ａ））。
【００６２】
第２の絶縁層１０２としては、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜を用いることができる。第２の絶縁層１０２は、酸素及びシリコンを含むことが好ましい。第２の絶縁層１０２は、さらに、窒素を含むことが好ましい。
【００６３】
第２の絶縁層１０２は、さらに水素を含むことが好ましい。第２の絶縁層１０２は、後の加熱工程において、水素を放出する機能を有する。また、第２の絶縁層１０２は、後の加熱工程において、水素及び窒素を放出する機能を有していてもよい。
【００６４】
第２の絶縁層１０２は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により検出される水素濃度が１．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５．０×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を含むことが好ましい。
【００６５】
第２の絶縁層１０２は、ＳＩＭＳにより検出される窒素濃度が５．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０２３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１．０×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５．０×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を含むことが好ましい。
【００６６】
第２の絶縁層１０２は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などの成膜方法により形成できる。特に、第２の絶縁層１０２に含まれる酸化窒化シリコン膜を、シランガス及び亜酸化窒素ガスを含む成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜することで、多量の水素及び窒素を膜中に含有させることができるため好ましい。また、成膜ガス中のシランガスの割合を大きくするほど、後の加熱工程において水素の放出量が多くなるため好ましい。
【００６７】
第２の絶縁層１０２の厚さが厚いほど、水素及び窒素の放出量が多くなるため好ましいが、生産性を考慮した厚さに設定することが好ましい。第２の絶縁層１０２の厚さは、１ｎｍ以上１μｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下がさらに好ましく、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下が特に好ましい。
【００６８】
第２の絶縁層１０２に生じる応力の絶対値が小さいほど、作製基板１００の反りを抑制でき、好ましい。第２の絶縁層１０２に生じる応力の絶対値は、０Ｐａ以上５００ＭＰａ以下であることが好ましく、０Ｐａ以上１００ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。
【００６９】
第１の絶縁層１０１及び第２の絶縁層１０２の少なくとも一方は、下地膜を兼ねることができる。例えば、作製基板１００にガラス基板を用いる場合、作製基板１００と剥離層１０７との間に下地膜を有すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
【００７０】
なお、第１の絶縁層１０１と第２の絶縁層１０２の間に他の層を有していてもよい。
【００７１】
［第３の工程］
次に、第２の絶縁層１０２上に、剥離層１０７を形成する（図１（Ｂ））。
【００７２】
剥離層１０７には、無機材料を用いることができる。無機材料としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金、又は該元素を含む化合物等が挙げられる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【００７３】
剥離層１０７に、タングステン、チタン、モリブデンなどの高融点金属を用いると、被剥離層１１０の形成工程の自由度が高まるため好ましい。
【００７４】
剥離層１０７が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。例えば、Ｍｏ：Ｗ＝３：１、１：１、又は１：３（いずれも原子数比）などのモリブデンとタングステンの合金膜を用いてもよい。また、モリブデンとタングステンの合金膜は、例えば、Ｍｏ：Ｗ＝４９：５１、６１：３９、又は１４．８：８５．２（いずれも重量％）の組成の金属ターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。
【００７５】
剥離層１０７は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法（スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、印刷法、蒸着法等により形成できる。
【００７６】
剥離層１０７の厚さは、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【００７７】
本実施の形態では、タングステンを用いて剥離層１０７を形成する。
【００７８】
なお、剥離層１０７と第２の絶縁層１０２は接していなくてもよく、剥離層１０７と第２の絶縁層１０２の間に他の層を有していてもよい。
【００７９】
［第４の工程］
次に、剥離層１０７の表面にプラズマ処理を行う（図１（Ｃ）の点線で示す矢印参照）。
【００８０】
剥離層１０７の表面状態を変えることにより、剥離層１０７と後に形成される被剥離層１１０との密着性を制御することが可能である。
【００８１】
プラズマ処理は、亜酸化窒素を含む雰囲気下で行うことが好ましい。これにより、剥離層１０７の表面が酸化され、剥離層１０７上に、剥離層１０７を構成する材料の酸化物層１１１を形成することができる（図１（Ｄ））。
【００８２】
プラズマ処理は、亜酸化窒素及びシランを含む雰囲気下で行うことが好ましい。この方法によると、とても薄い厚さの酸化物層１１１を形成することができる。酸化物層１１１は、電子顕微鏡等による断面観察で確認が困難な程度に薄い膜であってもよい。酸化物層１１１がとても薄い厚さであると、発光装置または表示装置の光取り出し効率の低下を抑制できる。または、半導体素子の特性変動を抑制できる。
【００８３】
第４の工程において、亜酸化窒素とシランを含む雰囲気下でプラズマ処理を行うと、亜酸化窒素により剥離層１０７の表面が酸化されると同時に、シランにより剥離層１０７上に膜（例えば、酸化窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜など）が形成されることがある。例えば、プラズマ処理中に、厚さ１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の絶縁層が形成されてもよい。プラズマ処理中に、剥離層１０７上に絶縁層が形成されることで、剥離層１０７の酸化の進行を制御することができる。これにより、剥離層１０７上に、薄膜の酸化物層１１１を形成することができる。
【００８４】
なお、剥離層１０７と被剥離層１１０の分離後、露出した剥離層１０７の表面または被剥離層１１０の表面に対して、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ‐ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）などを用いた分析を行うことで、酸化物（さらには窒化物）の存在を確認することができる。つまり、電子顕微鏡等による断面観察で酸化物層１１１の確認が困難であっても、酸化物層１１１が形成されたことを、ＸＰＳ分析等を用いて確認することができる。
【００８５】
プラズマ処理は、亜酸化窒素、シラン、及びアンモニアを含む雰囲気下で行うことが好ましい。これにより、第２の絶縁層１０２から剥離層１０７（または酸化物層１１１）へ供給する水素量及び窒素量を低減することができる。これは、当該雰囲気下で行うプラズマ処理を行うことで、酸化物層１１１の形成とともに、酸化物層１１１に水素及び窒素を供給できるためと考えられる。したがって、第２の絶縁層１０２の薄膜化が可能となり、生産性を向上させることができる。
【００８６】
また、上記のプラズマ処理に限らず、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、又はオゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って、酸化物層１１１を形成してもよい。
【００８７】
酸化物層１１１は、剥離層に含まれる材料の酸化物を含む層である。剥離層１０７が金属を含む場合、酸化物層１１１は、剥離層１０７に含まれる金属の酸化物を含む層である。酸化物層１１１は、タングステン酸化物、チタン酸化物、又はモリブデン酸化物を含むことが好ましい。
【００８８】
タングステン酸化物は一般にＷＯｘ（２≦ｘ＜３）で表記され、代表的にはＷＯ３、Ｗ２Ｏ５、Ｗ４Ｏ１１、ＷＯ２といった様々な組成をとりうる不定比性化合物としても存在する。またチタン酸化物及びモリブデン酸化物も同様に、不定比性化合物としても存在する。
【００８９】
本実施の形態では、酸化物層１１１がタングステン酸化物を含む。
【００９０】
酸化物層１１１の厚さは、１ｎｍ以上１５ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上５ｎｍ未満、より好ましくは１ｎｍ以上３ｎｍ以下とする。酸化物層１１１の厚さは、１ｎｍ未満であってもよい。なお、上述の通り、酸化物層１１１が極めて薄い場合には、断面観察像で確認が困難である。
【００９１】
この段階における酸化物層１１１は、酸素を多く含む状態であることが好ましい。例えば剥離層１０７としてタングステンを用いた場合には、酸化物層１１１がＷＯ３を主成分とするタングステン酸化物であることが好ましい。
【００９２】
本発明の一態様では、プラズマ処理を用いて酸化物層１１１を形成するため、酸化物層１１１の厚さをプラズマ処理の条件によって変化させることができる。なお、本発明の一態様では、シランの代わりに、ジシラン又はトリシランを用いてもよい。
【００９３】
［第５の工程］
次に、剥離層１０７（又は酸化物層１１１）上に被剥離層１１０を形成する。本実施の形態では、被剥離層１１０として、第３の絶縁層１０３及び素子層１０４を形成する（図１（Ｄ））。
【００９４】
第３の絶縁層１０３は、窒素及びシリコンを含むことが好ましい。
【００９５】
第３の絶縁層１０３は、後の加熱工程において、第２の絶縁層１０２から放出された水素（及び窒素）をブロックする機能を有する。
【００９６】
第３の絶縁層１０３に用いることができる材料及び成膜方法は、第１の絶縁層１０１に用いることができる材料及び成膜方法と同様である。第１の絶縁層１０１及び第３の絶縁層１０３は、同一の成膜条件で成膜してもよい。
【００９７】
第３の絶縁層１０３の厚さは、特に限定されない。例えば、５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さとすることができる。
【００９８】
第３の絶縁層１０３に生じる応力の絶対値が小さいほど、作製基板１００の反りを抑制でき、好ましい。第３の絶縁層１０３に生じる応力の絶対値は、０Ｐａ以上５００ＭＰａ以下であることが好ましく、０Ｐａ以上１００ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。
【００９９】
なお、酸化物層１１１と第３の絶縁層１０３は接していなくてもよく、酸化物層１１１と第３の絶縁層１０３の間に他の層を有していてもよい。
【０１００】
被剥離層１１０は、第３の絶縁層１０３の他に、絶縁層を有していてもよい。
【０１０１】
被剥離層１１０は、機能素子を有していてもよい。機能素子は第３の絶縁層１０３上に形成することができる（本実施の形態では、素子層１０４として記す）。例えば、トランジスタを用いたフレキシブルデバイスに本発明の一態様を適用する場合には、第３の絶縁層１０３上にトランジスタを作製する。
【０１０２】
なお、第６の工程と第７の工程の間に、機能素子を作製する工程を有していてもよい。加熱処理の後に機能素子を作製することで、加熱処理によって、機能素子の耐熱性が制限されない。
【０１０３】
［第６の工程］
次に、加熱処理を行う。これにより、第６の工程よりも前に作製基板１００上に形成された各層が加熱される。
【０１０４】
加熱処理を行うことにより、第２の絶縁層１０２から水素（及び窒素）が放出され、酸化物層１１１に供給される。このとき、第１の絶縁層１０１及び第３の絶縁層１０３が、放出された水素（及び窒素）をブロックするため、酸化物層１１１に水素（及び窒素）を効率よく供給することができる。
【０１０５】
加熱処理は、第２の絶縁層１０２から水素（及び窒素）が脱離する温度以上、作製基板１００の軟化点以下で行えばよい。また、酸化物層１１１内の金属酸化物の水素による還元反応が生じる温度以上で加熱を行うことが好ましい。加熱処理の温度が高いほど、第２の絶縁層１０２からの水素（及び窒素）の脱離量が高まるため、その後の剥離性を向上させることができる。なお、加熱時間、加熱温度によっては、剥離性が高くなりすぎ、意図しないタイミングで剥離が生じる場合がある。したがって、剥離層１０７にタングステンを用いる場合には、３００℃以上７００℃未満、好ましくは４００℃以上６５０℃未満、より好ましくは４００℃以上５００℃以下の温度で加熱する。
【０１０６】
加熱処理を行う雰囲気は特に限定されず、大気雰囲気下で行ってもよいが、窒素や希ガスなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１０７】
加熱処理により被剥離層１１０から放出された水素や窒素は、第３の絶縁層１０３と剥離層１０７との間にトラップされる。その結果、酸化物層１１１内に、水素濃度や窒素濃度の高い領域が形成される。例えば、酸化物層１１１中に、ＳＩＭＳにより検出される水素濃度が、第２の絶縁層１０２よりも高い領域が形成される。または、酸化物層１１１中に、ＳＩＭＳにより検出される窒素濃度が、第２の絶縁層１０２よりも高い領域が形成される。
【０１０８】
加熱処理後、第１の絶縁層１０１、第２の絶縁層１０２、及び第３の絶縁層１０３を有する積層構造に生じる応力の絶対値が小さいほど、作製基板１００の反りを抑制でき、好ましい。該積層構造に生じる応力の絶対値は、０Ｐａ以上５００ＭＰａ以下であることが好ましく、０Ｐａ以上１００ＭＰａ以下であることがより好ましく、０Ｐａ以上３０ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。該積層構造に引張応力が生じていると、剥離に要する力が小さくなり好ましい。該積層構造に圧縮応力が生じていると、剥離の際に、積層構造にクラックが生じることを抑制でき、好ましい。
【０１０９】
続いて、作製基板１００と基板１２０とを接着層１２１により貼り合わせる（図２（Ａ））。
【０１１０】
基板１２０としては、作製基板１００に用いることができる各種基板を適用できる。また、可撓性を有する基板を用いてもよい。また、基板１２０として、トランジスタなどの半導体素子、有機ＥＬ素子などの発光素子、液晶素子、検知素子などの機能素子やカラーフィルタ等があらかじめ形成された基板を用いてもよい。
【０１１１】
接着層１２１としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着層１２１として、水溶性樹脂、有機溶媒に可溶な樹脂、紫外線などの照射により可塑化させることが可能である樹脂等、必要時に基板１２０と被剥離層１１０とを分離することが可能な接着剤を用いてもよい。
【０１１２】
［第７の工程］
そして、剥離層１０７と被剥離層１１０を分離する（図２（Ｂ））。
【０１１３】
剥離の方法としては、例えば作製基板１００又は基板１２０を吸着ステージに固定し、剥離層１０７と被剥離層１１０の間に剥離の起点を形成する。例えば、これらの間に刃物などの鋭利な形状の器具を差し込むことで剥離の起点を形成してもよい。また、レーザ光を照射し剥離層１０７の一部を溶解させることで剥離の起点を形成してもよい。また、液体（例えばアルコールや水、二酸化炭素を含む水など）を例えば剥離層１０７や被剥離層１１０の端部に滴下し、毛細管現象を利用して該液体を剥離層１０７と被剥離層１１０の境界に浸透させることにより剥離の起点を形成してもよい。
【０１１４】
次いで、剥離の起点が形成された部分において、密着面に対して概略垂直方向に、緩やかに物理的な力を加えること（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）により、被剥離層１１０を破損することなく剥離することができる。例えば、作製基板１００又は基板１２０にテープ等を貼り付け、当該テープを上記方向に引っ張ることで剥離を行ってもよいし、鉤状の部材を作製基板１００又は基板１２０の端部に引っかけて剥離を行ってもよい。また、粘着性の部材や真空吸着が可能な部材を作製基板１００又は基板１２０の裏面に吸着させて引っ張ることにより、剥離を行ってもよい。
【０１１５】
ここで、剥離時に、剥離界面に水や水溶液など、水を含む液体を添加し、該液体が剥離界面に浸透するように剥離を行うことで、剥離性を向上させることができる。また、剥離時に生じる静電気が、被剥離層１１０に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気により破壊されるなど）を抑制できる。
【０１１６】
剥離は主として酸化物層１１１の内部、及び酸化物層１１１と剥離層１０７との界面で生じる。したがって、図２（Ｂ）に示すように、剥離後の剥離層１０７の表面及び第３の絶縁層１０３の表面には、酸化物層１１１の一部が付着する場合がある。なお、付着した酸化物層１１１のそれぞれの厚さは異なっていてもよく、上述のように酸化物層１１１と剥離層１０７との界面で剥離しやすいことから第３の絶縁層１０３側に厚く付着する場合が多い。本発明の一態様では、とても薄い厚さの酸化物層を形成するため、剥離後の第３の絶縁層１０３の表面に酸化物層１１１が残存しても、発光装置または表示装置の光取り出し効率の低下を抑制できる。または、半導体素子の特性変動を抑制できる。
【０１１７】
以上の方法により、作製基板１００から被剥離層１１０を歩留まりよく剥離することができる。
【０１１８】
その後、被剥離層１１０の剥離面側に接着層１３１を介して基板１３０を貼り付けてもよい（図２（Ｃ））。接着層１３１には、接着層１２１に用いることができる材料を適用できる。基板１３０には、基板１２０に用いることができる材料を適用できる。
【０１１９】
基板１２０及び基板１３０にそれぞれ可撓性を有する基板を用いることで、フレキシブルな積層体を作製することができる。なお、基板１２０が仮支持基板として機能する場合、基板１２０と被剥離層１１０とを分離し、被剥離層１１０と別の基板（例えば可撓性を有する基板）を貼り合わせてもよい。
【０１２０】
ここで、基板１３０及び接着層１３１に可視光に対する透過性を有する材料を用いた場合、基板１３０、接着層１３１、酸化物層１１１、及び第３の絶縁層１０３の積層構造の、波長４５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光の透過率の平均値を７０％以上、あるいは８０％以上、とすることができる。なお、被剥離層１１０に含まれる他の絶縁層を、該積層構造に含めてもよい。
【０１２１】
以上のように、本発明の一態様の剥離方法では、作製基板と剥離層の間に、加熱されることで水素を放出する機能を有する絶縁層（第２の絶縁層）を形成する。これにより、剥離層から剥離される被剥離層を薄膜化することができる。また、プラズマ処理等により、剥離層の、第３の絶縁層と接する面の状態を変えることで、剥離層と第２の絶縁層の間ではなく、剥離層と第３の絶縁層の間で、確実に剥離を行うことができる。
【０１２２】
本発明の一態様の剥離方法は、作製基板上に機能素子を形成した後に剥離を行うことでフレキシブル性を実現できるため、機能素子の形成工程にかかる熱に対する制限がほとんど無い。したがって、高温プロセスにて作製した極めて信頼性の高い機能素子を、耐熱性の劣る可撓性を有する基板上に歩留まりよく作製することができる。
【０１２３】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１２４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法を用いて作製することができる発光装置について、図３〜図１８を用いて説明する。本実施の形態では、ＥＬ素子が適用された発光装置を例に説明する。本実施の形態の発光装置は、本発明の一態様の剥離方法を１回以上行うことで作製することができる。
【０１２５】
なお、本実施の形態で説明に用いる図面には、図１（Ｄ）等に示す酸化物層１１１に対応する層を図示していないが、本発明の一態様が適用された発光装置は、酸化物層を有していてもよい。なお、酸化物層は極めて薄く、視認や断面観察等での確認が困難である場合がある。
【０１２６】
図３（Ａ）〜（Ｄ）に、一対の基板（基板３７１及び基板３７２）を有する発光装置を示す。発光装置は、発光部３８１及び駆動回路部３８２を有する。発光装置には、ＦＰＣ３７３が接続されている。ＦＰＣ３７３は、基板３７１上の外部接続電極（図示しない）と電気的に接続されている。
【０１２７】
図３（Ａ）に示す発光装置は、１辺に駆動回路部３８２を有する。
【０１２８】
図３（Ｂ）、（Ｃ）に示す発光装置は、それぞれ、２辺に駆動回路部３８２を有する。図３（Ｂ）では、対向する２辺に沿って駆動回路部３８２が設けられている。図３（Ｃ）では、発光装置の短辺に沿って設けられた駆動回路部３８２と、長辺に沿って設けられた駆動回路部３８２とを有する。
【０１２９】
発光部３８１は、多角形に限られず、円形または楕円形等、様々な上面形状をとることができる。図３（Ｄ）は、発光部３８１が円形の上面形状を有する発光装置の例である。
【０１３０】
また、発光装置も、多角形に限られず、円形または楕円形等、様々な上面形状をとることができる。図３（Ｄ）の発光装置の上面形状は、曲線の部分と直線の部分の双方を有する。
【０１３１】
＜構成例１＞
図４に、カラーフィルタ方式が適用されたトップエミッション構造の発光装置３７０の断面図を示す。
【０１３２】
本実施の形態において、発光装置は、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成、またはＲ、Ｇ、Ｂ、Ｙ（黄）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷＹ以外の色を用いてもよく、例えば、シアンまたはマゼンタ等を用いてもよい。
【０１３３】
発光装置３７０は、基板３７１、接着層３７７、絶縁層３７８、複数のトランジスタ、容量素子３０５、導電層３０７、絶縁層３１２、絶縁層３１３、絶縁層３１４、絶縁層３１５、発光素子３０４、導電層３５５、スペーサ３１６、接着層３１７、着色層３２５、遮光層３２６、基板３７２、接着層３７５、及び絶縁層３７６を有する。
【０１３４】
図４では、絶縁層３７６及び絶縁層３７８が、それぞれ２層構造である例を示す。絶縁層３７８を構成する２層のうち、接着層３７７側の層は、実施の形態１で説明したプラズマ処理中に形成される絶縁層に相当し、ゲート絶縁層３１１側の層は、実施の形態１で説明した第３の絶縁層１０３に相当する。同様に、絶縁層３７６を構成する２層のうち、接着層３７５側の層は、実施の形態１で説明したプラズマ処理中に形成される絶縁層に相当し、接着層３１７側の層は、実施の形態１で説明した第３の絶縁層１０３に相当する。なお、絶縁層３７６及び絶縁層３７８の構成はこれに限られない。絶縁層３７６及び絶縁層３７８は、それぞれ、単層構造でも、３層以上の積層構造でもよい。
【０１３５】
駆動回路部３８２はトランジスタ３０１を有する。発光部３８１は、トランジスタ３０２及びトランジスタ３０３を有する。
【０１３６】
各トランジスタは、ゲート、ゲート絶縁層３１１、半導体層、ソース、及びドレインを有する。ゲートと半導体層は、ゲート絶縁層３１１を介して重なる。ゲート絶縁層３１１の一部は、容量素子３０５の誘電体としての機能を有する。トランジスタ３０２のソースまたはドレインとして機能する導電層は、容量素子３０５の一方の電極を兼ねる。
【０１３７】
図４では、ボトムゲート構造のトランジスタを示す。駆動回路部３８２と発光部３８１とで、トランジスタの構造が異なっていてもよい。駆動回路部３８２及び発光部３８１は、それぞれ、複数の種類のトランジスタを有していてもよい。
【０１３８】
容量素子３０５は、一対の電極と、その間の誘電体とを有する。容量素子３０５は、トランジスタのゲートと同一の材料、及び同一の工程で形成した導電層と、トランジスタのソース及びドレインと同一の材料、及び同一の工程で形成した導電層と、を有する。
【０１３９】
絶縁層３１２、絶縁層３１３、及び絶縁層３１４は、それぞれ、トランジスタ等を覆って設けられる。トランジスタ等を覆う絶縁層の数は特に限定されない。絶縁層３１４は、平坦化層としての機能を有する。絶縁層３１２、絶縁層３１３、及び絶縁層３１４のうち、少なくとも一層には、水または水素等の不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。外部から不純物がトランジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり、発光装置の信頼性を高めることができる。
【０１４０】
絶縁層３１４として有機材料を用いる場合、発光装置の端部に露出した絶縁層３１４を通って発光素子３０４等に発光装置の外部から水分等の不純物が侵入する恐れがある。不純物の侵入により、発光素子３０４が劣化すると、発光装置の劣化につながる。そのため、図４に示すように、絶縁層３１４に無機膜（ここでは絶縁層３１３）に達する開口を設け、発光装置の外部から水分等の不純物が侵入しても、発光素子３０４に到達しにくい構造とすることが好ましい。
【０１４１】
図８（Ａ）では、絶縁層３１４に上記の開口を設けていない場合の断面図を示す。図８（Ａ）の構成のように、絶縁層３１４が発光装置全面にわたって設けられていると、剥離工程の歩留まりを高めることができるため、好ましい。
【０１４２】
図８（Ｂ）では、絶縁層３１４が、発光装置の端部に位置しない場合の断面図を示す。図８（Ｂ）の構成では、有機材料を用いた絶縁層が発光装置の端部に位置しないため、発光素子３０４に不純物が侵入することを抑制できる。
【０１４３】
図８（Ａ）、（Ｂ）では、絶縁層３７６及び絶縁層３７８を単層で示す。絶縁層３７６及び絶縁層３７８は、それぞれ、実施の形態１で説明した第３の絶縁層１０３に相当する。絶縁層３７６及び絶縁層３７８は、それぞれ、図４と同様の構成を適用することができる。同様に、以降の構成例で、絶縁層３７６及び絶縁層３７８を単層で示している場合でも、それぞれ、図４と同様の構成を適用することができる。
【０１４４】
発光素子３０４は、電極３２１、ＥＬ層３２２、及び電極３２３を有する。発光素子３０４は、光学調整層３２４を有していてもよい。発光素子３０４は、着色層３２５側に光を射出する、トップエミッション構造である。
【０１４５】
トランジスタ、容量素子、及び配線等を、発光素子３０４の発光領域と重ねて配置することで、発光部３８１の開口率を高めることができる。
【０１４６】
電極３２１及び電極３２３のうち、一方は、陽極として機能し、他方は、陰極として機能する。電極３２１及び電極３２３の間に、発光素子３０４の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層３２２に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層３２２において再結合し、ＥＬ層３２２に含まれる発光物質が発光する。
【０１４７】
電極３２１は、トランジスタ３０３のソースまたはドレインと電気的に接続される。これらは、直接接続されてもよいし、他の導電層を介して接続されてもよい。電極３２１は、画素電極として機能し、発光素子３０４ごとに設けられている。隣り合う２つの電極３２１は、絶縁層３１５によって電気的に絶縁されている。
【０１４８】
ＥＬ層３２２は、発光性の物質を含む層である。
【０１４９】
電極３２３は、共通電極として機能し、複数の発光素子３０４にわたって設けられている。電極３２３には、定電位が供給される。
【０１５０】
発光素子３０４は、接着層３１７を介して着色層３２５と重なる。スペーサ３１６は、接着層３１７を介して遮光層３２６と重なる。図４では、電極３２３と遮光層３２６との間に隙間がある場合を示しているが、これらが接していてもよい。図４では、スペーサ３１６を基板３７１側に設ける構成を示したが、基板３７２側（例えば遮光層３２６よりも基板３７１側）に設けてもよい。
【０１５１】
カラーフィルタ（着色層３２５）とマイクロキャビティ構造（光学調整層３２４）との組み合わせにより、発光装置からは、色純度の高い光を取り出すことができる。光学調整層３２４の膜厚は、各画素の色に応じて変化させる。
【０１５２】
着色層３２５は特定の波長域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、または黄色の波長域の光を透過するカラーフィルタ等を用いることができる。着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料等が挙げられる。
【０１５３】
なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、または量子ドット方式等を適用してもよい。
【０１５４】
遮光層３２６は、隣接する着色層３２５の間に設けられている。遮光層３２６は隣接する発光素子からの光を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層３２５の端部を、遮光層３２６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層３２６としては、発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料、または、顔料もしくは染料を含む樹脂材料等を用いてブラックマトリクスを形成することができる。なお、遮光層３２６は、駆動回路等の画素部以外の領域に設けると、導波光等による意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
【０１５５】
図８（Ｂ）では、着色層３２５及び遮光層３２６を覆うオーバーコート３２９が設けられている例を示す。オーバーコート３２９は、着色層３２５に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オーバーコート３２９は、発光素子３０４からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、または、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。
【０１５６】
また、接着層３１７の材料を着色層３２５及び遮光層３２６上に塗布する場合、オーバーコート３２９の材料として接着層３１７の材料に対して濡れ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコート３２９として、ＩＴＯ膜等の酸化物導電膜、または透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜を用いることが好ましい。
【０１５７】
オーバーコート３２９の材料に、接着層３１７の材料に対して濡れ性の高い材料を用いることで、接着層３１７の材料を均一に塗布することができる。これにより、一対の基板を貼り合わせた際に気泡が混入することを抑制でき、表示不良を抑制できる。
【０１５８】
絶縁層３７８と基板３７１は接着層３７７によって貼り合わされている。また、絶縁層３７６と基板３７２は接着層３７５によって貼り合わされている。絶縁層３７６及び絶縁層３７８に防湿性の高い膜を用いることが好ましい。一対の防湿性の高い絶縁層の間に発光素子３０４及びトランジスタ等を配置することで、これらの素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。
【０１５９】
防湿性の高い絶縁層としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素とシリコンを含む膜、及び、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０１６０】
例えば、防湿性の高い絶縁層の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下とする。
【０１６１】
上述の通り、図４では、絶縁層３７６及び絶縁層３７８が、それぞれ、実施の形態１で説明した第３の絶縁層１０３に相当する層を有する。第３の絶縁層１０３として、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素とシリコンを含む膜または酸化アルミニウム膜等を用いることで、第３の絶縁層１０３を防湿性の高い絶縁層として機能させることができる。
【０１６２】
接続部３０６は、導電層３０７及び導電層３５５を有する。導電層３０７と導電層３５５は、電気的に接続されている。導電層３０７は、トランジスタのソース及びドレインと同一の材料、及び同一の工程で形成することができる。導電層３５５は、駆動回路部３８２に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ３７３を設ける例を示している。接続体３１９を介してＦＰＣ３７３と導電層３５５は電気的に接続する。
【０１６３】
接続体３１９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）及び異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。
【０１６４】
本発明の一態様の発光装置が有する基板は、可撓性を有することが好ましい。可撓性を有する基板には、可撓性を有する程度の厚さのガラス、石英、樹脂、金属、合金、半導体等の材料を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板は、該光を透過する材料を用いる。例えば、可撓性を有する基板の厚さは、１μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、１μｍ以上１００μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下がさらに好ましい。可撓性を有する基板の厚さ及び硬さは、機械的強度及び可撓性を両立できる範囲とする。可撓性を有する基板は単層構造であっても積層構造であってもよい。
【０１６５】
ガラスに比べて樹脂は比重が小さいため、可撓性を有する基板として樹脂を用いると、ガラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。
【０１６６】
基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光装置を実現できる。例えば、樹脂基板、または、厚さの薄い金属基板もしくは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光装置を実現できる。
【０１６７】
金属材料及び合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料または合金材料を用いた基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【０１６８】
金属基板または合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、または、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金等を好適に用いることができる。半導体基板を構成する材料としては、シリコン等が挙げられる。
【０１６９】
また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光装置の表面温度が高くなることを抑制でき、発光装置の破壊、及び信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物またはセラミック材料を用いることができる）の積層構造としてもよい。
【０１７０】
可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等が挙げられる。特に、線膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプレグともいう）、及び、無機フィラーを樹脂に混ぜて線膨張係数を下げた基板等を使用することもできる。
【０１７１】
可撓性を有する基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷等から保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層等）、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層等）等の少なくとも一と積層されて構成されていてもよい。例えば、一対のハードコート層に樹脂フィルムが挟持されていてもよい。
【０１７２】
接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。
【０１７３】
また、接着層には乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウム、酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトまたはシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分等の不純物が機能素子に侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
【０１７４】
また、接着層に屈折率の高いフィラーまたは光散乱部材を含ませることで、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【０１７５】
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０１７６】
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【０１７７】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウムを添加したＺｎＯ等を用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、またはこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜等を用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
【０１７８】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタン等が挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜等を用いることができる。
【０１７９】
電極は、それぞれ、蒸着法またはスパッタリング法を用いて形成することができる。そのほか、インクジェット法等の吐出法、スクリーン印刷法等の印刷法、またはメッキ法を用いて形成することができる。
【０１８０】
ＥＬ層３２２は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層３２２は、複数の発光層を有していてもよい。ＥＬ層３２２は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０１８１】
ＥＬ層３２２には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層３２２を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０１８２】
発光素子３０４は、２種類以上の発光物質を含んでいてもよい。これにより、例えば、白色発光の発光素子を実現することができる。例えば２種類以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、またはＯ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質を用いることができる。例えば、青の発光を示す発光物質と、黄の発光を示す発光物質を用いてもよい。このとき、黄の発光を示す発光物質の発光スペクトルは、緑及び赤のスペクトル成分を含むことが好ましい。また、発光素子３０４の発光スペクトルは、可視領域の波長（例えば３５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、または４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下等）の範囲内に２以上のピークを有することが好ましい。
【０１８３】
また、発光素子３０４は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、電荷発生層を介して積層されたＥＬ層を複数有するタンデム素子であってもよい。
【０１８４】
また、本発明の一態様では、量子ドット等の無機化合物を用いた発光素子を適用してもよい。量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料等が挙げられる。例えば、カドミウム（Ｃｄ）、セレン（Ｓｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、テルル（Ｔｅ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、アルミニウム（Ａｌ）等の元素を有していてもよい。
【０１８５】
発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
【０１８６】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０１８７】
トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、第１４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体、またはインジウムを含む酸化物半導体等を適用できる。
【０１８８】
特に、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０１８９】
例えば、上記酸化物半導体として、少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、ＨｆまたはＮｄ等の金属）で表記される酸化物を含む。
【０１９０】
トランジスタに用いる半導体材料として、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いることが好ましい。ＣＡＡＣ−ＯＳは非晶質とは異なり、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高めることができる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶粒界が確認されないという特徴を有するため、大面積に安定で均一な膜を形成することが可能で、また可撓性を有する発光装置を湾曲させたときの応力によってＣＡＡＣ−ＯＳ膜にクラックが生じにくい。
【０１９１】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、膜面に対して、結晶のｃ軸が概略垂直配向した結晶性酸化物半導体のことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）等、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確認されている。ＣＡＡＣ−ＯＳは、単結晶よりも結晶性が低く、ｎｃに比べて結晶性が高い。
【０１９２】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ−ｂ面方向において複数のペレット（ナノ結晶）が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳを、ＣＡＡ  ｃｒｙｓｔａｌ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ  ａ−ｂ−ｐｌａｎｅ−ａｎｃｈｏｒｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体と称することもできる。
【０１９３】
発光装置が有する絶縁層には、有機絶縁材料または無機絶縁材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。無機絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等が挙げられる。
【０１９４】
発光装置が有する導電層には、それぞれ、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。または、酸化インジウム、ＩＴＯ、タングステンを含むインジウム酸化物、タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、チタンを含むインジウム酸化物、チタンを含むＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、ＺｎＯ、ガリウムを添加したＺｎＯ、またはシリコンを含むインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは酸化物半導体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた酸化物半導体等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペーストは、安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。
【０１９５】
＜構成例１の作製方法例＞
本発明の一態様の剥離方法を用いて、図４に示す発光装置を作製する例を示す。
【０１９６】
本発明の一態様の剥離方法を適用することで、作製基板上で高温をかけて形成した防湿性の高い絶縁層等を、可撓性を有する基板に転置することができる。したがって、発光装置の可撓性を高めるために、防湿性が低く、耐熱性が低い有機樹脂等を基板に用いても、信頼性が高い発光装置を作製できる。
【０１９７】
図５〜図７を用いて構成例１の作製方法の一例を説明する。図５〜図７は、発光装置３７０の発光部３８１の作製方法を説明する断面図である。
【０１９８】
まず、図５（Ａ）に示すように、作製基板１００ａ上に第１の絶縁層１０１ａを形成し、第１の絶縁層１０１ａ上に第２の絶縁層１０２ａを形成し、第２の絶縁層１０２ａ上に剥離層１０７ａを形成する。そして、剥離層１０７ａの表面にプラズマ処理を行った後、剥離層１０７ａ上に被剥離層を形成する。ここで、剥離層１０７ａ上に形成する被剥離層は、図４における絶縁層３７８から発光素子３０４までの各層である。図５（Ａ）では、プラズマ処理を行うことで、絶縁層１０５ａが形成される例を示す。
【０１９９】
絶縁層１０５ａ上に第３の絶縁層１０３ａを形成することで、絶縁層３７８を形成することができる。絶縁層３７８は、第３の絶縁層１０３ａ上にさらに絶縁層を有していてもよい。
【０２００】
絶縁層３７８を形成した後に、加熱処理を行う。その後、被剥離層の残りの層を形成する。加熱処理のタイミングは、第３の絶縁層１０３ａを形成した後、かつ、剥離を行う前であれば、特に限定されない。例えば、当該加熱処理を、トランジスタの作製工程に含まれる加熱処理が兼ねていてもよい。
【０２０１】
また、図５（Ｂ）に示すように、作製基板１００ｂ上に第１の絶縁層１０１ｂを形成し、第１の絶縁層１０１ｂ上に第２の絶縁層１０２ｂを形成し、第２の絶縁層１０２ｂ上に剥離層１０７ｂを形成する。そして、剥離層１０７ｂの表面にプラズマ処理を行った後、剥離層１０７ｂ上に被剥離層を形成する。ここで、剥離層１０７ｂ上に形成する被剥離層は、図４における絶縁層３７６、着色層３２５、及び遮光層３２６である。図５（Ｂ）では、プラズマ処理を行うことで、絶縁層１０５ｂが形成される例を示す。
【０２０２】
絶縁層１０５ｂ上に第３の絶縁層１０３ｂを形成することで、絶縁層３７６を形成することができる。絶縁層３７６は、第３の絶縁層１０３ｂ上にさらに絶縁層を有していてもよい。
【０２０３】
絶縁層３７６を形成した後に、加熱処理を行う。その後、被剥離層の残りの層を形成する。加熱処理のタイミングは、第３の絶縁層１０３ｂを形成した後、かつ、剥離を行う前であれば、特に限定されない。
【０２０４】
作製基板１００ａ及び作製基板１００ｂには、それぞれ、実施の形態１で説明した作製基板１００と同様の材料を用いることができる。
【０２０５】
第１の絶縁層１０１ａ及び第１の絶縁層１０１ｂには、それぞれ、実施の形態１で説明した第１の絶縁層１０１と同様の材料及び成膜方法を用いることができる。
【０２０６】
第２の絶縁層１０２ａ及び第２の絶縁層１０２ｂには、それぞれ、実施の形態１で説明した第２の絶縁層１０２と同様の材料及び成膜方法を用いることができる。
【０２０７】
剥離層１０７ａ及び剥離層１０７ｂには、それぞれ、実施の形態１で説明した剥離層１０７と同様の材料及び成膜方法を用いることができる。
【０２０８】
第３の絶縁層１０３ａ及び第３の絶縁層１０３ｂには、それぞれ、実施の形態１で説明した第３の絶縁層１０３と同様の材料及び成膜方法を用いることができる。
【０２０９】
次に、図５（Ｃ）に示すように、作製基板１００ａと作製基板１００ｂとを、接着層３１７を用いて貼り合わせる。
【０２１０】
次に、図６（Ａ）に示すように、作製基板１００ａと絶縁層３７８とを分離する。なお、作製基板１００ａと作製基板１００ｂのどちらを先に分離してもよい。
【０２１１】
作製基板１００ａと絶縁層３７８とを分離する前に、レーザ光または鋭利な刃物等を用いて、剥離の起点を形成することが好ましい。絶縁層３７８の一部にクラックを入れる（膜割れまたはひびを生じさせる）ことで、剥離の起点を形成できる。例えば、レーザ光の照射によって、絶縁層３７８の一部を溶解、蒸発、または熱的に破壊することができる。
【０２１２】
そして、形成した剥離の起点から、物理的な力を加えることによって絶縁層３７８と作製基板１００ａとを分離する。図６（Ａ）の下部に、絶縁層３７８から分離された、作製基板１００ａ、第１の絶縁層１０１ａ、第２の絶縁層１０２ａ、及び剥離層１０７ａを示す。その後、図６（Ａ）に示すように、露出した絶縁層３７８と、基板３７１とを、接着層３７７を用いて貼り合わせる。
【０２１３】
なお、基板３７１として好適に用いることができるフィルムの両面には、剥離フィルム（セパレートフィルム、離型フィルムともいう）が設けられている場合が多い。基板３７１と絶縁層３７８を貼り合わせる際には、基板３７１に設けられた一方の剥離フィルムのみを剥がし、他方の剥離フィルムは残したままにしておくことが好ましい。これにより、後の工程での搬送及び加工が容易となる。図６（Ａ）では、基板３７１の一方の面に剥離フィルム３９８が設けられている例を示す。
【０２１４】
次に、図６（Ｂ）に示すように、作製基板１００ｂと絶縁層３７６とを分離する。図６（Ｂ）の上部に、絶縁層３７６から分離された作製基板１００ｂ、第１の絶縁層１０１ｂ、第２の絶縁層１０２ｂ、及び剥離層１０７ｂを示す。そして、露出した絶縁層３７６と、基板３７２とを、接着層３７５を用いて貼り合わせる。図６（Ｂ）では、基板３７２の一方の面に剥離フィルム３９９が設けられている例を示す。
【０２１５】
次に、図７（Ａ）に示すように、剥離フィルム３９８を剥離する。そして、図７（Ｂ）に示すように、剥離フィルム３９９を剥離する。なお、剥離フィルム３９８、３９９を剥離する順は問わない。
【０２１６】
以上のように、本発明の一態様では、発光装置を構成する機能素子等は、全て作製基板上で形成するため、精細度の高い発光装置を作製する場合においても、可撓性を有する基板には、高い位置合わせ精度が要求されない。よって、簡便に可撓性を有する基板を貼り付けることができる。また、高温をかけて機能素子等を作製できるため、信頼性の高い発光装置を実現できる。
【０２１７】
本発明の一態様の剥離方法を用いることで、絶縁層３７６及び絶縁層３７８の薄膜化が可能となる。したがって、発光装置の薄型化が可能となり、繰り返しの曲げ及び非常に小さな曲率半径での曲げが可能となる。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる発光装置を作製できる。また、曲率半径５ｍｍで、１０万回繰り返し曲げることができる発光装置を作製できる。また、曲率半径２ｍｍで、１０万回繰り返し曲げることができる発光装置を作製できる。
【０２１８】
＜構成例２＞
図９（Ａ）に、カラーフィルタ方式が適用された発光装置の断面図を示す。なお、以降の構成例では、先の構成例と同様の構成については、詳細な説明を省略する。
【０２１９】
図９（Ａ）に示す発光装置は、基板３７１、接着層３７７、絶縁層３７８、複数のトランジスタ、導電層３０７、絶縁層３１２、絶縁層３１３、絶縁層３１４、絶縁層３１５、発光素子３０４、導電層３５５、接着層３１７、着色層３２５、基板３７２、及び絶縁層３５６を有する。
【０２２０】
駆動回路部３８２はトランジスタ３０１を有する。発光部３８１は、トランジスタ３０３を有する。
【０２２１】
各トランジスタは、２つのゲート、ゲート絶縁層３１１、半導体層、ソース、及びドレインを有する。２つのゲートは、それぞれ、絶縁層を介して半導体層と重なる。図９（Ａ）では、各トランジスタに、半導体層を２つのゲートで挟持する構成を適用した例を示している。このようなトランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることができ、オン電流を増大させることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製することができる。さらには、回路の占有面積を縮小することができる。オン電流の大きなトランジスタを適用することで、発光装置を大型化または高精細化し配線数が増大しても、各配線における信号遅延を低減することができ、表示の輝度のばらつきを低減することができる。図９（Ａ）では、電極３２１と同一の材料、及び同一の工程で、一方のゲートを作製する例を示す。
【０２２２】
発光素子３０４は、着色層３２５側に光を射出する、ボトムエミッション構造である。
【０２２３】
発光素子３０４は、絶縁層３１４を介して着色層３２５と重なる。着色層３２５は、発光素子３０４と基板３７１の間に配置される。図９（Ａ）では、着色層３２５を絶縁層３１３上に配置する例を示す。図９（Ａ）では、遮光層及びスペーサを設けない例を示す。
【０２２４】
絶縁層３５６は、発光素子３０４の封止層として機能する。絶縁層３５６は、窒素及びシリコンを含むことが好ましい。絶縁層３５６としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜を用いることができる。特に、窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜が好ましい。絶縁層３５６として、酸化アルミニウム膜を用いることもできる。酸化アルミニウム膜は、ＡＬＤ法を用いて形成されることが好ましい。
【０２２５】
＜構成例３＞
図９（Ｂ）に、塗り分け方式が適用された発光装置の断面図を示す。
【０２２６】
図９（Ｂ）に示す発光装置は、基板３７１、接着層３７７、絶縁層３７８、複数のトランジスタ、導電層３０７、絶縁層３１２、絶縁層３１３、絶縁層３１４、絶縁層３１５、スペーサ３１６、発光素子３０４、接着層３１７、基板３７２、及び絶縁層３５６を有する。
【０２２７】
駆動回路部３８２はトランジスタ３０１を有する。発光部３８１は、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、及び容量素子３０５を有する。
【０２２８】
各トランジスタは、２つのゲート、ゲート絶縁層３１１、半導体層、ソース、及びドレインを有する。２つのゲートは、それぞれ、絶縁層を介して半導体層と重なる。図９（Ｂ）では、各トランジスタに、半導体層を２つのゲートで挟持する構成を適用した例を示している。図９（Ｂ）では、絶縁層３１３と絶縁層３１４の間に、一方のゲートを作製する例を示す。
【０２２９】
発光素子３０４は、基板３７２側に光を射出する、トップエミッション構造である。図９（Ｂ）では、発光素子３０４が光学調整層を有さない例を示す。絶縁層３５６は、発光素子３０４の封止層として機能する。
【０２３０】
接続部３０６は、導電層３０７を有する。導電層３０７は接続体３１９を介してＦＰＣ３７３と電気的に接続する。
【０２３１】
＜応用例＞
本発明の一態様では、タッチセンサが搭載された表示装置（以下、タッチパネルとも記す）を作製することができる。
【０２３２】
本発明の一態様のタッチパネルが有する検知素子（センサ素子ともいう）に限定は無い。指またはスタイラス等の被検知体の近接または接触を検知することのできる様々なセンサを、検知素子として適用することができる。
【０２３３】
例えばセンサの方式としては、静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、光学方式、感圧方式等様々な方式を用いることができる。
【０２３４】
本実施の形態では、静電容量方式の検知素子を有するタッチパネルを例に挙げて説明する。
【０２３５】
静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また、投影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。
【０２３６】
本発明の一態様のタッチパネルは、別々に作製された発光装置または表示装置と検知素子とを貼り合わせる構成、発光素子を支持する基板及び対向基板の一方または双方に検知素子を構成する電極等を設ける構成等、様々な構成を適用することができる。
【０２３７】
＜構成例４＞
図１０（Ａ）は、タッチパネル３００の斜視概略図である。図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）を展開した斜視概略図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素のみを示している。図１０（Ｂ）では、一部の構成要素（基板３３０、基板３７２等）を破線で輪郭のみ明示している。
【０２３８】
タッチパネル３００は、入力装置３１０と、発光装置３７０とを有し、これらが重ねて設けられている。
【０２３９】
入力装置３１０は、基板３３０、電極３３１、電極３３２、複数の配線３４１、及び複数の配線３４２を有する。ＦＰＣ３５０は、複数の配線３４１及び複数の配線３４２の各々と電気的に接続する。ＦＰＣ３５０にはＩＣ３５１が設けられている。
【０２４０】
発光装置３７０は、対向して設けられた基板３７１と基板３７２とを有する。発光装置３７０は、発光部３８１及び駆動回路部３８２を有する。基板３７１上には、配線３８３等が設けられている。ＦＰＣ３７３は、配線３８３と電気的に接続される。ＦＰＣ３７３にはＩＣ３７４が設けられている。
【０２４１】
配線３８３は、発光部３８１や駆動回路部３８２に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、外部またはＩＣ３７４から、ＦＰＣ３７３を介して、配線３８３に入力される。
【０２４２】
図１１に、タッチパネル３００の断面図の一例を示す。図１１では、発光部３８１、駆動回路部３８２、ＦＰＣ３７３を含む領域、及びＦＰＣ３５０を含む領域等の断面構造を示す。さらに、図１１では、トランジスタのゲートと同一の導電層を加工して形成された配線と、トランジスタのソース及びドレインと同一の導電層を加工して形成された配線とが交差する交差部３８７の断面構造を示している。
【０２４３】
基板３７１と基板３７２とは、接着層３１７によって貼り合わされている。基板３７２と基板３３０とは、接着層３９６によって貼り合わされている。ここで、基板３７１から基板３７２までの各層が、発光装置３７０に相当する。また、基板３３０から電極３３４までの各層が入力装置３１０に相当する。つまり、接着層３９６は、発光装置３７０と入力装置３１０を貼り合わせているといえる。または、基板３７１から絶縁層３７６までの各層が、発光装置３７０に相当する。そして、基板３３０から基板３７２までの各層が入力装置３１０に相当する。つまり、接着層３７５が、発光装置３７０と入力装置３１０を貼り合わせているともいえる。
【０２４４】
図１１に示す発光装置３７０の構成は、図４に示す発光装置と同様の構成であるため、詳細な説明は省略する。
【０２４５】
＜入力装置３１０＞
基板３３０の基板３７２側には、電極３３１及び電極３３２が設けられている。ここでは、電極３３１が、電極３３３及び電極３３４を有する場合の例を示している。図１１中の交差部３８７に示すように、電極３３２と電極３３３は同一平面上に形成されている。絶縁層３９５は、電極３３２及び電極３３３を覆うように設けられている。電極３３４は、絶縁層３９５に設けられた開口を介して、電極３３２を挟むように設けられる２つの電極３３３と電気的に接続している。
【０２４６】
基板３３０の端部に近い領域には、接続部３０８が設けられている。接続部３０８は、配線３４２と、電極３３４と同一の導電層を加工して得られた導電層とを積層して有する。接続部３０８は、接続体３０９を介してＦＰＣ３５０が電気的に接続されている。
【０２４７】
基板３３０は、接着層３９１によって絶縁層３９３と貼り合わされている。構成例１の作製方法と同様に、入力装置３１０も、作製基板上で素子を作製し、作製基板を剥離した後、基板３３０に素子を転置することで作製することができる。図１１では、絶縁層３９３が、２層構造である例を示す。絶縁層３９３を構成する２層のうち、接着層３９１側の層は、実施の形態１で説明したプラズマ処理中に形成される絶縁層に相当し、絶縁層３９５側の層は、実施の形態１で説明した第３の絶縁層１０３に相当する。または、基板３３０上に直接、絶縁層３９３及び素子等を形成してもよい（図１２（Ａ）参照）。
【０２４８】
＜構成例５＞
図１２（Ａ）に示すタッチパネルは、接着層３９１を有していない点、及び、トランジスタ３０１、３０２、３０３、及び容量素子３０５の構成が異なる点で、図１１に示すタッチパネルと異なる。
【０２４９】
図１２（Ａ）では、トップゲート構造のトランジスタを示す。
【０２５０】
各トランジスタは、ゲート、ゲート絶縁層３１１、半導体層、ソース、及びドレインを有する。ゲートと半導体層は、ゲート絶縁層３１１を介して重なる。半導体層は、低抵抗化された領域３４８を有していてもよい。低抵抗化された領域３４８は、トランジスタのソース及びドレインとして機能する。
【０２５１】
絶縁層３１３上に設けられた導電層は引き回し配線として機能する。該導電層は、絶縁層３１３、絶縁層３１２、及びゲート絶縁層３１１に設けられた開口を介して、領域３４８と電気的に接続している。
【０２５２】
図１２（Ａ）では、容量素子３０５が、半導体層と同一の半導体層を加工して形成した層と、ゲート絶縁層３１１と、ゲートと同一の導電層を加工して形成した層の積層構造を有する。ここで、容量素子３０５の半導体層の一部には、トランジスタのチャネルが形成される領域３４７よりも導電性の高い領域３４９が形成されていることが好ましい。
【０２５３】
領域３４８及び領域３４９は、それぞれ、トランジスタのチャネルが形成される領域３４７よりも不純物を多く含む領域、キャリア濃度の高い領域、または結晶性が低い領域等とすることができる。
【０２５４】
本発明の一態様の発光装置には、図１２（Ｂ）〜（Ｄ）に示すトランジスタ８４８を適用することもできる。
【０２５５】
図１２（Ｂ）に、トランジスタ８４８の上面図を示す。図１２（Ｃ）は、本発明の一態様の発光装置の、トランジスタ８４８のチャネル長方向の断面図である。図１２（Ｃ）に示すトランジスタ８４８は、図１２（Ｂ）における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面に相当する。図１２（Ｄ）は、本発明の一態様の発光装置の、トランジスタ８４８のチャネル幅方向の断面図である。図１２（Ｄ）に示すトランジスタ８４８は、図１２（Ｂ）における一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面に相当する。
【０２５６】
トランジスタ８４８はバックゲートを有するトップゲート型のトランジスタの一種である。
【０２５７】
トランジスタ８４８では、絶縁層７７２に設けた凸部上に半導体層７４２が形成されている。絶縁層７７２に設けた凸部上に半導体層７４２を設けることによって、半導体層７４２の側面もゲート７４３で覆うことができる。すなわち、トランジスタ８４８は、ゲート７４３の電界によって、半導体層７４２を電気的に取り囲むことができる構造を有している。このように、導電膜の電界によって、チャネルが形成される半導体膜を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。また、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタを、「ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ型トランジスタ」もしくは「ｓ−ｃｈａｎｎｅｌトランジスタ」ともいう。
【０２５８】
ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、半導体層７４２の全体（バルク）にチャネルを形成することもできる。ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、トランジスタのドレイン電流を大きくすることができ、さらに大きいオン電流を得ることができる。また、ゲート７４３の電界によって、半導体層７４２に形成されるチャネル形成領域の全領域を空乏化することができる。したがって、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、トランジスタのオフ電流をさらに小さくすることができる。
【０２５９】
バックゲート７２３は絶縁層３７８上に設けられている。
【０２６０】
絶縁層７２９上に設けられた導電層７４４ａは、ゲート絶縁層３１１、絶縁層７２８、及び絶縁層７２９に設けられた開口７４７ｃにおいて、半導体層７４２と電気的に接続されている。また、絶縁層７２９上に設けられた導電層７４４ｂは、ゲート絶縁層３１１、絶縁層７２８、及び絶縁層７２９に設けられた開口７４７ｄにおいて、半導体層７４２と電気的に接続されている。
【０２６１】
ゲート絶縁層３１１上に設けられたゲート７４３は、ゲート絶縁層３１１及び絶縁層７７２に設けられた開口７４７ａ及び開口７４７ｂにおいて、バックゲート７２３と電気的に接続されている。よって、ゲート７４３とバックゲート７２３には、同じ電位が供給される。また、開口７４７ａ及び開口７４７ｂは、どちらか一方を設けなくてもよい。また、開口７４７ａ及び開口７４７ｂの両方を設けなくてもよい。開口７４７ａ及び開口７４７ｂの両方を設けない場合は、バックゲート７２３とゲート７４３に異なる電位を供給することができる。
【０２６２】
なお、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するトランジスタに用いる半導体としては、酸化物半導体、または、多結晶シリコン、もしくは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン等のシリコン等が挙げられる。
【０２６３】
＜構成例６＞
図１３に示すタッチパネルは、ボトムエミッション型の発光装置と、入力装置と、を接着層３９６で貼り合わせた例である。
【０２６４】
図１３の発光装置は、図９（Ａ）と同様の構成である。図１３の入力装置は、絶縁層３９３を有さず、基板３３０上に直接、電極３３１及び電極３３２等が設けられている点で図１２（Ａ）の構成と異なる。
【０２６５】
＜構成例７＞
図１４に示すタッチパネルは、塗り分け方式が適用された発光装置と、入力装置と、を接着層３７５で貼り合わせた例である。
【０２６６】
図１４の発光装置は、図９（Ｂ）の構成と同様である。
【０２６７】
図１４の入力装置は、基板３９２上に絶縁層３９３を有し、絶縁層３９３上に電極３３４及び配線３４２を有する。電極３３４及び配線３４２は、絶縁層３９５で覆われている。絶縁層３９５上には、電極３３２及び電極３３３を有する。基板３３０は接着層３９６によって基板３９２と貼り合わされている。
【０２６８】
＜構成例８＞
図１５は、一対の可撓性を有する基板（基板３７１及び基板３７２）の間に、タッチセンサ及び発光素子３０４を有する例である。可撓性を有する基板を２枚とすることで、タッチパネルの薄型化、軽量化、さらにはフレキシブル化が可能となる。
【０２６９】
図１５の構成は、構成例１の作製方法例において、作製基板１００ｂ上に形成する被剥離層の構成を変えることで、作製することができる。構成例１の作製方法例では、作製基板１００ｂ上の被剥離層として、絶縁層３７６、着色層３２５、及び遮光層３２６を形成した（図５（Ｂ））。
【０２７０】
図１５に示す構成を作製する場合は、絶縁層３７６を形成した後、絶縁層３７６上に電極３３２、電極３３３、及び配線３４２を形成する。次に、これら電極を覆う絶縁層３９５を形成する。次に、絶縁層３９５上に電極３３４を形成する。次に、電極３３４を覆う絶縁層３２７を形成する。そして、絶縁層３２７上に、着色層３２５及び遮光層３２６を形成する。そして、作製基板１００ａと貼り合わせ、各作製基板を剥離し、可撓性を有する基板を貼り合わせることで、図１５に示す構成のタッチパネルを作製することができる。
【０２７１】
＜構成例９＞
図１６（Ａ）、（Ｂ）は、タッチパネル３２０の斜視概略図である。
【０２７２】
図１６（Ａ）、（Ｂ）において、入力装置３１８は、基板３７２に設けられている。また、入力装置３１８の配線３４１及び配線３４２等は、発光装置３７９に設けられたＦＰＣ３７３と電気的に接続する。
【０２７３】
このような構成とすることで、タッチパネル３２０に接続するＦＰＣを１つの基板側（ここでは基板３７１側）にのみ配置することができる。また、タッチパネル３２０に２以上のＦＰＣを取り付ける構成としてもよいが、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、タッチパネル３２０には１つのＦＰＣ３７３を設け、ＦＰＣ３７３から、発光装置３７９と入力装置３１８の両方に信号を供給する構成とすると、より構成を簡略化できるため好ましい。
【０２７４】
ＩＣ３７４は入力装置３１８を駆動する機能を有していてもよいし、入力装置３１８を駆動するＩＣをさらに設けてもよい。または、入力装置３１８を駆動するＩＣを基板３７１上に実装してもよい。
【０２７５】
図１７は、図１６におけるＦＰＣ３７３を含む領域、接続部３８５、駆動回路部３８２、及び発光部３８１の断面図である。
【０２７６】
接続部３８５には、配線３４２（または配線３４１）の１つと、導電層３０７の１つとが、接続体３８６を介して電気的に接続している。
【０２７７】
接続体３８６としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子としては、有機樹脂またはシリカ等の粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることができる。金属材料としてニッケルまたは金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆する等、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。また接続体３８６として弾性変形もしくは塑性変形する材料を用いることが好ましい。このとき導電性の粒子は図１７に示すように上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで接続体３８６と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗が低減できるほか、接続不良等の不具合の発生を抑制できる。
【０２７８】
接続体３８６は接着層３１７に覆われるように配置することが好ましい。例えば硬化前の接着層３１７に、接続体３８６を分散させておけばよい。接着層３１７が設けられる部分に接続部３８５を配置することで、図１７のように接着層３１７を発光素子３０４上にも配置する構成（固体封止構造ともいう）だけでなく、例えば中空封止構造の発光装置、液晶表示装置等、接着層３１７を周辺に用いる構成であれば同様に適用することができる。
【０２７９】
図１７では、光学調整層３２４が電極３２１の端部を覆わない例を示す。図１７では、スペーサ３１６が駆動回路部３８２にも設けられている例を示す。
【０２８０】
＜構成例１０＞
図１８（Ａ）に示すタッチパネルは、タッチセンサを構成する電極等と、基板３７２との間に遮光層３２６が設けられている。具体的には、絶縁層３７６と絶縁層３２８の間に遮光層３２６が設けられている。絶縁層３２８上には、電極３３２、電極３３３、配線３４２等の導電層と、これらを覆う絶縁層３９５と、絶縁層３９５上の電極３３４等が設けられている。また、電極３３４及び絶縁層３９５上に、絶縁層３２７が設けられ、絶縁層３２７上に着色層３２５が設けられている。
【０２８１】
絶縁層３２７及び絶縁層３２８は、平坦化膜としての機能を有する。なお、絶縁層３２７及び絶縁層３２８は、それぞれ不要であれば設けなくてもよい。
【０２８２】
このような構成とすることで、タッチセンサを構成する電極等よりも基板３７２側に設けられた遮光層３２６によって、当該電極等が使用者から視認されてしまうことを抑制することができる。したがって、厚さが薄いだけでなく、表示品位が向上したタッチパネルを実現することができる。
【０２８３】
また、図１８（Ｂ）に示すように、タッチパネルは、絶縁層３７６と絶縁層３２８の間に遮光層３２６ａを有し、かつ、絶縁層３２７と接着層３１７の間に遮光層３２６ｂを有していてもよい。遮光層３２６ｂを設けることで、光漏れをより確実に抑制することができる。
【０２８４】
以上のように、本発明の一態様の剥離方法を用いることで、薄型であり、繰り返し曲げることができる発光装置を作製できる。また、薄型であり、非常に小さい曲率半径で曲げることができる発光装置を作製できる。
【０２８５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２８６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明する。
【０２８７】
本発明の一態様の剥離方法を用いて、薄型である、軽量である、曲面を有する、もしくは可撓性を有する、発光装置、表示装置、または半導体装置等を作製できる。これら本発明の一態様が適用された発光装置、表示装置、または半導体装置等を用いて、薄型である、軽量である、曲面を有する、もしくは可撓性を有する、電子機器または照明装置を作製できる。
【０２８８】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０２８９】
本発明の一態様の電子機器または照明装置は可撓性を有するため、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
【０２９０】
本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
【０２９１】
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。
【０２９２】
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像または情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
【０２９３】
図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。表示部７０００は可撓性を有していてもよい。
【０２９４】
表示部７０００は、本発明の一態様の剥離方法を用いて作製された発光装置、表示装置、または入出力装置を有する。
【０２９５】
本発明の一態様により、湾曲した表示部を備える電子機器を提供できる。
【０２９６】
図１９（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。携帯電話機７１００は、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６等を有する。
【０２９７】
図１９（Ａ）に示す携帯電話機７１００は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指またはスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。
【０２９８】
また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、または表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。
【０２９９】
図１９（Ｂ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７２００は、筐体７２０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７２０３により筐体７２０１を支持した構成を示している。
【０３００】
図１９（Ｂ）に示すテレビジョン装置７２００の操作は、筐体７２０１が備える操作スイッチ、または別体のリモコン操作機７２１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７２１１は、当該リモコン操作機７２１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７２１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネルまたは音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
【０３０１】
なお、テレビジョン装置７２００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０３０２】
図１９（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に携帯情報端末の一例を示す。各携帯情報端末は、筐体７３０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指またはスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。
【０３０３】
図１９（Ｃ１）は、携帯情報端末７３００の斜視図であり、図１９（Ｃ２）は携帯情報端末７３００の上面図である。図１９（Ｄ）は、携帯情報端末７３１０の斜視図である。図１９（Ｅ）は、携帯情報端末７３２０の斜視図である。
【０３０４】
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。
【０３０５】
携帯情報端末７３００、携帯情報端末７３１０及び携帯情報端末７３２０は、文字及び画像情報等をその複数の面に表示することができる。例えば、図１９（Ｃ１）、（Ｄ）に示すように、３つの操作ボタン７３０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７３０３を他の面に表示することができる。図１９（Ｃ１）、（Ｃ２）では、携帯情報端末の上側に情報が表示される例を示し、図１９（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよく、図１９（Ｅ）では、情報７３０４、情報７３０５、情報７３０６がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。
【０３０６】
なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メールまたは電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
【０３０７】
例えば、携帯情報端末７３００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７３００を収納した状態で、その表示（ここでは情報７３０３）を確認することができる。
【０３０８】
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号または氏名等を、携帯情報端末７３００の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７３００をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０３０９】
図１９（Ｆ）〜（Ｈ）に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示している。
【０３１０】
図１９（Ｆ）〜（Ｈ）に示す各照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の剥離方法を用いて作製された発光装置を有する。
【０３１１】
本発明の一態様により、湾曲した発光部を備える照明装置を提供できる。
【０３１２】
図１９（Ｆ）に示す照明装置７４００は、波状の発光面を有する発光部７４０２を備える。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
【０３１３】
図１９（Ｇ）に示す照明装置７４１０の備える発光部７４１２は、凸状に湾曲した２つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７４１０を中心に全方位を照らすことができる。
【０３１４】
図１９（Ｈ）に示す照明装置７４２０は、凹状に湾曲した発光部７４２２を備える。したがって、発光部７４２２からの発光を、照明装置７４２０の前面に集光するため、特定の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができにくいとう効果を奏する。
【０３１５】
また、照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０の備える各々の発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性の部材または可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
【０３１６】
照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０は、それぞれ、操作スイッチ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部を有する。
【０３１７】
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を備える筐体を天井に固定する、または天井からつり下げるように用いることもできる。発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく照らす、または発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
【０３１８】
図２０（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）〜（Ｉ）に、可撓性を有する表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。
【０３１９】
表示部７００１は、本発明の一態様の剥離方法を用いて作製された発光装置、表示装置、または入出力装置を有する。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる発光装置、表示装置、または入出力装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。
【０３２０】
本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備える電子機器を提供できる。
【０３２１】
図２０（Ａ１）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図２０（Ａ２）は、携帯情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。
【０３２２】
携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部７００１を有する。引き出し部材７５０２を用いて表示部７００１を引き出すことができる。
【０３２３】
また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクタを接続する端子部を備え、映像信号及び電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
【０３２４】
また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、または表示する映像の切り替え等を行うことができる。なお、図２０（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）では、携帯情報端末７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）または裏面に配置してもよい。
【０３２５】
図２０（Ｂ）には、表示部７００１を引き出した状態の携帯情報端末７５００を示す。この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図２０（Ａ１）の状態と表示部７００１を引き出した図２０（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図２０（Ａ１）の状態のときに、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５００の消費電力を下げることができる。
【０３２６】
なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
【０３２７】
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。
【０３２８】
図２０（Ｃ）〜（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２０（Ｃ）では、展開した状態、図２０（Ｄ）では、展開した状態または折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図２０（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
【０３２９】
表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。
【０３３０】
図２０（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２０（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図２０（Ｇ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れ及び傷つきを抑制できる。
【０３３１】
図２０（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７００１と重ねて配置してもよい。
【０３３２】
筐体７７０１、表示部７００１、及びバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させること、及び携帯情報端末７７００に捻りを加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側または外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体７７０１及び表示部７００１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、または意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
【０３３３】
また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把持してぶら下げて使用する、または、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど、様々な状況において利便性良く使用することができる。
【０３３４】
図２０（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１またはバンド７８０１と重ねて配置してもよい。
【０３３５】
バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。
【０３３６】
操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。
【０３３７】
また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。
【０３３８】
また、携帯情報端末７８００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。
【０３３９】
また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクタを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。
【０３４０】
図２１（Ａ）に自動車９７００の外観を示す。図２１（Ｂ）に自動車９７００の運転席を示す。自動車９７００は、車体９７０１、車輪９７０２、フロントガラス９７０３、ライト９７０４、フォグランプ９７０５等を有する。本発明の一態様が適用された発光装置、表示装置、または入出力装置等は、自動車９７００の表示部などに用いることができる。例えば、図２１（Ｂ）に示す表示部９７１０乃至表示部９７１５に本発明の一態様が適用された発光装置等を設けることができる。または、ライト９７０４またはフォグランプ９７０５に本発明の一態様が適用された発光装置等を用いてもよい。
【０３４１】
表示部９７１０と表示部９７１１は、自動車のフロントガラスに設けられた表示装置である。本発明の一態様が適用された発光装置等は、電極及び配線を、透光性を有する導電性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態とすることができる。表示部９７１０及び表示部９７１１がシースルー状態であれば、自動車９７００の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様が適用された発光装置等を自動車９７００のフロントガラスに設置することができる。なお、発光装置等を駆動するためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を用いた有機トランジスタ、または酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いるとよい。
【０３４２】
表示部９７１２はピラー部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。表示部９７１３はダッシュボード部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１３に映し出すことによって、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
【０３４３】
また、図２１（Ｃ）は、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示している。表示部９７２１は、ドア部に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７２１に映し出すことによって、ドアで遮られた視界を補完することができる。また、表示部９７２２は、ハンドルに設けられた表示装置である。表示部９７２３は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置である。なお、表示装置を座面または背もたれ部分などに設置して、当該表示装置を、当該表示装置の発熱を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。
【０３４４】
表示部９７１４、表示部９７１５、または表示部９７２２はナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目及びレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部９７１０乃至表示部９７１３、表示部９７２１、表示部９７２３にも表示することができる。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は照明装置として用いることも可能である。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は加熱装置として用いることも可能である。
【０３４５】
平面な表示部が、本発明の一態様の剥離方法を用いて作製された発光装置、表示装置、または入出力装置を有していてもよい。
【０３４６】
図２１（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体９８０１、筐体９８０２、表示部９８０３、表示部９８０４、マイクロフォン９８０５、スピーカ９８０６、操作キー９８０７、スタイラス９８０８等を有する。
【０３４７】
図２１（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部９８０３と表示部９８０４）を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定されず１つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくとも１つの表示部が本発明の一態様が適用された発光装置、表示装置、または入出力装置等を有する。
【０３４８】
図２１（Ｅ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９８２１、表示部９８２２、キーボード９８２３、ポインティングデバイス９８２４等を有する。
【０３４９】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【実施例１】
【０３５０】
本実施例では、３種類の試料を作製し、それぞれ、水素透過性及び水透過性を調べた。
【０３５１】
［試料の作製］
ガラス基板上に、スパッタリング法を用いて、厚さ約３０ｎｍのタングステン膜を形成することで、試料Ａを作製した。タングステン膜は、スパッタリング法にて、Ａｒガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、電源電力６０ｋＷ、圧力２Ｐａ、基板温度１００℃の条件で形成した。
【０３５２】
ガラス基板上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成することで、試料Ｂを作製した。酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、ＳｉＨ４ガスとＮ２Ｏガスの流量をそれぞれ７５ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３５３】
ガラス基板上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、酸化窒化シリコン膜上に、スパッタリング法を用いて、厚さ約３０ｎｍのタングステン膜を形成することで、試料Ｃを作製した。酸化窒化シリコン膜の成膜条件は、試料Ｂと同様である。タングステン膜の成膜条件は、試料Ａと同様である。
【０３５４】
［ＴＤＳ分析］
試料Ａ〜試料Ｃについて、昇温脱離ガス分光法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析により温度毎の水素分子（質量電荷比（ｍ／ｚ）２）の放出量を評価した結果を図２２（Ａ）〜（Ｃ）に示す。
【０３５５】
試料Ａ〜試料Ｃについて、ＴＤＳ分析により温度毎の水分子（質量電荷比（ｍ／ｚ）１８）の放出量を評価した結果を図２３（Ａ）〜（Ｃ）に示す。
【０３５６】
酸化窒化シリコン膜を形成した試料Ｂは、水素及び水の放出が検出された。酸化窒化シリコン膜上にタングステン膜を形成した試料Ｃでも、水素及び水の放出が検出された。
【０３５７】
本実施例の結果から、タングステン膜は、酸化窒化シリコン膜から放出された水素及び水を透過することがわかった。本発明の一態様の剥離方法では、ガラス基板上に酸化窒化シリコン膜を設け、該酸化窒化シリコン膜上に、剥離層として機能するタングステン膜を設ける。この積層構造を加熱することで、水素及び水が該酸化窒化シリコン膜から放出され、タングステン膜を透過し、剥離界面に到達すると考えられる。
【実施例２】
【０３５８】
本実施例では、本発明の一態様の剥離方法を用いて、剥離を行った。
【０３５９】
［試料１の作製］
図１及び図２を用いて、試料１の作製方法を説明する。
【０３６０】
まず、作製基板１００上に、第１の絶縁層１０１を形成した（図１（Ａ））。
【０３６１】
作製基板１００には、ガラス基板を用いた。
【０３６２】
第１の絶縁層１０１として、厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、ＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガス及びＮＨ３ガスの流量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍとし、電源電力６００Ｗ、圧力６０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３６３】
次に、第１の絶縁層１０１上に、第２の絶縁層１０２を形成した（図１（Ａ））。
【０３６４】
第２の絶縁層１０２として、厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、ＳｉＨ４ガスとＮ２Ｏガスの流量をそれぞれ７５ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３６５】
次に、第２の絶縁層１０２上に、剥離層１０７を形成した（図１（Ｂ））。
【０３６６】
剥離層１０７として、厚さ約３０ｎｍのタングステン膜を形成した。タングステン膜は、スパッタリング法にて、Ａｒガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、電源電力６０ｋＷ、圧力２Ｐａ、基板温度１００℃の条件で形成した。
【０３６７】
次に、剥離層１０７の表面にプラズマ処理を行った（図１（Ｃ）の点線で示す矢印参照）。
【０３６８】
具体的には、Ｎ２Ｏガス及びＳｉＨ４ガスを含む雰囲気下でプラズマ処理を行った。Ｎ２Ｏガスの流量は１２００ｓｃｃｍとし、ＳｉＨ４ガスの流量は５ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０Ｐａ、基板温度３３０℃、２４０秒間の条件で行った。
【０３６９】
プラズマ処理を行うことで、剥離層１０７上に、厚さ約１０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した（図示せず）。
【０３７０】
次に、剥離層１０７上に、第３の絶縁層１０３を形成した（図１（Ｄ））。素子層１０４は形成しなかった。
【０３７１】
第３の絶縁層１０３として、厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、ＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガス及びＮＨ３ガスの流量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍとし、電源電力６００Ｗ、圧力６０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３７２】
その後、窒素雰囲気下、４５０℃で１時間の加熱処理を行った。
【０３７３】
続いて、作製基板１００と基板１２０とを接着層１２１により貼り合わせた（図２（Ａ））。基板１２０には有機樹脂フィルムを用いた。接着層１２１にはエポキシ樹脂を用いた。
【０３７４】
［比較試料２の作製］
図２４（Ｃ）を用いて、比較試料２の作製方法を説明する。
【０３７５】
まず、作製基板１００上に、剥離層１０７を形成した。
【０３７６】
剥離層１０７として、厚さ約３０ｎｍのタングステン膜を形成した。タングステン膜は、スパッタリング法にて、Ａｒガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、電源電力６０ｋＷ、圧力２Ｐａ、基板温度１００℃の条件で形成した。
【０３７７】
次に、剥離層１０７の表面にプラズマ処理を行った。
【０３７８】
具体的には、Ｎ２Ｏガス及びＳｉＨ４ガスを含む雰囲気下でプラズマ処理を行った。Ｎ２Ｏガスの流量は１２００ｓｃｃｍとし、ＳｉＨ４ガスの流量は５ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０Ｐａ、基板温度３３０℃、１２０秒間の条件で行った。
【０３７９】
次に、剥離層１０７上に第１の絶縁層１９１を形成した。
【０３８０】
第１の絶縁層１９１として、厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、ＳｉＨ４ガスとＮ２Ｏガスの流量をそれぞれ７５ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３８１】
次に、第１の絶縁層１９１上に第２の絶縁層１９２を形成した。
【０３８２】
第２の絶縁層１９２として、厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、ＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガス及びＮＨ３ガスの流量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍとし、電源電力６００Ｗ、圧力６０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３８３】
その後、窒素雰囲気下、４５０℃で１時間の加熱処理を行った。
【０３８４】
続いて、作製基板１００と基板１２０とを接着層１２１により貼り合わせた。基板１２０には有機樹脂フィルムを用いた。接着層１２１にはエポキシ樹脂を用いた。
【０３８５】
［剥離試験］
試料１及び比較試料２について、作製基板１００から被剥離層を剥離するのに要する力の評価を行った。評価には、図２４（Ａ）に示すような治具を用いた。図２４（Ａ）に示す治具は、複数のガイドローラ１５４と、サポートローラ１５３を有する。測定方法としては、まず、作製基板１００上に予め形成された被剥離層を含む層１５０にテープ１５１を貼り付け、端部を一部剥離しておく。次に、テープ１５１をサポートローラ１５３に引っ掛けるように作製基板１００を治具に取り付け、テープ１５１及び被剥離層を含む層１５０が作製基板１００に対して垂直方向になるようにする。ここで、テープ１５１を作製基板１００に対して垂直方向に引っ張り（速度２０ｍｍ／ｍｉｎ）、被剥離層を含む層１５０を作製基板１００から剥離する際に、垂直方向に引っ張る力を測定することで、剥離に要する力を測定することができる。ここで、剥離が進行している間、剥離層１０７が露出した状態で作製基板１００がガイドローラ１５４に沿ってその面方向に走行する。サポートローラ１５３及びガイドローラ１５４は、被剥離層を含む層１５０及び作製基板１００の走行中の摩擦の影響を無くすために回転可能に設けられている。
【０３８６】
剥離試験には、島津製作所製の小型卓上試験機（ＥＺ−ＴＥＳＴ  ＥＺ−Ｓ−５０Ｎ）及び日本工業規格（ＪＩＳ）の規格番号ＪＩＳ  Ｚ０２３７に準拠する粘着テープ・粘着シート試験方法を用いた。各試料の寸法は、１２６ｍｍ×２５ｍｍとした。
【０３８７】
図２４（Ｂ）に示すように、試料１は、剥離層１０７と第３の絶縁層１０３の間で分離した。
【０３８８】
図２４（Ｄ）に示すように、比較試料２は、剥離層１０７と第１の絶縁層１９１の間で分離した。
【０３８９】
剥離に要する力が０．１４Ｎ以上の場合、剥離試験後に作製基板１００側に被剥離層が残存しやすい。一方、剥離に要する力が０．１４Ｎ未満の場合では、被剥離層が作製基板１００に残存することなく、良好に剥離を行うことができる。
【０３９０】
試料１の剥離に要する力は、０．１１０Ｎであり、比較試料２の剥離に要する力は、０．１１２Ｎであった。なお、剥離に要する力は、各試料、６ポイントで測定した平均値で示した。
【０３９１】
本実施例の試料１は比較試料２と同等の剥離性を有し、剥離に要する力が十分に小さいことがわかった。
【０３９２】
試料１は、比較試料２に比べて、装置側に残る絶縁膜が薄い。そのため、本発明の一態様を適用して作製する装置の薄型化を図ることができる。
【０３９３】
なお、試料１において、第２の絶縁層１０２を厚さ約２００ｎｍまたは約４００ｎｍとした場合でも、剥離が可能であることが確認された。第２の絶縁層１０２を薄くするほど、成膜に要する時間が短縮され、生産性が高まるため、好ましい。
【０３９４】
本実施例の結果から、本発明の一態様を適用することで、繰り返しの曲げに強い装置、及び、小さな曲率半径で曲げられる装置を歩留まりよく作製できることが示唆された。
【符号の説明】
【０３９５】
１００    作製基板
１００ａ    作製基板
１００ｂ    作製基板
１０１    第１の絶縁層
１０１ａ    第１の絶縁層
１０１ｂ    第１の絶縁層
１０２    第２の絶縁層
１０２ａ    第２の絶縁層
１０２ｂ    第２の絶縁層
１０３    第３の絶縁層
１０３ａ    第３の絶縁層
１０３ｂ    第３の絶縁層
１０４    素子層
１０５ａ    絶縁層
１０５ｂ    絶縁層
１０７    剥離層
１０７ａ    剥離層
１０７ｂ    剥離層
１１０    被剥離層
１１１    酸化物層
１２０    基板
１２１    接着層
１３０    基板
１３１    接着層
１５０    被剥離層を含む層
１５１    テープ
１５３    サポートローラ
１５４    ガイドローラ
１９１    第１の絶縁層
１９２    第２の絶縁層
３００    タッチパネル
３０１    トランジスタ
３０２    トランジスタ
３０３    トランジスタ
３０４    発光素子
３０５    容量素子
３０６    接続部
３０７    導電層
３０８    接続部
３０９    接続体
３１０    入力装置
３１１    ゲート絶縁層
３１２    絶縁層
３１３    絶縁層
３１４    絶縁層
３１５    絶縁層
３１６    スペーサ
３１７    接着層
３１８    入力装置
３１９    接続体
３２０    タッチパネル
３２１    電極
３２２    ＥＬ層
３２３    電極
３２４    光学調整層
３２５    着色層
３２６    遮光層
３２６ａ    遮光層
３２６ｂ    遮光層
３２７    絶縁層
３２８    絶縁層
３２９    オーバーコート
３３０    基板
３３１    電極
３３２    電極
３３３    電極
３３４    電極
３４１    配線
３４２    配線
３４７    領域
３４８    領域
３４９    領域
３５０    ＦＰＣ
３５１    ＩＣ
３５５    導電層
３５６    絶縁層
３７０    発光装置
３７１    基板
３７２    基板
３７３    ＦＰＣ
３７４    ＩＣ
３７５    接着層
３７６    絶縁層
３７７    接着層
３７８    絶縁層
３７９    発光装置
３８１    発光部
３８２    駆動回路部
３８３    配線
３８５    接続部
３８６    接続体
３８７    交差部
３９１    接着層
３９２    基板
３９３    絶縁層
３９５    絶縁層
３９６    接着層
３９８    剥離フィルム
３９９    剥離フィルム
７２３    バックゲート
７２８    絶縁層
７２９    絶縁層
７４２    半導体層
７４３    ゲート
７４４ａ    導電層
７４４ｂ    導電層
７４７ａ    開口
７４７ｂ    開口
７４７ｃ    開口
７４７ｄ    開口
７７２    絶縁層
８４８    トランジスタ
７０００    表示部
７００１    表示部
７１００    携帯電話機
７１０１    筐体
７１０３    操作ボタン
７１０４    外部接続ポート
７１０５    スピーカ
７１０６    マイク
７２００    テレビジョン装置
７２０１    筐体
７２０３    スタンド
７２１１    リモコン操作機
７３００    携帯情報端末
７３０１    筐体
７３０２    操作ボタン
７３０３    情報
７３０４    情報
７３０５    情報
７３０６    情報
７３１０    携帯情報端末
７３２０    携帯情報端末
７４００    照明装置
７４０１    台部
７４０２    発光部
７４０３    操作スイッチ
７４１０    照明装置
７４１２    発光部
７４２０    照明装置
７４２２    発光部
７５００    携帯情報端末
７５０１    筐体
７５０２    部材
７５０３    操作ボタン
７６００    携帯情報端末
７６０１    筐体
７６０２    ヒンジ
７６５０    携帯情報端末
７６５１    非表示部
７７００    携帯情報端末
７７０１    筐体
７７０３ａ    ボタン
７７０３ｂ    ボタン
７７０４ａ    スピーカ
７７０４ｂ    スピーカ
７７０５    外部接続ポート
７７０６    マイク
７７０９    バッテリ
７８００    携帯情報端末
７８０１    バンド
７８０２    入出力端子
７８０３    操作ボタン
７８０４    アイコン
７８０５    バッテリ
９７００    自動車
９７０１    車体
９７０２    車輪
９７０３    フロントガラス
９７０４    ライト
９７０５    フォグランプ
９７１０    表示部
９７１１    表示部
９７１２    表示部
９７１３    表示部
９７１４    表示部
９７１５    表示部
９７２１    表示部
９７２２    表示部
９７２３    表示部
９８０１    筐体
９８０２    筐体
９８０３    表示部
９８０４    表示部
９８０５    マイクロフォン
９８０６    スピーカ
９８０７    操作キー
９８０８    スタイラス
９８２１    筐体
９８２２    表示部
９８２３    キーボード
９８２４    ポインティングデバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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