(57)【要約】【課題】バイアス磁場の磁極面と平行な成分を広い領域で小さくする。【解決手段】磁場検出装置は、第１の磁気センサと、第１の磁気センサと対向して位置するバイアス磁石５と、を有している。バイアス磁石５は、第１の磁気センサと対向し第１の磁気センサにバイアス磁場を印加する磁極面６ａを有し、第１の磁気センサは磁極面６ａと平行なｘ方向の磁場を検知する。バイアス磁石５の磁極面６ａは、ｘ方向ｘに配列された複数の溝７を有している。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の磁気センサと、前記第１の磁気センサと対向して位置するバイアス磁石と、を有し、
前記バイアス磁石は、前記第１の磁気センサと対向し前記第１の磁気センサにバイアス磁場を印加する磁極面を有し、前記第１の磁気センサは前記磁極面と平行な第１の方向の磁場を検知し、前記バイアス磁石の前記磁極面は、前記第１の方向に配列された複数の溝を有している、磁場検出装置。
【請求項２】
前記複数の溝は、前記磁極面の前記第１の方向の中央部の両側にそれぞれ位置する２つの第１の溝を含んでいる、請求項１に記載の磁場検出装置。
【請求項３】
前記２つの第１の溝は前記中央部に関し互いに対称の位置にある、請求項２に記載の磁場検出装置。
【請求項４】
前記２つの第１の溝の間にある凸部は、前記２つの第１の溝の底部から見て前記磁極面の手前で終端している、請求項２または３に記載の磁場検出装置。
【請求項５】
前記複数の溝は、前記第１の方向に関してそれぞれ前記第１の溝の外側に位置する２つの第２の溝を含んでいる、請求項２から４のいずれか１項に記載の磁場検出装置。
【請求項６】
前記第２の溝は前記第１の溝より浅い、請求項５に記載の磁場検出装置。
【請求項７】
前記複数の溝は、前記第１の方向に関してそれぞれ前記第２の溝の外側に位置する２つの第３の溝を含んでいる、請求項５または６に記載の磁場検出装置。
【請求項８】
前記複数の溝は、前記磁極面の前記第１の方向の中央部に位置する第１の溝と、前記第１の方向に関して前記第１の溝の両側に位置する２つの第２の溝と、を含んでいる、請求項１に記載の磁場検出装置。
【請求項９】
前記２つの第２の溝は前記中央部に関し互いに対称の位置にある、請求項８に記載の磁場検出装置。
【請求項１０】
前記第１の溝は前記第２の溝より前記第１の方向の寸法が大きい、請求項８または９に記載の磁場検出装置。
【請求項１１】
前記第２の溝は前記第１の溝より浅い、請求項８から１０のいずれか１項に記載の磁場検出装置。
【請求項１２】
前記複数の溝は、前記第１の方向に関してそれぞれ前記第２の溝の外側に位置する２つの第３の溝を含んでいる、請求項８から１１のいずれか１項に記載の磁場検出装置。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の磁場検出装置と、外周に歯を備える回転可能な歯車と、を有し、前記第１の磁気センサは前記バイアス磁石と前記歯車との間に位置しており、前記歯車の回転軸は前記磁極面と平行でかつ前記第１の方向と直交している、回転検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁場検出装置とこれを備えた回転検出装置に関し、特に磁場検出装置のバイアス磁石の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、自動車等の分野で用いられる回転機器の回転検出装置として、磁場検出装置と歯車を組み合わせた機構が知られている。磁場検出装置は磁気センサを備えている。磁気センサは一般に、磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子を有している。磁気センサの正面には、回転機器に接続された磁性体からなる歯車が設置されている。磁気センサの背面には磁気抵抗効果素子にバイアス磁場を印加するバイアス磁石が設けられている。バイアス磁石の２つの磁極面の一方（Ｎ極）は磁気センサと対向している。バイアス磁場は回転する歯車の歯に引き寄せられてその方向を周期的に変える。すなわち、歯車が回転することで、バイアス磁場の磁極面と平行な成分が周期的に変化する。磁気センサはこの磁場成分の変化を検出することで、歯車の回転を検出する。
【０００３】
一般に、バイアス磁場は、バイアス磁石の磁極面の中心では磁極面に対しほぼ垂直な方向を向いているが、中心から離れるに従い磁極面と垂直な面に対し外方を向く。すなわち磁力線は磁極面から広がるように延びる。磁極面の中心から離れた位置ではバイアス磁場の磁極面と平行な成分が増加する。バイアス磁場ないし磁力線は、近傍に歯車等の磁性体がない状態で、できる限りバイアス磁石の磁極面に対して垂直な方向を向いていることが好ましい。換言すれば、バイアス磁場の磁極面と平行な成分が、広い範囲で小さいことが望ましい。
【０００４】
特許文献１，２には、２つの磁気センサを備えた磁場検出装置が開示されている。２つの磁気センサの前面でバイアス磁場がバイアス磁石の磁極面に対して垂直な方向を向くように、磁極面の一部に凹部が設けられている。特許文献３には、バイアス磁石と磁気センサとの間に磁場の案内要素が設けられた磁場検出装置が開示されている。案内要素はＶ字型の凹部を有している。バイアス磁場は凹部の両側側面から内方に向かい、その後外方を向く。このため、バイアス磁場は、磁場が内方から外方に方向を変える位置でバイアス磁石の磁極面に対して垂直な方向を向きやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１８３４９８号公報
【特許文献２】特開平８−３２０３２７号公報
【特許文献３】米国特許第８０８０９９３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これらの特許文献に記載された技術では、バイアス磁場の磁極面と平行な成分が小さい領域が限定されている。従って、磁気センサをこの領域に配置するために高い取付け精度が要求され、磁場検出装置のコストを高める一因となっている。
【０００７】
本発明は、バイアス磁場の磁極面と平行な成分が広い領域で小さくされた磁場検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の磁場検出装置は、第１の磁気センサと、第１の磁気センサと対向して位置するバイアス磁石と、を有している。バイアス磁石は、第１の磁気センサと対向し第１の磁気センサにバイアス磁場を印加する磁極面を有し、第１の磁気センサは磁極面と平行な第１の方向の磁場を検知する。バイアス磁石の磁極面は、第１の方向に配列された複数の溝を有している。
【発明の効果】
【０００９】
バイアス磁石の磁極面に設けられた溝は、バイアス磁場の第１の方向の成分の、第１の方向に対する傾き（図５〜１１に示すＢｘの傾きｄＢｘ／ｄｘ）を抑え、または反転させる効果を有する。複数の溝を設けることで、溝の間におけるバイアス磁場の第１の方向の成分を抑えることが容易となる。
【００１０】
従って、本発明によれば、バイアス磁場の磁極面と平行な成分が広い領域で小さくされた磁場検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る回転検出装置の概念図である。
【図２】磁気センサの磁気抵抗効果素子の構成を示す概念図である。
【図３】回転検出装置の作動原理を示す概念図である。
【図４】従来のバイアス磁石の構成とｘ方向磁束密度を示す図である。
【図５】従来のバイアス磁石の構成とｘ方向磁束密度を示す図である。
【図６】磁気センサとバイアス磁石の一体化構成を示す概念図である。
【図７】本実施形態のバイアス磁石の構成とｘ方向磁束密度を示す図である。
【図８】本実施形態のバイアス磁石の構成とｘ方向磁束密度を示す図である。
【図９】本実施形態のバイアス磁石の構成とｘ方向磁束密度を示す図である。
【図１０】本実施形態のバイアス磁石の構成とｘ方向磁束密度を示す図である。
【図１１】本実施形態のバイアス磁石の構成とｘ方向磁束密度を示す図である。
【図１２】本実施形態のバイアス磁石の構成を示す図である。
【図１３】本実施形態のバイアス磁石の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の磁場検出装置とそれを備えた回転検出装置の様々な実施形態について説明する。説明は省略するが、本発明の磁場検出装置はリニアエンコーダなどの直線運動を検出する装置にも適用できる。以下の説明では、バイアス磁石の磁極面と平行でかつ３つの磁気センサが配列する方向を第１の方向またはｘ方向とする。バイアス磁石の磁極面と平行でかつｘ方向と直交する方向を第２の方向またはｙ方向とする。バイアス磁石の磁極面と直交する方向を第３の方向またはｚ方向とする。
【００１３】
図１は本発明の一実施形態に係る回転検出装置１の概念図を示している。回転検出装置１は磁場検出装置２と、金属等の磁性体で形成された回転可能な歯車３と、を有している。歯車３は回転軸３ａの周りを、時計回り方向Ｒ１及び反時計回り方向Ｒ２に回転可能である。歯車３は回転機器（図示せず）の一部でもよく、回転機器に接続されていてもよい。歯車３の回転軸３ａは第２の方向（ｙ方向）と平行に延びている。歯車３の外周には一定の間隔で突起状の歯３ｂが設けられている。
【００１４】
磁場検出装置２は、３つの磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃとバイアス磁石５とを有している（以下の記述で、第１〜第３の磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃの任意の一つを磁気センサ４という場合がある。）。磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃは歯車３とバイアス磁石５との間に位置している。バイアス磁石５はＮ極である磁極面６ａと、Ｓ極である磁極面６ｂと、を有している。一方の磁極面６ａ（Ｎ極）が３つの磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃと対向しており、３つの磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃにバイアス磁場を印加する。３つの磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃは、第１の磁気センサ４ａと、第２の磁気センサ４ｂと、第３の磁気センサ４ｃとからなっている。第１〜第３の磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃは第１の方向（ｘ方向）に沿って配列しており、第１の磁気センサ４ａが第２の磁気センサ４ｂと第３の磁気センサ４ｃとの間に位置している。第１の磁気センサ４ａは、バイアス磁石５の磁極面６ａのｘ方向中央部と対向している。磁極面６ａの中央部は磁極面６ａのｘ方向における中点と同義である。
【００１５】
第１〜第３の磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃはすべて同じ構成を有している。第１〜第３の磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃはＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistance）素子などの、磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子２１を備えている。図２に磁気抵抗効果素子２１の例としてＴＭＲ素子の概念図を示す。磁気抵抗効果素子２１は外部磁場に対して磁化方向が固定された磁化固定層２２と、外部磁場に対して磁化方向がｘ−ｙ面内で回転する磁化自由層２４と、磁化固定層２２と磁化自由層２４との間に位置するトンネルバリア層２３と、を有している。これらの層２２〜２４にはz方向にセンス電流２５が流れている。磁化固定層２２はｘ方向に磁化されている。バイアス磁場のｘ方向の成分が変化すると、磁化自由層２４のｘ方向の磁化の大きさが変化する。磁化自由層２４のｘ方向の磁化の変化に応じてセンス電流２５に対する抵抗値が変化する。第１〜第３の磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃは、この抵抗値の変化（電圧の変化）に基づき、磁場（磁束密度）のｘ方向成分Ｂｘを検知することができる。
【００１６】
図３は、回転検出装置１の作動原理を示している。図３（ａ）に示すように、歯車３が反時計回り方向Ｒ２に回転することによって、歯車３の歯３ｂがバイアス磁石５に対して右方向に相対移動する場合を考える。歯車３の歯３ｂがバイアス磁石５に対して左側にある場合、バイアス磁石５から放出されるバイアス磁場Ｂは歯車３の歯３ｂに引かれて左側を向く。Ｂｘの符号を図中右向きに正とすると、バイアス磁石５と歯車３の歯３ｂとの間の空間におけるＢｘは負となる。歯車３が回転し、歯車３の歯３ｂがバイアス磁石５のｘ方向中央部と正対する位置にくるとＢｘはゼロとなり、歯車３の歯３ｂがバイアス磁石５に対して右側にくるとＢｘは正となる。従って、歯車３の一つの歯３ｂがバイアス磁石５の前面を通過するとき、図３（ｂ）に示すように、Ｂｘは正弦波１周期分の変化を行う。磁気センサ４の磁気抵抗効果素子２１の出力（以下、素子出力という）はＢｘに比例するため、素子出力は図３（ｃ）に示すように図３（ｂ）と相似形の波形となる。例えば、磁気センサ４は素子出力を２値化するコンパレータ（図示せず）を備えており、図３（ｄ）に示すように、素子出力の正の値と負の値にそれぞれ対応した２値の電圧を出力する。従って、電圧の変化によって、磁気センサ４の前面を歯車３の一つの歯３ｂが横切ったことが検出される。
【００１７】
図４，５は、従来のバイアス磁石の構成と磁束密度Ｂｘを示している。図４（ａ）に示すバイアス磁石１０５ａはｘ方向寸法６ｍｍ、ｙ方向寸法４．４ｍｍ、ｚ方向寸法５．５ｍｍの直方体である。磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃと対向する磁極面１０６ａは平坦であり、凹凸は設けられていない。図５（ａ）に示すバイアス磁石１０５ｂは、図４（ａ）に示すバイアス磁石１０５ａと同じ外形寸法を有し、磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃと対向する磁極面１０６ｂに一つの溝１０７が形成されている。図４（ｂ）、図５（ｂ）は、ｘ方向位置に対する磁束密度Ｂｘを示している。磁束密度Ｂｘはｙ＝０ｍｍ、ｚ＝０．５ｍｍの位置での値である。ここで、ｙ＝０は磁極面１０６ａのｙ方向中心位置、ｚ＝０は磁極面１０６ａの位置である。
【００１８】
図４（ｂ）を参照すると、Ｂｘはｘ＝０ｍｍ（バイアス磁石のｘ方向中央部）の位置でゼロであり、ｘが正の方向に大きくなるほど大きな正値を取り、ｘが負の方向に大きくなるほど大きな負値をとる。これは、図４（ａ）に破線で示すように、バイアス磁石１０５ａのｘ方向位置がｘ方向中央部（ｘ＝０ｍｍ）から離れるに従い、磁場Ｂ（磁力線）が斜め外方を向くことを意味する。磁気センサ４の素子出力は図３（ｃ）に示すようにほぼ正弦波の形状をとり、理想的には正負で対称形となる。しかし、磁気センサ４の設置位置がｘ方向中央部（ｘ＝０ｍｍ）から＋ｘ方向または−ｘ方向にずれると、歯車３の歯３ｂが磁気センサ４に正対したときにＢｘがゼロにならない。素子出力はＢｘ＝０に対して偏位した値を中心に振動するため（すなわち、図３（ｃ）に示すグラフが全体的に上方または下方にシフトする）、最悪の場合２値化が正しく行われない可能性がある。
【００１９】
１つの磁気センサ４だけを設ける場合、磁気センサ４をバイアス磁石１０５ａのｘ方向中央部に精度よく位置させることが必要となる。このことは磁場検出装置２のコストを上げる要因となる。さらに、複数の磁気センサを設ける場合、複数の磁気センサのすべてをバイアス磁石１０５ａのｘ方向中央部に位置させることは不可能であり、少なくとも複数の内１つ以上の磁気センサは不可避的にバイアス磁石１０５ａのｘ方向中央部からずれる。このことは、少なくとも複数の内１つ以上磁気センサにおいて２値化が正しく行われない可能性が高くなることを意味する。
【００２０】
このような課題を解決する一つの方法として、図５（ａ）に示すように磁極面１０６ｂに一つの溝１０７を設け、Ｂｘのｘに対する変動を抑えることができる。図５（ｂ）を参照すると、溝１０７の存在するｘの範囲ではＢｘは負の傾きを有しており、傾きの絶対値が図４（ｂ）と比べて若干小さくなっている。図４（ｂ）、図５（ｂ）にはＢｘの値が±２０ｍＴ以内となるｘの範囲Ｌを示しており、範囲Ｌは図４（ａ）に示す溝１０７のない直方体形状と比べて拡大している。なお、範囲Ｌを±２０ｍＴ以内としたのは一つの例示であり、磁場検出装置２の実際の適用例において変わり得る。
【００２１】
本発明は、Ｂｘの小さい範囲をより拡大することが可能な磁場検出装置２を提供するものである。この目的で、バイアス磁石５の第１〜第３の磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃと対向する磁極面６ａは、ｘ方向（第１の方向）に配列された複数の溝７を有している。各々の溝７はバイアス磁石５をｙ方向に貫通し、かつｙ方向に一定の断面を有している。溝７は直方体のバイアス磁石５を切削することで形成することができる。図６に示すように、第１〜第３の磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃとバイアス磁石５を一体化することもできる。第１〜第３の磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃは例えばプラスチックからなるホルダ１３と一体化され、さらにホルダ１３がバイアス磁石５と一体化されている。第１〜第３の磁気センサ４ａ、４ｂ、４ｃはホルダ１３に埋め込まれている。バイアス磁石５は射出成型で作成することができる。複数の溝７をバイアス磁石５に設けることで、複数の溝７とバイアス磁石５の接触面積が増加し、ホルダ１３がバイアス磁石５に強固に固定される。この結果、ホルダ１３がバイアス磁石５から脱落しにくくなる。
【００２２】
以下、図７〜１２を参照してバイアス磁石５の様々な実施形態について説明する。これらの実施形態のバイアス磁石５は、図４，５と同様、ｘ方向６ｍｍ、ｙ方向４．４ｍｍ、ｚ方向５．５ｍｍの外形寸法を有している。各図の（ａ）はバイアス磁石５の外形を示し、（ｂ）は図４（ｂ）、図５（ｂ）と同様、ｙ＝０ｍｍ、ｚ＝０．５ｍｍの位置での磁束密度Ｂｘをｘの関数として示している。以下に示す各実施形態において、溝７の深さはバイアス磁石５の第３の方向（ｚ方向）の寸法の半分以下であることが望ましい。これは、溝７が深くなるに従い、Ｂｘへの影響が小さくなると共に、バイアス磁石５の加工コストや強度の点で不利になるためである。図７に示すように、溝７の側面８と底面９との境界は互いに直交する２つの平面の交差部として形成されてもよいし、溝７の側面８と底面９とを滑らかにつなぐ曲面で形成されてもよい。一方、溝７の側面８と磁極面６ａとの境界は互いに直交する２つの平面の交差部として（すなわち直角に曲がる角部として）形成されていることが望ましい。
【００２３】
図７に示すように、バイアス磁石５の磁極面６ａは、ｘ方向中央部に位置する第１の溝７ａと、第１の方向（ｘ方向）に関して第１の溝７ａの両側に位置し、第１の溝７ａと同じ深さの２つの第２の溝７ｂと、を有している。ｘ方向中央部に位置するとは、溝７の中心線がバイアス磁石５の磁極面６ａのｘ方向における中点を通ることを意味する。２つの第２の溝７ｂは、好ましくはｘ方向中央部に関し対称の位置に設けられている。図４と図５の対比から分かるように、溝７は一般にＢｘの傾きを小さくし、または反転させる効果を有している。これは溝７の両側の凸部が独立した磁極としての性質を持つためである。すなわち、第１の溝７ａと第２の溝７ｂの間の第１の凸部１０ａの内側角部１１から放出される磁束は中央部の方を向き、外側角部１２から放出される磁束は外方を向く。一方、中央部の第１の溝７ａから放出される磁束は、溝７の中央部では溝７の底面９に対して鉛直であり、両側では外方を向く。従って、第１の凸部１０ａの内側角部１１の付近で溝７から放出される磁束と第１の凸部１０ａから放出される磁束が相殺され、Ｂｘが抑えられる。同様に、第１の凸部１０ａの外側角部１２から放出される磁束と第２の凸部１０ｂの内側角部１１から放出される磁束が相殺され、第２の溝７ｂの付近でＢｘが抑えられる。
【００２４】
このように、複数の溝７をｘ方向に沿って配列することで、ｘ方向における広い範囲でＢｘの正の傾きが抑えられ、またはＢｘの傾きが正から負に反転し、Ｂｘを平坦化することができる。第１の溝７ａは第２の溝７ｂよりｘ方向寸法が大きいため、より広い範囲でＢｘを平坦化することができる。図１２に示すように、第１の溝７ａと第２の溝７ｂのｘ方向寸法を同程度とし、第２の溝７ｂを第１の溝７ａより浅く形成してもよい。
【００２５】
図８に示すように、バイアス磁石５は磁極面６ａのｘ方向中央部（ｘ＝０）の両側にある２つの第１の溝７ａと、ｘ方向に関してそれぞれ第１の溝７ａの外側に位置する２つの第２の溝７ｂと、を有していてもよい。本実施形態では、第１の溝７ａと第２の溝７ｂはそれぞれ、磁極面６ａのｘ方向中央部に関して互いに対称の位置にあり、第２の溝７ｂは第１の溝７ａより浅く形成されている。第２の溝７ｂを浅く形成することで第２の溝７ｂの両側の第１及び第２の凸部１０ａ，１０ｂの独立した磁極としての性質が弱められ、Ｂｘの傾きを調整することが容易となる。
【００２６】
図９に示すように、バイアス磁石５はｘ方向に関してそれぞれ第２の溝７ｂの外側に位置する第３の溝７ｃを有していてもよい。本実施形態では磁極面６ａのｘ方向中央部に一つの第１の溝７ａが設けられているが、図１３に示すように、磁極面６ａのｘ方向中央部に関して対称の位置に２つの第１の溝７ａが設けられてもよい。いずれの実施形態でも、第３の溝７ｃは磁極面６ａのｘ方向中央部に関して互いに対称の位置にあることが望ましい。第３の溝７ｃは第２の溝７ｂより浅いことが望ましい。さらに、図示は省略するが第３の溝７ｃの外側に１以上の溝（第４の溝、第５の溝・・）を設けることもできる。その場合、外側の溝ほど内側の溝よりも浅いことが望ましく、それによって、より広い範囲でＢｘを平坦化することができる。
【００２７】
図１０に示すように、第２の溝７ｂは第１の溝７ａより深く形成されていてもよい。第２の溝７ｂの両側の凸部１０ａ、１０ｂの独立性が高まるため、Ｂｘの傾きが反転しやすくなり、第１の溝７aが浅いことと合わせてＢｘを平坦化できる。第１の溝７aが浅くＢｘを十分に平坦化できない場合、図１１に示すように、第１の溝７ａで挟まれた凸部１０ｃを低く形成することもできる。すなわち、２つの第１の溝７ａの間にある凸部１０ｃは２つの第１の溝７ａの底部から見て磁極面６ａの手前で終端していてもよい。
【００２８】
以上説明したように、本発明によれば、バイアス磁石が複数の溝を備えることでＢｘを平坦化することができる。さらに、バイアス磁石が複数の溝を備えることでバイアス磁石のｚ方向の磁束密度の低減を抑えることができる。図５（ａ）に示す１つの溝だけが設けられたバイアス磁石の場合、溝の近傍でｚ方向の磁束密度が小さくなる。これは、Ｂｘを平坦化するために大きな溝幅を確保する必要があり、その場合、溝の周辺でバイアス磁石の量が少なくなるためである。このため、歯車が回転したときのＢｘの変化が小さくなり、十分な出力を得られない可能性がある。これに対し、本発明では複数の溝を設けるため、それぞれの溝に対して大きな溝幅を確保する必要がない。このため、それぞれの溝の近傍でｚ方向の磁束密度の減少が抑えられ、歯車が回転したときのＢｘの変化が大きくなる。Ｂｘの変化量の増加は磁気センサの出力の増加に利用することもできるし、歯車と回転検出装置の間隔を広げることにも利用できる。特に、後者の場合は、回転検出装置の配置自由度の拡大につながる。
【符号の説明】
【００２９】
１  回転検出装置
２  磁場検出装置
３  歯車
３ｂ  歯
４ａ、４ｂ、４ｃ  第１〜第３の磁気センサ
５  バイアス磁石
６ａ  磁極面
７  溝
７ａ、７ｂ、７ｃ  第１〜第３の溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図６】
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【図１２】
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【図１３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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