(57)【要約】【課題】光焼結処理における照射光のエネルギー量の過不足に起因する不良の発生を抑制する。【解決手段】酸化銅粒子又は貴金属の酸化物の粒子が分散された液膜１４を基板１２上に形成し、基板１２上に形成された液膜１４を乾燥させて膜体１６を形成し、基板１２上に形成された膜体１６に光焼結処理を施すことにより、基板１２上に導電膜１８を形成する配線基板１０の製造方法であって、前記光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ３）Ｉ、前記照射光のエネルギー密度の下限値Ｉｍｉｎ及び上限値Ｉｍａｘ、前記基板の熱拡散率（ｍｍ２／ｓ）ｘが下記（１）〜（３）式を満足する。Ｉｍｉｎ≦Ｉ≦Ｉｍａｘ…（１），Ｉｍｉｎ＝５６６ln（ｘ）＋１０２１…（２），Ｉｍａｘ＝１８９１ln（ｘ）＋３５３２…（３）【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化銅粒子又は貴金属の酸化物の粒子が分散された液膜を基板上に形成し、
前記基板上に形成された前記液膜を乾燥させて膜体を形成し、
前記基板上に形成された前記膜体に光焼結処理を施すことにより、前記基板上に導電膜を形成する配線基板の製造方法であって、
下記（１）〜（３）式を満足する配線基板の製造方法。
Ｉｍｉｎ≦Ｉ≦Ｉｍａｘ  …（１）
Ｉｍｉｎ＝５６６ln（ｘ）＋１０２１  …（２）
Ｉｍａｘ＝１８９１ln（ｘ）＋３５３２  …（３）
但し、Ｉは、前記光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ３）であり、Ｉｍｉｎは、前記照射光のエネルギー密度の下限値であり、Ｉｍａｘは、前記照射光のエネルギー密度の上限値であり、ｘは、前記基板の熱拡散率（ｍｍ２／ｓ）である。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記光焼結処理における前記照射光のエネルギー密度Ｉを調整する工程を備える配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板上に導電性薄膜を形成する方法として、還元性金属化合物と還元剤とが分散された分散液を薄膜として基板上に堆積させ、当該薄膜を基板と共にパルス電磁放射線に曝露して還元性金属化合物と還元剤とを化学的に反応させることで、当該薄膜に導電性を付与する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１２−５０５９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
酸化銅粒子又は貴金属の酸化物の粒子が分散された液膜を基板上に形成し、当該液膜を乾燥させて膜体を形成し、当該膜体に光焼結処理（Photo-sintering Process）を施すことにより、基板上に導電膜を形成する場合、照射光のエネルギー量が過剰になると、基板の溶融や導電性薄膜の基板からの剥離等が生じ、照射光のエネルギー量が不足すると、導電膜が高抵抗になる。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、光焼結処理における照射光のエネルギー量の過不足に起因する不良の発生を抑制できる配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明に係る配線基板の製造方法は、酸化銅粒子又は貴金属の酸化物の粒子が分散された液膜を基板上に形成し、前記基板上に形成された前記液膜を乾燥させて膜体を形成し、前記基板上に形成された前記膜体に光焼結処理を施すことにより、前記基板上に導電膜を形成する配線基板の製造方法であって、下記（１）〜（３）式を満足する。
Ｉｍｉｎ≦Ｉ≦Ｉｍａｘ  …（１）
Ｉｍｉｎ＝５６６ln（ｘ）＋１０２１    …（２）
Ｉｍａｘ＝１８９１ln（ｘ）＋３５３２  …（３）
但し、Ｉは、前記光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ３）であり、Ｉｍｉｎは、前記照射光のエネルギー密度の下限値であり、Ｉｍａｘは、前記照射光のエネルギー密度の上限値であり、ｘは、前記基板の熱拡散率（ｍｍ２／ｓ）である。
【０００７】
［２］上記発明において、前記光焼結処理における前記照射光のエネルギー密度Ｉを調整する工程を備えてもよい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明では、光焼結処理における照射光のエネルギー密度を、基板の熱拡散率に基づいて設定することにより、光焼結処理における照射光のエネルギー量の過不足に起因する不良の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図２】図２（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】図３は、基板の室温での熱拡散率と成功最小値との関係を示すグラフである。
【図４】図４は、体積抵抗率が、１０−４Ω・ｃｍよりも高くなった試験体における基板の室温での熱拡散率と照射エネルギー密度との関係を示すグラフである。
【図５】図５は、下記（２）式で表される光焼結処理での照射エネルギー密度の下限値と基板の室温での熱拡散率との関係を示すグラフである。
【図６】図６は、基板の室温での熱拡散率と成功最大値との関係を示すグラフである。
【図７】図７は、溶融が確認された試験体と剥離が確認された試験体とにおける基板の室温での熱拡散率と照射エネルギー密度との関係を示すグラフである。
【図８】図８は、下記（３）式で表される光焼結処理での照射エネルギー密度の上限値と基板の室温での熱拡散率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。本発明の一実施形態に係る配線基板１０の製造方法は、光焼結処理を用いて配線基板１０を製造する方法である。この配線基板１０としては、メンブレンスイッチ等のフレキシブルプリント配線板を例示することができる。
【００１１】
図１は、本実施形態に係る配線基板１０の製造方法を説明するための工程図であり、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本実施形態に係る配線基板１０の製造方法を説明するための断面図である。
【００１２】
まず、図１のステップＳ１０において、図２（Ａ）に示すように、酸化銅粒子又は貴金属の酸化物の粒子が分散された分散液を基板１２上に塗布することにより、酸化銅粒子又は貴金属の酸化物の粒子が分散された液膜１４を基板１２上に形成する。基板１２を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ＡＢＳ樹脂、ポリイミド（ＰＩ）等の樹脂材料、ガラス材料を例示することができる。
【００１３】
液膜１を構成する分散液は、酸化銅粒子又は貴金属の酸化物の粒子、バインダ、溶剤を含有する。貴金属の酸化物の粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の酸化物の粒子を例示することができる。酸化銅粒子を含有する場合には、その含有率は、７０〜８０ｗｔ％であることが好ましい。貴金属の酸化物の粒子を含有する場合には、その含有率は、７５〜８５ｗｔ％であることが好ましい。
【００１４】
バインダとしては、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）形エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、アクリル樹脂等を例示することができる。バインダの含有率は、３〜１０ｗｔ％であることが好ましい。溶剤としては、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタート等のエステル系溶剤、エチレングリコール等の炭化水素系溶剤等を例示することができる。溶剤の含有率は、１０〜３０ｗｔ％であることが好ましい。
【００１５】
分散液を基板１２上に塗布する方法としては、特に限定されないが、接触塗布法又は非接触塗布法のいずれを用いてもよい。接触塗布法としては、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、グラビアオフセット印刷、フレキソ印刷等を例示することができる。非接触塗布法としては、インクジェット印刷、スプレー塗布法、ディスペンス塗布法、ジェットディスペンス法等を例示することができる。
【００１６】
なお、基板１２上への分散液の塗布回数は、特に１回に限定されず、分散液を基板１２上に複数回塗布してもよい。また、各回の塗布毎に、分散液の組成を異ならせてもよい。
【００１７】
次に、図１のステップＳ２０において、図２（Ｂ）に示すように、液膜１４を乾燥させて溶媒を除去することで、膜体１６を形成する。本工程では、液膜１４を形成した基板１２を、１００〜１２０℃の窒素雰囲気下において６０分間加熱する。溶剤が除去された膜体１６は、酸化銅粒子又は金属の酸化物の粒子、及びバインダを含む層である。
【００１８】
次に、図１のステップＳ３０において、後述の光焼結処理で用いる光焼結装置１を調整する。光焼結装置１としては、特に限定されないが、キセノンランプ、水銀灯、メタルハイドランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、赤外線ランプ等を光源とするものや、レーザ照射装置等を例示することができる。光焼結装置１の光源から照射されるパルス光が含む波長成分としては、可視光線、紫外線、赤外線等を例示することができる。なお、パルス光が含む波長成分は、電磁波であれば特に限定されず、例えば、Ｘ線やマイクロ波等を含んでもよい。
【００１９】
本実施形態では、光焼結装置１として、ＮＯＶＡＣＥＮＴＲＩＸ社製の光焼成装置PulseForgeシリーズを使用する。本工程では、パルス光照射装置としての光焼結装置１の放射照度（単位面積当たりの照射エネルギー）（ｋＷ／ｍ２）と、パルス照射時間（１パルス当りの照射時間）（μｓ）と、パルス照射間隔（μｓ）と、処理時間（ｍｓｅｃ）とを設定する。この処理時間（ｍｓｅｃ）は、照射がオン状態の時間（以下、照射時間という）（ｍｓｅｃ）と照射がオフの時間（ｍｓｅｃ）との合計時間である。
【００２０】
ここで、照射エネルギー密度（単位体積当たりの照射エネルギー量）Ｉ（ｋＪ／ｃｍ３）が下記（１）式を満足するように、放射照度（ｋＷ／ｍ２）と、パルス照射時間（１パルス当りの照射時間）（μｓ）と、パルス照射間隔（μｓ）と、処理時間（ｍｓｅｃ）とを設定する。
Ｉｍｉｎ≦Ｉ≦Ｉｍａｘ  …（１）
【００２１】
上記（１）式のＩｍｉｎは、下記（２）式を満足し、上記（１）式のＩｍａｘは、下記（３）式を満足する。
Ｉｍｉｎ＝５６６ln（ｘ）＋１０２１    …（２）
Ｉｍａｘ＝１８９１ln（ｘ）＋３５３２  …（３）
但し、Ｉｍｉｎは、照射エネルギー密度の下限値であり、Ｉｍａｘは、照射エネルギー密度の上限値であり、ｘは、基板１２の室温での熱拡散率（ｍｍ２／ｓ）である。
【００２２】
基板１２の熱拡散率ｘ（ｍｍ２／ｓ）は下記（４）式を満足する。
ｘ＝ｋ／（ρ・Ｃｐ）  …（４）
但し、ｋは、基板１２の熱伝導率（Ｊ／（ｓ・ｍｍ・Ｋ））であり、ρは、基板１２の密度（ｋｇ／ｍｍ３）であり、Ｃｐは、基板１２の比熱容量（Ｊ／（ｋｇ・Ｋ））である。
【００２３】
照射エネルギー密度Ｉ（Ｊ／ｃｍ３）は、下記（５）式で表される。
Ｉ＝ＩＡ・Ｉｔ／ｔ  …（５）
但し、ＩＡは、放射照度であり、Ｉｔは、照射時間であり、ｔは、基板１２の厚さである。
【００２４】
次に、図１のステップＳ４０において、ステップＳ３０で設定した条件で、光焼結装置１により基板１２上の膜体１６に光焼結処理を施すことによって導電膜１８を形成する。図２（Ｃ）に示すように、本工程において、基板１２上の膜体１６に含まれる酸化銅粒子又は貴金属の酸化物の粒子の還元反応と金属焼結が進行することによって、導電膜１８が形成される。
【００２５】
ここで、本願の発明者は、以下に説明する実験を実施した結果、基板１２の熱拡散率ｘ（ｍｍ２／ｓ）に基づいて、照射エネルギー密度Ｉ（ｋＪ／ｃｍ３）を設定することによって、基板１２の種類にかかわらず、光焼結処理における照射エネルギー量の過不足に起因する不良の発生を抑制できるという知見を得た。以下、本願の発明者が行った実験について説明する。
【００２６】
本実験では、下記表１に示す試験体１〜１６を作製し、これらの試験体１〜１６に対して照射エネルギー密度を増減させながら光焼結処理を施した後、基板１２の溶融の有無、基板１２からの導電膜１８の剥離の有無を目視にて確認し、導電膜１８の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。導電膜１８の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）は、導電膜１８のシート抵抗に導電膜１８の厚さを乗じた値である。導電膜１８のシート抵抗は、抵抗率計（三菱化学アナリテック社製のロレスタＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６１０型）を用いて測定した。また、導電膜１８の厚さは、マイクロメーターを用いて測定した。導電膜１８の体積抵抗率の評価では、メンブレンスイッチ等のフレキシブルプリント基板での使用を考慮して、１０−４Ω・ｃｍ以上を高抵抗とした。
【００２７】
まず、下記Ａ、Ｂの分散液を作製した。
＜分散液Ａ＞
平均粒径５μｍの酸化銅（ＣｕＯ）粒子を７５ｗｔ％、ポリビニルピロリドンを５ｗｔ％、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタートを２０ｗｔ％の比率で混合したもの
＜分散液Ｂ＞
平均粒径５μｍの酸化銀（ＡｇＯ）粒子を８０ｗｔ％、ポリビニルピロリドンを５ｗｔ％、エチレングリコールを１５ｗｔ％の比率で混合したもの
【００２８】
次に、分散液Ａ、Ｂの何れかを基板１２の一面に塗布した。塗布パターンはベタ塗であり、下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの基板１２を用いた。
＜基板Ａ＞
材料：ＰＥＴ、寸法（縦×横×厚み）：30ｍｍ×30ｍｍ×0.155ｍｍ、熱拡散率：0.16ｍｍ２/ｓ
＜基板Ｂ＞
材料：ＡＢＳ、寸法（縦×横×厚み）：30ｍｍ×30ｍｍ×2.0ｍｍ、熱拡散率：0.17ｍｍ２/ｓ
＜基板Ｃ＞
材料：ＰＩ、寸法（縦×横×厚み）：30ｍｍ×30ｍｍ×0.127ｍｍ、熱拡散率：0.21ｍｍ２/ｓ
＜基板Ｄ＞
材料：無アルカリガラス、寸法（縦×横×厚み）：30ｍｍ×30ｍｍ×0.70ｍｍ、熱拡散率：0.60ｍｍ２/ｓ
【００２９】
次に、分散液Ａ、Ｂの何れかによる液膜１４が形成された基板１２を、１００℃の窒素雰囲気下において６０分間加熱して液膜１４を乾燥させることによって、基板１２上に膜体１６を形成した。最後に、基板１２上に形成された膜体１６に光焼結処理を施すことによって、基板１２上に導電膜１８を形成した。光焼結処理は、novacentrix社製のPulseForge1300を用いて行った。
【００３０】
以上のようにして作製された試験体１〜１６の仕様、光焼結処理の条件、導電膜１８の抵抗値（体積抵抗率（Ω・ｃｍ））の測定結果、及び剥離・溶融の評価結果を、表１にまとめた。なお、導電膜１８の基板１２からの剥離は、光焼結処理の後に、導電膜１８が基板１２から浮き上がったり飛散したりしているか否かを目視で確認した。また、基板１２の溶融は、光焼結処理の後に、基板１２の表面に波形状の変形が生じたか否かを目視で確認した。
【表１】
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【００３１】
表１に示すように、試験体１〜１１では、導電膜１８の体積抵抗率が１０−４Ω・ｃｍ以下となり、導電膜１８の基板１２からの剥離や基板１２の溶融は生じなかった。この結果から、試験体１〜１１の光焼結処理では、照射光のエネルギー量の過不足は生じなかったことを確認できる。一方、試験体１２では、基板１２の溶融が生じ、試験体１３では、導電膜１８の基板１２からの剥離が生じた。なお、試験体１２、１３の体積抵抗率は測定できなかった。これらの結果から、試験体１２、１３の光焼結処理では、照射光のエネルギー量が過剰であったことを確認できる。また、試験体１４〜１６では、導電膜１８の基板１２からの剥離や基板１２の溶融は生じなかったものの、導電膜１８の体積抵抗率が、１０−４Ω・ｃｍよりも高くなった。この結果から、試験体１４〜１６の光焼結処理では、照射光のエネルギー量が不足したことを確認できる。
【００３２】
以上の実験結果に基づいて、本願の発明者は、光焼結処理での照射エネルギー密度Ｉの最適値について検討した。まず、光焼結処理での照射エネルギー密度Ｉの下限値Ｉｍｉｎの設定方法について説明する。
【００３３】
ここで、体積抵抗率と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＡである試験体１０、１１のうち、照射エネルギー密度が最小であるのが試験体１０である。また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＢである試験体１、２のうち、照射エネルギー密度が最小であるのが試験体２である。また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＣである試験体７、８、９のうち、照射エネルギー密度が最小であるのが試験体７である。さらに、また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＤである試験体３、４、５、６のうち、照射エネルギー密度が最小であるのが試験体３である。
【００３４】
以下、試験体１０の照射エネルギー密度を基板Ａの成功最小値と称し、試験体１２の照射エネルギー密度を基板Ｂの成功最小値と称し、試験体１３の照射エネルギー密度を基板Ｃの成功最小値と称し、試験体５の照射エネルギー密度を基板Ｄの成功最小値と称する。
【００３５】
図３は、基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘと成功最小値Ｉｍｉｎ＿ｓとの関係を示すグラフである。このグラフに示すように、基板Ａ〜Ｄの熱拡散率ｘと成功最小値Ｉｍｉｎ＿ｓとの関係は、下記（７）式で表される近似曲線で示される。
Ｉｍｉｎ＿ｓ＝７６７．５８×ln（ｘ）＋１３５６．８  …（６）
【００３６】
図４は、体積抵抗率が、１０−４Ω・ｃｍよりも高くなった試験体１４（基板Ｄ）、試験体１５（基板Ａ）、試験体１６（基板Ｃ）の室温での熱拡散率ｘと照射エネルギー密度との関係を示すグラフである。以下、体積抵抗率が１０−４Ω・ｃｍよりも高くなった試験体の照射エネルギー密度を、下限越え値と称する。このグラフに示すように、基板Ａ、Ｃ、Ｄの熱拡散率ｘと下限越え値Ｉｍｉｎ＿ｆとの関係は、下記（７）式で表される近似曲線で示される。
Ｉｍｉｎ＿ｆ＝３６５．０２×ln（ｘ）＋６８５．７７  …（７）
【００３７】
図５は、上記（２）式で表される光焼結処理での照射エネルギー密度の下限値Ｉｍｉｎと基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘとの関係を示すグラフである。ここで、光焼結処理での照射エネルギー密度の下限値Ｉｍｉｎと基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘとの関係を示す近似曲線は、基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘと成功最小値Ｉｍｉｎ＿ｓとの関係を示す上記（６）式の近似曲線と、基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘと下限越え値Ｉｍｉｎ＿ｆとの関係を示す上記（７）式の近似曲線との中間を通る曲線である。具体的には、上記（２）式の傾き（５６６）は、上記（６）式の傾き（７６７．５８）と上記（７）式の傾き（３６５．０２）との相加平均である。また、上記（２）式の切片（１０２１）は、上記（６）式の切片（１３５６．８）と上記（７）式の切片（６８５．７７）との相加平均である。
【００３８】
次に、光焼結処理での照射エネルギー密度の上限値Ｉｍａｘの設定方法について説明する。
【００３９】
抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＡである試験体１０、１１のうち、照射エネルギー密度が最大であるのが試験体１１である。また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＢである試験体１、２のうち、照射エネルギー密度が最大であるのが試験体１である。また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＣである試験体７、８、９のうち、照射エネルギー密度が最大であるのが試験体８である。さらに、また、抵抗値と剥離及び溶融の有無との双方について良好な結果が得られた、基板種類がＤである試験体３、４、５、６のうち、照射エネルギー密度が最大であるのが試験体６である。
【００４０】
以下、試験体１１の照射エネルギー密度を基板Ａの成功最大値と称し、試験体１の照射エネルギー密度を基板Ｂの成功最大値と称し、試験体８の照射エネルギー密度を基板Ｃの成功最大値と称し、試験体６の照射エネルギー密度を基板Ｄの成功最大値と称する。
【００４１】
図６は、基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘと成功最大値Ｉｍａｘ＿ｓとの関係を示すグラフである。このグラフに示すように、基板Ａ〜Ｄの熱拡散率ｘと成功最大値Ｉｍａｘ＿ｓとの関係は、下記（８）式で表される近似曲線で示される。
Ｉｍａｘ＿ｓ＝１０１６．１×ln（ｘ）＋１９３７．８  …（８）
【００４２】
図７は、溶融が確認された試験体１２（基板Ａ）、剥離が確認された試験体１３（基板Ｃ）の室温での熱拡散率ｘと照射エネルギー密度との関係を示すグラフである。以下、溶融又は剥離が確認された試験体の照射エネルギー密度を、上限越え値と称する。このグラフに示すように、基板Ａ、Ｃの熱拡散率ｘと上限越え値Ｉｍａｘ＿ｆとの関係は、下記（９）式で表される近似曲線で示される。
Ｉｍａｘ＿ｆ＝２７６６．３１×ln（ｘ）＋５１２５．７  …（９）
【００４３】
図８は、上記（３）式で表される光焼結処理での照射エネルギー密度の上限値Ｉｍａｘと基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘとの関係を示すグラフである。ここで、光焼結処理での照射エネルギー密度の上限値Ｉｍａｘと基板Ａ〜Ｄの室温での熱拡散率ｘとの関係を示す近似曲線は、基板Ａ〜Ｄの熱拡散率ｘと成功最大値Ｉｍａｘ＿ｓとの関係を示す上記（８）式の近似曲線と、基板Ａ〜Ｄの熱拡散率ｘと上限越え値Ｉｍａｘ＿ｆとの関係を示す上記（９）式の近似曲線との中間を通る曲線である。具体的には、上記（３）式の傾き（１８９１）は、上記（８）式の傾き（１０１６．１）と上記（９）式の傾き（２７６６．３１）との相加平均である。また、上記（３）式の切片（３５３２）は、上記（８）式の切片（１９３７．８）と上記（９）式の切片（５１２５．７）との相加平均である。
【００４４】
即ち、本願の発明者は、光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ３）の過少な範囲と基板１２の熱拡散率ｘ（ｍｍ２／ｓ）との間に相関関係があると共に、光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ３）の過剰な範囲と基板１２の熱拡散率ｘ（ｍｍ２／ｓ）との間に相関関係があるとの新規な知見を実験により得た。そこで、本願の発明者は、光焼結処理における照射光のエネルギー密度（ｋＪ／ｃｍ３）の下限値Ｉｍｉｎ及び上限値Ｉｍａｘを、基板１２の熱拡散率ｘ（ｍｍ２／ｓ）を変数とする近似曲線で規定した。これにより、基板１２の種類にかかわらず、照射エネルギー量の過不足に起因する光焼結処理での不良の発生を抑制できる。
【００４５】
本実施形態における「配線基板１０」が本実施形態における「配線基板」の一例に相当し、本実施形態における「基板１２」が本発明における「基板」の一例に相当し、本実施形態における「液膜１４」が本発明における「液膜」の一例に相当し、本実施形態における「膜体１６」が本発明における「膜体」の一例に相当し、本実施形態における「導電膜１８」が本発明における「導電膜」の一例に相当する。
【００４６】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００４７】
１…光焼結装置
１０…配線基板
１２…基板
１４…液膜
１６…膜体
１８…導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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