(57)【要約】【課題】銅ワイヤを利用したパッケージ構造の半導体装置において、パッドにおけるクラックの発生を抑制する。【解決手段】表面２１ａおよび裏面２１ｂを有する板状の基材２１と、基材２１の表面に接着剤３を介して接合され固定されるとともに、基材２１とは反対側の面にパッド１１が形成された板状の半導体チップ１と、パッド１１に接続された銅ワイヤ４と、銅ワイヤ４のうちパッド１１とは反対側の端部に接続された接続部２２と、を備え、半導体チップ１、銅ワイヤ４、および、基材２１の表面をモールド樹脂５１で封止することにより板状の樹脂封止体５が形成され、樹脂封止体５は、モールド樹脂５１のうち半導体チップ１に対して基材２１とは反対側の上面５１ａが平坦面となる形状か、または、モールド樹脂５１の上面５１ａが凹む向きに反った形状とされている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面（２１ａ、６１ｂ）および裏面（２１ｂ、６１ｃ）を有する板状の基材（２１、６１）と、
前記基材の前記表面に接着剤（３）を介して接合され固定されるとともに、前記基材とは反対側の面にパッド（１１）が形成された板状の半導体チップ（１）と、
前記パッドに接続された銅ワイヤ（４）と、
前記銅ワイヤのうち前記パッドとは反対側の端部に接続された接続部（２２、６２）と、を備え、
前記半導体チップ、前記銅ワイヤ、および、前記基材の前記表面をモールド樹脂（５１）で封止することにより板状の樹脂封止体（５）が形成され、
前記樹脂封止体は、前記モールド樹脂のうち前記半導体チップに対して前記基材とは反対側の上面（５１ａ）が平坦面となる形状か、または、前記モールド樹脂の前記上面が凹む向きに反った形状とされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記樹脂封止体は、−３０℃以上０℃以下において、前記モールド樹脂の前記上面が平坦面となる形状か、または、前記モールド樹脂の前記上面が凹む向きに反った形状とされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記モールド樹脂は、前記基材の前記表面および前記裏面を連結する面を側面として、前記基材の前記表面に加えて前記側面も封止していることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップは、厚みが４００μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップは、厚みが２００μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基材は、厚みが１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記モールド樹脂は、厚みが１．０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項３ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記モールド樹脂は、線膨張係数が８ｐｐｍ／℃以上であることを特徴とする請求項３ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記モールド樹脂は、線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以上であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記基材は、前記基材の前記表面に平行な一方向の幅、および、前記基材の前記表面に平行でかつ前記一方向に垂直な他方向の幅が、前記モールド樹脂よりも小さく、かつ、前記半導体チップよりも大きいことを特徴とする請求項３ないし９のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記モールド樹脂は、前記基材に関しては前記表面のみを封止しており、
前記接続部は、前記基材の前記表面に形成されており、
前記基材は、前記接続部に接続されるとともに前記表面と前記裏面とを電気的に接続する内部配線（６１ａ）を有していることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記モールド樹脂は、前記基材の前記表面および前記裏面を連結する面を側面として、前記基材の前記表面に加えて前記側面および前記裏面も封止していることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅ワイヤを利用したパッケージ構造の半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１において、アイランドに相当するダイパッドに半導体チップを搭載し、半導体チップに設けられたパッドとリードとをワイヤにより結線し、半導体チップと、ワイヤと、リードの一部とを樹脂により封止してなる半導体装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１００８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載の半導体装置では、アイランドに用いられる銅の線膨張係数が樹脂の線膨張係数と比較して大きいため、低温時にはアイランドが強く収縮して半導体装置が変形し、ワイヤと半導体チップとの接合部に引張応力が発生する。
【０００５】
このとき、例えばアルミでパッドを構成し、例えば特許文献１に記載の半導体装置のように金でワイヤを構成した場合、金とアルミとの間では合金の拡散が早く、純金属よりも硬い合金層が大きく成長するため、パッドのクラックが発生しにくい。
【０００６】
一方、半導体装置の製造コストを低減するためには、ワイヤを銅で構成することが有効である。しかし、パッドをアルミで構成し、ワイヤを銅で構成した場合、銅とアルミとの間では合金の拡散が遅く、合金層が十分に成長しないため、パッドのうち硬い合金層ではなくアルミで構成された部分へ引張応力が作用する。これにより、パッドにクラックが発生し、パッドが破壊されるおそれがある。また、パッドの破壊によりオープン不良が発生するおそれがある。
【０００７】
したがって、例えば半導体装置が車載される場合のように、半導体装置が様々な温度において使用される場合、銅ワイヤを用いて半導体装置の製造コストを低減しつつオープン不良の発生を抑制するためには、低温時におけるパッドのクラックの発生を抑制する必要がある。
【０００８】
本発明は上記点に鑑みて、銅ワイヤを利用したパッケージ構造の半導体装置において、パッドにおけるクラックの発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、表面（２１ａ、６１ｂ）および裏面（２１ｂ、６１ｃ）を有する板状の基材（２１、６１）と、基材の表面に接着剤（３）を介して接合され固定されるとともに、基材とは反対側の面にパッド（１１）が形成された板状の半導体チップ（１）と、パッドに接続された銅ワイヤ（４）と、銅ワイヤのうちパッドとは反対側の端部に接続された接続部（２２、６２）と、を備え、半導体チップ、銅ワイヤ、および、基材の表面をモールド樹脂（５１）で封止することにより板状の樹脂封止体（５）が形成され、樹脂封止体は、モールド樹脂のうち半導体チップに対して基材とは反対側の上面（５１ａ）が平坦面となる形状か、または、モールド樹脂の上面が凹む向きに反った形状とされていることを特徴としている。
【００１０】
これによれば、樹脂封止体が、モールド樹脂のうち半導体チップに対して基材とは反対側の上面が平坦面となる形状か、または、モールド樹脂の上面が凹む向きに反った形状とされている。そのため、パッドに作用する引張応力が低減され、パッドにおけるクラックの発生を抑制することができる。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明では、樹脂封止体は、−３０℃以上０℃以下において、モールド樹脂の上面が平坦面となる形状か、または、モールド樹脂の上面が凹む向きに反った形状とされていることを特徴としている。
【００１２】
これによれば、樹脂封止体が、−３０℃以上０℃以下において、モールド樹脂の上面が平坦面となる形状か、または、モールド樹脂の上面が凹む向きに反った形状とされている。そのため、低温時にパッドに作用する引張応力が低減され、パッドにおけるクラックの発生を抑制することができる。
【００１３】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態にかかる半導体装置の成型時における断面図である。
【図２】第１実施形態にかかる半導体装置の低温時における断面図である。
【図３】従来の半導体装置の成型時における断面図である。
【図４】従来の半導体装置の低温時における断面図である。
【図５】第２実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図６】第３実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図７】第４実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１６】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置Ｐ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態の半導体装置Ｐ１は、半導体チップ１と、リードフレーム２と、接着剤３と、銅ワイヤ４とを備える。半導体チップ１は、シリコン半導体などを用いて平板状に形成され、半導体集積回路が形成されたＩＣチップである。本実施形態では、半導体チップ１の寸法は、後述するアイランド２１の表面２１ａに平行な一方向の幅が７．２ｍｍとされ、表面２１ａに平行でかつ一方向に垂直な他方向の幅が４．３ｍｍとされている。なお、ここでは図１の紙面左右方向を一方向とし、図１の紙面奥行き方向を他方向とする。また、半導体チップ１の厚みは２００μｍとされている。半導体チップ１のうち、後述するアイランド２１とは反対側の上面には、銅ワイヤ４と接続される電極パッドであるアルミパッド１１が設けられている。アルミパッド１１は、本発明のパッドに相当する。
【００１８】
リードフレーム２は、たとえばＣｕ（銅）、Ｆｅ（鉄）やＦｅとＮｉ（ニッケル）の合金である４２アロイ等の金属板を、エッチングやプレスの打ち抜き等によってパターニングすることにより形成されたものであり、アイランド２１と、アイランド２１の外縁の外側に設けられたリード２２とを有する。
【００１９】
アイランド２１およびリード２２は、後述するモールド樹脂５１による封止前までは、図示しないタイバー等により連結されているが、モールド樹脂５１による封止後は、リードカット等により分離される。
【００２０】
アイランド２１は、半導体チップ１が搭載されるダイパッドとして機能するもので、本発明の基材に相当する。アイランド２１は、両板面の一方を表面２１ａ、他方を裏面２１ｂとし、表面２１ａと裏面２１ｂとを連結する面を側面２１ｃとする板状部材で構成されている。本実施形態では、アイランド２１は上面形状が矩形とされている。なお、側面２１ｃは平坦面とされているが、側面２１ｃが凹凸面とされていてもよい。
【００２１】
本実施形態では、アイランド２１の表面２１ａは、半導体チップ１の上面よりも大きな矩形をなしている。具体的には、本実施形態では、アイランド２１の寸法は、図１の紙面左右方向の幅が１２．８ｍｍ、図１の紙面奥行き方向の幅が９．３ｍｍとされている。また、アイランド２１の厚みは１５０μｍとされている。
【００２２】
半導体チップ１は、アイランド２１の表面２１ａに搭載され、Ａｇ（銀）ペースト等の導電性材料で構成される接着剤３を介して、表面２１ａに接合され固定されている。本実施形態では、接着剤３の厚みは、３０μｍとされている。
【００２３】
リード２２は、後述するモールド樹脂５１の内部と外部とを電気的に接続するものであり、本発明の接続部に相当する。リード２２は、細長の矩形板状、いわゆる短冊板状をなすものとされており、モールド樹脂５１の側面にて、モールド樹脂５１から突出している。
【００２４】
本実施形態では、リードフレーム２は、リード２２を複数備えている。各々のリード２２は、一端側がアイランド２１側に位置し、他端側がアイランド２１とは反対側に延びた配置とされている。
【００２５】
リード２２は、モールド樹脂５１で封止されているインナーリード部分にて、銅ワイヤ４のうちアルミパッド１１とは反対側の端部に接続されている。これにより、リード２２は、銅ワイヤ４を介して半導体チップ１上のアルミパッド１１と結線され、電気的に接続される。銅ワイヤ４は、ワイヤボンディングにより形成される。
【００２６】
図１に示すように、半導体チップ１、銅ワイヤ４、および、アイランド２１の表面２１ａをモールド樹脂５１で封止することにより樹脂封止体５が形成されている。樹脂封止体５は、半導体装置Ｐ１の本体を区画するもので、矩形板状をなす。
【００２７】
モールド樹脂５１は、半導体チップ１に対してアイランド２１とは反対側の上面５１ａと下面５１ｂとを表裏の板面とし、これら上下両面を連結する４個の側面５１ｃにより矩形板状を構成している。
【００２８】
本実施形態では、モールド樹脂５１はアイランド２１よりも一回り大きな矩形をなしている。具体的には、モールド樹脂５１の上面５１ａは、図１の紙面左右方向の幅が２０ｍｍ、図１の紙面奥行き方向の幅が１４ｍｍとされている。そして、半導体チップ１とともにアイランド２１の表面２１ａが、モールド樹脂５１に封止されている。本実施形態では、モールド樹脂５１は、表面２１ａに加えて側面２１ｃも封止している。また、モールド樹脂５１の厚みは１．４ｍｍとされている。
【００２９】
本実施形態では、モールド樹脂５１を熱硬化性エポキシ樹脂で構成している。モールド樹脂５１を構成する熱硬化性エポキシ樹脂のガラス転移点は１３０℃であり、ガラス転移点以下の温度における線膨張係数は、１０ｐｐｍ／℃である。
【００３０】
このように、本実施形態の半導体装置Ｐ１は、モールド樹脂５１によって、アイランド２１、リード２２、半導体チップ１、銅ワイヤ４を封止した構成とされている。
【００３１】
このような半導体装置Ｐ１を製造するには、まず、接着剤３を用いてリードフレーム２のうち後にアイランド２１となる部分に半導体チップ１を接合し、固定した後、ワイヤボンディングにより銅ワイヤ４を形成して、半導体チップ１上のアルミパッド１１とリードフレーム２のうち後にリード２２となる部分とを接続する。
【００３２】
つぎに、トランスファー成形等によりモールド樹脂５１を形成し、アイランド２１の裏面２１ｂと、リード２２のうちアイランド２１とは反対側の端部とが露出するように、アイランド２１および半導体チップ１を封止する。最後に、リードカットおよびリード成形を行い、アイランド２１およびリード２２を形成する。
【００３３】
モールド樹脂５１の成型時には、図１に示すように、半導体装置Ｐ１、具体的には樹脂封止体５が平坦な板状となっている。しかし、このとき半導体装置Ｐ１は１７０℃〜１８０℃の高温となっているため、半導体装置Ｐ１が冷却され低温となったときには、半導体装置Ｐ１を構成する各要素の収縮により樹脂封止体５が変形する。
【００３４】
例えば、図３に示す従来の半導体装置では、リードフレーム２に用いられる銅の線膨張係数がモールド樹脂５１に用いられる樹脂の線膨張係数よりも大きい。例えば、樹脂の線膨張係数が８〜１２ｐｐｍ／℃であるのに対し、銅の線膨張係数は１７ｐｐｍ／℃である。そのため、低温時にアイランド２１がモールド樹脂５１よりも強く収縮し、図４に示すように、樹脂封止体５が、アイランド２１の裏面２１ｂが凹み、モールド樹脂５１の上面５１ａが凸となる向きに反る。
【００３５】
この変形で銅ワイヤ４が引っ張られることにより、銅ワイヤ４とアルミパッド１１との接合部に引張応力が発生する。銅とアルミとの間では合金層が成長しにくいため、アルミパッド１１のうち硬い合金層ではなくアルミで構成された部分へ引張応力が作用し、アルミパッド１１に引張方向の歪みが生じる。
【００３６】
そのため、例えば温度サイクル試験により半導体装置の冷却と加熱とを交互に繰り返すと、半導体装置が低温となったときに発生する引張応力により、アルミパッド１１にクラックが発生し、やがてオープン不良が発生する。
【００３７】
このように、線膨張係数の関係上、低温時にモールド樹脂５１の上面５１ａが凸となる向きに反りやすい構造の半導体装置において、本実施形態では、半導体チップ１を薄くすることで、半導体装置に占めるモールド樹脂５１の割合を増やしている。つまり、モールド樹脂５１が半導体装置Ｐ１の変形に及ぼす影響を大きくし、アイランド２１および半導体チップ１が半導体装置Ｐ１の変形に及ぼす影響を小さくしている。
【００３８】
このように半導体装置の構造を変更することにより、モールド後の硬化収縮時に、モールド樹脂５１の上面５１ａが凹む向きの変形が、上面５１ａが凸となる向きの変形よりも大きくなる。そして、低温、具体的には−３０℃以上０℃以下の温度において、図２に示すように、樹脂封止体５は、モールド樹脂５１の上面５１ａが平坦面となる形状か、または、上面５１ａが凹む向きに反った形状となる。そのため、銅ワイヤ４およびアルミパッド１１に作用する引張応力が低減される。
【００３９】
したがって、本実施形態では、この引張応力によりアルミパッド１１に歪みおよびクラックが発生することを抑制し、オープン不良の発生を抑制することができる。
【００４０】
なお、半導体装置Ｐ１を構成する各要素の寸法、線膨張係数に関して、上記した数値は一例である。本発明者らは、半導体チップ１の厚み等を変化させて、樹脂封止体５が、−３０℃以上０℃以下において、モールド樹脂５１の上面５１ａが平坦面となる形状か、または、上面５１ａが凹む向きに反った形状となるか否かを実験により調べた。
【００４１】
ここで、樹脂封止体５の反り量をｘ１とし、樹脂封止体５がモールド樹脂５１の上面５１ａが平坦面となる形状であるときの反り量ｘ１を０とする。また、樹脂封止体５が、上面５１ａが凸となる向きに反った形状であるとき、ｘ１＞０であるとし、上面５１ａが凹む向きに反った形状であるとき、ｘ１＜０であるとする。
【００４２】
実験の結果、−３０℃において、半導体チップ１の厚みが７００μｍのとき、ｘ１＞０となり、半導体チップ１の厚みが４００μｍのとき、反り量ｘ１はほぼ０となり、半導体チップ１の厚みが２００μｍ、１００μｍのとき、ｘ１＜０となった。また、半導体チップ１の厚みが２００μｍのとき、０℃においてもｘ１＜０となった。また、モールド樹脂５１を構成する樹脂の線膨張係数が８ｐｐｍ／℃のとき、反り量ｘ１はほぼ０となり、樹脂の線膨張係数が１０ｐｐｍのとき、ｘ１＜０となった。
【００４３】
実験結果から、各要素の寸法等が以下の式に示す範囲にある場合に、ｘ１≦０となる、つまり、樹脂封止体５が、−３０℃以上０℃以下において、モールド樹脂５１の上面５１ａが平坦面となる形状か、または、上面５１ａが凹む向きに反った形状となることがわかった。
【００４４】
０μｍ≦ｔ１≦４００μｍ
０μｍ≦ｔ２≦１５０μｍ
１．０ｍｍ≦ｔ３
ｗ１１＜ｗ１２＜ｗ１３
ｗ２１＜ｗ２２＜ｗ２３
Ｔｇ≦１５０℃
８ｐｐｍ／℃≦α
ただし、ｔ１、ｔ２、ｔ３はそれぞれ半導体チップ１、アイランド２１、モールド樹脂５１の厚みである。また、ｗ１１、ｗ１２、ｗ１３はそれぞれ半導体チップ１、アイランド２１、モールド樹脂５１の上面５１ａの図１の紙面左右方向の幅である。また、ｗ２１、ｗ２２、ｗ２３はそれぞれ半導体チップ１、アイランド２１、モールド樹脂５１の上面５１ａの図１の紙面奥行き方向の幅である。
【００４５】
また、Ｔｇはモールド樹脂５１のガラス転移点であり、αはガラス転移点Ｔｇ以下の温度におけるモールド樹脂５１の線膨張係数である。
【００４６】
なお、上記の実験結果を考慮すれば、アルミパッド１１の破壊を大きく抑制するためには、半導体チップ１の厚みｔ１が２００μｍ以下であることが望ましく、また、モールド樹脂５１の線膨張係数αが１０ｐｐｍ／℃以上であることが望ましい。
【００４７】
また、本発明者らが行った実験では、７．２ｍｍ≦ｗ１１≦１０．０ｍｍ、４．３ｍｍ≦ｗ２１≦６．７ｍｍの範囲で評価を行った。この範囲においては、結果に差異がなかった。また、アイランド２１の厚みｔ２を１５０μｍとし、１２．５ｍｍ≦ｗ１２≦１２．８ｍｍ、７．８ｍｍ≦ｗ２２≦９．３ｍｍの範囲で評価を行った。この範囲においては結果に差異がなかった。また、モールド樹脂５１の上面５１ａの寸法は、ｗ１３＝２０ｍｍ、ｗ２３＝１４ｍｍとした。
【００４８】
なお、上記した範囲もまた一例であり、各要素の寸法等がこの範囲にない場合でも、−３０℃以上０℃以下においてｘ１≦０となれば、本実施形態と同様の効果が得られる。
【００４９】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して基材および接続部の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００５０】
図５に示すように、本実施形態では、半導体チップ１が基板６に搭載されている。基板６は、例えば、内部配線６１ａが形成された板状の基部６１と、基部６１の表面６１ｂに形成されたパッド６２と、基部６１の裏面６１ｃに形成されたバンプ６３とを備えるインターポーザー等の多層基板により構成される。内部配線６１ａは、基部６１の表面６１ｂと裏面６１ｃとを電気的に接続しており、また、パッド６２およびバンプ６３に接続されている。そして、半導体装置Ｐ１は、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージの半導体装置とされている。基部６１、パッド６２は、それぞれ、本発明の基材、接続部に相当する。
【００５１】
また、本実施形態では、モールド樹脂５１は、基部６１に関しては、半導体チップ１が搭載された表面６１ｂのみを封止している。
【００５２】
このような構成の本実施形態においても、半導体装置Ｐ１を構成する各要素の寸法等を適切に選び、−３０℃以上０℃以下においてｘ１≦０となるように半導体装置Ｐ１を構成することにより、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００５３】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してモールド樹脂５１の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００５４】
図６に示すように、本実施形態では、モールド樹脂５１はアイランド２１の表面２１ａおよび側面２１ｃに加えて裏面２１ｂも封止している。
【００５５】
このような構成の本実施形態においても、半導体装置Ｐ１を構成する各要素の寸法等を適切に選び、−３０℃以上０℃以下においてｘ１≦０となるように半導体装置Ｐ１を構成することにより、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００５６】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態の半導体装置Ｐ１を基板に搭載したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００５７】
図７に示すように、本実施形態では、リード２２が板状の基板７に接続され、半導体装置Ｐ１が基板７上に実装されている。基板７は、例えば樹脂、セラミック等により構成される。
【００５８】
本実施形態では、リード２２は、モールド樹脂５１より突出しているアウターリード部分にて、パッケージ外部の基板７にはんだ付けされている。これにより、リード２２を介して、半導体チップ１と基板７とが電気的に接続される。また、本実施形態では、アイランド２１の裏面２１ｂと基板７の表面とが、はんだ８を介して接続されている。
【００５９】
半導体装置Ｐ１を基板７に実装した本実施形態においても、半導体装置Ｐ１を構成する各要素の寸法等が上記した範囲にあれば、第１実施形態と同様に−３０℃以上０℃以下においてｘ１≦０となり、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００６０】
（他の実施形態）
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００６１】
例えば、半導体装置Ｐ１が備える各要素を構成する上記の材料は一例であって、各要素を上記の材料以外で構成した場合にも、−３０℃以上０℃以下においてｘ１≦０となれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００６２】
また、第４実施形態では、第１実施形態の半導体装置Ｐ１を基板７に実装したが、第２、第３実施形態の半導体装置Ｐ１を基板７に実装してもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１    半導体チップ
２１  アイランド
２２  リード
４    銅ワイヤ
５    樹脂封止体
６１  基部
６２  パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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