(57)【要約】      （修正有）【課題】表示品位の劣化を抑制した表示装置を提供する。【解決手段】表示パネルＰＮＬは、第１方向に第１ピッチＰ１１で並んだ第１遮光部ＳＬ１及び第２遮光部ＳＬ２を備えた第１基板ＳＵＢ１と、平面視で前記第１遮光部ＳＬ１及び第２遮光部ＳＬ２とそれぞれ重なる第１部分ＢＭＹ１及び第２部分ＢＭＹ２を有する遮光層ＢＭを備えた第２基板ＳＵＢ２と、を備え、第２遮光部ＳＬ２の幅Ｗ１２の中心は、第２部分ＢＭＹ２の幅Ｗ２２の中心から第１方向にずれており、第１部分ＢＭＹ１と第２部分ＢＭＹ２との間に開口部ＯＰ１が位置し、第１部分ＢＭＹ１及び第２部分ＢＭＹ２は、第１方向に第１ピッチＰ１１とは異なる第２ピッチＰ２１で並んでいる。【選択図】図４
2017151246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に第１ピッチで並んだ第１遮光部及び第２遮光部を備えた第１基板と、
平面視で前記第１遮光部及び前記第２遮光部とそれぞれ重なる第１部分及び第２部分を有する遮光層を備えた第２基板と、を備え、
前記第２遮光部の幅の中心は、前記第２部分の幅の中心から前記第１方向にずれており、
前記第１部分と前記第２部分との間に開口部が位置し、
前記第１部分及び前記第２部分は、第１方向に前記第１ピッチとは異なる第２ピッチで並んでいる、表示装置。
【請求項２】
前記第１遮光部及び前記第１部分のそれぞれの幅の中心の位置は一致し、前記第２遮光部の幅の中心は前記第２部分の幅の中心よりも前記開口部に近接する側に向かってずれ、
前記第１ピッチは、前記第２ピッチよりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１遮光部の第１幅は、前記第２遮光部の第２幅より大きい、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１遮光部の幅の中心は、前記第１部分の幅の中心よりも前記開口部から離間する一方の側に向かってずれ、
前記第２遮光部の幅の中心は、前記第２部分の幅の中心よりも前記開口部から離間する他方の側に向かってずれ、
前記第１ピッチは、前記第２ピッチよりも大きい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１遮光部の第１幅は、前記第２遮光部の第２幅と同等である、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１部分及び前記第２部分は、等しい第３幅を有し、
前記第３幅は、前記第１幅及び前記第２幅より大きい、請求項３または５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２遮光部の第２幅をＷ２とし、前記第２部分の第３幅をＷ３としたとき、前記第２遮光部及び前記第２部分のそれぞれの幅の中心間のずれ量は、（Ｗ３−Ｗ２）／２以下である、請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１基板は、さらに、絶縁基板と、半導体層と、を備え、
前記第１遮光部及び前記第２遮光部は、前記絶縁基板と前記半導体層との間、または、前記半導体層と前記第２基板との間に位置する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
第１方向に順に並んだ第１乃至第３遮光部を備えた第１基板と、
平面視で前記第１乃至第３遮光部とそれぞれ重なる第１乃至第３部分を有する遮光層を備えた第２基板と、を備え、
前記第１遮光部及び前記第２遮光部は第１ピッチで並び、前記第１部分及び前記第２部分は前記第１ピッチより大きい第２ピッチで並び、
前記第２遮光部及び前記第３遮光部は第３ピッチで並び、前記第２部分及び前記第３部分は前記第３ピッチより小さい第４ピッチで並んでいる、表示装置。
【請求項１０】
前記第１部分と前記第２部分との間に第１開口部が位置し、
前記第１遮光部及び前記第１部分のそれぞれの幅の中心の位置は一致し、前記第２遮光部の幅の中心は前記第２部分の幅の中心よりも前記第１開口部に近接する側に向かってずれている、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第２部分と前記第３部分との間に第２開口部が位置し、
前記第２遮光部の幅の中心は、前記第２部分の幅の中心よりも前記第２開口部から離間する一方の側に向かってずれ、
前記第３遮光部の幅の中心は、前記第３部分の幅の中心よりも前記第２開口部から離間する他方の側に向かってずれている、請求項９または１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第４ピッチは、前記第２ピッチよりも小さい、請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１基板は、さらに、前記第１乃至第３遮光部の上に位置する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に位置する第１画素電極及び第２画素電極と、を備え、
平面視で、前記第１画素電極は前記第１部分と前記第２部分との間に位置し、前記第２画素電極は前記第２部分と前記第３部分との間に位置し、
前記第２部分と前記第１画素電極の第１端部との間の距離は、前記第２部分と前記第２画素電極の第２端部との間の距離よりも小さい、請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１基板は、さらに、前記第１乃至第３遮光部の上に位置する第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上に位置する第１画素電極及び第２画素電極と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極の上に位置する第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜上に位置する共通電極と、を備え、
前記共通電極は、前記第１画素電極と対向する第１スリットと、前記第２画素電極と対向する第２スリットと、を備え、
平面視で、前記第１画素電極は前記第１部分と前記第２部分との間に位置し、前記第２画素電極は前記第２部分と前記第３部分との間に位置し、
前記第２部分と前記第１スリットの第１端部との間の距離は、前記第２部分と前記第２スリットの第２端部との間の距離よりも小さい、請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
互いに対向する一対の基板を備えた表示装置においては、各種信号配線、スイッチング素子、画素電極などが形成された一方の基板と、遮光層やカラーフィルタなどが形成された他方の基板とを貼り合わせた構成が広く採用されている。このような表示装置において、その法線方向から傾いた斜め方向から観察した場合に、隣り合う画素の色が混ざって視認される混色、あるいは、白表示での色付きが生じ、表示品位の劣化を招くおそれがある。
【０００３】
近年、このような課題の対策として、走査線及び信号線に対向する補助配線を設ける技術（例えば、特許文献１参照）や、特定の色画素間の遮光層あるいは信号線を拡大する技術（例えば、特許文献２参照）などが提案されている。また、小ピッチの色画素と大ピッチの色画素とで画素電極の帯状電極の本数が異なり、小ピッチの色画素において画素電極端から遮光層と重なる位置までの幅を拡張する技術も提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１２６６７４号公報
【特許文献２】特開２０１４−１４９４４４号公報
【特許文献３】特開２０１５−１５５９５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本実施形態の目的は、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態によれば、  
第１方向に第１ピッチで並んだ第１遮光部及び第２遮光部を備えた第１基板と、平面視で前記第１遮光部及び前記第２遮光部とそれぞれ重なる第１部分及び第２部分を有する遮光層を備えた第２基板と、を備え、前記第２遮光部の幅の中心は、前記第２部分の幅の中心から前記第１方向にずれており、前記第１部分と前記第２部分との間に開口部が位置し、前記第１部分及び前記第２部分は、第１方向に前記第１ピッチとは異なる第２ピッチで並んでいる、表示装置が提供される。
【０００７】
一実施形態によれば、  
第１方向に順に並んだ第１乃至第３遮光部を備えた第１基板と、平面視で前記第１乃至第３遮光部とそれぞれ重なる第１乃至第３部分を有する遮光層を備えた第２基板と、を備え、前記第１遮光部及び前記第２遮光部は第１ピッチで並び、前記第１部分及び前記第２部分は前記第１ピッチより大きい第２ピッチで並び、前記第２遮光部及び前記第３遮光部は第３ピッチで並び、前記第２部分及び前記第３部分は前記第３ピッチより小さい第４ピッチで並んでいる、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成を示す図である。
【図２】図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図３】図３は、遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ５、及び、遮光層ＢＭの一構成例を示す平面図である。
【図４】図４は、図３のＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。
【図５】図５は、図１に示した第１基板ＳＵＢ１を第２基板側から見たときの画素ＰＸの構成例を示す平面図である。
【図６】図６は、図５のＣ−Ｄ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。
【図７】図７は、第１基板の主要部及び第２基板の遮光層ＢＭの一構成例を示す平面図である。
【図８】図８は、図７のＥ−Ｆ線で切断した表示パネルＰＮＬを示す断面図である。
【図９】図９は、表示パネルＰＮＬの他の構成例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、第１基板の主要部及び第２基板の遮光層ＢＭの他の構成例を示す平面図である。
【図１１】図１１は、図１０のＧ−Ｈ線で切断した表示パネルＰＮＬを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成を示す図である。ここでは、互いに交差する第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。一例では、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。本実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示装置について説明する。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。
【００１１】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップ１などを備えている。表示パネルＰＮＬは、例えば、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シール部ＳＥと、液晶層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シール部ＳＥは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、シール部ＳＥによって囲まれた内側に位置している。
【００１２】
駆動ＩＣチップ１は、非表示領域ＮＤＡに位置している。図示した例では、駆動ＩＣチップ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴに実装されている。駆動ＩＣチップ１は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバを内蔵している。ここでのディスプレイドライバは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。なお、図示した例に限らず、駆動ＩＣチップ１は、別途表示パネルＰＮＬに接続されるフレキシブル基板上に実装されていても良い。
【００１３】
本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。
【００１４】
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、マトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。
【００１５】
走査線Ｇは、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。信号線Ｓは、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。共通電極ＣＥは、共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、非表示領域ＮＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図１に示した駆動ＩＣチップ１に内蔵されていても良い。また、これらの駆動回路のレイアウトは、図示した例に限られるものではなく、例えば、走査線駆動回路ＧＤは、表示領域ＤＡを挟んだ両側に配置されても良い。
【００１６】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。
【００１７】
図３は、遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ５、及び、遮光層ＢＭの一構成例を示す平面図である。ここでは、Ｘ−Ｙ平面における平面図を示している。図１に示した第１基板ＳＵＢ１は遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ５を備え、第２基板ＳＵＢ２は遮光層ＢＭを備えている。
【００１８】
遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ５は、間隔をおいて第１方向Ｘに並び、それぞれ第２方向Ｙに延出している。遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ５の各々は、第１方向Ｘにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。遮光部ＳＬ１、ＳＬ４、及び、ＳＬ５のそれぞれの幅Ｗ１１、Ｗ１４、及び、Ｗ１５は同等である。遮光部ＳＬ２及びＳＬ３のそれぞれの幅Ｗ１２及びＷ１３は同等である。但し、幅Ｗ１１、Ｗ１４、及び、Ｗ１５は、幅Ｗ１２及びＷ１３より大きい。遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ５は、第１基板ＳＵＢ１が備える遮光性の部材によって形成され、例えば、後述する下側遮光層、半導体層、走査線、信号線などと同一材料によって形成可能である。
【００１９】
遮光層ＢＭは、図示した例では格子状に形成され、部分ＢＭＸ１及びＢＭＸ２と、部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ５と、を有している。部分ＢＭＸ１及びＢＭＸ２は、間隔をおいて第２方向Ｙに並び、それぞれ第１方向Ｘに延出している。部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ５は、間隔をおいて第１方向Ｘに並び、それぞれ第２方向Ｙに延出している。部分ＢＭＸ１及びＢＭＸ２は、部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ５の各々と繋がっている。  
部分ＢＭＸ１及びＢＭＸ２の各々は、第２方向Ｙにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ５の各々は、第１方向Ｘにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ５のそれぞれの幅Ｗ２１乃至Ｗ２５は同等であるが、幅Ｗ１１乃至Ｗ１５のいずれよりも大きい。
【００２０】
開口部ＯＰ１乃至ＯＰ４は、遮光層ＢＭによって区画され、第１方向Ｘに並んでいる。開口部ＯＰ１は部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２の間に位置し、開口部ＯＰ２は部分ＢＭＹ２及びＢＭＹ３の間に位置し、開口部ＯＰ３は部分ＢＭＹ３及びＢＭＹ４の間に位置し、開口部ＯＰ４は部分ＢＭＹ４及びＢＭＹ５の間に位置している。開口部ＯＰ１、ＯＰ３、ＯＰ４のそれぞれの面積は同等であり、開口部ＯＰ２の面積より大きい。図示した例では、開口部ＯＰ１乃至ＯＰ４は、第１方向Ｘに短辺を有し、第２方向Ｙに長辺を有する長方形状であるが、図示した形状に限定されるものではなく、平行四辺形状などの他の多角形状であっても良い。
【００２１】
カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ４は、第１方向Ｘに並び、それぞれ第２方向Ｙに延出している。カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ４の各々は、第１方向Ｘにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。なお、カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ３、及び、ＣＦ４のそれぞれの幅は同等であり、また、カラーフィルタＣＦ２の幅より大きい。カラーフィルタＣＦ１は、部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２の間に位置し、開口部ＯＰ１と重なっている。同様に、カラーフィルタＣＦ２は部分ＢＭＹ２及びＢＭＹ３の間に位置し開口部ＯＰ２と重なり、カラーフィルタＣＦ３は部分ＢＭＹ３及びＢＭＹ４の間に位置し開口部ＯＰ３と重なり、カラーフィルタＣＦ４は部分ＢＭＹ４及びＢＭＹ５の間に位置し開口部ＯＰ４と重なっている。カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ４のそれぞれの端部は、部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ５と重なっている。一例では、カラーフィルタＣＦ１及びＣＦ４はそれぞれ赤色画素に配置される赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ２は緑色画素に配置される緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ３は青色画素に配置される青色カラーフィルタである。開口部ＯＰ１及びＯＰ４はそれぞれ赤色画素に含まれ、開口部ＯＰ２は緑色画素に含まれ、開口部ＯＰ３は青色画素に含まれる。なお、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ４の色の選択は上記の例に限らない。例えば、図示した例では、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３のセットが第１方向Ｘに繰り返し配置された構成であるが、カラーフィルタＣＦ４がカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３のいずれとも異なる色のカラーフィルタであっても良い。
【００２２】
ここで、遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ５と、部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ５との位置関係に着目する。遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ５は、平面視で、それぞれ部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ５と重なっており、部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ５と重なる領域の外側、つまり、開口部ＯＰ１乃至ＯＰ４のいずれにも重なっていない。遮光部ＳＬ１は、部分ＢＭＹ１と重なる領域の略中央に位置している。同様に、遮光部ＳＬ４及びＳＬ５は、それぞれ部分ＢＭＹ４及びＢＭＹ５と重なる領域の略中央に位置している。一方で、遮光部ＳＬ２は、部分ＢＭＹ２と重なる領域のうち、その中央部よりも開口部ＯＰ１に近接する側（あるいは、開口部ＯＰ２から離間する側）に位置している。また、遮光部ＳＬ３は、部分ＢＭＹ３と重なる領域のうち、その中央部よりも開口部ＯＰ３に近接する側（あるいは、開口部ＯＰ２から離間する側）に位置している。
【００２３】
図４は、図３のＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。図中の第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する方向である。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示パネルＰＮＬを観察する観察位置があるものとし、この観察位置からＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。
【００２４】
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、液晶層ＬＣを備えている。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ４などを備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ４などを備えている。なお、図中には、遮光層ＢＭのうち、部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ４のみが図示されているが、その他の部分についても同一層に位置している。また、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の詳細な断面構造については後述する。
【００２５】
第１基板ＳＵＢ１において、遮光部ＳＬ１及びＳＬ２は、第１方向ＸにピッチＰ１１で並んでいる。同様に、遮光部ＳＬ２及びＳＬ３はピッチＰ１２で並び、遮光部ＳＬ３及びＳＬ４はピッチＰ１３で並んでいる。なお、本明細書におけるピッチとは、第１方向Ｘに沿って隣り合う部材のそれぞれの中心間の距離である。  
本実施形態においては、遮光部ＳＬ及び部分ＢＭＹは例えば線状であり、ここで表現する「中心」とは遮光部ＳＬや部分ＢＭＹを含む部材の線幅の中央の位置を表すものである。平面視及び断面視において、対象の部材が第１方向Ｘに沿った幅Ｗを有する場合、部材の中心から、その部材の一端部及び他端部までの第１方向Ｘに沿った距離は等しく、中心と一端部との間の距離及び中心と他端部との間の距離は、それぞれ幅Ｗの１／２である。例えば、遮光部ＳＬ１の中心とは、その端部から幅Ｗ１１の１／２の距離の位置である。このように、各部材の中心とは、各部材の「幅の中心」を意味するものであるが、以下では、単に、各部材の「中心」と称する。
第２基板ＳＵＢ２において、遮光層ＢＭの部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２は、第１方向ＸにピッチＰ２１で並んでいる。同様に、部分ＢＭＹ２及びＢＭＹ３はピッチＰ２２で並び、部分ＢＭＹ３及びＢＭＹ４はピッチＰ２３で並んでいる。ピッチＰ２１及びＰ２３は、ピッチＰ２２よりも大きい。一例では、ピッチＰ２２を１とした場合に、ピッチＰ２１及びＰ２３は１．２倍であるが、すべてのピッチＰ２１乃至Ｐ２３が異なっていても良いし、すべてのピッチＰ２１乃至Ｐ２３が同等であっても良い。ピッチＰ２１はピッチＰ１１とは異なり、ピッチＰ２２はピッチＰ１２とは異なり、ピッチＰ２３はピッチＰ１３とは異なる。例えば、ここでのピッチＰ２１は開口部ＯＰ１及びカラーフィルタＣＦ１を含む赤色画素のピッチに対応し、ピッチＰ２２は開口部ＯＰ２及びカラーフィルタＣＦ２を含む緑色画素のピッチに対応し、ピッチＰ２３は開口部ＯＰ３及びカラーフィルタＣＦ３を含む青色画素のピッチに対応する。
【００２６】
ここでは、まず、開口部ＯＰ１を挟んで隣り合う遮光部ＳＬ１及びＳＬ２と、部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２との関係に着目する。遮光部ＳＬ１の中心、及び、部分ＢＭＹ１の中心の第１方向Ｘに沿った位置は一致している。遮光部ＳＬ２の中心は、部分ＢＭＹ２の中心よりも開口部ＯＰ１に近接する側に向かってずれている。このため、ピッチＰ１１は、ピッチＰ２１よりも小さい。また、遮光部ＳＬ１の幅Ｗ１１は、遮光部ＳＬ１２の幅Ｗ１２よりも大きい。このような構成によれば、遮光部ＳＬ１及びＳＬ２がピッチＰ２１で並んだ構成や、遮光部ＳＬ１及びＳＬ２がそれぞれ幅Ｗ１２を有する構成と比較して、遮光部ＳＬ１及びＳＬ２の間隙を小さくすることができる。なお、開口部ＯＰ３を挟んで隣り合う遮光部ＳＬ３及びＳＬ４と、部分ＢＭＹ３及びＢＭＹ４との関係についても、遮光部ＳＬ１及びＳＬ２と部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２との関係と同様であり、ピッチＰ１３はピッチＰ２３よりも小さく、幅Ｗ１４は幅Ｗ１３よりも大きい。
【００２７】
一方、開口部ＯＰ２を挟んで隣り合う遮光部ＳＬ２及びＳＬ３と、部分ＢＭＹ２及びＢＭＹ３との関係に着目する。遮光部ＳＬ２の中心は、部分ＢＭＹ２の中心よりも開口部ＯＰ２から離間する一方の側（あるいは、開口部ＯＰ１に近接する側）に向かってずれている。遮光部ＳＬ３の中心は、部分ＢＭＹ３の中心よりも開口部ＯＰ２から離間する他方の側（あるいは、開口部ＯＰ３に近接する側）に向かってずれている。このため、ピッチＰ１２は、ピッチＰ２２よりも大きい。また、遮光部ＳＬ２の幅Ｗ１２は、遮光部ＳＬ１３の幅Ｗ１３と同等である。このような構成によれば、遮光部ＳＬ２及びＳＬ３がピッチＰ２２で並んだ構成や、遮光部ＳＬ２及びＳＬ３の少なくとも一方が幅Ｗ１１を有する構成と比較して、遮光部ＳＬ２及びＳＬ３の間隙を大きくすることができる。
【００２８】
上記した遮光部の間隙を形成するに際しては、部分ＢＭＹ１の幅Ｗ２１は遮光部ＳＬ１の幅Ｗ１１よりも大きいため、幅Ｗ１１は幅Ｗ２１を超えない範囲で拡大可能である。また、部分ＢＭＹ２の幅Ｗ２２は遮光部ＳＬ２の幅Ｗ１２よりも大きいため、遮光部ＳＬ２は、その全体が部分ＢＭＹ２と重畳する範囲で、開口部ＯＰ１に向かってずらすことが可能である。また、部分ＢＭＹ３の幅Ｗ２３は遮光部ＳＬ３の幅Ｗ１３よりも大きいため、遮光部ＳＬ３は、その全体が部分ＢＭＹ３と重畳する範囲で、開口部ＯＰ３に向かってずらすことが可能である。例えば、遮光部ＳＬ３及び部分ＢＭＹ３のそれぞれの中心間のずれ量は、（Ｗ２３−Ｗ１３）／２以下である。
【００２９】
上記構成を備えた表示装置においては、各色画素の開口部の面積やカラーフィルタの色味は、例えば正面方向（図中の第３方向Ｚ）から表示装置を観察した際に最適な白色表示を実現するように設定される。一方で、正面方向から傾斜した斜め方向から表示装置を観察した場合には、正面方向から観察した場合との光学特性等の相違に起因して、白色表示の際に不所望な色付きが発生する場合がある。特に、図４に示したような色画素のピッチが異なる画素構成においては、ピッチの大きい第１色画素とピッチの小さい第２色画素との開口部の面積比は、正面方向から観察した場合と斜め方向から観察した場合とで異なる。斜め方向から観察した場合には、第２色画素では、第１色画素よりも開口部の面積低下がより顕著となる。結果として、第１色画素の色成分は、第２色画素の色成分よりも多く表示に寄与することになり、ホワイトバランスが崩れてしまう。一例では、緑色画素がピッチの小さい第２色画素に相当し、赤色画素及び青色画素がピッチの大きい第１色画素に相当する画素構成においては、斜め方向から観察した場合に、緑色成分が減少し、赤色成分及び青色成分が増加するため、白色を表示しているにもかかわらず、紫色に視認される場合がある。
【００３０】
本実施形態によれば、第１基板ＳＵＢ１に備えられる遮光部ＳＬのピッチは、第２基板ＳＵＢ２に備えられる遮光層ＢＭの遮光部ＳＬと重なる部分ＢＭＹのピッチと相違している。  
例えば、斜め方向から観察した際に色成分が増加傾向にある第１色画素（上記した例では赤色画素や青色画素）においては、遮光部ＳＬのピッチは、部分ＢＭＹのピッチよりも小さい。加えて、隣り合う遮光部ＳＬのうちの一方の幅が他方の幅よりも大きい。このため、斜め視角において、第１色画素の第１基板ＳＵＢ１を透過する光量が減少し、第１色画素において表示に寄与する色成分を減少させることができる。これにより、斜め方向から観察した場合であっても、第１色画素の色成分の増加に伴う色付きを抑制することが可能となる。なお、このような第１色画素において、第１基板ＳＵＢ1の透過光量を減少させるための遮光部ＳＬは、第１絶縁基板１０から第２基板ＳＵＢ２に向かって離間するほどその幅を拡大する必要がある。このため、遮光部ＳＬの幅の拡大が許容できない場合には、遮光部ＳＬは、第１絶縁基板１０に近接する位置に配置されることが望ましい。  
また、斜め方向から観察した際に色成分が減少傾向にある第２色画素（上記した例では緑色画素）においては、遮光部ＳＬのピッチは、部分ＢＭＹのピッチよりも大きい。このため、斜め視角において、第２色画素の第１基板ＳＵＢ１を透過する光量が増加し、第２色画素において表示に寄与する色成分を増加させることができる。これにより、斜め方向から観察した場合であっても、第２色画素の色成分の減少に伴う色付きを抑制することが可能となる。  
したがって、斜め視角における表示品位の劣化を抑制することが可能となる。
【００３１】
なお、上記した効果は、色画素のピッチが異なる画素構成に限らない。例えば、第１方向Ｘに並んだ色画素が等ピッチで配置された画素構成においても、カラーフィルタ同士の光学特性の差異に起因して斜め方向から観察した際に特定の色成分が増加したり減少したりする場合には、上記の第１色画素の構成、あるいは、第２色画素の構成を適用することで、上記したのと同様の効果が得られる。
【００３２】
いずれの場合においても、遮光部ＳＬは、平面視で、遮光層ＢＭの部分ＢＭＹからはみ出すことない。このため、正面方向から観察した場合には、遮光部が開口部の面積を低下させることはなく、最適なホワイトバランスを得ることが可能である。一例では、本実施形態の表示装置において、正面方向で観察した場合の白色の色度を基準として、斜め方向（第３方向Ｚに対して４５°傾斜した方向）から観察した場合の白色の色度の差分を測定したところ、ｘｙ色度図（ＣＩＥ１９３１色度図）上の座標値として、Δｘが±0.001以下であり、Δｙが-0.010以下であった。
【００３３】
次に、本実施形態の表示装置の具体的な構成例について以下に説明する。
【００３４】
図５は、図１に示した第１基板ＳＵＢ１を第２基板側から見たときの画素ＰＸの構成例を示す平面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された例に相当する。
【００３５】
第１基板ＳＵＢ１は、走査線Ｇ１及びＧ２、信号線Ｓ１及びＳ２、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥなどを備えている。なお、一例では、第１基板ＳＵＢ１は共通電極を備えているが、ここでは共通電極の図示を省略する。  
走査線Ｇ１及びＧ２は、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて配置され、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出している。信号線Ｓ１及びＳ２は、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて配置され、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出している。図示した例では、画素ＰＸは、走査線Ｇ１及びＧ２と信号線Ｓ１及びＳ２とが成すマス目の領域に相当し、第１方向Ｘに沿った長さが第２方向Ｙに沿った長さよりも短い長方形状である。なお、画素ＰＸの形状は、長方形状に限らず、適宜に変更することが可能である。  
スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ１と電気的に接続されている。図示した例のスイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート構造を有している。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣ及び中継電極ＲＥを備えている。半導体層ＳＣは、その一部分が信号線Ｓ１と重なるように配置され、他の部分が信号線Ｓ１及びＳ２の間に延出し、略Ｕ字状に形成されている。半導体層ＳＣは、信号線Ｓ１と重なる領域において走査線Ｇ２と交差するチャネル領域ＳＣＣ１、及び、信号線Ｓ１及びＳ２の間において走査線Ｇ２と交差するチャネル領域ＳＣＣ２を有している。走査線Ｇ２において、チャネル領域ＳＣＣ１及びＳＣＣ２とそれぞれ重畳する領域がゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２として機能する。半導体層ＳＣは、その一端部ＳＣＡにおいて信号線Ｓ１と電気的に接続され、その他端部ＳＣＢにおいて中継電極ＲＥと電気的に接続されている。中継電極ＲＥは、島状に形成され、走査線Ｇ１及びＧ２の間であって且つ信号線Ｓ１及びＳ２の間に配置されている。  
画素電極ＰＥは、走査線Ｇ１及びＧ２の間であって、信号線Ｓ１及びＳ２の間に配置されている。画素電極ＰＥは、主電極部ＰＡ及びコンタクト部ＰＢを備えている。主電極部ＰＡ及びコンタクト部ＰＢは、一体的あるいは連続的に形成され、互いに電気的に接続されている。図示した画素電極ＰＥは、コンタクト部ＰＢから走査線Ｇ１に向かって延出した２本の主電極部ＰＡを備えている。主電極部ＰＡは、それぞれ第２方向Ｙに沿って直線的に延出している。２本の主電極部ＰＡは、間隔をおいて第１方向Ｘに並び、それぞれ第１方向Ｘに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。コンタクト部ＰＢは、中継電極ＲＥと重畳する位置に配置され、中継電極ＲＥと電気的に接続されている。これにより、画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続される。なお、画素電極ＰＥの形状は、図示した例に限定されるものではなく、画素ＰＸの形状などに合わせて適宜変更することができる。
【００３６】
図６は、図５のＣ−Ｄ線で切断した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。
【００３７】
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第５絶縁膜１５、下側遮光層ＵＳ、半導体層ＳＣ、走査線Ｇ２、信号線Ｓ１、中継電極ＲＥ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。  
第１絶縁基板１０は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。下側遮光層ＵＳは、第１絶縁基板１０の上に位置し、第１絶縁膜１１によって覆われている。下側遮光層ＵＳは、バックライトユニットＢＬから半導体層ＳＣに向かう光を遮光する。半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１の上に位置し、第２絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていても良い。  
走査線Ｇ２の一部であるゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２は、第２絶縁膜１２の上に位置し、第３絶縁膜１３によって覆われている。なお、図示しない走査線Ｇ１も、走査線Ｇ２と同一層に配置される。走査線Ｇ２は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。なお、下側遮光層ＵＳは、ゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２と対向する位置の半導体層ＳＣの直下に位置していることが望ましい。  
信号線Ｓ１及び中継電極ＲＥは、第３絶縁膜１３の上に位置し、第４絶縁膜１４によって覆われている。なお、図示しない信号線Ｓ２も、信号線Ｓ１と同一層に配置される。信号線Ｓ１及び中継電極ＲＥは、同一材料によって形成され、上記の金属材料が適用可能である。信号線Ｓ１は、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールを介して半導体層ＳＣにコンタクトしている。中継電極ＲＥは、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールを介して半導体層ＳＣにコンタクトしている。  
共通電極ＣＥは、第４絶縁膜１４の上に位置し、第５絶縁膜１５によって覆われている。画素電極ＰＥは、第５絶縁膜１５の上に位置し、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥの一部は、第５絶縁膜１５を介して共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥの開口部と重畳する位置において、第４絶縁膜１４及び第５絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールを介して中継電極ＲＥにコンタクトしている。  
第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、及び、第５絶縁膜１５は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁膜であり、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。第４絶縁膜１４は、アクリル樹脂などの有機絶縁膜である。
【００３８】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。  
第２絶縁基板２０は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。遮光層ＢＭは、上記の通り格子状に形成され、各画素を区画している。一例では、遮光層ＢＭは、信号線Ｓ１及びＳ２や走査線Ｇ１及びＧ２などの配線部とそれぞれ対向する位置に配置されている。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向する位置に配置され、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。  
なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されても良い。遮光層ＢＭは、カラーフィルタＣＦとオーバーコート層ＯＣとの間、あるいは、オーバーコート層ＯＣと第２配向膜ＡＬ２との間に配置されても良い。また、遮光層ＢＭを配置する代わりに、異なる色のカラーフィルタを２層以上重ね合せることで透過率を低下させ、遮光層として機能させても良い。また、白色を表示する画素が追加されても良く、白色画素には白色のカラーフィルタを配置しても良いし、無着色の樹脂材料を配置しても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置しても良い。また、モノクロ表示タイプの表示装置においては、カラーフィルタが省略される。
【００３９】
上述した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。図示しないが、スペーサは、樹脂材料によって形成され、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に配置されている。スペーサは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のうちの一方に形成され、他方の基板に接触している。これにより、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に所定のセルギャップが形成される。但し、スペーサとして、セルギャップを形成するものの他に、表示パネルに対して外部応力が加わっていない定常状態で他方の基板に接触していないサブスペーサが含まれていても良い。セルギャップは、例えば２〜５μｍである。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、所定のセルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。
【００４０】
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子を含んでいる。このような液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。
【００４１】
上記のような構成の表示パネルＰＮＬに対して、第１基板ＳＵＢ１の下方には、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。また、第２基板ＳＵＢ２の上方には、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。一例では、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、それぞれの吸収軸がＸ−Ｙ平面において互いに直交するように配置されている。なお、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて、１／４波長板や１／２波長板などの位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていても良い。
【００４２】
このような構成例においては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、バックライトユニットＢＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された光は、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子は、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、バックライトユニットＢＬからの光の一部は、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２を透過し、明表示となる。
【００４３】
次に、上記の具体的な構成例において、信号線Ｓ１乃至Ｓ４がそれぞれ遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ４として機能する場合について以下に説明する。
【００４４】
図７は、第１基板の主要部及び第２基板の遮光層ＢＭの一構成例を示す平面図である。なお、遮光層ＢＭについて、第１方向Ｘに延出した部分の図示は省略している。
【００４５】
信号線Ｓ１乃至Ｓ４は、間隔をおいて第１方向Ｘに並び、それぞれ第２方向Ｙに延出している。信号線Ｓ１及びＳ４は、それぞれ同等の幅Ｗ１１及びＷ１４を有している。信号線Ｓ２及びＳ３は、それぞれ同等の幅Ｗ１２及びＷ１３を有している。幅Ｗ１１及びＷ１４は、幅Ｗ１２及びＷ１３より大きい。なお、信号線Ｓ１乃至Ｓ４の各々は、第１方向Ｘにほぼ一定の幅を有する帯状に形成されていても良いし、走査線間の幅（あるいは画素電極と隣り合う部分の幅）が走査線との交差部の幅よりも拡張された形状であっても良い。上記の幅は、信号線Ｓ１乃至Ｓ４の各々における最大幅（あるいは、画素電極と隣り合う部分での幅）に相当する。
【００４６】
遮光層ＢＭの部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ４は、平面視で、それぞれ信号線Ｓ１乃至Ｓ４と重なっている。より具体的には、信号線Ｓ１は、部分ＢＭＹ１と重なる領域の略中央に位置している。信号線Ｓ４は、部分ＢＭＹ４と重なる領域の略中央に位置している。信号線Ｓ２は、部分ＢＭＹ２と重なる領域のうち、その中央部よりも信号線Ｓ１に近接する側（あるいは、信号線Ｓ３から離間する側）に位置している。信号線Ｓ３は、部分ＢＭＹ３と重なる領域のうち、その中央部よりも信号線Ｓ４に近接する側（あるいは、信号線Ｓ２から離間する側）に位置している。
【００４７】
画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、いずれも同一本数の電極部を有している。図示した例では、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、それぞれ２本の電極部ＰＡ１１及びＰＡ１２、電極部ＰＡ２１及びＰＡ２２、及び、電極部ＰＡ３１及びＰＡ３２を有している。電極部ＰＡ１１及びＰＡ１２の第１方向Ｘに沿ったピッチは、電極部ＰＡ３１及びＰＡ３２の第１方向Ｘに沿ったピッチと同等であり、電極部ＰＡ２１及びＰＡ２２の第１方向Ｘに沿ったピッチよりも大きい。  
画素電極ＰＥ１は、部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２の間、あるいは、信号線Ｓ１及びＳ２の間に位置している。画素電極ＰＥ１は、部分ＢＭＹ１と隣り合う側に位置する一端部（電極部ＰＡ１１の外周）Ｅ１１、及び、部分ＢＭＹ２と隣り合う側に位置する他端部（電極部ＰＡ１２の外周）Ｅ１２を有している。部分ＢＭＹ１と一端部Ｅ１１との間の距離Ｄ１１は、部分ＢＭＹ２と他端部Ｅ１２との間の距離Ｄ１２と同等である。  
画素電極ＰＥ２は、部分ＢＭＹ２及びＢＭＹ３の間、あるいは、信号線Ｓ２及びＳ３の間に位置している。画素電極ＰＥ２は、部分ＢＭＹ２と隣り合う側に位置する一端部（電極部ＰＡ２１の外周）Ｅ２１、及び、部分ＢＭＹ３と隣り合う側に位置する他端部（電極部ＰＡ２２の外周）Ｅ２２を有している。部分ＢＭＹ２と一端部Ｅ２１との間の距離Ｄ２１は、部分ＢＭＹ３と他端部Ｅ２２との間の距離Ｄ２２と同等である。但し、距離Ｄ１１及びＤ１２は、距離Ｄ２１及びＤ２２よりも小さい。  
画素電極ＰＥ３は、部分ＢＭＹ３及びＢＭＹ４の間、あるいは、信号線Ｓ３及びＳ４の間に位置している。画素電極ＰＥ３は、部分ＢＭＹ３と隣り合う側に位置する一端部（電極部ＰＡ３１の外周）Ｅ３１、及び、部分ＢＭＹ４と隣り合う側に位置する他端部（電極部ＰＡ３２の外周）Ｅ３２を有している。部分ＢＭＹ３と一端部Ｅ３１との間の距離Ｄ３１は、部分ＢＭＹ４と他端部Ｅ３２との間の距離Ｄ３２と同等である。距離Ｄ３１及びＤ３２は、距離Ｄ１１及びＤ１２と同等である。
【００４８】
図８は、図７のＥ−Ｆ線で切断した表示パネルＰＮＬを示す断面図である。第１基板ＳＵＢ１において、信号線Ｓ１乃至Ｓ４は、第３絶縁膜１３の上に位置し、第４絶縁膜１４によって覆われている。なお、図６を参照して説明したように、半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２の間に位置しており、信号線Ｓ１乃至Ｓ４は、半導体層ＳＣと第２基板ＳＵＢ２との間の層に位置している。信号線Ｓ１及びＳ２はピッチＰ１１で並び、信号線Ｓ２及びＳ３はピッチＰ１２で並び、信号線Ｓ３及びＳ４はピッチＰ１３で並んでいる。第２基板ＳＵＢ２において、部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２はピッチＰ２１で並び、部分ＢＭＹ２及びＢＭＹ３はピッチＰ２２で並び、部分ＢＭＹ３及びＢＭＹ４はピッチＰ２３で並んでいる。
【００４９】
図４を参照して説明したのと同様に、画素電極ＰＥ１を挟んで隣り合う信号線Ｓ１及びＳ２と、部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２との関係に着目する。信号線Ｓ１の中心、及び、部分ＢＭＹ１の中心の第１方向Ｘに沿った位置は一致している。信号線Ｓ２の中心は、部分ＢＭＹ２の中心よりも画素電極ＰＥ１に近接する側に向かってずれている。このため、ピッチＰ１１は、ピッチＰ２１よりも小さい。また、信号線Ｓ１は、信号線Ｓ２よりも幅広である。このような構成によれば、信号線Ｓ１及びＳ２がピッチＰ２１で並んだ構成や、信号線Ｓ１及びＳ２がそれぞれ幅Ｗ１２を有する構成と比較して、信号線Ｓ１及びＳ２の間隙を小さくすることができる。なお、画素電極ＰＥ３を挟んで隣り合う信号線Ｓ３及びＳ４と部分ＢＭＹ３及びＢＭＹ４との関係についても、信号線Ｓ１及びＳ２と部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２との関係と同様であり、ピッチＰ１３はピッチＰ２３よりも小さく、幅Ｗ１４は幅Ｗ１３よりも大きい。  
画素電極ＰＥ２を挟んで隣り合う信号線Ｓ２及びＳ３と、部分ＢＭＹ２及びＢＭＹ３との関係に着目する。信号線Ｓ２の中心は、部分ＢＭＹ２の中心よりも画素電極ＰＥ２から離間する一方の側（図示した例では、画素電極ＰＥ１に近接する側）に向かってずれている。信号線Ｓ３の中心は、部分ＢＭＹ３の中心よりも画素電極ＰＥ２から離間する他方の側（図示した例では、画素電極ＰＥ３に近接する側）に向かってずれている。このため、ピッチＰ１２は、ピッチＰ２２よりも大きい。また、信号線Ｓ２の幅Ｗ１２は、信号線Ｓ３の幅Ｗ１３と同等である。このような構成によれば、信号線Ｓ２及びＳ３がピッチＰ２２で並んだ構成や、信号線Ｓ２及びＳ３の少なくとも一方が幅Ｗ１１を有する構成と比較して、信号線Ｓ２及びＳ３の間隙を大きくすることができる。
【００５０】
画素電極ＰＥ１を備えた画素は上記した第１色画素と同様の効果が得られる。加えて、画素電極ＰＥ１の両端部が遮光層ＢＭの部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２に近接しているため、画素電極ＰＥ１と共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態において、液晶層ＬＣのうち、電界によって変調される変調領域が部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２と重なる領域に広がる。このため、斜め視角において、部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２と重なる領域が遮光されるため、第２基板ＳＵＢ２を透過する光量を減少することができ、表示に寄与する色成分を減少させることができる。なお、画素電極ＰＥ３を備えた画素も、画素電極ＰＥ２を備えた画素と同様の効果が得られる。  
また、画素電極ＰＥ２を備えた画素は上記した第２色画素と同様の効果が得られる。加えて、画素電極ＰＥ２の両端部が遮光層ＢＭの部分ＢＭＹ２及びＢＭＹ３から離間しているため、オン状態において、液晶層ＬＣのうち、電界によって変調される変調領域が部分ＢＭＹ２と部分ＢＭＹ３との間の中央部に形成される。このため、斜め視角において、変調領域が部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２によって遮光されにくくなり、第２基板ＳＵＢ２を透過する光量を増加することができ、表示に寄与する色成分を増加させることができる。したがって、斜め視角における表示品位の劣化を抑制することが可能となる。
【００５１】
図９は、表示パネルＰＮＬの他の構成例を示す断面図である。図９に示した構成例は、図８に示した構成例と比較して、下側遮光層ＵＳ１乃至ＵＳ４がそれぞれ遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ４として機能する点で相違している。なお、上記の構成例と同一の構成要素については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。また、下側遮光層ＵＳ１乃至ＵＳ４のＸ−Ｙ平面におけるレイアウトは、図７に示した信号線Ｓ１乃至Ｓ４と同一とすることができ、その詳細な説明を省略する。
【００５２】
下側遮光層ＵＳ１乃至ＵＳ４は、第１絶縁基板１０の上に位置し、第１絶縁膜１１によって覆われている。図６を参照して説明したように、半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２の間に位置しており、下側遮光層ＵＳ１乃至ＵＳ４は、第１絶縁基板１０と半導体層ＳＣとの間の層に位置している。下側遮光層ＵＳ１乃至ＵＳ４は、間隔をおいて第１方向Ｘに並んでいる。なお、下側遮光層ＵＳ１乃至ＵＳ４は、所定の電位に設定されても良いし、電気的にフローティングであっても良い。下側遮光層ＵＳ１及びＵＳ４は、それぞれ同等の幅Ｗ１１及びＷ１４を有している。下側遮光層ＵＳ２及びＵＳ３は、それぞれ同等の幅Ｗ１２及びＷ１３を有している。幅Ｗ１１及びＷ１４は、幅Ｗ１２及びＷ１３より大きい。  
信号線Ｓ１乃至Ｓ４は、それぞれ下側遮光層ＵＳ１乃至ＵＳ４の直上に位置している。信号線Ｓ１乃至Ｓ４は、図示した例では、いずれも同等の幅を有しているが、直下の下側遮光層と同等の幅を有していていも良い。  
遮光層ＢＭの部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ４は、それぞれ下側遮光層ＵＳ１乃至ＵＳ４の直上に位置している。より具体的には、下側遮光層ＵＳ１は、部分ＢＭＹ１と重なる領域の略中央に位置している。下側遮光層ＵＳ４は、部分ＢＭＹ４と重なる領域の略中央に位置している。下側遮光層ＵＳ２は、部分ＢＭＹ２と重なる領域のうち、その中央部よりも下側遮光層ＵＳ１に近接する側（あるいは、下側遮光層ＵＳ３から離間する側）に位置している。下側遮光層ＵＳ３は、部分ＢＭＹ３と重なる領域のうち、その中央部よりも下側遮光層ＵＳ４に近接する側（あるいは、下側遮光層ＵＳ２から離間する側）に位置している。
【００５３】
このような構成例においても、図７及び図８に示した構成例と同様の効果が得られる。また、下側遮光層ＵＳ１乃至ＵＳ４は、電気的な制約を受けることなく適宜形状を自由に選択することが可能であり、要求される遮光性能を容易に実現することができる。また、遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ４が信号線Ｓ１乃至Ｓ４よりも下層に位置する下側遮光層ＵＳ１乃至ＵＳ４であるため、遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ４が信号線Ｓ１乃至Ｓ４である構成例と比較して、小さい幅（あるいは小さい設置面積）で要求される遮光性能を実現することができる。
【００５４】
図１０は、第１基板の主要部及び第２基板の遮光層ＢＭの他の構成例を示す平面図である。なお、遮光層ＢＭについて、第１方向Ｘに延出した部分の図示は省略している。また、ここでは、遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ４が信号線Ｓ１乃至Ｓ４である場合について図示しており、信号線Ｓ１乃至Ｓ４、及び、遮光層ＢＭの部分ＢＭＹ１乃至ＢＭＹ４のレイアウトについては図７を参照して説明した通りであり、ここでは説明を省略する。  
図１０に示した構成例は、図７に示した構成例と比較して、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３がそれぞれ平板状に形成され、共通電極が画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３とそれぞれ重畳するスリットを有している点で相違している。なお、ここでは、共通電極の図示を省略し、スリットのみを図示している。
【００５５】
画素電極ＰＥ１は、部分ＢＭＹ１及びＢＭＹ２の間、あるいは、信号線Ｓ１及びＳ２の間に位置している。画素電極ＰＥ２は、部分ＢＭＹ２及びＢＭＹ３の間、あるいは、信号線Ｓ２及びＳ３の間に位置している。画素電極ＰＥ３は、部分ＢＭＹ３及びＢＭＹ４の間、あるいは、信号線Ｓ３及びＳ４の間に位置している。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の各々と重畳するスリットの本数は、同一であり、図示した例では２本である。すなわち、スリットＳＴ１１及びＳＴ１２は画素電極ＰＥ１と重畳し、スリットＳＴ２１及びＳＴ２２は画素電極ＰＥ２と重畳し、スリットＳＴ３１及びＳＴ３２は画素電極ＰＥ３と重畳している。スリットＳＴ１１及びＳＴ１２のピッチは、スリットＳＴ３１及びＳＴ３２のピッチと同等であり、スリットＳＴ２１及びＳＴ２２のピッチよりも大きい。  
部分ＢＭＹ１とスリットＳＴ１１の一端部Ｅ１１との間の距離Ｄ１１は、部分ＢＭＹ２とスリットＳＴ１２の他端部Ｅ１２との間の距離Ｄ１２と同等である。部分ＢＭＹ２とスリットＳＴ２１の一端部Ｅ２１との間の距離Ｄ２１は、部分ＢＭＹ３とスリットＳＴ２２の他端部Ｅ２２との間の距離Ｄ２２と同等である。但し、距離Ｄ１１及びＤ１２は、距離Ｄ２１及びＤ２２よりも小さい。部分ＢＭＹ３とスリットＳＴ３１の一端部Ｅ３１との間の距離Ｄ３１は、部分ＢＭＹ４とスリットＳＴ３２の他端部Ｅ３２との間の距離Ｄ３２と同等である。距離Ｄ３１及びＤ３２は、距離Ｄ１１及びＤ１２と同等である。
【００５６】
図１１は、図１０のＧ−Ｈ線で切断した表示パネルＰＮＬを示す断面図である。第１基板ＳＵＢ１において、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、第４絶縁膜１４の上に位置し、第５絶縁膜１５によって覆われている。共通電極ＣＥは、第５絶縁膜１５の上に位置し、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。スリットＳＴ１１及びＳＴ１２は画素電極ＰＥ１の直上に位置し、スリットＳＴ２１及びＳＴ２２は画素電極ＰＥ２の直上に位置し、スリットＳＴ３１及びＳＴ３２は画素電極ＰＥ３の直上に位置している。
【００５７】
図８を参照して説明したのと同様に、信号線Ｓ１乃至Ｓ４が遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ４として機能するため、画素電極ＰＥ１及び画素電極ＰＥ３を備えた画素は上記した第１色画素と同様の効果が得られ、また、画素電極ＰＥ２を備えた画素は上記した第２色画素と同様の効果が得られる。
【００５８】
なお、図１０及び図１１に示した構成例では遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ４が信号線Ｓ１乃至Ｓ４である場合について説明したが、遮光部ＳＬ１乃至ＳＬ４が下側遮光層ＵＳ１乃至ＵＳ４であっても良い。
【００５９】
また、遮光部ＳＬは、上述したような第３絶縁膜１３上や半導体層ＳＣの下層に形成されるといった構造に限らず、例えば第４絶縁膜１４上に形成されても良いし、第２絶縁膜１２上に形成されても良い。  
遮光部ＳＬが第４絶縁膜１４上に形成される場合、例えば図６に示す構造では遮光部ＳＬは部分ＢＭＹに重なりつつ共通電極ＣＥに接触する構造であっても良い。この場合、遮光層ＳＬは、共通電極ＣＥの上に重なっていても良いし、共通電極ＣＥの下に重なっていても良い。この場合、遮光部ＳＬは、共通電極ＣＥと同電位である。  
遮光部ＳＬが第２絶縁膜１２上に形成される場合、遮光部ＳＬは、走査線Ｇと同一層に位置するため、部材ＢＭＹに重なりつつ、走査線Ｇに接触しないように配置される。この場合、遮光部ＳＬは、電気的にフローティングの状態であっても良いし、固定電位（例えば接地電位）であっても良い。  
さらに、上記の第１基板ＳＵＢ１において、第３絶縁膜１３が２層化されても良い。この場合、遮光部ＳＬは、部材ＢＭＹに重なりつつ、第３絶縁膜１３の２層の間に形成することが可能である。
【００６０】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。
【００６１】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６２】
ＤＳＰ…表示装置  ＰＮＬ…表示パネル
ＳＵＢ１…第１基板  ＳＵＢ２…第２基板  ＬＣ…液晶層
ＰＥ…画素電極  ＣＥ…共通電極
ＳＬ…遮光部  Ｓ…信号線  ＵＳ…下側遮光層
ＢＭ…遮光層  ＯＰ…開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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