(57)【要約】      （修正有）【課題】コア基板に設けた開口に電子部品を収容してもクラックが生じることのない高い信頼性の半導体装置、プリント配線板およびプリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】キャビティ２６内に充填樹脂１０２が充填され、コア基板３０上に樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆが積層されている。熱膨張係数の低い充填樹脂１０２と熱膨張係数の高い樹脂絶縁層５０Ｆとの間に、熱膨張係数が充填樹脂よりも高く、絶縁層よりも低い緩衝層４７が設けられる。この緩衝層４７によって、コア基板によって支持されていないキャビティエリアにおいて、充填樹脂１０２と樹脂絶縁層５０Ｆとの熱膨張係数の差に起因する応力が緩衝層４７によって緩和され、絶縁層でクラックが入るのを抑制する。【選択図】図２
2017011156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面と反対側の第２面とを備えるコア基板と、
前記コア基板の第１面に形成された第１導体層と、
前記コア基板の第２面に形成された第２導体層と、
前記コア基板を貫通して、前記第１導体層と、前記第２導体層とを接続するスルーホール導体と、
前記コア基板の第２面側に導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層と、
前記コア基板の第１面側に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層及び前記コア基板を貫通して前記コア基板の第２面に積層された前記ビルドアップ層を露出させるキャビティと、
前記キャビティ内でパッドに実装される半導体素子と、
前記キャビティ内で、前記半導体素子の周囲に充填される充填樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記キャビティ内であって、前記ビルドアップ層を構成する前記コア基板の第２面側の絶縁層と前記充填樹脂との間に形成された緩衝層を有し、
前記緩衝層の熱膨張係数の値は、前記ビルドアップ層を構成する前記コア基板の第２面側の絶縁層の熱膨張係数の値と前記充填樹脂の熱膨張係数の値との中間の値を有する。
【請求項２】
請求項１の半導体装置であって、
前記ビルドアップ層を構成する前記コア基板の第２面側の絶縁層が、前記ビルドアップ層を構成する前記コア基板の第２面側の最下の絶縁層である。
【請求項３】
請求項１の半導体装置であって、
前記コア基板は芯材を備え、
前記ビルドアップ層を構成する前記絶縁層は芯材を備えない。
【請求項４】
請求項１の半導体装置であって、
前記充填樹脂と前記緩衝層と前記ビルドアップ層を構成する前記コア基板の第２面側の絶縁層は無機粒子を含み、
前記緩衝層に含まれる無機粒子の含有率を重量％で表した値は、前記ビルドアップ層を構成する前記コア基板の第２面側の絶縁層に含まれる無機粒子の含有率を重量％で表した値と前記充填樹脂に含まれる無機粒子の含有率を重量％で表した値との中間の値を有する。
【請求項５】
請求項１の半導体装置であって、
前記パッドは、前記キャビティ内であって、前記緩衝層から露出される。
【請求項６】
請求項１の半導体装置であって、
前記ビルドアップ層を構成する前記コア基板の第２面側の前記絶縁層及び前記緩衝層を貫通するビア導体を備え、
前記パッドは、前記ビア導体のボトム面より成る。
【請求項７】
第１面と該第１面と反対側の第２面とを備え、芯材を備えるコア基板と、
前記コア基板の第１面に形成された第１導体層と、
前記コア基板の第２面に形成された第２導体層と、
前記コア基板を貫通して、前記第１導体層と、前記第２導体層とを接続するスルーホール導体と、
前記コア基板の第２面側に導体層と芯材を備えない絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層と、
前記コア基板の第１面側に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層及び前記コア基板を貫通して前記コア基板の第２面に積層された前記ビルドアップ層を露出させるキャビティと、
前記キャビティ内であって、前記ビルドアップ層を構成する前記コア基板の第２面側の絶縁層上に形成された緩衝層と、を備えたプリント配線板であって、
前記緩衝層の熱膨張係数の値は、前記ビルドアップ層を構成する前記コア基板の第２面側の絶縁層の熱膨張係数の値よりも低い。
【請求項８】
プリント配線板の製造方法であって、
第１面と該第１面と反対側の第２面とを有するコア基板に、前記第１面と前記第２面を貫通するキャビティを形成することと、
仮接着用樹脂フィルムを準備することと、
前記コア基板の前記第１面を前記仮接着用樹脂フィルムの表面に向けて仮接着することと、
前記キャビティ内に緩衝層を形成することと、
前記キャビティ内の緩衝層上に金属箔を形成することと、
前記キャビティ内の金属箔上に保護層を形成することと、
前記コア基板の第２面及び前記緩衝層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層を形成することと、
前記仮接着用樹脂フィルムを剥離することと、
前記保護膜を除去すること、
前記金属箔を除去することで、ビルドアップ層の緩衝層側のビア導体の底部を前記キャビティから露出させ実装パッドを形成すること、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装エリアを露出するためのキャビティを有するプリント配線板、該プリント配線板の製造方法、及び、該プリント配線板に電子部品を実装した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、図２に電子部品内蔵基板を開示している。特許文献１の電子部品内蔵基板は、コアレス基板と樹脂層を有する。そして、樹脂層に半導体チップを収容するための貫通孔と貫通ビアが形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１２３５２４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されている電子部品内蔵基板は、コアレス基板と半導体チップを収容するための収容部を有する樹脂層で形成されている。そのため、電子部品内蔵基板の強度や剛性は低いと考えられる。リフロー等で電子部品内蔵基板が高温になると、反りが大きいと予想される。
【０００５】
ここで、図８に示されるように芯材を備え剛性の高いコア基板４３０に開口４２６を設け、電子部品４９０を収容することも考え得る。しかしながら、開口４２６内の電子部品４９０を封止するために充填樹脂４０２を充填すると、充填樹脂４０２の熱膨張率が低く、絶縁層４５０、５５０との熱膨張差によってクラックＣが発生することが予想される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置は、第１面と該第１面と反対側の第２面とを備えるコア基板と、
前記コア基板の第１面に形成された第１導体層と、前記コア基板の第２面に形成された第２導体層と、前記コア基板を貫通して、前記第１導体層と、前記第２導体層とを接続するスルーホール導体と、前記コア基板の第２面側に導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層と、前記コア基板の第１面側に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層及び前記コア基板を貫通して前記コア基板の第２面に積層された前記ビルドアップ層を露出させるキャビティと、前記キャビティ内でパッドに実装される半導体素子と、前記キャビティ内で、前記半導体素子の周囲に充填される充填樹脂と、を備える。そして、前記キャビティ内であって、前記ビルドアップ層を構成する前記コア基板の第２面側の絶縁層と前記充填樹脂との間に形成された緩衝層を有し、前記緩衝層の熱膨張係数の値は、前記ビルドアップ層を構成する前記コア基板の第２面側の絶縁層の熱膨張係数の値と前記充填樹脂の熱膨張係数の値との中間の値を有する。
【０００７】
実施形態の半導体装置では、熱膨張係数の低い充填樹脂と熱膨張係数の高い絶縁層との間に、熱膨張係数が充填樹脂よりも高く、絶縁層よりも低い緩衝層が設けられる。この緩衝層によって、コア基板によって支持されていないキャビティエリアにおいて、充填樹脂と絶縁層との熱膨張係数の差に起因する応力が緩衝層によって緩和されるため、絶縁層でクラックが入るのを抑制できる。これにより、半導体装置の信頼性が高まる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は第１回路基板と第１回路基板の開口から露出する実装エリアを示す平面図である。
【図２】図２（Ａ）第１実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図２（Ｂ）は半導体装置の応用例の断面図である。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図８】参考例に係るプリント配線板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
図１（Ａ）は第１実施形態のプリント配線板１０を示す。第１実施形態のプリント配線板１０は、第１面Ｓと第１面と反対側の第２面Ｆとを有する第１回路基板１３０と第３面Ｖと第３面と反対側の第４面Ｗとを有する第２回路基板１５５を有する。
【００１０】
図１（Ａ）に示されている第２回路基板１５５は、交互に積層されている導体層（最下層の導体層）５８Ｆ、導体層（最上層の導体層）１５８Ｆと第１の樹脂絶縁層（最下層の絶縁層）５０Ｆ、第２の樹脂絶縁層（最上層の絶縁層）１５０Ｆとから成るビルドアップ層５５Ｆで形成されている。実施形態では、ビルドアップ層５５Ｆに含まれる導体層、樹脂絶縁層を区別する上で、第１回路基板１３０に近い方を下層、遠い方を上層とする。つまり、導体層５８Ｆ（第２面Ｆ側の最下層の導体層）、第２の導体層１５８Ｆ（第２面Ｆ側の最上層の導体層）、樹脂絶縁層５０Ｆ（第２面Ｆ側の最下層の樹脂絶縁層）、第２の樹脂絶縁層１５０Ｆ（第２面Ｆ側の最上層の樹脂絶縁層）となる。
第２回路基板１５５は第１回路基板１３０の第２面Ｆ上に積層されている。第２回路基板の第３面Ｖと第１回路基板の第２面Ｆは接している。
第２回路基板の第１の樹脂絶縁層（最下層の絶縁層）５０Ｆ、第２の樹脂絶縁層（最上層の絶縁層）１５０Ｆは樹脂と無機粒子で形成されている。第１の樹脂絶縁層５０Ｆの第３面Ｖ側には、緩衝層４７が設けられている。第１の樹脂絶縁層５０Ｆ及び緩衝層４７はビア導体用の開口６８ＦＩを有し、第１の樹脂絶縁層５０Ｆはビア導体用の開口６８ＦＯを有し、第２の樹脂絶縁層１５０Ｆはビア導体用の開口１６８Ｆを有し、各開口は第４面Ｗ側から第３面Ｖ側に向かってテーパーしている。
各開口６８ＦＩ、６８ＦＯ、１６８Ｆにビア導体６０ＦＩ、６０ＦＯ、１６０Ｆが形成されている。各ビア導体の側壁は第４面Ｗ側から第３面Ｖ側に向かってテーパーしている。ビア導体により隣接する導体層が接続されている。
第２回路基板１５５は第３面Ｖの略中央部分に図１（Ｂ）に示される実装エリアＳＭＦを有する。図１（Ｂ）のＸ１−Ｘ１断面が図１（Ａ）に対応する。実装エリアは第１回路基板の開口２６により露出されている。実装エリア上にＩＣチップ等の電子部品が実装される。緩衝層４７は開口２６内に設けられている。
【００１１】
図１（Ａ）に示されている第１回路基板１３０はコア基板３０を有する。コア基板は、樹脂と芯材（補強部材）を含む絶縁基板２０ｚと第１導体層３４Ｓと第２導体層３４Ｆとスルーホール導体３６で形成されている。絶縁基板は第１面Ｓと第１面Ｓと反対側の第２面Ｆを有する。絶縁基板の第１面とコア基板の第１面は同じ面であり、絶縁基板の第２面とコア基板の第２面は同じ面である。絶縁基板は、さらに、無機粒子を含んでも良い。第１導体層３４Ｓは第１面上に形成されていて、第２導体層３４Ｆは第２面上に形成されている。第１導体層と第２導体層はスルーホール導体で接続されている。第１回路基板は、さらに、第２回路基板の実装エリアＳＭＦを露出するための開口２６を有している。図１（Ａ）では、プリント配線板が第１導体層上に導体層を有していない。その場合、第１導体層は最上の導体層である。
【００１２】
図１（Ａ）に示されるように、コア基板３０の第２面Ｆと第２導体層３４Ｆ上に第１の樹脂絶縁層５０Ｆが形成されている。
第１の樹脂絶縁層５０Ｆ上に第２回路基板内の導体層５８Ｆが形成されている。
ビア導体６０Ｆ用の開口６８Ｆにビア導体６０Ｆが形成されている。ビア導体６０Ｆは、導体層（第２回路基板内の導体層）５８Ｆと第２導体層３４Ｆを接続している接続用ビア導体６０ＦＯと電子部品を実装するための実装用ビア導体６０ＦＩを有する。接続用ビア導体６０ＦＯは第１回路基板内のスルーホール導体のランド３６Ｌに直接接続されることが好ましい。ランド３６Ｌはスルーホール導体を覆っている導体とスルーホール導体の周りの導体で形成されていて、第２導体層３４Ｆに含まれる。
実装用ビア導体は実装エリアＳＭＦ内に形成されている。実装用ビア導体６０ＦＩは、第１の樹脂絶縁層５０Ｆ及び緩衝層４７のビア導体用の開口６８ＦＩ内に形成されている。実装用ビア導体６０ＦＩのボトム（Ｃ４パッド）７３ＳＩは開口６８ＦＩにより露出される。また、Ｃ４パッド７３ＳＩは、第１回路基板の開口２６により露出される。実装用ビア導体のボトム（Ｃ４パッド）は、開口２６と開口６８ＦＩにより露出される。
接続用ビア導体６０ＦＯは、第１の樹脂絶縁層５０Ｆの開口６８ＦＯ内に形成されている。接続用ビア導体６０ＦＯのボトム６０ＦＢはスルーホール導体のランド３６Ｌに直接接続している。
【００１３】
図１（Ａ）に示されるように、樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆ及び緩衝層４７を貫通する実装用ビア導体６０ＦＩのボトムは露出していて、第１パッド（Ｃ４パッド）７３ＳＩとして機能する。第１パッドは第２回路基板の実装エリアに形成されている。第１パッド７３ＳＩ上に電子部品と接続するための半田バンプ７６ＳＩ（図２（Ａ）参照）を形成することができる。
【００１４】
第１実施形態のプリント配線板では、ビア導体用の開口６８ＦＩは緩衝層４７の下面から第１の樹脂絶縁層５０Ｆの上面に向かって径が小さくなるようにテーパーしている。そのため、パッドのサイズをさらに小さくすることができる。第１パッドのピッチをさらに小さくすることができる。プリント配線板のサイズが小さくなる。高機能な電子部品をプリント配線板に実装することができる。
【００１５】
図１（Ａ）に示されるように、第１の樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆ上に第２の樹脂絶縁層１５０Ｆが形成されている。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆに樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する第２のビア導体１６０Ｆ用の開口１６８Ｆが形成されている。
第２の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第２回路基板内の第２の導体層１５８Ｆが形成されている。
第２のビア導体１６０Ｆ用の開口１６８Ｆに第２のビア導体１６０Ｆが形成されている。第２のビア導体１６０Ｆは、導体層（第２回路基板内の第２の導体層）１５８Ｆと導体層５８Ｆを接続している。
【００１６】
プリント配線板は第２回路基板の樹脂絶縁層（最上層の絶縁層）１５０Ｆと導体層（最上層の導体層）１５８Ｆ上にビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆを有することができる。ビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆに導体層（最上層の導体層）１５８Ｆを露出する開口７１Ｆが形成されている。開口７１Ｆにより露出される導体層１５８Ｆはマザーボードと接続するパッド７３Ｆとして機能する。
パッド７３Ｆ上に保護膜７２を形成することができる。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）膜で形成される。
実装用ビア導体６０ＦＩのボトム（Ｃ４パッド）上に保護膜を形成することができる。
【００１７】
貫通孔２８は、絶縁基板２０ｚの第１面Ｓ側の第１開口部２８Ｓと第２面Ｆ側の第２開口部２８Ｆで形成されている。第１開口部２８Ｓは第１面から第２面に向かってテーパーしていることが好ましい。第２開口部２８Ｆは第２面から第１面に向かってテーパーしていることが好ましい。このような形状を有する貫通孔２８内にスルーホール導体３６が形成されている。図１（Ａ）に示されているスルーホール導体３６は例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造されてもよい。
【００１８】
絶縁基板２０ｚは補強部材と樹脂で形成されている。絶縁基板２０ｚは、さらに、無機粒子を含んでも良い。補強部材の例はガラス繊維やガラスクロスやアラミド繊維である。無機粒子の例はシリカやアルミナである。
【００１９】
プリント配線板は、第１回路基板１３０の第１面Ｓと第１導体層３４Ｓ上にソルダーレジスト層７０Ｓを有することができる。上側のソルダーレジスト層７０Ｓに第１導体層３４Ｓを露出する開口７１Ｓが形成されている。開口７１Ｓにより露出される第１導体層３４Ｓは第２のパッケージ基板３３０を搭載するためのパッド（第２パッド）７３Ｓとして機能する。第２パッド上に保護膜７２を形成することができる。第２のパッケージ基板３３０は図２（Ｂ）に示されている。
【００２０】
図２（Ａ）は、第１実施形態の半導体装置２２０を示す。半導体装置２２０は、パッケージ基板（第１のパッケージ基板）である。
半導体装置２２０では、第１回路基板１３０の開口２６内にＩＣチップなどの電子部品９０が収容されている。ＩＣチップ９０は、開口２６から露出するＣ４パッド７３ＳＩに半田バンプ７６ＳＩにより実装される。開口２６内にはＩＣチップを封止する充填樹脂１０２が充填されている。
【００２１】
図２（Ｂ）は、第１実施形態のプリント配線板１０の応用例（ＰＯＰモジュール）３００を示す。応用例では、半導体装置２２０に接続体７６ＳＯを介して第２のパッケージ基板３３０が搭載されている。第２のパッケージ基板３３０は上基板３１０と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品２９０を有する。接続体７６ＳＯは、上側のソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓにより露出される第２導体層（第２パッド）７３Ｓ上に形成されている。図２（Ｂ）では、接続体７６ＳＯは、半田バンプ７６ＳＯである。半田バンプ以外の接続体の例はめっきポストやピンなどの金属ポスト（図示せず）である。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
上基板３１０上に電子部品２９０を封止するモールド樹脂３０２が形成されている。
【００２２】
第１回路基板は、絶縁基板２０ｚの第１面と第１導体層上に交互に積層されている樹脂絶縁層と導体層を有することができる。その場合、樹脂絶縁層と導体層上に上側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される。その場合、上側のソルダーレジスト層７０Ｓの直下の導体層が最上の導体層である。
【００２３】
プリント配線板１０は、ビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから露出されるパッド７３Ｆに、マザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｆを有しても良い。
【００２４】
第１回路基板１３０を構成する絶縁基板２０ｚは芯材に樹脂を含浸させたプリプレグを積層して成る。芯材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。絶縁基板２０ｚの板面方向の熱膨張係数（ＣＴＥ）は５ｐｐｍ／℃である。
【００２５】
ＩＣチップを封止する充填樹脂１０２、緩衝層４７、及び、第１の樹脂絶縁層５０Ｆ、第２の樹脂絶縁層１５０Ｆは、芯材を含有せず、無機フィラー（無機粒子）を含有する樹脂から成る。樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を主としてなる樹脂である。無機フィラーとしては、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。更に、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられる。第１実施形態で、充填樹脂１０２は、無機粒子を８５重量％含み、熱膨張係数（ＣＴＥ）は１０ｐｐｍ／℃である。第１の樹脂絶縁層５０Ｆ、第２の樹脂絶縁層１５０Ｆは、無機粒子を４０重量％含み、熱膨張係数（ＣＴＥ）は３９ｐｐｍ／℃である。緩衝層４７は、樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆよりも多く、充填樹脂１０２よりも少ない量の無機粒子を含み、熱膨張係数（ＣＴＥ）は樹脂絶縁層よりも小さく、充填樹脂よりも大きい。例えば、緩衝層に、無機粒子を７２重量％含み、熱膨張係数（ＣＴＥ）は１２ｐｐｍ／℃の低熱膨張係数の層間樹脂絶縁層フィルムを用いることができる。
【００２６】
第１実施形態の半導体装置２２０では、熱膨張係数の低い充填樹脂１０２と熱膨張係数の高い樹脂絶縁層５０Ｆとの間に、熱膨張係数が充填樹脂よりも高く、絶縁層よりも低い緩衝層４７が設けられる。この緩衝層４７によって、充填樹脂１０２からの応力が緩和されて樹脂絶縁層５０Ｆに伝わるため、樹脂絶縁層５０Ｆでクラックが発生し難い。これにより、半導体装置の信頼性が高まる。
【００２７】
第１実施形態のプリント配線板は、芯材を備え剛性の高い絶縁基板２０ｚを用いるため、プリント配線板の反りを小さくすることができる。
【００２８】
[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図３〜図６に示される。
出発基板が準備される。出発基板は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２Ｓ、２２Ｆで形成されている（図３（Ａ））。絶縁基板は、補強部材と樹脂と無機粒子を含む。補強部材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。
絶縁基板は第１面Ｓと第１面と反対側の第２面Ｆを有する。絶縁基板の第１面Ｓに積層されている銅箔２２Ｓは第１銅箔であり、絶縁基板の第２面Ｆに積層されている銅箔２２Ｆは第２銅箔である。
【００２９】
出発基板の第１銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｓ側に第１開口部２８Ｓが形成される。更に、第２銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｓに繋がる第２開口部２８Ｆが第２面Ｆ側に形成される。第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点に接続部２８Ｍが形成される。第１開口部の軸線ＬＬ１と第２開口部の軸線ＬＬ２が一致するようにレーザが照射される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図３（Ｂ））。第１開口部は第１面Ｓから第２面Ｆに向かってテーパーしている。第２開口部は第２面Ｆから第１面Ｓに向かってテーパーしている。第１開口部は第１面に第１開口２８ＳＯを有し、第２開口部は第２面に第２開口２８ＦＯを有する。
【００３０】
第１銅箔と第２銅箔、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき膜が形成される。無電解めっき膜上にめっきレジスト膜が形成され、その後電解めっきで貫通孔２８内にスルーホール導体３６及びパターンが形成される。めっきレジスト膜が剥離される。めっきレジスト膜下の無電解めっき膜及び銅箔２２Ｆ、２２Ｓをエッチング液で除去する。これにより、絶縁基板の第１面に第１導体層３４Ｓが形成される。絶縁基板２０ｚの第２面に第２導体層３４Ｆが形成される。貫通孔２８に第１導体層と第２導体層を接続するスルーホール導体３６が形成される。スルーホール導体は貫通孔の接続部２８Ｍに最も細い部分を有する。貫通孔２８を有する絶縁基板と貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６と絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｓと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｆとを有するコア基板３０が得られる（図３（Ｃ））。
【００３１】
コア基板３０の第１面Ｓに上側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される。露光・現像によりパッド７３Ｓを露出する開口７１Ｓが形成される（図３（Ｄ））。コア基板の絶縁基板２０ｚにトリムパンチャーでキャビティ２６が形成される（図３（Ｅ））。トリムパンチャー以外にもミル加工等の機械的な方法でキャビティが形成される。キャビティ２６を有し、第１導体層３４Ｓ上にソルダーレジスト層７０Ｓが設けられた第１回路基板１３０が得られる。
【００３２】
仮接着用樹脂フィルム８０の両面に、コア基板の第１面Ｓ側が仮接着用樹脂フィルム８０表面に向くよう第１回路基板１３０が離型層４０を介して仮接着される（図４（Ａ））。離型層４０は、第１回路基板１３０のソルダーレジスト層７０Ｓ上には薄く、そして、開口２６内に入り込むように形成されている。仮接着用樹脂フィルム８０は、ポリプロピレン層８２の両面にポリイミド層８４が積層されて成る。
【００３３】
第１回路基板１３０の開口２６内に、ポリイミド層４２、離型層４４、銅箔４６、緩衝層４７が形成される（図４（Ｂ））。
【００３４】
第１回路基板１３０の第２面Ｆに層間樹脂絶縁層用フィルムが貼られ、第１の樹脂絶縁層５０Ｆが加熱プレスにより形成される（図４（Ｃ））。次に、第１の樹脂絶縁層５０Ｆ及び緩衝層４７に、銅箔４６に至るビア導体用の開口６８Ｆ（６８ＦＩ）が形成され、第１の樹脂絶縁層５０Ｆに第２導体層３４Ｆに至るビア導体用の開口６８Ｆ（６８ＦＯ）が形成される（図５（Ａ））。開口６８ＦＩは、実装用ビア導体を形成するための開口である。開口６８ＦＯは接続用ビア導体を形成するための開口である。開口６８ＦＯは、例えば、スルーホール導体のランド３６Ｌに至る。スルーホール導体のランドはスルーホール導体の直上に形成されている導体とスルーホール導体の周りに形成されている導体で形成される。
【００３５】
セミアディティブ法で第１の樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層５８Ｆが形成される。同時に、開口６８Ｆにビア導体６０Ｆが形成される（図５（Ｂ））。開口６８ＦＯにスルーホール導体に繋がるビア導体（接続用ビア導体）６０ＦＯが形成される。開口６８ＦＩにＣ４パッドを形成するビア導体（実装用ビア導体）６０ＦＩが形成される。ビア導体６０Ｆはボトムを有する。接続用ビア導体のボトムはスルーホール導体のランド３６Ｌに接している。
実装用ビア導体のボトムは銅箔４６上に形成される。実装用ビア導体のボトムは銅箔４６に接している。
【００３６】
開口６８ＦＩから露出する銅箔４６上に金属膜を形成することができる。金属膜がＣ４パッドとして機能する。金属膜は銅以外の金属で形成されていて、金属膜はＣ４パッド（第１パッド）の酸化を防止する。金属膜の例は金、パラジウム、錫である。金属膜とＣ４パッド間にニッケルを形成することができる。
【００３７】
第１の樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆ上に第２の樹脂絶縁層１５０Ｆが加熱プレスで形成される。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆに第２ビア導体用の開口１６８Ｆが形成される。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆは熱硬化タイプである。
第２の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に導体層１５８Ｆが形成される。同時に、第２ビア導体用の開口に第２のビア導体１６０Ｆが形成される。導体層１５８Ｆやビア導体１６０Ｆはセミアディティブ法で形成される。
【００３８】
樹脂絶縁層１５０Ｆと導体層１５８Ｆ上にビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆが形成される（図５（Ｃ））。ビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆは熱硬化タイプである。
【００３９】
仮接着用樹脂フィルム８０から剥離され、個別の中間体４００に分けられる（図６（Ａ））。
【００４０】
離型層４０、開口２６内のポリイミド層４２、離型層４４が除去され、開口２６の側壁が露出されると共に、開口の底部に銅箔４６が残される（図６（Ｂ））。離型層４０、ポリイミド層４２、離型層４４の除去は、該離型層４０、ポリイミド層４２、離型層４４に銅箔４６に至るスリットを形成することで行い得る。離型層４０、ポリイミド層４２、離型層４４の除去はルータで行うことも可能である。
【００４１】
銅箔４６がエッチングで除去される（図６（Ｃ））。例えば、実装用ビア導体のボトムが金、パラジウム、錫等の金属膜で形成されていると、銅箔４６がエッチングで除去される時、実装用ビア導体のボトムの溶解が抑制される。
【００４２】
レーザにより、下側のソルダーレジスト層７０Ｆに、パッド７３Ｆを露出する開口７１Ｆが形成される。
【００４３】
パッド７３Ｆ、７３ＳとＣ４パッド７３ＳＩ上に保護膜７２が形成される（図６（Ｄ））。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）膜で形成される。Ｃ４パッド上の保護膜は描かれない。
【００４４】
各パッド７３Ｆ、７３ＳＩ、７３Ｓ上に半田バンプ７６Ｆ、７６ＳＩ、７６ＳＯが形成され得る。
【００４５】
図１（Ａ）中に示されるように各樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆは上面と上面とは反対側の下面を有する。各樹脂絶縁層の上面は第１回路基板１３０に近い面であり、各樹脂絶縁層の下面は下側のビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆに近い面である。各樹脂絶縁層に形成されているビア導体用の開口６８Ｆ、１６８Ｆは下面から上面に向かって径が小さくなるようにテーパーしている。ビア導体用の開口に形成されているビア導体６０Ｆ、１６０Ｆの側壁も下面から上面に向かってテーパーしている。
実施形態では、ビルドアップ層５５Ｆに含まれる導体層、樹脂絶縁層を区別する上で、第１回路基板１３０に近い方を下層、遠い方を上層とする。一方、上面、下面は図１（Ａ）中の上側、下側を意味する。
【００４６】
各導体層５８Ｆ、１５８Ｆやビア導体６０Ｆ、１６０Ｆは、無電解銅めっき膜５２と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜５６で形成されている（図５（Ｂ）参照）。
【００４７】
Ｃ４パッド７３ＳＩ上の半田バンプ７６ＳＩを介してプリント配線板上にＩＣチップ９０が実装される。第１のパッケージ基板（半導体装置）２２０が完成する（図２（Ａ））。ＩＣチップは開口内に収容されている。ＩＣチップは開口２６から外にでていない。半田バンプ７６ＳＯを介して第２のパッケージ基板３３０が第１のパッケージ基板２２０に搭載される（図２（Ｂ））。ＰＯＰモジュール（応用例）３００が完成する。
【００４８】
開口６８Ｆ１から露出する銅箔４６上にシード層５２と電解めっき５６で形成される実装用ビア導体が形成される。銅箔４６とシード層間に金属膜を形成することができる。銅箔４６のみを除去することで、実装用ビア導体６０ＦＩのボトムが露出する。シード層で形成される実装用ビア導体のボトムと第１の樹脂絶縁層５０Ｆの第３面は同じ平面上に位置する。金属膜で形成される実装用ビア導体のボトムと第１の樹脂絶縁層５０Ｆの第３面が同一平面上に位置する。
【００４９】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、予めコア基板３０にキャビティ２６を形成した後、ビルドアップ層５５Ｆを形成するため、キャビティの形成が容易で、レーザを用いないトリムパンチャー等の機械加工が可能で、生産性が高く、生産コストを抑えることができる。
【００５０】
[第２実施形態]
図７は第２実施形態のプリント配線板を示す。
第２実施形態では、第１の樹脂絶縁層５０Ｆに、緩衝層４７と同じ材質の無機粒子を７２重量％含み、熱膨張係数（ＣＴＥ）は１２ｐｐｍ／℃の低熱膨張係数の層間樹脂絶縁層フィルムが用いられている。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆは、第１実施形態と同様に無機粒子を４０重量％含み、熱膨張係数（ＣＴＥ）は３９ｐｐｍ／℃の層間樹脂絶縁層用フィルムが用いられる。第２実施形態においても、第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層１５０Ｆでのクラックの発生を抑えることができる。
【００５１】
第１の樹脂絶縁層５０Ｆは第２の樹脂絶縁層１５０Ｆと同じ面で接しているため、キャビティ２６内のみに設けられる緩衝層４７からの応力を、第１の樹脂絶縁層を介して第２の樹脂絶縁層が受けるため、第２の樹脂絶縁層に局所的な応力集中が生ぜず、第２の樹脂絶縁層１５０Ｆにクラックが発生し難い。このため、半導体装置の信頼性が高まる。
【符号の説明】
【００５２】
１０  プリント配線板
２６  開口
３６  スルーホール導体
４７  緩衝層
５０Ｆ  最下層の絶縁層
５８Ｆ  最下層の導体層
６０Ｆ  ビア導体
９０  ＩＣチップ
１０２  充填樹脂
１３０  第１回路基板
１５０Ｆ  最上層の絶縁層
１５５  第２回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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