(57)【要約】【課題】スペースを有効活用することのできる電子デバイス、この電子デバイスを備えた信頼性の高い電子機器および移動体を提供する。【解決手段】電子デバイス１は、基板２と、基板２に設けられた振動素子３と、基板２との間に振動素子３を収容する空洞部５を形成するように基板２に設けられた被覆構造体４と、を有し、被覆構造体４は、振動素子３と電気的に接続された配線層４３２、４３４およびインダクタ６１２を有する。また、被覆構造体４は、空洞部５に接続された連通孔４１ａを有する被覆層４１と、連通孔４１ａを封止するように被覆層４１上に配置され、導電性を有する封止層４２と、を有し、封止層４２に、インダクタ６１２が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
基板に設けられた機能素子と、
前記基板との間に前記機能素子を収容する内部空間を形成するように前記基板に設けられた被覆構造体と、を有し、
前記被覆構造体は、前記機能素子と電気的に接続された配線層および回路素子を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記回路素子は、受動素子である請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記被覆構造体は、
前記内部空間に接続された貫通孔を有する天井層と、
前記貫通孔を封止するように前記天井層上に配置され、導電性を有する封止層と、を有し、
前記封止層に、前記回路素子の少なくとも一部が配置されている請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記基板の平面視で、
前記回路素子は、少なくとも一部が前記機能素子と重なって配置されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記回路素子は、前記被覆構造体内で前記配線層と電気的に接続されている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記機能素子は、振動素子である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子デバイスを有していることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子デバイスを有していることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１の電子装置は、基板と、基板に設けられたＭＥＭＳ構造体と、ＭＥＭＳ構造体を覆う被覆構造体と、を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１１４３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような電子装置では、内部空間がＭＥＭＳ構造体を囲むために比較的大きく形成されており、それに伴って、内部空間を形成する被覆構造体も比較的大きなものとなる。しかしながら、本文献の電子装置では、被覆構造体の余ったスペースに任意の部材（例えば、インダクタ、容量、抵抗等の回路素子）を配置する等の工夫がされておらず、スペースを無駄にしているという問題がある。
【０００５】
本発明の目的は、スペースを有効活用することのできる電子デバイス、この電子デバイスを備えた信頼性の高い電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例の電子デバイスは、基板と、
基板に設けられた機能素子と、
前記基板との間に前記機能素子を収容する内部空間を形成するように前記基板に設けられた被覆構造体と、を有し、
前記被覆構造体は、前記機能素子と電気的に接続された配線層および回路素子を有することを特徴とする。
これにより、被覆構造体内のスペースを有効活用することのできる電子デバイスとなる。
【０００８】
［適用例２］
本適用例の電子デバイスでは、前記回路素子は、受動素子であることが好ましい。
これにより、回路素子を形成し易くなる。
【０００９】
［適用例３］
本適用例の電子デバイスでは、前記被覆構造体は、
前記内部空間に接続された貫通孔を有する天井層と、
前記貫通孔を封止するように前記天井層上に配置され、導電性を有する封止層と、を有し、
前記封止層に、前記回路素子の少なくとも一部が配置されていることが好ましい。
このように、もともと必要な層から回路素子を形成することで、被覆構造体の大型化や複雑化等を抑制することができる。
【００１０】
［適用例４］
本適用例の電子デバイスでは、前記基板の平面視で、
前記回路素子は、少なくとも一部が前記機能素子と重なって配置されていることが好ましい。
これにより、回路素子と機能素子とをより短い経路で接続することができ、ノイズの発生をより効果的に低減することができる。
【００１１】
［適用例５］
本適用例の電子デバイスでは、前記回路素子は、前記被覆構造体内で前記配線層と電気的に接続されていることが好ましい。
これにより、装置構成が簡単となる。
【００１２】
［適用例６］
本適用例の電子デバイスでは、前記機能素子は、振動素子であることが好ましい。
これにより、例えば、電子デバイスに回路を組み合わせることで、発振器として用いることができる。
【００１３】
［適用例７］
本適用例の電子機器は、上記適用例の電子デバイスを有していることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００１４】
［適用例８］
本適用例の移動体は、上記適用例の電子デバイスを有していることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
【図２】図１に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。
【図３】図１に示す電子デバイスが有する回路素子（封止層）の平面図である。
【図４】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。
【図５】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。
【図６】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。
【図７】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。
【図８】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。
【図９】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。
【図１０】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。
【図１１】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。
【図１２】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。
【図１３】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。
【図１４】本発明の第２実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
【図１５】図１４に示す電子デバイスが有する回路素子（封止層）の平面図である。
【図１６】本発明の第３実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
【図１７】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１８】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１９】本発明の電子機器を適用したデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。
【図２０】本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の電子デバイス、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
【００１８】
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。図２は、図１に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。図３は、図１に示す電子デバイスが有する回路素子（封止層）の平面図である。図４ないし図１３は、それぞれ、図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。なお、図１は、図２中のＡ−Ａ線断面図である。また、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１９】
≪電子デバイス≫
図１に示す電子デバイス１は、例えば、所定周波数の信号を発振する発振器として用いられる。このような電子デバイス１は、基板２と、機能素子としての振動素子３と、被覆構造体４と、空洞部（収容空間）５と、半導体回路（回路）６と、を有する。
【００２０】
基板２は、上面に開放する凹部２４を有するベース基板２１と、凹部２４の内面上に積層された第１絶縁膜２２と、第１絶縁膜２２上に積層された第２絶縁膜２３と、を有する。ベース基板２１は、例えば、シリコン基板で構成され、第１絶縁膜２２は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成され、第２絶縁膜２３は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）で構成されている。
【００２１】
なお、シリコン基板は、例えば、シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させたものを用いてもよい。ただし、ベース基板２１としては、シリコン基板に限定されず、例えば、ＳＯＩ基板を用いることができる。また、第１絶縁膜２２および第２絶縁膜２３としては、製造時にベース基板２１を保護し、また、各部の短絡等を防ぐことができれば特に限定されない。
【００２２】
また、ベース基板２１の凹部２４よりも外側の部分には半導体回路６の少なくとも一部が作り込まれている。半導体回路６は、例えば、振動素子３を励振させるための発振回路を有し、その他にも、例えば、必要に応じて、位相同期回路（ＰＬＬ回路）や、発振回路からの出力周波数を整数倍にする逓倍回路（周波数調整回路）や、信号を所定の出力形式に変換して出力する出力回路や、メモリー等を有する。
【００２３】
このような半導体回路６には、必要に応じて、ＭＯＳトランジスタ、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線等の回路素子６１が含まれている。このように、電子デバイス１内に、半導体回路６を作り込むことで、例えば、電子デバイス１と半導体回路６とが別体で構成された場合と比較して、装置全体の小型化を図ることができる。また、半導体回路６を振動素子３に近接して配置することができるため、振動素子３から出力される信号にノイズが乗り難く、優れた精度の電子デバイス１となる。なお、図１では、説明の便宜上、半導体回路６として、ＭＯＳトランジスタ６１１およびインダクタ６１２のみを図示している。
【００２４】
また、図２に示すように、凹部２４内には壁部７１と、柱状の４本の柱部７２（７２ａ〜７２ｄ）と、が設けられている。
【００２５】
４つの柱部７２は、壁部７１の内側（すなわち空洞部５内）に設けられており、平面視で、振動素子３の周囲に沿って互いに離間して設けられている。これら４つの柱部７２は、被覆構造体４を支える支柱として機能し、被覆構造体４の下方（空洞部５内）への撓み変形を抑制する。そのため、例えば、被覆構造体４と振動素子３との接触を防止することができる。また、４つの柱部７２は、振動素子３が有する電極を外部へ引き出すための配線（電気経路）の一部としても用いられる。このように、柱部７２を配線の一部として用いることで、別途配線を引き回す必要がなく、電子デバイス１の装置構成が簡単となると共に、電子デバイス１の小型化を図ることができる。このような柱部７２は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したポリシリコンで構成されている。なお、柱部７２の数としては、４つに限定されない。
【００２６】
壁部７１は、枠状をなし、平面視で振動素子３および柱部７２の周囲を囲むように、凹部２４の底面に立設されている。そして、壁部７１の内側が空洞部５となっている。また、壁部７１は、隣り合う柱部７２ａ、７２ｂの間に入り込むように内側へ突出した突出部７１１と、隣り合う柱部７２ｂ、７２ｃの間に入り込むように内側へ突出した突出部７１２と、隣り合う柱部７２ｃ、７２ｄの間に入り込むように内側へ突出した突出部７１３と、隣り合う柱部７２ｄ、７２ａの間に入り込むように内側へ突出した突出部７１４と、を有する。
【００２７】
このような突出部７１１、７１２、７１３、７１４を設けることで、空洞部５の体積が減少する。そのため、空洞部５を形成する際のエッチング時間を短縮することができたり、空洞部５を真空封止する際の真空引き時間を短縮することができたりする。また、これら４つの突出部７１１〜７１４は、柱部７２と共に、被覆構造体４を支えている。よって、被覆構造体４の下方への撓み変形がより抑制される。このような壁部７１は、例えば、ポリシリコンで構成されている。
【００２８】
また、壁部７１の外周側（すなわち壁部７１と凹部２４の内側面との間）には壁部７１を補強する補強部７３が設けられている。これにより、電子デバイス１の機械的強度を高めることができる。なお、補強部７３は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で構成されている。
【００２９】
被覆構造体４は、基板２の上面側に設けられ、凹部２４の開口を塞いでいる。これにより、基板２と被覆構造体４の間に気密封止された空洞部５が形成される。この空洞部５には振動素子３が配置されており、これにより、振動素子３を保護することができると共に、振動素子３を所定の環境下で駆動することができる。
【００３０】
このような被覆構造体４は、図１に示すように、被覆層４１と、被覆層４１上に積層された封止層４２と、封止層４２および基板２上に積層された構造体４３と、を有する。
【００３１】
被覆層４１は、絶縁層４１１と、絶縁層４１１上に積層された導電層４１２と、を有する。
【００３２】
被覆層４１は、空洞部５の内外を連通する複数の連通孔４１ａを有する。この連通孔４１ａは、製造時に空洞部５内の犠牲層をエッチングにより除去するためのリリースホールである。なお、連通孔４１ａは、基板２の平面視で、振動素子３と重ならないように配置することが好ましい。これにより、封止層４２で連通孔４１ａを封止する際に、連通孔４１ａを通過した封止材料が振動素子３に付着し難くなり、振動素子３の駆動周波数の変化を抑制することができる。
【００３３】
また、導電層４１２は、絶縁層４１１を貫通して設けられ、柱部７２と電気的に接続されているコンタクト部４１２ａを有する。このようなコンタクト部４１２ａは、柱部７２と同様に、振動素子３を半導体回路６に電気的に接続するための配線の一部として用いられる。なお、このような被覆層４１上には封止層４２が設けられているが、封止層４２と導電層４１２とが接触しないように（電気的に接続されないように）、導電層４１２と封止層４２との間には図示しない絶縁膜が形成されている。
【００３４】
このような被覆層４１では、絶縁層４１１は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）で構成されており、導電層４１２は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したポリシリコンで構成されている。
【００３５】
封止層４２は、被覆層４１（絶縁層４１１）上に積層され、連通孔４１ａを塞いでいる。これにより、空洞部５が気密封止される。このように、空洞部５を気密封止することで、空洞部５に収容された振動素子３の雰囲気を安定させることができる。なお、空洞部５の環境としては、特に限定されないが、真空状態（減圧状態）となっていることが好ましい。これにより、粘性抵抗が減り、より効率的かつ安定的に振動素子３を駆動することができる。
【００３６】
また、封止層４２は、コンタクト部４１２ａ上に周囲から島状に独立して配置され、コンタクト部４１２ａと電気的に接続されているコンタクト部４２１を有する。このようなコンタクト部４２１は、柱部７２およびコンタクト部４１２ａと同様に、振動素子３を半導体回路６に電気的に接続するための配線（電気経路）の一部として用いられる。
【００３７】
また、封止層４２は、図１および図３に示すように、半導体回路６に含まれるインダクタ６１２と、インダクタ６１２の周囲を囲む枠状の枠部４２２と、を有する。なお、インダクタ６１２と枠部４２２は、物理的に離間しており、直流的に絶縁されている。このように、封止層４２にインダクタ６１２を配置することで、封止層４２（被覆構造体４）のスペースを有効活用することができる。特に、封止層４２は、空洞部５の気密性を担保するために、他の導電層（例えば、後述する配線層４３２、４３４等）に比べて厚く形成される。そのため、その分、インダクタ６１２の膜厚を厚くすることができ、インダクタ６１２の電気抵抗を低くすることができる。
【００３８】
また、インダクタ６１２は、被覆構造体４内において配線層４３２、４３４と電気的に接続されている。そのため、インダクタ６１２と配線層４３２、４３４とを被覆構造体４の外側で電気的に接続する場合と比較して、インダクタ６１２の接続を容易に行うことができる。また、インダクタ６１２と配線層４３２、４３４とを被覆構造体４の外側で電気的に接続する場合と比較して、インダクタ６１２と振動素子３との間の配線距離を短くすることもできる。
【００３９】
また、インダクタ６１２は、図３に示すように、基板２の平面視で、少なくとも一部が振動素子３と重なって配置されている。インダクタ６１２をこのように配置することで、インダクタ６１２と振動素子３との間の配線距離をより短くすることができる。また、電子デバイス１の面内方向への広がりを抑えることができる。ただし、インダクタ６１２の配置としては、これに限定されず、反対に、基板２の平面視で振動素子３と重ならないように配置されていてもよい。
【００４０】
また、被覆構造体４内に配置される回路素子を、本実施形態のようなインダクタ６１２や、後述する第２、第３実施形態で述べるキャパシタ６１３、抵抗体６１４のような受動素子とすることで、より簡単に、半導体プロセスを用いて被覆構造体４と同時に形成することができる。
【００４１】
一方、枠部４２２は、グランドに接続（接地）されることが好ましい。これにより、枠部４２２が電磁シールドとして機能し、外界からの影響を受け難い電子デバイス１となる。
【００４２】
このような封止層４２としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属材料（導電性材料）を用いることができる。
【００４３】
構造体４３は、図１に示すように、層間絶縁膜４３１と、層間絶縁膜４３１上に形成された配線層４３２と、配線層４３２および層間絶縁膜４３１上に形成された層間絶縁膜４３３と、層間絶縁膜４３３上に形成された配線層４３４と、配線層４３４および層間絶縁膜４３３上に形成された表面保護層４３５と、を有する。このうち、配線層４３２、４３４は、半導体回路６の配線として機能している。また、表面保護層４３５は、電子デバイス１を水分、ゴミ、傷などから保護する。半導体回路６は、配線層４３２、４３４によって電子デバイス１の上面に引き出され、配線層４３４の一部が表面保護層４３５から露出しており、当該部分が外部接続端子４３４’となる。
【００４４】
このような構造体４３では、層間絶縁膜４３１、４３３は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で構成されており、配線層４３２、４３４は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）で構成されており、表面保護層４３５は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、ポリイミド、エポキシ樹脂等で構成されている。
【００４５】
以上、被覆構造体４について説明した。このような被覆構造体４によれば、その内部に回路素子６１を配置しているため、被覆構造体４のスペースを有効活用することができる。そのため、電子デバイス１の外側に配置される構成要素を減らすことができ、電子デバイス１を含む装置全体の小型化を図ることができる。
【００４６】
なお、本実施形態では、インダクタ６１２が封止層４２から形成されているが、インダクタ６１２は、例えば、配線層４３２、４３４のいずれかから形成されていてもよい。また、インダクタ６１２に加えて、配線層４３２や配線層４３４から形成された他の回路素子（キャパシタ、抵抗体等）を有していてもよい。
【００４７】
振動素子３は、静電駆動型の振動素子であり、図１および図２に示すように、基板２上に設けられた基板電極３１および振動部電極３２を有する。
【００４８】
振動部電極３２は、凹部２４の底面に設けられた固定部３３と、固定部３３と空隙を隔てて対向配置された振動体３４と、振動体３４および固定部３３の間に配置され、振動体３４を固定部３３に支持する支持部３５と、を有する。また、振動体３４は、その中央部に位置し、固定部３３に支持された基部３４１と、基部３４１に接続された４つの振動部３４２、３４３、３４４、３４５と、を有し、略十字状をなす。なお、振動部の数は、特に限定されず、１〜３つであってもよいし、５つ以上であってもよい。
【００４９】
一方、基板電極３１は、凹部２４の底面に設けられ、振動部３４２に対向配置された電極部３１１と、凹部２４の底面に設けられ、振動部３４４に対向配置された電極部３１２と、を有する。
【００５０】
基板電極３１および振動部電極３２は、それぞれ、柱部７２を介して半導体回路６（配線層４３２、４３４）と電気的に接続されており、半導体回路６から基板電極３１と振動部電極３２との間に所定周波数（振動部電極３２の共振周波数とほぼ等しい周波数）の交番電圧が印加されると、振動体３４と基板電極３１との間に発生する静電力によって、振動部３４２、３４４と振動部３４３、３４５とが互いに逆相で振動する。そして、この振動に基づく信号（周波数信号）が基板電極３１（または振動部電極３２）から出力され、出力された信号を半導体回路６で処理することで、所定周波数の信号を出力することができる。
【００５１】
これら基板電極３１および振動部電極３２は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したポリシリコンで構成されている。
【００５２】
≪電子デバイスの製造方法≫
次に、図４ないし図１３に基づいて、電子デバイス１の製造方法を説明する。なお、以下では説明の便宜上、半導体回路６が有する回路素子の製造工程については、その説明を一部省略する。各回路素子は、下記に説明する工程と同じ工程や、下記に示す工程の合間の工程で、作り込むことができる。
【００５３】
まず、図４に示すように、シリコン基板であるベース基板２１を用意し、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてベース基板２１の上面に凹部２４を形成し、その後、ベース基板２１の上面側に第１絶縁膜２２および第２絶縁膜２３を順に成膜する。第１絶縁膜２２および第２絶縁膜２３は、例えば、ベース基板２１の表面にＳｉＯ２膜を熱酸化法で成膜した後、このＳｉＯ２膜上にＳｉＮ膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成することで得られる。
【００５４】
次に、第２絶縁膜２３上にポリシリコンの膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成しつつ、同時にリン、ボロン等の不純物を注入することで、導電性のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングすることで、図５に示すように、基板電極３１（電極部３１１、３１２）、固定部３３、配線（図示せず）、柱部７２の一部および壁部７１の一部を形成する。ただし、これら各部の形成方法は上述の方法に限定されず、例えば、各部のパターニングを終えてから、各部にリン、ボロン等の不純物をドープして導電性を付与してもよい。
【００５５】
次に、図６に示すように、ＣＶＤ法により、ＳｉＯ２膜からなる第１犠牲層９１を形成し、形成した第１犠牲層９１に支持部３５、柱部７２および壁部７１に対応する開口を形成する。ただし、第１犠牲層９１は、ＣＶＤ法ではなく、熱酸化法、スパッタリング法等により形成してもよい。また、前記開口は、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて形成する。
【００５６】
次に、第１犠牲層９１上にポリシリコンの膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成しつつ、同時にリン、ボロン等の不純物を注入することで、導電性のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングすることで、図７に示すように、支持部３５、振動体３４、柱部７２および壁部７１を形成する。これにより、振動素子３が得られる。
【００５７】
次に、ＣＶＤ法により、図８に示すように、ＳｉＯ２膜からなる第２犠牲層９２を形成し、さらに、第２犠牲層９２に所定の開口を形成する。次に、図９に示すように、第２犠牲層９２上にＳｉＮ膜からなる絶縁層４１１を成膜し、この絶縁層４１１上にポリシリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成しつつ、同時にリン、ボロン等の不純物を注入することで、導電性のポリシリコン膜からなる導電層４１２を形成する。そして、これら絶縁層４１１および導電層４１２に連通孔４１ａを形成する。これにより、被覆層４１が得られる。
【００５８】
次に、化学機械研磨（ＣＭＰ）によって、図１０に示すように、ベース基板２１の上面２１１上に積層された第１絶縁膜２２および第２絶縁膜２３を除去して、ベース基板２１の上面２１１を露出させる。これにより、例えば、ベース基板２１の上面２１１にＭＯＳトランジスタ６１１を作り込むことができる。
【００５９】
次に、図１１に示すように、第１、第２犠牲層９１、９２のリリースエッチングを行なう。これにより、連通孔４１ａを介して第１、第２犠牲層９１、９２が除去され、空洞部５が形成されると共に振動素子３がリリースされる。
【００６０】
次に、空洞部５を真空引きした状態で、図１２に示すように、導電層４１２上にアルミニウム層からなる封止層４２を形成して連通孔４１ａを封止し、封止層４２をパターニングすることでコンタクト部４２１、インダクタ６１２および枠部４２２を形成する。
【００６１】
次に、図１３に示すように、ベース基板２１上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４３１を成膜し、層間絶縁膜４３１をＣＭＰ（化学機械研磨）等によって平坦化する。次に、層間絶縁膜４３１上に、配線層４３２、層間絶縁膜４３３、配線層４３４および表面保護層４３５を順に形成する。以上によって、図１に示す電子デバイス１が得られる。
【００６２】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
【００６３】
図１４は、本発明の第２実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。図１５は、図１４に示す電子デバイスが有する回路素子（封止層）の平面図である。
【００６４】
以下、本発明の第２実施形態に係る電子デバイスについて説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００６５】
第２実施形態の電子デバイスは、被覆構造体内に配置される回路素子が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００６６】
本実施形態の電子デバイス１では、図１４に示すように、被覆構造体４内に回路素子６１としてのキャパシタ６１３が配置されている。キャパシタ６１３は、下部電極６１３ａと、下部電極６１３ａと対向配置された上部電極６１３ｂと、下部電極６１３ａと上部電極６１３ｂとの間に配置された絶縁膜６１３ｃと、で構成されており、下部電極６１３ａが封止層４２から形成されている。また、上部電極６１３ｂは、例えば、下部電極６１３ａと同じ材料（すなわち、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属材料）で構成され、絶縁膜６１３ｃは、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等で構成されている。このような材料によれば、キャパシタ６１３を、半導体プロセスを用いて被覆構造体４と一括形成することができる。
【００６７】
なお、キャパシタ６１３の配置としては、上記の配置に限定されない。例えば、本実施形態では、上部電極６１３ｂが配線層４３２、４３４とは異なる層から形成されているが、上部電極６１３ｂを配線層４３２から形成してもよい。また、例えば、下部電極６１３ａを配線層４３２から形成し、上部電極６１３ｂを配線層４３４から形成してもよい。また、本実施形態では、図１５に示すように、基板２の平面視で、キャパシタ６１３の少なくとも一部が振動素子３と重なって配置されているが、キャパシタ６１３は、振動素子３と重ならないように配置されていてもよい。
【００６８】
以上のような第２実施形態よっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００６９】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
図１６は、本発明の第３実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
【００７０】
以下、本発明の第３実施形態に係る電子デバイスについて説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００７１】
第３実施形態の電子デバイスは、被覆構造体内に配置される回路素子が異なること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７２】
本実施形態の電子デバイス１では、図１６に示すように、被覆構造体４内に回路素子６１としての抵抗体６１４が配置されている。抵抗体６１４は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したポリシリコンで構成されている。
【００７３】
以上のような第３実施形態よっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７４】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る電子機器について説明する。
【００７５】
図１７は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【００７６】
パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、例えば、発振器として用いられる電子デバイス１が内蔵されている。そのため、パーソナルコンピューター１１００は、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
【００７７】
図１８は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【００７８】
携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、例えば、発振器として用いられる電子デバイス１が内蔵されている。そのため、携帯電話機１２００は、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
【００７９】
図１９は、本発明の電子機器を適用したデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。
【００８０】
デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行なう構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
【００８１】
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、例えば、発振器として用いられる電子デバイス１が内蔵されている。そのため、デジタルスチールカメラ１３００は、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
【００８２】
なお、本発明の電子機器は、図１７のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１８の携帯電話機、図１９のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【００８３】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る移動体について説明する。
図２０は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
【００８４】
自動車（移動体）１５００には、例えば発振器として用いられる電子デバイス１が搭載されている。電子デバイス１は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ…Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ…electronic control unit）に広く適用できる。このように、自動車１５００は、電子デバイス１を有しているため、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
【００８５】
以上、本発明の電子デバイス、発振器、電子機器および移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【００８６】
また、前述した各実施形態では、基板に凹部を形成することで、基板と蓋部との間に空洞部を形成した構成について説明しているが、基板と蓋部の構成としては、これに限定されない。例えば、基板に凹部を設けずに、蓋部の下面（基板側）に凹部を形成することで、基板と蓋部との間に空洞部を形成してもよいし、基板および蓋部の間に、枠状の構造体を介在させて、枠状の構想体の内周面と基板の上面とによって凹部を形成してもよい。すなわち、凹部の底面と壁面とが別部材から形成されており、これらが一体的に形成されていなくてもよい。
【００８７】
また、前述した各実施形態では、機能素子としての振動素子を有し、発振器として用いることのできる電子デバイスについて説明したが、電子デバイスの用途（機能素子の種類）としては、これに限定されない。例えば、機能素子としてピエゾ抵抗素子を有し、電子デバイスは、このピエゾ抵抗素子の抵抗値変化から、受けた圧力を検知する圧力検知装置として用いるものであってもよい。
【００８８】
また、前述した各実施形態では、被覆構造体内に形成される回路素子がインダクタ、キャパシタ、抵抗である場合について説明したが、被覆構造体内に形成される回路素子としては、これに限定されず、この他の受動素子として、例えば、コンデンサであってもよい。また、受動素子に限定されず、例えば、トランジスタ等の能動素子であってもよい。
【符号の説明】
【００８９】
１…電子デバイス、２…基板、２１…ベース基板、２１１…上面、２２…第１絶縁膜、２３…第２絶縁膜、２４…凹部、３…振動素子、３１…基板電極、３１１…電極部、３１２…電極部、３２…振動部電極、３３…固定部、３４…振動体、３４１…基部、３４２、３４３、３４４、３４５…振動部、３５…支持部、４…被覆構造体、４１…被覆層、４１ａ…連通孔、４１１…絶縁層、４１２…導電層、４１２ａ…コンタクト部、４２…封止層、４２１…コンタクト部、４２２…枠部、４３…構造体、４３１…層間絶縁膜、４３２…配線層、４３３…層間絶縁膜、４３４…配線層、４３４’…外部接続端子、４３５…表面保護層、５…空洞部、６…半導体回路、６１…回路素子、６１１…ＭＯＳトランジスタ、６１２…インダクタ、６１３…キャパシタ、６１３ａ…下部電極、６１３ｂ…上部電極、６１３ｃ…絶縁膜、６１４…抵抗体、７１…壁部、７１１、７１２、７１３、７１４…突出部、７２…柱部、７２ａ…柱部、７２ｂ…柱部、７２ｃ…柱部、７２ｄ…柱部、７３…補強部、９１…第１犠牲層、９２…第２犠牲層、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチールカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１５００…自動車
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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