(57)【要約】  【課題】半導体ウェハ等の基板に洗浄液を供給して基板を洗浄する基板処理装置を提供する。  【解決手段】基板処理装置は、洗浄液を供給する供給部１０と、前記供給部１０から供給される前記洗浄液に超音波振動を与える振動部１５と、供給口２３を有し、前記振動部１５によって超音波振動された前記洗浄液を案内して、当該洗浄液を前記供給口２３から基板Ｗに供給する供給管２０と、前記基板Ｗに前記洗浄液を供給するのに先立ち、前記供給部１０から前記洗浄液を供給させ、待機位置にある前記供給口２３から前記洗浄液を吐出させる制御部５０と、を有する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給される前記洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
供給口を有し、前記振動部によって超音波振動された前記洗浄液を案内して、当該洗浄液を前記供給口から基板に供給する供給管と、
前記基板に前記洗浄液を供給するのに先立ち、前記供給部から前記洗浄液を供給させ、待機位置にある前記供給口から前記洗浄液を吐出させる制御部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記供給管は、前記基板の法線に直交する方向に延びた第一延在部と、前記第一延在部から前記基板の法線方向であって前記基板に向かって延びた第二延在部とを有し、
前記第二延在部の端部に前記供給口が設けられており、
前記第一延在部の基端部を、前記基板の表面側又は裏面側で揺動可能に支持するための揺動軸をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記供給管の揺動速度は、前記供給口が前記基板の中心側領域を洗浄するときと比較して、前記供給口が前記基板の周縁側領域を洗浄するときに遅くなることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記待機位置にある前記供給口から吐出された前記洗浄液を回収するための吐出液回収部をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記供給管は、超音波振動を減衰させにくい材料から構成されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記供給部から前記洗浄液が供給されてから第一時間経過後に前記振動部の振動を開始させるようにしたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記供給部から前記洗浄液が供給されてから、前記第一時間よりも長い第二時間経過後に、前記供給口から前記基板に対して前記洗浄液の供給を開始させることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給される前記洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
供給口を有し、前記振動部によって超音波振動された前記洗浄液を案内して、当該洗浄液を前記供給口から基板に供給する供給管と、
を備え
前記供給管は、横方向に延びた第一延在部と、前記第一延在部から上下方向に延びた第二延在部とを有し、
前記第一延在部の先端側は基端側よりも高い位置に位置付けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
前記第一延在部が前記第一延在部の基端部から延在する第一方向は、水平方向に対して傾斜しており、前記基板の周縁部から中心部に向かうにつれて前記基板の法線方向に沿った距離が遠くなることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給される前記洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
供給口を有し、前記振動部によって超音波振動された前記洗浄液を案内して、当該洗浄液を前記供給口から基板に供給する供給管と、
を備え
前記供給管は、横方向に延びた第一延在部と、前記第一延在部から下方向に延びた第二延在部とを有し、
前記第一延在部の下方に、前記第一延在部に沿って延びた液滴案内部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
前記第一延在部は揺動軸を中心として前記基板の上方で揺動可能となり、
前記液滴案内部は、前記第一延在部を下方から支持するとともに、前記第一延在部とともに揺動することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給される前記洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
供給口を有し、前記振動部によって超音波振動された前記洗浄液を案内して、当該洗浄液を前記供給口から基板に供給する供給管と、
を備え
前記振動部は、第一周波数及び前記第一周波数よりも低い第二周波数で振動して、前記洗浄液に超音波振動を与えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
前記振動部は、前記第一周波数で振動する第一振動部と、前記第二周波数で振動する第二振動部とを有していることを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記第一周波数は９００ｋＨｚ以上であり、
前記第二周波数は９００ｋＨｚ未満であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記供給管は、前記第一振動部によって振動された前記洗浄液を案内する第一案内管と、前記第二振動部によって振動された前記洗浄液を案内する第二案内管と、前記第一案内管及び前記第二案内管に連結され、これら前記第一案内管及び前記第二案内管で案内されたいずれの洗浄液も前記供給口へと案内する共通案内管とを有することを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給される前記洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
供給口を有し、前記振動部によって超音波振動された前記洗浄液を案内して、当該洗浄液を前記供給口から基板に供給する供給管と、
前記基板に前記洗浄液を供給するのに先立ち、離隔位置に位置付けられた前記供給管を前記基板に対して近接位置に位置付ける又は離隔位置に位置付けられた前記基板を前記供給管に対して近接位置に位置付ける制御部と、
を備え、
前記供給管の材料は、超音波振動を減衰させにくい材料であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ等の基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ等の基板の製造過程では、基板上に形成された金属等の膜を研磨する研磨工程が含まれ、この研磨工程の後には、研磨屑である微小パーティクルを除去するための洗浄が行われる。例えば、基板表面の絶縁膜内に形成した配線溝を金属で埋めて配線を形成するダマシン配線形成工程においては、ダマシン配線形成後に化学機械的研磨（ＣＭＰ）によって基板表面の余分な金属が研磨除去される。ＣＭＰ後の基板表面には、ＣＭＰに使用されたスラリの残渣（スラリ残渣）や金属研磨屑等のパーティクル（ディフェクト）が存在するので、これを洗浄によって除去する必要がある。
【０００３】
基板表面の洗浄が不十分で基板表面に残渣物が残ると、基板表面の残渣物が残った部分からリークが発生したり、密着性不良の原因になったりし、信頼性の点で問題となる。このため、金属膜、バリア膜及び絶縁膜等が露出した基板表面を高い洗浄度で洗浄する必要がある。近年は、半導体デバイスの微細化に伴い、除去すべきパーティクルの径は小さくなってきており、洗浄に対する要求も厳しくなっている。
【０００４】
ＣＭＰ装置内の研磨後における洗浄方式として、ロール洗浄部材を用いた洗浄、ペンシル洗浄部材を用いた洗浄、二流体ノズルを用いた洗浄等が知られている。これらの洗浄では、基板がその中心軸周りに回転させられるとともに、基板の表面に薬液やリンス液（以下、薬液及びリンス液を総称して「洗浄液」という。）が供給される。また、これらの洗浄では、ロール洗浄部材、ペンシル洗浄部材、二流体ノズルを作用させて行う洗浄（薬液洗浄）が行われた後に、洗浄液として少なくともリンス液が供給され、ロール洗浄部材、ペンシル洗浄部材、二流体ノズルを作用させないで行う洗浄（濯ぎ洗浄）が行われることもある。
【０００５】
洗浄液を基板の表面に供給する方法として、単管ノズルから洗浄液を吐出して基板表面に着水させる方法、噴霧ノズルから霧状の洗浄液を噴霧して基板表面に着水させる方法、多孔管ノズル（バーノズル）から洗浄液を吐出して基板表面に着水させる方法等が知られている。基板の表面に供給された洗浄液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の外周に向けて流れる。なお、基板に着水した後の洗浄液の流動は、この遠心力だけでなく、基板の表面に着水する前に洗浄液に基板の表面に平行な方向への流れがある場合には、その流れの慣性の影響を受け、基板の表面が傾いている場合には、重力の影響を受け、また、洗浄液と基板の表面との接触角も洗浄液の流動を決定する要因となる。
【０００６】
基板の一部に洗浄液の流動の少ない箇所や洗浄液が淀む箇所があったり、その部分においてスラリ残渣や金属研磨屑等のパーティクル等が残ったりしてしまい、洗浄が不十分となることがある。
【０００７】
他方で、半導体ウェハ等の基板の表面を非接触で洗浄する洗浄する洗浄方式の一つとして、超音波処理された純水を基板の表面に噴射して表面を洗浄する、キャビテーションを利用した超音波洗浄が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１４−１３０８８２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年の半導体デバイスの微細化に伴って、洗浄装置等の基板処理装置における洗浄度への要求も高まってきている。しかしながら、従来の洗浄装置では、微小なパーティクル（例えば、６５ｎｍ以下のパーティクル）の除去がきわめて困難である。特に、基板の直径が現在主流の３００ｍｍから将来的に４５０ｍｍになると、基板の一部においてこのような不十分な洗浄が顕著となる。
【００１０】
本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、半導体ウェハ等の基板に洗浄液を供給して基板を洗浄する基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第一の態様による基板処理装置は、
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給される前記洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
供給口を有し、前記振動部によって超音波振動された前記洗浄液を案内して、当該洗浄液を前記供給口から基板に供給する供給管と、
前記基板に前記洗浄液を供給するのに先立ち、前記供給部から前記洗浄液を供給させ、待機位置にある前記供給口から前記洗浄液を吐出させる制御部と、
を備える。
【００１２】
本発明の第一の態様による基板処理装置において、
前記供給管は、前記基板の法線に直交する方向に延びた第一延在部と、前記第一延在部から前記基板の法線方向であって前記基板に向かって延びた第二延在部とを有し、
前記第二延在部の端部に前記供給口が設けられており、
前記基板処理装置は、前記第一延在部の基端部を、前記基板の表面側又は裏面側で揺動可能に支持するための揺動軸をさらに備えてもよい。
【００１３】
本発明の第一の態様による基板処理装置において、
前記供給管の揺動速度は、前記供給口が前記基板の中心側領域を洗浄するときと比較して、前記供給口が前記基板の周縁側領域を洗浄するときに遅くなってもよい。
【００１４】
本発明の第一の態様による基板処理装置は、
前記待機位置にある前記供給口から吐出された前記洗浄液を回収するための吐出液回収部をさらに備えてもよい。
【００１５】
本発明の第一の態様による基板処理装置において、
前記供給管は、超音波振動を減衰させにくい材料から構成されてもよい。
【００１６】
本発明の第一の態様による基板処理装置において、
前記制御部は、前記供給部から前記洗浄液が供給されてから第一時間経過後に前記振動部の振動を開始させるようにしてもよい。
【００１７】
本発明の第一の態様による基板処理装置において、
前記制御部は、前記供給部から前記洗浄液が供給されてから、前記第一時間よりも長い第二時間経過後に、前記供給口から前記基板に対して前記洗浄液の供給を開始させてもよい。
【００１８】
本発明の第二の態様による基板処理装置は、
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給される前記洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
供給口を有し、前記振動部によって超音波振動された前記洗浄液を案内して、当該洗浄液を前記供給口から基板に供給する供給管と、
を備え
前記供給管は、横方向に延びた第一延在部と、前記第一延在部から上下方向に延びた第二延在部とを有し、
前記第一延在部の先端側は基端側よりも高い位置に位置付けられている。
【００１９】
本発明の第二の態様による基板処理装置において、
前記第一延在部が前記第一延在部の基端部から延在する第一方向は、水平方向に対して傾斜しており、前記基板の周縁部から中心部に向かうにつれて前記基板の法線方向に沿った距離が遠くなってもよい。
【００２０】
本発明の第三の態様による基板処理装置は、
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給される前記洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
供給口を有し、前記振動部によって超音波振動された前記洗浄液を案内して、当該洗浄液を前記供給口から基板に供給する供給管と、
を備え
前記供給管は、横方向に延びた第一延在部と、前記第一延在部から下方向に延びた第二延在部とを有し、
前記第一延在部の下方に、前記第一延在部に沿って延びた液滴案内部が設けられている。
【００２１】
本発明の第三の態様による基板処理装置において、
前記第一延在部は揺動軸を中心として前記基板の上方で揺動可能となり、
前記液滴案内部は、前記第一延在部を下方から支持するとともに、前記第一延在部とともに揺動してもよい。
【００２２】
本発明の第四の態様による基板処理装置は、
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給される前記洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
供給口を有し、前記振動部によって超音波振動された前記洗浄液を案内して、当該洗浄液を前記供給口から基板に供給する供給管と、
を備え
前記振動部は、第一周波数及び前記第一周波数よりも低い第二周波数で振動して、前記洗浄液に超音波振動を与えてもよい。
【００２３】
本発明の第四の態様による基板処理装置において、
前記振動部は、前記第一周波数で振動する第一振動部と、前記第二周波数で振動する第二振動部とを有してもよい。
【００２４】
本発明の第四の態様による基板処理装置において、
前記第一周波数は９００ｋＨｚ以上であり、
前記第二周波数は９００ｋＨｚ未満であってもよい。
【００２５】
本発明の第四の態様による基板処理装置において、
前記供給管は、前記第一振動部によって振動された前記洗浄液を案内する第一案内管と、前記第二振動部によって振動された前記洗浄液を案内する第二案内管と、前記第一案内管及び前記第二案内管に連結され、これら前記第一案内管及び前記第二案内管で案内されたいずれの洗浄液も前記供給口へと案内する共通案内管とを有してもよい。
【００２６】
本発明の第五の態様による基板処理装置は、
洗浄液を供給する供給部と、
前記供給部から供給される前記洗浄液に超音波振動を与える振動部と、
供給口を有し、前記振動部によって超音波振動された前記洗浄液を案内して、当該洗浄液を前記供給口から基板に供給する供給管と、
前記基板に前記洗浄液を供給するのに先立ち、離隔位置に位置付けられた前記供給管を前記基板に対して近接位置に位置付ける又は離隔位置に位置付けられた前記基板を前記供給管に対して近接位置に位置付ける制御部と、
を備え、
前記供給管の材料が、超音波振動を減衰させにくい材料である。
【本発明の効果】
【００２７】
本発明の第一の態様によれば、基板に洗浄液を供給するのに先立ち、供給部から洗浄液を供給させ、待機位置にある供給口から洗浄液を吐出させる。このため、酸素等が入ってしまい洗浄効果の低い洗浄液を排出し、洗浄効果の高い洗浄液に超音波振動を与えて基板の洗浄に用いることができる。また、超音波が十分に与えられておらず洗浄効果の高くない洗浄液ではなく、超音波が十分に与えられて高い洗浄効果を有する洗浄液で基板を洗浄することができる。
【００２８】
本発明の第二の態様によれば、第一延在部の先端側は基端側よりも高い位置に位置付けられている。このため、供給管に付着した液滴は第一延在部を伝って基端部側へと案内される。したがって、基板や他の部材上に液滴が落下することを未然に防止することができる。
【００２９】
本発明の第三の態様によれば、第一延在部の下方に、第一延在部に沿って延びた液滴案内部が設けられている。このため、供給管に付着した液滴は液滴案内部を伝って基端部側へと案内される。したがって、基板や他の部材上に液滴が落下することを未然に防止することができる。
【００３０】
本発明の第四の態様によれば、振動部が、第一周波数で振動する第一振動部と、第一周波数よりも低い第二周波数で振動する第二振動部とを有しているので、異なる周波数で洗浄液に超音波振動を与えることができる。このため、用途に応じて、洗浄液による洗浄力を変えることができる。
【００３１】
本発明の第五の態様によれば、供給管の材料が超音波振動を減衰させにくい材料であり、かつ、基板に洗浄液を供給するのに先立ち、離隔位置に位置付けられた供給管が基板に対して近接位置に位置付けられる又は離隔位置に位置付けられた基板が供給管に対して近接位置に位置付けられる。このため、基板に洗浄液を供給する際に、基板に近い位置まで、超音波振動を減衰させにくい材料からなる供給管で案内して、洗浄液を基板に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態による基板処理装置を含む処理装置の全体構成を示す上方平面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態による基板処理装置の側方断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態で用いられる供給管、供給部及び供給管保持部等を示した側方図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態で用いられる供給管及び供給管保持部等を示した上方平面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態の変形例による基板処理装置の側方断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態で用いられる供給管を示した側方図である。
【図７】図７（ａ）は、本発明の第３の実施の形態で用いられる供給管、液滴案内部及び供給管保持部の一例を示した側方図であり、図７（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態で用いられる供給管、液滴案内部及び供給管保持部の別の例を示した側方図である。
【図８】図８は、本発明の第４の実施の形態で用いられる振動部及び案内管等を上方から見た断面図である。
【図９】図９は、本発明の第４の実施の形態で用いられる振動部、発振器及び案内管等を模式的に示した概略図である。
【図１０】図１０は、本発明の第４の実施の形態の変形例で用いられる振動部及び案内管等を模式的に示した概略図である。
【図１１】図１１は、本発明の第５の実施の形態における、供給管と基板との位置関係を説明するための側方断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第５の実施の形態の変形例における、供給管と基板との位置関係を説明するための側方断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
実施の形態
《構成》
以下、本発明に係る基板処理装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図５は本発明の実施の形態を説明するための図である。
【００３４】
図１に示すように、処理装置は、略矩形状のハウジング１１０と、多数の基板Ｗ（図２等参照）をストックする基板カセットが載置されるロードポート１１２と、を有している。ロードポート１１２は、ハウジング１１０に隣接して配置されている。ロードポート１１２には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができる。ＳＭＩＦポッド、ＦＯＵＰは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。基板Ｗとしては、例えば半導体ウェハ等を挙げることができる。
【００３５】
ハウジング１１０の内部には、複数（図１に示す態様では４つ）の研磨ユニット１１４ａ〜１１４ｄと、研磨後の基板Ｗを洗浄する第１洗浄ユニット１１６及び第２洗浄ユニット１１８と、洗浄後の基板Ｗを乾燥させる乾燥ユニット１２０とが収容されている。研磨ユニット１１４ａ〜１１４ｄは、基板処理装置の長手方向に沿って配列され、洗浄ユニット１１６、１１８及び乾燥ユニット１２０も基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
【００３６】
ロードポート１１２、ロードポート１１２側に位置する研磨ユニット１１４ａ及び乾燥ユニット１２０に囲まれた領域には、第１搬送ロボット１２２が配置されている。また、研磨ユニット１１４ａ〜１１４ｄ並びに洗浄ユニット１１６、１１８及び乾燥ユニット１２０と平行に、搬送ユニット１２４が配置されている。第１搬送ロボット１２２は、研磨前の基板Ｗをロードポート１１２から受け取って搬送ユニット１２４に受け渡したり、乾燥ユニット１２０から取り出された乾燥後の基板Ｗを搬送ユニット１２４から受け取ったりする。
【００３７】
第１洗浄ユニット１１６と第２洗浄ユニット１１８との間に、これら第１洗浄ユニット１１６と第２洗浄ユニット１１８の間で基板Ｗの受け渡しを行う第２搬送ロボット１２６が配置され、第２洗浄ユニット１１８と乾燥ユニット１２０との間に、これら第２洗浄ユニット１１８と乾燥ユニット１２０の間で基板Ｗの受け渡しを行う第３搬送ロボット１２８が配置されている。さらに、ハウジング１１０の内部には、基板処理装置の各機器の動きを制御する制御部５０が配置されている。本実施の形態では、ハウジング１１０の内部に制御部５０が配置されている態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、ハウジング１１０の外部に制御部５０が配置されてもよい。
【００３８】
図１に示す態様では、第１洗浄ユニット１１６として、洗浄液の存在下で、基板Ｗの直径のほぼ全長にわたって直線状に延びるロール洗浄部材を接触させ、基板Ｗに平行な中心軸周りに自転させながら基板Ｗの表面をスクラブ洗浄するロール洗浄装置が使用されている。また、第２洗浄ユニット１１８として、洗浄液の存在下で、鉛直方向に延びる円柱状のペンシル洗浄部材の下端接触面を接触させ、ペンシル洗浄部材を自転させながら一方向に向けて移動させて、基板Ｗの表面をスクラブ洗浄するペンシル洗浄装置が使用されている。また、乾燥ユニット１２０として、水平に回転する基板Ｗに向けて、移動する噴射ノズルからＩＰＡ蒸気を噴出して基板Ｗを乾燥させ、さらに基板Ｗを高速で回転させて遠心力によって基板Ｗを乾燥させるスピン乾燥ユニットが使用されている。
【００３９】
なお図１に示す態様では、第１洗浄ユニット１１６としてロール洗浄装置を使用しているが、第１洗浄ユニット１１６として第２洗浄ユニット１１８と同様のペンシル洗浄装置を使用したり、二流体ジェットにより基板Ｗの表面を洗浄する二流体ジェット洗浄装置を使用したりしてもよい。また図１に示す態様では、第２洗浄ユニット１１８としてペンシル洗浄装置を使用しているが、第２洗浄ユニット１１８として第１洗浄ユニット１１６と同様のロール洗浄装置を使用したり、二流体ジェットにより基板Ｗの表面を洗浄する二流体ジェット洗浄装置を使用したりしてもよい。本発明の実施の形態の基板処理装置は、第１洗浄ユニット１１６にも第２洗浄ユニット１１８にも適用でき、ロール洗浄装置、ペンシル洗浄装置、及び／又は、流体ジェット洗浄装置とともに用いることもできる。
【００４０】
本実施の形態の洗浄液には、純水（ＤＩＷ）等のリンス液と、アンモニア過酸化水素（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素（ＳＣ２）、硫酸過酸化水素（ＳＰＭ）、硫酸加水、フッ酸等の薬液が含まれている。本実施の形態で特に断りのない限り、洗浄液は、リンス液又は薬液のいずれかを意味している。
【００４１】
図２に示すように、本発明の実施の形態による基板処理装置は、基板Ｗを支持（保持）するチャック等の基板支持部４０と、基板支持部４０によって支持された基板Ｗを回転させる回転部６０とを有している。そして、これら基板支持部４０及び回転部６０によって基板回転機構が構成されている。図２に示す態様では、基板支持部４０が２つだけ示されているが、上方から見たときに、本実施の形態では４つの基板支持部４０が均等に（回転中心を中心として９０°の角度で）配置されている。なお、基板支持部の数は、基板を安定的に支持できればよく、例えば３つとしてもよい。なお、基板Ｗを支持する基板支持部４０としては、スピンドル等も用いることができる。このようなスピンドルを用いた場合には、基板Ｗは回転されつつ支持されることになり、スピンドルが回転部としての機能も果たすことになる。なお、図２では、水平方向に基板Ｗを支持した例を示したが、これに限定されず、例えば、縦方向（鉛直方向）に基板Ｗを支持する構成としてもよい。
【００４２】
図３に示すように、基板処理装置は、洗浄液を供給する供給部１０と、供給部１０から供給される洗浄液に超音波振動を与える振動部１５と、供給口２３を有し、振動部１５によって超音波振動された洗浄液を案内して、当該洗浄液を供給口２３から基板Ｗに供給する供給管２０と、を有している。基板処理装置は、上述した制御部５０（図１参照）を有しており、この制御部５０によって基板処理動作が制御されることになる。制御部５０は、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給させ、待機位置（図４参照）にある供給口２３から洗浄液を吐出させるようになっている。
【００４３】
供給管２０は、基板Ｗの法線に直交する方向に延びた第一延在部２１と、第一延在部２１から基板Ｗの法線方向であって基板Ｗに向かって延びた第二延在部２２とを有してもよい。一例としては、図３に示すように、横方向に延びた第一延在部２１と、第一延在部２１から上下方向（図３に示す態様では下方向）に延びた第二延在部２２とを有してもよい。そして、第二延在部２２の端部（図３に示す態様では下端部）に供給口２３が設けられてもよい。なお、本実施の形態における「基板Ｗの法線方向に延びた」とは、「基板Ｗの法線方向の成分」を含んで延びていれば足り、「基板Ｗの法線方向」から傾斜していてもよい。同様に、「基板Ｗの法線に直交する方向に延びた」とは、「基板Ｗの法線に直交する方向」を含んで延びていれば足り、「基板Ｗの法線に直交する方向」から傾斜していてもよい。また、本実施の形態における「横方向」とは水平方向の成分を含む方向であり、水平方向から傾斜していてもよい。また、本実施の形態における「上下方向」とは鉛直方向の成分を含む方向であり、鉛直方向から傾斜していてもよい。また、図３に示すように、第一延在部２１の長さは、第二延在部２２の長さよりも長くなってもよい。
【００４４】
本実施の形態では、以下、第一延在部２１が横方向に延び、第二延在部２２が上下方向に延びる態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、前述したように、縦方向（鉛直方向）に基板Ｗを支持する構成としてもよい。この場合には、第一延在部２１が上下方向に延び、第二延在部２２が横方向に延びることになる。
【００４５】
供給管２０の材料としては例えば石英、ステンレス等を用いることができる。とりわけ、石英は、超音波振動をより減衰させにくい材料となっている。このため、このような石英を用いることで、洗浄液に加えられた超音波振動が減衰されることを防止することができる。なお、供給管２０の材料として石英を用いる場合には、石英を溶かすことから薬液としてフッ酸を用いないことも考えられる。ただ、供給管２０の材料として石英を用いる場合であっても、希フッ酸（ＤＨＦ）を用いることはできる。
【００４６】
図４に示すように、第一延在部２１は揺動軸２９を中心として基板Ｗの上方（表面側）で揺動可能となってもよく、この場合には、揺動軸２９が第一延在部２１の基端部側に設けられてもよい。本実施の形態における「第一延在部２１の基端部側」とは、例えば、第一延在部２１の全長を３等分したときに、最も基端部側に位置する領域のことを意味している。なお、第一延在部２１は揺動軸２９を中心として基板Ｗの下方（裏面側）で揺動可能となってもよく、第一延在部２１は揺動軸２９を中心として基板Ｗの上方及び下方で揺動可能となってもよい。図５に示す態様では、後述する上方側第一延在部２１ａが揺動軸２９を中心として基板Ｗの上方で揺動可能となり、後述する下方側第一延在部２１ｂが揺動軸２９を中心として基板Ｗの下方で揺動可能となっている。
【００４７】
図３に示すように、第一延在部２１を、第一延在部２１の長手方向の軸（図３の左右方向で延在する軸）を中心として回転可能に保持する供給管保持部３０が設けられてもよい。このような態様を採用した場合には、供給口２３の基板Ｗに対する角度を自在に変えることができる点で有益である。例えば基板Ｗ上に洗浄液を貯めたい場合には、基板Ｗの回転方向と逆側に向かって洗浄液を供給するような角度で供給管保持部３０が供給管２０を保持すればよい。他方、例えば抵抗を加えることなく基板Ｗ上に洗浄液を供給したい場合には、基板Ｗの回転方向に沿って洗浄液を供給するような角度で供給管保持部３０が供給管２０を保持すればよい。なお、供給管保持部３０によって供給管２０を保持する角度は、手動で変更されてもよいし、制御部５０からの信号を受けて自動で変更されてもよい。制御部５０からの信号を受けて自動で変更される場合には、供給管２０の保持される角度がレシピに従って順次変更されるようになってもよい。
【００４８】
図５に示すように、供給管２０は、基板Ｗの上面を洗浄するための上方側供給管２０ａと、基板Ｗの下面を洗浄するための下方側供給管２０ｂとを有してもよい。この態様では、上方側供給管２０ａは図３に示した供給管２０と同様の構成になっている。つまり、上方側供給管２０ａは、横方向に延びた上方側第一延在部２１ａと、上方側第一延在部２１ａから上下方向（図５に示す態様では下方向）に延びた上方側第二延在部２２ａとを有しており、上方側第二延在部２２ａの端部（図５に示す態様では下端部）に供給口２３ａが設けられている。他方、下方側供給管２０ｂは、横方向に延びた下方側第一延在部２１ｂと、下方側第一延在部２１ｂから上下方向（図５に示す態様では上方向）に延びた下方側第二延在部２２ｂとを有しており、下方側第二延在部２２ｂの端部（図５に示す態様では上端部）に供給口２３ｂが設けられている。
【００４９】
図１に示す制御部５０は、供給管２０の揺動速度を、供給口２３が基板Ｗの中心側領域を洗浄するときと比較して、供給口２３が基板Ｗの周縁側領域を洗浄するときに遅くなるに制御してもよい。なお、本実施の形態における「中心側領域」とは「周縁側領域」と比較して用いられており、「周縁側領域」と比較して基板Ｗの中心側に位置する領域のことを意味する。
【００５０】
また、制御部５０は、図３に示す供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間経過後に振動部１５の振動を開始させてもよい。また、制御部５０は、供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間よりも長い第二時間経過後に供給口２３から基板Ｗに対して洗浄液の供給を開始させてもよい。この際、供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間経過後は継続して洗浄液が供給され、第一時間よりも長く第二時間よりも短い第三時間経過後に揺動軸２９を中心として第二延在部２２の揺動が開始し、供給部１０から洗浄液が供給されてから第二時間経過後に、基板Ｗの周縁部に洗浄液が供給されてもよい。この態様では、その後、基板Ｗの周縁部から中心部に向かって継続して洗浄液が供給され続けることになる。このような態様とは異なり、基板Ｗの周縁部から中心部の上方に供給口２３が移動する間は供給部１０からの洗浄液の供給が停止され、供給口２３が基板Ｗの中心部の上方に位置付けられた後で（第二時間経過後に）、供給口２３から洗浄液が再度吐出されて、基板Ｗの中心部に洗浄液が供給されてもよい。基板Ｗを洗浄している間、第二延在部２２が基板Ｗの中心部から周縁部に向かって揺動してもよいし、逆に、第二延在部２２が基板Ｗの周縁部から中心部に向かって揺動してもよいし、このような揺動が繰り返し行われてもよい。
【００５１】
なお、洗浄液を基板Ｗに供給する場合に、当該洗浄液に対して超音波振動が必ずしも常に与えられる分けではない。基板Ｗの上面に洗浄液の膜を作るための工程等のように洗浄液に超音波振動が与えられない場合には、超音波振動を行うことなく、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立って供給口２３から洗浄液を吐出させることが行われてもよい。
【００５２】
基板処理装置は、図４に示すように、待機位置にある供給口２３から吐出された洗浄液を回収するための吐出液回収部７０をさらに備えてもよい。この吐出液回収部７０は排液回収部（図示せず）に連結されており、回収された洗浄液は排液処理されることになる。
【００５３】
《方法》
本実施の形態の基板処理装置を用いた基板Ｗの処理方法（基板処理方法）の一例は、以下のようになる。なお、上記と重複することになるので簡単に説明するに留めるが、上記「構成」で述べた全ての態様を「方法」において適用することができる。また、逆に、「方法」において述べた全ての態様を「構成」において適用することができる。また、本実施の形態の方法を実施させるためのプログラムは記録媒体に記録されてもよく、この記録媒体をコンピュータ（図示せず）で読み取ることで、本実施の形態の方法が基板処理装置で実施されてもよい。
【００５４】
まず、基板Ｗがチャック等の基板支持部４０によって支持（保持）される（図２参照）。このとき供給管２０は待機位置（図４参照）にあり、供給口２３は吐出液回収部７０の上方に位置付けられており、基板Ｗの上方には供給口２３が存在しない状態となっている。
【００５５】
次に、供給部１０から洗浄液が供給される。供給部１０から供給された洗浄液は吐出液回収部７０で受けられて、そのまま排液回収部（図示せず）で回収される。
【００５６】
供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間経過後に振動部１５（図３参照）の振動が開始する。
【００５７】
そして、供給部１０から洗浄液が供給されてから第二時間経過後に、供給口２３から基板Ｗに対して洗浄液の供給が開始される。この際、第一時間よりも長く第二時間よりも短い第三時間経過後に揺動軸２９を中心として第二延在部２２の揺動が開始し、供給部１０から洗浄液が供給されてから第二時間経過後に、基板Ｗの周縁部に洗浄液が供給され始めてもよい。このような態様とは異なり、基板Ｗの周縁部から中心部の上方に供給口２３が移動する間は供給部１０からの洗浄液の供給が停止され、供給口２３が基板Ｗの中心部の上方に位置付けられた後で（第二時間経過後に）、基板Ｗの中心部に洗浄液が供給されてもよい。
【００５８】
前述したように、基板Ｗを洗浄している間、第二延在部２２が基板Ｗの中心部から周縁部に向かって揺動してもよいし、逆に、第二延在部２２が基板Ｗの周縁部から中心部に向かって揺動してもよいし、このような揺動が繰り返し行われてもよい。この際の揺動速度は、供給口２３が基板Ｗの中心側領域を洗浄するときと比較して、供給口２３が基板Ｗの周縁側領域を洗浄するときに遅くなってもよい。揺動速度の変化は、連続的に変化させてもよいし、断続的に変化させてもよい。また、基板Ｗの中心部から周縁部に向かって揺動する間、及び、基板Ｗの周縁部から中心部に向かって揺動する間の両方において、揺動速度が、供給口２３が基板Ｗの中心側領域を洗浄するときと比較して、供給口２３が基板Ｗの周縁側領域を洗浄するときに遅くなってもよい。
【００５９】
なお、洗浄液が薬液の場合には、薬液での処理が終了した後でリンス液が供給されてもよい。そして、リンス液も、薬液と同様の態様で、基板Ｗに対して供給されてもよい。なお、薬液を供給する供給管とリンス液を供給する供給管とは同一のものを用いてもよいし、異なるものを用いてもよい。
【００６０】
《作用・効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果であって、未だ説明していないものを中心に説明する。
【００６１】
本実施の形態によれば、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給させ、待機位置にある供給口２３から洗浄液を吐出させる。このため、酸素等が入ってしまい洗浄効果の低い洗浄液を排出し、窒素等が入った洗浄効果の高い洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗの洗浄に用いることができる。また、超音波が十分に与えられておらず洗浄効果の高くない洗浄液ではなく、超音波が十分に与えられて高い洗浄効果を有する洗浄液で基板Ｗを洗浄することができる。
【００６２】
また、酸素等が入ってしまい超音波が十分に与えられていない洗浄液で基板Ｗを洗浄した場合には、不具合が発生してしまう可能性もあるが、本実施の形態のような態様を採用することで、このような不具合の発生を未然に防止することができる。また、本実施の形態のような態様を採用することで、基板Ｗの洗浄開始時点から均一な洗浄力の洗浄液で基板Ｗを洗浄することができ、安定した基板洗浄を実現できる。
【００６３】
前述したように本実施の形態では、図３乃至図５に示すように、供給管２０が、横方向に延びた第一延在部２１と、第一延在部２１から上下方向に延びた第二延在部２２とを有し、第二延在部２２の端部に供給口２３が設けられ、基端部側に設けられた揺動軸２９を中心として第一延在部２１が揺動可能となっている態様を採用してもよい。このような態様を採用した場合には、第一延在部２１を揺動させるだけで、基板Ｗの中心位置から周縁位置まで自在に供給口２３を位置付けることができる。また、供給管２０の材料が超音波振動を減衰させにくい材料である場合には、超音波振動の減衰を抑えつつ洗浄液を基板Ｗの近くまで送り、基板Ｗに当該洗浄液を供給することができるので、基板Ｗに対する高い洗浄効果を得ることができる。
【００６４】
他方、このような態様を採用した場合には、供給管２０の長さが長くなり、また供給管２０内に溜まる洗浄液の量が多くなる。このように洗浄液の量が多くなると、酸素が溶存してしまったり超音波が十分に与えられていなかったりして、洗浄効果の高くない洗浄液の量も多くなってしまう。この点、本実施の形態では、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち供給部１０から洗浄液を供給させ、待機位置にある供給口２３から洗浄液を吐出させるので、このような洗浄効果の高くない洗浄液によって生じる可能性のある悪影響を未然に防止することができる。
【００６５】
供給管２０の揺動速度が、供給口２３が基板Ｗの中心側領域を洗浄するときと比較して、供給口２３が基板Ｗの周縁側領域を洗浄するときに遅くなる態様を採用した場合には、基板Ｗの外周側に対して内周側と比較して多くの洗浄液を供給することができる。基板Ｗの外周側において洗浄液で洗浄されるべき面積は、基板Ｗの内周側において洗浄液で洗浄されるべき面積と比較して大きくなっていることから、このような態様を採用することで基板Ｗの単位面積あたりに供給される洗浄液の量を均一なものに近づけることができる。
【００６６】
回転される基板Ｗの中心からの距離をｒとしたときに、当該距離ｒにおける円弧の長さは２πｒとなる。このため、この２πｒに基づいて、供給管２０の揺動速度を算出し、当該揺動速度に基づいて第一延在部２１を揺動させてもよい。このような態様ではなく、単純に、基板Ｗの中心部から周縁部に向かって揺動する間、連続的又は断続的に揺動速度を遅くし、逆に、基板Ｗの周縁部から中心部に向かって揺動する間、連続的又は断続的に揺動速度を速くしてもよい。このような態様によれば、制御が複雑にならない点で有益である。
【００６７】
供給部１０から洗浄液が供給されてから第一時間経過後に振動部１５の振動を開始させる態様を採用した場合には、振動部１５が洗浄液に浸かった状態で振動部１５の振動を開始させることができる。つまり、供給管２０内に空気等が洗浄液内に入り込んで行ってしまい、例えば図３に示す振動部１５の部分に洗浄液が存在しない状態が生じることがある。この点、この態様を採用した場合には、振動部１５を振動させる前に洗浄液が供給されるので、洗浄液が存在しない状態（いわゆる空焚きの状態）で振動部１５を振動させて、振動部１５が破損してしまうことを防止することができる。
【００６８】
一例として、第一時間は例えば０．１秒〜１秒程度である。第一時間に関しては、振動部１５が洗浄液に浸っていない状態が防止できればよいので、そこまで長い時間をとる必要はない。
【００６９】
なお、供給管２０内にある洗浄液を吐出液回収部７０等に吐出する際には、振動部１５を振動させなくてもよい。ただ、供給管２０内にある洗浄液を吐出液回収部７０等に吐出する際に振動部１５を予め振動させておくことで、超音波振動が与えられた洗浄液で供給管２０内を予め洗浄することができる点で有益である。また、予め超音波振動を与えることで、供給管２０内の洗浄液に十分な超音波振動を予め与えることができ（十分なエネルギーを蓄えることができ）、基板Ｗに洗浄する際に、最初から十分に洗浄力の高い洗浄液を供給することができる。第二時間は例えば数秒〜１０秒程度である。
【００７０】
また、供給部１０から洗浄液が供給されてから、第一時間よりも長い第二時間経過後に供給口２３から基板Ｗに対して洗浄液の供給を開始させる態様を採用した場合には、より確実に、高い洗浄効果を有する洗浄液で基板Ｗを洗浄することができる。なお、第二時間は、一例として、供給管２０内にある洗浄液が全て出る程度の時間である。この第二時間は、供給管２０内の体積と洗浄液が供給される供給速度から算出されてもよいし、実験的に導き出されてもよい。
【００７１】
待機位置にある供給口２３から吐出された洗浄液を回収するための吐出液回収部７０を設けた態様を採用した場合には、洗浄に用いられない吐出された洗浄液を確実に回収することができる。このため、供給口２３から吐出された洗浄液が跳ね返ってミストとなって、基板Ｗに悪影響を及ぼす可能性を未然に低減できる。
【００７２】
また、液体及び気体を混合した二流体によって基板Ｗの表面を洗浄する二流体ジェット洗浄装置に、本実施の形態の基板処理装置が組み込まれた態様では、例えば、二流体ジェット洗浄工程の前に、本実施の形態の基板処理装置によって基板Ｗの洗浄を行ってもよい。このような態様によれば、超音波が与えられた洗浄液のキャビテーション効果によって、基板Ｗに付着した粒子を浮かせたうえで、二流体ジェット洗浄を行うことができる点で有益である。なお、キャビテーション効果とは、超音波により洗浄液に生じた気泡が破裂することにより生じた衝撃波を利用した洗浄効果である。
【００７３】
第２の実施の形態
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００７４】
第２の実施の形態では、第一延在部２１の先端側が基端側よりも高い位置に位置付けられている。一例としては、図６に示すように、第一方向は、水平方向に対して傾斜しており、基板Ｗの周縁部から中心部に向かうにつれて基板Ｗの法線方向（図６では上下方向）に沿った距離が遠くなってもよい。
【００７５】
第一延在部２１が第一延在部２１の基端部（図６の右側端部）から延在する第一方向は、水平方向に対して、好ましくは０°より大きく３０°より小さい範囲のいずれかの角度としてもよい。この範囲を外れてしまうと、洗浄効果を十分確保できないおそれも生じるためである。
【００７６】
第２の実施の形態において、その他の構成は、第１の実施の形態と略同一の態様となっている。
【００７７】
本実施の形態のように第一延在部２１の先端側が基端側よりも高い位置に位置付けられている態様を採用した場合には、第一延在部２１に付着した液滴は基端部側へと流れていくので、基板Ｗや他の部材上に液滴が垂れることを防止することができる。なお、本実施の形態のように超音波振動を洗浄液に与える態様では供給管２０が振動してしまうことから、供給管２０に付着した洗浄液が落下してしまうこともある。このため、このような態様を採用することは有益である。
【００７８】
また、このような態様を採用した場合には、供給口２３から洗浄液内に入り込む酸素等が第一延在部２１と第二延在部２２の境界部の上方位置（図６の点線の丸印「○」参照）に溜まることを期待できる。この結果、振動部１５が洗浄液に浸っていない状態が発生することをより一層防止することができる。
【００７９】
また、図６に示すように、第一方向と、第二延在部２２が第二延在部２２の基端部（図６の上側端部）から延在する第二方向とによって形成される角度θは鈍角（第一方向と逆側の方向と第二方向とは鋭角）になってもよい。このような態様を採用した場合には、供給口２３から洗浄液内に入り込む酸素等が第一延在部２１に入りにくくすることができる。その結果、供給管２０内に溜まった洗浄液に酸素等が入ることを極力防止することができる。このため、洗浄効果の高い洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗの洗浄に用いることができる。
【００８０】
また、供給口２３から洗浄液内に入り込む酸素等が第一延在部２１に入りにくくすることで、振動部１５が洗浄液に浸っていない状態が発生することを極力防止することができる。とりわけ、図３に示すように、振動部１５が第二延在部２２の基端側に位置する場合に、本実施の形態による効果は大きい。
【００８１】
なお、上記では第２の実施の形態は第１の実施の形態と略同一の態様であると説明したが、第２の実施の形態は、第１の実施の形態で示した態様を必ずしも採用する必要はない。例えば、制御部５０は、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給させ、待機位置にある供給口２３から洗浄液を吐出させる態様となっていなくてもよい。
【００８２】
第３の実施の形態
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
【００８３】
第３の実施の形態では、図７（ａ）（ｂ）に示すように、第一延在部２１の下方に、第一延在部２１に沿って延びた液滴案内部４５が設けられている。なお、本実施の形態では、図２に示すように、供給管２０が基板Ｗの上方側に位置することが想定されている。
【００８４】
第３の実施の形態において、その他の構成は、第１の実施の形態と略同一の態様となっている。
【００８５】
本実施の形態では、第一延在部２１の下方に、第一延在部２１に沿って延びた液滴案内部４５が設けられているので、供給管２０に付着した液滴は液滴案内部４５を伝って基端部側へと案内される。このため、基板Ｗや他の部材上に液滴が落下することを未然に防止することができる。
【００８６】
本実施の形態の液滴案内部４５も親水性材料からなってもよい。このような親水性の材料を採用した場合には、液滴がより確実に液滴案内部４５に沿って案内される。このため、基板Ｗや他の部材上に液滴が垂れることをより確実に防止することができる。また、これに限られることはなく、液滴案内部４５は疎水性材料からなってもよい。
【００８７】
液滴案内部４５の材料としては、例えば、耐薬品性のＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、金属ＳＵＳ（とりわけＳＵＳ３１６）等を用いることができる。
【００８８】
また、液滴案内部４５は、第一延在部２１を下方から支持するとともに、第一延在部２１とともに揺動してもよい。このような態様を採用した場合には、液滴案内部４５によって第一延在部２１を支持する機能を果たすこともできる。
【００８９】
また、図７（ａ）に示すように、液滴案内部４５は、基端側に向かって厚みが厚くなってもよい（テーパー形状となってもよい）。このような態様を採用した場合には、液滴案内部４５による傾斜をつけることができるので、供給管２０に付着した液滴をより確実に基端部側へと案内することができる。
【００９０】
なお、上記では第３の実施の形態は第１の実施の形態と略同一の態様であると説明したが、第３の実施の形態も、第２の実施の形態と同様、第１の実施の形態で示した態様を必ずしも採用する必要はない。
【００９１】
また、第３の実施の形態を第２の実施の形態と組み合わせてもよい。例えば、第３の実施の形態においても、第一延在部２１が第一延在部２１の基端部から延在する第一方向と、第二延在部２２が第二延在部２２の基端部から延在する第二方向とによって形成される角度θは鈍角になってもよい。
【００９２】
第４の実施の形態
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。
【００９３】
第４の実施の形態では、第一周波数及び第一周波数よりも低い第二周波数で振動して、洗浄液に超音波振動を与える態様となっている。なお、本実施の形態の態様では、３つ以上の周波数で洗浄液に超音波振動を与える態様となってもよい。
【００９４】
第４の実施の形態において、その他の構成は、第１の実施の形態と略同一の態様となっている。
【００９５】
本実施の形態によれば、異なる周波数で洗浄液に超音波振動を与えることができる。このため、用途に応じて、洗浄液による洗浄力を変えることができる。
【００９６】
一つの振動部が異なる周波数で振動してもよいが、図８に示すように、振動部１５が、第一周波数で振動する第一振動部１５ａと、第一周波数よりも低い第二周波数で振動する第二振動部１５ｂとを有してもよい。このような態様によれば、簡単な構成で異なる周波数の超音波振動を与えることができる点で有益である。なお、図８は、本実施の形態で用いられる振動部１５ａ，１５ｂ及び案内管２５ａ，２５ｂ，２６等を上方から見た断面図である。
【００９７】
図９に示すように、第一振動部１５ａは、この第一振動部１５ａに信号を送る第一発信器１７ａと電気的に接続されてもよい。同様に、第二振動部１５ｂは、この第二振動部１５ｂに信号を送る第二発信器１７ｂと電気的に接続されてもよい。なお、図９は、本実施の形態で用いられる振動部１５ａ，１５ｂ、発振器１７ａ，１７ｂ及び案内管２５ａ，２５ｂ，２６等を模式的に示した概略図である。
【００９８】
本実施の形態では、第一周波数が９００ｋＨｚ以上５ＭＨｚ以下となり、第二周波数が９００ｋＨｚ未満となってもよい。９００ｋＨｚ以上の周波数で振動させた場合には、振動幅が小さいので、比較的小さな不純物を除去することができ、またキャビテーションの効果が小さくなるので基板Ｗに加わる負荷を小さくすることができる。他方、９００ｋＨｚ未満の周波数で振動させた場合には、振動幅が大きいので、比較的大きな不純物を除去することができる。第一周波数と第二周波数との差が小さいと効果の差も小さい。このため、一例として、第一周波数と第二周波数との差が５００ｋＨｚ程であってもよく、例えば第一周波数として９５０ｋＨｚを用い、第二周波数として４３０ｋＨｚを用いることもできる。また、これに限られることはなく、例えば第一周波数として９５０ｋＨｚを用い、第二周波数として７５０ｋＨｚを用いることができる。
【００９９】
このような態様を採用した場合であって、本実施の形態の基板処理装置をペンシル洗浄装置とともに採用した場合には、（１）第二周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄し、（２）その後で、ペンシル洗浄部材を用いて基板Ｗを洗浄し、（３）その後で、第一周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄するようにしてもよい。このような態様によれば、まず、第二周波数で超音波振動を与えられた洗浄液で大きな不純物を除去し、その後でペンシル洗浄部材による洗浄を行い、仕上げとして第一周波数で超音波振動を与えられた洗浄液で小さな不純物を除去することができる。このため、ペンシル洗浄部材にかかる負荷を従前と比べて低減することができ、ひいては、ペンシル洗浄部材の寿命を長くすることができる。
【０１００】
また、別の態様として、（１）ペンシル洗浄部材を用いて基板Ｗを洗浄し、（１）その後で、第二周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄し、（３）その後で、第一周波数で洗浄液に超音波振動を与えて基板Ｗを洗浄するようにしてもよい。このような態様でも、上述したのと同様の理由から、ペンシル洗浄部材にかかる負荷を従前と比べて低減することができ、ひいては、ペンシル洗浄部材の寿命を長くすることができる。
【０１０１】
また、図８及び図９に示すように、第一振動部１５ａ及び第二振動部１５ｂを振動部１５が有している場合には、供給管２０は、第一振動部１５ａによって振動された洗浄液を案内する第一案内管２５ａと、第二振動部１５ｂによって振動された洗浄液を案内する第二案内管２５ｂと、第一案内管２５ａ及び第二案内管２５ｂに連結され、これら第一案内管２５ａ及び第二案内管２５ｂで案内されたいずれの洗浄液も供給口２３へと案内する共通案内管２６とを有してもよい。このような態様を採用した場合には、異なる周波数の振動を与える箇所においてのみ複数の案内管（第一案内管２５ａ及び第二案内管２５ｂ）を設けることができ、第一振動部１５ａ及び第二振動部１５ｂといった複数の振動部を有する態様を採用した場合でも装置が大きくなることを極力防止できる。
【０１０２】
この場合には、図８に示すように、共通案内管２６は供給管保持部３０内に設けられており、共通案内管２６が第一延在部２１に連通される態様を採用することもできる。
【０１０３】
また、図９に示すように、共通案内管２６は、供給部１０と第一案内管２５ａ及び第二案内管２５ｂとの間にも設けられてもよい。この場合には、供給部１０と第一案内管２５ａ及び第二案内管２５ｂとの間には三方弁等の切替部２７が設けられてもよい。このような態様では、制御部５０からの信号を受けて切替部２７が適宜切り替えられ、供給部１０から供給された洗浄液は、第一案内管２５ａ及び第二案内管２５ｂのいずれか一方に案内されることになる。なお、供給部１０から供給された洗浄液が第一案内管２５ａ及び第二案内管２５ｂの両方を流れて、異なる周波数が混ざった洗浄液が供給口２３から供給されるようになってもよい。
【０１０４】
上述したような態様ではなく、図１０に示すように、二つの供給管が設けられ（第一案内管２５ａ及び第二案内管２５ｂの各々が供給管２０としての役割を果たし）、第一振動部１５ａで超音波振動が与えられた洗浄液は第一案内管２５ａの供給口２８ａから基板Ｗに供給され、第二振動部１５ｂで超音波振動が与えられた洗浄液は第二案内管２５ｂの供給口２８ｂから基板Ｗに供給されてもよい。このような態様を採用することで、各周波数に適合した「径」からなる案内管によって洗浄液を案内し、当該洗浄液を基板Ｗに供給することができるので、各周波数に合致した効果をより確実に得ることができる。
【０１０５】
なお、上記では第４の実施の形態は第１の実施の形態と略同一の態様であると説明したが、第４の実施の形態も、第２の実施の形態及び第３の実施の形態と同様、第１の実施の形態で示した態様を必ずしも採用する必要はない。
【０１０６】
また、第４の実施の形態を第２の実施の形態と組み合わせてもよい。例えば、第４の実施の形態においても、第一延在部２１が第一延在部２１の基端部から延在する第一方向と、第二延在部２２が第二延在部２２の基端部から延在する第二方向とによって形成される角度θは鈍角になってもよい。
【０１０７】
また、第４の実施の形態を第３の実施の形態と組み合わせてもよい。例えば、第４の実施の形態においても、第一延在部２１の下方に、第一延在部２１に沿って延びた液滴案内部４５が設けられてもよい。
【０１０８】
また、第４の実施の形態を第２の実施の形態及び第３の実施の形態と組み合わせてもよい。例えば、第４の実施の形態においても、第一延在部２１が基端部から延在する第一方向と、第一延在部２１から第二延在部２２の延在する第二方向とによって形成される角度θは鈍角になり、かつ、第一延在部２１の下方に、第一延在部２１に沿って延びた液滴案内部４５が設けられてもよい。
【０１０９】
第５の実施の形態
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。
【０１１０】
第５の実施の形態では、供給管２０の材料が超音波振動を減衰させにくい材料であり、かつ、制御部５０は、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、離隔位置に位置付けられた供給管２０を近接位置に位置付ける。超音波振動を減衰させにくい材料としては、超純水より音響インピーダンスが大きく、耐久性に優れた材料、例えば石英を挙げることができる。
【０１１１】
なお、本実施の形態における「離隔位置」は、「近接位置」と比較して基板Ｗから基板表面の法線方向において遠い位置のことを意味し、逆に、「近接位置」は「離隔位置」と比較して基板Ｗから基板表面の法線方向において近い位置のことを意味する。図１１に示すように、一つの供給管２０が基板Ｗに対して上方に設けられている態様では、供給管２０が上下方向で移動可能となっており、供給管２０が上方に位置付けられているときを「離隔位置」にあると言い、下方に位置付けられているときを「近接位置」にあると言う。また、図１２に示すように、上方側供給管２０ａが基板Ｗに対して上方に設けられ、下方側供給管２０ｂが基板Ｗに対して下方に設けられている態様では、上方側供給管２０ａが上方に位置付けられているときを「離隔位置」にあると言い、下方に位置付けられているときを「近接位置」にあると言い、逆に、下方側供給管２０ｂが下方に位置付けられているときを「離隔位置」にあると言い、上方に位置付けられているときを「近接位置」にあると言う。なお、図１１では、供給管２０が基板Ｗに対して移動される態様を用いて説明しているが、これに限られることはなく、基板支持部４０が上下方向に移動可能となり、基板Ｗが供給管２０に対して「離隔位置」及び「近接位置」を取るようになってもよいし、供給管２０及び基板支持部４０の両方が上下方向に移動可能となり、基板Ｗと供給管２０の両方を適宜位置付けることで、「離隔位置」及び「近接位置」を取るようになってもよい。
【０１１２】
本実施の形態では、図１１に示すように、供給管２０を上下方向に移動させるアクチュエータ等の駆動部９０が設けられてもよい。
【０１１３】
第５の実施の形態において、その他の構成は、第１の実施の形態と略同一の態様となっている。
【０１１４】
前述したように、本実施の形態によれば、供給管２０の材料が超音波振動を減衰させにくい材料であり、かつ、基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、離隔位置に位置付けられた供給管２０が近接位置に位置付けられる。このため、基板Ｗに洗浄液を供給する際に、基板Ｗに近い位置まで、超音波振動を減衰させにくい材料からなる供給管２０で案内して、洗浄液を基板Ｗに供給することができる。
【０１１５】
また、基板Ｗに対して洗浄液を供給する工程が終了すると、供給管２０は離隔位置に位置付けられてもよい。このように供給管２０を離隔位置に位置付けることで、供給管２０に予期せぬ形で洗浄液やその他の液体等が付着することを防止できる。
【０１１６】
また、基板Ｗに対して洗浄液を供給する工程が終了すると、揺動軸２９を中心として第一延在部２１が揺動されて、待機位置（図４参照）に位置付けられてもよい。そして、供給管２０は、この待機位置において離隔位置に位置付けられてもよい。
【０１１７】
基板Ｗに洗浄液を供給するのに先立ち、供給部１０から洗浄液を供給して、待機位置にある供給口２３から例えば吐出液回収部７０に向かって洗浄液を吐出させる場合には、近接位置に位置付けられてもよい。このように近接位置に位置付けることで、吐出された洗浄液が不用意に飛び散ることを防止できる。
【０１１８】
図１１に示す態様では、供給管２０は待機位置（図４参照）において離隔位置（上方位置）に位置付けられ、当該待機位置において近接位置（下方位置）に位置付けられてから、基板Ｗの上方で揺動されてもよい。このように待機位置において離隔位置に位置付けられることで、供給管２０に予期せぬ形で洗浄液やその他の液体等が付着することをより確実に防止できる。また、待機位置において近接位置（下方位置）に位置付けられてから、基板Ｗの上方の揺動させることで、基板Ｗ上を供給管２０が揺動して移動する際において、基板Ｗに近い位置で洗浄液を供給でき、基板Ｗを効率よく洗浄することができる。
【０１１９】
また、供給管２０は待機位置（図４参照）において離隔位置（上方位置）に位置付けられ、その状態で基板Ｗの上方で揺動され、基板Ｗの中心に供給口２３が位置付けられた後で、供給管２０が近接位置（下方位置）に位置付けられてもよい。このような態様によれば、基板Ｗの上方を供給管２０が移動する際に、前工程の洗浄液やその他の液体等が供給管２０に付着することを防止することを期待できる。
【０１２０】
また、供給管２０は待機位置（図４参照）では近接位置（下方位置）に位置付けられ、基板Ｗの上方を揺動するのに先立ち離隔位置（上方位置）に位置付けられ、その状態で基板Ｗの上方で揺動され、基板Ｗの中心に供給口２３が位置付けられた後で、供給管２０が近接位置（下方位置）に位置付けられてもよい。このような態様を採用する理由としては、待機位置（図４参照）に供給管２０があるときには、供給管２０に予期せぬ形で洗浄液やその他の液体等が付着する可能性が低いためである。
【０１２１】
図１１を用いて説明したが、図１２に示す態様でも同様の制御を制御部５０で行うことができる。但し、基板Ｗの下方に位置する下方側供給管２０ｂに関しては、近接位置が上方位置となり、離隔位置が下方位置となる。なお、図１１と同様に、上方側供給管２０ａ及び下方側供給管２０ｂの各々を上下方向に移動させるアクチュエータ等の駆動部９０が設けられてもよい。
【０１２２】
なお、上記では第５の実施の形態は第１の実施の形態と略同一の態様であると説明したが、第５の実施の形態も、第２の実施の形態、第３の実施の形態及び第４の実施の形態と同様、第１の実施の形態で示した態様を必ずしも採用する必要はない。
【０１２３】
また、第５の実施の形態を第２の実施の形態と組み合わせてもよい。例えば、第５の実施の形態においても、第一延在部２１が第一延在部２１の基端部から延在する第一方向と、第二延在部２２が第二延在部２２の基端部から延在する第二方向とによって形成される角度θは鈍角になってもよい。
【０１２４】
また、第５の実施の形態を第３の実施の形態と組み合わせてもよい。例えば、第５の実施の形態においても、第一延在部２１の下方に、第一延在部２１に沿って延びた液滴案内部４５が設けられてもよい。
【０１２５】
また、第５の実施の形態を第４の実施の形態と組み合わせてもよい。例えば、第５の実施の形態においても、第一周波数及び第一周波数よりも低い第二周波数で振動して、洗浄液に超音波振動を与えてもよい。
【０１２６】
また、第５の実施の形態を、第２の実施の形態及び第３の実施の形態と組み合わせてもよいし、第２の実施の形態及び第４の実施の形態と組み合わせてもよいし、第３の実施の形態及び第４の実施の形態と組み合わせてもよい。また、第５の実施の形態を、第２の実施の形態、第３の実施の形態及び第４の実施の形態と組み合わせてもよい。
【０１２７】
また、第４の実施の形態及び第５の実施の形態の各々では、「方法」を具体的には記載していないが、第１の実施の形態と同様、第４の実施の形態及び第５の実施の形態の各々で説明された全ての態様を用いて、基板処理方法を提供することができる。また、第４の実施の形態及び第５の実施の形態の各々で提供される方法を実施させるためのプログラムは記録媒体に記録されてもよい。そして、この記録媒体をコンピュータ（図示せず）で読み取ることで、第４の実施の形態及び第５の実施の形態の各々で提供される方法が基板処理装置で実施されてもよい。
【０１２８】
上述した各実施の形態の記載、変形例及び図面の開示は、特許請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって特許請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。
【０１２９】
上記では、基板Ｗの表面全体を洗浄する態様を用いて説明したが、これに限られることはなく、基板Ｗのべベル部を洗浄する態様に用いることもできる。
【符号の説明】
【０１３０】
１０        供給部
１５        振動部
１５ａ      第一振動部
１５ｂ      第二振動部
２０        供給管
２１        第一延在部
２２        第二延在部
２３        供給口
２５ａ      第一案内管
２５ｂ      第二案内管
２６        共通案内管
２９        揺動軸
４５        液滴案内部
５０        制御部
７０        吐出液回収部
【図１】
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【図２】
2017163017.tif 000004
【図３】
2017163017.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2017163017.tif 000009
【図８】
2017163017.tif 000010
【図９】
2017163017.tif 000011
【図１０】
2017163017.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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