(57)【要約】【課題】より混色を低減するとともに、封止層の破壊を防止することのできる有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置であって、画素毎に独立して配置された第１電極と、前記第１電極を前記画素毎に区画するバンクと、前記第１電極及び前記バンクを覆うように配置された有機層と、前記有機層上に配置された第２電極と、前記第２電極上に配置された封止層と、前記第１電極上方に形成されたフィル層と、前記フィル層に隣接し、前記バンク上方に形成された前記フィル層よりも低い屈折率を有する低屈折率領域と、前記フィル層及び前記低屈折領域上に形成されたカラーフィルタ基板と、を含むことを特徴とする。【選択図】図４
2017073260.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素毎に独立して配置された第１電極と、
前記第１電極を前記画素毎に区画するバンクと、
前記第１電極及び前記バンクを覆うように配置された有機層と、
前記有機層上に配置された第２電極と、
前記第２電極上に配置された封止層と、
前記第１電極上方に形成されたフィル層と、
前記フィル層に隣接し、前記バンク上方に形成された前記フィル層よりも低い屈折率を有する低屈折率領域と、
前記フィル層及び前記低屈折領域上に形成されたカラーフィルタ基板と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記低屈折領域は、気体が充填されている空気壁であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記低屈折領域は、屈折率が１．５以下の低屈折率膜であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記フィル層は、屈折率が１．５乃至１．７の屈折率を有する樹脂で形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記バンク上面と前記カラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板との間の距離は、０．６μｍ乃至３．２μｍであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
外周にシール剤を塗布したカラーフィルタ基板の各画素に対応する領域にフィル剤を塗布し、
前記画素毎に独立して配置された第１電極と、前記第１電極を前記画素毎に区画するバンクと、前記第１電極及び前記バンクを覆うように配置された有機層と、前記有機層に重ねて配置された第２電極と、前記第２電極に重ねて配置された封止層と、を有する対向基板と、前記カラーフィルタ基板とを、前記シール剤を介して、張り合わせ、
前記バンク上に前記気体層を保持した状態で前記フィル剤と前記シール剤を硬化する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記貼り合わせ後、前記対向基板と前記フィル材との間を大気圧とすることを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ(Electro-Luminescent)表示装置においては、各画素間を区切るバンクが設けられる場合がある。具体的には、例えば、バンクをＴＦＴ基板の上方に形成される電極（陽極）の端部を覆うように配置し、各画素の発光を区分けする（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−７２７７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ発光層を有する基板とカラーフィルタやブラックマトリックスが形成されたカラーフィルタ基板とを張り合わせて製造される場合がある。ここで、当該有機ＥＬ発光層を有する基板とカラーフィルタ基板との間に形成されるフィル(Fill)層を厚くすると、有機ＥＬ発光層で発光した光のうち斜め方向に進行する光が隣接する画素のカラーフィルタを透過し、混色が発生する場合がある。一方、フィル層を薄くすると、混色の発生は減少するが、張り合わせ時に混入した異物により、バンクとカラーフィルタ基板とが接触し、陽極上に配置された封止層が破壊される場合がある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑み、より混色を低減するとともに、封止層の破壊を防止することのできる有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明の有機ＥＬ表示装置は、画素毎に独立して配置された第１電極と、前記第１電極を前記画素毎に区画するバンクと、前記第１電極及び前記バンクを覆うように配置された有機層と、前記有機層上に配置された第２電極と、前記第２電極上に配置された封止層と、前記第１電極上方に形成されたフィル層と、前記フィル層に隣接し、前記バンク上方に形成された前記フィル層よりも低い屈折率を有する低屈折率領域と、前記フィル層及び前記低屈折領域上に形成されたカラーフィルタ基板と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
（２）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記低屈折領域は、気体が充填されている空気壁であることを特徴とする。
【０００８】
（３）上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記低屈折領域は、屈折率が１．５以下の低屈折率膜であることを特徴とする。
【０００９】
（４）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置において、前記フィル層は、屈折率が１．５乃至１．７の屈折率を有する樹脂で形成されることを特徴とする。
【００１０】
（５）上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置において、前記バンク上面と前記カラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板との間の距離は、０．６μｍ乃至３．２μｍであることを特徴とする。
【００１１】
（６）本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、外周にシール剤を塗布したカラーフィルタ基板の各画素に対応する領域にフィル剤を塗布し、前記画素毎に独立して配置された第１電極と、前記第１電極を前記画素毎に区画するバンクと、前記第１電極及び前記バンクを覆うように配置された有機層と、前記有機層に重ねて配置された第２電極と、前記第２電極に重ねて配置された封止層と、を有する対向基板と、前記カラーフィルタ基板とを、前記シール剤を介して、張り合わせ、前記バンク上に気体層を保持した状態で前記フィル剤と前記シール剤を硬化することを特徴とする。
【００１２】
（７）上記（６）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記貼り合わせ後、前記対向基板とフィル材との間を大気圧とすることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概要を示す図である。
【図２】図１に示した有機ＥＬ表示装置の回路構成の概要について説明するための図である。
【図３】図１に示した有機ＥＬ表示装置の回路図の一例を示す図である。
【図４】図１に示した有機ＥＬ表示装置の断面の一部を模式的に示す図である。
【図５】本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図である。
【図６】図５（Ａ）のフィル剤塗布前の上方からみたカラーフィルタ基板４０７の様子の一例を示す図である。
【図７】空気壁の形状の制御について説明するための図である。
【図８】空気壁の形状の制御について説明するための図である。
【図９】本実施の形態の比較例としての有機ＥＬ表示装置の断面の一部を示す図である。
【図１０】本実施の形態における効果の一例について説明するための図である。
【図１１】本実施の形態における効果の一例について説明するための図である。
【図１２】画素を格子状に配置した場合のカラーフィルタ基板の平面図の一例を示す図である。
【図１３】図１０及び図１１において画素を千鳥配置した場合のカラーフィルタ基板の平面図の一例を示す図である。
【図１４】図１１に示したθ１、θ２、θｍの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す概略図である。有機ＥＬ表示装置１は、上フレーム２と、下フレーム３と、上フレーム２と下フレーム３とで挟まれるように固定された有機ＥＬパネル１０とから構成されている。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【００１６】
図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の回路構成の概要について説明するための図である。有機ＥＬパネル１０は、データ駆動回路１２及び走査駆動回路１３によって、基板１００上の表示領域１１に形成された各画素を制御し、画像を表示する。ここで、例えば、データ駆動回路１２は、各画素に送るデータ信号を生成・発信するＩＣ（Integrated Circuit）であり、走査駆動回路１３は、画素に備えられたＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）へのゲート信号を生成・発信するＩＣである。なお、図２において、データ駆動回路１２及び走査駆動回路１３は、２箇所に形成されるものとして記載されているが、一つのＩＣに組み込まれていてもよい。
【００１７】
走査駆動回路１３からの信号を伝える走査線１４は、後述するスイッチトランジスタ３０のゲート電極に接続される。また、データ駆動回路１２からの信号を伝えるデータ線１５は、スイッチトランジスタ３０のソース・ドレイン電極に接続される。電位配線１６には、有機発光ダイオード６０に発光させるための基準電位が印加され、ドライバトランジスタ２０のソース・ドレイン電極に接続される。第１の電位供給配線１７及び第２の電位供給配線１８は電位供給源に接続され、トランジスタを介して電位配線１６に接続される。なお、図２に示した回路構成は一例であって、本実施の形態は上記に限定されるものではない。
【００１８】
図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の回路図の一例を示す図である。有機ＥＬパネル１０の表示領域１１には、データ線１５がＤ１からＤｎまでｎ本形成されており、走査線１４がＧ１からＧｍまでｍ本形成されている。複数の画素ＰＸがマトリクス状に、走査線１４の延在方向及びデータ線１５延在方向に配置されている。例えば、Ｇ１とＧ２、Ｄ１とＤ２で囲まれる部分に画素ＰＸが形成される。
【００１９】
第１の走査線Ｇ１はスイッチトランジスタ３０のゲート電極に接続されており、走査駆動回路１３から信号が印加されると、スイッチトランジスタ３０がオン状態になる。そこでデータ駆動回路１２から第１のデータ線Ｄ１に信号が印加されると、蓄積容量４０に電荷が蓄積され、ドライバトランジスタ２０のゲート電極に電圧が印加されて、ドライバトランジスタ２０がオン状態になる。ここで、スイッチトランジスタ３０がオフ状態となっても、蓄積容量４０に蓄えられた電荷により、一定期間はドライバトランジスタ２０がオン状態になる。有機発光ダイオード６０の陽極はドライバトランジスタ２０のソース・ドレイン間を通じて電位配線１６に接続されており、有機発光ダイオード６０の陰極は基準電位Ｖｃに固定されているから、ドライバトランジスタ２０のゲート電圧に応じて有機発光ダイオード６０に電流が流れ、有機発光ダイオード６０が発光する。また、付加容量５０が有機発光ダイオード６０の陽極と陰極との間に形成される。付加容量５０は、蓄積容量４０に書き込まれる電圧を安定させる効果を発揮し、有機発光ダイオード６０の安定動作に寄与する。具体的には、蓄積容量４０の静電容量よりも付加容量５０の静電容量が大きくなるようにすることで当該効果が発揮される。なお、図３に示した回路構成は一例であって、本実施の形態は上記に限定されるものではない。
【００２０】
図４は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の断面の一部を模式的に示す図である。具体的には、図４は、平坦化膜（図示なし）により平坦化されたＴＦＴ基板上の断面の一部の概要を示す。なお、当該ＴＦＴ基板には上記のように画素を駆動するためのＴＦＴ等が形成されるが、周知であるので、説明を省略する。
【００２１】
図４に示すように、平坦化膜上には、画素電極４０１（陽極）及びバンク４０２が配置される。画素電極４０１は、画素毎に分離して配置される。言い換えれば、画素電極４０１の両側にバンク４０２が位置するように配置する。そして、バンク４０２は、例えば、当該画素電極４０１の端部の一部を覆うことによって発光領域を規定する。また、バンク４０２は絶縁体で形成され、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ、または、これらの混合物等で形成される。
【００２２】
画素電極４０１やバンク４０２が形成されたＴＦＴ基板上には、当該画素電極４０１及びバンク４０２を覆うように有機ＥＬ層４０３が形成される。ここで、画素電極４０１と有機ＥＬ層４０３とが接触する領域が発光領域となる。
【００２３】
有機ＥＬ層４０３上には、対極層４０４（陰極）が形成される。また、対極層４０４上には、封止層４０５が形成される。ここで、対極層４０４は、例えば、Ａｌ、Ｍｇ、ＭｇＡｇ、Ｉｎ等の金属で形成され、また、封止層４０５は、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等の無機材料で形成される。なお、当該封止層４０５は、外部からの水分や酸素から、有機ＥＬ層４０３を保護する。
【００２４】
封止層４０５上には、フィル（Fill）層４０６及び低屈折率領域４１０を形成する。具体的には、画素電極４０１上方にフィル層４０６を配置し、バンク４０２上方に低屈折率領域４１０を形成する。ここで、フィル層４０６を形成するフィル剤は、例えば、フィル層４０６と隣接する領域において屈折率１．５乃至１．７の高屈折率の樹脂で形成される。低屈折率領域４１０は、フィル層４０６と隣接する領域においてフィル層４０６よりも低い屈折率（例えば、１．５以下）を有する。具体的には、例えば、低屈折率領域４１０は、後述するように、気体で形成された空気壁としてもよいし、上記フィル層４０６以下の屈折率を有する低屈折率膜で形成してもよい。
【００２５】
フィル層４０６及び低屈折率領域４１０上には、カラーフィルタ基板４０７を配置する。ここで、カラーフィルタ基板４０７は、画素毎に対応する領域に各色のカラーフィルタ４０９を有し、また、カラーフィルタ４０９間にはブラックマトリックス４０８を有する。
【００２６】
次に、図５（Ａ）乃至（Ｃ）を用いて、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例について説明する。
【００２７】
図５（Ａ）に示すように、まず、カラーフィルタ４０９やブラックマトリックス４０８が形成されたカラーフィルタ基板４０７の外周にシール剤５０１を塗布する。当該シール剤５０１にはスペーサを形成する材料が混入されており、これにより、カラーフィルタ基板４０７と対向基板５０２との距離を制御することができる。ここで、対向基板５０２は、上記のように画素電極４０１、バンク４０２、有機ＥＬ層４０３、対極層４０４、封止層４０５、ＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ基板に相当する。そして、インクジェット５０３を用いて、フィル剤５０４をカラーフィルタ４０９に対応する位置に塗布する。当該フィル剤５０４は、例えば、塗布後に紫外線や熱等で硬化させることのできる遅延効果型のフィル剤５０４を用いる。なお、図６は、フィル剤５０４塗布前の図５（Ａ）の上方からみたカラーフィルタ基板４０７の様子の一例を示す。図６に示すように、カラーフィルタ基板４０７は、円形状のカラーフィルタ（画素領域に対応する）と、カラーフィルタ４０９間に形成されたブラックマトリックスで形成される。なお、図６に示した平面図は一例であって、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【００２８】
次に、図５（Ｂ）に示すように、カラーフィルタ基板４０７と、上記のように有機ＥＬ層４０３等が形成されたＴＦＴ基板（対向基板５０２）とを加圧して張り合わせる。ここで、フィル剤５０４同士が接着しないように、フィル剤５０４周囲の気圧を制御することにより、空気壁５０５を生成する。
【００２９】
具体的には、気圧Ｐは、大気圧をＰ０、シール剤５０１の塗布の高さをＤ０、セル面積をＭ、フィル剤５０４のとる量をＶｆ、最終的なセル（画素領域）間の距離をＤ、シール剤５０１と塗布後のセルを占有する体積をＶｄとした場合に式（１）で与えられる。
【数１】
2017073260.tif 000003
【００３０】
ここで、ｄＰは、余剰圧であり、当該ｄＰを調整することで空気壁５０５を形成する気泡の形状の調整を行う。具体的には、図７に示すように、ｄＰをプラスにすれば、大気圧に解放した際に、空気壁５０５内が与圧方向に働き、気泡壁（空気壁５０５）はより大きく球形状に近くなる。一方、図８に示すように、ｄＰをマイナスにすれば大気圧に解放した際に空気壁５０５は縮小し、より細い形状となる。
【００３１】
次に、図５（Ｃ）に示すように、貼り合わせ後、大気圧に開放する。これにより、気泡の気圧と大気圧が等しくなる。そして、上記のように張り合わせた基板を、１００℃程度の熱にかけることにより、フィル剤５０４とシール剤５０１を硬化させる。このようにして、フィル層４０６と、空気壁５０５で形成される低屈折率領域４１０が形成される。なお、紫外線照射により硬化するフィル剤５０４を用いた場合には、フィル剤５０４に紫外線を照射することはいうまでもない。
【００３２】
なお、上記においては、低屈折率領域４１０を空気壁５０５で形成する場合について説明したが、本実施の形態はこれに限られない。例えば、上記フィル剤５０４塗布後、特殊ガスを用いてフィル剤５０４の硬化を阻害することで、フィル剤５０４の画素間の表面とフィル剤５０４内部とで屈折率差を形成することにより低屈折率領域４１０を形成するように構成してもよい。具体的には、例えば、フィル剤５０４としてエポキシ系接着剤を用いた場合、ｐＨが高くなるほど硬化が阻害されることから、フィル剤５０４の画素間の表面をアルカリ性雰囲気に曝す。この場合のアルカリ性雰囲気ガスとしては、例えばアンモニアが挙げられる。その他の製造工程は、上記空気壁５０５を形成する場合と同様であるので説明を省略する。
【００３３】
次に、図４及び図９を用いて本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の効果について説明する。ここで、図９は、本実施の形態の比較例としての有機ＥＬ表示装置の断面の一部の一例を示す図である。なお、図９において図４と同一又は同等の要素には同一の符号を付す。
【００３４】
図９の矢印９０１に示すように、有機ＥＬ層４０３の発光層から斜めに進行する光は、バンク４０２では遮光しきれず、隣接する画素に対応するカラーフィルタ４０９に侵入する。これにより、カラーフィルタ４０９を介して観察される光は隣接する画素の光を含み、混色が発生する。当該混色が発生する様子を図９上方の矢印で示す。一方、混色を防止するため、フィル層４０６を薄くすることも考えられるが、バンク４０２上部とカラーフィルタ基板４０７との距離が近くなり、異物が混入した場合に封止層４０５が破壊される場合がある。
【００３５】
これに対し、本実施の形態によれば、図４の矢印４１１に示すように、発光層から斜めに進行する光は、フィル層４０６と低屈折率領域４１０との境界で反射され、再びフィル層４０６を進行し、隣接する画素に侵入する光を減少させることができる。これにより、混色の発生をより効果的に防止することができる。当該様子を図４上方の矢印で示す。また、図９に示す場合と比べフィル層４０６を厚くしても、上記のようにフィル層４０６と低屈折率領域４１０との境界で反射等行うことから、混色の発生を防止できる。よって、図９に示す場合と比べフィル層４０６を厚くすることができ、結果として、異物が混入した場合であっても、当該異物の混入による封止層４０５の破壊を効果的に防止することができる。
【００３６】
より具体的には、図１０及び図１１を用いて説明する。ここで、図１０及び図１１は、本実施の形態における効果の一例について説明するための図である。より具体的には、図１０及び図１１においては、本実施の形態を用いた場合と用いない場合において、発光領域の幅（Ｗｃ）を２５μｍ、発光領域間の幅（Ｗｍ）を５μｍ、画素電極４０１層上部からバンク４０２の上面までの高さ（Ｈｂ）を２μｍとした場合に許容されるバンク４０２上面からカラーフィルタ基板４０７までの距離（Ｈｇ）を比較するための一例を示す図である。なお、図１０は、本実施の形態を用いない場合の比較例としての一例を示し、図１１は、本実施の形態を用いた場合における一例を示す。また、図１０及び図１１においては、説明の簡略化のために、有機ＥＬ層４０３、対極層４０４、及び封止層４０５等については図示を省略する。また、図１２は、図１０及び図１１において画素を格子状に配置した場合のカラーフィルタ基板４０７におけるカラーフィルタ４０９の一部の配置を表す平面図の一例を示す。図１３は、図１０及び図１１において画素を千鳥配置した場合のカラーフィルタ基板４０７におけるカラーフィルタ４０９の一部の配置を表す平面図の一例を示す。
【００３７】
図１０に示す場合、つまり、本実施の形態を用いない場合、点Ａより鈍角θの角度でフィル層１１１を進行する光の隣接する画素への侵入を遮断するためには、Ｈｂを大きくすることが考えられるが、例えば、化学気相法等で封止層４０５を形成してＨｂを大きくする場合、バンク４０２と有機ＥＬ層４０３間の断差に封止層４０５の被膜が追従できず、隙間が生じて水分等の有機ＥＬ層４０３への侵入防止を十分に図ることができなくなるおそれがある。また、Ｈｂを小さくすることも考えられるが、この場合、Ｈｂ以上の異物がバンク４０２上部とカラーフィルタ４０９との間にかみ込んだ場合、封止層４０５等を破壊し歩留まりが低下するおそれがある。また、ブラックマトリックス４０８やバンク４０２の幅を広くする（Ｗｃを小さくする）ことも考えられるが、この場合開口率が低下する。
【００３８】
ここで、上記のように発光領域の幅（Ｗｃ）を２５μｍ、発光領域間の幅（Ｗｍ）を５μｍ、画素電極４０１層上部からバンク４０２の上面までの高さ（Ｈｂ）を２μｍとした場合、許容されるＨｂは、式（２）で表される。
【数２】
2017073260.tif 000004
【００３９】
一般的なフィル層１１１を形成するフィル剤の屈折率は１．５程度のため、実際の膜厚は０．６μｍ（０．４×１．５）となる。現実的には０．６μｍ以下の異物を張り合わせのプロセスで除去することは困難であることから低い歩留まりとなる。なお、このときのθは、約５°である。
【００４０】
これに対し、図１１に示すように空気壁５０５を設置した場合においては、鈍角θで入射してくる光を空気壁５０５とフィル剤５０４との境界で全反射させることができる。具体的には、フィル剤５０４の屈折率Ｎを１．５、空気の屈折率を１とした場合、全反射を起こす臨界角θｍは、式（３）に示すように、約４１°となる。
【数３】
2017073260.tif 000005
【００４１】
したがって、必要な空気壁５０５の傾斜θ２は、式（４）で表されるように、約５２°となる。なお、θ１、θ２、θｍの関係を図１４で示した。
【数４】
2017073260.tif 000006
【００４２】
このときの角度で空気壁５０５が形成されているとして、許容されるＨｂに換算すると、式（５）で表されるように、約３．２μｍとなる。
【数５】
2017073260.tif 000007
【００４３】
したがって、この場合、約３．２μｍ以下の異物を許容できるプロセスを実現することができ、高い歩留まりを実現できるとともに、混色をより効果的に防止することのできる有機ＥＬ表示装置１を実現することができる。
【００４４】
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。なお、特許請求の範囲における第１電極、第２電極は、それぞれ、例えば、上記画素電極４０１、対極層４０４に相当する。
【符号の説明】
【００４５】
１  有機ＥＬ表示装置、２  上フレーム、３  下フレーム、１０  有機ＥＬパネル、１１  表示領域、１２  データ駆動回路、１３  走査駆動回路、１４  走査線、１５  データ線、１６  電位配線、１７  第１の電位供給配線、１８  第２の電位供給配線、２０  ドライバトランジスタ、３０  スイッチトランジスタ、４０  蓄積容量、５０  付加容量、４０１  画素電極、４０２  バンク、４０３  有機ＥＬ層、４０４  対極層、４０５  封止層、４０６  フィル層、４０７  カラーフィルタ基板、４０８  ブラックマトリックス、４０９  カラーフィルタ、４１０  低屈折率領域、５０１  シール剤、５０２  対向基板、５０３  インクジェット、５０４  フィル剤、５０５  空気壁。
【図１】
2017073260.tif 000008
【図２】
2017073260.tif 000009
【図３】
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【図４】
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【図５】
2017073260.tif 000012
【図６】
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【図７】
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【図８】
2017073260.tif 000015
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2017073260.tif 000019
【図１３】
2017073260.tif 000020
【図１４】
2017073260.tif 000021