(57)【要約】【課題】マルチビームのブランキング密度が変化しても微小ビームが正しく整列したマルチビームを基板上に照射する。【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置の制御装置は、描画データからマルチビームのブランキング密度マップを取得する工程と、予め求められたブランキング密度マップと、マルチビームの位置ずれ量と、電子レンズの最適制御パラメータとの関係を示すパラメータリストに基づいて、描画データのブランキング密度マップから電子レンズの最適制御パラメータを求める工程を実行する。制御装置は次にこの最適制御パラメータに基づいて、電子レンズを制御する。【選択図】図４
2017011270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は描画データから前記マルチビームのブランキング密度の分布を含むブランキング密度マップを取得し、予め求められたブランキング密度マップと、前記偏向装置の前記電子レンズの最適制御パラメータとの関係を示すパラメータリストに基づいて、前記描画データのブランキング密度マップから前記電子レンズの最適制御パラメータを選択して前記電子レンズを制御することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記ブランキング密度マップは、前記マルチビームを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたブランキング割合をもつマップであることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含み、最適制御パラメータは各極に付与される偏向電圧であることを特徴とする請求項１または２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記電極レンズの前記制御パラメータに基づいて前記電極レンズを制御して、歪んだマルチビームアレイを理想格子状に補正することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。  
【請求項５】
前記パラメータリストは、ブランキング密度マップに対応するマルチビームの位置ずれ量を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項６】
前記荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
描画データから前記マルチビームのブランキング密度の分布を含むブランキング密度マップを取得する工程と、
予め求められたブランキング密度マップと、前記偏向装置の前記電子レンズの最適制御パラメータとの関係を示すパラメータリストに基づいて、前記描画データのブランキング密度マップから前記電子レンズの最適制御パラメータを選択して前記電子レンズを制御する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
【請求項７】
前記ブランキング密度マップは、前記マルチビームを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたブランキング割合をもつマップであることを特徴とする請求項６記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
【請求項８】
前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含み、最適制御パラメータは各極に付与される偏向電圧であることを特徴とする請求項６または７記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
【請求項９】
前記電子レンズの最適制御パラメータに基づいて前記電子レンズを制御して、歪んだマルチビームアレイを理想格子状に補正することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
【請求項１０】
前記パラメータリストは、ブランキング密度マップに対応するマルチビームの位置ずれ量を含むことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光段階において荷電粒子ビームを利用して被照射体の表面にパターンを形成するための荷電粒子描画装置およびその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マルチビームを利用するマルチビームリソグラフィは、従来から開発されてきた。マルチビームリソグラフィは、例えばシリコンウエハやフォトマスクなどの被照射体上にパターンを形成するために利用される。
【０００３】
マルチビームリソグラフィを実現するため、マルチビームを用いた電子線描画装置が用いられている。この電子線描画装置は電子線を生成する電子線生成部と、電子線から複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するアパーチャ装置と、マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する偏向装置とを備え、アパーチャ装置と偏向装置との間にブランキング装置が設けられている。
【０００４】
このうちブランキング装置はアパーチャ装置で生成されたマルチビームのうち、所望の微小ビームを外方へ放出し、他の微小ビームを偏向装置へ導くものであり、このブランキング装置によってマルチビームのブランキング密度（微小ビームのオン/オフ密度）を０％〜１００％へ変化させることができる。
【０００５】
ここで、本願発明者は、鋭意研究を重ねた結果、各微少ビーム間に生じるクーロン力や、偏向装置に設けられた吸収プレートにより吸収される微少ビームが起因となる電磁場の変動により吸収プレートを通過する微少ビームが歪んでしまうことを発見した。ここで、微少ビームの被照射物への照射量は、被照射物への描画パターンに応じて変動するため、マルチビームのブランキング密度に応じても変動し、微少ビーム間に生じるクーロン力や、吸収プレートが起因となる電磁場もその都度変動する。そのため、微少ビームの歪みは、荷電粒子ビームの照射処理中において荷電粒子ビームのショット毎に変動することとなり、これによって被照射物に対して適正な位置に、適正なドーズ量の荷電粒子ビームを照射することができなくなる場合がある、ことも新たに発見した。
【０００６】
しかしながら従来より電子線描画装置の描画中にマルチビームのブランキング密度の変化に合わせてマルチビームの位置を調整する技術は開発されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１２３９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、描画中にマルチビームのブランキング密度が変化した場合、この変化に対応してマルチビームの位置を調整することができる荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は描画データから前記マルチビームのブランキング密度の分布を含むブランキング密度マップを取得し、予め求められたブランキング密度マップと、前記偏向装置の前記電子レンズの最適制御パラメータとの関係を示すパラメータリストに基づいて、前記描画データのブランキング密度マップから前記電子レンズの最適制御パラメータを選択して前記電子レンズを制御することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。
【００１０】
本発明は、前記ブランキング密度マップは、前記マルチビームを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたブランキング割合をもつマップであることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。
【００１１】
本発明は、前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含み、最適制御パラメータは各極に付与される偏向電圧であることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。
【００１２】
本発明は、前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含み、最適制御パラメータは各極に付与される偏向電圧であることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。
【００１３】
本発明は、前記電極レンズの前記制御パラメータに基づいて前記電極レンズを制御して、歪んだマルチビームアレイを理想格子状に補正することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。
【００１４】
本発明は、前記パラメータリストは、ブランキング密度マップに対応するマルチビームの位置ずれ量を含むことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。
【００１５】
本発明は、前記荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置およびブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、描画データから前記マルチビームのブランキング密度の分布を含むブランキング密度マップを取得する工程と、予め求められたブランキング密度マップと、前記偏向装置の前記電子レンズの最適制御パラメータとの関係を示すパラメータリストに基づいて、前記描画データのブランキング密度マップから前記電子レンズの最適制御パラメータを選択して前記電子レンズを制御する工程とを備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。
【００１６】
本発明は、前記ブランキング密度マップは、前記マルチビームを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたブランキング割合をもつマップであることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。
【００１７】
本発明は、前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含み、最適制御パラメータは各極に付与される偏向電圧であることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。
【００１８】
本発明は、前記電子レンズの最適制御パラメータに基づいて前記電子レンズを制御して、歪んだマルチビームアレイを理想格子状に補正することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。  
【００１９】
本発明は、前記パラメータリストは、ブランキング密度マップに対応するマルチビームの位置ずれ量を含むことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように本発明によれば、マルチビームのブランキング密度に応じてマルチビームの位置を調整することができ、これによりマルチビームを用いて所望の荷電粒子ビーム描画を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は本発明による荷電粒子ビーム描画装置を示す概略図。
【図２】図２はアパーチャ装置とブランキング装置を示す断面図。
【図３】図３はアパーチャ装置を示す平面図。
【図４】図４は荷電粒子ビーム描画装置の制御方法を示すフローチャート。
【図５】図５はマルチビームのブランキング密度マップを示す図。
【図６】図６はブランキング密度マップと、位置ずれ量と、電子レンズの最適制御パラメータとの関係を示す図。
【図７】図７（a）（ｂ）はマルチビームの位置ずれ量を示す図。
【図８】図８（a）（ｂ）は補正前のマルチビームの位置と、補正後のマルチビームの位置を示す図。
【図９】図９（a）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は、補正後のマルチビームの形状を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜本発明の実施の形態＞
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１に示すように、本発明による荷電粒子ビーム描画装置１は、シリコンウエハやフォトマスク等の被照射体を露光してパターンを形成するために用いられるものであり、照明系２と、ＰＤ（Pattern Definition 、パターン決定）系３と、投影系４と、基板（被照射体）１３を保持する基板ステージ１４を含む基板ステーション５とを備えている。そして荷電粒子ビーム描画装置１の全体は、ビーム１a、１ｂ、１ｃが、装置の光学軸ｃｘに沿って妨げられずに確実に伝播するように、高真空に保持された真空筐体（図示せず）の中に収容される。
【００２３】
荷電粒子ビーム描画装置１のうち、照明系２は、例えば電子線等の荷電粒子ビーム１aを生成する電子銃（荷電粒子ビーム生成部）７と、抽出系８と、集光レンズ系９とを含む。荷電粒子ビーム描画装置１は一般的なブランキング偏光器９ａを含んでいてもよい。しかしながら、荷電粒子ビームとして、電子線の代わりに、一般に、他の電荷を帯びた粒子を同様に使用することができる。例えば電子線以外に、これらは、例えば水素イオンまたは重イオン、荷電原子クラスタ、または荷電分子を用いてもよく、「重イオン」とは、Ｏ、ＮなどＣより重いイオン要素、またはＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスを称する。
【００２４】
集光レンズ系９により照明系２から放出された荷電粒子ビーム１ｂは、幅広の、実質的にテレセントリックな粒子ビームとなっている。この荷電粒子ビーム１ｂは、次いで、ＰＤ系３内に入る。
【００２５】
図２は、ＰＤ系３の断面の詳細をより詳細に記載する。これは、パターン形成ビームに構造化されるビーム１ｂを示すが、簡素化のために、複数のビームの代わりに、２つのビーム２０のみが記載される。ビームがその経路から外れて偏向される可能な場合に関して、偏向されたビーム２１は、点線で示される。
【００２６】
図２のＰＤ系３は、連続して配置されたアパーチャプレート１６を含むアパーチャ装置３０と、ブランキングプレート１７を含むブランキング装置１７Ａとを備える。
【００２７】
アパーチャプレート１６は、衝突するエネルギー粒子からプレートを保護する任意選択の保護層１５と、複数の開口２２、２３とを有する（図３参照）。
【００２８】
ブランキングプレート１７も同様に、アパーチャプレート１６の開口２２，２３に対応するいくつかの開口部１７ａを有する。各開口部１７ａは、領域を超えるビームレットに作用する１セットのブランキング手段を備える。図２において、これらのブランキング手段は、一組の電極、すなわち接地電極１８および偏向電極１９を含む。これらの電極１８，１９を通電させることによって、開口部１７ａを「スイッチオフさせる」ことができ、これにより、ビームが偏向され（点線の矢印２１によって示される経路）、その結果、基板１３に達することはない。電極が通電されないとき、開口部１７ａは「スイッチオンされ」、ビームは、その経路から偏向されない（矢印２０）。通電は、非通電状態におけるデフォルト電圧と十分に異なる電圧を電極１８、１９の間に付加することによって行われ、通常、デフォルト電圧は、ゼロであり、すなわち電極は、同一の電位にある（通電電圧と比較して小さい公差内）。通電電圧は典型的には、数ボルトの範囲内となっている。
【００２９】
そしてＰＤ系３を通過した荷電粒子ビーム１ｂは、このＰＤ系３のアパーチャ装置３０により複数の微小ビームを含むマルチビーム１ｃとなり、かつブランキング装置１７Ａにより所定の微小ビームが外方へ除去され、他の微小ビームのみを含むマルチビーム１ｃが照明系４へ照射される。ここでブランキング装置１７Ａによりオン／オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）されることにより、マルチビーム１ｃは所望のブランキング密度を有することになる。このマルチビームのブランキング密度については、後述する。
【００３０】
図１に示される実施の形態において、投影系４は、静電気または電子レンズ、あるいは他の偏向手段から成る複数の連続する粒体−光学投影装置の段で構成される。これらのレンズおよび手段は、その用途が従来技術からよく知られているため象徴的な形態でのみ示される。投影系４は、クロスオーバｃ１、ｃ２による縮小結像を形成する。両段に関する縮小率は、全体の縮小が数百、例えば２００ｘとなるように選択される（図１は、縮尺されていない）。
【００３１】
投影系４全体において、レンズおよび／または偏向手段を色および幾何学的収差に対して広範に補償するための措置が施される。像を全体的に横方向に、すなわち光学軸ｃｘに対して直角の方向に沿ってシフトさせるための手段として、投影系４はいずれも電子レンズからなる偏向手段１１および１２が設けられる。偏向手段は、例えば、第１の偏向手段１１で図１に示されるようにクロスオーバ付近に、または図１に示す第２段偏向手段１２の場合のように、投影装置の最終レンズの後のいずれかに配置される多極電極系として実現することができる。この装置において、多極電極は、段の動きに関連して像をシフトさせる。さらにアライメント系と共に結像系を補正する２つの目的の偏向手段として使用される。また投影系４は第１の偏向手段１１と第２の偏向手段１２との間に設けられた吸収プレート１０とを有する。
【００３２】
また投影系４は、ＰＤ系３と偏向手段１１との間、第１の偏光手段１１と吸収プレート１０との間、および吸収プレート１０と第２の偏光手段１２との間に各々設けられた集光レンズ６を含む。さらに基板１３を保持する基板ステージ１４は図１において、左右方向（水平方向）へ移動可能となっている。
【００３３】
なお、上記の荷電粒子ビーム描画装置１を構成する各構成要素、例えば電子銃７、ブランキング装置１７Ａ、第１の偏向手段１１、第２の偏向手段１２および基板ステージ１４はいずれも制御装置３５により駆動制御される。
【００３４】
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち荷電粒子ビーム描画装置１の制御方法について説明する。
【００３５】
まず、制御装置３５に対して基板１３上に描画すべき描画データが入力されるが、この描画データは基板１３上に照射されるマルチビーム１ｃのブランキング密度の情報を含む。
【００３６】
ここでブランキング密度について以下、簡単に説明する。ブランキング密度とは、例えば図５に示すように、マルチビーム１ｃのうちアパーチャプレート１６に対応する領域を左上部、右上部、左下部および右下部の４つの領域に区画した場合に、各領域毎に存在する微細ビームの密度を言う。このようなマルチビーム１ｃのブランキング密度は、アパーチャ装置３０によって生成された複数の微小ビームを含むマルチビーム１ｃのうち、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを照明系４へ導くブランキング装置１７Ａにより生成される。
【００３７】
図５において、マルチビーム１ｃの左上の領域Ａ１、右上の領域Ａ２はそのブランキング密度が１００％となっており、ほとんどの微小ビームが照明系４へ導かれる。
【００３８】
一方、マルチビーム１ｃの左下の領域Ａ３はそのブランキング密度が２０％となっており、多数の微小ビームが外方へ除去され、右下の領域Ａ４はそのブランキング密度が０％となっており、ほとんどの微小ビームが外方へ除去される。ここで、ブランキング密度の数値は便宜上、２０％毎に０％、２０％、４０％、６０％、８０％、１００％と定められ、各数値はある程度の幅をもっている。
【００３９】
ところで、本願発明者は、鋭意研究を重ねた結果、複数の微小ビームを含むマルチビーム１ｃは、各微小ビーム間において互いにクーロン力が働いたり、ブランキング装置１７Ａにより外方へ除去された微小ビームが吸収プレートに吸収され流れる電流から生じる電磁場の変化等により、マルチビーム１ｃのブランキング密度に対応して各微小ビームの方向が変化することを発見した。マルチビーム１ｃのブランキング密度は、荷電粒子ビームの照射処理中において荷電粒子ビームのショット毎に変動しており、これによって被照射物に対して適正な位置に、適正なドーズ量の荷電粒子ビームを照射することができなくなる場合がある。
【００４０】
例えば図７（ａ）に示すように、マルチビーム１ｃの全域において微小ビーム１ｄが略格子状に欠けることなく配置される場合、すなわちマルチビーム１ｃがその全域において１００％のブランキング密度を有する場合、第１の偏向手段１１内において、各微小ビーム１ｄは各々格子状に沿って配置される。
【００４１】
図７（ａ）において、第１の偏向手段１１は８つの極１１ａをもつ電子レンズ１１Ａからなっている。
【００４２】
一方、図７（ｂ）に示すように、マルチビーム１ｃの左上の領域において微小ビーム１ｄが欠けている場合、左上の領域においてブランキング密度は０％となり、他の領域ではブランキング密度は１００％となる。
【００４３】
この場合、８つの極１１ａをもつ電子レンズ１１Ａ内において微小ビーム１ｄ相互間に働くクーロン力等の力にアンバランスが生じ、このため、例えば中央の上方から下方へ向って配置された微小ビーム１ｄを結ぶ線Ｌ１は直線状とならず、歪んだ線となる。
【００４４】
このような場合、図８（ａ）（ｂ）に示すように電子レンズ１１Ａを構成する各極１１ａの偏向電圧（パラメータ）を最適な値に定めることにより、マルチビーム１ｃの微小ビーム１ｄをマルチビーム１ｃの全域において略格子状に整列させることができる。
【００４５】
例えばマルチビーム１ｃの左上の領域において微小ビーム１ｄが欠けている場合、左上の領域においてブランキング密度は０％となり、その他の領域においてブランキング密度が１００％の場合、上述のように中央の上方から下方に向って配置された微小ビーム１ｄを結ぶ線Ｌ１は歪んだ線となる（図８（ａ））。
【００４６】
ここで図８（ａ）は補正前のマルチビーム１ｃを示す。これに対して、電子レンズ１１Ａを構成する各極１１ａの偏向電圧（パラメータ）を最適な値に定める（補正する）ことにより、補正後のマルチビーム１ｃの中央の上方から下方へ向って配置された微小ビーム１ｄを結ぶ線は直線Ｌ２となり、各微小ビーム１ｄは格子状に整列する（図８（ｂ））。
【００４７】
例えば、偏向電圧を最適な値に定める場合、各極１１ａのうち極Ｘ３に付与する偏向電圧をＸ３＝−ｂＶｘ−ａＶｙからＸ３＝−（ｂ＋ｃ）Ｖｘ−ａＶｙに変更する。  ここでＶｘはＸ方向の電場を作るための電圧でＶｙはＹ方向の電場を作るための電圧で、ａとｂは一様な電場を得るための任意の係数で、ｃはマルチビーム１ｃの位置を補正する任意の係数となる。
【００４８】
また極Ｙ２に付与する偏向電圧をＹ２＝ｂＶｘ−ａＶｙからＹ２＝ｂＶｘ−（ａ＋ｄ）Ｖｙに変更する。  ここでｄはマルチビーム１ｃの位置を補正する任意の係数となる。
【００４９】
このようにしてマルチビーム１ｃの位置を補正して、マルチビーム１ｃの微小ビーム１ｄを格子状に整列させることができる（図８（ｂ）参照）。
【００５０】
上述のようにマルチビーム１ｃのブランキング密度に応じて、マルチビーム１ｃの各微小ビーム１ｄを格子状に整列させるため、電子レンズ１１Ａを構成する各極１１ａは、各々偏向電圧の最適値をもつ。
【００５１】
本実施の形態においては、図４に示すように予めマルチビーム１ｃのブランキング密度に応じて、マルチビーム１ｃの各微小ビームの位置を測定しておく。そしてこのマルチビーム１ｃの微小ビーム１ｄが補正され格子状に正しく整列するための電子レンズ１１Ａの各極１１ａの偏向電圧を実測により、あるいはシミュレーションにより求めておき、この偏向電圧を電子レンズ１１Ａの最適パラメータとする。
【００５２】
次にマルチビーム１ｃのブランキング密度を種々変化させ、このブランキング密度に応じた電子レンズ１１Ａの最適パラメータを求めておく。
【００５３】
この場合、マルチビーム１ｃをアパーチャプレート１６の左上部、右上部、左下部および右下部に対応する領域Ａ１、Ａ２、Ａ３，Ａ４毎にブランキング密度を変え、例えば４つの領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４に対して、０％、２０％、４０％、６０％、８０％、１００％のうちいずれかのブランキング密度を与える。
【００５４】
このようにして４つの領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４毎に、各々のブランキング密度を有する異なるブランキング密度マップが得られる。そして各ブランキング密度マップ１、２、３、…について、マルチビーム１ｃの微小ビーム１ｄの位置ずれ量（Ａ、Ｂ、Ｃ、…）が求められ、この位置ずれ量をなくしてマルチビーム１ｃの微小ビーム１ｄが格子状に正しく整列するための電子レンズの最適制御パラメータが求められる。
【００５５】
このようにしてブランキング密度マップと、位置ずれ量と、電子レンズの最適制御パラメータとの関係を示すパラメータリストが得られる（図６参照）。この場合、電子レンズの最適制御パラメータは、第１の偏向手段１１の電子レンズ１１Ａの最適制御パラメータおよび第２の偏向手段１２の電子レンズの最適制御パラメータを含む。
【００５６】
本実施の形態においては、図４に示すように制御装置３５に対して描画データが入力されると、制御装置３５は描画データ中のブランキング密度を取得し、描画データのブランキング密度マップを得る。
【００５７】
次に制御装置３５は照射に用いられる描画データ内のブランキング密度マップと、パラメータリスト中のブランキング密度マップとを比較し、パラメータリスト中のブランキング密度マップの中から描画データのブランキング密度マップに近似したブランキング密度マップおよび電子レンズの最適制御パラメータを選択する。
【００５８】
次に制御装置３５は第１の偏向手段１１の電子レンズ１１Ａおよび第２の偏向手段１２の電子レンズの制御パラメータを上述の最適制御パラメータに補正する。
【００５９】
その後、制御装置３５は、実際の描画作用を実行する。具体的には電子銃７から荷電粒子ビーム１ａが生成され、この荷電粒子ビーム１ａは照明装置２を通ってビーム１ｂとなってＰＤ系３に入る。次にビーム１ｂは、ＰＤ系３のアパーチャ装置３０により複数の微小ビーム１ｄを含むマルチビーム１ｃとなり、ブランキング装置１７Ａによりマルチビーム１ｃは所望のブランキング密度をもつ。
【００６０】
その後、マルチビーム１ｃはＰＤ系３から投影系４に入り、その後基板ステーション５の基板ステージ１４に保持された基板１３上に照射される。
【００６１】
この間、制御装置３５は上述のように第１の偏向手段１１の電子レンズ１１Ａおよび第２の偏向手段１２の電子レンズを、マルチビーム１ｃのブランキング密度マップに応じて最適な値に定められた最適制御パラメータ（偏向電圧）を用いて制御する。このため、基板１３上において、マルチビーム１ｃの位置を調整し、格子状に正しく整列した微小ビーム１ｄを含むマルチビーム１ｃを照射することができる。
【００６２】
この場合、第１の偏向手段１１および第２の偏向手段１２は最適制御パラメータ（偏向電圧）を用いて、歪んだマルチビームアレイ１１ｃを理想格子状に配置できるように、平行移動して調整するか（図９（ａ））、または拡大または縮小するように調整するか（図９（ｂ））、または回転成分を補正するか（図９（ｃ））、または直行成分を除去するように補正するか（図９（ｄ））、台形成分を除去するように補正してマルチビーム１ｃの位置を調整することができる。
【００６３】
以上のように本実施の形態によれば、マルチビーム１ｃのブランキング密度マップに応じて最適な値に定められた最適制御パラメータを求め、この最適制御パラメータにより第１の偏向手段１１および第２の偏向手段１２を制御することができる。このため基板１３上において微小ビーム１ｄが正しく整列したマルチビーム１ｃを照射することができる。
【符号の説明】
【００６４】
１  荷電粒子ビーム描画装置
１ａ  ビーム
１ｂ  ビーム
１ｃ  マルチビーム
１ｄ  微小ビーム
２  照明系
３  ＰＤ系
４  投影系
５  基板ステーション
６  集光レンズ
７  電子銃
９  集光レンズ系
１０  吸収プレート
１１  第１の偏向手段
１２  第２の偏向手段
１３  基板
１４  基板ステージ
１６  アパーチャプレート
１７  ブランキングプレート
１７Ａ  ブランキング装置
１７ａ  開口部
２２、２３  開口
３０  アパーチャ装置
３５  制御装置
【図１】
2017011270.tif 000003
【図２】
2017011270.tif 000004
【図３】
2017011270.tif 000005
【図４】
2017011270.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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