(57)【要約】【課題】劈開の起点を低減し、素子チップの抗折強度を向上させる。【解決手段】第１主面および第２主面を備え、半導体層である第１層と絶縁膜を含む第２層とを備える基板を準備する工程と、基板の分割領域に第１主面側からレーザ光を照射して第１層が露出する露出部を備える開口を形成するとともに、露出部以外の開口の周囲に分割領域における第２層が残存した残存領域を形成し、分割領域における第１層に、露出部を含む第１層の表層部の第１ダメージ領域と残存領域に覆われる第１層の表層部の第２ダメージ領域とを形成するレーザスクライブ工程と、第２ダメージ領域を露出させる露出工程と、第２主面を支持部材で支持した状態で開口を第１プラズマに晒すことにより、第１および第２ダメージ領域とともに第１層をエッチングして、素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を備える素子チップの製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面および第２主面を備え、半導体層である第１層と、前記第１層の前記第１主面側に形成された絶縁膜を含む第２層と、を備える基板であって、複数の素子領域と、前記素子領域を画定する分割領域を備える基板を準備する工程と、
前記分割領域に前記第１主面側からレーザ光を照射して、前記分割領域に前記第１層が露出する露出部を備える開口を形成するとともに、前記露出部以外の前記開口の周囲に、前記分割領域における前記第２層が残存した残存領域を形成し、前記分割領域における前記第１層に、前記露出部を含む前記第１層の表層部の第１ダメージ領域と前記残存領域に覆われる前記第１層の表層部の第２ダメージ領域とを形成するレーザスクライブ工程と、
前記レーザスクライブ工程の後、少なくとも前記第２ダメージ領域を覆う前記残存領域をエッチングして、前記第２ダメージ領域を露出させる露出工程と、
前記露出工程の後、前記第２主面を支持部材で支持した状態で、前記開口を第１プラズマに晒すことにより、前記第１ダメージ領域および前記第２ダメージ領域とともに前記第１層をエッチングして、前記基板を、前記素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を備える、素子チップの製造方法。
【請求項２】
前記レーザスクライブ工程では、前記開口を、前記第１主面から前記第２主面に向かって狭くなるテーパ形状に形成する、請求項１に記載の素子チップの製造方法。
【請求項３】
前記露出工程では、フッ化炭素を含むプロセスガスを原料とする第２プラズマにより、前記残存領域をエッチングする、請求項１または２に記載の素子チップの製造方法。
【請求項４】
前記露出工程では、アルゴンを含むプロセスガスを原料とする第３プラズマを用いるとともに、前記基板が載置されるプラズマ処理ステージに高周波電力を印加しながら、前記残存領域をエッチングする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザスクライブ工程を含む素子チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子チップは、図５に示すように、半導体層である第１層３１と絶縁膜を含む第２層３２とを含む基板３０をダイシングすることによって製造される。基板３０は、基板３０を区画する分割領域Ｒ１１と分割領域Ｒ１１によって画定される複数の素子領域Ｒ１２とを備える（図５（ａ））。基板３０の分割領域Ｒ１１を除去することにより、基板３０はダイシングされて、複数の素子チップ１３０が形成される。特許文献１は、分割領域Ｒ１１をレーザ光Ｌによってスクライビングした後（図５（ｂ））、プラズマＰによってエッチングすることにより（図５（ｃ））、基板３０をダイシングすることを教示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１３−５３５１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
レーザスクライブ工程（図５（ｂ））では、通常、熱影響により基板３０にダメージ領域ＤＲが形成される。ダメージ領域ＤＲは、熱の伝搬により、レーザ光が照射された分割領域Ｒ１１よりも広がって形成される。そのため、その後、分割領域Ｒ１１をプラズマエッチングにより除去しても、素子領域Ｒ１２、つまり、ダイシングされた素子チップ１３０の端面には、ダメージ領域ＤＲが残存する（図５（ｃ））。ダメージ領域ＤＲでは、結晶の乱れや、多結晶の場合は結晶粒の粗大化がみられる。そのため、特に、第１層３１に残存するダメージ領域ＤＲは、第１層３１が劈開する起点になり易く、素子チップ１３０が損傷する原因となり得る。つまり、この方法では、素子チップ１３０の抗折強度が低下し易い。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一局面は、第１主面および第２主面を備え、半導体層である第１層と、前記第１層の前記第１主面側に形成された絶縁膜を含む第２層と、を備える基板であって、複数の素子領域と、前記素子領域を画定する分割領域を備える基板を準備する工程と、前記分割領域に前記第１主面側からレーザ光を照射して、前記分割領域に前記第１層が露出する露出部を備える開口を形成するとともに、前記露出部以外の前記開口の周囲に、前記分割領域における前記第２層が残存した残存領域を形成し、前記分割領域における前記第１層に、前記露出部を含む前記第１層の表層部の第１ダメージ領域と前記残存領域に覆われる前記第１層の表層部の第２ダメージ領域とを形成するレーザスクライブ工程と、前記レーザスクライブ工程の後、少なくとも前記第２ダメージ領域を覆う前記残存領域をエッチングして、前記第２ダメージ領域を露出させる露出工程と、前記露出工程の後、前記第２主面を支持部材で支持した状態で、前記開口を第１プラズマに晒すことにより、前記第１ダメージ領域および前記第２ダメージ領域とともに前記第１層をエッチングして、前記基板を、前記素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を備える、素子チップの製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、劈開の起点が低減するため、素子チップの抗折強度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る製造方法の各工程を示す断面図である（（ａ）〜（ｄ））。
【図２】図１（ｂ）および（ｃ）における第１層と第２層との境界部分を拡大して示す断面図である（（ｂ）および（ｃ））。
【図３】搬送キャリアを示す上面図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図４】プラズマ処理装置の概略構造を断面で示す概念図である。
【図５】従来の素子チップの製造方法の各工程を示す断面図である（（ａ）〜（ｃ））。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本実施形態では、ダイシングされた素子チップに、レーザ光によるダメージ領域を残さない方法により、基板をダイシングする。すなわち、第１主面および第２主面を備え、半導体層である第１層と、第１層の第１主面側に形成された絶縁膜を含む第２層と、を備える基板であって、複数の素子領域と、素子領域を画定する分割領域を備える基板を準備する工程と、分割領域に第１主面側からレーザ光を照射して、分割領域に第１層が露出する露出部を備える開口を形成するとともに、露出部以外の開口の周囲に、分割領域における第２層が残存した残存領域を形成し、分割領域における第１層に、露出部を含む第１層の表層部の第１ダメージ領域と残存領域に覆われる第１層の表層部の第２ダメージ領域とを形成するレーザスクライブ工程と、レーザスクライブ工程の後、少なくとも第２ダメージ領域を覆う残存領域をエッチングして、第２ダメージ領域を露出させる露出工程と、露出工程の後、第２主面を支持部材で支持した状態で、開口を第１プラズマに晒すことにより、第１ダメージ領域および第２ダメージ領域とともに第１層をエッチングして、基板を、素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を備える方法により、素子チップを製造する。
【０００９】
本実施形態に係る製造方法を、図１および図２を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る製造方法を示す断面図である（（ａ）〜（ｄ））。図２（ｂ）は、図１（ｂ）の要部を拡大して示す断面図であり、図２（ｃ）は、図１（ｃ）の要部を拡大して示す断面図である。
【００１０】
（１）準備工程
まず、ダイシングの対象となる基板１０を準備する（図１（ａ））。基板１０は、第１主面１０Ｘおよび第２主面１０Ｙを備えており、半導体層である第１層１１と、第１層１１の第１主面１０Ｘ側に形成された絶縁膜を含む第２層１２と、を備える。また、基板１０は、分割領域Ｒ１と、分割領域Ｒ１によって画定される複数の素子領域Ｒ２とに区画されている。したがって、第１層１１は、分割領域Ｒ１に対応する第１分割領域１１１と、素子領域Ｒ２に対応する複数の第１素子領域１１２とを備える。第２層１２は、分割領域Ｒ１に対応する第２分割領域１２１と、素子領域Ｒ２に対応する複数の第２素子領域１２２とを備える。基板１０の素子領域Ｒ２（第１素子領域１１２および第２素子領域１２２）には、半導体回路、電子部品素子、ＭＥＭＳ等の回路層（いずれも図示せず）が形成されていてもよい。
【００１１】
第１層１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等からなる半導体層である。第２層１２は、少なくとも絶縁膜を含んでいる。絶縁膜は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）等を含む。第２層１２は、絶縁膜の他、多層配線層（例えば、ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）材料と銅（Ｃｕ）配線層との積層体）、金属材料、樹脂保護層（例えば、ポリイミド）、レジスト等を含んでいてもよい。
【００１２】
（２）レーザスクライブ工程
レーザスクライブ工程では、第２分割領域１２１に第１主面１０Ｘ側からレーザ光Ｌを照射して、第２分割領域１２１の一部を除去し、第１分割領域１１１が一部露出した開口１０Ａを形成する（図１（ｂ）、図２（ｂ））。言い換えれば、レーザスクライブ工程では、第１分割領域１１１の一部を露出させて、露出部１１１ａを形成する。
【００１３】
このとき、第２分割領域１２１をすべて除去するのではなく、露出部１１１ａ以外の開口１０Ａの周囲に第２分割領域１２１の一部を残存させる。開口１０Ａの周囲に残存する第２分割領域１２１（以下、残存領域１２１Ｒ）は、第１分割領域１１１の第１主面１０Ｘ側の表面の一部を覆う。以下、残存領域１２１Ｒに覆われた第１分割領域１１１の表面の一部を、被覆部１１１ｂと称す。被覆部１１１ｂは、例えば露出部１１１ａを挟持または囲むように形成される。
【００１４】
開口１０Ａの周囲に残存領域１２１Ｒを形成させる方法は特に限定されないが、例えば、開口１０Ａを、第１主面１０Ｘから第２主面１０Ｙに向かって狭くなるテーパ形状に形成する方法が挙げられる。この場合、開口１０Ａの断面を見ると、第２分割領域１２１と第１分割領域１１１との境界の近傍において、残存領域１２１Ｒは露出部１１１ａに向かって裾を引くような形状になる。そのため、被覆部１１１ｂが形成され易い。
【００１５】
テーパ形状の開口１０Ａは、例えば、レーザ光Ｌのビームプロファイル（ビームの形状）を制御することにより形成することができる。例えば、第２分割領域１２１の中央よりも第２分割領域１２１の端部への光強度が小さくなるように、レーザ光Ｌのビームプロファイルを制御する。これにより、第２分割領域１２１の端部はスクライブされ難くなり、露出部１１１ａを除いて、開口１０Ａの周囲には残存領域１２１Ｒが形成される。レーザ光Ｌの分布は特に限定されないが、第２分割領域１２１の中央に対する第２分割領域１２１の端部の光強度の比は、例えば、０．１〜０．５である。ビームプロファイルの制御は、例えば、光学レンズなどの光学素子等を用いて行えばよい。レーザ光Ｌの中心波長は特に限定されず、例えば３５０〜６００ｎｍである。
【００１６】
ところで、レーザ光Ｌの照射により、開口１０Ａの周囲には、レーザ光Ｌの熱影響を受けたダメージ領域ＤＲが形成される。そのため、露出部１１１ａの下方に第１ダメージ領域ＤＲ１が形成されるとともに、被覆部１１１ｂの下方にも第２ダメージ領域ＤＲ２が形成される。残存領域１２１Ｒもまた、第３ダメージ領域ＤＲ３を含んでいる。図１（ｂ）において、ダメージ領域ＤＲとそれ以外の領域との境界面Ｓを破線で示す。ダメージ領域ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３の厚みは、レーザ光Ｌの照射条件やレーザ光Ｌが照射される部分の材質によって変わるが、例えば、０．１〜１０μｍ程度である。
【００１７】
（３）露出工程
レーザスクライブ工程の後、プラズマダイシング工程の前に、少なくとも被覆部１１１ｂを覆う残存領域１２１Ｒをエッチングして、第２ダメージ領域ＤＲ２を露出させる（図１（ｃ）、図２（ｃ））。これにより、第１ダメージ領域ＤＲ１の表面（露出部１１１ａ）および第２ダメージ領域ＤＲ２の表面（被覆部１１１ｂ）がともに、開口１０Ａから露出する。そのため、後で行われるプラズマダイシング工程において、第１ダメージ領域ＤＲ１に加えて、第２ダメージ領域ＤＲ２もエッチングされる。
【００１８】
露出工程におけるエッチングの方法は特に限定されず、プラズマエッチング等のドライエッチング法であっても、ウェットエッチング法であってもよい。なかでも、後工程でプラズマダイシングを行うことを考慮すると、生産性の観点から、プラズマによるエッチングであることが好ましい。この場合、開口１０Ａの幅が拡張されるようにエッチングが行われ、開口１０Ａよりも拡張された開口１０ＡＳが形成される。また、第３ダメージ領域ＤＲ３のほぼすべてがエッチングされ得る。プラズマエッチングを用いる露出工程は、ハンドリング性の観点から、第２主面１０Ｙを支持部材２２（図１（ｄ）参照）で支持した状態で行われることが好ましい。
【００１９】
支持部材２２の材質は特に限定されない。なかでも、基板１０が支持部材２２で支持された状態でダイシングされることを考慮すると、得られる素子チップ１１０がピックアップし易い点で、支持部材２２は、柔軟性のある樹脂フィルムであることが好ましい。この場合、ハンドリング性の観点から、図３に示すように、支持部材２２はフレーム２１に固定される。以下、フレーム２１と、フレーム２１に固定された支持部材２２とを併せて、搬送キャリア２０と称する。図３は、搬送キャリア２０を示す上面図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【００２０】
樹脂フィルムの材質は特に限定されず、例えば、ポリエチレンおよびポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル等の熱可塑性樹脂が挙げられる。樹脂フィルムには、伸縮性を付加するためのゴム成分（例えば、エチレン−プロピレンゴム（ＥＰＭ）、エチレン−プロピレン−ジエンゴム（ＥＰＤＭ）等）、可塑剤、軟化剤、酸化防止剤、導電性材料等の各種添加剤が配合されていてもよい。また、上記熱可塑性樹脂は、アクリル基等の光重合反応を示す官能基を有していてもよい。
【００２１】
支持部材２２は、例えば、粘着剤を有する面（粘着面２２ａ）と粘着剤を有しない面（非粘着面２２ｂ）とを備えている。粘着面２２ａの外周縁は、フレーム２１の一方の面に貼着しており、フレーム２１の開口を覆っている。粘着面２２ａのフレーム２１の開口から露出した部分に、基板１０が貼着されて保持される。プラズマ処理の際、支持部材２２は、プラズマ処理ステージ（以下、単にステージと称す）と非粘着面２２ｂとが接するように、ステージに載置される。
【００２２】
粘着面２２ａは、紫外線（ＵＶ）の照射によって粘着力が減少する粘着成分からなることが好ましい。これにより、プラズマダイシング後に素子チップ１１０をピックアップする際、ＵＶ照射を行うことにより、素子チップ１１０が粘着面２２ａから容易に剥離されて、ピックアップし易くなる。例えば、支持部材２２は、樹脂フィルムの片面にＵＶ硬化型アクリル粘着剤を、５〜２０μｍの厚みに塗布することにより得られる。
【００２３】
フレーム２１は、基板１０の全体と同じかそれ以上の面積の開口を有した枠体であり、所定の幅および略一定の薄い厚みを有している。フレーム２１は、支持部材２２および基板１０を保持した状態で搬送できる程度の剛性を有している。フレーム２１の開口の形状は特に限定されないが、例えば、円形や、矩形、六角形など多角形であってもよい。フレーム２１には、位置決めのためのノッチ２１ａやコーナーカット２１ｂが設けられていてもよい。フレーム２１の材質としては、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属や、樹脂等が挙げられる。
【００２４】
次に、図４を参照しながら、プラズマエッチングおよびプラズマダイシング工程に使用されるプラズマ処理装置２００を具体的に説明するが、プラズマ処理装置はこれに限定されるものではない。図４は、本実施形態に用いられるプラズマ処理装置２００の構造の断面を概略的に示している。
【００２５】
プラズマ処理装置２００は、ステージ２１１を備えている。搬送キャリア２０は、支持部材２２の基板１０を保持している面が上方を向くように、ステージ２１１に搭載される。ステージ２１１の上方には、フレーム２１および支持部材２２の少なくとも一部を覆うとともに、基板１０の少なくとも一部を露出させるための窓部２２４Ｗを有するカバー２２４が配置されている。
【００２６】
ステージ２１１およびカバー２２４は、反応室（真空チャンバ２０３）内に配置されている。真空チャンバ２０３は、上部が開口した概ね円筒状であり、上部開口は蓋体である誘電体部材２０８により閉鎖されている。真空チャンバ２０３を構成する材料としては、アルミニウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、表面をアルマイト加工したアルミニウム等が例示できる。誘電体部材２０８を構成する材料としては、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、石英（ＳｉＯ2）等の誘電体材料が例示できる。誘電体部材２０８の上方には、上部電極としてのアンテナ２０９が配置されている。アンテナ２０９は、第１高周波電源２１０Ａと電気的に接続されている。ステージ２１１は、真空チャンバ２０３内の底部側に配置される。
【００２７】
真空チャンバ２０３には、ガス導入口２０３ａが接続されている。ガス導入口２０３ａには、プロセスガスの供給原であるプロセスガス源２１２およびアッシングガス源２１３が、それぞれ配管によって接続されている。また、真空チャンバ２０３には、排気口２０３ｂが設けられており、排気口２０３ｂには、真空チャンバ２０３内のガスを排気して減圧するための真空ポンプを含む減圧機構２１４が接続されている。
【００２８】
ステージ２１１は、それぞれ略円形の電極層２１５と、金属層２１６と、電極層２１５および金属層２１６を支持する基台２１７と、電極層２１５、金属層２１６および基台２１７を取り囲む外周部２１８とを備える。外周部２１８は導電性および耐エッチング性を有する金属により構成されており、電極層２１５、金属層２１６および基台２１７をプラズマから保護する。外周部２１８の上面には、円環状の外周リング２２９が配置されている。外周リング２２９は、外周部２１８の上面をプラズマから保護する役割をもつ。電極層２１５および外周リング２２９は、例えば、上記の誘電体材料により構成される。
【００２９】
電極層２１５の内部には、静電吸着機構を構成する電極部（以下、ＥＳＣ電極２１９と称する）と、第２高周波電源２１０Ｂに電気的に接続された高周波電極部２２０とが配置されている。ＥＳＣ電極２１９には、直流電源２２６が電気的に接続されている。静電吸着機構は、ＥＳＣ電極２１９および直流電源２２６により構成されている。
【００３０】
金属層２１６は、例えば、表面にアルマイト被覆を形成したアルミニウム等により構成される。金属層２１６内には、冷媒流路２２７が形成されている。冷媒流路２２７は、ステージ２１１を冷却する。ステージ２１１が冷却されることにより、ステージ２１１に搭載された支持部材２２が冷却されるとともに、ステージ２１１にその一部が接触しているカバー２２４も冷却される。これにより、基板１０や支持部材２２が、プラズマ処理中に加熱されることによって損傷されることが抑制される。冷媒流路２２７内の冷媒は、冷媒循環装置２２５により循環される。
【００３１】
ステージ２１１の外周付近には、ステージ２１１を貫通する複数の支持部２２２が配置されている。支持部２２２は、昇降機構２２３Ａにより昇降駆動される。搬送キャリア２０が真空チャンバ２０３内に搬送されると、所定の位置まで上昇した支持部２２２に受け渡される。支持部２２２は、搬送キャリア２０のフレーム２１を支持する。支持部２２の上端面がステージ２１１と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア２０は、ステージ２１１の所定の位置に搭載される。
【００３２】
カバー２２４の端部には、複数の昇降ロッド２２１が連結しており、カバー２２４を昇降可能にしている。昇降ロッド２２１は、昇降機構２２３Ｂにより昇降駆動される。昇降機構２２３Ｂによるカバー２２４の昇降の動作は、昇降機構２２３Ａとは独立して行うことができる。
【００３３】
制御装置２２８は、第１高周波電源２１０Ａ、第２高周波電源２１０Ｂ、プロセスガス源２１２、アッシングガス源２１３、減圧機構２１４、冷媒循環装置２２５、昇降機構２２３Ａ、昇降機構２２３Ｂおよび静電吸着機構を含むプラズマ処理装置２００を構成する要素の動作を制御する。
【００３４】
露出工程では、残存領域１２１Ｒの一部がエッチングされる条件でプラズマ処理が行われる。エッチングは、プラズマの物理的作用を利用して行われてもよいし、化学的作用を利用して行われてもよい。なかでも、残存領域１２１Ｒは絶縁膜を含んでいるため、ＣＦ４等のフッ化炭素を含むプロセスガスを原料とするプラズマＰ２の化学的作用により、エッチングが行われることが好ましい。
【００３５】
プラズマＰ２は、例えば、原料ガスとしてＣＦ４を１５０〜２５０ｓｃｃｍで供給しながら、真空チャンバ２０３内の圧力を０．２〜１５Ｐａに調整し、第１高周波電源２１０Ａからアンテナ２０９への投入電力を１５００〜２５００Ｗ、第２高周波電源２１０Ｂから高周波電極部２２０への投入電力を１５０〜３００Ｗとする条件により発生させることができる。
【００３６】
残存領域１２１Ｒがさらに金属材料を含む場合、アルゴン（Ａｒ）を含むプロセスガスを原料とするプラズマＰ３の物理的作用により、エッチングを行うことが好ましい。プラズマＰ３は、例えば、原料ガスとしてＣＦ４とＡｒの混合ガス（ＣＦ４：Ａｒ＝５０：５０（体積比））を１５０〜２５０ｓｃｃｍで供給しながら、真空チャンバ２０３内の圧力を０．２〜１．５Ｐａに調整し、第１高周波電源２１０Ａからアンテナ２０９への投入電力を１５００〜２５００Ｗ、第２高周波電源２１０Ｂから高周波電極部２２０への投入電力を１５０〜３００Ｗとする条件により発生させることができる。
【００３７】
残存領域１２１Ｒがレジスト等の有機物を含む場合、酸素（Ｏ２）を含むプロセスガスを原料とするプラズマＰ４の化学的作用により、エッチングを行ってもよい。プラズマＰ４は、例えば、原料ガスとしてＣＦ４およびＯ２の混合ガス（ＣＦ４：Ｏ２＝５０：５０（体積比））を１５０〜３００ｓｃｃｍで供給しながら、真空チャンバ２０３内の圧力を５〜１５Ｐａに調整し、第１高周波電源２１０Ａからアンテナ２０９への投入電力を１５００〜２５００Ｗ、第２高周波電源２１０Ｂから高周波電極部２２０への投入電力を０〜２００Ｗとする条件により発生させることができる。
【００３８】
各プラズマの発生においては、複数種類のプロセスガスを併用してもよい。この場合、複数種類のプロセスガスを時間差で真空チャンバ２０３内に導入してもよいし、複数種類のプロセスガスを混合して、真空チャンバ２０３内に導入してもよい。なかでも、絶縁膜が効果的に除去される点で、プラズマＰ２によりエッチングが行われることが好ましい。
【００３９】
なお、残存領域１２１Ｒが金属材料を含む場合、高周波電極部２２０に高周波電力を印加して、バイアス電圧をかけながら、プラズマＰ３によりエッチングすることが好ましい。これにより、残存領域１２１Ｒがさらに効率的に除去される。なお、図１（ｃ）および図２（ｃ）は、プラズマＰ２によりエッチングする場合を示している。
【００４０】
（３）プラズマダイシング工程
次に、第２主面１０Ｙを支持部材２２で支持した状態で、基板１０をプラズマＰ１に晒す。プラズマＰ１は、第１分割領域１１１がエッチングされる条件により発生させる。上記エッチング条件は、第１層１１の材質に応じて適宜選択することができる。第１層１１がＳｉの場合、第１分割領域１１１のエッチングには、いわゆるボッシュプロセスを用いることができる。ボッシュプロセスでは、堆積膜堆積ステップと、堆積膜エッチングステップと、Ｓｉエッチングステップとを順次繰り返すことにより、第１分割領域１１１を深さ方向に掘り進む。
【００４１】
堆積膜堆積ステップは、例えば、原料ガスとしてＣ４Ｆ８を１５０〜２５０ｓｃｃｍで供給しながら、真空チャンバ２０３内の圧力を１５〜２５Ｐａに調整し、第１高周波電源２１０Ａからアンテナ２０９への投入電力を１５００〜２５００Ｗ、第２高周波電源２１０Ｂから高周波電極部２２０への投入電力を０Ｗとして、５〜１５秒間、処理する条件で行われる。
【００４２】
堆積膜エッチングステップは、例えば、原料ガスとしてＳＦ６を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、真空チャンバ２０３内の圧力を５〜１５Ｐａに調整し、第１高周波電源２１０Ａからアンテナ２０９への投入電力を１５００〜２５００Ｗ、第２高周波電源２１０Ｂから高周波電極部２２０への投入電力を１００〜３００Ｗとして、２〜１０秒間、処理する条件で行われる。
【００４３】
Ｓｉエッチングステップは、例えば、原料ガスとしてＳＦ６を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、真空チャンバ２０３内の圧力を５〜１５Ｐａに調整し、第１高周波電源２１０Ａからアンテナ２０９への投入電力を１５００〜２５００Ｗ、第２高周波電源２１０Ｂから高周波電極部２２０への投入電力を５０〜２００Ｗとして、１０〜２０秒間、処理する条件で行われる。
【００４４】
上記のような条件で、堆積膜堆積ステップ、堆積膜エッチングステップ、および、Ｓｉエッチングステップを繰り返すことにより、第１分割領域１１１は、１０μｍ／分の速度で深さ方向に垂直にエッチングされ得る。
【００４５】
このとき、第２素子領域１２２は、マスクとして機能する。そのため、プラズマダイシング工程では、第１層１１のうち、露出部１１１ａおよび露出工程で露出された被覆部１１１ｂを起点として、その下方に形成されている第１ダメージ領域ＤＲ１および第２ダメージ領域ＤＲ２、さらには第１分割領域１１１がエッチングされる。これにより、基板１０は、素子領域Ｒ２を備える複数の素子チップ１１０にダイシングされる。つまり、得られる素子チップ１１０、特に第１層１１（第１素子領域１１２）の端面には、劈開の起点となるダメージ領域ＤＲが残存しない。そのため、素子チップ１１０が使用される際に、外力（曲げ、衝撃など）が加えられる場合であっても、素子チップ１１０の損傷が抑制される。また、本実施形態では、基板１０は、支持部材２２により支持された状態でダイシングされる。そのため、ダイシング後、得られる素子チップ１１０は支持部材２２から剥離されながらピックアップされる。この場合にも、素子チップ１１０の端面にダメージ領域ＤＲが残存していないため、損傷させることなく素子チップ１１０をピックアップできる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明に係る方法によれば、抗折強度に優れる素子チップが得られるため、種々の基板から素子チップを製造する方法として有用である。
【符号の説明】
【００４７】
１０：基板
１０Ａ：開口
１０ＡＳ：拡張された開口
１０Ｘ：第１主面
１０Ｙ：第２主面
１１：第１層
１１１：第１分割領域
１１１ａ：露出部
１１１ｂ：被覆部
１１２：第１素子領域
１２：第２層
１２１：第２分割領域
１２１Ｒ：残存領域
１２２：第２素子領域
１１０：素子チップ
２０：搬送キャリア
２１：フレーム
２１ａ：ノッチ
２１ｂ：コーナーカット
２２：支持部材
２２ａ：粘着面
２２ｂ：非粘着面
２００：プラズマ処理装置
２０３：真空チャンバ
２０３ａ：ガス導入口
２０３ｂ：排気口
２０８：誘電体部材
２０９：アンテナ
２１０Ａ：第１高周波電源
２１０Ｂ：第２高周波電源
２１１：ステージ
２１２：プロセスガス源
２１３：アッシングガス源
２１４：減圧機構
２１５：電極層
２１６：金属層
２１７：基台
２１８：外周部
２１９：ＥＳＣ電極
２２０：高周波電極部
２２１：昇降ロッド
２２２：支持部
２２３Ａ、２２３Ｂ：昇降機構
２２４：カバー
２２４Ｗ：窓部
２２５：冷媒循環装置
２２６：直流電源
２２７：冷媒流路
２２８：制御装置
２２９：外周リング
３０：基板
３１：第１層
３２：第２層
１３０：素子チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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