(57)【要約】【課題】導電性が優れ、かつ耐熱性が優れた導電性高分子を化学酸化重合により合成できる導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤を提供することを主要な目的とする。【解決手段】本発明は導電性高分子の製造用の酸化剤であり、かつドーパント剤としても作用する導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤に係り、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸又はその塩の、第二鉄塩を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性高分子の製造用の酸化剤であり、かつドーパント剤としても作用する導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤であって、
フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸又はその塩の、第二鉄塩を含む導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤。
【請求項２】
前記フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸は、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド酸又はトリフルオロメタンスルホン酸を含み、
前記フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する塩は、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド又はトリフルオロメタンスルホン酸リチウムを含む、請求項１に記載の導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤。
【請求項３】
水酸化第二鉄を第１の溶媒中に分散し、水酸化第二鉄の分散液を得る第１工程と、
フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸またはその塩を前記第１の溶媒と相溶性のある第２の溶媒に溶解した溶液を準備する第２工程と、
前記第２工程で準備した溶液中に、前記第１工程で得られた水酸化第二鉄の分散液を添加して反応させ、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸又はその塩の、第二鉄塩を含む溶液を得る第３工程と、を備えた導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤の製造方法。
【請求項４】
前記フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸またはその塩１当量に対して前記水酸化第二鉄１.１〜１．５当量になる比率で、化学量論的に鉄を、酸又は塩より過剰に含有させて前記反応を行う、請求項３に記載の導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤の製造方法。
【請求項５】
チオフェン及びその誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の複素五員環化合物の溶液に、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸又はその塩の、第二鉄塩を含む導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤の溶液を添加し、前記複素五員環化合物の酸化重合を行うことを特徴とする導電性高分子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に導電性高分子製造用酸化剤に関するものであり、より特定的には、酸化剤としての機能に加えてドーパント剤としても働く導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤に関する。この発明は、また、そのような導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤の製造方法に関する。この発明はさらに、そのような導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤を用いて、チオフェン及びその誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の複素五員環化合物から導電性高分子を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性高分子はその高い導電性により、エレクトロニクス材料として、具体的には、アルミニウムコンデンサーやタンタルコンデンサーなどの固体電解質として用いられる。導電性高分子には、その性質上、すぐれた導電性を有するとともに、その導電性を過酷な条件下、例えば、高温高湿下においても、吸湿性や腐食性によりデバイス寿命の低下や性能の劣化を起こさないことが要求される。
【０００３】
この用途における導電性高分子としては、例えば、チオフェンまたはその誘導体などの重合性モノマーを化学酸化重合または電解酸化重合(以下、「酸化重合」と略記する。)することによって得られるものが用いられている。その酸化重合に際して、酸化剤としての機能とドーパント剤としての機能も併せ持つ酸化剤兼ドーパント剤として、ポリ（４−スチレンスルホン酸、ＰＳＳ）や有機スルホン酸の遷移金属塩が用いられている。それらの中でも、ベンゼン骨格やナフタレン骨格を有する芳香族スルホン酸の遷移金属塩等が知られている(特許文献１〜６)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４１２９９６１号
【特許文献２】特許第３８６８２０２号
【特許文献３】特許第４３３０１６０号
【特許文献４】特許第４３４２６０７号
【特許文献５】特許第４２０４０６１号
【特許文献６】特許第４２０９３０６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の酸化剤兼ドーパント剤は、化学構造にスルホン酸基を有することが特徴である。ＰＳＳ水分散液は、ｐＨ２以下で強酸である。有機スルホン酸の遷移金属塩は吸湿性により強酸性を示す。その結果、高い湿熱下では、デバイスを腐食させたり、劣化させ、過酷な条件下において、高い導電性を保持することが出来なくなるという課題があった。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、高い導電性を保持し、かつ化学酸化重合により、耐湿熱性に優れた導電性高分子を合成できる導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明の他の目的は、そのような導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤の製造方法に関する。
【０００８】
本発明のさらに他の目的は、そのような導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤を用いて、チオフェン及びその誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の複素五員環化合物から導電性高分子を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく研究した結果、特定の陰イオンを有する酸又はその塩の、第二鉄塩が、チオフェンまたはその誘導体の化学酸化重合を進行させ、かつ得られる導電性高分子が、導電性に優れ、かつ、耐熱性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、導電性高分子の製造用の酸化剤であり、かつドーパント剤としても作用する導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤であって、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸又はその塩の、第二鉄塩を含む。
【００１１】
本発明に係る導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤は、チオフェン及びその誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の複素五員環化合物の原料モノマーを化学酸化重合させるのに有効であった。
【００１２】
上記フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸は、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド酸又はトリフルオロメタンスルホン酸を含み、上記フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する塩は、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド又はトリフルオロメタンスルホン酸リチウムを含むのが好ましい。
【００１３】
本発明に係る導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤によれば、膜の表面に、スルホン酸基が現れてこないので、高い湿熱下でも、デバイスを腐食させない、デバイスを劣化させない、また過酷な条件下において、高い導電性を保持することができる。
【００１４】
本発明の他の局面に係る導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤の製造方法においては、まず、水酸化第二鉄を第１の溶媒中に分散し、水酸化第二鉄の分散液を得る（第１工程）。フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸またはその塩を上記第１の溶媒と相溶性のある第２の溶媒に溶解した溶液を準備する（第２工程）。上記第２工程で準備した溶液中に、上記第１工程で得られた水酸化第二鉄の分散液を添加して反応させ、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸又はその塩の、第二鉄塩を含む溶液を得る（第３工程）。
【００１５】
上記第１の溶媒と第２の溶媒は、同一であるのが好ましい。
【００１６】
上記フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸又はその塩１当量に対して上記水酸化第二鉄１.１〜１．５当量になる比率で、化学量論的に鉄を、酸又は塩より過剰に含有させて上記反応を行うのが好ましい。化学量論的に鉄を、酸又は塩より過剰に含有させることにより、得られる高分子の導電性を高めることができる。
【００１７】
本発明のさらに他の局面に係る導電性高分子の製造方法においては、チオフェン及びその誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の複素五員環化合物の溶液に、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸又はその塩の、第二鉄塩を含む導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤の溶液を添加し、上記複素五員環化合物の酸化重合を行うことを特徴とする。
【００１８】
原料モノマーとしては、チオフェン又はその誘導体が用いられる。たとえば、３，４−エチレンジオキシチオフェン、３−アルキルチオフェン、３−アルコキシチオフェン、３−アルキル−４-アルコキシチオフェン、３，４−アルキルチオフェン、３,４−アルコキシチオフェン、ポリエチレングリコール鎖を有するチオフェン誘導体などが挙げられる。そのアルキル基やアルコキシ基の炭素数は１〜１６が適しているが、特に、３，４−エチレンジオキシチオフェンが好ましい。
【００１９】
チオフェン又はその誘導体は液状なので、その重合にあたっては、そのまま使用してもよいし、またチオフェン又はその誘導体を例えばメタノール、プロパノール、ブタノール、アセトン、アセトニトリルなどの有機溶媒で希釈して溶液（有機溶媒溶液）状にして使用してもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤を用いてチオフェンまたはその誘導体を化学酸化重合することにより、導電性が優れ、かつ、耐熱性が優れた導電性高分子が得られる。得られた導電性高分子は、スルホン酸基が膜の表面に現れてこないので、高い湿熱下でも、デバイスを腐食させない、デバイスを劣化させない、また過酷な条件下において、高い導電性を保持することができる。その結果、高温・高湿条件下における信頼性の高いコンデンサー、バッテリーなどの固体電解質、また帯電防止シートや耐腐食塗料などに、有用に適用することが出来る。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
導電性が優れ、かつ耐熱性が優れた導電性高分子を合成できる導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤を得るという目的を、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸又はその塩の、第二鉄塩を合成することによって実現した。
【００２２】
本発明に係る導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤である、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸の第二鉄塩は、有機溶媒中で、ビストリフルオロメタンスルホニルイミド酸（ＨＴＦＳＩ）と水酸化第二鉄を反応させることによって得られた。水酸化第二鉄は、硫酸第二鉄を出発物質にしてアルカリ水溶液で加水分解することによって得たものを用いた。
【００２３】
本発明に係るさらに他の導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤である、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸の第二鉄塩は、有機溶媒中で、トリフルオロメタンスルホン酸と水酸化第二鉄を反応させることによって得られた。
【００２４】
本発明に係る他の導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤である、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する塩の第二鉄塩は、有機溶媒中で、リチウムビストリフルオロメタンスルホニルイミド（ＬｉＴＦＳＩ）と水酸化第二鉄を反応させることによって得られた。
【００２５】
得られたフルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸又はその塩の、第二鉄塩は、チオフェンまたはその誘導体の化学酸化重合を進行させるとともに、ドーパント剤としても作用することを見出した。
【００２６】
この酸化重合においては、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸又はその塩の第二鉄塩と、チオフェンまたはその重合体とを、有機溶媒で特定濃度となるよう、それぞれ別途あらかじめ希釈しておき、両液体を混合し、一定時間反応させた後、洗浄、乾燥して導電性高分子を合成することが出来る。ここで、酸化剤兼ドーパント剤として用いる、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸またはその塩の、第二鉄塩の鉄成分がチオフェン又はその誘導体の酸化重合剤として作用し、残りのフルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸またはその塩は高分子マトリックス中に含有され、ドーパント剤としての役割を果たすのである。
【００２７】
上記有機溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどが挙げられる、洗浄の際にも、上記溶媒のいずれかを用いればよい。このようにして合成された導電性高分子は、導電性と耐熱性に極めて優れるものであった。上記酸化重合時、ポリスチレンスルホン酸のような分散剤や、少量のＤＭＦ、ＤＭＳＯ、スルホランなどの高極性溶媒を添加すると導電性高分子の溶解性が増し、導電性が向上する。
【００２８】
導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤として、ビストリフルオロメタンスルホニルイミド酸（ＨＴＦＳＩ）と水酸化第二鉄を有機溶媒中で反応させて得た、上述の反応で得られた塩を用い、チオフェン誘導体モノマーとして、３,４-エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＯＴ）を用いた場合を例示して、この発明をさらに詳細に説明する。
【００２９】
化１の反応式に示すように、第二鉄イオン（Ｆｅ3+）は、ＥＤＯＴモノマーから電子（ｅ-）を奪い、自らは酸化数が減少して、第一鉄イオン（Ｆｅ2+）に変化する。一方、ＥＤＯＴモノマーは電子（ｅ-）を奪われながら、すなわち酸化されながら重合して、ポリチオフェンであるＰＥＤＯＴになる。
【化１】
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【００３０】
ビストリフルオロメタンスルホニルイミド酸（ＨＴＦＳＩ）は、化学酸化重合で生成したＰＥＤＯＴのドーパント剤として作用する。
【００３１】
一般に、導電性ポリマー中では、電子は共役系に沿って非局在化している。これは普通π軌道の重なりを通してのものであり、π系が拡張されて価電子帯を形成している。このπ系から電子を取り除くか（pドーピング）、あるいは電子を与えると（nドーピング）、ポーラロン又はバイポーラロンと呼ばれる電荷を帯びた単位が生成する。ポーラロン又はバイポーラロンがポリマー鎖の中を移動することによって、巨視的な導電性が発現するのである。
【００３２】
本発明によれば、上記化１に示すように、高い求核性を有するドーパントアニオン（（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ-）は、線状ポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）と強く相関し、カチオンラジカル性を帯びたポーラロン（ラジカルカチオン）あるいはバイポーラロン（ジカチオン）を生起し、これを安定化させる。すなわち、ドーパントアニオン（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ- が pドーパント剤として作用する。その結果、本発明で得られたポリチオフェンは、ＰＥＤＯＴ−ＰＴＳ（ｐ−トルエンスルホン酸）で得られたものよりも、高い伝導性を有するのである。また、膜を形成した場合、スルホン酸基が膜の表面に現れて来ないので、高い湿熱下でも、デバイスを腐食させない及びデバイスを劣化させない。また過酷な条件下において、高い導電性を保持することができる。
【００３３】
本発明の他の態様として、導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤として、リチウムビストリフルオロメタンスルホニルイミド（ＬｉＴＦＳＩ）と水酸化第二鉄とを有機溶媒中で反応させて得た塩を用い、モノマーに３−（２−（２−（２−ブトキシエトキシ）エトキシ）エトキシ）−４−メチルチオフェン（ＢＥＥＭＴ）を用いると、Ｌｉイオンがエーテル酸素に配位し、キレート化合物を形成した、ＰＢＥＥＭＴのポーラロン又はバイポーラロンが得られた。
【００３４】
すなわち、第二鉄イオン（Ｆｅ3+）は、ＢＥＥＭＴモノマーから電子（ｅ-）を奪い、自らは酸化数が減少して、第一鉄イオン（Ｆｅ2+）に変化する。一方、ＢＥＥＭＴモノマーは電子（ｅ-）を奪われながら、すなわち酸化されながら重合してＰＢＥＥＭＴのポーラロン又はバイポーラロンになる。第二鉄イオン（Ｆｅ3+）は第一鉄イオン（Ｆｅ2+）に変化する際に、反応系内にリチウムビストリフルオロメチルスルホニルイミド（ＬｉＴＦＳＩ）を再生する。
【００３５】
上記再生されたリチウムビストリフルオロメチルスルホニルイミド（ＬｉＴＦＳＩ）は、化学酸化重合で生成したＰＢＥＥＭＴのドーパント剤として作用するのである。すなわち、高い求核性を有するドーパントアニオン（（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ-）は、ＰＢＥＥＭＴと強く相関し、カチオンラジカル性を帯びたポーラロン（ラジカルカチオン）あるいはバイポーラロン（ジカチオン）を生起させ、これを安定化させる。得られたポーラロン又はバイポーラロンがポリマー鎖の中を移動することによって、巨視的な導電性が発現する。一方、Ｌｉイオンはエーテル酸素に配位して安定化するのである。
【００３６】
この導電性ポリチオフェンであるＰＢＥＥＭＴに外部より電場が印加されると、硬化膜中において、Ｌｉイオン種は、相応する極(膜表面)に向って、エーテル酸素原子の分子運動を利用して移動(イオン輸送)し、イオン伝導型の制電特性を発現する。すなわち、バトンを手渡しするようにＬｉイオンが分子内及び分子間を移動するイメージである。他方、カチオンラジカル性を帯びたＰＢＥＥＭＴが電子伝導型の制電特性を発現する。これは、ボールを筒中に転がすようにラジカル（電子）が分子内及び分子間を移動するイメージである。
【００３７】
得られた導電性ポリチオフェンは、イオン伝導型の制電特性と電子伝導型の制電特性の両者を合わせ持ち、これらの相乗効果により、制電性の大きいものとなる。この導電性ポリチオフェンは、導電性に優れ、かつ耐湿熱性に優れ、さらに透明性が高いという特徴も有する。
【００３８】
なお、ポリエーテル基を構成するポリエチレングリコール鎖のオキシエチレン単位の数は３以上が好ましい。このように構成すると、リチウムイオンが、エーテル酸素に取り囲まれて、４配位のキレートを形成し、ポリエーテル鎖の分子運動によりリチウムイオンが隣のエーテル酸素に次々と移って移動し、帯電防止性を強く発現する。
【００３９】
以下実施例について説明する。
【実施例】
【００４０】
（実施例１〜３）  導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤の合成
室温下、蒸留水１０００ｍｌに、Ｆｅ2(ＳＯ4)3・８Ｈ2Ｏを１０８グラム(０．２ｍｏｌ)溶解した溶液中に、この溶液を激しく撹絆しながら、水酸化ナトリウム(５ｍｏｌ/１)をゆっくりと添加してｐＨ７に調製した後、遠心分離機により上澄み液を取り除き、水酸化第二鉄の沈殿物を得た。さらに、蒸留水４０００ｍｌに上記水酸化第二鉄の沈殿物を分散させた後、遠心分離機により上澄み液を取り除く操作を２回繰り返した。得られた水酸化第二鉄の沈殿物を、n−ブタノール５００ｇに分散させた。
【００４１】
上記とは別に、表１に示す各種フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する酸(Ａ)又はその塩(Ｓ)を、あらかじめ、n−ブタノール５００ｇに溶解しておき、その溶液中に、上記水酸化第二鉄の分散液を添加し、室温下、１０時間かき混ぜて反応させた後、それぞれ濃度４０％の上記酸または塩の、第二鉄塩のｎ−ブタノール溶液を得た。
【表１】
2017216282.tif 000003
【００４２】
(実施例４)  ポリチオフェンの合成
【００４３】
３，４−エチレンジオキシチオフェン(ＥＤＯＴ)を、あらかじめｎ−ブタノールに濃度が０．５ｍｏｌ/ｌになるように溶解させ、内容積１０ｍｌの密栓付き三角フラスコに、１０ｍｌ入れた。次に、この三角フラスコに、表１の実施例１に係る導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤のｎ−ブタノールー溶液を２５０μｌ添加し混合し、十分に振とうし、チオフェン（ＥＤＯＴ）の酸化重合を開始させた。これを直ちに５ｃｍ×５ｃｍのセラミックプレート上に１５μｌ滴下し、湿度５５％、温度２５℃で２０時間放置して酸化重合を完結させた。重合後、エタノール中に上記プレートを投じて洗浄し、その後５０℃×１時間乾燥した。得られたポリチオフェンについて、導電率を測定した。結果を表２に示す。次いで、得られた試料を、湿度８０％、温度１１０℃の条件下に、４８時間放置した後、導電率を再度測定した。導電率の保持率を表２に併せて表示した。
【００４４】
導電率の保持率(Ｒ，％)は、次式によって計算した。
【数１】
2017216282.tif 000004
【００４５】
(実施例５)  ポリチオフェンの合成
【００４６】
表１の実施例２に係る導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、ポリチオフェンを合成し、導電率及び導電率の保持率を求めた。結果を表２に示す。
【００４７】
(実施例６)  ポリチオフェンの合成
【００４８】
表１の実施例３に係る導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤を用いたこと以外は、実施例４と同様にして、ポリチオフェンを合成し、導電率及び導電率の保持率を求めた。結果を表２に示す。
【００４９】
（比較例１）  ポリチオフェンの合成
導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤として、ｐ−トルエンスルホン酸を用いて調整した第二鉄塩の酸化剤を用いたこと以外は、実施例４と同様な方法で酸化重合を行い、得られたポリチオフェンの導電率及び保持率を測定した。結果を表２に示す。
【表２】
2017216282.tif 000005
【００５０】
なお、モノマーとして、３−(２−(２−ブトキシエトキシ)エトキシ)−４−メチルチオフェン(ＢＥＥＭＴ)を用いたこと以外は、実施例４〜実施例６と同様の条件で、導電性高分子を得た。得られた導電性高分子の導電率及び保持率は、実施例４〜６の場合とほぼ同様の値を示した。
【００５１】
（実施例７）  固体電解質の合成
表面をエッチング処理したアルミニウム箔を化成処理したアルミニウム箔を、陽極箔と陰極箔として、セパレーターを介して巻回したコンデンサー素子を作成した。次いで、該コンデンサー素子のセパレーター部に実施例６で用いたチオフェン原料モノマー溶液（ＣＨ１）を含侵させ、かつ実施例６で用いた第二鉄塩（リチウムビストリフルオロメタンスルホニルイミドの第二鉄塩）を含侵させ、１５０℃、６時間加熱することにより、ポリチオフェンからなる固体電解質を形成した。これを外装材で包装し、固体電解コンデンサーを得た。これらの固体電解コンデンサーの等価直列抵抗値(ＥＳＲ，電極、電解液、誘電体の合計抵抗値)を測定した。結果を表３に示す。
【００５２】
（比較例２）  固体電解質の合成
比較例１で使用した第二鉄塩を用いたこと以外は、実施例７と同様にして、固体電解コンデンサーを得た。得られた固体電解コンデンサーの等価直列抵抗値の結果を表３に合わせて示す。
【表３】
2017216282.tif 000006
【００５３】
なお、本発明において用いられるフルオロ基及びスルホニル基を備える陰イオンを有する塩としては、上述したもの以外にも、たとえば、ＬｉＮ（Ｃ2Ｆ5ＳＯ2）2、ＬｉＮ（Ｃ4Ｆ9ＳＯ2）（ＣＦ3ＳＯ2）、ＬｉＮ（Ｃ8Ｆ17ＳＯ2）（ＣＦ3ＳＯ2）、ＬｉＮ（ＣＦ3ＣＨ2ＯＳＯ2）2、ＬｉＮ（ＣＦ3ＣＦ2ＣＨ2ＯＳＯ2）2、ＬｉＮ（ＨＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＳＯ2）2、ＬｉＮ（（ＣＦ3）2ＣＨＯＳＯ2）2、トリス(フルオロアルキルスルホニル)メチドリチウム Ｌｉ(ＣＦ3ＳＯ2)3Ｃなども使用できる。
【００５４】
今回開示された実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５５】
なお、得られた導電性ポリチオフェンを、フルオロ基およびスルホニル基を備える陰イオンを有する塩を溶解した、重合性モノマー、オリゴマー又はプレポリマーの中に分散させることにより、制電剤のブリーディング、ブルーミングおよび移動汚染が生じない導電性組成物を与える。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明に係る導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント剤は、高い導電性を保持し、かつ耐湿熱性に優れた導電性高分子を与える。本発明によって得られた導電性ポリチオフェンは、塗膜及び制電性被覆物として適用する場合、塗布基体との密着性に優れ、低結晶性であることから滑らかな膜質を形成し、膜のヒビ割れや光散乱などを起こさない。この導電性重合体は、帯電防止および導電性コーティング、コンデンサー、タッチスクリーン、有機ＬＥＤ、透明導電性インクジェット印刷用インク、フィルムへの塗布・印刷などによる半導体包装材料や液晶保護フィルム向け、タッチパネル、有機ＥＬ、有機ＴＦＴ、有機半導体、色素増感太陽電池、導電性ポリマー電極、固体電解コンデンサー、導電性有機薄膜、電子デバイス、プリンテッド・エレクトロニクス、フレキシブル電子ペーパー等の電子部材用途に広範囲に使用できる。