(57)【要約】【課題】  より多くのコンデンサを実装可能な薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】  薄膜コンデンサ１において、第１の溝部２８Ａの側面に沿って設けられた第１の引き出し電極３０Ａは、第１の電極層２２とは接しているが、第２の電極層２４とは接していない。また、第２の溝部２８Ｂの側面に沿って設けられた第２の引き出し電極３０Ｂは、第２の溝部２８Ｂの側面２８ａに露出した第２の電極層２４とは接しているが、第１の電極層２２とは接していない。そのため、第１の溝部２８Ａと第２の溝部２８Ｂの間に、第１の引き出し電極３０Ａと接する第１の電極層２２と第２の引き出し電極３０Ｂと接する第２の電極層２４とが誘電体層２３を介して積層しているコンデンサ構造が形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極層と第２の電極層との間に誘電体層が介在する積層構造を有する積層体と、
積層方向における前記積層体の一端面側に設けられた第１の溝部および第２の溝部と、
前記第１の溝部および前記第２の溝部それぞれを横断し、各溝部の両側面に沿って設けられた一対の引き出し電極とを備え、
前記一対の引き出し電極のうち、前記第１の溝部に設けられた第１の引き出し電極は、第１の溝部の側面に露出した前記第１の電極層と接し、かつ、前記第２の電極層とは接せず、
前記一対の引き出し電極のうち、前記第２の溝部に設けられた第２の引き出し電極は、第２の溝部の側面に露出した前記第２の電極層とは接し、かつ、前記第１の電極層とは接しない、薄膜コンデンサ。
【請求項２】
前記第２の電極層の前記第１の溝部側の端面は、前記第１の溝部の側面から離れるように退行している、請求項１に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項３】
前記第２の電極層の前記第１の溝部側の端面と、前記第１の溝部の側面との間に、絶縁体を有する、請求項２に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項４】
前記第１の電極層の前記第２の溝部側の端面は、前記第２の溝部の側面から離れるように退行している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項５】
前記第１の電極層の前記第２の溝部側の端面と、前記第２の溝部の側面との間に、絶縁体を有する、請求項４に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項６】
第１の電極層と第２の電極層との間に誘電体層が介在する積層構造を有する積層体と、
前記積層体を積層方向において貫通する第１の貫通孔および第２の貫通孔と、
前記第１の貫通孔および前記第２の貫通孔それぞれを貫通し、外周面が各貫通孔の内側面に沿っている一対の貫通電極とを備え、
前記一対の貫通電極のうち、前記第１の貫通孔を貫通する第１の貫通電極は、第１の貫通孔の内側面に露出した前記第１の電極層と接し、かつ、前記第２の電極層とは接せず、
前記一対の貫通電極のうち、前記第２の貫通孔を貫通する第２の貫通電極は、第２の貫通孔の内側面に露出した前記第２の電極層とは接し、かつ、前記第１の電極層とは接しない、薄膜コンデンサ。
【請求項７】
前記第２の電極層の前記第１の貫通孔を囲む縁部の内周面は、前記第１の貫通孔の内側面から離れるように退行している、請求項６に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項８】
前記第２の電極層の前記第１の貫通孔を囲む縁部の内周面と、前記第１の貫通孔の内側面との間に、絶縁体を有する、請求項７に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項９】
前記第１の電極層の前記第２の貫通孔を囲む縁部の内周面は、前記第２の貫通孔の内側面から離れるように退行している、請求項６〜８のいずれか一項に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項１０】
前記第１の電極層の前記第２の貫通孔を囲む縁部の内周面と、前記第２の貫通孔の内側面との間に、絶縁体を有する、請求項９に記載の薄膜コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、下記特許文献１〜３において開示されたコンデンサのように、様々なタイプの薄膜コンデンサが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭５５−８０３１３号公報
【特許文献２】特開２０１４−７２３９号公報
【特許文献３】国際公開０７／０４６１７３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来技術に係る薄膜コンデンサは、単位面積当たりに実装できるコンデンサの数が少なく、より多くのコンデンサを実装可能な技術が望まれている。そこで、発明者らは、薄膜コンデンサの構成について研究を重ね、その結果、より多くのコンデンサを実装可能な技術を新たに見出した。
【０００５】
すなわち、本発明は、より多くのコンデンサを実装可能な薄膜コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る薄膜コンデンサは、第１の電極層と第２の電極層との間に誘電体層が介在する積層構造を有する積層体と、積層方向における積層体の一端面側に設けられた第１の溝部および第２の溝部と、第１の溝部および第２の溝部それぞれを横断し、各溝部の両側面に沿って設けられた一対の引き出し電極とを備え、一対の引き出し電極のうち、第１の溝部に設けられた第１の引き出し電極は、第１の溝部の側面に露出した第１の電極層と接し、かつ、第２の電極層とは接せず、一対の引き出し電極のうち、第２の溝部に設けられた第２の引き出し電極は、第２の溝部の側面に露出した第２の電極層とは接し、かつ、第１の電極層とは接しない。
【０００７】
上記薄膜コンデンサにおいては、積層体の一端面側に第１の溝部と第２の溝部とが設けられており、第１の溝部と第２の溝部の間に、第１の引き出し電極と接する第１の電極層と第２の引き出し電極と接する第２の電極層とが誘電体層を介して積層しているコンデンサ構造が形成されている。このようなコンデンサ構造は、積層体に同様の第１の溝部、第２の溝部および一対の引き出し電極を設けることで、その数を容易に増やすことができる。
【０００８】
本発明の他の態様に係る薄膜コンデンサは、第２の電極層の第１の溝部側の端面は、第１の溝部の側面から離れるように退行している。また、第２の電極層の第１の溝部側の端面と、第１の溝部の側面との間に、絶縁体を有する。
【０００９】
本発明の他の態様に係る薄膜コンデンサは、第１の電極層の第２の溝部側の端面は、第２の溝部の側面から離れるように退行している。また、第１の電極層の第２の溝部側の端面と、第２の溝部の側面との間に、絶縁体を有する。
【００１０】
本発明の一態様に係る薄膜コンデンサは、第１の電極層と第２の電極層との間に誘電体層が介在する積層構造を有する積層体と、積層体を積層方向において貫通する第１の貫通孔および第２の貫通孔と、第１の貫通孔および第２の貫通孔それぞれを貫通し、外周面が各貫通孔の内側面に沿っている一対の貫通電極とを備え、一対の貫通電極のうち、第１の貫通孔を貫通する第１の貫通電極は、第１の貫通孔の内側面に露出した第１の電極層と接し、かつ、第２の電極層とは接せず、一対の貫通電極のうち、第２の貫通孔を貫通する第２の貫通電極は、第２の貫通孔の内側面に露出した第２の電極層とは接し、かつ、第１の電極層とは接しない。
【００１１】
上記薄膜コンデンサにおいては、積層体を貫通する第１の貫通孔と第２の貫通孔とが設けられており、第１の貫通電極と接する第１の電極層と第２の貫通電極と接する第２の電極層とが誘電体層を介して積層しているコンデンサ構造が形成されている。このようなコンデンサ構造は、積層体に同様の第１の貫通孔、第２の貫通孔および一対の貫通電極を設けることで、その数を容易に増やすことができる。
【００１２】
本発明の他の態様に係る薄膜コンデンサは、第２の電極層の第１の貫通孔を囲む縁部の内周面は、第１の貫通孔の内側面から離れるように退行している。また、第２の電極層の第１の貫通孔を囲む縁部の内周面と、第１の貫通孔の内側面との間に、絶縁体を有する。
【００１３】
本発明の他の態様に係る薄膜コンデンサは、第１の電極層の第２の貫通孔を囲む縁部の内周面は、第２の貫通孔の内側面から離れるように退行している。また、第１の電極層の第２の貫通孔を囲む縁部の内周面と、第２の貫通孔の内側面との間に、絶縁体を有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の様々な態様によれば、より多くのコンデンサを実装可能な薄膜コンデンサが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、第１実施形態に係る薄膜コンデンサを示した斜視図である。
【図２】図２は、図１の薄膜コンデンサの側面図である。
【図３】図３は、第３実施形態に係る薄膜コンデンサを示した斜視図である。
【図４】図４は、図３の薄膜コンデンサのＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１、２に示すように、第１実施形態に係る薄膜コンデンサ１は、基板１０と、基板１０上に積層された積層体２０と、一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂとを備えて構成されている。薄膜コンデンサ１の外形寸法は、一例として、長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．１５ｍｍである。薄膜コンデンサ１は、小型で大容量の積層コンデンサであり、たとえば車載用コンデンサとして用いることができるが、この用途に限定されない。
【００１８】
基板１０は、板状または箔状であり、たとえばＮｉ等の金属で構成されている。図１に示した基板１０は、帯状であり、一定の幅を有するとともに一方向に長く延びている。
【００１９】
積層体２０は、複数の層が積層された積層構造を有しており、基板１０に近い方向から順に、基板保護層２１、第１の電極層２２、誘電体層２３、第２の電極層２４、絶縁層２５の順に並んでいる。
【００２０】
基板保護層２１は、金属酸化物等の絶縁性材料で構成されており、一例として、酸化ジルコン（ＺｒＯ２、ＺｒＯ２．９５、等）で構成されている。基板保護層２１の構成材料としては、酸化ジルコン以外にも、たとえば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ２．９５、等）や酸化ケイ素（ＳｉＯ２、ＳｉＯ２．９５等）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３等）、のような酸化物、窒化ケイ素（ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ３Ｎ３．９５等）のような窒化物、ＡｌＴｉＣのような炭化物、あるいはそれらの化合物や混合物を採用することができる。
【００２１】
第１の電極層２２は、一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂの一方の引き出し電極３０Ａに接続される内部電極層である。第１の電極層２２は、導電性材料で構成されており、一例として、Ｔｉで構成されている。第１の電極層２２を構成する導電性材料には、Ｔｉの他に、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ等の金属や、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金（ＡＰＣ）、ＮｉＣｒ等の合金を採用することができる。
【００２２】
誘電体層２３は、下側の第１の電極層２２と上側の第２の電極層２４とに挟まれており、両電極層２２、２４の間に介在している。誘電体層２３は、金属酸化物等の絶縁性材料で構成されており、一例として、Ａｌ２Ｏ３で構成されている。誘電体層２３の構成材料としては、Ａｌ２Ｏ３以外にも、たとえば、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＢａＴｉＯ３を採用することができる。
【００２３】
第２の電極層２４は、一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂの他方の引き出し電極３０Ｂに接続される内部電極層である。第２の電極層２４は、導電性材料で構成されており、一例として、Ｃｕで構成されている。第２の電極層２４を構成する導電性材料には、Ｃｕの他に、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅ等の金属や、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金（ＡＰＣ）、ＮｉＣｒ等の合金を採用することができる。
【００２４】
絶縁層２５は、絶縁性樹脂等の絶縁性材料で構成されており、一例として、エポキシ樹脂で構成されている。
【００２５】
積層体２０には、その上端面の側（すなわち、積層方向の一端面側）に、第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂが設けられている。第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂは、互いに平行に設けられており、いずれも基板１０の幅方向に沿って延びている。図１、２には示していないが、第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂが、基板１０の長手方向に沿って交互に並んでおり、積層体２０には第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂの対が複数設けられている。
【００２６】
第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂはいずれも、積層体２０の上端面から、積層体２０の最下層である基板保護層２１の上面まで延びている。各溝部２８Ａ、２８Ｂは、上端面側の幅が底側の幅より広くなっており、下方に向かうに従って幅狭になる逆台形断面を有する。このような溝部２８Ａ、２８Ｂは、積層体２０を構成する層のうちの第１の電極層２２、誘電体層２３、第２の電極層２４、絶縁層２５をエッチング等により部分的に除去し、基板保護層２１を除去せずに残すことで得られる。それにより、各溝部２８Ａ、２８Ｂの底に、基板保護層２１の上面が露出し、各溝部２８Ａ、２８Ｂの側面には、第１の電極層２２、誘電体層２３、第２の電極層２４、絶縁層２５の各端面が露出する。
【００２７】
一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂは、積層体２０上に、各溝部２８Ａ、２８Ｂを横断するように設けられている。具体的には、一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂのうち、一方の引き出し電極（第１の引き出し電極）３０Ａは第１の溝部２８Ａを横断するように設けられており、外部端子Ｔ１に接続される。一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂのうち、他方の引き出し電極（第２の引き出し電極）３０Ｂは第２の溝部２８Ｂを横断するように設けられている。各引き出し電極３０Ａ、３０Ｂは、金属等の導電性材料で構成されており、一例としてＣｕで構成されている。
【００２８】
各引き出し電極３０Ａ、３０Ｂは、各溝部２８Ａ、２８Ｂの側面２８ａに沿って設けられており、外部端子Ｔ１とは異なる極性の外部端子Ｔ２に接続される。そして、引き出し電極３０Ａ、３０Ｂはそれぞれ、溝部２８Ａ、２８Ｂの側面２８ａに露出した第１の電極層２２および第２の電極層２４の一方と接続されている。具体的には、第１の引き出し電極３０Ａは、第１の溝部２８Ａの側面２８ａに露出した第１の電極層２２とは接しているが、第２の電極層２４とは接していない。また、第２の引き出し電極３０Ｂは、第２の溝部２８Ｂの側面２８ａに露出した第２の電極層２４とは接しているが、第１の電極層２２とは接していない。
【００２９】
ここで、各溝部２８Ａ、２８Ｂにおける一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂと一対の電極層２２、２４の接続状態について、図２を参照しつつより詳しく説明する。
【００３０】
図２に示すように、第２の電極層２４の第１の溝部２８Ａ側の端面２４ａは、第１の溝部２８Ａの側面２８ａから離れるように退行している。また、第２の電極層２４の第２の溝部２８Ｂ側の端面２４ｂは、退行しておらず、第２の溝部２８Ｂの側面２８ａに沿っている。そして、第２の電極層２４の第１の溝部２８Ａ側の端面２４ａと、第１の溝部２８Ａの側面２８ａとの間に絶縁体２９Ａが配置されている。絶縁体２９Ａは、公知の種々の絶縁性材料で構成することができ、たとえば絶縁性樹脂やＡｌ２Ｏ３等の金属酸化物、ＴＥＯＳ等で構成することができる。
【００３１】
第１の電極層２２の第１の溝部２８Ａ側の端面２２ａは、第１の溝部２８Ａの側面２８ａに沿っている。第１の電極層２２の第２の溝部２８Ｂ側の端面２２ｂは、第２の溝部２８Ｂの側面２８ａから離れるように退行している。そして、第１の電極層２２の第２の溝部２８Ｂ側の端面２２ｂと、第２の溝部２８Ｂの側面２８ａとの間に絶縁体２９Ｂが配置されている。絶縁体２９Ｂは、上述した絶縁体２９Ａ同様、公知の種々の絶縁性材料で構成することができ、たとえばＡｌ２Ｏ３等の金属酸化物やＴＥＯＳ等で構成することができる。
【００３２】
上述した一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂと一対の電極層２２、２４の接続状態は、たとえば以下の手順により得ることができる。
【００３３】
（工程１）
基板１０上に、基板保護層２１を成膜する。一例として、基板１０として厚さ１００μｍのＮｉ箔を用い、このＮｉ箔上に、厚さ２００ｎｍのＺｒＯ２層（基板保護層２１）をスパッタリングにより成膜する。
【００３４】
（工程２）
工程１の基板保護層２１の上に、第１の電極層２２、誘電体層２３、第２の電極層２４を順に成膜する。一例として、厚さ２００ｎｍのＴｉ層（第１の電極層２２）、厚さ２００ｎｍのＡｌ２Ｏ３層（誘電体層２３）、厚さ２００ｎｍのＣｕ層（第２の電極層２４）を順にスパッタリングにより成膜する。
【００３５】
（工程３）
工程２の第２の電極層２４の表面に、上記溝部２８Ａ、２８Ｂに対応する部分に開口を有するレジストで覆う。具体的には、第２の電極層２４の表面全体をレジストで覆った後、所定の露光および現像でおこなって開口を設ける。
【００３６】
（工程４）
工程３のレジストを用いてドライエッチングをおこない、基板保護層２１の上面まで延びる第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂを形成する。各溝部２８Ａ、２８Ｂの幅（基板１０の長手方向に関する長さ）は、たとえば１００μｍとすることができる。
【００３７】
（工程５）
工程４の後、第１の溝部２８Ａ以外の部分をレジストで覆い、ペルオキソ二硫酸アンモニウムで第１の溝部２８Ａのサイドエッチングをおこなう。ペルオキソ二硫酸アンモニウムにより、第１の溝部２８Ａの側面２８ａに露出した第２の電極層２４（Ｃｕ層）が選択的にエッチングされ、第２の電極層２４の第１の溝部２８Ａ側の端面２４ａが、第１の溝部２８Ａの側面２８ａから離れるように退行する。このときサイドエッチングされる長さは、一例として３μｍである。なお、ペルオキソ二硫酸アンモニウムによるエッチングでは、第１の溝部２８Ａの側面２８ａに露出した第１の電極層２２（Ｔｉ層）および底面に露出した基板保護層２１（ＺｒＯ２層）は実質的にエッチングされない。
【００３８】
（工程６）
工程５のレジストを除去した後、第２の溝部２８Ｂ以外の部分をレジストで覆い、過酸化水素水とアンモニアの混合液で第２の溝部２８Ｂのサイドエッチングをおこなう。過酸化水素水とアンモニアの混合液により、第２の溝部２８Ｂの側面２８ａに露出した第１の電極層２２（Ｔｉ層）が選択的にエッチングされ、第１の電極層２２の第２の溝部２８Ｂ側の端面２２ｂが、第２の溝部２８Ｂの側面２８ａから離れるように退行する。このときサイドエッチングされる長さは、一例として３μｍである。なお、過酸化水素水とアンモニアの混合液によるエッチングでは、第２の溝部２８Ｂの側面２８ａに露出した第２の電極層２４（Ｃｕ層）および底面に露出した基板保護層２１（ＺｒＯ２層）は実質的にエッチングされない。
【００３９】
（工程７）
工程６のレジストを除去した後、ポジレジストで覆って全面露光した後に現像をおこない、第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂのサイドエッチングした部分に絶縁体２９Ａ、２９Ｂとして樹脂絶縁層を設ける。なお、サイドエッチングした部分に絶縁体２９Ａ、２９Ｂを設ける製法として、原子層堆積（ＡＬＤ）や電気泳動を利用した製法を採用することもできる。
【００４０】
（工程８）
第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂの側面２８ａに、絶縁体２９Ａ、２９Ｂが設けられていない各電極層２２、２４の端面を酸素プラズマで露出させるとともに、一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂの形成領域にシード層をスパッタリングで成膜した後にＣｕめっきをおこない、一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂを形成する。
【００４１】
以上において説明したとおり、一対の電極層２２、２４を構成する金属材料（本実施形態ではＴｉとＣｕ）を相異させるとともに、各金属材料を選択的にエッチングする２種類のエッチング液（本実施形態では、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、および、過酸化水素水とアンモニアとの混合液）を用いて溝部２８Ａ、２８Ｂをサイドエッチングすることで、一方の溝部２８Ａでは一方の電極層２２のみが露出し、他方の溝部２８Ｂでは他方の電極層２４のみが露出する構造が得られる。
【００４２】
そのため、所定のエッチング液で積層体２０に溝部２８Ａ、２８Ｂを形成した後、各溝部２８Ａ、２８Ｂの側面２８ａに沿って引き出し電極３０Ａ、３０Ｂを設けるだけで、両溝部２８Ａ、２８Ｂの間に簡素な構成のコンデンサ構造が容易に形成される。
【００４３】
以上において説明したとおり、第１実施形態に係る薄膜コンデンサ１は、積層体２０の上端面側に第１の溝部２８Ａと第２の溝部２８Ｂとが設けられており、第１の溝部２８Ａと第２の溝部２８Ｂの間に、第１の引き出し電極３０Ａと接する第１の電極層２２と第２の引き出し電極３０Ｂと接する第２の電極層２４とが誘電体層２３を介して積層しているコンデンサ構造が形成されている。
【００４４】
第１実施形態では、一対の電極層２２、２４を構成する２種類の金属材料とそれらを選択的にエッチングする２種類のエッチング液との組合せは、以下の表１のとおりである。
【表１】
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【００４５】
表１に示した構成材料とエッチング液との組合せは適宜交換することができる。すなわち、第１の電極層２２をＣｕで構成するとともに第１の電極層２２のサイドエッチングを過酸化水素水とアンモニアの混合液でおこない、かつ、第２の電極層２４をＴｉで構成するとともに第２の電極層２４のサイドエッチングをペルオキソ二硫酸アンモニウムでおこなってもよい。
【００４６】
図１、２に示した第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂを、基板１０の長手方向に沿って交互に並べて、各溝部２８Ａ、２８Ｂに上述の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂを設けることで、直列接続されたコンデンサ構造が連続して形成される。すなわち、上述した製法を用いて、積層体２０に溝部２８Ａ、２８Ｂをエッチング形成するとともに、各溝部２８Ａ、２８Ｂの側面２８ａに沿う引き出し電極３０Ａ、３０Ｂをめっき形成するだけで、複数のコンデンサ構造を容易に形成することができ、コンデンサ構造の数を容易に増やすことができる。
【００４７】
また、第１の溝部２８Ａと第２の溝部２８Ｂとの離間距離を調整することで、その間に設けられるコンデンサ構造の容量を容易に調整することができる。さらに、一つの基板１０上に、容量の異なる複数のコンデンサ構造を容易に形成することもできる。
【００４８】
なお、従来技術に係る薄膜コンデンサの中には、幅広の層の上により幅狭の層を積み上げた構成の積層体を有するものがあるが、このような階段状の側面を有する台形断面の積層体では、各層毎に異なるマスクを準備する必要があり、作業工程およびコストの増加が招かれる。一方、上述した薄膜コンデンサ１によれば、積層体２０における溝部２８Ａ、２８Ｂの形成は一度の除去工程（エッチングやイオンミリング等）で済むため、各層毎に異なるマスクを準備する必要がなく、作業工程およびコストの削減が図られる。作業工程として、１０層構造の積層体で考えた場合、従来技術であれば２０回の露光および現像を必要とするが、上述した実施形態に係る製法であれば４回の露光および現像で済む。また、精度の高い重ね合せが不要のため、印刷などの簡便な方法を用いることもできる。
【００４９】
さらに、従来技術に係る薄膜コンデンサでは、積層体の上層を幅狭にする必要があるため、幅狭にした分だけ容量が低減される。一方、上述した実施形態に係る薄膜コンデンサ１は、引き出し電極３０Ａ、３０Ｂが電極層２２、２４の端面２２ａ、２４ｂで接触するため、幅狭にする必要がなく、大きな容量を得ることができる。換言すると、同一容量を、より小型の薄膜コンデンサで実現することができる。
【００５０】
また、上述した薄膜コンデンサ１によれば、従来技術に比べて、配線の引き回しを少なくすることができる。それにより、直列抵抗および等価直列インダクタンスの調整が容易となり、特に、低い直列抵抗側の調整範囲が拡大する。
【００５１】
さらに、薄膜コンデンサ１によれば、引き出し電極３０Ａ、３０Ｂの端子数を容易に増やすこともできる。
【００５２】
（第２実施形態）
第２実施形態に係る薄膜コンデンサ１は、第１実施形態同様、基板１０と、基板１０上に積層された積層体２０と、一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂとを備えて構成されている。
【００５３】
第２実施形態は、基板１０および積層体２０の各層２１〜２５の構成材料が、第１実施形態の構成材料とは異なり、その他は第１実施形態と同一または同様である。
【００５４】
第２実施形態の基板１０は、シリコンで構成されている。第２実施形態の積層体２０の基板保護層２１、第１の電極層２２、誘電体層２３、第２の電極層２４および絶縁層２５は、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｉ、ＨｆＯ２、Ｃｕ、ＳｉＯ２で構成されている。
【００５５】
第２実施形態においても、第１実施形態と同様、図２に示した一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂと一対の電極層２２、２４の接続状態となっており、そのような接続状態は、たとえば以下の手順により得ることができる。
【００５６】
（工程１）
基板１０上に、基板保護層２１を成膜する。一例として、基板１０として６インチ径のシリコンウェハを用い、このシリコンウェハ上に、厚さ２００ｎｍのＡｌ２Ｏ３層（基板保護層２１）をＡＬＤ法により成膜する。
【００５７】
（工程２）
工程１の基板保護層２１の上に、第１の電極層２２、誘電体層２３、第２の電極層２４を順に成膜する。一例として、厚さ２００ｎｍのＮｉ層（第１の電極層２２）、厚さ２００ｎｍのＨｆＯ２層（誘電体層２３）、厚さ２００ｎｍのＣｕ層（第２の電極層２４）を順に成膜する。Ｎｉ層およびＴｉ層はスパッタリングにより成膜し、ＨｆＯ２層はＡＬＤ法により成膜する。
【００５８】
（工程３）
工程２の第２の電極層２４の表面に、上記溝部２８Ａ、２８Ｂに対応する部分に開口を有するレジストで覆う。具体的には、第２の電極層２４の表面全体をレジストで覆った後、所定の露光および現像でおこなって開口を設ける。
【００５９】
（工程４）
工程３のレジストを用いてイオンミリングをおこない、基板保護層２１の上面まで延びる第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂを形成する。各溝部２８Ａ、２８Ｂの幅（基板１０の長手方向に関する長さ）は、たとえば１００μｍとすることができる。
【００６０】
（工程５）
工程４の後、第１の溝部２８Ａ以外の部分をレジストで覆い、ペルオキソ二硫酸アンモニウムで第１の溝部２８Ａのサイドエッチングをおこなう。ペルオキソ二硫酸アンモニウムにより、第１の溝部２８Ａの側面２８ａに露出した第２の電極層２４（Ｃｕ層）が選択的にエッチングされ、第２の電極層２４の第１の溝部２８Ａ側の端面２４ａが、第１の溝部２８Ａの側面２８ａから離れるように退行する。このときサイドエッチングされる長さは、一例として３μｍである。なお、ペルオキソ二硫酸アンモニウムによるエッチングでは、第１の溝部２８Ａの側面２８ａに露出した第１の電極層２２（Ｎｉ層）および底面に露出した基板保護層２１（Ａｌ２Ｏ３層）は実質的にエッチングされない。
【００６１】
（工程６）
工程５のレジストを除去した後、第２の溝部２８Ｂ以外の部分をレジストで覆い、過酸化水素水と硝酸の混合液で第２の溝部２８Ｂのサイドエッチングをおこなう。過酸化水素水と硝酸の混合液により、第２の溝部２８Ｂの側面２８ａに露出した第１の電極層２２（Ｎｉ層）が選択的にエッチングされ、第１の電極層２２の第２の溝部２８Ｂ側の端面２２ｂが、第２の溝部２８Ｂの側面２８ａから離れるように退行する。このときサイドエッチングされる長さは、一例として３μｍである。なお、過酸化水素水と硝酸の混合液によるエッチングでは、第２の溝部２８Ｂの側面２８ａに露出した第２の電極層２４（Ｃｕ層）および底面に露出した基板保護層２１（Ａｌ２Ｏ３層）は実質的にエッチングされない。
【００６２】
（工程７）
工程６のレジストを除去した後、ＣＶＤ法でＳｉＯ２を成膜して、第２の電極層２４の上面に絶縁層２５としてＳｉＯ２層を設けるとともに、第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂのサイドエッチングした部分に絶縁体２９Ａ、２９ＢとしてＳｉＯ２層を設ける。
【００６３】
（工程８）
第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂの側面２８ａに、絶縁体２９が設けられていない各電極層２２、２４の端面をドライエッチングで露出させるとともに、一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂの形成領域にシード層をスパッタリングで成膜した後にＣｕめっきをおこない、一対の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂを形成する。
【００６４】
以上において説明したとおり、一対の電極層２２、２４を構成する金属材料（本実施形態ではＮｉとＣｕ）を相異させるとともに、各金属材料を選択的にエッチングする２種類のエッチング液（本実施形態では、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、および、過酸化水素水と硝酸との混合液）を用いて溝部２８Ａ、２８Ｂをサイドエッチングすることで、一方の溝部２８Ａでは一方の電極層２２のみが露出し、他方の溝部２８Ｂでは他方の電極層２４のみが露出する構造が得られる。
【００６５】
以上において説明したとおり、第２実施形態に係る薄膜コンデンサ１も、第１実施形態に係る薄膜コンデンサ１同様、積層体の上端面側に第１の溝部２８Ａと第２の溝部２８Ｂとが設けられており、第１の溝部２８Ａと第２の溝部２８Ｂの間に、第１の引き出し電極３０Ａと接する第１の電極層２２と第２の引き出し電極３０Ｂと接する第２の電極層２４とが誘電体層２３を介して積層しているコンデンサ構造が形成されている。
【００６６】
第２実施形態では、一対の電極層２２、２４を構成する２種類の金属材料とそれらを選択的にエッチングする２種類のエッチング液との組合せは、以下の表２のとおりである。
【表２】
2017216432.tif 000004
【００６７】
表２に示した構成材料とエッチング液との組合せは適宜交換することができる。すなわち、第１の電極層２２をＣｕで構成するとともに第１の電極層２２のサイドエッチングを過酸化水素水とアンモニアの混合液でおこない、かつ、第２の電極層２４をＮｉで構成するとともに第２の電極層２４のサイドエッチングをペルオキソ二硫酸アンモニウムでおこなってもよい。
【００６８】
図１、２に示した第１の溝部２８Ａおよび第２の溝部２８Ｂを、基板１０の長手方向に沿って交互に並べて、各溝部２８Ａ、２８Ｂに上述の引き出し電極３０Ａ、３０Ｂを設けることで、直列接続されたコンデンサ構造が連続して形成される。すなわち、上述した製法を用いて、積層体２０に溝部２８Ａ、２８Ｂをエッチング形成するとともに、各溝部２８Ａ、２８Ｂの側面２８ａに沿う引き出し電極３０Ａ、３０Ｂをめっき形成するだけで、複数のコンデンサ構造を容易に形成することができ、単位面積当たりに実装できるコンデンサ構造の数を容易に増やすことができる。
【００６９】
なお、第１実施形態および第２実施形態に示した薄膜コンデンサは、上述した形態に限らず、様々に変更可能である。
【００７０】
たとえば、積層体２０は、一つのコンデンサ構造（すなわち、一層の誘電体を第１の電極層と第２の電極層とで挟んだ構造）を有する態様であるが、誘電体を介して複数の第１の電極層と複数の第２の電極層とを交互に重ねて積層方向において複数のコンデンサ構造を有する積層体としてもよい。
【００７１】
また、基板１０は、長手方向に関する幅が狭い帯状に限らず、長手方向と短手方向が同程度の矩形状であってもよい。
【００７２】
さらに、絶縁体２９Ａ、２９Ｂを設けずに、絶縁体２９Ａ、２９Ｂの部分を空隙にすることもできる。この場合、空隙内部の空気やガスによって、引き出し電極と電極層との非接触が実現され得る。
【００７３】
なお、一対の電極層２２、２４を構成する２種類の金属材料とそれらを選択的にエッチングする２種類のエッチング液との組合せは、上述した組合せに限らず、以下の表３〜６の組合せもあり得る。
【表３】
2017216432.tif 000005
【表４】
2017216432.tif 000006
【表５】
2017216432.tif 000007
【表６】
2017216432.tif 000008
【００７４】
上記表３〜６に示した構成材料とエッチング液との組合せについても、適宜交換することができる。
【００７５】
（第３実施形態）
図３に示すように、第３実施形態に係る薄膜コンデンサ１０１は、一対の電子回路基板１０２Ａ、１０２Ｂに挟まれるように配置されて、一対の電子回路基板１０２Ａ、１０２Ｂの間に容量を形成するために用いられる。薄膜コンデンサ１０１と、一対の電子回路基板１０２Ａ、１０２Ｂとによって、部品内蔵基板が構成される。
【００７６】
薄膜コンデンサ１０１は、積層体１０３と、積層体１０３に貫設された複数対の貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂとを備えて構成されている。薄膜コンデンサ１０１の外形寸法は、一例として、長辺長さ０．６ｍｍ、短辺長さ０．３ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍである。薄膜コンデンサ１０１は、小型で大容量の積層コンデンサであり、たとえば車載用コンデンサとして用いることができるが、この用途に限定されない。
【００７７】
積層体１０３は、複数の層が積層された積層構造を有しており、基板１１０と、基板１１０の一方面１１０ａ上に積層された積層部１２０と、基板１１０の他方面１１０ｂ上に成膜された絶縁膜１３０とを備えて構成されている。
【００７８】
基板１１０は、板状または箔状であり、たとえばＮｉ等の金属で構成されている。図３に示した基板１１０は、矩形状のＮｉ箔である。
【００７９】
積層部１２０は、複数の層が積層された積層構造を有しており、基板１１０に近い方向から順に、基板保護層１２１、第１の電極層１２２、誘電体層１２３、第２の電極層１２４、絶縁層１２５の順に並んでいる。
【００８０】
基板保護層１２１は、金属酸化物等の絶縁性材料で構成されており、一例として、酸化ジルコン（ＺｒＯ２、ＺｒＯ２．９５、等）で構成されている。基板保護層１２１の構成材料としては、酸化ジルコン以外にも、たとえば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ２．９５、等）や酸化ケイ素（ＳｉＯ２、ＳｉＯ２．９５等）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３等）、のような酸化物、窒化ケイ素（ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ３Ｎ３．９５等）のような窒化物、ＡｌＴｉＣのような炭化物、あるいはそれらの化合物や混合物を採用することができる。
【００８１】
第１の電極層１２２は、対をなす貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂのうちの一方の貫通電極１０４Ａに接続される内部電極層である。第１の電極層１２２は、導電性材料で構成されており、一例として、Ｔｉで構成されている。第１の電極層１２２を構成する導電性材料には、Ｔｉの他に、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ等の金属や、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金（ＡＰＣ）、ＮｉＣｒ等の合金を採用することができる。
【００８２】
誘電体層１２３は、下側の第１の電極層１２２と上側の第２の電極層１２４とに挟まれており、両電極層１２２、１２４の間に介在している。誘電体層１２３は、金属酸化物等の絶縁性材料で構成されており、一例として、Ａｌ２Ｏ３で構成されている。誘電体層１２３の構成材料としては、Ａｌ２Ｏ３以外にも、たとえば、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＢａＴｉＯ３を採用することができる。
【００８３】
第２の電極層１２４は、対をなす貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂのうちの他方の貫通電極１０４Ｂに接続される内部電極層である。第２の電極層１２４は、導電性材料で構成されており、一例として、Ｃｕで構成されている。第２の電極層１２４を構成する導電性材料には、Ｃｕの他に、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅ等の金属や、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金（ＡＰＣ）、ＮｉＣｒ等の合金を採用することができる。
【００８４】
絶縁層１２５は、絶縁性樹脂等の絶縁性材料で構成されており、一例として、エポキシ樹脂で構成されている。
【００８５】
基板１１０の他方面１１０ｂ上に設けられた絶縁膜１３０は、絶縁性樹脂等の絶縁性材料で構成されており、一例として、フェノール樹脂で構成されている。絶縁膜１３０は、基板１１０の他方面１１０ｂを覆うとともに、後述する貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂから露出する基板１１０の内側面１１０ｃを覆う。
【００８６】
積層体１０３には、その積層方向（すなわち、厚さ方向）に沿って延びて積層体１０３を貫通する複数の貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂが設けられている。すなわち、各貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂは、上述した基板１１０、積層部１２０および絶縁膜１３０を貫くように設けられている。各貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂは、図４に示すように、積層部１２０の上端面から基板保護層１２１まで漸次幅狭となる逆台形断面を有し、かつ、基板保護層１２１から絶縁膜１３０まで漸次幅広となる台形状形状を有する。
【００８７】
このような貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂは、積層体１０３の表裏面にエッチング等により穴を設けて穴同士を連通させることにより得られる。それにより、各貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂの内側面１０５ａには、基板１１０、積層部１２０および絶縁膜１３０が露出する。
【００８８】
複数の貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂは、隣り合うように配置された第１の貫通孔１０５Ａと第２の貫通孔１０５Ｂとで対をなしており、複数対の貫通孔で構成されている。貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂの各対は、たとえば積層体１０３の平面視において複数列に整列するように配置され得る。
【００８９】
複数対の貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂは、積層体１０３に設けられた貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂそれぞれを貫通するように設けられている。具体的には、対をなす貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂのうちの一方の貫通電極（第１の貫通電極）１０４Ａは第１の貫通孔１０５Ａを貫通するように設けられており、上述した電子回路基板１０２Ａ、１０２Ｂの外部端子Ｔ１に接続される。対をなす貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂのうちの他方の貫通電極（第２の貫通電極）１０４Ｂは第２の貫通孔１０５Ｂを貫通するように設けられており、電子回路基板１０２Ａ、１０２Ｂの外部端子Ｔ１とは異なる極性の外部端子Ｔ２に接続される。各貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂは、導電性材料で構成されており、導電性材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ等の金属や、ＳＵＳ、ＡＰＣ、ＮｉＣｒ等の合金を採用することができる。
【００９０】
各貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂの外周面１０４ａは、各貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂの内側面１０５ａに沿って設けられている。そして、貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂはそれぞれ、貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂの内側面１０５ａに露出した第１の電極層１２２および第２の電極層１２４の一方と接続されている。具体的には、第１の貫通電極１０４Ａは、第１の貫通孔１０５Ａの内側面１０５ａに露出した第１の電極層１２２とは接しているが、第２の電極層１２４とは接していない。また、第２の貫通電極１０４Ｂは、第２の貫通孔１０５Ｂの内側面１０５ａに露出した第２の電極層１２４とは接しているが、第１の電極層１２２とは接していない。
【００９１】
ここで、各貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂにおける一対の貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂと一対の電極層１２２、１２４の接続状態について、図４を参照しつつより詳しく説明する。
【００９２】
図４に示すように、第２の電極層１２４の第１の貫通孔１０５Ａを囲む縁部の内周面１２４ａは、第１の貫通孔１０５Ａの内側面１０５ａから離れるように退行している。また、第２の電極層１２４の第２の貫通孔１０５Ｂを囲む縁部の内周面１２４ｂは、第２の貫通孔１０５Ｂの内側面１０５ａに対して退行していない。そして、第２の電極層１２４の第１の貫通孔１０５Ａを囲む縁部の内周面１２４ａと、第１の貫通孔１０５Ａの内側面１０５ａとの間に絶縁体１０６Ａが配置されている。絶縁体１０６Ａは、公知の種々の絶縁性材料で構成することができ、たとえば絶縁性樹脂やＡｌ２Ｏ３等の金属酸化物、ＴＥＯＳ等で構成することができる。
【００９３】
第１の電極層１２２の第１の貫通孔１０５Ａを囲む縁部の内周面１２２ａは、第１の貫通孔１０５Ａに対して退行していない。第１の電極層１２２の第２の貫通孔１０５Ｂを囲む縁部の内周面１２２ｂは、第２の貫通孔１０５Ｂの内側面１０５ａから離れるように退行している。そして、第１の電極層１２２の第２の貫通孔１０５Ｂを囲む縁部の内周面１２２ｂと、第２の貫通孔１０５Ｂの内側面１０５ａとの間に絶縁体１０６Ｂが配置されている。絶縁体１０６Ｂは、上述した絶縁体１０６Ａ同様、公知の種々の絶縁性材料で構成することができ、たとえばＡｌ２Ｏ３等の金属酸化物やＴＥＯＳ等で構成することができる。
【００９４】
上述した一対の貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂと一対の電極層１２２、１２４の接続状態は、たとえば以下の手順により得ることができる。
【００９５】
（工程１）
基板１１０の一方面１１０ａ上に、基板保護層１２１を成膜する。一例として、基板１１０として厚さ３０μｍのＮｉ箔を用い、このＮｉ箔上に、厚さ２００ｎｍのＺｒＯ２層（基板保護層１２１）をスパッタリングにより成膜する。
【００９６】
（工程２）
工程１の基板保護層１２１の上に、第１の電極層１２２、誘電体層１２３、第２の電極層１２４を順に成膜する。一例として、厚さ２００ｎｍのＴｉ層（第１の電極層１２２）、厚さ２００ｎｍのＡｌ２Ｏ３層（誘電体層１２３）、厚さ２００ｎｍのＣｕ層（第２の電極層１２４）を順にスパッタリングにより成膜する。
【００９７】
（工程３）
工程２の第２の電極層１２４の表面に、上記貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂに対応する部分に開口を有するレジストで覆う。具体的には、第２の電極層１２４の表面全体をレジストで覆った後、所定の露光および現像でおこなって開口を設ける。
【００９８】
（工程４）
工程３のレジストを用いてドライエッチングをおこない、基板保護層１２１の上面まで延びる、貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂとなるべき上穴を形成する。各上穴の開口径は、たとえば１００μｍとすることができる。
【００９９】
（工程５）
工程４の後、第１の貫通孔１０５Ａとなるべき上穴以外の部分をレジストで覆い、ペルオキソ二硫酸アンモニウムで第１の貫通孔１０５Ａとなるべき上穴のサイドエッチングをおこなう。ペルオキソ二硫酸アンモニウムにより、第１の貫通孔１０５Ａとなるべき上穴の内側面１０５ａに露出した第２の電極層１２４（Ｃｕ層）が選択的にエッチングされ、第２の電極層１２４の第１の貫通孔１０５Ａとなるべき上穴を囲む縁部の内周面１２４ａが、第１の貫通孔１０５Ａとなるべき上穴の内側面１０５ａから離れるように退行する。このときサイドエッチングされる長さは、一例として３μｍである。なお、ペルオキソ二硫酸アンモニウムによるエッチングでは、第１の貫通孔１０５Ａとなるべき上穴の内側面１０５ａに露出した第１の電極層１２２（Ｔｉ層）や基板保護層１２１（ＺｒＯ２層）等がエッチングされるエッチングレートのほうが第２の電極層１２４（Ｃｕ層）がエッチングされるエッチングレートよりも極度に低いため、第１の電極層１２２や基板保護層１２１等は実質的にエッチングされない。
【０１００】
（工程６）
工程５のレジストを除去した後、第２の貫通孔１０５Ｂとなるべき上穴以外の部分をレジストで覆い、過酸化水素水とアンモニアの混合液で第２の貫通孔１０５Ｂとなるべき上穴のサイドエッチングをおこなう。過酸化水素水とアンモニアの混合液により、第２の貫通孔１０５Ｂとなるべき上穴の内側面１０５ａに露出した第１の電極層１２２（Ｔｉ層）が選択的にエッチングされ、第１の電極層１２２の第２の貫通孔１０５Ｂとなるべき上穴を囲む縁部の内周面１２２ｂが、第２の貫通孔１０５Ｂとなるべき上穴の内側面１０５ａから離れるように退行する。このときサイドエッチングされる長さは、一例として３μｍである。なお、過酸化水素水とアンモニアの混合液によるエッチングでは、第２の貫通孔１０５Ｂとなるべき上穴の内側面１０５ａに露出した第２の電極層１２４（Ｃｕ層）や基板保護層１２１（ＺｒＯ２層）等がエッチングされるエッチングレートのほうが第１の電極層１２２（Ｔｉ層）がエッチングされるエッチングレートよりも極度に低いため、第２の電極層１２４や基板保護層１２１等は実質的にエッチングされない。
【０１０１】
（工程７）
工程６のレジストを除去した後、ポジレジストで覆って全面露光した後に現像をおこない、第１の貫通孔１０５Ａとなるべき上穴および第２の貫通孔１０５Ｂとなるべき上穴のサイドエッチングした部分に絶縁体１０６Ａ、１０６Ｂとして樹脂絶縁層を設ける。なお、サイドエッチングした部分に絶縁体１０６Ａ、１０６Ｂを設ける製法として、原子層堆積（ＡＬＤ）や電気泳動を利用した製法を採用することもできる。
【０１０２】
（工程８）
第１の貫通孔１０５Ａとなるべき上穴および第２の貫通孔１０５Ｂとなるべき上穴の内側面１０５ａに、絶縁体１０６Ａ、１０６Ｂが設けられていない各電極層１２２、１２４の端面を酸素プラズマで露出させるとともに、貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂとなるべき上穴の形成領域にシード層をスパッタリングで成膜した後にＣｕめっきをおこなう。
【０１０３】
（工程９）
基板１１０の他方面１１０ｂに、上記貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂに対応する部分に開口を有するレジストで覆う。具体的には、基板１１０の他方面１１０ｂ全体をレジストで覆った後、所定の露光および現像でおこなって開口を設ける。
【０１０４】
（工程１０）
工程９のレジストを用いてウェットエッチングをおこない、基板１１０を貫通して基板保護層１２１の下面まで延びる、貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂとなるべき下穴を形成する。さらに、所定のポジ型レジストを用いて基板保護層１２１をイオンミリングやＲＩＥにより貫通させて、上述の上穴と下穴とを連通させ、上穴に充填されたＣｕめっきを露出させる。
【０１０５】
（工程１１）
基板１１０の他方面１１０ｂに、下穴の中心部分を除いて永久レジストをパターニングして、絶縁膜１３０を形成する。絶縁膜１３０は、基板１１０の他方面１１０ｂおよび内側面１１０ｃを覆う。
【０１０６】
（工程１２）
貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂとなるべき下穴にＣｕめっきをおこない、上穴のＣｕめっきと電気的に接続する。それにより、貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂを貫通する貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂが得られる。
【０１０７】
以上において説明したとおり、一対の電極層１２２、１２４を構成する金属材料（本実施形態ではＴｉとＣｕ）を相異させるとともに、各金属材料を選択的にエッチングする２種類のエッチング液（本実施形態では、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、および、過酸化水素水とアンモニアとの混合液）を用いて貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂをサイドエッチングすることで、一方の貫通孔１０５Ａでは一方の電極層１２２のみが露出し、他方の貫通孔１０５Ｂでは他方の電極層１２４のみが露出する構造が得られる。
【０１０８】
そのため、所定のエッチング液で積層部１２０に貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂを形成した後、各貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂを貫通する貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂを設けるだけで、両貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂの間に簡素な構成のコンデンサ構造が容易に形成される。
【０１０９】
以上において説明したとおり、第３実施形態に係る薄膜コンデンサ１０１は、積層体１０３を貫通する第１の貫通孔１０５Ａと第２の貫通孔１０５Ｂとが設けられており、第１の貫通電極１０４Ａと接する第１の電極層１２２と第２の貫通電極１０４Ｂと接する第２の電極層１２４とが誘電体層１２３を介して積層しているコンデンサ構造が形成されている。このようなコンデンサ構造は、積層体１０３に同様の第１の貫通孔１０５Ａ、第２の貫通孔１０５Ｂおよび一対の貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂを設けることで、その数を容易に増やすことができる。
【０１１０】
特に、薄膜コンデンサ１０１においては、積層体１０３の積層方向（すなわち、厚さ方向）においてコンデンサ構造を形成するため、面内において形成する場合に比べて、その形成領域の縮小を容易に図ることができる。
【０１１１】
第３実施形態では、一対の電極層１２２、１２４を構成する２種類の金属材料とそれらを選択的にエッチングする２種類のエッチング液との組合せは、以下の表７のとおりである。
【表７】
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【０１１２】
表７に示した構成材料とエッチング液との組合せは適宜交換することができる。また、一対の電極層１２２、１２４を構成する２種類の金属材料とそれらを選択的にエッチングする２種類のエッチング液との組合せは、表７の組合せに限らず、上述した表１〜６の組合せとすることもできる。
【０１１３】
一対の貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂを、一方向にまたは格子状に並ぶように貫設することで、直列接続や並列接続されたコンデンサ構造が形成される。すなわち、上述した製法を用いて、積層体１０３に貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂをエッチング形成するとともに、各貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂを貫通する貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂをめっき形成するだけで、複数のコンデンサ構造を容易に形成することができる。
【０１１４】
図３に示したように、積層体１０３に複数対の貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂを設けた場合であっても、コンデンサ構造は一つだけであるが、必要に応じて複数のコンデンサ構造に分離してもよい。一つのコンデンサ構造であっても、面内の揺らぎがあるため、同じ極性の複数の貫通電極同士を接続することもできる。
【０１１５】
また、第１の貫通孔１０５Ａと第２の貫通孔１０５Ｂとの離間距離を調整することで、その間に設けられるコンデンサ構造の容量を容易に調整することができる。さらに、一つの積層体１０３に、容量の異なる複数のコンデンサ構造を容易に形成することもできる。
【０１１６】
なお、従来技術に係る薄膜コンデンサの中には、幅広の層の上により幅狭の層を積み上げた構成の積層体を有するものがあるが、このような階段状の側面を有する台形断面の積層体では、各層毎に異なるマスクを準備する必要があり、作業工程およびコストの増加が招かれる。一方、上述した薄膜コンデンサ１０１によれば、積層体１０３における貫通孔１０５Ａ、１０５Ｂの形成は上穴と下穴の二度の除去工程（エッチングやイオンミリング等）で済むため、各層毎に異なるマスクを準備する必要がなく、作業工程およびコストの削減が図られる。作業工程として、１０層構造の積層体で考えた場合、従来技術であれば２０回の露光および現像を必要とするが、上述した第３実施形態に係る製法であれば４回の露光および現像で済む。上述した第３実施形態に係る製法では、精度の高い重ね合せが不要のため、印刷などの簡便な方法を用いることもできる。
【０１１７】
また、上述した薄膜コンデンサ１０１によれば、従来技術に比べて、配線の引き回しを少なくすることができる。それにより、直列抵抗および等価直列インダクタンスの調整が容易となり、特に、低い直列抵抗側の調整範囲が拡大する。
【０１１８】
さらに、薄膜コンデンサ１０１によれば、貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂが小型であるため、貫通電極１０４Ａ、１０４Ｂの端子数を容易に増やすこともできる。薄膜コンデンサ１０１における端子の位置についても自由度が増すため、たとえば薄膜コンデンサ１０１を部品内蔵基板に埋め込む場合（すなわち、薄膜コンデンサ１０１を一対の電子回路基板１０２Ａ、１０２Ｂで挟む場合）に配置の自由度が増し、基板デザインの最適化が容易になる。
【０１１９】
なお、薄膜コンデンサは、上述した形態に限らず、様々に変更可能である。
【０１２０】
たとえば、積層体１０３は、積層方向に関しては一つのコンデンサ構造（すなわち、一層の誘電体を第１の電極層と第２の電極層とで挟んだ構造）を有する態様であるが、誘電体を介して複数の第１の電極層と複数の第２の電極層とを交互に重ねて積層方向において複数のコンデンサ構造を有する積層体としてもよい。
【０１２１】
また、絶縁体１０６Ａ、１０６Ｂを設けずに、絶縁体１０６Ａ、１０６Ｂの部分を空隙にすることもできる。この場合、空隙内部の空気やガスによって、貫通電極と電極層との非接触が実現され得る。
【符号の説明】
【０１２２】
１、１０１…薄膜コンデンサ、２０、１０３…積層体、２２、１２２…第１の電極層、２３、１２３…誘電体層、２４、１２４…第２の電極層、２９Ａ、２９Ｂ…絶縁体、３０Ａ、３０Ｂ…引き出し電極、１０４Ａ、１０４Ｂ…貫通電極、１０５Ａ、１０５Ｂ…貫通孔、１０６Ａ、１０６Ｂ…絶縁体、１１０…基板、１２０…積層部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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