(57)【要約】【課題】  ゲート電源が消失しても、スイッチング素子をオンさせてバイパスさせ、直流コンデンサの過電圧を防止して運転を継続することのできる電力変換装置を提供することにある。【解決手段】  チョッパセル１０は、直列に接続されたスイッチング素子１ｃ，１ｄと、スイッチング素子１ｃ，１ｄと並列に接続された直流コンデンサ３ｂと、直流コンデンサ３ｂの正極側とスイッチング素子１ｄのゲートとの間に接続され、電流が流れると、スイッチング素子１ｄをオンするツェナーダイオード７ｂと、直流コンデンサ３ｂの正極側とスイッチング素子１ｃのゲートとの間に接続され、電流が流れると、スイッチング素子１ｃをオンするツェナーダイオード７ｃとを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のスイッチング素子と、
前記第１のスイッチング素子の負極側に直列に接続された第２のスイッチング素子と、
直列に接続された前記第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子と並列に接続された第１の直流コンデンサと、
前記第１の直流コンデンサの正極側と前記第１のスイッチング素子のゲートとの間に接続され、電流が流れると、前記第１のスイッチング素子をオンする第１の非線形デバイスと、
前記第１の直流コンデンサの正極側と前記第２のスイッチング素子のゲートとの間に接続され、電流が流れると、前記第２のスイッチング素子をオンする第２の非線形デバイスと
を備えることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記第１のスイッチング素子に第１のゲート信号を出力する第１のゲート信号出力手段と、
前記第２のスイッチング素子に第２のゲート信号を出力する第２のゲート信号出力手段と、
前記第１の直流コンデンサに印加される直流電力により、前記第１のゲート信号出力手段及び前記第２のゲート信号出力手段に電源を供給する第１の電源供給手段と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
第３のスイッチング素子と、
前記第３のスイッチング素子の負極側に直列に接続され、前記第１のスイッチング素子の正極側に直列に接続された第４のスイッチング素子と、
直列に接続された前記第３のスイッチング素子及び前記第４のスイッチング素子と並列に接続された第２の直流コンデンサと、
前記第２の直流コンデンサの正極側と前記第４のスイッチング素子のゲートとの間に接続され、電流が流れると、前記第４のスイッチング素子をオンする第３の非線形デバイスと
を備えることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記第１のスイッチング素子に第１のゲート信号を出力する第１のゲート信号出力手段と、
前記第２のスイッチング素子に第２のゲート信号を出力する第２のゲート信号出力手段と、
前記第３のスイッチング素子に第３のゲート信号を出力する第３のゲート信号出力手段と、
前記第４のスイッチング素子に第４のゲート信号を出力する第４のゲート信号出力手段と、
前記第１の直流コンデンサに印加される直流電力により、前記第１のゲート信号出力手段及び前記第２のゲート信号出力手段に電源を供給する第１の電源供給手段と、
前記第２の直流コンデンサに印加される直流電力により、前記第３のゲート信号出力手段及び前記第４のゲート信号出力手段に電源を供給する第２の電源供給手段と
を備えることを特徴とする請求項３に記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記第２の非線形デバイスは、前記第１の非線形デバイスよりも、印加されると電流が流れる電圧が高いこと
を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電力変換装置。
【請求項６】
前記第２のスイッチング素子のゲートと前記第１の直流コンデンサの負極側を接続し、前記第２のスイッチング素子のゲートに予め決められた電圧よりも高い電圧が印加されると電流が流れる第４の非線形デバイス
を備えることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電力変換装置。
【請求項７】
前記第１のスイッチング素子のゲートと前記第１のスイッチング素子の負極側を接続し、前記第１のスイッチング素子のゲートに予め決められた電圧よりも高い電圧が印加されると電流が流れる第５の非線形デバイス
を備えることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電力変換装置。
【請求項８】
複数の単位モジュールで構成された電力変換装置であって、
前記単位モジュールは、
第１のスイッチング素子と、
前記第１のスイッチング素子の負極側に直列に接続された第２のスイッチング素子と、
直列に接続された前記第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子と並列に接続された第１の直流コンデンサと、
前記第１の直流コンデンサの正極側と前記第１のスイッチング素子のゲートとの間に接続され、電流が流れると、前記第１のスイッチング素子をオンする第１の非線形デバイスと、
前記第１の直流コンデンサの正極側と前記第２のスイッチング素子のゲートとの間に接続され、電流が流れると、前記第２のスイッチング素子をオンする第２の非線形デバイスとを備えること
を特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電力変換装置の回路として、複数の単位モジュールが直列に接続されるＭＭＣ(modular multilevel converter)回路が知られている。単位モジュールは、主に複数のスイッチング素子及び直流コンデンサで構成される電力変換回路である。例えば、直流コンデンサに印加される電圧に基づいて、スイッチング素子の駆動回路に電源を供給する主回路給電方式が開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１２１２８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、スイッチング素子の駆動回路に電源を供給する回路が故障した場合、ゲート電源が消失するため、スイッチング素子がオフ継続となる。これにより、直流コンデンサに流入する電流をバイパスすることができなくなり、直流コンデンサの電圧上昇を抑制できなくなる。MMC回路では、１つの単位モジュール異常となってもモジュールをバイパスできれば運転を継続できるが、本事象が発生すると電力変換装置の運転が継続できなくなる。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、ゲート電源が消失しても、スイッチング素子をオンさせてバイパスさせ、直流コンデンサの過電圧を防止して運転を継続することのできる電力変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の観点に従った電力変換装置は、第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子の負極側に直列に接続された第２のスイッチング素子と、直列に接続された前記第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子と並列に接続された第１の直流コンデンサと、前記第１の直流コンデンサの正極側と前記第１のスイッチング素子のゲートとの間に接続され、電流が流れると、前記第１のスイッチング素子をオンする第１の非線形デバイスと、前記第１の直流コンデンサの正極側と前記第２のスイッチング素子のゲートとの間に接続され、電流が流れると、前記第２のスイッチング素子をオンする第２の非線形デバイスとを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ゲート電源が消失しても、スイッチング素子をオンさせてバイパスさせ、直流コンデンサの過電圧を防止して運転を継続することのできる電力変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るチョッパセルの構成を示す構成図。
【図２】第１の実施形態に係るチョッパセルを用いたＭＭＣの構成を示す構成図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るチョッパセルの構成を示す構成図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係るチョッパセル１０の構成を示す構成図である。なお、図面における同一部分には同一符号を付してその詳しい説明を省略し、異なる部分について主に述べる。
【００１０】
チョッパセル１０は、ＭＭＣ(modular multilevel converter)を構成する単位モジュールの電力変換回路である。チョッパセル１０は、４つのスイッチング素子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ、４つの逆並列ダイオード２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ、２つの直流コンデンサ３ａ，３ｂ、４つのゲートドライブ回路４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ、給電回路５、５つのダイオード６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ、５つのツェナーダイオード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ、及び、２つの抵抗８ｂ，８ｃを備える。
【００１１】
４つのスイッチング素子１ａ〜１ｄは、全て直列に接続される。最も正極側に位置するスイッチング素子１ａのコレクタに正極の配線が接続される。最も負極側に位置するスイッチング素子１ｄのエミッタに負極の配線が接続される。正極側の２つのスイッチング素子１ａ，１ｂの接続点がチョッパセル１０の２つのうち１つの出力端子Ｔ１となる。負極側の２つのスイッチング素子１ｃ，１ｄの接続点がチョッパセル１０のもう１つの出力端子Ｔ２となる。スイッチング素子１ａ〜１ｄは、例えば、ＩＧＢＴ(insulated gate bipolar transistor)又はＩＥＧＴ(injection enhanced gate transistor)などの半導体素子である。
【００１２】
逆並列ダイオード２ａ〜２ｄは、スイッチング素子１ａ〜１ｄにそれぞれ逆並列に接続される。
【００１３】
正極側の直流コンデンサ３ａは、正極側の２つの直列に接続されるスイッチング素子１ａ，１ｂと並列に接続される。負極側の直流コンデンサ３ｂは、負極側の２つの直列に接続されるスイッチング素子１ｃ，１ｄと並列に接続される。２つの直流コンデンサ３ａ，３ｂの静電容量は同じである。また、２つの直流コンデンサ３ａ，３ｂに印加される電圧は、常に同じである。
【００１４】
ゲートドライブ回路４ａ〜４ｄは、それぞれに対応するスイッチング素子１ａ〜１ｄに、ゲート信号を出力する。ゲートドライブ回路４ａ〜４ｄは、給電回路５から電源が供給される。
【００１５】
給電回路５は、チョッパセル１０の主回路からの電力により、ゲートドライブ回路４ａ〜４ｄに電源を供給する回路である。給電回路５は、２つの主回路給電回路５１ａ，５１ｂ及び２つのモジュール内電源５２ａ，５２ｂを備える。
【００１６】
主回路給電回路５１ａ，５１ｂは、それぞれ直流コンデンサ３ａ，３ｂに印加される直流電力を、モジュール内電源５２ａ，５２ｂに供給する直流電力にそれぞれ変換する。モジュール内電源５２ａは、主回路給電回路５１ａから供給される直流電力により、ゲートドライブ回路４ａ，４ｂにそれぞれ電源を供給する。モジュール内電源５２ｂは、主回路給電回路５１ｂから供給される直流電力により、ゲートドライブ回路４ｃ，４ｄにそれぞれ電源を供給する。
【００１７】
ダイオード６ａ〜６ｅは、それぞれツェナーダイオード７ａ〜７ｅとカソード同士で接続される。即ち、ダイオード６ａ〜６ｅとツェナーダイオード７ａ〜７ｅは、それぞれ互いに逆向きに直列接続される。
【００１８】
ダイオード６ａ及びツェナーダイオード７ａは、最も正極側にあるスイッチング素子１ａの正極側（コレクタ）及び正極側の直流コンデンサ３ａの正極側と、正極側から２番目にあるスイッチング素子１ｂのゲートとの間に接続される。ダイオード６ａ及びツェナーダイオード７ａを流れる電流は、スイッチング素子１ｂのゲートに入力される。
【００１９】
ツェナーダイオード７ａのターンオン電圧（降伏電圧）は、直流コンデンサ３ａの過電圧保護となるレベルの電圧に設定される。これにより、直流コンデンサ３ａが過電圧になると、スイッチング素子１ｂがターンオンする。例えば、直流コンデンサ３ａの定格電圧が３０００［Ｖ］のとき、ツェナーダイオード７ａは、４１００［Ｖ］に設定される。
【００２０】
ダイオード６ｂ及びツェナーダイオード７ｂは、正極側から３番目（負極側から２番目）にあるスイッチング素子１ｃの正極側（コレクタ）及び負極側の直流コンデンサ３ｂの正極側と、最も負極側にあるスイッチング素子１ｄのゲートとの間に接続される。ダイオード６ｂ及びツェナーダイオード７ｂを流れる電流は、スイッチング素子１ｄのゲートに入力される。抵抗８ｂは、ダイオード６ｂのアノードに直列に接続される。抵抗８ｂは、２つのツェナーダイオード７ｂ，７ｄに過大な電流が流れないようにするために設けられる。
【００２１】
ツェナーダイオード７ｂのターンオン電圧（降伏電圧）は、直流コンデンサ３ｂの過電圧保護となるレベルより少し低い電圧に設定される。これにより、直流コンデンサ３ｂが７ｂのターンオン電圧になると、スイッチング素子１ｄがターンオンする。例えば、直流コンデンサ３ｂの定格電圧が３０００［Ｖ］のとき、ツェナーダイオード７ｂは、４０００［Ｖ］に設定される。
【００２２】
ダイオード６ｃ及びツェナーダイオード７ｃは、正極側から３番目（負極側から２番目）にあるスイッチング素子１ｃの正極側（コレクタ）及び負極側の直流コンデンサ３ｂの正極側と、スイッチング素子１ｃのゲートとの間に接続される。ダイオード６ｃ及びツェナーダイオード７ｃを流れる電流は、スイッチング素子１ｃのゲートに入力される。抵抗８ｃは、ダイオード６ｃのアノードに直列に接続される。抵抗８ｃは、２つのツェナーダイオード７ｃ，７ｅに過大な電流が流れないようにするために設けられる。
【００２３】
ツェナーダイオード７ｃのターンオン電圧（降伏電圧）は、直流コンデンサ３ｂの過電圧保護となるレベル、すなわちツェナーダイオード７ｂよりも少し高い電圧に設定される。これにより、直流コンデンサ３ｂが過電圧になると、スイッチング素子１ｃがターンオンする。例えば、直流コンデンサ３ｂの定格電圧が３０００［Ｖ］で、ツェナーダイオード７ｂが４０００［Ｖ］に設定されているとき、ツェナーダイオード７ｃは、４１００［Ｖ］に設定される。
【００２４】
ダイオード６ｄ及びツェナーダイオード７ｄは、スイッチング素子１ｄのゲートとエミッタとの間に接続される。ツェナーダイオード７ｄがターンオンすると、スイッチング素子１ｄのゲートとエミッタ間がクランプされる。これにより、スイッチング素子１ｄのゲート電圧が所定電圧を超えるのを防止する。即ち、スイッチング素子１ｄのゲート電圧の過電圧保護がされる。ツェナーダイオード７ｄのターンオン電圧（降伏電圧）は、スイッチング素子１ｄの特性により決まる。具体的には、ツェナーダイオード７ｄのターンオン電圧は、スイッチング素子１ｄのゲート電圧の最大耐用電圧以下で、スイッチング素子１ｄをターンオン可能な電圧以上に設定される。例えば、ツェナーダイオード７ｄのターンオン電圧は、１５［Ｖ］である。なお、ダイオード６ｄ及びツェナーダイオード７ｄは、この保護回路による過電圧保護の必要がなければ、無くてもよい。
【００２５】
ダイオード６ｅ及びツェナーダイオード７ｅは、スイッチング素子１ｃのゲートとエミッタとの間に接続される。ツェナーダイオード７ｅがターンオンすると、スイッチング素子１ｃのゲートとエミッタ間がクランプされる。これにより、スイッチング素子１ｃのゲート電圧が所定電圧を超えるのを防止する。即ち、スイッチング素子１ｃのゲート電圧の過電圧保護がされる。ツェナーダイオード７ｅのターンオン電圧（降伏電圧）は、スイッチング素子１ｃの特性により決まる。具体的には、ツェナーダイオード７ｅのターンオン電圧は、スイッチング素子１ｃのゲート電圧の最大耐用電圧以下で、スイッチング素子１ｃをターンオン可能な電圧以上に設定される。例えば、ツェナーダイオード７ｅのターンオン電圧は、１５［Ｖ］である。なお、ダイオード６ｅ及びツェナーダイオード７ｅは、この保護回路による過電圧保護の必要がなければ、無くてもよい。
【００２６】
なお、ツェナーダイオード７ａ〜７ｅの代わりに、どのような非線形デバイスを設けてもよい。例えば、非線形デバイスは、アバランシェダイオード、ブレークオーバーダイオード、又は酸化亜鉛素子などである。
【００２７】
次に、チョッパセル１０のゲート電源消失時の動作について説明する。ゲート電源消失時とは、例えば、給電回路５が故障などにより、ゲートドライブ回路４ａ〜４ｄに電源を供給できない場合である。
【００２８】
ゲート電源消失時では、ゲートドライブ回路４ａ〜４ｄは、スイッチング素子１ａ〜１ｄにゲート電圧を印加できないため、全てのスイッチング素子１ａ〜１ｄは、オフされる。
【００２９】
全てのスイッチング素子１ａ〜１ｄがオフされた状態では、直流コンデンサ３ａ，３ｂは放電できない。従って、直流コンデンサ３ａ，３ｂの電圧Ｖｄｃは、徐々に上昇する。
【００３０】
正極側の直流コンデンサ３ａが過電圧（例えば、４０００［Ｖ］）になると、ツェナーダイオード７ａは、降伏状態となり、スイッチング素子１ｂにゲート電圧が印加される。これにより、スイッチング素子１ｂがターンオンされ、正極側の直流コンデンサ３ａが放電される。このようにして、正極側の直流コンデンサ３ａが過電圧になる度に、スイッチング素子１ｂがターンオンされることで、正極側の直流コンデンサ３ａの過電圧状態が解消される。
【００３１】
負極側の直流コンデンサ３ｂがツェナーダイオード７ｂのターンオン電圧（例えば、４０００［Ｖ］）になると、ツェナーダイオード７ｂは、降伏状態となり、スイッチング素子１ｄにゲート電圧が印加される。これにより、スイッチング素子１ｄがターンオンされる。
【００３２】
スイッチング素子１ｄがターンオンしても、スイッチング素子１ｄに印加されるゲート電圧が上昇し、スイッチング素子１ｄの耐用電圧（例えば、１５［Ｖ］）を超えると、ツェナーダイオード７ｄが降伏状態となる。これにより、スイッチング素子１ｄは、ゲート電圧の過電圧から保護される。
【００３３】
２つのツェナーダイオード７ｂ，７ｄがターンオンしてスイッチング素子１ｄがターンオンし、さらに負極側の直流コンデンサ３ｂが過電圧レベルの所定電圧（例えば、４１００［Ｖ］）まで上昇した場合、ツェナーダイオード７ｃは降伏状態となり、スイッチング素子１ｃにゲート電圧が印加される。これにより、スイッチング素子１ｃがターンオンされ、負極側の直流コンデンサ３ｂが充電されなくなる。
【００３４】
スイッチング素子１ｃがターンオンしても、スイッチング素子１ｃに印加されるゲート電圧が上昇し、スイッチング素子１ｃの耐用電圧（例えば、１５［Ｖ］）を超えると、ツェナーダイオード７ｅが降伏状態となる。これにより、スイッチング素子１ｃは、ゲート電圧の過電圧から保護される。
【００３５】
このようにして、負極側の直流コンデンサ３ｂが過電圧になる度に、スイッチング素子１ｃ，１ｄがターンオンされることで、負極側の直流コンデンサ３ｂの過電圧状態が解消される。
【００３６】
図２は、本実施形態に係るチョッパセル１０を用いたＭＭＣ３０の構成を示す構成図である。
【００３７】
ＭＭＣ３０は、制御装置２０による制御により、電力変換動作を行う。制御装置２０は、例えば、上位制御系にある装置である。制御装置２０は、出力する指令により、各チョッパセル１０の各スイッチング素子１ａ〜１ｄをオン又はオフして、各チョッパセル１０から出力される直流電圧を制御する。
【００３８】
ＭＭＣ３０は、６つのアーム２１ｕｐ，２１ｕｍ，２１ｖｐ，２１ｖｍ，２１ｗｐ，２１ｗｍと、６つのバッファリアクトル２２ｕｐ，２２ｕｍ，２２ｖｐ，２２ｖｍ，２２ｗｐ，２２ｗｍと、直流電源２３とを備える。直流電源２３は、直流電力を出力するものであれば、発電機、コンバータ、又は蓄電池等、なんでもよい。
【００３９】
ＭＭＣ３０の交流側は、変圧器２４を介して、交流電力系統と接続される。ＭＭＣ３０の直流側は、直流電源２３と接続される。ＭＭＣ３０は、直流電源２３から供給される直流電力を三相交流電力に変換する。
【００４０】
各アーム２１ｕｐ〜２１ｗｍは、複数のチョッパセル１０が直列に接続された構成である。Ｕ相正極側アーム２１ｕｐとＵ相負極側アーム２１ｕｍは、三相交流のＵ相についての構成である。Ｖ相正極側アーム２１ｖｐとＶ相負極側アーム２１ｖｍは、三相交流のＶ相についての構成である。Ｗ相正極側アーム２１ｗｐとＷ相負極側アーム２１ｗｍは、三相交流のＷ相についての構成である。
【００４１】
バッファリアクトル２２ｕｐ〜２２ｗｍは、ＭＭＣ３０の回路に一定の直流電流を流すためのインピーダンスである。Ｕ相正極側バッファリアクトル２２ｕｐとＵ相負極側バッファリアクトル２２ｕｍは、直列に接続される。Ｕ相正極側バッファリアクトル２２ｕｐとＵ相負極側バッファリアクトル２２ｕｍとの接続点は、三相交流のＵ相と接続される。Ｕ相正極側バッファリアクトル２２ｕｐの正極側には、Ｕ相正極側アーム２１ｕｐが接続される。Ｕ相負極側バッファリアクトル２２ｕｍの負極側には、Ｕ相負極側アーム２１ｕｍが接続される。Ｖ相バッファリアクトル２２ｖｐ，２２ｖｍ及びＷ相バッファリアクトル２２ｗｐ，２２ｗｍの構成についても、Ｕ相バッファリアクトル２２ｕｐ，２２ｕｍと同様である。
【００４２】
本実施形態によれば、直流コンデンサ３ａ，３ｂが過電圧になると、ツェナーダイオード７ａ〜７ｃが降伏状態になり、スイッチング素子１ｂ〜１ｄにゲート電圧が印加されて、スイッチング素子１ｂ〜１ｄがターンオンすることで、直流コンデンサ３ａ，３ｂが放電される。これにより、直流コンデンサ３ａ，３ｂの過電圧が防止され、チョッパセル１０で構成されるＭＭＣ３０の運転を継続することができる。
【００４３】
また、直流コンデンサ３ａ，３ｂが繰り返し過電圧になり、ツェナーダイオード７ａ〜７ｃにより、スイッチング素子１ｄが繰り返しターンオンされ、破壊して短絡状態になれば、チョッパセル１０の出力電圧はゼロになる。これにより、自己のチョッパセル１０を除いた他のチョッパセル１０で、ＭＭＣ３０の運転を継続することができる。
【００４４】
また、スイッチング素子１ｃ，１ｄのそれぞれのゲートとエミッタの間にツェナーダイオード７ｄ，７ｅを設けることで、スイッチング素子１ｃ，１ｄのゲート電圧が過電圧になるのを防止することができる。
【００４５】
（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係るチョッパセル１０Ａの構成を示す構成図である。
【００４６】
本実施形態に係るＭＭＣは、図１に示す第１の実施形態に係るチョッパセル１０の代わりにチョッパセル１０Ａを用いた構成である。その他の点は、第１の実施形態と同様である。
【００４７】
チョッパセル１０Ａは、第１の実施形態に係るチョッパセル１０において、給電回路５を給電回路５Ａに代え、２つのスイッチング素子１ａ，１ｂ、２つの逆並列ダイオード２ａ，２ｂ、直流コンデンサ３ａ、２つのゲートドライブ回路４ａ，４ｂ、ダイオード６ａ、及び、ツェナーダイオード７ａを取り除いたものである。給電回路５Ａは、第１の実施形態に係る給電回路５から主回路給電回路５１ａ及びモジュール内電源５２ａを取り除いたものである。正極側の出力端子Ｔ１は、正極側にあるスイッチング素子１ｃの正極側（コレクタ）になる。その他の点は、第１の実施形態に係るチョッパセル１０と同様である。
【００４８】
チョッパセル１０Ａは、図１に示すチョッパセル１０の負極側の半分の回路と同等の回路である。したがって、直流コンデンサ３ｂの過電圧保護動作も第１の実施形態と同様である。
【００４９】
本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５０】
第１の実施形態に係るチョッパセル１０は、本実施形態に係るチョッパセル１０Ａの２つ分であり、正極側の回路の保護機能が負極側の回路の保護機能よりも簡易的な構成であるため、第１の実施形態に係るＭＭＣ３０の方が本実施形態に係るＭＭＣよりも部品点数を少なくすることができる。したがって、製造コストを低減することができる。
【００５１】
一方、本実施形態に係るＭＭＣであれば、第１の実施形態に係るチョッパセル１０の半分の回路を最小単位として、全て同じチョッパセル１０Ａで構成することができる。したがって、生産性又は保守性などの面において、第１の実施形態よりも向上させることができる。
【００５２】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組合せにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１ａ〜１ｄ…スイッチング素子、２ａ〜２ｄ…逆並列ダイオード、３ａ，３ｂ…直流コンデンサ、４ａ〜４ｄ…ゲートドライブ回路、５…給電回路、６ａ〜６ｅ…ダイオード、７ａ〜７ｅ…ツェナーダイオード、８ｂ，８ｃ…抵抗、１０…チョッパセル。
【図１】
2017216808.tif 000003
【図２】
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【図３】
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