(57)【要約】【課題】高品質な有機発光装置の製造方法及びこの製造方法で使用される多面取り基板を提供する。【解決手段】単位基板領域２０が複数連設されている多面取り基板１であって、隣り合う単位基板領域２０の境界線（２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ）の一部に跨って開口１１が設けられていることを特徴とする、多面取り基板１。【選択図】図１
2017073206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単位基板領域が複数連設されている多面取り基板であって、
隣り合う前記単位基板領域の境界線の一部に跨って開口が設けられていることを特徴とする、多面取り基板。
【請求項２】
前記開口が、隣り合う前記単位基板領域の長手方向に沿った境界線の少なくとも一部に跨って設けられることを特徴とする、請求項１に記載の多面取り基板。
【請求項３】
前記開口が、前記単位基板領域の長手方向に直交する方向に沿った境界線を跨いでいないことを特徴とする、請求項１又は２に記載の多面取り基板。
【請求項４】
隣り合う二つの前記単位基板領域の境界線を跨ぐように、前記開口が複数設けられることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の多面取り基板。
【請求項５】
前記単位基板領域内に、第一の電極を設ける領域が、前記単位基板領域の長手方向に沿って設けられており、
前記第一の電極を設ける領域の周辺の領域に突起物が設けられることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の多面取り基板。
【請求項６】
前記突起物が、前記単位基板領域の長手方向に沿って設けられることを特徴とする、請求項５に記載の多面取り基板。
【請求項７】
前記突起物の平面領域の重心が、前記開口によって前記単位基板領域の長手方向に直交する方向の幅が制限されていない領域に位置することを特徴とする、請求項５又は６に記載の多面取り基板。
【請求項８】
前記単位基板領域の長手方向における前記突起物の長さが、前記単位基板領域の長手方向における前記開口間の幅よりも長いことを特徴とする、請求項７に記載の多面取り基板。
【請求項９】
前記突起物の平面形状が、前記第一の電極を設ける領域側に凸である凸形状であることを特徴とする、請求項７又は８に記載の多面取り基板。
【請求項１０】
前記突起物の平面領域の重心が、前記開口の前記単位基板領域の長手方向側の周辺に位置することを特徴とする、請求項５又は６に記載の多面取り基板。
【請求項１１】
前記単位基板領域の長手方向における前記突起物の長さが、前記単位基板領域の長手方向における前記開口の長さよりも長いことを特徴とする、請求項１０に記載の多面取り基板。
【請求項１２】
前記単位基板領域の長手方向に直交する方向における前記突起物と前記開口との距離が、前記突起物の高さよりも短いことを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の多面取り基板。
【請求項１３】
基板と、前記基板の上であって前記基板の長手方向に沿って少なくとも一列配置されている画素と、を有する有機発光装置の製造方法であって、
多面取り基板を用意する工程と、
前記多面取り基板上の所定の領域に第一の電極を形成する工程と、
前記多面取り基板を洗浄する工程と、
前記第一の電極の上に有機化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層の上に第二の電極を形成する工程と、
前記多面取り基板を切断する工程と、を有し、
前記多面取り基板が、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の多面取り基板であることを特徴とする、有機発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記有機化合物層及び前記第二の電極が、いずれも前記画素において共通して形成されることを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記洗浄工程において、前記多面取り基板が有する単位基板領域の長手方向に直交する方向に洗浄液を流すことを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の有機発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多面取り基板及びこの多面取り基板を用いて製造される有機発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真技術に基づくレーザースキャン方式のプリンターが広く普及している。一般的なレーザービームプリンターでは、レーザー光源から出射された光をスキャンユニットで走査しながら感光体を露光する方式を採用しているが、レーザー光源の出射光を走査するスキャンユニットは、その構造上、装置サイズを小さくすることが難しい。
【０００３】
一方で、発光素子を列状に配置した長尺状の露光光源を用いて感光体を露光する方式を採用する固体露光光源プリンターが検討されている。この方式では、露光光源が有する光源ユニットを小さくすることが容易であるため、プリンター装置のサイズダウンを図る上で有用である。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機発光素子」と表記することがある。）は、高精細、低消費電力等の特徴を備えた発光素子であるため、上記固体露光光源プリンターの光源ユニット用の発光装置には好適である。
【０００４】
ただし、上記固体露光光源プリンターの光源ユニット用の発光装置として有機発光素子を有する有機発光装置を採用する際には、例えば、有機化合物層の厚みが数百ｎｍと非常に薄いことに起因する電極間における短絡という課題を克服する必要がある。この短絡は、例えば、下部電極の上に有機化合物層よりも厚い異物が存在する場合に生じやすい。そこで有機発光素子を有する有機発光装置を作製する際には、有機発光装置の作製の際に使用される基板においては、有機化合物層を形成する前に当該基板を洗浄する工程を導入するのが一般的である。特許文献１では、下部電極の端部を覆う絶縁膜の外周に、洗浄時において下部電極から取り除くべき異物をトラップする領域を形成する態様が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１４１８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１にて提案されている態様では、有機発光装置から異物を積極的に除去するというより、基板上の所定の領域に異物を留める方式であるので、異物を十分に除去しきれないという課題があった。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、高品質な有機発光装置の製造方法及びこの製造方法で使用される多面取り基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の多面取り基板は、単位基板領域が複数連設されている多面取り基板であって、
隣り合う前記単位基板領域の境界線の一部に跨って開口が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高品質な有機発光装置の製造方法及びこの製造方法で使用される多面取り基板を提供することができる。
【００１０】
即ち、本発明の多面取り基板を使用し、本発明の製造方法に従って製造された有機発光装置は、電極間の短絡の原因となる異物が十分に除去されているので、電極間の短絡によって生じる非発光領域の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の多面取り基板における実施形態の例を示す平面模式図である。
【図２】開口の設け方の例を示す平面模式図である。
【図３】（ａ）は、一の単位基板領域内における第一の電極の設置態様の例を示す平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡＡ’断面を示す断面模式図である。
【図４】（ａ）は、突起物の設置における第一の例を示す平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される突起物の重心位置を説明する図であり、（ｃ）は、（ａ）中の突起物の平面構造の具体例を示す平面模式図である。
【図５】（ａ）は、突起物の設置における第二の例を示す平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＢＢ’断面を示す断面模式図である。
【図６】本発明の有機発光装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図７】第一の実施形態の製造方法に従って製造された有機発光装置の例を示す平面模式図である。
【図８】有機発光装置が有する画素の配列パターンの例を示す平面模式図である。
【図９】本発明の有機発光装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図１０】本発明に係る有機発光装置を有する画像形成装置の例を示す模式図である。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、図１０の画像形成装置を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、（ｃ）は、図１０の画像形成装置を構成する感光体の具体例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［多面取り基板］
本発明に係る多面取り基板は、単位基板領域が複数連設されている多面取り基板に関する。また本発明の多面取り基板は、隣り合う単位基板領域の境界線の一部に跨って開口が設けられている。
【００１３】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
【００１４】
（１）第一の実施形態
図１は、本発明の多面取り基板における実施形態の例を示す平面模式図である。図１の多面取り基板１は、複数の有機発光装置を作製するために使用される大判の基板である。本発明において、多面取り基板１の平面形状は特に限定されるものではなく、例えば、正方形状、正方形状以外の矩形状、円形状等が挙げられる。
【００１５】
図１の多面取り基板１には、複数の単位基板領域２０を有している。ここで単位基板領域２０は、複数の境界線、例えば、符号２１ａ、２１ｂ、２２ａ及び２２ｂの境界線によって図１の多面取り基板を複数の区画に区画した際に形成される領域である。本発明において、多面取り基板１に設けられる複数の境界線の設け方は特に限定されない。
【００１６】
本発明において、多面取り基板１を区画する各境界線の形状として、例えば、直線状、曲線状、折れ曲がりがある線状等がある。尚、多面取り基板１に含まれる複数の単位基板領域２０の少なくとも一部を一定の方向に沿って連設させる場合、単位基板領域２０を規定する境界線のうち少なくとも１本は、折れ曲がりがない直線状であるのが望ましい。また各境界線は、図１の多面取り基板１を複数枚の基板に切断する際の切断線として利用される。これを考慮すると、各境界線は、好ましくは、折れ曲がりがない直線状である。
【００１７】
単位基板領域２０は、境界線の形状及び設ける位置によってその形状を設定することができる。例えば、図１の多面取り基板１に設けられる境界線、即ち、符号２１ａ、２１ｂ、２２ａ及び２２ｂで示される境界線は、いずれも折れ曲がりがない直線である。図１において、境界線２１ａは、境界線２１ｂと平行であり、かつ境界線２２ａ及び２２ｂと直交している。このため、境界線２２ａ及び２２ｂは互いに平行であり、いずれも境界線２１ｂと直交している。このように、単位基板領域２０は、互いに平行な２本の境界線（２１ａ、２１ｂ）と、これら２本の境界線に直交し互いに平行な２本の境界線（２２ａ、２２ｂ）とによって多面取り基板１を区画することで形成される。ここで図１では、境界線２１ａと２１ｂとの間隔が境界線２２ａと２２ｂとの間隔よりも狭いため、単位基板領域２０の形状は、境界線２１ａ（２１ｂ）に平行な方向を長手方向とする矩形状である。尚、本発明において、単位基板領域２０の形状としては、矩形状、正方形状等が挙げられる。
【００１８】
また、図１に示されるように、多面取り基板１に、境界線２１ａと平行な境界線を境界線２１ａと２１ｂとの間隔と同じ間隔でさらに設けてもよいし、境界線２２ａと平行な境界線を境界線２２ａと２２ｂとの間隔と同じ間隔でさらに設けてもよい。これにより、複数の単位基板領域２０を、境界線２１ａ又は２２ａと平行な方向に沿って連接させることができる。
【００１９】
図１の多面取り基板１が複数有する単位基板領域２０には、有機発光装置が作製される。ただし、全ての単位基板領域２０に有機発光装置を作製する必要はない。実際に有機発光装置を作製する場合、一般には、一つの単位基板領域２０に対して一つの有機発光装置が作製される。このため、単位基板領域２０の形状及び大きさは、一つの有機発光装置を構成する各部材の設置領域を考慮して、有機発光装置の構成部材の全てが一つの単位基板領域２０内に収容されることを条件として適宜設定することができる。
【００２０】
図１の多面取り基板１には、隣り合う単位基板領域２０の境界線、例えば、境界線２１ａの一部に跨って開口１１が設けられている。この開口１１は、図１の多面取り基板１を洗浄する際に、洗浄液の排出口として機能する。本発明において、開口１１は、多面取り基板１に複数設けられている境界線のいずれかにおいて、対象となる境界線の一部を跨ぐ態様で設けられていれば、設ける場所・領域については、特に限定されるものではない。例えば、境界線２２ａ又は２２ｂの一部を跨ぐように開口１１を設けてもよい。
【００２１】
好ましくは、図１に示されるように、隣り合う単位基板領域２０の長手方向に沿った境界線、例えば、境界線２１ａを跨ぐように開口１１を設ける。このように開口１１を設けることにより、単位基板領域２０の長手方向に直交する方向に洗浄液を流すことで、洗浄液を開口１１にて効率よく排出させることができる。また洗浄液が開口１１にて効率よく排出されることで、多面取り基板１上の異物も洗浄液と共に多面取り基板１から除去することができる。
【００２２】
図２は、開口１１の設け方の例を示す平面模式図である。尚、図２は、図１中の塗りつぶしの部分及びその周辺を示す部分拡大図でもある。本発明において、多面取り基板１に設けられている開口１１は、その幅を必ずしも均一にする必要はなく、図２（ａ）に示されるように、途中で幅が広く（又は狭く）なるように開口を設けてもよい。
【００２３】
また開口１１は、単位基板領域２０の長手方向に直交する方向に沿った境界線、例えば、図１に示される境界線２２ｂを跨ぐように設けてもよいが、図２（ｂ）に示されるように、当該長手方向に直交する境界線２２ａ及び２２ｂを跨がない態様で設けてもよい。
【００２４】
本発明においては、隣り合う２つの単位基板領域の境界線を跨ぐように、開口１１が複数設けられていてもよい。例えば、図２（ｃ）や（ｄ）に示されるように、単位基板領域２０とその隣にある単位基板領域との境界線２１ｂを跨ぐように開口１１を二箇所設けてもよい。
【００２５】
尚、図２（ａ）乃至（ｄ）では、単位基板領域２０の長手方向に沿った二本の境界線のうちの一本である境界線２１ｂの一部を跨がって設けられる開口１１のみが示されている。ただし本発明において、一の単位基板領域２０に対して設けられる開口１１は、対象となる単位基板領域２０を規定する複数の境界線の内のいずれかの一部を跨がる態様で複数形成されていてもよい。例えば、図２（ｅ）や（ｆ）に示されるように、単位基板領域２０を規定する境界線の１つである境界線２１ａ及び２１ｂについて、いずれかの境界線の一部を跨ぐ態様で開口１１を設けてもよい。
【００２６】
本発明において、多面取り基板１内に設けられる開口１１の数が多ければ多いほど、多面取り基板１の洗浄で使用される洗浄液の開口１１による排出効率が良好となる。またこの開口１１が大きければ大きいほど洗浄液の開口１１による排出効率が良好となる。ただし、多面取り基板１内に開口１１を設けると、開口１１の設け方によっては多面取り基板１自体の強度が弱体化することがある。このため、開口１１は、多面取り基板１自体の強度を考慮しつつ適宜設ける。
【００２７】
本実施形態において、多面取り基板１は、ガラス等基材のみで構成されている基板であってもよいし、この基材の上に回路、電極等の基材以外の部材をも設けた基板であってもよい。
【００２８】
（２）第二の実施形態
次に、図面を適宜参照しながら本発明の第二の実施形態について説明する。図３（ａ）は、多面取り基板１が有する一の単位基板領域２０内における第一の電極の設置態様の例を示す平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡＡ’断面を示す断面模式図である。尚、図３（ａ）は、図１中の塗りつぶし部分及びその周辺の部分拡大図でもある。
【００２９】
本実施形態において、多面取り基板１としては、第一の実施形態と同様に、基板１０のみで構成されている基板であってもよいし、図３（ｂ）に示される、基板１０の上に、薄膜トランジスタ４１や第一の電極３１を設けた、いわゆる電極付基板であってもよい。
【００３０】
図３（ｂ）において、ガラス基板等よりなる基板１０の上には、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）等の無機絶縁材料よりなるアンダーコート層１４が形成されている。アンダーコート層１４の上には、チャネル層４２、ゲート絶縁膜４３及びゲート電極４４を有する薄膜トランジスタ４１が複数形成されている。薄膜トランジスタ４１は、後述する画素回路や走査回路等の有機発光装置が有する有機発光素子を駆動させるための回路に含まれるスイッチング素子である。
【００３１】
薄膜トランジスタ４１が形成されたアンダーコート層１４の上には、酸化シリコン、窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる層間絶縁膜１５（第一の層間絶縁層）が形成されている。層間絶縁膜１５の上には、ソース／ドレイン電極４５や金属配線４６が形成されている。尚、層間絶縁膜１５の上に形成される金属配線４６は、後述する電源線又はデータ線のいずれかとなる配線部材である。ここでソース／ドレイン電極４５及び金属配線４６は、層間絶縁膜１５の所定の領域、例えば、チャネル層４２のみが設けられている領域の一部に形成された接続孔１５ａを介してチャネル層４２と電気接続される。また図３（ｂ）では図示されていないが、ゲート電極４４を設ける領域の一部に接続孔１５ａを設けてゲート電極４４と電気接続させてもよい。
【００３２】
ソース／ドレイン電極４５、金属配線４６等が形成された層間絶縁膜１５の上には、酸化シリコン、窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる層間絶縁膜１６（第二の層間絶縁層）が形成されている。層間絶縁膜１６の上には、第一の電極３１（下部電極）が形成されている。ここで第一の電極３１は、層間絶縁膜１６の所定の領域、具体的には、ソース／ドレイン電極４５が設けられる領域の一部に形成された接続孔１６ａを介してソース／ドレイン電極４５と電気接続される。尚、第一の電極３１は、有機発光素子を構成し、基板１０側に設けられる電極である。
【００３３】
第一の電極３１が形成された層間絶縁膜１６の上には、酸化シリコン、窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる画素分離膜１７が形成されている。画素分離膜１７は、有機発光装置が有する有機発光素子の発光領域を画定するための部材である。また画素分離膜１７のうち発光領域に相当する領域には開口部１７ａが設けられ、この開口部１７ａにより第一の電極３１の一部が露出している。即ち、第一の電極３１が露出している領域が発光領域に相当する。
【００３４】
本発明の多面取り基板を使用して、所定の単位基板領域２０内に有機発光装置を作製する場合、第一の電極３１は、対象となる単位基板領域に含まれる所定の領域内に設けられる。ここで第一の電極３１を設ける領域は、作製する有機発光装置の形状や多面取り基板に形成される開口１１の形成領域を考慮しながら適宜設定することができるが、線状光源として使用される有機発光装置を作製する場合では、長手方向を有する形状とするのが好ましい。ここで第一の電極３１を設ける領域が長手方向を有する形状となる場合、第一の電極３１を設ける領域の設け方として、好ましくは、図３（ａ）に示されるように、単位基板領域２０の長手方向（Ｘ方向）に沿って第一の電極３１を設ける領域１２を設ける。尚、図３（ａ）において、第一の電極３１を設ける領域１２は、単位基板領域２０内に一つ設けられているが、本発明においては、単位基板領域２０内に第一の電極３１を設ける領域１２を複数設けてもよい。またこの領域１２に含まれる第一の電極３１は、一つであってもよいし、図３（ａ）に示されるように複数であってもよい。
【００３５】
図３（ａ）において、画素分離膜１７の一部に形成される開口１７ａによってその一部が開放されている第一の電極３１は、単位基板領域２０の長手方向（Ｘ方向）に沿って一行に配列されている。ただし本発明において、第一の電極３１の配列パターンは、図３（ａ）に示される一行配列に限定されるものではない。
【００３６】
また本実施形態では、図３にされるように、画素分離膜１７の上であって第一の電極３１を設ける領域１２の周辺に突起物１３が設けられている。
【００３７】
突起物１３の構成材料としては、無機材料、樹脂材料等が挙げられる。実際に突起物１３を形成する場合は、窒化シリコン等の無機材料あるいは樹脂材料の薄膜を画素分離膜１７の上に成膜し、フォトリソプロセス及びドライエッチングを施し当該薄膜を加工することによって形成される。より容易に突起物１３を形成するには、フォトレジスト等の感光性樹脂で突起物１３を形成するのが好ましい。使用される感光性樹脂の種類については、ポジ型でもネガ型でもよく、特に特定のレジスト材料に限定されるものではない。
【００３８】
本実施形態において、突起物１３の高さは、好ましくは、画素分離膜１７から１μｍ以上であり、より好ましくは、２μｍ以上程度である。尚、有機発光素子を構成し第一の電極３１の上に形成される有機化合物層と第二の電極との膜厚の総和は、最大でも６００ｎｍ程度である。このため、突起物１３の高さを６００ｎｍを超えるように設定すれば、当該突起物１３を有機発光素子の保護部材として機能させることができる。また突起物１３は、外部からの物体の接触によって有機発光素子が破損するのを防ぐ保護部材として機能させるのであるならば、その高さは高ければ高いほど好ましいがより好ましい高さとしては２μｍ乃至１０μｍである。尚、突起物１３の高さは、例えば、突起物１３の構成材料として使用されるフォトレジストの膜厚を適宜調整することによって容易に調整することができる。
【００３９】
本発明において、突起物１３は、図３（ａ）に示されるように、第一の電極３１の形成領域１２の長手方向に沿って配置されるのが好ましい。これによって外部からの物体の接触による破損から、より確実に有機発光素子を保護することができる。ただし、突起物１３は、領域１２の周辺の領域に設けられていればよい。例えば、単位基板領域２０の長手方向に直交する方向（Ｙ方向）における領域１２と境界線（２１ａ、２１ｂ）との間の領域に設けてもよい。また、単位基板領域２０内に領域１２が複数設けられている場合は、複数ある領域１２間の領域に設けることが可能である。特に好ましくは、突起物１３は、領域１２の長手方向に沿って、後述する第二の電極を設ける領域の外側に配置されていることが好ましい。尚、図３（ａ）において、突起物１３は、領域１２の境界線２１ａ側周辺及び境界線２１ｂ側周辺にそれぞれ設けられているが、少なくとも境界線２１ａ側周辺又は境界線２１ｂ側周辺のいずれかに設けられていればよい。
【００４０】
本発明において、突起物１３の平面形状としては、帯状のひとつながりの構成物、分割した帯状、ドット状、それらの組み合わせ等いくつかの配置パターンが可能である。尚、第一の電極３１が形成されない、単位基板領域２０の長手方向側の端部近傍等の領域には、突起物１３を必ずしも形成する必要はない。
【００４１】
図４（ａ）は、突起物の設置における第一の例を示す平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される突起物の重心位置を説明する図であり、図４（ｃ）は、図４（ａ）中の突起物の平面構造の具体例を示す平面模式図である。尚、図４（ａ）に示される突起物１３は、例えば、一の単位基板領域２０に対して開口１１が図２（ｃ）又は（ｄ）の態様で設けられる場合において設置される突起物である。
【００４２】
図４（ａ）に示される突起物１３は、下記（２ａ）及び（２ｂ）の特徴を有する。
（２ａ）突起物１３の平面領域１３ａの重心Ｇが、開口１１によって単位基板領域２０の長手方向に直交する方向の幅が制限されていない領域２０ａの位置していること。
（２ｂ）単位基板領域２０の長手方向（図４（ａ）中のＸ方向）における長さｄ2が、単位基板領域２０の長手方向における開口間（開口１１αと開口１１βとの間）の幅ｄ1よりも長いこと。
【００４３】
ここで突起物１３の平面領域１３ａとは、基板平面における、対象となる突起物１３の設置領域をいう。突起物１３が複数設けられる場合は、各突起物１３において平面領域１３ａがそれぞれ定義される。そしてこの平面領域１３ａの重心Ｇは、突起物１３の平面領域１３ａを密度が均一な平面図形と見立てた場合の当該平面図形の重心の位置を示す。幾何学的表現を用いて重心Ｇの位置を言及すると、ある平面図形において、重心のまわりの一次モーメントが０になる点が重心Ｇの位置である。例えば、図４（ｂ）に示される密度が均一な平面図形Ａに対して、下記式（１）が成り立つような位置が重心Ｇの位置である。
【００４４】
【数１】
2017073206.tif 000003
【００４５】
ここで式（１）は、重心Ｇから平面図形Ａ上の任意の点Ｒまでのベクトルを、平面図形Ａの範囲において、面積Ｓで積分した場合、その積分値が０となることを意味している。尚、平面図形Ａは上述したように密度が均一であると見立てているので、式（１）は密度には因らないものとなる。
【００４６】
突起物１３が上記（２ａ）及び（２ｂ）の特徴を有することにより、多面取り基板１の洗浄効果を高めることができる。その理由を、図４（ａ）を適宜参照しながら以下に説明する。単位基板領域２０のうち、開口１１によって単位基板領域２０の長手方向に直交する方向（図４（ａ）中のＹ方向、短手方向）の幅が制限されない領域２０ａにおいて短手方向に沿って洗浄液を流すと、領域２０ａにある異物は単位基板領域２０に隣接する単位基板領域へ移動する。そして当該異物が上述した単位基板領域２０に隣接する単位基板領域にて基板上に再付着する恐れがある。そこで上記（２ａ）及び（２ｂ）を満たすように突起物１３を設けると、図４（ａ）に示される態様で突起物１３が設けられることとなる。図４（ａ）に示されるように突起物１３を設けると、この突起物１３によって洗浄液の進行方向が、例えば、図４（ａ）中の符号５５に示されるように変化して、異物を洗浄液と共に開口１１へ誘導することができる。また同時に単位基板領域２０に隣接する単位基板領域への異物の移動を防ぐことができる。
【００４７】
また突起物１３について上記（２ｂ）の条件を満たすと、異物をより確実に開口１１へ誘導することができるので好ましい。
【００４８】
図４（ａ）に示されるように、突起物１３に単位基板領域２０内の異物を開口１１へ誘導させる機能を付加させる場合、好ましくは、突起物１３の平面形状を、第一の電極３１を設ける領域側、即ち、領域１２側に凸である凸形状にする。領域１２側に凸である凸形状にすることによって、多面取り基板１を洗浄する際に基板上にある異物を開口１１へより確実に誘導させることができる。ただし、この凸形状が凸構造を複数有する形状であると、凸構造と凸構造との間に異物がトラップされ易くなることがある。このため、上記凸形状は１つの凸構造で構成されることが好ましい。これにより洗浄効果（突起物１３による異物を開口１１へ誘導させる効果）が大きくなるので、多面取り基板１の上に生じ得る異物を確実に開口１１等によって除去する事ができる。
【００４９】
ここで第一の電極３１を設ける領域１２側に凸であって、形状を構成する凸構造が一つである凸形状とは、例えば、図４（ａ）に示される、頂点が領域１２側に向いていて山の数が１個である山型構造である。図４（ａ）に示される平面形状以外にも、図４（ｃ）の（ｃ１）乃至（ｃ６）に示されるように、領域１２側に凸であって、形状を構成する凸構造が一つである凸形状を含む平面形状であれば、突起物１３の平面形状は特に限定されるものではない。
【００５０】
（３）第三の実施形態
図５（ａ）は、突起物の設置における第二の例を示す平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＢＢ’断面を示す断面模式図である。尚、図５（ａ）に示される突起物１３は、例えば、一の単位基板領域２０に対して開口１１が図２（ａ）乃至（ｆ）のいずれの態様においても設置され得る突起物である。
【００５１】
図５（ａ）に示される突起物１３は、下記（３ａ）及び（３ｂ）の特徴を有する。
（３ａ）突起物１３の平面領域１３ｂの重心Ｇが開口１１の長手方向（図５（ａ）中のＸ方向）の沿った側の周辺に位置すること。
（３ｂ）単位基板領域２０の長手方向（図５（ａ）中のＸ方向）における突起物の長さｄ4が、当該長手方向における開口の長さｄ3よりも長いこと。
【００５２】
突起物１３が上記（３ａ）及び（３ｂ）の特徴を有することにより、多面取り基板１の洗浄効果を高めることができる。その理由を、図５（ａ）を適宜参照しながら以下に説明する。図５（ａ）に示されるように、単位基板領域２０の長手方向の直交する方向（図５（ａ）中のＹ方向、短手方向）に洗浄液を流すと、開口１１によって短手方向の幅が制限されている領域２０ｂにある異物の一部は、開口１１を乗り越え、単位基板領域２０αから隣接する単位基板領域２０βへ移動し、単位基板領域２０βにて基板上に再付着する恐れがある。そこで、少なくとも上記（３ａ）を満たすように突起物１３を設けることにより、図５（ａ）に示されるように、突起物１３によって洗浄液の少なくとも一部が堰き止められる。突起物１３によって堰き止めされた洗浄液は開口１１に確実に流入されることになる。つまり、領域２０ｂにおいて、洗浄液の進行方向は、例えば、図５（ａ）中の符号５６に示される通りとなる。これにより、洗浄液に従って流動する異物も開口１１へ確実に流入させることができる。
【００５３】
本実施形態において、上記（３ａ）に加えて（３ｂ）を満たすように突起物１３を設けることにより、突起物１３による洗浄液の堰き止めの効果はより大きくなる。そのため異物を、洗浄液と共に開口１１へより確実に流入させることができる。
【００５４】
本実施形態の場合、単位基板領域２０の長手方向の直交する方向（短手方向）における突起物１３と開口１１との距離ｄ5は、突起物１３の高さｄ6よりも短いことが好ましい。これによって、突起物１３に受け止められる程度のサイズの異物は、より確実に開口１１から外へ排出することができる。
【００５５】
［有機発光装置の製造方法］
次に、本発明の有機発光装置の製造方法について説明する。本発明の製造方法は、基板と、当該基板の上であって当該基板の長手方向に沿って少なくとも一列配置されている画素と、を有する有機発光装置を製造する製造方法である。本発明の製造方法は、少なくとも下記（ｉ）乃至（ｖｉ）の工程を有する。
（ｉ）多面取り基板を用意する工程
（ｉｉ）多面取り基板上の所定の領域に第一の電極を形成する工程
（ｉｉｉ）多面取り基板を洗浄する工程
（ｉｖ）第一の電極の上に有機化合物層を形成する工程
（ｖ）有機化合物層の上に第二の電極を形成する工程
（ｖｉ）多面取り基板を切断する工程
【００５６】
本発明の製造方法において、上記（ｉ）の工程で用意される多面取り基板は、本発明の多面取り基板である。
【００５７】
（１）第一の実施形態
以下、本発明の有機発光装置の製造方法の第一の実施形態について説明する。図６は、本発明の有機発光装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。尚、本実施形態は、本発明の第一の実施形態に係る多面取り基板を用いた有機発光装置の製造方法である。
【００５８】
（１−１）多面取り基板
本実施形態で用意される多面取り基板としては、ガラス製の基板、シリコン製の基板等が挙げられる。また用意する多面取り基板には、単位基板領域ごとに有機発光装置の駆動回路及び配線が一式形成されている回路付基板も含まれる。
【００５９】
尚、多面取り基板を用意する際には、その一部に開口が予め設けられている基板を用意してもよい。このように開口が予め設けられている基板を多面取り基板として用意する際には、基板に設けられている開口の位置を考慮して単位基板領域が適宜設定される。
【００６０】
また開口が形成されていない多面取り基板を用意して、有機発光装置を製造する過程で当該多面取り基板の一部に開口を形成してもよい。係る場合、当該多面取り基板に開口を形成するタイミングとしては、有機化合物層を形成する前であれば、特に制限はない。例えば、当該多面取り基板の上に第一の電極等の部材を設ける前の段階であってもよいし、第一の電極等の部材を設けて当該多面取り基板がいわゆる電極付基板になった段階であってもよい。
【００６１】
尚、当該多面取り基板の一部に開口を設ける際は、開口を設ける領域を隣り合う単位基板領域の境界線の一部を跨ぐように設定する。また開口を形成する方法としては、ブレードを用いる方法、ドリルを用いる方法、レーザーアブレーション等が挙げられる。尚、開口を形成する箇所・領域については、特に限定されないが、例えば、図２（ａ）乃至（ｆ）に示される態様が挙げられる。
【００６２】
（１−２）第一の電極等の形成工程（図６（ａ））
次に、基板１０の上の所定の領域に、少なくとも第一の電極３１を形成する。尚、本工程では、後述するように、第一の電極３１だけでなく、基板１０と第一の電極３１との間であって、有機発光装置の駆動を制御するための部材・回路を適宜形成してもよい。
【００６３】
まず基板１０の上に、アンダーコート層１４を形成する。アンダーコート層１４は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。
【００６４】
次いで、アンダーコート層１４の上に、チャネル層４２、ゲート絶縁膜４３及びゲート電極４４を有する薄膜トランジスタ４１を形成する。尚、薄膜トランジスタ４１の形成方法としては、薄膜トランジスタの製造方法として公知の方法を採用することができる。
【００６５】
次いで、薄膜トランジスタ４１及びアンダーコート層１４の上に、層間絶縁膜１５（第一の層間絶縁膜）を形成する。層間絶縁膜１５は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。尚、薄膜トランジスタ４１を有する基板を作製する際には、薄膜トランジスタ４１と他の部材（ソース／ドレイン電極４５、金属配線４６等）との電気接続を確保する目的で、層間絶縁膜１５の一部、例えば、薄膜トランジスタ４１を構成するチャネル層４２のみ設けられている領域の一部を加工して接続孔１５ａを適宜形成しておく。このとき層間絶縁膜１５の加工方法として、例えば、フォトリソグラフィ及びドライエッチングを組み合わせた方法を採用することができる。次に、層間絶縁膜１５の上の所定の領域に、ソース／ドレイン電極４５、金属配線４６等を形成する。尚、ソース／ドレイン電極４５、金属配線４６等を形成する際は、これら部材が接続孔１５ａを介して薄膜トランジスタ４１と電気接続されるように形成領域を選定する。
【００６６】
次いで、ソース／ドレイン電極４５、金属配線４６及び層間絶縁膜１５の上に、層間絶縁膜１６（第二の層間絶縁膜）を形成する。層間絶縁膜１６は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。
【００６７】
次いで、層間絶縁膜１６の一部、具体的には、ソース／ドレイン電極４５が設けられている領域の一部を加工して接続孔１６ａを形成する。この接続孔１６ａは、ソース／ドレイン電極４５と第一の電極３１（下部電極）との電気接続を確保する目的で形成される。また層間絶縁膜１６の加工方法として、例えば、フォトリソグラフィ及びドライエッチングを組み合わせた方法を採用することができる。
【００６８】
次に、層間絶縁膜１６の上の所定の領域に、第一の電極３１を形成する（図６（ａ））。尚、第一の電極３１を形成する際は、第一の電極３１が接続孔１６ａを介してソース／ドレイン電極４５と電気接続されるように形成領域を選定する。
【００６９】
ここで基板１０側から光を取り出すボトムエミッション型の有機発光装置を製造する場合、第一の電極３１の構成材料としては、ＩＴＯ等の光透過性が良好な電極材料が用いられる。一方、基板１０とは反対側から光を取り出すトップエミッション型の有機発光装置を製造する場合、第一の電極３１の構成材料としては、金属材料等の光反射性が良好な電極材料が用いられる。ここで、金属材料としては、アルミニウム、銀、マグネシウム等が挙げられるが、これら金属材料を複数種組み合わせてなる合金も光反射性の電極材料として用いることができる。
【００７０】
次いで、第一の電極３１及び層間絶縁膜１６の上に、画素分離膜１７を形成する。画素分離膜１７は、例えば、ＣＶＤ法により形成される。尚、画素分離膜１７は、画素領域を画定する開口部１７ａを有している。この開口部１７ａは、画素分離膜１７となる無機絶縁材料よりなる薄膜を成膜した後、第一の電極３１が設けられている領域の少なくとも一部について、フォトリソグラフィ及びドライエッチングを組み合わせた方法により当該薄膜を加工することにより形成される。
【００７１】
以上説明したプロセスは、少なくとも一の単位基板領域内に行われるプロセスである。このプロセスを、多面取り基板の構成部材である基板１０が有する全ての単位基板領域において実施することにより、各単位基板領域内に、少なくとも１つの第一の電極３１を有する多面取り基板を作製することができる。
【００７２】
尚、画素分離膜１７を形成する段階で多面取り基板に開口を設けていない場合は、隣り合う単位基板領域の境界線の一部を跨ぐように、基板１０の一部に開口１１を形成する。
【００７３】
（１−３）多面取り基板の洗浄工程
次いで、多面取り基板を洗浄する。洗浄方法としては、水又は水を含有する液体を用いた二流体や超音波、メガソニック、マイクロバブル等の方法を適宜選択することができる。尚、多面取り基板の洗浄を行う際は、多面取り基板が有する単位基板領域の長手方向に直交する方向に、洗浄液（水又は水を含有する液体）を流すことが好ましい。これによって、第一の電極３１上の異物を効率的に、開口１１を通じて排出することができる。
【００７４】
ただし、多面取り基板を洗浄するタイミングは、画素分離膜１７が有する開口部１７ａを形成した直後、即ち、有機化合物層３２を形成する前に限定されるものではない。有機化合物層３２を形成した後で行っても、第二の電極３３（上部電極）を形成した後で行っても、有機化合物層３２を形成する前で行った時と同様に、異物によって生じる第一の電極３１と第二の電極３３との短絡を抑制することができる。
【００７５】
ところで、有機発光装置を作製する際には、一枚の多面取り基板の上に複数組の有機発光装置を一括して作製した後に、当該多面取り基板を切断して一つ一つの有機発光装置とするのが一般的である。この方法で有機発光装置を作製する場合、有機発光装置を設ける基板を洗浄する際には、当該多面取り基板を切断する前の状態、即ち、多面取り基板の上に複数組の有機発光装置又はその構成部材が設けられた状態で実施するのが一般的である。ただしその際、洗浄によって洗い流された異物が多面取り基板の上を伝い、基板１０の上や他の有機発光装置の構成部材に再付着するという問題が存在することに本発明者らは気づいた。
【００７６】
本発明では、図１に示されるように、多面取り基板１に適宜開口１１を設ける。具体的には、上記（１−２）にて説明したように、隣り合う単位基板領域の境界線の一部を跨ぐように、基板１０の一部に開口１１を形成する。この開口１１により、洗浄によって洗い流された異物が、基板１０の上を伝って、基板１０の上や他の有機発光装置の構成部材に再付着することなく、開口１１を経由して効率よく基板１０の外へ排出させることができる。
【００７７】
（１−４）有機化合物層の形成工程（図６（ｂ））
次いで、少なくとも画素分離膜１７が有する開口部１７ａから露出されている第一の電極３１の上に、有機化合物層３２を形成する（図６（ｂ））。有機化合物層３２は、少なくとも発光材料を有する発光層を含む一つの層又は複数の層からなる積層体である。有機化合物層３２が複数の層から構成される場合、有機化合物層３２に含まれる発光層以外の層としては、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。また有機化合物層３２の形成方法としては、真空蒸着法等が挙げられる。一方、本発明において、単位基板領域２０内に複数の画素を有する有機発光装置を製造する場合、有機化合物層３２は、画素ごとに個別に形成される層であってもよいし、各画素において共通する層であってもよい。ここで有機化合物層３２に含まれる発光層から出力させる色（発光色）は、青、緑又は赤のいずれか一種類に統一させてもよいし、二種類以上にしてもよい。単一色の発光で十分であるならば、製造プロセスがより簡便になるという理由で、有機化合物層３２は、これら画素において共通して形成されるのが好ましい。有機化合物層３２を全ての画素において共通して形成する場合、単位基板領域２０の長手方向における有機化合物層３２の長さは、単位基板領域２０の長手方向長さに応じて適宜設定することができる。また有機化合物層３２の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは、１０ｎｍ乃至３００ｎｍの範囲である。
【００７８】
（１−５）第二の電極の形成工程（図６（ｃ））
次いで、少なくとも有機化合物層３２の上に、第二の電極３３を形成する（図６（ｃ））。第二の電極３３を形成することによって、画素分離膜１７の開口部１７ａにおいて、第一の電極３１と、有機化合物層３２と、第二の電極３３と、がこの順で積層されてなる有機発光素子３０が形成される。ここで図６（ｃ）に示されるように、有機化合物層３２の上だけでなく画素分離膜１７の上にも第二の電極３３を形成すると、第二の電極３３が有機化合物層３２を被覆するため、この第二の電極３３によって有機化合物層３２への水分や酸素の侵入を抑制することができる。このため第二の電極３３によって有機化合物層３２を保護することができる。
【００７９】
ここで基板１０側から光を取り出すボトムエミッション型の有機発光装置を製造する場合、第二の電極３３の構成材料としては、金属材料等の光反射性が良好な電極材料が用いられる。一方、基板１０とは反対側から光を取り出すトップエミッション型の有機発光装置を製造する場合、第二の電極３３の構成材料としては、ＩＴＯ等の光透過性が良好な電極材料が用いられる。
【００８０】
第二の電極３３は、スパッタリング法、真空蒸着法等を用いて形成することができる。ここで第二の電極３３は、画素ごとに個別に形成される電極であってもよいが、製造プロセスがより簡便になるという理由で、各画素において共通する層として形成されるのが好ましい。第二の電極３３を全ての画素において共通して形成する場合、単位基板領域２０の長手方向における第二の電極３３の長さは、単位基板領域２０の長手方向長さに応じて適宜設定することができる。また第二の電極３３の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは、５ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲である。
【００８１】
（１−６）封止工程（図６（ｄ））
以上の工程を経て、多面取り基板の上の所定の領域、具体的には、多面取り基板が有する単位基板領域内にある画素を設ける領域に、第一の電極３１と、有機化合物層３２と、第二の電極３３と、を有する有機発光素子３０が形成される。ただし、有機発光素子３０を形成した後、大気中の水分や酸素から有機発光素子３０を保護するために封止工程を行うのが望ましい。
【００８２】
例えば、多面取り基板の全面にわたって、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法等により、シリコン窒化物、シリコン窒化酸化物、シリコン酸化物等の無機材料を成膜することで封止層５０を形成する（図６（ｄ））。また封止層５０として、緻密な膜が成膜できるＡＬＤ法（原子層堆積法）で形成されたアルミ酸化物等の薄膜も好ましく用いられる。
【００８３】
封止層５０を形成することにより、有機発光素子３０は、水分、酸素等の外部雰囲気から遮断させることができる。ここで、有機発光素子３０がボトムエミッション型の素子である場合、封止層５０に透光性は要求されない。一方、有機発光素子がトップエミッション型の素子である場合、封止層５０から外部へ有機発光素子３０からの光を取りだすため、封止層５０には透光性が要求される。
【００８４】
また封止層５０を設ける場合、上述した材料のいずれかから形成される単一層の膜として形成してもよいし、これら材料のいずれかを成膜した薄膜を積層してなる積層膜として形成してもよい。
【００８５】
尚、本発明において、有機発光素子３０を封止するプロセスは、必ずしも無機材料を成膜して封止層５０を形成する工程に限定されるものではない。例えば、基板１０（又は画素分離膜１７）と、凹部が形成された封止基板とを窒素雰囲気中で貼り合せることによっても有機発光素子３０の封止が可能である。尚、基板１０と封止基板とを張り合わせる際には、封止基板の内側に吸湿剤を配置させて、基板１０と封止基板との間の空間内の水分を低減させるのが好ましい。
【００８６】
（１−７）多面取り基板の切断工程
本発明の製造方法によって製造される有機発光装置は、本発明の多面取り基板を使用して単位基板領域ごとに製造されるため、単位基板領域単位で切断する必要がある。多面取り基板を切断する際は、例えば、上記の封止層５０まで形成した多面取り基板が有する隣接する各単位基板領域の境界線を切断線に見立てて、ブレードダイシング、レーザーアブレーションダイシング等を用いた切断処理を当該境界線に施す。この切断処理によって有機発光装置を１つ１つ切り出すという方法が挙げられる。
【００８７】
（１−８）有機発光装置
図７は、本実施形態（第一の実施形態）の製造方法に従って製造された有機発光装置の例を示す平面模式図である。
【００８８】
図７の有機発光装置２は、基板１０の上に、画素３が複数配置されている。また図７の有機発光装置２には、複数の画素回路３７と、電源線３６と、走査回路３５と、データ線１９と、配線パッド３４と、を有している。尚、図７の有機発光装置２において、基板１０は、切欠き部１１ａを有している。この切欠き部１１ａは、図７の有機発光装置２を作製する際に、多面取り基板に適宜設けられる開口の一部である。
【００８９】
図７の有機発光装置２において、画素回路３７は、複数設けられている画素３の駆動電流を画素３ごとに個別に制御するために設けられる部材であり、１つの画素３に対して１組ずつ配置されている。また図７の有機発光装置２において、基板１０の上に設けられる画素回路３７は、画素３と同様に基板１０の長手方向に沿って、その列が画素３の列に隣接するように並んで配置されている。
【００９０】
図７の有機発光装置２において、電源線３６は、基板１０の上であって、画素回路３７の列に隣接する態様で配置されている。また走査回路３５は、基板１０の上であって、電源線３６に隣接する態様で配置されている。一方、データ線１９は、画素回路３７の列が配置された側とは反対側において画素３の列に隣接する態様で配置されている。ここで、画素回路３７、電源線３６、走査回路３５及びデータ線１９は、図７の有機発光素子が有する複数の画素３を個別に駆動させるための駆動回路を構成する。また画素回路３７及び走査回路３５は、例えば、上記（１−２）の工程で形成される薄膜トランジスタ４１等のスイッチング素子や、アルミニウム、モリブデン等の金属配線４６等により形成されている。一方、電源線３６及びデータ線１９は、上記（１−２）の工程で形成される金属配線４６により形成されている。
【００９１】
図７の有機発光装置２のように、複数の画素１２が基板１０の長手方向に沿って列状に配置されている有機発光装置では、画素３を駆動させるための駆動回路は、画素３を設ける領域の周辺に配置することが困難な場合がある。係る場合、例えば、図７に示されるように、画素３の列を挟む両側部において駆動回路を構成する部材を配置させる。尚、図７に示される、画素回路３７、電源線３６、走査回路３５及びデータ線１９の配置態様は、あくまでも各部材の配置態様の具体例であり、本発明において、これら部材の配置態様は、特に限定されるものではない。即ち、画素回路３７、電源線３６、走査回路３５及びデータ線１９を画素３の列のどちら側に配置するか、どの順番で配置するか、については、個々に決定することができる。
【００９２】
図７の有機発光装置２において、配線パッド３４は、長尺状の基板１０の長手方向側の端部のいずれかに近接させる態様で配置される。ここで、電源線３６、走査回路３５、データ線１９及び第二の電極３３は、それぞれ配線パッド３４に電気接続している。尚、配線パッド３４は、ＡＣＦ（異方性導電膜）等を用いてフレキシブルケーブルに接続させることが可能である。
【００９３】
図７の有機発光装置２が複数有する画素３は、長尺状の基板１０の長手方向に沿って一列に配置されている。しかし、本発明において、有機発光装置が有する複数の画素の配列は、図７に示されるように、一列に配列されている態様に限定されるものではない。本発明の製造方法は、主に、複数の発光画素がｎ行×ｍ列（ｎ≦４、かつ１００≦ｍ）で配置されているライン状の有機発光装置を製造するための製造方法である。
【００９４】
図８は、有機発光装置が有する画素の配列パターンの例を示す平面模式図である。図８（ａ）は、画素２が１行×ｍ列で配置されている。図８（ａ）に示されるように、画素３を一列（一行）に配置させることにより有機発光装置を線光源として利用することができる。例えば、Ａ４サイズの用紙に印字する固体露光光源プリンターの露光光源として有機発光装置を利用する場合、画素３が１行×２５０６列でライン状に配置された有機発光装置を利用することができる。また係る場合において、画素３の大きさ（ａ×ｂ）を、例えば、４２．３μｍ×４２．３μｍで設定し、ピッチｃを８４．６μｍと設定すると、露光幅は２１２ｍｍ（８４．６μｍ×２５０６画素）となる。
【００９５】
また上述したように画素３の大きさ及び画素間ピッチを設定すると、有機発光装置２が有する長尺状の基板１０（ガラス基板）の寸法を、例えば、長手方向長さを２１９ｍｍ、短手方向（長手方向に直交する方向）長さを４．７ｍｍに設定することができる。尚、画素３の大きさ及び画素間ピッチは、基板１０（ガラス基板）の寸法、言い換えると、本発明の多面取り基板が複数有する単位基板領域の大きさを考慮して適宜設定することができる。
【００９６】
本発明の多面取り基板から長尺形状の基板を切り出す場合、短手方向の長さが短ければその分だけ１枚の多面取り基板から取り出す個数を多くすることができる。このため、切り出される基板の短手方向の長さは、１０ｍｍ以下が好ましく、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下がより好ましい。
【００９７】
図８（ｂ）は、画素３が２行×ｍ列で配置されている。本発明に係る有機発光装置を線光源として用いる場合、１行分の画素３があれば有機発光装置を線光源として利用することができるが、画素を複数行有すると、一部の画素３が故障した場合であっても故障した画素の隣に設けられている画素３が利用できる。また係る場合において、画素３の大きさ（ａ×ｂ）を、例えば、４２．３μｍ×４２．３μｍで設定し、ピッチｃを８４．６μｍと設定すると、露光幅は２１２ｍｍ（８４．６μｍ×２５０６画素）となる。尚、ピッチｄの寸法は特に限定されないが、例えば、６７．７μｍと設定することができる。
【００９８】
また本発明においては、画素の配列態様は、図８（ａ）及び（ｂ）に示されるように、ライン状配列に限定されるものではなく、図８（ｃ）に示されるように、長手方向に沿って千鳥状に配列させる態様でもよい。画素３を千鳥状に配列させることにより、図８（ｂ）のライン配列と比較して、長手方向に直交する短手方向に高密度に画素を配置させることができる。また係る場合において、発光画素の大きさ（ａ×ｂ）を４２．３μｍ×２５．４μｍで設定し、長手方向のピッチｃを８４．６μｍと設定すると、露光幅は２１２ｍｍ（４２．３μｍ×５０１２発光画素）となる。尚、ピッチｄの寸法は、例えば、５０．８μｍと設定することができる。
【００９９】
図７の有機発光装置２は、各画素３に対応した駆動回路から適宜入力される制御信号により、画素３ごとに発光が制御される。この発光を、例えば、感光体に向けて照射させることで、電子写真方式のプリンター等の機器を構築することができる。
【０１００】
（２）第二の実施形態
以下、本発明の有機発光装置の製造方法の第二の実施形態について説明する。図９は、本発明の有機発光装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。尚、第二の実施形態は、画素分離膜１７の形成工程と有機化合物層３２の形成工程との間に、突起部の形成工程（図９（ａ））を行う点を除けば、第一の実施形態と製造プロセスが共通する。また本実施形態は、本発明の第二及び第三の実施形態に係る多面取り基板を用いた有機発光装置の製造方法である。一方、図９（ｂ）は、有機発光素子３０の形成工程（有機化合物層３２及び第二の電極３３の形成工程）を、図９（ｃ）は、封止工程を示している。以下、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【０１０１】
（突起物の形成工程（図９（ａ）））
突起物１３は、画素分離膜１７を形成した後で形成される。突起物１３は、例えば、スピンコート法等を用いて、少なくとも画素分離膜１７の上に、ポリアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の感光性樹脂材料を成膜して樹脂膜を形成した後、フォトリソグラフィにより当該樹脂膜を加工することで形成される。本発明の製造方法において、突起物１３を形成する際は、突起物１３自体の機能（有機発光素子の保護）を発揮させるために、基板面に対して垂直方向において第二の電極３３よりも突出させるように突起物１３を形成する必要がある。このため、突起物１３を形成する際には、上記樹脂膜の膜厚をなるべく厚くさせる必要がある。ここで突起物１３を形成する際に、樹脂材料、例えば、上記の感光性樹脂材料を用いると、スピンコート法等で比較的容易に膜厚が厚い膜を形成することができるので、好ましい。本実施形態において形成される突起物１３の平面形状は、必ずしも図４（ａ）又は図５（ａ）に示される平面形状である必要はなく、ドット状であってもよい。本実施形態において形成される突起物１３の個数は、一個であってもよいし、二個以上であってもよい。
【０１０２】
尚、本実施形態において、多面取り基板の洗浄工程は、突起物１３を形成した後に行う。このとき行われる洗浄プロセスとしては、第一の実施形態で説明したプロセスと同様のプロセスで行うことができる。
【０１０３】
［有機発光装置の用途］
本発明の製造方法によって製造される有機発光装置は、例えば、電子写真方式の画像形成装置の露光光源等の用途がある。
【０１０４】
本発明の画像形成装置は、感光体と、この感光体の表面を帯電させる帯電部と、感光体を露光して静電潜像を形成するための露光部と、感光体に現像剤を付与し感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像部とを有する画像形成装置である。ここで画像形成装置に備える露光手段は、本発明に係る有機発光装置を含んでいる。
【０１０５】
また本発明に係る有機発光装置は、感光体を露光するための露光装置の構成部材として使用することができる。本発明に係る有機発光装置を有する露光装置は、例えば、本発明に係る有機発光装置を構成する有機発光素子を所定の方向に沿って列を形成して配置されている露光装置がある。
【０１０６】
図１０は、本発明に係る有機発光装置を有する画像形成装置の例を示す模式図である。図１０の画像形成装置７は、感光体７１と、露光光源７２と、現像器７４と、帯電部７５と、転写器７６と、搬送ローラー７７と、定着器７９と、を有している。
【０１０７】
図１０の画像形成装置７は、露光光源７２から感光体７１へ向けて光７３が照射され、感光体７１の表面に静電潜像が形成される。図１０の画像形成装置７において、露光光源７２は、本発明に係る有機発光装置である。また図１０の画像形成装置７において、現像器７４は、トナー等を有している。図１０の画像形成装置７において、帯電部７５は、感光体７１を帯電させるために設けられている。図１０の画像形成装置７において、転写器７６は、現像された画像を紙等の記録媒体７８に転写するために設けられている。尚、記録媒体７８は、搬送ローラー７７によって転写機７６へ搬送される。図１０の画像形成装置７において、定着器７９は、記録媒体７８に形成された画像を定着させるために設けられている。
【０１０８】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、図１０の画像形成装置７を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、図１１（ｃ）は、図１０の画像形成装置７を構成する感光体の具体例を示す概略図である。尚、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、露光光源７２に有機発光素子を含む発光部７２ａが長尺状の基板７２ｃの長軸方向に沿って、一列に複数配置されている点で共通している。また符合７２ｂの矢印は、発光部７２ａが配列されている列方向を表わす。この列方向は、感光体７１が回転する軸の方向と同じである。
【０１０９】
ところで図１１（ａ）では、発光部７２ａは、感光体７１の軸方向に沿って配置した形態である。一方、図１１（ｂ）では、第一の列αと第二の列βとのそれぞれにおいて発光部７２ａが列方向に交互に配置されている形態である。図１１（ｂ）において、第一の列α及び第二の列βは、それぞれ行方向に異なる位置に配置されている。
【０１１０】
また図１１（ｂ）において、第一の列αは、複数の発光部７２αが一定の間隔を空けて配置される一方で、第二の列βは、第一の列αに含まれる発光部７２α同士の間隔に対応する位置に発光部７２βを有する。即ち、図１１（ｂ）の露光光源は、行方向にも、複数の発光部が一定の間隔を空けつつ配置されている。
【０１１１】
尚、図１１（ｂ）の露光光源は、露光光源を構成する発光部（７２α、７２β）を、例えば、格子状、千鳥格子、あるいは市松模様に配置されている状態と言い換えることもできる。
【０１１２】
以上説明の通り、本発明の製造方法により製造される有機発光装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間安定な表示が可能である。
【実施例】
【０１１３】
以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。
【０１１４】
［実施例１］
図６に示される製造プロセスに従って、図７に示される有機発光装置２を作製した。尚、以下に説明するプロセスは、一の単位基板領域内に一基の有機発光装置を作製するプロセスであるが、この単位基板領域が複数連接されている多面取り基板を用いて作製する場合でも適用することができる。また単位基板領域が複数連接されている多面取り基板を用いる場合、以下に説明するプロセスを各単位基板領域に適用することにより、単位基板領域の個数分の有機発光装置を作製することができる。
【０１１５】
（１）電極付基板の作製工程（図６（ａ））
まず図１の多面取り基板１に含まれる所定の単位基板領域２０内に電極等の部材を形成することで電極付基板を作製した。尚、本実施例において、本工程（電極付基板の作製工程）において実施される所作のうち、以下の説明で省略されている部分については、半導体プロセスにおいて実施される一般的な製造プロセスを利用することができる。
【０１１６】
まずＣＶＤ法により、ガラス基板等の基板１０の上の所定の単位基板領域２０内に、窒化シリコン等の無機絶縁材料を成膜してアンダーコート層１４を形成した。次いで、公知の薄膜トランジスタの製造方法と同様の方法により、アンダーコート層１４の上に、チャネル層４２と、ゲート絶縁膜４３と、ゲート電極４４と、を有する薄膜トランジスタ４１を形成した。次いで、ＣＶＤ法により、薄膜トランジスタ４１が形成されたアンダーコート層１４の上に、酸化シリコンを成膜して、第一の無機絶縁材料膜を形成した。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、形成した第一の無機絶縁材料膜の所定の領域を加工して、薄膜トランジスタ４１に含まれるチャネル層４２の一部を開放させる開口部を有する層間絶縁膜１５を形成した。尚、この開口部は、チャネル層４２と他の部材との電気接続を確保するための接続孔１５ａとして機能する。次に、層間絶縁膜１５の上の所定の領域に、上記接続孔を介して薄膜トランジスタ４１に電気接続されるソース／ドレイン電極４５や金属配線４６等を形成した。次いで、ＣＶＤ法により、ソース／ドレイン電極４５及び金属配線４６が形成された層間絶縁膜１５の上に、酸化シリコンを成膜して、第二の無機絶縁材料膜を形成した。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、形成した第二の無機絶縁材料膜の所定の領域を加工して、ソース／ドレイン電極４５の一部を開放させる開口部を有する層間絶縁膜１６を形成した。尚、この開口部は、ソース／ドレイン電極４５と他の部材との電気接続を確保するための接続孔１６ａとして機能する。次に、層間絶縁膜１６の上の所定の領域に、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を成膜して、接続孔１６ａである開口部を介してソース／ドレイン電極４５に電気接続される第一の電極３１（下部電極）を形成した。次いで、ＣＶＤ法により、第一の電極３１が形成された層間絶縁膜１６の上に、窒化シリコンを成膜して第三の無機絶縁材料膜を形成した。尚、第三の無機絶縁材料膜の膜厚を２００ｎｍとした。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、第三の無機絶縁材料を加工することで、４０μｍ角の開口部１７ａを複数有する画素分離膜１７を形成した。
【０１１７】
このとき基板１０の上には、画素を構成する第一の電極３１（下部電極）が１行５００列で配列されていた。即ち、本実施例で作製される有機発光装置の総発光画素数は５００画素である。
【０１１８】
次に、レーザーアブレーションにより、多面取り基板の所定の領域、具体的には、図１に示される多面取り基板１内に複数含まれる単位基板領域を規定する切断線（境界線２１ａ）の一部を跨ぐ領域を加工して、図１に示すような開口１１を形成した。尚、形成した開口１１において、単位基板領域２０の長手方向に直交する方向の幅は６０μｍであった。
【０１１９】
次に、市販の枚様式洗浄機を用いて、開口１１を形成した多面取り基板１を、二流体あるいはメガソニックを使った純水洗浄を用いた洗浄を行い、その表面を洗浄した。多面取り基板１の洗浄を行う際、多面取り基板１が有する単位基板領域２０の長手方向に直交する方向に洗浄液を流した。その後、次の工程（有機化合物層の形成工程）を行う前に、真空で２５０℃程度のベークを行って多面取り基板１の脱水を行った。以上により、電極（第一の電極３１）を有する多面取り基板１を作製した（図６（ａ））。
【０１２０】
（２）有機化合物層の形成工程（図６（ｂ））
次いで、真空蒸着法を用いて、画素分離膜１７が有する開口部１７ａによって開放された第一の電極３１の上に、有機化合物層３２を形成した（図６（ｂ））。尚、有機化合物層３２を形成する際には、蒸着マスクを画素分離膜１７の上に密着させることにより、所定の成膜領域内に共通した有機化合物層３２が形成されるようにした。また本工程にて形成される有機化合物層は、第一の電極側から、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層されてなる積層体である。さらに、有機化合物層３２を構成する各層の構成材料としては、市販されている公知の材料を使用し、発光層の発光色を感光材料の感光波長に合わせて赤色とした。
【０１２１】
（３）第二の電極の形成工程（図６（ｃ））
次に、蒸着マスクを用いた真空蒸着法により、少なくとも（２）の工程にて形成された有機化合物層３２を被覆するように、所定の成膜領域にアルミニウムを成膜することで第二の電極３３（上部電極）を、各画素に共通する電極として形成した。尚、第二の電極３３の膜厚を２００μｍとした。また、本工程にて形成される第二の電極３３において、単位基板領域２０の長手方向に直交する方向の幅は６００μｍであり、ライン状に配列した画素の中心線に沿って成膜した。
【０１２２】
（４）封止工程（図６（ｄ））
次いで、ＣＶＤ法により、単位基板領域２０の全面にわたって、窒化シリコンからなる薄膜を成膜した。このとき薄膜の膜厚を２μｍとした。次に、配線パッド３４が露出するようにフォトリソ及びドライエッチングにより上記薄膜の加工を行い、封止層５０を形成した。尚、この封止層５０は、画素の形成領域の周辺の領域において画素分離膜１７と接触していた。次に、露出した配線パッド３４と外部回路と接続させることにより有機発光装置２を得た。得られた有機発光装置２において、開口１１の形成により、単位基板領域２０の長手方向に直交する方向の幅は３０μｍ制限されていた。
【０１２３】
［実施例２］
図９に示される製造プロセスに従って、第一の電極３１を設ける領域１２の周辺の領域に突起物１３が設けられている有機発光装置２を作製した。
【０１２４】
（１）電極付基板の作製工程（図９（ａ））
実施例１（１）と同様の方法により、一の単位基板領域２０内に、薄膜トランジスタ４１、ソース／ドレイン電極４５、金属配線４６、第一の電極３３及び開口１１を有する電極付の多面取り基板１を作製した。尚、本実施例において、多面取り基板１が有する開口１１は、図２（ｂ）に示されるように、単位基板領域２０の長手方向に沿って二箇所形成されていた。
【０１２５】
（２）突起物の形成工程（図９（ａ））
次に、スピンコート法により、画素分離膜１７の上に、感光性樹脂材料であるポリイミドを成膜してポリイミド膜を形成した。このときポリイミド膜の膜厚は２μｍであった。次に、フォトリソグラフィによるポリイミド膜の加工を行うことにより、第一の電極３１を設ける領域１２の周辺に突起物１３を形成した（図９（ａ））。より具体的には、図４（ａ）に示されるように、突起物１３の平面領域１３ａの重心Ｇが、開口１１によって単位基板領域２０の長手方向に直交する方向の幅が制限されていない領域２０ａに位置するように、突起物１３を形成した。尚、この突起物１３は、図４（ａ）に示されるように、単位基板領域２０の長手方向の長さが、単位基板領域２０の長手方向における開口１１間の幅よりも長いものであった。また突起物１３は、第一の電極３１を設ける領域１２側に凸である凸部を一つ有する凸形状であった。
【０１２６】
（３）有機化合物層の形成工程（図９（ｂ））
実施例１（２）と同様の方法により、有機化合物層３２を、第一の電極３１及び画素分離膜の上の所定の領域に形成した（図９（ｂ））。
【０１２７】
（４）第二の電極の形成工程（図９（ｂ））
実施例１（３）と同様の方法により、第二の電極３３を、少なくとも有機化合物層３２を被覆するように、所定の領域に形成した（図９（ｂ））。
【０１２８】
（５）封止工程（図９（ｃ））
実施例１（４）と同じ方法により、封止層５０を形成した（図９（ｃ））。以上により、有機発光装置２を作製した。
【０１２９】
［実施例３］
実施例２において、実施例２（２）にて説明した製造プロセスに代えて、以下に説明するプロセスにより突起物を形成したことを除いては、実施例２と同様の方法により有機発光装置を作製した。尚、本実施例において、開口１１は、図２（ｃ）に示されるように、単位基板領域の長手方向に直交する方向に沿った境界線２２ａ及び２２ｂ（第二の切断線）を跨がないように形成されていた。
【０１３０】
（突起物の形成工程）
スピンコート法により、ポリイミド膜を形成した。尚、ポリイミド膜は、有機発光装置を作製する単位基板領域（図５（ａ）中の第一の単位基板領域２０α）の長手方向に沿った境界線において第一の単位基板領域に隣接する単位基板領域（図５（ａ）中の第二の単位基板領域２０β）内に少なくとも形成されるようにした。またポリイミド膜の膜厚は２μｍであった。次に、フォトリソグラフィによるポリイミド膜の加工を行うことにより、図５（ａ）に示されるように、突起物１３の平面領域１３ｂの重心Ｇが、開口１１の第二の単位基板領域２０βの長手方向側の周辺に位置するように、突起物１３を形成した。尚、単位基板領域２０の長手方向における突起物１３の長さ（ｄ4）は、単位基板領域２０の長手方向における開口１１の長さ（ｄ3）よりも長かった。
【０１３１】
また本実施例にて作製した有機発光装置において、突起物１３は、単位基板領域２０の長手方向に直交する方向における開口１１との距離（ｄ5）は１μｍであり、突起物１３自体の高さ（２μｍ、ｄ6）よりも短かった。
【０１３２】
［評価結果］
実施例（実施例１、実施例２、実施例３）にて作製した発光装置は、いずれも非発光領域が少なく、確かな発光が確認できた。
【符号の説明】
【０１３３】
１：多面取り基板、２：有機発光装置、３：画素、１０：基板、１１：開口、１３：突起物、２０：単位基板領域、２１ａ（２１ｂ、２２ａ、２２ｂ）：境界線、３０：有機発光素子、３１：第一の電極、３２：有機化合物層、３３：第二の電極、４１：薄膜トランジスタ、５０：封止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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