(57)【要約】      （修正有）【課題】特性インピーダンスを高く維持しながらも、信号ラインの位置別特性インピーダンスの値の差異を最小化することができる新たな接地パターン構造及びこれを適用した回路基板を提供する。【解決手段】絶縁層を挟んで第１の導体層及び第２の導体層１３０が配置され、上記第１の導体層は信号ライン１２０を含み、第２の導体層は接地ライン１３１を含む。信号ライン１２１と接地ライン１３１の対応領域において、信号ライン１２１に対応する接地ライン１３１のパターン形状が、信号ライン１２１の位置別インピーダンスの差異が最小となるようにパターン化され、信号ライン１２１の位置別特性インピーダンスの差異は１Ω以下である。【選択図】図５
2017073537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を挟んで配置された第１及び第２の導体層を含み、
前記第１及び第２の導体層はそれぞれ信号ラインと接地ラインを含み、
前記信号ラインと前記接地ラインの対応領域において、
前記信号ラインに対応する前記接地ラインのパターン形状が、前記信号ラインの位置別インピーダンスの差異が最小となるようにパターン化され、
前記信号ラインの位置別特性インピーダンスの差異は１Ω以下である、回路基板。
【請求項２】
前記接地ラインはメアンダ（Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化されたパターン領域を有する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記信号ラインと前記接地ラインの対応領域において、
前記信号ラインに対応する前記接地ラインのパターン形状が前記信号ラインの位置にかかわらず一定に維持される、請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記信号ラインと前記接地ラインの対応領域において、
前記信号ラインに対応する前記接地ラインのリターンパス経路が前記信号ラインの位置にかかわらず一定に維持される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記接地ラインはオブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化されたパターン領域を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第２の導体層は複数のダミーパターンをさらに含み、
前記複数のダミーパターンは前記接地ラインと連結されない、請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項７】
絶縁層を挟んで配置された第１及び第２の導体層を含み、
前記第１及び第２の導体層はそれぞれ信号ラインと接地ラインを含み、
前記接地ラインのエッジ部分には開曲線形状の単位パターンが配置され、前記エッジ部分に配置された開曲線形状の単位パターンの間には斜めに傾いた形状の単位パターンが配置される、回路基板。
【請求項８】
前記開曲線形状の単位パターンと前記斜めに傾いた形状の単位パターンが互いに連結されて前記信号ラインのリターン経路を形成する、請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
前記斜めに傾いた形状の単位パターンは幅が一定である、請求項７又は８に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記斜めに傾いた形状の単位パターンはこれらの間の間隔が一定である、請求項７〜９のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記斜めに傾いた形状の単位パターンは一定の方向に斜めに傾いた形状である、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項１２】
前記斜めに傾いた形状の単位パターンはジグザグ状に斜めに傾いた形状である、請求項７〜１１のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記第２の導体層はダミーパターンをさらに含み、
前記ダミーパターンは前記開曲線形状の単位パターンと前記斜めに傾いた形状の単位パターンの間に配置される、請求項７〜１２のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項１４】
信号ラインを含む第１導体層と、
接地ラインを含む第２導体層と、
前記第１及び第２導体層の間に配置された絶縁層と、を含み、
前記接地ラインは前記信号ラインを複数回横切って通過し、前記信号ラインを複数回横切って通過する際の前記接地ラインの電流方向は交互に変化する、回路基板。
【請求項１５】
前記信号ラインを複数回横切って通過することは前記信号ラインを横切る第１のパス及び第２のパスを含み、
前記第１のパスを通過する際の前記接地ラインの電流方向と前記第２のパスを通過する際の前記接地ラインの電流方向が、前記接地ラインを基準に互いにおおむね反対方向に向かう、請求項１４に記載の回路基板。
【請求項１６】
前記接地ラインはオブリーク−メアンダ形状にパターン化されたパターン領域を有する、請求項１４又は１５に記載の回路基板。
【請求項１７】
前記接地ラインの電流方向は前記信号ラインの位置にかかわらず一定に維持される、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項１８】
パターン領域のエッジ部分に沿って配置された外側導体パターンと、
前記パターン領域内に配置され、前記外側導体パターンを介して互いに連結されてメアンダ形状の導体経路を形成する内側導体パターンと、を含む、回路基板用導体パターン構造。
【請求項１９】
前記内側導体パターンは斜めに傾いた形状の導体パターンを含み、前記外側導体パターンを介して互いに連結されてオブリーク−メアンダ形状の導体経路を形成する、請求項１８に記載の導体パターン構造。
【請求項２０】
前記内側導体パターンは第１の内側導体パターンと第２の内側導体パターンを含み、前記第１の内側導体パターン及び前記第２の内側導体パターンは前記第１の内側導体パターンを通過する電流方向と前記第２の内側導体パターンを通過する電流方向が、互いに反対方向になるように平行に配置される、請求項１８に記載の導体パターン構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及び導体パターン構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板は、伝送線路の種類及びそれによる電磁場（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ）を基準とすると、大きく、マイクロストリップライン（ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ  ｌｉｎｅ）とストリップライン（ｓｔｒｉｐ  ｌｉｎｅ）に分類されることができる。マイクロストリップラインとストリップラインの両方とも信号ライン（ｓｉｇｎａｌ  ｌｉｎｅ）がグランドと電場を形成する。このときに形成される電場が特性インピーダンスに影響を及ぼすようになる。
【０００３】
一方、マイクロストリップラインとストリップラインにおいてインピーダンス特性は、通常、信号ラインの線幅と厚さ、信号ラインと接地の間の高さ、及び絶縁層を構成する媒質の誘電率などによって決定される。しかしながら、最近、製品の薄型化の傾向に伴い、それに含まれる回路基板を設計するにあたり絶縁層の厚さを減らしており、その結果、インピーダンスが所望の設計数値より低くなるという問題がある。
【０００４】
これを補償するための方法として信号ラインの線幅や厚さを調節することが提案されたことがある。しかしながら、信号ラインの線幅や厚さを調節する場合、インピーダンスを所望の設計数値に整合することはできるが、伝送損失をもたらし、また、回路素子の配置に相当な制約を受けるようになるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許公開第２０１２−００５０１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の問題点を解決するために、信号ラインではなく接地の設計を変更してインピーダンスを整合することが考えられる。但し、この場合には、特性インピーダンスを一定に維持させることができる具体的な方案が必要である。
【０００７】
本発明の様々な目的の一つは、特性インピーダンスを高く維持しながらも、信号ラインの位置別特性インピーダンスの値の差異を最小化することができる新たな接地パターン構造及びこれを適用した回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明で提案する様々な解決手段の一つは、信号ラインの位置にかかわらず特性インピーダンスの値を一定に維持することができるように接地をパターン化することである。例えば、接地をオブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化することが挙げられる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の様々な効果のうち一つの効果は、特性インピーダンスを高く維持しながらも、信号ラインの位置別特性インピーダンスの値の差異を最小化することができる新たな接地パターン構造及びこれを適用した回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】電子部品に適用された回路基板の例を概略的に示す。
【図２】図１の回路基板の接地部をより詳細に示す。
【図３ａ】回路基板の一例を概略的に示す断面図である。
【図３ｂ】回路基板の一例を概略的に示す断面図である。
【図４ａ】回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。
【図４ｂ】回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。
【図５】接地ラインを有する導体層の一例を概略的に示す平面図である。
【図６】図５の接地ラインを有する導体層にダミーパターンが適用された場合を概略的に示す平面図である。
【図７】図５の接地ラインを有する導体層にダミーパターンが適用された他の場合を概略的に示す平面図である。
【図８】接地ラインを有する導体層の他の一例を概略的に示す平面図である。
【図９】図８の接地ラインを有する導体層にダミーパターンが適用された場合を概略的に示す平面図である。
【図１０】図８の接地ラインを有する導体層にダミーパターンが適用された他の場合を概略的に示す平面図である。
【図１１】接地ラインを有する導体層のさらに他の一例を概略的に示す平面図である。
【図１２】図１１の接地ラインを有する導体層にダミーパターンが適用された場合を概略的に示す平面図である。
【図１３】図１１の接地ラインを有する導体層にダミーパターンが適用された他の場合を概略的に示す平面図である。
【図１４】オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ラインの信号リターン経路を概略的に示す。
【図１５】フィル（Ｆｉｌｌ）形状にパターン化された接地面の信号リターン経路を概略的に示す。
【図１６】ハッチ（ｈａｔｃｈ）形状にパターン化された接地ラインの信号リターン経路を概略的に示す。
【図１７】オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ラインとハッチ（ｈａｔｃｈ）形状にパターン化された接地ラインの信号ラインの位置別対応関係を概略的に示す。
【図１８】オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ラインとハッチ（ｈａｔｃｈ）形状にパターン化された接地ラインの信号ラインの位置別特性インピーダンスのシミュレーション結果を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００１２】
電子部品
図１は、電子部品に適用された回路基板３００の例を概略的に示す。図１の電子部品はカメラモジュールであり、図示のように、カメラモジュール用回路基板３００は、レンズアセンブリ１、ＶＣＭアセンブリ２、ＩＲフィルタ３、センサー４の下に位置し、また、ＩＳＰモジュール５の上部に位置する。但し、他の種類のカメラモジュールでは、これと異なる形で構成要素が配置されてもよく、他の構成要素がさらに付加されたり他の構成要素に置換されてもよい。
【００１３】
カメラモジュール用回路基板３００は信号伝送部３２０及び接地部３３０を含むことができる。信号伝送部３２０は、ＶＣＭアセンブリ２、センサー４、ＩＳＰモジュール５などに制御信号を提供するためのものであり、少なくとも一つの信号ライン３２１を含むことができる。信号ライン３２１は、ＭＩＰＩインターフェースを支援するためのものであり、４対のレーン（ｌａｎｅ）と一つのクロックラインで構成されることができるが、これに限定されるものではなく、例えば、一つの信号ラインのみでも構成されることができる。接地部３３０は、信号伝送部３２０の信号ライン３２１に接地を提供するためのものであり、複数の導体パターン３３１、３３２、３３３を含むことができる。
【００１４】
図２は、図１の回路基板の接地部３３０をより詳細に示す。より具体的には、接地部３３０の複数の導体パターン３３１、３３２、３３３をより詳細に示す。図示のように、接地部３３０の第１の導体パターン３３１は、信号ライン３２１がＶＣＭアセンブリ２と接する部位に形成されることができる。また、接地部３３０の第２の導体パターン３３２は、信号ライン３２１の中間地点の下に形成されることができる。また、接地部３３０の第３の導体パターン３３３は、信号ライン３２１が後述のセンサー実装部３１０の制御信号ライン３１３と連結される部分に形成されることができる。
【００１５】
カメラモジュール用回路基板３００は、センサー４を実装するためのセンサー実装部３１０をさらに含むことができる。センサー実装部３１０は、センサー実装部位３１１、第４の導体パターン３１２、及び制御信号ライン３１３を含むことができる。また、カメラモジュール用回路基板３００はコネクタ部３４０をさらに含むこともできる。コネクタ部３４０は、外部とのコネクティングを提供するためのものであり、リジッド（ｒｉｇｉｄ）に形成されることができる。
【００１６】
カメラモジュール用回路基板３００は、センサー実装部３１０、信号伝送部３２０、接地部３３０などが上述のように配置されることによりインピーダンス整合が可能となる。このとき、センサー実装部３１０及び／又は接地部３３０に含まれる導体パターンの形状を後述の接地パターン形状に実現する場合、特性インピーダンスを高く維持しながらも、信号伝送部３２０の信号ラインの位置別特性インピーダンスの値の差異を最小化することができる。これについては後述する。
【００１７】
図１及び図２では電子部品としてカメラモジュールを例に挙げて説明したが、本発明で説明する回路基板は必ずしもカメラモジュールにのみ適用されるものではなく、回路基板を含む全ての電子部品に適用されることができ、ひいては、より上位の概念に範囲を広げる場合には回路基板を含む全ての電子機器にも適用されることができる。
【００１８】
回路基板を含む電子部品としては、例えば、アダプタ（ａｄａｐｔｅｒ）、アンテナ（ａｎｔｅｎｎａ）、セルラーＦＥＭ（ｃｅｌｌｕｌａｒ  ＦＥＭ）、デジタルチューナ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｕｎｅｒ）、ＬＥＤ照明電源（ＬＥＤ  ｌｉｇｈｔｉｎｇ  ｐｏｗｅｒ）、サーバー電源（ｓｅｒｖｅｒ  ｐｏｗｅｒ）、ＴＶ電源（ＴＶ  ｐｏｗｅｒ）、バイブレーション（ｖｉｂｒａｔｉｏｎ）、無線ＬＡＮ（ｗｉｒｅｌｅｓｓ  ＬＡＮ）、無線パワートランスファー（ｗｉｒｅｌｅｓｓ  ｐｏｗｅｒ  ｔｒａｎｓｆｅｒ）などが挙げられるが、これに限定されるものではなく、回路基板が適用されるその他の他の電子部品でもよい。
【００１９】
回路基板を含む電子機器としては、例えば、スマートフォン（ｓｍａｒｔ  ｐｈｏｎｅ）、個人情報端末（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｉｄｅｏ  ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｔｉｌｌ  ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ  ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニタ（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ  ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ  ｗａｔｃｈ）などが挙げられるが、これに限定されるものではなく、回路基板が適用されるその他の他の電子機器でもよい。
【００２０】
回路基板
図３ａ及びｂは、回路基板１００Ａの一例を概略的に示す断面図である。図面を参照すると、一例による回路基板１００Ａは、第１の絶縁層１１０を挟んで第１の導体層１２０と第２の導体層１３０が配置される。一例による回路基板１００Ａは、第１の絶縁層１１０を挟んで第１の導体層１２０と第２の導体層１３０が配置されることができる構造であればいずれの構造でもよい。このような一例による回路基板１００Ａは、いわゆるマイクロストリップライン（ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ  ｌｉｎｅ）が適用された回路基板として分類されることができる。
【００２１】
第１の絶縁層１１０は、誘電率を有する媒質を含み、適用される製品のサイズによって所定の高さｈを有する。第１の絶縁層１１０の材料としては、絶縁材料であれば特別な制限なく使用が可能であり、例えば、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこれらにガラス繊維又は無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）樹脂などが用いられることができるが、これに限定されるものではない。第１の絶縁層１１０は、剛性及び熱伝導度に優れた金属（ｍｅｔａｌ）がその内部に配置されることもできる。このとき、上記金属としては、Ｆｅ−Ｎｉ系合金が用いられることができ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の表面にＣｕメッキを形成することもできる。他にも、その他のガラス（ｇｌａｓｓ）、セラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）、プラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）などがその内部に配置されることもできる。
【００２２】
第１の導体層１２０は信号ライン１２１、１２２を含む。即ち、第１の導体層１２０は信号伝送部の役割を行うことができる。信号ライン１２１、１２２は、各種信号、例えば、制御信号などを伝送するためのものであり、図３ａに示されたように所定の幅Ｗを有すると共に所定の間隔Ｓで配置される一対の信号ライン１２１、１２２で構成されることができる。このような一対の信号ライン１２１、１２２は、例えば、ＭＩＰＩインターフェース（ＭＩＰＩ：Ｍｏｂｉｌｅ  Ｉｎｄｕｓｔｒｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）を支援する２レーン（ｌａｎｅ）であり得るが、これに限定されるものではない。信号ライン１２１、１２２は、それ以上の信号ラインで構成されることもでき、図３ｂに示されたように一つの信号ライン１２１のみで構成されることもできる。信号ライン１２１、１２２は、伝導性に優れた銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）などから選択される少なくとも一つの物質又は少なくとも二つの物質の混合物を含むことができる。信号ライン１２１、１２２は、公知の方法で形成されることができ、例えば、電解銅メッキ又は無電解銅メッキなどで形成されることができる。より具体的には、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）、アディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの方法を利用して形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００２３】
第２の導体層１３０は接地ライン１３１を含む。即ち、第２の導体層１３０は接地部の役割を行うことができる。接地ライン１３１は、信号ライン１２１、１２２の各種信号の接地（ｇｒｏｕｎｄ）を提供すると共に、これらの各種信号のリターン経路（ｒｅｔｕｒｎ  ｐａｔｈ）を提供するためのものであり、接地ライン１３１の具体的な形態については後述する。接地ライン１３１は、信号ライン１２１、１２２と同様に伝導性に優れた銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）などから選択される少なくとも一つの物質又は少なくとも二つの物質の混合物を含むことができる。接地ライン１３１も、公知の方法で形成されることができ、例えば、電解銅メッキ又は無電解銅メッキなどで形成されることができる。より具体的には、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）、アディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの方法を利用して形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００２４】
一例による回路基板１００Ａでは、第１の導体層１２０の信号ライン１２１、１２２と第２の導体層１３０の接地ライン１３１の間でＥ−Ｆｉｅｌｄ及びＨ−Ｆｉｅｌｄが形成されることができ、このときに形成されるＥ−Ｆｉｅｌｄ及びＨ−Ｆｉｅｌｄによって特性インピーダンスが影響を受けるようになる。
【００２５】
図４ａ及びｂは、回路基板１００Ｂの他の一例を概略的に示す断面図である。図面を参照すると、他の一例による回路基板１００Ｂは、第１の絶縁層１１０を挟んで第１の導体層１２０と第２の導体層１３０が配置される。また、第２の絶縁層１４０を挟んで第１の導体層１２０と第３の導体層１５０が配置される。他の一例による回路基板１００Ｂは、第１の絶縁層１１０を挟んで第１の導体層１２０と第２の導体層１３０が配置され、第２の絶縁層１４０を挟んで第１の導体層１２０と第３の導体層１５０が配置されることができる構造であればいずれの構造でもよい。このような他の一例による回路基板１００Ｂは、いわゆるストリップライン（ｓｔｒｉｐ  ｌｉｎｅ）が適用された回路基板として分類されることができる。
【００２６】
第１の絶縁層１１０は、上述のように誘電率を有する媒質を含み、適用される製品のサイズによって所定の高さｈ１を有する。第１の絶縁層１１０の材料としては、絶縁材料であれば特別な制限なく使用が可能であり、例えば、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこれらにガラス繊維又は無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）樹脂などが用いられることができるが、これに限定されるものではない。第１の絶縁層１１０は、剛性及び熱伝導度に優れた金属（ｍｅｔａｌ）がその内部に配置されることもできる。このとき、上記金属としては、Ｆｅ−Ｎｉ系合金が用いられることができ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の表面にＣｕメッキを形成することもできる。他にも、その他のガラス（ｇｌａｓｓ）、セラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）、プラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）などがその内部に配置されることもできる。
【００２７】
第２の絶縁層１４０は、第１の絶縁層１１０と同様に誘電率を有する媒質を含み、適用される製品のサイズによって所定の高さｈ２を有する。第２の絶縁層１４０の材料も、絶縁材料であれば特別な制限なく使用が可能であり、例えば、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこれらにガラス繊維又は無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）樹脂などが用いられることができるが、これに限定されるものではない。第２の絶縁層１４０は、剛性及び熱伝導度に優れた金属（ｍｅｔａｌ）がその内部に配置されることもできる。このとき、上記金属としては、Ｆｅ−Ｎｉ系合金が用いられることができ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の表面にＣｕメッキを形成することもできる。他にも、その他のガラス（ｇｌａｓｓ）、セラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）、プラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）などがその内部に配置されることもできる。
【００２８】
第１の導体層１２０は上述のように信号ライン１２１、１２２を含む。即ち、第１の導体層１２０は信号伝送部の役割を行うことができる。信号ライン１２１、１２２は、各種信号、例えば、制御信号などを伝送するためのものであり、図４ａに示されたように所定の幅Ｗを有すると共に所定の間隔Ｓで配置される一対の信号ライン１２１、１２２で構成されることができる。このような一対の信号ライン１２１、１２２は、例えば、ＭＩＰＩインターフェース（ＭＩＰＩ：Ｍｏｂｉｌｅ  Ｉｎｄｕｓｔｒｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）を支援する２レーン（ｌａｎｅ）であり得るが、これに限定されるものではない。信号ライン１２１、１２２は、それ以上の信号ラインで構成されることもでき、図４ｂに示されたように一つの信号ライン１２１のみで構成されることもできる。信号ライン１２１、１２２は、伝導性に優れた銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）などから選択される少なくとも一つの物質又は少なくとも二つの物質の混合物を含むことができる。信号ライン１２１、１２２は、公知の方法で形成されることができ、例えば、電解銅メッキ又は無電解銅メッキなどで形成されることができる。より具体的には、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）、アディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの方法を利用して形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００２９】
第２の導体層１３０は上述のように接地ライン１３１を含む。即ち、第２の導体層１３０は接地部の役割を行うことができる。接地ライン１３１は、信号ライン１２１、１２２の各種信号の接地（ｇｒｏｕｎｄ）を提供すると共に、これらの各種信号のリターン経路（ｒｅｔｕｒｎ  ｐａｔｈ）を提供するためのものであり、接地ライン１３１の具体的な形態については後述する。接地ライン１３１は、信号ライン１２１、１２２と同様に伝導性に優れた銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）などから選択される少なくとも一つの物質又は少なくとも二つの物質の混合物を含むことができる。接地ライン１３１も、公知の方法で形成されることができ、例えば、電解銅メッキ又は無電解銅メッキなどで形成されることができる。より具体的には、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）、アディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの方法を利用して形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００３０】
第３の導体層１５０は第２の導体層１３０と同様に接地ラインを含む。即ち、第３の導体層１５０も接地部の役割を行うことができる。接地ラインは、信号ライン１２１、１２２の各種信号の接地（ｇｒｏｕｎｄ）を提供すると共に、これらの各種信号のリターン経路（ｒｅｔｕｒｎ  ｐａｔｈ）を提供するためのものであり、接地ラインの具体的な形態については後述する。接地ラインは、信号ライン１２１、１２２と同様に伝導性に優れた銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）などから選択される少なくとも一つの物質又は少なくとも二つの物質の混合物を含むことができる。接地ラインも、公知の方法で形成されることができ、例えば、電解銅メッキ又は無電解銅メッキなどで形成されることができる。より具体的には、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）、アディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの方法を利用して形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００３１】
他の一例による回路基板１００Ｂでは、第１の導体層１２０の信号ライン１２１、１２２と第２の導体層１３０の接地ラインの間、及び第１の導体層１２０の信号ライン１２１、１２２と第３の導体層１５０の接地ラインの間でＥ−Ｆｉｅｌｄ及びＨ−Ｆｉｅｌｄが形成されることができ、このときに形成されるＥ−Ｆｉｅｌｄ及びＨ−Ｆｉｅｌｄによって特性インピーダンスが影響を受けるようになる。
【００３２】
図５は、第２の導体層１３０の一例を概略的に示す平面図である。図面を参照すると、第２の導体層１３０は、複数の導体パターンが互いに連結された形態の導体経路である接地ライン１３１を含む。接地ライン１３１は、信号ライン１２１に対応する領域Ａを有する。一例では、対応領域Ａにおいて信号ライン１２１ではなく接地ライン１３１のパターン設計によりインピーダンスを整合する。なお、図面には、便宜上、接地ライン１３１に対応する信号ライン１２１を一つのみ示したが、これに限定されるものではなく、信号ラインは複数個でもよい。
【００３３】
接地ライン１３１のエッジ部分Ｂには開曲線形状の単位パターンが配置され、このようなエッジ部分Ｂに配置された開曲線形状の単位パターンの間には斜めに傾いた形状の単位パターンが配置される。このような単位パターンが連結され、信号ライン１２１を介して移動する各種信号のリターン経路（ｒｅｔｕｒｎ  ｐａｔｈ）を形成する。即ち、一例による接地ライン１３１は、例えば、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化されることができ、これにより、特性インピーダンスを高く維持しながらも、信号ラインの位置別特性インピーダンスの値の差異を最小化することができる。
【００３４】
具体的には、上述のように、回路基板におけるインピーダンス特性は、通常、信号ライン１２１の線幅と厚さ、信号ライン１２１と接地ライン１３１の間の高さ、及び絶縁層１１０を構成する媒質の誘電率などによって決定される。しかしながら、最近、薄型化の傾向に伴い、回路を設計するにあたり絶縁層１１０の厚さＴを減らしているため、インピーダンスが所望の設計数値より低くなる可能性がある。これを補償するために信号ライン１２１の線幅Ｗや厚さＴを調節することが考えられるが、信号ライン１２１の線幅や厚さを調節する場合には、伝送損失をもたらし、回路素子の配置に相当な制約を受けるようになるという問題がある。
【００３５】
よって、一例では、インピーダンスを整合する方法として、信号ライン１２１ではなく接地ライン１３１の設計を変更することを考え、このとき、特性インピーダンスを高く維持しながらも、信号ラインの位置別特性インピーダンスの値の差異を最小化する方案として、接地ライン１３１を、例えば、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化した。このようなオブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状は、接地ライン１３１のリターン経路（ｒｅｔｕｒｎ  ｐａｔｈ）を信号ライン１２１の経路（ｐａｔｈ）より長くするため、高いインピーダンス特性を有するようにする。また、対応領域Ａにおいて信号ライン１２１の位置にかかわらず対応する接地ライン１３１のパターン形状を一定に維持させるため、信号ライン１２１の位置による特性インピーダンスの差異を最小化させる。したがって、インピーダンス不整合がほとんど発生しない。
【００３６】
エッジ部分Ｂに配置された開曲線形状の単位パターンは、その間に配置される単位パターンを連結させる役割を行う。一例では、開曲線形状の単位パターンが図面を基準に接地ライン１３１の全ての枠（上、下、左、右）部分に配置されるため、その間に配置される斜めに傾いた形状の単位パターンの空間活用度が高くなり、その結果、接地ライン１３１がより長い経路を有することができるようになる。開曲線形状の単位パターンの具体的な形状は特に限定されず、エッジ部分Ｂに配置され、その間に配置される単位パターンを斜めに傾いた形で連結させることができるものであればよい。
【００３７】
エッジ部分Ｂに配置された開曲線形状の単位パターンの間に配置される斜めに傾いた形状の単位パターンは、空間活用度が高いことから、接地ライン１３１の経路をより長く設計することができるようにするため、基本的に高いインピーダンス特性を実現することができるようにする。斜めに傾いた形状の単位パターンは、線幅Ｗが一定であり、また、その間の間隔Ｌが一定である。そして、一定の方向に、また、一定の角度に斜めに傾いている。このように実質的に信号ライン１２１に対応する斜めに傾いた形状の単位パターンのパターン形状が信号ライン１２１の位置にかかわらず一定に維持されるため、信号ラインの位置別インピーダンスの差異を最小化することができる。
【００３８】
斜めに傾いた形状の単位パターンの線幅Ｗや間隔Ｌの具体的な数値は特に限定されず、インピーダンス設計事項に合わせて設計することができる。例えば、必要に応じて、線幅Ｗを厚くしてインピーダンスを低くしてもよい。同様に、斜めに傾いた形状の単位パターンの傾きも具体的な数値は特に限定されず、一定に斜めに傾いているだけでよい。
【００３９】
図６及び図７は、一例による第２の導体層１３０に多様な形態のダミーパターン１３２が適用された場合を概略的に示す平面図である。一般に、接地ライン１３１の間隔を広げる場合、インピーダンスは上昇することができるが、広い間隔によってＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）放射が発生する可能性があり、その結果、他の信号ラインに干渉を起こす可能性がある。このとき、接地ライン１３１と連結されない複数のダミーパターン１３２を接地ライン１３１の間隔の間に配置させる場合、インピーダンスを維持しながらＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）放射を遮蔽することができる。また、複数のダミーパターン１３２によって第２の導体層１３０の導体の比率を調節することができるため、反りも制御することができる。
【００４０】
複数のダミーパターン１３２は、上述の接地ライン１３１の配置形態に影響を与えるものでなければ、具体的な配置形態や模様、幅、間隔などは特に限定されない。例えば、図６のように接地ライン１３１のそれぞれの間隔の間にダミーパターン１３２が一つずつ配置されてもよく、図７のように接地ライン１３１のそれぞれの間隔の間にダミーパターン１３２が複数個配置されてもよい。
【００４１】
複数のダミーパターン１３２は、伝導性に優れた銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）などから選択される少なくとも一つの物質又は少なくとも二つの物質の混合物を含むことができる。ダミーパターン１３２も、公知の方法で形成されることができ、例えば、電解銅メッキ又は無電解銅メッキなどで形成されることができる。より具体的には、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）、アディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの方法を利用して形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００４２】
図８は、第２の導体層１３０の他の一例を概略的に示す平面図である。他の一例でも、第２の導体層１３０は、複数の導体パターンが互いに連結された形態の導体経路である接地ライン１３１を含む。また、接地ライン１３１は、信号ライン１２１に対応する領域Ａを有する。また、対応領域Ａにおいて信号ライン１２１ではなく接地ライン１３１のパターン設計によりインピーダンスを整合する。また、図面には、便宜上、接地ライン１３１に対応する信号ライン１２１を一つのみ示したが、これに限定されるものではなく、信号ラインは複数個でもよい。
【００４３】
接地ライン１３１のエッジ部分Ｂには開曲線形状の単位パターンが配置され、このようなエッジ部分Ｂに配置された開曲線形状の単位パターンの間には斜めに傾いた形状の単位パターンが配置される。このような単位パターンが連結され、信号ライン１２１を介して移動する各種信号のリターン経路（ｒｅｔｕｒｎ  ｐａｔｈ）を形成する。即ち、他の一例による接地ライン１３１もオブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化されることができ、これにより、特性インピーダンスを高く維持しながらも、信号ラインの位置別特性インピーダンスの値の差異を最小化することができる。
【００４４】
エッジ部分Ｂに配置された開曲線形状の単位パターンは同様に、その間に配置される単位パターンを連結させる一種の連結部の役割を行う。他の一例では、開曲線形状の単位パターンが図面を基準に接地ライン１３１の一部の枠（左、右）部分にのみ配置される。ここでも、開曲線形状の単位パターンの具体的な形状は特に限定されず、エッジ部分Ｂに配置され、その間に配置される単位パターンを斜めに傾いた形で連結させることができるものであればよい。
【００４５】
エッジ部分Ｂに配置された開曲線形状の単位パターンの間に配置される斜めに傾いた形状の単位パターンは、空間活用度が高いことから、接地ライン１３１の経路をより長く設計することができるようにするため、基本的に高いインピーダンス特性を実現することができるようにする。他の一例では、斜めに傾いた形状の単位パターンが一定にジグザグ状に斜めに傾いている。このとき、ジグザグ状に斜めに傾いた形状の単位パターンは、線幅Ｗが一定であり、また、その間の間隔Ｌが一定である。このように実質的に信号ライン１２１に対応する斜めに傾いた形状の単位パターンのパターン形状が信号ライン１２１の位置にかかわらず一定に維持されるため、信号ラインの位置別インピーダンスの差異を最小化することができる。
【００４６】
斜めに傾いた形状の単位パターンの線幅Ｗや間隔Ｌの具体的な数値は同様に特に限定されず、インピーダンス設計事項に合わせて設計することができる。例えば、線幅Ｗを厚くしてインピーダンスを低くすることができる。また、斜めに傾いた形状の単位パターンの傾きも具体的な数値は特に限定されず、一定に斜めに傾いているだけでよい。
【００４７】
図９及び図１０は、他の一例による第２の導体層１３０に多様な形態のダミーパターン１３２が適用された場合を概略的に示す平面図である。他の一例による第２の導体層１３０でも、接地ライン１３１と連結されない複数のダミーパターン１３２を接地ライン１３１の間隔の間に配置させる場合、インピーダンスを維持しながらＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）放射を遮蔽することができる。また、複数のダミーパターン１３２によって第２の導体層１３０の導体の比率を調節することができるため、反りも制御することができる。
【００４８】
同様に、複数のダミーパターン１３２は、上述の接地ライン１３１の配置形態に影響を与えるものでなければ、具体的な配置形態や模様、幅、間隔などは特に限定されない。例えば、図９のように接地ライン１３１のそれぞれの間隔の間にダミーパターン１３２が一つずつ配置されてもよく、図１０のように接地ライン１３１のそれぞれの間隔の間にダミーパターン１３２が複数個配置されてもよい。
【００４９】
同様に、複数のダミーパターン１３２は、伝導性に優れた銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）などから選択される少なくとも一つの物質又は少なくとも二つの物質の混合物を含むことができる。ダミーパターン１３２も、公知の方法で形成されることができ、例えば、電解銅メッキ又は無電解銅メッキなどで形成されることができる。より具体的には、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）、アディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの方法を利用して形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００５０】
図１１は、第２の導体層１３０のさらに他の一例を概略的に示す平面図である。さらに他の一例でも、第２の導体層１３０は、複数の導体パターンが互いに連結された形態の導体経路である接地ライン１３１を含む。また、接地ライン１３１は、信号ライン１２１に対応する領域Ａを有する。また、対応領域Ａにおいて信号ライン１２１ではなく接地ライン１３１のパターン設計によりインピーダンスを整合する。また、図面には、便宜上、接地ライン１３１に対応する信号ライン１２１を一つのみ示したが、これに限定されるものではなく、信号ラインは複数個でもよい。
【００５１】
接地ライン１３１のエッジ部分Ｂには開曲線形状の単位パターンが配置され、このようなエッジ部分Ｂに配置された開曲線形状の単位パターンの間には斜めに傾いた形状の単位パターンが配置される。このような単位パターンが連結され、信号ライン１２１を介して移動する各種信号のリターン経路（ｒｅｔｕｒｎ  ｐａｔｈ）を形成する。即ち、さらに他の一例による接地ライン１３１もオブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化されることができ、これにより、特性インピーダンスを高く維持しながらも、信号ラインの位置別特性インピーダンスの値の差異を最小化することができる。
【００５２】
エッジ部分Ｂに配置された開曲線形状の単位パターンは同様に、その間に配置される単位パターンを連結させる一種の連結部の役割を行う。さらに他の一例では、開曲線形状の単位パターンが図面を基準に接地ライン１３１の一部の枠（左、右）部分にのみ配置される。ここでも、開曲線形状の単位パターンの具体的な形状は特に限定されず、エッジ部分Ｂに配置され、その間に配置される単位パターンを斜めに傾いた形で連結させることができるものであればよい。
【００５３】
エッジ部分Ｂに配置された開曲線形状の単位パターンの間に配置される斜めに傾いた形状の単位パターンは、空間活用度が高いことから、接地ライン１３１の経路をより長く設計することができるようにするため、基本的に高いインピーダンス特性を実現することができるようにする。さらに他の一例では、斜めに傾いた形状の単位パターンが一定にラウンド形状のジグザグ状に斜めに傾いている。このとき、ラウンド形状のジグザグ状に斜めに傾いた形状の単位パターンは、線幅Ｗが一定であり、また、その間の間隔Ｌが一定である。このように実質的に信号ライン１２１に対応する斜めに傾いた形状の単位パターンのパターン形状が信号ライン１２１の位置にかかわらず一定に維持されるため、信号ラインの位置別インピーダンスの差異を最小化することができる。
【００５４】
斜めに傾いた形状の単位パターンの線幅Ｗや間隔Ｌの具体的な数値は同様に特に限定されず、インピーダンス設計事項に合わせて設計することができる。例えば、線幅Ｗを厚くしてインピーダンスを低くすることができる。また、斜めに傾いた形状の単位パターンの傾きも具体的な数値は特に限定されず、一定に斜めに傾いているだけでよい。
【００５５】
図１２及び図１３は、さらに他の一例による第２の導体層１３０に多様な形態のダミーパターン１３２が適用された場合を概略的に示す平面図である。さらに他の一例による第２の導体層１３０でも、接地ライン１３１と連結されない複数のダミーパターン１３２を接地ライン１３１の間隔の間に配置させる場合、インピーダンスを維持しながらＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）放射を遮蔽することができる。また、複数のダミーパターン１３２によって第２の導体層１３０の導体の比率を調節することができるため、反りも制御することができる。
【００５６】
同様に、複数のダミーパターン１３２は、上述の接地ライン１３１の配置形態に影響を与えるものでなければ、具体的な配置形態や模様、幅、間隔などは特に限定されない。例えば、図１２のように接地ライン１３１のそれぞれの間隔の間にダミーパターン１３２が一つずつ配置されてもよく、図１３のように接地ライン１３１のそれぞれの間隔の間にダミーパターン１３２が複数個配置されてもよい。
【００５７】
同様に、複数のダミーパターン１３２は、伝導性に優れた銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）などから選択される少なくとも一つの物質又は少なくとも二つの物質の混合物を含むことができる。ダミーパターン１３２も、公知の方法で形成されることができ、例えば、電解銅メッキ又は無電解銅メッキなどで形成されることができる。より具体的には、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）、アディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの方法を利用して形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００５８】
図５から図１３では第２の導体層１３０の多様な例示を示しているが、このような例示は第２の導体層１３０にのみ適用されるものではなく、第３の導体層１５０にも適用されることができる。即ち、第３の導体層１５０の接地ラインも、複数の導体パターンが互いに連結された形態の導体経路であり、信号ライン１２１に対応する領域を有することができる。また、接地ラインのエッジ部分には開曲線形状の単位パターンが配置されることができ、このようなエッジ部分に配置された開曲線形状の単位パターンの間には斜めに傾いた形状の単位パターンが配置されることができる。このような単位パターンが連結され、信号ライン１２１を介して移動する各種信号のリターン経路（ｒｅｔｕｒｎ  ｐａｔｈ）を形成することができる。即ち、特性インピーダンスを高く維持しながらも、信号ラインの位置別特性インピーダンスの値の差異を最小化する方案として、接地ラインを、例えば、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化することができる。また、第３の導体層１５０も多様な形態のダミーパターンを含むことができ、例えば、接地ラインと連結されない複数のダミーパターンを接地ラインの間隔の間に配置することができる。これ以上の詳細な説明は図５から図１３について述べた内容を参照する。
【００５９】
図１４は、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ライン１３１の信号リターン経路ＲＰを概略的に示す。図面を参照すると、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ライン１３１の信号リターン経路ＲＰは、斜め方向に蛇行状になっている一つの経路を有するため、信号ライン１２１より長い経路を有するようになる。製品のスリム化に伴い、絶縁層の厚さも次第に低くなり、特性インピーダンスを維持することが困難となっているが、このように信号リターン経路ＲＰをより長く実現する場合には、絶縁層の厚さの減少によるインピーダンス補償が可能であるため、特性インピーダンスの維持により効果的である。
【００６０】
図１５は、フィル（Ｆｉｌｌ）形状にパターン化された接地面４３１の信号リターン経路ＲＰを概略的に示す。図面を参照すると、フィル（Ｆｉｌｌ）形状にパターン化された接地面４３１の信号リターン経路ＲＰは多様な経路を有するため、信号リターン経路ＲＰを制御するのに困難がある。また、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ライン１３１の場合、より短い信号リターン経路ＲＰを有するようになるため、絶縁層の厚さの減少によるインピーダンス補償が十分ではないことが予想できる。
【００６１】
図１６は、ハッチ（ｈａｔｃｈ）形状にパターン化された接地ライン５３１の信号リターン経路ＲＰを概略的に示す。図面を参照すると、ハッチ（ｈａｔｃｈ）形状にパターン化された接地ライン５３１の場合も、信号リターン経路ＲＰが多様な経路を有するため、信号リターン経路ＲＰを制御するのに困難がある。また、フィル（Ｆｉｌｌ）形状にパターン化された接地面４３１の信号リターン経路ＲＰよりは長い信号リターン経路ＲＰを有することはできるが、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ライン１３１の場合よりは短い信号リターン経路ＲＰを有するようになるため、絶縁層の厚さの減少によるインピーダンス補償が、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ライン１３１の場合よりは容易ではないことが予想できる。
【００６２】
図１７は、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ラインとハッチ（ｈａｔｃｈ）形状にパターン化された接地ラインの信号ラインの位置別対応関係を概略的に示す。ここで、信号ラインの「位置別対応関係」は、信号ラインが互いに「平行に配置される場合」を基準に判断する。図面を参照すると、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ラインは、信号ラインの位置１及び位置２のいずれの場合でも対応するパターン形状が一定に維持されることが分かる。また、図１４を共に参照すると、信号ラインの位置１及び位置２のいずれの場合でも対応するリターンパス経路が一定に維持されることが分かる。これに対し、ハッチ（ｈａｔｃｈ）形状にパターン化された接地ラインは、信号ラインの位置１及び位置２によって対応するパターン形状が相違することが分かる。また、図１６を共に参照すると、信号ラインの位置１及び位置２によって対応するリターンパス経路が変わることが分かる。即ち、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ラインは、信号リターン経路をより長く実現することができるため、高いインピーダンスを実現することができ、また、信号ラインに対応するパターン形状及び信号リターン経路を一定に維持することができるため、信号ラインの位置によるインピーダンスの差異を最小化することができることが分かる。したがって、信号ラインではなく接地の設計を変更し、効果的にインピーダンスを整合することができることが分かる。
【００６３】
図１８は、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ラインとハッチ（ｈａｔｃｈ）形状にパターン化された接地ラインの信号ラインの位置別特性インピーダンスのシミュレーション結果を概略的に示す。ここで、位置１及び位置２は、図１７に示した信号ラインの位置１及び位置２を意味する。図面を参照すると、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ラインは、基本的に、ハッチ（ｈａｔｃｈ）形状にパターン化された接地ラインの場合よりも時間による特性インピーダンスが高く維持されることが分かる。また、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ラインは、位置１及び位置２における時間による特性インピーダンスの差異が全て約１Ω以下であることが分かる。特に、１．０６ｎｓでは、位置１及び位置２の特性インピーダンスの差異が約０．０１Ω程度に過ぎないことが分かる。これに対し、ハッチ（ｈａｔｃｈ）形状にパターン化された接地ラインは、位置１及び位置２における時間による特性インピーダンスの差異が１Ωを超えるほど大きい場合がある。特に、１．０６ｎｓでは、位置１及び位置２の特性インピーダンスの差異が約２Ω程度と相当に大きいことが分かる。即ち、オブリーク−メアンダ（Ｏｂｌｉｑｕｅ−Ｍｅａｎｄｅｒ）形状にパターン化された接地ラインは、信号リターン経路をより長く実現することができるため、高いインピーダンスを実現することができ、また、信号ラインに対応するパターン形状及び信号リターン経路を一定に維持することができるため、信号ラインの位置によるインピーダンスの差異を最小化することができるという点がシミュレーション結果からも裏付けられることが分かる。
【００６４】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００６５】
１００Ａ、１００Ｂ  回路基板
１１０  第１の絶縁層
１２０  第１の導体層
１３０  第２の導体層
１４０  第２の絶縁層
１５０  第３の導体層
１２１  信号ライン
１３１  接地ライン
１３２  ダミーパターン
１  レンズアセンブリ
２  ＶＣＭアセンブリ
３  ＩＲフィルタ
４  センサー
５  ＩＳＰモジュール
３００  カメラモジュール用回路基板
３１０  センサー実装部
３２０  信号伝送部
３３０  接地部
３４０  コネクタ部
３１１  センサー実装部位
３１２  第４の導体パターン
３１３  信号ライン
３２１  信号ライン
３３１  第１の導体パターン
３３２  第２の導体パターン
３３３  第３の導体パターン
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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