(57)【要約】      （修正有）【課題】放熱性を向上した半導体発光装置を提供する。【解決手段】フレーム１０と、半導体発光チップ１３と、透明樹脂層と、蛍光体層と、第１ワイヤと、を含む半導体発光装置において、フレーム１０は、相互に離隔した第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂを有する。半導体発光チップ１３は、第１電極１１ａ上に設けられる。半導体発光チップ１３上面に第３電極が設けられる。透明樹脂層は、半導体発光チップ１３上に設けられる。蛍光体層は、透明樹脂層上に設けられ、蛍光体を含む。第１ワイヤは、一端が第３電極に接続され、他端が第２電極１１ｂに接続される。第１ワイヤの一部分は、蛍光体層内に配置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に離隔した第１電極及び第２電極を有するフレームと、
前記第１電極上に設けられ、上面に第３電極が設けられた半導体発光チップと、
前記半導体発光チップ上に設けられた透明樹脂層と、
前記透明樹脂層上に設けられ、樹脂と蛍光体とを含む蛍光体層と、
一端が前記第３電極に接続され、他端が前記第２電極に接続され、一部分が前記蛍光体層内に配置された第１ワイヤと、
を備える半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１ワイヤの前記一部分が前記半導体発光チップの直上域内に配線されている請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１ワイヤの前記一部分は前記第１ワイヤの頂点を含む請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１ワイヤが銀により形成されている請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記透明樹脂層内に配置され無機物により形成された粒子をさらに備えた請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記無機物は酸化シリコン又はシリコンカーバイドである請求項５記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記フレームと前記透明樹脂層との間に設けられ、金属元素により形成された粒子を含む高反射層をさらに備えた請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記金属元素はアルミニウム、金、銀又は銅である請求項７記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記半導体発光チップの上面には、第４電極が設けられており、一端が前記第４電極に接続され、他端が前記第１電極に接続され、一部分が前記蛍光体層内に配置された第２ワイヤをさらに備えた請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記第１電極上に設けられたツェナーダイオードチップと、
一端が前記ツェナーダイオードチップに接続され、他端が前記第２電極に接続され、一部分が前記蛍光体層内に配線されたツェナーダイオードチップ用ワイヤと、
をさらに備えた請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記ツェナーダイオードチップ用ワイヤの一部分が前記半導体発光チップの直上域内に配線されている請求項１０記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記ツェナーダイオードチップ用ワイヤの一部分は前記ツェナーダイオードチップ用ワイヤの頂点を含む請求項１０または１１に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置は、半導体発光素子上に透明樹脂層及び蛍光体層がこの順番に配置された構造を有する。半導体発光素子から出射した光は、透明樹脂層及び蛍光体層を介して外部へ出射される。蛍光体層においては、半導体発光素子から出射した光から、より波長が長い光への光変換が起きる。この光変換により損失が生じ、損失分が熱に変換される。半導体発光装置においては、蛍光体層において変換された熱を効率よく放熱させることが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２５６４２７号公報
【特許文献２】特開２０１２−９４７０号公報
【特許文献３】特開２０１４−３２９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
放熱性を向上させた半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、フレームと、半導体発光チップと、透明樹脂層と、蛍光体層と、第１ワイヤと、を含む半導体発光装置が提供される。前記フレームは、相互に離隔した第１電極及び第２電極を有する。前記半導体発光チップは、前記第１電極上に設けられる。前記半導体発光チップ上面に第３電極が設けられる。前記透明樹脂層は、前記半導体発光チップ上に設けられる。前記蛍光体層は、前記透明樹脂層上に設けられ、樹脂と蛍光体とを含む。前記第１ワイヤは、一端が前記第３電極に接続され、他端が前記第２電極に接続される。前記第１ワイヤの一部分は、前記蛍光体層内に配置される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。
【図２】（а）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図である。（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する透視図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する透視図である。
【図４】第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する透視図である。
【図５】第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する透視図である。
【図６】第１の実施形態の比較例に係る半導体発光装置を例示する透視図である。
【図７】第１の実施形態の比較例に係る半導体発光装置の動作時における樹脂部材の温度を例示する図である。
【図８】第２の実施形態に係る半導体発光装置を例示する透視図である。
【図９】第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する透視図である。
【図１０】第３の実施形態に係る半導体発光装置を例示する透視図である。
【図１１】第３の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する透視図である。
【図１２】第４の実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図である。
【図１３】（а）及び（ｂ）は、第４の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する透視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
（第１の実施形態）
本実施形態に係る半導体発光装置の構成について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。
【０００８】
図１に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置１においては、平板状のフレーム１０が設けられている。フレーム１０においては、相互に離隔した２枚の電極１１ａ及び電極１１ｂが設けられており、電極１１ａと電極１１ｂとの間に、例えば樹脂材料からなる絶縁部材１２が設けられている。電極１１ａの上面、絶縁部材１２の上面及び電極１１ｂの上面は、同一平面を形成している。また、上方、すなわち、板面に対して垂直な方向から見て、電極１１ａは電極１１ｂよりも広い。そして、電極１１ａにおける絶縁部材１２側の端部上には、ＬＥＤチップ１３及びツェナーダイオードチップ１８が搭載されている。
【０００９】
フレーム１０上には、例えば、白色樹脂からなる外囲器３１が設けられている。フレーム１０及び外囲器３１を含む構造体をケースボディ５０という。外囲器３１は、直方体の中央部分が上面から底面に向かって徐々に開口面積が小さくなる様にくり抜かれた形状である。外囲器３１の内側は、すり鉢状になっている。フレーム１０の上面において、周囲が外囲器３１により取り囲まれた領域を領域Ｂという。ＬＥＤチップ１３及びツェナーダイオードチップ１８は領域Ｂに配置されている。
【００１０】
図２（а）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図である。
図２（а）に示すように、ＬＥＤチップ１３のカソード電極Ｋ１と電極１１ｂはワイヤ２１により接続されている。ＬＥＤチップ１３のアノード電極А１と電極１１аはワイヤ２２により接続されている。ＬＥＤチップ１３のカソード電極Ｋ２と電極１１ｂはワイヤ２３により接続されている。ＬＥＤチップ１３のアノード電極А２と電極１１аはワイヤ２４により接続されている。
【００１１】
ツェナーダイオードチップ１８のアノード電極А３と電極１１ｂはワイヤ２５により接続されている。ワイヤ２１乃至２５は、例えば、金（Аｕ）により形成されている。
【００１２】
図２（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する透視図である。
図２（а）及び図２（ｂ）に示すように、ＬＥＤチップ１３は、マウント材１６を介して電極１１а上に接着されている。同様に、ツェナーダイオードチップ１８は、導電性のマウント材１９を介して電極１１а上に接着されている。ツェナーダイオードチップ１８の下面にはカソード電極Ｋ３が設けられており、マウント材１９を介して、電極１１аに接続されている。
【００１３】
ツェナーダイオードチップ１８はＬＥＤチップ１３と逆並列に接続されている。逆並列に接続されていることにより、半導体発光装置１にサージ電流や静電気が流れ込んだとき、半導体発光装置１が破壊されることを防ぐ。
【００１４】
ケースボディ５０は、外囲器３１が領域Ｂの周囲に設けられており、凹部５１を形成している。この凹部５１内には、樹脂部材４０が設けられている。樹脂部材４０は、高反射層４１、透明樹脂層４２及び蛍光体層４３を含む。
【００１５】
高反射層４１は、凹部５１の内面に沿って、フレーム１０の上面上、外囲器３１の側面上及びＬＥＤチップ１３の側面上に設けられている。高反射層４１はＬＥＤチップ１３の上面には設けられていない。高反射層４１は、外囲器３１に接触している部分の高さが大きく、ＬＥＤチップ１３に接触している部分の高さがそれよりも小さい凹部形状をしている。高反射層４１は、例えば、樹脂に光反射材となる酸化チタン（ＴｉＯ２）の微粒子が混入され形成されている。高反射層４１は、ＬＥＤチップ１３から出射され、蛍光体層４３と外部との界面などで反射された光を、再び反射させて外部へ出射させている。
【００１６】
透明樹脂層４２は高反射層４１及びＬＥＤチップ１３の表面上に、外囲器３１の凹部の全てが埋め込まれないように設けられている。透明樹脂層４２は、例えば、フェニル系シリコーン樹脂により形成されている。
【００１７】
蛍光体層４３は、透明樹脂層４２上に積層されており、樹脂４５に蛍光体４４が混入され形成されている。樹脂４５は、例えば、フェニル系シリコーン樹脂である。蛍光体層４３は、透明樹脂層４２の凹部を埋め込むように設けられる。蛍光体層４３は、樹脂４５と、蛍光体４４を含む。
【００１８】
ワイヤ２１乃至２４は、ＬＥＤチップ１３の各電極から略直上に引き出され、高反射層４１及び透明樹脂層４２を貫通して蛍光体層４３内に到達し、蛍光体層４３内において折り返された後、斜め下方に向かって延び、再び透明樹脂層４２内及び高反射層４１内を通過して、電極１１ａ又は１１ｂの上面に到達している。また、ワイヤ２１乃至２４のそれぞれの頂点２１ｔ〜２４ｔは、ＬＥＤチップ１３の直上域内に存在している。同様に、ワイヤ２５はツェナーダイオードチップ１８のアノード電極Ａ３から略直上に引き出され、高反射層４１及び透明樹脂層４２を貫通して蛍光体層４３内に到達し、蛍光体層４３内において斜め下方に向けて屈曲し、再び透明樹脂層４２内及び高反射層４１内を通過して、電極１１ｂの上面に到達している。ワイヤ２５の頂点２５ｔは、ツェナーダイオードチップ１８の直上域に配置されている。
【００１９】
本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
図３乃至図５は、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する透視図である。
【００２０】
図３（а）に示すように、フレーム１０上に外囲器３１が設けられたケースボディ５０を用意する。次に、領域Ｂ内であって、電極１１ａにおける電極１１ｂに対向した端部上の一部分にマウント材１６を塗布する。マウント材１６は接着剤である。
図３（ｂ）に示すように、マウント材１６上にＬＥＤチップ１３を実装する。マウント材１６により、ＬＥＤチップ１３を電極１１аに接着させ固定させる。
【００２１】
図３（ｃ）に示すように、領域Ｂ内であって、電極１１ａにおける電極１１ｂに対向した端部上のＬＥＤチップ１３と離隔した一部分に、マウント材１９を塗布する。マウント材１９は導電性のある接着剤である。マウント材１９上にツェナーダイオードチップ１８を実装する。マウント材１９により、ツェナーダイオードチップ１８を電極１１аに接着させ固定させる。
ツェナーダイオードチップ１８のカソード電極Ｋ３は、ツェナーダイオードチップ１８の下面にあり、マウント材１９を介して電極１１аに接続される。
【００２２】
図４（а）に示すように、ワイヤボンディングにより、カソード電極Ｋ１と電極１１ｂをワイヤ２１で接続する。アノード電極А１と電極１１аをワイヤ２２で接続する。カソード電極Ｋ２と電極１１ｂをワイヤ２３で接続する。アノード電極А２と電極１１аをワイヤ２４で接続する。このとき、ワイヤ２１乃至２４のそれぞれの頂点２１ｔ〜２４ｔがＬＥＤチップ１３の直上域内に存在するようにワイヤボンディングを行う。
【００２３】
図４（ｂ）に示すように、ワイヤボンディングにより、アノード電極А３と電極１１ｂをワイヤ２５で接続する。このとき、ワイヤ２５の頂点２５ｔがツェナーダイオードチップ１８の直上域内に存在するようにワイヤボンディングを行う。
【００２４】
図５（а）に示すように、例えば、樹脂に酸化チタンが混入された高反射樹脂材料を凹部５１の内面上、すなわち、フレーム１０の上面上、外囲器３１の側面上及びＬＥＤチップ１３の側面上に充填させて高反射層４１を形成する。高反射樹脂材料は、ＬＥＤチップ１３の上面上には充填させずにＬＥＤチップ１３の上面を露出させる。このとき、高反射樹脂材料の表面張力により、高反射層４１の外囲器３１と接触する部分の高さが大きくなる。これにより、高反射層４１の形状は、周囲の高さが大きく、中央部分に向かって徐々に高さが小さくなる凹型の形状になる。
【００２５】
図５（ｂ）に示すように、例えば、フェニル系シリコーン樹脂を高反射層４１上及びＬＥＤチップ１３の表面上に充填させて透明樹脂層４２を形成する。このとき、ワイヤ２１乃至２４のそれぞれの頂点が露出するように、高反射層４１の凹部の全てを埋め込まない。
図５（ｃ）に示すように、例えば、フェニル系シリコーン樹脂に蛍光体４４が混入された蛍光体樹脂材料を透明樹脂層４２上に充填させて蛍光体層４３を形成する。このとき、蛍光体層４３はワイヤ２１〜２５の各頂点２１ｔ〜２５ｔを覆うようにする。
【００２６】
本実施形態に係る半導体発光装置の効果について説明する。
ＬＥＤチップ１３から出射された光は、透明樹脂層４２及び蛍光体層４３を介して外部へ出射される。このとき、蛍光体層４３においては、ＬＥＤチップ１３から出射された青色の光から、より波長が長い黄色の光へ変換する光変換が行われる。この光変換において損失が生じ損失分が熱に変換され発熱する。
【００２７】
蛍光体層４３の熱伝導率は、例えば、０．２００Ｗ／ｍＫ（ワット毎メートル毎ケルビン）である。透明樹脂層４２の熱伝導率は、例えば、０．１６６Ｗ／ｍＫである。高反射層４１の熱伝導率は、０．２７７Ｗ／ｍＫである。電極１１а及び電極１１ｂの熱伝導率は、例えば、１６８Ｗ／ｍＫである。ワイヤ２１乃至２５が金（Аｕ）により形成されている場合、ワイヤ２１乃至２５の熱伝導率は、例えば、４００Ｗ／ｍＫである。ＬＥＤチップ１３の熱伝導率は、例えば、１５０Ｗ／ｍＫである。
【００２８】
蛍光体層４３とＬＥＤチップ１３との間に設けられた透明樹脂層４２の熱伝導率は、蛍光体層４３の熱伝導率よりも低い。従って、蛍光体層４３内で発生した熱は、透明樹脂層４２内を伝わりにくく、熱伝導率が高いＬＥＤチップ１３に逃げにくい。蛍光体層４３内で発生した熱をＬＥＤチップ１３に放熱できないので、蛍光体層４３の温度は高くなる。
【００２９】
そこで、本実施形態に係る半導体発光装置１においては、ワイヤ２１及び２３を、蛍光体層４３内おいて、それぞれの頂点２１ｔ及び２３ｔがＬＥＤチップ１３の直上域内に存在するように折り返し、それぞれの先端を電極１１ｂに接続させている。また、ワイヤ２２及び２４を、蛍光体層４３内において、それぞれの頂点２２ｔ及び２４ｔがＬＥＤチップ１３の直上域内に存在するように折り返し、それぞれの先端を電極１１аに接続させている。
【００３０】
これにより、蛍光体層４３内で発生した熱を、ワイヤ２１乃至２４を介して、電極１１а、電極１１ｂ及びＬＥＤチップ１３へ放熱させることができる。その結果、放熱性を向上させた半導体発光装置を提供することができる。
また、ワイヤ２５を、蛍光体層４３内おいて、ワイヤ２５の頂点２５ｔがツェナーダイオードチップ１８の直上域内に存在するように折り返し、先端を電極１１ｂに接続させている。これにより、蛍光体層４３内で発生した熱を、ワイヤ２５を介して、電極１１ｂ及びツェナーダイオードチップ１８へ放熱させることができる。
【００３１】
なお、ワイヤ２１乃至２４は、銀（Аｇ）により形成されてもよい。銀は、光反射率が金よりも高く、光が吸収されにくい。ワイヤ２１乃至２４を銀により形成した場合、ＬＥＤチップ１３から出射された光は、金の場合に比べて吸収されにくいので、より多くの光が外部に出射される。
【００３２】
（第１の実施形態の比較例）
本比較例について説明する。
図６は、本比較例に係る半導体発光装置２を例示する透視図である。
図６に示すように、本比較例に係る半導体発光装置２は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置１（図２（ｂ）参照）と比較して、ワイヤ２１乃至２４が、蛍光体層４３内で折り返されておらず、透明樹脂層４２内で折り返されている点が異なっている。
【００３３】
図７は、本比較例に係る半導体発光装置２の動作時における樹脂部材の温度を例示する図である。温度は濃淡により表現され、薄い部分は温度が高く濃い部分は温度が低い。
【００３４】
図７に示すように、樹脂部材４０の温度は、ＬＥＤチップ１３の直上域であって蛍光体層４３が設けられている部分が他の部分よりも高くなっており、そこから離れるに従って徐々に低くなっている。
【００３５】
本比較例に係る半導体発光装置２においては、ワイヤ２１乃至２４が、蛍光体層４３内で折り返されていない。これにより、蛍光体層４３において、光変換により発生した熱をワイヤ２１乃至２４を介して、電極１１а、電極１１ｂ及びＬＥＤチップ１３へ放熱させることが難しい。
その結果、蛍光体層４３における熱が他の部分よりも高くなっている。従って、放熱性を向上させた半導体発光装置を提供することは難しい。
【００３６】
（第２の実施形態）
本実施形態に係る半導体発光装置の構成について説明する。
図８は、本実施形態に係る半導体発光装置３を例示する透視図である。
図８に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置３は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置１（図２（ｂ）参照）と比較して、透明樹脂に熱伝導率の高い無機物の粒子６１が混入され透明樹脂層４６が形成されている点が異なっている。無機物の粒子６１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）により形成されている。
【００３７】
本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
図９は、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する透視図である。
高反射層４１までの製造方法（図５（а）参照）は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法と同様である。
【００３８】
図９に示すように、例えば、酸化シリコンの粒子６１を混入させたフェニル系シリコーン樹脂を高反射層４１及びＬＥＤチップ１３の表面上に充填させて透明樹脂層４６を形成する。蛍光体層４３の形成は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法（図５（ｃ）参照）と同様である。
【００３９】
本実施形態に係る半導体発光装置の効果について説明する。
本実施形態に係る半導体発光装置３の透明樹脂層４６内には、透明な酸化シリコンの粒子６１が混入されている。酸化シリコンの熱伝導率は、例えば、１〜２Ｗ／ｍＫであり、フェニル系シリコーン樹脂よりも高い。このため、透明樹脂層４６の熱伝導率を、前述の第１の実施形態の透明樹脂層４２に比べて高くすることができる。これにより、前述の第１の実施形態に比べてより多くの熱を、透明樹脂層４６を介して、ＬＥＤチップ１３に放熱させることができる。その結果、放熱性を向上させた半導体発光装置を提供することができる。
【００４０】
なお、粒子６１は、酸化シリコンの替わりに、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）により形成されていてもよい。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４１】
（第３の実施形態）
本実施形態に係る半導体発光装置の構成について説明する。
図１０は、本実施形態に係る半導体発光装置４を例示する透視図である。
図１０に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置４は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置１（図２（ｂ）参照）と比較して、高反射材料内に熱伝導率の高い金属元素の粒子６２が混入され高反射層４７が形成されている点が異なっている。金属元素は、例えば、アルミニウム（Аｌ）である。
【００４２】
本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
図１１は、本実施形態に係る半導体発光装置４の製造方法を例示する透視図である。
ワイヤボンディングにより、アノード電極А３と電極１１ｂをワイヤ２５で接続するまでの製造方法（図４（ｂ）参照）は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法と同様である。
【００４３】
図１１に示すように、酸化チタンを含む樹脂に、例えば、アルミニウム（Аｌ）の粒子６２を混入させた高反射樹脂材料を、フレーム１０の上面、外囲器３１の側面及びＬＥＤチップ１３の側面に充填させて高反射層４７を形成する。
透明樹脂層４２の形成は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法（図５（ｂ）参照）と同様である。蛍光体層４３の形成は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法（図５（ｃ）参照）と同様である。
【００４４】
本実施形態に係る半導体発光装置の効果について説明する。
本実施形態に係る半導体発光装置４の高反射層４７内には、アルミニウムの粒子６２を混入させている。アルミニウムの熱伝導率は、前述の第１の実施形態に係る高反射層４１よりも高い。高反射層４７の熱伝導率を、前述の第１の実施形態の高反射層４１に比べて高くすることができる。これにより、前述の第１の実施形態に比べてより多くの熱を、高反射層４７を介して、電極１１а、電極１１ｂ及びＬＥＤチップ１３に放熱させることができる。その結果、放熱性を向上させた半導体発光装置を提供することができる。
【００４５】
なお、粒子６２は、アルミニウムの他に、金（Аｕ）、銀（Аｇ）又は銅（Ｃｕ）により形成されていてもよい。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４６】
（第４の実施形態）
本実施形態に係る半導体発光装置の構成について説明する。
図１２は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図である。
図１２に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置５は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置１（図２（а）参照）と比較して、下記の（ｉ）及び（ｉｉ）の点が異なっている。
（ｉ）ＬＥＤチップ１３には、アノード電極А２及びカソード電極Ｋ２は設けられておらず、アノード電極А１及びカソード電極Ｋ１が設けられている。アノード電極А１及びカソード電極Ｋ１は、ＬＥＤチップ１３の上面の中央部に相互に離隔して設けられている。
（ｉｉ）アノード電極А３と電極１１ｂを接続するワイヤ２５の頂点が、ＬＥＤチップ１３の直上域内に存在するように配線されている。
【００４７】
本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
図１３（а）及び図１３（ｂ）は、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する透視図である。
マウント材１９により、ツェナーダイオードチップ１８を電極１１аに接着させ固定させるまでの製造方法は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法（図３（ｃ）参照）と同様である。
【００４８】
図１３（а）に示すように、ワイヤボンディングにより、カソード電極Ｋ１と電極１１ｂをワイヤ２１で接続し、アノード電極А１と電極１１аをワイヤ２２で接続する。このとき、ワイヤ２１及び２２のそれぞれの頂点がＬＥＤチップ１３の直上域内に存在するようにしてワイヤボンディングを行う。
【００４９】
ワイヤボンディングにより、アノード電極А３を出発点としてＬＥＤチップ１３の直上域を通った後、電極１１ｂに到達するようにワイヤ２５を形成する。高反射層４１の形成は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法（図５（а）参照）と同様である。
【００５０】
図１３（ｂ）に示すように、フェニル系シリコーン樹脂を高反射層４１及びＬＥＤチップ１３の表面上に充填させて透明樹脂層４２を形成する。このとき、ワイヤ２１、ワイヤ２２及びワイヤ２５のそれぞれの頂点が露出するように、高反射層４１の凹部の全てを埋め込まない。蛍光体層４３の形成は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法（図５（ｃ）参照）と同様である。
【００５１】
本実施形態に係る半導体発光装置の効果について説明する。
本実施形態に係る半導体発光装置５は、アノード電極А３と電極１１ｂを接続するワイヤ２５の頂点が、ＬＥＤチップ１３の直上域内に存在するように配線されている。ツェナーダイオードチップ１８の熱伝導率は、例えば、３６Ｗ／ｍＫであり、蛍光体層４３よりも高い。
【００５２】
これにより、蛍光体層４３内で発生した熱を、ワイヤ２１及び２２を介して、電極１１а、電極１１ｂ及びＬＥＤチップ１３に放熱させることができる。さらに、蛍光体層４３内で発生した熱を、ワイヤ２５を介して、ツェナーダイオードチップ１８及び電極１１ｂに放熱させることができる。その結果、放熱性を向上させた半導体発光装置を提供することができる。
【００５３】
本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００５４】
以上、説明した実施形態によれば、放熱性を向上させた半導体発光装置を提供することができる。
【００５５】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
１：半導体発光装置、２：半導体発光装置、３：半導体発光装置、４：半導体発光装置、５：半導体発光装置、１０：フレーム、１１а：電極、１１ｂ：電極、１２：絶縁部材、１３：ＬＥＤチップ、１６：マウント材、１８：ツェナーダイオードチップ、１９：マウント材、２１：ワイヤ、２１ｔ：頂点、２２：ワイヤ、２２ｔ：頂点、２３：ワイヤ、２３ｔ：頂点、２４：ワイヤ、２４ｔ：頂点、２５：ワイヤ、２５ｔ：頂点、３１：外囲器、４０：樹脂部材、４１：高反射層、４２：透明樹脂層、４３：蛍光体層、４４：蛍光体、４５：樹脂、４６：透明樹脂層、４７：高反射層、５０：ケースボディー、５１：凹部、６１：粒子、６２：粒子、А１：アノード電極、А２：アノード電極、А３：アノード電極、Ｋ１：カソード電極、Ｋ２：カソード電極、Ｋ３：カソード電極、Ｂ：領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図７】
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