(57)【要約】      （修正有）【課題】光半導体素子の損傷を抑制しながら、被覆シートにより光半導体素子を確実に被覆することのできる、被覆素子部材の製造方法を提供する。【解決手段】基材１０に支持される光半導体素子２を用意する工程（１）と、被覆シート３を、光半導体素子２と、真空下で厚み方向に対向配置させる工程（２）と、被覆シート３と基材１０とにより区画される密閉空間７を形成する工程（３）と、工程（３）の後に、密閉空間７の外側の気圧を密閉空間７の気圧より高くすることにより、被覆シート３により光半導体素子２を被覆する工程（４）とを備える。工程（２）では、厚み方向に投影したときに、被覆シート３が光半導体素子２を囲むように第１枠部材に支持された状態で、被覆シート３を配置する。工程（３）では、被覆シート３を、基材１０および第１枠部材によって、厚み方向に挟み込む。【選択図】図２
2017216436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に支持される光半導体素子を用意する工程（１）と、
被覆シートを、前記光半導体素子と、真空下で厚み方向に対向配置させる工程（２）と、
前記工程（２）の後に、前記被覆シートと前記基材とにより区画される密閉空間を形成する工程（３）と、
前記工程（３）の後に、前記密閉空間の外側の気圧を前記密閉空間の気圧より高くすることにより、前記被覆シートにより前記光半導体素子を被覆する工程（４）と
を備え、
前記被覆シートを、周波数１Ｈｚ、昇温速度２５℃／分および温度範囲２５〜１２０℃の条件で動的粘弾性１を測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’１と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値１を有し、
前記被覆シートを、周波数１Ｈｚ、前記極小値１を示す温度における等温条件で動的粘弾性２を測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’２と時間との関係を示す曲線が、極小値２を有し、
前記極小値２における貯蔵剪断弾性率Ｇ’２が、５，０００Ｐａ以上、２０，０００Ｐａ以下の範囲にあり、
前記工程（２）では、前記厚み方向に投影したときに、前記被覆シートが前記光半導体素子を囲むように第１枠部材に支持された状態で、前記被覆シートを配置し、
前記工程（３）では、前記被覆シートを、前記基材および前記第１枠部材によって、前記厚み方向に挟み込むことにより、前記密閉空間を形成することを特徴とする、被覆素子部材の製造方法。
【請求項２】
前記工程（４）は、
５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲で、かつ、前記貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する２点間の温度に、前記被覆シートを加熱する工程（５）を備えることを特徴とする、請求項１に記載の被覆素子部材の製造方法。
【請求項３】
前記被覆シートは、樹脂を含有する組成物からなり、
前記樹脂の前記組成物における含有割合が、５０質量％以上、９０質量％以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の被覆素子部材の製造方法。
【請求項４】
前記工程（１）において、前記基材に支持され、前記厚み方向に投影したときに、前記基材に含まれ、前記第１枠部材の内側に位置し、かつ、前記光半導体素子の周囲を囲み、前記光半導体素子が有する第１厚みＴ１より厚い第２厚みＴ２を有する第２枠部材を用意し、
前記工程（３）では、前記被覆シートと前記基材とによって、前記第２枠部材を厚み方向において挟み込んで、前記被覆シートと前記基材と前記第２枠部材とにより区画される前記密閉空間を形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の被覆素子部材の製造方法。
【請求項５】
前記工程（１）において、前記第１枠部材は、前記基材に支持されており、前記厚み方向に投影したときに、前記基材に含まれ、前記光半導体素子の周囲を囲み、
前記第１枠部材は、前記光半導体素子が有する第１厚みＴ１より厚い第３厚みＴ３を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の被覆素子部材の製造方法。
【請求項６】
前記工程（２）において、前記被覆シートが、剥離シートに支持されており、
前記工程（４）は、前記密閉空間の外側の気圧を前記密閉空間の気圧より高くした後であって、前記被覆シートにより前記光半導体素子を被覆する前に、前記剥離シートを前記被覆シートから剥離する工程（６）
を備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の被覆素子部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被覆素子部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光半導体素子を被覆材料によって被覆することが知られている。
【０００３】
例えば、基板に接合されたダイの上面に、ダイよりサイズが大きい蛍光体要素を接合し、その後、基板の上面を濡らすように、液状前駆体をノズルから分注し、その後、毛細管現象によって、液状前駆体を蛍光体要素と基板との間の空間中に引き込むことによって、ダイの側面に、液状前駆体から散乱層を形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１２−５１６０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の方法によれば、基板および蛍光体要素の濡れ性に、大きく依存して、毛細管現象がうまく働かない場合があり、その場合には、ダイの側面を被覆することができないという不具合がある。
【０００６】
一方、プレス機のプレス圧を利用して、液状前駆体を蛍光体要素と基板との間に配置して、散乱層を形成することも検討されるが、その場合には、ダイに損傷を生じる場合がある。
【０００７】
本発明の目的は、光半導体素子の損傷を抑制しながら、被覆シートにより光半導体素子を確実に被覆することのできる、被覆素子部材の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明［１］は、基材に支持される光半導体素子を用意する工程（１）と、被覆シートを、前記光半導体素子と、真空下で厚み方向に対向配置させる工程（２）と、前記工程（２）の後に、前記被覆シートと前記基材とにより区画される密閉空間を形成する工程（３）と、前記工程（３）の後に、前記密閉空間の外側の気圧を前記密閉空間の気圧より高くすることにより、前記被覆シートにより前記光半導体素子を被覆する工程（４）とを備え、前記被覆シートを、周波数１Ｈｚ、昇温速度２５℃／分および温度範囲２５〜１２０℃の条件で動的粘弾性１を測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’１と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値１を有し、前記被覆シートを、周波数１Ｈｚ、前記極小値１を示す温度における等温条件で動的粘弾性２を測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’２と時間との関係を示す曲線が、極小値２を有し、前記極小値２における貯蔵剪断弾性率Ｇ’２が、５，０００Ｐａ以上、２０，０００Ｐａ以下の範囲にあり、前記工程（２）では、前記厚み方向に投影したときに、前記被覆シートが前記光半導体素子を囲むように第１枠部材に支持された状態で、前記被覆シートを配置し、前記工程（３）では、前記被覆シートを、前記基材および前記第１枠部材によって、前記厚み方向に挟み込むことにより、前記密閉空間を形成することを特徴とする、被覆素子部材の製造方法である。
【０００９】
この方法によれば、工程（３）において、密閉空間およびその外側の気圧を、ともに、真空下にし、工程（４）において、密閉空間の外側の気圧を大気圧にすれば、密閉空間は、大気圧より低い気圧を有する。つまり、密閉空間と、その外側とでは、差圧を生じる。そのため、被覆シートは、密閉空間に容易に流入して、光半導体素子を確実に被覆する。しかも、差圧を利用して被覆シートを密閉空間に流入させれば、プレス機のプレス圧を利用する方法に比べて、光半導体素子にかかる力を均一にすることができ、そのため、光半導体素子の損傷を抑制しながら、被覆シートにより光半導体素子を確実に被覆することができる。
【００１０】
また、この方法によれば、被覆シートの、極小値２における貯蔵剪断弾性率Ｇ’２が、５，０００Ｐａ以上、２０，０００Ｐａ以下の範囲にあるので、被覆シートを上記した温度範囲に加熱すれば、被覆シートの流出を抑制しながら、被覆シートを軟化させて、光半導体素子を確実に被覆することができる。
【００１１】
本発明［２］は、前記工程（４）は、５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲で、かつ、前記貯蔵剪断弾性率Ｇ’の２０，０００Ｐａに対応する２点間の温度に、前記被覆シートを加熱する工程（５）を備える、［１］に記載の被覆素子部材の製造方法を含む。
【００１２】
この方法によれば、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、５，０００Ｐａ以上、２０，０００Ｐａ以下の範囲にあるので、被覆シートを密閉空間に確実に流入させて、光半導体素子をより一層確実に被覆することができる。
【００１３】
また、この方法によれば、工程（４）は、被覆シートを貯蔵剪断弾性率Ｇ’の２０，０００Ｐａに対応する２点間の温度に、被覆シートを加熱するので、被覆シートを流動させて、被覆シートにより一層確実に流入させることができる。また、上記した加熱温度が、５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲にあるので、被覆シートを迅速に流動させながら、被覆シートの劣化を抑制させることができる。
【００１４】
本発明［３］は、前記被覆シートは、樹脂を含有する組成物からなり、前記樹脂の前記組成物における含有割合が、５０質量％以上、９０質量％以下である、［１］または［２］に記載の被覆素子部材の製造方法を含む。
【００１５】
この方法によれば、樹脂の組成物における含有割合が、上記した割合であるので、被覆シートが光半導体素子を確実に被覆することができる。
【００１６】
本発明［４］は、前記工程（１）において、前記基材に支持され、前記厚み方向に投影したときに、前記基材に含まれ、前記第１枠部材の内側に位置し、かつ、前記光半導体素子の周囲を囲み、前記光半導体素子が有する第１厚みＴ１より厚い第２厚みＴ２を有する第２枠部材を用意し、前記工程（３）では、前記被覆シートと前記基材とによって、前記第２枠部材を厚み方向において挟み込んで、前記被覆シートと前記基材と前記第２枠部材とにより区画される前記密閉空間を形成する、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の被覆素子部材の製造方法を含む。
【００１７】
この方法によれば、光半導体素子が有する第１厚みＴ１より厚い第２厚みＴ２を有する第２枠部材を、被覆シートと基材とによって挟み込むので、工程（３）において、被覆シートを光半導体素子に間隔を隔てて配置させることができる。すると、工程（４）において、被覆シートが光半導体素子に対して均一に被覆することができる。
【００１８】
本発明［５］は、前記工程（１）において、前記第１枠部材は、前記基材に支持されており、前記厚み方向に投影したときに、前記基材に含まれ、前記光半導体素子の周囲を囲み、前記第１枠部材は、前記光半導体素子が有する第１厚みＴ１より厚い第３厚みＴ３を有する、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の被覆素子部材の製造方法を含む。
【００１９】
この方法によれば、光半導体素子が有する第１厚みＴ１より厚い第３厚みＴ３を有する第１枠部材を、被覆シートと基材とによって挟み込むので、工程（３）において、被覆シートを光半導体素子に間隔を隔てて配置させることができる。すると、工程（４）において、被覆シートが光半導体素子に対して均一に被覆することができる。
【００２０】
本発明［６］は、前記工程（２）において、前記被覆シートが、剥離シートに支持されており、前記工程（４）は、前記密閉空間の外側の気圧を前記密閉空間の気圧より高くした後であって、前記被覆シートにより前記光半導体素子を被覆する前に、前記剥離シートを前記被覆シートから剥離する工程（６）を備える、［１］〜［５］のいずれか一項に記載の被覆素子部材の製造方法を含む。
【００２１】
この方法によれば、被覆シートを剥離シートによって保護することができる。また、剥離シートを被覆シートから剥離した後に、被覆シートにより光半導体素子を被覆するので、剥離シートの剥離のタイミングを調整すれば、被覆シートによる光半導体素子の被覆のタイミングを調整することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の方法によれば、光半導体素子の損傷を抑制しながら、被覆シートにより光半導体素子を確実に被覆することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の被覆素子部材の製造方法の第１実施形態の工程図であって、図１Ａが、複数の光半導体素子および第２枠部材を用意する工程（１）、および、被覆シートを、光半導体素子と、真空下で厚み方向に対向配置させる工程（２）、図１Ｂが、上板が下板にプレスする途中、図１Ｃが、上板が下板にプレスして、密閉空間を形成する工程（３）を示す。
【図２】図２Ｄ〜図２Ｆは、図１Ｃに引き続き、本発明の被覆素子部材の製造方法の第１実施形態の工程図であって、図２Ｄが、密閉空間の外側の気圧を密閉空間の気圧より高くする工程（４）、図２Ｅが、被覆シートを加熱して、被覆シートによって光半導体素子を被覆する工程（４）、図２Ｆが、被覆素子部材を基材から剥離する工程を示す。
【図３】図３は、図１Ａに示す基材および被覆部材の正面斜視図である。
【図４】図４Ａおよび図４Ｂは、それぞれ、図１Ａに示す基材、光半導体素子および第２枠部材の底面図、および、図１Ａに示す被覆部材および第１枠部材の平面図である。
【図５】図５は、被覆素子部材を備える発光装置の断面図である。
【図６】図６は、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する２点が、いずれも、５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲にある曲線を示す。
【図７】図７は、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する１点が、５０℃未満であり、残りの１点が、１２０℃超過である曲線を示す。
【図８】図８は、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する１点（高温点）が、５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲にあるが、残りの１点が、５０℃未満である曲線を示す。
【図９】図９は、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する１点（低温点）が、５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲にあるが、残りの１点が、１２０℃超過の曲線を示す。
【図１０】図１０Ａおよび図１０Ｂは、本発明の被覆素子部材の製造方法の第２実施形態の工程図であって、図１０Ａが、複数の光半導体素子を用意する工程（１）、および、被覆シートを、光半導体素子と、真空下で厚み方向に対向配置させる工程（２）、図１０Ｂが、上板が下板にプレスして、密閉空間を形成する工程（３）を示す。
【図１１】図１１Ｃ〜図１１Ｅは、図１０Ｂに引き続き、本発明の被覆素子部材の製造方法の第２実施形態の工程図であって、図１１Ｃが、密閉空間の外側の気圧を密閉空間の気圧より高くする工程（４）、図１１Ｄが、被覆シートを加熱して、被覆シートによって光半導体素子を被覆する工程（４）、図１１Ｅが、被覆素子部材を基材から剥離する工程を示す。
【図１２】図１２は、図１０Ａに示す被覆部材および第１枠部材の平面図である。
【図１３】図１３Ａおよび図１３Ｂは、本発明の被覆素子部材の製造方法の第３施形態の工程図であって、図１３Ａが、複数の光半導体素子および第２枠部材を用意する工程（１）、および、被覆シートを、光半導体素子と、真空下で厚み方向に対向配置させる工程（２）、図１３Ｂが、上板が下板にプレスして、密閉空間を形成する工程（３）を示す。
【図１４】図１４Ｃ〜図１４Ｅは、図１３Ｂに引き続き、本発明の被覆素子部材の製造方法の第２実施形態の工程図であって、図１４Ｃが、密閉空間の外側の気圧を密閉空間の気圧より高くする工程（４）、図１４Ｄが、被覆シートを加熱して、被覆シートによって光半導体素子を被覆する工程（４）、図１４Ｅが、被覆素子部材を基材から剥離する工程を示す。
【図１５】図１５Ａ〜図１５Ｆは、第１変形例および第２変形例に用いられる被覆シートを用意する工程図であって、図１５Ａが、剥離装置および被覆部材を用意する工程、図１５Ｂが、被覆シートを吸着領域に配置する工程、図１５Ｃが、剥離シートを被覆シートから剥離し始める工程、図１５Ｄが、剥離シートを被覆シートから剥離する途中の工程、図１５Ｅが、剥離シートを被覆シートから剥離した後の工程、図１５Ｆが、被覆シートを剥離装置から引き上げる工程を示す。
【図１６】図１６は、第１変形例および第２変形例の一部工程図であって、被覆シートと基材と光半導体素子と第１枠部材とを準備する工程を示す。
【図１７】図１７Ａおよび図１７Ｂは、第１変形例の工程図であって、図１７Ａが、被覆シートを、基材および光半導体素子の上に配置する工程（２）、図１７Ｂが、上板が下板にプレスして、密閉空間を形成する工程（３）を示す。
【図１８】図１８Ｃおよび図１８Ｄは、図１７Ｂに引き続き、第１変形例の工程図であって、図１８Ｃが、密閉空間の外側の気圧を密閉空間の気圧より高くするとともに、被覆シートを加熱して、被覆シートによって光半導体素子を被覆する工程（４）、図１８Ｄが、被覆素子部材を基材から剥離する工程を示す。
【図１９】図１９Ａおよび図１９Ｂは、第２変形例の工程図であって、図１９Ａが、被覆シートを、基材および光半導体素子の上に配置する工程（２）、図１９Ｂが、上板が下板にプレスして、密閉空間を形成する工程（３）を示す。
【図２０】図２０Ｃおよび図２０Ｄは、図１９Ｂに引き続き、第２変形例の工程図であって、図２０Ｃが、密閉空間の外側の気圧を密閉空間の気圧より高くする工程、図２０Ｄが、被覆シートを加熱して、被覆シートによって光半導体素子を被覆する工程（４）、図２０Ｅが、被覆素子部材を基材から剥離する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
１．第１実施形態
図１において、紙面左右方向は、左右方向（第１方向）であり、紙面左側が左側（第１方向一方側）、紙面右側が右側（第１方向他方側）である。図１において、紙面上下方向は、上下方向（第１方向に直交する第２方向、厚み方向の一例）であり、紙面上側が上側（第２方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側が下側（第２方向他方側、厚み方向他方側）である。図１において、紙面奥行方向は、先後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）であり、紙面手前側が先側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側、長手方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【００２５】
被覆素子部材１の製造方法は、基材１０に支持される光半導体素子２を用意する工程（１）（図１Ａ参照）と、被覆シート３を、光半導体素子２と、真空下で厚み方向に対向配置させる工程（２）（図１Ａ参照）と、工程（２）の後に、密閉空間７を形成する工程（３）（図１Ｃ参照）と、工程（３）の後に、密閉空間７の外側の気圧を密閉空間７の気圧より高くすることにより、被覆シート３により光半導体素子２を被覆する工程（４）（図２Ｄおよび図２Ｅ参照）とを備える。以下、各工程を説明する。
【００２６】
１−１．工程（１）
工程（１）では、図１Ａ、図３および、図４Ａに示すように、基材１０に支持される複数の光半導体素子２および第２枠部材４を用意する。
【００２７】
基材１０は、キャリア８および仮固定シート９を順に備える。
【００２８】
キャリア８は、仮固定シート９を支持するための板であり、基材１０の上面をなす。キャリア８は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。キャリア８は、例えば、ステンレスなどの金属からなる。キャリア８の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
【００２９】
仮固定シート９は、複数の光半導体素子２をキャリア８に仮固定するための感圧接着剤層であり、基材１０の下面をなす。仮固定シート９は、キャリア８の下面に配置（感圧接着）されている。仮固定シート９は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。仮固定シート９は、感圧接着剤からなる。感圧接着剤として、例えば、処理（具体的には、活性エネルギー線の照射など）によって、感圧接着力が低減する感圧接着剤が挙げられる。仮固定シート９の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。また、仮固定シート９は、図２Ｄに示す工程（４）において、キャリア８から剥離しない程度の感圧接着力を有する。仮固定シート９のキャリア８に対する感圧接着力は、例えば、０．０５Ｎ／２０ｍｍ以上、好ましくは、０．０８Ｎ／２０ｍｍ以上、より、好ましくは、０．１０Ｎ／２０ｍｍ以上であり、また、例えば、３Ｎ／２０ｍｍ以下である。
【００３０】
光半導体素子２は、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子２は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子２は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器を含まない。具体的には、光半導体素子２は、例えば、ＧａＮ系化合物半導体、ＺｎＳｅ系化合物半導体、ＩｎＧａＡｓ系化合物半導体、または、ＡｌＩｎＧａＰ系化合物半導体からなる発光層を下部に含有する。発光層のピーク波長は、例えば、２４０ｎｍ以上、５６０ｎｍ以下の範囲にあり、好ましくは、３８０ｎｍ以上、４７０ｎｍ以下の範囲にある。
【００３１】
光半導体素子２は、図１Ａおよび図３に示すように、基材１０の下において、左右方向および前後方向に互いに間隔を隔てて複数整列配置されている。より具体的には、複数の光半導体素子２は、仮固定シート９の下面の略中央部分（後述する第２枠部材４が設けられる領域の内側部分）に位置している。複数の光半導体素子２のそれぞれは、左右方向および前後方向に沿う略平板形状を有する。また、光半導体素子２は、図１Ａに示すように、電極面４１と、発光面４２と、周側面４３とを有する。
【００３２】
電極面４１は、光半導体素子２における上面（図１Ａにおける上面）であって、電極（図示せず）が設けられる面である。電極は、複数の光半導体素子２のそれぞれの電極面４１に、２つ設けられている。そのため、光半導体素子２は、フェイスダウン（フリップチップ）構造を有する。
【００３３】
発光面４２は、光半導体素子２における下面（図１Ａにおける下面）であって、電極面４１に対して下側に間隔を隔てて対向配置されている。発光面４２は、図示しない上記した発光層が設けられる面である。
【００３４】
周側面４３は、電極面４１の周端縁と、発光面４２の周端縁とを連結する側面である。
【００３５】
光半導体素子２の厚みＴ１（高さ、第１厚みの一例）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。光半導体素子２の左右方向長さおよび／または前後方向長さは、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、３．０ｍｍ以下、好ましくは、１．５ｍｍ以下である。
【００３６】
第２枠部材４は、図３および図４Ａに示すように、底面視略枠形状を有して、より好ましくは、底面視略矩形枠形状を有している。第２枠部材４は、基材１０に支持されている。詳しくは、第２枠部材４は、複数の光半導体素子２の周囲を囲むように、仮固定シート９の下面に配置されている。また、第２枠部材４は、仮固定シート９の下面の周端部（後述する第１枠部材５に対応する被覆シート５に対向する領域）を露出するように、仮固定シート９の下面に位置している。
【００３７】
第２枠部材４は、例えば、樹脂、金属などからなる。好ましくは、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、可撓性を有する樹脂が挙げられ、そのような樹脂として、例えば、ＰＥＴなどのポリエステル、例えば、ＰＥ、ＰＰなどのポリオレフィンなどが挙げられる。好ましくは、ポリエステルが挙げられる。
【００３８】
第２枠部材４の幅は、例えば、３ｍｍ以上、好ましくは、５ｍｍ以上であり、また、例えば、３０ｍｍ以下、好ましくは、２０ｍｍ以下である。
【００３９】
第２枠部材４の厚みＴ２（第２厚みの一例）は、例えば、光半導体素子２の厚みＴ１と同一またはそれよりも厚く、好ましくは、光半導体素子２の厚みＴ１よりも厚い。第２枠部材４の厚みＴ２は、光半導体素子２の厚みＴ１に対して、例えば、１００％以上、好ましくは、１１０％以上、より好ましくは、１２０％以上である。具体的には、第２枠部材４の厚みＴ２は、例えば、１５０μｍ以上、好ましくは、１８５μｍ以上、より好ましくは、１８０μｍ以上である。
【００４０】
複数の光半導体素子２および第２枠部材４を基材１０に支持するには、まず、キャリア８および仮固定シート９から基材１０を用意し、続いて、複数の光半導体素子２を仮固定シート９の下面に、電極面４１が仮固定シート９の下面に接触するように、貼着する。これとともに、第２枠部材４を仮固定シート９の下面に貼着する。
【００４１】
１−２．工程（２）
工程（２）では、図１Ａおよび図３に示すように、被覆シート３を、光半導体素子２と、真空下で厚み方向に対向配置させる。
【００４２】
まず、被覆シート３を用意する。被覆シート３は、被覆部材１２に備えられている。被覆部材１２は、被覆シート３と、被覆シート３を支持する剥離シート１１とを備える。
【００４３】
被覆シート３は、被覆材料から形成される層（シート）状を有している。また、被覆シート３は、単層または複層積層されていてもよい。図１Ａの拡大図に示すように、例えば、被覆シート３は、第１被覆シート３Ａと、第２被覆シート３Ｂとを下側に向かって順に備えることもできる。第１被覆シート３Ａは、上側に向かって露出する。第２被覆シート３Ｂは、剥離シート１１の上面に配置されている。第１被覆シート３Ａおよび第２被覆シート３Ｂのいずれもが、被覆材料から形成される。
【００４４】
被覆材料としては、例えば、樹脂組成物が挙げられる。樹脂組成物は、例えば、粘着性（すなわち、常温（２５℃）での表面タック性）の樹脂を含有している。
【００４５】
樹脂組成物としては、例えば、熱硬化性樹脂組成物、熱可塑性樹脂組成物、好ましくは、熱硬化性樹脂組成物が挙げられる。
【００４６】
熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、２段反応硬化性樹脂組成物、１段反応硬化性樹脂組成物が挙げられる。
【００４７】
２段反応硬化性樹脂組成物は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂組成物は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂組成物である。ただし、２段反応硬化性樹脂組成物は、強度の加熱によって、Ａステージ状態から、Ｂステージ状態を維持することなく、一度にＣステージ状態となることもできる。なお、Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂組成物が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体または固体状態である。
【００４８】
１段反応硬化性樹脂組成物は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。なお、１段反応硬化性樹脂組成物は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂組成物を含む。つまり、かかる熱硬化性樹脂組成物は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂組成物である。一方、１段反応硬化性樹脂組成物は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性樹脂組成物を含む。
【００４９】
樹脂組成物としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。樹脂組成物として、好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００５０】
上記した樹脂組成物は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
【００５１】
シリコーン樹脂としては、透明性、耐久性、耐熱性、耐光性の観点から、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などのシリコーン樹脂組成物が挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。
【００５２】
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、１段反応硬化性樹脂組成物であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。
【００５３】
具体的には、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物として、Ｂステージ状態となることができる１段反応硬化性樹脂組成物であるフェニル系シリコーン樹脂組成物、例えば、Ｂステージ状態となることができない１段反応硬化性樹脂組成物であるメチル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
【００５４】
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、例えば、特開２０１５−０７３０８４号公報などに記載される付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
【００５５】
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開２０１３−０９１７０５号公報、特開２０１３−００１８１５号公報、特開２０１３−００１８１４号公報、特開２０１３−００１８１３号公報、特開２０１２−１０２１８７号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。
【００５６】
なお、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物および縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。
【００５７】
樹脂の樹脂組成物における含有割合は、例えば、４０質量％以上、好ましくは、５０質量％以上、より好ましくは、６０質量％以上であり、また、例えば、９７質量％以下、好ましくは、９０質量％以下、より好ましくは、８０質量％以下である。
【００５８】
樹脂の含有割合が上記した下限以上、または、上記した上限以下であれば、被覆シート３が光半導体素子２の周側面４３および発光面４２を確実に被覆することができる。
【００５９】
また、樹脂組成物は、好ましくは、蛍光体および／または充填剤を含有する。
【００６０】
蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体、青色光を緑色光に変換することのできる緑色蛍光体などが挙げられる。
【００６１】
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００６２】
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００６３】
緑色蛍光体としては、例えば、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＬｕＡＧ：ルテニウムアルミニウムガーネット）などのガーネット型蛍光体が挙げられる。
【００６４】
このような蛍光体のなかでは、好ましくは、黄色蛍光体単独、または、赤色蛍光体と緑色蛍光体との組み合わせが挙げられる。
【００６５】
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。
【００６６】
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００６７】
蛍光体の含有割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、１００質量部以下、好ましくは、７５質量部以下である。
【００６８】
充填剤としては、例えば、光拡散性粒子が挙げられる。光拡散性粒子としては、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。
【００６９】
無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＨＯ）２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。
【００７０】
無機粒子として、好ましくは、シリカ粒子、ガラス粒子が挙げられる。
【００７１】
有機粒子の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。
【００７２】
有機粒子として、好ましくは、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂粒子が挙げられる。
【００７３】
有機粒子は、例えば、後述するトルエンなどの溶剤に不溶である。
【００７４】
充填剤は、単独使用または併用することができる。
【００７５】
充填剤の含有割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、１質量部以上、好ましくは、１０質量部以上であり、また、例えば、１００質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
【００７６】
被覆シート３は、Ａステージ状態、Ｂステージ状態、Ｃステージ状態のいずれであってよく、好ましくは、Ｂステージ状態、Ｃステージ状態であり、よりＢステージ状態である。
【００７７】
被覆シート３は、図４Ｂに示すように、平面視において、後述する第１枠部材５の外形寸法より大きい寸法を有している。
【００７８】
被覆シート３の厚みＴ４は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上、より好ましくは、７０μｍ以上であり、また、例えば、４００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下、より好ましくは、１５０μｍ以下である。
【００７９】
また、被覆シート３が複層である場合であって、具体的には、被覆シート３が第１被覆シート３Ａおよび第２被覆シート３Ｂを有する場合には、第１被覆シート３Ａおよび第２被覆シート３Ｂのそれぞれの厚みが、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２５μｍ以上、より好ましくは、３５μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下、より好ましくは、７０μｍ以下である。また、第１被覆シート３Ａの厚みは、好ましくは、第２被覆シート３Ｂの厚みと同一である。第１被覆シート３Ａおよび第２被覆シート３Ｂの総厚みは、被覆シート３の厚みＴ４である。
【００８０】
また、光半導体素子２の厚みＴ１、第２枠部材４の厚みＴ２、被覆シート３の厚みＴ４は、例えば、下記式を満足する。
Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ１＋Ｔ４
さらに、第２枠部材４と最外側に位置する光半導体素子２との距離Ｌ１、被覆シート３の厚みＴ４、剥離シート１１の厚みＴ５は、例えば、下記式を満足する。
Ｌ１＞（Ｔ５＋Ｔ４）×２
被覆シート３を、周波数１Ｈｚ、昇温速度２５℃／分および温度範囲２５〜１２０℃の条件で動的粘弾性１を測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’１と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値１を有し、上記した動的粘弾性１を測定していない別の被覆シート３を、周波数１Ｈｚ、極小値１を示す等温条件で動的粘弾性２を測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’２と時間との関係を示す曲線が、極小値２を有し、極小値２における貯蔵剪断弾性率Ｇ’２が、５，０００Ｐａ以上、２０，０００Ｐａ以下の範囲にある。なお、等温条件での動的粘弾性２の測定では、温度２５℃から温度Ｔまで、速度２５℃／分で昇温させ、その後、温度Ｔに保持する。
【００８１】
この被覆シート３は、２５℃以上に温度に加熱すれば、軟化することができ、また、上記した極小値２を超える温度になれば、硬化することができる被覆材料からなる。そのため、この被覆シート３は、上記した極小値２およびその近傍において、工程（５）における光半導体素子２に対して迅速に被覆をし、その後の更なる加熱によって硬化して、光半導体素子２に対する確実な被覆を維持することができる。
【００８２】
極小値２における貯蔵剪断弾性率Ｇ’２は、好ましくは、７，５００Ｐａ以上であり、また、好ましくは、１５，０００Ｐａ以下である。
【００８３】
なお、被覆シート３の常温（２５℃）における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、例えば、２０，０００Ｐａ以上、好ましくは、３０，０００Ｐａ以上、より好ましくは、４０，０００Ｐａ以上であり、また、例えば、２００，０００Ｐａ以下である。
【００８４】
また、動的粘弾性１の測定で得られた極小値１における温度は、例えば、６０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１４０℃以下、好ましくは、１３０℃以下である。
【００８５】
剥離シート１１は、平板形状を有する。剥離シート１１としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、金属箔などが挙げられる。剥離シート１１の厚みＴ５は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上、より好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下、より好ましくは、１５０μｍ以下である。また、剥離シート１１は、平面視において、被覆シート３より大きい寸法を有する。
【００８６】
また、剥離シート１１は、後述する第１枠部材５に支持された状態で、その形状を保持できる一方、工程（３）において、図１Ｃに示すように、密閉空間７を形成できるように、変形できる弾性率を有する。具体的には、剥離シート１１の２５℃における引張弾性率は、２５０ＭＰａ以上、好ましくは、５００ＭＰａ以上、より好ましくは、１０００ＭＰａ以上であり、また、例えば、２０，０００ＭＰａ以下である。
【００８７】
被覆部材１２を用意するには、まず、剥離シート１１を用意し、次いで、剥離シート１１の上面に被覆シート３を設ける。なお、被覆部材１２を複層で構成する場合には、第２被覆シート３Ｂを剥離シート１１の上面に設け、別途、第１の第１被覆シート３Ａを別の剥離シート（図示せず）の上面に設け、続いて、図１Ａの拡大断面図に示すように、第１被覆シート３Ａを第２被覆シート３Ｂの上に配置（積層）する。
【００８８】
そして、この工程（２）では、厚み方向に投影したときに、被覆シート３が光半導体素子２を囲むように第１枠部材５に支持された状態で、被覆シート３を配置して、被覆シート３と、光半導体素子２とを、真空下で厚み方向に対向配置させる。
【００８９】
第１枠部材５は、図３および図４Ｂに示すように、例えば、平面視略枠形状を有しており、具体的には、平面視略矩形枠形状を有している。第１枠部材５は、図１Ａおよび図４Ｂに示すように、被覆部材１２より小さい寸法であって、第２枠部材４より大きい寸法を有している。第１枠部材５は、厚み方向に投影したときに、第２枠部材４の外側に間隔Ｌ２を隔てて配置される。なお、図４Ｂにおいて、第１枠部材５は、ハッチングで示されている。
【００９０】
第１枠部材５は、例えば、金属、樹脂などからなる。好ましくは、金属からなる。金属としては、例えば、剛性を有する金属が挙げられ、そのような金属として、例えば、ステンレス、セラミックなどが挙げられる。好ましくは、ステンレスが挙げられる。
【００９１】
第１枠部材５の幅は、例えば、３ｍｍ以上、好ましくは、５ｍｍ以上であり、また、例えば、３０ｍｍ以下、好ましくは、２０ｍｍ以下である。
【００９２】
第１枠部材５の厚みＴ３は、第２枠部材４の厚みＴ２と同一またはそれよりも厚く、好ましくは、第２枠部材４の厚みＴ２よりも厚い。
【００９３】
第２枠部材４の厚みＴ２は、第１枠部材５の厚みに対して、例えば、１００％以下、好ましくは、９０％以下、より好ましくは、８０％以下である。具体的には、第１枠部材５の厚みＴ３は、例えば、７００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下、より好ましくは、４５０μｍ以下である。
【００９４】
また、第１枠部材５の厚みＴ３は、例えば、被覆シート３の厚みＴ４と、第２枠部材４の厚みＴ２との総計（Ｔ４＋Ｔ２）より厚い。つまり、下記式を満足する。
Ｔ３＞Ｔ４＋Ｔ２
厚み方向に投影したときの、第１枠部材５と第２枠部材４との距離（第１枠部材５の内側面と、第２枠部材４の外側面との距離）Ｌ２は、例えば、剥離シート１１の厚みＴ５と、被覆シート３の厚みＴ４との総計（Ｔ５＋Ｔ４）（つまり、被覆部材１２の厚み）を、上回る。つまり、下記式を満足する。
Ｌ２＞Ｔ５＋Ｔ４
そして、被覆シート３と、光半導体素子２とを真空下で対向配置させるには、例えば、真空装置２７内に設けられたプレス機２０に、被覆シート３と光半導体素子２とを配置する。
【００９５】
真空装置２７は、真空チャンバー２８と、真空ライン２９と、真空ポンプ３０と、真空バルブ３１と、大気ライン３２と、大気バルブ３３とを備える。
【００９６】
真空チャンバー２８は、基材１０、被覆部材１２および第１枠部材５を収容できる密閉容器である。
【００９７】
真空ライン２９の一端（吸引方向上流側端）は、真空チャンバー２８に接続され、真空ライン２９の他端（吸引方向下流側端）は、真空ポンプ３０に接続されている。
【００９８】
真空ポンプ３０は、真空ライン２９を介して、真空チャンバー２８内の空間に連通するように構成されている。
【００９９】
真空バルブ３１は、真空ライン２９の途中に介在している。
【０１００】
大気ライン３２は、真空ライン２９の途中、具体的には、その一端真空ライン２９において真空チャンバー２８および真空バルブ３１の間の部分から分岐するラインであり、他端が、大気に開放するように構成されている。
【０１０１】
大気バルブ３３は、大気ライン３２の途中に介在している。
【０１０２】
プレス機２０は、例えば、上下方向に互いに対向配置される下板２１および上板２２を備える。
【０１０３】
下板２１および上板２２は、それぞれ、前後方向および左右方向に延びる略平板形状を有する。下板２１の上面は、平坦面を有する。上板２２の下面は、平坦面を有する。上板２２は、下板２１の上側に位置している。下板２１は、上板２２に対してプレスできるように、構成されている。
【０１０４】
プレス機２０に、被覆シート３と光半導体素子２とを配置するには、図１および図３に示すように、まず、下板２１の上面に、第１枠部材５を配置し、続いて、被覆部材１２を第１枠部材５の上面に配置する。具体的には、剥離シート１１の下面の周端部を、第１枠部材５の上面に直接接触させる。これによって、被覆部材１２が第１枠部材５に支持される。
【０１０５】
一方、複数の光半導体素子２および基材１０が仮固定された基材１０を上板２２の下面に配置する。具体的には、キャリア８の上面を、上板２２の下面に直接接触させる。この際、厚み方向（上下方向）に投影したときに、複数の光半導体素子２は、図１Ａに示すように、第１枠部材５に囲まれるように、位置する。また、第２枠部材４は、厚み方向に投影したときに、複数の光半導体素子２と、第１枠部材５との間に位置する。具体的には、第２枠部材４は、厚み方向に投影したときに、第１枠部材５の内側に配置される。
【０１０６】
プレス機２０への上記した被覆部材１２および基材１０の配置は、真空装置２７において、大気圧下で実施される。
【０１０７】
具体的には、まず、真空バルブ３１および大気バルブ３３を開放する。これによって、真空ポンプ３０は、大気ライン３２と連通する。
【０１０８】
次いで、真空ポンプ３０を作動させる。
【０１０９】
その後、大気バルブ３３を閉鎖する。
【０１１０】
これによって、真空ポンプ３０は、真空バルブ３１を介して、チャンバー空間３４のみと連通する。すると、チャンバー空間３４内は、真空となる。具体的には、チャンバー空間３４の気圧（真空圧）は、被覆シート３によって光半導体素子２を円滑に被覆する観点から、例えば、１．０×１０−２ＭＰａ以下、好ましくは、１．０×１０−３ＭＰａ以下であり、また、例えば、ボイドの発生をより有効に抑制する観点から、５．５×１０−４ＭＰａ以上である。
【０１１１】
１−３．工程（３）
工程（３）では、密閉空間７を形成する。
【０１１２】
詳しくは、図１Ａの矢印、図１Ｂおよび図１Ｃに示すように、上板２２を下方に移動させる。具体的には、上板２２を下板２１に対してプレスする。
【０１１３】
すると、第２枠部材４の厚みＴ２が光半導体素子２の厚みＴ１よりも厚い場合には、図１Ｂに示すように、まず、第２枠部材４が被覆シート３の上面に接触する。なお、被覆シート３が第１被覆シート３Ａおよび第２被覆シート３Ｂを備える場合（図１Ａの拡大図参照）には、第２枠部材４が第１被覆シート３Ａの上面に接触する。
【０１１４】
すると、被覆部材１２が、その中央部が下方に突出するように、湾曲する。
【０１１５】
引き続き、上板２２が下方に移動すると、第１枠部材５の厚みＴ３が、光半導体素子２の厚みＴ１および第２枠部材４の厚みＴ２より厚い場合には、第１枠部材５の上に位置する被覆部材１２が、基材１０の下面に接触する。具体的には、第１枠部材５の上に位置する被覆部材１２が、仮固定シート９の下面における第２枠部材４の外側部分に直接接触する。すると、上板２２の下方への移動が規制される。これによって、第１枠部材５と基材１０との間の被覆部材１２が、プレスされる。
【０１１６】
この際のプレス圧は、例えば、０．０５ＭＰａ以上、好ましくは、０．１ＭＰａ以上であり、また、例えば、０．５ＭＰａ以下、好ましくは、０．３ＭＰａ以下である。
【０１１７】
プレス時間は、例えば、０．１秒以上、好ましくは、１秒以上であり、また、例えば、１００秒以下、好ましくは、１０秒以下である。
【０１１８】
上記したプレスによって、第１枠部材５の内側の空間と、第１枠部材５の外側の空間とが遮断されて、第１枠部材５の内側の空間が、密閉空間７となる。
【０１１９】
また、密閉空間７は、第１枠部材５に対応する被覆シート３と、基材１０とにより区画されている。つまり、密閉空間７は、第１枠部材５に対応する被覆部材１２と、基材１０とにより区画されている。さらには、被覆シート３と基材１０とによって、第２枠部材４を厚み方向において挟み込むことにより、密閉空間７は、被覆シート３と基材１０と第２枠部材４とによっても区画される。
【０１２０】
この密閉空間７には、複数の光半導体素子２のそれぞれの発光面４２および周側面４３が臨んでいる。
【０１２１】
なお、図１Ｃに示すように、厚み方向に投影したときに、第２枠部材４および第１枠部材５の間に位置する被覆部材１２は、第２枠部材４と第１枠部材５とによって挟み込まれて、屈曲する。
【０１２２】
一方、第２枠部材４の内側に位置する被覆部材１２は、光半導体素子２の下方に間隔を隔てて配置されており、平坦形状を保持している。
【０１２３】
そのため、被覆シート３（被覆部材１２）は、第２枠部材４の下面に接触し、かつ、平面視において被覆部材１２の内側に配置される第１平坦部３５と、第１枠部材５の上面に接触し、第１枠部材５と基材１０によって挟まれ、第１枠部材５の上面に沿う平坦形状を有する第２平坦部３６と、それらを連結する連結部３７とを備える。第２平坦部３６は、面方向（前後方向および左右方向）に投影したときに、第１平坦部３５の上側に位置している。第１平坦部３５連結部３７は、第１平坦部３５の外端縁から上側に屈曲する屈曲部であり、連結部３７の内端縁に至っている。連結部３７は、第１平坦部３５および第２平坦部３６を上下方向に連結している。また、連結部３７は、平面視において第１枠部材５および第２枠部材４の間に挟まれている。
【０１２４】
１−４．工程（４）
工程（４）では、まず、密閉空間７の外側の気圧を密閉空間７の気圧より高くする。
【０１２５】
具体的には、図２Ｄに示すように、チャンバー空間３４（密閉空間７の外側におけるチャンバー空間３４）の気圧を大気圧にする。
【０１２６】
詳しくは、真空バルブ３１を閉鎖し、その後、大気バルブ３３を開放する。
【０１２７】
これにより、チャンバー空間３４が、大気ライン３２を介して、大気に開放される。
【０１２８】
その後、まず、基材１０および被覆部材１２のプレスを解除する。具体的には、上板２２を引き上げて、基材１０および被覆部材１２を、プレス機２０から取り外す。続いて、基材１０および被覆部材１２を、真空装置２７から取り出す。
【０１２９】
この際、仮固定シート９は、キャリア８に感圧接着しているため、密閉空間７に移動することなく、平坦形状を維持している。
【０１３０】
また、被覆シート３は、タック性に基づいて剥離シート１１に感圧接着し、また、上記した常温における高い貯蔵剪断弾性率Ｇ’を有しているため、密閉空間７に移動することなく、第２枠部材４の内側の被覆シート３は、平坦形状を維持している。
【０１３１】
その後、基材１０および被覆部材１２を上下反転させる。
【０１３２】
その後、図２Ｅに示すように、剥離シート１１を被覆シート３から剥離する（工程（６））。
【０１３３】
なお、被覆シート３が第１被覆シート３Ａおよび第２被覆シート３Ｂを備える場合には、剥離シート１１を第２被覆シート３Ｂから剥離する。
【０１３４】
工程（６）では、剥離シート１１を剥離しながら、剥離シート１１および被覆シート３を加熱する。
【０１３５】
すると、被覆シート３が軟化・流動する。
【０１３６】
加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、６０℃以上、より好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、９０℃以下、より好ましくは、８０℃以下である。
【０１３７】
また、加熱時の貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、例えば、５，０００Ｐａ以上、好ましくは、７，５００Ｐａ以上であり、また、例えば、２０，０００Ｐａ以下、好ましくは、１７，０００Ｐａ以下、より好ましくは、例えば、１５，０００Ｐａ以下である。
【０１３８】
なお、加熱時の貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、上記した動的粘弾性１の測定条件と同一の測定条件で測定されたときの、加熱温度における貯蔵剪断弾性率Ｇ’である。
【０１３９】
加熱温度および加熱時の貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した範囲内にあれば、このような温度範囲であれば、被覆シート３が耐熱でき、次の工程（５）において、被覆シート３が光半導体素子２の発光面４２および周側面４３に追従して、被覆シート３が光半導体素子２を効率よく被覆することができる。
【０１４０】
その後、この工程（４）では、被覆シート３を引き続き加熱する工程（５）が実施される。
【０１４１】
具体的には、被覆シート３を、図示しないヒータで加熱したり、あるいは、被覆シート３、第１枠部材５および基材１０を加熱炉に投入する。
【０１４２】
加熱温度は、例えば、５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲で、かつ、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する２点間の温度である。例えば、以下の温度が含まれる。
【０１４３】
＜１＞図６に示すように、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する２点が、いずれも、５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲にある。この場合には、加熱温度は、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する２点間の温度範囲である。より具体的には、２点のうち、低温点が、（５０＋α１）℃であり、高温点が、（１２０−α２）℃である。
【０１４４】
＜２＞図７に示すように、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する１点が、５０℃未満であり、残りの１点が、１２０℃超過である。この場合には、加熱温度は、５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲である。
【０１４５】
＜３＞図８に示すように、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する１点（高温点）が、５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲にあるが、残りの１点が、５０℃未満である。この場合には、加熱温度は、５０℃以上であり、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する２点のうち高温点以下の温度範囲である。より具体的には、高温点が、（１２０−α２）℃である。α２は、上記したα２と同様である。
【０１４６】
＜４＞図９に示すように、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する１点（低温点）が、５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲にあるが、残りの１点が、１２０℃超過である。この場合には、加熱温度は、貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する２点のうち低温点以上であり、１２０℃以下の温度範囲である。より具体的には、低温点が、（５０＋α１）℃である。α１は、上記したα１と同様である。
【０１４７】
そうすると、被覆シート３の弾性が低下して、被覆シート３の軟化・流動が進行する。すると、図２Ｅに示すように、被覆シート３は、その形状を保持できず、すると、密閉空間７に引き込まれる（吸い込まれる）。これによって、被覆シート３は、複数の光半導体素子２を被覆する。具体的には、被覆シート３が、複数の光半導体素子２のそれぞれの発光面４２および周側面４３と、光半導体素子２から露出する仮固定シート９の上面と、第２枠部材４の内側面とに、直接接触する。
【０１４８】
なお、被覆シート３が第１被覆シート３Ａおよび第２被覆シート３Ｂを備える場合には、図２Ａの拡大図に示すように、第１被覆シート３Ａが、複数の光半導体素子２のそれぞれの発光面４２および周側面４３と、光半導体素子２から露出する仮固定シート９の上面と、第２枠部材４の内側面とに、直接接触する。一方、第２被覆シート３Ｂは、上側に露出する。
【０１４９】
これによって、被覆シート３により複数の光半導体素子２を被覆する。
【０１５０】
その後、被覆シート３が熱硬化性樹脂を含有する場合には、被覆シート３をさらに加熱して、被覆シート３をＣステージ化させる。加熱温度は、上記した極小値１を示す温度よりも高い温度である。
【０１５１】
被覆シート３は、Ｂステージ状態で調製された場合には、上記により、Ｃステージ化される。一方、被覆シート３は、Ｃステージ状態で調製された場合には、上記の加熱が不要となる。
【０１５２】
これによって、１つの被覆シート３と、それにより被覆された複数の光半導体素子２とを備える被覆素子部材集合体３８を、基材１０に仮固定された状態で、得られる。被覆素子部材集合体３８は、好ましくは、１つの被覆シート３と、複数の光半導体素子２とのみからなる。
【０１５３】
その後、図２Ｆの１点鎖線で示されるように、隣接する光半導体素子２間における被覆シート３を、ダイシングなどによって切断する。つまり、被覆素子部材集合体３８を個片化する。これによって、１つの被覆シート３と、それにより被覆された１つの光半導体素子２とを備える被覆素子部材１を、基材１０に仮固定された状態で、複数得られる。被覆素子部材１は、好ましくは、１つの被覆シート３と、１つの光半導体素子２とのみからなる。
【０１５４】
その後、図２Ｆの矢印で示すように、被覆素子部材１を、仮固定シート９から剥離する。具体的には、仮固定シート９を処理（具体的には、活性エネルギー線の照射など）することによって、仮固定シート９の感圧接着力を低減させる。
【０１５５】
これによって、光半導体素子２と、被覆シート３とを備える被覆素子部材１が得られる。
【０１５６】
図５に示すように、その後、被覆素子部材１を基板３９に実装する。
【０１５７】
基板３９は、略平板形状を有し、例えば、絶縁基板である。また、基板３９は、上面に配置される端子（図示せず）を備えている。
【０１５８】
被覆素子部材１を基板３９に実装するには、被覆素子部材１の電極面４１における電極（図示せず）を、基板３９の端子（図示せず）と接触させて、電気的に接続させる。つまり、被覆素子部材１の光半導体素子２を基板３９に対してフリップチップ実装する。
【０１５９】
これとともに、被覆シート３の下面（光半導体素子２の側方に位置する被覆シート３の下面）を、基板３９の上面に接触させる。
【０１６０】
これによって、被覆素子部材１と、基板３９とを備える発光装置４０を得る。好ましくは、発光装置４０は、被覆素子部材１と、基板３９とのみからなる。
【０１６１】
２．第１実施形態の作用効果
この方法によれば、工程（３）において、密閉空間７およびその外側の気圧を、ともに、真空下にし、工程（４）において、密閉空間７の外側の気圧を大気圧にするので、密閉空間７は、大気圧より低い気圧を有する。つまり、密閉空間７と、その外側とでは、差圧を生じる。そのため、被覆シートは、密閉空間７に容易に流入して、光半導体素子２を確実に被覆する。しかも、差圧を利用して被覆シート３を密閉空間７に流入させれば、プレス機のプレス圧を利用する方法に比べて、光半導体素子２にかかる力を均一にすることができ、そのため、光半導体素子２の損傷を抑制しながら、被覆シート３により光半導体素子２を確実に被覆することができる。
【０１６２】
また、この方法によれば、被覆シート３の、極小値２における貯蔵剪断弾性率Ｇ’２が、５，０００Ｐａ以上、２０，０００Ｐａ以下の範囲にあるので、被覆シート３を上記した温度範囲に加熱すれば、被覆シート３の流出を抑制しながら、被覆シート３を軟化させて、光半導体素子２を確実に被覆することができる。
【０１６３】
また、被覆シート３の、極小値２における貯蔵剪断弾性率Ｇ’２が、５，０００Ｐａ以上、２０，０００Ｐａ以下の範囲にあるので、被覆シート３を密閉空間７に確実に流入させて、光半導体素子２をより一層確実に被覆することができる。
【０１６４】
また、この方法によれば、工程（４）は、被覆シート３を貯蔵剪断弾性率Ｇ’１の２０，０００Ｐａに対応する２点間の温度に、被覆シート３を加熱するので、被覆シート３を流動させて、被覆シート３により一層確実に流入させることができる。また、上記した加熱温度が、５０℃以上、１２０℃以下の温度範囲にあるので、被覆シート３を迅速に流動させながら、被覆シート３の劣化を抑制させることができる。
【０１６５】
この方法によれば、樹脂の組成物における含有割合が、上記した割合であるので、被覆シート３が光半導体素子２を確実に被覆することができる。
【０１６６】
この方法によれば、光半導体素子２が有する第１厚みＴ１より厚い第２厚みＴ２を有する第２枠部材４を、被覆シート３と基材１０とによって挟み込むので、工程（３）において、被覆シート３を光半導体素子２に厚み方向に間隔を隔てて配置させることができる。すると、工程（４）において、被覆シート３が光半導体素子２に対して均一に被覆することができる。
【０１６７】
また、この方法によれば、被覆シート３を剥離シート１１によって保護することができる。また、剥離シート１１を被覆シート３から剥離した後に、被覆シート３により光半導体素子２を被覆するので、剥離シート１１の剥離のタイミングを調整すれば、被覆シート３による光半導体素子２の被覆のタイミングを調整することができる。
【０１６８】
３．第１実施形態の変形例
第１実施形態では、外側の気圧に対して差圧を有する密閉空間７が形成された被覆部材１２および基材１０を真空装置２７から取り出し、続いて、その後、剥離シート１１および被覆シート３を加熱している。
【０１６９】
しかし、被覆部材１２および基材１０を真空装置２７から取り出さず、真空装置２７内において、剥離シート１１および被覆シート３の加熱を実施することもできる。
【０１７０】
第１実施形態では、被覆部材１２は剥離シート１１を備えたが、例えば、被覆部材１２は剥離シート１１を備えず、被覆シート３のみを備えることもできる。その場合には、第１枠部材５の表面および下板２１の表面に予め剥離処理を施す。
【０１７１】
この変形例では、被覆部材１２が剥離シート１１を備えないので、図２Ｄおよび図２Ｅが参照されるように、密閉空間７と、その外側とで差圧が生じると、すぐに、密閉空間７に被覆シート３が流入して、被覆シート３により光半導体素子２を被覆する。
【０１７２】
第１実施形態では、被覆素子部材集合体３８を個片化したが、例えば、被覆シート３を切断せずに、複数の被覆素子部材１の集合体として、被覆素子部材集合体３８を得ることもできる。
【０１７３】
４．第２実施形態
第２実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１７４】
第１実施形態では、図１Ａおよび図４Ｂに示すように、第１枠部材５の上面の全部に、被覆部材１２を接触させている。
【０１７５】
一方、第２実施形態では、図１０Ａおよび図１２に示すように、第１枠部材５の上面の内側部分のみに、被覆部材１２を接触させる。
【０１７６】
つまり、工程（２）において、被覆部材１２の周端部を、第１枠部材５の上面の内側部分に載置する。第１枠部材５の上面の外側部分は、露出している。
【０１７７】
なお、剥離シート１１および被覆シート３は、平面視において、同一寸法を有している。
【０１７８】
また、第１実施形態では、図１Ａおよび図３に示すように、第２枠部材４を基材１０に仮固定している。
【０１７９】
一方、第２実施形態では、図１０Ａに示すように、第２枠部材４を基材１０に仮固定せず、複数の光半導体素子２のみを基材１０に仮固定する。
【０１８０】
工程（１）において、第１枠部材５の厚みＴ３は、例えば、光半導体素子２の厚みＴ１と同一または厚く、好ましくは、光半導体素子２の厚みＴ１より厚い。第１枠部材５の厚みＴ３は、光半導体素子２の厚みＴ１に対して、例えば、１００％以上、好ましくは、１１０％以上、より好ましくは、１２０％以上であり、また、例えば、１５０％以下である。
【０１８１】
工程（３）において、第１枠部材５に対応する被覆シート３を、第１枠部材５と基材１０とによって、厚み方向に挟み込む。これによって、密閉空間７を形成する。
【０１８２】
この際、被覆シート３の上面は、光半導体素子２の発光面４２に接触する。
【０１８３】
５．第２実施形態の作用効果
第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０１８４】
なお、第１実施形態は、図１Ｃに示すように、第２枠部材４を、被覆シート３と基材１０とによって挟み込む。すなわち、被覆シート３は、第２枠部材４の基材１０に対する反対側、つまり、下側に位置するので、広い密閉空間７を確保することができる。そのため、密閉空間７の気圧と、密閉空間７の外側の気圧との差圧を、大きくすることができる。その結果、強い吸引力によって、被覆シート３を密閉空間７に流動させることができる。
【０１８５】
６．第２実施形態の変形例
第２実施形態では、図１０Ａに示すように、第１枠部材５の上面の内側部分のみに、被覆部材１２を接触させ、かつ、第２枠部材４を設けていない。しかし、上記構成のうち、いずれかのみを実施してもよい。つまり、第１枠部材５の上面の内側部分のみに、被覆部材１２を接触させ、かつ、第２枠部材４を設けてもよく、あるいは、第１枠部材５の上面の全部に、被覆部材１２を接触させ、かつ、第２枠部材４を設けないこともできる。
【０１８６】
７．第３実施形態
第３実施形態において、第１および第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１８７】
第１実施形態において、図１Ａに示すように、第１枠部材５は、厚み方向に投影したときに、第２枠部材４の外側に間隔Ｌ２を隔てて配置される。
【０１８８】
しかし、第３実施形態では、図１３Ａに示すように、第１枠部材５は、厚み方向に投影したときに、第２枠部材４と重複している。
【０１８９】
７−１．第１枠部材および第２枠部材など
第１枠部材５の内側面は、厚み方向に投影したときに、第２枠部材４の内側面に対して、外側に間隔を隔てて配置されている。
【０１９０】
なお、この第３実施形態において、光半導体素子２の厚みＴ１は、例えば、６００μｍ以上である。
【０１９１】
７−２．工程（３）
工程（３）では、被覆部材１２が第１枠部材５および第２枠部材４に直接接触する。具体的には、被覆シート３が第２枠部材４に接触する。剥離シート１１が第１枠部材５に引き続き接触する。つまり、被覆部材１２は、第１枠部材５および第２枠部材４によって挟み込まれる。
【０１９２】
密閉空間７は、被覆シート３と、基材１０と、第２枠部材４とにより、区画されている。
【０１９３】
７−３．第３実施形態の作用効果
第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０１９４】
８．他の変形例
８−１．第１変形例
上記第１〜第３実施形態では、被覆シート３を備える被覆部材１２により光半導体素子２を被覆する工程（４）は、剥離シート１１を被覆シート３から剥離する工程（６）を備える。
【０１９５】
しかし、この第１変形例では、工程（４）は、工程（６）を備えず、図１５Ａ〜図１５Ｅに示すように、被覆シート３を備える被覆部材１２を、光半導体素子２と対向配置させる工程（２）の前に、剥離シート１１を被覆シート３から剥離する。つまり、この第１変形例では、予め、剥離シート１１から剥離した被覆シート３を用いる。
【０１９６】
被覆シート３を用意するには、まず、図１５Ａに示すように、被覆シート３および剥離シート１１を上側に向かって順に備える被覆部材１２を用意する。
【０１９７】
剥離シート１１の先端部は、被覆シート３の先端面から露出する。剥離シート１１の後端面および左右両端面は、被覆シート３のそれらと厚み方向において連続しており、面一である。
【０１９８】
従って、被覆シート３の先端部は、剥離シート１１の先端部のみからなり、被覆シート３の後端部および先後方向途中部は、被覆シート３および剥離シート１１の２つからなる積層部１５である。
【０１９９】
続いて、吸着装置５０を用意する。
【０２００】
吸着装置５０は、吸着板５１と、目張り部材５２とを備える。
【０２０１】
吸着板５１は、前後方向および左右方向に延びる略平板形状を有する。吸着板５１は、厚み方向に貫通する複数の貫通孔（図示せず）を有しており、複数の貫通孔の下端は、吸引装置（図示せず）に接続されている。
【０２０２】
目張り部材５２は、吸着板５１の上面における後端部および左右両端部に設けられる。目張り部材５２は、先側に向かって開放される平面視コ字状の板形状を有する。目張り部材５２は、吸着板５１の後端部および左右両端部における複数の貫通孔の上端を閉塞する。目張り部材５２は、例えば、ガス透過率が低い基材と、感圧接着層とを有する。
【０２０３】
そのため、吸着装置５０の上面には、目張り部材５２から露出する複数の貫通孔を含む吸着領域５３が区画される。吸着領域５３は、平面視において、目張り部材５２の内側端縁によって区画される。
【０２０４】
なお、目張り部材５２の上面は、吸着板５１の上面に対して、上側に位置する。
【０２０５】
図１５Ａの矢印および図１５Ｂに示すように、次いで、被覆シート３を吸着装置５０に設置する。具体的には、被覆シート３の積層部１５が、平面視において吸着領域５３に含まれるように、被覆シート３を吸着装置５０の上面に載置する。この際、積層部１５の後端面および左右両端面は、吸着領域５３に面する目張り部材５２の内端面と接触する。
【０２０６】
続いて、吸引装置（図示せず）を駆動する。これにより、積層部１５が吸着領域５３に吸引されて、固定される。
【０２０７】
その後、図１５Ｃ〜図１５Ｅに示すように、剥離シート１１を被覆シート３から剥離する。
【０２０８】
例えば、図１５Ｃおよび図１５Ｄに示すように、積層部１５の一端部を抑制部材５４で抑制しながら、積層部１５の一端縁における剥離シート１１を引き上げる。例えば、積層部１５の先端部の左端部を抑制するように、抑制部材５４を、積層部１５の先端部における左端部と重なるように、配置する。
【０２０９】
抑制部材５４は、長手方向に延びる略板形状を有する。抑制部材５４は、その長手方向中央部が、積層部１５の先端部における左端部と重なり、後側に向かうに従って左側に傾斜するように、配置される。また、抑制部材５４は、目張り部材５２の左端部の上面にも載置される。
【０２１０】
この際、目張り部材５２の左端部と、積層部１５の先端部における左端部とに対向する抑制部材５４を、手などで押さえ付ける（抑える）。
【０２１１】
同時に、剥離シート１１の先端部における左端部を把持して、引き上げる。
【０２１２】
すると、積層部１５の先端縁における左端縁において、剥離シート１１の被覆シート３に対する剥離が開始する。
【０２１３】
続いて、図１５Ｄおよび図１５Ｅに示すように、抑制部材５４を後側にずらしながら、上記した剥離を継続する。具体的には、抑制部材５４を、目張り部材５２の上面において、後側斜め右側に向かってスライドさせながら、剥離シート１１の被覆シート３に対する剥離を、積層部１５の先端縁における左端縁から、後側斜め右側に向けて進行させる。
【０２１４】
図１５Ｅに示すように、続いて、積層部１５の後端部において上記した剥離が終了する。具体的には、積層部１５の後端縁における右端縁において、剥離シート１１の被覆シート３に対する剥離が終了する。
【０２１５】
これによって、剥離シート１１を被覆シート３から剥離する。
【０２１６】
その後、吸引装置（図示せず）の駆動を解除し、続いて、図１５Ｆに示すように、例えば、ピンセットなどの把持部材５５によって、被覆シート３の一端部を把持して、被覆シート３を吸着装置５０から引き上げる。
【０２１７】
別途、図１６および図１７Ａに示すように、基材１０、複数の光半導体素子２および第１枠部材５を用意する。
【０２１８】
基材１０は、キャリア８および仮固定シート９を上側に向かって順に備える。基材１０は、下板２１に設けられる。詳しくは、キャリア８は、下板２１の上面に配置されて（接触して）いる。
【０２１９】
複数の光半導体素子２は、仮固定シート９の上面の略中央部分に位置する。
【０２２０】
第１枠部材５は、仮固定シート９の上面において、複数の光半導体素子２の周囲を囲むように配置されている。第１枠部材５の厚みＴ３は、光半導体素子２の厚みＴ１より厚い。
【０２２１】
図１６の矢印および図１７に示すように、次いで、工程（２）において、被覆シート３を、基材１０、複数の光半導体素子２および第１枠部材５の上に配置する。具体的には、被覆シート３の周端部を、第１枠部材５の上面に載置する。なお、図１７Ａでは、複数の光半導体素子２が面する空間は、第１枠部材５の上面および被覆シート３の周端部の下面によって、密閉されるように見えるが、実際には、上記した２つの面間には、微小な隙間（図示せず）があり、そのため、上記の空間は、まだ密閉されていない。つまり、大気に解放されている。
【０２２２】
次いで、基材１０、複数の光半導体素子２、第１枠部材５および被覆シート３を、真空装置２７内に設けられたプレス機２０の下板２１に配置する。
【０２２３】
なお、上板２２の下面には、第３枠部材１３が設けられる。
【０２２４】
第３枠部材１３は、厚み方向に投影したときに、第１枠部材５の外側に位置しており、具体的には、第１枠部材５を囲む底面視略矩形枠形状を有する。第３枠部材１３の厚みＴ６は、第１枠部材５の厚みＴ３に比べて、薄い。第３枠部材１３は、例えば、樹脂、金属などからなる。
【０２２５】
その後、真空ポンプ３０を作動させて、チャンバー空間３４内を真空にする。
【０２２６】
図１７Ｂに示すように、工程（３）において、上板２２を下方に移動させる。具体的には、上板２２を下板２１に対してプレスする。
【０２２７】
すると、まず、被覆シート３が上板２２の下面に接触する。とりわけ、第１枠部材５に対応する被覆シート３は、上板２２に対して、プレスされる。一方、第３枠部材１３は、第１枠部材５の外側に位置する被覆シート３を押し下げる。
【０２２８】
これによって、第１枠部材５の内側の空間が、第１枠部材５に対応する被覆シート３が第１枠部材５と上板２２とによってプレスされることによって、第１枠部材５の外側の空間と遮断されて、密閉空間７となる。
【０２２９】
次いで、図１８Ｃに示すように、工程（４）では、チャンバー空間３４の気圧を大気圧にするとともに、被覆シート３を加熱する。すると、図１８Ｃに示すように、被覆シート３は、変形して、密閉空間７に引き込まれて、複数の光半導体素子２を被覆する。
【０２３０】
その後、図１８Ｄに示すように、隣接する光半導体素子２間における被覆シート３を、切断する。
【０２３１】
この第１変形例によれば、この方法によれば、光半導体素子２の厚みＴ１より厚い厚みＴ３を有する第１枠部材５を、被覆シート３と基材１０とによって挟み込むので、工程（３）において、被覆シート３を基材１０に間隔を隔てて配置させることができる。すると、工程（４）において、被覆シートが光半導体素子に対して均一に被覆することができる。
【０２３２】
なお、上記した第１変形例では、チャンバー空間３４の気圧を大気圧にすることと、被覆シート３の加熱とを、同時に実施しているが、例えば、図示しないが、チャンバー空間３４の気圧を大気圧にし、その後、被覆シート３の加熱を実施することもできる。この場合には、被覆シート３の変形、および、被覆シート３による光半導体素子２の被覆は、被覆シート３の加熱時に実施される。
【０２３３】
８−２．第２変形例
第２変形例では、図１９Ａ〜図２０Ｄに示すように、工程（２）〜工程（４）において、剥離シート１１を用いる。
【０２３４】
剥離シート１１は、次に説明する第３枠部材１３を介して上板２２に支持されている。
【０２３５】
図１９Ａに示すように、第３枠部材１３は、上板２２の下面に設けられる。第３枠部材１３は、剥離シート１１を支持する。
【０２３６】
工程（３）において、図１９Ｂに示すように、まず、被覆シート３が剥離シート１１の下面に接触する。とりわけ、第１枠部材５に対応する被覆シート３は、上板２２および剥離シート１１に対して、プレスされる。
【０２３７】
工程（４）では、図２０Ｃに示すように、チャンバー空間３４の気圧を大気圧にする。
【０２３８】
続いて、図２０Ｄに示すように、被覆シート３を加熱しながら、剥離シート１１を被覆シート３から剥離する。
【０２３９】
その後、図２０Ｅに示すように、隣接する光半導体素子２間における被覆シート３を、切断する。
【０２４０】
第１変形例は、第２変形例に比べて、剥離シート１１を用意する手間を省略でき、その分、製造コストを低減できるので、好ましい。
【実施例】
【０２４１】
以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０２４２】
（被覆部材の作製）
作製例１
特開２０１５−０７３０８４号公報の調製例１に準じたフェニル系シリコーン樹脂組成物７０質量部と、平均粒子径１７μｍの蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）３０質量部とを配合して、蛍光体を含有する樹脂組成物を調製した。図１Ａに示すように、樹脂組成物から、厚みＴ４が１００μｍの被覆シート３を、厚みＴ５が５０μｍのＰＥＴからなる剥離シート１１の表面に設けた。つまり、被覆シート３および剥離シート１１を備える被覆部材１２を作製した。その後、被覆シート３を、９０℃のオーブンに１７分間投入して、被覆シート３を加熱した。
【０２４３】
得られた被覆シート３の平面視における寸法は、６０ｍｍ×６０ｍｍであり、剥離シート１１における寸法は、７０ｍｍ×７０ｍｍであった。
【０２４４】
作製例２
オーブンにおける加熱時間を、１７分から２０分に変更した以外は、作製例１と同様にして、被覆部材１２を作製した。
【０２４５】
作製例３
オーブンにおける加熱時間を、１７分から１８分に変更した以外は、作製例１と同様にして、被覆部材１２を作製した。
【０２４６】
作製例４
特開２０１５−０７３０８４号公報の調製例１に準じたフェニル系シリコーン樹脂組成物９５質量部と、平均粒子径１７μｍの蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）５質量部とを配合した以外は、作製例１と同様にして、樹脂組成物を調製し、続いて、被覆部材１２を作製した。
【０２４７】
作製例５
特開２０１５−０７３０８４号公報の調製例１に準じたフェニル系シリコーン樹脂組成物４５質量部と、平均粒子径１７μｍの蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）５５質量部とを配合した以外は、作製例１と同様にして、樹脂組成物を調製し、続いて、被覆部材１２を作製した。
【０２４８】
作製例６
被覆シート３の厚みＴ４を３００μｍに変更した以外は、作製例１と同様にして、被覆部材１２を作製した。
【０２４９】
作製例７
被覆シート３の厚みＴ４を１５μｍに変更した以外は、作製例１と同様にして、被覆部材１２を作製した。
【０２５０】
作製例８
作製例１と同様に処理して、それぞれの厚みが７５μｍである２つの被覆シート３を、第２被覆シート３Ｂおよび第１被覆シート３Ａとして、この順で剥離シート１１に積層した。なお、第１被覆シート３Ａおよび第２被覆シート３Ｂの総厚みＴ４は、１５０μｍであった。
【０２５１】
つまり、第１被覆シート３Ａ、第２被覆シート３Ｂおよび剥離シート１１を備える被覆部材１２を作製した。
【０２５２】
作製例９
作製例１と同様に処理して、厚みが７５μｍの第２被覆シート３Ｂを用意し、また、作製例３と同様に処理して、厚みが７５μｍの第１被覆シート３Ａを用意し、これらを順に剥離シート１１に積層した。なお、第１被覆シート３Ａおよび第２被覆シート３Ｂの総厚みＴ４は、１５０μｍであった。
【０２５３】
つまり、第１被覆シート３Ａ、第２被覆シート３Ｂおよび剥離シート１１を備える被覆部材１２を作製した。被覆シート３は、２層タイプである。
【０２５４】
比較作製例１
オーブンにおける加熱時間を、１７分から２３分に変更した以外は、作製例１と同様にして、被覆部材１２を作製した。
【０２５５】
比較作製例２
オーブンにおける加熱時間を、１７分から１５分に変更した以外は、作製例１と同様にして、被覆部材１２を作製した。
【０２５６】
（被覆素子部材集合体の製造）
実施例１
１．工程（１）
図１Ａに示すように、基材１０に支持される複数の光半導体素子２および第２枠部材４を用意した。
【０２５７】
まず、厚み７００μｍのガラスからなるキャリア８と、厚み９０μｍのアクリル系感圧接着剤からなる仮固定シート９とを備える基材１０を用意した。基材１０の平面視における寸法は、７６ｍｍ×７６ｍｍであった。
【０２５８】
１．１４ｍｍ×１．１４ｍｍ、厚みＴ１が１５０μｍの光半導体素子２を、仮固定シート９に複数仮固定した。同時に、厚みＴ２が２００μｍ、幅５ｍｍ、外形寸法５０ｍｍ×５ｍｍの、ＰＥＴからなる第２枠部材４を、光半導体素子２の外側に仮固定シート９に仮固定した。これにより、複数の光半導体素子２および第２枠部材４が仮固定された基材１０を用意した。
【０２５９】
続いて、真空装置２７において、作製例１の被覆部材１２を第１枠部材５を介して下板２１に設置するとともに、基材１０を上板２２に設置した。第１枠部材５は、ステンレスからなり、その厚みＴ３が、４００μｍであり、平面視における寸法は、幅１０ｍｍ、外形寸法７０ｍｍ×７０ｍｍであった。厚み方向に投影したときの第２枠部材４と最外側に位置する光半導体素子２との距離Ｌ１は、２００ｍｍであった。厚み方向に投影したときの第１枠部材５と第２枠部材４との距離Ｌ２は、２，０００ｍｍであった。
【０２６０】
続いて、図１Ａに示すように、真空装置２７のチャンバー空間３４内を真空にして、その後、図１Ｂおよび図１Ｃに示すように、上板２２を下方に移動させて、第１枠部材５に対応する被覆シート３をプレスした。これによって、密閉空間７を形成した。
【０２６１】
図２Ｄに示すように、その後、チャンバー空間３４内の気圧を大気圧にして、密閉空間７とチャンバー空間３４との間に差圧を発生させた。
【０２６２】
その後、第２枠部材４、基材１０および被覆部材１２を、プレス機２０および真空装置２７から取り出した。
【０２６３】
図２Ｅに示すように、その後、剥離シート１１を被覆シート３から加熱しながら剥離し、引き続き、被覆シート３を加熱した。加熱温度は、７５℃であった。
【０２６４】
すると、被覆シート３は、密閉空間７に流入して、光半導体素子２を被覆した。
【０２６５】
これによって、被覆素子部材集合体３８を製造した。
【０２６６】
実施例２〜１３および比較例１、２
被覆素子部材集合体３８の製造条件を表１の通りに変更した以外は、実施例１と同様に処理して、被覆素子部材集合体３８を製造した。
【０２６７】
（評価）
１．被覆シート３の密着性
被覆素子部材集合体３８おける被覆シート３の断面を観察し、以下の基準に従って、被覆シート３の密着性を評価した。
×：被覆シート３が光半導体素子２に対して全部に密着していなかった。つまり、非接触部を形成していた。
△：被覆シート３が光半導体素子２の周側面４３に対して密着していたが、一部に非接触部を形成していた。
○：被覆シート３は、光半導体素子の周側面４３の上端部から下端部を連続して密着していた。しかし、非接触部をわずかに形成した。
◎：被覆シート３は、光半導体素子の周側面４３の上端部から下端部を連続して密着していた。非接触部は、観察されなかった。
【０２６８】
２．被覆シート３の破損
被覆素子部材集合体３８における被覆シート３の断面を観察し、以下の基準に従って、被覆シート３の破損などを評価した。
×：被覆シート３において、発光面４２および周側面４３により形成される稜線部分に対応する部分に千切れ部が形成され、あるいは、被覆シート３において、発光面４２の周端縁に対応する部分に、薄肉部が形成されていた。
【０２６９】
なお、薄肉部の厚みは、当初用意した被覆シート３の厚みから、１０μｍ以上２０μｍ以下、薄くなった。
△：薄肉部の厚みは、当初用意した被覆シートの厚みから、５μｍ以上１０μｍ未満薄くなった。
○：薄肉部の厚みは、当初用意した被覆シートの厚みから、５μｍ未満薄くなった。
◎：被覆シート３には、千切れ部、および、薄肉部のいずれもが観察されなかった。
【０２７０】
３．動的粘弾性測定
被覆シート３について、２種類の動的粘弾性測定を実施した。なお、２つの測定では、ともに、同一のサンプルを実施しており、つまり、一方の測定が終了したサンプルを、他方の測定に供していない。
【０２７１】
また、実施例１２および実施例１３については、第１被覆シート３Ａおよび第２被覆シート３Ｂのそれぞれについて、動的粘弾性測定を実施した。
【０２７２】
３−１．  動的粘弾性１の測定
被覆シート３を、下記の条件で、動的粘弾性１を測定した。
【０２７３】
［条件］
粘弾性装置：回転式レオメータ（Ｃ−ＶＯＲ装置、マルバーン社製）
型：平行円板
サンプル寸法：厚み１００μｍ、直径８ｍｍ
歪量：１０％
周波数：１Ｈｚ
プレート径：８ｍｍ
昇温速度２５℃／分
温度範囲：２５〜１２０℃
その結果を表１に示す。なお、極小値１を示す温度は、作製例１〜比較作製例２のいずれの被覆シート３についても、７５℃であった。
【０２７４】
３−２．  動的粘弾性２の測定
被覆シート３を、下記の条件で、動的粘弾性２を測定した。
【０２７５】
［条件］
粘弾性装置：回転式レオメータ（Ｃ−ＶＯＲ装置、マルバーン社製）
型：平行円板
サンプル寸法：厚み１００μｍ、直径８ｍｍ
歪量：１０％
周波数：１Ｈｚ
プレート径：８ｍｍ
［温度条件１］
モード：昇温
昇温速度２５℃／分（２５℃〜７５℃）
モード：定温
定温温度：７５℃
【０２７６】
【表１】
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【符号の説明】
【０２７７】
１     被覆素子部材
２     光半導体素子
３     被覆シート
３Ａ   第１被覆シート
３Ｂ   第２被覆シート
４     第２枠部材
５     第１枠部材
７     密閉空間
１０   基材
１１   剥離シート
Ｔ１   光半導体素子の厚み（第１厚みの一例）
Ｔ２   第２枠部材の厚み（第２厚みの一例）
Ｔ３   第１枠部材の厚み（第３厚みの一例）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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