(57)【要約】【課題】取扱性に優れながら、被覆層の破損を抑制できるとともに、被覆層が光半導体素子に対して確実に密着することのできる、被覆層付光半導体素子の製造方法、および、それにより得られる被覆層付光半導体素子を提供することにある。【解決手段】被覆層付光半導体素子１５の製造方法は、ホットメルト樹脂から形成され、光半導体素子２を被覆可能な被覆層３、および、その上に配置されるクッション層４を備える光半導体素子被覆シート１と、光半導体素子２とを、被覆層３が光半導体素子２に臨むように、プレス機１０に設置する工程（１）と、工程（１）の後に、プレス機１０により、光半導体素子被覆シート１および光半導体素子２を、それらが互いに圧縮されるように、熱プレスする工程（２）と、工程（２）の後に、クッション層を被覆層から除去する工程（３）とを備える。ＪＩＳ  Ｋ  ６２５３−２（２０１２年）に準拠した方法に基づく硬度計により２５℃で測定されるクッション層４の国際ゴム硬さが、１０以上、５０以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホットメルト樹脂から形成され、光半導体素子を被覆可能な被覆層、および、前記被覆層の厚み方向一方側に配置されるクッション層を備える被覆部材と、前記光半導体素子とを、前記被覆層が前記光半導体素子に臨むように、プレス機に設置する工程（１）と、
前記工程（１）の後に、前記プレス機により、前記被覆部材および前記光半導体素子を、それらが互いに圧縮されるように、熱プレスする工程（２）と、
前記工程（２）の後に、前記クッション層を前記被覆層から除去する工程（３）と
を備え、
ＪＩＳ  Ｋ  ６２５３−２（２０１２年）に準拠した方法に基づく硬度計により２５℃で測定される前記クッション層の国際ゴム硬さが、１０以上、５０以下であることを特徴とする、被覆層付光半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記クッション層の厚みが、１５０μｍ以上、５，０００μｍ未満であることを特徴とする、請求項１に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記工程（２）における圧力が、２０ｋＰａ以上、１２０ｋＰａ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記被覆部材は、剥離層をさらに備えており、
前記剥離層の上に、前記クッション層と、前記被覆層とを順に備えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記被覆層は、剪断モード、周波数１Ｈｚ、および、昇温速度１０℃／分の測定条件にて動的粘弾性測定することにより得られ、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度において、２．０×１０５以下の貯蔵剪断弾性率Ｇ’を有し、かつ、０．９以上、１．０以下のｔａｎδを有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記被覆層の厚みが、３０μｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記被覆層は、シリコーン樹脂組成物から形成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記被覆層は、蛍光体を含有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法。
【請求項９】
光半導体素子と、前記光半導体素子を被覆する被覆層とを備え、
前記光半導体素子は、
発光層が設けられる発光面、前記発光面に対向し、電極が設けられる電極面、および、前記発光面と前記電極面との周端縁を連結する連結面を有し、
前記被覆層は、
前記発光面を被覆する第１部分と、
前記連結面を被覆し、前記第１部分の周端縁に連続する第２部分と、
前記第２部分における、前記第１部分の前記周端縁に連続する一端部と反対側に位置する他端部から、前記電極面に沿って、前記光半導体素子から離れる方向に向かって突出する突出部分と
を有することを特徴とする、被覆層付光半導体素子。
【請求項１０】
前記光半導体素子が、前記離れる方向に互いに間隔を隔てて複数配置されており、
互いに隣接する前記光半導体素子に対応する前記突出部分が、連続していることを特徴とする、請求項９に記載の被覆層付光半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被覆層付光半導体素子およびその製造方法、詳しくは、被覆層付光半導体素子の製造方法、および、それにより得られる被覆層付光半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、蛍光層と、封止層とを順に備える蛍光封止シートによって、発光ダイオード素子を封止することが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１では、かかる蛍光封止シートによって発光ダイオード素子を封止する際には、封止層が発光ダイオード素子を埋設するように変形する一方、蛍光層が板形状を維持している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２１４７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載の蛍光封止シートによって、発光ダイオード素子を封止するときには、発光ダイオード素子の発光面（電極面と反対側の面）の周端縁を被覆する蛍光層が千切れたり、あるいは、極度に薄くなる場合がある。その場合には、蛍光層が有する波長変換機能を十分に奏することができず、ひいては、発光効率が低下するという不具合がある。
【０００６】
また、特許文献１に記載の蛍光封止シートによれば、蛍光層が発光ダイオード素子の周側面を完全に被覆することができない場合がある。その場合には、蛍光封止シートの発光ダイオード素子に対する密着性が低下し、ひいては、発光ダイオード素子の信頼性が低下するという不具合がある。
【０００７】
また、蛍光封止シートには、優れた取扱性が求められている。
【０００８】
本発明の目的は、クッション層の取扱性に優れながら、被覆層の破損を抑制できるとともに、被覆層が光半導体素子に対して確実に密着することのできる、被覆層付光半導体素子の製造方法、および、それにより得られる被覆層付光半導体素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
［１］本発明は、ホットメルト樹脂から形成され、光半導体素子を被覆可能な被覆層、および、前記被覆層の厚み方向一方側に配置されるクッション層を備える被覆部材と、前記光半導体素子とを、前記被覆層が前記光半導体素子に臨むように、プレス機に設置する工程（１）と、前記工程（１）の後に、前記プレス機により、前記被覆部材および前記光半導体素子を、それらが互いに圧縮されるように、熱プレスする工程（２）と、前記工程（２）の後に、前記クッション層を前記被覆層から除去する工程（３）とを備え、前記クッション層は、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５３−２（２０１２年）に準拠した方法に基づく硬度計により２５℃で測定される前記クッション層の国際ゴム硬さが、１０以上、５０以下であることを特徴とする、被覆層付光半導体素子の製造方法である。
【００１０】
この方法によれば、クッション層は、特定の国際ゴム硬さを有するので、取扱性に優れながら、被覆層の破損を抑制できるとともに、被覆層が光半導体素子に対して確実に密着することができる。
【００１１】
［２］本発明は、前記クッション層の厚みが、１５０μｍ以上、５，０００μｍ未満であることを特徴とする、上記［１］に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法である。
【００１２】
この方法によれば、クッション層の厚みが、上記した下限以上であるので、被覆層の破損をより一層抑制することができる。また、クッション層の厚みが、上記した上限以下であるので、被覆層が光半導体素子に対してより一層確実に密着することができる。
【００１３】
［３］本発明は、前記工程（２）における圧力が、２０ｋＰａ以上、１２０ｋＰａ以下であることを特徴とする、上記［１］または［２］に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法である。
【００１４】
この方法によれば、工程（２）における圧力が、特定の下限以上であるので、被覆層が光半導体素子に対してより一層確実に密着することができる。また、工程（２）における圧力が、特定の上限以下であるので、被覆層の破損をより一層抑制することができる。
【００１５】
［４］本発明は、前記被覆部材は、剥離層をさらに備えており、前記剥離層の上に、前記クッション層と、前記被覆層とを順に備えることを特徴とする、上記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法である。
【００１６】
この方法によれば、被覆部材は、剥離層をさらに備えるので、被覆部材の取扱性に優れる。そのため、被覆部材を簡易かつ確実に取り扱って、被覆層付光半導体素子を製造することができる。
【００１７】
［５］本発明は、前記被覆層は、剪断モード、周波数１Ｈｚ、および、昇温速度１０℃／分の測定条件にて動的粘弾性測定することにより得られ、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度において、２．０×１０５以下の貯蔵剪断弾性率Ｇ’を有し、かつ、０．９以上、１．０以下のｔａｎδを有することを特徴とする、上記［１］〜［４］のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法である。
【００１８】
この方法によれば、被覆層は、特定範囲の貯蔵剪断弾性率Ｇ’およびｔａｎδを有するので、被覆層の破損をより一層抑制でき、および／または、被覆層が光半導体素子に対してより一層確実に密着することができる。
【００１９】
［６］本発明は、前記被覆層の厚みが、３０μｍ以上であることを特徴とする、上記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法である。
【００２０】
この方法によれば、被覆層の厚みが、上記した下限以上であるので、被覆層の破損をより一層抑制することができる。
【００２１】
［７］本発明は、前記被覆層は、シリコーン樹脂組成物から形成されていることを特徴とする、上記［１］〜［６］のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法である。
【００２２】
この方法によれば、被覆層は、シリコーン樹脂組成物から形成されているので、プレス機により、被覆部材を熱プレスしても、被覆層の破損をより一層抑制することができる。また、被覆層は、シリコーン樹脂組成物から形成されているので、被覆層の優れた透明性を得ることができる。
【００２３】
［８］本発明は、前記被覆層は、蛍光体を含有することを特徴とする、上記［１］〜［７］のいずれか一項に記載の被覆層付光半導体素子の製造方法である。
【００２４】
この方法によれば、被覆層は、蛍光体を含有するので、被覆層が蛍光体層として機能することができる。そのため、発光効率に優れる被覆層付光半導体素子を得ることができる。
【００２５】
［９］本発明は、光半導体素子と、前記光半導体素子を被覆する被覆層とを備え、前記光半導体素子は、発光層が設けられる発光面、前記発光面に対向し、電極が設けられる電極面、および、前記発光面と前記電極面との周端縁を連結する連結面を有し、前記被覆層は、前記発光面を被覆する第１部分と、前記連結面を被覆し、前記第１部分の周端縁に連続する第２部分と、前記第２部分における、前記第１部分の前記周端縁に連続する一端部と反対側に位置する他端部から、前記電極面に沿って、前記光半導体素子から離れる方向に向かって突出する突出部分とを有することを特徴とする、被覆層付光半導体素子である。
【００２６】
この被覆層付光半導体素子では、被覆層が、突出部分を備えるので、被覆層付光半導体素子を基板に実装するときに、突出部分が基板に対して密着することができる。そのため、突出部がない被覆層付光半導体素子に比べて、信頼性に優れる発光装置を得ることができる。
【００２７】
［１０］本発明は、前記光半導体素子が、前記離れる方向に互いに間隔を隔てて複数配置されており、互いに隣接する前記光半導体素子に対応する前記突出部分が、連続していることを特徴とする、請求項９に記載の被覆層付光半導体素子である。
【００２８】
この被覆層付光半導体素子では、互いに隣接する光半導体素子に対応する突出部分が、連続しているので、複数の被覆層付光半導体素子からなる被覆層付光半導体素子集合体を容易に構成することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の被覆層付光半導体素子の製造方法によれば、クッション層の取扱性に優れながら、被覆層の破損を抑制できるとともに、被覆層が光半導体素子に対して確実に密着することができる。
【００３０】
本発明の被覆層付光半導体素子では、突出部がない被覆層付光半導体素子に比べて、信頼性に優れる発光装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態の工程図であり、図１Ａが、光半導体素子被覆シートをおよび素子部材を用意する工程（１）、図１Ｂが、光半導体素子被覆シートおよび被覆層をプレスする工程（２）、図１Ｃが、被覆層付光半導体素子集合体および封止治具をプレス機から取り出す工程を示す。
【図２】図２Ｄ〜図２Ｇは、図１Ｃに引き続き、本発明の被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態の工程図であり、図２Ｄが、剥離層を被覆層付光半導体素子集合体から剥離する工程、図２Ｅが、被覆層付光半導体素子集合体をダイシングする工程、図２Ｆが、被覆層付光半導体素子を仮固定シートから剥離する工程図２Ｇが、被覆層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｅは、図１Ａ〜図２Ｇに示す一実施形態の変形例（突出部分が不連続である態様）の工程図であり、図３Ａが、光半導体素子被覆シートをおよび素子部材を用意する工程（１）、図３Ｂが、光半導体素子被覆シートおよび被覆層をプレスする工程（２）、図３Ｃが、剥離層を被覆層付光半導体素子集合体から剥離する工程、図３Ｄが、被覆層付光半導体素子を仮固定シートから剥離する工程、図３Ｅが、被覆層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。
【図４】図４Ａ〜図４Ｅは、図１Ａ〜図２Ｇに示す一実施形態の変形例（被覆層付光半導体素子が突出部分を有しない態様）の工程図であり、図４Ａが、光半導体素子被覆シートをおよび素子部材を用意する工程（１）、図４Ｂが、光半導体素子被覆シートおよび被覆層をプレスする工程（２）、図４Ｃが、剥離層を被覆層付光半導体素子集合体から剥離する工程、図４Ｄが、被覆層付光半導体素子を仮固定シートから剥離する工程図４Ｅが、被覆層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。
【図５】図５Ａ〜図５Ｃは、図１Ａ〜図２Ｇに示す一実施形態の変形例（光半導体素子被覆シートによって、基板に予め実装された光半導体素子を被覆する態様）の工程図であり、図５Ａが、光半導体素子被覆シートおよび基板に予め実装された光半導体素子を用意する工程（１）、図５Ｂが、光半導体素子被覆シート、光半導体素子および基板を熱プレスする工程（３）、図５Ｃが、剥離層を被覆層から剥離する工程、図５Ｄが、スペーサを引き上げる工程を示す。
【図６】図６は、比較例２および３の密着層−被覆層付光半導体素子において、千切れ部を有する密着層の拡大断面図である。
【図７】図７は、比較例２および３の密着層−被覆層付光半導体素子において、薄肉部を有する密着層の拡大断面図である。
【図８】図８は、比較例１の密着層−被覆層付光半導体素子において、第２部分において周側面の全部を被覆しない非被覆部を有する密着層の拡大断面図である。
【図９】図９は、実施例３の密着層−被覆層付光半導体素子において、第２部分において周側面の下端部分を被覆しない非被覆部を有する密着層の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
図１Ａ〜図１Ｃにおいて、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向の一例）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側の一例）、紙面下側が下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。紙面左右方向は、左右方向（第１方向に直交する第２方向、光半導体素子から離れる方向の一例）であり、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。紙厚方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向、光半導体素子から離れる方向のさらなる一例）であり、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【００３３】
被覆層付光半導体素子１５の製造方法は、被覆層３およびクッション層４を備える被覆部材としての光半導体素子被覆シート１と、光半導体素子２とをプレス機１０に設置する工程（１）（図１Ａ参照）と、光半導体素子被覆シート１および光半導体素子２を、プレス機１０により、熱プレスする工程（２）（図１Ｂ参照）と、クッション層４を除去する工程（３）（図２Ｄ参照）とを備える。以下、各工程について説明する。
【００３４】
１．工程（１）
工程（１）では、図１Ａに示すように、光半導体素子被覆シート１と、光半導体素子２とを用意する。
【００３５】
１−１．光半導体素子被覆シート
光半導体素子被覆シート１は、図１Ｂに示すように、後で詳述する被覆層３が光半導体素子２（後述）を直接被覆するために用いられる。光半導体素子被覆シート１は、図１Ａに示すように、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。光半導体素子被覆シート１は、被覆層３と、被覆層３の上側（厚み方向一方側の一例）に配置されるクッション層４とを備える。
【００３６】
１−２．被覆層
被覆層３は、光半導体素子２を直接被覆して密着することができる密着層である。被覆層３は、光半導体素子被覆シート１の下部に配置されている。被覆層３は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。
【００３７】
被覆層３は、ホットメルト樹脂組成物から形成されている。ホットメルト樹脂組成物は、ホットメルト樹脂を含有している。
【００３８】
ホットメルト樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００３９】
具体的には、ホットメルト樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００４０】
そのようなシリコーン樹脂としては、例えば、特表２０１５−５１０２５７号公報、特表２０１５−５１３３２８公報、国際公開第２０１３／１０１６７４号などに記載のシリコーン樹脂が挙げられる。
【００４１】
シリコーン樹脂は、市販品を用いることができ、例えば、ＬＦ−１０２０（東レ・ダウコーニング社製）などが挙げられる。
【００４２】
また、ホットメルト樹脂組成物は、蛍光体を含有することができる。
【００４３】
蛍光体としては、例えば、黄色蛍光体、赤色蛍光体などが挙げられる。黄色蛍光体としては、例えば、ＹＡＧ：Ｃｅなどのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。
【００４４】
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。
【００４５】
蛍光体は、単独使用または併用することができる。
【００４６】
蛍光体の配合割合は、ホットメルト樹脂成物に対して、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。なお、ホットメルト樹脂の配合割合は、上記した蛍光体の配合割合の残部である。また、蛍光体の配合割合は、ホットメルト樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、９０質量部以下、好ましくは、８０質量部以下である。
【００４７】
なお、ホットメルト樹脂組成物は、必要により、さらに、フィラー（後述）を含有することもできる。フィラーの含有割合は、用途および目的により、適宜設定される。
【００４８】
被覆層３を調製するには、ホットメルト樹脂と、必要により、蛍光体（およびフィラー）とを配合して、ホットメルト樹脂組成物のワニスを調製し、続いて、それを、図示しない剥離シートの表面に塗布する。
【００４９】
その後、必要により、ホットメルト樹脂組成物を、加熱する。
【００５０】
被覆層３の厚みＴ１は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上、より好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下である。
【００５１】
被覆層３の厚みＴ１が上記した下限以上であれば、被覆層３の欠損部分（図６における符号１０１）などの破損をより一層抑制することができる。
【００５２】
１−３．クッション層
クッション層４は、図１Ｂに示すように、後述する工程（２）において、光半導体素子２を被覆層３を介して被覆することができる層であり、かつ、図２Ｄに示すように、後述する工程（３）において、被覆層３から剥離される剥離層である。
【００５３】
そして、クッション層４は、工程（２）の熱プレス（図１Ｂ参照）において、プレス機１０のプレスによって被覆層３が受け得る不均一な圧力を均一にすることができる層である。具体的には、クッション層４は、光半導体素子２の発光面８（後述）の周端縁にかかる圧力を分散できる層である。
【００５４】
クッション層４は、図１Ａに示すように、被覆層３の上、具体的には、被覆層３の上面全面に配置されている。クッション層４は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。
【００５５】
クッション層４は、クッション材から形成されている。
【００５６】
クッション材は、例えば、弾性材から形成されている。弾性材としては、例えば、ゲル、スポンジなどが挙げられる。好ましくは、ゲルが挙げられる。ゲルは、例えば、樹脂から形成されている。樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などが挙げられる。
【００５７】
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体など）、アクリル樹脂（例えば、ポリメタクリル酸メチルなど）、ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリルスルホン、熱可塑性ポリイミド、熱可塑性ウレタン樹脂、ポリアミノビスマレイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリメチルペンテン、フッ化樹脂、液晶ポリマー、オレフィン−ビニルアルコール共重合体、アイオノマー、ポリアリレート、アクリロニトリル−エチレン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体などが挙げられる。
【００５８】
熱硬化性樹脂は、例えば、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂であって、具体的には、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。
【００５９】
熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。
【００６０】
２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体状態または固体状態である。
【００６１】
１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。このような１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂である。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。さらに、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性樹脂も含む。
【００６２】
熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００６３】
上記した熱硬化性樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
【００６４】
シリコーン樹脂としては、耐熱性の観点から、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などのシリコーン樹脂組成物が挙げられ、好ましくは、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。
【００６５】
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、１段反応硬化性樹脂であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。
【００６６】
アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（１）で示される。
【００６７】
平均組成式（１）：
Ｒ１ａＲ２ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
式（１）中、Ｒ１で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙げられる。Ｒ１で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数３〜１０のシクロアルケニル基が挙げられる。
【００６８】
Ｒ１として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数２〜４のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。
【００６９】
Ｒ１で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
【００７０】
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価の炭化水素基である。
【００７１】
非置換の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数１〜１０のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数３〜６のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１０のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数７〜８のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
【００７２】
一方、置換の１価の炭化水素基は、上記した非置換の１価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。
【００７３】
置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。
【００７４】
置換の１価の炭化水素基としては、具体的には、３−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。
【００７５】
１価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。
【００７６】
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用が挙げられる。
【００７７】
ａは、好ましくは、０．１０以上、０．４０以下である。
【００７８】
ｂは、好ましくは、１．５以上、１．７５以下である。
【００７９】
アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１０，０００以下、好ましくは、５，０００以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
【００８０】
アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
【００８１】
また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
【００８２】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（２）で示される。
【００８３】
平均組成式（２）：
ＨｃＲ３ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
式（２）中、Ｒ３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基は、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
【００８４】
ｃは、好ましくは、０．５以下である。
【００８５】
ｄは、好ましくは、１．３以上、１．７以下である。
【００８６】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１０，０００以下、好ましくは、５，０００以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
【００８７】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
【００８８】
また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
【００８９】
上記した平均組成式（１）および平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基は、好ましくは、フェニル基を含み、より好ましくは、Ｒ２およびＲ３の両方の炭化水素が、フェニル基を含む。なお、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基がフェニル基を含む場合には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物とされる。
【００９０】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合（アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数／ヒドロシリル基のモル数）が、例えば、１／３０以上、好ましくは、１／３以上、また、例えば、３０／１以下、好ましくは、３／１以下となるように、調整される。
【００９１】
ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（ヒドロシリル付加）の反応速度を向上させる物質（付加触媒）であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。
【００９２】
ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量（具体的には、金属原子）として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、１．０ｐｐｍ以上であり、また、例えば、１０，０００ｐｐｍ以下、好ましくは、１，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは、５００ｐｐｍ以下である。
【００９３】
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。
【００９４】
上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、まず、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Ａステージ（液体）状態として調製されて使用される。その後、反応が途中で停止することにより、Ｂステージ（半固体または固体）状態とされる。
【００９５】
上記したように、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態となることができる。
【００９６】
その後、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、Ｂステージ状態からＣステージ（完全硬化）状態となることができる。
【００９７】
この際の加熱では、一旦、軟化して、再度、硬化する。
【００９８】
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開２０１３−０９１７０５号公報、特開２０１３−００１８１５号公報、特開２０１３−００１８１４号公報、特開２０１３−００１８１３号公報、特開２０１２−１０２１６７号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物として、好ましくは、第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられ、より好ましくは、特開２０１０−２６５４３６号公報に開示されるメチル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
【００９９】
樹脂としては、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
【０１００】
クッション材は、必要により、添加剤を適宜の割合で含有することができる。
【０１０１】
クッション層４を作製するには、例えば、剥離層５の表面にクッション材を層状に積層する。
【０１０２】
剥離層５は、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーまたは金属から、シート状に形成されている。剥離層５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
【０１０３】
そして、クッション層４をゲルから調製する場合には、予めシート形状に形成されたクッション層４を剥離層５に転写するか、あるいは、クッション層４を剥離層５に直接積層する。クッション層４を樹脂から調製する場合には、まず、上記した樹脂のワニスを調製し、続いて、それを、剥離層５の表面に塗布する。
【０１０４】
また、弾性材としては、例えば、ＦＦＧシーズ（ポリマテックジャパン社製）などの、シリコーンゲルも挙げられる。
【０１０５】
クッション層４の厚みＴ２は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上、より好ましくは、２００μｍ以上であり、また、例えば、１０，０００μｍ以下、好ましくは、５，０００μｍ未満、好ましくは、２，０００μｍ以下である。
【０１０６】
クッション層４の厚みＴ２が上記した下限以上であれば、光半導体素子被覆シート１によって光半導体素子２を被覆するときに、被覆層３の欠損部分などの破損（図６における符号１０１）をより一層抑制することができる。
【０１０７】
クッション層４の厚みＴ２が上記した上限以下であれば、光半導体素子被覆シート１によって光半導体素子２を被覆するときに、非接触部（図８および図９における符号１０３）の形成を抑制することができる。
【０１０８】
クッション層４の厚みＴ２の、被覆層３の厚みＴ１に対する比（Ｔ２／Ｔ１）は、例えば、０．５以上、好ましくは、１．５以上、より好ましくは、３以上、さらに好ましくは、１０以上であり、また、例えば、２００以下、好ましくは、１００未満、より好ましくは、７５以下である。
【０１０９】
１−４．被覆層およびクッション層の物性
ＪＩＳ  Ｋ  ６２５３−２（２０１２年）に準拠した方法に基づく硬度計により２５℃で測定されるクッション層４の国際ゴム硬さが、１０以上、好ましくは、２０以上であり、５０以下、好ましくは、４５以下である。
【０１１０】
クッション層４の国際ゴム硬さが上記した上限を超えれば、光半導体素子被覆シート１によって光半導体素子２を被覆するときに、被覆層３の欠損部分などの破損（図６における符号１０１）を有効に抑制することができない。
【０１１１】
一方、クッション層４の国際ゴム硬さが上記した下限に満たなければ、クッション層４の取扱性が低下する。つまり、図８または図９に示されるような被覆層３が周側面９に対して接触しない非接触部１０３の形成を抑制することができない。
【０１１２】
クッション層４は、とりわけ、シリコーンゲルからなる場合には、以下の物性を有する。すなわち、クッション層４の、針入度で規定される硬さが、例えば、５０以上、好ましくは、７０以上、より好ましくは、９０以上、例えば、１００以下である。クッション層４の引張強度が、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．０５ＭＰａ以上、例えば、０．２０ＭＰａ以下、好ましくは、０．１０ＭＰａ未満である。クッション層４の伸びが、例えば、１００％以上、好ましくは、２００％以上、例えば、４００％以下、好ましくは、２５０％以下である。クッション層４の引裂強さが、例えば、０．１Ｎ／ｍｍ以上、好ましくは、０．５Ｎ／ｍｍ以上、例えば、１．０Ｎ／ｍｍ以下である。
【０１１３】
被覆層３は、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうち、いずれかの測定温度、具体的には、９０℃において、被覆層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、例えば、１．０×１０４Ｐａ以上、好ましくは、９．０×１０４Ｐａ以上であり、また、例えば、１．０×１０６Ｐａ以下、好ましくは、２．０×１０５Ｐａ以下である。
【０１１４】
被覆層３の動的粘弾性測定において上記した温度におけるｔａｎδは、例えば、０．８以上、好ましくは、０．９以上であり、例えば、１．０以下である。
【０１１５】
被覆層３において、貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した範囲内にあり、かつ、ｔａｎδが上記した範囲内であれば、光半導体素子被覆シート１によって光半導体素子２を上記した温度で熱プレスにより被覆するときに、被覆層３の破損をより一層抑制でき、および／または、被覆層３が光半導体素子２に対してより一層確実に密着することができる。
【０１１６】
１−５．剥離層
光半導体素子被覆シート１は、図１Ａに示すように、さらに、剥離層５を備える。
【０１１７】
剥離層５は、光半導体素子被覆シート１の使用前および使用中、クッション層４を保護する保護層である。剥離層５は、光半導体素子被覆シート１の上部（最上部）に配置されている。剥離層５は、光半導体素子被覆シート１の上面を形成している。剥離層５は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。剥離層５は、クッション層４の上、具体的には、クッション層４の上面全面、および、その面から外方（前後方向外側および左右方向外側）にはみ出た位置に配置されている。つまり、剥離層５は、厚み方向に投影したときに、クッション層４を含んでおり、すなわち、剥離層５の周端部の下面が、クッション層４から下方に露出している。
【０１１８】
剥離層５は、図１Ｂに示されるように、後述する工程（２）の熱プレスにおいて、実質的に変形しない層である。また、剥離層５は、その上面の周端部にスペーサ５３（後述）が設置される層である。
【０１１９】
剥離層５は、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーまたは金属から、シート状に形成されている。剥離層５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
【０１２０】
１−６．光半導体素子被覆シートの製造
光半導体素子被覆シート１を製造するには、図１Ａが参照されるように、まず、剥離層５に積層されたクッション層４を用意する。
【０１２１】
別途、ホットメルト樹脂組成物のワニスを調製し、続いて、これを、図示しない剥離シートの表面に塗布し、乾燥することにより、被覆層３を得る。
【０１２２】
その後、被覆層３をクッション層４の表面に積層する。具体的には、被覆層３をクッション層４に貼り合わせる。その後、図示しない剥離シートをクッション層４から剥離する。
【０１２３】
これによって、剥離層５と、クッション層４と、被覆層３とを順次備える光半導体素子被覆シート１を製造する。
【０１２４】
この光半導体素子被覆シート１は、好ましくは、剥離層５と、クッション層４と、被覆層３とのみからなる。このような光半導体素子被覆シート１は、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【０１２５】
１−７．光半導体素子
光半導体素子２は、素子部材１８に備えられている。
【０１２６】
素子部材１８は、光半導体素子２と、光半導体素子２を仮固定する仮固定シート１７と、仮固定シート１７を介して複数の光半導体素子２を支持するキャリア６とを備える。
【０１２７】
光半導体素子２は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子２は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子２は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器を含まない。
【０１２８】
光半導体素子２は、仮固定シート１７の上において、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて複数整列配置されている。複数の光半導体素子２のそれぞれは、前後方向および左右方向に沿う略平板形状を有している。また、光半導体素子２は、電極面７と、発光面８と、連結面の一例としての周側面９とを有している。
【０１２９】
電極面７は、光半導体素子２における下面であって、図示しない電極が設けられる面である。
【０１３０】
発光面８は、光半導体素子２における上面であって、電極面７に対して上側に間隔を隔てて対向配置されている。発光面８には、図示しない発光層が設けられている。
【０１３１】
周側面９は、電極面７の周端縁と、発光面８の周端縁とを連結している。
【０１３２】
光半導体素子２の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（高さ）が、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。光半導体素子２の左右方向長さおよび／または前後方向長さは、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。隣接する光半導体素子２の間の間隔（前後方向および／または左右方向における間隔）は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。
【０１３３】
仮固定シート１７は、処理（例えば、活性エネルギー線の照射など）によって感圧接着力が低減するように構成される感圧接着剤組成物から、シート形状に形成されている。仮固定シート１７は、キャリア６の上面全面に配置されており、前後方向および左右方向に延びる略平板形状を有している。仮固定シート１７の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
【０１３４】
キャリア６は、仮固定シート１７の下部に配置されている。キャリア６は、前後方向および左右方向に延びる略平板形状を有している。キャリア６の上面の中央部は、仮固定シート１７に感圧接着され、キャリア６の上面の周端部は、仮固定シート１７から露出している。キャリア６としては、例えば、ステンレス箔などの金属箔、例えば、ガラスシート、例えば、ポリマーフィルムなどが挙げられる。キャリア６の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
【０１３５】
そして、素子部材１８を用意するには、仮固定シート１７をキャリア６の上面の中央部に積層し、複数の光半導体素子２の電極面７をキャリア６の上面に、左右方向および前後方向に互いに間隔を隔てて整列するように、載置（感圧接着）する。これにより、複数の光半導体素子２を、仮固定シート１７を介して、キャリア６に仮固定する。
【０１３６】
２．工程（２）
工程（２）を、工程（１）の後に実施する。工程（２）では、図１Ａに示すように、まず、光半導体素子被覆シート１と、素子部材１８とをプレス機１０に設置する。
【０１３７】
プレス機１０は、熱源（図示せず）を備える熱プレス機である。プレス機１０は、下板１１と、下板１１の上側に配置され、下板１１に対して熱プレス可能に構成される上板１２とを備える。
【０１３８】
光半導体素子被覆シート１および素子部材１８をプレス機１０に設置するには、まず、光半導体素子被覆シート１および素子部材１８を封止治具５０に配置し、かかる封止治具５０をプレス機１０に設置する。
【０１３９】
封止治具５０は、金属からなっており、下部材５１と、上部材５２と、スペーサ５３とを備える。
【０１４０】
下部材５１は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。下部材５１は、キャリア６より大きいサイズを有している。
【０１４１】
上部材５２は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。上部材５２は、剥離層５より大きいサイズを有している。
【０１４２】
スペーサ５３は、工程（２）において、図１Ｂに示す熱プレスにおいて、下部材５１および上部材５２の間の間隔を所望値に設定できる厚みを有する部材である。図１Ａにおいて図示されないが、スペーサ５３は、平面視において、例えば、略矩形枠形状を有している。あるいは、スペーサ５３は、前後方向に延び、左右方向に互いに間隔を隔てて配置される２つの棒状部材であってもよい。
【０１４３】
光半導体素子被覆シート１および素子部材１８を封止治具５０に配置するには、素子部材１８のキャリア６を下部材５１の上面に載置し、続いて、スペーサ５３を、キャリア６の上面の周端部に載置する。別途、光半導体素子被覆シート１の剥離層５を上部材５２の下面に載置する。
【０１４４】
その後、素子部材１８およびスペーサ５３が設けられた下部材５１をプレス機１０の下板１１に設置する。一方、光半導体素子被覆シート１が設けられた上部材５２をプレス機１０の上板１２に設置する。このとき、被覆層３およびクッション層４は、上下方向に投影したときに、複数の光半導体素子２を含むとともに、スペーサ５３の内側に位置するように、配置される。また、被覆層３は、複数の光半導体素子２に臨む（あるいは面する）。これにより、封止治具５０をプレス機１０に設置する。
【０１４５】
次に、プレス機１０を用いて、光半導体素子被覆シート１および素子部材１８を熱プレスする。具体的には、上板１２に備えられる熱源（図示せず）によって光半導体素子被覆シート１を加熱しながら、上板１２を下板１１に向けてプレスする。
【０１４６】
熱プレスにおける温度（プレス温度）は、例えば、５０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。
【０１４７】
熱プレスの温度が上記した範囲内であれば、被覆層３を構成するホットメルト樹脂を、熱溶融前の状態であって、塑性変形可能な状態（軟化状態）とすることができ、そのため、被覆層３が、損傷することを抑制しながら、光半導体素子２の発光面８および周側面９を、確実に密着（直接被覆）することができる。
【０１４８】
熱プレスにおける圧力Ｐは、例えば、５ｋＰａ以上、好ましくは、２０ｋＰａ以上、２００ｋＰａ以下、好ましくは、１２０ｋＰａ以下である。
【０１４９】
熱プレスにおける圧力Ｐが上記した下限以上であれば、被覆層３の光半導体素子２に対する密着性を向上させることができる。一方、熱プレスにおける圧力Ｐが上記した上限以下であれば、被覆層３の破損をより一層抑制することができる。
【０１５０】
上記のプレスによって、光半導体素子被覆シート１および複数の光半導体素子２が互いに圧縮される。
【０１５１】
そして、プレス機１０の熱プレスによって、図１Ｂに示すように、光半導体素子被覆シート１において、被覆層３がホットメルト樹脂組成物から形成されているので、クッション層４が、熱溶融前の状態であって、塑性変形可能な状態（軟化状態）となる。そのため、略平板形状であった被覆層３の形状は、光半導体素子２の発光面８および周側面９に沿う形状に変化する。これとともに、略平坦面を有する、クッション層４の下面は、上記の被覆層３の表面形状に対応して追従するように、変化する。つまり、クッション層４は、複数の光半導体素子２に対応する、下面が上方に向かって凹む凹部を有している。
【０１５２】
具体的には、被覆層３は、第１部分３１と、第２部分３２と、突出部分３３とを一体的に有する形状となる。
【０１５３】
第１部分３１は、複数の発光面８のそれぞれを被覆している。また、第１部分３１は、好ましくは、複数の発光面８にわたって、均一な厚みを有している。
【０１５４】
第２部分３２は、複数の周側面９を被覆し、複数の第１部分３１の周端縁に連続している。また、第２部分３２は、周側面９を、上下方向全体にわたって、被覆している。第２部分３２の厚みは、例えば、第１部分３１の厚みと同一である。
【０１５５】
突出部分３３は、第２部分３２における、第１部分３１の周端縁に連続する一端部の一例としての上端部３４と反対側（下方）位置する他端部としての下端部３５から、光半導体素子２の前後左右方向外側（光半導体素子２から離れる方向の一例）に向かって突出している。また、互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３は、連続している。つまり、被覆層３は、前後方向および左右方向（面方向）に連続するシート部分（ベース部分）（突出部分３３を含む部分）と、シート部分において、複数の光半導体素子２に対応して、面方向に互いに等間隔を隔てて整列配置され、上側に向かって出っ張る（あるいは凹む）複数の突部（第１部分３１および第２部分３２に対応する凸部）とを有する形状となる。突出部分３３の厚みは、例えば、第２部分３２の厚みと同一である。
【０１５６】
第１部分３１の厚みＴ３、第２部分３２の厚み、および、突出部分３３の厚みは、それぞれ、熱プレス前の被覆層３の厚みＴ１と実質的に同一であり、具体的には、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。
【０１５７】
クッション層４は、被覆層３に追従しており、第３部分４３と、第４部分４４とを一体的に有する形状となる。
【０１５８】
第３部分４３は、被覆層３の第１部分３１を被覆している。第３部分４３は、第１部分３１の上面に位置している。
【０１５９】
第４部分４４は、複数の第３部分４３に連続し、被覆層３における第２部分３２および突出部分３３の両方を被覆している。第４部分４４は、互いに隣接する第２部分３２の間において、突出部分３３の上に位置している。
【０１６０】
第３部分４３の厚みＴ４は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、４５００μｍ以下、好ましくは、２０００μｍ以下である。第４部分４４の厚みは、例えば、３００μｍ以上、好ましくは、３５０μｍ以上であり、また、例えば、４７５０μｍ以下、好ましくは、２２５０μｍ以下である。
【０１６１】
また、第１部分３１の厚みＴ３と、第３部分４３の厚みＴ４との総厚み（Ｔ３＋Ｔ４、光半導体素子２の直上に位置する被覆層３およびクッション層４の総厚み）は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、５，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
【０１６２】
一方、剥離層５は、上記した熱プレスにおいて、実質的に変形しない。
【０１６３】
これによって、被覆層３と、複数の光半導体素子２とを備える被覆層付光半導体素子集合体１６を、クッション層４に接触され、かつ、仮固定シート１７に仮固定された状態で得る。被覆層付光半導体素子集合体１６は、次に説明する複数の被覆層付光半導体素子１５が集合した集合体であって、複数の被覆層付光半導体素子１５に共通して備えられる１つの被覆層３を備える。また、被覆層付光半導体素子集合体１６は、封止治具５０の下部材５１および上部材５２に挟持されている。
【０１６４】
３．工程（３）
工程（３）を、工程（２）の後に実施する。工程（２）では、図２Ｄに示すように、クッション層４を被覆層３から除去する。
【０１６５】
具体的には、まず、図１Ｃに示すように、被覆層付光半導体素子集合体１６、仮固定シート１７、キャリア６および封止治具５０をプレス機１０から取り出す。
【０１６６】
続いて、図１Ｃの矢印で示すように、上部材５２を引き上げる。
【０１６７】
その後、図２Ｄに示すように、クッション層４および剥離層５を引き上げる。具体的には、剥離層５を、被覆層付光半導体素子集合体１６から剥離する。
【０１６８】
次いで、スペーサ５３を引き上げる。
【０１６９】
これにより、図２Ｅに示すように、被覆層付光半導体素子集合体１６が、仮固定シート１７に仮固定された状態で、得られる。
【０１７０】
被覆層付光半導体素子集合体１６は、好ましくは、複数の光半導体素子２と、それらを被覆する１つの被覆層３とのみからなる。被覆層付光半導体素子集合体１６は、発光装置２０（図２Ｇ参照）の一部品、すなわち、発光装置２０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【０１７１】
その後、図２Ｅの太１点破線で示すように、被覆層付光半導体素子集合体１６を個片化する。
【０１７２】
具体的には、複数の光半導体素子２に対応する被覆層３の突出部分３３をダイシングソー３７によって切断（ダイシング）する。これにより、複数の被覆層付光半導体素子１５を得る。
【０１７３】
これにより、被覆層付光半導体素子１５は、１つの光半導体素子２と、１つの被覆層３とを備えており、好ましくは、光半導体素子２と、被覆層３とのみからなる。被覆層付光半導体素子１５は、仮固定シート１７に仮固定された状態で、複数製造される。
【０１７４】
複数の封止光半導体素子１１のそれぞれの寸法は、適宜設定されており、前後方向および／または左右方向における長さ（被覆層３の長さ）は、例えば、０．２５ｍｍ以上、好ましくは、０．６ｍｍ以上であり、また、例えば、２．５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。
【０１７５】
その後、図２Ｆの矢印で示すように、図示しないピックアップ装置などを用いて、１つの被覆層付光半導体素子１５を仮固定シート１７から剥離する。具体的には、仮固定シート１７に処理（例えば、活性エネルギー線の照射など）を施した後、光半導体素子２の電極面７および突出部分３３の下面を、仮固定シート１７の上面から引き剥がす。
【０１７６】
この被覆層付光半導体素子１５は、後述する発光装置２０（図２Ｇ参照）ではなく、つまり、発光装置２０に備えられる基板２９（図２Ｇ参照）を含んでいない。つまり、被覆層付光半導体素子１５は、発光装置２０の基板２９に備えられる端子（図示せず）とまだ電気的に接続されないように、構成されている。
【０１７７】
つまり、電極面７と、突出部分３３の下面とは、下方に露出している。すなわち、電極面７と、突出部分３３の下面とは、面一であって、被覆層付光半導体素子１５の下面を形成している。
【０１７８】
また、被覆層付光半導体素子１５は、発光装置２０（図２Ｇ参照）の一部品、すなわち、発光装置２０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【０１７９】
その後、図２Ｇに示すように、被覆層付光半導体素子１５を基板２９に実装（フリップチップ実装）して、発光装置２０を製造する。
【０１８０】
基板２９は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。基板２９は、その上面に、被覆層付光半導体素子１５の電極（図示せず）に対応する端子（図示せず）を備える。
【０１８１】
これによって、基板２９と、それに実装される被覆層付光半導体素子１５とを備える発光装置２０を得る。発光装置２０は、好ましくは、基板２９と、被覆層付光半導体素子１５とのみからなる。突出部分３３は、基板２９の上面に密着している。
【０１８２】
４．作用効果
そして、この方法によれば、クッション層４は、上記した国際ゴム硬さを有するので、工程（２）において、クッション層４が取扱性に優れるとともに、上記した温度で、光半導体素子２および素子部材１８を熱プレスしても、被覆層３の破損を抑制できるとともに、被覆層３が光半導体素子２に対して確実に密着することができる。
【０１８３】
つまり、図６に示すような被覆層３の千切れ部１０１や、図７に示すような被覆層３における薄肉部１０２の形成を抑制できる。これとともに、図８および図９に示すように、非接触部１０３の形成を抑制して、被覆層３が光半導体素子２に対して確実に密着することができる。
【０１８４】
また、この方法によれば、クッション層４の厚みＴ２が、上記した下限以上であるので、被覆層３の破損をより一層抑制することができる。また、クッション層４の厚みＴ２が、上記した上限以下であるので、被覆層３が光半導体素子２に対してより一層確実に密着することができる。
【０１８５】
また、この方法によれば、工程（２）における圧力Ｐは、上記した下限以上であるので、被覆層３が光半導体素子２に対してより一層確実に密着することができる。また、工程（２）における圧力Ｐが、上記した上限以下であるので、被覆層３の破損をより一層抑制することができる。
【０１８６】
また、この方法によれば、被覆層３は、上記した範囲の貯蔵剪断弾性率Ｇ’およびｔａｎδを有すれば、被覆層３の破損をより一層抑制でき、または、被覆層３が光半導体素子２に対してより一層確実に密着することができる。
【０１８７】
また、この方法によれば、被覆層３の厚みＴ１が、上記した下限以上であるので、被覆層３の破損をより一層抑制することができる。
【０１８８】
また、この方法によれば、被覆層３は、シリコーン樹脂組成物から形成されていれば、プレス機１０により、光半導体素子被覆シート１を熱プレスしても、被覆層３の破損をより一層抑制することができる。また、被覆層３は、シリコーン樹脂組成物から形成されていれば、被覆層３の優れた透明性を得ることができる。
【０１８９】
また、この方法によれば、被覆層３は、蛍光体を含有すれば、被覆層３が蛍光体層として機能することができる。そのため、発光効率に優れる被覆層付光半導体素子１５を得ることができる。
【０１９０】
５．変形例
以下の記載において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１９１】
（１）不連続な突出部分（図３Ａ〜図３Ｅ）
一実施形態では、図２Ｅに示すように、互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３は、連続している。しかし、互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３は、上記に限定されず、例えば、図３Ｂおよび図３Ｃに示すように、不連続であってもよい。
【０１９２】
具体的には、突出部分３３は、複数の光半導体素子２に対応して、複数設けられている。より具体的には、複数の突出部分３３のそれぞれは、複数の光半導体素子２のそれぞれに対して、１対１対応となるように、設けられている。
【０１９３】
この方法では、工程（１）において、図３Ａに示すように、被覆層３は、複数の光半導体素子２に対応するように、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて、クッション層４の下面に複数整列配置されている。
【０１９４】
複数の被覆層３のそれぞれは、素子部材１８と対向し、かつ、上下方向に投影したときに、複数の光半導体素子２のそれぞれを包含するように、配置されている。被覆層３は、光半導体素子２の平面視におけるサイズに比べて、大きいサイズを有している。
【０１９５】
被覆層３を形成するには、ホットメルト樹脂のワニスを、図示しない剥離シートの表面、あるいは、クッション層４の表面に、例えば、スクリーン印刷などによって、塗布する。
【０１９６】
工程（２）では、図３Ｂに示すように、互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３が不連続となるように、被覆層３が光半導体素子２の発光面８および周側面９を被覆している。互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３間には、第４部分４４の下端部が充填されており、これにより、かかる下端部が、互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３を隔てている。第４部分４４の下端部は、仮固定シート１７の上面に直接接触している。
【０１９７】
工程（３）において、図３Ｃに示すように、クッション層４を複数の被覆層付光半導体素子１５から剥離する。これにより、複数の被覆層付光半導体素子１５が、仮固定シート１７に仮固定された状態で、得られる。
【０１９８】
この方法によれば、一実施形態における図２Ｅに示すように、ダイシングすることなく、つまり、図２Ｅに示されるような被覆層付光半導体素子集合体１６を個片化する工程が不要となるので、簡易に、被覆層付光半導体素子１５を得ることができる。
【０１９９】
一方、一実施形態によれば、図３Ａ〜図３Ｄで示される変形例と異なり、図２Ｅに示すように、複数の被覆層付光半導体素子１５からなる被覆層付光半導体素子集合体１６を構成することができる。ひいては、被覆層付光半導体素子集合体１６を実装した発光装置２０（図示せず）を製造することができる。
【０２００】
（２）突出部分のない被覆層付光半導体素子（図４Ａ〜図４Ｅ）
一実施形態では、図２Ｆに示すように、被覆層付光半導体素子１５において、被覆層３が突出部分３３を有している。しかし、図４Ｄに示すように、被覆層３が突出部分３３を有さず、第１部分３１および第２部分３２のみを備えることもできる。つまり、被覆層付光半導体素子１５において、被覆層３は、好ましくは、第１部分３１および第２部分３２のみからなる。
【０２０１】
工程（１）における被覆層３は、図４Ａに示すように、工程（３）において、発光面８および周側面９のみを被覆できるサイズおよび形状に形成されている。
【０２０２】
工程（２）において、図４Ｂに示すように、複数の被覆層付光半導体素子１５のそれぞれの下面は、光半導体素子２の電極面７と、被覆層３における第２部分３２の下端面３９と、隣接する第２部分３２間に充填される外側部分３８の下面とを有する。工程（２）において、電極面７と、下端面３９と、外側部分３８の下面とは、前後方向および左右方向に面一に形成されている。
【０２０３】
図４Ａ〜図４Ｅの変形例によれば、図１Ａ〜図２Ｇの一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０２０４】
一方、図１Ａ〜図２Ｇの一実施形態は、図４Ａ〜図４Ｅの変形例に比べて、好ましい。
【０２０５】
つまり、一実施形態の被覆層付光半導体素子１５では、被覆層３が、突出部分３３を備えるので、図２Ｇに示すように、被覆層付光半導体素子１５を基板２９に実装するときに、被覆層３は、突出部分３３を基板２９に対しても密着することができる。そのため、信頼性に優れる発光装置２０を得ることができる。
【０２０６】
（３）その他の変形例
一実施形態では、剥離層５を光半導体素子被覆シート１に備えているが、例えば、図示しないが、剥離層５を備えずに、被覆層３およびクッション層４のみを光半導体素子被覆シート１に備えることもできる。
【０２０７】
好ましくは、光半導体素子被覆シート１は、剥離層５をさらに備える。
【０２０８】
このような方法によれば、光半導体素子被覆シート１の取扱性に優れる。そのため、光半導体素子被覆シート１を簡易かつ確実に取り扱って、被覆層付光半導体素子１５を製造することができる。
【０２０９】
また、上記した複数の変形例を適宜組み合わせることができる。
【実施例】
【０２１０】
以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０２１１】
作製例１
厚み２，０００μｍのシリコーンゲル（商品名「ＦＦＧ−４０１００」、ポリマテック社製）を６０ｍｍ×６０ｍｍのサイズの矩形平板形状にカットして、これを、厚み５０μｍの剥離層５（ＰＴＥシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に積層した。これにより、シリコーンゲルからなるクッション層４を剥離層５の表面に形成した。
【０２１２】
このクッション層４は、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５３−２（２０１２年）に準拠した方法に基づく硬度計により２５℃で測定される国際ゴム硬さ（以下、同様）４０であり、針入度で規定される硬さが１００、引張強度が０．０７ＭＰａ、伸びが２２５％、引裂強さが０．３Ｎ／ｍｍであった。
【０２１３】
作製例２
特開２０１０−２６５４３６公報に記載の実施例１の記載に従って、メチル系シリコーン樹脂組成物Ａを調製した。
【０２１４】
これを剥離層５の上に塗布して、厚み５０μｍの剥離層５（ＰＴＥシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが５００μｍとなるように塗布し、その後、１３５℃で７分、加熱することにより、メチル系シリコーン樹脂組成物ＡをＢステージ化（半硬化）させた。これにより、Ｂステージのメチル系シリコーン樹脂組成物Ａのゲルからなるクッション層４を剥離層５の表面に形成した。
【０２１５】
クッション層４は、国際ゴム硬さが４０、針入度で規定される硬さが１００、引張強度が０．０７ＭＰａ、伸びが２２５％、引裂強さが０．３Ｎ／ｍｍであった。
【０２１６】
合成例１
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン７２９．２ｇとフェニルトリメトキシシラン３３０．５ｇの混合物１時間かけて滴下し、その後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。その後、酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＡを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＡの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２１７】
平均単位式：
（（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．１５（ＣＨ３Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ２／２）０．６０（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．２５
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．１５（ＣＨ３）０．９０（Ｃ６Ｈ５）０．８５ＳｉＯ１．０５
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＡは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１５、ｂ＝１．７５である上記平均組成式（１）で示される。
【０２１８】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＡのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、２３００であった。
【０２１９】
合成例２
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン１７３．４ｇとフェニルトリメトキシシラン３００．６ｇの混合物１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＢを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＢの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２２０】
平均単位式：
（ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３１（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．４７
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．３１（ＣＨ３）０．６２（Ｃ６Ｈ５）０．９１ＳｉＯ１．０８
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＢは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．３１、ｂ＝１．５３である上記平均組成式（１）で示される。
【０２２１】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＢのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１，０００であった。
【０２２２】
合成例３
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン３２５．９ｇ、フェニルトリメトキシシラン５６４．９ｇ、およびトリフルオロメタンスルホン酸２．３６ｇを投入して混合し、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１３４．３ｇを加え、撹拌しつつ酢酸４３２ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ５０℃に昇温して３時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層（水層）を分離して除去した。その後、上層（トルエン溶液）を３回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（架橋剤Ｃ）を得た。
【０２２３】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２２４】
平均単位式：
（Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３３（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＰｈＳｉＯ３／２）０．４５
平均組成式：
Ｈ０．３３（ＣＨ３）０．６６（Ｃ６Ｈ５）０．８９ＳｉＯ１．０６
つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣは、Ｒ３がメチル基およびフェニル基であり、ｃ＝０．３３、ｄ＝１．５５である上記平均組成式（２）で示される。
【０２２５】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１，０００であった。
【０２２６】
調製例１
アルケニル基含有ポリシロキサンＡ（合成例１）２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ（合成例２）２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（合成例３、架橋剤Ｃ）２５ｇ、および、白金カルボニル錯体（商品名「ＳＩＰ６８２９．２」、Ｇｅｌｅｓｔ社製、白金濃度２．０質量％）５ｍｇを混合して、フェニル系シリコーン樹脂組成物Ｂからなるゲルを調製した。
【０２２７】
作製例３
調製例１のＢステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物Ｂのゲルを剥離層５の上に塗布して、厚み５０μｍの剥離層５（ＰＴＥシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが５００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で１０分、加熱することにより、フェニル系シリコーン樹脂組成物ＢをＢステージ化（半硬化）させた。これにより、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物Ｂのゲルからなるクッション層４を剥離層５の表面に形成した。
【０２２８】
クッション層４は、国際ゴム硬さが５０であり、針入度で規定される硬さが８０、引張強度が０．０９ＭＰａ、伸びが１８０％、引裂強さが０．４Ｎ／ｍｍであった。
【０２２９】
実施例１
ホットメルト樹脂（商品名ＬＦ−１０２０、シリコーン樹脂、東レ・ダウコーニング社製）および蛍光体７０部を配合して混合することにより、ホットメルト樹脂組成物のワニスを調製し、これを図示しない剥離シートの表面に塗布し、加熱することにより、被覆層３を形成した。
【０２３０】
その後、被覆層３を、作製例１のクッション層４に貼り合わせた。その後、剥離シートを被覆層３から引き剥がした。これにより、図１Ａに示すように、剥離層５と、クッション層４と、被覆層３とを備える光半導体素子被覆シート１を製造した。
【０２３１】
別途、キャリア６の上面に積層された仮固定シート１７に、光半導体素子２（１μｍ×１μｍ、厚み１５０μｍ、商品名「ＥＤＩ−ＦＡ４５４５Ａ」、Ｅｐｉｓｔａｒ社製）を１００個（１０個×１０個）、互いに等間隔を隔てて感圧接着した。これにより、図１Ａに示すように、複数の光半導体素子２と、仮固定シート１７と、キャリア６とを備える素子部材１８を用意した。
【０２３２】
次いで、光半導体素子被覆シート１と素子部材１８とを、封止治具５０に配置した。具体的には、素子部材１８のキャリア６を下部材５１の上面に載置し、続いて、スペーサ５３を、キャリア６の上面の周端部に載置した。別途、光半導体素子被覆シート１の剥離層５を上部材５２の下面に載置した。なお、封止治具５０のスペーサ５３の厚みは、５００μｍであった。
【０２３３】
続いて、図１Ａに示すように、素子部材１８およびスペーサ５３が設けられた下部材５１をプレス機１０の下板１１に設置した。また、光半導体素子被覆シート１が設けられた上部材５２をプレス機１０の上板１２に設置した（工程（１））。
【０２３４】
その後、図１Ｂに示すように、プレス機１０を用いて、光半導体素子２および素子部材１８を、プレス圧４０ｋＰａ、９０℃で、６００秒間、熱プレスした（工程（２））。
【０２３５】
これにより、１つの被覆層３と、複数の光半導体素子２とを備える被覆層付光半導体素子集合体１６を、クッション層４に接触され、かつ、素子部材１８に仮固定された状態で得た。
【０２３６】
その後、図１Ｃに示すように、被覆層付光半導体素子集合体１６、仮固定シート１７、キャリア６および封止治具５０をプレス機１０から取り出した。続いて、図１Ｃの矢印で示すように、上部材５２を引き上げた。
【０２３７】
その後、図２Ｄに示すように、クッション層４を被覆層付光半導体素子集合体１６から剥離した。これにより、被覆層付光半導体素子集合体１６が、仮固定シート１７に仮固定された状態で、得られた。
【０２３８】
その後、図２Ｅに示すように、被覆層付光半導体素子集合体１６を個片化した。具体的には、複数の光半導体素子２に対応する被覆層３の突出部分３３をダイシングソー３７によってダイシングした。これにより、複数の被覆層付光半導体素子１５を得た。
【０２３９】
その後、図２Ｆに示すように、仮固定シート１７に紫外線を照射し、続いて、図示しないピックアップ装置などを用いて、１つの被覆層付光半導体素子１５を仮固定シート１７から剥離した。
【０２４０】
実施例２〜実施例１１および比較例１、２
表１に記載の処方に基づいて、被覆層３の厚み、被覆層３の物性、クッション層４の処方、クッション層４の厚み、プレス圧、プレス温度等を変更した以外は、実施例１と同様に処理して、被覆層付光半導体素子１５を製造した。
【０２４１】
具体的には、実施例２では、プレス温度を８５℃に変更した。
【０２４２】
実施例３では、クッション層４の厚みＴ２を変更するとともに、プレス温度を８５℃に変更した。
【０２４３】
実施例４では、プレス温度を６０℃に変更した。
【０２４４】
実施例５では、作製例２のクッション層４を用い、クッション層４の厚みＴ２を変更し、さらに、プレス温度を６０℃に変更した。
【０２４５】
実施例６では、作製例２のクッション層４を用い、被覆層３の厚みＴ１を変更し、さらに、プレス温度を６０℃に変更した。
【０２４６】
実施例７では、作製例２のクッション層４を用い、プレス圧Ｐを変更し、さらに、プレス温度を１００℃に変更し、被覆層３のプレス温度（１００℃）における貯蔵剪断弾性率Ｇ’を８．８×１０４Ｐａに調整した。
【０２４７】
実施例８では、作製例２のクッション層４を用い、プレス圧Ｐを変更し、さらに、プレス温度を１００℃に変更し、被覆層３のプレス温度（１００℃）における貯蔵剪断弾性率Ｇ’を８．８×１０４Ｐａに調整した。
【０２４８】
実施例９では、作製例３のクッション層４を用い、クッション層４の硬度を変更し、さらに、プレス温度を１００℃に変更し、被覆層３のプレス温度（１００℃）における貯蔵剪断弾性率Ｇ’を８．８×１０４Ｐａに調整した。
【０２４９】
比較例１では、クッション層４の国際ゴム硬さを変更した。
【０２５０】
比較例２では、クッション層４の国際ゴム硬さを変更した。
【０２５１】
比較例３では、クッション層４の国際ゴム硬さを変更し、クッション層４としてスポンジを用いた。このクッション層４は、針入度で規定される硬さが８０、引張強度が０．０３ＭＰａ、伸びが１１０％、引裂強さが０．０１Ｎ／ｍｍであった。
【０２５２】
＜光半導体素子被覆シートおよび被覆層付光半導体素子の評価＞
（被覆層の動的粘弾性）
光半導体素子に対して密着する前の被覆層３のプレス温度における貯蔵剪断弾性率Ｇ’およびｔａｎδを求めた。
【０２５３】
すなわち、上下方向に対向配置される２枚の直径８ｍｍの円板を備えるレオメータを用いて、９０℃における被覆層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’およびｔａｎδを測定した。
【０２５４】
具体的には、２枚の円板によって被覆層３を挟み込んだ。
【０２５５】
そして、剪断モード、周波数１Ｈｚ、歪み１％、および、昇温速度１０℃／分、測定範囲６０〜１００℃の測定条件にて動的粘弾性を測定して、プレス温度における被覆層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’およびｔａｎδを求めた。
【０２５６】
（クッション層４の取扱性）
クッション層４の取扱性を以下の基準に従って評価した。
×：クッション層４の流動性が高く、形状を保持できておらず、クッション層４としての取扱い性が低かった。
○：クッション層４の形状が保たれており、クッション層４としての取扱い性が良好であった。
【０２５７】
（被覆層の密着性）
被覆層付光半導体素子１５における被覆層３の断面を観察し、以下の基準に従って、被覆層３の密着性を評価した。
×：図８に示すように、被覆層３の第２部分３２は、光半導体素子２の周側面９の全部に密着していなかった。つまり、非接触部１０３を形成していた。
△：図９に示すように、第２部分３２の上端部３４が、光半導体素子２の周側面９に密着していたが、第２部分３２の下端部３５が、光半導体素子２の周側面９に密着していなかった。つまり、非接触部１０３を形成していた。
○：被覆層３は、上端部３４から下端部３５にわたって、光半導体素子２の周側面９を連続して密着していた。しかし、非接触部１０３をわずかに形成した。
◎：被覆層３は、上端部３４から下端部３５にわたって、光半導体素子２の周側面９を連続して密着していた。
【０２５８】
（被覆層の破損）
被覆層付光半導体素子１５における被覆層３の断面を観察し、以下の基準に従って、被覆層３の破損などを評価した。
×：図６に示すように、被覆層３における第１部分３１と第２部分３２との間に千切れ部１０１が形成され、あるいは、図７に示すように、被覆層３における第１部分３１の周端縁において、薄肉部１０２が形成されていた。なお、薄肉部１０２の厚みは、５μｍ以下であった。
△：被覆層３には、図７に示すように、被覆層３における第１部分３１の周端縁において、薄肉部１０２が形成されていたが、その厚みは、５μｍ超過、１０μｍ以下であった。
○：被覆層３には、図７に示すように、被覆層３における第１部分３１の周端縁において、薄肉部１０２が形成されていたが、その厚みは、１０μｍ超過、３０μｍ以下であった。
◎：被覆層３には、図６に示すような千切れ部１０１、または、図７に示すような薄肉部１０２が観察されなかった。
【０２５９】
【表１】
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【符号の説明】
【０２６０】
１     光半導体素子被覆シート
２     光半導体素子
３     被覆層
４     クッション層
５     剥離層
７     電極面
８     発光面
９     周側面
１０   プレス機
１５   被覆層付光半導体素子
３１   第１部分
３２   第２部分
３３   突出部分
３４   上端部（一端部の一例）
３５   下端部（他端部の一例）
Ｐ     プレス圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2017163104.tif 000011
【図９】
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