(57)【要約】      （修正有）【課題】端末を紛失した場合に、例えば遠隔操作で、その端末を破壊できるようにする配線基板、半導体装置、端末、端末破壊システム及び端末破壊方法を提供する。【解決手段】配線基板５を、デバイス間を接続するための接続配線１と、接続配線との間に絶縁膜２を挟んで設けられた一対の配線３と、一対の配線の間に設けられた金属粒子４とを備える。一対の配線３は、接続配線１との間に設けられた絶縁膜２を破壊するための配線、即ち、絶縁破壊を起こさせる配線であり、一対の配線は、意図的に破壊させるための、破壊用配線である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス間を接続するための接続配線と、
前記接続配線との間に絶縁膜を挟んで設けられた一対の配線と、
前記一対の配線の間に設けられた金属粒子とを備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記一対の配線は、前記接続配線の上方及び下方の少なくとも一方に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記一対の配線は、互いに対向して設けられた櫛歯配線であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記金属粒子は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｗ又はこれらの合金からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記一対の配線の間隔が１μｍ以下であり、
前記接続配線と前記一対の配線との間の距離が３μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板と、
前記配線基板上に集積され、前記接続配線によって接続されたデバイスとを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記一対の配線に電圧を印加して破壊する破壊制御部を備えることを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の半導体装置を備えることを特徴とする端末。
【請求項９】
請求項６に記載の半導体装置と、
前記一対の配線に電圧を印加して破壊する破壊制御部とを備えることを特徴とする端末。
【請求項１０】
デバイス間を接続するための接続配線と、前記接続配線との間に絶縁膜を挟んで設けられた一対の配線と、前記一対の配線の間に設けられた金属粒子とを備える配線基板と、前記一対の配線に電圧を印加して破壊する破壊制御部とを備える端末と、
前記端末にネットワークを介して接続されたサーバとを備え、
前記サーバは、前記端末を破壊する破壊要求を登録するとともに、前記端末の前記破壊制御部が前記一対の配線に電圧を印加して破壊するように、前記端末に破壊要求信号を送信することを特徴とする端末破壊システム。
【請求項１１】
サーバが、デバイス間を接続するための接続配線と、前記接続配線との間に絶縁膜を挟んで設けられた一対の配線と、前記一対の配線の間に設けられた金属粒子とを備える配線基板と、前記一対の配線に電圧を印加して破壊する破壊制御部とを備える端末を破壊する破壊要求を登録するステップと、
前記サーバが、前記端末の前記破壊制御部が前記一対の配線に電圧を印加して破壊するように、前記端末に破壊要求信号を送信するステップとを含むことを特徴とする端末破壊方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、半導体装置、端末、端末破壊システム及び端末破壊方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、コンデンサ内蔵回路基板において、複数の薄膜コンデンサを設け、薄膜コンデンサに欠陥がある場合に、この薄膜コンデンサに電流が集中し、過電流が流れ、ヒューズ素子が切断され、回路から切り離されるようにすることが提案されている。
また、例えば、電子部品を分解しようとすると、端子ピンが離れ、チップへの電源供給が停止されて、データが消滅するようにすることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３４６０６１号公報
【特許文献２】特開昭６３−１４２６６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、例えば携帯電話等のモバイル機器（端末）の盗難・紛失が増加傾向にあり、紛失したものが手元に戻らないケースがほとんどである。
紛失したモバイル機器は、悪用されることも多く、その対策が急務である。
現状は、遠隔操作によって、モバイル機器にロックを掛けるなどの対策がなされているが、依然、悪用されるケースが減少傾向を見せていない。
【０００５】
モバイル機器を使用不能にするには、物理的な破壊が好ましいが、手元に無い場合、それを行なうのは困難である。
本発明は、端末を紛失した場合に、例えば遠隔操作で、その端末を破壊できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの態様では、配線基板は、デバイス間を接続するための接続配線と、接続配線との間に絶縁膜を挟んで設けられた一対の配線と、一対の配線の間に設けられた金属粒子とを備える。
１つの態様では、半導体装置は、上述の配線基板と、配線基板上に集積され、接続配線によって接続されたデバイスとを備える。
【０００７】
１つの態様では、端末は、上述の半導体装置を備える。
１つの態様では、端末は、上述の半導体装置と、一対の配線に電圧を印加して破壊する破壊制御部とを備える。
１つの態様では、端末破壊システムは、デバイス間を接続するための接続配線と、接続配線との間に絶縁膜を挟んで設けられた一対の配線と、一対の配線の間に設けられた金属粒子とを備える配線基板と、一対の配線に電圧を印加して破壊する破壊制御部とを備える端末と、端末にネットワークを介して接続されたサーバとを備え、サーバは、端末を破壊する破壊要求を登録するとともに、端末の破壊制御部が一対の配線に電圧を印加して破壊するように、端末に破壊要求信号を送信する。
【０００８】
１つの態様では、端末破壊方法は、サーバが、デバイス間を接続するための接続配線と、接続配線との間に絶縁膜を挟んで設けられた一対の配線と、一対の配線の間に設けられた金属粒子とを備える配線基板と、一対の配線に電圧を印加して破壊する破壊制御部とを備える端末を破壊する破壊要求を登録するステップと、サーバが、端末の破壊制御部が一対の配線に電圧を印加して破壊するように、端末に破壊要求信号を送信するステップとを含む。
【発明の効果】
【０００９】
１つの側面として、端末を紛失した場合に、例えば遠隔操作で、その端末を破壊できるようにすることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態にかかる配線基板の構成を示す模式的断面図である。
【図２】本実施形態にかかる配線基板及びこれを備える半導体装置の構成を示す模式的断面図である。
【図３】（Ａ）は、本実施形態にかかる配線基板を備える半導体装置における通常時の状態を示す模式的断面図であり、（Ｂ）は非常時の状態を示す模式的断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態にかかる配線基板を適用しうる半導体装置の構成を示す模式的断面図である。
【図５】本実施形態にかかる配線基板の変形例の構成を示す模式的断面図である。
【図６】本実施形態にかかる配線基板に備えられる一対の配線としての櫛歯配線の構成を示す模式的平面図である。
【図７】本実施形態にかかる配線基板に備えられる接続配線としての折り返し配線の構成を示す模式的平面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態にかかる配線基板に備えられる櫛歯配線と折り返し配線とを直交するように配置した状態を示す模式的断面図であって、（Ａ）は非常時の絶縁破壊を説明するための図であり、（Ｂ）は絶縁破壊による接続配線の断線を説明するための図である。
【図９】本実施形態にかかる配線基板に備えられる櫛歯配線と折り返し配線とを平行に配置した状態を示す模式的断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｋ）は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｉ）は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｈ）は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１３】（Ａ）〜（Ｆ）は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１４】（Ａ）〜（Ｅ）は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１５】本実施形態にかかる配線基板を備える半導体装置において破壊状態を確認した結果を示す図である。
【図１６】本実施形態にかかる端末の構成を示す模式図である。
【図１７】本実施形態にかかる端末の構成を示す模式図である。
【図１８】本実施形態にかかる端末の構成を示す模式図である。
【図１９】本実施形態にかかる端末の構成を示す模式図である。
【図２０】本実施形態にかかる端末破壊システムの構成を示す模式図である。
【図２１】（Ａ）、（Ｂ）は、高密度集積型パッケージ構造の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる配線基板、半導体装置、端末、端末破壊システム及び端末破壊方法について、図１〜図２１を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる配線基板は、デバイスが集積され、集積されたデバイス間を接続するための配線を備える配線基板であって、例えば、半導体パッケージ１００に用いられるインターポーザ１０１［図４（Ａ）参照］やパッケージ基板、Ｆａｎ−ＯＵＴパッケージなどのチップパッケージ１０２に用いられるパッケージ基板１０３［図４（Ｂ）参照］などに適用することができる。なお、配線基板を回路基板ともいう。
【００１２】
本実施形態の配線基板は、図１に示すように、デバイス間を接続するための接続配線１と、接続配線１との間に絶縁膜２を挟んで設けられた一対の配線３と、一対の配線３の間に設けられた金属粒子４とを備える。なお、接続配線１を信号配線ともいう。
ここで、配線基板５は、内部に複数の配線（微細配線）が多層に設けられている配線基板であり、デバイス間を接続するための接続配線１を備える。ここでは、接続配線１は、例えば銅配線（Ｃｕ配線）である。
【００１３】
一対の配線３は、接続配線１との間に設けられた絶縁膜２を破壊するための配線、即ち、絶縁破壊を起こさせる配線である。このように、一対の配線３は、意図的に破壊させる配線であるため、これを破壊用配線ともいう。
ここでは、図２に示すように、一対の配線３は、絶縁膜２を挟んで、接続配線１の上方及び下方の両方に設けられている。
【００１４】
つまり、接続配線及びこれを覆う絶縁膜からなるデバイス間接続用の配線層の上下の配線層として、デバイス間接続用の配線層を上下で挟むように、破壊用配線及びこれを覆う絶縁膜からなる破壊用配線層が設けられている。
なお、図２では、金属粒子４は図示を省略している。また、図２中、符号６は半導体チップ（デバイス）である。
【００１５】
なお、図３（Ａ）に示すように、通常時（通常動作時）には、接続配線１には、電圧が印加され、電流が流れるのに対し、一対の配線３には、電圧は印加されず、電流は流れない。
これに対し、図３（Ｂ）に示すように、破壊要求に応じた非常時（破壊動作時）には、一対の配線３には、電圧が印加され、電流が流れるのに対し、接続配線１には、電圧は印加されず、電流は流れない。
【００１６】
なお、ここでは、一対の配線３は、接続配線１の上方及び下方の両方に設けられているが、これに限られるものではなく、一対の配線３は、接続配線１の上方及び下方の少なくとも一方に設けられていれば良い。
また、一対の配線３は、接続配線１の両側方に設けられていても良いし、接続配線１の両側方の少なくとも一方に設けられていても良い。
【００１７】
このように、破壊用配線としての一対の配線３を、接続配線１が設けられている層と同じ層に設けても良いが、接続配線１が設けられている層とは別の層（上又は下の層）に設ける方が、作製が容易である。
本実施形態では、一対の配線３は、例えば銅配線（Ｃｕ配線）であり、絶縁膜２は、例えば、感光性樹脂やポリイミド樹脂などの樹脂膜（有機絶縁膜）である。
【００１８】
また、一対の配線３は、その間隔が１μｍ以下であり、接続配線１と一対の配線３との間の距離は３μｍ以下である。
そして、このような一対の配線３の間に金属粒子４を持つ配線構造になっている。
ここでは、金属粒子４は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｗ又はこれらの合金からなる。
なお、金属粒子４を金属微粒子ともいう。ここでは、金属粒子４は、一対の配線３の間隔よりも小さい粒径（例えば１μｍ以下）を有する。
【００１９】
ここで、金属粒子４は、一対の配線３が電気的に接続されないように、一対の配線３の間に設けられている。
つまり、金属粒子４は、一対の配線３が金属粒子４によってつながってリーク電流が流れないように、一対の配線３の間に設けられている。
例えば、一対の配線３が設けられている絶縁膜２上に、金属粒子４をばらまくことによって、一対の配線３の間に金属粒子４を設ければ良い。
【００２０】
なお、これに限られるものではなく、例えば、一対の配線３を銅配線とする場合に、図５に示すように、バリア層７として、銅配線３を覆うように、無電解めっきで、ＮｉＰ、ＮｉＢ及びこれらのＷ含有化合物（ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢ）、あるいは、Ｃｏ系メタル材（ＣｏＰ、ＣｏＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ）を析出させることになるが、この際に、絶縁膜２上に金属粒子４が異常析出することになるために、これを利用して、一対の配線３の間に金属粒子４を設けても良い。
【００２１】
この場合、金属粒子４は、ＮｉＰ、ＮｉＢ及びこれらのＷ含有化合物（ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢ）、あるいは、Ｃｏ系メタル材（ＣｏＰ、ＣｏＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ）からなる。
なお、このように、一対の配線３をバリア層７で覆う場合、接続配線１はバリア層で覆わないため、この点で、一対の配線３と接続配線１とは異なるものとなる。
また、無電解めっきでＮｉＰを析出させる場合にはパラジウム触媒を用い、ＮｉＢを析出させる場合にはパラジウム触媒を用いても用いなくても良い。
【００２２】
本実施形態では、一対の配線３は、図６に示すように、互いに対向して設けられた櫛歯配線である。なお、櫛歯配線を櫛歯素子ともいう。
また、接続配線１は、図７に示すように、例えば折り返された長配線（折り返し配線）である。
なお、一対の配線３（ここでは櫛歯配線）は、接続配線１に対して、図９に示すように、平行に設けられていても良いし、図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示すように、直交するように設けられていても良い。
【００２３】
そして、一対の配線３は、図６に示すように、これらの配線間に電圧が印加されるようになっており、例えば後述するような破壊要求に応じて、一対の配線３間に電圧が印加されて、図８（Ａ）に示すように、接続配線１との間に設けられた絶縁膜２が破壊され、この絶縁膜２の破壊に巻き込まれて、図８（Ｂ）に示すように、接続配線１が断線し、接続配線１を含む回路が破壊されるようになっている。
【００２４】
また、本実施形態では、図２に示すように、上述のように構成される配線基板５上に、複数のデバイス６が集積され、デバイス６間が接続配線１によって接続されて、半導体装置８が構成され、この半導体装置８が内部に収納され、端末２０が構成される（例えば図１８、図１９参照）。なお、半導体装置を自己破壊型半導体装置ともいう。
ここで、端末は、例えば携帯電話、スマートフォン、タブレット端末などのモバイル機器、例えばパーソナルコンピュータなどのコンピュータなどの電子機器などである。
【００２５】
ところで、上述のように構成しているのは、以下の理由による。
近年、電子機器（端末）に対する小型化、高性能化等の要求に伴い、半導体チップの微細化や多端子化とともに、半導体チップを搭載する回路基板（配線基板）の微細化・多層化、更には、回路基板上での電子部品の高密度実装化が進められている。
それを実現する技術として、例えば２．１Ｄ−ＩＣや２．５Ｄ−ＩＣと呼ばれる高集積技術が注目されている。
【００２６】
これらの技術では、インターポーザを介して複数のＬＳＩチップ（半導体チップ）や異種デバイスを平面集積する。
例えば図２１（Ａ）、図２１（Ｂ）に示すように、ＬＳＩチップを平面集積した高密度集積型パッケージ構造などがあり、このような構造では、配線基板に設けられた配線層を介して平面集積したチップ間を接続することになる。
【００２７】
一方、上述したように、端末を紛失した場合に、例えば遠隔操作で、その端末を破壊できるようにしたい。
そこで、上述のような構成を採用している。
つまり、例えばパッケージ基板などの配線基板５にはデバイス６間を接続する接続配線１が必ず存在するため、その接続配線１の近傍に、例えば後述するような破壊要求に応じて、低電圧・低電流（低電力）で容易に破壊される構成を設けておき、デバイス６間を接続する重要な配線１を断線させるように、配線基板５に備えられる配線１（回路）を破壊することができるパッケージ配線構造を実現している。
【００２８】
ところで、上述のように構成される配線基板５及びこれにデバイス６を実装した半導体装置８は、以下のようにして作製することができる。
まず、図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示すように、パッド１０を有する基板９上に、感光性樹脂（例えば厚さ約３μｍ）を塗布して、絶縁膜２としての感光性樹脂膜を形成する。
【００２９】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、感光性樹脂膜２を露光・現像してビアホール１１を形成する。
次に、図１０（Ｄ）に示すように、例えばスパッタによって、シード層としてのＣｕ／Ｔｉ（例えば約５０ｎｍ／約２０ｎｍ）層１２を形成する。
次に、図１０（Ｅ）に示すように、フォトレジスト１３（例えば厚さ約２μｍ）を塗布した後、図１０（Ｆ）に示すように、これを露光・現像して、レジストパターン１４を形成する。
【００３０】
次に、図１０（Ｇ）に示すように、例えば電解めっきによって、ビアホール１１が埋め込まれるように、Ｃｕめっき層１５（例えば厚さ約１μｍ）を形成する。
次に、図１０（Ｈ）に示すように、レジストパターン１４を剥離し、図１０（Ｉ）に示すように、余分なＣｕ／Ｔｉ層１２をエッチングによって除去する。
ここでは、例えば、Ｃｕ層をウェットエッチングによって除去し、Ｔｉ層を例えばＣＦ４とＯ２を含むエッチングガスを用いたドライエッチングによって除去する。
【００３１】
これにより、一対の配線３（破壊用配線）としての下部Ｃｕ配線が形成される。
次に、図１０（Ｊ）に示すように、下部Ｃｕ配線３を覆うように、無電解めっきで、バリア層７（例えばＮｉＰ層）を形成する。
この際、下部Ｃｕ配線３の間の感光性樹脂膜２上に、金属粒子４（例えばＮｉＰ粒子）が析出し、下部Ｃｕ配線３の間に金属粒子４（例えばＮｉＰ粒子）が設けられる。なお、図１０（Ｊ）では金属粒子４は図示していない。
【００３２】
なお、これに限られるものではなく、図１０（Ｋ）に示すように、上述のようにして下部Ｃｕ配線３が形成されている感光性樹脂膜２上に、金属粒子４（例えばＮｉ粒子）をばらまいて、下部Ｃｕ配線３の間に金属粒子４（例えばＮｉ粒子）を設けても良い。
次に、図１１（Ａ）に示すように、全面を覆うように、感光性樹脂（例えば厚さ約３μｍ）を塗布して、絶縁膜としての感光性樹脂膜２を形成する。
【００３３】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、感光性樹脂膜２を露光・現像してビアホール１１を形成する。
次に、図１１（Ｃ）に示すように、例えばスパッタによって、シード層としてのＣｕ／Ｔｉ（例えば約５０ｎｍ／約２０ｎｍ）層１２を形成する。
次に、図１１（Ｄ）に示すように、フォトレジスト１３（例えば厚さ約２μｍ）を塗布した後、図１１（Ｅ）に示すように、これを露光・現像して、レジストパターン１４を形成する。
【００３４】
次に、図１１（Ｆ）に示すように、例えば電解めっきによって、ビアホール１１が埋め込まれるように、Ｃｕめっき層１５（例えば厚さ約１μｍ）を形成する。
次に、図１１（Ｇ）に示すように、レジストパターン１４を剥離し、図１１（Ｈ）に示すように、余分なＣｕ／Ｔｉ層１２をエッチングによって除去する。ここでは、例えば、Ｃｕ層をウェットエッチングによって除去し、Ｔｉ層を例えばＣＦ４とＯ２を含むエッチングガスを用いたドライエッチングによって除去する。これにより、デバイス間を接続するための接続配線１としてのＣｕ配線が形成される。
【００３５】
次に、図１１（Ｉ）に示すように、全面を覆うように、感光性樹脂（例えば厚さ約３μｍ）を塗布して、絶縁膜２としての感光性樹脂膜を形成する。
次に、図１２（Ａ）に示すように、感光性樹脂膜２を露光・現像してビアホール１１を形成する。
次に、図１２（Ｂ）に示すように、例えばスパッタによって、シード層としてのＣｕ／Ｔｉ（例えば約５０ｎｍ／約２０ｎｍ）層１２を形成する。
【００３６】
次に、図１２（Ｃ）に示すように、フォトレジスト１３（例えば厚さ約２μｍ）を塗布した後、図１２（Ｄ）に示すように、これを露光・現像して、レジストパターン１４を形成する。
次に、図１２（Ｅ）に示すように、例えば電解めっきによって、ビアホール１１が埋め込まれるように、Ｃｕめっき層１５（例えば厚さ約１μｍ）を形成する。
【００３７】
次に、図１２（Ｆ）に示すように、レジストパターン１４を剥離し、図１２（Ｇ）に示すように、余分なＣｕ／Ｔｉ層１２をエッチングによって除去する。
ここでは、例えば、Ｃｕ層をウェットエッチングによって除去し、Ｔｉ層を例えばＣＦ４とＯ２を含むエッチングガスを用いたドライエッチングによって除去する。
これにより、一対の配線３（破壊用配線）としての上部Ｃｕ配線が形成される。
【００３８】
次に、図１２（Ｈ）に示すように、上部Ｃｕ配線３を覆うように、無電解めっきで、バリア層７（例えばＮｉＰ層）を形成する。
この際、上部Ｃｕ配線３の間の感光性樹脂膜２上に、金属粒子４（例えばＮｉＰ粒子）が析出し、上部Ｃｕ配線３の間に金属粒子４（例えばＮｉＰ粒子）が設けられる。なお、図１２（Ｈ）では金属粒子４は図示していない。
【００３９】
なお、これに限られるものではなく、上述のようにして上部Ｃｕ配線３が形成されている感光性樹脂膜２上に、金属粒子４（例えばＮｉ粒子）をばらまいて、上部Ｃｕ配線３の間に金属粒子４（例えばＮｉ粒子）を設けても良い。
次に、図１３（Ａ）に示すように、全面を覆うように、感光性樹脂（例えば厚さ約３μｍ）を塗布して、絶縁膜２としての感光性樹脂膜を形成する。
【００４０】
次に、図１３（Ｂ）に示すように、感光性樹脂膜２を露光・現像してビアホール１１を形成する。
次に、図１３（Ｃ）に示すように、例えばスパッタによって、シード層としてのＣｕ／Ｔｉ（例えば約５０ｎｍ／約２０ｎｍ）層１２を形成する。
次に、図１３（Ｄ）に示すように、フォトレジスト１３（例えば厚さ約２μｍ）を塗布した後、図１３（Ｅ）に示すように、これを露光・現像して、レジストパターン１４を形成する。
【００４１】
次に、図１３（Ｆ）に示すように、例えば電解めっきによって、ビアホール１１が埋め込まれるように、Ｃｕめっき層１５（例えば厚さ約１μｍ）を形成する。
次に、図１４（Ａ）に示すように、レジストパターン１４を剥離し、図１４（Ｂ）に示すように、余分なＣｕ／Ｔｉ層１２をエッチングによって除去する。ここでは、例えば、Ｃｕ層をウェットエッチングによって除去し、Ｔｉ層を例えばＣＦ４とＯ２を含むエッチングガスを用いたドライエッチングによって除去する。これにより、下部Ｃｕ配線３、接続配線１としてのＣｕ配線、上部Ｃｕ配線３に接続されるビア１６及びパッド１７が形成される。
【００４２】
このようにして、本実施形態の配線基板５を作製することができる。
そして、このようにして作製された配線基板５のパッド１７上に、図１４（Ｃ）に示すように、半田ボール１８を形成し、図１４（Ｄ）に示すように、デバイス６としてのチップを実装し、アンダーフィル１９を充填する。
このようにして、本実施形態の半導体装置８を作製することができる。
【００４３】
例えば、チップ間を接続する接続配線１を、折り返し配線（例えば図７参照）とし、破壊用配線としての一対の配線３を、一対の櫛歯配線を互いに対向させたもの（例えば図６参照）とした場合、上述のようにして作製した半導体装置８の断面構造は、図１４（Ｅ）に示すように、チップ間を接続する接続配線１の上下に、破壊用配線としての一対の櫛歯配線３の櫛歯部分が交互に設けられ、これらの間に金属粒子４が設けられているものとなる。なお、図１４（Ｅ）は、図１４（Ｄ）中、Ａ−Ａ線に沿う断面図である。
【００４４】
具体的には、接続配線１をＬ／Ｓ＝１μｍ／１μｍの折り返し配線とし、一対の櫛歯配線３を互いに対向させて設け、絶縁膜２の表面に沿って交互に設けられる櫛歯部分の幅（配線幅）を１μｍとし、これらの間隔を１μｍとし、即ち、Ｌ／Ｓ＝１μｍ／１μｍとし、これらの間に金属粒子４を設け、接続配線１との距離を３μｍとし、例えば後述するような破壊要求に応じて、交互に配置される櫛歯部分間に、０．５Ｖ以上の電圧を印加して、それに電流を流すようにすれば良い。これにより、例えば後述するような破壊要求に応じて、接続配線１との間に設けられた絶縁膜２を破壊し、接続配線１を断線させることができる。
【００４５】
なお、通常時の動作電圧は１Ｖくらいであるため、破壊時の印加電圧を、動作電圧以下の低い電圧（例えば０．５Ｖ）とすることで、動作電圧よりも高い電圧を印加して破壊する場合と比較して、例えば電源系の構成などを変更しなくても良いため、好ましい。
このようにして作製した半導体装置８において、上下に設けられた一対の櫛歯配線３に電圧をかけて、即ち、一対の櫛歯配線３の一方がプラス側となり、他方がマイナス側となるように電圧をかけて、接続配線１が断線して破壊されているかどうかを確認すべく、接続配線１の抵抗値が測定できるかどうかを確認したところ、図１５に示すような結果が得られた。
【００４６】
図１５に示すように、一対の配線３に０．２Ｖの電圧を印加した時には、接続配線１の破壊率が低かったのに対し、図１５に示すように、一対の配線３に０．５Ｖ以上の電圧を印加した時には、接続配線１の破壊率が大幅に向上した。
特に、０．５Ｖの電圧を印加する場合には、上下両方の一対の配線３に電圧を印加すれば、接続配線１を完全に破壊できることがわかった。
【００４７】
一方、１．０Ｖの電圧を印加する場合には、上下の少なくとも一方の一対の配線３に電圧を印加すれば、接続配線１を完全に破壊できることがわかった。
このように、上下の一方のみに一対の配線３を設ける場合には、１．０Ｖの電圧を印加すれば良く、上下両方に一対の配線３を設ける場合には、０．５Ｖの電圧を印加すれば良いことがわかった。
【００４８】
ところで、本実施形態では、図１６に示すように、配線基板５を備える半導体装置８又はこの半導体装置８を備える端末２０が、一対の配線３に電圧を印加して破壊する破壊制御部２１を備える。
なお、破壊制御部２１は、一対の配線３に電圧を印加する機構であり、また、その電圧を制御するシステムである。
【００４９】
例えば、破壊制御部２１は、破壊用配線としての一対の配線３を備える非常回路２２と、メイン回路２３と非常回路２２との回路の切り替えを行なう制御回路２４とを備えるものとすれば良い。
この場合、制御回路２４は、通常信号を受信した場合にはメイン回路２３に切り替え、非常信号を受信した場合には非常回路２２に切り替えるようにすれば良い。
【００５０】
そして、外部からの信号である非常信号（破壊要求信号）によって、制御回路２４が、メイン回路２３から非常回路２２に回路を切り替えることで、破壊用配線としての一対の配線３に電圧が印加され、これにより、絶縁膜２が破壊されて、接続配線１が断線するようにすれば良い。
例えば、図１７に示すように、端末２０を、制御回路２４を含む制御モジュール２５と、ＣＰＵチップ（メインＣＰＵ）２６と、メモリチップ（メモリ）２７とを備えるものとし、制御モジュール２５、ＣＰＵチップ２６、メモリチップ２７が、通常回路（メイン回路）２３に含まれる通常配線２８（メイン配線；ここでは接続配線１を含む）で接続され、これとは別に、非常回路２２に含まれる非常配線２９（ここでは破壊用配線としての一対の配線３を含む）でも接続されるようにすれば良い。
【００５１】
そして、通常配線２８に含まれるＣＰＵ２６とメモリ２７とを接続する接続配線１の近傍に、非常配線２９に含まれる破壊用配線としての一対の配線３を設け、アンテナ３０を介して非常信号を受信した場合に、制御回路２４が、通常回路２３から非常回路２２に回路を切り替えることで、破壊用配線としての一対の配線３に電圧が印加され、これにより、絶縁膜２が破壊されて、接続配線１が断線するようにすれば良い。
【００５２】
具体的には、図１８に示すように、プリント基板３１上に、上述のように構成される配線基板５（ここではパッケージ基板）上にＣＰＵチップ２６及びメモリチップ２７を備える半導体装置８（半導体パッケージ）と、制御回路２４を備える制御モジュール２５とを実装し、アンテナ３０を接続して、端末２０を構成すれば良い。
この場合、制御モジュール２５に含まれる制御回路２４が、プリント基板３１及びパッケージ基板５に設けられた通常配線２８（通常回路２３）及び非常配線２９（非常回路２２）を介して、ＣＰＵチップ２６に接続され、さらに、ＣＰＵチップ２６が、パッケージ基板５に設けられた接続配線１（通常配線２８；通常回路２３）及び破壊用配線としての一対の配線３（非常配線２９；非常回路２２）を介して、メモリチップ２７に接続されるようにすれば良い。
【００５３】
なお、これに限られるものではなく、例えば、図１９に示すように、制御モジュール２５は、パッケージ基板５上に搭載され、半導体装置８が制御モジュール２５を含むものとしても良い。
また、制御モジュール２５からの非常配線２９を、ＣＰＵチップ２６に接続せずに、ＣＰＵチップ２６とメモリチップ２７を接続する破壊用配線としての一対の配線３に直接接続するようにしても良い。
【００５４】
このような破壊制御部２１を備えるものとすることで、端末２０を紛失した場合に、例えば遠隔操作で、その端末２０を破壊することができるようにして、セキュリティを高めることが可能となる。
例えば、クラウドサービスとして、紛失した端末２０の破壊要求の登録・送信を行なうようにし、紛失した端末２０が破壊されるようにすることで、セキュリティを高めることが可能となる。
【００５５】
この場合、図２０に示すように、端末破壊システム３２を、上述の破壊制御部２１を含む端末２０と、端末２０にネットワーク３３を介して接続されたサーバ３４とを備えるものとし、サーバ３４が、端末２０を破壊する破壊要求（非常信号依頼）を登録するとともに、端末２０の破壊制御部２１が破壊用配線としての一対の配線３に電圧を印加して破壊するように、端末２０に破壊要求信号（非常信号）を送信するようにすれば良い。
【００５６】
また、端末破壊方法を、サーバ３４が、上述の破壊制御部２１を含む端末２０を破壊する破壊要求（非常信号依頼）を登録するステップと、サーバ３４が、端末２０の破壊制御部２１が破壊用配線としての一対の配線３に電圧を印加して破壊するように、端末２０に破壊要求信号（非常信号）を送信するステップとを含むものとすれば良い。
具体的には、ある端末２０のユーザがその端末２０を紛失した場合、他の端末３５からサーバ３４にアクセスし、紛失した端末２０を破壊するための破壊要求をサーバ３４に登録する。つまり、サーバ３４は、紛失した端末２０を破壊する破壊要求を登録する。
【００５７】
なお、ユーザの破壊要求を、管理者が例えば電話などで受け、これをサーバ３４に登録するようにしても良い。
そして、破壊要求の登録がなされた場合、サーバ３４は、紛失した端末２０に破壊要求信号（破壊信号）を、例えば１時間毎に送信する。
紛失した端末２０は、起動中であれば、破壊信号を受信し、起動中でなければ、誰かが端末２０を操作して起動し、サーバ３４へアクセスした時に、破壊信号を受信する。
【００５８】
このようにして、紛失した端末２０が破壊信号を受信すると、これに応じて、制御回路２４が、通常回路２３から非常回路２２に回路を切り替え、破壊用配線としての一対の配線３に電圧が印加され、絶縁膜２が破壊されて、接続配線１が断線して、配線基板５、即ち、半導体装置８が破壊されることになる。
したがって、本実施形態にかかる配線基板、半導体装置、端末、端末破壊システム及び端末破壊方法によれば、端末２０を紛失した場合に、例えば遠隔操作で、その端末２０を破壊できるようにすることができるという効果を有する。
【００５９】
なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
以下、上述の実施形態に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
デバイス間を接続するための接続配線と、
前記接続配線との間に絶縁膜を挟んで設けられた一対の配線と、
前記一対の配線の間に設けられた金属粒子とを備えることを特徴とする配線基板。
【００６０】
（付記２）
前記一対の配線は、前記接続配線の上方及び下方の少なくとも一方に設けられていることを特徴とする、付記１に記載の配線基板。
（付記３）
前記一対の配線は、互いに対向して設けられた櫛歯配線であることを特徴とする、付記１又は２に記載の配線基板。
【００６１】
（付記４）
前記金属粒子は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｗ又はこれらの合金からなることを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
（付記５）
前記一対の配線の間隔が１μｍ以下であり、
前記接続配線と前記一対の配線との間の距離が３μｍ以下であることを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項に記載の配線基板。
【００６２】
（付記６）
付記１〜５のいずれか１項に記載の配線基板と、
前記配線基板上に集積され、前記接続配線によって接続されたデバイスとを備えることを特徴とする半導体装置。
（付記７）
前記一対の配線に電圧を印加して破壊する破壊制御部を備えることを特徴とする、付記６に記載の半導体装置。
【００６３】
（付記８）
付記６又は７に記載の半導体装置を備えることを特徴とする端末。
（付記９）
付記６に記載の半導体装置と、
前記一対の配線に電圧を印加して破壊する破壊制御部とを備えることを特徴とする端末。
【００６４】
（付記１０）
デバイス間を接続するための接続配線と、前記接続配線との間に絶縁膜を挟んで設けられた一対の配線と、前記一対の配線の間に設けられた金属粒子とを備える配線基板と、前記一対の配線に電圧を印加して破壊する破壊制御部とを備える端末と、
前記端末にネットワークを介して接続されたサーバとを備え、
前記サーバは、前記端末を破壊する破壊要求を登録するとともに、前記端末の前記破壊制御部が前記一対の配線に電圧を印加して破壊するように、前記端末に破壊要求信号を送信することを特徴とする端末破壊システム。
【００６５】
（付記１１）
前記一対の配線は、前記接続配線の上方及び下方の少なくとも一方に設けられていることを特徴とする、付記１０に記載の端末破壊システム。
（付記１２）
前記一対の配線は、互いに対向して設けられた櫛歯配線であることを特徴とする、付記１０又は１１に記載の端末破壊システム。
【００６６】
（付記１３）
前記金属粒子は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｗ又はこれらの合金からなることを特徴とする、付記１０〜１２のいずれか１項に記載の端末破壊システム。
（付記１４）
前記一対の配線の間隔が１μｍ以下であり、
前記接続配線と前記一対の配線との間の距離が３μｍ以下であることを特徴とする、付記１０〜１３のいずれか１項に記載の端末破壊システム。
【００６７】
（付記１５）
サーバが、デバイス間を接続するための接続配線と、前記接続配線との間に絶縁膜を挟んで設けられた一対の配線と、前記一対の配線の間に設けられた金属粒子とを備える配線基板と、前記一対の配線に電圧を印加して破壊する破壊制御部とを備える端末を破壊する破壊要求を登録するステップと、
前記サーバが、前記端末の前記破壊制御部が前記一対の配線に電圧を印加して破壊するように、前記端末に破壊要求信号を送信するステップとを含むことを特徴とする端末破壊方法。
【符号の説明】
【００６８】
１  接続配線（デバイス間接続配線）
２  絶縁膜
３  一対の配線（破壊用配線；櫛歯配線）
４  金属粒子
５  配線基板
６  半導体チップ（デバイス）
７  バリア層
８  半導体装置
９  基板
１０  パッド
１１  ビアホール
１２  Ｃｕ／Ｔｉ層
１３  フォトレジスト
１４  レジストパターン
１５  Ｃｕめっき層
１６  ビア
１７  パッド
１８  半田ボール
１９  アンダーフィル
２０  端末
２１  破壊制御部
２２  非常回路
２３  メイン回路（通常回路）
２４  制御回路
２５  制御モジュール
２６  ＣＰＵチップ（ＣＰＵ）
２７  メモリチップ（メモリ）
２８  通常配線（メイン配線）
２９  非常配線
３０  アンテナ
３１  プリント基板
３２  端末破壊システム
３３  ネットワーク
３４  サーバ
３５  他の端末
１００  半導体パッケージ
１０１  インターポーザ
１０２  チップパッケージ
１０３  パッケージ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2017163211.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
2017163211.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2017163211.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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