(57)【要約】      （修正有）【課題】基板を処理するための装置を提供する。【解決手段】処理チャンバ１０４が準備される。基板１６４を支持するための基板支持体が、処理チャンバ内にある。エッジリング１６０が基板支持体上にあり、ＡｌＯおよびＹＯのドーパントもしくはＬａＯのドーパントでドープされると共に窒素を含まない石英を含む。処理チャンバ空洞内にガスを供給するためのガス流入口１４０が、基板表面の上方にある。少なくとも１つの電極１２０が、処理チャンバ内にＲＦ電力を供給する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で前記基板を支持するための基板支持体と、
前記基板支持体上のエッジリングであって、ＡｌＯおよびＹＯのドーパントもしくはＬａＯのドーパントでドープされると共に窒素を含まない石英を含む、エッジリングと、
前記基板の表面の上方で前記処理チャンバ内にガスを供給するためのガス流入口と、
前記処理チャンバ内にＲＦ電力を供給するための少なくとも１つの電極と、
を備える、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、ドーパントの割合が、境界も含めて６％〜２０％である、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、前記ドーパントは、酸化アルミニウムおよび酸化イットリウムであり、酸化アルミニウム対酸化イットリウムの比は、境界も含めて１：３〜１：１である、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、前記ドーパントは、酸化ランタンを含む、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、前記ドーパントは、さらに、酸化アルミニウムを含む、装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、酸化アルミニウム対酸化ランタンの比が、境界も含めて５：１３〜１５：１３である、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、ドーパントの割合が、境界も含めて１０％〜１５％である、装置。
【請求項８】
プラズマ処理チャンバで用いるエッジリングであって、ＡｌＯおよびＹＯのドーパントもしくはＬａＯのドーパントでドープされると共に窒素を含まない石英を含む、エッジリング。
【請求項９】
請求項８に記載のエッジリングであって、ドーパントの割合が、６％〜２０％（境界も含む）である、エッジリング。
【請求項１０】
請求項８に記載のエッジリングであって、前記ドーパントは、酸化アルミニウムおよび酸化イットリウムであり、酸化アルミニウム対酸化イットリウムの比は、境界も含めて１：３〜１：１である、エッジリング。
【請求項１１】
請求項８に記載のエッジリングであって、前記ドーパントは、酸化ランタンを含む、エッジリング。
【請求項１２】
請求項１１に記載のエッジリングであって、前記ドーパントは、さらに、酸化アルミニウムを含む、エッジリング。
【請求項１３】
プラズマ処理チャンバで用いるエッジリングであって、ドープ石英リングを備える、エッジリング。
【請求項１４】
請求項１３に記載のエッジリングであって、前記ドープ石英リングは、窒素を含まないドープ石英リングである、エッジリング。
【請求項１５】
請求項１３に記載のエッジリングであって、前記ドープ石英リングは、ＡｌＯおよびＹＯを含むドーパントもしくはＬａＯのドーパントでドープされている、エッジリング。
【請求項１６】
基板を処理するための装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で前記基板を支持するための基板支持体と、
前記基板支持体上のエッジリングであって、ドープされた石英を含む、エッジリングと、
前記基板の表面の上方で前記処理チャンバ内にガスを供給するためのガス流入口と、
前記処理チャンバ内にＲＦ電力を供給するための１つの電極と、
を備える、装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載のエッジリングであって、前記ドープ石英リングは、窒素を含まないドープ石英リングである、エッジリング。
【請求項１８】
請求項１６に記載のエッジリングであって、前記ドープ石英リングは、ＡｌＯおよびＹＯを含むドーパントもしくはＬａＯのドーパントでドープされている、エッジリング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体デバイスの製造に関し、特に、半導体デバイスの製造において用いられるプラズマ耐性部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ処理中、プラズマ処理チャンバが、半導体デバイスを処理するために用いられる。
【０００３】
この背景技術で論じた記載および実施形態は、従来技術であるとは見なされない。かかる記載は、従来技術の承認ではない。
【発明の概要】
【０００４】
上記を達成するために、本発明の目的に従い、基板を処理するための装置が提供されている。処理チャンバが準備される。基板を支持するための基板支持体が、処理チャンバ内にある。エッジリングが基板支持体上にあり、ＡｌＯおよびＹＯのドーパントもしくはＬａＯのドーパントでドープされると共に窒素を含まない石英を含む。処理チャンバ空洞内にガスを供給するためのガス流入口が、基板表面の上方にある。少なくとも１つの電極が、処理チャンバ内にＲＦ電力を供給する。
【０００５】
別の実施形態では、プラズマ処理チャンバで用いるエッジリングが提供されている。エッジリングは、ＡｌＯおよびＹＯのドーパントもしくはＬａＯのドーパントでドープされると共に窒素を含まない石英を含む。
【０００６】
添付の図面を参照しつつ行う本開示の詳細な説明において、本開示の上述の特徴およびその他の特徴を詳述する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
添付の図面では、限定ではなく例示を目的として本開示を図示する。なお、これらの添付図面においては、同様の構成要素には同様の符号が付されている。
【０００８】
【図１】プラズマ処理チャンバの例を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下では、添付図面に例示されたいくつかの実施形態を参照しつつ、本開示の詳細な説明を行う。以下の説明では、本開示の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本開示は、これらの具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施することが可能である。また、本開示が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の処理工程および／または構造については、詳細な説明を省略した。
【００１０】
理解を促すために、図１は、一実施形態で利用できるプラズマ処理チャンバ１００の一例の概略図を示している。プラズマ処理チャンバ１００は、プラズマ処理閉じ込めチャンバ１０４を中に有するプラズマリアクタ１０２を備える。プラズマ電源１０６が、整合回路網１０８によって調整されており、誘導結合電力を供給することによってプラズマ処理閉じ込めチャンバ１０４内でプラズマ１１４を生成するために、電力窓１１２の近くに配置されたＴＣＰコイル１１０に電力を供給する。ＴＣＰコイル（上側電力源）１１０は、プラズマ処理閉じ込めチャンバ１０４内で均一な拡散プロファイルを生み出すよう構成されてよい。例えば、ＴＣＰコイル１１０は、プラズマ１１４内にトロイダル電力分布を生成するよう構成されてよい。電力窓１１２は、ＴＣＰコイル１１０をプラズマ処理閉じ込めチャンバ１０４から隔離しつつ、エネルギがＴＣＰコイル１１０からプラズマ処理閉じ込めチャンバ１０４に通過することを可能にするために設けられる。整合回路網１１８によって調整されたウエハバイアス電圧電源１１６が、電極１２０によって支持された基板１６４上にバイアス電圧を設定するために、電極１２０に電力を供給する。コントローラ１２４が、プラズマ電源１０６、ガス源／ガス供給メカニズム１３０、および、ウエハバイアス電圧電源１１６のための設定点を設定する。
【００１１】
プラズマ電源１０６およびウエハバイアス電圧電源１１６は、例えば、１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、２ＭＨｚ、６０ＭＨｚ、４００ｋＨｚ、２．５４ＧＨｚ、または、これらの組み合わせなど、特定の高周波で動作するよう構成されてよい。プラズマ電源１０６およびウエハバイアス電圧電源１１６は、所望の処理性能を達成するために、或る範囲の電力を供給するのに適切なサイズを有してよい。例えば、一実施形態において、プラズマ電源１０６は、５０〜５０００ワットの範囲の電力を供給してよく、ウエハバイアス電圧電源１１６は、２０〜２０００Ｖのバイアス電圧を供給してよい。さらに、ＴＣＰコイル１１０および／または電極１２０は、２以上のサブコイルまたはサブ電極で構成されてもよく、サブコイルおよびサブ電極は、単一の電源によって電力供給されても、複数の電源によって電力供給されてもよい。
【００１２】
図１に示すように、プラズマ処理チャンバ１００は、さらに、ガス源／ガス供給メカニズム１３０を備える。ガス源１３０は、ガス流入口（ガスインジェクタ１４０など）を通してプラズマ処理閉じ込めチャンバ１０４と流体連通する。ガスインジェクタ１４０は、プラズマ処理閉じ込めチャンバ１０４内の任意の有利な位置に配置されてよく、ガスを注入するために任意の形態を取ってよい。ただし、好ましくは、ガス流入口は、「調整可能な」ガス注入プロファイルを生み出すように構成されてよく、これは、プラズマ処理閉じ込めチャンバ１０４内の複数の領域へのガスのそれぞれの流量を独立的に調整することを可能にする。処理ガスおよび副生成物は、圧力制御バルブ１４２およびポンプ１４４を介してプラズマ処理閉じ込めチャンバ１０４から除去され、バルブおよびポンプは、さらに、プラズマ処理閉じ込めチャンバ１０４内の特定の圧力を維持するように機能する。圧力制御バルブ１４２は、処理中に１Ｔｏｒｒ未満の圧力を維持できる。エッジリング１６０が、ウエハ１６４の周りに配置される。ガス源／ガス供給メカニズム１３０は、コントローラ１２４によって制御される。カリフォルニア州フレモント市所在のラムリサーチ社製のＫｉｙｏが、一実施形態を実施するために用いられてよい。
【００１３】
エッジリング１６０は、プラズマ耐性ガラス（ドープ石英など）を含むことが好ましい。エッジリング１６０は、窒素を含まないドープ石英を含むことがより好ましい。エッジリング１６０は、酸化アルミニウムおよび酸化イットリウムのドーパントもしくは酸化ランタンのドーパントでドープされると共に窒素を含まない石英を含むことが最も好ましい。一実施形態において、ドーパントの割合は、分子数パーセントで６％〜２０％の間である。ドーパントの割合は、１０％〜１５％の間であることがより好ましい。アルミニウム対イットリウムの比は、分子数で１：３〜１：１の範囲にあることが好ましい。酸化ランタンのドーパントでドープされた石英は、酸化アルミニウムのドーパントも有することが好ましい。アルミニウム対ランタンの比は、５：１３〜１５：１３の範囲にあることが好ましい。
【００１４】
以上、いくつかの実施形態を参照しつつ本開示について説明したが、本開示の範囲内で、様々な代替物、置換物、変形物、および、等価物が存在する。また、本開示の方法および装置を実施する他の態様が数多く存在することにも注意されたい。したがって、添付の特許請求の範囲は、本開示の真の趣旨および範囲内に含まれる代替物、置換物、および等価物の全てを網羅するものとして解釈される。
【図１】
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【外国語明細書】
2017034234000001.pdf