(57)【要約】【課題】疑似ウエハに用いられる金属フレームであって、疑似ウエハのダイシングの際にダイシングブレードの摩耗や発熱などを軽減することができる金属フレームを提供する。【解決手段】  チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハに用いられる金属フレームであって、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されており、格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている。【選択図】  図２
2017216402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハに用いられる金属フレームであって、
チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されており、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている、
金属フレーム。
【請求項２】
金属フレームは、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填される形状の開口を備えている、
請求項１に記載の金属フレーム。
【請求項３】
金属フレームは、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填されない形状の開口を備えている、
請求項１に記載の金属フレーム。
【請求項４】
金属フレームは、ダイシングエリアから外れた位置に設けられ、個片化領域を縦断するように延びる枠を備えている、
請求項３に記載の金属フレーム。
【請求項５】
金属フレームを構成する材料は、銅、銅合金、及び、鉄合金のいずれかから成る、
請求項１に記載の金属フレーム。
【請求項６】
金属フレームは、金属材料から成る素材にプレス法もしくはエッチング法によって抜き加工を施すことによって構成されている、
請求項１に記載の金属フレーム。
【請求項７】
金属フレームは、枠に対応する部分に金属材料層をめっき工程によって形成することによって構成されている、
請求項１に記載の金属フレーム。
【請求項８】
チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハであって、
チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを含んでおり、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている、
疑似ウエハ。
【請求項９】
チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハがダイシングによって個片化されて成る半導体装置であって、
疑似ウエハは、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを含んでおり、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている、
半導体装置。
【請求項１０】
半導体装置を備えた電子機器であって、
チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハがダイシングによって個片化されて成る半導体装置を備えた電子機器であって、
疑似ウエハは、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを含んでおり、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている、
電子機器。
【請求項１１】
支持体上に、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームと、チップ状半導体素子とを配置し、次いで、
金属フレームとチップ状半導体素子とを含む支持体の上の全面に封止層を設け、その後、
金属フレームとチップ状半導体素子とを封止した封止層を支持体から剥離し、次いで、
封止層の剥離面側に再配線層を設ける、
ことによって、チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハを完成する工程を含む、
半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されており、
疑似ウエハをダイシングによって個片化し、チップ状半導体素子と再配線層とを含む半導体装置を得る、
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
予め形成されている金属フレームを支持体上に配置する、
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
支持体の所定領域上に金属材料層を形成することによって、金属材料層から成る金属フレームを支持体上に配置する、
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
金属材料層をめっき工程によって形成する、
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
支持体上に再配線層を設け、次いで、
再配線層上に、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを配置し、その後、
金属フレームの開口の部分における再配線層上に、チップ状半導体素子を配置し、次いで、
金属フレームおよびチップ状半導体素子を含む再配線層の上の全面に封止層を設け、その後、
再配線層を支持体から剥離する、
ことによって、チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハを完成する工程を含む、
半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されており、
疑似ウエハをダイシングによって個片化し、チップ状半導体素子と再配線層とを含む半導体装置を得る、
請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
予め形成されている金属フレームを支持体上に配置する、
請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
支持体の所定領域上に金属材料層を形成することによって、金属材料層から成る金属フレームを支持体上に配置する、
請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
金属材料層をめっき工程によって形成する、
請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、金属フレーム、疑似ウエハ、半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化や薄型化に伴い、チップ状半導体素子を含むパッケージについても、小型薄型化や多端子化が要求されている。このため、部品エリア外に端子を再配置するＦＯ−ＷＬＰ（Fan-out Wafer Level Package）と呼ばれる半導体装置の製造方法が提案されている。
【０００３】
この半導体装置の製造方法は、粘着層上に配置された複数のチップ状半導体素子を樹脂材料で一括封止し、複数のチップ状半導体素子が封止層で封止されて成る疑似ウエハを形成した後、疑似ウエハを粘着層から剥離し、次いで、チップ状半導体素子の露出面上に、ウエハプロセスによる再配線層を一括で形成するといった製造方法である（特許文献１、例えば図１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３０８１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
疑似ウエハを構成する封止層には、例えば硬化の際の収縮によって応力が生ずる。これは、疑似ウエハの反り要因となり大型化の妨げとなる。また、パッケージの薄型化を図るには疑似ウエハを構成する封止層の厚さを薄くする必要がある。しかしながら、封止層を薄くすると疑似ウエハ全体の剛性が低下するとともに、再配線の形成プロセスで加えられる熱などの外部ストレスにより疑似ウエハ全体、あるいはその一部の変形や割れなどの不具合を生ずる要因となる。
【０００６】
疑似ウエハの反りや変形の対策として、格子状の金属フレームといった剛性の高い構造体を埋め込むことで剛性を向上させて、反りを抑制するといったことが考えられる。しかしながら、金属は延性が高く、切削性は樹脂と相違する。従って、疑似ウエハのダイシングにおいて、ダイシングブレードの摩耗や発熱などを招き、歩留りの低下の要因となることが考えられる。
【０００７】
従って、本発明の目的は、ダイシングブレードの摩耗や発熱などを軽減することができる金属フレーム、係る金属フレームを含む疑似ウエハ、係る疑似ウエハをダイシングによって個片化することによって得られる半導体装置、係る半導体装置を備えた電子機器、更には、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る金属フレームは、
チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハに用いられる金属フレームであって、
チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されており、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている、
金属フレームである。
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る疑似ウエハは、
チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハであって、
チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを含んでおり、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている、
疑似ウエハである。
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る半導体装置は、
チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハがダイシングによって個片化されて成る半導体装置であって、
疑似ウエハは、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを含んでおり、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている、
半導体装置である。
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る電子機器は、
半導体装置を備えた電子機器であって、
チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハがダイシングによって個片化されて成る半導体装置を備えた電子機器であって、
疑似ウエハは、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを含んでおり、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている、
電子機器である。
【００１２】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る半導体装置の製造方法は、
支持体上に、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームと、チップ状半導体素子とを配置し、次いで、
金属フレームとチップ状半導体素子とを含む支持体の上の全面に封止層を設け、その後、
金属フレームとチップ状半導体素子とを封止した封止層を支持体から剥離し、次いで、
封止層の剥離面側に再配線層を設ける、
ことによって、チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハを完成する工程を含む、
半導体装置の製造方法である。
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る半導体装置の製造方法は、
支持体上に再配線層を設け、次いで、
再配線層上に、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを配置し、その後、
金属フレームの開口の部分における再配線層上に、チップ状半導体素子を配置し、次いで、
金属フレームおよびチップ状半導体素子を含む再配線層の上の全面に封止層を設け、その後、
再配線層を支持体から剥離する、
ことによって、チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハを完成する工程を含む、
半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本開示の金属フレームにおいて、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている。従って、ダイシングにおいて金属フレームの枠を連続して切削するといったことがなく、ダイシングブレードの摩耗や発熱などが軽減される。本開示の金属フレームを用いた疑似ウエハにあっては、剛性の向上を図ることができ、かつ、ダイシングにおける歩留りの低下も抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る疑似ウエハの模式的な斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す疑似ウエハに用いられる金属フレームの構造を示す模式的な平面図である。
【図３】図３は、図２に示す金属フレームと、チップ状半導体素子との配置関係を説明するための、模式的な平面図である。
【図４】図４は、疑似ウエハに用いられる金属フレームの他の例の構造を示す模式的な平面図である。
【図５】図５は、図４に示す金属フレームと、チップ状半導体素子との配置関係を説明するための、模式的な平面図である。
【図６】図６は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、支持体上に配置される金属フレームやチップ状半導体素子の配置関係を説明するための模式的な斜視図である。
【図７】図７Ａないし図７Ｃは、半導体装置の製造工程を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図８】図８Ａないし図８Ｃは、図７Ａないし図７Ｃに対応する図であって、切断面を異にする部分の模式的な一部断面図である。
【図９】図９Ａ及び図９Ｂは、図７Ｃに引き続き、半導体装置の製造工程を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂは、図９Ａ及び図９Ｂに対応する図であって、切断面を異にする部分の模式的な一部断面図である。
【図１１】図１１Ａ及び図１１Ｂは、図９Ｂに引き続き、半導体装置の製造工程を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図１２】図１２Ａ及び図１２Ｂは、図１１Ａ及び図１１Ｂに対応する図であって、切断面を異にする部分の模式的な一部断面図である。
【図１３】図１３は、図１１Ｂに示す工程によって支持体から剥離された状態の疑似ウエハを説明するための図であって、疑似ウエハの模式的な斜視図である。
【図１４】図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１１Ｂに引き続き、半導体装置の製造工程を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図１５】図１５Ａ及び図１５Ｂは、図１４Ａ及び図１４Ｂに対応する図であって、切断面を異にする部分の模式的な一部断面図である。
【図１６】図１６Ａは、疑似ウエハをダイシングすることで個片化して得られる半導体装置を示す模式的な平面図である。図１６Ｂは、金属フレームとダイシングされる領域との関係を説明するための模式的な平面図である。
【図１７】図１７Ａ及び図１７Ｂは、図１４Ｂに引き続き、半導体装置の製造工程を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図１８】図１８は、参考例の金属フレームの構造を示す平面図である。
【図１９】図１９は、参考例の金属フレームとダイシングされる領域との関係を説明するための模式的な平面図である。
【図２０】図２０は、第２の実施形態についての図であって、金属フレームの開口が、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填されない場合における、金属フレームとダイシングされる領域との関係を説明するための模式的な平面図である。
【図２１】図２１Ａは、図２０に示すダイシングによって得られる半導体装置の模式的な平面図である。図２１Ｂは、半導体装置の模式的な断面図である。
【図２２】図２２は、第２の実施形態の他の例であって、金属フレームが、ダイシングエリアから外れた位置に設けられ、個片化領域を縦断するように延びる枠を備えている構成を説明するための模式的な平面図である。
【図２３】図２３Ａないし図２３Ｃは、第３の実施形態に係る疑似ウエハ及び半導体装置の製造方法を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図２４】図２４Ａ及び図２４Ｂは、図２３Ｃに引き続き、疑似ウエハ及び半導体装置の製造工程を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図２５】図２５Ａ及び図２５Ｂは、図２４Ｂに引き続き、疑似ウエハ及び半導体装置の製造工程を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図２６】図２６は、図２５Ｂに引き続き、疑似ウエハ及び半導体装置の製造工程を説明するための、模式的な一部断面図である。
【図２７】図２７は、第４の実施形態についての図であって、本開示の半導体装置が用いられる電子機器の模式的な斜視図である。
【図２８】図２８は、図２７に示す電子機器の回路構成を示す模式的なブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示に係る、金属フレーム、疑似ウエハ、半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法、全般に関する説明
２．第１の実施形態
３．第２の実施形態
４．第３の実施形態
５．第４の実施形態
６．その他
【００１７】
［本開示に係る、金属フレーム、疑似ウエハ、半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法、全般に関する説明］
本開示に係る金属フレーム、本開示の疑似ウエハ、半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法に用いられる金属フレーム（以下、これらを単に、本開示の金属フレームと呼ぶ場合がある）において、格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されることができる。
【００１８】
この場合において、金属フレームは、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填される形状の開口を備えている構成とすることができる。この場合、ダイシングによって金属フレームの枠は全て切削されるので、個片化によって得られる半導体装置に金属フレームの枠が残ることはない。
【００１９】
あるいは又、金属フレームは、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填されない形状の開口を備えている構成とすることができる。この場合、個片化によって得られる半導体装置のうち一部もしくは全部に、金属フレームの枠が残る。枠の部分は、例えば半導体装置の電源線や接地線などとして利用することもできる。
【００２０】
この場合において、金属フレームは、ダイシングエリアから外れた位置に設けられ、個片化領域を縦断するように延びる枠を備えている構成とすることができる。
【００２１】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示の金属フレームは、延性のある材料から構成することが好ましい。基本的には、リードフレームと同様の材料を用いることができる。具体的には、金属フレームを構成する材料は、銅、銅合金、及び、鉄合金のいずれかから成る構成とすることが好ましい。銅合金として、Ｃｕ−Ｆｅ系合金、Ｃｕ−Ｚｎ系合金、Ｃｕ−Ｎｉ系合金、Ｃｕ−Ｓｎ系合金を例示することができる。鉄合金として、Ｆｅ−Ｃｕ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を例示することができる。
【００２２】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示の金属フレームは、金属材料から成る素材にプレス法もしくはエッチング法によって抜き加工を施すことによって構成されていてもよいし、枠に対応する部分に金属材料層をめっき工程によって形成することによって構成されていてもよい。この場合、予め疑似ウエハの平面形状に合うように加工されていることが好ましい。
【００２３】
上述した本開示の第１の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されており、
疑似ウエハをダイシングによって個片化することによって、チップ状半導体素子と再配線層とを含む半導体装置を得る、
構成とすることができる。
【００２４】
この場合において、予め形成されている金属フレームを支持体上に配置する構成とすることができる。金属フレームは、例えば、金属材料から成る素材にプレス法もしくはエッチング法によって抜き加工を施すことによって作成すればよい。
【００２５】
あるいは又、支持体の所定領域上に金属材料層を形成することによって、金属材料層から成る金属フレームを支持体上に配置する構成とすることができる。この場合において、金属材料層をめっき工程によって形成する工程とすることができる。例えば、金属フレームの開口に対応するマスクを設け、めっき工程を行った後リフトオフを行うなどのことによって、支持体の所定領域上に金属材料層を形成することができる。この構成は、金属フレームの微細化やアライメントの高精度化を図ることが出来るといった利点を備えている。
【００２６】
上述した本開示の第２の態様に係る半導体装置の製造方法においても、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されており、
疑似ウエハをダイシングによって個片化し、チップ状半導体素子と再配線層とを含む半導体装置を得る、
構成とすることができる。
【００２７】
この場合においても、予め形成されている金属フレームを支持体上に配置する構成とすることができる。金属フレームは、上述したのと同様に、例えば、金属材料から成る素材にプレス法もしくはエッチング法によって抜き加工を施すことによって作成すればよい。
【００２８】
あるいは又、支持体の所定領域上に金属材料層を形成することによって、金属材料層から成る金属フレームを支持体上に配置する構成とすることができる。この場合において、金属材料層をめっき工程によって形成する工程とすることができる。この構成は、金属フレームの微細化やアライメントの高精度化を図ることが出来るといった利点を備えている。更に、再配線をめっき工程によって形成する場合、金属フレームを構成する金属材料層を同様のめっき工程で行うことができるので、プロセスの連続性を図ることができる利点を備えている。
【００２９】
上述した各種の好ましい構成を含む本開示に係る半導体装置、及び、上述した各種の好ましい構成を含む本開示の半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置にあっては、チップ状半導体素子に加えて、他の素子、例えば、チップ状のコンデンサや抵抗を含んでいてもよい。これらは、チップ状半導体素子と同様に、金属フレームの開口に配置することができる。
【００３０】
上述した各種の好ましい構成を含む、本開示に係る、金属フレーム、疑似ウエハ、半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法（以下、これらを単に、本開示と呼ぶ場合がある）において、金属フレームの開口の形状は、本開示の実施に支障がない限り、特に限定するものではない。例えば、異なる２種類の形状の開口を備えていても良いし、異なる３種類以上の開口を備えていてもよい。
【００３１】
本開示に用いられる封止層や後述する絶縁層を構成する材料は、本開示の実施に支障がない限り、特に限定するものではない。例えば、熱硬化性樹脂や、紫外線照射によって硬化する樹脂を用いることができ、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂などを例示することができる。尚、樹脂には、絶縁性のフィラーが含まれていてもよい。
【００３２】
後述する粘着層は、ダイシングテープのように、基材上に粘着剤を設けた粘着フィルムから成る構成とすることができる。あるいは、粘着剤をスピンコート法、スプレーコート法、印刷法などの各種印刷法で塗布することによって形成するといった構成とすることもできる。粘着層は、後述のように疑似ウェハを支障なく剥離できるように、剥離時に粘着力を低下させることができるものが用いられる。粘着剤として、例えば、加熱による発泡によって粘着力が低下する粘着剤や、紫外線照射による発泡によって粘着力が低下する粘着剤を例示することができる。
【００３３】
再配線を構成する導電材料は特に限定するものではなく、アルミニウムなど一般の導電材料を用いることができる。尚、再配線に接続されるハンダボールを形成する場合、ハンダボールとの接続部に、濡れ性に優れたアンダーバンプメタルを形成することが好ましい。
【００３４】
疑似ウエハの形状は、特に限定するものではない。例えば、円板状であってもよいし、矩形板状であってもよい。但し、円板状の半導体ウエハに対応したダイシング設備を利用するといった観点からは、疑似ウエハの形状は、円板状とするのが好ましい。
【００３５】
本明細書における各種の条件は、厳密に成立する場合の他、実質的に成立する場合にも満たされる。設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明で用いる各図面は模式的なものであり、実際の寸法やその割合を示すものではない。
【００３６】
［第１の実施形態］
第１の実施形態は、本開示の第１の態様に係る、金属フレーム、疑似ウエハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。
【００３７】
図１は、第１の実施形態に係る疑似ウエハの模式的な斜視図である。図２は、図１に示す疑似ウエハに用いられる金属フレームの構造を示す模式的な平面図である。
【００３８】
尚、図示および説明の都合上、図１においては、再配線層８の一部を切り欠いた状態とし、金属フレーム１０の開口やチップ状半導体素子３の配置を誇張して示した。疑似ウエハ１００は、例えば、直径が３００ミリメートル程度の円板状である。尚、疑似ウエハの形状はこれに限るものではない。
【００３９】
第１の実施形態に係る疑似ウエハ１００は、チップ状半導体素子３と再配線層８とが一体となった疑似ウエハである。この疑似ウエハ１００は、チップ状半導体素子３が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレーム１０を含んでいる。封止層４によって、チップ状半導体素子３と金属フレーム１０とは封止されている。封止層４については、図９Ａないし図１２Ｂなどを参照して、後で詳しく説明する。
【００４０】
図２は、図１に示す疑似ウエハに用いられる金属フレームの構造を示す模式的な平面図である。
【００４１】
この金属フレーム１０（符号１０Ａで表す場合がある）には、開口１１Ａ，１１Ｂが複数設けられている。そして、隣接する開口間の部分から成る枠１２によって格子構造が形成されている。開口１１Ａの平面形状は矩形である。開口１１Ｂの平面形状は、開口１１Ａよりも大きい矩形を基本とし、その一部（開口１１Ａと重なる部分）が欠けた形状である。
【００４２】
金属フレーム１０は、延性の高い材料から構成されている。例えば、銅、銅合金、及び、鉄合金のいずれかを用いて構成することができる。金属フレーム１０の厚さは略１３０マイクロメートルである。また、枠１２の幅は略１５０マイクロメートルである。尚、厚さや幅はこれに限るものではない。
【００４３】
金属フレームは、金属材料から成る素材にプレス法もしくはエッチング法によって抜き加工を施すことによって構成することができる。あるいは又、金属フレームは、枠に対応する部分に金属材料層をめっき工程によって形成することによって構成することもできる。
【００４４】
図３は、図２に示す金属フレームと、チップ状半導体素子との配置関係を説明するための、模式的な平面図である。
【００４５】
尚、図示の都合上、図３においては、チップ状半導体素子３の８行分の配列を示すと共に、一部の図示を省略した。
【００４６】
図３に示す例では、開口１１Ａには、４×４個のチップ状半導体素子３が配置されており、開口１１Ｂには、２０個のチップ状半導体素子３が配置されている。チップ状半導体素子３は、全体として、行方向（図においてＸ方向）と列方向（図においてＹ方向）とに、所定の間隔を空けてマトリクス状に配置されている。
【００４７】
後で図１６Ａ及び図１６Ｂを参照して詳しく説明するが、この構成では、格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハ１００のダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列する。従って、ダイシング長の全般に亘って連続して金属フレームの枠を切削するといったことがないので、ダイシングブレードの摩耗や発熱などが軽減される。更には、発熱に伴うダイシングテープの剥がれや破損も軽減される。結果として、ダイシングにおける歩留りの低下も抑制することができる。
【００４８】
尚、金属フレームは、種々の格子構造をとり得る。金属フレームの変形例について、図を参照して説明する。
【００４９】
図４は、疑似ウエハに用いられる金属フレームの他の例の構造を示す平面図である。
【００５０】
この金属フレーム１０（符号１０Ｂで記す場合がある）には、開口１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅが複数設けられている。そして、隣接する開口間の部分から成る枠１２によって格子構造が形成されている。開口１１Ｃの平面形状は十字形状である。開口１１Ｄ，１１Ｅの平面形状は矩形を基本とし、その一部（開口１１Ｃと重なる部分）が欠けた形状である。具体的には、開口１１Ｄは、矩形を基本とし上部右隅と下部左隅とが欠けた形状、開口１１Ｅは、矩形を基本とし上部左隅と下部右隅とが欠けた形状である。
【００５１】
図５は、図４に示す金属フレームと、チップ状半導体素子との配置関係を説明するための、模式的な平面図である。
【００５２】
尚、図示の都合上、図５においては、チップ状半導体素子３の９行分の配列を示すと共に、一部の図示を省略した。
【００５３】
図５に示す例では、開口１１Ｃには、２０個のチップ状半導体素子３が配置されており、開口１１Ｄ，１１Ｅには、２６個のチップ状半導体素子３が配置されている。チップ状半導体素子３は、全体として、行方向（図においてＸ方向）と列方向（図においてＹ方向）とに、所定の間隔を空けてマトリクス状に配置されている。
【００５４】
引き続き、本開示の第１の態様に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００５５】
第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
支持体上に、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームと、チップ状半導体素子とを配置し、次いで、
金属フレームとチップ状半導体素子とを含む支持体の上の全面に封止層を設け、その後、
金属フレームとチップ状半導体素子とを封止した封止層を支持体から剥離し、次いで、
封止層の剥離面側に再配線層を設ける、
ことによって、チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハを完成する工程を含む。
【００５６】
図６は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、支持体上に配置される金属フレームやチップ状半導体素子の配置関係を説明するための模式的な斜視図である。
【００５７】
尚、図示および説明の都合上、図６においても、金属フレーム１０の開口やチップ状半導体素子３の配置を誇張して示した。
【００５８】
この製造方法では、支持体１上に粘着層２を設け、そして、粘着層２の上に、金属フレーム１０と、チップ状半導体素子３を配置する。尚、チップ状半導体素子３は、再配線層８の配線に接続されるべき電極が設けられている面側が、粘着層２に対向するように配置される。その後、封止層４の形成、剥離、再配線層の形成などが行われる。
【００５９】
先ず、図７ないし図１２を参照して、金属フレームとチップ状半導体素子とを含む封止層の形成や剥離の工程について説明する。基本的には、図６にＡ−Ａで示す部分の断面図（Ａ−Ａ断面図）と、図６にＢ−Ｂで示す部分の断面図（Ｂ−Ｂ断面図）とを参照して説明を行う。尚、図７、図９、図１１はＡ−Ａ断面図、図８、図１０、図１２はＢ−Ｂ断面図である。
【００６０】
［工程−１００］（図７Ａ及び図８Ａ、参照）
支持体１を準備し、その上に、粘着層２を形成する。支持体１の平面形状は、基本的には、疑似ウエハ１００と同様の形状で、例えば直径３００ミリメートル程度の円板状である。支持体１には、金属基板、ガラス基板、半導体基板、セラミックス基板などを用いることができる。ここでは、紫外線を透過する材料から支持体１が構成されているものとする。
【００６１】
粘着層２は、例えば、所定の基材上に粘着剤を設けたダイシングシートから構成される。尚、支持体１上に、粘着剤を各種塗布して形成することもできる。粘着層２は、事後的に粘着力を低下させることができる材料が用いられる。ここでは、紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料から構成されているとして説明する。
【００６２】
［工程−１１０］（図７Ｂ及び図７Ｃ、並びに、図８Ｂ及び図８Ｃ参照）
支持体１（より具体的には粘着層２）上に、チップ状半導体素子３が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームと、チップ状半導体素子３とを配置する。
【００６３】
先ず、金属フレーム１０を粘着層２上に配置する（図７Ｂ及び図８Ｂ参照）。例えば、予め形成されている金属フレームを吸着ヘッドで吸着して位置出しを行い、その後、粘着層２上に載置し、フッ素加工などを施したローラーで圧接するといったことを行えばよい。次いで、金属フレームの開口内の粘着層２上に、チップ状半導体素子３を配置する（図７Ｃ及び図８Ｃ参照）。具体的には、チップ状半導体素子３の電極面を粘着層２に向けて配置する。
【００６４】
尚、チップ状半導体素子３を配置し、次いで、金属フレーム１０を配置するといった順序で行っても良い。また、場合によっては、例えばめっき工程によって、所定領域上に金属材料層を形成することによって、金属材料層から成る金属フレームを支持体１上に配置することもできる。
【００６５】
［工程−１２０］（図９Ａ及び図９Ｂ、並びに、図１０Ａ及び図１０Ｂ参照）
次いで、金属フレームとチップ状半導体素子とを含む支持体の上の全面に封止層を設ける。
【００６６】
具体的には、全面に樹脂材料を供給し成形して封止層４を設ける。例えば、熱硬化性の樹脂材料を塗布した後、硬化する（図９Ａ及び図１０Ａ参照）。次いで、封止層４の平坦化や薄膜化を図るために、研磨を施す（図９Ｂ及び図１０Ｂ参照）。
【００６７】
尚、例えば封止層４を加圧成形するなどして必要な精度が得られる場合には、研磨工程を省略することもできる。
【００６８】
［工程−１３０］（図１１Ａ及び図１１Ｂ、並びに、図１２Ａ及び図１２Ｂ参照）
その後、金属フレームとチップ状半導体素子とを封止した封止層を支持体から剥離する。
【００６９】
先ず、粘着層２に対して粘着力を低下させる処理を行う。具体的には、支持体１側から紫外線を照射する処理を行う（図１１Ａ及び図１２Ａ参照）。次いで、金属フレームとチップ状半導体素子３とを封止した封止層４を支持体１から剥離する（図１１Ｂ及び図１２Ｂ参照）。金属フレームとチップ状半導体素子３とを封止した封止層４によって、再配線層８の形成前の疑似ウエハ１００が構成される。
【００７０】
次いで、封止層４の剥離面側に再配線層８を設ける工程、更には、疑似ウエハ１００のダイシング工程について説明する。
【００７１】
図１３は、図１１Ｂに示す工程によって支持体から剥離された状態の疑似ウエハを説明するための図であって、疑似ウエハの模式的な斜視図である。尚、説明の都合上、後述する工程により形成される再配線層８を破線で示した。
【００７２】
尚、図示および説明の都合上、図１３においては、再配線層８の一部を切り欠いた状態とし、金属フレーム１０の開口やチップ状半導体素子３の配置を誇張して示した。
【００７３】
先ず、図１４及び図１５を参照して、封止層４の剥離面側に再配線層８を設ける工程について説明する。基本的には、図１３にＣ−Ｃで示す部分の断面図（Ｃ−Ｃ断面図）と、図１３にＤ−Ｄで示す部分の断面図（Ｄ−Ｄ断面図）とを参照して説明を行う。尚、図１４はＣ−Ｃ断面図、図１５はＤ−Ｄ断面図である。
【００７４】
［工程−１４０］（図１４Ａ及び図１４Ｂ、並びに、図１５Ａ及び図１５Ｂ参照）
必要に応じて封止層４の剥離面に洗浄などの処理を行った後、封止層４の剥離面側に再配線層８を設ける（図１４Ａ及び図１４Ｂ参照）。
【００７５】
例えば、封止層４の剥離面に、絶縁層７の形成、露光現像による接続ビアの形成、スパッタによるシード層の形成、パターニングとめっき処理などといった一連の工程から成る一般的なセミアディティブ法を用いて、再配線層８を形成する。
【００７６】
符号５Ａは、半導体素子間を接続する配線、符号５Ｂは、チップ状半導体素子３の電極に接続される配線（接続ビア）である。符号６は、配線５Ｂ上に形成されるアンダーバンプメタルを示す。配線５Ａ，５Ｂは、例えば、銅、銅合金、アルミニウムなどの導電材料から形成される。
【００７７】
次いで、配線５Ｂに接続されるハンダボール等のバンプ９を全体に亘って形成する（図１４Ｂ及び図１５Ｂ参照）。
【００７８】
以上の工程によって、チップ状半導体素子３と再配線層８とが一体となった疑似ウエハ１００を得ることができる。
【００７９】
引き続き、疑似ウエハ１００のダイシングについて説明する。
【００８０】
図１６Ａは、疑似ウエハをダイシングすることで個片化して得られる半導体装置を示す模式的な平面図である。図１６Ｂは、金属フレームとダイシングされる領域との関係を説明するための模式的な平面図である。
【００８１】
図１６Ａに示す半導体装置１１０は、２つのチップ状半導体素子３（３Ａ，３Ｂ）を含んでいる。この半導体装置１１０は、例えば、図１６Ｂに示すように疑似ウエハ１００をダイシングすることによって得ることができる。符号ＤＧＬはダイシングエリア、符号ＳＡは個片化領域を示す。
【００８２】
図１６Ｂに示すように、金属フレーム１０の格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハ１００のダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列する。また、金属フレーム１０は、疑似ウエハ１００の個片化領域ＳＡの一つあるいは複数によって充填される形状の開口を備えている。
【００８３】
図１７Ａ及び図１７Ｂを参照して、疑似ウエハ１００をダイシングする工程について説明する。これらの図は、図１３にＤ−Ｄで示す部分の断面図（Ｄ−Ｄ断面図）である。尚、理解を助けるため、図１７Ａにおいては、Ｄ−Ｄ断面には顕にならないがダイシングエリアに対応する部分に位置する金属フレーム１０を、細かい破線で示した。
【００８４】
［工程−１５０］（図１７Ａ及び図１７Ｂ参照）
疑似ウエハ１００を、ダイシングテープ２０によってダイシングテーブルに取り付ける（図１７Ａ）。尚、ダイシングテーブルの図示は省略した。
【００８５】
次いで、図１６Ｂに示すダイシングエリアＤＧＬをダイシングして、疑似ウエハ１００を個片化する（図１７Ｂ）。図１７Ｂにおいて、符号ＤＧはダイシングブレードを示す。図１６Ｂに示すように、金属フレーム１０は、疑似ウエハ１００の個片化領域ＳＡの一つあるいは複数によって充填される形状の開口を備えている。従って、金属フレーム１０はその全てがダイシングによって切削される。
【００８６】
以上、本開示の第１の態様に係る半導体装置の製造方法について説明した。ここで、本開示の理解を助けるため、参考例の金属フレームとそれを用いた場合の課題について説明する。
【００８７】
図１８は、参考例の金属フレームの構造を示す平面図である。図１９は、参考例の金属フレームとダイシングされる領域との関係を説明するための模式的な平面図である。
【００８８】
図１８や図１９に示すように、参考例の金属フレーム１０’は、チップ状半導体素子３が２×２個配置される開口が連続して並ぶといった構造である。この場合、上述したと同様のプロセスで疑似ウエハ１００を作成しダイシングするとすれば、ダイシングエリアＤＧＬに位置する枠を、ダイシング長の全般に亘って連続して切削することになる。従って、ダイシングブレードの異常摩耗や破損を生ずる要因となる。更には、切削時に発生する発熱により、高温のまま引き伸ばされた金属片がダイシングシートに接触することでシート自体が破損し、個片化される半導体装置の外形品質の低下を招くなどの要因となる。
【００８９】
これに対し、第１の実施形態にあっては、図１６Ｂを参照して説明したように、ダイシングエリアＤＧＬに位置する枠を、ダイシング長の全般に亘って連続して切削するといったことがない。従って、参考例に対して、ダイシングブレードの摩耗や発熱などが軽減される。更には、発熱に伴うダイシングテープの剥がれや破損も軽減される。結果として、ダイシングにおける歩留りの低下も抑制することができる。
【００９０】
［第２の実施形態］
第２の実施形態も、本開示の第１の態様に係る、金属フレーム、疑似ウエハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。
【００９１】
第１の実施形態において、金属フレームの開口は、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填される形状であった。これに対し、第２の実施形態では、金属フレームは、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填されない形状の開口を備えている点が相違する。
【００９２】
図２０は、第２の実施形態についての図であって、金属フレームの開口が、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填されない場合における、金属フレームとダイシングされる領域との関係を説明するための模式的な平面図である。
【００９３】
図２０は、チップ状半導体素子３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄの組からなる略矩形の領域が、個片化領域ＳＡとなる例を示した。他の構成要素については、第１の実施形態について説明した構成要素と同様であるので、説明を省略する。
【００９４】
図２０に示す構成において、金属フレームの開口は、疑似ウエハ１００の個片化領域ＳＡの一つあるいは複数によって充填されない。従って、金属フレーム１０の枠１２の一部は、ダイシングされずに個片化領域ＳＡに残る。図２１Ａは、図２０に示すダイシングによって得られる半導体装置の模式的な平面図である。図２１Ｂは、半導体装置の模式的な断面図である。
【００９５】
個片化領域ＳＡに枠１２を残し、これを電源線あるいは接地線として利用することができる。金属フレームは再配線よりも厚く構成できるので、電気的特性に優れた配線として利用することができる。更には、半導体装置の放熱機構やパッケージの剛性向上などにも役立てることができる。
【００９６】
第２の実施形態の他の例について説明する。
【００９７】
図２２は、第２の実施形態の他の例であって、金属フレームが、ダイシングエリアから外れた位置に設けられ、個片化領域を縦断するように延びる枠を備えている構成を説明するための模式的な平面図である。
【００９８】
この図で示す金属フレーム１０Ｃは、ダイシングエリアから外れた位置に設けられ、個片化領域を縦断するように延びる枠を備えている。具体的には、図１６Ｂで示した金属フレーム１０Ａに、更に、一点鎖線で示す枠１２Ａを加えたといった構造である。枠１２Ａは、ダイシングエリアから外れた位置に設けられ、個片化領域ＳＡを縦断するように設けられている。
【００９９】
図１６Ｂで説明したのと同様のダイシングを行うことによって、基本的には、図１６Ａと同様の半導体装置１１０を得ることができる。尚、この場合には、個片化領域ＳＡに枠１２Ａが残るので、これを電源線あるいは接地線などとしてとして利用することができる。
【０１００】
［第３の実施形態］
第３の実施形態は、本開示の第１の態様に係る、金属フレーム、疑似ウエハ、半導体装置に関し、更に、本開示の第２の態様に係る半導体装置の製造方法に関する。
【０１０１】
第１の実施形態で説明した製造方法では、支持体へチップ状半導体素子を搭載した後に再配線層を形成するなどして疑似ウエハを形成した。これに対し、第２の実施形態では、支持体に先ず再配線層を形成した後、金属フレームやチップ状半導体素子を配置し、更に、封止層を形成して疑似ウエハを形成する。
【０１０２】
金属フレーム、疑似ウエハ、半導体装置といった構成については、第１の実施形態について説明した構成要素と同様であるので、説明を省略する。
【０１０３】
第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
支持体上に再配線層を設け、次いで、
再配線層上に、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを配置し、その後、
金属フレームの開口の部分における再配線層上に、チップ状半導体素子を配置し、次いで、
金属フレームおよびチップ状半導体素子を含む再配線層の上の全面に封止層を設け、その後、
再配線層を支持体から剥離する、
ことによって、チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハを完成する工程を含む。
【０１０４】
以下、図２３ないし図２６を参照して、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。尚、これらの図は、第１の実施形態において参照した図６のＡ−Ａ断面に相当する断面あるいは図１３のＣ−Ｃ断面に相当する部分の断面図である。
【０１０５】
［工程−２００］（図２３Ａ）
支持体１を準備し、その上に、粘着層２を形成する。この工程は、第１の実施形態において説明した［工程−１００］と同様であるので、説明を省略する。
【０１０６】
［工程−２１０］（図２３Ｂ参照）
次いで、支持体１（より具体的には粘着層２）上に、再配線層８を設ける。再配線層８を構成する配線５Ａ，５Ｂ、アンダーバンプメタル６などの積層順序が相違するが、基本的には、第１の実施形態において説明したのと同様に、一般的なセミアディティブ法を用いて再配線層８を形成することができる。
【０１０７】
［工程−２２０］（図２３Ｃ参照）
その後、再配線層８上に、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを配置する。
【０１０８】
先ず、金属フレーム１０を再配線層８上に配置する（図２３Ｃ参照）。第１の実施形態と同様に、予め形成されている金属フレームを配置するといった構成でもよいが、再配線層８の形成の際に併せて、例えばめっき工程によって、所定領域上に金属材料層を形成することによって、金属材料層から成る金属フレームを再配線層８上に配置するといった構成とするのが、プロセスの連続性を考えると好ましい。
【０１０９】
［工程−２３０］（図２４Ａ参照）
次いで、金属フレームの開口内の再配線層８上に、チップ状半導体素子３を配置する（図２４参照）。チップ状半導体素子３には予めバンプを形成しておき、電極面を下にしたフリップチップ実装、及び、リフロー工程などを経て、先に作られた再配線などとの電気的、更には、機械的な接合を行う。
【０１１０】
［工程−２４０］（図２４Ｂ参照）
次いで、金属フレームおよびチップ状半導体素子を含む再配線層８の上の全面に封止層４を設ける。
【０１１１】
具体的には、第１の実施形態において説明した［工程−１２０］と同様の工程を行えばよいので、説明を省略する。
【０１１２】
［工程−２５０］（図２５Ａ及び図２５Ｂ参照）
その後、再配線層を支持体から剥離して、チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハを得る。
【０１１３】
先ず、粘着層２に対して粘着力を低下させる処理を行う。具体的には、支持体１側から紫外線を照射する処理を行う（図２５Ａ参照）。次いで、再配線層８を支持体１から剥離する（図２５Ｂ参照）。金属フレームとチップ状半導体素子３とを封止した封止層４と再配線層８によって、疑似ウエハ１００が構成される。
【０１１４】
［工程−２６０］（図２６参照）
必要に応じて疑似ウエハ１００の再配線層８の剥離面に洗浄などの処理を行った後、配線５Ｂに接続されるハンダボール等のバンプ９を全体に亘って形成する。
【０１１５】
以上の工程によって、チップ状半導体素子３と再配線層８とが一体となった疑似ウエハ１００を得ることができる。疑似ウエハ１００のダイシングについては、第１の実施形態や第２の実施形態において説明した事項と同様であるので、説明を省略する。
【０１１６】
［第４の実施形態］
本開示に係る第４の実施形態は、上述した各実施形態によって得られる半導体装置を搭載した電子機器である。電子機器の概略構成を図２７に示す。
【０１１７】
電子機器１１００は、例えば、横長の扁平な形状に形成された外筐１１０１の内外に所要の各部が配置されて成り、例えば、ゲーム機器として用いられる。
【０１１８】
外筐１１０１の前面には、左右方向における中央部に表示パネル１１０２が設けられ、表示パネル１１０２の左右には、それぞれ、周方向に離隔して配置された４つの操作キー１１０３と、４つの操作キー１１０４が設けられている。また、外筐１１０１の前面における下端部には、４つの操作キー１１０５が設けられている。操作キー１１０３、操作キー１１０４、及び、操作キー１１０５は、表示パネル１１０２に表示されるメニュー項目の選択やゲームの進行などに用いられる方向キーや決定キーとして機能する。
【０１１９】
外筐１１０１の上面には、外部機器を接続するための接続端子１１０６、電力供給用の供給端子１１０７、外部機器との赤外線通信を行う受光窓１１０８などが設けられている。
【０１２０】
引き続き、電子機器１１００の回路構成について説明する。
【０１２１】
図２８は、図２７に示す電子機器の回路構成を示す模式的なブロック図である。
【０１２２】
電子機器１１００は、メインＣＰＵ（Central Processing Unit）１１１０とシステムコントローラー１１２０とを備えている。メインＣＰＵ１１１０とシステムコントローラー１１２０には、例えば、図示しないバッテリーから異なる系統で電力が供給される。電子機器１１００は、更に、ユーザーにより設定された各種の情報を保持するメモリーなどから成る設定情報保持部１１３０を有している。メインＣＰＵ１１１０、システムコントローラー１１２０、及び、設定情報保持部１１３０は、本開示による一体の半導体装置として構成されている。
【０１２３】
メインＣＰＵ１１１０は、各種の情報の設定やアプリケーションの選択をユーザーに行わせるためのメニュー画面を生成するメニュー処理部１１１と、アプリケーションを実行するアプリケーション処理部１１２とを有している。設定された情報は、メインＣＰＵ１１１０によって設定情報保持部１１３０に送出され、設定情報保持部１１３０において保持される。システムコントローラー１１２０は操作入力受付部１２１、通信処理部１２２及び電力制御部１２３を有している。操作入力受付部１２１によって操作キー１１０３、操作キー１１０４、及び、操作キー１１０５の状態検出が行われ、通信処理部１２２によって外部機器との間の通信処理が行われ、電力制御部１２３によって各部に供給される電力の制御が行われる。
【０１２４】
［その他］
以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、基板、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。
【０１２５】
尚、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
【０１２６】
［Ａ１］
チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハに用いられる金属フレームであって、
チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されており、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている、
金属フレーム。
［Ａ２］
金属フレームは、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填される形状の開口を備えている、
上記［Ａ１］に記載の金属フレーム。
［Ａ３］
金属フレームは、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填されない形状の開口を備えている、
上記［Ａ１］に記載の金属フレーム。
［Ａ４］
金属フレームは、ダイシングエリアから外れた位置に設けられ、個片化領域を縦断するように延びる枠を備えている、
上記［Ａ１］に記載の金属フレーム。
［Ａ５］
金属フレームを構成する材料は、銅、銅合金、及び、鉄合金のいずれかから成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ４］のいずれかに記載の金属フレーム。
［Ａ６］
金属フレームは、金属材料から成る素材にプレス法もしくはエッチング法によって抜き加工を施すことによって構成されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ５］のいずれかに記載の金属フレーム。
［Ａ７］
金属フレームは、枠に対応する部分に金属材料層をめっき工程によって形成することによって構成されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ５］のいずれかに記載の金属フレーム。
【０１２７】
［Ｂ１］
チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハであって、
チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを含んでおり、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている、
疑似ウエハ。
［Ｂ２］
金属フレームは、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填される形状の開口を備えている、
上記［Ｂ１］に記載の疑似ウエハ。
［Ｂ３］
金属フレームは、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填されない形状の開口を備えている、
上記［Ｂ１］に記載の疑似ウエハ。
［Ｂ４］
金属フレームは、ダイシングエリアから外れた位置に設けられ、個片化領域を縦断するように延びる枠を備えている、
上記［Ｂ１］に記載の疑似ウエハ。
［Ｂ５］
金属フレームを構成する材料は、銅、銅合金、及び、鉄合金のいずれかから成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ４］のいずれかに記載の疑似ウエハ。
［Ｂ６］
金属フレームは、金属材料から成る素材にプレス法もしくはエッチング法によって抜き加工を施すことによって構成されている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ５］のいずれかに記載の疑似ウエハ。
［Ｂ７］
金属フレームは、枠に対応する部分に金属材料層をめっき工程によって形成することによって構成されている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ５］のいずれかに記載の疑似ウエハ。
【０１２８】
［Ｃ１］
半導体装置を備えた電子機器であって、
チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハがダイシングによって個片化されて成る半導体装置を備えた電子機器であって、
疑似ウエハは、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを含んでおり、
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されている、
電子機器。
［Ｃ２］
金属フレームは、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填される形状の開口を備えている、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ３］
金属フレームは、疑似ウエハの個片化領域の一つあるいは複数によって充填されない形状の開口を備えている、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ４］
金属フレームは、ダイシングエリアから外れた位置に設けられ、個片化領域を縦断するように延びる枠を備えている、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ５］
金属フレームを構成する材料は、銅、銅合金、及び、鉄合金のいずれかから成る、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ６］
金属フレームは、金属材料から成る素材にプレス法もしくはエッチング法によって抜き加工を施すことによって構成されている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ５］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ７］
金属フレームは、枠に対応する部分に金属材料層をめっき工程によって形成することによって構成されている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ５］のいずれかに記載の電子機器。
【０１２９】
［Ｄ１］
支持体上に、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームと、チップ状半導体素子とを配置し、次いで、
金属フレームとチップ状半導体素子とを含む支持体の上の全面に封止層を設け、その後、
金属フレームとチップ状半導体素子とを封止した封止層を支持体から剥離し、次いで、
封止層の剥離面側に再配線層を設ける、
ことによって、チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハを完成する工程を含む、
半導体装置の製造方法。
［Ｄ２］
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されており、
疑似ウエハをダイシングによって個片化し、チップ状半導体素子と再配線層とを含む半導体装置を得る、
上記［Ｄ１］に記載の半導体装置の製造方法。
［Ｄ３］
予め形成されている金属フレームを支持体上に配置する、
上記［Ｄ１］または［Ｄ２］に記載の半導体装置の製造方法。
［Ｄ４］
支持体の所定領域上に金属材料層を形成することによって、金属材料層から成る金属フレームを支持体上に配置する、
上記［Ｄ１］または［Ｄ２］に記載の半導体装置の製造方法。
［Ｄ５］
金属材料層をめっき工程によって形成する、
上記［Ｄ４］に記載の半導体装置の製造方法。
【０１３０】
［Ｅ１］
支持体上に再配線層を設け、次いで、
再配線層上に、チップ状半導体素子が配置される開口が複数設けられ隣接する開口間の部分から成る枠によって格子構造が形成されている金属フレームを配置し、その後、
金属フレームの開口の部分における再配線層上に、チップ状半導体素子を配置し、次いで、
金属フレームおよびチップ状半導体素子を含む再配線層の上の全面に封止層を設け、その後、
再配線層を支持体から剥離する、
ことによって、チップ状半導体素子と再配線層とが一体となった疑似ウエハを完成する工程を含む、
半導体装置の製造方法。
［Ｅ２］
格子構造を形成する枠のうち、疑似ウエハのダイシングエリアに配置される枠は、不連続に配列するように構成されており、
疑似ウエハをダイシングによって個片化し、チップ状半導体素子と再配線層とを含む半導体装置を得る、
上記［Ｅ１］に記載の半導体装置の製造方法。
［Ｅ３］
予め形成されている金属フレームを支持体上に配置する、
上記［Ｅ１］または［Ｅ２］に記載の半導体装置の製造方法。
［Ｅ４］
支持体の所定領域上に金属材料層を形成することによって、金属材料層から成る金属フレームを支持体上に配置する、
上記［Ｅ１］または［Ｅ２］に記載の半導体装置の製造方法。
［Ｅ５］
金属材料層をめっき工程によって形成する、
上記［Ｅ４］に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１３１】
１・・・支持体、２・・・粘着層、３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ・・・チップ状半導体素子、４・・・封止層、５Ａ・・・配線、５Ｂ・・・配線（接続ビア）、６・・・アンダーバンプメタル、７・・・絶縁層、８・・・再配線層、９・・・バンプ、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０’・・・金属フレーム、１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ、１１Ｄ・・・開口、１２，１２Ａ・・・枠、２０・・・ダイシングテープ、１００・・・疑似ウエハ、１１０・・・半導体装置、ＤＧ・・・ダイシングブレード、ＤＧＬ・・・ダイシングエリア、ＳＡ・・・個片化領域、１１００・・・電子機器、１１０１・・・外筐、１１０２・・・表示パネル、１１０３・・・操作キー、１１０４・・・操作キー、１１０５・・・操作キー、１１０６・・・端子、１１０７・・・電力供給用の供給端子、１１０８・・・受光窓、１１１０・・・メインＣＰＵ、１１１１・・・メニュー処理部、１１１２・・・アプリケーション処理部、１１２０・・・システムコントローラー、１１２１・・・操作入力受付部、１１２２・・・通信処理部、１１２３・・・電力制御部、１１３０・・・設定情報保持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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