(57)【要約】【課題】振動片が備える振動腕の形状にバラツキが生じることに起因する特性低下を低減して、複数の振動片を高い歩留まりで製造することができる振動片の製造方法、振動素子の製造方法および振動デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】振動片の製造方法は、水晶基板４０上にマスク４１Ｍを形成する工程と、プラズマを用いてマスク４１Ｍを介して水晶基板４０をエッチングすることにより、振動腕を有する振動片２を形成する工程と、を有し、水晶基板４０の外周は、角部４０３を形成する１対の辺４０１を有し、マスク４１Ｍは、振動片２に対応する形状をなしていて辺４０１に対して傾斜した向きで配置されている素子パターン部４５を有し、エッチングする工程は、素子パターン部４５の振動腕に対応する部分４５１の延出方向がプラズマの中心を向いた状態で行う。【選択図】図６
2017073603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハー上にマスクを形成する工程と、
プラズマを用いて前記マスクを介して前記ウエハーをエッチングすることにより、振動腕を有する振動片を形成する工程と、を有し、
前記ウエハーの外周は、角部を形成する１対の辺を有し、
前記マスクは、前記振動片に対応する形状をなしていて前記辺に対して傾斜した向きで配置されている素子パターン部を有し、
前記エッチングする工程は、前記素子パターン部の前記振動腕に対応する部分の延出方向またはその反対方向が前記プラズマの中心を向いた状態で行うことを特徴とする振動片の製造方法。
【請求項２】
前記エッチングする工程の前に、複数の前記ウエハーを支持基板上に載置する工程を有し、
前記エッチングする工程は、前記ウエハーを前記支持基板上に載置した状態で行う請求項１に記載の振動片の製造方法。
【請求項３】
少なくとも３つの前記ウエハーを互いの前記角部が基準点側に向くように前記支持基板上に載置する請求項２に記載の振動片の製造方法。
【請求項４】
前記ウエハーを前記支持基板上に載置する工程において、２つの前記角部同士の間の距離が前記ウエハーの幅よりも小さい請求項３に記載の振動片の製造方法。
【請求項５】
前記ウエハーを前記支持基板上に載置する工程において、４つの前記ウエハーを前記基準点まわりに周方向に並べて前記支持基板上に載置する請求項３または４に記載の振動片の製造方法。
【請求項６】
前記ウエハーを前記支持基板上に載置する工程において、３つの前記ウエハーを前記基準点まわりに周方向に並べて前記支持基板上に載置する請求項３または４に記載の振動片の製造方法。
【請求項７】
前記ウエハーを前記支持基板上に載置する工程において、２つの前記ウエハー間に、前記ウエハーと異なる他のウエハーが配置されている請求項３に記載の振動片の製造方法。
【請求項８】
前記支持基板がシリコンウエハーである請求項２ないし７のいずれか１項に記載の振動片の製造方法。
【請求項９】
前記ウエハーが水晶ウエハーであり、
前記素子パターン部の前記振動腕に対応する部分の延出方向が水晶の機械軸に沿っている請求項１ないし８のいずれか１項に記載の振動片の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の振動片の製造方法を用いて振動片を製造する工程と、
前記振動片上に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする振動素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の振動片の製造方法を用いて振動片を製造する工程と、
前記振動片を回路基板上に設置する工程と、を有することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記振動片は、物理量を検出する物理量センサー素子片である請求項１１に記載の振動デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記振動片は、角速度を検出するジャイロ素子片である請求項１２に記載の振動デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動片の製造方法、振動素子の製造方法および振動デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
振動腕を有する振動片は、例えば、水晶振動子やジャイロ素子等の振動素子に用いられる。このような振動片の製造方法として、水晶基板やシリコン基板等の基板をドライエッチングによりパターニングする方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。かかる方法では、例えば、特許文献１に開示されているように、１枚のシリコン基板上に複数の水晶ウエハーを載置した状態で、複数の水晶ウエハーを一括してドライエッチングする。このようにドライエッチングを行うに際し、各水晶ウエハー上にマスクを形成した状態で行うが、特許文献１では、振動片に対応する形状の複数のマスクパターンを同じ向きに揃えて形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−０１７５６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の方法では、前述したようにドライエッチングを行うと、複数のマスクパターンの向きの違いによるエッチャントの入射角度の差に起因して、得られる複数の振動片の側面形状にバラツキが生じてしまうという問題があった。
【０００５】
特許文献１では、このような振動片の側面形状のバラツキに起因する不要信号の発生を抑えるため、振動片に設ける電極の位置等を調整している。しかし、このような調整では、振動片の側面形状が意図する形状から大きくずれてしまった場合、不要信号を十分に抑えることが難しい。
【０００６】
本発明の目的は、振動片が備える振動腕の形状にバラツキが生じることに起因する特性低下を低減して、複数の振動片を高い歩留まりで製造することができる振動片の製造方法、振動素子の製造方法および振動デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の振動片の製造方法は、ウエハー上にマスクを形成する工程と、
プラズマを用いて前記マスクを介して前記ウエハーをエッチングすることにより、振動腕を有する振動片を形成する工程と、を有し、
前記ウエハーの外周は、角部を形成する１対の辺を有し、
前記マスクは、前記振動片に対応する形状をなしていて前記辺に対して傾斜した向きで配置されている素子パターン部を有し、
前記エッチングする工程は、前記素子パターン部の前記振動腕に対応する部分の延出方向またはその反対方向が前記プラズマの中心を向いた状態で行うことを特徴とする。
【０００８】
このような振動片の製造方法によれば、素子パターン部がウエハーの辺に対して傾斜した向きで配置されているため、複数のウエハーを互いにプラズマに対する素子パターン部の向きを揃えて近づけた状態で配置することができる。これにより、ドライエッチング装置で発生するプラズマの中心側と外側とに粗密が生じても、複数のウエハーの素子パターン部に対応して得られる振動片の振動腕の加工バラツキを低減することができる。そのため、振動片が備える振動腕の形状にバラツキが生じることに起因する特性低下を低減して、複数の振動片を高い歩留まりで製造することができる。
【０００９】
本発明の振動片の製造方法では、前記エッチングする工程の前に、複数の前記ウエハーを支持基板上に載置する工程を有し、
前記エッチングする工程は、前記ウエハーを前記支持基板上に載置した状態で行うことが好ましい。
これにより、複数の振動片を効率的に製造することができる。
【００１０】
本発明の振動片の製造方法では、少なくとも３つの前記ウエハーを互いの前記角部が基準点側に向くように前記支持基板上に載置することが好ましい。
【００１１】
これにより、複数のウエハーを互いにプラズマに対する素子パターン部の向きを揃えて近づけた状態で効率的に配置することができる。
【００１２】
本発明の振動片の製造方法では、前記ウエハーを前記支持基板上に載置する工程において、２つの前記角部同士の間の距離が前記ウエハーの幅よりも小さいことが好ましい。
これにより、複数のウエハーをプラズマの中心側に配置することができる。
【００１３】
本発明の振動片の製造方法では、前記ウエハーを前記支持基板上に載置する工程において、４つの前記ウエハーを前記基準点まわりに周方向に並べて前記支持基板上に載置することが好ましい。
【００１４】
これにより、２つの辺のなす角度が９０°である場合において、複数のウエハーを互いにプラズマに対する素子パターン部の向きを揃えて近づけた状態で効率的に配置することができる。
【００１５】
本発明の振動片の製造方法では、前記ウエハーを前記支持基板上に載置する工程において、３つの前記ウエハーを前記基準点まわりに周方向に並べて前記支持基板上に載置することが好ましい。
【００１６】
これにより、２つの辺のなす角度が９０°以上である場合において、複数のウエハーを互いにプラズマに対する素子パターン部の向きを揃えて近づけた状態で効率的に配置することができる。
【００１７】
本発明の振動片の製造方法では、前記ウエハーを前記支持基板上に載置する工程において、２つの前記ウエハー間に、前記ウエハーと異なる他のウエハーが配置されていることが好ましい。
【００１８】
これにより、支持基板上に載置するウエハーの数を多くして、一回のエッチングで得られる振動片の数を多くすることができる。
【００１９】
本発明の振動片の製造方法では、前記支持基板がシリコンウエハーであることが好ましい。
【００２０】
これにより、水晶ウエハーの幅はシリコンウエハーの幅よりも大幅に小さいため、ウエハーとして水晶ウエハーを用いた場合、シリコンウエハー上に複数のウエハーを載置することができる。また、シリコンウエハーに形成されたオリフラやノッチを利用して、シリコンウエハー上に高精度にウエハーを配置することができる。また、シリコンウエハーは、ドライエッチング装置に載置しやすく、シリコンウエハー上のウエハーを安定して加工を行うことができる。
【００２１】
本発明の振動片の製造方法では、前記ウエハーが水晶ウエハーであり、
前記素子パターン部の前記振動腕に対応する部分の延出方向が水晶の機械軸に沿っていることが好ましい。
これにより、優れた特性を有する振動片を得ることができる。
【００２２】
本発明の振動素子の製造方法は、本発明の振動片の製造方法を用いて振動片を製造する工程と、
前記振動片上に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２３】
このような振動素子の製造方法によれば、振動片が備える振動腕の形状にバラツキが生じることに起因する特性低下を低減して、複数の振動素子を高い歩留まりで製造することができる。
【００２４】
本発明の振動デバイスの製造方法は、本発明の振動片の製造方法を用いて振動片を製造する工程と、
前記振動片を回路基板上に設置する工程と、を有することを特徴とする。
【００２５】
このような振動デバイスの製造方法によれば、振動片が備える振動腕の形状にバラツキが生じることに起因する特性低下を低減して、複数の振動デバイスを高い歩留まりで製造することができる。
【００２６】
本発明の振動デバイスの製造方法では、前記振動片は、物理量を検出する物理量センサー素子片であることが好ましい。
これにより、検出精度の高い物理量センサーを製造することができる。
【００２７】
本発明の振動デバイスの製造方法では、前記振動片は、角速度を検出するジャイロ素子片であることが好ましい。
これにより、検出精度の高いジャイロセンサーを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の振動素子の製造方法で製造される振動素子の一例を示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る振動片の製造方法を説明する図である。
【図５】図４に示すマスク形成工程を説明する断面図である。
【図６】図４に示すマスク形成工程を説明する平面図である。
【図７】図４に示すエッチング工程に用いるドライエッチング装置を概略的に示す図である。
【図８】図４に示すエッチング工程におけるウエハーの配置（図４に示すウエハーの配置工程）を説明する平面図である。
【図９】図４に示すエッチング工程を説明する断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る振動片の製造方法におけるウエハー配置工程を説明する平面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る振動片の製造方法におけるウエハー配置工程を説明する平面図である。
【図１２】図１１に示す支持基板上に配置されたウエハー（第１実施形態と異なるウエハー）上に形成されたマスクパターンを説明するための平面図である。
【図１３】本発明の振動デバイスの製造方法で製造される振動デバイスの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の振動片の製造方法、振動素子の製造方法および振動デバイスの製造方法を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
１．振動素子
まず、本発明の振動片および振動素子の製造方法の説明に先立ち、本発明の振動片の製造方法で製造される振動片およびこれを備える振動素子（本発明の振動素子の製造方法で製造される振動素子）の一例について説明する。
【００３１】
図１は、本発明の振動素子の製造方法で製造される振動素子の一例を示す平面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。図３は、図１中のＢ−Ｂ線断面図である。
【００３２】
なお、以下では、説明の便宜上、各図において、互いに直交する３つの軸として、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を図示しており、各軸を示す矢印の先端側を「＋」、基端側を「−」とする。また、ｘ軸に平行な方向を「ｘ軸方向」、ｙ軸に平行な方向を「ｙ軸方向」、ｚ軸に平行な方向を「ｚ軸方向」という。また、＋ｚ軸方向側を「上」、−ｚ軸方向側を「下」ともいう。また、図１では、説明の便宜上、各電極の図示を省略している。
【００３３】
図１に示す振動素子１は、角速度検出素子（ジャイロ素子）である。この振動素子１は、振動片２と、振動片２に形成された電極（図２および図３参照）と、を有している。
【００３４】
−振動片−
振動片２の構成材料としては、例えば、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料が挙げられる。これらの中でも、振動片２の構成材料としては、水晶を用いることが好ましい。水晶を用いることで、他の材料と比較して優れた周波数温度特性を有する振動素子１が得られる。なお、以下では、振動片２を水晶で構成した場合について説明する。
【００３５】
振動片２は、水晶基板の結晶軸であるＹ軸（機械軸）およびＸ軸（電気軸）で規定されるＸＹ平面に広がりを有し、Ｚ軸（光軸）方向に厚みを有する板状をなしている。すなわち、振動片２は、Ｚカット水晶板で構成されている。なお、Ｚ軸は、振動片２の厚さ方向と必ずしも一致している必要はなく、常温近傍における周波数の温度による変化を小さくする観点から、厚さ方向に対して若干傾けてもよい。具体的には、Ｚカット水晶板とは、Ｚ軸に直交した面をＸ軸およびＹ軸の少なくとも一方を中心に０度〜１０度の範囲で回転させた面が、主面となるようなカット角の水晶板を含む。
【００３６】
この振動片２は、基部２１と、基部２１から延出している１対の駆動振動腕２２１、２２２および１対の検出振動腕２３１、２３２と、支持部２５と、基部２１と支持部２５とを連結する４つの連結部２６１、２６２、２６３、２６４とを有し、これらが一体的に形成されている。
【００３７】
駆動振動腕２２１、２２２は、ｘ軸方向に沿って並んで配置され、それぞれ、基部２１から−ｙ軸方向に延出している。なお、図示では、駆動振動腕２２１、２２２の各幅が一定であるが、これに限定されず、例えば、駆動振動腕２２１、２２２の先端部の幅が広くなっていてもよい。また、駆動振動腕２２１、２２２の各横断面が矩形であるが、これに限定されず、例えば、駆動振動腕２２１、２２２の上面および下面のそれぞれに延在方向に沿った溝が形成されていてもよいし、上面および下面に開口する貫通孔が形成されていてもよい。
【００３８】
検出振動腕２３１、２３２は、ｘ軸方向に沿って並んで配置され、それぞれ、基部２１から＋ｙ軸方向に延出している。なお、図示では、検出振動腕２３１、２３２の各幅が一定であるが、これに限定されず、例えば、検出振動腕２３１、２３２の先端部の幅が広くなっていてもよい。また、検出振動腕２３１、２３２の各横断面が矩形であるが、これに限定されず、例えば、検出振動腕２３１、２３２の上面および下面のそれぞれに延在方向に沿った溝が形成されていてもよいし、上面および下面に開口する貫通孔が形成されていてもよい。
【００３９】
支持部２５は、連結部２６１、２６２、２６３、２６４を介して基部２１を支持する機能を有している。この支持部２５は、基部２１に対して−ｙ軸方向側に配置されていてｘ軸方向に沿って延びている長尺状をなす第１部分、当該第１部分の両端部から＋ｙ軸方向に沿って延びている２つの第２部分と、を有している。
【００４０】
連結部２６１、２６２は、それぞれ、途中で屈曲した部分を有する長尺状をなしている。そして、連結部２６１、２６２は、支持部２５の２つの第２部分と、基部２１のｘ軸方向側の両端部とを連結している。また、連結部２６３、２６４は、それぞれ、途中で屈曲した部分を有する長尺状をなしている。そして、連結部２６３、２６４は、支持部２５の第１部分と、基部２１のｘ軸方向側の両端部とを連結している。
【００４１】
−電極−
前述した振動片２の表面に設けられている電極は、駆動振動腕２２１、２２２に設けられている駆動信号電極５１および駆動接地電極５２（図２参照）と、検出振動腕２３１、２３２に設けられている検出信号電極５３および検出接地電極５４（図３参照）と、を有している。また、当該電極は、図示しないが、支持部２５に設けられていて駆動信号電極５１、駆動接地電極５２、検出信号電極５３および検出接地電極５４の各電極に電気的に接続されている端子を有している。
【００４２】
駆動信号電極５１は、駆動振動腕２２１、２２２の駆動振動を励起させるための駆動信号が入力される電極である。図２に示すように、この駆動信号電極５１は、駆動振動腕２２１の上面および下面と、駆動振動腕２２２の両側面とにそれぞれ形成されている。一方、駆動接地電極５２は、駆動信号電極５１に対してグランドとなる電位を有する。この駆動接地電極５２は、駆動振動腕２２１の両側面と、駆動振動腕２２２の上面および下面とにそれぞれ形成されている。
【００４３】
検出信号電極５３は、検出振動腕２３１、２３２の検出振動が励起されたときに、その検出振動によって発生する電荷を検出信号として出力するための電極である。図３に示すように、この検出信号電極５３は、検出振動腕２３１の上面右側部分および下面左側部分と、検出振動腕２３２の上面左側部分および下面右側部分とにそれぞれ形成されている。一方、検出接地電極５４は、検出信号電極５３に対してグランドとなる電位を有する。この検出接地電極５４は、検出振動腕２３１の上面左側部分および下面右側部分と、検出振動腕２３２の上面右側部分および下面左側部分とにそれぞれ形成されている。
【００４４】
以上のような電極の構成としては、導電性を有していれば特に限定されないが、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）などのメタライズ層（下地層）に、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）などの各被膜を積層した金属被膜で構成することができる。
【００４５】
以上、振動素子１の構成について説明した。以上説明したように構成された振動素子１は、以下のようにして角速度を検出する。
【００４６】
振動素子１に角速度が加わらない状態において、駆動信号電極５１に駆動信号を入力することで駆動信号電極５１と駆動接地電極５２との間に電界が生じると、駆動振動腕２２１、２２２は、図１中矢印αで示すようにｘ軸方向に互いに反対方向となるように屈曲振動（駆動振動）を行う。
【００４７】
この駆動振動を行っている状態で、ｙ軸方向に沿った中心軸ａ１まわりの角速度ωが振動素子１に加わると、駆動振動腕２２１、２２２にコリオリ力が作用し、このコリオリ力により、駆動振動腕２２１、２２２がｚ軸方向に互いに反対方向となるように屈曲振動する。これに伴い、検出振動腕２３１、２３２は、図１中矢印βで示すようにｚ軸方向に互いに反対方向となるように屈曲振動（検出振動）する。この検出振動により、検出振動腕２３１、２３２に発生した電荷を、検出信号電極５３から検出信号として取り出し、この検出信号に基づいて角速度が求められる。
【００４８】
（振動片の製造方法）
次に、本発明の振動片の製造方法について、前述した振動素子１の振動片２を製造する場合を例に説明する。
【００４９】
＜第１実施形態＞
図４は、本発明の第１実施形態に係る振動片の製造方法を説明する図である。図５は、図４に示すマスク形成工程を説明する断面図である。図６は、図４に示すマスク形成工程を説明する平面図である。図７は、図４に示すエッチング工程に用いるドライエッチング装置を概略的に示す図である。図８は、図４に示すエッチング工程におけるウエハーの配置（図４に示すウエハーの配置工程）を説明する平面図である。図９は、図４に示すエッチング工程を説明する断面図である。なお、図６では、水晶の３つの結晶軸であるＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示している。
【００５０】
振動片２の製造方法は、図４に示すように、［１］ウエハー上にマスクを形成するマスク形成工程（ステップＳ１）と、［２］ウエハーを支持基板上に配置するウエハー配置工程（ステップＳ２）と、［３］ウエハーをエッチングするエッチング工程（ステップＳ３）と、を有する。以下、各工程を順次説明する。
【００５１】
［１］マスク形成工程
まず、図５に示すように、水晶基板４０（水晶ウエハー）の一方の面上にマスク４１Ｍ、他方の面上にマスク４２Ｍを形成する。これにより、水晶基板４０およびマスク４１Ｍ、４２Ｍを備える被処理基板４を得る。
【００５２】
具体的には、例えば、まず、平面視で矩形をなす水晶基板４０を用意し、その水晶基板４０の上面（一方の面）上にフォトレジストを塗布して、複数の振動片２と、これらを囲む枠体と、枠体と振動片２とを連結する連結部とを除く部分に対応する形状に露光・現像することにより、レジストマスクを得る。次に、レジストマスクが形成された状態で水晶基板４０の両面にそれぞれ、例えば蒸着法、スパッタ法等によりＣｒ層、Ａｕ層をこの順で成膜し、Ａｕ層上に例えばめっき法等によりＮｉ層を成膜する。その後、レジストマスクを例えばエッチング等により除去することによりマスク４１Ｍ、４２Ｍを得る。
【００５３】
なお、前述した説明では、マスク４１Ｍ、４２Ｍは、それぞれ、水晶基板４０側からＣｒ層、Ａｕ層、Ｎｉ層がこの順で積層した構成であったが、マスク４１Ｍ、４２Ｍの構成は、エッチングする際に用いられるメタルマスクとして機能するものであれば、いかなるものであってもよい。
【００５４】
図６に示すように、マスク４１Ｍは、振動片２に対応した形状の１０個の素子パターン部４５と、これらの素子パターン部４５を囲む枠体部４３０と、各素子パターン部４５と枠体部４３０とを連結する連結部４４０と、を有している。
【００５５】
ここで、水晶基板４０は、Ｚカット水晶板である。また、水晶基板４０の外周は、平面視で、互いに隣り合って角部４０３を形成する２つの辺４０１と、互いに隣り合って角部４０３に対向する（対角関係にある）角部４０４を形成する２つの辺４０２と、を有する矩形をなしている。各辺４０１、４０２は、水晶のＸ軸およびＹ軸に対して傾斜した方向に沿って延びている。また、角部４０３と角部４０４との対角線（これらの角部を結ぶ仮想線分）が水晶のＹ軸に沿っている。図６では、各角部４０３、４０４の角度（辺４０１同士のなす角度および辺４０２同士のなす角度）が９０°であり、水晶基板４０の各辺４０１、４０２が水晶のＸ軸またはＹ軸に対して４５°傾斜している。なお、この傾斜の角度は、素子パターン部４５の向きを前述した対角線に平行とする場合、４５°にできるだけ近いことが好ましいが、４５°±１７°の範囲であれば、得られる振動片２の特性低下を低減することができる。
【００５６】
マスク４１Ｍに設けられた１０個の素子パターン部４５は、角部４０３と角部４０４との間で水晶のＹ軸方向に沿って並んで配置されている４つの素子パターン部４５ｂと、素子パターン部４５ｂに対して水晶の−Ｘ軸方向側にて水晶のＹ軸方向に沿って並んで配置されている２つの素子パターン部４５ａと、素子パターン部４５ｂに対して水晶の＋Ｘ軸方向側にて水晶のＹ軸方向に沿って並んで配置されている２つの素子パターン部４５ｃと、素子パターン部４５ａに対して水晶の−Ｘ軸方向側に配置されている１つの素子パターン部４５ｄと、素子パターン部４５ｃに対して水晶の＋Ｘ軸方向側に配置されている１つの素子パターン部４５ｅと、で構成されている。
【００５７】
また、前述したように、各素子パターン部４５は、図１に示す振動片２とほぼ同等の平面視形状をなしている。このため、各素子パターン部４５は、前述した振動片２の基部２１、駆動振動腕２２１、２２２、検出振動腕２３１、２３２、支持部２５および連結部２６１、２６２、２６３、２６４の各部に対応する部分を有する。
【００５８】
各素子パターン部４５は、辺４０１、４０２に対して傾斜した向きで配置されている。より具体的には、１０個の素子パターン部４５は、図６に示すように、それぞれ、部分４５１の延出方向ａ２（以下、「素子パターン部４５の向き」ともいう）がＹ軸方向に沿うように配置されている。また、１０個の素子パターン部４５は、それぞれ、部分４５１の延出方向ａ２が＋Ｙ軸方向側となるように（先端が＋Ｙ軸方向側を向くように）配置されている。
【００５９】
また、水晶のＹ軸に対して各素子パターン部４５の向きが傾斜していてもよく、この場合、その傾斜角度は、できるだけ小さくすることが好ましく、具体的には、−１７°以上＋１７°以下であることが好ましい。これにより、得られる振動片２の特性低下を小さくすることができる。
【００６０】
以上のようにして水晶基板４０およびマスク４１Ｍ、４２Ｍを備える被処理基板４を４つ用意する。
【００６１】
［２］ウエハー配置工程
ここで、本工程［２］の説明に先立ち、図７に基づいて、後述するエッチング工程［３］にて被処理基板４をドライエッチングするのに用いるドライエッチング装置１００について簡単に説明する。
【００６２】
図７に示すドライエッチング装置１００は、いわゆる平行平板型のＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置であり、主に、チャンバー１１と、アノード電極１２およびカソード電極１３と、高周波電源１４と、冷却機構１５と、を有している。
【００６３】
チャンバー１１は、ドライエッチングが行われる反応室を構成しており、その内部に互いに対向する平板状のアノード電極１２およびカソード電極１３を収容している。
【００６４】
アノード電極１２は、チャンバー１１内の上方側に設けられている。また、アノード電極１２は、厚さ方向に貫通する複数の細孔を有しており、この細孔を介して、例えばＣＦ４等のエッチングガスをチャンバー１１内にシャワー状に導入するように構成されている。なお、チャンバー１１内に供給されたエッチングガス等は、図示しないガス排気手段によって、チャンバー１１外へと排出される。
【００６５】
一方、カソード電極１３は、チャンバー１１内の下方側に設けられており、カソード電極１３の上面には、被処理基板４が固定された支持基板３を吸着する静電チャック（吸着体）１３１が設けられている。また、カソード電極１３は、高周波電源１４に接続されている。また、カソード電極１３には、被処理基板４をその下面側から冷却する冷却機構１５が接続されている。この冷却機構１５により、エッチング中の被処理基板４の経時的な温度の上昇を抑え、被処理基板４の温度をほぼ均一にすることができる。また、被処理基板４内における温度のバラツキを抑え、被処理基板４内の温度をほぼ均一にすることができる。これにより、被処理基板４のエッチングレートをほぼ均一に保つことができる。
【００６６】
このような構成のドライエッチング装置１００は、アノード電極１２およびカソード電極１３間に高周波電圧が印加されて、チャンバー１１内に供給されたエッチングガスがプラズマ化されることにより、被処理基板４をエッチングすることができる。
【００６７】
なお、本実施形態では、前記エッチングガスとして例えばＣＦ４を用いているが、エッチングガスとしては、エッチングする材料によって適宜選択すればよく、ＣＦ４以外に、例えば、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６等のフッ素原子含有化合物ガスやＣｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４等の塩素原子含有化合物ガスなどの各種ハロゲン系ガス等を用いることができる。
【００６８】
また、本実施形態では、ドライエッチング装置１００として、いわゆるＲＩＥ装置を用いているが、ドライエッチング装置としては、プラズマを用いたものであれば、これに限定されない。ただし、ＲＩＥ装置は、特に微小な被処理基板４を加工するのに適しており、複雑な構造の振動片２を形成するのに好適であるため好ましい。
【００６９】
以上説明したように構成されたドライエッチング装置１００では、エッチャントであるプラズマ化されたエッチングガスがアノード電極１２とカソード電極１３との間で放射状に広がるようにして流れる。これに起因して、アノード電極１２とカソード電極１３との間の外周側のプラズマ密度が中央部側のプラズマ密度よりも低くなってしまい、加工バラツキの要因となる。
【００７０】
そこで、ドライエッチング装置１００では、図８に示すように、４つの被処理基板４を支持基板３に固定した状態でドライエッチングを行う。
【００７１】
詳細に説明すると、支持基板３としてＳｉウエハーを用い、支持基板３上に粘着テープ（図示せず）を用いて４つの被処理基板４を貼着する。Ｓｉウエハーである支持基板３には、オリエンテーションフラット（Orientation Flat）ＯＦ（以下、「オリフラＯＦ」という）が形成されており、４つの被処理基板４を支持基板３に貼着する際には、このオリフラＯＦを基準として、４つの被処理基板４の位置決めを行う。
【００７２】
なお、支持基板３に用いるＳｉウエハーは、いかなる面方位のものであってもよく、また、オリフラに代えてノッチが形成されているものであっても、ノッチを基準として被処理基板４の位置決めを行うことができる。また、支持基板３としては、Ｓｉウエハー以外の基板であってもよく、この場合でも、被処理基板４の位置決めを行うための基準（例えば、印等）を支持基板に設けることで、被処理基板４を支持基板３の所望の位置に貼着することが容易となる。
【００７３】
また、粘着テープの構成材料としては、例えば、ポリシリコン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等の有機材料系樹脂等が挙げられ、これらの中でも特に、ポリイミド系樹脂を含むのが好ましい。ポリイミド系樹脂を含む粘着テープは、耐プラズマ性に特に優れているため、粘着テープがプラズマにより劣化することに起因する被処理基板４への悪影響をより低減することができる。また、ポリイミド系樹脂を含む粘着テープは、適度な硬度を有する。このため、支持基板３に粘着テープを貼り付けるときに、粘着テープが撚れるのを低減することができる。さらに、ポリイミド系樹脂を含む粘着テープは、被処理基板４を支持基板３に固定するために十分な粘着力を有する。
【００７４】
また、支持基板３に対する被処理基板４の接合強度を高めるように、被処理基板４を支持基板３に向かって例えばプレス等により押圧することが好ましい。
【００７５】
また、４つの被処理基板４を支持基板３に固定する際、４つの被処理基板４を、角部４０３を支持基板の中心Ｏ付近で突き合せた状態で支持基板３に固定する。これにより、各被処理基板４の各素子パターン部４５の向きが支持基板３の中心Ｏ側を向くこととなる。また、被処理基板４同士の間の距離を短くし、支持基板３の中央部付近に寄せた状態で４つの被処理基板４を配置することができる。ここで、支持基板３上の各被処理基板４の２つの辺４０１は、支持基板３の中心を通り互いに直交する２つの線分Ｌに沿うこととなる。
【００７６】
以上のようにして、４つの被処理基板４を支持基板３上に配置して固定する。なお、４つの被処理基板４を、角部４０４を支持基板の中心Ｏ付近で突き合せた状態で支持基板３に固定してもよい。
【００７７】
［３］エッチング工程
前述したようなドライエッチング装置１００を用いて、前述した工程［２］で支持基板３上に固定された４つの被処理基板４に対してドライエッチングを行う。すなわち、図９に示すように、マスク４１Ｍを介して水晶基板４０をドライエッチングすることにより、振動片２を形成する。
【００７８】
詳細に説明すると、まず、被処理基板４が固定された支持基板３をドライエッチング装置１００の静電チャック１３１上に載置して固定する。このとき、支持基板３の中心Ｏが、アノード電極１２とカソード電極１３との対向領域の中心に重なるように、支持基板３を静電チャック１３１上に載置する。これにより、各素子パターン部４５の検出振動腕２３１、２３２に対応する部分４５１の延出方向がそれぞれプラズマの中心側を向いた状態となる。そして、ドライエッチング装置１００が備える冷却機構１５で被処理基板４の温度を保ちつつ、マスク４１Ｍを介して被処理基板４をドライエッチングする。これにより、水晶基板４０がパターニングされ、素子パターン部４５に対応した複数の振動片２、枠体部４３０に対応した枠体、および、連結部４４０に対応した連結部が形成される。
【００７９】
以上のようにしてドライエッチングを行った後、被処理基板４を例えば硫酸、塩酸等のエッチング液（処理剤）に浸して、マスク４１Ｍ、４２Ｍを除去する。また、マスク４１Ｍ、４２Ｍを除去することで、水晶基板４０が支持基板３との間の粘着テープから剥離される。
【００８０】
なお、水晶基板４０を支持基板３から剥離する方法は、上述したものに限定されない。例えばエッチングガス等によりマスク４１Ｍ、４２Ｍを除去してもよい。また、例えば、粘着テープの粘着力を低下させる機能を有する剥離剤を用いて被処理基板４を粘着テープから剥離した後に、マスク４１Ｍ、４２Ｍを除去してもよい。ただし、水晶基板４０を粘着テープから剥離する方法としては、エッチング液を用いてマスク４１Ｍ、４２Ｍを除去することが好ましい。これにより、粘着テープから水晶基板４０をより容易に剥離することができる。
【００８１】
次に、連結部４４０に対応した連結部を切断することにより、個片化した複数の振動片２を得る。
【００８２】
以上説明したような振動片２の製造方法によれば、素子パターン部４５が水晶基板４０の辺４０１、４０２に対して傾斜した向きで配置されているため、４つの水晶基板４０を互いにプラズマに対する素子パターン部４５の向きを揃えて近づけた状態（プラズマの中央部側に偏在した状態）で配置することができる。これにより、ドライエッチング装置１００で発生するプラズマの中心側と外側とに粗密が生じても、４つの水晶基板４０の素子パターン部４５に対応して得られる振動片２の検出振動腕２３１、２３２の加工バラツキを低減することができる。そのため、振動片２が備える検出振動腕２３１、２３２の形状にバラツキが生じることに起因する特性低下を低減して、複数の振動片２を高い歩留まりで製造することができる。なお、ここで、素子パターン部４５の駆動振動腕２２１、２２２に対応する部分の延出方向と反対方向がプラズマの中心側を向くこととなる。これにより、検出振動腕２３１、２３２と同様、駆動振動腕２２１、２２２についても、加工バラツキを低減することができる。
【００８３】
また、水晶基板４０を支持基板３上に載置した状態でエッチング工程［３］を行うため、複数の振動片２を効率的に製造することができる。
【００８４】
また、少なくとも３つの水晶基板４０を互いの角部４０３が基準点（支持基板３の中心Ｏ）側に向くように支持基板３上に載置することで、複数の水晶基板４０を互いにプラズマに対する素子パターン部４５の向きを揃えて近づけた状態で効率的に配置することができる。
【００８５】
また、ウエハー配置工程［２］において、任意の２つの角部４０３同士の間の距離が水晶基板４０の幅よりも小さい。これにより、エッチング工程［３］において複数の水晶基板４０をプラズマの中心側に配置することができる。
【００８６】
本実施形態では、ウエハー配置工程［２］において、２つの辺のなす角度が９０°である４つの水晶基板４０を支持基板３の中心Ｏまわりに周方向に並べて支持基板３上に載置する。これにより、複数の水晶基板４０を互いにプラズマに対する素子パターン部４５の向きを揃えて近づけた状態で効率的に配置することができる。
【００８７】
また、支持基板３がシリコンウエハーであることにより、水晶ウエハーである水晶基板４０の幅は支持基板３の幅よりも大幅に小さいため、支持基板３上に複数の水晶基板４０を載置することができる。また、支持基板３に形成されたオリフラＯＦを利用して、支持基板３上に高精度に水晶基板４０を配置することができる。また、シリコンウエハーは、ドライエッチング装置に載置しやすく、支持基板３上の水晶基板４０を安定して加工を行うことができる。
【００８８】
また、各素子パターン部４５の検出振動腕２３１、２３２に対応する部分４５１の延出方向が水晶の機械軸に沿っているため、優れた特性を有する振動片２を得ることができる。
【００８９】
以上説明したような振動片２の製造方法を用いて、振動素子１を製造することができる。具体的には、振動素子１の製造方法は、前述したようにして振動片２を得る工程と、振動片２の表面に、公知の成膜法を用いて電極を形成する工程と、を有する。
【００９０】
＜第２実施形態＞
図１０は、本発明の第２実施形態に係る振動片の製造方法におけるウエハー配置工程を説明する平面図である。
【００９１】
本実施形態は、支持基板上におけるウエハーの数および配置が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【００９２】
なお、以下の説明では、第２実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１０において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
【００９３】
本実施形態では、３つの被処理基板４を、角部４０３を支持基板の中心Ｏ付近で突き合せた状態で支持基板３に固定する。すなわち、ウエハー配置工程［２］において、水晶基板４０を支持基板３の中心Ｏ（基準点）まわりに周方向に並べて支持基板３上に載置する。このような配置によっても、被処理基板４同士の間の距離を短くし、支持基板３の中央部付近に寄せた状態とすることができる。本実施形態では、３つの被処理基板４が中心Ｏまわりの周方向において等間隔となるように（隣り合う２つの被処理基板４の辺（またはその延長線）同士のなす角度θ１が互いに等しくなるように）配置されている、なお、このような配置は、ウエハーの２つの辺のなす角度が９０°以上である場合に適用可能である。
【００９４】
以上説明したような第２実施形態によっても、振動片２が備える検出振動腕２３１、２３２の形状にバラツキが生じることに起因する特性低下を低減して、複数の振動片２を高い歩留まりで製造することができる。
【００９５】
＜第３実施形態＞
図１１は、本発明の第３実施形態に係る振動片の製造方法におけるウエハー配置工程を説明する平面図である。図１２は、図１１に示す支持基板上に配置されたウエハー（第１実施形態と異なるウエハー）上に形成されたマスクパターンを説明するための平面図である。
【００９６】
本実施形態は、支持基板上におけるウエハーの数および配置が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【００９７】
なお、以下の説明では、第３実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１１および図１２において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
【００９８】
本実施形態では、ウエハー配置工程［２］の前に、前述した第１実施形態の被処理基板４の他に、図１１に示すような被処理基板４Ａを４つ用意する。
【００９９】
被処理基板４Ａでは、水晶基板４０Ａ（水晶ウエハー）の一方の面上にマスク４３Ｍ、他方の面上にマスク４２Ｍが形成されている。
【０１００】
ここで、水晶基板４０Ａは、Ｚカット水晶板であり、平面視で水晶のＸ軸に沿った方向の１対の辺とＹ軸に沿った方向の１対の辺とを有する矩形をなしている。
【０１０１】
マスク４３Ｍには、Ｙ軸方向を向く１５個の素子パターン部４５が設けられている。この１５個の素子パターン部４５は、互いに離間して、Ｘ軸方向に並んで構成される行と、Ｙ軸方向に並んで構成される列とからなる行列状に配置されている。本実施形態では、１５個の素子パターン部４５は、３行５列で配置されている。
【０１０２】
そして、ウエハー配置工程［２］において、各被処理基板４Ａの中央の列に属する３つの素子パターン部４５が支持基板３の径方向に延びる線分Ｌ上に位置するように４つの被処理基板４Ａを配置する。ここで、被処理基板４Ａが備える１５個の素子パターン部４５の向きが支持基板３の中心Ｏ側となるように被処理基板４Ａを配置する。そして、周方向に互いに隣り合う２つの被処理基板４Ａの間に、被処理基板４を配置する。
【０１０３】
このように、ウエハー配置工程［２］において、２つの被処理基板４間に、被処理基板４と異なる他の被処理基板４Ａを配置することにより、支持基板３上に載置するウエハーの数を多くして、一回のエッチングで得られる振動片２の数を多くすることができる。
【０１０４】
以上説明したような第３実施形態によっても、振動片２が備える検出振動腕２３１、２３２の形状にバラツキが生じることに起因する特性低下を低減して、複数の振動片２を高い歩留まりで製造することができる。
【０１０５】
２．振動デバイス
次に、本発明の振動素子の製造方法で製造される振動デバイスについて説明する。
【０１０６】
図１３は、本発明の振動デバイスの製造方法で製造される振動デバイスの一例を示す断面図である。なお、図１３では、振動素子１に設けられている電極の図示を省略している。また、前述した実施形態との共通部分には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１０７】
図１３に示すように、振動デバイス１０は、振動片２と、振動片２を収容するパッケージ８と、ＩＣチップ９とを有している。
【０１０８】
パッケージ８は、凹部８１１を有する箱状のベース８１と、凹部８１１の開口を塞いでベース８１に接合された板状のリッド８２とを有している。そして、凹部８１１がリッド８２によって塞がれることにより形成された収容空間に振動片２が収納されている。収容空間は、減圧（真空）状態となっていてもよいし、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが封入されていてもよい。
【０１０９】
凹部８１１は、ベース８１の上面に開放する第１凹部８１１ａと、第１凹部８１１ａの底面の中央部に開放する第２凹部８１１ｂと、第２凹部８１１ｂの底面の中央部に開放する第３凹部８１１ｃと、を有している。
【０１１０】
ベース８１の構成材料としては、特に限定されないが、酸化アルミニウム等の各種セラミックスや、各種ガラス材料を用いることができる。また、リッド８２の構成材料としては、特に限定されないが、ベース８１の構成材料と線膨張係数が近似する部材であると良い。例えば、ベース８１の構成材料を前述のようなセラミックスとした場合には、コバール等の合金とするのが好ましい。なお、ベース８１とリッド８２の接合方法は、特に限定されず、例えば、接着材やろう材を介して接合することができる。
【０１１１】
凹部８１１の底面には、図示しない複数の接続端子が形成されている。これら接続端子は、導電性を有していれば特に限定されないが、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）などのメタライズ層（下地層）に、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）などの各被膜を積層した金属被膜で構成することができる。
【０１１２】
複数の接続端子は、前述した振動片２に設けられた駆動信号電極５１、駆動接地電極５２、検出信号電極５３および検出接地電極５４用の各端子に対応している。振動片２の駆動信号電極５１および駆動接地電極５２用の端子は、これらに対応する接続端子に導電性接着剤を介してそれぞれ接続されている。これにより、振動片２が凹部８１１の底面に固定されている。導電性接着剤としては、導電性および接着性を有していれば特に限定されず、例えば、シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系、ビスマレイミド系等の接着材に銀粒子等の導電性フィラーを分散させたものを用いることができる。
【０１１３】
また、振動片２の検出信号電極５３および検出接地電極５４用の端子が、ボンディングワイヤーのような導電性ワイヤーを介して、これらに対応する接続端子にそれぞれ接続されている。
【０１１４】
また、第１凹部８１１ａの底部と第２凹部８１１ｂの底部には、複数の接続端子にそれぞれ接続された複数の接続配線（図示せず）が形成されている。
【０１１５】
ＩＣチップ９は、第３凹部８１１ｃの底面にろう材等によって固定されている。ＩＣチップ９は、導電性ワイヤーによって各接続配線と電気的に接続されている。これにより、振動片２に設けられた駆動信号電極５１、駆動接地電極５２、検出信号電極５３および検出接地電極５４用の各端子がＩＣチップ９に電気的に接続されている。ＩＣチップ９は、振動片２を駆動振動させるための駆動回路と、角速度が加わったときに振動片２に生じる検出振動を検出する検出回路と、を有する。
【０１１６】
なお、本実施形態では、ＩＣチップ９がパッケージ８の内部に設けられているが、ＩＣチップ９は、パッケージ８の外部に設けられていてもよい。
【０１１７】
以上説明したように構成された振動デバイス１０の製造方法は、前述した振動片２の製造方法を用いて振動片２を製造する工程と、振動片２を回路基板であるベース８１上に設置する工程と、を有する。これにより、検出精度の高い振動素子１を有する複数の振動デバイス１０を高い歩留まりで製造することができる。
【０１１８】
以上説明したような製造方法によって得られる振動片、振動素子および振動デバイスは、それぞれ、電子機器や移動体に組み込んで使用することができる。
【０１１９】
電子機器としては、特に限定されないが、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等が挙げられる。
【０１２０】
また、移動体としては、特に限定されないが、例えば、自動車、オートバイ、鉄道等の他の車両、航空機、船舶、宇宙船、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプター等が挙げられる。
【０１２１】
以上、本発明の振動片の製造方法および振動デバイスの製造方法を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【０１２２】
前述した実施形態では、１０個の素子パターン部４５を備えたマスク４１Ｍを用いたが、素子パターン部４５の個数はこれに限定されず、任意である。
【０１２３】
また、前述した実施形態では、１つの支持基板３上に４つの被処理基板４を載置したが、被処理基板４の個数はこれ限定されず、任意である。
【０１２４】
また、本実施形態では、振動片の一例として、図１に示す振動片２について説明したが、振動片の構成は、振動腕を有するものであれば、これに限定されず、例えば、音叉型、双音叉型の振動子片、基部と、基部から一方側へ延出する一対の駆動腕と、基部から他方側へ延出する一対の検出腕と、を有するＨ型の振動型ジャイロセンサー素子片等であってもよい。
【０１２５】
また、前述した実施形態では、ウエハーの外周が有する２つの辺により形成される角部の角度（２つの辺またはその延長線がなす角度）が９０°である場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、６０°、１２０°等であってもよい。かかる角度が６０°である場合、支持基板上に配置するウエハーの数を６個とし、かかる角度が１２０°である場合、支持基板上のウエハーの数を３個とすることで、支持基板上に効率的にウエハーを配置することができる。
【０１２６】
また、前述した実施形態では、ウエハーの平面視形状が矩形をなす場合を例に説明したが、ウエハーの平面視形状は、互いに隣り合って角部を形成する２つの辺を有する形状であれば、矩形に限定されず、例えば、三角形、扇形等であってもよい。また、角部は、２つの辺により直接的に形成される角部のみならず、２つの辺の延長線により形成される角部も含む。したがって、ウエハーの平面視形状は、例えば、五角形、六角形等の多角形であってもよい。この場合、角部を形成する２つの辺の間に他の辺が介在していてもよい。
【符号の説明】
【０１２７】
１…振動素子、２…振動片、３…支持基板、４…被処理基板、４Ａ…被処理基板、８…パッケージ、９…ＩＣチップ、１０…振動デバイス、１１…チャンバー、１２…アノード電極、１３…カソード電極、１４…高周波電源、１５…冷却機構、２１…基部、２５…支持部、４０…水晶基板、４０Ａ…水晶基板、４１Ｍ…マスク、４２Ｍ…マスク、４３Ｍ…マスク、４５…素子パターン部、４５ａ…素子パターン部、４５ｂ…素子パターン部、４５ｃ…素子パターン部、４５ｄ…素子パターン部、４５ｅ…素子パターン部、５１…駆動信号電極、５２…駆動接地電極、５３…検出信号電極、５４…検出接地電極、８１…ベース、８２…リッド、１００…ドライエッチング装置、１３１…静電チャック、２２１…駆動振動腕、２２２…駆動振動腕、２３１…検出振動腕、２３２…検出振動腕、２６１…連結部、２６２…連結部、２６３…連結部、２６４…連結部、４０１…辺、４０２…辺、４０３…角部、４０４…角部、４３０…枠体部、４４０…連結部、４５１…部分、８１１…凹部、８１１ａ…第１凹部、８１１ｂ…第２凹部、８１１ｃ…第３凹部、ａ１…中心軸、ａ２…延出方向、Ｌ…線分、Ｏ…中心、ＯＦ…オリエンテーションフラット、θ１…角度、ω…角速度
【図１】
2017073603.tif 000003
【図２】
2017073603.tif 000004
【図３】
2017073603.tif 000005
【図４】
2017073603.tif 000006
【図５】
2017073603.tif 000007
【図６】
2017073603.tif 000008
【図７】
2017073603.tif 000009
【図８】
2017073603.tif 000010
【図９】
2017073603.tif 000011
【図１０】
2017073603.tif 000012
【図１１】
2017073603.tif 000013
【図１２】
2017073603.tif 000014
【図１３】
2017073603.tif 000015