(57)【要約】【課題】切断工程ごとのセンシング工程を必要とせず、セラミック成形体が斜めに切断されてしまうことを抑制して、カット不良の発生防止、製品の形状精度や寸法精度を向上を図ることが可能なセラミック成形体の切断装置およびそれを用いた積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】ステージ２０上のセラミック成形体１０を切断するカット刃１と、ステージとセラミック成形体を相対的に移動させる移動手段と、カット刃駆動部３０と、カット刃のセラミック成形体への進入角度を制御する角度制御部とを備えた構成とし、セラミック成形体の一方端部１０ａ側から他方端部１０ｂ側に向かって繰り返し切断を行うにあたり、カット刃の主面１ｓと、カット刃より後方の領域の、セラミック成形体の主面１０ｓのなす角度θが、予め定められたプロファイルにしたがって変化するように、カット刃のセラミック成形体への進入角度を制御する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック成形体を、所定の複数箇所で切断する際に用いられる切断装置であって、
前記セラミック成形体が載置されるステージと、
前記セラミック成形体を押し切りの方法で切断するカット刃と、
前記セラミック成形体を所定の複数の位置で切断するために、前記セラミック成形体と前記カット刃とを、前記セラミック成形体の主面に沿う所定の方向に相対的に移動させる移動手段と、
前記カット刃を、前記セラミック成形体に向かう方向と、前記セラミック成形体から離間する方向に移動させるカット刃駆動部と、
前記カット刃が前記セラミック成形体に進入する際の角度である進入角度を制御するための角度制御部であって、前記移動手段により、前記セラミック成形体と前記カット刃とを前記所定の方向に相対的に移動させ、前記セラミック成形体の一方端部側から他方端部側に向かって、所定の複数の位置で繰り返し切断を行うにあたり、前記カット刃と、切断位置の移動方向における前記カット刃より後方の領域の前記セラミック成形体の主面とのなす角度θが、予め定められたプロファイルにしたがって変化するように制御する角度制御部と
を備えていることを特徴とするセラミック成形体の切断装置。
【請求項２】
予め定められた前記プロファイルが、前記切断が繰り返して行われるのに伴って、前記角度θが徐々に大きくなるように制御するプロファイルであることを特徴とする請求項１記載のセラミック成形体の切断装置。
【請求項３】
予め定められた前記プロファイルが、前記切断の開始から所定回数までは、前記角度θが徐々に小さくなる工程と、その後に、前記角度θが徐々に大きくなる工程とを備えるプロファイルであることを特徴とする請求項１記載のセラミック成形体の切断装置。
【請求項４】
予め定められた前記プロファイルが、前記切断の開始から所定回数までは、前記角度θが９０°未満でかつ徐々に小さくなる工程と、その後に、前記角度θが徐々に大きくなる工程とを備えるプロファイルであることを特徴とする請求項３記載のセラミック成形体の切断装置。
【請求項５】
前記角度θを制御するにあたり、前記カット刃の刃先の延長線と前記ステージの表面との交点を回転中心として、前記カット刃を所定の方向に回転させることにより前記角度θの制御を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のセラミック成形体の切断装置。
【請求項６】
前記カット刃駆動部の動作により駆動され、前記カット刃駆動部自体の動作方向とは独立して、前記ステージの表面に直交する方向に動作し、前記セラミック成形体を切断する工程において、前記セラミック成形体を前記ステージの表面に垂直に押圧する押圧部をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のセラミック成形体の切断装置。
【請求項７】
積層セラミック電子部品の製造方法であって、
請求項１〜６のいずれかに記載のセラミック成形体の切断装置を用いて、前記セラミック成形体であるセラミック積層体を切断し、個々のセラミック積層体に分割する工程を備えていること
を特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、積層セラミックコンデンサや積層バリスタのような積層セラミック電子部品を製造する際などに用いられる、セラミック積層体などのセラミック成形体の切断装置および、該切断装置を用いてセラミック積層体を切断する工程を経て製造される積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的なセラミック電子部品の一つに、例えば、図７に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサがある。この積層セラミックコンデンサ１００は、図７に示すように、誘電体層であるセラミック層１０１を介して複数の内部電極１０２ａ，１０２ｂが積層されたセラミック本体１１０の両端面に、内部電極１０２ａ，１０２ｂと導通するように外部電極１０５ａ，１０５ｂが配設された構造を有している。
【０００３】
ところで、このような積層セラミックコンデンサを製造する方法としては、例えば、
（ａ）複数の内部電極パターンが、未焼成セラミック層を介して積層された構造を有する未焼成のセラミック積層体を作製し、このセラミック積層体を形成する工程、
（ｂ）セラミック積層体を所定の位置でカットして、個々の積層セラミック電子部品の本体に対応するチップに分割する工程、
（ｃ）分割された個々のチップを焼成する工程、
（ｄ）焼成後のセラミック本体の所定の位置に外部電極形成用の導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより外部電極を形成する工程
を経て積層セラミックコンデンサを製造する方法が広く知られている。
【０００４】
ところで、上述のような積層セラミックコンデンサの製造工程において、セラミック積層体を分割（切断）する方法の１つに、セラミック積層体の主面に向かってカット刃を進入させることによって、セラミック積層体を押し切りする方法がある。
【０００５】
しかしながらこの方法の場合、切断面がセラミック積層体の主面に垂直にならず、傾斜した状態となってしまい、内部導体膜の位置ずれや形状精度の低下、内部電極（内部電極パターン）の不所望な位置での露出などの不具合が生じるという問題点がある。
【０００６】
上述のように、セラミック積層体の切断面が傾斜することは、種々の原因によって起こりうるものであり、例えば、切断工程におけるカット刃の下降にしたがって、カット刃の主面の一方側（例えば後面側）および他方側（前面側）には、カット刃の下降方向に直交する方向の応力Ｆ１およびＦ２が作用する。これら応力Ｆ１およびＦ２は、カット刃がセラミック積層体を主面の面方向へ弾性または塑性変形させるときの反力である。
【０００７】
ところで、この応力Ｆ１およびＦ２は、必ずしも釣り合っているとは限らず、応力Ｆ１およびＦ２の大きさが釣り合っていない場合には、その不均衡によってカット刃が変形し、斜め切断状態が発生する。なお、カット刃は、通常、高精度の切断を可能にするため、その厚みが比較的薄く形成されることが多く、上述のような変形が生じやすいのが実情である。
【０００８】
そこで、このような問題点を解決するために、特許文献１には、以下に説明するようなセラミックグリーン成形体の切断方法が提案されている。
【０００９】
この特許文献１の切断方法においては、図８に示すように、まず、セラミック積層体などのセラミックグリーン成形体２１０が、テーブル２２０上に載置された状態で位置決めされる。次に、セラミック成形体２１０の主面に向かってカット刃２０１を下降させることによって、セラミック成形体２１０が押し切り方法で切断される。
【００１０】
その後、上述の切断工程を終える毎に、テーブル２２０とカット刃２０１とが相対的に移動され、これら切断工程と移動工程とが複数回繰り返される。
【００１１】
そして、特許文献１では、各切断工程を終えた後にセラミック成形体２１０からカット刃２０１が抜け出たタイミングで切断面が側面に現れる切断線の傾斜状態をセンシングし、当該センシング結果に基づき、次の切断工程での切断線の状態が適正になるように、セラミック成形体２１０へのカット刃２０１の進入方向を制御するようにしている。
【００１２】
そして、上述のような特許文献１の方法によれば、セラミック積層体などのセラミック成形体を切断する際に、斜め切断状態が生じることを抑制、防止することが可能になるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００４−２７６１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、特許文献１のセラミック成形体の切断方法の場合、各切断工程ごとに、側面に現れる切断線の傾斜状態のセンシングを行い、センシング結果に基づいてカット刃の進入方向を決定するようにしているので、セラミック積層体などのセラミック成形体を切断するのに時間がかかり、生産性が低下するという問題点がある。
【００１５】
本発明は、上記課題を解決するものであり、切断工程ごとにセンシング工程を必要とせず、生産性を向上させることが可能で、かつ、セラミック積層体等のセラミック成形体が斜めに切断されてしまうことを抑制して、カット工程における不良の発生防止や、製品の形状精度や寸法精度を向上を図ることが可能なセラミック成形体の切断装置およびそれを用いた積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、セラミック成形体の切断装置は、
セラミック成形体を、所定の複数箇所で切断する際に用いられる切断装置であって、
前記セラミック成形体が載置されるステージと、
前記セラミック成形体を押し切りの方法で切断するカット刃と、
前記セラミック成形体を所定の複数の位置で切断するために、前記セラミック成形体と前記カット刃とを、前記セラミック成形体の主面に沿う所定の方向に相対的に移動させる移動手段と、
前記カット刃を、前記セラミック成形体に向かう方向と、前記セラミック成形体から離間する方向に移動させるカット刃駆動部と、
前記カット刃が前記セラミック成形体に進入する際の角度である進入角度を制御するための角度制御部であって、前記移動手段により、前記セラミック成形体と前記カット刃とを前記所定の方向に相対的に移動させ、前記セラミック成形体の一方端部側から他方端部側に向かって、所定の複数の位置で繰り返し切断を行うにあたり、前記カット刃と、切断位置の移動方向における前記カット刃より後方の領域の前記セラミック成形体の主面とのなす角度θが、予め定められたプロファイルにしたがって変化するように制御する角度制御部と
を備えていることを特徴としている。
【００１７】
また、本発明のセラミック成形体の切断装置においては、予め定められた前記プロファイルが、前記切断が繰り返して行われるのに伴って、前記角度θが徐々に大きくなるように制御するプロファイルであることが好ましい。
【００１８】
図２を参照しつつ説明すると、例えば、ステージ２０上に載置され、特に局部的な拘束が行われていないセラミック成形体１０を、一方端部１０ａ側から他方端部１０ｂ側に向かって、位置をずらしながら繰り返し切断を行う場合、切断の序盤は、セラミック成形体１０の切断を行っている位置（切断位置）Ｐよりもカット刃１の前方（図２では右側）にある、切断後にワーク（切断後の個々の積層体）１１（１１ｂ）となる領域が、後方（図２では左側）にあるワーク１１（１１ａ）となる領域よりも相対的に多いため、カット刃１は前方からの応力を強く受ける。
【００１９】
一方、切断の終盤は、切断の序盤とは逆にカット刃１の前方にあるワーク１１（１１ｂ）が、後方にあるワーク１１（１１ａ）よりも、相対的に少なくなるため、カット刃１は後方からの応力を強く受ける。
【００２０】
このような状況下において、上述の角度θ、すなわち、カット刃１の主面１ｓと、切断位置Ｐの移動方向におけるカット刃１より後方の領域の、セラミック成形体１０の主面１０ｓのなす角度θが、切断が繰り返して行われるのに伴って徐々に大きくなるような、予め定められたプロファイルで制御することにより、カット刃１が、切断を行っている位置Ｐよりも前方側から受ける応力と、後方側から受ける応力のバランスを取って、セラミック成形体１０が斜めに切断されてしまうことを抑制することが可能になる。その結果、切断ごとのセンシングを必要とせずに、生産性の低下を防止しつつ、形状精度や寸法精度の高い、セラミック成形体の切断を行うことが可能になる。
【００２１】
また、予め定められた前記プロファイルが、前記切断の開始から所定回数までは、前記角度θが徐々に小さくなる工程と、その後に、前記角度θが徐々に大きくなる工程とを備えるプロファイルであることが好ましい。
【００２２】
図３を参照しつつ説明すると、例えば、セラミック成形体１０の一方端部１０ａ側に位置決め用のガイド２１が配設された状態で、セラミック成形体１０を一方端部１０ａ側から他方端部１０ｂ側に向かって、位置をずらしながら繰り返し切断を行う場合、切断の序盤は、ガイド２１により位置が規定された一方端部１ａ側からの応力の影響がある。
【００２３】
そのため、カット刃１の主面１ｓと、切断位置Ｐの移動方向におけるカット刃１より後方の領域の、セラミック成形体１０の主面１０ｓのなす角度θが、切断が繰り返して行われるのに伴って、切断の開始から所定回数までは、徐々に小さくなり、その後は、角度θが徐々に大きくなるように、予め定められたプロファイルで制御することにより、カット刃１が、切断を行っている位置（切断位置）Ｐにおいて、前方側から受ける応力と、後方側から受ける応力のバランスを取って、セラミック成形体１０が斜めに切断されてしまうことを抑制することが可能になる。
その結果、切断ごとのセンシングを必要とせずに、生産性の低下を防止しつつ、形状精度や寸法精度の高い、セラミック成形体の切断を行うことが可能になる。
【００２４】
また、予め定められた前記プロファイルが、前記切断の開始から所定回数までは、前記角度θが９０°未満でかつ徐々に小さくなる工程と、その後に、前記角度θが徐々に大きくなる工程とを備えるプロファイルであることが好ましい。
【００２５】
また、上述の角度θを、切断が繰り返して行われるのに伴って、切断の開始から所定回数までは、角度θが９０°未満でかつ徐々に小さくなり、その後は、角度θが徐々に大きくなるように、予め定められたプロファイルで制御することにより、カット刃が、切断を行っている位置において、前方側から受ける応力と、後方側から受ける応力のバランスを精度よく取ることが可能になり、本発明をより実効あらしめることが可能になる。
【００２６】
また、本発明のセラミック成形体の切断装置においては、前記角度θを制御するにあたり、前記カット刃の刃先の延長線と前記ステージの表面との交点を回転中心として、前記カット刃を所定の方向に回転させることにより前記角度θの制御を行うことが好ましい。
【００２７】
カット刃の刃先の延長線と前記ステージの表面の交点を回転中心として、カット刃の角度θが変化するようにカット刃を回転させるように構成した場合、厚みが異なるセラミック成形体に対しても、セラミック成形体の上面の切り込み開始位置を最適化することが可能になり、種類の異なるセラミック成形体を切断する場合にも、カットピッチ精度を悪化させずに斜めカット量を極小化することが可能になる。
【００２８】
なお、このように構成した場合において、カット刃を傾ける（回転させる）ことによって生じる、セラミック成形体の上面に対する刃の進入位置の誤差は、例えば、カット刃を傾ける角度（回転角度）とセラミック成形体の厚み情報などから補正量を算出し、ステージとカット刃の相対位置を補正することにより、修正することができる。
【００２９】
また、前記カット刃駆動部の動作により駆動され、前記カット刃駆動部自体の動作方向とは独立して、前記ステージの表面に直交する方向に動作し、前記セラミック成形体を切断する工程において、前記セラミック成形体を前記ステージの表面に垂直に押圧する押圧部をさらに備えていることが好ましい。
【００３０】
上記構成を備えることにより、切断時におけるセラミック成形体の位置ずれを確実に抑制、防止して、精度の高い切断を確実に行うことが可能になり有意義である。
【００３１】
また、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、
上述の本発明のセラミック成形体の切断装置を用いて、前記セラミック成形体であるセラミック積層体を切断し、個々のチップに分割する工程を備えていること
を特徴としている。
【発明の効果】
【００３２】
上述のように、本発明のセラミック成形体の切断装置は、セラミック積層体などのセラミック成形体が載置されるステージと、セラミック成形体を、押し切りの方法で切断するためのカット刃と、セラミック成形体とカット刃とを、セラミック成形体の主面に沿う所定の方向に相対的に移動させる移動手段と、カット刃を、セラミック成形体に向かう方向と、セラミック成形体から離間する方向に移動させるカット刃駆動部と、カット刃がセラミック成形体に進入する際の進入角度を制御するための角度制御部であって、移動手段により、セラミック成形体と前記カット刃とを所定の方向に相対的に移動させ、セラミック成形体の一方端部側から他方端部側に向かって繰り返し切断を行うにあたり、前記カット刃の主面と、切断位置の移動方向における前記カット刃よりも後方の領域の、前記セラミック成形体の主面のなす角度θが、予め定められたプロファイルにしたがって変化するように、カット刃のセラミック成形体への進入角度を制御する角度制御部とを備えている。
【００３３】
したがって、予め定められたプロファイルにしたがって上記角度θを変化させながら上記カット刃によりカットを行うことで、切断を行っている位置で、カット刃がセラミック成形体の前方側から受ける応力と、後方側から受ける応力をバランスさせ、セラミック成形体が斜めに切断されてしまうことを抑制することが可能になる。
【００３４】
その結果、本発明のセラミック成形体の切断装置を用いることにより、切断ごとのセンシングを必要とせず、生産性の低下を防止しつつ、形状精度や寸法精度の高い、セラミック成形体の切断を行うことが可能になる。
【００３５】
また、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、上述の本発明のセラミック成形体の切断装置を用いて、セラミック成形体であるセラミック積層体を切断し、個々のチップに分割する工程を備えているので、センシング工程を必要とせずに、効率よくセラミック積層体を切断して、生産性を向上させることが可能になるとともに、形状精度や寸法精度の高い積層セラミック電子部品を、効率よく製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態にかかるセラミック成形体の切断装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】本発明の切断装置を用いてセラミック成形体を切断する方法の一例を示す図である。
【図３】本発明の切断装置を用いてセラミック成形体を切断する方法の他の例を示す図である。
【図４】本発明の切断装置において、カット刃を傾けた状態で切断を行う場合において、押圧部をステージの主面に垂直に移動させる方法を説明する図であって、（ａ）はカット刃をセラミック成形体に進入させる前の状態を示す図、（ｂ）はカット刃を進入させている状態を示す図である。
【図５】図３に示した方法でセラミック成形体を切断する場合の、カット刃の主面とセラミック成形体の主面のなす角度θの制御プロファイルを示す図である。
【図６】本発明の切断装置を用いてセラミック成形体を切断する場合における、セラミック成形体の厚みに対応させるためのカット刃の進入位置の調整方法を説明する図である。
【図７】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法により製造される積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）の構成の一例を示す断面図である。
【図８】従来のセラミックグリーン成形体の切断方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。また、セラミック成形体の一例としてセラミック積層体を用いて本発明の実施形態を説明する。
【００３８】
図１は本発明の実施形態にかかるセラミック成形体の切断装置の構成を模式的に示す図である。
このセラミック成形体の切断装置は、セラミック積層体１０が載置されるステージ２０と、セラミック積層体１０を、押し切りの方法で切断するためのカット刃１と、ホルダー２に保持されたカット刃１をホルダー２とともに、セラミック積層体１０に向かう方向と、セラミック積層体１０から離間する方向に移動させるカット刃駆動部３０を備えている。
【００３９】
なお、ステージ２０は、セラミック積層体１０を、セラミック積層体１０の主面１０ｓに沿う所定の方向（図１，２，３において矢印Ｘで示す方向）移動させる機能を果たすものであり、ステージ２０を水平方向に移動させるための数値制御可能な軸を備えている。
【００４０】
そして、この実施形態のセラミック積層体の切断装置においては、ステージ２０が本発明におけるステージとしての機能と、セラミック積層体１０を所定の複数の位置で切断できるようにするために、セラミック積層体１０とカット刃１とを、セラミック積層体１０の主面１０ｓに沿う所定の方向に相対的に移動させる移動手段としての機能の両方の機能を果たすように構成されている。
【００４１】
なお、本発明においては、ステージ２０を移動させずに、カット刃１を移動させるように構成することも可能であり、その場合には、セラミック積層体１０とカット刃１とが、セラミック積層体１０の主面１０ｓに沿う所定の方向に相対的に移動するように、カット刃１を移動させる移動手段が設けられる。
【００４２】
また、この実施形態のセラミック積層体の切断装置は、図２に示すように、セラミック積層体１０をステージ２０に載置した状態で、例えば、真空吸引（図示せず）などの方法で、セラミック積層体１０を所定の位置に保持するような構成とすることも可能であり、また、図３に示すように、セラミック積層体１０がステージ２０上の所定の位置に保持されるように、セラミック積層体１０の一方端部側に当接するガイド２１を備えた構成とすることも可能である。
【００４３】
また、この実施形態のセラミック積層体の切断装置は、セラミック積層体１０を所定の複数の位置（切断位置）で切断する場合に、カット刃１を、セラミック積層体１０に向かう方向と、セラミック積層体１０から離間する方向に移動させるカット刃駆動部３０と、カット刃１のセラミック積層体１０への進入角度を制御する角度制御部（図示せず）を備えている。
【００４４】
また、カット刃１（詳しくは、カット刃１と、ホルダー２と、カット刃駆動部３０とから形成されるカット刃ブロック５（図１））は、特に図示しない機構により、図１に示すように、ホルダー２に保持された状態で、矢印ＡまたはＢの方向に回転（回動）させることができるように構成されている。
【００４５】
そして、カット刃１のセラミック積層体１０への進入角度を制御する角度制御部（図示せず）は、移動手段２０により、セラミック積層体１０を所定の方向（矢印Ｘの方向）に移動させ、セラミック積層体１０の一方端部１０ａ側から他方端部１０ｂ側に向かって繰り返し切断を行うにあたり、カット刃１の主面１ｓと、切断位置Ｐの移動方向（図１，２において矢印Ｙで示す方向）におけるカット刃１より後方の領域の、セラミック積層体１０の主面１０ｓのなす角度θが、予め定められたプロファイルにしたがって変化するように、カット刃１のセラミック積層体１０への進入角度を制御するように構成されている。
【００４６】
さらに、この実施形態のセラミック積層体の切断装置は、セラミック積層体１０を切断する工程において、セラミック積層体１０をステージ２０の表面２０ａに垂直に押圧する押圧部２２を備えている。
この押圧部２２は、カット刃駆動部３０とは機械的に結合されていないが、カット刃駆動部３０の動作により駆動され、カット刃駆動部３０自体の動作方向とは独立して、ステージ２０の表面に直交する方向に動作し、セラミック積層体１０を切断する工程において、セラミック積層体１０をステージ２０の表面２０ａに垂直に押圧する機能を果たす。
【００４７】
なお、図１、図４（ａ），（ｂ）に示すように、押圧部２２は、押圧部２２が備える摺動軸２３が、カット刃ブロック５とは独立して設けられたスライド機構３３に設けた摺動孔（図示せず）と嵌合、摺動して、ステージ２０の表面２０ａに垂直の方向に動作するように構成されており、カット刃駆動部３０に設けられた、押圧部用駆動軸３１が、押圧部２２が備える凸条半球面（倣い面）を備えた当接部２４に当接することにより、押圧部２２が、セラミック積層体１０に向かって、その主面１０ｓ（およびステージ２０の表面２０ａ）に直交する方向に移動するように構成されている。
【００４８】
押圧部２２は上述のように構成されており、凸条半球面（倣い面）を有する当接部２４を備えているので、カット刃１（カット刃ブロック５）が所定の角度を持つように傾いた状態（矢印ＡまたはＢの方向に回転した状態）で、押圧部用駆動軸３１が当接部２４に当接することより駆動された場合にも、押圧部２２がセラミック積層体１０の主面１０ｓ（およびステージ２０の表面２０ａ）に直交する方向に移動するので、押圧部２２がセラミック積層体１０を、ステージ２０の表面２０ａに垂直に押圧することになり、セラミック積層体１０に位置ずれが生じることを防止して、所定の切断位置で切断することが可能になる。
【００４９】
すなわち、カット刃１をセラミック積層体１０に対して斜めに進入させるようにした場合にも、押圧部２２により、セラミック積層体１０をステージ２０の表面２０ａに垂直に押圧して、セラミック積層体１０の水平方向の移動（位置ずれ）を確実に抑制することができる。
【００５０】
なお、押圧部用駆動軸３１は、ばね３１ａにより押圧部２２に向かって付勢されており、所定の力で押圧部２２をセラミック積層体１０に押圧することができるように構成されている。
【００５１】
次に、この実施形態のセラミック積層体の切断装置を用いてセラミック積層体を切断する方法について説明する。
まず、図２に示すように、セラミック積層体１０をステージ２０に載置した状態で、図３に示すようなガイド２１を用いることなく、セラミック積層体１０を切断する場合について説明する。
【００５２】
図２に示すように、ステージ２０上の所定の位置にセラミック積層体１０を載置する。
それから、ステージ２０を矢印Ｘの方向に、間欠的に移動させて、切断位置を移動させながら、所定の位置でカット刃１を降下させて、セラミック積層体１０を切断する。
【００５３】
このとき、角度制御部（図示せず）が、予め定められたプロファイルにしたがって、カット刃１の主面１ｓと、切断位置の移動方向（矢印Ｙで示す方向）におけるカット刃１より後方の領域の、セラミック積層体１０の主面１０ｓのなす角度θを、予め定められたプロファイルにしたがって変化するように、カット刃１のセラミック積層体１０への進入角度を制御する。
【００５４】
具体的には、所定の切断位置で切断が繰り返して行われるのに伴って、カット刃１の角度θが徐々に大きくなるように、予め定められたプロファイルにしたがって、カット刃１の角度θを制御しながら切断を行う。
具体的には、切断開始の時点では角度θを８８°、切断位置の移動方向の中間位置付近では角度θを８９°、切断の終盤では角度θを９０．５°とした。すなわち、角度θを８８°から９０．５°の範囲で制御した（図２参照）。
【００５５】
これにより、カット刃１が、切断を行っている位置よりも前方側から受ける応力と、後方側から受ける応力のバランスを取って、セラミック積層体１０が斜めに切断されてしまうことを抑制することが可能になる。その結果、切断ごとのセンシングを必要とせず、生産性を低下させることなしに、セラミック積層体１０を精度よく切断することが可能になる。
【００５６】
次に、図３に示すように、セラミック積層体１０をステージ２０に載置し、セラミック積層体１０の一方端部１０ａ側にガイド２１を当接させることにより、セラミック積層体１０を、ステージ２０上の所定の位置に保持した状態で、セラミック積層体１０の切断を行う場合について説明する。
【００５７】
まず、ステージ２０の上にセラミック積層体１０を載置し、その一方端側にガイド２１が当接して、セラミック積層体１０がステージ２０上の所定の位置に位置決めされた状態とする。
【００５８】
それから、ステージ２０を矢印Ｘの方向に、間欠的に移動させて、切断位置を移動させながら、所定の位置でカット刃１を降下させて、セラミック積層体１０を切断する。
【００５９】
このとき、角度制御部（図示せず）が、カット刃１がセラミック積層体１０に進入する際の角度である進入角度を、予め定められたプロファイルにしたがって、カット刃１の主面１ｓと、切断位置Ｐの移動方向（矢印Ｙの方向）におけるカット刃１より後方の領域の、セラミック積層体１０の主面１０ｓのなす角度θを、予め定められたプロファイルにしたがって変化するように、カット刃１のセラミック積層体１０への進入角度を制御する。
【００６０】
例えば、図３に示すように、上述の角度θが、切断の開始から所定回数までの切断の序盤においては、徐々に小さくなり、その後は、角度θが徐々に大きくなるように、予め定められたプロファイルで制御する。これにより、カット刃が、切断を行っている位置において、前方側から受ける応力と、後方側から受ける応力のバランスを取って、セラミック積層体が斜めに切断されてしまうことを抑制することが可能になる。
【００６１】
切断の開始から所定回数までの切断の序盤においては、例えば、角度θが９０°未満の範囲内で、徐々に小さくなるように設定することが好ましい場合がある。なお、図３はそのような場合を示している。
【００６２】
なお、図５は、図３に示した方法でセラミック積層体１０を切断する場合の、カット刃１の主面１ｓとセラミック積層体１０の主面１０ｓのなす角度θの制御プロファイルを示す図である。ただし、この図５は、切断の終盤において、角度θを再度小さくするようにした場合を示している（図３には示していない）。
この図５に示すように、切断の終盤では、角度θを再度小さくすることが望ましい場合がある。
【００６３】
なお、この例では、具体的には、図５に示すように、切断開始の時点では角度θが約８８．２°、切断開始から切断回数１５回に達するまでは、角度θが徐々に小さくなり（切断回数１５回の時点で角度θが約８７．８°）、その後、切断回数が約１３０回に達するまでは、角度θが徐々に大きくなり（切断回数１２７回の時点で角度θが約９１．２°）、その後、角度θが再度小さくなり、切断回数１４０回の時点で角度θが約９１°）となるように角度θを制御した。
【００６４】
上述の方法で切断を行うことにより、切断ごとのセンシングを必要とせず、生産性を低下させることなしに、形状精度や寸法精度の高い、セラミック積層体の切断を行うことが可能になる。
【００６５】
＜角度制御のプロファイルの決定方法について＞
上述の角度制御のプロファイルは、例えば、以下に説明する方法により決定する（求める）ことができる。
【００６６】
（１）画像処理装置にて、各切断位置での切断状態を調べ、切断端面が斜めに間とされている度合い（斜めカット量）を計測する。
すなわち、画像処理装置にて、次の切断位置（図２，図３における矢印Ｙ方向における次の切断位置）を算出するためのセンシングと同時に、斜めカット量も計測する。  
【００６７】
（２）画像処理装置にて計測した斜めカット量から、斜めカットが生じないようなカット刃の上述の角度θを算出する。
すなわち、上記（１）で計測した斜めカット量を元に、斜めカットが生じないようなカット刃（カッターブロック）の傾け角度θ（カット刃の進入角度）を算出する。
【００６８】
このとき、カット刃の変形やセラミック積層体の物性などを考慮すると、「画像処理装置で計測した斜めカット量が０になる角度」＝「カット刃の傾け角度θ」とはならない可能性もあるため、以下に説明するように、その補正係数を設定して誤差の修正を行う。  
【００６９】
＜カット刃の傾け角度θの誤差修正＞
セラミック積層体の厚みに広く対応させるために、図６に示すように、カット刃１の傾け機構の回転中心を、セラミック積層体１０の下面（ステージ２０の表面２０ａ）と一致させることが好ましい。
このように構成することで、厚みが異なるセラミック積層体１０に対しても、セラミック積層体１０の上面の切り込み開始位置を最適化でき、品種が変わってもカットピッチ精度を悪化させずに斜めカット量を極小化することができる。
【００７０】
なお、このような構成とした場合において、カット刃１を傾けることによって生じるセラミック積層体１０の上面に対するカット刃１の進入位置の誤差は、例えば、カット刃の傾け角度θとセラミック積層体１０の厚み情報などから補正量を算出し、ステージ２０を動作させるようにしている場合には、ステージ２０の停止位置を補正することで修正することができる。
また、ステージを動作させずに、カット刃の位置を移動させるように構成した場合には、カット刃の停止位置を補正することで対応することが可能である。
【００７１】
なお、上記実施形態では、セラミック層を介して複数の内部電極が積層されたセラミック積層体を切断する場合を例にとって説明したが、本発明は、特に内部電極パターンを備えていないセラミック積層体や、特に積層構造を有しないセラミック成形体を切断する場合にも適用することが可能である。
【００７２】
＜積層セラミック電子部品の製造方法＞
次に、上述のセラミック積層体の切断装置を用いてセラミック積層体を切断する工程を経て積層セラミック電子部品を製造する場合の積層セラミック電子部品の製造方法について説明する。
【００７３】
なお、ここでは、図７に示すような構造、すなわち、誘電体層であるセラミック層１０１を介して複数の内部電極１０２ａ，１０２ｂが積層されたセラミック本体１１０の両端面に、内部電極１０２ａ，１０２ｂと導通するように外部電極１０５ａ，１０５ｂが配設された構造を有する積層セラミックコンデンサ１００を製造する場合を例にとって説明する。
【００７４】
（１）まず、バインダーなどの有機物とセラミックスを含有するセラミックグリーンシートを作成する。
（２）それから、このセラミックグリーンシートの所定の複数の位置に、内部電極形成用の導電性ペーストをスクリーン印刷などの方法により印刷して、セラミックグリーンシート上にマトリックス状に内部電極パターンを形成する。
（３）次に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極パターンが形成されていない、外層用のセラミックグリーンシートとを所定の順序で積層して、セラミック成形体であるセラミック積層体を形成する。セラミック成形体は、上記有機物とセラミックスを含有する。
（４）そして、このセラミック積層体を、上述のセラミック積層体の切断装置を用いて切断し、個々の未焼成のチップに分割する。
【００７５】
なお、セラミック積層体を切断する場合、個々のチップの長さ方向に沿う方向のカットと、幅方向に沿う方向のカットが行われるが、個々のチップの長さ方向に沿う方向のカットと、幅方向に沿う方向のカットのいずれの場合にも、基本的に、上述したような角度制御のプロファイルにしたがって、切断が行われる。
ただし、個々のチップの幅方向に沿う方向のカットの場合に比べて、長さ方向に沿う方向のカットの場合の方が、通常は、切断のピッチが長いこともあり、全体的に角度の調整範囲が小さくて済む場合が多い。
【００７６】
（５）それから、未焼成のチップを所定の条件で焼成し、セラミックグリーンシートおよび内部電極パターンを焼結させことで、セラミック本体が得られる。
（６）次に、セラミック本体の両端側に外部端子を形成する。これにより、図７に示すような構成を備えた積層セラミックコンデンサが得られる。
【００７７】
なお、この実施形態では、積層セラミックコンデンサを製造する場合を例にとって説明したが、本発明は、積層セラミックコンデンサに限らず、積層バリスタ、積層コイル、積層ＬＣ複合部品、多層基板など、種々の積層セラミック電子部品を製造する場合に広く適用することが可能である。
【００７８】
本発明は、さらにその他の点においても、上記実施形態に限定されるものではなく、切断の対象であるセラミック積層体の具体的な構成（寸法、物性、内部電極パターンの配設態様など）、カット刃の構成や寸法、カット刃駆動部や、押圧部の構成その他に関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１            カット刃
２            ホルダー
５            カット刃ブロック
１０          セラミック積層体
１０ａ        セラミック積層体の一方端部
１０ｂ        セラミック積層体の他方端部
１０ｓ        セラミック積層体の主面
１１（１１ａ，１１ｂ）    ワーク（切断後の個々の積層体）
２０          ステージ
２０ａ        ステージの表面
２１          ガイド
２２          押圧部
２３          摺動軸
２４          当接部
３０          カット刃駆動部
３１          押圧部用駆動軸
３１ａ        ばね
３３          スライド機構
Ｐ            切断位置
Ｙ            カット方向を示す矢印
Ｘ            セラミック積層体の移動方向を示す矢印
θ            カット刃の主面と、カット刃よりも後方の領域のセラミック積層体の主面のなす角度  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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