(57)【要約】【課題】線状の熱源を基材に照射して基材を処理するに際して、均一性に優れた加熱装置及び方法、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基材載置台１は凸形状をなし、凸部に基材２が載置される。基材２は、図の矢印の方向に向かって走査される。基材載置台１上にガイドリング１４が設けられ、基材２を載置した際の基材２の外縁とガイドリング１４の隙間１５が、基材２の右側であるほど広くなっている。隙間１５には高温のプラズマが入り込むため、基材２の端部は側面からも加熱され、基材２の外周部での到達温度がより低くなる現象を効果的に補償し、均一性に優れた加熱処理を実現できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材載置台を備え、前記基材載置台上の円形の基材を加熱する加熱装置であって、基材表面の線状の領域を加熱できる熱源と、前記線状の領域の長手方向に対して垂直な向きに、前記基材載置台と前記熱源とを相対的に移動可能とする移動機構を備え、基材を載置すべき位置の周辺にガイドリングを備え、基材を載置した際の基材の外縁と前記ガイドリングの隙間が均一でないように構成されていること、
を特徴とする加熱装置。
【請求項２】
前記熱源が、線状の開口部を備え、前記開口部以外が誘電体部材に囲まれた前記開口部に連通する環状のチャンバと、
前記チャンバの内部にガスを導入するためのガス供給配管と、
前記チャンバの近傍に設けられたコイルと、
前記コイルに接続された高周波電源と、を備えた、誘導結合型プラズマトーチである、請求項１記載の加熱装置。
【請求項３】
前記ガイドリングの内側に位置する、基材を載置した際に基材の外縁に近接する部分の形状が、２つの半円と２本の線分を繋げた形状である、請求項１または２に記載の加熱装置。
【請求項４】
基材載置台上に円形の基材を載置するに際して、前記基材の外縁と、前記基材の周辺に位置するガイドリングとの隙間が、前記基材において先に加熱される部分では広く、後で加熱する部分では狭くなるように調整された状態で、前記基材載置台と前記基材表面の線状の領域を加熱できる熱源とを、前記線状の領域の長手方向に対して垂直な向きに相対的に移動させることにより、前記基材を加熱すること、
を特徴とする加熱方法。
【請求項５】
請求項４の加熱方法を用いることを特徴とする、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、線状の熱源を基材に照射して基材を処理する加熱装置及び方法、電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）等の半導体薄膜は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や太陽電池に広く利用されている。
【０００３】
これを安価に形成する方法として、非晶質シリコン膜にレーザー光を照射して結晶化するものがある。レーザープロセスは、イオン注入やプラズマドーピングによって半導体基板に導入した不純物原子の活性化などにも適用しうる。
【０００４】
しかしながら、このレーザーアニール技術には、被加熱物の光吸収の大小によって到達温度がばらついたり、継ぎ目が発生したりする等の課題があり、また非常に高価な設備を要する。
【０００５】
そこで、基材の近傍に線状の熱プラズマを発生させ、一方向にのみ走査することで、被加熱物の光吸収に依存しない加熱が可能で、また、継ぎ目なく、安価に熱処理を行う技術が検討されている（例えば、特許文献１〜３、及び、非特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−１２０６３３号公報
【特許文献２】特開２０１３−１２０６８４号公報
【特許文献３】特開２０１３−１２０６８５号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｔ．Ｏｋｕｍｕｒａ  ａｎｄ  Ｈ．Ｋａｗａｕｒａ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．５２（２０１３）０５ＥＥ０１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、半導体の結晶化など、ごく短時間だけ基材の表面近傍を高温処理する用途に対して、従来例に示した特許文献１〜３及び非特許文献１に記載の線状の熱プラズマを発生させる技術では、円形の基材を処理する場合に、基材の周縁部が局所的に高温または低温となり、面内の温度分布が悪いという問題点があった。
【０００９】
図５〜図６は、従来例における加熱処理の状況を示す平面図である。
【００１０】
図５（ａ）は、基材２（円形のシリコンウエハ）を加熱している途中の状況を示す図で、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの開口部８（高温のプラズマＰが基材２に暴露される部分）が、基材２の先に加熱される部分（加熱工程の前半）の近傍に位置している期間のある時点を示している。
【００１１】
基材２は、図の大きい矢印の方向に向かって走査されている。ここで、基材２は、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの開口部８に対向する面から加熱され、その周辺の側面は断熱されているものと仮定する。開口部８と基材２が交わっている部分で基材２が加熱されるが、熱は基材２の厚さ方向及び面方向の双方に伝導する。
【００１２】
このうち、まだ開口部８と交わっていない部分（開口部８の左側）への熱伝導の向きを、図では小さな矢印で表している。注目すべきは、すでに開口部８が通り過ぎて主たる加熱が終わった基材２の領域では、ある瞬間に開口部８と交わっていた部分の長さが、この後で開口部８が通り過ぎて主たる加熱が予定されている基材２の領域よりも短い、ということである。
【００１３】
したがって、開口部８と基材２が交わっている部分の両端（上下端）では、開口部８と基材２の輪郭が斜めに交わっているため、両端以外の部分に比べて、熱伝導は面方向により広い範囲に起きる。つまり、基材２のまだ低温である部分のより広い領域に向けて熱伝導が生じる。このことは、両端での到達温度が、両端以外の部分に比べて低くなる現象をもたらす。この現象は、図の右側でより顕著である。何故なら、右側にいくほど、開口部８と基材２が交わっている部分の両端（上下端）における、開口部８と基材２の輪郭が交わる角度がより鋭角になるからである。したがって、基材２の端部には、図５（ｂ）に示すように、右側ほど、言い換えると、先に加熱される部分であるほど、到達温度が低くなる領域が広くなる。あるいは、基材２の外周部での到達温度が、より低くなる。
【００１４】
図６（ａ）は、基材２（円形のシリコンウエハ）を加熱している途中の状況を示す図で、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの開口部８（高温のプラズマＰが基材２に暴露される部分）が、基材２の後で加熱される部分（加熱工程の後半）の近傍に位置している期間のある時点を示している。
【００１５】
基材２は、図の大きい矢印の方向に向かって走査されている。この場合注目すべきは、すでに開口部８が通り過ぎて主たる加熱が終わったばかりの基材２の領域では、ある瞬間に開口部８と交わっていた部分の長さが、この後で開口部８が通り過ぎて主たる加熱が予定されている基材２の領域よりも長い、ということである。
【００１６】
したがって、開口部８と基材２が交わっている部分の両端（上下端）では、開口部８と基材２の輪郭が斜めに交わっているため、両端以外の部分に比べて、熱伝導は面方向により狭い範囲に起きる。つまり、基材２のまだ低温である部分のより狭い領域に向けて熱伝導が生じる。このことは、両端での到達温度が、両端以外の部分に比べて高くなる現象をもたらす。
【００１７】
この現象は、図の左側でより顕著である。何故なら、左側にいくほど、開口部８と基材２が交わっている部分の両端（上下端）における、開口部８と基材２の輪郭が交わる角度がより鋭角になるからである。したがって、基材２の端部には、図６（ｂ）に示すように、左側ほど、言い換えると、後に加熱される部分であるほど、到達温度が高くなる領域が広くなる。あるいは、基材２の外周部での到達温度が、より高くなる。
【００１８】
本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、線状の熱源を基材に照射して基材を処理するに際して、均一性に優れた加熱装置及び方法、電子デバイスの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本願の第１発明の加熱装置は、基材載置台を備え、基材載置台上の円形の基材を加熱する加熱装置であって、基材表面の線状の領域を加熱できる熱源と、線状の領域の長手方向に対して垂直な向きに、基材載置台と前記熱源とを相対的に移動可能とする移動機構を備え、基材を載置すべき位置の周辺にガイドリングを備え、基材を載置した際の基材の外縁とガイドリングの隙間が均一でないように構成されていること、を特徴とする。
【００２０】
このような構成により、均一性に優れた加熱装置を実現できる。
【００２１】
本願の第１発明の加熱装置において、好適には、前記熱源が、線状の開口部を備え、前記開口部以外が誘電体部材に囲まれた前記開口部に連通する環状のチャンバと、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源とを備えた、誘導結合型プラズマトーチであることが望ましい。
【００２２】
このような構成により、高速で光学特性依存性の無い加熱装置を実現できる。
【００２３】
また、好適には、前記ガイドリングの内側に位置する、基材を載置した際に基材の外縁に近接する部分の形状が、２つの半円と２本の線分を繋げた形状であることが望ましい。
【００２４】
このような構成により、より均一性に優れた加熱装置を実現できる。
【００２５】
本願の第２発明の加熱方法は、基材載置台上に円形の基材を載置するに際して、基材の外縁と、基材の周辺に位置するガイドリングとの隙間が、基材において先に加熱される部分では広く、後で加熱する部分では狭くなるように調整された状態で、基材載置台と基材表面の線状の領域を加熱できる熱源とを、線状の領域の長手方向に対して垂直な向きに相対的に移動させることにより、基材を加熱すること、を特徴とする。
【００２６】
このような構成により、均一性に優れた加熱方法を実現できる。
【００２７】
本願の第３発明の電子デバイスの製造方法は、本願の第２発明の加熱方法を用いることを特徴とする。
【００２８】
このような構成により、均一性に優れた電子デバイスの製造を実現できる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、線状の熱源を基材に照射して基材を処理するに際して、均一性に優れた加熱装置及び方法、電子デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の構成を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の構成を示す斜視図
【図３】本発明の実施の形態１における基材近傍の構成を示す図
【図４】本発明の実施の形態１における基材周縁部近傍の構成を示す断面図
【図５】従来例における加熱処理の状況を示す平面図
【図６】従来例における加熱処理の状況を示す平面図
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について、図１〜図４を参照して説明する。
【００３２】
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットＴを、開口部８がなす線方向に垂直な面で切った断面図である。
【００３３】
図１（ｂ）は、誘導結合型プラズマトーチユニットＴを、開口部８がなす線方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。
【００３４】
図１（ａ）は、図１（ｂ）の破線で切った断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の破線で切った断面図、また、図２は、図１に示した誘導結合型プラズマトーチユニットＴの組立構成図であり、各部品（一部）の斜視図を並べたものである。
【００３５】
図３は、基材近傍の構成を示す図で、図３（ａ）は、図１（ａ）と同じ平面で切った断面図、図３（ｂ）は、基材２などを誘導結合型プラズマトーチユニットＴの側から見た平面図、図３（ｃ）は、ガイドリング１４の内側に位置する、基材２を載置した際に基材２の外縁に近接する部分の形状を示す平面図である。
【００３６】
図４は、基材周縁部近傍の構成を示す断面図である。
【００３７】
図１及び図２において、基材載置台としての基材載置台１上に基材２が載置されている。誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、導体製のコイル３ａ及び３ｂが、誘電体製の第一セラミックスブロック４及び第二セラミックスブロック５の近傍に配置される。コイル３は、断面が円形の銅管を、断面が長方形の銅ブロックの内部に収納されるよう溶接したものである。第一セラミックスブロック４、第二セラミックスブロック５及び基材２の表面によって囲まれた空間により、誘電体製のチャンバ７が画定される。
【００３８】
チャンバ７は、基材載置台１がなす面に垂直な面に沿って設けられている。また、コイル３ａ及び３ｂの中心軸は、基材載置台１に平行で、かつ、チャンバ７を含む平面に垂直な向きになるよう構成される。すなわち、コイル３ａ及び３ｂの一巻きが構成する面は基材載置台１がなす面に垂直な面に沿って、かつ、チャンバ７を含む平面に沿って設けられている。
【００３９】
誘導結合型プラズマトーチユニットＴは、全体が接地された導体製のシールド部材（図示しない）で囲われ、高周波の漏洩（ノイズ）が効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。
【００４０】
チャンバ７は、第一セラミックスブロック４の一つの平面と、第二セラミックスブロック５に設けた溝に囲まれている。また、これらの誘電体部材としての２つの誘電体ブロックは貼り合わされている。つまり、チャンバ７は、開口部８以外が誘電体で囲まれている構成である。
【００４１】
また、チャンバ７は環状である。ここでいう環状とは、一続きの閉じたヒモ状をなす形状を意味し、円形に限定されるものではない。本実施の形態においては、長方形（２つの長辺をなす直線部と、その両端に２つの短辺をなす直線が連結されてなる、一続きの閉じたヒモ状の形状）のチャンバ７を例示している。
【００４２】
チャンバ７に発生したプラズマＰは、チャンバ７における長尺で線状の開口部８において、基材２の表面に接触する。また、チャンバ７の長手方向と開口部８の長手方向とは平行に配置されている。
【００４３】
第二セラミックスブロック５の内部にガスマニホールド９が設けられている。ガス供給配管１０よりガスマニホールド９に供給されたガスは、第二セラミックスブロック５に設けられたガス導入部としてのガス供給穴１１（貫通穴）を介して、チャンバ７に導入される。このような構成により、長手方向に均一なガス流れを簡単に実現できる。ガス供給配管１０へ導入するガスの流量は、その上流にマスフローコントローラなどの流量制御装置を備えることにより制御される。
【００４４】
ガス供給穴１１は長尺のスリットであるが、丸い穴状のものを長手方向に複数設けたものであってもよい。また、ガスマニホールド９の内部に多孔質セラミックスなどを配置して、ガスマニホールド９内での放電を防止することができる。
【００４５】
コイル３ａ及び３ｂの内部は冷媒流路となっている。また、コイル３ａ及び３ｂは、第一セラミックスブロック４の外側、第二セラミックスブロック５の外側に各一つずつ配置され、かつ、チャンバ７から離れた位置で並列に接続され、高周波電力を印加した際に、チャンバ７に発生させる高周波電磁界の向きが互いに等しくなるようになっている。
【００４６】
コイル３ａ及び３ｂは、これら二つのうちのどちらか一方だけでも機能しうるが、本実施の形態のように、チャンバ７を挟んで二つを設けた方が、チャンバ７内に発生する電磁界の強度を強めることができるという利点がある。
【００４７】
長方形の線状の開口部８が設けられ、基材２は、開口部８と対向して配置されている。事前にチャンバ７内にガスを供給しつつ、開口部８からガスを噴出させながら、高周波電源１２よりコイル３ａ及び３ｂに例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、チャンバ７にプラズマＰを発生させておき、その後、基材２を誘導結合型プラズマトーチユニットＴの近傍に移動させ、開口部８付近のプラズマを基材２の表面に曝露することにより、基材２をプラズマ処理することができる。
【００４８】
開口部８がなす線の方向に対して垂直な向きに、チャンバ７と基材載置台１とを相対的に移動させることで、基材２を処理する。つまり、図１（ａ）の左右方向へ、図１（ｂ）の紙面に垂直な方向へ、誘導結合型プラズマトーチユニットＴまたは基材載置台１を動かす。
【００４９】
チャンバ７内に供給するガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス主体であることが望ましい。なかでも、Ａｒガスが典型的に用いられる。Ａｒのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる（１０，０００Ｋ以上）。Ｈ２ガスを僅かに加えることで、より高温のプラズマを得ることができる。
【００５０】
プラズマ発生の条件としては、走査速度＝５０〜３０００ｍｍ／ｓ、ガス総流量＝１〜１００ＳＬＭ、Ａｒ＋Ｈ２ガス中のＨ２濃度＝０〜１０％、高周波電力＝０．５〜５０ｋＷ程度の値が適切である。ただし、これらの諸量のうち、ガス流量及び電力は、開口部８の長さ１００ｍｍ当たりの値である。ガス流量や電力などのパラメータは、開口部８の長さに比例した量を投入することが適切と考えられるためである。
【００５１】
図３に示すように、基材載置台１は、誘導結合型プラズマトーチユニットＴに向けて凸形状をなし、凸部に基材２が載置される。基材２は、図の矢印の方向に向かって走査されている。基材載置台１上にガイドリング１４が設けられ、基材２を載置した際の基材２の外縁とガイドリング１４の隙間１５が均一でないように構成されている。つまり、図３（ｃ）に示すように、ガイドリング１４の内側に位置する、基材２を載置した際に基材２の外縁に近接する部分の形状が、２つの半円（左側の点線、及び、右側の一点鎖線）と２本の線分（上下の太線）を繋げた形状となっており、かつ、左側の半円（点線）、基材載置台１の凸部をなす円、基材２がなす円の中心が一致するように配置されている。そのため、基材２を載置した際に、基材２の右側（基材２の先に加熱される部分、言い換えれば、加熱工程の前半で加熱される部分）に隙間１５が形成される。
【００５２】
基材２の左側（基材２の後で加熱される部分、言い換えれば、加熱工程の後半で加熱される部分）には隙間がほとんどできない（極めて狭い）構成である。また、先に加熱される領域であるほど、基材２の外縁とガイドリング１４との隙間１５が広くなっている。つまり、基材２においてより先に加熱される部分では隙間１５が広く、より後で加熱する部分では狭くなるように調整されている。
【００５３】
なお、ガイドリング１４の外側にはプレート１３が設けられ、基材２を載置した際に、基材２、ガイドリング１４、プレート１３の、誘導結合型プラズマトーチユニットＴに対向する面（図３（ａ）における上面）がほぼ同一面に位置するように配置している。このような構成により、基材載置台１などを走査した際に、誘導結合型プラズマトーチユニットＴとその対向面との距離がほぼ一定に保たれるので、安定したプラズマ処理が可能となる。
【００５４】
図４（ｂ）は、図３における基材２の右側（基材２の先に加熱される部分、言い換えれば、加熱工程の前半で加熱される部分）が加熱されているときの状況を示す断面図である。図の矢印は、プラズマからの熱伝達の向きを示す。基材２とガイドリング１４の間の隙間１５にも高温のプラズマが入り込むため、基材２の端部は、その上面（誘導結合型プラズマトーチユニットＴに対向する面）のみならず、側面からも加熱される。
【００５５】
また、基材２の外縁とガイドリング１４との隙間１５が広いほどプラズマが入り込むため、加熱の強さは強くなる。つまり、図３の右側であるほど（先に加熱される領域であるほど）、側面から強く加熱される。このことは、従来例で述べた、到達温度が低くなる領域が広くなる現象、あるいは、基材２の外周部での到達温度がより低くなる現象を、先に加熱される部分であるほど効果的に補償する作用をもたらす。つまり、従来例と比較して、均一性に優れた加熱処理を実現できる。
【００５６】
一方、図４（ａ）は、図３における基材２の左側（基材２の後で加熱される部分、言い換えれば、加熱工程の後半で加熱される部分）が加熱されているときの状況を示す断面図である。この領域では、基材２とガイドリング１４の間にはほとんど隙間が無いので、基材２の端部は、その上面（誘導結合型プラズマトーチユニットＴに対向する面）のみから加熱される。
【００５７】
また、基材２の外縁とガイドリング１４とを接触させて載置すれば、基材２の側面からガイドリング１４への接触熱伝導が生じるので、側面から強く冷却される。このことは、従来例で述べた、基材２の外周部での到達温度がより高くなる現象を効果的に補償する作用をもたらす。つまり、従来例と比較して、均一性に優れた加熱処理を実現できる。
【００５８】
以上述べた加熱装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。
【００５９】
基材表面の線状の領域を加熱できる熱源として、誘導結合型プラズマトーチを用いる場合を例示したが、レーザー、熱風などの線状熱源においても、同様の効果を得ることができる。ただし、誘導結合型プラズマトーチを用いることで、高速かつ光学特性依存性の無い加熱処理を実現できるという大きな利点がある。
【００６０】
また、熱源を、固定された基材載置台１に対して走査してもよいし、固定された熱源に対して、基材載置台１を走査してもよい。
【００６１】
また、本発明の種々の構成によって、基材２の表面近傍を高温処理することが可能となる。それにより、従来例で述べたＴＦＴ用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能であることは勿論、シリコン半導体集積回路の酸化、活性化、シリサイド形成などのアニール、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、様々な表面処理に適用できる。
【００６２】
また、太陽電池の製造方法としては、シリコンインゴットを粉砕して得られる粉末を基材上に塗布し、これにプラズマを照射して溶融させ多結晶シリコン膜を得る方法にも適用可能である。
【００６３】
また、説明においては簡単のため「熱プラズマ」という言葉を用いているが、熱プラズマと低温プラズマの区分けは厳密には難しく、また、例えば、田中康規「熱プラズマにおける非平衡性」プラズマ核融合学会誌、Ｖｏｌ．８２、Ｎｏ．８（２００６）ｐｐ．４７９−４８３において解説されているように、熱的平衡性のみでプラズマの種類を区分することも困難である。
【００６４】
本発明は、基材を熱処理することを一つの目的としており、熱プラズマ、熱平衡プラズマ、高温プラズマなどの用語にとらわれず、高温のプラズマを照射する技術に関するものに適用可能である。前述のとおり、誘導結合型プラズマトーチにおいては、弱い放電と強い放電の２つのモードが存在しうるが、本発明は強い放電を効果的に利用するためのものであるということもできる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
以上のように本発明は、さまざまな電子デバイスの製造に利用可能で、例えば、ＴＦＴ用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能である。
【００６６】
勿論、半導体の活性化アニール、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、様々な表面処理において、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができる有用な発明である。
【００６７】
また、種々の電子デバイスなどの製造における、エッチング・成膜・ドーピング・表面改質などの低温プラズマ処理において、基材の所望の被処理領域全体を短時間で効率よく処理する上で有用な発明である。
【符号の説明】
【００６８】
１    基材載置台
２    基材
３，３ａ，３ｂ    コイル
４    第一セラミックスブロック
５    第二セラミックスブロック
７    チャンバ
８    開口部
９    ガスマニホールド
１０    ガス供給配管
１１    ガス供給穴
１２    高周波電源
１３    プレート
１４    ガイドリング
１５    隙間
Ｔ    誘導結合型プラズマトーチユニット
Ｐ    プラズマ
【図１】
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【図２】
2017216378.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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