(57)【要約】      （修正有）【課題】静電気放電による破壊を抑制することが可能な導電性基材、及び当該導電性基材を備えた表示装置の提供。【解決手段】基材１と、基材１上の金属含有層２と、金属含有層２上の保護層３とを有し、金属含有層２は、樹脂材料と銀粒子及び銅粒子から選ばれる少なくとも一種とを含み、保護層３は導電材料を含む、導電性基材１０。金属含有層２がアスペクト比が５以上である銀ナノワイヤを含む、導電性基材１０。保護層３の表面抵抗率が、１．００×１０１１Ω／□以下である導電基材１０。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材上の金属含有層と、前記金属含有層上の保護層とを有し、
前記金属含有層は、樹脂材料と銀粒子及び銅粒子から選ばれる少なくとも一種とを含み、
前記保護層は導電材料を含む、導電性基材。
【請求項２】
前記金属含有層が、アスペクト比が５以上である銀ナノワイヤを含む、請求項１に記載の導電性基材。
【請求項３】
前記保護層の表面抵抗率が１．０×１０１１Ω／□以下である、請求項１又は２に記載の導電性基材。
【請求項４】
前記導電材料が、アンチモンドープ酸化錫、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、ポリチオフェン系導電性高分子、ポリピロール系導電性高分子、ポリアニリン系導電性高分子、カーボンナノチューブ及びグラフェンからなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基材。
【請求項５】
前記金属含有層がパターン形状を有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性基材。
【請求項６】
前記請求項１乃至５のいずれか一項に記載の導電性基材を備えた、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、導電性基材及び当該導電性基材を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、導電性基材に用いられる導電材料として、金属粒子が注目されている。金属粒子を用いた導電性基材は、例えば、金属粒子と樹脂材料とを含む金属含有層を有する。
【０００３】
このような導電性基材の多くは、基材上に形成された金属含有層を所望の形状にパターニングして用いられ、例えば表示装置等の配線基材として用いられる。
しかし、このような導電性基材は、基材搬送あるいは貼合処理等の製造工程での接触又は剥離により、導電性基材に大きな静電気（摩擦帯電、剥離帯電、静電誘導等）が発生し易いという問題がある。静電気が発生すると、静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）による金属含有層の断線が生じ、このような静電気放電による破壊、いわゆる静電破壊が表示装置の表示映像に動作不良を生じる原因になる。
【０００４】
そのため、導電性基材の静電気を除去したり、静電気が発生し難い設備を導入したりする等の対策が必要となるが、そのような対策には膨大な手間や費用がかかってしまう上、静電破壊の対策として十分なものではなかった。
【０００５】
一方で、特許文献１では、金属ナノワイヤを含む透明導電膜を有する積層体において、静電気による金属ナノワイヤ断線を低減させるものとして、基板と、基板と透明導電膜との間に設けられる樹脂層と、基板と透明導電膜との間の少なくとも何れかに金属ナノワイヤの断線を防止可能な帯電防止機能部とを備える積層体が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−１８９１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の導電性基材では、金属含有層の静電気放電による破壊を十分に抑制することは困難であり、静電破壊耐性の更なる向上が求められている。
【０００８】
また、金属含有層の断線を防ぐために、金属含有層の代わりに酸化インジウム錫（ＩＴＯ）層を用いるという方法も考えられる。しかし、この方法の場合は、導電性基材のシート抵抗を低くすることが困難である、可撓性が低い、ＩＴＯの主原料であるインジウムが希少金属であるためコストの増大を招く等の問題がある。
【０００９】
本開示の実施形態は上記問題点に鑑みてなされたものであり、静電気放電による破壊を抑制することが可能な導電性基材、及び当該導電性基材を備えた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の１実施形態は、基材と、前記基材上の金属含有層と、前記金属含有層上の保護層とを有し、
前記金属含有層は、樹脂材料と銀粒子及び銅粒子から選ばれる少なくとも一種とを含み、
前記保護層は導電材料を含む、導電性基材を提供する。
【００１１】
本開示の１実施形態においては、前記金属含有層が、アスペクト比が５以上である銀ナノワイヤを含む、導電性基材を提供する。
【００１２】
本開示の１実施形態においては、前記保護層の表面抵抗率が１．０×１０１１Ω／□以下である、導電性基材を提供する。
【００１３】
本開示の１実施形態においては、前記導電材料が、アンチモンドープ酸化錫、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、ポリチオフェン系導電性高分子、ポリピロール系導電性高分子、ポリアニリン系導電性高分子、カーボンナノチューブ及びグラフェンからなる群から選ばれる少なくとも１種である、導電性基材を提供する。
【００１４】
本開示の１実施形態においては、前記金属含有層がパターン形状を有する、導電性基材を提供する。
【００１５】
本開示の１実施形態は、前述した導電性基材を備えた表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本開示の実施形態は、静電気放電による破壊を抑制することが可能な導電性基材、及び当該導電性基材を備えた表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本開示の導電性基材の一例を示す概略断面図である。
【図２】本開示の導電性基材の他の一例を示す概略断面図である。
【図３】本開示の導電性基材の製造方法の一例を示す概略工程図である。
【図４】本開示の表示装置の一例を示す概略断面図である。
【図５】実施例１で得られた導電性基材の金属含有層のパターン形状を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本開示の実施の形態や実施例などを、図面等を参照しながら説明する。但し、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態や実施例等の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。また、説明の便宜上、上方又は下方という語句を用いて説明する場合があるが、上下方向が逆転してもよい。
本明細書において、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の構成の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の構成の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の構成の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
【００１９】
［導電性基材］
本開示の導電性基材は、基材と、前記基材上の金属含有層と、前記金属含有層上の保護層とを有し、
前記金属含有層は、樹脂材料と銀粒子及び銅粒子から選ばれる少なくとも一種とを含み、
前記保護層は導電材料を含む。
【００２０】
このような本開示の導電性基材について図を参照して説明する。図１は、本開示の導電性基材の一例を示す概略断面図である。図１に示すように、本開示の導電性基材１０は、基材１と、基材１上の金属含有層２と、金属含有層２上の保護層３とを有する。
【００２１】
以下、本明細書においては、「銀粒子及び銅粒子から選ばれる少なくとも一種」を単に「金属粒子」と称する場合がある。
金属粒子と樹脂材料とを含む金属含有層は、導電性基材のシート抵抗を低くし易く、可撓性に優れ、且つ、コストを低下させ易いことから、好ましいものである。しかし、金属粒子と樹脂材料とを含む導電性基材表面に数ｋＶ以上の静電気が印加されると、過電流になり、静電気放電による破壊、いわゆる静電破壊が発生しやすく、製造ライン等で静電破壊により歩留りが低下する等の問題がある。透明性及び導電性に優れる等の点から金属粒子として用いられている銀ナノワイヤにおいては、繊維径が数十ｎｍと細く、許容電流が特に低いため、特に静電破壊が起きやすい。
後述の参考例に示したように、導電性基材の支持体側からの帯電については、金属粒子の静電破壊が起き難い。これは、導電性基材の支持体が樹脂基材等の絶縁体であって帯電したとしても、当該支持体が十分な膜厚を有することから、支持体表面で発生した静電気は、金属含有層にまでは影響を及ぼし難いため、金属含有層中に含まれる金属粒子に過電流が流れにくいからと推定される。
また、金属含有層が最表面である場合であっても、表面に静電気は発生するため、当該静電気によって、金属含有層中の金属粒子に過電流が流れやすく、この場合静電破壊がより発生し易くなる。
このような金属含有層は、表面が脆い場合があり、金属粒子の脱落を抑制したり、表面の耐久性を向上するために、保護層を設けることが好ましい。保護層は、支持体として用いられる後述の基材に比べて膜厚が小さい傾向があることから、前記金属含有層は、基材側からではなく、保護層側からの静電気放電による破壊をより受けやすかった。
それに対して、本開示に係る導電性基材は、金属粒子を含有する金属含有層上に位置する保護層に導電材料を添加し、該保護層に適度な導電性を付与することにより、帯電防止性保護層としている。当該帯電防止性保護層によって、製造中又は製造後の静電気放電による金属含有層の損傷を抑制しやすく、静電破壊耐性を向上することが可能である。本開示の導電性基材がこのような作用を奏する理由は、前記特定の保護層によって、金属含有層により近い表面側からの接触又は剥離により発生した静電気を金属含有層に到達させる前に速やかに逃がすことができるため、金属含有層に含まれる金属粒子への静電気によるダメージが効率的に軽減されることによるものであると考えられる。
また、本開示の導電性基材において、導電材料を含む保護層が導電性基材の最表面に位置する実施形態によれば、他の物体と擦れたり、基材をロールとして巻いた際により帯電しにくくなるため、静電気放電の発生頻度を下げることができ、それにより、静電破壊をより抑制することができる。
また、本開示の導電性基材によれば、基材上の金属含有層と、金属含有層上の帯電防止性保護層とを有することにより、金属含有層の表面耐擦性に優れ、且つ、配線の加工性にも優れる。
以下、本開示の１実施形態における導電性基材の各構成について説明する。
【００２２】
１．金属含有層
本開示の１実施形態における金属含有層は、基材上に位置し、樹脂材料と銀粒子及び銅粒子から選ばれる少なくとも一種とを含むものである。
【００２３】
ここで、「樹脂材料」とは、特に言及しない限り、モノマー、オリゴマー、ポリマー等も包含する概念である。
【００２４】
また、「粒子」とは、例えば、平均一次粒子径が、０．１ｎｍ以上１００μｍ以下であり、繊維状、球状、略球状、および鱗片状等の形状を有するものをいう。なお、略球状とは、回転楕円体や多面体等をも含めた球体に近似できる形状を意味する。
なお、平均一次粒子径は、電子顕微鏡写真から一次粒子の大きさを直接計測する方法で求めることができる。具体的には、「粒子」が繊維状である場合、透過型電子顕微鏡写真（ＴＥＭ）（例えば、日立ハイテク製  Ｈ−７６５０）にて粒子像を測定し、ランダムに選択した１００個の一次粒子の短軸の長さ、すなわち繊維径の長さの平均値を平均一次粒径とすることができる。また、「粒子」が略球状や鱗片状等のその他の形状である場合、ＴＥＭにて粒子像を測定し、ランダムに選択した１００個の一次粒子の最長部の長さの平均値を平均一次粒径とすることができる。
【００２５】
本開示の１実施形態における金属含有層は、例えば、図１に示すように、金属含有層２の全体に金属粒子が均一に分散され、金属含有層２の全域が所定の導電性を有する導電部２ａであっても良く、あるいは、図２に示すように、金属含有層に金属粒子が不均一に分散されていても良い。具体的には、図２に示すように、金属含有層２の保護層３側の表層に金属粒子が集中し、金属含有層２の保護層３側の表層が所定の導電性を有する導電部２ａであり、金属含有層２の保護層３とは反対側の表層が非導電部２ｂであっても良い。
ここで、「表層」とは、金属含有層の表面付近の領域を指す。また、「導電部」とは、金属粒子により導電性を有する領域を指し、「非導電部」とは、金属含有層において、導電部以外の領域をいう。なお、「導電性を有する」とは、例えば表面抵抗率が１×１０６Ω／□以下であることをいう。
【００２６】
本開示の１実施形態における金属含有層の厚みは、導電性基材の用途や金属含有層に含まれる金属粒子の大きさ等に応じて適宜調整することができるため、ここでの記載は省略する。
【００２７】
以下、本開示の１実施形態における金属含有層について、導電部および非導電部に分けて説明する。
【００２８】
（１）導電部
本開示の１実施形態における金属含有層は、例えば図１に示すように、金属含有層２の全域が導電部２ａであっても良く、あるいは図２に示すように、金属含有層２の保護層３側の表層が導電部２ａであっても良い。
【００２９】
本開示における１実施形態においては、金属含有層における導電部が、金属粒子を所定の量以上有することにより、所望の導電性を有する導電性基材を得ることができる。導電部が有する導電性は、本開示の１実施形態における導電性基材の用途等に応じて適宜調整することができるが、例えば、導電部の表面抵抗率が、１０００Ω／□以下であることが好ましく、中でも５００Ω／□以下であることが好ましく、特に１００Ω／□以下であることが好ましい。金属含有層における導電部の表面抵抗率が上記範囲内であることにより、所望の導電性を有する導電性基材とすることができる。
【００３０】
なお、導電部の表面抵抗率は、例えば、Ｌｏｒｅｓｔａ−ＡＸ  ＭＣＰ−Ｔ３７０（Mitsubishi Chemical Analytec）を、導電部が有する面のうち基材とは反対側の面に接触させることにより測定することができる。
【００３１】
本開示の１実施形態における金属含有層は、樹脂材料と金属粒子とを含む。本開示の１実施形態における金属含有層においては、樹脂材料に全ての金属粒子が埋め込まれておらず、金属粒子の一部が突出していても良い。本開示の１実施形態における金属含有層中に含まれる金属粒子の含有量は、例えば、金属含有層が所望の導電性を達成することができる程度であることが好ましい。具体的には、樹脂材料１００質量部に対して、金属粒子が３質量部以上であることが好ましく、中でも４質量部以上であることが好ましい。また、樹脂材料１００質量部に対して、金属粒子が３０００質量部以下であることが好ましく、中でも１０００質量部以下であることが好ましい。樹脂材料中に含まれる金属粒子の含有量が、上記範囲内であることにより、充分な導電性を有する導電性基材とすることができる。なお、前述した金属粒子の含有量は、金属含有層に含まれる全ての銀粒子及び銅粒子の合計含有量である。
【００３２】
本開示の１実施形態における導電部は、導電部に所定の導電性を付与することができる点から、例えば、金属粒子の元素の割合が、原子組成百分率で、０．０５ａｔ％以上であることが好ましく、中でも０．１０ａｔ％以上であることが好ましく、特に０．１５ａｔ％以上であることが好ましい。また、金属粒子の元素の割合が、原子組成百分率で、１０ａｔ％以下であることが好ましく、中でも７ａｔ％以下であることが好ましく、特に５ａｔ％以下であることが好ましい。
なお、導電部に存在する金属粒子の元素の割合は、例えば、Ｘ線光電子分光分析法を用い、以下の条件により測定することができる。
・加速電圧：１５ｋＶ
・エミッション電流：１０ｍＡ
・Ｘ線源：Ａ１デュアルアノード
・測定面積：３００×７００μｍφ
・表面からの深さ１０ｎｍを測定
・ｎ＝３回の平均値
【００３３】
本開示の１実施形態における導電部の厚みは、導電性基材の用途や導電部に含まれる金属粒子の大きさ等に応じて適宜調整することができ、特に限定されない。
【００３４】
（ａ）金属粒子
本開示の１実施形態における金属粒子は、導電部に含まれる材料である。
【００３５】
本開示の１実施形態における金属粒子としては、銀粒子及び銅粒子から選ばれる少なくとも一種であり、銀粒子及び銅粒子の両方が含まれていても良い。前記金属粒子としては、中でも銀粒子が好ましい。
【００３６】
ここで、「銀」とは、銀または銀合金を指し、「銅」とは、銅または銅合金を指す。
また、「銀合金」とは、銀を主成分とし、具体的には銀の元素の割合が、原子組成百分率で９０ａｔ％以上であることをいう。
さらに、「銅合金」とは、銅を主成分とし、具体的には銅の元素の割合が、原子組成百分率で９０ａｔ％以上であることをいう。
なお、銀合金または銅合金における銀または銅の元素の割合は、例えば、Ｘ線光電子分光分析法を用いた元素の定量を行うことにより測定することができる。
【００３７】
本開示の１実施形態における金属粒子の形状は、導電性を有する導電部を構成することができるような形状であることが好ましい。例えば、繊維状、球状、略球状および鱗片状等の形状が挙げられる。本開示の１実施形態においては、中でも繊維状の金属粒子を用いることが好ましい。
【００３８】
ここで、「繊維状」とは、例えば、短軸の長さに対する長軸の長さの比、すなわちアスペクト比（長軸の長さ／短軸の長さ）が５以上となるような形状をいう。
また、「繊維状を有する金属粒子」は、直線状であっても曲線状であっても良く、その一部に直線部または曲線部を有していても良い。さらに、「繊維状を有する金属粒子」は、例えば、繊維状を有する金属粒子が、複数連結したものも包含する。
【００３９】
本開示の１実施形態において、金属粒子が繊維状である場合、例えば、短軸の長さとなる繊維径が２００ｎｍ以下であることが、導電性基材のヘイズ値の上昇や、光透過性の低下を抑制する点から、好ましい。
また、金属粒子が繊維状である場合、繊維径は１０ｎｍ以上であることが、充分な導電性を有する導電部を形成する点から好ましい。
【００４０】
さらに、金属粒子が繊維状である場合、例えば、長軸の長さとなる繊維長が１μｍ以上であることが、充分な導電性を有する導電部を形成する点から、好ましい。また、金属粒子が繊維状である場合、繊維長は５００μｍ以下であることが、凝集が発生することによるヘイズ値の上昇や、光透過性の低下を抑制する点から好ましい。
【００４１】
金属粒子が繊維状である場合の上述した事項を考慮すると、本開示の１実施形態においては、金属粒子の繊維径が１５ｎｍ以上であることが好ましく、１８０ｎｍ以下であることが好ましい。
また、金属粒子の繊維長が３μｍ以上であることが好ましく、中でも１０μｍ以上であることが好ましい。また、金属粒子の繊維長が３００μｍ以下であることが好ましく、中でも３０μｍ以下であることが好ましい。
【００４２】
金属粒子が繊維状を有する場合、当該繊維状の形状は、アスペクト比（長軸の長さ／短軸の長さ）が５以上であれば特に限定はされないが、光透過性と導電性を向上する点から、前記アスペクト比が１０以上であることが好ましく、１００以上であることがより好ましい。また、前記アスペクト比は、アスペクト比が過大になると凝集が発生することによるヘイズ値の上昇や、光透過性の低下が起きる場合があることから、１００００以下であることが好ましい。
【００４３】
なお、金属粒子の繊維径および繊維長は、例えば、ＳＥＭと称する走査型電子顕微鏡、ＴＥＭと称する透過型電子顕微鏡およびＳＴＥＭと称する走査透過型電子顕微鏡等の電子顕微鏡を用い、１０００〜５０万倍にて繊維状の金属粒子の繊維径および繊維長を測定した１０か所の平均値として求めることができる。
【００４４】
本開示の１実施形態における金属粒子が繊維状である場合、当該金属粒子は、いわゆる銀ナノワイヤまたは銅ナノワイヤのような金属繊維であっても良く、あるいは、アクリル繊維に、銀または銅をコーティングした金属被覆合成繊維であっても良い。なお、本開示の１実施形態においては、金属繊維または金属被覆合成繊維の１種を用いても良く、金属繊維および金属被覆合成繊維を組み合わせて用いても良い。
【００４５】
本開示の１実施形態における金属粒子が金属繊維である場合、金属粒子の形成方法としては、例えば、銀や銅等の金属を長く伸ばす伸線法、または切削法等が挙げられる。また、金属粒子が金属被覆合成繊維である場合、金属粒子の形成方法としては、例えば、アクリル繊維に銀や銅等の金属をコーティングする方法が挙げられる。
【００４６】
本開示においては、中でも、導電性の点と、本開示の導電性基材のヘイズ値の上昇及び光透過性の低下を抑制することが可能な点から、前記導電部が、アスペクト比が５以上の銀ナノワイヤを含むことが好ましく、アスペクト比が１０以上の銀ナノワイヤを含むことがより好ましく、アスペクト比が１００以上の銀ナノワイヤを含むことが更により好ましい。
【００４７】
（ｂ）樹脂材料
本開示の１実施形態における樹脂材料は、導電部に含まれる材料である。
【００４８】
本開示の１実施形態における樹脂材料は、透明性を有する材料であることが好ましい。ここで、「透明」とは、特段の断りがない限り、例えば、本開示の１実施形態における導電性基材をタッチパネル表示装置等に用いた際に、操作者からの視認を妨げない程度に透明であることをいう。したがって、「透明」は、無色透明、および視認性を妨げない程度の有色透明を含み、また厳密な透過率で定義されず、本開示の１実施形態における導電性基材の用途等に応じて透明性の度合いを決定することができる。
【００４９】
このような本開示の１実施形態における樹脂材料は、例えば、電離放射線により硬化する電離放射線硬化型樹脂であることが好ましい。ここで、「電離放射線」とは、電磁波又は荷電粒子線のうち、分子を重合あるいは架橋し得るエネルギー量子を有するものを意味し、通常、紫外線又は電子線が用いられるが、その他、Ｘ線、γ線などの電磁波、α線、イオン線などの荷電粒子線も使用可能である。
【００５０】
電離放射線硬化型樹脂としては、例えば、アクリレート系等の官能基を有する化合物等の１または２以上の不飽和結合を有する化合物が挙げられる。１の不飽和結合を有する化合物としては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、スチレン、メチルスチレン、Ｎ−ビニルピロリドン等が挙げられる。２以上の不飽和結合を有する化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリペンタエリスリトールオクタ（メタ）アクリレート、テトラペンタエリスリトールデカ（メタ）アクリレート、イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、イソシアヌル酸ジ（メタ）アクリレート、ポリエステルトリ（メタ）アクリレート、ポリエステルジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールジ（メタ）アクリレート、ジグリセリンテトラ（メタ）アクリレート、アダマンチルジ（メタ）アクリレート、イソボロニルジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタンジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート等の多官能化合物等が挙げられる。中でも、ペンタエリスリトールトリアクリレート（ＰＥＴＡ）、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）及びペンタエリスリトールテトラアクリレート（ＰＥＴＴＡ）が好適に用いられる。なお、上述した「（メタ）アクリレート」は、メタクリレート及びアクリレートを指すものである。また、本開示の１実施形態においては、電離放射線硬化型樹脂として、上述した化合物をＰＯ、ＥＯ等で変性したものも使用できる。
【００５１】
本開示の１実施形態においては、上述した化合物の他にも、不飽和二重結合を有する比較的低分子量のポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アルキッド樹脂、スピロアセタール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリチオールポリエン樹脂等も電離放射線硬化型樹脂として使用することができる。
【００５２】
また、電離放射線硬化型樹脂は、溶剤乾燥型樹脂と併用して使用することもできる。ここで、「溶剤乾燥型樹脂」とは、熱可塑性樹脂等、塗工時に固形分を調整するために添加した溶剤を乾燥させるだけで、被膜となるような樹脂をいう。溶剤乾燥型樹脂を併用することにより、樹脂材料を用いて導電部を形成する際に、塗液の塗布面の被膜欠陥等の発生を有効に抑制することができる。
【００５３】
このような溶剤乾燥型樹脂としては特に限定されず、一般に、熱可塑性樹脂を使用することができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、スチレン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ビニルエーテル系樹脂、ハロゲン含有樹脂、脂環式オレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、セルロース誘導体、シリコーン系樹脂及びゴムまたはエラストマー等が挙げられる。なお、上述した「（メタ）アクリル」は、メタクリル及びアクリルを指すものであり、以下においても同様である。
【００５４】
また、熱可塑性樹脂は、非結晶性で、かつ複数のポリマーや硬化性化合物を溶解可能な共通溶媒等の有機溶媒に可溶であることが好ましい。特に、透明性や耐候性という観点から、スチレン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、脂環式オレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、セルロース誘導体（セルロースエステル類等）等が好ましい。
【００５５】
さらに、樹脂材料は、熱硬化性樹脂を含有していても良い。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、メラミン樹脂、グアナミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アミノアルキッド樹脂、メラミン−尿素共縮合樹脂、ケイ素樹脂、ポリシロキサン樹脂等が挙げられる。
シロキサンコポリマーのようなシリコーン系樹脂と、エポキシ基等の反応性基を有するシロキサンとの組み合わせも、金属粒子の分散性を向上する点から、好ましく用いられる。
【００５６】
前記導電部は、上述した樹脂材料及び金属粒子の他、本開示の効果を損なわない範囲で、導電部の硬度の向上や、硬化収縮の抑制、さらには屈折率の制御等といった目的に応じて、各種添加剤を添加したものであってもよい。前記添加剤としては、例えば、光重合開始剤、マイグレーション抑制剤、分散剤、界面活性剤、帯電防止剤、シランカップリング剤、増粘剤、着色防止剤、着色剤（顔料、染料）、消泡剤、レベリング剤、難燃剤、紫外線吸収剤、接着付与剤、重合禁止剤、酸化防止剤、表面改質剤等を挙げることができる。
金属含有層に、帯電防止剤を含有する場合、帯電防止剤としては、後述する保護層に用いられる導電材料と同様のものが好適に用いられる。
【００５７】
（２）非導電部
本開示の１実施形態における金属含有層は、例えば図２に示すように、金属含有層２のいずれか一方の表層が導電部２ａであり、その他の領域が非導電部２ｂであっても良い。
【００５８】
本開示の１実施形態においては、非導電部は、樹脂材料により構成され、非導電性を有する領域である。
ここで、「非導電性を有する」とは、導電性を有しないことをいう。
【００５９】
本開示の１実施形態における非導電部に含まれる樹脂材料は、上述した導電部に用いられる樹脂材料と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００６０】
また、本開示の１実施形態における非導電部は、樹脂材料の他にも、必要に応じてその他の各種添加剤を含有していても良い。前記添加剤としては、例えば、上述した導電部に用いられる添加剤と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００６１】
本発明における非導電部の厚みは、本発明の導電性基材の用途等に応じて適宜調整することができ、特に限定されない。例えば、５０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下の範囲内とすることができる。
【００６２】
また、前記金属含有層は、パターン形状を有するものであってもよい。前記金属含有層が所望のパターン形状を有することにより、本開示の導電性基材を、例えば表示装置等の配線基材等として用いることができ、具体的には例えば、タッチパネルのセンサ電極基材等として用いることができる。
【００６３】
前記パターン形状は、適宜選択されれば良く、特に限定されない。例えば、タッチパネルのセンサ電極基材として使用する際、所定の位置検出機能が付与でき、かつ視認性の低下が可能な限り最小となるような形状及び配置を選択することができる。
前記パターン形状のパターンとしては、例えば、メッシュ状で、且つ、直線（電極Ｘ、電極Ｙともに所定のピッチで並列に配列）が略直交した形態の直線格子パターン、交差部間の導電部分が少なくとも１つの湾曲を有する波線格子パターン、ダイヤモンド状のパターン等が挙げられる。
本開示においては、前記金属含有層の静電気放電による破壊を抑制することが可能であることにより、表示画素の高精細化ならびにタッチ検出精度の高精度化に対応可能なピッチのパターンとすることができる。
【００６４】
２．保護層
本開示における保護層は、前記金属含有層が有する面のうち基材とは反対側の面上に位置し、導電材料を含む。そのため、当該保護層は、表面が脆くなり易い金属含有層の耐久性を向上すると共に、帯電防止性を有する。また、本開示における導電性基材は、保護層を有することにより、表面に傷がついても保護層により金属含有層を保護することができるため、表面耐擦性が高く、歩留まりの向上にもつながる。
なお、保護層は透明性を有することが好ましく、前記導電材料は透明性を有する導電材料であることが好ましい。ここでの「透明」も、前記と同様に、例えば、本開示の導電性基材を表示装置等に用いた際に、操作者からの視認を妨げない程度に透明であることをいう。したがって、「透明」は、無色透明、および視認性を妨げない程度の有色透明を含み、また厳密な透過率で定義されず、本開示の導電性基材の用途等に応じて透明性の度合いを決定することができる。
【００６５】
前記導電材料としては、透明性を有する導電材料であれば特に限定はされないが、例えば、金属酸化物粒子、金属粒子、導電性高分子、並びにカーボンナノチューブ及びグラフェン等の炭素材料等が挙げられる。
【００６６】
前記金属酸化物粒子としては、例えば、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）等が挙げられる。
【００６７】
前記金属粒子としては、例えば、金粒子、銀粒子、銅粒子等が挙げられる。
【００６８】
前記金属酸化物粒子及び前記金属粒子における「粒子」としても、前記金属含有層に含まれる「粒子」と同様であってよく、同様に平均一次粒子径を測定することができる。中でも、保護層に含まれる前記金属酸化物粒子及び前記金属粒子の大きさとしては、導電性の観点から、平均一次粒子径が２ｎｍ以上であることが好ましく、光透過性の低下やヘイズ値の増大を抑制する観点から、平均一次粒子径が２０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００６９】
前記導電性高分子としては、例えば、ポリピロール系、ポリインドール系、ポリカルバゾール系、ポリチオフェン系、ポリアニリン系、ポリアセチレン系、ポリフラン系、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリアズレン系、ポリパラフェニレン系、ポリパラフェニレンサルファイド系、ポリイソチアナフテン系、ポリチアジル、ポリアセン系等の導電性高分子が挙げられる。
【００７０】
カーボンナノチューブは、２層から数十層のグラファイト状炭素が積み重なってできた外径がｎｍオーダーのチューブである。
カーボンナノチューブとしては、通常のカーボンナノチューブ、すなわち、単層カーボンナノチューブ、単層のカーボンナノチューブが同心円状に多層に重なった多層カーボンナノチューブ、これらがコイル状になったものが挙げられる。
さらには、カーボンナノチューブには、カーボンナノチューブの片側が閉じた形をしたカーボンナノホーン、その頭部に穴があいたコップ型のナノカーボン物質、カーボンナノチューブの類縁体であるフラーレン、カーボンナノファイバーも含まれる。
これらの中でも、導電性がより高くなる点では、単層カーボンナノチューブ及び多層カーボンナノチューブが好ましい。本開示に用いられるカーボンナノチューブとしては、カーボンナノチューブ誘導体も包含される。カーボンナノチューブ誘導体とは、カーボンナノチューブを構成する少なくとも１つの炭素に有機化合物の一部分を形成する原子団や無機元素からなる原子団が結合又は内包した化合物又は組成物をいう。
【００７１】
カーボンナノチューブの製造方法としては、例えば、二酸化炭素の接触水素還元、アーク放電法、レーザー蒸発法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、気相成長法、一酸化炭素を高温高圧化で鉄触媒と共に反応させて気相で成長させるＨｉＰｃｏ法等が挙げられる。
また、カーボンナノチューブを製造する際には、洗浄法、遠心分離法、ろ過法、酸化法、クロマトグラフ法等の種々の精製法によって、高純度化することが好ましい。
【００７２】
カーボンナノチューブは、ボールミル、振動ミル、サンドミル、ロールミル等のボール型混練装置等によって粉砕されていてもよい。また、カーボンナノチューブは、化学的、物理的処理によって短く切断されていてもよい。
【００７３】
カーボンナノチューブの直径、長さにも特に限定はないが、高い導電性を発現するためにはカーボンナノチューブ同士のネットワーク形成が必要であるという点から、直径については０．５ｎｍ以上であることが好ましく、３．５ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることが更により好ましい。また、カーボンナノチューブの直径は、１００００ｎｍ以下であることが好ましく、４００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが更により好ましい。直径が大きすぎる場合は基材への密着性が劣る場合がある。また、カーボンナノチューブの長さについては０．１μｍ以上であることが好ましく、０．２μｍ以上であることがより好ましく、０．５μｍ以上であることが更により好ましい。また、カーボンナノチューブの長さは、５０μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以下であることが更により好ましい。
【００７４】
グラフェンは、厳密には１原子の厚さのｓｐ２結合炭素原子のシートであるが、本開示に用いられるグラフェンとしては、単層グラフェン、多層グラフェン及びグラフェン誘導体も包含される。グラフェン誘導体とは、グラフェンを構成する少なくとも１つの炭素に有機化合物の一部分を形成する原子団や無機元素からなる原子団が結合又は内包した化合物又は組成物をいう。
【００７５】
前記グラフェンの大きさは、特に限定はされないが、導電性の観点から、最長部の長さが、好ましくは０．１μｍ以上であり、より好ましくは１μｍ以上である。また、前記最長部の長さは、導電性及び可撓性等の観点から、好ましくは５００μｍ以下であり、より好ましくは１００μｍ以下である。
グラフェンの厚さは、導電性の観点から、好ましくは１層からなるグラフェンシートの厚みに相当する０．３４ｎｍ以上である。また、グラフェンの厚さは、導電性及び透明性等の観点から、好ましくは１００ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３０ｎｍ以下であり、３．５ｎｍ以下が更により好ましい。
【００７６】
グラフェンの形状は、特に限定はされないが、導電性の観点から平板状であることが好ましい。なお、積層数が極めて少ない場合には、平板状の形態であっても、高い屈曲性を有していることから、該平板状のシートが変形した形態、例えば、波板状、皺状、筒状、らせん状、球状、碗状、折り重ね状などの形態をとり得るものである。
【００７７】
グラフェンの製造方法としては、例えば、ＣＶＤ法、テープ剥離法、溶媒抽出法、昇華法等の公知の方法が挙げられる。
【００７８】
本開示においては、前記導電材料がアンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ポリチオフェン系導電性高分子、ポリピロール系導電性高分子、ポリアニリン系導電性高分子、カーボンナノチューブ及びグラフェンからなる群から選ばれる少なくとも１種であることが、導電性及び透明性が向上する点から好ましい。
【００７９】
また、本開示においては、中でも、高温や高温高湿といった環境下での導電材料の変色及び導電性の低下等の劣化が小さい点から、前記導電材料が、金属酸化物粒子であることが好ましく、更に、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる群から選ばれる少なくとも１種であることがより好ましく、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）であることが更により好ましい。
【００８０】
前記保護層は、前記導電材料を含むものであれば特に限定はされないが、例えば、非導電材料中に前記導電材料が分散された層や、前記導電材料からなる層等が挙げられる。前記導電材料としては１種又は２種以上混合して用いることができる。前記導電材料からなる層としては、例えば、前記導電性高分子からなる層や前記導電性高分子に前記導電性高分子とは異なる前記導電材料が分散された層等が挙げられる。なお、前記導電材料からなる層においても、本開示の効果が損なわれない限り、その他の成分を更に含有していても良い。
【００８１】
前記保護層に非導電材料が含まれる場合の、前記保護層に含まれる前記導電材料の含有量は、特に限定はされないが、静電破壊耐性を向上する点から、保護層における非導電材料と導電材料の合計量に対して３０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましい。また、前記保護層に含まれる前記導電材料の含有量は、光透過性の低下や変色を抑制する点から、保護層における非導電材料と導電材料の合計量に対して９０質量％以下であることが好ましく、７０質量％以下であることがより好ましい。
【００８２】
前記非導電材料としては、従来導電性基材の保護層に用いられている材料を用いることができ、特に限定はされないが、樹脂材料を挙げることができ、具体的には、前記金属含有層に用いられる樹脂材料等が挙げられる。中でも、耐久性に優れ、且つ、金属含有層との密着性に優れる点から、電離放射線硬化型樹脂を含む樹脂材料であることが好ましい。なお、非導電材料についても、前記導電材料と同様に、透明性を有することが好ましい。
前記保護層に含まれる非導電材料と、前記金属含有層に含まれる樹脂材料とは、同種のものであっても良いし、異種のものであっても良い。
【００８３】
また、前記保護層は、本開示の効果を損なわない範囲で各種添加剤を添加したものであってもよい。前記添加剤としては、例えば、前記金属含有層が含むことができる前記添加剤と同様のものが挙げられる。
【００８４】
前記保護層の表面抵抗率は、特に限定はされないが、静電破壊耐性に優れる点から、１．０×１０１１Ω／□以下であることが好ましく、１．０×１０１０Ω／□以下であることがより好ましい。なお、保護層の表面抵抗率とは、保護層が有する面のうち、基材とは反対側の面の表面抵抗率である。
また、前記保護層の表面抵抗率は、特に限定はされないが、前記金属含有層を保護するという点から、前記金属含有層よりも大きいことが好ましく、例えば１．０×１０６Ω／□超過とすることができる。
なお、前記表面抵抗率は、例えば、Ｌｏｒｅｓｔａ−ＡＸ  ＭＣＰ−Ｔ３７０（Mitsubishi Chemical Analytec）を保護層の表面に接触させることにより測定することができる。
【００８５】
前記保護層の厚みは、特に限定はされないが、金属含有層の耐久性及び静電破壊耐性に優れる点から、１００ｎｍ以上であることが好ましく、５００ｎｍ以上であることがより好ましい。また、前記保護層の厚みは、本開示の導電性基材の導電性、可撓性及び透明性に優れる点から、１０μｍ未満であることが好ましく、２μｍ以下であることがより好ましい。
本開示によれば、前記保護層によって、金属含有層の耐久性、並びに導電性基材の導電性、可撓性及び透明性等を両立しながら、効率的に静電破壊耐性を向上することができる。
【００８６】
本開示の導電性基材においては、前記保護層が導電性基材の基材とは反対側の最表面となることが好ましい。これにより、本開示の導電性基材の静電破壊耐性を向上することができる。
【００８７】
また、本開示の導電性基材においては、前記保護層が、前記金属含有層と隣接していることが好ましい。これにより、本開示の導電基材の静電破壊耐性及び導電性を向上することができ、且つ本開示の導電性基材を薄くすることができるため、可撓性を向上することができる。
【００８８】
なお、前記金属含有層がパターン形状を有する場合、前記保護層は、前記金属含有層と同様のパターン形状を有することが好ましい。本開示の導電性基材は、前記金属含有層上に帯電防止性保護層を有するため、例えば赤外線レーザー等により前記金属含有層にパターニング加工を行う場合、アブレーション効果により前記金属含有層上の帯電防止性保護層も同時にパターニング加工を行うことができる。後述する比較例２のように、金属含有層の下に帯電防止層が位置する場合、金属含有層にパターニング加工を行っても、当該金属含有層の下に位置する帯電防止層はパターニング加工されずに残存すると推定され、その場合、残存した帯電防止層により配線間の短絡等の不具合が生じる恐れがある。
【００８９】
３．基材
本開示における基材は、前記金属含有層及び前記保護層を支持する部材である。
前記基材は、透明性を有することが好ましい。ここで、「透明」とは、例えば、本開示の導電性基材を表示装置等に用いた際に、操作者からの視認を妨げない程度に透明であることをいう。したがって、「透明」は、無色透明、および視認性を妨げない程度の有色透明を含み、また厳密な透過率で定義されず、本開示の導電性基材の用途等に応じて透明性の度合いを決定することができる。
【００９０】
前記基材を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂等が挙げられ、中でも、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂が好ましい。
【００９１】
また、前記基材は、脂環構造を有した非晶質オレフィンポリマー（Ｃｙｃｌｏ−Ｏｌｅｆｉｎ−Ｐｏｌｙｍｅｒ：ＣＯＰ）フィルムであっても良い。これは、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素系重合体等が用いられる基材で、例えば、日本ゼオン社製のゼオネックスやゼオノア（ノルボルネン系樹脂）、住友ベークライト社製のスミライトＦＳ−１７００、ＪＳＲ社製のアートン（変性ノルボルネン系樹脂）、三井化学社製のアペル（環状オレフィン共重合体）、Ｔｉｃｏｎａ社製のＴｏｐａｓ（環状オレフィン共重合体）、日立化成社製のオプトレッツＯＺ−１０００シリーズ（脂環式アクリル樹脂）等が挙げられる。また、トリアセチルセルロースの代替基材として旭化成ケミカルズ社製のＦＶシリーズ（低複屈折率、低光弾性率フィルム）を用いることもできる。
【００９２】
前記基材は、上述した材料の他、本開示の効果を損なわない範囲で、帯電防止剤等の各種添加剤を添加したものであってもよい。前記基材が帯電防止剤を含有する場合、帯電防止剤としては、前記保護層に用いられる導電材料と同様のものが好適に用いられる。
【００９３】
前記基材の厚みは、本開示の導電性基材の用途等に応じて適宜調整することができ、特に限定されないが、機械的強度に優れることから、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましく、４０μｍ以上であることが更により好ましい。また、所望のフレキシブル性を実現することが可能となることから、前記基材の厚みは、１５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以下であることが更により好ましく、６０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００９４】
４．ハードコート層
本開示の導電性基材は、前記基材と前記金属含有層との間に、ハードコート層を有していても良い。
本開示におけるハードコート層は、本開示の導電性基材の機械的強度を向上させるとともに、金属含有層の表面に所定の硬度を付与することができる機能を有する。ここで、「所定の硬度」とは、例えば、金属含有層の表面が傷付くことを抑制することができる程度の硬度をいう。
【００９５】
前記ハードコート層の硬度としては、特に限定はされないが、ハードコート層の表面のＪＩＳ  Ｋ５６００−５−４（１９９９）の鉛筆硬度が、２Ｂ以上であることが好ましく、ＨＢ以上であることが好ましい。これにより、ハードコート層が上述のような硬度を有することにより、ハードコート層としての所望の機能を充分に発揮することができる。また、前記ハードコート層の前記鉛筆硬度は、７Ｈ以下であることが好ましく、５Ｈ以下であることがより好ましい。
【００９６】
このようなハードコート層は、透明性を有することが好ましい。なお、「透明」とは、前述した前記基材における「透明」と同様である。
【００９７】
本開示におけるハードコート層を構成する材料としては、所望の機能を発揮することができる材料であることが好ましく、特に限定されない。例えば、有機材料であっても良く、無機材料であっても良いが、中でも電離放射線硬化型樹脂等の有機材料であることが好ましい。なお、電離放射線硬化型樹脂等の有機材料としては、例えば、前記金属含有層に用いられる前記樹脂材料と同様のものを挙げることができる。
【００９８】
前記ハードコート層の厚みは、上述したハードコート層としての機能を発揮することができる程度の厚みであることが好ましく、本開示の導電性基材の用途等に応じて適宜調整することができる。所望の硬度を実現することができ、ハードコート層としての機能を充分に発揮することが可能となることから、前記ハードコート層の厚みは、０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、２μｍ以上であることが更により好ましい。また、前記ハードコート層の厚みは、５０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることが更により好ましい。
なお、ハードコート層の厚みは、例えば、断面顕微鏡を用いて観察することにより測定することができる。
【００９９】
本開示の導電性基材の全体の厚みは、特に限定はされないが、強度に優れる点から、２５μｍ以上であることが好ましく、５０μｍ以上であることがより好ましい。また、本開示の導電性基材の全体の厚みは、可撓性及び透明性に優れる点から、５００μｍ以下であることが好ましく、２００μｍ以下であることがより好ましい。
【０１００】
［導電性基材の製造方法］
本開示の導電性基材の製造方法は、前述した本開示の導電性基材を製造することができる方法であれば良く、特に限定されない。以下、本開示の導電性基材の製造方法の具体例について、図を参照して説明する。
【０１０１】
図３の（ａ）〜（ｄ）は、本開示の導電性基材の製造方法の一例を示す概略工程図である。まず、図３の（ａ）に示すように、基材１上に金属粒子及び樹脂材料を含有する金属含有層用組成物を塗布して金属含有層用塗膜２’を形成し、図３の（ｂ）に示すように金属含有層用塗膜２’を必要に応じて乾燥及び硬化することにより金属含有層２を形成する。次いで、図３の（ｃ）に示すように、金属含有層２の表面に、導電材料及び樹脂材料を含有する保護層用組成物を塗布して保護層用塗膜３’を形成し、図３の（ｄ）に示すように、保護層用塗膜３’を必要に応じて乾燥及び硬化することにより保護層３を形成する。これらの工程により、基材１と、基材１上の金属含有層２と、金属含有層２上の保護層３とを有する導電性基材１０を得ることができる。
【０１０２】
本開示において前記金属含有層は、金属含有層用組成物を用いて形成した塗膜を必要に応じて乾燥及び硬化することにより得られる。前記金属含有層用組成物としては、例えば、前述した前記金属含有層に含まれる各成分に更に溶剤を含有させたものが挙げられる。前記溶剤としては、例えば、アルコール（例、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ベンジルアルコール、ＰＧＭＥ、エチレングリコール）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、エーテル類（ジオキサン、テトラヒドロフラン等）、脂肪族炭化水素類（ヘキサン等）、脂環式炭化水素類（シクロヘキサン等）、芳香族炭化水素類（トルエン、キシレン等）、ハロゲン化炭素類（ジクロロメタン、ジクロロエタン等）、エステル類（酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等）、セロソルブ類（メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等）、セロソルブアセテート類、スルホキシド類（ジメチルスルホキシド等）、アミド類（ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等）等が挙げられる。また、前記溶剤としては、１種のみを用いても良く、２種以上の混合物を用いても良い。
【０１０３】
前記金属含有層用組成物が前記溶剤を含む場合、当該金属含有層用組成物に含まれる固形分（溶剤以外の成分）の含有割合は、特に限定はされないが、例えば０．１質量％以上とすることができ、０．２質量％以上であることが好ましい。また、前記金属含有層用組成物に含まれる固形分（溶剤以外の成分）の含有割合は、例えば、９０質量％以下とすることができ、８０質量％以下であることが好ましい。
【０１０４】
前記金属含有層用組成物を調製する方法としては、上述した各成分を均一に混合することができる方法であることが好ましく、例えば、ペイントシェーカー、ビーズミル、ニーダー、ミキサー等の公知の装置を使用した方法が挙げられる。
【０１０５】
前記金属含有層用組成物を塗布する方法としては、一般的な塗布方法を用いることができ、特に限定はされないが、例えば、スピンコート法、ディップ法、スプレー法、ダイコート法、バーコート法、ロールコーター法、メニスカスコーター法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、ピードコーター法等の公知の方法が挙げられる。
【０１０６】
前記金属含有層用組成物が溶剤を含む場合には、必要に応じて加熱等を行い、塗膜を乾燥させる。
前記金属含有層用組成物の塗膜を硬化する方法は、前記金属含有層用組成物が含有する樹脂材料の種類により適宜選択され、特に限定はされない。
例えば、前記金属含有層用組成物が電離放射線硬化型樹脂を含む場合は、電離放射線を照射することにより当該金属含有層用組成物を硬化することができる。このとき用いられる光源としては、例えば、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク灯、ブラックライト蛍光灯、メタルハライドランプ灯等が挙げられる。
電離放射線の波長域は、例えば、１９０ｎｍ以上とすることができる。また、電離放射線の波長域は、例えば、３８０ｎｍ以下とすることができる。
また、電子線源の具体例としては、例えば、コッククロフトワルト型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、又は直線型、ダイナミトロン型、高周波型等の各種電子線加速器が挙げられる。
前記金属含有層用組成物が熱硬化性樹脂を含む場合は、加熱により当該金属含有層用組成物を硬化することができる。前記加熱の温度は樹脂の種類によって適宜選択することができ、特に限定はされないが、例えば、５０℃以上とすることができる。
【０１０７】
本開示において、前記保護層は、保護層用組成物を用いて形成した塗膜を必要に応じて乾燥及び硬化することにより得られる。前記保護層用組成物としては、例えば、前述した前記保護層に含まれる各成分に更に溶剤を含有させたものが挙げられる。前記溶剤としては、例えば、前記金属含有層組成物に用いられる溶剤と同様のものが挙げられる。
前記保護層用組成物が溶剤を含む場合、当該保護層用組成物に含まれる固形分（溶剤以外の成分）の含有割合は、前記金属含有層用組成物と同様とすることができる。
また、前記保護層用組成物を調製する方法、前記保護層用組成物を塗布する方法、及び前記保護層用組成物を硬化する方法の各方法についても、前記金属含有層用組成物の各方法と同様の方法が挙げられる。
【０１０８】
本開示の導電性基材においては、前記金属含有層をパターン状に形成してもよい。
前記金属含有層をパターン状に形成するためのパターニング加工の方法としては、特に限定はされず、公知の方法で行うことができ、例えばレーザー加工、フォトリソ法等が挙げられる。
レーザー加工によるパターニング加工の方法としては、例えば、保護層表面からＹＡＧやＹＶＯ４等のパルス状レーザ光を所定のパターンで照射し、不要となる金属含有層を除去することにより、金属含有層をパターン状に形成する方法が挙げられる。
フォトリソ法によるパターニング加工の方法としては、フォトレジストを基材とは反対側の表面、例えば保護層表面に塗布し、所定パターンを有するフォトマスクを介して露光を行い、アルカリ溶液等の現像液を用い現像を行い、レジストパターンを形成し、さらにウェット又はドライエッチング法により不要となる金属含有層をエッチングした後、レジストを剥離することにより、金属含有層をパターン状に形成する方法が挙げられる。
【０１０９】
さらに、本開示の導電性基材においては、必要に応じて、例えば、基材上にハードコート層を形成する工程、及び金属含有層が有する面のうち前記基材側の面に更に樹脂層を形成する工程等の前述した工程とは他の工程を有するものであっても良い。
【０１１０】
本開示の導電性基材は、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等のディスプレイや、タッチパネル、太陽電池等の透明電極として用いることができる。
【０１１１】
［表示装置］
本開示の表示装置は、前述した本開示の導電性基材を備えた表示装置である。
本開示の表示装置は、前述した本開示の導電性基材を備えることにより、静電気放電による破壊を抑制することが可能であるため、表示映像の動作不良が生じ難いものとすることができる。
【０１１２】
本開示の表示装置としては、例えば、前述した本開示の導電性基材を電極基材として備えたタッチパネルを画像表示面に備えたものが挙げられる。
具体的には例えば、本開示の導電性基材である電極基材の２つが、スペーサを介して互いに電極を一定間隔で対向させて配置されているタッチパネルが挙げられる。なお、当該導電性基材の２つのうち、少なくとも１つの導電性基材が本開示の導電性基材であればよい。当該タッチパネルのその他の部分は、従来公知の各種方式のタッチパネルの各種構成を採用することができる。
また、前記本開示に係る導電性基材の前記金属含有層がパターニングされてなり、金属含有層形成領域と金属含有層非形成領域を有する場合には、金属含有層が、例えば座標認識用の配線として機能し、静電容量式タッチパネルに好適に用いられる。
【０１１３】
本開示の表示装置３０は、図４に示すように、本開示に係る導電性基材を電極基材として備えたタッチパネル２０が、表示パネル３１の画像表示面に位置する構成を有する。本開示の表示装置３０において、タッチパネル２０は、表示パネル３１と接着層を介して貼り合わされても良いし、ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイによる表示パネル３１との間に空隙を空けて、位置する構成であっても良い。なお、本開示の表示装置にあっては、単に表示機能のみを有する装置であっても良いし、装置の機能の一部として表示機能を有する装置であっても良い。単に表示機能のみを有する装置としては、例えば、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＥＬＤ（エレクトロルミネッセントディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、或いは、ＣＲＴ等を表示パネルに用いた装置等が挙げられる。装置の機能の一部として表示機能を有する装置としては、例えば、電子手帳等のＰＤＡ又は携帯情報端末（機器）、或いは、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳ（販売時点情報管理）端末、携帯型オーダー入力端末、ＡＴＭ（現金自動預金支払兼用機）、ファクシミリ、固定電話端末、携帯電話端末、デシタルカメラ、ビデオカメラ、パソコン、パソコン用ディスプレイ、テレビジョン受像機、テレビ用モニターディスプレイ、券売機、計測機器、電卓、電子楽器等の電子機器、複写機、ＥＣＲ（金銭登録機）等の事務機器、或いは、洗濯機、電子レンジ等の電気製品等が挙げられる。
【実施例】
【０１１４】
以下、実施例を挙げて本開示を具体的に説明する。
［実施例１］
【０１１５】
基材（ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み：１００μｍ））上に、銀ナノワイヤ（短軸の長さ：３５±１５ｎｍ、長軸の長さ：１５μｍ、アスペクト比：３００〜７５０、Ｂｌｕｅａｎｏ社（製）  ＳＬＶ−ＮＷ−３５）を０．０１質量％、テトラキスエポキシシロキサンを０．０１質量％、（ｎ−ピロリドンプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマーを０．２質量％、イソプロピルアルコールを３９．７８質量％、１−ブタノールを３０質量％、シクロヘキサンを３０質量％含有した金属含有層用組成物を、ダイコート法を用いて塗布し、ｗｅｔな金属含有層用塗膜（厚み：１２μｍ）を形成した。その後、基材上に形成された金属含有層用塗膜を７０℃で１分間オーブン加熱し、金属含有層を形成した。
【０１１６】
前記で形成された金属含有層上に、紫外線硬化型樹脂材料であるＢＳ−１２００Ｗ（荒川化学工業（株）製）を８質量％、ＡＴＯ分散液（Ｖ３５６０、触媒化成工業（株）製、平均一次粒子径８ｎｍ、固形分４４質量％）を６０質量％、シクロヘキサノンを６．６質量％、メチルエチルケトンを２５．４質量％含有した保護層用組成物を、ダイコート法を用いて塗布し、ｗｅｔな保護層用塗膜（厚み：１μｍ）を形成した。その後、７０℃で１分間オーブン加熱し、更にメタルハライドランプ（ハリソン東芝ライティング（株）製  メタルハライドランプＭＪ−１５００Ｌ）にて３６５ｎｍの波長における露光量が１８０ｍＪ／ｃｍ２になるように紫外線照射し、保護層用塗膜を硬化させることにより、基材、金属含有層及び帯電防止性保護層がこの順に位置するパターン形成前の導電性基材を得た。なお、実施例１の導電性基材の層構成（基材／金属含有層／帯電防止性保護層）を構成Ａとする。
【０１１７】
＜パターン形成工程＞
前記で得られたパターン形成前の導電性基材の保護層側表面を、レーザー加工装置を用いて加工し、保護層及び金属含有層をパターン状に形成した。レーザー加工装置は一般的なＹＡＧレーザーを搭載した装置を利用し、波長１０６４ｎｍ、パルスエネルギー２７μＪ、周波数２０ｋＨｚ、走査速度３００μｍ/秒、走査回数１回の条件にて加工図面にしたがって加工した。
上記の方法により、図５に示すようなダイヤモンド状のパターンが形成された実施例１の導電性基材を得た。なお、形成されたダイヤモンド状のパターンにおいて、図５のｄ１の距離（ネック幅）は２ｎｍであり、図５のｄ２の距離は３ｍｍであった。
また、実施例１の導電性基材の全体厚みは１０１μｍであり、金属含有層の厚みは０．２μｍ程度であり、保護層の厚みは０．６μｍであった。
【０１１８】
［実施例２］
前記実施例１において、保護層用組成物に含まれる紫外線硬化型樹脂材料（ＢＳ−１２００Ｗ）の含有量を８質量％のままとし、ＡＴＯ分散液（Ｖ３５６０）の含有量を７０質量％に変え、シクロヘキサノンの含有量を４．７質量％に変え、メチルエチルケトンの含有量を１７．３質量％に変えたこと以外は前記実施例１と同様にして、実施例２の導電性基材を得た。
【０１１９】
［実施例３］
前記実施例１において、保護層用組成物に含まれる紫外線硬化型樹脂材料（ＢＳ−１２００Ｗ）の含有量を８質量％のままとし、ＡＴＯ分散液（Ｖ３５６０）の含有量を５０質量％に変え、シクロヘキサノンの含有量を８．８質量％に変え、メチルエチルケトンの含有量を３３．２質量％に変えたこと以外は前記実施例１と同様にして、実施例３の導電性基材を得た。
【０１２０】
［比較例１］
前記実施例１において、保護層用組成物にＡＴＯ分散液を含有させず、前記実施例１の保護層に代えて、樹脂材料のみからなる樹脂層を形成したこと以外は前記実施例１と同様にして、比較例１の導電性基材を得た。なお、比較例１の導電性基材の層構成（基材／金属含有層／保護層）を構成Ｂとする。
【０１２１】
［比較例２］
基材（ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み：１００μｍ））上に、実施例１で用いた保護層用組成物と同じ組成の組成物を、ダイコート法を用いて塗布し、ｗｅｔな塗膜（厚み：１μｍ）を形成した。その後、７０℃で１分間オーブン加熱し、更にメタルハライドランプ（ハリソン東芝ライティング（株）製  メタルハライドランプＭＪ−１５００Ｌ）にて３６５ｎｍの波長における露光量が１８０ｍＪ／ｃｍ２になるように紫外線照射し、前記塗膜を硬化させることにより、帯電防止層を形成した。
前記帯電防止層上に、実施例１で形成した金属含有層と同様の金属含有層を形成することにより、基材、帯電防止層及び金属含有層がこの順に位置するパターン形成前の導電性基材を得た。なお、比較例２の導電性基材の層構成（基材／帯電防止層／金属含有層）を構成Ｃとする。
【０１２２】
［評価］
（表面抵抗率の測定）
各実施例で得られた導電性基材の帯電防止性保護層側の表面、及び比較例２で得られた導電性基材の金属含有層側の表面について、測定装置Ｌｏｒｅｓｔａ−ＡＸ  ＭＣＰ−Ｔ３７０（Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｔｅｃ）を用いて表面抵抗率を測定した。測定結果を表１に示す。
【０１２３】
（静電破壊耐性の評価）
各実施例及び各比較例で得られた導電性基材に対し、ＩＥＣ６１０００−４−２の静電気放電イミュニティ試験に基づき、人体モデルに準拠（放電抵抗Ｒｄ：３３０Ω、蓄積静電容量（Ｃｓ＋Ｃｄ）：１５０ｐＦ、接触放電）して静電気放電試験を行った。印加面は導電性基材の基材とは反対側の面とし、印加電圧は１０ｋＶ、１１ｋＶ、１２ｋＶ、１３ｋＶでそれぞれ行った。また、接触放電は１秒間隔で行い、放電回数は１０回とした。なお、周囲温度は１５〜３５℃、相対湿度は３０〜６０％であった。
また、各実施例及び各比較例で得られた導電性基材について、前記静電気放電試験の前後それぞれの配線間の抵抗値を測定し、前記静電気放電試験の前後における配線間の抵抗変化率を算出した。前記抵抗変化率が２０％以内の場合を「ＯＫ」と評価し、前記抵抗変化率が２０％より大きい場合を「ＮＧ」と評価した。評価結果を表１に示す。
なお、導電性基材の配線間の抵抗値は、配線の両端に銀ペースト（ドータイトＤ−５５０（藤倉化成（株）製））を乗せて常温（２３℃）で１時間乾燥させた後、デジタルマルチメータ  Ｍ−０８Ｌ（（株）カスタム製））を用いて測定した。
【０１２４】
【表１】
2017217785.tif 000003
【０１２５】
表１に示すように、比較例１で得られた導電性基材は、金属含有層上に非導電性の樹脂層が位置するものであるため、印加電圧が１２ｋＶ以上の場合に配線間の抵抗変化率が２０％より大きく、静電破壊耐性に劣るものであった。
比較例２で得られた導電性基材についても、印加電圧が１２ｋＶ以上の場合には配線間の抵抗変化率が２０％より大きく、静電破壊耐性に劣るものであった。これは、金属含有層の下層に帯電防止層を設けた場合であっても、表層に帯電防止性保護層がなく、直接金属含有層に静電気が放電されることから、帯電防止効果に劣るためと考えられる。
これに対し、本開示の導電性基材である実施例１乃至３で得られた導電性基材は、金属含有層上に、導電材料を含む保護層を有するため、印加電圧が１２ｋＶであっても配線間の抵抗変化率が２０％以下と小さく、静電破壊耐性に優れるものであった。
【０１２６】
［参考例１］
実施例１で得られた導電性基材の基材側の面（裏面）を印加面として、前記と同様の方法により静電破壊耐性の評価を行った。評価結果を表１に示す。
【０１２７】
［参考例２］
比較例１で得られた導電性基材の基材側の面（裏面）を印加面として、前記と同様の方法により静電破壊耐性の評価を行った。評価結果を表１に示す。
【０１２８】
参考例１及び参考例２によれば、導電性基材の基材側の面（裏面）を印加面とした場合の静電破壊耐性の評価では、印加電圧を１３ｋＶとしても配線間の抵抗変化率が２０％以下と小さかった。基材が十分な膜厚を有することから、基材表面で発生した静電気は、金属含有層にまでは影響を及ぼし難く、金属含有層中に含まれる金属粒子に過電流が流れにくいため、導電性基材の基材側からの帯電については静電破壊が起き難いと推定される。
【符号の説明】
【０１２９】
１      基材
２      金属含有層
２’    金属含有層用塗膜
３      保護層
３’    保護層用塗膜
１０    導電性基材
２０    タッチパネル
３０    表示装置
３１    表示パネル
【図１】
2017217785.tif 000004
【図２】
2017217785.tif 000005
【図３】
2017217785.tif 000006
【図４】
2017217785.tif 000007
【図５】
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