(57)【要約】【課題】マスクの形状と基板の形状との差を低減するのに有利な露光装置を提供する。【解決手段】マスクと基板とを走査方向に走査しながら前記基板を露光する走査型の露光装置であって、前記マスクを照明する照明光学系と、前記マスクに対向して前記走査方向とは異なる方向に配列され、それぞれが気体を噴出する機能及び気体を吸引する機能の少なくとも一方を有する複数のノズルを含み、前記複数のノズルにより前記マスク上に任意の圧力分布を形成することによって、前記照明光学系によって照明されている、前記マスクの第１領域の形状を補正する補正部と、を有することを特徴とする露光装置を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクと基板とを走査方向に走査しながら前記基板を露光する走査型の露光装置であって、
前記マスクを照明する照明光学系と、
前記マスクに対向して前記走査方向とは異なる方向に配列され、それぞれが気体を噴出する機能及び気体を吸引する機能の少なくとも一方を有する複数のノズルを含み、前記複数のノズルにより前記マスク上に任意の圧力分布を形成することによって、前記照明光学系によって照明されている、前記マスクの第１領域の形状を補正する補正部と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記補正部は、前記マスクの形状及び前記基板の形状に基づいて、前記複数のノズルのそれぞれが前記マスクにかける圧力を制御する制御部を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１領域の形状と、前記第１領域に対応する前記基板の第２領域の形状との差が許容範囲内となるように、前記複数のノズルのそれぞれが前記マスクにかける圧力を制御することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記マスクの形状を計測する第１計測部と、
前記基板の形状を計測する第２計測部と、を更に有し、
前記制御部は、前記第１計測部の計測結果及び前記第２計測部の計測結果に基づいて、前記差を求めることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記複数のノズルは、前記第１領域を取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記複数のノズルのそれぞれは、前記照明光学系の光軸に対して傾けて配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記複数のノズルは、
前記マスクの第１面の側に配置された複数の第１ノズルと、
前記マスクの前記第１面とは反対の第２面の側に配置された複数の第２ノズルと、を含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記複数の第１ノズルのそれぞれと、前記複数の第２ノズルのそれぞれとは、前記走査方向及び前記走査方向に直交する方向における位置が同じになるように配置されていることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記複数の第１ノズルのそれぞれ、及び、前記複数の第２ノズルのそれぞれを、前記走査方向に直交する方向に移動させる第１移動部と、
前記複数の第１ノズルのそれぞれ、及び、前記複数の第２ノズルのそれぞれが前記マスクに圧力をかけるべき位置に応じて、前記第１移動部による移動を制御する第１移動制御部と、
を更に有することを特徴とする請求項７又は８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記複数の第１ノズルのそれぞれ、及び、前記複数の第２ノズルのそれぞれを、前記照明光学系の光軸に沿った方向に移動させる第２移動部と、
前記複数の第１ノズルのそれぞれ、及び、前記複数の第２ノズルのそれぞれが前記マスクにかけるべき圧力値に応じて、前記第２移動部による移動を制御する第２移動制御部と、
を更に有することを特徴とする請求項７乃至９のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記複数のノズルは、前記マスクの第１面及び前記第１面とは反対の第２面の一方の面の側に配置され、
前記複数のノズルは、気体を噴出する機能及び気体を吸引する機能を有することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記複数のノズルは、前記マスクを保持して移動するマスクステージとは別の部材に固定されていることを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記複数のノズルを取り囲むように配置され、前記マスクに対して気体を噴出するパッドを更に有することを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や液晶パネルなどのデバイスは、フォトリソグラフィ工程を経て製造されている。フォトリソグラフィ工程では、マスクやレチクル（原版）のパターンを、投影光学系を介して、レジスト（感光剤）が塗布された基板（ガラス基板やウエハ）に投影する露光装置が使用されている。近年では、基板上でスリット形状の露光領域を走査することで、マスクのパターンを投影する走査型の露光装置が主流となっている。
【０００３】
このような露光装置において、一般的に、マスクは、その外周部を、マスクステージに支持されている。これは、マスクには、その中心部にパターンが形成されており、マスクの中心部を支持することができないからである。従って、マスクステージにおいて、マスクの中心部が自重で下方に湾曲する場合がある。
【０００４】
また、マスクには、１μｍ以下の精度でパターンが形成されており、露光装置には、基板に対して、複数のパターンを１μｍ以下の精度で重ね合わせて転写（形成）することが要求されている。従って、マスクと基板との間には、高い位置決め精度に加えて、高い平行度が必要となる。そこで、マスクの形状を補正する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
特許文献１には、マスクと、マスクに提供される空間定義部品とによって定義される空間の圧力をサーボバルブで制御する技術が開示されている。例えば、空間定義部品がマスクの上方に配置されている場合には、かかる空間の圧力を大気圧に対して負圧にすることで、マスクを持ち上げてマスクの湾曲を補正している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４４５５２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、液晶パネルの大型化及び高精細化が進み、露光装置においては、２ｍ角を超えるガラス基板に対して転写されるパターンの大面積化及び高精細化が求められている。従って、マスクと基板との間の平行度の向上の要求が年々強まってきている。ここで、マスクと基板との間の平行度とは、例えば、マスクの形状と基板の形状との差を意味する。
【０００８】
マスクと基板との間の平行度を向上させる方法の１つとして、マスクの平面度を向上させることが考えられる。マスクの平面度を向上させるためには、マスクの自重による湾曲の補正精度を向上させる、マスク自身の加工精度を向上させる、或いは、マスクを保持する保持面の平面度を向上させる必要がある。但し、マスク自身の加工精度の向上やマスクの保持面の平面度の向上に関しては、マスクを製造するコストの増加や加工限界の問題があるため、現実的ではない。
【０００９】
マスクの自重による湾曲の補正に関しては、上述したように、特許文献１に開示された技術が知られているが、かかる技術では、マスクの２次成分の変形（湾曲）しか補正することができない。また、マスク自身の形状やマスクの保持面の形状が２次成分の形状とは限らないため、特許文献１に開示された技術では、マスクの平面度を十分に向上させることができない。特に、近年で要求されているようなマスクの平面度を実現するためには、マスクの形状を高次成分（３次以上の成分）まで補正することが必要である。
【００１０】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、マスクの形状と基板の形状との差を低減するのに有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、マスクと基板とを走査方向に走査しながら前記基板を露光する走査型の露光装置であって、前記マスクを照明する照明光学系と、前記マスクに対向して前記走査方向とは異なる方向に配列され、それぞれが気体を噴出する機能及び気体を吸引する機能の少なくとも一方を有する複数のノズルを含み、前記複数のノズルにより前記マスク上に任意の圧力分布を形成することによって、前記照明光学系によって照明されている、前記マスクの第１領域の形状を補正する補正部と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、例えば、マスクの形状と基板の形状との差を低減するのに有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略正面図である。
【図２】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略側面図である。
【図３】図１に示す露光装置のマスクステージの構成の一例を示す概略斜視図である。
【図４】図１に示す露光装置のマスクステージの構成の一例を示す概略斜視図である。
【図５】図１に示す露光装置の補正部の構成の一例を示す概略側面図である。
【図６】図１に示す露光装置の補正部の構成の一例を示す概略側面図である。
【図７】図１に示す露光装置の補正部の近傍を示す概略側面図である。
【図８】補正部のノズルの数とマスクの形状を補正可能な次数成分との関係を示す図である。
【図９】図１に示す露光装置の補正部の構成の一例を示す概略側面図である。
【図１０】図１に示す露光装置の補正部の構成の一例を示す概略側面図である。
【図１１】マスク及び基板のそれぞれの形状の一例を示す図である。
【図１２】マスクの形状と基板の形状との差を示す図である。
【図１３】マスクの形状を補正する場合におけるマスクの形状と基板の形状との差を示す図である。
【図１４】マスクの補正次数と補正残差との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１６】
図１及び図２のそれぞれは、本発明の一側面としての露光装置１００の構成を示す概略正面図及び概略側面図である。露光装置１００は、マスクと基板とを走査方向に走査しながら基板を露光する走査型の露光装置（スキャナー）である。露光装置１００は、照明光学系１と、投影光学系２と、本体構造体３と、マスクステージ定盤４と、第１計測部６と、第２計測部７と、制御部２０と、マスクＭを保持して移動するマスクステージＭＳと、基板Ｗを保持して移動する基板ステージＰＳとを有する。
【００１７】
照明光学系１は、マスクステージＭＳに支持されたマスクＭを照明する光学系である。照明光学系１は、本実施形態では、所謂、ケーラー照明系として構成されている。照明光学系１は、例えば、楕円ミラーと、コンデンサレンズと、スリットと、ミラーとを含む。楕円ミラーは、光源から射出された光を集光する。コンデンサレンズは、楕円鏡によって集光された光を拡大し、且つ、平行光にする。スリットは、マスクＭと共役な位置に配置され、コンデンサレンズからの光のうち、マスクＭを照明する光（照明光）として使用しない部分をカットして、マスク上に所定の照明領域を定義する。ミラーは、スリットを通過した光を反射して、かかる光でマスクＭを照明する。
【００１８】
照明光学系１からの光、即ち、マスクＭを照明する光としては、例えば、水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）が用いられる。但し、マスクＭを照明する光として、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などの遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長約１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光（ＶＵＶ光）などを用いてもよい。
【００１９】
マスクステージＭＳに保持されたマスクＭと基板ステージＰＳに保持された基板Ｐとは、投影光学系２を介して、共役な位置に配置されている。具体的には、マスクＭは、投影光学系２の物体面に配置され、基板Ｐは、投影光学系２の像面に配置されている。
【００２０】
投影光学系２は、照明光学系１によって照明されたマスクＰのパターンを、基板ステージＰＳに保持された基板Ｐに投影（転写）する光学系である。投影光学系２は、平面ミラー１１と、凹面ミラー１２と、凸面ミラー１３とを含む。投影光学系２は、等倍結像光学系、拡大結像光学系及び縮小結像光学系のいずれの光学系としても構成されるが、本実施形態では、等倍結像光学系として構成されている。
【００２１】
マスクＭからの光は、平面ミラー１１、凹面ミラー１２、凸面ミラー１３、凹面ミラー１２、平面ミラー１１の順に反射され、基板ステージＰＳに保持された基板Ｐに結像する。かかる状態において、マスクステージＭＳ及び基板ステージＰＳをＹ軸方向に走査して、マスクＭのパターンを基板Ｐの全面に転写する。以下では、照明光学系１及び投影光学系２の光軸の方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な方向でマスクＭ及び基板Ｐの移動方向をＹ軸方向（走査方向）、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＸ軸方向とする。
【００２２】
図３（ａ）、図３（ｂ）、図４（ａ）及び図４（ｂ）は、マスクステージＭＳの構成の一例を示す概略斜視図である。マスクステージＭＳは、照明光学系１に対してマスクＭを走査（駆動）するように構成され、走査方向であるＹ軸方向に長いストロークを有し、走査方向に直交するＸ軸方向に適当なストロークを有する。マスクステージＭＳは、マスクＭを保持するための保持面（保持部）８と、マスクステージ駆動部９とを含む。マスクステージ駆動部９は、リニアモーターなどのアクチュエータを含み、マスクステージＭＳをＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する。
【００２３】
第１計測部６は、マスクＭの上方に配置されている。第１計測部６は、マスクＭの形状、本実施形態では、マスクＭの平面度を計測する。第２計測部７は、投影光学系２の下部に配置されている。第２計測部７は、基板Ｐの形状、本実施形態では、基板Ｐの平面度を計測する。第１計測部６及び第２計測部７には、物体の表面の形状を計測することが可能な当業界で周知のいかなる構成をも適用することができる。
【００２４】
補正部１０は、例えば、マスクＭの上方（マスクＭの第１面の側）及びマスクＭの下方（マスクＭの第１面とは反対の第２面の側）に配置されている。補正部１０は、非接触で、マスクＭの形状を補正する（マスクＭを変形させる）。補正部１０は、本実施形態では、マスクＭに対向して走査方向とは異なる方向、例えば、Ｘ軸方向に配列され、それぞれが気体を噴射する機能及び気体を吸引する機能の少なくとも一方を有する複数のノズルを含む。補正部１０は、複数のノズルによりマスク上に任意の圧力分布を形成することによって、照明光学系１によって照明されている、マスクＭの照明領域（第１領域）の形状を補正する。
【００２５】
具体的には、補正部１０は、複数のノズルとして、図１及び図２に示すように、マスクＭの上方に配置された複数の第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｉ、１０Ｊ乃至１０Ｒと、マスクＭの下方に配置された複数の第２ノズル１０ａ乃至１０ｉ、１０ｊ乃至１０ｒとを含む。第２ノズル１０ａ乃至１０ｒは、第１ノズル１０Ａ乃至１０ＲとマスクＭを挟んで対向した位置に配置されている。換言すれば、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒのそれぞれと、第２ノズル１０ａ乃至１０ｒのそれぞれとは、走査方向及び走査方向に直交する方向における位置が同じになるように配置されている。また、ここでは、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒは、気体を噴射してエアーブローによる圧力（推力）を用いてマスクＭの形状を補正する例を説明する。但し、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒは、上述したように、気体の吸引による圧力を用いてマスクＭの形状を補正してもよい。
【００２６】
制御部２０は、ＣＰＵやメモリなどを含み、露光装置１００の全体を制御する。換言すれば、制御部２０は、露光装置１００の各部を統括的に制御することで、露光装置１００の動作を制御する。また、制御部２０は、後述するように、マスクＭの形状及び基板Ｐの形状に基づいて、補正部１０の複数のノズル（第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒ）のそれぞれがマスクＭにかける圧力を制御する。従って、制御部２０は、基板Ｐの露光に関する処理だけではなく、マスクＭの形状の補正に関する処理も制御し、補正部１０の一部としても機能する。
【００２７】
以下、露光装置１００におけるマスクＭの形状の補正について説明する。本実施形態では、まず、マスクＭの平面度を第１計測部６で計測するとともに、基板Ｐの平面度を第２計測部７で計測する。制御部２０は、第１計測部６の計測結果及び第２計測部７の計測結果に基づいて、マスクＭの形状と基板Ｐの形状との差、詳細には、マスクＭの照明領域の形状と、マスクＭの照明領域に対応する基板Ｐの露光領域（第２領域）の形状との差を求める。そして、制御部２０は、マスクＭの照明領域の形状と基板Ｐの露光領域の形状との差に基づいて、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒのそれぞれがマスクＭにかける圧力を調整して、基板Ｐと平行になるようにマスクＭの形状を補正する。換言すれば、マスクＭの照明領域の形状と基板Ｐの露光領域の形状との差が許容範囲内となるように、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒのそれぞれがマスクＭにかける圧力を制御する。
【００２８】
第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒは、マスクＭを保持して移動するマスクステージＭＳとは別の部材、例えば、本体構造体３、マスクステージ定盤４、投影光学系２などに固定されている。例えば、図１、図２、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、マスクＭの上方に配置された第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒと、マスクＭの下方に配置された第２ノズル１０ａ乃至１０ｒとの間を、マスクＭが移動する。図３（ａ）は、基板Ｐを露光している状態におけるマスクＭと第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒとの位置関係を示し、図３（ｂ）は、基板Ｐを露光していない状態におけるマスクＭと第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒとの位置関係を示している。補正部１０は、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒが配置された領域内にマスクＭが移動してきたときに、かかる領域内のマスクＭの形状を補正（変化）させる。従って、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒは、照明光学系１からの光（照明領域）と可能な限り近接させて配置するとよい。
【００２９】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、基板Ｐの露光領域が矩形形状である場合には、マスクＭの照明領域も矩形形状になるため、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒを、矩形形状の照明領域に沿って配置する。また、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒは、矩形形状の照明領域をＹ軸方向に沿って挟み込むように配置する。本実施形態では、照明領域を挟んで、第１ノズル１０Ａ乃至１０ＩをＹ軸方向の−側に配置し、第１ノズル１０Ｊ乃至１０ＲをＹ軸方向の＋側に配置する。第２ノズル１０ａ乃至１０ｒも同様に、マスクＭを挟んで第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒと対向する位置に配置する。本実施形態では、照明領域を挟んで、第２ノズル１０ａ乃至１０ｉをＹ軸方向の−側に配置し、第２ノズル１０ｊ乃至１０ｒをＹ軸方向の＋側に配置する。また、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、基板Ｐの露光領域が円弧形状である場合には、マスクＭの照明領域も円弧形状になるため、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒを、円弧形状の照明領域に沿って配置すればよい。このように、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒは、マスクＭの照明領域を取り囲むように配置されている。
【００３０】
制御部２０は、図５に示すように、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｉのそれぞれに対応する圧力制御部２０Ａ乃至２０Ｉと、第２ノズル１０ａ乃至１０ｉのそれぞれに対応する圧力制御部２０ａ乃至２０ｉとを含む。圧力制御部２０Ａ乃至２０Ｉは、第１ノズル１０Ａ乃至１０ＩがマスクＭにかける圧力値を個別に制御し、圧力制御部２０ａ乃至２０ｉは、第２ノズル１０ａ乃至１０ｉがマスクＭにかける圧力値を個別に制御する。このように、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｉ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｉのそれぞれがマスクＭにかける圧力値を制御することで、マスク上に任意の圧力分布を形成することができる。従って、基板Ｐを露光する際に、マスクＭの照明領域の形状と基板Ｐの露光領域の形状との差が許容範囲内となるように、マスクの形状を高次成分（３次以上の成分）まで補正することができる。なお、図５では図示を省略しているが、制御部２０は、第１ノズル１０Ｊ乃至１０Ｒや第２ノズル１０ｊ乃至１０ｒに対応する圧力制御部も含んでいる。
【００３１】
また、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒをＺ軸方向（照明光学系１や投影光学系２の光軸に沿った方向）に移動させることで、マスク上に任意の圧力分布を形成することも可能である。この場合、例えば、図６に示すように、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｉ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｉに移動部（第２移動部）２２を設ける。移動部２２は、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｉのそれぞれ、及び、第２ノズル１０ａ乃至１０ｉのそれぞれをＺ軸方向に沿った方向に移動させる。また、制御部２０は、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｉのそれぞれ、及び、第２ノズル１０ａ乃至１０ｉのそれぞれがマスクＭにかけるべき圧力値に応じて、移動部２２による移動を制御する（第２移動制御部として機能する）。マスクＭと第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｉのそれぞれとの間の距離、及び、マスクＭと第２ノズル１０ａ乃至１０ｉのそれぞれとの間の距離を変更することで、各ノズルがマスクＭにかける圧力値を変化させることができる。なお、図６では図示を省略しているが、第１ノズル１０Ｊ乃至１０Ｒや第２ノズル１０ｊ乃至１０ｒにも、各ノズルをＺ軸方向に移動させる移動部が設けられている。
【００３２】
移動部２２による第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｉ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｉの移動は非常に微小である。従って、移動部２２には、ピエゾ素子、静電アクチュエータ、高分解能のモータやシリンダーなどを使用し、入力としては応力、圧力、電圧、静電気、電場などを用いる。
【００３３】
本実施形態では、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒからのエアーブローによってマスク上に任意の圧力分布を形成し、マスクの形状を高次成分まで補正している。従って、エアーブローによる圧力を得るために、Ｚ軸方向において、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒをマスクＭに近接させる必要がある。一方、上述したように、マスクＭは、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒと第２ノズル１０ａ乃至１０ｒとの間を移動する。その際、マスクステージＭＳに保持されたマスクＭの自重による湾曲が大きいと、マスクＭと第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｒ及び第２ノズル１０ａ乃至１０ｒとが干渉する可能性がある。
【００３４】
そこで、図７に示すように、第２ノズル１０ａ乃至１０ｒを取り囲むように、マスクステージ定盤４にパッド２４を配置する。パッド２４は、マスクＭに対して気体を噴射することで（即ち、エアーブローによって）、マスクステージＭＳに保持されたマスクＭの自重による湾曲を全体的に補正する。マスクステージ定盤４に配置されるパッド２４は、例えば、多孔質パッドであって、マスクＭの広範囲に対して気体を噴射することが可能なように構成されている。
【００３５】
補正部１０が含む複数のノズルは、第１ノズル１０Ｊ乃至１０Ｒや第２ノズル１０ｊ乃至１０ｒに限定されるものではない。第１ノズル１０Ｊ乃至１０Ｒや第２ノズル１０ｊ乃至１０ｒの配置や数は一例であって、基板Ｐの露光領域、ノズルの配置の制限、補正すべきマスクＭの形状が何次成分であるかなどに応じて、適切に決定すればよい。但し、図８（ａ）乃至図８（ｄ）に示すように、補正部１０のノズルの数を増やせば、マスクＭの形状を制御する制御点が増えるため、マスクＭの形状をより高次成分まで補正することが可能となる。なお、図８（ａ）乃至図８（ｄ）では、マスクＭに対して気体を噴出するノズルを矢印で示している。
【００３６】
また、補正部１０が含む複数のノズルは、図５や図６に示すように、マスクＭの上方及び下方に配置する必要はない。例えば、図９（ａ）に示すように、マスクＭの下方に、気体を噴出する機能及び気体を吸引する機能の両方を有するノズル１０Ｘ及び１０Ｙを配置してもよい。また、図９（ｂ）に示すように、マスクＭの上方に、気体を噴出する機能及び気体を吸引する機能の両方を有するノズル１０Ｘ及び１０Ｙを配置してもよい。このように、補正部１０が含む複数のノズルは、マスクＭの上方及び下方の一方の側（マスクＭの第１面及び第１面とは反対の第２面の一方の面の側）に配置されていればよい。ノズル１０Ｘ及び１０Ｙによる気体の噴出（実線）と吸引（点線）との切り替えは、圧力制御部２０によって行われる。圧力制御部２０は、ノズル１０Ｘ及び１０Ｙを、それぞれ個別に制御することができる。
【００３７】
また、図１０に示すように、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｃのそれぞれを走査方向に直交するＸ軸方向に移動させる移動部（第１移動部）２６Ａや第２ノズル１０ａ乃至１０ｃのそれぞれをＸ軸方向に移動させる移動部（第１移動部）２６ａを設けてもよい。また、制御部２０は、第１ノズル１０Ａ乃至１０Ｃのそれぞれ、及び、第２ノズル１０ａ乃至１０ｃのそれぞれがマスクＭに圧力をかけるべき位置に応じて、移動部２６Ａ及び２６ａによる移動を制御する（第１移動制御部として機能する）。これにより、補正部１０のノズルを配置するスペースが限られている場合において、ノズルの数を抑えながらもノズルを任意の位置に移動させることで、マスクＭの形状を高次成分まで補正することが可能となる。なお、移動部２６Ａ及び２６ａは、例えば、モータやシリンダーなどで構成されている。
【００３８】
補正部１０によって補正するマスクＭの形状の一例を図１１（ａ）に示し、基板Ｐの形状の一例を図１１（ｂ）に示す。マスクＭの形状は、図１１（ａ）に示すように、２次成分の形状で、変形量をｎとする。基板Ｐの形状は、図１１（ｂ）に示すように、６次成分の形状で、変形量をｎとする。
【００３９】
この場合、マスクＭと基板Ｐとの間には、図１２（ａ）に示すように、最大で１．５ｎの焦点深度誤差が生じてしまう。ここで、焦点深度誤差は、マスクＭの形状と基板Ｐの形状との差（Ｚ軸方向）に起因するものである。図１２（ａ）を参照するに、マスクＭの照明領域内の位置によって大きく焦点位置が異なってしまっていることがわかる。このように、マスクＭの形状と基板Ｐの形状との差がある場合には、補正部１０によってマスクＭの形状を高次成分まで補正することで、図１２（ｂ）に示すように、焦点深度誤差を低減することができる。
【００４０】
具体的には、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）のそれぞれに示すように、マスクＭの形状と基板Ｐの形状の差を２次成分及び３次成分まで補正する場合、補正残差は、０．５９ｎとなる。また、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）のそれぞれに示すように、マスクＭの形状と基板Ｐの形状の差を４次成分及び５次成分まで補正する場合、補正残差は、０．５４ｎとなる。また、図１３（ｅ）及び図１３（ｆ）のそれぞれに示すように、マスクＭの形状と基板Ｐの形状の差を６次成分及び７次成分まで補正する場合、補正残差は、０．４６ｎとなる。また、図１３（ｇ）及び図１３（ｈ）のそれぞれに示すように、マスクＭの形状と基板Ｐの形状の差を８次成分及び９次成分まで補正する場合、補正残差は、０．１４ｎとなる。また、図１３（ｉ）のそれぞれに示すように、マスクＭの形状と基板Ｐの形状の差を１０次成分まで補正する場合、補正残差は、０．０２ｎとなる。
【００４１】
図１４は、マスクＭの補正次数と補正残差との関係を示す図である。ここで、マスクＭの補正次数とは、補正部１０によって補正されるマスクＭの形状の次数成分である。図１４を参照するに、マスクＭの補正次数を増やせば増やすほど、補正残差が少なくなる。従って、補正部１０のノズルの数を可能な限り増やすことで、マスクＭの形状をより高次成分まで補正することが可能となり、焦点深度誤差を低減することができる。
【００４２】
露光装置において焦点深度誤差が生じた場合、マスクＭのパターンを基板Ｐに転写する際に、パターンの転写不良を招いてしまう。一方、露光装置１００では、補正部１０によってマスクＭの形状を高次成分まで補正することで、マスクＭと基板Ｐとの間の平行度を高精度に維持し、マスクＭのパターンを基板Ｐに正確に転写することができる。このように、露光装置１００は、マスクＭの形状と基板Ｐの形状との差を低減するのに有利であり、基板Ｐを高精度に露光することができる。
【００４３】
なお、本実施形態では、Ｚ軸（照明光学系１や投影光学系２の光軸）に対して第１ノズル１０Ｊ乃至１０Ｒや第２ノズル１０ｊ乃至１０ｒを平行に配置して、マスクＭに対して垂直に気体を噴出しているが、これに限定されるものではない。例えば、第１ノズル１０Ｊ乃至１０Ｒや第２ノズル１０ｊ乃至１０ｒをＺ軸に対して傾けて配置し、マスクＭに対して斜めから気体を噴出してもよい。これにより、マスクＭの照明領域に圧力を直接かけることが可能となり、マスクＭの照明領域の形状をより高精度に補正することができる。
【００４４】
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス（半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など）などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１００を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する工程と、露光された基板を現像する工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）のそれぞれに示すマスクＭ及び基板Ｐの形状は一例であり、実際には、様々な次数や量の形状が考えられる。但し、マスクＭや基板Ｐがどのような形状であっても、補正部１０のノズルの数を増やし、マスクＭの形状を高次成分まで補正する方が、一般的には補正残差が少なくなる。
【符号の説明】
【００４６】
１００：露光装置    １：照明光学系    ２：投影光学系    １０：補正部    １０Ａ乃至１０Ｒ、１０ａ乃至１０ｒ：ノズル    Ｍ：マスク    Ｐ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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