(57)【要約】      （修正有）【課題】低濃度注入領域を有する半導体装置において、低濃度注入領域における特性降下を抑制する。【解決手段】基板２と、基板側から順に第１絶縁層４と半導体層１０とゲート絶縁層１３とゲート電極１４とが形成され、第１のブロッキング層１１と、第２のブロッキング層１２とを含み、半導体層１０はソース領域５、チャネル領域９、ドレイン領域６、ソース領域５とチャネル領域９との間にそれぞれに接して設けられた第１低濃度注入領域７及びドレイン領域６とチャネル領域９との間にそれぞれに接して設けられた第２低濃度注入領域８を有する。第１のブロッキング層１１は第１低濃度注入領域７上に設けられ、第２のブロッキング層１２は第２低濃度注入領域８上に設けられ、第１のブロッキング層１１及び第２のブロッキング層１２における可動イオンの移動度は、ゲート絶縁層中における可動イオンの移動度よりも小さい。【選択図】図１
2017011111.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
第１のブロッキング層と、
第２のブロッキング層と、を含み、
前記半導体層は、ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記チャネル領域との間にそれぞれに接して設けられた第１低濃度注入領域、及び、前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間にそれぞれに接して設けられた第２低濃度注入領域を有し、
前記第１のブロッキング層は、前記ゲート絶縁層と前記第１低濃度注入領域との間に設けられ、
前記第２のブロッキング層は、前記ゲート絶縁層と前記第２低濃度注入領域との間に設けられ、
前記第１のブロッキング層における可動イオンの移動度及び第２のブロッキング層における可動イオンの移動度は、前記ゲート絶縁層における可動イオンの移動度よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１のブロッキング層及び前記第２のブロッキング層は、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、タンタル窒化物、タンタル酸窒化物、チタン酸化物、チタン窒化物及びチタン酸窒化物のうちの少なくとも１種が主材料であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のブロッキング層及び前記第２のブロッキング層は、それぞれの厚さが１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
更に、前記基板と前記第１絶縁層との間に形成された第３のブロッキング層を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極上には第２絶縁層が設けられ、
前記第２絶縁層上に第４のブロッキング層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
基板と、
前記基板上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記第１絶縁層上及び前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の一部に形成された第１のブロッキング層と、
前記ゲート絶縁層上の一部に形成された第２のブロッキング層と、
前記ゲート絶縁層上、第１のブロッキング層上、及び、第２のブロッキング層上に形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成された第２絶縁層と、
を含み、
前記半導体層は、ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記チャネル領域との間にそれぞれに接して形成された第１低濃度注入領域、及び、前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間にそれぞれに接して形成された第２低濃度注入領域を有し、
前記第１のブロッキング層は、前記ゲート絶縁層と前記第１低濃度注入領域との間に設けられ、
前記第２のブロッキング層は、前記ゲート絶縁層と前記第２低濃度注入領域との間に設けられ、
前記第１のブロッキング層における可動イオンの移動度及び前記第２のブロッキング層における可動イオンの移動度が、前記ゲート絶縁層中における可動イオンの移動度よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記第１のブロッキング層及び前記第２のブロッキング層は、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、タンタル窒化物、タンタル酸窒化物、チタン酸化物、チタン窒化物及びチタン酸窒化物のうちの少なくとも１種が主材であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１のブロッキング層及び前記第２のブロッキング層は、その厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置。
【請求項９】
更に、前記基板と前記第１絶縁層との間に形成された第３のブロッキング層を有することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
更に、前記第２絶縁層の上側に設けられた第４のブロッキング層を備えることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、表示装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置、電子ペーパー等の表示装置には、画像表示等の制御のためのスイッチング素子としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備える半導体基板が用いられることが多い。
【０００３】
ＴＦＴを用いることでこれら表示装置の表示部を薄く構成することが可能であるものの、ＴＦＴはアルカリ金属のような可動イオンが半導体基板内に存在した場合には経時的に特性が変動する場合があることが知られている。このため、このような半導体基板の製造においてはアルカリ金属に対し細心の注意が払われ、アルカリ汚染が起こらないような対策が施されている場合が多い。
【０００４】
例えば、特許文献１には、基板（母材）上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等のブロッキング膜を備えるものを設けることで、母材自体が可動イオンにより汚染された場合でも半導体層へ当該可動イオンが拡散することを防ぐことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２６４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された対策では、基板（母材）以外の部分に可動イオンが存在した場合には、この可動イオンの拡散を防ぐことができないという問題がある。具体的な例としては、ＴＦＴが低濃度注入領域（ＬＤＤ領域）を有する場合に、当該ＬＤＤ領域若しくは当該ＬＤＤ領域の近傍に可動イオンが蓄積されると、当該ＬＤＤ領域及び当該ＬＤＤ領域の近傍の抵抗値が変動し、これによりＴＦＴのオン電流が低下する。これにより、ＴＦＴの特性が変化してしまうことになる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の問題並びに課題の少なくともひとつを解決するためになされたものであり、以下の適用例又は実施形態をとることができる。
【０００８】
［適用例１］
本発明に係るひとつの半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、第１のブロッキング層と、第２のブロッキング層と、を含み、前記半導体層は、ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記チャネル領域との間にそれぞれに接して設けられた第１低濃度注入領域、及び、前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間にそれぞれに接して設けられた第２低濃度注入領域を有し、前記第１のブロッキング層は、前記ゲート絶縁層と前記第１低濃度注入領域との間に設けられ、前記第２のブロッキング層は、前記ゲート絶縁層と前記第２低濃度注入領域との間に設けられ、前記第１のブロッキング層における可動イオンの移動度及び第２のブロッキング層における可動イオンの移動度は、前記ゲート絶縁層における可動イオンの移動度よりも小さいことを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、第１のブロッキング層及び第２のブロッキング層により第１低濃度注入領域及び第２低濃度注入領域に対する可動イオンの侵入が抑制されることで、第１低濃度注入領域及び第２低濃度注入領域おける抵抗の変化の抑制を図ることができる。これにより第１低濃度注入領域及び第２低濃度注入領域におけるオン電流の変化を防ぐことができ、半導体装置の特性の変化を抑制することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記の本発明に係るひとつの半導体装置において、前記第１のブロッキング層及び前記第２のブロッキング層は、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、タンタル窒化物、タンタル酸窒化物、チタン酸化物、チタン窒化物及びチタン酸窒化物のうちの少なくとも１種が主材料であることが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、これらの材料の少なくとも一種を主材料とすることにより、第１のブロッキング層及び第２のブロッキング層における可動イオンの移動度を、通常用いられる材料を用いて形成されたゲート絶縁層における可動イオンの移動度よりも小さいものとすることができる。
【００１２】
［適用例３］
上記の本発明に係るひとつの半導体装置において、前記第１のブロッキング層及び前記第２のブロッキング層は、それぞれの厚さが１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、第１のブロッキング層及び第２のブロッキング層の厚さを上記の範囲内にすることにより、半導体装置の大型化を招くことなく、第１低濃度注入領域及び第２低濃度注入領域における抵抗の高抵抗化を抑制することができる。
【００１４】
［適用例４］
上記の本発明に係る半導体装置において、更に、前記基板と前記第１絶縁層との間に形成された第３のブロッキング層を有することが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、基板側からの半導体層への可動イオンの伝播を遅らせることで、可動イオンの半導体層への影響の低減を図ることができる。
【００１６】
［適用例５］
上記の本発明に係る半導体装置において、前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極上には第２絶縁層が設けられ、前記第２絶縁層上に第の４のブロッキング層が設けられていることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、第４のブロッキング層の上側からの可動イオンの伝播を遅らせることで、可動イオンの半導体層への影響の低減を図ることができる。
【００１８】
［適用例６］
本発明に係る他のひとつの半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されたゲート電極と、前記第１絶縁層上及び前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の一部に形成された第１のブロッキング層と、前記ゲート絶縁層上の一部に形成された第２のブロッキング層と、前記ゲート絶縁層上、第１のブロッキング層上、及び、第２のブロッキング層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された第２絶縁層と、を含み、前記半導体層は、ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記チャネル領域との間にそれぞれに接して形成された第１低濃度注入領域、及び、前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間にそれぞれに接して形成された第２低濃度注入領域を有し、前記第１のブロッキング層は、前記ゲート絶縁層と前記第１低濃度注入領域との間に設けられ、前記第２のブロッキング層は、前記ゲート絶縁層と前記第２低濃度注入領域との間に設けられ、前記第１のブロッキング層における可動イオンの移動度及び前記第２のブロッキング層における可動イオンの移動度が、前記ゲート絶縁層中における可動イオンの移動度よりも小さいことを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、第１のブロッキング層及び第２のブロッキング層により第１低濃度注入領域及び第２低濃度注入領域に対するゲート絶縁層からの可動イオンの侵入を抑制することができる。これにより、第１低濃度注入領域、及び、第２低濃度注入領域における抵抗の変化の抑制を図ることができる。これにより第１低濃度注入領域及び第２低濃度注入領域におけるオン電流の低下を防ぐことができ、本導体層の特性の変化を抑制することができる。
【００２０】
［適用例７］
上記の他のひとつの半導体装置において、前記第１のブロッキング層及び前記第２のブロッキング層は、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、タンタル窒化物、タンタル酸窒化物、チタン酸化物、チタン窒化物及びチタン酸窒化物のうちの少なくとも１種が主材であることが好ましい。
【００２１】
この構成によれば、これらの材料を用いることにより、第１のブロッキング層及び第２のブロッキング層の層中における可動イオンの移動度を、通常用いられる材料を用いて形成されたゲート絶縁層中における可動イオンの移動度よりも小さいものとすることができる。
【００２２】
［適用例８］
上記の他のひとつの半導体装置において、前記第１のブロッキング層及び前記第２のブロッキング層は、その厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
この構成によれば、第１のブロッキング層及び第２のブロッキング層の厚さを上記の範囲内にすることにより、半導体装置の大型化を招くことなく、第１低濃度注入領域及び第２低濃度注入領域における高抵抗化を抑制することができる。
【００２４】
［適用例９］
上記の他のひとつの半導体装置において、更に、前記基板と前記第１絶縁層との間に形成された第３のブロッキング層を有することが好ましい。
【００２５】
この構成によれば、第３のブロッキング層により基板側から半導体層への可動イオンの伝播を遅らせることで、可動イオンの半導体層への影響の低減を図ることができる。
【００２６】
［適用例１０］
上記の他のひとつの半導体装置において、更に、前記第２絶縁層の上側に設けられた第４のブロッキング層を備えることが好ましい。
【００２７】
この構成によれば、第４のブロッキング層の上側からの可動イオンの伝播を遅らせることで、可動イオンの半導体層への影響の低減を図ることができる。
【００２８】
［適用例１１］
本発明に係る表示装置は、上記の半導体装置を備えることが好ましい。
【００２９】
この構成によれば、可動イオンによる特性の変化が起こりにくい半導体装置を備えることで、信頼性に優れた表示装置を構成することができる。
【００３０】
［適用例１２］
本発明に係る電子機器は、上記の表示装置を備えることが好ましい。
【００３１】
この構成によれば、上記の表示装置を備えることで、信頼性に優れた電子機器を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の半導体装置の第１実施形態を模式的に示す縦断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の第２実施形態を模式的に示す縦断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の第３実施形態を模式的に示す縦断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の第４実施形態を模式的に示す縦断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の第５実施形態を模式的に示す縦断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の第６実施形態を模式的に示す縦断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の第７実施形態を模式的に示す縦断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の第８実施形態を模式的に示す縦断面図である。
【図９】本発明の表示装置の実施形態である電気泳動表示装置を模式的に示す断面図である。
【図１０】アクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。
【図１１】本発明の電子機器の実施形態である電子ペーパーを模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明に係る半導体装置、表示装置及び電子機器の実施形態について、図を用いて説明する。尚、本発明に係る実施形態の説明においては、図中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。また、用いる図は説明のための便宜上のものであり、例えば構成要素の大きさの比率等は実際のものとは異なる場合がある。
【００３４】
（第１実施形態）
図１に本実施形態における半導体装置１Ａの断面図を示す。半導体装置１は、所謂トップゲート・ボトムコンタクト型のＴＦＴである。
【００３５】
半導体装置１Ａは、基板２、第１の層間絶縁層４、半導体層１０（ソース領域５、ドレイン領域６、チャネル領域９、第１低濃度注入領域７、及び、第２低濃度注入領域８を含む）、第１のブロッキング層１１、第２のブロッキング層１２、ゲート絶縁層１３、ゲート電極１４、第２の層間絶縁層１５、導電部１７、及び、導電部１８を有している。
【００３６】
基板２としては、特に限定されないが、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【００３７】
第１の層間絶縁層４は、基板２の上に形成され、半導体層１０と基板２との間の電気的な接続を抑制するためのものである。
【００３８】
第１のブロッキング層１１は、第１低濃度注入領域７上に形成される。第２のブロッキング層１２は、第２低濃度注入領域８上に形成される。ゲート絶縁層１３は、ゲート電極１４と半導体層１０などとの電気的な接続を抑制するためのもので、半導体層１０、第１のブロッキング層１１及び第２のブロッキング層１２上に形成される。
【００３９】
第１のブロッキング層１１及び第２のブロッキング層１２のそれぞれは、可動イオンの移動度がゲート絶縁層１３における可動イオンの移動度よりも低くなるものとして形成されている。これにより、ゲート絶縁層１３に可動イオンが存在したとしても、当該可動イオンの第１低濃度注入領域７及び第２低濃度注入領域８への拡散の抑制を期待することができる。
【００４０】
第１のブロッキング層１１及び第２のブロッキング層１２の材料は、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、タンタル窒化物、タンタル酸窒化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン酸窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることでよい。これらの材料を用いることにより、第１のブロッキング層１１及び第２のブロッキング層１２の中における可動イオンの移動度を、通常の材料で形成された場合のゲート絶縁層１３中における可動イオンの移動度よりも小さいものとすることができる。
【００４１】
ゲート絶縁層１３の上にはゲート電極１４、第２の層間絶縁層１５が形成されている。ソース領域５は、導電部１７に接続されている。また、ドレイン領域６は、導電部１８に接続されている。導電部１７及び導電部１８は、第２の層間絶縁層１５上に形成される所定の導電パターンにより半導体装置１外部の素子等に接続される。
【００４２】
上述したように半導体装置１Ａは、第１のブロッキング層１１及び第２のブロッキング層１２により、ゲート絶縁層１３からの第１低濃度注入領域７及び第２低濃度注入領域８への可動イオンの拡散が抑制される。これにより、第１低濃度注入領域７及び第２低濃度注入領域８に可動イオンが蓄積されることで変化する半導体装置１Ａの特性の変化を抑止することができる。
【００４３】
（第２実施形態）
図２に、本実施形態における半導体装置１Ｂの断面図を示す。なお、本実施形態を含め以下の実施形態において、第１実施形態の半導体装置１との相違点を中心に説明し、同様の構成要素については同じ若しくは類似の符号を付与し、その説明を省略する場合がある。
【００４４】
半導体装置１Ｂは、基板２、第１の層間絶縁層４、半導体層１０（ソース領域５、ドレイン領域６、チャネル領域９、第１低濃度注入領域７、及び、第２低濃度注入領域８を含む）、第１のブロッキング層１１Ｂ、第２のブロッキング層１２Ｂ、ゲート絶縁層１３、ゲート電極１４、第２の層間絶縁層１５、導電部１７、及び、導電部１８を有している。
【００４５】
本実施形態と第１実施形態との違いは、第１のブロッキング層１１Ｂ及び第２のブロッキング層１２Ｂが設けられている領域の違いにある。本実施形態における第１のブロッキング層１１Ｂは、第１低濃度注入領域７上だけでなく、第１低濃度注入領域７に隣接するソース領域５上にも連続した形で形成されている。また、本実施形態における第２のブロッキング層１２Ｂは、第２低濃度注入領域８上だけでなく、第２低濃度注入領域８に隣接するドレイン領域６上にも連続した形で形成されている。尚、第１のブロッキング層１１Ｂ及び第２のブロッキング層１２Ｂは、第１実施形態における第１のブロッキング層１１及び第２のブロッキング層１２と同様の材料により形成される。これにより、第１低濃度注入領域７及び第２低濃度注入領域８だけでなく、ソース領域５及びドレイン領域６へのゲート絶縁層１３からの可動イオンの拡散を抑制することができる。これにより、半導体装置１Ｂにおける可動イオンの影響による特性の変化を抑制することできる。
【００４６】
（第３実施形態）
図３に、本実施形態における半導体装置１Ｃの断面図を示す。
【００４７】
半導体装置１Ｃは、基板２、第３のブロッキング層３、第１の層間絶縁層４、半導体層１０（ソース領域５、ドレイン領域６、チャネル領域９、第１低濃度注入領域７、及び、第２低濃度注入領域８を含む）、第１のブロッキング層１１、第２のブロッキング層１２、ゲート絶縁層１３、ゲート電極１４、第２の層間絶縁層１５、第４のブロッキング層１６、導電部１７、及び、導電部１８を有している。
【００４８】
本実施形態と第１実施形態で示した半導体装置１Ａとの違いは、基板２と第１の層間絶縁層４との間に第３のブロッキング層３が存在すること、及び、第２の層間絶縁層１５の上に第４のブロッキング層１６が存在することである。第３のブロッキング層３及び第４のブロッキング層１６は、第１実施形態における第１のブロッキング層１１及び第２のブロッキング層１２と同様の材料により形成される。
【００４９】
半導体装置１Ｃは、第３のブロッキング層３を備えることで基板２から第１の層間絶縁層４への可動イオンの侵入を抑制することができる。また、半導体装置１Ｃは、第４のブロッキング層１６を備えることで半導体装置１Ｃの上面外部からの可動イオンの侵入を抑制することができる。従って、第１の層間絶縁層４における可動イオンの増加が抑制される。また、第２の層間絶縁層１５における可動イオンの増加が抑制され、ひいてはゲート絶縁層１３における可動イオンの増加の抑制を図ることができる。これにより、第１のブロッキング層１１及び第２のブロッキング層１２の効果と相まって、半導体装置１Ｃとしての可動イオンの影響による特性の変動を抑制することが可能となる。
【００５０】
（第４実施形態）
本実施形態は、第２実施形態における半導体装置１Ｂに第３実施形態で示した第３のブロッキング層３及び第４のブロッキング層１６を設けた半導体装置１Ｄの例である。図４に、本実施形態における半導体装置１Ｄの断面図を示す。
【００５１】
半導体装置１Ｄは、基板２、第３のブロッキング層３、第１の層間絶縁層４、半導体層１０（ソース領域５、ドレイン領域６、チャネル領域９、第１低濃度注入領域７、及び、第２低濃度注入領域８を含む）、第１のブロッキング層１１Ｂ、第２のブロッキング層１２Ｂ、ゲート絶縁層１３、ゲート電極１４、第２の層間絶縁層１５、第４のブロッキング層１６、導電部１７、及び、導電部１８を有している。
【００５２】
半導体装置１Ｄは、第３のブロッキング層３を備えることで基板２から第１の層間絶縁層４への可動イオンの侵入を抑制することができる。また、半導体装置１Ｄは、第４のブロッキング層１６を備えることで半導体装置１Ｃの上面外部からの可動イオンの侵入を抑制することができる。従って、第１の層間絶縁層４における可動イオンの増加が抑制される。また、第２の層間絶縁層１５における可動イオンの増加が抑制され、ひいてはゲート絶縁層１３における可動イオンの増加の抑制を図ることができる。これにより、第１のブロッキング層１１Ｂ及び第２のブロッキング層１２Ｂの効果と相まって、半導体装置１Ｃとしての可動イオンの影響による特性の変動を抑制することが可能となる。
【００５３】
（第５実施形態）
本実施形態における半導体装置１Ｅの断面図を図５に示す。半導体装置１Ｅは所謂ボトムゲート型のＴＦＴである。半導体装置１Ｅは、基板２、第１の層間絶縁層４、ゲート電極１４Ｅ、ゲート絶縁層１３Ｅ、第１のブロッキング層１１Ｅ、第２のブロッキング層１２Ｅ、半導体層１０Ｅ（ソース領域５Ｅ、ドレイン領域６Ｅ、チャネル領域９Ｅ、第１低濃度注入領域７Ｅ、及び、第２低濃度注入領域８Ｅを含む）、第２の層間絶縁層１５Ｅ、導電部１７、及び、導電部１８を有する。
【００５４】
第１のブロッキング層１１Ｅ及び第２のブロッキング層１２Ｅの材料は、第１実施形態で説明した半導体装置１Ａにおける第１のブロッキング層１１及び第２のブロッキング層１２と同じものでよい。これにより、ゲート絶縁層１３Ｅ内に存在する可動イオンが第１低濃度注入領域７Ｅ及び第２低濃度注入領域８Ｅに拡散するのを抑制することができる。これにより半導体装置１Ｅの特性が変わるまでの時間を長くすることができ、半導体装置１Ｅの寿命を延ばすことができる。
【００５５】
（第６実施形態）
本実施形態における半導体装置１Ｆは、上述した第１実施形態における半導体装置１Ａに対する第２実施形態における半導体装置１Ｂと同じように、第５実施形態で示した半導体装置１Ｅの変形例である。半導体装置１Ｆの断面図を図６に示す。
【００５６】
半導体装置１Ｆにおける第１のブロッキング層１１Ｆは、第１低濃度注入領域７Ｅ及びソース領域５Ｆとゲート絶縁層１３Ｅとの間に形成されている。同様に、半導体装置１Ｆにおける第２のブロッキング層１２Ｆは、第２低濃度注入領域８Ｅ及びドレイン領域６Ｆとゲート絶縁層１３Ｅとの間に形成されている。第１のブロッキング層１１Ｆの材料は第１のブロッキング層１１Ｅと同様の材料でよく、第２のブロッキング層１２Ｆの材料は第２のブロッキング層１２Ｅと同様の材料でよい。これにより、第１低濃度注入領域７Ｅ及び第２低濃度注入領域８Ｅだけでなく、ソース領域５Ｆ及びドレイン領域６Ｆに対してもゲート絶縁層１３Ｅからの可動イオンの拡散を抑制することができる。これにより、半導体装置１Ｆにおける可動イオンによる特性の変動が抑制される。
【００５７】
（第７実施形態）
本実施形態における半導体装置１Ｇの断面図を図７に示す。半導体装置１Ｇは、第５実施形態における半導体装置１Ｅの基板２と第１の層間絶縁層４との間に第３のブロッキング層３Ｇを、第２の層間絶縁層１５Ｅ上に第４のブロッキング層１６Ｇを設けたものである。
【００５８】
これにより、第１の層間絶縁層４及び第２の層間絶縁層１５Ｅへの可動イオンの侵入を抑制する効果が期待でき、半導体装置１Ｇにおける可動イオンによる特性変化の抑制を図ることができる。
【００５９】
（第８実施形態）
本実施形態における半導体装置１Ｈの断面図を図８に示す。半導体装置１Ｈは、第６実施形態における半導体装置１Ｆの基板２と第１の層間絶縁層４との間に第３のブロッキング層３Ｇを、第２の層間絶縁層１５Ｆ上に第４のブロッキング層１６Ｇを設けたものである。
【００６０】
これにより、第１の層間絶縁層４及び第２の層間絶縁層１５Ｆへの可動イオンの拡散を抑制することができ、半導体装置１Ｈの可動イオンによる特性変化の抑制を図ることができる。
【００６１】
（第９実施形態）
上記の第１実施形態から第８実施形態で示した半導体装置は、様々な電子機器の制御素子として用いることができる。半導体装置としての特性の変化が抑制されていることで、電子機器の持つ本来性能を長く維持することが可能となる。一例として電気泳動表示装置に本発明に係る半導体装置を用いた例を示す。
【００６２】
電気泳動表示装置１００の断面図を図９に示す。電気泳動表示装置１００は、共通電極基板２１、電気泳動シート４００、及び、駆動基板２２を積層させた構造を有する。駆動基板２２は所定の基板上に複数のＴＦＴが形成されており、これら複数のＴＦＴを用いて図１０で示すアクティブマトリクス回路２３が形成されている。
【００６３】
アクティブマトリクス回路２３には、複数のデータ線３０１と、複数のデータ線３０１とは異なる方向に配置された複数の走査線３０２と、複数のデータ線３０１及び複数の走査線３０２のそれぞれの交点部分に形成された複数のＴＦＴ３００とが含まれる。ＴＦＴ３００として、上記の実施形態で示した半導体装置のいずれも使うことができる。それぞれのＴＦＴ３００の導電部１７には複数のデータ線３０１のいずれかひとつが電気的に接続され、導電部１８には画素電極部３２が電気的に接続されている。当該画素電極部３２と共通電極基板２１との間に生成される電界によって電気泳動シート４００が有する電気泳動カプセル４０内の電気泳動粒子３４ａ及び３４ｂの位置が制御されることで電気泳動表示装置１００に様々な情報及び画像を表示することが可能となる。尚、電気泳動粒子３４ａ及び３４ｂは、液相分散媒３５の中に分散されている。
【００６４】
（第１０実施形態）
図１１に、電気泳動表示装置１００を用いた電子機器の例として、電子ペーパー６００を示す。
【００６５】
電子ペーパー６００の場合、上述した第１実施形態から第８実施形態で示した構成における基板２として可撓性のある基板を用いることが好ましい場合がある。可撓性のある基板としては、例えばプラスチック基板が考えられる。プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００６６】
以上、本発明の半導体装置、かかる装置を備える表示装置及び電子機器について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明は、本発明の主旨を逸脱しない範囲において広く適応が可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ…半導体装置、２…基板、３…第３のブロッキング層、４…第１の層間絶縁層、５，５Ｄ…ソース領域、６，６Ｄ…ドレイン領域、７，７Ｄ…第１低濃度注入領域、８，８Ｄ…第２低濃度注入領域、９，９Ｄ…チャネル領域、１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ…第１のブロッキング層、１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ…第２のブロッキング層、１３，１３Ｄ…ゲート絶縁層、１４，１４Ａ…ゲート電極、１５，１５Ｄ…第２の層間絶縁層、１６，１６Ｅ…第４のブロッキング層、１７…導電部、１８…導電部、２１…共通電極基板、２２…駆動基板、２３…アクティブマトリクス回路、３２…画素電極部、３４ａ…電気泳動粒子、３５…液相分散媒、４０…電気泳動カプセル、１００…電気泳動表示装置、３００…ＴＦＴ、３０１…データ線、３０２…走査線、４００…電気泳動シート、６００…電子ペーパー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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