(57)【要約】【課題】処理ガスが他の処理領域に移動することを抑制する。【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に設けられる基板載置台と、基板載置台を回転させる回転駆動部と、基板載置台の上面に設けられ、基板載置台の回転中心に対してその周囲に配置される基板が載置される基板載置部と、処理室内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、処理室内を不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域と処理ガスが導入される処理ガス導入領域とに区画し、基板載置台の径方向に延びるように基板載置台の上方に設けられ、処理ガス導入領域側の側面に第１の排気孔を有する第１の排気部と、基板載置台の外周部に設けられ、上面に第２の排気孔を有する第２の排気部と、を有する。【選択図】図１０
2017034013.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる基板載置台と、
前記基板載置台を回転させる回転駆動部と、
前記基板載置台の上面に設けられ、前記基板載置台の回転中心に対してその周囲に配置される前記基板が載置される基板載置部と、
前記処理室内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、
前記処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
前記処理室内を不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域と処理ガスが導入される処理ガス導入領域とに区画し、前記基板載置台の径方向に延びるように前記基板載置台の上方に設けられ、前記処理ガス導入領域側の側面に第１の排気孔を有する第１の排気部と、
前記基板載置台の外周部に設けられ、上面に第２の排気孔を有する第２の排気部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる基板載置台と、
前記基板載置台を回転させる回転駆動部と、
前記基板載置台の上面に設けられ、前記基板載置台の回転中心に対してその周囲に配置される前記基板が載置される基板載置部と、
前記処理室内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、
前記処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
前記処理室内を不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域と処理ガスが導入される処理ガス導入領域とに区画し、前記基板載置台の径方向に延びるように前記基板載置台の上方に設けられ、前記処理ガス導入領域側の側面に第１の排気孔を有する第１の排気部と、
前記基板載置台の外周部に設けられ、上面に第２の排気孔を有する第２の排気部と、
を有する基板処理装置を用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記基板載置部に前記基板を載置する工程と、
前記基板載置台を回転させる工程と、
前記不活性ガス導入部から前記不活性ガスを導入し、前記処理ガス導入部から前記処理ガスを導入すると共に、前記第１の排気孔及び前記第２の排気孔から前記処理室内の前記処理ガスを排気する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる基板載置台と、
前記基板載置台を回転させる回転駆動部と、
前記基板載置台の上面に設けられ、前記基板載置台の回転中心に対してその周囲に配置される前記基板が載置される基板載置部と、
前記処理室内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、
前記処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
前記処理室内を不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域と処理ガスが導入される処理ガス導入領域とに区画し、前記基板載置台の径方向に延びるように前記基板載置台の上方に設けられ、前記処理ガス導入領域側の側面に第１の排気孔を有する第１の排気部と、
前記基板載置台の外周部に設けられ、上面に第２の排気孔を有する第２の排気部と、
を有する基板処理装置において、
前記基板載置部に前記基板を載置する手順と、
前記基板載置台を回転させる手順と、
前記不活性ガス導入部から前記不活性ガスを導入し、前記処理ガス導入部から前記処理ガスを導入すると共に、前記第１の排気孔及び前記第２の排気孔から前記処理室内の前記処理ガスを排気する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばフラッシュメモリやＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を形成する基板処理工程が実施されることがある。係る工程を実施する基板処理装置として、サセプタ上に複数の処理領域（反応セル）を設け、該処理領域に各処理ガスを区画し収容して滞留させ、基板に対する処理を各処理領域において順次行うことにより、基板上に薄膜を形成する反応チャンバを備えた薄膜蒸着装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１７５４８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような処理領域においては、収容した処理ガスが、隣接した他の処理領域に多少なりとも移動する可能性がある。反応ガスが移動すると、複数種類の反応ガスが混在するため、各処理領域で行われる処理が精度良く行われなくなる。従って、このようなガスの他の処理領域への移動を抑制することが必要となる。
【０００５】
しかしながら、上述した従来構成の基板処理装置では、排気孔がサセプタに対向する狭い空間に形成されているため排気効率の向上が十分ではない、等の課題があった。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決して、処理ガスが他の処理領域に移動することを抑制できる構成を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられる基板載置台と、前記基板載置台を回転させる回転駆動部と、前記基板載置台の上面に設けられ、前記基板載置台の回転中心に対してその周囲に配置される前記基板が載置される基板載置部と、前記処理室内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、前記処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、前記処理室内を不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域と処理ガスが導入される処理ガス導入領域とに区画し、前記基板載置台の径方向に延びるように前記基板載置台の上方に設けられ、前記処理ガス導入領域側の側面に第１の排気孔を有する第１の排気部と、前記基板載置台の外周部に設けられ、上面に第２の排気孔を有する第２の排気部と、を有する構成が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
上記の構成によれば、処理ガスが他の処理領域に移動することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略上面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略縦断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る処理室の概略横断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る図３に示す処理室のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る図３に示す処理室のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るガス導入部の説明図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る排気ダクトの説明図（上面図）である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る排気ダクトの説明図（縦断面図）である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る第１の排気部（排気配管）の説明図（斜視図）である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る排気ダクトの説明図（斜視図）である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る排気ダクトの接続部周辺の説明図（縦断面図）である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置のコントローラの概略構成図である。
【図１３】本発明の第１実施形態に係る基板処理工程を説明するフローチャートである。
【図１４】本発明の第１実施形態に係る成膜工程を説明するフローチャートである。
【図１５】本発明の第１実施形態に係るガス導入部と排気ダクトの説明図（縦断面図）である。
【図１６】本発明の第１実施形態に係るガス導入部と排気ダクトの説明図（上面図）である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係る排気ダクトの説明図（上面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜第１実施形態＞
（１）基板処理装置の構成
まずは、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成について、図１と図２を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る多枚葉式の基板処理装置１０の概略上面図である。図２は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略縦断面図である。
【００１１】
なお、第１実施形態に係る基板処理装置においては、製品としての処理基板２００などの基板を搬送するキャリヤとしては、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ。以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、図１に示されているＸ1の方向を右、Ｘ2方向を左、Ｙ1方向を前、Ｙ2方向を後ろとする。
【００１２】
図１および図２に示されているように、基板処理装置はロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備えている。第一の搬送室１０３には基板２００を移載する第一の基板移載機１１２が設置されている。
【００１３】
筐体１０１の五枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室と搬出用の予備室とを併用可能な予備室１２２と１２３がそれぞれゲートバルブ１２６，１２７を介して連結されている。さらに、予備室（ロードロック室）１２２，１２３には基板支持台１４０により２枚の基板２００を積み重ねるように置くことが可能である。
【００１４】
予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１には基板２００を移載する第二の基板移載機１２４が設置されている。第二の基板移載機１２４は第二の搬送室１２１に設置された第二の基板移載機エレベータ１３１によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１５】
図１に示されているように、第二の搬送室１２１の左側にはノッチまたはオリフラ合わせ装置１０６を設置させることも出来る。また、図２に示されているように、第二の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
【００１６】
図１および図２に示されているように、第二の搬送室１２１の筐体１２５の前側には、基板２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８が設置されている。基板搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはロードポート（ＩＯステージ）１０５が設置されている。ポッドオープナ１０８は、ポッド１００のキャップ１００ａを開閉すると共に基板搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャ１４２と、クロージャ１４２を駆動する駆動機構１３６とを備えており、ロードポート１０５に載置されたポッド１００のキャップ１００ａを開閉することにより、ポッド１００に対する基板２００の出し入れを可能にする。
【００１７】
図１に示されているように、第一の搬送室筐体１０１には、基板に所望の処理を行う第一の処理室２０２ａと、第二の処理室２０２ｂ、第三の処理室２０２ｃ、第四の処理室２０２ｄがゲートバルブ１５０、１５１、１５２、１５３を介してそれぞれ隣接して連結されている。
【００１８】
以下、前記構成を有する基板処理装置を使用した処理工程を説明する。以下の制御は、図１および図２に示されているように、制御部としてのコントローラ３００によって制御される。コントローラ３００は、前記構成において、装置全体を制御している。
【００１９】
図１および図２に示されているように、搬送されて来たポッド１００はロードポート１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放された後、第二の基板移載機１２４は、ポッド１００から基板２００をピックアップし、基板２００を予備室１２２に搬入し、基板２００を基板支持台１４０に移載する。移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２０】
予備室１２２内が予め設定された圧力値となると、ゲートバルブ１２６が開かれ、予備室１２２と第一の搬送室１０３とが連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一の基板移載機１１２は基板支持台１４０から基板２００を第一の搬送室１０３に搬入する。ゲートバルブ１２６が閉じられた後、ゲートバルブ１５１が開かれ、第一の搬送室１０３と第二の処理室２０２ｂとが連通される。ゲートバルブ１５１が閉じられた後、第二の処理室２０２ｂ内に処理ガスが供給され、基板２００に対して所望の処理が施される。
【００２１】
第二の処理室２０２ｂで基板２００に対する処理が完了すると、ゲートバルブ１５１が開かれ、基板２００は第一の基板移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。
【００２２】
続いて、ゲートバルブ１２７が開かれ、第一の基板移載機１１２は第二の処理室２０２ｂから搬出した基板２００を予備室１２３の基板支持台１４０へ搬送し、処理済みの基板２００は冷却される。予備室１２３に処理済み基板２００を搬送し、予め設定された冷却時間が経過すると、予備室１２３が不活性ガスにより略大気圧に戻される。続いてゲートバルブ１２９が開かれると、第二の搬送室１２１の第二の基板移載機１２４は基板支持台１４０から基板２００を第二の搬送室１２１に搬出しポッド１００に収納する。
【００２３】
以上の動作は第二の処理室２０２ｂおよび予備室１２２、１２３が使用される場合を例にして説明したが、第一の処理室２０２ａおよび第三の処理室２０２ｃ、第四の処理室２０２ｄが使用される場合についても同様の動作が実施される。
【００２４】
（２）処理室の構成
続いて、第１実施形態に係る処理室２０２の構成について、主に図３〜図１１を用いて説明する。この処理室２０２は、例えば上述した第一の処理室２０２ｂである。
【００２５】
（反応容器）
図３〜図４に示すように、反応容器２０３は、蓋部としての反応容器天井２０３ａと、筒状の容器である処理容器としての反応容器本体２０３ｂとにより気密に密閉されて構成されている。反応容器２０３内には、基板２００の処理空間２０７が形成されている。反応容器２０３内の処理空間２０７の上側には、中心部から放射状に延びる第１の排気部としての第１の排気配管２０，２２が設けられている。第１の排気配管２０，２２は、例えば９０度の間隔で交互に２組（４つ）設けられている。２組の第１の排気配管２０，２２は、反応容器天井２０３ａに取り付けられている。２組の第１の排気配管２０，２２は、処理空間２０７を４つの領域、すなわち、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂに仕切って区画するように構成されている。言い換えれば、処理領域とパージ領域が隣接した状態で配置されている。なお、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂは、後述する基板載置台としてのサセプタ２１７の回転方向（図３の矢印Ｒ）に沿って、この順番に配列するように構成されている。このように、第１の排気配管２０，２２は、処理室２０２内を、処理ガスが導入される処理ガス導入領域と不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域とに分割する分割構造体としても用いられる。第１の排気配管２０，２２は、例えばアルミニウムや石英等の材料で形成される。
【００２６】
後述するように、サセプタ２１７を回転させることで、サセプタ２１７上に載置された基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動することとなる。また、後述するように、第一の処理領域２０１ａ内には第一のガスとしての第一の処理ガスが供給され、第二の処理領域２０１ｂ内には第二のガスとしての第二の処理ガスが供給され、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内には不活性ガスが供給されるように構成されている。そのため、サセプタ２１７を回転させることで、基板２００上には、第一の処理ガス、不活性ガス、第二の処理ガス、不活性ガスが、この順に供給されることとなる。サセプタ２１７及びガス導入部の構成については後述する。
【００２７】
第１の排気配管２０，２２の端部と反応容器２０３の側壁との間には、所定の幅の隙間を設け、この隙間をガスが通過できるように構成してもよい。この隙間を介し、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内から第一の処理領域２０１ａ内及び第二の処理領域２０１ｂ内に向けて不活性ガスを噴出させるようにする。このようにすることで、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内への処理ガスの侵入を抑制することができ、処理ガスの反応を防止することができる。
【００２８】
なお、第１実施形態では、第１の排気配管２０，２２間の角度をそれぞれ９０度としたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、基板２００への各種ガスの供給時間等を考慮して、例えば第二の処理領域２０１ｂを形成する第１の排気配管２０，２２間の角度を大きくしたりする等、適宜変更してもよい。
【００２９】
また、第１実施形態では、２組の第１の排気配管２０，２２により４つの領域に区画したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、３組以上の第１の排気配管２０，２２を用いて複数の領域に区画してもよく、１組の第１の排気配管２０，２２により２つの領域に区画してもよい。また、第１の排気配管２０，２２と仕切りを組合わせて複数の領域に区画するようにしてもよい。
【００３０】
（サセプタ）
図３〜図４に示すように、反応容器２０３内の底側中央には、反応容器２０３の中心に回転軸の中心を有し、回転自在に構成された基板載置台としてのサセプタ２１７が設けられている。サセプタ２１７は、基板２００の金属汚染を低減することができるように、例えば、カーボン（Ｃ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。金属汚染を考慮しない基板処理である場合は、アルミニウム（Ａｌ）で形成しても良い。なお、サセプタ２１７は、反応容器２０３とは電気的に絶縁されている。
【００３１】
サセプタ２１７は、反応容器２０３内にて、複数枚（第１実施形態では例えば５枚）の基板２００を同一面上に、かつ同一円上に並べて支持するように構成されている。ここで、同一面上とは、完全な同一面に限られるものではなく、サセプタ２１７を上面から見たときに、図３及び図４に示すように、複数枚の基板２００が互いに重ならないように並べられていればよい。このように、サセプタ２１７は、複数の基板２００を同一円に沿うように並べて載置する載置面を有し、該載置面が反応容器２０３の反応容器天井２０３ａと対向するように構成されている。
【００３２】
サセプタ２１７表面における基板２００の支持位置には、基板載置部２１７ｂを、処理する基板２００の枚数に対応して設けることが好ましい。基板載置部２１７ｂは、例えば上面から見て円形状であり、側面から見て凹形状としてもよい。この基板載置部２１７ｂ内に基板２００を載置することにより、基板２００の位置決めを容易に行うことができる。更には、サセプタ２１７の回転に伴う遠心力により基板２００がサセプタ２１７から飛び出してしまう場合等で発生する位置ズレを防止できるようになる。
【００３３】
図４に示すように、サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させる昇降駆動部２６８が設けられている。サセプタ２１７には、貫通孔２１７ａが複数設けられている。上述の反応容器２０３の底面には、反応容器２０３内への基板２００の搬入・搬出時に、基板２００を突き上げて、基板２００の裏面を支持する基板突き上げピン２６６が複数設けられている。貫通孔２１７ａ及び基板突き上げピン２６６は、基板突き上げピン２６６が上昇した時、又は昇降駆動部２６８によりサセプタ２１７が下降した時に、基板突き上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、互いに配置されている。
【００３４】
昇降駆動部２６８には、サセプタ２１７を回転させる回転駆動部２６７が設けられている。回転駆動部２６７の図示しない回転軸は、サセプタ２１７に接続されている。回転駆動部２６７を作動させることで、サセプタ２１７は、サセプタ２１７の載置面と平行な方向に回転するように構成されている。回転駆動部２６７には、後述するコントローラ３００が、カップリング部２６７ａを介して接続されている。コントローラ３００は、サセプタ２１７を所定の速度で所定時間回転させるように、回転駆動部２６７への通電具合を制御するように構成されている。上述したように、サセプタ２１７を回転させることにより、サセプタ２１７上に載置された基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ及び第二のパージ領域２０４ｂをこの順番に移動することとなる。
【００３５】
（加熱部）
サセプタ２１７の内部には、加熱部としてのヒータ２１８が一体的に埋め込まれている。ヒータ２１８に電力が供給されると、基板載置部２１７ｂに載置された基板２００を加熱する。例えば、基板２００の表面が所定温度（例えば室温〜１０００℃程度）にまで加熱されるようになっている。なお、ヒータ２１８は、サセプタ２１７に載置されたそれぞれの基板２００を個別に加熱するように、同一面上に複数（例えば５つ）設けてもよい。
【００３６】
サセプタ２１７には温度センサ２７４が設けられている。ヒータ２１８及び温度センサ２７４には、電力供給線２２２を介して、温度調整器２２３、電力調整器２２４及びヒータ電源２２５が電気的に接続されている。温度センサ２７４により検出された温度情報に基づいて、ヒータ２１８への通電具合が制御されるように構成されている。
【００３７】
また、処理室２０２を構成する処理室壁２０２ｅの内部には、加熱部としてのヒータ２１９が一体的に埋め込まれている。ヒータ２１９に電力が供給されると、処理室２０２内を例えば１５０℃〜２００℃程度にまで加熱されるようになっている。ヒータ２１９は、反応容器２０３の周囲に設けられた処理室壁２０２ｅの４面に設けられている。
【００３８】
処理室２０２内には温度センサ（不図示）が設けられている。ヒータ２１９及び温度センサには、電力供給線（不図示）を介して、温度調整器２２３、電力調整器２２４及びヒータ電源２２５が電気的に接続されている。温度センサにより検出された温度情報に基づいて、ヒータ２１９への通電具合が制御されるように構成されている。
【００３９】
すなわち、処理室壁２０２ｅにヒータ２１９を設けて処理室２０２内を加熱することにより、サセプタ２１７の裏面等のメンテナンスのしにくい部分であっても副生成物の付着が抑制される。また、真空ポンプ２４６等の排気装置が１つであっても副生成物の付着が抑制される。また、ヒータ２１９の代わりに処理室壁２０２ｅに循環液経路を設け、循環液を流して加熱するようにしてもよい。また、ヒータ２１９と循環液経路を組合わせて用いてもよい。
【００４０】
（サセプタの周辺構造）
図３に示すように、処理室壁２０２ｅには、第一の搬送室筐体１０１がゲートバルブ１５０から１５３のいずれかを介して隣接するように設けられている。例えば、ゲートバルブ１５１が開かれることで、処理室２０２内と第一の搬送室筐体１０１とが連通するようになっている。第一の基板移載機１１２はポッドから第二の基板移載機１２４を介して、サセプタ２１７の載置部２１７ｂとの間で、基板２００を搬送する。前述したように、サセプタ２１７には、基板２００を載置する載置部２１７ｂが複数、形成されている。第１実施形態においては、載置部２１７ｂはそれぞれが順時計方向に対して等間隔（例えば７２度の間隔）となるように、五つ設けられ、サセプタ２１７が回転することで、五つの載置部２１７ｂが一括して回転される。
【００４１】
（ガス導入部）
反応容器天井２０３ａの中央部には、例えば筒状に形成されたガス導入部２５０が設けられている。ガス導入部２５０の上端側は、反応容器天井２０３ａに開設された開口に気密に接続されている。
【００４２】
ガス導入部２５０の筒状内部は、第２処理ガス導入部２５２、不活性ガス導入部２５３及びクリーニングガス導入部２５８に区画されている。具体的には、ガス導入部２５０内の第２処理領域２０１ｂ側には、第２処理ガス導入部２５２が設けられている。また、ガス導入部２５０内の第１処理領域２０１ａ側、第一のパージ領域２０４ａ側及び第二のパージ領域２０４ｂ側には、不活性ガス導入部２５３が設けられている。さらに、ガス導入部２５０の中央には、クリーニングガス導入部２５８が設けられている。
【００４３】
第２処理ガス導入部２５２の第２処理領域２０１ｂ側の側壁には、第２処理領域２０１ｂに開口する第２処理ガス噴出口２５５が設けられている。
【００４４】
不活性ガス導入部２５３の第１処理領域２０１ａ側の側壁には、第１処理領域２０１ａに開口する不活性ガス噴出口２５４が設けられている。また、不活性ガス導入部２５３の第一のパージ領域２０４ａ側の側壁には、第一のパージ領域２０４ａに開口する不活性ガス噴出口２５６が設けられている。さらに、不活性ガス導入部２５３の第二のパージ領域２０４ｂの側の側壁には、第二のパージ領域２０４ｂに開口する不活性ガス噴出口２５７が設けられている。これらの各不活性ガス噴出口２５４，２５６，２５７は、いずれも後述するライン状ガス供給部２８１ａ，２８１ｂ，２８１ｃに対応して設けられたもので、各ライン状ガス供給部２８１ａ，２８１ｂ，２８１ｃを挟む２組の第１の排気配管２０，２２に沿って不活性ガスを噴出させるようにすべく、第１の排気配管２０，２２のそれぞれの近傍に配された二つの開口によって構成されている。
【００４５】
ガス導入部２５０の底には、クリーニングガス導入部２５８の端部であるクリーニングガス供給孔２５９が設けられている。すなわち、クリーニングガス供給孔２５９は、第２処理ガス噴出口２５５、各不活性ガス噴出口２５４，２５６，２５７より低い位置に設けられている。
【００４６】
なお、本実施形態では、後述する各ライン状ガス供給部２８１ａ，２８１ｂ，２８１ｃ及びプラズマ生成部２０６のそれぞれにもガス供給がされるようにガス導入部が設けられている。
【００４７】
反応容器２０３の第一の処理領域２０１ａにおける天井部には、ライン状ガス供給部２８１ａへのガス供給を行うための第１処理ガス導入部２８２が設けられている。第１処理ガス導入部２８２の上端側は、反応容器２０３の天井部に開設された開口に気密に接続されている。第１処理ガス導入部２８２の下端側は、ライン状ガス供給部２８１ａの上部に接続されている。
【００４８】
反応容器２０３の第一のパージ領域２０４ａにおける天井部には、ライン状ガス供給部２８１ｂへのガス供給を行うための第１不活性ガス導入部（ただし不図示）が設けられている。また、反応容器２０３の第二のパージ領域２０４ｂにおける天井部には、ライン状ガス供給部２８１ｃへのガス供給を行うための第２不活性ガス導入部（ただし不図示）が設けられている。これらの不活性ガス導入部の上端側は、いずれも、反応容器２０３の天井部に開設された開口に気密に接続されている。これらの不活性ガス導入部の下端側は、ライン状ガス供給部２８１ｂ又はライン状ガス供給部２８１ｃの上部に接続されている。
【００４９】
反応容器２０３の第二の処理領域２０１ｂにおける天井部には、プラズマ生成部２０６へのガス供給を行うためのプラズマ生成部側ガス導入部２６０が設けられている。プラズマ生成部側ガス導入部２６０の上端側は、反応容器２０３の天井部に開設された開口に気密に接続されている。プラズマ生成部側ガス導入部２６０の下端側は、プラズマ生成部２０６の上部に接続されている。
【００５０】
なお、ガス導入部２５０の筒状内部に設けられた各種のガス導入部や、それら各種のガス導入部に対応して設けられた各噴出口については、少なくとも何れかを設けなくてもよく、また全てを設けないように構成することもできる。その場合、ライン状ガス供給部２８１ａ、２８１ｂ、２８１ｃ等の、他の位置に設けられたガス供給部からガスを導入する。
【００５１】
（第１処理ガス供給系）
ライン状ガス供給部２８１ａへのガス供給を行うための第１処理ガス導入部２８２の上端には、第１処理ガス供給管２３２ａの下流端が接続されている。第１処理ガス供給管２３２ａには、上流方向から順に、第１処理ガス供給源２３２ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３２ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３２ｄが設けられている。
【００５２】
第１処理ガス供給管２３２ａからは、第１元素を含有するガスである第１処理ガスが、ＭＦＣ２３２ｃ、バルブ２３２ｄ、第１処理ガス導入部２８２及びライン状ガス供給部２８１ａを介して、第一の処理領域２０１ａ内に対して供給される。
【００５３】
本実施形態においては、第１処理ガスを原料ガスとして用いる。ここでいう「原料ガス」とは、処理ガスの一つであり、薄膜形成の際の原料になるガスである。原料ガスは、薄膜を構成する第１元素として、例えばシリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、およびタングステン（Ｗ）の少なくともいずれか一つを含む。具体的には、本実施形態において、原料ガスは、例えばジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2、略称：ＤＣＳ）ガスである。
【００５４】
主に、第１処理ガス供給管２３２ａ、ＭＦＣ２３２ｃ、バルブ２３２ｄ、第１ガス導入部２８２及びライン状ガス供給部２８１ａにより、原料ガス供給系（第１処理ガス供給系）が構成される。なお、原料ガス供給系には、第１処理ガス供給源２３２ｂ又は気化器の少なくとも一方を含めて考えてもよい。
【００５５】
（第２処理ガス供給系）
ガス導入部２５０における第２処理ガス導入部２５２の上端には、第２処理ガス供給管２３３ａの下流端が接続されている。第２処理ガス供給管２３３ａには、上流方向から順に、第２処理ガス供給源２３３ｂ、ＭＦＣ２３３ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３３ｄが設けられている。
【００５６】
また、第２処理ガス供給管２３３ａのバルブ２３３ｄよりも下流側には、第２処理ガス分岐管２３３ｅの上流端が接続されている。第２処理ガス分岐管２３３ｅの下流端は、プラズマ生成部側ガス導入部２６０の上端に接続されている。第２処理ガス分岐管２３３ｅには、開閉弁であるバルブ２３３ｆが設けられている。
【００５７】
第２処理ガス供給管２３３ａからは、第２元素を含有するガスである第２処理ガスが、ＭＦＣ２３３ｃ、バルブ２３３ｄ、第２処理ガス導入部２５２及び第２処理ガス噴出口２５５を介して、又は第２処理ガス分岐管２３３ｅ、バルブ２３３ｆ、プラズマ生成部側ガス導入部２６０並びにプラズマ生成部２０６内のガス導入路及びガス噴出口を介して、第二の処理領域２０１ｂ内に対して供給される。このとき、第２処理ガスは、プラズマ生成部２０６によりプラズマ状態とされる。
【００５８】
本実施形態においては、第２処理ガスを反応ガスとして用いる。ここでいう「反応ガス」とは、処理ガスの一つであり、後述するようにプラズマ状態となって、原料ガスによって基板２００上に形成された第１元素含有層と反応するガスである。反応ガスは、原料ガスが含有する第１元素とは異なる第２元素を含有する。第２元素としては、例えば、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）のいずれか一つ、もしくはその組み合わせが挙げられる。
【００５９】
本実施形態において、反応ガスは、例えば窒素含有ガスとする。具体的には、窒素含有ガスとしてアンモニア（ＮＨ3）ガスが用いられる。なお、反応ガスは、原料ガスより粘着度（粘度）の低い材料が用いられる。
【００６０】
主に、第２処理ガス供給管２３３ａ、ＭＦＣ２３３ｃ、バルブ２３３ｄ、第２処理ガス導入部２５２、第２処理ガス噴出口２５５、第２処理ガス分岐管２３３ｅ、バルブ２３３ｆにより、反応ガス供給系（第２処理ガス供給系）が構成される。なお、反応ガス供給系には、第２処理ガス供給源２３３ｂ及びプラズマ生成部２０６内のガス導入路及びガス噴出口を含めて考えてもよい。
【００６１】
（不活性ガス供給系）
ライン状ガス供給部２８１ｂへのガス供給を行うための第１不活性ガス導入部（ただし不図示）と、ライン状ガス供給部２８１ｃへのガス供給を行うための第２不活性ガス導入部（ただし不図示）とのそれぞれには、第１不活性ガス供給管２３４ａの下流端が接続されている。第１不活性ガス供給管２３４ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２３４ｂ、ＭＦＣ２３４ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３４ｄが設けられている。
【００６２】
第１不活性ガス供給管２３４ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ２３４ｃ、バルブ２３４ｄ、第１不活性ガス導入部（ただし不図示）、ライン状ガス供給部２８１ｂ、第２不活性ガス導入部（ただし不図示）及びライン状ガス供給部２８１ｃを介して、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内のそれぞれに対して供給される。第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内に供給される不活性ガスは、パージガスとして作用する。
【００６３】
また、第１不活性ガス供給管２３４ａのバルブ２３４ｄよりも下流側には、第１不活性ガス分岐管２３４ｅの上流端が接続されている。第１不活性ガス分岐管２３４ｅの下流端は、ガス導入部２５０における不活性ガス導入部２５３の上端に接続されている。第１不活性ガス分岐管２３４ｅには、開閉弁であるバルブ２３４ｆが設けられている。
【００６４】
第１不活性ガス分岐管２３４ｅからは、不活性ガスが、第１不活性ガス供給管２３４ａ、バルブ２３４ｆ、不活性ガス導入部２５３及び各不活性ガス噴出口２５４，２５６，２５７を介して、第一の処理領域２０１ａ内、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内のそれぞれに対して供給される。各不活性ガス噴出口２５４，２５６，２５７から噴出する不活性ガスは、後述するように、第１の排気配管２０，２２に沿ったガス流を形成することになる。ここで、不活性ガス導入部２５３や各不活性ガス噴出口２５４，２５６，２５７を設けず、反応容器２０３の中央部から不活性ガスを導入しない構成とすることもできる。
【００６５】
本実施形態においては、不活性ガスとして、例えば窒素（Ｎ2）ガスを用いる。なお、不活性ガスとしては、Ｎ2ガスのほか、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガスを用いることができる。
【００６６】
主に、第１不活性ガス供給管２３４ａ、ＭＦＣ２３４ｃ、バルブ２３４ｄ、第１不活性ガス導入部（ただし不図示）、ライン状ガス供給部２８１ｂ、第２不活性ガス導入部（ただし不図示）、ライン状ガス供給部２８１ｃ、第１不活性ガス分岐管２３４ｅ、バルブ２３４ｆ、不活性ガス導入部２５３及び不活性ガス噴出口２５４，２５６，２５７により、第１不活性ガス供給系が構成される。なお、第１不活性ガス供給系には、不活性ガス供給源２３４ｂを含めて考えてもよい。
【００６７】
また、第１処理ガス供給管２３２ａのバルブ２３２ｄよりも下流側には、第２不活性ガス供給管２３５ａの下流端が接続されている。第２不活性ガス供給管２３５ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２３５ｂ、ＭＦＣ２３５ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３５ｄが設けられている。
【００６８】
第２不活性ガス供給管２３５ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ２３５ｃ、バルブ２３５ｄ、第１処理ガス供給管２３２ａ、第１ガス導入部２８２及びライン状ガス供給部２８１ａを介して、第一の処理領域２０１ａ内に対して供給される。ライン状ガス供給部２８１ａから第一の処理領域２０１ａ内に供給される不活性ガスは、キャリアガス又は希釈ガスとして作用する。不活性ガスとしては、第１不活性ガス供給系の場合と同様に、Ｎ2ガス等を用いる。
【００６９】
主に、第２不活性ガス供給管２３５ａ、ＭＦＣ２３５ｃ及びバルブ２３５ｄにより第２不活性ガス供給系が構成される。なお、第２不活性ガス供給系には、不活性ガス供給源２３５ｂ、第１処理ガス供給管２３２ａ、第１ガス導入部２８２及びライン状ガス供給部２８１ａを含めて考えてもよい。
【００７０】
また、第２処理ガス供給管２３３ａのバルブ２３３ｄよりも下流側には、第３不活性ガス供給管２３６ａの下流端が接続されている。第３不活性ガス供給管２３６ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２３６ｂ、ＭＦＣ２３６ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３６ｄが設けられている。
【００７１】
第３不活性ガス供給管２３６ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ２３６ｃ、バルブ２３６ｄ、第２処理ガス供給管２３３ａ、第２処理ガス導入部２５２及び第２処理ガス噴出口２５５を介して、又は第２処理ガス分岐管２３３ｅ、バルブ２３３ｆ、プラズマ生成部側ガス導入部２６０並びにプラズマ生成部２０６内のガス導入路及びガス噴出口を介して、第二の処理領域２０１ｂ内に対して供給される。第二の処理領域２０１ｂ内に供給される不活性ガスは、第一の処理領域２０１ａ内に供給される不活性ガスと同様に、キャリアガス又は希釈ガスとして作用する。不活性ガスとしては、第１不活性ガス供給系の場合と同様に、Ｎ2ガス等を用いる。
【００７２】
主に、第３不活性ガス供給管２３６ａ、ＭＦＣ２３６ｃ及びバルブ２３６ｄにより第３不活性ガス供給系が構成される。なお、第３不活性ガス供給系には、不活性ガス供給源２３６ｂ、第２処理ガス供給管２３３ａ、第２処理ガス導入部２５２、第２処理ガス噴出口２５５、第２処理ガス分岐管２３３ｅ、バルブ２３３ｆ、プラズマ生成部２０６内のガス導入路及びガス噴出口を含めて考えてもよい。
【００７３】
（クリーニングガス供給系）
本実施形態の基板処理装置１０は、クリーングガス供給系を有していてもよい。クリーニングガス供給管２３７ａからは、クリーニングガスが、ＭＦＣ２３７ｃ、バルブ２３７ｄ、リモートプラズマ生成ユニット２３７ｅ、クリーニングガス導入部２５８、クリーニングガス供給孔２５９を介して、反応容器２０３内に対して供給される。反応容器２０３内では、リモートプラズマ生成ユニット２３７ｅによってプラズマ状態とされたクリーニングガスが供給されると、副生成物等がクリーニングされる。なお、クリーニングガスは、例えば三フッ化窒素（ＮＦ3）ガス、フッ化水素（ＨＦ）ガス、三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ3）ガス、フッ素（Ｆ2）ガスの少なくともいずれか一つである。
【００７４】
（プラズマ生成部）
図３及び図４に示すように、第二の処理領域２０１ｂ内の上方には、プラズマ生成部２０６の少なくとも一部が設けられている。プラズマ生成部２０６は、第二の処理領域２０１ｂ内に反応ガスのプラズマを生成するよう構成されている。このように、プラズマを用いることにより、基板２００の温度が低温であっても反応ガスを活性化させ基板２００の処理を行うことができる。
【００７５】
第二の処理領域２０１ｂ内には、例えば互いに水平方向に並んだ一対の棒状の電極２７１が設けられている。一対の電極２７１は、例えば石英製のカバー２０６ａで覆われている。プラズマ生成部２０６のカバー２０６ａ内には、上述の反応ガスの導入路が設けられている。
【００７６】
一対の電極２７１には、インピーダンスを整合する整合器２７２を介して、高周波電源２７３が接続されている。高周波電源２７３から電極２７１に高周波電力が印加されることにより、一対の電極２７１の周辺にプラズマが生成される。なお、主に一対の電極２７１の直下にプラズマが生成される。このように、プラズマ生成部２０６は、いわゆる容量結合型のプラズマを生成する。
【００７７】
例えば、プラズマ生成部２０６の一対の電極２７１は、平面視で反応容器２０３の中心から外側に向かう径方向に沿って設けられ、また基板２００の上面と平行に設けられている。一対の電極２７１ａは、基板２００が通過する経路上に配置されている。一対の電極２７１の長手方向の長さは、基板２００の直径よりも長い。これにより、一対の電極２７１の直下を通過する基板２００の全面に順次プラズマが照射される。主に、一対の電極２７１により、プラズマ生成部２０６が構成される。なお、プラズマ生成部２０６には、整合器２７２および高周波電源２７３を含めて考えてもよい。
【００７８】
（排気部）
図４に示すように、反応容器２０３には、処理領域２０１ａ，２０１ｂ内及びパージ領域２０４ａ，２０４ｂ内の雰囲気を後述する排気ダクトを介して排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２４５、及びバルブ２４３を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されており、反応容器２０３内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、バルブ２４３、ＡＰＣ２４５は一体で、弁を開閉して反応容器２０３内の真空排気や真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能とするよう構成されている。
【００７９】
（ライン状ガス供給部を備える領域内の構成）
ここで、ライン状ガス供給部２８１ａが設けられている第一の処理領域２０１ａ内、ライン状ガス供給部２８１ｂが設けられている第一のパージ領域２０４ａ内、及び、ライン状ガス供給部２８１ｃが設けられている第二のパージ領域２０４ｂ内の構成について、さらに詳しく説明する。
【００８０】
本実施形態において、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ及び第二のパージ領域２０４ｂの各領域内は、それぞれが略同様に構成されている。以下では、ライン状ガス供給部２８１ａが設けられている第一の処理領域２０１ａを例に挙げて、その第一の処理領域２０１ａ内における構成を主に図５及び図６を用いて説明し、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内については説明を省略する。なお、以下の説明においては、第一の処理領域２０１ａにおけるライン状ガス供給部２８１ａ、第一のパージ領域２０４ａにおけるライン状ガス供給部２８１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂにおけるライン状ガス供給部２８１ｃを、総称して「ライン状ガス供給部２８１」とする。
図５は、本実施形態に係る基板処理装置１０においてライン状ガス供給部２８１ａが設けられた第一の処理領域２０１ａ内の縦断面概略図であり、図３に示すプロセスチャンバのＢ−Ｂ線断面図である。図６は、本実施形態に係る基板処理装置１０においてライン状ガス供給部２８１ａが設けられた第一の処理領域２０１ａ内の横断面概略図である。
【００８１】
（ライン状ガス供給部）
図５及び図６に示すように、第一の処理領域２０１ａ内には、処理室２０１内の天井面からサセプタ２１７上の基板２００の側に向けて突出するように、ライン状ガス供給部２８１が設けられている。ライン状ガス供給部２８１は、その下面側（すなわちサセプタ２１７上の基板２００と対向する面側）にサセプタ２１７の回転径方向に延びるライン状に形成された開口部２８３を有しており、その開口部２８３からガスを噴出することで第一の処理領域２０１ａ内へのガス供給を行うように構成されている。ここで、「ライン状」とは、線のような細長い形を意味する。すなわち、開口部２８３は、平面視したときに長尺帯状に連続する開口によって形成されている。
【００８２】
開口部２８３は、その長手方向の大きさがサセプタ２１７上の基板２００の直径よりも大きく形成されている。開口部２８３の内周側（サセプタ２１７の回転中心側）の端縁は、サセプタ２１７の回転時に基板２００の内周側端縁が通過する位置よりもさらにサセプタ２１７の回転中心側に位置している。開口部２８３の外周側の端縁は、サセプタ２１７の回転時に基板２００の外周側端縁が通過する位置よりもさらにサセプタ２１７の外周側に位置している。なお、開口部２８３から噴出するガスの流量や圧力等によっては、例えば開口部２８３をサセプタ２１７の回転中心側又は外周側に寄せて配置するといったように、開口部２８３の位置を上述した態様とは異なるようにしても構わない。
【００８３】
また、ライン状ガス供給部２８１は、開口部２８３よりもガス噴出方向（すなわちガス供給方向）の上流側となる位置に、ガス拡散空間としてのガスバッファ領域２８４を内包している。ガスバッファ領域２８４は、開口部２８３からのガス噴出に先立ちそのガスを拡散させる空間として機能するものであり、そのために開口部２８３と同様にサセプタ２１７の回転径方向に延びるように形成されている。なお、ガス拡散空間として機能するために、ガスバッファ領域２８４は、その平面形状の大きさ（具体的には例えば面積）が開口部２８３における平面形状の大きさよりも大きく形成されている。
【００８４】
ガスバッファ領域２８４には、ガス供給接続管２８５の下流端が接続されている。ガス供給接続管２８５の上流端は、第１処理ガス導入部２８２に接続されている。これにより、ライン状ガス供給部２８１には、第１処理ガス供給管２３２ａ及び第１処理ガス導入部２８２を介して第１処理ガスが供給される。そして、ライン状ガス供給部２８１に供給された第１処理ガスは、開口部２８３を通じて第一の処理領域２０１ａ内へ噴出される。
【００８５】
ただし、このとき、ライン状ガス供給部２８１は、ガスバッファ領域２８４を内包している。そのため、そのガス供給接続管２８５からのガスは、ガスバッファ領域２８４内でサセプタ２１７の回転径方向の全域に拡散した後に、開口部２８３から第一の処理領域２０１ａ内へ噴出される。したがって、開口部２８３を通じて行うガス供給については、サセプタ２１７の回転径方向での均一化が図れ、特定の箇所（例えば、ガス供給接続管２８５の接続箇所の近傍）に集中的にガス供給がされてしまうのを抑制することができる。
【００８６】
（隙間保持部材）
また、第一の処理領域２０１ａ内には、図５及び図６に示すように、ライン状ガス供給部２８１の周りを囲うように、隙間保持部材２８６を配置することが望ましい。隙間保持部材２８６は、処理室２０１内の天井面からサセプタ２１７上の基板２００の側に向けて突出するように設けられている。これにより、隙間保持部材２８６は、ライン状ガス供給部２８１により供給されたガスの流路となる基板２００の表面上空間を所定間隔の隙間とする。つまり、隙間保持部材２８６は、ライン状ガス供給部２８１の周囲における基板２００表面と隙間保持部材２８６下面との間が所定間隔の隙間となるように、基板２００の側に向けて突設されている。
【００８７】
所定間隔の隙間の大きさは、特に限定されるものではなく、ライン状ガス供給部２８１から供給するガスの圧力及び流量、第一の処理領域２０１ａの平面的な面積等を考慮して適宜設定されたものであればよい。具体的には、例えばライン状ガス供給部２８１から供給するガスが第一の処理領域２０１ａの全域に効率的に拡がり、かつ、サセプタ２１７上の基板２００の表面が供給されたガスに十分に曝されるようにすべく、隙間保持部材２８６の下面が基板２００に干渉しない程度にサセプタ２１７に近付けて配置することが考えられる。
【００８８】
また、隙間保持部材２８６は、図６に示すように、例えばライン状ガス供給部２８１から供給したガスが第一の処理領域２０１ａの全域に効率的に拡がるようにすべく、平面視したときの形状及び大きさが、ライン状ガス供給部２８１及び後述するガス排出領域２８７が設けられている部分を除いた第一の処理領域２０１ａの形状及び大きさに対応して形成されることが望ましい。これにより、隙間保持部材２８６は、少なくとも一部、より望ましくは全部につき、サセプタ２１７の回転周方向において、ライン状ガス供給部２８１よりも幅広に形成されることになる。
【００８９】
（処理室内の排気構造）
図７に示すように、第一の処理領域２０１ａと第二の処理領域２０１ｂとに、それぞれ、第１の排気部としての第１の排気配管２０，２２と、第２の排気部としての第２の排気配管２４と、を含む扇形状の排気ダクト５００（排気配管）が設置されている。
【００９０】
第１の排気配管２０は、第一の処理領域２０１ａの周方向における一方の端部において、サセプタ２１７の径方向に延びるように設けられている。第１の排気配管２２は、第一の処理領域２０１ａの周方向における他方の端部において、サセプタ２１７の径方向に延びるように設けられる。第２の排気配管２４は、第一の処理領域２０１ａ及び第二の処理領域２０１ｂにおいて、サセプタ２１７の外周部に円弧状に設けられる。ここで、周方向とは、サセプタ２１７の外周に沿った方向であり、サセプタ２１７の回転方向である。径方向とは、サセプタ２１７の中心から外周へ向かう方向である。
【００９１】
第１の排気配管２０は、例えば中空方形状の排気配管であって、第一の処理領域２０１ａ側及び第二の処理領域２０１ｂ側の側面に、複数の例えば長円形状の第１の排気孔２０ａを有する。本実施形態では、第１の排気配管２０は、３つの排気孔２０ａを有するが、３つ以外の数（１つを含む）とすることも可能である。また、本実施形態では、第１の排気孔２０ａを長円形状としたが、長角形状や円形状や角形状等でもよい。第１の排気配管２０のサセプタ２１７の外周側の端部下面には、第２の排気配管２４と連通するための第１の接続孔としての排気穴２０ｂが形成されている。
【００９２】
第１の排気孔２０ａは、第１の排気配管２０のサセプタ２１７に対向する面、即ち第１の排気配管２０の下面ではなく、第一の処理領域２０１ａに面した側面、及び第二の処理領域２０１ｂに面した側面に形成される。
排気配管２０の下面に排気孔を設ける場合、排気孔がサセプタ２１７に対向する狭い空間に面して設けられるため、当該排気孔からの排気効率は制限されるが、本実施形態では、第１の排気孔２０ａが、第一の処理領域２０１ａ及び第二の処理領域２０１ｂ、即ち、十分に広い空間に面して設けられるため、各処理領域内のガスを効率よく排気することができる。
【００９３】
また、第１の排気孔２０ａは、第１の排気配管２０の第一の処理領域２０１ａに面した側面、及び第１の排気配管２０の第二の処理領域２０１ｂに面した側面に形成され、第一のパージ領域２０４ａ及び第二のパージ領域２０４ｂに面した側面には形成されないことが望ましい。第一のパージ領域２０４ａ及び第二のパージ領域２０４ｂに面した側面に排気孔を備えないので、特に第一の処理領域２０１ａ及び第二の処理領域２０１ｂ内のガスを、第１の排気配管２０から効率よく排気することができる。
【００９４】
第１の排気配管２２も、第１の排気配管２０と同様の構造であり、第一の処理領域２０１ａ側及び第二の処理領域２０１ｂ側の側面に、複数の例えば長円形状の第１の排気孔２２ａを有する。また、第１の排気配管２２のサセプタ２１７の外周側の端部下面には、第２の排気配管２４と連通するための第１の接続孔としての排気穴２２ｂが形成されている。
【００９５】
第２の排気配管２４は、例えば中空円弧形状の排気配管であって、サセプタ２１７の外周部に設けられる。第２の排気配管２４は、配管容器２４ｃと、この配管容器２４ｃの上面を閉じる配管蓋２４ｄとで構成され、配管蓋２４ｄのサセプタ２１７の載置面と同じ向きの上面（つまり第２の排気配管２４の上面。図１０参照）に、複数の第２の排気孔２４ａが形成されている。図７の例では、第２の排気配管２４は、４つの排気孔２４ａを有するが、４つ以外の数（１つを含む）とすることも可能である。また、配管容器２４ｃの下面（つまり第２の排気配管２４の下面）には、排気管２３１と連通するための排気口としての排気穴２４ｂが形成されている。
【００９６】
すなわち、第１の排気配管２０，２２の外周側の径方向端部（サセプタ２１７の外周側における端部）は、それぞれ、第２の排気配管２４に接続され、中空構造である第１の排気配管２０，２２の内部と第２の排気配管２４の内部とは、互いに連通するようになっている。また、第１の排気配管２０，２２の中心側の径方向端部（サセプタ２１７の中心側における端部）は、閉じられている。
【００９７】
また、第２の排気孔２４ａは、基板処理時において、サセプタ２１７の基板載置面よりも下方（図８のＺ2方向）に配置される。つまり、第２の排気孔２４ａは、サセプタ２１７の基板載置面への基板載置方向（図８のＺ2方向）に、基板載置面から所定の距離を有するよう配置される。こうすることにより、基板載置面へ載置された基板表面に、十分な処理ガスを供給することが容易になる。
【００９８】
また、図５に示すように、第１の排気孔２０ａ，２２ａは、ガス導入部の開口部２８３よりも上方（図５のＺ1方向）に配置される。こうすることにより、基板載置面へ載置された基板表面に、十分な処理ガスを供給しつつ、処理ガスが次の領域に移動することが抑制される。
【００９９】
また、本実施形態では、サセプタ２１７の径方向に延びるように設けられた第１の排気配管２２の側面に第１の排気孔２０ａ、２２ａを配することにより、サセプタ２１７の外周部に設けられた第２の排気孔２４ａからのみ排気を行う場合に比べて、第一の処理領域２０１ａ及び第二の処理領域２０１ｂにおける中心側と外周側でガス濃度差が生じるのを抑制するように構成することができる。
【０１００】
また、第一のパージ領域２０４ａと第二のパージ領域２０４ｂのサセプタ２１７の外周部に、それぞれ、中空円弧形状の第３の排気部としての第３の排気配管２６が設置されている。第３の排気配管２６は、第２の排気配管２４と同様の構造であって、第２の排気孔２４ａと同方向の、複数の第３の排気孔２６ａを有する。図７の例では、第３の排気配管２６は、４つの排気孔２６ａを有するが、４つ以外の数（１つを含む）とすることも可能である。また、第３の排気配管２６は、第２の排気配管２４と同様に、その下面に、排気管２３１と連通するための排気穴２６ｂを有する。第３の排気配管２６は、サセプタ２１７の外周部に、第２の排気配管２４と同様の位置（高さ方向の位置を含む）に配置される。高さ方向とは、図８のＺ方向である。
【０１０１】
図７の矢印で示すように、不活性ガス噴出口２５４からは不活性ガスが第一の処理領域２０１ａへ噴出され、第２処理ガス噴出口２５５からは第二の処理ガスが第二の処理領域２０１ｂへ噴出される。また、不活性ガス噴出口２５６と不活性ガス噴出口２５７からは、それぞれ不活性ガスが、第一のパージ領域２０４ａと第二のパージ領域２０４ｂへ噴出される。図７と図８に示すように、第一の処理ガスは、第一の処理領域２０１ａから、第１の排気孔２０ａ，２２ａを介して第１の排気配管２０，２２内を流れ、排気穴２０ｂ，２２ｂ、接続部２８を介して第２の排気配管２４内へ流れる。また、第一の処理ガスは、第１の排気孔２０ａ、２２ａだけでなく、第２の排気孔２４ａを介して第２の排気配管２４へ流れる。そして、第２の排気配管２４から排気穴２４ｂを介して排気管２３１へ流れ、排気管２３１から処理室２０１外へ排出される。
【０１０２】
第二の処理ガスも、第一の処理ガスと同様に、第二の処理領域２０１ｂから、第１の排気孔２０ａ、２２ａを介して第１の排気配管２０，２２内へ流れ、排気穴２０ｂ，２２ｂ、接続部２８を介して第２の排気配管２４内へ流れる。また、第二の処理ガスは、第１の排気孔２０ａ、２２ａだけでなく、第２の排気孔２４ａを介して第２の排気配管２４内へ流れる。そして、第２の排気配管２４から排気管２３１を介して処理室２０１外へ排出される。
【０１０３】
不活性ガスは、それぞれ、第一のパージ領域２０４ａと第二のパージ領域２０４ｂから、第３の排気孔２６ａを介して第３の排気配管２６内へ流れる。そして、第３の排気配管２６から排気穴２６ｂを介して排気管２３１へ流れ、排気管２３１から処理室２０１外へ排出される。こうして、第一、第二の処理ガスが処理室２０１内で互いに混ざることを効果的に抑制できる。
【０１０４】
第１の排気配管２０，２２と、第２の排気配管２４で構成される排気ダクト５００の構造を、図９〜図１１を用いて説明する。図９は、第１実施形態に係る反応容器天井２０３ａを示す斜視図である。図１０（ａ）は、第１実施形態に係る反応容器天井２０３ａを反応容器本体２０３ｂに装着する前の排気ダクト５００の状態を示す斜視図であり、図１０（ｂ）は、反応容器天井２０３ａを反応容器本体２０３ｂに装着した排気ダクト５００の状態を示す斜視図である。図１１は、第１実施形態に係る排気ダクト５００の説明図（縦断面図）である。ここで、図９、図１０において、ガス導入部２５０は、単にリング形状に示されている。
【０１０５】
第１の排気配管２０は、一端をリング状に形成されたガス導入部２５０に装着されて、反応容器天井２０３ａに取り付けられている。第１の排気配管２２は、一端を第１の排気配管２０から例えば略９０度離れてガス導入部２５０に装着されて、反応容器天井２０３ａに取り付けられている。第１の排気配管２０，２２の端部下面の排気穴２０ｂ，２２ｂ周囲には例えば４つの凸部（不図示）が形成されている。
【０１０６】
第２の排気配管２４は、反応容器本体２０３ｂに取り付けられている。第２の排気配管２４の上面（配管蓋２４ｄ）の第１の排気配管２０，２２の排気穴２０ｂ，２２ｂに対応する位置に接続部２８が設けられている。
【０１０７】
接続部２８には、第１の排気配管２０，２２内と第２の排気配管２４内とを連通させる貫通孔２８ａが形成されている。貫通孔２８ａは、排気ガス導入側である第１の排気配管２０，２２側の径が小さく、排気ガス排出側である第２の排気配管２４側の径が大きい。また、接続部２８の上面の貫通孔２８ａの周囲には４つの凹部（不図示）が形成され、この凹部が第１の排気配管２０，２２の凸部とそれぞれ篏合されることにより第１の排気配管２０，２２と第２の排気配管２４は配管内を連通して連結される。接続部２８の反応容器天井２０３ａ装着側（接続部２８の上面）には、シール部材としてのＯリング２９が設けられ、反応容器天井２０３ａが反応容器本体２０３ｂに装着されることにより、反応容器２０３内は気密に保たれる。
【０１０８】
すなわち、反応容器天井２０３ａが反応容器本体２０３ｂに装着されることにより、第１の排気配管２０，２２の他端が第２の排気配管２４に接続部２８を介して連結される。また、反応容器天井２０３ａを反応容器本体２０３ｂから取り外すことにより、第１の排気配管２０，２２と第２の排気配管２４が分離され、各排気配管内のメンテナンスが容易となる。
【０１０９】
なお、第１実施形態では、接続部２８を第２の排気配管２４側に設けたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、第１の排気配管２０，２２側に設けてもよい。このとき、Ｏリング２９は接続部２８の反応容器本体２０３ｂ装着側（接続部２８の下面）に設ける。また、接続部２８の上面に凹部が形成される構成について説明したが、これに限らず接続部２８の上面に凸部を形成し、第１の排気配管２０，２２の下面に凹部を形成するようにしてもよい。
【０１１０】
（制御部）
次に、図１２を用い、本実施形態の制御部（制御手段）であるコントローラ３００について説明する。図１２は、本実施形態で好適に用いられる基板処理装置１０のコントローラの概略構成図である。
【０１１１】
図１２に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ３００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）３０１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）３０１ｂ、記憶装置３０１ｃ、Ｉ／Ｏポート３０１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ３０１ｂ、記憶装置３０１ｃ、Ｉ／Ｏポート３０１ｄは、内部バス３０１ｅを介して、ＣＰＵ３０１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ３００には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置３０２が接続されている。
【０１１２】
記憶装置３０１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置３０１ｃ内には、基板処理装置１０の動作を制御する制御プログラムや、後述する成膜処理等の基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピが、読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ３００に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、又は、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ３０１ｂは、ＣＰＵ３０１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【０１１３】
Ｉ／Ｏポート３０１ｄは、上述のＭＦＣ２３２ｃ，２３３ｃ，２３４ｃ，２３５ｃ，２３６ｃ，２３７ｃ、バルブ２３２ｄ，２３３ｄ，２３３ｆ，２３４ｄ，２３４ｆ，２３５ｄ，２３６ｄ，２３７ｄ，２４３、圧力センサ２４８、ＡＰＣ２４５、真空ポンプ２４６、ヒータ２１８，２１９、温度センサ２７４、整合器２７２、高周波電源２７３、回転機構２６７、昇降機構２６８等に接続されている。なお、Ｉ／Ｏポート３０１ｄは、図示されていない電力調整器２２４、ヒータ電源２２５、及び温度調整器２２３にも接続されている。
【０１１４】
ＣＰＵ３０１ａは、記憶装置３０１ｃから制御プログラムを読み出して実行するとともに、入出力装置３０２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置３０１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ３０１ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ２３２ｃ，２３３ｃ，２３４ｃ，２３５ｃ，２３６ｃ，２３７ｃによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２３２ｄ，２３３ｄ，２３３ｆ，２３４ｄ，２３４ｆ，２３５ｄ，２３６ｄ，２３７ｄ，２４３の開閉動作、ＡＰＣ２４５の開閉動作及び圧力センサ２４８に基づくＡＰＣ２４５による圧力調整動作、温度センサ２７４に基づくヒータ２１８の温度調整動作、不図示の温度センサに基づくヒータ２１９の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動及び停止、回転機構２６７によるサセプタ２１７の回転及び回転速度調節動作、昇降機構２６８によるサセプタ２１７の昇降動作、高周波電源２７３による電力供給及び停止、整合器２７２によるインピーダンス調整動作等を制御するように構成されている。
【０１１５】
なお、コントローラ３００は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）３０３を用意し、係る外部記憶装置３０３を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ３００を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置３０３を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置３０３を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶装置３０１ｃや外部記憶装置３０３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置３０１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置３０３単体のみを含む場合、又は、その両方を含む場合がある。
【０１１６】
（３）基板処理工程
続いて、本実施形態にかかる半導体製造工程の一工程として、上述した反応容器２０３
を備える処理室２０２ｂを用いて実施される基板処理工程について、図１３及び図１４を用いて説明する。図１３は、本実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図であり、図１４は、本実施形態に係る基板処理工程における成膜工程での基板への処理を示すフロー図である。なお、以下の説明において、基板処理装置１０の構成各部の動作は、コントローラ３００により制御される。
【０１１７】
ここでは、第一の処理ガスとして、シリコン含有ガスであるジクロロシラン（ＤＣＳ）を用い、第二の処理ガスとして、窒素含有ガスであるアンモニア（ＮＨ3）ガスを用い、基板２００上に絶縁膜として窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を形成する例について説明する。
【０１１８】
（基板搬入・載置工程（Ｓ１０１））
基板２００を反応容器２０３内へ搬入し、基板載置部２１７ｂ上に載置する基板搬入・載置工程について説明する。まず、昇降駆動部２６８により基板２００の搬送位置までサセプタ２１７を下降させることにより、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａに基板突き上げピン２６６を貫通させる。その結果、基板突き上げピン２６６が、サセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ１５１を開き、第一の基板移載機１１２を用いて、反応容器２０３内に所定枚数（例えば５枚）の基板２００（処理基板）を搬入する。そして、サセプタ２１７の図示しない回転軸を中心として、各基板２００が重ならないように、サセプタ２１７の同一面上に載置する。これにより、基板２００は、サセプタ２１７の表面から突出した基板突き上げピン２６６上に水平姿勢で支持される。
【０１１９】
反応容器２０３内に基板２００を搬入したら、第一の基板移載機１１２を反応容器２０３外へ退避させ、ゲートバルブ１５１を閉じて反応容器２０３内を密閉する。その後、昇降駆動部２６８によりサセプタ２１７を上昇させることにより、基板突き上げピン２６６の先端がサセプタ２１７の下方に位置するようにする。これにより、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの各底面のサセプタ２１７に設けられた基板載置部２１７ｂ上に基板２００が載置される。
【０１２０】
なお、基板２００を反応容器２０３内に搬入する際には、排気部により反応容器２０３内を排気しつつ、不活性ガス供給部から反応容器２０３内にパージガスとしてのＮ2ガスを供給することが好ましい。すなわち、真空ポンプ２４６を作動させ、バルブ２４３及びＡＰＣ２４５を開けることにより、反応容器２０３内を排気しつつ、少なくとも第一の不活性ガス供給部のバルブ２３４ｄを開けることにより、反応容器２０３内にＮ2ガスを供給することが好ましい。これにより、処理領域２０１内へのパーティクルの侵入や、基板２００上へのパーティクルの付着を抑制することが可能となる。ここで、さらに第二の不活性ガス供給部及び第三の不活性ガス供給部から不活性ガスを供給してもよい。なお、真空ポンプ２４６は、少なくとも基板搬入・載置工程（Ｓ１０１）から後述する基板搬出工程（Ｓ１０９）が終了するまでの間は、常に作動させた状態とする。
【０１２１】
（サセプタの回転開始（Ｓ１０２））
基板２００を基板載置部２１７ｂ上に載置した後、回転駆動部２６７を作動して、サセプタ２１７の回転を開始させる。この際、サセプタ２１７の回転速度はコントローラ３００によって、所定の速度に制御される。所定の速度は、例えば１回転／秒である。サセプタ２１７を回転させることにより、基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動を開始し、各領域を基板２００が通過する。
【０１２２】
（ガス供給・圧力調整工程（Ｓ１０３））
処理ガス及び不活性ガスを供給し、反応容器２０３内を所望の圧力に調整するガス供給・圧力調整工程について説明する。サセプタ２１７が所定の回転速度に到達した後、少なくともバルブ２３２ｄ，２３３ｄ及び２３４ｄを同時に開け、処理ガス及び不活性ガスの処理領域２０１及びパージ領域２０４への供給を開始する。すなわち、バルブ２３２ｄを開けて第一の処理領域２０１ａ内にＤＣＳガスを供給し、バルブ２３３ｄを開けて第二の処理領域２０１ｂ内にＮＨ3を供給することで、処理ガス供給部から処理ガスを供給する。さらにバルブ２３４ｄを開けて第一のパージ領域２０４ａ及び第二のパージ領域２０４ｂ内に不活性ガスであるＮ2ガスを供給することで、不活性ガス供給部から不活性ガスを供給する。このとき、ＤＣＳガス、ＮＨ3、不活性ガスは、並行して、それぞれの領域に供給される。
【０１２３】
具体的には、バルブ２３２ｄを開け、第一のガス供給管２３２ａから第一の処理領域２０１ａにＤＣＳガスを供給しつつ、第一の処理領域２０１ａ内の第１の排気配管２０，２２２と第２の排気配管２４とを介して、排気管２３１から排気する。このとき、ＤＣＳガスの流量が所定の流量となるように、ＭＦＣ２３２ｃを調整する。なお、ＭＦＣ２３２ｃで制御するＤＣＳガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ〜５０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。このように、第一の処理領域２０１ａ内の第１の排気配管２０，２２と第２の排気配管２４とを介して排気することで、第一の処理領域２０１ａ内から他の領域への処理ガスの漏れを抑制することができる。
【０１２４】
ＤＣＳガスを第一の処理領域２０１ａ内に供給する際には、バルブ２３５ｄを開け、第二の不活性ガス供給管２３５ａからキャリアガス或いは希釈ガスとしてのＮ2ガスを第一の処理領域２０１ａ内に供給することが好ましい。これにより、第一の処理領域２０１ａ
内へのＤＣＳガスの供給を促進させることができる。
【０１２５】
また、バルブ２３３ｄを開け、第二のガス供給管２３３ａから第二の処理領域２０１ｂにＮＨ3を供給しつつ、第二の処理領域２０１ｂ内の第１の排気配管２０，２２と第２の排気配管２４とを介して、排気管２３１から排気する。このとき、ＮＨ3の流量が所定の流量となるように、ＭＦＣ２３３ｃを調整する。なお、ＭＦＣ２３３ｃで制御するＮＨ3の供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ〜５０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。このように、第二の処理領域２０１ｂ内の第１の排気配管２０，２２と第２の排気配管２４とを介して排気することで、第二の処理領域２０１ｂ内から他の領域への処理ガスの漏れを抑制することができる。
【０１２６】
ＮＨ3を第二の処理領域２０１ｂ内に供給する際には、バルブ２３６ｄを開け、第三の不活性ガス供給管２３６ａからキャリアガス或いは希釈ガスとしてのＮ2ガスを第二の処理領域２０１ｂ内に供給することが好ましい。これにより、第二の処理領域２０１ｂ内へのＮＨ3の供給を促進することができる。
【０１２７】
また、バルブ２３４ｄを開け、パージガスとしての不活性ガスであるＮ2ガスを、第一の不活性ガス供給管２３４ａから第一のパージ領域２０４ａ及び第二のパージ領域２０４ｂにそれぞれ供給しつつ、第３の排気配管２６を介して、排気管２３１から排気する。このとき、Ｎ2ガスの流量が所定の流量となるように、ＭＦＣ２３４ｃを調整する。
【０１２８】
また、ガス供給と並行して、反応容器２０３内が所望の圧力（例えば２００Ｐａ）となるように、反応容器２０３内を真空ポンプ２４６によって真空排気する。この際、反応容器２０３内の圧力は圧力センサ２４８で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣ２４５の開度をフィードバック制御する。
【０１２９】
（プラズマ生成開始（Ｓ１０４））
次に、サセプタ２１７が回転中に、プラズマ生成部２０６でプラズマ生成を開始する。つまり、プラズマ生成部２０６を構成する電極に、高周波電源２７３から電力の供給を開始する。電力を供給すると、第二の処理領域２０１ｂにプラズマが生成される。
【０１３０】
（成膜工程（Ｓ１０５））
第二の処理領域２０１ｂ内に供給され、プラズマ生成部２０６の下方を通過したＮＨ3は、第二の処理領域２０１ｂ内でプラズマ状態となり、これに含まれる活性種により、第二の処理領域２０１ｂ内に回転して運ばれてくる基板２００をプラズマ処理する。成膜工程においても、第一の処理領域２０１ａ内のガスは、第一の処理領域２０１ａ内の第１の排気配管２０，２２と第２の排気配管２４とを介して排気される。また、第二の処理領域２０１ｂ内のガスは、第二の処理領域２０１ｂ内の第１の排気配管２０，２２と第２の排気配管２４とを介して排気される。こうして、第一の処理領域２０１ａ内、及び第二の処理領域２０１ｂ内から他の領域への処理ガスの漏れを抑制することができる。
【０１３１】
上述したように、サセプタ２１７を回転させることにより、基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動を繰り返す。そのため、図１４に示すように、基板２００には、ＤＣＳガスの供給、Ｎ2ガスの供給（パージ）、プラズマ状態とされたＮＨ3の供給、Ｎ2ガスの供給（パージ）が交互に所定回数実施されることになる。ここで、成膜工程（Ｓ１０５）の詳細について、図１４を用いて説明する。
【０１３２】
（第一の処理ガス領域通過（Ｓ２０１））
まず、第一の処理領域２０１ａを通過した基板２００表面にＤＣＳガスが供給され、基板２００上にシリコン含有層が形成される。該供給されたガスは、第一の処理領域２０１ａ内の第１の排気配管２０，２２及び第２の排気配管２４を介して排気される。
【０１３３】
（第一のパージ領域通過（Ｓ２０２））
次に、シリコン含有層が形成された基板２００が第一のパージ領域２０４ａを通過する。このとき、第一のパージ領域２０４ａを通過する基板２００に対して不活性ガスであるＮ2ガスが供給される。該供給されたガスは、第一のパージ領域２０４ａ内の第３の排気配管２６を介して排気される。
【０１３４】
（第二の処理ガス領域通過（Ｓ２０３））
次に、第二の処理領域２０１ｂを通過する基板２００表面にプラズマ状態となったＮＨ3ガスが供給される。このとき、プラズマ状態となったＮＨ3ガスは、第一の処理領域２０１ａで基板２００上に形成されたシリコン含有層の少なくとも一部と反応する。これにより、シリコン含有層は窒化されて、シリコン及び窒素を含むＳｉＮ層へと改質される。該供給されたガスは、第二の処理領域２０１ｂ内の第１の排気配管２０，２２と第２の排気配管２４とを介して排気される。
【０１３５】
（第二のパージ領域通過（Ｓ２０４））
そして、第二の処理領域２０１ｂでＳｉＮ層が形成された基板２００が第二のパージ領域２０４ｂを通過する。このとき、第二のパージ領域２０４ｂを通過する基板２００に対して不活性ガスであるＮ2ガスが供給される。該供給されたガスは、第二のパージ領域２０４ｂ内の第３の排気配管２６を介して排気される。
【０１３６】
（サイクル数の確認（Ｓ２０５））
このように、サセプタ２１７の１回転を１サイクルとし、すなわち第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ及び第二のパージ領域２０４ｂの基板２００の通過を１サイクルとし、このサイクルを少なくとも１回以上行うことにより、基板２００上に所定膜厚のＳｉＮ膜を成膜することができる。ここでは、前述のサイクルを所定回数実施したか否かを確認する。サイクルを所定の回数実施した場合、所望の膜厚に到達できたと判断し、成膜処理を終了する。サイクルを所定の回数実施しなかった場合、即ち所望の膜厚に到達できなかったと判断し、Ｓ２０１に戻りサイクル処理を継続する。
【０１３７】
（プラズマ生成等の停止（Ｓ１０６〜Ｓ１０８））
Ｓ２０５にて、前述のサイクルを所定回数実施し、基板２００上に所望の膜厚のＳｉＮ膜が形成されたと判断した後、プラズマ生成部２０６におけるプラズマ生成を停止する（Ｓ１０６）。つまり、プラズマ生成部２０６を構成する電極に対する、高周波電源２７３からの電力供給を停止する。このとき、ＤＣＳガス及びＮＨ3の第一の処理領域２０１ａ及び第二の処理領域２０１ｂへの供給も停止する（Ｓ１０７）さらに、サセプタ２１７の回転を停止する（Ｓ１０８）。
【０１３８】
（基板搬出工程（Ｓ１０９））
上記プラズマ生成等の停止（Ｓ１０６〜Ｓ１０８）が終了した後、次のように基板を搬出する。まず、基板突き上げピン２６６を上昇させ、サセプタ２１７の表面から突出させた基板突き上げピン２６６上に基板２００を支持させる。そして、ゲートバルブ１５１を開き、第一の基板移載機１１２を用いて、反応容器２０３内の５枚の基板２００を、反応容器２０３の外へ搬出する。そして、５枚単位の多枚葉処理を所定回数実施した場合は（Ｓ１１０でＹｅｓ）、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。５枚単位の多枚葉処理を所定回数実施していない場合は（Ｓ１１０でＮｏ）、Ｓ１０１に戻る。
なお、上記において、基板２００の温度、反応容器２０３内の圧力、各ガスの流量、プラズマ生成部２０６に印加する電力、処理時間等の条件等は、改質対象の膜の材料や膜厚等によって任意に調整する。
【０１３９】
図１５及び図１６は、本実施形態におけるライン状ガス供給部２８１からガス供給を行う場合のガスの流れを模式的に示す図である。
【０１４０】
（開口部からのガス噴出）
ライン状ガス供給部２８１を用いて第一の処理領域２０１ａ内へのガス供給を行う場合には、図１５に示すように、第１処理ガス導入部２８２へ供給されたガスが、ガス供給接続管２８５及びガスバッファ領域２８４を経て、開口部２８３から第一の処理領域２０１ａ内へ噴出される（矢印ｆ１参照）。
【０１４１】
このとき、開口部２８３から噴出されるガス流は、ガスバッファ領域２８４を経る。ガスバッファ領域２８４は、その平面形状の大きさが開口部２８３の平面形状の大きさに比べて大きく形成されており、これによりガス拡散空間として機能する。そのため、開口部２８３から噴出されるガス流は、ガスバッファ領域２８４内でサセプタ２１７の回転径方向の全域に拡散した後に噴出されるので、噴出流量や圧力等に関してサセプタ２１７の回転径方向での均一化が図られる。したがって、開口部２８３から噴出されるガス流が特定の箇所（例えば、ガス供給接続管２８５の接続箇所の近傍）に集中してしまうのが抑制される。
【０１４２】
（基板表面上でのガスの流れ）
開口部２８３から噴出されたガス流は、その後、図１５及び図１６に示すように、サセプタ２１７上の基板２００の表面と隙間保持部材２８６の下面との間の隙間を通って、第一の処理領域２０１ａの全域に拡がる（矢印ｆ２参照）。
【０１４３】
このとき、第一の処理領域２０１ａの全域に拡がるガス流は、主として、開口部２８３が延びる長手方向（すなわちサセプタ２１７の回転径方向）とは直交する方向（すなわちサセプタ２１７の回転周方向）に流れるものが中心である。しかも、その基になる開口部２８３からのガス流は、上述したようにサセプタ２１７の回転径方向での均一化が図られている。そのため、第一の処理領域２０１ａの全域に拡がるガス流は、サセプタ２１７の回転中心側と外周側での圧力差が低減されたものとなる。
【０１４４】
また、第一の処理領域２０１ａ内に供給されるガス流は、狭い幅のライン状に形成された開口部２８３から噴出されるため、開口部２８３でのベンチュリ効果により流れが速められる。そして、開口部２８３が基板２００の近距離でガスを噴出するため、開口部２８３の直下では、圧が高く流れが速いままガスが基板２００に到達する。基板２００に到達したガスは、上述したように、開口部２８３の直下から主にサセプタ２１７の回転周方向に拡がる。このとき、ライン状ガス供給部２８１の周囲には隙間保持部材２８６が設けられ、基板２００の表面上空間が隙間保持部材２８６によって狭められており、これにより基板２００の表面と隙間保持部材２８６の下面との間が所定間隔の隙間に保たれている。したがって、開口部２８３の直下から主にサセプタ２１７の回転周方向に拡がるガス流は、隙間保持部材２８６によって狭められたガス流路を通ることになり、流れが速いまま第一の処理領域２０１ａの全域に拡がる。つまり、隙間保持部材２８６がガス流路の断面積を狭めることにより、第一の処理領域２０１ａ内に供給されるガス流は、開口部２８３から噴出されたガス流の流速を維持したまま、第一の処理領域２０１ａの全域に効率的に拡がることになる。
【０１４５】
第一の処理領域２０１ａの全域にガス流が拡がった第一の処理領域２０１ａ内では、その領域内をサセプタ２１７上の基板２００が移動する。このとき、第一の処理領域２０１ａ内では、ライン状ガス供給部２８１の周囲に隙間保持部材２８６が設けられていることから、例えば隙間保持部材２８６が存在しない場合のようにガス流が処理室２０１内の天井面側に拡散してしまうことがない。つまり、第一の処理領域２０１ａ内において、ガス流は、常に基板２００の表面近傍を流れる。したがって、第一の処理領域２０１ａ内では、その領域内を移動する基板２００が十分にガス流に曝されることになる。
【０１４６】
以上のような効率的なガスの拡がり及び十分なガス暴露を確実なものとすべく、ライン状ガス供給部２８１の周囲に設けられる隙間保持部材２８６については、少なくとも一部、望ましくは全部につき、サセプタ２１７の回転周方向において、ライン状ガス供給部２８１よりも幅広に形成され、これにより平面視したときにライン状ガス供給部２８１及びガス排出領域２８７を除く第一の処理領域２０１ａの大部分を覆っていることが好ましい。
【０１４７】
また、隙間保持部材２８６については、処理室２０１の天井面を構成する部材とは別部材として形成することが好ましい。別部材であれば、例えば複数種類の隙間保持部材２８６を用意することで、ガス流路となる基板２００の表面と隙間保持部材２８６の下面との隙間の大きさを調整することが実現可能となるからである。その場合に、隙間保持部材２８６は、例えばネジに代表される公知の締結具を利用して、処理室２０１の天井面に対して着脱可能に装着することが考えられる。
【０１４８】
（ガス排出領域でのガスの流れ）
開口部２８３から噴出され、その直下から主にサセプタ２１７の回転周方向に拡がったガス流は、やがてガス排出領域２８７に到達する。ガス排出領域２８７は、上方が処理室２０１内の天井面により形成された空間であり、基板２００の表面上空間を隙間保持部材２８６の直下部分よりも拡げるように作用する。そのため、ガス排出領域２８７に到達したガス流は、第１の排気配管２０，２２の下の隙間におけるコンダクタンスよりもガス排出領域２８７内にガスが流れ込む際のコンダクタンスのほうが大きくなる。したがって、図１５に示すように、隣接する他領域に流れ込むことなく、ガス排出領域２８７内に拡散して、第１の排気配管２０，２２に形成された第１の排気孔２０ａ、２２ａを介して排気ダクト５００内へ吸引される（矢印ｆ３参照）。詳しくは、第１の排気配管２０の第１の排気孔２０ａ、第１の排気配管２２の第１の排気孔２２ａ、第２の排気配管２４の第２の排気孔２４ａから、第１の排気配管２０，２２内と、第２の排気配管２４内へ吸引される。
【０１４９】
本実施形態では、ガス排出領域２８７に直接面した第１の排気孔２０ａ、２２ａからガスを排気するので、ガス排出領域２８７で拡散されたガスを効率よく排気することができる。特に、第１の排気配管２０、２２の下面に排気孔を備える場合に比べて、ガス排出領域２８７で拡散されたガスの排気効率を向上させることができる。また、サセプタ２１７の外周端近傍に設けられた第２の排気孔２４ａのみからガスを排気する場合に比べて、第１の排気配管２０，２２の下の隙間から隣接する他領域に流れ込むガスの量をより低減することができる。
【０１５０】
こうして、第一の処理領域２０１ａへ噴出された第一の処理ガスは、排気ダクト５００により、第一の処理領域２０１ａから排出される。したがって、第一の処理ガスが第一の処理領域２０１ａから他の領域に流れることを抑制できる。また、第一の処理領域２０１ａにおいて、第一の処理ガスを基板２００上に均一に供給することが容易となる。
【０１５１】
このとき、第一の処理領域２０１ａ内では、サセプタ２１７の外周端近傍に設けられた第２の排気孔２４ａからもガスが排気されており、これによりサセプタ２１７の回転中心側から外周側に向けたガス流も形成される。なお、処理室２０３の中央部から不活性ガス導入部２５３及び不活性ガス噴出口２５４を介して不活性ガスを第一の処理領域２０１ａ内に導入するように構成した場合には、この導入された不活性ガスによっても、サセプタ２１７の回転中心側から外周側に向けたガス流が形成される。
【０１５２】
また、第１の排気配管２０，２２内においては、第２の排気配管２４に接続された排気管２３１の真空ポンプ２４６の作用によりサセプタ２１７の回転中心側から外周側に向けたガス流が形成される（矢印ｆ４参照）。
【０１５３】
なお、第１の排気孔２０ａ，２２ａや、第２の排気孔２４ａのピッチ及び径については、同一に限らず、各処理領域においてガス流れの淀みが無いように、また、各排気孔が吸引するガス量が大きくばらつかないように、つまり、どの排気孔からもある程度の排気が行われるように、各排気孔のピッチ及び径は異ならせてもよい。また、第１の排気配管２０，２２，２４に第１の排気孔２０ａ，２２ａ，２４ａの開口面積を変化させる開口面積調整機構を設けてもよい。開口面積調整機構としては、例えば、開口面の流路に流れを妨げる部品を設置し、その部品を移動および固定することにより、実効面積を調整する方法がある。
【０１５４】
また、第１の排気孔２０ａ，２２ａや、第２の排気孔２４ａのピッチ及び径を異ならせることにより、サセプタ２１７の径方向のガス濃度を均一に、また膜厚に応じて微調整することができるが、第１の排気配管２０，２２内の最も外周側の第１の排気孔２０ａ，２２ａのさらに外周側にガスの流れのバランスを調整するコンダクタンス調整手段を設けるとよい。コンダクタンス調整手段として、例えばバタフライバルブ等の流量調整可能なバルブが用いられるが、排気ダクト５００内のガスの流れを妨げる部材であればよく、ダクト内で上下または垂直軸に対して回転するようにしてもよい。コンダクタンス調整手段はコントローラ３００に接続され、制御される。なお、コンダクタンス調整手段は、接続部２８に設けてもよい。
【０１５５】
（４）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、少なくとも以下に示す効果を奏する。
（ａ）処理ガスが供給される領域と不活性ガスが供給される領域の境界部から処理ガス領域内のガスを排気するので、外周部からの排気のみに比べて、領域の中心側と外周側の処理ガス濃度差が生じるのを抑制できる。
（ｂ）サセプタの外周から排気する構成のみと比べて、不活性ガス領域に処理ガスが流れ出すことをより抑制できる。
（ｃ）処理ガス領域側の側面に排気孔を備えるので、効率よく処理ガスを排気配管から排気することができる。特に、排気配管の下面に排気孔を設ける場合に比べて、排気効率が向上する。
（ｄ）不活性ガス領域側とサセプタ対向側に排気孔を設けないため、処理ガス領域側の排気孔から、効率よく処理ガスを排気することができる。
（ｅ）第１の排気配管と第２の排気配管とを連通させ、第２の排気配管に排気ポンプに接続する排気口を備えることにより、第１の排気配管に対して独立した排気ポンプを設けることなく簡易な構成で排気を効率化でき、当該排気構造においても、第１の排気配管からの排気力を十分に維持することができる。
（ｆ）第１の排気配管を蓋部に設けることにより、配管全体を蓋部で支持することができるため、配管のたわみや変形などを防止することができる。
（ｇ）第１の排気配管と第２の排気配管との接続部を分離可能な構造とすることにより、蓋部を開放することが容易で、メンテナンスをしやすい。
（ｈ）第１の排気配管を蓋部に、第２の排気配管を反応容器本体に設けることにより、蓋部を閉塞した際に、第１の排気配管と第２の排気配管とを容易に接続することができ、メンテナンス性を大幅に向上させることができる。
（ｉ）第１の排気配管と第２の排気配管との接続部に接続部のコンダクタンスを調整するコンダクタンス調整機構を備えることにより、第１の排気孔からの排気量を容易に調整することができる。
【０１５６】
＜本発明の他の実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１７は、第２実施形態に係る基板処理装置１０における第一の処理領域２０１ａ内の横断面概略図である。
第２実施形態は、第１実施形態における第１の排気配管２０，２２に形成される第１の排気孔のみ第１実施形態と構成が異なる。
【０１５７】
本実施形態では、第１の排気配管２０，２２の長さ方向（すなわちサセプタ２１７の径方向）における位置の内、下方を基板２００が通過しない位置に第１の排気孔２０ｃ，２２ｃが形成されている。すなわち、基板２００が下方を通過しない第１の排気配管２０，２２の位置であって、第一の処理領域２０１ａ側及び第二の処理領域２０１ｂ側の側面に、複数の例えば長円形状の第１の排気孔２０ｃ、２２ｃが形成されている。これにより、基板２００がサセプタ２１７の回転に伴い移動する軌道上に、排気孔を設けないようにしたので、第１の排気孔２０ｃ，２２ｃ付近で発生する副生成物が基板２００上に落下して付着するのを抑制することができる。
【０１５８】
なお、図１７では、第１の排気配管２０、２２に２つの排気孔２０ｃ、２２ｃを有する構成を示したが、これに限らず、２つ以外の数（１つを含む）とすることも可能である。また、本実施形態では、第１の排気孔２０ｃ、２２ｃを長円形状としたが、長角形状や円形状や角形状等でもよい。また、第１実施形態同様、第１の排気配管２０，２２のサセプタ２１７の外周側の端部下面には、第２の排気配管２４と連通するための排気穴２０ｂ，２２ｂが形成されている。
【０１５９】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の一実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１６０】
以下に、付記として本発明の態様を記す。
＜付記１＞
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる基板載置台と、
前記基板載置台を回転させる回転駆動部と、
前記基板載置台の上面に設けられ、前記基板載置台の回転中心に対してその周囲に配置される前記基板が載置される基板載置部と、
前記処理室内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、
前記処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
前記処理室内を不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域と処理ガスが導入される処理ガス導入領域とに区画し、前記基板載置台の径方向に延びるように前記基板載置台の上方に設けられ、前記処理ガス導入領域側の側面に第１の排気孔を有する第１の排気部と、
前記基板載置台の外周部に設けられ、上面に第２の排気孔を有する第２の排気部と、
を有する基板処理装置、が提供される。
【０１６１】
＜付記２＞
前記第１の排気部は、前記不活性ガス導入領域側の側面、及び、前記基板載置台に対向する面に排気孔を有しない、付記１記載の基板処理装置、が提供される。
【０１６２】
＜付記３＞
前記第１の排気部は、前記基板載置台の外周部において前記第２の排気部に連通して接続され、前記第２の排気部は排気ポンプに接続される排気口を備える、付記１又は２記載の基板処理装置、が提供される。
【０１６３】
＜付記４＞
前記処理室は、前記基板載置台に対向するように設けられた開閉可能な蓋部と、前記蓋部により閉塞される処理容器により形成され、
前記第１の排気部は前記蓋部に固定するように取り付けられ、
前記第２の排気部は前記処理容器に固定するように取り付けられ、
前記第１の排気部と前記第２の排気部の接続部は分離可能に形成されている、
付記３記載の基板処理装置、が提供される。
【０１６４】
＜付記５＞
前記第１の排気部の端部の前記基板載置台に対向する面には第１の接続孔を備え、
前記第２の排気部の前記第１の接続孔と対向する面には第２の接続孔を備え、
前記第１の排気部と前記第２の排気部が接続される状態において、前記第１の接続孔と前記第２の接続孔は互いに接触して重なり合うように構成され、
前記第１の排気部と前記第２の排気部の接続部にはシール（封止）するシール部材が備えられる、付記４記載の基板処理装置、が提供される。
【０１６５】
＜付記６＞
前記第１の排気孔は、前記基板載置部に載置される前記基板が前記基板載置台の回転に伴い移動する軌道上には設けられない、付記１乃至５のいずれか一つに記載の基板処理装置、が提供される。
【０１６６】
＜付記７＞
前記第１の排気部と前記第２の排気部の接続部に、当該接続部のコンダクタンスを変化させるコンダクタンス調整機構を備える、付記３乃至５のいずれか一つに記載の基板処理装置、が提供される。
【０１６７】
＜付記８＞
前記第１の排気部に、前記第１の排気孔の開口面積を変化させる開口面積調整機構を備える、付記１乃至７のいずれか一つに記載の基板処理装置、が提供される。
【０１６８】
＜付記９＞
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる基板載置台と、
前記基板載置台を回転させる回転駆動部と、
前記基板載置台の上面に設けられ、前記基板載置台の回転中心に対してその周囲に配置される前記基板が載置される基板載置部と、
前記処理室内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、
前記処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
前記処理室内を不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域と処理ガスが導入される処理ガス導入領域とに区画し、前記基板載置台の径方向に延びるように前記基板載置台の上方に設けられ、前記処理ガス導入領域側の側面に第１の排気孔を有する第１の排気部と、
前記基板載置台の外周部に設けられ、上面に第２の排気孔を有する第２の排気部と、
を有する基板処理装置を用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記基板載置部に前記基板を載置する工程と、
前記基板載置台を回転させる工程と、
前記不活性ガス導入部から前記不活性ガスを導入し、前記処理ガス導入部から前記処理ガスを導入すると共に、前記第１の排気孔及び前記第２の排気孔から前記処理室内の前記処理ガスを排気する工程と、
を有する半導体装置の製造方法、及び基板処理方法、が提供される。
【０１６９】
＜付記１０＞
前記第１の排気部は、前記基板載置台の外周部において前記第２の排気部に連通され、前記第２の排気部は排気ポンプに接続される排気口を備えており、
前記処理室内の前記処理ガスを排気する工程では、前記第２の排気部に備えられた、前記排気ポンプに接続する排気口を介して前記第１の排気部内及び前記第２の排気部内のガスを排気する、
付記９記載の半導体装置の製造方法、及び基板処理方法、が提供される。
【０１７０】
＜付記１１＞
前記第１の排気部と前記第２の排気部の接続部のコンダクタンスを変化させる工程を更に有する、付記１０記載の半導体装置の製造方法、及び基板処理方法、が提供される。
【０１７１】
＜付記１２＞
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる基板載置台と、
前記基板載置台を回転させる回転駆動部と、
前記基板載置台の上面に設けられ、前記基板載置台の回転中心に対してその周囲に配置される前記基板が載置される基板載置部と、
前記処理室内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、
前記処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
前記処理室内を不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域と処理ガスが導入される処理ガス導入領域とに区画し、前記基板載置台の径方向に延びるように前記基板載置台の上方に設けられ、前記処理ガス導入領域側の側面に第１の排気孔を有する第１の排気部と、
前記基板載置台の外周部に設けられ、上面に第２の排気孔を有する第２の排気部と、
を有する基板処理装置において、
前記基板載置部に前記基板を載置する手順と、
前記基板載置台を回転させる手順と、
前記不活性ガス導入部から前記不活性ガスを導入し、前記処理ガス導入部から前記処理ガスを導入すると共に、前記第１の排気孔及び前記第２の排気孔から前記処理室内の前記処理ガスを排気する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体、が提供される。
【符号の説明】
【０１７２】
１０・・・・・・・・基板処理装置
２０，２２・・・・・第１の排気配管（第１の排気部）
２０ａ，２２ａ・・・第１の排気孔
２４・・・・・・・・第２の排気配管（第２の排気部）
２４ａ・・・・・・・第２の排気孔
２００・・・・・・・基板
２０１ａ・・・・・・第一の処理領域
２０１ｂ・・・・・・第二の処理領域
２０４ａ・・・・・・第一のパージ領域
２０４ｂ・・・・・・第二のパージ領域
【図１】
2017034013.tif 000003
【図２】
2017034013.tif 000004
【図３】
2017034013.tif 000005
【図４】
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【図５】
2017034013.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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