(57)【要約】【課題】インジウムの溶解度が大きく、シュウ酸とインジウムとの塩の析出が抑制され長期に渡って使用可能であり、また、残渣除去性及び消泡性にも優れ、酸化インジウム系膜のエッチングに好適に用いられるエッチング液を提供すること。【解決手段】（Ａ）シュウ酸、（Ｂ）ポリビニルピロリドン、及び、（Ｃ）水を含有し、酸化インジウム系膜のエッチングに用いられることを特徴とするエッチング液。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）シュウ酸、（Ｂ）ポリビニルピロリドン、及び、（Ｃ）水を含有し、
酸化インジウム系膜のエッチングに用いられることを特徴とするエッチング液。
【請求項２】
（Ｂ）ポリビニルピロリドンの含有量は０．０１〜１重量％である、請求項１に記載のエッチング液。
【請求項３】
さらに（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物を含有する、請求項１又は２に記載のエッチング液。
【請求項４】
（Ｂ）ポリビニルピロリドンと（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物との含有割合が、重量比で、（Ｂ）ポリビニルピロリドン：（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物＝１００：１〜０．５：１００である、請求項３に記載のエッチング液。
【請求項５】
さらに（Ｅ）アルカリ成分を含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のエッチング液。
【請求項６】
（Ｅ）アルカリ成分は、アンモニア、水溶性アルキルアミン、水溶性アルカノールアミン、及び、四級アルキルアンモニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項５に記載のエッチング液。
【請求項７】
粘度が０．５〜５０ｍＰａ・ｓである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のエッチング液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化インジウム系膜のエッチングに用いられるエッチング液に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ等の表示装置において、画素の表示電極等に透明導電膜が用いられている。この透明導電膜として、酸化インジウム系透明導電膜、例えば、酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)膜、が広く使用されている。ＩＴＯ膜は、例えば、スパッタリング法等の成膜プロセスを用いて、ガラス等の基板上に形成される。レジスト等をマスクにしてＩＴＯ膜をエッチングすることで電極パターンが基板上に形成される。このエッチング工程には湿式と乾式があるが、湿式ではエッチング液が使用される。
【０００３】
従来、多結晶ＩＴＯ膜の湿式エッチングには、通常、塩酸系の強酸が用いられているが、エッチングの際にアルミニウム配線等の腐食が生じ、さらに、ＩＴＯの結晶粒界から選択的にエッチングが進行するために、加工精度よくパターニングすることが困難であった。
【０００４】
そこで、近年、非晶質ＩＴＯ膜を透明導電膜として使用し、弱酸、特に、シュウ酸水溶液を用いてエッチングする方法が試みられている。しかしながら、シュウ酸水溶液を用いてＩＴＯ膜をエッチングした場合には、エッチング残渣が基板上に残るという問題があった。また、この問題を解決するために、エッチング液にドデシルベンゼンスルホン酸等の界面活性剤を添加すると、エッチング残渣は生じにくくなるものの、エッチング液の発泡が著しくなるという問題があった。発泡が著しいと泡が基板を押し上げることがあり、また、泡が基板上に発生するとエッチング液との接触を妨げてエッチングを妨害することになり、いずれの場合もエッチングが正確に行われなくなり、配線パターンに欠陥が生じる原因となる。
【０００５】
他方において、特にＬＣＤの分野においては、ガラス基板上に窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜、有機膜等の下地膜を形成して、その上に非結晶ＩＴＯ膜を形成することが行われている。ＳｉＮ膜は例えばガラス基板からの金属不純物の混入を防ぐ目的で使用され、また、有機膜は例えば開口部を平坦化させ、開口率を向上させる目的で使用される。しかし、これらの下地膜上に形成されたＩＴＯ膜をエッチングする場合には、基板上に下地膜を使用せずにＩＴＯ膜を形成する場合と比べてエッチング残渣が生じやすく、従来のエッチング液では充分な残渣除去が困難な場合がある。
【０００６】
また、一般的なシュウ酸系エッチング液ではインジウムの溶解度が２００ｐｐｍ程度であるため、エッチングの進行に伴いシュウ酸とインジウムとの塩が固形物として析出してくるという問題がある。１μｍよりも小さなパーティクルですら問題となる電子部品の製造工程において、このような固形物の析出は致命的である。また、この塩の析出により、処理液の循環用に設けられたフィルターが詰まり、その交換コストが高額になる虞もある。そのため、たとえエッチング液としての性能が十分に残っていても、この塩が析出してくる前に液を交換せねばならず、液寿命が短いものとなってしまっている。
【０００７】
以上の問題を解消するエッチング液として、例えば特許文献１、２には、界面活性剤としてナフタレンスルホン酸縮合物を含有するシュウ酸系エッチング液が記載されている。しかしながら、これらのエッチング液では残渣除去性は未だ充分とはいえず、改良の余地があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４６７４７０４号公報
【特許文献２】特開２０１１−４９６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、インジウムの溶解度が大きく、シュウ酸とインジウムとの塩の析出が抑制され長期に渡って使用可能であり、また、残渣除去性及び消泡性にも優れ、酸化インジウム系膜のエッチングに好適に用いられるエッチング液を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特許文献１、２に記載されたエッチング液において、界面活性剤として、ナフタレンスルホン酸縮合物に代えてポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）を用いることにより残渣除去性が向上することを見出し、本発明を完成した。
【００１１】
すなわち、本発明のエッチング液は、（Ａ）シュウ酸、（Ｂ）ポリビニルピロリドン、及び、（Ｃ）水を含有し、酸化インジウム系膜のエッチングに用いられることを特徴とする。
【００１２】
本発明のエッチング液において、（Ｂ）ポリビニルピロリドンの含有量は０．０１〜１重量％であることが好ましい。
【００１３】
本発明のエッチング液は、さらに（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物を含有することが好ましい。また、（Ｂ）ポリビニルピロリドンと（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物との含有割合が、重量比で、（Ｂ）ポリビニルピロリドン：（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物＝１００：１〜０．５：１００であることが好ましい。
【００１４】
本発明のエッチング液は、さらに（Ｅ）アルカリ成分を含有することが好ましく、（Ｅ）アルカリ成分は、アンモニア、水溶性アルキルアミン、水溶性アルカノールアミン、及び、四級アルキルアンモニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００１５】
本発明のエッチング液は、粘度が０．５〜５０ｍＰａ・ｓであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のエッチング液は、（Ａ）シュウ酸、（Ｂ）ポリビニルピロリドン、及び、（Ｃ）水を含有するため、インジウムの溶解度が大きく、シュウ酸とインジウムとの塩の析出が抑制され長期に渡って使用可能であり、また、残渣除去性及び消泡性にも優れ、酸化インジウム系膜のエッチングに好適に用いられる。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜＜エッチング液＞＞
本発明のエッチング液は、（Ａ）シュウ酸、（Ｂ）ポリビニルピロリドン、及び、（Ｃ）水を含有し、酸化インジウム系膜のエッチングに用いられることを特徴とする。
【００１８】
＜（Ａ）シュウ酸＞
（Ａ）シュウ酸は、本発明のエッチング液において、酸化インジウムのエッチング剤として作用する。本発明のエッチング液において、（Ａ）シュウ酸の含有量は、特に限定されないが、（Ｃ）水に対する溶解度以下であり、０．５〜１５重量％であることが好ましく、１〜７重量％であることがより好ましい。（Ａ）シュウ酸の含有量が０．５重量％未満であると、エッチングレートが不充分となることがあり、１５重量％を超えると、溶解度を超え析出することがある。
【００１９】
なお、本発明において、（Ａ）シュウ酸とは、本発明のエッチング液中における状態を意味し、本発明のエッチング液を調製する際に原材料としてシュウ酸そのものを用いる必要があることを意味するものではない。したがって、例えば、原材料として、（Ａ）シュウ酸と後述する（Ｅ）アルカリ成分との塩等を用いて調製されたエッチング液も、本発明のエッチング液に含まれる。具体的には、原材料としてシュウ酸テトラメチルアンモニウムを用いて調製されたエッチング液は、液中において（Ａ）シュウ酸と（Ｅ）アルカリ成分としてのテトラメチルアンモニウムとを含有する。（Ａ）成分と（Ｅ）成分との塩を用いる場合、各々のイオンの分子量を勘案し、各成分の含有量を計算できる。例えばビステトラメチルアンモニウムシュウ酸塩を用いる場合、添加重量の３７％を（Ａ）成分、６３％を（Ｅ）成分と考える。
【００２０】
＜（Ｂ）ポリビニルピロリドン＞
（Ｂ）ポリビニルピロリドンは、本発明のエッチング液において、界面活性剤として作用する。本発明のエッチング液において、（Ｂ）ポリビニルピロリドンの含有量は、特に限定されないが、例えば、０．００５〜２重量％であることが好ましく、０．０１〜１重量％であることがより好ましく、０．０５〜０．５重量％であることがさらに好ましい。（Ｂ）ポリビニルピロリドンの含有量が０．００５重量％未満であると、残渣除去性が不充分となることがあり、２重量％を超えると、粘度が高くなることがある。
【００２１】
（Ｂ）ポリビニルピロリドンのＫ値は、特に限定されないが、１０〜６０であることが好ましい。Ｋ値が１０未満である場合や６０を超える場合には、残渣除去性が不充分となることがある。なお、本明細書において、Ｋ値とは分子量と相関する粘性特性値をいう。
【００２２】
＜（Ｃ）水＞
本発明のエッチング液において、（Ｃ）水の含有量は、特に限定されないが、前述の（Ａ）、（Ｂ）成分や、後述のその他の成分を除いた残部であり、例えば６０〜９９．５重量％であることが好ましく、９０〜９９．５重量％であることがより好ましい。
【００２３】
本発明のエッチング液は、（Ａ）シュウ酸、（Ｂ）ポリビニルピロリドン、及び、（Ｃ）水に加えて、任意に他の成分を含有していても良い。他の成分としては、特に限定されないが、（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物、（Ｅ）アルカリ成分、（Ｆ）塩酸、（Ｇ）消泡剤、（Ｂ）、（Ｄ）成分以外の界面活性剤、硫酸、防食剤、有機溶媒等が挙げられる。これらは単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００２４】
＜（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物＞
（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物は、本発明のエッチング液において、（Ｂ）ポリビニルピロリドンと同様に界面活性剤として作用する。本発明のエッチング液は、（Ｂ）ポリビニルピロリドンと（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物との併用により残渣除去性がさらに向上するという効果が得られることから、（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物を含有することが好ましい。
【００２５】
（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物としては、β−ナフタレンスルホン酸又はその塩と、ホルムアルデヒド等との縮合体を用いることができる。β−ナフタレンスルホン酸の塩としては、特に限定されず、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、モノエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩等が挙げられる。（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物の分子量は、特に限定されないが、１０００〜５０００であることが好ましい。（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物として使用することができる市販品としては、例えば、ラベリンＦＭ−Ｐ、ラベリンＦＨ−Ｐ（いずれも第一工業製薬株式会社製）、ＭＸ−２０４５Ｌ（花王株式会社製）、ポリティＮ−１００Ｋ（ライオン株式会社製）等が挙げられる。これらは単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００２６】
本発明のエッチング液において、（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物の含有量は、特に限定されないが、０．００５〜５重量％であることが好ましく、０．０１〜１重量％であることがより好ましい。（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物の含有量が０．００５重量％未満であると、残渣除去性をさらに向上させる効果が不充分となることがあり、５重量％を超えると、残渣除去性はあまり向上せず、エッチングレートが低下することがある。
【００２７】
本発明のエッチング液において、（Ｂ）ポリビニルピロリドンと（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物との含有割合は、特に限定されないが、重量比で、（Ｂ）ポリビニルピロリドン：（Ｄ）ナフタレンスルホン酸縮合物＝１００：１〜０．５：１００であることが好ましい。この含有割合の範囲外では、両者の併用による残渣除去性の向上効果が得られにくいことがある。
【００２８】
＜（Ｅ）アルカリ成分＞
本発明のエッチング液に（Ｅ）アルカリ成分を含有させることにより、（Ａ）シュウ酸とインジウムとの塩の析出を抑制することができる。（Ｅ）アルカリ成分としては、特に限定されないが、例えば、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−プロパノールアミン、モノメチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルジメタノールアミン、トリエタノールアミン等の水溶性アルカノールアミン；アンモニア；メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン等の水溶性アルキルアミン；テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等の四級アルキルアンモニウム；ヒロドキシルアミン；水溶性アルカリ金属；またはそれらの塩（例えば、アミンの塩酸塩、硫酸塩、炭酸塩等、アンモニウムの塩酸塩、硫酸塩、炭酸塩等）等が挙げられる。これらの中では、メタル汚染防止の観点から、アンモニア、水溶性アルキルアミン、水溶性アルカノールアミン、及び、四級アルキルアンモニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。なかでも、モノエタノールアミンおよびＮ−メチルジメタノールアミンが好ましい。これらの（Ｅ）アルカリ成分は単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。なお、（Ｅ）成分はエッチング液中で電離していてもよい。
【００２９】
本発明のエッチング液が（Ｅ）アルカリ成分を含有する場合、その含有量は、特に限定されないが、０．５〜２０重量％であることが好ましく、１〜１０重量％であることがより好ましい。（Ｅ）アルカリ成分の含有量が０．５重量％未満であると、（Ａ）シュウ酸とインジウムとの塩の析出を抑制する能力が不充分となることがあり、２０重量％を超えると、残渣除去性に不都合が生じたりエッチングレートの低下を招く恐れがある。
【００３０】
なお、本発明において、（Ｅ）アルカリ成分とは、本発明のエッチング液中における状態を意味し、本発明のエッチング液を調製する際に原材料としてアルカリ成分そのものを用いる必要があることを意味するものではない。したがって、例えば、原材料として、（Ａ）シュウ酸と（Ｅ）アルカリ成分との塩等を用いて調製されたエッチング液も、本発明のエッチング液に含まれる。
【００３１】
＜（Ｆ）塩酸＞
本発明のエッチング液に（Ｆ）塩酸を含有させることにより、（Ａ）シュウ酸とインジウムとの塩の析出を抑制することができる。
【００３２】
本発明のエッチング液が（Ｆ）塩酸を含有する場合、その含有量は、特に限定されないが、０．０１〜０．３重量％であることが好ましい。（Ｆ）塩酸の含有量が０．０１重量％未満であると、シュウ酸とインジウムとの塩の析出を抑制する能力が不充分となることがあり、０．３重量％を超えると、残渣除去性が不充分となることがある。
【００３３】
＜（Ｇ）消泡剤＞
本発明のエッチング液に（Ｇ）消泡剤を含有させることにより、消泡性を向上させることができる。（Ｇ）消泡剤としては、特に限定されないが、例えば、低級アルコール、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル等が挙げられる。これらの（Ｇ）消泡剤は単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００３４】
本発明のエッチング液が（Ｇ）消泡剤を含有する場合、その含有量は、特に限定されないが、０．００００１〜０．１重量％であることが好ましい。（Ｇ）消泡剤の含有量が０．００００１重量％未満であると、消泡性が不充分となることがあり、０．１重量％を超えると、レジスト形状を変形させることがある。
【００３５】
本発明のエッチング液の粘度は、特に限定されないが、例えば、２００ｍＰａ・ｓ以下であり、０．５〜５０ｍＰａ・ｓであることが好ましい。粘度が５０ｍＰａ・ｓを超えると、基板上でエッチング液が充分に均一に拡散せず、エッチング不良となることがある。なお、一般に、エッチングペーストという場合、粘度が３００ｍＰａ・ｓ以上のものを指すことが多い。なお、本明細書において、粘度は室温（例えば２５℃）での測定値をいう。
【００３６】
本発明のエッチング液は、上述した各成分を常法により混合（常温で攪拌混合）することにより調製することができる。
【００３７】
本発明のエッチング液は、基板（例えば、ガラス等）上にスパッタリング等の手法で形成された酸化インジウム系膜のエッチングに用いられ、これによりパターニングが可能となる。また、基板上に下地膜を形成し、下地膜上に、酸化インジウム系膜を形成した場合のエッチングにも好適に使用することができる。酸化インジウム系膜としては、特に限定されないが、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）膜、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）膜等が挙げられる。なお、本明細書中、下地膜とは、酸化インジウム系膜の形成に先立って基板上に形成され、その上に酸化インジウム系膜が形成される膜をいう。下地膜としては、特に限定されないが、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜、有機膜等が挙げられる。ＳｉＮ膜は例えばガラス基板からの金属不純物の混入を防ぐ目的で使用され、また、有機膜は例えば開口部を平坦化させ、開口率を向上させる目的で使用される。
【００３８】
本発明のエッチング液は、室温で、又は、加熱（例えば、２５〜５０℃）して、使用することができる。エッチングに要する時間は、酸化インジウム系膜の膜厚等により異なるが、一般には、例えば、１〜３０分程度である。エッチングの後、必要に応じて、リンス工程で洗浄することができる。
【００３９】
本発明のエッチング液を酸化インジウム系膜と接触させる方法としては、特に限定されないが、例えば、シャワー式、浸漬式、揺動浸漬式、ＵＳ浸漬式等が挙げられる。
【００４０】
本発明のエッチング液の用途の一例として、半導体、ガラス、樹脂等の材質からなる基板と、下地膜と、酸化インジウム系膜と、マスクとなるレジストとが順に積層された積層体において、レジストをパターニングし、これをマスクとして本発明のエッチング液を用いて酸化インジウム系膜をエッチングすることができる。この積層体は、必要に応じて、基板と酸化インジウム系膜との間、及び／又は、酸化インジウム系膜とレジストとの間に、絶縁膜、金属配線、ＴＦＴ等を有していても良い。金属配線を形成する金属としては、特に限定されないが、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎｉ等が挙げられる。これらの金属は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。レジストは、公知のものが使用でき、ポジ型、ネガ型いずれも使用可能である。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。以下、「部」又は「％」は特記ない限り、それぞれ「重量部」又は「重量％」を意味する。
【００４２】
（比較例１〜１４、実施例１〜２０）
下記表１に示す重量％で各成分を混合し、エッチング液を得た（合計１００重量％）。得られたエッチング液について、後述する方法によりインジウム（Ｉｎ）溶解度、残渣除去性、消泡性、粘度を評価した。結果を表２に示す。
【００４３】
（評価方法）
１．インジウム（Ｉｎ）溶解度
各実施例及び比較例で得られたエッチング液を三角フラスコに入れ、その中に酸化インジウムを投入し、還流管を取り付け攪拌しながら４時間煮沸した。煮沸終了後２５℃で４８時間冷却し、過飽和のインジウム化合物が析出していることを確認した後、ポアサイズ０．２μｍのフィルターでろ過した。ろ液を採取し、ろ液中のインジウム濃度をＩＣＰ発光にて測定し、測定結果を下記基準により評価した。
◎：１３００ｐｐｍ以上
○：８００ｐｐｍ以上１３００ｐｐｍ未満
△：３００ｐｐｍ以上８００ｐｐｍ未満
×：３００ｐｐｍ未満
【００４４】
２．残渣除去性
２−１．有機膜上
ガラス基板上に有機膜を形成し、さらにＩＴＯ膜を形成した基板を、エッチング速度から算出されるジャストエッチング時間の１．４倍の時間、エッチング処理した。水洗、窒素ブロー後、処理後のサンプルを電子顕微鏡観察を行い、エッチング後の残渣を下記基準により評価した。
２−２．窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜上
ガラス基板上に窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜を形成し、さらにＩＴＯ膜を形成した基板を、エッチング速度から算出されるジャストエッチング時間の１．４倍の時間、エッチング処理した。水洗、窒素ブロー後、処理後のサンプルの電子顕微鏡観察を行い、エッチング後の残渣を下記基準により評価した。
◎：非常に少ない
○：少ない
△：多い
×：非常に多い
【００４５】
３．消泡性
１００ｍｌの比色管に各実施例及び比較例で得られたエッチング液を３０ｍｌ入れ、ＴＳ式シェーカーにセットし、２分間震盪した。震盪停止後、１分後に、泡高さ（ｍｍ）を測定し、測定結果を下記基準により評価した。なお、泡高さが５ｍｍ以下の場合には、泡の発生が実質的になくエッチング装置の運転に支障はなく、５ｍｍを超えるが１５ｍｍ以下の場合には多少の泡の発生があるもののエッチング装置の運転に実質的支障は生じない。しかし、１５ｍｍを超える場合には泡の発生により装置の運転に支障が生じるおそれが大きい。
◎：０ｍｍ
○：０ｍｍを超えるが５ｍｍ以下である
△：５ｍｍを超えるが１５ｍｍ以下である
×：１５ｍｍを超える
【００４６】
４．粘度
各実施例及び比較例で得られたエッチング液について、キャノンフェンスケ粘度計を用いて２５℃における粘度を測定した。
【００４７】
【表１】
2017216444.tif 000002
【００４８】
なお、表１中、各略号は下記のとおりである。ＰＶＰはＫ値が１０〜６０の範囲にあるものを使用した。
ＴＭＡシュウ酸塩：ビス−テトラメチルアンモニウムオキサレート
ＭＤＡ：Ｎ−メチルジエタノールアミン
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
ＰＶＰ：ポリビニルピロリドン
ＮＳＦ：ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物
ＡＢＳ：アルキルベンゼンスルホン酸
ＮＳ  ：ナフタレンスルホン酸
ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン
ＰＯＡ：ポリオキシアルキレンアルキルエーテル
【００４９】
【表２】
2017216444.tif 000003
【００５０】
表２に示すように、（Ａ）シュウ酸と（Ｂ）ポリビニルピロリドンを含有する実施例１〜２０の本発明のエッチング液は、Ｉｎ溶解性および消泡性を維持したうえで、有機膜だけでなくＳｉＮ膜の残渣除去性にも優れている。一方、ポリビニルピロリドンを含有しない比較例１〜１４のエッチング液は、特にＳｉＮ膜の残渣除去性に劣っている。