(57)【要約】【課題】  半導体層からオーミック電極部を介して不純物が拡散することによって低下するパッド電極部の接着強度（シア強度）を向上させることができる発光素子を提供する。【解決手段】  発光層を有する半導体積層体の表面にオーミック電極部、パッド電極部、及びワイヤーボンディング部がこの順番で形成された電極部を有する発光素子であって、前記パッド電極部の表面には、Ｒｚ（最大高さ粗さ）が０．０２μｍ以上、０．９μｍ以下の凹凸が設けられており、前記パッド電極部の厚さが０．５μｍ以上、５．０μｍ以下であることを特徴とする発光素子。【選択図】  図１
2017034214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を有する半導体積層体の表面にオーミック電極部、パッド電極部、及びワイヤーボンディング部がこの順番で形成された電極部を有する発光素子であって、
前記パッド電極部の表面には、Ｒｚ（最大高さ粗さ）が０．０２μｍ以上、０．９μｍ以下の凹凸が設けられており、
前記パッド電極部の厚さが０．５μｍ以上、５．０μｍ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記パッド電極部の表面に、Ｒｚが０．２μｍ以上、０．８μｍ以下の凹凸が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記パッド電極部の厚さが１．０μｍ以上、２．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記オーミック電極部と、前記パッド電極部との間に障壁金属層が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる発光素子に関し、特に、発光素子の電極構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子を通電させるために、素子の一部にボンディング用電極（以下、パッド電極部と称する）を設け、パッド電極部にワイヤーをボンディングし、パッド電極部とワイヤーを接合させる。発光素子は半導体で形成されるため機械強度が低く、通常は素子外部を樹脂等で封止し、機械強度を増している。樹脂封止の過程で、ワイヤーは引っ張りもしくは圧縮の応力を受けるため、パッドとボンディングされたワイヤーの接着強度が強い方が好ましい。
【０００３】
従来の発光素子は例えば図９に示すようにｐ型ＧａＰからなる支持基板４０７上にｐ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．６）からなる中間層４０６、ｐ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）からなるｐ型クラッド層４０５、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）からなる活性層４０４、ｎ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）からなるｎ型クラッド層４０３が形成された半導体積層体上の領域４３０に、オーミック電極部４１０、障壁金属層４１１、パッド電極部４１２からなる上部電極４１３が形成され、支持基板４０７に接するように下部電極４２０が形成されている。パッド電極部４１２上にはさらに、ワイヤーボンディングによりワイヤーボンディング部４１４が形成されている。
【０００４】
図９の発光素子１３において、オーミック電極４１０は、ｎ型クラッド層４０３と接するため、ＡｕとＧｅやＳｉなどのｎ型ドーパントとを含む金属で形成され、障壁金属層４１１は、拡散障壁効果があればどの様な金属でも選択可能であるが、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｍｏなどを採用することが一般的である。
また、下部電極４２０はｐ型支持基板４０７に接するため、ＡｕとＢｅやＺｎなどのｐ型ドーパントとを含む金属で形成されている。
【０００５】
ワイヤーボンディング部とパッド電極部との接着強度を高めるためには、ワイヤー材と同種の金属でパッド電極部を形成することが好ましい。ワイヤーとパッド電極部は超音波接合で接合されるため、同種の金属であればあるほど金属接合を形成しやすく、接着強度を高めることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２８２９６６号公報
【特許文献２】特開２０１４−０４５２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、ワイヤーボンディング部とパッド電極部との接着強度を高めるためには、ワイヤー材と同種の金属でパッド電極部を形成することが好ましく、ワイヤーとパッド電極部は超音波接合で接合されるため、同種の金属であればあるほど金属接合を形成しやすく、接着強度を高めることができる。
【０００８】
その一方で、発光素子を通電させるために、半導体と接触する金属と半導体との間においてオーミック接触を得る必要があり、そのため、電極には熱処理を行うことが必須である。しかしながら、熱処理によって半導体材料がオーミック電極部を介してパッド電極部中を拡散することで、パッド電極部における金属の純度が低下してしまう。その結果、ワイヤーボンディング時の強度が低下し、ワイヤーの不着や剥離を引き起こす場合がある。
【０００９】
上記を考慮して、不純物拡散を防ぐため、異種金属を拡散防止層として挿入する技術が開示されているが、この技術を用いても、不純物の拡散を低減させることはできるものの、完全に停止させることはできず、ワイヤーボンディング時の強度の低下という観点で改善の余地があった。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、半導体層からオーミック電極部を介して不純物が拡散することによって低下するパッド電極部の接着強度（シア強度）を向上させることができる発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、発光層を有する半導体積層体の表面にオーミック電極部、パッド電極部、及びワイヤーボンディング部がこの順番で形成された電極部を有する発光素子であって、前記パッド電極部の表面には、Ｒｚ（最大高さ粗さ）が０．０２μｍ以上、０．９μｍ以下の凹凸が設けられており、前記パッド電極部の厚さが０．５μｍ以上、５．０μｍ以下であることを特徴とする発光素子を提供する。
【００１２】
このように、パッド電極部の表面に所定のＲｚの凹凸を設け、パッド電極部の厚さを所定の厚さとすることで、パッド電極部表面の凹凸に起因するアンカー効果によりパッド電極部とワイヤーボンディング部との接着性が改善され、半導体層からオーミック電極部を介して不純物が拡散することによって低下するパッド電極部の接着強度を向上させることができる。
【００１３】
このとき、パッド電極部の表面に、Ｒｚが０．２μｍ以上、０．８μｍ以下の凹凸が設けられていることが好ましい。
【００１４】
このようにパッド電極部表面の凹凸のＲｚを上記の範囲とすることで、より効果的にパッド電極部の接着強度を向上させることができる。
【００１５】
このとき、パッド電極部の厚さが１．０μｍ以上、２．５μｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
このようにパッド電極部の厚さを上記の範囲とすることで、より効果的にパッド電極部の接着強度を向上させることができる。
【００１７】
このとき、オーミック電極部と、パッド電極部との間に障壁金属層が設けられていることが好ましい。
【００１８】
このような構成により、半導体層からオーミック電極部を介して不純物が拡散することを低減できるので、より効果的にパッド電極部の接着強度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように、本発明の発光素子であれば、パッド電極部表面の凹凸に起因するアンカー効果により、パッド電極部とワイヤーボンディング部との接着性が改善され、半導体層からオーミック電極部を介して不純物が拡散することによって低下するパッド電極部の接着強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態の発光素子の断面図を示す図である。
【図２】Ｒｚとシア強度との関係を示すグラフである。
【図３】パッド電極部の蒸着膜厚とシア強度との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第１の実施形態の発光素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の発光素子の断面図を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の発光素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態の発光素子の断面図を示す図である。
【図８】本発明の第３の実施形態の発光素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】従来の発光素子、及び比較例の発光素子の断面図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
前述のように、ワイヤーボンディング部とパッド電極部との接着強度を高めるためには、ワイヤー材と同種の金属でパッド電極部を形成することが好ましいが、その一方で、発光素子を通電させるために、半導体と接触する金属と半導体間においてオーミック接触を得るため、電極には熱処理を行うことが必須であり、この熱処理によって半導体材料がオーミック接触部を介してパッド電極部中を拡散することで、パッド電極部における金属の純度が低下してしまい、これによりワイヤーボンディング時の強度が低下し、ワイヤーの不着や剥離を引き起こす場合があった。
上記を考慮して、不純物拡散を防ぐため、異種金属を拡散防止層として挿入する技術が開示されているが、この技術を用いても、不純物の拡散を低減させることはできるものの、完全に停止させることはできず、ワイヤーボンディング時の強度の低下という観点で改善の余地があった。
【００２２】
一方、特許文献１には、凹凸を有する面上に電極を形成することが開示されているが、電極表面は平坦であり、電極の表面上に凹凸を設けることは開示されていない。
【００２３】
さらに、特許文献２には、粗面の半導体層上にオーミック電極を形成し、オーミック電極の表面が半導体層の粗面を反映していることが開示されているが、パッド電極の表面に凹凸を設けることも、電極表面の凹凸の大きさを規定することも開示されていない。
【００２４】
そこで、本発明者らは、半導体層からオーミック電極部を介して不純物が拡散することによって低下するパッド電極部の接着強度を向上させることができる発光素子について、鋭意検討した。その結果、パッド電極部の表面にＲｚが０．０２μｍ、以上０．９μｍ以下の凹凸を設け、パッド電極部の厚さを０．５μｍ以上、５．０μｍ以下とすることで、パッド電極部表面の凹凸に起因するアンカー効果によりパッド電極部とワイヤーボンディング部との接着性が改善され、半導体層からオーミック電極部を介して不純物が拡散することによって低下するパッド電極部の接着強度を向上させることができることを見出し、本発明をなすに至った。
【００２５】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２６】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態の発光素子について図１を参照しながら説明する。図１に示す本発明の第１の実施形態の発光素子１０は、ｐ型ＧａＰからなる支持基板１０７上に、ｐ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．６）からなる中間層１０６、ｐ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）からなるｐ型クラッド層１０５、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）からなる活性層１０４、ｎ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）からなるｎ型クラッド層１０３が形成された半導体積層体上の領域１３０にオーミック電極部１１０、障壁金属層１１１、パッド電極部１１２からなる上部電極１１３が形成され、支持基板１０７に接するように下部電極１２０が形成されている。パッド電極部１１２上にはさらに、ワイヤーボンディング部１１４が設けられている。なお、支持基板１０７、中間層１０６、クラッド層１０５をｎ型とし、クラッド層１０３をｐ型としてもよい。また、障壁金属層１１１は設けなくてもよい。
【００２７】
オーミック電極部１１０は、ｎ型クラッド層１０３と接するため、ＡｕとＧｅやＳｉなどのｎ型ドーパントとを含む金属で形成され、障壁金属層１１１は、拡散障壁効果があればどの様な金属でも選択可能であるが、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｍｏなどを採用することが一般的である。下部電極１２０は、ｐ型窓層を兼ねている支持基板１０７に接するため、ＡｕとＢｅやＺｎなどのｐ型ドーパントとを含む金属で形成されている。そして、オーミック電極部１１０、障壁層金属層１１１、パッド電極部１１２の上下表面にはＲｚが０．０２μｍ以上０．９μｍ以下の凹凸が設けられている。
【００２８】
次に、本発明の第１の実施形態の発光素子の製造方法を、図１、４を参照しながら説明する。
【００２９】
まず、ＧａＡｓからなる出発基板１０１上に、エッチングストップ層１０２、ｎ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）からなるｎ型クラッド層１０３、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）からなる活性層１０４、ｐ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）からなるｐ型クラッド層１０５、ｐ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．６）からなる中間層１０６、ｐ型ＧａＰからなるｐ型窓層兼支持基板１０７を順次形成する（図４（ａ）参照）。ここで、エッチングストップ層１０２は、出発基板１０１を除去するエッチング液に対して選択エッチング性がある材料を選択する。
【００３０】
次に、出発基板１０１をアンモニア過水等でエッチングすることにより除去する（図４（ｂ）参照）。このとき、エッチングは、エッチングストップ層１０２で止まる。
【００３１】
次に、エッチングストップ層１０２をアンモニア過水以外の酸エッチング材、例えば塩酸などでエッチングすることにより除去する（図４（ｃ）参照）。このとき、エッチングはｎ型クラッド層１０３で止まり、ｎ型クラッド層１０３が露出する。
【００３２】
次に領域１３０にフォトリソグラフィー法によりパターン（開口部パターン）を形成する。本実施形態においては、直径１μｍの開口部が２μｍピッチで配置されたフォトレジストパターンを形成した。パターン形成後、塩酸含有のウェットエッチング液にてｎ型クラッド層１０３の領域１３０の一部（すなわち、フォトレジストパターンで覆われていない部分）をエッチングする。
【００３３】
ウェットエッチングの場合、塩酸のみではエッチング速度が早すぎるため、酢酸などの有機酸を緩衝剤として混合し、制御可能なエッチング速度まで調整することができる。例えば、酢酸：塩酸＝１００：１程度であれば、エッチング速度は１μｍ／分前後であるため、０．０２μｍ以上のＲｚを得るため、２秒以上のエッチング時間を設けることができる。
【００３４】
ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）などのドライエッチング処理でｎ型クラッド層１０３の上の領域１３０の一部をエッチングする場合、Ｃｌ２やＢＣｌ３ガスとＡｒによって生成されるラジカルにてエッチングを行うことができる。素子分離等のエッチングにおけるエッチング速度が得られる条件であれば、塩素系ガスはＡｒガスの４倍程度の質量モルが必要である。もちろん、この条件を用いても良いが、エッチング速度が速いため、制御性の観点から、本実施形態ではＡｒガスを塩素系ガスの４〜１６倍程度に設定した条件で行った。
【００３５】
上記のような方法でｎ型クラッド層１０３の表面に凹凸を所望のＲｚ値で形成した後に、フォトレジストパターンを既知の方法で除去する（図４（ｄ）参照）。
【００３６】
次に、ｎ型クラッド層１０３上にオーミック電極部１１０を例えば０．５μｍ形成し、オーミック電極部１１０上に障壁層金属層１１１を例えば０．１μｍ形成し、障壁層金属層１１１上にパッド電極部１１２を例えば１．０μｍ形成し、下部電極１２０を支持基板１０７に接するように形成する。全ての電極を形成後、例えば４５０℃５分の熱処理（すなわち、ｎ型クラッド層１０３及びｐ型の支持基板１０７とのオーミック接触を得るための熱処理）を施す。その後、ワイヤーボンディングにより、パッド電極部１１２上にワイヤーボンディング部１１４を形成し、図１の発光素子１０が得られる。
【００３７】
実施形態１の発光素子１０を用いて、パッド電極部１１２の表面の凹凸のＲｚ値を変化させたときのシア強度（接着強度）を調査した結果を図２に示す。なお、このときのパッド電極部の厚さを１．５μｍとした。
また、実施形態１の発光素子１０においてＲｚ＝０．０２μｍ、０．８９μｍとしたときのパッド電極部の厚さ（蒸着膜厚）とシア強度との関係を図３に示す。
【００３８】
図２、３からわかるように、パッド電極部１１２の表面のＲｚが０．０２〜０．９μｍの範囲、パッド電極部１１２の厚さが０．５μｍ以上の範囲においてシア強度が高いことが分かる。なお、パッド電極部１１２の厚さを５．０μｍ以上としても、これ以上のシア強度の向上は望めず、また、５．０μｍを超える膜厚の金属膜を蒸着で形成することは生産性の点で問題があるので、パッド電極部１１２の厚さは５．０μｍ以下とすることが好ましい。また、パッド電極部１１２の表面のＲｚを０．２μｍ以上０．８μｍ以下とし、パッド電極部１１２の表面の厚さを１．０μｍ以上２．５μｍ以下とすることがより好ましい。
【００３９】
このように、第１の実施形態の発光素子１０においては、パッド電極部１１２とワイヤーボンディング部１１４との接触強度を高めるため、パッド電極部１１２が形成される領域１３０の半導体積層体の表面に凹凸を設け、その上にパッド電極部１１２を設けることによりパッド電極部１１２の表面に凹凸を設けている。但し、パッド電極部１１２の表面の凹凸のＲｚが０．０２μｍ以上、０．９μｍ以下、パッド電極部１１２の厚さが０．５〜５．０μｍの範囲において、シア強度を増大させる効果が高い。このように、厚さが上記の範囲のパッド電極部１１２の表面に上記の範囲のＲｚの凹凸を有することで、ワイヤーボンディング部１１４とパッド電極部１１２と間でアンカー効果が生じ、パッド電極部１１２とワイヤーボンディング部１１４とのシア強度を増加させることができる。
【００４０】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態の発光素子について図５を参照しながら説明する。図５に示す第２の実施形態の発光素子１１は、基本的に構造は第１の実施形態の発光素子１０と同じであり、後述する製造方法が第１の実施形態とは異なっている。
図５において、ｎ型クラッド層２０３、活性層２０４、ｐ型クラッド層２０５、中間層２０６、ｐ型窓層兼指示基板２０７、オーミック電極部２１０Ａ、障壁金属層２１１、パッド電極部２１２、上部電極２１３、ワイヤーボンディング部２１４、下部電極２２０、領域２３０はそれぞれ、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型クラッド層１０５、中間層１０６、ｐ型窓層兼指示基板１０７、オーミック電極部１１０、障壁金属層１１１、パッド電極部１１２、上部電極１１３、ワイヤーボンディング部１１４、下部電極１２０、領域１３０に対応している。
【００４１】
次に、本発明の第２の実施形態の発光素子の製造方法を、図５、６を参照しながら説明する。
【００４２】
図６（ａ）〜図６（ｃ）に示す工程は、第１の実施形態の図４（ａ）〜図４（ｃ）に示す工程と同様にして行う。
図６において、出発基板２０１、エッチングストップ層２０２はそれぞれ、出発基板１０１、エッチングストップ層１０２に対応している。
【００４３】
ｎ型クラッド層２０３を露出させた後に、ｎ型クラッド層２０３の上の領域２３０にオーミック電極部２１０を例えば０．２μｍ形成する（図６（ｄ）参照）。オーミック電極部２１０は、ｎ型クラッド層２０３と接するため、ＡｕとＧｅやＳｉなどのｎ型ドーパントとを含む金属で形成される。
【００４４】
次に、例えば４５０℃５分の熱処理を行った後に、オーミック電極部２１０をウェットエッチングにて除去する。上記の熱処理によりオーミック界面が形成されることで、領域２３０にはＲｚ＝０．１μｍ程度の凹凸が形成され、熱処理後のエッチング過程で、半導体と金属の合金部が失われるため、領域２３０のｎクラッド層２０３の表面には凹パターンが形成される（図６（ｅ）参照）。
【００４５】
次に、再びオーミック電極部２１０Ａを例えば０．５μｍ形成し、オーミック電極部２１０Ａ上に障壁金属層２１１を例えば０．１μｍ形成し、障壁金属層２１１上にパッド電極部２１２を例えば１．０μｍ形成し、下部電極２２０を支持基板２０７に接するように形成する。全ての電極を形成後、例えば４５０℃５分の熱処理（すなわち、ｎ型クラッド層２０３及びｐ型の支持基板２０７とのオーミック接触を得るための熱処理）を施す。その後、ワイヤーボンディングにより、パッド電極部２１２上にワイヤーボンディング部２１４を形成し、図５の発光素子１１が得られる。
第２の実施形態の発光素子１１においても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４６】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態の発光素子について図７を参照しながら説明する。図７に示す第３の実施形態の発光素子１２は、基本的に構造は第１の実施形態の発光素子１０、及び、第２の実施形態の発光素子１１と同様であるが、ｎ型クラッド層３０３の表面が平坦である一方で、オーミック電極部３１０の表面に凹凸が設けられている点で異なっている。
図７において、ｎ型クラッド層３０３、活性層３０４、ｐ型クラッド層３０５、中間層３０６、ｐ型窓層兼指示基板３０７、オーミック電極部３１０、障壁金属層３１１、パッド電極部３１２、上部電極３１３、ワイヤーボンディング部３１４、下部電極３２０、領域３３０はそれぞれ、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型クラッド層１０５、中間層１０６、ｐ型窓層兼指示基板１０７、オーミック電極部１１０、障壁金属層１１１、パッド電極部１１２、上部電極１１３、ワイヤーボンディング部１１４、下部電極１２０、領域１３０に対応している。
【００４７】
次に、本発明の第３の実施形態の発光素子の製造方法を、図７、８を参照しながら説明する。
【００４８】
図８（ａ）〜図８（ｃ）に示す工程は、第１の実施形態の図４（ａ）〜図４（ｃ）に示す工程と同様にして行う。
図８において、出発基板３０１、エッチングストップ層３０２はそれぞれ、出発基板１０１、エッチングストップ層１０２に対応している。
【００４９】
ｎ型クラッド層３０３を露出させた後に、ｎ型クラッド層３０３の上の領域３３０にオーミック電極部３１０を例えば０．５μｍ形成する（図８（ｄ）参照）。オーミック電極部３１０は、ｎ型クラッド層３０３と接するため、ＡｕとＧｅやＳｉなどのｎ型ドーパントとを含む金属で形成される。
【００５０】
次に、領域３３０にフォトリソグラフィー法によりパターン（開口部パターン）を形成する。本実施形態においては、直径１μｍの開口部が２μｍピッチで配置されたフォトレジストパターンを形成した。フォトレジストパターン形成後、ヨウ素含有エッチャントを用いてウェットエッチング処理を行い、オーミック電極部３１０の表面上に凹凸を形成する（図８（ｅ）参照）。本実施形態においては、オーミック電極部３１０の厚さを０．５μｍ程度としたため、最大Ｒｚは０．５μｍ程度であるが、厚さを０．５μｍ以上、例えば、５μｍとすればＲｚ＝５μｍまで形成可能なことは言うまでもない。
【００５１】
次に、オーミック電極部３１０上に障壁金属層３１１を例えば０．１μｍ形成する。本実施例では、オーミック電極部３１０上に凹凸を設けたが、障壁金属層３１１上に同様の工程で凹凸を設けても同様の効果が得られる。その後、障壁層金属層３１１上にパッド電極部３１２を例えば１．０μｍ形成し、下部電極３２０をｐ型支持基板３０７に接するように形成する。全ての電極を形成後、例えば４５０℃５分の熱処理（すなわち、ｎ型クラッド層３０３及びｐ型の支持基板３０７とのオーミック接触を得るための熱処理）を施す。その後、ワイヤーボンディングにより、パッド電極部３１２上にワイヤーボンディング部３１４を形成し、図７の発光素子１２が得られる。
第３の実施形態の発光素子１２においても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５２】
以上、本発明の発光素子の実施形態を示したが、本発明はこれらに限定されない。パッド電極部の表面に所望の凹凸があり、本発明で規定する厚さであれば、本発明の範囲である。例えば、凹凸は、パッド電極部を形成後、その表面を処理することにより所望のＲｚの凹凸を形成するようにしてもよい。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５４】
（実施例１）
図１に示す第１の実施形態の発光素子１０を、図１、４に示す製造方法を用いて製造し、パッド電極部１１２の表面粗さＲｚを０．０２μｍとし、パッド電極部１１２の膜厚を２．０μｍとした。シア強度を測定したところ５６ｇであった。これは後述する比較例より高い値であった。
【００５５】
（実施例２）
図５に示す第２の実施形態の発光素子１１を、図５、６に示す製造方法を用いて製造し、パッド電極部２１２の表面粗さＲｚを０．１μｍとし、パッド電極部２１２の膜厚を０．５μｍとした。シア強度を測定したところ４５ｇであった。これは後述する比較例より高い値であった。
【００５６】
（実施例３）
図７に示す第３の実施形態の発光素子１２を、図７、８に示す製造方法を用いて製造し、パッド電極部３１２の表面粗さＲｚを０．９μｍとし、パッド電極部３１２の膜厚を５．０μｍとした。シア強度を測定したところ６０ｇであった。これは後述する比較例より高い値であった。
【００５７】
（比較例）
図９に示す従来の構造の発光素子１３を、第１の実施形態で用いた製造方法においてｎ型クラッド層の表面に凹凸を形成する工程を行わないものを用いて製造し、パッド電極部４１２の表面粗さＲｚを＝０．０１μｍとし、パッド電極部４１２の膜厚を２．０μｍとした。シア強度を測定したところ１５ｇであった。これは前述の実施例１〜３に比べて低い値であった。
【００５８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５９】
１０、１１、１２、１３…発光素子、
１０１、２０１、３０１…出発基板、
１０２、２０２、３０２…エッチングストップ層、
１０３、２０３、３０３、４０３…ｎ型クラッド層、
１０４、２０４、３０４、４０４…活性層、
１０５、２０５、３０５、４０５…ｐ型クラッド層、
１０６、２０６、３０６、４０６…中間層、
１０７、２０７、３０７、４０７…ｐ型窓層兼支持基板、
１１０、２１０、２１０Ａ、３１０、４１０…オーミック電極部、
１１１、２１１、３１１、４１１…障壁金属層、
１１２、２１２、３１２、４１２…パッド電極部、
１１３、２１３、３１３、４１３…上部電極、
１１４、２１４、３１４、４１４…ワイヤーボンディング部、
１２０、２２０、３２０、４２０…下部電極
１３０、２３０、３３０、４３０…領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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