(57)【要約】【課題】リワークの不要な電子部品には可及的に影響を与えることなく、リワーク対象の電子部品の接合用金属の溶融を精度良く検出する。【解決手段】表面上に接続用金属３０により複数の電子部品２０が接続されたプリント基板１０について、接続用金属３０を加熱して溶融する溶融装置であって、接続用金属３０を加熱する加熱部１２と、プリント基板１０上の複数の電子部品２０のうちの少なくとも１つの所定の電子部品２０ａに対して局所的に、プリント基板１と独立した振動を与える加振部１４とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上に接続用金属により複数の電子部品が接続された基板について、前記接続用金属を加熱して溶融する溶融装置であって、
前記接続用金属を加熱する加熱部と、
前記基板上の前記複数の電子部品のうちの少なくとも１つの所定の電子部品に対して局所的に、前記基板と独立した振動を与える加振部と
を含むことを特徴とする溶融装置。
【請求項２】
前記加振部は、音響放射圧を発生する音響発生振動子を有することを特徴とする請求項１に記載の溶融装置。
【請求項３】
前記加振部は、圧電素子を有することを特徴とする請求項１に記載の溶融装置。
【請求項４】
前記加振部は、圧電素子及び打撃ピンを有することを特徴とする請求項１に記載の溶融装置。
【請求項５】
前記加振部は、パルス状の圧縮空気を発生するものであることを特徴とする請求項１に記載の溶融装置。
【請求項６】
前記加振部は、前記基板の表面又は裏面から前記所定の電子部品に振動を与えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の溶融装置。
【請求項７】
前記加熱部は、前記所定の電子部品を局所的に加熱するものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の溶融装置。
【請求項８】
前記所定の電子部品の振動を検知する検知部を更に含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の溶融装置。
【請求項９】
表面上に接続用金属により複数の電子部品が接続された基板について、前記接続用金属を加熱して溶融する溶融方法であって、
前記接続用金属を加熱しながら、前記基板上の前記複数の電子部品のうちの少なくとも１つの所定の電子部品に対して局所的に、前記基板と独立した振動を与えることを特徴とする溶融方法。
【請求項１０】
前記接続用金属が溶融したときの前記所定の電子部品の振動を検知することを特徴とする請求項９に記載の溶融方法。
【請求項１１】
検知部を用いて、前記所定の電子部品の振動を検知することを特徴とする請求項１０に記載の溶融方法。
【請求項１２】
目視により、前記所定の電子部品の振動を検知し、当該所定の電子部品の前記接続用金属の溶融を認識することを特徴とする請求項１０に記載の溶融方法。
【請求項１３】
前記所定の電子部品を局所的に加熱することを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の溶融方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶融装置及び溶融方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の電子部品をプリント基板に実装する際には、実装後の検査工程でプリント基板と電子部品との間の導通を検査する。この検査工程で導通不良が発見されたときには、プリント基板上のハンダを溶融させて電子部品を取り外し、再度電子部品を付け直すリワークと呼ばれる作業を行うことがある。また、リワークは、電子部品の修理が必要になった場合等にも行われる。
【０００３】
ここで、リワーク時のハンダの溶融条件は、予め測定した結果に基づいて決定される。ところが、従来では、ハンダの溶融状態のばらつきを考慮し、ハンダが確実に溶融する条件をリワーク時のハンダの加熱条件として決定していた。このために、電子部品やプリント基板が加熱され易かった。電子部品やプリント基板が加熱されると、リワーク対象になっている電子部品の周囲の他の部品が熱によって劣化したり、周囲の他の部品を接合するハンダが溶融して接触不良を起こしたりする可能性がある。また、熱の影響によって、プリント基板が反ったり、電極のパッドが剥がれ易くなったりする可能性があった。
【０００４】
ハンダの溶融装置として、従来では、例えば特許文献１の装置構成が知られている。この溶融装置では、プリント基板を加熱しながらプリント基板全体を振動させ、プリント基板上の電子部品の振動数を測定し、プリント基板の振動数と異なる振動数を検出することで、ハンダが溶融したタイミングを検出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１９５５５６号公報
【特許文献２】国際公開第２００７／０７７５９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
プリント板を振動させる従来の方式では、プリント板が大きくなると振動させることが困難になってくると共に、プリント板上の電子部品の振動数の変化を捉えることも難しく、振動数や、振幅の変化からハンダが溶融したタイミングを見極めることが困難である。また、リワーク対象の電子部品のみならず、リワークの不要な電子部品までも取り外し可能な状態とされるため、当該電子部品の電気的接続に対して悪影響を及ぼすことも懸念される。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、リワークの不要な電子部品には可及的に影響を与えることなく、リワーク対象の電子部品の接合用金属の溶融を精度良く検出する、信頼性の高い溶融装置及び溶融方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
溶融装置の一態様は、表面上に接続用金属により複数の電子部品が接続された基板について、前記接続用金属を加熱して溶融する溶融装置であって、前記接続用金属を加熱する加熱部と、前記基板上の前記複数の電子部品のうちの少なくとも１つの所定の電子部品に対して局所的に、前記基板と独立した振動を与える加振部とを含む。
【０００９】
溶融方法の一態様は、表面上に接続用金属により複数の電子部品が接続された基板について、前記接続用金属を加熱して溶融する溶融方法であって、前記接続用金属を加熱しながら、前記基板上の前記複数の電子部品のうちの少なくとも１つの所定の電子部品に対して局所的に、前記基板と独立した振動を与え、前記接続用金属が溶融したときの前記所定の電子部品の振動を検知する。
【発明の効果】
【００１０】
上記した諸態様によれば、リワークの不要な電子部品には可及的に影響を与えることなく、リワーク対象の電子部品の接合用金属の溶融を精度良く検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態による溶融装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】第１の実施形態による溶融装置の局所加振部を示す概略平面図である。
【図３】第１の実施形態による溶融方法について、ステップ順に示すフロー図である。
【図４】第１の実施形態による溶融装置の動作を示す模式図である。
【図５】第２の実施形態による溶融装置の主要構成を示す模式図である。
【図６】第３の実施形態による溶融装置の主要構成を示す模式図である。
【図７】第４の実施形態による溶融装置の主要構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、溶融装置及び溶融方法の諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。
【００１４】
［溶融装置の概略構成］
図１は、第１の実施形態による溶融装置の概略構成を示す模式図である。
この溶融装置は、ＸＹＺステージ１１、ヒータ１２及びヒータドライバ１３、局所加振部１４、振動検知部１５、第１の制御部１、第２の制御部２、第３の制御部３を備えて構成されている。第１の制御部１、第２の制御部２、及び第３の制御部３は、統括制御部、例えばコンピュータの中央処理装置（ＣＰＵ）等により統括的に制御される。
【００１５】
ＸＹＺステージ１１は、プリント基板１０が載置固定され、プリント基板１０がＸＹＺ方向に移動自在とされている。プリント基板１０の表面には、電子部品である例えば半導体素子２０が接合用金属である例えばハンダ３０により複数電気的に接続されている。複数の半導体素子２０のうち、リワーク対象のものを半導体素子２０ａとする。半導体素子２０ａは、１つの場合も、複数の場合もある。
【００１６】
ヒータ１２は、例えばハロゲンランプを有しており、ヒータドライバ１３の駆動によりＸＹＺステージ１１上に載置固定されたプリント基板１０の表面全面（又は所定の広範囲）を加熱する。ヒータ１２としては、リワーク対象の半導体素子２０ａのみを局所的に加熱（スポット加熱）するものを用いても良い。この場合、ヒータ１２は、ハロゲンランプ等に加え、照射光を所望の半導体素子２０ａに指向して当該半導体素子２０ａのみを加熱するためのミラー等を有している。
【００１７】
局所加振部１４は、例えば超音波を発生する音響発生振動子１４ａを複数有している。局所加振部１４では、図２（ａ）に示すように、複数の音響発生振動子１４ａがマトリクス状に配列してアレイを構成しており、音響発生振動子１４ａから発生した超音波を集束させた音響放射圧を半導体素子２０ａに対して局所的に与える。所期の半導体素子２０ａのみに選択的に音響放射圧が与えられるため、ヒータ１２の加熱により半導体素子２０ａのハンダ３０が溶融したときに、当該半導体素子２０ａはプリント基板１０（及び他の半導体素子２０等）と独立して振動する。本実施形態では、いわゆるフェーズドアレイ法を用いる。この手法では、全ての音響発生振動子で動作タイミング（ディレイ時間）を一定にすると、音響放射圧は垂直方向に伝搬する。動作タイミングを複数の音響発生振動子で例えば右側に向かうほど超音波の振幅が大きくなるようにすると、音響放射圧は右斜め方向に伝搬する。動作タイミングを複数の音響発生振動子でレンズ状に制御すると、音響放射圧は集束する。
【００１８】
局所加振部１４では、図２（ｂ）に示すように、局所加振部１４を制御して、複数の音響発生振動子１４ａを所定のグループ、例えばグループＡ，Ｂに分けて、グループごとに異なる半導体素子２０ａに音響放射圧を与えるようにしても良い。
【００１９】
振動検知部１５は、例えばレーザ振動計であり、リワーク対象の半導体素子２０ａの振動を検知する。振動検知部１５としては、レーザ振動計の他に、例えば音響放射圧の反響音響を検知する振動計や、外部超音波送受信機を用いた振動計等を利用しても良い。また、画像認識手段等を利用しても良い。振動検知部１５によりハンダ溶融を検知した場合に、外部モニタ等に溶融状態を通知したり、ランプを点灯する等して通知する通知手段等を利用しても好適である。
【００２０】
第１の制御部１は、加振位置制御部１ａ、加熱位置制御部１ｂ、及びＸＹＺステージ制御部１ｃを有して構成されている。
加振位置制御部１ａは、第２の制御部２と接続されており、第２の制御部２を通じて局所加振部１４による加振位置、即ち音響放射圧の付与位置を制御する。
加熱位置制御部１ｂは、ヒータドライバ１３を駆動してヒータ１２による加熱箇所を制御する。加熱位置制御部１ｂはＸＹＺステージ制御部１ｃと接続されており、両者の制御によりプリント基板１０の位置とヒータ１２の加熱箇所とが相対的に決定される。
ＸＹＺステージ制御部１ｃは、ＸＹＺステージ１１を移動させ、ＸＹＺステージ１１上に載置固定されたプリント基板１０を所定位置に設置する。
【００２１】
第２の制御部２は、照射位置算出部２ａ、位相遅延算出部２ｂ、及び駆動信号生成部２ｃを有して構成されている。
照射位置算出部２ａは、音響放射圧の付与対象となるプリント基板１０の表面における半導体素子２０ａの位置を算出する。
位相遅延算出部２ｂは、フェーズドアレイ法を用いる際に、局所加振部１４の各音響発生振動子１４ａの動作タイミングをなす位相遅延を算出する。
駆動信号生成部２ｃは、照射位置算出部２ａ及び位相遅延算出部２ｂ等による各算出結果に基づいて、局所加振部１４の各音響発生振動子１４ａを駆動するための信号を生成する。この駆動信号が局所加振部１４に入力し、各音響発生振動子１４ａが所期の超音波を放出する。
【００２２】
第３の制御部３は、振動検知部１５のレーザ発振等を制御する。また、第３の制御部３は、振動検知部１５が半導体素子２０ａの振動を検知すると、その旨を示す信号を統括制御部に送信する。
【００２３】
なお、本実施形態による溶融装置では、振動検知部１５及び第３の制御部３を有しない構成とすることもできる。本実施形態では、所期の半導体素子２０ａのみに選択的に音響放射圧が与えられ、ヒータ１２の加熱により半導体素子２０ａのハンダ３０が溶融したときに、当該半導体素子２０ａがプリント基板１０（及び他の半導体素子２０等）と独立して振動する。この半導体素子２０ａに独自の振動開始は、目視により容易に検知し、当該半導体素子２０ａのハンダ３０の溶融を認識することができる。
【００２４】
［溶融方法］
図３は、第１の実施形態による溶融方法について、ステップ順に示すフロー図であり、（ａ）が全体フロー図、（ｂ）が溶融装置の動作条件設定を詳細に示すフロー図である。
【００２５】
先ず、溶融装置の諸動作条件を設定する（ステップＳ１）。ステップＳ１は、ステップＳ１１〜Ｓ１４からなる。
【００２６】
ステップＳ１１では、第１の制御部１の加振位置制御部１ａは、加振位置、即ち音響放射圧の付与位置を選択する。
ステップＳ１２では、第２の制御部２は、局所加振部１４の動作条件を設定する。詳細には、照射位置算出部２ａは、音響放射圧の付与対象となる半導体素子２０ａの位置を算出し、位相遅延算出部２ｂは、局所加振部１４の各音響発生振動子１４ａの位相遅延を算出し、駆動信号生成部２ｃは局所加振部１４の駆動信号を生成する。
ステップＳ１３では、第１の制御部１のＸＹＺステージ制御部１ｃは、設定された溶融装置の諸動作条件に基づいて、ＸＹＺステージ１１を所定位置に設置する。
ステップＳ１４では、加熱位置制御部１ｂは、ヒータドライバ１３を駆動してヒータ１２による加熱箇所を設置する。
【００２７】
続いて、局所加振部１４は、駆動信号生成部２ｃで生成された駆動信号が入力されて、指定された半導体素子２０ａに選択的に音響放射圧を付与する（ステップＳ２）。
続いて、ヒータ１２は、ヒータドライバ１３の駆動によりプリント基板１０の加熱を開始する（ステップＳ３）。このとき、プリント基板１０の表面全面（又は所定の広範囲）を加熱する場合を図４（ａ）に、リワーク対象の半導体素子２０ａのみを局所的に加熱（スポット加熱）する場合を図４（ｂ）に示す。図４（ａ），（ｂ）では、ＸＹＺステージや各制御部等の図示を省略している。図４（ｂ）の場合では、音響放射圧が付与される半導体素子２０ａのみをスポット加熱するため、加熱が不要な他の半導体素子２０は加熱することなく、半導体素子２０への悪影響が抑止される。
【００２８】
続いて、第３の制御部３は、振動検知部１５を起動する（ステップＳ４）。
半導体素子２０ａを加熱した当初は、半導体素子２０ａのハンダ３０は未だ溶融しておらず、局所加振部１４から音響放射圧を受けても振動しない。半導体素子２０ａの加熱を継続すると、半導体素子２０ａのハンダ３０が溶融し始め、やがてハンダ３０の溶融により音響放射圧を受ける半導体素子２０ａがプリント基板１０（及び他の半導体素子２０等）と独立して振動し始める。振動検知部１５が当該振動を検知すると（ステップＳ５）、第３の制御部３は、その旨を示す信号を統括制御部に送信し、当該半導体素子２０ａがプリント基板１０から取り外すことができる状態となったことが認識される。
【００２９】
なお、ステップＳ４は省略することができる。この場合、半導体素子２０ａのプリント基板１０（及び他の半導体素子２０等）と独立した振動開始を目視により検知し、当該半導体素子２０ａのハンダ３０の溶融を認識する。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態によれば、プリント基板１０の全体を振動させることなく、リワークの不要な半導体素子２０には可及的に影響を与えることなく、リワーク対象の半導体素子２０ａのハンダ３０の溶融を精度良く検出することができる。
【００３１】
（第２の実施形態）
次いで、第２の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態と同様の溶融装置を開示するが、その局所加振部が異なる点で第１の実施形態と相違する。
図５は、第２の実施形態による溶融装置の主要構成を示す模式図である。
【００３２】
この溶融装置は、ＸＹＺステージ１１、ヒータ１２及びヒータドライバ１３、局所加振部２１、振動検知部１５、第１の制御部１、第２の制御部の駆動信号生成部２ｃ、第３の制御部３を備えて構成されている。図５では、ＸＹＺステージ１１、ヒータ１２、ヒータドライバ１３、第１の制御部１、駆動信号生成部２ｃ、及び第３の制御部３の図示を省略している。第１の制御部１、駆動信号生成部２ｃ、及び第３の制御部３は、統括制御部、例えばコンピュータの中央処理装置（ＣＰＵ）等により統括的に制御される。
【００３３】
局所加振部２１は、圧電素子を有しており、電源２２が接続されている。局所加振部２１は、第１の制御部１の加振位置制御部１ａと接続されている。電源２２は、駆動信号生成部２ｃと接続されている。駆動信号生成部２ｃは、局所加振部２１の圧電素子の振動の振幅や周期等を決定する駆動信号を生成する。
【００３４】
局所加振部２１は、加振位置制御部１ａの制御により、ＸＹＺステージ１１の裏面（プリント基板１０の裏面）における所期の半導体素子２０ａの直下部位に移動する。この状態で、駆動信号生成部２ｃの制御により、電源２２は、駆動信号生成部２ｃで生成された駆動信号に基づいて局所加振部２１に電圧を印加する。これにより局所加振部２１の圧電素子が駆動し、当該半導体素子２０ａに振動を与えることができる。図５では、１つの局所加振部２１を示すが、リワーク対象の半導体素子２０ａの個数に応じて複数の局所加振部２１を設けるようにしても良い。
【００３５】
本実施形態による溶融装置を用いた溶融方法では、第１の実施形態の図３と同様に、ステップＳ１〜Ｓ６を順次実行する。本実施形態では、ステップＳ１は、以下のように実行する。
【００３６】
ステップＳ１１では、第１の制御部１の加振位置制御部１ａは、加振位置、即ち局所加振部２１のＸＹＺステージ１１の裏面における配置位置を選択する。
ステップＳ１２では、駆動信号生成部２ｃは、局所加振部２１の圧電素子の振動の振幅や周期等を決定する駆動信号を生成する。
ステップＳ１３では、第１の制御部１のＸＹＺステージ制御部１ｃは、設定された溶融装置の諸動作条件に基づいて、ＸＹＺステージ１１を所定位置に設置する。
ステップＳ１４では、加熱位置制御部１ｂは、ヒータドライバ１３を駆動してヒータ１２による加熱箇所を設置する。
【００３７】
続いて、電源２２は、駆動信号生成部２ｃで生成された駆動信号に基づいて局所加振部２１に電圧を印加する。局所加振部１４は、指定された半導体素子２０ａに選択的に振動を付与する（ステップＳ２）。
【００３８】
しかる後、ステップＳ３，Ｓ４を実行する。
半導体素子２０ａを加熱した当初は、半導体素子２０ａのハンダ３０は未だ溶融しておらず、局所加振部２１から振動を受けても振動しない。半導体素子２０ａの加熱を継続すると、半導体素子２０ａのハンダ３０が溶融し始め、やがてハンダ３０の溶融により振動を受ける半導体素子２０ａがプリント基板１０（及び他の半導体素子２０等）と独立して振動し始める。振動検知部１５が当該振動を検知すると（ステップＳ５）、第３の制御部３は、その旨を示す信号を統括制御部に送信し、当該半導体素子２０ａがプリント基板１０から取り外すことができる状態となったことが認識される。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態によれば、プリント基板１０の全体を振動させることなく、リワークの不要な半導体素子２０には可及的に影響を与えることなく、リワーク対象の半導体素子２０ａのハンダ３０の溶融を精度良く検出することができる。
【００４０】
（第３の実施形態）
次いで、第３の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態と同様の溶融装置を開示するが、その局所加振部が異なる点で第１の実施形態と相違する。
図６は、第３の実施形態による溶融装置の主要構成を示す模式図である。
【００４１】
この溶融装置は、ＸＹＺステージ１１、ヒータ１２及びヒータドライバ１３、局所加振部３１、振動検知部１５、第１の制御部１、第２の制御部の駆動信号生成部２ｃ、第３の制御部３を備えて構成されている。図６では、ＸＹＺステージ１１、ヒータ１２、ヒータドライバ１３、第１の制御部１、駆動信号生成部２ｃ、及び第３の制御部３の図示を省略している。第１の制御部１、駆動信号生成部２ｃ、及び第３の制御部３は、統括制御部、例えばコンピュータの中央処理装置（ＣＰＵ）等により統括的に制御される。
【００４２】
局所加振部３１は、圧電素子３２及びこれと接続された打撃ピン３３を有しており、電源３４が接続されている。局所加振部３１は、第１の制御部１の加振位置制御部１ａと接続されている。電源３４は、駆動信号生成部２ｃと接続されている。駆動信号生成部２ｃは、局所加振部３１の圧電素子３２の振動の振幅や周期等を決定する駆動信号を生成する。
【００４３】
局所加振部３１は、加振位置制御部１ａの制御により、ＸＹＺステージ１１の裏面（プリント基板１０の裏面）における所期の半導体素子２０ａの直下部位に移動する。この状態で、駆動信号生成部２ｃの制御により、電源３４は、駆動信号生成部２ｃで生成された駆動信号に基づいて圧電素子３２に電圧を印加する。これにより圧電素子３２が駆動し、打撃ピン３３により当該半導体素子２０ａに振動を与えることができる。図６では、１つの局所加振部３１を示すが、リワーク対象の半導体素子２０ａの個数に応じて複数の局所加振部３１を設けるようにしても良い。
【００４４】
本実施形態による溶融装置を用いた溶融方法では、第１の実施形態の図３と同様に、ステップＳ１〜Ｓ６を順次実行する。本実施形態では、ステップＳ１は、以下のように実行する。
【００４５】
ステップＳ１１では、第１の制御部１の加振位置制御部１ａは、加振位置、即ち局所加振部３１のＸＹＺステージ１１の裏面における配置位置を選択する。
ステップＳ１２では、駆動信号生成部２ｃは、局所加振部３１の圧電素子３２の振動の振幅や周期等を決定する駆動信号を生成する。
ステップＳ１３では、第１の制御部１のＸＹＺステージ制御部１ｃは、設定された溶融装置の諸動作条件に基づいて、ＸＹＺステージ１１を所定位置に設置する。
ステップＳ１４では、加熱位置制御部１ｂは、ヒータドライバ１３を駆動してヒータ１２による加熱箇所を設置する。
【００４６】
続いて、電源３４は、駆動信号生成部２ｃで生成された駆動信号に基づいて圧電素子３２に電圧を印加する。圧電素子３２は打撃ピン３３により、指定された半導体素子２０ａに選択的に振動を付与する（ステップＳ２）。
【００４７】
しかる後、ステップＳ３，Ｓ４を実行する。
半導体素子２０ａを加熱した当初は、半導体素子２０ａのハンダ３０は未だ溶融しておらず、局所加振部３１から振動を受けても振動しない。半導体素子２０ａの加熱を継続すると、半導体素子２０ａのハンダ３０が溶融し始め、やがてハンダ３０の溶融により振動を受ける半導体素子２０ａがプリント基板１０（及び他の半導体素子２０等）と独立して振動し始める。振動検知部１５が当該振動を検知すると（ステップＳ５）、第３の制御部３は、その旨を示す信号を統括制御部に送信し、当該半導体素子２０ａがプリント基板１０から取り外すことができる状態となったことが認識される。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態によれば、プリント基板１０の全体を振動させることなく、リワークの不要な半導体素子２０には可及的に影響を与えることなく、リワーク対象の半導体素子２０ａのハンダ３０の溶融を精度良く検出することができる。また、局所加振部３１では圧電素子３２に接続された打撃ピン３３を用いるため、先端が幅狭な打撃ピン３３によって所期の半導体素子２０ａに対して確実に振動を付与することができる。
【００４９】
（第４の実施形態）
次いで、第４の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態と同様の溶融装置を開示するが、その局所加振部が異なる点で第１の実施形態と相違する。
図７は、第４の実施形態による溶融装置の主要構成を示す模式図である。
【００５０】
この溶融装置は、ＸＹＺステージ１１、ヒータ１２及びヒータドライバ１３、局所加振部４１、振動検知部１５、第１の制御部１、第２の制御部の駆動信号生成部２ｃ、第３の制御部３を備えて構成されている。図７では、ＸＹＺステージ１１、ヒータ１２、ヒータドライバ１３、第１の制御部１、駆動信号生成部２ｃ、及び第３の制御部３の図示を省略している。第１の制御部１、駆動信号生成部２ｃ、及び第３の制御部３は、統括制御部、例えばコンピュータの中央処理装置（ＣＰＵ）等により統括的に制御される。
【００５１】
局所加振部４１は、圧縮空気発生コンプレッサ４２及びノズル４３を有しており、電源４４が接続されている。局所加振部４１は、第１の制御部１の加振位置制御部１ａと接続されている。電源４４は、駆動信号生成部２ｃと接続されている。駆動信号生成部２ｃは、局所加振部４１の圧縮空気発生コンプレッサ４２の圧縮空気発生量や発生周期等を決定する駆動信号を生成する。
【００５２】
局所加振部４１は、加振位置制御部１ａの制御により、ＸＹＺステージ１１の裏面（プリント基板１０の裏面）における所期の半導体素子２０ａの直下部位に移動する。この状態で、駆動信号生成部２ｃの制御により、電源４４は、駆動信号生成部２ｃで生成された駆動信号に基づいて圧縮空気発生コンプレッサ４２に電圧を印加する。これにより圧縮空気発生コンプレッサ４２が駆動し、当該半導体素子２０ａに振動を与えることができる。図５では、１つの局所加振部２１を示すが、リワーク対象の半導体素子２０ａの個数に応じて複数の局所加振部４１を設けるようにしても良い。
【００５３】
本実施形態による溶融装置を用いた溶融方法では、第１の実施形態の図３と同様に、ステップＳ１〜Ｓ６を順次実行する。本実施形態では、ステップＳ１は、以下のように実行する。
【００５４】
ステップＳ１１では、第１の制御部１の加振位置制御部１ａは、加振位置、即ち局所加振部４１のＸＹＺステージ１１の裏面における配置位置を選択する。
ステップＳ１２では、駆動信号生成部２ｃは、圧縮空気発生コンプレッサ４２の圧縮空気発生量や発生周期等を決定する駆動信号を生成する。
ステップＳ１３では、第１の制御部１のＸＹＺステージ制御部１ｃは、設定された溶融装置の諸動作条件に基づいて、ＸＹＺステージ１１を所定位置に設置する。
ステップＳ１４では、加熱位置制御部１ｂは、ヒータドライバ１３を駆動してヒータ１２による加熱箇所を設置する。
【００５５】
続いて、電源４４は、駆動信号生成部２ｃで生成された駆動信号に基づいて圧縮空気発生コンプレッサ４２に電圧を印加する。局所加振部４１は、ノズル４３から微小体積のパルス状の圧縮空気塊を指定された半導体素子２０ａに対して放出し、当該半導体素子２０ａに選択的に振動を付与する（ステップＳ２）。
【００５６】
しかる後、ステップＳ３，Ｓ４を実行する。
半導体素子２０ａを加熱した当初は、半導体素子２０ａのハンダ３０は未だ溶融しておらず、局所加振部４１から振動を受けても振動しない。半導体素子２０ａの加熱を継続すると、半導体素子２０ａのハンダ３０が溶融し始め、やがてハンダ３０の溶融により振動を受ける半導体素子２０ａがプリント基板１０（及び他の半導体素子２０等）と独立して振動し始める。振動検知部１５が当該振動を検知すると（ステップＳ５）、第３の制御部３は、その旨を示す信号を統括制御部に送信し、当該半導体素子２０ａがプリント基板１０から取り外すことができる状態となったことが認識される。
【００５７】
以上説明したように、本実施形態によれば、プリント基板１０の全体を振動させることなく、リワークの不要な半導体素子２０には可及的に影響を与えることなく、リワーク対象の半導体素子２０ａのハンダ３０の溶融を精度良く検出することができる。また、局所加振部４１では微小体積の圧縮空気塊を放出するため、所期の半導体素子２０ａに対して確実に振動を付与することができる。
【００５８】
以下、溶融装置及び溶融方法の諸態様について、付記としてまとめて記載する。
【００５９】
（付記１）表面上に接続用金属により複数の電子部品が接続された基板について、前記接続用金属を加熱して溶融する溶融装置であって、
前記接続用金属を加熱する加熱部と、
前記基板上の前記複数の電子部品のうちの少なくとも１つの所定の電子部品に対して局所的に、前記基板と独立した振動を与える加振部と
を含むことを特徴とする溶融装置。
【００６０】
（付記２）前記加振部は、音響放射圧を発生する音響発生振動子を有することを特徴とする付記１に記載の溶融装置。
【００６１】
（付記３）前記加振部は、圧電素子を有することを特徴とする付記１に記載の溶融装置。
【００６２】
（付記４）前記加振部は、圧電素子及び打撃ピンを有することを特徴とする付記１に記載の溶融装置。
【００６３】
（付記５）前記加振部は、パルス状の圧縮空気を発生するものであることを特徴とする付記１に記載の溶融装置。
【００６４】
（付記６）前記加振部は、前記基板の表面又は裏面から前記所定の電子部品に振動を与えることを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の溶融装置。
【００６５】
（付記７）前記加熱部は、前記所定の電子部品を局所的に加熱するものであることを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載の溶融装置。
【００６６】
（付記８）前記所定の電子部品の振動を検知する検知部を更に含むことを特徴とする付記１〜７のいずれか１項に記載の溶融装置。
【００６７】
（付記９）表面上に接続用金属により複数の電子部品が接続された基板について、前記接続用金属を加熱して溶融する溶融方法であって、
前記接続用金属を加熱しながら、前記基板上の前記複数の電子部品のうちの少なくとも１つの所定の電子部品に対して局所的に、前記基板と独立した振動を与えることを特徴とする溶融方法。
【００６８】
（付記１０）前記接続用金属が溶融したときの前記所定の電子部品の振動を検知することを特徴とする付記９に記載の溶融方法。
【００６９】
（付記１１）検知部を用いて、前記所定の電子部品の振動を検知することを特徴とする付記１０に記載の溶融方法。
【００７０】
（付記１２）目視により、前記所定の電子部品の振動を検知し、当該所定の電子部品の前記接続用金属の溶融を認識することを特徴とする付記１０に記載の溶融方法。
【００７１】
（付記１３）音響発生振動子を用いて、前記所定の電子部品に対して音響放射圧を発生して振動を与えることを特徴とする付記９〜１２のいずれか１項に記載の溶融方法。
【００７２】
（付記１４）圧電素子を用いて、前記所定の電子部品に対して振動を与えることを特徴とする付記９〜１２のいずれか１項に記載の溶融方法。
【００７３】
（付記１５）圧電素子及び打撃ピンを用いて、前記所定の電子部品に対して振動を与えることを特徴とする付記９〜１２のいずれか１項に記載の溶融方法。
【００７４】
（付記１６）パルス状の圧縮空気を用いて、前記所定の電子部品に対して振動を与えることを特徴とする付記９〜１２のいずれか１項に記載の溶融方法。
【００７５】
（付記１７）前記所定の電子部品を局所的に加熱することを特徴とする付記９〜１６のいずれか１項に記載の溶融方法。
【符号の説明】
【００７６】
１  第１の制御部
１ａ  加振位置制御部
１ｂ  加熱位置制御部
１ｃ  ＸＹＺステージ制御部
２  第２の制御部
２ａ  照射位置算出部
２ｂ  位相遅延算出部
２ｃ  駆動信号生成部
３  第３の制御部
１０  プリント基板
１１  ＸＹＺステージ
１２  ヒータ
１３  ヒータドライバ
１４，２１，３１，４１  局所加振部
１５  振動検知部
２０  半導体素子
２０ａ  リワーク対象の半導体素子
２２，３４，４４  電源
３２  圧電素子
３３  打撃ピン
３０  ハンダ
４２  圧縮空気発生コンプレッサ
４３  ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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