(57)【要約】【課題】研磨された研磨対象物上に存在する不純物を十分に除去することができる研磨方法を提供する。【解決手段】表面に有機膜を有する研磨対象物を、砥粒を含有する研磨用組成物を用いて研磨した後に、有機化合物を含有する不純物除去用組成物を用いて研磨して、研磨対象物上に存在する不純物を除去する。有機化合物は界面活性剤及び水溶性高分子の少なくとも一方を有する。界面活性剤は、親水基と、炭素数３以上の炭化水素基を有する疎水基と、を有し、水溶性高分子は主鎖が疎水性である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に有機膜を有する研磨対象物を、砥粒を含有する研磨用組成物を用いて研磨する研磨工程と、
前記研磨工程で研磨された前記研磨対象物を、有機化合物を含有する不純物除去用組成物を用いて研磨して、前記研磨対象物上に存在する不純物を除去する不純物除去工程と、
を備え、
前記有機化合物は界面活性剤及び水溶性高分子の少なくとも一方を有し、
前記界面活性剤は、親水基と、炭素数３以上の炭化水素基を有する疎水基と、を有し、前記水溶性高分子は主鎖が疎水性である研磨方法。
【請求項２】
前記不純物除去用組成物は砥粒を含有しない請求項１に記載の研磨方法。
【請求項３】
前記不純物除去工程における前記有機膜の研磨速度が０．５ｎｍ／ｍｉｎ以下である請求項１又は請求項２に記載の研磨方法。
【請求項４】
前記不純物除去用組成物中の前記有機化合物の含有量が０．００１質量％以上１０質量％以下である請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨方法。
【請求項５】
前記親水基がカルボキシ基、スルホ基、エーテル基、及びヒドロキシ基から選ばれる少なくとも１つである請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨方法。
【請求項６】
表面に有機膜を有する基板を請求項１〜５のいずれか一項に記載の研磨方法により研磨する工程を備える基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の基板の製造方法によって製造された基板。
【請求項８】
表面に有機膜を有する研磨対象物上に存在する不純物を除去するために使用される不純物除去用組成物であって、
有機化合物を含有し、
前記有機化合物は界面活性剤及び水溶性高分子の少なくとも一方を有し、
前記界面活性剤は、親水基と、炭素数３以上の炭化水素基を有する疎水基と、を有し、前記水溶性高分子は主鎖が疎水性である不純物除去用組成物。
【請求項９】
砥粒を含有しない請求項８に記載の不純物除去用組成物。
【請求項１０】
砥粒を含有する研磨用組成物を用いて研磨された前記研磨対象物に対して使用される請求項８又は請求項９に記載の不純物除去用組成物。
【請求項１１】
前記有機化合物の含有量が０．００１質量％以上１０質量％以下である請求項８〜１０のいずれか一項に記載の不純物除去用組成物。
【請求項１２】
前記親水基がカルボキシ基、スルホ基、エーテル基、及びヒドロキシ基から選ばれる少なくとも１つである請求項８〜１１のいずれか一項に記載の不純物除去用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に有機膜を有する研磨対象物を研磨する研磨方法及び該研磨方法に使用される不純物除去用組成物に関する。また、本発明は、前記研磨方法を用いて製造される基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体基板表面の多層配線化に伴い、デバイスを製造する際に、物理的に半導体基板を研磨して平坦化する、いわゆる、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）技術が利用されている。ＣＭＰは、砥粒、防食剤、界面活性剤等を含有する研磨用組成物（スラリー）を用いて、半導体基板等の研磨対象物の表面を平坦化する技術であり、シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化物、金属等からなる配線、プラグ等や、半導体基板表面に形成された有機膜が研磨される。
【０００３】
ＣＭＰ工程後の半導体基板表面には、不純物（ディフェクト）が多量に残留している。不純物としては、ＣＭＰで使用された研磨用組成物由来の砥粒、金属、有機物（例えば防食剤、界面活性剤）や、研磨対象物であるシリコン含有材料及び有機膜や、金属配線、プラグ等を研磨することによって生じたシリコン含有材料及び金属や、さらには研磨に使用した研磨パッドから生じるパッド屑等の有機物などが含まれる。
【０００４】
半導体基板表面がこれらの不純物により汚染されると、これらの不純物が半導体の電気特性に悪影響を与えるため、デバイスの信頼性が低下するおそれがある。さらに、有機物による汚染が著しい場合は、デバイスが破壊されてしまうおそれがある。したがって、ＣＭＰ工程後に半導体基板の洗浄を行い、半導体基板表面からこれらの不純物を除去する必要があった。
【０００５】
半導体基板の洗浄には洗浄剤が使用され、例えば特許文献１に開示の技術では、洗浄剤に半導体基板を浸漬することにより半導体基板表面から不純物を除去していた。
しかしながら、特許文献１に開示の技術では、半導体基板表面から不純物を十分に除去することができず、半導体基板等の研磨対象物の表面に不純物が多量に残存してしまう場合があるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００５／０４０３２４号パンフレット
【特許文献２】特開２００５−２６８４０９号公報
【特許文献３】特開２００４−３３５８９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は上記のような従来技術が有する問題点を解決し、研磨された研磨対象物上に存在する不純物を十分に除去することができる研磨方法を提供することを課題とする。また、研磨対象物上に存在する不純物を十分に除去することができる不純物除去用組成物を提供することを併せて課題とする。さらに、不純物が表面から十分に除去された基板及びその製造方法を提供することを併せて課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明の一態様に係る研磨方法は、表面に有機膜を有する研磨対象物を、砥粒を含有する研磨用組成物を用いて研磨する研磨工程と、研磨工程で研磨された研磨対象物を、有機化合物を含有する不純物除去用組成物を用いて研磨して、研磨対象物上に存在する不純物を除去する不純物除去工程と、を備え、有機化合物は界面活性剤及び水溶性高分子の少なくとも一方を有し、界面活性剤は、親水基と、炭素数３以上の炭化水素基を有する疎水基と、を有し、水溶性高分子は主鎖が疎水性であることを要旨とする。
【０００９】
また、本発明の他の態様に係る基板の製造方法は、表面に有機膜を有する基板を上記一態様に係る研磨方法により研磨する工程を備えることを要旨とする。
さらに、本発明の他の態様に係る基板は、上記他の態様に係る基板の製造方法によって製造されたことを要旨とする。
さらに、本発明の他の態様に係る不純物除去用組成物は、表面に有機膜を有する研磨対象物上に存在する不純物を除去するために使用される不純物除去用組成物であって、有機化合物を含有し、有機化合物は界面活性剤及び水溶性高分子の少なくとも一方を有し、界面活性剤は、親水基と、炭素数３以上の炭化水素基を有する疎水基と、を有し、水溶性高分子は主鎖が疎水性であることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、研磨対象物上に存在する不純物を十分に除去することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の一実施形態について以下に詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明の一例を示したものであって、本発明は本実施形態に限定されるものではない。また、本実施形態には種々の変更又は改良を加えることが可能であり、その様な変更又は改良を加えた形態も本発明に含まれ得る。
本実施形態の研磨方法は、表面に有機膜を有する研磨対象物を研磨する方法であって、表面に有機膜を有する研磨対象物を、砥粒を含有する研磨用組成物を用いて研磨する研磨工程と、研磨工程で研磨された研磨対象物を、有機化合物を含有する不純物除去用組成物を用いて研磨して、研磨対象物上に存在する不純物を除去する不純物除去工程と、を備えている。
【００１２】
不純物除去用組成物に含有される有機化合物は、界面活性剤及び水溶性高分子の少なくとも一方を有する。そして、この界面活性剤は、親水基と、炭素数３以上の炭化水素基を有する疎水基と、を有する。また、水溶性高分子は、主鎖が疎水性である。
このような研磨方法によって、表面に有機膜を有する研磨対象物を研磨すれば、不純物を十分に除去しつつ研磨対象物の研磨を行うことができる。すなわち、研磨工程において研磨された後の研磨対象物上には種々の不純物が存在するが、研磨対象物上に存在する不純物を不純物除去工程において十分に除去することができるので、不純物が十分に除去された研磨対象物を得ることができる。
【００１３】
以下に、本実施形態の研磨方法及び不純物除去用組成物について、さらに詳細に説明する。
１．研磨対象物について
本実施形態の研磨方法が適用される研磨対象物は、基体の表面に有機膜が形成されたものである。基体の材質は特に限定されるものではなく、単体シリコン、シリコン化合物、金属、セラミック、樹脂等があげられる。
【００１４】
単体シリコンとしては、例えば単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等があげられる。また、シリコン化合物としては、例えば窒化ケイ素、二酸化ケイ素（例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用いて形成される二酸化ケイ素層間絶縁膜）、炭化ケイ素等があげられる。
また、金属としては、例えば、タングステン、銅、アルミニウム、ハフニウム、コバルト、ニッケル、チタン、タンタル、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、オスミウム等があげられる。これらの金属は、合金又は金属化合物の形態で含まれていてもよい。
【００１５】
一方、有機膜の種類は特に限定されるものではなく、例えば、液晶ディスプレイ装置用カラーフィルター、レジスト、反射防止膜、フッ素含有シリコン絶縁膜があげられる。
表面に有機膜を有する研磨対象物の具体例としては、表面に有機膜を有する基板があげられる。本実施形態の研磨方法の研磨対象となる表面に有機膜を有する基板としては、例えば、ウェハ上に形成されるポジ型又はネガ型フォトレジストを有する基板や、液晶ディスプレイ装置用カラーフィルター、液晶ディスプレイ装置用透明樹脂、液晶パネル用ブラックマトリックス等の有機膜が形成された基板や、ＣＨＦ系有機ソースを原料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ等によって成膜されるＣＦｘ（フロロカーボン）膜に代表される有機絶縁膜を有する基板があげられる。
【００１６】
２．研磨工程及び研磨用組成物について
本実施形態の研磨方法における研磨工程は、表面に有機膜を有する研磨対象物を、砥粒を含有する研磨用組成物を用いて研磨する工程である。この工程により、研磨対象物の有機膜や基体の化学的機械的研磨が行われる。研磨条件は特に限定されるものではなく、表面に有機膜を有する研磨対象物（例えば基板）と研磨パッドとの間に、砥粒を含有する研磨用組成物を介在させ、例えば研磨装置（片面研磨装置、両面研磨装置等）を用いて一般的な研磨条件で研磨を行うことによって、表面に有機膜を有する研磨対象物の研磨を行うことができる。
【００１７】
研磨パッドの種類は特に限定されるものではなく、発泡体でもよいし、布、不織布等の非発泡体でもよく、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等が使用できる。また、研磨パッドには、研磨用組成物が溜まるような溝を形成する溝加工が施されていてもよい。研磨パッドの材質としてはポリウレタン、アクリル、ポリエステル、アクリル−エステル共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ４−メチルペンテン、セルロース、セルロースエステル、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリシロキサン共重合体、オキシラン化合物、フェノール樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等の樹脂が使用できる。
【００１８】
研磨用組成物は、砥粒を含有していれば、その組成は特に限定されるものではないが、砥粒の他に各種添加剤を含有していてもよい。また、砥粒を液状媒体に分散させたスラリーとしてもよい。研磨用組成物について以下に詳細に説明する。
２−１  砥粒について
研磨用組成物に含まれる砥粒は、無機粒子、有機粒子、及び有機無機複合粒子のいずれであってもよい。無機粒子の具体例としては、例えば、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア等の金属酸化物からなる粒子、並びに、窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子、及び窒化ホウ素粒子があげられる。有機粒子の具体例としては、例えばポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子があげられる。これらの中でもシリカ粒子が好ましく、コロイダルシリカが特に好ましい。これらの砥粒は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１９】
砥粒は表面修飾されていてもよい。通常のコロイダルシリカは、酸性条件下でゼータ電位の値がゼロに近いために、酸性条件下ではシリカ粒子同士が互いに電気的に反発せず凝集を起こしやすい。これに対し、酸性条件でもゼータ電位が比較的大きな正若しくは負の値を有するように表面修飾された砥粒は、酸性条件下においても互いに強く反発して良好に分散する結果、研磨用組成物の保存安定性を向上させることになる。このような表面修飾砥粒は、例えば、アルミニウム、チタン、ジルコニウム等の金属又はそれらの酸化物を砥粒と混合して砥粒の表面にドープさせることにより得ることができる。
【００２０】
あるいは、研磨用組成物中の表面修飾砥粒は、表面に有機酸を固定化したシリカであってもよい。中でも有機酸を固定化したコロイダルシリカを好ましく使用することができる。コロイダルシリカへの有機酸の固定化は、コロイダルシリカの表面に有機酸の官能基を化学的に結合させることにより行われる。コロイダルシリカと有機酸を単に共存させただけでは、コロイダルシリカへの有機酸の固定化は果たされない。
【００２１】
有機酸の一種であるスルホン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ−ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ  ｓｉｌｉｃａ  ｔｈｒｏｕｇｈ  ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ  ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｉｏｌ  ｇｒｏｕｐｓ”，Ｃｈｅｍ．  Ｃｏｍｍｕｎ．２４６−２４７（２００３）に記載の方法で行うことができる。具体的には、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のチオール基を有するシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に過酸化水素でチオール基を酸化することにより、スルホン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。
【００２２】
あるいは、カルボン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Ｎｏｖｅｌ  Ｓｉｌａｎｅ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ  Ａｇｅｎｔｓ  Ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  ａ  Ｐｈｏｔｏｌａｂｉｌｅ  ２−Ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ  Ｅｓｔｅｒ  ｆｏｒ  Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ａ  Ｃａｒｂｏｘｙ  Ｇｒｏｕｐ  ｏｎ  ｔｈｅ  Ｓｕｒｆａｃｅ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃａ  Ｇｅｌ”，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，３，２２８−２２９（２０００）に記載の方法で行うことができる。具体的には、光反応性２−ニトロベンジルエステルを含むシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に光照射することにより、カルボン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。
【００２３】
研磨用組成物中の砥粒の含有量は０．１質量％以上とすることができ、好ましくは０．５質量％以上である。砥粒の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物の除去速度（研磨速度）が向上する利点がある。
研磨用組成物中の砥粒の含有量はまた、２０質量％以下とすることができ、好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１０質量％以下である。砥粒の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができることに加え、砥粒の凝集が起こりにくい。また、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することにより、表面欠陥の少ない被研磨面が得られやすい。
【００２４】
砥粒の平均一次粒子径は５ｎｍ以上とすることができ、好ましくは７ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上である。砥粒の平均一次粒子径が大きくなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度が向上する。なお、砥粒の平均一次粒子径の値は、例えば、ＢＥＴ法で測定される砥粒の比表面積に基づいて計算することができる。
砥粒の平均一次粒子径はまた、１００ｎｍ以下とすることができ、好ましくは９０ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以下である。砥粒の平均一次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することにより表面欠陥の少ない被研磨面が得られやすい。
【００２５】
砥粒の平均二次粒子径は３００ｎｍ以下とすることができ、好ましくは２５０ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下である。砥粒の平均二次粒子径の値は、例えば、レーザー光散乱法により測定することができる。
砥粒の平均二次粒子径の値を平均一次粒子径の値で除することにより得られる砥粒の平均会合度は１．２以上とすることができ、好ましくは１．５以上である。砥粒の平均会合度が大きくなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度が向上する。
砥粒の平均会合度はまた、５以下とすることができ、好ましくは４以下、より好ましくは３以下である。砥粒の平均会合度が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することにより表面欠陥の少ない被研磨面が得られやすい。
【００２６】
２−２  ｐＨについて
研磨用組成物のｐＨは、１０未満としてもよく、５以下であることが好ましい。ｐＨが５以下であると、研磨用組成物の操作性が向上し、３以下であるとより好ましく、２．５以下であると特に好ましい。ｐＨが５を超えると操作性が低下する傾向にある。研磨用組成物のｐＨの下限は特に限定されない。ただし、ｐＨが高くなるほど、研磨用組成物中の砥粒の分散性が向上するため、１以上であることが好ましい。
【００２７】
２−３  添加剤について
研磨用組成物には、その性能を向上させるために、必要に応じてｐＨ調整剤、酸化剤、錯化剤、防食剤、界面活性剤、水溶性ポリマー、防腐剤、防カビ剤等の各種添加剤を添加してもよい。また、添加剤として、酸素原子Ｏを３つ以上有し且つ標準電位が０．５０Ｖ以上の化合物を添加してもよい。
【００２８】
〔ｐＨ調整剤について〕
研磨用組成物のｐＨを所望の値に調整するために必要に応じて使用されるｐＨ調整剤は、酸及びアルカリのいずれであってもよく、また無機及び有機の化合物のいずれであってもよい。ｐＨ調整剤としては、例えば、硝酸、リン酸、塩酸、硫酸、クエン酸等を用いることができる。
【００２９】
〔酸素原子Ｏを３つ以上有し且つ標準電位が０．５０Ｖ以上の化合物について〕
酸素原子Ｏを３つ以上有し且つ標準電位が０．５０Ｖ以上の化合物としては、例えば、硝酸セリウムアンモニウム（（ＮＨ４）２［Ｃｅ（ＮＯ３）６］）、メタ過ヨウ素酸（ＨＩＯ４）、オルト過ヨウ素酸（Ｈ５ＩＯ６）、過塩素酸（ＨＣｌＯ４）、過臭素酸（ＨＢｒＯ４）、臭素酸カリウム（ＫＢｒＯ３）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）、過硫酸（Ｈ２ＳＯ５）、オキソン（登録商標）、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、二クロム酸カリウム（Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７）、酸化マンガン（III ）（Ｍｎ２Ｏ３）、過ルテニウム酸カリウム（ＫＲｕＯ４）、四酸化ルテニウム（ＲｕＯ４）、酸化ニッケル（Ｎｉ２Ｏ３）、水酸化パラジウム（Ｐｄ（ＯＨ）４）、メタ錫酸（Ｈ２ＳｎＯ３）、硝酸（ＨＮＯ３）、ペルオキシ二硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８）、セレン酸（Ｈ２ＳｅＯ４）、ペルオキシ二硫酸（Ｈ２Ｓ２Ｏ８）、硝酸アルミニウム（Ａｌ（ＮＯ３）３）、過硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳＯ５）、過塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ４）、過マンガン酸アンモニウム（ＮＨ４ＭｎＯ４）等があげられるが、これらに限定されるものではない。
【００３０】
なお、オキソンは、カリウムイオン、過硫酸水素イオン、硫酸イオン、及び硫酸水素イオンからなる複塩であり、化学式２ＫＨＳＯ５・ＫＨＳＯ４・Ｋ２ＳＯ４で表される化合物である。
理論に拘束されるものではないが、酸素原子Ｏを３つ以上有し且つ標準電位が０．５０Ｖ以上の化合物は、強い酸化性を有するとともに酸素原子Ｏを３つ以上有するという特定の構造を備えることにより、有機膜中の末端構造を不溶性のものから水溶性のものへ変化させることができるとともに、有機膜と砥粒との親和性を高め、メカニカル作用を強めることができるものと考えられる。
【００３１】
これは、単に標準電位が高い（酸化力が強い）化合物を酸化剤として選定して研磨対象物の表面を脆い酸化物に変化させ、その酸化物を砥粒のメカニカル作用で削り取る、又は、錯化剤で溶解することで研磨速度を向上させるという技術とは異なり、添加剤が一定以上の標準電位とともに上記特定の構造を備えることで上記メカニズムを発現し、研磨速度を向上させることができると考えられる。
【００３２】
酸素原子Ｏが３つ未満であるか、又は、標準電位が０．５０Ｖ未満であると、強い酸化性を有することがなく、有機膜中の末端構造が不溶性のものから水溶性のものへ変化しにくくなる傾向にある。そのため、有機膜と砥粒との親和性が弱く、メカニカル作用を高くすることが難しくなる傾向にある。
酸素原子Ｏを３つ以上有し且つ標準電位が０．５０Ｖ以上の化合物の含有量は、０．００５質量％以上とすることができ、０．０１質量％以上であることが好ましい。酸素原子Ｏを３つ以上有し且つ標準電位が０．５０Ｖ以上の化合物の含有量が多くなるにつれて、有機膜中の末端構造を水溶性へ変化させることができるため、メカニカル作用が向上する利点がある。
【００３３】
また、酸素原子Ｏを３つ以上有し且つ標準電位が０．５０Ｖ以上の化合物の含有量は、５．０質量％以下とすることができ、好ましくは３．０質量％以下、より好ましくは１．０質量％以下である。この範囲であれば、研磨用組成物の材料コストを抑えることができる。
なお、標準電位とは、ある電気化学反応について、反応に関与する全ての化学種の活量が１（標準状態）であり、且つ、平衡状態となっている時の電極電位を意味する。標準電位は、基準電極との電位差として、サイクリックボルタンメトリー等によって測定することができる。
また、酸素原子Ｏを３つ以上有し且つ標準電位が０．５０Ｖ以上の化合物は、ｐＨ調整機能を有するｐＨ調整剤として作用することができる。
【００３４】
〔酸化剤について〕
酸化剤は研磨対象物の表面を酸化する作用を有し、研磨用組成物中に酸化剤を加えた場合は、研磨用組成物による研磨速度の向上効果がある。研磨用組成物中の酸化剤の含有量は、研磨用組成物の０．１質量％以上とすることができ、好ましくは０．５質量％以上である。また、酸化剤の含有量は、研磨用組成物の４質量％以下とすることができ、好ましくは３質量％以下である。酸化剤の含有量が０．１質量％未満又は４質量％を超える場合には、実用的なレベルの有機膜の研磨速度を得にくい傾向がある。
【００３５】
使用可能な酸化剤は、例えば過酸化物である。過酸化物の具体例としては、過酸化水素、過酢酸、過炭酸塩、過酸化尿素、過塩素酸、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩があげられる。これらの中でも過硫酸塩、過酸化水素が研磨速度の観点から好ましく、水溶液中での安定性及び環境負荷への観点から過酸化水素が特に好ましい。
【００３６】
〔錯化剤について〕
研磨用組成物中に任意に含まれる錯化剤は、有機膜を有する基板の表面を化学的にエッチングする作用を有し、研磨用組成物による研磨速度を向上させる働きをする。
研磨用組成物中に任意に含まれる錯化剤の含有量の上限は、１０質量％とすることができ、好ましくは１質量％である。錯化剤の含有量が少なくなるにつれて、有機膜が形成された基板の表面に対する過剰なエッチングが起こりにくくなる。その結果、過剰な研磨を抑制することができる。
【００３７】
研磨用組成物中に任意に含まれる錯化剤の含有量の下限は、０．０１質量％とすることができ、好ましくは０．１質量％である。錯化剤の含有量が多くなるにつれて、有機膜が形成された基板の表面へのエッチング効果が増す。その結果、研磨用組成物による研磨速度の向上を助長する。
使用可能な錯化剤は、例えば、無機酸、有機酸、及びアミノ酸である。無機酸の具体例としては、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸、次亜リン酸、亜リン酸、リン酸があげられる。有機酸の具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸があげられる。メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、イセチオン酸等の有機硫酸も使用可能である。無機酸又は有機酸の代わりに、あるいは無機酸又は有機酸と組み合わせて、無機酸又は有機酸のアルカリ金属塩等の塩を用いてもよい。
【００３８】
アミノ酸の具体例としては、グリシン、α−アラニン、β−アラニン、Ｎ−メチルグリシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、２−アミノ酪酸、ノルバリン、バリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、プロリン、サルコシン、オルニチン、リシン、タウリン、セリン、トレオニン、ホモセリン、チロシン、ビシン、トリシン、３，５−ジヨード−チロシン、β−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−アラニン、チロキシン、４−ヒドロキシ−プロリン、システイン、メチオニン、エチオニン、ランチオニン、シスタチオニン、シスチン、システイン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、Ｓ−（カルボキシメチル）−システイン、４−アミノ酪酸、アスパラギン、グルタミン、アザセリン、アルギニン、カナバニン、シトルリン、δ−ヒドロキシ−リシン、クレアチン、ヒスチジン、１−メチル−ヒスチジン、３−メチル−ヒスチジン及びトリプトファンがあげられる。これらの中でも錯化剤としては、研磨性向上の観点から、グリシン、アラニン、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリコール酸、イセチオン酸又はそれらの塩が好ましい。
【００３９】
〔防食剤について〕
研磨用組成物に任意に含まれる防食剤の含有量は、研磨用組成物の０．１質量％以上とすることができ、好ましくは０．２質量％以上である。また、防食剤の含有量は、研磨用組成物の０．４質量％以下とすることができ、好ましくは０．３質量％以下である。防食剤の含有量が０．２質量％未満又は０．４質量％を超える場合には、実用的なレベルの防食効果を得にくい傾向がある。
【００４０】
使用可能な防食剤の例としては、少なくとも５〜６員環を有し、２つ以上の二重結合を有し、１つ以上の窒素原子を有する複素環式化合物又は複素アリール化合物があげられる。例えば、ピリジン環、ピラゾール環、ピリミジン環、イミダゾール環、トリアゾール環、ベノトリアゾール環を有する化合物があげられる。また、防食剤として、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）を使用することができる。防食剤を加えた場合には、研磨用組成物による研磨速度の向上効果がある。
【００４１】
〔界面活性剤について〕
研磨用組成物に任意に含まれる界面活性剤の含有量は、研磨用組成物の０．０１質量％以上とすることができ、好ましくは０．０２質量％以上である。また、界面活性剤の含有量は、研磨用組成物の２質量％以下とすることができ、好ましくは１質量％以下である。界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、及び非イオン性界面活性剤から選ばれる１以上を含むことができる。
【００４２】
陰イオン性界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸、アルキルエーテル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、及びこれらの塩等があげられる。
【００４３】
陽イオン性界面活性剤の例としては、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウム塩、アルキルアミン塩等があげられる。
両性界面活性剤の例としては、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシド等があげられる。
非イオン性界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、及びアルキルアルカノールアミド等があげられる。
【００４４】
これらの中でも好ましい界面活性剤は、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、及びポリオキシエチレンアルキルエーテルである。
これらの界面活性剤は、研磨対象物の表面への化学的又は物理的吸着力が高いため、研磨対象物の表面により強固な膜を形成することができる。このことは、研磨用組成物を用いて研磨した後の、研磨対象物の表面の平坦性を向上させる上で有利である。
【００４５】
〔水溶性ポリマーについて〕
研磨用組成物は水溶性ポリマーを含有することができる。なお、水溶性ポリマーを界面活性剤と称する場合がある。水溶性ポリマーの含有量は、研磨用組成物の０．０１質量％以上とすることができ、好ましくは０．０２質量％以上である。また、水溶性ポリマーの含有量は、研磨用組成物の２質量％以下とすることができ、好ましくは１質量％以下である。使用できる水溶性ポリマーとしては、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、ポリビニルピロリドン等があげられる。
【００４６】
〔防腐剤及び防カビ剤について〕
研磨用組成物は防腐剤及び防カビ剤を含有することができる。防腐剤及び防カビ剤としては、例えば、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン、５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等のイソチアゾリン系防腐剤や、パラオキシ安息香酸エステル類や、フェノキシエタノールがあげられる。これら防腐剤及び防カビ剤は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４７】
２−４  液状媒体について
研磨用組成物は、水、有機溶剤等の液状媒体を含有してもよい。液状媒体は、研磨用組成物の各成分（砥粒、添加剤等）を分散又は溶解するための分散媒又は溶媒として機能する。液状媒体としては水、有機溶剤があげられ、１種を単独で用いることができるし、２種以上を混合して用いることができるが、水を含有することが好ましい。ただし、各成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水を用いることが好ましい。具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後にフィルタを通して異物を除去した純水や超純水、あるいは蒸留水が好ましい。
また、研磨用組成物は一液型であってもよいし、二液型を始めとする多液型であってもよい。さらに、研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水等の液状媒体で希釈することにより調製されてもよい。
【００４８】
３．不純物除去工程及び不純物除去用組成物について
本実施形態の研磨方法における不純物除去工程は、研磨工程で研磨された研磨対象物を、有機化合物を含有する不純物除去用組成物を用いて研磨して、研磨対象物上に存在する不純物を除去する工程である。不純物除去工程において使用される不純物除去用組成物は、砥粒を含有しないか、又は、含有する場合でも少量であるため、不純物除去工程においては化学的機械的研磨は実質的には行われず、不純物を除去する処理が行われる。
【００４９】
研磨工程後の研磨対象物上には、不純物（ディフェクト）が多量に存在する場合がある。不純物としては、研磨工程で使用された研磨用組成物由来の砥粒、金属、添加剤や、研磨対象物の基材（研磨対象物が表面に有機膜を有する基板である場合には、金属配線、プラグ等を研磨することによって生じたシリコン含有材料及び金属）及び有機膜や、研磨に使用した研磨パッドから生じるパッド屑等が含まれる。このような不純物が表面上に存在する研磨対象物を不純物除去用組成物を用いて研磨することにより、不純物が十分に除去された研磨対象物を得ることができる。
【００５０】
なお、本実施形態の不純物除去用組成物は、砥粒を含有する研磨用組成物を用いて研磨された研磨対象物に対して使用することができるが、研磨直後の研磨対象物に限らず、研磨前の研磨対象物に対して使用することもできるし、研磨後に洗浄した研磨対象物に対して使用することもできる。すなわち、どのような状況の研磨対象物であっても、本実施形態の不純物除去用組成物を用いて不純物を除去する処理を行うことにより、その表面上に存在する不純物を十分に除去することができる。
【００５１】
不純物除去工程は、研磨対象物から不純物を除去することが目的であり、研磨を行う必要はないので、不純物除去工程における有機膜の研磨速度は、０．５ｎｍ／ｍｉｎ以下としてもよく、好ましくは０．３ｎｍ／ｍｉｎ以下、より好ましくは０．１ｎｍ／ｍｉｎ以下、さらに好ましくは０．０５ｎｍ／ｍｉｎ以下である。すなわち、不純物除去工程における有機膜の研磨速度は実質的にはゼロである。
【００５２】
不純物を除去する処理の条件は特に限定されるものではなく、表面に有機膜を有する研磨対象物（例えば基板）と研磨パッドとの間に不純物除去用組成物を介在させ、例えば研磨装置（片面研磨装置、両面研磨装置等）を用いて一般的な研磨条件で研磨を行うことによって、表面に有機膜を有する研磨対象物上に存在する不純物の除去を行うことができる。
【００５３】
不純物除去工程において使用する研磨パッドの種類は特に限定されるものではなく、２項において前述した研磨パッドを使用することができる。ただし、軟質な研磨パッド（ソフトパッド）を使用することが好ましく、具体的には、パッド硬度が６０以下であることが好ましく、５０以下であることがより好ましい。このようなソフトパッドを用いることにより、不純物除去工程において有機膜に生じる傷（スクラッチ）を低減することができる。なお、本明細書においてパッド硬度とは、研磨パッドのショアＤ硬度を意味する。
【００５４】
不純物除去工程により研磨対象物上の不純物は十分に除去されているが、不純物除去工程の後に、研磨対象物上に残存した不純物を除去する工程をさらに設けてもよい。例えば、研磨用組成物や不純物除去用組成物に代えて水を用いて研磨を行う水研磨工程、及び、研磨対象物を洗浄する洗浄工程の少なくとも一方を設けてもよい。洗浄工程の処理内容は特に限定されるものではないが、例えば、水や洗浄液を研磨対象物に流し掛けながら、ポリビニルアルコール製スポンジ等のブラシで圧力をかけて擦る工程としてもよい。洗浄後の研磨対象物は、スピンドライヤ等により、表面に付着した液滴を払い落として乾燥させてもよい。
【００５５】
本実施形態の不純物除去用組成物は、後述する特定の有機化合物を含有しているならば、その組成は特に限定されるものではないが、所望により、特定の有機化合物の他に各種添加剤を含有していてもよいし、砥粒を含有していてもよい。また、有機化合物を溶媒に溶解させた溶液としてもよい。本実施形態の不純物除去用組成物について以下に詳細に説明する。
【００５６】
３−１  有機化合物について
本実施形態の不純物除去用組成物に含有される有機化合物は、界面活性剤及び水溶性高分子の少なくとも一方を有する。そして、この界面活性剤は、親水基と、炭素数３以上の炭化水素基を有する疎水基と、を有する。また、この水溶性高分子は、高分子の主鎖が疎水性である。これらの有機化合物は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５７】
不純物除去工程においては、この有機化合物の作用により、研磨対象物上の不純物が除去される。有機化合物により研磨対象物上の不純物が除去されるメカニズムとしては、不純物の付着防止作用と不純物の脱離作用とが考えられる。
不純物の付着防止作用は、有機化合物が有機膜の表面を親水化することにより発生する。また、不純物の脱離作用は、有機化合物が有機膜の表面に付着した不純物（特に有機物）を乳化して水和させることにより発生する。
【００５８】
不純物の付着防止作用については、有機膜に対する有機化合物の吸着力が強いと、有機化合物自体が研磨後に残渣として残ってしまうおそれがあることから、有機膜に対する有機化合物の吸着力は強すぎても適していない。具体的には、後述するスルホン酸タイプの界面活性剤は親水化作用を有しているが、それ自体が残渣として残ってしまうおそれがあるため、有機膜の表面上の不純物の量（欠陥数）を低減させる作用が、硫酸タイプ、リン酸タイプ、カルボン酸タイプの界面活性剤と比較して弱い。一方、有機膜に対する有機化合物の吸着力が弱すぎても、親水性の膜を有機膜の表面上に形成できないので、再付着防止作用を持たせることができないという問題が生じるおそれがある。有機化合物は、有機膜に吸着しやすく（吸着する速度が速い）、且つ、脱離しやすい適度な吸着力を有するものを用いることが好ましい。
【００５９】
界面活性剤は、親水基及び疎水基を有しているので、有機膜の表面を親水化することができ、且つ、不純物を乳化して水和させることができる。また、水溶性高分子は、高分子の主鎖が疎水性であるので、有機膜の表面を親水化することができ、且つ、不純物を乳化して水和させることができる。
界面活性剤の親水基の種類は特に限定されるものではないが、例えば、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）、スルホ基（−ＳＯ３Ｈ）、エーテル基（−Ｏ−）、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、ホルミル基（−ＣＨＯ）、アミノ基（−ＮＨ２）から選ばれる少なくとも１つがあげられる。
【００６０】
これらの親水基は疎水基に結合しているが、この疎水基は炭素数３以上の炭化水素基を有し、この炭化水素基は芳香族炭化水素基でもよいし脂肪族炭化水素基でもよい。炭化水素基の炭素数が３以上であれば、疎水性相互作用によって界面活性剤が有機膜の表面に吸着しやすい。
界面活性剤としては、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン性界面活性剤を用いることができる。
【００６１】
非イオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、アルキルアルカノールアミドがあげられる。
また、陰イオン性界面活性剤の具体例としては、ヤシ油脂肪酸サルコシン、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸、アルキルエーテル硫酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、又はこれらの塩があげられる。
【００６２】
一方、水溶性高分子は、主鎖が疎水性であるから、主鎖は酸素原子、窒素原子、硫黄原子等の局所電荷を持ちやすい原子を有さず、好ましくは炭素原子及び水素原子のみからなる。したがって、水溶性高分子の具体例としては、ポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリオキシエチレンポリグリセリルエーテルがあげられ、ポリエチレングリコールやポリプロピレングリコールは、不純物除去用組成物に含有される有機化合物には該当しない。
【００６３】
本実施形態の不純物除去用組成物中の有機化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、０．００１質量％以上１０質量％以下とすることができる。０．００１質量％以上であれば、有機化合物の親水部が有機膜の表面を十分に親水化し、不純物が有機膜の表面に再付着することを防止する効果や、有機膜の表面の有機物を乳化させ系外に排出する効果がより一層奏される。一方、１０質量％以下であれば、有機化合物自体が有機膜の表面に残渣として残る可能性が低くなるとともに、不純物除去用組成物の保存安定性が悪化しにくい。
【００６４】
３−２  添加剤について
本実施形態の不純物除去用組成物には、その性能を向上させるために、必要に応じてｐＨ調整剤、酸化剤、錯化剤、防食剤、防腐剤、防カビ剤等の各種添加剤を添加してもよい。本実施形態の不純物除去用組成物に配合可能なこれら添加剤については、２−３項において前述した添加剤と同様であるので、その説明は省略する。
【００６５】
３−３  溶媒について
前述の通り、本実施形態の不純物除去用組成物は、有機化合物を溶媒に溶解させた溶液としてもよい。溶媒の種類は特に限定されるものではなく、水、有機溶剤があげられる。これらの溶媒は、１種を単独で用いることができるし、２種以上を混合して用いることができるが、水を含有することが好ましい。ただし、有機化合物や添加剤の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水を用いることが好ましい。具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後にフィルタを通して異物を除去した純水や超純水、あるいは蒸留水が好ましい。
【００６６】
３−４  砥粒について
不純物除去用組成物は、砥粒を含有してもしなくてもよい。砥粒を含有する場合は、少量が好ましい。不純物除去用組成物が砥粒を含有しない場合は、その他の固形物を配合せずに、不純物除去用組成物をスラリー状ではなく溶液状としてもよい。また、不純物除去用組成物が砥粒を含有する場合は、その含有量は０質量％超過０．０１質量％以下とすることが好ましい。砥粒の種類は特に限定されるものではなく、２−１項において前述した砥粒を使用することができるが、コロイダルシリカが好ましい。砥粒の粒径は特に限定されるものではないが、２−１項において前述した平均一次粒子径、平均二次粒子径を有する砥粒を用いることができる。
【００６７】
〔実施例〕
以下に実施例及び比較例を示して、表１を参照しながら本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
表面に有機膜を有する研磨対象物を、砥粒を含有する研磨用組成物を用いて研磨機で研磨（化学的機械的研磨）した後に、有機化合物を含有する不純物除去用組成物を用いて研磨機で研磨（不純物を除去する処理）して、研磨対象物上に存在する不純物を除去した。そして、研磨対象物を研磨機で水研磨し、さらに洗浄した後に、研磨対象物上に存在する不純物の量を測定した。
【００６８】
研磨対象物はシリコンウェハであり、その表面には、ＡｒＦエキシマーレーザー（波長１９３ｎｍ）を露光光源とするレジストの被膜が有機膜として形成されている。
研磨用組成物は、コロイダルシリカ（砥粒）とポリビニルピロリドン（添加剤）と水（液状媒体）とからなるスラリーであり、研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量は２質量％、ポリビニルピロリドンの含有量は０．１質量％である。また、コロイダルシリカの平均一次粒子径は３０ｎｍであり、平均二次粒子径は６０ｎｍである。
【００６９】
不純物除去用組成物は、界面活性剤（有機化合物）と水とからなるｐＨ７．０の水溶液であり、不純物除去用組成物中の界面活性剤の含有量は０．１質量％である。界面活性剤としては、表１に示す通り、ヤシ油脂肪酸サルコシントリエタノールアミンを用いた。ヤシ油脂肪酸サルコシントリエタノールアミンは陰イオン性界面活性剤であり、親水基としてカルボキシ基、疎水基としてヤシ油脂肪酸を構成する炭化水素基を有する。
【００７０】
研磨装置としては、化学的機械的研磨、不純物を除去する処理、水研磨のいずれにおいても、株式会社荏原製作所製のＣＭＰ装置Ｆ−ＲＥＸ３００Ｅ（製品名）を用いた。また、研磨パッドとしては、化学的機械的研磨、不純物を除去する処理、水研磨のいずれにおいても、ローム・アンド・ハース社製の発泡ポリウレタン樹脂製積層研磨パッド（商品名ＩＣ−１０１０）を用いた。
【００７１】
研磨条件は、化学的機械的研磨では、研磨圧力３．４ｋＰａ（０．５ｐｓｉ）、定盤及びキャリアーの回転速度１０ｒｐｍ、研磨時間５秒間、研磨用組成物の供給速度：３００ｍｌ／ｍｉｎ、であり、不純物を除去する処理では、研磨圧力３．４ｋＰａ（０．５ｐｓｉ）、定盤及びキャリアーの回転速度３０ｒｐｍ、研磨時間６０秒間、不純物除去用組成物の供給速度：３００ｍｌ／ｍｉｎ、である。
研磨対象物上に存在する不純物の量の測定は、ケーエルエー・テンコール社製のウェハ表面検査装置Ｓｕｒｆｓｃａｎ  ＳＰ１を用いて行った。この装置で検出される不純物は、径が０．５μｍ以上のものである。結果を表１に示す。
【００７２】
（実施例２〜１１及び１３）
不純物除去用組成物に使用する有機化合物の種類を、表１に示す界面活性剤にそれぞれ変更した点以外は、実施例１と同様にして、表面に有機膜を有する研磨対象物に対して化学的機械的研磨、不純物を除去する処理、水研磨、及び洗浄を施した後に、研磨対象物上に存在する不純物の量を測定した。結果を表１に示す。
なお、表１に記載の「ＰＯＥドデシルエーテル硫酸アンモニウム」等の「ＰＯＥ」とは「ポリオキシエチレン」を意味し、「ＰＯＡアリルフェニルエーテル硫酸アンモニウム」の「ＰＯＡ」とは「ポリオキシアルキレン」を意味する。
【００７３】
（実施例１２）
不純物除去用組成物に使用する有機化合物の種類を、表１に示す水溶性高分子に変更した点以外は、実施例１と同様にして、表面に有機膜を有する研磨対象物に対して化学的機械的研磨、不純物を除去する処理、水研磨、及び洗浄を施した後に、研磨対象物上に存在する不純物の量を測定した。結果を表１に示す。なお、水溶性高分子であるポリビニルアルコールは、親水基としてヒドロキシ基、疎水基としてポリビニルアルコールの主鎖を構成する炭化水素基を有する。
【００７４】
（実施例１４〜１９）
不純物除去用組成物に使用する有機化合物の種類を、表１に示す界面活性剤にそれぞれ変更した点と、不純物除去用組成物に硝酸を添加してｐＨを２．７に調整した点以外は、実施例１と同様にして、表面に有機膜を有する研磨対象物に対して化学的機械的研磨、不純物を除去する処理、水研磨、及び洗浄を施した後に、研磨対象物上に存在する不純物の量を測定した。結果を表１に示す。
【００７５】
（実施例２０〜２２）
不純物除去用組成物に使用する有機化合物の種類を、表１に示す界面活性剤にそれぞれ変更した点と、不純物除去用組成物にアンモニアを添加してｐＨを１０に調整した点以外は、実施例１と同様にして、表面に有機膜を有する研磨対象物に対して化学的機械的研磨、不純物を除去する処理、水研磨、及び洗浄を施した後に、研磨対象物上に存在する不純物の量を測定した。結果を表１に示す。
【００７６】
（比較例１）
不純物を除去する処理において、不純物除去用組成物の代わりに水を用いた点以外は、実施例１と同様にして、表面に有機膜を有する研磨対象物に対して化学的機械的研磨、不純物を除去する処理、水研磨、及び洗浄を施した後に、研磨対象物上に存在する不純物の量を測定した。結果を表１に示す。
【００７７】
（比較例２、３）
不純物除去用組成物に使用する有機化合物の種類を、表１に示す高分子化合物にそれぞれ変更した点以外は、実施例１と同様にして、表面に有機膜を有する研磨対象物に対して化学的機械的研磨、不純物を除去する処理、水研磨、及び洗浄を施した後に、研磨対象物上に存在する不純物の量を測定した。結果を表１に示す。
【００７８】
【表１】
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【００７９】
表１に示す結果から、実施例１〜２２は、比較例１〜３に比べて、研磨対象物上に存在する不純物の量が少なく、有機化合物を含有する不純物除去用組成物を用いて研磨機で研磨することにより、不純物が十分に除去されていることが分かる。比較例２、３は、不純物除去用組成物に配合されている有機化合物である高分子化合物の主鎖が疎水性ではなく親水性であるため、不純物を除去する処理によって不純物が十分に除去されなかった。