(57)【要約】【課題】例えば個人情報、業務上の秘密情報、構造情報などの情報を有する半導体装置を備える電子機器が、例えば盗難等にあった場合に、半導体装置を破壊できるようにして、これらの情報が保護されるようにする。【解決手段】半導体装置７を、第１金属層４と、第１金属層に積層され、銅よりもイオン化傾向が高く、かつ、第１金属層よりも熱膨張係数が高い金属材料からなる第２金属層５とを含むヒューズ素子１と、第２金属層を覆う保護膜２とを備えるものとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属層と、前記第１金属層に積層され、銅よりもイオン化傾向が高く、かつ、前記第１金属層よりも熱膨張係数が高い金属材料からなる第２金属層とを含むヒューズ素子と、
前記第２金属層を覆う保護膜とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１金属層は、銅よりもイオン化傾向が高い金属材料からなることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
金属配線を備え、
前記ヒューズ素子は、前記金属配線の一部分を前記第１金属層とし、前記金属配線の一部分である前記第１金属層に前記第２金属層を積層したものとして構成されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ヒューズ素子に電流を供給して破壊する破壊制御部を備えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
第１金属層と、前記第１金属層に積層され、銅よりもイオン化傾向が高く、かつ、前記第１金属層よりも熱膨張係数が高い金属材料からなる第２金属層とを含むヒューズ素子と、前記第２金属層を覆う保護膜とを備える半導体装置と、前記ヒューズ素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器と、
前記電子機器にネットワークを介して接続されたサーバとを備え、
前記サーバは、前記電子機器を破壊する破壊要求を登録するとともに、前記電子機器の前記破壊制御部が前記ヒューズ素子に電流を供給して破壊するように、前記電子機器に破壊要求信号を送信することを特徴とする情報保護システム。
【請求項７】
サーバが、第１金属層と、前記第１金属層に積層され、銅よりもイオン化傾向が高く、かつ、前記第１金属層よりも熱膨張係数が高い金属材料からなる第２金属層とを含むヒューズ素子と、前記第２金属層を覆う保護膜とを備える半導体装置と、前記ヒューズ素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器を破壊する破壊要求を登録するステップと、
前記サーバが、前記電子機器の前記破壊制御部が前記ヒューズ素子に電流を供給して破壊するように、前記電子機器に破壊要求信号を送信するステップとを含むことを特徴とする情報保護方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、電子機器、情報保護システム及び情報保護方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路のメモリ内容への改ざん行為を阻止するために、破壊用キャパシタに電荷を蓄積しておき、その電荷を破壊回路に供給して、半導体集積回路のメモリ情報を破壊又は信号配線を断線させて、自己破壊を行なうことが提案されている。
また、半導体記憶装置において、高電圧を発生させて半導体メモリの格納データを破壊するようにすることも提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２２０９３号公報
【特許文献２】実開昭６３−１６３５４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、半導体集積回路（ＬＳＩ）が形成されている半導体装置は、多くの形態が製品化され、普及していくとともに、機密性の高い重要な情報がその中に入っているケースも増えている。
例えば、携帯電話やタブレット端末には、使用者本人の個人情報が入っており、また、業務で使用するようなコンピュータ等では、顧客情報といった業務上の秘密情報が入っており、漏えいしてしまうと大きな問題となる。
【０００５】
また、例えば、半導体集積回路の製造メーカからすると、半導体装置の構造やＬＳＩの内部構造などの構造情報を秘匿したい場合もある。
本発明は、例えば個人情報、業務上の秘密情報、構造情報などの情報を有する半導体装置を備える電子機器が、例えば盗難等にあった場合に、半導体装置を破壊できるようにして、これらの情報が保護されるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの態様では、半導体装置は、第１金属層と、第１金属層に積層され、銅よりもイオン化傾向が高く、かつ、第１金属層よりも熱膨張係数が高い金属材料からなる第２金属層とを含むヒューズ素子と、第２金属層を覆う保護膜とを備える。
１つの態様では、電子機器は、上述の半導体装置を備える。
１つの態様では、情報保護システムは、第１金属層と、第１金属層に積層され、銅よりもイオン化傾向が高く、かつ、第１金属層よりも熱膨張係数が高い金属材料からなる第２金属層とを含むヒューズ素子と、第２金属層を覆う保護膜とを備える半導体装置と、ヒューズ素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器と、電子機器にネットワークを介して接続されたサーバとを備え、サーバは、電子機器を破壊する破壊要求を登録するとともに、電子機器の破壊制御部がヒューズ素子に電流を供給して破壊するように、電子機器に破壊要求信号を送信するようになっている。
【０００７】
１つの態様では、情報保護方法は、サーバが、第１金属層と、第１金属層に積層され、銅よりもイオン化傾向が高く、かつ、第１金属層よりも熱膨張係数が高い金属材料からなる第２金属層とを含むヒューズ素子と、第２金属層を覆う保護膜とを備える半導体装置と、ヒューズ素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器を破壊する破壊要求を登録するステップと、サーバが、電子機器の破壊制御部がヒューズ素子に電流を供給して破壊するように、電子機器に破壊要求信号を送信するステップとを含む。
【発明の効果】
【０００８】
１つの側面として、例えば個人情報、業務上の秘密情報、構造情報などの情報を有する半導体装置を備える電子機器が、例えば盗難等にあった場合に、半導体装置を破壊できるようにして、これらの情報が保護されるようにすることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態にかかる半導体装置に備えられるヒューズ素子の構成を示す模式的断面図である。
【図２】本実施形態にかかる半導体装置に備えられるヒューズ素子の第１金属層及び第２金属層を構成する金属材料の組み合わせを例示する図である。
【図３】本実施形態にかかる半導体装置に備えられるヒューズ素子による破壊のメカニズムを説明するための模式的断面図である。
【図４】本実施形態にかかる半導体装置に備えられるヒューズ素子による破壊のメカニズムを説明するための模式的断面図である。
【図５】本実施形態にかかる半導体装置を備える電子機器の一の具体例の構成を示す模式図である。
【図６】本実施形態にかかる半導体装置を備える電子機器の一の具体例における処理を示すフローチャートである。
【図７】本実施形態にかかる半導体装置を備える電子機器の一の具体例におけるＬＳＩチップの内部の回路の構成例を示すブロック図である。
【図８】本実施形態にかかる半導体装置を備える電子機器の他の具体例の構成を示す模式図である。
【図９】本実施形態にかかる半導体装置を備える電子機器の具体例の構成を示す模式図である。
【図１０】本実施形態にかかる半導体装置を備える具体例の電子機器及びサーバからなるシステムにおける処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる半導体装置、電子機器、情報保護システム及び情報保護方法について、図１〜図１０を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる半導体装置は、例えば個人情報、業務上の秘密情報、構造情報などの情報を有する半導体デバイスであり、例えば、電子機器に備えられ、半導体集積回路を備える半導体チップ（ＬＳＩチップ）である。
【００１１】
ここで、電子機器は、例えば携帯電話、スマートフォン、タブレット端末などのモバイル端末、例えばパーソナルコンピュータやサーバなどのコンピュータ、例えば車載用の制御機器、家電機器、事務機器などである。
本実施形態の半導体装置は、図１に示すように、ヒューズ素子１と、ヒューズ素子１を被覆する保護膜２とを備える。ここでは、半導体基板（例えばＳｉ基板）３上に設けられている。
【００１２】
ここで、ヒューズ素子１は、第１金属層４と、第１金属層４に積層され、銅（Ｃｕ）よりもイオン化傾向が高く、かつ、第１金属層４よりも熱膨張係数（ＣＴＥ）が高い金属材料からなる第２金属層５とを含む。
このように、ヒューズ素子１は、熱膨張係数が異なる２種類の金属材料からなり、第１金属層４上にこれよりも熱膨張係数の高い第２金属層５を積層させた構造を有する。
【００１３】
また、ヒューズ素子１を構成する第２金属層５は、銅よりもイオン化傾向が高い金属材料からなる。さらに、本実施形態では、第１金属層４も、銅よりもイオン化傾向が高い金属材料からなる。ここで、イオン化傾向が高い金属材料は、酸化しやすい金属材料である。
例えば、ヒューズ素子１を構成する第１金属層４を構成する金属材料、第２金属層５を構成する金属材料は、それぞれ、タングステン（Ｗ）（熱膨張係数約４．３ｐｐｍ；抵抗率約５．９２μΩｃｍ）、マグネシウム（Ｍｇ）（熱膨張係数約９．７ｐｐｍ；抵抗率約４．４２μΩｃｍ）である。つまり、ヒューズ素子１を、下部にＷ、上部にＭｇを設けたバイメタル構造とする。
【００１４】
本実施形態では、ヒューズ素子１は、配線形状になっており、配線としても機能しうる。このため、配線型ヒューズ素子ともいう。また、ヒューズ素子１には、金属配線６［例えばＣｕ配線やアルミニウム（Ａｌ）配線］が接続されており、金属配線６を介して、電流を流すことができるようになっている（例えば図７参照）。このため、ヒューズ素子１及びこれに接続された金属配線６を含む回路を、ヒューズ回路ともいう。
【００１５】
保護膜２は、ヒューズ素子１の第２金属層５（即ち、外側、即ち、基板と反対側に設けられた金属層）を覆っている。ここでは、保護膜２は、例えば酸化膜（例えばＳｉＯ２膜など）や樹脂膜（ポリマ膜）などの絶縁膜である。
なお、本実施形態では、半導体装置に備えられる半導体集積回路（ＬＳＩ回路）とは別にヒューズ回路を設けている（自己破壊機能搭載ＬＳＩ回路）。つまり、半導体装置に備えられる半導体集積回路を構成する金属配線とは別にヒューズ素子を設けている。しかしながら、これに限られるものではなく、例えば、半導体装置に備えられる半導体集積回路を構成する金属配線の一部分にヒューズ素子を設けても良い。この場合、半導体装置は、金属配線を備え、ヒューズ素子は、金属配線の一部分を第１金属層とし、金属配線の一部分である第１金属層に第２金属層を積層したものとして構成されることになる。
【００１６】
このような自己破壊機能搭載ＬＳＩ回路は、例えばＳｉ基板上にＳｉデバイスプロセスで形成することができるため、廉価なＳｉデバイス上で機能するヒューズ素子を実現することができ、個人レベルや企業レベルで用いられる半導体装置でも確実に破壊することが可能となる。なお、半導体装置は、Ｓｉデバイスに限られるものではなく、例えば化合物半導体からなる半導体装置であっても良いし、半導体パッケージであっても良い。
【００１７】
なお、本実施形態では、ヒューズ素子１を構成する第１金属層４を構成する金属材料、第２金属層５を構成する金属材料を、それぞれ、Ｗ、Ｍｇとする場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、第２金属層５が、Ｃｕよりもイオン化傾向が高く、かつ、第１金属層４よりも熱膨張係数（ＣＴＥ）が高い金属材料からなるものであれば良い。
【００１８】
例えば、図２に示すように、ヒューズ素子１を構成する第１金属層４を構成する金属材料と第２金属層５を構成する金属材料の組み合わせは、例えば、ＡｌとＭｇ、Ｍｇと亜鉛（Ｚｎ）、ＷとＭｇ、鉄（Ｆｅ）とＭｇ、ニッケル（Ｎｉ）とＭｇ、ＡｌとＺｎ、ＷとＡｌ、ＦｅとＡｌ、ＮｉとＡｌ、ＷとＺｎ、ＦｅとＺｎ、ＮｉとＺｎ、ＷとＦｅ、ＷとＮｉ、ＦｅとＮｉのような組み合わせとしても良い。
【００１９】
なお、図２では、上側にいくほどイオン化傾向が高い組み合わせになるようにしている。このため、図２の上側にいくほど、ヒューズ素子１は酸化しやすくなるため、チップをより確実に破壊することが可能となる。また、図２では、熱膨張係数（ＣＴＥ）の差も示しているが、この熱膨張係数の差が大きい組み合わせほど変形しやすくなるため、より確実に保護膜２を突き破ってチップを破壊することが可能となる。
【００２０】
ところで、本実施形態では、さらに、半導体装置７は、ヒューズ素子１に電流を供給して破壊する破壊制御部８を備える（例えば図７参照）。
具体的には、破壊制御部８として、ヒューズ素子１を電源線１１に接続する接続配線（金属配線）６と、この接続配線６に設けられたセレクタ９と、セレクタ９を制御する制御回路１０とを備える（例えば図７参照）。
【００２１】
なお、セレクタ９をセレクタ回路、回路セレクタ又はスイッチともいう。また、制御回路１０をトリガ回路ともいう。また、ヒューズ素子１、及び、これに接続される接続配線６、セレクタ９、制御回路１０の全体を、情報保護回路ともいう。また、半導体装置７を自己破壊機能搭載半導体装置ともいう。
そして、外部からの信号あるいは例えばボタンを押すなどのアクションなどによる破壊要求信号によって、制御回路１０がセレクタ９を制御してヒューズ素子１に電流が供給されて、半導体装置７が破壊されるようになっている。
【００２２】
つまり、外部からの信号あるいはアクションなどをトリガとして生成された破壊要求信号によって、制御回路１０がセレクタ９をオンとし、セレクタ９及び接続配線６を介して、ヒューズ素子１に電流が流れて、半導体装置７が破壊されるようになっている。
なお、本実施形態では、破壊制御部８は、半導体装置７に備えられるものとしているが、これに限られるものではなく、例えば、半導体装置７を備える電子機器が、破壊制御部８を備えるものとしても良い。
【００２３】
ここでは、以下に説明するように、ヒューズ素子１に電流が流れて、半導体装置７が破壊されることになる。
図１に示すようなヒューズ素子１に電流が流れると、図３に示すように、自己発熱、即ち、ジュール熱によって、ヒューズ素子１に変形が生じる。ここでは、ヒューズ素子１を構成する第１金属層４と第２金属層５に熱膨張係数の差（ＣＴＥミスマッチ）があり、表面側、即ち、保護膜２の側に設けられている第２金属層５の熱膨張係数が高くなっているため、ヒューズ素子１は、表面側（外側）へ突出するように湾曲する。また、エレクトロマイグレーションによってヒロック１２（金属層の表面に発生する半球状の突起物）が生成される。特に、ヒューズ素子１を構成する金属層はイオン化傾向が高いため、ヒロックが大きくなりやすい。
【００２４】
これにより、ヒューズ素子１が保護膜２を突き破り、さらに、ヒューズ素子１を構成する金属層はイオン化傾向が高いため、図４に示すように、ヒロック１２が生成された金属層５の自己発熱で外部酸素との反応が促進され、発火反応を伴って、半導体装置７が粉砕（破壊）されることになる。
このようにして、半導体装置７を物理的に破壊することができるため、例えばデータを復元することも難しく、確実に情報を保護することが可能となる。なお、例えば、破壊手段として、回路に通常よりも大電流を流したりするだけでは、配線が断線して電流が流れなくなるだけであり、大半の回路はそのまま残ることになるため、確実に情報を保護することは難しい。また、例えば、暗号キーやデータフラッシュなどの方法でも、確実に情報の漏洩を防ぐのは難しい。
【００２５】
このように構成される半導体装置７は、重要な情報を保有するチップ、あるいは、システム内におけるデータの経路に位置するチップに適用すると効果的である。例えば、先進的な技術や材料を用いて製造されたチップ（その構造自体に機密情報としての価値が高いもの）、暗号化復号化回路を有するＳＳＤ及びＨＤＤのコントローラチップ、ＳＳＤを構成するＮＡＮＤフラッシュ自体、パスワード保存用の不揮発性メモリ、クラウドサーバへのアクセス用ＮＩＣチップなどに適用することが考えられる。
【００２６】
以下、具体例を挙げて説明する。
まず、一の具体例は、上述のように構成される半導体装置７（自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ）のＬＳＩ自体の構造を秘匿するための構成例である。この場合、保護すべき情報はチップ構造である。
この具体例では、図５に示すように、例えばＰＣＢなどの配線基板１３上に、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７と、例えばＣＰＵ等の論理回路ＬＳＩチップ１４と、他のチップ部品１５とが搭載された電子機器１６で、起動時にパスワードの入力を要求する場合を例に挙げて説明する。
【００２７】
この場合、一定回数（例えば５回）のパスワードの不一致をもって破壊要求信号が発生するようにすれば良い（例えば図６参照）。
また、この具体例では、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７は、図７のブロック図に示すように、制御回路１０と、セレクタ回路９と、メイン回路１７とを備え、メイン回路１７が保護すべき情報（重要情報）を含むため、これを秘匿すべく、メイン回路１７を破壊するためにヒューズ素子１が設けられている。また、セレクタ回路９を介してヒューズ素子１に電源線１１が接続されており、制御回路１０によってセレクタ回路９が制御されて、セレクタ回路９を介してヒューズ素子１に電流が供給されるようになっている。なお、制御回路１０を介してメイン回路１７に信号線バス１８が接続されており、電源線１１は、制御回路１０やメイン回路１７にも接続されている。また、メイン回路１７は、ＬＳＩチップの本来の機能を実現するために設ける回路である。
【００２８】
ここで、図６は、この具体例の電子機器１６の起動時の処理を示すフローチャートである。
まず、電子機器１６は、起動時にパスワードの入力を促し、入力されたパスワードが正しいか否か、即ち、入力されたパスワードが登録されているパスワードと一致するか否かを判定する（ステップＳ１）。
【００２９】
この判定の結果、入力されたパスワードが登録されているパスワードと一致した場合は、ＯＫルートへ進み、通常起動信号を発生する。
一方、不一致の場合は、一定回数（例えば５回）の不一致があるまで、上述の処理を繰り返す。そして、一定回数（例えば５回）の不一致を持って、ＮＧルートへ進み、破壊信号（破壊要求信号）を発生する。
【００３０】
なお、例えば、パスワード入力要求は、例えばタイマーによって一定時間（例えば２４時間）毎に行なわれるようにするのが好ましい（ステップＳ２）。
また、電源が入ると、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７の制御回路１０が起動し、外部からの信号（ここではＣＰＵ１４からの信号）をデコードする。
デコードした信号が通常起動信号の場合、メイン回路１７を、通常起動し、通常動作させる。
【００３１】
一方、デコードした信号が破壊信号の場合、制御回路１０は、セレクタ回路９をＯＮ状態にし、ヒューズ素子１に電流が印加される。これにより、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７が破壊される。
なお、ここでは、ＣＰＵ１４が破壊要求信号を発生するようにしているが、これに限られるものではなく、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７の制御回路１０が、外部からの信号やアクションに基づいて破壊要求信号を発生するようにしても良い。なお、破壊要求信号を発生する部分を破壊要求信号発生部ともいう。
【００３２】
このようにして、例えば盗難等にあったとしても、パスワードの不一致によって破壊信号が発生し、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７が破壊されるため、パスワードで守られ、破壊対象となる重要情報（ここではチップ構造）を秘匿することができる。
次に、他の具体例は、上述のように構成される半導体装置７（自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ）が例えばＳＳＤやＨＤＤのコントローラとしての機能を有するコントローラチップであって、その内部に秘匿したい情報として暗号・復号化キーを記録している場合の構成例である。
【００３３】
この具体例では、図８に示すように、例えばＰＣＢなどの配線基板１８上に、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７（ここではコントローラチップ）と、このコントローラチップ７によって暗号化されたデータを記録するＳＳＤ又はＨＤＤ（記憶装置）１９とが搭載されており、これに、例えばＣＰＵ等の論理回路ＬＳＩチップ２０が接続されている電子機器２１（例えばパーソナルコンピュータなどのローカルマシン）で、起動時にパスワードの入力を要求する場合を例に挙げて説明する。
【００３４】
この場合、上述の一の具体例の場合と同様に、一定回数（例えば５回）のパスワードの不一致をもって破壊要求信号が発生するようにすれば良い。
また、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７の回路構成（図７参照）、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７や電子機器による処理手順（図６参照）なども、上述の一の具体例の場合と同様にすれば良い。
【００３５】
これにより、例えば盗難等にあったとしても、パスワードの不一致によって破壊信号が発生し、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７（ここではコントローラチップ）が破壊されるため、パスワードで守られ、破壊対象となる重要情報（ここでは暗号・復号化キー）を秘匿することができる。これにより、ＳＳＤ又はＨＤＤ１９内の暗号化データが復号不可能になるため、ＳＳＤ又はＨＤＤ１９内のデータを秘匿することができる。
【００３６】
ところで、上述のように構成される半導体装置７を用いて、セキュリティに関するソリューションの提供、即ち、セキュリティーソリューションモデルの提供を行なうこともできる。
この場合、情報保護システムを、上述の破壊制御部８を含む半導体装置７を備える電子機器２６と、電子機器２６にネットワーク２７を介して接続されたサーバ２８とを備えるものとし、サーバ２８が、電子機器２６を破壊する破壊要求を登録するとともに、電子機器２６の破壊制御部８がヒューズ素子１に電流を供給して破壊するように、電子機器２６に破壊要求信号を送信するようにすれば良い（例えば図９、図１０参照）。
【００３７】
また、情報保護方法を、サーバ２８が、上述の破壊制御部８を含む半導体装置７を備える電子機器２６を破壊する破壊要求を登録するステップと、サーバ２８が、電子機器２６の破壊制御部８がヒューズ素子１に電流を供給して破壊するように、電子機器２６に破壊要求信号を送信するステップとを含むものとすれば良い（例えば図９、図１０参照）。
なお、これらの情報保護システムや情報保護方法において、電子機器２６は、上述の破壊制御部８を含まない半導体装置７と、上述の破壊制御部８とを備えるものとして構成しても良い。つまり、電子装置２６は、上述の半導体装置７と、上述の破壊制御部８とを備えるものとすれば良い。
【００３８】
以下、具体例を挙げて説明する。
この具体例は、上述のように構成される半導体装置７（自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ）が例えばネットワーク通信用のコントローラとしての機能を有するコントローラチップであって、その内部に秘匿したい情報としてサーバへのアクセス用ＩＤとそのパスワード情報を記録している場合の構成例である。
【００３９】
この具体例では、図９に示すように、例えばＰＣＢなどの配線基板２２上に、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７（ここではコントローラチップ）と、このコントローラチップ７によってパスワード保護されたネットワーク経路に設けられた部品２３［有線のネットワーク（例えば有線ＬＡＮではイーサネット（登録商標）のＬＡＮソケットであり、無線のネットワーク（例えば無線ＬＡＮ）ではアンテナである）］とが搭載されているネットワーク・インターフェイス・カード（ＮＩＣ）２４を備え、これに、例えばＣＰＵ等の論理回路ＬＳＩチップ２５が接続されている電子機器２６（例えばパーソナルコンピュータ、モバイル機器、情報機器、プリンタなどのローカルマシン）が、図１０に示すように、ネットワーク２７を介してサーバ２８に接続され、サーバ２８上にデータを保存するなどのクラウドサービスの提供を受ける場合を例に挙げて説明する。
【００４０】
この場合、クラウドサービスとして、データの保管と共に電子機器２６に対する破壊要求の登録・送信を行なうようにすることで、盗難等にあった電子機器２６が破壊されるようにすることで、セキュリティに関するソリューションの提供が可能となる。
また、このような電子機器２６に備えられる自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７の回路構成（図７参照）は、上述の一の具体例の場合と同様にすれば良い。
【００４１】
ここで、図１０は、この具体例の電子機器２６及びサーバ２８（クラウドサーバ）からなるシステムにおける処理を示す図である。
まず、例えば、電子機器２６が盗難等にあった場合、利用者は別の電子機器２９からサーバ２８にアクセスし、盗難等にあった電子機器２６（図９参照）を破壊するための破壊要求をサーバ２８に登録する。つまり、サーバ２８は、盗難等にあった電子機器２６を破壊する破壊要求を登録する。なお、利用者の破壊要求を、管理者が例えば電話などで受け、これをサーバ２８に登録するようにしても良い。
【００４２】
そして、盗難等にあった電子機器２６は、電源が入ると（起動時に）、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７の制御回路１０が起動し、メイン回路１７の一部が限定的に動作して、特定のサーバ２８（クラウドサーバ）に接続し（ステップＡ１）、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７及びネットワーク２７を介して、破壊要求の確認を行なう（ステップＡ２）。なお、ステップＡ１で、サーバ２８に接続できなかった場合は、電源を落とすか、あるいは、ネットワーク再設定のみ可能等の限定的な動作を行なうようにすれば良い。
【００４３】
この破壊要求の確認に応じて、サーバ２８は、破壊要求の登録があった場合には、盗難等にあった電子機器２６に、破壊要求信号（破壊信号）を送信する。つまり、サーバ２８は、盗難等にあった電子機器２６の破壊制御部８がヒューズ素子１に電流を供給して破壊するように、盗難等にあった電子機器２６に破壊要求信号を送信する。なお、破壊要求の登録がなかった場合には、通常起動信号を送信する。
【００４４】
そして、盗難等にあった電子機器２６は、サーバ２８から送信されてきた信号（外部からの信号）をデコードする。
デコードした信号が通常起動信号の場合、ステップＡ３で「無し」ルートへ進み、メイン回路１７を、通常起動し、通常動作させる。
一方、デコードした信号が破壊信号の場合、ステップＡ３で「有り」ルートへ進み、制御回路１０は、セレクタ回路９をＯＮ状態にし、ヒューズ素子１に電流が印加される。これにより、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７が破壊される。
【００４５】
つまり、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７（ネットワークコントローラチップ）が、サーバ２８に保管されているデータにアクセスするためのアクセス用ＩＤとそのパスワード情報を保持しており、起動時に破壊信号がないことを確認した後で、サーバ２８とのデータの送受信を行なう。
このようにして、例えば盗難等にあったとしても、破壊要求がサーバ２８に登録されている場合、サーバ２８からの破壊信号に基づいて、自己破壊機能搭載ＬＳＩチップ７（ネットワークコントローラチップ）が破壊されるため、破壊対象となる重要情報（ここではサーバへのアクセス用ＩＤとそのパスワード情報）を秘匿することができる。これにより、サーバ２８へのアクセス用ＩＤとそのパスワード情報が使用できなくなり、サーバ２８に保管されているデータへのアクセスが不可能となるため、サーバ２８に保管されているデータを秘匿することができる。
【００４６】
したがって、本実施形態にかかる半導体装置、電子機器、情報保護システム及び情報保護方法によれば、例えば個人情報、業務上の秘密情報、構造情報などの情報を有する半導体装置を備える電子機器が、例えば盗難等にあった場合に、半導体装置７を破壊できるようにして、これらの情報が保護されるようにすることができるという効果を有する。
なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
【００４７】
以下、上述の実施形態に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
第１金属層と、前記第１金属層に積層され、銅よりもイオン化傾向が高く、かつ、前記第１金属層よりも熱膨張係数が高い金属材料からなる第２金属層とを含むヒューズ素子と、
前記第２金属層を覆う保護膜とを備えることを特徴とする半導体装置。
【００４８】
（付記２）
前記第１金属層は、銅よりもイオン化傾向が高い金属材料からなることを特徴とする、付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
金属配線を備え、
前記ヒューズ素子は、前記金属配線の一部分を前記第１金属層とし、前記金属配線の一部分である前記第１金属層に前記第２金属層を積層したものとして構成されることを特徴とする、付記１に記載の半導体装置。
【００４９】
（付記４）
前記ヒューズ素子に電流を供給して破壊する破壊制御部を備えることを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記５）
前記破壊制御部は、前記ヒューズ素子を電源線に接続する接続配線と、前記接続配線に設けられたセレクタと、前記セレクタを制御する制御回路とを備えることを特徴とする、付記４に記載の半導体装置。
【００５０】
（付記６）
付記１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
（付記７）
付記１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記ヒューズ素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備えることを特徴とする電子機器。
【００５１】
（付記８）
第１金属層と、前記第１金属層に積層され、銅よりもイオン化傾向が高く、かつ、前記第１金属層よりも熱膨張係数が高い金属材料からなる第２金属層とを含むヒューズ素子と、前記第２金属層を覆う保護膜とを備える半導体装置と、前記ヒューズ素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器と、
前記電子機器にネットワークを介して接続されたサーバとを備え、
前記サーバは、前記電子機器を破壊する破壊要求を登録するとともに、前記電子機器の前記破壊制御部が前記ヒューズ素子に電流を供給して破壊するように、前記電子機器に破壊要求信号を送信することを特徴とする情報保護システム。
【００５２】
（付記９）
前記破壊制御部は、前記ヒューズ素子を電源線に接続する接続配線と、前記接続配線に設けられたセレクタと、前記セレクタを制御する制御回路とを備えることを特徴とする、付記８に記載の情報保護システム。
（付記１０）
前記第１金属層は、銅よりもイオン化傾向が高い金属材料からなることを特徴とする、付記８又は９に記載の情報保護システム。
【００５３】
（付記１１）
前記半導体装置は、さらに、金属配線を備え、
前記ヒューズ素子は、前記金属配線の一部分を前記第１金属層とし、前記金属配線の一部分である前記第１金属層に前記第２金属層を積層したものとして構成されることを特徴とする、付記８又は９に記載の情報保護システム。
【００５４】
（付記１２）
サーバが、第１金属層と、前記第１金属層に積層され、銅よりもイオン化傾向が高く、かつ、前記第１金属層よりも熱膨張係数が高い金属材料からなる第２金属層とを含むヒューズ素子と、前記第２金属層を覆う保護膜とを備える半導体装置と、前記ヒューズ素子に電流を供給して破壊する破壊制御部とを備える電子機器を破壊する破壊要求を登録するステップと、
前記サーバが、前記電子機器の前記破壊制御部が前記ヒューズ素子に電流を供給して破壊するように、前記電子機器に破壊要求信号を送信するステップとを含むことを特徴とする情報保護方法。
【符号の説明】
【００５５】
１  ヒューズ素子
２  保護膜
３  半導体基板（Ｓｉ基板）
４  第１金属層
５  第２金属層
６  金属配線
７  半導体装置
８  破壊制御部
９  セレクタ
１０  制御回路
１１  電源線
１２  ヒロック
１３  配線基板（ＰＣＢ）
１４  論理回路ＬＳＩチップ（ＣＰＵ）
１５  チップ部品
１６  電子機器
１７  メイン回路
１８  信号線バス
１９  ＳＳＤ又はＨＤＤ（記憶装置）
２０  論理回路ＬＳＩチップ（ＣＰＵ）
２１  電子機器
２２  配線基板（ＰＣＢ）
２３  ネットワーク経路に設けられた部品
２４  ネットワーク・インターフェイス・カード（ＮＩＣ）
２５  論理回路ＬＳＩチップ（ＣＰＵ）
２６  電子機器
２７  ネットワーク
２８  サーバ
２９  別の電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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