(57)【要約】【課題】基板ユニット及び導電デバイスを、損傷を防ぎつつ、電気的及び物理的に接合可能な基板ユニット、接着基板ユニット及び導電ユニットを提供する。【解決手段】基板ユニットは、基部３５、３６と、当該基部３５、３６上に設けられる複数の支持部１２と、当該複数の支持部１２上に設けられる複数の基板端子３３と、を備える。複数の基板端子３３の各々は、複数の支持部１２の頂部１３のうちの２以上の頂部１３にわたって設けられる。これらの２以上の頂部１３を形成する支持部１２の弾力性によって、各基板端子３３に作用する力を和らげることができる。したがって、基板端子３３上にデバイス端子３４が配置されて基板端子３３及びデバイス端子３４に圧着力Ｆが加えられても力が局所的に集中せず、基板端子３３及びデバイス端子３４を、損傷を防ぎつつ電気的及び物理的に適切に接合できる。【選択図】図１
2017034084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
前記基部上に設けられる複数の支持部と、
前記複数の支持部上に設けられる複数の基板端子と、を備え、
前記複数の基板端子の各々は、前記複数の支持部の頂部のうちの２以上の頂部にわたって設けられる基板ユニット。
【請求項２】
前記複数の基板端子の各々が設けられる前記２以上の頂部は、
前記基部からの高さが相対的に大きいメイン頂部と、
前記基部からの高さが相対的に小さいサブ頂部と、を含む請求項１に記載の基板ユニット。
【請求項３】
前記複数の支持部の前記頂部は平坦状の形状を有し、
前記複数の支持部の前記頂部は、前記基部からの高さが相互に同じである請求項１に記載の基板ユニット。
【請求項４】
前記複数の基板端子の各々が設けられる前記２以上の頂部は、一方向に相互に離間して配置される請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板ユニット。
【請求項５】
前記複数の基板端子の各々が設けられる前記２以上の頂部は、複数方向に相互に離間して配置される請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板ユニット。
【請求項６】
前記複数の基板端子の各々は、２以上の前記支持部の前記頂部にわたって設けられる請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板ユニット。
【請求項７】
前記複数の基板端子の各々が設けられる前記２以上の頂部は、単一の前記支持部によって形成される請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板ユニット。
【請求項８】
前記単一の支持部によって形成される前記２以上の頂部間の切欠部の断面は、当該切欠部と前記単一の支持部との境界において曲線部を含む請求項７に記載の基板ユニット。
【請求項９】
前記単一の支持部によって形成される前記２以上の頂部間の切欠部の断面は、当該切欠部と前記単一の支持部との境界において複数の直線部を含む請求項７に記載の基板ユニット。
【請求項１０】
前記複数の支持部の各々は、四角形状の断面形状を有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板ユニット。
【請求項１１】
前記基部は、基材層と、当該基材層と前記支持部との間に設けられる下地層とを含む請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板ユニット。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板ユニットと、
前記基板ユニットの前記基部、前記複数の支持部及び前記複数の基板端子のうちの少なくともいずれかの上に設けられた接着部と、を備える接着基板ユニット。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板ユニットと、
前記基板ユニットの前記複数の基板端子の各々と電気的に接続する複数のデバイス端子を有する導電デバイスと、
前記基板ユニットと前記導電デバイスとを接着する接着部と、を備える導電ユニット。
【請求項１４】
前記複数の支持部の各々は、弾性率及びデュロメータ硬度のうちの少なくともいずれか一方が、前記複数のデバイス端子の各々よりも低い請求項１３に記載の導電ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板ユニット、接着基板ユニット及び導電ユニットに係り、特に、基板ユニットと導電デバイスとを物理的に接合しつつ、基板ユニットの端子と導電デバイスの端子とを電気的に接合する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体などの導電デバイスを基板ユニットに装着するために異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）が広く利用されている。ＡＣＦは、圧着加工後に圧着方向には導電性を示すが、圧着方向とは垂直を成す方向には絶縁性を示す性質があるため、微細ピッチの電気的な接合に使われることが多く、液晶パネルなどの分野でファインピッチ接合に用いられている。
【０００３】
例えば特許文献１は、ＡＣＦテープを使って、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）に設けられた不透明導電膜の不透明電極部をＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜の透明電極部に圧着接合する電子部品実装方法を開示する。
【０００４】
一方、ＡＣＦを用いずに導電デバイスを基板ユニットに装着することも可能であり、例えば特許文献２は、熱硬化性樹脂からなる封止樹脂を介して基板張出部上に電子部品を実装する実装方法を開示する。この実装構造において、基板張出部は、電子部品のバンプ電極に接合する上面の高さが相互に異なる複数の端子を含み、バンプ電極の内部樹脂の弾性変形によって当該端子の高さのばらつきが吸収されて、電子部品のバンプ電極と基板張出部の端子とが接合される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−０４０９７８号公報
【特許文献２】特開２００９−０９９７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のＡＣＦは、導電性を持つ微細な導電性粒子を熱硬化性樹脂に混ぜ合わせることで作られており、導電性粒子は、絶縁性を有する最外層と最外層の内側に設けられる導電部とを有する。ＡＣＦに部分的に圧力が加えられると、圧力がかかった箇所では圧力方向に関して導電性粒子の導電部同士が引っ付きあって導電経路が形成されるが、圧力がかからなかった箇所では導電性粒子の最外層の絶縁層によって絶縁性が保持される。
【０００７】
このようなＡＣＦに含まれる導電性粒子は、必ずしも同じ粒径を有してはおらず、様々な粒径を有するのが一般的である。また導電性粒子はＡＣＦ中でランダムに散らばっているが、導電性粒子の密度はＡＣＦ全体にわたって必ずしも均一ではなく、局所的に導電性粒子の密度が周囲よりも高い箇所も存在しうる。そのため、ＡＣＦを介在させた状態で基板ユニット及び導電デバイスに圧着力を加えると、粒径が相対的に大きい導電性粒子が存在する箇所や導電性粒子の密度が局所的に高い箇所には相対的に大きな力が作用し、基板ユニットや導電デバイスの端子等を破損してしまうおそれがある。
【０００８】
図５は、相互に圧着される基板ユニット３０、ＡＣＦ３１及び導電デバイス３２の斜視図である。図６は、基板ユニット３０の基板端子３３の一例を示す平面図である。図７は、図５に示す基板ユニット３０、ＡＣＦ３１及び導電デバイス３２の圧着部の断面の一例を示す概念図である。一般に、基板ユニット３０と導電デバイス３２との間にＡＣＦ３１を配置し、基板端子３３及びデバイス端子３４が配置されている箇所に圧着力Ｆを加えることで、基板端子３３及びデバイス端子３４がパッドＰ単位で接合される。この接合時に、相対的に大きな粒径を有する導電性粒子３７が配置されている箇所や導電性粒子３７の密度が高い箇所には力が局所的に集中してしまい、導電デバイス３２のデバイス端子３４、及び基板ユニット３０の基板端子３３や基部（下地層３６及び基材層３５）が損傷してしまうことがある（図７の「損傷箇所Ｄ」参照）。
【０００９】
このようにＡＣＦを使って基板ユニット及び導電デバイスを接合する場合には、ＡＣＦに含まれる導電性粒子の粒径や密度のばらつきに起因して基板ユニット及び導電デバイスが損傷してしまうことがある。このような基板ユニット及び導電デバイスの損傷は、導電不良を誘因するおそれがあり、また製品としての品質を損なうため、歩留まりの低下を招く。したがって、基板ユニット及び導電デバイスの損傷を防ぎつつ、基板ユニット及び導電デバイスを電気的及び物理的に所望の態様で接合可能な新たな手法の提案が望まれている。
【００１０】
本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、基板ユニット及び導電デバイスを、損傷を防ぎつつ、電気的及び物理的に接合可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、基部と、基部上に設けられる複数の支持部と、複数の支持部上に設けられる複数の基板端子と、を備え、複数の基板端子の各々は、複数の支持部の頂部のうちの２以上の頂部にわたって設けられる基板ユニットに関する。
【００１２】
本態様によれば、各基板端子は２以上の頂部にわたって設けられるため、これらの２以上の頂部を形成する支持部の弾力性によって、各基板端子に作用する力を和らげることができる。すなわち頂部間に支持部が存在しないスペースを形成することで、そのようなスペースが存在しない場合に比べ、支持部の変形に要する全体の力を小さくできる。そのため、本態様のように各基板端子を２以上の頂部にわたって設けることで、力が加えられた場合に支持部が変形し易くなり、結果として、支持部上に設けられる各基板端子に作用する力を和らげることができる。したがって導電デバイスのデバイス端子を基板端子上に重ねた状態でデバイス端子及び基板端子を押圧しても、支持部の弾力性によって押圧力が緩和されるため、デバイス端子及び基板端子において力が局所的に集中してしまうことを防げる。そのため基板ユニット（基板端子）及び導電デバイス（デバイス端子）を、損傷を防ぎつつ、電気的及び物理的に適切に接合することが可能である。
【００１３】
複数の支持部の各々は、例えば弾性率及びデュロメータ硬度のうちの少なくともいずれか一方がデバイス端子より相対的に低いことが望ましい。特に複数の支持部の各々は、圧縮により圧力の不均一を吸収できることが望ましく、さらに圧縮破壊しにくい材料で構成されることが望ましい。
【００１４】
本態様によれば、各支持部は良好な弾力性を示す。
【００１５】
複数の基板端子の各々が設けられる２以上の頂部は、基部からの高さが相対的に大きいメイン頂部と、基部からの高さが相対的に小さいサブ頂部と、を含んでいてもよい。
【００１６】
本態様によれば、導電デバイスのデバイス端子を基板端子上に重ねた状態でデバイス端子及び基板端子を押圧した場合、まずメイン頂部を構成する支持部のみがデバイス端子（導電デバイス）を支持し、その後、サブ頂部を構成する支持部もデバイス端子（導電デバイス）を支持する。したがって、メイン頂部を構成する支持部のみがデバイス端子を支持する第１段階では、支持部の変形に要する全体の力が小さく設定され、押圧力を効果的に緩和できる。一方、メイン頂部及びサブ頂部を構成する支持部がデバイス端子を支持する第２段階では、支持部によってデバイス端子が的確に支持され、基板端子とデバイス端子とを所望態様で物理的及び電気的に接合できる。
【００１７】
複数の支持部の頂部は平坦状の形状を有し、複数の支持部の頂部は、基部からの高さが相互に同じであってもよい。
【００１８】
本態様によれば、基部からの高さが相互に同じである複数の支持部の平坦状の頂部上に基板端子を設けることで、基板端子を精度良く平坦に形成できる。したがって導電デバイスのデバイス端子を基板端子上に重ねた状態でデバイス端子及び基板端子を押圧しても、デバイス端子は頂部上の基板端子の全面にわたって接触するため、デバイス端子及び基板端子において力が局所的に集中してしまうことを防ぐことができる。
【００１９】
複数の基板端子の各々が設けられる２以上の頂部は、一方向に相互に離間して配置されてもよい。
【００２０】
複数の基板端子の各々が設けられる２以上の頂部は、複数方向に相互に離間して配置されてもよい。
【００２１】
これらの態様によれば、頂部の離間方向に関してスペースを形成でき、当該スペースを接着剤の配置スペース等に有効活用できる。
【００２２】
複数の基板端子の各々は、２以上の支持部の頂部にわたって設けられてもよい。
【００２３】
本態様によれば、各基板端子が２以上の支持部の頂部にわたって設けられるため、各基板端子に割り当てられる頂部間においてスペースを形成でき、当該スペースを粘着剤の配置スペース等に有効活用できる。
【００２４】
複数の基板端子の各々が設けられる２以上の頂部は、単一の支持部によって形成されてもよい。
【００２５】
本態様によれば、各基板端子に割り当てられる２以上の頂部が単一の支持部によって形成され、各基板端子を支持部によって的確に支持できる。
【００２６】
単一の支持部によって形成される２以上の頂部間の切欠部の断面は、当該切欠部と単一の支持部との境界において曲線部を含んでもよい。
【００２７】
単一の支持部によって形成される２以上の頂部間の切欠部の断面は、当該切欠部と単一の支持部との境界において複数の直線部を含んでもよい。
【００２８】
これらの態様によれば、導電デバイスに対する基板の物理的な接着態様と、導電デバイスのデバイス端子に対する基板端子の電気的な接続態様とに応じて、適切な形状の切欠部を支持部の頂部間に形成できる。
【００２９】
複数の支持部の各々は、四角形状の断面形状を有してもよい。
【００３０】
本態様によれば、支持部の平坦状の頂部を精度良く形成できる。
【００３１】
基部は、基材層と、当該基材層と支持部との間に設けられる下地層とを含んでもよい。
【００３２】
本態様によれば、基材層の損傷だけではなく下地層の損傷も防ぎつつ、基板ユニット及び導電デバイスの電気的及び物理的に接合が可能である。
【００３３】
本発明の他の態様は、上記の基板ユニットと、基板ユニットの基部、複数の支持部及び複数の基板端子のうちの少なくともいずれかの上に設けられた接着部と、を備える接着基板ユニットに関する。
【００３４】
本発明の他の態様は、上記の基板ユニットと、基板ユニットの複数の基板端子の各々と電気的に接続する複数のデバイス端子を有する導電デバイスと、基板ユニットと導電デバイスとを接着する接着部と、を備える導電ユニットに関する。
【００３５】
複数の支持部の各々は、弾性率及びデュロメータ硬度のうちの少なくともいずれか一方が、複数のデバイス端子の各々よりも低くてもよい。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、各基板端子は２以上の頂部にわたって設けられるため、これらの２以上の頂部を形成する支持部の弾力性によって、各基板端子に作用する力を和らげることができる。したがって導電デバイスのデバイス端子をそのような基板端子上に重ねた状態でデバイス端子及び基板端子が押圧されても、支持部の弾力性によって押圧力が緩和されるため、デバイス端子及び基板端子において力が局所的に集中してしまうことを防ぐことができる。このように本発明によれば、基板ユニット及び導電デバイスを、損傷を防ぎつつ、電気的及び物理的に適切に接合することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る基板ユニット及び導電デバイスの圧着部の断面の一例を示す図である。
【図２】図２は、パッド単位での支持部の配置形態例を示す図である。
【図３】図３は、パッド単位での支持部の断面形状例を示す図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態の変形例に係る支持部（メイン支持部及びサブ支持部）及び基部（基材層及び下地層）の断面の一例を示す図である。
【図５】図５は、相互に圧着される基板ユニット、ＡＣＦ及び導電デバイスの斜視図である。
【図６】図６は、基板ユニットの基板端子の一例を示す平面図である。
【図７】図７は、図５に示す基板ユニット、ＡＣＦ及び導電デバイスの圧着部の断面の一例を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。
【００３９】
図１は、本発明の一実施形態に係る基板ユニット３０及び導電デバイス３２の圧着部の断面の一例を示す図である。
【００４０】
本実施形態では、基板ユニット３０において設けられる支持部１２の２以上の頂部１３上に基板端子３３を形成し、この基板端子３３とデバイス端子３４とを接触させることで基板ユニット３０と導電デバイス３２との電気的な接合が実現される。一方、基板ユニット３０と導電デバイス３２との間に介在する粘着剤等の接着剤１０によって、基板ユニット３０と導電デバイス３２との物理的な接合が実現される。なお、本件明細書において、「接着」との用語は、「粘着」を含む概念として用いる。
【００４１】
すなわち本実施形態の基板ユニット３０は、基材層３５と、当該基材層３５上に積層される下地層３６と、下地層３６上に設けられる複数の支持部１２とを備え、基材層３５と支持部１２との間には下地層３６が設けられている。基材層３５及び下地層３６の構成部材は特に限定されず、基材層３５は例えばガラスや樹脂などのフィルムによって構成可能であり、下地層３６は例えばＰＩ（ポリイミド）や他のオーバーコート剤によって構成可能である。下地層３６は、基材層３５上における支持部１２や基板端子３３の保持性能の向上や、屈折率の調整等の任意の機能を発揮する部材として設置され、必要に応じた機能層を下地層３６として設けることができる。本例では支持部１２を支える基部が基材層３５及び下地層３６によって構成されるが、当該基部は他の層を含んでいてもよいし、基材層３５のみによって基部が構成されてもよい。
【００４２】
本実施形態に係る複数の支持部１２の各々は、弾力性及び復元性に富んだ柔らかい部材によって構成され、例えばアクリル系樹脂等によって好適に構成可能である。各支持部１２のアスペクト比やヤング率は特に限定されない。
【００４３】
また複数の支持部１２の各々は、例えば弾性率及びデュロメータ硬度のうちの少なくともいずれか一方が各デバイス端子３４より相対的に低いことが好ましい。特に複数の支持部１２の各々は、圧縮により圧力の不均一を吸収できることが望ましく、さらに圧縮破壊しにくい材料で構成されることが望ましい。
【００４４】
また複数の支持部１２の各々は、基板端子３３を載置するための平坦状の頂部１３を有する。これらの複数の支持部１２の頂部１３は、下地層３６（基部）からの高さが相互に同じであり、同一平面上に配置される。これらの複数の支持部１２の頂部１３には、複数の基板端子３３が載置される。基板端子３３の構成部材は特に限定されず、例えばＩＴＯ、銀ペースト、或いは他の金属配線によって基板端子３３を構成できる。
【００４５】
ここでいう「平坦状の形状を有する頂部１３」は、各頂部１３の下地層３６（基部）からの高さが完全に同じであることが理想的ではあるが、本発明においては、必ずしもそのような厳密な同一性は求められない。すなわち、各頂部１３内の任意の箇所の下地層３６（基部）からの高さを「ｈ」で表し、各頂部１３内における下地層３６（基部）からの高さの平均値を「ｈａｖｅ」で表し、各頂部１３の下地層３６（基部）からの高さの代表値（例えば平均値（ｈａｖｅ））を「Ｈ」で表し、各頂部１３の代表値の平均値を「Ｈａｖｅ」で表した場合、「平坦状の頂部１３」は下記関係式３を満たし、下地層３６（基部）からの高さが相互に同じである複数の支持部１２の頂部１３は下記関係式４を満たすことが、製品（例えばフォトリソグラフィによって作られる製品）の信頼性を向上させる観点から好ましい。
【００４６】
＜関係式３＞
０μｍ≦｜（ｈ−ｈａｖｅ）｜≦３μｍ
【００４７】
＜関係式４＞
０μｍ≦｜（Ｈ−Ｈａｖｅ）｜≦３μｍ
【００４８】
複数の基板端子３３の各々は２以上の複数の頂部１３にわたって設けられており、各基板端子３３は、相互に離間した位置に設けられる２以上の頂部１３上に設けられる。特に本例では、複数の基板端子３３の各々が、２以上の複数の支持部１２の頂部１３にわたって設けられており、各基板端子３３は「これらの２以上の複数の支持部１２全体」及び「これらの２以上の複数の支持部１２の間」において延在する。
【００４９】
複数の支持部１２の各々は、図１に示す例では台形形状の断面形状を有するが、特に形状は限定されず、他の四角形状の断面形状を有していてもよいし、後述のような他の断面形状を有していてもよい（図３（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）参照）。
【００５０】
このように本実施形態の基板ユニット３０は、基部（基材層３５及び下地層３６）、複数の支持部１２、及び複数の支持部１２の頂部１３に載置される複数の基板端子３３を備える。そして、この基板ユニット３０には、接着部として機能する接着剤１０を介して導電デバイス３２が接着される。
【００５１】
導電デバイス３２は、デバイス本体３８と、デバイス本体３８に支持されるデバイス端子３４と有する。各デバイス端子３４は対応の基板端子３３上に載せられ、デバイス端子３４（導電デバイス３２）と基板端子３３（基板ユニット３０）との間で電気的な接合が確立される。
【００５２】
導電デバイス３２と基板ユニット３０との間は接着剤１０によって満たされ、デバイス端子３４と基板端子３３との間の当接部以外の箇所において、導電デバイス３２（デバイス本体３８及びデバイス端子３４）と基板ユニット３０（基部（下地層３６）及び基板端子３３）とが接着剤１０によって物理的に接合される。
【００５３】
導電デバイス３２と基板ユニット３０との間における接着剤１０の配置手法は、特に限定されない。例えば、ディスペンサーやインクジェットデバイスなどの任意のデバイスによって基板ユニット３０（基板端子３３及び下地層３６）上に接着剤１０を配置してもよいし、フォトリソグラフィ等の手法によって基板ユニット３０（基板端子３３及び下地層３６）上に接着剤１０を配置してもよい。
【００５４】
接着剤１０の組成や接着態様も特に限定されず、例えば熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、ＵＶ（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）硬化性樹脂或いはＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）硬化性樹脂によって接着剤１０を構成してもよい。例えば、基板ユニット３０上の所定箇所に接着剤１０を配置し、接着剤１０が載せられた基板ユニット３０に対して導電デバイス３２が押し当てられた状態で、加熱、冷却、ＵＶ照射或いはＥＢ照射等によって接着剤１０を硬化させることで、図１に示す導電ユニット２０を製造できる。なお、基板ユニット３０の所定箇所（基部（下地層３６）、複数の支持部１２及び複数の基板端子３３のうちの少なくともいずれか）の上に接着剤１０が設けられたものを、接着基板ユニットとして扱うことができる。この場合、接着基板ユニット上に導電デバイス３２を配置した状態で、加熱、冷却、ＵＶ照射或いはＥＢ照射等によって接着剤１０を硬化させるだけで、導電ユニット２０を簡便に製造することができる。
【００５５】
なお基板ユニット３０上に配置される接着剤１０は、頂部１３上に設けられる基板端子３３よりも高さ方向に突出するように配置されることが好ましい。この場合、導電デバイス３２を基板ユニット３０（接着基板ユニット）に押し当てた際に接着剤１０を導電デバイス３２に対して確実に接触させることができ、接着剤１０によって基板ユニット３０及び導電デバイス３２を適切に接着することができる。なお、導電デバイス３２を基板ユニット３０（接着基板ユニット）に押し当てる際に導電デバイス３２により押し退けられる接着剤１０の部分を考慮し、基板ユニット３０上全体における接着剤１０の配置態様及び配置量を決めることが好ましい。特に、導電デバイス３２により押し退けられた接着剤１０がデバイス端子３４と基板端子３３との間の当接部に侵入してデバイス端子３４と基板端子３３との間の電気的な接触不良を引き起こさないように、基部（下地層３６）及び基板端子３３上に配置する接着剤１０の配置態様及び配置量を決定することが求められる。
【００５６】
このように本実施形態に係る導電ユニット２０は、基板ユニット３０と、基板ユニット３０の複数の基板端子３３の各々と電気的に接続する複数のデバイス端子３４を有する導電デバイス３２と、基板ユニット３０と導電デバイス３２とを接着する接着剤１０とを備える。
【００５７】
＜支持部１２の平面形状＞
支持部１２の頂部１３上に設けられる基板端子３３とデバイス端子３４との間で適切に電気的な接続が確立されるのであれば、各デバイス端子３４に接続される基板端子３３及び支持部１２の配置形態や、各基板端子３３及び各支持部１２の平面形状は特に限定されない。
【００５８】
図２は、パッドＰ単位での支持部１２の配置形態例を示す図であり、説明の便宜上、支持部１２の頂部１３の平面形状のみが図示されている。なお、ここでいうパッドＰは、それぞれ単一のデバイス端子３４と、当該単一のデバイス端子３４と電気的に接続される基板端子３３及び当該基板端子３３を支える支持部１２とを含む。
【００５９】
複数の基板端子３３の各々が設けられる２以上の頂部１３は、例えば図２（ａ）及び（ｂ）に示すように一方向に相互に離間して配置されてもよく、その数及びその離間方向は特に限定されない。例えば、各パッドＰにおいて、複数（例えば３つ）の細長状の頂部１３がその延在方向と垂直を成す方向に相互に離間して配置されてもよいし（図２（ａ）参照）、各パッドＰの中央部において頂部１３が分断されるように２つの頂部１３が離間して配置されてもよい（図２（ｂ）参照）。
【００６０】
また複数の基板端子３３の各々が設けられる２以上の頂部１３は、図２（ｃ）に示すように複数方向に相互に離間して配置されてもよい。例えば、各パッドＰにおいて、互いに垂直を形成するパッドＰの縦方向及び横方向の各々に関して、複数（例えば縦方向に３つ及び横方向に３つ（計９つ））の頂部１３が相互に離間して配置されてもよい（図２（ｃ）参照）。
【００６１】
なお、複数の頂部１３間には接着剤１０が配置され、基板ユニット３０と導電デバイス３２との間の物理的な接着性を優先させる観点からは、接着剤１０の占める割合を大きくすることが好ましい。また、基板ユニット３０（基板端子３３）と導電デバイス３２（デバイス端子３４）との間の電気的な接続性を優先させる観点からは、基板端子３３が載置される頂部１３の占める割合を大きくすることが好ましい。また、各パッドＰの全体にわたって基板ユニット３０と導電デバイス３２とを物理的に適切に接着するには、接着剤１０が各パッドＰの全体にわたって配置されることが好ましい。また、各パッドＰの全体にわたって基板ユニット３０と導電デバイス３２とを電気的に適切に接続するには、基板端子３３が載置される頂部１３が各パッドＰの全体にわたって配置されることが好ましい。
【００６２】
＜支持部１２の断面形状＞
各支持部１２に平坦状の頂部１３が形成され、各頂部１３上の基板端子３３とデバイス端子３４との間で適切に電気的な接続が確立されるのであれば、各デバイス端子３４に接続される基板端子３３及び支持部１２の断面形状は特に限定されない。
【００６３】
図３は、パッドＰ単位での支持部１２の断面形状例を示す図である。例えば、各基板端子３３が設けられる「２以上の頂部１３」は、複数の支持部１２によって形成されてもよいし（図１参照）、単一の支持部１２によって形成されてもよい（図３（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）参照）。図１に示す例では、各デバイス端子３４は、複数の支持部１２の頂部１３上に設けられる基板端子３３と電気的に接続し、各支持部１２は平坦状の頂部１３を一つ有している。一方、図３（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示す例では、各デバイス端子３４は、単一の支持部１２が有する複数の頂部１３上に設けられる基板端子３３と電気的に接続される。なお、各デバイス端子３４は、複数の支持部１２にわたって設けられる基板端子３３であって、各支持部１２が有する複数の頂部１３上に設けられる基板端子３３と電気的に接続されてもよい。
【００６４】
また各基板端子３３が設けられる複数の頂部１３が単一の支持部１２によって形成される場合、当該単一の支持部１２によって形成される複数の頂部１３間の切欠部１４の断面形状も特に限定されない。例えば、各切欠部１４の断面は、切欠部１４と支持部１２との境界において、図３（ａ）に示すように円弧状の曲線部を含んでいてもよいし、図３（ｂ）に示すように複数の直線部を含んでいてもよい。この切欠部１４の形状及びサイズは、支持部１２の加工性、支持部１２上における基板端子３３の形成の簡便性、基板端子３３とデバイス端子３４との間の電気的接続性能、接着剤１０の配置性、及び基板端子３３とデバイス端子３４との間の物理的接着性能等の種々の観点に基づいて、適宜定めることが可能である。
【００６５】
また支持部１２の各頂部１３は、必ずしも平坦な形状を有している必要はなく、例えば図３（ｃ）に示すように各支持部１２の断面は波形部を一部に含み、その波形部によって各頂部１３が構成されてもよい。
【００６６】
＜製造方法＞
上述の導電ユニット２０（基板ユニット３０、接着剤１０及び導電デバイス３２）は任意の方法によって製造可能である。典型的には、「基材層３５、下地層３６、支持部１２及び基板端子３３を含む基板ユニット３０」と「デバイス本体３８及びデバイス端子３４を含む導電デバイス３２」との間に接着剤１０を配置し、当該接着剤１０を硬化して基板ユニット３０と導電デバイス３２と接着剤１０を介して接合することで導電ユニット２０を製造できる。或いは、「基板ユニット３０及び接着剤１０を含む接着基板ユニット」と「デバイス本体３８及びデバイス端子３４を含む導電デバイス３２」とを重ねて配置し、接着剤１０を硬化して基板ユニット３０と導電デバイス３２とを接着剤１０を介して接合することで導電ユニット２０を製造できる。
【００６７】
基板ユニット３０及び導電デバイス３２を構成する個々の部材を製造する方法も特に限定されず、例えば任意の塗布技術（コーティング技術）を使って所望の基板ユニット３０及び導電デバイス３２を形成可能である。
【００６８】
特に「平坦状の頂部１３を有する支持部１２」はフォトリソグラフィによって好適に製造可能であり、支持部１２は光硬化型の感光性樹脂（例えばアクリル系樹脂）によって好適に構成可能である。フォトリソグラフィは、一般に、基部上へのレジストのコーティング工程、マスクを用いたレジストの露光工程、及び不要なレジストを除去する現像工程を含み、必要に応じてレジストの固化を促すプリベーク工程や現像液の除去を促すポストベーク工程等の他の工程が行われる。例えばフォトリソグラフィで用いられるネガ型のレジストにより支持部１２を構成することによって、支持部１２の頂部１３を精度良く平坦に形成することができ、頂部１３上に設けられる基板端子３３とデバイス端子３４との圧着時の損傷を効果的に防げる。例えば、導電ユニット２０がタッチパネルセンサに適用される場合、基板端子３３は、導電ユニット２０に設けられた検出電極に接続される。
【００６９】
＜具体的な適用例＞
なお、基板ユニット３０及び導電デバイス３２の具体的な構成や適用分野は、特に限定されない。基板ユニット３０は、典型的には、ガラス基板、ＦＰＣ、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、及び／又はＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）によって構成可能である。また基板ユニット３０及び導電デバイス３２を具備する導電ユニット２０は、タッチセンサ等の分野において好適に用いられ、ＯＧＳ（Ｏｎｅ  Ｇｌａｓｓ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）方式、インセル方式及びオンセル方式等の各種方式に応用可能である。
【００７０】
以上説明したように本実施形態によれば、各基板端子３３は２以上の頂部１３にわたって設けられるため、これらの２以上の頂部１３を形成する支持部１２の弾力性によって、各基板端子３３に作用する力を和らげることができる。すなわち頂部１３間に支持部１２が存在しないスペースを形成することで、支持部１２の変形に要する全体の力を小さくでき、支持部１２が変形し易くなって支持部１２上に設けられる各基板端子３３に作用する力を和らげることができる。したがって導電デバイス３２のデバイス端子３４を基板端子３３上に重ねた状態でデバイス端子３４及び基板端子３３を押圧しても、支持部１２の弾力性によって押圧力が緩和されるため、デバイス端子３４及び基板端子３３において力が局所的に集中してしまうことを防げる。このように本実施形態によれば、基板ユニット３０（基板端子３３）及び導電デバイス３２（デバイス端子３４）を、損傷を防ぎつつ、電気的及び物理的に適切に接合することができる。
【００７１】
また特に、図１に示す上述の実施形態のように基部が下地層３６を含んでいても、２以上の頂部１３にわたって基板端子３３を形成することで、そのような下地層３６の膜破れを防ぎつつ、基板ユニット３０（基板端子３３）及び導電デバイス３２（デバイス端子３４）を電気的及び物理的に適切に接合することができる。
【００７２】
＜変形例＞
上述の実施形態では、各基板端子３３が設けられる２以上の頂部１３は、基部（下地層３６）から同じ高さを有しているが、必ずしも基部（下地層３６）からの高さが同じである必要はない。
【００７３】
図４は、本発明の一実施形態の変形例に係る支持部１２（メイン支持部１２ａ及びサブ支持部１２ｂ）及び基部（基材層３５及び下地層３６）の断面の一例を示す図である。なお図４には、一つの基板端子３３に割り当てられる支持部１２が示されている。本変形例では、複数の基板端子３３の各々が設けられる２以上の頂部（図４には４つの頂部１３ａ、１３ｂが図示されている）は、基部（下地層３６）からの高さが相対的に大きいメイン頂部１３ａと、基部（下地層３６）からの高さが相対的に小さいサブ頂部１３ｂと、を含む。すなわち、メイン頂部１３ａの基部（下地層３６）からの高さを「Ｈａ」で表し、サブ頂部１３ｂの基部（下地層３６）からの高さを「Ｈｂ」で表した場合、「Ｈａ＞Ｈｂ」の関係式が成立し、各基板端子３３はこれらのメイン頂部１３ａ及びサブ頂部１３ｂにわたって設けられる。
【００７４】
なお図４に示す例では、頂部（メイン頂部１３ａ及びサブ頂部１３ｂ）の各々が一つの支持部（メイン支持部１２ａ及びサブ支持部１２ｂ）によって構成され、基部（下地層３６）からの高さが相対的に大きいメイン支持部１２ａによってメイン頂部１３ａが構成され、基部（下地層３６）からの高さが相対的に小さいサブ支持部１２ｂによってサブ頂部１３ｂが構成される。ただし図３（ａ）〜（ｃ）に示す例と同様に、単一の支持部１２によって複数の頂部（特にメイン頂部１３ａ及びサブ頂部１３ｂの両者）を構成してもよい。また図４に示す例ではメイン頂部１３ａ及びサブ頂部１３ｂ（メイン支持部１２ａ及びサブ支持部１２ｂ）が等間隔に交互に配置されているが、メイン頂部１３ａ及びサブ頂部１３ｂ（メイン支持部１２ａ及びサブ支持部１２ｂ）の配置位置及び配置順は特に限定されない。
【００７５】
また、各基板端子３３に割り当てられる支持部１２（メイン支持部１２ａ及びサブ支持部１２ｂ）及び頂部１３（メイン頂部１３ａ及びサブ頂部１３ｂ）の数も、特に限定されない。また、メイン支持部１２ａとサブ支持部１２ｂとの間の数の比率、体積の比率及び表面積の比率等も特に限定されず、メイン頂部１３ａとサブ頂部１３ｂとの間の数の比率及び面積の比率等も特に限定されない。
【００７６】
本発明は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形が加えられた形態も含みうるものであり、本発明の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容及びその均等物から導き出される本発明の概念的な思想及び趣旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
【符号の説明】
【００７７】
１０  接着剤
１２  支持部
１３  頂部
１４  切欠部
２０  導電ユニット
３０  基板ユニット
３２  導電デバイス
３３  基板端子
３４  デバイス端子
３５  基材層
３６  下地層
３７  導電性粒子
３８  デバイス本体
Ｆ  圧着力
Ｄ  損傷箇所
Ｐ  パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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