(57)【要約】【課題】  不揮発性メモリを有する光通信装置を簡素化又は低コスト化することが可能な更新装置等を提供することにある。【解決手段】  更新装置は、光通信装置に含まれる光送信素子の動作状態を示すモニタ値を取得する取得部と、前記光送信素子の劣化に伴う前記モニタ値の変化の度合に基づいて、前記光通信装置に含まれる不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みするデータ更新部を備える。【選択図】      図１
2017225077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光通信装置に含まれる光送信素子の動作状態を示すモニタ値を取得する取得部と、
前記光送信素子の劣化に伴う前記モニタ値の変化の度合に基づいて、前記光通信装置に含まれる不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みするデータ更新部を備える、
更新装置。
【請求項２】
前記モニタ値の変化の度合は、前記光通信装置の運用開始時における前記光送信素子の初期のモニタ値と現在のモニタ値との比較の結果であり、
前記データ更新部は、前記比較の結果に基づいて、前記データを再書込みする、
請求項１に記載の更新装置。
【請求項３】
前記光送信素子が半導体レーザであり、
前記モニタ値は、前記半導体レーザに注入される電流値と前記半導体レーザの温度であり、前記比較の結果は、同一温度における前記運用開始と現在との前記電流値の変化分である、
請求項２に記載の更新装置。
【請求項４】
前記光送信素子が光変調器であり、
前記モニタ値は、前記光変調器に印加される電圧値と前記光変調器の温度であり、前記比較の結果は、同一温度における前記運用開始時と現在との前記電圧値の変化分である、
請求項２に記載の更新装置。
【請求項５】
データを保持する不揮発性メモリと、
光通信用の光送信素子と、
前記光送信素子の動作状態を示すモニタ値を出力する素子モニタ部と、
前記モニタ値を取得する取得部と、前記光送信素子の劣化に伴う前記モニタ値の変化の度合に基づいて、前記不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みするデータ更新部を有する更新装置を備える、
光通信装置。
【請求項６】
前記光送信素子は、半導体レーザであり、
前記素子モニタ部は、前記半導体レーザに注入される電流値を出力する電流モニタ部と、前記半導体レーザの温度を出力する温度モニタ部を含み、
前記モニタ値の変化の度合は、同一温度における運用開始時と現在との前記電流値の変化分であり、
前記データ更新部は、前記モニタ値の変化の度合が所定の閾値に達したか判定する判定部と、前記不揮発性メモリに保持された前記データを再書込みする再書込部を含み、
前記判定部は、前記モニタ値の変化の度合が前記所定の閾値に達すると、前記再書込部に前記データの再書込みを指示する、
請求項５に記載の光通信装置。
【請求項７】
前記光送信素子は、光変調器であり、
前記素子モニタ部は、前記光変調器に印加される電圧値を出力する電圧モニタ部と、前記光変調器の温度を取得する温度モニタ部を含み、
前記モニタ値の変化の度合は、同一温度における運用開始時と現在との前記電圧値の変化分であり、
前記データ更新部は、前記電圧値の変化分が所定の閾値に達したか判定する判定部と、前記不揮発性メモリに保持された前記データを再書込みする再書込部を含み、
前記判定部は、前記電圧値の変化分が前記所定の閾値に達した場合、前記再書込部に前記データの再書込みを指示する、
請求項５に記載の光通信装置。
【請求項８】
光通信装置に含まれる光送信素子の動作状態を示すモニタ値を取得し、
前記光送信素子の劣化に伴う前記モニタ値の変化の度合に基づいて、前記光通信装置に含まれる不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みする、
更新方法。
【請求項９】
光通信装置に含まれる光送信素子の動作状態を示すモニタ値を取得し、
前記光送信素子の劣化に伴う前記モニタ値の変化の度合に基づいて、前記光通信装置に含まれる不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みする、
ことをコンピュータに実行させる更新プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信装置に含まれる不揮発性メモリのデータ更新に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の進展に伴い、遠隔地間で光伝送を行う光伝送システムの開発が進んでいる。通信の安定化を考慮して、光伝送システムの光通信装置には２０年間以上の動作保証を要求されることが多い。また、不測の伝送障害を避けるために光通信装置に対して適切なメインテナンスを施すことが望まれている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、半導体レーザの劣化を判断するために、初期の出力制御データを不揮発性メモリに保持し、現在の出力制御データと比較して経年劣化を判断する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−０４１００２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、不揮発性メモリのデータ保持期間は概ね１０年間であり、不揮発性メモリを有する光通信装置では、保持されたデータを更新してデータ保持期間を延長する必要があった。このため、光通信装置内に時計カウンタおよびその電池を搭載することになり、光通信装置の簡素化又は低コスト化の妨げとなっていた。
【０００６】
本発明の目的は、不揮発性メモリを有する光通信装置を簡素化又は低コスト化することが可能な更新装置等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の更新装置の一態様は、光通信装置に含まれる光送信素子の動作状態を示すモニタ値を取得する取得部と、前記光送信素子の劣化に伴う前記モニタ値の変化の度合に基づいて、前記光通信装置に含まれる不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みするデータ更新部を備える。
【０００８】
本発明の光通信装置は、データを保持する不揮発性メモリと、光通信用の光送信素子と、前記光送信素子の動作状態を示すモニタ値を出力する素子モニタ部と、前記モニタ値を取得する取得部と、前記光送信素子の劣化に伴う前記モニタ値の変化の度合に基づいて、前記不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みするデータ更新部を有する更新装置を備える。
【０００９】
本発明の更新方法の一態様は、光通信装置に含まれる光送信素子の動作状態を示すモニタ値を取得し、前記光送信素子の劣化に伴う前記モニタ値の変化の度合に基づいて、前記光通信装置に含まれる不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みする。
【００１０】
本発明の更新プログラムの一態様は、光通信装置に含まれる光送信素子の動作状態を示すモニタ値を取得し、前記光送信素子の劣化に伴う前記モニタ値の変化の度合に基づいて、前記光通信装置に含まれる不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みすることをコンピュータに実行させる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、不揮発性メモリを有する光通信装置を簡素化又は低コスト化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態の光通信装置の構成を示すブロック図である。
【図２】第１の実施形態の更新装置の構成を示すブロック図である。
【図３】第１の実施形態の光通信装置の動作を示すフローチャート図である。
【図４】第１の実施形態の更新装置の動作を示すフローチャート図である。
【図５】第２の実施形態の更新装置及び光通信装置の構成を示すブロック図である。
【図６】第２の実施形態の更新装置及び光通信装置の動作を示すフローチャートである。
【図７】第３の実施形態の更新装置及び光通信装置の構成を示すブロック図である。
【図８】第３の実施形態の更新装置及び光通信装置の動作を示すフローチャートである。
【図９】第１〜３の実施形態における更新装置４０をコンピュータ装置で実現したハードウエア構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の第１の実施形態である更新装置および光通信装置について、図面を用いて説明する。図１は、第１の実施形態における光通信装置の構成を示すブロック図である。図１に示すように、光通信装置１０は、光送信素子１１と、素子モニタ部１２と、更新装置４０と、不揮発性メモリ１５を備える。
【００１４】
光送信素子１１は、光通信装置１０において電気信号を光信号に変換した光を送信するための素子である。光送信素子１１は、経年劣化により素子特性が変動する性質を有する。光送信素子１１は、例えば、半導体レーザ、又は、光変調器である。
【００１５】
素子モニタ部１２は、光送信素子１１の動作状態をモニタし、モニタ値を出力する機能を有する。素子モニタ部１２が出力するモニタ値は、例えば、光送信素子１１に注入される電流値、又は、印加される電圧値、あるいは、光送信素子１１の温度である。
【００１６】
図２は、第１の実施形態の更新装置の構成を示すブロック図である。図２に示すように、更新装置４０は、取得部１３と更新装置４０を備える。
【００１７】
取得部１３は、素子モニタ部１２が出力したモニタ値を取得する機能を有する。更新装置４０は、光送信素子１１の劣化に伴うモニタ値の変化の度合に基づいて、不揮発性メモリ１５に保持されたデータを再書込みする機能を有する。モニタ値の変化の度合とは、光通信装置１０の運用開始時における光送信素子１１の初期のモニタ値と現在のモニタ値との比較の結果ある。具体的には、初期のモニタ値と現在のモニタ値の比較の結果を示す変化分、例えば、増加値、又は、変動値である。
【００１８】
例えば、光通信用の半導体レーザは、一定の光出力を得るために注入する電流値を制御している。この電流値は、半導体レーザの経年劣化の影響により運用開始時より次第に高くなっていく。このような素子特性から、電流値の増加分に対して使用時間に対応する所定の閾値を設定することで、半導体レーザを搭載した光通信装置の使用時間を示す指標として利用することができる。
【００１９】
なお、初期のモニタ値は、光通信装置１０の運用開始の際に、素子モニタ部１２から取得され、更新装置４０の記憶部（図示せず）に記憶される。記憶部の代わりに不揮発性メモリ１５を用いてもよい。
【００２０】
更新装置４０は、比較の結果が所定の閾値に達すると、不揮発性メモリ１５に保持されたデータを一旦読出し、読み出したデータを不揮発性メモリ１５に再び書込みする。所定の閾値は、光送信素子１１の素子特性、及び、所望の使用期間に応じて設定される。また、複数の閾値が設定されてもよい。
【００２１】
不揮発性メモリ１５に保持されていたデータの保持期間は、不揮発性メモリ１５に再びデータが書込まれることにより、実質的に延長される。
【００２２】
次に、第１の実施形態の更新装置、及び、光通信装置の動作について、図面を用いて説明する。図３は、第１の実施形態の光通信装置の動作を示すフローチャートであり、図４は、第１の実施形態の更新装置の動作を示すフローチャートである。
【００２３】
光通信装置１０の素子モニタ部１２は、光送信素子１１の動作状態をモニタし、モニタ値を出力する（ステップＳ１１）。
【００２４】
次に、光通信装置１０の更新装置４０は、出力したモニタ値を取得し、光送信素子１１の劣化に伴うモニタ値の変化の度合に基づいて、不揮発性メモリ１５のデータを更新する（ステップＳ１２）。
【００２５】
具体的には、更新装置４０の取得部１３は、素子モニタ部１２が出力したモニタ値を取得する（ステップＳ１２１）。次に、更新装置４０のデータ更新部１４は、光送信素子の劣化に伴うモニタ値の変化の度合に基づいて、不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みする（ステップＳ１２２）。
【００２６】
モニタ値の変化の度合は、光通信装置１０の運用開始時における光送信素子１１の初期のモニタ値と現在のモニタ値との比較の結果を示す値であり、光通信装置１０の使用時間を示す指標として用いられる。
【００２７】
第１の実施形態によれば、不揮発性メモリを有する光通信装置を簡素化又は低コスト化することができる。その理由は、更新装置が、光送信素子の動作状態を示すモニタ値を取得し、光送信素子の劣化に伴うモニタ値の変化の度合に基づいて、不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みするからである。これにより、時計カウンタ等を搭載することなく光通信装置の不揮発性メモリに保持されたデータを更新することが可能になる。
【００２８】
また、素子モニタ部は、光通信装置で一般的に用いられている光送信素子の制御用のモニタ機構を流用することにより、更に簡素化、又は、低コスト化することができる。
【００２９】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態の更新装置、及び、光通信装置について、図面を用いて説明する。第２の実施形態は、光通信装置の光送信素子に半導体レーザを適用した例である。図５は、第２の実施形態の更新装置、及び、光通信装置の構成を示すブロック図である。図５に示すように、光通信装置２０は、半導体レーザ２１と、電源２２と、素子モニタ部１２と、更新装置４０と、不揮発性メモリ１５を備える。
【００３０】
半導体レーザ２１は、第１の実施形態の光送信素子１１に相当し、光通信用のレーザ光を出力する。また、半導体レーザ２１は、経年劣化により素子特性が変動する性質を有する。電源２２は、半導体レーザ２１に電流を注入し、レーザ発振させるための電源である。
【００３１】
第２の実施形態における光通信装置２０は、素子モニタ部１２として、電流モニタ部２３、及び、温度モニタ部２４を備える。
【００３２】
電流モニタ部２３は、電源２２から半導体レーザ２１に注入される電流をモニタし、モニタ値として電流値を出力する。また、温度モニタ部２４は、半導体レーザ２１をモニタし、モニタ値として温度を出力する。
【００３３】
次に、第２の実施形態の更新装置について説明する。更新装置４０は、取得部１３と、データ更新部１４を備える。
【００３４】
取得部１３は、モニタ値を取得する。具体的には、取得部１３は、電流モニタ部２３、温度モニタ部２４が出力した、電流値、温度を取得する。
【００３５】
データ更新部１４は、判定部２５と、再書込部２６を備える。データ更新部１４は、半導体レーザ２１の劣化に伴うモニタ値の変化の度合に基づいて、不揮発性メモリ１５に保持されたデータを再書込みする。
【００３６】
判定部２５は、初期のモニタ値として、光通信装置２０の運用開始時における半導体レーザ２１の温度と電流値とを関連付けて記憶部（図示せず）に記憶する。温度と電流値との関連付けの一例は、半導体レーザ２１の温度ごとの電流値である。
【００３７】
さらに、判定部２５は、半導体レーザ２１の現在の温度と電流値を、初期のモニタ値と比較する。判定部２５は、同一温度における運用開始時と現在との電流値の変化分を取得する。なお、運用開始時と現在との電流値の変化分は、モニタ値の変化の度合ともいう。
判定部２５は、運用開始時と現在との電流値の変化分が所定の閾値に達したか判定し、電流値の変化分が所定の閾値に達すると、再書込部２６に不揮発性メモリ１５に保持されたデータの再書込みを指示する。
【００３８】
再書込部２６は、判定部２５からの指示に基づき、不揮発性メモリ１５に保持されたデータを一時的に読出し、読出したデータを不揮発性メモリ１５に再書込みを実行する。
【００３９】
次に、第２の実施形態における更新装置、光通信装置の動作について説明する。図６は、第２の実施形態の更新装置及び光通信装置の動作を示すフローチャートである。
【００４０】
電源２２から注入される電流によって、半導体レーザ２１がレーザ発振する。電流モニタ部２３は、電源２２から半導体レーザ２１に注入される電流をモニタし、モニタ値として電流値を出力する。また、温度モニタ部２４は、半導体レーザ２１をモニタし、モニタ値として温度を出力する（ステップＳ２１）。
【００４１】
取得部１３は、電流モニタ部２３、温度モニタ部２４が出力した、電流値、温度をそれぞれ取得する（ステップＳ２２）。
【００４２】
データ更新部１４は、半導体レーザ２１の劣化に伴うモニタ値の変化の度合に基づいて、不揮発性メモリ１５に保持されたデータを再書込みする。具体的には以下のように動作する。
【００４３】
判定部２５は、初期のモニタ値が登録されているか判断する（ステップＳ２３）。初期のモニタ値が登録されていない場合（ステップＳ２３のＮｏ）、初期のモニタ値を登録する（ステップＳ２４）。具体的には、判定部２５は、光通信装置２０の運用開始時における半導体レーザ２１の温度と電流値とを関連付けて記憶部（図示せず）に記憶する。
【００４４】
初期のモニタ値が登録されている場合（ステップＳ２３のＹｅｓ）、判定部２５は、半導体レーザ２１の現在の温度と電流値を、初期のモニタ値と比較する。具体的には、判定部２５は、同一温度における運用開始時と現在との電流値の変化分を取得する（ステップＳ２５）。なお、運用開始時と現在との電流値の変化分は、モニタ値の変化の度合ともいう。
【００４５】
判定部２５は、運用開始時と現在との電流値の変化分が所定の閾値に達したか判定し（ステップＳ２６）、電流値の変化分が所定の閾値に達すると、再書込部２６に不揮発性メモリ１５に保持されたデータの再書込みを指示する。
【００４６】
再書込部２６は、判定部２５からの指示に基づき、不揮発性メモリ１５に保持されたデータを一時的に読出し、読出したデータを不揮発性メモリ１５に再書込みを実行する（ステップＳ２７）。
【００４７】
第２の実施形態によれば、不揮発性メモリを有する光通信装置を簡素化又は低コスト化することができる。その理由は、更新装置が、半導体レーザの動作状態を示すモニタ値を取得し、半導体レーザの劣化に伴うモニタ値の変化の度合に基づいて、不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みするからである。これにより、時計カウンタ等を搭載することなく光通信装置の不揮発性メモリに保持されたデータを更新することが可能になる。
【００４８】
また、電流モニタ部、温度モニタ部は、光通信装置で一般的に用いられている半導体レーザの制御用のモニタ機構を流用することもできる。これにより、更に簡素化、又は、低コスト化することができる。
【００４９】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態の更新装置、及び、光通信装置について、図面を用いて説明する。第３の実施形態は、光通信装置の光送信素子に光変調器を適用した例である。図５は、第３の実施形態の更新装置、及び、光通信装置の構成を示すブロック図である。図５に示すように、光通信装置３０は、光変調器３１と、素子モニタ部１２と、更新装置４０と、不揮発性メモリ１５を備える。
【００５０】
光変調器３１は、第１の実施形態の光送信素子１１に相当し、光の波長・強度・位相などを、主に電気信号などで変化させる光素子である。例えば、光通信装置３０の光変調器３１は、ＬＮ（ｌｉｔｈｉｕｍ  ｎｉｏｂａｔｅ）光変調器を用いることができる。また、光変調器３１は、経年劣化により素子特性が変動する性質を有する。
【００５１】
第３の実施形態における光通信装置３０は、素子モニタ部１２として、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）ドリフトモニタ部３３、及び、温度モニタ部３４を備える。
【００５２】
ＤＣドリフトモニタ部３３は、電源２２から光変調器３１に印加される電圧をモニタし、モニタ値として電圧値を出力する。また、温度モニタ部３４は、光変調器３１をモニタし、モニタ値として温度を出力する。
【００５３】
次に、第３の実施形態の更新装置について説明する。更新装置４０は、取得部１３と、データ更新部１４を備える。
【００５４】
取得部１３は、モニタ値を取得する。具体的には、取得部１３は、ＤＣドリフトモニタ部３３、温度モニタ部３４が出力した、電圧値、温度を取得する。
【００５５】
データ更新部１４は、判定部３５と、再書込部３６を備える。データ更新部１４は、光変調器３１の劣化に伴うモニタ値の変化の度合に基づいて、不揮発性メモリ１５に保持されたデータを再書込みする。
【００５６】
判定部３５は、初期のモニタ値として、光通信装置３０の運用開始時における光変調器３１の温度と電圧値とを関連付けて記憶部（図示せず）に記憶する。温度と電圧値との関連付けの一例は、光変調器３１の温度ごとの電圧値である。
【００５７】
さらに、判定部３５は、光変調器３１の現在の温度と電圧値を、初期のモニタ値と比較する。判定部３５は、同一温度における運用開始時と現在との電圧値の変化分を取得する。なお、運用開始時と現在との電圧値の変化分は、モニタ値の変化の度合ともいう。
判定部３５は、運用開始時と現在との電圧値の変化分が所定の閾値に達したか判定し、電圧値の変化分が所定の閾値に達すると、再書込部３６に不揮発性メモリ１５に保持されたデータの再書込みを指示する。
【００５８】
再書込部３６は、判定部３５からの指示に基づき、不揮発性メモリ１５に保持されたデータを一時的に読出し、読出したデータを不揮発性メモリ１５に再書込みを実行する。
【００５９】
次に、第３の実施形態における更新装置、光通信装置の動作について説明する。図６は、第３の実施形態の更新装置及び光通信装置の動作を示すフローチャートである。
【００６０】
電源２２から印加される電圧によって、光変調器３１が光信号を変調する。ＤＣドリフトモニタ部３３は、電源２２から光変調器３１に印加される電圧をモニタし、モニタ値として電圧値を出力する。また、温度モニタ部３４は、光変調器３１をモニタし、モニタ値として温度を出力する（ステップＳ３１）。
【００６１】
取得部１３は、ＤＣドリフトモニタ部３３、温度モニタ部３４が出力した、電圧値、温度をそれぞれ取得する（ステップＳ３２）。
【００６２】
データ更新部１４は、光変調器３１の劣化に伴うモニタ値の変化の度合に基づいて、不揮発性メモリ１５に保持されたデータを再書込みする。具体的には以下のように動作する。
【００６３】
判定部３５は、初期のモニタ値が登録されているか判断する（ステップＳ３３）。初期のモニタ値が登録されていない場合（ステップＳ３３のＮｏ）、初期のモニタ値を登録する（ステップＳ３４）。具体的には、判定部３５は、光通信装置３０の運用開始時における光変調器３１の温度と電圧値とを関連付けて記憶部（図示せず）に記憶する。
【００６４】
初期のモニタ値が登録されている場合（ステップＳ３３のＹｅｓ）、判定部３５は、光変調器３１の現在の温度と電圧値を、初期のモニタ値と比較する。具体的には、判定部３５は、同一温度における運用開始時と現在との電圧値の変化分を取得する（ステップＳ３５）。なお、運用開始時と現在との電圧値の変化分は、モニタ値の変化の度合ともいう。
【００６５】
判定部３５は、運用開始時と現在との電圧値の変化分が所定の閾値に達したか判定し（ステップＳ３６）、電圧値の変化分が所定の閾値に達すると、再書込部３６に不揮発性メモリ１５に保持されたデータの再書込みを指示する。
【００６６】
再書込部３６は、判定部３５からの指示に基づき、不揮発性メモリ１５に保持されたデータを一時的に読出し、読出したデータを不揮発性メモリ１５に再書込みを実行する（ステップＳ３７）。
【００６７】
第３の実施形態によれば、不揮発性メモリを有する光通信装置を簡素化又は低コスト化することができる。その理由は、更新装置が、光変調器の動作状態を示すモニタ値を取得し、光変調器の劣化に伴うモニタ値の変化の度合に基づいて、不揮発性メモリに保持されたデータを再書込みするからである。これにより、時計カウンタ等を搭載することなく光通信装置の不揮発性メモリに保持されたデータを更新することが可能になる。
【００６８】
また、電圧モニタ部、温度モニタ部は、光通信装置で一般的に用いられている光変調器の制御用のモニタ機構を流用することもできる。これにより、更に簡素化、又は、低コスト化することができる。
【００６９】
（変形例）
光通信装置の光送信素子として、半導体レーザ、又は、光変調器の例を用いて説明したが、経年劣化により素子特性が変化する素子であれば、他の素子でもよい。
（ハードウエア構成）
図９は、第１〜３の実施形態における更新装置をコンピュータ装置で実現したハードウエア構成を示す図である。
【００７０】
第１〜第３の実施形態において、更新装置４０の取得部１３、データ更新部１４は、機能単位のブロックを示している。更新装置４０の取得部１３、データ更新部１４の一部又は全部は、例えば、図９に示すようなコンピュータ装置６０とプログラムとの任意の組み合わせにより実現される。コンピュータ装置６０は、一例として、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）６１、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）６２を備える。更に、コンピュータ装置６０は、ＲＡＭ（Ｒａｍｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）６３、電流値、電圧値、又は、温度等のデータの入出力を行う入出力インターフェース６５、各構成要素を接続するバス６６を備える。
【００７１】
更新装置４０の取得部１３、データ更新部１４は、これらの機能を実現するプログラムをＲＯＭ６２、又はＲＡＭ６３からＣＰＵ６１が取得して実行する。
【００７２】
また、更新装置４０の取得部１３、データ更新部１４一部又は全部は、その他の汎用または専用の回路、プロセッサ等やこれらの組み合わせによって実現してもよい。これらは、単一のチップによって構成されてもよいし、バスを介して接続される複数のチップによって構成されてもよい。また、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）のようなプログラマブルロジックデバイスを用いてもよい。
【００７３】
以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【符号の説明】
【００７４】
１０  光通信装置
１１  光送信素子
１２  素子モニタ部
１３  取得部
１４  データ更新部
１５  不揮発性メモリ
２０  光通信装置
２１  半導体レーザ
２２  電源
２３  電流モニタ部
２４  温度モニタ部
２５  判定部
２６  再書込部
３０  光通信装置
３１  光変調器
３３  ＤＣドリフトモニタ部
３４  温度モニタ部
３５  判定部
３６  再書込部
４０  更新装置
６０  コンピュータ装置
６１  ＣＰＵ
６２  ＲＯＭ
６３  ＲＡＭ
６５  入出力インターフェース
６６  バス
【図１】
2017225077.tif 000003
【図２】
2017225077.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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