(57)【要約】    【課題】  高周波数の信号の減衰を軽減できるプリント配線板を提供する。    【解決手段】  スタックドビア６０ＦＦ、６０ＦＳの最下部のビア導体６０３の底部に接続されるランドＬ４ｌの下層にベタパターンＬ５Ｓが配置され、ベタパターンＬ５ＳにランドＬ４ｌと同心円状の開口Ｌ５Ｈが設けられている。開口Ｌ４ＨによってランドＬ４ｌとベタパターンＬ５Ｓとの間で浮遊容量が生じない。このため、スタックドビア６０ＦＦ、６０ＦＳのインピーダンスが高まり、配線との間のインピーダンス整合が取られ、高周波数の信号の減衰が軽減される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と樹脂絶縁層とを積層して成り、樹脂絶縁層を貫通するビア導体を備えるプリント配線板であって、
信号線に接続される前記ビア導体を複数直線状に重ねたスタックドビアの最下部のビア導体の底部に接続されるランドの下層にベタパターンが配置され、
前記ランドに対応し、前記ベタパターンに前記ランドと同心円状の開口が設けられている。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記同心円状の開口の径は、前記ランドの径の２〜３倍である。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記ランドと前記ベタパターンは、前記ランドと１層の樹脂絶縁層を介して対向して設けられる。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、
前記スタックドビアは、プリント配線板の同一面に実装された一対の電子部品間の信号の伝送に用いられる。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、
前記スタックドビアは、プリント配線板の表裏面に実装された一対の電子部品間の信号の伝送に用いられる。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板であって、
プリント配線板は前記スタックドビアに接続されるスルーホール導体を備え、第１面と該第１面の反対側の第２面を有し、
前記スルーホール導体の第１面側のランドの第１面上にベタパターンが配置されると共に、前記スルーホール導体の第２面側のランドの第２面上にベタパターンが配置され、
前記スルーホール導体の前記第１面側のランドに対応し、前記第１面上のベタパターンに前記第１面側のランドと同心円状の開口が設けられ、
前記スルーホール導体の前記第２面側のランドに対応し、前記第２面側上のベタパターンに前記第２面側のランドと同心円状の開口が設けられている。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、
前記樹脂絶縁層の誘電率は３．６〜４．３である。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板であって、
前記ビア導体の底部の径は６５〜８５μｍであって、
前記ビア導体に底部に接続されるランドの径は１３０〜１７０μｍである。
【請求項９】
請求項７のプリント配線板であって、
前記ビア導体に底部に接続されるランドと、当該ランドの周囲に設けられるベタパターンの開口との間のギャップは１３０μｍ以上設けられる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波数の信号に対応できる多層のプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ビルドアップ式の多層プリント配線板で、コア基板上の導体層の厚みを厚くすることで、導体抵抗を低下させ、高周波数に対応している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２５８９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高周波数の信号の減衰を軽減するために、インピーダンス整合を取ることが重要となる。ここで、図９（Ａ）はシミュレーション対称としたプリント配線板の断面を、図９（Ｂ）は、該プリント配線板の第４導体層Ｌ４に設けられたランドＬ４ｌと信号線Ｌ４Ｓｉとの平面図である。図中に示される樹脂絶縁層Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３を貫通するビア導体６０１、６０２、６０３から成るスタックドビア６０ＦＦ、６０ＦＳが設けられている。スタックドビア６０ＦＦ、６０ＦＳで、インピーダンスが樹脂絶縁層上の配線、例えば信号線Ｌ４Ｓｉよりも低くなり、インピーダンス整合が取れなくなることが判明した。ここで、ビア導体６０１、６０２、６０３のビア底部の径Ｄ３は１００μｍ、ランドＬ２ｌ、Ｌ３ｌ．Ｌ４ｌの径Ｄ４は２５０μｍである。ランドＬ２ｌ、Ｌ３ｌ、Ｌ４ｌとベタパターン（Solid Pattern）Ｌ２Ｓ、Ｌ３Ｓ、Ｌ４Ｓの開口Ｌ２Ｈ、Ｌ３Ｈ、Ｌ４Ｈとの間の絶縁距離は１００μｍ設けられている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板は、導体層と樹脂絶縁層とを積層して成り、樹脂絶縁層を貫通するビア導体を備える。そして、信号線に接続される前記ビア導体を複数直線状に重ねたスタックドビアの最下部のビア導体の底部に接続されるランドの下層にベタパターンが配置され、前記ランドに対応し、前記ベタパターンに前記ランドと同心円状の開口が設けられている。
【０００６】
実施形態のプリント配線板は、ベタパターンにランドと同心円状の開口が設けられている。スタックドビアの最下部のビア導体の底部に接続されるランドと下層のベタパターンとの間で浮遊容量が生じない。このため、スタックドビアのインピーダンスが高まり、配線との間のインピーダンス整合が取られ、高周波数の信号の減衰を軽減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は、Ｆ面側から見た第４導体層及び第５導体層の平面図である。
【図２】実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面図。
【図３】図３（Ａ）は実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図であり、図３（Ｂ）はＦ面側から見た第４導体層及び第５導体層の平面図であり、図３（Ｃ）はＦ面側から見た第３導体層及び第４導体層の平面図であり、図３（Ｄ）はＳ面側から見た第７導体層及び第６導体層の平面図である。
【図４】実施形態のインピーダンスＺ0をシミュレーションした結果を示す図表。
【図５】スタックドビア部による挿入損失をシミュレーションした結果を示す図表。
【図６】実施形態の第２改変例のインピーダンスＺ0をシミュレーションした結果を示す図表。
【図７】実施形態の第２改変例のスタックドビア部、スルーホール導体による挿入損失をシミュレーションした結果を示す図表。
【図８】ビア径／ランド径：７５／１５０、１００／２５０の挿入損失[dB]をシミュレーションした結果を示す図表。
【図９】図９（Ａ）は従来技術のプリント配線板の断面図であり、図９（Ｂ）は従来技術のプリント配線板の第４導体層Ｌ４に設けられたランドＬ４ｌと信号線Ｌ４Ｓｉとの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[実施形態]
図１（Ａ）は実施形態のプリント配線板１０のスタックドビア６０ＦＦ、６０ＦＳを示す断面図である。
プリント配線板１０は、ビルドアップ基板から成り、第１面（上面）Ｆと第２面（下面）Ｓとを備える。プリント配線板１０は、第１面上に実装される一対の電子部品間の信号を伝送する。プリント配線板には、第１導体層Ｌ１、第２導体層Ｌ２、第３導体層Ｌ３、第４導体層Ｌ４、第５導体層Ｌ５、第６導体層Ｌ６、第７導体層Ｌ７、第８導体層Ｌ８、第９導体層Ｌ９、第１０導体層Ｌ１０が設けられている。プリント配線板の第１導体層Ｌ１と第２導体層Ｌ２との間には第１樹脂絶縁層Ｒ１が設けられている。第２導体層Ｌ２と第３導体層Ｌ３との間には第２樹脂絶縁層Ｒ２が設けられている。第３導体層Ｌ３と第４導体層Ｌ４との間には第３樹脂絶縁層Ｒ３が設けられている。第４導体層Ｌ４と第５導体層Ｌ５との間には第４樹脂絶縁層Ｒ４が設けられている。第５導体層Ｌ５と第６導体層Ｌ６との間には第５樹脂絶縁層Ｒ５が設けられている。第５樹脂絶縁層Ｒ５はプリント配線板の中心のコア基板を構成する。第６導体層Ｌ６と第７導体層Ｌ７との間には第６樹脂絶縁層Ｒ６が設けられている。第７導体層Ｌ７と第８導体層Ｌ８との間には第７樹脂絶縁層Ｒ７が設けられている。第８導体層Ｌ８と第９導体層Ｌ９との間には第８樹脂絶縁層Ｒ８が設けられている。第９導体層Ｌ７と第１０導体層Ｌ１０との間には第９樹脂絶縁層Ｒ９が設けられている。第１導体層Ｌ１上には上側のソルダーレジスト層ＳＲＵが設けられている。第１０導体層Ｌ１０上には下側のソルダーレジスト層ＳＲＤが設けられている。スタックドビア６０ＦＦ、６０ＦＳは、第１樹脂絶縁層Ｒ１を貫通するビア導体６０１、第２樹脂絶縁層Ｒ２を貫通するビア導体６０２、第３樹脂絶縁層Ｒ３を貫通するビア導体６０３から成る。ビア導体６０１、ビア導体６０２、ビア導体６０３は直線状に配置されている。
【０００９】
第６導体層Ｌ６、第７導体層Ｌ７、第８導体層Ｌ８、第９導体層Ｌ９、第１０導体層Ｌ１０は全面ベタパターンである。第１導体層Ｌ１は、ビアランドＬ１ｌを含むビア導体６０１と、開口Ｌ１Ｈを備えるベタパターンＬ１Ｓから成る。第２導体層Ｌ２は、ビアランドＬ２ｌを含むビア導体６０２と、開口Ｌ２Ｈを備えるベタパターンＬ２Ｓから成る。第３導体層Ｌ３は、ビアランドＬ３ｌを含むビア導体６０３と、開口Ｌ３Ｈを備えるベタパターンＬ３Ｓから成る。第４導体層Ｌ４は、ランドＬ４ｌと、信号線Ｌ４Ｓｉと、ベタパターンＬ４Ｓから成る。第５導体層Ｌ５は、開口Ｌ５Ｈを備えるベタパターンＬ２Ｓから成る。図１（Ｂ）は、Ｆ面側から見た第４導体層Ｌ４及び第５導体層Ｌ５の平面図である。ベタパターンＬ５Ｓの開口Ｌ５Ｈは、スタックドビア６０ＦＦ、６０ＦＳの最下のビア導体６０３の底部に接続するランドＬ４ｌと同心円状に形成されている。第４導体層Ｌ４は、ランドＬ４ｌとランドＬ４ｌに接続された信号線Ｌ４Ｓｉとを備える。
【００１０】
図１（Ａ）中に示されるように、ビア導体６０１、６０２，６０３の底部の径Ｄ１は７５μｍである。ビア導体６０１、６０２，６０３の底部に接続されるランドＬ２ｌ、Ｌ３ｌ、Ｌ４ｌの径Ｄ２は１５０μｍである。ビア導体６０１、６０２，６０３の底部に接続されるランドＬ２ｌ、Ｌ３ｌ、Ｌ４ｌから開口Ｌ２Ｈ、Ｌ３Ｈ、Ｌ４Ｈまでの距離は１５０μｍ設けられている。第１導体層Ｌ１のランドＬ１ｌから開口Ｌ１Ｈまでの距離は１５０μｍ設けられている。第５導体層Ｌ５の開口Ｌ５Ｈは、ランドＬ４ｌの半径よりも半径で１５０μｍ大きく形成されている。第１樹脂絶縁層Ｒ１の厚み（第２導体層Ｌ２上面から第１導体層Ｌ１下面までの距離）ｔ２は６０μｍである。他の樹脂絶縁層の厚みも第２樹脂絶縁層の厚みと等しい。第１導体層〜第１０導体層の厚みｔ１は２５μｍである。
【００１１】
ランドＬ４ｌと開口Ｌ５Ｈの設けられる第５導体層のベタパターンＬ５Ｓは、ランドＬ４ｌと１層の樹脂絶縁層Ｒ４を介して対向して設けられている。
【００１２】
第１樹脂絶縁層〜第９樹脂絶縁層は、はガラスなどの無機粒子とエポキシ系熱硬化樹脂を含む。各樹脂絶縁層はさらにガラスクロスなどの心材を有してもよい。第１樹脂絶縁層〜第９樹脂絶縁層、及び、上側のソルダーレジスト層ＳＲＵ、下側のソルダーレジスト層ＳＲＤの誘電率は３．６〜４．３の範囲内である。
【００１３】
実施形態のプリント配線板では、垂直方向に信号が送られるスタックドビア６０ＦＦ、６０ＦＳと、水平方向に信号が送られる信号線Ｌ４Ｓｉとの間で、信号の伝送方向が９０度変わるため、タックビア６０ＦＦ、６０ＦＳの最下部のビア導体６０３の底部に接続されるランドＬ４ｌで信号の反射が起きやすくなる。このスタックドビア６０ＦＦ、６０ＦＳの最下部のビア導体６０３の底部に接続されるランドＬ４ｌの下層にベタパターンＬ５Ｓが配置され、ランドＬ４ｌに対応し、ベタパターンＬ５ＳにランドＬ４ｌと同心円状の開口Ｌ５Ｈが設けられている。開口Ｌ４ＨによってランドＬ４ｌとベタパターンＬ５Ｓとの間で浮遊容量が生じない。このため、スタックドビア６０ＦＦ、６０ＦＳのインピーダンスが高まり、配線との間のインピーダンス整合が取られ、高周波数の信号の減衰を軽減することが可能となる。
【００１４】
第５導体層の開口Ｌ５Ｈの径Ｄ３とランドＬ４ｌの径Ｄ２は２倍以上３倍以下であることが望ましい。２倍未満であると、ランドとベタパターンとの間に浮遊容量が生じてインピーダンス整合が取れ難い。３倍超の場合、インピーダンス上昇の効果は高まらない。また、ベタパターンの面積が小さくなる。
【００１５】
上述したように実施形態のプリント配線板では、図９が参照され上述されたプリント配線板よりもビア径、ランド径が小型化され、ランドと開口との絶縁距離が広げられている。即ち、図９中の構成では、ビア底径１００μｍ、ランド径２５０μｍ、絶縁距離１００μｍであった。これに対して、実施形態のプリント配線板では、ビア底径７５μｍ、ランド径１５０μｍ、絶縁距離１５０μｍに設定されている。
【００１６】
図１（Ａ）に示されるビア径／ランド径：７５／１５０、図９に示される１００／２５０のプリント配線板の挿入損失[dB]をシミュレーションした結果を図８中に示す。図８（Ａ）は周波数が５ＧＨｚの場合を、図８（Ｂ）は周波数が１０ＧＨｚの場合を示している。周波数が５ＧＨｚで、−０．３４は配線部での損失で、７５／１５０、１００／２５０で同じ値である。１００／２５０での−０．０５の損失はビア導体でインピーダンス不整合が起きている値である。損失全体の中で１３％を占めている。７５／１５０での−０．０２の損失はビア導体でインピーダンス不整が取れている値である。損失全体の中で６％を占めている。周波数が１０ＧＨｚで、−０．５８は配線部での損失で、７５／１５０、１００／２５０で同じ値である。１００／２５０での−０．１０の損失はビア導体でインピーダンス不整合が起きている値である。損失全体の中で１５％を占めている。７５／１５０での−０．０４の損失はビア導体でインピーダンス不整が取れている値である。損失全体の中で７％を占めている。ビア径／ランド径を適正化することで、挿入損失を７％改善することができる。
【００１７】
ビア導体の底部の径は６５〜８５μｍであって、ビア導体に底部に接続されるランドの径は１３０〜１７０μｍにすることでインピーダンス不整合を低減することができる。同様にビア導体に底部に接続されるランドと、当該ランドの周囲に設けられるベタパターンとの間のギャップは１３０μｍ以上設けることでインピーダンス不整合を低減することができる。
【００１８】
図４は、インピーダンスＺ0をシミュレーションした結果を示す図表である。縦軸にインピーダンスＺ0が取られ、横軸に時間[ps]が取られている。図中で点線は、図９に示されるビア径／ランド径：１００／２５０、スタックドビアの最下部のビア導体の底部に接続されるランドの下層にベタパターンに開口の設けられていないプリント配線板（改善前）を表し、実線は実施形態の構成を採用した場合（改善後）を表している。０〜３０[ps]、１３０〜１５０[ps]でのインピーダンスＺ0が低下しているのは、スタックドビア部でのインピーダンスの低下を表している。３０〜１３０[ps]でのインピーダンスＺ0が安定しているのは、配線部を表している。実線で表される実施形態の構成では、０〜３０[ps]、１３０〜１５０[ps]でのスタックドビア部でのインピーダンスの低下が１／２〜１／３程度に改善されている。
【００１９】
図５は、スタックドビア部による伝送損失をシミュレーションした結果を示す図表である。縦軸に挿入損失[dB]が取られ、横軸に周波数[GHz]が取られている。図中で点線は、図９中に示される構成の場合（改善前）を表し、実線は実施形態の構成を採用した場合（改善後）を表している。５[GHz]において（改善前）は０．３９[dB]の損失が出ていたのに対して、（改善後）は０．３６[dB]の損失まで改善できている。１０[GHz]において（改善前）は０．６８[dB]の損失が出ていたのに対して、（改善後）は０．６２[dB]の損失まで改善できている。
【００２０】
[実施形態の第１改変例]
図２は実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の構成を示す。
実施形態の１改変例のプリント配線板は、コア基板を構成する第５樹脂絶縁層Ｒ５の第１面Ｆ側に樹脂絶縁層Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、導体層Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４がビルドアップ積層され、第２面Ｓ側に樹脂絶縁層Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、導体層Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０がビルドアップ積層されて成る。第５樹脂絶縁層Ｒ５の第１面側には第５導体層Ｌ５が、第２面側には第６導体層Ｌ６が形成されている。スルーホール導体３６は、第４樹脂絶縁層Ｒ４、第５樹脂絶縁層Ｒ５、第６樹脂絶縁層Ｒ６を貫通している。第１導体層Ｌ１には、第１樹脂絶縁層Ｒ１を貫通するビア導体６０１が形成されている。第２導体層Ｌ２には、第２樹脂絶縁層Ｒ２を貫通するビア導体６０２が形成されている。第３導体層Ｌ３には、第３樹脂絶縁層Ｒ３を貫通するビア導体６０３が形成されている。ビア導体６０１、６０２、６０３は、直線状にスタックドビア６０Ｆとして配置されている。ビア導体６０３の底部は第４導体層Ｌ４に形成されたランドＬ４ｌに接続されている。ランドＬ４ｌは信号線Ｌ４Ｓｉを介してスルーホールランドＬ４Ｌに接続されている。スルーホール導体３６の第２面Ｓ側には第７導体層としてスルーホールランドＬ７Ｌが形成されている。スルーホールランドＬ７Ｌ上には、第８導体層Ｌ８に第７樹脂絶縁層Ｒ７を貫通するビア導体６０８が形成されている。第９導体層Ｌ９には、第８樹脂絶縁層Ｒ８を貫通するビア導体６０９が形成されている。第１０導体層Ｌ１０には、第９樹脂絶縁層Ｒ９を貫通するビア導体６０１０が形成されている。ビア導体６０８、６０９、６０１０は、直線状にスタックドビア６０Ｓとして配置されている。
【００２１】
実施形態の第１改変例では、プリント配線板の第１面Ｆに接続された電子部品と、第２面Ｓに接続された電子部品との間の信号を伝送する。実施形態の第１改変例においても、
スタックドビア６０Ｆ最下部のビア導体６０３の底部に接続されるランドＬ４ｌの下層にベタパターンＬ５Ｓが配置され、ランドＬ４ｌに対応し、ベタパターンＬ５ＳにランドＬ４ｌと同心円状の開口Ｌ５Ｈが設けられている。スタックドビア６０Ｓ最下部のビア導体６０８の底部に接続されるランドＬ７ｌの下層にベタパターンＬ６Ｓが配置され、ランドＬ７ｌに対応し、ベタパターンＬ６ＳにランドＬ７ｌと同心円状の開口Ｌ６Ｈが設けられている。開口Ｌ５ＨによってランドＬ４ｌとベタパターンＬ５Ｓとの間で浮遊容量が生じない。開口Ｌ６ＨによってランドＬ７ｌとベタパターンＬ６Ｓとの間で浮遊容量が生じない。このため、スタックドビア６０Ｆ、６０Ｓのインピーダンスが高まり、配線との間のインピーダンス整合が取られ、高周波数の信号の減衰を軽減することが可能となる。
【００２２】
[実施形態の第２改変例]
図３（Ａ）は実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の構成を示す。
実施形態の２改変例のプリント配線板は、コア基板を構成する第５樹脂絶縁層Ｒ５の第１面Ｆ側に樹脂絶縁層Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、導体層Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４がビルドアップ積層され、第２面Ｓ側に樹脂絶縁層Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、導体層Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０がビルドアップ積層されて成る。第５樹脂絶縁層Ｒ５の第１面側には第５導体層Ｌ５が、第２面側には第６導体層Ｌ６が形成されている。スルーホール導体３６は、第４樹脂絶縁層Ｒ４、第５樹脂絶縁層Ｒ５、第６樹脂絶縁層Ｒ６を貫通している。
【００２３】
実施形態の第２改変例のプリント配線板では、直線状のスタックドビア６０Ｆの最下のビア導体６０３の底部に接続される第４導体層Ｌ４に形成されたランドＬ４ｌに対向するベタパターンＬ５Ｓに開口Ｌ５Ｈが形成されている。図３（Ｂ）は第１面Ｆ側から見た第４導体層Ｌ４及び第５導体層Ｌ５の平面図である。第４導体層Ｌ４に形成されたランドＬ４ｌに対して、ベタパターンＬ５Ｓの開口Ｌ５Ｈは同心円状に形成されている。直線状のスタックドビア６０Ｓの最下のビア導体６０８の底部に接続される第７導体層Ｌ７に形成されたランドＬ７ｌに対向するベタパターンＬ６Ｓに開口Ｌ６Ｈが形成されている。図３（Ｄ）は第２面Ｓ側から見た第７導体層Ｌ７及び第６導体層Ｌ６の平面図である。第７導体層Ｌ７に形成されたランドＬ７ｌに対して、ベタパターンＬ６Ｓの開口Ｌ６Ｈは同心円状に形成されている。
【００２４】
図３（Ｃ）は第１面Ｆ側から見た第３導体層Ｌ３及び第４導体層Ｌ４の平面図である。実施形態の第２改変例では、スルーホール導体の第１面Ｆ側のスルーホールランドＬ４Ｌの上層である第３導体層Ｌ３には、ベタパターンＬ３Ｓにスルーホールランドと同心円状の開口Ｌ３ｈが設けられ、スルーホールランドＬ４ＬとベタパターンＬ３Ｓとの間で浮遊容量が生じるのを防いでいる。同様に、第３導体層Ｌ３の上層の第２導体層Ｌ２のベタパターンＬ２Ｓにスルーホールランドと同心円状の開口Ｌ２ｈが設けられ、スルーホールランドＬ４ＬとベタパターンＬ２Ｓとの間で浮遊容量が生じるのを防いでいる。
【００２５】
スルーホール導体の第２面Ｓ側のスルーホールランドＬ７Ｌの上層である第８導体層Ｌ８には、ベタパターンＬ８ＳにスルーホールランドＬ７Ｌと同心円状状の開口Ｌ８ｈが設けられる。更に、第８導体層の上層の第９導体層Ｌ９にも、ベタパターンＬ９Ｓにスルーホールランドと同心円状状の開口Ｌ９ｈが設けられ、スルーホールランドＬ７ＬとベタパターンＬ８Ｓ、Ｌ９Ｓとの間で浮遊容量が生じるのを防いでいる。
【００２６】
実施形態の第２改変例に係るプリント配線板では、直線状のスタックドビア６０Ｆの最下のビア導体６０３の底部に接続される第４導体層Ｌ４に形成されたランドＬ４ｌに対向するベタパターンＬ５Ｓに開口Ｌ５Ｈが形成されている。直線状のスタックドビア６０Ｓの最下のビア導体６０８の底部に接続される第７導体層Ｌ７に形成されたランドＬ７ｌに対向するベタパターンＬ６Ｓに開口Ｌ６Ｈが形成されている。開口Ｌ５Ｈによって第４導体層のランドＬ４ｌとベタパターンＬ５Ｓとの間で浮遊容量が生じず、開口Ｌ６Ｈによって第７導体層のランドＬ７ｌと第６導体層のベタパターンＬ６Ｓとの間で浮遊容量が生じない。このため、スタックドビア６０Ｆ、６０Ｓのインピーダンスが高まり、配線との間のインピーダンス整合が取られ、高周波数の信号の減衰を軽減することが可能となる。
【００２７】
図６は、インピーダンスＺ0をシミュレーションした結果を示す図表である。縦軸にインピーダンスＺ0が取られ、横軸に時間[ps]が取られている。図中で点線は、スルーホールランドに対応するベタパターンの開口、スタックドビア底部のランドに対応するベタパターンの開口が設けられていない場合（改善前）を表し、実線は実施形態の第２改変例の構成を採用した場合（改善後）を表している。０〜２０[ps]でのインピーダンスＺ0が低下しているのは、スタックドビア部でのインピーダンスの低下を表している。３０〜１２５[ps]でのインピーダンスＺ0が安定しているのは、配線部を表している。１２５〜１６０[ps]でのインピーダンスＺ0が低下しているのは、スルーホール部でのインピーダンスの低下を表している。実線で表される実施形態の第２改変例の構成では、０〜２０[ps]でのスタックドビア部でのインピーダンスの低下が１／３程度に改善されている。また、１２５〜１６０[ps]でのスルーホール部でのインピーダンスの低下が１／３程度に改善されている。
【００２８】
図７は、スタックドビア部、スルーホール導体による伝送損失をシミュレーションした結果を示す図表である。縦軸に挿入損失[dB]が取られ、横軸に周波数[GHz]が取られている。図中で点線は、スルーホールランドに対応するベタパターンの開口、スタックドビア底部のランドに対応するベタパターンの開口が設けられていない場合（改善前）を表し、実線は実施形態の第２改変例の構成を採用した場合（改善後）を表している。５[GHz]において（改善前）は０．６１[dB]の損失が出ていたのに対して、（改善後）は０．３９[dB]の損失まで改善できている。１０[GHz]において（改善前）は１．１１[dB]の損失が出ていたのに対して、（改善後）は０．６７[dB]の損失まで改善できている。
【符号の説明】
【００２９】
Ｌ１〜Ｌ１０  導体層
Ｒ１〜Ｒ９  樹脂絶縁層
Ｌ５Ｓ  ベタパターン
Ｌ５Ｈ  開口
Ｌ４ｌ  ランド
６０ＦＦ  スタックドビア
６０１、６０２、６０３  ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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