(57)【要約】【課題】包装工程における姿勢の安定化が可能な積層セラミックコンデンサを提供すること。【解決手段】セラミック誘電体層１２と、鉄族以外の遷移金属を主成分とする内部電極層１４と、が交互に積層され、積層された複数の内部電極層１４が１対の端面４２に交互に露出して形成されたセラミック積層体１０と、１対の端面４２において内部電極層１４に接続され、鉄族以外の遷移金属を主成分とする１対の外部電極２０と、セラミック積層体１０に固定され、複数の内部電極層１４が対向する領域１７以外の領域に配置され、鉄族遷移金属を主成分とするダミー電極１８と、を備える積層セラミックコンデンサ１００。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック誘電体層と、鉄族以外の遷移金属を主成分とする内部電極層と、が交互に積層され、積層された複数の前記内部電極層が１対の端面に交互に露出して形成されたセラミック積層体と、
前記１対の端面において前記内部電極層に接続され、鉄族以外の遷移金属を主成分とする１対の外部電極と、
前記セラミック積層体に固定され、前記複数の内部電極層が対向する領域以外の領域に配置され、鉄族遷移金属を主成分とする導体と、を備える積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記導体は、前記セラミック積層体の内部に設けられている、請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記セラミック積層体は、直方体形状を有し、
前記導体は、前記複数の内部電極層のうちの前記１対の端面の一方に露出する内部電極層と前記１対の端面の他方との間の前記積層の方向に延在する前記セラミック積層体内の領域であって、前記複数の内部電極層よりも前記セラミック積層体の前記積層の方向で対向する主面寄りに設けられている、請求項２記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記セラミック積層体は、直方体形状を有し、
前記導体は、前記セラミック積層体の前記１対の端面と前記積層の方向で対向する主面とに交差する側面と前記複数の内部電極層との間の前記積層の方向に延在する前記セラミック積層体内の領域に設けられている、請求項２記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記セラミック積層体は、直方体形状を有し、
前記導体は、前記セラミック積層体の前記１対の端面から離れて、前記セラミック積層体の前記積層の方向で対向する主面と前記複数の内部電極層との間に設けられている、請求項２記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記導体は、前記セラミック積層体の表面に設けられている、請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記セラミック誘電体層は、ＣａＺｒＯ３からなり、
前記内部電極層及び前記外部電極の主成分は、Ｃｕからなり、
前記導体の主成分は、Ｎｉからなる、請求項１から６のいずれか一項記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層されたセラミック積層体と、セラミック積層体の表面に設けられ、内部電極層に接続された外部電極と、を含んで構成される。例えば、信頼性向上のために、外部電極を３層構造とし、その中間層をＮｉ、Ｃｕ、又はこれらの合金のメッキ膜で、析出粒子の平均粒径を０．００５μｍ以上１μｍ以下とした積層セラミックコンデンサが知られている（例えば、特許文献１）。また、積層インダクタにおいて、高周波化に対応するために、外部電極をＡｇを主成分とする第１層とＣｕを主成分とする４μｍ以上の厚さの第２層との積層構造とし、第１層と第２層の合計厚さを５μｍ以上とする技術が知られている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３５７６２７号公報
【特許文献２】特開２０１４−２０９５９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
積層セラミックコンデンサは、紙やプラスチックなどのテープに形成されたポケットに収納される包装工程を経て最終包装形態とされる。この包装工程で生じる振動などによって、積層セラミックコンデンサがポケットから飛び出す又はポケット内で回転するといった不具合が発生することがある。このような不具合を改善する方法として、磁石を用いて積層セラミックコンデンサの飛び出しや回転を抑制することが考えられる。しかしながら、高周波特性の改善のために、内部電極層及び外部電極を鉄族以外の遷移金属を主成分とした場合、磁石を用いた積層セラミックコンデンサの飛び出しや回転の抑制が難しい。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、包装工程における姿勢の安定化が可能な積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、セラミック誘電体層と、鉄族以外の遷移金属を主成分とする内部電極層と、が交互に積層され、積層された複数の前記内部電極層が１対の端面に交互に露出して形成されたセラミック積層体と、前記１対の端面において前記内部電極層に接続され、鉄族以外の遷移金属を主成分とする１対の外部電極と、前記セラミック積層体に固定され、前記複数の内部電極層が対向する領域以外の領域に配置され、鉄族遷移金属を主成分とする導体と、を備える積層セラミックコンデンサである。
【０００７】
上記構成において、前記導体は、前記セラミック積層体の内部に設けられている構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記セラミック積層体は、直方体形状を有し、前記導体は、前記複数の内部電極層のうちの前記１対の端面の一方に露出する内部電極層と前記１対の端面の他方との間の前記積層の方向に延在する前記セラミック積層体内の領域であって、前記複数の内部電極層よりも前記セラミック積層体の前記積層の方向で対向する主面寄りに設けられている構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記セラミック積層体は、直方体形状を有し、前記導体は、前記セラミック積層体の前記１対の端面と前記積層の方向で対向する主面とに交差する側面と前記複数の内部電極層との間の前記積層の方向に延在する前記セラミック積層体内の領域に設けられている構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記セラミック積層体は、直方体形状を有し、前記導体は、前記セラミック積層体の前記１対の端面から離れて、前記セラミック積層体の前記積層の方向で対向する主面と前記複数の内部電極層との間に設けられている構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記導体は、前記セラミック積層体の表面に設けられている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記セラミック誘電体層は、ＣａＺｒＯ３からなり、前記内部電極層及び前記外部電極の主成分は、Ｃｕからなり、前記導体の主成分は、Ｎｉからなる構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、包装工程における姿勢の安定化が可能な積層セラミックコンデンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る積層セラミックコンデンサの斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図２】図２（ａ）は、内部電極層のパターンが印刷されたシートの斜視図、図２（ｂ）は、ダミー電極のパターンが印刷されたシートの斜視図、図２（ｃ）は、シートが積層された状態を示す断面図である。
【図３】図３は、積層セラミックコンデンサの重さとＮｉの重さとの関係を示す図である。
【図４】図４（ａ）は、実施例２に係る積層セラミックコンデンサの斜視図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図５】図５は、内部電極層及びダミー電極が印刷されたシートの斜視図である。
【図６】図６は、実施例３に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図７】図７は、ダミー電極が印刷されたシートの斜視図である。
【図８】図８は、実施例４に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１（ａ）は、実施例１に係る積層セラミックコンデンサ１００の斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、実施例１の積層セラミックコンデンサ１００は、直方体形状のセラミック積層体１０と、１対の外部電極２０と、を備える。
【００１７】
セラミック積層体１０は、セラミック誘電体層１２と内部電極層１４とが交互に積層されている。積層された複数の内部電極層１４は、セラミック積層体１０の対向する表面に交互に露出している。外部電極２０は、セラミック積層体１０の表面のうちの内部電極層１４が露出した面に内部電極層１４に接続して設けられている。なお、以下において、セラミック積層体１０の表面のうちのセラミック誘電体層１２と内部電極層１４とが積層された方向で対向する面を主面４０と称し、主面４０に交差する面であって内部電極層１４が露出した面を端面４２と称し、主面４０と端面４２とに交差する面であって内部電極層１４が露出していない面を側面４４と称すこととする。
【００１８】
セラミック積層体１０の内部に固定されてダミー電極１８が設けられている。ダミー電極１８は、複数の内部電極層１４のうちのセラミック積層体１０の１対の端面４２の一方に露出する内部電極層１４と１対の端面４２の他方との間のセラミック誘電体層１２と内部電極層１４とが積層された方向に延在するセラミック積層体１０内の領域１６ａであって、複数の内部電極層１４よりも主面４０寄りに設けられている。すなわち、ダミー電極１８は、複数の内部電極層１４が対向する領域１７以外の領域に配置されている。
【００１９】
セラミック誘電体層１２は、一般式ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主成分とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ３−αを含む。例えば、当該セラミック材料として、ＣａＺｒＯ３（ジルコン酸カルシウム）を用いることができる。
【００２０】
内部電極層１４は、鉄族以外の遷移金属を主成分とする導電薄膜である。外部電極２０は、セラミック積層体１０に接して設けられた下地電極２２と、下地電極２２に接して覆うめっき膜２４と、を備える。下地電極２２及びめっき膜２４は、鉄族以外の遷移金属を主成分とする。例えば、内部電極層１４及び外部電極２０として、Ｃｕを主成分とした膜を用いることができる。内部電極層１４及び外部電極２０が鉄族以外の遷移金属を主成分とすることから、良好な高周波特性を得ることができる。
【００２１】
ダミー電極１８は、鉄族遷移金属を主成分とする導電薄膜である。例えば、ダミー電極１８として、Ｎｉを主成分とした膜を用いることができる。ダミー電極１８はセラミック積層体１０内の領域１６ａに複数の内部電極層１４よりも主面４０寄りに設けられているため、ダミー電極１８が外部電極２０に接続されている場合でも、ダミー電極１８と内部電極層１４とによる容量の形成が抑制される。したがって、ダミー電極１８が鉄族遷移金属を主成分としていても、高周波特性に影響を及ぼすことは抑制される。また、ダミー電極１８が外部電極２０に接続されている場合でも、セラミック誘電体層１２を挟むダミー電極１８は同じ極性であるため容量の形成は抑制される。
【００２２】
続いて、積層セラミックコンデンサ１００の製造工程について説明する。まず、セラミック誘電体層１２の主成分であるセラミック材料の粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Ｍｇ，Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒ，希土類元素(Ｙ,Ｄｙ,Ｔｍ,Ｈｏ,Ｔｂ，ＹｂおよびＥｒ)の酸化物、並びに、Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｌｉ，Ｂ，Ｎａ，Ｋ及びＳｉの酸化物若しくはガラスが挙げられる。例えば、まず、セラミック材料の粉末に添加化合物を含む化合物を混合して仮焼を行う。続いて、得られたセラミック材料の粒子を添加化合物とともに湿式混合し、乾燥及び粉砕してセラミック材料の粉末を調製する。
【００２３】
次に、得られたセラミック材料の粉末に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂などのバインダと、エタノール、トルエンなどの有機溶剤と、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）などの可塑剤と、を加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に例えば厚み０．８μｍ以下の帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。
【００２４】
次に、誘電体グリーンシートの表面に、内部電極層１４を形成するための導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷などにより印刷することで、内部電極層１４のパターンが印刷されたシートを形成する。内部電極層１４を形成するための導電ペーストは、内部電極層１４の主成分金属の粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる。また、誘電体グリーンシートの表面に、ダミー電極１８を形成するための導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷などにより印刷することで、ダミー電極１８のパターンが印刷されたシートを形成する。ダミー電極を形成するための導電ペーストは、ダミー電極１８の主成分金属の粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる。なお、バインダ及び溶剤は、上記した内部電極層１４を形成するための導電ペーストと同様のものを使用できる。また、内部電極層１４を形成するための導電ペースト及びダミー電極１８を形成するための導電ペーストには、共材として、セラミック誘電体層１２の主成分であるセラミック材料を分散させてもよい。
【００２５】
次に、内部電極層１４のパターンが印刷された誘電体グリーンシートを所定の大きさに裁断する。同様に、ダミー電極１８のパターンが印刷された誘電体グリーンシートを所定の大きさに裁断する。裁断後のシートを図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す。図２（ａ）は、内部電極層１４のパターンが印刷されたシート３０ａの斜視図、図２（ｂ）は、ダミー電極１８のパターンが印刷されたシート３０ｂの斜視図である。
【００２６】
次に、基材を剥離した状態で、ダミー電極１８のパターンが印刷されたシート３０ｂを所定層数（例えば１０層〜４０層）だけ積層し、その上に、内部電極層１４のパターンが印刷されたシート３０ａを所定層数（例えば４層〜５０層）だけ積層し、その上に、ダミー電極１８のパターンが印刷されたシート３０ｂを所定層数（例えば１０層〜４０層）だけ積層する。なお、積層されたシート３０ａの上下に配置されるシートの全てが、ダミー電極１８のパターンが印刷されたシート３０ｂである場合に限られず、電極のパターンが印刷されていない誘電体シートが配置されていてもよい。図２（ｃ）は、シート３０ａ、３０ｂが積層された状態を示す断面図である。なお、図２（ｃ）では、内部電極層１４及びダミー電極１８の図示は省略している。図２（ｃ）のように、誘電体シート３０ａを互いにずらしながら積層する。これにより、内部電極層１４がセラミック誘電体層１２を挟んで互い違いに積層される。また、シート３０ａとシート３０ｂとを積層する際には、ダミー電極１８が内部電極層１４の一部と重なって積層されるようにする。
【００２７】
次に、積層されたシート３０ａ、３０ｂに圧力を加えて圧着して一体化した後、裁断機によって縦横に小さくカットする。この際、内部電極層１４の端縁がセラミック誘電体層１２の長さ方向両端面に露出するように、誘電体シート３０ａ、３０ｂをカットする。これにより、直方体形状のセラミック積層体１０を得る。
【００２８】
次に、得られたセラミック積層体１０の内部電極層１４が露出する１対の端面４２に、下地電極２２を形成するための導電ペーストを塗布する。これにより、成型体を得る。下地電極２２を形成するための導電ペーストは、下地電極２２の主成分金属の粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じてその他助剤と、を含んでいる。バインダ及び溶剤は、上記した内部電極層１４を形成するための導電ペーストと同様のものを使用できる。また、下地電極２２を形成するための導電ペーストには、共材として、例えば、セラミック誘電体層１２の主成分であるセラミック材料を分散させる。下地電極２２を形成するための導電ペーストにおける当該セラミック材料の含有量を５重量％以下とする。
【００２９】
次に、得られた成型体を、例えば、Ｈ２が１．５体積％程度の還元雰囲気中において、９５０℃程度の温度で２時間程度焼成する。これにより、セラミック誘電体層１２及び内部電極層１４の焼成と、下地電極２２の焼き付けとを同時に行うことができる。
【００３０】
次に、下地電極２２上に、電解めっきによりめっき膜２４を形成する。これにより、積層セラミックコンデンサ１００を得る。
【００３１】
ところで、積層セラミックコンデンサは、紙やプラスチックなどのテープに形成されたポケットに収納される包装工程を経て最終包装形態とされる。この包装工程で生じる振動などによって、積層セラミックコンデンサがポケットから飛び出す又はポケット内で回転するといって不具合が発生することがある。このような不具合を抑制するために、磁石を用いて積層セラミックコンデンサの飛び出しや回転を抑制することが考えられる。しかしながら、上述したように、高周波特性を良好にするためには、内部電極層及び外部電極は、鉄族以外の遷移金属（Ｃｕなど）を主成分とすることが好ましい。この場合、内部電極層及び外部電極は磁石に引き寄せられ難くなるため、積層セラミックコンデンサが内部電極層及び外部電極以外の電極を備えていない場合には、磁石によって積層セラミックコンデンサの飛び出しや回転を抑制することが難しい。
【００３２】
これに対して、実施例１によれば、良好な高周波特性を得るために、内部電極層１４及び外部電極２０は鉄族以外の遷移金属（Ｃｕ）を主成分としているが、その他に、鉄族遷移金属（Ｎｉ）を主成分とするダミー電極１８（導体）が、複数の内部電極層１４が対向する領域１７以外の領域に配置されている。ダミー電極１８は磁石に引き寄せられることから、積層セラミックコンデンサ１００の位置や姿勢を磁石によって制御することができる。したがって、良好な高周波特性を維持しつつ、積層セラミックコンデンサ１００がテープのポケットから飛び出すことやポケット内で回転することを抑制でき、包装工程における積層セラミックコンデンサ１００の姿勢の安定化が可能となる。
【００３３】
ここで、ダミー電極１８が鉄族遷移金属としてＮｉを含む場合において、積層セラミックコンデンサ１００の重さに対して、Ｎｉの重さをどの程度にすれば、姿勢の安定化が可能となるかを調査した。図３は、積層セラミックコンデンサ１００の重さとＮｉの重さとの関係を示す図である。なお、図３では、積層セラミックコンデンサ１００にかかる磁束密度を１０ガウスとした場合に、姿勢の安定化が可能となるＮｉの重さを示している。また、図３中の式において、ｙはＮｉの重さであり、ｘは積層セラミックコンデンサの重さである。図３のように、積層セラミックコンデンサ１００の姿勢の安定化が可能となる、積層セラミックコンデンサ１００の重さに対するＮｉの重さの近似曲線は、（Ｎｉの重さ）＝０．０００２５×（積層セラミックコンデンサの重さ）０．６５８８であった。したがって、磁束密度が１０ガウス程度の場合では、（Ｎｉの重さ）≧０．０００２５×（積層セラミックコンデンサの重さ）０．６５８８を満たすことで、姿勢の安定化が可能となることが分かる。
【００３４】
また、実施例１によれば、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の内部に設けられている。これにより、セラミック積層体１０の外形形状を変えることなく、積層セラミックコンデンサ１００の姿勢の安定化が可能となる。
【００３５】
また、実施例１によれば、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０内の領域１６ａに複数の内部電極層１４よりも主面４０寄りに設けられている。これにより、上述したように、ダミー電極１８と内部電極層１４とによる容量の形成が抑制され、ダミー電極１８が鉄族遷移金属を主成分としていても、高周波特性に影響を及ぼすことを抑制できる。
【００３６】
なお、実施例１では、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の１対の端面４２の両方側に設けられている場合を例に示したが、いずれか一方側にのみ設けられている場合でもよい。しかしながら、姿勢の安定化の観点からは、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の１対の端面４２の両方側に設けられている場合が好ましい。また、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の対向する主面４０のいずれか一方側にのみ設けられている場合でもよいが、姿勢の安定化の観点からは、対向する主面４０の両方側に設けられている場合が好ましい。
【００３７】
ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の１対の端面４２に露出している場合でもよいし、露出していない場合でもよい。ダミー電極１８がセラミック積層体１０の端面４２に露出している場合、ダミー電極１８は外部電極２０に接していてもよいし、接していなくてもよい。
【００３８】
なお、実施例１では、セラミック誘電体層１２に含まれるセラミック材料としてＣａＺｒＯ３（ジルコン酸カルシウム）を用いる場合を例に示したが、これに限られず、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、ＣａＴｉＯ３（チタン酸カルシウム）、ＳｒＴｉＯ３（チタン酸ストロンチウム）、ペロブスカイト構造を形成するＢａ１-ｘ−ｙＣａｘＳｒｙＴｉ１−ｚＺｒｚＯ３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)などを用いてもよい。
【００３９】
なお、実施例１では、内部電極層１４及び外部電極２０は、Ｃｕを主成分とする場合を例に示したが、その他の鉄族以外の遷移金属を主成分とする場合でもよい。高周波特性を良好にする観点からは、内部電極層１４及び外部電極２０は、鉄族以外の遷移金属からなり、鉄族遷移金属を含まない場合が好ましい。ダミー電極１８は、Ｎｉを主成分とする場合を例に示したが、その他の鉄族遷移金属（例えばＦｅ、Ｃｏ）を主成分とする場合でもよい。ダミー電極１８は、磁石による姿勢安定化の観点からは、鉄族遷移金属からなり、鉄族以外の遷移金属を含まない場合が好ましい。
【実施例２】
【００４０】
図４（ａ）は、実施例２に係る積層セラミックコンデンサ２００の斜視図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）のように、実施例２の積層セラミックコンデンサ２００では、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の内部の領域１７以外の領域であって、セラミック積層体１０の側面４４と内部電極層１４との間のセラミック誘電体層１２と内部電極層１４とが積層された方向に延在する領域１６ｂに設けられている。ダミー電極１８と内部電極層１４とは、例えば同一面上に位置して設けられている。ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の側面４４に露出していてもよいし、露出していない場合でもよい。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
【００４１】
実施例２の積層セラミックコンデンサ２００は、内部電極層１４及びダミー電極１８が印刷されたシートが実施例１と異なる点以外は、実施例１と同様の方法によって製造することができる。図５は、内部電極層１４及びダミー電極１８が印刷されたシート３０ｃの斜視図である。実施例２の積層セラミックコンデンサ２００は、シート３０ｃを互いにずらしながら所定層数（例えば４層〜５０層）だけ積層し、その上下に電極が印刷されていない誘電体シートを積層することで、その他は実施例１と同様の方法によって製造することができる。
【００４２】
実施例２によれば、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０内の領域１６ｂに設けられている。この場合でも、ダミー電極１８と内部電極層１４とによる容量の形成が抑制される。したがって、高周波特性への影響を抑制しつつ、積層セラミックコンデンサ２００の姿勢の安定化が可能となる。
【００４３】
また、実施例２によれば、ダミー電極１８と内部電極層１４とは同一面上に位置して設けられている。これにより、図５のように、１枚のシート３０ｃを用いてダミー電極１８と内部電極層１４とを形成することができるため、製造工程を簡略化することができる。
【００４４】
なお、実施例２では、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の対向する側面４４の両方側に設けられている場合を例に示したが、いずれか一方側にのみ設けられている場合でもよい。しかしながら、姿勢の安定化の観点からは、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の対向する側面４４の両方側に設けられている場合が好ましい。
【実施例３】
【００４５】
図６は、実施例３に係る積層セラミックコンデンサ３００の断面図である。なお、図６は、図１（ａ）のＡ−Ａ間に相当する部分の断面図である。図６のように、実施例３の積層セラミックコンデンサ３００では、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の内部の領域１７以外の領域であって、セラミック積層体１０の１対の端面４２から離れて、セラミック積層体１０の主面４０と複数の内部電極層１４との間に設けられている。すなわち、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の１対の端面４２には露出していない。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
【００４６】
実施例３の積層セラミックコンデンサ３００は、ダミー電極１８が印刷されたシートが実施例１と異なる点以外は、実施例１と同様の方法によって製造することができる。図７は、ダミー電極１８が印刷されたシート３０ｄの斜視図である。実施例３の積層セラミックコンデンサ３００は、シート３０ｄを所定層数（例えば１０層〜４０層）だけ積層し、その上に、図２（ａ）のシート３０ａを互いにずらしながら所定層数（例えば４層〜５０層）だけ積層し、その上に、シート３０ｄを所定層数（例えば１０層〜４０層）だけ積層することで、その他の方法は実施例１と同様の方法によって製造することができる。
【００４７】
実施例３によれば、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の１対の端面４２から離れて、セラミック積層体１０の主面４０と複数の内部電極層１４との間に設けられている。この場合でも、ダミー電極１８と内部電極層１４とによる容量の形成が抑制される。したがって、高周波特性への影響を抑制しつつ、積層セラミックコンデンサ３００の姿勢の安定化が可能となる。また、実施例１に比べて、ダミー電極１８を大きくすることが可能となるため、磁石による積層セラミックコンデンサ３００の制御が行い易くなる。
【００４８】
なお、実施例３では、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の対向する主面４０の両方側に設けられている場合を例に示したが、いずれか一方側にのみ設けられている場合でもよい。しかしながら、姿勢の安定化の観点からは、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の対向する主面４０の両方側に設けられている場合が好ましい。
【実施例４】
【００４９】
図８は、実施例４に係る積層セラミックコンデンサ４００の断面図である。なお、図８は、図１（ａ）のＡ−Ａ間に相当する部分の断面図である。図８のように、実施例４のセラミックコンデンサ４００では、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の内部ではなく、セラミック積層体１０の表面のうちの主面４０に固定されて設けられている。すなわち、ダミー電極１８は、領域１７以外の領域に設けられている。ダミー電極１８は、セラミック積層体１０に接して設けられた下地電極３２と、下地電極３２に接して覆うめっき膜３４と、を備える。下地電極３２及びめっき膜３４は、鉄族遷移金属を主成分とする。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
【００５０】
実施例４のセラミックコンデンサ４００は、以下の方法によって製造することができる。まず、図２（ａ）のシート３０ａを作製し、シート３０ａを互いにずらしながら所定層数（例えば４層〜５０層）だけ積層し、その上下に電極が印刷されていない誘電体シートを積層する。積層したシートを圧着して一体化した後、裁断機によって小さくカットして、内部電極層１４の端縁がセラミック誘電体層１２の長さ方向両端面に露出するセラミック積層体１０を得る。得られたセラミック積層体１０の端面４２に下地電極２２を形成するための導電ペーストを塗布し、主面４０に下地電極３２を形成するための導電ペーストを塗布する。これにより、成型体を得る。下地電極２２を形成するための導電ペーストは、実施例１で説明したものを用いることができる。下地電極３２を形成するための導電ペーストは、下地電極３２の主成分金属の粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じてその他助剤と、を含んでいる。バインダ及び溶剤は、上記した内部電極層１４を形成するための導電ペーストと同様のものを使用できる。また、下地電極３２を形成するための導電ペーストには、共材として、例えば、セラミック誘電体層１２の主成分であるセラミック材料を分散させる。下地電極３２を形成するための導電ペーストにおける当該セラミック材料の含有量を５重量％以下とする。
【００５１】
次に、得られた成型体を、例えば、Ｈ２が１．５体積％程度の還元雰囲気中において、９５０℃程度の温度で２時間程度焼成する。これにより、セラミック誘電体層１２及び内部電極層１４の焼成と、下地電極２２、３２の焼き付けとを同時に行うことができる。
【００５２】
次に、下地電極２２上に電解めっきによりめっき膜２４を形成し、下地電極３２上に電解めっきによりめっき膜３４を形成する。これにより、積層セラミックコンデンサ４００を得る。
【００５３】
実施例４によれば、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の表面に設けられている。この場合でも、高周波特性への影響を抑制しつつ、積層セラミックコンデンサ４００の姿勢の安定化が可能となる。また、ダミー電極１８を大きく形成でき且つダミー電極１８がセラミック積層体１０の表面にあることから、磁石による積層セラミックコンデンサ４００の制御が行い易くなる。
【００５４】
なお、実施例４では、ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の主面４０に設けられている場合を例に示したが、セラミック積層体１０の側面４４に設けられていてもよい。ダミー電極１８は、セラミック積層体１０の主面４０及び側面４４のいずれか１つの面に設けられていればよいが、姿勢の安定化の観点からは、セラミック積層体１０の対向する主面４０それぞれ又は対向する側面４４それぞれに設けられていることが好ましい。
【００５５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  セラミック積層体
１２  セラミック誘電体層
１４  内部電極層
１６ａ、１６ｂ  領域
１７  内部電極層が対向する領域
１８  ダミー電極
２０  外部電極
２２  下地電極
２４  めっき膜
３０ａ〜３０ｄ  シート
３２  下地電極
３４  めっき膜
４０  セラミック積層体の主面
４２  セラミック積層体の端面
４４  セラミック積層体の側面
１００〜４００  積層セラミックコンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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