(57)【要約】【課題】共振周波数を調整する際の振動子の温度にかかわらず、振動子の共振周波数のばらつきを低減できる振動子の共振周波数調整方法を提供する。【解決手段】この振動子の共振周波数調整方法は、振動体及びサーミスターを含む振動子の共振周波数調整方法であって、サーミスターを用いて温度を測定する工程（ａ）と、工程（ａ）において測定された温度における振動子の共振周波数の目標値を求める工程（ｂ）と、工程（ｂ）において求められた目標値に基づいて、振動子の共振周波数を調整する工程（ｃ）とを備える。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動体及びサーミスターを含む振動子の共振周波数調整方法であって、
前記サーミスターを用いて温度を測定する工程（ａ）と、
工程（ａ）において測定された温度における前記振動子の共振周波数の目標値を求める工程（ｂ）と、
工程（ｂ）において求められた目標値に基づいて、前記振動子の共振周波数を調整する工程（ｃ）と、
を備える共振周波数調整方法。
【請求項２】
工程（ｂ）が、工程（ａ）において測定された温度における前記振動子の共振周波数の目標値と基準温度における前記振動子の共振周波数の目標値との差であるオフセット値を求めることを含み、
前記振動子の共振周波数が、工程（ｂ）において求められたオフセット値を用いて補正された規格範囲内であるか否かを判定する工程（ｄ）をさらに備える、請求項１記載の共振周波数調整方法。
【請求項３】
前記振動子が、互いに対向する第１の面及び第２の面を有するパッケージと、前記パッケージの第１の面に配置された振動体と、前記パッケージの第２の面に配置されたサーミスターとを含む、請求項１又は２記載の共振周波数調整方法。
【請求項４】
工程（ａ）が、前記サーミスターの抵抗値に基づいて温度を測定することを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の共振周波数調整方法。
【請求項５】
工程（ａ）が、直列に接続されて所定の電圧を分圧する抵抗及び前記サーミスターの接続点における電圧に基づいて温度を測定することを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の共振周波数調整方法。
【請求項６】
工程（ｃ）が、前記振動体の２つの電極に電気的に接続された外部の発振回路に発振動作を行わせ、発振周波数を測定しながら前記振動体の電極をトリミングすることにより、前記振動子の共振周波数を調整することを含む、請求項１〜５のいずれか１項記載の共振周波数調整方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の共振周波数調整方法を用いて振動子の共振周波数を調整する工程を備える振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動子の共振周波数調整方法、及び、そのような共振周波数調整方法を用いた振動子の製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、水晶振動体を用いた振動子を製造する際には、水晶振動体の電極をトリミングすることにより、振動子の共振周波数を調整することが行われている。水晶振動体が実装されるパッケージには、水晶振動体の２つの電極に電気的に接続された２つの外部接続端子（パッド）が設けられており、振動子の共振周波数を調整する際には、それらの外部接続端子が用いられる。
【０００３】
関連する技術として、特許文献１には、発振器における発振周波数の周波数偏差を小さく抑えると共に、高い歩留まりで発振器を製造できる発振器の製造方法が開示されている。この製造方法においては、水晶振動子の初期校正によって、等価回路定数（並列容量Ｃ０及び直列容量Ｃ１）と、共振周波数Ｆｒとが求められる。また、この水晶振動子にコンデンサーを接続して、負荷時共振周波数ＦＬが測定される。次いで、共振周波数Ｆｒ、負荷時共振周波数ＦＬ、及び、等価回路定数に基づいて、コンデンサーの容量値ＣＬが算出される。その後、設計上の容量値を持つコンデンサーを選別し、選別されたコンデンサーを用いて発振器が構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１５４９６５号公報（要約書、請求項１、図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１によれば、従来の電圧を用いた測定法と比べて高い精度でコンデンサーの容量値を求めることができるので、そのコンデンサーを発振器に適用することにより、発振周波数の周波数偏差を小さく抑えながら高い歩留まりで発振器を製造できる。しかしながら、発振器が発振動作を行うことによって水晶振動子の温度も上昇する。水晶振動子の共振周波数は温度によって変化するので、同じ調整作業を行ったとしても、水晶振動子の温度が異なると、調整された共振周波数にばらつきが生じることになる。
【０００６】
そこで、上記の点に鑑み、本発明の第１の目的は、共振周波数を調整する際の振動子の温度にかかわらず、振動子の共振周波数のばらつきを低減できる振動子の共振周波数調整方法を提供することである。また、本発明の第２の目的は、そのような共振周波数調整方法を用いた振動子の製造方法等を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題の少なくとも一部を解決するために、本発明の第１の観点に係る振動子の共振周波数調整方法は、振動体及びサーミスターを含む振動子の共振周波数調整方法であって、サーミスターを用いて温度を測定する工程（ａ）と、工程（ａ）において測定された温度における振動子の共振周波数の目標値を求める工程（ｂ）と、工程（ｂ）において求められた目標値に基づいて、振動子の共振周波数を調整する工程（ｃ）とを備える。
【０００８】
本発明の第１の観点によれば、サーミスターを用いて測定された温度における振動子の共振周波数の目標値に基づいて振動子の共振周波数を調整することにより、共振周波数を調整する際の振動子の温度にかかわらず、振動子の共振周波数のばらつきを低減することができる。
【０００９】
ここで、工程（ｂ）が、工程（ａ）において測定された温度における振動子の共振周波数の目標値と基準温度における振動子の共振周波数の目標値との差であるオフセット値を求めることを含み、振動子の共振周波数が、工程（ｂ）において求められたオフセット値を用いて補正された規格範囲内であるか否かを判定する工程（ｄ）を、共振周波数調整方法がさらに備えるようにしても良い。それにより、振動子の温度に応じて規格範囲が補正されるので、振動子の共振周波数が規格範囲内であるか否かを正確に判定することができる。
【００１０】
また、振動子が、互いに対向する第１の面及び第２の面を有するパッケージと、パッケージの第１の面に配置された振動体と、パッケージの第２の面に配置されたサーミスターとを含むようにしても良い。サーミスターは、パッケージを介して振動体に熱的に結合されているので、振動体の周辺の温度を測定するセンサーとして利用することができる。
【００１１】
以上において、工程（ａ）が、サーミスターの抵抗値に基づいて温度を測定することを含むようにしても良い。その場合には、温度を測定するための回路構成を簡略化することができる。あるいは、工程（ａ）が、直列に接続されて所定の電圧を分圧する抵抗及びサーミスターの接続点における電圧に基づいて温度を測定することを含むようにしても良い。その場合には、測定回路として一般的な直流電圧計を用いて温度を測定することができる。
【００１２】
また、工程（ｃ）が、振動体の２つの電極に電気的に接続された外部の発振回路に発振動作を行わせ、発振周波数を測定しながら振動体の電極をトリミングすることにより、振動子の共振周波数を調整することを含むようにしても良い。その場合には、振動子が実際に発振動作に用いられた状態で、振動子の共振周波数を調整することができる。
【００１３】
本発明の第２の観点に係る振動子の製造方法は、上記いずれかの共振周波数調整方法を用いて振動子の共振周波数を調整する工程を備える。それにより、共振周波数を調整する際の振動子の温度にかかわらず共振周波数のばらつきが低減された振動子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る振動子の断面図。
【図２】図１に示す振動子の底面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る振動子の製造方法を示すフロー図。
【図４】振動子の共振周波数の温度特性の例を示す図。
【図５】従来の振動子の共振周波数の分布の例を示す図。
【図６】サーミスターの温度特性の例を示す図。
【図７】電圧に基づいて温度を測定する場合の回路構成例を示す図。
【図８】図７に示す出力電圧の温度による変化の例を示す図。
【図９】本発明の一実施形態に係る振動子の共振周波数調整方法を示すフロー図。
【図１０】本発明の一実施形態に係る振動子の共振周波数の分布の例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。以下の実施形態においては、一例として、水晶振動体を用いた振動子について説明する。
＜振動子＞
図１は、本発明の一実施形態に係る振動子の断面図である。図１に示すように、振動子１００は、パッケージ１０と、パッケージ１０の一方の主面に形成されたキャビティー内に実装された水晶振動体２０と、パッケージ１０の他方の主面に形成されたキャビティー内に実装されたサーミスター３０と、水晶振動体２０を覆う蓋部４０とを含んでいる。
【００１６】
パッケージ１０は、例えば、第１の基板１１の両面に、側壁を形成する第２の基板１２及び第３の基板１３が積層されて構成されている。第１の基板１１〜第３の基板１３は、例えば、セラミック等の絶縁体で構成される。パッケージ１０は、互いに対向する第１の面１０ａ及び第２の面１０ｂと、第２の面１０ｂの周辺領域に設けられた側壁（第３の基板１３）によって第２の面１０ｂよりも突出した第３の面１０ｃとを有している。第１の面１０ａ〜第３の面１０ｃは、互いに略平行でも良い。
【００１７】
水晶振動体２０は、パッケージ１０の第１の面１０ａに配置され、圧電体である水晶片２１と、水晶片２１を挟む第１の電極２２及び第２の電極２３とを有している。電極２２及び２３の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、又は、銀（Ａｇ）等の導電体が用いられる。
【００１８】
水晶振動体２０は、パッケージ１０の第１の面１０ａに設けられた支持部材２４によって支持されている。蓋部４０は、パッケージ１０の第１の面１０ａの周辺領域に設けられた側壁（第２の基板１２）に接合されて、水晶振動体２０を覆っている。蓋部４０は、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、又は、それらの合金等で構成される。
【００１９】
パッケージ１０の第１の面１０ａには、水晶振動体２０の電極２２及び２３にそれぞれ電気的に接続された２つの配線パターン（図示せず）が配置されている。電極２２と電極２３との間に交流電圧を印加することにより、圧電効果によって水晶振動体２０の機械的振動が励起される。
【００２０】
サーミスター３０は、パッケージ１０の第２の面１０ｂに配置され、温度変化に対して電気抵抗の変化の大きい抵抗体３１と、抵抗体３１の両端に接続された第１の端子３２及び第２の端子３３とを有している。サーミスター３０は、パッケージ１０を介して水晶振動体２０に熱的に結合されているので、水晶振動体２０の周辺の温度を測定するセンサーとして利用することができる。
【００２１】
図２は、図１に示す振動子の底面図である。図２に示すように、パッケージ１０の第２の面１０ｂには、配線パターン５１及び５２が配置されている。配線パターン５１の一部は、サーミスター３０の端子３２に電気的に接続される接続パッドを構成しており、配線パターン５２の一部は、サーミスター３０の端子３３に電気的に接続される接続パッドを構成している。サーミスター３０の端子３２及び３３は、例えば、半田付け等によって、それらの接続パッドに電気的に接続されている。
【００２２】
また、パッケージ１０の第３の面１０ｃには、外部接続端子（パッド）６１〜６４が配置されている。外部接続端子６１及び６３は、パッケージ１０の２つの隅において第１の面１０ａと第３の面１０ｃとの間に充填された導電体で構成される層間接続部６１ａ及び６３ａを介して、パッケージ１０の第１の面１０ａに配置された２つの配線パターンにそれぞれ電気的に接続されている。また、外部接続端子６２及び６４は、パッケージ１０の２つの隅において第２の面１０ｂと第３の面１０ｃとの間に充填された導電体で構成される層間接続部６２ａ及び６４ａを介して、配線パターン５１及び５２にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２３】
従って、水晶振動体２０の電極２２及び２３は、外部接続端子６１及び６３にそれぞれ電気的に接続されている。また、サーミスター３０の端子３２及び３３は、外部接続端子６２及び６４にそれぞれ電気的に接続されている。例えば、パッケージ１０の第１の面１０ａにおける２つの配線パターン、第２の面１０ｂにおける配線パターン５１及び５２、及び、第３の面１０ｃにおける外部接続端子６１〜６４は、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の導電体で構成される。また、層間接続部６１ａ〜６４ａは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、又は、タングステン（Ｗ）等の導電体で構成される。
【００２４】
＜振動子の製造方法＞
次に、図１及び図２に示す振動子の製造方法について、図１〜図３を参照しながら説明する。
図３は、本発明の一実施形態に係る振動子の製造方法を示すフローチャートである。図３に示す工程Ｓ１において、図１及び図２に示すようなパッケージ１０が用意される。パッケージ１０の第１の面１０ａには、水晶振動体２０の電極２２及び２３にそれぞれ電気的に接続される２つの配線パターン（図示せず）が配置されている。また、パッケージ１０の第２の面１０ｂには、サーミスター３０の端子３２及び３３にそれぞれ電気的に接続される配線パターン５１及び５２が配置されている。
【００２５】
パッケージ１０の第３の面１０ｃには、外部接続端子６１〜６４が配置されている。外部接続端子６１及び６３は、層間接続部６１ａ及び６３ａを介して、パッケージ１０の第１の面１０ａに配置された２つの配線パターンにそれぞれ電気的に接続されている。外部接続端子６２及び６４は、層間接続部６２ａ及び６４ａを介して、パッケージ１０の第２の面１０ｂに配置された配線パターン５１及び５２にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２６】
例えば、複数のパッケージ１０を同時に製造するために広い面積を有する第１の基板１１〜第３の基板１３が用意される。第１の基板１１及び第３の基板１３には、複数のスルーホールが形成される。また、各々のパッケージ１０に対応する領域において、第１の基板１１の一方の面に、水晶振動体２０の電極２２及び２３にそれぞれ電気的に接続される２つの配線パターンが形成されると共に、第１の基板１１の他方の面に、サーミスター３０の端子３２及び３３にそれぞれ電気的に接続される配線パターン５１及び５２が形成される。
【００２７】
次に、第１の基板１１の両面に、第２の基板１２及び第３の基板１３がそれぞれ接合される。さらに、第３の基板１３に、外部接続端子６１〜６４が形成されると共に、スルーホール内に導電体が充填されて層間接続部６１ａ〜６４ａが形成される。その後、ダイシングブレード等で第１の基板１１〜第３の基板１３を切断することにより、個々のパッケージ１０が分離される。
【００２８】
工程Ｓ２において、水晶片２１の両面に第１の電極２２及び第２の電極２３をそれぞれ形成することにより、水晶振動体２０が製造される。工程Ｓ３において、支持部材２４を用いてパッケージ１０の第１の面１０ａに水晶振動体２０が配置され、水晶振動体２０の電極２２及び２３が、パッケージ１０の第１の面１０ａに配置された２つの配線パターンにそれぞれ電気的に接続される。それにより、水晶振動体２０の電極２２及び２３が、層間接続部６１ａ及び６３ａを介して外部接続端子６１及び６３にそれぞれ電気的に接続される。
【００２９】
工程Ｓ４において、パッケージ１０の第２の面１０ｂにサーミスター３０が配置され、サーミスター３０の端子３２及び３３が、パッケージ１０の第２の面１０ｂに配置された配線パターン５１及び５２にそれぞれ電気的に接続される。それにより、サーミスター３０の端子３２及び３３が、層間接続部６２ａ及び６４ａを介して外部接続端子６２及び６４にそれぞれ電気的に接続される。
【００３０】
工程Ｓ５において、外部接続端子６１〜６４を用いて、振動子１００の共振周波数が調整される。例えば、水晶振動体２０の電極２２及び２３を外部の発振回路に接続して発振動作を行わせ、発振周波数を測定しながら水晶振動体２０の電極２３をトリミングすることにより、振動子１００の共振周波数が調整される。その場合には、振動子１００が実際に発振動作に用いられた状態で、振動子１００の共振周波数を調整することができる。工程Ｓ５の詳細な内容については、後で詳しく説明する。
【００３１】
工程Ｓ６において、水晶振動体２０を覆う蓋部４０が、例えば、溶接によって、パッケージ１０に接合される。その後、工程Ｓ７又は工程Ｓ８が行われても良い。工程Ｓ７において、水晶振動体２０の電極２２及び２３にそれぞれ電気的に接続された２つの外部接続端子６１及び６３を用いて、大きな交流電圧を水晶振動体２０の電極２２及び２３に印加することにより、水晶振動体２０を強励振させることが行われる。それにより、水晶振動体２０に付着していた異物が振り落とされ、又は、水晶振動体２０の特性が改善されて、水晶振動体２０の歩留まりが向上する。
【００３２】
工程Ｓ８において、水晶振動体２０の電極２２及び２３にそれぞれ電気的に接続された２つの外部接続端子６１及び６３を用いて、水晶振動体２０の特性が検査される。例えば、外部測定装置から水晶振動体２０の電極２２及び２３に印加される電圧を変化させながら、共振周波数やインピーダンス等を測定することにより、測定値の大きさや変化量に基づいて、水晶振動体２０が良品であるか不良品であるかを判定することができる。その後、工程Ｓ９において、振動子１００が洗浄されて、振動子１００が完成する。
【００３３】
＜振動子の共振周波数調整方法＞
次に、図３に示す工程Ｓ５において行われる振動子１００の共振周波数調整方法について、図１〜図１０を参照しながら説明する。
【００３４】
図４は、振動子の共振周波数の温度特性の例を示す図である。この例においては、基準温度である２５℃における振動子の共振周波数が目標値ｆ０に一致している。また、図４に示す温度範囲においては、温度が上昇するにつれて共振周波数が低下している。従って、振動子の共振周波数が目標値ｆ０となるように共振周波数を調整する作業において、振動子の温度が基準温度から変化すると、振動子の温度が基準温度になったときに共振周波数が目標値ｆ０からずれてしまう。
【００３５】
図５は、従来の振動子の共振周波数の分布の例を示す図である。振動子の共振周波数を目標値ｆ０に向けて調整する作業における温度（調整作業温度）がｔ１、ｔ２、ｔ３である場合に、基準温度における振動子の共振周波数の分布のセンター値ｆ１、ｆ２、ｆ３は、調整作業温度ｔ１、ｔ２、ｔ３によって異なってしまう。その結果、振動子の共振周波数の調整ばらつきＤが、図５に示すように広がって、振動子の歩留まりが低下してしまう。
【００３６】
本実施形態においては、振動子１００が水晶振動体２０及びサーミスター３０を含んでいるので、振動子１００の共振周波数を調整する際にも、サーミスター３０を利用することができる。そこで、振動子１００の共振周波数を調整する工程Ｓ５において、外部発振回路が外部接続端子６１及び６３に接続されると共に、測定回路が外部接続端子６２及び６４に接続される。それにより、水晶振動体２０の電極２２及び２３が外部発振回路に接続されると共に、サーミスター３０の端子３２及び３３が測定回路に接続される。
【００３７】
図６は、サーミスターの温度特性の例を示す図である。この例においては、温度の上昇に従ってサーミスターの抵抗値が低下している。従って、抵抗値を測定する機能を有する測定回路を用いてサーミスター３０の抵抗値を測定することにより、サーミスター３０の抵抗値に基づいて、振動子１００の温度が測定される。その場合には、温度を測定するための回路構成を簡略化することができる。
【００３８】
図７は、電圧に基づいて温度を測定する場合の回路構成例を示す図である。図７に示すように、サーミスター３０の両端間の電圧に基づいて、振動子１００の温度を測定するようにしても良い。この例においては、抵抗Ｒ１を介して外部接続端子６４に電源電位ＶＣＣが印加されると共に、外部接続端子６２に基準電位ＶＥＥが印加される。それにより、直列に接続された抵抗Ｒ１及びサーミスター３０が、所定の電源電圧（ＶＣＣ−ＶＥＥ）を分圧し、抵抗Ｒ１とサーミスター３０との接続点（外部接続端子６４）における電圧が、出力電圧として測定回路ＭＣに出力される。
【００３９】
図８は、図７に示す出力電圧の温度による変化の例を示す図である。例えば、サーミスター３０が図６に示すような温度特性を有している場合には、外部接続端子６４における電圧が、図８に示すように温度に従って変化する。従って、直流電圧を測定する機能を有する測定回路ＭＣを用いて外部接続端子６４における電圧を測定することにより、測定された電圧に基づいて、振動子１００の温度が測定される。その場合には、測定回路ＭＣとして一般的な直流電圧計を用いて温度を測定することができる。
【００４０】
＜フローチャート＞
図９は、本発明の一実施形態に係る振動子の共振周波数調整方法を示すフローチャートである。まず、水晶振動体２０の電極２２及び２３が外部発振回路に接続されると共に、サーミスター３０の端子３２及び３３が測定回路に接続される。外部発振回路は、主に振動子１００の共振周波数によって決定される発振周波数で発振動作を行う。外部発振回路が発振動作を開始して暫くすると、振動子１００の温度が一定値に近付く。
【００４１】
図９に示す工程Ｓ５１において、測定回路が、サーミスター３０を用いて振動子１００の温度を測定する。その際に、外部発振回路は、発振動作を行っていても良いし、発振動作を一時的に停止していても良い。次に、工程Ｓ５２において、工程Ｓ５１において測定された温度における振動子１００の共振周波数の目標値ｆＴが求められる。
【００４２】
そのために、共振周波数が調整された同種の振動子について過去に測定された温度と共振周波数との関係を表す測定データが、ハードディスク等の格納部に格納されている。従って、工程Ｓ５２において、格納部から読み出された温度と共振周波数との関係に基づいて、測定された温度における振動子１００の共振周波数の目標値ｆＴを求めることができる。
【００４３】
例えば、格納部は、過去に測定された温度と共振周波数とを対応付けて格納しても良い。その場合には、工程Ｓ５２において、測定された温度に対応する共振周波数が読み出され、目標値ｆＴとして用いられる。なお、測定された温度に該当する温度が格納部に格納されていない場合には、格納部に格納されている測定データを補間して目標値ｆＴを求めても良い。
【００４４】
あるいは、過去に測定された温度と共振周波数との関係を関数で近似することにより、格納部が、その関数に含まれている係数を格納しても良い。その場合には、工程Ｓ５２において、格納部から読み出された係数を有する関数に、測定された温度が代入され、その結果として得られる関数の値が、目標値ｆＴとして用いられる。
【００４５】
さらに、工程Ｓ５１において測定された温度における振動子１００の共振周波数の目標値ｆＴと基準温度（例えば、２５℃）における振動子１００の共振周波数の目標値ｆ０との差であるオフセット値αを、次式（１）に従って求めるようにしても良い。
α＝ｆＴ−ｆ０  ・・・（１）
【００４６】
あるいは、格納部は、共振周波数が調整された同種の振動子について過去に測定された温度とオフセット値αとの関係を表す測定データを格納しても良い。その場合には、工程Ｓ５２において、格納部から読み出された温度とオフセット値αとの関係に基づいて、測定された温度に対応するオフセット値αが求められる。さらに、そのオフセット値αと、基準温度における振動子１００の共振周波数の目標値ｆ０とに基づいて、測定された温度における振動子１００の共振周波数の目標値ｆＴが、次式（２）に従って求められる。
ｆＴ＝ｆ０＋α  ・・・（２）
【００４７】
工程Ｓ５３において、工程Ｓ５２において求められた目標値ｆＴに基づいて、振動子１００の共振周波数が調整される。例えば、振動子１００は、基準温度における振動子１００の共振周波数の目標値ｆ０よりも数百ｐｐｍだけ低い共振周波数を有するように設計されている。レーザーで水晶振動体２０の電極２３を削ると、水晶振動体２０に付加された電極２３の質量が減少するので、振動子１００の共振周波数は上昇する。そこで、外部発振回路に発振動作を行わせ、発振周波数を測定しながら、レーザーで水晶振動体２０の電極２３を削って振動子１００の共振周波数を上昇させることにより、振動子１００の共振周波数が目標値ｆＴの近傍に調整される。
【００４８】
さらに、工程Ｓ５４において、振動子１００の共振周波数が規格範囲内であるか否かを判定するようにしても良い。その際に、工程Ｓ５２において求められたオフセット値αを用いて補正された規格範囲が用いられる。即ち、規格範囲のセンター値は、基準温度における振動子１００の共振周波数の目標値ｆ０ではなく、工程Ｓ５１において測定された温度における振動子１００の共振周波数の目標値ｆＴとされる。
【００４９】
例えば、規格範囲は、ｆＴ±○○ｐｐｍのように定義される。それにより、振動子１００の温度に応じて規格範囲が補正されるので、振動子１００の共振周波数が規格範囲内であるか否かを正確に判定することができる。あるいは、規格範囲の上限値及び下限値にオフセット値αを加算することによって規格範囲を定義しても良い。
【００５０】
本実施形態に係る振動子の共振周波数調整方法によれば、サーミスター３０を用いて測定された温度における振動子１００の共振周波数の目標値ｆＴに基づいて振動子１００の共振周波数を調整することにより、共振周波数を調整する際の振動子１００の温度にかかわらず、振動子１００の共振周波数のばらつきを低減することができる。また、本実施形態に係る振動子の製造方法によれば、共振周波数を調整する際の振動子１００の温度にかかわらず共振周波数のばらつきが低減された振動子１００を製造することができる。
【００５１】
図１０は、本発明の一実施形態に係る振動子の共振周波数の分布の例を従来例と比較して示す図である。本実施形態によれば、図１０（Ａ）に示す従来の振動子の共振周波数の分布において、調整作業温度ｔ１、ｔ２、ｔ３を等しくした場合と同等の効果が得られる。その結果、図１０（Ｂ）に示すように、振動子１００の共振周波数の調整ばらつきＤが小さくなって、振動子１００の歩留まりが向上する。
【００５２】
上記の実施形態においては、水晶振動体を用いた振動子について説明したが、本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、水晶以外の圧電体等を用いた振動子にも適用することができる。このように、当該技術分野において通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１０…パッケージ、１１〜１３…基板、２０…水晶振動体、２１…水晶片、２２、２３…電極、２４…支持部材、３０…サーミスター、３１…抵抗体、３２、３３…端子、４０…蓋部、５１、５２…配線パターン、６１〜６４…外部接続端子、６１ａ〜６４ａ…層間接続部、１００…振動子、Ｒ１…抵抗、ＭＣ…測定回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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