(57)【要約】【課題】本発明は、振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性が優れた水晶デバイスを提供する。【解決手段】水晶デバイス（１００）は、所定の周波数で振動する振動部（１２１）、振動部と離れて振動部を囲む枠部（１２２）、及び振動部と枠部とを連結する連結部（１２３）を有する水晶振動片（１２０）と、水晶又はガラスにより形成され、一方の主面が枠部に接合され他方の主面には実装端子が形成されるベース（１４０）と、水晶又はガラスにより形成され、一方の主面が枠部に接合され振動部を枠部及びベースと共に囲むリッド（１１０）と、リッドの他方の主面のみに形成され、振動部からの振動を減衰させる振動減衰膜（１５０）と、を備える。【選択図】図１
2017085412.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の周波数で振動する振動部、前記振動部と離れて前記振動部を囲む枠部、及び前記振動部と前記枠部とを連結する連結部を有する水晶振動片と、
水晶又はガラスにより形成され、一方の主面が前記枠部に接合され他方の主面には実装端子が形成されるベースと、
水晶又はガラスにより形成され、一方の主面が前記枠部に接合され前記振動部を前記枠部及び前記ベースと共に囲むリッドと、
前記リッドの他方の主面のみに形成され、前記振動部からの振動を減衰させる振動減衰膜と、
を備える水晶デバイス。
【請求項２】
前記振動減衰膜は、エポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂である請求項１に記載の水晶デバイス。
【請求項３】
前記振動減衰膜は着色され、印字されている請求項１又は請求項２に記載の水晶デバイス。
【請求項４】
前記振動減衰膜は、前記リッドの他方の主面の全面に形成される請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の水晶デバイス。
【請求項５】
前記振動減衰膜は、前記リッドの他方の主面の外周に接しないように形成されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の水晶デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リッドに振動減衰膜が塗布された水晶デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
所定の周波数で振動する振動部、振動部を囲む枠部、及び振動部と枠部とを連結する連結部を有する水晶振動片と、水晶振動片を両面から挟むベース及びリッドと、から成る水晶デバイスが知られている。このような水晶デバイスでは、振動部の振動が連結部を伝って枠部に漏れることにより、振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）などの電気的特性の再現性が悪くなるという問題がある。また、このような問題は、振動周波数が低周波になるほど顕著になり、水晶デバイスが小型になるほど大きくなる傾向がある。
【０００３】
これに対して、例えば特許文献１では、連結部に切欠きを形成して連結部に段差を設けることにより、振動部で励起された振動エネルギーが連結部を介して枠部側へ漏れ出ることを防止し、エネルギー損失を低減させる旨が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２１４９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１では振動部の両端に連結部が形成される旨を示しているが、振動部の一方の端のみに連結部が形成される水晶デバイスの連結部に切欠きを形成すると水晶デバイスの耐衝撃性に問題が生じるおそれがある。また、小型化される水晶デバイスに切欠き等の微細な構造を形成する場合には、微細な構造の形状、大きさ等に僅かな違いにより水晶デバイスの性能の個体差が大きくなり、これによって製品の不良率が高くなる可能性がある。
【０００６】
本発明は、振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性が優れた水晶デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１観点の水晶デバイスは、所定の周波数で振動する振動部、振動部と離れて振動部を囲む枠部、及び振動部と枠部とを連結する連結部を有する水晶振動片と、水晶又はガラスにより形成され、一方の主面が枠部に接合され他方の主面には実装端子が形成されるベースと、水晶又はガラスにより形成され、一方の主面が枠部に接合され振動部を枠部及びベースと共に囲むリッドと、リッドの他方の主面のみに形成され、振動部からの振動を減衰させる振動減衰膜と、を備える。
【０００８】
第２観点の水晶デバイスは、第１観点において、振動減衰膜がエポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂である。
【０００９】
第３観点の水晶デバイスは、第１観点及び第２観点において、振動減衰膜が着色され、印字されている。
【００１０】
第４観点の水晶デバイスは、第１観点から第３観点において、振動減衰膜がリッドの他方の主面の全面に形成される。
【００１１】
第５観点の水晶デバイスは、第１観点から第３観点において、振動減衰膜がリッドの他方の主面の外周に接しないように形成されている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の水晶デバイスによれば、振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性の悪化を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】水晶デバイス１００の分解斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】（ａ）は、図２の点線１８０の拡大図である。  （ｂ）は、水晶デバイス１００の下面図である。
【図４】（ａ）は、水晶振動片１２０の上面図である。  （ｂ）は、水晶振動片１２０の下面図である。
【図５】水晶デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。
【図６】（ａ）は、公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、ドライブレベルを振った場合の振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））を示した図である。  （ｂ）は、公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、ドライブレベルを振った場合のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）を示した図である。
【図７】（ａ）は、振動減衰膜が形成されていない水晶デバイスの実装端子にハンダ付けする前の振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。  （ｂ）は、図７（ａ）の水晶デバイスの実装端子にハンダ付けした後の振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。
【図８】（ａ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。  （ｂ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。  （ｃ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。  （ｄ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。
【図９】（ａ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、周波数測定回数に対する振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））を示した図である。  （ｂ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、周波数測定回数に対する振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））を示した図である。  （ｃ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、周波数測定回数に対する振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））を示した図である。  （ｄ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、周波数測定回数に対する振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））を示した図である。
【図１０】（ａ）は、振動減衰膜が形成されていない公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、周波数測定回数に対するクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量を示した図である。  （ｂ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）の測定回数に対するクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量を示した図である。  （ｃ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）の測定回数に対するクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量を示した図である。  （ｄ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）の測定回数に対するクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量を示した図である。
【図１１】（ａ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。  （ｂ）は、シリコーン系樹脂が塗布された公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。
【図１２】（ａ）は、積層ウエハＷ２００の上面図である。積層ウエハＷ２００は、リッドウエハ、水晶ウエハ、ベースウエハが積層されて形成されて形成されている。  （ｂ）は、水晶デバイス３００の上面図である。水晶デバイス３００は、水晶デバイス１００において振動減衰膜１５０の代わりに振動減衰膜３５０が形成されている。
【図１３】（ａ）は、水晶デバイス４００の断面図である。  （ｂ）は、水晶デバイス４００の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１５】
（第１実施形態）
＜水晶デバイス１００の構成＞
図１は、水晶デバイス１００の分解斜視図である。水晶デバイス１００は、ベース１４０と、水晶振動片１２０と、リッド１１０とが積層された構成になっている。また、リッド１１０には振動減衰膜１５０が塗布されている。水晶振動片１２０には、例えばＡＴカットの水晶振動片が用いられる。ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＸＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＸ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、水晶デバイス１００において、水晶デバイス１００の長手方向をＸ軸方向、水晶デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ軸方向及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。
【００１６】
水晶振動片１２０は、所定の周波数で振動する矩形形状の振動部１２１を有し、振動部１２１の外側には振動部１２１と離間して振動部１２１を囲む枠部１２２が設けられている。振動部１２１と枠部１２２とは、振動部１２１の−Ｘ軸側の辺から−Ｘ軸方向に伸びて枠部１２２に到達する連結部１２３によって、互いに連結される。また、水晶振動片１２０は、振動部１２１の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面の中央部１２４ａがその周辺部１２４ｂよりも厚さが厚く形成されるメサ型の水晶振動片として形成されている。
【００１７】
振動部１２１の両主面である＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面の中央部１２４ａには、図１に示されるように、それぞれ励振電極１２８が形成されている。また、各励振電極１２８からは、連結部１２３を介して枠部１２２に引出電極１３０が引き出されている。励振電極１２８は振動部１２１の＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１２８ａと振動部１２１の−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１２８ｂとを含み、引出電極１３０は励振電極１２８ａから引き出される引出電極１３０ａと励振電極１２８ｂから引き出される引出電極１３０ｂとを含んでいる。
【００１８】
ベース１４０は平板状に形成され、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に接合される。ベース１４０は、ガラス又は水晶等を基材として形成され、振動部１２１に対向するように配置される。また、ベース１４０の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側の角にはベース１４０の角が切り取られるように形成される切欠き部１４８ａが形成され、＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角には切欠き部１４８ｂが形成されている。ベース１４０の切欠き部１４８ａ、１４８ｂ及び−Ｙ’軸側の面には電極が形成されるが、図１では示されていない。
【００１９】
リッド１１０は平板状に形成され、枠部１２２の＋Ｙ’軸側の面に接合される。リッド１１０は、ガラス又は水晶等で形成され、振動部１２１に対向するように配置される。また、リッド１１０の＋Ｙ’軸側の面の全面には振動減衰膜１５０が塗布される。振動減衰膜１５０は、樹脂、例えばエポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂により形成される。
【００２０】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。また、図２は、後述の図３（ｂ）、図４（ａ）、及び図４（ｂ）のＡ−Ａ断面を含んでいる。リッド１１０と枠部１２２とは、非導電性の低融点ガラスである接合材１６０で接合される。また、ベース１４０と枠部１２２とに関しても接合材１６０で接合される。こうして振動部１２１は、リッド１１０、枠部１２２、及びベース１４０で囲まれたキャビティ１０１に密閉封入される。また、振動部１２１は、振動部１２１がリッド１１０及びベース１４０に接触しないように、枠部１２２よりも薄い厚さに形成されている。水晶デバイス１００では、公称周波数に応じて水晶振動片１２０等の寸法が様々に形成される。
【００２１】
ベース１４０の−Ｙ’軸側の面には、プリント基板等に実装されるための実装端子１４５が形成されている。実装端子１４５は、アース電極１４１及び実装電極１４２により構成されている。アース電極１４１は接地される電極であり、実装電極１４２はプリント基板等の電極に接続されることにより水晶デバイス１００を回路として動作させるための電極である。また、切欠き部１４８ａ及び切欠き部１４８ｂの側面にはそれぞれ切欠き部電極１４４が形成される。各切欠き部電極１４４は、引出電極１３０及び実装電極１４２に電気的に接続される。これにより、実装電極１４２は、切欠き部電極１４４及び引出電極１３０を介して励振電極１２８に電気的に接続される。
【００２２】
図３（ａ）は、図２の点線１８０の拡大図である。圧電振動片１２０に形成される引出電極１３０は、例えば、最下層に形成されるクロム（Ｃｒ）層、クロム（Ｃｒ）層の表面に形成されるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、及びニッケルタングステン（ＮｉＷ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層の３つの層により形成される。これらの各層は、スパッタ又は蒸着等により形成される。励振電極１２８も引出電極１３０と同様の構成により形成される。また、ベース１４０に形成される実装端子１４５及び切欠き部電極１４４は、スパッタ又は蒸着等により形成される第１膜１９２Ａと、第１膜１９２Ａの表面に形成され、メッキにより形成される第２膜１９２Ｂと、により構成される。第１膜１９２Ａは、例えば、最下層に形成されるクロム（Ｃｒ）層、クロム（Ｃｒ）層の表面に形成されるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、及びニッケルタングステングステン（ＮｉＷ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層により構成される。また、第２膜１９２Ｂは、例えば、第１膜１９２Ａの表面に形成されるニッケル（Ｎｉ）層と、ニッケル（Ｎｉ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層と、により形成される。
【００２３】
図３（ｂ）は、水晶デバイス１００の下面図である。ベース１４０の−Ｙ’軸側の面には、実装端子１４５を構成する４つの電極が形成されている。ベース１４０は略矩形形状に形成されており四隅を有するが、実装端子１４５を構成する４つの電極はこの四隅に形成されている。ベース１４０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の隅及び−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側の隅には、それぞれ実装電極１４２が形成されている。各実装電極１４２は切欠き部電極１４４に電気的に接続されている。また、ベース１４０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側の隅及び−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の隅には、アース電極１４１が形成される。
【００２４】
図４（ａ）は、水晶振動片１２０の上面図である。水晶振動片１２０には、振動部１２１と枠部１２２との間に水晶振動片１２０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝１３２が形成されている。また、振動部１２１と枠部１２２とは連結部１２３を介して接続されている。振動部１２１には励振電極１２８が形成されており、＋Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８ａからは連結部１２３を介して枠部１２２に引出電極１３０ａが引き出されている。引出電極１３０ａは、貫通溝１３２の側面１３４を介して枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に引き出されている。
【００２５】
図４（ｂ）は、水晶振動片１２０の下面図である。振動部１２１の−Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８ｂからは、引出電極１３０ｂが引き出されている。引出電極１３０ｂは、励振電極１２８ｂから−Ｘ軸方向に伸び、さらに枠部１２２の−Ｘ軸側及び−Ｚ’軸側の部分を通って、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面であって、−Ｚ’軸側かつ＋Ｘ軸側の角部まで伸びる。また、振動部１２１の＋Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８ａから引き出される引出電極１３０ａは、貫通溝１３２の側面１３４を介して枠部１２２の−Ｙ’軸側の面の＋Ｚ’軸側かつ−Ｘ軸側の角部まで伸びる。
【００２６】
＜水晶デバイス１００の製造方法＞
図５は、水晶デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。以下に、図５のフローチャートを参照して水晶デバイス１００の製造方法を説明する。
【００２７】
ステップＳ１０１では、水晶ウエハが用意される。ステップＳ１０１は、水晶ウエハを用意する工程である。ステップＳ１０１では、まず水晶により形成されたベアウエハが用意される。次に、ベアウエハがエッチングされることにより振動部１２１の厚さの調整及び貫通溝１３２の形成等が行われる。さらに励振電極１２８及び引出電極１３０が形成されて水晶ウエハに複数の水晶振動片１２０が形成される。
【００２８】
ステップＳ１０２では、ベースウエハが用意される。ベースウエハには、複数のベース１４０が形成される。ステップＳ１０２では、まずガラス又は水晶等で形成されたベアウエハが用意される。次に、このベアウエハをエッチングして切欠き部１４８ａ、１４８ｂを形成する。ステップＳ１０２は、ベースウエハを用意する工程である。
【００２９】
ステップＳ１０３では、リッドウエハが用意される。リッドウエハには、複数のリッド１１０が形成される。ステップＳ１０２では、まずガラス又は水晶等により形成されたベアウエハが用意される。ステップＳ１０３は、リッドウエハＷ１１０を用意する工程である。
【００３０】
ステップＳ１０４では、接合材１６０により水晶ウエハとベースウエハとが接合される。ステップＳ１０４は、水晶ウエハとベースウエハとの接合工程である。ステップＳ１０４では、水晶ウエハの−Ｙ’軸側の面とベースウエハの＋Ｙ’軸側の面とが重なるように接合材１６０を介して互いに接合される。
【００３１】
ステップＳ１０５では、接合材１６０により水晶ウエハとリッドウエハとが接合される。ステップＳ１０５は、水晶ウエハとリッドウエハとの接合工程である。ステップＳ１０５では、水晶ウエハの＋Ｙ’軸側の面とリッドウエハの−Ｙ’軸側の面とが重なるように接合材１６０を介して互いに接合される。ステップＳ１０４及びステップＳ１０５によって、リッドウエハ、水晶ウエハ、及びベースウエハが積層した積層ウエハが形成される。
【００３２】
ステップＳ１０６では、実装端子１４５及び切欠き部電極１４４が形成される。積層ウエハの−Ｙ’軸側の面であるベースウエハ側の面からスパッタ又は蒸着などによってクロム（Ｃｒ）層、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、及び金（Ａｕ）層が順次形成されることにより第１膜１９２Ａが形成され、さらに無電解メッキによりニッケル（Ｎｉ）膜及び金（Ａｕ）膜が形成されることにより第２膜１９２Ｂが形成される（図３（ａ）参照）。これにより、実装端子１４５及び切欠き部電極１４４が形成される。
【００３３】
ステップＳ１０７では、積層ウエハに振動減衰膜１５０が形成される。ステップＳ１０７は、振動減衰膜の形成工程である。振動減衰膜１５０は、積層ウエハの＋Ｙ’軸側の面であるリッドウエハ側の面の全面に、エポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂等の液状硬化樹脂が、刷毛、スプレー、スピンコート、浸漬、転写、又はスクリーン印刷等により塗布されることにより形成される。
【００３４】
ステップＳ１０８では、積層ウエハがダイシングにより切断される。ステップＳ１０８は、切断工程である。積層ウエハがダイシングにより切断されることにより、個片になった水晶デバイス１００が形成される。
【００３５】
ステップＳ１０９では、水晶デバイス１００の出荷前検査が行われる。出荷前検査では、水晶デバイス１００のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）及び振動周波数等が測定される。出荷前検査で測定項目が所定の数値範囲に入らなかった場合には、その水晶デバイス１００は出荷対象から外される。
【００３６】
＜水晶デバイスの検査方法＞
水晶デバイスの出荷前検査では、主に振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）が測定される。以下に、水晶デバイスの出荷前検査における振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の測定方法について説明する。
【００３７】
図６（ａ）は、公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、ドライブレベルを振った場合の振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））を示した図である。図６（ａ）を参照して、水晶デバイスの振動周波数の検査を説明する。水晶デバイスの振動周波数の検査は、ドライブレベル（ＤＬ）を変化させて振動周波数を測定することにより行う。ここで、ドライブレベル（ＤＬ）とは、水晶デバイスに印加される電力である。図６（ａ）では、横軸にドライブレベル（ＤＬ）の測定の順番が示され、縦軸に振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））が示されている。
【００３８】
振動周波数の測定は、初めに所定のドライブレベルＤＬ１で水晶デバイスの振動周波数の測定を行う。次にＤＬ１よりも印加する電力が大きいドライブレベルＤＬ２により振動周波数を測定し、さらにＤＬ２よりも印加する電力が大きいドライブレベルＤＬ３により振動周波数を測定し、そしてＤＬ３よりも印加する電力が大きいドライブレベルＤＬ４により振動周波数を測定する。すなわち、印加する電力の小さいドライブレベルから徐々に印加する電力を大きくしながら振動周波数を測定することになる。このＤＬ１からＤＬ４までの印加する電力を大きくしながら振動周波数を測定する過程を往路とすると、図６（ａ）では白抜き矢印に沿って往路の測定が示されている。また、ＤＬ４で振動周波数の測定を行った後は、ＤＬ３、ＤＬ２、ＤＬ１の順番で徐々に印加する電力を小さくしながら振動周波数を測定する。このＤＬ４からＤＬ１までの印加する電力を小さくしながら振動周波数を測定する過程を復路とすると、図６（ａ）では黒矢印に沿って復路の測定が示されている。図６（ａ）の横軸は、最も左側のドライブレベルから右方向に順番に測定することを示している。
【００３９】
図６（ａ）の縦軸に示される振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））は、最初に測定されるＤＬ１の振動周波数に対して、その後に測定される振動周波数の変化量の割合を示している。すなわち、ｄＦ／Ｆの分母の「Ｆ」は最初に測定されるＤＬ１の振動周波数を示しており、「ｄＦ」は後に測定される振動周波数から最初に測定されるＤＬ１の振動周波数を引いた値を示している。例えば、往路におけるＤＬ２の振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））は、往路におけるＤＬ２の振動周波数から往路におけるＤＬ１の振動周波数を引いた値を往路におけるＤＬ１の振動周波数で割った値である。図６（ａ）では往路におけるＤＬ２の振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））が０．０３ｐｐｍを示しており、これは往路におけるＤＬ１の振動周波数が３０ＭＨｚである場合に、往路におけるＤＬ２で０．９Ｈｚだけ振動周波数が変化したことを示している。
【００４０】
図６（ａ）では、往路におけるＤＬ１と復路におけるＤＬ１との振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））の差がΔＦ１、往路におけるＤＬ２と復路におけるＤＬ２との振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））の差がΔＦ２、往路におけるＤＬ３と復路におけるＤＬ３との振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））の差がΔＦ３として示されている。図６（ａ）では、ΔＦ１が０．１８ｐｐｍ（＝０．１８ｐｐｍ−０ｐｐｍ）、ΔＦ２が０．２５ｐｐｍ（＝０．２８ｐｐｍ−０．０３ｐｐｍ）、ΔＦ３が０．１５ｐｐｍ（＝０．５２ｐｐｍ−０．３７ｐｐｍ）である。このΔＦ１、ΔＦ２、ΔＦ３が小さければ小さいほど振動周波数の再現性が高いことになり、水晶デバイスとして好ましい。
【００４１】
図６（ｂ）は、公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、ドライブレベルを振った場合のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）を示した図である。図６（ｂ）を参照して、水晶デバイスのクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の検査を説明する。図６（ｂ）の横軸には図６（ａ）と同様のドライブレベルの測定の順番が示されており、図６（ｂ）の縦軸にはクリスタルインピーダンス（ＣＩ）が示されている。往路が白抜き矢印で示されており、復路が黒矢印で示されている。
【００４２】
図６（ｂ）では、往路におけるＤＬ１と復路におけるＤＬ１とのクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の差がΔＣＩ１、往路におけるＤＬ２と復路におけるＤＬ２とのクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の差がΔＣＩ２、往路におけるＤＬ３と復路におけるＤＬ３とのクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の差がΔＣＩ３として示されている。図６（ｂ）では、ΔＣＩ１が１．７Ω（＝４４．１１Ω−４２．４１Ω）、ΔＣＩ２が１．６１Ω（＝４４．１８Ω−４２．５７Ω）、ΔＣＩ３が１．１６Ω（＝４３．６６Ω−４２．５Ω）である。このΔＣＩ１、ΔＣＩ２、ΔＣＩ３が小さければ小さいほどクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性が高いことになり、好ましい。
【００４３】
＜水晶デバイスにおけるハンダ付けの効果＞
水晶デバイスでは、実装端子にハンダ付けすることにより水晶デバイスの振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）が変化する。以下に、ハンダ付けの効果及び問題点について説明する。
【００４４】
図７（ａ）は、振動減衰膜が形成されていない水晶デバイスの実装端子にハンダ付けする前の振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。図７（ａ）では、振動減衰膜が形成されていない公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおけるΔＦとΔＣＩとの関係が示されている。図７（ａ）の横軸には振動周波数の変化量の差（ΔＦ）が示されている。ここでΔＦとは、図６（ａ）と同様の検査においてΔＦ１、ΔＦ２、ΔＦ３の中の最も大きい値を示しており、例えば、図６（ａ）では、ΔＦ２が最も大きいのでΔＦ２の値がΔＦとして選択される。また、図７（ａ）の縦軸にはクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）が示されている。ここでΔＣＩとは、図６（ｂ）と同様の検査においてΔＣＩ１、ΔＣＩ２、ΔＣＩ３の中の最も大きい値が示されており、例えば、図６（ｂ）では、ΔＣＩ１が最も大きいのでΔＣＩ１の値がΔＣＩとして選択される。図７（ａ）では、ΔＦが０．９９４ｐｐｍ以下の範囲に分布し、ΔＣＩが８．６３５Ω以下の範囲に分布している。
【００４５】
図７（ｂ）は、図７（ａ）の水晶デバイスの実装端子にハンダ付けした後の振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。図７（ｂ）では、図７（ａ）の公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスに実装端子にハンダ付けした後のΔＦとΔＣＩとの関係が示されている。図７（ｂ）では、ΔＦが０．１５ｐｐｍ以下の範囲に分布し、ΔＣＩが１．７Ω以下の範囲に分布している。図７（ｂ）の結果を図７（ａ）の結果と比較すると、ハンダ付けすることによりΔＦの分布範囲が１／６以下になり、ΔＣＩの分布範囲が１／５以下になっているため、ハンダ付けすることにより振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性が大幅に良化していることが分かる。
【００４６】
水晶デバイスの出荷前検査は実装端子にハンダ付けされない状態（図７（ａ）の状態）で行われるが、水晶デバイスをエンドユーザが使用する場合には実装端子がユーザの実装基板にハンダ付けされた状態（図７（ｂ）の状態）になる。従って、図７（ａ）、（ｂ）から分かるように、すなわち、実際の使用に際して問題ない製品であっても出荷前検査で不良品とされる場合があり、これによって歩留まりが悪くなり、原価が上昇するという問題がある。とはいえ、出荷前に実装端子にハンダ付をすることは、エンドユーザの要求によりできない。この対策として本発明（振動減衰膜を形成すること）は意味を持つ。
【００４７】
＜水晶デバイス１００の検査結果＞
以下に、水晶デバイス１００の検査結果及び振動減衰膜１５０の効果について説明する。なお、以降に示される測定結果は、全て実装端子にハンダ付けされていない状態で行われている。
【００４８】
図８（ａ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。すなわち、図８（ａ）の測定条件は、図７（ａ）と同じである。また、図８（ａ）の測定に用いられた水晶デバイスは、図１に示される水晶デバイス１００において公称周波数が３０ＭＨｚになるように水晶振動片１２０等の寸法が設計され、振動減衰膜１５０が形成されない水晶デバイスである。水晶デバイスに振動減衰膜が形成されない場合には、ΔＦは１．２３ｐｐｍ以下、ΔＣＩは１２．６５Ω以下の範囲内に分布している。
【００４９】
図８（ｂ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。図８（ｂ）で測定に用いられた水晶デバイス１００は、図８（ａ）の水晶デバイスのリッドに個別にエポキシ系樹脂を塗布して振動減衰膜１５０を形成したものである。図８（ｂ）の測定に用いられた水晶デバイス１００は、ΔＦが０．０８ｐｐｍ以下、ΔＣＩが１．１６Ω以下の範囲内に分布しており、図８（ａ）の結果と比較するとΔＦの分布範囲が１／１５以下、ΔＣＩの分布範囲が１／１０以下に低下しており、振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性が大幅に良化していることが分かる。
【００５０】
図８（ｃ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。図８（ｃ）の測定に用いられた水晶デバイスは、図１に示される水晶デバイス１００において公称周波数が３８．４ＭＨｚになるように水晶振動片１２０等の寸法が設計され、振動減衰膜１５０が形成されない水晶デバイスである。図８（ｃ）では、ΔＦが０．２６ｐｐｍ以下、ΔＣＩが１．８３Ω以下の範囲内に分布している。
【００５１】
図８（ｄ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。図８（ｄ）で測定に用いられた水晶デバイス１００は、図８（ｃ）の水晶デバイスのリッドに個別にエポキシ系樹脂を塗布して振動減衰膜１５０を形成したものである。図８（ｄ）では、ΔＦが０．０３ｐｐｍ以下、ΔＣＩが０．５８Ω以下の範囲内に分布しており、図８（ｃ）の結果と比較するとΔＦの分布範囲が１／８以下、ΔＣＩの分布範囲が１／３以下に低下しており、振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性が大幅に良化していることが分かる。
【００５２】
図９（ａ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、周波数測定回数に対する振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））を示した図である。図９（ａ）には１２個の水晶デバイスに関する測定結果が示されている。測定は１個の水晶デバイスに対して同じドライブレベルで５回行われ、振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））は後に行われた測定の振動周波数から１回目の測定の振動周波数を引いた値を１回目の測定の振動周波数で割った値を示している。例えば、測定回数が３回目の振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））は、３回目の測定の振動周波数から１回目の測定の振動周波数を引き、この値を１回目の測定の振動周波数の値で割った値である。図９（ａ）では、振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））が−１．８ｐｐｍから２．９３ｐｐｍの間で変化しており、振れ幅が４．７３ｐｐｍである。
【００５３】
図９（ｂ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、周波数測定回数に対する振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））を示した図である。図９（ｂ）で測定に用いられた水晶デバイス１００は、図９（ａ）の水晶デバイスのリッドに個別にエポキシ系樹脂を塗布して振動減衰膜１５０を形成したものである。図９（ｂ）では、振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））が−０．７８ｐｐｍから０．６７ｐｐｍの間で変化しており、振れ幅が１．４５ｐｐｍである。
【００５４】
図９（ｃ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、周波数測定回数に対する振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））を示した図である。図９（ｃ）には１２個の水晶デバイスについての測定結果が示されている。図９（ｃ）では、振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））が−０．６９ｐｐｍから０．３９ｐｐｍの間で変化しており、振れ幅が１．０８ｐｐｍである。
【００５５】
図９（ｄ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、周波数測定回数に対する振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））を示した図である。図９（ｄ）で測定に用いられた水晶デバイス１００は、図９（ｃ）の水晶デバイスのリッドに個別にエポキシ系樹脂を塗布して振動減衰膜１５０を形成したものである。図９（ｄ）では、振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））が−０．１９ｐｐｍから０．３５ｐｐｍの間で変化しており、振れ幅が０．５４ｐｐｍである。
【００５６】
図９（ａ）と図９（ｂ）との比較では、水晶デバイスに振動減衰膜１５０を形成することにより振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））の振れ幅が１／３以下に小さくなっている。また、図９（ｃ）と図９（ｄ）との比較では、水晶デバイスに振動減衰膜１５０を形成することにより振動周波数の変化量（ｄＦ／Ｆ（ｐｐｍ））の振れ幅が１／２に小さくなっている。このように、振動減衰膜を形成することにより、発振させる周波数に関係なく、振動周波数の再現性を大きく改善することができる。
【００５７】
図１０（ａ）は、振動減衰膜が形成されていない公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、周波数測定回数に対するクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量を示した図である。図１０（ａ）には１２個の水晶デバイスに関する測定結果が示されている。測定は１個の水晶デバイスに対して５回行われ、図１０（ａ）の縦軸に示されるクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量は、後に行われた測定のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）から１回目の測定のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）を引いた値を示している。例えば、測定回数が３回目のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量は、３回目の測定のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）から１回目の測定のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）を引いたものである。図１０（ａ）では、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量が−３５．３３Ωから２２．５Ωの間で変化しており、振れ幅が５７．８３Ωである。
【００５８】
図１０（ｂ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）の測定回数に対するクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量を示した図である。図１０（ｂ）で測定に用いられた水晶デバイス１００は、図１０（ａ）の水晶デバイスのリッドに個別にエポキシ系樹脂を塗布して振動減衰膜１５０を形成したものである。図１０（ｂ）では、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量が−２．４９Ωから５．７７Ωの間で変化しており、振れ幅が８．２６ｐｐｍである。
【００５９】
図１０（ｃ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）の測定回数に対するクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量を示した図である。図１０（ｃ）には１２個の水晶デバイスに関する測定結果が示されており、測定は各水晶デバイスに対して５回行われている。図１０（ｃ）では、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量が−７．８９Ωから２．４Ωの間で変化しており、振れ幅が１０．２９Ωである。
【００６０】
図１０（ｄ）は、振動減衰膜１５０が形成された公称周波数３８．４ＭＨｚに設計した水晶デバイス１００において、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）の測定回数に対するクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量を示した図である。図１０（ｄ）で測定に用いられた水晶デバイス１００は、図１０（ｃ）の水晶デバイスのリッドに個別にエポキシ系樹脂を塗布して振動減衰膜１５０を形成したものである。図１０（ｄ）では、クリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量が−１．２１ｐｐｍから０．９２ｐｐｍの間で変化しており、振れ幅が２．１３ｐｐｍである。
【００６１】
図１０（ａ）と図１０（ｂ）との比較では、水晶デバイスに振動減衰膜１５０を形成することによりクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量の振れ幅が１／７以下に小さくなっている。また、図１０（ｃ）と図１０（ｄ）との比較では、水晶デバイスに振動減衰膜１５０を形成することによりクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量の振れ幅が１／４以下に小さくなっている。
【００６２】
図８から図１０に示されるように、振動減衰膜１５０を形成することにより、発振させる周波数に関係なく、発振周波数の再現性およびクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性を大きく改善することができる。またこれにより、実際の使用において問題のない製品が出荷前検査で不良品とされることが防がれ、製品の不良率を下げることができ、原価低減に寄与することができる。また、図８から図１０に示される振動減衰膜１５０の形成結果において、振動減衰膜１５０の膜厚Ｔ１（図２参照）は０．０１７５ｍｍから０．２５ｍｍの間で形成されていた。すなわち、少なくとも膜厚Ｔ１が０．０１７５ｍｍから０．２５ｍｍの間で形成される場合には、振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性の改善に効果があると考えられる。一方、膜厚Ｔ１とΔＣＩ及びΔＦとの間に相関は見られなかった。これから、振動減衰膜１５０の膜厚Ｔ１を薄く形成しても、振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性を十分に改善することができることがわかる。
【００６３】
また、振動減衰膜１５０の形成では、従来の水晶デバイスの設計を変えずに振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性を改善できるため、水晶デバイスの設計変更に伴う時間及び費用をかける必要がなく、様々なタイプの水晶デバイスに応用することができるため好ましい。さらに、水晶デバイス１００では、ウエハの状態でリッドの上面に振動減衰膜を形成することで、複数の水晶デバイスに同時に振動減衰膜を形成することができるため、効率よく製造することができ好ましい。
【００６４】
（第２実施形態）
振動減衰膜は、エポキシ系樹脂以外の樹脂で形成しても良く、また、リッドの上面に様々な状態、形状に形成されてもよい。以下に、リッドの上面の一部のみに振動減衰膜が形成された場合でも振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性を改善できることを示した後に、振動減衰膜の変形例について説明する。
【００６５】
＜振動減衰膜がリッドの上面の一部のみに形成された場合の効果＞
以下に、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）を参照して水晶デバイスの側面のみに振動減衰膜が形成された場合でも第１実施形態と同様の効果があることを示す。また、第１実施形態の効果は、振動減衰膜がリッドの上面（＋Ｙ’軸側の面）の全面ではなく一部のみに形成された場合でも有効であることを説明する。
【００６６】
図１１（ａ）は、振動減衰膜が形成されない公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。図１１（ａ）は、図７（ａ）と同様の測定条件で４０個の水晶デバイスについてΔＦ及びΔＣＩの測定が行われている。図１１（ａ）ではΔＦが１．２９４ｐｐｍ以下、ΔＣＩが８．４３３Ω以下の範囲内に分布している。
【００６７】
図１１（ｂ）は、シリコーン系樹脂が塗布された公称周波数３０ＭＨｚに設計した水晶デバイスにおいて、振動周波数の変化量の差（ΔＦ）とクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の変化量（ΔＣＩ）との関係を示した図である。図１１（ｂ）は図１１（ａ）で測定された水晶デバイスの＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の側面の一部にシリコーン系樹脂を塗布してΔＦ及びΔＣＩの測定を行った結果である。図１１（ｂ）では、ΔＦが０．２２ｐｐｍ以下、ΔＣＩは２．５５Ω以下の範囲内に分布している。図１１（ｂ）の結果を図１１（ａ）の結果と比較すると、水晶デバイスの側面にシリコーン系樹脂を塗布することによりΔＦが１／５以下になり、ΔＣＩが１／３以下になっているため、振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性が大幅に良化していることが分かる。
【００６８】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）の比較から、水晶デバイスの側面に振動減衰膜としてシリコーン系樹脂を塗布しても振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性を改善できることがわかる。また、第１実施形態で述べたように振動減衰膜の形成の効果は振動減衰膜の膜厚Ｔ１に大きく依存しないことから、図１１（ｂ）の結果はエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂の塗布量とは大きな相関がないと考えられる。これらのことを考慮すると、振動減衰膜は少なくとも２種類の樹脂で構成でき、また、水晶デバイスへの形成箇所に大きく依存していないと考えられる。すなわち、振動減衰膜はリッドの上面（＋Ｙ’軸側の面）の全面ではなく一部のみに形成された場合でも、第１実施形態と同様に振動周波数及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）の再現性を十分に改善することができる。
【００６９】
ところで、振動減衰膜は水晶デバイスの側面や底面に設けても良いと考えられるが、振動減衰膜を効率よく形成するためには積層ウエハの切断を行う前にウエハ上に振動減衰膜を形成することが好ましい。従って、水晶デバイスの側面に振動減衰膜を設けるのは、ウエハプロセスの都合上、好ましくない。さらに水晶デバイスの−Ｙ’軸側の面に振動減衰膜を形成する場合には、実装端子が形成されるため振動減衰膜を形成するための十分な面積を確保することができず、振動減衰膜が水晶デバイスの実装の妨げになる可能性があり、また、場合によっては実装端子を振動減衰膜の材料で汚染する場合もある。よって、水晶デバイスの側面やベース側の底面には振動減衰膜を形成しないことが好ましい。
【００７０】
これらを考慮すると、振動減衰膜はリッドの＋Ｙ’軸側の面のみに形成することが最も好ましい。また、リッドの＋Ｙ’軸側の面への振動減衰膜の形成においても、振動減衰膜の形成箇所及び形状を変えても第１実施形態の水晶デバイス１００の振動減衰膜１５０と略同様の効果を得られると考えられる。以下に、リッドの＋Ｙ’軸側の面のみに振動減衰膜を形成する場合の変形例について説明する。
【００７１】
＜水晶デバイス２００について＞
図１２（ａ）は、積層ウエハＷ２００の上面図である。積層ウエハＷ２００は、リッドウエハ、水晶ウエハ、ベースウエハが積層されて形成されて形成されている。積層ウエハＷ２００は、第１実施形態で言及された積層ウエハとは振動減衰膜の形成状態のみが異なっている。また、図１２（ａ）では、積層ウエハＷ２００が切断されるスクライブライン１７１が二点鎖線で示されている。水晶デバイス２００は、積層ウエハＷ２００をスクライブライン１７１に沿って切断することにより形成される。
【００７２】
積層ウエハＷ２００に形成される振動減衰膜２５０は、積層ウエハＷ２００の＋Ｙ’軸側の面に形成されている。また、振動減衰膜２５０はスクライブライン１７１及びその周囲に形成されていない。その結果、積層ウエハＷ２００が切断されて切り離された個々の水晶デバイス２００は、リッド１１０の＋Ｙ’軸側の面の外周に振動減衰膜２５０が形成されていない。
【００７３】
水晶デバイス２００では、振動減衰膜２５０がスクライブライン１７１及びその周囲に形成されないことにより、積層ウエハＷ２００をダイシングする過程で振動減衰膜２５０を切断しないため、切断工程が行い易くなり好ましい。
【００７４】
＜水晶デバイス３００について＞
図１２（ｂ）は、水晶デバイス３００の上面図である。水晶デバイス３００は、水晶デバイス１００において振動減衰膜１５０の代わりに振動減衰膜３５０が形成されている。振動減衰膜３５０には印字３５１がなされており、振動減衰膜３５０は印字３５１を認識し易くするために、エポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂に着色剤を混入させて着色されるか、又は所定の色に着色されている樹脂により形成されている。また、印字３５１は、図５のステップＳ１０７で振動減衰膜を形成した後に、例えばレーザーにより印字される部分の振動減衰膜を除去すること等により形成することができる。
【００７５】
水晶デバイスではリッドの上面に金属膜が形成され、その金属膜に識別マークが印字される場合がある。水晶デバイス３００では、金属膜の代わりに振動減衰膜に識別マークを印字することで、リッド上面に金属膜を形成する工程を省くことができると共に、周波数再現性を良化することができる。
【００７６】
＜水晶デバイス４００について＞
図１３（ａ）は、水晶デバイス４００の断面図である。図１３（ａ）は、後述される図１３（ｂ）のＢ−Ｂ断面の断面図である。水晶デバイス４００は、水晶デバイス１００において、振動減衰膜１５０の代わりに振動減衰膜４５０が形成されており、その他の部分は水晶デバイス１００と同じである。
【００７７】
振動減衰膜４５０は、リッド１１０の＋Ｙ’軸側の面であって、振動部１２１と連結部１２３との境界を含みＸ軸に垂直な面１７２（図４（ａ）、（ｂ）参照）の−Ｘ軸側のみに形成されている。すなわち、水晶デバイス４００では、連結部１２３及び連結部１２３が連結される枠部１２２の辺に対してＹ’軸方向に重なるように振動減衰膜４５０が形成されている。
【００７８】
図１３（ｂ）は、水晶デバイス４００の上面図である。図１３（ｂ）に示されるように、振動減衰膜４５０は面１７２に対して水晶デバイス４００の−Ｘ軸側の全面に形成されている。振動部１２１で生じる振動は連結部１２３を伝って枠部１２２に漏れる。水晶デバイス４００では、この振動が漏れる連結部１２３及び連結部１２３が連結する枠部１２２の辺に近い領域に振動減衰膜４５０を形成することにより振動減衰膜４５０を形成する効果を効率的に発揮させると共に、振動減衰膜を形成するための樹脂の量を減らすことにより、製造原価を低減させることができる。
【００７９】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば、上述の実施形態では、振動部は平面形状が矩形のものとしたが、他の形状でもよい。また、ベースやリッドは平板状としたが、振動部側に凹部を持つ形状のものでも良い。連結部の引出位置は振動部の一辺の中央としていたが、別の位置でも良い。アース電極を持つ例を示したが、アース電極の無い２端子構造でも良い。また、各実施形態の特徴を様々に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００８０】
１００、２００、３００、４００  …  水晶デバイス
１０１  …  キャビティ
１１０  …  リッド
１２０  …  水晶振動片
１２１  …  振動部
１２２  …  枠部
１２３  …  連結部
１２４ａ  …  中央部
１２４ｂ  …  周辺部
１２８、１２８ａ、１２８ｂ  …  励振電極
１３０、１３０ａ、１３０ｂ  …  引出電極
１３２  …  貫通溝 
１３４  …  貫通溝 の側面
１４０  …  ベース 
１４１  …  アース電極
１４２  …  実装電極
１４４  …  切欠き部電極
１４５  …  実装端子      
１４８ａ、１４８ｂ  …  切欠き部
１５０、２５０、３５０、４５０  …  振動減衰膜
１６０  …  接合材
１７１  …  スクライブライン
１７２  …  振動部１２１と連結部１２３との境界を含みＸ軸に垂直な面
１９２Ａ  …  第１膜
１９２Ｂ  …  第２膜
３５１  …  印字
Ｗ２００  …  積層ウエハ
【図１】
2017085412.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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