(57)【要約】【課題】十分なＢＤＶ（絶縁破壊電圧）が得られ、製品の特性を十分に満足することができる大容量の金属端子付き積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】金属端子付き積層セラミック電子部品１０は、複数のセラミック層と複数の内部電極層とを含み、主面１４ａ，１４ｂと、側面１４ｃ，１４ｄと、端面１４ｅ，１４ｆと、を含む積層体１４と、端面１４ｅ，１４ｆに形成される外部電極１６と、を有する複数の電子部品本体１２を含む。複数の電子部品本体１２が、主面１４ａ，１４ｂ同士が対面するように並んで配置される。また、金属端子付き積層セラミック電子部品１０は、外部電極１６に接続される金属端子１８を含む。電子部品本体１２は、主面１４ａ，１４ｂ同士を結んだ寸法と、側面１４ｃ，１４ｄ同士を結んだ寸法とが略同じ寸法を有する。複数の内部電極層の電極面は、金属端子１８が延びる方向に対して垂直な方向に配置される。【選択図】図５
2017085026.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のセラミック層と複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
前記積層体の端面上に形成される外部電極と、を有する複数の電子部品本体と、
前記複数の電子部品本体の前記外部電極に接続される２つの金属端子と、
を有する金属端子付き積層セラミック電子部品であって、
前記複数の電子部品本体は、前記第１の主面および前記第２の主面を結んだ積層方向の寸法と、前記第１の側面および前記第２の側面を結んだ幅方向の寸法とが略同じ寸法を有しており、
前記金属端子は、リード端子であり、
前記複数の電子部品本体の前記複数の内部電極層の電極面は、前記金属端子が延びる方向に対して垂直に配置されている、金属端子付き積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記金属端子は、前記外部電極に接続される端子接合部と、前記端子接合部から実装面の方向に延びる端子延長部を有しており、
前記端子延長部は、実装面側に最も近い電子部品本体の下方において、電子部品本体を支えるように湾曲している、請求項１に記載の金属端子付き積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記金属端子付き積層セラミック電子部品は、前記複数の電子部品本体と前記端子接合部と前記端子延長部の一部とを覆う外装材を有する、請求項２に記載の金属端子付き積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、金属端子付き積層セラミック電子部品に関し、特にたとえば、並んで配置される複数の積層セラミック電子部品に沿って配置され、積層セラミック電子部品の外部電極に接続される２つの金属端子を含む、金属端子付き積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、金属端子付き積層セラミック電子部品においては、容量を増やす目的で、金属端子に積層セラミック電子部品を複数個並列に接続する構造が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−７３０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構造の金属端子付き積層セラミック電子部品を使用する上で、積層セラミック電子部品を単体で用いる場合と比較して、十分な絶縁破壊電圧（以下、ＢＤＶという。）が得られず、製品の特性を十分に満足させることができないという問題が生じることがあった。
本発明者らは、鋭意研究の結果、上記の問題は、実装面に対する内部電極の積層方向の不揃いが原因であることがわかった。
【０００５】
ところで、特許文献１のように、長手方向と幅方向とで規定される互いに対向する２つの主面と、長手方向と積層方向とで規定される互いに対向する２つの側面と、幅方向と積層方向とで規定される互いに対向する２つの端面とを含む積層体において、積層体の長手方向は幅方向より長く、幅方向は厚み方向より長い場合、内部電極の積層方向が必然的に実装面に対して平行となり問題が生じない。
しかしながら、積層体の幅方向の寸法と積層体の積層方向の寸法が略同じ寸法の場合には、内部電極の積層方向がランダムとなり上記の問題が生じる場合がある。
【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、十分なＢＤＶが得られ、製品の特性を十分に満足することができる大容量の金属端子付き積層セラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品は、積層された複数のセラミック層と複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、積層体の端面上に形成される外部電極と、を有する複数の電子部品本体と、複数の電子部品本体の外部電極に接続される２つの金属端子と、を有する金属端子付き積層セラミック電子部品であって、複数の電子部品本体は、第１の主面および第２の主面を結んだ積層方向の寸法と、第１の側面および第２の側面を結んだ幅方向の寸法とが略同じ寸法を有しており、金属端子は、リード端子であり、複数の電子部品本体の複数の内部電極層の電極面は、金属端子が延びる方向に対して垂直に配置されている、金属端子付き積層セラミック電子部品である。
また、この発明にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品は、金属端子が、外部電極に接続される端子接合部と、端子接合部から実装面の方向に延びる端子延長部を有しており、端子延長部は、実装面側に最も近い電子部品本体の下方において、電子部品本体を支えるように湾曲していることが好ましい。
さらに、この発明にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品は、金属端子付き積層セラミック電子部品が、複数の電子部品本体と端子接合部と端子延長部の一部とを覆う外装材を有することが好ましい。
【０００８】
この発明にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品では、電子部品本体の内部電極層における電極面の積層方向を一方向に揃え、金属端子が延びる方向に対して垂直になるように積層されているので、電子部品本体を単体で用いた場合に近い絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が得られることから、金属端子付き積層セラミック電子部品の特性を十分に満足することができる。これは、電子部品本体の電歪による破壊発生電圧が積層方向により変わるため、電歪によるセラミックの変位が少ない方向に整列することで、応力集中が極小化されるためであると考えられる。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、十分なＢＤＶが得られ、製品の特性を十分に満足することができる大容量の金属端子付き積層セラミック電子部品を得ることができる。
【００１０】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の金属端子付き積層セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。
【図２】図１に示す金属端子付き積層セラミック電子部品に用いられる電子部品本体の外形を示す斜視図である。
【図３】（ａ）は、図２に示す電子部品本体の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図であり、（ｂ）は、図２に示す電子部品本体の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。
【図４】（ａ）（ｂ）は、図１に示す金属端子付き積層セラミック電子部品の電子部品本体と金属端子との接続関係を示す図解図である。
【図５】図１（ａ）に示す金属端子付き積層セラミック電子部品の線Ｉ−Ｉにおける断面図解図である。
【図６】（ａ）はこの発明の金属端子付き積層セラミック電子部品を回路基板に実装した状態の一例を示す図解図であり、（ｂ）はこの発明の金属端子付き積層セラミック電子部品を回路基板に実装した状態の他の例を示す図解図である。
【図７】（ａ）は比較例１における金属端子付き積層セラミック電子部品の断面図解図であり、（ｂ）は比較例２における金属端子付き積層セラミック電子部品の断面図解図である。
【図８】絶縁破壊電圧の測定結果を度数分布で示した図であり、（ａ）は参考例にかかる試料における絶縁破壊電圧の測定結果であり、（ｂ）は実施例にかかる試料おける絶縁破壊電圧の測定結果であり、（ｃ）は比較例１かかる試料における絶縁破壊電圧の測定結果であり、（ｄ）は比較例２にかかる試料おける絶縁破壊電圧の測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
１．金属端子付き積層セラミック電子部品
この発明の一実施の形態にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品について説明する。図１は、この発明の金属端子付き積層セラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。また、図２は、図１に示す金属端子付き積層セラミック電子部品に用いられる電子部品本体の外形を示す斜視図である。また、図３（ａ）は、図２に示す電子部品本体の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図であり、図３（ｂ）は、図２に示す電子部品本体の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。
【００１３】
この実施の形態にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品１０は、複数の積層セラミック電子部品である電子部品本体１２を含む。電子部品本体１２は、積層体１４と、外部電極１６とを含む。また、金属端子付き積層セラミック電子部品１０は、電子部品本体１２の外部電極１６に接続される金属端子１８を含む。
【００１４】
積層体１４は、複数の積層されたセラミック層２０と複数の内部電極層２２とを有する。積層体１４は、互いに対向する第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂと、互いに対向する第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄと、互いに対向する第１の端面１４ｅおよび第２の端面１４ｆとを有する。第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗに沿って延在する。第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄは、それぞれ、長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔに沿って延在する。第１の端面１４ｅおよび第２の端面１４ｆは、それぞれ、幅方向Ｗおよび積層方向Ｔに沿って延在する。第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂは、電子部品本体１２が実装される面（実装面）に対して平行な面をさす。
【００１５】
したがって、長さ方向Ｌとは、一対の端面同士を結んだ方向であり、幅方向Ｗとは、一対の側面同士を結んだ方向であり、積層方向Ｔとは、一対の主面同士を結んだ方向である。電子部品本体１２に含まれる積層体１４は、第１の主面１４ａと第２の主面１４ｂとを結んだ積層方向Ｔの寸法と、第１の側面１４ｃと第２の側面１４ｄとを結んだ幅方向Ｗの寸法とが略同じ寸法を有している。
【００１６】
この実施の形態にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品１０は、積層体１４が、直方体状に形成される。また、積層体１４は、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。ここで、角部は、積層体１４の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体１４の２面が交わる部分である。
【００１７】
セラミック層２０は、外層部２０ａと内層部２０ｂとを含む。外層部２０ａは、積層体１４の第１の主面１４ａ側および第２の主面１４ｂ側に位置し、第１の主面１４ａと最も第１の主面１４ａに近い内部電極層２２との間に位置するセラミック層２０、および第２の主面１４ｂと最も第２の主面１４ｂに近い内部電極層２２との間に位置するセラミック層２０である。そして、両外層部２０ａに挟まれた領域が内層部２０ｂである。
【００１８】
セラミック層２０は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3、またはＣａＺｒＯ3などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する電子部品本体１２の特性に応じて、例えば、Ｍｎ化合物，Ｆｅ化合物，Ｃｒ化合物，Ｃｏ化合物，Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない成分を添加したものを用いてもよい。
【００１９】
なお、上述したように、この実施の形態にかかる積層体１４は、誘電体セラミックからなる。したがって、電子部品本体１２は、コンデンサとして機能する。
一方、積層体１４に、圧電体セラミックを用いた場合、電子部品本体１２は、セラミック圧電素子として機能する。圧電セラミック材料の具体例としては、たとえば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。
また、積層体１４に、半導体セラミックを用いた場合、電子部品本体１２は、サーミスタ素子として機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
また、積層体１４に、磁性体セラミックを用いた場合、電子部品本体１２は、インダクタ素子として機能する。また、インダクタ素子として機能する場合は、内部電極２４は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。
【００２０】
焼成後のセラミック層２０の厚みは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００２１】
図３に示すように、積層体１４は、複数の内部電極層２２として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層２２ａおよび複数の第２の内部電極層２２ｂを有する。複数の第１の内部電極層２２ａおよび複数の第２の内部電極層２２ｂは、積層体１４の第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂに対して平行であり、積層体１４の積層方向Ｔに沿って、複数のセラミック層２０に挟まれて交互に積層されている。したがって、第１の内部電極層２２ａおよび第２の内部電極層２２ｂの電極面は、金属端子１８が延びる方向に対して垂直に配置される。
【００２２】
第１の内部電極層２２ａの一端側には、積層体１４の第１の端面１４ｅに引き出された引出電極部２４ａを有する。第２の内部電極層２２ｂの一端側には、積層体１４の第２の端面１４ｆに引き出された引出電極部２４ｂを有する。具体的には、第１の内部電極層２２ａの一端側の引出電極部２４ａは、積層体１４の第１の端面１４ｅに露出している。また、第２の内部電極層２２ｂの一端側の引出電極部２４ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆに露出している。
【００２３】
積層体１４は、セラミック層２０の内層部２０ｂにおいて、第１の内部電極層２２ａと第２の内部電極層２２ｂとが対向する対向電極部２６ａを含む。また、積層体１４は、対向電極部２６ａの幅方向Ｗの一端と第１の側面１４ｃとの間および対向電極部２６ａの幅方向Ｗの他端と第２の側面１４ｄとの間に形成される積層体１４の側部（以下、「Ｗギャップ」という。）２６ｂを含む。さらに、積層体１４は、第１の内部電極層２２ａの引出電極部２４ａとは反対側の端部と第２の端面１４ｆとの間および第２の内部電極層２２ｂの引出電極部２４ｂとは反対側の端部と第１の端面１４ｅとの間に形成される積層体１４の端部（以下、「Ｌギャップ」という。）２６ｃを含む。
【００２４】
第１の内部電極層２２ａおよび第２の内部電極層２２ｂは、たとえば、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含むたとえばＡｇ−Ｐｄ合金などの合金により構成することができる。第１の内部電極層２２ａおよび第２の内部電極層２２ｂは、さらに、セラミック層２０に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。第１の内部電極層２２ａおよび第２の内部電極層２２ｂそれぞれの厚みは、０．１μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。
【００２５】
積層体１４の第１の端面１４ｅ側および第２の端面１４ｆ側には、外部電極１６が形成される。外部電極１６は、第１の外部電極１６ａおよび第２の外部電極１６ｂを有する。
積層体１４の第１の端面１４ｅ側には、第１の外部電極１６ａが形成される。第１の外部電極１６ａは、積層体１２の第１の端面１４ｅにのみ形成されてもよいし、第１の端面１４ｅから延伸して第１の主面１４ａ、第２の主面１４ｂ、第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄの一部分を覆うように形成されてもよい。この場合、第１の外部電極１６ａは、第１の内部電極層２２ａの引出電極部２４ａと電気的に接続される。
積層体１４の第２の端面１４ｆ側には、第２の外部電極１６ｂが形成される。第２の外部電極１６ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆにのみ形成されてもよいし、第２の端面１４ｆから延伸して第１の主面１４ａ、第２の主面１４ｂ、第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄの一部分を覆うように形成されてもよい。この場合、第２の外部電極１６ｂは、第２の内部電極層２２ｂの引出電極部２４ｂと電気的に接続される。
【００２６】
積層体１４内においては、対向電極部２６ａで第１の内部電極層２２ａと第２の内部電極層２２ｂとがセラミック層２０を介して対向することにより、電気特性（たとえば、静電容量）が発生する。そのため、第１の内部電極層２２ａが接続された第１の外部電極１６ａと第２の内部電極層２２ｂが接続された第２の外部電極１６ｂとの間に、静電容量を得ることができる。したがって、このような構造の電子部品本体１２はコンデンサとして機能する。
【００２７】
外部電極１６は、積層体１４側から順に、下地電極層およびめっき層を有する。下地電極層は、それぞれ、焼付け層、樹脂層、薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含むが、ここでは焼付け層で形成された下地電極層について説明する。
焼付け層は、ガラスおよび金属を含む。焼付け層の金属としては、たとえば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１４に塗布して焼き付けることにより形成される。焼付け層は、セラミック層２０および内部電極層２２と同時に焼成したものでもよく、セラミック層２０および内部電極層２２を焼成した後に焼き付けたものでもよい。焼付け層のうちの最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２８】
焼付け層の表面に、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層が形成されてもよい。なお、樹脂層は、焼付け層を形成せずに積層体１４上に直接形成してもよい。また、樹脂層は、複数層であってもよい。樹脂層のうちの最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
また、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。
【００２９】
また、めっき層としては、たとえば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕなどから選ばれる少なくとも１つ含む。
めっき層は、複数層によって形成されてもよい。めっき層は、焼付け層の表面に設けられた第１めっき層と、第１めっき層の表面に設けられた第２めっき層とを含む２層構造であることが好ましい。第１めっき層はＮｉを用いるのが好ましい。なお、内部電極層２２にＮｉを含む場合は、第１めっき層としては、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いることが好ましい。また、第２めっき層はＳｎやＡｕを用いるのが好ましい。めっき層一層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
複数の電子部品本体１２は、主面同士が対面するように並んで配置される。複数の電子部品本体１２の間は、接合材などで接合されていてもよい。複数の電子部品本体１２、ここでは、５個の電子部品本体１２の両側の外部電極１６に、金属端子１８が接続される。複数の電子部品本体１２は、主面の面方向と金属端子１８が延びる方向とがほぼ直交するように、金属端子１８に半田付けされる。ここで、金属端子１８の取り付け位置は、電子部品本体１２の外部電極１６の端面中央部に取り付けられることが好ましい。
なお、金属端子１８に接続される電子部品本体１２の数は制限されるものではなく、５個よりも少数あるいは多数の電子部品本体１２が金属端子１８に接続されてもよい。
【００３１】
金属端子１８は、たとえば、リード端子である。金属端子１８は、第１の金属端子１８ａおよび第２の金属端子１８ｂを有する。第１の金属端子１８ａは、第１の外部電極１８ａに接続される端子接合部２８ａと、端子接合部２８ａから延びる端子延長部３０ａとを有する。第２の金属端子１８ｂは、第２の外部電極１８ｂに接続される端子接合部２８ｂと、端子接合部２８ｂから延びる端子延長部３０ｂとを有する。端子接合部２８ａは、互いの主面が対面した状態で整列させられた５個の電子部品本体１２の第１の外部電極１８ａに接続され、端子接合部２８ｂは、同様に、第２の外部電極１８ｂに接続される。したがって、電子部品本体１２の内部電極層２２の電極面は、金属端子１８の端子延長部３０ａおよび３０ｂが延びる方向に対して垂直になるように配置される。
【００３２】
端子接合部２８ａの先端部は、図４（ａ）に示すように、一方側端部に配置された電子部品本体１２の端面の外部電極１８ａに向かって屈曲させられ、端子接合部２８ｂの先端部も同様に、一方側端部に配置された電子部品本体１２の端面の外部電極１８ｂに向かって屈曲させられる。また、端子延長部３０ａおよび３０ｂにおいては、他方側端部に配置された電子部品本体１２の主面に向かってＵ字状に折り曲げられ、電子部品本体１２の主面を支持している。換言すると、端子延長部３０ａおよび３０ｂは、実装面側に最も近い電子部品本体１２の下方において、電子部品本体１２を支えるように湾曲している。このように、端子接続部２８ａおよび端子接続部２８ｂのそれぞれの先端部で一方側の電子部品本体１２を挟み込み、端子延長部３０ａおよび３０ｂの屈曲部で他方側の電子部品本体１２の主面を支持することにより、多段状に並べられた電子部品本体１２を金属端子１８からずれることなく、位置決めを行うことができ、複数の電子部品本体１２を安定して整列させることができる。また、端子接続部２８ａおよび端子接続部２８ｂの屈曲させた先端部で電子部品本体１２の端面を保持することにより、図４（ａ）に示すように、端子接続部２８ａおよび端子接続部２８ｂと電子部品本体１２との間にわずかな隙間が形成され、接合材３２であるクリーム半田がこの隙間に入り込みやすくなるため、金属端子１８と電子部品本体１２の半田付け位置を安定させることができる。これにより、端子接続部２８ａおよび端子接続部２８ｂと電子部品本体１２とを確実に固定することができる。また、端子接続部２８ａおよび端子接続部２８ｂは、図４（ｂ）に示すように、整列した５個の電子部品本体１２の端面に沿って、「く」字状に屈曲させられる。
【００３３】
金属端子１８の直径は、０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度であることが好ましい。金属端子１８の端子接続部２８ａおよび２８ｂと電子部品本体１２の外部電極１６とは、図１に示すように、接合材３２により接続される。そのために、金属端子１８は、リード本体とリード本体の表面に形成されるめっき膜とで構成されていることが好ましい。
【００３４】
リード本体は、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金で形成される。特に、リード本体は、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金で形成されることが好ましい。具体的には、リード本体は、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金やＦｅ−１８Ｃｒ合金などで形成される。これにより、外部電極１６の耐熱性を向上させることができる。
【００３５】
リード本体の表面には、めっき膜が形成される。めっき膜は、リード本体の露出部分を覆っている。めっき膜は、リード本体の表面に形成される下層めっき膜と、下層めっき膜の表面に形成される上層めっき膜とで構成される。なお、下層めっき膜および上層めっき膜は、それぞれ複数のめっき膜により形成されてもよい。下層めっき膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。また、上層めっき膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。
【００３６】
下層めっき膜は、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金で形成される。特に、下層めっき膜は、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。リード本体および下層めっき膜のそれぞれを、高融点のＮｉ，Ｆｅ，Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金によって形成することにより、金属端子１８の耐熱性を向上させることができる。
【００３７】
上層めっき膜は、Ｓｎ，Ａｇ，Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金で形成される。特に、上層めっき膜は、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなることが好ましい。上層めっき膜をＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金で形成することにより、金属端子１８と外部電極１６との半田付き性を向上させることができる。
【００３８】
このように、２つの金属端子１８と、これらの金属端子１８の間に金属端子１８に沿って配置される電子部品本体１２の外部電極１８とが接合材３２によって接合されている。なお、第１の金属端子１８ａの端子接合部２８ａおよび第２の金属端子１８ｂの端子接合部２８ｂは「く」字状に屈曲するように形成されているため、第１の金属端子１８ａおよび第２の金属端子１８ｂにクリーム半田を付着させるときに、第１の金属端子１８ａの端子接合部２８ａおよび第２の金属端子１８ｂの端子接合部２８ｂへのクリーム半田の延び性を向上させることができるという効果がある。この「く」字状の屈曲部の角度は、１０°以上３０°以下程度であることが好ましい。ここで用いられる半田としては、例えば、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｂｉ系などのＬＦ半田を用いることができる。中でも、Ｓｎ−Ｓｂ系半田を用いる場合には、Ｓｂ含有率が１０％程度であることが好ましい。
【００３９】
金属端子付き積層セラミック電子部品１０は、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、複数の電子部品本体１２の外表面、第１の金属端子１８ａの端子接合部２８ａおよび第２の金属端子１８ｂの端子接合部２８ｂ、並びに第１の金属端子１８の端子延長部３０ａおよび第２の金属端子１８ｂの端子延長部３０ｂの一部を覆うように、必要に応じて、樹脂などにより外装材３４が形成されてもよい。それにより、絶縁性および耐水性などの効果を得ることができる。なお、外装材３４の種類としては、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などを用いることができる。
【００４０】
また、金属端子付き積層セラミック電子部品１０は、図６（ａ）に示すように、複数の電子部品本体１２の主面１４ａおよび１４ｂが、回路基板の実装面に対して平行になるように実装されてもよいし、図６（ｂ）に示すように、複数の電子部品本体１２の主面１４ａおよび１４ｂが実装面に対して垂直になるように実装されてもよい。
【００４１】
図６（ａ）のように金属端子付き積層セラミック電子部品１０が回路基板に対して実装される場合は、第１の内部電極層２２ａおよび第２の内部電極層２２ｂの電極面は、回路基板の実装面に対して平行になるように配置される。
【００４２】
一方、図６（ｂ）のように金属端子付き積層セラミック電子部品１０が回路基板に対して実装される場合は、第１の内部電極２２ａおよび第２の内部電極層２２ｂの電極面は、回路基板の実装面に対して垂直に配置される。また、複数の電子部品本体１２の主面１４ａおよび１４ｂが、回路基板の実装面に対して垂直になるように実装する場合には、その実装面と金属端子付き積層セラミック電子部品１０との表面とが接着剤により固定されていてもよい。また、回路基板に実装された金属端子付き積層セラミック電子部品１０の金属端子１８部分を直角に折り曲げることにより、さらなる省スペース化を図ることができる。なお、金属端子１８の折り曲げられた角部は、丸みを帯びていてもよい。
【００４３】
図１に示す金属端子付き積層セラミック電子部品１０は、電子部品本体１２の内部電極層２２における電極面の積層方向を一方向に揃え、金属端子１８の端子延長部３０ａおよび３０ｂが延びる方向に対して垂直になるように積層されているので、電子部品本体１２を単体で用いた場合に近い絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が得られることから、金属端子付き積層セラミック電子部品１０の特性を十分に満足することができる。これは、電子部品本体１２の電歪による破壊発生電圧が積層方向により変わるため、電歪によるセラミックの変位が少ない方向に整列することで、応力集中が極小化されるためであると考えられる。
【００４４】
２．金属端子付き積層セラミック電子部品の製造方法
次に、この金属端子付き積層セラミック電子部品の製造方法について説明する。
【００４５】
（電子部品本体の作成）
まず、セラミックグリーンシートと、内部電極用の導電性ペーストとを準備する。セラミックグリーンシートや内部電極用の導電性ペーストは、バインダ（たとえば、公知の有機バインダなど）および溶剤（たとえば、有機溶剤など）を含む。
【００４６】
次に、セラミックグリーンシート上に、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで内部電極用の導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。このようにして、内部電極パターンが印刷された内層用のセラミックグリーンシートを作製する。また、内部電極パターンが印刷されていない外層用のセラミックグリーンシートも作製する。
【００４７】
そして、内部電極パターンが印刷されていない外層用のセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その表面に内部電極パターンが印刷された内層用のセラミックグリーンシートを順次積層し、その表面に外層用のセラミックグリーンシートを所定枚数積層することにより、積層シートを作製する。
【００４８】
さらに、積層シートを静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスし、積層ブロックを作製する。
【００４９】
つづいて、積層ブロックを所定のサイズにカットすることにより積層チップを作製する。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みが形成されてもよい。
【００５０】
次に、積層チップを焼成することにより積層体を作製する。焼成温度は、セラミックや内部電極の材料にもよるが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。
【００５１】
最後に、積層体の両端面に外部電極用の導電性ペーストを塗布し、焼き付け、外部電極の焼き付け層を形成する。焼き付け温度は７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。必要に応じて、焼付け層の表面にめっき層を形成してもよい。以上のようにして電子部品本体（コンデンサ）を作製する。
【００５２】
（電子部品本体に一対の金属端子を取り付ける工程）
つづいて、本発明にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品の製造方法における金属端子の取り付け工程について、説明する。
【００５３】
まず、一対の金属端子が準備される。また、この一対の金属端子を準備する工程と並行して、電子部品本体の主面同士を対面するように並べて配置し、その結果、電子部品本体の内部電極の電極面の方向が一定の方向に揃えられた状態で、複数個の電子部品本体が積み重ねられる。
【００５４】
積み重ねられた複数の電子部品本体の内部電極の電極面に対して垂直になるように、複数の電子部品本体は一対の金属端子で挟み込まれ、一対の金属端子と電子部品本体の外部電極の端面とを接合材を用いて接合される。接合材は半田が用いられる。この半田付けは、リフローによって行われ、リフローの温度は、２７０℃以上２９０℃位以下とすることが好ましい。以上のようにして、複数の電子部品本体に一対の金属端子が取り付けられる。
【００５５】
以上のようにして得られた金属端子付き積層セラミック電子部品の効果は、次の実験例からも明らかになるであろう。
【００５６】
３．実験例
以下、この発明の効果を確認するために発明者らが行った実験例について説明する。
実験例では、上述の方法により得られた金属端子付き積層セラミック電子部品について、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）を測定し、その結果に基づき評価を行った。この評価のために、実施例にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品の試料、並びに比較例１および比較例２にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品の各試料を準備した。実施例、比較例１および比較例２の金属端子付き積層セラミック電子部品の各試料は、それぞれ電子部品本体を重ねる方法が異なっている。
さらに、この評価のために、参考例として電子部品本体単体の試料を準備し、参考例にかかる電子部品本体単体の試料についても絶縁破壊電圧を測定した。
なお、この実験例で使用した電子部品本体は、積層セラミックコンデンサとした。
【００５７】
参考例、実施例、並びに比較例１および比較例２において用いられる電子部品本体のスペックは以下の通りである。なお、サイズなどの寸法は設計値である。
サイズ：Ｌ×Ｗ×Ｔ＝３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．５ｍｍ
セラミック層の材料：ＢａＴｉＯ3
内部電極層：Ｎｉ
外部電極の構造
下地電極層：Ｃｕ
めっき層：Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層からなる２層構造
金属端子
端子本体の直径：０．６ｍｍ
下層めっき：Ｃｕ
上層めっき：Ｓｎ
【００５８】
（参考例）
参考例にかかる試料は、電子部品本体単体である。
【００５９】
（実施例）
実施例にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品の試料を作製するために、１つの金属端子付き積層セラミック電子部品につき５つの電子部品本体を準備した。図５に示すように、内部電極層の電極面が、金属端子の端子延長部が延びる方向に対して垂直となるように、５つの電子部品本体を配置して重ねた。
【００６０】
（比較例１）
比較例１にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品の試料を作製するために、１つの金属端子付き積層セラミック電子部品につき５つの電子部品本体を準備した。図７（ａ）に示すように、内部電極層の電極面が、金属端子の端子延長部が延びる方向に対して垂直となる場合と平行になる場合と交互に積層されるように、５つの電子部品本体を配置して重ねた。その他の条件は、実施例と同じとした。
【００６１】
（比較例２）
比較例２にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品の試料を作製するために、１つの金属端子付き積層セラミック電子部品につき５つの電子部品本体を準備した。図７（ｂ）に示すように、内部電極層の電極面が、金属端子の端子延長部が延びる方向に対して平行になるように、５つの電子部品本体を配置して重ねた。その他の条件は、実施例と同じとした。
【００６２】
なお、参考例のサンプル数は１０個とし、実施例、比較例１および比較例２の各サンプル数は、それぞれ２０個とした。
【００６３】
（絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）による評価）
まず、金属端子付き積層セラミック電子部品の各試料の金属端子（参考例の場合は、電子部品本体の外部電極）をＢＤＶ測定装置の電極に設置した。
次に、室温下において、電子部品本体の部分がフロリナート（フッ素系不活性液体）に浸漬するよう設置した。
そして、フロリナート（フッ素系不活性液体）に浸漬した状態で、初期電圧：０Ｖ、昇圧速度：１００Ｖ／ｓｅｃ、検知電流（不良と判断する電流値の設定）：１０ｍＡの条件で、電圧の印加を開始した。そして、検知電流を超える直前の電圧を記録し、この値をＢＤＶとした。
【００６４】
図８は、絶縁破壊電圧の測定結果を度数分布で示している。図８（ａ）は参考例にかかる試料における絶縁破壊電圧の測定結果であり、図８（ｂ）は実施例にかかる試料おける絶縁破壊電圧の測定結果であり、図８（ｃ）は比較例１かかる試料における絶縁破壊電圧の測定結果であり、図８（ｄ）は比較例２にかかる試料おける絶縁破壊電圧の測定結果である。
【００６５】
以上の結果より、実施例にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品は、内部電極層の電極面を積層方向に揃え、金属端子の端子延長部が延びる方向に対して垂直になるように積層することで、電子部品本体（積層セラミックコンデンサ）単体で用いる場合に近いＢＤＶ（絶縁破壊電圧）が得られ、金属端子付き積層セラミック電子部品の特性を十分に満足することが確認された。
【００６６】
一方、比較例１にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品では、得られるＢＤＶが、参考例や実施例において得られるＢＤＶと比較した時、低下する傾向にあり、かつ大きくばらついていることが確認された。また、比較例２にかかる金属端子付き積層セラミック電子部品では、得られるＢＤＶが参考例や実施例において得られるＢＤＶと比較した時、さらに低下した試料の多いことが確認された。
【符号の説明】
【００６７】
１０  金属端子付き積層セラミック電子部品
１２  電子部品本体
１４  積層体
１６  外部電極
１６ａ  第１の外部電極
１６ｂ  第２の外部電極
１８  金属端子
１８ａ  第１の金属端子
１８ｂ  第２の金属端子
２０  セラミック層
２０ａ  外層部
２０ｂ  内層部
２２  内部電極層
２２ａ  第１の内部電極層
２２ｂ  第２の内部電極層
２４ａ、２４ｂ  引出電極部
２６ａ  対向電極部
２６ｂ  Ｗギャップ
２６ｃ  Ｌギャップ
２８ａ、２８ｂ  端子接合部
３０ａ、３０ｂ  端子延長部
３２  接合材
３４  外装材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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