(57)【要約】【課題】アルコール飲料の腐敗を防止することのできる、アルコール飲料の製造方法、アルコール飲料の製造システム、および、アルコール飲料を提供すること。【解決手段】本発明のアルコール飲料の製造方法は、少なくとも一部の製造工程を、殺菌性粒子発生装置によって発生したイオン、ラジカル、過酸化物およびオゾンの少なくとも１種を含む殺菌性粒子が存在する環境下で実施することを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルコール飲料の製造方法であって、
少なくとも一部の製造工程を、殺菌性粒子発生装置によって発生したイオン、ラジカル、過酸化物およびオゾンの少なくとも１種を含む殺菌性粒子が存在する環境下で実施する、製造方法。
【請求項２】
空気調和装置によって、前記少なくとも一部の製造工程が実施される施設内の空気を調和し、
前記空気調和装置から前記施設内に送出される調和空気に前記殺菌性粒子を混入させる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記少なくとも一部の製造工程は発酵工程を含み、前記発酵工程が実施される施設内に前記殺菌性粒子を発生させるように前記殺菌性粒子発生装置を設置する、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記少なくとも一部の製造工程は圧搾工程を含み、前記圧搾工程が実施される施設内に前記殺菌性粒子を発生させるように前記殺菌性粒子発生装置を設置する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記少なくとも一部の製造工程は麹造り工程を含み、前記麹造り工程が実施される施設内に前記殺菌性粒子を発生させるように前記殺菌性粒子発生装置を設置する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記少なくとも一部の製造工程は酒母造り工程を含み、前記酒母造り工程が実施される施設内に前記殺菌性粒子を発生させるように前記殺菌性粒子発生装置を設置する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
アルコール飲料を製造するための製造システムであって、
イオン、ラジカル、過酸化物およびオゾンの少なくとも１種を含む殺菌性粒子を発生させる殺菌性粒子発生装置を備え、
前記殺菌性粒子発生装置は、少なくとも一部の製造工程が実施される施設内に前記殺菌性粒子を発生させるように配置されている、製造システム。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法によって製造されたアルコール飲料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルコール飲料の製造方法、アルコール飲料の製造システム、および、アルコール飲料に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１（特開２０１４−１３２８５５号公報）には、イオン発生装置を作動させ、イオンが存在する環境下で、醸造食品の発酵等を行う醸造食品の製造方法が記載されている。
【０００３】
一方、例えば、酒造メーカーにおいては、清酒の腐敗を引き起こす「火落ち菌」が問題となる場合があるため、「火入れ」という加熱工程を設け、火落ち菌等を滅菌する対策が実施されている。
【０００４】
なお、「火落ち菌」は、乳酸菌の一種であり、例えば、Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ属のＬａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｆｒｕｃｔｉｖｏｒａｎｓ、Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｈｉｌｇａｒｄｉｉ、Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｐａｒａｃａｓｅｉ、Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓなどである。火落ち菌は、コウジカビが生成するメバロン酸を主食とすることがわかっている。火落ち菌は、清酒等に入り込むと濁りを生じ、酸化させ、また臭みを帯びさせる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１３２８５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、火入れ工程は、清酒の成分を変質させないようにするため、比較的低温（６０〜７０℃程度）で実施される。このように、清酒等のアルコール飲料の加熱滅菌工程では、火落ち菌等の微生物を完全に滅菌する訳ではなく、加熱滅菌後に生存している微生物の残存量、種類等によっては、アルコール飲料が変質または腐敗してしまう可能性があるという問題があった。また、火入れ工程による滅菌が完全であったとしても、製造工程において外部環境から火落ち菌が混入し、アルコール飲料の変質・腐敗を引き起こすという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、アルコール飲料の変質、腐敗等を抑制することのできる、アルコール飲料の製造方法、アルコール飲料の製造システム、および、アルコール飲料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のアルコール飲料の製造方法は、少なくとも一部の製造工程を、殺菌性粒子発生装置によって発生したイオン、ラジカル、過酸化物およびオゾンの少なくとも１種を含む殺菌性粒子が存在する環境下で実施することを特徴とする。
【０００９】
空気調和装置によって、少なくとも一部の製造工程が実施される施設内の空気を調和し、空気調和装置から施設内に送出される調和空気に殺菌性粒子を混入させることが好ましい。
【００１０】
少なくとも一部の製造工程は発酵工程を含み、発酵工程が実施される施設内に殺菌性粒子を発生させるように殺菌性粒子発生装置を設置することが好ましい。
【００１１】
少なくとも一部の製造工程は圧搾工程を含み、圧搾工程が実施される施設内に殺菌性粒子を発生させるように殺菌性粒子発生装置を設置することが好ましい。
【００１２】
少なくとも一部の製造工程は麹造り工程を含み、麹造り工程が実施される施設内に殺菌性粒子を発生させるように殺菌性粒子発生装置を設置することが好ましい。
【００１３】
少なくとも一部の製造工程は酒母造り工程を含み、酒母造り工程が実施される施設内に殺菌性粒子を発生させるように殺菌性粒子発生装置を設置することが好ましい。
【００１４】
また、本発明は、アルコール飲料を製造するための製造システムにも関する。本発明の製造システムは、イオン、ラジカル、過酸化物およびオゾンの少なくとも１種を含む殺菌性粒子を発生させる殺菌性粒子発生装置を備え、殺菌性粒子発生装置は、少なくとも一部の製造工程が実施される施設内に殺菌性粒子を発生させるように配置されている。
【００１５】
また、本発明は、上記のアルコール飲料の製造方法によって製造されたアルコール飲料にも関する。
【発明の効果】
【００１６】
アルコール飲料の製造において、火入れ工程等の滅菌処理を行っても、完全に火落ち菌等を滅菌することができず、アルコール飲料が腐敗してしまう場合がある。このため、アルコール飲料には、製造工程において外部からの不要な微生物ができるだけ混入しないようにすることが望ましい。
【００１７】
本発明によれば、アルコール飲料の製造工程を殺菌力のある粒子を含む環境下で実施することで、アルコール飲料に不要な菌が混入することを抑制することができる。これにより、アルコール飲料の変質、腐敗等を抑制することのできる、アルコール飲料の製造方法、アルコール飲料の製造システム、および、アルコール飲料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】この発明の実施形態１によるイオン発生装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示したイオン発生装置の斜視図である。
【図３】図２に示したイオン発生装置から蓋部材および保護カバーを外した状態を示す斜視図である。
【図４】図１に示したイオン発生装置の構成を示す回路図である。
【図５】清酒の製造工程を説明するための模式図である。
【図６】実施形態１の製造方法を説明するための模式図である。
【図７】実施形態２の製造方法を説明するための模式図である。
【図８】実施形態３の製造方法を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表す。
【００２０】
［実施形態１］
本実施形態のアルコール飲料の製造方法は、少なくとも一部の製造工程を、殺菌性粒子発生装置によって発生したイオン、ラジカル、過酸化物およびオゾンの少なくとも１種を含む殺菌性粒子が存在する環境下で実施することを特徴とする。
【００２１】
アルコール飲料としては、醸造酒、蒸留酒および混成酒が挙げられる。醸造酒としては、単発酵酒（ワインなど）および複発酵酒が挙げられる。複発酵酒としては、単行複発酵酒（ビールなど）および並行複発酵酒（清酒など）が挙げられる。
【００２２】
なお、蒸留酒および混成酒では、蒸留アルコールが使用され、最終製品に火落ち菌が混入する可能性は低いため、特に本実施形態の除菌方法は、醸造酒の製造に対して火落ち菌を除菌するために有用である。醸造酒は、好ましくは清酒である。
【００２３】
以下、本実施形態のアルコール飲料の製造方法の一例として、清酒の製造方法について説明する。清酒の一般的な製造工程（醸造工程）の概要を図５に示す。
【００２４】
図５に示されるように、一般的な清酒の製造においては、精白した蒸米の約２０％に種麹を加えて麹を造る（麹造り工程）。また、別途、麹、蒸米および水に酵母を加えて培養した酒母（モト）を造っておく（酒母造り工程）。発酵タンク内の酒母に、蒸米、コウジおよび仕込み水を３回に分けて、順次増量しながら加えて「モロミ」を造り、低温で２〜３週間発酵させる（発酵工程）。熟成モロミは圧搾濾過（圧搾工程）後、火入れ（加熱殺菌）して貯蔵される。
【００２５】
本実施形態の製造方法は、清酒の製造方法のように、少なくとも発酵工程を含んでいる。そして、発酵工程が実施される施設（発酵タンクが設置された発酵室）内に殺菌性粒子を発生させるように殺菌性粒子発生装置が設置される。
【００２６】
具体的には、図６に示されるように、発酵室内に、殺菌性粒子発生装置（後述のイオン発生装置１００など）を備える床置き型の殺菌性粒子発生機１０１、および、殺菌性粒子発生装置を備える天井型の殺菌性粒子発生機１０２の少なくともいずれかが設置されている。
【００２７】
これにより、発酵室内に殺菌性粒子が浮遊し、火落ち菌を含む浮遊菌を殺菌することができる。したがって、発酵タンクのフタを開放した際などにモロミに火落ち菌が混入することを抑制できる。
【００２８】
なお、空気調和装置によって、少なくとも一部の製造工程が実施される施設（発酵室）内の空気を調和し、空気調和装置から発酵室内に送出される調和空気に殺菌性粒子を混入させてもよい。
【００２９】
空気調和装置から施設内に送出される調和空気に殺菌性粒子を混入させるためには、例えば、空気調和装置内の送風ダクト内などに殺菌性粒子発生装置を有していてもよく、また、空気調和システムにおいて空気調和装置に接続される室内への送風用のダクト内に殺菌性粒子発生装置を設置してもよい。このように、殺菌性粒子発生装置は、製造施設内に殺菌性粒子を発生させるように設置されていればよく、必ずしも製造施設の内部に設置されていなくてもよい。
【００３０】
本実施形態に用いられる製造システムは、イオン、ラジカル、過酸化物およびオゾンの少なくとも１種を含む殺菌性粒子を発生させる殺菌性粒子発生装置を備えている。そして、殺菌性粒子発生装置は、少なくとも一部の製造工程が実施される施設内に殺菌性粒子を発生させるように配置されている。
【００３１】
また、本実施形態の製造方法によって製造されたアルコール飲料は、火落ち菌の混入量が従来よりも低減されている。このため、保管後も腐敗、着色などが発生し難い高品質なアルコール飲料を提供することができる。
【００３２】
なお、本実施形態のアルコール飲料の製造方法は、火落ち菌の混入量が少ないため、火入れ温度を比較的低く設定することや、火入れの時間を短く設定することにより、火入れ工程における清酒原料からの香り成分の蒸発や、香り成分の熱分解を抑えられることが可能になる。従って、本実施形態の製造方法を用いることにより、清酒の特有の香りが良く保たれた上質な酒を製造することが可能になる。
【００３３】
（殺菌性粒子発生装置）
本実施形態において使用される殺菌性粒子発生装置は、イオン、ラジカル、過酸化物およびオゾンの少なくとも１種を含む殺菌性粒子を発生させる装置である。なお、装置自体はイオンのみを発生するイオン発生装置し、そのイオンの作用によって、空気中等にラジカル、過酸化物等が発生するような装置も、殺菌性粒子発生装置に含まれる。
【００３４】
ここで、イオンは、プラスイオンであってもマイナスイオンであってもよい。プラスイオンは、例えば、水素イオン（Ｈ＋）、水素イオンの周囲に複数の水分子が付随してなるクラスターイオンなどである。マイナスイオンは、例えば、スーパーオキシドアニオン（Ｏ２−）、スーパーオキシドアニオン（Ｏ２−）の周囲に複数の水分子が付随したクラスターイオンなどである。
【００３５】
ラジカルは、例えば、ヒドロキシラジカル（・ＯＨ）、ヒドロペルオキシラジカル（ＨＯ２・）、酸素ラジカル（・Ｏ２）、一酸化窒素ラジカルなどである。過酸化物（ペルオキシド）は、例えば、過酸化水素、ヒドロペルオキシドなどである。
【００３６】
なお、殺菌性粒子は、イオン、ラジカル、過酸化物およびオゾンの少なくとも１種を含む化合物であってもよく、水分子、水の微粒子、または、粉塵等の微粒子に、イオン、ラジカル、過酸化物およびオゾンの少なくとも１種が付着してなる粒子であってもよい。
【００３７】
なお、プラスイオン（水素イオン（Ｈ＋）、水素イオンの周囲に複数の水分子が付随してなるクラスターイオン）およびマイナスイオン（スーパーオキシドアニオン（Ｏ２−）、スーパーオキシドアニオン（Ｏ２−）の周囲に複数の水分子が付随したクラスターイオン）を室内に放出すると、両イオンが空気中を浮遊する細菌、ウィルス等の周りを取り囲み、その表面上で化学反応を起こす。その際に生成される活性種のヒドロキシラジカル（・ＯＨ）等の作用により、火落ち菌を含む浮遊菌などが殺菌される。
【００３８】
殺菌性粒子発生装置としては、例えば、イオン発生装置、オゾン発生装置などがあげられる。イオン発生装置としては、具体的には、例えば、プラズマクラスターイオン発生装置（シャープ株式会社製）、ナノイーイオン発生装置（パナソニック株式会社製）などが挙げられる。
【００３９】
以下、本実施形態における殺菌性粒子発生装置の一例として好適に用いることのできるプラズマクラスターイオン発生装置について詳細に説明する。
【００４０】
図１（ａ）はイオン発生装置の上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図２はイオン発生装置の斜視図であり、図３は図２に示したイオン発生装置から蓋部材１１および保護カバー１２を外した状態を示す斜視図である。
【００４１】
図１〜図３において、このイオン発生装置１００は、プラスイオンを発生するための針電極１と、マイナスイオンを発生するための針電極２と、針電極１との間に電界を形成するための環状の誘導電極３と、針電極２との間に電界を形成するための環状の誘導電極４と、２枚の長方形状のプリント基板５，６とを備える。
【００４２】
プリント基板５，６は、所定の間隔を開けて図１（ｂ）中の上下に平行に配置されている。誘導電極３は、プリント基板５の長手方向の一方端部の表面に、プリント基板５の配線層を用いて形成されている。誘導電極３の内側には、プリント基板５を貫通する孔５ａが開口されている。また、誘導電極４は、プリント基板５の長手方向の他方端部の表面に、プリント基板５の配線層を用いて形成されている。誘導電極４の内側には、プリント基板５を貫通する孔５ｂが開口されている。
【００４３】
針電極１，２の各々は、プリント基板５，６に対して垂直に設けられている。すなわち、針電極１の基端部はプリント基板６の孔に挿嵌されており、その先端部はプリント基板５の孔５ａの中心を貫通している。また、針電極２の基端部はプリント基板６の孔に挿嵌されており、その先端部はプリント基板５の孔５ｂの中心を貫通している。針電極１，２の各々の基端部は、半田によってプリント基板６に固定されている。針電極１，２の各々の先端部は、鋭く尖っている。
【００４４】
また、このイオン発生装置１００は、プリント基板５，６よりも若干大きな長方形の開口部を有する直方体状の筐体１０と、筐体１０の開口部を閉じる蓋部材１１と、針電極１，２の先端部を覆う保護カバー１２と、回路基板１６と、回路部品１７と、トランス１８とを備える。
【００４５】
筐体１０は、絶縁性の樹脂で形成されている。筐体１０の下部は上部よりも若干小さく形成されており、筐体１０の内壁において筐体１０の上部と下部の境界には段差が形成されている。また、筐体１０の下部は、仕切り板１０ａによって長手方向に２分割されている。トランス１８は、仕切り板１０ａの一方側の底に収容されている。回路基板１６は、仕切り板１０ａの他方側の空間を閉じるように、仕切り板１０ａと段差の上に設けられている。回路部品１７は、回路基板１６の下面に搭載され、仕切り板１０ａの他方側の空間に収容されている。
【００４６】
プリント基板５，６は、筐体１０の上部に水平に収容されている。回路基板１６とトランス１８とプリント基板５，６とが配線によって電気的に接続されている。筐体１０内の高電圧部には、絶縁用の樹脂１９が充填されている。樹脂１９は、プリント基板６の下面まで充填されている。なお、本実施形態では、トランス１８の１次側に接続されている回路部品１７は樹脂１９によって絶縁する必要がないので、仕切り板１０ａの他方側の空間には樹脂１９を充填していない。
【００４７】
蓋部材１１は、絶縁性の樹脂で形成されている。筐体１０の内壁の上端部には溝が形成されており、蓋部材１１の長手方向の両端には筐体１０の溝に挿入される係止部が突設されている。また、蓋部材１１の下面には、孔５ａおよび針電極１に対応する位置に円筒状のボス１１ａが形成されている。また、蓋部材１１の下面には、孔５ｂおよび針電極２に対応する位置に円筒状のボス１１ｂが形成されている。
【００４８】
ボス１１ａ，１１ｂの内径は、それぞれ針電極１，２の外径よりも大きい。また、ボス１１ａ，１１ｂの外径は、それぞれプリント基板５の孔５ａ，５ｂの内径よりも小さい。ボス１１ａ，１１ｂは、それぞれプリント基板５の孔５ａ，５ｂを貫通している。ボス１１ａ，１１ｂの先端面（下端面）とプリント基板６の表面との間には、わずかな隙間が形成される。針電極１，２はそれぞれボス１１ａ，１１ｂを貫通しており、針電極１，２の先端部は蓋部材１１の上に１０ｍｍ程度突出している。
【００４９】
保護カバー１２は、絶縁性の樹脂を用いて蓋部材１１と一体的に形成されている。保護カバー１２は、天板１３と支持部材１４，１５を含む。天板１３は、蓋部材１１の上面に対向して設けられている。天板１３の長手方向の両端は、それぞれ支持部材１４，１５によって蓋部材１１の上面に固定されている。天板１３のうちの針電極１，２の中心線と交差する位置には、それぞれ孔１３ａ，１３ｂが開けられている。孔１３ａ，１３ｂの各々の内径は、約６ｍｍである。天板１３の下面と、針電極１，２の先端とは、ほぼ同一面か若干の隙間ができる程度にされている。
【００５０】
すなわち、プリント基板６の長辺の方向をＸ方向とし、プリント基板６の短辺の方向をＹ方向とし、プリント基板６の表面に垂直な方向をＺ方向とすると、２本の針電極１，２はＺ方向に向けられてＸ方向に配列され、筐体１０および蓋部材１１から突出している。また、保護カバー１２には、Ｚ方向からそれぞれ２本の針電極１，２の先端が見えるように２つの孔１３ａ，１３ｂが開けられるとともに、Ｙ方向から針電極１，２が見えるように開口部が設けられている。
【００５１】
図４は、イオン発生装置１００の構成を示す回路図である。図４において、イオン発生装置１００は、針電極１，２および誘導電極３，４の他に、電源端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、ダイオード２０，２４，２８，３２，３３、抵抗素子２１〜２３，２５、トランジスタ（ＮＰＮバイポーラトランジスタ）２６、昇圧トランス２７，３１、コンデンサ２９、および２端子サイリスタ３０を備える。図４の回路のうちの針電極１，２および誘導電極３，４以外の部分は、図１では回路基板１６、回路部品１７、およびトランス１８などで構成されている。
【００５２】
電源端子Ｔ１および接地端子Ｔ２には、それぞれ直流電源の正極および負極が接続される。電源端子Ｔ１には直流電源電圧（たとえば＋１２Ｖまたは＋１５Ｖ）が印加され、接地端子Ｔ２は接地される。ダイオード２０および抵抗素子２１〜２３は、電源端子Ｔ１とトランジスタ２６のベースとの間に直列接続される。トランジスタ２６のエミッタは接地端子Ｔ２に接続される。ダイオード２４は、接地端子Ｔ２とトランジスタ２６のベースとの間に接続される。
【００５３】
ダイオード２０は、直流電源の正極および負極が端子Ｔ１，Ｔ２に逆に接続された場合に電流を遮断して直流電源を保護するための素子である。抵抗素子２１，２２は、昇圧動作を制限するための素子である。抵抗素子２３は、起動抵抗素子である。ダイオード２４は、トランジスタ２６の逆耐圧保護素子として動作する。
【００５４】
昇圧トランス２７は、１次巻線２７ａ、ベース巻線２７ｂ、および２次巻線２７ｃを含む。１次巻線２７ａの一方端子は抵抗素子２２，２３間のノードＮ２２に接続され、その他方端子はトランジスタ２６のコレクタに接続される。ベース巻線２７ｂの一方端子は抵抗素子２５を介してトランジスタ２６のベースに接続され、その他方端子は接地端子Ｔ２に接続される。２次巻線２７ｃの一方端子はトランジスタ２６のベースに接続され、その他方端子はダイオード２８およびコンデンサ２９を介して接地端子Ｔ２に接続される。
【００５５】
昇圧トランス３１は、１次巻線３１ａおよび２次巻線３１ｂを含む。２端子サイリスタ３０は、ダイオード２８のカソードと１次巻線３１ａの一方端子との間に接続される。１次巻線３１ａの他方端子は接地端子Ｔ２に接続される。２次巻線３１ｂの一方端子は誘導電極３，４に接続され、その他方端子はダイオード３２のアノードおよびダイオード３３のカソードに接続される。ダイオード３２のカソードは針電極１の基端部に接続され、ダイオード３３のアノードは針電極２の基端部に接続される。
【００５６】
抵抗素子２５は、ベース電流を制限するための素子である。２端子サイリスタ３０は、端子間電圧がブレークオーバー電圧に到達すると導通状態になり、電流が最小保持電流以下になると非導通になる素子である。
【００５７】
次に、このイオン発生装置１００の動作について説明する。コンデンサ２９は、ＲＣＣ方式スイッチング電源動作により充電される。すなわち、電源端子Ｔ１および接地端子Ｔ２間に直流電源電圧が印加されると、電源端子Ｔ１からダイオード２０および抵抗素子２１〜２３を介してトランジスタ２６のベースに電流が流れてトランジスタ２６が導通状態となる。これにより、昇圧トランス２７の１次巻線２７ａに電流が流れ、ベース巻線２７ｂの端子間に電圧が発生する。
【００５８】
ベース巻線２７ｂの巻線方向は、トランジスタ２６が導通状態になるとトランジスタ２６のベース電圧をさらに上昇させるように設定されている。このため、ベース巻線２７ｂの端子間に発生した電圧は正帰還状態でトランジスタ２６の導通抵抗値を低下させる。このとき、ダイオード２８によって通電が阻止されるように、２次巻線２７ｃの巻線方向が設定されており、２次巻線２７ｃには電流が流れない。
【００５９】
このようにして１次巻線２７ａおよびトランジスタ２６に流れる電流が増加し続けることにより、トランジスタ２６のコレクタ電圧は飽和領域から外れて上昇する。これにより、１次巻線２７ａの端子間電圧が低下してベース巻線２７ｂの端子間電圧も低下し、トランジスタ２６のコレクタ電圧はさらに上昇する。このため、正帰還状態で動作して急速にトランジスタ２６が非導通状態になる。このとき、２次巻線２７ｃはダイオード２８の導通方向に電圧を発生する。これにより、コンデンサ２９が充電される。
【００６０】
コンデンサ２９の端子間電圧が上昇して２端子サイリスタ３０のブレークオーバー電圧に到達すると、２端子サイリスタ３０はツェナーダイオードのように動作してさらに電流を流す。２端子サイリスタ３０に流れる電流がブレークオーバー電流に到達すると、２端子サイリスタ３０は略短絡状態となり、コンデンサ２９に充電された電荷が２端子サイリスタ３０および昇圧トランス３１の１次巻線３１ａを介して放電され、１次巻線３１ａにはインパルス電圧が発生する。
【００６１】
１次巻線３１ａにインパルス電圧が発生すると、２次巻線３１ｂに正および負の高電圧パルスが交互に減衰しながら発生する。正の高電圧パルスはダイオード３２を介して針電極１に印加され、負の高電圧パルスはダイオード３３を介して針電極２に印加される。これにより、針電極１，２の先端でコロナ放電が発生し、それぞれプラスイオン（水素イオン（Ｈ＋）、水素イオンの周囲に複数の水分子が付随してなるクラスターイオン）およびマイナスイオン（スーパーオキシドアニオン（Ｏ２−）、スーパーオキシドアニオン（Ｏ２−）の周囲に複数の水分子が付随したクラスターイオン）が発生する。
【００６２】
一方、昇圧トランス２７の２次巻線２７ｃに電流が流れると、１次巻線２７ａの端子間電圧が上昇して再度トランジスタ２６が導通し、以上の動作が繰り返される。この動作の繰り返し速度は、トランジスタ２６のベースに流れる電流が大きいほど速くなる。したがって、抵抗素子２１の抵抗値を調整することにより、トランジスタ２６のベースに流れる電流を調整し、ひいては針電極１，２の放電回数を調整することができる。
【００６３】
［実施形態２］
本実施形態の製造方法は、圧搾工程（図５参照）を含み、圧搾工程が実施される施設（圧搾室）内に殺菌性粒子を発生させるように殺菌性粒子発生装置を設置する点で、実施形態１とは異なる。それ以外の点は、基本的に実施形態１と同じであるため、重複する説明は省略する。
【００６４】
具体的には、図７に示されるように、圧搾装置が設置された圧搾室内に、殺菌性粒子発生装置を備える床置き型の殺菌性粒子発生機１０１、および、殺菌性粒子発生装置を備える天井型の殺菌性粒子発生機１０２の少なくともいずれかが設置されている。
【００６５】
これにより、圧搾室内に殺菌性粒子が浮遊し、火落ち菌を含む浮遊菌を殺菌することができる。したがって、圧搾工程において得られる新酒に火落ち菌が混入することを抑制できる。
【００６６】
［実施形態３］
本実施形態の製造方法は、麹造り工程（図５参照）を含み、麹造り工程が実施される施設（麹室）内に殺菌性粒子を発生させるように殺菌性粒子発生装置を設置する点で、実施形態１とは異なる。それ以外の点は、基本的に実施形態１と同じであるため、重複する説明は省略する。
【００６７】
具体的には、図８に示されるように、麹造りが行われる麹室内に、殺菌性粒子発生装置を備える床置き型の殺菌性粒子発生機１０１、および、殺菌性粒子発生装置を備える天井型の殺菌性粒子発生機１０２の少なくともいずれかが設置されている。
【００６８】
これにより、麹室内に殺菌性粒子が浮遊し、火落ち菌を含む浮遊菌を殺菌することができる。したがって、麹に火落ち菌が混入することを抑制できる。
【００６９】
［実施形態４］
本実施形態の製造方法は、酒母造り工程（図５参照）を含み、酒母造り工程が実施される施設（酒母室）内に殺菌性粒子を発生させるように殺菌性粒子発生装置を設置する点で、実施形態１とは異なる。それ以外の点は、基本的に実施形態１と同じであるため、重複する説明は省略する。
【００７０】
具体的には、酒母造りが行われる酒母室内に、殺菌性粒子発生装置を備える床置き型の殺菌性粒子発生機、および、殺菌性粒子発生装置を備える天井型の殺菌性粒子発生機の少なくともいずれかが設置されている。
【００７１】
これにより、酒母室内に殺菌性粒子が浮遊し、火落ち菌を含む浮遊菌を殺菌することができる。したがって、酒母に火落ち菌が混入することを抑制できる。
【００７２】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７３】
１，２  針電極、３，４  誘導電極、５，６，６５，６６  プリント基板、５ａ，５ｂ，１３ａ，１３ｂ  孔、１０  筐体、１０ａ  筐体仕切り板、１１  蓋部材、１１ａ，１１ｂ  ボス、１２  保護カバー、１３  天板、１４，１５  支持部材、１６  回路基板、１７  回路部品、１８  トランス、１９  樹脂、Ｔ１  電源端子、Ｔ２  接地端子、２０，２４，２８，３２，３３  ダイオード、２１，２２，２３，２５  抵抗素子、２６  トランジスタ、２７，３１  昇圧トランス、２７ａ，２７ｃ，３１ａ，３１ｂ  １次巻線、２７ｂ  ベース巻線、２９  コンデンサ、３０  ２端子サイリスタ、１００  イオン発生装置、１０１，１０２  殺菌性粒子発生機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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