(57)【要約】【課題】貫通電極を所望の位置に適切に形成するのに有利な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上に配された第１絶縁部材と、前記第１絶縁部材の中に配された配線部と、前記第１絶縁部材とは異なる第２絶縁部材であって、前記第１絶縁部材の中、かつ、前記配線部の一部である第１部分と前記半導体基板との間に、前記半導体基板の上面に対する平面視において前記第１部分を取り囲むようにリング状に配された第２絶縁部材と、前記半導体基板の下面側から前記配線部に向かって前記第１部分に接触するように配され、前記リング状の前記第２絶縁部材に取り囲まれた電極部と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された第１絶縁部材と、
前記第１絶縁部材の中に配された配線部と、
前記第１絶縁部材とは異なる第２絶縁部材であって、前記第１絶縁部材の中、かつ、前記配線部の一部である第１部分と前記半導体基板との間に、前記半導体基板の上面に対する平面視において前記第１部分を取り囲むようにリング状に配された第２絶縁部材と、
前記半導体基板の下面側から前記配線部に向かって前記第１部分に接触するように配され、前記リング状の前記第２絶縁部材に取り囲まれた電極部と、を備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２絶縁部材は、その外縁の幅が、下側から上側に向かって大きくなるように配されており、
前記電極部は、その外縁の幅が、下側から上側に向かって小さくなるように配されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１絶縁部材は酸化シリコンを含み、
前記第２絶縁部材は窒化シリコンを含む
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記配線部は、複数の配線層で構成されており、
前記第１部分は、前記複数の配線層のうち最下層に配されている
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板の上面と平行な方向において、前記半導体基板と前記電極部との間に配され且つ前記電極部の側面を覆う絶縁膜をさらに備える
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体装置は、画素を備える固体撮像装置であり、
前記画素は、前記第１絶縁部材の中に形成され且つ前記第２絶縁部材と同じ材料で構成された導光部を有する
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置と、
前記半導体装置からの信号を処理する処理部と、を具備する
ことを特徴とするカメラ。
【請求項８】
半導体基板の上に絶縁性の第１部材を形成する工程と、
前記第１部材の上面側から前記第１部材の一部をエッチングして前記半導体基板の上面に対する平面視においてリング状の溝を形成する工程と、
前記リング状の前記溝に前記第１部材とは異なる絶縁性の第２部材を形成する工程と、
前記第２部材の上部に導電部材を形成する工程と、
前記半導体基板の下面側から、前記半導体基板の一部と、前記第１部材の一部であって前記リング状の前記第２部材により取り囲まれた一部とを前記導電部材が露出するようにエッチングして開口を形成する工程と、
前記開口に電極部を形成する工程と、有し、
前記開口を形成する工程では、前記第１部材のエッチングレートが前記第２部材のエッチングレートより大きくなる条件で前記第１部材の前記一部をエッチングする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体装置は、画素を備える固体撮像装置であり、
前記第２部材を形成する工程では、
前記溝を形成すると共に、前記第１部材における前記画素に対応する位置に第２の開口を形成し、
前記溝に前記第２部材を形成すると共に、前記第２の開口に前記第２部材と同じ材料で構成された導光部を形成する
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１部材は酸化シリコンを含み、
前記第２部材は窒化シリコンを含む
ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、その製造方法、及び、カメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置等の半導体装置（半導体チップ）は、例えば、トランジスタ等の素子が形成された半導体基板と、該半導体基板の上に配された絶縁部材およびその中に配された配線部を含む構造とを備える。配線部は、ある素子を他の素子に接続する配線パターン、素子に電力を供給するための配線パターン等を含む。また、半導体装置は、該半導体装置を外部装置（他の半導体装置や回路基板等）に接続するための電極部をさらに備え、配線部の一部は電極部に接続されうる。
【０００３】
半導体装置を、例えばフリップチップ接続により外部装置に接続する場合には、バンプと称される電極部が用いられる。このような電極部のなかには、半導体基板の下面側（半導体基板の配線部に対して反対側）から配線部までにわたって形成されるものもあり、この電極部は、半導体基板の内部を貫通するように形成されることから「貫通電極」とも称されうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−７６５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記貫通電極は、例えば、半導体基板の下面側からエッチングを行って半導体基板の一部と絶縁部材の一部とを除去して配線部の一部（外部装置に接続されるべき一部）が露出するように開口を形成した後、該開口を導電部材で埋めることによって形成されうる。
【０００６】
ここで、配線部は上側からのエッチングによりパターニングされるのに対し、貫通電極用の開口は下側からのエッチングにより形成される。そのため、半導体基板の上面に対する平面視において、該形成される開口が配線部の所望の位置に重なるように、該開口の形成位置を合わせる技術が求められる。
【０００７】
本発明の目的は、貫通電極を所望の位置に適切に形成するのに有利な半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
なお、特許文献１には、リング状のガードリングを備える半導体チップ（第１チップ）と、他の半導体チップ（第２チップ）とを接合し、これらを電気的に接続するための貫通電極を該リング状のガードリングの中に形成することが記載されている。しかしながら、この方法は、第１チップと第２チップとが適切に接合されることが前提であり、本発明のように貫通電極を自己整合的に形成するものではない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一つの側面は半導体装置にかかり、前記半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上に配された第１絶縁部材と、前記第１絶縁部材の中に配された配線部と、前記第１絶縁部材とは異なる第２絶縁部材であって、前記第１絶縁部材の中、かつ、前記配線部の一部である第１部分と前記半導体基板との間に、前記半導体基板の上面に対する平面視において前記第１部分を取り囲むようにリング状に配された第２絶縁部材と、前記半導体基板の下面側から前記配線部に向かって前記第１部分に接触するように配され、前記リング状の前記第２絶縁部材に取り囲まれた電極部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、貫通電極を所望の位置に適切に形成するのに有利である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】半導体装置の構造の例を説明するための図である。
【図２】半導体装置の製造方法の例を説明するための図である。
【図３】半導体装置の製造方法の例を説明するための図である。
【図４】半導体装置の構造の例を説明するための図である。
【図５】半導体装置の製造方法の例を説明するための図である。
【図６】カメラの構成例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明する。各図において、同一の部材または同一の構成要素には同一の参照番号を付しており、以下の各実施形態において、重複する説明を省略する。
【００１３】
図１（ａ）は、本発明に係る半導体装置Ｉの構造の例を説明するための模式図である。なお、図１（ａ）は鳥瞰図でありながら、理解を容易にするため、構造の一部についてはその断面を示している。
【００１４】
半導体装置Ｉは、基板ＳＵＢ、絶縁部材ＩＳ１（第１部材または第１絶縁部材に対応）及びＩＳ２（第２部材または第２絶縁部材に対応）、配線部ＷＰ、並びに、貫通電極ＥＰを備える。基板ＳＵＢは、例えばシリコン等で構成された半導体基板であり、その上面にはトランジスタ等の各素子（不図示）が配されている。絶縁部材ＩＳ１は、基板ＳＵＢ上に配され、例えば酸化シリコン等の絶縁性の材料で構成されうる。
【００１５】
配線部ＷＰは、絶縁部材ＩＳ１の中に配されており、典型的には複数の配線層で構成されうる。配線部ＷＰは、例えば、導電部材Ｍ１〜Ｍ３、並びに、プラグＣＴ及びＶ１〜Ｖ２を含む。導電部材Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３は、例えば銅やアルミニウム等の金属で構成されており、第１配線層、第２配線層、第３配線層にそれぞれに配された導電パターンに対応する。プラグＣＴは、例えばタングステン等の金属で構成されており、基板ＳＵＢと導電部材Ｍ１とを電気的に接続する。また、プラグＶ１〜Ｖ２はプラグＣＴ同様の金属で構成されており、プラグＶ１は導電部材Ｍ１と導電部材Ｍ２とを電気的に接続し、プラグＶ２は導電部材Ｍ２と導電部材Ｍ３とを電気的に接続する。また、ここでは不図示とするが、金属が基板ＳＵＢ中に拡散しないように、チタン、タンタル、それらの窒化物等で構成されたバリアメタルが更に用いられてもよい。
【００１６】
典型的には、絶縁部材ＩＳ１は複数の層間絶縁層で構成され、該複数の層間絶縁層の間に配線部ＷＰの各部材（導電部材Ｍ１等の個々）が配され、これによって絶縁部材ＩＳ１および配線部ＷＰは多層配線構造を形成する。詳細は後述とし、ここでは複数の層間絶縁層を不図示とするが、典型的には、複数の層間絶縁層には酸化シリコンが用いられ、また、炭化シリコン、窒化シリコン等が付随的に用いられうる。
【００１７】
貫通電極ＥＰは、基板ＳＵＢの下面側（裏面側）から配線部ＷＰに向かって、本例では導電部材Ｍ３に接触するように延在している。また、貫通電極ＥＰのうち、基板ＳＵＢの上面より上の部分は、例えば窒化シリコン、炭化シリコン等で構成された絶縁部材ＩＳ２によって取り囲まれている。換言すると、基板ＳＵＢの上面に対する平面視（以下、単に「平面視」という。）において、絶縁部材ＩＳ２はリング状に形成されており、その中に貫通電極ＥＰが位置している。
【００１８】
なお、貫通電極ＥＰと基板ＳＵＢとの間には絶縁膜（不図示）が配されうる。また、絶縁部材ＩＳ２と基板ＳＵＢとの間や、絶縁部材ＩＳ２と導電部材Ｍ３との間には、絶縁膜（不図示）が配されてもよい。
【００１９】
図１（ｂ）〜（ｃ）は、図１（ａ）におけるカットラインＡ１−Ａ２での断面構造の例をそれぞれ示している。図中において、部分Ｐ１は、導電部材Ｍ３のうち貫通電極ＥＰと接触する部分（第１部分）を示している。点Ｃ１は、貫通電極ＥＰのうちの絶縁部材ＩＳ２側の一部の中心（リング状の絶縁部材ＩＳ２の中心）を示している。また、点Ｃ２は、貫通電極ＥＰのうちの基板ＳＵＢ側の一部の中心（基板ＳＵＢに形成された開口の中心）を示している。
【００２０】
図１（ｂ）の例は、点Ｃ１と点Ｃ２とが互いに略一致しているケースを示している。図１（ｃ）の例は、図１（ｂ）の例に比べて点Ｃ１と点Ｃ２とがずれているケースを示している。詳細は後述とするが、貫通電極ＥＰは、基板ＳＵＢ側から部分Ｐ１が露出するまで開口を形成した後、該開口を金属等の導電材料で埋めることによって形成されうる。ここで、図１（ａ）の構造の例によると、貫通電極ＥＰ用の開口を形成する際に、図１（ｃ）の例のように、上記開口の位置（点Ｃ２に対応）が部分Ｐ１の位置（点Ｃ１に対応）からシフトしてしまった場合でも、貫通電極ＥＰ用の開口は適切に形成されうる。そのため、図１（ａ）の構造の例によると、貫通電極ＥＰを自己整合的に形成するのに有利である。
【００２１】
ここでは貫通電極ＥＰが導電部材Ｍ３（第３配線層）の部分Ｐ１に接続された構造を例示したが、貫通電極ＥＰの接続対象は、導電部材Ｍ１（第１配線層）でもよいし、導電部材Ｍ２（第２配線層）でもよい。特に、貫通電極ＥＰの接続対象を導電部材Ｍ１（即ち、最下層）として貫通電極ＥＰ自体の高さ（貫通電極ＥＰ用の開口の深さ）を小さくしてすると、半導体装置Ｉの製造面において有利である。
【００２２】
以下、より具体的な例として、いくつかの好適な実施例を述べる。
【００２３】
（第１実施例）
図２（ａ）〜（ｈ）は、第１実施例に係る半導体装置（「半導体装置Ｉ１」とする。）の製造方法における各工程での様子を説明するための模式図である。半導体装置Ｉ１の製造には、公知の半導体製造プロセスが用いられればよい。また、ここでは説明を省略するが、各工程の間には、熱処理や洗浄処理等が必要に応じて為されうる。
【００２４】
図２（ａ）の工程では、ＭＯＳトランジスタ１１０等の素子が形成された基板ＳＵＢを準備し、基板ＳＵＢの上に、絶縁部材ＩＳ１ａと、その中に位置する第２配線層までの各導電部材（ＣＴ、Ｍ１、Ｖ１、Ｍ２ａ及びＭ２ｂ）とを含む構造を形成する。基板ＳＵＢには、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）等の素子分離部１２０が形成されていてもよく、ＭＯＳトランジスタ１１０等の各素子は素子分離部１２０によって他の素子から電気的に分離されうる。
【００２５】
図２（ｂ）の工程では、図２（ａ）の工程で得られた構造に対して上面側からエッチングを行い、溝ＴＲ１及びＴＲ２を形成する。ここでは区別のため、２つの溝をそれぞれ「ＴＲ１」及び「ＴＲ２」と示したが、これらは、平面視において導電部材Ｍ２ｂを取り囲むようにリング状に形成された溝であり、紙面に対して垂直な方向において連結している。この工程は、例えばドライエッチング（Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６等の反応ガスの下での平行平板型ＲＩＥ（反応性イオンエッチング））によって為されればよい。該ドライエッチングは上面側から為されるため、各溝ＴＲ１及びＴＲ２は、その幅が下側から上側に向かって大きくなるように形成されうる。換言すると、溝ＴＲ１及びＴＲ２は、それらの水平方向（基板ＳＵＢの上面に平行な方向）での距離が下側から上側に向かって小さくなるように形成されうる。
【００２６】
図２（ｃ）の工程では、溝ＴＲ１及びＴＲ２を実質的に絶縁部材ＩＳ１ａと異なる材料で埋めて、絶縁部材ＩＳ２を形成する。本例では絶縁部材ＩＳ２に窒化シリコンを用いるが、絶縁部材ＩＳ２には他の無機材料（酸窒化シリコン、炭化シリコン、炭窒化シリコン等）や有機樹脂が用いられてもよい。この工程は、例えば化学気相成長（ＣＶＤ）等の堆積法によって為されればよい。また、これにより得られた構造の上面に対して、化学的機械研磨（ＣＭＰ）が付随的に為されてもよい。前述のとおり、溝ＴＲ１及びＴＲ２は平面視においてリング状に形成されており、したがって、絶縁部材ＩＳ２は平面視においてリング状に形成される。
【００２７】
図２（ｄ）の工程では、図２（ｃ）の工程で得られた構造の上に、絶縁部材ＩＳ１ｂを形成し、その中に、プラグＶ２ａ及びＶ２ｂ並びに導電部材Ｍ３を形成する。プラグＶ２ａは導電部材Ｍ２ａと導電部材Ｍ３とを接続し、プラグＶ２ｂは導電部材Ｍ２ｂと導電部材Ｍ３とを接続する。なお、絶縁部材ＩＳ１ａと絶縁部材ＩＳ１ｂとを、まとめて絶縁部材ＩＳ１と示す。
【００２８】
図２（ｅ）の工程では、図２（ｄ）の工程で得られた構造に対して、下面側からエッチングを行い、開口ＯＰ１ａを形成する。この工程は、例えばドライエッチング（ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８等の反応ガスの下での誘導結合型ＲＩＥ）によって為されればよい。開口ＯＰ１ａは、絶縁部材ＩＳ１の下面が露出するように形成されればよく、好ましくは、絶縁部材ＩＳ２の下面の一部（上記リング状に形成された絶縁部材ＩＳ２の底面のうち、平面視において内側の一部）が露出するとよい。
【００２９】
図２（ｆ）の工程では、図２（ｅ）の工程で得られた構造に対して、さらにエッチングを行い、開口ＯＰ１ｂを形成する。開口ＯＰ１ｂは、導電部材Ｍ２ｂの下面が露出するように形成されればよい。この工程は、例えばドライエッチング（Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ６等の反応ガスの下での平行平板型ＲＩＥ）によって為されればよい。ここで、図２（ｅ）の工程でのエッチング対象が基板ＳＵＢであったのに対して、この工程でのエッチング対象は絶縁部材ＩＳ１となる。そのため、エッチング条件は適切に変更されればよく、この工程のエッチングは、絶縁部材ＩＳ１に対するエッチングレートが絶縁部材ＩＳ２に対するエッチングレートよりも大きくなる条件で為されればよい。特に、Ｃ４Ｆ８、Ｏ２及びＡｒの混合ガスを用いたエッチングが好適である。これにより、絶縁部材ＩＳ２は、水平方向へのエッチングを抑制するエッチングストッパとして作用し、導電部材Ｍ２ｂが露出するまでの間に開口ＯＰ１ｂの幅が必要以上に大きくなることを防ぎ、また、開口ＯＰ１ｂを自己整合的に形成することを可能にする。
【００３０】
ここで、図３は、図２（ｆ）の工程で得られる構造の詳細な例（又は他の例）を示している。絶縁部材ＩＳ１は、例えば、酸化シリコンで構成された層１４１（１４１ａ〜１４１ｆ）と、窒化シリコンまたは炭化シリコンで構成された層１４２（１４２ａ〜１４２ｅ）とが交互に配された積層構造をとりうる。例えば、配線部ＷＰの各部材（導電部材Ｍ１等）をダマシン法で形成する場合には、層１４２は金属拡散防止膜として機能しうる。ここで、開口ＯＰ１ｂを形成するためのエッチングを行う際、層１４２ｃをエッチングストッパとして作用させることが可能である。よって、この工程でのエッチングの条件は、層１４１および１４２並びに絶縁部材ＩＳ２のそれぞれの構成材料に基づいて（それらのエッチングレートを考慮して）設定されればよい。
【００３１】
次に、図２（ｇ）の工程では、開口ＯＰ１ｂの側面に膜１３１を形成する。膜１３１は、酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁性の材料で構成され得、その後の工程で形成される貫通電極ＥＰと基板ＳＵＢとを絶縁するように開口ＯＰ１ｂの側面を覆い且つ導電部材Ｍ２ｂの下面を露出するように形成されればよい。この工程は、例えば堆積法およびパターニング法等によって為されればよい。なお、ここでは膜１３１が基板ＳＵＢの下面を覆うように形成された例を示したが、膜１３１は、該下面のうち、少なくとも開口ＯＰ１ｂの周辺およびその近傍を覆うとよい。
【００３２】
図２（ｈ）の工程では、開口ＯＰ１ｂを銅やアルミニウム等の金属で埋めて貫通電極ＥＰを形成する。貫通電極ＥＰは、銅等のメタルシード層１３２と、アルミニウム等の導電部材１３３とで構成されてもよい。メタルシード層１３２は例えばスパッタリング法等によって形成され、導電部材１３３は例えばめっき法によって形成されてもよい。その後、公知の半導体製造プロセスにより、ソルダーレジスト塗布、はんだボール設置、ダイシング等の工程が為され、半導体装置Ｉ１の製造が完了する。
【００３３】
本実施例によると、貫通電極ＥＰは、基板ＳＵＢの下面から絶縁部材ＩＳ１側に向かって延在し、導電部材Ｍ２ｂに接触するように形成される。また、貫通電極ＥＰは、結果として、平面視においてリング状の絶縁部材ＩＳ２であって図２（ｆ）の工程において水平方向へのエッチングを抑制するエッチングストッパとして作用した絶縁部材ＩＳ２により取り囲まれた形になる。また、絶縁部材ＩＳ２の上面は、導電部材Ｍ２ｂと貫通電極ＥＰとの接触面より高い位置である。
【００３４】
本実施例によると、例えば図２（ｅ）の工程において、開口ＯＰ１ａの形成位置が、平面視においてリング状の絶縁部材ＩＳ２の外縁よりも内側の範囲でシフトしたとしても、貫通電極ＥＰ用の開口ＯＰ１ｂが適切に形成されうる。そのため、本実施例によると、貫通電極ＥＰを自己整合的に形成するのに有利である。
【００３５】
また、絶縁部材ＩＳ２が設けられていない場合には、貫通電極ＥＰ用の開口ＯＰ１ｂをエッチングで形成する際に、水平方向への絶縁部材ＩＳ１のエッチング（サイドエッチング）が生じうる。そのため、この場合、基板ＳＵＢと絶縁部材ＩＳ１との間に段差が生じてしまい、メタルシード層１３２をスパッタ法で成膜する際にメタルシード層１３２が一体に（連続的に）形成されず、即ち、メタルシード層１３２が断線する可能性がある。メタルシード層１３２が一体に形成されていないと、この後の導電部材１３３を形成する工程における加工不良の原因となりうる。一方、本実施例によると、図２（ｆ）の工程において、絶縁部材ＩＳ２が水平方向のエッチングを抑制するエッチングストッパとして機能することから、このような問題が発生することを防ぐこともできる。
【００３６】
（第２実施例）
半導体装置Ｉの構造およびその製造方法は、以下の第２実施例で述べる固体撮像装置（「固体撮像装置Ｉ２」とする。）に適用されてもよく、本実施例によっても前述の第１実施例と同様の効果が得られる。
【００３７】
図４（ａ）及び（ｂ）は、本実施例に係る固体撮像装置Ｉ２の構造の例を説明するための模式図である。固体撮像装置Ｉ２は、画素領域ＲＰＸと電極領域ＲＥとを有する。画素領域ＲＰＸには、画素が設けられており、電極領域ＲＥには、前述同様の構造の貫通電極ＥＰが設けられている。
【００３８】
図４（ａ）において、画素領域ＲＰＸに１つ分の画素を例示している。該画素は、例えば、基板ＳＵＢに形成された光電変換部ＰＤ及び読出回路１５０、並びに、光電変換部ＰＤ上に膜１６０を介して配された導光部ＬＧを含む。読出回路１５０は、光電変換部ＰＤで生じた電荷の量に応じた値の信号を画素信号として読み出すための１又は２以上のトランジスタを含む。膜１６０は、例えば窒化シリコン等で構成され、導光部ＬＧ用の開口をエッチングで形成する際にエッチングストッパとして作用する。また、画素領域ＲＰＸでは、絶縁部材ＩＳ１の上に、光学素子１７０（カラーフィルタ、層内レンズ、マイクロレンズ等）が設けられる。
【００３９】
図４（ｂ）において、画素領域ＲＰＸには、３行×３列分の画素に対応する導光部ＬＧを例示しており、また、電極領域ＲＥには、貫通電極ＥＰ及びその外縁（破線）、リング状の絶縁部材ＩＳ２、並びに、導電部材Ｍ３を示している。
【００４０】
図５（ａ）〜（ｅ）は、固体撮像装置Ｉ２の製造方法における各工程での様子を説明するための模式図である。なお、以下に述べる各工程は公知の半導体製造プロセスを用いて為さればよく、また、既に図１〜３を参照しながら述べた内容については以下において説明を省略する。
【００４１】
図５（ａ）の工程では、光電変換部ＰＤ、読出回路１５０、膜１６０等が形成された基板ＳＵＢを準備し、基板ＳＵＢの上に、絶縁部材ＩＳ１ａと、その中に位置する第２配線層までの各導電部材（Ｍ２ｂ、Ｍ２ｃ等）とを含む構造を形成する。この工程は、図２（ａ）同様の手順で為されればよい。
【００４２】
図５（ｂ）の工程では、図５（ａ）の工程で得られた構造に対して上面側からエッチングを行い、開口ＯＰ２を形成すると共に溝ＴＲ１及びＴＲ２を形成する。この工程において、膜１６０はエッチングストッパとして作用する。この工程は、図２（ｂ）同様の手順で為されればよい。
【００４３】
図５（ｃ）の工程では、開口ＯＰ２を実質的に絶縁部材ＩＳ１ａと異なる材料（例えば窒化シリコン）で埋めて導光部ＬＧを形成すると共に、溝ＴＲ１及びＴＲ２を同材料で埋めて絶縁部材ＩＳ２を形成する。この工程は、図２（ｃ）同様の手順で為されればよい。
【００４４】
図５（ｄ）の工程では、図５（ｃ）の工程で得られた構造の上に、絶縁部材ＩＳ１ｂを形成し、その中に、プラグＶ２ｂ及びＶ２ｃ並びに導電部材Ｍ３ｂ及びＭ３ｃを形成する。導電部材Ｍ３ｃは、画素領域ＲＰＸにおいて、画素に電力を供給するための電力供給線または画素信号を読み出すための信号線に対応する。プラグＶ２ｃは導電部材Ｍ２ｃと導電部材Ｍ３ｃとを接続する。この工程は、図２（ｄ）同様の手順で為されればよい。
【００４５】
図５（ｅ）の工程では、図５（ｄ）の工程で得られた構造の上かつ画素領域ＲＰＸに、光学素子１７０を形成する。その後の工程については詳細な説明を省略するが、図２（ｅ）〜（ｈ）同様の手順で貫通電極ＥＰが形成されればよい。
【００４６】
（応用例）
図６は、カメラの構成例を説明するための図である。カメラは、例えば、固体撮像装置１００、処理部２００、ＣＰＵ３００（又はプロセッサ）、操作部４００および光学系５００を具備する。固体撮像装置１００には、前述の第２実施例で例示された装置Ｉ２が用いられればよい。また、カメラは、静止画や動画をユーザに表示するための表示部６００、それらのデータを記憶するためのメモリ７００をさらに具備しうる。撮像装置１００は、光学系５００を通過した光に基づいてデジタル信号からなる画像データを生成する。該画像データは、処理部２００により所定の画像処理が為され、表示部６００やメモリ７００に出力される。また、ユーザにより操作部４００を介して入力された撮影条件に応じて、ＣＰＵ３００により、各ユニットの設定情報が変更され、又は、各ユニットの制御方法が変更されうる。なお、カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。
【００４７】
（その他）
以上では本発明のいくつかの好適な例を示したが、本発明はこれらの例に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部が変更され又は調整されうる。
【００４８】
例えば、絶縁部材ＩＳ２（又は、それに対応する溝ＴＲ１及びＴＲ２）は、平面視において、リング状に形成されることが好ましいが、その外側の縁及び／又は内側の縁は円形（真円、楕円等）でもよいし多角形（四角形等）でもよい。また、他の例では、絶縁部材ＩＳ２は、複数の絶縁部を含んでおり、該複数の絶縁部が平面視においてリング状に離散的に配置されるように構成されてもよい。
【００４９】
また、上記各実施例では導電部材Ｍ２ｂを形成した後に絶縁部材ＩＳ２を形成したため、導電部材Ｍ２ｂが水平方向において絶縁部材ＩＳ２に取り囲まれた構造となったが、本発明はこの例に限られない。例えば、絶縁部材ＩＳ２を導電部材Ｍ２ｂよりも先に形成することにより、導電部材Ｍ２ｂは、その一部が絶縁部材ＩＳ２の上面を覆うように形成されてもよい。
【００５０】
また、本明細書中の各用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、その均等物をも含み得、本発明は、その用語の厳密な意味に限定されるものでない。
【符号の説明】
【００５１】
Ｉ：半導体装置、ＳＵＢ：半導体基板、ＩＳ１：絶縁部材、ＩＳ２：絶縁部材、ＥＰ：電極部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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