(57)【要約】【課題】発光領域における電位分布の均一性を向上させることが可能な面発光レーザアレイ素子を提供すること。【解決手段】複数の面発光レーザが金属膜により電気的に並列に接続された発光領域を備え、前記発光領域の一部の前記金属膜内に絶縁膜を含むことを特徴とする面発光レーザアレイ素子により上記課題を解決する。【選択図】図１
2017216285.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の面発光レーザが金属膜により電気的に並列に接続された発光領域を備え、
前記発光領域の一部の前記金属膜内に絶縁膜を含むことを特徴とする面発光レーザアレイ素子。
【請求項２】
前記発光領域は、前記金属膜内に前記絶縁膜が設けられている第１の領域と、前記金属膜内に前記絶縁膜が設けられていない第２の領域とを含み、
前記第２の領域は、前記第１の領域に囲まれている、又は、挟まれていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項３】
前記金属膜には、前記発光領域に電流を供給する配線部材が接続されており、
前記第１の領域は、前記金属膜と前記配線部材とが接続されている位置を含むことを特徴とする請求項２に記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項４】
前記金属膜は、
前記複数の面発光レーザを電気的に並列に接続する第１の金属膜と、
前記第１の金属膜の上に形成される第２の金属膜と、
を有し、
前記絶縁膜は、前記第１の領域において前記第１の金属膜と前記第２の金属膜との間に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項５】
前記面発光レーザは、
基板の上に半導体材料により形成された下部ブラッグ反射鏡と、
前記下部ブラッグ反射鏡の上に形成された活性層を含む共振器領域と、
前記共振器領域の上に半導体材料により形成された上部ブラッグ反射鏡と、
前記上部ブラッグ反射鏡の上に形成されたコンタクト層と、
を有し、
前記第１の領域において、前記コンタクト層の上に、前記第１の金属膜、前記絶縁膜及び前記第２の金属膜がこの順番で積層されていることを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項６】
前記第１の金属膜、前記絶縁膜及び前記第２の金属膜は、前記コンタクト層の一部を露出させる開口部を有することを特徴とする請求項５に記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項７】
前記第２の金属膜の開口部は、前記絶縁膜の開口部よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項８】
前記絶縁膜は、前記コンタクト層を覆うように形成されていることを特徴とする請求項５に記載の面発光レーザアレイ素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の面発光レーザアレイ素子と、
前記面発光レーザアレイ素子より射出される光を平行光とするマイクロレンズアレイと、
を有することを特徴とする光源ユニット。
【請求項１０】
請求項９に記載の光源ユニットと、
前記光源ユニットより射出される光を集光する集光レンズと、
前記集光レンズにより集光された光を伝送する光ファイバと、
を有することを特徴とするレーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザアレイ素子、光源ユニット及びレーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting LASER）は、基板面に対し垂直方向に光を射出する半導体レーザである。面発光レーザは、端面発光型の半導体レーザと比較し、低価格、低消費電力、小型、高性能、２次元的に集積化しやすいといった特徴を有している。また、複数の面発光レーザを２次元的に配置し、金属膜により複数の面発光レーザを電気的に並列に接続した面発光レーザアレイ素子が知られている。
【０００３】
このような面発光レーザアレイ素子の光出力は、面発光レーザの数に比例するため、高い出力の面発光レーザアレイ素子が求められる場合には、複数の面発光レーザを発光領域の全体にわたって高密度に配置する。
【０００４】
しかしながら、複数の面発光レーザを高密度に配置した場合、面発光レーザアレイ素子の発光領域において不均衡な温度分布が生じ、それぞれの面発光レーザの光出力、寿命にばらつきが生じる虞がある。
【０００５】
そこで、従来では、発光領域の中央部を除く領域に面発光レーザを配置したり、発光領域の温度上昇が高い領域と低い領域との間でメサ形状を異ならせたりすることで、面発光レーザの光出力、寿命のばらつきを低減している（例えば、特許文献１、２参照）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、大電流を要する面発光レーザアレイ素子では、発光領域において不均衡な電位分布が生じ、面発光レーザの出力、寿命にばらつきが生じる場合がある。これは、発光領域に設けられる金属膜の外周部に配線部材を接続し、発光領域の複数の面発光レーザに電圧を印加するため、金属膜の抵抗により、発光領域の外周部から中央部に向けて電位が小さくなるといった不均衡な電位分布が生じるからである。
【０００７】
このように発光領域の外周部から中央部に向けて電位が小さくなる不均衡な電位分布が生じると、発光領域の中央部に配置される面発光レーザの駆動電流が外周部に配置される面発光レーザの駆動電流よりも小さくなる。このため、発光領域の中央部に配置される面発光レーザの光出力が外周部に配置される面発光レーザの光出力よりも小さくなり、光出力の均一性が悪くなる。
【０００８】
そこで、上記課題を鑑み、発光領域における電位分布の均一性を向上させることが可能な面発光レーザアレイ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る面発光レーザアレイ素子は、複数の面発光レーザが金属膜により電気的に並列に接続された発光領域を備え、前記発光領域の一部の前記金属膜内に絶縁膜を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
開示の技術によれば、発光領域における電位分布の均一性を向上させることが可能な面発光レーザアレイ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態の面発光レーザアレイ素子の概略図
【図２】従来の面発光レーザアレイ素子の概略断面図
【図３】図１の面発光レーザアレイ素子における発光領域の他の例を説明するための図
【図４】図１の面発光レーザアレイ素子における面発光レーザの概略断面図
【図５】図１の面発光レーザアレイ素子における面発光レーザの他の例を示す概略断面図
【図６】第１実施形態の面発光レーザの製造方法の工程図（１）
【図７】第１実施形態の面発光レーザの製造方法の工程図（２）
【図８】第１実施形態の面発光レーザの製造方法の工程図（３）
【図９】第１実施形態の面発光レーザの製造方法の工程図（４）
【図１０】第１実施形態の面発光レーザの製造方法の工程図（５）
【図１１】第１実施形態の面発光レーザの製造方法の工程図（６）
【図１２】第１実施形態の面発光レーザの製造方法の工程図（７）
【図１３】第１実施形態の面発光レーザの製造方法の工程図（８）
【図１４】第２実施形態のレーザ装置の概略構成図
【図１５】第３実施形態の点火装置の概略構成図
【図１６】図１５の点火装置におけるレーザ共振器を説明するための図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１３】
〔第１実施形態〕
（面発光レーザアレイ素子）
第１実施形態の面発光レーザアレイ素子について説明する。図１は、第１実施形態の面発光レーザアレイ素子の概略図である。図１（ａ）はこの面発光レーザアレイ素子の上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）における一点鎖線１Ａ−１Ｂにおいて切断した断面図であり、図１（ｃ）は発光領域を説明するための図である。
【００１４】
面発光レーザアレイ素子１００は、放熱板１０１の上に、金属膜パターン１０２、下部電極２１３、面発光レーザアレイ１０３、上部電極２１１、絶縁膜２１２が形成されている。そして、上部電極２１１と下部電極２１３との間に電圧が印加されることにより、面発光レーザアレイ１０３に電圧が印加され、レーザ光が射出される。
【００１５】
放熱板１０１は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の絶縁性材料により形成されている。
【００１６】
金属膜パターン１０２は、放熱板１０１の上面に形成されている。金属膜パターン１０２は、面発光レーザアレイ１０３に電流を供給する配線であり、ｐ側領域１０２ｐと、ｎ側領域１０２ｎとを含む。ｐ側領域１０２ｐは正（＋）の電極端子と接続される領域であり、ｎ側領域１０２ｎは負（−）の電極端子と接続される領域である。
【００１７】
下部電極２１３は、接合剤１０４により金属膜パターン１０２のｎ側領域１０２ｎの上に接合されている。接合剤１０４としては、導電性を有する材料を用いることができ、例えば金錫（ＡｕＳｎ）合金を含む材料、銀（Ａｇ）やインジウム（Ｉｎ）を含む材料を用いることができる。
【００１８】
面発光レーザアレイ１０３は、下部電極２１３の上面に形成されている。面発光レーザアレイ１０３は、２次元的に配列した複数（例えば、数千〜数万個）の面発光レーザ２００を含み、複数の面発光レーザ２００が配置された領域が発光領域ＬＡを形成している。なお、面発光レーザ２００の詳細については後述する。
【００１９】
上部電極２１１は、第１の上部電極２１１ａと、第２の上部電極２１１ｂとを含む。第１の上部電極２１１ａは、面発光レーザアレイ１０３の上面に形成されており、複数の面発光レーザ２００を電気的に並列に接続する共通電極として機能する。第２の上部電極２１１ｂは、第１の上部電極２１１ａの上に、第１の上部電極２１１ａと接触するように、又は、絶縁膜２１２を介して第１の上部電極２１１ａと接触しないように形成されている。第２の上部電極２１１ｂは、発光領域ＬＡの外周部において、ボンディングワイヤ１０５により、金属膜パターンの１０２のｐ側領域１０２ｐと電気的に接続されている。
【００２０】
発光領域ＬＡは、図１（ｃ）に示されるように、第１の領域Ｓ１１と、第２の領域Ｓ１２とを含む。第１の領域Ｓ１１は、ボンディングワイヤ１０５が接続されている位置を含む外周部に形成されている。第２の領域Ｓ１２は、一方の方向（Ｙ方向）において第１の領域Ｓ１１に挟まれるように矩形状に形成されている。
【００２１】
第１の領域Ｓ１１は、図１（ｂ）に示されるように、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとの間に絶縁膜２１２が形成されている領域であり、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとが絶縁膜２１２により電気的に絶縁されている。即ち、第１の領域Ｓ１１においては、第１の上部電極２１１ａ、絶縁膜２１２及び第２の上部電極２１１ｂがこの順番で積層されている。これに対し、第２の領域Ｓ１２は、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとの間に絶縁膜２１２が形成されていない領域であり、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとが電気的に接続されている。これにより、発光領域ＬＡの外周部において第２の上部電極２１１ｂに供給される電流は、第２の領域Ｓ１２では第２の上部電極２１１ｂを流れる。そして、第１の領域Ｓ１１において第２の上部電極２１１ｂから第１の上部電極２１１ａに流れ、複数の面発光レーザに供給される。
【００２２】
ところで、発光領域の外周部に電圧を印加し、複数の面発光レーザの上面に形成された上部電極を介して複数の面発光レーザに電流を供給する場合、上部電極の抵抗により、発光領域の外周部から中央部に向けて電位が小さくなる。特に、大電流（例えば、数百アンペア）を要する面発光レーザアレイ素子では、上部電極の抵抗に起因する電位の低下の影響が大きくなる。このように発光領域の外周部から中央部に向けて電位が小さくなる不均衡な電位分布が生じると、発光領域の中央部に配置される面発光レーザの駆動電流が外周部に配置される面発光レーザの駆動電流よりも小さくなる。このため、発光領域の中央部に配置される面発光レーザの光出力が外周部に配置される面発光レーザの光出力よりも小さくなり、光出力の均一性が悪くなる。また、発光領域の外周部に配置される面発光レーザが中央部に配置される面発光レーザよりも負荷が大きくなるため、複数の面発光レーザの各々の寿命にばらつきが生じる。
【００２３】
そこで、本実施形態の面発光レーザアレイ素子１００では、発光領域ＬＡにおけるボンディングワイヤ１０５が接続されている部分を含む第１の領域Ｓ１１において、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとの間に絶縁膜２１２を形成している。これにより、上部電極２１１内に絶縁膜２１２が形成されていない場合（図２参照）と比較して、上部電極２１１と面発光レーザアレイ１０３とが電気的に接続される位置が発光領域ＬＡの中央部に近づく。このため、発光領域ＬＡにおける電位分布の均一性が向上する。その結果、発光領域ＬＡにおける面発光レーザアレイ素子１００より射出されるレーザ光の光出力の均一性が向上する。また、発光領域ＬＡにおける複数の面発光レーザ２００のそれぞれに供給される電流のばらつきが小さくなるため、それぞれの面発光レーザ２００の寿命のばらつきを低減できる。なお、図２は、従来の面発光レーザアレイ素子の概略断面図である。
【００２４】
次に、図１の面発光レーザアレイ素子１００における発光領域ＬＡの他の例について説明する。図３は、図１の面発光レーザアレイ素子における発光領域の他の例を説明するための図である。
【００２５】
図３（ａ）に示されるように、発光領域ＬＡは、第１の領域Ｓ２１と、複数の分離した第２の領域Ｓ２２１、Ｓ２２２、Ｓ２２３とを含んでいてもよい。第１の領域Ｓ２１は、発光領域ＬＡにおけるボンディングワイヤ１０５が接続されている位置を含む外周部に形成されている。第２の領域Ｓ２２１は、第２の領域Ｓ１２と同様、第１の領域Ｓ２１に挟まれるように矩形状に形成されている。第２の領域Ｓ２２２及び第２の領域Ｓ２２３は、それぞれ第２の領域Ｓ２２１と発光領域ＬＡの角部との間に、第１の領域Ｓ２１に囲まれるように円形状に形成されている。このように発光領域ＬＡが、第１の領域Ｓ２１と、複数の第２の領域Ｓ２２１、Ｓ２２２、Ｓ２２３とを含む場合、複数の第２の領域Ｓ２２１、Ｓ２２２、Ｓ２２３において、第２の上部電極２１１ｂから第１の上部電極２１１ａに電流が流れる。このため、発光領域ＬＡの中央部と外周部との間の電位分布が図１（ａ）の場合よりも小さくなる。より具体的には、図１（ａ）の場合には、発光領域ＬＡの中央部での電位降下が低減される反面、発光領域ＬＡの外周部付近における電位降下が大きくなる可能性がある。これに対し、図３（ａ）の場合には、発光領域ＬＡの外周部付近においても第２の上部電極２１１ｂから第１の上部電極２１１ａへの電流経路が形成されているので、発光領域ＬＡの中央部と外周部との間の電位分布をより小さくできる。
【００２６】
また、図３（ｂ）に示されるように、発光領域ＬＡは、複数の分離した第１の領域Ｓ３１１、Ｓ３１２、Ｓ３１３と、第２の領域Ｓ３２とを含んでいてもよい。第１の領域Ｓ３１１、Ｓ３１２、Ｓ３１３は、発光領域ＬＡにおけるボンディングワイヤ１０５が接続されている位置を含む外周部に形成されている。第２の領域Ｓ３２は、複数の第１の領域Ｓ３１１、Ｓ３１２、Ｓ３１３を分割するように形成されている。第２の領域Ｓ３２は、第２の領域Ｓ１２と同様に矩形状に形成された領域と、矩形状に形成された領域から発光領域ＬＡの角部に向かう方向に延在する領域とを含む。このように第２の領域Ｓ３２が矩形状に形成された領域と、矩形状に形成された領域から発光領域ＬＡの角部に向かう方向に延在する領域とを含む場合、これらの領域において、第２の上部電極２１１ｂから第１の上部電極２１１ａに電流が流れる。このため、発光領域ＬＡの中央部と外周部との間の電位分布が図１（ａ）の場合よりも小さくなる。より具体的には、図１（ａ）の場合には、発光領域ＬＡの中央部での電位降下が低減される反面、発光領域ＬＡの外周部付近における電位降下が大きくなる可能性がある。これに対し、図３（ｂ）の場合には、発光領域ＬＡの外周部付近においても第２の上部電極２１１ｂから第１の上部電極２１１ａへの電流経路が形成されているので、発光領域ＬＡの中央部と外周部との間の電位分布をより小さくできる。
【００２７】
また、図３（ｃ）に示されるように、発光領域ＬＡは、第１の領域Ｓ４１と、第２の領域Ｓ４２とを含んでいてもよい。第１の領域Ｓ４１は、発光領域ＬＡにおけるボンディングワイヤ１０５が接続されている位置を含む外周部に形成されている。第２の領域Ｓ４２は、第１の領域Ｓ４１に囲まれるように円形状に形成されている。この場合においても、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとの間に絶縁膜２１２が形成されていない場合と比較して、上部電極２１１と面発光レーザアレイ１０３とが電気的に接続される位置が発光領域ＬＡの中央部に近づく。このため、発光領域ＬＡにおける電位分布の均一性が向上する。
【００２８】
（面発光レーザ）
次に、本実施形態の面発光レーザについて説明する。図４は、図１の面発光レーザアレイ素子における面発光レーザの概略断面図である。図４（ａ）は第１の領域Ｓ１１に配置される面発光レーザを示し、図４（ｂ）は第１の領域Ｓ１１と第２の領域Ｓ１２との境界部分に配置される面発光レーザを示し、図４（ｃ）は第２の領域Ｓ１２に配置される面発光レーザを示している。なお、図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）では、便宜上、複数の面発光レーザのうちの１つの面発光レーザのみを示しているが、他の面発光レーザについても同様の構成とすることができる。また、図４においては、レーザ光が射出される方向を上方向とする。
【００２９】
まず、第１の領域Ｓ１１に配置される面発光レーザについて説明する。
【００３０】
図４（ａ）に示されるように、面発光レーザ２００ａは、発振波長が例えば８０８ｎｍ帯であり、基板２０１、バッファ層２０２、下部ブラッグ反射鏡２０３、下部スペーサ層２０４、活性層２０５、上部スペーサ層２０６、上部ブラッグ反射鏡２０７、電流狭窄層２０８、コンタクト層２０９、保護膜２１０、上部電極２１１、絶縁膜２１２、下部電極２１３等を有する。本実施形態においては、ブラッグ反射鏡には、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）が含まれているものとする。また、発振波長は８０８ｎｍ帯に限定されず、用途に応じて選択することができる。
【００３１】
基板２０１は、ｎ型半導体であるｎ−ＧａＡｓ基板により形成されている。
【００３２】
バッファ層２０２は、基板２０１の上面に積層され、ｎ−ＧａＡｓにより形成されている。
【００３３】
下部ブラッグ反射鏡２０３は、バッファ層２０２の上面に積層されている。下部ブラッグ反射鏡２０３は、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓにより形成される低屈折率層とｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓにより形成される高屈折率層とをｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓから始まり、４０．５ペア交互に積層することにより形成されている。低屈折率層と高屈折率層との間には、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられていてもよい。組成傾斜層を設けることにより、電気抵抗を低減することができる。低屈折率層及び高屈折率層は、隣接する組成傾斜層の膜厚の１／２を含み、発振波長λに対して光学膜厚がλ／４となるように設計されている。なお、光学膜厚がλ／４の場合、その層の実際の膜厚Ｄは、Ｄ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
【００３４】
下部スペーサ層２０４は、下部ブラッグ反射鏡２０３の上面に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓにより形成されている。
【００３５】
活性層２０５は、下部スペーサ層２０４の上面に積層されている。活性層２０５は、Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ａｓ量子井戸層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ障壁層とを３ペア交互に積層することにより形成される三重量子井戸構造（ＴＱＷ：Triple Quantum Well）を有する。なお、活性層２０５は、三重量子井戸構造以外の多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi Quantum Well）であってもよい。
【００３６】
上部スペーサ層２０６は、活性層２０５の上面に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓにより形成されている。上部スペーサ層２０６は、発振波長が８０８ｎｍとなるように設計されている。
【００３７】
本実施形態の面発光レーザにおいては、下部スペーサ層２０４、活性層２０５及び上部スペーサ層２０６により光学長さが１波長となる共振器領域が形成されている。なお、活性層２０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器領域の中央に設けられている。
【００３８】
上部ブラッグ反射鏡２０７は、上部スペーサ層２０６の上面に積層され、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓにより形成される低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓにより形成される高屈折率層とを２５ペア交互に積層することにより形成されている。低屈折率層と高屈折率層との間には、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられていてもよい。組成傾斜層を設けることにより、電気抵抗を低減することができる。低屈折率層及び高屈折率層は、隣接する組成傾斜層の膜厚の１／２を含んで、発振波長λに対して光学膜厚がλ／４となるように設計されている。上部ブラッグ反射鏡２０７における低屈折率層の１つには、ＡｌＡｓにより形成される電流狭窄層２０８が例えば３０ｎｍの膜厚で挿入されている。なお、電流狭窄層２０８の膜厚は３０ｎｍに限定されるものではない。
【００３９】
電流狭窄層２０８は、後述するメサの周囲より選択酸化することにより形成される選択酸化領域２０８ａと、選択酸化されなかったメサの中央部の領域である電流狭窄領域２０８ｂとを含む。
【００４０】
コンタクト層２０９は、上部ブラッグ反射鏡２０７の上面に積層され、ｐ−ＧａＡｓにより形成されている。
【００４１】
なお、このように基板２０１上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上「積層体」ともいう。また、基板２０１の上において、コンタクト層２０９、電流狭窄層２０８、上部ブラッグ反射鏡２０７、上部スペーサ層２０６、活性層２０５、下部スペーサ層２０４の一部を除去することによりメサが形成されている。
【００４２】
保護膜２１０は、メサの側面及びメサを形成する際に半導体材料が除去された領域の上面に積層されており、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２等の絶縁性材料により形成されている。保護膜２１０には、メサの上面において開口部Ａ１が形成されている。
【００４３】
上部電極２１１は、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとを含むｐ側電極である。第１の上部電極２１１ａは、メサの上面における外周部のコンタクト層２０９の上面及び保護膜２１０の上面に積層されており、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜により形成されている。第１の上部電極２１１ａには、メサの上面において開口部Ａ２が形成されている。第２の上部電極２１１ｂは、第１の上部電極２１１ａの上に絶縁膜２１２を介して積層されており、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜により形成されている。第２の上部電極２１１ｂには、メサの上面において開口部Ａ４が形成されている。
【００４４】
絶縁膜２１２は、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとの間に形成されている。絶縁膜２１２は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２等の絶縁性材料により形成されている。絶縁膜２１２には、メサの上面において開口部Ａ３が形成されている。
【００４５】
なお、図４（ａ）の例では、第１の上部電極２１１ａの開口部Ａ２の開口径Ｄ２、絶縁膜２１２の開口部Ａ３の開口径Ｄ３及び第２の上部電極２１１ｂの開口部Ａ４の開口径Ｄ４は同一である。
【００４６】
下部電極２１３は、基板２０１の下面に積層されており、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ積層膜により形成されている。下部電極２１３は、ｎ側電極である。
【００４７】
このように、第１の領域Ｓ１１に配置される面発光レーザ２００ａでは、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとの間に絶縁膜２１２が形成されている。
【００４８】
次に、第１の領域Ｓ１１と第２の領域Ｓ１２との境界部分に配置される面発光レーザについて説明する。第１の領域Ｓ１１と第２の領域Ｓ１２との境界部分に配置される面発光レーザ２００ｂは、面発光レーザ２００ａと異なり、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとの間に絶縁膜２１２が形成されている部分と、形成されていない部分とを有する。以下、第１の領域Ｓ１１に配置される面発光レーザ２００ａと異なる点を中心に説明する。
【００４９】
図４（ｂ）に示されるように、面発光レーザ２００ｂは、発振波長が８０８ｎｍ帯であり、基板２０１、バッファ層２０２、下部ブラッグ反射鏡２０３、下部スペーサ層２０４、活性層２０５、上部スペーサ層２０６、上部ブラッグ反射鏡２０７、電流狭窄層２０８、コンタクト層２０９、保護膜２１０、上部電極２１１、絶縁膜２１２、下部電極２１３等を有する。
【００５０】
基板２０１、バッファ層２０２、下部ブラッグ反射鏡２０３、下部スペーサ層２０４、活性層２０５、上部スペーサ層２０６、上部ブラッグ反射鏡２０７、電流狭窄層２０８、コンタクト層２０９、保護膜２１０、下部電極２１３については、面発光レーザ２００ａと同様の構成とすることができる。
【００５１】
上部電極２１１は、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとを含むｐ側電極である。第１の上部電極２１１ａは、メサの上面における外周部のコンタクト層２０９の上面及び保護膜２１０の上面に積層されており、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜により形成されている。第２の上部電極２１１ｂは、第１の上部電極２１１ａの上に絶縁膜２１２を介して、又は、絶縁膜２１２を介することなく積層されており、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜により形成されている。即ち、第２の上部電極２１１ｂは、一部の領域（第１の領域Ｓ１１）において絶縁膜２１２の上面に形成されることにより第１の上部電極２１１ａと電気的に絶縁されている。また、第２の上部電極２１１ｂは、他の領域（第２の領域Ｓ１２）において第１の上部電極２１１ａの上面に積層されることにより第１の上部電極２１１ａと電気的に接続されている。
【００５２】
絶縁膜２１２は、第１の上部電極２１１ａの一部の上面に積層され、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２等の絶縁性材料により形成されている。
【００５３】
次に、第２の領域Ｓ１２に配置される面発光レーザ２００ｃについて説明する。第２の領域Ｓ１２に配置される面発光レーザ２００ｃは、面発光レーザ２００ａと異なり、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとの間に絶縁膜２１２が形成されていない。以下、第１の領域Ｓ１１に配置される面発光レーザ２００ａと異なる点を中心に説明する。
【００５４】
図４（ｃ）に示されるように、面発光レーザ２００ｃは、発振波長が８０８ｎｍ帯であり、基板２０１、バッファ層２０２、下部ブラッグ反射鏡２０３、下部スペーサ層２０４、活性層２０５、上部スペーサ層２０６、上部ブラッグ反射鏡２０７、電流狭窄層２０８、コンタクト層２０９、保護膜２１０、上部電極２１１、下部電極２１３等を有する。
【００５５】
基板２０１、バッファ層２０２、下部ブラッグ反射鏡２０３、下部スペーサ層２０４、活性層２０５、上部スペーサ層２０６、上部ブラッグ反射鏡２０７、電流狭窄層２０８、コンタクト層２０９、保護膜２１０、下部電極２１３については、面発光レーザ２００ａと同様の構成とすることができる。
【００５６】
上部電極２１１は、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとを含むｐ側電極である。第１の上部電極２１１ａは、メサの上面における外周部のコンタクト層２０９の上面及び保護膜２１０の上面に積層されており、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜により形成されている。第２の上部電極２１１ｂは、第１の上部電極２１１ａの上面に積層されており、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜により形成されている。即ち、第２の上部電極２１１ｂは、第１の上部電極２１１ａの上面に積層されることにより第１の上部電極２１１ａと電気的に接続されている。
【００５７】
次に、第１の領域Ｓ１１に配置される面発光レーザの変形例について説明する。図５は、図１の面発光レーザにおける面発光レーザの他の例を示す概略断面図である。
【００５８】
図５（ａ）に示されるように、変形例の面発光レーザ２００ｄは、前述の面発光レーザ２００ａと異なり、第２の上部電極２１１ｂの開口部Ａ４の開口径Ｄ４が、絶縁膜２１２の開口部Ａ３の開口径Ｄ３よりも大きい。これにより、第１の領域Ｓ１１において第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとが絶縁膜２１２の開口部Ａ３の内面を介して電気的に短絡することを抑制できる。なお、第１の領域Ｓ１１と第２の領域Ｓ１２との境界部分に配置される面発光レーザについても同様の構成としてもよい。
【００５９】
また、図５（ｂ）に示されるように、変形例の面発光レーザ２００ｅは、前述の面発光レーザ２００ａと異なり、絶縁膜２１２に開口部が形成されていない。即ち、絶縁膜２１２は、コンタクト層２０９を覆うように形成されている。これにより、第１の領域Ｓ１１において第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとが電気的に短絡することを抑制できる。また、絶縁膜２１２に開口部を形成しなくてよいので、製造工程を短縮することができる。なお、第１の領域Ｓ１１と第２の領域Ｓ１２との境界部分に配置される面発光レーザについても同様の構成としてもよい。
【００６０】
（面発光レーザアレイ素子の製造方法）
次に、本実施形態の面発光レーザアレイ素子の製造方法について、図４に示される面発光レーザを製造する場合を例に挙げて説明する。
【００６１】
（１）図６に示されるように、基板２０１の上に、バッファ層２０２、下部ブラッグ反射鏡２０３、下部スペーサ層２０４、活性層２０５、上部スペーサ層２０６、上部ブラッグ反射鏡２０７、電流狭窄層２０８、コンタクト層２０９を含む半導体層を積層して積層体を形成する。半導体層は、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法等により形成される。なお、ＩＩＩ族の原料としてはトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いることができ、Ｖ族の原料としてはアルシン（ＡｓＨ３）を用いることができる。ｐ型ドーパントの原料としては四臭化炭素（ＣＢｒ４）を用いることができ、ｎ型ドーパントの原料としてはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いることができる。
【００６２】
（２）コンタクト層２０９の上面に、フォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、所望のメサ形状に対応する１辺が２５μｍの正方形状のレジストパターンをアレイ状に形成する。
【００６３】
（３）レジストパターンをエッチングマスクとして、電流狭窄層２０８の側面が露出するまで、レジストパターンが形成されていない領域における半導体層をドライエッチングにより除去し、四角柱のメサを形成する。ドライエッチングとしては、例えば誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：:Inductive Coupled Plasma）を用いたドライエッチングを用いることができる。その後、レジストパターンを除去する。このように形成されたメサの側面においては、上部ブラッグ反射鏡２０７の側面が露出している。なお、メサの上面における形状は、例えば円形、楕円形、矩形等の形状であってもよく、他の任意の形状であってもよい。
【００６４】
（４）図７に示されるように、メサの側面において露出している電流狭窄層２０８であるＡｌＡｓ膜を水蒸気中で熱処理し、周辺より酸化してＡｌｘＯｙを形成することにより選択酸化領域２０８ａを形成する。これにより、電流狭窄層２０８において選択酸化されなかった領域が電流狭窄領域２０８ｂとなり、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する電流狭窄（酸化アパーチャ）構造が形成される。
【００６５】
（５）外周部溝形成部のみを露出させるようフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、ＩＣＰを用いたドライエッチングにより溝を形成する。その後、レジストパターンを除去する。
【００６６】
（６）積層体を加熱容器に入れ、窒素雰囲気中に３８０〜４００℃の温度で３分間保持する。これにより、大気中で表面に付着した酸素や水、もしくは加熱容器内の微量な酸素や水による自然酸化膜が、窒素雰囲気中での熱処理により安定した不動態皮膜になる。
【００６７】
（７）図８に示されるように、化学気相堆積（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法により、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２等の絶縁性材料を成膜することにより保護膜２１０を形成する。
【００６８】
（８）保護膜２１０の上面に、フォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、コンタクト層２０９と第１の上部電極２１１ａとを電気的に接続するための開口部を形成する位置に対応するレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをエッチングマスクとして、コンタクト層２０９の上面が露出するまで、レジストパターンが形成されていない領域における保護膜２１０をバッファードフッ酸（ＢＨＦ）により除去し、開口部Ａ１を形成する。その後、レジストパターンを除去することにより、図９に示されるように、開口部Ａ１を有する保護膜２１０が形成される。
【００６９】
（９）コンタクト層２０９及び保護膜２１０の上面に、フォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、メサの上部の光射出部となる領域に一辺が１０μｍの正方形状のレジストパターンを形成する。その後、真空蒸着法により、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜を形成する。
【００７０】
（１０）アセトン等の有機溶媒中において超音波洗浄を行うことによりリフトオフを行い、図１０に示されるように、光射出部となる領域に開口部Ａ２を有する第１の上部電極２１１ａを形成する。
【００７１】
（１１）ＣＶＤ法により、第１の上部電極２１１ａの上面及びコンタクト層２０９の上面に、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２等の絶縁性材料を成膜することにより絶縁膜２１２を形成する。
【００７２】
（１２）図１１に示されるように、発光領域ＬＡの外周部に絶縁膜２１２を残存させるように、前述の（８）と同様の方法により、絶縁膜２１２をエッチングする。このとき、図１２に示されるように、絶縁膜２１２を残存させる領域では、メサの上部における第１の上部電極２１１ａに形成された開口部Ａ２と対応する位置に開口部Ａ３を形成する。このとき、絶縁膜２１２を残存させない領域では、絶縁膜２１２が除去されるため、図１０に示されるように、第１の上部電極２１１ａの上面が露出した状態となる。
【００７３】
（１３）メサの上部の光射出部となる領域に一辺が１０μｍの正方形状のレジストパターンを形成する。その後、真空蒸着法により、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜を形成する。
【００７４】
（１４）アセトン等の有機溶媒中において超音波洗浄を行うことによりリフトオフを行い、開口部Ａ４を有する第２の上部電極２１１ｂを形成する。これにより、絶縁膜２１２が残存する領域では、図１３（ａ）に示されるように、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとが絶縁膜２１２により絶縁されるように第２の上部電極２１１ｂが形成される。また、絶縁膜２１２が残存する領域と絶縁膜が残存しない領域との境界部分では、図１３（ｂ）に示されるように、絶縁膜２１２が残存する領域において絶縁膜２１２により第１の上部電極２１１ａと電気的に絶縁されるように第２の上部電極２１１ｂが形成される。また、絶縁膜が残存しない領域において第１の上部電極２１１ａと電気的に接続されるように第２の上部電極２１１ｂが形成される。さらに、絶縁膜２１２が残存しない領域では、図１３（ｃ）に示されるように、第１の上部電極２１１ａと第２の上部電極２１１ｂとが電気的に接続されるように第２の上部電極２１１ｂが形成される。
【００７５】
（１５）基板２０１の裏面を研磨し、研磨した裏面に、真空蒸着法、スパッタリング法等により、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ積層膜を形成することにより、下部電極２１３を形成する。基板２０１を研磨した後の板厚は、例えば１００μｍ〜３００μｍとすることができ、２００μｍであることが好ましい。
【００７６】
（１６）下部電極２１３が形成された基板２０１を熱処理し、コンタクト層２０９と第１の上部電極２１１ａとの間、及び、基板２０１と下部電極２１３との間のオーミック接触を形成し、導通させる。
【００７７】
上記（１）から（１６）の工程により、図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示される面発光レーザを製造することができる。
【００７８】
（１７）スクライブ・ブレーキングにより、チップ毎に切断する。
【００７９】
（１８）２００〜２５０℃に加熱したホットプレート上において、金属膜パターン１０２が形成された放熱板１０１と上記積層体とを接合剤１０４により接合する。金属膜パターン１０２は、例えば厚さが１μｍのＡｕにより形成されたものを用いることができる。
【００８０】
（１９）Ａｕにより形成されたボンディングワイヤ１０５を用いて、第２の上部電極２１１ｂと金属膜パターン１０２のｐ側領域１０２ｐとを電気的に接続する。
【００８１】
上記（１）から（１９）の工程により、図１に示される面発光レーザアレイ素子１００を製造することができる。
【００８２】
〔第２実施形態〕
第２実施形態では、第１実施形態の面発光レーザアレイ素子を有するレーザ装置について説明する。図１４は、第２実施形態のレーザ装置の概略構成図である。
【００８３】
図１４に示されるように、本実施形態のレーザ装置は、光源ユニット４１０と、集光レンズ４２０と、光ファイバ４３０とを有する。レーザ装置では、光源ユニット４１０から射出された光が集光レンズ４２０により集光された後、光ファイバ４３０の一端に入射し、光ファイバ４３０の他端からレーザ光が射出される。
【００８４】
光源ユニット４１０は、面発光レーザ４１１が２次元的に複数配列した面発光レーザアレイ４１２と、複数の面発光レーザ４１１から射出される光の光路上にそれぞれ配置される複数のマイクロレンズが配列した２次元のマイクロレンズアレイ４１３とを有する。面発光レーザアレイ４１２は、前述の第１実施形態の面発光レーザアレイ素子である。面発光レーザアレイ４１２から射出された光は、面発光レーザ４１１ごとに放射角を持ったレーザ光であり、マイクロレンズアレイ４１３を通ることによって平行光となる。平行光となった光は、集光レンズ４２０に入射する。
【００８５】
集光レンズ４２０は、光源ユニット４１０から射出された光を小さなスポットに効率よく集光し、光ファイバ４３０に入射させる光学系である。
【００８６】
光ファイバ４３０は、集光レンズ４２０により集光された光を伝送する。光ファイバ４３０は、中央部のコア４３１と、その周囲を覆うクラッド４３２とを含む二層構造になっている。光ファイバ４３０のコア４３１には、集光レンズ４２０で集光された光が入射する。
【００８７】
第２実施形態の光源ユニット４１０では、発光領域ＬＡにおける電位分布の均一性を向上させることが可能な第１実施形態の面発光レーザアレイ素子１００より射出されたレーザ光をマイクロレンズアレイ４１３で平行光にする。これにより、面内における光出力が均一な平行光のレーザ光を出力することができる。
【００８８】
〔第３実施形態〕
第３実施形態では、第１実施形態の面発光レーザアレイ素子を有する点火装置について説明する。図１５は、第３実施形態の点火装置の概略構成図である。図１６は、図１５の点火装置におけるレーザ共振器を説明するための図である。
【００８９】
点火装置１３０１は、一例として図１５に示されるように、レーザ装置１２００、射出光学系１２１０、及び保護部材１２１２などを有している。
【００９０】
射出光学系１２１０は、レーザ装置１２００から射出される光を集光する。これにより、集光点で高いエネルギー密度を得ることができる。
【００９１】
保護部材１２１２は、燃焼室に臨んで設けられた透明の窓である。ここでは、一例として、保護部材１２１２の材料としてサファイアガラスが用いられている。
【００９２】
レーザ装置１２００は、面発光レーザアレイ１２０１、第１集光光学系１２０３、光ファイバ１２０４、第２集光光学系１２０５、及びレーザ共振器１２０６を備えている。なお、本明細書では、ＸＹＺ３次元直交座標系を用い、面発光レーザアレイ１２０１からの光の射出方向を＋Ｚ方向として説明する。
【００９３】
面発光レーザアレイ１２０１は、励起用光源であり、複数の発光部を有している。面発光レーザアレイ１２０１は、前述の第１実施形態の面発光レーザアレイ素子である。面発光レーザアレイ１２０１から射出される光の波長は８０８ｎｍである。
【００９４】
面発光レーザアレイ１２０１は、射出される光の温度による波長ずれが非常に少ないため、励起波長のずれによって特性が大きく変化するＱスイッチレーザを励起するのに有利な光源である。そこで、面発光レーザアレイ１２０１を励起用光源に用いると、環境の温度制御を簡易なものにできるという利点がある。
【００９５】
第１集光光学系１２０３は、面発光レーザアレイ１２０１から射出される光を集光する。
【００９６】
光ファイバ１２０４は、第１集光光学系１２０３によって光が集光される位置にコアの−Ｚ側端面の中心が位置するように配置されている。ここでは、光ファイバ１２０４として、コア径が１．５ｍｍ、ＮＡが０．３９の光ファイバ（Ｔｈｏｒｌａｂｓ社製、型番：ＦＴ１５００ＵＭＴ）が用いられている。
【００９７】
光ファイバ１２０４を設けることによって、面発光レーザアレイ１２０１をレーザ共振器１２０６から離れた位置に置くことができる。これにより配置設計の自由度を増大させることができる。また、レーザ装置１２００を点火装置に用いる際に、熱源から面発光レーザアレイ１２０１を遠ざけることができるため、エンジンを冷却する方法の幅を広げることが可能である。
【００９８】
光ファイバ１２０４に入射した光はコア内を伝播し、コアの＋Ｚ側端面から射出される。
【００９９】
第２集光光学系１２０５は、光ファイバ１２０４から射出された光の光路上に配置され、該光を集光する。第２集光光学系１２０５で集光された光は、レーザ共振器１２０６に入射する。
【０１００】
レーザ共振器１２０６は、Ｑスイッチレーザであり、一例として図１６に示されるように、レーザ媒質１２０６ａ、及び可飽和吸収体１２０６ｂを有している。
【０１０１】
レーザ媒質１２０６ａは、３ｍｍ×３ｍｍ×８ｍｍの直方体形状のＮｄ：ＹＡＧ結晶であり、Ｎｄが１．１％ドーピングされている。可飽和吸収体１２０６ｂは、３ｍｍ×３ｍｍ×２ｍｍの直方体形状のＣｒ：ＹＡＧ結晶であり、初期透過率が３０％のものである。
【０１０２】
なお、ここでは、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶とＣｒ：ＹＡＧ結晶は接合されており、いわゆるコンポジット結晶となっている。また、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶及びＣｒ：ＹＡＧ結晶は、いずれもセラミックスである。
【０１０３】
第２集光光学系１２０５からの光は、レーザ媒質１２０６ａに入射される。すなわち、第２集光光学系１２０５からの光によってレーザ媒質１２０６ａが励起される。なお、面発光レーザアレイ１２０１から射出される光の波長は、ＹＡＧ結晶において最も吸収効率の高い波長である。そして、可飽和吸収体１２０６ｂは、Ｑスイッチの動作を行う。
【０１０４】
レーザ媒質１２０６ａの入射側（−Ｚ側）の面、及び可飽和吸収体１２０６ｂの射出側（＋Ｚ側）の面は光学研磨処理がなされ、ミラーの役割を果たしている。なお、以下では、便宜上、レーザ媒質１２０６ａの入射側の面を「第１の面」とも称し、可飽和吸収体１２０６ｂの射出側の面を「第２の面」とも称する（図１６参照）。
【０１０５】
そして、第１の面及び第２の面には、面発光レーザアレイ１２０１から射出される光の波長、及びレーザ共振器１２０６から射出される光の波長に応じた誘電体膜がコーティングされている。
【０１０６】
具体的には、第１の面には、波長が８０８ｎｍの光に対して９９．５％の高い透過率を示し、波長が１０６４ｎｍの光に対して９９．５％の高い反射率を示すコーティングがなされている。また、第２の面には、波長が１０６４ｎｍの光に対して５０％の反射率を示すコーティングがなされている。
【０１０７】
これにより、レーザ共振器１２０６内で光が共振し増幅される。ここでは、レーザ共振器１２０６の共振器長は１０（＝８＋２）ｍｍである。
【０１０８】
図１５に戻り、駆動装置１２２０は、エンジン制御装置１２２２の指示に基づいて、面発光レーザアレイ１２０１を駆動する。すなわち、駆動装置１２２０は、エンジンの動作における着火のタイミングで点火装置から光が射出されるように、面発光レーザアレイ１２０１を駆動する。なお、面発光レーザアレイ１２０１における複数の発光部は、同時に点灯及び消灯される。
【０１０９】
上記の実施形態において、面発光レーザアレイ１２０１をレーザ共振器１２０６から離れた位置に置く必要がない場合は、光ファイバ１２０４が設けられなくてもよい。
【０１１０】
また、第１集光光学系１２０３、第２集光光学系１２０５、及び射出光学系１２１０は、いずれも単一のレンズからなっていてもよいし、複数のレンズからなっていてもよい。
【０１１１】
また、エンジンとしては、燃焼ガスによってピストンを運動させるエンジン（ピストンエンジン）であってもよく、ロータリーエンジンや、ガスタービンエンジンや、ジェットエンジンであってもよい。要するに、燃料を燃焼させて燃焼ガスを生成する内燃機関であればよい。
【０１１２】
また、排熱を利用して、動力や温熱や冷熱を取り出し、総合的にエネルギー効率を高めるシステムであるコジェネレーションに、点火装置を用いてもよい。
【０１１３】
また、ここでは、点火装置が内燃機関に用いられる場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１１４】
また、ここでは、レーザ装置１２００が点火装置に用いられる場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、レーザ加工機、レーザピーニング装置、テラヘルツ発生装置等に用いることができる。
【０１１５】
なお、上記の各実施形態において、上部電極２１１は金属膜の一例であり、第１の上部電極２１１ａは第１の金属膜の一例であり、第２の上部電極２１１ｂは第２の金属膜の一例である。また、ボンディングワイヤ１０５は配線部材の一例である。
【０１１６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【符号の説明】
【０１１７】
１００    面発光レーザアレイ素子
１０１    放熱板
１０２    金属膜パターン
１０２ｐ  ｐ側領域
１０２ｎ  ｎ側領域
１０３    面発光レーザアレイ
１０４    接合剤
１０５    ボンディングワイヤ
２００    面発光レーザ
２０１    基板
２０２    バッファ層
２０３    下部ブラッグ反射鏡
２０４    下部スペーサ層
２０５    活性層
２０６    上部スペーサ層
２０７    上部ブラッグ反射鏡
２０８    電流狭窄層
２０８ａ  選択酸化領域
２０８ｂ  電流狭窄領域
２０９    コンタクト層
２１０    保護膜
２１１    上部電極
２１１ａ  第１の上部電極
２１１ｂ  第２の上部電極
２１２    絶縁膜
２１３    下部電極
４１０    光源ユニット
４１１    面発光レーザ
４１２    面発光レーザアレイ
４１３    マイクロレンズアレイ
４２０    集光レンズ
４３０    光ファイバ
ＬＡ      発光領域
Ｓ１１    第１の領域
Ｓ１２    第２の領域
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１１８】
【特許文献１】特開２００５−２１６９２５号公報
【特許文献２】特開２００８−３１１４９９号公報
【図１】
2017216285.tif 000003
【図２】
2017216285.tif 000004
【図３】
2017216285.tif 000005
【図４】
2017216285.tif 000006
【図５】
2017216285.tif 000007
【図６】
2017216285.tif 000008
【図７】
2017216285.tif 000009
【図８】
2017216285.tif 000010
【図９】
2017216285.tif 000011
【図１０】
2017216285.tif 000012
【図１１】
2017216285.tif 000013
【図１２】
2017216285.tif 000014
【図１３】
2017216285.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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