(57)【要約】【課題】高い分光精度を有する干渉フィルター、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法を提供する。【解決手段】波長干渉フィルター５は、固定反射膜５４及び可動反射膜５５と、固定反射膜５４が設けられる固定基板５１と、を備え、固定基板５１は、固定反射膜５４が設けられる第一反射膜領域Ａ１を備えた対向面５１Ａと、対向面５１Ａとは反対側の外側面５１Ｂで、法線方向から見た平面視において第一反射膜領域Ａ１と重なる第一光透過領域Ａ２を含む外側面５１Ｂとを備え、第一反射膜領域Ａ１は、第一光透過領域Ａ２よりも算術平均粗さが大きい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の反射膜と、
前記一対の反射膜のいずれか一方が設けられる基板と、を備え、
前記基板は、前記一対の反射膜のいずれか一方が設けられる反射膜領域を備えた第一面と、前記第一面とは反対側の面で、かつ前記第一面に対する法線方向から見た平面視において、前記反射膜領域と重なる光透過領域を含む第二面と、を備え、
前記反射膜領域は、前記光透過領域よりも算術平均粗さが大きい
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の干渉フィルターにおいて、
前記反射膜領域の表面には、前記平面視において前記反射膜の面積よりも小さい複数の粗面形成体が点在する
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項３】
請求項１に記載の干渉フィルターにおいて、
前記反射膜領域は、前記第一面を覆うように配置される表面粗化層を有し、
前記表面粗化層は、表面が前記光透過領域よりも算術平均粗さが大きく、
前記一対の反射膜のいずれか一方は、前記表面粗化層の表面上に設けられている
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の干渉フィルターにおいて、
前記反射膜領域における算術平均粗さは、１ｎｍ以上８ｎｍ以下である
ことを特徴とする干渉フィルター。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の干渉フィルターと、
前記干渉フィルターから出射された光を受光する受光部と、を備えた
ことを特徴とする光学モジュール。
【請求項６】
請求項５に記載の光学モジュールと、
前記光学モジュールを制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
一対の反射膜と、前記一対の反射膜のいずれか一方が設けられる基板と、を備え、前記基板が、前記一対の反射膜のいずれか一方が設けられる反射膜領域を有する第一面と、前記第一面とは反対側の面で、かつ前記第一面に対する法線方向から見た平面視において、前記反射膜領域と重なる光透過領域を含む第二面と、を備える干渉フィルターの製造方法であって、
前記基板の前記反射膜を形成するための反射膜領域を、前記光透過領域よりも算術平均粗さが粗くなるように粗面化する粗面化ステップと、
前記反射膜領域上に前記一対の反射膜のいずれか一方を成膜する反射膜成膜ステップと、
を実施することを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記粗面化ステップは、前記基板の前記反射膜領域にエッチング処理を実施して粗面化する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記粗面化ステップは、前記基板の前記反射膜領域に研磨処理を実施して粗面化する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記基板上に、粗面形成層を成膜する粗面形成層成膜ステップを含み、
前記粗面化ステップは、前記基板を基板厚み方向から見た平面視において前記反射膜領域と重なる前記粗面形成層をエッチング処理し、かつ、前記エッチング処理により前記粗面形成層の一部を前記基板上に残留させて複数の粗面形成体を形成することで粗面化する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０の干渉フィルターの製造方法において、
前記粗面形成層は、電極を形成するための導電層であり、
前記粗面化ステップは、前記電極の形成位置をマスクして前記エッチング処理を実施する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記粗面形成層は、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、及びＩＴＯのいずれか、又はＣｒ、Ｗ、Ｔｉ、及びＩＴＯのいずれかを主成分とした合金材料である
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
【請求項１３】
請求項７に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記粗面化ステップは、前記基板の少なくとも前記反射膜領域を覆う領域に表面粗化層を成膜し、前記表面粗化層の表面を粗面化する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の干渉フィルターの製造方法において、
前記粗面化ステップは、前記表面粗化層に対して、Ｏ２プラズマ処理を実施することで、前記表面粗化層の表面を粗面化する
ことを特徴とする干渉フィルターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、干渉フィルター、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の反射膜を有する干渉フィルターが知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような干渉フィルターでは、ＡｇＣ等の合金膜により構成された反射膜が成膜された第一基板と、ＡｇＣ等の合金膜により構成された固定ミラー（反射膜）が設けられた第一基板と、ＡｇＣ等の合金膜により構成された可動ミラー（反射膜）が設けられた第二基板とを対向配置している。Ａｇ合金膜やＡｇ膜は、広い波長域に対して高い反射率特性を有するため、このようなＡｇ合金膜やＡｇ膜を反射膜として選択することで、例えば広い対象波長域から所望の目標波長の光を干渉フィルターから透過させることが可能となる。
【０００３】
一方、このようなＡｇ合金膜やＡｇ膜は、原子が移動しやく凝集しやすいため、劣化しやすく、長期信頼性の面で課題がある。これに対して、Ａｇ合金膜やＡｇ膜の劣化を抑制するために、表面に保護膜を形成する構成が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１９４５５６号公報
【特許文献２】特開２０１２−４２５８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記特許文献２では、反射膜上に保護膜を形成することで、反射膜の表面拡散を抑制し、膜の劣化や変質を抑制できる。しかしながら、保護膜の膜応力により、ヒロックやウィスカ等の形状劣化が発生するおそれがある。このようなヒロックやウィスカが発生すると、反射膜の位置によって、互いに対向する反射膜間の距離が変動するので、干渉フィルターから出射された光の半値幅が広くなる等、分光精度が低下するとの課題がある。
【０００６】
本発明は、高い分光精度を有する干渉フィルター、光学モジュール、電子機器、及び干渉フィルターの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一適用例に係る干渉フィルターは、一対の反射膜と、前記一対の反射膜のいずれか一方が設けられる基板と、を備え、前記基板は、前記一対の反射膜のいずれか一方が設けられる反射膜領域を備えた第一面と、前記第一面とは反対側の面で、かつ前記第一面に対する法線方向から見た平面視において、前記反射膜領域と重なる光透過領域を含む第二面と、を備え、前記反射膜領域は、前記光透過領域よりも算術平均粗さが大きいことを特徴とする。
【０００８】
本適用例では、基板の反射膜領域が光透過領域よりも算術平均粗さが大きい（粗い）。
基板の光透過領域は、一対の反射膜に対して光を入射させる面、又は一対の反射膜による光干渉作用により出射された所定波長の光が透過する面であり、通常は表面での光の散乱等を抑制するために光学面に形成される。一方、本適用例では、基板において、この光透過領域とは反対側の面に、光透過領域よりも算術平均粗さが大きい反射膜領域が設けられ、当該反射膜領域に反射膜が設けられている。このような反射膜領域に反射膜を設けることで、反射膜を基板に対して密着させることができ、ヒロックやウィスカの発生を抑制できる。よって、一対の反射膜間で、ヒロックやウィスカの影響によってギャップの寸法が不均一となる不都合が抑制され、所望の目標波長の光を高い分光精度で干渉フィルターから出射させることができる。また、当該出射光が基板の光透過領域から出射される場合において、上記のように、光透過領域が反射膜領域よりも算術平均粗さが小さいので、出射光の散乱等がなく、目標波長の出射光の光強度の減少等を抑制できる。
【０００９】
本適用例の干渉フィルターにおいて、前記反射膜領域の表面には、前記平面視において前記反射膜の面積よりも小さい複数の粗面形成体が点在することが好ましい。
本適用例において、反射膜領域には、複数の粗面形成体が点在していることで、算術平均粗さが光透過領域よりも大きく形成されている。このような粗面形成体は、例えば干渉フィルターに金属膜等により構成された電極を設ける際、エッチングにより電極を除去する際に、一部の電極を残留させることで形成することが可能となる。この場合、干渉フィルター内に電極を設ける場合、エッチングにより電極の形状を決定する際に同時に粗面形成でき、別途反射膜領域に粗面化処理を実施する必要がないので、製造効率性が良好となる。
【００１０】
本適用例の干渉フィルターにおいて、前記反射膜領域は、前記第一面を覆うように配置される表面粗化層を有し、前記表面粗化層は、表面が前記光透過領域よりも算術平均粗さが大きく、前記一対の反射膜のいずれか一方は、前記表面粗化層の表面上に設けられていることが好ましい。
本適用例では、基板は、反射膜領域に設けられ、表面が粗面となる表面粗化層を有し、当該表面粗化層の表面上に反射膜が設けられる。本適用例においても、上記適用例と同様に、反射膜の密着性を良好にできるので、ヒロックやウィスカの発生が抑制され、所望の目標波長の光を高い分光精度で干渉フィルターから出射させることができる。
【００１１】
本適用例の干渉フィルターにおいて、前記反射膜領域における算術平均粗さは、１ｎｍ以上８ｎｍ以下であることが好ましい。
本適用例では、反射膜領域の算術平均粗さが１ｎｍ以上８ｎｍ以下の粗面となっている。ここで、算術平均粗さが１ｎｍ未満の場合、光学面となり、反射膜にヒロックやウィスカが多く発生してしまう。また、算術平均粗さが８ｎｍより大きいと、粗面による光の散乱や、反射膜を構成する金属原子の凝集が促進されることで、干渉フィルターの分光精度特性が悪化してしまう。これに対して、上記のように粗面の算術平均粗さが１ｎｍ以上８ｎｍ以下である場合は、反射膜を基板に密着させることができ、ヒロックやウィスカの発生を抑制でき、かつ干渉フィルターの分光精度特性の悪化も抑制できる。
【００１２】
本発明に係る一適用例の光学モジュールは、上述したような干渉フィルターと、前記干渉フィルターから出射された光を受光する受光部と、を備えていることを特徴とする。
本適用例では、上述したように、干渉フィルターから、高い分光精度で、所望の目標波長の光を出射させることができ、その光を受光部において受光することで、入射光に含まれる目標波長の光の光強度を正確に測定することができる。
【００１３】
本発明に係る一適用例の電子機器は、上述したような光学モジュールと、前記光学モジュールを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。
本適用例では、上述したように、干渉フィルターから高い分光精度で目標波長の光を光学モジュールで検出でき、当該検出結果に基づいて、例えば分光測定処理等の各種処理を高精度に実施することができる。
【００１４】
本発明に係る一適用例の干渉フィルターの製造方法は、一対の反射膜と、前記一対の反射膜のいずれか一方が設けられる基板と、を備え、前記基板が、前記一対の反射膜のいずれか一方が設けられる反射膜領域を有する第一面と、前記第一面とは反対側の面で、かつ前記第一面に対する法線方向から見た平面視において、前記反射膜領域と重なる光透過領域を含む第二面と、を備える干渉フィルターの製造方法であって、前記基板の前記反射膜を形成するための反射膜領域を、前記光透過領域よりも算術平均粗さが粗くなるように粗面化する粗面化ステップと、前記反射膜領域上に前記一対の反射膜のいずれか一方を成膜する反射膜成膜ステップと、を実施することを特徴とする。
【００１５】
本適用例では、基板の反射膜領域の算術平均粗さを、光透過領域よりも粗くする粗面化ステップを実施し、反射膜成膜ステップにおいて、粗面化された反射膜領域に反射膜を成膜する。
これにより、上述した発明と同様に、反射膜領域に設けられる反射膜の密着性を、光学面に反射膜を設ける場合等に比べて高くでき、ヒロックやウィスカ等の発生を抑制することができ、干渉フィルターの分光精度を高くできる。
【００１６】
本適用例に係る干渉フィルターの製造方法において、前記粗面化ステップは、前記基板の前記反射膜領域にエッチング処理を実施して粗面化することが好ましい。
本適用例では、基板に対してエッチング処理を実施することで、反射膜領域を粗面化する。通常、一対の反射膜の間のギャップ寸法を所定の初期寸法に設定するために、基板をエッチングして溝を形成する場合がある。本適用例では、このような基板の形状形成を行うエッチングの際に、反射膜領域を粗面化する。具体的には、例えば、エッチング処理におけるエッチング時間を、基板形状を行う通常のエッチング時間に比べて長くしたり、エッチング液の組成を変えたりすることで、エッチング面を粗面化することが可能となる。
このような本適用例では、基板形状を行う際のエッチング処理時に粗面化ステップを実施でき、製造効率性の向上を図れる。
【００１７】
本適用例に係る干渉フィルターの製造方法において、前記粗面化ステップは、前記基板の前記反射膜領域に研磨処理を実施して粗面化することが好ましい。
本適用例では、基板に対して研磨処理を実施することで、反射膜領域を粗面化する。研磨処理としては、例えばブラスト処理や、機械研磨処理等が挙げられる。この場合、反射膜領域を確実に粗面化することができ、かつ、反射膜領域の算術平均粗さを精度よく所望の算術平均粗さに設定できる。
【００１８】
本適用例に係る干渉フィルターの製造方法は、前記基板上に、粗面形成層を成膜する粗面形成層成膜ステップを含み、前記粗面化ステップは、前記基板を基板厚み方向から見た平面視において前記反射膜領域と重なる前記粗面形成層をエッチング処理し、かつ、前記エッチング処理により前記粗面形成層の一部を前記基板上に残留させて複数の粗面形成体を形成することで粗面化することが好ましい。
本適用例では、粗面形成層成膜ステップにより基板上に粗面形成層を成膜した後、粗面化ステップにより粗面形成層をエッチング処理し、反射膜領域に粗面形成層の一部を残留させて複数の粗面形成体を点在させる。
これにより、上記適用例と同様に、光透過領域よりも算術平均粗さが大きい反射膜領域を形成でき、反射膜を基板に対して密着させてヒロックやウィスカ等の発生を抑制できる。
また、粗面形成層としては、例えば、一対の反射膜の間の寸法を変更するための静電アクチュエーターを構成する電極層や、基板の帯電電荷を逃がすための電極層、基板の特定部分を保護するための保護層等を利用できる。この場合、電極層や保護層を形成する際に同時に反射膜領域を粗面化することができ、例えば別途反射膜領域を粗面化するための工程が不要となり、製造効率性の向上を図れる。
【００１９】
本適用例に係る干渉フィルターの製造方法において、前記粗面形成層は、電極を形成するための導電層であり、前記粗面化ステップは、前記電極の形成位置をマスクして前記エッチング処理を実施することが好ましい。
本適用例では、粗面形成層として、電極を形成するための導電層を用い、粗面化ステップでは、電極を形成する領域をマスクして、粗面形成層に対してエッチング処理を実施する。これにより、干渉フィルターに電極を形成すると同時に、反射膜領域の粗面化することができる。
【００２０】
本適用例に係る干渉フィルターの製造方法において、前記粗面形成層は、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、及びＩＴＯのいずれか、又はＣｒ、Ｗ、Ｔｉ、及びＩＴＯのいずれかを主成分とした合金材料であることが好ましい。
本適用例では、粗面形成層は、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、及びＩＴＯ、又はこれらのいずれかを主成分とした合金材料により構成されている。電極層として、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、及びＩＴＯや、その合金を用いる場合、エッチング処理において、一部が基板上に残留しやすく、反射膜領域を粗面化しやすくなる。したがって、電極層の形成と、反射膜領域の粗面化とを、効率よく実施することができる。
【００２１】
本適用例に係る干渉フィルターの製造方法において、前記粗面化ステップは、前記基板の少なくとも前記反射膜領域を覆う領域に表面粗化層を成膜し、前記表面粗化層の表面を粗面化することが好ましい。
本適用例では、基板の少なくとも反射膜領域に対して表面粗化層を成膜し、その表面粗化層の表面を粗面化した後、反射膜を表面粗化層上に成膜する。この場合でも、上記発明と同様に、粗面化された反射膜領域上に反射膜を形成することができ、ヒロックやウィスカの発生を抑制できる。
【００２２】
本適用例に係る干渉フィルターの製造方法において、前記粗面化ステップは、前記表面粗化層に対して、Ｏ２プラズマ処理を実施することで、前記表面粗化層の表面を粗面化することが好ましい。
本適用例では、表面粗化層に対してＯ２プラズマ処理を実施して、表面粗化層の表面を粗面化する。この場合、表面粗化層の表面がＯ２プラズマ処理によって酸化されるため、反射膜として金属膜を用いる場合に、密着性をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第一実施形態に係る波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。
【図２】図１における波長可変干渉フィルターをＡ−Ａ線で切断した際の断面図。
【図３】第一実施形態における波長可変干渉フィルターの製造方法を示すフローチャート。
【図４】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法における固定基板形成ステップに含まれる各ステップでの基板形状を示す図。
【図５】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法における可動基板形成ステップに含まれる各ステップでの基板形状を示す図。
【図６】第一実施形態の変形例における波長可変干渉フィルターの製造方法における固定基板形成ステップに含まれる各ステップでの基板形状を示す図。
【図７】第二実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。
【図８】第二実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法における、固定基板形成ステップの電極形成ステップ及び粗面化ステップでの基板形状を示す図。
【図９】第三実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。
【図１０】第三実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法における、固定基板形成ステップの粗面化ステップでの基板形状を示す図。
【図１１】第四実施形態におけるプリンターの概略構成を示す斜視図。
【図１２】第四実施形態のプリンターの概略構成を示すブロック図。
【図１３】第四実施形態のプリンターに組み込まれた分光器の概略構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
［第一実施形態］
以下、本発明の係る第一実施形態の波長可変干渉フィルター（干渉フィルター）に関して説明する。
［波長可変干渉フィルターの構成］
図１は、第一実施形態に係る波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す平面図である。
図２は、図１における波長可変干渉フィルター５をＡ−Ａ線で切断した際の断面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図１及び図２に示すように、本発明の基板を構成する、透光性の固定基板５１及び可動基板５２を備えている。これらの固定基板５１及び可動基板５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等により形成されている。そして、これらの固定基板５１及び可動基板５２は、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等により構成された接合膜５３により接合されることで、一体的に構成されている。
【００２５】
固定基板５１の可動基板５２に対向する対向面５１Ａ（本発明における第一面）には、本発明における一対の反射膜の一方である固定反射膜５４が設けられ、可動基板５２の固定基板５１に対向する対向面５２Ａ（本発明における第一面）には、本発明における一対の反射膜の他方である可動反射膜５５が設けられている。これらの固定反射膜５４及び可動反射膜５５は、ギャップＧを介して対向配置されている。
また、波長可変干渉フィルター５には、ギャップＧの寸法を調整（変更）するのに用いられる静電アクチュエーター５６が設けられている。この静電アクチュエーター５６は、固定基板５１の対向面５１Ａに設けられた固定電極５６１と、可動基板５２の対向面５２Ａに設けられた可動電極５６２により構成される。
なお、以降の説明に当たり、固定基板５１又は可動基板５２の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定反射膜５４、可動反射膜５５の膜厚方向から波長可変干渉フィルター５を見た平面視を、フィルター平面視と称する。また、本実施形態では、フィルター平面視において、固定反射膜５４の中心点及び可動反射膜５５の中心点は、一致し、平面視におけるこれらの反射膜５４，５５の中心点をＯで示す。
【００２６】
（固定基板５１の構成）
固定基板５１は、例えばガラス基板により構成され、可動基板５２に対向する対向面５１Ａ（本発明における第一面）と、対向面５１Ａとは反対側の外側面５１Ｂ（本発明における第二面）とを有する。固定基板５１の一端側（図１における辺Ｃ１−Ｃ２）は、可動基板５２の基板端縁（図１における辺Ｃ５−Ｃ６）よりも外側に突出する。
また、固定基板５１の対向面５１Ａ側には、図２に示すように、例えばエッチング処理等により形成された電極配置溝５１１及び反射膜設置部５１２が設けられている。
一方、固定基板５１の外側面５１Ｂは、算術平均粗さＲａが例えば１ｎｍ未満となる光学面に形成されている。これにより、固定基板５１の外側面５１Ｂに対しては、光の散乱や乱反射等による光量損失、光の入射角（出射角）の変動等を抑制できる。また、この固定基板５１の外側面５１Ｂにおいて、フィルター平面視において、後述する第一反射膜領域Ａ１と重なる領域が本発明における光透過領域Ａ２となる。なお、本実施形態では、波長可変干渉フィルター５の反射膜５４，５５に対して垂直に入射光を入射させるため、フィルター平面視において、固定基板５１の外側面５１Ｂにおいて、フィルター平面視において第一反射膜領域Ａ１と重なる領域を第一光透過領域Ａ２としたが、波長可変干渉フィルター５に対する入射角が９０°以外の角度である場合はこの限りではない。すなわち、反射膜５４，５５に対して９０°ではない入射角αで光を入射（又は出射）させる場合、外側面５１Ｂにおける第一反射膜領域Ａ１に入射（又は出射）する領域が第一光透過領域Ａ２となる。
【００２７】
電極配置溝５１１は、フィルター平面視で、例えば固定基板５１のフィルター中心点Ｏを中心とした環状に形成されている。また、固定基板５１の対向面５１Ａには、電極配置溝５１１から、固定基板５１の辺Ｃ３−Ｃ４まで連通する配線溝（図示略）が設けられている。
そして、電極配置溝５１１の溝底面には、静電アクチュエーター５６を構成する固定電極５６１が設けられ、可動部５２１の可動電極５６２に対向する。なお、固定電極５６１上に、固定電極５６１及び可動電極５６２の間の絶縁性を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。
また、固定電極５６１の外周縁の一部には、固定引出電極５６３が設けられている。この固定引出電極５６３は、電極配置溝５１１から辺Ｃ３−Ｃ４側に向かって設けられた配線溝に沿って引き出されている。さらに、配線溝には、可動基板５２側に向かって突設されたバンプ部５６５Ａ（図１参照）が設けられ、固定引出電極５６３は、バンプ部５６５Ａ上まで延出する。そして、固定引出電極５６３は、バンプ部５６５Ａ上で可動基板５２側に設けられた固定接続電極５６５に当接し、電気的に接続される。この固定接続電極５６５は、配線溝に対向する領域から電装面５２４（図１参照）まで延出し、電装面５２４において固定電極パッド５６５Ｐを構成する。
【００２８】
反射膜設置部５１２は、図２に示すように、電極配置溝５１１の中心部から可動基板５２側に突出している。
この反射膜設置部５１２の突出先端面は、第一反射膜領域Ａ１（本発明における反射膜領域）であり、表面に固定反射膜５４が設けられる。
ここで、固定反射膜５４としては、Ａｇ膜又はＡｇ合金膜を用いることが好ましい。このようなＡｇ膜やＡｇ合金膜は、可視光域から近赤外域に亘る広い波長範囲に対して高い反射特性を有する。よって、波長可変干渉フィルター５の固定反射膜５４や可動反射膜５５に、Ａｇ膜やＡｇ合金膜を用いることで、広い対象波長域から所望の目標波長を選択して出射させることが可能となる。一方、Ａｇ膜やＡｇ合金膜の薄膜は、Ａｇ原子が移動しやすく、凝集することで膜質が変動し易い（劣化しやすい）。このため、この場合、固定反射膜５４上に保護膜５４１を設けることが好ましい。保護膜５４１としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＧＯ等の透明導電性酸化物、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の酸化物絶縁体等を用いることができる。
【００２９】
また、本実施形態の第一反射膜領域Ａ１の算術平均粗さＲａは、固定基板５１の外側面５１Ｂ（第一光透過領域Ａ２）よりも、算術平均粗さＲａが大きい粗面となる。
具体的には、第一反射膜領域Ａ１の算術平均粗さＲａは、１ｎｍ以上８ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは，５ｎｍ以上８ｎｍ以下である。
ここで、第一反射膜領域Ａ１の算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満である場合、固定基板５１における外側面５１Ｂと同様、光学面となる。この場合、第一反射膜領域Ａ１に対する固定反射膜５４の密着性が低下してしまう。この場合、ヒロックやウィスカ等の突起が形成されやすくなり、ヒロックやウィスカが形成されると固定反射膜５４の表面が均一な平面とならない。
以下の表１は、第一反射膜領域Ａ１における算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満の光学面とした場合（比較例）、算術平均粗さＲａを１ｎｍ以上８ｎｍ以下の光学面とした場合における、固定反射膜５４の密着性を示す表である。
【００３０】
【表１】
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【００３１】
固定反射膜５４として、例えばＡｇ合金膜をスパッタ法により成膜した場合、比較例のように算術平均粗さＲａが小さいと、固定基板５１への密着力が小さくなり、固定反射膜５４を構成するＡｇ原子が移動しやすく、ヒロックやウィスカ、膜変質等の発生が促進されることになる。
【００３２】
また、算術平均粗さＲａが８ｎｍより大きいと、第一反射膜領域Ａ１の表面の凹凸によって、固定反射膜５４に入射または出射する光の散乱が生じたり、光の進行方向が変化して反射膜５４，５５間での光学的距離が変化したりすることで、波長可変干渉フィルター５におけるフィルター特性が低下する。すなわち、波長可変干渉フィルター５を透過した光に目標波長以外の波長の光が多く含まれることになり、半値幅が広くなってしまう。さらに、算術平均粗さＲａが粗すぎることで、Ａｇ原子の凝集を促進させてしまい、ノジュール等の発生を促進させてしまう。
【００３３】
一方、本実施形態では、上記のように、第一反射膜領域Ａ１の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以上８ｎｍ以下とする。この場合、表１に示すように、固定反射膜５４と第一反射膜領域Ａ１との密着性（密着力）が、比較例よりも向上する。表１では、実施例として、算術平均粗さＲａが１．２６ｎｍの例を示すが、算術平均粗さＲａをさらに増大させる（粗くする）ことで、より密着性が増す。この場合、Ａｇ原子の移動が抑制され、膜変質やヒロックやウィスカの発生をより抑制することが可能となる。
【００３４】
また、第一反射膜領域Ａ１における算術平均粗さＲａによる波長可変干渉フィルター５のフィルター特性の低下は、当該波長可変干渉フィルター５により分光させる対象波長域によって左右され、対象波長域における最小波長の１／５０以下の算術平均粗さＲａとすることで、フィルター特性の低下を抑制できる。例えば、本実施形態では、可視光域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）を対象波長域とする。この場合では、対象波長域における最小波長λｍｉｎは４００ｎｍとなるので、第一反射膜領域Ａ１の算術平均粗さＲａは、８ｎｍ（＝４００／５０ｎｍ）以下に設定することが好ましい。この場合、上述したヒロック及びウィスカの発生を抑制するための条件と一致するので、第一反射膜領域Ａ１の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以上８ｎｍ以下に設定すればよい。
また、例えば、対象波長域として、紫外域を含む場合（例えば２００ｎｍ〜７００ｎｍ等）では、第一反射膜領域Ａ１の算術平均粗さＲａとして４ｎｍ以下とし、ヒロックやウィスカの発生を抑制するためには、１ｎｍ以上の算術平均粗さＲａとすることが好ましい。よって、この場合では、算術平均粗さＲａを１ｎｍ以上４ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３５】
なお、本実施形態では、固定反射膜５４として、Ａｇ膜やＡｇ合金膜を例示するが、その他の金属反射膜（例えばＡｕ，Ａｌ等）を用いる場合も同様である。このような金属反射膜を固定反射膜５４として選択する場合では、第一反射膜領域Ａ１の算術平均粗さＲａを、上記のように設定すればよい。
【００３６】
（可動基板の構成）
可動基板５２は、図１に示すようなフィルター平面視において、フィルター中心点Ｏを中心とした例えば円形状の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、保持部５２２の外側に設けられた基板外周部５２５と、を備えている。
また、可動基板５２には、図１に示すように、一端側（図１における辺Ｃ７−Ｃ８）は、固定基板５１の基板端縁（図１における辺Ｃ３−Ｃ４）よりも外側に突出しており、この突出部分により電装面５２４が構成されている。
【００３７】
可動部５２１は、図２に示すように、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板５２の厚み寸法と同一寸法に形成されている。この可動部５２１は、フィルター平面視において、少なくとも反射膜設置部５１２の外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。そして、この可動部５２１の対向面５２Ａには、可動反射膜５５、及び可動電極５６２が設けられている。
また、可動部５２１の固定反射膜５４に対向する領域は、第二反射膜領域Ａ３であり、第一反射膜領域Ａ１と同様に、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上８ｎｍ以下の粗面となる。
さらに、可動部５２１の固定基板５１とは反対側の外側面５２Ｂ（本発明における第二面）は、固定基板５１における外側面５１Ｂと同様、算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満である光学面となる。また、外側面５２Ｂのうち、フィルター平面視において、第二反射膜領域Ａ３と重なる領域は、第二光透過領域Ａ４となる。なお、上記第一光透過領域Ａ２と同様、反射膜５４，５５に対して９０°ではない入射角αで光を入射（又は出射）させる場合、外側面５２Ｂにおける第二反射膜領域Ａ３に入射（又は出射）する領域が第二光透過領域Ａ４となる。
【００３８】
可動反射膜５５は、可動部５２１の対向面５２Ａの中心部に設けられた第二反射膜領域Ａ３に設けられ、固定反射膜５４と反射膜間ギャップＧを介して対向する。この可動反射膜５５としては、上述した固定反射膜５４と同一の構成の反射膜が用いられ、表面に保護膜５５１が設けられていてもよい。
ここで、可動反射膜５５が設けられる可動部５２１の第二反射膜領域Ａ３は、上述のように、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上８ｎｍ以下となる。したがって、上記固定反射膜５４と同様、ヒロックやウィスカ等の発生が抑制される。
【００３９】
可動電極５６２は、所定のギャップを介して固定電極５６１に対向し、固定電極５６１と同一形状となる環状に形成されている。この可動電極５６２は、固定電極５６１とともに静電アクチュエーター５６を構成する。また、可動基板５２には、可動電極５６２の外周縁に接続された可動引出電極５６４が設けられている。この可動引出電極５６４は、可動部５２１から、配線溝に対向する領域に沿い、電装面５２４に亘って設けられており、電装面５２４において可動電極パッド５６４Ｐを構成する。
【００４０】
また、可動基板５２には、上述したように、固定接続電極５６５が設けられており、この固定接続電極５６５は、バンプ部５６５Ａを介して固定引出電極５６３に接続されている。
【００４１】
保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を固定基板５１側に変位させることが可能となる。この際、可動部５２１が保持部５２２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、保持部５２２が静電引力により固定基板５１側に引っ張られた場合でも、可動部５２１の形状変化が抑制される。したがって、可動部５２１に設けられた可動反射膜５５の撓みも発生しにくく、固定反射膜５４及び可動反射膜５５を常に平行状態に維持することが可能となる。
なお、本実施形態では、ダイヤフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、フィルター中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。
【００４２】
基板外周部５２５は、フィルター平面視において保持部５２２の外側に設けられる。基板外周部５２５の固定基板５１に対向する面は、接合膜５３を介して固定基板５１に接合される。
【００４３】
［波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、上述したような波長可変干渉フィルターの製造方法について、図面に基づいて説明する。
図３は、本実施形態における波長可変干渉フィルターの製造方法におけるフローチャートである。
波長可変干渉フィルター５の製造では、図４に示すように、固定基板形成ステップＳ１により固定基板５１を形成し、可動基板形成ステップＳ２により可動基板５２を形成し、基板接合ステップＳ３により、これらの固定基板５１及び可動基板５２を接合する。
【００４４】
［固定基板形成ステップ］
図４は、固定基板形成ステップＳ１に含まれる各ステップにおける基板形状の概略を示す図である。
固定基板形成ステップＳ１では、図４（Ａ）に示すように、まず、固定基板５１を形成するための母材（第一ガラス基板Ｍ１）の表面（対向面５１Ａ，外側面５１Ｂ）を、算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満となるように、精密研磨し、例えば５００μｍの厚み寸法にする。
【００４５】
この後、第一ガラス基板Ｍ１に対して、フォトリソグラフィ法によりパターニングされたレジストパターンをマスクに用いて、エッチング処理を実施する。これにより、図４（Ｂ）に示すように、第一ガラス基板Ｍ１における電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２、及び配線溝の形成位置を、反射膜設置部５１２の突出先端面の溝深さ寸法までエッチングし、かつ、反射膜設置部５１２の突出先端面（第一反射膜領域Ａ１）の表面を粗面化する（粗面化ステップ）。なお、配線溝に関しては、図４での図示は省略している。
具体的には、電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２、及び配線溝以外の領域をマスクし、バッファードフッ酸（例えば、ＮＨ４ＨＦ２（２０．２重量％）、ＮＨ４Ｆ（２１．２重量％）の混合水溶液）を用いたウエットエッチングを行う。ここで、ガラス基板に対して、算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満となる凹溝をエッチングにより形成する場合、例えばエッチング処理時の温度を３０度とし、例えば１０分程度のエッチング処理と、乾燥処理と、を交互に複数回実施する。これに対して、本実施形態では、エッチング処理時の温度を３０度とし、エッチング時間を約１時間程度とした１回のエッチング処理を実施する。このように、長時間のエッチング処理を、乾燥処理を間に入れずに実施することで、算術平均粗さＲａが２〜３ｎｍとなる第一反射膜領域Ａ１を形成することができる。
【００４６】
この後、図４（Ｃ）に示すように、電極配置溝５１１及び配線溝の領域以外をマスクしてさらにエッチング処理を行う。このエッチング処理では、先に実施したエッチング処理と同様のバッファードフッ酸を用いることができる。また、本エッチング処理では、上記と同様に、約１時間程度のエッチング処理を行って算術平均粗さＲａを大きくしてもよく、短時間のエッチング処理と乾燥処理とを交互に実施して、電極配置溝５１１や配線溝の溝底面の算術平均粗さＲａを小さくしてもよい。
【００４７】
なお、上記は液中処理を用いたエッチング処理を例示したが、これに限定されない。例えば、エッチング処理として気層処理を行う場合、フッ素ガスを使用してプラズマ処理により表面をエッチングする。フッ素ガスとしては、例えば、ＣＦ４，Ｃ２Ｆ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８等のＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）や、ＳＦ６、ＳＦ３、ＸｅＦ２等のフッ素含有化合物を用いることができる。また、上記のようなフッ素ガスは、キャリアガスにより希釈して搬送する。キャリアガスとしては、不活性ガスを用いることが好ましく、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ等の希ガスや、Ｎ２等を用いることができる。フッ素ガスの希釈率は、例えば、フッ素ガスをＣＦ４、キャリアガスをＮ２とする場合、フッ素ガスとキャリアガスの流量比（ＣＦ４：Ｎ２）を、１：１０００〜１：１０の間に設定することが好ましい。この場合でも、エッチング時間を約１時間程度として、間に乾燥処理を実施しない１回のエッチング処理を実施することで、所望の算術平均粗さＲａ（例えば２〜３ｎｍ）の第一反射膜領域Ａ１を形成できる。
以上により、固定基板５１の概略形状が形成される。
【００４８】
次に、配線溝に対してバンプ部５６５Ａを形成し、その後、図４（Ｄ）に示すように、固定電極５６１及び固定引出電極５６３を形成する（電極形成ステップ）。具体的には、第一ガラス基板Ｍ１に固定電極５６１、及び固定引出電極５６３（図４では図示を省略する）を形成する電極材料を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜する。バンプ部５６５Ａの形成としては、例えば、対向面５１Ａ上に例えばＴｉ薄膜等のバンプ部５６５Ａの形成素材を成膜した後、エッチングによりバンプ部５６５Ａ以外の領域を除去することで形成してもよく、例えば、上記エッチング処理時にバンプ部５６５Ａを形成しておいてもよい。
固定電極５６１及び固定引出電極５６３の電極材料としては、例えばＩＴＯ膜、ＴｉＷ膜及びＡｕ膜の積層体、Ｃｒ膜及びＡｕ膜の積層体等を用いることができ、その他、固定基板５１と密着性が良好で、かつ導電性を有する各種膜材を用いることができる。
そして、第一ガラス基板Ｍ１にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて固定電極５６１、及び固定引出電極５６３の形状に合わせてレジストをパターニングする。そして、ウエットエッチングにより、固定電極５６１及び固定引出電極５６３をパターニングした後、残ったレジストを除去する。
なお、図４（Ｃ）のエッチング処理時において、電極配置溝５１１や配線溝の溝底面を第一反射膜領域Ａ１と同様に粗くした場合、固定電極５６１や固定引出電極５６３を第一ガラス基板Ｍ１に対して高い密着性で形成することが可能となる。
【００４９】
この後、図４（Ｅ）に示すように、固定反射膜５４及び保護膜５４１を形成する（反射膜成膜ステップ）。
具体的には、スパッタリング法等により固定反射膜５４及び保護膜５４１の形成素材（例えばＡｇ合金、ＩＴＯ）を第一ガラス基板Ｍ１上に積層して成膜し、エッチング処理によって、第一反射膜領域Ａ１以外に成膜された形成素材を除去する。
この際、上述したように、第一反射膜領域Ａ１の表面は、エッチング処理時において粗面化されて算術平均粗さＲａが２〜３ｎｍとなっている。このため、成膜された固定反射膜５４は、高い密着性で第一ガラス基板Ｍ１に成膜されることとなり、ヒロックやウィスカ等の発生が抑制される。
【００５０】
［可動基板形成ステップ］
図５は、可動基板形成ステップＳ２に含まれる各ステップにおける基板形状の概略を示す図である。
可動基板形成ステップＳ２では、図５（Ａ）に示すように、まず、可動基板５２を形成するための第二ガラス基板Ｍ２の表面を、算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満となるように、精密研磨し、例えば５００μｍの厚み寸法にする。
【００５１】
そして、第二ガラス基板Ｍ２の保持部５２２以外の領域をマスクしてエッチング処理を実施することで、図５（Ｂ）に示すように、保持部５２２を形成し、可動基板５２の基板形状を決定する。
この後、図５（Ｃ）に示すように、第二ガラス基板Ｍ２の対向面５２Ａにおける第二反射膜領域Ａ３以外をマスクし、エッチング処理を実施して、第二反射膜領域Ａ３を粗面化する（粗面化ステップ）。このエッチング処理では、上記固定基板形成ステップＳ１と同様のバッファードフッ酸を用いてもよいが、この場合、エッチング時間が長いと可動部５２１に凹溝が形成されることになるため、エッチング時間をより短くする。なお、バッファードフッ酸をさらに希釈したエッチング液を用いることで、算術平均粗さＲａを調整することが好ましい。
また、本実施形態では、第二反射膜領域Ａ３のみを粗面化する例を示すが、可動基板５２における対向面５２Ａの全体を粗面化してもよい。この場合、可動電極５６２や可動引出電極５６４、固定接続電極５６５、及び接合膜５３の可動基板５２に対する密着性を向上させることができる。
【００５２】
この後、第二ガラス基板Ｍ２の対向面５２Ａに可動電極５６２、可動引出電極５６４（図５では図示略）、及び固定接続電極５６５（図５では図示略）を形成する導電層を、ＣＶＤ法やスパッタリング等を用いて成膜する。この導電層は、固定電極５６１、固定引出電極５６３と同様、例えばＩＴＯ膜、ＴｉＷ膜及びＡｕ膜の積層体、Ｃｒ膜及びＡｕ膜の積層体等を用いることができる。そして、エッチング処理により、導電層を所望の形状に成形して、可動電極５６２、可動引出電極５６４、及び固定接続電極５６５を形成する（電極形成ステップ）。
【００５３】
次に、可動反射膜５５及び保護膜５５１を形成する（反射膜成膜ステップ）。
具体的には、固定反射膜５４及び保護膜５４１の成膜と同様、スパッタリング法等により可動反射膜５５及び保護膜５５１の形成素材（例えばＡｇ合金、ＩＴＯ）を第二ガラス基板Ｍ２上に積層して成膜し、エッチング処理によって、第二反射膜領域Ａ３以外に成膜された形成素材を除去する。
この際、上述したように、第二反射膜領域Ａ３の表面は、エッチング処理時において粗面化されて算術平均粗さＲａが２〜３ｎｍとなっている。このため、成膜された可動反射膜５５は、高い密着性で可動基板５２に成膜されることとなり、ヒロックやウィスカ等の発生が抑制される。
【００５４】
［基板接合ステップ］
次に、基板接合ステップＳ３について説明する。
基板接合ステップＳ３では、まず、第一ガラス基板Ｍ１の第一接合部５１３と、第二ガラス基板Ｍ２の第二接合部５２３とに、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜を、例えばプラズマＣＶＤ法等により成膜する。
そして、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２のプラズマ重合膜に対して活性化エネルギーを付与するために、Ｏ２プラズマ処理又はＵＶ処理を行う。Ｏ２プラズマ処理の場合は、Ｏ２流量１．８×１０−３（ｍ３／ｈ）、圧力２７Ｐａ、ＲＦパワー２００Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理の場合は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて３分間処理する。
プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、これらの第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２のアライメント調整を行い、プラズマ重合膜を介して第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２を重ね合わせ、接合部分に例えば９８（Ｎ）の荷重を１０分間かける。これにより、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２同士が接合される。
なお、図４及び図５では、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２からそれぞれ１つの固定基板５１及び可動基板５２が形成される例を示すが、これに限定されず、１つの第一ガラス基板Ｍ１から複数の固定基板５１を形成し、１つの第二ガラス基板Ｍ２から複数の可動基板５２を形成してもよい。この場合、基板接合ステップＳ３の後、第一ガラス基板Ｍ１及び第二ガラス基板Ｍ２の所定位置をカットすることで、複数の波長可変干渉フィルター５をそれぞれ分離する。
【００５５】
［第一実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター５は、固定基板形成ステップＳ１において、対向面５１Ａ及び外側面５１Ｂの表面を精密研磨して算術平均粗さＲａを１ｎｍ未満とした固定基板５１（第一ガラス基板Ｍ１）に対して、反射膜設置部５１２の溝深さまで最初のエッチング処理を実施する。この際に、約１時間のエッチング処理を、間に乾燥処理を設けずに実施することで、反射膜設置部５１２の形成と同時に、その突出先端面である第一反射膜領域Ａ１の算術平均粗さＲａを、第一光透過領域Ａ２を含む外側面５１Ｂよりも大きく（粗く）する（粗面化ステップ）。その後、電極配置溝５１１及び配線溝を形成した後、第一反射膜領域Ａ１に固定反射膜５４を成膜する（反射膜成膜ステップ）。
また、可動基板形成ステップＳ２においても同様に、対向面５２Ａ及び外側面５２Ｂを精密研磨して算術平均粗さＲａを１ｎｍ未満とした可動基板５２（第二ガラス基板Ｍ２）に対して、第二反射膜領域Ａ３をエッチング処理することで算術平均粗さＲａを２〜３ｎｍの粗面とする（粗面化ステップ）。この後、第二反射膜領域Ａ３に対して可動反射膜５５を成膜する（反射膜ステップ）。
つまり、本実施形態の波長可変干渉フィルター５では、固定基板５１の第一反射膜領域Ａ１が、第一光透過領域Ａ２よりも算術平均粗さＲａが大きく（粗く）、当該第一反射膜領域Ａ１上に固定反射膜５４が設けられている。また、可動基板５２の第二反射膜領域Ａ３が、第二光透過領域Ａ４よりも算術平均粗さＲａが大きく（粗く）、当該第二反射膜領域Ａ３上に可動反射膜５５が設けられている。
【００５６】
これにより、本実施形態では、光学面上に固定反射膜５４や可動反射膜５５を設ける場合に比べて、高い密着力で固定反射膜５４及び可動反射膜５５をそれぞれ固定基板５１及び可動基板５２に設けることができる。よって、反射膜５４，５５の膜変質やヒロックやウィスカの発生を抑制することができ、波長可変干渉フィルター５から所望波長の光を高い分光精度で出射させることができる。また、基板５１，５２において、反射膜領域Ａ１，Ａ３以外の光の通過面となる光透過領域Ａ２，Ａ４は、反射膜領域Ａ１，Ａ３よりも算術平均粗さＲａが小さく（細かく）、特に、本実施形態では、これらの光透過領域Ａ２，Ａ４の算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満となる光学面となる。これにより、光透過領域Ａ２，Ａ４における光の散乱等が抑制され、これによる光量低下も抑制される。以上により、波長可変干渉フィルター５から、所望の目標波長の光を高い分光精度で、かつ、高い光強度で出射させることができる。
【００５７】
また、本実施形態では、反射膜５４，５５は、保護膜５４１，５５１に覆われているため、反射膜５４，５５として、Ａｇ膜やＡｇ合金膜のような劣化耐性が小さい金属膜を用いる場合でも、環境変化等による膜変質（例えば酸化等）を抑制できる。また、上記のように、反射膜５４，５５が高い密着性で基板５１，５２に設けられているので、保護膜５４１，５５１からの膜応力が加えられても、ヒロックやウィスカ等の発生を抑制できる。
【００５８】
本実施形態では、反射膜領域Ａ１，Ａ３は、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上８ｎｍ以下の粗面に形成されている。ここで、算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満である場合は、光学面となり、反射膜５４，５５にヒロックやウィスカ等が発生し、波長可変干渉フィルター５の分光精度が低下する。また、算術平均粗さＲａが８ｎｍより大きいと、表面の凹凸によってＡｇ原子が凝集しやすくなり、膜変質やヒロックやウィスカ等を促進させてしまい、加えて凹凸によって光の散乱等が発生してしまうため、フィルター特性が低下（例えば光量損失の増大等）する。これに対して、本実施形態では、上記のような算術平均粗さＲａとすることで、フィルター特性の低下を抑制しつつ、ヒロックやウィスカの発生をも抑制でき、波長可変干渉フィルター５の分光精度を高めることができる。
【００５９】
本実施形態では、固定基板形成ステップＳ１の粗面化ステップにおいて、第一ガラス基板Ｍ１に対するエッチング時間を制御することで、算術平均粗さＲａを所望の粗さにする。この場合、例えば、組成の異なる複数種のエッチング液を用いる場合に比べて、１種のエッチング液を用いればよく、製造コストを低減できる。また、エッチング液の組成や濃度を変更する場合に比べて、エッチングされた面の算術平均粗さＲａの調整が容易であり、所望の算術平均粗さＲａの反射膜領域Ａ１，Ａ３を容易に形成できる。
また、固定基板形成ステップＳ１においては、反射膜設置部５１２の形成と同時に、その突出先端面である第一反射膜領域Ａ１を粗面化することができるので、固定基板５１の形状を整形した後に、別途粗面化ステップを実施する場合に比べて、工程数を削減でき、製造効率性の向上を図れる。
【００６０】
［第一実施形態の変形例］
上記第一実施形態では、粗面化ステップにおいて、エッチング処理を用いる例を示したが、これに限定されない。
図６は、固定基板形成ステップに含まれる各ステップでの基板の形状を示す概略図である。
本変形例では、上記第一実施形態と同様に、図６（Ａ）に示すように、第一ガラス基板Ｍ１の対向面５１Ａ及び外側面５１Ｂを精密研磨する。次に、図６（Ｂ）に示すように、複数回のエッチング処理及び乾燥処理を実施することで、算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満となる電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２、及び配線溝（図示略）を形成する。
【００６１】
そして、本変形例では、この後、反射膜設置部５１２の突出先端面に対して例えば、研磨処理を実施して、図６（Ｃ）に示すように、算術平均粗さＲａが例えば１ｎｍ以上８ｎｍ以下の粗面となる第一反射膜領域Ａ１を形成する（粗面化ステップ）。
研磨処理としては、例えば、表面に酸化セリウム砥粒（１次粒子平均粒径０．０５μｍ、２次粒子平均粒径約０．５μｍ）が設けられた、不織布や発泡ポリウレタン等の研磨パッドを用い、１００ｇｆ／ｃｍ２の荷重、８０ｒｐｍの回転速度で、反射膜領域Ａ１，Ａ３を研磨する。この場合、反射膜領域Ａ１，Ａ３の算術平均粗さＲａを、１.５ｎｍ前後にすることが可能となる。また、酸化セリウム砥粒や加工条件（荷重や速度）を変えることで、算術平均粗さＲａを適宜調整することが可能となる。
以降は、第一実施形態と同様、図６（Ｄ）に示すように、固定電極５６１及び固定引出電極５６３を形成した後、図６（Ｅ）に示すように、反射膜成膜ステップを実施して、第一反射膜領域Ａ１上に固定反射膜５４を製膜する。
【００６２】
可動基板形成ステップＳ２においても同様であり、上記第一実施形態では、粗面化ステップとしてエッチング処理を実施したが、上述したような研磨処理を実施することで、第二反射膜領域Ａ３の表面を粗面化してもよい。
【００６３】
また、粗面化ステップに実施する研磨処理としては、上記のような研磨パッドを用いるものに限られない。例えば、研磨処理としてブラスト処理を行ってもよい。ブラスト処理としては、例えば、粒子平均粒径０．０５μｍとなる酸化セリウム砥粒等の砥粒を吹き付けることで反射膜領域Ａ１，Ａ３を粗面化する、この際、砥粒の粒径や量、エア流速等を制御することで、算術平均粗さＲａを適宜調整することが可能となる。
【００６４】
［第二実施形態］
次に、本発明に係る第二実施形態について説明する。
上述した第一実施形態では、基板５１，５２（ガラス基板Ｍ１，Ｍ２）の表面を直接加工することで、光透過領域Ａ２，Ａ４よりも算術平均粗さＲａが大きい反射膜領域Ａ１，Ａ３を形成した。これに対して、第二実施形態では、基板５１，５２（ガラス基板Ｍ１，Ｍ２）の表面を加工することなく、光透過領域Ａ２，Ａ４よりも算術平均粗さＲａが大きい反射膜領域Ａ１，Ａ３を形成する点で、上記第一実施形態と相違する。
図７は、本実施形態の波長可変干渉フィルター５Ａの概略構成を示す断面図である。なお、以降の説明にあたり、既に説明した構成については同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００６５】
本実施形態の波長可変干渉フィルター５Ａでは、図７に示すように、固定基板５１の反射膜設置部５１２の第一反射膜領域Ａ１上に、固定反射膜５４の面積より小さい面積の複数の粗面形成体５１４が点在しており、これらの粗面形成体５１４により第一反射膜領域Ａ１の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上８ｎｍ以下となっている。
同様に、可動基板５２の可動部５２１の第二反射膜領域Ａ３上に、複数の粗面形成体５２６が点在しており、これらの粗面形成体５２６により第二反射膜領域Ａ３の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上８ｎｍ以下となっている。
【００６６】
上記のような粗面形成体５１４は、以下のようにして形成する。
図８は、本実施形態における固定基板形成ステップに含まれる粗面化ステップ及び電極形成ステップでの固定基板の状態を示す図である。
本実施形態では、上述した図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、第一ガラス基板Ｍ１の対向面５１Ａ及び外側面５１Ｂを精密研磨し、複数回のエッチング処理及び乾燥処理を実施することで、算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満となる電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２、及び配線溝を形成する。
この後、図８（Ａ）に示すように、第一ガラス基板Ｍ１の対向面５１Ａに対して、固定電極５６１、及び固定引出電極５６３（図示略）を形成する電極材料を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜し、粗面形成層５６６を形成する（粗面形成層成膜ステップ）。
この粗面形成層５６６を形成する電極材料としては、例えばＣｒ，Ｗ，Ｔｉ，ＩＴＯのいずれか、又はＣｒ，Ｗ，Ｔｉ、ＩＴＯのいずれかを主成分とした合金材料により構成されている。すなわち、粗面形成層５６６を形成する電極材料としては、第一ガラス基板Ｍ１との密着性が良い導電層を用いることができる。また、粗面形成層５６６上にさらにＡｕ等を積層させてもよい。
【００６７】
この後、第一ガラス基板Ｍ１にレジストＲｅを塗布し、図８（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて固定電極５６１、及び固定引出電極５６３の形状に合わせてレジストＲｅをパターニングする。
次に、図８（Ｃ）に示すように、ウエットエッチングにより、粗面形成層５６６をパターニングすることで、固定電極５６１及び固定引出電極５６３を形成し、この後、レジストＲｅを除去する。本実施形態では、このウエットエッチングの際、固定電極５６１及び固定引出電極５６３の形成と同時に、第一反射膜領域Ａ１に粗面形成層５６６の一部を残留させて複数の粗面形成体５１４を形成する。
ここで、密着性が高い粗面形成層５６６を用いることで、粗面形成層５６６のエッチング時において、別途マスク等を用いることがなく、容易に粗面形成層５６６の一部を複数点在させて残留させることが可能となる。また、粗面形成体５１４の厚み寸法は、エッチング処理時に粗面形成層５６６の層厚よりも十分小さくなり、算術平均粗さＲａを１ｎｍ以上８ｎｍ以下にすることが可能となる。
以上のように、本実施形態では、電極形成ステップにより、同時に粗面化ステップが実施されることになる。
以降、第一実施形態と同様に反射膜成膜ステップを実施することで、固定基板５１が形成される。
【００６８】
なお、可動基板形成ステップＳ２においても同様であり、電極形成ステップにおいて、一部の導電層を粗面形成層として形成し、その一部を残留させることで粗面形成体５２６を形成することができる。
【００６９】
［第二実施形態の作用効果］
本実施形態では、粗面形成層成膜ステップにおいて、基板５１，５２（ガラス基板Ｍ１，Ｍ２）に対して、電極材料により構成された粗面形成層５６６を成膜する。そして、電極形状に応じて粗面形成層５６６をエッチング処理することで、反射膜領域Ａ１，Ａ３上に粗面形成層５６６の一部が点在するように残留させて、粗面形成体５１４，５２６を形成する。
このように形成された反射膜領域Ａ１，Ａ３は、表面に複数の粗面形成体５１４，５２６が点在することで、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上８ｎｍ以下となる粗面となる。よって、当該反射膜領域Ａ１，Ａ３上に反射膜５４，５５を高い密着性で成膜することができ、ヒロックやウィスカの発生を抑制できる。
また、本実施形態では、電極形状を形成する際に同時に反射膜領域Ａ１，Ａ３を粗面化することができ、電極形成ステップと粗面化ステップとを同時に実施できる。このため、電極形成ステップと、粗面化ステップとをそれぞれ別工程として実施する場合に比べて、工程数を減らすことができ、製造効率性の向上を図れる。
【００７０】
［第三実施形態］
次に、本発明に係る第三実施形態について説明する。
上述した第一実施形態では、基板５１，５２（ガラス基板Ｍ１，Ｍ２）の表面を直接加工することで、光透過領域Ａ２，Ａ４よりも算術平均粗さＲａが大きい反射膜領域Ａ１，Ａ３を形成した。これに対して、第三実施形態では、基板５１，５２上に表面が粗面となる層を設けることで、光透過領域Ａ２，Ａ４よりも算術平均粗さＲａが大きい反射膜領域Ａ１，Ａ３を形成する点で、上記第一実施形態と相違する。
【００７１】
図９は、本実施形態の波長可変干渉フィルター５Ｂの概略構成を示す断面図である。
本実施形態の波長可変干渉フィルター５Ｂでは、図９に示すように、固定基板５１の反射膜設置部５１２の突出先端面に、表面粗化層５１５が設けられている。この表面粗化層５１５は、可動基板５２に対向する面が、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上８ｎｍ以下となる粗面であって、第一反射膜領域Ａ１を構成する。
同様に、可動基板５２の可動部５２１の対向面５２Ａの中心領域で、固定反射膜５４に対向する領域には、表面粗化層５２７が設けられている。この表面粗化層５２７は、固定基板５１に対向する面が、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上８ｎｍ以下となる粗面であり、第二反射膜領域Ａ３を構成する。
【００７２】
上記のような表面粗化層５１５は、以下のようにして形成する。
図１０は、本実施形態における固定基板形成ステップに含まれる粗面化ステップの固定基板の状態を示す図である。
本実施形態では、まず、上述した第一実施形態の変形例の固定基板形成ステップにおける図６（Ａ）及び図６（Ｂ）の各工程を実施する。つまり、第一ガラス基板Ｍ１の対向面５１Ａ及び外側面５１Ｂを精密研磨し、複数回のエッチング処理及び乾燥処理を実施することで、算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満となる電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２、及び配線溝を形成する。
この後、第一ガラス基板Ｍ１の対向面５１Ａに対して、スパッタリング等により、表面粗化層５１５を成膜し、図１０（Ａ）に示すように、エッチングにより、反射膜設置部５１２以外の表面粗化層５１５を除去する。ここで、表面粗化層５１５としては、例えばＴｉ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。また、表面粗化層５１５の厚み寸法としては、例えば３ｎｍとする。
【００７３】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、表面粗化層５１５の表面に対して、Ｏ２プラズマ処理を実施する。これにより、表面粗化層５１５の表面に凹凸が形成されて粗面化される。
この際、第二実施形態のように、表面粗化層５１５の一部が点在するように残留させことで、第一光透過領域Ａ２よりも算術平均粗さＲａが大きい第一反射膜領域Ａ１を形成してもよい。
以降、第一実施形態と同様に、電極形成ステップ及び反射膜成膜ステップを実施することで、固定基板５１が形成される。ここで、本実施形態では、Ｏ２プラズマ処理によって、表面粗化層５１５の表面を粗面化するため、表面粗化層５１５の表面が酸化された状態となる。このため、反射膜成膜ステップにおいて、第一反射膜領域Ａ１上に、より高い密着力で固定反射膜５４を成膜することが可能となる。
【００７４】
なお、可動基板形成ステップＳ２においても同様であり、粗面化ステップにおいて、固定反射膜５４に対向する領域に表面粗化層５２７を形成し、その表面をＯ２プラズマ処理する。これにより、表面粗化層５２７の表面を粗面化でき、第二反射膜領域Ａ３が形成される。
【００７５】
［第三実施形態の作用効果］
本実施形態では、粗面化ステップにおいて、基板５１，５２（ガラス基板Ｍ１，Ｍ２）に対して、表面粗化層５１５，５２７を形成し、その表面をＯ２プラズマ処理により粗面化する。
これにより、上記第一実施形態と同様に、光透過領域Ａ２，Ａ４よりも算術平均粗さＲａが大きい反射膜領域Ａ１，Ａ３が形成されることになり、当該反射膜領域Ａ１，Ａ３上に反射膜５４，５５を高い密着性で成膜することができ、ヒロックやウィスカの発生を抑制できる。
また、本実施形態では、表面粗化層５１５，５２７の表面をＯ２プラズマ処理により粗面化するため、反射膜領域Ａ１，Ａ３が酸化された状態となっている。このため、反射膜成膜ステップにおいて、反射膜５４，５５をより高い密着性で成膜することができる。
【００７６】
［第四実施形態］
次に、本発明に係る第四実施形態について説明する。
第四実施形態では、上記第一から第三実施形態において説明した波長可変干渉フィルター５が組み込まれた光学モジュール（分光器）及び電子機器（プリンター）の一例を図面に基づいて説明する。
【００７７】
［プリンターの概略構成］
図１１は、第四実施形態のプリンター１０の外観の構成例を示す図である。図１２は、本実施形態のプリンター１０の概略構成を示すブロック図である。
図１１に示すように、プリンター１０は、供給ユニット１１、搬送ユニット１２と、キャリッジ１３と、キャリッジ移動ユニット１４と、制御ユニット１５（図１２参照）と、を備えている。このプリンター１０は、例えばパーソナルコンピューター等の外部機器２０から入力された印刷データに基づいて、各ユニット１１，１２，１４及びキャリッジ１３を制御し、媒体Ａ上に画像を印刷する。また、本実施形態のプリンター１０は、予め設定された較正用印刷データに基づいて媒体Ａ上の所定位置に測色用のカラーパッチを形成し、かつ当該カラーパッチに対する分光測定を行う。これにより、プリンター１０は、カラーパッチに対する実測値と、較正用印刷データとを比較して、印刷されたカラーに色ずれがあるか否か判定し、色ずれがある場合は、実測値に基づいて色補正を行う。
以下、プリンター１０の各構成について具体的に説明する。
【００７８】
供給ユニット１１は、画像形成対象となる媒体Ａを、画像形成位置に供給するユニットである。この供給ユニット１１は、例えば媒体Ａが巻装されたロール体１１１（図１１参照）、ロール駆動モーター（図示略）、及びロール駆動輪列（図示略）等を備える。そして、制御ユニット１５からの指令に基づいて、ロール駆動モーターが回転駆動され、ロール駆動モーターの回転力がロール駆動輪列を介してロール体１１１に伝達される。これにより、ロール体１１１が回転し、ロール体１１１に巻装された紙面がＹ方向（副走査方向）における下流側（＋Ｙ方向）に供給される。
なお、本実施形態では、ロール体１１１に巻装された紙面を供給する例を示すがこれに限定されない。例えば、トレイ等に積載された紙面等の媒体Ａをローラー等によって例えば１枚ずつ供給する等、如何なる供給方法によって媒体Ａが供給されてもよい。
【００７９】
搬送ユニット１２は、供給ユニット１１から供給された媒体Ａを、Ｙ方向に沿って搬送する。この搬送ユニット１２は、搬送ローラー１２１と、搬送ローラー１２１と媒体Ａを挟んで配置され、搬送ローラー１２１に従動する従動ローラー（図示略）と、プラテン１２２と、を含んで構成されている。
搬送ローラー１２１は、図示略の搬送モーターからの駆動力が伝達され、制御ユニット１５の制御により搬送モーターが駆動されると、その回転力により回転駆動されて、従動ローラーとの間に媒体Ａを挟み込んだ状態でＹ方向に沿って搬送する。また、搬送ローラー１２１のＹ方向の下流側（＋Ｙ側）には、キャリッジ１３に対向するプラテン１２２が設けられている。
【００８０】
キャリッジ１３は、媒体Ａに対して画像を印刷する印刷部１６と、媒体Ａ上の所定の測定位置Ｒ（図１２参照）の分光測定を行う分光器１７と、を備えている。
このキャリッジ１３は、キャリッジ移動ユニット１４によって、Ｙ方向と交差する主走査方向に沿って移動可能に設けられている。
また、キャリッジ１３は、フレキシブル回路１３１により制御ユニット１５に接続され、制御ユニット１５からの指令に基づいて、印刷部１６による印刷処理及び、分光器１７による分光測定処理を実施する。
なお、キャリッジ１３の詳細な構成については後述する。
【００８１】
キャリッジ移動ユニット１４は、本発明における移動機構を構成し、制御ユニット１５からの指令に基づいて、キャリッジ１３をＸ方向に沿って往復移動させる。
このキャリッジ移動ユニット１４は、例えば、キャリッジガイド軸１４１と、キャリッジモーター１４２と、タイミングベルト１４３と、を含んで構成されている。
キャリッジガイド軸１４１は、Ｘ方向に沿って配置され、両端部がプリンター１０の例えば筐体に固定されている。キャリッジモーター１４２は、タイミングベルト１４３を駆動させる。タイミングベルト１４３は、キャリッジガイド軸１４１と略平行に支持され、キャリッジ１３の一部が固定されている。そして、制御ユニット１５の指令に基づいてキャリッジモーター１４２が駆動されると、タイミングベルト１４３が正逆走行され、タイミングベルト１４３に固定されたキャリッジ１３がキャリッジガイド軸１４１にガイドされて往復移動する。
【００８２】
次に、キャリッジ１３に設けられる印刷部１６及び分光器１７の構成について、図面に基づいて説明する。
［印刷部１６の構成］
印刷部１６は、媒体Ａと対向する部分に、インクを個別に媒体Ａ上に吐出して、媒体Ａ上に画像を形成する。
この印刷部１６は、複数色のインクに対応したインクカートリッジ１６１が着脱自在に装着されており、各インクカートリッジ１６１からインクタンク（図示略）にチューブ（図示略）を介してインクが供給される。また、印刷部１６の下面（媒体Ａに対向する位置）には、インク滴を吐出するノズル（図示略）が、各色に対応して設けられている。これらのノズルには、例えばピエゾ素子が配置されており、ピエゾ素子を駆動させることで、インクタンクから供給されたインク滴が吐出されて媒体Ａに着弾し、ドットが形成される。
【００８３】
［分光器の構成］
図１３は、分光器１７の概略構成を示す断面図である。
分光器１７は、本発明における光学モジュールであり、図１３に示すように、光源部１７１と、光学フィルターデバイス１７２、受光部１７３と、導光部１７４と、を備えている。
この分光器１７は、光源部１７１から媒体Ａ上の測定位置Ｒに照明光を照射し、測定位置Ｒで反射された光成分を、導光部１７４により光学フィルターデバイス１７２に入射させる。そして、光学フィルターデバイス１７２は、この反射光から所定波長の光を出射（透過）させて、受光部１７３により受光させる。また、光学フィルターデバイス１７２は、制御ユニット１５の制御に基づいて、透過波長を選択可能であり、可視光における各波長の光の光量を測定することで、媒体Ａ上の測定位置Ｒの分光測定が可能となる。
【００８４】
［光源部の構成］
光源部１７１は、光源１７１Ａと、集光部１７１Ｂとを備える。この光源部１７１は、光源１７１Ａから出射された光を媒体Ａの測定位置Ｒ内に、媒体Ａの表面に対する法線方向から照射する。
光源１７１Ａとしては、可視光域における各波長の光を出射可能な光源が好ましい。このような光源１７１Ａとして、例えばハロゲンランプやキセノンランプ、白色ＬＥＤ等を例示でき、特に、キャリッジ１３内の限られたスペース内で容易に設置可能な白色ＬＥＤが好ましい。集光部１７１Ｂは、例えば集光レンズ等により構成され、光源１７１Ａからの光を測定位置Ｒに集光させる。なお、図１３においては、集光部１７１Ｂでは、１つのレンズ（集光レンズ）のみを表示するが、複数のレンズを組み合わせて構成されていてもよい。
【００８５】
［光学フィルターデバイスの構成］
光学フィルターデバイス１７２は、筐体６と、筐体６の内部に収納された波長可変干渉フィルター５とを備えている。筐体６は、内部に収容空間を有し、この収容空間内に波長可変干渉フィルター５が収納されている。また、筐体６は、波長可変干渉フィルターの電極パッド５６４Ｐ，５６５Ｐに接続された端子部を有し、当該端子部が制御ユニット１５に接続されている。そして、制御ユニット１５からの指令信号に基づいて、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６に所定の電圧が印加され、これにより、波長可変干渉フィルター５から印加電圧に応じた波長の光が出射される。
なお、本実施形態では、第一実施形態にて説明した波長可変干渉フィルター５が筐体６内に設けられる例を示すが、波長可変干渉フィルター５Ａ，５Ｂが筐体６内に設けられる構成としてもよい。
【００８６】
［受光部及び導光光学系の構成］
図１３に戻り、受光部１７３は、波長可変干渉フィルター５の光軸上に配置され、当該波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光する。そして、受光部１７３は、制御ユニット１５の制御に基づいて、受光量に応じた検出信号（電流値）を出力する。なお、受光部１７３により出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器（図示略）、増幅器（図示略）、及びＡＤ変換器（図示略）を介して制御ユニット１５に入力される。
導光部１７４は、反射鏡１７４Ａと、バンドパスフィルター１７４Ｂとを備えている。
この導光部１７４は、測定位置Ｒで、媒体Ａの表面に対して４５°で反射された光を反射鏡１７４Ａにより、波長可変干渉フィルター５の光軸上に反射させる。バンドパスフィルター１７４Ｂは、可視光域（例えば３８０ｎｍ〜７２０ｎｍ）の光を透過させ、紫外光及び赤外光の光をカットする。これにより、波長可変干渉フィルター５には、可視光域の光が入射されることになり、受光部１７３において、可視光域における波長可変干渉フィルター５により選択された波長の光が受光される。
【００８７】
［制御ユニットの構成］
制御ユニット１５は、本発明の制御部であり、図１２に示すように、Ｉ／Ｆ１５１と、ユニット制御回路１５２と、メモリ１５３と、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１５４と、を含んで構成されている。
Ｉ／Ｆ１５１は、外部機器２０から入力される印刷データをＣＰＵ１５４に入力する。
ユニット制御回路１５２は、供給ユニット１１、搬送ユニット１２、印刷部１６、光源１７１Ａ、波長可変干渉フィルター５、受光部１７３、及びキャリッジ移動ユニット１４をそれぞれ制御する制御回路を備えており、ＣＰＵ１５４からの指令信号に基づいて、各ユニットの動作を制御する。なお、各ユニットの制御回路が、制御ユニット１５とは別体に設けられ、制御ユニット１５に接続されていてもよい。
【００８８】
メモリ１５３は、プリンター１０の動作を制御する各種プログラムや各種データが記憶されている。
各種データとしては、例えば、波長可変干渉フィルター５を制御する際の、静電アクチュエーター５６への印加電圧に対する、波長可変干渉フィルター５を透過する光の波長を示したＶ−λデータ、印刷データとして含まれる色データに対する各インクの吐出量を記憶した印刷プロファイルデータ等が挙げられる。また、光源１７１Ａの各波長に対する発光特性（発光スペクトル）や、受光部１７３の各波長に対する受光特性（受光感度特性）等が記憶されていてもよい。
【００８９】
ＣＰＵ１５４は、メモリ１５３に記憶された各種プログラムを読み出し実行することで、供給ユニット１１、搬送ユニット１２、及びキャリッジ移動ユニット１４の駆動制御、印刷部１６の印刷制御、分光器１７による測定制御（波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６の駆動制御、受光部１７３の受光制御）、分光器１７を用いた分光測定結果に基づいた測色処理や、印刷プロファイルデータの補正（更新）処理等を実施する。
【００９０】
［本実施形態の作用効果］
本実施形態の分光器１７は、上記第一から第三実施形態にて説明した波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光する受光部１７３とを備えている。
ここで、波長可変干渉フィルター５は、光透過領域Ａ２，Ａ４よりも算術平均粗さＲａが大きい反射膜領域Ａ１，Ａ３に設けられた反射膜５４，５５を有しており、高い密着性で基板５１，５２に密着しているので、ヒロックやウィスカの発生が抑制されている。よって、波長可変干渉フィルター５からは、高い分光精度で目標波長の光を十分な光強度で透過させることができ、受光部１７３により当該光を受光することで、測定対象となるカラーパッチに対する分光測定を、高精度に実施することができる。
【００９１】
また、本実施形態のプリンター１０は、このような分光器１７により測定された分光測定結果に応じてカラーパッチ等に対する測色処理を実施して、その結果に応じて印刷プロファイルデータを更新する。この際、上述のように、分光器１７により高精度な分光測定を実施することができるので、カラーパッチに対する正確な色度を測定することができ、その測定結果に基づいて印刷プロファイルデータを更新（補正）することで、ユーザーが再現した色を忠実に印刷部１６により媒体Ａ上に印刷することができる。
【００９２】
［その他の実施形態］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上記第一実施形態において、まず、第一ガラス基板Ｍ１を反射膜設置部５１２の溝深さまでエッチング処理を実施した後、電極配置溝５１１及び配線溝の深さまでエッチング処理を実施した。これに対して、例えば、まず、電極配置溝５１１及び配線溝の領域以外をマスクしてエッチング処理を実施することで、電極配置溝５１１及び配線溝を形成し、その後、反射膜設置部５１２以外の領域をマスクしてエッチング処理を実施して反射膜設置部５１２を形成してもよい。この場合、反射膜設置部５１２を形成する際に、上記第一実施形態と同様に、例えば乾燥処理を間に入れない１回のエッチング処理を長時間かけて実施することで、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上８ｎｍ以下となる第一反射膜領域Ａ１を形成することが可能となる。
【００９３】
上記第一実施形態では、エッチング処理時におけるエッチング時間を制御することで、反射膜領域Ａ１，Ａ３の算術平均粗さＲａを制御する例を示したが、これに限定されない。例えば、エッチング処理に用いるエッチング液やエッチングガスの組成や濃度を変更することで、算術平均粗さＲａを制御してもよい。例えば、ＮＨ４ＨＦ２が２０．２重量％より多く、ＮＨ４Ｆが２１．２重量％より多くなるバッファードフッ酸水溶液を用い、エッチング処理と乾燥処理とを繰り返して実施した場合でも、エッチング面の算術平均粗さＲａを粗くすることができる。
【００９４】
第二実施形態において、粗面形成体５１４，５２６として、電極５６１，５６２と同じ電極材料を用いる例を示したが、これに限定されない。
電極５６１，５６２とは異なる素材（例えばＴｉ膜等）を、反射膜５４，５５を設ける領域に成膜して粗面形成層とし、当該粗面形成層の一部が残留して複数の粗面形成体として点在するようにエッチング処理することで、反射膜領域Ａ１，Ａ３の算術平均粗さＲａを光透過領域Ａ２，Ａ４の算術平均粗さＲａよりも粗くしてもよい。
【００９５】
第三実施形態において、表面粗化層５１５，５２７の表面を粗面化する粗面化ステップにおいて、Ｏ２プラズマ処理を例示したが、これに限定されない。例えば、第一実施形態や第一実施形態の変形例のように、エッチング処理や研磨処理（機械研磨処理、ブラスト処理等）を行ってもよい。
【００９６】
上記第一から第三実施形態では、干渉フィルターとして、静電アクチュエーター５６によって反射膜５４，５５間のギャップＧの寸法を変更可能な波長可変干渉フィルター５を例示したが、これに限定されない。例えば、所定波長のみを透過させる波長固定側の干渉フィルターにおいても本発明を適用することができる。
【００９７】
上記第一から第三実施形態では、固定反射膜５４が固定基板５１に設けられ、可動反射膜５５が可動基板５２に設けられ、基板５１，５２における各反射膜５４，５５が設けられる反射膜領域Ａ１，Ａ３がそれぞれ光透過領域Ａ２，Ａ４よりも算術平均粗さＲａが大きい例を示したが、これに限定されない。例えば、第一反射膜領域Ａ１及び第二反射膜領域Ａ３のうちのいずれか一方のみが、光透過領域Ａ２，Ａ４よりも算術平均粗さＲａが大きい構成としてもよい。この場合、反射膜５４，５５のうちのいずれか一方にヒロックやウィスカが発生する可能性があるが、一対の反射膜５４，５５の双方にヒロックやウィスカが発生する場合に比べて、分光精度の低下を抑制することができる。
また、固定反射膜５４及び可動反射膜５５のいずれか一方が、基板上に設けられない構成としてもよい。例えば、固定基板５１の第一反射膜領域Ａ１に固定反射膜５４が設けられ、可動反射膜５５は、例えばスペーサ等を介して固定反射膜５４との間にギャップＧを介して対向する構成としてもよい。すなわち、可動基板５２が設けられていない構成であってもよい。
【００９８】
本発明の電子機器として、上記第四実施形態では、プリンター１０を例示したが、その他、様々な分野により本発明の光学モジュール、及び電子機器を適用することができる。
例えば、本発明の電子機器として、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステム等に用いてもよい。このようなシステムとしては、例えば、本発明の光学モジュールを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。その他、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
さらに、例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができる。このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
さらには、電子機器としては、本発明の光学モジュールにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。
また、本発明の光学モジュールをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルターで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
さらに、本発明の光学モジュールを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
【００９９】
上記に示すように、本発明の光学モジュール、及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の光学モジュールは、上述のように、１デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。
【０１００】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。
【符号の説明】
【０１０１】
５，５Ａ，５Ｂ…波長可変干渉フィルター（干渉フィルター）、１０…プリンター（電子機器）、１６…印刷部、１７…分光器（光学モジュール）、５１…固定基板、５１Ａ…対向面（第一面）、５１Ｂ…外側面（第二面）、５２…可動基板、５２Ａ…対向面（第一面）、５２Ｂ…外側面（第二面）、５４…固定反射膜、５５…可動反射膜、５６…静電アクチュエーター、１７３…受光部、５１２…反射膜設置部、５１４…粗面形成体、５１５…表面粗化層、５２１…可動部、５２２…保持部、５２６…粗面形成体、５２７…表面粗化層、５４１…保護膜、５５１…保護膜、５６１…固定電極、５６２…可動電極、５６３…固定引出電極、５６４…可動引出電極、５６５…固定接続電極、５６６…粗面形成層、Ａ１…第一反射膜領域、Ａ２…第一光透過領域、Ａ３…第二反射膜領域、Ａ４…第二光透過領域、Ｇ…ギャップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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