(57)【要約】【課題】高信頼でなおかつ小型で非常に薄いホトカプラを提供する。【解決手段】窒化ガリウム系半導体からなる複数の発光ダイオード２ａ〜２ｄを備えた発光体部３と、シリコン半導体からなるホトトランジスタ４を備えた受光体部５と、板状のサファイア基板６と、を備え、前記発光体部３と前記受光体部５とは前記サファイア基板６の同一面上に所定の間隔で配置され、前記発光体部３が発した光信号を前記サファイア基板６を介して前記受光体部５が受けるように構成されている。【選択図】図１
2017011084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム系半導体からなる複数の発光ダイオードを備えた発光体部と、
シリコン半導体からなるホトトランジスタを備えた受光体部と、
板状のサファイア基板と、を備え、
前記発光体部と前記受光体部とは前記サファイア基板の同一面上に所定の間隔で配置され、前記発光体部が発した光信号を前記サファイア基板を介して前記受光体部が受けるように構成されているホトカプラ。
【請求項２】
前記発光体部は、前記発光ダイオードが逆並列に接続された逆並列接続発光ダイオードに電流制限抵抗が直列に接続されている電流制限抵抗付逆並列接続発光ダイオードが並列に２個以上接続されて構成され、且つ一括で形成されている請求項１記載のホトカプラ。
【請求項３】
前記発光体部は、前記発光ダイオードにシャント抵抗が並列に接続されて構成されている請求項１または２記載のホトカプラ。
【請求項４】
前記発光体部、前記受光体部、及び前記サファイア基板は、白色の絶縁性物質で一部が被覆されて構成されている請求項１から３の何れかに記載のホトカプラ。
【請求項５】
前記受光体部は、前記発光ダイオードの形成と同時に前記サファイア基板上に形成された基板端子を備え、
前記ホトトランジスタのエミッタ用ボンディングパッドと前記基板端子とがフリップチップボンディングされて構成されている請求項１から４の何れかに記載のホトカプラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホトカプラに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、図９（ａ）に示すように、リードフレームの各アイランド１、２に発光素子３と受光素子４とを両者の表面が相対向するように固着し、全体を透光性の樹脂５でモールドしたホトカプラ装置が開示されている。
【０００３】
リード６に印加された電気信号を発光素子３で光信号７に変換し、受光素子４が光信号７を受けて再度電気信号に変換する。この場合、光信号７が直進性を有するので発光素子３の発光面と受光素子４の受光面とは相対向するように配置されている。尚、符号は特許文献１の図中に示された符号をそのまま用いており、後述の発明を実施するための形態の欄で用いる符号とは関係ない。
【０００４】
また、特許文献２には、図９（ｂ）に示すように、ホトカプラ装置は、内側および外側からの光を遮断あるいは吸収するために、黒色のモールド樹脂が透光性の樹脂を囲むようにしてパッケージされている。
【０００５】
パッケージの強度はモールド樹脂の厚さに比例するため、十分なパッケージの強度を確保するためには、ある程度の厚さ、最低でも１ｍｍ〜２ｍｍの厚さが必要である。
【０００６】
そして、ホトカプラ装置は、実効値で５０００Ｖの入出力間絶縁電圧を確保するために、発光素子と受光素子とを、少なくとも０．４ｍｍ〜０．６ｍｍの距離を離して配置し、発光素子と受光素子との間の先端放電を回避するようにしている。
【０００７】
近年、電子機器の薄型化、小型化に伴い、電子機器を構成する電子回路基板には高密度実装が要求され、実装される電子部品に対しては、薄型化、小型化及び高集積化がこれまで以上に要求されている。加えて信頼性についても厳しい目が向けられている。ホトカプラ装置も例外ではなく、高信頼化のために、さらに高い入出力間絶縁電圧が要求されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−３０７８０８号公報
【特許文献２】特開２０１０−２０６１９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、その要求に応えるためには、発光素子と受光素子との間の最小距離をこれまで以上に大きくとる必要があり、その場合、透光性の樹脂に対して、発光ダイオードが発した光を吸収しないという特性が一段と厳しく要求され、熱膨張係数や吸湿性等の他の特性と両立させることが困難であるという問題があった。
【００１０】
さらに、パッケージの強度を確保する必要からモールド樹脂を薄くすることはできず、薄型化に逆行するという問題もあった。
【００１１】
また、発光ダイオードは静電気に弱いため、従来、保護ダイオード等で構成した保護回路をホトカプラ装置の外部に付加することで、静電破壊に対する信頼性を確保しようとしていた。
【００１２】
しかし、保護回路をホトカプラ装置に接続する組立作業時に、すでに内部の発光ダイオードが静電気のダメージを受けてしまっている場合が多々あり、静電破壊に対する信頼性の確保が十分ではなかったという問題があった。
【００１３】
また、外部に付加した保護回路のために全体として小型化に反したものにもなっていた。
【００１４】
本発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、高信頼でなおかつ小型で非常に薄いホトカプラを提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述の目的を達成するため、本発明によるホトカプラの第一の特徴構成は、特許請求の範囲の書類の請求項１に記載した通り、窒化ガリウム系半導体からなる複数の発光ダイオードを備えた発光体部と、シリコン半導体からなるホトトランジスタを備えた受光体部と、板状のサファイア基板と、を備え、前記発光体部と前記受光体部とは前記サファイア基板の同一面上に所定の間隔で配置され、前記発光体部が発した光信号を前記サファイア基板を介して前記受光体部が受けるように構成されている点にある。
【００１６】
発光体部が発した光信号をサファイア基板を介して受光体部が受けるように構成されているため、サファイア基板が光信号の光路となる。そのため、発光体部と受光体部とが離れて配置されても透光性の低下は小さく、また、透光性の経時変化もほとんどない。発光体部と受光体部とはサファイア基板の同一面上に配置されているため、ホトカプラを薄く形成することができ、さらに、サファイア基板の硬度が大きいため、モールド樹脂を薄くしても適正なパッケージ強度が確保でき、しかも発光体部と受光体部との間隔を大きくとることが可能となる。加えてサファイア基板自身の絶縁破壊耐圧も大きいため、入出力間絶縁電圧を大きくすることが可能となる。また、窒化ガリウム系半導体からなる複数の発光ダイオードを備えた発光体部は、サファイア基板上に直接結晶成長させて形成することができるので、製造が容易である。
【００１７】
同第二の特徴構成は、同請求項２に記載した通り、上述の第一の特徴構成に加えて、前記発光体部は、前記発光ダイオードが逆並列に接続された逆並列接続発光ダイオードに電流制限抵抗が直列に接続されている電流制限抵抗付逆並列接続発光ダイオードが並列に２個以上接続されて構成され、且つ一括で形成されている点にある。
【００１８】
発光ダイオードが逆並列に接続されているため、何れの極性で電圧印加しても発光が可能であり、また、一方の発光ダイオードが他方の発光ダイオードの保護ダイオードとしての役割を果たすので、発光ダイオードが静電気等で破壊される虞も少ない。逆並列接続発光ダイオードに電流制限抵抗が直列に接続されているため、新たな抵抗を外部に付加しなくとも、適正な電流を発光ダイオードに流すことができる。同時に、電流制限抵抗は静電気対策用の保護素子としても機能する。電流制限抵抗付逆並列接続発光ダイオードが並列に２個以上接続されているため、仮に１個が不良となっても、発光体部の発光機能が損なわれることがなく、長期信頼性を確保できる。さらに発光体部は半導体のウェハプロセスの段階で一括して形成されているため、発光ダイオードと電流制限抵抗等との接続に際して、組立作業が介在しないので、当該作業で発生する虞のある静電気による発光ダイオードへのダメージを回避できる。
【００１９】
同第三の特徴構成は、同請求項３に記載した通り、上述の第一または第二の特徴構成に加えて、前記発光体部は、前記発光ダイオードにシャント抵抗が並列に接続されて構成されている点にある。
【００２０】
これにより、外部回路のリーク電流やノイズのような微小な電流が発光体部に流れても、発光ダイオードが発光する虞が小さくなり、ノイズマージンを大きくできる。
【００２１】
同第四の特徴構成は、同請求項４に記載した通り、上述の第一から第三の何れかの特徴構成に加えて、前記発光体部、前記受光体部、及び前記サファイア基板は、白色の絶縁性物質で一部が被覆されて構成されている点にある。
【００２２】
発光体部、受光体部、及びサファイア基板は、光を反射する白色の絶縁性物質、例えば、白色樹脂や白色セラミック等で一部が被覆されているため、発光ダイオードが発した光信号は、白色の絶縁性物質に反射されながら、発光体部、サファイア基板を介して受光体部に到達する。これにより、外部への光信号の漏洩が少なくなり、光信号の伝搬効率を向上させることができる。また、白色の絶縁性物質による被覆厚さは数十μｍ程度あればよく、ホトカプラの薄型化を阻害することもほとんどない。
【００２３】
同第五の特徴構成は、同請求項５に記載した通り、上述の第一から第四の何れかの特徴構成に加えて、前記受光体部は、前記発光ダイオードの形成と同時に前記サファイア基板上に形成された基板端子を備え、前記ホトトランジスタのエミッタ用ボンディングパッドと前記基板端子とがフリップチップボンディングされて構成されている点にある。
【００２４】
発光ダイオードの形成と同時にサファイア基板上に形成された基板端子と、ホトトランジスタのエミッタ用ボンディングパッドとがボンディングされるため、発光ダイオードに対するホトトランジスタの位置決めを、正確に且つ容易に行うことができ、両者の相対位置のばらつきも小さくなる。これにより、入出力間絶縁電圧のばらつきが小さくなる。また、ホトトランジスタのエミッタ用ボンディングパッドと基板端子とがフリップチップボンディングされて構成されているため、ホトトランジスタのベース領域はサファイア基板と近接し、そのため、サファイア基板を介した光信号の受光効率が向上する。
【発明の効果】
【００２５】
以上説明した通り、本発明によれば、高信頼でなおかつ小型で非常に薄いホトカプラを提供することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明によるホトカプラの構成を模式的に示す正面断面図
【図２】本発明によるホトカプラの構成を模式的に示す平面断面図
【図３】サファイア基板上に形成された発光体部、及び受光体部の基板端子等を模式的に示す平面図
【図４】図３のＡ−Ａ断面図
【図５】Ａｕスタッドバンプが形成されたホトトランジスタを模式的に示す平面図
【図６】（ａ）は図５のＢ−Ｂ断面図、（ｂ）は同Ｃ−Ｃ断面図
【図７】発光体部等が形成されたサファイア基板上にホトトランジスタが実装された構成を模式的に示す平面図
【図８】発光体部の回路構成を示す説明図
【図９】（ａ）、（ｂ）は従来のホトカプラの構成を模式的に示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明を構成するホトカプラの一例を図面に基づいて説明する。
図１及び図２に示すように、ホトカプラ１は、発光ダイオード２ａ〜２ｄを備えた発光体部３とホトトランジスタ４を備えた受光体部５とがサファイア基板６上の同一面上に所定の間隔をおいて配置されて構成されている。
発光体部３、受光体部５及びサファイア基板６は、白色の絶縁性物質７としての白色樹脂７で全体が被覆され、さらに黒色のモールド樹脂８で被覆されてパッケージングされている。
【００２８】
パッケージ３２には、４個のリードフレーム９ａ〜９ｄが配置されている。入力側の２個のリードフレーム９ａ、９ｂは発光体部３のボンディングパッド１０ａ、１０ｂとボンディングワイヤ１１により電気的に接続されており、一方、出力側の２個のリードフレーム９ｃ、９ｄは受光体部５のボンディングパッド１０ｃ、１０ｄとボンディングワイヤ１１により電気的に接続されている。
【００２９】
入力側のリードフレーム９ａ、９ｂに入力された電気信号は、発光体部３で光信号に変換される。変換された光信号は、サファイア基板６を介して伝搬し、受光体部５が受光する。受光体部５は、受光した光信号を電気信号に再度変換し、出力側のリードフレーム９ｃ、９ｄに出力する。
【００３０】
サファイア基板６は、物理的な強度が大きいため、薄板状にして用いることが可能であり、さらに、透光性が高いため、発光体部３と受光体部５の間隔を大きくとることが可能である。
これにより、薄型でありながら、大きな入出力間絶縁電圧の実現が可能となっている。尚、発光体部３と受光体部５とをサファイア基板６上の同一面上に配置していることも、薄型化に寄与している。
【００３１】
発光体部３は、発光ダイオード２ａ〜２ｄを含む複数の素子をサファイア基板６上に直接結晶成長させて形成されている。また、受光体部５は、ホトトランジスタ４がサファイア基板６上にフリップチップボンディングされて形成されている。そして、ホトトランジスタ４の受光面１２はサファイア基板６に対向しており、対向するホトトランジスタ４とサファイア基板６の間には透光性の樹脂を用いたアンダーフィル１３が挿入されている。
これにより、光信号の減衰が抑制されている。
【００３２】
また、発光体部３、受光体部５及びサファイア基板６が、白色樹脂７で全体が被覆されている。白色樹脂７は、光信号に対する反射板の役割を果たす。
このため、発光体部３が発した光信号は、白色樹脂７で反射を繰り返しながら伝搬することになり、光信号の伝搬効率が向上する。
【００３３】
図３に示すように、発光体部３とそのボンディングパッド１０ａ、１０ｂ、及び受光体部５のホトトランジスタ４をフリップチップボンディングするための基板端子１４と、それに接続されるボンディングパッド１０ｃ、１０ｄは、サファイア基板６上に一括で形成される。
【００３４】
発光体部３は、４個の発光ダイオード２ａ〜２ｄと６個の抵抗１５で回路構成されている。６個の抵抗１５は、４個が電流制限抵抗１５ａ〜１５ｄであり、残りの２個がシャント抵抗１５ｅ、１５ｆである。
【００３５】
図８に示すように、発光ダイオード２ａ、２ｂは逆並列に接続され、その逆並列に接続された逆並列接続発光ダイオード２ｅには電流制限抵抗１５ａ、１５ｂが直列に接続されている。さらに、シャント抵抗１５ｅが発光ダイオード２ａ、２ｂに並列に接続されている。
【００３６】
そして、このような電流制限抵抗１５ａ、１５ｂとシャント抵抗１５ｅとが接続された逆並列接続発光ダイオード２ｅで構成される回路には、同様の回路がもう一組並列に接続されている。すなわち、発光ダイオード２ｃ、２ｄが逆並列に接続された逆並列接続発光ダイオード２ｆに電流制限抵抗１５ｃ、１５ｄとシャント抵抗１５ｆとが接続されて構成される回路が並列に接続されている。
【００３７】
発光ダイオード２ａ、２ｂ及び２ｃ、２ｄが夫々逆並列に接続されているため、何れの極性で電圧印加しても発光が可能であり、また、一方の発光ダイオード２ａ、２ｃが他方の発光ダイオード２ｂ、２ｄの保護ダイオードとしての役割を果たすので、発光ダイオード２ａ〜２ｄが静電気等で破壊される虞も少ない。
【００３８】
また、電流制限抵抗１５ａ〜１５ｄが直列に接続されているため、新たな抵抗を外部に付加しなくとも、適正な電流を発光ダイオード２ａ〜２ｄに流すことができ、同時に、電流制限抵抗１５ａ〜１５ｄは静電気対策用の保護素子としても機能する。
【００３９】
シャント抵抗１５ｅ、１５ｆが発光ダイオード２ａ〜２ｄに並列に接続されているため、外部回路のリーク電流やノイズのような微小な電流が発光体部３に流れても、発光ダイオード２ａ〜２ｄが発光する虞が小さくなり、ノイズマージンを大きくできる。
【００４０】
逆並列接続発光ダイオード２ｅ、２ｆが並列に接続されているため、仮に一方が不良となっても、発光体部３の発光機能が損なわれることはなく、長期信頼性の確保が可能である。さらに、発光体部３は一括で形成されているため、発光ダイオード２ａ〜２ｄと電流制限抵抗１５ａ〜１５ｄ等との接続に際して、組立作業の介在がなく、そのため、当該作業で発生する虞のある静電気による発光ダイオード２ａ〜２ｄへのダメージを回避できる。尚、並列に接続されている逆並列接続発光ダイオード２ｅ、２ｆは２個に限るわけではなく複数あればよい。
【００４１】
図４に示すように、発光ダイオード２ａ、２ｂや抵抗１５等は板状のサファイア基板６上に一般的な半導体プロセスを用いて形成される。用いるサファイア基板６の厚さは、約２００μｍである。
【００４２】
発光ダイオード２ａ、２ｂは、窒化ガリウム系半導体（ＧａＮ）が用いられており、有機金属化学気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）により、サファイア基板６の一面にｎ型半導体層１６、活性層（図示せず）及びｐ型半導体層１７を積層し形成される。ここで、ｎ型半導体層１６は、厚さが約１μｍのｎ−ＧａＮ層、ｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラッド層で構成され、活性層は、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸層で、また、ｐ型半導体層１７は、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮ層、厚さが約０．２μｍのｐ−ＧａＮ層、及びｐ−ＩｎＧａＮ層で構成される。ｐ型半導体層１７の表面には、さらに電流拡散層１８が形成される。電流拡散層１８は、例えば、透明導電膜であるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）が用いられる。
【００４３】
抵抗１５は、発光ダイオード２ａ、２ｂを形成しているのと同じｎ型半導体層１６で形成されている。
【００４４】
発光ダイオード２ａ、２ｂ及び抵抗１５のｎ型半導体層１６の表面、及び発光ダイオード２ａ、２ｂの電流拡散層１８の表面には、これらを相互に接続するために、コンタクトホール１９を介して配線層２０が形成されている。配線層２０には、例えば、Ｃｒ／Ａｕが用いられる。
尚、配線層２０は、ボンディングパッド（図示せず）や受光体部５の基板端子１４の形成にも用いられる。
【００４５】
ｎ型半導体層１６、ｐ型半導体層１７、及び電流拡散層１８の表面や側面には、コンタクトホール１９の部分を除いて、保護膜２１が形成されている。保護膜２１には、例えば、プラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ２膜が用いられる。
【００４６】
半導体のウェハプロセスの段階で、発光ダイオード２ａ、２ｂ及び抵抗１５は、一括して形成され相互に接続される。
【００４７】
さらに、ボンディングパッド１０ａ〜１０ｄと受光体部５の基板端子１４の部分を除いて、サファイア基板６の一面側全面に保護膜（図示せず）が形成されている。
【００４８】
図５及び図６に示すように、ホトトランジスタ４は、サイズが１ｍｍ角程度のチップで、ｎ型のコレクタ層２２がエピタキシャル成長により高濃度のｎ型シリコン基板２３上に形成されている。ｎ型のコレクタ層２２は、例えば、厚さが約３０μｍ、不純物濃度が１０１５ｃｍ−３程度である。コレクタ層２２の上面周辺部にはｎ型で高濃度のコレクタ高濃度領域２４が設けられている。尚、コレクタ高濃度領域２４は、後述するエミッタ領域２６と同時に形成される。コレクタ層２２の上面にはｐ型のベース領域２５がコレクタ高濃度領域２４と所定の間隔をあけて形成されている。そして、ベース領域２５の上面の所定の位置にｎ型で高濃度のエミッタ領域２６が島状に形成されている。尚、ベース領域２５及びエミッタ領域２６は、イオン注入等により導入されたボロンあるいはリン等の不純物を高温での熱処理により活性化させて形成される
【００４９】
このようにして形成されたチップの表面には、ＳｉＯ２等の酸化膜が保護膜２１として形成される。保護膜２１には、コンタクトホール１９が４箇所形成されている。その４箇所の内、３箇所は外周部の３隅近傍に設けられており、当該コンタクトホール１９を介してコレクタ高濃度領域２４と金属層２７とが接続されている。残りの１箇所はエミッタ領域２６上に設けられており、同様にして、エミッタ領域２６と金属層２７とが接続されている。金属層２７は、蒸着法あるいはスパッタ法を用いたＡｌ等で形成される。そして、これら４つの金属層２７は、コレクタ用あるいはエミッタ用ボンディングパッド２８、２９として用いられる。
【００５０】
尚、エミッタ用ボンディングパッド２９は、コレクタ用ボンディングパッド２８が形成されない外周部の１隅近傍に設けるのが好ましく、そうするために、あらかじめエミッタ領域２６を当該１隅にできるだけ近い位置に形成するのが好ましい。
【００５１】
エミッタ用及びコレクタ用ボンディングパッド２９、２８上には、Ａｕスタッドバンプ３０が形成されている。Ａｕスタッドバンプ３０は、エミッタ用及びコレクタ用ボンディングパッド２９、２８上にＡｕワイヤをボールボンディングし、当該Ａｕワイヤを切断した後、レべリングを行いバンプ高さを揃えることにより形成される。
【００５２】
尚、チップの裏面には、裏金属層３１がＴｉ／Ａｕ等の蒸着により形成されている。
【００５３】
図７に示すように、ホトトランジスタ４は、チップを裏返してフェースダウンさせて、発光体部３等がすでに形成されているサファイア基板６上に実装する。実装には、フリップチップボンディングが用いられる。すなわち、フェースダウンさせたホトトランジスタ４は、エミッタ用及びコレクタ用ボンディングパッド２９、２８が、サファイア基板６上に形成されている受光体部５の基板端子１４に対向するように位置決めされる。そして、超音波及び熱圧着により、エミッタ用及びコレクタ用ボンディングパッド２９、２８上のＡｕスタッドバンプ３０と基板端子１４が一括で接合される。
【００５４】
こうすることで、発光ダイオード２ａ〜２ｄに対するホトトランジスタ４の位置決めを、正確に且つ容易に行うことができ、両者の相対位置のばらつきも小さくできる。それに伴い、入出力間絶縁電圧のばらつきは小さくなる。さらに、両者の相対位置が大きくばらついたものは、抑々Ａｕスタッドバンプ３０と基板端子１４との接合ができないため初期特性不良となるので、市場に出回る虞もない。
【００５５】
図１に示すように、その後、ホトトランジスタ４のチップとサファイア基板６の間にアンダーフィル１３が挿入され、ホトトランジスタ４の表面及び接合が保護される。尚、ホトトランジスタ４のチップとサファイア基板６の間は、光信号の光路でもあるため、上述のように、アンダーフィル１３には透光性の樹脂が用いられる。
【００５６】
また、図１及び図２に示すように、出力側の２個のリードフレーム９ｃ、９ｄは、受光体部５のボンディングパッド１０ｃ、１０ｄとボンディングワイヤ１１で接続することにより、夫々ホトトランジスタ４のエミッタ領域２６及びコレクタ高濃度領域２４と電気的に接続されているが、コレクタ高濃度領域２４との電気的な接続については、点線で示すように、ホトトランジスタ４のチップ裏面に形成された裏金属層３１に直接ワイヤボンディングすることによって代替可能である。そして、その場合には、ホトトランジスタ４のコレクタ層２２の上面周辺部のコレクタ高濃度領域２４を形成しなくてもよい。
【００５７】
以上説明したホトカプラは、本発明の一実施形態に過ぎず、該記載により本発明の範囲が限定されるものではなく、本発明の作用効果を奏する範囲で各部の具体的な構造、形状、大きさ、材料等は適宜変更設計することができることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００５８】
１：ホトカプラ
２ａ〜２ｄ：発光ダイオード
２ｅ、２ｆ：逆並列接続発光ダイオード
３：発光体部
４：ホトトランジスタ
５：受光体部
６：サファイア基板
７：白色の絶縁性物質（白色樹脂）
８：黒色のモールド樹脂
９ａ〜９ｄ：リードフレーム
１０ａ〜１０ｄ：ボンディングパッド
１１：ボンディングワイヤ
１２：受光面
１３：アンダーフィル
１４：基板端子
１５：抵抗
１５ａ〜１５ｄ：電流制限抵抗
１５ｅ、１５ｆ：シャント抵抗
１６：ｎ型半導体層
１７：ｐ型半導体層
１８：電流拡散層
１９：コンタクトホール
２０：配線層
２１：保護膜
２２：コレクタ層
２３：ｎ型シリコン基板
２４：コレクタ高濃度領域
２５：ベース領域
２６：エミッタ領域
２７：金属層
２８：コレクタ用ボンディングパッド
２９：エミッタ用ボンディングパッド
３０：Ａｕスタッドバンプ
３１：裏金属層
３２：パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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