(57)【要約】【課題】  複数の金属板の高密度配置に対して有効な回路基板および電子装置を提供すること。【解決手段】  絶縁基板１と、絶縁基板１の上面にろう材４を介して接合されており、互いに対向し合う側面同士の間に間隙を有して配置された複数の金属板２とを備えており、複数の金属板２は、それぞれ厚み方向の中央部よりも上側に位置する上端部分201において、外側に突出した突出部200を有している回路基板10である。【選択図】  図２
2017011216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
該絶縁基板の上面にろう材を介して接合されており、互いに対向し合う側面同士の間に間隙を有して配置された複数の金属板とを備えており、
該複数の金属板は、それぞれ厚み方向の中央部よりも上側に位置する上端部分において、外側に突出した突出部を有していることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記複数の金属板は、前記厚み方向の中央部よりも下側に位置する下端部分における前記側面が、下側に向かって内側に傾斜している第１傾斜部を有しているものを含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記複数の金属板の前記突出部の下面が外側に向かって上方向に傾斜している第２傾斜部を有するものを含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記金属板は、前記上端部分における前記側面が上側に向かって内側に傾斜しているものを含むことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の回路基板と、
該回路基板に搭載された電子部品とを備えることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板および電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、パワーモジュールまたはスイッチングモジュール等の例えばＩＧＢＴ（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor）などの電子部品が搭載された電子装置に用いられる回路基板として、例えば、絶縁基板の上面および下面にそれぞれ複数の金属板が接合されたものが用いられる（特許文献１を参照）。
【０００３】
また、特許文献１の回路基板を製造する方法としては、絶縁基板の上面および下面に、複数の金属板をろう付けする方法が採用されている。このような方法によれば、絶縁基板の上面および下面に、互いに離間した複数の金属板をそれぞれ接合することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平10-326949号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術の回路基板は、金属板の配置の高密度化、小型化および金属板における電気抵抗のより一層の低減が難しいという問題があった。
【０００６】
これは、金属板を高密度で配置したときには、互いに隣り合う金属板同士の間で、ろう付けに使用されるろう材の広がりによる電気絶縁性の低下、さらに電気的短絡等の可能性が大きくなることによる。そのため、金属板の高密度配置による回路基板としての小型化、および平面視における面積がより大きい金属板の配置による電気抵抗の低減等も難しい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの態様の回路基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の上面にろう材を介して接合されており、互いに対向し合う側面同士の間に間隙を有して配置された複数の金属板とを備えており、該金属板は、厚み方向の中央部よりも上側に位置する上端部分において、外側に突出した突出部を有している。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一つの態様の回路基板によれば、絶縁基板の上面にろう材を介して接合された複数の金属板が、それぞれ厚み方向の中央部よりも上側に位置する上端部分において、外側に突出した突出部を有していることから、平面視（上面視）において複数の金属板の高密度配置が容易になっている。すなわち、それぞれに突出部を有する複数の金属板が絶縁基板の上面に互いに隣り合って配置されたときに、互いに隣り合う金属板同士の間の距離は突出部よりも下側において比較的大きくなっている。言い換えれば、互いに隣り合う金属板同士の間の距離を、突出部の分、小さくすることができる。
【０００９】
したがって、複数の金属板が従来よりも高密度で絶縁基板の上面に配置された回路基板を提供することができる。また、回路基板としての小型化、および平面視における面積がより大きい金属板の配置による電気抵抗の低減等も容易である。
【００１０】
また、本発明の一つの態様の電子装置によれば、上記構成の回路基板に電子部品が搭載されて形成されていることから、複数の金属板が従来よりも高密度で絶縁基板の上面に配置された、小型化、および金属板における電気抵抗の低減等が容易な電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態の回路基板および電子装置の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での断面図であり、（ｃ）は下面図である。
【図２】（ａ）は図１に示す回路基板および電子装置における要部を拡大して示す断面図であり、（ｂ）、（ｃ）は（ａ）の変形例を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施形態の回路基板を製造する方法の一例を各工程毎に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の回路基板および電子装置について説明する。なお、図面において、回路基板および電子装置は、仮想のｘｙｚ空間内に設けられており、ｘｙ平面上に載置されている。また、本実施形態における上方、上面、上部とは仮想のｚ軸の正方向を示しており、下方、下面、下部とは仮想のｚ軸の負方向を示している。
【００１３】
（回路基板および電子装置）
図１および図２を参照して本発明の実施形態の回路基板10および電子装置20について説明する。図１は（ａ）は本発明の実施形態の回路基板10および電子装置20の上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図であり、図１（ｃ）は下面図である。また、図２（ａ）は図１に示す回路基板10および電子装置20における要部を拡大して示す断面図であり、図２（ｂ）、（ｃ）は図２（ａ）の変形例を示す断面図である。
【００１４】
図１に示す例においては、回路基板10は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に配置された複数の金属板（以下、第１金属板）２とを備えている。また、図１に示す例では、絶縁基板１の下面に他の金属板（以下、第２金属板）３をさらに備えている。また、図１に示す例において、電子装置20は、回路基板10と、電子部品５とを備えている。
【００１５】
絶縁基板１は、電気絶縁材料からなり、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス，ムライト質セラミックス，炭化ケイ素質セラミックス，窒化アルミニウム質セラミックス，または窒化ケイ素質セラミックス等のセラミックスからなる。これらセラミック材料の中では放熱性に影響する熱伝導性の点に関して、炭化ケイ素質セラミックス，窒化アルミニウム質セラミックス，または窒化ケイ素質セラミックスが好ましく、強度の点に関して、窒化ケイ素質セラミックスまたは炭化ケイ素質セラミックスが好ましい。
【００１６】
絶縁基板１が窒化ケイ素質セラミックスのように比較的強度の高いセラミック材料からなる場合、第１金属板２と絶縁基板１との熱膨張率差に起因する熱応力により絶縁基板１にクラックが入る可能性が低減されるので、小型化を図りつつより大きな電流を流すことができる回路基板10を実現することができる。
【００１７】
絶縁基板１の厚みは、薄い方が熱伝導性の点ではよく、例えば約0.1ｍｍ〜１ｍｍであ
り、回路基板10の大きさまたは用いる材料の熱伝導率または強度に応じて選択すればよい。
【００１８】
絶縁基板１は、例えば窒化ケイ素質セラミックスからなる場合であれば、窒化ケイ素，酸化アルミニウム，酸化マグネシウム，および酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー，可塑剤，および溶剤を添加混合して泥漿物に従来周知のドクターブレード
法またはカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、次にこのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工等を施して所定形状となすとともに、必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、これを窒化雰囲気等の非酸化性雰囲気にて1600〜2000℃の温度で焼成することによって製作される。
【００１９】
絶縁基板１の上面に配置された複数の第１金属板２は、図１に示す例のように、絶縁基板１の上面に、互いに間隙２ａを空けて接合されている。図１に示す例においては、複数の第１金属板２の下面が、絶縁基板１への接合面となっている。
【００２０】
複数の第１金属板２は、例えば回路基板10に搭載される電子部品５と電気的に接続される回路導体、またはその上面に電子部品５が搭載される金属層等として機能する。回路導体としての第１金属板が外部電気回路（図示せず）と電気的接続されれば、電子部品５と外部電気回路との電気的な接続が可能になる。  図１に示す例においては、絶縁基板１の上面に、３つの第１金属板２Ａ、２Ｂ、２Ｃが設けられている。第１金属板２Ａ、２Ｃは、絶縁基板１の上面のｘ方向における両側にそれぞれ設けられている。また、第１金属板２Ｂは、絶縁基板１の上面の中央部に位置しており、第１金属板２Ａ、２Ｃの２つに挟まれている。
【００２１】
間隙２ａとは、互いに隣接して設けられる複数の第１金属板２同士の間の空間であると解釈してよい。図１（ａ）に示す例において、ｙ方向における中央部では、間隙２ａは、第１金属板２Ａと第１金属板２Ｂとの間の空間、および第１金属板２Ｂと第１金属板２Ｃとの間の空間と解することができる。また、図１（ａ）に示す例において、ｙ方向における両端部では、間隙２ａは、第１金属板２Ａと第１金属板２Ｃとの間の空間と解することができる。すなわち、絶縁基板１の上面において、複数の第１金属板２Ａ、２Ｂ、２Ｃが、互いに対向し合う側面同士の間に間隙２ａを有して配置されている。
【００２２】
間隙２ａの幅は、回路基板10に使用される電圧を考慮し、絶縁性を確保できる程度に設定される。例えば、複数の第１金属板２の配置及び寸法にもよるが、間隙２ａの幅は、約0.5〜10ｍｍである。なお、この間隙２ａの幅は、第１金属板２Ａ、２Ｂ、２Ｃの厚み方
向の上側の部分と下側の部分とでは互いに異なっている。この構成の詳細については後述するが、絶縁性を確保できる間隙２ａの幅は、第１金属板２Ａ、２Ｂ、２Ｃの厚み方向の上側の部分と下側の部分および後述するろう材４と第１金属板２との間隙のうち、より小さい方に適用されていればよい。
【００２３】
複数の第１金属板２は、絶縁基板１の上面に、例えば、Ａｇ−Ｃｕ系のろう材４を介して接合されている。このろう材４は、絶縁基板１に対して濡れることにより強固に接合されるために、例えば、チタン、ハフニウムおよびジルコニウムのうち少なくとも１種の活性金属材料を含有している。また、このろう材４は、例えば、Ｉｎ、Ｓｎのうち少なくとも１つを有していてもよい。なお、このろう材４の厚みは、例えば約５〜100μｍ程度で
あればよい。
【００２４】
複数の第１金属板２は、例えば平板状の銅板であり、その厚みは、例えば、20〜600μ
ｍである。銅板は、電気抵抗が低く高熱伝導性を有するので、第１金属板２を構成する部材として好ましい。
【００２５】
第１金属板２が銅板である場合、第１金属板２は、例えば無酸素銅である。第１金属板２として無酸素銅を用いた場合には、第１金属板２と絶縁基板１とを接合する際に、第１金属板２表面が銅中に存在する酸素によって酸化されることが低減されるとともに、ろう材４との濡れ性が良好となるので、絶縁基板１との接合強度が向上する。
【００２６】
また、第１金属板２が銅板であり、かつ、ろう材４が銅成分を有する場合には、ろう材４および第１金属板２の両部材の接合部において互いの部材中の銅成分が拡散し合うことによって拡散層が形成されるので、第１金属板２およびろう材４が互いに強固に接合されることとなり好ましい。
【００２７】
複数の第１金属板２について、それぞれの第１金属板２（２Ａ、２Ｂ、２Ｃ）は厚み方向の中央部よりも上側に位置する上端部分201において、外側に突出した突出部200を有している。言い換えれば、間隙２ａに面した第１金属板２の側面は、上端部分201が外側に
張り出しているのに対して、その上端部分201よりも下側の部分（下端部分202）が内側に引っ込んでいる。さらに言い換えれば、第１金属板２は、その側面の上下方向の中央部から下端部分202において、側面透視で四角形状等のザグリ部を有している。
【００２８】
すなわち、第１金属板２の平面視における面積（上面またはｘ−ｙ方向の断面の面積）が、厚み方向の上端側の部分において下端側の部分よりも大きい。
【００２９】
このような回路基板10によれば、絶縁基板１の上面にろう材４を介して接合されていた複数の第１金属板２が、それぞれ厚み方向の中央部よりも上側に位置する上端部分201に
おいて、外側に突出した突出部200を有していることから、平面視（上面視）において複
数の第１金属板２の高密度配置が容易になっている。すなわち、それぞれに突出部200を
有する複数の第１金属板２が絶縁基板１の上面に互いに隣り合って配置されたときに、互いに隣り合う第１金属板２同士の間の距離は突出部200よりも下側において比較的大きく
なっている。言い換えれば、互いに隣り合う第１金属板２同士の間の距離を、突出部200
の分、小さくすることができる。
【００３０】
したがって、複数の第１金属板２が従来よりも高密度で絶縁基板１の上面に配置された回路基板10を提供することができる。また、回路基板10としての小型化、および平面視における面積がより大きい第１金属板２の配置による電気抵抗の低減等も容易である。
【００３１】
また、このような回路基板10を含む電子装置20は、上記構成の回路基板10に電子部品５が搭載されて形成されていることから、複数の第１金属板２が従来よりも高密度で絶縁基板１の上面に配置された、小型化、および第１金属板２における電気抵抗の低減等が容易な電子装置20を提供することができる。
【００３２】
また、図２（ｂ）に示す例のように、第１金属板２は、その厚み方向の中央部よりも下側に位置する下端部分202における側面が、下側に向かって内側に傾斜している第１傾斜
部203を有しているものが含まれていてもよい。第１金属板２が第１傾斜部203を有しているときには、第１傾斜部203の分、互いに隣り合う第１金属板２のそれぞれの絶縁基板１
に対する接合面の外周同士、すなわちろう材４が介在している部分同士の距離をより大きくすることができる。そのため、複数の第１金属板２同士の電気絶縁性をより確実に確保することができる。
【００３３】
また、互いに隣り合う第１金属板２のそれぞれの絶縁基板１に対する接合面の外周同士が同じであるとすると、第１傾斜部203の分、第１金属板２の外周部の体積（つまりは、
電流が流れる方向に直交する方向における断面積）が増加して電気抵抗のより一層の低減に対して有効である。
【００３４】
ろう材４は、例えば図２（ｃ）に示す例のように、第１金属板２の側面の下端部分202
まで這い上がっていてもよい。すなわち、絶縁基板１の上面と第１金属板２の下面との間から第１金属板２の側面の一部にかけてろう材４が連続して濡れ広がっていてもよく、第
１金属板２の側面の下端部分202でフィレット状になっていてもよい。
【００３５】
この場合には、第１金属板２と絶縁基板１とを互いに接合させるろう材４の量（体積）がさらに大きくなる。また、フィレット形状による剥離抑制の効果も得られる。そのため、ろう材４を介した第１金属板２の絶縁基板１との接合の強度、およびろう材４の変形による応力緩和の効果がさらに高められる。そのため、応力による絶縁基板１の機械的な破壊および第１金属板２の剥離等の抑制に対しても、より有効な回路基板10および電子装置20を提供することができる。
【００３６】
また、第１金属板２が第１傾斜部203を有しているときに、ろう材４が第１金属板２の
側面の下端部分202まで這い上がっているときには、次のような効果を得ることもできる
。すなわち、ろう材４を介した絶縁基板１と第１金属板２との接合時に、仮に第１金属板２がろう材４に対して多少位置がずれて配置されたとしても、ろう材４を介した上記接合が良好に行なわれる。具体的には、第１傾斜部203において、第１金属板２の下端部分202よりろう材４が外側にあることで、第１金属板２と絶縁基板１とが強固に接合される。また同時に、上面視した場合には第１金属板２の突出部200の端面より外側にろう材４が広
がることがより容易に抑制される。したがって、例えば設計の自由度が増すので好ましい。
【００３７】
また、図２（ｃ）に示す例のようにこの第１傾斜部203までろう材４が延材しているこ
とによって、例えば後述するように電子部品５が搭載され、この電子部品５が樹脂材料（図示せず）で被覆される（いわゆるポッティングされる）ときであれば、次のような効果を得ることもできる。
【００３８】
すなわち、この樹脂材料の一部が第１傾斜部203の表面と絶縁基板１の上面との間に入
り込んだときに、ろう材４のフィレット状の部分の存在によって、ろう材４の一部と絶縁基板１との間に空隙が生じる可能性が低減される。この隙間は、上から見たときに突出部200よりも内側の部分、特に第１金属板２の側面の下端部分202周辺に、上側から樹脂材料（ポッティング樹脂）を入り込ませることが難しいこと等に起因する。これに対して、あらかじめ第１金属板２の下端部分202（第１傾斜部203等）のかなりの部分にろう材４が存在しているため、樹脂材料について上記の空隙の発生が抑制できる。
【００３９】
また、例えば図２（ｂ）および（ｃ）に示すように、第１金属板２は、第１金属板２の突出部200の下面が外側に向かって上方向に傾斜しているものを含んでいてもよい。言い
換えれば、突出部200の厚みが、平面視における内側において外側よりも厚くなっていて
もよい。
【００４０】
この場合には、突出部200の下面と第１金属板２（突出部200よりも内側の本体部分）との接続部分（突出部200の付け根部分）における断面積が、端部等の外側の部分に比べて
大きくなる。そのため、より大電流を第１金属板２に流すことができるようになる。また、突出部200の機械的な強度も大きくなるので、突出部200における第１金属板２の変形等が発生しにくくなる。そのため、回路基板10を取り扱いやすくなり、実用性が向上する。
【００４１】
また耐電圧（隣り合う第１金属板２同士の間の絶縁破壊に至る電圧）を高めるために樹脂等の絶縁材料を隣り合う第１金属板２間に埋め込んで使用する場合には、その樹脂の充填がより容易になる。すなわち、この場合には、突出部200下面と下端部202側面とのなす角度が90度より大きくなるので、突出部200の下面に樹脂が充填されやすくなり、気泡が
巻き込まる可能性が低減される。したがって、気泡の存在に起因した耐電圧の低下が発生しにくくなる効果がある。
【００４２】
第１金属板２は、例えば図２（ｂ）および（ｃ）に示すように、厚み方向の上端部分201における側面が上側に向かって内側に傾斜している第２傾斜部204をさらに有するものを含んでいてもよい。第１金属板２の側面が第２傾斜部204を有している場合には、その傾
斜の分、第１金属板２の端部における第１金属板２の厚みが小さくなっている。そのため第１金属板２の外周部分において発生する応力がより効果的に低減される。したがって、この場合には、応力による絶縁基板１の機械的な破壊および第１金属板２の剥離等をさらに効果的に抑制することができる。
【００４３】
また、第１金属板２の側面が第２傾斜部204を有している場合には、上記のポッティン
グ樹脂を第１金属板２の側面同士の間隙２ａ内に上側から入り込ませることがより容易であり、作業性についても向上できる。
【００４４】
なお、この場合、第１金属板２の主面（上面）に対する第２傾斜部204の傾斜の角度（
第２傾斜部204の表面と第１金属板２の上面とのなす角度）は、90度以上であって、かつ
第１金属板２の主面（下面）に対する第１傾斜部203の傾斜の角度（第１傾斜部203の表面と第１金属板２の下面とのなす角度）よりも小さい角度に設定される。つまり、第２傾斜部204の方が第１傾斜部203よりも急な傾きになっている。これによって、第２傾斜部204
の範囲を第１金属板２の端部周辺に留めて上記の応力低減等の効果を得ながら、第１金属板２の突出部200を含む外周部分における電気抵抗を低く抑えることが可能になっている
。
【００４５】
なお、第１傾斜部203の傾斜の角度は例えば約130〜150度程度であり、第２傾斜部204の傾斜の角度は例えば約100〜120度程度である。
【００４６】
また、図１に示す例において、中央部の第１金属板２Ｂの上面には接合材を介して電子部品５が実装されており、この電子部品５は、他の第１金属板２Ａ、２Ｃに、ボンディングワイヤ６等の導電性接続材によって接続される。このように、図１に示す例において、第１金属板２は、回路導体として機能している。また、第１金属板２は、回路基板10に搭載される電子部品５のマウント用の金属部材、接地導体用の金属部材としても用いることができる。また、後述する第２金属板３は主に放熱板として用いられる。このように、第１金属板２は、例えば数十Ａ程度の比較的大きな電流を通電するための導電路として、セラミックス等からなる絶縁基板１に接合されて用いられる。
【００４７】
電子部品５は、例えば、トランジスタ、ＣＰＵ（Central Processing Unit）用のＬＳ
Ｉ（Large Scale Integrated circuit）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、またはＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor）等の半導体素子である。
【００４８】
電子部品５を第１金属板２に接合する接合材は、例えば、金属または導電性樹脂等からなる。金属から成る接合材は、例えば、半田、金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）合金、またはスズ−銀−銅（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）合金等である。導電性樹脂から成る接合材は、例えば、Ａｇエポキシ樹脂等の熱伝導率の高い接着剤等である。
【００４９】
なお、第１金属板２表面に、めっき法によってめっき膜を形成しても良い。この構成によれば、接合材との濡れ性が良好となるので電子部品５を第１金属板２の表面に強固に接合することができる。めっき膜は、導電性および耐食性が高い金属を用いれば良く、例えば、ニッケル、コバルト、銅、若しくは金、またはこれらの金属材料を主成分とする合金材料が挙げられる。めっき膜の厚みは、例えば1.5〜10μｍであれば良い。
【００５０】
また、めっき膜は内部にリンを含有することが好ましい。例えば、ニッケル−リンのア
モルファス合金のめっき膜であれば、ニッケルめっき膜の表面酸化を抑制して接合材等の濡れ性等を長く維持することができるので好ましい。また、ニッケルに対するリンの含有量が８〜15質量程度であると、ニッケル−リンのアモルファス合金が形成されやすくなって、めっき膜に対する接合材等の接着強度を更に向上させることができる。
【００５１】
第２金属板３は、複数の第１金属板２と対向しており、絶縁基板１の下面に接合されている。第２金属板３の材料、第２金属板３上のめっき膜、及び第２金属板３の絶縁基板１への接合方法は、第１金属板２と同様である。図１に示す例においては、第２金属板３の上面が、絶縁基板１への接合面となっている。
【００５２】
第２金属板３は、例えば外部への放熱用の金属層、または第１金属板２の中で接地端子としたい第１金属板２とビア導体等を介して電気的に接続することで、接地用等の導電層等としても機能する。
【００５３】
図１に示す例においては、第２金属板３として、一つの銅板が絶縁基板１の下面のほぼ全面に張り付けられている。その厚みは、例えば、20〜600μｍである。
【００５４】
なお、前述したように、例えば上記いずれかの構成の回路基板10と、この回路基板10に搭載された電子部品５とによって実施形態の電子装置20が形成されている。上記の各実施形態においては、第１金属板２のうち一つの第１金属板２Ｂの上面に電子部品５が接合されている。また、この電子部品５は、ボンディングワイヤ６および第１金属板２（２Ａ、２Ｃ）を含む導電路によって外部電気回路と電気的に接続される。
【００５５】
（製造方法）
次に、図１に示す例の回路基板10の製造方法について、図３（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。
【００５６】
（１）まず、第１工程として、絶縁基板１と、下面に第１溝22ａを有しており、第１溝22ａを隔てて配置された複数の第１金属板領域22Ａ、22Ｂ、22Ｃを有する第１金属板母材22と、第２金属板３と、を準備する。なお、ここでは、第１金属板母材22、および第２金属板３の材料として、例えば、銅を用いた例を示す。
【００５７】
複数の第１金属板領域22Ａ、22Ｂ、22Ｃは、それぞれ、上記実施形態の回路基板10（電子装置20）における複数の第１金属板２Ａ、２Ｂ、２Ｃになる領域である。第１溝22ａの底部分の一部が、上記実施形態の回路基板10（電子装置20）の第１金属板２の突出部200
になる。これらの点については後の工程で詳しく説明する。
【００５８】
第１溝22ａを有する第１金属板母材22を形成するには、平板状の金属板21における絶縁基板１との接合面側に、例えばエッチング処理を行って溝を形成する。エッチング液には、例えば、塩化第二鉄が用いられる。当該エッチング処理に際しては、まず、図３（ａ）のように、第１金属板領域22Ａ、22Ｂ、22Ｃに対応する部分にマスキング７を施す。次に、金属の厚みの60％程度の深さまでエッチング処理を行い、所定位置に第１溝22ａを形成する。その後、マスキング７を剥離することで、図３（ｂ）のように第１溝22ａが形成された第１金属板母材22を得ることができる。
【００５９】
なお、第１溝22ａは、平板状の金属板に、切削等の機械加工によって行ってもよい。なお、図３（ｂ）の例は、機械加工によって第１溝22ａを形成した場合の例であり、例えば図２（ａ）に示す例のような形状の側面を有する第１金属板２が容易に形成される。また、この第１溝22ａをエッチングで加工して形成した場合には、例えば図１、図２（ｂ）、（ｃ）に示したように、金属板の側面が傾斜面となる。つまり、第１傾斜部203が形成さ
れる。
【００６０】
この金属板の傾斜面の角度や形状についてはエッチング液の種類やエッチング方法、時間を調整することで調節することが可能である。例えば、第１傾斜部203の傾斜角度（前
述した、突出部200下面と下端部分202側面とのなす角度）を垂直に近づけるためには狭い部分にも新たなエッチング液が入り込みやすい噴射式のエッチング方法を用いたり、エッチング速度の遅いエッチング液を用いればよい。逆に第１傾斜部203を斜めにしたい（上
記の傾斜角度をより大きくしたい）場合には狭い部分のエッチング液が比較的置き換わりにくい浸漬法でエッチングしたりエッチング速度の速いエッチング液を用いればよい。
【００６１】
（２）次に、第２工程として、図３（ｃ）に示すように、第１金属板母材22の下面を絶縁基板１の上面に配置し、第２金属板３が複数の第１金属板領域22Ａ、22Ｂ、22Ｃと対向するように、第２金属板３の上面を絶縁基板１の下面に配置する。
【００６２】
なお、本工程においては、第１金属板母材22および第２金属板３の配置前に、図３（ｃ）に示すように、絶縁基板１の両主面にろう材４を予め所定の位置に例えばスクリーン印刷等の方法で所定の形状に塗布する。このろう材４は、例えば、銀、銅を主成分とし、さらにＴｉを含み、Ｉｎ、またはＳｎによって融点を790℃程度に調整したものが用いられ
る。
【００６３】
（３）次に、第３工程として、加熱処理によって、第１金属板母材22および第２金属板３を絶縁基板１に接合させる。この工程では、第２工程で得られた積層体を、真空炉内に載置し、真空状態において８３０℃程度で熱処理を行う。これにより、ろう材４が溶融し、冷却することでろう材４が固化し、第１金属板母材22および第２金属板３を絶縁基板１に接合される。
【００６４】
（４）次に、第４工程として、第１金属板母材22の上面から第１溝22ａの底部までの部分を除去し、互いに間隙２ａを空けて分離された複数の第１金属板２を形成する。
【００６５】
本工程は、例えば、エッチング処理によって行えばよい。エッチング処理を行う場合には、まず、図３（ｄ）に示すように、第１金属板母材22の上面、および第２金属板３の下面にマスキング７を施す。第１金属板母材22の上面のマスキング７は、第１溝22ａに対応する部分を除くようにする。その後、塩化第二鉄によって、２回目のエッチング処理を行った後、マスキング７を除去することによって、図３（ｅ）のような、本発明の回路基板10を得る。なお、第１金属板母材22の上面から第１溝22ａの底部までの部分の除去は、切削等の機械加工によって行ってもよい。また、必要に応じて第１金属板２および第２金属板３の表面にニッケルめっきを施してもよい。
【００６６】
このときに、第１溝22ａの底部一部が残るようにマスキング７を施す。すなわち、平面透視で第１溝22ａに重なる部分のうち第１金属板領域22Ａ、22Ｂ、22Ｃに隣接した帯状の部分までマスキング７を施す。このマスキング７で保護された部分がエッチング処理で除去されず、突出部200として第１金属板領域22Ａ、22Ｂ、22Ｃ（つまりは複数の第１金属
板２Ａ、２Ｂ、２Ｃ）に残る。これにより、突出部200を有する第１金属板２を形成する
ことができる。
【００６７】
また、このエッチング処理時に、第１金属板２の側面に実施形態の回路基板10における第２傾斜部204を形成することもできる。第１傾斜部203を有する第１金属板２の形成時に、あわせて第２傾斜部204も形成できる。そのため、回路基板10としての生産性を高く維
持することができる。この場合、例えば、第１傾斜部203を形成したエッチング処理の条
件に対して、第２傾斜部204を形成するエッチング処理の条件を、より垂直に近くなる条
件、例えば、第１傾斜部203を形成した時に使用したエッチング液より、エッチング速度
の遅いエッチング液を用いれば、第１傾斜部203の傾斜の角度を第２傾斜部204の傾斜の角度よりも大きくすることができる。
【符号の説明】
【００６８】
１・・・絶縁基板
２・・・第１金属板
２ａ・・・間隙
200・・・突出部
201・・・上端部分
202・・・下端部分
203・・・第１傾斜部
204・・・第２傾斜部
３・・・第２金属板
４・・・ろう材
５・・・電子部品
６・・・ボンディングワイヤ
７・・・マスキング
10・・・回路基板
20・・・電子装置
22・・・第１金属板母材
22ａ・・・第１溝
22Ａ、22Ｂ、22Ｃ・・・複数の第１金属板領域
【図１】
2017011216.tif 000003
【図２】
2017011216.tif 000004
【図３】
2017011216.tif 000005