(57)【要約】      （修正有）【課題】分解能に優れ、かつ低コストで製造可能な偏光子を提供する。【解決手段】樹脂フィルム１１上に、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の金属配線１２Ａ〜１２Ｅとを備えた配線基板１０を有する偏光子であって、さらに樹脂フィルムが、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視光域において、変動が１０％以内の波長分散特性を有する。あるいはさらに樹脂フィルムは、シクロオレフィン系樹脂からなる。【選択図】図１
2017215471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルムと、
前記樹脂フィルム上に、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の金属配線とを備えた配線基板を有する偏光子。
【請求項２】
前記樹脂フィルムは、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視光域において、変動が１０％以内の波長分散特性を有する請求項１に記載の偏光子。
【請求項３】
前記樹脂フィルムは、シクロオレフィン系樹脂からなる請求項１または２に記載の偏光子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光子に関する。
【背景技術】
【０００２】
波長が、数ｍｍ〜数十μｍのテラヘルツ領域電磁波に使われる偏光子として、ワイヤーグリッド偏光子が従来から知られている。例えば、特許文献１には、太さ数μｍの金属ワイヤーを１０μｍ程度の間隔で多数並べたワイヤーグリッドの偏光子が開示されている。
【０００３】
係るワイヤーグリッド偏光子においては、波長数ｍｍ〜数十μｍのテラヘルツ領域電磁波に対応するため、大気中に数μｍ径の金属ワイヤーを１０μｍ〜２０μｍピッチで等間隔に固定する必要が有る。しかしながら、係るワイヤーグリッド偏光子を製作するには手間が掛かる上、金属ワイヤー間を等間隔に精度良く維持することが難しい。そのためコストが高く、分解能も上がらないという問題があった。
【０００４】
そこで、上述の金属ワイヤーを用いたワイヤーグリッド偏光子に替る技術として、例えば特許文献２には、細長い矩形状の金属薄板が一面のほぼ中央に形成されている矩形状のフィルムからなるフィルム基板を複数枚積層することにより構成されており、前記フィルム基板が複数枚積層された状態において、各フィルム基板に形成された前記金属薄板により平行平板が構成されて、ワイヤーグリッドが構成されていることを特徴とするワイヤーグリッド装置が開示されている。
【０００５】
特許文献２に開示されたワイヤーグリッド装置においては、ワイヤーグリッドを構成する金属薄板の間隔は、フィルム基板の厚さで一義的に決定される。このため、金属薄板の間隔を安定して一定の値に保つことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１４６２０号公報
【特許文献２】特開２０１５―４９２７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２に開示されたワイヤーグリッド装置は、細長い矩形状の金属薄板が一面に形成されている矩形状のフィルムからなるフィルム基板を複数枚積層することで構成されており、フィルムの使用量も多く、積層に手間が掛かるという問題があった。このため、特許文献２に開示されたワイヤーグリッド装置は高コストとなることから、分解能に優れ、かつ低コストで製造可能な偏光子が求められていた。
【０００８】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、分解能に優れ、かつ低コストで製造可能な偏光子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
樹脂フィルムと、
前記樹脂フィルム上に、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の金属配線とを備えた配線基板を有する偏光子を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一側面によれば、分解能に優れ、かつ低コストで製造可能な偏光子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る偏光子の構成例の説明図。
【図２】本発明の実施形態に係る偏光子の製造方法の第１の構成例の説明図。
【図３】本発明の実施形態に係る偏光子の製造方法の第２の構成例の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の偏光子、及び偏光子の製造方法の一実施形態について説明する。
［偏光子］
本実施形態の偏光子は、樹脂フィルムと、樹脂フィルム上に、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の金属配線とを備えた配線基板を有することができる。
【００１３】
ここで、図１（Ａ）、図１（Ｂ）を用いて本実施形態の偏光子の構成例について説明する。
【００１４】
図１（Ａ）は、本実施形態の偏光子が有する配線基板の上面図であり、本実施形態の偏光子が有する配線基板を、樹脂フィルムの主表面と垂直上方から見た図を示している。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ´線における断面図を示している。
【００１５】
図１（Ａ）に示したように、本実施形態の偏光子が有する配線基板１０は、樹脂フィルム１１と、樹脂フィルム１１上に、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の金属配線１２Ａ〜１２Ｅとを備えることができる。
【００１６】
樹脂フィルム１１としては特に限定されるものではないが、大気と同等のフラットな波長分散特性を有することが好ましく、特に、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視光域において、変動が１０％以内の波長分散特性を有することが好ましい。これは、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視光域において、変動が１０％以内のフラットな波長分散特性を有する場合、波長に依らず、可視光域の光について安定した透過性を示すことができ、好ましいからである。
【００１７】
本実施形態の偏光子は、例えばテラヘルツ領域の高周波用の偏光子として特に好適に用いることができるが、樹脂フィルム１１が可視光域において、上述のようにフラットな波長分散特性を有する場合、テラヘルツ領域においても比較的フラットな波長分散特性を示すため、係る観点からも好適に用いることができる。
【００１８】
樹脂フィルム１１は、シクロオレフィン系樹脂からなることがより好ましい。これは、シクロオレフィン系樹脂は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視光域において、変動が１０％以内の波長分散特性を有するためである。
【００１９】
樹脂フィルム１１の厚さは特に限定されるものではなく、偏光子に要求される強度等に応じて選択することができる。ただし、樹脂フィルム１１の厚さが厚くなりすぎると、光の透過性に影響を与える恐れがあるため、例えば１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
そして、樹脂フィルム１１上には、複数の金属配線１２Ａ〜１２Ｅを有することができる。金属配線１２Ａ〜１２Ｅは、図１（Ａ）に示したように図中のＹ軸方向と平行な直線状の形状を有しており、図中のＸ軸に沿って並べて配置できる。また、金属配線１２Ａ〜１２Ｅは互いに平行になっている。そして、金属配線１２Ａ〜１２Ｅは樹脂フィルム１１の同じ面上に配置することができる。金属配線１２Ａ〜１２Ｅは上述のように直線状の形状を有しているが、図１（Ａ）に示したように幅を有しているため、金属配線１２Ａ〜１２Ｅの、樹脂フィルム１１の金属配線１２Ａ〜１２Ｅを形成した面と平行な面での断面形状は四角形形状ということもできる。
【００２１】
なお、樹脂フィルム１１上に配置する金属配線の本数は特に限定されるものではなく、対象とする光の波長に応じて偏光子に要求される金属配線間の距離や、偏光子のサイズ等に応じて任意に選択することができる。
【００２２】
そして、金属配線１２Ａ〜１２Ｅは一定間隔で、すなわち金属配線間が等間隔となるように配置できる。図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示した例の場合、金属配線１２Ａと金属配線１２Ｂとの間の距離ｄＡＢ、金属配線１２Ｂと金属配線１２Ｃとの間の距離ｄＢＣ、金属配線１２Ｃと金属配線１２Ｄとの間の距離ｄＣＤ、金属配線１２Ｄと金属配線１２Ｅとの間の距離ｄＤＥは、等しくなっている。すなわち、ｄＡＢ＝ｄＢＣ＝ｄＣＤ＝ｄＤＥを満たしている。
【００２３】
金属配線１２Ａ〜１２Ｅ間の距離ｄＡＢ〜ｄＤＥについては特に限定されるものではなく、例えば偏光子に要求される偏光の動作波長に応じて任意に選択することができる。
【００２４】
金属配線１２Ａ〜１２Ｅの幅ＷＡ〜ＷＥについては、特に限定されるものではなく、偏光子のサイズや、金属配線の本数、金属配線間の距離等に応じて任意に選択することができる。例えば５μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましい。偏光子の配線基板１０に含まれる金属配線１２Ａ〜１２Ｅの幅ＷＡ〜ＷＥは等しいことが好ましい。すなわち、図１（Ｂ）に示した配線基板１０の場合、ＷＡ＝ＷＢ＝ＷＣ＝ＷＤ＝ＷＥを満たすことが好ましい。
【００２５】
金属配線１２Ａ〜１２Ｅの高さｈについても特に限定されるものではなく、偏光子に要求される偏光の動作波長等に応じて選択することができる。なお、配線基板１０に含まれる金属配線１２Ａ〜１２Ｅは高さｈが均一であることが好ましい。すなわち金属配線１２Ａ〜１２Ｅはいずれも高さがｈであることが好ましい。金属配線の高さは例えば０．５μｍ以上、１５μｍ以下が望ましい。
【００２６】
金属配線１２Ａ〜１２Ｅの長さ方向と垂直な面での断面形状は、特に限定されるものではないが、図１（Ｂ）に示したように四角形形状を有することが好ましく、矩形形状を有することがより好ましい。なお、ここでいう金属配線１２Ａ〜１２Ｅの長さ方向とは図１（Ａ）中のＹ軸方向を意味しており、長さ方向と垂直な面とは、図中のＹ軸と垂直で、樹脂フィルム１１の主表面と垂直な面、例えばＡ−Ａ´線を通る面を意味する。
【００２７】
なお、後述するように金属配線１２Ａ〜１２Ｅは、樹脂フィルム１１の主表面上に形成された金属層をパターニングして形成することができる。このため、例えば金属配線１２Ａ〜１２Ｅの長さ方向と垂直な面での断面形状が四角形形状の場合に、例えば角部に丸み等を有する略四角形形状である場合も含んでいても良い。また、金属配線１２Ａ〜１２Ｅは、金属層をパターニングして形成することができることから、金属層、すなわち金属膜により構成することができる。
【００２８】
金属配線１２Ａ〜１２Ｅの材料は特に限定されるものではなく、導電性を有する金属材料であれば各種材料を用いることができる。例えば金属配線１２Ａ〜１２Ｅは単一の材料から構成することもできるが、異なる金属材料の膜を積層した構造を有していても良い。
【００２９】
本実施形態の偏光子は、ここまで説明した配線基板１０から構成することもできるが、配線基板１０以外に、必要に応じて各種部材を有することもできる。例えば防護用カバーフィルムを有することができる。防護用カバーフィルムは、例えば樹脂フィルム１１の金属配線１２Ａ〜１２Ｅを設けた面と対向するように、すなわち覆うように配置することができる。このように防護用カバーフィルムを設けることで、金属配線間に異物や汚れの付着が生じることを防ぎ、金属配線間に異物等が付着して生じる分解能の低下を抑制することができるため、好ましい。
【００３０】
防護用カバーフィルムの材料は特に限定されるものではないが、例えば大気と同等のフラットな波長分散特性を有することが好ましく、特に、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視光域において、変動が１０％以内の波長分散特性を有することが好ましい。例えば、防護用カバーフィルムは、シクロオレフィン系樹脂からなることがより好ましく用いることができる。
【００３１】
本実施形態の偏光子によれば、金属配線間の距離を任意に選択することができるため、動作波長等は特に限定されるものではない。ただし、例えば後述するようにフォトリソグラフィ法等を用いて容易に製造することができ、金属配線間の距離等も精密に制御することができる。このため、金属配線間の距離を短くすることが求められるテラヘルツ領域の高周波用の偏光子として好適に用いることができる。
【００３２】
以上に説明した本実施形態の偏光子によれば、樹脂フィルムと、樹脂フィルム上に一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の金属配線とを備えた配線基板を有している。このため、特許文献２に開示されたワイヤーグリッド装置と比較して樹脂フィルムの使用量を抑制することができる。また、金属配線は例えば樹脂フィルム上に形成した金属層をパターニングすることで形成できるため、工程数が少なく、容易に、かつ金属配線の間隔や、高さ、配線幅等を精度よく形成することができる。
【００３３】
従って、分解能に優れ、かつ低コストで製造可能な偏光子とすることができる。
［偏光子の製造方法］
次に、本実施形態の偏光子の製造方法の構成例について説明する。
【００３４】
なお、本実施形態の偏光子の製造方法により、既述の本実施形態の偏光子を製造することができる。このため、既に説明した点については、一部説明を省略する。
（第１の構成例）
本実施形態の偏光子の製造方法の第１の構成例は、例えば以下の工程を有することができ、サブトラクティブ法を用いて配線基板を形成することができる。
【００３５】
樹脂フィルムの一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程。  
金属層上に、形成する金属配線に対応した形状を有するレジストを形成するレジスト配置工程。  
レジストを用いて金属層をパターニングし、金属配線を形成する金属配線形成工程。
【００３６】
レジストを除去するレジスト除去工程。
【００３７】
以下、各工程について、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）を用いて説明する。図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、樹脂フィルム１１の主表面１１ａと垂直であり、形成する金属配線の長さ方向と垂直な面における断面図を示している。
（金属層形成工程）
金属層形成工程では、図２（Ａ）に示すように、樹脂フィルム１１の一方の主表面１１ａ上に金属層２１を形成する。金属層２１は、例えば樹脂フィルム１１の一方の主表面１１ａ全面に形成することができる。
【００３８】
金属層２１の形成方法は特に限定されるものではないが、下地となる樹脂フィルム１１等の他の部材との間に接着剤を設けず、樹脂フィルム１１等の他の部材の上に直接金属層２１を形成することが好ましい。このため、金属層２１は例えば乾式法により成膜することが好ましい。
【００３９】
乾式法としては特に限定されるものではないが、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。金属層２１を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【００４０】
上述のように金属層２１は乾式法で形成することができ、乾式法で形成した金属薄膜層を金属層とすることができる。ただし、金属層の厚さを十分に厚くする必要がある場合には、乾式法により金属薄膜層を形成した後、該金属薄膜層を給電層として、湿式法の一種である電気めっき法により金属めっき層をさらに形成することもできる。金属薄膜層、及び金属めっき層を形成した場合、金属層２１は乾式法で形成した金属薄膜層と、湿式法で形成した金属めっき層とを含むことができる。
（レジスト配置工程）
レジスト配置工程では、図２（Ｂ）に示すように、金属層２１上にレジスト２２を形成することができる。
【００４１】
レジスト２２は、例えば以下の手順により形成できる。
【００４２】
まず、金属層２１の樹脂フィルム１１と対向する面とは反対の面上に、感光性のレジストを塗布、あるいは貼付する。
【００４３】
次いで、レジストが形成する金属配線に対応した形状となるようにフォトリソグラフィ法により加工する。そして、感光し、不要部を除去することで形成する金属配線に対応した形状を有するレジスト２２を形成することができる。
【００４４】
なお、形成する金属配線は、既述のように、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の形状を有することができる。このため、レジスト２２についても、図２（Ｂ）に示したように、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の形状を有するように加工、形成することができる。
（金属配線形成工程）
レジスト配置工程の後、レジスト２２上からエッチング液を供給することで、図２（Ｃ）に示したように、レジスト２２を用いて金属層２１をパターニングし、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の金属配線１２を形成することができる。この際、用いるエッチング液としては特に限定されるものではなく、金属層２１の材料等に応じて任意に選択することができる。
（レジスト除去工程）
その後、図２（Ｄ）に示すように、金属配線１２上に残ったレジスト２２を除去することで、樹脂フィルム１１と、樹脂フィルム１１上に、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の金属配線１２とを備えた配線基板を得ることができる。
【００４５】
偏光子が配線基板のみから構成される場合には、ここまでの工程を実施することで偏光子を得ることができる。
【００４６】
また、偏光子が、例えば防護用カバーフィルム等の各種部材を有する場合には、防護用カバーフィルム等の部材をさらに取り付ける工程等を実施することで偏光子を得ることができる。
（第２の構成例）
次に、本実施形態の偏光子の製造方法の第２の構成例について説明する。
【００４７】
本実施形態の偏光子の製造方法の第２の構成例は、例えば以下の工程を有することができ、セミアディティブ法により配線基板を製造することができる。
【００４８】
樹脂フィルムの一方の面上に下地金属層を形成する下地金属層形成工程。  
下地金属層上に、形成する金属配線に対応した開口部を有するレジストを形成するレジスト配置工程。  
レジストの開口部に金属めっき層を形成する金属めっき層形成工程。
【００４９】
レジスト、及びレジストで覆われていた下地金属層を除去するレジスト、下地金属層除去工程。
【００５０】
以下、各工程について、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）を用いて説明する。図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、樹脂フィルム１１の主表面１１ａと垂直であり、形成する金属配線の長さ方向と垂直な面における断面図を示している。
（下地金属層形成工程）
下地金属層形成工程では、図３（Ａ）に示すように、樹脂フィルム１１の一方の主表面１１ａ上に下地金属層３１を形成する。下地金属層３１は、例えば樹脂フィルム１１の一方の主表面１１ａ全面に形成することができる。
【００５１】
下地金属層３１の形成方法は特に限定されるものではないが、下地となる樹脂フィルム１１等の他の部材との間に接着剤を設けず、樹脂フィルム１１等の他の部材の上に直接下地金属層３１を形成することが好ましい。このため、下地金属層３１は例えば乾式法により成膜することが好ましい。
【００５２】
乾式法としては特に限定されるものではないが、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。下地金属層３１を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【００５３】
上述のように下地金属層３１は乾式法で形成することができ、乾式法で形成した下地金属薄膜層を金属層とすることができる。ただし、下地金属層３１の厚さを十分に厚くする必要がある場合には、乾式法により下地金属薄膜層を形成した後、該下地金属薄膜層を給電層として、湿式法の一種である電気めっき法により下地金属めっき層をさらに形成することもできる。下地金属薄膜層、及び下地金属めっき層を形成した場合、下地金属層３１は乾式法で形成した下地金属薄膜層と、湿式法で形成した下地金属めっき層とを含むことができる。
（レジスト配置工程）
レジスト配置工程では、図３（Ｂ）に示すように、下地金属層３１上に開口部３２１を有するレジスト３２を形成することができる。
【００５４】
レジスト３２は、例えば以下の手順により形成できる。
【００５５】
まず、下地金属層３１の樹脂フィルム１１と対向する面とは反対の面上に、感光性のレジストを塗布、あるいは貼付する。
【００５６】
次いで、レジストに形成する開口部が、形成する金属配線に対応した形状となるようにフォトリソグラフィ法により加工する。そして、感光し、不要部を除去することで形成する金属配線に対応した形状の開口部３２１を有するレジスト３２を形成することができる。
【００５７】
なお、形成する金属配線は、既述のように、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の形状を有することができる。そして、本実施形態の偏光子の製造方法の第２の構成例においては、セミアディティブ法により配線基板を形成することができる。このため、レジスト３２はその開口部３２１の形状が、形成する金属配線の樹脂フィルム１１の主表面１１ａと平行な面の形状と同様の形状となるようにレジスト３２を形成することが好ましい。従って、樹脂フィルム１１の主表面１１ａと垂直な方向の上部から見た場合に、レジスト３２の開口部３２１は、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の形状を有するように加工、形成することができる。
【００５８】
レジスト３２の厚さは特に限定されないが、形成する金属配線に対応した厚さを有することが好ましい。具体的には、例えばレジスト３２の厚さは、形成する金属配線の厚さ（高さ）よりも厚いことが好ましい。
（金属めっき層形成工程）
レジスト配置工程の後、金属めっき法により、レジスト３２の開口部３２１内に金属めっき層３３を形成することができる。この際、金属めっき法として電解めっき法を用いる場合、下地金属層３１を給電層として用いることができる。
（レジスト、下地層除去工程）
その後、金属めっき層３３間に配置されたレジスト３２、及び金属めっき層３３に覆われていない、露出した金属下地層を除去することができる。これにより、図３（Ｄ）に示すように、樹脂フィルム１１と、樹脂フィルム１１上に、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の金属配線１２とを備えた配線基板を得ることができる。
【００５９】
偏光子が配線基板のみから構成される場合には、ここまでの工程を実施することで偏光子を得ることができる。
【００６０】
また、偏光子が、例えば防護用カバーフィルム等の各種部材を有する場合には、防護用カバーフィルム等の部材をさらに取り付ける工程等を実施することで偏光子を得ることができる。
【００６１】
ここまで、本実施形態の偏光子の製造方法について、第１の構成例、第２の構成例を示して説明したが、係る形態に限定されるものではない。また、第１の構成例、第２の構成例、いずれの製造方法も取り得ることができるが、第２の構成例で示したセミアディティブ法で形成した金属配線１２は、特に直線性に優れ、かつ形成する金属配線の長さ方向と垂直な面での断面形状の矩形性が高く、アスペクト比も容易に調整できる。このため、特に高性能の偏光子を製造することが求められる場合には、第２の構成例で示した偏光子の製造方法を用いることが好ましい。
【００６２】
以上に説明した本実施形態の偏光子の製造方法によれば、樹脂フィルムと、樹脂フィルム上に、一定間隔で、かつ互いに平行に配置された複数の直線状の金属配線とを備えた配線基板を有する偏光子を製造できる。このため、例えば特許文献２に開示されたワイヤーグリッド装置と比較して樹脂フィルムの使用量を抑制することができる。また、工程数が少なく、容易に、かつ金属配線の間隔や、高さ、配線幅等を精度よく形成することができる。
【００６３】
従って、分解能に優れ、かつ低コストで偏光子を製造することができる。
【実施例】
【００６４】
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６５】
本実施例では、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）に示した手順により偏光子を製造した。
（下地金属層形成工程）
縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さが５０μｍのＣＯＰ(Ｃｙｃｌｏ−Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ)製の樹脂フィルム１１の一方の主表面１１ａ上に、下地金属薄膜層として、スパッタリング法にて厚みが約１０００Åの下地銅薄膜層を形成した。
【００６６】
なお、用いた樹脂フィルムは、上述のようにシクロオレフィン製であり、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視光域において、変動が２％以内の波長分散特性を有している。
【００６７】
次いで、下地銅薄膜層を給電層として下地銅薄膜層と、下地銅めっき層との厚みの合計が０．５μｍとなるように、下地金属めっき層として下地銅めっき層を電解めっき法により形成した。
【００６８】
以上により、下地金属層３１として、下地銅薄膜層と、下地銅めっき層とを有し、膜厚が０．５μｍの下地銅層を、樹脂フィルム１１の一方の主表面１１ａの全面に形成した。
（レジスト配置工程）
次いで、下地金属層３１上に所定の開口部を有するレジスト３２を形成した。
【００６９】
下地金属層３１である下地銅層上に、厚さが２０μｍのドライフィルムレジストを貼付した。
【００７０】
そして、ドライフィルムレジストに、形成する金属配線の形状に対応した開口部３２１を設けるように露光を行った。具体的には、幅１０μｍ、長さ１０ｍｍの直線状の開口部３２１が４００本、互いに平行に、かつ隣接する開口部３２１間の距離が１５μｍ間隔となるように、開口部３２１となる部分を露光させた。露光部分を現像にて除去することで開口部３２１を有するレジスト３２を形成した。なお、各開口部３２１は、上述のように直線状であり、樹脂フィルム１１の縦方向と平行になるように配置した。
（金属めっき層形成工程）
開口部３２１を有するレジスト３２をレプリカとして、セミアディティブ法を用いて金属めっき層３３として、開口部３２１に銅めっき層を積み上げた。なお、金属めっき層３３は厚さが１０μｍとなるように形成した。
（レジスト、下地層除去工程）
その後、開口部３２１を有するレジスト３２を除去し、塩化第二鉄水溶液で全体をエッチングして、開口部３２１を有するレジスト３２の下に残った厚さ０．５μｍの下地金属層３１である下地銅層を除去することにより、偏光子を形成した。
（偏光特性の測定）
作製した偏光子の偏光特性を調べるために、テラヘルツ時間領域分光装置（ＴＡＳ７５００：アドバンテスト製）を用いて０．５ＴＨｚ以上１．５ＴＨｚ以下の周波数域におけるＴＥ(Transverse-Electric  Mode)波の偏光方向の透過率（ＴＴＥ）およびＴＭ(Transverse-Magnetic  Mode)波の偏光方向の透過率（ＴＴＭ）を測定し評価した。上記周波数の範囲において消光比は４０ｄＢ以上と良好であった。
【００７１】
なお、ここで消光比は１０×ｌｏｇ１０（ＴＴＭ／ＴＴＥ）と定義した。
【符号の説明】
【００７２】
１０            配線基板
１１            樹脂フィルム
１２Ａ〜１２Ｅ  金属配線
【図１】
2017215471.tif 000003
【図２】
2017215471.tif 000004
【図３】
2017215471.tif 000005