(57)【要約】【課題】電子回路装置において、抵抗器による電圧検出精度の向上を図る。【解決手段】第１及び第２導電パターン（30,40）と、第１電極（51）と、第２電極（52）とを有した抵抗器（50）を有し、第１導電パターン（30）に、第１電極（51）の中央点（M1）と第２電極（52）の中央点（M2）とを結ぶ中心線（CL）からずれて、配線を接続する第１接続点（P1）が形成された電子回路装置において、第１導電パターン（30）には第１接続点（P1）と第１電極（51）の中央点（M1）とを結ぶ仮想線（L1）よりも外側に切り欠き（30a）を形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板（20）に配置された第１及び第２導電パターン（30,40）と、
前記第１導電パターン（30）に接続された所定幅の第１電極（51）と前記第２導電パターン（40）に接続された所定幅の第２電極（52）とを有した抵抗器（50）と、
を備え、
前記第１導電パターン（30）には、前記第１電極（51）の中央点（M1）と前記第２電極（52）の中央点（M2）とを結ぶ中心線（CL）からずれた位置に、配線を接続する第１接続点（P1）が形成され、前記第１接続点（P1）と前記第１電極（51）の中央点（M1）とを結ぶ仮想線（L1）よりも外側に切り欠き（30a）が形成されていることを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２導電パターン（40）は、前記切り欠き（30a）側に向って延びる延長部（40b）を有していることを特徴とする電子回路装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１導電パターン（30）には、複数の第１接続点（P1-1,2,3）が設けられ、
前記切り欠き（30a）は、前記中心線（CL）から最も遠い位置にある前記第１接続点（P1-1）について定義した前記仮想線（L1）よりも外側に形成されていることを特徴とする電子回路装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れかにおいて、
第２導電パターン（40）には、前記中心線（CL）からずれた位置に、配線を接続する第２接続点（P2）が形成され、前記第２接続点（P2）と前記第２電極（52）の中央点（M2）とを結ぶ仮想線（L2）よりも外側に切り欠き（40a）が形成されていることを特徴とする電子回路装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１導電パターン（30）は、前記第２導電パターン（40）の切り欠き（40a）側に向って延びる延長部（30b）を有していることを特徴とする電子回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電圧検出用の抵抗器を有した電子回路装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電力変換装置などでは、電流値を検出するために、抵抗器（いわゆるシャント抵抗）を備えた電子回路装置が用いられることがある（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１の例では、電流発生ポイントからパターン上に流出した電流がシャント抵抗を通過して電流流入ポイントに流入しており、シャント抵抗の両電極の間における電圧値を検出している。このシャント抵抗の抵抗値と検出された電圧値とに基づいてシャント抵抗を流れる電流の電流値を検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−０５６９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願発明者が行った研究の結果、前記のような電子回路装置において以下のような現象が発生していることを見出した。すなわち、前記電子回路装置では、電流発生ポイントから流出した電流が導電パターン上を大きく広がりながら抵抗器（シャント抵抗）へ向って流れて抵抗器を通過し、その後、もう一方の導電パターン上で大きく広がった後に電流流入ポイントへ流入している。つまり、導電パターン上には種々の電流経路が存在し、それらの各経路の抵抗値は経路長によって異なるので、経路毎に電流値も異なることになる。すなわち、導電パターン上には電流値の分布が存在するのである。
【０００５】
とりわけ、電圧検出用のシャント抵抗を有した電子回路装置では、放熱性を考慮して導電パターンは所定の面積を確保するのが一般的であり、前記電流分布は大きくなりがちである。一般的に、シャント抵抗の電極は所定の幅を有しているので、このような電流分布が存在すると、電極の位置によって流れ込む電流の大きさが異なることになる。そして、その結果として、抵抗器の内部（抵抗体）では、電圧の分布を生じてしまう。このような電圧分布は、電圧の検出精度の低下に繋がるので好ましくない。
【０００６】
本発明は前記の問題に着目してなされたものであり、電圧検出用の抵抗器（シャント抵抗）を有した電子回路装置において、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の課題を解決するため、第１の態様は、
絶縁基板（20）に配置された第１及び第２導電パターン（30,40）と、
前記第１導電パターン（30）に接続された所定幅の第１電極（51）と前記第２導電パターン（40）に接続された所定幅の第２電極（52）とを有した抵抗器（50）と、
を備え、
前記第１導電パターン（30）には、前記第１電極（51）の中央点（M1）と前記第２電極（52）の中央点（M2）とを結ぶ中心線（CL）からずれた位置に、配線を接続する第１接続点（P1）が形成され、前記第１接続点（P1）と前記第１電極（51）の中央点（M1）とを結ぶ仮想線（L1）よりも外側に切り欠き（30a）が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成では、切り欠き（30a）を設けたことにより、仮想線（L1）よりも外側には電流が大きく拡がることができない。そのため、抵抗器（50）の第１電極（51）、第２電極（52）における電圧分布幅が縮小する。
【０００９】
また、第２の態様は、第１の態様において、
前記第２導電パターン（40）は、前記切り欠き（30a）側に向って延びる延長部（40b）を有していることを特徴とする。
【００１０】
この構成では、延長部（40b）によって、抵抗器（50）等で発生した熱を放熱させることが可能になる。
【００１１】
また、第３の態様は、第１又は第２の態様において、
前記第１導電パターン（30）には、複数の第１接続点（P1-1,2,3）が設けられ、
前記切り欠き（30a）は、前記中心線（CL）から最も遠い位置にある前記第１接続点（P1-1）について定義した前記仮想線（L1）よりも外側に形成されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成では、複数箇所に配線の接続点（P1-1,2,3）が設けられた電子回路装置において、抵抗器（50）における電圧分布幅が縮小する。
【００１３】
また、第４の態様は、第１から第３の態様の何れかにおいて、
第２導電パターン（40）には、前記中心線（CL）からずれた位置に、配線を接続する第２接続点（P2）が形成され、前記第２接続点（P2）と前記第２電極（52）の中央点（M2）とを結ぶ仮想線（L2）よりも外側に切り欠き（40a）が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
この構成では、第２導電パターン（40）においても、第１導電パターン（30）と同様に、切り欠き（40a）によって、仮想線（L2）よりも外側には電流が大きく拡がることができない。そのため、抵抗器（50）の第１電極（51）、第２電極（52）における電圧分布幅が更に縮小する。
【００１５】
また、第５の態様は、第４の態様において、
前記第１導電パターン（30）は、前記第２導電パターン（40）の切り欠き（40a）側に向って延びる延長部（30b）を有していることを特徴とする。
【００１６】
この構成では、第１導電パターン（30）における延長部（30b）によって、抵抗器（50）等で発生した熱を放熱させることが可能になる。
【発明の効果】
【００１７】
第１の態様によれば、電圧検出用の抵抗器を有した電子回路装置において、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。
【００１８】
また、第２の態様によれば、放熱性の向上を図ることが可能になる。
【００１９】
また、第３の態様によれば、複数箇所に配線の接続点が設けられた電子回路装置において、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。
【００２０】
また、第４の態様によれば、電圧検出用の抵抗器を有した電子回路装置において、より確実に、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。
【００２１】
また、第５の態様によれば、より確実に、放熱性の向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、実施形態１に係る電子回路装置を備えた電力変換器の構成例を示す。
【図２】図２は、電子回路装置の構成例を示す。
【図３】図３は、電子回路装置における抵抗器付近の拡大図である。
【図４】図４は、従来例における電流経路を模式的に示す。
【図５】図５は、実施形態１の電子回路装置における電圧分布曲線と従来例の電子回路装置における電圧分布曲線を示す。
【図６】図６は、実施形態１の電子回路装置における電流経路を模式的に示す。
【図７】図７は、切り欠きの大きさと検出電圧誤差との関係を示す。
【図８】図８は、検出電圧誤差のシミュレーションにおける切り欠き寸法の定義を示す。
【図９】図９は、実施形態２に係る電子回路装置の平面図である。
【図１０】図１０は、実施形態２の変形例に係る電子回路装置の平面図である。
【図１１】図１１は、実施形態３に係る電子回路装置の平面図である。
【図１２】図１２は、実施形態３の変形例に係る電子回路装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。
【００２４】
《発明の実施形態１》
図１は、本発明の実施形態１に係る電子回路装置（10）を備えた電力変換器（1）の構成例を示す。電力変換器（1）は、電子回路装置（10）の他に、コンバータ（2）、電解コンデンサ（3）、インバータ（4）、電流検出回路（5）、及びコントローラ（6）を備えている。また、電力変換器（1）は、モータ（M）に接続される。例えば、モータ（M）は、埋込磁石同期モータ（ＩＰＭ）により構成され、空気調和機の圧縮機（図示を省略）を駆動するために用いられる。
【００２５】
コンバータ（2）は、交流電源（図示を省略）からの入力交流電圧を整流する。電解コンデンサ（3）は、コンバータ（2）とインバータ（4）とを接続する第１および第２配線（W1,W2）の間に接続され、コンバータ（2）の出力を平滑化する。インバータ（4）は、電解コンデンサ（3）によって生成された直流電圧を出力交流電圧（この例では、三相交流電圧）に変換してモータ（M）に供給する。この例では、インバータ（4）は、６つのスイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）と、６つの還流ダイオード（Du,Dv,Dw,Dx,Dy,Dz）とを有している。スイッチング素子（Su,Sv,Sw）とスイッチング素子（Sx,Sy,Sz）との各接続点は、モータ（M）の各相のコイル（ｕ相，ｖ相，ｗ相のコイル）にそれぞれ接続されている。還流ダイオード（Du,Dv,Dw,Dx,Dy,Dz）は、それぞれ、スイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）に逆並列に接続されている。
【００２６】
電子回路装置（10）は、シャント抵抗となる抵抗器（50）を備えている。この電子回路装置（10）は、電力変換器（1）内の配線上（この例では、第１配線（W1））に設けられている。電子回路装置（10）の構成については、後に詳述する。
【００２７】
また、電流検出回路（5）は、抵抗器（50）の両電極間の電圧値と抵抗器（50）の抵抗値に基づいて抵抗器（50）を流れる電流の電流値を検出する。なお、抵抗器（50）を流れる電流の電流値は、モータ（M）に流れる電流の電流値に対応している。コントローラ（6）は、電流検出回路（5）によって検出された電流値（すなわち、モータ（M）に流れる電流の電流値）に基づいて、インバータ（4）のスイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）にゲート信号（G）を供給してスイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）のスイッチング動作を制御する。
【００２８】
〈電子回路装置の詳細〉
図２は、電子回路装置（10）の構成例を示す。図２は、電子回路装置（10）の平面図である。図２に示すように、電子回路装置（10）は、絶縁基板（20）、第１導電パターン（30）、第２導電パターン（40）、及び抵抗器（50）を備えている。また、図３は、電子回路装置（10）における抵抗器（50）付近の拡大図である。図３に示すように、抵抗器（50）には、第１引出配線（60）、及び第２引出配線（70）が設けられている。
【００２９】
−抵抗器−
抵抗器（50）は、第１電極（51）、第２電極（52）、及び抵抗体（53）を備えている。この例では、抵抗体（53）は、平面視が長方形の平板状であり、抵抗体（53）の長手方向の２つの辺（長辺）の一方に沿って第１電極（51）が形成され、他方の長辺に沿って第２電極（52）が形成されている。なお、この例では、第１電極（51）及び第２電極（52）は、抵抗体（53）の長辺の全長に亘って形成され、それらの電極（51,52）の平面視は、抵抗体（53）の長手方向が長辺となる長方形であるものとする。
【００３０】
−絶縁基板、導電パターン−
絶縁基板（20）は、平板状の絶縁材料（例えば、ガラスエポキシ樹脂）で構成されている。第１導電パターン（30）及び第２導電パターン（40）は、薄膜状に形成された導電材料（例えば、銅，銅合金，アルミニウム，アルミニウム合金など）で構成され、所定の間隔をおいて絶縁基板（20）の一方の面に設けられている。この例では、第１導電パターン（30）は、図１に示した第１配線（W1）のうち、抵抗器（50）とインバータ（4）との間の配線部に対応し、第２導電パターン（40）は、図１に示した第１配線（W1）のうちコンバータ（2）と抵抗器（50）との間の配線部に対応している。
【００３１】
この例では、第１及び第２導電パターン（30,40）は、図２に示すように、平面視で、長方形の１つの角を三角形状に切り欠いた形状である。また、第１導電パターン（30）と第２導電パターン（40）とは、互いに１つの辺（31,41）が平行になるように配置されている。これらの辺（31,41）の間隔（D0）は、抵抗体（53）の短手方向の長さよりも小さく設定されている。
【００３２】
図３に示すように、抵抗器（50）は、第１導電パターン（30）と第２導電パターン（40）とを跨ぐように取り付けられている。詳しくは、抵抗体（53）は、辺（31）の縁部（E1）に第１電極（51）がハンダなどによって接続され、辺（41）の縁部（E2）に第２電極（52）がハンダなどによって接続されている。なお、第１電極（51）の長辺は、辺（31）と概ね平行であり、第２電極（52）の長辺は、辺（41）と概ね平行である。
【００３３】
また、図２に示すように、第１導電パターン（30）には、配線を接続する第１接続点（P1）が形成され、第２導電パターン（40）にも、配線を接続する第２接続点（P2）が形成されている。この例では、第１接続点（P1）は、電子回路装置（10）の外部から電流が流れ込む箇所（電流発生箇所）であり、第２接続点（P2）は、抵抗器（50）からの電流が流れ込む箇所であって、電子回路装置（10）の外部に電流が流出する箇所でもある（図２参照）。
【００３４】
ここで、第１電極（51）の中央点（M1）と第２電極（52）の中央点（M2）とを結ぶ仮想線（以下、中心線（CL）と呼ぶ）を定義する。この第１電極（51）の中央点（M1）とは、第１電極（51）の長辺の中点であり、ここでの長辺は、第１電極（51）の２つの長辺の内、抵抗体（53）の外側寄りの辺である（図３を参照）。同様に、第２電極（52）の中央点（M2）とは、第２電極（52）の長辺の中点である。ここでも、第２電極（52）の２つの長辺の内、抵抗体（53）の外側寄りの辺に着目して中央点（M2）を規定している。
【００３５】
図２に示すように、この中心線（CL）を基準として第１接続点（P1）を見ると、第１接続点（P1）は、中心線（CL）よりも、第１導電パターン（30）の端部（図２では、中心線（CL）よりも下方の端部）に近い位置に設けられている。つまり、第１接続点（P1）は、中心線（CL）からずれた位置にある。同様に、第２接続点（P2）も中心線（CL）からずれた位置に設けられている。具体的には、第２接続点（P2）は、中心線（CL）よりも、第２導電パターン（40）の端部（図２では、中心線（CL）よりも上方の端部）に近い位置である。
【００３６】
そして、既述した通り、第１及び第２導電パターン（30,40）は、長方形の１つの角を切り欠いた形状である。具体的には、第１導電パターン（30）の切り欠き（30a）は、第１接続点（P1）と第１電極（51）の中央点（M1）とを結ぶ仮想線（L1）よりも外側に形成されている。ここでの「仮想線（L1）よりも外側」とは、中心線（CL）から第１接続点（P1）に向かう方向に、該仮想線（L1）よりも遠ざかる側である。これを図２で見ると、切り欠き（30a）は、仮想線（L1）の下方に設けられており、とりわけ、この電子回路装置（10）では、第１接続点（P1）と第１電極（51）とを最短で結ぶ仮想線（最短仮想線（L3））からやや外側には第１導電パターン（30）が存在しない。なお、第１導電パターン（30）では、仮想線（L1）よりも内側には、切り欠きを設けていない。
【００３７】
同様に、第２導電パターン（40）の切り欠き（40a）は、第２接続点（P2）と第２電極（52）の中央点（M2）とを結ぶ仮想線（L2）よりも外側に形成されている。この場合、「仮想線（L2）よりも外側」とは、中心線（CL）から第２接続点（P2）に向かう方向に、該仮想線（L2）よりも遠ざかる側である。これを図２で見ると、切り欠き（40a）は、仮想線（L2）の上方に設けられており、とりわけ、この電子回路装置（10）では、第２導電パターン（40）の切り欠き（40a）は、第２接続点（P2）と第２電極（52）とを最短で結ぶ仮想線（最短仮想線（L4））からやや外側には第２導電パターン（40）が存在しない。なお、第２導電パターン（40）では、仮想線（L2）よりも内側には、切り欠きを設けていない。
【００３８】
−切り欠きの作用−
図４は、導電パターンに切り欠きがない電子回路装置（以下、従来例と呼ぶ）における電流経路を模式的に示す。図４では、電流経路を破線で示してある。従来例では、電流発生箇所（P100）において発生した電流は、該電流発生箇所（P100）が設けられている導電パターン（300）上をシャント抵抗（500）に向って流れる。この時、図４に示すように、導電パターン（300）上には、複数の電流経路が形成されており、従来例では、これらの電流経路を流れた電流は、最終的にはシャント抵抗（500）の電極（501）に集まってくる。
【００３９】
これらの電流経路には、導電パターン（300）上を大きく拡がっているものがある。また、これらの電流経路の中には、シャント抵抗（500）の電極（501）の端点（A）と電流発生箇所（P100）とを直線で結ぶ最短の電流経路（最短経路）もあり、この最短経路はこれらの電流経路の中で抵抗値が最も小さい。そのため、従来例では、この最短経路において、電流値が最も大きくなる。つまり、従来例の電極（501）では、端点（A）から端点（B）の間の各点で流れ込む電流の大きさが異なるのである。一般的に、シャント抵抗（500）は、均一な抵抗値を持つ抵抗体（502）を有しているので、電極（501）の位置によって電流値が異なると、電極（501）において電圧分布を生ずることになる。つまり、シャント抵抗（500）では、電極（501）の位置よって検出される電圧が異なるのである。
【００４０】
図５に、従来例の抵抗器における、電極（501）上の位置と検出される電圧との関係（以下、電圧分布曲線と呼ぶ）を破線で示す。図５における位置（A）、位置（B）は、電極（501）の端点（A）、端点（B）にそれぞれ対応し、位置（M1,M2）は、電極（501）の中央点（M1）に対応している。図５に示すように、電極（501）では、両端（A,B）で検出される電圧が最も高く、中央点（M1,M2）（位置（A）と位置（B）の中点）で検出される電圧が最も低くなっている。なお、この例では、電圧分布曲線は左右対称である。
【００４１】
そして、図６は、本実施形態の電子回路装置（10）における電流経路を模式的に示す。図６でも、電流経路を破線で示してある。図６に示すように、第１及び第２導電パターン（30,40）上には、複数の電流経路が形成されている。また、図５に、抵抗器（50）における電圧分布曲線を実線で示す。抵抗器（50）の電圧分布曲線に関しても、図５における位置（A）、位置（B）は、第１電極（51）の端点（A）、端点（B）にそれぞれ対応し、位置（M1,M2）は、第１電極（51）の中央点（M1）（或いは中央点（M2））に対応している。抵抗器（50）でも、両端（A,B）で検出される電圧が最も高く、中央点（M1,M2）で検出される電圧が最も低くなっている。また、抵抗器（50）でも、電圧分布曲線は左右対称となっている。
【００４２】
本実施形態の第１導電パターン（30）では、仮想線（L1）よりも外側に切り欠き（30a）が形成されているので、図６に示すように、仮想線（L1）よりも外側には電流が大きく拡がることができない。そのため、本実施形態では、第１電極（51）の端点（A）に流れ込む電流の経路は、従来例と比べて短くなる。すなわち、本実施形態では、第１接続点（P1）から第１電極（51）の端点（A）へ向かう電流経路の抵抗値が減少し、その結果、端点（A）における検出電圧が下がることになる。
【００４３】
また、従来、仮想線（L1）よりも外側に広がってから端点（A）に流れ込んでいた電流は、端点（B）寄りの、第１電極（51）上の点に流れ込むようになる。それにより、本実施形態では、電流検出位置(一般的には電極の中央)の検出電圧が上がることになる。すなわち、抵抗器（50）の電極（51,52）における電圧分布幅（検出電圧誤差（ΔV））が縮小するのである（図５の実線を参照）。なお、検出電圧誤差（ΔV）は、抵抗器（50）の電極（51,52）における電圧分布幅であり、より具体的には電圧分布の最大電圧と最小電圧との差である。そして、第２導電パターン（40）でも同様に、端点（A）から拡がってから第２接続点（P2）に流れ込む電流が減少し、この点からも、抵抗器（50）における電圧分布幅（検出電圧誤差（ΔV））が縮小する。
【００４４】
−切り欠きの大きさ−
図７は、切り欠きの大きさと検出電圧誤差（ΔV）との関係を示す。図７には、複数種類の切り欠き割合について検出電圧誤差（ΔV）をシミュレーションで求めて、切り欠きが無い場合の検出電圧誤差（ΔV）に対する比を改善率（％）としてプロットしてある。ここで、切り欠き割合（％）とは、図８に示すように、第１導電パターン（30）では、第１導電パターン（30）の端部から抵抗器（50）の端部までの距離（X）と、第１導電パターン（30）の端部から、辺（31）上における切り欠き（30a）の起点までの距離（Y）との比（Ｙ／Ｘ）である。なお、この例では、Ｘ＝２０．１ｍｍ（固定値）である。勿論、この値は例示である。また、このシミュレーションでは、辺（32）上における切り欠き（30a）の起点は、固定値である。この固定値としては、例えば、第１接続点（P1）や第２接続点（P2）の位置を考慮した上で可能な最大値とすることが考えられ、この例では、２０ｍｍとした。勿論、この値は例示である。なお、第２導電パターン（40）における切り欠き割合（％）の定義も第１導電パターン（30）における定義と同様である（図８を参照）。
【００４５】
そして、シミュレーションにおいて切り欠き割合（％）を変える場合には、距離（Y）を変更している。すなわち、Ｙ＝０の場合が切り欠き割合＝０％であって、切り欠きが無い導電パターンに相当する。また、Ｙ＝Ｘの場合が切り欠き割合＝１００％である。図２の例（本実施形態）は、切り欠き割合＝１００％の形状に相当し、図４の例は、切り欠き割合＝０％（すなわち従来例）に相当する。
【００４６】
図７に示したシミュレーション結果は、第１導電パターン（30）の切り欠き（30a）と、第２導電パターン（40）の切り欠き（40a）の双方を同じ切り欠き割合で形成した例であり、切り欠き割合＝８０％以上となると改善効果が現れている。
【００４７】
〈本実施形態における効果〉
以上のように、本実施形態によれば、電圧検出用の抵抗器（シャント抵抗）を有した電子回路装置において、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。
【００４８】
《発明の実施形態２》
図９は、実施形態２に係る電子回路装置（10）の平面図である。この例は、実施形態１の第１導電パターン（30）及び第２導電パターン（40）のそれぞれの形状を変更したものである。具体的に、本実施形態では、第１導電パターン（30）は、第２導電パターン（40）の切り欠き（40a）側に向って延びる延長部（30b）を有し、第２導電パターン（40）は、第１導電パターン（30）の切り欠き（30a）側に向って延びる延長部（40b）を有している。この例では、それぞれの延長部（30b,40b）は、対向している切り欠き（30a,40a）の形状に合わせて三角形状である。なお、図９では、延長部（30b）及び延長部（40b）にハッチングを付してある。この延長部（30b）や延長部（40b）では、抵抗器（50）等で発生した熱を放熱させることが可能になる。つまり、本実施形態では、第１及び第２導電パターン（30,40）の面積が実施形態１に比べて増えたことによって、放熱効果を高めることが可能になる。
【００４９】
一方、延長部（30b）や延長部（40b）を設けても検出電圧誤差（ΔV）の増大には繋がらない。この例では、延長部（30b）は、第１電極（51）の端点（B）よりも外側に位置しており、第１接続点（P1）から第１電極（51）に向かう電流の電流経路がこの部分に形成されることはない。そのため、延長部（30b）を設けても、検出電圧誤差（ΔV）が実施形態１と比べて増大することは無い。なお、「第１電極（51）の端点（B）よりも外側」とは、中心線（CL）から第１電極（51）の端点（B）に向かう方向に、該端点（B）よりも遠ざかる側をいう。
【００５０】
同様に、延長部（40b）は、第２電極（52）の端点（B）よりも外側に位置しており、第２電極（52）から第２接続点（P2）に向かう電流の電流経路が形成されることはない。そのため、この点においても、延長部（40b）を設けても、検出電圧誤差（ΔV）が実施形態１と比べて増大することは無い。なお、「第２電極（52）の端点（B）よりも外側」とは、中心線（CL）から第２電極（52）の端点（B）に向かう方向に、該端点（B）よりも遠ざかる側をいう。
【００５１】
なお、各延長部（30b,40b）の形状は例示であり、三角形状である必要はない。また、第１及び第２導電パターン（30,40）の一方にのみ延長部を設けるようにしてもよい。
【００５２】
《実施形態２の変形例》
図１０は、実施形態２の変形例に係る電子回路装置（10）の平面図である。この例は、実施形態２の電子回路装置（10）における第１導電パターン（30）に変更を加えたものである。具体的に、本変形例の第１導電パターン（30）には、複数個（この例では３個）の第１接続点（P1）が設けられている。これは、インバータ（4）が３相交流を出力する場合において、各相の電流値を１つの抵抗器（50）で検出する場合に採用される構成の１つである。なお、図１０では、各第１接続点（P1）を識別するため、参照符合の末尾に枝番を付してある（例えばP1-1,P1-2等）。
【００５３】
このように複数個の第１接続点（P1）が存在する場合には、第１導電パターン（30）の切り欠き（30a）は、中心線（CL）から最も遠い位置にある第１接続点（P1）について定義した仮想線（L1）よりも外側に形成するとよい。図１０の例では、中心線（CL）から最も遠い位置にあるのは第１接続点（P1-1）であり、切り欠き（30a）は、第１接続点（P1-1）について定義した仮想線（L1）よりも外側（図１０の例では仮想線（L1）よりも下側）に形成されている。これにより、第１電極（51）における電位分布をより小さくすることが可能になる。したがって、本変形例でも前記実施形態と同様の効果を得ることが可能になる。
【００５４】
《発明の実施形態３》
図１１は、本発明の実施形態３に係る電子回路装置（10）の平面図である。この例も、第１及び第２導電パターン（30,40）の放熱性を向上させたものである。具体的に、本実施形態では、図１１に示すように、第１導電パターン（30）は、辺（31）に連なる辺（32）を起点として、辺（31）には至らない深さで、且つ仮想線（L1）に平行な切り込みによって、切り欠き（30a）を形成してある。この切り欠き（30a）も、他の実施形態と同様に、中心線（CL）から第１接続点（P1）に向かう方向に、該仮想線（L1）よりも遠ざかる側（外側）に位置している。また、この例では、切り欠き（30a）の幅を調整することによって、切り欠き（30a）よりも外側に、第１導電パターン（30）の一部を残してある（以下、残存部分（30c）と呼ぶ）。これを図１１で見ると、切り欠き（30a）は、仮想線（L1）の下方である。また、この例では、三角形状の残存部分（30c）がある。
【００５５】
同様に、第２導電パターン（40）にも、辺（41）に連なる辺（42）を起点として、辺（41）には至らない深さで、且つ仮想線（L2）に平行な切り込みによって、切り欠き（40a）を形成してある。この切り欠き（40a）も、中心線（CL）から第２接続点（P2）に向かう方向に、仮想線（L2）よりも遠ざかる側（外側）に形成してある。また、第２導電パターン（40）でも、切り欠き（40a）の幅を調整することによって、切り欠き（40a）よりも外側に、第２導電パターン（40）の一部を残してある（以下、残存部分（40c）と呼ぶ）。これを図１１で見ると、切り欠き（40a）は、仮想線（L2）の上方である。また、この例では、三角形状の残存部分（40c）がある。
【００５６】
以上のように、本実施形態では、残存部分（30c）や残存部分（40c）を設けたことによって、実施形態１に比べ、第１及び第２導電パターン（30,40）の放熱面積を増やすことが可能になる。また、第１導電パターン（30）では、仮想線（L1）の外側（図１１では、仮想線（L1）よりも下側）に回り込む電流が非常に少なく、且つ第２導電パターン（40）でも、仮想線（L2）の外側（図１１では、仮想線（L2）よりも上側）に回り込む電流が非常に少ない。したがって、本実施形態でも、抵抗器の放熱性の向上を図りつつ、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。
【００５７】
《実施形態３の変形例》
図１２は、実施形態３の変形例に係る電子回路装置（10）の平面図である。この例は、切り欠き（30a,40a）の形状が実施形態３とは異なっている。具体的にこの例では、第１導電パターン（30）は、辺（31）に連なる辺（32）から、辺（31）には至らない深さで、三角形状の切り欠き（30a）を形成している。その結果、この例では、第１導電パターン（30）の残存部分（30c）は略長方形である。また、第２導電パターン（40）にも同様に、三角形状の切り欠き（40a）を形成してあり、第２導電パターン（40）の残存部分（40c）も略長方形である。
【００５８】
本変形例でも、実施形態１に比べ、放熱面積を増やすことが可能になる。また、この例でも、第１導電パターン（30）では、仮想線（L1）の外側（図１２では、仮想線（L1）よりも下側）に回り込む電流が非常に少なく、且つ第２導電パターン（40）でも、仮想線（L2）の外側（図１２では、仮想線（L2）よりも上側）に回り込む電流が非常に少ない。したがって、本変形例でも、抵抗器の放熱性の向上を図りつつ、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。
【００５９】
なお、実施形態３や実施形態３の変形例では、残存部分（30c）及び残存部分（40c）の何れか一方のみを設ける構成でも放熱効果の向上は可能である。また、残存部分（30c,40c）の形状は、例示であり、図１１や図１２に示した形状には限定されない。
【００６０】
《その他の実施形態》
なお、切り欠きは、２つの導電パターン（30,40）のうちの何れか一方にのみ形成しても電圧検出精度の向上は可能である。
【００６１】
また、切り欠きの形状は例示であり、前記実施形態や変形例で示した形状には限定されない。例えば、図２の例では、最短仮想線（L3）の外側に幾分かの第１導電パターン（30）が存在するが、最短仮想線（L3）の内側（図２では、最短仮想線（L3）よりも上方）に第１導電パターン（30）の切り欠き（30a）が入り込むように構成することも可能である。同様に、第２導電パターン（40）の切り欠き（40a）についても、最短仮想線（L4）の内側（図２では、最短仮想線（L4）よりも下方）に入り込む構成が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、電圧検出用の抵抗器を有した電子回路装置として有用である。
【符号の説明】
【００６３】
１０      電子回路装置
２０      絶縁基板
３０      第１導電パターン
３０ｂ    延長部
４０      第２導電パターン
４０ｂ    延長部
５０      抵抗器
５１      第１電極
５２      第２電極
Ｌ１      仮想線
Ｌ２      仮想線
Ｍ１      中央点
Ｍ２      中央点
Ｐ１      第１接続点
Ｐ２      第２接続点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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