(57)【要約】      （修正有）【課題】迷光の発生を抑制しつつ高精度に位置決めされるＭＥＭＳミラーデバイスを提供する。【解決手段】ＭＥＭＳミラーデバイス１は、ＭＥＭＳ素子２と、透光性の封止枠体３と、キャビティダイ４とを備える。ＭＥＭＳ素子２は、揺動可能な反射鏡２１を有し、キャビティダイ４は、通気構造４ｃを含む板形状の基台部材であり、その前面４ａにＭＥＭＳ素子２が設けられている。キャビティダイ４は、第１キャビティダイ４１と第２キャビティダイ４２とを含んで構成され、第１キャビティダイ４１の前面４１ａの表面粗さは第２キャビティダイ４２の背面４２ｂの表面粗さよりも大きい。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
揺動可能な反射鏡を有するＭＥＭＳ素子と、前記ＭＥＭＳ素子が一方の主面に設けられた基台部材と、を備え、
前記基台部材の前記一方の主面の表面粗さは他方の主面の表面粗さよりも大きいＭＥＭＳミラーデバイス。
【請求項２】
前記一方の主面が入射光を散乱する散乱面を有する請求項１に記載のＭＥＭＳミラーデバイス。
【請求項３】
前記ＭＥＭＳ素子の前記反射鏡の光反射面を含む主面に設けられた透光部材をさらに備え、
前記反射鏡を収納した内部空間を有し、
前記内部空間は少なくとも前記透光部材及び前記基台部材に囲まれており、
前記基台部材は通気構造を含む請求項１又は請求項２に記載のＭＥＭＳミラーデバイス。
【請求項４】
前記内部空間はさらに前記ＭＥＭＳ素子にも囲まれている請求項３に記載のＭＥＭＳミラーデバイス。
【請求項５】
前記通気構造は前記基台部材の両主面間を貫通する貫通孔を有する請求項３又は請求項４に記載のＭＥＭＳミラーデバイス。
【請求項６】
前記基台部材は、第１基台部材と、該第１基台部材の主面上に設けられる第２基台部材と、を有する請求項１〜請求項５のいずれかに記載のＭＥＭＳミラーデバイス。
【請求項７】
前記第１基台部材に含まれる通気構造が有する隙間は前記第２基台部材に含まれる通気構造が有する隙間よりも大きい請求項６に記載のＭＥＭＳミラーデバイス。
【請求項８】
前記第１基台部材に含まれる通気構造が有する隙間の間隔は前記第２基台部材に含まれる通気構造が有する隙間の間隔と異なる請求項６又は請求項７に記載のＭＥＭＳミラーデバイス。
【請求項９】
前記第１基台部材は紐状の繊維を編んで構成されている請求項６〜請求項８のいずれかに記載のＭＥＭＳミラーデバイス。
【請求項１０】
光源から出射される光を反射鏡にて反射する請求項１〜請求項９のいずれかに記載のＭＥＭＳミラーデバイスを備える光学ユニット。
【請求項１１】
光源と、該光源から出射される光を投射面に投射する請求項１０に記載の光学ユニットと、を備える光投射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳミラーデバイス、光学ユニット、光投射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光投射によって投射面に映像を形成する光投射装置は、光源から光学ユニットを介して出射される光をＭＥＭＳミラーデバイスで反射することにより、投射面に投射光を投射する。この際、ＭＥＭＳミラーデバイスは光反射面を有するミラー部を揺動駆動することにより投射光を投射面上で走査する。この走査により、投射面に映像が形成される。このようなＭＥＭＳミラーデバイスの光走査機構は極めて微小であり、そのわずかな揺動駆動によって投射光が走査されるため、ＭＥＭＳミラーデバイスは高精度に位置決めして基台に設けることが求められる。従って、基台の配置面は平滑であることが要求される。
【０００３】
一方、ＭＥＭＳミラーデバイスのミラー部は、共振周波数で高速駆動を行うためにその質量を極小にしており、その外形も必要以上に大きくはできない。そのため、たとえば、光源にレーザダイオードを用いた場合、ＭＥＭＳミラーデバイスに入射する光の一部はミラー部の外形を越えてミラー部の背後にある基台の平滑な配置面で反射して迷光が発生してしまう。このような迷光は投射面上の映像に悪影響を与える。迷光の発生を抑制するためには、たとえばＭＥＭＳミラーデバイスが配置される面の平滑度を低下させることなどによって配置面での光反射を低減する必要がある。
【０００４】
なお、本発明に関連する従来技術の一例として、特許文献１では、ＭＥＭＳ素子のミラー部以外に微細な凹凸構造を形成したＭＥＭＳミラーデバイスを開示している。このＭＥＭＳミラーデバイスでは、微細な凹凸構造によりＭＥＭＳ素子の光反射面以外の表面での光反射を低減して迷光の発生を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２２５０７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＭＥＭＳミラーデバイスが配置される面の平滑度を低下させると、ＭＥＭＳミラーデバイスの位置決め精度も低下してしまう。従って、迷光の発生の抑制と、ＭＥＭＳミラーデバイスの高精度な位置決めとの両方を満足させることは難しくなっている。このような問題に対して、特許文献１は、ＭＥＭＳミラーデバイスが配置される面での光反射に起因する迷光の発生を抑制することについて何ら言及していない。
【０００７】
本発明は、迷光の発生を抑制しつつ高精度に位置決めして設けることができるＭＥＭＳミラーデバイス、光学ユニット、及び光投射装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一の態様によるＭＥＭＳミラーデバイスは、揺動可能な反射鏡を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子が一方の主面に設けられた基台部材と、を備え、基台部材の一方の主面の表面粗さは他方の主面の表面粗さよりも大きい構成とされる。
【０００９】
この構成によれば、基台部材の一方の主面は表面粗さのより大きい粗面となる。そのため、基台部材の一方の主面での迷光の発生をより効果的に抑制することができる。また、基台部材の他方の主面は表面粗さのより小さい平滑面となるので、ＭＥＭＳミラーデバイスのダイボンディングの際、位置精度の低下を抑制することができ、高精度を確保することができる。従って、迷光の発生を抑制しつつＭＥＭＳミラーデバイスを高精度に位置決めして設けることができる。
【００１０】
また、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイスは、一方の主面が入射光を散乱する散乱面を有する構成とされてもよい。
【００１１】
この構成によれば、基台部材の一方の主面に入射する光を散乱面で散乱できる。そのため、該一方の主面における迷光の発生をより効果的に抑制することができる。
【００１２】
また、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイスは、ＭＥＭＳ素子の反射鏡の光反射面を含む主面に設けられた透光部材をさらに備え、反射鏡を収納した内部空間を有し、内部空間は少なくとも透光部材及び基台部材に囲まれており、基台部材は通気構造を含む構成とされてもよい。また、内部空間はさらにＭＥＭＳ素子にも囲まれていてもよい。
【００１３】
この構成によれば、基台部材が通気構造を含むので、ＭＥＭＳ素子の反射鏡を収納した内部空間は通気構造を介して外部と通気（特に湿気を通過）できる。また、通気構造の隙間の大きさ（たとえば貫通孔の口径）を塵埃の大きさ未満とすれば、内部空間への塵埃の通過を通気構造により遮断することができる。すなわち、内部空間に対して通気構造の隙間よりも大きな塵埃を通過させることなく、内部空間を外部に通気することができる。従って、内部空間の内外での湿度差を減少又は無くして、内部空間内での結露の発生を防止することができる。
【００１４】
また、基台部材のＭＥＭＳ素子が設けられた一方の主面の表面粗さは通気構造が有する隙間（たとえば貫通孔）によって、基台部材が通気構造を含まない場合と比較して粗くなる。従って、外部から透光部材を介して内部空間内に入射する光が基台部材の一方の主面に入射しても、その反射光は通気構造により散乱され易くなる。よって、基台部材の一方の主面での迷光の発生を抑制することもできる。
【００１５】
さらに、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイスは、通気構造は基台部材の両主面間を貫通する貫通孔を有する構成とされてもよい。
【００１６】
この構成によれば、基台部材に貫通孔を形成することによって、容易に通気構造を実現することができる。
【００１７】
また、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイスは、基台部材は、第１基台部材と、該第１基台部材の主面上に設けられる第２基台部材と、を有する構成とされてもよい。
【００１８】
この構成によれば、異なる構成の第１基台部材及び第２基台部材を用いて基台部材を形成することができる。従って、たとえば、第１基台部材の主面の表面粗さと第２基台部材の主面の表面粗さとを異ならせたり、第１基台部材及び第２基台部材に異なる通気構造を採用したりすることができる。よって、第１基台部材及び第２基台部材に採用する製造方法、材料の自由度を確保することができる。
【００１９】
さらに、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイスは、第１基台部材に含まれる通気構造が有する隙間は第２基台部材に含まれる通気構造が有する隙間よりも大きい構成とされてもよい。
【００２０】
この構成によれば、内部空間に面する第１基台部材において通気性（特に湿気の出入り）を向上させることができる。一方、内部空間への塵埃の通過は第２基台部材における通気構造の隙間の大きさを塵埃の大きさ未満にすれば遮断できる。従って、基台部材自身は、塵埃の遮断性を維持しつつ、内部空間とその外部空間との間での湿気差を減少又は無くしてより効果的に調整することができる。
【００２１】
また、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイスは、第１基台部材に含まれる通気構造が有する隙間の間隔は第２基台部材に含まれる通気構造が有する隙間の間隔と異なる構成とされてもよい。
【００２２】
この構成によれば、第１基台部材及び第２基台部材に採用される製造方法（特に主面の表面粗さの調整方法）及び材料の自由度をより高めることができる。
【００２３】
また、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイスは、第１基台部材は紐状の繊維を編んで構成されている構成とされてもよい。
【００２４】
この構成によれば、内部空間に面する主面の表面粗さが大きく且つ通気性の良好な第１基台部材をより容易に設けることができる。
【００２５】
また、上記目的を達成するために、本発明の一の態様による光学ユニットは、光源から出射される光を反射鏡にて反射する上記ＭＥＭＳミラーデバイスを備える構成とされる。
【００２６】
また、上記目的を達成するために、本発明の一の態様による光投射装置は、光源と、該光源から出射される光を投射面に投射する上記光学ユニットと、を備える構成とされる。
【００２７】
これらの構成によれば、ＭＥＭＳミラーデバイスにおいて反射鏡の背後における迷光の発生をより効果的に抑制することができる。また、ＭＥＭＳミラーデバイスのダイボンディングの際、位置精度の低下を抑制することができ、高精度を確保することもできる。従って、迷光の発生を抑制しつつＭＥＭＳミラーデバイスを高精度に位置決めして設けることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、迷光の発生を抑制しつつ高精度に位置決めして設けることができるＭＥＭＳミラーデバイス、光学ユニット、及び光投射装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】ＨＵＤ装置の概略図である。
【図２】プロジェクタユニットの構成例を示すブロック図である。
【図３Ａ】ＭＥＭＳミラーデバイスの上面図である。
【図３Ｂ】ＭＥＭＳミラーデバイスのＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】キャビティダイの表面での光反射の一例を示す概念図である。
【図５】ＭＥＭＳミラーデバイスの斜視図である。
【図６】静電櫛歯駆動方式のＭＥＭＳ素子における塵埃の結露に起因する短絡例を示す概念図である。
【図７】キャビティダイの通気構造の機能を説明するための概念図である。
【図８】第１実施形態の変形例に係るＭＥＭＳミラーデバイスの一例を示す断面図である。
【図９】第２実施形態に係る第１キャビティダイの局所上面図である。
【図１０】第３実施形態に係る第１キャビティダイの局所上面図である。
【図１１】第３実施形態に係る第２キャビティダイの局所上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照し、車両用のヘッドアップディスプレイ装置１００を例に挙げて説明する。なお、以下では、ヘッドアップディスプレイ装置１００をＨＵＤ（Head-Up Display）装置１００と呼ぶ。
【００３１】
＜第１実施形態＞
図１は、ＨＵＤ装置１００の概略図である。本実施形態のＨＵＤ装置１００は、車両２００に搭載されている。ＨＵＤ装置１００は、プロジェクタユニット１０１（光投射装置）から投射光３００を車両２００のフロントガラス２０１に向けて投射して走査し、その投射映像をユーザの視野内に重ねて表示する表示装置である。なお、図１において、一点鎖線の矢印４００は車両２００の運転席に座っているユーザの視線を示している。また、ＨＵＤ装置１００は、車両２００に限らず、他の乗り物（例えば航空機等）に搭載されてもよい。
【００３２】
図１に示すように、フロントガラス２０１の内面にはコンバイナ１０２が貼り付けられている。このコンバイナ１０２は、プロジェクタユニット１０１の投射映像をユーザの視野内に表示するための被投射部材であり、たとえばハーフミラーなどの半透過性の反射材料を用いて形成されている。プロジェクタユニット１０１からコンバイナ１０２に投射光３００が投射されて走査されることによって、コンバイナ１０２の投射面１０２ａに虚像が形成される。このために、車両２００の前方（すなわち視線４００の方向）を見ているユーザは、車両２００の前方の外界像と、プロジェクタユニット１０１から投射される投射映像とを同時に視認することができる。
【００３３】
次に、プロジェクタユニット１０１について説明する。図２は、プロジェクタユニット１０１の構成例を示すブロック図である。図２に示すように、第１実施形態において、プロジェクタユニット１０１は、ハウジング５１と、光学ユニット１０と、を備えている。
【００３４】
ハウジング５１は光学ユニット１０を搭載している。また、ハウジング５１には、光学ユニット１０から出射される光３００を外部に出射するための窓部５１ａ（光透過窓）が形成されている。窓部５１ａは、たとえば、ガラス又は透光性の樹脂材料などを用いて形成されている。
【００３５】
光学ユニット１０は、レーザダイオード１１ａ〜１１ｃと、コリメータレンズ１２ａ〜１２ｃと、ビームスプリッタ１３ａ〜１３ｃと、集光レンズ１４と、ＭＥＭＳミラーデバイス１と、を含んで構成される。なお、以下では、レーザダイオード１１ａ〜１１ｃをそれぞれＬＤ（Laser Diode）１１ａ〜１１ｃと呼ぶ。また、光学ユニット１０は、実際には、垂直走査用のＭＥＭＳミラーデバイスと、水平走査用のＭＥＭＳミラーデバイスとを有しているが、図２では、それらを１つにまとめて図示している。
【００３６】
ＬＤ１１ａは赤色レーザ光を出射する発光素子である。ＬＤ１１ｂは緑色レーザ光を出射する発光素子である。ＬＤ１１ｃは青色レーザ光を出射する発光素子である。コリメータレンズ１２ａ〜１２ｃは、各ＬＤ１１ａ〜１１ｃから出射されるレーザ光を平行光に変換する光学部材である。また、ビームスプリッタ１３ａ〜１３ｃは、たとえばダイクロイックミラーなどの光学部材であり、特定の波長の光を反射し、他の波長の光を透過する。集光レンズ１４は、ビームスプリッタ１３ａ〜１３ｃを経て入射する各レーザ光を収束する光学部材である。
【００３７】
ＬＤ１１ａから出射される赤色レーザ光は、コリメータレンズ１２ａにより平行光に変換されてビームスプリッタ１３ａで反射され、ビームスプリッタ１３ｃを透過して集光レンズ１４に至る。ＬＤ１１ｂから出射される緑色レーザ光は、コリメータレンズ１２ｂにより平行光に変換されてビームスプリッタ１３ｂで反射され、ビームスプリッタ１３ａ及び１３ｃを透過して集光レンズ１４に至る。ＬＤ１１ｃから出射される青色レーザ光はコリメータレンズ１２ｃにより平行光に変換されてビームスプリッタ１３ｃで反射され、集光レンズ１４に至る。これらのレーザ光は集光レンズ１４によりＭＥＭＳミラーデバイス１の後述するミラー部２１の光反射面２１１に収束される。ＭＥＭＳミラーデバイス１は、集光レンズ１４から入射する光を反射して、その反射光を投射面１０２ａに投射する。この際、ＭＥＭＳミラーデバイス１は、投射光３００及びその光軸を駆動して投射面１０２ａ上を走査させる。なお、ＭＥＭＳミラーデバイス１の更なる構成は後に詳述する。
【００３８】
次に、プロジェクタユニット１０１はさらに、本体筐体５０と、ＭＥＭＳミラードライバ５２と、ＬＤドライバ５３と、電源５４と、電源制御部５５と、操作部５６と、入出力Ｉ／Ｆ５７と、記憶部５８と、ＣＰＵ５９と、を備えている。
【００３９】
本体筐体５０はハウジング５１、ＭＥＭＳミラードライバ５２、ＬＤドライバ５３、電源５４、電源制御部５５、操作部５６、入出力Ｉ／Ｆ５７、記憶部５８、及びＣＰＵ５９を搭載している。また、本体筐体５０には、光出射口５０ａが形成されている。ハウジング５１の窓部５１ａを通過した投射光３００はさらに光出射口５０ａを通ってコンバイナ１０２に出射される。なお、この光出射口５０ａは開口であってもよいが、たとえばガラス又は透光性の樹脂材料などを用いて形成されることが望ましい。こうすれば、本体筐体５０の内部への塵埃及び水分（たとえば水滴、水気を含む空気）などの侵入を防止することができる。
【００４０】
ＭＥＭＳミラードライバ５２は、ＣＰＵ５９から入力される制御信号に基づいて、ＭＥＭＳミラーデバイス１のミラー部２１の揺動駆動を制御する駆動制御部である。たとえば、ＭＥＭＳミラードライバ５２は、ＣＰＵ５９からの水平同期信号に応じてミラー部２１を揺動駆動し、ミラー部２１により投射光３００の反射方向を水平方向に偏向させる。また、ＭＥＭＳミラードライバ５２は、ＣＰＵ５９からの垂直同期信号に応じてミラー部２１を揺動駆動し、ミラー部２１により投射光３００の反射方向を垂直方向に偏向させる。
【００４１】
ＬＤドライバ５３は、各ＬＤ１１ａ〜１１ｃの発光及び光出力などの駆動制御を行うＬＤ駆動部である。電源５４は、たとえば車両２００の蓄電池（不図示）などの電力源から電力の供給を受ける電力供給部である。電源制御部５５は、電源５４から供給される電力をプロジェクタユニット１０１の各構成部に応じた所定の電圧値及び電流値に変換し、変換された電力を各構成部に供給する。操作部５６は、ユーザの操作入力を受け付ける入力ユニットである。入出力Ｉ／Ｆ５７は外部装置と有線通信又は無線通信するための通信インターフェースである。
【００４２】
記憶部５８は、不揮発性の記憶媒体であり、たとえば、プロジェクタユニット１０１の各構成部により用いられるプログラム及び制御情報を格納している。また、記憶部５８は、投射面１０２ａに投射する映像情報なども格納している。
【００４３】
ＣＰＵ５９は、記憶部５８に格納されたプログラム及び制御情報などを用いて、プロジェクタユニット１０１の各構成部を制御する制御部である。ＣＰＵ５９は、図２に示すように、映像処理部５９１と、光出力制御部５９２と、を有している。
【００４４】
映像処理部５９１は、記憶部５８に格納されたプログラム、入出力Ｉ／Ｆ５７から入力される情報、及び記憶部５８に格納された情報などに基づく映像情報を生成する。さらに、映像処理部５９１は、生成した映像情報を赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の映像データに変換する。変換された３色の映像データは光出力制御部５９２に出力される。
【００４５】
光出力制御部５９２は、３色の映像データに基づく各ＬＤの光制御信号を生成し、ＬＤドライバ５３に出力する。各光制御信号に基づいて各ＬＤ１１ａ〜１１ｃから出射されるレーザ光がＭＥＭＳミラーデバイス１によって２次元的に走査されることにより、映像データに基づく映像が投射面１０２ａに投射される。
【００４６】
次に、ＭＥＭＳミラーデバイス１について説明する。なお、水平走査用のＭＥＭＳミラーデバイスの構成は垂直走査用のＭＥＭＳミラーデバイスの構成と同様である。そのため、以下では、両者を区別することなく、ＭＥＭＳミラーデバイス１としてその構成を説明する。
【００４７】
図３Ａ及び図３Ｂは、第１実施形態に係るＭＥＭＳミラーデバイス１の一例を示す構成図である。図３Ａは、ＭＥＭＳミラーデバイス１の上面図である。図３Ｂは、ＭＥＭＳミラーデバイス１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図３Ａの左下図は、該図３Ａの上図にて丸い太枠で囲った部分の局所拡大図である。図３Ａの右下図は、該図３Ａの左下図にて丸い太枠で囲った部分の局所拡大図である。また、Ｘ方向及びＹ方向は後述する基体６の平滑面６ａと平行な方向であり、Ｚ方向は平滑面６ａの法線方向と平行な方向である。Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向はそれぞれ直交している。これらは図３Ａ及び図３Ｂのみならず、他の図でも同様である。
【００４８】
ＭＥＭＳミラーデバイス１は、たとえばＭＥＭＳミラーデバイス１の裏面１ｂの４隅に設けられた半田７を用いて、基体６の平滑面６ａに固定されている。そのため、ＭＥＭＳミラーデバイス１の裏面１ｂと基体６の平滑面６ａとの間の空間は外部の空間と連通している。
【００４９】
このＭＥＭＳミラーデバイス１は、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、ＭＥＭＳ素子２と、透光性の封止枠体３と、キャビティダイ４と、を備えている。また、ＭＥＭＳミラーデバイス１はこれらに囲まれた内部空間１ａを有している。この内部空間１ａは後述するようにＭＥＭＳ素子２の主要な構成要素（たとえばミラー部２１）を収納している。
【００５０】
ＭＥＭＳ素子２は、静電櫛歯駆動方式のアクチュエータ機構によってミラー部２１を駆動する反射部材である。ＭＥＭＳ素子２において、ミラー部２１は一対のトーションバー２２により支持基台部２３に対して揺動可能に支持される。ＭＥＭＳ素子２は、たとえばＳｉなどの半導体材料を用いてエッチングなどの手法により一体に形成されている。
【００５１】
ミラー部２１は、揺動可能な板状の反射鏡であり、支持基台部２３よりも非常に薄く形成されている。この形状によって、ミラー部２１を揺動させるための空間がその背面２１ｂ側に確保されている。なお、この空間は上述の内部空間１ａの一部である。封止枠体３に対向するミラー部２１の主面２１ａには、光反射面２１１が形成されている。光反射面２１１は、ミラー部２１に形成される鏡面であり、たとえばＡｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）など光反射率が高い金属材料を用いた薄膜である。
【００５２】
ミラー部２１の光反射面２１１は、集光レンズ１４により収束されるレーザ光を投射光３００として反射する。この投射光３００は、ハウジング５１の窓部５１ａ及び後述する光出射口５０ａを通過してプロジェクタユニット１０１の外部に出射され、コンバイナ１０２上の投射面１０２ａに投射される。また、後述するアクチュエータ機構によって、ミラー部２１は揺動駆動され、光反射面２１１の反射方向も変化する。この変化によって、投射光３００及びその光軸が変化して、投射光３００が投射面１０２ａ上で走査される。
【００５３】
トーションバー２２はミラー部２１と支持基台部２３とを連結する梁状の連結部材である。各トーションバー２２の一端はそれぞれミラー部２１の左右端の中央部に連結され、他端は支持基台部２３に連結されている。各トーションバー２２が捻り回転運動をすることによって、ミラー部２１は揺動する。
【００５４】
Ｚ方向から見た平面視において、各トーションバー２２の長手方向の両端部には、所定の間隔を有して並ぶ複数の第１櫛歯部２２１が突設されている。また、該平面視における支持基台部２３において、各トーションバー２２の長手方向の両端部に対向する各端部には、所定の間隔を有して並ぶ複数の第２櫛歯部２３１が突設されている。第１櫛歯部２２１及び第２櫛歯部２３１は、互いに接触することなく、トーションバー２２の長手方向において一定の間隔を有して交互に対向配置されている。また、第１櫛歯部２２１及び第２櫛歯部２３１には、Ａｌ（アルミニウム）などの導電材料を用いた導電膜が形成されている。第１櫛歯部２２１及び第２櫛歯部２３１に設けられた導電膜はそれぞれ異なる電極パッド２３２と電気的に接続されている。
【００５５】
各電極パッド２３２及びそれらに接続された第１櫛歯部２２１及び第２櫛歯部２３１にＭＥＭＳミラードライバ５２から出力される同期信号に応じた電圧が印加されると、第１櫛歯部２２１及び第２櫛歯部２３１間にそれぞれの印加電圧に応じた静電気力が発生する。そして、その静電気力に応じて、第１櫛歯部２２１が第２櫛歯部２３１に対して相対移動する。同期信号によってこの静電気力を変化させることにより、ミラー部２１は揺動駆動して、光反射面２１１に入射する光（すなわち投射光３００）の反射方向を変化させる。すなわち、ミラー部２１がトーションバー２２の長手方向を回転軸とする回転運動を行うことによって、投射光３００が投射面１０２ａに対して走査される。このように、ＭＥＭＳ素子２のアクチュエータ機構は、交互に対向配置される第１櫛歯部２２１及び第２櫛歯部２３１の静電気力による相対移動によって実現されている。
【００５６】
封止枠体３は、たとえばガラス、アクリル樹脂などの透光性を有する材料を用いて形成される透光部材であり、ＭＥＭＳ素子２の前面２ａ（ミラー部２１の光反射面２１１を含む主面２ａ）に設けられている。この封止枠体３の周縁部は支持基台部２３の前面２３ａの全ての周縁に沿って密着している。そのため、封止枠体３はミラー部２１、トーションバー２２、第１櫛歯部２２１、第２櫛歯部２３１、電極パッド２３２、第１櫛歯部２２１及び第２櫛歯部２３１と各電極パッド２３２とを電気的に接続する配線部（不図示）を覆っている。また、封止枠体３は内部に空間を有し、この空間により、ミラー部２１を揺動させるための空間が前面２１ａ側（光反射面２１１上）に確保されている。なお、この空間は内部空間１ａの残りの一部である。
【００５７】
キャビティダイ４は、通気構造４ｃを含む板形状の基台部材であり、ＭＥＭＳ素子２がその前面４ａに設けられている。通気構造４ｃは、キャビティダイ４の両主面４ａ、４ｂ間を貫通する貫通孔４ｄを有している。このキャビティダイ４は、第１キャビティダイ４１と第２キャビティダイ４２とを含んで構成される。なお、以下では、キャビティダイ４、第１キャビティダイ４１、及び第２キャビティダイ４２において、ミラー部２１及び封止枠体３に対向する一方の主面４ａ、４１ａ、４２ａをそれぞれ前面４ａ、４１ａ、４２ａと呼び、基体６に対向する他方の主面４ｂ、４１ｂ、４２ｂ（一方の主面とは反対側の主面４ｂ、４１ｂ、４２ｂ）をそれぞれ背面４ｂ、４１ｂ、４２ｂと呼ぶ。
【００５８】
第１キャビティダイ４１は、ミラー部２１の背後にてＭＥＭＳ素子２の背面２ｂに設けられる第１基台部材であり、たとえばＳｉなどを用いて形成される。なお、背面２ｂとは、ＭＥＭＳ素子２において光反射面２１１とは反対側の主面２ｂである。具体的には、第１キャビティダイ４１は、ＭＥＭＳ素子２の背面２ｂ側において、支持基台部２３の全ての周縁に沿って密着して設けられている。第２キャビティダイ４２は、第１キャビティダイ４１の背面４１ｂに密着して設けられる第２基台部材であり、たとえばＳｉなどを用いて形成される。言い換えると、第２キャビティダイ４２は、第１キャビティダイ４１を介してＭＥＭＳ素子２の背面２ｂ上に設けられている。後述するように、第１キャビティダイ４１は複数の貫通孔４１ｄから成る通気構造４１ｃを含んでおり、第２キャビティダイ４２は複数の貫通孔４２ｄから成る通気構造４２ｃを含んでいる。
【００５９】
第１キャビティダイ４１の前面４１ａの表面粗さは第２キャビティダイ４２の背面４２ｂの表面粗さよりも大きい。そのため、第１キャビティダイ４１の前面４１ａは入射光を散乱する散乱面として機能する。従って、ＭＥＭＳミラーデバイス１に入射する光Ｉが第１キャビティダイ４１の内部空間１ａに面する前面４１ａで反射しても、迷光の発生を抑制又は防止することができる。図４は、キャビティダイ４での光反射の一例を示す概念図である。なお、図４は、図３Ａの上図のＡ−Ａ線に沿う断面を示している。
【００６０】
図４に示すように、ＭＥＭＳミラーデバイス１に入射する光Ｉの入射領域はミラー部２１の光反射面２１１の外形を越えることがある。そのため、入射光の一部Ｉａはミラー部２１と支持基台部２３との間を通って第１キャビティダイ４１の前面４１ａに入射するが、該前面４１ａは比較的に表面粗さの大きい（平滑度の低い）粗面になっている。そのため、キャビティダイ４の前面４ａで光Ｉａが反射しても、その反射光Ｒａは散乱される。従って、ミラー部２１と支持基台部２３との間を再び通ってＭＥＭＳミラーデバイス１の外部に出ていく反射光Ｒａは大幅に低減される。よって、ＭＥＭＳミラーデバイス１の外部に放出される迷光の発生を抑制又は防止することができる。
【００６１】
なお、第１キャビティダイ４１において、粗面は、少なくとも前面４１ａに形成されていればよい。また、粗面は第１キャビティダイ４１の前面４１ａのうちの内部空間１ａに面する領域に形成されていてもよい。こうすれば、該前面４１ａのうちの第１キャビティダイ４１がＭＥＭＳ素子２に密着する領域は比較的に平滑となる。従って、キャビティダイ４をＭＥＭＳ素子２の背面２ｂに隙間なく良好に密着させることができる。
【００６２】
また、ＭＥＭＳミラーデバイス１では、ミラー部２１のわずかな動作により投射光３００を走査して投射面１０２ａ上に映像を形成する。そのため、ＭＥＭＳミラーデバイス１の取り付け位置は高精度であることが求められる。従って、キャビティダイ４の背面４ｂは平滑であることが求められる。よって、基体６と半田７を介して接着される第２キャビティダイ４２の背面４２ｂは比較的に表面粗さの小さい（平滑度が高い）平滑面となっている。そのため、基体６に対してＭＥＭＳミラーデバイス１をより高精度に取り付けることができる。
【００６３】
なお、キャビティダイ４における表面粗さ及び光散乱能力の評価基準及び測定手法などは特に限定されない。たとえば、表面粗さは、中心線平均粗さＲａで評価されてもよいし、最大高さＲｍａｘで評価されてもよいし、十点平均粗さＲｚで評価されてもよい。また、表面粗さは、たとえば、接触式粗さ計、白色干渉計などの非接触式の粗さ計を用いて測定することができる。
【００６４】
次に、キャビティダイ４の通気構造４ｃについて説明する。なお、第１キャビティダイ４１の通気構造４１ｃは第２キャビティダイ４２の通気構造４２ｃと同様である。そのため、以下では、第２キャビティダイ４２の通気構造４２ｃの説明は割愛する。図５はＭＥＭＳミラーデバイス１の斜視図である。図６は、キャビティダイ４の通気構造４ｃの機能を説明するための概念図である。なお、図５では、第１キャビティダイ４１の前面４１ａを見易くするため、ＭＥＭＳ素子２の一部の構成要素（たとえば第１及び第２櫛歯部２３１、支持基台部２３の中央部分など）の図示は省略している。
【００６５】
第１キャビティダイ４１の前面４１ａの中央領域には、図５に示すように、複数の貫通孔４１ｄが形成されている。各貫通孔４１ｄの口径はたとえば５［μｍ］未満である。これらの貫通孔４１ｄは、それぞれ内部空間１ａに対して通気性（特に湿気ｈの通過性）を有して塵埃ｄの通過を遮断する微小な隙間４１ｄであり、第１キャビティダイ４１の通気構造４１ｃを構成している。
【００６６】
なお、通気構造４１ｃ（すなわち複数の貫通孔４１ｄ）が形成される領域は図５の例示に限定されない。Ｚ方向から見た平面視において通気構造４１ｃは、第１キャビティダイ４１の前面４１ａのうち、全領域に形成されていてもよいし、内部空間１ａに面する領域の少なくとも一部領域に形成されていてもよい。こうすれば、内部空間１ａに対する通気性（特に湿気ｈなどの出入り）を確保できる。さらに、通気構造４１ｃは、少なくとも、上記平面視においてミラー部２１及び支持基台部２３間の領域と重なる領域を含むことがより好ましい。こうすれば、該領域における表面粗さを通気構造４１ｃの形成によってさらに増大させることができる。従って、第１キャビティダイ４１の該領域での反射光Ｒａを通気構造４１ｃ（すなわち複数の貫通孔４１ｄ）によっても散乱させることができる（図４参照）。よって、該領域で発生する迷光をさらに低減又は無くすことができる。
【００６７】
次に、キャビティダイ４に通気構造４ｃを設けることにより得られる効果について説明する。まず、キャビティダイ４が通気構造４ｃを含まない場合について説明する。この場合、ＭＥＭＳミラーデバイス１では、微細な塵埃と環境湿度による結露との複合要因により、ＭＥＭＳ素子２にショートが発生することがある。図６は、静電櫛歯駆動方式のＭＥＭＳ素子２における塵埃の結露に起因する短絡例を示す概念図である。このＭＥＭＳ素子２では、トーションバー２２に設けられた揺動可能な第１櫛歯部２２１は固定された第２櫛歯部２３１との間に数μｍの間隔を空けて交互に配置されている。ここで、ＭＥＭＳ素子２の周囲に微小塵埃ｄ（たとえば直径約５［μｍ］）が浮遊していると、高湿度の環境で周囲温度が低下した場合に微小塵埃ｄが結露して導電性を備えてしまう。この結露した塵埃ｄｗがたとえば隣接する第１櫛歯部２２１及び第２櫛歯部２３１間に付着すると、結露した塵埃ｄｗを介して両者は短絡してしまう。
【００６８】
このようなＭＥＭＳ素子２のショートを防ぐために、内部空間１ａに閉構造を採用しても、ＭＥＭＳミラーデバイス１の内部を完全に密閉することは困難である。実際には、内部空間１ａを囲む部材（すなわちＭＥＭＳ素子２、透光枠体３、及び通気構造４ｃを考慮しないキャビティダイ４）の湿度通過性をなくすことはできないし、該部材間の継目では湿気が通過し易い。特に、ＭＥＭＳミラーデバイス１では外部に対して光の入射及び反射があるので、内部空間１ａを囲む部材の少なくとも一部（たとえば封止枠体３）は透光性を要する。従って、湿度通過性の極力少ない金属材料で形成した部材で内部空間１ａを囲んだり、ＭＥＭＳ素子２と同一の材料を用いた一体の部材で内部空間１ａを囲んだりすることは困難である。よって、内部空間１ａを密閉しようとしても、水分（水蒸気など）の侵入を遅くすることはできても実際には零にすることはできない。この場合、内部空間１ａ内の湿度は周囲環境の湿度増加に伴って上昇する、また、その後、周囲環境が低温になると、内部空間１ａ内では湿気の放出ができないまま温度が低下するため、内部空間１ａの内部で結露が生じてしまう。
【００６９】
次に、キャビティダイ４が通気構造４ｃを含む場合について説明する。第１キャビティダイ４１及び第２キャビティダイ４２の通気構造４１ｃ、４２ｃを上述のように形成すれば、各貫通孔４１ｄ、４２ｄはその口径以上の大きさの物体（たとえばＭＥＭＳミラーデバイス１の外部に浮遊する塵埃ｄ）を通過させない。そのため、図７に示すように、内部空間１ａへの該物体の進入を防ぐことができる。一方、各貫通孔４１ｄ、４２ｄは、通気性を有するため、内部空間１ａに対する湿気ｈなどの出入りは遮断されない。そのため、内部空間１ａの内外での湿度差を減少又は無くすことができる。従って、微小塵埃ｄ又は高湿度での温度低下によって内部空間１ａの内部に結露が発生しないようにすることができる。よって、結露によるＭＥＭＳ素子２のショート（たとえば図６のような第１櫛歯部２２１及び第２櫛歯部２３１間の短絡、支持基台部２３上の配線パターンの短絡）を防止することができる。
【００７０】
なお、本実施形態ではキャビティダイ４は第１キャビティダイ４１及び第２キャビティダイ４２を有する２層構造とされているが、本発明はこの例示に限定されない。キャビティダイ４は３以上の複数の層構造であってもよい。こうすれば、層数の増加に伴って、キャビティダイ４の通気性は低下するが、内部空間１ａへの塵埃ｄの進入をより確実に遮断することができる。さらに、各層（たとえば、第１キャビティダイ４１、第２キャビティダイ４２）における通気構造４１ｃ、４２ｃの形成領域はそれぞれ異なっていてもよい。たとえば、図５において、第１キャビティダイ４１の通気構造４１ｃは前面４１ａの内部空間１ａに面する領域に形成され、第２キャビティダイ４２の通気構造４２ｃは背面４２ｂの全領域に形成されていてもよい。
【００７１】
また、本実施形態では、第１キャビティダイ４１の通気構造４１ｃと第２キャビティダイ４２の通気構造４２ｃとを同じ構造にしているが、本発明はこの例示に限定されない。たとえば、キャビティダイ４自身における内部空間１ａに対する通気性（特に湿気ｈの出入り）及び塵埃ｄの遮断性を確保できる限りにおいて、第１キャビティダイ４１及び第２キャビティダイ４２における複数の貫通孔４１ｄ、４２ｄの形成数、形成間隔、形成パターンは異なっていてもよい。こうすれば、第１キャビティダイ４１及び第２キャビティダイ４２に採用される製造方法（特に表面粗さの調整方法）及び材料の自由度をより高めることができる。
【００７２】
＜第１実施形態の変形例＞
また、キャビティダイ４は１層構造であってもよい。図８は、第１実施形態の変形例に係るＭＥＭＳミラーデバイス１の一例を示す断面図である。なお、図８はたとえば図３Ａの上図のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００７３】
図８に示すように、キャビティダイ４は通気構造４ｃを有する板形状の基台部材であり、ＭＥＭＳ素子２の背面２ｂに設けられる。キャビティダイ４の前面４ａの表面粗さは背面４ｂの表面粗さよりも大きくなっている。そのため、ＭＥＭＳミラーデバイス１に入射する光Ｉがキャビティダイ４の前面４ａで反射しても、該前面４ａは表面粗さが大きい粗面であるため、図８に示すように反射光Ｒａは散乱される。すなわち、キャビティダイ４の前面４ａは入射光を散乱する散乱面として機能する。従って、ミラー部２１と支持基台部２３との間を再び通ってＭＥＭＳミラーデバイス１の外部に出ていく反射光Ｒａは大幅に低減される。よって、ＭＥＭＳミラーデバイス１の外部に放出される迷光の発生を抑制又は防止することができる。なお、粗面はキャビティダイ４の前面４ａのうちの内部空間１ａに面する領域に形成されることが好ましい。言い換えると、キャビティダイ４がＭＥＭＳ素子２に密着させる領域は平滑であることが好ましい。こうすれば、キャビティダイ４をＭＥＭＳ素子２の背面２ｂに隙間なく良好に密着させることができる。
【００７４】
一方、キャビティダイ４の背面４ｂは比較的に表面粗さの低い平滑面となっている。そのため、ＭＥＭＳミラーデバイス１を基体６に固定する際、高精度に位置決めを行うことができる。
【００７５】
また、キャビティダイ４の通気構造４ｃはその主面４ａ、４ｂ間に形成された複数の微小な貫通孔４ｂで構成されている。なお、キャビティダイ４の前面４ａにおける通気構造４ｃの形成領域は特に限定されないが、少なくとも、Ｚ方向から見た平面視においてミラー部２１及び支持基台部２３間の領域と重なる領域を含むことがより好ましい。こうすれば、該領域における表面粗さを通気構造４ｃの形成によってさらに増大させることができる。従って、反射光Ｒａの散乱効果を通気構造４ｃによってさらに高めることができる。よって、キャビティダイ４の前面４ａで発生する迷光をさらに低減又は無くすことができる。
【００７６】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態では、第１キャビティダイ４１は、第２キャビティダイ４２とは異なり、繊維シートを用いられる。それ以外は第１実施形態と同様である。以下では、第１実施形態と異なる構成について説明する。また、第１実施形態と同様の構成部には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００７７】
図９は、第２実施形態に係る第１キャビティダイ４１の局所上面図である。第１キャビティダイ４１は、図９に示すように、紐状の繊維Ｓを編んで構成される繊維シートで構成される。繊維Ｓには、たとえばＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、ＰＩ（polyimide）、ポリアミド（polyamide）などの樹脂材料を用いることができる。
【００７８】
また、繊維シートを用いたキャビティダイ４の作成方法は特に限定しない。たとえば、塵埃ｄの通過を遮断できる程度に微細な複数の貫通孔４２ｄが形成された第２キャビティダイ４２に第１キャビティダイ４１として繊維シートを張り付けてもよい。或いは、貫通孔４２ｄを形成する前の第２キャビティダイ４２に繊維シートを張り付けた後、エッチングなどの手法によって第２キャビティダイ４２に複数の微細な貫通孔４２ｄ（すなわち通気構造４２ｃ）を形成してもよい。
【００７９】
このように第１キャビティダイ４１に繊維シートを用いれば、主面４１ａの表面粗さが大きく、通気構造４１ｃを有する第１キャビティダイ４１を容易に設けることができる。すなわち、第１キャビティダイ４１の通気構造４１ｃは繊維Ｓ間の隙間４１ｄにより実現できる。また、繊維シートの表面４１ａの表面粗さは、微細な複数の貫通孔４２ｄが形成された第２キャビティダイ４２の表面４２ｂよりも非常に大きくなる。そのため、図９に示すように、繊維シートの表面４１ａに光Ｉａが入射しても、その反射光Ｒａは大きく散乱される。すなわち、繊維シートの表面４１ａは光散乱性の大きい光散乱面として機能する。従って、反射光Ｒａはミラー部２１と支持基台部２３との間を再び通ってＭＥＭＳミラーデバイス１の外部に出射され難い。よって、ＭＥＭＳミラーデバイス１の外部に放出される迷光の発生をより効果的に抑制又は防止することができる。
【００８０】
なお、繊維シートの隙間４１ｄのサイズは第２キャビティダイ４２の貫通孔４２ｄ（すなわち通気構造４２ｃの隙間４２ｄ）よりも大きくなることがあるが、内部空間１ａへの塵埃ｄの進入は第２キャビティダイ４２の通気構造４２ｃによって遮断される。従って、キャビティダイ４自身は、内部空間１ａに対して通気性（特に湿度ｈの通過性）を有して塵埃ｄの通過を遮断することができる。
【００８１】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。なお、第３実施形態は、第１キャビティダイ４１の通気構造４１ｃは第２キャビティダイ４２の通気構造４２ｃとは異なる。これ以外は第１実施形態と同様である。以下では、第１及び第２実施形態と異なる構成について説明する。また、第１及び第２実施形態と同様の構成部には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００８２】
図１０は、第３実施形態に係る第１キャビティダイ４１の局所上面図である。図１１は、第３実施形態に係る第２キャビティダイ４２の局所上面図である。第１キャビティダイ４１に形成される貫通孔４１ｄ（すなわち通気構造４１ｃの隙間４１ｄ）の口径（たとえば５［μｍ］以上）は、図１０及び図１１に示すように、第２キャビティダイ４２に形成される貫通孔４２ｄの口径（たとえば５［μｍ］未満）よりも大きくなっている。また、第１キャビティダイ４１において隣接する貫通孔４１ｄ間の形成間隔Ｄ１は、第２キャビティダイ４２における各貫通孔４２ｄの形成間隔Ｄ２よりも大きくなっている。なお、第１キャビティダイ４１の少なくとも一部の貫通孔４１ｄは第２キャビティダイ４２の少なくとも一部の貫通孔４２ｄと連通している。
【００８３】
こうすれば、第１キャビティダイ４１で湿気ｈを通過し易くすることができる。一方、内部空間１ａへの塵埃ｄの通過は第２キャビティダイ４２にて遮断できる。従って、キャビティダイ４自身は、塵埃ｄの遮断性を維持しつつ、内部空間１ａに対する湿気ｈの出入りをより容易にすることができる。さらに、第１キャビティダイ４１の少なくとも一部の貫通孔４１ｄは第２キャビティダイ４２の少なくとも一部の貫通孔４２ｄと連通している。そのため、第１キャビティダイ４１及び第２キャビティダイ４２での各貫通孔４１ｄ、４２ｄの口径及び形成間隔Ｄ１、Ｄ２の設定の自由度をより高めることができる。従って、第１キャビティダイ４１及び第２キャビティダイ４２に採用される製造方法（特に表面粗さの調整方法）及び材料の自由度をより高めることができる。
【００８４】
以上、本発明の実施形態について説明した。なお、上述の実施形態は例示であり、その各構成要素や各処理の組み合わせに色々な変形が可能であり、本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【００８５】
たとえば、上述の第１〜第３実施形態において、映像処理部５９１及び光出力制御部５９２の少なくとも一方は、ＣＰＵ５９の機能的構成要素であってもよいし、電気回路、装置、デバイスなどの物理的な構成要素であってもよい。或いは、ＣＰＵ５９から独立した構成要素であってもよい。
【００８６】
また、上述の第１〜第３実施形態では、静電櫛歯駆動方式のアクチュエータ機構を有する１軸走査型のＭＥＭＳ素子２を例示したが、本発明はこの例示に限定されない。ＭＥＭＳ素子２は他の駆動方式（たとえば圧電駆動方式）のアクチュエータ機構を有していてもよい。さらに、ＭＥＭＳ素子２は２軸走査型（すなわち水平走査及び垂直走査）であってもよい。
【００８７】
また、上述の第１〜第３実施形態では、内部空間１ａはＭＥＭＳ素子２、封止枠体３、及びキャビティダイ４に囲まれているが、本発明はこの例示に限定されない。たとえば、内部空間１ａは、封止枠体３及びキャビティダイ４に囲まれ、さらにＭＥＭＳ素子２を収納していてもよい。このようにしても、ＭＥＭＳミラーデバイス１の内部空間１ａ内に結露が発生しないようにすることはできる。
【００８８】
＜まとめ＞
以上に説明した実施形態によれば、プロジェクタユニット１０１は、ＬＤ１１ａ〜１１ｃと、該ＬＤ１１ａ〜１１ｃから出射される光を投射面１０２ａに投射する光学ユニット１０と、を備える構成とされる。また、光学ユニット１０は、ＬＤ１１ａ〜１１ｃから出射される光をミラー部２１にて反射するＭＥＭＳミラーデバイス１を有する構成とされる。ＭＥＭＳミラーデバイス１は揺動可能なミラー部２１を有するＭＥＭＳ素子２と、ＭＥＭＳ素子２が前面４ａに設けられたキャビティダイ４と、を備え、キャビティダイ４の前面４ａの表面粗さは背面４ｂの表面粗さよりも大きい構成とされる。
【００８９】
この構成によれば、キャビティダイ４の前面４ａは表面粗さのより大きい粗面となる。そのため、キャビティダイ４の背面４ｂでの迷光の発生をより効果的に抑制することができる。また、キャビティダイ４の背面４ｂは表面粗さのより小さい平滑面となるので、ＭＥＭＳミラーデバイス１のダイボンディングの際、位置精度の低下を抑制することができ、高精度を確保することができる。従って、迷光の発生を抑制しつつＭＥＭＳミラーデバイス１を高精度に位置決めして設けることができる。
【００９０】
また、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイス１は、前面４ａが入射光を散乱する散乱面を有する構成とされてもよい。
【００９１】
この構成によれば、キャビティダイ４の前面４ａに入射する光Ｉａを散乱面で散乱できる。そのため、該一方の主面における迷光の発生をより効果的に抑制することができる。
【００９２】
また、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイス１は、ＭＥＭＳ素子２のミラー部２１の光反射面２１１を含む前面２ａに設けられた透光の封止枠体３をさらに備え、ミラー部２１を収納した内部空間１ａを有し、内部空間１ａは少なくとも封止枠体３及びキャビティダイ４に囲まれており、キャビティダイ４は通気構造４ｃを含む構成とされてもよい。また、内部空間１ａはさらにＭＥＭＳ素子２にも囲まれていてもよい。
【００９３】
この構成によれば、キャビティダイ４が通気構造４ｃを含むので、ＭＥＭＳ素子２のミラー部２１を収納した内部空間１ａは通気構造４ｃを介して外部と通気（特に、湿気を通過）できる。また、通気構造４ｃの隙間の大きさ（たとえば貫通孔４ｄの口径）を塵埃の大きさ未満とすれば、内部空間１ａへの塵埃の通過を通気構造４ｃにより遮断することができる。すなわち、内部空間１ａに対して通気構造４ｃの隙間よりも大きな塵埃を通過させることなく、内部空間１ａを外部に通気することができる。従って、内部空間１ａの内外での湿度差を減少又は無くして、内部空間１ａ内での結露の発生を防止することができる。
【００９４】
また、キャビティダイ４のＭＥＭＳ素子２が設けられた前面４ａの表面粗さは通気構造４ｃが有する隙間４ｄ（たとえば貫通孔４ｄ）によって、キャビティダイ４が通気構造４ｃを含まない場合と比較して粗くなる。従って、外部から透光性の封止枠体３を介して内部空間１ａ内に入射する光がキャビティダイ４の前面４ａに入射しても、その反射光は通気構造４ｃにより散乱され易くなる。よって、キャビティダイ４の前面４ａでの迷光の発生を抑制することもできる。
【００９５】
さらに、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイス１は、通気構造４ｃはキャビティダイ４の両主面４ａ、４ｂ間を貫通する貫通孔４ｄを有する構成とされてもよい。
【００９６】
この構成によれば、キャビティダイ４に貫通孔４ｄを形成することによって、容易に通気構造４ｃを実現することができる。
【００９７】
また、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイス１は、キャビティダイ４は、第１キャビティダイ４１と、該第１キャビティダイ４１の背面４１ｂ上に設けられる第２キャビティダイ４２と、を有する構成とされてもよい。
【００９８】
この構成によれば、異なる構成の第１キャビティダイ４１及び第２キャビティダイ４２を用いてキャビティダイ４を形成することができる。従って、たとえば、第１キャビティダイ４１の前面４１ａの表面粗さと第２キャビティダイ４２の背面４２ｂの表面粗さとを異ならせたり、第１キャビティダイ４１及び第２キャビティダイ４２に異なる通気構造４１ｃ、４２ｃを採用したりすることができる。よって、第１キャビティダイ４１及び第２キャビティダイ４２に採用する製造方法、材料の自由度を確保することができる。
【００９９】
さらに、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイス１は、第１キャビティダイ４１に含まれる通気構造４１ｃが有する隙間４１ｄ（たとえば貫通孔４１ｄ）は第２キャビティダイ４２に含まれる通気構造４２ｃが有する隙間４２ｄ（たとえば貫通孔４２ｄ）よりも大きい構成とされてもよい。
【０１００】
この構成によれば、内部空間１ａに面する第１キャビティダイ４１において通気性（特に湿気の出入り）を向上させることができる。一方、内部空間１ａへの塵埃の通過は第２キャビティダイ４２における通気構造４２ｃの隙間の大きさ（たとえば貫通孔４２ｄの口径）を塵埃の大きさ未満にすれば遮断できる。従って、キャビティダイ４自身は、塵埃の遮断性を維持しつつ、内部空間１ａとその外部空間との間での湿気差を減少又は無くしてより効果的に調整することができる。
【０１０１】
また、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイス１は、第１キャビティダイ４１に含まれる通気構造４１ｃが有する隙間４１ｄ（たとえば貫通孔４１ｄ）の間隔Ｄ１は第２キャビティダイ４２に含まれる通気構造４２ｃが有する隙間４２ｄ（たとえば貫通孔４２ｄ）の間隔Ｄ２と異なる構成とされてもよい。
【０１０２】
この構成によれば、第１キャビティダイ４１及び第２キャビティダイ４２に採用される製造方法（特に主面４１ａ、４２ｂの表面粗さの調整方法）及び材料の自由度をより高めることができる。
【０１０３】
また、上記構成のＭＥＭＳミラーデバイス１は、第１キャビティダイ４１は紐状の繊維Ｓを編んで構成されている構成とされてもよい。
【０１０４】
この構成によれば、内部空間１ａに面する前面４１ａの表面粗さが大きく且つ通気性の良好な第１キャビティダイ４１をより容易に設けることができる。
【符号の説明】
【０１０５】
１００              ヘッドアップディスプレイ装置（ＨＵＤ装置）
１０１                プロジェクタユニット
１０２                コンバイナ
１０２ａ                投射面
２００              車両
２０１                フロントガラス
３００              投射光
４００              ユーザの視線
１０                光学ユニット
１１ａ〜１１ｃ        レーザダイオード（ＬＤ）
１２ａ〜１２ｃ        コリメータレンズ
１３ａ〜１３ｃ        ビームスプリッタ
１４                  集光レンズ
１                    ＭＥＭＳミラーデバイス
１ａ                      内部空間
１ｂ                      裏面
２                      ＭＥＭＳ素子
２ａ                        前面
２ｂ                        背面
２１                      ミラー部
２１１                      光反射面
２２                      トーションバー
２２１                      第１櫛歯部
２３                      支持基台部
２３１                      第２櫛歯部
２３２                      電極パッド
３                      封止枠体
４                      キャビティダイ
４１                      第１キャビティダイ
４２                      第２キャビティダイ
４ａ、４１ａ、４２ａ      前面
４ｂ、４１ｂ、４２ｂ      背面
４ｃ、４１ｃ、４２ｃ      通気構造
４ｄ、４１ｄ、４２ｄ      貫通孔
６                      基体
７                      半田
５０                本体筐体
５０ａ                光出射口
５１                ハウジング
５１ａ                窓部
５２                ＭＥＭＳミラードライバ
５３                ＬＤドライバ
５４                電源
５５                電源制御部
５６                操作部
５７                入出力Ｉ／Ｆ
５８                記憶部
５９                ＣＰＵ
５９１                映像処理部
５９２                光出力制御部
ｄ                  塵埃
ｈ                  湿気
Ｉ、Ｉａ            入射光
Ｒ、Ｒａ            反射光
Ｓ                  繊維
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図９】
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