(57)【要約】【課題】  容易に製造可能であり、かつ、低い電界強度においてもキャリアのトラップを抑制することができる放射線検出素子、及び、該放射線検出素子の製造方法を提供すること。【解決手段】  入射する放射線を電気信号に変換する放射線検出素子であって、一方向に伸びた多数の孔部と、金属を含有して構成され前記一方向に伸びた多数の柱状部と、前記孔部と前記柱状部の側面を取り囲むマトリックス部と、を備えた検出層を有し、前記マトリックス部が半導体材料で構成され、複数の前記柱状部により第１の電極と第２の電極が構成され、前記第１の電極及び前記第２の電極により前記一方向に垂直な方向に電界を印加する放射線検出素子。【選択図】  図１
2017215213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射する放射線を電気信号に変換する放射線検出素子であって、
一方向に伸びた多数の孔部と、金属を含有して構成され前記一方向に伸びた多数の柱状部と、前記孔部と前記柱状部の側面を取り囲むマトリックス部と、を備えた検出層を有し、
前記マトリックス部が半導体材料で構成され、複数の前記柱状部により第１の電極と第２の電極が構成され、前記第１の電極及び前記第２の電極により前記一方向に垂直な方向に電界を印加することを特徴とする放射線検出素子。
【請求項２】
記柱状部を構成する材料と、前記マトリックス部を構成する材料とは、略共晶組織を構成することを特徴とする請求項１に記載の放射線検出素子。
【請求項３】
前記略共晶組織は、共晶組成の±３ｍｏｌ％の以内の範囲の組成により得られる組織であることを特徴とする請求項２に記載の放射線検出素子。
【請求項４】
前記柱状部の直径は５０ｎｍ以上３０μｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線検出素子。
【請求項５】
前記柱状部の直径は２００ｎｍ以上１０μｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出素子。
【請求項６】
前記マトリックス部分がＴｌＢｒであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線検出素子。
【請求項７】
入射する放射線を電気信号に変換する放射線検出素子の製造方法であって、一方向に伸びた多数の柱状部を有する第１の相と、該第１の相を取り囲むマトリックス部を構成する第２の相と、を形成する工程と、前記柱状部を除去して多数の孔部を形成する工程と、前記孔部に選択的に金属を充填して複数の電極を形成する工程と、前記電極間に電圧を印加する手段を設ける工程と、を有することを特徴とする放射線検出素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１の相と、前記第２の相と、を形成する工程が、前記第１の相を構成する第１の材料と前記第２の相を構成する第２の材料とが共晶材料であり、共晶組成で両者を混合し、溶融させる工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の放射線検出素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１の相がＮａＣｌ、あるいはＮａＢｒを含んで構成され、かつ、前記第２の相がＴｌＢｒを含んで構成されていることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の放射線検出素子の製造方法。
【請求項１０】
前記柱状部を除去する工程が、前記第１の相及び前記第２の相を溶媒に浸漬して前記第２の相を溶解して除去する工程であることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の放射線検出素子の製造方法。
【請求項１１】
前記溶媒は、水であることを特徴とする請求項１０に記載の放射線検出素子の製造方法。
【請求項１２】
前記複数の電極を形成する工程が、電解めっきによって金属を充填する工程であることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の放射線検出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出素子、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
医療用や工業用の放射線検出素子において、シリコン、アモルファスセレン、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＨｇＩ２、ＰｂＩ２、ＢｉＩ３、ＴｌＢｒなどの半導体を検出層として用いた直接変換型の放射線検出素子が知られている。一般的に、直接変換型の放射線検出素子においては、検出層の上下に設けた電極によって検出層の厚み方向に電界を印加して、放射線によって検出層内で生成された電荷（キャリア）を電界方向にドリフトさせて電極からの信号を検出する。この際、検出層の厚み（電極間距離）に対してキャリアのドリフト長（λ＝μτＥ、ここでλは距離、μは移動度、τは散乱時間、Ｅは電界をそれぞれ表わしている）が不十分であると、電極に捕集される前にキャリアがトラップされてしまい、キャリア捕集効率（信号強度）の低下に繋がる。よって、電極間距離に対して十分なキャリアのドリフト長を確保できるような電界強度で動作させる必要がある。
【０００３】
このため、非特許文献１では、検出層のシリコンを半導体プロセスで三次元的に加工し、柱状の電極部分をシリコンに埋め込み、検出層の面内方向（電極部分の柱状方向に垂直な方向）に電界を印加する構成の放射線検出素子が記載されている。このような構成によると、厚み方向に電界を印加する一般的な構成よりも電極間距離を短くすることができるため、低い電界強度においても電極間距離に対して十分なキャリアのドリフト長を確保することが可能となり、キャリアのトラップを抑制することができる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｉｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｓｅｃｔｉｏｎ  Ａ，  Ｖｏｌｕｍｅ  ３９５，  Ｉｓｓｕｅ  ３，  Ｐａｇｅｓ  ３２８−３４３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
シリコンは放射線の吸収係数が低いため、エネルギーの高い放射線を検出する場合には厚い検出層が必要となる。例えば、５０ｋｅＶのエネルギーを有する放射線を９割以上吸収するには２５ｍｍ程度の厚みが必要となることから、結果として放射線検出素子の容積が大きくなってしまう。一方で、ＨｇＩ２、ＰｂＩ２、ＢｉＩ３、ＴｌＢｒなど原子番号の大きな元素から構成される半導体材料は放射線の吸収係数は高いが、シリコンのような加工プロセスが確立されておらず、検出層に電極が埋め込まれたような三次元構造を作製することは困難である。
【０００６】
本発明は、容易に作製可能な放射線の吸収係数が高い半導体材料からなる三次元構造を用いることで、キャリアのトラップを抑制する放射線検出素子と、該放射線検出素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の放射線検出素子は、入射する放射線を電気信号に変換する放射線検出素子であって、一方向に伸びた多数の孔部と、金属を含有して構成され前記一方向に伸びた多数の柱状部と、前記孔部と前記柱状部の側面を取り囲むマトリックス部と、を備えた検出層を有し、
前記マトリックス部が半導体材料で構成され、複数の前記柱状部により第１の電極と第２の電極が構成され、前記第１の電極及び前記第２の電極により前記一方向に垂直な方向に電界を印加することを特徴とする。
【０００８】
本発明は、放射線検出素子の製造方法を包含する。本発明の放射線検出素子の製造方法は、入射する放射線を電気信号に変換する放射線検出素子の製造方法であって、一方向に伸びた多数の柱状部を有する第１の相と、該第１の相を取り囲むマトリックス部を構成する第２の相と、を形成する工程と、前記柱状部を除去して多数の孔部を形成する工程と、前記孔部に選択的に金属を充填して複数の電極を形成する工程と、前記電極間に電圧を印加する手段を設ける工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
非特許文献１に開示の技術よりも容易に製造可能で、低い電界強度においてもキャリアのトラップを抑制することができる放射線検出素子と、該放射線検出素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明における放射線検出素子の一例を模式的に示した図
【図２】本発明における放射線検出素子の電極構成の一例を模式的に示した図
【図３】本発明における第１の相及び第２の相を模式的に示した図
【図４】本発明における一方向に伸びた第１の相及び第２の相を製造する工程の一例を模式的に示した図
【図５】本発明における放射線検出素子を製造する工程の一例を模式的に示した図
【図６】本発明における放射線検出素子を製造する工程の一例を模式的に示した図
【図７】実施例１で作製した第１の相及び第２の相の光学顕微鏡像
【図８】本発明に適用可能な共晶点を有する共晶材料の平衡状態図（相図）の例
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態について説明をする。
【００１２】
図１は本発明による放射線検出素子の一例を模式的に示した図である。図１（ａ）は断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）を上面から見た際の平面図である。ここで図（ａ）は図１（ｂ）をＡ−Ａ’付近で切断した断面を示している。放射線の検出層１０は一方向（図１（ａ）における上下方向）に伸びた多数の孔部１１と、金属を含有して構成され一方向に伸びた多数の柱状部１２と、孔部１１と柱状部１２の側面を取り囲むマトリックス部１３とを備えている。図１（ａ）において１９は放射線検出素子に入射する放射線である。また、検出層１０の上面、及び、下面には、それぞれ複数の第１の電極１４、及び、複数の第２の電極１５が配置されている。複数の第１の電極１４、及び、複数の第２の電極１５はその領域内に複数の柱状部１２を含むように配置されており、各電極の領域内に含まれる複数の柱状部と電極とは電気的に接続がなされている。更に、各第１の電極１４は電圧源（不図示）、各第２の電極１５は回路基板（不図示）と電気的に接続がなされている。回路基板（不図示）は各々の第２の電極１５毎に信号を蓄積して読み出すことが可能な蓄積容量、及びＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイを備えている。図１（ａ）、及び、図１（ｂ）においては検出層１０の上面に第１の電極１４、検出層１０の下面に第２の電極１５を配置しており、一対の電極を構成する第１の電極１４と第２の電極とで画素領域１６を形成している。各電極の配置や形状はこれに限らず、例えば、図１（ｃ）のように同一面内に第１の電極１４と第２の電極１５を交互に配置してもよい。また、図２に示したような電極構成であってもよい。この場合、第１の電極１４で囲まれた領域が画素領域１６となる。
【００１３】
マトリックス部１３は放射線を吸収することでキャリアを生成し、電極間に印加した電圧により生じる電界方向にキャリアが移動することで電流応答を示す半導体材料からなっている。すなわちマトリックス部１３で放射線の電気信号への変換がなされる。このような構成とすることで、各第１の電極１４に印加された電圧により、柱状部１２を介して柱状の孔部１１の成長方向（一方向に伸びた方向）と垂直な方向（図１（ａ）における左右方向）、すなわち、検出層１０の面内方向に電界が印加されることになる。従って、検出層１０に放射線１９が入射すると、マトリックス部で生成されたキャリアは検出層１０の面内方向にドリフトして信号として検出される。よって、第１の電極１４に含まれる柱状部１２と、第２の電極１５に含まれる柱状部１２との間の距離を検出層の厚みよりも短くすることで、検出層１０の柱状の孔の成長方向、すなわち、検出層１０の厚み方向に電界が印加されるよりも電極間距離を短くすることができる。したがって、低い電界強度でも電極間距離に対して十分なキャリアのドリフト長を確保することが可能となり、キャリアのトラップを抑制することができる。つまり、キャリアの捕集効率を向上させることが可能となる。
【００１４】
次に、検出層に用いる一軸相分離構造体について説明をする。図３は本発明における一軸相分離構造体を模式的に示した図である。
【００１５】
本明細書中における一軸相分離構造体とは、一方向に成長した複数の柱状部を構成する第１の相３１と、それらを取り囲むマトリックス部分を構成する第２の相３２からなっている。柱状部の断面構造は円形に限らず、楕円形、四角形、複数の結晶面から構成された多角形などであってもよい。
【００１６】
本発明では、このような一軸相分離構造体を作製するにあたり、二元系共晶材料における相分離を利用する。後述する図８を参照すると共晶点は図８における点Ｅである。共晶材料とは平衡状態図において共晶点を有する材料系を指し、共晶点とは液相から二種の固相が同時に析出する点を表す。本発明では、第１の相３１を構成する第１の材料と第２の相３２を構成する第２の材料が共晶材料であり、これらの材料を共晶組成で混合して加熱溶融した後、冷却しながら一軸方向に凝固することで一軸相分離構造体を作製する。一軸方向に凝固する手法としては、例えばブリッジマン法やチョクラルスキー法など単結晶成長で用いられる手法が適用可能である。この際、柱状部は融液と固相の界面（固液界面）に対して垂直方向に成長するため、一方向に柱状部分を成長させるには固液界面を平坦にするように温度勾配を調整することが好ましい。具体的には固液界面における温度勾配が３０℃／ｍｍ以上の条件で行うことが好ましい。
【００１７】
図４はブリッジマン法を用いて本発明における一軸相分離構造体を作製する工程を模式的に示した図である。まず図４（ａ）のように第１の相を構成する第１の材料と第２の相を構成する第２の材料を共晶組成で混合した原料を石英管４１に封入し、縦型の電気炉４２内で加熱溶融することで原料を融液４３にする。石英管４１内の雰囲気はアルゴンや窒素など原料と反応しないガスにしておくとよい。その後、図４（ｂ）のように駆動装置４４を用いて電気炉４２の内部から外部へと石英管４１を移動させていくと、温度勾配の急峻な電気炉４２の出口付近において融液４３の温度が共晶温度以下になり、融液４３が凝固して固相４５が形成されていく。十分な温度勾配が得られ難い場合、電気炉４２の出口に水冷機構を設けるなどしてもよい。固液界面４６を平坦に保った状態で石英管４１を移動させ続けることで、固液界面４６に対して垂直方向に成長した第１の材料からなる複数の柱状部と、それらを取り囲む第２の材料からなるマトリックス部に相分離した図３のような一軸相分離構造体が得られる。また、柱状部の直径及び周期は溶融部分の凝固速度に依存し、特に柱状部分の周期に関しては次式の相関があるとされる。周期をλとし、凝固速度をｖとすれば、λ２・ｖ＝一定である。従って石英管４１の移動速度を制御して凝固速度を変化させることで、周期や直径をある程度調整することが可能である。ここで周期とは、柱状部分の中心間の平均的な間隔である。本発明で第１の相３１を構成する各部分は、図３に示すように、柱状部を有する（柱状形状）ことが好ましい。本発明においては、柱状部の直径３５は、５０ｎｍ以上３０μｍ以下の範囲とすることが好ましく、より好ましくは、２００ｎｍ以上１０μｍ以下の範囲とされる。また、各部分（柱状部）の位置する周期３７は、５００ｎｍ以上５０μｍ以下の範囲とするのが好ましく、より好ましくは、１μｍ以上２０μｍ以下の範囲とされる。即ち、多数の柱状部は、第２の相３２をマトリックスとして第１の相３１が伸びた方向と垂直な面内方向の略周期的な位置に存在させるのが好適である。
【００１８】
本発明における一軸相分離構造体を作製するためには、第１の材料Ａと第２の材料Ｂが共晶材料であり、少なくとも第２の材料Ｂは放射線に対して電流応答を示す半導体材料である必要がある。また、材料Ａと材料Ｂの共晶組成ＡＸＢＹおいて材料ＡＸとＢＹの体積がＡＸ＜ＢＹであるような材料を選択することで材料Ａが柱状部分を形成し、材料Ｂがマトリックス部分を形成する一軸相分離構造体を作製することができる。
【００１９】
このような材料系として、臭化ナトリウムと臭化タリウム、及び、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）と臭化タリウムが挙げられる。例えば臭化ナトリウムと臭化タリウムについて説明すると、本発明者らがＤＴＡ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）にて分析した結果によると、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）と臭化ナトリウム（ＮａＢｒ）の共晶組成はＴｌＢｒ：ＮａＢｒ＝９０：１０（ｍｏｌ）、共晶温度は４２０℃である。この系における平衡状態図（相図）を図８に示す。図８において、Ｅが共晶点を示している。従って臭化タリウムと臭化ナトリウムを共晶組成で混合した原料を加熱溶融した後、一軸方向に凝固することで、図３において第１の相が臭化ナトリウムからなり、第２の相が臭化タリウムからなる一軸相分離構造体を作製することができる。原料が共晶組成から大きく逸脱していると一方の相が先に析出して構造を乱す要因となるため、良好な一軸相分離構造体を作製するには共晶組成を用いることが好ましい。但し、構造が大きく乱れることがなければ共晶組成から多少逸脱していてもよく、具体的には概ね±３ｍｏｌ％の範囲内であれば許容の範囲内である。本願発明では、共晶組成の±３ｍｏｌ％の以内の範囲の組成により得られる結晶組織を略共晶組織として捉えている。
【００２０】
上記のように作製した一軸相分離構造体を、ダイヤモンドワイヤーソーなどを用いて所望の形状及び厚みに切り出した後、片方の切り出し面に図５（ａ）のように導電体５１と絶縁体５２からなるパターンを設ける。パターンの形成には、例えばメタルマスクを利用して絶縁体５２をスパッタリングや真空蒸着などの成膜プロセスで選択的に配置した後、導電体５１を配置するなどすればよい。続いてこれを水等の溶媒に浸漬させて十分に柱状部分５３の臭化ナトリウム（ＮａＢｒ）のみを溶解させて除去し、図５（ｂ）のように多数の柱状の孔５５を形成する。ここで、形成された柱状の孔５５のサイズは、マトリックス部５４である臭化タリウム（ＴｌＢｒ）を溶解できるエッチャントに浸漬することで大きくすることも可能である。これをめっき液に浸漬し、導電体５１を陰極として電解めっきをすることで、図６（ｃ）のように導電体５１と接している柱状の孔５５にのみ選択的に金属を充填する。めっきの終了後、表面研磨することで、図６（ｄ）のように一方向に伸びた多数の柱状の孔部、及び、一方向に伸びた金属が充填された多数の柱状部（金属を含有して構成された柱状部）と、それらの側面を取り囲むマトリックス部からなる構造を形成することができる。ここで、一方向に伸びた多数の柱状の孔部には、絶縁性の有機物が入っていてもよい。更に金属が充填された多数の柱状部に対応して第１の電極１４、及び、第２の電極１５を配置することで、図１に示すような検出層１０を有する放射線検出素子にすることができる。第１の電極１４と第２の電極１５の電極間距離は、回路基板の画素サイズに合わせるとよい。放射線検出器の用途にもよるが、例えば医療用Ｘ線フラットパネルディテクタの場合では概ね５０〜２００μｍの範囲である。第２の電極１５と回路基板を電気的に接合するには、例えば第２の電極１５と回路基板とを導電性のバンプを介して圧着するなどすればよい。
【００２１】
本実施形態によると、共晶材料を用いることにより、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）のような放射線吸収係数が高い半導体材料からなる検出層に電極が埋め込まれたような三次元構造を容易に製造することが可能になる。さらに、このような検出層の面内方向に電界を印加する構成において、検出層の厚みよりも電極間距離を短くできるため、低い電界強度においてもキャリアのトラップを抑制することができる放射線検出素子となる。本発明の放射線検出器は共晶材料を用いて形成することができることから、第１の相と第２の相の境界を明瞭に形成することが可能となっている。つまり、実際の放射線検出部分となる第２の相に第１の相の材料が混入し難いため、良好な放射線検出特性が得られるという効果が奏される。本発明及び本願明細書において放射線とは、主としてＸ線やγ線であり、Ｘ線とは、放射線のうち、エネルギーが２ｋｅＶ以上１０００ｋｅＶ以下の電磁波を指している。また、γ線とは、放射性核種の崩壊から発生する電磁波であり、数１０ｋｅＶから数ＭｅＶのエネルギーを有している。
【実施例１】
【００２２】
本実施例は、本発明による放射線検出素子の製造方法の具体例を説明する。臭化タリウムと臭化ナトリウムの粉末をＴｌＢｒ：ＮａＢｒ＝９０：１０（ｍｏｌ）となる比率で混合した原料を石英管に入れて、石英管内を約１０−３Ｐａに真空排気した後にアルゴンガスを導入してアルゴン雰囲気にした状態で石英管を封じ切った。この際、石英管内のアルゴン分圧が約１０５Ｐａになるようにした。
【００２３】
原料の入った石英管を図４（ａ）のように縦型の電気炉内にセットした後、電気炉の設定温度を４６０℃にして石英管内の原料を溶融した。原料全体が溶融したのを確認した後、石英管を約１５ｍｍ／ｈの速度で引き下げることで、図４（ｂ）のように電気炉の出口付近で固液界面が形成されて、原料下部より逐次凝固が進行するようにした。
【００２４】
石英管全体を引き下げた後、凝固した原料を取り出し、引き下げ方向と垂直な面方向にダイヤモンドワイヤーソーを用いて約５５０μｍの厚みで切り出したものを試料とした。試料の切り出し面をラッピングシートを用いて研磨して、研磨面の構造を走査型電子顕微鏡で確認したところ、直径２μｍ程度の複数の柱状部分と、それらを取り囲むマトリックス部分からなる構造となっていることが確認できた。更に、走査型電子顕微鏡に内蔵されたＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光）を用いて、両者の組成を確認したところ、柱状部分は臭化ナトリウム、マトリックス部分は臭化タリウムからなる一軸相分離構造体となっていることが確認できた。図６は試料を水に３０分間浸漬した後に観測した光学顕微鏡像である。柱状部分の臭化ナトリウムが溶解して直径２μｍ程度の多数の柱状の孔となり、臭化タリウムからなるマトリックス部分に取り囲まれた構造となっていることが確認できる。
【００２５】
次に、水に浸漬する前の試料の片方の切り出し面に、回路基板の画素サイズの周期に合わせた開口部をもつメタルマスクを用いてＳｉＯ２膜等の絶縁体の膜を配置した後、絶縁体膜で被覆されていない面に導電体膜（Ａｕ、Ｐｔ等）を配置する。続いて、上記の試料を水に３０分間浸漬し、柱状部分の臭化ナトリウム（ＮａＢｒ）のみを溶解させることによって、図６のような多数の柱状の孔を形成させる。さらに、これをＡｕ（あるいは、Ｎｉなど）のめっき液に浸漬し、導電体膜を陰極として電解めっきをすることで、導電体膜と接している複数の柱状の孔にのみ選択的にＡｕが充填される。めっきの終了後、試料の両面を表面研磨して厚みが約５００μｍとなるように調整し、一方向性を有する多数の柱状の孔、及び、一方向性を有するＡｕが充填された複数の柱状部分と、それらを取り囲む臭化ナトリウム（ＴｌＢｒ）からなる三次元構造を形成することができる。更にＡｕが充填された複数の柱状部分に対応して、第１の電極と第２の電極とをメタルマスクを用いて真空蒸着でＡｕを５０ｎｍの厚みで成膜する。第１の電極と第２の電極は、回路基板の画素サイズ１００μｍに合わせて配置し、試料の第２の電極と回路基板の画素を位置合わせしてバンプを介して圧着することで接合する。試料に設けた第１の電極に電圧を印加するための電源を接続することで、臭化ナトリウム（ＴｌＢｒ）にＡｕが充填された複数の柱状部分を含む電極が埋め込まれた三次元構造を検出層とした放射線検出素子として機能する。
【００２６】
本実施例による放射線検出素子は、放射線に対して電流応答を示す臭化タリウムに柱状の金属が充填された複数の柱状部分を含む電極が埋め込まれた三次元構造となっている。よって、第１の電極と第２の電極の電極間距離を検出層の厚みよりも短くするように各電極を配置することで、キャリアの電極間距離を短くすることが可能である。従って、低い電界強度でも電極間距離に対して十分なキャリアのドリフト長を確保することが可能となり、キャリアのトラップを抑制することができる。つまり、キャリアの捕集効率を向上させることが可能となる。
【符号の説明】
【００２７】
１０  検出層
１１  一方向に伸びた孔部
１２  一方向に伸びた柱状部）
１３  マトリックス部
１４  第１の電極
１５  第２の電極
【図１】
2017215213.tif 000003
【図２】
2017215213.tif 000004
【図３】
2017215213.tif 000005
【図４】
2017215213.tif 000006
【図５】
2017215213.tif 000007
【図６】
2017215213.tif 000008
【図７】
2017215213.tif 000009
【図８】
2017215213.tif 000010