(57)【要約】【課題】反射率を抑制した積層体基板を提供することを目的とする。【解決手段】透明基材と、  前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、  前記積層体は、  銅層と、  Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含む黒化層と、  Ｎｉ−Ｃｕ系合金を含有する白色金属層と、を備えた積層体基板を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
前記積層体は、
銅層と、
Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含む黒化層と、
Ｎｉ−Ｃｕ系合金を含有する白色金属層と、を備えた積層体基板。
【請求項２】
前記積層体は、複数の前記黒化層を有し、
前記銅層は、一の黒化層と、他の黒化層との間に配置されている請求項１に記載の積層体基板。
【請求項３】
波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下である請求項１または２に記載の積層体基板。
【請求項４】
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備え、
前記金属細線が、
銅配線層と、
Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含む黒化配線層と、
Ｎｉ−Ｃｕ系合金を含有する白色金属配線層と、を備えた積層体である導電性基板。
【請求項５】
前記金属細線は、複数の前記黒化配線層を有し、
前記銅配線層は、一の黒化配線層と、他の黒化配線層との間に配置されている請求項４に記載の導電性基板。
【請求項６】
透明基材を準備する透明基材準備工程と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程とを有し、
前記積層体形成工程は、
銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップと、
Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含む黒化層を堆積する黒化層成膜手段により黒化層を成膜する黒化層形成ステップと、
Ｎｉ−Ｃｕ系合金を含有する白色金属層を堆積する白色金属層成膜手段により白色金属層を成膜する白色金属層形成ステップと、を含み、
前記黒化層形成ステップ、及び白色金属層形成ステップは減圧雰囲気下において実施する積層体基板の製造方法。
【請求項７】
前記黒化層成膜手段、及び前記白色金属層成膜手段がスパッタリング成膜法である請求項６に記載の積層体基板の製造方法。
【請求項８】
前記黒化層の厚さが１０ｎｍ以上であり、
前記白色金属層の厚さが５ｎｍ以上である請求項６または７に記載の積層体基板の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の前記銅層と、前記黒化層と、前記白色金属層とをエッチングし、銅配線層と、黒化配線層と、白色金属配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有し、
前記エッチング工程により、前記銅層、前記黒化層、及び前記白色金属層に開口部を形成する導電性基板の製造方法。
【請求項１０】
得られる導電性基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下である請求項９に記載の導電性基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法
に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示されているように、透明な高分子フィルム等の透明基材の表面に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。
【０００３】
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
【０００４】
このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜の配線に替えて、銅等の金属箔を加工した金属配線を用いることが検討されている。しかし、例えば金属配線に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
【０００５】
そこで、銅等の金属配線と共に、金属配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１５１３５８号公報
【特許文献２】特開２０１１−０１８１９４号公報
【特許文献３】特開２０１３−０６９２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、銅の金属配線の、透明基材の表面と平行な面に、黒化層を設けただけでは、透明基材上に該金属配線、及び黒化層を備えた導電性基板の反射率を十分に抑制できていない場合があった。
【０００８】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明は反射率を抑制した積層体基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため本発明は、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
前記積層体は、
銅層と、
Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含む黒化層と、
Ｎｉ−Ｃｕ系合金を含有する白色金属層と、を備えた積層体基板を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、反射率を抑制した積層体基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。
【図３】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。
【図４】図４のＡ−Ａ´線における断面図。
【図５】ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（積層体基板、導電性基板）
本実施形態の積層体基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備えた構成を有することができる。  
そして、積層体は、銅層と、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含む黒化層と、Ｎｉ−Ｃｕ系合金を含有する白色金属層と、を有することができる。
【００１３】
なお、本実施形態における積層体基板とは、透明基材の表面に、パターニングする前の銅層や黒化層、白色金属層を有する基板である。また、導電性基板とは、透明基材の表面に、パターニングして配線の形状にした銅配線層や黒化配線層、白色金属配線層を有する配線基板である。
【００１４】
既述のように、透明基材上に銅の金属配線と、該銅の金属配線の、透明基材の表面と平行な面に、黒化層を設けただけでは、導電性基板の反射率を十分に抑制できていない場合があった。
【００１５】
そこで、本発明の発明者らは、黒化層を設けたのみでは導電性基板の反射率を十分に抑制できない原因について、鋭意検討を行った。
【００１６】
その結果、黒化層を設けたのみでは、該黒化層側から銅層を見た場合に銅の金属配線の色味を十分に抑制できておらず、そのために導電性基板の反射率を十分に抑制できていないことを見出した。
【００１７】
そして、黒化層上にさらに白色金属層を設けることで、黒化層側から銅層を見た場合に銅層の色味を抑制でき、積層体基板、及び該積層体基板を用いて作製した導電性基板の反射率を十分に抑制できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１８】
以下に、本実施形態の積層体基板の構成について具体的に説明する。
【００１９】
ここでまず、本実施形態の積層体基板に含まれる各部材について以下に説明する。
【００２０】
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
【００２１】
可視光を透過する高分子フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルムを好ましく用いることができる。
【００２２】
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、２０μｍ以上２００μｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以上１２０μｍ以下である。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
次に積層体について説明する。積層体は、透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、黒化層と、白色金属層と、銅層とを有することができる。
【００２４】
ここではまず銅層について説明する。
【００２５】
銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、銅層と黒化層との間、または銅層と白色金属層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００２６】
他の部材の上面に銅層を直接形成するため、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を用いて銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を銅層とすることができる。
【００２７】
また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき法で銅薄膜層を形成した後に湿式めっき法を用いることが好ましい。すなわち、例えば透明基材、黒化層、または白色金属層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することができる。この場合、銅層は銅薄膜層と、銅めっき層とを有することとなる。
【００２８】
上述のように乾式めっき法のみ、または乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材、黒化層、または白色金属層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。
【００２９】
銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線の電気抵抗値や配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に充分に電気が流れるように銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチングが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【００３０】
次に、黒化層について説明する。
【００３１】
銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングした配線である銅配線層を形成したのみでは銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。このため、本実施形態の積層体基板は黒化層を有することができる。
【００３２】
本実施形態の積層体基板が含有する黒化層の組成は特に限定されるものではないが、例えば、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含むことが好ましい。また、黒化層は、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素をさらに含むこともできる。
【００３３】
なお、黒化層は、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種類以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、黒化層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種類以上の金属を含む金属合金としては、例えばＣｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。
【００３４】
黒化層の形成方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により形成することができ、例えば乾式法、または湿式法により成膜することができる。
【００３５】
黒化層を乾式法により成膜する場合、その具体的な方法は特に限定されるものではないが、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を好ましく用いることができる。黒化層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、黒化層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を添加することができ、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【００３６】
反応性スパッタリング法により黒化層を成膜する場合、ターゲットとしては、黒化層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。黒化層が合金を含む場合には、黒化層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め黒化層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。
【００３７】
また、黒化層に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素が含まれる場合、これらは黒化層を成膜する際の雰囲気中に添加しておくことにより、黒化層中に添加することができる。例えば、黒化層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、スパッタリングを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。黒化層を成膜する際の不活性ガス中にこれらのガスを添加することにより、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を黒化層中に添加することができる。なお、不活性ガスとしてはアルゴンを好ましく用いることができる。
【００３８】
黒化層を湿式法により成膜する場合には、黒化層の材料に応じためっき液を用い、例えば電気めっき法により成膜することができる。
【００３９】
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。これは、黒化層の厚さが薄い場合には、金属層表面における光の反射を十分に抑制できない場合があるため、上述のように黒化層の厚さを１０ｎｍ以上とすることにより金属層表面における光の反射を特に抑制できるように構成することが好ましいためである。
【００４０】
黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００４１】
本実施形態の積層体基板においては、黒化層を配置することにより、銅層表面における光の反射を抑制することができる。このため、該積層体基板を用いて作製した導電性基板を、例えばタッチパネル等の用途に用いた場合にディスプレイの視認性の低下を抑制することが可能になる。
【００４２】
次に白色金属層について説明する。
【００４３】
銅層の表面に黒化層を配置したのみでは、銅層の色味を抑制できず、導電性基板とした場合に反射率を十分に抑制できていなかった。このため、本実施形態の積層体基板においては、黒化層に加えて白色金属層を有することができる。
【００４４】
白色金属層の材料については特に限定されるものではなく、銅層の色味を抑制するために適した色合いを有する金属層を好適に用いることができる。ただし、本発明の発明者らの検討によれば、Ｎｉ−Ｃｕ系合金を含有する層とすることが銅層の色味を抑制する観点から特に好ましい。
【００４５】
白色金属層は、上述のようにＮｉ−Ｃｕ系合金、すなわちニッケルと銅とを含有する合金を含有することができる。また、白色金属層はＮｉ−Ｃｕ系合金から構成することもできる。
【００４６】
そして、Ｎｉ−Ｃｕ系合金に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。なお、Ｎｉ−Ｃｕ系合金に含まれる金属成分のうちのニッケルの割合とは、Ｎｉ−Ｃｕ系合金が金属成分としてニッケルおよび銅のみを含有する場合、Ｎｉ−Ｃｕ系合金中のニッケルと銅との含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの割合を示している。
【００４７】
また、白色金属層に含まれるＮｉ−Ｃｕ系合金は、ニッケル及び銅に加えて、亜鉛を含有することもできる。
【００４８】
Ｎｉ−Ｃｕ系合金が亜鉛をさらに含有する場合、該Ｎｉ−Ｃｕ系合金に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。つまり、Ｎｉ−Ｃｕ系合金中の金属成分の含有量の合計を１００質量％とした場合に、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。
【００４９】
なお、Ｎｉ−Ｃｕ系合金が金属成分としてニッケル、銅、および亜鉛を含有する場合、該合金中の金属成分の含有量の合計とは、例えばニッケルの含有量と、銅の含有量と、亜鉛の含有量との合計を意味することになる。
【００５０】
Ｎｉ−Ｃｕ系合金が、上述の様に銅、ニッケル、及び亜鉛を含有し、該合金中の金属成分の含有量を１００質量％とした場合のニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下の場合、係る合金としては例えば白銅や洋白等を好適に用いることができる。
【００５１】
なお、Ｎｉ−Ｃｕ系合金は、金属種として上述の様にニッケル、及び銅を含有することができ、上述のように、さらに亜鉛等を含有することもできる。また、Ｎｉ−Ｃｕ系合金が含有する金属成分は、ニッケル、及び銅のみ、またはニッケル、銅、及び亜鉛のみから構成することもできるが、これらの場合でもニッケル、及び銅のみに限定されるものではなく、例えば１質量％以下の不可避不純物を含有していてもよい。
【００５２】
Ｎｉ−Ｃｕ系合金は、ニッケル、及び銅を含有していればよく、各成分が具体的にどのような合金を形成しているかは特に限定されるものではない。
【００５３】
本実施形態の積層体基板に配置する白色金属層の成膜方法は特に限定されるものではない。白色金属層は例えば、スパッタリング法等の乾式成膜法により形成することが好ましい。
【００５４】
白色金属層をスパッタリング法により成膜する場合、例えばＮｉ−Ｃｕ系合金のターゲットを用い、チャンバー内にスパッタリングガスとして用いられる不活性ガスを供給しながら成膜することができる。
【００５５】
スパッタリング時にＮｉ−Ｃｕ系合金のターゲットを用いた場合、Ｎｉ−Ｃｕ系合金中に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。なお、Ｎｉ−Ｃｕ系合金中に含まれる金属成分のうちのニッケルの割合とは、Ｎｉ−Ｃｕ系合金が金属成分としてニッケル及び銅のみを含有する場合、Ｎｉ−Ｃｕ系合金中の銅と、ニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの割合を示している。
【００５６】
これは成膜する白色金属層に含まれる金属成分のうちの、ニッケルの割合と、該白色金属層を成膜する際に用いたＮｉ−Ｃｕ系合金のターゲットの、Ｎｉ−Ｃｕ系合金中に含まれる金属成分のうちのニッケルの割合が同じになるためである。
【００５７】
白色金属層を成膜する際の不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、例えばアルゴンガスやキセノンガス等を用いることができるが、アルゴンガスを好適に用いることができる。
【００５８】
本実施形態の積層体基板において形成する白色金属層の厚さは特に限定されるものではなく、例えば、積層体基板に要求される銅層の色味の抑制の程度等に応じて任意に選択することができる。
【００５９】
白色金属層の厚さの下限値は、例えば５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがより好ましい。白色金属層の厚さの上限値は例えば７０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下である。
【００６０】
白色金属層は上述のように銅層の色味を抑制し、積層体基板の反射率を抑制する機能を有する層として機能することができるが、白色金属層の厚さが薄い場合には、銅層の色味を十分に抑制できない場合がある。これに対して、白色金属層の厚さを５ｎｍ以上とすることにより、銅層の色味をより確実に抑制できる。
【００６１】
白色金属層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、白色金属層の厚さは上述の様に７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００６２】
本実施形態の積層体基板においては、後述のように透明基材上に、銅層、黒化層、及び白色金属層を積層することができ、銅層、黒化層、及び白色金属層をパターニングすることで導電性基板とすることができる。
【００６３】
このため、本実施形態の積層体基板から得られる導電性基板の銅配線層、黒化配線層、白色金属配線層はそれぞれ、本実施形態の積層体基板の銅層、黒化層、白色金属層の特徴が維持される。
【００６４】
次に、本実施形態の積層体基板の構成例について説明する。
【００６５】
上述のように、本実施形態の積層体基板は透明基材と、銅層、黒化層、白色金属層を有する積層体と、を有することができる。この際、積層体内で銅層、黒化層、及び白色金属層を透明基材上に配置する順番や、その層の数は特に限定されるものではない。つまり、例えば透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と黒化層と白色金属層とを二層ずつ積層することもできる。また、積層体内で銅層、黒化層、及び白色金属層から選択された1種類以上の層を複数層形成することもできる。
【００６６】
ただし、積層体内で銅層と、黒化層とを配置する際、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。また、銅層の表面のうち、黒化層を配置した面であって、特に光の反射を抑制した面には黒化層に併せて、白色金属層も設けることがより好ましい。
【００６７】
特に黒化層が銅層の表面に形成された積層構造を有することがより好ましい、具体的には例えば、積層体は、複数の黒化層を有し、銅層は一の黒化層と、他の黒化層との間に配置された構成とすることができる。
【００６８】
より具体的には例えば、透明基材側から、第１黒化層、銅層、第２黒化層の順に積層することができる。
【００６９】
また、この場合、第１黒化層および／または第２黒化層に併せて白色金属層を設けることもできる。第１黒化層に併せて白色金属層を設ける場合には、例えば第１黒化層と銅層との間に第１白色金属層を設けることができる。第２黒化層に併せて白色金属層を設ける場合には、例えば銅層と第２黒化層との間に第２白色金属層を設けることができる。なお、第１白色金属層、および第２白色金属層はいずれか一方のみを設けることもでき、両方を設けることもできる。
【００７０】
このように、黒化層に併せて白色金属層も設けることで、黒化層と、白色金属層とを設けた面について、特に光の反射を抑制することが可能になる。
【００７１】
本実施形態の積層体基板の具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１および、図２は、本実施形態の積層体基板の、透明基材、銅層、黒化層、及び白色金属層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
【００７２】
例えば、図１（ａ）に示した積層体基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に黒化層１２と、白色金属層１３と、銅層１４とを一層ずつその順に積層することができる。なお、黒化層１２と、白色金属層１３との積層の順番は特に限定されるものではないが、白色金属層１３は、黒化層１２と、銅層１４との間に配置されることが好ましい。
【００７３】
また、図１（ｂ）に示した積層体基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ黒化層１２Ａ、１２Ｂ、白色金属層１３Ａ、１３Ｂと、銅層１４Ａ、１４Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。
【００７４】
さらに、既述のように、本実施形態の積層体基板は、透明基材１１の少なくとも一方の面側に黒化層、および白色金属層を複数設けることもできる。例えば図２（ａ）に示した積層体基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１黒化層１２１と、第１白色金属層１３１と、銅層１４と、第２白色金属層１３２と、第２黒化層１２２とをその順に積層することができる。
【００７５】
このように黒化層、および白色金属層として、第１黒化層１２１、第２黒化層１２２、第１白色金属層１３１、及び第２白色金属層１３２を有し、銅層１４を第１黒化層１２１と、第２黒化層１２２との間に配置することで、銅層１４の上面側、及び下面側から入射する光の反射をより確実に抑制することが可能になる。また、黒化層に併せて白色金属層を設けることで、黒化層側から見た場合の銅層の色味を抑え、反射率を特に抑制することが可能になる。
【００７６】
この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１黒化層、第２黒化層、第１白色金属層、第２白色金属層を積層した構成とすることができる。具体的には図２（ｂ）に示した積層体基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１黒化層１２１Ａ、１２１Ｂと、第１白色金属層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１４Ａ、１４Ｂと、第２白色金属層１３２Ａ、１３２Ｂと、第２黒化層１２２Ａ、１２２Ｂと、をその順に積層できる。
【００７７】
透明基材１１の両面に銅層と、黒化層と、白色金属層とを積層した、図１（ｂ）、図２（ｂ）の構成例においては、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。
【００７８】
例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ｂ）の構成と同様に、黒化層１２Ａと、白色金属層１３Ａと、銅層１４Ａとをその順に積層した形態とすることができる。そして、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側の構成を、第１黒化層１２１Ｂと、第１白色金属層１３１Ｂと、銅層１４Ｂと、第２白色金属層１３２Ｂと、第２黒化層１２２Ｂとをその順に積層した形態として、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
【００７９】
本実施形態の積層体基板の光の反射の程度は特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下の場合、例えば本実施形態の積層体基板を、タッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
【００８０】
積層体基板の正反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、積層体基板に含まれる黒化層及び銅層のうち、黒化層側から光を照射して測定を行うことができる。具体的には例えば図１（ａ）のように透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１２、白色金属層１３、銅層１４の順に積層した場合、黒化層１２に光を照射できるように、透明基材１１の面１１ｂ側から、黒化層１２の表面に対して光を照射して測定できる。
【００８１】
また、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均とは、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で波長を変化させて測定を行った際の測定結果の平均値を意味している。測定の際、波長を変化させる幅は特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことが好ましく、１ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことがより好ましい。
【００８２】
なお、後述のように積層体基板は黒化層、白色金属層、及び銅層をエッチングによって配線加工することにより金属細線を形成して導電性基板とすることができる。導電性基板における光の正反射率とは、透明基材を除いた場合に、最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における正反射率を意味する。
【００８３】
このため、エッチング処理を行った後の導電性基板であれば、銅層、黒化層、及び白色金属層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。
【００８４】
次に、本実施形態の導電性基板について説明する。
【００８５】
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備えることができる。そして、金属細線が、銅配線層と、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含む黒化配線層と、Ｎｉ−Ｃｕ系合金を含有する白色金属配線層とを備えることができる。
【００８６】
本実施形態の導電性基板は、例えば既述の積層体基板を配線加工して得ることができる。そして、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅配線層と、黒化配線層と、白色金属配線層とを設けているため、銅配線層による光の反射を抑制することができる。従って、黒化配線層、及び白色金属配線層を設けることにより、例えばタッチパネル等に用いた場合に良好なディスプレイの視認性を有することができる。
【００８７】
本実施形態の導電性基板は例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合、導電性基板は既述の積層体基板における銅層、黒化層、及び白色金属層に開口部を設けることで形成した配線パターンを有する構成とすることができる。より好ましくは、メッシュ状の配線パターンを備えた構成とすることができる。
【００８８】
開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板は、ここまで説明した積層体基板の銅層と、黒化層と、白色金属層とをエッチングすることにより得ることができる。そして、例えば二層の金属細線によりメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。
【００８９】
図３はメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板３０を銅配線層と、黒化配線層と、白色金属配線層との積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の銅配線層３１ＢとＹ軸方向に平行な銅配線層３１Ａとを有している。なお、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは、既述の積層体基板をエッチングすることで形成でき、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化配線層、及び白色金属配線層が形成されている。また、黒化配線層、及び白色金属配線層は、透明基材１１の主表面、すなわち透明基材１１の銅配線層３１Ａ、３１Ｂ等を積層している面と平行な面での断面形状が、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状となるようにエッチングされている。
【００９０】
透明基材１１と銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と銅配線層との配置の構成例を図４に示す。図４は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
【００９１】
例えば、図４に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ銅配線層３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図４に示した導電性基板の場合、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１側には、第１黒化配線層３２１Ａ、３２１Ｂ、及び第１白色金属配線層３３１Ａ、３３１Ｂが配置されている。第１黒化配線層３２１Ａ、３２１Ｂ、及び第１白色金属配線層３３１Ａ、３３１Ｂは、透明基材１１の主表面と平行な面での断面形状を、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状とすることができる。
【００９２】
また、図４に示したように、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１とは反対側の面には、第２白色金属配線層３３２Ａ、３３２Ｂ、第２黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂを配置することもできる。この場合、第２白色金属配線層３３２Ａ、３３２Ｂ、及び第２黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂについても、透明基材１１の主表面と平行な面での断面形状が、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状とすることができる。
【００９３】
本実施形態の導電性基板は、図４に示した導電性基板のように、積層体である金属細線は、複数の黒化配線層を有し、銅配線層は一の黒化配線層と、他の黒化配線層との間に配置された構成とすることができる。
【００９４】
ただし、本実施形態の導電性基板は、図４に示した導電性基板の構成例に限定されるものではなく、例えば第１黒化配線層３２１Ａ、３２１Ｂと、第２黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂとのいずれか一方のみを設けることもできる。また、第１白色金属配線層３３１Ａ、３３１Ｂと、第２白色金属配線層３３２Ａ、３３２Ｂとについてもいずれか一方のみを設けることもできる。
【００９５】
ただし、白色金属配線層を設ける場合には、該白色金属配線層と連続して積層する黒化配線層も併せて設けることが好ましい。このため、図４に示した導電性基板を例に説明すると、第１白色金属配線層３３１Ａ、３３１Ｂを設ける場合には、第１黒化配線層３２１Ａ、３２１Ｂを併せて設けることが好ましい。そして、第２白色金属配線層３３２Ａ、３３２Ｂを設ける場合には、第２黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂを併せて設けることが好ましい。
【００９６】
また、白色金属配線層は、黒化配線層と銅配線層との間に配置されていることが好ましい。このため、図４に示したように、第１黒化配線層３２１Ａ、３２１Ｂと、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの間に第１白色金属配線層３３１Ａ、３３１Ｂを配置することが好ましい。また、第２黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂと、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの間に第２白色金属配線層３３２Ａ、３３２Ｂを配置することが好ましい。
【００９７】
なお、図４に示した導電性基板おいては、透明基材１１を対称面として、上下に積層した層の種類が対称になるように構成した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば第１白色金属配線層３３１Ａと、第１白色金属配線層３３１Ｂとのうち、いずれか一方のみを設けた構成とすることもできる。また、第２白色金属配線層３３２Ａと、第２白色金属配線層３３２Ｂとうち、いずれか一方のみを設けた構成とすることもできる。第１黒化配線層、第２黒化配線層についても上述の白色金属配線層の場合と同様に、導電性基板に要求される性能等に応じて任意に設けることができる。
【００９８】
図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１４Ａ、１４Ｂと、黒化層１２Ａ、１２Ｂ（１２１Ａ、１２１Ｂ、１２２Ａ、１２２Ｂ）と、白色金属層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ）とを備えた積層体基板から形成することができる。
【００９９】
なお、例えば図４に示した第１黒化配線層、第２黒化配線層、第１白色金属配線層、及び第２白色金属配線層を備えた導電性基板は、図２（ｂ）に示した積層体基板から形成することができる。
【０１００】
そこで、図２（ｂ）の積層体基板を用いて形成した場合を例に説明する。
【０１０１】
まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の第１黒化層１２１Ａ、第１白色金属層１３１Ａ、銅層１４Ａ、第２白色金属層１３２Ａ、第２黒化層１２２Ｂを、図２（ｂ）中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンが、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングする。なお、図２（ｂ）中のＹ軸方向とは、紙面と垂直な方向を指す。また、図２（ｂ）中のＸ軸方向とは各層の幅方向と平行な方向を意味している。
【０１０２】
そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の第１黒化層１２１Ｂ、第１白色金属層１３１Ｂ、銅層１４Ｂ、第２白色金属層１３２Ｂ、第２黒化層１２２Ｂを、図２（ｂ）中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。
【０１０３】
以上の操作により図３、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１４Ａ、１４Ｂ、第１黒化層１２１Ａ、１２１Ｂ、第２黒化層１２２Ａ、１２２Ｂ、第１白色金属層１３１Ａ、１３１Ｂ、及び第２白色金属層１３２Ａ、１３２Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。
【０１０４】
また、図１（ｂ）に示した積層体基板を用いて、同様にエッチングを行うことで、第２黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂ、及び第２白色金属配線層３３２Ａ、３３２Ｂを有しない点以外は、図３、図４に示した導電性基板と同様の構成を有する導電性基板を形成することができる。
【０１０５】
図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した積層体基板を２枚用いることにより形成することもできる。図２（ａ）の導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図２（ａ）に示した積層体基板２枚についてそれぞれ、第１黒化層１２１、第１白色金属層１３１、銅層１４、第２白色金属層１３２、第２黒化層１２２を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。
【０１０６】
例えば、２枚の導電性基板について、図２（ａ）における透明基材１１の銅層１４等が積層されていない面１１ｂ同士を貼り合せることで、図４に示した構成とすることができる。
【０１０７】
なお、図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における金属細線の幅や、金属細線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、金属細線に必要な電気抵抗値等に応じて選択することができる。
【０１０８】
ここまで図３、図４においては、直線形状の金属細線を組み合わせてメッシュ状の配線パターンを形成した例を示したが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する金属細線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する金属細線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【０１０９】
ここまで説明した本実施形態の２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の積層体基板の製造方法の構成例について説明する。
【０１１０】
本実施形態の積層体基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。  
透明基材を準備する透明基材準備工程。  
透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程。  
積層体形成工程は、さらに以下のステップを有することができる。  
銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップ。  
Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含む黒化層を堆積する黒化層成膜手段により黒化層を成膜する黒化層形成ステップ。  
Ｎｉ−Ｃｕ系合金を含有する白色金属層を堆積する白色金属層成膜手段により白色金属層を成膜する白色金属層形成ステップ。  
そして、黒化層形成ステップ、及び白色金属層形成ステップは減圧雰囲気下において実施することが好ましい。
【０１１１】
以下に本実施形態の積層体基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の積層体基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略している。
【０１１２】
上述のように、本実施形態の積層体基板は透明基材と、銅層、黒化層、白色金属層を有する積層体と、を含むことができる。この際、積層体内で銅層と黒化層と白色金属層とを透明基材上に配置する順番や、その層の数は特に限定されるものではない。例えば透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と黒化層と白色金属層とから選択された１種類以上の層を複数層積層することもできる。
【０１１３】
このため、上記銅層形成ステップと、黒化層形成ステップと、白色金属層形成ステップとは、その実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではない。従って、形成する積層体基板の構造に合わせて各ステップを任意の回数、タイミングで実施することができる。
【０１１４】
透明基材を準備する工程は、例えば可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の各工程、ステップに供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。なお、可視光を透過する高分子フィルムとして好適に用いることができるものについては既述のため、ここでは説明を省略する。
【０１１５】
次に積層体形成工程について説明する。積層体形成工程は透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する工程であり、銅層形成ステップと、黒化層形成ステップと、白色金属層形成ステップとを有することができる。各ステップについて以下に説明する。
【０１１６】
まず、銅層形成ステップについて説明する。
【０１１７】
銅層形成ステップでは透明基材の少なくとも一方の面側に銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成することができる。
【０１１８】
銅層形成ステップでは、乾式めっき法を用いて銅薄膜層を形成することが好ましい。また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき法により銅薄膜層を形成後に湿式めっき法を用いてさらに銅めっき層を形成することが好ましい。
【０１１９】
このため、銅層形成ステップは、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成ステップを有することができる。また、銅層形成ステップは、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成ステップと、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する銅めっき層形成ステップと、を有していてもよい。
【０１２０】
従って、上述の銅層成膜手段としては１つの成膜手段に限定されるものではなく、複数の成膜手段を組み合わせて用いることもできる。
【０１２１】
上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材、黒化層、または白色金属層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。
【０１２２】
乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、減圧雰囲気下において、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。
【０１２３】
特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、厚さの制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。すなわちこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段としてスパッタリング成膜手段（スパッタリング成膜法）を好ましく用いることができる。
【０１２４】
銅薄膜層は、例えば図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。以下にロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。
【０１２５】
図５はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。図５において筐体５１の形状は直方体形状として示しているが、筐体５１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体５１の形状は円筒形状とすることもできる。ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体５１内部は１Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０−３Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましく、１０−４Ｐａ以下まで減圧できることがさらに好ましい。なお、筐体５１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール５３が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。
【０１２６】
筐体５１内には、銅薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄ、前フィードロール５５ａ、後フィードロール５５ｂ、テンションロール５６ａ、５６ｂ、巻取ロール５７を配置することができる。また、銅薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール５８ａ〜５８ｈや、ヒーター５９等を設けることもできる。
【０１２７】
巻出ロール５２、キャンロール５３、前フィードロール５５ａ、巻取ロール５７にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール５２、巻取ロール５７は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって銅薄膜層を成膜する基材の張力バランスが保たれるようになっている。
【０１２８】
キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。
【０１２９】
テンションロール５６ａ、５６ｂは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。また、前フィードロール５５ａや、後フィードロール５５ｂ、ガイドロール５８ａ〜５８ｈについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。
【０１３０】
スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄの銅薄膜層を成膜する基材の巾方向の寸法は、対向する銅薄膜層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。
【０１３１】
銅薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３のスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに対向する位置を通過する際に銅薄膜層が成膜される。
【０１３２】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて銅薄膜層を成膜する場合の手順について説明する。
【０１３３】
まず、銅ターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着し、銅薄膜層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした筐体５１内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。
【０１３４】
そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段６１により筐体５１内に導入する。なお、気体供給手段６１の構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体５１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）６１１ａ、６１１ｂ、及びバルブ６１２ａ、６１２ｂを設け、各ガスの筐体５１内への供給量を制御できるように構成できる。図５ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。
【０１３５】
そして、気体供給手段６１によりスパッタリングガスを筐体５１内に供給した際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２の開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
【０１３６】
この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。
【０１３７】
なお、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０には上述した以外にも必要に応じて各種部材を配置できる。例えば筐体５１内の圧力を測定するための圧力計６３ａ、６３ｂや、ベントバルブ６４ａ、６４ｂを設けることもできる。
【０１３８】
また、既述のように乾式めっき後に湿式めっき法を用いてさらに銅層（銅めっき層）を成膜することができる。
【０１３９】
湿式めっき法により銅めっき層を成膜する場合、上述した乾式めっきにより成膜した銅薄膜層を給電層とすることができる。そしてこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段として、電気めっき成膜手段を好ましく用いることができる。
【０１４０】
銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。
【０１４１】
次に黒化層形成ステップについて説明する。
【０１４２】
黒化層形成ステップは、透明基材の少なくとも一方の面側に、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含む黒化層を堆積する黒化層成膜手段により黒化層を成膜するステップである。黒化層形成ステップにおける黒化層成膜手段は特に限定されるものではないが、例えば乾式法、または湿式法により成膜することができる。
【０１４３】
黒化層を乾式法により成膜する場合、その具体的な方法は特に限定されるものではないが、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を好ましく用いることができる。黒化層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、黒化層には既述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【０１４４】
特に黒化層成膜手段としては、例えば減圧雰囲気下におけるスパッタリング成膜手段、すなわちスパッタリング成膜法であることが好ましい。
【０１４５】
黒化層は例えば図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
【０１４６】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて黒化層を成膜する場合の手順の構成例について説明する。
【０１４７】
まず、黒化層を構成する金属を含むターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着する。なお、黒化層が合金を含む場合、予め合金を合成して合金のターゲットを用いることもできるが、合金に含まれる金属のターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに配置し、基材等の被成膜体の表面で合金を形成することもできる。
【０１４８】
そして、黒化層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした筐体５１内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴンと、場合によってはさらに黒化層に添加する炭素、酸素、水素、窒素から選択されるいずれかに対応したガスとを含むスパッタリングガスを気体供給手段６１により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２の開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
【０１４９】
黒化層に添加する炭素、酸素、水素、窒素から選択されるいずれかに対応したガスとしては、例えば黒化層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加できる。
【０１５０】
なお、不活性ガス等は予め混合したガスを筐体５１内に供給することもできるが、それぞれ個別に筐体５１に供給し、筐体５１内でそれぞれのガスが所望の分圧となるようにその供給量、圧力を調整することもできる。
【０１５１】
この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ以上１０ｍ以下程度の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の黒化層を連続成膜することができる。
【０１５２】
黒化層を湿式法により成膜する場合には、黒化層の材料に応じためっき液を用い、例えば電気めっき法により成膜することができる。
【０１５３】
次に、白色金属層形成ステップについて説明する。
【０１５４】
白色金属層形成ステップは既述のように、透明基材の少なくとも一方の面側に、Ｎｉ−Ｃｕ系合金を含有する白色金属層を堆積する白色金属層成膜手段により白色金属層を成膜するステップである。白色金属層形成ステップにおけるＮｉ−Ｃｕ系合金を含有する白色金属層を堆積する白色金属層成膜手段は特に限定されるものではないが、乾式成膜法であることが好ましく、例えば減圧雰囲気下におけるスパッタリング成膜手段、すなわちスパッタリング成膜法であることがより好ましい。
【０１５５】
白色金属層は例えば図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
【０１５６】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて白色金属層を成膜する場合の手順の構成例について説明する。
【０１５７】
まず、Ｎｉ−Ｃｕ系合金ターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着し、合金層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした筐体５１内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴンからなるスパッタリングガスを気体供給手段６１により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２の開度とを調整して筐体５１内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持して成膜を実施することが好ましい。
【０１５８】
この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ以上１０ｍ以下程度の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の白色金属層を連続成膜することができる。
【０１５９】
白色金属層を成膜する際に、上述のようにＮｉ−Ｃｕ系合金のターゲットを用いた場合、Ｎｉ−Ｃｕ系合金中に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。なお、Ｎｉ−Ｃｕ系合金中に含まれる金属成分のうちのニッケルの割合とは、Ｎｉ−Ｃｕ系合金が金属成分としてニッケル及び銅のみを含有する場合、Ｎｉ−Ｃｕ系合金中の銅と、ニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの割合を示している。
【０１６０】
これは成膜する白色金属層に含まれる金属成分のうちの、ニッケルの割合と、該白色金属層を成膜する際に用いたＮｉ−Ｃｕ系合金のターゲットの、Ｎｉ−Ｃｕ系合金中に含まれる金属成分のうちのニッケルの割合が同じになるためである。
【０１６１】
白色金属層を成膜する際の不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、例えばアルゴンガスやキセノンガス等を用いることができるが、上述のように、アルゴンガスを好適に用いることができる。
【０１６２】
ここまで、本実施形態の積層体基板の製造方法に含まれる各工程、ステップについて説明した。
【０１６３】
本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、既述の積層体基板と同様に、銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【０１６４】
また、黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【０１６５】
白色金属層の厚さについても特に限定されるものではないが、下限値は、例えば５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがより好ましい。白色金属層の厚さの上限値は例えば７０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０１６６】
さらに、本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
【０１６７】
本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板を用いて、銅層、黒化層、及び白色金属層に開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板とすることができる。導電性基板は、より好ましくは、メッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
【０１６８】
係る本実施形態の導電性基板の製造方法は、上述の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の銅層と、黒化層と、白色金属層とをエッチングし、銅配線層と、黒化配線層と、白色金属配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有することができる。そして、係るエッチング工程により、銅層、黒化層、白色金属層に開口部を形成できる。
【０１６９】
エッチング工程では例えばまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、積層体基板の最表面に形成する。例えば、図１（ａ）に示した積層体基板の場合、積層体基板に配置した銅層１４の露出した表面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。
【０１７０】
次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、黒化層１２、白色金属層１３、及び銅層１４のエッチングを実施することができる。
【０１７１】
なお、図１（ｂ）のように透明基材１１の両面に黒化層等を配置した場合には、積層体基板の表面Ａ及び表面Ｂにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した黒化層、白色金属層、銅層を同時にエッチングしてもよい。また、透明基材１１の両側に形成された黒化層、白色金属層、銅層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、黒化層１２Ａ、白色金属層１３Ａ、及び銅層１４Ａのエッチングを行った後に、黒化層１２Ｂ、白色金属層１３Ｂ、及び銅層１４Ｂのエッチングを行うこともできる。
【０１７２】
エッチング工程で用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。
【０１７３】
エッチング工程で用いるエッチング液としては例えば、硫酸、過酸化水素水、塩酸、塩化第二銅、及び塩化第二鉄から選択された１種類を含む水溶液、または上記硫酸等から選択された２種類以上を含む混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の各成分の含有量は、特に限定されるものではない。
【０１７４】
エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温して用いることもできる、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることができる。
【０１７５】
上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。
【０１７６】
また、図１（ａ）、図２（ａ）に示した透明基材１１の一方の面側に黒化層、白色金属層、及び銅層を有する２枚の積層体基板をエッチング工程に供して導電性基板とした後、２枚の導電性基板を貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば光学接着剤（ＯＣＡ）等を用いて接着することができる。
【０１７７】
なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
【０１７８】
これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
【０１７９】
以上に本実施形態の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、及び導電性基板の製造方法について説明した。係る積層体基板、または積層体基板の製造方法により得られる積層体基板によれば、白色金属層を設けることにより、銅層の色味を抑制し、該積層体基板の反射率を特に低くすることができる。このため、該積層体基板を、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、該導電性基板においても反射率を特に低くすることができ、視認性の低下を抑制することができ、良好な視認性を有する導電性基板とすることができる。
【実施例】
【０１８０】
以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
（評価方法）
以下の各実施例、比較例において作製した積層体基板について正反射率の測定を行った。
【０１８１】
測定は、紫外可視分光光度計（株式会社  島津製作所製  型式：ＵＶ−２５５０）に反射率測定ユニットを設置して行った。
【０１８２】
各実施例で図２（ａ）の構造を有する積層体基板を作製したが、反射率の測定は図２（ａ）における第２黒化層１２２の外部に露出した表面Ｃに対して入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光を照射して実施した。なお、積層体基板に照射した光は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて各波長の光について正反射率の測定を行い、測定結果の平均を該積層体基板の正反射率の平均とした。なお、表１中では反射率として示している。
（試料の作製条件）
実施例、比較例として、以下に説明する条件で積層体基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
図２（ａ）に示した構造を有する積層体基板を作製した。
（透明基材準備工程）
まず、透明基材準備工程を実施した。
【０１８３】
具体的には、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍの光学用ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を準備した。
（積層体形成工程）
次に、積層体形成工程を実施した。
【０１８４】
積層体形成工程として、第１黒化層形成ステップ、第１白色金属層形成ステップ、銅層形成ステップ、第２白色金属層形成ステップ、第２黒化層形成ステップを実施した。以下に具体的に説明する。
（１）第１黒化層形成ステップ
まず第１黒化層形成ステップを実施した。
【０１８５】
準備した透明基材を図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０にセットした。また、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに、Ｎｉ−Ｃｕ合金ターゲットを装着した。なお、Ｎｉ−Ｃｕ合金ターゲットは、表１に示すようにＮｉを１１質量％含有し、残部、すなわち８９質量％がＣｕである組成となっている。
【０１８６】
そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター５９を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。
【０１８７】
続いて筐体５１内を１×１０−４Ｐａまで真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより排気した後、気体供給手段６１によりアルゴンガスの流量が２４０ｓｃｃｍ、酸素ガスの流量が４０ｓｃｃｍとなるようにしてアルゴンガスと酸素ガスとを筐体５１内に導入した。そして、透明基材を巻出ロール５２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、透明基材上に所望の第１黒化層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に第１黒化層１２１を厚さ１０ｎｍとなるように形成した。
（２）第１白色金属層形成ステップ
次に第１白色金属層形成ステップを実施した。
【０１８８】
第１白色金属層形成ステップでは、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着するターゲットを、Ｎｉ−Ｃｕ系合金のターゲットであり、第１黒化層形成ステップとは組成の異なるニッケル−銅合金ターゲット（住友金属鉱山（株）製）とした。なお、ニッケル−銅合金ターゲットとしては、表１に示すように、Ｎｉを１０質量％含有し、残部、すなわち９０質量％がＣｕである組成となっている。
【０１８９】
また、筐体５１内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより１×１０−４Ｐａまで排気した後、気体供給手段６１によりアルゴンガスを流量が２４０ｓｃｃｍとなるようにして筐体５１内に導入した。
【０１９０】
以上の点以外は、第１黒化層形成ステップと同様にして第１白色金属層を厚さ１０ｎｍとなるように成膜した。
【０１９１】
なお、基材としては、第１黒化層形成ステップで、透明基材上に第１黒化層を形成した基材を用い、第１黒化層上に白色金属層を成膜している。
（３）銅層形成ステップ
続いて、銅層形成ステップを実施した。
【０１９２】
銅層形成ステップでは、スパッタリングカソードに装着するターゲットを銅ターゲット（住友金属鉱山（株）製）に変え、筐体５１内を排気後、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の筐体５１内にアルゴンガスのみを導入した点以外は第１黒化層の場合と同様にして第１白色金属層の上面に銅層を厚さ１０００ｎｍとなるように形成した。
【０１９３】
なお、銅層を形成する基材としては、第１黒化層形成ステップと、第１白色金属層形成ステップとで、透明基材上に、第１黒化層、及び第１白色金属層をその順に形成した基材を用いた。
（４）第２白色金属層形成ステップ
第２白色金属層形成ステップでは、銅層の上面に、第１白色金属層形成ステップと同じ条件、手順で第２白色金属層を形成した。
（５）第２黒化層形成ステップ
第２黒化層形成ステップでは、第２白色金属層の上面に、第１黒化層形成ステップと同じ条件、手順で第２黒化層を形成した。
【０１９４】
作製した積層体基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均を、上述の手順により測定したところ、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５０％であった。
［実施例２〜実施例９］
第１黒化層、第２黒化層を成膜する際の筐体５１内に供給した酸素の供給量、スパッタリングターゲットの組成、第１白色金属層、第２白色金属層を成膜する際のスパッタリングターゲットの組成について、表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
【０１９５】
評価結果を表１に示す。
［実施例１０］
第１黒化層、第２黒化層を成膜する際のスパッタリングターゲットとして銅ターゲットを用いた点、及び第１白色金属層、第２白色金属層を成膜する際のスパッタリングターゲットの組成について、表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
【０１９６】
評価結果を表１に示す。
［実施例１１、実施例１２］
第１黒化層、第２黒化層を成膜する際のスパッタリングターゲットの組成を表１に示したように変更した。また、第１白色金属層、第２白色金属層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットを、Ｎｉ−Ｃｕ系合金のターゲットである、ニッケル−銅−亜鉛合金ターゲット（住友金属鉱山（株）製）とした。なお、用いたニッケル−銅−亜鉛合金ターゲットは、表１に示す組成となっており、例えば実施例１１であれば、Ｎｉを２５質量％含有し、Ｚｎを１０質量％含有し、残部、すなわち６５質量％がＣｕである組成となっている。
【０１９７】
以上の点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
【０１９８】
評価結果を表１に示す。
［実施例１３］
第１黒化層、第２黒化層を成膜する際のスパッタリングターゲットの組成、第１白色金属層、第２白色金属層を成膜する際のスパッタリングターゲットの組成について、表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
【０１９９】
評価結果を表１に示す。
［実施例１４］
第１黒化層、第２黒化層を成膜する際のスパッタリングターゲットの組成、第１白色金属層、第２白色金属層を成膜する際のスパッタリングターゲットの組成、第１白色金属層、第２白色金属層の膜厚について、表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
【０２００】
評価結果を表１に示す。
［比較例１］
第１黒化層、及び第２黒化層の膜厚を２０ｎｍとした点、及び第１白色金属層、及び第２白色金属層を作製しなかった点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
【０２０１】
評価結果を表１に示す。
【０２０２】
【表１】
2017133063.tif 000003
表１に示した結果によると、実施例１〜実施例１４については、得られた積層体基板の反射率が５５％以下となっているのに対して、比較例１では積層体基板の反射率が５６％と、実施例１〜実施例１４と比較して高くなることが確認できた。
【０２０３】
これは、実施例１〜実施例１４では、白色金属層を設けることで、銅層の色味を抑え、積層体基板の反射率を低減できたためと考えられる。
【符号の説明】
【０２０４】
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ                                    積層体基板
１１                                                              透明基材
１４、１４Ａ、１４Ｂ                                              銅層
１２、１２Ａ、１２Ｂ、１２１、１２１Ａ、１２１Ｂ、１２２、１２２Ａ、１２２Ｂ  黒化層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２、１３２Ａ、１３２Ｂ  白色金属層
３０                                                              導電性基板
３１Ａ、３１Ｂ                                                    銅配線層
３２１Ａ、３２１Ｂ、３２２Ａ、３２２Ｂ                            黒化配線層
３３１Ａ、３３１Ｂ、３３２Ａ、３３２Ｂ                            白色金属配線層
【図１】
2017133063.tif 000004
【図２】
2017133063.tif 000005
【図３】
2017133063.tif 000006
【図４】
2017133063.tif 000007
【図５】
2017133063.tif 000008