(57)【要約】      （修正有）【課題】無機膜の膜厚が厚く、かつ屈折率が高くても、反射光が着色しにくく、視認性が低下しにくい膜付き基板の提供。【解決手段】基板２と、基板２の主面に配された、厚みが５００ｎｍ以上の無機膜３と、を備える膜付き基板１であって、無機膜３は、その厚み方向の屈折率分布において、１つ以上の極大部と２つ以上の極小部とを有しており、極大部の屈折率ｎＨが１．７〜２．５であり、隣り合う前記極小部間の間隔Δｄが１２０ｎｍ以下であり、無機膜３が配された主面側の反射彩度が１０以下である膜付き基板１。無機膜がＳｉ、Ａｌ又はＺｒから選択された元素の一種以上の酸化物、窒化物或いは酸窒化物である膜付き基板１。【選択図】図９
2017166033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面に配された、厚みが５００ｎｍ以上の無機膜と、
を備える膜付き基板であって、
前記無機膜は、その厚み方向の屈折率分布において、複数の極大部と極小部とを有しており、
前記極大部の屈折率ｎＨの最大値ｎＨｍａｘが１．７〜２．５であり、
隣り合う前記極小部間の間隔Δｄの平均値Δｄａｖｅが１２０ｎｍ以下である、
ことを特徴とする膜付き基板。
【請求項２】
前記無機膜は、Ｓｉ、Ａｌ及びＺｒの群から選択された一種以上の酸化物、窒化物または酸窒化物であることを特徴とする請求項１に記載の膜付き基板。
【請求項３】
前記平均値Δｄａｖｅ及び前記最大値ｎＨｍａｘは、以下の式（１）を満足することを特徴とする請求項１または２に記載の膜付き基板。
Δｄａｖｅ（ｎｍ）×ｎＨｍａｘ≦１９０  （１）
【請求項４】
前記平均値Δｄａｖｅ及び前記最大値ｎＨｍａｘは、以下の式（２）を満足し、
前記無機膜が配された主面側の反射彩度が５以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜付き基板。
Δｄａｖｅ（ｎｍ）×ｎＨｍａｘ≦１７６  （２）
【請求項５】
前記間隔Δｄは、１ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の膜付き基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窓ガラス、ディスプレイ用基板や調理器用トッププレートなどに用いられる膜付き基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
窓ガラス、ディスプレイ用基板や調理器用トッププレート等に用いられている基板上に、耐摩耗性等の性能を付与するために、無機膜が形成されていることが多い。
【０００３】
例えば、特許文献１には、基板の上に成膜する装置として、カルーセル型スパッタ装置が記載されている。
【０００４】
しかしながら、カルーセル型スパッタ装置では、多数の大型透明基材に短時間で無機膜を形成することが困難であるとともに、成膜速度が小さく生産性が低い。
【０００５】
そのため、生産性を向上させるためには、特許文献２に開示されているようなインライン方式のスパッタリング装置が用いられる。図１１に記載の通り、インライン方式のスパッタリング装置１０１は、基板搬入室１１０、成膜室１２０、基板搬出室１３０を備える。そして、成膜室１２０は、基板Ｓを搬送するための、複数のローラーから構成される搬送手段１２１と、スパッタリングターゲット１２２と、スパッタリングガスを供給するガス導入手段１２３と、排気手段１２４を有する。そして、基板搬入室１１０から基板Ｓが搬入され、成膜室１２０で基板Ｓの表面に無機膜が成膜され、基板搬出室１３０から無機膜が形成された基板Ｓが搬出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２７２２６号公報
【特許文献２】特開２０１４−８０６５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、多数の大型透明基材に短時間で効率よく、耐摩耗性が高い無機膜を形成するために、インライン方式のスパッタリング装置を用いた場合、膜付き基板が着色して視認性が低下するという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、無機膜の膜厚が厚く、かつ屈折率が高くても、着色しにくく、視認性が低下しにくい膜付き基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
インライン方式のスパッタリング装置１０１は、成膜室１２０内にスパッタリングターゲット１２２が所定の位置に設置されており、成膜室１２０内において基板Ｓがスパッタリングターゲット１２２の前を移動するように構成されている。そのため、成膜室１２０内における基板Ｓの位置により、スパッタリングターゲット１２２と基板Ｓとの距離が変化するとともに、スパッタリングターゲット１２２から叩き出された成膜物質（原子／分子）が基板Ｓに付着する角度が変化する。これらにより、無機膜の厚み方向において、屈折率が変化するため、無機膜の膜厚が大きく、かつ、無機膜の屈折率が高いほど、膜付き基板が着色して、視認性が低下しやすくなることが判明した。
そして、本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、無機膜の厚み方向における屈折率分布が小さいと、膜付き基板の着色が小さくなることを突き止めた。
【００１０】
すなわち、本発明に係る膜付き基板は、基板と、前記基板の主面に配された、厚みが５００ｎｍ以上の無機膜と、を備える膜付き基板であって、前記無機膜は、その厚み方向の屈折率分布において、複数の極大部と極小部とを有しており、前記極大部の屈折率ｎＨの最大値ｎＨｍａｘが１．７〜２．５であり、隣り合う前記極小部間の間隔Δｄの平均値Δｄａｖｅが１２０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】
ここで、極大部とは、厚みＡの無機膜の表面（０）から膜厚Ａまでの屈折率をプロットした場合において、屈折率の傾きが正から、負に変化するまでの部位を表し、極小部とは、無機膜の表面から膜厚Ａまでの屈折率をプロットした場合において、屈折率の傾きが負から、正に変化するまで部位を表す。
図１（ａ）、（ｂ）において、実線の丸で囲んだ部分、すなわち、屈折率の傾きが、正から０に変わった厚みを起点とし、傾きが０から負に変わる厚みを終点とした範囲が極大部となり、点線の丸で囲んだ部分、すなわち、屈折率の傾きが負から０に変わり、かつ、屈折率の傾きが０から正に変わった厚みが極小部となる。
【００１２】
また、本発明に係る膜付き基板は、前記無機膜が、Ｓｉ、Ａｌ及びＺｒの群から選択された一種以上の酸化物、窒化物または酸窒化物であることが好ましい。
【００１３】
この構成であれば、耐摩耗性に優れた膜付き基板が得られる。
【００１４】
また、本発明に係る膜付き基板は、前記平均値Δｄａｖｅ及び前記最大値ｎＨｍａｘは、以下の式（１）を満足することが好ましい。
Δｄａｖｅ（ｎｍ）×ｎＨｍａｘ≦１９０  （１）
【００１５】
この構成であれば、膜付き基板が着色して、視認性が低下することを効率的に抑制できる。
【００１６】
また、本発明に係る膜付き基板は、前記平均値Δｄａｖｅ及び前記最大値ｎＨｍａｘは、以下の式（２）を満足し、前記無機膜が配された主面側の反射彩度が５以下であることが好ましい。
Δｄａｖｅ（ｎｍ）×ｎＨｍａｘ≦１７６  （２）
【００１７】
この構成であれば、膜付き基板が着色して、視認性が低下することをより抑制できる。
【００１８】
また、本発明に係る膜付き基板は、前記間隔Δｄが、１ｎｍ以上であることが好ましい。
【００１９】
この構成であれば、本発明に係る膜付き基板を容易に製造することが可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、無機膜の膜厚が厚く、かつ屈折率が高くても、反射光が着色しにくく、視認性が低下しにくい膜付き基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】厚さＡの無機膜の屈折率分布を表すグラフである。
【図２】本発明の一実施形態に係る膜付き基板の模式的断面図である。
【図３】図２の無機膜３の拡大図と、屈折率を表すグラフである。
【図４】透明基板とターゲットの距離、角度の関係を説明するための概略図である。
【図５】厚み方向間隔の平均値Δｄａｖｅと無機膜側からの光の反射彩度との関係を表すグラフである。
【図６】極大部の屈折率と無機膜側からの光の反射彩度が１０となる厚み方向間隔の平均値Δｄａｖｅとの関係を表すグラフである。
【図７】極大部の屈折率と無機膜側からの光の反射彩度が５となる厚み方向間隔の平均値Δｄａｖｅとの関係を表すグラフである。
【図８】本発明の他実施形態に係る膜付き基板の模式的断面図である。
【図９】本発明の膜付き基板製造に使用するインライン方式のスパッタリング装置の模式図である。
【図１０】試料Ｎｏ．１及び２の反射率を表すグラフである。
【図１１】従来技術におけるインライン方式のスパッタリング装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。
【００２３】
図２は、本発明に係る膜付き基板の模式的側面図である。
膜付き基板１は、平板状の透明基板２と、無機膜３とを有する。
本発明の膜付き基板１は、例えば、窓ガラス、ディスプレイ用基板や調理器用トッププレートなどに用いられる。
【００２４】
透明基板２は、対向する２つの主面２ａ１・２ａ２と、２つの主面２ａ１・２ａ２に接続する側面２ｂを有する。そして、２つの主面２ａ１・２ａ２の形状は、平面視矩形である。
透明基板２としては、例えば、ガラス板、ポリカーボネート板、ポリエチレンテレフタレート板、サファイアガラス板、石英板などが挙げられる。
ガラス板としては、ソーダライムガラス板、化学強化ガラスや風冷強化ガラス等の強化ガラス板、無アルカリガラス板、ガラスセラミック板等が挙げられる。
【００２５】
透明基板２の厚みは、機械的強度と軽量化の観点から鑑みると、０．１〜５ｍｍであることが好ましく、０．３〜２ｍｍであることがより好ましく、０．５〜１．０ｍｍであることが更に好ましい。
【００２６】
無機膜３は、透明基板２の主面２ａ１上に形成されている。無機膜３の形成材料として、公知の材料が利用可能である。具体的には、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）等の金属酸化物または金属窒化物が挙げられる。無機膜２は、例えば、インライン方式のスパッタリング法により成膜することができる。
【００２７】
無機膜３の形成材料として、Ｓｉ、Ａｌ及びＺｒの群から選択された一種以上の酸化物、窒化物または酸窒化物であることが好ましい。無機膜３の形成材料としてこれらを用いると、耐摩耗性に優れた膜付き基板が得られる。
【００２８】
無機膜３の厚さは、５００ｎｍ以上である。無機膜３が厚いほど、膜付き基板１の耐摩耗性が向上する。しかしながら、無機膜３が厚い場合、無機膜３の材質が不均一であると、無機膜３からの反射光の着色が顕著であり、視認性が低下しやすい。そのため、このような場合において、本発明の効果がより効果的に享受しやすくなる。なお、無機膜３の厚さは、耐摩耗性の観点からは、１０００ｎｍ以上であることが好ましい。
【００２９】
また、無機膜３の厚さは、１００００ｎｍ以下であることが好ましい。無機膜３が厚すぎると、膜応力により透明基板２が破損する場合がある。
【００３０】
次に、無機膜３について詳細に説明する。図３は、図２の無機膜３の拡大図である。また、無機膜３の左方には、無機膜３の表面からの厚み方向距離と屈折率の関係を表したグラフ（屈折率分布）を表示している。グラフが示すように、無機膜３の厚みをＡとした場合、屈折率は、厚み方向において一定値ではなく、無機膜３の表面からの厚み方向位置が変化することにより、極小部と極大部の間で変化する。
【００３１】
このように、無機膜３の厚み方向の屈折率が変化するのは、インライン方式のスパッタリング装置により無機膜３を形成する際に、成膜室内において、所定の間隔で配置されたターゲットの前を透明基板２が移動するためである。以下に詳細を説明する。
図４に示すように、無機膜３の形成時に、透明基板２は、ターゲットから離れた位置からターゲットに近づくように移動し、そしてターゲット前を通過してターゲットから離れていく。
透明基板２が、ターゲットから離れている（距離＝Ｘ）時（Ｐ１位置）は、透明基板２の主面２ａ１と、透明基板２の主面２ａ１の重心とターゲットを結ぶ直線とが成す角の鋭角側の角度θＸが小さくなる。透明基板２が、ターゲットに近接する（距離＝Ｙ）時（Ｐ２位置）は、透明基板２の主面２ａ１と、透明基板２の主面２ａ１の重心とターゲットを結ぶ直線とが成す角の鋭角側の角度θＹは、θＸよりも大きくなる。ターゲットから叩き出された成膜物質が透明基板２上に堆積する時、透明基板２がＰ１にある時（距離＝Ｘ、θＸ）とＰ２にある時（距離＝Ｙ、θＹ）とで、成膜物質の堆積状態が異なる。より具体的には、Ｐ１位置よりもＰ２位置の方が成膜物質はより密な状態（屈折率が高い）で堆積するものと考えられる。その結果、形成される無機膜の厚み方向における屈折率は、図３に示すような分布を形成する。なお、図３の場合、所定の間隔で配置された５個のターゲットの前を通過させて無機膜３を形成しているため、屈折率の極大部が５か所存在する。
【００３２】
なお、極大部の屈折率ｎＨは、無機膜３の材質に加え、近接時距離に依存する。そのため、極大部の屈折率ｎＨを大きくする場合は、近接時距離を小さくすると良い。また、極小部の屈折率ｎＬも同様に、無機膜３の材質に加え、離間時距離に依存するため、極小部の屈折率ｎＬを小さくする場合は、離間時距離を大きくすると良い。
【００３３】
なお、着色しにくく、視認性が低下しにくい膜付き基板１を得る観点から、極大部の屈折率ｎＨの最大値ｎＨｍａｘと極小部の屈折率ｎＬの最小値ｎＬｍｉｎ比（ｎＬｍｉｎ／ｎＨｍａｘ）は、０．９２以上が好ましく、０．９４以上がより好ましい。また、インライン方式のスパッタリング装置により膜付き基板１を多量に製造する観点から、（ｎＬｍｉｎ／ｎＨｍａｘ）は、０．９９５以下が好ましく、０．９９以下がより好ましい。
【００３４】
また、隣接する極小部間の間隔Δｄは、透明基板２を移動させる速度に依存する。つまり、透明基板２を移動させる速度を大きくすることにより、間隔Δｄが小さくなる。
【００３５】
図５は、無機膜３である窒化珪素の厚みを一定とし、間隔Δｄの平均値Δｄａｖｅを変化させた場合における無機膜３側の反射彩度を示したグラフである。
【００３６】
なお、無機膜３側からの光の反射彩度Ｃ*は、以下のように求めることができ、反射彩度Ｃ*が小さいほど、着色が少ないことを表す。
2017166033.tif 000003
(ａ*、ｂ*は、ＪＩＳ  Ｚ８７８１−４（２０１３）の定義された値であり、標準イルミナントとしてＤ６５、１０度視野等色関数を用いて計算した。)
また、図５の反射彩度Ｃ*は、無機膜３の両主面で反射した光の反射彩度を表す。すなわち、無機膜３を透過し、無機膜３が形成されていない主面２ａ２からの反射光はカットしている。例えば、工業用顕微鏡  ＵＳＰＭ−ＲＵ−III（オリンパス社製）等を用いることにより、無機膜３側からの光の反射彩度Ｃ*を測定することができる。
【００３７】
図５に示すように、間隔Δｄａｖｅの値がある値を境にして、無機膜３側からの光の反射彩度が急激に大きくなることが分かる。すなわち、間隔Δｄの平均値Δｄａｖｅを一定値以下とすることにより、着色しにくく、視認性が低下しにくい膜付き基板１が得られる。
【００３８】
図６は、無機膜３が、厚み１２００ｎｍである場合における、極大部の屈折率ｎＨの最大値ｎＨｍａｘと間隔Δｄの平均値Δｄａｖｅの関係を表したグラフである。横軸にｎＨｍａｘをとり、縦軸に、無機膜３側からの光の反射彩度が１０となった時の間隔Δｄａｖｅの値をとり、プロットした。なお、ｎＬｍｉｎ／ｎＨｍａｘの値を０．９４〜０．９８の間で変化させるとともに、極大部の幅Ｄ１（図３参照）を、間隔Δｄａｖｅの１／４〜１／３の間で変化させた。
【００３９】
図６に示す通り、ｎＨｍａｘが大きくなるにつれて、無機膜３側からの光の反射彩度が１０となった時の間隔Δｄの平均値Δｄａｖｅが小さくなっている。このような結果となった理由は以下の通りと考えられる。無機膜３における屈折率変化の１周期あたりの光学膜厚はΔｄａｖｅ×ｎＨｍａｘと見積ることができる。そして、Δｄａｖｅ×ｎＨｍａｘの値が可視光（３８０〜７８０ｎｍ）より十分に小さければ、無機膜３の屈折率が周期的に変化しても反射率に及ぼすその影響は非常に小さくなり、その結果、反射彩度が小さくなるものと考えられる。
【００４０】
そして、図６に示す通り、ｎＨｍａｘが１．７〜２．５の範囲内である場合、間隔Δｄの平均値Δｄａｖｅが１２０ｎｍ以下であれば、無機膜３側からの光の反射彩度が１０以下となることが分かる。そのため、無機膜３の膜厚が厚く、無機膜３の屈折率が高くても着色しにくく、視認性が低下しにくい膜付き基板１が得られる。
なお、Δｄａｖｅ×ｎＨｍａｘは２１０ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４１】
なお、図６に示すように、
Δｄａｖｅ（ｎｍ）×ｎＨｍａｘ≦１９０  （１）
であると、無機膜３からの光の反射彩度が１０以下となるため、膜付き基板１が着色して、視認性が低下することを効率的に抑制できる。
【００４２】
図７は、無機膜３が、厚み１２００ｎｍである場合における、ｎＨｍａｘとΔｄａｖｅの関係を表したグラフである。横軸にｎＨｍａｘをとり、縦軸に、無機膜３側からの光の反射彩度が５となった時のΔｄａｖｅの値をとり、プロットした。なお、ｎＬｍｉｎ／ｎＨｍａｘの値を０．９４〜０．９８の間で変化させるとともに、極大部の幅Ｄ１を、Δｄａｖｅの１／４〜１／３の間で変化させた。図７に示す通り、
Δｄａｖｅ（ｎｍ）×ｎＨｍａｘ≦１７６  （２）
以下であれば、無機膜３側からの光の反射彩度が５以下となるため、膜付き基板１が着色して、視認性が低下することを効率的に抑制できる。
【００４３】
なお、上記の膜付き基板１は、全ての間隔Δｄ、極大部の屈折率ｎＨ、極小部の屈折率ｎＬがそれぞれ同じ値となっているが、例えば、図８に示すように、間隔がΔｄ１、Δｄ２、Δｄ３、極大部の屈折率がｎＨ１、ｎＨ２、極小部の屈折率がｎＬ１、ｎＬ２となるように、異なる値であっても良い。
【００４４】
また、上記の膜付き基板１は、無機膜３が主面２ａ１に形成されているが、無機膜は主面２ａ２にも形成されていても良い。主面２ａ２に形成された無機膜が、上記の無機膜３と同様に、隣接する極小部間の間隔の平均値が１２０ｎｍ以下であれば、主面２ａ２に形成された無機膜側からの光の反射彩度も１０以下とすることができる。
【００４５】
次に、本発明の膜付き基板１の製造方法を説明する。
図９は、本発明の膜付き基板１を製造するインライン方式のスパッタリング装置の模式図である。インライン方式のスパッタリング装置１００は、基板搬入室１０、成膜室２０、基板搬出室３０を備える。
基板搬入室１０、基板搬出室３０は、いわゆるロードロック室であり、成膜室２０内を真空に保持し、大気に開放しないことを目的に、成膜室２０への搬送前、成膜室２０から搬出後の基板（透明基板２、膜付き基板１）の出し入れを行うために設置されている。基板搬入室１０と成膜室２０、基板搬出室３０と成膜室２０とはゲートバルブで仕切られ、基板搬入室１０、基板搬出室３０が真空になった状態で、ゲートバルブを開いて、成膜室２０へ透明基板２を搬入、成膜室２０から膜付き基板１を搬出する。
成膜室２０で、透明基板２に対してスパッタリング成膜を行う。成膜室２０内には、基板搬入室１０から搬入された透明基板２を、後述するスパッタリングターゲット２２の前を通過させ、基板搬出室３０まで搬送する搬送手段２１が設けられている。搬送手段２１は、等間隔で、平行に配置された耐熱性の複数のローラーから構成されており、複数のローラーを同一方向に回転させることにより、搬送手段２１上に載置された基板を搬送させている。
成膜室２０内には、５つのスパッタリングターゲット２２が設けられている。スパッタリングターゲットは、搬送手段２１が、基板を搬送する方向に沿って等間隔に設けられており、かつ、各スパッタリングターゲット２２と搬送手段２１との距離は一定となるように設けられている。スパッタリングターゲット２２は、成膜する無機膜３の材質に応じて適宜選択される。スパッタリングターゲット２２の材質としては、例えば、シリコン、アルミニウム、ジルコニウム、アルミシリコン合金、チタン、タンタル、ニオブ等が挙げられる。
各スパッタリングターゲット２２には、磁界及び電圧を印加可能となるように構成されている。例えば、各スパッタリングターゲット２２には、マグネトロンスパッタリングが行えるように、マグネットが内蔵されている。
ガス導入手段２３が、成膜室２０内に、スパッタリングガスを供給するために設けられている。スパッタリングガスとしては、例えばヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、酸素ガス等が挙げられる。
排気手段２４が、成膜室２０内を排気するために設けられている。つまり、排気手段２４は、ガス導入手段２３から導入されたスパッタリングガスを排気するために設けられている。
【００４６】
次に、インライン方式のスパッタリング装置１００を用いた膜付き基板１の製造方法について説明する。
透明基板２は、基板搬入室１０に搬入され、ゲートバルブが閉じられた状態で、基板搬入室１０内を真空状態とする。次に、基板搬入室１０のゲートバルブが開けられ、透明基板２が搬送手段２１により成膜室２０内に搬送される。
成膜室２０内は、ガス導入手段２３から導入されたスパッタリングガスにより、例えば、０．０１〜１０Ｐａ程度に調整される。また、スパッタリングターゲット２２には、０．１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度の印加電力密度となるように電圧が印加される。
そして、透明基板２が、成膜室２０内を移動することにより、透明基板２上に無機膜３が形成される。
インライン方式のスパッタリング装置１００は、５つのスパッタリングターゲット２２の前を通過するため、無機膜３は、図３に示すような屈折率の極大部が５か所存在する。
無機膜３が形成され、膜付き基板１が製造された後、膜付き基板１は、基板搬出室３０まで搬送される。
【００４７】
なお、間隔Δｄの値は、透明基板２の搬送速度等に依存するため、これらを調整することにより、厚み方向間隔Δｄの値を所定の値に調整すればよい。例えば、透明基板２の搬送速度を大きくすることにより、間隔Δｄの値を小さくすることができる。また、極大部の数は、スパッタリングターゲット２２の数に依存する。例えば、成膜室２０の中央部にスパッタリングターゲットを１つ設置した場合、極大部は１つになる。
【００４８】
また、スパッタリングガスとして、２種類以上のガス（窒素、酸素）を導入した膜付き基板１を形成できるが、２種類以上のスパッタリングガスを導入すると、成膜室２０内のスパッタリングガス組成が不均一となりやすく、無機膜３の構造が不均一となりやすいため、膜付き基板１の着色が顕著となり、視認性が低下しやすい。そのため、本発明により、視認性が低下することを抑制可能となる。
【００４９】
また、スパッタリング装置１００は、１つの成膜室２０に５つのスパッタリングターゲット２２を設けているが、成膜室を５つ設け、各成膜室にスパッタリングターゲットを１つずつ設けるようにしても良い。
また、スパッタリング装置１００は、１つの成膜室２０に５つのスパッタリングターゲット２２を設けているが、成膜室２０内に１つのスパッタリングターゲット２２を設け、基板搬出室３０から搬出された透明基板２を再度基板搬入室１０に搬入し、計５回成膜室２０内を通過するようにしても良い。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００５１】
膜付き基板の製造装置として、インライン方式のスパッタリング装置を用いて、試料Ｎｏ．１及び２の膜付き基板を製造した。
透明基板として、厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板  ＯＡ−１０Ｇ（日本電気硝子社製）を用いた。
スパッタリングターゲットとして、Ｓｉ円筒ターゲットを使用し、成膜室内には、複数個のスパッタリングターゲットが、透明基板の搬送方向に沿って、等間隔に配置されている。成膜室内に、内部圧力（成膜圧力）が０．１１Ｐａとなるまでスパッタリングガスである窒素ガスを導入する。そして、各スパッタリングターゲットを、印加電力密度(交流)が２Ｗ／ｃｍ２となるように電圧を印加し、搬送手段により、基板搬入室から基板搬出室まで搬送し、無機膜を形成した。
【００５２】
なお、試料Ｎｏ．１を製造する際における、透明基板の搬送速度は、４８ｃｍ／分、スパッタリングターゲットの個数は１６個、試料Ｎｏ．２を製造する際における、透明基板の搬送速度は、１２ｃｍ／分、スパッタリングターゲットの個数は４個である。
【００５３】
波長３８０〜７８０ｎｍの光の反射率から、表１に示す試料Ｎｏ．１及び２の無機膜の屈折率分布をフィッティングして求めた。
【００５４】
【表１】
2017166033.tif 000004
【００５５】
試料Ｎｏ．１及び２について、波長３８０〜７８０ｎｍの光の反射率と測定するとともに、反射彩度を測定した。
波長３８０〜７８０ｎｍの光の反射率は、ＵＳＰＭ−ＲＵ−III（オリンパス社製）により測定した。反射彩度は、ＪＩＳ  Ｚ８７８１−４（２０１３）に記載の方法で測定した。なお、標準イルミナントとしてＤ６５、１０度視野等色関数を用いて計算した。
【００５６】
試料Ｎｏ．１及び２における、波長３８０〜７８０ｎｍの光の反射スペクトルは、図１０に示すとおりとなった。試料Ｎｏ．１では、反射率の極大値が２０％程度で一定となっていた。一方、試料Ｎｏ．２では、反射率の極大値が９％から３６％の間で不規則に変化した。
また、試料Ｎｏ．１の反射彩度は、３．９であり、膜付き基板が着色しにくく、視認性が良好であった。一方、試料Ｎｏ．２の反射彩度は１２．９であり、膜付き基板が着色し、視認性が悪かった。
【符号の説明】
【００５７】
１：膜付き基板
２：透明基板
３：無機膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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