(57)【要約】【課題】発光素子と受光素子との相対的な位置精度の向上を図ることを可能とする光モジュール、及びその製造方法を提供する。【解決手段】光モジュール１は、発光素子２、受光素子３、第１基板４、及び光導波路５を備えている。受光素子３は、発光素子２から放射された光を受光する。第１基板４は、発光素子２、及び受光素子３が配置される。光導波路５は、コア５１、及びクラッド５２を有し、発光素子２から放射された光を受光素子３へ導波する。第１基板４は、第２基板７１に固定されている。そして、光モジュール１は、第１基板４において発光素子２が配置された第１支持部４ａと、第１基板４において受光素子３が配置された第２支持部４ｂとを電気的に絶縁する絶縁分離部８をさらに備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子から放射された光を受光する受光素子と、
前記発光素子、及び前記受光素子が配置される第１基板と、
コア、及び前記コアを覆うクラッドを有し、前記発光素子から放射された光を前記受光素子へ導波する光導波路とを備え、
前記第１基板は、第２基板に固定されており、
前記第１基板において前記発光素子が配置された第１支持部と、前記第１基板において前記受光素子が配置された第２支持部とを電気的に絶縁する絶縁分離部をさらに備える
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記発光素子は、前記コアの一部と対向し光を放射する光取出し面を有し、
前記光取出し面は、前記発光素子における前記第１基板側にある
ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記受光素子は、前記コアの一部と対向し光を受光する受光面を有し、
前記受光面は、前記受光素子における前記第１基板側にある
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記第１基板は、少なくとも一部がシリコン基板である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記光導波路は、少なくとも一部が前記第１基板に形成された凹部内に設けられている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記光導波路は、前記発光素子から放射された光を前記受光素子に向けて反射する反射面をさらに有する
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記反射面は、反射膜の表面により構成されている
ことを特徴とする請求項６記載の光モジュール。
【請求項８】
前記受光素子は、封止樹脂材で封止されている
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記絶縁分離部は、前記第１基板を前記第１支持部と前記第２支持部とに分離する空隙で構成されている
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記絶縁分離部は、電気絶縁性及び光透過性を有する樹脂材で構成されている
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１１】
前記絶縁分離部は、前記光導波路の一部を兼ねている
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１２】
前記第２基板を備える
ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１３】
前記第１基板は、電気絶縁性を有するガラス基板を介して前記第２基板に固定されている
ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法であり、
前記絶縁分離部の形成にあたっては、前記第１基板を前記第２基板に固定してから前記絶縁分離部を形成する
ことを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の光モジュールの製造方法であり、
前記絶縁分離部の形成にあたっては、前記第１基板を前記ガラス基板に固定してから、前記第１基板と前記ガラス基板とに跨る前記絶縁分離部を、前記ガラス基板の厚さ方向の途中まで形成する
ことを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁分離部を形成してから、前記第１基板が固定された前記ガラス基板を前記第２基板に固定する
ことを特徴とする請求項１５記載の光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュール、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子と受光素子を有し、電気信号と光信号とを相互変換することで、電気的に絶縁した状態で信号を伝送する光モジュールがある（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の光モジュール（フォトカプラ）は、一定の間隔を空けて発光素子（半導体レーザ素子）と受光素子（半導体受光素子）とが絶縁性の樹脂からなる保護部材の中に埋設されている。発光素子は、電気的な入力信号が入力されると、入力信号に対応した光を発光する。この光を受光素子が受光して電気的な信号に変えて出力する。これにより、信号の伝達が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２５８３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光モジュールの分野において、発光素子と受光素子との相対的な位置精度の向上が望まれている。
【０００５】
本発明の光モジュール、及びその製造方法は、上記事由に鑑みてなされており、その目的は、発光素子と受光素子との相対的な位置精度の向上を図ることを可能とする光モジュール、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１形態に係る光モジュールは、発光素子と、前記発光素子から放射された光を受光する受光素子と、前記発光素子、及び前記受光素子が配置される第１基板と、コア、及び前記コアを覆うクラッドを有し、前記発光素子から放射された光を前記受光素子へ導波する光導波路とを備え、前記第１基板は、第２基板に固定されており、前記第１基板において前記発光素子が配置された第１支持部と、前記第１基板において前記受光素子が配置された第２支持部とを電気的に絶縁する絶縁分離部をさらに備えることを特徴とする。
【０００７】
第２形態に係る光モジュールは、第１形態の光モジュールにおいて、前記発光素子は、前記コアの一部と対向し光を放射する光取出し面を有し、前記光取出し面は、前記発光素子における前記第１基板側にあることを特徴とする。
【０００８】
第３形態に係る光モジュールは、第１形態又は第２形態の光モジュールにおいて、前記受光素子は、前記コアの一部と対向し光を受光する受光面を有し、前記受光面は、前記受光素子における前記第１基板側にあることを特徴とする。
【０００９】
第４形態に係る光モジュールは、第１形態〜第３形態のいずれかの光モジュールにおいて、前記第１基板は、少なくとも一部がシリコン基板であることを特徴とする。
【００１０】
第５形態に係る光モジュールは、第１形態〜第４形態のいずれかの光モジュールにおいて、前記光導波路は、少なくとも一部が前記第１基板に形成された凹部内に設けられていることを特徴とする。
【００１１】
第６形態に係る光モジュールは、第１形態〜第５形態のいずれかの光モジュールにおいて、前記光導波路は、前記発光素子から放射された光を前記受光素子に向けて反射する反射面をさらに有することを特徴とする。
【００１２】
第７形態に係る光モジュールは、第６形態の光モジュールにおいて、前記反射面は、反射膜の表面により構成されていることを特徴とする。
【００１３】
第８形態に係る光モジュールは、第１形態〜第７形態のいずれかの光モジュールにおいて、前記受光素子は、封止樹脂材で封止されていることを特徴とする。
【００１４】
第９形態に係る光モジュールは、第１形態〜第８形態のいずれかの光モジュールにおいて、前記絶縁分離部は、前記第１基板を前記第１支持部と前記第２支持部とに分離する空隙で構成されていることを特徴とする。
【００１５】
第１０形態に係る光モジュールは、第１形態〜第８形態のいずれかの光モジュールにおいて、前記絶縁分離部は、電気絶縁性及び光透過性を有する樹脂材で構成されていることを特徴とする。
【００１６】
第１１形態に係る光モジュールは、第１形態〜第８形態のいずれかの光モジュールにおいて、前記絶縁分離部は、前記光導波路の一部を兼ねていることを特徴とする。
【００１７】
第１２形態に係る光モジュールは、第１形態〜第１１形態のいずれかの光モジュールにおいて、前記第２基板を備えることを特徴とする。
【００１８】
第１３形態に係る光モジュールは、第１形態〜第１２形態のいずれかの光モジュールにおいて、前記第１基板は、電気絶縁性を有するガラス基板を介して前記第２基板に固定されていることを特徴とする。
【００１９】
第１形態に係る製造方法は、第１形態〜第１３形態のいずれかの光モジュールの製造方法であり、前記絶縁分離部の形成にあたっては、前記第１基板を前記第２基板に固定してから前記絶縁分離部を形成することを特徴する。
【００２０】
第２形態に係る製造方法は、第１３形態の光モジュールの製造方法であり、前記絶縁分離部の形成にあたっては、前記第１基板を前記ガラス基板に固定してから、前記第１基板と前記ガラス基板とに跨る前記絶縁分離部を、前記ガラス基板の厚さ方向の途中まで形成することを特徴とする。
【００２１】
第３形態に係る製造方法は、第２形態の製造方法において、前記絶縁分離部を形成してから、前記第１基板が固定された前記ガラス基板を前記第２基板に固定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の光モジュール、及びその製造方法では、発光素子と受光素子とが同一の基板上に配置されるので、発光素子と受光素子との相対的な位置精度の向上を図ることが可能になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施形態における光モジュールの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】実施形態における光モジュールがさらにパッケージを備えた状態の断面図である。
【図５】実施形態における光モジュールの第１変形例の断面図である。
【図６】実施形態における光モジュールの第２変形例の断面図である。
【図７】実施形態における光モジュールの第３変形例の断面図である。
【図８】図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃは、実施形態における光モジュールの第３変形例の製造方法を説明するための主要工程の断面図である。
【図９】実施形態における光モジュールの第４変形例の断面図である。
【図１０】図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃは、実施形態における光モジュールの第４変形例の製造方法を説明するための主要工程の断面図である。
【図１１】実施形態における光モジュールの第５変形例の断面図である。
【図１２】実施形態における光モジュールの第６変形例の断面図である。
【図１３】実施形態における光モジュールの第７変形例の断面図である。
【図１４】実施形態における光モジュールの第８変形例の断面図である。
【図１５】実施形態における光モジュールの第９変形例の断面図である。
【図１６】実施形態における光モジュールの第１０変形例の断面図である。
【図１７】実施形態における光モジュールの第１１変形例の断面図である。
【図１８】実施形態における光モジュールの第１２変形例の断面図である。
【図１９】実施形態における光モジュールの第１３変形例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、一般に光モジュール、及び光モジュールの製造方法に関し、より詳細には、発光素子と受光素子とを備える光モジュール、及び光モジュールの製造方法に関する。なお、以下の実施形態において説明する各図は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【００２５】
（実施形態）
まず、本実施形態の光モジュール１の概要について図１〜図３に基づいて説明する。本実施形態の光モジュール１は、電気信号を光信号に変換して伝送しさらに光信号を電気信号に変換する電子部品であり、電気的に絶縁した状態での信号伝送を目的として、例えば装置の筐体内に設けられたプリント基板に実装される。
【００２６】
本実施形態の光モジュール１は、発光素子２、受光素子３、第１基板４、及び光導波路５を備えている。受光素子３は、発光素子２から放射された光を受光する。第１基板４は、発光素子２、及び受光素子３が配置される。光導波路５は、コア５１、及びクラッド５２を有し、発光素子２から放射された光を受光素子３へ導波する。第１基板４は、第２基板７１に固定されている。そして、光モジュール１は、第１基板４において発光素子２が配置された第１支持部４ａと、第１基板４において受光素子３が配置された第２支持部４ｂとを電気的に絶縁する絶縁分離部８をさらに備える。さらに、光モジュール１は、第２基板７１を備えている。
【００２７】
発光素子２は、コア５１の一部と対向し光を放射する光取出し面２１（図２参照）を有している。光取出し面２１は、発光素子２における第１基板４側にある。
【００２８】
受光素子３は、コア５１の一部と対向し光を受光する受光面３１（図２参照）を有している。受光面３１は、受光素子３における第１基板４側にある。
【００２９】
第１基板４は、少なくとも一部がシリコン基板４００（図２参照）である。
【００３０】
光導波路５は、少なくとも一部が第１基板４に形成された凹部４０内に設けられている。また、光導波路５は、発光素子２が放射した光を受光素子３に向けて反射する反射面をさらに有している。反射面は、反射膜４１２（４２２）の表面４１２ａ（４２２ａ）により構成されている。
【００３１】
絶縁分離部８は、第１基板４を第１支持部４ａと第２支持部４ｂとに分離する空隙で構成されている。
【００３２】
本実施形態の光モジュール１は、第１支持部４ａに実装された発光素子２と、第２支持部４ｂに実装された受光素子３とが、共通の第２基板７１に配置されている。これにより、発光素子２と受光素子３との相対的な位置精度の向上を図ることが可能となる。
【００３３】
以下に、本実施形態の光モジュール１の構成について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる方向は、図２の方向を基準としており、第１基板４の厚さ方向を上下方向、第１基板４に実装された発光素子２と受光素子３とが並ぶ方向を左右方向と規定する。ただし、これらの方向は、光モジュール１の構成を説明するために便宜上規定した方向であり、光モジュール１を使用する際の方向を表す方向ではない。
【００３４】
第１基板４は、オプティカルベンチとしての機能を有する。第１基板４は、第２基板７１の第１面（上面）に、電気絶縁性を有するダイボンド材７３ａ，７３ｂを介して固定されている。第２基板７１の詳細については後述する。第１基板４は、シリコン基板４００と、シリコン基板４００の第１面（上面）、第２面（下面）それぞれに形成されたシリコン酸化膜４０１，４０２とを有している。シリコン酸化膜４０１，４０２は、電気絶縁性を有している。また、第１基板４は、平面視の外周形状が矩形状であり、左右方向の略中央部において、空隙である絶縁分離部８により左右方向に分離されている。言い換えれば、第１基板４は、絶縁分離部８によって、絶縁分離部８よりも左側の第１支持部４ａと、絶縁分離部８よりも右側の第２支持部４ｂとに分離されている。絶縁分離部８の詳細については後述する。なお、第１基板４は、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとに分離されているが、説明の便宜上、第１基板４を一体物として説明する場合もある。
【００３５】
第１支持部４ａは、平面視の外周形状が矩形状であり、発光素子２が実装されている。第１支持部４ａにおける第１シリコン酸化膜４０１ａの第１面（上面）には、導電性を有する一対の第１パッド電極４０３が設けられている。一対の第１パッド電極４０３は、第１支持部４ａの第１面（上面）における左端側に設けられており、発光素子２と電気的に接続されている。
【００３６】
第２支持部４ｂには、平面視の外周形状が矩形状であり、受光素子３が実装されている。第２支持部４ｂにおける第２シリコン酸化膜４０１ｂの第１面（上面）には、導電性を有する一対の第２パッド電極４０４が設けられている。一対の第２パッド電極４０４は、第２支持部４ｂの第１面（上面）における右端側に設けられており、受光素子３と電気的に接続されている。
【００３７】
発光素子２は、第１支持部４ａの第１面（上面）にフリップチップ実装されており、左端側に設けられた一対のバンプ２２それぞれが第１パッド電極４０３と電気的に接続されている。発光素子２は、一対のバンプ２２を介して入力された電気信号を光信号に変換して出力する素子である。本実施形態の発光素子２は、半導体レーザ（レーザダイオード）、具体的には垂直共振器面発光レーザ（VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser）で構成されており、第２面（下面）に光取出し面２１が形成されている。発光素子２は、第１基板４（第１支持部４ａ）と上下方向に対向する光取出し面２１から下方に向かって光を放射する。なお、発光素子２は、レーザダイオードに限らず、発光ダイオード（LED:Light Emitting Diode）等であってもよい。また、発光素子２は、発光素子２の左端側に設けられた一対のバンプ２２を介して第１支持部４ａと機械的に接続されているが、この構成に限らない。例えば、発光素子２は、発光素子２の右端側に設けられたダミーのバンプをさらに備え、このダミーのバンプを介して第１支持部４ａと機械的に接続されていてもよい。これにより、発光素子２と第１基板４との平行度をより向上させることが可能となる。
【００３８】
受光素子３は、第２支持部４ｂの第１面（上面）にフリップチップ実装されており、一対のバンプ３２それぞれが第２パッド電極４０４と電気的に接続されている。受光素子３は、受信（受光）した光信号を電気信号に変換し一対のバンプ３２を介して出力する素子である。本実施形態の受光素子３は、フォトダイオード（Photodiode）で構成されている。受光素子３は、第１基板４（第１支持部４ａ）と上下方向に対向する第２面（下面）に受光面３１が形成されており、この受光面３１で発光素子２から放射された光を受光する。また、受光素子３は、受光素子３の右端側に設けられた一対のバンプ３２を介して第１基板４と機械的に接続されているが、この構成に限らない。例えば、受光素子３は、受光素子３の左端側に設けられたダミーのバンプをさらに備え、このダミーのバンプを介して第１基板４と機械的に接続されていてもよい。これにより、受光素子３と第１基板４との平行度をより向上させることが可能となる。
【００３９】
また、シリコン基板４００の第１面（上面）には、エッチング加工によって凹部４０が形成されている。凹部４０は、シリコン基板４００において、発光素子２と対向する箇所の一部に形成された第１凹部４１と、受光素子３と対向する箇所の一部に形成された第２凹部４２と、第１凹部４１と第２凹部４２とを繋ぐ第３凹部４３とで溝状に形成されている。具体的には、第３凹部４３は、絶縁分離部８によって左右方向に分離されている。
【００４０】
第１凹部４１は、５つの内壁４１１ａ〜４１１ｅが組み合わさることで構成されており、平面視の外形が六角形に形成されている。内壁４１１ａは、五角形に形成されており１つの端縁が、第１凹部４１の外縁のうち左端縁を構成している。内壁４１１ａは、発光素子２の光取出し面２１の下側に位置し、シリコン基板４００の第２面（下面）とのなす角θ１が４５度となるように形成されている。内壁４１１ａの表面側、具体的にはシリコン酸化膜４０１における内壁４１１ａに形成された部分の表面には、反射膜４１２が形成されている。反射膜４１２は、シリコン酸化膜４０１よりも反射率が高い材質（例えば金等）で構成されており、スパッタリング技術等によって内壁４１１ａの表面側に形成されている。ここでいう「反射率」とは、発光素子２が放射する光に対する反射率である。反射膜４１２の表面４１２ａは、発光素子２から放射された光を受光素子３に向けて反射する反射面としての機能を有する。内壁４１１ｂ〜４１１ｅそれぞれは、第１凹部４１の外縁から内壁４１１ａに向かって傾斜した傾斜面である。
【００４１】
第２凹部４２は、第１凹部４１と左右対称の形状に形成されている。第２凹部４２は、５つの内壁４２１ａ〜４２１ｅが組み合わさることで構成されており、平面視の外形が六角形に形成されている。内壁４２１ａは、五角形に形成されており１つの端縁が、第２凹部４２の外縁のうち右端縁を構成している。内壁４２１ａは、受光素子３の受光面３１の下側に位置し、シリコン基板４００の第２面（下面）とのなす角θ２が４５度となるように形成されている。内壁４２１ａの表面側、具体的にはシリコン酸化膜４０１における内壁４２１ａに形成された部分の表面には、反射膜４２２が形成されている。反射膜４２２は、シリコン酸化膜４０１よりも反射率が高い材質（例えば金等）で構成されており、スパッタリング技術等によって内壁４２１ａの表面側に形成されている。ここでいう「反射率」とは、発光素子２が放射する光に対する反射率である。反射膜４２２の表面４２２ａは、発光素子２から放射された光を受光素子３に向けて反射する反射面としての機能を有する。内壁４２１ｂ〜４２１ｅそれぞれは、第２凹部４２の外縁から内壁４２１ａに向かって傾斜した傾斜面である。
【００４２】
なお、内壁４１１ａ（内壁４２１ａ）とシリコン基板４００の第２面（下面）とのなす角θ１（θ２）は、４５度に限らず異なる角度（例えば５４．７度）であってもよい。
【００４３】
第３凹部４３は、左右方向と直交する断面がＶ字状の溝（図３参照）であり、第１凹部４１と第２凹部４２とを繋ぐように形成されている。具体的には、第３凹部４３は、左右方向の略中央部において、空隙である絶縁分離部８により左右方向に分離されている。第３凹部４３は、幅（平面視において発光素子２と受光素子３とが並ぶ左右方向と直交する方向の寸法）が第１凹部４１及び第２凹部４２よりも狭い。
【００４４】
また、凹部４０の内部には、光導波路５が設けられている。光導波路５は、コア５１と、コア５１よりも屈折率が低いクラッド５２とを有しており、発光素子２から放射された光を受光素子３へ導波する。クラッド５２は、シリコン酸化膜４０１のうちシリコン基板４００の凹部４０の内面に沿って形成されている部分からなる第１クラッド部５２１と、第３凹部４３においてコア５１の表面に沿って形成された第２クラッド部５２２とで構成されている。クラッド５２（第１クラッド部５２１、第２クラッド部５２２）は、コア５１よりも屈折率が低い。ここでいう「屈折率」とは、発光素子２から放射される光に対する屈折率である。なお、第１クラッド部５２１と第２クラッド部５２２との屈折率は、互いに異なる値であってもよい。コア５１及び第２クラッド部５２２は、例えばエポキシ系樹脂、アクリル樹脂、フッ素化樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材により構成されており、例えばフォトリソグラフィ技術等を利用して形成されている。例えば、コア５１及び第２クラッド部５２２にエポキシ系樹脂を採用する場合、配合割合を調節することで屈折率が調整される。
【００４５】
コア５１は、第１凹部４１の内壁４１１ａから第２凹部４２の内壁４２１ａにわたって凹部４０の底に沿って設けられている。具体的には、コア５１は、左右方向の略中央部において、空隙である絶縁分離部８により左右方向に分離されており、第１支持部４ａ側にあるコア５１の右端面と、第２支持部４ｂ側にあるコア５１の左端面とが絶縁分離部８を介して対向している。コア５１は、左端部が、第１凹部４１の内壁４１１ａと発光素子２の光取出し面２１との間に介在し、右端部が、第２凹部４２の内壁４２１ａと受光素子３の受光面３１との間に介在している。言い換えれば、光取出し面２１、及び受光面３１は、コア５１において互いに異なる一部と対向している。本実施形態では、コア５１の幅（平面視において発光素子２と受光素子３とが並ぶ左右方向と直交する方向の寸法）は、第３凹部４３の幅よりも狭く形成されている。
【００４６】
第２クラッド部５２２は、コア５１の第３凹部４３内に位置する部分の表面に沿ってコア５１を覆うように設けられている。本実施形態では、第２クラッド部５２２の幅（平面視において発光素子２と受光素子３とが並ぶ左右方向と直交する方向の寸法）は、第３凹部４３の幅よりも広く形成されている。第３凹部４３において、コア５１は、クラッド５２（第１クラッド部５２１、第２クラッド部５２２）で全周が囲われている。
【００４７】
また、発光素子２、受光素子３は、それぞれ第１基板４との間がアンダーフィル６１ａ，６１ｂで埋められている。アンダーフィル６１ａ，６１ｂは、光透過性を有する熱硬化型のエポキシ樹脂等で構成されている。光導波路５と発光素子２との隙間は、アンダーフィル６１ａで埋められ、光導波路５と受光素子３との隙間は、アンダーフィル６１ｂで埋められている。なお、発光素子２が放射する光に対する屈折率は、アンダーフィル６１ａ，６１ｂと、コア５１とで同程度あるのが好ましい。
【００４８】
第２基板７１は、パッケージ７（図４参照）の一部として第１基板４を支持する台としての機能を有する。第２基板７１は、プリント基板であり、第１面（上面）には第１基板４、具体的には第１支持部４ａ、第２支持部４ｂそれぞれがダイボンド材７３ａ，７３ｂによって固定されている。ダイボンド材７３ａ，７３ｂは、電気絶縁性を有する樹脂（例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）により構成されている。また、第２基板７１の第１面（上面）には、一対の第１パッド電極４０３と導電性のワイヤ７４を介して電気的に接続された一対のパッド電極７１１ａが設けられている。一対のパッド電極７１１ａは、それぞれ、第２基板７１に形成された貫通配線７１０ａを介して、第２基板７１の第２面（下面）に設けられた外部接続電極７１２ａと電気的に接続されている。また、第２基板７１の第１面（上面）には、一対の第２パッド電極４０４と導電性のワイヤ７４を介して電気的に接続された一対のパッド電極７１１ｂが設けられている。一対の第２パッド電極７１１ｂは、それぞれ、第２基板７１に形成された貫通配線７１０ｂを介して、第２基板７１の第２面（下面）に設けられた外部接続電極７１２ｂと電気的に接続されている。外部接続電極７１２ａ，７１２ｂが、第２基板７１を実装するための電極となる。なお、電極の構成は、外部接続電極７１２ａ，７１２ｂに限らず、例えばコネクタ（端子）、あるいはMID(Molded Interconnect Devices)技術により構成されていてもよい。
【００４９】
また、図４に示すように、本実施形態の光モジュール１は、パッケージ７の一部としてキャップ７２を備えている。キャップ７２は、発光素子２が放射する光に対する遮光性（非透光性）を有する金属等で構成されており、第１基板４を覆うように、第２基板７１の外周に沿って固定されている。
【００５０】
本実施形態では、パッケージ７内（第２基板７１とキャップ７２とで囲まれる空間）を、不活性ガス雰囲気（例えば窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等）としている。
【００５１】
本実施形態の絶縁分離部８は、第１基板４を第１支持部４ａと第２支持部４ｂとに分離する空隙である。絶縁分離部８は、第１支持部４ａ、及び第２支持部４ｂを第２基板７１に固定する際に、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとが左右方向に離れて固定されることで形成される。絶縁分離部８は、第１基板４を第１支持部４ａと第２支持部４ｂとに分離することで、第１支持部４ａと第２支持部４ｂ、より具体的には第１支持部４ａ側にあるシリコン基板４００と、第２支持部４ｂ側にあるシリコン基板４００とを電気的に絶縁する。
【００５２】
次に、本実施形態の光モジュール１の製造方法の概略的な工程について説明する。なお、以下の説明におけるウェハとは、シリコン基板４００の元となるシリコンウェハ、及び製造ラインに投入されたシリコンウェハに対してウェハプロセス（前工程とも呼ばれる）の少なくとも１つの工程を通したものを含む。
【００５３】
＜第１工程＞
エッチング加工により、ウェハに凹部４０を形成する。また、熱酸化法により、ウェハの第１面（上面）、第２面（下面）それぞれにシリコン酸化膜４０１，４０２を形成する。
【００５４】
＜第２工程＞
リソグラフィ技術等により、光導波路５を形成する。
【００５５】
＜第３工程＞
ダイシング装置（例えばダイシングソー、レーザダイシング装置等）でウェハをダイシングする。具体的には、ウェハを個々の第１基板を第１支持部４ａ、第２支持部４ｂに分断する。
【００５６】
＜第４工程＞
第１支持部４ａと第２支持部４ｂとが離れるように第２基板７１に固定する。これにより、絶縁分離部８が形成される。
【００５７】
＜第５工程＞
第１支持部４ａに発光素子２を実装し、第２支持部４ｂに受光素子３を実装する。また、第１パッド電極４０３とパッド電極７１１ａとをワイヤボンディングする。第２パッド電極４０４とパッド電極７１１ｂとをワイヤボンディングする。また、キャップ７２を第２基板７１に固定することで光モジュール１をパッケージ化する。なお、発光素子２、受光素子３の実装工程は、上記の順番に限らず、例えばウェハを分断する前に行われてもよい。
【００５８】
次に、発光素子２から放射された光が受光素子３で受光されるまでの経路について説明する。発光素子２の光取出し面２１から下方に向かって放射された光は、アンダーフィル６１を通ってコア５１に入射され、第１凹部４１の内壁４１１ａの反射膜４１２で第３凹部４３に向かって反射される。そして、光は、コア５１と第１クラッド部５２１との境界、及びコア５１と第２クラッド部５２２との境界で反射を繰り返し、絶縁分離部８を通って第２凹部４２に向かって進む。光は、第２凹部４２の内壁４１１ａの反射膜４２２で受光素子３の受光面３１に向かって反射され、アンダーフィル６１を通って受光面３１で受光される。なお、反射膜４１２，４２２での光の反射は必須ではなく、受光素子３が受光する光には、反射膜４１２，４２２で反射されることなく発光素子２から受光素子３まで導波された光が含まれていてもよい。
【００５９】
次に、上記構成を備えた本実施形態の光モジュール１が奏する効果について説明する。
【００６０】
本実施形態の光モジュール１は、第１基板４は、絶縁分離部８によって第１支持部４ａと第２支持部４ｂとに分離されており、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとは第２基板７１上に実装されている。すなわち、第１支持部４ａに実装された発光素子２と、第２支持部４ｂに実装された受光素子３とは、共通の平面（第２基板７１の上面）に配置されていることとなる。これにより、発光素子２と受光素子３とが互いに異なる部材上に配置されている場合に比べて、発光素子２と受光素子３との相対的な位置精度の向上を図ることが可能となる。
【００６１】
さらに、発光素子２から放射された光は、コア５１及びクラッド５２を有する光導波路５によって受光素子３へ導波されるので、発光素子２と受光素子３との間における光量の低減が抑制される。また、本実施形態では、発光素子２にレーザダイオードを採用している。レーザダイオードは、電気信号が入力されてから光を放射するまでの応答速度が発光ダイオードに比べて速い。これにより、本実施形態の光モジュール１は、伝送速度の高速化を図ることが可能となり、例えばGbps(Gigabit per second)クラスの通信が可能となる。なお、上述した例では、光モジュール１は、発光素子２と受光素子３と光導波路５との組を１組備えた構成であるが、複数組備えた構成であってもよい。発光素子２から放射された光は、光導波路５によって発光素子２と１対１に対応する受光素子３へ導波されるので、複数の発光素子２の各々から放射された光同士での干渉が抑制され、伝送信号の多チャンネル化を容易に実現することが可能となる。
【００６２】
また、本実施形態の光モジュール１において、シリコン基板４００の第１面（上面）には、電気絶縁性を有する絶縁膜としてシリコン酸化膜４０１が形成されている。さらに、第１基板４が、絶縁分離部８によって、発光素子２が実装された第１支持部４ａと、受光素子３が実装された第２支持部４ｂとに分離され、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとが電気的に絶縁されている。より具体的には、絶縁分離部８によって、導電性を有するシリコン基板４００が、発光素子２が配置されている側と、受光素子３が配置されている側とに分離され、電気的に絶縁されている。上記構成により、発光素子２と受光素子３との間の電気絶縁性の向上を図ることが可能となる。また、平面視において発光素子２と受光素子３とが並ぶ方向（左右方向）における絶縁分離部８の寸法、すなわち第１支持部４ａと第２支持部４ｂとの間隔を大きくすることで、発光素子２と受光素子３との間の電気絶縁性を向上させることも可能となる。また、電気絶縁膜であるシリコン酸化膜４０１の膜厚を厚くすることで、発光素子２と受光素子３との間の電気絶縁性を向上させることも可能となる。
【００６３】
また、本実施形態の光モジュール１において、発光素子２は、コア５１の一部と対向し光を放射する光取出し面２１を有し、光取出し面２１は、発光素子２における第１基板４側にある。また、受光素子３は、コア５１の一部と対向し光を受光する受光面３１を有し、受光面３１は、受光素子３における第１基板４側にある。さらに、光導波路５は、第１基板４に形成された凹部４０内に設けられている。
【００６４】
上記構成により、光導波路５は、第１基板４の凹部４０内に設けられるので、光導波路５の位置ずれが抑制される。さらに、発光素子２は、第１基板４に実装され、第１基板４の凹部４０内の光導波路５に向かって光を放射する。また、受光素子３は、第１基板４に実装され、第１基板４の凹部４０内の光導波路５からの光を受光する。したがって、発光素子２と光導波路５との相対的な位置ずれ、及び受光素子３と光導波路５との相対的な位置ずれが抑制される。これにより、発光素子２と受光素子３との間における光量の低減をより抑制することが可能となる。
【００６５】
また、本実施形態の光モジュール１において、第１基板４は、少なくとも一部がシリコン基板４００である。上記構成により、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)の製造技術を利用して凹部４０、光導波路５等を形成することが可能となる。
【００６６】
また、本実施形態の光モジュール１において、光導波路５は、発光素子２が放射した光を受光素子３に向けて反射する反射面を有している。反射面は、反射膜４１２，４２２の表面４１２ａ，４２２ａにより構成されている。上記構成により、光導波路５は、発光素子２が放射した光を効率よく受光素子３へ伝達することが可能となり、発光素子２と受光素子３との間における光量の低減をより抑制することが可能となる。
【００６７】
また、VCSELは、受ける応力の大きさに応じて応答速度が変化する特性があり、VCSELで構成された発光素子２が、例えば樹脂材で封止されて大きな応力を受けた場合、光モジュール１の伝送速度の調整が困難になるおそれがある。本実施形態では、パッケージ７内を、不活性ガス雰囲気（例えば窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等）としている。これにより、発光素子２にかかる応力が小さく、光モジュール１の伝送速度の調整が容易となる。
【００６８】
さらに、パッケージ７は、不活性ガス（窒素ガス、アルゴンガス等）を気密封止しているので、発光素子２と受光素子３との間の電気絶縁性の向上を図ることが可能となる。パッケージ７内に封入される気体は不活性ガスに限らず、空気、水素ガス、六フッ化硫黄ガス等であってもよい。また、パッケージ７内の気圧を、パッケージ７外の気圧よりも高くなるように構成することで、発光素子２と受光素子３との間の電気絶縁性をさらに向上させることが可能となる。また、パッケージ７内を、真空雰囲気となるように構成することでも、発光素子２と受光素子３との間の電気絶縁性をさらに向上させることが可能となる。なお、パッケージ７において、気密封止は必須の構成ではなく、気密封止せず空気で満たされた構成であってもよい。
【００６９】
また、パッケージ７内は、上述した気体の代わりに液状の電気絶縁材料（例えば電気絶縁油、電気絶縁ワニス等）が封入された構成であってもよい。このような構成の場合でも、発光素子２にかかる応力を小さくすることができ、さらに発光素子２と受光素子３との間の電気絶縁性の向上を図ることが可能となる。
【００７０】
次に、光モジュール１の変形例について説明する。なお、上述した実施形態の構成と同様の構成については、共通の符号を付して説明を適宜省略する。
【００７１】
（第１変形例）
第１変形例の光モジュール１の概略構成図を図５に示す。本変形例の光モジュール１において、受光素子３は、封止樹脂材６２で封止されている。封止樹脂材６２は、電気絶縁性を有する例えばエポキシ樹脂等で構成されている。受光素子３が封止樹脂材６２で封止されていることによって、発光素子２と受光素子３との間の電気絶縁性をより向上させることが可能となる。図５に示す例では、受光素子３が封止樹脂材６２で封止されているが、発光素子２、あるいは受光素子３と発光素子２との両方が封止樹脂材６２で封止されていてもよい。なお、発光素子２がVCSELである場合、発光素子２を封止する封止樹脂材６２には、発光素子２に作用させる応力が小さい樹脂材を採用することが好ましい。
【００７２】
（第２変形例）
第２変形例の光モジュール１の概略構成図を図６に示す。本変形例の光モジュール１において、絶縁分離部８Ａは、電気絶縁性を有する樹脂材で構成されている。具体的には、絶縁分離部８Ａは、電気絶縁性及び光透過性を有する樹脂材８０で構成されており、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとの隙間に充填されている。ここでいう光透過性とは、発光素子２が放射する光に対する透過性である。「光透過性を有する」とは、１００％の光透過率が必須ではなく、光透過率が６０％以上であるのが好ましく、７０％以上であるのがより好ましく、８０％以上であるのがさらに好ましい。上記構成により、第１支持部４ａ側のコア５１と、第２支持部４ｂ側のコア５１とが、光透過性を有する絶縁分離部８Ａを介して連続するので、発光素子２と受光素子３との間における光量の低下を抑制することが可能となる。
【００７３】
（第３変形例）
第３変形例の光モジュール１の概略構成図を図７に示す。本変形例の光モジュール１において、絶縁分離部８Ｂは、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとを分離させる空隙である。絶縁分離部８Ｂは、第２基板７１の厚さ方向において、光導波路５と、第１基板４と、第２基板７１の一部とに跨って形成されている。以下に、本変形例の光モジュール１の製造方法の概略的な工程について説明する。
【００７４】
＜第１工程＞
エッチング加工により、ウェハに凹部４０を形成する。また、熱酸化法により、ウェハの第１面（上面）、第２面（下面）それぞれにシリコン酸化膜４０１，４０２を形成する。
【００７５】
＜第２工程＞
リソグラフィ技術等により、光導波路５を形成する（図８Ａ参照）。
【００７６】
＜第３工程＞
ダイシング装置でウェハをダイシングする。具体的には、ウェハを個々の第１基板４に分断する。ここでは、第１基板４の分断、すなわち第１支持部４ａと、第２支持部４ｂとの分断は行わない。
【００７７】
＜第４工程＞
第１支持部４ａと第２支持部４ｂとが分断されておらず、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとがつながった状態である第１基板４を、ダイボンド材７３で第２基板７１に固定する（図８Ｂ参照）。
【００７８】
＜第５工程＞
ダイシング装置で、第２基板７１の厚さ方向において、光導波路５から第２基板７１の厚さ方向の途中までにわたる切込みを形成する（図８Ｃ参照）。このとき、第１基板４が分断され、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとを分離させる絶縁分離部８Ｂが形成される。
【００７９】
＜第６工程＞
第１支持部４ａに発光素子２を実装し、第２支持部４ｂに受光素子３を実装する。また、第１パッド電極４０３とパッド電極７１１ａとをワイヤボンディングする。第２パッド電極４０４とパッド電極７１１ｂとをワイヤボンディングする。また、キャップ７２を第２基板７１に固定することで光モジュール１をパッケージ化する。なお、発光素子２、受光素子３の実装工程、ワイヤボンディングの工程は、上記の順番に限らず、例えば第１基板４を分断する前に行われてもよい。
【００８０】
このように、本変形例の光モジュール１の製造方法において、絶縁分離部８Ｂの形成にあたっては、第１基板４を第２基板７１に固定してから絶縁分離部８Ｂを形成する。言い換えれば、第２基板７１に固定された状態の第１基板４を分断することで、絶縁分離部８Ｂを形成する。したがって、本変形例の光モジュール１は、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとの相対的な位置ずれ、具体的には、第１支持部４ａに設けられたコア５１の端面と、第２支持部４ｂに設けられたコア５１の端面との相対的な位置ずれが抑制される。これにより、発光素子２と受光素子３との間における光量の低減をより抑制することが可能となる。
【００８１】
（第４変形例）
第４変形例の光モジュール１の概略構成図を図９に示す。本変形例の光モジュール１において、第１基板４Ａは、電気絶縁性を有するガラス基板７５を介して第２基板７１に固定されている。本変形例の第１基板４Ａは、シリコン基板４００の第２面（下面）側のシリコン酸化膜４０２（図２参照）が除去されており、シリコン基板４００の第２面（下面）にガラス基板７５が陽極接合されている。ガラス基板７５は、シリコン基板４００との線膨張率差の小さなガラス基板が好ましく、例えば硼珪酸ガラス等を採用することができる。
【００８２】
また、本変形例の絶縁分離部８Ｃは、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとを分離させる空隙である。絶縁分離部８Ｃは、第２基板７１の厚さ方向において、光導波路５と、第１基板４Ａと、ガラス基板７５の一部とに跨って形成されている。以下に、本変形例の光モジュール１の製造方法の概略的な工程について説明する。
【００８３】
＜第１工程＞
エッチング加工により、ウェハに凹部４０を形成する。また、熱酸化法により、ウェハの第１面（上面）、第２面（下面）それぞれにシリコン酸化膜４０１，４０２を形成する。
【００８４】
＜第２工程＞
ウェハの第２面（下面）のシリコン酸化膜４０２を除去し、ガラス基板７５を陽極接合する。
【００８５】
＜第３工程＞
リソグラフィ技術等により、光導波路５を形成する（図１０Ａ参照）。
【００８６】
＜第４工程＞
ダイシング装置で、ガラス基板７５の厚さ方向において、光導波路５からガラス基板７５の厚さ方向の途中までにわたる切込みを形成する（図１０Ｂ参照）。これにより、絶縁分離部８Ｃが形成される。
【００８７】
＜第５工程＞
ダイシング装置で、ウェハを個々の第１基板４Ａに分断する。このとき、個々の第１基板４Ａにおいて、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとは、ガラス基板７５を介して繋がった状態となる。
【００８８】
＜第６工程＞
第１基板４Ａが固定されたガラス基板７５を、ダイボンド材７３で第２基板７１に固定する（図１０Ｃ参照）。
【００８９】
＜第７工程＞
第１支持部４ａに発光素子２を実装し、第２支持部４ｂに受光素子３を実装する。また、第１パッド電極４０３とパッド電極７１１ａとをワイヤボンディングする。第２パッド電極４０４とパッド電極７１１ｂとをワイヤボンディングする。また、キャップ７２を第２基板７１に固定することで光モジュール１をパッケージ化する。なお、発光素子２、受光素子３の実装工程は、上記の順番に限らず、例えばウェハを個々の第１基板４Ａに分断する前に行われてもよい。
【００９０】
このように、本変形例の光モジュール１の製造方法において、絶縁分離部８Ｃの形成にあたっては、第１基板４Ａをガラス基板７５に固定してから、第１基板４Ａとガラス基板７５とに跨る絶縁分離部８Ｃを、ガラス基板７５の厚さ方向の途中まで形成する。言い換えれば、ガラス基板７５に固定された状態の第１基板４Ａを分断することで、絶縁分離部８Ｃを形成する。したがって、本変形例の光モジュール１は、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとの相対的な位置ずれ、具体的には、第１支持部４ａに設けられたコア５１の端面と、第２支持部４ｂに設けられたコア５１の端面との相対的な位置ずれが抑制される。これにより、発光素子２と受光素子３との間における光量の低減をより抑制することが可能となる。
【００９１】
さらに、本変形例の光モジュール１の製造方法において、絶縁分離部８Ｃを形成してから、第１基板４Ａが固定されたガラス基板７５を第２基板７１に固定する。そのため、ウェハをダイシング装置で個々の第１基板４Ａに分断する前の状態、すなわちウェハの状態で絶縁分離部８Ｃの形成が可能となるので、絶縁分離部８Ｃの形成が容易となる。
【００９２】
（第５変形例）
第５変形例の光モジュール１の概略構成図を図１１に示す。本変形例の光モジュール１において、光導波路５Ａは、コア５１、及び第２クラッド部５２２が左右方向に分離した状態に形成され、光導波路５Ａの左右方向の略中央部に隙間５３が形成されている。絶縁分離部８Ｄは、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとを分離させる分離させる空隙であり、光導波路５Ａの隙間５３の下側において、第１基板４Ａと、ガラス基板７５の一部とに跨って形成されている。
【００９３】
左右方向における光導波路５Ａの隙間５３の寸法、具体的には第１支持部４ａ側のコア５１と第２支持部４ｂ側のコア５１との間隔を長さＬ１、第１支持部４ａ側の第２クラッド部５２２と第２支持部４ｂ側の第２クラッド部５２２との間隔を長さＬ２とする。また、左右方向における絶縁分離部８Ｄの寸法を長さＬ３とする。
【００９４】
絶縁分離部８Ｄは、ダイシング装置により形成される空隙である。したがって、例えばダイシング装置をダイシングソーで構成する場合、絶縁分離部８Ｄの寸法である長さＬ３は、ブレードの幅で決定される。
【００９５】
また、コア５１の隙間寸法である長さＬ１、及び第２クラッド部５２２の隙間寸法である長さＬ２が、絶縁分離部８Ｄの寸法である長さＬ３よりも大きくなるように形成されている。具体的には、コア５１の隙間寸法である長さＬ１、及び第２クラッド部５２２の隙間寸法である長さＬ２は、ダイシング装置のダイシングレーンの幅よりも大きく形成されている。これにより、絶縁分離部８Ｄを形成するときに、ダイシング装置のダイシングレーン上にコア５１、第２クラッド部５２２が介在することをより抑制することができる。なお、コア５１の隙間寸法である長さＬ１、第２クラッド部５２２の隙間寸法である長さＬ２、絶縁分離部８Ｄの寸法である長さＬ３それぞれが同じであってもよい。
【００９６】
また、第２クラッド部５２２の隙間寸法である長さＬ２が、コア５１の隙間寸法である長さＬ１よりも大きくなるように形成されている。これにより、第２クラッド部５２２が、コア５１同士が対向する端面に介在することが抑制、すなわち第２クラッド部５２２が発光素子２が放射する光の光路上に介在することが抑制される。なお、コア５１の隙間寸法である長さＬ１と、第２クラッド部５２２の隙間寸法である長さＬ２とが同じであってもよい。
【００９７】
以下に、本変形例の光モジュール１の製造方法の概略的な工程について説明する。
【００９８】
＜第１工程＞
エッチング加工により、ウェハに凹部４０を形成する。また、熱酸化法により、ウェハの第１面（上面）、第２面（下面）それぞれにシリコン酸化膜４０１，４０２を形成する。
【００９９】
＜第２工程＞
ウェハの第２面（下面）のシリコン酸化膜４０２を除去し、ガラス基板７５を陽極接合する。
【０１００】
＜第３工程＞
リソグラフィ技術等により、光導波路５Ａを形成する。このとき、コア５１及び第２クラッド部５２２を左右方向に分離して形成することで、隙間５３を形成する。
【０１０１】
＜第４工程＞
ダイシング装置で、ガラス基板７５の厚さ方向において、シリコン酸化膜４０１からガラス基板７５の厚さ方向の途中までにわたる切込みを形成することで絶縁分離部８Ｄを形成する。光導波路５Ａの隙間５３の幅は、ダイシングレーンの幅よりも大きいので、ダイシング装置によって、光導波路５Ａのコア５１、第２クラッド部５２２が分断されない。
【０１０２】
＜第５工程＞
ダイシング装置で、ウェハを個々の第１基板４Ａに分断する。このとき、個々の第１基板４Ａにおいて、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとは、ガラス基板７５を介して繋がった状態となる。
【０１０３】
＜第６工程＞
第１基板４Ａが固定されたガラス基板７５を、第２基板７１に固定する。
【０１０４】
＜第７工程＞
第１支持部４ａに発光素子２を実装し、第２支持部４ｂに受光素子３を実装する。また、第１パッド電極４０３とパッド電極７１１ａとをワイヤボンディングする。第２パッド電極４０４とパッド電極７１１ｂとをワイヤボンディングする。また、キャップ７２を第２基板７１に固定することで光モジュール１をパッケージ化する。なお、発光素子２、受光素子３の実装工程は、上記の順番に限らず、例えばウェハを個々の第１基板４Ａに分断する前に行われてもよい。
【０１０５】
このように、本変形例の光モジュール１の製造方法において、絶縁分離部８Ｄを形成するときに、ダイシング装置のダイシングレーン上に光導波路５Ａが介在しないように、ダイシングレーンの幅よりも大きい隙間５３を光導波路５Ａに設けている。これにより、ダイシング装置で、コア５１、及び第２クラッド部５２２が分断されない。すなわち、樹脂材で構成されたコア５１、及び第２クラッド部５２２をダイシングしたときのダイシング屑の発生が抑制され、このダイシング屑が第１パッド電極４０３、第２パッド電極４０４等に付着することによる導通不良が抑制される。
【０１０６】
（第６変形例）
第６変形例の光モジュール１の概略構成図を図１２に示す。本変形例の光モジュール１において、絶縁分離部８Ｅは、光導波路５Ｂの一部を兼ねている。絶縁分離部８Ｅは、コア５１、第２クラッド部５２２と同じ樹脂材で構成されており、コア５１、第２クラッド部５２２と一体に形成され、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとの間に介在している。以下に、本変形例の光モジュール１の製造方法の概略的な工程について説明する。
【０１０７】
＜第１工程＞
エッチング加工により、ウェハに凹部４０を形成する。また、熱酸化法により、ウェハの第１面（上面）、第２面（下面）それぞれにシリコン酸化膜４０１，４０２を形成する。
【０１０８】
＜第２工程＞
ウェハの第２面（下面）のシリコン酸化膜４０２を除去し、ガラス基板７５を陽極接合する。
【０１０９】
＜第３工程＞
ダイシング装置で、ガラス基板７５の厚さ方向において、シリコン酸化膜４０１からガラス基板７５の厚さ方向の途中までにわたる切込みを形成する。
【０１１０】
＜第４工程＞
リソグラフィ技術等により、光導波路５Ｂを形成する。このとき、上記第３工程で形成された切込みが、コア５１、第２クラッド部５２２と同じ樹脂材で埋められる。これにより、絶縁分離部８Ｅが形成される。
【０１１１】
＜第５工程＞
ダイシング装置で、ウェハを個々の第１基板４Ａに分断する。このとき、個々の第１基板４Ａにおいて、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとは、ガラス基板７５を介して繋がった状態となる。
【０１１２】
＜第６工程＞
第１基板４Ａが固定されたガラス基板７５を、第２基板７１に固定する。
【０１１３】
＜第７工程＞
第１支持部４ａに発光素子２を実装し、第２支持部４ｂに受光素子３を実装する。また、内部パッド電極７１１と第１パッド電極４０３及び第２パッド電極４０４とをワイヤボンディングし、キャップ７２を第２基板７１に固定することで光モジュール１をパッケージ化する。なお、発光素子２、受光素子３の実装工程は、上記の順番に限らず、例えばウェハを個々の第１基板４Ａに分断する前に行われてもよい。
【０１１４】
このように、本変形例の光モジュール１の製造方法において、第１支持部４ａと第２支持部４ｂとの隙間を光導波路５Ｂの一部で埋めることで絶縁分離部８Ｅを形成している。これにより、光導波路５Ｂは、分断されることなく、第１支持部４ａから第２支持部４ｂにわたって連続した形状に形成されるので、発光素子２と受光素子３との間における光量の低減をより抑制することが可能となる。
【０１１５】
次に、光モジュール１の第７変形例〜第１３変形例を列挙する。なお、第７変形例〜第１３変形例の説明で用いる図１３〜図１９は、発光素子２、受光素子３、第１基板４、光導波路５それぞれの変形例を概略的に示した図であり、基本構成については上述した実施形態の構成と同様であるので、構成を簡略化して図示している。
【０１１６】
（第７変形例）
第７変形例の光モジュール１の概略構成図を図１３に示す。本変形例の光モジュール１において、光導波路５Ｃは、第１基板４Ｂの第１面（上面）に設けられている。光導波路５Ｃは、第１基板４Ｂの第１面（上面）から突出するように設けられている。また、発光素子２及び受光素子３は、光導波路５Ｃの上側に配置されている。なお、本変形例の光モジュール１において、発光素子２と受光素子３との間における光量の低減を抑制するために、発光素子２から放射された光を受光素子３に向けて反射する反射部を有していることが好ましい。
【０１１７】
（第８変形例）
第８変形例の光モジュール１の概略構成図を図１４に示す。本変形例の光モジュール１において、発光素子２Ａは、端面発光レーザ（EEL:Edge Emitting Laser）で構成されており、発光素子２Ａの厚さ方向に沿った１つの端面に光取出し面２１Ａが形成されている。受光素子３Ａは、受光素子３Ａの厚さ方向に沿った１つの端面に受光面３１Ａが形成されている。また、光導波路５Ｄは、発光素子２Ａの光取出し面２１Ａと受光素子３Ａの受光面３１Ａとを繋ぐように形成されている。
【０１１８】
（第９変形例）
第９変形例の光モジュール１の概略構成図を図１５に示す。本変形例の光モジュール１において、第１基板４Ｃは、発光素子２Ａ、受光素子３Ａ、及び光導波路５Ｄが収まるサイズの凹部４０Ｃが設けられている。本変形例の光モジュール１において、発光素子２Ａ、受光素子３Ａ、及び光導波路５Ｄは、凹部４０Ｃの底面に設けられている。
【０１１９】
（第１０変形例）
第１０変形例の光モジュール１の概略構成図を図１６に示す。本変形例の光モジュール１において、発光素子２Ｂは、第１基板４Ａとは反対側の第１面（上面）に光取出し面２１Ｂが形成されている。受光素子３Ｂは、第１基板４Ａとは反対側の第１面（上面）に受光面３１Ｂが形成されている。また、光導波路５Ｅは、発光素子２Ｂの光取出し面２１Ｂと受光素子３Ｂの受光面３１Ｂとを繋ぐように、下が開口した略Ｃ字状に形成されている。なお、光導波路５Ｅの下側の中空部分には、光導波路５Ｅを下から支えるように、第１基板４Ａに形成された突部が設けられていてもよい。あるいは、光導波路５Ｅの下側の中空部分を埋める樹脂材等が設けられていてもよい。この樹脂材は、例えば第２クラッド部５２２と一体であってもよい。
【０１２０】
（第１１変形例）
第１１変形例の光モジュール１の概略構成図を図１７に示す。本変形例の光モジュール１において、第１基板４Ｃの凹部４０Ｃ内に、発光素子２Ｂ、受光素子３Ｂ、及び光導波路５Ｅが設けられている。
【０１２１】
（第１２変形例）
第１２変形例の光モジュール１の概略構成図を図１８に示す。本変形例の光モジュール１において、第１基板４Ｄの第１面（上面）に発光素子２が設けられ、第１基板４Ｄの凹部４０Ｄ内に光導波路５Ｆ、及び受光素子３Ａが設けられている。
【０１２２】
（第１３変形例）
第１３変形例の光モジュール１の概略構成図を図１９に示す。本変形例の光モジュール１において、第１基板４Ｅの第１面（上面）に発光素子２、受光素子３Ａが設けられている。光導波路５Ｇは、一部が第１基板４Ｅの凹部４０Ｅ内に設けられ、残りの部分が第１基板４Ｅの上面に設けられ、発光素子２の光取出し面２１と受光素子３Ａの受光面３１Ａとを繋ぐように形成されている。
【０１２３】
なお、上述した実施形態、各変形例は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態、各変形例に限定されない。上述の実施形態、各変形例以外の構成であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることはもちろんのことである。
【符号の説明】
【０１２４】
１  光モジュール
２，２Ａ，２Ｂ  発光素子
２１，２１Ａ，２１Ｂ  光取出し面
３，３Ａ，３Ｂ  受光素子
３１，３１Ａ，３１Ｂ  受光面
４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅ  第１基板
４ａ  第１支持部
４ｂ  第２支持部
４０，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ  凹部
４００  シリコン基板
４１２，４２２  反射膜
４１２ａ，４２２ａ  表面（反射面）
５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ，５Ｆ，５Ｇ  光導波路
５１  コア
５２  クラッド
６２  封止樹脂材
７１  第２基板
７５  ガラス基板
８，８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ，８Ｅ  絶縁分離部
８０  樹脂材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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