(57)【要約】      （修正有）【課題】タッチ位置及び押圧を検出することができるタッチセンサを内蔵した表示装置を提供する。【解決手段】複数の第１電極５４及び複数の第２電極６０の少なくとも一方の群のそれぞれの電極は、導電性を有するナノファイバがバインダに分散して、変形により電気抵抗が変動する導電層からなる。センシング回路７２は、複数の第１電極５４及び複数の第２電極６０のそれぞれに寄生する静電容量に対応する第１物理量を測定し、得られた第１測定値が第１範囲から外れるときに、指を含む導電体の接近に起因して静電容量の有意な変化があったことを検知する。また、センシング回路７２は、導電層の電気抵抗に対応する第２物理量を測定し、得られた第２測定値が第２範囲から外れるときに、押圧力による導電層の変形に起因して電気抵抗の有意な変化があったことを検知する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極及び陽極の間に発光層が挟まれた構造を有する発光素子層と、
前記発光素子層を覆う封止層と、
前記封止層の上で、第１方向にそれぞれが延びて前記第１方向に交差する第２方向に隣り合う複数の第１電極と、
前記封止層の上で、前記複数の第１電極とは絶縁されるように、前記第２方向にそれぞれが延びて前記第１方向に隣り合う複数の第２電極と、
センシング回路と、
を有し、
前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極の少なくとも一方の群のそれぞれの電極は、導電ナノ材料が可撓性を有する材料からなるバインダに分散して、変形により電気抵抗が変動する導電層からなり、
前記センシング回路は、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極のそれぞれに寄生する静電容量に対応する第１物理量を測定し、得られた第１測定値が第１範囲から外れるときに、指を含む導電体の接近に起因して前記静電容量の有意な変化があったことを検知し、
前記センシング回路は、さらに、前記導電層の前記電気抵抗に対応する第２物理量を測定し、得られた第２測定値が第２範囲から外れるときに、押圧力による前記導電層の変形に起因して前記電気抵抗の有意な変化があったことを検知することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記第１物理量は、前記複数の第１電極のそれぞれと前記複数の第２電極のそれぞれとの間の静電容量に対応し、
前記第１測定値は、前記第１所定値よりも小さいときに、前記第１範囲から外れることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置において、
前記第１物理量は、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極からなる電極群のそれぞれと基準電位との間の静電容量に対応し、
前記測定値は、前記第１所定値よりも大きいときに、前記第１範囲から外れることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記センシング回路は、前記第２測定値が前記第２範囲の最大値よりも大きいとき又は前記第２範囲の最小値よりも小さいときに、前記電気抵抗の有意な変化があったことを検知することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の第１電極のそれぞれは、複数の第１パッド部と、隣同士の前記第１パッドを接続する第１接続部と、を含み、
前記複数の第２電極のそれぞれは、複数の第２パッド部と、隣同士の前記第２パッドを接続する第２接続部と、を含み、
前記複数の第１パッド部と前記複数の第２パッド部とは、相互に重畳せずに同じ層に配置されて、
前記複数の第１パット部と前記複数の第２パット部の少なくとも一方の群のそれぞれの電極は、前記導電層からなり、
前記第２接続部は、絶縁膜を介して、前記第１接続部と重畳することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の第１電極と前記複数の第２電極とは、絶縁膜を介して、重畳する部分を有し、
前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極のうち、少なくとも前記封止層から遠い側の電極群が前記導電層からなることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載された表示装置において、
前記絶縁膜は、複数の部位に分離されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載された表示装置において、
前記絶縁膜は、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極が重なる複数の位置にあり、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極の少なくとも一方の群の電極に重ならない位置で分離されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記導電ナノ材料は、導電性を有するナノファイバからなることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートホンなどのモバイルディスプレイのタッチパネルには、静電容量方式が広く採用されている。タッチパネルは、従来ディスプレイとは別に形成することが多かったが、最近は、薄さ、低コスト、光学特性の優位性から内蔵化の傾向が見られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１１−５０１３０７号公報
【特許文献２】特開２０１４−１８６７１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
センシングの方式として、位置の検出だけでなく、指で押したときの押圧を検出する感圧センサを搭載することが知られている（特許文献１）。感圧センサは、透明ではないので、発光を妨げないように、タッチ位置検出用のセンサとは別に、ディスプレイの後ろまたは表示領域の周辺領域（額縁）に置かれていた。特許文献２には、圧電センサを表示装置の表示面に重ねることが記載されているが、位置検出用及び押圧検出用の電極が別々に必要であった。この場合、表示装置とは別に、少なくとも１種類のタッチセンサが必要となり、両者を貼りつけなければならず、薄さ、コストに問題があった。
【０００５】
本発明は、タッチ位置及び押圧を検出することができるタッチセンサを内蔵した表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置は、陰極及び陽極の間に発光層が挟まれた構造を有する発光素子層と、前記発光素子層を覆う封止層と、前記封止層の上で、第１方向にそれぞれが延びて前記第１方向に交差する第２方向に隣り合う複数の第１電極と、前記封止層の上で、前記複数の第１電極とは絶縁されるように、前記第２方向にそれぞれが延びて前記第１方向に隣り合う複数の第２電極と、センシング回路と、を有し、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極の少なくとも一方の群のそれぞれの電極は、導電ナノ材料が可撓性を有する材料からなるバインダに分散して、変形により電気抵抗が変動する導電層からなり、前記センシング回路は、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極のそれぞれに寄生する静電容量に対応する第１物理量を測定し、得られた第１測定値が第１範囲から外れるときに、指を含む導電体の接近に起因して前記静電容量の有意な変化があったことを検知し、前記センシング回路は、さらに、前記導電層の前記電気抵抗に対応する第２物理量を測定し、得られた第２測定値が第２範囲から外れるときに、押圧力による前記導電層の変形に起因して前記電気抵抗の有意な変化があったことを検知することを特徴とする。本発明によれば、第１電極と第２電極を、タッチ位置の検出及び押圧の検出に共用する。また、両機能を備えたセンサを表示装置のタッチ側（発光方向）に有する。このため、薄さ、コスト及び光学特性、タッチ感度に優れている。また、表示装置の周辺領域にセンサを置く必要が無い事から、狭額縁化を達成できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。
【図２】図１においてIIで指す部分を示す拡大図である。
【図３】図２に示す表示装置のIII−III線断面の拡大図である。
【図４】図２に示す表示装置のIV−IV線断面の拡大図である。
【図５】図２に示す表示装置のＶ−Ｖ線断面の拡大図である。
【図６】第１の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのための回路を示す図である。
【図７】第１の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのフローを示す図である。
【図８】画面を指で押した状態を示す図である。
【図９】第１の実施形態に係る表示装置の押圧センシングのための回路を示す図である。
【図１０】第１の実施形態に係る表示装置の押圧センシングのフローを示す図である。
【図１１】本発明を適用した第２の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのための回路を示す図である。
【図１２】第２の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのフローを示す図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る第１電極及び第２電極を示す図であり、図４に示す断面の変形例を示す。
【図１４】本発明の第３の実施形態に係る第１電極及び第２電極を示す図であり、図５に示す断面の変形例を示す。
【図１５】本発明の第４の実施形態に係る第１電極及び第２電極を示す平面図である。
【図１６】第４の実施形態の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【０００９】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１０】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１１】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の斜視図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、第１基板１０を有する。第１基板１０には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１２が搭載され、外部との電気的接続のために図示しないフレキシブルプリント基板を接続してもよい。
【００１２】
図２は、図１においてIIで指す部分を示す拡大図である。図３は、図２に示す表示装置のIII−III線断面の拡大図である。第１基板１０は、樹脂又はガラスからなる。第１基板１０は、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有するフィルムなどを用いる事もできる。第１基板１０には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート層１４が形成される。アンダーコート層１４は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等からなり、それらの積層構造であっても良い。アンダーコート層１４の上には半導体層１６が形成されている。半導体層１６にソース電極１８及びドレイン電極２０が電気的に接続し、半導体層１６を覆ってゲート絶縁膜２２が形成されている。ゲート絶縁膜２２の上にはゲート電極２４が形成され、ゲート電極２４を覆って層間絶縁膜２６が形成されている。ソース電極１８及びドレイン電極２０は、ゲート絶縁膜２２及び層間絶縁膜２６を貫通している。半導体層１６、ソース電極１８、ドレイン電極２０及びゲート電極２４によって薄膜トランジスタ２８が構成される。薄膜トランジスタ２８を覆うようにパッシベーション膜３０が設けられている。
【００１３】
パッシベーション膜３０の上には、平坦化層３２が設けられている。平坦化層３２の上には、複数の単位画素（サブピクセル）それぞれに対応するように構成された複数の陽極３４（例えば画素電極）が設けられている。平坦化層３２は、少なくとも陽極３４が設けられる面が平坦になるように形成される。平坦化層３２としては、感光性アクリル樹脂等の有機材料が多く用いられる。陽極３４は、平坦化層３２及びパッシベーション膜３０を貫通するコンタクトホール３６によって、半導体層１６上のソース電極１８及びドレイン電極２０の一方に電気的に接続している。
【００１４】
平坦化層３２及び陽極３４上に、絶縁層３８が形成されている。絶縁層３８は、陽極３４の周縁部に載り、陽極３４の一部（例えば中央部）を開口させるように形成されている。絶縁層３８によって、陽極３４の一部を囲むバンクが形成される。
【００１５】
陽極３４上に発光層４０が設けられている。発光層４０は、陽極３４ごとに別々に（分離して）設けられ、絶縁層３８にも載るようになっている。この場合は各画素に対応して青、赤、緑で発光層４０が発光するようになる。各画素に対応する色はこれに限られず、例えば、黄、白等でも良い。これらの層は、例えば、蒸着により形成される。また、これらの層は表示領域を覆う全面に、複数の画素に亘るように形成されても良い。つまり、図３において、発光層４０が絶縁層３８上で連続する構成となる。この場合、発光層４０は溶媒分散による塗布により形成される。発光層４０を複数の画素に亘るように形成する場合には、例えば全サブピクセルにおいて白色光を得て、第２基板５４にカラーフィルタを設けることにより所望の色波長部分を取り出す構成とすることができる。
【００１６】
発光層４０の上には、陰極４２（例えば共通電極）が設けられている。陰極４２は、バンクとなる絶縁層３８の上方に載るように形成する。発光層４０並びに発光層４０を挟む陽極３４及び陰極４２を含む発光素子層４４が構成される。発光層４０は、陽極３４及び陰極４２に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層４０と陽極３４との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層４０と陰極４２との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光素子層４４は、陰極４２に積層する封止層４６によって覆われることで封止されて水分から遮断される。封止層４６は、ＳｉＮなどの無機膜を含み、積層構造であっても良い。例えば、封止層４６は、図３のように一対の無機膜４８，５０の間に樹脂などからなる有機膜５２を挟む構造であっても良い。
【００１７】
封止層４６の上には、複数の第１電極５４が形成されている。図２に示すように、複数の第１電極５４は、第１方向Ｄ１にそれぞれが延びて第１方向Ｄ１に交差（例えば直交）する第２方向Ｄ２に隣り合う。複数の第１電極５４のそれぞれは、隣同士が接続された複数の第１パッド部５６を含む。隣同士の第１パッド部５６は第１接続部５８によって接続されている。第１パッド部５６と第１接続部５８は同じ層に配置されている。
【００１８】
封止層４６の上で、複数の第２電極６０が、第２方向Ｄ２にそれぞれが延びて第１方向Ｄ１に隣り合う。複数の第２電極６０のそれぞれは、隣同士が接続された複数の第２パッド部６２を含む。複数の第２電極６０は、複数の第１電極５４とは絶縁されている。複数の第１パッド部５６と複数の第２パッド部６２は、相互に重畳せずに同じ層に配置されている。なお、図３においては、第２電極６０が、絶縁膜３８上で分断された構造となっているが、この構造に限られない。例えば、数画素置きにあっても良い。画素形状に応じて第２電極６０を形成する場合は、第２電極６０と発光素子層４４の距離が近い場合に、光学特性を向上させることができ。第２電極６０と発光素子層４４との距離が十分にあれば、画素の形状に応じて形成する必要は無い。第１電極５４も同様である。
【００１９】
図４及び図５は、それぞれ、図２に示す表示装置のIV−IV線断面及びＶ−Ｖ線断面の拡大図である。隣同士の第２パッド部６２は第２接続部６４によって接続されている。第２接続部６４は、絶縁膜６６を介して、第１接続部５８と重畳する。複数の第１電極５４と複数の第２電極６０とは、第１接続部５８及び第２接続部６４で重畳している。第１電極５４（第１接続部５８）と第２電極６０（第２接続部６４）の間には、絶縁膜６６が介在して、両者が導通しないようになっている。絶縁膜６６は、例えば第２接続部６４の直下のみに配置されることで、複数の部位に分離される。
【００２０】
複数の第１電極５４及び複数の第２電極６０の少なくとも一方の群のそれぞれの電極は、導電ナノ材料が、可撓性を有するバインダ（例えば樹脂）に分散した導電層からなる。バインダの変形により導電ナノ材料の配置が変わり、結果として導電ナノ材料の総接触量が変わることで、電極の電気抵抗が変動する。導電ナノ材料は、より詳細には導電性を有するナノファイバ（例えばＡｇナノワイヤ）からなる。本実施形態では、複数の第１パッド部５６及び複数の第２パッド部６２が、いずれも導電層からなる。なお、複数の第１パッド部５６及び複数の第２パッド部６２の一方が導電層でなくても良く、その場合、導電層で無い電極は、透明導電材料（例えば、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）やＩＴＯ（Indium Tin Oxide））からなる。第１接続部５８も導電層であってもよい。第１電極５４、２電極６０及び第１接続５８が同一材料の導電層で形成される場合、製造、コストに優れている。一方、例えば、第１電極５４のみを導電層とした場合には、押圧時の力がより第１電極にかかることにより、押圧検出感度が良くなる。
【００２１】
封止層４６には、粘着層６８を介して、第２基板７０が貼り付けられている。第２基板７０は、樹脂又はガラスからなる。第２基板５４は、第１基板１０同様、可撓性を有するフィルムであっても良い。粘着層６８は、複数の第１電極５４及び複数の第２電極６０の上に設けられる。本実施形態に係る表示装置は、タッチパネルを内蔵する。つまり、図３に示すように、指などの導電体の接近によるタッチを検出するようになっている。本実施形態では、相互容量方式の原理が採用されている。
【００２２】
図６は、第１の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのための回路を示す図である。表示装置は、センシング回路７２を有する。例えば、図１に示す集積回路チップ１２にセンシング回路７２が内蔵されている。センシング回路７２は、第１選択回路７４を含む。第１選択回路７４は、複数の第１電極５４の１つを選択する。センシング回路７２は、第２選択回路７６を含む。第２選択回路７６は、複数の第２電極６０の１つを選択する。センシング回路７２は、パルス発生器７８を含む。パルス発生器７８から出力されたパルス電圧は、選択された１つの第１電極５４及び選択された１つの第２電極６０の一方（この例では、第１電極５４）に印加される。
【００２３】
複数の第１電極５４及び複数の第２電極６０からなる電極群のそれぞれに第１静電容量が寄生する。例えば、選択された１つの第１電極５４及び選択された１つの第２電極６０の間には、第１静電容量が形成される。図６に示すように、指などの導電体のタッチがあると、第１電極５４及び第２電極６０の間の電界が減少するので、第１静電容量は減少する。パルス電圧が印加される電極とは別の電極（この例では第２電極６０）は電流計８０に接続されている。電流計８０は、第１静電容量に対応する第１物理量（電流値）を測定する。第１物理量は、複数の第１電極５４のそれぞれと複数の第２電極６０のそれぞれとの間の静電容量に対応する。
【００２４】
図７は、第１の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのフローを示す図である。図６に示す電流計８０で第１物理量（電流値）が測定される（Ｓ１１）と、その測定によって得られた第１測定値は、判別回路８２に入力される。判別回路８２では、第１測定値が第１範囲から外れるか否かを判定する。第１範囲は、指などの導電体のタッチがないときの設計値に誤差を考慮した範囲である。第１測定値が第１範囲内にあればタッチがないことになる。第１測定値が第１範囲から外れると、指などの導電体の接近に起因して第１静電容量の有意な変化があったこと（すなわちタッチがあったこと）を検知する。
【００２５】
本実施形態では、タッチがあれば第１測定値が下がる相互容量方式が採用されているため、第１測定値が第１範囲から外れるか否かの判定として、第１測定値が第１所定値よりも小さいか否かを判別回路８２で判別する（Ｓ１２）。判別の結果がＮＯであれば、タッチはなかったことを検知する（Ｓ１３）。ＹＥＳであれば、タッチがあったことを検知する（Ｓ１４）。
【００２６】
本実施形態の表示装置は、さらに画面が押圧されたことを検知する。タッチ位置の検出で使用する第１電極５４と第２電極６０は、以下説明するように押圧の検出に共用されるので、薄さ、コスト及び光学特性において顕著な効果を奏する。
【００２７】
図８は、画面を指で押した状態を示す図である。押圧によって、第２基板７０及び粘着層６８を介して、第１電極５４及び第２電極６０の少なくとも一方が変形する。例えば、第１電極５４又は第２電極６０が引き伸ばされて長くなり、上述の通り、電気抵抗が大きくなる。あるいは、第１電極５４又は第２電極６０が圧縮されて電気抵抗が小さくなる。
【００２８】
図９は、第１の実施形態に係る表示装置の押圧センシングのための回路を示す図である。センシング回路７２は、第１電極５４又は第２電極６０（変形可能な導電層）の電気抵抗に対応する第２物理量を測定する。例えば、選択回路８８で、複数の第１電極５４及び複数の第２電極６０からなる電極群から１つが選択される。選択された電極の両端に電圧が印加され、第２物理量（電圧値）を電圧計８４で測定する。指などによる押圧があれば、電気抵抗が変化（増大又は減少）する。
【００２９】
図１０は、第１の実施形態に係る表示装置の押圧センシングのフローを示す図である。電圧計８４で第２物理量（電圧値）が測定されると（Ｓ２１）、その測定によって得られた第２測定値は、判別回路８２に入力される（図９参照）。判別回路８２では、第２測定値が第２範囲から外れるか否かを判定する。第２範囲は、指などによる押圧がないときの設計値に誤差を考慮した範囲である。第２測定値が第２範囲内であれば、押圧がないことになる。第２測定値が第２範囲から外れると、押圧力による第１電極５４又は第２電極６０（導電層）の変形に起因して電気抵抗の有意な変化があったこと（すなわち押圧があったこと）を検知する。
【００３０】
第１電極５４又は第２電極６０（導電層）の変形があれば、第２測定値が変化（上がる又は下がる）ので、第２測定値が第２範囲から外れるか否かの判定として、第２測定値が第２範囲の最大値よりも大きいか否か、または、第２測定値が第２範囲の最小値よりも小さいか否かを判別回路８２で判別する（Ｓ２２）。判別の結果がＮＯであれば、押圧はなかったことを検知する（Ｓ２３）。ＹＥＳであれば、押圧があったことを検知する（Ｓ２４）。
【００３１】
［第２の実施形態］
図１１は、本発明を適用した第２の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのための回路を示す図である。本実施形態では、自己容量方式の原理が採用されている。つまり、第１電極２５４又は第２電極２６０と、金属フレーム２８６などの基準電位（例えばＧＮＤ）との間の静電容量によってタッチセンシングを行う。
【００３２】
センシング回路２７２は、選択回路２８８を含む。選択回路２８８は、複数の第１電極２５４及び複数の第２電極２６０からなる電極群から１つを選択する。複数の第１電極２５４は、第２方向Ｄ２に隣り合うので、第２方向Ｄ２のタッチ位置を検出するためのものである。複数の第２電極２６０は、第１方向Ｄ１に隣り合うので、第１方向Ｄ１のタッチ位置を検出するためのものである。
【００３３】
パルス発生器２７８から出力されたパルス電圧は、選択された１つの第１電極２５４又は１つの第２電極２６０に印加される。複数の第１電極２５４及び複数の第２電極２６０からなる電極群の１つに第１静電容量が寄生する。
【００３４】
仮想ＧＮＤとなる指などの導電体のタッチがあると、第１電極２５４又は第２電極２６０と基準電位（ＧＮＤ）との間の静電容量が増加するので、第１静電容量は増加する。パルス電圧が第１電極２５４又は第２電極２６０に印加されると、電流計２８０は、第１静電容量に対応する第１物理量（電流値）を測定する。第１物理量（電流値）は、複数の第１電極２５４及び複数の第２電極２６０からなる電極群のそれぞれと基準電位との間の静電容量に対応する。
【００３５】
図１２は、第２の実施形態に係る表示装置のタッチセンシングのフローを示す図である。電流計２８０で第１物理量（電流値）が測定されると（Ｓ２０１）、その測定によって得られた第１測定値は、図１１に示すように判別回路２８２に入力される。判別回路２８２では、第１測定値が第１範囲から外れるか否かを判定する。第１範囲は、指などの導電体のタッチがないときの設計値に誤差を考慮した範囲である。第１測定値が第１範囲内にあればタッチがないことになる。第１測定値が第１範囲から外れると、指などの導電体の接近に起因して第１静電容量の有意な変化があったこと（すなわちタッチがあったこと）を検知する。
【００３６】
本実施形態では、タッチがあれば第１測定値が上がる自己容量方式が採用されているため、第１測定値が第１範囲から外れるか否かの判定として、第１測定値が第１所定値よりも大きいか否かを判別回路２８２で判別する（Ｓ２０２）。判別の結果がＮＯであれば、タッチはなかったことを検知する（Ｓ２０３）。ＹＥＳであれば、タッチがあったことを検知する（Ｓ２０４）。
【００３７】
本実施形態の表示装置でも、タッチ位置の検出に加えて、画面が押圧されたことを検知する。その詳細は第１の実施形態で説明した内容が該当する。
【００３８】
［第３の実施形態］
図１３及び図１４は、本発明の第３の実施形態に係る第１電極及び第２電極を示す図である。図１３は、図４に示す断面の変形例を示し、図１４は、図５に示す断面の変形例を示す。上述した第１の実施形態では、図４及び図５に示すように、第１電極５４の第１接続部５８の上方に、第２電極６０の第２接続部６４が配置されている。その場合、第１電極５４の第１パッド部５６及び第１接続部５８並びに第２電極６０の第２パッド部６２を形成し、絶縁膜６６を形成した後に、第２接続部６４を形成する。絶縁膜６６は、第２接続部６４（たとえばその全体）の直下には存在し、第１接続部５８の少なくとも一部と重畳するが、第１パッド部５６及び第２パッド部６２のそれぞれの少なくとも一部を避けて設けられる。
【００３９】
これに対して、本実施形態では、第１電極３５４の第１接続部３５８の下方に、第２電極３６０の第２接続部３６４が配置される。その場合、第２接続部３６４を形成した後に、絶縁膜３６６を形成し、その上に第１電極３５４の第１パッド部３５６及び第１接続部３５８並びに第２電極３６０の第２パッド部３６２を形成する。絶縁膜３６６にはスルーホール３９０を形成して、第２接続部３６４に第２パッド部３６２を接続する。また、本実施形態では、第１パッド部３５６及び第１接続部３５８並びに第２パッド部３６２の全体が絶縁膜３６６の上にある。
【００４０】
［第４の実施形態］
図１５は、本発明の第４の実施形態に係る第１電極及び第２電極を示す平面図である。本実施形態では、複数の複数の第１電極４５４の上方に、第２電極４６０が配置されている。第１電極４５４と第２電極４６０の間には絶縁膜４６６が介在して両者を絶縁している。複数の第１電極４５４と複数の第２電極４６０とは、絶縁膜４６６を介して、重畳する部分を有する。複数の第１電極４５４及び複数の第２電極４６０のうち、少なくとも封止層から遠い側の電極群（例えば上側にある複数の第２電極４６０）が導電層からなる。
【００４１】
図１６は、図１５に示す実施形態の変形例を示す図である。この例では、絶縁膜５６６は、複数の部位に分離されている。つまり、絶縁膜５６６は、複数の第１電極５５４及び複数の第２電極５６０の少なくとも一方の群の電極には重ならない位置で分離されている。例えば、絶縁膜５６６は、少なくとも表示領域では、第２電極５６０の全体に重なるが、第１電極５５４の上で分離されている。絶縁膜５６６は、複数の第１電極５５４及び複数の第２電極５６０が重なる複数の位置にある。その他の内容は、図１５に示す例について説明した内容が該当する。
【００４２】
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。
【００４３】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４４】
１０  第１基板、１２  集積回路チップ、１４  アンダーコート層、１６  半導体層、１８  ソース電極、２０  ドレイン電極、２２  ゲート絶縁膜、２４  ゲート電極、２６  層間絶縁膜、２８  薄膜トランジスタ、３０  パッシベーション膜、３２  平坦化層、３４  陽極、３６  コンタクトホール、３８  絶縁層、４０  発光層、４２  陰極、４４  発光素子層、４６  封止層、４８  無機膜、５０  無機膜、５２  有機膜、５４  第１電極、５６  第１パッド部、５８  第１接続部、６０  第２電極、６２  第２パッド部、６４  第２接続部、６６  絶縁膜、６８  粘着層、７０  第２基板、７２  センシング回路、７４  第１選択回路、７６  第２選択回路、７８  パルス発生器、８０  電流計、８２  判別回路、８４  電圧計、８８  選択回路、２５４  第１電極、２６０  第２電極、２７２  センシング回路、２７８  パルス発生器、２８０  電流計、２８２  判別回路、２８６  金属フレーム、２８８  選択回路、３５４  第１電極、３５６  第１パッド部、３５８  第１接続部、３６０  第２電極、３６２  第２パッド部、３６４  第２接続部、３６６  絶縁膜、３９０  スルーホール、４５４  第１電極、４６０  第２電極、４６６  絶縁膜、５５４  第１電極、５６０  第２電極、５６６  絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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