(57)【要約】【課題】表示装置の表示品位の低下を防止する。【解決手段】実施形態の表示装置は、構成電極と接する複数の金属配線を備える。第１色の第１フィルタは第１画素及び第３画素と重畳し、第２色の第２フィルタは第２画素及び第４画素と重畳し、第１乃至第４構成電極はそれぞれ第１乃至第４画素と重畳し、第１スリットは第１画素と第２画素との間で第１映像信号線の延在方向に延び、第２スリットは第３画素と第４画素との間で第２映像信号線の延在方向に延び、第１金属配線は第１，第２構成電極の間に形成されて第１スリットの一部を覆い、第２金属配線は第３，第４構成電極の間に形成されて第２スリットの一部を覆い、第１金属配線と第１構成電極との間の距離は第１金属配線と第２構成電極との間の距離よりも短く、第２金属配線と第４構成電極との間の距離は第２金属配線と第３構成電極との間の距離よりも短い。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の映像信号線と、複数の走査信号線と、前記複数の映像信号線と前記複数の走査信号線とが交差することによって形成された複数の画素と、前記複数の画素の各々に形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極と対向した共通電極と、前記画素と対向したカラーフィルタと、を備えた表示装置であって、
前記映像信号線が形成された層及び前記走査信号線が形成された層とは異なる層に形成され、前記共通電極と接している複数の金属配線を備え、
前記共通電極と前記金属配線とは、前記映像信号線の延在方向に延びており、
前記複数の映像信号線は、第１映像信号線と、第２映像信号線とを含み、
前記カラーフィルタは、第１色の第１フィルタと、第２色の第２フィルタとを含み、
前記複数の画素は、前記第１映像信号線を介して隣り合う第１画素及び第２画素と、前記第２映像信号線を介して隣り合う第３画素及び第４画素とを含み、
前記共通電極は、第１スリットを介して隣り合う第１構成電極及び第２構成電極と、第２スリットを介して隣り合う第３構成電極及び第４構成電極とを含み、
前記複数の金属配線は、第１金属配線と第２金属配線とを含み、
平面視において、
前記第１フィルタは前記第１画素及び前記第３画素と重畳しており、前記第２フィルタは前記第２画素及び前記第４画素と重畳しており、
前記第１構成電極は前記第１画素と重畳しており、前記第２構成電極は前記第２画素と重畳しており、前記第３構成電極は前記第３画素と重畳しており、前記第４構成電極は前記第４画素と重畳しており、
前記第１スリットは前記第１画素と前記第２画素との間で前記第１映像信号線の延在方向に延び、前記第２スリットは前記第３画素と前記第４画素との間で前記第２映像信号線の延在方向に延び、
前記第１金属配線は前記第１構成電極と前記第２構成電極との間に形成されて前記第１スリットの一部を覆い、前記第２金属配線は前記第３構成電極と前記第４構成電極との間に形成されて前記第２スリットの一部を覆い、
前記第１金属配線と前記第１構成電極との間の距離は前記第１金属配線と前記第２構成電極との間の距離よりも短く、前記第２金属配線と前記第４構成電極との間の距離は前記第２金属配線と前記第３構成電極との間の距離よりも短い、
表示装置。
【請求項２】
前記第１金属配線は、前記第１構成電極の端部を覆い、且つ、前記第２構成電極から離れており、
前記第２金属配線は、前記第４構成電極の端部を覆い、且つ、前記第３構成電極から離れている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の走査信号線は、第１走査信号線を含み、
前記第１画素、前記第２画素、前記第３画素、及び前記第４画素の各々は、前記第１走査信号線によって制御されるスイッチング素子を有する、
請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の映像信号線は、第３映像信号線と、第４映像信号線とを含み、
前記複数の走査信号線は、第２走査信号線を含み、
前記複数の画素は、前記映像信号線を介して隣り合う第５画素及び第６画素と、前記映像信号線を介して隣り合う第７画素及び第８画素とを含み、
前記第５画素、前記第６画素、前記第７画素、及び前記第８画素の各々は、前記第２走査信号線によって制御されるスイッチング素子を有し、
前記共通電極は、第３スリットを介して隣り合う第５構成電極及び第６構成電極と、第４スリットを介して隣り合う第７構成電極及び第８構成電極とを含み、
前記複数の金属配線は、第３金属配線と第４金属配線とを含み、
平面視において、
前記第１フィルタは前記第５画素及び前記第７画素と重畳しており、前記第２フィルタは前記第６画素及び前記第８画素と重畳しており、
前記第３スリットは前記第５画素と前記第６画素との間で前記第３映像信号線の延在方向に延び、前記第４スリットは前記第７画素と前記第８画素との間で前記第４映像信号線の延在方向に延び、
前記第１画素と前記第５画素との距離は、前記第１画素と前記第７画素との距離よりも近く、
前記第３画素と前記第７画素との距離は、前記第３画素と前記第５画素との距離よりも近く、
前記第３金属配線は前記第５構成電極と前記第６構成電極との間に形成されて前記第３スリットの一部を覆い、前記第４金属配線は前記第７構成電極と前記第８構成電極との間に形成されて前記第４スリットの一部を覆い、
前記第３金属配線と前記第６構成電極との間の距離は前記第３金属配線と前記第５構成電極との間の距離よりも短く、前記第４金属配線と前記第７構成電極との間の距離は前記第４金属配線と前記第８構成電極との間の距離よりも短い、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１走査信号線と前記第２走査信号線とは隣り合っており、
前記第１映像信号線及び前記第３映像信号線は同一の映像信号線であり、前記第２映像信号線及び前記第４映像信号線は同一の映像信号線である、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１構成電極と前記第２構成電極、及び、前記第３構成電極と前記第４構成電極の少なくとも一方は、電気的に接続されている、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の金属配線は、第５金属配線を含み、
前記第５金属配線は、平面視において、前記第１構成電極、前記第２構成電極、前記第３構成電極、及び前記第４構成電極のいずれかと重畳し、且つ、前記第１スリット及び前記第２スリットのいずれとも重畳せず、
前記第５金属配線の幅は、前記第１金属配線及び前記第２金属配線の少なくとも一方の幅よりも大きい、
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記共通電極は、前記第１構成電極、前記第２構成電極、前記第３構成電極、及び前記第４構成電極を含む複数の構成電極と、各構成電極の間に形成された、前記第１スリット及び第２スリットを含む複数のスリットとを有し、
前記複数のスリットは、前記映像信号線の延在方向に延びるとともに前記走査信号線の延在方向に並び、
隣り合う前記スリットの間の距離は、２０μｍ以上かつ１５０μｍ以下である、
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記画素電極が形成された層と同じ層において、隣り合う前記画素電極の間に形成されたシールド電極をさらに備え、
前記シールド電極は、前記共通電極と同電位であり、平面視において、前記第１スリット及び前記第２スリットの少なくとも一方と重畳する、
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１金属配線及び前記第２金属配線の少なくとも一方は、前記映像信号線の延在方向に並ぶ画素の境界部分における幅が他の部分の幅よりも大きい、
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記複数の映像信号線、前記複数の走査信号線、前記複数の画素電極、前記共通電極、及び前記複数の金属配線を備える第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に形成されたスペーサと、
を備え、
前記金属配線は、前記映像信号線と対向して前記映像信号線の延在方向に延び、
前記スペーサは、平面視において前記映像信号線と重畳し、前記金属配線と重畳していない、
請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の基板と、これら基板の間に封入された液晶層とを備える液晶表示装置が知られている。液晶表示装置は、画素ごとに設けられた画素電極と、複数の画素に亘る共通電極との間に生じる電界により上記液晶層の液晶分子を駆動することで、画像を表示する。
【０００３】
共通電極は、各画素に対応する電極（以下、構成電極と呼ぶ）で構成されており、これらの構成電極はスリットによって分離していることがある。上記スリットは、例えば特許文献１に開示されたように、画素電極に接続されたスイッチング素子に映像信号を供給する映像信号線（ソース配線）に沿って形成される。
【０００４】
また、同じく特許文献１に開示されたように、共通電極と電気的に接続された金属配線を形成することで、共通電極の抵抗を下げることができる。金属配線は、画素境界の遮光層と対向する位置、例えば映像信号線に沿って形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−７５６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示された構成においては、隣り合う構成電極の短絡を避けるために、上記スリットには金属配線が形成されていない。したがって、金属配線が両側に形成された画素と、片側のみに形成された画素とが存在する。例えばこの場合には、ユーザが表示領域を見る視野角によっては、金属配線が両側に形成された画素と、片側のみに形成された画素とで画素の開口率が異なり得る。これにより、画素の表示色が、目的とする色とは異なる色にシフトする可能性がある。
【０００７】
このように、金属配線の配置態様によっては、表示品位が低下し得る。そこで、本開示の一態様における目的は、金属配線に起因した表示品位の低下を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態に係る表示装置は、複数の映像信号線と、複数の走査信号線と、上記複数の映像信号線と上記複数の走査信号線とが交差することによって形成された複数の画素と、上記複数の画素の各々に形成された複数の画素電極と、上記複数の画素電極と対向した共通電極と、上記画素と対向したカラーフィルタと、を備えている。さらに、表示装置は、上記映像信号線が形成された層及び上記走査信号線が形成された層とは異なる層に形成され、上記共通電極と接している複数の金属配線を備えている。
【０００９】
上記共通電極と上記金属配線とは、上記映像信号線の延在方向に延びている。上記複数の映像信号線は、第１映像信号線と、第２映像信号線とを含む。上記カラーフィルタは、第１色の第１フィルタと、第２色の第２フィルタとを含む。上記複数の画素は、上記第１映像信号線を介して隣り合う第１画素及び第２画素と、上記第２映像信号線を介して隣り合う第３画素及び第４画素とを含む。上記共通電極は、第１スリットを介して隣り合う第１構成電極及び第２構成電極と、第２スリットを介して隣り合う第３構成電極及び第４構成電極とを含む。上記複数の金属配線は、第１金属配線と第２金属配線とを含む。
【００１０】
そして、平面視において、上記第１フィルタは上記第１画素及び上記第３画素と重畳しており、上記第２フィルタは上記第２画素及び上記第４画素と重畳しており、上記第１構成電極は上記第１画素と重畳しており、上記第２構成電極は上記第２画素と重畳しており、上記第３構成電極は上記第３画素と重畳しており、上記第４構成電極は上記第４画素と重畳しており、上記第１スリットは上記第１画素と上記第２画素との間で上記第１映像信号線の延在方向に延び、上記第２スリットは上記第３画素と上記第４画素との間で上記第２映像信号線の延在方向に延び、上記第１金属配線は上記第１構成電極と上記第２構成電極との間に形成されて上記第１スリットの一部を覆い、上記第２金属配線は上記第３構成電極と上記第４構成電極との間に形成されて上記第２スリットの一部を覆い、上記第１金属配線と上記第１構成電極との間の距離は上記第１金属配線と上記第２構成電極との間の距離よりも短く、上記第２金属配線と上記第４構成電極との間の距離は上記第２金属配線と上記第３構成電極との間の距離よりも短い。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の概略的な構成を示す平面図である。
【図２】図２は、上記液晶表示装置の概略的な等価回路を示す図である。
【図３】図３は、上記液晶表示装置が備えるカラーフィルタと副画素との関係を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、上記副画素に適用し得る構造の一例を概略的に示す平面図である。
【図５】図５は、上記液晶表示装置が備える金属配線及び共通電極のレイアウトの一例を概略的に示す平面図である。
【図６】図６は、構成電極により構成される共通電極の変形例を示す平面図である。
【図７】図７は、図６に示した共通電極におけるダミースリットを示す平面図である。
【図８】図８は、図５におけるVIII−VIII線に沿う断面の一例を概略的に示す図である。
【図９】図９は、上記金属配線に関する各種の寸法を説明するための平面図である。
【図１０】図１０は、第２実施形態における構成を概略的に示す平面図である。
【図１１】図１１は、第３実施形態における構成を概略的に示す平面図である。
【図１２】図１２は、第４実施形態における構成を概略的に示す平面図である。
【図１３】図１３は、図１２におけるXIII−XIII線に沿う断面の一例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
【００１３】
各実施形態においては、表示装置の一例として、タッチ検出機能を有した液晶表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、他種の表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。他種の表示装置としては、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの自発光型の表示装置、或いは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置などが想定される。
【００１４】
（第１実施形態）  
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置１の概略的な構成を示す平面図である。液晶表示装置１は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器、ウェアラブル端末等の種々の装置に用いることができる。
【００１５】
液晶表示装置１は、表示パネル２と、複数の共通電極ＣＥと、各共通電極ＣＥと対向する複数の検出電極ＲＸと、ドライバモジュールとして機能するドライバＩＣ３と、検出モジュールとして機能するタッチ検出ＩＣ４とを備えている。
【００１６】
表示パネル２は、矩形状のアレイ基板ＡＲ（第１基板）と、このアレイ基板ＡＲよりも外形が小さい矩形状の対向基板ＣＴ（第２基板）とを備えている。図１の例において、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴは、３辺を重ねて貼り合わされている。アレイ基板ＡＲは、対向基板ＣＴと対向しない端子領域ＮＡを有している。
【００１７】
アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴが対向する領域において、表示パネル２は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡと対向基板ＣＴの端部との間の周辺領域ＦＡとを有している。図１の例において、表示領域ＤＡは、第１方向Ｘに沿う短辺と、第２方向Ｙに沿う長辺とを有する長方形状である。本実施形態においては、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙが垂直に交わるが、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは他の角度で交わっても良い。
【００１８】
各共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに延びるとともに第１方向Ｘに並んでいる。共通電極ＣＥは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）等の透明導電材料で形成することができる。共通電極ＣＥは、例えばアレイ基板ＡＲに形成されている。
【００１９】
各検出電極ＲＸは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに延びるとともに第２方向Ｙに並んでいる。検出電極ＲＸは、ＩＴＯ等の透明導電材料や金属線によって形成することができる。検出電極ＲＸは、例えば対向基板ＣＴの外面（アレイ基板ＡＲと対向する面とは反対側の表面）に形成されている。
【００２０】
ドライバＩＣ３は、画像表示に関する制御を実行するものであり、例えば端子領域ＮＡに実装されている。実装端子５には、画像データを表示パネル２に供給する第１フレキシブル配線基板６が接続されている。
【００２１】
端子領域ＮＡに沿う対向基板ＣＴの端部には、実装端子７が形成されている。実装端子７には、検出電極ＲＸからの検出信号を出力する第２フレキシブル配線基板８が接続されている。図１の例において、タッチ検出ＩＣ４は、第２フレキシブル配線基板８に実装されている。各検出電極ＲＸは、例えば周辺領域ＦＡにおいて対向基板ＣＴの表面に形成された検出配線ＤＬを介して実装端子７と接続されている。
【００２２】
次に、液晶表示装置１による画像表示について説明する。図２は、画像表示に関わる概略的な等価回路を示す図である。液晶表示装置１は、複数の走査信号線（ゲート配線）Ｇと、これら走査信号線Ｇに交差する複数の映像信号線（ソース配線）Ｓと、第１ゲートドライバＧＤ１と、第２ゲートドライバＧＤ２と、ソースドライバＳＤとを備えている。ソースドライバＳＤは、複数のビデオ線ＶＬを介してドライバＩＣ３と接続されている。
【００２３】
各走査信号線Ｇは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｘに延びるとともに第２方向Ｙに並んでいる。各映像信号線Ｓは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延びるとともに第１方向Ｘに並んでいる。各映像信号線Ｓは、直線状に延びても良いし、屈曲しながら延びても良い。
【００２４】
各走査信号線Ｇ及び各映像信号線Ｓは、アレイ基板ＡＲに形成されている。各走査信号線Ｇは、第１ゲートドライバＧＤ１及び第２ゲートドライバＧＤ２に接続されている。各映像信号線Ｓは、ソースドライバＳＤに接続されている。
【００２５】
図２の例においては、各走査信号線Ｇ及び各映像信号線Ｓによって区画された領域が１つの副画素ＳＰＸに相当する。例えば、本実施形態においては、赤色に対応する副画素ＳＰＸＲと、緑色に対応する副画素ＳＰＸＧと、青色に対応する副画素ＳＰＸＢとで１つの画素ＰＸが構成される。画素ＰＸは、白色や黄色に対応する副画素を更に備えても良い。なお、本開示においては、副画素ＳＰＸを単に画素と呼ぶことがある。
【００２６】
各副画素ＳＰＸは、アレイ基板ＡＲに形成されたスイッチング素子ＳＷを備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタである。スイッチング素子ＳＷは、走査信号線Ｇ、映像信号線Ｓ及び画素電極ＰＥと電気的に接続されている。画像表示に際して、共通電極ＣＥには共通電圧が印加される。
【００２７】
第１ゲートドライバＧＤ１及び第２ゲートドライバＧＤ２は、各走査信号線Ｇに対して走査信号を順次供給する。ソースドライバＳＤは、ドライバＩＣ３に制御されて、各映像信号線Ｓに対して映像信号を選択的に供給する。あるスイッチング素子ＳＷに接続された走査信号線Ｇに走査信号が供給され、かつこのスイッチング素子ＳＷに接続された映像信号線Ｓに映像信号が供給されると、この映像信号に応じた電圧が画素電極ＰＥに印加される。このとき、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に封入された液晶層ＬＣの液晶分子の配向が、電圧の印加されていない初期配向状態から変化する。このような動作により、表示領域ＤＡに画像が表示される。
【００２８】
共通電極ＣＥは、画像表示のための電極として機能するとともに、表示領域ＤＡに近接するユーザの指などの物体（導体）を検出するための駆動電極としても機能する。ドライバＩＣ３は、検出に際して、各共通電極ＣＥに駆動信号を順次供給する。各検出電極ＲＸは各共通電極ＣＥと容量結合しており、各検出電極ＲＸからは共通電極ＣＥに供給された駆動信号に応じた検出信号が出力される。物体が近接していない検出電極ＲＸからの検出信号と、物体が近接している検出電極ＲＸからの検出信号とは、波形が異なる。タッチ検出ＩＣ４は、このような検出信号に基づいて、表示領域ＤＡに近接する物体の有無、更にはこの物体の第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにおける位置を検出することができる。
【００２９】
なお、ここで説明した検出方式は一例であり、他の検出方式を適用することも可能である。例えば、検出電極ＲＸ或いは共通電極ＣＥ自体が有する容量（自己容量）を利用して表示領域ＤＡに近接する物体を検出する方式を採用することもできる。
【００３０】
副画素ＳＰＸの色は、表示パネル２が備えるカラーフィルタＣＦによって定められる。図３は、カラーフィルタＣＦと副画素ＳＰＸとの関係を概略的に示す平面図である。本実施形態において、副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢは、いずれも第２方向Ｙに連続して配置されている。
【００３１】
カラーフィルタＣＦは、第１フィルタＣＦＢと、第２フィルタＣＦＲと、第３フィルタＣＦＧとを含む。各フィルタＣＦＢ，ＣＦＲ，ＣＦＧは、それぞれ青色（第１色）、赤色（第２色）、緑色（第３色）に着色された樹脂材料により形成されている。例えば、各フィルタＣＦＢ，ＣＦＲ，ＣＦＧは第２方向Ｙに延びる帯状に形成されており、平面視において、第２方向Ｙに並ぶ副画素ＳＰＸＢ，ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧとそれぞれ重畳している。各フィルタＣＦＢ，ＣＦＲ，ＣＦＧは、個々の副画素ＳＰＸＢ，ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧごとに形成されても良い。
【００３２】
なお、副画素ＳＰＸのレイアウトは、図３に示したものに限られない。例えば、副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢの少なくとも１つが第２方向Ｙに不連続となるように、隣り合う画素ＰＸの副画素ＳＰＸのレイアウトを異ならせても良い。また、１つの画素ＰＸに副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢの少なくとも１つが複数含まれても良いし、上述した白色や黄色の副画素ＳＰＸが含まれても良い。
【００３３】
続いて、副画素ＳＰＸの構造について説明する。図４は、副画素ＳＰＸに適用し得る構造の一例を概略的に示す平面図である。この副画素ＳＰＸは、隣り合う２本の走査信号線Ｇと、隣り合う２本の映像信号線Ｓとで区画された画素である。この図の例においては、映像信号線Ｓが屈曲しながら第２方向Ｙに延びている。
【００３４】
副画素ＳＰＸは、第２方向Ｙに長尺なスリットＰＳＬを１つ有した画素電極ＰＥを備えている。画素電極ＰＥは、例えばＩＴＯ等の透明導電材料にて形成されている。画素電極ＰＥの形状はここに示したものに限定されず、より多くのスリットＰＳＬを有しても良いし、スリットＰＳＬを有さなくても良い。
【００３５】
画素電極ＰＥに対向して、共通電極ＣＥが配置されている。本実施形態において、共通電極ＣＥは、複数の構成電極ＳＥによって構成されている（後述の図５参照）。図４の例において、構成電極ＳＥは、隣り合う走査信号線Ｇの間で第１方向Ｘに延びている。
【００３６】
第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰＸの境界には、金属配線ＭＬが配置されている。金属配線ＭＬは、例えば構成電極ＳＥと接することによって、構成電極ＳＥと電気的に接続されている。金属配線ＭＬは、映像信号線Ｓと対向して映像信号線Ｓの延在方向に延びている。
【００３７】
金属配線ＭＬは、走査信号線Ｇが形成された層及び映像信号線Ｓが形成された層とは異なる層に形成されている。図４の例において、金属配線ＭＬは映像信号線Ｓと平面視で完全に重なっている。但し、金属配線ＭＬと映像信号線Ｓとは、平面視で部分的に重なっていても良い。一例として、金属配線ＭＬが映像信号線Ｓの一方の側辺と重なり、他方の側辺と重ならない構成を採用することもできる。
【００３８】
金属配線ＭＬは、例えば、モリブデン、タングステン、アルミニウム、チタン、銅などの金属材料或いはこれらの金属材料を含む合金等によって形成することができる。金属配線ＭＬは、単層構造であっても良いし、異なる材料の層を重ねた多層構造であっても良い。
【００３９】
走査信号線Ｇ、映像信号線Ｓ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、及び金属配線ＭＬは、例えばアレイ基板ＡＲに形成されている。一方で、対向基板ＣＴには、遮光層（ブラックマトリクス）ＢＭが形成されている。図４においては、遮光層ＢＭの輪郭を１点鎖線にて示している。平面視において、遮光層ＢＭは、走査信号線Ｇ、映像信号線Ｓ、及び金属配線ＭＬと重畳するとともに、副画素ＳＰＸ内で開口している。遮光層ＢＭは、画素電極ＰＥ及び構成電極ＳＥの一部や、図２に示したスイッチング素子ＳＷとも重畳する。
【００４０】
続いて、金属配線ＭＬ及び共通電極ＣＥの関係の詳細について説明する。図５は、金属配線ＭＬ及び共通電極ＣＥ（構成電極ＳＥ）のレイアウトの一例を概略的に示す平面図である。ここでは、連続する３本の走査信号線Ｇの間に形成される構成電極ＳＥと金属配線ＭＬの一部とを示している。図示した３本の走査信号線Ｇのうち、上段の走査信号線Ｇ及び中段の走査信号線Ｇの間の各副画素ＳＰＸは、例えば中段の走査信号線Ｇによって制御されるスイッチング素子ＳＷを有する画素である。また、中段の走査信号線Ｇ及び下段の走査信号線Ｇの間の各副画素ＳＰＸは、例えば下段の走査信号線Ｇによって制御されるスイッチング素子ＳＷを有する画素である。
【００４１】
構成電極ＳＥは、例えば図示したように、隣り合う走査信号線Ｇの間にあり、１つの画素ＰＸに対応する。すなわち、本実施形態においては、１つの画素ＰＸに対して１つずつ構成電極ＳＥが配置されている。但し、構成電極ＳＥは、第１方向Ｘ或いは第２方向Ｙに並ぶ２以上の画素ＰＸに亘って延びても良い。図５においては、説明の便宜のために、各構成電極ＳＥに対して異なる符号（ＳＥ１〜ＳＥ１０）を付している。
【００４２】
第１方向Ｘに隣り合う構成電極ＳＥの間には、スリットＳＬが形成されている。スリットＳＬは、副画素ＳＰＸの間で、図４等に示した映像信号線Ｓの延在方向に延びている。本実施形態では構成電極ＳＥが１つの画素ＰＸごとに設けられているため、スリットＳＬは、ある画素ＰＸに含まれる青色の副画素ＳＰＸＢと、この画素ＰＸの隣の画素ＰＸに含まれる赤色の副画素ＳＰＸＲとの間に位置する。
【００４３】
図５においては、第２方向Ｙに並ぶ構成電極ＳＥは、物理的に分離しているものの、金属配線ＭＬによって電気的に接続されている。このように、金属配線ＭＬによって電気的に接続された複数の構成電極ＳＥのグループが構成され、更に、隣り合う複数のグループを電気的に接続することで１つの共通電極ＣＥが構成されている。図５においては、第１方向Ｘに連続する３つのグループによって１つの共通電極ＣＥが構成される例を示している。具体的には、構成電極ＳＥ１，ＳＥ６を含むグループと更にその左側に位置する２つのグループとで１つの共通電極ＣＥ１が構成され、構成電極ＳＥ２，ＳＥ３，ＳＥ４，ＳＥ７，ＳＥ８，ＳＥ９をそれぞれ含む３つのグループで１つの共通電極ＣＥ２が構成され、構成電極ＳＥ５，ＳＥ１０を含むグループと更にその右側に位置する２つのグループとで１つの共通電極ＣＥ３が構成されている。また、１つの共通電極ＣＥにおいて、走査信号線Ｇの延在方向（第１方向Ｘ）に隣り合う構成電極ＳＥ同士は、例えば、周辺領域ＦＡにおいて電気的に接続されている。
【００４４】
第２方向Ｙに隣り合う構成電極ＳＥについては、図６のように、一体的に形成されても良い。この場合、１つの共通電極ＣＥを構成する構成電極ＳＥは、図７に示すように、周辺領域ＦＡに配置された接続部分ＣＰにより電気的に接続されても良い。図７に示した各スリットＳＬは、通常のスリットＳＬと、ダミースリットＤＳＬとを含む。通常のスリットＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥ同士は電気的に接続されていないが、ダミースリットＤＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥ同士は接続部分ＣＰにより電気的に接続されている。
【００４５】
１つの共通電極ＣＥにおいて、走査信号線Ｇの延在方向（第１方向Ｘ）に隣り合う構成電極ＳＥ同士は、表示領域ＤＡにおいて、例えば遮光層ＢＭと平面視で重畳する位置で接続されても良い。映像信号線Ｓの延在方向（第２方向Ｙ）にスリットＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥは電気的に接続されているが、第１方向ＸにスリットＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥは電気的に接続されている場合もあれば、電気的に接続されていない場合もある。
【００４６】
なお、１つの共通電極ＣＥを構成するグループは３つに限られず、１つのグループにより共通電極ＣＥが構成されても良いし、２つ或いは４つ以上のグループにより１つの共通電極ＣＥが構成されても良い。
【００４７】
副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧの間の金属配線ＭＬ及び副画素ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢの間の金属配線ＭＬは、これら副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢを含む画素ＰＸに対して配置された構成電極ＳＥと平面視において重畳している。
【００４８】
以下の説明においては、副画素ＳＰＸＢ，ＳＰＸＲの間の金属配線ＭＬを金属配線ＭＬａと呼ぶ。金属配線ＭＬａは、スリットＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥのいずれか一方と平面視において重畳している。更に、金属配線ＭＬａは、スリットＳＬの一部を覆っている。
【００４９】
図５の例においては、構成電極ＳＥ１，ＳＥ６と構成電極ＳＥ２，ＳＥ７との間の金属配線ＭＬａが構成電極ＳＥ１，ＳＥ６と重畳し、構成電極ＳＥ２，ＳＥ７と構成電極ＳＥ３，ＳＥ８との間の金属配線ＭＬａが構成電極ＳＥ３，ＳＥ８と重畳し、構成電極ＳＥ３，ＳＥ８と構成電極ＳＥ４，ＳＥ９との間の金属配線ＭＬａが構成電極ＳＥ３，ＳＥ８と重畳し、構成電極ＳＥ４，ＳＥ９と構成電極ＳＥ５，ＳＥ１０との間の金属配線ＭＬａが構成電極ＳＥ５，ＳＥ１０と重畳している。
【００５０】
すなわち、本実施形態において、金属配線ＭＬａの配置態様には以下の第１態様及び第２態様が存在し、第１方向Ｘに並ぶ各金属配線ＭＬａに対してこれら第１態様及び第２態様が交互に適用されている。  
（１）副画素ＳＰＸＢ（第１画素）と重畳する構成電極ＳＥ（第１構成電極）及び副画素ＳＰＸＲ（第２画素）と重畳する構成電極ＳＥ（第２構成電極）のうち、第１構成電極と金属配線ＭＬａ（第１金属配線）とが重畳する第１態様。ここに、第１画素及び第２画素はスリットＳＬ（第１スリット）を介して隣り合い、第１構成電極及び第２構成電極はこの第１スリットを介して隣り合う。  
（２）副画素ＳＰＸＢ（第３画素）と重畳する構成電極ＳＥ（第３構成電極）及び副画素ＳＰＸＲ（第４画素）と重畳する構成電極ＳＥ（第４構成電極）のうち、第４構成電極と金属配線ＭＬａ（第２金属配線）とが重畳する第２態様。ここに、第３画素及び第４画素はスリットＳＬ（第２スリット）を介して隣り合い、第３構成電極及び第４構成電極はこの第２スリットを介して隣り合う。第３構成電極は、上記第２構成電極と同一の構成電極ＳＥであっても良い。
【００５１】
このような構成においては、構成電極ＳＥ２，ＳＥ７のようにいずれの端部にも金属配線ＭＬａが重畳していない構成電極ＳＥと、構成電極ＳＥ３，ＳＥ８のように両方の端部に金属配線ＭＬａが重畳している構成電極ＳＥとが、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【００５２】
なお、図５においては３本の走査信号線Ｇの間のレイアウトのみを示しているが、金属配線ＭＬａの配置態様は、例えば金属配線ＭＬａの全長に亘って同一である。また、図５においては、第１方向Ｘに並ぶ各金属配線ＭＬａに対して第１態様及び第２態様が交互に適用される例を示したが、隣り合う金属配線ＭＬａに対して第１態様或いは第２態様が連続して適用されている箇所があっても良い。
【００５３】
続いて、表示パネル２の断面構造について説明する。図８は、図５におけるVIII−VIII線に沿う断面の一例を概略的に示す図である。アレイ基板ＡＲは、ガラス基板などの第１絶縁基板１０を備えている。第１絶縁基板１０の対向基板ＣＴ側の面に第１絶縁層１１が形成され、この第１絶縁層１１の対向基板ＣＴ側の面に映像信号線Ｓが形成されている。第１絶縁層１１及び映像信号線Ｓは、第２絶縁層１２で覆われている。
【００５４】
構成電極ＳＥは、第２絶縁層１２の対向基板ＣＴ側の面に形成されている。金属配線ＭＬは、構成電極ＳＥの対向基板ＣＴ側の面に形成されている。金属配線ＭＬ及び構成電極ＳＥは、第３絶縁層１３で覆われている。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３の対向基板ＣＴ側の面に形成されている。画素電極ＰＥ及び第３絶縁層１３は、第１配向膜１４で覆われている。
【００５５】
対向基板ＣＴは、ガラス基板などの第２絶縁基板２０を備えている。第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲ側の面に、遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦ（各フィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ）が形成されている。各フィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの境界は、遮光層ＢＭと平面視で重畳している。
【００５６】
カラーフィルタＣＦは平坦化層２１で覆われ、平坦化層２１は第２配向膜２２で覆われている。第２絶縁基板２０の外面（アレイ基板ＡＲと対向しない側の面）に、検出電極ＲＸが形成されている。検出電極ＲＸの形成位置はこれに限定されず、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲと対向する側の面などに形成されても良い。第１配向膜１４及び第２配向膜２２の間に液晶層ＬＣが封入されている。
【００５７】
金属配線ＭＬａは、スリットＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥの一方の端部を覆うとともに、スリットＳＬの一部を覆っている。このように、図８の例においては、金属配線ＭＬａが構成電極ＳＥの端部に接することで、金属配線ＭＬａ及び構成電極ＳＥが電気的に接続されている。但し、金属配線ＭＬａがスリットＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥのいずれにも接していない構成を採用することもできる。この場合においては、例えば周辺領域ＦＡにおいて、金属配線ＭＬａと構成電極ＳＥ（共通電極ＣＥ）とを電気的に接続しても良い。また、表示領域ＤＡにおいて、例えば走査信号線Ｇの近傍で金属配線ＭＬａと構成電極ＳＥとを電気的に接続しても良い。
【００５８】
また、金属配線ＭＬ（金属配線ＭＬａ含む）は、第２絶縁層１２と構成電極ＳＥとの間に形成されても良い。この場合であっても、金属配線ＭＬａと構成電極ＳＥとを電気的に接続することができる。
【００５９】
上述の第１態様で配置された金属配線ＭＬａ、すなわち図８において構成電極ＳＥ１，ＳＥ２の間に配置された金属配線ＭＬａは、第１フィルタＣＦＢと平面視で重畳する面積が、第２フィルタＣＦＲと平面視で重畳する面積よりも大きい。また、上述の第２態様で配置された金属配線ＭＬａ、すなわち図８において構成電極ＳＥ２，ＳＥ３の間に配置された金属配線ＭＬａは、第２フィルタＣＦＲと平面視で重畳する面積が、第１フィルタＣＦＢと平面視で重畳する面積よりも大きい。これによって、視野角が変わることによる色シフトを抑制することができる。
【００６０】
図９は、金属配線ＭＬに関する各種の寸法を説明するための平面図である。この図においては、上述の第１態様で配置された金属配線ＭＬａ（図中左側）と、上述の第２態様で配置された金属配線ＭＬａ（図中右側）と、これら金属配線ＭＬａの間に配置された金属配線ＭＬとを示している。
【００６１】
第１態様で配置された金属配線ＭＬａがスリットＳＬと平面視で重畳する幅はＷａ１である。一方、この金属配線ＭＬａと平面視で重畳しないスリットＳＬの幅は、Ｗａ１よりも小さいＷａ２である（Ｗａ１＞Ｗａ２）。すなわち、この図の例においては、金属配線ＭＬａがスリットＳＬの半分超過の面積を覆っている。
【００６２】
第１態様で配置された金属配線ＭＬａと、スリットＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥのうちこの金属配線ＭＬａと電気的に接続された構成電極ＳＥとの間の距離は、ｄ１である。一方、この金属配線ＭＬａと、他方の構成電極ＳＥとの間の距離は、ｄ１よりも大きいｄ２である（ｄ１＜ｄ２）。なお、本実施形態においては、金属配線ＭＬａが一方の構成電極ＳＥの端部を覆っている。したがって、ｄ１＝０である。
【００６３】
他の観点から言えば、金属配線ＭＬａは、スリットＳＬにおいて、自身と電気的に接続された構成電極ＳＥの側に配置されている。ここで、「構成電極ＳＥの側」とは、金属配線ＭＬａの中心線が、スリットＳＬの中心線よりも当該構成電極ＳＥに近いことを意味する。
【００６４】
第２態様で配置された金属配線ＭＬａについても、第１態様で配置された金属配線ＭＬａと同様の条件（Ｗａ１＞Ｗａ２，ｄ１＜ｄ２）を満たしている。
スリットＳＬと重畳する金属配線ＭＬａの幅は、隣り合う構成電極ＳＥの短絡を防ぐ必要性に制約される。一方で、スリットＳＬと重畳しない金属配線ＭＬの幅は、このような短絡を考慮する必要が無いために、大きくすることができる。そこで、金属配線ＭＬａの幅Ｗｂ１を、他の金属配線ＭＬの幅Ｗｂ２より小さくしても良い（Ｗｂ１＜Ｗｂ２）。
【００６５】
第１態様で配置された金属配線ＭＬａのＷａ１，Ｗａ２，ｄ１，ｄ２，Ｗｂ１と、第２態様で配置された金属配線ＭＬａのＷａ１，Ｗａ２，ｄ１，ｄ２，Ｗｂ１とは、同一の値であっても良いし、異なる値であっても良い。
【００６６】
なお、第１方向Ｘに隣り合う構成電極ＳＥ間にあるスリットＳＬは、上述のダミースリットＤＳＬであっても良い。ダミースリットＤＳＬは表示領域ＤＡにおいて通常のスリットＳＬと区別することはできないが、ダミースリットＤＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥは例えば図７のように周辺領域ＦＡにおいて電気的に接続されている。つまり、ダミースリットＤＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥについては、必ずしも短絡を防ぐ必要がない。そこで、これら構成電極ＳＥの間のスリットＳＬ（ダミースリット）を覆う金属配線ＭＬａの幅を、各共通電極ＣＥの境界となるスリットＳＬを覆う金属配線ＭＬａの幅より大きくしても良い。また、このダミースリットを覆う金属配線ＭＬａについては、当該スリットを全て覆うことにより、隣り合う構成電極ＳＥの双方と接しても良い。
【００６７】
第１方向Ｘに並ぶスリットＳＬのピッチＰｓは、例えば表示領域ＤＡにおいて一定である。画素ＰＸの第１方向Ｘにおける幅は、高精細な表示装置を想定すれば、約２０μｍである。本実施形態では、１つの画素ＰＸごとに構成電極ＳＥが配置されているために、ピッチＰｓを２０μｍ以上とすることができる。一方で、スリットＳＬの影響（後述する色のシフトやクロストーク状のスジ）が表示画像に現れることがある。このような影響は、ピッチＰｓの周期的なパターンとして生じるが、その周期を極めて小さくすればこのパターンを人が認識し難くなる。一般に、パターンの空間周波数が１５０μｍ程度であれば、上記パターンが画質に与える影響が軽微となる。そこで、ピッチＰｓは、１５０μｍ以下とすることが好ましい。更には、ピッチＰｓを１００μｍ以下とすれば、上記パターンの影響が極めて軽微となる。
【００６８】
続いて、本実施形態から得られる効果につき、上述の図８を用いて説明する。  
本実施形態においては、スリットＳＬを覆う金属配線ＭＬａを配置している。仮にスリットＳＬの近傍に金属配線ＭＬａを配置しない場合には、表示領域ＤＡを視認する視野角に応じて、画素ＰＸの表示色が目標の色から異なる色へシフトし得る。これは、金属配線ＭＬａが無いために、副画素ＳＰＸＢの領域においてアレイ基板ＡＲ側から入射した光が副画素ＳＰＸＲと対向する第２フィルタＣＦＲを通過したり、副画素ＳＰＸＲの領域においてアレイ基板ＡＲ側から入射した光が副画素ＳＰＸＢと対向する第１フィルタＣＦＢを通過したりすることで生じる。副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧの境界、及び、副画素ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢの境界においては、金属配線ＭＬが遮光層として機能するために、このような色のシフトが低減或いは防止される。
【００６９】
これに対し、本実施形態においては、金属配線ＭＬａが他の金属配線ＭＬと同様に遮光層として機能し、スリットＳＬを介して隣り合う副画素ＳＰＸＢ，ＳＰＸＲにおける色のシフトを防止できる。
【００７０】
さらに、仮に金属配線ＭＬａを配置しない場合には、スリットＳＬを通じて映像信号線Ｓと画素電極ＰＥとの間に電界が生じ、この電界が液晶層ＬＣに作用して、スリットＳＬの形状に対応したクロストーク状のスジが表示画像に生じ得る。これに対し、本実施形態のように金属配線ＭＬａを配置すれば、金属配線ＭＬａがシールドとなってこの電界の発生を低減或いは防止することができる。したがって、上記スジの発生を防止ないしは低減することができる。
【００７１】
スリットＳＬを介して隣り合う構成電極ＳＥの短絡を防ぐために、金属配線ＭＬａはこれら構成電極ＳＥのいずれかに寄せて配置する必要がある。このため、スリットＳＬを介して隣り合う副画素ＳＰＸＢ，ＳＰＸＲの境界と金属配線ＭＬａとがずれ、色のシフトの防止能や電界のシールド能がこれら副画素ＳＰＸＢ，ＳＰＸＲの一方に対して強く作用し、他方に対して弱く働くこととなる。仮に、表示領域ＤＡにおいて、全ての金属配線ＭＬａが上述の第１態様或いは第２態様のいずれか一方のみで配置されたとすれば、色のシフトの防止能等が弱く働く側の副画素ＳＰＸに影響が集中し、表示品位を十分に高めることができない。
【００７２】
これに対し、本実施形態においては、上述の第１態様で配置された金属配線ＭＬａと、上述の第２態様で配置された金属配線ＭＬａとを混在させている。したがって、色のシフト等の影響を副画素ＳＰＸＢ，ＳＰＸＲに分散することができ、結果として液晶表示装置１の表示品位を高めることが可能となる。  
以上説明した他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。
【００７３】
（第２実施形態）  
第２実施形態について説明する。第１実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付す。また、特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
【００７４】
図１０は、第２実施形態における金属配線ＭＬ及び共通電極ＣＥ（構成電極ＳＥ）のレイアウトの一例を概略的に示す平面図である。この図の例においては、金属配線ＭＬａが、走査信号線Ｇと重畳する領域に形成されていない。すなわち、金属配線ＭＬａは、第２方向Ｙにおいて断続的に形成されている。
【００７５】
本実施形態においては、上述の第１態様及び第２態様を、第２方向Ｙ（或いは映像信号線Ｓの延在方向）に並ぶ金属配線ＭＬａにも適用する。すなわち、あるスリットＳＬにおいては金属配線ＭＬａが副画素ＳＰＸＢと対向する構成電極ＳＥと重畳しており、このスリットＳＬと第２方向Ｙに隣り合うスリットＳＬにおいては金属配線ＭＬａが副画素ＳＰＸＲと対向する構成電極ＳＥと重畳している。
【００７６】
このような構成においては、例えば構成電極ＳＥ２，ＳＥ８のようにいずれの端部にも金属配線ＭＬａが重畳していない構成電極ＳＥと、構成電極ＳＥ３，ＳＥ７のように両方の端部に金属配線ＭＬａが重畳している構成電極ＳＥとが、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの双方において交互に並ぶ。なお、図１０においては、第１方向Ｘに並ぶ各金属配線ＭＬａ及び第２方向Ｙに並ぶ各金属配線ＭＬａの双方に対して第１態様及び第２態様が交互に適用される例を示したが、第２方向Ｙに並ぶ各金属配線ＭＬａにのみ第１態様及び第２態様が交互に適用され、第１方向Ｘに並ぶ各金属配線ＭＬａには第１対応及び第２態様のいずれか一方のみが適用されても良い。さらに、第１方向Ｘ或いは第２方向Ｙに隣り合う金属配線ＭＬａに対して第１態様或いは第２態様が連続して適用されている箇所があっても良い。なお、図１０において、構成電極ＳＥ１に対応する金属配線ＭＬａと、構成電極ＳＥ６に対応する金属配線ＭＬａとは分離しているが、両者は一体的に形成されていても良い。
【００７７】
図１０の例においては、金属配線ＭＬａの幅が、第２方向Ｙに並ぶ副画素ＳＰＸの境界部分と、他の部分とで異なっている。具体的には、金属配線ＭＬａの第２方向Ｙにおける、副画素の両端部に対応する部分付近に、突出部分ＰＲが形成されている。突出部分ＰＲは、金属配線ＭＬａが一方の端部と重畳した構成電極ＳＥの他方の端部に向けて延びている。これにより、金属配線ＭＬａの、第２方向Ｙにおける副画素の両端部に対応する部分付近は、金属配線ＭＬａの他の部分、すなわち突出部分ＰＲを除く中腹部分よりも幅が大きくなる。突出部分ＰＲは、例えば、遮光層ＢＭと平面視において重畳している。このようにすれば、突出部分ＰＲが副画素ＳＰＸの開口面積を低下させることはない。なお、図１０において、構成電極ＳＥ１に対応する金属配線ＭＬａと、構成電極ＳＥ６に対応する金属配線ＭＬａとは分離しているが、突出部分ＰＲが形成される場合であっても、両者は一体的に形成されていても良い。
【００７８】
なお、図１０のように金属配線ＭＬａを副画素毎に分離する場合、突出部分ＰＲは、金属配線ＭＬａの一方の端部にのみ形成されても良い。図１０の例においては、金属配線ＭＬａの中腹部分が構成電極ＳＥと重畳しているが、中腹部分が構成電極ＳＥと重畳しなくても良い。この場合であっても、突出部分ＰＲが構成電極ＳＥと重畳していれば、金属配線ＭＬａと構成電極ＳＥとを電気的に接続することができる。
【００７９】
以上のような本実施形態は、上述の第１態様及び第２態様に加え、以下の金属配線ＭＬａの配置態様を含む。  
（３）副画素ＳＰＸＢ（第５画素）と重畳する構成電極ＳＥ（第５構成電極）及び副画素ＳＰＸＲ（第６画素）と重畳する構成電極ＳＥ（第６構成電極）のうち、第６構成電極と金属配線ＭＬａ（第３金属配線）とが重畳する第３態様。ここに、第５画素及び第６画素はスリットＳＬ（第３スリット）を介して隣り合い、第５構成電極及び第６構成電極はこの第３スリットを介して隣り合う。  
（４）副画素ＳＰＸＢ（第７画素）と重畳する構成電極ＳＥ（第７構成電極）及び副画素ＳＰＸＲ（第８画素）と重畳する構成電極ＳＥ（第８構成電極）のうち、第７構成電極と金属配線ＭＬａ（第４金属配線）とが重畳する第４態様。ここに、第７画素及び第８画素はスリットＳＬ（第４スリット）を介して隣り合い、第７構成電極及び第８構成電極はこの第４スリットを介して隣り合う。第７構成電極は、上記第６構成電極と同一の構成電極ＳＥであっても良い。  
例えば、上記第１乃至第４画素は、ある走査信号線Ｇ（第１走査信号線）によって制御されるスイッチング素子ＳＷを有し、上記第５乃至第８画素は、第１走査信号線と隣り合う走査信号線Ｇ（第２走査信号線）によって制御されるスイッチング素子ＳＷを有する。第３態様及び第４態様における金属配線ＭＬａ及び構成電極ＳＥの関係は、図９を用いて説明したものと同様である。
【００８０】
例えば、上記第１画素と上記第５画素との距離は、上記第１画素と上記第７画素との距離よりも近く、上記第３画素と上記第７画素との距離は、上記第１画素と上記第５画素との距離よりも近い。第１金属配線が対向する映像信号線Ｓ（第１映像信号線）と、第３金属配線が対向する映像信号線Ｓ（第３映像信号線）は、同一の映像信号線Ｓであっても良い。さらに、第２金属配線が対向する映像信号線Ｓ（第２映像信号線）と、第４金属配線が対向する映像信号線Ｓ（第４映像信号線）は、同一の映像信号線Ｓであっても良い。
【００８１】
本実施形態のように金属配線ＭＬａを配置すれば、上述の色のシフトやクロストーク状のスジ等の影響を、第１方向Ｘだけでなく第２方向Ｙにも分散することができる。これにより、液晶表示装置１の表示品位を一層高めることが可能となる。
【００８２】
また、突出部分ＰＲのように配線幅を太くした部分を設けることで、金属配線ＭＬａと構成電極ＳＥとの電気的な接続が確実に確保される。これにより、製造誤差などによって金属配線ＭＬａが構成電極ＳＥと接触せずにフローティングとなることを防止できる。
【００８３】
なお、図１０の例においては、各金属配線ＭＬａが隣り合う走査信号線Ｇの間で延びて１つの構成電極ＳＥの端部と重畳する場合を例示した。しかしながら、金属配線ＭＬａは、第２方向Ｙに並ぶ複数の構成電極ＳＥに亘って延び、これら構成電極ＳＥの端部と重畳しても良い。
【００８４】
（第３実施形態）  
第３実施形態について説明する。第１実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付す。また、特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
【００８５】
図１１は、第３実施形態における金属配線ＭＬの構成を概略的に示す平面図である。本実施形態において、金属配線ＭＬａは、基本的には第１実施形態と同じく映像信号線Ｓに沿って連続的に延びている。但し、金属配線ＭＬａは、平面視においてスペーサＳＰと重畳しないように、スペーサＳＰの近傍で分断されている。
【００８６】
スペーサＳＰは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に複数配置され、第１配向膜１４と第２配向膜２２との間にセルギャップを形成する。スペーサＳＰは、アレイ基板ＡＲから延出しても良いし、対向基板ＣＴから延出しても良い。スペーサＳＰの形成位置は、例えば、走査信号線Ｇ、映像信号線Ｓ、及び遮光層ＢＭと平面視において重畳する位置である。
【００８７】
図１１の例では、金属配線ＭＬａがスペーサＳＰの近傍で分断された例を示したが、金属配線ＭＬａを除く金属配線ＭＬがスペーサＳＰの近傍で同様に分断されても良い。表示領域ＤＡにおいては、例えば全てのスペーサＳＰが金属配線ＭＬ（金属配線ＭＬａ含む）と重畳しないように金属配線ＭＬが形成される。
【００８８】
例えば、各スペーサＳＰの高さは同一である。したがって、仮に表示領域ＤＡにおいて、金属配線ＭＬと重畳するスペーサＳＰと重畳しないスペーサＳＰとが混在していれば、金属配線ＭＬの有無により、金属配線ＭＬの厚さ分だけセルギャップにばらつきが生じ得る。このようなばらつき生じれば、液晶層ＬＣを形成するためにアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に滴下される液晶の量を正確に定めることが困難となる。
【００８９】
これに対し、各スペーサＳＰがいずれも金属配線ＭＬと重畳しない構成とすれば、金属配線ＭＬに起因したセルギャップのばらつきが生じない。したがって、液晶の滴下量を正確に定めることができる。なお、各スペーサＳＰがいずれも金属配線ＭＬと重畳する構成を採用した場合であっても、金属配線ＭＬに起因したセルギャップのばらつきが防がれるので、同様の効果を得ることができる。
【００９０】
（第４実施形態）  
第４実施形態について説明する。第１実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付す。また、特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
【００９１】
図１２は、第４実施形態における構成を概略的に示す平面図である。本実施形態においては、第１実施形態の構成に対し、シールド電極３０をさらに追加している。シールド電極３０は、例えばＩＴＯなどの透明導電材料で形成されている。シールド電極３０の電位は任意であるが、例えば共通電極ＣＥと同電位であり、共通電圧が印加される。
【００９２】
シールド電極３０は、金属配線ＭＬａとともに映像信号線Ｓの延在方向に延びている。図１２の例において、シールド電極３０は、スリットＳＬの全領域と重畳している。他の例として、シールド電極３０は、スリットＳＬの金属配線ＭＬａに覆われていない部分と重畳し、スリットＳＬの金属配線ＭＬａに覆われた部分と重畳していなくても良い。また、図１２の例においてはシールド電極３０が金属配線ＭＬａと部分的に重畳しているが、シールド電極３０が金属配線ＭＬａの全領域と重畳しても良い。この場合において、シールド電極３０の中心線と金属配線ＭＬａの中心線とを一致させても良い。
【００９３】
図１２の例において、シールド電極３０の幅は一定である。但し、シールド電極３０は、例えばスリットＳＬと重畳する部分の幅が大きく、走査信号線Ｇと重畳する部分の幅が小さくなるなど、延在方向において幅が異なっても良い。
【００９４】
図１３は、図１２におけるXIII−XIII線に沿う断面の一例を概略的に示す図である。この図の例において、シールド電極３０は、画素電極ＰＥと同層、すなわち第３絶縁層１３と第１配向膜１４との間に形成されている。シールド電極３０は、遮光層ＢＭと対向している。
【００９５】
なお、シールド電極３０は、画素電極ＰＥと異なる層に配置されても良い。例えば、第３絶縁層１３を２つの層に分け、これらの層の間にシールド電極３０が配置されても良い。
【００９６】
金属配線ＭＬａは、スリットＳＬの全てを覆っていない。したがって、金属配線ＭＬａに覆われていないスリットＳＬの一部を通じて、映像信号線Ｓと画素電極ＰＥとの間に電界が生じ、この電界が液晶層ＬＣに作用し得る。シールド電極３０を配置すれば、このように金属配線ＭＬａのみでは防ぎきれない電界の発生を防止することができる。したがって、液晶表示装置１の表示品位を一層高めることが可能となる。
【００９７】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００９８】
例えば、各実施形態にて開示した構成は、適宜に組み合わせることができる。  
また、各実施形態においては、タッチ検出機能を有する液晶表示装置１を例示した。しかしながら、各実施形態にて開示した技術的思想は、タッチ検出機能を有さない表示装置に適用することもできる。
【００９９】
また、各実施形態においては、スリットＳＬ及び金属配線ＭＬａが青色（第１色）の副画素ＳＰＸＢと赤色（第２色）の副画素ＳＰＸＲとの間に配置された例を示した。しかしながら、スリットＳＬは、副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧの間、或いは副画素ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢの間に配置されても良い。すなわち、第１色及び第２色としては、青色及び赤色以外の色を選択することができる。
【符号の説明】
【０１００】
１…液晶表示装置、２…表示パネル、ＣＥ…共通電極、ＲＸ…検出電極、ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、Ｇ…走査信号線、Ｓ…映像信号線、ＳＰＸ…副画素、ＳＷ…スイッチング素子、ＰＥ…画素電極、ＬＣ…液晶層、ＣＦ…カラーフィルタ、ＳＥ…構成電極、ＭＬ（ＭＬａ）…金属配線、ＢＭ…遮光層、ＳＬ…スリット、ＤＳＬ…ダミースリット、ＣＰ…接続部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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