(57)【要約】【課題】励振電極部および振動部によって、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させた水晶素子および水晶デバイスを提供する。【解決手段】水晶素子１２０は、振動部１２２と、周辺部１２３とから構成され、平面視して略矩形形状となっている水晶片１２１と、励振電極部１２５と、周辺部１２３の所定の一辺に沿って並んで設けられている引出部１２７と、励振電極部１２５と引出部１２７とを接続している配線部１２６と、からなる水晶素子１２０であり、平面視して、所定の一辺に平行な振動部１２２の二辺間の距離が、所定の一辺に平行な励振電極部１２５の二辺間の距離より長く、所定の一辺に連結する所定の他の一辺に平行な振動部１２２の二辺間の距離が、所定の他の一辺に平行な励振電極部１２５の二辺間の距離より長くなっており、励振電極部１２５が振動部１２２の内側に設けられている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
略直方体形状の振動部と、前記振動部の縁部に沿って前記振動部より上下方向の厚みが薄い周辺部とから構成されており、
平面視して略矩形形状となっている水晶片と、
前記水晶片の前記振動部に設けられている略矩形形状の一対の励振電極部と、
前記水晶片の前記周辺部の所定の一辺に沿って並んで設けられている一対の引出部と、
前記励振電極部と前記引出部とを電気的に接続している配線部と、
からなる水晶素子であって、
前記水晶素子を平面視して、
前記所定の一辺に平行な前記振動部の二辺間の距離が、前記所定の一辺に平行な前記励振電極部の二辺間の距離より長くなっており、
前記所定の一辺に連結する所定の他の一辺に平行な振動部の二辺間の距離が、
前記所定の他の一辺に平行な励振電極部の二辺間の距離より長くなっており、
前記励振電極部が前記振動部の内側に設けられている
ことを特徴とする水晶素子。
【請求項２】
請求項１に記載の水晶素子であって、
前記水晶素子を平面視して、
隣接しあう前記振動部の前記所定の一辺に平行な辺と前記励振電極部の前記所定の一辺に平行な辺との距離が、５μｍ以上５５μｍ以下となっている
ことを特徴とする水晶素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の水晶素子であって、
前記水晶素子を平面視して、
隣接しあう前記振動部の前記所定の一辺に平行な辺と前記励振電極部の前記所定の一辺に平行な辺との距離が、前記所定の一辺に平行な前記励振電極部の二辺間の距離の０．０１倍以上０．１２倍以下となっている
ことを特徴とする水晶素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３に記載の水晶素子であって、
前記水晶素子を平面視して、
隣接しあう前記振動部の前記所定の他の一辺に平行な辺と前記励振電極部の前記所定の他の一辺に平行な辺との距離が、６μｍ以上１１０μｍ以下となっている
ことを特徴とする水晶素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４に記載の水晶素子であって、
前記水晶素子を平面視して、
隣接しあう前記振動部の前記所定の他の一辺に平行な辺と前記励振電極部の前記所定の他の一辺との距離が、前記所定の他の一辺に平行な前記励振電極部の二辺間の距離の０．０２倍以上０．５倍以下となっている
ことを特徴とする水晶素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５に記載の水晶素子であって、
前記水晶素子を平面視して、
隣接しあう前記振動部の所定の他の一辺に平行な辺と前記励振電極部の前記所定の他の一辺に平行な辺との距離が、隣接しあう前記振動部の所定の一辺に平行な辺と前記励振電極部の前記所定の一辺に平行な辺との距離の１．０倍以上２．０倍以下となっている
ことを特徴とする水晶素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６に記載の水晶素子と、
前記水晶素子の前記引出部に接着されている導電性接着剤と、
前記導電性接着剤によって前記水晶素子を実装している素子搭載部材と、
前記素子搭載部材と接合され、前記水晶素子を気密封止している蓋体と、
からなることを特徴とする水晶デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶素子であって、特に、メサ型の水晶片を用いた水晶素子と、この水晶素子が実装されている水晶デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶素子は、例えば、振動部および周辺からなる水晶片と、励振電極部、引出部および配線部とからなる金属パターンと、から構成されている。水晶片は、振動部および周辺部からなり、略直方体形状の振動部の縁部に沿って、
振動部より上下方向の厚みが薄い周辺部が一体的に設けられ、メサ型となっている。このような水晶片は、
互いに直交しているＸ軸とＹ軸とＺ軸とからなる結晶軸を有した水晶部材をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、
形成されている。金属パターンは、水晶片の表面に設けられてり、励振電極部、配線部および引出部からなる。励振電極部は、一対となっており、
励振電極部に挟まれている水晶片の一部を振動させるためのものであり、水晶素子を平面視すると、振動部の全面を覆うように設けられている。
引出部は、水晶素子を平面視すると、水晶片の所定の一辺の縁部に沿って二つ並んで設けられている。配線部は、一端が励振電極部に接続され、
他端が引出部に接続されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、振動部と周辺部とからなる水晶片を用いた水晶素子の別の一例とし、
水晶素子を平面視して、略矩形形状の振動部の四隅が丸みを帯びているものがある。このような水晶素子を実装した水晶デバイスは、例えば、
水晶素子、素子搭載部材および蓋体からなり、この素子搭載部材と蓋体とが接合され、
接合により素子搭載部材と蓋体とで形成される空間内に素子搭載部材に実装されている水晶素子が気密封止された構造となっている。
このとき、水晶素子の引出部と素子搭載部材の搭載パッドが導電性接着剤によって接着されることで、素子搭載部材に実装されている
（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−９４４１０号公報
【特許文献２】特開２００８−２６７８８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の水晶素子で用いる水晶片は、互いに直交しているＸ軸とＹ軸とＺ軸とからなる結晶軸を有した水晶部材から、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって、振動部および周辺部が一体となるように形成されている。
従って、結晶軸との位置関係によってエッチングされる速度が異なるために、従来の水晶素子で用いる水晶片は、
振動部の縁部に互いに傾斜角度の異なる傾斜面が形成されることとなる。このため、従来の水晶素子では、平面視して、
励振電極部の外縁が周辺部に位置するように振動部の全面を覆うように励振電極部が設けられているので、励振電極部に電圧が印加されたとき、
振動部の縁部に形成されている傾斜された面にも電圧が印加されることとなり、それぞれの傾斜面ごとに異なった状態で電圧が印加され、
不要振動が生じてしまう虞がある。この結果、従来の水晶素子では、不要振動により、等価直列抵抗値が大きくなってしまう虞がある。
【０００６】
また、振動部の四隅に丸みを帯びさせた水晶片を用いた従来の水晶素子では、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて形成すると、
結晶軸によってエッチング速度がことなるため、振動部の四隅の形状が丸みを帯びず複雑な形状となってしまう。このため、従来の水晶素子では、
振動部内で振動したときに、振動部の縁部において、振動が複雑となり、等価直列抵抗値が大きくなってしまう虞がある。
【０００７】
本発明では、励振電極部および振動部によって、等価直列抵抗値が大きくなることを低減させた水晶素子および
水晶デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前述した課題を解決するため、本発明に係る水晶素子は、略直方体形状の振動部と、
振動部の縁部に沿って振動部より上下方向の厚みが薄い周辺部とから構成されており、平面視して略矩形形状となっている水晶片と、
水晶片の振動部に設けられている略矩形形状の一対の励振電極部と、水晶片の周辺部の所定の一辺に沿って並んで設けられている一対の引出部と、
励振電極部と引出部とを電気的に接続している配線部と、からなる水晶素子であって、水晶素子を平面視して、所定の一辺に平行な振動部の二辺間の距離が、
所定の一辺に平行な励振電極部の二辺間の距離より長くなっており、所定の一辺に連結する所定の他の一辺に平行な振動部の二辺間の距離が、
所定の他の一辺に平行な励振電極部の二辺間の距離より長くなっており、励振電極部が振動部の内側に設けられている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る水晶素子は、略直方体形状の振動部と、振動部の縁部に沿って振動部より上下方向の厚みが薄い周辺部とから構成されており、
平面視して略矩形形状となっている水晶片と、水晶片の振動部に設けられている略矩形形状の一対の励振電極部と、
水晶片の周辺部の所定の一辺に沿って並んで設けられている一対の引出部と、励振電極部と引出部とを電気的に接続している配線部と、
からなる水晶素子であって、水晶素子を平面視して、所定の一辺に平行な振動部の二辺間の距離が、
所定の一辺に平行な励振電極部の二辺間の距離より長くなっており、所定の一辺に連結する所定の他の一辺に平行な振動部の二辺間の距離が、
所定の他の一辺に平行な励振電極部の二辺間の距離より長くなっており、励振電極部が振動部の内側に設けられている。このようにすることで、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって、振動部および周辺部が一体となるように水晶片を形成し、
振動部の外縁部に傾斜面が形成されても、この傾斜面に励振電極部が設けられていない状態にすることができる
。このため、傾斜面に電圧が印加されることがなく不要振動が発生する量を抑えることが可能となり、
不要振動により等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。
【００１０】
また、本発明に係る水晶素子は、略直方体形状の振動部と、振動部の縁部に沿って振動部より上下方向の厚みが薄い周辺部とから構成されており、
平面視して略矩形形状となっている水晶片と、水晶片の振動部に設けられている略矩形形状の一対の励振電極部と、
水晶片の周辺部の所定の一辺に沿って並んで設けられている一対の引出部と、励振電極部と引出部とを電気的に接続している配線部と、
からなる水晶素子であって、水晶素子を平面視して、所定の一辺に平行な振動部の二辺間の距離が、
所定の一辺に平行な励振電極部の二辺間の距離より長くなっており、所定の一辺に連結する所定の他の一辺に平行な振動部の二辺間の距離が、
所定の他の一辺に平行な励振電極部の二辺間の距離より長くなっており、励振電極部が振動部の内側に設けられている。このようにすることで、
水晶素子を平面視したとき、従来の水晶素子の振動部のように四隅が丸みを帯びず、振動部の四隅を単純な形状にすることができる。
このため、本発明に係る水晶素子は、従来の水晶素子と比較して振動部の四隅での振動が複雑となることを抑えることができ、
振動部の四隅において複雑な振動が原因で生じる等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態に係る水晶デバイスの斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面における断面図である。
【図３】本実施形態に係る水晶素子の平面図である。
【図４】図３のＣＬ１１での断面図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ断面における断面図である。
【図６】本実施形態に係る水晶素子であって、位置関係を説明するための説明図である。
【図７】実験１における２４ＭＨｚでの第四距離Ｄ１４と等価直列抵抗値との関係を示すグラフである。
【図８】実験１における２７．１ＭＨｚでの第四距離Ｄ１４と等価直列抵抗値との関係を示すグラフである。
【図９】実験２における２４ＭＨｚでの第八距離Ｄ１８と等価直列抵抗値との関係を示すグラフである。
【図１０】実験２における２４ＭＨｚでの第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４と等価直列抵抗値との関係を示すグラフである。
【図１１】実験２における２７．１ＭＨｚでの第八距離Ｄ１８と等価直列抵抗値との関係を示すグラフである。
【図１２】実験２における２７．１ＭＨｚでの第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４と等価直列抵抗値との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（水晶デバイスの概略構成）
図１は、本発明の実施形態に係る水晶デバイスの斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ断面における断面図である。
【００１３】
水晶デバイスは、例えば、全体として、略直方体形状となっている電子部品である。水晶デバイスは、例えば、長辺または短辺の長さが０．６ｍｍ〜２．０ｍｍであり、上下方向の厚さが０．２ｍｍ〜１．５ｍｍとなっている。
【００１４】
水晶デバイスは、例えば、凹部が形成される素子搭載部材１１０と、凹部に収容された水晶素子１２０と、凹部を塞ぐ蓋体１３０と、素子搭載部材１１０に水晶素子１２０を接着実装するための導電性接着剤１４０と、から構成されている。
【００１５】
素子搭載部材１１０の凹部は、蓋体１３０によって封止され、その内部は、例えば、真空とされ、または適当なガス（例えば窒素）が封入されている。
【００１６】
素子搭載部材１１０は、例えば、素子搭載部材１１０の主体となる基体１１０ａと、基体１１０ａの上面の縁部に沿って設けられている枠体１１０ｂと、水晶素子１２０を実装するための搭載パッド１１１と、
振動素子１２０を不図示の回路基板等に実装するための外部端子１１２とからなる。素子搭載部材１１０には、基体１１０ａの上面の縁部に沿って枠状の枠部１１０ｂが設けられ、凹部が形成されている。
【００１７】
基体１１０ｂおよび枠体１１０ｂは、セラミック等の絶縁材料からなる。搭載パッド１１１および外部端子１１２は、例えば、金属等からなる導電層により構成されており、
基体１１０ａ内に配置された導体（図示せず）によって互いに電気的に接続されている。蓋体１３０は、例えば、金属から構成され、素子搭載部材１１０、具体的には、枠体１１０ｂの上面にシーム溶接等により接合されている。
【００１８】
水晶素子１２０は、例えば、水晶片１２１と、水晶片１２１に電圧を印加するための一対の励振電極部１２５と、水晶素子１２０を搭載パッド１１１に実装するための一対の配線部１２６とを有している。
【００１９】
水晶片１２１は、いわゆるＡＴカット水晶片である。すなわち、図１に示すように、水晶において、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸からなる直交座標系ＸＹＺを、Ｘ軸回りに３０°〜５０°回転さえて直交座標系ＸＹ´Ｚ´を定義したときに、ＸＺ´平面に平行に切り出された板状である。
【００２０】
一対の励振電極部１２５および一対の配線部１２６は、金属等からなる導電層により構成されている。一対の励振電極部１２５は、例えば、水晶片１２１の両主面の中央側（振動部１２２の両主面の中央側）に設けられている。
一対の配線部１２６は、例えば、一対の励振電極部１２５からＸ軸方向の一方側（例えば、−Ｘ側）に延びており、水晶片１２１の所定の一辺の端部に沿って一対の引出部１２７を有している。
【００２１】
水晶素子１２０は、主面を素子搭載部材１１０の基体１１０ａの上面に対向させて、素子搭載部材１１０の凹部内に収容される。水晶素子１２０は、引出部１２７は、素子搭載部材１１０の基体１１０ａの搭載パッド１１１に導電性接着剤１４０により接着される。
これにより、水晶素子１２０は、素子搭載部材１１０に片持ち梁のように支持されている。また、一対の励振電極部１２５は、素子搭載部材１１０の一対の搭載パッド１１１と電気的に接続され、ひいては、素子搭載部材１１０の複数の外部端子１１２のいずれか二つと電気的に接続される。
【００２２】
このようにして構成された水晶デバイスは、例えば、不図示の回路基板の実装面に素子搭載部材１１０の下面を対向させて配置され、外部端子１１２が半田などにより回路基板のパッドに接合されることによって回路基板に実装される。回路基板には、例えば、発振回路が構成されている。
発振回路は、外部端子１１２および搭載パッド１１１を介して一対の励振電極部１２５に交番電圧を印加して発振信号を生成する。このとき、発振回路は、例えば、  水晶片１２１の厚みすべり振動のうち基本波振動を利用する。
【００２３】
このような水晶素子１２０の動作原理について説明する。水晶素子１２０の一対の励振電極部１２５に電圧が印加されると、一対の励振電極部１２５には反対の極性の電荷が蓄積され、逆圧電効果により一対の励振電極部１２５に挟まれている水晶片１２１の一部に歪が生じ変形する。
その結果、水晶片１２１の一部は、変形前の姿に戻ろうとするため、圧電効果により一対の励振電極部１２５に最初に蓄積された電荷とは反対の極性の電荷が蓄積される。つまり、一対の励振電極部１２５に電圧が印加されると、水晶素子１２０は、圧電効果および逆圧電効果により、
一対の励振電極部１２５に挟まれていた水晶片１２１の一部が振動する。従って、一対の励振電極部１２５に交番電圧が印加されると、励振電極部１２５に極性が反対の電荷が交互に蓄積され変形することとなり、一対の励振電極部１２５に挟まれている水晶片１２１の一部を振動させることができる。
【００２４】
一対の励振電極部１２５に電圧が印加されているときの電荷分布について説明する。前述したように、一対の励振電極部１２５に電圧が印加されると、一対の励振電極部１２５には電荷が蓄積される。一対の励振電極部１２５が平面視して略矩形形状となっている場合の励振電極部１２５での電荷分布は、
次のようになっている。Ｘ軸に平行な向きではｓｉｎ分布となっており、Ｘ軸に平行な励振電極部１２５の長さの中点においては電荷が最も多くその中点から離れるに従って徐々に減衰している。Ｚ´軸に平行な向きでは一定分布となっている。従って、一対の励振電極部１２５が平面視して略矩形形状となっており、
例えば、長辺がＸ軸に平行でかつ短辺がＺ´軸に平行となっている場合には、電荷分布は、蒲鉾のような形状となっている。
【００２５】
一般に、振動変位の量は、電荷の量と関係しており、電荷の量が多いほど振動変位が大きくなる傾向がある。このため、前述したような一対の励振電極部１２５（平面視して略矩形形状となっており、例えば、長辺がＸ軸に平行でかつ短辺がＺ´軸に平行となっている励振電極部１２５）では、
Ｘ軸に平行な向きでの振動変位の量は、励振電極部１２５の中心Ｃ１２で最も大きくなっており、励振電極部１２５の外縁に向かうにつれて徐々に小さくなっている。Ｚ´軸に平行な向きでの振動変位の量は、ほぼ一定となっている。従って、一対の励振電極部１２５に交番電圧を印加した場合、Ｘ軸方向においても、
Ｚ´軸方向においても、一対の励振電極部１２５で挟まれている部分から挟まれていない部分へ振動漏れが生じてしまっている。
【００２６】
（水晶素子の形状）
図３および図６は、水晶素子１２０の平面図である。図４は、図３におけるＣＬ１１での断面図である。図５は、図３におけるＢ−Ｂでの断面図である。
【００２７】
水晶片１２１は、例えば、いわゆるメサ型のものである。すなわち、水晶片１２１は、振動部１２２と、振動部１２２の外周を囲み、振動部１２２よりも上下方向の厚みが薄い周辺部１２３とを有している。このような形状により、エネルギー閉じ込め効果を向上させることができ、ひいては、等価直列抵抗値を低下させることができる。
【００２８】
振動部１２２の形状は、例えば、Ｘ軸およびＺ´軸に平行な一対の主面を有する薄型直方体であり、その主面は、Ｘ軸に平行な長辺およびＺ´軸に平行な短辺を有する矩形である。周辺部１２３の形状は、例えば、振動部１２２を無視すると、Ｘ軸およびＺ´軸に平行な一対の主面を有する薄型直方体であり、
その外縁の形状は、Ｘ軸に平行な長辺およびＺ´軸に平行な短辺を有する矩形である。
【００２９】
水晶素子１２０を平面視したとき（図３および図６）、振動部１２２は、水晶片１２１（周辺部１２３）の外形（外縁）に対して、Ｚ´軸方向においては中心に位置し、Ｘ軸方向においては引出部１２７とは反対側にずれて位置している。別の観点では、振動部１２２の中心Ｃ１２は、水晶片１２１の中心Ｃ１１に対して、Ｘ軸方向において引出部１２７とは反対側へずれている。
水晶片１２１の中心Ｃ１１および振動部１２２の中心Ｃ１２は、平面視における図形重心であり、矩形においては一対の対角線の交点である。このように振動部１２２を水晶片１２１の外形に対して引出部１２６とは反対側へ偏心させることによって、水晶素子１２０の振動が導電性接着剤１４０によって規制されることによる影響を低減できる。
【００３０】
従って、水晶片１２１の中心Ｃ１１および振動部１２２の中心Ｃ１２は、水晶片１２１の一方の短辺（引出部１２７が並んで配置されている水晶片１２１の所定の一辺）の中点Ｍ１１を通過する仮想垂線ＣＬ１１上に位置しているといえる。このとき、水晶片１２１および振動部１２２は、仮想垂線ＣＬ１１に対し線対称となっている。このようにすることで、
仮想垂線ＣＬ１１の左右の質量をほぼ同じにすることができるので、導電性接着剤１４０で実装した状態で振動させた場合の、振動バランスを向上させることができる。この結果、振動バランスがより向上され、等価直列抵抗値を小さくすることが可能となる。
【００３１】
断面視したとき（図４および図５）、水晶片１２１の形状は、例えば、上下方向において線対称の形状である。すなわち、周辺部１２３は、振動部１２２に対して、上下方向の中央に位置している。
【００３２】
振動部１２２の一対の主面は、例えば、研磨が行われるなどによって比較的高精度にＸ軸およびＺ´軸に平行な平面に平行な平面とされている。別の観点では、振動部１２２の上下方向の厚さは比較的高精度に一定かつ所定の値とされている。周辺部１２２の一対の主面、振動部１２２の外周面、周辺部１２３の外周面は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって形成されている。
【００３３】
なお、水晶片１２１および他の各部材において、加工の誤差がってよいことは言うまでもないことであるが、特に、水晶片１２１においては、比較的大きな誤差が生じ、上述した形状と若干異なる形状が実現されてもよい。水晶は、エッチングに対して異方性を示し、誤差が生じやすいからである。例えば、振動部１２２の外周面は、
このような理由から傾斜を有している。本実施形態では、周辺部１２３の傾斜している部分を傾斜部１２３ａとし、周辺部１２３の傾斜していない部分を平板部１２３ｂとする。
【００３４】
励振電極部１２５の平面形状は、例えば、Ｘ軸に平行な長辺およびＺ´軸に平行な短辺を有する矩形である。励振電極部１２５は、例えば、振動部１２２の主面内に収まっている。また、その中心Ｃ１３（図形重心）は、振動部１２２の主面の中心Ｃ１２（図形重心）と一致している。従って、励振電極部１２５の中心Ｃ１３は、
水晶片１２１の所定の一辺の中点Ｍ１１を通過する仮想垂線ＣＬ１１上に位置しているといえる。このとき、励振電極部１２５は、仮想垂線ＣＬ１１に対し線対称となっている。このようにすることで、電荷分布を仮想垂線ＣＬ１１に対して左右対称とすることができるので、振動バランスを向上させることができる。この結果、振動バランスが向上され、等価直列抵抗値を小さくすることが可能となる。
【００３５】
配線部１２６は、一対となっており、一端が励振電極部１２５に接続されており、他端が水晶片１２１の一方の短辺（所定の一辺）まで延設され、引出部１２７に接続されている。
【００３６】
引出部１２７は、例えば、水晶片１２１の周辺部１２３、具体的には、平板部１２３ｂに収まっている。引出部１２７の形状は、例えば、周辺部１２３の平板部１２３ｂの下面において矩形である。また、引出部１２７は、図示の例のように、周辺部１２３の平板部１２３ｂのＸ軸方向の一方側の端面および周辺部１２３の平板部１２３ｂの上面にまで広がって形成されていてもよい。
【００３７】
水晶素子１２０は、水晶片１２１のＸ軸に平行な長さ（水晶片１２１の所定の一辺に接続されている水晶片１２１の辺の長さ）が、振動部１２２のＸ軸に平行な長さ（水晶片１２１の所定の一辺に平行な振動部１２２の二辺間の距離）より長くなっており、振動部１２２のＸ軸に平行な長さが励振電極部１２５のＸ軸に平行な長さ
（水晶片１２１の所定の一辺に平行な励振電極部１２５の二辺間の距離）より長くなっている。このとき、平面視して、Ｘ軸方向において、励振電極部１２５は、振動部１２２内に位置しており、Ｚ´軸に平行な周辺部１２３の傾斜部１２３ａにまではみ出していない。このようにすることで、励振電極部１２５に挟まれている振動部１２２の一部から励振電極部１２５に挟まれていない振動部１２２の一部へ漏れた振動が、
Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａに反射した場合であっても、励振電極部１２５が振動部１２２の内縁側に位置するように設けられているので、Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａの影響を低減させることが可能となる。この結果、Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａの影響、具体的には、Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａに漏れた振動が反射し励振電極部１２５に挟まれている振動部１２２の振動への振動阻害を抑えることができ、振動阻害による等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。
【００３８】
水晶素子１２０は、水晶片１２１のＺ´軸に平行な長さ（水晶片１２１の所定の一辺の長さ）が、振動部１２２のＺ´軸に平行な長さ（水晶片１２１の所定の他の一辺に平行な振動部１２２の二辺間の距離）より長くなっており、振動部１２２のＺ´軸に平行な長さが励振電極部１２５のＺ´軸に平行な長さ（水晶片１２１の所定の他の一辺に平行な励振電極部１２５の二辺間の距離）より長くなっている。このとき、
平面視して、Ｚ´軸方向において、励振電極部１２５は振動部１２２内に位置しており、Ｘ軸に平行な周辺部１２３の傾斜部１２３ａにまで励振電極部１２５がはみ出していない。このような構成にすることで、励振電極部１２５に挟まれている振動部１２２の一部から励振電極部１２５に挟まれていない振動部１２２の一部へ漏れた振動が、Ｘ軸に平行な傾斜部１２３ａで反射した場合であっても、励振電極部１２５が振動部１２２の内縁側に位置するように設けられているので、
Ｘ軸に平行な傾斜部１２３ａの影響を低減させることが可能となる。この結果、Ｘ軸に平行な傾斜部１２３ａの影響、具体的には、Ｘ軸に平行な傾斜部１２３ａにまで漏れた振動がＸ軸に平行な傾斜部１２３ａで反射し励振電極部１２５に挟まれている振動部１２２の振動への振動阻害を抑えることができ、振動阻害による等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。
【００３９】
つまり、水晶片１２１のＸ軸に平行な長さ（水晶片１２１の所定の一辺に接続されている水晶片１２１の辺の長さ）が、
振動部１２２のＸ軸に平行な長さ（水晶片１２１の所定の一辺に平行な振動部１２２の二辺間の距離）より長くなっており、
振動部１２２のＸ軸に平行な長さが励振電極部１２５のＸ軸に平行な長さ（水晶片１２１の所定の一辺に平行な励振電極部１２５の二辺間の距離）より長く、
かつ、水晶片１２１のＺ´軸に平行な長さ（水晶片１２１の所定の一辺の長さ）が、振動部１２２のＺ´軸に平行な長さ（水晶片１２１の所定の他の一辺に
平行な振動部１２２の二辺間の距離）より長くなっており、振動部１２２のＺ´軸に平行な長さが励振電極部１２５のＺ´軸に平行な長さ
（水晶片１２１の所定の他の一辺に平行な励振電極部１２５の二辺間の距離）より長くすることで、水晶素子１２０を平面視した場合に、
励振電極部１２５の外縁が振動部１２２の外縁より内側に位置するようにすることができる。この結果、Ｘ軸に平行な方向に漏れた振動およ
びＺ´軸に平行な方向に漏れた振動が傾斜部１２３ａで反射し励振電極部１２５に挟まれている振動部１２２の振動への振動阻害をより抑えることができ、
振動阻害による等価直列抵抗値が大きくなることをより低減させることが可能となる。
【００４０】
（水晶素子１２０における寸法の定義）
ここで、引出部１２７が並んで設けられている水晶片１２１の一方の短辺を、水晶片１２１の所定の一辺とし、
水晶片１２１の所定の一辺に接続している水晶片１２１の一方の長辺を水晶片１２１の所定の他の一辺とする。
【００４１】
また、図４に示したように、水晶片１２１の所定の他の一辺の長さ（水晶片１２１のＸ軸に平行な長さ）を第一距離Ｄ１１とする。
また、水晶片１２１の所定の一辺に平行な振動部１２２の二辺間の距離（振動部１２２のＸ軸に平行な長さ）を第二距離Ｄ１２とする。
また、水晶片１２１の所定の一辺に平行な励振電極部１２５の二辺間の距離（励振電極部１２２５のＸ軸に平行な長さ）を第三距離Ｄ１３とする。
また、隣接しあう水晶片１２１の所定の一辺に平行な振動部１２２の辺と水晶片１２１の所定の一辺に平行な励振電極部１２５の辺と
の距離（振動部１２２の露出している部分のＸ軸に平行な距離）を第四距離Ｄ１４とする。
【００４２】
また、図４に示したように、水晶片１２１の所定の一辺の長さ（水晶片１２１のＺ´軸に平行な長さ）を第五距離Ｄ１５とする。
また、水晶片１２１の所定の他の一辺に平行な振動部１２２の二辺間の距離（振動部１２２のＺ´軸に平行な長さ）を第六距離Ｄ１６とする。
また、水晶片１２１の所定の他の一辺に平行な励振電極部１２５の二辺間の距離（励振電極部１２５のＺ´軸に平行な長さ）を第七距離Ｄ１７とする。
また、隣接しあう水晶片１２１の所定の他の一辺に平行な振動部１２２の辺と水晶片１２１の所定の他の一辺に平行な励振電極部１２５の辺との距離
（振動部１２２の露出している部分のＺ´軸に平行な距離）を第八距離Ｄ１８とする。
【００４３】
（実施例）
上述した形状の水晶素子１２０を種々の寸法で実際に作製し、素子搭載部材１１０に実装したときの等価直列抵抗値を調べる実験を行った。
その結果、第四距離Ｄ１４が５μｍ以上５５μｍ以内に設定されつつ、
第八距離Ｄ１８が６μｍ以上１１０μｍ以内に設定されることが好ましいことが分かった。
別の観点では、第四距離Ｄ１４が第三距離Ｄ１３の０．０１倍以上０．１２倍以内に設定されつつ第八距離Ｄ１８が第七距離Ｄ１７の０．０２倍
以上０．５倍以内に設定されることが好ましい。さらに別の観点では、第八距離Ｄ１８が第四距離Ｄ１４の１．０倍以上２．０倍以内となるように設定
されることが好ましい。以下では、等価直列抵抗値が小さくなることを見出した実験について示す。
【００４４】
（実験概略）
実験１では、第四距離Ｄ１４と等価直列抵抗値との関係を実験している。このとき、第一距離Ｄ１１、第二距離Ｄ１２、第五距離Ｄ１５、
第六距離Ｄ１６、第七距離Ｄ１７および第八距離Ｄ１８を一定とし、第四距離Ｄ１４を変えたときの等価直列抵抗値を測定している。実験２では、
第八距離Ｄ１８と等価直列抵抗値との関係を実験している。このとき、第一距離Ｄ１１、第二距離Ｄ１２、第三距離Ｄ１３、第四距離Ｄ１４、
第五距離Ｄ１５および第六距離Ｄ１６を一定とし、第七距離Ｄ１８と等価直列抵抗値との関係を実験している。
【００４５】
なお、等価直列抵抗値は、水晶素子１２０単体で測定されている。すなわち、水晶素子１２０が素子搭載部材１１０に実装されておらず、
また、水晶素子１２０が素子搭載部材１１０および蓋体１３０によって封止されていない状態で、等価直列抵抗値は測定された。
なお、水晶素子１２０が素子搭載部材１１０および蓋体１３０によって封止され、真空雰囲気下におかれると、
等価直列抵抗値は、今回の測定値よりもさらに小さくなる。
【００４６】
（実験１結果）
実験１では、第四距離Ｄ１４と等価直列抵抗値との関係を二つの共振周波数帯の場合で実験しており、
図７および図８に各共振周波数の実験結果を示している。図７および図８は
、第四距離Ｄ１４と等価直列抵抗値との関係を示すグラフである。図７および図８において、横軸は第四距離Ｄ１４を示し、
縦軸は等価直列抵抗値を示している。図７および図８において、点は、実験結果を示している。
【００４７】
以下、共振周波数毎に実験結果を説明する。
【００４８】
（２４ＭＨｚ）
図７は、共振周波数が２４ＭＨｚの場合において、第四距離Ｄ１４を変えたときの実験結果を示している。
このとき、第一距離Ｄ１１が０．７９０ｍｍとなっており、第二距離Ｄ１２が０．５６０ｍｍとなっている。
第三距離Ｄ１３は第四距離Ｄ１４を変えるとともに変化している。第五距離Ｄ１５が０．５４０ｍｍとなっており、
第六距離Ｄ１６が０．４３６ｍｍとなっている。第七距離Ｄ１７が０．３９６ｍｍとなっており、第八距離Ｄ１８が０．０２０ｍｍとなっている。
【００４９】
第四距離Ｄ１４を−３０μｍ〜８０μｍの範囲内で数値ごとの複数の水晶素子１２０を作成した。
なお、ここで、第四距離Ｄ１４が“０”より小さい場合とは、水晶素子１２０を平面視して、Ｘ軸に平行な向きで、
励振電極部１２５が振動部１２２より大きくなっており、励振電極部１２５の外縁が振動部１２２の外縁より外側に位置している場合である。
本実施形態では、第四距離Ｄ１４を振動部１２２の露出している部分の長さとしているため、“０”より小さい第四距離Ｄ１４
は実際には存在していないこととなるが、従来技術（励振電極部の外縁が振動部の外縁より大きい場合）と比較するために
、図７中では第四距離Ｄ１４をマイナスの値として表示している。第四距離Ｄ１４が“０”となっている場合とは、水晶素子１２０を平面視して、
Ｘ軸に平行な向きで、励振電極部１２５の外縁と振動部１２２の外縁とが重なっている場合である。第四距離Ｄ１４が“０”より大きい場合には、
Ｘ軸に平行な向きで、励振電極部１２５の外縁が振動部１２２の外縁より内側に位置している場合である。
【００５０】
それぞれの第四距離Ｄ１４に対しての等価直列抵抗値について述べる。
なお、第一距離Ｄ１４および第二距離Ｄ１２については、すべての素子の大きさは同じとなっている。
第四距離Ｄ１４が−３０μｍでは、第三距離Ｄ１３が６２０μｍとなり、等価直列抵抗値が１７７Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が−０．０５となっている。
第四距離Ｄ１４が−２０μｍでは、第三距離Ｄ１３が６００μｍとなり、等価直列抵抗値が１５０Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が−０．０３となっている。
第四距離Ｄ１４が−１０μｍでは、第三距離Ｄ１３が５８０μｍとなり、等価直列抵抗値が１２０Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が−０．０２となっている。
第四距離Ｄ１４が０μｍでは、第三距離Ｄ１３が５６０μｍとなり、等価直列抵抗値が１０５Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．００となっている。
第四距離Ｄ１４が５μｍでは、第三距離Ｄ１３が５５０μｍとなり、等価直列抵抗値が９８Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０１となっている。
第四距離Ｄ１４が１０μｍでは、第三距離Ｄ１３が５４０μｍとなり、等価直列抵抗値が９０Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０２となっている。
第四距離Ｄ１４が１５μｍでは、第三距離Ｄ１３が５３０μｍとなり、等価直列抵抗値が８９Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０３となっている。
第四距離Ｄ１４が２０μｍでは、第三距離Ｄ１３が５２０μｍとなり、等価直列抵抗値が８８Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０４となっている。
第四距離Ｄ１４が２５μｍでは、第三距離Ｄ１３が５１０μｍとなり、等価直列抵抗値が９０Ωとなったこのとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０５となっている。
第四距離Ｄ１４が３０μｍでは、第三距離Ｄ１３が５００μｍとなり、等価直列抵抗値が８８Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０６となっている。
第四距離Ｄ１４が３５μｍでは、第三距離Ｄ１３が４９０μｍとなり、等価直列抵抗値が８７Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０７となっている。
第四距離Ｄ１４が４０μｍでは、第三距離Ｄ１３が４８０μｍとなり、等価直列抵抗値が
８９Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０８となっている。
第四距離Ｄ１４が４５μｍでは、第三距離Ｄ１３が４７０μｍとなり、等価直列抵抗値が９０Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１０となっている。
第四距離Ｄ１４が５０μｍでは、第三距離Ｄ１３が４６０μｍとなり、等価直列抵抗値が９７Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１１となっている。
第四距離Ｄ１４が５５μｍでは、第三距離Ｄ１３が４５０μｍとなり、等価直列抵抗値が１００Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１２となっている。
第四距離Ｄ１４が６０μｍでは、第三距離Ｄ１３が４４０μｍとなり、等価直列抵抗値が１０７Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１４となっている。
第四距離Ｄ１４が６５μｍでは、第三距離Ｄ１３が４３０μｍとなり、等価直列抵抗値が１２０Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１５となっている。
第四距離Ｄ１４が７０μｍでは、第三距離Ｄ１３が４２０μｍとなり、等価直列抵抗値が１３０Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１７となっている。
第四距離Ｄ１４が８０μｍでは、第三距離Ｄ１３が４００μｍとなり、等価直列抵抗値が１５０Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．２０となっている。
【００５１】
第四距離Ｄ１４が５μｍ以上かつ５５μｍ以下となっている場合、水晶デバイスが実装され組み込まれる電子機器等の発振回路において、
発振しやすさの目安である等価直列抵抗値１００Ω以下となっていることがわかる。また、第四距離Ｄ１４が５μｍ以上かつ５５μｍ以下となっている場合、
第四距離Ｄ１４の変化量に対し等価直列抵抗値の変化量が、第四距離Ｄ１４が５μｍより小さい、または、
第四距離Ｄ１４が５５μｍより大きい場合と比較して小さくなっている。
【００５２】
第四距離Ｄ１４が５μｍより小さい場合には、等価直列抵抗値が１００Ωより大きくなっている。
また、第四距離Ｄ１４が５μｍより小さい場合、第四距離Ｄ１４の変化量に対し等価直列抵抗値の変化が、第四距離Ｄ１４が５μｍ以上５５μｍ以下とな
っている場合と比較して、大きくなっている。
【００５３】
第四距離Ｄ１４が５５μｍより大きい場合には、等価直列抵抗値が１００Ωより大きくなっている。
また、第四距離Ｄ１４が５５μｍより大きい場合、第四距離Ｄ１４の変化量に対し等価直列抵抗値の変化が、
第四距離Ｄ１４が５μｍ以上５５μｍ以下となっている場合と比較して、大きくなっている。
【００５４】
従って、第四距離Ｄ１４を５μｍ以上かつ５５μｍ以下とすることで、等価直列抵抗値をより低減させることが可能となることがわかる。
また、第四距離Ｄ１４を５μｍ以上５５μｍ以下とすることで、第四距離Ｄ１４の変化量に対して等価直列抵抗値の変化量を、
第四距離Ｄ１４が５μｍより小さい場合、または、第四距離Ｄ１４が５５μｍより大きい場合と比較して小さくすることができる。
このため、第四距離Ｄ１４を５μｍ以上５５μｍ以下とすることで、第四距離Ｄ１４が５μｍより小さい場合、または、
第四距離Ｄ１４が５５μｍより大きい場合と比較して、第四距離Ｄ１４の微小変化に対し等価直列抵抗値の変化量を低減させることができるので、
振動部１２２に対する励振電極部１２５の位置ずれによる等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。
【００５５】
別の観点では、共振周波数が２４ＭＨｚの場合は、第三距離Ｄ１３が第四距離Ｄ１４の０．０１倍以上かつ０．
１２倍以下とすることで、第四距離Ｄ１４および第三距離Ｄ１３の微小変化に対し等価直列抵抗値の変化量を低減させることができる。
このため、振動部１２２に対する励振電極部１２５の位置ずれによる等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。
【００５６】
（２７．１ＭＨｚ）
図８は、共振周波数が２７．１ＭＨｚの場合において、第四距離Ｄ１４を変えたときの実験結果を示している。
このとき、第一距離Ｄ１１が０．７３０ｍｍとなっており、第二距離Ｄ１２が０．４８５ｍｍなっている。
第三距離Ｄ１３は第四距離Ｄ１４を変えるとともに変化している。第五距離Ｄ１５が０．５３０ｍｍとなっており第六距離Ｄ１６が０．４２５ｍｍなっている。
第七距離Ｄ１７が０．３８５ｍｍとなっており、第八距離Ｄ１８が０．０２０ｍｍなっている。
【００５７】
第四距離Ｄ１４を−３０μｍ〜８０μｍの範囲内で数値ごとの複数の水晶素子１２０を作成した。
なお、ここで、第四距離Ｄ１４が“０”より小さい場合とは、水晶素子１２０を平面視して、Ｘ軸に平行な向きで、
励振電極部１２５が振動部１２２より大きくなっており、励振電極部１２５の外縁が振動部１２２の外縁より外側に位置している場合である。
本実施形態では、第四距離Ｄ１４を振動部１２２の露出している部分の長さとしているため、
“０”より小さい第四距離Ｄ１４は実際には存在していないこととなるが、従来技術（励振電極部の外縁が振動部の外縁より大きい場合）と比較するために、
図７中では第四距離Ｄ１４をマイナスの値として表示している。第四距離Ｄ１４が“０”となっている場合とは、水晶素子１２０を平面視して、
Ｘ軸に平行な向きで、励振電極部１２５の外縁と振動部１２２の外縁とが重なっている場合である。第四距離Ｄ１４が“０”より大きい
場合には、Ｘ軸に平行な向きで、励振電極部１２５の外縁が振動部１２２の外縁より内側に位置している場合である。
【００５８】
それぞれの第四距離Ｄ１４に対しての等価直列抵抗値について述べる。
なお、第一距離Ｄ１４および第二距離Ｄ１２については、すべての素子の大きさは同じとなっている。
第四距離Ｄ１４が−３０μｍでは、第三距離Ｄ１３が５４５μｍとなり、等価直列抵抗値が１３０Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が−０．０６となっている。
第四距離Ｄ１４が−２０μｍでは、第三距離Ｄ１３が５２５μｍとなり、等価直列抵抗値が１１７Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が−０．０４となっている。
第四距離Ｄ１４が−１０μｍでは、第三距離Ｄ１３が５０５μｍとなり、等価直列抵抗値が１０３Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が−０．０２となっている。
第四距離Ｄ１４が０μｍでは、第三距離Ｄ１３が４８５μｍとなり、等価直列抵抗値が８６Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．００となっている。
第四距離Ｄ１４が５μｍでは、第三距離Ｄ１３が４７５μｍとなり、等価直列抵抗値が７４Ωとなった。このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０１となっている。
第四距離Ｄ１４が１０μｍでは、第三距離Ｄ１３が４６５μｍとなり、等価直列抵抗値が６５Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０２となっている。
第四距離Ｄ１４が１５μｍでは、第三距離Ｄ１３が４５５μｍとなり、等価直列抵抗値が６０Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０３となっている。
第四距離Ｄ１４が２０μｍでは、第三距離Ｄ１３が４４５μｍとなり、等価直列抵抗値が５９Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０４となっている。
第四距離Ｄ１４が２５μｍでは、第三距離Ｄ１３が４３５μｍとなり、等価直列抵抗値が６０Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０６となっている。
第四距離Ｄ１４が３０μｍでは、第三距離Ｄ１３が４２５μｍとなり、等価直列抵抗値が５８Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０７となっている。
第四距離Ｄ１４が３５μｍでは、第三距離Ｄ１３が４１５μｍとなり、等価直列抵抗値が５９Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０８となっている。
第四距離Ｄ１４が４０μｍでは、第三距離Ｄ１３が４０５μｍとなり、等価直列抵抗値が５８Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１０となっている。
第四距離Ｄ１４が４５μｍでは、第三距離Ｄ１３が３９５μｍとなり、等価直列抵抗値が５９Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１１となっている。
第四距離Ｄ１４が５０μｍでは、第三距離Ｄ１３が３８５μｍとなり、等価直列抵抗値が６２Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１３となっている。
第四距離Ｄ１４が５５μｍでは、第三距離Ｄ１３が３７５μｍとなり、等価直列抵抗値が７４Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１５となっている。
第四距離Ｄ１４が６０μｍでは、第三距離Ｄ１３が３６５μｍとなり、等価直列抵抗値が８０Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１６となっている。
第四距離Ｄ１４が６５μｍでは、第三距離Ｄ１３が３５５μｍとなり、等価直列抵抗値が８７Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．１８となっている。
第四距離Ｄ１４が７０μｍでは、第三距離Ｄ１３が３４５μｍとなり、等価直列抵抗値が９４Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．２０となっている。
第四距離Ｄ１４が８０μｍでは、第三距離Ｄ１３が３２５μｍとなり、等価直列抵抗値が１１０Ωとなった。
このとき、第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．２０となっている。
【００５９】
第四距離Ｄ１４が５μｍ以上かつ５５μｍ以下となっている場合、水晶デバイスが実装され組み込まれる電子機器等の発振回路において、
発振しやすさの目安である等価直列抵抗値７５Ω以下となっていることがわかる。また、第四距離Ｄ１４が５μｍ以上かつ５５μｍ以下となっている場合、第四距離Ｄ１４の変化量に対し等価直列抵抗値の変化量が、第四距離Ｄ１４が５μｍより小さい、または、第四距離Ｄ１４が５５μｍより大きい場合と比較して小さくなっている。
【００６０】
第四距離Ｄ１４が５μｍより小さい場合には、等価直列抵抗値が１００Ωより大きくなっている。また、第四距離Ｄ１４が５μｍより小さい場合、
第四距離Ｄ１４の変化量に対し等価直列抵抗値の変化が、第四距離Ｄ１４が５μｍ以上５５μｍ以下となっている場合と比較して、大きくなっている。
【００６１】
第四距離Ｄ１４が５５μｍより大きい場合には、等価直列抵抗値が１００Ωより大きくなっている。
また、第四距離Ｄ１４が５５μｍより大きい場合、第四距離Ｄ１４の変化量に対し等価直列抵抗値の変化が、
第四距離Ｄ１４が５μｍ以上５５μｍ以下となっている場合と比較して、大きくなっている。
【００６２】
従って、第四距離Ｄ１４を５μｍ以上かつ５５μｍ以下とすることで、等価直列抵抗値をより低減させることが可能となることがわかる。
また、第四距離Ｄ１４を５μｍ以上５５μｍ以下とすることで、第四距離Ｄ１４の変化量に対して等価直列抵抗値の変化量を、
第四距離Ｄ１４が５μｍより小さい場合、または、第四距離Ｄ１４が５５μｍより大きい場合と比較して小さくすることができる。
このため、第四距離Ｄ１４を５μｍ以上５５μｍ以下とすることで、第四距離Ｄ１４が５μｍより小さい場合、または、
第四距離Ｄ１４が５５μｍより大きい場合と比較して、第四距離Ｄ１４の微小変化に対し等価直列抵抗値の変化量を低減させることができるので、
振動部１２２に対する励振電極部１２５の位置ずれによる等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。
【００６３】
別の観点では、共振周波数が２７．１ＭＨｚの場合は、第三距離Ｄ１３が第四距離Ｄ１４の０．０１倍以上かつ０．１３倍以下とすることで、
第四距離Ｄ１４および第三距離Ｄ１３の微小変化に対し等価直列抵抗値の変化量を低減させることができる。このため、
振動部１２２に対する励振電極部１２５の位置ずれによる等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。
【００６４】
従って、図７および図８に示した実験結果からも、等価直列抵抗値をさらに低減させるためには
、第四距離Ｄ１４を５μｍ以上かつ５５μｍ以下とすることが有効であるといえる。また、別の観点では、第四距離Ｄ１４を第三距離Ｄ１３の０
．０１倍以上かつ０．１２倍以下とすることで、共振周波数２４ＭＨｚの場合においても、共振周波数が２７．１ＭＨｚの場合においても、
等価直列艇億値をさらに低減させるために有効であるといえる。
【００６５】
（実験２結果）
実験２では、第八距離Ｄ１８と等価直列抵抗値との関係を二つの共振周波数帯の場合で実験しており、
図９〜図１２に各共振周波数の実験結果を示している。図９および図１１は、第八距離Ｄ１８と等価直列抵抗値との関係を示すグラフであ
る。図９よび図１１において、横軸は第八距離Ｄ１８を示し、縦軸は等価直列抵抗値を示している。図９および図１１におい
て、点は、実験結果を示している。また、図１０および図１２は、第四距離Ｄ１４と第八距離Ｄ１８との比率と等価直列抵抗
値との関係を共振周波数ごとの実験結果を示している。図１０および図１２は、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４を示し、縦軸は等価
直列抵抗値を示している。図１０および図１２において、点は、実験結果を示している。
【００６６】
以下、共振周波数毎に実験結果を説明する。
【００６７】
（２４ＭＨｚ）
図９は、共振周波数が２４ＭＨｚの場合において、第八距離Ｄ１８を変えたときの実験結果を示して
いる。このとき、第一距離Ｄ１１が０．７９０ｍｍとなっており、第二距離Ｄ１２が０．５６０ｍｍとなっている
。第三距離Ｄ１３が０．５１０ｍｍとなっており、第四距離Ｄ１４が０．０２５ｍｍとなっている。第五距離Ｄ１５が
０．５４０ｍｍとなっており、第六距離Ｄ１６が０．４３６ｍｍとなっている。第七距離Ｄ１７は第八距離Ｄ１８
を変えるとともに変化している。
【００６８】
第八距離Ｄ１８を−３０μｍ〜１２０μｍの範囲内で数値ごとの複数の水晶素子１２０
を作成した。なお、ここで、第八距離Ｄ１８が“０”より小さい場合とは、水晶素子１２０を平面視し
て、Ｚ´軸に平行な向きで、励振電極部１２５が振動部１２２より大きくなっており、励振電極部１２５の
外縁が振動部１２２の外縁より外側に位置している場合である。本実施形態では、第八距離Ｄ１８を振動部１２２の露
出している部分の長さとしているため、“０”より小さい第八距離Ｄ１８は実際には存在していないこととなるが、従来
技術（励振電極部の外縁が振動部の外縁より大きい場合）と比較するために、図９中では第八距離Ｄ１８をマイナスの値とし
て表示している。第八距離Ｄ１８が“０”となっている場合とは、水晶素子１２０を平面視して、Ｚ´軸に平行な向きで、励振電極部
１２５の外縁と振動部１２２の外縁とが重なっている場合である。第八距離Ｄ１８が“０”より大きい場合には、Ｚ´軸に平行な
向きで、励振電極部１２５の外縁が振動部１２２の外縁より内側に位置している場合である。
【００６９】
それぞれの第八距離Ｄ１８に対しての等価直列抵抗値について述べる。
なお、第一距離Ｄ１１、第二距離Ｄ１２、第三距離Ｄ１３、第四距離Ｄ１４、第五距離Ｄ１５およ
び第六距離Ｄ１６については、すべての素子の大きさは同じとなっている。
第八距離Ｄ１８が−３０μｍでは、第七距離Ｄ１３が４９６μｍとなり、等価直列抵抗値が１
７０Ωとなった。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が−０．０６となっており、第
八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が−１．２０となっている。
第八距離Ｄ１８が−２０μｍでは、第七距離Ｄ１３が４７６μｍとなり、等価直列抵抗値が１
５０Ωとなった。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が−０．０４となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が−０．８０となっている。
第八距離Ｄ１８が−１０μｍでは、第七距離Ｄ１３が４５６μｍとなり、等価直列抵抗値が
１３０Ωとなった。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が−０．０２となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が−０．４０となっている。
第八距離Ｄ１８が０μｍでは、第七距離Ｄ１３が４３６μｍとなり、等価直列抵抗値が１０
９Ωとなった。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．００となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が０．００となっている。
第八距離Ｄ１８が５μｍでは、第七距離Ｄ１３が４２６μｍとなり、等価直列抵抗値が１０
２Ωとなった。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０１となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が０．２０となっている。
第八距離Ｄ１８が６μｍでは、第七距離Ｄ１３が４２４μｍとなり、等価直列抵抗値が１０
０Ωとなった。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０２となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が０．４０となっている。
第八距離Ｄ１８が１０μｍでは、第七距離Ｄ１３が４１６μｍとなり、等価直列抵抗値が９
０Ωとなった。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０２となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が０．４０となっている。
第八距離Ｄ１８が２０μｍでは、第七距離Ｄ１３が３９６μｍとなり、等価直列抵抗値が８
２Ωとなった。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０５となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が０．８０となっている。
第八距離Ｄ１８が２５μｍでは、第七距離Ｄ１３が３８６μｍとなり、等価直列抵抗値が７
３Ωとなった。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０６となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が１．００となっている。
第八距離Ｄ１８が３０μｍでは、第七距離Ｄ１３が３７６μｍとなり、等価直列抵抗値が７４
Ωとなった。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０８となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が１．２０となっている。
第八距離Ｄ１８が４０μｍでは、第七距離Ｄ１３が３５６μｍとなり、等価直列抵抗値が７２Ωとなった。このとき、
第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．１１となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が１．６０となっている。
第八距離Ｄ１８が５０μｍでは、第七距離Ｄ１３が３３６μｍとなり、等価直列抵抗値が７３Ωとなった。このとき
、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．１５となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が２．００となっている。
第八距離Ｄ１８が６０μｍでは、第七距離Ｄ１３が３１６μｍとなり、等価直列抵抗値が８０Ωとなった。このとき、
第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．１９となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が２．４０となっている。
第八距離Ｄ１８が７０μｍでは、第七距離Ｄ１３が２９６μｍとなり、等価直列抵抗値が８２Ωとなった。このとき、
第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．２４となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が２．８０となっている。
第八距離Ｄ１８が８０μｍでは、第七距離Ｄ１３が２７６μｍとなり、等価直列抵抗値が８４Ωとなった。このとき、
第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．２９となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が３．２０となっている。
第八距離Ｄ１８が９０μｍでは、第七距離Ｄ１３が２５６μｍとなり、等価直列抵抗値が８８Ωとなった。このとき、
第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．３５となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が３．６０となっている。
第八距離Ｄ１８が１００μｍでは、第七距離Ｄ１３が２３６μｍとなり、等価直列抵抗値が９０Ωとなった。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．４２となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が４．００となっている。
第八距離Ｄ１８が１１０μｍでは、第七距離Ｄ１３が２１６μｍとなり、等価直列抵抗値が９５Ωとなった。このとき
、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．５１となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が４．４０となっている。
第八距離Ｄ１８が１２０μｍでは、第七距離Ｄ１３が１９６μｍとなり、等価直列抵抗値が１０２Ωとなった。このとき
、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．６１となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が４．８０となっている。
【００７０】
第八距離Ｄ１８が６μｍ以上かつ１１０μｍ以下となっている場合、水晶デバイスが実装され組み込まれる電子機器等の発振回路において、
発振しやすさの目安である等価直列抵抗値１００Ω以下となっていることがわかる。また、第八距離Ｄ１８
が６μｍ以上かつ１１０μｍ以下となっている場合、第八距離Ｄ１８の変化量に対し等価直列抵抗値の変化量が、第八距離Ｄ１
８が６μｍより小さい、または、第八距離Ｄ１８が１１０μｍより大きい場合と比較して小さくなっている。
【００７１】
第八距離Ｄ１８が６μｍより小さい場合には、等価直列抵抗値が１００Ωより大きくなっている。また、第八距離
Ｄ１８が６μｍより小さい場合、第八距離Ｄ１８の変化量に対し等価直列抵抗値の変化が、第八距離Ｄ１８が６μｍ以上
１１０μｍ以下となっている場合と比較して、大きくなっている。
【００７２】
第八距離Ｄ１８が１１０μｍより大きい場合には、等価直列抵抗値が１００Ωより大きくなっている。ま
た、第八距離Ｄ１８が１１０μｍより大きい場合、第八距離Ｄ１８の変化量に対し等価直列抵抗値の変化が、第
四距離Ｄ１８が６μｍ以上１１０μｍ以下となっている場合と比較して、大きくなっている。
【００７３】
従って、第八距離Ｄ１８を６μｍ以上かつ１１０μｍ以下とすることで、等価直列抵抗値をより低減させ
ることが可能となることがわかる。また、第八距離Ｄ１８を６μｍ以上１１０μｍ以下とすることで、第八距離
Ｄ１８の変化量に対して等価直列抵抗値の変化量を、第八距離Ｄ１８が６μｍより小さい場合、または、第八距離Ｄ１
８が１１０μｍより大きい場合と比較して小さくすることができる。このため、第八距離Ｄ１８を６μ
ｍ以上１１０μｍ以下とすることで、第八距離Ｄ１８が６μｍより小さい場合、または、第八距離Ｄ１８が１１０
μｍより大きい場合と比較して、第八距離Ｄ１８の微小変化に対し等価直列抵抗値の変化量を低減させることができる
ので、振動部１２２に対する励振電極部１２５の位置ずれによる等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。
【００７４】
別の観点では、共振周波数が２４ＭＨｚの場合は、第七距離Ｄ１７が第八距離Ｄ１８の０．０２倍以上
かつ０．５倍以下とすることで、第八距離Ｄ１８および第七距離Ｄ１７の微小変化に対し等価直列抵抗値の
変化量を低減させることができる。このため、振動部１２２に対する励振電極部１２５の位置ずれによる
等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。
【００７５】
図１０は、第四距離Ｄ１４と第八距離Ｄ１８との比率と等価直列抵抗値との関係を共振周波
数ごとの実験結果を示している。図１１では、横軸に第八距離Ｄ１８を第四距離Ｄ１４で割った
結果（第四距離Ｄ１４と第八距離Ｄ１８との比率）を示しており、図１１から、１．００以上２
．００以内となっている部分において、等価直列抵抗値がほぼ一定となっていることがわかる。第
四距離Ｄ１４と第八距離Ｄ１８との比率が１．００より小さい場合には、等価直列抵抗値が著しく
変化していることがわかる。また、第四距離Ｄ１４と第八距離Ｄ１８との比率が２．００より大きい場合に
も、等価直列抵抗値が変化していることがわかる。従って、第八距離Ｄ１８が第四距離Ｄ１４の１．００
倍以上２．００倍以内の場合には、等価直列抵抗値をより向上させることができる。
【００７６】
（２７．１ＭＨｚ）
図１１は、共振周波数が２７．１ＭＨｚの場合において、第八距離Ｄ１８を変えたときの実験結果を
示している。このとき、第一距離Ｄ１１が０．７３０ｍｍとなっており、第二距離Ｄ１２が０．４８５
ｍｍなっている。第三距離Ｄ１３は０．４３５ｍｍとなっており、第四距離Ｄ１４が０．０２５ｍｍと
なっている。第五距離Ｄ１５が０．５３０ｍｍとなっており第六距離Ｄ１６が０．４２５ｍｍなってい
る。第七距離Ｄ１７は、第八距離Ｄ１８を変えるともに変化している。
【００７７】
第八距離Ｄ１８を−３０μｍ〜１２０μｍの範囲内で数値ごとの複数の水晶素子１２０を作成した
。なお、ここで、第八距離Ｄ１８が“０”より小さい場合とは、水晶素子１２０を平面視して、Ｚ´
軸に平行な向きで、励振電極部１２５が振動部１２２より大きくなっており、励振電極部１２５の外縁
が振動部１２２の外縁より外側に位置している場合である。本実施形態では、第八距離Ｄ１８を振動部
１２２の露出している部分の長さとしているため、“０”より小さい第八距離Ｄ１８は実際には存在し
ていないこととなるが、従来技術（励振電極部の外縁が振動部の外縁より大きい場合）と比較するため
に、図１１中では第八距離Ｄ１８をマイナスの値として表示している。第八距離Ｄ１８が“０”となって
いる場合とは、水晶素子１２０を平面視して、Ｚ´軸に平行な向きで、励振電極部１２５の外縁と振動部
１２２の外縁とが重なっている場合である。第八距離Ｄ１８が“０”より大きい場合には、Ｚ´軸に平行な
向きで、励振電極部１２５の外縁が振動部１２２の外縁より内側に位置している場合である。
【００７８】
それぞれの第八距離Ｄ１８に対しての等価直列抵抗値について述べる。なお、第一距離Ｄ１１、第二距
離Ｄ１２、第三距離Ｄ１３、第四距離Ｄ１４、第五距離Ｄ１５および第六距離Ｄ１６については、すべての素子の大きさは同じとなっている。
第八距離Ｄ１８が−３０μｍでは、第七距離Ｄ１３が４８５μｍとなり、等価直列抵抗値が１７０Ωとな
った。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が−０．０６となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が−１．２０となっている。
第八距離Ｄ１８が−２０μｍでは、第七距離Ｄ１３が４６５μｍとなり、等価直列抵抗値が１５５Ωとなった。
このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が−０．０４となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が−０．８０となっている。
第八距離Ｄ１８が−１０μｍでは、第七距離Ｄ１３が４４５μｍとなり、等価直列抵抗値が１３０Ωとなった
。このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が−０．０２となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が−０．４０となっている。
第八距離Ｄ１８が０μｍでは、第七距離Ｄ１３が４２５μｍとなり、等価直列抵抗値が１１０Ωとなった。こ
のとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．００となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が０．００となっている。
第八距離Ｄ１８が５μｍでは、第七距離Ｄ１３が４１５μｍとなり、等価直列抵抗値が９０Ωとなった。この
とき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０１となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が０．２０となっている。
第八距離Ｄ１８が６μｍでは、第七距離Ｄ１３が４１３μｍとなり、等価直列抵抗値が７５Ωとなった。この
とき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０１となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が０．２４となっている。
第八距離Ｄ１８が１０μｍでは、第七距離Ｄ１３が４０５μｍとなり、等価直列抵抗値が７０Ωとなった。こ
のとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０２となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が０．４０となっている。
第八距離Ｄ１８が２０μｍでは、第七距離Ｄ１３が３８５μｍとなり、等価直列抵抗値が６０Ωとなった。こ
のとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０５となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が０．８０となっている。
第八距離Ｄ１８が２５μｍでは、第七距離Ｄ１３が３７５μｍとなり、等価直列抵抗値が５３Ωとなった。こ
のとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０７となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が１．００となっている。
第八距離Ｄ１８が３０μｍでは、第七距離Ｄ１３が３６５μｍとなり、等価直列抵抗値が５２Ωとなった。こ
のとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０８となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が１．２０となっている。
第八距離Ｄ１８が４０μｍでは、第七距離Ｄ１３が３４５μｍとなり、等価直列抵抗値が５４Ωとなった。
このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．１２となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が１．６０となっている。
第八距離Ｄ１８が５０μｍでは、第七距離Ｄ１３が３２５μｍとなり、等価直列抵抗値が５３Ωとなった。
このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．１５となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が２．００となっている。
第八距離Ｄ１８が６０μｍでは、第七距離Ｄ１３が３０５μｍとなり、等価直列抵抗値が６０Ωとなった。
このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．２０となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が２．４０となっている。
第八距離Ｄ１８が７０μｍでは、第七距離Ｄ１３が２８５μｍとなり、等価直列抵抗値が６４Ωとなった。
このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．２５となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が２．８０となっている。
第八距離Ｄ１８が８０μｍでは、第七距離Ｄ１３が２６５μｍとなり、等価直列抵抗値が６６Ωとなった。
このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．３０となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が３．２０となっている。
第八距離Ｄ１８が９０μｍでは、第七距離Ｄ１３が２４５μｍとなり、等価直列抵抗値が６８Ωとなった。
このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．３７となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が３．６０となっている。
第八距離Ｄ１８が１００μｍでは、第七距離Ｄ１３が２２５μｍとなり、等価直列抵抗値が７１Ωとなった。
このとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．４４となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が４．００となっている。
第八距離Ｄ１８が１１０μｍでは、第七距離Ｄ１３が２０５μｍとなり、等価直列抵抗値が７４Ωとなった。こ
のとき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．５４となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が４．４０となっている。
第八距離Ｄ１８が１２０μｍでは、第七距離Ｄ１３が１８５μｍとなり、等価直列抵抗値が８８Ωとなった。この
とき、第八距離Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．６５となっており、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が４．８０となっている。
【００７９】
第八距離Ｄ１８が６μｍ以上かつ１１０μｍ以下となっている場合、水晶デバイスが実装され組み込まれる
電子機器等の発振回路において、発振しやすさの目安である等価直列抵抗値１００Ω以下となっていることがわかる。
また、第八距離Ｄ１８が６μｍ以上かつ１１０μｍ以下となっている場合、第八距離Ｄ１８の変化量に対し等価直列抵抗値の変
化量が、第八距離Ｄ１８が６μｍより小さい、または、第八距離Ｄ１８が１１０μｍより大きい場合と比較して小さくなっている。
【００８０】
第八距離Ｄ１８が６μｍより小さい場合には、等価直列抵抗値が１００Ωより大きくなっている
。また、第八距離Ｄ１８が６μｍより小さい場合、第八距離Ｄ１８の変化量に対し等価直列抵抗値の変
化が、第八距離Ｄ１８が６μｍ以上１１０μｍ以下となっている場合と比較して、大きくなっている。
【００８１】
第八距離Ｄ１８が１１０μｍより大きい場合には、等価直列抵抗値が１００Ωより大きくなっている
。また、第八距離Ｄ１８が１１０μｍより大きい場合、第八距離Ｄ１８の変化量に対し等価直列抵抗値
の変化が、第四距離Ｄ１８が６μｍ以上１１０μｍ以下となっている場合と比較して、大きくなっている。
【００８２】
従って、第八距離Ｄ１８を６μｍ以上かつ１１０μｍ以下とすることで、等価直列抵抗値をより低減させ
ることが可能となることがわかる。また、第八距離Ｄ１８を６μｍ以上１１０μｍ以下とすることで、第
八距離Ｄ１８の変化量に対して等価直列抵抗値の変化量を、第八距離Ｄ１８が６μｍより小さい場合、または、第八
距離Ｄ１８が１１０μｍより大きい場合と比較して小さくすることができる。このため、第八距離Ｄ１８を６μｍ以上１
１０μｍ以下とすることで、第八距離Ｄ１８が６μｍより小さい場合、または、第八距離Ｄ１８が１１０μ
ｍより大きい場合と比較して、第八距離Ｄ１８の微小変化に対し等価直列抵抗値の変化量を低減させることができるの
で、振動部１２２に対する励振電極部１２５の位置ずれによる等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。
【００８３】
別の観点では、共振周波数が２４ＭＨｚの場合は、第七距離Ｄ１７が第八距離Ｄ１８の０．０２倍以上かつ０．５
倍以下とすることで、第八距離Ｄ１８および第七距離Ｄ１７の微小変化に対し等価直列抵抗値の変化量を低減させる
ことができる。このため、振動部１２２に対する励振電極部１２５の位置ずれによる等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることができる。
【００８４】
図１２は、第四距離Ｄ１４と第八距離Ｄ１８との比率と等価直列抵抗値との関係を共振周波数ごとの実験結果を示し
ている。図１２では、横軸に第八距離Ｄ１８を第四距離Ｄ１４で割った結果（第四距離Ｄ１４と第八距離Ｄ１８と
の比率）を示しており、図１２から、１．００以上２．００以内となっている部分において、等価直列抵抗値がほ
ぼ一定となっていることがわかる。第四距離Ｄ１４と第八距離Ｄ１８との比率が１．００より小さい場合には、等
価直列抵抗値が著しく変化していることがわかる。また、第四距離Ｄ１４と第八距離Ｄ１８との比率が２．００よ
り大きい場合にも、等価直列抵抗値が変化していることがわかる。従って、第八距離Ｄ１８が第四距離Ｄ１４の１．
００倍以上２．００倍以内の場合には、等価直列抵抗値をより向上させることができる。
【００８５】
（実験結果まとめ）
実験結果から、第四距離Ｄ１４が５μｍ以上５５μｍ以内の水晶素子１２０では、等価直列抵抗値が小さく
なることが見出された。また、別の観点では、２４ＭＨｚの場合であっても２７．１ＭＨｚの場合であっても
第四距離Ｄ１４／第三距離Ｄ１３が０．０１倍以上０．１２倍以内を満たしていれば、等価直列抵抗値が小さく
なっているともいえる。また、第八距離Ｄ１８が６μｍ以上１１０μｍ以内においても、等価直列抵抗値が小さく
なることが見出された。別の観点では、２４ＭＨｚの場合であっても、２７．１ＭＨｚの場合であっても、第八距離
Ｄ１８／第七距離Ｄ１７が０．０２倍以上０．５倍以内を満たしていれば、等価直列抵抗値を小さくすることができる
といえる。また、第八距離Ｄ１８／第四距離Ｄ１４が１．００倍以上２．００倍以内の関係を満たしている場合には、さ
らに等価直列抵抗値が小さくなることが見出された。
【００８６】
以上のとおり、本実施形態では、水晶素子１２０は、略直方体形状の振動部１２２と、振動部１２２の縁部
に沿って振動部１２２より上下方向の厚みが薄い周辺部１２３とから構成されており、平面視して略矩形形状とな
っている水晶片１２１と、水晶片１２１の振動部１２２に設けられている略矩形形状の一対の励振電極部１２５と
、水晶片１２１の周辺部１２３の所定の一辺に沿って並んで設けられている一対の引出部１２７と、励振電極部１
２５と引出部１２７とを電気的に接続している配線部１２６と、からなる水晶素子１２０であって、水晶素子
１２０を平面視して、所定の一辺に平行な振動部１２２の二辺間の距離（第二距離Ｄ１２）が、所定の一辺に
平行な励振電極部１２５の二辺間の距離（第三距離Ｄ１３）より長くなっており、所定の一辺に連結する所定
の他の一辺に平行な振動部１２２の二辺間の距離（第六距離Ｄ１６）が、所定の他の一辺に平行な励振電極部１
２５の二辺間の距離（第七距離Ｄ１７）より長くなっており、励振電極部１２５が振動部１２２の内側に設けられている。
【００８７】
このような構成にすることで、励振電極部１２５に挟まれている振動部１２２の一部から励振電極部１２５に挟まれて
いない振動部１２２の一部へ漏れた振動が、Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａに反射した場合であっても、励振電極部１２５
が振動部１２２の内縁側に位置するように設けられているので、Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａの影響を低減させることが可能
となる。この結果、Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａの影響、具体的には、Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａに漏れた振動が反射し
励振電極部１２５に挟まれている振動部１２２の振動への振動阻害を抑えることができ、振動阻害による等価直列抵抗
値が大きくなることを低減させることが可能となる。
【００８８】
また、本実施形態に係る水晶素子１２０は、水晶素子１２０を平面視して、所定の一辺に連結する所定
の他の一辺に平行な振動部の二辺間の距離（第六距離Ｄ１６）が、所定の他の一辺に平行な励振電極部１２５
の二辺間の距離（第七距離Ｄ１７）より長くなっており、Ｚ´軸に平行な方向において、励振電極部１２５が
振動部１２２の内側に設けられている。このような構成にすることで、励振電極部１２５に挟まれている振動
部１２２の一部から励振電極部１２５に挟まれていない振動部１２２の一部へ漏れた振動が、Ｘ軸に平行な傾斜
部１２３ａで反射した場合であっても、励振電極部１２５が振動部１２２の内縁側に位置するように設けられているので、
Ｘ軸に平行な傾斜部１２３ａの影響を低減させることが可能となる。この結果、Ｘ軸に平行な傾斜部１２３ａの
影響、具体的には、Ｘ軸に平行な傾斜部１２３ａにまで漏れた振動がＸ軸に平行な傾斜部１２３ａで反射し励振電極部
１２５に挟まれている振動部１２２の振動への振動阻害を抑えることができ、振動阻害による等価直列抵抗値が
大きくなることを低減させることが可能となる。
【００８９】
つまり、本実施形態に係る水晶素子１２０は、水晶素子１２０を平面視した場合に、
励振電極部１２５の外縁が振動部１２２の外縁より内側に位置するようにすることができる。
この結果、Ｘ軸に平行な方向に漏れた振動およびＺ´軸に平行な方向に漏れた振動が傾斜部１２３ａで反射し励振電極部１２５に挟まれている
振動部１２２の振動への振動阻害をより抑えることができ、振動阻害による等価直列抵抗値が大きくなることをより低減させることが可能となる。
【００９０】
また、本実施形態に係る水晶素子１２０は、水晶素子１２０を平面視して、隣接しあう振動部１２２の所定の一辺
に平行な辺と励振電極部１２５の所定の一辺に平行な辺との距離（第四距離Ｄ１４）が、５μｍ以上５５μｍ以下となっている。
別の観点では、水晶素子１２０を平面視して、隣接しあう振動部１２２の所定の一辺に平行な辺と励振電極部１２５の所定
の一辺に平行な辺との距離（第四距離Ｄ１４）が、所定の一辺に平行な励振電極部１２５の二辺間の距離（第三距離Ｄ１３
）の０．０１倍以上０．１２倍以下となっている。このようにすることで、励振電極部１２５に挟まれている振動部１２２の一部から励振電極部
１２５に挟まれていない振動部１２２の一部へ漏れた振動が、Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａに反射した場合であっても、励振電極部１２
５が振動部１２２の内縁側に位置するように設けられているので、Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａの影響を低減させることが可能となる。この結果
、Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａの影響、具体的には、Ｚ´軸に平行な傾斜部１２３ａに漏れた振動が反射し励振電極部１２５に挟まれて
いる振動部１２２の振動への振動阻害を抑えることができ、振動阻害による等価直列抵抗値が大きくなることを低減させることが可能となる。
【００９１】
また、本実施形態に係る水晶素子１２０は、水晶素子１２０を平面視して、隣接しあう振動部１２２の所定の他の一辺に平行な辺と励
振電極部１２５の所定の他の一辺に平行な辺との距離（第八距離Ｄ１８）が、６μｍ以上１１０μｍ以下となっている。別の観点では、
水晶素子１２０を平面視して、隣接しあう振動部１２２の所定の他の一辺に平行な辺と励振電極部１２５の所定の他の一辺に平行
な辺との距離（第八距離Ｄ１８）が、所定の他の一辺に平行な励振電極部１２５の二辺間の距離（第七距離Ｄ１７）の０．０２倍
以上０．５倍以下となっている。このような構成にすることで、励振電極部１２５に挟まれている振動部１２２の一部から励振電
極部１２５に挟まれていない振動部１２２の一部へ漏れた振動が、Ｘ軸に平行な傾斜部１２３ａで反射した場合であっても、励振電
極部１２５が振動部１２２の内縁側に位置するように設けられているので、Ｘ軸に平行な傾斜部１２３ａの影響を低減させることが可能となる
。この結果、Ｘ軸に平行な傾斜部１２３ａの影響、具体的には、Ｘ軸に平行な傾斜部１２３ａにまで漏れた振動がＸ軸に平行な傾斜部１
２３ａで反射し励振電極部１２５に挟まれている振動部１２２の振動への振動阻害を抑えることができ、振動阻害による等価直列抵抗値が
大きくなることを低減させることが可能となる。
【００９２】
また、本実施形態に係る水晶素子１２０は、水晶素子１２０を平面視して、隣接しあう振動部１２２の所定の他の一辺に平行な
辺と励振電極部１２５の所定の他の一辺に平行な辺との距離（第八距離Ｄ１８）が、隣接しあう振動部１２２の所定の一辺に平行な
辺と励振電極部１２５の所定の一辺に平行な辺との距離（第四距離Ｄ１４）の１．０倍以上２．０倍以下となっている。
【００９３】
このように、第四距離Ｄ１４と第八距離Ｄ１８との比率に等価直列抵抗値が依存している原因として、厚みすべり振動の伝搬速度が、
Ｘ軸に平行な向きに進む速度とＺ´軸に平行な向きに進む速度が異なっていることが考察される。Ｚ´軸に平行な向きに進む速度は、
Ｘ軸に平行な向きに進む速度に対して約１．０倍〜約２．０倍の速度となっているので、このように第四距離Ｄ１４と第八距離Ｄ１８
との比率をこの速度の関係と同じようにすることで、周辺部１２３の傾斜部１２３ａの影響をより低減させることができる。
【００９４】
本実施形態に係る水晶デバイスは、このような水晶素子１２０と、水晶素子１２０の引出部１２７に接着されている導電性接
着剤１４０と、導電性接着剤１４０によって水晶素子１２０を実装している素子搭載部材１１０と、素子搭載部材１１０と接合さ
れ、水晶素子１２０を気密封止している蓋体１３０と、からなる。このようにすることで、より等価直列抵抗値の小さくすることが可能となる。
【００９５】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００９６】
水晶素子を有する水晶デバイスは、水晶振動子に限定されない。例えば、水晶振動子に加えて、水晶振動子
に電圧を印加して発振信号を生成する集積回路素子を有する発振器であってもよい。また、例えば、水晶デバイ
スは、水晶素子の他に、サーミスタ等の他の電子素子を有するものであってもよい。水晶デバイスにおいて、
水晶素子を実装する素子搭載部材の構造は、適宜な構成とされてよい。例えば、素子搭載部材は、上面および
下面に凹部を有する断面Ｈ型のものであってもよい。
【符号の説明】
【００９７】
１１０・・・素子搭載部材
１２０・・・水晶素子
１２１・・・水晶片
１２２・・・振動部
１２３・・・周辺部
１２３ａ・・・傾斜部
１２３ｂ・・・平板部
１２４・・・金属パターン
１２５・・・励振電極部
１２６・・・配線部
１２７・・・引出部
１３０・・・蓋体
１４０・・・導電性接着剤
Ｄ１１・・・第一距離（Ｘ軸に平行な水晶片の辺の長さ）
Ｄ１２・・・第二距離（Ｘ軸に平行な振動部の辺の長さ）
Ｄ１３・・・第三距離（Ｘ軸に平行な励振電極部の辺の長さ）
Ｄ１４・・・第四距離（隣接する所定の一辺に平行な振動部の辺と所定の一辺に平行な励振電極部との距離）
Ｄ１５・・・第五距離（Ｚ´軸に平行な水晶片の辺の長さ）
Ｄ１６・・・第六距離（Ｚ´軸に平行な振動部の辺の長さ）
Ｄ１７・・・第七距離（Ｚ´軸に平行な励振電極部の辺の長さ）
Ｄ１８・・・第八距離（隣接する所定の他の一辺に平行な振動部の辺と所定の他の一辺に平行な励振電極部との距離）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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