(57)【要約】【課題】表示の品質を向上させ、消費電力を低減すること。【解決手段】ゲートドライバと、表示部と、選択信号出力回路と、を有する表示装置であって、表示部は、複数の画素回路と、複数の第１の走査線と、を有し、画素回路は、第１の表示素子を有し、ゲートドライバは、複数の第１の走査線と電気的に接続され、第１の走査線は、複数の画素回路と電気的に接続され、第１の走査線は、第１の走査信号が与えられる機能を有し、選択信号出力回路は、第１の選択信号を出力する機能を有し、第１の選択信号は、選択した第１の走査線に第１の走査信号を与える機能を有し、第１の表示素子は、第１の走査信号によって第１の表示素子の表示が更新される機能を有し、表示部は、複数の画素回路において、異なる更新頻度で更新される第１の表示素子によって表示されることを特徴とする表示装置。【選択図】図１
2017198978.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートドライバと、表示部と、選択信号出力回路と、を有する表示装置であって、
前記表示部は、第１の領域と第２の領域と、を有し、
前記第１の領域および前記第２の領域は、それぞれ画素回路と、走査線と、を有し、
前記画素回路は、表示素子を有し、
前記ゲートドライバは、前記走査線と電気的に接続され、
前記走査線は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記走査線は、第１の走査信号が与えられる機能を有し、
前記選択信号出力回路は、前記第１の走査信号が与えられる走査線を選択する第１の選択信号を出力する機能を有し、
前記第１の選択信号は、選択された前記走査線に前記第１の走査信号を与える機能を有し、
前記表示素子は、前記第１の走査信号によって表示が更新される機能を有し、
前記第１の領域に含まれる前記表示素子の表示が更新される頻度は、前記第２の領域に含まれる表示素子と異なることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記表示素子は、液晶素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記表示素子は、自発光素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
ゲートドライバと、表示部と、選択信号出力回路と、を有する表示装置であって、
前記表示部は、画素回路と、第１の走査線と、第２の走査線と、を有し、
前記画素回路は、第１の表示素子および第２の表示素子を有し、
前記第１の走査線は、第１の走査信号が与えられる機能を有し、
前記第２の走査線は、第２の走査信号が与えられる機能を有し、
前記ゲートドライバは、シフトレジスタ回路と、選択回路とを有し、
前記シフトレジスタ回路は、出力信号を出力する機能を有し、
前記選択信号出力回路は、第１の選択信号および第２の選択信号を出力する機能を有し、
前記選択回路は、前記出力信号、前記第１の選択信号および前記第２の選択信号により、前記第１の走査信号および前記第２の走査信号を生成する機能を有する表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記表示部は、第１の信号線と、第２の信号線を有し、
前記第１の信号線は、第１の階調信号が与えられる機能を有し、
前記第２の信号線は、第２の階調信号が与えられる機能を有し、
前記第１の走査信号の電圧振幅は、前記第１の階調信号の電圧振幅より大きく、
前記選択回路は、前記出力信号および前記第２の選択信号により、前記第２の走査信号を生成し、
前記第２の走査信号の電圧振幅は、前記第２の階調信号の電圧振幅より大きく、
前記第１の走査信号は、前記第２の走査信号とは異なる電圧振幅を有する表示装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記選択信号出力回路は、前記第１の選択信号と、前記第２の選択信号を切り替えて出力する機能を有する表示装置。
【請求項７】
信号線と、第１の走査線と、第２の走査線と、画素回路とを有する表示装置であって、
前記画素回路は、第１の回路と、第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、第１の表示素子を有し、
前記第２の回路は、第２の表示素子を有し、
前記信号線は、前記第１の回路に第１の階調信号を与える機能を有し、
前記信号線は、前記第２の回路に第２の階調信号を与える機能を有し、
前記第１の表示素子は、第１の階調を表示する機能を有し、
前記第２の表示素子は、第２の階調を表示する機能を有し、
前記第１の走査線は、第１の電圧および前記第１の電圧より小さい第２の電圧を出力する機能を有し、
前記第２の走査線は、第３の電圧および前記第３の電圧より小さい第４の電圧を出力する機能を有し、
前記第１の階調信号により生成された最大電圧は、前記第１の電圧よりも小さい電圧であり、
前記第１の階調信号により生成された最小電圧は、前記第２の電圧よりも大きい電圧であり、
前記第２の階調信号により生成された最大電圧は、前記第３の電圧よりも小さい電圧であり、
前記第２の階調信号により生成された最小電圧は、前記第４の電圧よりも大きい電圧であり、
前記第１の階調信号により生成された最大電圧は、前記第２の階調信号により生成された最大電圧よりも大きい電圧であり、
前記第１の階調信号により生成された最小電圧は、前記第２の階調信号により生成された最小電圧よりも小さい電圧である表示装置。
【請求項８】
請求項７において
第１の電源線を有し、
前記第１の回路は、前記第１の表示素子と、第１のトランジスタと、第１の容量素子とを有し、
前記第２の回路は、前記第２の表示素子と、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、を有し、
前記第１の表示素子は、第１の画素電極と、第１の対向電極とを有し、
前記第２の表示素子は、第２の画素電極と、第２の対向電極とを有し、
前記信号線は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の画素電極に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の容量素子の電極の一方に電気的に接続され、
前記第１の容量素子の電極の他方は、前記第１の電源線に電気的に接続され、
前記第１の走査線は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記信号線は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２の画素電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２の走査線は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１の電源線は、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続され、
前記第１の階調信号を、前記第１のトランジスタを介して、前記第１の容量素子の電極の一方に与えている期間に、
前記第１の電源線に与えられる電圧が、前記第４のトランジスタを介して、前記第２の画素電極に与えられる表示装置。
【請求項９】
請求項４または請求項７において、
前記第１の表示素子は、液晶素子を有し、
前記第２の表示素子は、自発光素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項８において、
前記第１乃至第４のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一の表示装置と、
タッチセンサと、
を有することを特徴とする表示モジュール。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一の表示装置、または請求項９の表示モジュールと、
操作キーまたはバッテリと、
を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び電子機器に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
スマートフォン、タブレット等のモバイル機器が普及している。モバイル機器は、屋外環境や室内環境など利用する環境の明るさに適した表示をすることが求められている。
【０００４】
自然光や室内照明光など、十分な明るさの光がある環境では反射光を利用した表示を行い、十分な明るさを得られない環境では発光素子を利用した表示を行う表示装置が開示されている。
【０００５】
例えば特許文献１乃至３では、１つの画素に、液晶素子を制御する画素回路と、発光素子を制御する画素回路とが設けられている、ハイブリッド（複合型）表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００３／０１０７６８８号明細書
【特許文献２】国際公開第２００７／０４１１５０号公報
【特許文献３】特開２００８−２２５３８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
外光を利用して表示を行う方法として、反射型液晶表示装置がある。反射型液晶表示装置ではバックライトを必要としないため低消費電力であるが、明るい外光が得られる場所でないと良好な表示を行えない。ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子は自発光素子であるため、発光表示装置は暗い場所で良好な表示ができる一方、明るい場所では、視認性が低下してしまう。特許文献１乃至３で開示されるハイブリッド表示装置は、反射型液晶表示装置と発光表示装置の特長が生かされており、使用場所の明るさによらず使用することができる。
【０００８】
液晶素子と発光素子とでは光学的な応答速度が異なる。そのため表示内容に応じた所望の表示品質を得ることが難しかった。さらに階調信号が逐次更新されるため、消費電力の低減を図ることが難しかった。
【０００９】
上記問題に鑑み、本発明の一態様は、表示装置を駆動するための新規な回路により、表示内容に応じた画素回路を選択する方法が最適化された、新規な表示装置等を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、表示内容に応じた表示素子の階調信号が更新されることで、表示品質が向上する表示装置等を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、表示内容に応じた表示素子の階調信号が更新されることにより消費電力が低減された、新規な構成の表示装置等を提供することを課題の一とする。
【００１０】
なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した課題、及び／又は他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、ゲートドライバと、表示部と、選択信号出力回路と、を有する表示装置であって、表示部は、第１の領域と第２の領域と、を有し、第１の領域および第２の領域は、それぞれ画素回路と、走査線と、を有し、画素回路は、表示素子を有し、ゲートドライバは、走査線と電気的に接続され、走査線は、画素回路と電気的に接続され、走査線は、第１の走査信号が与えられる機能を有し、選択信号出力回路は、第１の走査信号が与えられる走査線を選択する第１の選択信号を出力する機能を有し、第１の選択信号は、選択された走査線に第１の走査信号を与える機能を有し、表示素子は、第１の走査信号によって表示が更新される機能を有し、第１の領域に含まれる表示素子の表示が更新される頻度は、第２の領域に含まれる表示素子と異なることを特徴とする表示装置である。
【００１２】
本発明の一態様において、表示素子は、液晶素子を有することを特徴とする表示装置が好ましい。
【００１３】
本発明の一態様において、表示素子は、自発光素子を有することを特徴とする表示装置が好ましい。
【００１４】
本発明の一態様は、ゲートドライバと、表示部と、選択信号出力回路と、を有する表示装置であって、表示部は、画素回路と、第１の走査線と、第２の走査線と、を有し、画素回路は、第１の表示素子および第２の表示素子を有し、第１の走査線は、第１の走査信号が与えられる機能を有し、第２の走査線は、第２の走査信号が与えられる機能を有し、ゲートドライバは、シフトレジスタ回路と、選択回路とを有し、シフトレジスタ回路は、出力信号を出力する機能を有し、選択信号出力回路は、第１の選択信号および第２の選択信号を出力する機能を有し、選択回路は、出力信号、第１の選択信号および第２の選択信号により、第１の走査信号および第２の走査信号を生成する機能を有する表示装置である。
【００１５】
本発明の一態様において、表示部は、第１の信号線と、第２の信号線を有し、第１の信号線は、第１の階調信号が与えられる機能を有し、第２の信号線は、第２の階調信号が与えられる機能を有し、第１の走査信号の電圧振幅は、第１の階調信号の電圧振幅より大きく、選択回路は、出力信号および第２の選択信号により、第２の走査信号を生成し、第２の走査信号の電圧振幅は、第２の階調信号の電圧振幅より大きく、第１の走査信号は、第２の走査信号とは異なる電圧振幅を有する表示装置が好ましい。
【００１６】
本発明の一態様において、選択信号出力回路は、第１の選択信号と、第２の選択信号を切り替えて出力する機能を有する表示装置が好ましい。
【００１７】
本発明の一態様は、信号線と、第１の走査線と、第２の走査線と、画素回路とを有する表示装置であって、画素回路は、第１の回路と、第２の回路とを有し、第１の回路は、第１の表示素子を有し、第２の回路は、第２の表示素子を有し、信号線は、第１の回路に第１の階調信号を与える機能を有し、信号線は、第２の回路に第２の階調信号を与える機能を有し、第１の表示素子は、第１の階調を表示する機能を有し、第２の表示素子は、第２の階調を表示する機能を有し、第１の走査線は、第１の電圧および、第１の電圧より小さい第２の電圧を出力する機能を有し、第２の走査線は、第３の電圧および、第３の電圧より小さい第４の電圧を出力する機能を有し、第１の階調信号により生成された最大電圧は、第１の電圧よりも小さい電圧であり、第１の階調信号により生成された最小電圧は、第２の電圧よりも大きい電圧であり、第２の階調信号により生成された最大電圧は、第３の電圧よりも小さい電圧であり、第２の階調信号により生成された最小電圧は、第４の電圧よりも大きい電圧であり、第１の階調信号により生成された最大電圧は、第２の階調信号により生成された最大電圧よりも大きい電圧であり、第１の階調信号により生成された最小電圧は、第２の階調信号により生成された最小電圧よりも小さい電圧である。
【００１８】
本発明の一態様において、信号線と、第１の電源線と、画素回路とを有する表示装置であって、第１の回路は、第１の表示素子と、第１のトランジスタと、第１の容量素子とを有し、第２の回路は、第２の表示素子と、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、を有し、第１の表示素子は、第１の画素電極と、第１の対向電極とを有し、第２の表示素子は、第２の画素電極と、第２の対向電極とを有し、信号線は、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第１の画素電極に電気的に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第１の容量素子の電極の一方に電気的に接続され、第１の容量素子の電極の他方は、第１の電源線が電気的に接続され、第１の走査線は、第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、信号線は、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第２の画素電極と電気的に接続され、第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、第２の走査線は、第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、第１の電源線と、第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方が電気的に接続され、第１の階調信号を、第１のトランジスタを介して、第１の容量素子の電極の一方に与えている期間に、第１の電源線に与えられる電圧を、第４のトランジスタを介して、第２の画素電極に与える機能を有する表示装置が好ましい。
【００１９】
上記態様において、第１の表示素子は、液晶素子を有し、第２の表示素子は、自発光素子を有すると好ましい。
【００２０】
本発明の一態様において、画素回路は、トランジスタを有し、トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する表示装置が好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一態様は、表示装置を駆動するための新規な回路により、表示内容に応じた画素回路を選択する方法が最適化された、新規な表示装置等を提供することができる。または、本発明の一態様は、表示内容に応じた表示素子の階調信号が更新されることにより、表示品質が向上する表示装置等を提供することができる。または、本発明の一態様は、表示内容に応じた表示素子の階調信号が更新されることにより消費電力が低減された、新規な構成の表示装置等を提供することができる。
【００２２】
なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び／又は他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】表示装置の構成を説明するための図。
【図２】画素の構成を説明するための図。
【図３】画素の構成を説明するための図。
【図４】（Ａ）：選択回路のブロック図。（Ｂ）：（Ａ）の選択回路のタイミングチャート。
【図５】（Ａ）：図１の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図６】（Ａ）：図１の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図７】表示装置の構成を説明するための図。
【図８】（Ａ）：図７の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図９】（Ａ）：図７の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図１０】表示装置の構成を説明するための図。
【図１１】（Ａ）：図１０の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図１２】（Ａ）：図１０の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図１３】（Ａ）：図１０の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図１４】（Ａ）乃至（Ｄ）：表示例を説明するための図。
【図１５】画素の構成を説明するための図。
【図１６】表示装置の構成を説明するための図。
【図１７】（Ａ）：図１６の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図１８】（Ａ）：画素の構成を説明するための図。（Ｂ）：（Ａ）の画素のタイミングチャート。（Ｃ）：信号の電圧関係を説明する図。
【図１９】画素の構成を説明するための図。
【図２０】表示装置の構成を説明するための図。
【図２１】（Ａ）：図２０の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図２２】表示装置の構成を説明するための図。
【図２３】（Ａ）：図２２の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図２４】（Ａ）：図２２の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図２５】（Ａ）：図２２の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図２６】（Ａ）：図２２の表示装置のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。
【図２７】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図２８】実施の形態に係る画素の構成を説明する図。
【図２９】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図３０】実施の形態に係る画素回路の開口部を説明する図。
【図３１】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図３２】（Ａ）：電子部品の作製方法例を示すフローチャート。（Ｂ）：半導体ウエハの上面図。（Ｃ）：（Ｂ）の部分拡大図。（Ｄ）：チップの構成例を示す模式図。（Ｅ）：電子部品の構成例を示す斜視模式図。
【図３３】ＯＳトランジスタの構成例を示す上面図および断面図。
【図３４】ＯＳトランジスタの構成例を示す上面図および断面図。
【図３５】エネルギーバンド構造の模式図。
【図３６】表示モジュールの例を示す図。
【図３７】タッチパネルの構成例を示す模式図。
【図３８】電子機器および照明装置の一例を示す図。
【図３９】電子機器の一例を示す図。
【図４０】電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２５】
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。
【００２６】
また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
【００２７】
また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【００２８】
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間にチャネル領域を有しており、チャネル形成領域を介して、ソースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
【００２９】
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
【００３０】
また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。
【００３１】
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。
【００３２】
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
【００３３】
また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。
【００３４】
トランジスタのオフ電流は、Ｖｇｓに依存する場合がある。従って、トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、トランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のＶｇｓにおけるオフ状態、所定の範囲内のＶｇｓにおけるオフ状態、または、十分に低減されたオフ電流が得られるＶｇｓにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。
【００３５】
一例として、しきい値電圧Ｖｔｈが０．５Ｖであり、Ｖｇｓが０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−９Ａであり、Ｖｇｓが０．１Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−１３Ａであり、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−１９Ａであり、Ｖｇｓが−０．８Ｖにおけるドレイン電流が１×１０−２２Ａであるようなｎチャネル型トランジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおいて、または、Ｖｇｓが−０．５Ｖ乃至−０．８Ｖの範囲において、１×１０−１９Ａ以下であるから、当該トランジスタのオフ電流は１×１０−１９Ａ以下である、と言う場合がある。当該トランジスタのドレイン電流が１×１０−２２Ａ以下となるＶｇｓが存在するため、当該トランジスタのオフ電流は１×１０−２２Ａ以下である、と言う場合がある。
【００３６】
また、本明細書等では、チャネル幅Ｗを有するトランジスタのオフ電流を、チャネル幅Ｗあたりを流れる電流値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅（例えば１μｍ）あたりを流れる電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流／長さの次元を持つ単位（例えば、Ａ／μｍ）で表される場合がある。
【００３７】
トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、室温、６０℃、８５℃、９５℃、または１２５℃におけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃乃至３５℃のいずれか一の温度）におけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、室温、６０℃、８５℃、９５℃、１２５℃、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃乃至３５℃のいずれか一の温度）、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。
【００３８】
トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Ｖｄｓに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、または２０Ｖにおけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、２０Ｖ、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓ、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。
【００３９】
上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。
【００４０】
また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。
【００４１】
（実施の形態１）
本実施の形態では、ゲートドライバの有する選択回路が、第１の表示素子を有する画素回路、または第２の表示素子を有する画素回路を選択する走査信号を生成する機能を有する表示装置について、図１乃至図６を用いて説明する。
【００４２】
図１は、表示装置７００の構成を示すブロック図である。表示装置７００はゲートドライバ１１０、選択信号出力回路３０、および表示部１２０を有する。ゲートドライバ１１０は、シフトレジスタ回路１１１および選択回路２０を有する。選択回路２０は、判定回路２１および２２を有する。表示部１２０は、画素回路７１０Ｃ（１，１）乃至画素回路７１０Ｃ（ｍ，ｎ）を有する。画素回路７１０Ｃ（ｍ，ｎ）は、第１の表示素子を有する画素回路７５０Ｃ（ｍ，ｎ）、および第２の表示素子を有する画素回路６５０Ｃ（ｍ，ｎ）を有する。ｍおよびｎは１以上の整数である。
【００４３】
本実施の形態で説明する表示部１２０は、画素回路７１０Ｃ（１，１）乃至画素回路７１０Ｃ（ｍ，ｎ）と、第１の走査線Ｇ１と、第２の走査線Ｇ２と、第１の信号線Ｓ１と、第２の信号線Ｓ２とを有する。
【００４４】
図２に、画素回路７１０Ｃの構成を示す。図１の表示装置７００の表示部１２０の、画素の一つを、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）として説明する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数である。
【００４５】
画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有し、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、一例として焼き付きを防止するために交流駆動される液晶素子が好ましい。
【００４６】
画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有し、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）を有する。第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、一例として直流駆動される発光素子が好ましい。
【００４７】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、階調を表示できる最少の単位であり、階調は、電圧または電流による階調信号で制御される。
【００４８】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、トランジスタＳＷ１、容量素子Ｃ１、および第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する。
【００４９】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ１のゲートは、第１の走査線Ｇ１（ｊ）と電気的に接続される。トランジスタＳＷ１のソースまたはドレインの一方は、第１の信号線Ｓ１（ｉ）と電気的に接続される。
【００５０】
トランジスタＳＷ１のソースまたはドレインの他方は、容量素子Ｃ１の一方の電極および第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の一方の電極と電気的に接続される。容量素子Ｃ１の他方の電極には、容量素子Ｃ１の基準電圧がＣＳＣＯＭ端子を介して与えられる。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の他方の電極には、コモン電圧がＶＣＯＭ端子を介して与えられる。
【００５１】
画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、トランジスタＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、および第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）を有する。
【００５２】
画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ２のゲートは、第２の走査線Ｇ２（ｊ）と電気的に接続される。トランジスタＳＷ２のソースまたはドレインの一方が第２の信号線Ｓ２（ｉ）と電気的に接続される。
【００５３】
トランジスタＳＷ２のソースまたはドレインの他方は、容量素子Ｃ２の一方の電極およびトランジスタＭのゲートと電気的に接続される。トランジスタＭのドレインにはＡＮＯ端子を介してアノード電圧が与えられる。トランジスタＭのドレインには、容量素子Ｃ２の他方の電極が接続される。トランジスタＭのソースには第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の一方の電極が接続される。第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の他方の電極は、カソード電圧がＶＣａｔｈ端子を介して与えられる。容量素子Ｃ２の電極の他方がトランジスタＭのドレインと電気的に接続された例を示したが、ソースと電気的に接続してもよいし、他の電圧が与えられる端子と電気的に接続してもよい。
【００５４】
なお本発明の一様態は図２の画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）の回路構成に限らない。図２とは異なる画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）の回路構成の一例について図３（Ａ）乃至（Ｃ）に図示する。
【００５５】
図３（Ａ）乃至（Ｃ）は、トランジスタがバックゲートを有する画素を図示している。トランジスタ以外の構成については図２に示す回路と同様である。
【００５６】
図２と異なる点を示す。図３（Ａ）では画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）が有するトランジスタは、バックゲートを有するトランジスタを図示している。トランジスタＳＷ１＿１のゲートはトランジスタＳＷ１＿１のバックゲートと接続されている。トランジスタＳＷ２＿１およびトランジスタＭ＿１のゲートも同様にバックゲートと電気的に接続されている。トランジスタＳＷ１＿１のゲート電圧と同じ電圧が、トランジスタＳＷ１＿１のバックゲートに与えられている。トランジスタＳＷ２＿１およびトランジスタＭ＿１も同様である。
【００５７】
図３（Ａ）と異なる点を示す。図３（Ｂ）のトランジスタＭ＿２は、バックゲートがトランジスタＭ＿２のソースと接続されている。トランジスタＭ＿２のソース電圧と同じ電圧が、トランジスタＭ＿２のバックゲートに与えられる。
【００５８】
図３（Ａ）と異なる点を示す。図３（Ｃ）のトランジスタＭ＿３のバックゲートは、ＢＧＬ端子と接続されている。バックゲートの電圧をＢＧＬ端子から与えることができる。
【００５９】
なお本発明の一様態は図３の画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）の回路構成に限らない。他の端子をバックゲートと電気的に接続もできるし、接続の方法を組み合わせることもできる。
【００６０】
トランジスタは、ゲート電極（第１のゲート電極）およびバックゲート電極（第２のゲート電極）の電界により、チャネル領域が形成される酸化物半導体膜を電気的に取り囲むトランジスタのデバイス構造とすることができる。このようなデバイス構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶ。
【００６１】
図４（Ａ）に選択回路２０の構成を示す。選択回路２０は、判定回路２１および判定回路２２を有する。判定回路２１および判定回路２２は、入力信号の条件を判定する回路２５と、バッファ回路２６を有する。
【００６２】
回路２５の入力端子の一方には、選択回路２０を選択するためのシフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲが入力される。判定回路２１の回路２５の入力端子の他方には、選択信号出力回路３０の選択信号ＭＤ＿Ｌが入力される。判定回路２２の回路２５の入力端子の他方には、選択信号出力回路３０の選択信号ＭＤ＿Ｅが入力される。
【００６３】
図４（Ｂ）に選択回路２０が有する判定回路２１の動作をタイミングチャートＦ２１で示す。シフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲおよび選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈのとき、第１の走査線Ｇ１にＨｉｇｈの信号を出力する。それ以外の入力条件の時は、第１の走査線Ｇ１にＬｏｗの信号が出力される。
【００６４】
図４（Ｂ）に選択回路２０が有する判定回路２２の動作をタイミングチャートＦ２２で示す。シフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲおよび選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈのとき、第２の走査線Ｇ２にＨｉｇｈの信号を出力する。それ以外の入力条件の時は、第２の走査線Ｇ２にＬｏｗの信号が出力される。
【００６５】
判定回路２１のバッファ回路２６は、第１の表示素子７５０の階調信号の電圧振幅より大きな電圧振幅の信号を第１の走査線Ｇ１に出力する。
【００６６】
判定回路２２のバッファ回路２６は、第２の表示素子６５０の階調信号の電圧振幅より大きな電圧振幅の信号を第２の走査線Ｇ２に出力する。
【００６７】
第１の表示素子７５０の階調信号の電圧振幅と、第２の表示素子６５０の階調信号の電圧振幅は異なるため、第１の走査線Ｇ１と、第２の走査線Ｇ２とは出力電圧の振幅が異なる。
【００６８】
なお本発明の一様態は図４（Ｂ）の動作条件を満足すればよく、図４（Ａ）の選択回路２０の回路構成に限らない。
【００６９】
図５（Ａ）は、図１の表示装置７００の動作についてタイミングチャートを示す。図１のゲートドライバ１１０は、シフトレジスタ回路１１１から出力信号ＳＲ（１）乃至ＳＲ（ｎ）が順次出力される。
【００７０】
第１の走査線Ｇ１（ｊ）に出力する走査信号は、シフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲ（ｊ）および選択信号出力回路３０の選択信号ＭＤ＿Ｌを用いて、選択回路２０の判定回路２１により生成される。
【００７１】
第２の走査線Ｇ２（ｊ）に出力する走査信号は、シフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲ（ｊ）および選択信号出力回路３０の選択信号ＭＤ＿Ｅを用いて、選択回路２０の判定回路２２により生成される。
【００７２】
図５（Ａ）に示すタイミングチャートを用いて、出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間における、シフトレジスタ回路１１１の動作について説明する。
【００７３】
出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（ｉ，１）と電気的に接続された第１の信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｍ）により、画素回路７５０Ｃ（ｉ，１）へ階調信号を書き込むことができる。
【００７４】
出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に、第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（ｉ，１）と電気的に接続された第２の信号線Ｓ２（１）乃至Ｓ２（ｍ）により、画素回路６５０Ｃ（ｉ，１）へ階調信号を書き込みができる。
【００７５】
図５（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）により表示された領域を液晶表示領域１２１とし、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）により表示された領域を発光表示領域１２２とする。
【００７６】
図５（Ｂ）は、出力信号ＳＲ（ｊ）、選択信号ＭＤ＿Ｌ、選択信号ＭＤ＿Ｅ、および選択回路２０によって、第１の走査線Ｇ１（ｊ）に走査信号が出力されたことで液晶表示領域１２１の表示内容が更新される。さらに第２の走査線Ｇ２（ｊ）に走査信号が出力されたことで発光表示領域１２２の表示内容が更新される。したがって表示が更新される順番は、図５（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【００７７】
一例として、図１のシフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１）に与えられる走査信号がＨｉｇｈになる。表示内容は、画素回路７５０Ｃ（１，１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１）に与えられた階調信号により更新される。
【００７８】
出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈのとき、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈになる。選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１）に与えられる走査信号がＨｉｇｈになる。表示内容は、画素回路６５０Ｃ（１，１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１）に与えられた階調信号により更新される。
【００７９】
図５（Ａ）では、出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間に、先に選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈになり、続いて選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈになる。図５（Ｂ）では、選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、液晶表示領域１２１の表示が先に更新される。続いて、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に発光表示領域１２２の表示が更新される。
【００８０】
第１の走査線Ｇ１（１）、および第２の走査線Ｇ２（１）は、シフトレジスタ回路１１１、および選択回路２０を有するゲートドライバで、走査線の選択を制御することができる。
【００８１】
図１の例では、選択信号ＭＤ＿Ｌおよび選択信号ＭＤ＿Ｅの信号を用いるので、判定回路２１および判定回路２２はｎチャンネル型トランジスタを有している。判定回路２１および判定回路２２は、相補型ＭＯＳスイッチ（ＣＭＯＳスイッチ、アナログスイッチ）で構成することも可能である。相補型ＭＯＳスイッチで構成することで、選択条件を正論理および負論理で判定できるようになり、選択信号の数を減らすことができる。
【００８２】
図６（Ａ）に示すタイミングチャートを用いて、図１の表示装置７００を、図５（Ａ）とは異なるタイミングで動作させる。出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間における、シフトレジスタ回路１１１の動作について説明する。
【００８３】
出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、第１の信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｍ）により、画素回路７５０Ｃ（ｉ，１）へ階調信号を書き込むことができる。
【００８４】
出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に、第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、第２の信号線Ｓ２（１）乃至Ｓ２（ｍ）により、画素回路６５０Ｃ（ｉ，１）へ階調信号を書き込みができる。
【００８５】
図６（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。出力信号ＳＲ（ｊ）、選択信号ＭＤ＿Ｌ、および選択信号ＭＤ＿Ｅによって、第１の走査線Ｇ１（ｊ）の走査信号がＨｉｇｈになることで液晶表示領域１２１の表示内容が更新される。さらに第２の走査線Ｇ２（ｊ）の走査信号がＨｉｇｈになることで発光表示領域１２２の表示内容が更新される。したがって表示が更新される順番は、図６（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【００８６】
一例として、図１のシフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１）に与えられる走査信号がＨｉｇｈになる。表示内容は、画素回路７５０Ｃ（１，１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１）に与えられた階調信号により更新される。
【００８７】
出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈのとき、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈになる。選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１）に与えられる走査信号がＨｉｇｈになる。表示内容は、画素回路６５０Ｃ（１，１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１）に与えられた階調信号により更新される。
【００８８】
図６（Ａ）は図５（Ａ）とは異なり、出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間に、選択信号ＭＤ＿ＬおよびＭＤ＿Ｅが同時にＨｉｇｈになる。図６（Ｂ）では、選択信号ＭＤ＿ＬおよびＭＤ＿Ｅが同時にＨｉｇｈのため、液晶表示領域１２１の表示と、発光表示領域１２２の表示が同時に更新される。
【００８９】
図５（Ａ）では、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）の画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）は異なるタイミングで階調信号が更新されるのに対し、図６（Ａ）では、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、シフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲ（ｊ）と同じ期間に、第１の走査線Ｇ１（ｊ）の走査信号および第２の走査線Ｇ２（ｊ）の走査信号がＨｉｇｈになり、階調信号が更新される。図６（Ａ）は、図５（Ａ）に比べて長い書き込み時間を確保できる。
【００９０】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ１のゲートと電気的に接続する第１の走査線Ｇ１（ｊ）、および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ２のゲートと電気的に接続する第２の走査線Ｇ２（ｊ）は、シフトレジスタ回路１１１、および選択回路２０を有するゲートドライバで、走査線の選択を制御することができる。
【００９１】
以上、本実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングは、他の実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングと適宜組み合わせて用いることができる。
【００９２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、画素回路７１０Ｃを有する高精細な表示を行う表示装置において、ゲートドライバを、奇数行と偶数行とに構成を分けて制御する方法について、図７乃至図９を用いて説明する。
【００９３】
図７は、表示装置７０１の構成を示すブロック図である。図１と異なるのは、ゲートドライバ１１０が、図７では奇数行の走査線を制御するゲートドライバ１１０Ａと、偶数行の走査線を制御するゲートドライバ１１０Ｂとに構成が分かれている点である。
【００９４】
図７の表示装置７０１が有するゲートドライバ１１０Ａおよびゲートドライバ１１０Ｂが有するシフトレジスタ回路１１１Ａおよびシフトレジスタ回路１１１Ｂは、図１のゲートドライバ１１０が有するシフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲとは異なるタイミングの出力信号ＳＲＯＤＤおよびＳＲＥＶＥＮを生成する。
【００９５】
図７の表示装置７０１は、ゲートドライバを奇数行制御および偶数行制御に構成を分けることで、ゲートドライバの段数が半分になり、回路の面積も半分になる。第１の走査線Ｇ１の走査信号および第２の走査線Ｇ２の走査信号を駆動する選択回路２０のバッファ回路２６を大きくすることができ、電流供給能力を上げることができる。
【００９６】
図８（Ａ）では、図７の表示装置７０１の動作についてタイミングチャートを示す。図８（Ａ）に示すタイミングチャートでは、図５（Ａ）に示すタイミングチャートと同じように選択信号ＭＤ＿Ｌ及び選択信号ＭＤ＿Ｅを入力している。これにより、図５（Ａ）に示すタイミングチャートと同じタイミングで第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）、第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）に電圧が与えられる。
【００９７】
図８（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。図５（Ｂ）とは異なり、図７のシフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）乃至ＳＲＯＤＤ（ｎ／２）、シフトレジスタ回路１１１Ｂの出力信号ＳＲＥＶＥＮ（１）乃至ＳＲＥＶＥＮ（ｎ／２）、選択信号ＭＤ＿Ｌ、および選択信号ＭＤ＿Ｅによって、第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで液晶表示領域１２１の表示内容が更新され、さらに第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで発光表示領域１２２の表示内容が更新される。したがって表示が更新される順番は、図８（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【００９８】
一例として、図７のシフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになる。画素回路７５０Ｃ（１，１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１）に与えられた階調信号により表示内容が更新される。
【００９９】
シフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）がＨｉｇｈ、かつ、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになる。画素回路６５０Ｃ（１，１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１）に与えられた階調信号により表示内容が更新される。
【０１００】
図８（Ａ）では、シフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）がＨｉｇｈの期間に、先に選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈになり、続いて選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈになる。図８（Ｂ）では、選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、液晶表示領域１２１の表示が先に更新される。続いて、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に発光表示領域１２２の表示が更新される。
【０１０１】
図９（Ａ）では、図７の表示装置７０１の動作についてタイミングチャートを示す。図９（Ａ）に示すタイミングチャートでは、図６（Ａ）に示すタイミングチャートと同じように選択信号ＭＤ＿Ｌ及び選択信号ＭＤ＿Ｅを入力している。これにより、図６（Ａ）に示すタイミングチャートと同じタイミングで第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）、第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）に電圧が与えられる。
【０１０２】
図９（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。図７のシフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）乃至ＳＲＯＤＤ（ｎ／２）、シフトレジスタ回路１１１Ｂの出力信号ＳＲＥＶＥＮ（１）乃至ＳＲＥＶＥＮ（ｎ／２）、選択信号ＭＤ＿Ｌ、および選択信号ＭＤ＿Ｅによって、第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで液晶表示領域１２１の表示内容が更新される。さらに第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで発光表示領域１２２の表示内容が更新される。したがって表示が更新される順番は、図９（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【０１０３】
一例として、図７のゲートドライバ１１０Ａが有するシフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１）に与えられる走査信号がＨｉｇｈになる。表示内容は、画素回路７５０Ｃ（１，１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１）に与えられた階調信号により更新される。
【０１０４】
シフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）がＨｉｇｈのとき、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈになる。選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１）に与えられる走査信号がＨｉｇｈになる。表示内容は、画素回路６５０Ｃ（１，１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１）に与えられた階調信号により更新される。
【０１０５】
図９（Ａ）は図８（Ａ）とは異なり、シフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）がＨｉｇｈの期間に、選択信号ＭＤ＿ＬおよびＭＤ＿Ｅが同時にＨｉｇｈになる。図９（Ｂ）では、選択信号ＭＤ＿ＬおよびＭＤ＿Ｅが同時にＨｉｇｈのため、液晶表示領域１２１の表示と、発光表示領域１２２の表示が同時に更新される。
【０１０６】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ１のゲートと電気的に接続する第１の走査線Ｇ１（ｊ）または画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ２のゲートと電気的に接続する第２の走査線Ｇ２（ｊ）は、シフトレジスタ回路１１１Ａ又はシフトレジスタ回路１１１Ｂ、および選択回路２０を有するゲートドライバで、走査線の選択を制御することができる。
【０１０７】
図７の表示装置７０１は、奇数行を制御するゲートドライバ１１０Ａおよび偶数行を制御するゲートドライバ１１０Ｂに分けた構成においても、選択信号ＭＤ＿Ｌおよび選択信号ＭＤ＿Ｅを制御することで、図１の表示装置７００と同じタイミングで動作させることができる。電流供給能力が向上することで、画素回路７１０Ｃを有する高精細な表示を行う表示装置を駆動することができる。
【０１０８】
以上、本実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングは、他の実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１０９】
（実施の形態３）
本実施の形態では、高精細な表示を行う表示装置において、液晶表示領域１２１および発光表示領域１２２を、異なる更新頻度で制御するゲートドライバの駆動方法について、図１０乃至図１４を用いて説明する。
【０１１０】
図１０は、表示装置７０２の構成を示すブロック図である。図１と異なるのは、ゲートドライバ１１０が、図１０では液晶表示領域１２１の走査線を制御するゲートドライバ１１０Ｃと、発光表示領域１２２の走査線を制御するゲートドライバ１１０Ｄとに構成が分かれている点である。さらに、選択回路２０の出力信号は、奇数行の走査線と偶数行の走査線に出力される。
【０１１１】
図１０の有する表示装置７０２のゲートドライバ１１０Ｃは液晶表示領域１２１の走査線を、ゲートドライバ１１０Ｄは発光表示領域１２２の走査線を、独立して選択制御することができる。
【０１１２】
図１１（Ａ）は、図１０の表示装置７０２の動作についてタイミングチャートを示す。一例として、ゲートドライバ１１０Ｃの有するシフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）、およびゲートドライバ１１０Ｄの有するシフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がＨｉｇｈの期間について、タイミングチャートの動作を説明する。
【０１１３】
シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＨｉｇｈの期間に第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、第１の信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｍ）により、画素回路７５０Ｃ（ｉ，１）へ階調信号を書き込むことができる。
【０１１４】
シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈの期間に第１の走査線Ｇ１（２）の走査信号がＨｉｇｈになり、第１の信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｍ）により、画素回路７５０Ｃ（ｉ，２）へ階調信号を書き込むことができる。
【０１１５】
シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＨｉｇｈの期間に第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、第２の信号線Ｓ２（１）乃至Ｓ２（ｍ）により、画素回路６５０Ｃ（ｉ，１）へ階調信号を書き込みができる。
【０１１６】
シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＨｉｇｈの期間に第２の走査線Ｇ２（２）の走査信号がＨｉｇｈになり、第２の信号線Ｓ２（１）乃至Ｓ２（ｍ）により、画素回路６５０Ｃ（ｉ，２）へ階調信号の書き込みができる。
【０１１７】
図１１（Ｂ）は、液晶表示領域１２１と発光表示領域１２２の駆動状態を模式的に示す。シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）乃至ＳＲＬ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤとＭＤ＿ＬＥＶＥＮと、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）乃至ＳＲＥ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤとＭＤ＿ＥＥＶＥＮとにより、液晶表示領域１２１および発光表示領域１２２の表示内容が更新される順番を示す。
【０１１８】
図１１（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）乃至ＳＲＬ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤと、ＭＤ＿ＬＥＶＥＮとによって第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）の走査信号にＨｉｇｈが出力されたことで液晶表示領域１２１の表示内容が更新され、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）乃至ＳＲＥ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤと、ＭＤ＿ＥＥＶＥＮとにより、第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）の走査信号にＨｉｇｈが出力されたことで発光表示領域１２２の表示内容が更新される。したがって表示が更新される順番は、図１１（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【０１１９】
一例として、図１０のシフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（２）の走査信号がＨｉｇｈになる。画素回路７５０Ｃ（１，２）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，２）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０１２０】
同様に、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（１，１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（２）の走査信号がＨｉｇｈになる。画素回路６５０Ｃ（１，２）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，２）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０１２１】
図１１（Ａ）は、図１０のシフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）およびシフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がＨｉｇｈの期間に、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤおよびＭＤ＿ＥＯＤＤが同時にＨｉｇｈになる。図１１（Ｂ）では、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤおよびＭＤ＿ＥＯＤＤが同時にＨｉｇｈのため、液晶表示領域１２１の表示と、発光表示領域１２２の表示が同時に更新されることを示す。
【０１２２】
表示装置７０２のゲートドライバは、液晶表示領域１２１または発光表示領域１２２を独立して制御するために構成をわけた。さらに奇数行と、偶数行とを選択回路２０で制御する構成とした。さらに選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤ、ＭＤ＿ＬＥＶＥＮ、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤ、およびＭＤ＿ＥＥＶＥＮの駆動タイミングによって、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）と、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）に接続される走査線の選択制御ができる。
【０１２３】
図１２（Ａ）では図１０の表示装置７０２の動作について図１１（Ａ）とは異なるタイミングチャートを示す。ここでは、液晶表示領域１２１の表示と、発光表示領域１２２の表示が異なるタイミングで更新される例を示す。即ち、液晶表示領域１２１の表示と、発光表示領域１２２の表示の更新頻度が異なる例を示す。第１のフレームＦ１、第２のフレームＦ２を用いて説明する。シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）と、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）とがＨｉｇｈの期間について、タイミングチャートの動作を説明する。
【０１２４】
一例として、第１のフレームＦ１では、ゲートドライバ１１０Ｃとゲートドライバ１１０Ｄは同じタイミングで動作しているため、シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）と、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）は同じタイミングで出力されている。
【０１２５】
シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）と、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤとがＨｉｇｈの期間は、判定回路２１により第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号にＨｉｇｈが出力される。第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈのとき、第１の表示素子７５０（ｉ，１）を有する画素回路７５０Ｃ（ｉ，１）の階調信号が更新される。
【０１２６】
シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）および選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈの期間は、判定回路２２によって第１の走査線Ｇ１（２）の走査信号にＨｉｇｈが出力される。第１の走査線Ｇ１（２）の走査信号がＨｉｇｈのとき、画素回路７５０Ｃ（ｉ，２）の階調信号が更新される。
【０１２７】
選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＬｏｗの期間は、判定回路２１により、出力信号ＳＲＥ（１）の状態によらず、第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号の出力はＬｏｗになる。選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＬｏｗの期間は、判定回路２１により、出力信号ＳＲＥ（１）の状態によらず、第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号の出力はＬｏｗになる。
【０１２８】
一例として、第２のフレームＦ２では、ゲートドライバ１１０Ｃとゲートドライバ１１０Ｄは同じタイミングで動作しているため、シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）と、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）は同じタイミングで出力されている。
【０１２９】
シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）と、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤとがＨｉｇｈの期間は、判定回路２１によって第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号にＨｉｇｈが出力される。第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈのとき、画素回路６５０Ｃ（ｉ，１）の階調信号が更新される。
【０１３０】
シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）および選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＨｉｇｈの期間は、判定回路２２によって第２の走査線Ｇ２（２）の走査信号にＨｉｇｈが出力される。第２の走査線Ｇ２（２）の走査信号がＨｉｇｈのとき、第２の表示素子６５０（ｉ，２）を有する画素回路６５０Ｃ（ｉ，２）の階調信号だけ更新される。
【０１３１】
選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＬｏｗの期間は、判定回路２１により、出力信号ＳＲＬ（１）の状態によらず、第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号の出力はＬｏｗになる。選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＬｏｗの期間は、判定回路２１によって、出力信号ＳＲＬ（１）の状態によらず、第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号の出力はＬｏｗになる。
【０１３２】
図１２（Ｂ）では、第１のフレームＦ１と第２のフレームＦ２のタイミングで駆動したときの、液晶表示領域１２１と発光表示領域１２２の駆動状態を模式的に示す。
【０１３３】
第１のフレームＦ１では、液晶表示領域１２１は表示内容が更新され、発光表示領域１２２は表示内容が更新されない。第２のフレームＦ２では、液晶表示領域１２１は表示内容が更新されないが、発光表示領域１２２は表示内容が更新される。
【０１３４】
図１２（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）乃至ＳＲＬ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤと、ＭＤ＿ＬＥＶＥＮとによって第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで液晶表示領域１２１の表示内容が更新され、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）乃至ＳＲＥ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤと、ＭＤ＿ＥＥＶＥＮとにより、第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで発光表示領域１２２の表示内容が更新される。したがって表示が更新される順番は、図１２（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【０１３５】
第１のフレームＦ１では、液晶表示領域１２１は表示内容が更新され、発光表示領域１２２は表示内容が更新されない。
【０１３６】
一例として、シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（２）の走査信号がＨｉｇｈになる。画素回路７５０Ｃ（１，２）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，２）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０１３７】
同様に、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＬｏｗのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＬｏｗになり、画素回路６５０Ｃ（１，１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１）の表示内容は更新されなかったことを示す。さらに選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＬｏｗのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（２）の走査信号がＬｏｗになる。画素回路６５０Ｃ（１，２）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，２）の表示内容は更新されなかったことを示す。
【０１３８】
第２のフレームＦ２では、液晶表示領域１２１は表示内容が更新されないが、発光表示領域１２２は表示内容が更新される。
【０１３９】
一例として、シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＬｏｗのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＬｏｗになり、画素回路７５０Ｃ（１，１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１）の表示内容は更新されなかったことを示す。さらに選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＬｏｗのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（２）の走査信号がＬｏｗになる。画素回路７５０Ｃ（１，２）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，２）の表示内容は更新されなかったことを示す。
【０１４０】
同様に、図１０のシフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（１，１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（２）の走査信号がＨｉｇｈになる。画素回路６５０Ｃ（１，２）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，２）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０１４１】
図１２（Ａ）の第１のフレームＦ１では、シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）またはＳＲＬ（２）がＨｉｇｈの期間に、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤまたはＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに液晶表示領域１２１の表示が更新される。第２のフレームＦ２では、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）またはＳＲＥ（２）がＨｉｇｈの期間に、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤまたはＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに発光表示領域１２２の表示が更新される。
【０１４２】
図１２（Ａ）では、選択信号による走査線の選択制御によって、液晶表示領域１２１または発光表示領域１２２をフレーム単位で停止させる例を示したが、同様にフレーム単位でシフトレジスタ回路を停止させても同じ効果を得ることができる。
【０１４３】
さらに、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）では静止画を、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）では動画を再生するときに、静止画の場合は動画の場合に比べて表示内容の更新頻度を下げて駆動を行うなど、表示の内容に応じた最適な駆動を選択することができる。
【０１４４】
さらに、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）をもつ高精細な表示部１２０を、最適な駆動を行うことにより消費電力の低減ができる。
【０１４５】
なお本発明の一様態は、選択回路２０にて、偶数行と奇数行とを選択制御できるように示したが、選択回路にて選択できる行の数は２以上の整数でもよい。
【０１４６】
図１３（Ａ）では図１０の表示装置７０２の動作について、図１２（Ａ）とは異なるタイミングチャートを示す。ここでは、表示装置において、第１の表示領域と第２の表示領域とを有し、第１の表示領域に含まれる表示素子の表示の更新頻度は、第２の表示領域に含まれる表示素子と異なる例を示す。具体的には、液晶表示領域１２１または発光表示領域１２２の一方は、全面において表示が順次更新されるが、他方は、部分的に表示が更新される例を示す。一例として第３のフレームＦ３を用いて説明する。シフトレジスタ回路１１１Ｃおよびシフトレジスタ回路１１１Ｄのｊ行目を中心に前後１行の動作をタイミングチャートで示す。
【０１４７】
一例として、シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（ｊ−１）、ＳＲＬ（ｊ）、およびＳＲＬ（ｊ＋１）と、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（ｊ−１）、ＳＲＥ（ｊ）、およびＳＲＥ（ｊ＋１）が、Ｈｉｇｈの期間について、タイミングチャートの動作を説明する。
【０１４８】
第３のフレームＦ３では、ゲートドライバ１１０Ｃとゲートドライバ１１０Ｄは同じタイミングで動作している。シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（ｊ）と、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（ｊ）とは同じタイミングで出力されている。
【０１４９】
図１０のシフトレジスタ回路１１１Ｃが出力信号ＳＲＬ（ｊ−１）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（Ｋ−２）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，Ｋ−２）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，Ｋ−２）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに、選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（Ｋ−１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，Ｋ−１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，Ｋ−１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０１５０】
図１０のシフトレジスタ回路１１１Ｄが出力信号ＳＲＥ（ｊ−１）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＬｏｗのときは、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（Ｋ−２）とＧ２（Ｋ−１）の走査信号がＬｏｗになり、画素回路６５０Ｃ（１，Ｋ−２）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，Ｋ−２）の表示内容が更新されなかったことを示す。さらに画素回路６５０Ｃ（１，Ｋ−１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，Ｋ−１）の表示内容が更新されなかったことを示す。
【０１５１】
図１０のシフトレジスタ回路１１１Ｃが出力信号ＳＲＬ（ｊ）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（Ｋ）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，Ｋ）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，Ｋ）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに、選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（Ｋ＋１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，Ｋ＋１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，Ｋ＋１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０１５２】
図１０のシフトレジスタ回路１１１Ｄが出力信号ＳＲＥ（ｊ）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（Ｋ）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（１，Ｋ）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，Ｋ）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（Ｋ＋１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（１，Ｋ＋１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，Ｋ＋１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０１５３】
図１０のシフトレジスタ回路１１１Ｃが出力信号ＳＲＬ（ｊ＋１）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（Ｋ＋２）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，Ｋ＋２）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，Ｋ＋２）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに、選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（Ｋ＋３）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，Ｋ＋３）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，Ｋ＋３）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０１５４】
図１０のシフトレジスタ回路１１１Ｄが出力信号ＳＲＥ（ｊ＋１）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＬｏｗのときは、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（Ｋ＋２）とＧ２（Ｋ＋１）の走査信号がＬｏｗになり、画素回路６５０Ｃ（１，Ｋ＋２）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，Ｋ＋２）の表示内容が更新されなかったことを示す。さらに画素回路６５０Ｃ（１，Ｋ＋３）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，Ｋ＋３）の表示内容が更新されなかったことを示す。
【０１５５】
第３のフレームＦ３では、液晶表示領域１２１は表示内容が順次更新されるが、発光表示領域１２２は、出力信号ＳＲＥ（ｊ）の表示内容だけが更新される。
【０１５６】
図１３（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）乃至ＳＲＬ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤと、ＭＤ＿ＬＥＶＥＮとによって第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで液晶表示領域１２１の表示内容が更新され、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）乃至ＳＲＥ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤと、ＭＤ＿ＥＥＶＥＮとにより、第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで発光表示領域１２２の表示内容が更新される。したがって表示が更新される順番は、図１３（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【０１５７】
図１３（Ｂ）では、選択信号により、特定の表示領域だけ表示内容を更新することができる。
【０１５８】
一例として、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）では液晶表示領域１２１のすべてに静止画を表示し、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）では特定の発光表示領域１２２Ａのみ動画を再生することができる。静止画を表示するときは、動画を表示するときに比べて表示内容の更新頻度を下げて駆動を行うなど、表示の内容に合わせた最適な駆動を選択することができる。
【０１５９】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有する高精細な表示部１２０を、最適な駆動を行うことにより、表示内容の更新頻度を最適化することで消費電力の低減ができる。
【０１６０】
なお本発明の一様態は、選択回路２０にて、偶数行と奇数行とを選択制御できるように示したが、選択回路にて選択できる行の数は２以上の整数でもよい。
【０１６１】
図１４（Ａ）乃至（Ｄ）には、図１、図７、図１０に示す回路で可能な動作パターンの一例を示す。
【０１６２】
図１４（Ｂ）は、液晶表示領域１２１と発光表示領域１２２とを交互に１行ずつ間隔をあけて表示を更新することができる。液晶表示領域１２１または発光表示領域１２２のどちらかだけの表示を更新してもよい。高い階調を有し、画素サイズの精細度が高い表示装置の場合、より長い書き込み時間を確保することで表示の品位を高めることができる。
【０１６３】
図１４（Ｃ）は、液晶表示領域１２１と発光表示領域１２２とを４フレームに１回だけ表示内容を更新することができる。表示内容の更新頻度を下げて消費電力をより小さくすることができる。
【０１６４】
図１４（Ｄ）は、図１４（Ｃ）の動作に、さらに発光表示領域１２２の特定の領域の表示内容を更新する動作を組み合わせることができる。停止画を表示する液晶表示領域１２１では、表示内容の更新頻度を下げて消費電力を小さくし、特定の領域では動画表示に適した表示内容の更新をすることができる。動画再生を行う特定の領域は、図１４（Ｂ）の駆動パターンを組み合わせることで、さらに消費電力を抑えることができる。
【０１６５】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有する高精細な表示部を、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤ、選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮ、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤ、選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮ、および選択回路２０により、走査線の駆動するタイミングを制御することができる。さらに表示内容に応じた最適な更新頻度を制御することができる。さらに、図１４（Ａ）乃至（Ｄ）に示すように、液晶表示領域１２１および発光表示領域１２２の特定の領域における表示内容の更新を、走査線の選択制御により自由に制御することができる。
【０１６６】
以上、本実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングは、他の実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１６７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、第１の表示素子を有する画素回路および第２の表示素子を有する画素回路に、電気的に接続される信号線から階調信号を与える機能を有する表示装置について、図１５乃至図１９を用いて説明する。
【０１６８】
図１５に、画素回路７２０Ｃの構成例を示す。図１６の表示装置７００の表示部１２０の、画素の一つを、画素回路７２０Ｃ（ｉ，ｊ）として説明する。表示部１２０は、列方向にｎ個（ｎは１以上の整数）、行方向にｍ個（ｍは１以上の整数）、合計ｍ×ｎ個の画素がマトリクス状に配置されている。なおｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数である。
【０１６９】
画素回路７２０Ｃ（ｉ，ｊ）は、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有し、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、一例として焼き付きを防止するために交流駆動される液晶素子が好ましい。
【０１７０】
画素回路７２０Ｃ（ｉ，ｊ）は、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有し、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）を有する。第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、一例として直流駆動される発光素子が好ましい。
【０１７１】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ１のゲートは、第１の走査線Ｇ１（ｊ）と電気的に接続される。トランジスタＳＷ１のソースまたはドレインの一方は、信号線Ｓ１（ｉ）と電気的に接続される。
【０１７２】
信号線Ｓ１（ｉ）から与えられる第１の階調信号により、第１の画素電極と、第１の対向電極との間に生成された電圧により、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の階調が制御される機能を有している。
【０１７３】
画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ２のゲートは、第２の走査線Ｇ２（ｊ）と電気的に接続される。トランジスタＳＷ２のソースまたはドレインの一方が信号線Ｓ１（ｉ）と電気的に接続される。
【０１７４】
信号線Ｓ１（ｉ）から与えられる第２の階調信号によって制御されるトランジスタＭにより、駆動電流は制御される。第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）に流れる駆動電流により、第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の階調が制御される機能を有している。
【０１７５】
図１６は、表示装置７００の構成を示すブロック図である。表示装置７００はゲートドライバ１１０、選択信号出力回路３０、および表示部１２０を有する。ゲートドライバ１１０は、シフトレジスタ回路１１１および選択回路２０を有する。選択回路２０は、判定回路２１および２２を有する。表示部１２０は、画素回路７２０Ｃ（１，１）乃至画素回路７２０Ｃ（ｍ，ｎ）を有する。画素回路７２０Ｃ（ｍ，ｎ）は、画素回路７５０Ｃ（ｍ，ｎ）および画素回路６５０Ｃ（ｍ，ｎ）を有する。
【０１７６】
本実施の形態で説明する表示部１２０は、画素回路７２０Ｃ（１，１）乃至画素回路７２０Ｃ（ｍ，ｎ）と、第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）と、第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）と、信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｍ）とを有する。
【０１７７】
選択回路２０は、図４と同じため説明を省略する。
【０１７８】
図１７（Ａ）は、図１６の表示装置７００の動作についてタイミングチャートを示す。図１６のゲートドライバ１１０は、シフトレジスタ回路１１１から出力信号ＳＲ（１）乃至ＳＲ（ｎ）が順次出力される。
【０１７９】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の走査線Ｇ１（ｊ）に出力する走査信号は、シフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲ（ｊ）および選択信号出力回路３０の選択信号ＭＤ＿Ｌから、選択回路２０の判定回路２１により生成される。
【０１８０】
画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第２の走査線Ｇ２（ｊ）に出力する走査信号は、シフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲ（ｊ）および選択信号出力回路３０の選択信号ＭＤ＿Ｅから、選択回路２０の判定回路２２により生成される。
【０１８１】
一例として、図１７（Ａ）に示すタイミングチャートを用いて、出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間における、ゲートドライバ１１０の動作について説明する。
【０１８２】
シフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（ｉ，１）と電気的に接続された信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｍ）により、画素回路７５０Ｃ（ｉ，１）へ階調信号を書き込むことができる。
【０１８３】
シフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に、第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（ｉ，１）と電気的に接続された信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｍ）により、画素回路６５０Ｃ（ｉ，１）へ階調信号を書き込みができる。
【０１８４】
図１７（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）により表示された領域を液晶表示領域１２１とし、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）により表示された領域を発光表示領域１２２とする。
【０１８５】
図１６のシフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲ（ｊ）、選択信号ＭＤ＿Ｌ、選択信号ＭＤ＿Ｅ、および選択回路２０によって、第１の走査線Ｇ１（ｊ）に走査信号を出力することで、液晶表示領域１２１の表示内容が更新され、さらに第２の走査線Ｇ２（ｊ）に走査信号を出力することで発光表示領域１２２の表示内容が更新される。したがって表示が更新される順番は、図１７（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【０１８６】
図１７（Ｂ）は、出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間について説明する。選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになる。したがって、画素回路７５０Ｃ（１，１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１）の表示内容は、階調信号によって更新される。
【０１８７】
出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間、かつ選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになる。したがって、画素回路６５０Ｃ（１，１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１）の表示内容は、階調信号によって更新される。
【０１８８】
図１７（Ａ）では、出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間に、先に選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈになり、続いて選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈになる。図１７（Ｂ）では、選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、液晶表示領域１２１の表示が先に更新されることを示す。続いて、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に発光表示領域１２２の表示が更新されることを示す。
【０１８９】
図１６に示す回路では、第１の走査線Ｇ１と、第２の走査線Ｇ２とは異なるタイミングで走査信号がＨｉｇｈになることで、信号線に与えられる第１の階調信号と、第２の階調信号とは、お互いに影響を及ぼさない。
【０１９０】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，１）のトランジスタＳＷ１のゲートと電気的に接続する第１の走査線Ｇ１（１）、および画素回路６５０Ｃ（ｉ，１）のトランジスタＳＷ２のゲートと電気的に接続する第２の走査線Ｇ２（１）は、シフトレジスタ回路１１１、および選択回路２０を有するゲートドライバ１１０で、走査線の選択を制御することができる。
【０１９１】
信号線Ｓ１（ｉ）には、画素回路７５０Ｃ（ｉ，１）の階調信号と、画素回路６５０Ｃ（ｉ，１）の階調信号を与えることができる。
【０１９２】
図１５に示す画素回路７２０Ｃ（ｉ，ｊ）では、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）の有する第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の抵抗成分がばらつくと、トランジスタＭのドレインとソース間の電圧が追従してばらつく。トランジスタＭのドレインはアノード電圧で固定され、第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の対向電極はカソード電圧で固定されているため、トランジスタＭのソース電圧にばらつきが生じる。トランジスタＭのソース電圧にばらつきが生じると、トランジスタＭのソースとゲート間にかかる電圧がばらつくため、駆動電流がばらつき、階調は正しく制御されない。
【０１９３】
表示素子６５０（ｉ，ｊ）を正しい階調で制御するためには、トランジスタＭのソース電圧を基準として、トランジスタＭのゲートに第２の階調信号によって生成された電圧を与える必要がある。
【０１９４】
図１８（Ａ）乃至図１８（Ｃ）を用いて、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）の有する第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の抵抗成分のばらつきに影響を受けずに、駆動電流を制御する動作について説明する。図１８（Ａ）が図１５と異なる点を示す。図１８（Ａ）では画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）が、トランジスタＳＷ３を有している。
【０１９５】
トランジスタＳＷ３のソースまたはドレインの一方は、トランジスタＭのソースと電気的に接続されている。トランジスタＳＷ３のソースまたはドレインの他方はＣＳＣＯＭ端子に電気的に接続されている。トランジスタＳＷ３のゲートには、第３の走査線Ｇ３（ｊ）が電気的に接続されている。
【０１９６】
第３の走査線は、シフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲが第３の走査信号として与えられている。
【０１９７】
図１８（Ｂ）を用いて、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）が有する第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の抵抗成分のばらつきに影響を受けずに、駆動電流を制御する動作についてタイミングチャートを用いて説明する。第１の走査信号がＨｉｇｈの期間、第３の走査線Ｇ３にはシフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲ（ｊ）が第３の走査信号として与えられる。トランジスタＳＷ３のゲートがＨｉｇｈとなり、トランジスタＭのソースはＣＳＣＯＭ端子を介してコモン電圧が与えられる。
【０１９８】
トランジスタＭのソースと、第２の画素電極とは電気的に接続されているため、第２の画素電極と、第２の対向電極との間には第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）を介して電流が流れる。第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の発光に寄与しない大きさの電流になるように、第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の電気的特性からコモン電圧を決めることが望ましい。
【０１９９】
出力信号ＳＲ（ｊ）がＨｉｇｈの期間、トランジスタＭのソースにコモン電圧が与えられる。画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）の有する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が、第１の階調信号により階調が変化する期間、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）の第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は発光に必要な電流が与えられないため、消灯している。
【０２００】
第２の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）に階調信号を書き込む期間も、トランジスタＭのソースはコモン電圧で固定されている。そのため画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）にはコモン電圧を基準とした階調信号が正しく与えられる。
【０２０１】
図１８（Ｃ）に、図１８（Ａ）の信号の電圧関係を示す。まず、走査信号について説明をする。第１の走査信号のＨｉｇｈの期間に与えられる高い電圧をＧ１＿Ｈとし、Ｌｏｗの期間に与えられる低い電圧をＧ１＿Ｌとする。第２の走査信号のＨｉｇｈの期間に与えられる高い電圧をＧ２＿Ｈとし、Ｌｏｗの期間に与えられる低い電圧をＧ２＿Ｌとする。一例としてＧ１＿ＨとＧ２＿Ｈ、およびＧ１＿ＬとＧ２＿Ｌが異なる電圧の例を示したが、それぞれを同じ電圧にすると電源の数を減らすことができるので回路規模を小さくできる。
【０２０２】
階調信号について説明をする。一例として第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反転駆動を行う液晶素子について示す。第１の画素電極と、第１の対向電極が、ともにコモン電圧の時に表示が黒の階調を示すとき、第１の階調信号から生成されるもっとも大きな電圧を７５０＿Ｈ１とし、反転駆動時の第１の階調信号から生成されるもっとも小さな電圧を７５０＿Ｈ２とする。７５０＿Ｌは、コモン電圧とする。第２の階調信号から生成されるもっとも大きな電圧を６５０＿Ｈとし、第２の階調信号から生成されるもっとも小さな電圧を６５０＿Ｌとする。
【０２０３】
図１８（Ｃ）では、６５０＿Ｌには、７５０＿Ｌと同じコモン電圧を与えたが、６５０＿Ｌとしては、カソード端子に流れる電流が第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の発光に寄与しない大きさとなるような電圧が与えられることが好ましい。第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の電気的特性から６５０＿Ｌに与えるコモン電圧が求められることが好ましい。
【０２０４】
図１８（Ｃ）に示していない信号の電圧について示す。ＡＮＯ端子に与えられるアノード電圧は、６５０＿Ｈよりも大きな電圧が与えられ、ＶＣａｔｈ端子に与えられるカソード電圧は、６５０＿Ｌよりも小さな電圧が与えられる。
【０２０５】
図１８（Ａ）で示した回路では、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）の有する第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の抵抗成分のばらつきに影響を受けないよう駆動電流を制御する回路を追加しなくても、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）が有する容量素子Ｃ１の基準電圧であるコモン電圧を利用することで、新規な配線を追加せずに、表示品質を改善することができる。
【０２０６】
図１８（Ａ）で示した回路では、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）が有する第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の抵抗成分のばらつきに影響を受けないよう駆動電流を制御する回路を追加しなくても、第１の走査線Ｇ１と、第２の走査線Ｇ２とは異なるタイミングで走査信号がＨｉｇｈになることで、信号線に与えられる第１の階調信号と、第２の階調信号とは、お互いに影響を及ぼさない。
【０２０７】
なお本発明の一様態は図１５の画素回路７２０Ｃ（ｉ，ｊ）の回路構成に限らない。図１５とは異なる画素回路７２０Ｃ（ｉ，ｊ）が有する、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）及び画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）の回路構成の一例について図１９に図示する。
【０２０８】
図１９は、図３（Ｃ）が有する画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）及び画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）と異なる点を示す。図１９のトランジスタＳＷ１＿２のバックゲートと、トランジスタＳＷ２＿２のバックゲートは、ＢＧＬ１端子と接続されている。バックゲートの電圧をＢＧＬ１端子から与えることができる。ＢＧＬ１端子に与える電圧は、ＢＧＬ端子に与える電圧と同じでもよいし、異なる電圧でもよい。
【０２０９】
なお本発明の一様態は図１９の画素回路７２０Ｃ（ｉ，ｊ）の回路構成に限らない。他の端子をバックゲートと電気的に接続もできるし、接続の方法を組み合わせることもできる。
【０２１０】
以上、本実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングは、他の実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングと適宜組み合わせて用いることができる。
【０２１１】
（実施の形態５）
本実施の形態では、画素回路７２０Ｃを有する高精細な表示を行う表示装置において、ゲートドライバを、奇数行と偶数行とに構成を分けて制御する方法について、図２０および図２１を用いて説明する。
【０２１２】
図２０は、表示装置７０１の構成を示すブロック図である。図１６と異なるのは、ゲートドライバ１１０が、図２０では奇数行の走査線を制御するゲートドライバ１１０Ａと、偶数行の走査線を制御するゲートドライバ１１０Ｂとに構成が分かれている点である。
【０２１３】
図２０の表示装置７０１が有するシフトレジスタ回路１１１Ａ、およびシフトレジスタ回路１１１Ｂは、図１６のシフトレジスタ回路１１１の出力信号ＳＲとは異なるタイミングの出力信号ＳＲＯＤＤおよびＳＲＥＶＥＮを生成する。
【０２１４】
図２０の表示装置７０１は、ゲートドライバを奇数行制御および偶数行制御に構成を分けることで、ゲートドライバの段数が半分になり、回路の面積も半分になる。第１の走査線Ｇ１の走査信号および第２の走査線Ｇ２の走査信号を駆動する選択回路２０のバッファ回路２６を大きくすることができ、電流供給能力を上げることができる。図２０で示すｎは整数で、かつ２以上の偶数とする。
【０２１５】
図２１（Ａ）では、図２０の表示装置７０１の動作についてタイミングチャートを示す。図２１（Ａ）に示すタイミングチャートでは、図１７（Ａ）に示すタイミングチャートと同じように選択信号ＭＤ＿Ｌおよび選択信号ＭＤ＿Ｅを入力している。これにより、図１７（Ａ）に示すタイミングチャートと同じタイミングで第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）、第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）に電圧が与えられる。
【０２１６】
図２１（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。図１７（Ｂ）とは異なり、図２０のゲートドライバ１１０Ａが有するシフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）乃至ＳＲＯＤＤ（ｎ／２）、ゲートドライバ１１０Ｂが有するシフトレジスタ回路１１１Ｂの出力信号ＳＲＥＶＥＮ（１）乃至ＳＲＥＶＥＮ（ｎ／２）、選択信号ＭＤ＿Ｌ、および選択信号ＭＤ＿Ｅによって、第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで、液晶表示領域１２１の表示内容が更新される。さらに第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで、発光表示領域１２２の表示内容が更新される。したがって表示が更新される順番は、図２１（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【０２１７】
一例として、図２０のシフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）がＨｉｇｈの期間について説明する。選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになる。画素回路７５０Ｃ（１，１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０２１８】
図２０のシフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）がＨｉｇｈの期間かつ選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになる。画素回路６５０Ｃ（１，１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０２１９】
図２１（Ａ）では、ゲートドライバ１１０Ａが有するシフトレジスタ回路１１１Ａの出力信号ＳＲＯＤＤ（１）がＨｉｇｈの期間に、先に選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈになり、続いて選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈになる。図２１（Ｂ）では、選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、液晶表示領域１２１の表示が先に更新されることを示す。続いて、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に発光表示領域１２２の表示が更新されることを示す。
【０２２０】
第１の走査線Ｇ１（ｊ）または第２の走査線Ｇ２（ｊ）は、シフトレジスタ回路１１１Ａ、および選択回路２０を有するゲートドライバ１１０Ａで、走査線の選択を制御することができる。
【０２２１】
図２０の表示装置７０１は、奇数行を制御するゲートドライバ１１０Ａおよび偶数行を制御するゲートドライバ１１０Ｂに分けた構成においても、選択信号出力回路３０による選択信号ＭＤ＿Ｌおよび選択信号ＭＤ＿Ｅを制御することで、図１６の表示装置７００と同じタイミングで動作させることができる。
【０２２２】
画素回路７２０Ｃは、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）の信号線Ｓ１（ｊ）を共有することで、より高精細な表示を行う表示装置を駆動することができる。さらにバッファ回路を大きくすることで、電流供給能力が向上するため、４Ｋや８Ｋなどの大きな解像度と、表示領域とをもつ表示装置を駆動することができる。
【０２２３】
図２０で示した回路では、第１の走査線Ｇ１と、第２の走査線Ｇ２とは異なるタイミングで走査信号がＨｉｇｈになることで、信号線に与えられる第１の階調信号と、第２の階調信号とは、お互いに影響を及ぼさない。
【０２２４】
以上、本実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングは、他の実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングと適宜組み合わせて用いることができる。
【０２２５】
（実施の形態６）
本実施の形態では、画素回路７２０Ｃを有する高精細な表示を行う表示装置において、液晶表示領域１２１および発光表示領域１２２を、異なる更新頻度で制御するゲートドライバの駆動方法について、図２２乃至図２６を用いて説明する。
【０２２６】
図２２は、表示装置７０２の構成を示すブロック図である。図１６と異なるのは、ゲートドライバ１１０が、図２２では液晶表示領域１２１の走査線を制御するゲートドライバ１１０Ｃと、発光表示領域１２２の走査線を制御するゲートドライバ１１０Ｄとに構成が分かれている点である。さらに、選択回路２０の出力信号は、奇数行の走査線と偶数行の走査線に出力される。
【０２２７】
図２２の有する表示装置７０２のゲートドライバ１１０Ｃは液晶表示領域１２１の走査線を、ゲートドライバ１１０Ｄは発光表示領域１２２の走査線を、独立して選択制御することができる。図２２で示すｎは整数で、かつ２以上の偶数とする。
【０２２８】
図２３（Ａ）は、図２２の表示装置７０２の動作について、タイミングチャートを示す。一例として、シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）、およびシフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がＨｉｇｈの期間について、タイミングチャートの動作を説明する。
【０２２９】
図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＨｉｇｈの期間に第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｍ）により、画素回路７５０Ｃ（ｉ，１）へ階調信号を書き込むことができる。
【０２３０】
図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈの期間に第１の走査線Ｇ１（２）の走査信号がＨｉｇｈになり、信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｍ）により、画素回路７５０Ｃ（ｉ，２）へ階調信号を書き込むことができる。
【０２３１】
図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＨｉｇｈの期間に第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｍ）により、画素回路６５０Ｃ（ｉ，１）へ階調信号を書き込みができる。
【０２３２】
図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＨｉｇｈの期間に第２の走査線Ｇ２（２）の走査信号がＨｉｇｈになり、信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｍ）により、画素回路６５０Ｃ（ｉ，２）へ階調信号の書き込みができる。
【０２３３】
図２３（Ｂ）は、液晶表示領域１２１と発光表示領域１２２の駆動状態を模式的に示す。シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）乃至ＳＲＬ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤとＭＤ＿ＬＥＶＥＮと、ゲートドライバ１１０Ｄの有するシフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）乃至ＳＲＥ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤとＭＤ＿ＥＥＶＥＮとにより、液晶表示領域１２１および発光表示領域１２２の表示内容が更新される順番を示す。
【０２３４】
図２３（Ｂ）は、表示部１２０の表示内容の更新状態を模式的に示す。シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）乃至ＳＲＬ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤと、ＭＤ＿ＬＥＶＥＮとによって第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）の走査信号にＨｉｇｈが出力されたことで液晶表示領域１２１の表示内容が更新され、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）乃至ＳＲＥ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤと、ＭＤ＿ＥＥＶＥＮとにより、第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）の走査信号にＨｉｇｈを出力することで発光表示領域１２２の表示内容が更新される。したがって表示が更新される順番は、図２３（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【０２３５】
一例として、図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（２）の走査信号がＨｉｇｈになる。画素回路７５０Ｃ（１，２）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，２）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０２３６】
同様に、図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がＨｉｇｈのときについて説明する。選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（１，１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（２）の走査信号がＨｉｇｈになる。画素回路６５０Ｃ（１，２）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，２）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０２３７】
図２２で示した回路では、第１の走査線Ｇ１と、第２の走査線Ｇ２とは異なるタイミングで走査信号がＨｉｇｈになることで、信号線Ｓ１に与えられる第１の階調信号と、第２の階調信号とは、お互いに影響を及ぼさないことを示す。
【０２３８】
表示装置７０２のゲートドライバは、液晶表示領域１２１または発光表示領域１２２を独立して制御するために構成をわけた。さらに奇数行と、偶数行とを選択回路２０で制御する構成とした。さらに選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤ、ＭＤ＿ＬＥＶＥＮ、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤ、およびＭＤ＿ＥＥＶＥＮの駆動タイミングによって、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）と、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）に接続される走査線の選択制御ができる。
【０２３９】
図２４（Ａ）及び図２５（Ａ）では図２２の表示装置７０２の動作について図２３（Ａ）とは異なるタイミングチャートを示す。ここでは、液晶表示領域１２１の表示と、発光表示領域１２２の表示が異なるタイミングで更新される例を示す。即ち、液晶表示領域１２１の表示と、発光表示領域１２２の表示の更新頻度が異なる例を示す。図２４（Ａ）では、シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）、およびゲートドライバ１１０Ｄの有するシフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）がそれぞれＨｉｇｈの期間について、タイミングチャートの動作を説明する。
【０２４０】
シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）と、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤとがＨｉｇｈの期間は、判定回路２１により第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号にＨｉｇｈを出力する。第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈの期間に、画素回路７５０Ｃ（ｉ，１）の階調信号が更新される。
【０２４１】
シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）および選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈの期間は、判定回路２２によって第１の走査線Ｇ１（２）の走査信号にＨｉｇｈを出力する。第１の走査線Ｇ１（２）の走査信号がＨｉｇｈのとき、画素回路７５０Ｃ（ｉ，２）の階調信号が更新される。
【０２４２】
選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＬｏｗの期間は、判定回路２１により、出力信号ＳＲＥ（１）の状態によらず、第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号の出力はＬｏｗになる。選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＬｏｗの期間は、判定回路２１により、出力信号ＳＲＥ（１）の状態によらず、第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号の出力はＬｏｗになる。
【０２４３】
図２４（Ｂ）では、液晶表示領域１２１と発光表示領域１２２の駆動状態を模式的に示す。
【０２４４】
図２４（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）乃至ＳＲＬ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤと、ＭＤ＿ＬＥＶＥＮとによって第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで液晶表示領域１２１の表示内容が更新される。
【０２４５】
シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）乃至ＳＲＥ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤと、ＭＤ＿ＥＥＶＥＮとにより、第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）の走査信号はＬｏｗになることで、発光表示領域１２２の表示内容は更新されない。
【０２４６】
図２４（Ｂ）では、液晶表示領域１２１は表示内容が更新され、発光表示領域１２２は表示内容が更新されないため、図２４（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【０２４７】
図２５（Ａ）では、シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）と、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）とがＨｉｇｈの期間について、タイミングチャートの動作を説明する。
【０２４８】
一例として、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）と、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤとがＨｉｇｈの期間は、判定回路２１によって第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号にＨｉｇｈが出力される。第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈのとき、画素回路６５０Ｃ（ｉ，１）の階調信号が更新される。
【０２４９】
シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）および選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＨｉｇｈの期間は、判定回路２２によって第２の走査線Ｇ２（２）の走査信号にＨｉｇｈが出力される。第２の走査線Ｇ２（２）の走査信号がＨｉｇｈのとき、画素回路６５０Ｃ（ｉ，２）の階調信号だけ更新される。
【０２５０】
選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＬｏｗの期間は、判定回路２１により、出力信号ＳＲＬ（１）の状態によらず、第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号の出力はＬｏｗになる。選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＬｏｗの期間は、判定回路２１によって、出力信号ＳＲＬ（１）の状態によらず、第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号の出力はＬｏｗになる。
【０２５１】
図２５（Ｂ）では、液晶表示領域１２１と発光表示領域１２２の駆動状態を模式的に示す。
【０２５２】
図２５（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）乃至ＳＲＬ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤと、ＭＤ＿ＬＥＶＥＮとによって第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）の走査信号はＬｏｗになることで液晶表示領域１２１の表示内容が更新されない。
【０２５３】
シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）乃至ＳＲＥ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤと、ＭＤ＿ＥＥＶＥＮとにより、第２の走査線Ｇ２（ｊ）の走査信号がＨｉｇｈになることで発光表示領域１２２の表示内容が更新される。
【０２５４】
図２５（Ｂ）では、発光表示領域１２２は表示内容が更新され、液晶表示領域１２１は表示内容が更新されないため、図２５（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【０２５５】
図２４（Ａ）では、シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（１）またはＳＲＬ（２）がＨｉｇｈの期間に、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤまたはＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに液晶表示領域１２１の表示が更新される。
【０２５６】
図２５（Ａ）では、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）またはＳＲＥ（２）がＨｉｇｈの期間に、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤまたはＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに発光表示領域１２２の表示が更新される。
【０２５７】
図２４（Ａ）および図２５（Ａ）では、選択信号による走査線の選択制御によって、液晶表示領域１２１または発光表示領域１２２をフレーム単位で停止させる例を示したが、同様にフレーム単位でシフトレジスタ回路を停止させても同じ効果を得ることができる。
【０２５８】
さらに、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）では静止画を、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）では動画を再生するときに、静止画の場合は動画の場合に比べて表示内容の更新頻度を下げて駆動を行うなど、表示の内容に応じた最適な駆動を選択することができる。
【０２５９】
さらに、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）をもつ高精細な表示部１２０を、最適な駆動を行うことにより消費電力の低減ができる。
【０２６０】
なお本発明の一様態は、選択回路２０にて、偶数行と奇数行とを選択制御できるように示したが、選択回路にて選択できる行の数は２以上の整数でもよい。
【０２６１】
図２６（Ａ）では図２２の表示装置７０２の動作について、図２４（Ａ）とは異なるタイミングチャートを示す。ここでは、表示装置において、第１の表示領域と第２の表示領域とを有し、第１の表示領域に含まれる表示素子の表示の更新頻度は、第２の表示領域に含まれる表示素子と異なる例を示す。具体的には、液晶表示領域１２１または発光表示領域１２２の一方は、全面において表示が順次更新されるが、他方は、部分的に表示が更新される例を示す。シフトレジスタ回路１１１Ｃおよびシフトレジスタ回路１１１Ｄの１０行目を中心に前後の動作をタイミングチャートで示す。
【０２６２】
一例として、図２６では、第１の走査線Ｇ１（７）乃至Ｇ１（１２）と、第２の走査線Ｇ２（７）乃至Ｇ２（１２）と、の動作を説明する。
【０２６３】
シフトレジスタ回路１１１Ｃの出力信号ＳＲＬ（４）、ＳＲＬ（５）、およびＳＲＬ（６）と、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（４）、ＳＲＥ（５）、およびＳＲＥ（６）が、Ｈｉｇｈの期間について、タイミングチャートの動作を示す。
【０２６４】
図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｃが出力信号ＳＲＬ（４）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（７）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，７）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，７）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに、選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（８）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，８）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，８）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０２６５】
図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｄが出力信号ＳＲＥ（４）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤおよびＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＬｏｗのときは、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（７）の走査信号がＬｏｗになり、画素回路６５０Ｃ（１，７）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，７）の表示内容が更新されなかったことを示す。さらに選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（８）の走査信号がＬｏｗになり、画素回路６５０Ｃ（１，８）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，８）の表示内容が更新されなかったことを示す。
【０２６６】
図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｃが出力信号ＳＲＬ（５）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（９）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，９）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，９）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに、選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１０）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，１０）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１０）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０２６７】
図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｄが出力信号ＳＲＥ（５）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（９）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（１，９）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，９）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに、選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１０）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（１，１０）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１０）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０２６８】
図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｃが出力信号ＳＲＬ（６）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，１１）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１１）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。さらに、選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮがＨｉｇｈのときに、選択回路２０によって第１の走査線Ｇ１（１２）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，１２）乃至画素回路７５０Ｃ（ｍ，１２）が階調信号により表示内容が更新されることを示す。
【０２６９】
図２２のシフトレジスタ回路１１１Ｄが出力信号ＳＲＥ（６）を選択回路２０に与えたときの動作を説明する。選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤおよびＭＤ＿ＥＥＶＥＮがＬｏｗのときは、選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１１）の走査信号がＬｏｗになり、画素回路６５０Ｃ（１，１１）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１１）の表示内容が更新されなかったことを示す。さらに選択回路２０によって第２の走査線Ｇ２（１２）の走査信号がＬｏｗになり、画素回路６５０Ｃ（１，１２）乃至画素回路６５０Ｃ（ｍ，１２）の表示内容が更新されなかったことを示す。
【０２７０】
図２６（Ｂ）では、液晶表示領域１２１は表示内容が順次更新されるが、発光表示領域１２２は、出力信号ＳＲＥ（５）の表示内容だけが更新される。
【０２７１】
図２６（Ｂ）は、表示部１２０の駆動状態を模式的に示す。出力信号ＳＲＬ（１）乃至ＳＲＬ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤと、ＭＤ＿ＬＥＶＥＮとによって第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで液晶表示領域１２１の表示内容が更新され、シフトレジスタ回路１１１Ｄの出力信号ＳＲＥ（１）乃至ＳＲＥ（ｎ／２）と、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤと、ＭＤ＿ＥＥＶＥＮとにより、第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｎ）の走査信号がＨｉｇｈになることで発光表示領域１２２の表示内容が更新される。したがって表示が更新される順番は、図２６（Ａ）のタイミングチャートと対応している。
【０２７２】
図２６（Ｂ）では、選択信号により、特定の表示領域だけ表示内容を更新することができる。
【０２７３】
一例として、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）では液晶表示領域１２１のすべてに静止画を表示し、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）では特定の発光表示領域１２２Ａのみ動画を再生することができる。静止画を表示するときは、動画を表示するときに比べて表示内容の更新頻度を下げて駆動を行うなど、表示の内容に合わせた最適な駆動を選択することができる。
【０２７４】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有する高精細な表示部１２０を、最適な駆動を行うことにより、表示内容の更新頻度を最適化することで消費電力の低減ができる。
【０２７５】
図２２で示した回路では、第１の走査線Ｇ１と、第２の走査線Ｇ２とは異なるタイミングで走査信号がＨｉｇｈになることで、信号線に与えられる第１の階調信号と、第２の階調信号とは、お互いに影響を及ぼさない。
【０２７６】
なお本発明の一様態は、選択回路２０にて、偶数行と奇数行とを選択制御できるように示したが、選択回路にて選択できる行の数は２以上の整数でもよい。
【０２７７】
図１４（Ａ）乃至（Ｄ）には、図１６、図２０、図２２に示す回路で可能な表示パターンの一例を示す。なお、ｐは１以上の整数であり、図１４では、ｐ＋１フレーム乃至ｐ＋４フレームまでの、表示パターンの更新状態を示す。
【０２７８】
画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有する高精細な表示部を、選択信号ＭＤ＿ＬＯＤＤ、選択信号ＭＤ＿ＬＥＶＥＮ、選択信号ＭＤ＿ＥＯＤＤ、選択信号ＭＤ＿ＥＥＶＥＮ、および選択回路２０により、走査線の駆動するタイミングを制御することができる。さらに表示内容に応じた最適な更新頻度を制御することができる。さらに、図１４（Ａ）乃至（Ｄ）に示すように、液晶表示領域１２１および発光表示領域１２２の特定の領域における表示内容の更新を、走査線の選択制御により自由に制御することができる。
【０２７９】
以上、本実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングは、他の実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングと適宜組み合わせて用いることができる。
【０２８０】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置７００の構成について、図２７乃至図３１を参照しながら説明する。
【０２８１】
図２７は本発明の一態様の表示装置７００の構成を説明する図である。図２７（Ａ）は本発明の一態様の表示装置７００の上面図である。図２７（Ｂ−１）は図２７（Ａ）の表示装置７００が有する画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）の一部を説明する下面図であり、図２７（Ｂ−２）は図２７（Ｂ−１）に図示する一部の構成を省略して説明する下面図である。
【０２８２】
また、図２８（Ａ−１）は図２７（Ａ）の表示装置７００が有する画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）の一部を説明する下面図であり、図２８（Ａ−２）は図２８（Ａ−１）に図示する一部の構成を省略して説明する下面図である。図２８（Ｂ−１）は、図２８（Ａ−１）と異なる開口位置について示した下面図である。図２８（Ｂ−２）は図２８（Ｂ−１）に図示する一部の構成を省略して説明する下面図である。
【０２８３】
図２９は本発明の一態様の表示装置７００の構成を説明する図である。図２９（Ａ）は図２７（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４、Ｘ５−Ｘ６、Ｘ７−Ｘ８、Ｘ９−Ｘ１０、Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。図２９（Ｂ）は表示装置７００の一部の構成を説明する断面図であり、図２９（Ｃ）は表示装置７００の他の一部の構成を説明する断面図である。
【０２８４】
図３０（Ａ−１）および図３０（Ａ−２）は本発明の一態様の表示装置７００に用いることができる開口部７５１Ｈの配置を説明する模式図である。
【０２８５】
＜表示装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示装置７００は、信号線Ｓ１（ｉ）と、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と、を有する（図２８（Ａ−１）および図２８（Ａ−２）参照）。
【０２８６】
画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｉ）と電気的に接続される。
【０２８７】
画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）と、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有し、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）が有する表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第２の絶縁膜６０１Ｃと、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）が有する表示素子６５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図２９（Ａ）参照）。
【０２８８】
第１の導電膜は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図２９（Ａ）参照）。例えば、第１の導電膜を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０２８９】
第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。例えば、第２の導電膜を、トランジスタＳＷ１に用いることができるトランジスタのソースまたはドレインとして機能する導電膜６１２Ｂに用いることができる。
【０２９０】
第２の絶縁膜６０１Ｃは、第２の導電膜と第１の導電膜の間に挟まれる領域を備える。
【０２９１】
画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、第２の導電膜と電気的に接続される。例えば、第２の導電膜をソースまたはドレインとして機能する導電膜６１２Ｂに用いたトランジスタを、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ１に用いることができる（図２９（Ａ）および図２参照）。
【０２９２】
第２の絶縁膜６０１Ｃは、開口部６９１Ａを備える（図２９（Ａ）参照）。
【０２９３】
第２の導電膜は、開口部６９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜６１２Ｂは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０２９４】
画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｉ）と電気的に接続される（図２参照）。なお、導電膜６１２Ａは、信号線Ｓ１（ｉ）と電気的に接続される（図２９（Ａ）および図２参照）。
【０２９５】
第１の電極７５１（ｉ，ｊ）は、第２の絶縁膜６０１Ｃに埋め込まれた側端部を備える。
【０２９６】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００の画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、トランジスタＳＷ１を備える。トランジスタＳＷ１は、酸化物半導体を含む。
【０２９７】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向と同一の方向に表示をする機能を備える。例えば、外光を反射する強度を制御して表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向を、破線の矢印で図中に示す。また、表示素子６５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向を、実線の矢印で図中に示す（図２９（Ａ）参照）。
【０２９８】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする領域に囲まれた領域に表示をする機能を備える（図３０（Ａ−１）または図３０（Ａ−２）参照）。なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域に表示をし、表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、開口部７５１Ｈと重なる領域に表示をする。
【０２９９】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、入射する光を反射する機能を備える反射膜と、反射する光の強さを制御する機能と、を有する。そして、反射膜は、開口部７５１Ｈを備える。なお、例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の反射膜に、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を用いることができる。
【０３００】
また、表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、開口部７５１Ｈに向けて光を射出する機能を有する。
【０３０１】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００は、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と、一群の画素回路７１０Ｃ（ｉ，１）乃至画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｎ）と、他の一群の画素回路７１０Ｃ（１，ｊ）乃至画素回路７１０Ｃ（ｍ，ｊ）と、第１の走査線Ｇ１（ｊ）と、を有する（図１参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【０３０２】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００は、第２の走査線Ｇ２（ｊ）と、配線ＣＳＣＯＭと、配線ＡＮＯと、を有する。
【０３０３】
一群の画素回路７１０Ｃ（ｉ，１）乃至画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｎ）は、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃで示す方向）に配設される。
【０３０４】
また、他の一群の画素回路７１０Ｃ（１，ｊ）乃至画素回路７１０Ｃ（ｍ，ｊ）は、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒで示す方向）に配設される。
【０３０５】
第１の走査線Ｇ１（ｊ）は、行方向に配設される他の一群の画素回路７１０Ｃ（１，ｊ）乃至画素回路７１０Ｃ（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。
【０３０６】
列方向に配設される一群の画素回路７１０Ｃ（ｉ，１）乃至画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｎ）は、信号線Ｓ１（ｉ）と電気的に接続される。
【０３０７】
例えば、図３０（Ａ−１）および図３０（Ａ−２）に示すように、画素内に設けられる開口部の位置は、隣接する画素において異なることが好ましい。ここでいう隣接する画素とは、行方向および列方向のいずれか、または行方向および列方向の双方を含むものとする。なお、例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を反射膜に用いることができる。
【０３０８】
図３０（Ｂ−１）乃至図３０（Ｂ−３）は本発明の一態様の表示装置７００に用いることができる開口部７５１Ｈの配置例を示した模式図である。
【０３０９】
図３０（Ｂ−１）は図２８（Ｂ−１）で下面図を示したが、図２８（Ａ−１）と比べるとＣＳＣＯＭの配線を減らすことができ、高精細化に対応した表示装置を提供することができる。
【０３１０】
図３０（Ｂ−２）および図３０（Ｂ−３）では三つの画素回路が有するそれぞれの第２の表示素子の開口部中心を線で結んだ距離が、図３０（Ａ−１）または図３０（Ｂ−１）で示す配置より大きくすることで、第２の表示素子のように小さな開口でも、色を構成する３つの画素の表示面積を大きくすることで、色の表示品質を改善することができる。
【０３１１】
上記本発明の一態様の表示装置７００は、表示素子７５０と、表示素子７５０と電気的に接続される第１の導電膜と、第１の導電膜と重なる領域を備える第２の導電膜と、第２の導電膜と第１の導電膜の間に挟まれる領域を備える絶縁膜と、第２の導電膜と電気的に接続される画素回路と、画素回路と電気的に接続される表示素子６５０と、を含み、第２の絶縁膜は開口部を備え、第２の導電膜は第１の導電膜と開口部で電気的に接続される。
【０３１２】
これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、表示素子７５０と、表示素子７５０とは異なる方法を用いて表示をする表示素子６５０と、を駆動することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【０３１３】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００は、端子６１９Ｂと、導電膜６１１Ｂと、を有する（図２９（Ａ）参照）。
【０３１４】
第２の絶縁膜６０１Ｃは、端子６１９Ｂおよび導電膜６１１Ｂの間に挟まれる領域を備える。また、第２の絶縁膜６０１Ｃは、開口部６９１Ｂを備える。
【０３１５】
端子６１９Ｂは、開口部６９１Ｂにおいて導電膜６１１Ｂと電気的に接続される。また、導電膜６１１Ｂは、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または第１の導電膜を反射膜に用いる場合、端子６１９Ｂの接点として機能する面は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に入射する光に向いている面と同じ方向を向いている。
【０３１６】
これにより、端子を介して電力または信号を、画素回路に供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
【０３１７】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、液晶材料を含む層７５３と、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５２と、を備える。なお、第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される。
【０３１８】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟むように配設される。
【０３１９】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極６５２と、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｉ）と、を備える。
【０３２０】
第４の電極６５２は、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。発光性の有機化合物を含む層６５３（ｉ）は、第３の電極６５１および第４の電極６５２の間に配設される。そして、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）は、接続部６２２において、トランジスタＭと電気的に接続される。
【０３２１】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００の画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、着色膜ＣＦ１と、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、を有する。
【０３２２】
着色膜ＣＦ１は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。遮光膜ＢＭは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【０３２３】
絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に配設される。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０３２４】
機能膜７７０Ｐは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｐは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。
【０３２５】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００は、基板６７０と、基板７７０と、機能層６２０と、を有する。
【０３２６】
基板７７０は、基板６７０と重なる領域を備える。機能層６２０は、基板６７０および基板７７０の間に配設される。
【０３２７】
機能層６２０は、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と、表示素子６５０（ｉ，ｊ）と、絶縁膜６２１と、絶縁膜６２８と、を含む。また、機能層６２０は、絶縁膜６１８および絶縁膜６１６を含む。
【０３２８】
絶縁膜６２１は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）および表示素子６５０（ｉ，ｊ）の間に配設される。
【０３２９】
絶縁膜６２８は、絶縁膜６２１および基板６７０の間に配設され、表示素子６５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。第３の電極６５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜６２８は、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）および第４の電極の短絡を防止することができる。
【０３３０】
絶縁膜６１８は、絶縁膜６２１および表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に配設される領域を備え、絶縁膜６１６は、絶縁膜６１８および表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に配設される領域を備える。
【０３３１】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００は、接合層６０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。
【０３３２】
接合層６０５は、機能層６２０および基板６７０の間に配設され、機能層６２０および基板６７０を貼り合せる機能を備える。
【０３３３】
封止材７０５は、機能層６２０および基板７７０の間に配設され、機能層６２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。
【０３３４】
構造体ＫＢ１は、機能層６２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【０３３５】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００は、端子６１９Ｃと、導電膜６１１Ｃと、導電体ＣＰと、を有する。
【０３３６】
第２の絶縁膜６０１Ｃは、端子６１９Ｃおよび導電膜６１１Ｃの間に挟まれる領域を備える。また、第２の絶縁膜６０１Ｃは、開口部６９１Ｃを備える。
【０３３７】
端子６１９Ｃは、開口部６９１Ｃにおいて導電膜６１１Ｃと電気的に接続される。また、導電膜６１１Ｃは、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０３３８】
導電体ＣＰは、端子６１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子６１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する。例えば、導電性の粒子を導電体ＣＰに用いることができる。
【０３３９】
また、本実施の形態で説明する表示装置７００は、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、を有する（図２７（Ａ）参照）。
【０３４０】
駆動回路ＧＤは、第１の走査線Ｇ１（ｊ）と電気的に接続される。駆動回路ＧＤは、例えばトランジスタＭＤを備える。具体的には、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）に含まれるトランジスタと同じ工程で形成することができる半導体膜を含むトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図２９（Ａ）および図２９（Ｃ）参照）。
【０３４１】
駆動回路ＳＤは、信号線Ｓ１（ｉ）と電気的に接続される。駆動回路ＳＤは、例えば端子６１９Ｂまたは端子６１９Ｃと同一の工程で形成することができる端子に導電材料を用いて電気的に接続される。
【０３４２】
以下に、表示装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【０３４３】
例えば第１の導電膜を、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、第１の導電膜を、反射膜に用いることができる。
【０３４４】
また、第２の導電膜を、トランジスタのソースまたはドレインの機能を備える導電膜６１２Ｂに用いることができる。
【０３４５】
《構成例１．》
本発明の一態様の表示装置７００は、基板６７０、基板７７０、構造体ＫＢ１封止材７０５または接合層６０５、を有する。
【０３４６】
また、本発明の一態様の表示装置７００は、機能層６２０、絶縁膜６２１、絶縁膜６２８、を有する。
【０３４７】
また、本発明の一態様の表示装置７００は、信号線Ｓ１（ｉ）、第１の走査線Ｇ１（ｊ）、第２の走査線Ｇ２（ｊ）、配線ＣＳＣＯＭ、配線ＡＮＯを有する。
【０３４８】
また、本発明の一態様の表示装置７００は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。
【０３４９】
また、本発明の一態様の表示装置７００は、端子６１９Ｂ、端子６１９Ｃ、導電膜６１１Ｂまたは導電膜６１１Ｃを有する。
【０３５０】
また、本発明の一態様の表示装置７００は、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）、トランジスタＳＷ１、を有する。
【０３５１】
また、本発明の一態様の表示装置７００は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜、開口部７５１Ｈ、液晶材料を含む層７５３、第２の電極７５２、を有する。
【０３５２】
また、本発明の一態様の表示装置７００は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐを有する。
【０３５３】
表示装置７００では、着色膜ＣＦ１は絶縁膜６２１と、表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に、表示素子６５０（ｉ，ｊ）の光が通過する開口部７５１Ｈと重なる位置に配置されてもよい。
【０３５４】
また、本発明の一態様の表示装置７００は、表示素子６５０（ｉ，ｊ）、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）、第４の電極６５２または発光性の有機化合物を含む層６５３（ｉ）を有する。
【０３５５】
また、本発明の一態様の表示装置７００は、第２の絶縁膜６０１Ｃを有する。
【０３５６】
また、本発明の一態様の表示装置７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。
【０３５７】
《基板６７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板６７０等に用いることができる。具体的には厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスを用いることができる。
【０３５８】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板６７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【０３５９】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板６７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板６７０等に用いることができる。
【０３６０】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、石英またはサファイア等を、基板６７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板６７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、アルミナ膜等を、基板６７０等に用いることができる。ＳＵＳまたはアルミニウム等を、基板６７０等に用いることができる。
【０３６１】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板６７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板６７０等に形成することができる。
【０３６２】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板６７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板６７０等に用いることができる。
【０３６３】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板６７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板６７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板６７０等に用いることができる。
【０３６４】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板６７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板６７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板６７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板６７０等に用いることができる。
【０３６５】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を基板６７０等に用いることができる。
【０３６６】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板６７０等に用いることができる。
【０３６７】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板６７０等に用いることができる。
【０３６８】
また、紙または木材などを基板６７０等に用いることができる。
【０３６９】
例えば、可撓性を有する基板を基板６７０等に用いることができる。
【０３７０】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板６７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【０３７１】
《基板７７０》
例えば、透光性を備える材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、基板６７０に用いることができる材料から選択された材料を基板７７０に用いることができる。具体的には厚さ０．７ｍｍまたは厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した無アルカリガラスを用いることができる。
【０３７２】
《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に所定の間隔を設けることができる。
【０３７３】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０３７４】
《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。
【０３７５】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。
【０３７６】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。
【０３７７】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。
【０３７８】
《接合層６０５》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層６０５に用いることができる。
【０３７９】
《絶縁膜６２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜６２１等に用いることができる。
【０３８０】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜６２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜６２１等に用いることができる。
【０３８１】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜６２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。
【０３８２】
これにより、例えば絶縁膜６２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【０３８３】
《絶縁膜６２８》
例えば、絶縁膜６２１に用いることができる材料を絶縁膜６２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜６２８に用いることができる。
【０３８４】
《第２の絶縁膜６０１Ｃ》
例えば、絶縁膜６２１に用いることができる材料を第２の絶縁膜６０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を第２の絶縁膜６０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【０３８５】
例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を第２の絶縁膜６０１Ｃに用いることができる。
【０３８６】
なお、第２の絶縁膜６０１Ｃは、開口部６９１Ａ、開口部６９１Ｂまたは開口部６９１Ｃを有する。
【０３８７】
《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｉ）、第１の走査線Ｇ１（ｊ）、第２の走査線Ｇ２（ｊ）、配線ＣＳＣＯＭ、配線ＡＮＯ、端子６１９Ｂ、端子６１９Ｃ、導電膜６１１Ｂまたは導電膜６１１Ｃ等に用いることができる。
【０３８８】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【０３８９】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０３９０】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【０３９１】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【０３９２】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【０３９３】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０３９４】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【０３９５】
《第１の導電膜、第２の導電膜》
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。
【０３９６】
また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。
【０３９７】
また、トランジスタＳＷ１に用いることができるトランジスタの導電膜６１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。
【０３９８】
《トランジスタＳＷ１、トランジスタＳＷ２、トランジスタＭ》
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをトランジスタＳＷ１、トランジスタＳＷ２、トランジスタＭ等に用いることができる。
【０３９９】
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０４００】
例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【０４０１】
一例を挙げれば、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタと比較して、オフ状態におけるリーク電流が小さいトランジスタをトランジスタＳＷ１、トランジスタＳＷ２、トランジスタＭ等に用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜６０８に用いたトランジスタをトランジスタＳＷ１、トランジスタＳＷ２、トランジスタＭ等に用いることができる。
【０４０２】
これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【０４０３】
トランジスタＳＷ１に用いることができるトランジスタは、半導体膜６０８および半導体膜６０８と重なる領域を備える導電膜６０４を備える（図２９（Ｂ）参照）。また、トランジスタＳＷ１に用いることができるトランジスタは、導電膜６１２Ａおよび導電膜６１２Ｂを備える。
【０４０４】
なお、導電膜６０４はゲートの機能を備え、絶縁膜６０６はゲート絶縁膜の機能を備える。また、導電膜６１２Ａはソースの機能またはドレインの機能の一方を備え、導電膜６１２Ｂはソースの機能またはドレインの機能の他方を備える。
【０４０５】
また、導電膜６０４との間に半導体膜６０８を挟むように設けられた導電膜６２４を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる（図２９（Ｃ）参照）。
【０４０６】
タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を導電膜６０４に用いることができる。
【０４０７】
シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜６０６に用いることができる。
【０４０８】
インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜６０８に用いることができる。
【０４０９】
タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜６１２Ａまたは導電膜６１２Ｂに用いることができる。
【０４１０】
《表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）等に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示装置の消費電力を抑制することができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子７５０に用いることができる。
【０４１１】
ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０４１２】
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。
【０４１３】
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
【０４１４】
《第１の電極７５１（ｉ，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４１５】
《反射膜》
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。
【０４１６】
反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。
【０４１７】
なお、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を反射膜に用いる構成に限られない。例えば、液晶材料を含む層７５３と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の間に反射膜を配設する構成を用いることができる。または、反射膜と液晶材料を含む層７５３の間に透光性を有する第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を配置する構成を用いることができる。
【０４１８】
《開口部７５１Ｈ》
非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、表示素子６５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。
【０４１９】
また、反射膜に設ける開口部７５１Ｈの面積が小さすぎると、表示素子６５０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
【０４２０】
多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部７５１Ｈの形状に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈの形状に用いることができる。また、開口部７５１Ｈを隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口部７５１Ｈを同じ色を表示する機能を備える他の画素に寄せて配置する。これにより、表示素子６５０が射出する光が隣接する画素に配置された着色膜に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制できる。
【０４２１】
《第２の電極７５２》
例えば、可視光について透光性を有し且つ導電性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。
【０４２２】
例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０４２３】
具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。または、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。
【０４２４】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。
【０４２５】
《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
【０４２６】
例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。
【０４２７】
《着色膜ＣＦ１》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を例えばカラーフィルターに用いることができる。
【０４２８】
例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材料、赤色の光を透過する材料、黄色の光を透過する材料または白色の光を透過する材料などを着色膜ＣＦ１に用いることができる。
【０４２９】
《遮光膜ＢＭ》
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
【０４３０】
《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。
【０４３１】
《機能膜７７０Ｐ》
例えば、偏光板、位相差板、拡散フィルム、反射防止膜または集光フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。または、２色性色素を含む偏光板を機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０４３２】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【０４３３】
《表示素子６５０（ｉ，ｊ）》
例えば、発光素子を表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４３４】
例えば、青色の光を射出するように積層された積層体、緑色の光を射出するように積層された積層体または赤色の光を射出するように積層された積層体等を、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｉ）に用いることができる。
【０４３５】
例えば、信号線Ｓ１（ｉ）に沿って列方向に長い帯状の積層体を、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｉ）に用いることができる。また、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｉ）とは異なる色の光を射出する信号線Ｓ１（ｉ＋１）に沿って列方向に長い帯状の積層体を、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｉ＋１）に用いることができる。
【０４３６】
また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層体を、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｉ）および発光性の有機化合物を含む層６５３（ｉ＋１）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の有機化合物を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層体を、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｉ）および発光性の有機化合物を含む層６５３（ｉ＋１）に用いることができる。
【０４３７】
例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極６５１（ｉ，ｊ）または第４の電極６５２に用いることができる。
【０４３８】
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４３９】
具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極６５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０４４０】
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された可視光について反射性を有する材料を、第４の電極６５２に用いることができる。
【０４４１】
《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、トランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
【０４４２】
または、トランジスタＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜６２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図２９（Ｃ）参照）。
【０４４３】
導電膜６０４との間に半導体膜６０８を挟むように、導電膜６２４を配設し、導電膜６２４および半導体膜６０８の間に絶縁膜６１６を配設し、半導体膜６０８および導電膜６０４の間に絶縁膜６０６を配設する。例えば、導電膜６０４と同じ電圧を供給する配線に導電膜６２４を電気的に接続する。
【０４４４】
なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。
【０４４５】
《駆動回路ＳＤ》
例えば、集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【０４４６】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）法を用いて、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と電気的に接続されるパッドに駆動回路ＳＤを実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、パッドに集積回路を実装できる。
【０４４７】
なお、パッドは、端子６１９Ｂまたは端子６１９Ｃと同一の工程で形成することができる。
【０４４８】
＜表示装置の構成例２．＞
図３１は本発明の一態様の表示装置７００Ｂの構成を説明する図である。図３１（Ａ）は図２７（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４、Ｘ５−Ｘ６、Ｘ７−Ｘ８、Ｘ９−Ｘ１０、Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。図３１（Ｂ）は表示装置の一部の構成を説明する断面図である。
【０４４９】
なお、表示装置７００Ｂは、ボトムゲート型のトランジスタに換えてトップゲート型のトランジスタを有する点が、図２９を参照しながら説明する表示装置７００とは異なる。ここでは、上記の説明と同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用し、異なる部分について詳細に説明する。
【０４５０】
《トランジスタＳＷ１Ｂ、トランジスタＭＢ、トランジスタＭＤＢ》
トランジスタＳＷ１Ｂに用いることができるトランジスタ、トランジスタＭＢおよびトランジスタＭＤＢは、絶縁膜６０１Ｃと重なる領域を備える導電膜６０４と、絶縁膜６０１Ｃおよび導電膜６０４の間に配設される領域を備える半導体膜６０８と、を備える。なお、導電膜６０４はゲート電極の機能を備える（図３１（Ｂ）参照）。
【０４５１】
半導体膜６０８は、導電膜６０４と重ならない第１の領域６０８Ａおよび第２の領域６０８Ｂと、第１の領域６０８Ａおよび第２の領域６０８Ｂの間に導電膜６０４と重なる第３の領域６０８Ｃと、を備える。
【０４５２】
トランジスタＭＤＢは絶縁膜６０６を、第３の領域６０８Ｃおよび導電膜６０４の間に備える。なお、絶縁膜６０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
【０４５３】
第１の領域６０８Ａおよび第２の領域６０８Ｂは、第３の領域６０８Ｃに比べて抵抗率が低く、ソース領域の機能またはドレイン領域の機能を備える。
【０４５４】
なお、例えば本実施の形態の最後において詳細に説明する酸化物半導体の抵抗率を制御する方法を用いて、第１の領域６０８Ａおよび第２の領域６０８Ｂを半導体膜６０８に形成することができる。具体的には、希ガスを含むガスを用いるプラズマ処理を適用することができる。
【０４５５】
また、例えば、導電膜６０４をマスクに用いることができる。これにより、第３の領域６０８Ｃの一部の形状を、導電膜６０４の端部の形状に自己整合させることができる。
【０４５６】
トランジスタＭＤＢは、第１の領域６０８Ａと接する導電膜６１２Ａと、第２の領域６０８Ｂと接する導電膜６１２Ｂと、を備える。導電膜６１２Ａおよび導電膜６１２Ｂは、ソースまたはドレインの機能を備える。
【０４５７】
トランジスタＭＤＢと同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭＢに用いることができる。
【０４５８】
＜酸化物半導体の抵抗率の制御方法＞
酸化物半導体膜の抵抗率を制御する方法について説明する。
【０４５９】
所定の抵抗率を備える酸化物半導体膜を、半導体膜６０８または導電膜６２４等に用いることができる。
【０４６０】
例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素、水等の不純物の濃度および／または膜中の酸素欠損を制御する方法を、酸化物半導体の抵抗率を制御する方法に用いることができる。
【０４６１】
具体的には、プラズマ処理を水素、水等の不純物濃度および／または膜中の酸素欠損を増加または低減する方法に用いることができる。
【０４６２】
具体的には、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水素、ボロン、リンおよび窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いて行うプラズマ処理を適用できる。例えば、Ａｒ雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒと水素の混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、アンモニア雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒとアンモニアの混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、または窒素雰囲気下でのプラズマ処理などを適用できる。これにより、キャリア密度が高く、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。
【０４６３】
または、イオン注入法、イオンドーピング法またはプラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リンまたは窒素を酸化物半導体膜に注入して、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。
【０４６４】
または、水素を含む絶縁膜を酸化物半導体膜に接して形成し、絶縁膜から酸化物半導体膜に水素を拡散させる方法を用いることができる。これにより、酸化物半導体膜のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。
【０４６５】
例えば、膜中の含有水素濃度が１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の絶縁膜を酸化物半導体膜に接して形成することで、効果的に水素を酸化物半導体膜に含有させることができる。具体的には、窒化シリコン膜を酸化物半導体膜に接して形成する絶縁膜に用いることができる。
【０４６６】
酸化物半導体膜に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。これにより、キャリア密度が高く、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。
【０４６７】
具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度が、８×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、より好ましくは５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である酸化物半導体を導電膜６２４に好適に用いることができる。
【０４６８】
一方、抵抗率の高い酸化物半導体をトランジスタのチャネルが形成される半導体膜に用いることができる。具体的には半導体膜６０８に好適に用いることができる。
【０４６９】
例えば、酸素を含む絶縁膜、別言すると、酸素を放出することが可能な絶縁膜を酸化物半導体に接して形成し、絶縁膜から酸化物半導体膜に酸素を供給させて、膜中または界面の酸素欠損を補填することができる。これにより、抵抗率が高い酸化物半導体膜にすることができる。
【０４７０】
例えば、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を、酸素を放出することが可能な絶縁膜に用いることができる。
【０４７１】
酸素欠損が補填され、水素濃度が低減された酸化物半導体膜は、高純度真性化、または実質的に高純度真性化された酸化物半導体膜といえる。ここで、実質的に真性とは、酸化物半導体膜のキャリア密度が、８×１０１１／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であることを指す。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度を低減することができる。
【０４７２】
また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜を備えるトランジスタは、オフ電流が著しく小さく、チャネル幅が１×１０６μｍでチャネル長Ｌが１０μｍの素子であっても、ソースとドレイン間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下、すなわち１×１０−１３Ａ以下という特性を備えることができる。
【０４７３】
上述した高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜をチャネル領域に用いるトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。
【０４７４】
具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度が、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である酸化物半導体を、トランジスタのチャネルが形成される半導体に好適に用いることができる。
【０４７５】
なお、半導体膜６０８よりも水素濃度および／または酸素欠損量が多く、抵抗率が低い酸化物半導体膜を、導電膜６２４に用いる。
【０４７６】
また、半導体膜６０８に含まれる水素濃度の２倍以上、好ましくは１０倍以上の濃度の水素を含む膜を、導電膜６２４に用いることができる。
【０４７７】
また、半導体膜６０８の抵抗率の１×１０−８倍以上１×１０−１倍未満の抵抗率を備える膜を、導電膜６２４に用いることができる。
【０４７８】
具体的には、１×１０−３Ωｃｍ以上１×１０４Ωｃｍ未満、好ましくは、１×１０−３Ωｃｍ以上１×１０−１Ωｃｍ未満である膜を、導電膜６２４に用いることができる。
【０４７９】
（実施の形態８）
本実施の形態では、半導体装置の一例として、ＩＣチップ、電子部品、電子機器等について説明する。
【０４８０】
＜電子部品の作製方法例＞
図３２（Ａ）は、電子部品の作製方法例を示すフローチャートである。電子部品は、半導体パッケージ、またはＩＣ用パッケージともいう。この電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。そこで、本実施の形態では、その一例について説明することにする。
【０４８１】
トランジスタで構成される半導体装置は、組み立て工程（後工程）を経て、プリント基板に脱着可能な部品が複数合わさることで完成する。後工程については、図３２（Ａ）に示す各工程を経ることで完成させることができる。具体的には、前工程で得られる素子基板が完成（ステップＳＴ６１）した後、基板の裏面を研削する。この段階で基板を薄膜化して、前工程での基板の反り等を低減し、部品の小型化を図る。次に、基板を複数のチップに分離するダイシング工程を行う（ステップＳＴ６２）。
【０４８２】
図３２（Ｂ）は、ダイシング工程が行われる前の半導体ウエハ６１００の上面図である。図３２（Ｃ）は、図３２（Ｂ）の部分拡大図である。半導体ウエハ６１００には、複数の回路領域６１０２が設けられている。回路領域６１０２には、本発明の形態に係る半導体装置（例えば、メモリ、タイマ、ＣＰＵ等）が設けられている。
【０４８３】
複数の回路領域６１０２は、それぞれが分離領域６１０４に囲まれている。分離領域６１０４と重なる位置に分離線（「ダイシングライン」ともいう。）６１０６が設定される。ダイシング工程（ステップＳＴ６２）では、分離線６１０６に沿って半導体ウエハ６１００を切断することで、回路領域６１０２を含むチップ６１１０を、半導体ウエハ６１００から切り出す。図３２（Ｄ）に、チップ６１１０の拡大図を示す。
【０４８４】
分離領域６１０４に導電層や半導体層を設けてもよい。分離領域６１０４に導電層や半導体層を設けることで、ダイシング工程時に生じうるＥＳＤを緩和し、ダイシング工程に起因する歩留まりの低下を防ぐことができる。また、一般にダイシング工程は、基板の冷却、削りくずの除去、帯電防止などを目的として、炭酸ガスなどを溶解させて比抵抗を下げた純水を切削部に供給しながら行なう。分離領域６１０４に導電層や半導体層を設けることで、当該純水の使用量を削減することができる。よって、半導体装置の生産コストを低減することができる。また、半導体装置の生産性を高めることができる。
【０４８５】
ステップＳＴ６２を行った後、分離したチップを個々にピックアップしてリードフレーム上に搭載し接合する、ダイボンディング工程を行う（ステップＳＴ６３）。ダイボンディング工程におけるチップとリードフレームとの接着方法は、製品に適した方法を選択すればよい。例えば、接着は樹脂やテープによって行えばよい。ダイボンディング工程は、インターポーザ上にチップを搭載し接合してもよい。ワイヤーボンディング工程で、リードフレームのリードとチップ上の電極とを金属の細線（ワイヤー）で電気的に接続する（ステップＳＴ６４）。金属の細線には、銀線や金線を用いることができる。ワイヤーボンディングは、ボールボンディングとウェッジボンディングの何れでもよい。
【０４８６】
ワイヤーボンディングされたチップは、エポキシ樹脂等で封止される、モールド工程が施される（ステップＳＴ６５）。モールド工程を行うことで電子部品の内部が樹脂で充填され、機械的な外力による内蔵される回路部やワイヤーに対するダメージを低減することができ、また水分や埃による特性の劣化を低減することができる。リードフレームのリードをメッキ処理する。そしてリードを切断および成形加工する（ステップＳＴ６６）。めっき処理によりリードの錆を防止し、後にプリント基板に実装する際のはんだ付けをより確実に行うことができる。パッケージの表面に印字処理（マーキング）を施す（ステップＳＴ６７）。検査工程（ステップＳＴ６８）を経て、電子部品が完成する（ステップＳＴ６９）。上掲した実施の形態の半導体装置を組み込むことで、低消費電力で、小型な電子部品を提供することができる。
【０４８７】
完成した電子部品の斜視模式図を図３２（Ｅ）に示す。図３２（Ｅ）では、電子部品の一例として、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）の斜視模式図を示している。図３２（Ｅ）に示すように、電子部品６０００は、リード６００１およびチップ６１１０を有する。
【０４８８】
電子部品６０００は、例えばプリント基板６００２に実装される。このような電子部品６０００が複数組み合わされて、それぞれがプリント基板６００２上で電気的に接続されることで、電子機器に搭載することができる。完成した回路基板６００４は、電子機器等の内部に設けられる。電子部品６０００を搭載することで、電子機器の消費電力を削減することができる。または、電子機器を小型化することが容易になる。
【０４８９】
（実施の形態９）
本実施の形態では、酸化物半導体トランジスタ等について説明する。
【０４９０】
＜ＯＳトランジスタの構成例１＞
図３３（Ａ）はＯＳトランジスタの構成例を示す上面図である。図３３（Ｂ）は、図３３（Ａ）のＸ１−Ｘ２線断面図であり、図３３（Ｃ）はＹ１−Ｙ２線断面図である。ここでは、Ｘ１−Ｘ２線の方向をチャネル長方向と、Ｙ１−Ｙ２線方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。図３３（Ｂ）は、ＯＳトランジスタのチャネル長方向の断面構造を示す図であり、図３３（Ｃ）は、ＯＳトランジスタのチャネル幅方向の断面構造を示す図である。なお、デバイス構造を明確にするため、図３３（Ａ）では、一部の構成要素が省略されている。
【０４９１】
ＯＳトランジスタ５０１は、絶縁表面に形成される。ここでは、絶縁層５２１上に形成されている。ＯＳトランジスタ５０１は、絶縁層５２８、５２９で覆われている。ＯＳトランジスタ５０１は、絶縁層５２２−５２７、金属酸化物層５１１−５１３、導電層５５０−５５３を有する。
【０４９２】
なお、図中の絶縁層、金属酸化物層、導電体等は、単層でも積層でもよい。これらの作製には、スパッタリング法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、パルスレーザアブレーション法（ＰＬＡ法）、ＣＶＤ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）などの各種の成膜方法を用いることができる。なお、ＣＶＤ法には、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法などがある。
【０４９３】
金属酸化物層５１１−５１３をまとめて酸化物層５１０と呼ぶ。図３３（Ｂ）、図３３（Ｃ）に示すように、酸化物層５１０は、金属酸化物層５１１、金属酸化物層５１２、金属酸化物層５１３の順に積層している部分を有する。ＯＳトランジスタ５０１がオン状態のとき、チャネルは酸化物層５１０の金属酸化物層５１２に主に形成される。
【０４９４】
ＯＳトランジスタ５０１のゲート電極は、導電層５５０で構成され、ソース電極またはドレイン電極として機能する一対の電極は、導電層５５１、５５２で構成される。バックゲート電極は、導電層５５３で構成される。導電層５５３は、導電層５５３ａ、５５３ｂを有する。なお、ＯＳトランジスタ５０１は、バックゲート電極を有さない構造としてもよい。後述するＯＳトランジスタ５０２も同様である。
【０４９５】
ゲート（フロントゲート）側のゲート絶縁層は、絶縁層５２７で構成され、バックゲート側のゲート絶縁層は、絶縁層５２４−５２６の積層で構成される。絶縁層５２８は層間絶縁層である。絶縁層５２９はバリア層である。
【０４９６】
金属酸化物層５１３は、金属酸化物層５１１、５１２、導電層５５１、５５２でなる積層体を覆っている。絶縁層５２７は、金属酸化物層５１３を覆っている。導電層５５１、５５２は、それぞれ金属酸化物層５１３、絶縁層５２７を介して、導電層５５０と重なる領域を有する。
【０４９７】
導電層５５１、５５２は、金属酸化物層５１１と金属酸化物層５１２との積層を形成するために使用されるハードマスクから作製されている。例えば、次のような工程を経て、金属酸化物層５１１、５１２、導電層５５１、５５２を作製することができる。２層の金属酸化物膜を形成する。金属酸化物膜上に導電膜を形成する。この導電膜をエッチングしてハードマスクを形成する。ハードマスクを用いて、２層の金属酸化物膜をエッチングして、金属酸化物層５１１と金属酸化物層５１２の積層を形成する。次に、ハードマスクをエッチングして、導電層５５１および導電層５５２を形成する。このような工程を経て形成されるため、導電層５５１、５５２は、金属酸化物層５１１、５１２の側面に接する領域を有していない。
【０４９８】
＜導電層＞
導電層５５０―５５３に用いられる導電材料には、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイド等のシリサイド、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウム等の金属、または上述した金属を成分とする金属窒化物（窒化タンタル、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン）等がある。また、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を用いることができる。
【０４９９】
導電層５５０に仕事関数の高い導電性材料を用いることで、ＯＳトランジスタ５０１のＶｔｈを大きくし、カットオフ電流を下げることができる。導電層５５０の仕事関数は好ましくは、４．８ｅＶ以上、さらに好ましくは５．０ｅＶ以上、さらに好ましくは５．２ｅＶ以上、さらに好ましくは５．４ｅＶ以上、さらに好ましくは５．６ｅＶ以上の導電性材料を用いればよい。仕事関数の大きな導電性材料として、例えば、モリブデン、酸化モリブデン、Ｐｔ、Ｐｔシリサイド、Ｎｉシリサイド、インジウム錫酸化物、窒素添加されたＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物などが挙げられる。
【０５００】
なお、カットオフ電流とは、ゲートーソース間電圧が０Ｖであるときのドレイン電流のことをいう。
【０５０１】
例えば、導電層５５０は、窒化タンタル、またはタングステン単層である。あるいは、導電層５５０が２層構造、および３層構造の場合、次のような組み合わせがある。先に記載した導電体が絶縁層５２７側の層を構成する。（アルミニウム、チタン）、（窒化チタン、チタン）、（窒化チタン、タングステン）、（窒化タンタル、タングステン）、（窒化タングステン、タングステン）、（チタン、アルミニウム、チタン）、（窒化チタン、アルミニウム、チタン）、（窒化チタン、アルミニウム、窒化チタン）。
【０５０２】
導電層５５１と導電層５５２は同じ層構造をもつ。例えば、導電層５５１が単層である場合、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を構成すればよい。導電層５５１が２層構造、および３層構造の場合、次のような組み合わせがある。先に記載した導電体が絶縁層５２７側の層を構成する。（チタン、アルミニウム）、（タングステン、アルミニウム）、（タングステン、銅）、（銅−マグネシウム−アルミニウム合金、銅）、（チタン膜、銅）、（チタンまたは窒化チタン、アルミニウムまたは銅、チタンまたは窒化チタン）、（モリブデンまたは窒化モリブデン、アルミニウムまたは銅、モリブデンまたは窒化モリブデン）。
【０５０３】
例えば、導電層５５３ａは、水素に対するバリア性を有する導電層（例えば、窒化タンタル層）とし、導電層５５３ｂは、導電層５５３ａよりも導電率の高い導電層（例えばタングステン）とすることが好ましい。このような構造であることで、導電層５５３は配線としての機能と、酸化物層５１０への水素の拡散を抑制する機能とをもつ。
【０５０４】
＜絶縁体＞
絶縁層５２１−５２９に用いられる絶縁材料には、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどがある。絶縁層５２１−５２９はこれらの絶縁材料でなる単層、または積層して構成される。絶縁層５２１−５２９を構成する層は、複数の絶縁材料を含んでいてもよい。
【０５０５】
なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、酸素の含有量が窒素よりも多い化合物であり、窒化酸化物とは、窒素の含有量が酸素よりも多い化合物のことをいう。
【０５０６】
酸化物層５１０の酸素欠損の増加を抑制するため、絶縁層５２６−５２８は、酸素を含む絶縁層であることが好ましい。絶縁層５２６―５２８の少なくとも１つは、加熱により酸素が放出される絶縁膜（以下、「過剰酸素を含む絶縁膜」という。）で形成されることがより好ましい。過剰酸素を含む絶縁膜から酸化物層５１０に酸素を供給することで、酸化物層５１０の酸素欠損を補償することができる。したがって、ＯＳトランジスタ５０１の信頼性および電気特性を向上することができる。
【０５０７】
過剰酸素を含む絶縁膜とは、ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：昇温脱離ガス分光法）において、膜の表面温度が１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上５００℃以下の範囲における酸素分子の放出量が１．０×１０１８［分子／ｃｍ３］以上である膜とする。酸素分子の放出量は、３．０×１０２０［分子／ｃｍ３］以上であることが好ましい。
【０５０８】
過剰酸素を含む絶縁膜は、絶縁膜に酸素を添加する処理を行って形成することができる。酸素を添加する処理は、酸素雰囲気下による熱処理や、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、またはプラズマ処理などを用いて行うことができる。酸素を添加するためのガスとしては、１６Ｏ２もしくは１８Ｏ２などの酸素ガス、亜酸化窒素ガスまたはオゾンガスなどを用いることができる。
【０５０９】
酸化物層５１０の水素濃度の増加を防ぐために、絶縁層５２１―５２９中の水素濃度を低減することが好ましい。特に絶縁層５２３−５２８の水素濃度を低減することが好ましい。具体的には、水素濃度は、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下が好ましく、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下がより好ましく、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下がさらに好ましい。
【０５１０】
酸化物層５１０の窒素濃度の増加を防ぐために、絶縁層５２３―５２８の窒素濃度を低減することが好ましい。具体的には、窒素濃度は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であり、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下が好ましく、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下がより好ましく、５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下がより好ましい。
【０５１１】
上掲の水素濃度、窒素濃度は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定された値である。
【０５１２】
ＯＳトランジスタ５０１において、酸素および水素に対してバリア性をもつ絶縁層（以下、バリア層）によって、酸化物層５１０が包み込まれる構造であることが好ましい。このような構造であることで、酸化物層５１０から酸素が放出されること、酸化物層５１０に水素が侵入することを抑えることができるので、ＯＳトランジスタ５０１の信頼性、電気特性を向上できる。
【０５１３】
例えば、絶縁層５２９をバリア層として機能させ、かつ絶縁層５２１、５２２、５２４の少なくとも１つをバリア層として機能させればよい。バリア層は、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム、窒化シリコンなどの材料で形成することができる。
【０５１４】
酸化物層５１０と導電層５５０の間に、バリア層をさらに設けてもよい。もしくは、金属酸化物層５１３として、酸素および水素に対してバリア性をもつ金属酸化物層を設けてもよい。
【０５１５】
絶縁層５２４、絶縁層５２５、絶縁層５２６の膜厚をそれぞれ薄くすることで、導電層５５０の電圧によるＯＳトランジスタのしきい値電圧の制御が容易になり、好ましい。例えば、絶縁層５２４−５２６の各膜厚は５０ｎｍ以下にする。各膜厚は３０ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以下がより好ましく、５ｎｍ以下がさらに好ましい。
【０５１６】
絶縁層５２１−５２９の構成例を記す。この例では、絶縁層５２１、５２２、５２５、５２９は、それぞれ、バリア層として機能する。絶縁層５２６―５２８は過剰酸素を含む酸化物層である。絶縁層５２１は窒化シリコンであり、絶縁層５２２は酸化アルミニウムであり、絶縁層５２３は酸化窒化シリコンである。バックゲート側のゲート絶縁層（５２４−５２６）は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化シリコンの積層である。フロントゲート側のゲート絶縁層（５２７）は、酸化窒化シリコンである。層間絶縁層（５２８）は、酸化シリコンである。絶縁層５２９は酸化アルミニウムである。
【０５１７】
＜金属酸化物層＞
金属酸化物層５１１―５１３の各厚さは３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、３ｎｍ以上６０ｎｍ以下がさらに好ましい。
【０５１８】
ＯＳトランジスタ５０１のオフ電流の低減のために、金属酸化物層５１２は、例えば、エネルギーギャップが大きいことが好ましい。金属酸化物層５１２のエネルギーギャップは、２．５ｅＶ以上４．２ｅＶ以下であり、２．８ｅＶ以上３．８ｅＶ以下が好ましく、３ｅＶ以上３．５ｅＶ以下がさらに好ましい。
【０５１９】
酸化物層５１０は、結晶性金属酸化物層であることが好ましい。少なくとも、金属酸化物層５１２は結晶性金属酸化物層であることが好ましい。信頼性、および電気特性の良いＯＳトランジスタ５０１を実現できる。
【０５２０】
金属酸化物層５１２に適用できる酸化物は、代表的には、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）である。金属酸化物層５１２は、インジウムを含む酸化物層に限定されない。金属酸化物層５１２は、例えば、Ｚｎ−Ｓｎ酸化物、Ｇａ−Ｓｎ酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ酸化物等で形成することができる。金属酸化物層５１１、５１３も、金属酸化物層５１２と同様の酸化物で形成することができる。金属酸化物層５１１、５１３は、それぞれ、Ｇａ酸化物で形成することができる。この場合、金属酸化物層５１２はＧａを含む金属酸化物層であることが好ましい。
【０５２１】
金属酸化物層５１２と金属酸化物層５１１の界面に界面準位が形成されると、界面近傍の領域にもチャネル領域が形成されるために、ＯＳトランジスタ５０１のしきい値電圧が変動してしまう。そのため、金属酸化物層５１１は、構成要素として、金属酸化物層５１２を構成する金属元素の少なくとも１つを含むことが好ましい。これにより、金属酸化物層５１２と金属酸化物層５１１の界面には、界面準位が形成されにくくなり、ＯＳトランジスタ５０１のしきい値電圧等の電気特性のばらつきを低減することができる。
【０５２２】
金属酸化物層５１３は、構成要素として、金属酸化物層５１２を構成する金属元素の少なくとも１つを含むことが好ましい。これにより、金属酸化物層５１２と金属酸化物層５１３との界面では、界面散乱が起こりにくくなり、キャリアの動きが阻害されにくくなるので、ＯＳトランジスタ５０１の電界効果移動度を高くすることができる。
【０５２３】
金属酸化物層５１１−５１３のうち、金属酸化物層５１２のキャリア移動度が最も高いことが好ましい。これにより、絶縁層５２６、５２７から隔離している金属酸化物層５１２にチャネルを形成することができる。
【０５２４】
例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物等のＩｎ含有金属酸化物は、Ｉｎの含有率を高めることで、キャリア移動度を高めることができる。Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物では、主として重金属のｓ軌道がキャリア伝導に寄与しており、インジウムの含有率を多くすることにより、より多くのｓ軌道が重なるため、インジウムの含有率が多い酸化物はインジウムの含有率が少ない酸化物と比較して移動度が高くなる。そのため、酸化物半導体膜にインジウムの含有量が多い酸化物を用いることで、キャリア移動度を高めることができる。
【０５２５】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物で金属酸化物層５１２を形成し、Ｇａ酸化物で金属酸化物層５１１、５１３を形成する。例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で、金属酸化物層５１１−５１３を形成する場合、３層のうち、金属酸化物層５１１を最もＩｎ含有率が高いＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物層とする。Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物をスパッタリング法で形成する場合、ターゲットの金属元素の原子数比を変えることで、Ｉｎ含有率を変化させることができる。
【０５２６】
例えば、金属酸化物層５１２の成膜に用いるターゲットの金属元素の原子数比Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎは、１：１：１、３：１：２、または４：２：４．１が好ましい。例えば、金属酸化物層５１１、５１３の成膜に用いるターゲットの金属元素の原子数比Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎは、１：３：２、または１：３：４が好ましい。Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１のターゲットで成膜したＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の原子数比は、およそＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３である。
【０５２７】
ＯＳトランジスタ５０１に安定した電気特性を付与するには、酸化物層５１０の不純物濃度を低減することが好ましい。金属酸化物において、水素、窒素、炭素、シリコン、および主成分以外の金属元素は不純物となる。例えば、水素および窒素はドナー準位の形成に寄与し、キャリア密度を増大させてしまう。また、シリコンおよび炭素は酸化物半導体中で不純物準位の形成に寄与する。不純物準位はトラップとなり、トランジスタの電気特性を劣化させることがある。
【０５２８】
例えば、酸化物層５１０は、シリコン濃度が２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の、好ましくは、２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の領域を有する。酸化物層５１０の炭素濃度も同様である。
【０５２９】
酸化物層５１０は、アルカリ金属濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の領域を有する。アルカリ土類金属の濃度についても同様である。
【０５３０】
酸化物層５１０は、窒素濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の領域を有する。
【０５３１】
酸化物層５１０は、水素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の、より好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の領域を有する。
【０５３２】
上掲した酸化物層５１０の不純物濃度は、ＳＩＭＳにより得られる値である。
【０５３３】
金属酸化物層５１２が酸素欠損を有する場合、酸素欠損のサイトに水素が入り込むことでドナー準位を形成することがある。その結果、ＯＳトランジスタ５０１のオン電流を減少させてしまう。酸素欠損のサイトは、水素が入るよりも酸素が入る方が安定する。したがって、金属酸化物層５１２中の酸素欠損を低減することで、ＯＳトランジスタ５０１のオン電流を大きくできる場合がある。よって、金属酸化物層５１２の水素を低減することで、酸素欠損のサイトに水素が入りこまないようにすることが、オン電流特性の向上に有効である。
【０５３４】
金属酸化物に含まれる水素は、金属原子に結合している酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成することがある。酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成されることがある。また、水素の一部が金属原子に結合している酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。金属酸化物層５１２にチャネル形成領域が設けられるので、金属酸化物層５１２に水素が含まれていると、ＯＳトランジスタ５０１はノーマリーオン特性となりやすい。このため、金属酸化物層５１２中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。
【０５３５】
図３３は、酸化物層５１０が３層構造の例であるが、これに限定されない。例えば、酸化物層５１０を金属酸化物層５１１または金属酸化物層５１３のない２層構造とすることができる。または、金属酸化物層５１１の上もしくは下、または金属酸化物層５１３上もしくは下に、金属酸化物層５１１、金属酸化物層５１２および金属酸化物層５１３として例示した酸化物半導体層のいずれか一を有する４層構造とすることもできる。または、酸化物層５１０の任意の層の間、酸化物層５１０の上、酸化物層５１０の下のいずれか二箇所以上に、金属酸化物層５１１―５１３と同様の金属酸化物層を１層または複数を設けることができる。
【０５３６】
＜エネルギーバンド構造＞
図３５を参照して、金属酸化物層５１１―５１３の積層によって得られる効果を説明する。図３５は、ＯＳトランジスタ５０１のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造の模式図である。ここでは、ＯＳトランジスタ５０１を例に説明するが、金属酸化物層５１１―５１３の積層による効果は、後述するＯＳトランジスタ５０２でも同様である。
【０５３７】
Ｅｃ５２６、Ｅｃ５１１、Ｅｃ５１２、Ｅｃ５１３、Ｅｃ５２７は、それぞれ、絶縁層５２６、金属酸化物層５１１、金属酸化物層５１２、金属酸化物層５１３、絶縁層５２７の伝導帯下端のエネルギーを示している。
【０５３８】
ここで、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差（「電子親和力」ともいう。）は、真空準位と価電子帯上端のエネルギーとの差（イオン化ポテンシャルともいう。）からエネルギーギャップを引いた値となる。なお、エネルギーギャップは、分光エリプソメータ（ＨＯＲＩＢＡ  ＪＯＢＩＮ  ＹＶＯＮ社  ＵＴ−３００）を用いて測定できる。また、真空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光分析（ＵＰＳ：Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）装置（ＰＨＩ社  ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ）を用いて測定できる。
【０５３９】
絶縁層５２６、５２７は絶縁体であるため、Ｅｃ５２６とＥｃ５２７は、Ｅｃ５１１、Ｅｃ５１２、およびＥｃ５１３よりも真空準位に近い（電子親和力が小さい）。
【０５４０】
金属酸化物層５１２は、金属酸化物層５１１、５１３よりも電子親和力が大きい。例えば、金属酸化物層５１２と金属酸化物層５１１との電子親和力の差、および金属酸化物層５１２と金属酸化物層５１３との電子親和力の差は、それぞれ、０．０７ｅＶ以上１．３ｅＶ以下である。電子親和力の差は、０．１ｅＶ以上０．７ｅＶ以下が好ましく、０．１５ｅＶ以上０．４ｅＶ以下がさらに好ましい。なお、電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差である。
【０５４１】
ＯＳトランジスタ５０１のゲート電極（導電層５５０）に電圧を印加すると、金属酸化物層５１１、金属酸化物層５１２、金属酸化物層５１３のうち、電子親和力が大きい金属酸化物層５１２に主にチャネルが形成される。
【０５４２】
インジウムガリウム酸化物は、小さい電子親和力と、高い酸素ブロック性を有する。そのため、金属酸化物層５１３がインジウムガリウム酸化物を含むと好ましい。ガリウム原子割合［Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）］は、例えば、７０％以上、好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上とする。
【０５４３】
また、金属酸化物層５１１と金属酸化物層５１２との間には金属酸化物層５１１と金属酸化物層５１２の混合領域が存在する場合がある。また、金属酸化物層５１３と金属酸化物層５１２との間には金属酸化物層５１３と金属酸化物層５１２の混合領域が存在する場合がある。混合領域は、界面準位密度が低くなるため、金属酸化物層５１１−５１３の積層体（酸化物層５１０）は、それぞれの界面近傍においてエネルギーが連続的に変化する（連続接合ともいう。）バンド構造となる。
【０５４４】
このようなエネルギーバンド構造を有する酸化物層５１０において、電子は主に金属酸化物層５１２を移動することになる。そのため、金属酸化物層５１１と絶縁層５２６との界面に、または、金属酸化物層５１３と絶縁層５２７との界面に準位が存在したとしても、これらの界面準位により、酸化物層５１０中を移動する電子の移動が阻害されにくくなるため、ＯＳトランジスタ５０１のオン電流を高くすることができる。
【０５４５】
また、図３５に示すように、金属酸化物層５１１と絶縁層５２６の界面近傍、および金属酸化物層５１３と絶縁層５２７の界面近傍には、それぞれ、不純物や欠陥に起因したトラップ準位Ｅｔ５２６、Ｅｔ５２７が形成され得るものの、金属酸化物層５１１、５１３があることにより、金属酸化物層５１２をトラップ準位Ｅｔ５２６、Ｅｔ５２７から隔離することができる。
【０５４６】
なお、Ｅｃ５１１とＥｃ５１２との差が小さい場合、金属酸化物層５１２の電子が該エネルギー差を越えてトラップ準位Ｅｔ５２６に達することがある。トラップ準位Ｅｔ５２６に電子が捕獲されることで、絶縁膜の界面にマイナスの固定電荷が生じ、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。Ｅｃ５１３とＥｃ５１２とのエネルギー差が小さい場合も同様である。
【０５４７】
ＯＳトランジスタ５０１のしきい値電圧の変動が低減され、ＯＳトランジスタ５０１の電気特性を良好なものとするため、Ｅｃ５１１とＥｃ５１２との差、Ｅｃ５１３とＥｃ５１２と差は、それぞれ０．１ｅＶ以上が好ましく、０．１５ｅＶ以上がより好ましい。
【０５４８】
＜ＯＳトランジスタの構成例２＞
図３４（Ａ）−図３４（Ｃ）に示すＯＳトランジスタ５０２は、ＯＳトランジスタ５０１の変形例である。ＯＳトランジスタ５０２の導電層５５０は、導電層５５０ａ、導電層５５０ｂ、導電層５５０ｃを有する。
【０５４９】
導電層５５０ａは、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法またはＡＬＤ法を用いて形成する。特に、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法等により形成することで、絶縁層５２７に対するプラズマによるダメージを減らすことができる。また、被覆性を向上させることができるため、導電層５５０ａをＡＬＤ法等により形成することが好ましい。従って、信頼性が高いＯＳトランジスタ５０２を提供することができる。
【０５５０】
導電層５５０ｂは、タンタル、タングステン、銅、アルミニウムなどの導電性が高い材料を用いて形成する。さらに、導電層５５０ｂ上に形成する導電層５５０ｃは、窒化タングステンなどの酸化しづらい導電体を用いて形成することが好ましい。絶縁層５２８に酸素が脱離する酸化物材料を用いる場合、導電層５５０が、脱離した酸素により酸化することを防止することができる。従って、導電層５５０の酸化を抑制し、絶縁層５２８から、脱離した酸素を効率的に酸化物層５１０へと供給することができる。
【０５５１】
過剰酸素領域を有する絶縁層５２８と接する面積が大きい導電層５５０ｃに、酸化しにくい導電体を用いることで、絶縁層５２８の過剰酸素が導電層５５０に吸収されることを抑制することができる。また、導電層５５０ｂに導電性が高い導電体を用いることで、消費電力が小さいＯＳトランジスタ５０２を提供することができる。
【０５５２】
（実施の形態１０）
次いで上記実施の形態に示す表示パネルを用いた表示モジュールの応用例について、図３６を用いて説明を行う。
【０５５３】
図３６に示す表示モジュール８００は、上部カバー８０１と下部カバー８０２との間に、ＦＰＣ８０３に接続されたタッチパネル８０４、ＦＰＣ８０５に接続された表示パネル８０６、フレーム８０９、プリント基板８１０、バッテリ８１１を有する。なお、バッテリ８１１、タッチパネル８０４などは、設けられない場合もある。
【０５５４】
上記実施の形態で説明した表示パネルは、図３６における表示パネル８０６に用いることができる。
【０５５５】
上部カバー８０１および下部カバー８０２は、タッチパネル８０４および表示パネル８０６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０５５６】
タッチパネル８０４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８０６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８０６の対向基板（封止基板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。または、表示パネル８０６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。または、表示パネル８０６の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、静電容量方式のタッチパネルとすることも可能である。この場合、タッチパネル８０４を省略することも可能である。
【０５５７】
上部カバー８０１は光路を有してもよい。プリント基板８１０に実装された光源から照射された光が、上部カバー８０１の光路を通り、上部カバーの１辺より照射され、光を照射する１辺とは異なる他の一辺の光路に入射される光の有無をプリント基板８１０に実装された光センサによって判断することで、指やペンなどのタッチなどにより、画面タッチの有無を検出することも可能である。この場合、表示パネル８０６または表示パネル８０６の対向基板にタッチパネル機能を持たせなくてもよく、さらにタッチパネル８０４を省略することも可能である。
【０５５８】
図３７（Ａ）は、タッチパネル８０４の一例として相互容量方式のタッチセンサを用いた場合の構成例を示す模式図である。なお図３７（Ａ）では、一例として、パルス電圧が与えられる配線ＣＬｘをＸ１−Ｘ６の６本の配線、電流の変化を検知する配線ＣＬｙをＹ１−Ｙ６の６本の配線として示している。なお、配線の数は、これに限定されない。また図３７（Ａ）は、配線ＣＬｘおよび配線ＣＬｙが重畳すること、または、配線ＣＬｘおよび配線ＣＬｙが近接して配置されることで形成される容量素子８５４を図示している。
【０５５９】
配線ＣＬｘおよび配線ＣＬｙはＩＣ８５０に電気的に接続されている。ＩＣ８５０は、駆動回路８５１および検出回路８５２を含む。
【０５６０】
駆動回路８５１は、一例としては、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量素子８５４を形成する配線ＣＬｘおよび配線ＣＬｙの間に電界が生じる。そしてパルス電圧によって容量素子８５４に電流が流れる。この配線間に生じる電界が、指やペンなどのタッチによる遮蔽等により変化する。つまり、指やペンなどのタッチなどにより、容量素子８５４の容量値が変化する。このように、指やペンなどのタッチなどにより、容量値に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。
【０５６１】
検出回路８５２は、容量素子８５４での容量値の変化による、Ｙ１−Ｙ６の配線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接または接触により容量値が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、電流量の総和を検出してもよい。その場合には、積分回路等を用いて検出を行えばよい。または、電流のピーク値を検出してもよい。その場合には、電流を電圧に変換して、電圧値のピーク値を検出してもよい。
【０５６２】
図３７（Ａ）において、駆動回路８５１と検出回路８５２は同一のＩＣで形成されているが、それぞれの回路を異なるＩＣに形成してもよい。検出回路８５２は、ノイズの影響を受けて誤動作し易い。一方で、駆動回路８５１はノイズの発生源になり得る。駆動回路８５１と検出回路８５２を異なるＩＣで形成することで、検出回路８５２の誤動作を防ぐことができる。
【０５６３】
また、駆動回路８５１、検出回路８５２および表示パネル８０６の駆動回路を１つのＩＣで形成してもよい。その場合、表示モジュール全体に占めるＩＣのコストを低減させることができる。
【０５６４】
図３７（Ａ）においてＩＣ８５０はタッチパネル８０４に配置されているが、ＩＣ８５０はＦＰＣ８０３に配置されてもよい。その場合の模式図を図３７（Ｂ）に示す。
【０５６５】
再び、図３６に戻る。
【０５６６】
フレーム８０９は、表示パネル８０６の保護機能の他、プリント基板８１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８０９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０５６７】
プリント基板８１０は、電源回路、ビデオ信号およびクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。さらに、タッチ検出のための光源および光センサを有してもよい。光源の波長域は、７８０ｎｍより大きい波長域が望ましく、１．６ｕｍより大きな波長域がより望ましい。光センサは、特定の範囲の波長域の光を検出する機能を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８１１による電源であってもよい。バッテリ８１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０５６８】
また、表示モジュール８００には、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０５６９】
（実施の形態１１）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器および照明装置について、図面を用いて説明する。
【０５７０】
本発明の一態様のサブ画素をもつ高精細な表示部を用いて、薄型である、軽量である、曲面を有する、もしくは可撓性を有する、発光装置、表示装置、または半導体装置等を作製できる。これら本発明の一態様が適用された発光装置、表示装置、または半導体装置等を用いて、薄型である、軽量である、曲面を有する、もしくは可撓性を有する、電子機器または照明装置を作製できる。
【０５７１】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０５７２】
本発明の一態様の電子機器または照明装置は可撓性を有するため、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
【０５７３】
本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
【０５７４】
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。
【０５７５】
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像または情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナおよび二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
【０５７６】
図３８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。表示部７０００は可撓性を有していてもよい。
【０５７７】
表示部７０００は、本発明の一態様のサブ画素をもつ高精細な表示部を用いて作製された発光装置、表示装置、または入出力装置を有する。
【０５７８】
本発明の一態様により、湾曲した表示部を備える電子機器を提供できる。
【０５７９】
図３８（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。携帯電話機７１００は、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６等を有する。
【０５８０】
図３８（Ａ）に示す携帯電話機７１００は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指またはスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。
【０５８１】
また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、または表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。
【０５８２】
図３８（Ｂ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７２００は、筐体７２０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７２０３により筐体７２０１を支持した構成を示している。
【０５８３】
図３８（Ｂ）に示すテレビジョン装置７２００の操作は、筐体７２０１が備える操作スイッチ、または別体のリモコン操作機７２１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７２１１は、当該リモコン操作機７２１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７２１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネルまたは音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
【０５８４】
なお、テレビジョン装置７２００は、受信機およびモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０５８５】
図３８（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に携帯情報端末の一例を示す。各携帯情報端末は、筐体７３０１および表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指またはスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。
【０５８６】
図３８（Ｃ１）は、携帯情報端末７３００の斜視図であり、図３８（Ｃ２）は携帯情報端末７３００の上面図である。図３８（Ｄ）は、携帯情報端末７３１０の斜視図である。図３８（Ｅ）は、携帯情報端末７３２０の斜視図である。
【０５８７】
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧および作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。
【０５８８】
携帯情報端末７３００、携帯情報端末７３１０および携帯情報端末７３２０は、文字および画像情報等をその複数の面に表示することができる。例えば、図３８（Ｃ１）、（Ｄ）に示すように、３つの操作ボタン７３０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７３０３を他の面に表示することができる。図３８（Ｃ１）、（Ｃ２）では、携帯情報端末の上側に情報が表示される例を示し、図３８（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよく、図３８（Ｅ）では、情報７３０４、情報７３０５、情報７３０６がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。
【０５８９】
なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メールまたは電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
【０５９０】
例えば、携帯情報端末７３００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７３００を収納した状態で、その表示（ここでは情報７３０３）を確認することができる。
【０５９１】
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号または氏名等を、携帯情報端末７３００の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７３００をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０５９２】
図３８（Ｆ）乃至（Ｈ）に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示している。
【０５９３】
図３８（Ｆ）乃至（Ｈ）に示す各照明装置が有する発光部は、本発明の一態様を用いて作製された発光装置を有する。
【０５９４】
本発明の一態様により、湾曲した発光部を備える照明装置を提供できる。
【０５９５】
図３８（Ｆ）に示す照明装置７４００は、波状の発光面を有する発光部７４０２を備える。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
【０５９６】
図３８（Ｇ）に示す照明装置７４１０の備える発光部７４１２は、凸状に湾曲した２つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７４１０を中心に全方位を照らすことができる。
【０５９７】
図３８（Ｈ）に示す照明装置７４２０は、凹状に湾曲した発光部７４２２を備える。したがって、発光部７４２２からの発光を、照明装置７４２０の前面に集光するため、特定の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができにくい等の効果を奏する。
【０５９８】
また、照明装置７４００、照明装置７４１０および照明装置７４２０の備える各々の発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性の部材または可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
【０５９９】
照明装置７４００、照明装置７４１０および照明装置７４２０は、それぞれ、操作スイッチ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部を有する。
【０６００】
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を備える筐体を天井に固定する、または天井からつり下げるように用いることもできる。発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく照らす、または発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
【０６０１】
図３９（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）乃至（Ｉ）に、可撓性を有する表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。
【０６０２】
表示部７００１は、本発明の一態様のサブ画素をもつ高精細な表示部を用いて作製された発光装置、表示装置、または入出力装置を有する。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる発光装置、表示装置、または入出力装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。
【０６０３】
本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備える電子機器を提供できる。
【０６０４】
図３９（Ａ１）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図３９（Ａ２）は、携帯情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。
【０６０５】
携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部７００１を有する。引き出し部材７５０２を用いて表示部７００１を引き出すことができる。
【０６０６】
また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクタを接続する端子部を備え、映像信号および電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
【０６０７】
また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、または表示する映像の切り替え等を行うことができる。なお、図３９（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）では、携帯情報端末７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）または裏面に配置してもよい。
【０６０８】
図３９（Ｂ）には、表示部７００１を引き出した状態の携帯情報端末７５００を示す。この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図３９（Ａ１）の状態と表示部７００１を引き出した図３９（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図３９（Ａ１）の状態のときに、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５００の消費電力を下げることができる。
【０６０９】
なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
【０６１０】
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。
【０６１１】
図３９（Ｃ）乃至（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３９（Ｃ）では、展開した状態、図３９（Ｄ）では、展開した状態または折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図３９（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
【０６１２】
表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。
【０６１３】
図３９（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３９（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図３９（Ｇ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１および非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れおよび傷つきを抑制できる。
【０６１４】
図３９（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は、筐体７７０１および表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７００１と重ねて配置してもよい。
【０６１５】
筐体７７０１、表示部７００１、およびバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させること、および携帯情報端末７７００に捻りを加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側または外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体７７０１および表示部７００１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、または意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
【０６１６】
また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把持してぶら下げて使用する、または、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど、様々な状況において利便性良く使用することができる。
【０６１７】
図３９（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１またはバンド７８０１と重ねて配置してもよい。
【０６１８】
バンド７８０１、表示部７００１、およびバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。
【０６１９】
操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行および解除、省電力モードの実行および解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。
【０６２０】
また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。
【０６２１】
また、携帯情報端末７８００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。
【０６２２】
また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクタを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。
【０６２３】
図４０（Ａ）に自動車９７００の外観を示す。図４０（Ｂ）に自動車９７００の運転席を示す。自動車９７００は、車体９７０１、車輪９７０２、フロントガラス９７０３等を有する。本発明の一態様が適用された発光装置、表示装置、または入出力装置等は、自動車９７００の表示部などに用いることができる。例えば、図４０（Ｂ）に示す表示部９７１０乃至表示部９７１５に本発明の一態様が適用された発光装置等を設けることができる。
【０６２４】
表示部９７１２はピラー部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。表示部９７１３はダッシュボード部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１３に映し出すことによって、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
【０６２５】
また、図４０（Ｃ）は、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示している。表示部９７２１は、ドア部に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７２１に映し出すことによって、ドアで遮られた視界を補完することができる。また、表示部９７２２は、ハンドルに設けられた表示装置である。表示部９７２３は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置である。なお、表示装置を座面または背もたれ部分などに設置して、当該表示装置を、当該表示装置の発熱を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。
【０６２６】
表示部９７１４、表示部９７１５、または表示部９７２２はナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目およびレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部９７１２または表示部９７１３、表示部９７２１、表示部９７２３にも表示することができる。また、表示部９７１３乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は照明装置として用いることも可能である。
【０６２７】
平面な表示部が、本発明の一態様を用いて作製された発光装置、表示装置、または入出力装置を有していてもよい。
【０６２８】
図４０（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体９８０１、筐体９８０２、表示部９８０３、表示部９８０４、マイクロフォン９８０５、スピーカ９８０６、操作キー９８０７、スタイラス９８０８等を有する。
【０６２９】
図４０（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部９８０３と表示部９８０４）を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定されず１つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくとも１つの表示部が本発明の一態様が適用された発光装置、表示装置、または入出力装置等を有する。
【０６３０】
図４０（Ｅ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９８２１、表示部９８２２、キーボード９８２３、ポインティングデバイス９８２４等を有する。
【０６３１】
以上、本実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングは、他の実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングと適宜組み合わせて用いることができる。
【０６３２】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０６３３】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【０６３４】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０６３５】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【０６３６】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【０６３７】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電圧レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電圧レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【０６３８】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子または別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子または別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【０６３９】
なお、例えば、トランジスタのソース（または第１の端子など）が、Ｚ１を介して（または介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）が、Ｚ２を介して（または介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（または第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【０６４０】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（または第１の端子など）とドレイン（または第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（または第１の端子など）とドレイン（または第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（または第１の端子など）と、ドレイン（または第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０６４１】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（または第１の端子など）とトランジスタのドレイン（または第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（または第１の端子など）からトランジスタのドレイン（または第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）からトランジスタのソース（または第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（または第１の端子など）と、ドレイン（または第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０６４２】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０６４３】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、および電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【符号の説明】
【０６４４】
ＡＦ１    配向膜
ＡＦ２    配向膜
Ｃ１    容量素子
Ｃ２    容量素子
ＣＦ１    着色膜
Ｆ１    フレーム
Ｆ２    フレーム
Ｆ３    フレーム
Ｆ２１    タイミングチャート
Ｆ２２    タイミングチャート
Ｇ１    走査線
Ｇ２    走査線
Ｇ３    走査線
ＫＢ１    構造体
Ｍ＿１    トランジスタ
Ｍ＿２    トランジスタ
Ｍ＿３    トランジスタ
Ｓ１    信号線
Ｓ２    信号線
ＳＷ１    トランジスタ
ＳＷ１＿１    トランジスタ
ＳＷ１＿２    トランジスタ
ＳＷ１Ｂ    トランジスタ
ＳＷ２    トランジスタ
ＳＷ２＿１    トランジスタ
ＳＷ２＿２    トランジスタ
ＳＷ３    トランジスタ
２０    選択回路
２１    判定回路
２２    判定回路
２５    回路
２６    バッファ回路
３０    選択信号出力回路
１１０    ゲートドライバ
１１０Ａ    ゲートドライバ
１１０Ｂ    ゲートドライバ
１１０Ｃ    ゲートドライバ
１１０Ｄ    ゲートドライバ
１１１    シフトレジスタ回路
１１１Ａ    シフトレジスタ回路
１１１Ｂ    シフトレジスタ回路
１１１Ｃ    シフトレジスタ回路
１１１Ｄ    シフトレジスタ回路
１２０    表示部
１２１    液晶表示領域
１２２    発光表示領域
１２２Ａ    発光表示領域
５０１    ＯＳトランジスタ
５０２    ＯＳトランジスタ
５１０    酸化物層
５１１    金属酸化物層
５１２    金属酸化物層
５１３    金属酸化物層
５２１    絶縁層
５２２    絶縁層
５２３    絶縁層
５２４    絶縁層
５２５    絶縁層
５２６    絶縁層
５２７    絶縁層
５２８    絶縁層
５２９    絶縁層
５５０    導電層
５５０ａ    導電層
５５０ｂ    導電層
５５０ｃ    導電層
５５１    導電層
５５２    導電層
５５３    導電層
５５３ａ    導電層
５５３ｂ    導電層
６０１Ｃ    絶縁膜
６０４    導電膜
６０５    接合層
６０６    絶縁膜
６０８    半導体膜
６０８Ａ    領域
６０８Ｂ    領域
６０８Ｃ    領域
６１１Ｂ    導電膜
６１１Ｃ    導電膜
６１２Ａ    導電膜
６１２Ｂ    導電膜
６１６    絶縁膜
６１８    絶縁膜
６１９Ｂ    端子
６１９Ｃ    端子
６２０    機能層
６２１    絶縁膜
６２２    接続部
６２４    導電膜
６２８    絶縁膜
６５０    表示素子
６５０Ｃ    画素回路
６５１    電極
６５２    電極
６５３    層
６７０    基板
６９１Ａ    開口部
６９１Ｂ    開口部
６９１Ｃ    開口部
７００    表示装置
７００Ｂ    表示装置
７０１    表示装置
７０２    表示装置
７０５    封止材
７１０Ｃ    画素回路
７２０Ｃ    画素回路
７５０    表示素子
７５０Ｃ    画素回路
７５１    電極
７５１Ｈ    開口部
７５２    電極
７５３    層
７７０    基板
７７０Ｐ    機能膜
７７１    絶縁膜
８００    表示モジュール
８０１    上部カバー
８０２    下部カバー
８０３    ＦＰＣ
８０４    タッチパネル
８０５    ＦＰＣ
８０６    表示パネル
８０９    フレーム
８１０    プリント基板
８１１    バッテリ
８５０    ＩＣ
８５１    駆動回路
８５２    検出回路
８５４    容量素子
６０００    電子部品
６００１    リード
６００２    プリント基板
６００４    回路基板
６１００    半導体ウエハ
６１０２    回路領域
６１０４    分離領域
６１０６    分離線
６１１０    チップ
７０００    表示部
７００１    表示部
７１００    携帯電話機
７１０１    筐体
７１０３    操作ボタン
７１０４    外部接続ポート
７１０５    スピーカ
７１０６    マイク
７２００    テレビジョン装置
７２０１    筐体
７２０３    スタンド
７２１１    リモコン操作機
７３００    携帯情報端末
７３０１    筐体
７３０２    操作ボタン
７３０３    情報
７３０４    情報
７３０５    情報
７３０６    情報
７３１０    携帯情報端末
７３２０    携帯情報端末
７４００    照明装置
７４０１    台部
７４０２    発光部
７４０３    操作スイッチ
７４１０    照明装置
７４１２    発光部
７４２０    照明装置
７４２２    発光部
７５００    携帯情報端末
７５０１    筐体
７５０２    部材
７５０３    操作ボタン
７６００    携帯情報端末
７６０１    筐体
７６０２    ヒンジ
７６５０    携帯情報端末
７６５１    非表示部
７７００    携帯情報端末
７７０１    筐体
７７０３ａ    ボタン
７７０３ｂ    ボタン
７７０４ａ    スピーカ
７７０４ｂ    スピーカ
７７０５    外部接続ポート
７７０６    マイク
７７０９    バッテリ
７８００    携帯情報端末
７８０１    バンド
７８０２    入出力端子
７８０３    操作ボタン
７８０４    アイコン
７８０５    バッテリ
９７００    自動車
９７０１    車体
９７０２    車輪
９７０３    フロントガラス
９７１０    表示部
９７１２    表示部
９７１３    表示部
９７１４    表示部
９７１５    表示部
９７２１    表示部
９７２２    表示部
９７２３    表示部
９８０１    筐体
９８０２    筐体
９８０３    表示部
９８０４    表示部
９８０５    マイクロフォン
９８０６    スピーカ
９８０７    操作キー
９８０８    スタイラス
９８２１    筐体
９８２２    表示部
９８２３    キーボード
９８２４    ポインティングデバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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