(57)【要約】【課題】  アルミダイキャスト製の密封容器にめっき処理を施す際に、少ない工程数で鋳造時の巣穴を確実に埋めてめっき処理を行うことができるようにする。【解決手段】  所定箇所に研削部２を形成した素地１に化成皮膜層３を形成し、その上に浸透性の高い、例えばエポキシ系樹脂を電着塗装によって樹脂含浸処理を施して含浸樹脂層４を形成することで、鋳造時に形成された巣穴に樹脂を含浸させる。これにより、前記素地１により形成された密封容器の気密性が確保されると共に、後続するめっき処理を良好に行える。次いで、必要に応じて所定の加工部５を処理後、該含浸樹脂層４の上に無電解ニッケルめっきによりニッケルめっき層７を形成する。【選択図】        図１
2017075340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、
前記素地に化成処理を施した化成皮膜層と、
前記化成皮膜層の上に配した浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層と、
前記含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とを備えていることを特徴とする密封容器の気密構造。
【請求項２】
アルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、
前記素地に化成処理を施した化成皮膜層と、
前記化成皮膜層の上に配した浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層と、
必要に応じて前記素地に達する凹所により形成した加工部と、
前記加工部の表面と前記含浸樹脂層の表面とに該含浸樹脂層と同じ樹脂により形成した第２含浸樹脂層と、
前記第２含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とを備えていることを特徴とする密封容器の気密構造。
【請求項３】
アルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、
前記素地に化成処理を施した化成皮膜層と、
前記化成皮膜層の上に配した浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層と、
必要に応じて前記素地に達する凹所により形成した加工部と、
前記加工部の表面を酸化処理して形成した酸化皮膜層と、
前記酸化皮膜層と前記含浸樹脂層の表面とに樹脂含浸処理を施して該含浸樹脂層と同じ樹脂により配した第２含浸樹脂層と、
前記酸化皮膜層と第２含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とを備えていることを特徴とする密封容器の気密構造。
【請求項４】
前記含浸樹脂層をエポキシ系樹脂で形成したことを特徴とする請求項１に記載の密封容器の気密構造。
【請求項５】
前記含浸樹脂層と第２含浸樹脂層とをエポキシ系樹脂で形成したことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の密封容器の気密構造。
【請求項６】
エポキシ系樹脂による前記含浸樹脂層の膜厚を、10μｍ〜50μｍとしてあることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の密封容器の気密構造。
【請求項７】
磁気ディスクと該磁気ディスクに対して移動自在な磁気ヘッドとこの磁気ヘッドのヘッド駆動機構等を支持させたアルミダイキャスト製のベースプレートにトップカバーを接合させて内部にヘリウムガスを密封してあるハードディスクドライブ装置において、
前記ベースプレートの内側面の所定箇所に研削部を形成し、
前記内側面に化成処理を施して化成皮膜層を形成し、
前記化成皮膜層の上に浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を形成し、
前記含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とからなることを特徴とする気密構造を備えたハードディスクドライブ装置。
【請求項８】
磁気ディスクと該磁気ディスクに対して移動自在な磁気ヘッドとこの磁気ヘッドのヘッド駆動機構等を支持させたアルミダイキャスト製のベースプレートにトップカバーを接合させて内部にヘリウムガスを密封してあるハードディスクドライブ装置において、
前記ベースプレートの内側面の所定箇所に研削部を形成し、
前記内側面に化成処理を施して化成皮膜層を形成し、
前記化成皮膜層の上に浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を形成し、
必要に応じて前記素地に達する凹所により加工部を形成し、
前記加工部の表面と前記含浸樹脂層の表面とに該含浸樹脂層と同じ樹脂により第２含浸樹脂層を形成し、
前記第２含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とからなることを特徴とする気密構造を備えたハードディスクドライブ装置。
【請求項９】
磁気ディスクと該磁気ディスクに対して移動自在な磁気ヘッドとこの磁気ヘッドのヘッド駆動機構等を支持させたアルミダイキャスト製のベースプレートにトップカバーを接合させて内部にヘリウムガスを密封してあるハードディスクドライブ装置において、
前記ベースプレートの内側面の所定箇所に研削部を形成し、
前記内側面に化成処理を施して化成皮膜層を形成し、
前記化成皮膜層の上に浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を形成し、
必要に応じて前記素地に達する凹所により加工部を形成し、
前記加工部の表面を酸化処理して酸化皮膜層を形成し、
前記酸化皮膜層と前記含浸樹脂層の表面とに該含浸樹脂層と同じ樹脂による樹脂含浸処理を施して配した第２含浸樹脂層と、
前記酸化皮膜層と第２含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とからなることを特徴とする気密構造を備えたハードディスクドライブ装置。
【請求項１０】
前記含浸樹脂層をエポキシ系樹脂で形成したことを特徴とする請求項７に記載のハードディスクドライブ装置。
【請求項１１】
前記含浸樹脂層と第２含浸樹脂層とをエポキシ系樹脂で形成したことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の気密構造を備えたハードディスクドライブ装置。
【請求項１２】
エポキシ系樹脂による含浸樹脂層の膜厚を、10μｍ〜50μｍとしてあることを特徴とする請求項10または請求項11に記載のハードディスクドライブ装置。
【請求項１３】
密封容器を構成するケーシングをアルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、
前記素地に化成処理を施して化成皮膜層を形成し、
前記化成皮膜層の上に浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を塗装し、
前記含浸樹脂層の上に無電解ニッケルめっきによりニッケルめっき層を形成することを特徴とする密封容器の気密施工方法。
【請求項１４】
密封容器を構成するケーシングをアルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、
前記素地に化成処理を施して化成皮膜層を形成し、
前記化成皮膜層の上に浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を塗装し、
必要に応じて前記素地に達する凹所により加工部を形成し、
前記加工部の表面と前記含浸樹脂層の表面とに該含浸樹脂層と同じ樹脂により第２含浸樹脂層を形成し、
前記第２含浸樹脂層の上に無電解ニッケルめっきによりニッケルめっき層を形成することを特徴とする密封容器の気密施工方法。
【請求項１５】
密封容器を構成するケーシングをアルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、
前記素地に化成処理を施して化成皮膜層を形成し、
前記化成皮膜層の上に浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を塗装し、
必要に応じて前記素地に達する凹所により加工部を形成し、
前記加工部の表面を酸化処理して酸化皮膜層を形成し、
前記酸化皮膜層と前記含浸樹脂層の表面とに該含浸樹脂層と同じ樹脂により樹脂含浸処理を施して第２含浸樹脂層を配し、
前記酸化皮膜層と第２含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とを備えていることを特徴とする密封容器の気密施工方法。
【請求項１６】
前記含浸樹脂層をエポキシ系樹脂で形成したことを特徴とする請求項13に記載の密封容器の気密施工方法。
【請求項１７】
前記含浸樹脂層と第２含浸樹脂層とをエポキシ系樹脂で形成したことを特徴とする請求項14または請求項15に記載の密封容器の気密施工方法。
【請求項１８】
エポキシ系樹脂による含浸樹脂層の膜厚を、10μｍ〜50μｍとしてあることを特徴とする請求項16または請求項17に記載の密封容器の気密施工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、内外部が遮断されて、内部を真空あるいは不活性ガス等が封入される密封容器の気密状態を確保する気密構造と内部を気密にするための気密施工方法、この気密構造を備えたハードディスクドライブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
内部を真空状態にすることが要求されたり、不活性ガス等が封入されることが要求される密封容器には種々のものがある。例えば、コンピュータのハードディスクドライブ装置は、ケーシング内に、磁気ディスクと磁気ヘッド、ヘッド駆動機構等が収容され、磁気ヘッドを移動させて磁気ディスクに対する位置を移動させるようにしてある。このハードディスクドラブ装置の内部には、磁気ヘッドの移動による風圧の低減や良好な放熱性を得るためにヘリウムガス等の不活性ガスが封入されている。特に、ハードディスクドライブ装置の大容量化に伴われる大型化を抑制するために、複数枚の磁気ディスクの間隔を小さくすることが好ましく、ヘリウムガスを封入する場合には該間隔を極力小さくすることができる。一方、ケーシングのベースプレートはアルミダイキャストにより成型されており、前記磁気ディスクと位置決め機構とを支持させた前記ベースプレートにトップカバーを接合させて内部を密封する。
【０００３】
前記ケーシングのベースプレートがアルミダイキャスト製であるため、成型加工時にいわゆる巣穴が形成される。このため、この巣穴からのヘリウムガスの漏洩を防止する必要があり、ベースプレートの鋳物面にメッキ処理が施されている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、ガスの真空側への流入を遮断するための真空容器などのガス遮断構造として、真空容器や真空部品など、真空に面している容器内壁や部品表面の全面または一部に、５〜50μｍの無電解メッキ層を施す発明が開示されている。
【０００５】
また、前記ハードディスクドライブ装置のケーシングのベースプレートでは、電着塗装後に必要部分に所定の加工を施し、この加工部に樹脂を含浸させた後、表面を研磨処理して、不必要な部分にマスキングを施して部分的にNiPメッキを施すことで、前記巣穴による影響を除去して内部の気密性を保つようにしてある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−１７１３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した特許文献１に開示されたガス遮蔽構造においては、ポリカーボネイト製プラスチック材やアルミニウム、真鍮などに対して無電解ニッケルメッキを施すものであり、アルミダイキャストのような加工時に巣穴が形成される材料に対してのものではない。また、容器に構造部品を固定することが予定されていないため、加工を施す必要がなく、加工部に対する処理を施す必要がないものである。
【０００８】
また、上述した従来のハードディスクドライブ装置のベースプレートに対する表面処理加工では、加工処理工程が多くなっており、表面処理加工に要するコストが高額となってしまい、ハードディスクドライブ装置の低コスト化を阻害する一因となっている。
【０００９】
そこで、この発明は、鋳造品、特にアルミダイキャストによる基材を用いた密封容器であって、十分な密封性を確保することができる密封容器の気密構造と気密施工方法、気密構造を備えたハードディスクドライブ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するための技術的手段として、この発明に係る密封容器の気密構造は、アルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、前記素地に化成処理を施した化成皮膜層と、前記化成皮膜層の上に配した浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層と、前記含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とを備えていることを特徴としている。
なお、所定箇所とは、この素地に部品等を取り付ける場合にその取付のための加工を要する箇所や平面の精度を向上させる必要がある箇所等をいう。
【００１１】
密封容器を構成するために化成処理が施されたアルミダイキャスト製の素地に、浸透性の高い樹脂、例えばエポキシ系樹脂で電着塗装による樹脂含浸処理を施して含浸樹脂層を形成する。この含浸樹脂の浸透性によってアルミダイキャストに形成された巣穴に含浸して、この巣穴を埋める。この含浸樹脂層が形成された表面に必要に応じて所定の加工を施して、全面に無電解ニッケルめっきによるニッケルめっき層が形成されている。
【００１２】
また、請求項２の発明に係る密封容器の気密構造は、アルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、前記素地に化成処理を施した化成皮膜層と、前記化成皮膜層の上に配した浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層と、必要に応じて前記素地に達する凹所により形成した加工部と、前記加工部の表面と前記含浸樹脂層の表面とに該含浸樹脂層と同じ樹脂により形成した第２含浸樹脂層と、前記第２含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とを備えていることを特徴としている。
【００１３】
例えば、素地に雌ねじ部を形成するための下穴を穿設して加工することを要する場合がある。この下穴のような凹所により加工部を形成する場合、素地内に形成された巣穴の開口が該加工部の壁面等に露呈することがある。この巣穴を放置すると、気密性が損なわれてしまうおそれがあるから、樹脂含浸処理を行って該巣穴に樹脂を含浸させるようにしたものである。なお、前記含浸樹脂層を形成した際に、微細なゴミ等の不純物が存している場合にはその部分にピンホールが形成されてしまうおそれがあり、前記第２含浸樹脂層を形成することによってこのピンホールも埋められる。
【００１４】
また、請求項３の発明に係る密封容器の気密構造は、アルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、前記素地に化成処理を施した化成皮膜層と、前記化成皮膜層の上に配した浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層と、必要に応じて前記素地に達する凹所により形成した加工部と、前記加工部の表面を酸化処理して形成した酸化皮膜層と、前記酸化皮膜層と前記含浸樹脂層の表面とに樹脂含浸処理を施して該含浸樹脂層と同じ樹脂により配した第２含浸樹脂層と、前記酸化皮膜層と第２含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とを備えていることを特徴としている。
【００１５】
前記加工部を形成した際に加工部の壁面等に酸化皮膜層を形成する。加工部に壁面に露呈した巣穴の開口が微小なものであれば、該開口は酸化皮膜層で閉塞される。開口が微小でないと、前記第２含浸樹脂層を形成する際に、樹脂が含浸して巣穴を埋めることになる。なお、酸化皮膜層は導電性を備えていないため、含浸樹脂層は酸化皮膜層の上には形成されずに、巣穴に含浸されることになる。
【００１６】
また、請求項４の発明に係る密封容器の気密構造は、前記含浸樹脂層をエポキシ系樹脂で形成したことを特徴としている。
【００１７】
また、請求項５の発明に係る密封容器の気密構造は、前記含浸樹脂層と第２含浸樹脂層とをエポキシ系樹脂で形成したことを特徴としている。
【００１８】
また、請求項６の発明に係る密封容器の気密構造は、エポキシ系樹脂による前記含浸樹脂層の膜厚を、10μｍ〜50μｍとしてあることを特徴としている。
【００１９】
前記含浸樹脂層にエポキシ系樹脂を用いる場合には、この含浸樹脂層の膜厚を10μｍ〜50μｍとするものである。なお、この膜厚を少なくとも20μｍ〜40μｍとすることができる。
【００２０】
また、請求項７の発明に係る気密構造を備えたハードディスクドライブ装置は、磁気ディスクと該磁気ディスクに対して移動自在な磁気ヘッドとこの磁気ヘッドのヘッド駆動機構等を支持させたアルミダイキャスト製のベースプレートにトップカバーを接合させて内部にヘリウムガスを密封してあるハードディスクドライブ装置において、前記ベースプレートの内側面の所定箇所に研削部を形成し、前記内側面に化成処理を施した化成皮膜層を形成し、前記化成皮膜層の上に配した浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を形成し、前記含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とからなることを特徴としている。
なお、所定箇所とは、この素地に部品等を取り付ける場合にその取付のための加工を要する箇所や平面の精度を向上させる必要がある箇所等をいう。
【００２１】
ハードディスクドライブ装置は、前記ベースプレートにトップカバーを接合させた状態で内部が密封され、内部にヘリウムガスが封入される。このベースプレートの表面に化成皮膜層と含浸樹脂層、ニッケルめっき層を形成するものである。
【００２２】
また、請求項８の発明に係る気密構造を備えたハードディスクドライブ装置は、磁気ディスクと該磁気ディスクに対して移動自在な磁気ヘッドとこの磁気ヘッドのヘッド駆動機構等を支持させたアルミダイキャスト製のベースプレートにトップカバーを接合させて内部にヘリウムガスを密封してあるハードディスクドライブ装置において、前記ベースプレートの内側面の所定箇所に研削部を形成し、前記内側面に化成処理を施して化成皮膜層を形成し、前記化成皮膜層の上に浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を形成し、必要に応じて前記素地に達する凹所により加工部を形成し、前記加工部の表面と前記含浸樹脂層の表面とに該含浸樹脂層と同じ樹脂により第２含浸樹脂層を形成し、前記第２含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とからなることを特徴としている。
【００２３】
また、請求項９の発明に係る気密構造を備えたハードディスクドライブ装置は、磁気ディスクと該磁気ディスクに対して移動自在な磁気ヘッドとこの磁気ヘッドのヘッド駆動機構等を支持させたアルミダイキャスト製のベースプレートにトップカバーを接合させて内部にヘリウムガスを密封してあるハードディスクドライブ装置において、前記ベースプレートの内側面の所定箇所に研削部を形成し、前記内側面に化成処理を施して化成皮膜層を形成し、前記化成皮膜層の上に浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を形成し、必要に応じて前記素地に達する凹所により加工部を形成し、前記加工部の表面を酸化処理して酸化皮膜層を形成し、前記酸化皮膜層と前記含浸樹脂層の表面とに該含浸樹脂層と同じ樹脂による樹脂含浸処理を施して配した第２含浸樹脂層と、前記酸化皮膜層と第２含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とからなることを特徴としている。
【００２４】
また、請求項１０の発明に係るハードディスクドライブ装置は、前記含浸樹脂層をエポキシ系樹脂で形成したことを特徴としている。
【００２５】
また、請求項１１の発明に係る気密構造を備えたハードディスクドライブ装置前記含浸樹脂層と第２含浸樹脂層とをエポキシ系樹脂で形成したことを特徴としている。
【００２６】
また、請求項１２の発明に係るハードディスクドライブ装置は、エポキシ系樹脂による含浸樹脂層の膜厚を、10μｍ〜50μｍとしてあることを特徴としている。
【００２７】
また、請求項１３の発明に係る密封容器の気密施工方法は、密封容器を構成するケーシングをアルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、前記素地に化成処理を施して化成皮膜層を形成し、前記化成皮膜層の上に浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を塗装し、前記含浸樹脂層の上に無電解ニッケルめっきによりニッケルめっき層を形成したことを特徴としている。
なお、所定箇所とは、この素地に部品等を取り付ける場合にその取付のための加工を要する箇所や平面の精度を向上させる必要がある箇所等をいう。
【００２８】
密封容器を構成するアルミダイキャスト製のケーシングに、化成処理によって化成皮膜層を形成する。この化成皮膜層の上から含浸樹脂を電着塗装によって樹脂含浸処理を行って含浸樹脂層を形成する。このとき、該含浸樹脂がケーシングの成型加工時に生じる巣穴に十分に入り込むようにする。この後、必要に応じて所定の加工をケーシングに施す。次いで、無電解ニッケルめっきによりニッケルめっき層を形成する。
【００２９】
また、請求項１４の発明に係る密封容器の気密施工方法は、密封容器を構成するケーシングをアルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、前記素地に化成処理を施して化成皮膜層を形成し、前記化成皮膜層の上に浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を塗装し、必要に応じて前記素地に達する凹所により加工部を形成し、前記加工部の表面と前記含浸樹脂層の表面とに該含浸樹脂層と同じ樹脂により第２含浸樹脂層を形成し、前記第２含浸樹脂層の上に無電解ニッケルめっきによりニッケルめっき層を形成することを特徴としている。
【００３０】
また、請求項１５の発明に係る密封容器の気密施工方法は、密封容器を構成するケーシングをアルミダイキャスト製の素地の所定箇所に研削部を形成し、前記素地に化成処理を施して化成皮膜層を形成し、前記化成皮膜層の上に浸透性の高い樹脂による含浸樹脂層を塗装し、必要に応じて前記素地に達する凹所により加工部を形成し、前記加工部の表面を酸化処理して酸化皮膜層を形成し、前記酸化皮膜層と前記含浸樹脂層の表面とに該含浸樹脂層と同じ樹脂により樹脂含浸処理を施して第２含浸樹脂層を配し、前記酸化皮膜層と第２含浸樹脂層の上に配したニッケルめっき層とを備えていることを特徴としている。
【００３１】
また、請求項１６の発明に係る密封容器の気密施工方法は、前記含浸樹脂層をエポキシ系樹脂で形成したことを特徴としている。
【００３２】
また、請求項１８の発明に係る密封容器の気密施工方法は、エポキシ系樹脂による含浸樹脂層の膜厚を、10μｍ〜50μｍとしてあることを特徴としている。
【００３３】
前記含浸樹脂層をエポキシ系樹脂で形成する場合の膜厚を10μｍ〜50μｍとしたものである。また、この膜厚は少なくとも20μｍ〜40μｍとすることができる。
【発明の効果】
【００３４】
この発明に係る密封容器の気密構造または気密施工方法によれば、含浸樹脂層を形成した後に表面を研磨する工程と、不必要な部分のマスキングを行う工程とを要することなくニッケルめっき層を形成するため、簡単な構造となると共に、加工の工程数を減じることができて、加工コストを減少させることができる。
【００３５】
特に、ハードディスクドライブ装置に実施する場合には、ハードディスクドライブ装置の製造工程を減じると共に、ハードディスクドライブ装置の製造コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】この発明に係る密封容器の気密構造と気密施工方法を説明する概略の断面図である。
【図２】この発明に係る密封容器の気密構造と気密施工方法を説明する概略の断面図であり、図１に示す(ｄ)に後続する工程以降を示している。
【図３】素材の内部の巣穴の開口が加工部に露呈した場合の状態を示している。
【図４】前記加工部の巣穴に対する処理の第１の実施形態を説明する図で、含浸樹脂層の上から再度の樹脂含浸処理を施した状態を示している。
【図５】前記加工部の巣穴に対する処理の第２の実施形態を説明する図で、(ａ)は加工部に対して酸化処理を行って酸化皮膜層を形成した状態を示しており、(ｂ)は前記酸化処理の後に再度の樹脂含浸処理を行った状態を示している。
【図６】エポキシ系樹脂による含浸樹脂層を燒結金属の表面に形成する場合を示す拡大画像で、（ａ）は塗布前の状態を、（ｂ）は塗布後の状態を示している。
【図７】エポキシ系樹脂による含浸樹脂層を燒結金属の表面に形成した場合の断面の拡大画像であり、（ａ）が膜厚を25μｍとした場合を、（ｂ）が膜厚を50μｍとした場合を、それぞれ示している。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、図示した好ましい実施の形態に基づいて、この発明に係る密封容器の気密構造と気密施工方法を具体的に説明する。
【００３８】
図１と図２はこの発明に係る気密施工方法を説明する図であり、この施工を行うことにより図２（ｆ）に示すような気密構造を備えさせることができるものである。
【００３９】
図１(ａ)に示すように、ハードディスクドライブ装置のケーシングのような気密構造を要求される容器の素地１をアルミダイキャストにより成型する場合に、素地１の成型時には、同図に示すように多数の巣穴1aが形成されている。このような巣穴1aが形成されている素地１の加工を要する部分、例えば、この素地１に所定の部品をネジ止めする場合の雌ねじを形成する部分等の表面を予め研削して研削部２を形成し、当該部分の寸法等の精度を確保できるようにする。
【００４０】
次いで、素地１に化成処理による表面処理を施して、図１(ｂ)に示すように化成皮膜層３を形成させる。この化成皮膜層３は前記巣穴1aの表面にも形成されるが、微小な巣穴1a以外は化成皮膜層３で埋めることはできずに、窪んだ状態に残留する。
【００４１】
前記化成皮膜層３の表面に、浸透性の高い樹脂を電着塗装により樹脂含浸処理を行って、図１(ｃ)に示すように、含浸樹脂層４を形成する。これにより、前記巣穴1aが埋められて、素地１の表面にこの含浸樹脂層４のみが露呈した状態となる。
【００４２】
図１(ｃ)に示す状態で、前記研削部２に対応する部分に、雌ねじを形成するための下穴等の必要な加工を施して、図１(ｄ)に示すように、凹所による加工部５を形成する。このとき、前記研削部２が形成された部分の巣穴1aは前記含浸樹脂層４により埋められているから、円滑に加工を施すことができる。また、この加工によって加工部５の内側面には素地１が露呈することになるが、巣穴1aが埋められているので、加工部５の表面には、巣穴1aの開口は存しない。
【００４３】
アルミダイキャストの素地１を成型した際に、該素地１の内部に巣穴1bが形成され、図３に示すように、前記加工部５を加工した際にこの内部の巣穴1bが加工部５の表面に新たに開口する場合がある。また、前記樹脂含浸処理を行って含浸樹脂層４を形成した際に、微細なゴミ等が存している場合には、同図に示すように、ピンホール4aが形成されてしまう場合がある。場合によって、このピンホール4aによって巣穴1aへの含浸樹脂の含浸が阻害されて埋められない状態で残留するおそれがある。このような状態となることが予想される場合には、前記含浸樹脂層４にさらに樹脂含浸処理を行って、含浸樹脂層10を形成する。この再度の樹脂含浸処理によって新たに開口した巣穴1bが埋められる。また、加工部５の形成前に含浸樹脂処理を行って含浸樹脂層４を形成した際の前記ピンホール4aを埋めることができると共に、このピンホール4aに連通した巣穴1aも埋められる。
【００４４】
次いで、図２(ｅ)に示すように、前記加工部５に露呈した素地１であるアルミダイキャストの面に表面保護のための酸化皮膜層６を形成させる。これにより、加工部５の表面であってアルミダイキャストの素地１が露呈している部分には酸化皮膜層６により、それ以外の部分には前記含浸樹脂層４により被覆された状態となり、例えば、ハードディスクドライブ装置のように気密性が要求されるケーシングのベースプレートでは、その内側面に前記含浸樹脂層４と酸化皮膜層６とが形成された状態となる。
【００４５】
また、図３に示すように、前記加工部５の加工によって表面に新たに開口が露呈した巣穴1bに対しては、前記酸化皮膜層６を形成させる前に行う前記含浸樹脂処理に替えて、この酸化皮膜層６を形成させた後に、再度の含浸樹脂処理を行ってもよい。すなわち、図５(ａ)に示すように、酸化皮膜層６は加工部５の素地１が露呈している壁面と底面とを酸化処理することによるが、この酸化皮膜層６では新たに露呈した巣穴1bを埋めることができないが、酸化皮膜層６がこの巣穴1aの内壁面にも形成される。そこで、この酸化皮膜６を形成させた後に、再度の含浸樹脂処理を行って新たな巣穴1bを埋めると共に、前記ピンホール4aを埋める。このとき、酸化皮膜層６は導電性を有していないため、この酸化皮膜層６の上には含浸樹脂層10は形成されず、新たな巣穴1bに含浸されて、図５(ｂ)に示すように、該巣穴1bを埋めることになる。
【００４６】
そして、図２(ｆ)に示すように、前記含浸樹脂層４と酸化皮膜層６とで被覆された表面に無電解ニッケルめっきを施してニッケルめっき層７により表面を被覆する。
【００４７】
その後、前記加工部５その他の部分に所定の加工を施して、必要な部品を組み付けて、例えば、ハードディスクドライブ装置のケーシングの場合にはトップカバー等を接合させ、ヘリウムガス等の不活性ガスを注入して内部を密封することになる。
【００４８】
次に、この発明に係る気密施工方法を燒結金属の表面に実施して試行を行ったので、図３と図４にその断面の拡大写真を示す。
【００４９】
図３には、燒結金属の表面に前記含浸樹脂層４を形成する前後の画像を表示してあり、図３には加工前の状態を示し、図４には加工後の状態を示してある。多孔性の燒結金属に前記含浸樹脂層４としてエポキシ系樹脂を塗装した場合で、図４に示すように、透孔がこの含浸樹脂層によって埋められている状態を確認できる。
【００５０】
また、図７には前記含浸樹脂層４を電着塗装した状態の断面図を示してあり、(ａ)は膜厚を25μｍとした場合を、（ｂ）は膜厚を50μｍとした場合を示してある。
【００５１】
これら、図３及び図４に示されているように、エポキシ系樹脂を電着塗装することによって燒結金属面から開口部に入り込んで含浸されて、透孔を閉塞できる。このことから、アルミニウムダイキャストの成型時に素地１形成される巣穴1aに含浸樹脂が注入されて巣穴1aを十分に埋めることができる。また、図４に示すように、燒結金属のような超多孔性の素地であっても、膜厚が25μｍと50μｍのいずれの場合にも十分な浸透性を備えていることが判る。特に、膜厚50μｍとした場合には、より確実な含浸状態を示している。なお、アルミダイキャストを素材とするものでは、少なくとも、20〜40μｍとすることで十分に巣穴を埋めることができる。
【００５２】
ところで、ハードディスクドライブ装置は、前述したように、内部にヘリウムガスを密封することが要求されるが、そのケーシングをアルミダイキャストで成型する際に形成される巣穴が残存している場合には、めっき処理が適切になされずに、気密性が損なわれるおそれがある。このため、この巣穴を埋めることが必要となる。そこで、この発明に係る気密構造をハードディスクドライブ装置に採用することで、ヘリウムガスをケーシングの内部に密封した状態に維持させることに適している。
【００５３】
以上に説明した実施形態では、密封容器としてヘリウムガスを封入させるハードディスクドライブ装置のケーシングに実施した場合について説明したが、内部を気密にすることが要求される機器の構造にも実施することができる。例えば、真空装置に具備されるチャンバーや配管の接続に用いられる継ぎ手等にも実施することができる。
【００５４】
また、本発明を実施する最も適した素地としてはアルミダイキャスト製のものであるが、例えば、マグネシウムや銅、亜鉛、真鍮等のダイキャスト製品であって巣穴が形成される素地についても実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
この発明に係る密封容器の気密構造と気密施工方法によれば、素材の気密性を確保するためのマスキング工程や研磨工程等が不要となり、処理工程を簡略化できて、確実に気密性を具備させることができるので、密封容器の製作コストの低減に寄与でき、該密封容器を利用する各種機器、装置の低価格化を促進する。特に、ハードディスクドライブ装置の普及に寄与する。
【符号の説明】
【００５６】
１：素地（アルミダイキャスト製）
1a：巣穴
２：研削部
３：化成皮膜層
４：含浸樹脂層
５：加工部
６：酸化皮膜層
７：ニッケルめっき層
10：含浸樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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