(57)【要約】【課題】熱可塑性の接着剤を用いて半導体装置を他の基板等に接着する際に、熱によって流動体又はガスとなった接着剤が侵入し難い領域を確保して、接着剤の影響を受け易い素子を保護することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、回路が形成された半導体基板と、半導体基板の主面上に配置された第１の樹脂突起と、回路に電気的に接続され、第１の樹脂突起上に延在する配線と、半導体基板の主面上に配置されて半導体基板の所定の領域を平面視で囲み、半導体基板からの高さが第１の樹脂突起よりも高い第２の樹脂突起とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に配置された第１の樹脂突起と、
前記回路に電気的に接続され、前記第１の樹脂突起上に延在する配線と、
前記半導体基板の主面上に配置されて前記半導体基板の所定の領域を平面視で囲み、前記半導体基板からの高さが前記第１の樹脂突起よりも高い第２の樹脂突起と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第２の樹脂突起が、前記第１の樹脂突起の弾性率よりも大きい弾性率を有する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の樹脂突起が、前記半導体基板の主面上に配置された第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層上に配置され、前記第１の樹脂突起の弾性率よりも大きい弾性率を有する第２の樹脂層とを含む、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に配置された第１の樹脂突起と、
前記回路に電気的に接続され、前記第１の樹脂突起上に延在する配線と、
接続パッドが主面に配置されたベース基板と、
前記半導体基板の主面と前記ベース基板の主面との間に配置されて前記ベース基板の所定の領域を平面視で囲む第２の樹脂突起と、
前記配線が前記接続パッドに電気的に接続されるように、前記ベース基板の前記所定の領域の外側のみに配置されて前記半導体基板の主面と前記ベース基板の主面とを接着する熱可塑性の接着剤と、
を備える電子モジュール。
【請求項５】
請求項４記載の電子モジュールを備える電子機器。
【請求項６】
回路が形成された半導体基板の主面上に第１の樹脂突起を形成する工程（ａ）と、
前記半導体基板の主面上に、前記半導体基板の所定の領域を平面視で囲む第２の樹脂突起を形成する工程（ｂ）と、
前記回路に電気的に接続され、前記第１の樹脂突起上に延在する配線を形成する工程（ｃ）と、
前記配線が前記接続パッドに電気的に接続され、接着剤が前記半導体基板の前記所定の領域の外側のみに配置されるように、熱可塑性の接着剤を用いて前記半導体基板の主面と前記ベース基板の主面とを接着する工程（ｄ）と、
を備える電子モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。また、本発明は、半導体装置及びベース基板を含む電子モジュールに関する。さらに、本発明は、そのような電子モジュールを用いた電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高密度実装を実現するために、半導体ウエハー又は半導体チップ（以下においては、半導体基板ともいう）をベース基板に実装して電子モジュールを製造することが行われている。その際に、例えば、熱可塑性の接着剤を用いて、半導体基板の主面が、ベース基板の主面に接着される。
【０００３】
それにより、半導体基板の主面に配置された配線が、ベース基板の主面に配置された接続パッドに電気的に接続される。ベース基板としては、シリコン基板やガラス基板等のリジッド基板、又は、フィルム基板等のフレキシブル基板が用いられる。また、ベース基板の主面に形成されたトレンチ（凹部）内に、振動子又はセンサー等の機能素子が配置される場合もある。
【０００４】
関連する技術として、特許文献１の図２には、接着剤５０を用いて配線基板４０に接着された半導体装置１が開示されている。半導体装置１は、電極１４が形成された面に間隔をあけて複数の樹脂層１８が形成された半導体基板１０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面上に形成され、樹脂層１８よりも高さが高い樹脂突起２０と、電極１４上から引き出されて樹脂突起２０を乗り越えるように形成された複数の配線３０とを含んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−４２８６７号公報（要約書、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように半導体装置をベース基板（配線基板）に接着する際に、熱可塑性の接着剤を用いると、熱によって接着剤が流動化したりガスとなって移動したりする。従って、ベース基板のトレンチ内に機能素子が配置されている場合に、流動体又はガスとなった接着剤が機能素子に付着して固化すると、機能素子の動作に悪影響を及ぼす。これを低減するために、以下のような対応策が検討されている。
【０００７】
第１の対応策として、接着剤の影響を受ける素子と接着剤が設けられる領域との間の距離を広げることが考えられる。しかしながら、その場合には、半導体装置又はベース基板のデザインルールに制約が生じてしまう。第２の対応策として、流動性が低く、又は、ガスが発生し難い接着剤を使用することが考えられる。しかしながら、その場合には、接着剤の仕様に制約が生じてしまう。
【０００８】
そこで、本発明の第１の目的は、熱可塑性の接着剤を用いて半導体基板を他の基板等に接着する際に、熱によって流動体又はガスとなった接着剤が侵入し難い領域を確保して、接着剤の影響を受け易い素子を保護することが可能な半導体装置を提供することである。また、本発明の第２の目的は、熱可塑性の接着剤を用いて接着された半導体基板とベース基板との間に接着剤から隔離された領域を有し、接着剤の影響を受け易い素子を安全に格納することが可能な電子モジュールを提供することである。さらに、本発明の第３の目的は、そのような電子モジュールを用いた電子機器等を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以上の課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の第１の観点に係る半導体装置は、回路が形成された半導体基板と、半導体基板の主面上に配置された第１の樹脂突起と、回路に電気的に接続され、第１の樹脂突起上に延在する配線と、半導体基板の主面上に配置されて半導体基板の所定の領域を平面視で囲み、半導体基板からの高さが第１の樹脂突起よりも高い第２の樹脂突起とを備える。
【００１０】
本発明の第１の観点によれば、半導体基板からの第２の樹脂突起の高さが、第１の樹脂突起よりも高く設定されている。それにより、熱可塑性の接着剤を第２の樹脂突起の外側の半導体基板の主面上に設けて半導体基板と他の基板等とを接着する際に、第１の樹脂突起よりも先に第２の樹脂突起が他の基板等に接触する。その結果、第２の樹脂突起の内側に、熱によって流動体又はガスとなった接着剤が侵入し難い領域を確保して、接着剤の影響を受け易い素子を保護することが可能になる。
【００１１】
ここで、第２の樹脂突起が、第１の樹脂突起の弾性率よりも大きい弾性率を有することが望ましい。それにより、半導体基板と他の基板等とを接着する際に、第２の樹脂突起が大きく塑性変形するので、第１の樹脂突起上に延在する配線と他の基板等に設けられた接続パッドとを良好に接続することができる。
【００１２】
あるいは、第２の樹脂突起が、半導体基板の主面上に配置された第１の樹脂層と、第１の樹脂層上に配置され、第１の樹脂突起の弾性率よりも大きい弾性率を有する第２の樹脂層とを含むようにしても良い。その場合には、半導体基板と他の基板等とを接着する際に、第２の樹脂層が大きく塑性変形するので、第１の樹脂突起上に延在する配線と他の基板等に設けられた接続パッドとを良好に接続することができる。
【００１３】
本発明の第２の観点に係る電子モジュールは、回路が形成された半導体基板と、半導体基板の主面上に配置された第１の樹脂突起と、回路に電気的に接続され、第１の樹脂突起上に延在する配線と、接続パッドが主面に配置されたベース基板と、半導体基板の主面とベース基板の主面との間に配置されてベース基板の所定の領域を平面視で囲む第２の樹脂突起と、配線が接続パッドに電気的に接続されるように、ベース基板の所定の領域の外側のみに配置されて半導体基板の主面とベース基板の主面とを接着する熱可塑性の接着剤とを備える。
【００１４】
本発明の第２の観点によれば、半導体基板の主面とベース基板の主面との間に、ベース基板の所定の領域を平面視で囲む第２の樹脂突起が配置されている。熱可塑性の接着剤は、ベース基板の所定の領域の外側のみに配置されて、半導体基板の主面とベース基板の主面とを接着する。それにより、半導体基板とベース基板との間に接着剤から隔離された領域を有し、接着剤の影響を受け易い素子を安全に格納することが可能な電子モジュールを提供することができる。
【００１５】
本発明の第３の観点に係る電子機器は、上記の電子モジュールを備える。本発明の第３の観点によれば、接着剤の影響を受け易い素子を、電子モジュール内で接着剤から隔離された領域に安全に格納することが可能な電子機器を提供することができる。
【００１６】
本発明の第４の観点に係る電子モジュールの製造方法は、回路が形成された半導体基板の主面上に第１の樹脂突起を形成する工程（ａ）と、半導体基板の主面上に、半導体基板の所定の領域を平面視で囲む第２の樹脂突起を形成する工程（ｂ）と、回路に電気的に接続され、第１の樹脂突起上に延在する配線を形成する工程（ｃ）と、配線が接続パッドに電気的に接続され、接着剤が半導体基板の所定の領域の外側のみに配置されるように、熱可塑性の接着剤を用いて半導体基板の主面とベース基板の主面とを接着する工程（ｄ）とを備える。
【００１７】
本発明の第４の観点によれば、半導体基板の所定の領域を平面視で囲む第２の樹脂突起が形成された後に、接着剤が半導体基板の所定の領域の外側のみに配置されるように、熱可塑性の接着剤を用いて半導体基板とベース基板とが接着される。それにより、半導体基板とベース基板との間に接着剤から隔離された領域を有し、接着剤の影響を受け易い素子を安全に格納することが可能な電子モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る電子モジュールの製造工程における断面図。
【図３】第１の実施形態の変形例に係る半導体装置の一部拡大断面図。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る電子モジュールの製造工程における断面図。
【図６】第２の実施形態の変形例に係る電子モジュールの製造工程における断面図。
【図７】本発明の一実施形態に係る電子機器の構成例を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図であり、図２は、本発明の第１の実施形態に係る電子モジュールの製造工程における断面図である。
【００２０】
図１及び図２に示すように、半導体装置１は、回路１０ａが形成された半導体基板１０と、半導体基板１０の主面（図中の上面）上に配置された第１の樹脂突起１１と、回路１０ａに電気的に接続され、第１の樹脂突起１１上に延在する配線１２と、半導体基板１０の主面上に配置された第２の樹脂突起１３とを含んでいる。第２の樹脂突起１３は、半導体基板１０の主面上において第１の樹脂突起１１の外側に配置されても良い。
【００２１】
また、図２に示すように、電子モジュールは、半導体装置１と、接続パッド２２が主面（図中の下面）に形成されたベース基板２０と、配線１２が接続パッド２２に電気的に接続されるように、半導体基板１０の主面とベース基板２０の主面とを接着する接着剤３０とを含んでいる。
【００２２】
半導体基板１０は、例えば、半導体ウエハーであっても良いし、あるいは、半導体チップであっても良い。半導体基板１０に形成された回路１０ａは、トランジスター又はダイオード等の能動素子、抵抗又はキャパシター等の受動素子、又は、能動素子又は受動素子に電気的に接続された配線を含んでいる。
【００２３】
例えば、トランジスターは、シリコン基板上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、ゲート電極の両側のシリコン基板内に形成された不純物拡散領域であるソース及びドレインとを有している。抵抗は、シリコン基板上にゲート絶縁膜又は層間絶縁膜を介して配置される。キャパシターは、複数の層間絶縁膜上に配置された対向電極を有している。配線は、シリコン基板上に層間絶縁膜を介して配置され、必要に応じて多層構造を有しても良い。
【００２４】
半導体基板１０の主面には、回路１０ａに含まれている少なくとも１つの回路素子又は配線に電気的に接続された電極（パッド）１０ｂが配置されている。図１には、複数の回路素子又は配線に電気的に接続された複数の電極１０ｂが示されている。電極１０ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等で構成される。
【００２５】
さらに、図２に示すように、電極１０ｂの周囲に、回路１０ａを保護するパッシベーション膜１０ｃが設けられても良い。パッシベーション膜１０ｃは、例えば、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、ニ酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、又は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の絶縁膜で構成される。
【００２６】
半導体基板１０の主面上に配置された第１の樹脂突起１１及び第２の樹脂突起１３は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ：polybenzoxazole）、又は、フェノール樹脂等の樹脂で構成される。また、配線１２は、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）のシード層と、シード層上に配置された金（Ａｕ）とを含んでおり、電極１０ｂを介して回路１０ａに接続されている。
【００２７】
ベース基板２０としては、例えば、シリコン基板又はガラス基板等が用いられる。ベース基板２０の主面には、振動子又はセンサー等の機能素子２１が配置されている。例えば、ベース基板２０の主面にトレンチが形成され、トレンチ内に機能素子２１が配置される。図１に示す半導体基板１０の領域１０ｄは、ベース基板２０における機能素子２１又はトレンチの領域に対応している。
【００２８】
また、ベース基板２０の主面には、機能素子２１に電気的に接続された接続パッド２２が配置されている。図２には、機能素子２１に電気的に接続された複数の接続パッド２２が示されている。接続パッド２２は、ベース基板２０に配置された配線パターンの一部で構成されても良い。接続パッド２２又は配線パターンは、例えば、ニクロム（ニッケル（Ｎｉ）及びクロム（Ｃｒ）を主成分とする合金）のシード層と、シード層上に配置された金（Ａｕ）とを含んでいる。
【００２９】
接着剤３０を用いて半導体基板１０の主面とベース基板２０の主面とを接着することにより、電子モジュールが製造される。接着剤３０としては、例えば、エポキシ系又はアクリル系の熱可塑性の樹脂等が用いられる。熱可塑性の樹脂は、加熱によって軟化して成形できるようになり、冷却すれば固化する特性を有する。
【００３０】
例えば、図１に示すように、半導体基板１０の主面における第２の樹脂突起１３の外側の周辺領域に接着剤３０が配置される。次に、図２に示すように、半導体基板１０の主面上にベース基板２０の主面が載置され、加熱によって接着剤３０を軟化させながらベース基板２０が半導体基板１０に押圧される。その状態で電子モジュールを冷却すると、接着剤３０が固化して、半導体基板１０がベース基板２０に固定される。
【００３１】
それにより、半導体装置１の配線１２が、ベース基板２０に配置された接続パッド２２に電気的に接続される。その結果、半導体装置１は、機能素子２１に信号を供給して機能素子２１を動作させたり、動作する機能素子２１から出力される信号を受信したりすることができる。
【００３２】
しかしながら、熱可塑性の接着剤３０を用いて半導体基板１０の主面とベース基板２０の主面とを接着すると、熱によって接着剤３０が流動化したりガスとなって移動したりして、流動体又はガスとなった接着剤３０が機能素子２１に付着して固化した際に、機能素子２１の動作に悪影響を及ぼす。
【００３３】
これを低減するために、第２の樹脂突起１３が、熱によって流動体又はガスとなった接着剤３０を堰き止めるダムとして半導体基板１０の主面上に配置され、半導体基板１０の所定の領域を平面視で囲んでいる。半導体基板１０の所定の領域は、図２に示すように半導体基板１０とベース基板２０とが接着されたときに、機能素子２１が配置された領域又はトレンチが形成された領域を含むベース基板２０の所定の領域に対応している。なお、本願において、「平面視」とは、半導体基板１０の主面又はベース基板２０の主面に垂直な方向から各部を透視することをいう。
【００３４】
ただし、半導体基板１０からの第２の樹脂突起１３の高さが第１の樹脂突起１１の高さ以下であると、第２の樹脂突起１３とベース基板２０との接触が不十分となって、流動体又はガスとなった接着剤３０が第２の樹脂突起１３を乗り越えてしまうおそれがあるので、ダムとしての効果は薄い。そこで、本実施形態に係る半導体装置１においては、半導体基板１０からの第２の樹脂突起１３の高さが、第１の樹脂突起１１よりも高く設定されている。
【００３５】
それにより、熱可塑性の接着剤３０を第２の樹脂突起１３の外側の半導体基板１０の主面上に設けて半導体基板１０とベース基板２０とを接着する際に、第１の樹脂突起１１よりも先に第２の樹脂突起１３がベース基板２０に接触する。その結果、第２の樹脂突起１３の内側に、熱によって流動体又はガスとなった接着剤３０が侵入し難い領域を確保して、接着剤３０の影響を受け易い機能素子２１を保護することが可能になる。
【００３６】
さらに好ましくは、半導体基板１０からの第２の樹脂突起１３の高さが、半導体基板１０からの配線１２の高さとベース基板２０からの接続パッド２２の高さとの和よりも高く設定される。その場合には、半導体基板１０とベース基板２０とを接着する際に、配線１２が接続パッド２２に接触するよりも先に、第２の樹脂突起１３がベース基板２０に接触するので、第２の樹脂突起１３とベース基板２０との接触状態をさらに良好に保つことができる。
【００３７】
ここで、第２の樹脂突起１３が、第１の樹脂突起１１の弾性率よりも大きい弾性率を有することが望ましい。それにより、半導体基板１０とベース基板２０とを接着する際に、第２の樹脂突起１３が大きく塑性変形するので、第１の樹脂突起１１上に延在する配線１２とベース基板２０に設けられた接続パッド２２とを良好に接続することができる。
【００３８】
図３は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る半導体装置の一部を拡大して示す断面図である。図３に示すように、第２の樹脂突起１３が、半導体基板１０の主面上に配置された第１の樹脂層１３ａと、第１の樹脂層１３ａ上に配置され、第１の樹脂突起１１の弾性率よりも大きい弾性率を有する第２の樹脂層１３ｂとを含むようにしても良い。
【００３９】
その場合には、半導体基板１０とベース基板２０とを接着する際に、第２の樹脂層１３ｂが大きく塑性変形するので、第１の樹脂突起１１上に延在する配線１２とベース基板２０に設けられた接続パッド２２とを良好に接続することができる。なお、第１の樹脂層１３ａの材料は、第１の樹脂突起１１の材料と同じでも良い。
【００４０】
第１の実施形態に係る電子モジュールにおいては、半導体基板１０の主面とベース基板２０の主面との間に、機能素子２１が配置されるトレンチを含むベース基板２０の所定の領域を平面視で囲む第２の樹脂突起１３が配置されている。熱可塑性の接着剤３０は、ベース基板２０の所定の領域の外側のみに配置されて、半導体基板１０の主面とベース基板２０の主面とを接着する。それにより、半導体基板１０とベース基板２０との間に接着剤３０から隔離された領域を有し、接着剤３０の影響を受け易い機能素子２１を安全に格納することが可能な電子モジュールを提供することができる。
【００４１】
＜第２の実施形態＞
図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図であり、図５は、本発明の第２の実施形態に係る電子モジュールの製造工程における断面図である。第２の実施形態においては、図１及び図２に示す第２の樹脂突起１３に加えて、図４及び図５に示す第３の樹脂突起１４が半導体基板１０の主面上に配置されている。その他の点に関しては、第２の実施形態は、第１の実施形態と同様でも良い。
【００４２】
図４及び図５に示すように、第３の樹脂突起１４は、半導体基板１０の主面上に配置されて半導体基板１０の所定の領域を平面視で囲み、半導体基板１０からの高さが第２の樹脂突起１３よりも高く設定されている。第２の実施形態においては、第３の樹脂突起１４が、半導体基板１０の主面上において第２の樹脂突起１３の外側に配置されている。
【００４３】
接着剤３０を用いて半導体基板１０の主面とベース基板２０の主面とを接着することにより、電子モジュールが製造される。例えば、図４に示すように、半導体基板１０の主面における第３の樹脂突起１４の外側の周辺領域に接着剤３０が配置される。次に、図５に示すように、半導体基板１０の主面上にベース基板２０の主面が載置され、加熱によって接着剤３０を軟化させながらベース基板２０が半導体基板１０に押圧される。その状態で電子モジュールを冷却すると、接着剤３０が固化して、半導体基板１０がベース基板２０に固定される。
【００４４】
このように、第２の実施形態によれば、熱によって流動体又はガスとなった接着剤３０を堰き止めるダムとして、異なる高さを有する複数の樹脂突起１３及び１４が、半導体基板１０の主面上に配置されて、半導体基板１０の所定の領域を平面視で囲んでいる。それにより、熱によって流動体又はガスとなった接着剤３０の侵入を防止する性能をさらに向上させることができる。
【００４５】
図６は、本発明の第２の実施形態の変形例に係る電子モジュールの製造工程における断面図である。第２の実施形態の変形例においては、第３の樹脂突起１４が、半導体基板１０の主面上において第２の樹脂突起１３の内側に配置されている。第２の実施形態の変形例によっても、第２の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００４６】
＜電子モジュールの製造方法＞
次に、本発明の一実施形態に係る電子モジュールの製造方法について、図１〜図６を参照しながら説明する。
まず、工程（ａ）において、図１及び図２に示すように、回路１０ａが形成された半導体基板１０の主面上に第１の樹脂突起１１が形成される。第１の樹脂突起１１は、半導体基板１０の主面上に樹脂材料膜を塗布し、フォトリソグラフィー技術で樹脂材料膜をパターニングし、その後に熱処理をすることによって形成されても良い。
【００４７】
次に、工程（ｂ）において、図１及び図２に示すように、半導体基板１０の主面上に、半導体基板１０の所定の領域を平面視で囲む第２の樹脂突起１３が形成される。第２の樹脂突起１３は、半導体基板１０の主面上に樹脂材料膜を塗布し、フォトリソグラフィー技術で樹脂材料膜をパターニングし、その後に熱処理をすることによって形成されても良い。なお、第１の樹脂突起１１と第２の樹脂突起１３とを同時に形成しても良い。
【００４８】
図３に示すように、第２の樹脂突起１３は、第１の樹脂層１３ａと、第１の樹脂突起１１の弾性率よりも大きい弾性率を有する第２の樹脂層１３ｂとを含んでも良い。その場合には、工程（ｂ）において、半導体基板１０の主面上に第１の樹脂層１３ａが形成され、次に、第１の樹脂層１３ａ上に第２の樹脂層１３ｂが形成される。なお、第１の樹脂突起１１と第１の樹脂層１３ａとを同時に形成しても良い。
【００４９】
また、図４〜図６に示すように、半導体装置１は、第３の樹脂突起１４を含んでも良い。その場合には、工程（ｂ）において、半導体基板１０の主面上に、半導体基板１０の所定の領域を平面視で囲む第３の樹脂突起１４が形成される。第３の樹脂突起１４は、半導体基板１０の主面上に樹脂材料膜を塗布し、フォトリソグラフィー技術で樹脂材料膜をパターニングし、その後に熱処理をすることによって形成されても良い。なお、第２の樹脂突起１３と第３の樹脂突起１４とを同時に形成しても良い。
【００５０】
次に、工程（ｃ）において、半導体基板１０上に、回路１０ａに電気的に接続され、第１の樹脂突起１１上に延在する配線１２が形成される。さらに、工程（ｄ）において、配線１２が接続パッド２２に電気的に接続され、接着剤３０が半導体基板１０の所定の領域の外側のみに配置されるように（接着剤３０が所定の領域に侵入しないように）、熱可塑性の接着剤３０を用いて半導体基板１０の主面とベース基板２０の主面とが接着される。
【００５１】
例えば、図２に示すように、半導体基板１０の主面における第２の樹脂突起１３の外側の周辺領域に接着剤３０が配置される。次に、半導体基板１０の主面上にベース基板２０の主面が載置され、加熱によって接着剤３０を軟化させながらベース基板２０が半導体基板１０に押圧される。その状態で電子モジュールを冷却すると、接着剤３０が固化して、半導体基板１０がベース基板２０に固定される。
【００５２】
その後、半導体基板１０が半導体ウエハーである場合には、半導体基板１０及びベース基板２０を切断して半導体ウエハーを複数の半導体チップに分離することにより、個々の電子モジュールが完成する。その場合には、半導体ウエハー単位で接着が行われるので、電子モジュールの生産性を向上させることができる。
【００５３】
上記の電子モジュールの製造方法によれば、半導体基板１０の所定の領域を平面視で囲む第２の樹脂突起１３が形成された後に、接着剤３０が半導体基板１０の所定の領域の外側のみに配置されるように（接着剤３０が所定の領域に侵入しないように）、熱可塑性の接着剤３０を用いて半導体基板１０とベース基板２０とが接着される。それにより、半導体基板１０とベース基板２０との間に接着剤３０から隔離された領域を有し、接着剤３０の影響を受け易い機能素子２１を安全に格納することが可能な電子モジュールを提供することができる。
【００５４】
＜電子機器＞
次に、本発明のいずれかの実施形態に係る電子モジュールを用いた電子機器について説明する。以下においては、一例として、電子機器がプリンターである場合について説明する。
【００５５】
図７は、本発明の一実施形態に係る電子機器の構成例を示すブロック図である。図７に示すように、電子機器１００は、半導体装置１と、プリントヘッド１１１と、印字媒体搬送部１１２と、ＣＰＵ（中央演算装置）１２０と、操作部１３０と、ＲＯＭ（リードオンリー・メモリー）１４０と、ＲＡＭ（ランダムアクセス・メモリー）１５０と、通信部１６０と、表示部１７０とを含んでいる。なお、図７に示す構成要素の一部を省略又は変更しても良いし、あるいは、図７に示す構成要素に他の構成要素を付加しても良い。
【００５６】
半導体装置１は、プリントヘッド１１１を駆動するための複数の駆動回路を内蔵している。プリントヘッド１１１は、図２等に示すベース基板２０を含んでいる。それにより、半導体装置１及びベース基板２０を含む電子モジュールが構成される。半導体装置１に内蔵された複数の駆動回路は、図１等に示す配線１２を介して、プリントヘッド１１１に電気的に接続されている。
【００５７】
印字媒体搬送部１１２において、例えば、ステッピングモーターがベルトを介してプラテンローラーを駆動することにより、印字媒体である用紙が搬送される。半導体装置１に内蔵された駆動回路は、プリントヘッド１１１を駆動することにより、印字媒体搬送部１１２によって搬送された用紙に印字を行う。
【００５８】
ＣＰＵ１２０は、ＲＯＭ１４０等に記憶されているプログラムに従って各種の制御処理を行う。例えば、ＣＰＵ１２０は、操作部１３０から供給される操作信号に応じて半導体装置１及び印字媒体搬送部１１２を制御したり、外部との間でデータ通信を行うために通信部１６０を制御したり、表示部１７０に各種の情報を表示させるための表示信号を生成したりする。
【００５９】
操作部１３０は、例えば、操作キーやボタンスイッチ等を含む入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ１２０に出力する。ＲＯＭ１４０は、ＣＰＵ１２０が各種の制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。また、ＲＡＭ１５０は、ＣＰＵ１２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ１４０から読み出されたプログラムやデータ、又は、操作部１３０を用いて入力されたデータ等を一時的に記憶する。
【００６０】
通信部１６０は、例えば、アナログ回路及びデジタル回路で構成され、ＣＰＵ１２０と外部装置との間のデータ通信を行う。従って、図７に示すプリンターは、外部のホストコンピューター等から供給される印字データに基づいて印字動作を行うことができる。表示部１７０は、例えば、ＬＣＤ（液晶表示装置）等を含み、ＣＰＵ１２０から供給される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。
【００６１】
電子機器としては、プリンター以外にも、例えば、携帯電話機等の移動端末、スマートカード、電卓、電子辞書、電子ゲーム機器、デジタルスチルカメラ、デジタルムービー、テレビ、テレビ電話、防犯用テレビモニター、ヘッドマウント・ディスプレイ、パーソナルコンピューター、ネットワーク機器、カーナビゲーション装置、測定機器、及び、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、及び、電子内視鏡）等が該当する。
【００６２】
本実施形態によれば、接着剤３０の影響を受け易い機能素子２１を、電子モジュール内で接着剤３０から隔離された領域に安全に格納することが可能な電子機器を提供することができる。
【００６３】
本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、当該技術分野において通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。例えば、以上説明した実施形態の内から選択された複数の実施形態を組み合わせて実施することも可能である。
【００６４】
なお、本願において、特定のＡ（以下「Ａ」という）の上（又は下）に特定のＢ（以下「Ｂ」という）が配置又は形成されるというとき、Ａの上（又は下）に直接Ｂが配置又は形成される場合に限定されない。Ａの上（又は下）に、本発明の作用効果を阻害しない範囲で、他のものを介してＢが配置又は形成される場合も含まれる。
【符号の説明】
【００６５】
１…半導体装置、１０…半導体基板、１０ａ…回路、１０ｂ…電極、１０ｃ…パッシベーション膜、１１…第１の樹脂突起、１２…配線、１３…第２の樹脂突起、１３ａ…第１の樹脂層、１３ｂ…第２の樹脂層、１４…第３の樹脂突起、２０…ベース基板、２１…機能素子、２２…接続パッド、３０…接着剤、１００…電子機器、１１１…プリントヘッド、１１２…印字媒体搬送部、１２０…ＣＰＵ、１３０…操作部、１４０…ＲＯＭ、１５０…ＲＡＭ、１６０…通信部、１７０…表示部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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