(57)【要約】【課題】高いレジスト剥離性を有すると共に、複数金属（特に銅又は銅合金、及び、錫又は錫合金）に対する防食性に優れたフォトレジスト剥離液を提供すること。【解決手段】ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、マルトール及びクレアチニンを含むことを特徴とする剥離液に関する。さらに、アルキレンアミン及び／又はアルカノールアミンを含むことが好ましい。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、マルトール及びクレアチニンを含むことを特徴とするフォトレジスト剥離液。
【請求項２】
マルトール及びクレアチニンの総含有量が０．６重量％以下であり、
マルトールとクレアチニンとの含有重量比率が３：１〜１：１である、請求項１記載のフォトレジスト剥離液。
【請求項３】
さらに、アルキレンアミン及び／又はアルカノールアミンを含む、請求項１又は２記載のフォトレジスト剥離液。
【請求項４】
水の含有量が１０重量％以下であり、ネガ型ドライフィルムレジストの剥離に用いられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のフォトレジスト剥離液。
【請求項５】
下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする、多層金属パターンを有する基板の製造方法：
（１）基板上にフォトレジストパターンを形成する工程、
（２）フォトレジストパターンをマスクとして多層金属パターンを形成する工程、
（３）請求項１〜４のいずれか一項に記載のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程。
【請求項６】
工程（２）の多層金属は、銅又は銅合金層と錫又は錫合金層とを含む、請求項５記載の多層金属パターンを有する基板の製造方法。
【請求項７】
フォトレジストがネガ型ドライフィルムレジストであり、多層金属パターンはめっき処理により形成される、請求項５又は６に記載の多層金属パターンを有する基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォトレジスト剥離液に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板等は微細な配線を施した電極構造を有しており、その製造工程でフォトレジストが使用されている。電極構造は、例えば、基板上に形成されたアルミニウム等の導電性金属層やＳｉＯ２膜等の絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、これに露光、現像の処理を施してフォトレジストパターンを形成し、このフォトレジストパターンをマスクとして導電性金属層や絶縁膜等をエッチング処理したり、めっき処理により金属パターンを形成したりすることで微細配線を形成した後、不要となったフォトレジストを剥離液で除去して製造される。これらフォトレジスト剥離液には、金属配線材料を腐食しないことが求められる。金属配線材料の材質としては、近年、アルミニウムより抵抗率が低い銅が注目されている。
【０００３】
このような剥離液として、特許文献１には、有機アミンと水、及び必要に応じて水溶性有機溶媒を含有するレジスト剥離用組成物に、さらにマルトール、コウジ酸といった特定の化合物を含有させることで、レジスト残渣を効果的に除去し、かつ金属配線材料に対する防食性にも優れることが開示されている。また、特許文献２には、レジスト剥離剤とともに、銅又は銅合金の防食剤としてシトシン及び／又はクレアチニンを含有するフォトレジスト剥離剤組成物が開示されており、更に、このようなフォトレジスト剥離剤組成物としては、アルカノールアミン、水溶性有機溶剤、及び水を含有するとともに、銅又は銅合金の防食剤としてシトシン及び／又はクレアチニンを含有するものが好ましい旨が記載されている。
【０００４】
一方で、めっき処理により金属パターンを形成するめっき法において、マスクに使用されるフォトレジストとしては、めっき耐性に優れるネガ型フォトレジストが好ましい。しかしながら、ネガ型フォトレジストはその性質上、硬化後パターンの剥離が困難であるといった問題がある。そのため、ネガ型フォトレジストの除去に使用されるフォトレジスト剥離液には高いレジスト剥離性が要求される。そこで、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドのような強アルカリ性物質を含有するフォトレジスト剥離液が好ましく用いられるが、このフォトレジスト剥離液はレジスト剥離性に優れる一方、金属腐食性が大きいという欠点がある。更に、昨今では、半導体の高集積化に伴い、金属配線は多層化の流れになっており、使用するフォトレジスト剥離液には、複数金属を腐食させないことが要求される等、レジスト剥離性と防食性との両立が難しい傾向にある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３５１０９３号公報
【特許文献２】国際公開第２０１０／１１９７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、高いレジスト剥離性を有すると共に、複数金属（特に銅又は銅合金、及び、錫又は錫合金）に対する防食性に優れたフォトレジスト剥離液を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、鋭意検討の結果、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウムを含有する組成物において、マルトールとクレアチニンとを併用することにより、高いレジスト剥離性を有すると共に、それぞれを単独で用いた場合と比較して両者の相乗効果がみられ、複数金属（特に銅又は銅合金、及び、錫又は錫合金）に対する防食性が顕著に向上することを見出し、本発明を完成した。
【０００８】
即ち、本発明のフォトレジスト剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、マルトール及びクレアチニンを含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明のフォトレジスト剥離液は、マルトール及びクレアチニンの総含有量が０．６重量％以下であり、マルトールとクレアチニンとの含有重量比率が３：１〜１：１であることが好ましい。
【００１０】
本発明のフォトレジスト剥離液は、さらに、アルキレンアミン及び／又はアルカノールアミンを含むことが好ましい。
【００１１】
本発明のフォトレジスト剥離液は、水の含有量が１０重量％以下であり、ネガ型ドライフィルムレジストの剥離に用いられることが好ましい。
【００１２】
本発明の多層金属パターンを有する基板の製造方法は、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする：
（１）基板上にフォトレジストパターンを形成する工程、
（２）フォトレジストパターンをマスクとして多層金属パターンを形成する工程、
（３）本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程。
【００１３】
本発明の多層金属パターンを有する基板の製造方法において、工程（２）の多層金属は、銅又は銅合金層と錫又は錫合金層とを含むことが好ましい。
【００１４】
本発明の多層金属パターンを有する基板の製造方法において、フォトレジストがネガ型ドライフィルムレジストであり、多層金属パターンはめっき処理により形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のフォトレジスト剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、マルトール及びクレアチニンを含むため、高いレジスト剥離性を有すると共に、マルトールやクレアチニンを単独で用いた場合と比較して両者の相乗効果がみられ、複数金属（特に銅又は銅合金、及び、錫又は錫合金）に対する防食性に優れる。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜＜フォトレジスト剥離液＞＞
本発明は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、マルトール及びクレアチニンを含むことを特徴とするフォトレジスト剥離液に関する。
【００１７】
＜ジメチルスルホキシド＞
本発明のフォトレジスト剥離液において、ジメチルスルホキシドの含有量は特に限定されないが、２０〜９０重量％であることが好ましく、３５〜８７重量％であることがより好ましい。ジメチルスルホキシドの含有量が２０重量％未満の場合や９０重量％を超える場合、レジスト剥離性が低下することがある。
【００１８】
＜水酸化第四級アンモニウム＞
水酸化第四級アンモニウムとしては、例えば下記一般式（１）で表される化合物を用いることができる。
【００１９】
【化１】
2017075992.tif 000002
【００２０】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜３のアルキル基、又は、炭素数１〜３のヒドロキシ置換アルキル基を表し、同一であっても異なっていてもよい。
【００２１】
水酸化第四級アンモニウムとしては、特に限定されないが、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化トリメチルエチルアンモニウム、水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、水酸化トリプロピル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、水酸化トリメチル（１−ヒドロキシプロピル）アンモニウム等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。これらの中では、レジスト剥離性の観点から、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムが好ましい。また、分子量が最も小さく、単位重量当たりのモル濃度が高くなり、効果的に働くことから、水酸化テトラメチルアンモニウムがより好ましい。
【００２２】
本発明のフォトレジスト剥離液において、水酸化第四級アンモニウムの含有量は特に限定されないが、２〜２０重量％であることが好ましく、３〜１５重量％であることがより好ましい。水酸化第四級アンモニウムの含有量が２重量％未満であると、レジスト剥離性が低下することがあり、２０重量％を超えると、金属腐食性が高くなることがある。
【００２３】
＜マルトール＞
本発明のフォトレジスト剥離液において、マルトールの含有量は特に限定されないが、０．１〜０．５重量％であることが好ましく、０．２〜０．４重量％であることがより好ましい。マルトールの含有量が０．１重量％未満であると、錫−銀合金の防食性が不十分となることがあり、０．５重量％を超えると、銅の防食性が不十分となることがある。
【００２４】
＜クレアチニン＞
本発明のフォトレジスト剥離液において、クレアチニンの含有量は特に限定されないが、０．０１〜１．０重量％であることが好ましく、０．１〜０．５重量％であることがより好ましい。クレアチニンの含有量が０．０１重量％未満であると、銅の防食性が不十分となることがあり、１．０重量％を超えると、銅と錫−銀合金の防食性が不十分となることがある。
【００２５】
本発明のフォトレジスト剥離液において、マルトール及びクレアチニンの総含有量は特に限定されないが、１．０重量％以下であることが好ましく、０．７重量％以下であることがより好ましく、０．６重量％以下であることが更に好ましい。マルトール及びクレアチニンの総含有量が１．０重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。
【００２６】
本発明のフォトレジスト剥離液において、マルトールとクレアチニンとの含有重量比率（重量比）は特に限定されないが、３：１〜１：３であることが好ましく、３：１〜１：１であることがより好ましい。マルトールの含有重量比率が１：３を超えると、錫−銀合金の防食性が不十分となることがあり、クレアチニンの含有重量比率が３：１未満であると、銅の防食性が不十分となることがある。
【００２７】
特に、スパッタリング等により形成された銅シード層のような、アモルファス状の金属又は金属合金層の防食の観点からは、マルトール及びクレアチニンの総含有量が０．６重量％以下であり、マルトールとクレアチニンとの含有重量比率が３：１〜１：１であることが好ましい。
【００２８】
＜任意成分＞
本発明のフォトレジスト剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、マルトール、クレアチニンに加えて、任意に他の成分を含有していても良い。他の成分としては、特に限定されないが、アミン、多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテル、水、ジメチルスルホキシド以外の有機溶媒、界面活性剤（例えば、アルキルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル）、消泡剤（例えばシリコーンオイル）等が挙げられる。
【００２９】
アミンとしては、特に限定されず公知のものが挙げられるが、フォトレジスト剥離液の経時安定性の観点から、アルカノールアミン、アルキレンアミンを用いることが好ましい。これらは単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００３０】
本発明のフォトレジスト剥離液がアミンを含有する場合、その含有量は特に限定されないが、１〜２５重量％であることが好ましく、２〜２０重量％であることがより好ましい。含有量が１重量％未満であると、経時安定性が低下することがあり、２５重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。
【００３１】
アルカノールアミンとしては、１級アルカノールアミンのみ、２級アルカノールアミンのみ、３級アルカノールアミンのみであってもよく、これらの任意の組み合わせ、例えば、１級アルカノールアミンと２級アルカノールアミンとの組み合わせ、１級アルカノールアミンと２級アルカノールアミンと３級アルカノールアミンとの組み合わせ、等であってもよい。これらのうち、１級アルカノールアミンのみ、２級アルカノールアミンのみ、又は、１級アルカノールアミンと２級アルカノールアミンとを含む組み合わせ、が好ましく、１級アルカノールアミンのみがより好ましい。アルカノールアミンは単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００３２】
１級アルカノールアミンとしては、特に限定されず、例えば、モノエタノールアミン、イソプロパノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール等が挙げられる。２級アルカノールアミンとしては、特に限定されず、例えば、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン等が挙げられる。３級アルカノールアミンとしては、特に限定されず、例えば、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ、Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン等が挙げられる。これらの中では、入手の容易さ及びレジスト剥離性と銅又は銅合金に対する防食性の兼備の点から、モノエタノールアミン、イソプロパノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノールが好ましく、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノールがより好ましく、モノエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノールがさらに好ましい。
【００３３】
本発明のフォトレジスト剥離液がアルカノールアミンを含有する場合、その含有量は特に限定されないが、１〜２５重量％であることが好ましく、２〜２０重量％であることがより好ましい。アルカノールアミンの含有量が１重量％未満であると、経時安定性が低下することがあり、２５重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。
【００３４】
アルキレンアミンとしては、特に限定されず下記一般式（２）で表される化合物を用いることができ、具体的には、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、テトラエチレンペンタミン（ＴＥＰＡ）、ペンタエチレンヘキサミン（ＰＥＨＡ）等の下記一般式（３）で表されるエチレンアミン、プロピレンジアミン等が挙げられる。これらの中では、二酸化炭素の吸収性の観点から、下記一般式（３）で表されるエチレンアミンが好ましく、ｎ＝２以上のポリエチレンアミンがより好ましく、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンがさらに好ましい。これらのアルキレンアミンは、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００３５】
【化２】
2017075992.tif 000003
【００３６】
（一般式（２）中、ｍ、ｎは１〜５の整数を表す。Ｒ５、Ｒ６は、互いにそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表す。Ｒ５、Ｒ６が複数ある場合は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【００３７】
【化３】
2017075992.tif 000004
【００３８】
（一般式（３）中、ｎは１〜５の整数を表す。）
【００３９】
本発明のフォトレジスト剥離液がアルキレンアミンを含有する場合、その含有量は特に限定されないが、１〜２５重量％であることが好ましく、２〜２０重量％であることがより好ましい。アルキレンアミンの含有量が１重量％未満であると、経時安定性が低下することがあり、２５重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。
【００４０】
本発明のフォトレジスト剥離液は、多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルを含有してもよい。多価アルコールとしては、特に限定されないが、例えば、トリエチレングリコール（ＴＥＧ）、グリセリン、ジエチレングリコール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール、エチレングリコール等が挙げられる。分子量１００以下のグリコールエーテルとしては、特に限定されないが、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。これらの中では、水酸化第四級アンモニウムの溶解性を高める観点から、トリエチレングリコール、グリセリンを用いることが好ましい。これらの多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルは、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００４１】
多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルのＳＰ値は、特に限定されないが、δＤ＝１５．８〜１７．６、δＰ＝９．０〜１５．５、かつ、δＨ＝１６．２〜３０．０であることが好ましく、δＤ＝１７．０〜１７．４、δＰ＝１０．２〜１４．２、かつ、δＨ＝２６．０〜２９．３であることがより好ましい。δＤ、δＰ、δＨの値が上記範囲を外れると、水酸化第四級アンモニウムの溶解性が低下することがある。なお、本明細書において、ＳＰ値とはハンセンの溶解パラメーターのことをいい、物質の溶解性を分散項δＤ、極性項δＰ、水素結合項δＨの３つのパラメーターで表現するものである。分散項δＤ、極性項δＰ、水素結合項δＨは、物質固有の物性値であり、例えば、「Ｈａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ：Ａ  Ｕｓｅｒ’ｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ，ＨＳＰｉＰ  ３ｒｄ  Ｅｄｉｔｉｏｎ  ｖｅｒ．３．０．２０」に示されている。なお、水素結合項δＨは、前記文献に記載の値を使用することができるが、記載がない場合は、Ｙ−ＭＢ法と呼ばれるニューラルネットワーク法を用いた推算方法により水素結合項δＨを算出することができる。
【００４２】
本発明のフォトレジスト剥離液が多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルを含有する場合、その含有量は特に限定されないが、１．０〜２０．０重量％であることが好ましく、２．０〜１０．０重量％であることがより好ましい。多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルの含有量が１．０重量％未満であると、水酸化第四級アンモニウムの溶解性が低下することがあり、２０．０重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。
【００４３】
本発明のフォトレジスト剥離液が水を含有する場合、その含有量は特に限定されないが、レジスト剥離性の観点からは、３０重量％以下であることが好ましく、ネガ型レジスト剥離性の観点からは、２０重量％以下であることが好ましい。特に、本発明のフォトレジスト剥離液をネガ型ドライフィルムレジストの剥離に用いる場合、水の含有量は１０重量％以下であることがより好ましく、３〜１０重量％であることがさらに好ましい。水の含有量が３重量％未満であると、水酸化第四級アンモニウムの溶解性が低下することがあり、１０重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。
【００４４】
アミン、多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテル、並びに、水を除く他の任意成分の含有量は、その種類によるので一概に定めないが、例えば、０．００１〜５重量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜１重量％である。
【００４５】
本発明のフォトレジスト剥離液は、上述した各成分を常法により混合することで調製することができる。
【００４６】
本発明のフォトレジスト剥離液は、半導体基板（素子）、プリント基板やＦＰＤ基板等の製造工程において、金属バンプや金属配線等の金属パターンの形成後に不要となったフォトレジストパターンを剥離するために用いられる。
【００４７】
本発明のフォトレジスト剥離液を用いて多層金属パターンを有する基板のフォトレジストを剥離すると、多層金属パターンが過度に腐食されて線幅がやせてしまうことを防止でき、形成された配線断面形状を損なうことなく、良好な多層金属パターンを形成することができる。また本発明のフォトレジスト剥離液は、特に、銅又は銅合金、及び、錫又は錫合金の防食性に優れるため、表面にこれらの金属層を有する基板のフォトレジストを剥離する場合にも、これらの金属層を過度に腐食して基板表面の荒れが生じることを防止することができる。
【００４８】
本発明のフォトレジスト剥離液は、ポジ型、ネガ型のいずれのフォトレジストの剥離にも使用することができるが、高いフォトレジスト剥離性を有することから、ネガ型フォトレジストの剥離に好適に用いられる。
【００４９】
＜＜多層金属パターンを有する基板の製造方法＞＞
本発明の多層金属パターンを有する基板の製造方法は、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする：
（１）基板上にフォトレジストパターンを形成する工程、
（２）フォトレジストパターンをマスクとして多層金属パターンを形成する工程、
（３）本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程。
【００５０】
＜工程（１）＞
まず、基板上にフォトレジストパターンを形成する工程（１）について説明する。
基板の材質としては、特に限定されないが、例えば、シリコン、セラミックス、ガラス等が挙げられる。
工程（１）では、基板の表面にスパッタリング、めっき等により金属薄膜を形成した基板を用いることができる。この金属薄膜は、後述する金属シード層であってもよい。
この金属薄膜の表面にフォトレジスト膜を形成し、マスクを介して露光・現像を行うことで、基板上にフォトレジストパターンを形成する。ここで使用するフォトレジスト膜は、所望する金属パターンの寸法や、めっき液等の種類等に応じて選択されるが、めっき耐性に優れる点からは、ネガ型フォトレジストが好ましい。なお、ネガ型フォトレジストは液状とドライフィルムに大別され、微細パターン加工が求められる場合には液状が、厚膜加工が求められる場合にはドライフィルムが、それぞれ好適に使用される。
【００５１】
フォトレジストパターンの膜厚は、特に限定されないが、１０〜１５０μｍであることが好ましい。膜厚が１０μｍ未満であると、所望の厚みの金属層を形成する事が困難となることがあり、１５０μｍを超えると、微細加工が困難となることがある。
【００５２】
＜工程（２）＞
次に、フォトレジストパターンをマスクとして多層金属パターンを形成する工程（２）について説明する。多層金属パターンの形成方法としては、特に限定されないが、フォトレジストパターンをマスクとしてエッチング処理するエッチング法や、フォトレジストパターンをマスクとしてめっき処理するめっき法等が挙げられる。本発明の多層金属パターンを有する基板の製造方法では、金属厚みを得る観点から、多層金属パターンがめっき処理により形成されることが好ましい。以下、めっき法について詳細に説明する。
【００５３】
めっき法では、工程（１）で形成されたフォトレジストパターンをマスクとしてめっき処理を行う。めっきは無電解めっき、電気めっきのいずれの方法で行ってもよい。めっきは一回に限らず、二回以上実施することもできるが、めっき法にて多層金属パターンを形成する場合は少なくとも二回実施する。めっきを二回以上実施する場合、例えば、銅又は銅合金を用いためっきと、銅又は銅合金以外の金属を用いためっきとを組み合わせても良い。銅又は銅合金以外の金属としては、特に限定されないが、錫又は錫合金、ニッケル又はニッケル合金等を挙げることができる。特に、本発明のフォトレジスト剥離液は、複数金属（特に、銅又は銅合金、及び、錫又は錫合金）に対する防食性に優れるため、銅又は銅合金めっきを少なくとも一回、錫又は錫合金めっきを少なくとも一回実施する態様であってもよい。なお、多層金属パターンの形成はめっき法のみに限ることはなく、例えば、銅又は銅合金めっきにて銅又は銅合金層を形成した後、めっき以外の手段（例えば、スパッタリング法）により錫又は錫合金層を形成し、多層金属パターンを形成することや、めっき以外の手段（例えば、スパッタリング法）により銅又は銅合金層を形成した後、錫又は錫合金めっきにより錫又は錫合金層を形成し、多層金属パターンを形成すること、等も可能である。
【００５４】
工程（２）の多層金属は、導電性及びはんだ特性の観点から、銅又は銅合金層と錫又は錫合金層とを含むことが好ましい。
【００５５】
工程（２）において銅又は銅合金層パターンを形成する際、基板表面に金属薄膜として銅（合金）シード層を形成し、これにフォトレジストパターンをマスクとして銅めっきを施すことで、露出している銅（合金）シード層上に銅又は銅合金層パターンを形成することができる。更に、銅又は銅合金層パターン上に、必要に応じてその他金属層を介して、はんだとなる錫又は錫合金層を形成し、多層金属パターンを形成できる。
【００５６】
＜工程（３）＞
次に、本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程（３）について説明する。本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する方法としては、特に限定されないが、本発明のフォトレジスト剥離液に基板を浸漬する方法や、本発明のフォトレジスト剥離液を基板にシャワーやスプレー等で吹き付ける方法等が挙げられる。この際、ブラシ洗浄を併用することにより、レジスト剥離性を向上させることができる。また、本発明のフォトレジスト剥離液に基板を浸漬する方法では、必要に応じてフォトレジスト剥離液を攪拌したり、基板を振動してもよい。
【００５７】
本発明のフォトレジスト剥離液の温度は特に限定されず、常温のほか、例えば３０〜８０℃に加熱して使用することができる。剥離に要する時間は、フォトレジストの変質度合い等によるが、一般には、例えば３０秒間〜１２０分間程度である。
【００５８】
フォトレジストを剥離した後、好ましくは純水で、剥離したフォトレジストを含むフォトレジスト剥離液を洗浄除去し、フォトレジストを基板上から除去する。その後、エアブロー等で、基板上の液体を吹き飛ばし、基板を乾燥させる。
【００５９】
なお、金属薄膜としてスパッタリング等で金属シード層を設ける場合、湿式で形成されためっき層よりもアモルファス状であり、腐食しやすい傾向にあるため、工程（３）において、金属シード層に腐食が生じることがある。本発明では、マルトール及びクレアチニンの総含有量が０．６重量％以下であり、マルトールとクレアチニンとの含有重量比率が３：１〜１：１であるフォトレジスト剥離液を使用することで、金属シード層に対する防食性も兼ね備えることができる。なお、金属シード層は、工程（３）の後、エッチング等により除去されることがある。
【００６０】
金属配線の多層態様としては、特に限定されないが、下層から順に、銅又は銅合金／下層とは異なる組成の銅又は銅合金の２層配線、銅又は銅合金／錫又は錫合金の２層配線、銅又は銅合金／ニッケル又はニッケル合金の２層配線、銅又は銅合金／ニッケル又はニッケル合金／錫又は錫合金の３層配線等が挙げられる。
【実施例】
【００６１】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００６２】
（参考例１、２）
下記表１に示す重量比で各成分を混合し、フォトレジスト剥離液を得た。得られたフォトレジスト剥離液について、後述する方法により、防食性を評価した。結果を表１に示す。
なお、表１中、ＤＭＳＯはジメチルスルホキシドを、ＴＭＡＨは水酸化テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを、ＴＥＴＡはトリエチレンテトラミンを、ＴＥＧはトリエチレングリコールをそれぞれ表す。
【００６３】
【表１】
2017075992.tif 000005
【００６４】
（実施例１〜７）
下記表２に示す重量比で各成分を混合し、フォトレジスト剥離液を得た。得られたフォトレジスト剥離液について、後述する方法により、レジスト剥離性、防食性及び経時安定性を評価した。結果を表２に示す。
【００６５】
【表２】
2017075992.tif 000006
【００６６】
（比較例１〜４）
下記表３に示す重量比で各成分を混合し、フォトレジスト剥離液を得た。得られたフォトレジスト剥離液について、後述する方法により、レジスト剥離性、防食性及び経時安定性を評価した。結果を表３に示す。
【００６７】
【表３】
2017075992.tif 000007
【００６８】
（レジスト剥離性の評価方法）
Ｓｉ基板上にＴｉ膜及び銅シード層をそれぞれスパッタリングで形成した上に、フォトレジスト（ネガ型ドライフィルムレジスト：東京応化工業株式会社製、ＭＰ−１１２）を膜厚１２０μｍとなるようロールラミネートし、ＵＶ露光及び現像によりフォトレジストのパターニングを行った後、電気めっきにて銅めっき層（膜厚５０μｍ）、無電解めっきにてＮｉめっき層（膜厚１μｍ）、電気めっきにて錫−銀合金めっき層（膜厚３０μｍ）を形成した基板を評価対象とした。６０℃に調整したフォトレジスト剥離液に基板を浸漬し、１００分間処理をした。浸漬処理後、基板を水洗及び空気ブロー乾燥した。電子顕微鏡を用いて基板を観察し、フォトレジストの剥離具合を確認した。
○：剥離残りなし
△：剥離残りが僅かにあり
×：剥離残りが多くあり
【００６９】
（防食性の評価方法）
上記と同様の基板を評価対象とした。６０℃に調整したフォトレジスト剥離液に評価対象を浸漬し、１００分間処理をした。浸漬処理後、評価対象を水洗及び空気ブロー乾燥し、銅シード層、銅めっき層、錫−銀合金めっき層のそれぞれについて、残り具合を目視にて観察した。
◎：変化なし
○：層表面に若干の荒れがある
△：層表面に大きく荒れがある
×：層の線幅がやせている
【００７０】
（経時安定性の評価方法）
フォトレジスト剥離液を、空気雰囲気下、６０℃で３６時間静置し、経時変化させた。その後、上記と同様にしてレジスト剥離性の評価を行った。