(57)【要約】【課題】フレキシブルプリント基板に設けられた半導体素子に入射するＸ線のＸ線量を抑制することができる放射線検出器を提供することである。【解決手段】実施形態に係る放射線検出器は、複数の光電変換素子を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換素子の上に設けられ、入射した放射線を蛍光に変換するシンチレータと、前記アレイ基板の、前記シンチレータが設けられる側とは反対側に設けられた回路基板と、前記アレイ基板に設けられた複数の配線と、前記回路基板に設けられた複数の配線と、を電気的に接続するフレキシブルプリント基板と、前記放射線の入射方向から見た場合に、前記シンチレータの下方に位置するように前記フレキシブルプリント基板に設けられた半導体素子と、を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子を有するアレイ基板と、
前記複数の光電変換素子の上に設けられ、入射した放射線を蛍光に変換するシンチレータと、
前記アレイ基板の、前記シンチレータが設けられる側とは反対側に設けられた回路基板と、
前記アレイ基板に設けられた複数の配線と、前記回路基板に設けられた複数の配線と、を電気的に接続するフレキシブルプリント基板と、
前記放射線の入射方向から見た場合に、前記シンチレータの下方に位置するように前記フレキシブルプリント基板に設けられた半導体素子と、
を備えた放射線検出器。
【請求項２】
前記アレイ基板に設けられた配線は、制御ラインまたはデータラインである請求項１記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記半導体素子は、前記制御ラインに制御信号を入力するゲートドライバを集積回路として備えている請求項２記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記半導体素子は、前記データラインからの画像データ信号を処理する増幅・変換回路を集積回路として備えている請求項２記載の放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線検出器の一種にＸ線検出器がある。Ｘ線検出器には、入射したＸ線を蛍光に変換するシンチレータ、蛍光を信号電荷に変換する光電変換部が複数設けられたアレイ基板、読み出し回路や増幅・変換回路が設けられた回路基板、複数の光電変換部と、読み出し回路や増幅・変換回路を電気的に接続するフレキシブルプリント基板などが設けられている。
また、近年においては、Ｘ線検出器の薄型化や軽量化が進んだことで、Ｘ線検出器の持ち運びが可能となったり、Ｘ線画像を撮影するためのフィルム媒体が組み込まれたカセッテ（Cartridge)とＸ線検出器を置き換えることが可能となったりしている。
【０００３】
ここで、回路基板は、アレイ基板の、Ｘ線の入射側とは反対側に設けられる。そして、フレキシブルプリント基板の一方の端部は、アレイ基板の周縁領域に接続される。フレキシブルプリント基板の他方の端部は、回路基板の周縁領域に接続される。そのため、フレキシブルプリント基板は、アレイ基板や回路基板の周縁近傍に設けられることになる。  
この様なフレキシブルプリント基板に半導体素子が実装される場合がある。  
ところが、フレキシブルプリント基板は、アレイ基板や回路基板の周縁近傍に設けられているので、単に、半導体素子を実装すると、Ｘ線が半導体素子にほぼ直接入射するおそれがある。Ｘ線が半導体素子にほぼ直接入射すると、半導体素子が故障するおそれがある。
【０００４】
この場合、半導体素子の、Ｘ線の入射側に鉛や銅などからなる遮蔽板を設ければ、半導体素子に入射するＸ線のＸ線量を低減させることができる。しかしながら、遮蔽板を設ければ、構造の複雑化や、Ｘ線検出器の厚み寸法や重量の増大などを招くことになる。そのため、Ｘ線検出器の薄型化や軽量化が図れなくなるおそれがある。  
そこで、遮蔽板を設けることなく、フレキシブルプリント基板に設けられた半導体素子に入射するＸ線のＸ線量を抑制することができる技術の開発が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１４８６２号公報
【特許文献２】特開２００２−１１６２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、フレキシブルプリント基板に設けられた半導体素子に入射するＸ線のＸ線量を抑制することができる放射線検出器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る放射線検出器は、複数の光電変換素子を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換素子の上に設けられ、入射した放射線を蛍光に変換するシンチレータと、前記アレイ基板の、前記シンチレータが設けられる側とは反対側に設けられた回路基板と、前記アレイ基板に設けられた複数の配線と、前記回路基板に設けられた複数の配線と、を電気的に接続するフレキシブルプリント基板と、前記放射線の入射方向から見た場合に、前記シンチレータの下方に位置するように前記フレキシブルプリント基板に設けられた半導体素子と、を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施の形態に係るＸ線検出器１を例示するための模式断面図である。
【図２】図１におけるＡ部の模式拡大図である。
【図３】検出部１０を例示するための模式斜視図である。
【図４】アレイ基板２の回路図である。
【図５】検出部１０のブロック図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、半導体素子３ａａ１が実装されたフレキシブルプリント基板２ｅ１を例示するための模式図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、半導体素子３ｂ１が実装されたフレキシブルプリント基板２ｅ２を例示するための模式図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、比較例に係る半導体素子の配置を例示するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
【００１０】
図１は、本実施の形態に係るＸ線検出器１を例示するための模式断面図である。  
図２は、図１におけるＡ部の模式拡大図である。  
図３は、検出部１０を例示するための模式斜視図である。  
なお、煩雑となるのを避けるために、図３においては反射層６、防湿体７を省いて描いている。  
図４は、アレイ基板２の回路図である。  
図５は、検出部１０のブロック図である。  
放射線検出器であるＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療などに用いることができる。ただし、Ｘ線検出器１の用途は、一般医療に限定されるわけではない。
【００１１】
図１〜図５に示すように、Ｘ線検出器１には、検出部１０、筐体２０、および支持部３０が設けられている。  
検出部１０には、アレイ基板２、回路基板３、画像構成部４、シンチレータ５、反射層６、および防湿体７が設けられている。
検出部１０は、筐体２０の内部に設けられている。
【００１２】
アレイ基板２は、シンチレータ５によりＸ線から変換された蛍光（可視光）を信号電荷に変換する。  
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、および保護層２ｆなどを有する。  
なお、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、およびデータライン２ｃ２などの数は例示をしたものに限定されるわけではない。
【００１３】
基板２ａは、板状を呈し、無アルカリガラスなどの透光性材料から形成されている。  
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。  
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とにより画された領域に設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。なお、１つの光電変換部２ｂは、１つの画素（pixel）に対応する。
【００１４】
複数の光電変換部２ｂのそれぞれには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）２ｂ２が設けられている。  
また、図４に示すように、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタ２ｂ３を設けることができる。蓄積キャパシタ２ｂ３は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ２ｂ２の下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねることができる。
【００１５】
光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。  
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蓄積キャパシタ２ｂ３への電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料を含むものとすることができる。薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極２ｂ２ａ、ソース電極２ｂ２ｂ及びドレイン電極２ｂ２ｃを有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極２ｂ２ａは、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極２ｂ２ｂは、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極２ｂ２ｃは、対応する光電変換素子２ｂ１と蓄積キャパシタ２ｂ３とに電気的に接続される。また、光電変換素子２ｂ１のアノード側と蓄積キャパシタ２ｂ３は、グランドに接続される。
【００１６】
制御ライン２ｃ１は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、例えば、行方向に延びている。  
１つの制御ライン２ｃ１は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ１のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、回路基板３に設けられた読み出し回路３ａとそれぞれ電気的に接続されている。
【００１７】
データライン２ｃ２は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、例えば、行方向に直交する列方向に延びている。  
１つのデータライン２ｃ２は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ２のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、回路基板３に設けられた増幅・変換回路３ｂとそれぞれ電気的に接続されている。  
制御ライン２ｃ１、およびデータライン２ｃ２は、例えば、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。
【００１８】
保護層２ｆは、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、およびデータライン２ｃ２を覆っている。  
保護層２ｆは、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂材料の少なくとも１種を含む。
【００１９】
回路基板３は、アレイ基板２の、シンチレータ５が設けられる側とは反対側に設けられている。  
回路基板３には、読み出し回路３ａ、および増幅・変換回路３ｂが設けられている。  
読み出し回路３ａは、薄膜トランジスタ２ｂ２のオン状態とオフ状態を切り替える。  
図５に示すように、読み出し回路３ａは、複数のゲートドライバ３ａａと行選択回路３ａｂとを有する。
【００２０】
行選択回路３ａｂには、画像構成部４などから制御信号Ｓ１が入力される。行選択回路３ａｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ３ａａに制御信号Ｓ１を入力する。  
ゲートドライバ３ａａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を入力する。  
例えば、読み出し回路３ａは、フレキシブルプリント基板２ｅ１と制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次入力する。制御ライン２ｃ１に入力された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、光電変換素子２ｂ１からの信号電荷（画像データ信号Ｓ２）が受信できるようになる。
【００２１】
増幅・変換回路３ｂは、複数の積分アンプ３ｂａ、複数の並列−直列変換回路３ｂｂ、および複数のアナログ−デジタル変換回路３ｂｃを有している。  
積分アンプ３ｂａは、データライン２ｃ２と電気的に接続されている。  
並列−直列変換回路３ｂｂは、切り換えスイッチを介して積分アンプ３ｂａと電気的に接続されている。    
アナログ−デジタル変換回路３ｂｃは、並列−直列変換回路３ｂｂと電気的に接続されている。
【００２２】
積分アンプ３ｂａは、光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順次受信する。  
そして、積分アンプ３ｂａは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を並列−直列変換回路３ｂｂへ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータライン２ｃ２を流れる電流の値（電荷量）を電圧値に変換することが可能となる。  
すなわち、積分アンプ３ｂａは、シンチレータ５において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。
【００２３】
並列−直列変換回路３ｂｂは、電位情報へと変換された画像データ信号Ｓ２を順次直列信号に変換する。  
アナログ−デジタル変換回路３ｂｃは、直列信号に変換された画像データ信号Ｓ２をデジタル信号に順次変換する。
【００２４】
画像構成部４は、回路基板３に設けられたアナログ−デジタル変換回路３ｂｃと電気的に接続されている。図３に例示をしたように、画像構成部４は、回路基板３と一体化することができる。なお、画像構成部４と回路基板３とを別々に設け、配線を介して画像構成部４と回路基板３と電気的に接続してもよい。
【００２５】
画像構成部４は、Ｘ線画像を構成する。画像構成部４は、アナログ−デジタル変換回路３ｂｃによりデジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像信号を作成する。作成されたＸ線画像信号は、画像構成部４から外部の機器に向けて出力される。
【００２６】
シンチレータ５は、複数の光電変換素子２ｂ１の上に設けられ、入射したＸ線を蛍光すなわち可視光に変換する。シンチレータ５は、基板２ａ上の複数の光電変換部２ｂが設けられた領域（有効画素領域）を覆うように設けられている。  
シンチレータ５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、シンチレータ５を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ５が形成される。
【００２７】
また、シンチレータ５は、例えば、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）などを用いて形成することもできる。この場合、複数の光電変換部２ｂごとに四角柱状のシンチレータ５が設けられるように、マトリクス状の溝部を形成することができる。
【００２８】
図２に示すように、反射層６は、シンチレータ５の表面側（Ｘ線の入射面側）を覆うように設けられている。反射層６は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられる。反射層６は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの光散乱性粒子を含む樹脂をシンチレータ５上に塗布することで形成することができる。
【００２９】
図２に示すように、防湿体７は、反射層６およびシンチレータ５を覆うように設けられている。防湿体７は、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ５の特性と反射層６の特性が劣化するのを抑制するために設けられる。
防湿体７は、ハット形状を呈し、例えば、アルミニウム合金などから形成することができる。
【００３０】
筐体２０は、カバー部２１、入射窓２２、および基部２３を有する。  
カバー部２１は、箱状を呈し、Ｘ線の入射側、およびＸ線の入射側とは反対側に開口部を有している。  
軽量化を考慮して、カバー部２１は、例えば、アルミニウム合金などを用いて形成することができる。また、カバー部２１は、例えば、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリカーボネイト樹脂、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ；Carbon-Fiber-Reinforced Plastic）などを用いて形成することもできる。
【００３１】
入射窓２２は、板状を呈し、カバー部２１の、Ｘ線の入射側の開口部を塞ぐように設けられている。入射窓２２は、Ｘ線を透過させる。入射窓２２は、Ｘ線吸収率の低い材料を用いて形成されている。入射窓２２は、例えば、炭素繊維強化プラスチックなどを用いて形成することができる。
【００３２】
基部２３は、板状を呈し、カバー部２１の、Ｘ線の入射側とは反対側の開口部を塞ぐように設けられている。基部２３の材料は、ある程度の剛性を有するものであれば特に限定はない。基部２３の材料は、例えば、カバー部２１の材料と同様とすることができる。
【００３３】
支持部３０は、支持板３１と支持体３２とを有する。  
支持板３１は、板状を呈し、筐体２０の内部に設けられている。支持板３１の入射窓２２側の面には、アレイ基板２とシンチレータ５が設けられている。支持板３１の基部２３側の面には、回路基板３と画像構成部４が設けられている。  
支持板３１の材料は、ある程度の剛性を有するものであれば特に限定はない。ただし、Ｘ線検出器１の軽量化を考慮すると、支持板３１の材料は、比重の小さい材料とすることが好ましい。支持板３１の材料は、例えば、アルミニウム合金などの軽金属、炭素繊維強化プラスチックなどの樹脂などとすることができる。
【００３４】
支持体３２は、柱状を呈し、筐体２０の内部に設けられている。支持体３２は、支持板３１と基部２３との間に設けることができる。支持体３２と支持板３１の固定、および、支持体３２と基部２３の固定は、例えば、ネジなどの締結部材を用いて行うことができる。支持体３２の材料は、ある程度の剛性を有するものであれば特に限定はない。支持体３２の材料は、例えば、アルミニウム合金などの軽金属、炭素繊維強化プラスチックなどの樹脂などとすることができる。  
なお、支持体３２の形態、配設位置、数などは例示をしたものに限定されるわけではない。例えば、支持体３２は、板状を呈し、カバー部２１の内側面から突出するように設けることもできる。すなわち、支持体３２は、筐体２０の内部において、支持板３１を支持することができるものであればよい。
【００３５】
ここで、アレイ基板２に設けられた制御ライン２ｃ１は数が多く、またピッチ寸法も短い。そのため、回路基板３に設けられる配線のピッチ寸法を制御ライン２ｃ１のピッチ寸法に合わせると、半導体素子の実装が困難となる。  
また、アレイ基板２に設けられたデータライン２ｃ２も数が多く、またピッチ寸法も短い。そのため、回路基板３に設けられる配線のピッチ寸法をデータライン２ｃ２のピッチ寸法に合わせると、半導体素子の実装が困難となる。  
そこで、回路基板３に設けられる配線のピッチ寸法を長くし、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２において、アレイ基板２における配線のピッチ寸法と、回路基板３における配線のピッチ寸法とを合わせるようにしている。
【００３６】
また、前述したゲートドライバ３ａａは、集積回路として１つの半導体素子３ａａ１に設けることができる。増幅・変換回路３ｂも、集積回路として１つの半導体素子３ｂ１に設けることができる。半導体素子３ａａ１、３ｂ１は、回路基板３に実装することもできるが、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２に実装すれば、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２に設けられた回路基板３に接続される配線の数を少なくすることができる。  
そのため、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２に半導体素子３ａａ１、３ｂ１が実装される場合がある。
【００３７】
図６（ａ）、（ｂ）は、半導体素子３ａａ１が実装されたフレキシブルプリント基板２ｅ１を例示するための模式図である。  
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、フレキシブルプリント基板２ｅ１の一方の端部はアレイ基板２の周縁近傍に設けられた配線パッド２ｄ１と電気的に接続される。フレキシブルプリント基板２ｅ１の他方の端部はコネクタ２ｅ１ａを介して回路基板３の配線と電気的に接続される。  
また、半導体素子３ａａ１は、フレキシブルプリント基板２ｅ１の一方の面上に実装されている。
【００３８】
図７（ａ）、（ｂ）は、半導体素子３ｂ１が実装されたフレキシブルプリント基板２ｅ２を例示するための模式図である。  
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、フレキシブルプリント基板２ｅ２の一方の端部はアレイ基板２の周縁近傍に設けられた配線パッド２ｄ２と電気的に接続される。フレキシブルプリント基板２ｅ２の他方の端部はコネクタ２ｅ２ａを介して回路基板３の配線と電気的に接続される。  
また、半導体素子３ｂ１は、フレキシブルプリント基板２ｅ２の一方の面上に実装されている。
【００３９】
フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２に半導体素子３ａａ１、３ｂ１を実装すれば、製造コストを大幅に低減させることができる。  
ところが、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２は、アレイ基板２や回路基板３の周縁近傍に設けられているので、単に、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２に半導体素子３ａａ１、３ｂ１を実装すると、Ｘ線が半導体素子３ａａ１、３ｂ１にほぼ直接入射するおそれがある。Ｘ線が半導体素子３ａａ１、３ｂ１にほぼ直接入射すると、半導体素子３ａａ１、３ｂ１が故障するおそれがある。
【００４０】
図８（ａ）、（ｂ）は、比較例に係る半導体素子の配置を例示するための模式断面図である。  
図８（ａ）に示すように、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２は、アレイ基板２や回路基板３の周縁近傍に設けられている。  
ここで、回路基板３は主に樹脂から形成されている。支持板３１は、軽量化のためにアルミニウム合金などの軽金属や樹脂などから形成されている。基板２ａは無アルカリガラスなどから形成されている。防湿体７はアルミニウム合金などから形成されている。カバー部２１はアルミニウム合金などから形成されている。入射窓２２は、炭素繊維強化プラスチックなどから形成されている。  
そのため、図８（ａ）に示すように、Ｘ線検出器１に向けて照射されたＸ線は、これらの要素を透過して減衰することなく、半導体素子３ａａ１、３ｂ１に入射する。
【００４１】
この場合、図８（ｂ）に示すように、半導体素子３ａａ１、３ｂ１の、Ｘ線の入射側に鉛や銅などからなる遮蔽板８を設ければ、半導体素子３ａａ１、３ｂ１に入射するＸ線量を低下させることができる。しかしながら、遮蔽板８を設ければ、構造の複雑化を招くことになる。また、十分なＸ線減衰量を得るためには、厚みの厚い金属板が必要となるため、Ｘ線検出器１の厚み寸法や重量の増大などを招くことになる。そのため、Ｘ線検出器１の薄型化や軽量化が図れなくなるおそれがある。
【００４２】
そこで、図２に示すように、Ｘ線の入射方向から見た場合に、半導体素子３ａａ１、３ｂ１は、シンチレータ５の下方に位置するようにフレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２に設けられている。  
前述したように、シンチレータ５に入射したＸ線の大部分は蛍光に変換される。そのため、半導体素子３ａａ１、３ｂ１に入射するＸ線量を大幅に低減させることができる。すなわち、遮蔽板８を設けることなく、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２に設けられた半導体素子３ａａ１、３ｂ１に入射するＸ線のＸ線量を抑制することができる。その結果、Ｘ線検出器１の薄型化や軽量化を図ることが容易となる。
【００４３】
この場合、シンチレータ５の形成範囲を広くし、回路基板３とコネクタ２ｅ１ａ、２ｅ２ａとの接続位置を筐体２０の中心側に配置し、半導体素子３ａａ１、３ｂ１とコネクタ２ｅ１ａ、２ｅ２ａとの距離をなるべく短くすることが好ましい。  
ただし、回路基板３上において、コネクタ２ｅ１ａとコネクタ２ｅ２ａとが重ならないようにする必要がある。この場合、コネクタ２ｅ１ａとコネクタ２ｅ２ａとを上下方向にずらすこともできるが、Ｘ線検出器１の薄型化が図れなくなるおそれがある。  
そのため、Ｘ線検出器１の設計段階において、シンチレータ５の形成範囲、回路基板３とコネクタ２ｅ１ａ、２ｅ２ａとの接続位置、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２の寸法（長さ）、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２における半導体素子３ａａ１、３ｂ１の実装位置などを考慮することが好ましい。
【００４４】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１  Ｘ線検出器、２  アレイ基板、２ａ  基板、２ｂ  光電変換部、２ｂ１  光電変換素子、２ｃ１  制御ライン、２ｃ２  データライン、２ｅ１  フレキシブルプリント基板、２ｅ２  フレキシブルプリント基板、３  回路基板、３ａａ１  半導体素子、３ｂ１  半導体素子、４  画像構成部、５  シンチレータ、６  反射層、７  防湿体、１０  検出部、２０  筐体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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