(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】基板上に配置された液晶層と、液晶層を挟持するように配置された画素電極及び対向電極と、液晶層、画素電極、対向電極を含んで構成された赤色サブ画素４０Ｒと、緑色サブ画素４０Ｇと、青色サブ画素４０Ｂと、を有する画素と、を備え、緑色サブ画素４０Ｇ、赤色サブ画素４０Ｒ、青色サブ画素４０Ｂの順に配列された第１サブ画素群Ａ、及び、赤色サブ画素４０Ｒ、緑色サブ画素４０Ｇ、青色サブ画素４０Ｂの順に配列された第２サブ画素群Ｂのうち、少なくとも一方のサブ画素群を有する。【選択図】図５
2017107114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された電気光学層と、
前記電気光学層を挟持するように配置された第１電極及び第２電極と、
前記電気光学層、前記第１電極、前記第２電極を含んで構成された赤色サブ画素と、緑色サブ画素と、青色サブ画素と、を有する画素と、
を備え、
前記緑色サブ画素、前記赤色サブ画素、前記青色サブ画素の順に配列された第１サブ画素群、及び、前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素、前記青色サブ画素の順に配列された第２サブ画素群のうち、少なくとも一方のサブ画素群を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記第１サブ画素群は、前記基板上においてランダムに配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記第２サブ画素群は、前記基板上においてランダムに配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素のうち少なくとも一方は、同色のサブ画素が連続して配列されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記緑色サブ画素及び前記赤色サブ画素は、第１方向に長い長方形であり、
前記青色サブ画素は、前記第１方向と直交する方向である第２方向に長い長方形であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記画素は、カラーフィルターを含み、
前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素、前記青色サブ画素は、前記カラーフィルターの着色層の色に対応した色を表示することを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラーフィルターを備えた電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。この液晶装置は、例えば、電子機器としてのデジタルカメラのＥＶＦ（Electronic View Finder）などに用いられる。
【０００３】
液晶装置は、素子基板と、素子基板と対向するように配置された対向基板と、素子基板と対向基板とによって挟持された液晶層と、カラーフィルターと、を備えている。
【０００４】
カラーフィルターを含むサブ画素は、例えば、図１２に示すように、緑色（Ｇ）サブ画素４０Ｇの列、赤色（Ｒ）サブ画素４０Ｒの列、青色（Ｂ）サブ画素４０Ｂの列が繰り返し並んで配置されている。このようなサブ画素４０が配列された表示領域において、視野角を変化させたときの色変化が大きくなる場合があり、これにより、表示品質が劣化するという問題がある。
【０００５】
そこで、例えば、特許文献１に記載の液晶装置は、緑色サブ画素４０Ｇ、赤色サブ画素４０Ｒ、青色サブ画素４０Ｂの面積をそれぞれ異ならせることにより、視野角の変化による青色成分が減少することを抑える方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３５０８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１には、青色の視野角変化を抑える方法が開示されているものの、特に、色度領域が狭い黄色の視野角変化を抑える方法は開示されておらず、黄色を表示した際、隣りのサブ画素の影響などにより、黄色がオレンジ色に見えたり黄緑色に見えたりして、画像品質が劣化しやすいという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板上に配置された電気光学層と、前記電気光学層を挟持するように配置された第１電極及び第２電極と、前記電気光学層、前記第１電極、前記第２電極を含んで構成された赤色サブ画素と、緑色サブ画素と、青色サブ画素と、を有する画素と、を備え、前記緑色サブ画素、前記赤色サブ画素、前記青色サブ画素の順に配列された第１サブ画素群、及び、前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素、前記青色サブ画素の順に配列された第２サブ画素群のうち、少なくとも一方のサブ画素群を有することを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、視野角による色度変動が異なる第１サブ画素群と第２サブ画素群とを交互に配列することで、色度領域の狭い黄色を表示した際に視野角を変えた場合でも、隣りのサブ画素の影響によって発生する色変動（色度変化）を打ち消すことが可能となる。よって、色再現性を向上させることができ、黄色が、オレンジ色や黄緑色に見えることを抑えることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１サブ画素群は、前記基板上においてランダムに配置されていることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、第１サブ画素群を基板上にランダムに配列するので、言い換えれば、基板上に第１サブ画素群が散らばるようにするので、青色、緑色、シアン色、マゼンダ色を表示した際、輝度差に起因する縦スジに見えることを抑えることができる。加えて、視野角による色変動を抑えることができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２サブ画素群は、前記基板上においてランダムに配置されていることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、第２サブ画素群を基板上にランダムに配列するので、言い換えれば、基板上に第２サブ画素群が散らばるようにするので、青色、緑色、シアン色、マゼンダ色を表示した際、輝度差に起因する縦スジに見えることを抑えることができる。加えて、視野角による色変動を抑えることができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素のうち少なくとも一方は、同色のサブ画素が連続して配列されていることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、同じ色のサブ画素が連続するように配列するので、色のバランスを調整することが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記緑色サブ画素及び前記赤色サブ画素は、第１方向に長い長方形であり、前記青色サブ画素は、前記第１方向と直交する方向である第２方向に長い長方形であることが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、第１方向に長い長方形のサブ画素と、第２方向に長い長方形のサブ画素と、が混在するので、黄色表示の際、視野角による色変動を緩和させることができる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記画素は、カラーフィルターを含み、前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素、前記青色サブ画素は、前記カラーフィルターの着色層の色に対応した色を表示することが好ましい。
【００２０】
本適用例によれば、赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素の組み合わせにより黄色表示を行うことができる。
【００２１】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００２２】
本適用例によれば、上記の電気光学装置を備えるので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】電気光学装置としての液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。
【図５】第１実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図。
【図６】液晶装置を備えたデジタルカメラの構成を示す概略斜視図。
【図７】第２実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図。
【図８】縦スジに見える現象を説明する概略平面図。
【図９】第３実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図。
【図１０】第４実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図。
【図１１】液晶装置のサブ画素の配列の変形例を示す概略平面図。
【図１２】従来の液晶装置のサブ画素の配列を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２５】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載され、特別な記載がなければ、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含んでいるものとする。
【００２６】
本実施形態では、電気光学装置の一例として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。
【００２７】
（第１実施形態）
＜電気光学装置としての液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２８】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ（基板）、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００２９】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。
【００３０】
シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。スペーサーは、セルギャップを出すために用いられる。
【００３１】
シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領域）が設けられている。画素領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域（図示せず）が設けられている。
【００３２】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３３】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
【００３４】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３５】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７（第１電極）およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線（図示せず）と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。
【００３６】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造（図示せず）が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、第１配向膜２８を含むものである。
【００３７】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１（第２電極）と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、第２配向膜３２を含むものである。
【００３８】
遮光膜１８は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３９】
絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４０】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
【００４１】
画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜２８及び第２配向膜３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００４２】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４３】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。例えば、走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４４】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４５】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
【００４６】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４７】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４８】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００４９】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００５０】
＜液晶装置を構成する画素の構成＞
次に、画素の構成について、図４を参照して説明する。図４は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５１】
図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５２】
図４に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５３】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５４】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５５】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５６】
ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５７】
誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５８】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを中継接続する機能を有する。
【００５９】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓに電気的に接続されている。
【００６０】
データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄ、第４層間絶縁層１１ｅ、第２絶縁層としてのパッシベーション層１１ｆを介して画素電極２７が形成されている。第２層間絶縁層１１ｃ、第３層間絶縁層１１ｄ、第４層間絶縁層１１ｅにおける表示部Ｅ１には、カラーフィルター８０（着色層８０Ｒ，着色層８０Ｇ，着色層８０Ｂ）が設けられている。
【００６１】
このような液晶装置１００は、例えば、カラーフィルター８０を画素電極２７やスイッチング素子と同一の基板に作りこむ積層構造、所謂ＣＯＡ（カラーフィルター・オン・アレイ）構造である。
【００６２】
更に、第４層間絶縁層１１ｅ上には、パッシベーション層１１ｆが設けられている。なお、第３層間絶縁層１１ｄ、第４層間絶縁層１１ｅ、及びパッシベーション層１１ｆの上層表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の平坦化処理が施されている。
【００６３】
パッシベーション層１１ｆ上には、画素電極２７が設けられている。画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ３、中継層４１、コンタクトホールＣＮＴ２、第１容量電極１６ａを介してコンタクトホールＣＮＴ１に接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜から形成されている。
【００６４】
画素電極２７及びパッシベーション層１１ｆ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が配置されている。
【００６５】
一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングした酸化シリコン）などからなる絶縁層（図示せず）が設けられている。絶縁層上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第２配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる。
【００６６】
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６７】
＜画素を構成するサブ画素の配列＞
次に、第１実施形態のサブ画素の配列について、図５を参照して説明する。図５は、サブ画素の配列を示す概略平面図である。
【００６８】
図５に示すように、サブ画素４０は、Ｘ方向に、緑色サブ画素４０Ｇ、赤色サブ画素４０Ｒ、青色サブ画素４０Ｂ、更に、赤色サブ画素４０Ｒ、緑色サブ画素４０Ｇ、青色サブ画素４０Ｂの順に、繰り返して配置されている。
【００６９】
このように繰り返されて配列されたサブ画素４０のうち、緑色サブ画素４０Ｇ、赤色サブ画素４０Ｒ、青色サブ画素４０Ｂの順に配列されたサブ画素群を第１サブ画素群Ａと称する。
【００７０】
また、第１サブ画素群Ａと第１サブ画素群Ａとの間には、赤色サブ画素４０Ｒ、緑色サブ画素４０Ｇ、青色サブ画素４０Ｂの順に配列された第２サブ画素群Ｂが配置されている。一方、Ｙ方向には、Ｘ方向に配列されたサブ画素４０と同色のサブ画素４０が連続して配列されている。
【００７１】
このように第１サブ画素群Ａ（４０Ｇ，４０Ｒ，４０Ｂ）と第２サブ画素群Ｂ（４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ）とを繰り返して配列することにより、黄色を表示した際に視野角を変えた場合でも、隣りのサブ画素４０の影響によって発生する色変動（色度変化）を打ち消すことが可能となる。
【００７２】
具体的には、黄色は視野角による色変動が大きいため、ちょっとした光が影響して、オレンジ色に見えたり、黄緑色に見えたりするが、本実施形態のように、第１サブ画素群Ａ（４０Ｇ，４０Ｒ，４０Ｂ）と第２サブ画素群Ｂ（４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ）とを繰り返して配列するので、黄色の色度変化を、従来と比較して抑えることができる。
【００７３】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としてのデジタルカメラについて、図６を参照しながら説明する。図６は、上記した液晶装置を備えたデジタルカメラの構成を示す概略斜視図である。なお図６は、デジタルカメラを背面側から見た概略斜視図である。
【００７４】
図６に示すように、本実施形態のデジタルカメラ１０００は、デジタルカメラ１０００は、レンズ１００１、撮像素子（図示せず）、表示部１００２、及び操作部１００３を備える。撮像素子は、レンズ１００１が捉えた被写体から光学像を受光して電気信号に変換するものである。
【００７５】
表示部１００２は、デジタルカメラ１０００の背面に配設されるＬＣＤ（Liquid Crystal Display）表示部であり、撮影時に被写体の観察画像（撮像画像）を表示したり、メモリカードに記録されている撮影画像を再生表示したりするのに用いられる。
【００７６】
操作部１００３は、レリーズボタン１００３ａ、電源ボタン１００３ｂ、カーソルボタン／決定ボタン１００３ｃ、及びその他の操作ボタン（図示せず）を有する。
【００７７】
デジタルカメラ１０００の背面には、撮影者が覗き込むための接眼部１００４が設けられており、接眼部１００４に対応する本体の内部には、電子ビューファインダー（ＥＶＦ：Electronic View Finder）１００４ａ（２０）が設けられている。ＥＶＦ１００４ａは、上記液晶装置１００が備えられている。
【００７８】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、デジタルカメラ１０００のＥＶＦ（Electrical View Finder）の他、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、プロジェクター、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、照明機器など、各種電子機器に用いることができる。
【００７９】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００及び電子機器（ＥＶＦ１００４ａ）によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８０】
（１）第１実施形態の液晶装置１００によれば、視野角による色度変動が異なる第１サブ画素群Ａ（４０Ｇ，４０Ｒ，４０Ｂ）と第２サブ群Ｂ（４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ）とを交互に配列することで、色度領域の狭い黄色を表示した際に視野角を変えた場合でも、隣りのサブ画素４０の影響によって発生する色変動（色度変化）を打ち消すことが可能となる。よって、色再現性を向上させることができ、黄色が、オレンジ色や黄緑色に見えることを抑えることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
【００８１】
（２）第１実施形態の電子機器によれば、上記液晶装置１００を備えるので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００８２】
（第２実施形態）
＜サブ画素の配列＞
次に、第２実施形態のサブ画素の配列について、図７を参照して説明する。図７は、第２実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図である。
【００８３】
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、第１サブ画素群Ａと第２サブ画素群Ｂとが、液晶装置２００のＸ方向及びＹ方向に交互に繰り返し配置されている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００８４】
図７に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、Ｘ方向に第１サブ画素群Ａと第２サブ画素群Ｂとが交互に繰り返し配置されている。
【００８５】
具体的には、Ｘ方向に、第１サブ画素群Ａを構成する緑色サブ画素４０Ｇ、赤色サブ画素４０Ｒ、青色サブ画素４０Ｂの順に並んで配列されている。更に、Ｘ方向には、第２サブ画素群Ｂを構成する赤色サブ画素４０Ｒ、緑色サブ画素４０Ｇ、青色サブ画素４０Ｂの順に並んで配列されている。
【００８６】
一方、第１サブ画素群ＡのＹ方向には、第２サブ画素群Ｂを構成する赤色サブ画素４０Ｒ、緑色サブ画素４０Ｇ、青色サブ画素４０Ｂの順に並んで配列されている。
【００８７】
緑色サブ画素４０Ｇ、赤色サブ画素４０Ｒ、青色サブ画素４０Ｂの順に並ぶ第１サブ画素群Ａと、赤色サブ画素４０Ｒ、緑色サブ画素４０Ｇ、青色サブ画素４０Ｂの順に並ぶ第２サブ画素群Ｂとを、表示領域Ｅにおいてランダム（本実施形態では、第１サブ画素群Ａと第２サブ画素群Ｂとを交互）に配置することにより、黄色表示にした際の視野角による色度変化を抑えることもできる。
【００８８】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００によれば、上記した第１実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００８９】
（３）第２実施形態の液晶装置２００によれば、第１サブ画素群Ａ及び第２サブ画素群Ｂを表示領域Ｅにおいてランダム（交互）に配列するので、黄色を表示した際、隣りのサブ画素４０の影響によって発生する色変動（色度変化）を打ち消すことが可能となる。加えて、縦スジに見えることを抑えることができる。
【００９０】
（第３実施形態）
＜サブ画素の配列＞
次に、第３実施形態のサブ画素の配列について、図８を参照して説明する。図８は、第３実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図である。
【００９１】
第３実施形態の液晶装置３００は、上述の第２実施形態の液晶装置２００と比べて、Ｘ方向のみ第１サブ画素群Ａを繰り返し配置している部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第３実施形態では、第２実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００９２】
図８に示すように、第３実施形態の液晶装置３００は、Ｘ方向に第１サブ画素群Ａが繰り返し配置されている。一方、Ｙ方向には、第１サブ画素群Ａと第２サブ画素群Ｂとが交互に繰り返して配列されている。
【００９３】
以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置３００によれば、上記した第２実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００９４】
（４）第３実施形態の液晶装置３００によれば、Ｘ方向に第１サブ画素群Ａを繰り返し配置し、Ｙ方向に第１サブ画素群Ａと第２サブ画素群Ｂとを交互（ランダム）に配列するので、黄色を表示した際、隣りのサブ画素４０の影響によって発生する色変動（色度変化）を打ち消すことが可能となる。加えて、縦スジに見えることを抑えることができる。
【００９５】
（第４実施形態）
＜サブ画素の配列＞
次に、第４実施形態のサブ画素の配列について、図９を参照して説明する。図９は、第４実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図である。
【００９６】
第４実施形態の液晶装置４００は、上述の第３実施形態の液晶装置３００と比べて、Ｙ方向に並ぶサブ画素４０とサブ画素４０との間に、Ｘ方向に長く延びるサブ画素４０を挿入している部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第４実施形態では、第３実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００９７】
図９に示すように、第４実施形態の液晶装置４００は、Ｙ方向（第１方向）に並ぶサブ画素４０とサブ画素４０との間に、Ｘ方向（第２方向）に長く延びるサブ画素４０が挿入されている。Ｘ方向に長く延びるサブ画素４０は、青色サブ画素４０Ｂである。Ｙ方向に長く延びるサブ画素４０は、緑色サブ画素４０Ｇ、赤色サブ画素４０Ｒの順に配列されている。
【００９８】
このようにサブ画素４０を配列させることにより、黄色表示をした際に、視野角による色度変化が抑えられると共に、縦スジに見えることを抑えることができる。
【００９９】
以上詳述したように、第４実施形態の液晶装置４００によれば、上記実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１００】
（５）第４実施形態の液晶装置４００によれば、Ｙ軸方向（第１方向）に長い長方形のサブ画素４０と、Ｘ軸方向（第２方向）に長い長方形のサブ画素４０と、を混在させて第１サブ画素群Ａ（又は第２サブ画素群Ｂ）を構成するので、黄色表示の際、視野角による色変動を緩和させることができると共に、輝度差による縦スジに見えることを緩和させることができる。
【０１０１】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１０２】
（変形例１）
上記したように、黄色を表示した際の視野角の色度変化を抑える方法として、図５に示すような液晶装置１００のサブ画素４０の配列に限定されず、図１０に示すようにしてもよい。
【０１０３】
図１０は、変形例１の液晶装置を示す概略平面図である。変形例１の液晶装置１０１は、Ｘ方向に、赤色サブ画素４０Ｒ、緑色サブ画素４０Ｇ、青色サブ画素４０Ｂの順に配列されていると共に、２つ連続して並んだ赤色サブ画素４０Ｒと２つ連続して並んだ緑色サブ画素４０Ｇとの間に１つの青色サブ画素４０Ｂが挿入された第１サブ画素群Ａを備えている。言い換えれば、変形例１の第１サブ画素群Ａは、等間隔で配置された青色サブ画素４０Ｂの間に緑色サブ画素４０Ｇ、赤色サブ画素４０Ｒが配置されている。Ｙ方向には、同じ色のサブ画素４０が連続して配置されている。
【０１０４】
更に、Ｘ方向に、緑色サブ画素４０Ｇ、赤色サブ画素４０Ｒ、青色サブ画素４０Ｂの順に配列されていると共に、２つ連続して並んだ赤色サブ画素４０Ｒと２つ連続して並んだ緑色サブ画素４０Ｇとの間に１つの青色サブ画素４０Ｂが挿入された第２サブ画素群Ｂを備えている。言い換えれば、変形例１の第２サブ画素群Ｂは、等間隔で配置された青色サブ画素４０Ｂの間に赤色サブ画素４０、緑色サブ画素４０Ｇが配置されている。Ｙ方向には、同じ色のサブ画素４０が連続して配置されている。
【０１０５】
このような液晶装置１０１によれば、同じ色のサブ画素４０Ｇ，４０Ｒが連続するように配列するので、輝度差を緩和させることが可能となり、縦スジに見えることを抑えることができる。
【０１０６】
（変形例２）
上記変形例１の液晶装置１０１のサブ画素４０の配列に限定されず、図１１に示すようにしてもよい。
【０１０７】
図１１は、変形例２の液晶装置を示す概略平面図である。変形例２の液晶装置１０２は、Ｙ方向に、２つ並んだ緑色サブ画素４０Ｂと２つ並んだ赤色サブ画素４０Ｒとが交互になるように配列する部分が変形例１の液晶装置１０１と異なっている。青色サブ画素４０Ｂの配列は、変形例１と同様に、等間隔で配列されている。
【０１０８】
このような液晶装置１０２によれば、同じ色のサブ画素４０Ｇ，４０Ｒが連続すると共に、Ｙ方向に異なる色のサブ画素４０を交互に配列するので、輝度差を緩和させることが可能となり、縦スジに見えることを抑えることができる。
【０１０９】
（変形例３）
上記したように、電気光学装置として液晶装置１００に適用することに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等に適用するようにしてもよい。
【０１１０】
（変形例４）
上記したように、透過型の液晶装置１００に適用することに限定されず、反射型の液晶装置に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１１１】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…基板としての第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｅ…第４層間絶縁層、１１ｆ…パッシベーション層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…電気光学層としての液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…第１電極としての画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…第２電極としての対向電極、３２…第２配向膜、３３…絶縁層、４０…サブ画素、４０Ｂ…青色サブ画素、４０Ｇ…緑色サブ画素、４０Ｒ…赤色サブ画素、４１…中継層、６１…外部接続用端子、８０…カラーフィルター、１００，１０１，１０２，２００，３００，４００，…液晶装置、１０００…デジタルカメラ、１００１…レンズ、１００２…表示部、１００３…操作部、１００３ａ…レリーズボタン、１００３ｂ…電源ボタン、１００３ｃ…カーソルボタン／決定ボタン、１００４…接眼部、１００４ａ…ＥＶＦ。
【図１】
2017107114.tif 000003
【図２】
2017107114.tif 000004
【図３】
2017107114.tif 000005
【図４】
2017107114.tif 000006
【図５】
2017107114.tif 000007
【図６】
2017107114.tif 000008
【図７】
2017107114.tif 000009
【図８】
2017107114.tif 000010
【図９】
2017107114.tif 000011
【図１０】
2017107114.tif 000012
【図１１】
2017107114.tif 000013
【図１２】
2017107114.tif 000014