(57)【要約】【課題】温度変化が生じた場合であっても外部磁界の変化を正確に検出することができ、しかも、製造コストを増大させることのない薄膜磁気センサを提供すること。【解決手段】薄膜磁気センサ１０ａは、磁界検出素子２０と、磁界検出素子２０に直列に接続された温度補償素子３０ａと、温度補償素子３０ａの周囲を囲む磁気シールド４０ａとを備えている。磁界検出素子２０は、ＴＭＲ膜（Ａ）２２と、ＴＭＲ膜（Ａ）２２の両端に電気的に接続された軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６とを備えている。温度補償素子３０ａは、ＴＭＲ膜（Ｂ）３２と、ＴＭＲ膜（Ｂ）３２の両端に電気的に接続された軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６とを備えている。温度補償素子３０ａの磁界感度は、高感度素子２０のそれより低いのが好ましい。さらに、磁気シールド４０ａは、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６と同一材料からなる。【選択図】図１
2017198484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構成を備えた薄膜磁気センサ。
（１）前記薄膜磁気センサは、
基板と、
前記基板上に形成された、外部磁界の変化を検出するための磁界検出素子と、
前記基板上に形成され、かつ、前記磁界検出素子に直列に接続された、温度変化に起因する抵抗値の変動を補償するための温度補償素子と、
前記基板上に形成された、前記温度補償素子の周囲を囲む磁気シールドと
を備えている。
（２）前記磁界検出素子は、
トンネル磁気抵抗効果を有するＴＭＲ膜（Ａ）と、
前記ＴＭＲ膜（Ａ）の両端に電気的に接続された軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨーク（Ａ）と
を備えている。
（３）前記温度補償素子は、
トンネル磁気抵抗効果を有するＴＭＲ膜（Ｂ）と、
前記ＴＭＲ膜（Ｂ）の両端に電気的に接続された軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨーク（Ｂ）と
を備えている。
（４）前記磁気シールドは、前記薄膜ヨーク（Ｂ）と同一材料からなる。
【請求項２】
前記温度補償素子の磁界感度は、前記磁界検出素子のそれより低い請求項１に記載の薄膜磁気センサ。
【請求項３】
前記温度補償素子の磁界感度は、前記磁界検出素子のそれの１／２以下である請求項１又は２に記載の薄膜磁気センサ。
【請求項４】
次の式（１）の関係を満たす請求項１から３までのいずれか１項に記載の薄膜磁気センサ。
｜ＲH−ＲL｜／ＲH≦０．１      ・・・（１）
但し、
ＲHは、前記ＴＭＲ膜（Ａ）の室温における抵抗値、
ＲLは、前記ＴＭＲ膜（Ｂ）の室温における抵抗値。
【請求項５】
次の式（１１）〜式（１４）の関係を満たす請求項１から４までのいずれか１項に記載の薄膜磁気センサ。
１００ｎｍ≦ａALL＜２０μｍ            ・・・（１１）
１００ｎｍ≦ｂALL＜２０μｍ            ・・・（１２）
(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊０．７５≦Ａ2MIN      ・・・（１３）
(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊０．７５≦Ｂ2MIN      ・・・（１４）
但し、
ａALLは、前記温度補償素子の感磁方向に対して平行方向の前記薄膜ヨーク（Ｂ）と前記磁気シールドの間の隙間の長さ（ａ）であって、あらゆる箇所における長さ、
ｂALLは、前記温度補償素子の感磁方向に対して垂直方向の前記薄膜ヨーク（Ｂ）と前記磁気シールドとの間の隙間の長さ（ｂ）であって、あらゆる箇所における長さ、
Ｂ1は、前記薄膜ヨーク（Ｂ）の幅、
(Ｂ1＋２ｂ)MAXは、前記温度補償素子の感磁方向に対して垂直方向の前記磁気シールド間の距離（Ｂ1＋２ｂ）の最大値、
Ａ2MINは、前記温度補償素子の感磁方向に対して平行方向の前記磁気シールドの長さ（Ａ2）の最小値、
Ｂ2MINは、前記温度補償素子の感磁方向に対して垂直方向の前記磁気シールドの長さ（Ｂ2）の最小値。
【請求項６】
前記磁気シールドは、スリットにより２つのシールド片に分割されており、
分割された前記各シールド片は、それぞれ、一対の前記薄膜ヨーク（Ｂ）に電気的に接続されている
請求項１から５までのいずれか１項に記載の薄膜磁気センサ。
【請求項７】
次の式（１５）の関係を満たす請求項６に記載の薄膜磁気センサ。
１００ｎｍ≦ｃALL≦２μｍ        ・・・（１５）
但し、ｃALLは、前記スリットの幅（ｃ）であって、あらゆる箇所における幅。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気センサに関し、さらに詳しくは、温度変化が生じた場合であっても外部磁界の変化を正確に検出することが可能な薄膜磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気センサは、電磁気力（例えば、電流、電圧、電力、磁界、磁束など。）、力学量（例えば、位置、速度、加速度、変位、距離、張力、圧力、トルク、温度、湿度など。）、生化学量等の被検出量を、磁界を介して電圧に変換する電子デバイスである。磁気センサは、磁界の検出方法に応じて、ホールセンサ、異方的磁気抵抗（ＡＭＲ：  Anisotropic Magneto-Resistiity）センサ、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ：  Tunnel Magneto Resinstance）センサ等に分類される。
【０００３】
これらの中でもＴＭＲセンサは、
（１）ＡＭＲセンサに比べて電気比抵抗の変化率の最大値（すなわち、ＭＲ比＝△ρ／ρ0（△ρ＝ρH−ρ0：ρHは、外部磁界Ｈにおける電気比抵抗、ρ0は、外部磁界ゼロにおける電気比抵抗））が極めて大きい、
（２）ホールセンサに比べて抵抗値の温度変化が小さい、
（３）ＴＭＲ効果を有する材料が薄膜材料であるために、マイクロ化に適している、
等の利点がある。そのため、ＴＭＲセンサは、コンピュータ、電力、自動車、家電、携帯機器等に用いられる高感度マイクロ磁気センサとしての応用が期待されている。
【０００４】
ＴＭＲ効果を示す材料としては、強磁性層（例えば、パーマロイ等）と非磁性層（例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等）の多層膜、あるいは、反強磁性層、強磁性層（固定層）、非磁性層及び強磁性層（自由層）の４層構造を備えた多層膜（いわゆる、「スピンバルブ」）からなる金属人工格子、強磁性金属（例えば、パーマロイ等）からなるｎｍサイズの微粒子と、非磁性金属（例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等）からなる粒界相とを備えた金属−金属系ナノグラニュラー材料、スピン依存トンネル効果によってＭＲ（Magneto-Resistivity）効果が生ずるトンネル接合膜、ｎｍサイズの強磁性金属合金微粒子と、非磁性・絶縁性材料からなる粒界相とを備えた金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料等が知られている。
【０００５】
これらの内、スピンバルブに代表される多層膜は、一般に、低磁界における感度が高いという特徴がある。しかしながら、多層膜は、種々の材料からなる薄膜を高精度で積層する必要があるために、安定性や歩留まりが悪く、製作コストを抑えるには限界がある。そのため、この種の多層膜は、専ら付加価値の大きなデバイス（例えば、ハードディスク用の磁気ヘッド）にのみ用いられ、単価の安いＡＭＲセンサやホールセンサとの価格競争を強いられる磁気センサに応用するのは困難であると考えられている。また、多層膜間の拡散が生じやすく、ＴＭＲ効果が消失しやすいため、耐熱性が悪いという大きな欠点がある。
【０００６】
一方、ナノグラニュラー材料は、一般に、作製が容易で、再現性も良い。そのため、これを磁気センサに応用すれば、磁気センサを低コスト化することができる。特に、金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料は、
（１）その組成を最適化すれば、室温において１０％を越える高いＭＲ比を示す、
（２）電気比抵抗ρが桁違いに高いので、磁気センサの超小型化と低消費電力化が同時に実現可能である、
（３）耐熱性の悪い反強磁性膜を含むスピンバルブ膜と異なり、高温環境下でも使用可能である、
等の利点がある。しかしながら、金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料は、低磁界における磁界感度が非常に小さいという問題がある。そのため、このような場合には、ＴＭＲ膜の両端に軟磁性材料からなるヨークを配置し、ＴＭＲ膜の磁界感度を上げることが行われる。
【０００７】
磁気センサは、一般に、温度により抵抗値が変化する。そのため、単一の素子のみを用いて外部磁界を検出すると、温度変化が生じた時に外部磁界の検出精度が低下するという問題がある。そこでこの問題を解決するために、従来から種々の提案がなされている。
【０００８】
例えば、特許文献１、２には、同一の構造を持つ２つの磁気トンネル効果素子を直列に接続してハーフブリッジ回路を構成し、一方の磁気トンネル効果素子の上面を軟磁性体で被覆した磁気センサが開示されている。
特許文献２には、
（ａ）一方の磁気トンネル効果素子を軟磁性体で磁気遮蔽すると、その抵抗値は外部磁界に関わらず一定値となる点、及び、
（ｂ）このような構成を持つ磁気センサは、環境温度が変化した場合であっても、出力電圧が略一定となる点
が記載されている。
【０００９】
また、特許文献３には、温度変化に起因する抵抗値の変動の補償を目的とするものではないが、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）膜と薄膜ヨークとを備え、薄膜ヨークが高感度部と低感度部とを備えている薄膜磁気センサが開示されている。
同文献には、薄膜ヨークに高感度部と低感度部とを設けると、高磁界と低磁界の双方を適切な分解能で同時に測定することができる点が記載されている。
【００１０】
特許文献１、２に記載されているように、磁気トンネル効果素子の上面を軟磁性体で被覆すると、磁気トンネル効果素子を低感度化することができる。そのため、磁気遮蔽された素子と磁気遮蔽されていない素子とを用いてハーフブリッジ回路を構成すると、温度変化に起因する抵抗値の変動を補償することができる。その結果、環境温度に関わらず、外部磁界の変化を正確に検出することが可能となる。
【００１１】
しかしながら、磁気トンネル効果素子の上面を軟磁性体で被覆するためには、軟磁性体薄膜の成膜工程が別途必要となり、製造コストが増大する。また、同一の構造を持つ磁気トンネル効果素子を用いてハーブブリッジ回路を構成しているため、軟磁性体による磁気遮蔽が不十分となった場合には、抵抗値の変動の補償も不十分となる。
さらに、２つの素子を直列に接続してハーフブリッジ回路を構成する場合、各素子の両端に配線を接合する必要がある。しかしながら、抵抗値の変動の補償と、配線接続の容易化の双方を可能とする薄膜磁気センサが提案された例は、従来にはない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特表２０１４−５０８２８６号公報
【特許文献２】特開２００１−３４５４９８号公報
【特許文献３】特開２００９−２０４４３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明が解決しようとする課題は、温度変化が生じた場合であっても外部磁界の変化を正確に検出することができ、しかも、製造コストを増大させることのない薄膜磁気センサを提供することにある。
また、本発明が解決しようとする他の課題は、温度変化に起因する抵抗値の変動を補償することができ、しかも、配線接続も容易な薄膜磁気センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために本発明に係る薄膜磁気センサは、以下の構成を備えていることを要旨とする。
（１）前記薄膜磁気センサは、
基板と、
前記基板上に形成された、外部磁界の変化を検出するための磁界検出素子と、
前記基板上に形成され、かつ、前記磁界検出素子に直列に接続された、温度変化に起因する抵抗値の変動を補償するための温度補償素子と、
前記基板上に形成された、前記温度補償素子の周囲を囲む磁気シールドと
を備えている。
（２）前記磁界検出素子は、
トンネル磁気抵抗効果を有するＴＭＲ膜（Ａ）と、
前記ＴＭＲ膜（Ａ）の両端に電気的に接続された軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨーク（Ａ）と
を備えている。
（３）前記温度補償素子は、
トンネル磁気抵抗効果を有するＴＭＲ膜（Ｂ）と、
前記ＴＭＲ膜（Ｂ）の両端に電気的に接続された軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨーク（Ｂ）と
を備えている。
（４）前記磁気シールドは、前記薄膜ヨーク（Ｂ）と同一材料からなる。
【００１５】
前記薄膜磁気センサは、
前記磁気シールドがスリットにより２つのシールド片に分割されており、
分割された前記各シールド片が、それぞれ、一対の前記薄膜ヨーク（Ｂ）に電気的に接続されている
ものが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
磁界検出素子と温度補償素子を直列に接続してブリッジ回路を構成し、温度補償素子の周囲を薄膜ヨークと同一材料からなる磁気シールドで囲うと、環境温度が変化した場合であっても、外部磁界の変化を正確に検出することができる。また、温度補償素子を囲う磁気シールドは、薄膜ヨークを成膜する際に同時に形成することができるので、製造コストの増大も抑制できる。
さらに、磁気シールドを２分割し、分割されたシールド片をそれぞれ温度補償素子の一対の薄膜ヨーク（Ｂ）と一体化させると、薄膜ヨーク（Ｂ）に比べて面積の大きいシールド片を介して容易に配線の接続ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気センサの平面図（図１（Ａ））、並びに、温度補償素子及び磁気シールドの拡大平面図（図１（Ｂ））である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気センサの平面図（図２（Ａ））、並びに、温度補償素子及び磁気シールドの拡大平面図（図２（Ｂ））である。
【図３】外部印加磁束密度とＴＭＲ素子位置での磁束密度との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態について詳細に説明する。
［１．  薄膜磁気センサ（１）］
図１（Ａ）に、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気センサの平面図を示す。また、図１（Ｂ）に、温度補償素子及び磁気シールドの拡大平面図を示す。なお、図１においては、見やすくするために、部分的にハッチングを施してある。
【００１９】
図１において、薄膜磁気センサ１０ａは、
基板（図示せず）と、
基板上に形成された、外部磁界の変化を検出するための磁界検出素子２０と、
基板上に形成され、かつ、磁界検出素子２０に直列に接続された、温度変化に起因する抵抗値の変動を補償するための温度補償素子３０ａと、
基板上に形成された、温度補償素子３０ａの周囲を囲む磁気シールド４０ａと
を備えている。
【００２０】
［１．１．  基板］
基板は、その表面に、磁界検出素子２０、温度補償素子３０ａ、及び磁気シールド４０ａを形成するためのものである。基板の材料や形状は、特に限定されるものではなく、目的に応じて最適な材料及び形状を選択することができる。
【００２１】
［１．２．  磁界検出素子］
磁界検出素子２０は、トンネル磁気抵抗効果を有するＴＭＲ膜（Ａ）２２と、ＴＭＲ膜（Ａ）２２の両端に電気的に接続された軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６とを備えている。
【００２２】
［１．２．１．  ＴＭＲ膜（Ａ）］
ＴＭＲ膜（Ａ）２２は、外部磁界の変化を電気抵抗Ｒの変化として感じ、結果的に電圧の変化として検出するためのものであり、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果を有する材料からなる。外部磁界の変化を高い感度で検出するためには、ＴＭＲ膜（Ａ）２２のＭＲ比の絶対値は、大きいほど良い。ＴＭＲ膜（Ａ）２２のＭＲ比の絶対値は、具体的には、５％以上が好ましく、さらに好ましくは、１０％以上である。
【００２３】
また、ＴＭＲ膜（Ａ）２２は、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６と直接、電気的に接続されるので、ＴＭＲ膜（Ａ）２２には、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６より高い電気比抵抗ρを有するものが用いられる。一般に、ＴＭＲ膜（Ａ）２２の電気比抵抗ρが小さすぎると、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６間が電気的に短絡するので好ましくない。一方、ＴＭＲ膜（Ａ）２２の電気比抵抗ρが高すぎる場合には、ノイズが増加し、外部磁界の変化を電圧変化として検出するのが困難となる。
ＴＭＲ膜（Ａ）２２の電気比抵抗ρは、具体的には、１０3μΩｃｍ以上１０12μΩｃｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、１０4μΩｃｍ以上１０11μΩｃｍ以下である。
【００２４】
このような条件を満たす材料には、種々の材料があるが、中でも上述した金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料が特に好適である。金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料は、高いＭＲ比と高い電気比抵抗ρを有するだけでなく、僅かな組成変動によってＭＲ比が大きく変動することがないので、安定した磁気特性を有する薄膜を、再現性良く、かつ低コストで作製することができるという利点がある。
【００２５】
ＴＭＲ膜（Ａ）２２として用いられる金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料としては、具体的には、
（１）Ｃｏ−Ｙ2Ｏ3系ナノグラニュラー合金、Ｃｏ−Ａｌ2Ｏ3系ナノグラニュラー合金、Ｃｏ−Ｓｍ2Ｏ3系ナノグラニュラー合金、Ｃｏ−Ｄｙ2Ｏ3系ナノグラニュラー合金、ＦｅＣｏ−Ｙ2Ｏ3系ナノグラニュラー合金等の酸化物系ナノグラニュラー合金、
（２）Ｆｅ−ＭｇＦ2、ＦｅＣｏ−ＭｇＦ2、Ｆｅ−ＣａＦ2、ＦｅＣｏ−ＡｌＦ3等のフッ化物系ナノグラニュラー合金、
などがある。
【００２６】
［１．２．２．  薄膜ヨーク（Ａ）］
薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６は、ギャップを介して対向しており、ＴＭＲ膜（Ａ）２２は、ギャップ内又はその近傍において、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６と電気的に接続される。
ここで、「ギャップ近傍」とは、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６先端に発生する増幅された大きな磁界の影響を受ける領域をいう。薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６間に発生する磁界は、ギャップ内が最も大きくなるので、ＴＭＲ膜（Ａ）２２は、ギャップ内に形成するのが最も好ましいが、ＴＭＲ膜（Ａ）２２に作用する磁界が実用上十分な大きさであるときは、その全部又は一部がギャップ外（例えば、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６の上面側又は下面側）にあっても良いことを意味する。
【００２７】
薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６は、ＴＭＲ膜（Ａ）２２の磁界感度を高めるためのものであり、軟磁性材料からなる。弱磁界に対する高い磁界感度を得るためには、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６には、透磁率μ及び／又は飽和磁化Ｍｓの高い材料を用いるのが好ましい。また、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６の材料は、使用する外部磁界の範囲で磁気飽和のないものが好ましい。一方、軟磁性材料の透磁率μは、高いほど好ましく、例えば、５０００以上が好ましい。
【００２８】
このような条件を満たす軟磁性材料としては、具体的には、
（ａ）４０〜９０％Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｆｅ74Ｓｉ9Ａｌ17、Ｆｅ12Ｎｉ82Ｎｂ6、Ｆｅ75.6Ｓｉ13.2Ｂ8.5Ｎｂ1.9Ｃｕ0.8、Ｆｅ83Ｈｆ6Ｃ11、Ｆｅ85Ｚｒ10Ｂ5合金、Ｆｅ93Ｓｉ3Ｎ4合金、Ｆｅ71Ｂ11Ｎ18合金、
（ｂ）４０〜９０％Ｎｉ−Ｆｅ合金／ＳｉＯ2多層膜、
（ｃ）Ｆｅ71.3Ｎｄ9.6Ｏ19.1ナノグラニュラー合金、Ｃｏ70Ａｌ10Ｏ20ナノグラニュラー合金、Ｃｏ65Ｆｅ5Ａｌ10Ｏ20ナノグラニュラー合金、
（ｄ）Ｃｏ35Ｆｅ35Ｍｇ10Ｆ20ナノグラニュラー合金
などがある。
【００２９】
［１．２．３．  磁界検出素子の形状及び寸法］
磁界検出素子２０は、外部磁界の変化を検出するためのものである。そのため、感磁方向の磁界感度は大きいほど良い。
ここで、「感磁方向」とは、ＴＭＲ膜（Ａ）２２の磁界感度が最大となるときの外部磁界の印加方向をいう。
【００３０】
磁界検出素子２０の各部の形状及び寸法は、感磁方向の磁界感度に影響を与える。一般に、ギャップの長さ（ＴＭＲ膜（Ａ）２２の感磁方向の長さ）ｇ1が短くなるほど、漏れ磁束が少なくなるので高感度となる。また、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６の感磁方向の長さが長くなるほど、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６の反磁界係数が小さくなるので高感度となる。そのため、磁界検出素子２０の各部の形状及び寸法は、目的とする感度が得られるように、最適な形状及び寸法を選択するのが好ましい。
【００３１】
［１．３．  温度補償素子］
温度補償素子３０ａは、トンネル磁気抵抗効果を有するＴＭＲ膜（Ｂ）３２と、ＴＭＲ膜（Ｂ）３２の両端に電気的に接続された軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６とを備えている。温度補償素子３０ａは、磁気シールド４０ａがない場合において、磁界検出素子２０と同一又はそれ以上の磁界感度を持つものでも良い。しかし、温度変化に起因する誤差を小さくするためには、温度補償素子３０ａは、磁気シールド４０ａがない場合において、磁界検出素子２０より磁界感度が低いものが好ましい。
【００３２】
［１．３．１．  ＴＭＲ膜（Ｂ）］
ＴＭＲ膜（Ｂ）３２の材料は、磁界検出素子２０のＴＭＲ膜（Ａ）２２と異なる材料でも良く、あるいは、同一材料でも良い。ＴＭＲ膜（Ｂ）３２及びＴＭＲ膜（Ａ）２２に同一材料を用いると、１工程で双方のＴＭＲ膜を同時に形成することができるので、製造コストを低減することができる。
ＴＭＲ膜（Ｂ）３２の材料に関するその他の点は、ＴＭＲ膜（Ａ）２２と同様であるので、説明を省略する。
【００３３】
［１．３．２．  薄膜ヨーク（Ｂ）］
薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６の材料は、磁界検出素子２０の薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６と異なる材料でも良く、あるいは、同一材料でも良い。薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６及び薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６に同一材料を用いると、１工程で双方の薄膜ヨークを同時に形成することができるので、製造コストを低減することができる。
薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６の材料に関するその他の点は、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６と同様であるので、説明を省略する。
【００３４】
［１．３．３．  磁界感度］
温度補償素子３０ａは、温度変化に起因する抵抗値の変動を補償するためのものである。そのため、温度補償素子３０ａの磁界感度は、小さいほどよい。
温度補償素子３０ａの磁界感度を小さくする方法としては、温度補償素子３０ａの磁界感度そのものを小さくする方法と、後述する磁気シールド４０ａを用いて間接的に小さくする方法とがある。本発明においては、磁気シールド４０ａを用いているが、磁気シールド４０ａのみで完全に外部磁界を遮断することは難しい。そのため、磁気シールド４０ａを用いることに加えて、温度補償素子３０ａの磁界感度そのものを小さくするのが好ましい。
【００３５】
後述するように、温度補償素子３０ａの各部の寸法を最適化すると、温度補償素子３０ａの磁界感度（磁気シールド４０ａがない場合の磁界感度）は、磁界検出素子２０のそれの１／２以下にすることができる。温度補償素子３０ａの磁界感度は、好ましくは、磁界検出素子２０のそれの１／５以下、さらに好ましくは、１／１０以下である。
ここで、「磁界感度」とは、外部磁場（厳密には素子の感磁方向成分の外部磁場）の変化に伴う、素子の電気比抵抗の変化し易さをいう。従って、「磁界感度が小さい」とは、外部磁場が大きく変化しても電気比抵抗が変化しにくい性質を意味する．一方、「磁界感度が大きい」とは、外部磁場の僅かな変化に対しても電気比抵抗が変化しやすい性質を意味する。本発明では、この両者を用いることで、環境温度が変化しても高性能な磁気センサとすることができる。
【００３６】
磁界感度を変化させる方法としては、特に限定されないが、例えば、ギャップ長（ＴＭＲ膜の感磁方向の長さ）、薄膜ヨーク長さ(感磁方向と平行方向の長さ）、及び、薄膜ヨーク長さ／薄膜ヨーク幅で示されるアスペクト比を変更する方法が挙げられる。
ギャップ長が長くなると磁界感度が小さくなるため、温度補償素子のギャップ長は、磁界検出素子のギャップ長よりも長いほうが好ましい。
また、薄膜ヨークの長さが短くなると磁界感度が小さくなるため、温度補償素子の薄膜ヨーク長さは、磁界検出素子の薄膜ヨーク長さよりも短い方が好ましい。
さらに、アスペクト比が小さくなると磁界感度が小さくなるため、温度補償素子のアスペクト比は、磁界検出素子のアスペクト比より小さいほうが好ましい。
前記した３つの方法は１つだけ用いても良いが、複数用いることでより磁界感度を変化させることができる。したがって、図１では、前記した３つの方法を全て採用している。
【００３７】
［１．３．４．  温度補償素子の形状及び寸法］
温度補償素子３０ａの各部の形状及び寸法は、感磁方向の磁界感度に影響を与える。一般に、ギャップの長さ（ＴＭＲ膜（Ｂ）３２の感磁方向の長さ）ｇ2が長くなるほど、漏れ磁束が大きくなるので低感度となる。また、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６の感磁方向の長さＡ1が短くなるほど、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６の反磁界係数が大きくなるので低感度となる。そのため、温度補償素子３０ａの各部の形状及び寸法は、目的とする磁界感度が得られるように、最適な形状及び寸法を選択するのが好ましい。
【００３８】
さらに、ＴＭＲ膜（Ｂ）３２の電気抵抗は、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６のそれより遙かに大きいので、温度補償素子３０ａの電気抵抗は、ＴＭＲ膜（Ｂ）３２のそれにほぼ等しい。この点は、磁界検出素子２０も同様である。
薄膜磁気センサ１０ａは、磁界検出素子２０と温度補償素子３０ａの間の電位（中点電位）を出力し、中点電位を用いて磁界の強さを演算により求める。演算を容易化するためには、温度補償素子３０ａと磁界検出素子２０の電気抵抗は、近接しているのが好ましい。
【００３９】
より具体的には、温度補償素子２０及び磁界検出素子２０は、次の式（１）の関係を満たしているのが好ましい。電気抵抗が近接している場合には、両者の抵抗差を無視することができるため、演算（補正処理）が不要となる。両者の抵抗差は、好ましくは、１０％以下、さらに好ましくは、１％以下である。
｜ＲH−ＲL｜／ＲH≦０．１      ・・・（１）
但し、
ＲHは、前記ＴＭＲ膜（Ａ）の室温における抵抗値、
ＲLは、前記ＴＭＲ膜（Ｂ）の室温における抵抗値。
【００４０】
ＴＭＲ膜（Ｂ）３２及びＴＭＲ膜（Ａ）２２に同一材料を用いる場合、これらは１工程で同時に成膜されるため、通常、両者の膜厚はほぼ同一となる。そのため、ＴＭＲ膜（Ｂ）３２のギャップの長さｇ2及び感磁方向に対して垂直方向の長さ（図１に示す例では、薄膜ヨーク（Ｂ）の幅Ｂ1に等しい）を最適化すると、ＴＭＲ膜（Ｂ）３２の電気抵抗をＴＭＲ膜（Ａ）２２のそれと同一に維持したまま、磁界感度のみを低下させることができる。また、ＴＭＲ膜（Ｂ）３２の形状を最適化すると、温度補償素子３０ａの大型化を回避することができる。
【００４１】
例えば、ＴＭＲ膜（Ｂ）３２の形状をＴＭＲ膜（Ａ）２２と同一にすると、式（１）の関係は自動的に満たされる。この場合、温度補償素子３０ａの低感度化は、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６の反磁界係数を大きくすることのみにより行われる。
一方、式（１）を満たすようにＴＭＲ膜（Ｂ）３２の形状を変更すると、ギャップの長さｇ2の増大と、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６の反磁界係数の増大の双方を用いて、温度補償素子３０ａをより低感度化することができる。
【００４２】
薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６の感磁方向に対して平行方向の長さＡ1は、特に限定されるものではなく、少なくともＴＭＲ膜（Ｂ）３２と電気的接続が確保される長さであれば良い。但し、本実施の形態においては、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６に配線が接続される。そのため、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６の感磁方向の長さＡ1は、配線の接続が容易となる長さにするのが好ましい。
【００４３】
［１．４．  磁気シールド］
磁気シールド４０ａは、その内部に磁束を誘導することによって、温度補償素子３０ａへの磁束の流入を抑制するためのものである。本発明において、磁気シールド４０ａは、温度補償素子３０ａの周囲を囲むように基板上に形成されている。この点が従来とは異なる。
【００４４】
［１．４．１．  磁気シールドの材料］
本発明において、磁気シールド４０ａの材料には、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６と同一材料が用いられる。これは、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６及び磁気シールド４０ａを同時に形成し、製造工程を簡略化するためである。薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６の材料については、上述した通りであるので、説明を省略する。
【００４５】
［１．４．２．  磁気シールドの形状］
磁気シールド４０ａの形状は、温度補償素子３０ａへの磁束の流入を抑制することができる限りにおいて、特に限定されない。図１では、磁気シールド４０ａの形状は、外周形状及び内周形状がともに長方形である中空の矩形状になっているが、これは単なる例示である。
磁気シールド４０ａの形状としては、例えば、
（ａ）外周形状及び内周形状が共に円又は楕円であるもの、
（ｂ）外周形状及び内周形状が共に五角形、六角形、八角形等の多角形であるもの、
（ｃ）外周形状が円又は楕円であり、内周形状が多角形であるもの、
（ｄ）外周形状が多角形状であり、内周形状が円又は楕円であるもの、
などがある。
【００４６】
［１．４．３．  磁気シールドの寸法］
磁気シールド４０ａの各部の寸法は、磁気シールド効果に影響を与える。
【００４７】
［Ａ．  磁気シールドの厚さ］
磁気シールド４０ａの厚さが薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６の厚さに対して薄くなりすぎると、磁束は薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６に流入しやすくなり、磁気シールド効果が低下する。一方、磁気シールド４０ａの厚さを必要以上に厚くしても、効果に差が無く、実益がない。温度補償素子３０ａへの磁束の流入を抑制するためには、磁気シールド４０ａの平均厚さは、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６とほぼ同等であるのが好ましい。
【００４８】
磁気シールド４０ａは、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６及び薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６とは別個に形成することもできる。しかし、製造コストを低減するためには、磁気シールド４０ａと、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６（及び、薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６）とを１工程で同時に成膜するのが好ましい。磁気シールド４０ａと薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６とを同時に成膜すると、通常、両者の平均厚さは、ほぼ同じ（膜厚差として、例えば、１０％以下）になる。なお、平均厚さは、任意の箇所の断面についてＳＥＭ観察による膜厚測定を複数回行い、平均値を算出すれば良い。
【００４９】
［Ｂ．  磁気シールドの平面方向の寸法］
高い磁気シールド効果を得るためには、温度補償素子３０ａの感磁方向への磁束の流入が抑制されるように、各部の寸法を決定するのが好ましい。具体的には、磁気シールド４０ａは、次の式（１１）〜式（１４）を満たしているのが好ましい。
１００ｎｍ≦ａALL＜２０μｍ            ・・・（１１）
１００ｎｍ≦ｂALL＜２０μｍ            ・・・（１２）
(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊０．７５≦Ａ2MIN      ・・・（１３）
(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊０．７５≦Ｂ2MIN      ・・・（１４）
但し、
ａALLは、前記温度補償素子の感磁方向に対して平行方向の前記薄膜ヨーク（Ｂ）と前記磁気シールドの間の隙間の長さ（ａ）であって、あらゆる箇所における長さ、
ｂALLは、前記温度補償素子の感磁方向に対して垂直方向の前記薄膜ヨーク（Ｂ）と前記磁気シールドとの間の隙間の長さ（ｂ）であって、あらゆる箇所における長さ、
Ｂ1は、前記薄膜ヨーク（Ｂ）の幅、
(Ｂ1＋２ｂ)MAXは、前記温度補償素子の感磁方向に対して垂直方向の前記磁気シールド間の距離（Ｂ1＋２ｂ）の最大値、
Ａ2MINは、前記温度補償素子の感磁方向に対して平行方向の前記磁気シールドの長さ（Ａ2）の最小値、
Ｂ2MINは、前記温度補償素子の感磁方向に対して垂直方向の前記磁気シールドの長さ（Ｂ2）の最小値。
【００５０】
ここで、式（１１）及び式（１２）は、それぞれ、「ａ」及び「ｂ」が場所によって異なる場合であっても、あらゆる箇所の「ａ」及び「ｂ」に関して成り立つことが好ましいことを表す。
また、式（１３）及び式（１４）は、それぞれ、Ａ2及びＢ2が場所によって異なる場合であっても、少なくともＡ2MIN及びＢ2MINに関して成り立つことが好ましいことを表す。
なお、後述するように、薄膜ヨークを延長して磁気シールドに接続する場合、「ｂALL」には、薄膜ヨークと磁気シールドが連結している部分を含まない。この点は、「ａALL」も同様である。
【００５１】
式（１１）は、ａALLの許容範囲を表す。ａALLが短すぎると、磁気シールド４０ａと温度補償素子３０ａが短絡するおそれがある。従って、ａALLは、１００ｎｍ以上が好ましい。ａALLは、好ましくは、１μｍ以上、さらに好ましくは、３μｍ以上である。
一方、ａALLが大きくなりすぎると、磁気シールド効果が薄れ、薄膜磁気センサ１０ａも大型化する。従って、ａALLは、２０μｍ以下が好ましい。ａALLは、さらに好ましくは、１０μｍ以下である。
【００５２】
式（１２）は、ｂALLの許容範囲を表す。ｂALLが短すぎると、磁気シールド４０ａと温度補償素子３０ａが短絡するおそれがある。従って、ｂALLは、１００ｎｍ以上が好ましい。ｂALLは、好ましくは、１μｍ以上、さらに好ましくは、３μｍ以上である。
一方、ｂALLが大きくなりすぎると、実益が無いだけでなく、薄膜磁気センサ１０ａが大型化する。従って、ｂALLは、２０μｍ以下が好ましい。ｂALLは、さらに好ましくは、１０μｍ以下である。
【００５３】
式（１３）は、Ａ2の許容範囲を表す。Ａ2が小さくなるほど、磁気シールド効果が薄れる。従って、Ａ2MINは、(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊０．７５以上が好ましい。Ａ2MINは、さらに好ましくは、(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊１．０以上である。
一方、Ａ2を必要以上に大きくしても、磁気シールド効果に差が無く、実益がない。また、Ａ2を必要以上に大きくすると、薄膜磁気センサ１０ａが大型化する。従って、Ａ2の最大値（Ａ2MAX）は、(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊３７．５以下が好ましい。Ａ2MAXは、さらに好ましくは、(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊１８．７５以下である。
【００５４】
式（１４）は、Ｂ2の許容範囲を表す。Ｂ2が小さくなるほど、磁気シールド効果が薄れる。従って、Ｂ2MINは、(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊０．７５以上が好ましい。Ｂ2MINは、さらに好ましくは、(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊１．０以上である。
一方、Ｂ2を必要以上に大きくしても、磁気シールド効果に差が無く、実益がない。また、Ｂ2を必要以上に大きくすると、薄膜磁気センサ１０ａが大型化する。従って、Ｂ2の最大値（Ｂ2MAX）は、(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊３７．５以下が好ましい。Ｂ2MAXは、さらに好ましくは、(Ｂ1＋２ｂ)MAX／２＊１８．７５以下である。
【００５５】
磁気シールド４０ａの外周の幅Ｗ、外周の長さＬは、磁気シールド４０ａの他の部分の寸法と、温度補償素子３０ａの大きさが定まると、一義的に定まる。
【００５６】
［１．５．  配置及び接続］
磁界検出素子２０と温度補償素子３０ｂの配置は、特に限定されない。例えば、図１に示すように、磁界検出素子２０と温度補償素子３０ａの感磁方向が平行となるようにこれらを配置しても良い。あるいは、図示はしないが、磁界検出素子２０と温度補償素子３０ａの感磁方向が非平行となるようにこれらを配置しても良い。
【００５７】
また、図１に示す例において、薄膜磁気センサ１０ａは、磁界検出素子２０と温度補償素子３０ａが直列に接続されたハーフブリッジ回路からなる。このハーフブリッジ回路を２つ組み合わせると、フルブリッジ回路となる。本発明は、ハーフブリッジ回路及びフルブリッジ回路のいずれにも適用することができる。フルブリッジ回路の場合、各ハーフブリッジ回路の中点電位の差分が出力される。
【００５８】
［２．  薄膜磁気センサ（２）］
図２（Ａ）に、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気センサの平面図を示す。また、図２（Ｂ）に、温度補償素子及び磁気シールドの拡大平面図を示す。なお、図２においては、見やすくするために、部分的にハッチングを施してある。
【００５９】
図２において、薄膜磁気センサ１０ｂは、
基板（図示せず）と、
基板上に形成された、外部磁界の変化を検出するための磁界検出素子２０と、
基板上に形成され、かつ、磁界検出素子２０に直列に接続された、温度変化に起因する抵抗値の変動を補償するための温度補償素子３０ｂと、
基板上に形成された、温度補償素子３０ｂの周囲を囲む磁気シールド４０ｂと
を備えている。
【００６０】
本実施の形態において、
磁気シールド４０ｂは、スリット４２、４４により２つのシールド片４６、４８に分割されており、
分割された各シールド片４６、６８は、それぞれ、一対の前記薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６に電気的に接続されている。この点が第１の実施の形態とは異なる。
【００６１】
［２．１．  基板］
基板の詳細は、第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００６２】
［２．２．  磁界検出素子］
磁界検出素子２０は、トンネル磁気抵抗効果を有するＴＭＲ膜（Ａ）２２と、ＴＭＲ膜（Ａ）２２の両端に電気的に接続された軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨーク（Ａ）２４、２６とを備えている。磁界検出素子２０の詳細は、第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００６３】
［２．３．  温度補償素子］
温度補償素子３０ｂは、トンネル磁気抵抗効果を有するＴＭＲ膜（Ｂ）３２と、ＴＭＲ膜（Ｂ）３２の両端に電気的に接続された軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６とを備えている。温度補償素子３０ａは、磁界検出素子２０より磁界感度が低いものが好ましい。さらに、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６は、感磁方向に対して垂直方向に延長されており、それぞれ、シールド片４６、４８と一体化している。この点が、第１の実施の形態とは異なる。
【００６４】
さらに、本実施の形態において、温度補償素子３０ｂの配線の接続は、シールド片４６、４８を介して行われる。そのため、薄膜ヨーク（Ｂ）３４、３６の感磁方向の長さＡ1は、配線の容易性を考慮することなく、目的に応じて任意に選択することができる。
温度補償素子３０ｂのその他の点については、第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００６５】
［２．４．  磁気シールド］
磁気シールド４０ｂは、その内部に磁束を誘導することによって、温度補償素子３０ｂへの磁束の流入を抑制するためのものである。磁気シールド４０ｂは、温度補償素子３０ｂの周囲を囲むように形成されている。さらに、磁気シールド４０ｂは、スリット４２、４４により２つのシールド片４６、４８に分割されている。
【００６６】
スリット４２、４４の位置は、特に限定されるものではなく、磁気シールド４０ｂの形状や温度補償素子３０ｂの形状、磁界検出素子２０の配置、配線接続方法などに応じて、最適な位置を選択することができる。
但し、シールド片４６、４８の体積が互いに著しく相違すると、均等に磁束を逃がすことができなくなる。そのため、シールド片４６とシールド片４８の体積比が３０：７０〜７０：３０となるように、スリット４２、４４の位置を定めるのが好ましい。
【００６７】
一方、スリット４２、４４の幅は、磁気シールド効果に影響を与える。スリット４２、４４の幅は、具体的には、次の式（１５）の関係を満しているのが好ましい。
１００ｎｍ≦ｃALL≦２μｍ        ・・・（１５）
但し、ｃALLは、前記スリットの幅（ｃ）であって、あらゆる箇所における幅。
ここで、式（１５）は、「ｃ」が場所によって異なる場合であっても、あらゆる箇所の「ｃ」に関して成り立つことが好ましいことを表す。
【００６８】
式（１５）は、ｃALLの許容範囲を表す。ｃALLが短すぎると、シールド片４６、４８が短絡するおそれがある。従って、ｃALLは、１００ｎｍ以上が好ましい。ｃALLは、好ましくは、１μｍ以上である。
一方、ｃALLが大きくなりすぎると、漏れ磁束が大きくなり、磁気シールド効果が薄れる。従って、ｃALLは、２μｍ以下が好ましい。
【００６９】
磁気シールド４０ｂに関するその他の点については、第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００７０】
［２．５．  配置及び接続］
本実施の形態において、温度補償素子３０ｂは、シールド片４６、４８を介して配線の接続が行われる。磁界検出素子２０と温度補償素子３０ｂの配置及び配線のその他の点については、第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００７１】
［３．  薄膜磁気センサの製造方法］
本発明に係る薄膜磁気センサ１０ａ、１０ｂは、基板表面に、所定の組成を持つ薄膜を所定の順序で積層することにより製造することができる。この時、磁気シールド４０ａ、４０ｂと薄膜ヨーク（Ｂ）３２、３４とを同時に成膜すると、製造工程を簡略化することができる。
【００７２】
［４．  作用］
磁気センサは、一般に、温度により抵抗値が変化する。そのため、単一の素子のみを用いて外部磁界を検出すると、温度変化が生じた時に外部磁界の検出精度が低下するという問題がある。この問題を解決するために、同一構造の２つの素子を直列に接続してハーフブリッジ構造とし、一方をそのまま高感度素子として用い、他方の上面を軟磁性材料からなる磁気シールドで被覆して低感度素子とすることが行われている。しかし、この方法では、磁気シールドの成膜工程が必要となるので、製造コストを増大させる原因となる。
【００７３】
また、ＴＭＲ膜を用いた磁気センサにおいては、薄膜ヨークの感磁方向の長さを短くしたり、あるいはギャップの長さを長くすることで、低感度化することも考えられる。しかし、この方法では、低感度化が不十分であったり、抵抗値の絶対値の増大や素子サイズの著しい増加等のデメリットがある。
さらに、低感度素子の薄膜ヨークの材料を非磁性材料にすることも考えられる。しかし、この方法では非磁性膜の成膜工程とそれに付随するマスク、加工工程が増加する。
【００７４】
これに対し、磁界検出素子と温度補償素子を直列に接続してブリッジ回路を構成し、温度補償素子の周囲を薄膜ヨークと同一材料からなる磁気シールドで囲うと、温度補償素子付近の磁束が磁気シールドに積極的に誘導される。その結果、温度補償素子のＴＭＲ膜に流れる磁束が低減し、より低感度化する。また、これによって環境温度が変化した場合であっても、外部磁界の変化を正確に検出することができる。
【００７５】
また、磁気シールドの材料には、薄膜ヨークと同一材料を用いることができるので、薄膜ヨークを成膜する際に同時に磁気シールドを形成することができる。そのため、低感度化に伴う工程数の変化もなく、容易に低感度の素子が得られる。
さらに、磁気シールドを２分割し、分割されたシールド片をそれぞれ温度補償素子の一対の薄膜ヨーク（Ｂ）に接続すれば、配線の接続も容易化する。
【実施例】
【００７６】
（実施例１、比較例１）
［１．  試料の作製］
図２に示す形状を持つ薄膜磁気センサを作製した（実施例１）。また、磁気シールドを備えていない以外は、実施例１と同一の形状を持つ磁気センサを作製した（比較例１）。
【００７７】
［２．  試験方法及び結果］
得られた薄膜磁気センサに外部磁界を印加し、ＴＭＲ素子（温度補償素子３０ｂ）位置での磁束密度を測定した。図３に、外部印加磁束密度とＴＭＲ素子位置での磁束密度との関係を示す。比較例１の薄膜磁気センサは、外部印加磁束密度よりもＴＭＲ素子位置での磁束密度が高くなった。これは、薄膜ヨークの集磁効果により、ＴＭＲ素子部に磁束が集中するためである。これに対し、実施例１の薄膜磁気センサは、外部印加磁束密度よりもＴＭＲ素子位置での磁束密度が低くなった。これは、磁気シールドを介して、外部磁束がＴＭＲ素子を迂回するためである。
【００７８】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改変が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明に係る薄膜磁気センサは、自動車の車軸、ロータリーエンコーダ、産業用歯車等の回転情報の検出、油圧式シリンダ／空気式シリンダのストロークポジション、工作機械のスライド等の位置・速度情報の検出、工業用溶接ロボットのアーク電流等の電流情報の検出、地磁気方位コンパスなどに用いることができる。
また、ＴＭＲ膜とその両端に配置された薄膜ヨークを備えた磁気抵抗素子は、磁気センサとして特に好適であるが、磁気抵抗素子の用途は、これに限定されるものではなく、磁気メモリ、磁気ヘッド等としても用いることができる。
【符号の説明】
【００８０】
１０ａ、１０ｂ  薄膜磁気センサ
２０            磁界検出素子
２２            ＴＭＲ膜（Ａ）
２４、２６      薄膜ヨーク（Ａ）
３０ａ、３０ｂ  温度補償素子
３２            ＴＭＲ膜（Ｂ）
３４、３６      薄膜ヨーク（Ｂ）
４０ａ、４０ｂ  磁気シールド
４２、４４      スリット
【図１】
2017198484.tif 000003
【図２】
2017198484.tif 000004
【図３】
2017198484.tif 000005