(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザー光線を被加工物に対して照射することにより内部に形成された加工痕を、ウエーハを実際に分割することなく検出することができる被加工物の内部検出方法、および内部検出装置を提供する。【解決手段】被加工物１０ａを保持する保持手段と、該被加工物に対して透過性を有する波長を備えた光を該被加工物に対して照射する照明手段５２と、該被加工物を撮像する撮像手段５０と、該被加工物の側面に対向して配設され該側面からの光を反射して該撮像手段に導く反射鏡５８３と、から少なくとも構成される被加工物の内部検出装置。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物に対してレーザー光線を照射することにより内部に形成された加工痕を検出する被加工物の内部検出装置であって、
被加工物を保持する保持手段と、該被加工物に対して透過性を有する波長を備えた光を該被加工物に対して照射する照明手段と、該被加工物を撮像する撮像手段と、該被加工物の側面に対向して配設され該側面からの光を反射して該撮像手段に導く反射鏡と、
から少なくとも構成される被加工物の内部検出装置。
【請求項２】
被加工物に対してレーザー光線を照射することにより内部に形成された加工痕を検出する被加工物の内部検出方法であって、
被加工物を保持手段に保持する保持工程と、
該被加工物に対して透過性を有する波長を備えた光を該被加工物に対して照射する照明工程と、
該保持手段に保持された該被加工物の側面に対向して反射鏡を位置付け、該側面からの光を反射して撮像手段に導く反射鏡位置付け工程と、
該被加工物の側面を該撮像手段で撮像し、該被加工物の内部に形成された該加工痕を検出する加工痕検出工程と、
を含む被加工物の内部検出方法。
【請求項３】
該被加工物の内部に該加工痕を形成する前、または、該加工痕を形成した後、該側面に該加工痕を検出するための平坦部を形成する平坦化工程をさらに含む請求項２に記載の被加工物の内部検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物、例えばシリコンウエーハ等の内部に、レーザー光線を照射することにより形成された改質層等の加工痕を検出する被加工物の内部検出装置、および内部検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハはダイシング装置によって個々のデバイスに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
また、出願人は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割する技術として、上記したダイシング装置を用いる他に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて照射し、分割予定ラインに沿って改質層を形成した後、外力を付与してウエーハを個々のデバイスに分割する技術（例えば、特許文献１を参照。）、さらには、パルスレーザー光線を集光する集光レンズの開口数を適宜設定し、集光レンズによって集光したパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射して単結晶基板に位置付けられた集光点とパルスレーザー光線が入射された側との間に細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させていわゆるシールドトンネルを形成し、外力を付与してウエーハを個々のデバイスに分割する技術（例えば、特許文献２を参照。）を提案している。
【０００４】
上記したようなウエーハを個々のデバイスに分割する技術は、日々改良が重ねられており、特にレーザー光線を照射して単結晶基板の内部に上記した改質層、シールドトンネル等の加工痕を形成し、外力を付与して個々に分割する場合、そのレーザー光線を照射する種々の条件、例えば、出力、繰り返し周波数、集光レンズにより設定される開口数、集光点位置等の変化が、ウエーハの内部に形成される加工痕の形成に影響を及ぼすことが知られている。よって、加工効率や、製品品質を向上させるためには、レーザー光線の照射条件の変更が、加工痕の形成にどのように影響するのかを十分に検討する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２０１４−２２１４８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
切削ブレードを用いてウエーハを切削するダイシング装置であれば、加工途中においても、切削ブレードによって形成される切り込み深さ等の加工状態を外部から容易に検出することが可能であるが、レーザー光線を照射してウエーハの内部に改質層、シールドトンネル等を形成する加工方法を用いる場合、内部に形成される加工痕の寸法や形状等を外部から正確に把握することが困難であることから、レーザー加工を施した後に、実際に外力を付与して、ウエーハを加工痕に沿って分割し、該分割面を観察してレーザー光線によって形成される状態を把握することになる。
【０００７】
しかし、ウエーハを個々に分割してから分割面を観察する場合は、内部に形成された加工痕が破壊されることになるため、破壊前の加工痕の状態、例えば、形成された改質層の高さ等を厳密に観察することができない。また、レーザー光線を照射する際の種々の条件を変更して改質層、シールドトンネル等を形成し、外力を付加して分割予定ラインに沿って分割した後にその分割面を観察しようとしても、形成された改質層やシールドトンネルが十分でないと、意図したとおりにウエーハが分割されず、分割面を観察しても、内部に形成された改質層等の加工痕を必ずしも正確に検証することができないという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、レーザー光線を被加工物に対して照射することにより内部に形成された加工痕を、ウエーハを実際に分割することなく検出することができる被加工物の内部の検出方法、および、検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物に対してレーザー光線を照射することにより内部に形成された加工痕を検出する被加工物の内部検出装置であって、被加工物を保持する保持手段と、該被加工物に対して透過性を有する波長を備えた光を該被加工物に対して照射する照明手段と、該被加工物を撮像する撮像手段と、該被加工物の側面に対向して配設され該側面からの光を反射して該撮像手段に導く反射鏡と、から少なくとも構成される被加工物の内部検出装置が提供される。
【００１０】
また、本発明によれば、被加工物に対してレーザー光線を照射することにより内部に形成された加工痕を検出する被加工物の内部検出方法であって、被加工物を保持手段に保持する保持工程と、該被加工物に対して透過性を有する波長を備えた光を該被加工物に対して照射する照明工程と、該保持手段に保持された該被加工物の側面に対向して反射鏡を位置付け、該側面からの光を反射して撮像手段に導く反射鏡位置付け工程と、該被加工物の側面を該撮像手段で撮像し、該被加工物の内部に形成された該加工痕を検出する加工痕検出工程と、を含む被加工物の内部検出方法が提供される。
【００１１】
該被加工物の内部に該加工痕を形成する前、または、該加工痕を形成した後、該側面に該加工痕を検出するための平坦部を形成する平坦化工程をさらに含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の被加工物の内部検出装置、内部検出方法によれば、被加工物を実際に分割することなく、被加工物の側面から透過した光によって加工痕の寸法、形状等を検出することが可能になる。また、本発明による内部検出装置は、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長を備えた光を照射する照明手段と、該保持手段に保持された被加工物を撮像する撮像手段と、該保持手段に保持された被加工物の側面に配設され該側面からの光を反射して該撮像手段に導く反射鏡とにより構成されていることから、比較物に対して透過性を有する、例えば赤外線照射手段、および赤外線カメラ等からなる撮像手段を備えた既存のレーザー加工装置から容易に、安価に構成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に基づき被加工物の内部検出方法を実施する内部検出装置が適用されるレーザー加工装置。
【図２】図１に示すレーザー加工装置において内部検出装置を構成する状態を説明するための説明図。
【図３】本発明の内部検出装置に適用される、被加工物に平坦部を形成する平坦化工程を説明するための説明図。
【図４】図１に示すレーザー加工装置において被加工物にレーザー加工を施す状態を説明する説明図。
【図５】本発明における加工痕検出工程を説明するための説明図。
【図６】本発明の内部検出装置において、加工痕を形成し、加工痕検出工程を実施した後に平坦化工程を実施する状態を説明するための説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明による被加工物の内部検出方法、および内部検出装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１には、本発明に従い被加工物の内部を検出する内部検出装置を備えることが可能に構成されていると共に、該被加工物に対してレーザー加工を実施するレーザー加工装置４０の全体斜視図が示されている。図に示すレーザー加工装置４０は、基台４１と、該被加工物を保持する保持機構４２と、保持機構４２を移動させる移動手段４３と、保持機構４２に保持される被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４４と、表示手段４５と、撮像手段５０と、コンピュータにより構成される図示しない制御手段を備え、制御手段により各手段が制御されるように構成されている。
【００１６】
保持機構４２は、Ｘ方向において移動自在に基台４１に搭載された矩形状のＸ方向可動板６１と、Ｙ方向において移動自在にＸ方向可動板６１に搭載された矩形状のＹ方向可動板６３と、Ｙ方向可動板６３の上面に固定された円筒状の支柱６０と、支柱６０の上端に固定された矩形状のカバー板６２とを含む。カバー板６２にはＹ方向に延びる長穴６２ａが形成されている。長穴６２ａを通って上方に延びる円形状の被加工物を保持する保持手段としてのチャックテーブル６４の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック６６が配置されている。吸着チャック６６は、支柱６０を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。チャックテーブル６４の周縁には、周方向に間隔をおいて複数個のクランプ６８が配置されている。なお、Ｘ方向は図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図１に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向、Ｙ方向で規定される平面は実質上水平である。
【００１７】
移動手段４３は、Ｘ方向移動手段７０と、Ｙ方向移動手段７２と、図示しない回転手段とを含む。Ｘ方向移動手段７０は、基台４１上においてＸ方向に延びるボールねじ７４と、ボールねじ７４の片端部に連結されたモータ７６とを有する。ボールねじ７４の図示しないナット部は、Ｘ方向可動板６１の下面に固定されている。そしてＸ方向移動手段７０は、ボールねじ７４によりモータ７６の回転運動を直線運動に変換してＸ方向可動板６１に伝達し、基台４１上の案内レール４３ａに沿ってＸ方向可動板６１をＸ方向において進退させる。Ｙ方向移動手段７２は、Ｘ方向可動板６１上においてＹ方向に延びるボールねじ７８と、ボールねじ７８の片端部に連結されたモータ８０とを有する。ボールねじ７８の図示しないナット部は、Ｙ方向可動板６３の下面に固定されている。そして、Ｙ方向移動手段７２は、ボールねじ７８によりモータ８０の回転運動を直線運動に変換し、Ｙ方向可動板６３に伝達し、Ｘ方向可動板６１上の案内レール６１ａに沿ってＹ方向可動板６３をＹ方向において進退させる。回転手段は、支柱６０に内蔵され支柱６０に対して吸着チャック６６を回転させる。
【００１８】
撮像手段５０は、枠体８２の先端下面に付設されており、案内レール４３ａの上方に位置し、チャックテーブル６４を案内レール４３ａに沿って移動させることによりチャックテーブル６４に載置された被加工物を撮像することが可能になっており、枠体８２の先端上面には、撮像手段５０により撮像された画像が制御手段を介して表示可能に出力される表示手段４５が搭載されている。撮像手段５０は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する図示しない通常の撮像素子（ＣＣＤ）の他に、図２に示すように、被加工物に赤外線を照射するための赤外線光源５２と、該赤外線光源５２からの赤外線光線を光学系５４に導くための光ファイバー５２１から構成される赤外線照明手段と、該光学系５４によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線用撮像素子（赤外線ＣＣＤ）を備えた撮像部５６等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。該光学系５４の下端部には、光学系５４に対して着脱可能に構成される反射鏡ユニット５８が配設可能になっており、反射鏡ユニット５８は、該光学系５４の先端部に嵌合される円環状のリング部５８１と、リング部５８１から下方に向けて延びるアーム部５８２と、該アーム部５８２の先端から内側下方に向けて４５°の傾斜角度を有して延びる反射鏡５８３が設けられている。光学系５４に対する反射鏡ユニット５８の取付けは、反射鏡ユニット５８のリング部５８１を光学系５４の先端部に位置付け、固定ねじ５８４の先端部を光学系５４の先端部に形成された凹部５４ａに進入させ固定することで行われる。後に詳述するが、反射鏡５８３は、該チャックテーブル６４に保持された被加工物の側面に対向する位置に位置付けられ、該側面に対して赤外線光源５２から照射される赤外線を反射して被加工物に照射すると共に、該照射された領域で反射した被加工物の側面からの赤外線を赤外線用撮像素子を備えた撮像部５６に導くように、その傾きが設定されている。なお、赤外線光源５２から照射される赤外線は、必ずしも反射鏡５８３で反射させて照射する必要はなく、撮像したい箇所や像に応じて適宜変更することができる。本実施形態における被加工物の内部検出装置は、このように、レーザー加工時にはアライメント工程に用いられる撮像手段５０と、該撮像手段５０に付帯して構成される反射鏡ユニット５８とで構成されている。
【００１９】
図１に戻り説明を続けると、レーザー光線照射手段４４は、基台４１の上面から上方に延び、次いで実質上水平に延びる枠体８２に内蔵され、被加工物に対して透過性を有する例えば１３４０ｎｍの波長で出力が適宜調整されたレーザー光線を、枠体８２の先端下面に配設された集光器４４ａを介してチャックテーブル６４上に載置された被加工物に向けて照射し、内部に改質層を形成するように構成されている。
本実施形態におけるレーザー加工装置４０は、図示しない制御手段を備えており、該制御手段は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている。該制御手段の入力インターフェースには、撮像手段５０からの画像信号の他、保持機構４２の図示しないＸ方向、Ｙ方向の位置検出手段からの信号等が入力される。また、該出力インターフェースからは、レーザー光線発振器４４、赤外線光源５２、Ｘ方向移動手段７０、Ｙ方向移動手段７２等に向けて作動信号が送信される。
【００２０】
本発明に従い実施される被加工物の内部検出方法を実行するための内部検出装置は、概略以上のように構成されており、その作用について、以下に説明する。
【００２１】
図３には、本発明の内部検出装置にて内部が検出される円板状のシリコンウエーハ１０が示されている。なお、このシリコンウエーハ１０は、図１に示すレーザー加工装置４０によってレーザー光線が照射され、その内部に改質層が形成されるものであるが、本実施形態では、表面にデバイスが形成されていない試験用のシリコンウエーハ１０が採用されている。
【００２２】
シリコンウエーハ１０に対してレーザー光線を照射することにより内部に形成された加工痕を本発明の内部検出装置により検出するに際し、図３に示すように、先ず、予めシリコンウエーハ１０の端部を切断することにより、分割後の新たなシリコンウエーハ１０ａと、１０ａ´に分割し、新たなシリコンウエーハ１０ａの側面に平坦部１２を形成する平坦化工程を実施する。当該平坦化工程は、回転する切削ブレードによりシリコンウエーハ１０の端部を切断するダイシング装置を用いて実施することができ、平坦部１２が形成されたシリコンウエーハ１０ａが得られる。また、分割する前のシリコンウエーハ１０、または分割後のシリコンウエーハ１０ａを、環状のフレームＦの開口部に位置付け、粘着テープＴに貼着すると共に粘着テープＴの外周部を環状のフレームＦに装着することにより一体化する（図３を参照）。
【００２３】
図１に示すレーザー加工装置４０のチャックテーブル６４に上記したシリコンウエーハ１０ａの粘着テープＴ側を載置し、環状のフレームＦが、チャックテーブル６４に配設されたクランプ６８により固定される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、シリコンウエーハ１０ａを吸着チャック６６上に吸引固定する（保持工程）。
【００２４】
該保持工程を実施したならば、Ｘ方向移動手段７０を作動し、シリコンウエーハ１０ａを吸引保持した吸着チャック６６を撮像手段５０の直下に位置付け、撮像手段５０および図示しない制御手段によってシリコンウエーハ１０ａのレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実行する。本実施形態において実行されるレーザー加工は、レーザー光線の照射条件を変更して内部を検出するためのものであり、図４（ａ）に示すように、平坦部１２に沿ってレーザー光線ＬＢを照射して１条の改質層１００からなる加工痕を形成する。よって、該アライメント工程は、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａの位置と、平坦部１２との位置合わせを行うものであって、平坦部１２から所定距離（例えば３０μｍ）離れた位置で、該平坦部１２に沿って集光器４４ａからのレーザー光線が照射されるようにアライメントがなされる。以上のようにしてアライメント工程が行われたならば、チャックテーブル６４を、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａが位置するレーザー光線照射領域に移動する。
【００２５】
レーザー光線発振手段４４を作動して、集光器４４ａから照射されるパルスレーザー光線の集光点を、シリコンウエーハ１０ａの内部の所定高さになるように位置付け、集光器４４ａからシリコンウエーハ１０ａに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ、チャックテーブル６４を構成する吸着チャック６６を図４（ａ）において矢印Ｘで示す方向に所定の移動速度で移動させる。このようにしてレーザー加工を実施することにより、図４（ｂ）に要部の拡大断面図として示すように、試験用のシリコンウエーハ１０ａの平坦部１２に沿って、その内部に１条の改質層１００が形成される。
【００２６】
なお、上記の改質層を形成するレーザー加工は、例えば、以下のような加工条件にて行われる。
波長              ：１３４２ｎｍ
繰り返し周波数    ：９０ｋＨｚ
平均出力          ：１．０〜２．０Ｗ
スポット径        ：φ２μｍ
加工送り速度      ：７００ｍｍ／秒
【００２７】
シリコンウエーハ１０ａに改質層１００からなる加工痕を形成したならば、図５（ａ）に示すように、撮像手段５０の光学系５４の先端部に対して反射鏡ユニット５８を取付け固定する。反射鏡ユニット５８を取付け固定したならば、Ｘ方向移動手段７０、Ｙ方向移動手段７２を作動させてチャックテーブル６４を移動させると共に、撮像手段５０の上下方向位置を適宜調整することにより、図５（ｂ）に示すように該反射鏡ユニット５８の反射鏡５８３をシリコンウエーハ１０ａの平坦部１２が形成された側面と対向する位置に位置付ける（反射鏡位置付け工程）。
【００２８】
該反射鏡位置付け工程を実施したならば、赤外線光源５２を作動して光ファイバー５２１を介して光学系５４に赤外線を導く。図５（ｂ）に示した概略断面図から明らかなように、光ファイバー５２１を介して光学系５４に導かれる赤外線は、ハーフミラー５４１により反射され、集光レンズ５４２を介して反射鏡５８３に導かれ、反射鏡５８３で反射された赤外線は、シリコンウエーハ１０ａの平坦部１２に照射されるように構成されている。平坦部１２に照射された赤外線は、シリコンウエーハ１０ａを透過する波長の光であり、シリコンウエーハ１０ａを透過して、内部に形成されている改質層１００を照らす（照明工程）。
【００２９】
シリコンウエーハ１０ａの内部を照らした赤外線は、改質層１００により形成されている加工痕で反射し、シリコンウエーハ１０ａの内部を透過して、側面に形成された平坦部１２を介して反射鏡５８３に入射される。該入射された反射光は、光学系５４の集光レンズ５４２、ハーフミラー５４１を透過し、赤外線用撮像素子を備えた撮像部５６に導かれて図示しない制御手段に入力され、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）に記憶されるとともに、表示手段４５に表示される（加工痕検出工程）。
【００３０】
上記した加工痕検出工程が実施されることで、シリコンウエーハ１０ａの内部に形成された加工痕を、実際にシリコンウエーハ１０ａを分割することなく、検出することができる。すなわち、表示手段４５に表示された画像から、シリコンウエーハ１０ａに形成された改質層１００の厚さ方向の寸法や、その形状を観察することで、レーザー加工を実行した際のレーザー光線の照射条件が改質層の形成に与える影響を観察することができる。
【００３１】
本実施形態では、上記したリコンウエーハ１０ａに対してレーザー光線を照射して、１条の改質層１００を形成し、上記加工痕検出工程を実行した後（図６（ａ）を参照）、再度平坦化工程を実施する。すなわち、検出済みの改質層が形成された領域を切削することで、新たな内部検出用のシリコンウエーハを形成することが可能となる。より具体的には、図６（ｂ）に示すように、加工痕検出工程を実行したシリコンウエーハ１０ａを、別途用意した切削装置３０の保持手段に載置して、平坦部１２に沿って該改質層１００を含む領域を切削し、シリコンウエーハ１０ａを、新たなシリコンウエーハ１０ｂと、既に検出された改質層１００を含む１０ｂ´と、に分割する。そして、分割した１０ｂ´を切り離し、新たな平坦部１２´を備えたシリコンウエーハ１０ｂを得る（図６（ｃ）を参照）。このようにして得たシリコンウエーハ１０ｂを、再び図１に示すレーザー加工装置４０に載置して、レーザー加工条件を変更して、平坦部１２´に沿って新たな改質層を形成し、該新たな改質層を検出するための加工痕検出工程を実行する。これらの作業を繰り返すことで、１枚のシリコンウエーハ１０を用いて、加工条件を変化させて多数の加工痕を形成し、それぞれを観察することが可能になる。また、本実施形態では、レーザー加工装置４０の撮像手段５０に対して反射鏡ユニット５８を取り付けるだけで、そのまま被加工物の内部検出装置を構成することができるため、改質層を形成する加工に続いて、被加工物を保持手段から取り外す必要がなくそのまま加工痕検出工程を実行することが可能である。
【００３２】
本発明に従い構成された被加工物の内部検出装置、および被加工物の内部検出方法は、上記した実施形態に限定されず、種々の変形例を構成することができる。例えば、上記した実施形態では、被加工物としてシリコンウエーハを採用し、赤外線光源を用いる例を示したが、これに限定されず、透過性を有する波長の光を光源として設定することが可能な被加工物であれば、いかなる物体を対象とすることもできる。例えば、被加工物として、サファイア基板、リチウムタンタレート（ＬＴ）基板を採用した場合は、内部を検出するために照射される光の光源として、可視光を照射する光源を採用することができる。
【００３３】
上記した実施形態では、被加工物を保持手段に保持し、被加工物を保持手段に保持した後にレーザー加工を施すことによって内部に改質層を形成し、そのまま該改質層を検出する加工痕検出工程を実施することとしたが、本発明はこれに限定されず、加工痕検出工程を実施するための保持手段に被加工物を保持する前に、予めレーザー加工を施して改質層を形成しておき、その後、被加工物を保持手段に保持して内部を検出する加工痕検出工程を実施してもよい。
【００３４】
上記した実施形態では、レーザー加工装置において、レーザー加工を施す際に実施されるアライメント工程で用いるアライメント用の撮像手段に反射鏡ユニットを取付け、被加工物の内部検出装置を構成するようにしたが、本発明はこれに限定されず、被加工物の内部検出装置を、レーザー加工装置とは別に独立した装置として構成することも可能である。
【００３５】
上記した実施形態では、１条の改質層を形成するレーザー加工を施した後、保持手段に保持された被加工物の内部を検出する加工痕検出工程を実施し、その後、新たな平坦部を形成する平坦化工程を実施して、再び改質層を形成し、新たに形成された改質層を検出する加工痕検出工程を実施することを繰り返す例を示したが、例えば、レーザー加工により内部に改質層を形成する際に、レーザー加工条件を少しずつ変更しながら、所定間隔で複数の改質層を纏めて形成しておき、最も平坦部に近い１条の改質層に対する加工痕検出工程を実施した後、平坦部に近い１条の改質層が形成された領域のみを切削して除去する平坦化工程により新たな平坦部を形成し、新たな平坦部に最も近い別の改質層を検出する加工痕検出工程を実施することを繰り返すようにしてもよい。これにより、加工痕検出工程と平坦化工程の間に別途レーザー加工を施す必要がなく、加工痕の検出効率が向上する。
【００３６】
上記した実施形態では、観察対象となる被加工物の側面に平坦部を形成する平坦化工程を実施する手段として、ダイシング装置を用いる例を示したが、これに限定されず、他の分割装置、例えばレーザー加工により被加工物を分割するレーザー加工装置を採用することとしてもよい。
【符号の説明】
【００３７】
１０：シリコンウエーハ
１２、１２´：平坦部
３０：切削装置
４０：レーザー加工装置
４２：保持機構
４３：移動手段
４４：レーザー光線照射手段
４４ａ：集光器
４５：表示手段
５０：撮像手段
５２：赤外線光源
５４：光学系
５６：赤外線用撮像素子を備えた撮像部
５８：反射鏡ユニット
５８１：リング部
５８２：アーム部
５８３：反射鏡
【図１】
2017166961.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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