(57)【要約】【課題】外部磁場及び他の電流路を流れる電流による磁界の影響を抑制することができ、広い計測範囲において高精度の検出を小さなスペースで可能とする電流検出装置。【解決手段】  電流検出装置は、電流路に流れる電流により発生する磁界の強度を検出する第１及び第２の磁気検出素子と、前記第１及び第２の磁気検出素子の出力差から、対応する電流路を流れる電流の大きさを検出する検出回路を有する。第１の磁気検出素子は、第２の磁気検出素子に比べ前記磁界の強度が大きい位置に設置され、さらに、第１の磁気検出素子は、第２の磁気検出素子に比べ高い磁気感度を持つ。【選択図】図６Ａ
2017133865.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列して設置された複数の電流路と、
各電流路に対応して設けられた電流検出部と、を備え、
各電流検出部は、対応する電流路に流れる電流により発生する磁界の強度を検出する第１及び第２の磁気検出素子と、
前記第１及び第２の磁気検出素子の出力差から対応する電流路を流れる電流の大きさを検出する検出回路と、を有し、
前記第１及び第２の磁気検出素子は、
感磁軸の方向が、前記複数の電流路の並列方向となり、不感軸の方向が、前記複数の電流路の並列方向と直交し、かつ対応する電流路の通電方向とも直交する方向に設置し、
前記第１の磁気検出素子が、前記第２の磁気検出素子に比べ、磁界の強度が大きい位置に設置され、
前記第１の磁気検出素子は、前記第２の磁気検出素子に比べ高い磁気感度を持つ電流検出装置。
【請求項２】
前記各電流路には、穴が形成されており、当該穴の両側に、第１及び第２の分岐路を有する、請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項３】
前記第１の磁気検出素子及び前記第２の磁気検出素子は、前記穴内に配置される、請求項２に記載の電流検出装置。
【請求項４】
前記第１の磁気検出素子と前記第２の磁気検出素子とは、前記複数の電流路の配列方向に並列して前記穴内に配置される、請求項３に記載の電流検出装置。
【請求項５】
前記第１磁気検出素子は、前記第２磁気検出素子よりも前記第１又は第２の分岐路に近い位置に配置される、請求項４に記載の電流検出装置。
【請求項６】
前記第２の磁気検出素子を、前記第１の分岐路と前記第２の分岐路との中間点に配置する、請求項１〜５の何れかに記載の電流検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気検出素子を用いて電流路に流れる電流を検出する電流検出装置、及び電流検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ハイブリッド車や電気自動車等におけるモータ駆動技術等の分野では、比較的大きな電流が取り扱われるため、大電流を非接触で測定可能な電流検出装置が要求されている。このような電流検出装置として、磁気検出素子を用い、被測定電流によって生じた磁界の強度を検出して、被測定電流の大きさを検出するものがある。磁気検出素子としては、ホール効果を利用したホール素子や、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ：Anisotropic Magneto-Resistive effect）を利用したＡＭＲ素子、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：Giant Magneto-Resistive effect）を利用したＧＭＲ素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ：Tunnel Magneto-Resistive effect）を用いたＴＭＲ素子等がある。
【０００３】
ホール素子は電流センサとしては最も広く用いられている磁気検出素子である。ただし、ホール素子は感度が低いため、通常は被測定電流が流れる電流路を囲むように磁性体からなるＣ型の集磁コアを設置し、集磁コアのギャップ部分の磁束密度が高くなった部分にホール素子を設置して磁界を検知している。一方、ＧＭＲ素子等のように高感度な素子を用いると、集磁コアを必要としないため、コアのないいわゆるコアレス電流センサを実現することができる。コアレス電流センサは、コアが不要な分、コアを備えた電流センサに比べて小型化が可能という利点がある。その一方で、３相モータの駆動等において複数の電流路に流れる電流を検出する場合、コアレス電流センサは、コアによる集磁を行わないので、他の相の電流路を流れる電流によって発生する磁界の影響を受けやすい。そこで、電流路及び磁気検出素子の配置を工夫して、他の電流路からの影響を低減することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５１５３４８１号
【０００５】
特許文献１では、電流検出装置がハイブリッド車や電気自動車等に用いられる３相モータ駆動回路の電流路の電流値を検出する。
図７は、この３相モータ駆動回路を示す。
【０００６】
３相モータ駆動回路は、直流電流７１と、インバータ７２と、３相（交流）モータ７３と、モータ制御部７４と、ドライブ回路７５と、電流路７７ａ，７７ｂ,７７ｃの電流値を検出する電流検出装置７６と、を備えている。これらのうちインバータ７２はバッテリなどの直流電源から受けた直流電圧をＵ相、Ｖ相、Ｗ相の３相の交流電圧に変換し、交流の３相モータを所定の制御回転数で駆動する。
【０００７】
３相モータ７３はインバータ７２が出力する３相交流電力を受けて駆動され、例えば電気自動車等の駆動源として用いられる。この３相モータには回転数情報をＵ相、Ｖ相、Ｗ相ごとに検出する回転角度センサが設けられている。モータ制御部７４は回転角度センサによって検出された３相モータの回転数情報、及び前記電流検出装置７６を構成する磁束検出素子７６ａ,７６ｂ,７６ｃによってＵ相、Ｖ相、Ｗ相ごとに検出された電流値に基づきドライブ回路７５を制御する。ドライブ回路７５はモータ制御部７４からの制御出力を受けて、インバータ７２を構成するスイッチング素子のスイッチタイミングを制御し、インバータ７２出力の各相電流を決定し、３相モータ７３を所定の回転数に駆動制御する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載の電流検出装置は、電流路及び磁気検出素子の配置に厳格な制限があるため、装置構成に自由度を持たせることが難しく、設置スペースの確保が必要であった。
【０００９】
また、各磁気検出素子が地磁気をはじめとする外部磁場の影響を受けやすく、外部磁場に対する対策が別途必要であった。
【００１０】
本発明は、外部磁場及び他の電流路を流れる電流による磁界の影響を抑制することができ、広い計測範囲で高い検出精度をもつ小型の電流検出装置、及び電流検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、並列して設置された複数の電流路と、各電流路に対応して設けられた電流検出部と、を備え、各電流検出部は、対応する電流路に流れる電流により発生する磁界の強度を検出する第１及び第２の磁気検出素子と、第１及び第２の磁気検出素子の出力差から、対応する電流路を流れる電流の大きさを検出する検出回路と、を有し、第１及び第２の磁気検出素子は、感磁軸の方向が、複数の電流路の並列方向となり、不感軸の方向が、複数の電流路の並列方向と直交し、かつ対応する電流路の通電方向とも直交する方向となるように設置され、さらに、前記第１の磁気検出素子は、前記第２の磁気検出素子に比べ前記磁界の強度が大きい位置に設置され、さらに、前記第１の磁気検出素子は、前記第２の磁気検出素子に比べ高い磁気感度を持つ電流検出装置を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、外部磁場及び他の電流路を流れる電流による磁界の影響を抑制することができ、広い計測範囲で高い検出精度をもつ小型の電流検出装置、及び電流検出方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】本発明の一実施の形態に係る電流検出装置の電流路の斜視図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＡ−Ａ線断面図である。
【図２Ａ】本発明の実施の形態に係る電流検出装置の電流検出部の回路図である。
【図２Ｂ】図２Ａの磁気検出素子１１，１２の配置を示す斜視図である。
【図３Ａ】電流路を流れる電流の大きさと出力電圧の関係の一例を示すグラフ図である。
【図３Ｂ】磁気検出素子１１の磁気感度を磁気検出素子１２に比べ高くした場合において、電流路を流れる電流の大きさと出力電圧の関係の一例を示すグラフ図である。
【図４Ａ】電流路を流れる電流により発生する磁界を説明する図である。
【図４Ｂ】磁界の強度と穴の中心点からの距離との関係を示す図である。
【図５】第１及び第２の磁気検出素子の設置範囲を示す図である。
【図６Ａ】本発明の第２の実施の形態に係る電流検出装置を示す図である。
【図６Ｂ】図６Ａの電流路１の斜視図である。
【図７】３相モータ駆動回路を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（電流路の構成例）
図１Ａは、本発明の一実施の形態に係る電流検出装置の電流路の斜視図である。この構成例は、３本の電流路１，２，３を備えた３相の電流路を示しており、各電流路１，２，３は、３相のＵ相、Ｖ相、又はＷ相のいずれかに対応している。この構成例では、各電流路１，２，３は、平板状のバスバーであり、３本の電流路１，２，３が、図面の横方向に並列して設置されている。そして、この構成例では、バスバーの幅方向が、電流路１，２，３の並列方向と一致している。
【００１５】
各電流路１，２，３のバスバーには、バスバーの上下面を貫通する穴１ｃ，２ｃ，３ｃが設けられている。なお、この構成例では、穴１ｃ，２ｃ，３ｃの形状が上から見て長方形であるが、穴の形状はこれに限らず、正方形や四角形の角を丸めたもの、あるいは円又は楕円等であってもよい。
【００１６】
バスバーに穴１ｃ，２ｃ，３ｃを設けることにより、各電流路１，２，３のバスバーには、穴１ｃ，２ｃ，３ｃの両側（左右）に、第１の分岐路１ａ，２ａ，３ａ及び第２の分岐路１ｂ，２ｂ，３ｂが形成されている。図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ線断面図である。
【００１７】
（電流検出部の構成例）
図２Ａは、本発明の他の実施の形態に係る電流検出装置の電流検出部の回路図である。電流検出部１０は、第１の磁気検出素子１１と、第２の磁気検出素子１２と、検出回路１３とを含んで構成されている。各磁気検出素子１１，１２はＧＭＲ素子からなり、電流路を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する。検出回路１３は、各磁気検出素子１１，１２の出力差から、電流路を流れる電流の大きさを検出する。この構成例では、各磁気検出素子１１，１２及び検出回路１３が、破線で示す１つのチップ１４内に収納されている。
【００１８】
ＧＭＲ素子は、ホール素子に比べて、高感度である。より具体的には、ホール素子の最小磁界検出感度は０．５Ｏｅ（空気中での磁束密度に換算して０．０５ｍＴ）であるのに対し、ＧＭＲ素子では、０．０２Ｏｅ（空気中での磁束密度に換算して０．００２ｍＴ）である。また、ＧＭＲ素子は、例えばホール素子等の他の磁気検出素子に比べて、応答速度が速い。そして、ＧＭＲ素子は、例えば磁界の変化を捉えるコイル等とは異なり、磁界そのものを直接検出するため、磁界の微小な変化にも敏感に対応することが可能である。従って、各磁気検出素子１１，１２としてＧＭＲ素子を用いることにより、電流路を流れる電流により発生した磁界の検出精度が向上する。
【００１９】
図２Ｂは、図２Ａの磁気検出素子１１，１２の配置を示す斜視図である。いま、各磁気検出素子１１，１２の矢印Ｄで示す感磁軸の方向をＹ方向、バイアス軸の方向をＸ方向、不感軸の方向をＺ方向とする。このとき、この構成例では、２つの磁気検出素子１１，１２が、感磁軸の方向と同じＹ方向に並べられている。加えて、第１の磁気検出素子１１は、第２の磁気検出素子１２と比べ電流路を流れる電流により発生した磁界の強度が大きい位置に配置されているものとする。
【００２０】
（電流検出装置の動作）
電流検出部１０は、図１Ａの各電流路１，２，３にそれぞれ対応して設けられる。そして、各電流検出部１０の磁気検出素子１１，１２は、図１Ａの各電流路１，２，３の通電方向において、穴１ｃ，２ｃ，３ｃが設けられた範囲に設置される。各磁気検出素子１１，１２は、第１の分岐路１ａ，２ａ，３ａを流れる電流により発生する磁界と、第２の分岐路１ｂ，２ｂ，３ｂを流れる電流により発生する磁界との、合成磁界の強度を検出する。
【００２１】
図３Ａは、各磁気検出素子の出力電圧及びそれらの出力差と、電流路を流れる電流の大きさの関係を示した図であり、横軸を電流の大きさＩｍ、縦軸を出力電圧Ｖｍとしている。ＧＭＲ素子である磁気検出素子１１，１２は、電流路を流れる電流により発生した磁界に対し非線形的に出力電圧が変化するため、各磁気検出素子１１,１２の出力はそれぞれ１１Ｖ,１２Ｖのようになり、それらの出力差は１１２Ｖのようになる。出力差をとると出力値が小さくなることに加え、電流の大きさに対し増減を繰り返す特徴を持つようになるため、対応する電流路に流れる電流の大きさを出力差から検出できる範囲は、０を中心に最小点から最大点までの間に限られる。
【００２２】
ここで、磁気検出素子１２のバイアス磁界強度を大きくするまたは磁気検出素子１１のバイアス磁界強度を小さくする等により、磁気検出素子１１の磁気感度を磁気検出素子１２に比べ高くする。磁気検出素子１２の感度を低下させる方が望ましい。すると、各磁気検出素子１１,１２の出力及びそれらの出力差は、それぞれ図３Ｂの１１Ｖ’,１２Ｖ’,１１２Ｖ’のようになり、磁気感度に差を持たなかったＶ１１２に比べ出力差を大きくとることができ、計測範囲を広げることができる。
【００２３】
一方、磁気検出素子１１と磁気検出素子１２の距離を離す等各磁気検出素子の配置を変えて、各磁気検出素子が受ける対応する電流路に流れる電流により発生した磁界の強度差を大きくすることでも同様の効果を得ることができるが、この場合配置スペース上の制約を受けることがある。また、距離を離す場合、各磁気検出素子に加わる外部磁場の強度差が大きくなり、外乱の影響が大きくなる。
【００２４】
また、各磁気検出素子１１，１２には、外部磁気又は並列された他の電流路を流れる電流による磁界が、ほぼ同じ強さで加わる。各電流検出部１０の検出回路１３は、各磁気検出素子１１，１２の出力差から、各電流路１，２，３を流れる電流の大きさを検出するので、外部磁場又は並列された他の電流路を流れる電流による磁界の影響が抑制される。
【００２５】
（電流路を流れる電流により発生する磁界）
図４Ａは、電流路を流れる電流により発生する磁界を説明する図である。図４Ａは、図１Ａの電流路１の第１の分岐路１ａ及び第２の分岐路１ｂの断面を示している。電流路１の通電方向をＸ方向、電流路１，２，３の並列方向をＹ方向としたとき、第１の分岐路１ａを流れる電流及び第２の分岐路１ｂを流れる電流により、電流路１の周囲には、矢印で示す方向の磁界が発生する。
【００２６】
図４Ｂは、磁界の強度と穴の中心点からの距離との関係を示す図である。図４Ｂの横軸は、第１の分岐路１ａと第２の分岐路１ｂとの中間点、即ち、バスバーに設けた穴１ｃの中心点ｈｃからの、Ｙ方向の距離を示している。また、図４Ｂの縦軸は、穴１ｃの中心点ｈｃを通り、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）と平行で、かつ電流路１の通電方向（Ｘ方向）とも平行な第１の面Ｐ１から、Ｚ方向に所定の距離だけ離れた位置における、第１の分岐路１ａを流れる電流により発生する磁界と、第２の分岐路１ｂを流れる電流により発生する磁界との、合成磁界ＢｍのＹ方向の強度を示している。
【００２７】
第１の面Ｐ１からのＺ方向の距離が十分小さければ、合成磁界ＢｍのＹ方向の強度は、第１の分岐路１ａの中心を通る位置Ｐａ、及び第２の分岐路１ｂの中心を通る位置Ｐｂで最大となる。穴１ｃの中心点ｈｃの位置では、第１の分岐路１ａを流れる電流により発生する磁界と、第２の分岐路１ｂを流れる電流により発生する磁界とが打ち消し合って、合成磁界ＢｍのＹ方向の強度は最小となる。
【００２８】
（磁気検出素子の設置範囲）
図５は、第１及び第２の磁気検出素子の設置範囲を示す図である。図６には、電流路１，２，３の通電方向をＸ方向、電流路１，２，３の並列方向をＹ方向としたとき、図１Ａの電流路１の第１の分岐路１ａ及び第２の分岐路１ｂに対して、各磁気検出素子１１，１２の設置範囲２０が、破線で示されている。また、穴１ｃの中心点ｈｃを通り、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）と平行で、かつ電流路１の通電方向（Ｘ方向）とも平行な第１の面Ｐ１と、穴１ｃの中心点ｈｃを通り、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）と直交する第２の面Ｐ２とが、破線で示されている。第１の面Ｐ１は、穴１ｃの中心点ｈｃを含み、Ｘ方向及びＹ方向へ広がる平面である。第２の面Ｐ２は、穴１ｃの中心点ｈｃを含み、Ｘ方向及びＺ方向へ広がる平面である。
【００２９】
各磁気検出素子１１，１２の設置範囲２０は、設置作業が容易となるように、穴１ｃの中心点ｈｃに対して、上下対称及び左右対称とする。そして、電流路１を構成するバスバーの幅をｗ０とし、穴１ｃの幅をｗｈとしたとき、設置範囲２０のバスバーの幅方向（Ｙ方向）の寸法を、（ｗ０＋ｗｈ）／２とする。従って、各磁気検出素子１１，１２は、穴１ｃの中心点ｈｃからバスバーの幅方向（Ｙ方向）に、±（ｗ０＋ｗｈ）／４以内の範囲に設置される。
【００３０】
図４Ｂにおいて、Ｙ方向に−（ｗ０＋ｗｈ）／４の位置は、第１の分岐路１ａの中心を通る位置Ｐａである。また、Ｙ方向に＋（ｗ０＋ｗｈ）／４の位置は、第２の分岐路１ｂの中心を通る位置Ｐｂである。従って、合成磁界ＢｍのＹ方向の強度が最大となる位置Ｐａと、合成磁界ＢｍのＹ方向の強度が最大となる位置Ｐｂとの間で、検出が行われる。
【００３１】
一方、設置範囲２０の、バスバーの幅方向（Ｙ方向）と直交し、通電方向（Ｘ方向）とも直交する方向（Ｚ方向）の寸法は、合成磁界ＢｍのＹ方向の強度が、Ｚ方向の距離の変化に応じてほぼ直線的に変化する範囲とする。ただし、第１の面Ｐ１上では、第１の分岐路１ａを流れる電流により発生する磁界も、第２の分岐路１ｂを流れる電流により発生する磁界も、Ｙ方向の成分がなく、合成磁界ＢｍのＹ方向の強度が０となるので、磁気検出素子１１及び磁気検出素子１２の少なくとも一方は、第１の面Ｐ１上を除いた位置とする。図５の例では、Ｚ方向の寸法を、Ｙ方向と同じ、（ｗ０＋ｗｈ）／２としている。
【００３２】
（実施の形態）
図６Ａは、本発明の形態に係る電流検出装置を示す図である。本実施の形態は、図１Ａの電流路１，２，３と、図２Ａの電流検出部１０とを組み合わせた例を示している。図６Ａには、電流路１，２，３の通電方向をＸ方向、電流路１，２，３の並列方向をＹ方向としたときの、電流路１，２，３の第１の分岐路１ａ，２ａ，３ａの断面形状、及び第２の分岐路１ｂ，２ｂ，３ｂの断面形状が示されている。また、電流検出部１０は、各磁気検出素子１１，１２の側面のみが、黒塗りの四角形で示されている。
【００３３】
図６Ｂは、図６Ａの電流路１の斜視図である。電流路２，３も、電流路１と同様の構成である。各磁気検出素子１１，１２は、矢印で示す感磁軸の方向が、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）となり、不感軸の方向が、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）と直交し、かつ電流路１の通電方向（Ｘ方向）とも直交する方向（Ｚ方向）となるように設置されている。従って、各磁気検出素子１１，１２は、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）における、合成磁界Ｂｍの強度の変化を検出することが可能となる。
【００３４】
そして、本実施の形態では、第１の磁気検出素子１１と第２の磁気検出素子１２とが、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）において異なる位置に配置されており、加えて第１の磁気検出素子１１は、第２の磁気検出素子１２と比べ電流路を流れる電流により発生した磁界の強度が大きい位置に配置されている。図４Ｂに示すように、Ｙ方向の位置が異なると、合成磁界ＢｍのＹ方向の強度が変化する。
【００３５】
さらに、本実施の形態では、第１の磁気検出素子１１と第２の磁気検出素子１２とが、第１の分岐路１ａと第２の分岐路１ｂとの中間点（穴１ｃの中心点ｈｃ）を含む第２の面Ｐ２に対し、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）の同じ側に配置されている。なお、図６Ａ及び図６Ｂでは、第１の磁気検出素子１１と第２の磁気検出素子１２とが、第２の面Ｐ２に対し、図面左側に配置されているが、第１の磁気検出素子１１と第２の磁気検出素子１２とを、第２の面Ｐ２に対し、図面右側に配置してもよい。これにより、図４Ｂにおいて、合成磁界ＢｍのＹ方向の強度が、増減を繰り返さずに、単調に増加又は減少する範囲で検出が行われ、各磁気検出素子１１，１２の出力差が得られる。また、本実施の形態では、図６Ａの断面視において、第１の磁気検出素子１１及び第２の磁気検出素子１２は、その少なくとも一部が穴１ｃに収容されて配置されている。
【００３６】
（実施形態の作用及び効果）
以上説明した実施の形態によれば、以下のような作用及び効果が得られる。
【００３７】
（１）第１の磁気検出素子１１及び第２の磁気検出素子１２は、感磁軸の方向が、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）となり、不感軸の方向が、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）と直行し、かつ電流路１，２，３の通電方向（Ｘ方向）とも直交する方向（Ｚ方向）となるように設置されている。従って、各磁気検出素子１１，１２は、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）における、合成磁界Ｂｍの強度の変化を検出することが可能となる。そして、第１の磁気検出素子１１と第２の磁気検出素子１２とが、合成磁界Ｂｍの強度が異なる位置に設置されており、各磁気検出素子１１，１２の出力差から、各電流路１，２，３を流れる電流の大きさを検出するので、外部磁場又は並列された他の電流路を流れる電流による磁界の影響が抑制される。
【００３８】
（２）第１の磁気検出素子１１が、第２の磁気検出素子１２と比べ電流路を流れる電流により発生した磁界の強度が大きい位置に配置されている構成において、第１の磁気検出素子１１の磁気感度が第２の磁気検出素子１２に比べ高いため、出力差を大きくとることができ、広い計測範囲をもつ。
【００３９】
（３）上記（２）において、第１の磁気検出素子１１と第２の磁気検出素子１２との対応する電流路を流れる電流による磁界の強度の差を大きくする必要がないため、配置スペースを小さくすることができる。
【００４０】
（４）各電流路１，２，３は、平板状のバスバーであり、バスバーに穴１ｃ，２ｃ，３ｃを設けて、穴１ｃ，２ｃ，３ｃの両側に、第１の分岐路１ａ，２ａ，３ａ及び第２の分岐路１ｂ、２ｂ、３ｂが形成されているので、簡単な構成で、合成磁界Ｂｍの強度分布に大きな強度差が生じる。
【００４１】
（５）上記（４）において、バスバーの幅をｗ０とし、穴１ｃ，２ｃ，３ｃの幅をｗｈとしたとき、第１の磁気検出素子１１及び第２の磁気検出素子１２は、穴１ｃ，２ｃ，３ｃの中心点ｈｃからバスバーの幅方向に、±（ｗ０＋ｗｈ）／４以内の範囲に設置されているので、合成磁界ＢｍのＹ方向の強度が最大となる第１の分岐路１ａ，２ａ，３ａの中心と、合成磁界ＢｍのＹ方向の強度が最大となる第２の分岐路１ｂ，２ｂ，３ｂの中心との間で検出を行うことができる。
【００４２】
（６）第１の磁気検出素子１１と第２の磁気検出素子１２とが、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）において異なる位置に配置された構成において、第２の磁気検出素子１１は、第１の分岐路１ａ，２ａ，３ａと第２の分岐路１ｂ,２ｂ,３ｂとの中間点に配置されているので、限られた配置スペースで、磁気検出素子１１，１２間での出力差を、より多く得ることができる。
【００４３】
（７）第１の磁気検出素子１１と第２の磁気検出素子１２とが、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）において異なる位置に配置された構成において、第１の磁気検出素子１１と第２の磁気検出素子１２とが、第１の分岐路１ａ，２ａ，３ａと第２の分岐路１ｂ，２ｂ，３ｂとの中間点に対し、電流路１，２，３の並列方向（Ｙ方向）の同じ側に配置されているので、各磁気検出素子１１，１２の出力差を確実に得ることが可能となる。
【００４４】
（変形例）
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。
【００４５】
本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、各電流路は、平板状のバスバーであり、バスバーに穴を設けて、穴の両側に第１及び第２の分岐路が形成されているが、各電流路は、例えばより線であり、より線の途中を２つの束に分けて、第１及び第２の分岐路を形成してもよい。
【００４６】
また、上記実施の形態では、各磁気検出素子１１，１２としてＧＭＲ素子を使用しているが、他の磁気検出素子、例えばホール素子、ＡＭＲ素子、ＴＭＲ素子等を組み合わせて用いてもよい。
【００４７】
磁気検出素子１１の磁気感度を磁気検出素子１２に比べ高くする手段は限定していない。例えば、ＧＭＲ素子の場合、磁気検出素子１２のバイアス磁界強度を磁気検出素子１１バイアス磁界強度比べ大きくすること等で可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１，２，３…電流路
１ａ，２ａ，３ａ…第１の分岐路
１ｂ，２ｂ，３ｂ…第２の分岐路
１ｃ，２ｃ，３ｃ…穴
１０…電流検出部
１１…第１の磁気検出素子
１２…第２の磁気検出素子
１１Ｖ,１１Ｖ’…第１の磁気検出素子の出力
１２Ｖ,１２Ｖ’…第２の磁気検出素子の出力
１１２Ｖ,１１２Ｖ’…第１の磁気検出素子と第２の磁気検出素子の出力差
１３…検出回路
１４…チップ
２０…第１及び第２の磁気検出素子の設置範囲
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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