(57)【要約】【課題】  本発明は、工程数の増加を抑えつつ、隣接する画素から光が進入することによる混色を抑制でき、高感度な固体撮像素子用カラーフィルタを提供することを目的とする。【解決手段】  本発明では、配線３を避ける形で第一の着色層７の逆パターンが形成された絶縁膜４に第一の着色層７の着色レジストを塗布した後、第一の着色層７用のフォトマスク８を用いたフォトリソグラフィ法によって、複数の第一の着色層７からなる第一のカラーフィルタパターンを形成するとともに、フォトマスクパターンサイズ、フォトリソグラフィ法における露光量および現像時間の少なくともひとつを調整して、第一のカラーフィルタパターンの上端を配線上の絶縁膜上にはみださせる工程を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子を有する半導体基板上に、絶縁膜と、該絶縁膜に覆われた配線とを設け、前記絶縁膜の表面にポジ型フォトレジストを塗布する第１工程と、
前記絶縁膜に第一の着色層を形成するための凹部形成用のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法によって、前記第一の着色層を形成するための凹部の逆パターンを、前記ポジ型フォトレジストに形成する第２工程と、
前記ポジ型フォトレジストの前記逆パターンをマスクとして、前記配線が設けられた領域を避けるようにして前記絶縁膜に対してドライエッチングを行い、前記第一の着色層を形成するための凹部を形成する第３工程と、
前記第一の着色層を形成するための凹部が設けられた絶縁膜上に、前記第一の着色層の着色レジストを塗布した後、第一の着色層形成用のフォトマスクを用いてフォトリソグラフィ法によって、複数の第一の着色層からなる第一のカラーフィルタパターンを形成するとともに、該フォトリソグラフィ法における露光量および現像時間の少なくとも一方を調整して、第一のカラーフィルタパターンの上端が、配線上の絶縁膜上を被覆するようにする第４工程と、
前記第一のカラーフィルタパターンをマスクとして絶縁膜にドライエッチングを行い、絶縁膜の一部を除去して第二および第三の着色層の逆パターンを形成するとともに、各着色層それぞれの周囲に設けられる隔壁を絶縁膜により形成する第５工程と、
前記第二および第三の着色層の逆パターンが形成された絶縁膜、および前記第一のカラーフィルタパターン上に、第二の着色層の着色レジストを塗布した後、第二の着色層用のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法によって、複数の第二の着色層からなる第二のカラーフィルタパターンを形成するとともに、第三の着色層の逆パターンを再度形成する第６工程と、
前記第三の着色層の逆パターンが形成された絶縁膜、前記第一のカラーフィルタパターン、および前記第二のカラーフィルタパターン上に、第三の着色層の着色レジストを塗布した後、第三の着色層用のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法によって、複数の第三の着色層からなる第三のカラーフィルタパターンを形成することで、カラーフィルタを形成する第７工程と、
を有する固体撮像素子用カラーフィルタの製造方法。
【請求項２】
予め定められた波長域の光を透過する複数の着色層と、
前記複数の着色層それぞれの周囲に設けられた隔壁と、
を備え、
前記隔壁の直上には、前記複数の着色層のうちの一の着色層のみが積層されている
固体撮像素子用カラーフィルタ。
【請求項３】
前記隔壁内には、前記絶縁膜で覆われた配線が設けられている
請求項２に記載の固体撮像素子用カラーフィルタ。
【請求項４】
予め定められた波長域の光を透過する複数の着色層と、
前記複数の着色層それぞれの周囲に設けられた隔壁と、
を備え、
前記隔壁の直上には、前記複数の着色層のうちの一の着色層のみが積層されている
固体撮像素子用カラーフィルタを備えた固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子用カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子用カラーフィルタおよび固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
カラー画像を撮像する固体撮像素子としては、例えば、入射光にカラーフィルタの緑色、赤色および青色の着色層をそれぞれ通過させ、緑色、赤色および青色の３色の光へと色分割し、色分割した光の強度を光電変換素子で検出して画像信号を出力するものがある。カラーフィルタの製造方法としては、フォトリソグラフィ法が多く用いられている。
ここで、各色の着色層間に仕切り等がなく、複数の着色層が単に配列されていると、隣接する着色層から光が進入して混色が起こる。この混色を防ぐ方法としては、着色層間に、着色層よりも屈折率が小さい材料からなる隔壁を形成する方法がある（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−９２５２１号公報
【特許文献２】特開２００９−７５１７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、画素への光入射が斜め方向になる場合、カラーフィルタとフォトダイオード間の配線のシェーディングにより、感度が低下するという課題がある。一方、特許文献２に記載の技術では、着色層毎にフォトリソグラフィおよびドライエッチングを施して隔壁を形成することから、製造時のコストや工程数が増加するという課題がある。
本発明は、上記の点に着目し、製造時の工程数の増加を抑えつつ、隣接する画素から光が進入することによる混色を抑制できる高感度な固体撮像素子用カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子用カラーフィルタおよび固体撮像素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る固体撮像素子用カラーフィルタの製造方法は、光電変換素子を有する半導体基板上に、絶縁膜と、絶縁膜に覆われた配線とを設け、絶縁膜の表面にポジ型フォトレジストを塗布する第１工程と、絶縁膜に第一の着色層を形成するための凹部形成用のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法によって、第一の着色層を形成するための凹部の逆パターンを、ポジ型フォトレジストに形成する第２工程と、ポジ型フォトレジストの逆パターンをマスクとして、配線が設けられた領域を避けるようにして絶縁膜に対してドライエッチングを行い、第一の着色層を形成するための凹部を形成する第３工程と、第一の着色層を形成するための凹部が設けられた絶縁膜上に、第一の着色層の着色レジストを塗布した後、第一の着色層形成用のフォトマスクを用いてフォトリソグラフィ法によって、複数の第一の着色層からなる第一のカラーフィルタパターンを形成するとともに、フォトリソグラフィ法における露光量および現像時間の少なくとも一方を調整して、第一のカラーフィルタパターンの上端が、配線上の絶縁膜上を被覆するようにする第４工程と、第一のカラーフィルタパターンをマスクとして絶縁膜にドライエッチングを行い、絶縁膜の一部を除去して第二および第三の着色層の逆パターンを形成するとともに、各着色層それぞれの周囲に設けられる隔壁を絶縁膜により形成する第５工程と、第二および第三の着色層の逆パターンが形成された絶縁膜、および第一のカラーフィルタパターン上に、第二の着色層の着色レジストを塗布した後、第二の着色層用のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法によって、複数の第二の着色層からなる第二のカラーフィルタパターンを形成するとともに、第三の着色層の逆パターンを再度形成する第６工程と、第三の着色層の逆パターンが形成された絶縁膜、第一のカラーフィルタパターン、および第二のカラーフィルタパターン上に、第三の着色層の着色レジストを塗布した後、第三の着色層用のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法によって、複数の第三の着色層からなる第三のカラーフィルタパターンを形成することで、カラーフィルタを形成する第７工程と、を有することを特徴とする。
【０００６】
また、本発明の一態様に係る固体撮像素子用カラーフィルタは、予め定められた波長域の光を透過する複数の着色層と、複数の着色層それぞれの周囲に設けられた隔壁と、を備え、隔壁の直上には、複数の着色層のうちの一の着色層のみが積層されていることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の一態様に係る固体撮像素子は、予め定められた波長域の光を透過する複数の着色層と、複数の着色層それぞれの周囲に設けられた隔壁と、を備え、隔壁の直上には、複数の着色層のうちの一の着色層のみが積層されている固体撮像素子用カラーフィルタを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様によれば、製造時の工程数の増加を抑えつつ、隣接する画素から光が進入することによる混色を抑制でき、高感度な固体撮像素子用カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子用カラーフィルタおよび固体撮像素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】カラーフィルタの構造を表す断面図である。
【図２】カラーフィルタの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】カラーフィルタの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図４】固体撮像素子の製造方法を説明するための側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明に係る実施の形態を説明する。
図１は、本発明のカラーフィルタの構造を表す断面図である。また、図２（ａ）から図２（ｆ）および図３（ａ）から図３（ｅ）は、カラーフィルタの製造方法を説明する工程断面図である。
【００１１】
（固体撮像素子、カラーフィルタの構成）
図１に示すように、固体撮像素子は、光電変換素子２が形成された半導体基板１と、半導体基板１上に形成された、固体撮像素子用カラーフィルタ（以下、カラーフィルタと記載する）とを備えている。カラーフィルタは、予め定められた波長域の光を透過する複数の着色層７、９、１１と、複数の着色層７、９、１１それぞれの周囲に設けられた隔壁１７とを備えている。本実施形態のカラーフィルタは、複数の着色層（第一の着色層７、第二の着色層９、第三の着色層１１）を有している。また、隔壁１７内には絶縁膜４で覆われた配線３が設けられており、隔壁１７の直上には第一の着色層７、第二の着色層９、第三の着色層１１のうちの一の着色層のみが積層されている。本実施形態では、隔壁１７の直上に積層される一の着色層として、第一の着色層７を用いている。光電変換素子２は、例えばフォトゲートまたはフォトダイオードからなる。隔壁１７は、絶縁膜４の一部が複数の着色層の間に突出して形成され、隔壁１７の内部には絶縁膜４に覆われた配線３が設けられている。
【００１２】
（カラーフィルタの製造方法）
次に、カラーフィルタの製造方法を説明する。
まず、第１工程では、図２（ａ）に示すように、光電変換素子が形成された半導体基板１上に、絶縁膜４と絶縁膜４に覆われた配線３とを設け、その後、ポジ型フォトレジスト５を塗布する。なお、本実施の形態ではフォトレジスト材料としてポジ型のフォトレジスト材料を用いる場合について説明するが、ポジ型のフォトレジスト材料の代わりにネガ型のフォトレジスト材料を用いてもよい。
次に、第２工程では、図２（ｂ）に示すように、絶縁膜４に第一の着色層７を形成するための凹部形成用のフォトマスク６を用いたフォトリソグラフィ法によって、第一の着色層７を形成するための凹部の逆パターンを、ポジ型フォトレジスト５に形成する。このとき、図２（ｂ）に示すように、ポジ型フォトレジスト５の第一の着色層７を形成する部分に対向する部分に対して露光が行われる。その際、フォトマスク６のパターンサイズ、フォトリソグラフィ法における露光量、現像時間の少なくともひとつを調整して、後に形成する第二および第三の着色層９，１１の領域および配線３上の絶縁膜４を被覆した形でレジストパターンを形成させる。第一の着色層７を形成するための凹部形成用のフォトマスク６を用いて、ポジ型フォトレジスト５を露光したあと、露光したポジ型フォトレジスト５を現像することにより、図２（ｃ）に示すようなレジストパターンを形成する。
【００１３】
次に、第３工程では、図２（ｄ）に示すように、第２工程で形成されたポジ型フォトレジスト５のレジストパターンをマスクとして、絶縁膜４に対してドライエッチングを行った後、レジストパターンを剥離洗浄する。これにより、絶縁膜４の一部を除去して第一の着色層７を形成するための凹部を形成する。第３工程では、絶縁膜４のうち、配線３が設けられた領域を避けるようにしてドライエッチングを行う。
【００１４】
次に、第４工程では、図２（ｅ）に示すように、第一の着色層７を形成するための凹部が設けられた絶縁膜４上に、第一の着色層７の着色レジストを塗布する。次に、第一の着色層７用のフォトマスク８を用いてフォトリソグラフィ法によって、複数の第一の着色層７からなる第一のカラーフィルタパターンを形成する。具体的には、フォトマスク８を用いて、第一の着色層７の着色レジストを露光し、露光した第一の着色レジストを現像する。これにより、図２（ｆ）に示すように、第一の着色層７の着色レジストのうち、露光された部分が残存して、複数の第一の着色層７からなる第一のカラーフィルタパターンが形成される。
【００１５】
その際、フォトマスクのパターンサイズ、フォトリソグラフィ法における露光量および現像時間の少なくともひとつを調整して、第一のカラーフィルタパターンの上端が、配線３上の絶縁膜４を被覆するように形成させる。これにより、第一の着色層７が配線３を覆う絶縁膜４の一部をさらに覆うこととなる。
【００１６】
次に、第５工程では、図３（ａ）に示すように、第４工程で形成された第一のカラーフィルタパターン（第一の着色層７）をマスクとして絶縁膜４にドライエッチングを行う。これにより、絶縁膜４の一部を除去して、第二および第三の着色層９、１１の逆パターンを形成する。また、これにより、絶縁膜４の配線３埋設部分が除去されずに残存し、各着色層７、９、１１それぞれの周囲に設けられる隔壁１７が形成される。ドライエッチングでは、隔壁１７の直上に、第一の着色層７が積層された状態とする。
なお、第二および第三の着色層９、１１を形成するための凹部は、第一の着色層７の代わりにネガ型フォトレジストを用いて形成してもよい。この場合、第二および第三の着色層９、１１を形成するための凹部を形成した後、ネガ型フォトレジストを剥離洗浄し、その後、第一の着色層７の着色レジストの塗布から第一のカラーフィルタパターン形成までの工程を行う。
【００１７】
次に、第６工程では、図３（ｂ）に示すように、第５工程で第二および第三の着色層９、１１の逆パターンが形成された絶縁膜４、および第４工程で形成された第一のカラーフィルタパターン（第一の着色層７）上に、第二の着色層９の着色レジストを塗布する。次に、第二の着色層９用のフォトマスク１０を用いてフォトリソグラフィ法によって、複数の第二の着色層９からなる第二のカラーフィルタパターンを形成する。具体的には、フォトマスク１０を用いて、第二の着色層９の着色レジストを露光し、露光した第二の着色レジストを現像する。これにより、図３（ｃ）に示すように、第二の着色層９の着色レジストのうち、露光された部分が残存して、凹部内に複数の第二の着色層９からなる第二のカラーフィルタパターンが形成される。また、フォトマスク１０により露光されなかった第二の着色レジストは、現像により除去される。このため、第三の着色層１１の逆パターンを第二の着色レジストの現像により再度形成する。
【００１８】
第７工程では、図３（ｄ）に示すように、第６工程で第三の着色層１１の逆パターンが形成された絶縁膜４および第４、第６工程で形成された第一、第二のカラーフィルタパターン（第一、第二の着色層７、９）上に、第三の着色層１１の着色レジストを塗布する。次に、第三の着色層１１用のフォトマスク１２を用いたフォトリソグラフィ法によって、複数の第三の着色層１１からなる第三のカラーフィルタパターンを形成する。具体的には、フォトマスク１２を用いて、第三の着色層１１の着色レジストを露光し、露光した第三の着色レジストを現像する。これにより、図３（ｅ）に示すように、第三の着色層１１の着色レジストのうち、露光された部分が残存して、凹部内に複数の第三の着色層１１からなる第三のカラーフィルタパターンを形成する。これにより、第一、第二および第三のカラーフィルタパターン（第一、第二および第三の着色層７、９、１１）と隔壁１７とを有するカラーフィルタが形成される。
【００１９】
（固体撮像素子の製造方法）
第８工程では、図４（ａ）に示すように、第一、第二および第三のカラーフィルタパターン（第一、第二および第三の着色層７、９、１１）と隔壁１７とを有するカラーフィルタ上に、樹脂材料を含む塗布液を塗布し、硬化させて平坦化層１３を形成する。次に、平坦化層１３上に、マイクロレンズ１６の材料となる樹脂材料を塗布しベークして透明樹脂層１４を形成する。続けて、図４（ｂ）に示すように、マイクロレンズ用フォトマスク１５を用いてｉ線ステッパーで、成膜した透明樹脂層１４の一部を露光する。次に、図４（ｃ）に示すように、一部を露光した透明樹脂層１４を現像する。これにより、図４（ｄ）に示すように、透明樹脂層１４のうち、露光された部分が除去されて、各画素に対応するマイクロレンズ１６のレンズ間ギャップが形成される。最後に、残存した透明樹脂層１４に対して熱処理を行うことにより、透明樹脂層１４がリフローしてレンズ形状になりマイクロレンズ１６が形成される。
【００２０】
（本実施形態の効果）
本実施形態に係る発明は、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態に係るカラーフィルタおよびカラーフィルタを有する固体撮像素子の構成によれば、第一、第二および第三の着色層７、９、１１のそれぞれの間に隔壁１７が形成されるため、隣接する着色層から他の着色層に光が進入して混色が生じることを抑制できる。
（２）本実施形態に係るカラーフィルタおよびカラーフィルタを有する固体撮像素子の構成によれば、隔壁１７の形成工程を設けることなく、第一、第二および第三の着色層７、９、１１の製造時に併せて隔壁１７を形成することができる。このため、カラーフィルタおよび固体撮像素子の製造工程数の増加を抑えることができる。
【実施例】
【００２１】
以下に、本発明に係る固体撮像素子を実施例にて詳細に説明する。なお、実施例では、図２（ａ）から図４で説明した工程により固体撮像素子を形成する。このため、説明を容易にするために図番号を示して説明を行うが、本発明は実施例の構成に限定されるものではない。
【００２２】
第１工程では、図２（ａ）に示すように、光電変換素子２を有する半導体基板１上に、絶縁膜４と絶縁膜４に覆われた配線３とを設け、絶縁膜４の表面にポジ型ｉ線フォトレジスト（ＴＤＭＲ−ＡＲ８０：東京応化工業株式会社製）をスピンコートにより塗布する。続いて、塗付されたフォトレジストに対して９０℃で１分プレベークを行い、ポジ型フォトレジスト５を１μｍの厚さで成膜した。
【００２３】
第２工程では、図２（ｂ）に示すように、フォトマスク６を用いて、i線ステッパー露光機によってポジ型フォトレジスト５を露光した。次に、図２（ｃ）に示すように、露光したポジ型フォトレジスト５を２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライド）水溶液で１分間現像した。これにより、絶縁膜４上に、第一の着色層７を形成するための凹部に対向する部分が除去されたポジ型フォトレジスト５のレジストパターンを形成した。
【００２４】
第３工程では、図２（ｄ）に示すように、第２工程で形成されたポジ型フォトレジスト５をマスクとして、フッ化炭素ガスを用いて絶縁膜４に対するドライエッチングを行った。これにより、絶縁膜４に第一の着色層７であるグリーン着色層を形成するための凹部を形成した。ポジ型フォトレジスト５の剥離洗浄は、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）を用いて行った。
【００２５】
第４工程では、図２（ｅ）に示すように、第３工程で第一の着色層７の逆パターンが形成された絶縁膜４に、グリーンの顔料を含むグリーンレジストをスピンコートにより塗布した。続いて、グリーンレジストが塗布された半導体基板１を９０℃で１分プレベークをして第一の着色層７の着色レジストを１．５μｍの厚さで成膜した。この後、第一の着色層７用のフォトマスク８を用いてｉ線ステッパーによって第一の着色層７の着色レジストを露光した。
次に、図２（ｆ）に示すように、露光した第一の着色層７の着色レジストを１．１９％ＴＭＡＨ水溶液で１分間現像した後、ホットプレートで２３０℃、３分ベークし、第一のカラーフィルタパターン（グリーンの着色層）を形成した。なお、フォトマスクのパターンサイズと露光量を調整して、第一のカラーフィルタパターンが配線３上の絶縁膜４を被覆するようにした。第一のカラーフィルタパターンの画素サイズは、現像時間を用いて調整してもよく、露光時間と現像時間の両方を用いて調整してもよい。
【００２６】
第５工程では、図３（ａ）に示すように、第４工程で形成した第一のカラーフィルタパターンをマスクとして絶縁膜４にフッ化炭素ガスを用いてドライエッチングを行い、第二および第三の着色層９、１１を形成するための凹部を絶縁膜４に形成した。なお、第一のカラーフィルタパターン（第一の着色層７）の高さｈ１は、隔壁１７の高さｈ２よりも高く（図３（ａ）参照）、第一の着色層７が隔壁１７の上端を覆う形になっていればよい。第一の着色層７の膜厚は、ドライエッチングにおける第一の着色層７と隔壁１７の選択比により任意に設定してよい。なお、隔壁１７の高さｈ１は、第一のカラーフィルタパターンの高さｈ２の４分の３以上あることが好ましい。より混色を抑制することができるためである。また、ドライエッチング時のガスは、フッ素系ガスの他、塩素系ガス、ハロゲンガス、水素、窒素、酸素、希ガス等との混合ガスを用いてもよい。
【００２７】
次に、第６工程では、図３（ｂ）に示すように、第５工程で第二および第三の着色層９、１１の逆パターンが形成された絶縁膜４および第４工程で形成された第一のカラーフィルタパターン（第一の着色層７）上に、ブリーの顔料を含むブルーレジストをスピンコートにより塗布した。続いて、９０℃で１分プレベークをして第二の着色層９のブルーレジストを１μｍの厚さで成膜した。この後、第二の着色層９用のフォトマスク１０を用いてｉ線ステッパーによって第二の着色層９のブルーレジストを露光した。
次に、図３（ｃ）に示すように、露光した第二の着色層９のブルーレジストを１．１９％ＴＭＡＨ水溶液で現像した後、ホットプレートで２３０℃、３分ベークし、第二のカラーフィルタパターン（ブルーの着色層）を形成した。その際、ブルーレジストの露光・現像により、第三の着色層１１の逆パターンも再度形成した。
【００２８】
次に、第７工程では、図３（ｄ）に示すように、第６工程で第三の着色層１１の逆パターンが形成された絶縁膜４、第４、第６工程で形成された第一、第二のカラーフィルタパターン上に、レッド顔料を含むレッドレジストをスピンコートにより塗布した。続いて、レッドレジストを塗布した半導体基板１を９０℃で１分プレベークをして第三の着色層１１のレッドレジストを１μｍの厚さで成膜した。この後、第三の着色層１１用のフォトマスク１２を用いてｉ線ステッパーによって第三の着色層１１のレッドレジストを露光した。
次に、図３（ｅ）に示すように、露光した第三の着色層１１のレッドレジストを１．１９％ＴＭＡＨ水溶液で現像した後、ホットプレートで２３０℃、３分ベークし、第三のカラーフィルタパターン（レッドの着色層）を形成した。これにより、第一、第二および第三のカラーフィルタパターンと隔壁１７とを有するカラーフィルタを形成した。
【００２９】
次に、第８工程では、図４（ａ）に示すように、カラーフィルタ上に、アクリル樹脂を含む塗布液をスピンコートし、ホットプレートで２３０℃で１０分加熱処理をして０．１３μｍ厚の平坦化層１３を成膜した。次に、成膜した平坦化層１３上に、アクリル感光性樹脂をスピンコートし、９０℃で１分ベークして透明樹脂層１４を成膜した。次に、図４（ｂ）に示すように、マイクロレンズ用フォトマスク１５を用いてｉ線ステッパーで、透明樹脂層１４を露光した。次に、図４（ｃ）に示すように、露光した透明樹脂層１４を１．１９％ＴＭＡＨ水溶液で現像した。最後に、図４（ｄ）に示すように、現像した透明樹脂層１４を２３０℃で１０分ベークし、透明樹脂層１４がリフローしてレンズ形状になることでマイクロレンズ１６を形成した。これにより、本実施例の固体撮像素子を得た。
【００３０】
本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含む。さらに、本発明の範囲は、請求項により画される発明の特徴の組み合わせに限定されるものではなく、全ての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画されうる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明によれば、工程数の増加を抑えつつ、隣接する画素から光が進入することによる混色を抑制でき、高感度な固体撮像素子用カラーフィルタおよび固体撮像素子を提供することが可能となる。
【符号の説明】
【００３２】
１・・・半導体基板
２・・・光電変換素子
３・・・配線
４・・・絶縁膜
５・・・ポジ型フォトレジスト
６・・・第一の着色層の凹部形成用のフォトマスク
７・・・第一の着色層
８・・・第一の着色層用のフォトマスク
９・・・第二の着色層
１０・・・第二の着色層用フォトマスク
１１・・・第三の着色層
１２・・・第三の着色層用フォトマスク
１３・・・平坦化層
１４・・・透明樹脂層
１５・・・マイクロレンズ用フォトマスク
１６・・・マイクロレンズ
１７・・・隔壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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