(57)【要約】【課題】  発光特性への影響を低減し、電極から電流狭窄構造の電流通過部までの電流経路の抵抗を小さくする波長可変型のＶＣＳＥＬおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  波長可変型のＶＣＳＥＬにおいて、電流狭窄構造の高抵抗部は、第１の反射鏡と活性層と前記コンタクト層が積層された積層方向と交差する交差方向に関して、電流通過部から離れるに従い、高抵抗部とコンタクト層の間の距離が大きくなり、かつ高抵抗部と活性層の間の距離が小さくなる。【選択図】  図１
2017107982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の反射鏡と、
前記第１の反射鏡の上に配置された活性層と、
前記活性層の上に配置されたコンタクト層と、
前記コンタクト層の上に前記コンタクト層と離間して配置された、第２の反射鏡を有する梁と、
前記コンタクト層と前記活性層との間に配置された電流狭窄構造と、
前記コンタクト層の一部の領域の上に配置された電極と、を有し、
前記梁と前記コンタクト層の間に間隙が形成され、
前記電流狭窄構造は、前記第２の反射鏡に対応する位置にある電流通過部と、前記電流通過部よりも抵抗が高い高抵抗部と、を有し、
前記電極は、前記コンタクト層の前記電流通過部に対応する領域以外に配置されており、
前記高抵抗部は、前記第１の反射鏡と前記活性層と前記コンタクト層が積層された積層方向と交差する交差方向に関して、前記電流通過部から離れるに従い、前記高抵抗部と前記コンタクト層の間の距離が大きくなり、かつ前記高抵抗部と前記活性層の間の距離が小さくなることを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
前記高抵抗部の水素イオン濃度は、前記電流通過部の水素イオン濃度より高いことを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項３】
前記電極は、前記コンタクト層の前記高抵抗部に対応する領域の少なくとも一部に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
前記高抵抗部は、前記交差方向において、前記電流通過部から順に、少なくとも第１の部分と第２の部分を有し、
前記第１の部分と前記第２の部分は接続されており、
前記積層方向における断面において、前記第１の部分と前記第２の部分は、前記交差方向に対して異なる傾きを有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記第１の部分と前記第２の部分の境界線は、前記電流通過部の中心軸を中心とする円の周であることを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザ。
【請求項６】
前記第１の部分と前記第２の部分の境界線は、前記電流通過部の中心軸を中心とする楕円の周であることを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザ。
【請求項７】
前記電流通過部の中心軸と前記電極の中心軸を結ぶ線分の線分方向における前記第１の部分と前記第２の部分の間の距離は、前記線分方向と交差する方向における前記第１の部分と前記第２の部分の間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の面はこうレーザ。
【請求項８】
前記第１の部分と前記第２の部分の境界は、前記交差方向において、前記電極と前記電流通過部との間に配置されていることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の面発光レーザと、
前記面発光レーザからの光を測定対象物へ照射する照射光と参照光とに分岐させ、前記測定対象物に照射された光の反射光と前記参照光による干渉光を発生させる干渉光学系と、
前記干渉光を受光する光検出部と、
前記光検出部からの信号に基づき、前記測定対象物の情報を取得する情報取得部と、を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
第１の反射鏡と、前記第１の反射鏡の上に配置された活性層と、前記活性層の上に配置されたコンタクト層と、前記コンタクト層の上に前記コンタクト層と離間して配置された、第２の反射鏡を有する梁と、前記コンタクト層と前記活性層との間に配置された電流狭窄構造と、前記コンタクト層の一部の領域の上に配置された電極と、を有する面発光レーザの製造方法であって、
第１の反射鏡と、活性層と、コンタクト層と、犠牲層と、第２の反射鏡を備える梁前駆層と、を有する構造体を準備する工程と、
前記構造体を準備する工程の後に、イオン注入を行い、前記活性層と前記コンタクト層の間に、前記第２の反射鏡に対応する領域にある電流通過部と、前記電流通過部よりも抵抗が高い高抵抗部と、を有する電流狭窄構造を形成する工程と、
前記電流狭窄構造を形成する工程の後に、前記コンタクト層の一部の上に、前記電流通過部に対応する領域以外に電極を形成する工程と、
前記犠牲層の一部を除去して間隙を形成し、支持層と梁とを形成する工程と、を有し、
前記高抵抗部は、前記第１の反射鏡と前記活性層と前記コンタクト層が積層された積層方向と交差する交差方向に関して、前記電流通過部から離れるに従い、前記高抵抗部と前記コンタクト層の間の距離が大きくなり、かつ前記高抵抗部と前記活性層の間の距離が小さくなっていることを特徴とする面発光レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザ、撮像装置及び面発光レーザの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発振波長を変えることのできる波長可変レーザは、通信やセンシング、イメージングなどの様々な分野への応用が期待できることから、近年盛んに研究開発が行われている。波長可変レーザとしては、垂直共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ：以下、ＶＣＳＥＬという）の一対の反射鏡の一方を動かす構成が開発されている。具体的には、Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ（以下、ＭＥＭＳという）技術により一対の反射鏡の一方（可動鏡）を機械的に動かすことで共振器長を変動させ、ＶＣＳＥＬの発振波長を変化させている。このようなＶＣＳＥＬを以下では、ＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬという。
【０００３】
ところで、通常のＶＣＳＥＬでは、発光領域に効率よく電流を注入するための電流狭窄構造が用いられている。特許文献１には、イオン注入して高抵抗化された電流狭窄構造を設ける構成が開示されている。イオン注入による電流狭窄構造は、選択酸化による電流狭窄構造と比較して作製プロセスが容易である。このような電流狭窄構造を活性層近傍に設けると、活性層が製造時にダメージを受け発光特性の劣化につながる。これらのダメージは電流狭窄構造からの距離が遠くなるにつれ緩和されるため、活性層にダメージが到達しない位置に電流狭窄構造を設けることが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１２９９６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬでは、可動鏡と活性層の間は間隙が形成されているため、通常のＶＣＳＥＬに比べ、イオン注入による電流狭窄構造を設ける領域が限られる。具体的には、電流狭窄構造は、活性層と間隙までの間に配置された半導体層に形成される。発光特性の劣化を抑制するように、この半導体層において、間隙近くに電流狭窄構造を設けることが考えられる。
【０００６】
一方、多くのＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬの場合、活性層にキャリアを注入する電極は、可動鏡と重ならずに形成されるため、電流狭窄構造の電流通過部から離れた位置に設けられる。
【０００７】
そのため、間隙近くに電流狭窄構造を設けると、電極から電流狭窄構造の電流通過部までの電流経路となる層の厚さが薄くなり、電流経路の抵抗が大きくなるという問題が生じる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑み、発光特性への影響を低減し、電極から電流狭窄構造の電流通過部までの電流経路の抵抗を小さくする波長可変型のＶＣＳＥＬおよびその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の面発光レーザは、第１の反射鏡と、前記第１の反射鏡の上に配置された活性層と、前記活性層の上に配置されたコンタクト層と、前記コンタクト層の上に前記コンタクト層と離間して配置された、第２の反射鏡を有する梁と、前記コンタクト層と前記活性層との間に配置された電流狭窄構造と、前記コンタクト層の一部の領域の上に配置された電極と、を有し、前記梁と前記コンタクト層の間に間隙が形成され、前記電流狭窄構造は、前記第２の反射鏡に対応する領域にある電流通過部と、前記電流通過部よりも抵抗が高い高抵抗部と、を有し、前記電極は、前記コンタクト層の前記電流通過部に対応する領域以外に配置されており、前記高抵抗部は、前記第１の反射鏡と前記活性層と前記コンタクト層が積層された積層方向と交差する交差方向に関して、前記電流通過部から離れるに従い、前記高抵抗部と前記コンタクト層の間の距離が大きくなり、かつ前記高抵抗部と前記活性層の間の距離が小さくなることを特徴とする。
【００１０】
本発明の面発光レーザの製造方法は、第１の反射鏡と、前記第１の反射鏡の上に配置された活性層と、前記活性層の上に配置されたコンタクト層と、前記コンタクト層の上に前記コンタクト層と離間して配置された、第２の反射鏡を有する梁と、前記コンタクト層と前記活性層との間に配置された電流狭窄構造と、前記コンタクト層の一部の領域の上に配置された電極と、を有する面発光レーザの製造方法であって、第１の反射鏡と、活性層と、コンタクト層と、犠牲層と、第２の反射鏡を備える梁前駆層と、を有する構造体を準備する工程と、前記構造体を準備する工程の後に、イオン注入を行い、前記活性層と前記コンタクト層の間に、前記第２の反射鏡に対応する領域にある電流通過部と、前記電流通過部よりも抵抗が高い高抵抗部と、を有する電流狭窄構造を形成する工程と、前記電流狭窄構造を形成する工程の後に、前記コンタクト層の一部の上に、前記電流通過部に対応する領域以外に電極を形成する工程と、前記犠牲層の一部を除去して間隙を形成し、支持層と梁とを形成する工程と、を有し、前記高抵抗部は、前記第１の反射鏡と前記活性層と前記コンタクト層が積層された積層方向と交差する交差方向に関して、前記電流通過部から離れるに従い、前記高抵抗部と前記コンタクト層の間の距離が大きくなり、かつ前記高抵抗部と前記活性層の間の距離が小さくなっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、発光特性への影響を低減し、電極から電流狭窄構造の電流通過部までの電流経路の抵抗を小さくする波長可変型のＶＣＳＥＬおよびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１に係るＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬの一例を示す断面模式図
【図２】実施形態１に係るＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬの一例を示す上面模式図
【図３】実施形態１に係るＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬの一例を示す断面模式図
【図４】実施形態１の電流狭窄構造の半導体構造体の表面からの深さと抵抗値の実験結果
【図５】実施形態１に係る電流狭窄構造の製造方法を説明する模式図
【図６】実施形態１に係る電流狭窄構造の他の例を示す断面模式図
【図７】実施形態２に係る光干渉断層計の構成を示す図。
【図８】実施例１に係る電極と電流狭窄構造と電流通過部の位置関係を説明する図
【図９】実施例２に係る電極と電流狭窄構造と電流通過部の位置関係を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）について説明するが、はじめに、本明細書中で使用する用語等について定義する。本明細書中で、ＶＣＳＥＬ構造の上下方向について言及する場合は、基板側を下側、基板と反対側を上側とする。ＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬは可動鏡を支持するあるいは内包する梁を有しており、梁の長手方向に平行な方向をＸ方向、梁の短手方向に平行な方向をＹ方向とする。また、ＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬは、後述するように、下部反射鏡、活性層、コンタクト層を有しているが、それらが積層された積層方向をＺ方向とする。
【００１４】
（実施形態１）
図１乃至３を用いて、本実施形態に係る波長可変ＶＣＳＥＬの一例であるＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬについて説明する。図１は、ＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬのＹＺ面内方向の断面模式図を表している。図２はＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬのＸＹ面内方向の断面模式図を表しており、図２のＡ−Ａ’断面が図１と対応している。図３はＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬのＺＸ面内方向の断面模式図を表しており、図２のＢ−Ｂ’断面と対応している。
【００１５】
図１のＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬは、基板１１０上に、下部反射鏡１２０と、下部スペーサ層１３０と、活性層１４０と、上部スペーサ層１５０と、コンタクト層１６０と、上部反射鏡を含む梁１９０とを有している。コンタクト層１６０と梁１９０との間は離間しており、間隙１８５が形成されている。また、基板１１０の下には第１電極１９１が形成され、コンタクト層１６０の上には第２電極１９４が形成されている。また、活性層１４０とコンタクト層１６０の間には、電流狭窄構造１７０が形成されている。電流狭窄構造１７０は、梁１９０内の上部反射鏡に対応する位置にある電流通過部１７５と、電流通過部１７５よりも抵抗が高い高抵抗部１７４を有している。第２電極１９４は、電流通過部１７５と重ならないように電流通過部１７５に対応する領域以外に形成され、高抵抗部１７４と対応する領域の少なくとも一部に形成されている。
【００１６】
第１電極１９１と第２電極１９４の間に電圧を印加することで、第２電極１９４から、コンタクト層１６０、電流狭窄構造１７０の電流通過部１７５を介して活性層１４０に電子とホールの一方のキャリアが供給される。また、電子とホールの他方のキャリアは、第１電極１９１から、基板１１０、下部反射鏡１２０、下部スペーサ層１３０を介して活性層１４０に流れる。そして、活性層１４０内で電子とホールが再結合することで、発光が生じる。
【００１７】
また、図２、３で示すように、梁１９０には、第３電極１９２が形成されており、さらに梁１９０は導電性を有している。そのため、第２電極１９４と第３電極１９２との間に交流電圧を印加することによって、梁１９０が活性層１４０の厚さ方向に振動する。この結果、上部反射鏡も活性層１４０の厚さ方向に振動し、下部反射鏡１２０と上部反射鏡からなる共振器の共振器長が変動する。その結果、発光領域で発光した光のうち共振器長に応じた特定の波長の光が外部に射出される。このようにして、面発光レーザの発振波長が可変となる。
【００１８】
図３で示すように、梁１９０は、コンタクト層１６０の上に形成された支持層１８０によって、２箇所で支持されている。梁１９０は、カンチレバー型のように支持層１８０により１箇所で支持されていてもよい。また、図２で明らかなように、第２電極１９４は、梁１９０の直下には形成されていない。そのため、図２のＢ−Ｂ’断面図である図３では、第２電極１９４は本来見えないが、理解を助けるために、第２電極１９４はＢ−Ｂ’断面への射影部分として図３に図示している。
【００１９】
本発明の電流狭窄構造１７０は、後述するように、水素イオンを注入することにより、上部スペーサ層１５０の一部の領域を高抵抗化することで形成される。具体的には、電流通過部１７５には、水素イオンが注入されず、導電性を生む元素（例えばＭｇ）が活性化されて抵抗が低いままである。それに対して、高抵抗部１７４には、水素イオンが注入されることで、導電性を生む元素（例えばＭｇ）の活性化されず高抵抗化する。そのため、高抵抗部１７４の水素イオン濃度は、電流通過部１７５の水素イオン濃度よりも高くなっている。図１の高抵抗部１７４を示す部分は、Ｚ方向における高抵抗部１７４の水素イオン濃度が最も高い位置をＸ方向で結んだ線として表されている。図３の高抵抗部１７４を示す部分は、同様に、Ｚ方向における高抵抗部１７４の水素イオン濃度が最も高い位置をＹ方向で結んだ線で表されている。
【００２０】
本発明の電流狭窄構造１７０は、図１に示すように、Ｚ方向と交差する交差方向（Ｙ方向）において電流通過部１７５から離れるに従い、高抵抗部１７４とコンタクト層１６０の間の距離が大きくなる。ここで、高抵抗部１７４とコンタクト層１６０の間の距離とは、高抵抗部１７４の水素イオン濃度が最も高い位置とコンタクト層までの最短距離とする。
【００２１】
図１の高抵抗部１７４は、Ｙ方向において、電流通過部１７５に近い方から第１の部分１７１、第２の部分１７２、第３の部分１７３を有している。第一の部分１７１と第２の部分１７２は、Ｚ方向における断面において、Ｚ方向と交差する交差方向（Ｘ方向）に対して異なる傾きを有している。第１の部分１７１は、Ｘ方向と略平行であるが、この場合は傾きがゼロという点で第２の部分１７２と異なる傾きを有していると言える。第１の部分１７１において、第１の部分１７１とコンタクト層１６０の間の距離ｔ１はほぼ一様であるが、この構成であっても、第３の部分１７３とコンタクト層１６０の間の距離ｔ３が距離ｔ１より大きいため、本発明に含まれる。また、第３の部分１７３においても、第３の部分１７３とコンタクト層１６０の間の距離ｔ３は略一様であるが、この構成も同様の理由で本発明に含まれる。
【００２２】
また、図１で示すように、Ｙ方向において電流通過部１７５から離れると、高抵抗部１７４と活性層１４０の間の距離が小さくなる。具体的には、第１の部分１７１と活性層１４０の間の距離ｄ１よりも第３の部分１７３と活性層１４０の間の距離ｄ３が小さくなっている。また、図３で示すように、Ｘ方向においても、電流通過部１７５から離れると、高抵抗部１７４とコンタクト層１６０の間の距離が大きくなり、高抵抗部１７４と活性層１４０の間の距離が小さくなっている。
【００２３】
この構成により、第２電極１９４から電流通過部１７５へのキャリア流路の電気抵抗を小さくし、かつ活性層１４０の発光特性の劣化を抑制することができる。具体的には、電流通過部１７５に近い第１の部分１７１は、活性層１４０から離すことにより、活性層１４０のキャリアが多く注入されて発光領域となる部分へのイオン注入によるダメージが低減される。その結果、発光特性の劣化が抑制される。そして、第３の部分１７３において、コンタクト層１６０と第３の部分１７３の間の距離ｔ３を大きくすることで、この部分のシート抵抗を小さくすることができる。その結果、第２電極１９４から電流通過部１７５への電流流路の電気抵抗を小さくすることができる。なお、発光領域以外の活性層１４０へのダメージは残るが、その部分では、ほとんど発光が生じないため、発光特性への影響はほとんどない。
【００２４】
第１の部分１７１と第２の部分１７２との境界が電流通過部１７５と第２電極１９４との間に位置する場合、その境界が電流通過部１７５に近いほど、電流経路上の抵抗を小さくすることができる。ただし、境界が電流通過部１７５に近い、すなわち、第１の部分１７１が狭くなりすぎる場合には電流注入される活性層１４０へのダメージが大きくなってしまう可能性がある。そのため、電流の広がりを考慮して第１の部分１７１のＹ方向の長さとして０．５μｍ以上３．０μｍ以下が好ましい。さらには、第１の部分１７１のＹ方向の長さは、０．８μｍ以上１．５μｍ以下がより好ましい。境界線が電流通過部１７５から離れるほど活性層１４０へのダメージは小さくなるが、抵抗低減の効果を得るためには第２電極１９４と電流通過部１７５の間に境界を位置することが好ましい。
【００２５】
活性層１４０と第１の部分１７１の間の距離ｄ１は、イオン注入によるダメージが活性層１４０まで到達しない程度離すことが好ましい。イオン注入時の加速電圧やドーズ量により、ダメージがどの程度まで到達するかは変化してくる。一例として、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．３３，ｎｏ．２，ｐｐ．１３７−１３９，１９９７を参考にすると、寿命の観点により、距離ｄ１は２５０ｎｍ以上であることが好ましい。なお、より好ましくは、距離ｄ１は５００ｎｍ以上とすればよい。また、活性層１４０と第１の部分１７１の距離が離れ、コンタクト層１６０の近くに第１の部分１７１を形成すると抵抗が大きくなる。そのため、活性層１４０と第１の部分１７１の距離ｄ１は活性層１４０へのダメージが小さい距離であれば、コンタクト層１６０から離れるようにすることが好ましい。ただし、活性層１４０とコンタクト層１６０までの距離が短い場合には、活性層１４０へのダメージが少ないことを優先し、コンタクト層１６０の近くに第１の部分１７１を設けてもよい。
【００２６】
抵抗を下げるためコンタクト層１６０から第３の部分１７３までの距離ｔ３を長くするように、活性層１４０と第３の部分１７３の距離ｄ３は短くすることが好ましい。特に、抵抗を小さくするために活性層１４０に第３の部分１７３を設けることが最も好ましいが、作製時の誤差や活性層１４０へのダメージを考慮して、活性層１４０上の活性層１４０近傍に第３の部分１７３を設けることが好ましい。
【００２７】
ここで、図４に、単層の半導体層中にイオン注入による電流狭窄構造を設けた場合の半導体層の表面からの電流狭窄構造までの深さと、半導体層の表面の抵抗値の関係について、実験結果の一例を示す。この結果より、表面からの距離が３５０ｎｍより短くなってくると抵抗の増加が急峻となっている。このため、距離ｔ３は３５０ｎｍ以上とすることが好ましい。また、図４で示すように、表面からの電流狭窄構造の位置が５７０ｎｍ以上であれば、抵抗値がほぼ飽和するため、距離ｔ３は、５７０ｎｍ以上とすることがより好ましい。
【００２８】
電流通過部１７５の形状として横モード制御の観点等より略円形状が好ましいが、楕円形状や長方形や菱形形状でもよい。略円形状である場合には、電流通過部１７５の直径は３μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、さらに、横モード制御の観点で電流通過部１７５の直径は５μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。
【００２９】
第１の部分１７１と第２の部分１７２との境界線の形状は電流通過部１７５までの距離、すなわち第１の部分１７１の長さが一定となるように電流通過部１７５の形状と相似形であってもよい。例えば、電流通過部１７５の形状が円形状である場合には、第１の部分１７１と第２の部分１７２との境界線は、電流通過部１７５の中心軸を中心とする円の周とすればよい。
【００３０】
また、電流通過部１７５の形状が円形状であっても第２電極１９４に近い部分のほうが電流注入しやすく、電流通過部１７５内で電流注入分布が異方性を有する場合がある。そのため、第２電極１９４の中心軸と電流通過部１７５の中心軸を結ぶ線分方向における第１の部分１７１と第２の部分１７２の間の距離よりも、線分方向と交差する方向の第１の部分１７１と第２の部分１７２の間の距離を短くする方がよい。この構成により、第２電極１９４から電流通過部１７５までの電流経路の抵抗に関してＸ方向とＹ方向での抵抗差を小さくすることができる。よって、電流注入分布の異方性を緩和することができるため、電流密度の偏りによる劣化が抑制される。例えば、電流通過部１７５の形状が円形状であっても、第１の部分１７１と第２の部分１７２との境界線の形状を電流通過部１７５の中心軸を中心とする楕円の周とすればよい。
【００３１】
（上部反射鏡および下部反射鏡）
上部反射鏡および下部反射鏡は、例えば、高屈折率の層と低屈折率の層とが光学厚さ１／４波長で交互に積層された分布ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：以下ＤＢＲという）で構成されている。反射鏡は、波長可変範囲を広くするためには、出来る限り広帯域において高反射率を有することが好ましい。上部反射鏡および下部反射鏡には、半導体で構成されたＤＢＲ、誘電体で構成されたＤＢＲのどちらを用いることもできる。一般的に、誘電体で構成されたＤＢＲの方が半導体で構成されたＤＢＲよりも、高屈折率の層と低屈折率の層の屈折率差を大きくしやすいため、少ない積層数で高い反射率を実現できる。一方、半導体で構成されたＤＢＲはペア数が多くなってしまうが、結晶成長中に同時に成膜でき、ドーピングにより電流を流すことができる等のプロセス上の利点がある。また、半導体で構成されたＤＢＲは、梁と兼用することができる。
【００３２】
エピタキシャル成長で一括形成するためには、下部反射鏡に半導体ＤＢＲ、上部反射鏡にも半導体ＤＢＲを用いることができるが、より広帯域で高反射率を得るために誘電体ＤＢＲを上部反射鏡に用いてもよい。なお、誘電体ＤＢＲを上部反射鏡として用いる際に、半導体層の上に誘電体ＤＢＲを形成する構成とすることができる。上記の上部反射鏡の材料の例として、半導体ＤＢＲではＡｌ０．４Ｇａ０．６ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ、誘電体ＤＢＲでは酸化シリコンと酸化チタンを用いることができる。下部反射鏡としてはＧａＡｓとＡｌＡｓを用いることができる。
【００３３】
また、反射鏡として、高屈折率差サブ波長回折格子（Ｈｉｇｈ  ＩｎｄｅｘＣｏｎｔｒａｓｔ  Ｓｕｂｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｇｒａｔｉｎｇ：以下ＨＣＧという）を用いてもよい。ＨＣＧは高屈折率の材料と低屈折率の材料とが面内方向に交互に周期的に並んだ構成である。ＨＣＧの例として、ＡｌＧａＡｓ層のような半導体層を加工して周期的な間隙を設けた、高屈折率領域（ＡｌＧａＡｓ部）と低屈折領域（間隙部）の周期構造体が挙げられる。高速な波長可変を行う観点から、可動鏡である上部反射鏡を軽量な反射鏡とすることが求められており、ＨＣＧを用いることが好ましい。なお、ＨＣＧとして、米国特許第８０５９６９０号明細書及び米国特許第８１８９６４３号明細書に記載されているものを用いることができる。
【００３４】
上部反射鏡の形状は、平面であってもよいし、中心部が活性層に対して凹形状となるような構成でもよい。また、上部反射鏡は、反射鏡としての良好な特性を有するために、少なくとも電流通過部よりも大きいことが好ましく、１０μｍ以上、さらには２０μｍ以上の幅とすることが好ましい。ただし、梁の下に第２電極を設けることは困難であるため、第２電極間の距離は上部反射鏡の幅よりも大きくなる。第２電極が電流通過部から離れるほど抵抗は大きくなるため、上部反射鏡の幅も必要以上に広くないことが好ましく、例えば３０μｍ以下の幅であることが好ましい。
【００３５】
（梁）
梁は、２箇所の支持領域で支持されていてもよいし、３箇所以上の支持領域で支持されていてもよい。また、梁は、シリコンカンチレバーのような１箇所で支持する構成も構わない。また、梁には、結晶成長時の歪みや、動作環境温度に由来する応力などを緩和するための構造が形成されていてもよい。
【００３６】
梁は、共振器長を変化させることができるものであれば特に限定されない。例えば、本実施形態のように静電気力で駆動するものでもよいし、ピエゾ等の圧電材料を用いて機械的に駆動するものでもよい。
【００３７】
また、梁は、本実施形態のように、上部反射鏡を兼ねる構成であってもよいし、上部反射鏡とは別に構成されていてもよい。後者の場合、梁の発光部領域と対応する位置、つまり発光領域と対応する位置に、上部反射鏡が配置されていればよく、上部反射鏡は梁の上でも下でもどちらにでも配置されていてもよい。また梁の発光領域と対応する位置に貫通孔が形成され、その貫通孔に上部反射鏡が配置されている構成でもよい。梁と上部反射鏡とが別体で構成される場合には、後述する製造方法において、梁前駆体層のパターニングの前に、上部反射鏡をパターニング形成すればよい。
【００３８】
（コンタクト層）
コンタクト層は、第２電極と直接接する層であり、第２電極からキャリアが注入されやすい構成あれば特に限定されない。例えば、コンタクト層は、ドーパントを含有する半導体層が挙げられる。この場合、例えば、ドーパントのドーピング濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上であることが好ましい。さらに、電極とのコンタクト抵抗をより低減するために、ドーピング濃度が３×１０１８ｃｍ−３以上であることが好ましい。また、活性層で発光された光の吸収を抑えるために、ドーピング濃度は２×１０１９ｃｍ−３以下であることが好ましい。さらには、ドーピング濃度が５×１０１８ｃｍ−３以下であることが好ましい。
【００３９】
キャリア移動度を高めるために、コンタクト層以外の例えばスペーサ層などの半導体層にもドーパントが含まれていてもよいが、第１電極と第２電極の間にある半導体層の中では、コンタクト層のドーピング濃度が最も高いことが好ましい。
【００４０】
（上部スペーサ層及び下部スペーサ層）
上部スペーサ層と下部スペーサ層は、同じ半導体材料で構成されていてもよいし、異なる半導体材料で構成されていてもよい。半導体材料は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓなどを用いることができる。
【００４１】
また、上部スペーサ層と下部スペーサ層は、導電性を有している。例えば、ｐ型であれば、ＣやＭｇなどのアクセプターが適量ドープされている。一方、ｎ型であれば、Ｓｉなどのドナーが適量ドープされている。また、上部スペーサ層及び下部スペーサ層は、単層で構成されていてもよいし、複数の層で構成されていてもよい。
【００４２】
（活性層）
活性層は電流を注入することで光を発生する材料であれば特に限定されない。８５０ｎｍ付近の波長帯域の光を出射させる場合、ＡｌｎＧａ１−ｎＡｓ（０≦ｎ≦１）からなる量子井戸構造を有する材料を用いることができる。また、１０６０ｎｍ付近の波長帯域の光を出射させる場合、ＩｎｎＧａ１−ｎＡｓ（０≦ｎ≦１）からなる材料などを用いることができる。
【００４３】
また、活性層は十分に広い利得を有するものであることが好ましく、具体的には上部反射鏡および下部反射鏡の反射帯域より広い波長領域において利得を有することが好ましい。そのような活性層としては、例えば、少なくとも２つ以上の異なるエネルギー準位で発光が可能な量子井戸構造、いわゆる非対称量子井戸構造を有する活性層が挙げられる。また、量子井戸構造は、単量子井戸または多重量子井戸を有するように複数の層で構成されたものであってもよい。本実施形態における活性層の材料・構造は、発振波長させたい波長に応じて適宜選択できる。
【００４４】
（間隙）
間隙には、通常固体が存在しない。よって、その雰囲気により間隙は真空であってもよいし、空気、不活性ガス、水のような液体といった流体が存在してもよい。なお、間隙の構造体の厚さ方向の長さは、波長可変帯域幅や可動反射鏡のプルインを考慮して決定することができる。例えば、間隙を空気とした１０６０ｎｍを中心として波長可変帯域幅１００ｎｍで可変する際には、間隙の長さは１．５μｍ以上３．０μｍ以下となる。
【００４５】
（第１電極、第２電極及び第３電極）
第１電極、第２電極及び第３電極は、チタンや金などの単体の金属や合金、または金属膜の積層体を用いることができる。例えば、Ｔｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを電極材料として用いることができる。また、第１電極は、キャリアが注入できれば、下部反射鏡の下側ではなく、下部反射鏡の上側であってもよい。また、梁と第２電極との間に静電引力を働かせて梁を駆動する場合、第３電極は、梁の支持領域に配置されていなくても、可動部分に配置されていてもよい。また、第２電極、第３電極はそれぞれ、２つでなくてもよく、１つでもよいし、３つ以上でもよい。
【００４６】
（製造方法）
次に、ＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬの製造方法について、電流狭窄構造の形成工程を重点的に説明する。それ以外の工程は、公知の方法を用いることができるため、詳細な説明は省略する。
【００４７】
まず、基板の上に下部反射鏡と下部スペーサ層と活性層と上部スペーサ層とコンタクト層と犠牲層と上部反射鏡を備える梁前駆層とを有する構造体を準備する。この構造体を準備するには、基板の上に各層を形成してもよいし、購入してきてもよい。各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法などを用いて結晶成長を行う方法が挙げられる。
【００４８】
次に、電流狭窄構造を形成する。この工程は、図５を用いて述べる。図５において、先の工程で形成された構造体３００は、基板１１０、下部反射鏡１２０、下部スペーサ層１３０、活性層１４０、上部スペーサ層１５０、コンタクト層１６０、犠牲層２８０、梁前駆層２９０で構成されている。
【００４９】
この構造体３００の上に、マスク５１０を配置する。マスク５１０は、イオン注入により、図５で示す電流狭窄構造１７０の形状となるように、電流通過部１７５と第１の部分１７１と第２の部分１７２に対応する部分を覆うマスクである。また、マスク５１０は、電流通過部１７５と対応する部分のマスク５１０の厚さは第１の部分１７１と第２の部分１７２に対応する部分のマスク５１０の厚さより大きい。また、第２の部分１７２に対応する部分のマスクの厚さは、マスクの中心から離れるほど段々と小さくなっている。これは、第２の部分１７２が第１の部分１７１と第３の部分１７３の両方に接続させるためである。
【００５０】
そして、マスク５１０の上からイオン注入を行う。すると、マスク５１０の形状（厚さ）を反映した第１の部分１７１と第２の部分１７２と第３の部分１７３を有する高抵抗部１７４が活性層１４０とコンタクト層１６０の間に形成される。ここで、マスク５１０の材料としては酸化シリコン膜やレジストを用いることができる。イオン注入の条件を決めるパラメータとして、主にドーズ量と加速電圧が挙げられるが、各条件は特に限定されるものではない。例えば、ドーズ量は１×１０１４ｃｍ−２以上１×１０１６ｃｍ−２以下、加速電圧は５０ｋＶ以上４００ｋＶ以下の値を用いる。
【００５１】
最後に、コンタクト層の一部の上に、電流通過部と対応する領域に配置しないように電極を形成し、犠牲層の一部を除去して間隙を形成し、支持層と梁とを形成する。
【００５２】
電流狭窄構造１７０は、マスク５１０の形状によって、様々な形状をとることができる。図６は、本発明に含まれる電流狭窄構造の例のＸＺ断面を示している。黒い太線が高抵抗部１７４を表している。図１、３のように、高抵抗部１７４は、３つの部分からではなく、図６（ａ）乃至（ｃ）のように、Ｚ方向における断面において、Ｚ方向と交差する交差方向（Ｘ方向）に対して異なる傾きを有する２つの部分で構成されていてもよい。また、高抵抗部１７４は、図６（ｄ）乃至（ｆ）のように、Ｘ方向において、高抵抗部とコンタクト層（不図示）の間の距離、または高抵抗部と活性層（不図示）の間の距離が連続するような構成でもよい。
【００５３】
（実施形態２）
本実施形態では、実施形態１の面発光レーザを光源装置として用いた情報取得装置の例について説明する。波長可変型の光源装置は、光通信用光源や光計測用光源として利用することができる。さらに、波長可変型の光源装置は、非侵襲、非破壊で測定対象物の内部の情報を取得する情報取得装置の光源装置として利用することができる。以下では、本実施形態の光源装置を用いた情報取得装置の一例として、光干渉断層計（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ）を用いる撮像装置（以下、ＯＣＴ装置という）について図７を用いて説明する。
【００５４】
図７は、本実施形態に係るＯＣＴ装置を示す模式図である。ＯＣＴ装置は、光源装置６０１、干渉光学系６０２、光検出部６０３、測定対象物の内部情報を取得する情報取得部６０４、を少なくとも有する。光源装置６０１として、実施形態１の面発光レーザを用いることができる。また、図示していないが、情報取得部６０４はフーリエ変換器を有する。ここで、情報取得部６０４がフーリエ変換器を有するとは、情報取得部６０４が入力されたデータに対してフーリエ変換する機能を有していれば形態は特に限定されない。一例は、情報取得部６０４が演算部を有し、この演算部がフーリエ変換する機能を有する場合である。具体的には、演算部がＣＰＵを有するコンピュータであり、このコンピュータが、フーリエ変換機能を有するアプリケーションを実行する場合である。他の例は、情報取得部６０４がフーリエ変換機能を有するフーリエ変換回路を有する場合である。
【００５５】
光源装置６０１から出た光は干渉光学系６０２を経て測定対象の物体６１２の情報を有する干渉光となって出力される。干渉光は光検出部６０３において受光される。なお光検出部６０３は差動検出型でも良いし単純な強度モニタ型でも良い。受光された干渉光の強度の時間波形の情報は光検出部６０３から情報取得部６０４に送られる。情報取得部６０４では、受光された干渉光の強度の時間波形のピーク値を取得してフーリエ変換をし、物体６１２の情報（例えば断層像の情報）を取得する。なお、ここで挙げた光源装置６０１、干渉光学系６０２、光検出部６０３、情報取得部６０４を任意に設けることができる。
【００５６】
以下、光源装置６０１から光が照射されてから、測定対象の物体の内部の情報を得るまでについて詳細に説明する。光源装置６０１から出た光は、ファイバ６０５を通って、カップラ６０６に入り、照射光用のファイバ６０７を通る照射光と、参照光用のファイバ６０８を通る参照光とに分岐される。カップラ６０６は、光源の波長帯域でシングルモード動作のもので構成し、各種ファイバカップラは３ｄＢカップラで構成することができる。照射光はコリメーター６０９を通って平行光になり、ミラー６１０で反射される。ミラー６１０で反射された光はレンズ６１１を通って物体６１２に照射され、物体６１２の奥行き方向の各層から反射される。
【００５７】
一方、参照光はコリメーター６１３を通ってミラー６１４で反射される。カップラ６０６では、物体６１２からの反射光とミラー６１４からの反射光による干渉光が発生する。干渉した光はファイバ６１５を通り、コリメーター６１６を通って集光され、光検出部６０３で受光される。光検出部６０３で受光された干渉光の強度の情報は電圧などの電気的な情報に変換されて、情報取得部６０４に送られる。情報取得部６０４では、干渉光の強度のデータを処理、具体的にはフーリエ変換し断層像の情報を得る。このフーリエ変換する干渉光の強度のデータは通常、等波数間隔にサンプリングされたデータであるが、等波長間隔にサンプリングされたデータを用いることも可能である。
【００５８】
得られた断層像の情報は、情報取得部６０４から画像表示部６１７に送って画像として表示させてもよい。なお、ミラー６１０を照射光の入射する方向と垂直な平面内で走査することで、測定対象の物体６１２の３次元の断層像を得ることができる。また、光源装置６０１の制御は、情報取得部６０４が電気回路６１８を介して行ってもよい。また図示しないが、光源装置６０１から出る光の強度を逐次モニタリングし、そのデータを干渉光の強度の信号の振幅補正に用いてもよい。
【００５９】
ＯＣＴ装置は、眼科、歯科、皮膚科等の分野において、動物や人のような生体内の断層像を取得する際に有用である。生体の断層像に関する情報とは、生体の断層像のみならず、断層像を得るために必要な数値データをも含む。特に、測定対象を人体の眼底や歯、血管とし、それらの断層像に関する情報を取得することに用いられることが好適である。
【実施例】
【００６０】
以下に、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は以下に説明する実施例の構成に限定されるものではない。例えば、材料の種類や組成、形状や大きさは本発明の範囲内で適宜変更できる。また、以下の実施例では、レーザ発振波長として１０６０ｎｍ付近のものを示したが、適切な材料・構造の選択により、任意の波長での動作も可能である。
【００６１】
（実施例１）
本実施例では、ＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬについて説明する。本実施例のＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬは、図１乃至３で示されている。
【００６２】
本実施例のＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬは、図１で示すようにｎ−ＧａＡｓの基板１１０上にＡｌＡｓ／ＧａＡｓの下部反射鏡１２０と、Ａｌ０．２５ＧａＡｓの下部スペーサ層１３０とを有している。さらに、ＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬは、ＧａＩｎＡｓの量子井戸層とＧａＡｓＰの障壁層を３周期積層した多重量子井戸構造で構成された活性層１４０と、Ａｌ０．２５ＧａＡｓの上部スペーサ層１５０とを有している。そして、ＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬは、Ａｌ０．７ＧａＡｓのコンタクト層１６０と、ＧａＡｓの支持層１８０（図３参照）、Ａｌ０．７ＧａＡｓの梁１９０を有している。さらに、ＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬは、梁１９０の上に酸化チタンと酸化シリコンとが交互に積層されたＤＢＲを上部反射鏡（不図示）として有している。下部反射鏡１２０は、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓを５０ペア用いて構成されている。上部反射鏡は、酸化チタンと酸化シリコンを１０ペア用いて構成されている。
【００６３】
また、図１で示すように、活性層１４０とコンタクト層１６０の間に電流狭窄構造１７０が形成されている。電流狭窄構造１７０は、上部反射鏡と対応する位置に配置された電流通過部１７５と電流通過部１７５よりも抵抗が高い高抵抗部１７４とを有している。高抵抗部１７４は、第１の部分１７１と、第３の部分１７３と、第１の部分１７１の端と第３の部分１７３の端とをつなぐ第２の部分１７２とで構成されている。高抵抗部１７４は、半導体からなる構造体を積層した後に、酸化シリコンからなるマスクを用い、水素イオンを注入することで形成される。
【００６４】
図１で示すように、基板１１０の下にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの第１電極１９１が形成されている。そして、コンタクト層１６０上に、電流通過部１７５と梁１９０と重ならないようにＴｉ／Ａｕの第２電極１９４が形成されている。また、図３で示すように、梁１９０の上にはＴｉ／Ａｕの第３電極１９２が形成されている。
【００６５】
また、図１，３で示すように、コンタクト層１６０と梁１９０の間には間隙１８５が形成されている。間隙１８５は、一部が支持層１８０となるＧａＡｓ犠牲層を選択ウェットエッチングすることにより形成される。そのときのエッチャントとしては水とクエン酸（重量比１：１）を混ぜ合わせたクエン酸溶液と、濃度３０％の過酸化水素水を４：１の割合で混ぜたものを用いている。
【００６６】
図８（ａ）、（ｂ）は、本実施例のＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬにおいて、第２電極１９４と、電流通過部１７５と、第１の部分１７１と第２の部分１７２との境界の位置関係を示す模式図である。なお、図８（ａ）、（ｂ）では、梁、支持層は示されていない。図８（a）のＣ−Ｃ’断面が図８（ｂ）に対応している。なお、Ｚ方向、Ｘ方向、Ｙ方向の縮尺比率は一致していない。
【００６７】
本実施例ではコンタクト層１６０から活性層１４０までの距離は、５７０ｎｍである。図８（ｂ）で示すように、第３の部分１７３は活性層１４０の位置に形成されており、第１の部分１７１はコンタクト層１６０から３００ｎｍ、活性層１４０まで２７０ｎｍの位置に形成されている。
【００６８】
図８（ａ）、（ｂ）で示すように、電流通過部１７５は直径５μｍの円形である。第１の部分１７１の第２の部分１７２までの電流通過部１７５の径方向における長さは５μｍである。すなわち、第１の部分１７１と第２の部分１７２の境界線１７７は、電流通過部１７５の中心軸を中心として直径１５μｍの円の周に相当する。第２の部分１７２の電流通過部１７５の径方向における長さは１００ｎｍとしている。２つの第２電極１９４の距離は約２５μｍである。
【００６９】
第２電極１９４から電流通過部１７５までの抵抗について、本実施例と比較例で比較する。比較例では第３の部分と第２の部分がなく、第１の部分がその領域にあるような構成、すなわち、高抵抗部がほぼ傾きのない構成である。比較例の第１の部分は、本実施例と同様にコンタクト層から３００ｎｍ、活性層まで２７０ｎｍの位置に形成されている。本実施例において、第１の部分１７１とコンタクト層１６０との間にある領域の抵抗は４００Ω、第３の部分とコンタクト層１６０との間にある領域の抵抗は２００Ωである。その結果、第２電極１９４と電流通過部１７５の間の抵抗は４００＋２００＝６００Ωとなる。一方、比較例では第２電極と電流通過部の間の抵抗は４００×２＝８００Ωとなる。すなわち、本実施例の構成とすることで、２５％程度の抵抗減少の効果がある。なお、ここでは、第２の部分１７２は第１の部分１７１、第３の部分１７３に比べて小さいので、第２の部分１７２とコンタクト層１６０との間にある領域は、第１の部分の抵抗は無視した。
【００７０】
（実施例１の数値変形例）
また、本実施例で第１の部分１７１の電流通過部１７５の径方向の長さを２μｍに変更した場合、第１の部分１７１とコンタクト層１６０の間にある領域の抵抗１６０Ωとなる。また、第３の部分１７３とコンタクト層１６０との間にある領域の抵抗は３２０Ωとなる。その結果、第２電極１９４と電流通過部１７５の間の抵抗は４８０Ωとなるため、より抵抗を小さくできる。
【００７１】
本実施例における電流狭窄構造を用いることで、活性層１４０の発光領域近傍ではイオン注入によるダメージが低減され、さらに第２電極から電流通過部１７５までの抵抗を小さくすることが可能となる。
【００７２】
（実施例２）
本実施例は、実施例１と電流狭窄構造の形状が異なっている。それ以外は実施例１と同じである。そのため、電流狭窄構造の構成の差異について重点的に述べる。
【００７３】
図９（ａ）乃至（ｃ）は、本実施例のＭＥＭＳ−ＶＣＳＥＬにおいて、第２電極１９４と電流通過部３７５と、第１の部分３７１と第２の部分３７２との境界の位置関係を示す模式図である。なお、図９（ａ）乃至（ｃ）では、梁、支持層は示されていない。図９（ａ）のＤ−Ｄ’断面が図９（ｂ）と対応しており、図９（ａ）のＥ−Ｅ’断面が図９（ｃ）と対応している。
【００７４】
図９で示すように、活性層１４０とコンタクト層１６０の間に電流狭窄構造３７０が形成されている。電流狭窄構造３７０は、上部反射鏡と対応する位置に配置された電流通過部３７５と電流通過部３７５よりも抵抗が高い高抵抗部３７４とを有している。高抵抗部３７４は、第１の部分３７１と、第３の部分３７３と、第１の部分３７１の端と第３の部分３７３の端とをつなぐ第２の部分３７２とで構成されている。
【００７５】
実施例１では、第１の部分１７１と第２の部分１７２の境界線１７７が電流通過部１７５の中心軸を中心とする円の周である。そのため、図８（ａ）で示す、電流経路Ｒ１と電流経路Ｒ２との間で抵抗の差が大きくなっている。このため、電流注入分布に異方性が生じ、電流が集中するところで劣化が生じやすくなってしまう。
【００７６】
これに対して、本実施例では、図９（ａ）で示すように電流通過部３７５は円形であるが、第１の部分３７１と第２の部分３７２の境界線３７７は、電流通過部１７５の中心軸を中心とする楕円の周としている。より具体的には、電流通過部３７５の中心を基準にしてＹ方向における第１の部分３７１と第２の部分３７２の間の距離が、Ｘ方向における第１の部分３７１と第２の部分３７２の間の距離よりも大きくなっている。具体的には、電流通過部３７５の中心を基準にしてＹ方向における第１の部分３７１と第２の部分３７２の間の距離は、実施例１と同じく５μｍである。一方、電流通過部３７５の中心を基準にしてＸ方向における第１の部分３７１と第２の部分３７２の間の距離は、２μｍである。
【００７７】
実施例１と同様に、図９（ａ）の電流経路Ｒ３に対して電流経路Ｒ４の方が長い。ここで、本実施例の電流経路Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ、実施例１の電流経路Ｒ１、Ｒ２と対応している。電流経路Ｒ１と電流経路Ｒ３の電気抵抗は同じである。一方、電流経路Ｒ２に対して電流経路Ｒ４は、第１の部分３７１の長さが短くなり、第３の部分３７３の長さが長くなっている。このため、電流経路Ｒ２よりも電流経路Ｒ４の方が電気抵抗を小さくすることができる。その結果、電流経路Ｒ３と電流経路Ｒ４との差を、電流経路Ｒ１と電流経路Ｒ２との電気抵抗の差に比べて小さくすることができる。この結果、実施例１に対して電流注入分布の異方性を低減することができる。この結果、電流が一部に集中するということが低減され、劣化を抑制することが可能となる。
【符号の説明】
【００７８】
１２０  下部反射鏡
１４０  活性層
１６０  コンタクト層
１７０  電流狭窄構造
１７４  高抵抗部
１７５  電流通過部
１８５  間隙
１９０  梁
１９４  第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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