(57)【要約】【課題】型とインプリント材との間隙に気体を供給するのに有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】基板Ｗ上に供給されたインプリント材Ｒを型Ｍで成形して基板Ｗ上にパターンを形成するインプリント装置であって、型Ｍとインプリント材Ｒとの間隙に気体を供給する供給部１４０を有し、供給部１４０は、第１供給口１４１と、第２供給口１４２と、案内部材１４３とを含み、案内部材１４３は、第１供給口１４１と間隙とを接続する曲面を有し、供給部１４０は、第１供給口１４１から間隙への曲面に沿った気体の流れを形成し、かつ第２供給口１４２からの気体を流れに合流させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に供給されたインプリント材を型で成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型と前記インプリント材との間隙に気体を供給する供給部を有し、
前記供給部は、第１供給口と、第２供給口と、案内部材とを含み、
前記案内部材は、前記第１供給口と前記間隙とを接続する曲面を有し、
前記供給部は、前記第１供給口から前記間隙への前記曲面に沿った前記気体の流れを形成し、かつ前記第２供給口からの前記気体を前記流れに合流させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記第１供給口は、先細りの形状を有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記第１供給口からの前記気体の供給量は、前記第２供給口からの前記気体の供給量より少ないことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記気体は、前記型を透過しうる透過性気体であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記透過性気体は、ヘリウム及び水素のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記基板を保持して、前記インプリント材が前記基板に供給される位置から前記成形が行われる位置まで移動を行うステージを有し、
前記供給部は、前記ステージの前記移動の方向に前記気体を供給することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記基板を保持して、前記インプリント材が前記基板に供給される位置から前記成形が行われる位置まで移動を行うステージと、
前記供給部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記インプリント材が供給された前記基板上の領域が前記第２供給口を通過する前に前記第１供給口からの前記気体の供給を開始し、かつ前記領域が前記第１供給口に達する前に前記第２供給口からの前記気体の供給を開始するように、前記供給部を制御することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記第１供給口の長手方向の寸法は、前記パターンを形成すべき前記基板上の矩形領域の一辺の寸法より大きいことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
基板上に供給されたインプリント材を型で成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型と前記インプリント材との間隙に気体を供給する供給部を有し、
前記供給部は、第１供給口と第２供給口とを含み、前記第１供給口から前記間隙への前記型の有する曲面に沿った前記気体の流れを形成し、かつ前記第２供給口からの前記気体を前記流れに合流させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のインプリント装置において使用される、前記曲面を有することを特徴とする型。
【請求項１１】
基板上に供給されたインプリント材を型で成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置において使用される型であって、
前記インプリント装置は、前記型と前記インプリント材との間隙に気体を供給する供給部を有し、前記供給部は、第１供給口と、第２供給口とを含み、前記第１供給口から前記間隙への曲面に沿った前記気体の流れを形成し、かつ前記第２供給口からの前記気体を前記流れに合流させるものであって、
前記型は、前記曲面を有する、
ことを特徴とする型。
【請求項１２】
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置または請求項１０または１１に記載の型を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、型、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや磁気記憶媒体などのデバイスの微細化の要求が進み、基板上のインプリント材に型を接触させて微細パターンの形成を行うインプリント技術が注目を集めている。インプリント技術の一つとして、光硬化性樹脂をインプリント材に用いる光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のショット領域にインプリント材が供給される。次に、基板上のインプリント材に凹凸パターンを有する型が押し付けられ、成形される。型で成形されたインプリント材は、光の照射により硬化し、その後、離型することによりパターンが基板上に形成される。
【０００３】
このインプリント装置では、型をインプリント材へ押し付ける際に、型とインプリント材との間の大気が気泡となりインプリント材に混入し、凹凸パターンにインプリント材の未充填部分が発生することで正確なパターンが形成されない場合がある。特許文献１は、型とインプリント材との間に可溶性または拡散性の高い気体（ヘリウム等）を供給して気泡の残留を抑制するインプリント方法を開示している。型とインプリント材との間への雰囲気気体（インプリント雰囲気を構成する主たる気体）の供給効率を向上させる方法として、基板の移動によって雰囲気気体を型とインプリント材との間に供給する方法が開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１１−５１４６５８号公報
【特許文献２】特開２０１２−７９９６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２の方法では、基板の移動経路上の空間を雰囲気気体で充たす必要がある。ところが、基板の交換性を考えると基板の移動経路上の空間を完全な閉空間にすることは好ましくないため、雰囲気の形成にあたって外部空間に逃げる雰囲気気体の量も無視出来ない。すなわち、多量の雰囲気気体が必要となり、コストの点で不利となりうる。
【０００６】
本発明は、例えば、型とインプリント材との間隙に気体を供給するのに有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に供給されたインプリント材を型で成形して基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、型とインプリント材との間隙に気体を供給する供給部を有し、供給部は、第１供給口と、第２供給口と、案内部材とを含み、案内部材は、第１供給口と間隙とを接続する曲面を有し、供給部は、第１供給口から間隙への曲面に沿った気体の流れを形成し、かつ第２供給口からの気体を流れに合流させることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、型とインプリント材との間隙に気体を供給するのに有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】従来の供給部を説明する図である。
【図３】第１実施形態に係る供給部の動作を説明する図である。
【図４】第１実施形態に係るショット領域と第１供給口の幅との関係を示す図である。
【図５】第２実施形態に係る供給部の動作を説明する図である。
【図６】第２実施形態に係るショット領域と第１供給口の幅との関係を示す図である。
【図７】気体供給工程の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。ここでは、光硬化法を用いたインプリント装置として、紫外線の照射によって基板Ｗ上の未硬化のインプリント材Ｒを硬化させる紫外線硬化型のインプリント装置を使用した。ただし、インプリント材Ｒの硬化方法として、他の波長域の光の照射による方法や、他のエネルギー（例えば、熱）による方法を用いてもよい。また、以下の図においては、基板Ｗ上のインプリント材Ｒに対して照射される紫外線の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。本実施形態のインプリント装置は、基板ステージ１１０と、型保持部１２０と、ディスペンサ（インプリント材供給部）１３０と、ガス供給部（供給部）１４０と、制御部（不図示）と、を含む。制御部は、各部の駆動等を制御する。なお、本実施形態では、供給部１４０は、型Ｍに対して対称の位置にさらに配置されている（構成要素の図示は一部省略）。
【００１２】
基板ステージ１１０は、基板（ウエハ）Ｗを保持し（例えば、真空吸着による）、制御部により６自由度（Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、各軸の回転方向）で移動可能（可動）なように制御される。基板Ｗは、被処理基板であり、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などがあげられる。
【００１３】
型保持部１２０は、凹凸パターン（パターン部）Ｐを基板Ｗと対向する面に備えた型Ｍを保持して（例えば、真空吸着による）、Ｚ軸方向に駆動し、基板ステージ１１０に保持された基板Ｗに型Ｍの凹凸パターンＰを転写（成形）する。また、不図示の投影光学系による紫外線の照射によりインプリント材Ｒが硬化された後は、型Ｍを剥離する（離型）ためにＺ軸方向に駆動する。型保持部１２０は、Ｚ軸だけでなく、Ｘ軸、Ｙ軸、または各軸の回転方向にも駆動可能な構成であってもよい。型Ｍは、例えば、外周部が矩形であり、所定の凹凸パターンが３次元状に形成された型であり、石英ガラス等、紫外線を透過させることが可能な材料である。なお、インプリント材Ｒを効果させる光源は、水銀ランプなどのランプ類を採用可能であるが、凸凹パターンＰを透過し、かつインプリント材Ｒが硬化する波長の光を発する光源であれば、特に限定するものではない。
【００１４】
ディスペンサ１３０は、インプリント材Ｒを吐出して、基板Ｗ上にインプリント材Ｒを供給する。基板ステージ１１０を移動（スキャン移動やステップ移動）させてディスペンサ１３０によりインプリント材Ｒを供給することで、基板Ｗのパターン形成領域（ショット領域）ＳＲにインプリント材Ｒの層を形成する。なお、基板ステージ１１０に代え、または共に、駆動部を備えたディスペンサ１３０自体を動かしてもよい。
【００１５】
基板Ｗにインプリント材Ｒが塗布された後、基板ステージ１１０は、図中矢印で示す方向へ、型Ｍの基板側の面に構成された凸凹パターンＰの直下まで移動する。ショット領域ＳＲが、凸凹パターンＰの直下に移動すると、インプリント材Ｒと型Ｍとの接触が開始される（押印）。この状態で、凸凹パターンＰを透過する光を光照射部から照射することにより、インプリント材Ｒを硬化させ、凸凹パターンＰを基板Ｗから引き離す（離型）。これにより、基板Ｗ上のインプリント材Ｒに凸凹パターンＰに対応したパターンが転写（形成）される。
【００１６】
凸凹パターンＰとインプリント材Ｒとを接触させた時に、凸凹パターンＰの付近に大気が存在すると、凸凹パターンＰにインプリント材Ｒが充填される際に、気泡が残留して未充填部分が発生する。大気を減少させる為に、供給部１４０は、型Ｍ、インプリント材Ｒ及び基板Ｗの少なくとも１つに対してインプリント材Ｒの成形中に溶解又は拡散する性質を有する透過性気体をインプリント材Ｒと型Ｍとの間に供給する。透過性気体として、例えば、ヘリウムや水素などのガスを供給する。透過性気体を供給するインプリント材Ｒと型Ｍとの間隙は、例えば、０．１〜５ｍｍ程度である。透過性気体として可燃性の水素を使用する場合には、防爆システムをインプリント装置の内部に別途設置し、火気に注意した構成とする必要がある。さらに、インプリント材Ｒを成形する際に圧力を加えられること（圧力上昇）で凝縮して液化する性質を有する凝縮性気体をさらに供給してもよい。凝縮性気体としては、例えば、ＨＦＣ−２４５ｆａ（１、１、１、３、３ペンタフルオロプロパン、ＣＨＦ２ＣＨ２ＣＦ３）を代表とするＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）がある。
【００１７】
供給部１４０は、第１供給口（第１ガス供給口）１４１と、第２供給口（第２ガス供給口）１４２と、案内部材１４３と、制御弁１４４および１４５と、を有する。各部の詳細は後述するが、先だって、従来のインプリント装置のガス供給部について図２により説明する。従来のガス供給部１０は、ガス供給口１１を有する。ガス供給部１０による気体の供給は凸凹パターンＰとインプリント材Ｒとを接触させる押印工程に先駆けて実施する必要がある。そのため、ガス供給口１１は、基板Ｗのショット領域ＳＲにインプリント材Ｒを塗布するディスペンサ１３０の位置から、凸凹パターンＰ直下までの基板ステージ１１０の移動経路上に設置される。
【００１８】
凸凹パターンＰと基板Ｗとの間隙に対して透過性気体を効率よく供給するため、ガス供給口１１は型Ｍの端面近傍で、凸凹パターンＰと基板Ｗとの間隙に対して鉛直方向（Ｘ方向）に向い合う位置に設置されている。ガス供給部１０は、インプリント材Ｒがショット領域ＳＲに塗布され、凸凹パターンＰの直下への移動が始まると同時にガス供給口１１からインプリント雰囲気へ透過性気体を供給し始める（ガス充填工程）。基板Ｗの移動に伴い、透過性気体自身の粘性により凸凹パターンＰと基板Ｗとの間隙に透過性気体が引き込まれる。
【００１９】
この透過性気体の流れは、二つの平行平板間で一方を固定し他方を移動させたときに見られる、いわゆるクウェット流れで近似される。つまり、クウェット流れから想定される程度の透過性気体が凸凹パターンＰと基板Ｗとの間隙に充填されることになる。しかしながら、インプリント雰囲気への透過性気体の供給流量が十分でないと、基板ステージ１１０の移動に伴って、インプリント雰囲気に含まれる大気まで巻き込んでしまい、透過性気体で満たすべき間隙に大気が流入する可能性がある。
【００２０】
また、ガス供給口１１から透過性気体を供給する領域は、基板Ｗの移動、交換性及び型Ｍの交換性を考慮すると、閉空間にすることは難しい。そのため、ガス供給口１１から透過性気体を供給してインプリント雰囲気を形成するにあたっては、インプリント装置の環境内に放出されてしまう分も無視することが出来ない。
【００２１】
そこで、本実施形態では、従来のガス供給部１０を図１で示した供給部１４０として設けて、凸凹パターンＰと基板Ｗとの間隙への透過性気体の充填効率を向上させ、気体の使用量削減を実現する。
【００２２】
供給部１４０の構成要素について詳述する。供給部１４０が備える案内部材１４３は、その表面が型Ｍの基板Ｗと対向する面Ｓと、第１供給口１４１と連続するように構成された曲率半径Ｄの１/４円周をもつ。第１供給口１４１の構造は、透過性気体の出口方向に近くなるほどスリット幅（開口幅）が狭くなるテーパー（先細り）形状として、出口部のスリット幅を０．３ｍｍ〜１．５ｍｍ程度に絞ることで、吹出した気体の流速を上げる。また、第１供給口１４１と、第２供給口１４２とは同じ不図示のガス源とそれぞれ配管と制御弁１４４および１４５により接続されていて、個別に気体供給の制御を行える。
【００２３】
図３（Ａ）〜（Ｄ）は、供給部１４０の動作（透過性気体の供給タイミング）を説明する図である。図３（Ａ）は、基板Ｗにインプリント材Ｒが塗布されている状態を示す図である。インプリント材Ｒの供給が完了すると、ショット領域ＳＲが凹凸パターンＰの直下に位置するまで基板ステージ１１０が移動する（図３（Ｂ）〜（Ｃ））。移動が開始された後、Ｘ方向においてショット領域ＳＲが第２供給口１４２の位置Ｐ１を通過する前に、制御弁１４４が解放され第１供給口１４１から透過性気体の供給が開始される。
【００２４】
第１供給口１４１から供給される透過性気体は、案内部材１４３の表面に沿ってパターンＰと基板Ｗとの間隙に差し向けられる。この時の透過性気体の流れは、気体の粘性により、いわゆるコアンダ効果で説明される状態になる。すなわち、案内部材１４３の表面に近いほど流速が遅く、離れるほど流速が速くなり、気体の流れる方向が案内部材１４３の表面に沿うように曲がる。ここでは、第１供給口による透過性気体の流れを、一次気体流と称する。
【００２５】
ここで、コアンダ効果を発生し易くする条件について説明すると、第１供給口の出口部のスリット幅Ｂと、案内部材１４３の曲率半径Ｄとの関係が、
Ｂ/Ｄ≦０．１  （式１）
になるように構成することが望ましい。例えば、出口部のスリット幅Ｂを１ｍｍとすると、案内部材１４３の曲率半径Ｄは１０ｍｍ程度以上が必要となる。ここで、案内部材１４３の第１供給口１４１と接続する面に対し反対の面は型Ｍの面Ｓに連続している。したがって、一次気体流は案内部材１４３の作る１/４円周上に沿って流れたあと、面Ｓに沿って流れ、その結果として、凸凹パターンＰと基板Ｗとの間隙に流れ込む。
【００２６】
さらに、コアンダ効果により案内部材１４３の表面上を流れる一次気体流は流速が早い為、流れが細くなるので、その分体積が減り、圧力が下がる。したがって、その圧力低下分を補う為に、表面周辺の気体の引き込みが発生する。この引き込みによる気体の流れを二次気体流と称する。つまり、一次気体流は、一次と二次両方の気体流を合わせて凸凹パターンＰと基板Ｗの間隙に送る気体増量手段として働く。
【００２７】
本実施形態においては、図３（Ｃ）に示すように、Ｘ方向にて、ショット領域ＳＲが第１供給口１４１の位置Ｐ２に達する前に、制御弁１４５を解放して、案内部材１４３の周辺に、第２供給口１４２により透過性気体の供給を開始する。第２供給口１４２から供給された透過性気体は、二次気体流として、一次気体流の流れ方向に合流する。その結果、一次、二次と合わせて増量された透過性気体を凸凹パターンＰと基板Ｗとの間隙の入り口付近に送り込むことが可能となる。その結果、第１供給口１４１および第２供給口１４２から供給された透過性気体を外部に逃がすことなく、凸凹パターンＰと基板Ｗとの間隙の入り口付近を高い濃度の透過性気体雰囲気にすることが可能となる。
【００２８】
この状態で、ショット領域ＳＲの移動が継続する（図３（Ｄ））ので、凸凹パターンＰと基板Ｗとの間隙の入り口に送り込まれた透過性気体は、クウェット流れにより引き込まれ、当該間隙に充填される。
【００２９】
例えば、第１供給口１４１から一次気体流として０．２Ｌ/分の流量（供給量）で透過性気体を供給する。そして、第２供給口１４２から二次気体流として２．８Ｌ/分の流量（供給量）で透過性気体を供給すれば、一次、二次と合わせて３．０Ｌ/分の透過性気体を凸凹パターンＰと基板Ｗとの間隙の入り口付近に流すことが出来る。
【００３０】
なお、本実施形態のインプリント装置のスループットを考慮すると、透過性気体が供給された基板Ｗが凹凸パターンＰの直下まで移動する距離は短い方が良い。したがって、基板ステージ１１０は、インプリント材Ｒが基板Ｗに塗布される位置から供給部１４０を通過して凹凸パターンＰの直下までの経路は、通常直線となる。ところが、第１供給口１４１および第２供給口１４２の寸法がショット領域ＳＲの寸法より小さいと、ショット領域ＳＲに透過性気体が直接供給されないエリアが存在することになる。
【００３１】
図４は、本実施形態における矩形領域のショット領域ＳＲと第１供給口１４１の幅との関係をインプリント材Ｒの供給方向から見た図である。透過性気体がショット領域ＳＲをカバーできるように、例えば、図４のように第１供給口１４１の長手方向の寸法をショット領域ＳＲの一辺の寸法よりも大きくする。その他、複数の開口を設ける、スリット形状とするなどしてもよい。
【００３２】
以上のように、本実施形態のインプリント装置は、透過性気体を型Ｍと基板Ｗとの間に充填させるために、基板Ｗの移動経路上を閉空間にすることなく、また、多量のガスを必要とすることがない。本実施形態によれば、効率的に気泡の残留を抑制するインプリント装置を提供することができる。
【００３３】
（第２実施形態）
図５（Ａ）〜（Ｄ）は、第２実施形態に係る供給部１４０の動作を説明する図である。本実施形態のインプリント装置は、型変形部１６０をさらに有する。型変形部１６０は、例えば、空気や油等の流体で作動するシリンダを用いて型Ｍを外周方向から加圧することによって型Ｍの形状を変形させることができる。その他、型Ｍの温度を制御する温度制御部をさらに備え、型Ｍの温度を制御することによって型Ｍの形状を変形させる。基板Ｗは、熱処理などのプロセスを経ることによって変形（典型的には、膨張又は収縮）しうる。型変形部１４０は、このような基板Ｗの変形に応じて、基板Ｗと型Ｍとの位置が合うように型Ｍの形状を補正する。また、押印工程時に発生する歪みも補正できる。
【００３４】
型変形部１６０により、型Ｍを変形させると、案内部材１４３の表面と型Ｍの面Ｓとの連続性が崩れる場合がある。そこで、本実施形態では、型Ｍの端部を第１供給口１４１と連続する曲面ＣＳとして、曲面ＣＳと第１供給口１４１とを接続する構成とした。さらに、供給部１４０を型変形部１６０よりも、基板Ｗに近い側に配置した。これにより、型Ｍの変形の有無に関わらず、第１供給口１４１と型Ｍの面との連続性を維持することができる。また、第１実施形態のようにショット領域ＳＲより大きな寸法のガス供給口を構成できる。
【００３５】
ただし、型Ｍの厚みは通常６．５ｍｍ程度であり、型変形部１６０が型Ｍ端面に所望の力を印加可能な厚みを考慮すると、案内部材１４３の代替として利用できる型Ｍの端面領域の厚みは型Ｍの１/２以下の３ｍｍ程度である。したがって、曲率半径Ｄは最大でも３ｍｍになるので、上記式１の関係から、コアンダ効果を生み出すための、第１供給口１４１の出口部のスリット幅Ｂは、０．３ｍｍ程度になる。以上のような構成によっても第１実施形態と同様の効果を得られる。
【００３６】
図６は、第２実施形態に係るショット領域と第１供給口の幅との関係をインプリント材Ｒの供給方向から見た図である。第１実施形態と同様に、インプリント装置のスループットを考慮して、インプリント材Ｒが基板Ｗに塗布される位置から供給部１４０を通過して凹凸パターンＰの直下までの基板ステージ１１０の移動経路は直線とする。ガス供給口の幅も第１実施形態と同様にショット領域ＳＲよりも十分大きくしておくことが可能である。
【００３７】
図７は、上記実施形態におけるガス供給工程の流れを示すフローチャートである。各工程は、制御部により実行される。工程Ｓ１００では、制御部が基板ステージ１１０を制御して、ショット領域ＳＲの凹凸パターンＰの直下への移動を開始する。工程Ｓ１０１では、不図示の計測部による基板ステージ１１０の位置計測結果に基づいて、制御部により、ショット領域ＳＲが位置Ｐ１を通過したか否かを判定する（図３（Ｂ）、図５（Ｂ））。通過したと判断された場合（Ｙｅｓ）、基板ステージ１１０の駆動は継続したまま、制御弁１４４が解放され第１供給口１４１から透過性気体の供給が開始される（工程Ｓ１０２）。なお、ショット領域ＳＲが位置Ｐ１を通過する前に第１供給口１４１からの供給を開始する（工程Ｓ１０２を工程Ｓ１０１の前に行う）と、インプリント雰囲気を透過性気体で充たす点で有利となりうる。
【００３８】
位置Ｐ１を通過していないと判断された場合、基板ステージ１１０の移動を継続する。工程Ｓ１０２の後、工程Ｓ１０３では、工程Ｓ１０１と同様に、制御部が、ショット領域ＳＲが第１供給口１４１を横切り始める位置Ｐ２に到達したか否かを判定する。到達したと判断された場合（Ｙｅｓ）、さらに制御弁１４５が解放され、第２供給口１４２から透過性気体の供給が開始される（工程Ｓ１０４）。なお、ショット領域ＳＲが位置Ｐ１を通過し、かつ、位置Ｐ２に到達する前に第２供給口１４２からの供給を開始する（工程Ｓ１０４を工程Ｓ１０３の前に行う）と、インプリント雰囲気を透過性気体で充たす点で有利となりうる。位置Ｐ２に到達していないと判断された場合、基板ステージ１１０の移動を継続する。
【００３９】
工程Ｓ１０５では、制御部が、ショット領域ＳＲが凸凹パターンＰ直下に位置しているか否かを判断する。位置していると判断されたら、基板Ｗの移動を停止する（工程Ｓ１０６）。位置していないと判断された場合、基板ステージ１１０の移動を継続する。
【００４０】
工程Ｓ１０７では、押印工程、硬化工程、離型工程を含む一連のパターン成形工程が行われる。工程Ｓ１０８では、制御部は、ガス供給動作を終了させ、次に処理すべき対象ショット領域の処理工程へと移行する。
【００４１】
なお、基板Ｗの移動方向を、上記実施形態の方向から９０°向きを変えて移動させる場合は、供給部１４０を、その方向に対して９０°方向の型の端面に沿ってさらに設ける。第１供給口１４１と、第２供給口１４２とは、同じガスを供給してもよいし、互いに異なるガスを供給してもよい。互いに異なるガスを供給する場合は、適宜その比率は調整する。
【００４２】
（物品製造方法に係る実施形態）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述した型を用いたインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）上にインプリント材のパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４３】
（その他の実施形態）
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１４０      供給部
１４１      第１供給口
１４２      第２供給口
１４３      案内部材
Ｗ      基板
Ｍ      型
Ｒ      インプリント材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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