(57)【要約】      （修正有）【課題】増加した糊化開始温度及び制御された粘度推移を示すが、有意な高温及び低温粘度を保持し、特に増粘剤として有用であるデンプンの提供。【解決手段】サゴヤシの木のピッチから抽出されるサゴデンプンにおいて、サゴデンプンと実質的に同一の分子量、脱イオン水中でＤＳＣにより測定して少なくとも７１℃の糊化開始温度、１００〜６００ＭＶＵで１５ＭＶＵ/秒未満、好ましくは１０ＭＶＵ／秒未満、より好ましくは８ＭＶＵ／秒未満制御された粘度推移、少なくとも４００ＭＶＵのピーク粘度、及び、ピーク粘度から４０％未満、好ましくは３０％未満の粘度ブレークダウン、する物理変性サゴデンプン。天然サゴデンプンを図に示すプロセスフローで物理的変成を加えた物理変成サゴデンプン。【選択図】図１
2017014494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）天然サゴデンプンと実質的に同一の分子量、
（ｂ）脱イオン水中でＤＳＣにより測定して、少なくとも７１℃の糊化開始温度、
（ｃ）１００から６００ＭＶＵで１５ＭＶＵ/秒未満の制御された粘度推移、
（ｄ）少なくとも４００ＭＶＵのピーク粘度、及び、
（ｅ）ピーク粘度から４０％未満の粘度ブレークダウン、
を特徴とする、物理変性サゴデンプン。
【請求項２】
前記糊化開始温度は少なくとも７５℃である、請求項１記載の物理変性サゴデンプン。
【請求項３】
１００から６００ＭＶＵでの制御された粘度推移は１０ＭＶＵ/秒未満である、請求項１〜２のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
【請求項４】
１００から６００ＭＶＵでの制御された粘度推移は８ＭＶＵ/秒未満である、請求項３記載の物理変性サゴデンプン。
【請求項５】
前記ピーク粘度は少なくとも６００ＭＶＵである、請求項１〜４のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
【請求項６】
前記粘度ブレークダウンは３０％未満である、請求項１〜５のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
【請求項７】
１００ＭＶＵからピーク粘度までの制御された粘度推移は１０ＭＶＵ/秒未満であることをさらに特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
【請求項８】
結晶型は天然サゴデンプンと同一である、請求項１〜７のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
【請求項９】
最終粘度は天然サゴデンプンよりも大きいことをさらに特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
【請求項１０】
ピーク粘度が存在しないことをさらに特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の背景
本発明は増加した糊化開始温度及び制御された粘度推移を示し、なおも、有意な粘度を保持している物理変性サゴデンプン、このようなデンプンの製造方法及びその使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
デンプンはその粘性化特性を利用することにより、製品にテクスチャーを加えるために使用されうることは知られている。例えば、デンプンは製品をソース及びグレイビー、スープ、クリーマー、サラダドレッシング及び他の食品ならびに工業品中に使用され、製品を増粘し又はさらにはゲル化し、そして種々の機能を提供する。
【発明の概要】
【０００３】
発明の要旨
本発明は、膨潤抑制剤の存在下で過剰の水中でアニール処理されるか又は熱−湿分処理されるかのいずれかにより物理変性されたサゴデンプンに関する。得られた物理変性デンプンは増加した糊化開始温度及び制御された粘度推移を示し、なおも有意な粘度を保持する点で、ベースデンプン（熱処理前のデンプン）とは異なる。そのようなデンプンは、様々な製品において、特に増粘剤として有用である。
【０００４】
本明細書中に使用されるときに、サゴデンプンはサゴヤシの木のピッチから抽出されるデンプンを意味することが意図される。
【０００５】
アミロース含有とは、本明細書中に使用されるときに、デンプンを基準として少なくとも５％アミロース（ｗ／ｗ）を含むデンプンを意味することが意図される。
【０００６】
糊化とは、本明細書中に使用されるときに、デンプンが加熱調理され尽し、その粒状構造を失うプロセスを意味することが意図される。粒状はデンプンが冷水可溶性でなく（なおも少なくとも部分的に結晶性である）、そして複屈折性及び偏光下での典型的なマルタ十字を示すデンプンの構造を意味することが意図される。本明細書中に使用されるときに、糊化の間に、デンプンはその複屈折性を失い、また、その天然状態で存在するいかなるマルタ十字をも失う。
【０００７】
物理変性は、本明細書中に使用されるときに、アニール処理又は熱−湿分処理を意味することが意図され、ともに熱処理とも呼ばれることがある。
【０００８】
アニール処理は、本明細書中に使用されるときに、デンプン／水混合物（乾燥固形分基準）を基準として％水が少なくとも５０％（ｗ／ｗ）であるように過剰水中でデンプンを熱処理するプロセスを意味することが意図される。
【０００９】
熱湿分処理（ＨＭＴ）は、本明細書中に使用されるときに、デンプン／水混合物（乾燥固形分基準）を基準として％水が５０％（ｗ／ｗ）以下であるようにデンプンを熱処理するプロセスを意味することが意図される。
【００１０】
天然は、本明細書中に使用されるときに、サゴヤシから抽出された未変性のデンプンを意味することが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１はデンプンがアニール処理により物理変性される、本発明の１つの態様のプロセスフローダイアグラムを描写している。
【図２】図２は加熱の間のアニール処理サゴデンプンの制御された粘度／膨潤推移速度を描写している。
【図３】図３は天然デンプン及びアニール処理デンプン(6%固形分-乾燥基準、pH-6.0バッファー液)のMVAG-U 粘度プロファイルを描写している。
【図４】図４は天然タピオカデンプン及びアニール処理タピオカデンプン(6%固形分、pH-6.0バッファー液)のMVAG-U 粘度を描写している。
【図５】図５はモデル食品系中の天然サゴデンプン及びアニール処理サゴデンプン(1%デンプン-「そのまま」、糖−塩溶液)のＲＶＡ粘度プロファイルを描写している。
【図６】図６は糖−塩溶液中の天然サゴデンプン及びアニール処理サゴデンプンの糊化プロファイルを描写している。
【図７】図７は脱イオン（ＤＩ）水中の天然サゴデンプン及びアニール処理サゴデンプンの糊化プロファイルを描写している。
【図８】図８は天然サゴデンプン及びＨＭＴサゴデンプンのＸ−線回折パターンを描写している。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
発明の詳細な説明
本発明は、膨潤抑制剤の存在下で過剰の水中でアニール処理されるか又は熱−湿分処理されるかのいずれかにより物理変性されたサゴデンプンに関する。得られた物理変性デンプンは増加した糊化開始温度及び制御された粘度推移を示し、なおも有意な高温及び低温粘度を保持する点で、ベースデンプン（熱処理前のデンプン）とは異なる。
【００１３】
本発明に使用されるベース材料はサゴヤシの木のピッチから抽出された任意のアミロース含有天然サゴデンプンである。デンプンの少なくとも４０％がアミロースである市販のサゴの高アミロース種は存在しないが、このような高アミロースサゴデンプンはアミロースの存在のために本発明においてうまく機能することが期待される。本発明の方法において使用されるベースデンプンはインタクトな粒状形態でなければならず、例えば、糊化されていない。１つの実施形態において、ベースデンプンはヤシの木から抽出されたままの天然デンプンであり、転化（加水分解）されておらず、又は、別の方法で変性されていない。
【００１４】
デンプンは一般に２つの画分からなることがよく知られており、それらの画分はアミロースとして知られる実質的に直鎖の画分及びアミロペクチンとして知られる枝分かれ画分である。各デンプンタイプはそのデンプンの比率特徴的にこれらの２つの画分を含む。１つの実施形態において、質量基準で合計デンプンの約１５〜４０％の範囲のアミロース濃度を有するサゴデンプンは本発明において使用される。別の実施形態において、質量基準で合計デンプンの約２４〜３１％の範囲のアミロース濃度を有するサゴデンプンは本発明において使用される。さらに別の実施形態において、合計デンプン質量の４０％を超えるアミロース濃度を有する高アミロースサゴデンプンは使用される。さらになおも別の実施形態において、低アミロースサゴデンプン、又は、合計デンプン質量の１５％未満であるが、少なくとも５％のアミロースを含むサゴデンプンは使用される。本質的に１００％のアミロペクチンであり、アミロースをほとんど含まない（＜５％）又は全く含まないサゴデンプンは本発明に有用でない。
【００１５】
本発明はアニール処理又は熱湿分処理により物理変性されたサゴデンプンに関する。
【００１６】
アニール処理：
サゴデンプンは膨潤抑制剤の存在下に過剰の水の中でアニール処理されうる。本発明のアニール処理の初期工程はインタクトな粒状形態のアミロース含有サゴデンプン、膨潤抑制剤及び水を含む懸濁液又はスラリーの調製である。
【００１７】
懸濁液はデンプン粒子をスラリー化するために十分な水を含むべきである。１つの実施形態において、スラリー中のデンプン（乾燥基準）はスラリーを基準として少なくとも１０％（ｗ/ｗ）、別には少なくとも２０％（ｗ/ｗ）、さらに別には少なくとも３０％（ｗ/ｗ）、さらに少なくとも４０％ （ｗ/ｗ）、そしてなおもさらには５０％（ｗ/ｗ）までの量で存在する。より多量のデンプンは良好な撹拌を許容する傾向がなく、不均一な結果物となることがある。
【００１８】
デンプンと化学反応しない膨潤抑制剤はデンプンの添加の前、添加と同時に、又は、添加の後であるが、有意な加熱の前に添加される。１つの実施形態において、膨潤抑制剤は無機塩であり、そして別の実施形態において、硫酸ナトリウム、硫酸アンモニウム、硫酸マグネシウム、硫酸カリウム、塩化ナトリウム、リン酸ナトリウム、塩化カリウム、リン酸カリウム、塩化アンモニウム及びリン酸アンモニウムからなる群より選ばれる。さらに別の実施形態において、塩は硫酸ナトリウムである。
【００１９】
膨潤抑制剤は熱処理の間の糊化を阻害するのに有効な量で存在し、そして使用される塩及びサゴデンプン中のアミロースのレベルを含む、多くの要因に依存するであろう。１つの実施形態において、塩はデンプンを基準として１０〜６０％（ｗ/ｗ）、そして別には、２０〜５０％（ｗ/ｗ）の量で存在する。非糊化デンプンの水性懸濁液中の塩の存在は糊化を阻害し、分子再編成を生じさせることができる。
【００２０】
１つの実施形態において、スラリーのｐＨは加熱の前に６．５〜９．０に調節される。別の実施形態において、スラリーのｐＨは加熱前に６．５〜７．５に調節される。１つの実施形態において、ｐＨは加熱の間に維持される。別の実施形態において、ｐＨは加熱を開始した後に調節されない。適切なレベルにｐＨを維持するためにバッファーを使用することができる。デンプンの加水分解を防止しそしてベースデンプンと実質的に同様の分子量を維持するためにｐＨを酸性にさせないことが重要である。
【００２１】
水性スラリーは５０℃〜１００℃の穏やかな温度で加熱される。１つの実施形態において、デンプンスラリーは少なくとも５０℃の温度で、別には、少なくとも６０℃の温度で、さらに別には少なくとも７０℃の温度で、そしてさらになおも別には少なくとも７５℃の温度で加熱される。１つの実施形態において、デンプンスラリーは１２５℃以下の温度で、別には１００℃以下の温度で、さらに別には９０℃以下の温度で加熱される。温度は糊化を防止するために十分に低く維持されるべきであるが、より高い温度はアニール処理をより急速に進行させるであろう。
【００２２】
デンプンスラリーは有効な機能性に到達するためにデンプンをアニール処理するのに有効な時間加熱される。必要な時間はデンプンのアミロース含有分及び加熱温度を含む種々の要因によるであろう。加熱時間はデンプンスラリーが目標温度に到達した時点から測定される。１つの実施形態において、デンプンスラリーは少なくとも３０分間加熱され、別の実施形態において、少なくとも１時間、そしてなおも別の実施形態において、少なくとも２時間加熱される。１つの実施形態において、デンプンは２４時間以下の時間加熱される。
【００２３】
１つの実施形態において、温度はステップ状に上昇される。１つのこのような実施形態において、温度は少なくとも５０℃に上昇され、そして５０℃に少なくとも３０分間維持され、温度は、その後、少なくとも６０℃に上昇され、そして６０℃に少なくともさらに３０分間維持される(２段階加熱)。加熱は２段階よりも多くの段階で行ってもよい。この実施形態において、加熱時間はデンプンスラリーが各目標温度に到達した時点から測定される。
【００２４】
アニール処理は真空下、大気圧下又は高圧下のいずれの圧力で行ってもよい。１つの実施形態において、加熱は大気圧下で行われる。
【００２５】
熱湿分処理
サゴデンプンは熱湿分処理されることができる。熱湿分処理の初期工程は、場合により、デンプンに水を添加することである。もし、デンプンの湿分含有率（乾燥基準）が少なくとも１０％（ｗ/ｗ）であるならば、熱湿分処理は追加の水なしに行うことができる。場合により、デンプン／水混合物を基準として５０％（ｗ/ｗ）以下の量で水が存在するのに十分な水は添加されうる。
【００２６】
１つの実施形態において、この％湿分は加熱工程全体にわたって実質的に一定に維持される。別の実施形態において、加熱の間に水をブレンドに添加しない(すなわち、加熱工程の間に成分の平衡湿分以外に水が存在しない)。別の実施形態において、湿分含有率は熱湿分処理の間に制御（実質的に一定を維持）されず、得られる錯体はブレンドよりも低い湿分含有率を有する。
【００２７】
デンプンと化学反応しない無機塩は、場合により、デンプン水混合物中に混合されてよい。１つの実施形態において、塩は硫酸ナトリウム、硫酸アンモニウム、硫酸マグネシウム、硫酸カリウム、塩化ナトリウム、リン酸ナトリウム、塩化カリウム、リン酸カリウム、塩化アンモニウム及びリン酸アンモニウムからなる群より選ばれる。別の実施形態において、塩は硫酸ナトリウムである。
【００２８】
塩は熱処理の間の糊化を阻害するのに有効な量で存在し、そして使用される塩及びサゴデンプン中のアミロースのレベルを含む多くの要因によるであろう。混合物中の水成分中の塩の存在はデンプンの結晶構造を変化させる糊化を阻害することができる。
【００２９】
サゴデンプン／水混合物は、その後、約６０〜１６０℃の目標温度で、そして１つの実施形態において、約８０〜１２０℃の温度で熱−湿分処理される。最も望ましい温度及び水含有分はデンプンのアミロース含有分によって変化しうるが、デンプンが粒状状態のままであることが重要である。粒状状態はデンプンがその結晶性及び複屈折性失わないことを意味することが意図される。
【００３０】
１つの実施形態において、温度は段階的に上昇される。１つのこのような実施形態において、温度は、少なくとも６０℃に上昇され、そして少なくとも３０分間６０℃に維持され、その後、少なくとも７０℃に上昇され、そしてさらに少なくとも３０分間７０℃に維持される(２段階加熱)。加熱は２段階よりも多くの段階で行ってもよい。この実施形態において、加熱時間はデンプンスラリーが各目標温度に到達した時点から測定される。
【００３１】
加熱時間はデンプンスラリーが目標温度に到達した時点から測定される。目標温度での加熱時間はサゴデンプンのアミロース含有分、粒子サイズ、ならびに、湿分量及び加熱温度によって変更可能である。１つの実施形態において、このような加熱時間は約１５分〜２４時間であろう。別の実施形態において、目標温度での加熱時間は約３０分〜２時間であろう。
【００３２】
熱湿分処理は真空下、大気圧下又は高圧下のいずれの圧力で行ってもよい。１つの実施形態において、加熱は大気圧下で行われる。
【００３３】
追加の処理
物理変性サゴデンプンは熱処理の前又は後のいずれかに、追加的な処理がデンプンの粒状構造を破壊しないかぎり追加的に処理されてよい。１つの実施形態において、このような追加の処理としてはα−アミロースを用いた分解又は酸処理、そして別の実施形態において、化学変性を挙げることができる。１つの実施形態において、デンプンは化学変性されないであろう。デンプンの粒子サイズは熱処理の前に、例えば、細砕、凝集及び／又はシーブ掛けにより調節されうる。
【００３４】
デンプンはそのまま使用されても、又は、塩を除去するために最初に洗浄されてもよい。１つの実施形態において、塩は過剰の水で洗浄することにより使用前に除去される。デンプンは物理変性の前又は後のいずれかに、当該技術分野で知られている任意の方法により精製されてよく、該方法としては、限定するわけではないが、デンプンに生来的である又は処理の間に形成されるオフフレーバ、臭気及び色を除去することが挙げられる。デンプンを処理するための適切な精製方法はEP 554 818 (Kasicaら)により示される特許のファミリーに開示されている。アルカリ洗浄技術は有用であり、そして米国特許第4,477,480号(Seidel)及び同第5,187,272号(Bertalanら)により示される特許のファミリーに記載されている。１つの実施形態において、デンプンは色を減じることが当該技術分野で知られている方法を用いてブリーチされる。本発明の１つの態様において、デンプンは熱処理後に精製される。デンプンのｐＨはまた、当該技術分野で知られた方法を用いて熱処理後に調節されることができる。１つの実施形態において、錯体のｐＨは５．５〜８．０に調節される。
【００３５】
デンプンはまた、従来の方法を用いて回収されうる。１つの実施形態において、デンプンは当該技術分野で知られた乾燥手段により回収され、そして空気乾燥、ベルト乾燥、フラッシュ乾燥及びスプレイ乾燥からなる群より選ばれる。本発明の別の態様において、デンプンはスプレイ乾燥により乾燥される。別の態様において、デンプンはフラッシュ乾燥により乾燥される。デンプンが回収されるならば、糊化なしに行われることが重要である。
【００３６】
使用される熱処理前及び／又は熱処理後の処理方法はデンプンの物理特性又は化学特性をさらに制御し、又は、別にやりかたでデンプンを食品中での使用に望ましくさせることができる。
【００３７】
熱処理は所望の機能が達成されるまで継続される。得られた物理変性デンプンは増加した糊化開始温度及び制御された粘度推移を示すが、なおも有意な高温及び低温粘度を保持する点でベースデンプン（熱処理前のデンプン）とは異なる。加熱調理し尽され（糊化された）ときに、得られたデンプンは滑らかな非凝集性テクスチャーをさらに提供しうる。多くの他の物理変性デンプンとは対照的に、本発明の方法を用いたサゴデンプンの分子再構成は結晶構造の主要分類が保持されるように、結晶のタイプ（ｘ−線回折により測定）を変更することなく起こる。１つの実施形態において、物理変性サゴデンプンの結晶構造はＡ−型である。
【００３８】
得られたサゴデンプンは有意に加水分解されておらず、このため、熱処理前の天然サゴデンプンと実質的に同一の分子量を有するであろう。１つの実施形態において、平均分子量は天然サゴの分子量の少なくとも９０％であり、別の実施形態において、少なくとも９５％であろう。
【００３９】
得られたサゴデンプンは実施例セクションで示される脱イオン（ＤＩ）水中でのＤＳＣ法を用いて測定して、糊化開始温度（Ｔｏ）が少なくとも７１℃であり、別の実施形態において、少なくとも７５℃であり、なおも別の実施形態において、少なくとも８０℃である。得られたサゴデンプンは実施例セクションに示される脱イオン（ＤＩ）水中でのＤＳＣ法を用いて測定して、天然サゴデンプンよりも少なくとも２℃の糊化開始温度（Ｔｏ）の増加があり、別の実施形態では少なくとも５℃の増加があり、なおも別の実施形態では、少なくとも８℃の増加がある。
【００４０】
得られたサゴデンプンは実施例セクションに示されるＤＳＣモデル食品系方法を用いて測定して、糊化開始温度（Ｔｏ）が少なくとも７５℃であり、別の実施形態では、少なくとも８０℃であり、なおも別の実施形態では、少なくとも８２℃であり、そしてなおもさらに別の実施形態では、少なくとも８５℃である。得られたサゴデンプンは実施例セクションに示されるＤＳＣモデル食品系方法を用いて測定して、天然サゴデンプンよりも少なくとも３℃の糊化開始温度（Ｔｏ）の増加があり、別の実施形態では少なくとも５℃の増加があり、なおも別の実施形態では、少なくとも８℃の増加がある。
【００４１】
制御された粘度推移は糊化の有意な部分で制御された様式で粘度が上昇しそして急速に上昇しないことを意味する。１つの実施形態において、粘度推移はデンプン粒子の膨潤が遅延されることにより実証されるように遅延される。制御された粘度推移は実施例セクションにおいて示される脱イオン水法により１００から６００ＭＶＵ 、そして場合により、１００ＭＶＵからピーク（Ｔｐ）の粘度推移速度により測定される。１つの実施形態において、１００〜６００ＭＶＵの粘度推移速度は１５ ＭＶＵ/秒未満であり、別の実施形態では、１０ＭＶＵ/秒未満であり、なおも別の実施形態では、８ ＭＶＵ/秒未満であり、さらになおも別の実施形態では、５ ＭＶＵ/秒未満である。１つの実施形態において、１００からピーク粘度までの粘度推移の速度は１０ＭＶＵ/未満であり、別の実施形態では、８ＭＶＵ/未満であり、なおも別の実施形態では、５ＭＶＵ/sec未満であり、そしてさらになおも別の実施形態では、３ＭＶＵ/秒未満である。
【００４２】
幾つかの他のタイプの変性デンプンとは異なり、物理変性サゴデンプンは有意な粘度を保持している。粘度は実施例セクションに示される方法により、ピーク粘度及び最終粘度により測定される。１つの実施形態において、ピーク粘度は少なくとも４００ＭＶＵであり、別の実施形態では、少なくとも６００ＭＶＵであり、そしてなおも別の実施形態では、少なくとも７００ＭＶＵである。１つの実施形態において、最終粘度は天然サゴの粘度よりも高く、別の実施形態では、少なくとも１３００ＭＶＵであり、なおも別の実施形態では、少なくとも１５００ＭＶＵである。
【００４３】
さらに、物理変性の程度に依存して、得られたサゴデンプンは、９５℃まで、また、９５℃での保持の間に、粘度の継続的な増加を示し、粘度ブレークダウンが最小限に抑制され又は起こらない、熱及びせん断に対する非常に良好なプロセス許容性を示した。この徐々かつ制御された粘度推移は物理変性されたデンプン粒子の膨潤挙動の遅延の指標である。
【００４４】
さらに、粘度のブレークダウンは最小限に抑制される。粘度ブレークダウンとは実施例セクションに示されるMVAG-U法を用いたピークでの粘度−９５℃保持の最後における粘度をピークでの粘度で割ったものを意味する。１つの実施形態において、ブレークダウン粘度は４０％未満であり、別の実施形態では、３０％未満であり、なおも別の実施形態では、２０％未満であり、そしてさらになおも別の実施形態では、１０％未満である。本発明の１つの態様において、ピーク粘度は到達されず、そして粘度はMVAG-U 法全体をとおして上昇し続ける。
【００４５】
物理変性サゴデンプンは食品及び工業用途を含む種々の最終使用用途において使用することができる。 食品とは、本明細書中に使用されるときに、あらゆる摂取可能な製品を意味することが意図され、限定するわけではないが、食品、飲料品及び栄養補助食品が挙げられる。本発明のサゴデンプンが使用できる食品用途としては、限定するわけではないが、サラダドレッシング、ソース及びグレービング、乾燥ミックス、スープ、乳製品、例えば、プディング、カスタード、ヨーグルト、サワークリーム、チーズなど、フラン及びパイフィリング、フルーツプレップ、ゼリー及びジャム、ベーカリー製品、例えば、ケーキ、マフィン、ブラウニー、クッキー、パンなど、菓子類、スナック、バッター、ブレッディング及びコーティング、レトルト製品及び肉製品が挙げられる。工業用途としては、限定するわけではないが、医薬品、ホームケア及びファブリックケア製品、パーソナルケア製品、紙、農産品、塗料、バイオプラスチック、ガラス繊維、油井掘削、鉱業製品が挙げられる。
【００４６】
１つの実施形態において、物理変性サゴデンプンは希薄−濃厚用途に使用される。希薄−濃厚用途は、本明細書中に使用されるときに、水性デンプン懸濁液が初期的に粘度が低い（薄い）が、加熱、せん断又は他のプロセス処理時に完全に粘度を向上させることが好ましい組成物である。１つの例において、希薄−濃厚用途はレトルト処理組成物である。このような組成物の初期の希薄な粘度により、完全なレトルト処理サイクルが２０分未満である高温−短時間殺菌（ＨＴＳＴ）で処理されるなどの、このような組成物の加熱殺菌に必要な初期の急速な熱の透過が可能となる。熱の透過の後に、又は、時には、このような透過の間に、デンプンは粘度を向上させ、優れた色、滑らかなテクスチャー、良好な透明性、風味及び／又は食品価値に寄与する。別の同様な希薄−濃厚用途はＵＨＴ (超高温)処理である。なおも別には、無菌包装である。これらのプロセスのいずれかにおいて、デンプンはF0 値が達成されるまでそのピーク及び/又は最終粘度に到達しない。F0 は適切な胞子破壊（最小限の健康保護又は商業無菌化）を提供するための分での時間（１２１℃の基準温度）である。このような組成物の例としては、限定するわけではないが、缶詰め食品、例えば、スープ又はソース中の粒状食品（例えば、ベークドビーン）、フルーツプレップ、ジャム、ゼリー、フルーツフィリング、ならびに、プディング及びカスタードが挙げられる。
【００４７】
別の実施形態において、希薄-濃厚用途は低温殺菌であり、限定するわけではないが、ミルク、クリーマー及びヨーグルトを含む乳製品組成物、ソイミルク又はナッツミルク及び非乳製品クリーマーなどの乳製品代用組成物、乳幼児用ミルク製剤、成人用食品代替品及びサプリメント飲料品ならびにビール及びワインなどのアルコール飲料品の低温殺菌が挙げられる。これは上記の加熱処理と同様であるが、生存病原体の数を低減するために行われ、組成物をかならずしも無菌化させる必要はない。低温殺菌としてはHTST及びUHT (上記)ならびに（長期貯蔵寿命）加工処理を挙げることができる。
【００４８】
これらのタイプのプロセスは当該技術分野でよく知られている。本発明の１つの態様において、増加した糊化開始温度により、物理変性サゴデンプンを完全に膨潤させ又は加熱調理す尽すことなく、食品を低温殺菌又は無菌化することができる。これにより、食品加工者又は最終使用者（例えば、消費者）が後の時点でそのようにする機会を備えさせる。このため、完全粘度推移は後の加工処理の間又は家での食品の加熱調理の際などの低温殺菌又は無菌化の後に、商品加工者又は最終使用者によって上昇されうる。
【００４９】
本発明の別の態様において、希薄−濃厚用途は粘度推移がせん断により誘発されるものである。このような態様としては、サラダドレッシングなどの高せん断加工処理が挙げられる。このような組成物の初期の希薄粘度により、より少ないエネルギーで及び/又は組成物に悪影響を及ぼさずに容易にせん断加工処理が可能である。せん断加工処理が進行したときに、又は、その完了後に、デンプンは粘度を上昇させ、優れた色、滑らかなテクスチャー、良好な透明性、風味及び/又は食品の価値に寄与するが、デンプンは加工処理が有意に完了するまで、そのピーク及び/又は最終粘度に到達しない。
【００５０】
本発明のなおも別の実施形態において、物理変性サゴデンプンは、ドライミックス中に使用でき、該ドライミックスとしては、限定するわけではないが、パンケーキ及びワッフルミックス、焼き製品ミックス、例えば、パン、ビスケット、マフィン、ケーキ及びクッキー、スープミックス、粉末クリーマー及びグレービーミックスが挙げられる。このような用途において、糊化開始の遅れ及び制御された粘度推移により、最終組成物（例えば、バッター又は液体）中により良好に取り込まれることができる。
【００５１】
物理変性サゴデンプンは特定の最終使用用途に望ましい特性を達成するためのいかなる量で使用されてもよい。一般に、デンプンは製品の質量の少なくとも約１％、特に少なくとも約２．５％、より特に少なくとも約５％の量で使用される。一般に、デンプンは製品の質量の約９５％以下、特に約９０％以下、より特に約８０％以下の量で使用される。
【００５２】
実施形態
以下の実施形態は本発明をさらに例示しそして説明するために提示され、いかなる点でも限定するものとして解釈されるべきでない。
【００５３】
１．ａ．天然サゴデンプンと実質的に同一の分子量、
ｂ．脱イオン水中でＤＳＣにより測定して、少なくとも７１℃の糊化開始温度、
ｃ．１００から６００ＭＶＵで１５ＭＶＵ／秒未満の制御された粘度推移、
ｄ．少なくとも４００ＭＶＵのピーク粘度、及び、
ｅ．ピーク粘度からの４０％未満の粘度ブレークダウン、
を特徴とする、物理変性サゴデンプン。
２．糊化開始温度が少なくとも７５℃である、実施形態１記載の物理変性サゴデンプン。
３．糊化開始温度が少なくとも８０℃である、実施形態１記載の物理変性サゴデンプン。
４．１００から６００ＭＶＵでの制御された粘度推移は１０ＭＶＵ／秒未満である、実施形態１〜３のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
５．１００から６００ＭＶＵでの制御された粘度推移は８ＭＶＵ／秒未満である、実施形態４記載の物理変性サゴデンプン。
６．１００から６００ＭＶＵでの制御された粘度推移は５ＭＶＵ／秒未満である、実施形態４記載の物理変性サゴデンプン。
７．ピーク粘度は少なくとも６００ＭＶＵである、実施形態１〜６のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
８．ピーク粘度は少なくとも７００ＭＶＵである、実施形態７項記載の物理変性サゴデンプン。
９．粘度ブレークダウンは３０％未満である、実施形態１〜８のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
１０．粘度ブレークダウンは２０％未満である、実施形態９記載の物理変性サゴデンプン。
１１．粘度ブレークダウンは１０％未満である、実施形態１０記載の物理変性サゴデンプン。
１２．１００ＭＶＵからピーク粘度までの制御された粘度推移は１０ＭＶＵ/秒未満であることをさらに特徴とする、実施形態１〜１１のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
１３．１００ＭＶＵからピーク粘度までの制御された粘度推移は８ＭＶＵ/秒未満である、実施形態１２記載の物理変性サゴデンプン。
１４．１００ＭＶＵからピーク粘度までの制御された粘度推移は５ＭＶＵ/秒未満である、実施形態１２記載の物理変性サゴデンプン。
１５．１００ＭＶＵからピーク粘度までの制御された粘度推移は３ＭＶＵ/秒未満である、実施形態１２記載の物理変性サゴデンプン。
１６．結晶タイプは天然サゴデンプンと実質的に同一のタイプである、実施形態１〜１５のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
１７．最終粘度は天然サゴデンプンよりも大きいことをさらに特徴とする、実施形態１〜１６のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
１８．最終粘度は少なくとも１３００ＭＶＵであることをさらに特徴とする、実施形態１〜１７のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
１９．最終粘度は少なくとも１５００ＭＶＵである、実施形態１８記載の 物理変性サゴデンプン。
２０．ピーク粘度が存在しないことをさらに特徴とする、実施形態１〜１９のいずれか１項記載の物理変性サゴデンプン。
【実施例】
【００５４】
以下の実施例は本発明をさらに例示しそして説明するために提示され、いかなる点でもる限定するものと解釈されるべきでない。すべての百分率は質量/質量基準である。
以下の試験は実施例全体で使用された。
【００５５】
粘度測定:
２つの機器分析であるマイクロ-ビスコ-アミロ-グラフユニバーサル（Micro Visco-Amylo-Graph Universal） (MVAG-U)及び急速ビスコ分析器（Rapid Visco Analyser） (RVA)を用いて、アニール処理されたデンプンの粘度変化を特徴付け、そして天然の未変性デンプンと比較した。
【００５６】
マイクロ-ビスコ-アミロ-グラフユニバーサル（Micro Visco-Amylo-Graph Universal） (MVAG-U)を用いた粘度プロファイル：
天然デンプン及び物理処理されたデンプンの粘度プロファイルはBrabender GmbH & Co. KG、Duisburg, Germanyにより供給されたMVAG-Uモデル# 803222 (11V, 50/60 Hz)により測定した。ビスコグラフ評価及びビスコグラフ相関ソフトウエアを用いて、粘度データを分析した。
【００５７】
ｐＨ−６．０バッファー液の調製：
7.74グラムのクエン酸一水和物(C6H8O7*H2O, FW=210.14, J.T. Baker #0110又は等価物)及び17.93グラムの二塩基性リン酸ナトリウム無水物(Na2HPO4, FW = 141.96, J.T. Baker # 3828又は等価物)を974.33グラムの蒸留水又は脱イオン水中に溶解した。
【００５８】
【表１】
2017014494.tif 000003
【００５９】
以下のとおりにサンプルを調製しそして操作する:
１）6.6無水グラムのデンプンを測定ボールで目標質量± 0.05グラムの範囲内に計量する。
２）pH-6.0バッファー液を合計質量110.0 ± 0.05 グラムになるまで添加する。
３）加熱及び冷却のための温度プロファイルで以下のパラメータをロードする。
【００６０】
【表２】
2017014494.tif 000004
【００６１】
４）幾つかの評価ポイントを取って、デンプン粘度を特徴化した。
a.初期糊化/ペースト化温度：初期加熱段階の間に、デンプンは膨潤し始め、それを粘度の上昇として記録する。デンプンがベースラインから３０ＭＶＵ以上の粘度に達成する温度を糊化/ペースト化温度として記録する。
b.ピーク粘度：デンプン粒子の多くが糊化を経験し、そして加熱調理し尽されそして完全に膨潤したインタクトな粒子であると考えられるときの粘度。
c.最終粘度：使用した方法により冷却したときの最後の最終粘度。
d.粘度推移速度の測定（ＭＶＵ/秒）
１．粘度推移速度１：１００から６００ＭＶＵの粘度に到達するのに要する時間で割って測定。
速度１：[600 MVU - 100 MVU] / [時刻600 MVU - 時刻100MVU]
２．粘度推移速度２：１００ＭＶＵからピーク粘度又は９５℃保持の最後に到達した粘度に要する時間で割って測定。
速度２：[600 MVU - 100 MVU] / [時刻peak or 95°C hold - 時刻100MVU]
粘度ブレークダウン： 100% * [粘度peak - 粘度end95°hold] / [粘度peak]
【００６２】
急速ビスコアミログラフを用いた粘度測定
天然デンプン及び物理変性デンプンを以下の条件で試験した。
サンプル調製: 1gの「そのまま（as is）」のデンプン及び25gの塩/糖溶液をＲＶＡカップで計量する。
ＲＶＡ 設備：時間/温度プロファイル
RVAプロファイル：プロファイル記載:標準1 (STD1)
【００６３】
【表３】
2017014494.tif 000005
【００６４】
【表４】
2017014494.tif 000006
【００６５】
示差走査熱量測定 (DSC)による熱分析
熱量測定法をデンプンの糊化挙動を研究するために使用した。本発明において、示差走査熱量測定(DSC)を用いて、デンプンの熱転移(すなわち、糊化温度及び糊化エンタルピー)を測定した。溶液マトリックス及び/又は糖、塩、脂質、タンパク質、ヒドロコロイドなどの存在はデンプンの糊化挙動に有意に影響を及ぼすことが知られている。それゆえ、天然デンプン及び物理変性デンプンを水中、ならびに、モデル食品製剤マトリックス（糖-塩溶液）中で試験した。
【００６６】
クーリングアクセサリーIntracooler 2Pを備えた Perkin Elmer DSC 8500を用いて、１）脱イオン水及び２）糖-塩溶液中での上記デンプンの熱特性を測定した。サンプルを５〜１４０℃で１０℃/分の加熱速度でスキャンした。糊化温度(Tonset, Tpeak, Tend -℃)及びエンタルピー値(ΔH - ジュール/グラム)を報告する。
【００６７】
１）ＤＳＣ：脱イオン（ＤＩ）水中での糊化の開始
ＤＩ水：約10 mgの無水デンプンをステンレススチール密封ＤＳＣパン中で計量し、そして水を添加して、水/デンプン比を3:1 (R=3)とした。
【００６８】
２）ＤＳＣ：モデル食品系中での糊化の開始
約10 mgの無水デンプンをステンレススチール密封ＤＳＣパン中で計量し、そして糖塩溶液を添加し、溶液/デンプン比を2.5:1とした。
【００６９】
【表５】
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【００７０】
デンプン化学者が合意するとおり、デンプン糊化は粒子膨潤、天然結晶融解、複屈折性の損失及びデンプン可溶化などの特性の非可逆変化から明らかになる「デンプン粒子内の分子規則性の崩壊（混乱）」として説明される。これらの物理変性デンプンは粘弾性、結晶性（程度及びタイプ）、糊化及び老化、膨潤挙動、酵素消化性及び他の特性の変化を示す。これらのタイプの変化はＢ型結晶パターンを含むアミロース含有デンプン（例えば、バレイショ、ヤムなど）でより顕著であり、一方、Ａ−型及びワクシーシリアルデンプンは構造及び機能特性にほとんど変化を示さない。本発明において、Ａ型結晶パターンを有するサゴデンプンはＸ−線パターンに知覚可能な変化を有することなく、上記の機能特性の有意な変化を示すことが驚くべきことに発見された。
【００７１】
例１：物理変性（アニール処理）デンプンの調製
アニール処理したデンプン(サゴ、バレイショ、タピオカ、サツマイモ、エンドウマメ)を、アミロース含有デンプンのインタクトな粒子形態及びデンプンの糊化温度を上昇させるために有効な無機塩の水性懸濁液を特定のｐＨで制御して加熱することにより調製した。レギュラーコーンデンプン、レギュラーバレイショデンプン、ワクシーバレイショデンプン、サツマイモデンプン、エンドウマメデンプン、タピオカデンプン及びサゴデンプンなどの種々の植物源由来の範囲のデンプンを使用した。
【００７２】
サゴデンプンに特異的な全体のアニール処理プロセスフローダイアグラムを図１に描写している。同様のアニール処理プロセスフローはまた、本明細書に下記に示される特定の温度及び保持時間に調節して、本明細書中に記載の他のデンプンをアニール処理するために使用される。
【００７３】
Ａ．アニール処理されたサゴデンプンＡＮＮ１
１）１００質量部のデンプン当たり約５０部の水を２５〜５０℃で添加することにより、サゴデンプンスラリーを調製した。
２）無機塩である硫酸ナトリウムをサゴデンプンスラリー中に溶解した。１００質量部の乾燥デンプン当たりに２０〜２５部の塩を添加した。
３）デンプン-塩スラリーを１時間以内に７５℃の温度に加熱し（その環境中でのデンプンの糊化開始温度未満）、そして２時間維持した。スラリー温度は制御して８０℃に上昇させ、そして４時間維持した。その後、スラリーを制御して８５℃にさらに上昇させ、そして４時間維持した。
４）一旦、アニール処理を完了したら、従来の回収工程を用いた。物理変性デンプンを、ろ過しそして塩を洗浄することにより回収した。デンプンスラリーを４５℃に冷却し、そしてろ過した。デンプンケークを１５０部の水で２回洗浄し、残存している塩を除去した。デンプンを空気乾燥により回収し、そして天然サゴと同様の粉末粒子サイズへとミルを用いて微細粉砕した。
【００７４】
Ｂ．アニール処理されたサゴデンプンＡＮＮ２を、例１Ａと同じ方法を用いて調製したが、８５℃で保持した後に、制御しながら、温度を９０℃になおもさらに上昇させ、４時間保持する追加の工程を含んだ。
【００７５】
Ｃ．アニール処理されたサゴデンプンＡＮＮ３は例１Ａと同じ方法を用いて調製したが、８０℃での保持は３時間であり、そして８０℃を超える加熱工程を削除した。
【００７６】
Ｄ．アニール処理されたサゴデンプンＡＮＮ４は例１Ａと同じ方法を用いて調製したが、８０℃を超える加熱工程を除去し、そしてデンプンをフラッシュ乾燥により回収した。
【００７７】
実施例において使用されるサゴデンプンの簡単な説明：
１．天然サゴデンプン-天然未変性サゴデンプン
２．ＡＮＮサゴ１： [７５℃で２時間→８０℃で４時間→８５℃で４時間]、空気乾燥及びミル処理
３．ＡＮＮサゴ２： ＡＮＮサゴ[７５℃で２時間→８０℃で４時間→８５℃で４時間→９０℃で４時間]、空気乾燥及びミル処理
４．ＡＮＮサゴ３：ＡＮＮサゴ[７５℃で２時間→８０℃で３時間→８５℃で４時間]、空気乾燥及びミル処理
５．ＡＮＮサゴ４:ＡＮＮサゴ[７５℃で２時間→８０℃で４時間]、フラッシュ乾燥により回収。
【００７８】
例２−比較のデンプンの調製
天然タピオカ及びバレイショデンプンを比較の目的でアニール処理した。例１の基本アニール処理プロセスを用いた。比較デンプンの簡単な説明は以下のとおりである。
１．天然タピオカデンプン-天然未変性タピオカデンプン
２．ＡＮＮタピオカ１：[７５℃で２時間→８０℃で４時間→８５℃で４時間]、空気乾燥及びミル処理
３．天然バレイショデンプン-天然未変性バレイショデンプン
４．ＡＮＮバレイショ１：[６５℃で２時間→７５℃で４時間]、空気乾燥及びミル処理。
【００７９】
例３：熱湿分処理（ＨＭＴ）プロセスを用いた物理変性デンプンの調製
スプレイボトルを用いて、脱イオン水を、Kitchen-Aidミキサー中で混合しながらサゴデンプン粉末上にスプレイした。最終の湿分含有率を５％湿分間隔で１５〜３５％で調節した。湿気を持ったデンプン粉末を、その後、ガラスジャー中にシールし、そして一晩平衡化した。シールされた湿潤化されたデンプン粉末を２〜３時間、ストック蒸留器を用いて７５〜１２０℃で熱処理した。熱−湿分処理の後に、デンプンを空気乾燥し、そして微細粉末に細砕した。
【００８０】
熱湿分処理（ＨＭＴ）デンプンについてのサンプル説明：
１．ＨＭＴサゴ１−３時間で湿分２０％、温度１００℃
２．ＨＭＴサゴ２−３時間で湿分３０％、温度１００℃
３．ＨＭＴサゴ３−３時間で湿分２０％、温度１１５℃
【００８１】
例４−アニール処理による物理変性サゴデンプンの遅延粘度推移及び制御された膨潤挙動
例４において使用される物理変性サゴデンプンを例１に記載のとおりで、そのプロセスの説明が示されているとおりのアニール処理プロセスを用いて製造した。図３は天然デンプン及びアニール処理デンプンのMVAG-U粘度(6% 固形分−乾燥基準、pH-6.0バッファー液)を描写している。
【００８２】
【表６】
2017014494.tif 000008
【００８３】
図３及び上記の表３に記載されるとおり、アニール処理サゴデンプンのペースト化/糊化開始温度は天然未変性デンプンと比較して有意に増加した。さらに、アニール処理プロセスの程度に依存して、物理変性サゴデンプンは９５℃まで粘度の継続的な上昇を示し、また、９５℃での保持の間に、非常に良好な加熱及びせん断に対するプロセス許容性を示し、最小限の粘度ブレークダウンを示すか又は粘度ブレークダウンを示さない。この徐々の制御された粘度推移は物理変性デンプン粒子の遅延膨潤挙動の指標である。物理変性サゴデンプンはまた、有意なテクスチャーの改良を示し、食品に適切である滑らかで非凝集性のテクスチャーを示した。２４時間後の逆行デンプンはゲル強度挙動において差異をも示し、アニール処理サゴデンプンについて、ずっと柔軟なゲルを示した。
【００８４】
【表７】
2017014494.tif 000009
【００８５】
処理されたサゴデンプンの粘度推移速度及び膨潤挙動を評価するために、幾つかの評価点は表４に記載されるとおりに測定された。天然サゴは粘度を100〜600 MVUに達するのに30 MVU/秒の粘度推移速度１を示し、一方、物理変性デンプンのすべては0.54〜8.33 MVU/秒の制御された速度を示した。物理変性デンプンの多くは粘度プロファイル及び顕微鏡データ（ここに図示されていない）により指示されるとおり、完全には膨潤せず、加熱調理され尽されてなかったので、第二の外挿を行ない(線形性を仮定)、100 MVUの粘度から最大膨潤（すなわち、ピーク粘度）に達するのに要する時間から粘度推移速度を決定した。また、物理変性サゴデンプンは天然デンプン(10.13 MVU/秒)と比較して、有意に低い粘度推移速度 (0.45〜4.49 MVU/秒)及び制御された膨潤挙動を示したことが明らかである。
【００８６】
図４（比較）に示されるとおり、アニール処理タピオカデンプンは天然ベース材料と比較して、糊化/ペースト化開始温度の遅延を示したが、粘度推移の遅延又は膨潤の遅延を示さなかった。アニール処理タピオカデンプンは膨潤状態まで急速に加熱調理され尽され、そしてショートで滑らかな非凝集性テクスチャーを示さなかった。
【００８７】
例５-食品モデル系（糖-塩溶液）中でのアニール処理による物理変性サゴデンプンの遅延された粘度推移及び制御された膨潤挙動
例５において使用される物理変性サゴデンプンは例１に記載され、そしてそのプロセスの説明が示されているとおりのアニール処理プロセスを用いることにより製造された。
【００８８】
デンプンの粘度及び膨潤挙動ならびにその増粘性能はまた、糖-塩溶液の食品モデル系を用いて測定した。アニール処理の程度に依存して、物理変性されたタピオカデンプンは用途及び食品を製造するための処理パラメータによって決まる範囲の遅延粘度推移、遅延膨潤及びプロセス範囲を有することができる。図５に示されるとおり、アニール処理サゴデンプンは天然サゴデンプンと比較して、遅延された粘度推移（すなわち、制御され及び/又は遅延された膨潤）及び良好な増粘特性を示した。有意な遅延膨潤（すなわち、より高い抑制レベル）を示すアニール処理サゴデンプンをレトルト食品系において使用することができた。
【００８９】
例６-ＤＳＣ（糖-塩溶液中で）により測定される際の物理変性サゴデンプンの遅延糊化
例６において使用される物理変性サゴデンプンは例１に記載され、そしてそのプロセスの説明が示されているとおりのアニール処理プロセスを用いることにより製造された。
【００９０】
【表８】
2017014494.tif 000010
【００９１】
糖-塩溶液中の熱特性：アニール処理サゴデンプンは天然デンプンと比較して狭い糊化ピークを示し、そして糖-塩溶液中でより低い糊化エンタルピー値を示した。天然デンプンはTonsetが７４．３℃であり、デルタＨ値が１８．１Ｊ/ｇであることを示した。アニール処理条件に依存して、物理変性サゴデンプンはTonset が９０．７℃の高さとなるまで１５℃までの増加を示した。アニール処理サゴデンプンのエンタルピー値はまた、インタクトな粒子構造を保持しながら、低減した（６．９Ｊ/ｇまでの大きさで)。物理変性サゴデンプンは同等であるか（データを示していない）又は低下したエンタルピー値を有しながら、より高いTonset 及びTpeak 温度を示した。より高い糊化開始温度及びピーク糊化温度はＲＶＡデータとよく相関しており、アニール処理サゴデンプンの膨潤に対するより高い耐性を示す。同様の熱挙動は、典型的には、化学架橋デンプンについて観測される。物理変性プロセスは所望のレベルの糊化開始温度の増加を得て、それにより、所望の食品用途のプロセス安定性を満たすように制御できる。
【００９２】
ＤＩ水中の熱安定性：表５に示されるとおり、Tonset (70〜80.1℃)及びTpeak (75〜82.3℃)糊化温度の増加はＤＩ水中でのアニール処理サゴデンプンに観測された。アニール処理デンプンは天然デンプンと比較して、同様又は若干低減されたエンタルピー値を有しながら、有意により高いTonset 及びTpeak 温度を示した。
【００９３】
図６及び７に見られるとおり、天然サゴデンプンと種々のアニール処理サゴデンプンとの間の糊化温度の差異は分子（再）構成ならびに粒子構造（結晶/非晶比に関する）に起因されうる。天然デンプンのより広い糊化ピーク(Tend - Tpeak)は準安定性結晶と時折呼ばれる、デンプン粒子内の結晶子の異種性を示唆する。アニール処理サゴデンプンのピークの狭さはデンプン結晶のより熱安定な状態への成熟に起因されることができ、それはその後、より高い温度で融解する。デルタＨ値は糊化の間に解けそして溶解する二重らせんの数を表すように示された。糖-塩溶液中のデルタＨの低下は粒子の結晶領域及び非晶領域中に存在する二重らせんの幾らかはその環境において容易に崩壊することができることを示唆し、特異的な条件下での塩のタイプ及び量はデンプン結晶を溶解するのに要求されるエネルギーに影響を及ぼすことが知られている。ＤＩ水中の糊化挙動に影響を及ぼす脱安定化剤は存在しない。
【００９４】
例７−熱湿分処理サゴデンプンの遅延された糊化
熱湿分処理サゴは例３により調製したものであり、そしてその説明はそこに示されている。
【００９５】
【表９】
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【００９６】
表６に示されるとおり、熱湿分処理デンプンはまた、アニール処理サゴデンプンと同様にTonset 及びTpeak 糊化温度に有意な増加を示した。デルタＨは天然デンプンと比較して、ＨＭＴサゴデンプンでは低かった。ＨＭＴサゴデンプンはまた、熱、せん断及び酸性環境下に、制御された膨潤/粘度挙動及びプロセス許容度を示した。ＨＭＴデンプンはまた、ショートな滑らかな非凝集性テクスチャーを示し、また、良好な増粘効力を示した。
【００９７】
例８−天然サゴデンプン及び物理変性サゴデンプンのＸ線結晶化度測定
図８は天然サゴデンプン及び物理変性ＨＭＴサゴデンプンのＸ-線回折パターンを示す。天然サゴデンプンはＡ-型結晶性を示す。熱-湿分処理の後に、物理変性サゴデンプンは結晶のタイプの変化をほとんど示さなかったが、１６〜１８θ付近に若干の分子再構成を有した。しかしながら、遅延糊化温度の有意な変化（ＤＳＣ）、遅延粘度推移(すなわち、遅延/制御膨潤)を有意に改良されたテクスチャー属性とともに示した。典型的には、他のデンプンベースでは、Ｂ結晶型デンプンはこれらの属性を示すが、分子再構成の有意な変化が起こり、それがＢ結晶型→Ａ結晶型の転化を起こす。
【００９８】
例９-天然サゴデンプン及び物理変性サゴデンプンのＤＳＣによる糊化開始及び遅延粘度推移の相関
表７はＤＳＣ糊化開始温度とＲＶＡ最終粘度及びＭＶＡＧ−Ｕ粘度推移速度１との相関を描写している。本発明の物理変性デンプンは制御された膨潤及び粘度推移を有することで良好なプロセス安定性を示す。このような糊化開始温度、粘度推移速度及び最終最終粘度などの要因の組み合わせは良好な機能性能にとって重要である。表７に見られるように、アニール処理サゴデンプンは高い糊化開始（＞７５℃）及び最終粘度、ならびに、加熱の間の膨潤速度の有意な減少の非常に良好な組み合わせを示す。この属性の組み合わせにより、アニール処理サゴデンプンが制御された膨潤及び粘度推移の所望の機能特性を有することができる。アニール処理タピオカはより高い糊化開始温度を示しているが、加熱の間の粘度推移は天然タピオカデンプンと比較して急速であった（図４）。このタイプの急速な膨潤挙動は望ましくなく、ここで、粘度推移が制御される必要がある。アニール処理バレイショデンプンはより高いTonsetを示したが、最終粘度の有意な低減を示した。全体としての粘度推移速度は低減された。しかしながら、アニール処理バレイショデンプンの最大Tonset は糖-塩溶液中で約７０℃であり、それはより高いプロセス許容性（熱、せん断及びｐＨ範囲）を要求する用途を有意に限定する。
【００９９】
【表１０】
2017014494.tif 000012
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2017014494.tif 000019
【図８】
2017014494.tif 000020
【外国語明細書】
2017014494000001.pdf