(57)【要約】【課題】従来のものよりもさらに、センサチップに伝わる外部からの熱応力を低減させる。【解決手段】支持ダイアフラム５０のパッケージ１０との接合部よりも内周側で且つ台座プレート２０（２１，２２）よりも外周側の位置に台座プレート２０（２１，２２）の周囲を囲むようにして環状のコルゲート５０ｃを形成する。例えば、コルゲート５０ｃとして、円環状で、かつ径方向に沿った断面が山形に隆起した湾曲形状のコルゲート５０ｃ１を形成する。これにより、支持ダイアフラム５０のパッケージ１０と台座プレート２０（２１，２２）とで挟まれた領域における変形量（伸縮量）が大きくなり、センサチップ３０に伝わる外部からの熱応力が従来のものよりもさらに低減されるものとなる。【選択図】  図１
2017072384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定流体の圧力を受けて撓む感圧ダイアフラムの撓み度合いに応じた信号を出力するセンサチップと、前記センサチップを支持する台座プレートと、前記台座プレートを支持する支持ダイアフラムと、前記センサチップ，前記台座プレートおよび前記支持ダイアフラムを収容するパッケージとを有し、前記支持ダイアフラムの外周縁部のみを前記パッケージに接触させて、前記台座プレートに支持された前記センサチップが前記パッケージ内に収容されている圧力センサにおいて、
前記支持ダイアフラムは、
前記パッケージとの接合部よりも内周側で且つ前記台座プレートよりも外周側の位置に前記台座プレートの周囲を囲むようにして形成された環状のコルゲートを有する
ことを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
請求項１に記載された圧力センサにおいて、
前記コルゲートは、
径方向に沿った断面が湾曲形状のコルゲートである
ことを特徴とする圧力センサ。
【請求項３】
請求項１に記載された圧力センサにおいて、
前記コルゲートは、
径方向に沿った断面が矩形状のコルゲートである
ことを特徴とする圧力センサ。
【請求項４】
請求項１に記載された圧力センサにおいて、
前記コルゲートは、
径方向に沿った断面が凹状と凸状とが並ぶ波形のコルゲートである
ことを特徴とする圧力センサ。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載された圧力センサにおいて、
前記コルゲートは、
同心状に複数形成されている
ことを特徴とする圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、被測定流体の圧力を受けて撓む感圧ダイアフラムの撓み度合いに応じた信号を出力するセンサチップを用いた圧力センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の圧力センサとして、被測定流体の圧力を受けて撓む感圧ダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサが広く知られている。例えば、半導体製造装置などにおける製造プロセス中の真空状態を計測するために静電容量型圧力センサが利用されており、この真空状態を計測するための静電容量型圧力センサを真空計と呼んでいる。
【０００３】
この真空計は、被測定流体の導入部を有するハウジングを有し、このハウジングの導入部を通して導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓む感圧ダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する。この真空計では、耐食性や機械的特性に優れたサファイアを感圧ダイアフラムに採用しており、耐食性の高い環境で使用することができる、優れた繰り返し圧力特性を有するなどの特徴がある。
【０００４】
図６に従来の真空計の要部を示す（例えば、特許文献１参照）。同図において、１００はセンサチップであり、台座プレート１０１の上面中央部に接合されている。台座プレート１０１は第１の台座プレート１０２と第２の台座プレート１０３とからなり、支持ダイアフラム１０４の上下面に接合され、支持ダイアフラム１０４の外周縁部１０４ａはロアハウジング１０５とアッパーハウジング１０６との間に挟まれて接合されている。すなわち、ロアハウジング１０５とアッパーハウジング１０６と図示されていないカバーとから構成されるパッケージ１１１に支持ダイアフラム１０４の外周縁部１０４ａのみを接触させて、台座プレート１０１（１０２，１０３）に支持されたセンサチップ１００がパッケージ１１１内に収容されている。
【０００５】
センサチップ１００は、スペーサ１０７と、スペーサ１０７に接合されかつ圧力の印加に応じてひずみが生じるセンサダイアフラム（感圧ダイアフラム）１０８と、センサダイアフラム１０８に接合して真空の容量室（リファレンス室）１０９Ａを形成するセンサ台座１０９とを有しており、スペーサ１０７，センサダイアフラム１０８，センサ台座１０９の素材は酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアとされている。
【０００６】
なお、真空の容量室１０９Ａはセンサ台座１０９の適所に穿設された図示しない連通孔を介して、アッパーハウジング１０６の内部空間（基準真空室）１０６Ａと共に同一の真空度が保たれている。また、図示を省略しているが、センサダイアフラム１０８の裏面（容量室１０９Ａ側）には可動電極が設けられ、この可動電極と対向するセンサ台座１０９の内面には固定電極が設けられている。
【０００７】
ロアハウジング１０５には被測定流体の導入部１０５Ａが設けられている。また、ロアハウジング１０５の導入部１０５Ａからの被測定流体の出口には、被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させてバッフル１０５Ｂが設けられている。バッフル１０５Ｂの周囲には隙間１０５Ｂ１が形成されている。また、台座プレート１０１（１０２，１０３）および支持ダイアフラム１０４の中央部分には、センサチップ１００に被測定流体を導くための導入孔１１０が形成されている。
【０００８】
この真空計２では、導入部１０５Ａからの被測定流体（気体）がセンサダイアフラム１０８に到達し、この被測定流体の圧力と真空の容量室１０９Ａとの差圧によってセンサダイアフラム１０８が撓み、センサダイアフラム１０８の裏面とセンサ台座１０９の内面との間に設けられている可動電極と固定電極との間隔が変化し、この可動電極と固定電極とで構成されるコンデンサの容量値（静電容量）が変化する。この静電容量の変化を真空計２の外部に取り出すことで、被測定流体（気体）の圧力が測定される。
【０００９】
また、この圧力の測定に際し、導入部１０５Ａからの被測定流体（気体）は、バッフル１０５Ｂの中央の板面に当たって迂回し、バッフル１０５Ｂの周囲の隙間１０５Ｂ１を通過して、台座プレート１０１（１０２，１０３）および支持ダイアフラム１０４の中央部の導入孔１１０を通って、センサダイアフラム１０８へと送られる。これにより、センサダイアフラム１０８に被測定流体が直接当たることがなく、被測定流体に含まれる汚染物質のセンサダイアフラム１０８への堆積が低減される。
【００１０】
また、この真空計２では、支持ダイアフラム１０４の外周縁部１０４ａのみをパッケージ１１１に接触させて、台座プレート１０１（１０２，１０３）に支持されたセンサチップ１００がパッケージ１１１内に収容されている。ここで、台座プレート１０１（１０２，１０３）は、センサチップ１００と同素材（サファイア）とされており、ロアハウジング１０５，アッパーハウジング１０６および支持ダイアフラム１０４は、耐食性のあるＮｉ合金とされている。これにより、センサチップ１００に伝わる外部からの熱応力が緩和される。
【００１１】
すなわち、パッケージ１１１は金属製であり、台座プレート１０１（１０２，１０３）やセンサチップ１００はサファイアでできているので、これらの部材間の熱膨張率が異なる。このため、仮に、パッケージ１１１と台座プレート１０１とが面接触しているものとした場合、真空計２に急激な熱的変化が生じると、各部材の熱膨張量の違いがこの接触領域を介して熱応力として作用し、この熱応力が台座プレート１０１に支持されているセンサチップ１００に伝わる。しかし、この真空計２では、台座プレート１０１ではなく、台座プレート１０１を支持する薄い金属製の支持ダイアフラム１０４のみをパッケージ１１１に接触させているので、この支持ダイアフラム１０４がパッケージ１１１と台座プレート１０１とで挟まれた領域において変形（伸縮）することで、センサチップ１００に伝わる外部からの熱応力が緩和される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００６−３２３４号公報
【特許文献２】特開２００２−１１１０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、この真空計２では、支持ダイアフラム１０４のみをパッケージ１１１に接触させて台座プレート１０１（１０２，１０３）に支持されたセンサチップ１００をパッケージ１１１内に収容しているが、支持ダイアフラム１０４のパッケージ１１１と台座プレート１０１とで挟まれた領域における変形量（伸縮量）が小さく、例えば真空計２を自己加熱して使用するものとした場合、外部からの熱応力が緩和しきれずにセンサチップ１００に伝わり、高精度の圧力測定に悪影響を及ぼすことがあった。
【００１４】
なお、自己加熱とは、例えば、図７に示すように、パッケージ１１１の周囲にヒータ１１２を設け、このヒータ１１２をＯＮとすることによって、パッケージ１１１内の温度を汚染物質が堆積することのない高温度に保つことを言う。
【００１５】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、従来のものよりもさらに、センサチップに伝わる外部からの熱応力を低減させることができる圧力センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
このような目的を達成するために本発明は、被測定流体の圧力を受けて撓む感圧ダイアフラムの撓み度合いに応じた信号を出力するセンサチップと、センサチップを支持する台座プレートと、台座プレートを支持する支持ダイアフラムと、センサチップ，台座プレートおよび支持ダイアフラムを収容するパッケージとを有し、支持ダイアフラムの外周縁部のみをパッケージに接触させて、台座プレートに支持されたセンサチップがパッケージ内に収容されている圧力センサにおいて、支持ダイアフラムは、パッケージとの接合部よりも内周側で且つ台座プレートよりも外周側の位置に台座プレートの周囲を囲むようにして形成された環状のコルゲートを有することを特徴とする。
【００１７】
本発明において、支持ダイアフラムには、パッケージとの接合部よりも内周側で且つ台座プレートよりも外周側の位置に、台座プレートの周囲を囲むようにして環状のコルゲートが形成されている。例えば、本発明では、環状のコルゲートとして、径方向に沿った断面が湾曲形状のコルゲートを形成したり、径方向に沿った断面が矩形状のコルゲートを形成したり、径方向に沿った断面が凹状と凸状とが並ぶ波形のコルゲートを形成したりする。これにより、支持ダイアフラムのパッケージと台座プレートとで挟まれた領域における変形量（伸縮量）が大きくなり、センサチップに伝わる外部からの熱応力がさらに低減される。
【００１８】
なお、本発明において、支持ダイアフラムにおける環状のコルゲートは、その代表例として円環状とすることが考えられるが、円環状に限られるものではない。また、この環状のコルゲートは、１つに限られるものではなく、同心状に複数形成されていてもよい。すなわち、円環状のコルゲートとした場合、同心円状に複数形成するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、支持ダイアフラムのパッケージとの接合部よりも内周側で且つ台座プレートよりも外周側の位置に台座プレートの周囲を囲むようにして環状のコルゲートを形成するようにしたので、支持ダイアフラムのパッケージと台座プレートとで挟まれた領域における変形量（伸縮量）が大きくなり、センサチップに伝わる外部からの熱応力を従来のものよりもさらに低減することができるようになる。これにより、例えば自己加熱して使用するものとした場合、外部からの熱応力が緩和しきれずにセンサチップに伝わるということをなくし、高精度の圧力測定に悪影響を及ぼすことを防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る圧力センサの一実施の形態（真空計）の要部を示す縦断面図である。
【図２】この真空計のパッケージに組み付ける前の支持ダイアフラムの平面図および断面図である。
【図３】この真空計に用いるバッフルの平面図である。
【図４】この真空計の温度特性（加熱温度とゼロ点との関係）を従来の真空計の温度特性と比較して示す図である。
【図５】この真空計における支持ダイアフラムに形成するコルゲートの他の例を示す断面図である。
【図６】従来の真空計の要部を示す図である。
【図７】パッケージの周囲にヒータを設けた従来の真空計の要部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。図１はこの発明に係る圧力センサの一実施の形態（真空計）の要部を示す縦断面図である。
【００２２】
この真空計１は、パッケージ１０と、パッケージ１０内に収容された台座プレート２０と、同じくパッケージ１０内に収容され台座プレート２０に接合されたセンサチップ３０と、パッケージ１０に直接取付けられパッケージ１０内外を導通接続する電極リード部４０とを備えている。また、台座プレート２０は、第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２とから構成され、パッケージ１０に対して隔間しており、支持ダイアフラム５０のみを介してパッケージ１０に支持されている。
【００２３】
パッケージ１０は、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３から構成されている。なお、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３は、耐食性のあるＮｉ合金からなり、それぞれ溶接により接合されている。
【００２４】
ロアハウジング１１は、径の異なる円筒体を連結した形状を備え、大径部１１ａと小径部１１ｂとを有し、小径部１１ｂは被測定流体が流入する導入部１０Ａをなしている。
【００２５】
アッパーハウジング１２は略円筒体形状を有し、カバー１３、支持ダイアフラム５０、台座プレート２０、及びセンサチップ３０を介してパッケージ１０内に独立した真空の基準真空室１０Ｂを形成している。なお、基準真空室１０Ｂにはいわゆるゲッター（図示せず）と呼ばれる気体吸着物質が備わり、真空度を維持している。
【００２６】
また、カバー１３は円形のプレートからなり、カバー１３の所定位置には電極リード挿通孔１３ａが形成されており、ハーメチックシール６０を介して電極リード部４０が埋め込まれ、この部分のシール性が確保されている。
【００２７】
一方、支持ダイアフラム５０は、パッケージ１０の形状に合わせた外形形状を有するＮｉ合金の薄板からなる。支持ダイアフラム５０は、第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２との間に挟まれた状態で、その外周縁部５０ａが上述したアッパーハウジング１２とロアハウジング１１との間に溶接等により接合されている。すなわち、ロアハウジング１１とアッパーハウジング１２とカバー１３とから構成されるパッケージ１０に支持ダイアフラム５０の外周縁部５０ａのみを接触させて、台座プレート（２１，２２）に支持されたセンサチップ３０がパッケージ１０内に収容されている。
【００２８】
また、支持ダイアフラム５０には、パッケージ１０との接合部よりも内周側で且つ台座プレート２０（２１，２２）よりも外周側の位置に台座プレート２０（２１，２２）の周囲を囲むようにして環状のコルゲート５０ｃが形成されている。図２（ａ）にパッケージ１０に組み付ける前の支持ダイアフラム５０の平面図を、図２（ｂ）に図２（ａ）におけるＩ−Ｉ線断面図を示す。本実施の形態において、コルゲート５０ｃは平面視円環状とされ、径方向に沿った断面が山形に隆起した湾曲形状とされている。このコルゲート５０ｃは、台座プレート２０（２１，２２）との接合前に、プレス成型などで支持ダイアフラム５０に形成されている。
【００２９】
なお、支持ダイアフラム５０の厚さは、例えば本実施形態の場合数十ミクロンであって、各台座プレート２１，２２よりも充分薄い厚さとなっている。また、各台座プレート２１，２２および支持ダイアフラム５０の中央部には、センサチップ３０に被測定流体を導くための導入孔５１が形成されている。この導入孔５１は、各台座プレート２１，２２に形成された孔２１ａ，２２ａと、支持ダイアフラム５０に形成された孔５０ｂとから構成されている。
【００３０】
第１の台座プレート２１および第２の台座プレート２２は、酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアからなり、第１の台座プレート２１はパッケージ１０の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム５０の下面に接合され、第２の台座プレート２２はパッケージ１０の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム５０の上面に接合されている。
【００３１】
なお、各台座プレート２１，２２は、支持ダイアフラム５０の厚さに対して上述の通り十分に厚くなっており、かつ支持ダイアフラム５０を両台座プレート２１，２２でいわゆるサンドイッチ状に挟み込む構造を有している。これによって、支持ダイアフラム５０と台座プレート２０の熱膨張率の違いによって発生する熱応力でこの部分が反るのを防止している。
【００３２】
また、第２の台座プレート２２の上面には酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアでできた上面視矩形状のセンサチップ３０が酸化アルミニウムベースの接合材を介して接合されている。なお、このセンサチップ３０の接合方法については、特許文献２に詳しく記載されているのでここでの説明は省略する。
【００３３】
センサチップ３０は上面視で１ｃｍ角以下の大きさを有し、四角角型の薄板からなるスペーサ３１と、スペーサ３１に接合されかつ圧力の印加に応じてひずみが生じるセンサダイアフラム（感圧ダイアフラム）３２と、センサダイアフラム３２に接合して真空の容量室（リファレンス室）３０Ａを形成するセンサ台座３３とを有している。また、真空の容量室３０Ａと基準真空室１０Ｂとはセンサ台座３３の適所に穿設された図示しない連通孔を介して共に同一の真空度を保っている。
【００３４】
なお、スペーサ３１、センサダイアフラム３２、及びセンサ台座３３はいわゆる直接接合によって互いに接合され、一体化したセンサチップ３０を構成している。
【００３５】
また、センサチップ３０の容量室３０Ａには、センサ台座３３の内面に金又は白金等の導体でできた固定電極（図示せず）が形成されているとともに、これと対向するセンサダイアフラム３２の内面（裏面）上に金又は白金等の導体でできた可動電極（図示せず）が形成されている。また、センサチップ３０の上面には金又は白金からなるコンタクトパッド３５，３６が形成され、容量室３０Ａ内の固定電極や可動電極はコンタクトパッド３５，３６と図示しない配線によって接続されている。
【００３６】
一方、電極リード部４０は電極リードピン４１と金属製のシールド４２とを備え、電極リードピン４１は金属製のシールド４２にガラスなどの絶縁性材料からなるハーメチックシール４３によってその中央部分が埋設され、電極リードピン４１の両端部間で気密状態を保っている。そして、電極リードピン４１の一端はパッケージ１０の外部に露出して図示しない配線によって真空計１の出力を外部の信号処理部に伝達するようになっている。なお、シールド４２とカバー１３との間にも上述の通りハーメチックシール６０が介在している。また、電極リードピン４１の他方の端部には導電性を有するコンタクトバネ４５，４６が接続されている。
【００３７】
コンタクトバネ４５，４６は、導入部１０Ａから被測定流体が急に流れ込むことで発生する急激な圧力上昇により支持ダイアフラム５０が若干変移しても、コンタクトバネ４５，４６の付勢力がセンサチップ３０の測定精度に影響を与えない程度の十分な柔らかさを有している。
【００３８】
この真空計１において、センサチップ３０のセンサダイアフラム３２と導入部１０Ａとの間には、導入部１０Ａからの被測定流体の出口に、被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させて、Ｎｉ合金からなるバッフル７０が配置されている。図３にバッフル７０の平面図を示す。バッフル７０には、その外周部に所定の角度間隔でタブ７０ａが形成されており、このタブ７０ａ間の隙間７０ｂを被測定流体が通過して、センサダイアフラム３２へと送られる。
【００３９】
また、この真空計１において、パッケージ１０の周囲にはパッケージ１０の内部（センサ室）の温度を高温度に維持するためのヒータ８０が設置されている。
【００４０】
次に、この真空計１の動作について説明する。なお、この実施の形態において、真空計１はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）成膜装置中の必要な場所に取付けられているものとする。
【００４１】
〔被測定流体の圧力測定〕
この真空計１では、導入部１０Ａからの被測定気体（気体）がセンサダイアフラム３２に到達し、この被測定流体の圧力と真空の容量室３０Ａとの差圧によってセンサダイアフラム３２が撓み、センサダイアフラム３２の裏面とセンサ台座３３の内面との間に設けられている可動電極と固定電極との間隔が変化し、この可動電極と固定電極とで構成されるコンデンサの容量値（静電容量）が変化する。この静電容量の変化を真空計１の外部に取り出すことで、被測定流体の圧力が測定される。
【００４２】
〔汚染物質の堆積低減〕
また、この圧力の測定に際し、導入部１０Ａからの被測定流体（気体）は、バッフル７０の板面の中央に当たって迂回し、バッフル７０の周囲の隙間７０ｂを通過して、台座プレート２０（２１，２２）および支持ダイアフラム５０の中央部の導入孔５１を通って、センサダイアフラム３２へと送られる。これにより、センサダイアフラム３２に被測定流体が直接当たることがなく、被測定流体に含まれる汚染物質のセンサダイアフラム３２への堆積が低減される。
【００４３】
〔自己加熱〕
この真空計１では、被測定流体の種類によっては、被測定流体に含まれる汚染物質が析出してセンサダイアフラム３２に凝着する虞がある。これを防止すべく、この真空計１では、ヒータ８０をＯＮとすることによって、パッケージ１０内の温度を汚染物質が析出することのない高温度に保つ。
【００４４】
この自己加熱に際して、従来の真空計２（図７）では、支持ダイアフラム１０４のパッケージ１１１と台座プレート１０１とで挟まれた領域における変形量（伸縮量）が小さく、外部からの熱応力が緩和しきれずにセンサチップ１００に伝わり、高精度の圧力測定に悪影響を及ぼすことがあった。
【００４５】
これに対して、本実施の形態の真空計１では、支持ダイアフラム５０のパッケージ１０との接合部よりも内周側で且つ台座プレート２０（２１，２２）よりも外周側の位置に、台座プレート２０（２１，２２）の周囲を囲むようにして円環状のコルゲート５０ｃが形成されており、この円環状のコルゲート５０ｃの径方向に沿った断面が山形に隆起した湾曲形状とされている。
【００４６】
本実施の形態の真空計１では、このような形状のコルゲート５０ｃが支持ダイアフラム５０に形成されていることから、支持ダイアフラム５０のパッケージ１０と台座プレート２０（２１，２２）とで挟まれた領域における変形量（伸縮量）が大きくなり、センサチップ３０に伝わる外部からの熱応力が従来のものよりもさらに低減されるものとなる。これにより、真空計１を自己加熱して使用するものとした場合、外部からの熱応力が緩和しきれずにセンサチップ３０に伝わるということがなくなり、高精度の圧力測定に悪影響を及ぼすことが防がれる。
【００４７】
また、本実施の形態の真空計１では、センサチップ３０に伝わる外部からの熱応力がさらに低減されることにより、温度ヒステリシスの抑制などにつながる。すなわち、自己加熱をＯＮ／ＯＦＦする例で言うと、自己加熱のＯＮ／ＯＦＦ時のゼロ点の安定性が向上し、電源ＯＦＦによるゼロ点の調整を毎回実施しなくても済み、ユーザとして効率的となる。
【００４８】
また、本実施の形態の真空計１では、センサチップ３０に伝わる外部からの熱応力がさらに低減されることにより、真空計１の温度特性がセンサチップ３０そのものが持つ温度特性に近づいて行く。これにより、温度補正が不要または簡易的にすることができるようになり、製造期間の短縮などが見込まれる。
【００４９】
図４に本実施の形態の真空計１の温度特性（加熱温度とゼロ点との関係）を従来の真空計２の温度特性と比較して示す。図４は、加熱温度が２００℃である場合のゼロ点を基準としたものであり、特性Ｉは本実施の形態の真空計１の温度特性を示し、特性IIは従来の真空計２の温度特性を示している。従来の真空計２の温度特性IIは、センサチップ１００に伝わる外部からの熱応力の低減量が小さいので、加熱温度が上昇するにつれてゼロ点が負方向に大きく変化する負の温度特性を有している。これに対し、本実施の形態の真空計１の温度特性Ｉは、加熱温度が上昇するにつれてゼロ点が正方向に変化する正の温度特性となり、センサチップ３０そのものが持つ温度特性に近づく。
【００５０】
なお、上述した実施の形態では、支持ダイアフラム５０における円環状のコルゲート５０ｃとして、径方向に沿った断面が山形に隆起した湾曲形状のコルゲート５０ｃ１を形成するようにしたが、湾曲形状の一種として、図５（ａ）に示すようなひだ状に折り曲げたコルゲート５０ｃ２を形成するようにしてもよい。また、湾曲形状でなくてもよく、図５（ｂ）に示すような矩形状のコルゲート５０ｃ３を形成するようにしてもよい。
【００５１】
また、図５（ｃ）に示すような凹状と凸状とが並ぶ波形のコルゲート５０ｃ４を形成するようにしてもよい。このコルゲート５０ｃ４は、湾曲形状の凹状と凸状とが並ぶ波形としているが、図５（ｄ）に示すように、矩形状の凹状と凸状とが並ぶ波形のコルゲート５０ｃ５をエッチングによって形成するようにしてもよい。
【００５２】
また、上述した実施の形態では、支持ダイアフラム５０に円環状のコルゲート５０ｃを１つしか形成しなかったが、同心円状に複数形成するようにしてもよい。また、コルゲート５０ｃは環状であればよく、必ずしも円環状でなくてもよい。
【００５３】
また、上述した実施の形態では、支持ダイアフラム５０を台座プレート２１と第２の台座プレート２２とでサンドイッチ状に挟み込む構成としたが、必ずしもサンドイッチ状に挟み込んだ構造としなくてもよい。すなわち、支持ダイアフラム５０の厚さを台座プレート２１，２２の厚さに対して十分薄くすれば、例えば支持ダイアフラム５０の一方の面だけに台座プレートを接合しただけでもよい。
【００５４】
本実施の形態のように、支持ダイアフラム５０の両側を台座プレート２１，２２で挟み込むいわゆるサンドイッチ構造とすることで、支持ダイアフラム５０を介して２つの台座プレート２１，２２が対称形状をなすように支持ダイアフラム５０に接合され、これによって支持ダイアフラム５０と台座プレート２１，２２に発生する熱応力による反りを押さえ込み、支持ダイアフラム５０と台座プレート２０の熱膨張率の違いによる熱応力の発生を効果的に防止することができる。
【００５５】
また、上述した実施の形態では、圧力センサとして静電容量式のセンサチップを用いた真空計を例にとって説明したが、静電容量式のセンサチップの代わりにピエゾ抵抗式のセンサチップを備えた構成の圧力センサであっても、上述した構成を有することによってセンサチップに伝わる外部からの熱応力をさらに低減することができ、高精度の圧力測定を可能とすることができる。
【００５６】
〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【符号の説明】
【００５７】
１…真空計（静電容量型圧力センサ）１０…パッケージ、１０Ａ…導入部、１１…ロアハウジング、１２…アッパーハウジング、１３…カバー、２０…台座プレート、２１…第１の台座プレート、２２…第２の台座プレート、３０…センサチップ、３１…スペーサ、３２…センサダイアフラム、３３…センサ台座、５０…支持ダイアフラム、５０ａ…外周縁部、５０ｃ（５０ｃ１〜５０ｃ５）…コルゲート、５１…導入孔、７０…バッフル、８０…ヒータ。
【図１】
2017072384.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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