(57)【要約】【課題】トラブルの原因となる仮芯の挿通工程を無くして、現状よりも高い生産性でもって半導電性ローラを製造できる製造方法を提供する。【解決手段】半導電性ローラのもとになる未架橋の筒状体１３を、内底面７の断面形状が上記筒状体の半径Ｒ２の１．０５倍以上、２．６倍以下の半径Ｒ１を有する円弧状の凹曲面とされた、直線状の収容溝８内に収容した状態で、加硫缶内で加熱して架橋させる。【選択図】図１
2017072156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導電性および架橋性を有するゴム組成物を、押出機のヘッドを通して所定半径の筒状に押出成形し、次いで所定長にカットして筒状体を形成し、前記筒状体を、内底面の断面形状が、前記筒状体の半径の１．０５倍以上、２．６倍以下の半径の、円弧状の凹曲面とされた、前記筒状体のカット後の全長以上の長さを有する直線状の収容溝内に収容した状態で、加硫缶内で加熱して架橋させる工程を含むことを特徴とする半導電性ローラの製造方法。
【請求項２】
前記収容溝を複数本、互いに平行に配設したトレーを用いて、複数本の筒状体を同時に架橋させる請求項１に記載の半導電性ローラの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電子写真法を利用した画像形成装置に組み込んで使用される半導電性ローラの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばレーザープリンタや静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、あるいはこれらの複合機等の、電子写真法を利用した画像形成装置においては、概略下記の工程を経て、用紙の表面に画像が形成される。
まず、光導電性を有する感光体の表面を一様に帯電させた状態で露光して、当該表面に、形成画像に対応する静電潜像を形成する（帯電工程→露光工程）。
【０００３】
次いで、微小な着色粒子であるトナーを所定の電位に帯電させた状態で、上記感光体の表面に接触させる。そうするとトナーが、静電潜像の電位パターンに応じて感光体の表面に選択的に付着されて、当該静電潜像がトナー像に現像される（現像工程）。
次いで上記トナー像を用紙の表面に転写したのち（転写工程）、さらに定着させることにより（定着工程）、当該用紙の表面に画像が形成される。
【０００４】
また転写工程では、感光体の表面に形成したトナー像を、用紙の表面に直接に転写させずに、まず像担持体の表面に一旦転写（一次転写工程）させたのち、当該像担持体の表面から用紙の表面に再転写させる（二次転写工程）場合もある。
このあと、転写が終了した感光体の表面に残留するトナーを除去する（クリーニング工程）ことにより、一連の画像形成が終了する。
【０００５】
上記各工程のうち感光体の帯電工程、現像工程、転写工程（一次、二次転写工程を含む）、およびクリーニング工程には、それぞれの用途に応じた半導電性を付与した半導電性ローラが用いられる。
かかる半導電性ローラは、例えば半導電性および架橋性を有するゴム組成物を、押出機のヘッドを通して筒状に押出成形し、次いで所定の長さにカットして筒状体を形成し、当該筒状体を、加硫缶内で加熱して架橋させることによって製造される。中心の通孔には、架橋後に芯金が挿通される。
【０００６】
また架橋に際しては、上記通孔に架橋用の仮芯を挿通して、押出成形時に筒状体に生じた湾曲や変形を矯正したり、架橋時に上記湾曲が大きくなるのを抑制したりするとともに、架橋時の筒状体が加硫缶内の他部材と部分的に接触して変形したりしないように、上記仮芯を加硫缶のトレーに吊るして筒状体を中空に保持した状態で、トレーごと加硫缶内に収容して架橋させた後、仮芯を実際の芯金に装着しなおすのが一般的である（特許文献１等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１５−７６６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記仮芯の挿通工程は、半導電性ローラの生産性を向上するために自動化が普及している。
すなわち、所定の長さにカットした筒状体を１本ずつ、一対の受枠の間に挟んで固定した状態で、仮芯を、固定された筒状体の一方の開口から通孔内に挿通させる操作を、シリンダ等の動作によって自動的に実施する装置が開発され、実用化されている。
【０００９】
しかし、例えば個々の筒状体の寸法差や、あるいは受枠を開閉する際のずれ等が原因で、受枠に保持した筒状体の通孔と芯金の中心位置がずれて、安全のために装置が自動停止するといったトラブルが多発し、このことが半導電性ローラの生産性を現状よりも向上できない一因となっている。
本発明の目的は、トラブルの原因となる仮芯の挿通工程を無くして、現状よりも高い生産性でもって半導電性ローラを製造できる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、半導電性および架橋性を有するゴム組成物を、押出機のヘッドを通して所定半径の筒状に押出成形し、次いで所定長にカットして筒状体を形成し、前記筒状体を、内底面の断面形状が、前記筒状体の半径の１．０５倍以上、２．６倍以下の半径の、円弧状の凹曲面とされた、前記筒状体のカット後の全長以上の長さを有する直線状の収容溝内に収容した状態で、加硫缶内で加熱して架橋させる工程を含むことを特徴とする半導電性ローラの製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、トラブルの原因となる仮芯の挿通工程を無くして、現状よりも高い生産性でもって半導電性ローラを製造できる製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図(a)は、本発明の製造方法の、実施の形態の一例において使用する加硫缶用のトレーの概略を説明する斜視図、図(b)は、上記トレーの要部を拡大して示す端面図である。
【図２】上記例の製造方法によって製造される半導電性ローラの一例を示す斜視図である。
【図３】半導電性ローラのローラ抵抗値を測定する方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は、半導電性および架橋性を有するゴム組成物を、押出機のヘッドを通して所定半径の筒状に押出成形し、次いで所定長にカットして筒状体を形成し、前記筒状体を、内底面の断面形状が、前記筒状体の半径の１．０５倍以上、２．６倍以下の半径の、円弧状の凹曲面とされた、前記筒状体のカット後の全長以上の長さを有する直線状の収容溝内に収容した状態で、加硫缶内で加熱して架橋させる工程を含むことを特徴とする半導電性ローラの製造方法である。
【００１４】
本発明によれば、押出成形して所定長にカットした架橋前の筒状体を上記収容溝に収容して湾曲を矯正するとともに、架橋時に上記湾曲が大きくなるのを抑制した状態で、加硫缶内に収容して加熱することにより、従来の、中空に保持した状態で架橋させた場合と同等の、変形や湾曲等のない良好な状態に架橋させることができる。
これは収容溝の内底面の断面形状が、上記のように筒状体の外周面に沿う円弧状の凹曲面とされるとともに、その半径が上記の範囲に設定されているためである。
【００１５】
すなわち、収容溝の内底面の半径が筒状体の半径の１．０５倍未満では、当該内底面と、筒状体の外周面との接触部分が増加するため、架橋時の筒状体に凹みを生じやすくなる。
そして生じた凹みが、その後の研磨によっても解消されずに残ったり、凹みは解消されたとしても、もとの凹みがあった箇所の内部構造の不均一により、ローラ抵抗値にムラを生じたりするといった問題を生じる。
【００１６】
一方、収容溝の内底面の半径が筒状体の半径の２．６倍を超える場合には、当該収容溝と筒状体との間の隙間が大きすぎて、収容溝に架橋前の筒状体を収容した際に、当該筒状体の湾曲を十分に矯正できなかったり、架橋時に上記湾曲が大きくなるのを十分に抑制できなかったりするため、架橋後の筒状体の湾曲が大きくなりすぎる傾向がある。
そして、その後の工程で通孔に芯金を挿通しても、筒状体の湾曲を十分に矯正できずに外周面に研磨残りが生じたり、湾曲を十分に矯正できたとしても、矯正によって生じた内部構造の不均一により、ローラ抵抗値にムラを生じたりするといった問題を生じる。
【００１７】
また収容溝の内底面の半径が筒状体の半径の２．６倍を超える場合には、上記筒状体の外周面の曲率半径と、収容溝の内底面の曲率半径との差が大きくなりすぎて、架橋時の筒状体に、収容溝の内底面に沿った大きな凹みを生じやすくなる。
これに対し、収容溝の内底面の半径を、筒状体の半径の１０．５倍以上、２．６倍以下に設定することで、架橋時の筒状体に凹みが生じたり、湾曲が大きくなったりするのを極力抑制できる。
【００１８】
そのため筒状体を、従来の、中空に保持した状態で架橋させた場合と同等の、変形や湾曲等のない良好な状態に架橋させることができ、トラブルの原因となる仮芯の挿通工程を無くして、現状よりも高い生産性でもって半導電性ローラを製造することが可能となる。
〈半導電性ローラの製造方法〉
図１(a)は、本発明の製造方法の、実施の形態の一例において使用する加硫缶用のトレーの概略を説明する斜視図、図１(b)は、上記トレーの要部を拡大して示す端面図である。
【００１９】
また図２は、上記例の製造方法によって製造される半導電性ローラの一例を示す斜視図である。
図２を参照して、この例の半導電性ローラ１は、半導電性および架橋性を有するゴム組成物によって非多孔質でかつ単層の筒状に形成されているとともに、その中心の通孔２にシャフト３が挿通されて固定されたものである。
【００２０】
シャフト３は、例えば鉄、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼等の金属によって一体に形成される。
上記シャフト３は、例えば導電性を有する接着剤を介して半導電性ローラ１と電気的に接合されるとともに機械的に固定されるか、あるいは通孔２の内径よりも外径の大きいものを通孔２に圧入することで、半導電性ローラ１と電気的に接合されるとともに機械的に固定されて一体に回転される。
【００２１】
半導電性ローラ１の外周面４には、図１中に拡大して示すように酸化膜５を形成してもよい。
酸化膜５を形成すると、当該酸化膜５が誘電層として機能して半導電性ローラ１の誘電正接を低減できる。
また、例えば半導電性ローラ１を帯電ローラとして使用した際に、酸化膜５が低摩擦層として機能して、外添剤等の付着および蓄積をより一層良好に抑制できる。
【００２２】
しかも酸化膜５は、例えば酸化性雰囲気中で紫外線を照射等するだけで簡単に形成できるため、半導電性ローラ１の生産性が低下したり製造コストが高くついたりするのを抑制できる。ただし酸化膜５は形成しなくてもよい。
図１(a)(b)を参照して、この例の製造方法において使用するトレー６は、内底面７の、長さ方向と直交方向の断面形状が円弧状の凹曲面とされた直線状の収容溝８を複数本（図では２８本）、互いに平行に配設してなるものである。
【００２３】
図の例の場合、個々の収容溝８は、鉄板等を、上記内底面７の半径Ｒ１が一定となるように曲げ加工等して形成された略半筒体９の内面として構成されている。
上記複数本の略半筒体９を、互いに平行に配設した一対の枠体１０間に、長さ方向を枠体１０の長さ方向と直交させて架け渡した状態で、当該枠体１０に対して溶接等によって固定するとともに、隣り合う略半筒体９同士も溶接等によって互いに固定することで、略矩形平板状のトレー６が構成されている。
【００２４】
また一対の枠体１０の両端間には、当該一対の枠体１０間の間隔を規定するとともに、トレー６を、図示しない加硫缶に対しで出し入れする際等に把手として用いることができるロッド１１が架け渡された状態で固定されている。
なお図１(a)において符号１２は、当該トレー６を加硫缶に対して出し入れする際に、当該加硫缶内のレールに載置してスライドさせるためのガイドである。
【００２５】
略半筒体９の内面である収容溝８の内底面７の半径Ｒ１は、前述したように、当該収容溝８に収容して加硫缶内で架橋させる、半導電性ローラ１の前駆体としての筒状体１３の半径Ｒ２の１．０５倍以上、２．６倍以下である必要がある。この理由は、先に説明したとおりである。
なお、前述した効果をより一層向上することを考慮すると、収容溝８の内底面７の半径Ｒ１は、上記範囲でも筒状体１３の半径Ｒ２の１．０９倍以上であるのが好ましく、１．８２倍以下であるのが好ましい。
【００２６】
より具体的には、例えば直径が１６．５ｍｍ、半径Ｒ２が８．２５ｍｍである筒状体１３を架橋させる場合、収容溝８の内底面７の半径Ｒ１は８．７ｍｍ以上、特に９ｍｍ以上であるのが好ましく、２１．４ｍｍ以下、特に１５ｍｍ以下であるのが好ましい。
また、例えば内底面７の半径Ｒ１が１１．５ｍｍである収容溝８は、半径Ｒ２が４．５ｍｍ以上で、かつ１０．９ｍｍ以下、特に１０ｍｍ以下の範囲の、種々の半径の筒状体１３の架橋に使用できる。
【００２７】
また収容溝８の長さ、すなわちこの例の場合は略半筒体９の長さＬ１は、当該収容溝８に収容して加硫缶内で架橋させる筒状体１３のカット後の全長Ｌ２以上であればよいが、架橋時の筒状体１３の膨張等を考慮すると、上記全長Ｌ２の１．１倍以上であるのが特に好ましい。
しかし、筒状体１３の全長Ｌ２に対する収容溝８の長さＬ１が長すぎる場合には、トレー６の大きさや加硫缶の容量等が過大になって、筒状体１３の処理効率が低下するため、上記収容溝８の長さＬ１は、筒状体１３の全長Ｌ２の１．４倍以下程度であるのが好ましい。
【００２８】
ただし筒状体１３の全長Ｌ２と、使用する加硫缶の容量やトレー６の大きさとの兼ね合いによっては、例えば１本の収容溝８内に２本以上の筒状体１３を長さ方向に並べて収容して架橋させることも可能であり、その場合、収容溝８の長さＬ１の上限は上記の限りではない。
上記トレー６を用いるこの例の製造方法においては、まず半導電性および架橋性を有するゴム組成物を調製し、かかるゴム組成物を、押出機のヘッドを通して所定半径の筒状に押出成形したのち所定長にカットする工程を繰り返して複数本の筒状体１３を作製する。
【００２９】
そして上記複数本の筒状体１３を、上記トレー６上の各収容溝８内に収容して、加硫缶内で加熱して架橋させる。架橋の条件は、従来同様でよい。
収容溝８内へ筒状体１３を収容する作業、および架橋後の筒状体１３を収容溝８から取り出す作業はいずれも自動化が容易であり、しかもこれらの作業は、従来の、筒状体１３の通孔に仮芯を挿通する作業のような位置合わせが不要で、自動化しても、装置が自動停止するといったトラブルが多発するおそれがない。
【００３０】
そのため上記トレー６を用いて筒状体１３を架橋させることにより、トラブルの原因となる仮芯の挿通工程を無くして、現状よりも高い生産性でもって半導電性ローラ１を製造できる。
架橋以降の工程は、従来同様に実施できる。
すなわち架橋させた筒状体１３を、オーブン等を用いて加熱して二次架橋させ、冷却したのち所定の長さにカットするとともに所定の外径となるように研磨して、図２に示す半導電性ローラ１を作製する。
【００３１】
シャフト３は、架橋後から研磨後までの任意の時点で、通孔２に挿通して固定できる。
ただし架橋後、まず通孔２にシャフト３を挿通した状態で二次架橋〜研磨をするのが好ましい。これにより二次架橋時の膨張収縮による半導電性ローラ１の反りや変形を防止できる。また、シャフト３を中心として回転させながら研磨することで当該研磨の作業性を向上し、なおかつ外周面４のフレを抑制できる。
【００３２】
シャフト３は、先に説明したように通孔２の内径よりも外径の大きいものを通孔２に圧入するか、あるいは導電性を有する熱硬化性接着剤を介して、二次架橋前の筒状体に挿通すればよい。
後者の場合は、オーブン中での加熱によって半導電性ローラ１が二次架橋されるのと同時に熱硬化性接着剤が硬化して、シャフト３が筒状体に電気的に接合されるとともに、機械的に固定される。
【００３３】
また前者の場合は、圧入と同時に電気的な接合と機械的な固定が完了する。
次いで研磨後の外周面４に、必要に応じて酸化膜５を形成することで、上記例の半導電性ローラ１が製造される。
なお酸化膜５は、先に説明したように半導電性ローラ１の外周面４に紫外線を照射して形成するのが、簡単で効率よく酸化膜５を形成できるため好ましい。すなわち半導電性ローラ１の外周面４を構成するゴム組成物それ自体を、酸化性雰囲気下、所定波長の紫外線を所定時間照射して酸化させることで酸化膜５が形成される。
【００３４】
しかも酸化膜５は、上記のように半導電性ローラ１の外周面４を構成するゴム組成物それ自体が紫外線の照射によって酸化されて形成されるため、従来の、塗剤を塗布して形成される被覆層のような問題を生じることがなく、厚みや表面形状等の均一性に優れている。
照射する紫外線の波長は、ゴム組成物を効率よく酸化させて酸化膜５を形成することを考慮すると１００ｎｍ以上であるのが好ましく、４００ｎｍ以下、特に３００ｎｍ以下であるのが好ましい。また照射の時間は３０秒間以上、特に１分間以上であるのが好ましく、３０分間以下、特に２０分間以下であるのが好ましい。
【００３５】
ただし酸化膜５は、例えばオゾン曝露等の他の方法で形成してもよいし、前述したように省略してもよい。
〈ゴム組成物〉
半導電性ローラ１のもとになるゴム組成物としては、半導電性および架橋性を有する種々のゴム組成物が使用可能である。
【００３６】
以下には、ゴム分としてイオン導電性ゴムであるエピクロルヒドリンゴムを含むことでイオン導電性が付与されたゴム組成物の一例を示すが、ゴム組成物の組成は必ずしもこれに限定されるものではない。
〈エピクロルヒドリンゴム〉
ゴム分のうちエピクロルヒドリンゴムとしては、繰り返し単位としてエピクロルヒドリンを含み、イオン導電性を有する種々の重合体が使用可能である。
【００３７】
かかるエピクロルヒドリンゴムとしては、例えばエピクロルヒドリン単独重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド二元共重合体（ＥＣＯ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド二元共重合体、エピクロルヒドリン−アリルグリシジルエーテル二元共重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体（ＧＥＣＯ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル四元共重合体等の１種または２種以上が挙げられる。
【００３８】
中でもエチレンオキサイドを含む共重合体、特にＥＣＯおよび／またはＧＥＣＯが好ましい。
上記両共重合体におけるエチレンオキサイド含量は、いずれも３０モル％以上、特に５０モル％以上であるのが好ましく、８０モル％以下であるのが好ましい。
エチレンオキサイドは半導電性ローラのローラ抵抗値を下げる働きをする。しかしエチレンオキサイド含量がこの範囲未満ではかかる働きが十分に得られないため、ローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
【００３９】
一方、エチレンオキサイド含量が上記の範囲を超える場合にはエチレンオキサイドの結晶化が起こり、分子鎖のセグメント運動が妨げられるため、逆にローラ抵抗値が上昇する傾向がある。また架橋後の半導電性ローラが硬くなりすぎたり、架橋前のゴム組成物の、加熱溶融時の粘度が上昇して加工性が低下したりするおそれもある。
ＥＣＯにおけるエピクロルヒドリン含量は、エチレンオキサイド含量の残量である。すなわちエピクロルヒドリン含量は２０モル％以上であるのが好ましく、７０モル％以下、特に５０モル％以下であるのが好ましい。
【００４０】
またＧＥＣＯにおけるアリルグリシジルエーテル含量は０．５モル％以上、特に２モル％以上であるのが好ましく、１０モル％以下、特に５モル％以下であるのが好ましい。
アリルグリシジルエーテルは、それ自体が側鎖として自由体積を確保するために機能することにより、エチレンオキサイドの結晶化を抑制して、半導電性ローラのローラ抵抗値を低下させる働きをする。しかしアリルグリシジルエーテル含量がこの範囲未満では、かかる働きが得られないため、ローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
【００４１】
一方、アリルグリシジルエーテルはＧＥＣＯの架橋時に架橋点として機能するため、アリルグリシジルエーテル含量が上記の範囲を超える場合には、ＧＥＣＯの架橋密度が高くなりすぎることによって分子鎖のセグメント運動が妨げられて、却ってローラ抵抗値が上昇する傾向がある。
ＧＥＣＯにおけるエピクロルヒドリン含量は、エチレンオキサイド含量、およびアリルグリシジルエーテル含量の残量である。すなわちエピクロルヒドリン含量は１０モル％以上、特に１５モル％以上であるのが好ましく、６９．５モル％以下、特に４８モル％以下であるのが好ましい。
【００４２】
なおＧＥＣＯとしては、先に説明した３種の単量体を共重合させた狭義の意味での共重合体のほかに、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体（ＥＣＯ）をアリルグリシジルエーテルで変性した変性物も知られており、かかる変性物も、ＧＥＣＯとして使用可能である。
エピクロルヒドリンゴムの配合割合は、次に説明するジエン系ゴムとの併用系では、帯電ローラの場合、ゴム分の総量１００質量部中の１５質量部以上、特に５０質量部以上であるのが好ましく、８０質量部以下、特に７０質量部以下であるのが好ましい。また現像ローラでは、ゴム分の総量１００質量部中の５質量部以上、特に１０質量部以上であるのが好ましく、５０質量部以下、特に３０質量部以下であるのが好ましい。
【００４３】
〈ジエン系ゴム〉
ゴム分としては、上記エピクロルヒドリンゴムとともにジエン系ゴムを併用してもよい。
ジエン系ゴムは、半導電性ローラ１の機械的強度や耐久性等を向上したり、当該半導電性ローラ１にゴムとしての特性、すなわち柔軟で、しかも圧縮永久ひずみが小さくヘタリを生じにくい特性等を付与したりするために機能する。
【００４４】
また、半導電性ローラ１の外周面４に紫外線を照射した際に酸化されて、当該外周面４に酸化膜５を形成するのも主にジエン系ゴムである。
ジエン系ゴムとしては、例えばスチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、天然ゴム、およびイソプレンゴム（ＩＲ）からなる群より選ばれた少なくとも１種が挙げられる。
【００４５】
〈架橋成分〉
架橋成分としては、主にエピクロルヒドリンゴムを架橋させるためのチオウレア系架橋剤、ジエン系ゴムや、あるいはエピクロルヒドリンゴムのうちＧＥＣＯ等を架橋させるための硫黄系架橋剤、および両架橋剤用の促進剤を併用するのが好ましい。
（チオウレア系架橋剤および促進剤）
チオウレア系架橋剤としては、分子中にチオウレア基を有し、主としてエピクロルヒドリンゴムの架橋剤として機能しうる種々の化合物が使用可能である。
【００４６】
チオウレア系架橋剤としては、例えばテトラメチルチオウレア、トリメチルチオウレア、エチレンチオウレア（別名：２−メルカプトイミダゾリン）、式(1)：
（ＣｎＨ２ｎ＋１ＮＨ）２Ｃ＝Ｓ      (1)
〔式中、ｎは１〜１０の整数を示す。〕で表されるチオウレア等の１種または２種以上が挙げられる。特にエチレンチオウレアが好ましい。
【００４７】
チオウレア系架橋剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．３質量部以上であるのが好ましく、１質量部以下であるのが好ましい。
チオウレア系架橋剤用の促進剤としては、例えば１，３−ジフェニルグアニジン（Ｄ）、１，３−ジ−ｏ−トリルグアニジン（ＤＴ）、１−ｏ−トリルビグアニド（ＢＧ）等のグアニジン系促進剤などの１種または２種以上が挙げられる。特に１，３−ジ−ｏ−トリルグアニジン（ＤＴ）が好ましい。
【００４８】
促進剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．３質量部以上であるのが好ましく、１質量部以下であるのが好ましい。
（硫黄系架橋剤および促進剤）
硫黄系架橋剤としては硫黄、および含硫黄系架橋剤からなる群より選ばれた少なくとも１種が用いられる。
【００４９】
このうち含硫黄系架橋剤としては、分子中に硫黄を含み、ジエン系ゴムやＧＥＣＯの架橋剤として機能しうる種々の有機化合物が使用可能である。含硫黄系架橋剤としては、例えば４，４′−ジチオジモルホリン（Ｒ）等が挙げられる。
ただし硫黄系架橋剤としては特に硫黄が好ましい。
硫黄の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり１質量部以上であるのが好ましく、２質量部以下であるのが好ましい。
【００５０】
また架橋剤として含硫黄系架橋剤を使用する場合、その配合割合は、分子中に含まれる硫黄の、ゴム分の総量１００質量部あたりの質量部が上記の範囲となるように調整するのが好ましい。
硫黄系架橋剤用の促進剤としては、例えばチアゾール系促進剤、チウラム系促進剤、スルフェンアミド系促進剤、ジチオカルバミン酸塩系促進剤等の、分子中に硫黄を含む含硫黄系促進剤の１種または２種以上が挙げられる。
【００５１】
このうちチアゾール系促進剤とチウラム系促進剤とを併用するのが好ましい。
チアゾール系促進剤としては、例えば２−メルカプトベンゾチアゾール（Ｍ）、ジ−２−ベンゾチアゾリルジスルフィド（ＤＭ）、２−メルカプトベンゾチアゾールの亜鉛塩（ＭＺ）、２-メルカプトベンゾチアゾールのシクロヘキシルアミン塩（ＨＭ、Ｍ６０−ＯＴ）、２−（Ｎ,Ｎ−ジエチルチオカルバモイルチオ）ベンゾチアゾール（６４）、２−（４′−モルホリノジチオ）ベンゾチアゾール（ＤＳ、ＭＤＢ）等の１種または２種以上が挙げられる。特にジ−２−ベンゾチアゾリルジスルフィド（ＤＭ）が好ましい。
【００５２】
またチウラム系促進剤としては、例えばテトラメチルチウラムモノスルフィド（ＴＳ）、テトラメチルチウラムジスルフィド（ＴＴ、ＴＭＴ）、テトラエチルチウラムジスルフィド（ＴＥＴ）、テトラブチルチウラムジスルフィド（ＴＢＴ）、テトラキス（２-エチルヘキシル）チウラムジスルフィド（ＴＯＴ−Ｎ）、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド（ＴＲＡ）等の１種または２種以上が挙げられる。特にテトラメチルチウラムモノスルフィド（ＴＳ）が好ましい。
【００５３】
上記２種の含硫黄系促進剤の併用系において、チアゾール系促進剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり１質量部以上、２質量部以下であるのが好ましい。またチウラム系促進剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．３質量部以上、１質量部以下であるのが好ましい。
〈イオン塩〉
ゴム組成物は、さらに、分子中にフルオロ基およびスルホニル基を有する陰イオンと、陽イオンとの塩（イオン塩）をも含んでいるのが好ましい。
【００５４】
かかるイオン塩を含むことで、半導電性ローラにさらに良好な半導電性を付与できる。
イオン塩を構成する、分子中にフルオロ基およびスルホニル基を有する陰イオンとしては、例えばフルオロアルキルスルホン酸イオン、ビス（フルオロアルキルスルホニル）イミドイオン、トリス（フルオロアルキルスルホニル）メチドイオン等の１種または２種以上が挙げられる。
【００５５】
このうちフルオロアルキルスルホン酸イオンとしては、例えばＣＦ３ＳＯ３−、Ｃ４Ｆ９ＳＯ３−等の１種または２種以上が挙げられる。
またビス（フルオロアルキルスルホニル）イミドイオンとしては、例えば(ＣＦ３ＳＯ２)２Ｎ−、(Ｃ２Ｆ５ＳＯ２)２Ｎ−、(Ｃ４Ｆ９ＳＯ２)(ＣＦ３ＳＯ２)Ｎ−、(ＦＳＯ２Ｃ６Ｆ４)(ＣＦ３ＳＯ２)Ｎ−、(Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２)(ＣＦ３ＳＯ２)Ｎ−、(ＣＦ３ＣＨ２ＯＳＯ２)２Ｎ−、(ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ２ＯＳＯ２)２Ｎ−、(ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＳＯ２)２Ｎ−、[(ＣＦ３)２ＣＨＯＳＯ２]２Ｎ−等の１種または２種以上が挙げられる。
【００５６】
さらにトリス（フルオロアルキルスルホニル）メチドイオンとしては、例えば(ＣＦ３ＳＯ２)３Ｃ−、(ＣＦ３ＣＨ２ＯＳＯ２)３Ｃ−等の１種または２種以上が挙げられる。
また陽イオンとしては、例えばナトリウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金属のイオン、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等の第２族元素のイオン、遷移元素のイオン、両性元素の陽イオン、第４級アンモニウムイオン、イミダゾリウム陽イオン等の１種または２種以上が挙げられる。
【００５７】
イオン塩としては、特に陽イオンとしてリチウムイオンを用いたリチウム塩、および陽イオンとしてカリウムイオンを用いたカリウム塩が好ましい。
中でも、ゴム組成物のイオン導電性を向上して半導電性ローラのローラ抵抗値を低下させる効果の点で、(ＣＦ３ＳＯ２)２ＮＬｉ〔リチウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〕、および／または(ＣＦ３ＳＯ２)２ＮＫ〔カリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〕が好ましい。
【００５８】
イオン塩の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．５質量部以上、特に０．８質量部以上であるのが好ましく、５質量部以下、特に４質量部以下であるのが好ましい。
イオン塩の配合割合がこの範囲未満では、半導電性ローラのイオン導電性を向上して、ローラ抵抗値を低下させる効果が十分に得られないおそれがある。
【００５９】
一方、範囲を超えてもそれ以上の効果が得られないだけでなく、過剰のイオン塩が半導電性ローラの外周面にブルームして感光体を汚染したり、紫外線の照射等による酸化膜の形成を妨げたりするおそれがある。
〈その他〉
ゴム組成物には、さらに必要に応じて各種の添加剤を配合してもよい。添加剤としては、例えば促進助剤、受酸剤、可塑剤、加工助剤、劣化防止剤、充填剤、スコーチ防止剤、滑剤、顔料、帯電防止剤、難燃剤、中和剤、造核剤、共架橋剤等が挙げられる。
【００６０】
このうち促進助剤としては、例えば亜鉛華等の金属化合物；ステアリン酸、オレイン酸、綿実脂肪酸等の脂肪酸、その他従来公知の促進助剤の１種または２種以上が挙げられる。
促進助剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり３質量部以上であるのが好ましく、７質量部以下であるのが好ましい。
【００６１】
受酸剤は、ゴム分の架橋時にエピクロルヒドリンゴムやＣＲから発生する塩素系ガスが半導電性ローラ内に残留したり、それによって架橋阻害や感光体の汚染等を生じたりするのを防止するために機能する。
受酸剤としては、酸受容体として作用する種々の物質を用いることができるが、中でも分散性に優れたハイドロタルサイト類またはマグサラットが好ましく、特にハイドロタルサイト類が好ましい。
【００６２】
また、ハイドロタルサイト類等を酸化マグネシウムや酸化カリウムと併用するとより高い受酸効果を得ることができ、感光体の汚染をより一層良好に防止できる。
受酸剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり３質量部以上であるのが好ましく、７質量部以下であるのが好ましい。
可塑剤としては、例えばジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、トリクレジルホスフェート等の各種可塑剤や、極性ワックス等の各種ワックス等が挙げられる。また加工助剤としては、例えばステアリン酸亜鉛等の脂肪酸金属塩などが挙げられる。
【００６３】
可塑剤および／または加工助剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり３質量部以下であるのが好ましい。
劣化防止剤としては、各種の老化防止剤や酸化防止剤等が挙げられる。
このうち老化防止剤は、半導電性ローラのローラ抵抗値の環境依存性を低減するとともに、連続通電時のローラ抵抗値の上昇を抑制する働きをする。老化防止剤としては、例えばジエチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラック（登録商標）ＮＥＣ−Ｐ〕、ジブチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラックＮＢＣ〕等が挙げられる。
【００６４】
老化防止剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．３質量部以上、１質量部以下であるのが好ましい。
充填剤としては、例えば酸化亜鉛、シリカ、カーボン、カーボンブラック、クレー、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム等の１種または２種以上が挙げられる。
【００６５】
充填剤を配合することにより、半導電性ローラの機械的強度等を向上できる。
充填剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり５質量部以上であるのが好ましく、２０質量部以下であるのが好ましい。
また充填剤として導電性カーボンブラック等の導電性充填剤を配合して、半導電性ローラに電子導電性を付与してもよい。
【００６６】
導電性カーボンブラックとしては、例えばアセチレンブラック等が挙げられる。
導電性カーボンブラックの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり１質量部以上であるのが好ましく、５質量部以下であるのが好ましい。
スコーチ防止剤としては、例えばＮ−シクロへキシルチオフタルイミド、無水フタル酸、Ｎ−ニトロソジフエニルアミン、２，４−ジフエニル−４−メチル−１−ペンテン等の１種または２種以上が挙げられる。特にＮ−シクロへキシルチオフタルイミドが好ましい。
【００６７】
スコーチ防止剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．１質量部以上であるのが好ましく、１質量部以下であるのが好ましい。
共架橋剤とは、それ自体が架橋するとともにゴム分とも架橋反応して全体を高分子化する働きを有する成分を指す。
共架橋剤としては、例えばメタクリル酸エステルや、あるいはメタクリル酸またはアクリル酸の金属塩等に代表されるエチレン性不飽和単量体、１，２−ポリブタジエンの官能基を利用した多官能ポリマ類、あるいはジオキシム等の１種または２種以上が挙げられる。
【００６８】
このうちエチレン性不飽和単量体としては、例えば下記(a)〜(h)で表される化合物等の１種または２種以上が挙げられる。
(a)  アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸類。
(b)  マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などのジカルボン酸類。
(c)  (a)(b)の不飽和カルボン酸類のエステルまたは無水物。
【００６９】
(d)  (a)〜(c)の金属塩。
(e)  １，３−ブタジエン、イソプレン、２−クロル−１，３−ブタジエンなどの脂肪族共役ジエン。
(f)  スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、エチルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどの芳香族ビニル化合物。
【００７０】
(g)  トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、ビニルピリジンなどの、複素環を有するビニル化合物。
(h)  その他、（メタ）アクリロニトリルもしくはα−クロルアクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物、アクロレイン、ホルミルステロール、ビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、ビニルブチルケトン。
【００７１】
また(c)の不飽和カルボン酸類のエステルとしては、モノカルボン酸類のエステルが好ましい。
モノカルボン酸類のエステルとしては、例えば下記の各種化合物等の１種または２種以上が挙げられる。
メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ぺンチル（メタ）アクリレート、ｉ−ぺンチル（メタ）アクリレート、ｎ−へキシル（メタ）アクリレート、シクロへキシル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、ｉ−ノニル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートなどの、（メタ）アクリル酸のアルキルエステル。
【００７２】
アミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ブチルアミノエチル（メタ）アクリレートなどの、（メタ）アクリル酸のアミノアルキルエステル。
べンジル（メタ）アクリレート、ベンゾイル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレートなどの、芳香族環を有する（メタ）アクリレート。
【００７３】
グリシジル（メタ）アクリレート、メタグリシジル（メタ）アクリレート、エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレートなどの、エポキシ基を有する（メタ）アクリレート。
Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、γ−（メタ）アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、テトラハイドロフルフリルメタクリレートなどの、各種官能基を有する（メタ）アクリレート。
【００７４】
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンジメタクリレート（ＥＤＭＡ）、ポリエチレングリコールジメタクリレート、イソブチレンエチレンジメタクリレートなどの多官能（メタ）アクリレート。
以上で説明した各成分を含むゴム組成物は、従来同様に調製できる。まずゴム分を所定の割合で配合して素練りし、次いでイオン塩と、架橋成分以外の各種添加剤とを加えて混練した後、最後に架橋成分を加えて混練することでゴム組成物が得られる。混練には、例えばインターミックス、バンバリミキサ、ニーダ、押出機等の密閉式の混練機や、あるいはオープンロール等を用いることができる。
【００７５】
〈半導電性ローラ１〉
前述した各工程を経て製造される半導電性ローラ１の半径Ｒ２や硬さ、ローラ抵抗値等は、その構造や用途等に応じて任意の範囲に設定できる。
例えば帯電ローラとして用いる、前述したように非多孔質でかつ単層の半導電性ローラ１は、直径が８ｍｍ（半径Ｒ２：４ｍｍ）以上であるのが好ましく、１５ｍｍ（半径Ｒ２：７．５ｍｍ）以下であるのが好ましい。またショアＡ硬さは５５°以上であるのが好ましく、６５°以下であるのが好ましい。さらにローラ抵抗値は、１×１０５Ω以上であるのが好ましく、１×１０６Ω以下であるのが好ましい。
【００７６】
また現像ローラとして用いる、非多孔質でかつ単層の半導電性ローラ１は、直径が１０ｍｍ（半径Ｒ２：５ｍｍ）以上であるのが好ましく、１７ｍｍ（半径Ｒ２：８．５ｍｍ）以下であるのが好ましい。またショアＡ硬さは４０°以上であるのが好ましく、５０°以下であるのが好ましい。さらにローラ抵抗値は、１×１０６Ω以上であるのが好ましく、１×１０７Ω以下であるのが好ましい。
【００７７】
なお本発明ではショアＡ硬さを、日本工業規格ＪＩＳ  Ｋ６２５３−３：２０１２に記載の測定方法に則って、温度２３±２℃の条件で、高分子計器(株)製のマイクロゴム硬度計ＭＤ−１を用いて測定した値でもって表すこととする。
また半導電性ローラ１のローラ抵抗値は、下記の方法で測定した値でもって表すこととする。ローラ抵抗値は、半導電性ローラ１の外周面４に酸化膜５を形成する場合は、当該酸化膜５を形成した状態でのローラ抵抗値である。
【００７８】
半導電性ローラ１を、上記のように非多孔質でかつ単層に形成すると、その構造を簡略化できるとともに、耐久性等を向上できる。
また半導電性ローラ１を非多孔質とすると、当該半導電性ローラ１のもとになる筒状体１３を収容溝８に収容した状態で架橋させる際に、当該筒状体１３が変形するのをより一層良好に抑制できる。
【００７９】
なお単層とは、ゴムからなる層の数が単層であることを指し、酸化膜５は層数に含まないこととする。
半導電性ローラ１の、上述した各特性を調整するためには、例えばゴム組成物を構成するゴム分や架橋剤、あるいは他の添加剤の種類や組み合わせ、あるいは配合割合等を調整すればよい。
【００８０】
〈ローラ抵抗値の測定〉
図３は、半導電性ローラ１のローラ抵抗値を測定する方法を説明する図である。
図２、図３を参照して、本発明では半導電性ローラ１のローラ抵抗値Ｒ（Ω）を、温度２３±２℃、相対湿度５５±２％の常温常湿環境下、印加電圧１００Ｖの条件で、下記の方法によって測定した値でもって表すこととする。
【００８１】
すなわち一定の回転速度で回転させることができるアルミニウムドラム１４を用意し、かかるアルミニウムドラム１４の外周面１５に上方から、シャフト３を挿通して固定した半導電性ローラ１の外周面４（酸化膜５を形成する場合は、当該酸化膜５を形成した外周面４）を接触させる。
またシャフト３とアルミニウムドラム１４との間には、直流電源１６および抵抗１７を直列に接続して計測回路１８を構成する。直流電源１６は(−)側をシャフト３、(＋)側を抵抗１７と接続する。抵抗１７の抵抗値ｒは１００Ωとする。
【００８２】
次いで、シャフト３の両端部にそれぞれ５００ｇの荷重Ｆをかけて半導電性ローラ１の外周面４をアルミニウムドラム１４に圧接させた状態で、当該アルミニウムドラム１４を回転（回転数：３０ｒｐｍ）させながら、両者間に直流電源１６から直流１００Ｖの印加電圧Ｅを印加した際に抵抗１７にかかる検出電圧Ｖを、４秒間で１００回計測してその平均値を求める。
【００８３】
検出電圧Ｖの平均値と印加電圧Ｅ（＝１００Ｖ）とから、半導電性ローラ１のローラ抵抗値Ｒ（Ω）は、基本的に式(a)′：
Ｒ＝ｒ×Ｅ／（Ｖ−ｒ）      (a)′
によって求められる。ただし式(a)′中の分母中の−ｒの項は微小とみなすことができるため、本発明では式(a)：
Ｒ＝ｒ×Ｅ／Ｖ      (a)
によって求めた値でもって半導電性ローラ１のローラ抵抗値Ｒ（Ω）とすることとする。
【００８４】
なお本発明の構成は、以上で説明した図の例のものには限定されない。
例えば半導電性ローラ１は単層には限定されず、外周面４側の外層とシャフト３側の内層の２層のゴム層を備えた積層構造に形成してもよい。
本発明の製造方法によって製造される半導電性ローラは、帯電ローラ、現像ローラのほか、例えば転写ローラ、クリーニングローラ等としてレーザープリンタ、静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、あるいはこれらの複合機等の、電子写真法を利用した画像形成装置に用いることができる。
【実施例】
【００８５】
〈実施例１〉
（ゴム組成物の調製）
下記の各ゴム分を配合した。
(Ａ)  ＥＣＯ〔ダイソー(株)製のエピクロマー（登録商標）Ｄ、エチレンオキサイド含量：６１モル％〕１５質量部
(Ｂ)  ＧＥＣＯ〔ダイソー(株)製のエピオン（登録商標）−３０１Ｌ、ＥＯ／ＥＰ／ＡＧＥ＝７３／２３／４（モル比）〕４５質量部
(Ｃ)  ＣＲ〔昭和電工(株)製のショウプレン（登録商標）ＷＲＴ〕１０質量部
(Ｄ)  ＮＢＲ〔ＪＳＲ(株)製のＪＳＲ  Ｎ２５０  ＳＬ、低ニトリルＮＢＲ、アクリロニトリル含量：２０％〕３０質量部
上記(Ａ)〜(Ｄ)のゴム分計１００質量部を、バンバリミキサを用いて素練りしながら、まず下記表１に示す各成分のうち架橋成分以外を加えて混練し、最後に架橋成分を加えてさらに混練してゴム組成物を調製した。
【００８６】
【表１】
2017072156.tif 000003
【００８７】
表１中の各成分は下記のとおり。なお表中の質量部は、ゴム分の総量１００質量部あたりの質量部である。
イオン塩：カリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〔三菱マテリアル電子化成(株)製のＥＦ−Ｎ１１２〕
受酸剤：ハイドロタルサイト類〔協和化学工業(株)製のＤＨＴ−４Ａ（登録商標）−２〕
促進助剤：酸化亜鉛２種〔三井金属鉱業(株)製〕
充填剤：導電性カーボンブラック〔アセチレンブラック、電気化学工業(株)製のデンカ  ブラック（登録商標）、粒状〕
加工助剤：ステアリン酸亜鉛〔堺化学工業(株)製のＳＺ−２０００〕
老化防止剤：ジブチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラック（登録商標）ＮＢＣ〕
チオウレア系架橋剤：エチレンチオウレア〔２−メルカプトイミダゾリン、川口化学工業(株)製のアクセル（登録商標）２２−Ｓ〕
促進剤ＤＴ：１，３−ジ−ｏ−トリルグアニジン〔グアニジン系促進剤、三新化学工業(株)製のサンセラー（登録商標）ＤＴ〕
分散性硫黄：架橋剤〔鶴見化学工業(株)製の商品名サルファックスＰＳ、硫黄分：９９．５％〕
促進剤ＤＭ：ジ−２−ベンゾチアゾリルジスルフィド〔チアゾール系促進剤、大内新興化学工業(株)製のノクセラー（登録商標）ＤＭ〕
促進剤ＴＳ：テトラメチルチウラムモノスルフィド〔チウラム系促進剤、三新化学工業(株)製のサンセラーＴＳ〕
（半導電性ローラの製造）
上記ゴム組成物をφ６０の押出成形機に供給して、外径φ１６．５ｍｍ、内径φ５．５ｍｍの筒状に押出成形して筒状体１３を作製した。
【００８８】
次いで上記筒状体１３を、図１(a)(b)に示すトレー１の、内底面７の半径Ｒ１が１１．５ｍｍである収容溝８に収容した状態で、加硫缶内で１６０℃×３０分間架橋させた。
上記収容溝８の内底面７の半径Ｒ１は、筒状体１３の半径Ｒ２（＝８．２５ｍｍ）の１．３９倍であった。
架橋させた筒状体を、外周面に導電性の熱硬化性接着剤（ポリアミド系）を塗布した外径φ６ｍｍの金属シャフトに装着し直して、オーブン中で１５０℃×６０分間加熱して、当該金属シャフトに接着させて両端をカットしたのち、外周面を、広幅研磨機を用いて外径がφ９．５ｍｍになるまで乾式研磨した。
【００８９】
研磨後の外周面４をアルコール拭きしたのち、ＵＶ光源から外周面までの距離を５０ｍｍとしてＵＶ処理装置にセットし、３０ｒｐｍで回転させながら紫外線を１５分間照射することで酸化膜５を形成して半導電性ローラ１を製造した。
〈実施例２〜４、比較例１、２〉
内底面７の半径Ｒ１が８ｍｍ（比較例１）、９ｍｍ（実施例２）、１５ｍｍ（実施例３）、２１ｍｍ（実施例４）、および２２ｍｍ（比較例５）である収容溝８を有するトレー１を使用したこと以外は実施例１と同様にして半導電性ローラ１を製造した。
【００９０】
収容溝８の内底面７の半径Ｒ１は、筒状体１３の半径Ｒ２（＝８．２５ｍｍ）の０．９７倍（比較例１）、１．０９倍（実施例２）、１．８２倍（実施例３）、２．５５倍（実施例４）、および２．６７倍（比較例２）であった。
〈凹み評価〉
上記各実施例、比較例で製造途中の、架橋直後の筒状体１３を観察して、下記の基準で凹みの有無を評価した。
【００９１】
◎：全く凹みは見られなかった。
○：ごくわずかに凹みが見られたが、通好に芯金を挿通後の研磨によって修正可能なレベルであった。
×：研磨によって修正できない凹みが見られた。
〈湾曲評価〉
上記筒状体１３を観察して、下記の基準で湾曲の有無を評価した。
【００９２】
◎：全く湾曲は見られなかった。
○：ごくわずかに湾曲が見られたが、通孔に芯金を挿通後の研磨によって修正可能なレベルであった。
×：研磨によって修正できない湾曲が見られた。
〈ローラ抵抗値の均一性評価〉
前述したローラ抵抗値の測定において、４秒間で１００回計測した個々の計測値から、それぞれ式(a)によってローラ抵抗値を求めてその最大値と最小値を抽出し、かかる最大値と最小値の比（最大値）／（最小値）を求めて、下記の基準でローラ抵抗値の均一性を評価した。
【００９３】
◎：上記比は１．２以下であった。
○：上記比は１．２を超え、かつ２．０以下であった。
×：上記比は２．０を超えていた。
以上の結果を表２に示す。
【００９４】
【表２】
2017072156.tif 000004
【００９５】
表２の実施例１〜４、比較例１、２の結果より、架橋前の筒状体を、内底面の断面形状が上記筒状体の半径Ｒ２の１．０５倍以上、２．６倍以下の半径Ｒ１である円弧状の凹曲面とされた直線状の収容溝内に収容した状態で架橋させることにより、仮芯の挿通工程を無くして現状よりも高い生産性でもって、しかも凹み、湾曲、ローラ抵抗値のムラ等のない良好な半導電性ローラを製造できることが判った。
【符号の説明】
【００９６】
１     半導電性ローラ
２     通孔
３     シャフト
４     外周面
５     酸化膜
６     トレー
７     内底面
８     収容溝
９     略半筒体
１０   枠体
１１   ロッド
１２   ガイド
１３   筒状体
１４   アルミニウムドラム
１５   外周面
１６   直流電源
１７   抵抗
１８   計測回路
Ｆ     荷重
Ｌ１   長さ
Ｌ２   全長
Ｒ１   半径
Ｒ２   半径
Ｖ     検出電圧
【図１】
2017072156.tif 000005
【図２】
2017072156.tif 000006
【図３】
2017072156.tif 000007