(57)【要約】  【課題】金属箔がロー材によって接合された配線基板を製造する場合に、ロー材中にボイドが残存することを抑制できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供すること。  【解決手段】第１工程にて、セラミック基板３の表面にロー材箔２１を配置し、第２工程にて、開口部２３を有する金属箔１７をロー材箔２１を覆うように配置する。そして、第３工程にて、ロー材が溶融する温度に加熱して、溶融したロー材を貫通孔１１及び開口部２３に充填し、その後冷却して固化させる。溶融したロー材中には、発生したガス等によるボイドが生ずることがあるが、ロー材箔２１を覆う金属箔１７には開口部２３があるので、このボイド中のガスは金属箔１７の開口部２３を介して外部に排出される。そのため、溶融したロー材中にボイドが残存しにくく、よって、その後冷却して固化したロー材中にもボイドは残存しにくい。【選択図】図２
2017010982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の表面と前記一対の表面を貫通する貫通孔とを有するセラミック基板の少なくとも一方の表面に対し、ロー材を配置する第１工程と、
開口部を有する金属箔を、前記ロー材を覆うように配置する第２工程と、
前記ロー材が溶融する温度に加熱して、前記溶融したロー材を前記貫通孔に充填し、その後冷却して前記ロー材を固化させる第３工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第３工程の後に、前記ロー材及び前記金属箔のうち、配線層が形成される箇所以外を除去して、前記配線層を形成する第４工程を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属箔の開口部の形成位置と前記貫通孔の形成位置とがずれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２工程の後に、前記金属箔の表面上に、金属又はセラミックからなる拘束板を配置することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記拘束板に前記金属箔の開口部と連通する連通孔を有することを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記ロー材の溶融前では、前記セラミック基板は、厚み方向から見た場合に、前記ロー材及び前記金属箔で覆われた箇所と、前記セラミック基板の表面が露出した箇所とを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
一対の表面を有するセラミック基板の少なくとも一方の表面に、ロー材によって接合された金属箔を備えた配線基板であって、
前記セラミック基板は、前記一対の表面を貫通する貫通孔を有し、
且つ、前記貫通孔には、前記ロー材が充填されているとともに、前記ロー材は、前記金属箔の周縁部に回り込んで該金属箔に接合されていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＬＥＤ等の発熱量の多い半導体などを搭載する配線基板の製造方法及び配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高放熱性が求められる配線基板としては、例えばセラミック基板に金属製の配線（配線層）が形成されたセラミック配線基板が知られている。
また、セラミック基板の表面に配線層を形成する方法として、まず、セラミック基板上に、周知の印刷、メッキ、スパッタリング、金属箔の接合等によって金属層を形成し、次に、周知のエッチング、ブラスト、レーザー等によって、金属層を端子等の配線層の形状に加工する方法が知られている。
【０００３】
高放熱性が求められる配線基板の配線層として、３０μｍ程度以上の厚い配線層が求められるが、上述した印刷、メッキ、スパッタリングでは、厚さの制御が困難である。また、十分な厚みの配線層を得るためには、非常に多くの工数がかかる。そのため、高放熱性が求められる配線基板の配線層を形成するために、金属箔を接合する方法がよく用いられる。
【０００４】
この金属箔を用いて配線層を形成する場合には、金属箔をロー材によってセラミック基板に接合する方法が知られている（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０６−３１０８５０号公報
【特許文献２】特開昭６０−１７７６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、セラミック基板の表面にロー材によって金属箔を接合（ロー付け）する場合には、加熱によってロー材を溶融させると、ロー材中に気泡（即ち空隙：ボイド）が発生することがある。そのため、ロー材を冷却した固化させた後にも、固化したロー材中にボイドが残留することがある。
【０００７】
このように、セラミック基板と金属箔との間のロー材中にボイドが残留すると、金属箔の表面（従って配線層）にシワが発生することがある。また、ボイドが残留すると、加熱や冷却による熱履歴によってボイドの体積が変動することにより、配線層が破壊される恐れがある。
【０００８】
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、金属箔がロー材によって接合された配線基板を製造する場合に、ロー材中にボイドが残存することを抑制できる配線基板の製造方法及びその配線基板の製造方法によって製造できる配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明の第１態様の配線基板の製造方法は、一対の表面と一対の表面を貫通する貫通孔とを有するセラミック基板の少なくとも一方の表面に対し、ロー材を配置する第１工程と、開口部を有する金属箔を、ロー材を覆うように配置する第２工程と、ロー材が溶融する温度に加熱して、溶融したロー材を貫通孔に充填し、その後冷却してロー材を固化させる第３工程と、を有する。
【００１０】
本第１態様では、第１工程にて、セラミック基板の少なくとも一方の表面にロー材を配置し、第２工程にて、開口部を有する金属箔をロー材を覆うように配置する。そして、第３工程にて、ロー材が溶融する温度に加熱して、溶融したロー材を貫通孔に充填する。
【００１１】
この溶融したロー材中には、発生したガス等による気泡（ボイド）が生ずることがあるが、金属箔には開口部があるので、このボイド中のガスは金属箔の開口部を介して外部に排出される。そのため、溶融したロー材中にボイドが残存しにくく、よって、その後冷却して固化したロー材中にもボイドは残存しにくい。
【００１２】
その結果、ロー材によって接合された金属箔の表面（従って金属箔等によって形成される端子等の配線層の表面）に、シワが発生しにくいという効果がある。また、配線基板の温度が変動した場合でも、ボイドに起因する内部応力の変動が少ない（又は無いので）、セラミック基板の表面に接合された金属箔（従って端子等の配線層）が破壊されにくいという顕著な効果を奏する。
【００１３】
また、本第１態様では、セラミック基板と金属箔とをロー材によって接合できるとともに、貫通孔にロー材を充填してビアを形成できるという利点もある。つまり、金属箔の接合とビアの形成とを同時行うことができるので、放熱性に優れた配線基板を効率良く製造できるという効果も奏する。
【００１４】
（２）本発明の第２態様の配線基板の製造方法では、第３工程の後に、ロー材及び金属箔のうち、配線層が形成される箇所以外を除去して、配線層を形成する第４工程を有する。
【００１５】
本第２態様では、第４工程にて、ロー材及び金属箔で形成された金属部分に対して、端子等の配線層となる部分以外の不要な箇所を除去することにより、容易に所望の形状の配線層を形成することができる。
【００１６】
（３）本発明の第３態様の配線基板の製造方法では、前記金属箔の開口部の形成位置と前記貫通孔の形成位置とがずれている。
本第３態様では、（平面視で）金属箔の開口部と貫通孔の位置は同じではなくずれている。つまり、貫通孔は金属箔で覆われているので、金属箔を加工して配線層を形成する場合に、配線層の表面は金属箔のみで形成することができる。これにより、配線層の表面の特性を均一化することができる。
【００１７】
（４）本発明の第４態様の配線基板の製造方法では、前記第２工程後に、前記金属箔の表面上に、金属又はセラミックからなる拘束板を配置する。
本第４態様では、金属箔の表面上に拘束板を配置してロー付けを行うので、拘束板によって金属箔を十分に押さえることができる。そのため、金属箔を確実に接合することができる。また、ロー付け後の金属箔の表面がシワになり難いので、端子等の配線層の表面を好適に形成することができる。
【００１８】
（５）本発明の第５態様の配線基板の製造方法では、前記拘束板に前記金属箔の開口部と連通する連通孔を有する。
本第５態様では、ロー材が溶融した際にボイドが発生しても、そのボイドは金属箔の開口部から拘束板の連通孔を介して容易に外部に排出される。よって、固化したロー材中にボイドが残留し難いという利点がある。
【００１９】
（６）本発明の第６態様の配線基板の製造方法では、前記ロー材の溶融前では、前記セラミック基板は、厚み方向から見た場合に、前記ロー材及び前記金属箔で覆われた箇所と、前記セラミック基板の表面が露出した箇所とを有する。
【００２０】
本第６態様では、ロー材を溶融させる前では、金属箔で覆う必要のある箇所（例えば端子等の配線層を形成する箇所）のみロー材や金属箔で覆えば良いので、ロー材や金属箔の使用量を抑制できるという利点がある。
【００２１】
（７）本発明の第７態様の配線基板は、一対の表面を有するセラミック基板の少なくとも一方の表面に、ロー材によって接合された金属箔を備えた配線基板であって、前記セラミック基板は、前記一対の表面を貫通する貫通孔を有し、且つ、前記貫通孔には、前記ロー材が充填されているとともに、前記ロー材は、前記金属箔の周縁部に回り込んで該金属箔に接合されている。
【００２２】
本第７態様では、ロー材は、セラミック基板と金属箔との間だけではなく、金属箔の周縁部にも回り込んで金属箔に接合されているので、金属箔はセラミック基板に強固に接合されている。
【００２３】
＜本発明の各構成＞
ここで、本発明の各構成について説明する。
・前記セラミック基板の材料としては、酸化物系セラミック（例えば酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等）や、窒化物系セラミック（例えば窒化アルミニウム、窒化ケイ素等）を用いることができる。なお、高放熱性が要求される場合には、熱伝導率の高い窒化アルミニウムが好適である。
【００２４】
・前記貫通孔の形成は、セラミック基板の焼成の前後のどちらでもよい。例えば、焼成前のグリーンシートに、パンチングやレーザー等で孔をあけ、その後グリーンシートを焼成してもよい。或いは、焼成済みのセラミック基板に対して、レーザーやブラスト等で孔をあけてもよい。
【００２５】
・前記ロー材の材料としては、共晶銀ロー、７２％Ａｇ−２８％Ｃｕ等を用いることができる。
ロー材としては、薄膜の部材を用いることができ、その厚みとしては、１０〜５０μｍを採用することができる。なお、ロー材の厚みが１０μｍより薄いと貫通孔に十分にロー材を供給できない恐れがあり、５０μｍより厚いとパターンの形成が困難になる恐れがある。
【００２６】
・前記金属箔としては、例えば３０〜１００μｍの厚さの材料を使用できる。なお、金属箔の厚みが３０μｍより薄いと十分な厚みの端子等の配線（パターン）の形成が困難となる恐れがあり、１００μｍより厚いと、パターンの形成が困難になる恐れがある。
【００２７】
金属箔の材料としては、ＭｏやＣｕを用いることができる。それ以外には、ＫＯＶＡＲ等を用いることができる。
・前記拘束板としては、金属やセラミックからなる板材を用いることができる。金属としては、ステンレス（ＳＵＳ）を用いることができ、セラミックとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等を用いることができる。また、カーボンを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】（ａ）は第１実施形態における配線基板の平面図、（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】第１実施形態の配線基板の製造方法を示す説明図である。
【図３】（ａ）は第１実施形態で使用される拘束板の平面図、（ｂ）はその金属箔の平面図、（ｃ）はセラミック基板上に金属箔及び拘束板を配置した状態を示す平面図である。
【図４】第１実施形態の配線基板の製造方法にて、溶融したロー材中のボイドの状態を模式的に示す説明図である。
【図５】（ａ）は第２実施形態における配線基板の平面図、（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】第２実施形態の配線基板の製造方法を示す説明図である。
【図７】（ａ）は第３実施形態における配線基板の平面図、（ｂ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【図８】（ａ）は第３実施形態で使用される拘束板の平面図、（ｂ）はその金属箔の平面図、（ｃ）はセラミック基板上に金属箔及び拘束板を配置した状態を示す平面図である。
【図９】（ａ）は第４実施形態における配線基板の平面図、（ｂ）は図９（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【図１０】（ａ）は第４実施形態で使用される拘束板の平面図、（ｂ）はその金属箔の平面図、（ｃ）はセラミック基板上に金属箔及び拘束板を配置した状態を示す平面図である。
【図１１】（ａ）は第５実施形態の配線基板の製造方法にて、セラミック基板上にロー材箔、金属箔、拘束板を配置した状態を示す平面図、（ｂ）は図１１（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
【図１２】他の実施形態における配線基板を厚み方向に破断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
［第１実施形態］
ａ）まず、本第１実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板について説明する。
【００３０】
図１に示す様に、本第１実施形態における配線基板１は、例えば窒化アルミニウムからなるセラミック基板３の一方の面（主面）に、配線層である端子５が形成されたものである。
【００３１】
つまり、セラミック基板３は、第１主面である上面（図１（ｂ）の上方）７及び第２主面である下面（図１（ｂ）の下方）９を有する平板であり、その上面７に平板状の端子５が、例えば２箇所に形成されている。
【００３２】
詳しくは、セラミック基板３には、セラミック基板３を厚み方向に貫いて、上面７及び下面９に開口する複数の貫通孔１１が設けられており、この貫通孔１１には導電材料であるロー材が充填されてビア１３が形成されている。なお、ロー材としては、例えば共晶銀ローが用いられる。
【００３３】
貫通孔１１（従ってビア１３）の形状（図１（ａ）に対して垂直に見た平面視での形状）は、例えば円形であり、その直径は例えばφ０．１０〜φ０．３０ｍｍである。
一方、端子５は、図１（ｂ）に示すように、ロー材からなる平板状のロー材層１５とロー材層１５の上面全体を覆う金属箔１７とから形成されている。つまり、金属箔１７は、ロー材層１５によって、セラミック基板３の上面７に接合されている。
【００３４】
ここで、金属箔１７は例えばＣｕからなり、その厚みは３０〜１００μｍの範囲内の例えば８０μｍである。ロー材層１５の厚み（溶融後に固化した厚み）は３〜１５μｍの範囲内の例えば５μｍである。従って、端子５の厚みは３３〜１１５μｍの範囲内の例えば８５μｍである。
【００３５】
この端子５は、複数のビア１３のうち、端子５の形成位置（平面視でのセラミック基板３に対する投影領域）に設けられた特定のビア１３の厚み方向の端部（上面７側の端部）を覆うよう設けられており、ビア１３に接合されるとともに電気的に導通している。
【００３６】
なお、ビア１３中のロー材とロー材層１５を構成するロー材は、後述するように同一のものであり、ビア１３とロー材層１５とは一体となっている。
また、図示しないが、セラミック基板３の上面７には、セラミック基板３とロー材との密着性を向上させるために、例えばＴｉやＰｄからなる下地金属層（図示せず）を形成してもよい。
【００３７】
ｂ）次に、本第１実施形態の配線基板１の製造方法を説明する。
図２（ａ）に示すように、定法によって、窒化アルミニウムからなるセラミック基板３を作製する。
【００３８】
例えば窒化アルミニウム粉末に、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合してスラリーを作製し、このスラリーを用いて、周知の手法（例えばドクターブレード法やカレンダーロール法）によってグリーンシートを作製し、このグリーンシートを焼成してセラミック基板３を作製する。
【００３９】
また、セラミック基板３の上面７に、スパッタリング又はメッキ等によって、Ｔｉ又はＰｄからなる下地金属層を形成する。なお、下地金属層を形成しなくともよい。
次に、図２（ｂ）に示すように、セラミック基板３の所定の複数の箇所に、レーザーやブラスト等によって貫通孔１１をあける。
【００４０】
次に、図２（ｃ）に示すように、セラミック基板３の上面７全体を覆うように（即ち貫通孔１１を覆うように）、例えば共晶銀ローである例えば厚さ３０μｍのロー材からなるシート（ロー材箔）２１を配置する（第１工程）。なお、ロー材箔２１の平面視での外形形状は、セラミック基板３と同様である。
【００４１】
更に、ロー材箔２１の上面全体を覆うように、例えばＣｕからなる例えば厚さ８０μｍの金属箔１７を配置する（第２工程）。
ここで、金属箔１７の形状について説明する。
【００４２】
図３（ｂ）に示すように、金属箔１７の平面視での外形形状は、ロー材箔２１と同様であり、この金属箔１７には、厚み方向に貫通する多数の開口部２３が形成されている。この開口部２３は、端子５が形成される領域Ｔを避けるようにして、金属箔１７の全面にわたってほぼ均等に配置されている。
【００４３】
また、図３（ｃ）に示すように、平面視において、開口部２３の位置は貫通孔１１の位置と完全にずれており、重なってはいない。なお、開口部２３の平面視の形状は、例えば円形であり、その直径は例えばφ０．１０〜φ０．３０ｍｍであるが、位置によって、その形状や大きさを変更してもよい。
【００４４】
次に、図２（ｄ）に示すように、金属箔１７の上面全体を覆うように、例えば金属箔１７と同様な材料（例えばＣｕ）からなる拘束板２５を載置する。この拘束板２５の厚みは、金属箔１７の厚みより大きく、例えば５００μｍである。なお、拘束板２５の材料としては、金属以外に、例えばセラミック（例えば酸化アルミニウム）等の材料を使用できる。
【００４５】
ここで、拘束板２５の形状について説明する。
図３（ａ）に示すように、拘束板２５の平面視での外形形状は、金属箔１７と同様でああり、この拘束板２５には、厚み方向に貫通する多数の連通孔２７が形成されている。この連通孔２７は、端子５が形成される領域Ｔを避けるようにして、拘束板２５の全面にわたってほぼ均等に配置されている。
【００４６】
この拘束板２５の連通孔２７は、図３（ｃ）に示すように、金属箔１７の開口部２３と連通するように配置されている。つまり、平面視で、連通孔２７と開口部２３とが重なるように配置されている。
【００４７】
また、連通孔２７の平面視の形状は、例えば円形であり、その直径は例えばφ０．２０〜０．７０ｍｍである。ここでは、連通孔２７と開口部２３とは同心状に配置されており、連通孔２７の直径が開口部２３の直径よりも大きいので、平面視で、開口部２３は連通孔２７の範囲内に配置されている。
【００４８】
図２（ｄ）に戻り、セラミック基板３の下面９側には、下面９全体を覆うように下基板２９を配置する。この下基板２９としては、ロー材と接合しにくい例えば酸化アルミニウム等のセラミック基板を使用できる。
【００４９】
これによって、ロー付けの際に必要な、図２（ｄ）の構造の組付体３１が形成される。
次に、図２（ｅ）に示すように、前記組付体３１を、図示しないベルト炉内に配置して、ロー付けを行う（第３工程）。
【００５０】
詳しくは、組付体３１を、Ｈ２の還元雰囲気中で、ロー材が溶融し且つ金属箔１７が溶融しない８００〜９００℃の温度範囲で加熱し、ロー材を溶融させ、その温度状態を例えば５分間保つ。これにより、ロー材箔２１は溶融し、溶融したロー材の一部は貫通孔１１内や開口部２３内や連通孔２７の下部に流入する。
【００５１】
このロー材が溶融する際には、図４に拡大して示すように、溶融したロー材（Ｒ）中に気泡（ボイド：Ｖ）が発生することがある。このボイドのうち、貫通孔１１中や開口部２３中や金属箔１７とセラミック基板３との間の隙間３３等にあるロー材中のボイドは、外気（外部）と連通した連通孔２７中のロー材中に移動し、そのボイドは、連通孔２７中のロー材から外部に放出される。従って、溶融時間を十分に（例えば５分間以上）確保することにより、ロー材中からボイドを排出することができる。
【００５２】
その後、図２（ｆ）に示すように、ロー材等を徐々に自然冷却させる。この冷却に伴ってロー材が固化し、ビア１３が形成されるとともに、金属箔１７とセラミック基板３とがロー材層１５によって接合される。
【００５３】
次に、図２（ｇ）に示すように、ロー付け後のセラミック基板３から、拘束板２５と下基板２９とを取り除く。
次に、図２（ｈ）に示すように、金属箔１７がロー付けされたセラミック基板３の上面７側に対して、周知のエッチングやブラスト加工によって、端子５以外の部分（端子５以外のロー材層１５及び金属箔１７）を除去し、端子５を形成する（第４工程）。
【００５４】
これによって、配線基板１が完成する。
ｃ）次に、本第１実施形態の効果を説明する。
第１実施形態では、第１工程にて、セラミック基板３の上面７にロー材箔２１を配置し、第２工程にて、開口部２３を有する金属箔１７をロー材箔２１を覆うように配置する。そして、第３工程にて、ロー材が溶融する温度に加熱して、溶融したロー材を貫通孔１１及び開口部２３に充填し、その後冷却して固化させる。
【００５５】
溶融したロー材中には、発生したガス等による気泡（ボイド）が生ずることがあるが、ロー材箔２１を覆う金属箔１７には開口部２３があるので、このボイド中のガスは金属箔１７の開口部２３を介して外部に排出される。そのため、溶融したロー材中にボイドが残存しにくく、よって、その後冷却して固化したロー材中（即ちロー材層１５やビア１３の内部）にもボイドは残存しにくい。
【００５６】
その結果、ロー材によって接合された金属箔１７の表面（従って金属箔１７等によって形成される端子５の表面）に、シワが発生しにくいという効果がある。また、配線基板１の温度が変動した場合でも、ボイドに起因する内部応力の変動が少ない（又は無いので）、セラミック基板３の表面に接合された金属箔１７（従って端子５）が破壊されにくいという顕著な効果を奏する。
【００５７】
また、第１実施形態では、セラミック基板３と金属箔１７とをロー材によって接合できるとともに、貫通孔１１にロー材を充填してビア１３を形成できるという利点もある。つまり、金属箔１７の接合とビア１３の形成とを同時行うことができるので、放熱性に優れた配線基板１を効率良く製造できるという効果も奏する。
【００５８】
さらに、第１実施形態では、第３工程の後の第４工程にて、ロー材層１５及び金属箔１７で形成された金属部分に対して、端子５となる部分以外の不要な箇所を除去することにより、容易に所望の形状の端子５を形成することができる。
【００５９】
その上、第１実施形態では、（平面視で）金属箔１７の開口部２３とセラミック基板３の貫通孔１１の位置は同じではなくずれている。つまり、貫通孔１１は金属箔１７で覆われているので、金属箔１７等を加工して端子５を形成する場合に、端子５の表面は金属箔１７のみで形成することができる。これにより、端子５の表面の特性を均一化することができる。
【００６０】
また、第１実施形態では、ロー付けの際には金属箔１７の表面上に拘束板２５を配置するので、拘束板２５によって金属箔１７を十分に押さえることができる。そのため、金属箔１７を確実に接合することができる。また、ロー付け後の金属箔１７の表面がシワになり難いので、端子５の表面を好適に形成することができる。
【００６１】
さらに、第１実施形態では、拘束板２５に金属箔１７の開口部２３と連通する連通孔２７が形成されている。そのため、ロー材が溶融した際にボイドが発生しても、そのボイドは金属箔１７の開口部２３から拘束板２５の連通孔２７を介して容易に外部に排出される。よって、固化したロー材中にボイドが残留し難いという利点がある。
【００６２】
なお、拘束板２５としては、連通孔２７を設けなくてよい。その場合は、連通孔２７を設けた場合よりは効果は少なくなるが、ボイドの抑制やシワの低減には効果を有する。
［第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。また、第１実施形態の構成と同じ構成は、同じ番号を使用する。
【００６３】
ａ）まず、第２実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板について説明する。
図５に示すように、第２実施形態における配線基板４１は、セラミック基板３の上面７及び下面９に、同様に端子５（上端子５ａ、下端子５ｂ）を形成したものである。
【００６４】
つまり、セラミック基板の複数のビア１３のうち、端子５の形成位置（平面視での投影領域）に設けられた特定のビア１３の上面７側には、ロー材層１５（上ロー材層１５ａ）及び金属箔１７（上金属箔１７ａ）からなる上端子５ａが設けられている。同様に、特定のビア１３の下面９側には、ロー材層１５（下ロー材層１５ｂ）及び金属箔１７（下金属箔１７ｂ）からなる下端子５ｂが設けられている。
【００６５】
ｂ）次に、第２実施形態の配線基板４１の製造方法について説明する。
図６（ａ）に示すように、まず、窒化アルミニウムからなるセラミック基板３を作製する。なお、セラミック基板３の上面７及び下面９に下地金属層を形成してもよい。
【００６６】
次に、図６（ｂ）に示すように、セラミック基板３の複数の箇所に貫通孔１１をあける。
次に、図６（ｃ）に示すように、セラミック基板３の上面７全体を覆うように、上ロー材箔２１ａを配置するとともに、下面９全体を覆うように、下ロー材箔２１ｂを配置する。
【００６７】
更に、上ロー材箔２１ａの上面全体を覆うように、開口部２３を有する上金属箔１７ａを配置するとともに、下ロー材箔２１ｂの下面全体を覆うように、（開口部の無い）下金属箔１７ｂを配置する。
【００６８】
次に、図６（ｄ）に示すように、上金属箔１７ａの上面全体を覆うように、（開口部２３と連通する）連通孔２７を有する上拘束板２５ａを配置する。また、下金属箔１７ｂの下面全体を覆うように（連通孔を有しない）下拘束板２５ｂを載置する。なお、上拘束板２５ａ及び下拘束板２５ｂは、金属箔１７と同じ材料からなる。
【００６９】
次に、図６（ｅ）に示すように、前記図６（ｄ）の構造の組付体４３を、図示しないベルト炉内に配置して、前記第１実施形態と同様にしてロー付けを行う。
このとき、上下のロー材箔２１ａ、２１ｂは溶融し、溶融したロー材は貫通孔１１内や開口部２３内に流入し、更に、溶融したロー材の一部が連通孔２７の下部に流入する。また、溶融したロー材中から、ボイドが連通孔２７等を介して外部に排出される。
【００７０】
そして、図６（ｆ）に示すように、冷却に伴ってロー材が固化し、ビア１３が形成される。その際に、上金属箔１７ａとセラミック基板３の上面７とが上ロー材層１５ａによって接合されるとともに、下金属箔１７ｂとセラミック基板３の下面９とが下ロー材層１５ｂによって接合される。
【００７１】
次に、図６（ｇ）に示すように、ロー付け後のセラミック基板３から、上下の拘束板２５ａ、２５ｂを取り除く。
次に、図６（ｈ）に示すように、上金属箔１７ａがロー付けされたセラミック基板３の上面７側と下金属箔１７ｂがロー付けされたセラミック基板３の下面９側とに対して、周知のエッチングやブラスト加工によって、上端子５ａ及び下端子５ｂ以外の部分を除去し、上端子５ａ及び下端子５ｂを形成する。これによって、配線基板４１が完成する。
【００７２】
第２実施形態では、上述した配線基板４１の製造方法によって、第１実施形態と同様な効果を奏するとともに、セラミック基板３の両側に同時に端子５を形成できるという利点がある。
［第３実施形態］
次に、第３実施形態について説明するが、前記第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。また、第１実施形態の構成と同じ構成は、同じ番号を使用する。
【００７３】
ａ）まず、第３実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板について説明する。
図７に示すように、第３実施形態における配線基板５１では、セラミック基板３の上面７に矩形状（例えば正方形）の端子５が形成されているが、その端子５に接続されるビア５３の形状や配置が、第１実施形態と異なっている。
【００７４】
詳しくは、平面視で、矩形状の端子５の各辺に沿って、長尺の矩形状（長方形）のビア５３が形成されており、各ビア５３の外周側の辺は端子５の各辺と一致するように配置されている。
【００７５】
ここでは、ビア５３は、１つの端子５に対して、４箇所ではなく１〜３箇所に設けてもよい（即ち１箇所でも複数箇所でも良い）。
ｂ）次に、第３実施形態の配線基板５１の製造方法について説明する。
【００７６】
第３実施形態の配線基板５１の製造方法の手順は、第１実施形態と同様であるが、図８に示すように、使用する金属箔５５の開口部５７及び拘束板５９の連通孔６１の形状や配置が、第１実施形態と異なっている。
【００７７】
具体的には、第３実施形態では、図８（ｂ）に示す形状の金属箔５５が使用される。この金属箔５５には、平面視で、端子５が形成される矩形状の領域Ｔの各辺に沿って、各ビア５３と同様な長方形の各開口部５７（内側開口部５７ａ）が形成されている。つまり、各辺において、ビア５３の外周側の長辺と内側開口部５７ａの内周側の長辺とが一致するように配置されている。
【００７８】
なお、内側開口部５７ａの外周側には、複数の円形の外側開口部５７ｂが全面にわたって分散して形成されている。
また、第３実施形態では、図８（ａ）に示す形状の拘束板５９が使用される。この拘束板５９には、平面視で、端子５が形成される矩形状の領域Ｔの各辺に沿って、各内側開口部５７ａとほぼ同様な長方形（相似形状）の各連通孔６１（内側連通孔６１ａ）が、各内側開口部５７ａとほぼ同様な箇所にて、各内側開口部５７ａと重なるように形成されている。
【００７９】
なお、内側連通孔６１ａの外周側には、複数の円形の外側連通孔６１ｂが、各外側開口部５７ｂと重なるように、全面にわたって分散して形成されている。
従って、図８（ｃ）に示すように、セラミック基板３上に、金属箔５５を配置し、更に金属箔５５上に拘束板５９を配置した場合には、各連通孔６１は各開口部５７を内部に含むように、同心状に配置される。
【００８０】
本第３実施形態では、上述した構成の金属箔５５及び拘束板５９等を用いて配線基板５１を製造するが、その製造手順は、前記第１実施形態と同様であるので、その説明は省略する。
【００８１】
ｃ）本第３実施形態では、上述した構成の金属箔５５及び拘束板５９等を用いて配線基板５１を製造するので、平面視で、端子５の外周とビア５３の外周側の長辺と金属箔５５の内側開口部５７ａの内周側の長辺との位置が同じである。
【００８２】
従って、ロー材の溶融時には、ロー材中に発生したボイド（特にビア５３部分のボイド）は、内側開口部５７ａ及び内側連通孔６１ａを介して外部に排出され易いという効果がある。
【００８３】
また、端子５を形成する場合には、端子５以外の部分をエッチング等によって除去するが、形成された端子５の側面６（図７（ｂ）参照）の一部には、内側開口部５７ａに充填されたロー材の一部が残っている。つまり、側面６にロー材の一部が残る程度にエッチング等を行う。
【００８４】
この側面６のロー材は、ロー材層１５（図７（ｂ）参照）と連続して一体となっているので、つまり、ロー材は、金属箔５５の周縁部に回り込んで金属箔５５に接合されているので、端子５は、セラミック基板３に強固に接合されている。
【００８５】
つまり、第３実施形態では、第１実施形態と同様な効果を奏するとともに、端子５の接合強度が大きいという利点がある。
［第４実施形態］
次に、第４実施形態について説明するが、前記第３実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。また、第３実施形態の構成と同じ構成は、同じ番号を使用する。
【００８６】
ａ）まず、第４実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板について説明する。
図９に示すように、第４実施形態における配線基板７１では、セラミック基板３の上面７に矩形状（例えば正方形）の端子７３が形成されているが、この端子７３の構造が、第３実施形態と異なっている。
【００８７】
詳しくは、平面視で、矩形状の端子７３の各辺に沿って、長尺の矩形状（長方形）のビア７５が形成されており、各ビア７５の外周側の辺は端子７３の各辺と一致するように配置されている。また、各ビア７５の上部７７は、端子７３の一部を構成している。
【００８８】
つまり、端子７３は、図９（ａ）の上下左右の４箇所のビア７５の上部７７と、それ以外の部分である金属箔７９及びロー材層８０からなる部分とから構成されている。
ｂ）次に、第４実施形態の配線基板７１の製造方法について説明する。
【００８９】
第４実施形態の配線基板７１の製造方法の手順は、第３実施形態と同様であるが、図１０に示すように、使用する金属箔７９の開口部８１及び拘束板８３の連通孔８５の形状や配置が、第３実施形態と異なっている。
【００９０】
具体的には、第４実施形態では、図１０（ｂ）に示す形状の金属箔７９が使用される。この金属箔７９には、平面視で、端子７３が形成される矩形状の領域Ｔの各辺に沿って、各ビア７５と同じ位置にて同じ形状（長方形）の各開口部８１（内側開口部８１ａ）が形成されている。
【００９１】
なお、内側開口部８１ａの外周側には、第３実施形態と同様に、複数の円形の外側開口部８１ｂが全面にわたって分散して形成されている。
また、第４実施形態では、図１０（ａ）に示す形状の拘束板８３が使用される。この拘束板８３には、平面視で、端子５が形成される矩形状の領域Ｔの各辺に沿って、各内側開口部８１ａとほぼ同様な長方形（相似形状）の各連通孔８５（内側連通孔８５ａ）が、各内側開口部８１ａと重なるように形成されている。
【００９２】
なお、内側連通孔８５ａの外周側には、第３実施形態と同様に、複数の円形の外側連通孔８５ｂが全面にわたって分散して形成されている。
従って、図１０（ｃ）に示すように、セラミック基板３上に、金属箔７９を配置し、更に金属箔７９上に拘束板８３を配置した場合には、各連通孔８５は各開口部８１を内部に含むように、同心状に配置される。
【００９３】
第４実施形態では、上述した構成の金属箔７９及び拘束板８３等を用いて配線基板７１を製造するが、その製造手順は、前記第３実施形態と同様であるので、その説明は省略する。
【００９４】
ｃ）本第４実施形態では、上述した構成の金属箔７９及び拘束板８３等を用いて配線基板７１を製造するので、端子７３の側面７４（図９（ｂ）参照）の一部は、ロー材で構成されている。
【００９５】
この側面７４のロー材は、ロー材層８０及びビア７５と連続して一体となっているので、つまり、ロー材は、金属箔７９の周縁部に回り込んで金属箔７９に接合されているので、端子７３は、セラミック基板３に強固に接合されている。
【００９６】
つまり、第４実施形態では、第３実施形態と同様な効果を奏するとともに、第３実施形態よりも端子７３の接合強度が大きいという利点がある。
［第５実施形態］
次に、第５実施形態について説明するが、前記第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。また、第１実施形態の構成と同じ構成は、同じ番号を使用する。
【００９７】
図１１に示すように、第５実施形態の配線基板の製造方法では、第１実施形態と同様に、セラミック基板３の上面７に、ロー材箔９１、金属箔９３、拘束板９５の順番で配置するが、このロー材箔９１と金属箔９３と拘束板９５との構成が第１実施形態とは異なる。
【００９８】
具体的には、ロー材箔９１には、一対の端子５を形成する領域Ｔの間に、矩形状の開口９９（内側開口９９ａ）が形成されており、それ以外にも、領域Ｔの周囲に複数の円形の開口９９（外側開口９９ｂ）が形成されている。
【００９９】
また、金属箔９３にも、ロー材箔９１と同様に、領域Ｔの間に、内側開口９９ａと重なるように矩形状の開口部１０１（内側開口部１０１ａ）が形成されており、それ以外にも、領域Ｔの周囲に、外側開口９９ｂと重なるように複数の円形の外側開口部１０１ｂが形成されている。
【０１００】
さらに、拘束板９５にも、金属箔９３とほぼ同様に、領域Ｔの間に、内側開口部１０１ａを囲むように矩形状の連通孔１０３（内側連通孔１０３ａ）が形成されており、それ以外にも、領域Ｔの周囲に、外側開口部１０１ｂを囲むように複数の円形の外側連通孔１０３ｂが形成されている。
【０１０１】
従って、上述したロー材箔９１、金属箔９３、拘束板９５等を使用して、第１実施形態と同様な手順で、配線基板を製造することができる。
本第５実施形態では、第１実施形態と同様な効果を奏するとともに、少なくとも金属箔９３で覆うことが必要な箇所（端子を形成する領域Ｔ）をロー材箔９１や金属箔９３で覆えば良いので、ロー材箔９１や金属箔９３の使用量を抑制できるという利点がある。
【０１０２】
尚、本発明は前記実施形態等になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
（１）例えば、本発明は、図１２に例示するように、複数のセラミック層１１１が積層されたセラミック基板１１３を有する配線基板１１５の製造方法に適用することができる。この場合には、複数のセラミック層１１１を貫くように貫通孔１１７（従ってビア１１９）が形成される。
【０１０３】
（２）ロー材箔の開口の配置や形状、金属箔の開口部の配置や形状、拘束板の連通孔の配置や形状は、本発明の範囲内である限りは、前記実施形態の配置や形状に限定されることはない。
【符号の説明】
【０１０４】
１、４１、７１、１１５…配線基板
３、１１３…セラミック基板
５、５ａ、５ｂ、７３…端子
１１、１１７…貫通孔
１３、５３、５３ａ、５３ｂ、７５、７５ａ、７５ｂ、１１９…ビア
１５、１５ａ、１５ｂ、７９…ロー材層
１７、１７ａ、１７ｂ、５５、７７、９３…金属箔
２１、２１ａ、２１ｂ、９１…ロー材箔
２３、５７、５７ａ、５７ｂ、８１、８１ａ、８１ｂ、１０１、１０１ａ、１０１ｂ…開口部
２５、２５ａ、２５ｂ、５９、８３、９５…拘束板
２７、６１、６１ａ、６１ｂ、８５、８５ａ、８５ｂ、１０３、１０３ａ、１０３ｂ…連通孔
【図１】
2017010982.tif 000003
【図２】
2017010982.tif 000004
【図３】
2017010982.tif 000005
【図４】
2017010982.tif 000006
【図５】
2017010982.tif 000007
【図６】
2017010982.tif 000008
【図７】
2017010982.tif 000009
【図８】
2017010982.tif 000010
【図９】
2017010982.tif 000011
【図１０】
2017010982.tif 000012
【図１１】
2017010982.tif 000013
【図１２】
2017010982.tif 000014