(57)【要約】【課題】表示品位の低下の抑制が可能な表示装置を提供する。【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に配置された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に配置された第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜の上に配置された第４絶縁膜と、前記第４絶縁膜の上に配置された第５絶縁膜と、前記第５絶縁膜の上に配置された第６絶縁膜と、前記第６絶縁膜の上に配置されたカラーフィルタ層と、前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜との間に配置された半導体層と、前記第３絶縁膜と前記第４絶縁膜との間に配置されたゲート電極と、前記第５絶縁膜と前記第６絶縁膜との間に配置され前記半導体層に電気的に接続されたソース電極と、を備え、前記第１、第４、および第６絶縁膜は、シリコン窒化物製であり、前記第２、第３、および第５絶縁膜は、シリコン酸化物製である表示装置。【選択図】図４
2017126014.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に配置された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上に配置された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜の上に配置された第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜の上に配置された第４絶縁膜と、
前記第４絶縁膜の上に配置された第５絶縁膜と、
前記第５絶縁膜の上に配置された第６絶縁膜と、
前記第６絶縁膜の上に配置されたカラーフィルタ層と、
前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜との間に配置された半導体層と、
前記第３絶縁膜と前記第４絶縁膜との間に配置されたゲート電極と、
前記第５絶縁膜と前記第６絶縁膜との間に配置され前記半導体層に電気的に接続されたソース電極と、を備え、
前記第１、第４、および第６絶縁膜は、シリコン窒化物製であり、
前記第２、第３、および第５絶縁膜は、シリコン酸化物製である表示装置。
【請求項２】
前記第５絶縁膜の膜厚は、３５０ｎｍ以上、且つ４５０ｎｍ未満である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第４絶縁膜の膜厚は、３００ｎｍ以上、且つ５００ｎｍ未満である、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第４絶縁膜の膜厚は、３５０ｎｍ以上、且つ４５０ｎｍ未満である、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第６絶縁膜の膜厚は、８０ｎｍ以上、且つ１２０ｎｍ以下である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第４絶縁膜の膜厚は、３９０±１０ｎｍであり、
前記第５絶縁膜の膜厚は、３７０±１０ｎｍであり、
前記第６絶縁膜の膜厚は、１１０±１０ｎｍである、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第４絶縁膜の膜厚は、３９０±１０ｎｍであり、
前記第５絶縁膜の膜厚は、４２０±１０ｎｍであり、
前記第６絶縁膜の膜厚は、１００±１０ｎｍである、請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第４絶縁膜の膜厚は、４４０±１０ｎｍであり、
前記第５絶縁膜の膜厚は、４２０±１０ｎｍであり、
前記第６絶縁膜の膜厚は、９０±１０ｎｍである、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記カラーフィルタ層は、第１カラーフィルタ層と、第２カラーフィルタ層と、を備え、
前記第６絶縁膜の前記第１カラーフィルタ層と対向する領域の膜厚は、前記第６絶縁膜の前記第２カラーフィルタ層と対向する領域の膜厚とは異なる、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１カラーフィルタ層は、赤色カラーフィルタ層であり、
前記第２カラーフィルタ層は、青色カラーフィルタ層である、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記カラーフィルタ層は、さらに、第３カラーフィルタ層と、第４カラーフィルタ層と、を備え、
前記第１および第３カラーフィルタ層は、前記第２カラーフィルタ層と第１方向で隣接し、
前記第１カラーフィルタ層は、前記第３カラーフィルタ層と第２方向で隣接し、
前記第４カラーフィルタ層は、前記第２カラーフィルタ層と第２方向で隣接し、
前記第６絶縁膜の前記第１および第３カラーフィルタ層と対向する領域の膜厚は、前記第６絶縁膜の前記第２および第４カラーフィルタ層と対向する領域の膜厚とは異なる、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第４絶縁膜の膜厚は、４９０±１０ｎｍであり、
前記第５絶縁膜の膜厚は、３７０±１０ｎｍであり、
前記第６絶縁膜の前記赤色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚は、３００±１０ｎｍであり、
前記第６絶縁膜の前記青色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚は、１１０±１０ｎｍ、２２０±１０ｎｍ、または３３０±１０ｎｍである、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第４絶縁膜の膜厚は、３４０±１０ｎｍであり、
前記第５絶縁膜の膜厚は、４２０±１０ｎｍであり、
前記第６絶縁膜の前記赤色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚は、１３０±１０ｎｍであり、
前記第６絶縁膜の前記青色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚は、９０±１０ｎｍ、２００±１０ｎｍ、または３１０±１０ｎｍである、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１４】
さらに、前記カラーフィルタ層の上に配置された第７絶縁膜と、
前記第７絶縁膜の上方に配置され前記半導体層に電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と同一の基板内に配置された共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間に配置された第８絶縁膜と、を備えた請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置において、混色による色純度の低下を抑制する観点から、画素のスイッチング素子や画素電極が配置されたアレイ基板にカラーフィルタ層を配置する構成が開示されている。一例として、カラーフィルタ層に干渉フィルタを利用した構成が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０９−２５８２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、表示品位の低下の抑制が可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に配置された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に配置された第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜の上に配置された第４絶縁膜と、前記第４絶縁膜の上に配置された第５絶縁膜と、前記第５絶縁膜の上に配置された第６絶縁膜と、前記第６絶縁膜の上に配置されたカラーフィルタ層と、前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜との間に配置された半導体層と、前記第３絶縁膜と前記第４絶縁膜との間に配置されたゲート電極と、前記第５絶縁膜と前記第６絶縁膜との間に配置され前記半導体層に電気的に接続されたソース電極と、を備え、前記第１、第４、および第６絶縁膜は、シリコン窒化物製であり、前記第２、第３、および第５絶縁膜は、シリコン酸化物製である表示装置、が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、画素の構成を示す図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る表示装置の断面を示す図である。
【図４】図４は、第１基板の断面を示す図である。
【図５】図５は、図４に図示したＶ−Ｖ’線に沿った各層の断面を示す図である。
【図６】図６は、第４膜厚および第５膜厚を変化させた場合の表示パネルの透過率の評価結果を示す表である。
【図７】図７は、第５膜厚が４００ｎｍ〜５００ｎｍ、および第４膜厚が４００ｎｍ〜５００ｎｍの各範囲における透過率グラフの一例を示した図である。
【図８】図８は、第５膜厚が３００ｎｍ〜４００ｎｍ、および第４膜厚が４００ｎｍ〜５００ｎｍの各範囲における透過率グラフの一例を示した図である。
【図９】図９は、第５膜厚が４００ｎｍ〜５００ｎｍ、および第４膜厚が３００ｎｍ〜４００ｎｍの各範囲における透過率グラフの一例を示した図である。
【図１０】図１０は、第５膜厚が３００ｎｍ〜４００ｎｍ、および第４膜厚が３００ｎｍ〜４００ｎｍの各範囲における透過率グラフの一例を示した図である。
【図１１】図１１は、カラーフィルタ層の第１の配置例を示した図である。
【図１２】図１２は、カラーフィルタ層の第２の配置例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
図１は、本実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。  
本実施形態において、第１方向Ｘは、例えば表示パネルＰＮＬの短辺方向である。第２方向Ｙは、第１方向Ｘと交差する方向であり、表示パネルＰＮＬの長辺方向である。第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する方向である。
【０００９】
なお、本実施形態は、液晶分子によって表示を制御する液晶表示パネルを有する表示装置について図示して説明するが、これに限らず、Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ（ＭＥＭＳ）シャッターによって表示を制御する機械式表示パネルを有する表示装置や、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型表示パネルを有する表示装置などであってもよい。なお、ＭＥＭＳシャッターを用いる場合、後述する第１偏光板ＰＬ１、第２偏光板ＰＬ２は設けなくても良い。
【００１０】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ、表示パネルＰＮＬを照明する照明装置（バックライトユニット）ＢＬ、表示パネルＰＮＬ及び照明装置ＢＬの動作を制御する制御モジュールＣＭ、表示パネルＰＮＬ及び照明装置ＢＬへ制御信号を伝達するフレキシブル回路基板ＦＰＣ１、ＦＰＣ２、などを備えている。
【００１１】
表示パネルＰＮＬは、第１基板１００と、第１基板１００に対向配置された第２基板２００と、第１基板１００と第２基板２００との間に保持された液晶層（後述する液晶層ＬＱ）と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡの周辺に位置する額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。図示した例では、表示領域ＤＡは、四角形状に形成されているが、他の多角形状に形成されても良いし、円形状あるいは楕円形状などの他の形状に形成されても良い。
【００１２】
照明装置ＢＬは、第１基板１００と対向する表示パネルＰＮＬの下面側に配置されている。このような照明装置ＢＬとしては、種々の形態が適用可能であり特に限定はされず、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの発光素子が主面と平行な面内に配置されている直下型でもよく、発光素子が図示しない導光板の端部に配置されたエッジ型でもよい。駆動ＩＣチップＩＣは、一方の短辺側の第１基板１００上に実装されている。フレキシブル回路基板ＦＰＣ１は、第１基板１００上の駆動ＩＣチップＩＣ側に実装され、表示パネルＰＮＬと制御モジュールＣＭとを接続している。フレキシブル回路基板ＦＰＣ２は、照明装置ＢＬと制御モジュールＣＭとを接続している。
【００１３】
このような構成の表示装置ＤＳＰは、照明装置ＢＬから表示パネルＰＮＬに入射する光を各画素ＰＸで選択的に透過することによって画像を表示する透過表示機能を備えた、いわゆる透過型の液晶表示装置に相当する。但し、表示装置ＤＳＰは、外部から表示パネルＰＮＬに向かって入射する外光を各画素ＰＸで選択的に反射することによって画像を表示する反射表示機能を兼ね備えた、いわゆる半透過型の液晶表示装置であっても良い。半透過型の液晶表示装置については、第２基板２００と対向する表示パネルＰＮＬの上面側に、照明装置（フロントライトユニット）が配置されていても良い。以下では、透過型の液晶表示装置を例に説明する。
【００１４】
図２は、画素の構成を示す図である。  
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＱなどを備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で形成されている。スイッチング素子ＳＷは走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、画素電極ＰＥと電気的に接続されている。例えば、走査線Ｇは第１方向Ｘに延在し、信号線Ｓは第２方向Ｙに延在している。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、直線状に形成されていてもよいし、それぞれの少なくとも一部が屈曲していてもよい。液晶層ＬＱは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって駆動される。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００１５】
図３は、本実施形態に係る表示装置の断面を示す図である。
図３は、画素ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３における表示パネルＰＮＬの断面の構成を模式的に示している。図３を用いて、第１基板１００、第２基板２００、液晶層ＬＱ、および光学素子ＯＤ１，ＯＤ２の構成について順に説明する。なお、表示パネルＰＮＬは、主として基板主面に平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。すなわち、図３においては図示が省略されているが、表示パネルＰＮＬは、第１基板１００に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられている。ただし、表示パネルＰＮＬは、特に表示モードを制限される訳ではなく、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板１００に画素電極ＰＥが備えられ、第２基板２００に共通電極ＣＥが備えられた構成が適用可能である。  
以下の説明において、上（上方）とは、例えば、第３方向Ｚの第１基板１００側から第２基板２００側へ向かう方向であるものとする。
【００１６】
第１基板１００は、絶縁基板１０、スイッチング素子ＳＷ、カラーフィルタ層ＣＦ、配向膜ＡＬ１、等を備えている。
絶縁基板１０は、例えばガラスや樹脂などの光透過性を有する絶縁材料を用いて形成されている。スイッチング素子ＳＷは、絶縁基板１０の上方に配置されている。スイッチング素子ＳＷは、例えば、互いに離間し、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに配列している。カラーフィルタ層ＣＦは、絶縁基板１０およびスイッチング素子ＳＷの上方に配置されている。配向膜ＡＬ１は、カラーフィルタ層ＣＦの上方に配置されている。
【００１７】
カラーフィルタ層ＣＦは、画素ＰＸ１に対応する領域にカラーフィルタ層ＣＦ１を備えている。例えば、カラーフィルタ層ＣＦ１は、赤い光を透過させる赤色（Ｒ）カラーフィルタ層であり、画素ＰＸ１は、赤い光を出射する赤色（Ｒ）画素である。同様に、カラーフィルタ層ＣＦは、画素ＰＸ２に対応する領域にカラーフィルタ層ＣＦ２を備え、画素ＰＸ３に対応する領域にカラーフィルタ層ＣＦ３を備えている。例えば、カラーフィルタ層ＣＦ２は緑色（Ｇ）カラーフィルタ層であり画素ＰＸ２は緑色（Ｇ）画素であり、カラーフィルタ層は青色（Ｂ）カラーフィルタ層であり画素ＰＸ３は青色（Ｂ）画素である。カラーフィルタ層ＣＦ１，ＣＦ２，ＣＦ３は、例えば、第１方向Ｘに並んでおり、各カラーフィルタ層の端部は、例えば、スイッチング素子ＳＷに対向している。
【００１８】
カラーフィルタ層ＣＦ１，ＣＦ２，ＣＦ３は、例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）に着色された樹脂で形成されている。樹脂を着色するための色材は、特に限定されるものではなく、例えば顔料が適用されてもよく、染料が適用されてもよい。色材として顔料を利用した場合、耐久性の良好なカラーフィルタ層ＣＦを得ることができる。また、色材として染料を用いた場合、光透過率の高いカラーフィルタ層ＣＦを得ることができ、画素ＰＸの輝度を向上させることができる。なお、カラーフィルタ層ＣＦの色は、特に限定されるものではなく、白色（無着色）などの他の色のカラーフィルタ層を有していてもよい。
【００１９】
第２基板２００は、絶縁基板２０、遮光層ＳＨ、オーバーコート層ＯＣ、スペーサＳＰ、配向膜ＡＬ２、等を備えている。  
絶縁基板２０は、例えばガラスや樹脂などの光透過性を有する絶縁材料を用いて形成されている。遮光層ＳＨは、第２絶縁基板２０の下面側に配置されている。画素ＰＸは、遮光層ＳＨに囲まれた領域に開口部ＡＰを有している。オーバーコート層ＯＣは、絶縁基板２０の下面側に配置され、遮光層ＳＨを覆っている。スペーサＳＰは、オーバーコート層ＯＣの下面側に配置され、下方に突出している。スペーサＳＰは、例えば、遮光層ＳＨと対向する領域に配置されている。スペーサＳＰは、第１基板１００と第２基板２００との間にギャップを形成している。スペーサＳＰは、オーバーコート層ＯＣと同じ材料で形成されていてもよく、オーバーコート層ＯＣとスペーサＳＰとは、連続に形成されていてもよい。
【００２０】
配向膜ＡＬ２は、例えば、オーバーコート層ＯＣの下側に配置され、スペーサＳＰを覆っている。配向膜ＡＬ１，ＡＬ２は、液晶表示装置の表示モードに合わせて、水平配向膜または垂直配向膜が適宜適用される。例えば、表示装置ＤＳＰが横電界モードである場合、配向膜ＡＬ１，ＡＬ２は、例えばポリイミドなどの水平配向性を有する有機材料で形成されており、ラビング処理や光配向処理などの配向処理が施されている。
【００２１】
液晶層ＬＱは、第１基板１００と第２基板２００との間に保持されている。液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭは、例えば、液晶層ＬＱに電界が形成されていない状態では、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２から配向規制力を受け、第１基板１００及び第２基板２００の主面に平行な方向に初期配向している。
【００２２】
光学素子ＯＤ１は、液晶層ＬＱと照明装置ＢＬとの間に配置されている。光学素子ＯＤ２は、液晶層ＬＱの上方に配置されている。図示した例では、光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０の下面に配置され、光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０の上面に配置されている。光学素子ＯＤ１は、第１偏光板ＰＬ１を備えており、第２光学素子ＯＤ２は、第２偏光板ＰＬ２を備えている。第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、例えば、それぞれの吸収軸が互いに直交するように配置されている。なお、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、位相差板や表面処理層などの他の機能層を備えていてもよい。
【００２３】
次に、第１基板１００のより詳細な構成について説明する。
図４は、第１基板の断面を示す図である。  
第１基板１００は、絶縁基板１０の上方に、絶縁膜１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、ドレイン電極ＷＤ、共通電極ＣＥ、および画素電極ＰＥを備えている。なお、図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、シングルゲート構造のトップゲート型の薄膜トランジスタであるが、ダブルゲート構造であっても良いし、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであっても良い。
【００２４】
絶縁膜１１は、絶縁基板１０の上に配置されている。絶縁膜１２は、絶縁膜１１の上に配置されている。絶縁膜１３は、絶縁膜１２の上に配置されている。絶縁膜１４は、絶縁膜１５の上に配置されている。絶縁膜１６は、絶縁膜１５の上に配置されている。絶縁膜１６の上には、カラーフィルタ層ＣＦが配置されている。絶縁膜１７は、カラーフィルタ層ＣＦの上に配置されている。絶縁膜１８は、絶縁膜１７の上に配置されている。半導体層ＳＣは、絶縁膜１２と絶縁膜１３との間に配置されている。ゲート電極ＷＧは、絶縁膜１３と絶縁膜１４との間に配置され、半導体層ＳＣと対向している。ソース電極ＷＳおよびドレイン電極ＷＤは、絶縁膜１５と絶縁膜１６との間に配置されている。ソース電極ＷＳは、絶縁膜１３，１４，１５を貫通するコンタクトホールＣＨ１を介して、半導体層ＳＣと電気的に接続されている。ドレイン電極ＷＤは、絶縁膜１３，１４，１５を貫通するコンタクトホールＣＨ２を介して、半導体層ＳＣと電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、絶縁膜１７と絶縁膜１８との間に配置されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１８の上に配置され、開口部ＡＰに対応する領域で絶縁膜１８と対向している。画素電極ＰＥは、絶縁膜１６，１７，１８およびカラーフィルタ層ＣＦを貫通するコンタクトホールＣＨ３を介して、ドレイン電極ＷＤと電気的に接続されている。開口部ＡＰに対応する領域において、画素電極ＰＥには、少なくとも１つのスリットＳＬが形成されている。
【００２５】
絶縁膜１１乃至１７は、電気絶縁性の材料で形成されている。絶縁膜１１，１４，１６は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）製である。絶縁膜１２，１３，１５は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）製である。絶縁膜１７は、例えばアクリル樹脂などの有機絶縁材料製である。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、例えば、インジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）やインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。
【００２６】
第１基板１００は、絶縁基板１０の上に、順番に各層を積層して作製される。有機材料層であるカラーフィルタ層ＣＦおよび絶縁膜１７は、ウェットプロセスで成膜される。無機材料層である絶縁膜１１乃至１６，１８、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、ドレイン電極ＷＤ、共通電極ＣＥ、および画素電極ＰＥは、ドライプロセスで成膜される。ドライプロセスでは、第１基板１００は、例えば２００℃以上に加熱される。このため、有機材料層であるカラーフィルタ層ＣＦは、共通電極ＣＥ、絶縁膜１８および画素電極ＰＥを成膜する際に、熱によるダメージを受ける恐れがある。
【００２７】
Ｖ−Ｖ’線は、照明装置ＢＬから出射された光が表示パネルＰＮＬを透過する光路の一例である。Ｖ−Ｖ’線は、第３方向Ｚと平行な方向である。次に、各絶縁膜の第３方向Ｚの膜厚について説明する。
図５は、図４に図示したＶ−Ｖ’線に沿った各層の断面を示す図である。  
第１基板１００の下から入射した光は、図示した薄膜の積層構造体を透過する。このような積層構造体を構成する薄膜のうち、互いに接する薄膜同士の屈折率が異なる場合に、界面反射による光干渉効果が生ずる。このため、積層構造体を構成する各膜厚に対する透過光の透過率分布は、ピークとバレーとを有する。本実施形態においては、各層の膜厚を最適化することで、干渉による透過率の低下を抑制することができる。
【００２８】
絶縁基板１０から半導体層ＳＣへの不純物の浸入を抑制する観点から、絶縁膜１１の膜厚は、１５０ｎｍ程度に設定されることが望ましく、絶縁膜１２の膜厚は、１７０ｎｍ程度に設定されることが望ましい。絶縁膜１３の膜厚は、スイッチング素子ＳＷの性能に影響を与えるため、８０〜１００ｎｍに設定されることが望ましい。絶縁膜１４の膜厚Ｗ４、及び、絶縁膜１５の膜厚Ｗ５は、適宜良好な厚みを選択することができる。ただし、コンタクトホールＣＨ１およびＣＨ２が深くなることを避けるため、膜厚Ｗ４と膜厚Ｗ５との合計は、１０００ｎｍ未満に設定されることが望ましい。また、絶縁膜１４および１５が充分な電気絶縁性を発揮するために、膜厚Ｗ４と膜厚Ｗ５との合計は、４００ｎｍ以上に設定されることが望ましく、５００ｎｍ以上に設定されることがより望ましい。絶縁膜１６の膜厚Ｗ６は、適宜良好な厚みを選択することができる。カラーフィルタ層ＣＦの膜厚は、良好な透過率および色度を得る観点から、１．５μｍ〜２．５μｍに設定されることが望ましい。絶縁膜１７がカラーフィルタ層ＣＦを保護し、自身の上面を平坦化する観点から、絶縁膜１７の膜厚は、４μｍ程度に設定されることが望ましい。共通電極ＣＥの厚みは、良好な透明性と導電性を得る観点から、８０ｎｍ程度に設定されることが望ましい。絶縁膜１８が共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される容量を制御するため、絶縁膜１８の厚みは、１３０ｎｍ〜１５０ｎｍに設定されることが望ましい。
【００２９】
以上のことから、発明者は、膜厚Ｗ４，Ｗ５，Ｗ６をパラメータとして、高透過率が得られる条件を見出した。なお、カラーフィルタ層ＣＦ１に対向する領域の膜厚Ｗ６は、カラーフィルタ層ＣＦ３に対向する領域の膜厚Ｗ６と異なっていてもよい。ただし、各カラーフィルタ層ＣＦ１，ＣＦ２，ＣＦ３に対向する領域の膜厚Ｗ６が全て異なっている場合、膜厚Ｗ６の制御が難しい。従って、カラーフィルタ層ＣＦ１に対向する領域の膜厚Ｗ６とカラーフィルタ層ＣＦ３に対向する領域の膜厚Ｗ６とが異なる場合、カラーフィルタ層ＣＦ２に対向する領域の膜厚Ｗ６は、カラーフィルタ層ＣＦ１に対向する領域の膜厚Ｗ６と同等か、又はカラーフィルタ層ＣＦ３に対向する領域の膜厚Ｗ６と同等であることが望ましい。一例として、赤色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６は、緑色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６と同等であり、青色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６とは異なっている。
【００３０】
このような、領域によって膜厚Ｗ６の異なる絶縁膜１６は、例えば、ハーフトーンマスクを用いてフォトレジストをパターニングし、このフォトレジストをマスクとしてエッチングすることで形成することができる。このような製造方法によれば、製造工程を増やすことなく絶縁膜１６を成膜することができる。別の製造方法として、絶縁膜１６は、例えば、２回成膜し、２回エッチングすることによっても形成することができる。このような製造方法によれば、膜厚精度の高い絶縁膜１６を成膜することができる。
【００３１】
図６は、第４膜厚および第５膜厚を変化させた場合の表示パネルの透過率の評価結果を示す表である。  
ここでは、膜厚Ｗ４および膜厚Ｗ５が図中に示した膜厚範囲である場合のＶ−Ｖ’線に沿った光の透過率をシミュレーションによって算出した。なお、この透過率シミュレーションは、赤色（Ｒ）光、緑色（Ｇ）光、および青色（Ｂ）光のそれぞれについて行った。なお、以下の説明では、赤色、緑色、青色を、それぞれ単に、Ｒ、Ｇ、Ｂと称する場合がある。Ｒの透過率シミュレーションでは、カラーフィルタ層ＣＦを赤色カラーフィルタ層とし、表示パネルＰＮＬに入射する光の波長を６５０ｎｍに設定した。Ｇの透過率シミュレーションでは、カラーフィルタ層ＣＦを緑色カラーフィルタ層とし、表示パネルＰＮＬに入射する光の波長を５５０ｎｍに設定した。Ｂの透過率シミュレーションでは、カラーフィルタ層ＣＦを青色カラーフィルタ層とし、表示パネルＰＮＬに入射する光の波長を４５０ｎｍに設定した。
【００３２】
表示パネルＰＮＬに要求される仕様の一例としては、Ｒ，Ｇ，Ｂ全ての透過率が８５％以上となることが望ましい。このため、膜厚Ｗ６が実用的な範囲内となる条件下で、Ｒ，Ｇ，Ｂのうち少なくとも２色の透過率が８５％以上となる同一の膜厚Ｗ６の値が存在することが望ましい。一例では、膜厚Ｗ６の実用的な範囲は、１０ｎｍ〜４００ｎｍである。すなわち、絶縁膜１６が充分な電気絶縁性を発揮するためには、膜厚Ｗ６が１０ｎｍ以上であることが要求される。一方で、絶縁膜１６は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの手法によって形成されるため、製造時間の長時間化を避けるためには、膜厚Ｗ６が４００ｎｍ以下であることが要求される。
【００３３】
また、Ｂの透過率は、膜厚Ｗ６の変化に対して敏感であり、膜厚Ｗ６に対するＢの透過率分布は、ピークの値とバレーの値との差が大きい。このため、膜厚Ｗ６の製造誤差による青色画素の透過率のバラつきを抑制する観点から、膜厚Ｗ６に対するＢの透過率スペクトルの振幅が小さいことが望ましく、膜厚Ｗ６に対するＢの透過率分布のピークの値とバレーの値との差は、例えば０．３５（３５％）未満であることが望ましい。また、前述の通り、Ｒ，Ｇ，Ｂカラーフィルタ層のそれぞれに対向する領域の膜厚Ｗ６が、全て互いに異なることは望ましくない。
【００３４】
従って、シミュレーションの結果は、以下の様に評価した。すなわち、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの透過率が８５％以上となる膜厚Ｗ６の値が同一値であり、その値が１０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲に存在する場合、『ＯＫ１』とした。  
Ｒ，Ｇ，Ｂのうちの２色の透過率が８５％以上となる膜厚Ｗ６の値が同一値であり、かつ残りの１色の透過率が８５%以上となる膜厚Ｗ６の値が異なり、且つ、これらの２つの値が１０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲に存在する場合、『ＯＫ２』とした。  
膜厚Ｗ６が１０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内において、Ｒ，Ｇ，Ｂのうち少なくとも１色の透過率のピークの値が８５％未満である場合に、『ＮＧ１』とした。  
膜厚Ｗ６が１０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内において、Ｒの透過率がピークとなる膜厚Ｗ６の値と、Ｇの透過率がピークとなる膜厚Ｗ６の値と、Ｂの透過率がピークとなる膜厚Ｗ６の値と、が互いに異なる場合に、『ＮＧ２』とした。  
膜厚Ｗ６が１０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内において、Ｂの透過率のピークの値とバレーの値との差が０．３５（３５％）以上となる場合に、『ＮＧ３』とした。
【００３５】
初めに、膜厚Ｗ４が３００ｎｍ以上３５０ｎｍ未満である場合の評価結果について説明する。このとき、膜厚Ｗ５が３００ｎｍ以上３５０ｎｍ未満である場合、評価結果はＮＧ２であった。また、膜厚Ｗ５が３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満である場合、評価結果はＮＧ３であった。また、膜厚Ｗ５が４００ｎｍ以上４５０ｎｍ未満である場合、評価結果はＯＫ２であった。また、膜厚Ｗ５が４５０ｎｍ以上５００ｎｍ未満である場合、評価結果はＮＧ１であった。
【００３６】
次に、膜厚Ｗ４が３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満である場合の評価結果について説明する。このとき、膜厚Ｗ５が３００ｎｍ以上３５０ｎｍ未満である場合、評価結果はＮＧ１であった。また、膜厚Ｗ５が３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満である場合、評価結果はＯＫ１であった。また、膜厚Ｗ５が４００ｎｍ以上４５０ｎｍ未満である場合、評価結果はＯＫ１であった。また、膜厚Ｗ５が４５０ｎｍ以上５００ｎｍ未満である場合、評価結果はＮＧ１であった。
【００３７】
次に、膜厚Ｗ４が４００ｎｍ以上４５０ｎｍ未満である場合の評価結果について説明する。このとき、膜厚Ｗ５が３００ｎｍ以上３５０ｎｍ未満である場合、評価結果はＮＧ１であった。また、膜厚Ｗ５が３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満である場合、評価結果はＮＧ３であった。また、膜厚Ｗ５が４００ｎｍ以上４５０ｎｍ未満である場合、評価結果はＯＫ１であった。また、膜厚Ｗ５が４５０ｎｍ以上５００ｎｍ未満である場合、評価結果はＮＧ２であった。
【００３８】
最後に、膜厚Ｗ４が４００ｎｍ以上４５０ｎｍ未満である場合の評価結果について説明する。このとき、膜厚Ｗ５が３００ｎｍ以上３５０ｎｍ未満である場合、評価結果はＮＧ１であった。また、膜厚Ｗ５が３５０ｎｍ以上４００ｎｍ未満である場合、評価結果はＯＫ２であった。また、膜厚Ｗ５が４００ｎｍ以上４５０ｎｍ未満である場合、評価結果はＮＧ１であった。また、膜厚Ｗ５が４５０ｎｍ以上５００ｎｍ未満である場合、評価結果はＮＧ１であった。
【００３９】
以上のことから、膜厚Ｗ５は３５０ｎｍ以上、且つ４５０ｎｍ未満であれば、評価結果がＯＫ１またはＯＫ２となる膜厚Ｗ４および膜厚Ｗ６の値が存在する。また、膜厚Ｗ４は、３００ｎｍ以上、且つ５００ｎｍ未満であれば、評価結果がＯＫ１またはＯＫ２となる膜厚Ｗ５および膜厚Ｗ６の値が存在する。さらに、膜厚Ｗ４は、３５０ｎｍ以上、且つ４５０ｎｍ未満であれば、評価結果がＯＫ１となる膜厚Ｗ５および膜厚Ｗ６の値が存在する。
【００４０】
次に、図７〜図１０を用いて、膜厚Ｗ４と膜厚Ｗ５とがそれぞれの数値範囲である場合の、膜厚Ｗ６に対する透過率スペクトルの例について説明する。図７〜図１０において、Ｒの透過率スペクトルは実線で示し、Ｇの透過率スペクトルは破線で示し、Ｂの透過率スペクトルは点線で示している。各グラフにおいて、横軸は、膜厚Ｗ６の大きさを示しており、単位はμｍである。また、縦軸は、透過率を示しており、表示パネルＰＮＬに入射する前の光の強度を１（１００％）とした場合の、表示パネルＰＮＬを透過した光の強度を示している。なお、ＯＫとＮＧとの境界である透過率８５％を示す横線を、各グラフの縦軸０．８５の位置に引いている。
【００４１】
図７は、第５膜厚が４００ｎｍ〜５００ｎｍ、および第４膜厚が４００ｎｍ〜５００ｎｍの各範囲における透過率グラフの一例を示した図である。  
図７は、４つのグラフを図示している。１つは、Ｗ４＝４４０ｎｍかつＷ５＝４２０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝４４０ｎｍかつＷ５＝４７０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝４９０ｎｍかつＷ５＝４２０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝４９０ｎｍかつＷ５＝４７０ｎｍの透過率スペクトルである。
【００４２】
Ｗ４＝４４０ｎｍかつＷ５＝４２０ｎｍの場合、Ｗ６＝９０ｎｍでＲ，Ｇ，Ｂ全ての透過率が８５％となるため、評価結果はＯＫ１である。また、Ｗ６＝９０ｎｍにおけるＧの透過率はバレーの値をとるため、Ｇの透過率を向上させる観点から、緑色カラーフィルタに対向する領域の絶縁膜１６の膜厚Ｗ６は、Ｇの透過率がピークの値をとるＷ６＝１５０ｎｍ，２８０ｎｍであってもよい。この場合、評価結果はＯＫ２であるが、絶縁膜１６の成膜精度を高くするためには膜厚Ｗ６の変化は小さいことが望ましいため、赤色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６＝９０ｎｍ、且つ緑色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６＝１５０ｎｍであることが望ましい。  
Ｗ４＝４４０ｎｍかつＷ５＝４７０ｎｍの場合、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの透過率がピークとなる膜厚Ｗ６の値が、全て互いに異なるため、評価結果はＮＧ２である。  
Ｗ４＝４９０ｎｍかつＷ５＝４２０ｎｍの場合、Ｇの透過率のピークの値が０．８５未満であるため、評価結果はＮＧ１である。  
Ｗ４＝４９０ｎｍかつＷ５＝４７０ｎｍの場合、ＧおよびＢの透過率のピークの値が０．８５未満であるため、評価結果はＮＧ１である。
【００４３】
図８は、第５膜厚が３００ｎｍ〜４００ｎｍ、および第４膜厚が４００ｎｍ〜５００ｎｍの各範囲における透過率グラフの一例を示した図である。  
図８は、４つのグラフを図示している。１つは、Ｗ４＝４４０ｎｍかつＷ５＝３２０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝４４０ｎｍかつＷ５＝３７０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝４９０ｎｍかつＷ５＝３２０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝４９０ｎｍかつＷ５＝３７０ｎｍの透過率スペクトルである。
【００４４】
Ｗ４＝４４０ｎｍかつＷ５＝３２０ｎｍの場合、Ｇの透過率のピークの値が０．８５未満であるため、評価結果はＮＧ１である。  
Ｗ４＝４４０ｎｍかつＷ５＝３７０ｎｍの場合、Ｂの透過率のピークの値とバレーの値との差が約０．４０であるため、評価結果はＮＧ３である。  
Ｗ４＝４９０ｎｍかつＷ５＝３２０ｎｍの場合、Ｂの透過率のピークの値が０．８５未満であるため、評価結果はＮＧ１である。  
Ｗ４＝４９０ｎｍかつＷ５＝３７０ｎｍの場合、Ｗ６＝３００ｎｍでＲ，Ｇの透過率が８５％以上であり、Ｗ６＝１１０，２２０，３３０ｎｍでＢの透過率が８５％以上であるため、評価結果はＯＫ２である。ただし、絶縁膜１６の成膜精度を高くするためには膜厚Ｗ６の変化は小さいことが望ましいため、赤色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６＝３００ｎｍ、且つ青色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６＝２２０ｎｍまたは３３０ｎｍであることが望ましい。
【００４５】
図９は、第５膜厚が４００ｎｍ〜５００ｎｍ、および第４膜厚が３００ｎｍ〜４００ｎｍの各範囲における透過率グラフの一例を示した図である。  
図９は、４つのグラフを図示している。１つは、Ｗ４＝３４０ｎｍかつＷ５＝４２０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝３４０ｎｍかつＷ５＝４７０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝３９０ｎｍかつＷ５＝４２０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝３９０ｎｍかつＷ５＝４７０ｎｍの透過率スペクトルである。
【００４６】
Ｗ４＝３４０ｎｍかつＷ５＝４２０ｎｍの場合、Ｗ６＝１３０ｎｍでＲ，Ｇの透過率が８５％以上であり、Ｗ６＝９０，２００，３１０ｎｍでＢの透過率が８５％以上であるため、評価結果はＯＫ２である。ただし、絶縁膜１６の成膜精度を高くするためには膜厚Ｗ６の変化は小さいことが望ましいため、赤色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６＝１３０ｎｍ、且つ青色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６＝９０ｎｍまたは２００ｎｍであることが望ましい。  
Ｗ４＝３４０ｎｍかつＷ５＝４７０ｎｍの場合、Ｇの透過率のピークの値が０．８５未満であるため、評価結果はＮＧ１である。  
Ｗ４＝３９０ｎｍかつＷ５＝４２０ｎｍの場合、Ｗ６＝１００ｎｍでＲ，Ｇ，Ｂ全ての透過率が８５％となるため、評価結果はＯＫ１である。  
Ｗ４＝３９０ｎｍかつＷ５＝４７０ｎｍの場合、Ｇの透過率のピークの値が０．８５未満であるため、評価結果はＮＧ１である。
【００４７】
図１０は、第５膜厚が３００ｎｍ〜４００ｎｍ、および第４膜厚が３００ｎｍ〜４００ｎｍの各範囲における透過率グラフの一例を示した図である。  
図１０は、４つのグラフを図示している。１つは、Ｗ４＝３４０ｎｍかつＷ５＝３２０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝３４０ｎｍかつＷ５＝３７０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝３９０ｎｍかつＷ５＝３２０ｎｍの透過率スペクトルである。１つは、Ｗ４＝３９０ｎｍかつＷ５＝３７０ｎｍの透過率スペクトルである。
【００４８】
Ｗ４＝３４０ｎｍかつＷ５＝３２０ｎｍの場合、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの透過率がピークとなる膜厚Ｗ６の値が、全て互いに異なるため、評価結果はＮＧ２である。  
Ｗ４＝３４０ｎｍかつＷ５＝３７０ｎｍの場合、Ｂの透過率のピークの値とバレーの値との差が約０．４０であるため、評価結果はＮＧ３である。  
Ｗ４＝３９０ｎｍかつＷ５＝３２０ｎｍの場合、Ｂの透過率のピークの値が０．８５未満であるため、評価結果はＮＧ１である。  
Ｗ４＝３９０ｎｍかつＷ５＝３７０ｎｍの場合、Ｗ６＝１１０ｎｍでＲ，Ｇ，Ｂ全ての透過率が８５％となるため、評価結果はＯＫ１である。
【００４９】
なお、Ｒ，Ｇ，Ｂの透過率のピークの値が８５％以上である場合、ピーク前後の透過率の値が８０％以上となる範囲の膜厚Ｗ６であれば、本実施形態の効果が得られることがわかった。干渉の効果を受けやすく、膜厚の変化に対して敏感なＢの透過率スペクトルを例に説明する。例えば、ＯＫ１となる膜厚条件が存在するＷ４＝４４０ｎｍかつＷ５＝４２０ｎｍのグラフにおいて、Ｂの透過率スペクトルは、Ｗ６＝９０ｎｍにピークを有しており、Ｂの透過率の値は、Ｗ６＝９０±１０ｎｍで８０％以上となっている。このように、膜厚Ｗ６は、最適値±１０ｎｍの数値範囲を取り得る。他のＯＫ１となる膜厚条件でも同様に、Ｗ４＝３９０ｎｍかつＷ５＝４２０ｎｍのグラフにおいて、Ｂの透過率の値は、Ｗ６＝１００±１０ｎｍで８０％以上となり、Ｗ４＝３９０ｎｍかつＷ５＝３７０ｎｍのグラフにおいて、Ｂの透過率の値は、Ｗ６＝１１０±１０ｎｍで８０％以上となる。以上のことから、膜厚Ｗ６は、８０ｎｍ以上、且つ１２０ｎｍ以下であれば、ＯＫ１の条件を満たす膜厚Ｗ４および膜厚Ｗ５が存在する。このとき、膜厚Ｗ６は、望ましくは、９０ｎｍ以上、且つ１１０ｎｍ以下であるが、７５ｎｍ以上、且つ１０５ｎｍ以下であっても同様の効果を得ることができる。
【００５０】
上記の数値範囲は、膜厚Ｗ４および膜厚Ｗ５にも適用することができる。すなわち、図７〜図１０で説明したＯＫ１となる膜厚条件は、以下の様に表される。ＯＫ１となる１つの条件は、Ｗ４＝３９０±１０ｎｍ、且つＷ５＝３７０±１０ｎｍ、且つＷ６＝１１０±１０ｎｍである。また、ＯＫ１となる別の条件は、Ｗ４＝３９０±１０ｎｍ、且つＷ５＝４２０±１０ｎｍ、且つＷ６＝１００±１０ｎｍである。また、ＯＫ１となる更に別の条件は、Ｗ４＝４４０±１０ｎｍ、且つＷ５＝４２０±１０ｎｍ、且つＷ６＝９０±１０ｎｍである。
【００５１】
同様に、図７〜図１０で説明したＯＫ２となる膜厚条件は、以下の様に表される。ＯＫ２となる１つの条件は、Ｗ４＝４９０±１０ｎｍ、且つＷ５＝３７０±１０ｎｍ、且つ赤色カラーフィルタ層に対向する領域ではＷ６＝３００±１０ｎｍであり、青色カラーフィルタ層に対向する領域ではＷ６＝１１０±１０ｎｍ、２２０±１０ｎｍ、又は３３０±１０ｎｍである。ただし、望ましくは、青色カラーフィルタ層に対向する領域ではＷ６＝２２０±１０ｎｍ、又は３３０±１０ｎｍである。また、ＯＫ２となる別の条件は、Ｗ４＝３４０±１０ｎｍ、且つＷ５＝４２０±１０ｎｍ、且つ赤色カラーフィルタ層に対向する領域ではＷ６＝１３０±１０ｎｍであり、青色カラーフィルタ層に対向する領域ではＷ６＝９０±１０ｎｍ、２００±１０ｎｍ、又は３１０±１０ｎｍである。ただし、望ましくは、青色カラーフィルタ層に対向する領域ではＷ６＝９０±１０ｎｍ、２００±１０ｎｍである。
【００５２】
次に、図１１および１２において、平面視した場合のカラーフィルタ層ＣＦの構成例を説明する。なお、平面視とは、第３方向Ｚに沿って、第２基板２００側から第１基板１００を見ることをいう。
図１１は、カラーフィルタ層の第１の配置例を示した図である。  
図示した例では、カラーフィルタ層ＣＦは、赤色（Ｒ）のカラーフィルタ層ＣＦ１、緑色（Ｇ）のカラーフィルタ層ＣＦ２、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層ＣＦ３を備えている。
【００５３】
カラーフィルタ層ＣＦ１，ＣＦ２，ＣＦ３は、第２方向Ｙに延在する帯状に形成されている。カラーフィルタ層ＣＦ２は、第１方向Ｘでカラーフィルタ層ＣＦ１，ＣＦ３に隣接し、カラーフィルタ層ＣＦ１とカラーフィルタ層ＣＦ３との間に配置されている。
【００５４】
図１２は、カラーフィルタ層の第２の配置例を示した図である。  
図示した例では、カラーフィルタ層ＣＦは、赤色（Ｒ）のカラーフィルタ層ＣＦ１、緑色（Ｇ）のカラーフィルタ層ＣＦ２、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層ＣＦ３、および白色（Ｗ）のカラーフィルタ層ＣＦ４を備えている。
【００５５】
カラーフィルタ層ＣＦ１，ＣＦ２は、例えば、それぞれ正方形状に形成されている。カラーフィルタ層ＣＦ１は、カラーフィルタ層ＣＦ２と第２方向Ｙで隣接している。カラーフィルタ層ＣＦ１とカラーフィルタ層ＣＦ２とは、第２方向Ｙに交互に並んでいる。カラーフィルタ層ＣＦ３は、例えば長方形状に形成されている。カラーフィルタ層ＣＦ３は、カラーフィルタ層ＣＦ１およびカラーフィルタ層ＣＦ２と第１方向Ｘで隣接している。カラーフィルタ層ＣＦ４は、カラーフィルタ層ＣＦ１およびカラーフィルタ層ＣＦ２と第１方向Ｘで隣接し、カラーフィルタ層ＣＦ３と第２方向Ｙで隣接している。カラーフィルタ層ＣＦ３とカラーフィルタ層ＣＦ４とは、第２方向Ｙに交互に並んでいる。
【００５６】
カラーフィルタ層ＣＦ１に対向する領域の膜厚Ｗ６が、カラーフィルタ層ＣＦ３に対向する領域の膜厚Ｗ６と異なる場合、カラーフィルタ層ＣＦ２に対向する領域の膜厚Ｗ６は、カラーフィルタ層ＣＦ１に対向する領域の膜厚Ｗ６と等しいことが望ましい。また、カラーフィルタ層ＣＦ４に対向する領域の膜厚Ｗ６は、カラーフィルタ層ＣＦ３に対向する領域の膜厚Ｗ６と等しいことが望ましい。このとき、絶縁膜１６は、膜厚の等しい領域が第２方向Ｙに延在し、膜厚が互いに異なる領域が第１方向Ｘに交互に並んでいる。このような構成とすることで、絶縁膜１６は、第２方向Ｙに沿った膜厚の変化を抑制することができる。
【００５７】
本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰは、絶縁膜１１乃至１６、カラーフィルタ層ＣＦ、半導体層、ゲート電極、およびソース電極を有する第１基板１００を備えている。絶縁膜１１，１４，１６はシリコン窒化物であり、絶縁膜１２，１３，１５はシリコン酸化物である。このため、表示装置ＤＳＰは、絶縁膜１４，１５，１６の膜厚Ｗ４，Ｗ５，Ｗ６を制御することで、各部材間での界面反射に起因した干渉による表示パネルＰＮＬの光透過率の低下を抑制することができる。また、表示パネルＰＮＬの光透過率を向上させることができるため、画素ＰＸが高密度化して開口部ＡＰの面積が減少したとしても、画素ＰＸの輝度の低下を抑制することができる。したがって、表示品位の低下の抑制が可能な表示装置を提供することができる。
【００５８】
また、絶縁膜１５の膜厚Ｗ５は、３５０ｎｍ以上、且つ４５０ｎｍ未満であることが望ましい。膜厚Ｗ５が上記の数値範囲内であるとき、赤色光、緑色光、および青色光の透過率が良好な表示パネルＰＮＬを得ることができる絶縁膜１４の膜厚Ｗ４および絶縁膜１６の膜厚Ｗ６が存在する。すなわち、本実施形態によれば、高透過の表示パネルＰＮＬを備えた表示装置ＤＳＰを提供することができる。
【００５９】
また、膜厚Ｗ４は、３００ｎｍ以上、且つ５００ｎｍ未満であることが望ましい。膜厚Ｗ４が上記の数値範囲内であるとき、赤色光、緑色光、および青色光の透過率が良好な表示パネルＰＮＬを得ることができる膜厚Ｗ５および膜厚Ｗ６が存在する。すなわち、本実施形態によれば、高透過の表示パネルＰＮＬを備えた表示装置ＤＳＰを提供することができる。
【００６０】
更に、膜厚Ｗ４は、３５０ｎｍ以上、且つ４５０ｎｍ未満であることが望ましい。膜厚Ｗ４が上記の数値範囲内であるとき、絶縁膜１６は、赤色カラーフィルタ層に対向する領域と、青色カラーフィルタ層に対向する領域と、で異なる膜厚となるように作り分けなくてもよい。このため、表示装置ＤＳＰは、絶縁膜１６の成膜工程における製造ミスの増加を抑制することができる。
【００６１】
また、膜厚Ｗ６は、８０ｎｍ以上、且つ１２０ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚Ｗ６が上記の数値範囲内であるとき、赤色光、緑色光、および青色光の透過率が良好な表示パネルＰＮＬを得ることができる膜厚Ｗ４および膜厚Ｗ５が存在する。すなわち、本実施形態によれば、高透過の表示パネルＰＮＬを備えた表示装置ＤＳＰを提供することができる。
【００６２】
なお、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいて、例えば、膜厚Ｗ４は３９０±１０ｎｍであり、膜厚Ｗ５は３７０±１０ｎｍであり、膜厚Ｗ６は１１０±１０ｎｍである。また、例えば、膜厚Ｗ４は３９０±１０ｎｍであり、膜厚Ｗ５は４２０±１０ｎｍであり、膜厚Ｗ６は１００±１０ｎｍである。また、例えば、膜厚Ｗ４は４４０±１０ｎｍであり、膜厚Ｗ５は４２０±１０ｎｍであり、膜厚Ｗ６は９０±１０ｎｍである。このとき、赤色光、緑色光、および青色光の透過率が良好な表示パネルＰＮＬを得ることができる。
【００６３】
なお、絶縁膜１６は、赤色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６が青色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６と異なるように形成されていてもよい。これにより、赤色画素および青色画素の透過率が、それぞれ最も良好となるように膜厚Ｗ６を設定することができる。なお、膜厚Ｗ６は、赤色カラーフィルタ層に対向する領域と緑色カラーフィルタ層に対向する領域とで異なっていてもよく、青色カラーフィルタ層に対向する領域と緑色カラーフィルタ層に対向する領域とで異なっていてもよい。
【００６４】
表示装置ＤＳＰは、赤色カラーフィルタ層と、緑色カラーフィルタ層と、青色カラーフィルタ層と、白色カラーフィルタ層と、を備えている。赤色カラーフィルタ層と緑色カラーフィルタ層とは、第２方向Ｙで互いに隣接し、交互にならんでいる。青色カラーフィルタ層は、赤色および緑色カラーフィルタ層に第１方向Ｘで隣接している。青色カラーフィルタ層と白色カラーフィルタ層とは、第２方向Ｙで互いに隣接し、交互にならんでいる。赤色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６と、青色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６とが異なる場合、緑色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６は、赤色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６と等しく、白色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６は、青色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６と等しい。これにより、第２方向Ｙに沿って膜厚Ｗ６の等しい領域が延在するため、膜厚Ｗ６を作り分ける領域の数が少なくなり、絶縁膜１６の成膜工程における製造ミスの増加を抑制することができる。
【００６５】
本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいて、例えば、膜厚Ｗ４は４９０±１０ｎｍであり、膜厚Ｗ５は３７０±１０ｎｍであり、赤色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６は３００±１０ｎｍであり、青色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６は１１０±１０ｎｍ、２２０±１０ｎｍ、または３３０±１０ｎｍである。また、例えば、膜厚Ｗ４は３４０±１０ｎｍであり、膜厚Ｗ５は４２０±１０ｎｍであり、赤色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６は１３０±１０ｎｍであり、青色カラーフィルタ層に対向する領域の膜厚Ｗ６は９０±１０ｎｍ、２００±１０ｎｍ、または３１０±１０ｎｍである。このとき、赤色光、緑色光、および青色光の透過率が良好な表示パネルＰＮＬを得ることができる。
【００６６】
さらに、表示装置ＤＳＰは、カラーフィルタ層ＣＦの上に配置された絶縁膜１７と、絶縁膜１７の上方に配置された画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥに対向配置された共通電極ＣＥと、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に配置された絶縁膜１８と、を備えている。このように、カラーフィルタ層ＣＦの上にドライプロセスによって成膜される部材を多く配置したとしても、カラーフィルタ層ＣＦの熱劣化による色度の劣化は、膜厚Ｗ４，Ｗ５，Ｗ６の調整による表示パネルＰＮＬの透過率の向上により、補償することができる。すなわち、本実施形態は、色再現範囲の良好な表示装置ＤＳＰを提供することができる。
【００６７】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下の抑制が可能な表示装置を提供することができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６８】
ＤＳＰ…表示装置  ＰＮＬ…表示パネル  １００…第１基板  ２００…第２基板  
１０…絶縁基板  １１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８…絶縁膜  
ＳＣ…半導体層  ＷＧ…ゲート電極  ＷＳ…ソース電極  ＷＤ…ドレイン電極  
ＣＦ…カラーフィルタ層  ＣＥ…共通電極  ＰＥ…画素電極  ＳＬ…スリット  
ＰＸ…画素  ＡＰ…開口部  Ｗ４…絶縁膜１４の膜厚  Ｗ５…絶縁膜１５の膜厚  
Ｗ６…絶縁膜１６の膜厚  
【図１】
2017126014.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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