(57)【要約】【課題】電子増幅用基板を用いて放射線を検出する場合において、当該電子増幅用基板における「放電」の発生を有効に抑制する。【解決手段】放射線Ｒが入射されて電子雪崩増幅を起こす電子増幅用基板３と、前記電子増幅用基板３での電子雪崩増幅の結果を検出する検出部５，６と、前記電子増幅用基板３を収容するチャンバ２と、を備え、前記チャンバ２内にＮ２ガスが添加された検出ガスが充填されている検出器を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線が入射されて電子雪崩増幅を起こす電子増幅用基板と、
前記電子増幅用基板での電子雪崩増幅の結果を検出する検出部と、
前記電子増幅用基板を収容するチャンバと、を備え、
前記チャンバ内にＮ２ガスが添加された検出ガスが充填されている
検出器。
【請求項２】
前記電子増幅用基板は、ガラス基板を基材として構成されている
請求項１に記載の検出器。
【請求項３】
前記検出ガスは、蛍光ガスを含む
請求項１または２に記載の検出器。
【請求項４】
前記蛍光ガスは、Ａｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガスであり、それぞれの比率がＡｒ＞ＣＦ４＞Ｎ２である
請求項３に記載の検出器。
【請求項５】
チャンバ内に電子増幅用基板が収容された検出器を用いて放射線を測定する検出方法であって、
前記チャンバ内にＮ２ガスが添加された検出ガスを充填する工程と、
前記チャンバ内の前記電子増幅用基板に前記放射線を入射して電子雪崩増幅を起こす工程と、
前記電子増幅用基板での電子雪崩増幅の結果を検出する工程と、
を備える検出方法。
【請求項６】
請求項１記載の検出器を構成する電子増幅用基板の基材として用いられるガラス基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線の検出に用いられる検出器、検出方法およびガラス基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、放射線（粒子放射線や電磁放射線等）は、種々の用途で採用されている。
【０００３】
放射線を所定の部分に照射する際には、本当に所定の線量が当該部分に照射されているかを確認する必要がある。そのため、放射線の利用にあたっては、放射線を所定の部分に照射する機能とともに、照射する放射線を検出し、線量分布や線量を確認する機能も必要となる。
【０００４】
放射線の検出を行う検出器としては、ガス電子増幅器（Gas Electron Multitplier、以下「ＧＥＭ」と略す。）による電子雪崩増幅を利用したものが知られている。ＧＥＭは、板状の基材に、その表裏に貫通する複数の貫通孔が形成されているとともに、その基材の両面が銅で被覆されてなる電子増幅用基板を有している。そして、電子増幅用基板を検出ガス中に配した状態で、基材の両面を被覆する銅薄膜を電極として用いて二つの電極間に電位差を与え、複数の貫通孔の孔内に強い電場を作り出し、その電場によって電子雪崩増幅を起こして、電離電子数を増やして信号として捉え得るようにすることで、検出ガス中での電離電子についての検出を可能にするように構成されている（例えば特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３０２８４４号公報
【特許文献２】特開２０１３−２０１０１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、放射線の検出器用途の電子増幅用基板については、「放電」の発生が大きな問題となる。「放電」は、基材表裏の二つの電極間の絶縁が破れて短絡することで発生する。このような「放電」の発生は、放射線の検出結果に悪影響を及ぼすだけではなく、検出器の動作を不安定にする要因にもなり得るため、未然に回避すべきである。
【０００７】
そこで、本発明は、電子増幅用基板を用いて放射線を検出する場合において、当該電子増幅用基板における「放電」の発生を有効に抑制することができる検出器、検出方法およびガラス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するために案出されたものである。
この目的達成のために、本願発明者らは、「放電」の発生要因について検討した。「放電」は、電子増幅用基板を構成する基材の板厚方向に電気が短絡的に流れることで発生し、特に板厚方向の絶縁抵抗が小さ過ぎる場合に発生し易い。そのため、「放電」の発生を抑制するためには、基材の板厚や絶縁抵抗等を調整したり、基材表裏の二つの電極間に印加する電位差を調整したりすることが一般的である。ところが、本願発明者らは、このような一般的な手法とは全く別の観点から、電子増幅用基板が配される環境の検出ガスに着目し、その検出ガスの組成により電子増幅用基板における「放電」の発生を抑制し得るとの知見を得た。
本発明は、上述した本願発明者らによる新たな知見に基づいてなされたものである。
【０００９】
本発明の第１の態様は、放射線が入射されて電子雪崩増幅を起こす電子増幅用基板と、前記電子増幅用基板での電子雪崩増幅の結果を検出する検出部と、前記電子増幅用基板を収容するチャンバと、を備え、前記チャンバ内にＮ２ガスが添加された検出ガスが充填されている検出器である。
本発明の第２の態様は、第１の態様に記載の発明において、前記電子増幅用基板は、ガラス基板を基材として構成されていることを特徴とする。
本発明の第３の態様は、第１または第２の態様に記載の発明において、前記検出ガスは、蛍光ガスを含むことを特徴とする。
本発明の第４の態様は、第３の態様に記載の発明において、前記蛍光ガスは、Ａｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガスであり、それぞれの比率がＡｒ＞ＣＦ４＞Ｎ２であることを特徴とする。
本発明の第５の態様は、チャンバ内に電子増幅用基板が収容された検出器を用いて放射線を測定する検出方法であって、前記チャンバ内にＮ２ガスが添加された検出ガスを充填する工程と、前記チャンバ内の前記電子増幅用基板に前記放射線を入射して電子雪崩増幅を起こす工程と、前記電子増幅用基板での電子雪崩増幅の結果を検出する工程と、を備える検出方法である。
本発明の第６の態様は、第１の態様に記載の発明に係る検出器を構成する電子増幅用基板の基材として用いられるガラス基板である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、電子増幅用基板を用いて放射線を検出する場合において、当該電子増幅用基板における「放電」の発生を有効に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第一実施形態における検出器の概略構成例を示す説明図である。
【図２】本発明の第二実施形態における検出器の概略構成例を示す説明図である。
【図３】本発明の第二実施形態に関して行った予備実験で得られた発光スペクトルの一具体例を示す説明図である。
【図４】本発明の第三実施形態における検出装置の概略構成例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。
ここでは、以下の順序で項分けをして説明を行う。
＜１．本発明の第一実施形態＞
（１）検出器の構成
（Ａ）全体構成
（Ｂ）電子増幅用基板
（Ｃ）放射線透過体
（Ｄ）チャンバ
（Ｅ）蛍光ガス
（Ｆ）励起光反射部
（Ｇ）センサ部
（２）検出器における動作
（Ｈ）放射線検出の手順
（Ｉ）Ｎ２ガス添加の影響
（３）第一実施形態の効果
（４）第一実施形態における変形例
＜２．本発明の第二実施形態＞
（５）検出器の構成
（Ｊ）全体構成
（Ｋ）蛍光ガス
（Ｌ）センサ部
（Ｍ）紫外線透過フィルタ
（６）検出器における動作
（Ｎ）Ｎ２ガス添加の影響
（７）第二実施形態の効果
（８）第二実施形態における変形例
＜３．本発明の第三実施形態＞
（９）検出装置の構成
（Ｏ）全体構成
（Ｐ）撮像カメラ
（Ｑ）タブレット端末
（１０）検出装置における動作
（１１）第三実施形態の効果
（１２）第三実施形態における変形例
＜４．その他＞
【００１３】
＜１．本発明の第一実施形態＞
先ず、本発明の第一実施形態について説明する。
【００１４】
（１）検出器の構成
本実施形態で説明する検出器は、検出ガス中での電子雪崩増幅を利用して電離電子についての測定を行うことを可能にし、これにより放射線の検出を行うように構成されたものである。
【００１５】
検出器が利用する「電子雪崩増幅」とは、強い電場の中で自由電子が気体分子と衝突すると新たな電子が叩き出され、これが電場で加速されてさらに別の分子と衝突して加速度的に電子数が増える現象をいう。電子雪崩増幅を利用する検出器には、例えばガス比例計数管（Capillary Gas Proportional Counter；ＣＧＰＣ）も含まれるが、本実施形態ではＧＥＭを用いて電子雪崩増幅を起こすものを検出器と呼ぶ。
【００１６】
ここで「ＧＥＭ」とは、二次元配列された微細な複数の貫通孔を有する電子増幅用基板を検出ガス中に配した状態で、その電子増幅用基板における貫通孔の孔内に強い電場を作り出し、その電場によって電子雪崩増幅を起こすように構成されたものをいう。電子増幅用基板は、単板状のものであっても、複数枚が多層化されたものであってもよい。
【００１７】
検出器での検出対象となり得る「放射線」には、「粒子放射線」や「電磁放射線」等が含まれる。「粒子放射線」には、アルファ線、ベータ線、陽子線、重荷電粒子線、電子線（原子核崩壊によらず加速器で電子を加速するもの）、中性子線、宇宙線等が含まれる。また「電磁放射線」には、電波（低周波、超長波、長波、中波、短波、超短波、マイクロ波）、光（赤外線、可視光線、紫外線）、Ｘ線、ガンマ線等が含まれる。これらのうちでいずれのものを検出対象とするかは、検出ガスの種類や作り出す電場の強さ等を適宜選択することによって、所望のものに設定することが可能である。
【００１８】
以上のような本実施形態における検出器、すなわちＧＥＭによる電子雪崩増幅を利用して放射線の検出を行う検出器は、具体的には以下に述べるように構成されている。
【００１９】
（Ａ）全体構成
図１は、本発明の第一実施形態における検出器の概略構成例を示す説明図である。
図例は、放射線をガス中で可視光に変換して検出する、いわゆる「シンチレーティング・Ｇｌａｓｓ・ＧＥＭ（Scintillating Glass GEM）」を備えた検出器を例に挙げている。シンチレーティング・Ｇｌａｓｓ・ＧＥＭは、貫通孔を有するガラス基板を用いた電子増幅用基板（Ｇｌａｓｓ−ＧＥＭ）とシンチレーションガスとを利用した検出器である。
【００２０】
図例の検出器１は、所定種類の検出ガスが充填される密閉容器であるチャンバ２の内部に、電子増幅用基板３と、これに付設された放射線透過体４と、を備えている。また、チャンバ２の外部には、励起光反射部５およびセンサ部６からなる検出部を備えている。なお、励起光反射部５およびセンサ部６からなる検出部は、図示せぬ暗箱に覆われており、外乱光の影響が当該検出部に及ばないように構成されている。
【００２１】
（Ｂ）電子増幅用基板
電子増幅用基板３は、電子雪崩増幅を起こしてＧＥＭとしての機能を実現するものである。具体的には、電子増幅用基板３は、板状の基材であるガラス基板３１と、ガラス基板３１の両面のそれぞれに配された導電性を有する電極層３２と、ガラス基板３１と電極層３２との積層体に形成された複数の貫通孔３３とを備え、各電極層３２への電圧印加時の両電極層３２間の電位差により貫通孔３３内に電界を形成して当該貫通孔３３内にて電子雪崩増幅を起こすように構成されている。
【００２２】
このような電子増幅用基板３を構成するガラス基板３１は、「感光性ガラス」によって形成されているものとする。「感光性ガラス」とは、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３系ガラスに、感光性金属として少量のＡｕ,Ａｇ,Ｃｕ、さらに増感剤としてＣｅＯ２を含んだガラスである。したがって、ガラス基板３１には、選択的エッチングのような半導体製造プロセスで用いられる微細加工技術を利用することで、機械加工では形成が困難な程度に微細な孔径および配列ピッチの貫通孔３３を設けることができる。また、ガラス基板３１を基材として用いることで、一般的なＧＥＭのようにポリイミド等の樹脂材料を用いた場合に比べて耐熱性、平滑性、剛性等に優れ、またアウトガスの問題が生じることもなく、さらには当該基材の体積抵抗率が低くなることから「チャージアップ」の発生抑制に有効とも考えられる。
【００２３】
なお、電子増幅用基板３の詳細については、例えば特許文献２（特開２０１３−２０１０１３号公報）に記載された通りである。また、電子雪崩増幅についてのメカニズムも特許文献２に記載の通りであることから、本明細書においては詳細な説明を省略する。また、本明細書において特記が無い内容については、特許文献２に記載の通り、本明細書には特許文献２の記載が全て記載されているものとする。ただ、もちろん、電子増幅用基板３としての機能を奏するものであれば、特許文献２以外の電子増幅用基板３であっても適用可能である。
【００２４】
（Ｃ）放射線透過体
放射線透過体４は、電子増幅用基板３が雪崩増幅させた電子に対する導電機能を有しており、当該電子が電子増幅用基板３に帯電してしまう（すなわちチャージアップが生じてしまう）のを抑制するものである。具体的には、放射線透過体４は、電子増幅用基板３に対向して設けられた導電膜４１と、当該導電膜４１を支持する支持体４２と、を備えて構成されている。
【００２５】
導電膜４１としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を用いることが考えられる。また、支持体４２としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＡ（ポリアミド）フィルム、ＰＥ（ポリエチレン）フィルム等の樹脂フィルムを用いることが好ましい。支持体４２として樹脂フィルムを用いれば、放射線透過体４全体の厚さを薄型化でき、放射線透過体４を放射線Ｒが透過する際に当該放射線Ｒに悪影響が及んでしまうのを抑制し得るからである。ただし、支持体４２は、導電膜４１を支持可能で、かつ、光透過性を有するものであれば、樹脂フィルムではなく、例えばガラス板によって形成しても構わない。
【００２６】
このような構成の放射線透過体４は、電子増幅用基板３に近接して配置することが好ましい。電子増幅用基板３と放射線透過体４の間に介在する検出ガスが、透過する放射線Ｒや電子増幅用基板３に帯電した電子の排除等に悪影響を及ぼすのを抑制するためである。具体的には、電子増幅用基板３と放射線透過体４との間の距離を、例えば１ｍｍ以下といったように、極めて狭くすることが考えられる。
【００２７】
（Ｄ）チャンバ
チャンバ２は、電子増幅用基板３および放射線透過体４を収容する密閉容器であり、検出対象となる放射線Ｒが外部からチャンバ２内に入射し得るとともに、チャンバ２内の電子増幅用基板３および放射線透過体４を透過した放射線Ｒが外部に出射し得るように構成されている。さらに、チャンバ２は、当該チャンバ２内で生じた励起発光による光Ｅについても、当該チャンバ２内から外部に透過させる光透過性を有して構成されている。
【００２８】
チャンバ２内には、所定種類の検出ガスが充填される。所定種類の検出ガスとしては、「シンチレーティング・グラス・ＧＥＭ」においては、電離電子を励起発光によって光Ｅに変換する蛍光ガスを用いる。なお、本実施形態において、励起発光によって生じた光Ｅには、少なくとも可視光領域の波長の光が含まれているものとする。
【００２９】
（Ｅ）蛍光ガス
電離電子を励起発光によって光Ｅに変換する蛍光ガスとしては、例えばアルゴン（Ａｒ）と四フッ化炭素（ＣＦ４）との混合ガス（例えば、Ａｒ：ＣＦ４＝９０％：１０％）がある。ただし、本実施形態では、このような混合ガスをそのまま用いることはなく、窒素（Ｎ２）ガスを添加して用いている。つまり、本実施形態において、チャンバ２内には、Ｎ２ガスが添加された蛍光ガスが充填されている。なお、Ｎ２ガスは、「添加」されたものに過ぎない。したがって、チャンバ２内の蛍光ガスは、Ｎ２ガスが１００％である場合を除く。
【００３０】
より具体的には、チャンバ２内に充填される蛍光ガスは、例えば、Ａｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガスであり、それぞれの比率がＡｒ＞ＣＦ４＞Ｎ２となっている。さらに詳しくは、Ａｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガスの比率は、Ａｒ：ＣＦ４：Ｎ２＝７０〜９０％：５〜１０％：１〜５％程度であり、好ましくはＡｒ：ＣＦ４：Ｎ２＝９０％：８％：２％である。
【００３１】
なお、ここでは、蛍光ガスがＡｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガスである場合を例に挙げているが、Ｎ２ガスが添加された状態で蛍光ガスとして機能し得るものであれば、短波長の紫外線に対し吸収効果がある他の蛍光ガスを用いても構わない。他の蛍光ガスとしては、例えば、Ａｒの代わりにクリプトン（Ｋｒ）を用いたものや、キセノン（Ｘｅ）、ネオン（Ｎｅ）、ＫｒＣｌ２又はＸｅＣｌ２に、Ｎ２ガスを添加したもの等が挙げられる。また、ＣＦ４の代わりにメタン（ＣＨ４）を用いてもよい。添加ガスとしては、Ｎ２の他に、ＣＨ４、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、二酸化炭素（ＣＯ２）などの紫外線吸収効果のあるガスを加えてもよい。
【００３２】
（Ｆ）励起光反射部
励起光反射部５は、電子増幅用基板３での電子雪崩増幅の結果を検出する検出部の一部として機能するもので、チャンバ２内で生じた励起光Ｅが当該チャンバ２から出射されると、その励起光Ｅを反射することで、当該励起光Ｅの光軸方向を変換するものである。具体的には、励起光反射部５は、チャンバ２から出射された励起光Ｅをその光軸方向と直交する方向に反射するミラーによって構成されている。
【００３３】
（Ｇ）センサ部
センサ部６は、電子増幅用基板３での電子雪崩増幅の結果を検出する検出部の他の一部として機能するもので、励起光反射部５で反射された励起光Ｅを受光して、その光量を検出するものである。具体的には、センサ部６は、光電変換機能を有するＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサを用いて構成され、可視光領域の波長の励起光Ｅの光量を検出し得るようになっている。ただし、センサ部６は、必ずしもＣＣＤセンサに限定されることはなく、励起光Ｅの光量を検出し得るものであれば、他の公知のセンサを採用しても構わない。
【００３４】
なお、電子増幅用基板３での電子雪崩増幅の結果を検出する検出部は、励起光反射部５およびセンサ部６の他に、当該検出部での検出結果を表示する表示部、検出結果を図表化、グラフ化、ビジュアル化に必要なデータへと変換する演算部、これらを制御する制御部等を備えていても構わない（いずれも不図示）。
【００３５】
（２）検出器における動作
次に、上述した構成の検出器１を用いて放射線Ｒを検出する場合の処理動作について説明する。
【００３６】
（Ｈ）放射線検出の手順
検出器１での放射線Ｒの検出にあたっては、先ず、チャンバ２内にＮ２ガスが添加された蛍光ガスを充填する工程を行う。この工程により、チャンバ２内には、例えば、Ａｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガスであり、それぞれの比率がＡｒ＞ＣＦ４＞Ｎ２となっている蛍光ガスが充填されることになる。また、このとき、チャンバ２内では、電子増幅用基板３における各電極層３２へ電圧を印加して、各貫通孔３３の孔内に電子雪崩増幅が起こる程度に高電場の電界を形成しておく。
【００３７】
このような状態とした後は、次いで、チャンバ２内の電子増幅用基板３に放射線Ｒを入射して電子雪崩増幅を起こす工程を行う。具体的には、チャンバ２内に放射線Ｒが入射すると、チャンバ２内では、入射した放射線Ｒがガスを電離させ、この電離作用により電子が発生する。このとき、貫通孔３３の孔内には、電界の形成によって高電場が生じている。そのため、貫通孔３３を通過しようとする電子は、高電場によって速度が加速されて運動エネルギーが増加し、これにより他の周りの電子にエネルギーを与えて、新たな電離作用により電子を放出させる。このことが繰り返されることで、電子は増幅していき、結果として雪崩式に増幅していく。つまり、電子が貫通孔３３の孔内を通過する際に、電子雪崩増幅が起こるのである。
【００３８】
貫通孔３３の孔内で電子雪崩増幅が起こると、チャンバ２内には電離電子を励起発光によって光に変換する蛍光ガスが充填されているので、貫通孔３３の出口近傍の領域、すなわち電子増幅用基板３の下面側近傍の領域において、増幅した電子量と一意に対応する光量の励起発光が生じる。そして、その励起発光によって生じた励起光Ｅは、チャンバ２内から励起光反射部５に向けて出射される。
【００３９】
なお、このとき、電子雪崩増幅によって増幅した電子は、放射線透過体４の導電膜４１を通じて排除され、電子増幅用基板３に帯電してしまうことはない。
また、チャンバ２内に入射した放射線Ｒは、電子増幅用基板３および放射線透過体４を透過した後に、さらに励起光反射部５およびこれを覆う暗箱（ただし不図示）を透過し、所定の部分に照射されることになる。
【００４０】
その後は、電子増幅用基板３での電子雪崩増幅の結果を検出する工程を行う。具体的には、チャンバ２内から出射された励起光Ｅを励起光反射部５で反射して、その励起光Ｅをセンサ部６に受光させる。センサ部６は、励起光Ｅを受光すると、その光量を電気信号に変換して出力する。このように、センサ部６は、受光した励起光Ｅの光量を基にして、増幅された電子数ひいては放射線Ｒの線量が検出されることになる。
【００４１】
以上のような手順を経ることで、検出器１では、検出対象である放射線Ｒについて、その線量の検出を行うことができる。
【００４２】
（Ｉ）Ｎ２ガス添加の影響
ところで、検出器１での放射線Ｒの検出にあたっては、上述したように、電子増幅用基板３の貫通孔３３の孔内に高電場の電界を形成した状態が継続するため、基板両面の電極層３２の間の絶縁が破れて短絡する「放電」の発生が大きな問題となる。
【００４３】
この点につき、本実施形態においては、検出器１のチャンバ２内にＮ２ガスが添加された蛍光ガスを充填しているので、Ｎ２ガスが添加されていない蛍光ガスを充填した場合に比べると、電子増幅用基板３における電極層３２の間の「放電」の発生を抑制することができる。
【００４４】
その理由については、現段階では完全には解明できていないが、以下に述べることが理由の一つではないかと推察される。放電は、微小な領域に電気エネルギーが集中して生じるマイクロプラズマが成長して発生すると考えられる。つまり、小さな放電であるマイクロプラズマが他のマイクロプラズマを誘発しつつ成長して大きな放電に至る。しかしながら、Ｎ２ガスが添加されている状態では、そのＮ２ガスの存在によりマイクロプラズマが成長しづらくなってしまい、その結果として放電の発生が抑制されるのではないかと推察される。
【００４５】
なお、Ｎ２ガスの添加により放電の発生が抑制されることは、現実に行った実験結果により実証されている。この実証結果につき、「比較例」と本実施形態に係る「実施例」とを対比しつつ説明する。
（比較例）
比較例では、コンピュータ断層撮影（Computed Tomography、以下「ＣＴ」と略す。）におけるＸ線の線量モニタとして、上述した構成の検出器１を用いた。ただし、チャンバ２内には、ＡｒとＣＦ４の混合ガス（具体的には、Ａｒ：ＣＦ４＝９０％：１０％）を蛍光ガスとして充填した。その結果、電子増幅用基板３における放電発生率は、Ｘ線照射時間２時間のＣＴで約３０回であった。これは、すなわち、約３０のシーンのＣＴ画像が使用できないことを意味する。
（実施例）
このような比較例に対する実施例では、本実施形態で説明したように、チャンバ２内にＡｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガス（具体的には、Ａｒ：ＣＦ４：Ｎ２＝９０％：８％：２％）を蛍光ガスとして充填した。その他については、比較例の場合と全く同様である。このような条件でＸ線照射時間５時間に及ぶＣＴを行ったところ、放電発生が一度も無いことがわかった。また、同様のＮ２添加蛍光ガスを用いて１２時間の重粒子線の計測を行った場合についても、放電発生が一度も無いことがわかった。
以上のように、Ｎ２ガスが添加された蛍光ガスを用いた実証結果では、電子増幅用基板３における放電発生を有効に抑制できることが明らかとなっている。
【００４６】
（３）第一実施形態の効果
本実施形態によれば、以下のような効果が得られる。
【００４７】
本実施形態においては、電子増幅用基板３を収容するチャンバ２内にＮ２ガスが添加された検出ガスが充填されているので、Ｎ２ガスが添加されていない蛍光ガスを充填した場合に比べると、電子増幅用基板３における放電発生を有効に抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、放電発生を抑制しつつ放射線の検出を行うことができるので、当該放電発生が放射線の検出結果に悪影響を及ぼすのを未然に回避することができる。さらには、放電発生を抑制することで、検出器１の動作を不安定にする要因についても排除することができる。
【００４８】
また、本実施形態においては、電子増幅用基板３がガラス基板を基材として構成されているので、ポリイミド等の樹脂材料を当該基材として用いた場合に比べて、「チャージアップ」の発生抑制に有効とも考えられる。したがって、ガラス基板を基材とする電子増幅用基板３と、Ｎ２ガスが添加されていない蛍光ガスのチャンバ２内への充填とを組み合わせることで、さらなる放電抑制効果が得られることが期待できる。
【００４９】
また、本実施形態においては、チャンバ２内に充填する検出ガスとして、電離電子を励起発光によって光に変換する蛍光ガスを用いており、その蛍光ガスにＮ２ガスを添加している。したがって、「シンチレーティング・グラス・ＧＥＭ」を構成して放射線の線量モニタ等を構築する上で非常に好適なものとなる。しかも、その場合においても、放電発生を抑制することで、線量モニタ等の動作を不安定にする要因を排除することができる。
【００５０】
また、本実施形態においては、蛍光ガスがＡｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガスであり、それぞれの比率がＡｒ＞ＣＦ４＞Ｎ２である。したがって、上述した実証結果から明らかなように、電子増幅用基板３における放電発生を確実に抑制することができる。
【００５１】
（４）第一実施形態における変形例
なお、本実施形態では、チャンバ２内に蛍光ガスを充填し、放射線をガス中で可視光に変換して検出する「シンチレーティング・グラス・ＧＥＭ」を備えた検出器１を例に挙げたが、本発明はこれに限定されるものではない。つまり、蛍光ガス中で発生した励起光Ｅを検出するように構成されたものに限定されることはなく、例えば特許文献２（特開２０１３−２０１０１３号公報）に記載されているように、増幅後の電子を読み出し電極とこれに接続された電気回路を用いて検出するように構成されたものであっても、全く同様に適用することが可能である。
【００５２】
その場合に、チャンバ２内に充填されるのは、上述した検出ガスとなる。具体的には、検出ガスとして、一般に希ガスとクエンチャーガスの組合せが使用される。希ガスとしては、例えばヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）等がある。また、クエンチャーガスとしては、例えば、二酸化炭素（ＣＯ２）、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、四フッ化メタン（ＣＦ４）等が挙げられる。希ガス中へのクエンチャーガスの混合量は、５〜３０％が好適である。
【００５３】
このような検出ガスであっても、Ｎ２ガスを添加することによって、電子増幅用基板３における放電発生の抑制効果が期待できる。つまり、本実施形態で例に挙げた蛍光ガスは、放射線の検出を行う検出器で用いられる検出ガスの一例に過ぎず、蛍光ガス以外の検出ガスを用いる場合であっても、Ｎ２ガスを添加して放電発生の抑制効果を得るようにしてもよい。
【００５４】
＜２．本発明の第二実施形態＞
次に、本発明の第二実施形態について説明する。なお、ここでは、主として上述した第一実施形態の場合との相違点について説明する。
【００５５】
（５）検出器の構成
本実施形態で説明する検出器は、第一実施形態の場合と同様に「シンチレーティング・グラス・ＧＥＭ」を備えて構成されたものであるが、第一実施形態では放射線をガス中で可視光に変換して検出するものであったのに対して、本実施形態では放射線をガス中で紫外光に変換して検出する点で、第一実施形態の場合とは異なる。
【００５６】
第一実施形態で説明した検出器１では、可視光を検出するように構成されているため、励起光反射部５およびセンサ部６を覆う暗箱（ただし不図示）が必須の構成要素となる。なぜならば、外乱光がセンサ部６に入射して検出結果に悪影響が及ぶのを防ぐべきだからである。そのため、可視光を検出する構成の検出器１では、暗箱を必要とする分だけ、装置大型化や装置構成の複雑化等を招いてしまうおそれがある。
【００５７】
また、第一実施形態で説明した検出器１では、励起光反射部５によりチャンバ２からの励起光Ｅの光軸方向を変換している。これは、センサ部６には励起光Ｅのみが入射するようにし、センサ部６への放射線Ｒの直接入射を防止するためである。ところが、その放射線Ｒについては、励起光反射部５が配されていることから、所定の部分への照射にあたり、励起光反射部５を透過する必要が生じてしまう。そのため、例えば放射線Ｒが陽子線である場合には、当該陽子線が励起光反射部５を透過する際に散乱するといったことが起こり得る。
【００５８】
これらのことを考慮すると、放射線の検出に用いられる検出器については、励起光反射部５や暗箱等を必要としない、極力シンプルな構成のものがあれば、非常に有用であると言える。
【００５９】
この点につき検討を重ねた結果、本願発明者らは、チャンバ２内での励起発光が可視光と紫外光との両方を発するものである点に着目し、可視光ではなく紫外光を検出するように構成することで、極力シンプルな構成の検出器を実現可能にするという着想を得るに至った。本実施形態で説明する検出器は、上述した本願発明者らによる新たな着想に基づいてなされたものである。
【００６０】
（Ｊ）全体構成
図２は、本発明の第二実施形態における検出器の概略構成例を示す説明図である。
図例は、放射線をガス中で紫外光に変換して検出する「シンチレーティング・グラス・ＧＥＭ」を備えた検出器を例に挙げている。
【００６１】
図例の検出器１ａは、チャンバ２の内部に電子増幅用基板３および放射線透過体４を備えている。この点については、第一実施形態の場合と同様である。ただし、本実施形態で説明する検出器１ａでは、第一実施形態の場合のように電子増幅用基板３の法線方向から放射線Ｒが入射するのではなく、斜め方向（例えば、電子増幅用基板３の法線方向から斜め４５°に傾いた方向）から放射線Ｒが入射し、その方向のまま放射線Ｒが透過するように、チャンバ２が配置されている。また、チャンバ２の外部には、センサ部６ａおよび紫外線透過フィルタ７からなる検出部を備えている。なお、第一実施形態の場合とは異なり、励起光反射部５および検出部を覆う暗箱は備えていない。なお、本例と第一実施形態とを区別すべく、紫外光を検出する本例においては、検出器の符号を１ａ、センサ部の符号を６ａとしている。
【００６２】
（Ｋ）蛍光ガス
チャンバ２内には、所定種類の検出ガスとして、電離電子を励起発光によって光Ｅに変換する蛍光ガスが充填される。なお、本実施形態において、励起発光によって生じた光Ｅには、少なくとも紫外光領域の波長の光が含まれているものとする。
【００６３】
このような蛍光ガスとして、本実施形態では、第一実施形態の場合と同様に、Ｎ２ガスが添加されたもの、具体的には例えばＡｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガスであり、それぞれの比率がＡｒ＞ＣＦ４＞Ｎ２となっているものを用いる。さらに詳しくは、Ａｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガスの比率は、Ａｒ：ＣＦ４：Ｎ２＝７０〜９０％：５〜１０％：１〜５％程度であり、好ましくはＡｒ：ＣＦ４：Ｎ２＝９０％：８％：２％である。
【００６４】
なお、本実施形態においても、チャンバ２内の蛍光ガスはＮ２ガスが１００％である場合を除くこと、および、Ｎ２ガスが添加された状態で蛍光ガスとして機能し得るものであれば他の蛍光ガスを用いても構わないことに関しては、第一実施形態の場合と同様である。
【００６５】
（Ｇ）センサ部
センサ部６ａは、紫外線領域の波長の励起光Ｅの光量を検出し得るようになっている。第一実施形態の場合と同様に光電変換機能を有して受光した光の光量を検出するものであるが、第一実施形態の場合とは異なり、チャンバ２に対する放射線Ｒの透過方向と直交する方向に配されている。つまり、チャンバ２内で発生する励起光Ｅとセンサ部６ａとの間には、第一実施形態で説明した励起光反射部５が存在していない。このような配置であっても、チャンバ２内の励起光Ｅが等方性を有していれば、センサ部６ａは、その励起光Ｅを受光して検出することが可能である。
【００６６】
なお、電子増幅用基板３での電子雪崩増幅の結果を検出する検出部は、センサ部６ａの他に、当該センサ部６ａでの検出結果を二次元イメージングで視覚化して表示する表示部を備えていることが望ましい。
【００６７】
（Ｍ）紫外線透過フィルタ
紫外線透過フィルタ７は、紫外光領域の波長の光のみを選択的に透過させる光学特性を有するもので、センサ部６ａの受光部を覆うように当該センサ部６ａとチャンバ２との間の光路上に配置されて用いられる。つまり、紫外線透過フィルタ７は、紫外光領域の波長の光のみをセンサ部６ａに受光させるものである。このような紫外線透過フィルタ７は、公知の光学素子を用いて構成することが考えられる。
【００６８】
（６）検出器における動作
次に、上述した構成の検出器１ａを用いて放射線Ｒを検出する場合の処理動作について説明する。
【００６９】
検出器１ａでの放射線Ｒの検出にあたっては、第一実施形態の場合と同様に、チャンバ２内にＮ２ガスが添加された蛍光ガスを充填した後に、チャンバ２内の電子増幅用基板３に放射線Ｒを入射して電子雪崩増幅を起こし、その電子雪崩増幅の結果を検出する。このとき、チャンバ２内では電子雪崩増幅で増幅した電子量と一意に対応する光量の励起発光が生じ、その励起発光によって生じた励起光Ｅをセンサ部６ａが受光する。
【００７０】
ただし、本実施形態においては、チャンバ２とセンサ部６ａとの間の光路上に紫外線透過フィルタ７が配置されている。したがって、センサ部６ａは、紫外光領域の波長の光のみを受光することになる。つまり、紫外線透過フィルタ７は、励起光Ｅに含まれる可視光領域の波長の光だけではなく、外乱光となる可視光領域の波長の光についても、センサ部６ａに受光させないようにする。このように、本実施形態においては、チャンバ２内での励起発光によって生じた励起光Ｅに含まれる紫外光領域の波長の光のみをセンサ部６ａが受光し、その光量を電気信号に変換して出力することで、チャンバ２内での電子雪崩増幅の結果として検出するのである。なお、センサ部６ａでの検出結果については、二次元イメージングで視覚化して表示出力することが望ましい。
【００７１】
（Ｎ）Ｎ２ガス添加の影響
ところで、本実施形態においては、検出器１ａでの放射線Ｒの検出にあたり、チャンバ２内にＮ２ガスが添加された蛍光ガスを充填している。Ｎ２ガスは、紫外線吸収効果があるため、Ｎ２ガスが添加されていない蛍光ガスを充填した場合に比べると、チャンバ２内での励起発光によって生じた励起光Ｅに含まれる紫外光領域の波長の光の光量（以下、単に「紫外線量」という。）を増大させることができる。
【００７２】
その理由については、現段階では完全には解明できていないが、窒素分子のエネルギー準位の影響で３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長域にピークを有する発光スペクトルが得られるからではないかと推察される。
【００７３】
なお、Ｎ２ガスの添加により紫外線量を増大することは、現実に行った予備実験の結果により実証されている。
図３は、本発明の第二実施形態に関して行った予備実験で得られた発光スペクトルの一具体例を示す説明図である。
例えば、チャンバ２内にＡｒとＣＦ４の混合ガス（具体的には、Ａｒ：ＣＦ４＝９０％：１０％）を蛍光ガスとして充填した場合には、主として可視光領域の波長（具体的には、５５０ｎｍ付近）の光を励起光Ｅとして発生させるところ、本実施形態で説明したように、チャンバ２内にＮ２ガスが添加された蛍光ガスであるＡｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガス（具体的には、Ａｒ：ＣＦ４：Ｎ２＝９０％：８％：２％）を充填し、このようなガスをカウンティングガスとして「シンチレーティング・グラス・ＧＥＭ」に用いると、図例のような発光スペクトルが得られることが予備実験の結果からわかっている。図例の発光スペクトルによれば、３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長域（すなわち、紫外光領域の波長域）付近にピークを有している。このような紫外光領域の波長域のピークは、Ｎ２ガスが添加されていない蛍光ガスが充填されている場合には得られないものである。
つまり、図例に示した予備実験の結果によれば、蛍光ガスにＮ２ガスを添加することで、当該添加がない場合に比べて紫外線量を増大できることが明らかとなっている。
【００７４】
（７）第二実施形態の効果
本実施形態によれば、以下のような効果が得られる。
【００７５】
本実施形態においては、検出器１ａが、蛍光ガス環境下で放射線Ｒが入射されて電子雪崩増幅を起こす電子増幅用基板３と、電子増幅用基板３での電子雪崩増幅によって得られた励起発光を検出するセンサ部６ａと、電子増幅用基板３とセンサ部６ａとの間の光路上に配されて前記励起発光のうちの紫外光領域の波長の光をセンサ部６ａに受光させる紫外線透過フィルタ７と、を備えて構成されている。そのため、本実施形態によれば、励起発光から紫外光のみを取り出して検出する、いわゆる紫外線イメージングにより放射線Ｒの検出を行うことができる。紫外線イメージングにより放射線Ｒを検出できれば、暗箱を必要としなくても外乱光による検出結果への悪影響を抑制できるので、検出器１ａに関して可視光イメージングの場合のような装置大型化や装置構成の複雑化等を招いてしまうことがない。
【００７６】
また、本実施形態においては、紫外線イメージングにより放射線Ｒの検出を行う場合において、検出対象となる放射線Ｒに対するチャンバ２およびセンサ部６ａの配置を工夫することで、暗箱のみならず、第一実施形態で説明した励起光反射部５についても、備えることを不要にしている。そのため、本実施形態によれば、例えば放射線Ｒが陽子線である場合であっても、当該陽子線が励起光反射部５を透過する際に散乱するといったことが起こらず、当該陽子線を所定の部分に確実に照射することができるようになる。
【００７７】
以上のように、本実施形態においては、放射線Ｒの検出に用いられる検出器１ａについて、励起光反射部５や暗箱等を必要としない、極力シンプルな構成を実現することが可能である。
【００７８】
また、本実施形態で説明したように、センサ部６ａでの検出結果を二次元イメージングで視覚化して表示出力するようにした場合には、検出器１ａとしての利便性向上が図れる。つまり、「シンチレーティング・グラス・ＧＥＭ」と紫外線イメージングとを組み合わせることで、検出器１ａを極力シンプルに構成しつつ、大面積のイメージングを容易に実現し得るようになる。
【００７９】
また、本実施形態においては、チャンバ２内にＮ２ガスが添加された検出ガスが充填されているので、Ｎ２ガスが添加されていない蛍光ガスを充填した場合に比べると、チャンバ２内で発生する励起発光における紫外線量を増大させることができる。したがって、本実施形態によれば、紫外線イメージングを行う場合における放射線Ｒの検出感度や検出精度等の向上が期待できる。
【００８０】
（８）第二実施形態における変形例
なお、本実施形態では、検出対象となる放射線Ｒが電子増幅用基板３の法線方向から４５°傾いた斜め方向から入射するとともに、その放射線Ｒの透過方向と直交する方向にセンサ部６ａが配されている場合を例に挙げたが、放射線Ｒ、チャンバ２、電子増幅用基板３およびセンサ部６ａの間の配置関係がこれに限定されることはなく、４５°以外の角度で傾いて配置されていてもよい。また、紫外光領域の波長の光を反射する励起光反射部５を設ければ、放射線Ｒが電子増幅用基板３の法線方向から入射するように検出器１ａが構成されていてもよい。
【００８１】
また、チャンバ２内に充填される蛍光ガスについて、本実施形態ではＡｒ、ＣＦ４およびＮ２の混合ガスを例に挙げたが、励起発光により紫外光領域の波長の光を発し得るものであれば、他の蛍光ガスを用いても構わない。他の蛍光ガスとしては、例えば、Ａｒの代わりにＫｒを用いたものや、ＸｅガスにＮ２ガスを添加したもの等が挙げられる。
【００８２】
＜３．本発明の第三実施形態＞
次に、本発明の第三実施形態について説明する。なお、ここでは、主として上述した第二実施形態の場合との相違点について説明する。
【００８３】
（９）検出装置の構成
本実施形態で説明する検出装置は、第二実施形態で説明した検出器１ａを備えて構成されたもので、検出対象物からの放射線を検出してその検出結果を出力する、いわゆるサーベイメータとして機能するものである。
【００８４】
サーベイメータとして機能する検出装置としては、例えば測定した放射線量に応じた音量の信号を出力することにより放射線量の大小を知らせるものが知られている。ところが、このような検出装置では、検出対象物のどの部分からどの程度の放射線量が生じているかを把握することが困難である。
【００８５】
この点につき検討を重ねた結果、本願発明者らは、人間の視認画像に相当する撮像画像に対して放射線量の検出結果に相当する画像を重ね合わせれば、検出対象物のどの部分からどの程度の放射線量が生じているかを容易に把握できるのではないかという着想を得るに至った。本実施形態で説明する検出装置は、上述した本願発明者らによる新たな着想に基づいてなされたものである。
【００８６】
（Ｏ）全体構成
図４は、本発明の第三実施形態における検出装置の概略構成例を示す説明図である。
図例の検出装置１０は、第二実施形態で説明した検出器１ａを備えている。この検出器１ａは、第二実施形態で説明したように、チャンバ２の内部に電子増幅用基板３および放射線透過体４を備えるとともに、チャンバ２の外部にセンサ部６ａおよび紫外線透過フィルタ７を備えており、紫外線イメージングにより放射線Ｒの検出を行うように構成されたものである。なお、検出器１ａは、チャンバ２における放射線入射側に紫外線カットフィルタ２ａが配されていることが望ましい。
【００８７】
また、検出装置１０は、検出器１ａの他に、撮像カメラ８およびタブレット端末９を備えている。
【００８８】
（Ｐ）撮像カメラ
撮像カメラ８は、検出器１ａのセンサ部６ａが取得する二次元画像と同画角の可視画像、またはこれと同等に扱える可視画像を撮像するものである。センサ部６ａと同画角等の可視画像を撮像し得るものであれば、撮像カメラ８は、検出器１ａのチャンバ２越しに撮像を行うものであってもよいし、検出器１ａとは全く別に撮像を行うものであってもよい。このような撮像カメラ８としては、例えばＣＣＤ撮像素子を備えて構成されたものを用いることが考えられるが、必ずしもに限定されることはなく、他の公知の撮像素子を備えたものを採用しても構わない。
【００８９】
（Ｑ）タブレット端末
タブレット端末９は、検出器１ａのセンサ部６ａおよび撮像カメラ８と接続し、それぞれからの出力信号（例えば二次元画像を表す画像データ）を受け取るように構成されている。さらに、タブレット端末９は、少なくとも、センサ部６ａおよび撮像カメラ８からの出力信号を二次元イメージングで視覚化して表示する表示部としての機能と、その表示部での表示内容について画像処理を施す画像処理機能と、を備えているものとする。これらの機能を備えるタブレット端末９は、携帯型のコンピュータ装置に相当するものである。
【００９０】
（１０）検出装置における動作
次に、上述した構成の検出装置１０を用いて検出対象物Ｍからの放射線Ｒを検出する場合の処理動作について説明する。
【００９１】
上述した構成の検出装置１０を用いる場合には、先ず、検出器１ａによる紫外線イメージングにより、検出対象物Ｍからの放射線Ｒを検出する。このとき、検出対象物Ｍから放射線Ｒが出射していれば、その放射線Ｒに対応して検出器１ａのチャンバ２内で励起発光が生じ、その励起発光に含まれる紫外光がセンサ部６ａによって検出される。センサ部６ａによる紫外光の検出結果は、紫外光の光量を示す二次元画像（以下、この画像を「ＧＥＭ画像」という。）の画像データとして、タブレット端末９へ送られ、当該タブレット端末９内に一時的に保持される。なお、検出器１ａに紫外線カットフィルタ２ａが配されていれば、ノイズ成分となる外界からの紫外光を排除し得るので、検出器１ａによる紫外線イメージングの高精度化が実現可能となる。
【００９２】
また、ＧＥＭ画像の取得と合わせて、検出装置１０では、検出対象物Ｍについて、撮像カメラ８が検出器１ａのセンサ部６ａと同画角等の可視画像を撮像する。撮像カメラ８による可視画像の撮像結果は、検出対象物Ｍの視認状態を示す二次元画像（以下、この画像を「非ＧＥＭ画像」という。）の画像データとして、タブレット端末９へ送られ、当該タブレット端末９内に一時的に保持される。
【００９３】
センサ部６ａおよび撮像カメラ８のそれぞれからＧＥＭ画像および非ＧＥＭ画像の画像データを受け取ると、タブレット端末９は、これらを重ね合わせる画像処理を行った後に、その重ね合わせ後の合成画像Ｐを表示出力する。なお、タブレット端末９での画像処理および表示出力は、公知技術を利用して行えばよく、ここではその詳細についての説明を省略する。
【００９４】
このようにしてタブレット端末９で表示出力されるＧＥＭ画像と非ＧＥＭ画像との合成画像Ｐは、検出対象物Ｍについての可視画像に、当該検出対象物Ｍから出射される放射線Ｒの検出結果が重ね合わされたものである。したがって、その合成画像Ｐを目視した検出装置１０の利用者は、検出対象物Ｍに放射線汚染があるか否かを把握し得るのみならず、当該検出対象物Ｍのどの部分からどの程度の放射線量が生じているかを把握することができる。
【００９５】
（１１）第三実施形態の効果
本実施形態によれば、以下のような効果が得られる。
【００９６】
本実施形態においては、検出装置１０が、少なくとも、検出対象物Ｍからの放射線Ｒが入射されて電子雪崩増幅を起こす電子増幅用基板３と、その電子雪崩増幅によって得られた励起発光を受光してＧＥＭ画像を得るセンサ部６ａと、検出対象物Ｍを撮像して非ＧＥＭ画像を得る撮像カメラ８と、ＧＥＭ画像と非ＧＥＭ画像とを重ね合わせる画像処理機能および当該画像処理機能により得られた合成画像Ｐを表示出力する表示機能を有するタブレット端末９と、を備えて構成されている。そのため、本実施形態によれば、表示出力された合成画像Ｐを目視した検出装置１０の利用者が、検出対象物Ｍのどの部分からどの程度の放射線量が生じているかを把握することができる。つまり、ＧＥＭ画像と非ＧＥＭ画像とを重ね合わせることで、検出対象物Ｍについて二次元で放射線Ｒを検出する位置敏感型のサーベイメータを実現し得るようになる。
【００９７】
また、本実施形態においては、ＧＥＭ画像を得るための検出器１ａが紫外線イメージングに対応したものである。そのため、本実施形態によれば、紫外光に基づくＧＥＭ画像と可視光に基づく非ＧＥＭ画像とが同時並行的に得られるようになり、検出対象物Ｍについての放射線検出を迅速かつ高効率で行うことができる。
【００９８】
（１２）第三実施形態における変形例
なお、本実施形態では、ＧＥＭ画像が紫外光に基づくものである場合を例に挙げたが、可視光に基づくものであってもよい。つまり、本実施形態では、放射線Ｒの検出結果に相当するＧＥＭ画像を、紫外線イメージングに対応した検出器１ａ（すなわち第二実施形態で説明したもの）で得る場合を例に挙げたが、第一実施形態で説明した検出器１で得るようにしても構わない。その場合には、ＧＥＭ画像と非ＧＥＭ画像との取得を異なるタイミング（交互取得や時分割取得等）で行うことが考えられる。
【００９９】
＜４．その他＞
以上に本発明の好適な実施形態について第一実施形態から第三実施形態を挙げて説明したが、上記の開示内容は、本発明の例示的な実施形態を示すものである。すなわち、本発明の技術的範囲は、上記の例示的な実施形態に限定されるものではない。
【０１００】
例えば、上述した実施形態では、チャンバ２内の電子増幅用基板３が一枚のみである場合を例示している。ただし、電子増幅用基板３は、チャンバ２内に複数枚が設けられていてもよい。電子増幅用基板３を複数枚備えていれば、一枚のみの場合に比べて、装置構成の複雑化を招いてしまうが、電子雪崩増幅の際のゲインを増大させることが容易に実現可能となる。
【０１０１】
また、上述した実施形態では、チャンバ内にＮ２ガスが添加された検出ガスが充填されている検出器を主に例示したが、これも先に説明したように、添加ガスとしては、Ｎ２の他に、ＣＨ４、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、二酸化炭素（ＣＯ２）などの紫外線吸収効果のあるガスを採用してもよい。そのため、以下の構成についても本発明の技術的思想が反映されている。
『放射線が入射されて電子雪崩増幅を起こす電子増幅用基板と、
前記電子増幅用基板での電子雪崩増幅の結果を検出する検出部と、
前記電子増幅用基板を収容するチャンバと、を備え、
前記チャンバ内に紫外線を吸収可能なガスが添加された検出ガスが充填されている
検出器。』
なお、検出器はもとより、この検出器を構成する電子増幅用基板の基材として用いられるガラス基板や検出方法についても同様に本発明の技術的思想が反映されたものである。
【符号の説明】
【０１０２】
１，１ａ…検出器、２…チャンバ、３…電子増幅用基板、４…放射線透過体、５…励起光反射部、６，６ａ…センサ部、７…紫外線透過フィルタ、８…撮像カメラ、９…タブレット端末、１０…検出装置、３１…ガラス基板、Ｅ…励起光、Ｍ…検出対象物、Ｐ…合成画像、Ｒ…放射線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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