(57)【要約】【課題】  色むらをさらに解消できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】発光部２ａが上面視で支持部１ａより小さくされ、支持部１ａの額縁状部分１ａ’が非発光部分となる。発光部２ａ上に波長変換層５を形成し、傾斜端面Ｓを有するガラスプレート６’で波長変換層５を平坦化する。両側には発光部２ａからの光を波長変換層５内に閉じ込めるための白色樹脂層７を設ける。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部と、
前記支持部上に設けられ、前記支持部より上面視で小さい発光部と、
前記支持部と上面視でほぼ同一の大きさで前記発光部上に設けられ、裾広がり状の傾斜端面を有するガラスプレートと、
前記傾斜端面上に設けられた反射層と、
前記発光部と前記ガラスプレートとの間に設けられた波長変換層と、
前記支持部、前記波長変換層及び前記反射層を囲むように設けられた白色樹脂層と
を具備する半導体発光装置。
【請求項２】
前記反射層は前記支持部の前記発光部よりはみ出た額縁状部分の上方に位置する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記傾斜端面の下端は前記ガラスプレートの下端と一致している請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記傾斜端面の下端は前記ガラスプレートの下端より上に位置している請求項１に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光装置たとえば白色発光ダイオード（ＬＥＤ）素子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は従来のＬＥＤ素子装置の製造方法を説明するための図であり、（Ａ）は貼合せウェハ状態の上面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢで示す枠内の拡大上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣで示す枠内のスクライブ処理された１つのチップを示す拡大上面図、及び（Ｄ）は（Ｃ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【０００３】
図４の（Ａ）に示すように、貼合せウェハ１０は支持基体ウェハ１及び支持基体ウェハ１上に反射層／接着層３（図４の（Ｄ）の３ａ参照）を介して貼付けられた半導体基体ウェハ２よりなる。そして、図４の（Ｂ）に示すごとく、素子分割工程において、直交するスクライブ線（又はダイシング線）Ｘ、Ｙに沿って１チップ毎に切断され、図４の（Ｃ）、（Ｄ）に示すＬＥＤ素子装置４が形成される。
【０００４】
図４の（Ｃ）、（Ｄ）に示すごとく、エピタキシャル層によって形成される発光部２ａは素子分割工程において加工ダメージを受けないように支持部１ａより小さくされ、従って、支持部１ａは発光部２ａよりはみ出た額縁状部分１ａ’を有する。
【０００５】
図５は図４の（Ｃ）、（Ｄ）のＬＥＤ素子装置４の非白色化状態つまり発光部２ａが青色ＬＥＤ素子の場合の青色相対発光強度特性を示す。すなわち、発光部２ａが上面視で支持部１ａより小さくされているので、支持部１ａの額縁状部分１ａ’が非発光部分となる。
【０００６】
図６は図４のＬＥＤ素子装置を用いた従来の白色ＬＥＤ素子装置を示す断面図である。図６においては、発光部２ａ上に青色光を黄色光に変換するＹＡＧ等の蛍光体粒子５ａを含む波長変換層５を形成し、ガラスプレート６で波長変換層５を平坦化する。波長変換層５及びガラスプレート６は上面視で支持部１ａとほぼ同一の大きさである。これにより、色むらのない白色化構造を実現する。尚、両側には発光部２ａからの光を波長変換層５内に閉じ込めるための白色樹脂層７を設ける。白色樹脂層７は酸化チタン、酸化亜鉛等の反射性フィラを分散させたシリコーン樹脂を充填することにより形成される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図６の従来の白色ＬＥＤ素子装置においては、色むらが未だ発生するという課題がある。すなわち、その黄色相対発光強度特性を示す図７に示すごとく、発光部２ａからの青色光の支持部１ａの額縁状部分１ａ’上の波長変換層５内の光路長が大きくなり、その部分の発光色は黄色へ大きくシフトするためである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題を解決するために、本発明に係る半導体発光装置は、支持部と、支持部上に設けられ、支持部より上面視で小さい発光部と、支持部と上面視でほぼ同一の大きさで発光部上に設けられ、裾広がり状の傾斜端面を有するガラスプレートと、傾斜端面上に設けられた反射層と、発光部とガラスプレートとの間に設けられた波長変換層と、支持部、波長変換層及び反射層を囲むように設けられた白色樹脂層とを具備するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、支持部の額縁状部分上の波長変換層からの光は反射層によって遮光されて実質的になくなるので、色むらを解消できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る白色ＬＥＤ素子装置の第１の実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１の白色ＬＥＤ素子装置の黄色相対発光強度特性を示すグラフである。
【図３】本発明に係る白色ＬＥＤ素子装置の第２の実施の形態を示す断面図である。
【図４】従来のＬＥＤ素子装置の製造方法を説明するための図であり、（Ａ）は貼合せウェハ状態の上面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢで示す枠内の拡大上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣで示す枠内のスクライブ処理された１つのチップを示す拡大上面図、及び（Ｄ）は（Ｃ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【図５】図４の（Ｃ）、（Ｄ）のＬＥＤ素子装置の非白色化状態の青色相対発光強度を示すグラフである。
【図６】図５のＬＥＤ素子装置を用いた従来の白色ＬＥＤ素子装置を示す断面図である。
【図７】図６の白色ＬＥＤ素子装置の黄色相対発光強度特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は本発明に係る白色ＬＥＤ素子装置の第１の実施の形態を示す断面図である。
【００１２】
図１においては、図６のガラスプレート６の代りに裾拡がり状の傾斜端面Ｓを有するガラスプレート６’を設けると共に、傾斜端面Ｓ上にアルミニウム等よりなる反射層８を設ける。さらに、図６の白色樹脂層７の代りに波長変換層５の反射層８まで延在する白色樹脂層７’を設ける。
【００１３】
傾斜端面Ｓは支持部１ａの額縁状部分１ａ’の上方の波長変換層５の部分に位置し、傾斜端面Ｓの下端はガラスプレート６’の下端と一致している。
【００１４】
図２は図１の白色ＬＥＤ素子装置の黄色相対発光強度特性を示すグラフである。図２に示すように、発光部２ａの側面からの青色光の一部は波長変換層５によって黄色光に変換されるが、その黄色光は反射層８によって垂直方向に対しては遮光され、反射層８によってガラスプレート６’内に反射されて、導光特性に優れたガラスプレート６’を伝搬し、発光領域の輝度に貢献することで、ＬＥＤ光源として光束低下を抑制する効果を得る。他方、反射層８の上方への発光は実質的になく、従って、黄色光へのシフトが実質的にない。この結果、色むらを解消できる。
【００１５】
図３は本発明に係る白色ＬＥＤ素子装置の第２の実施の形態を示す断面図である。
【００１６】
図３においては、傾斜端面Ｓ'の下端はガラスプレート６'の下端より上に位置している。これにより、ガラスプレート６'の下端が鋭角になることを防止する。また、光がガラスプレート６'の下端近傍に滞ることを防止できる。さらに、ガラスプレート６'の破損も防止できる。
【００１７】
図３においても、反射層８の上方への発光は実質的になく、従って、黄色光へのシフトが実質的にない。この結果、色むらを解消できる。
【００１８】
尚、貼合せウェハから製造された半導体発光装置以外でも、本発明は発光部が上面視で支持部より小さい半導体発光装置に適用できる。また、本発明はＬＥＤ素子装置以外たとえばレーザダイオード（ＬＤ）素子装置にも適用できる。
【００１９】
さらに、本発明は上述の実施の形態の自明の範囲のいかなる変更にも適用し得る。
【符号の説明】
【００２０】
１０：貼合せウェハ
１：支持基体ウェハ
１ａ：支持部
１ａ’：額縁状部分
２：半導体基体ウェハ
２ａ：発光部
３：反射層/接着層
４：ＬＥＤ素子装置
５：波長変換層
５ａ：蛍光体粒子
６、６'：ガラスプレート
７、７'：白色樹脂層
８：反射層
Ｓ、Ｓ'：傾斜端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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