(57)【要約】【課題】配線構造を簡単にしつつ、複数の高周波アンテナによる誘導結合プラズマの均一性を向上する。【解決手段】真空容器２と、真空容器２内において並列に配置された直線状をなす複数の高周波アンテナ３からなる高周波アンテナ群と、真空容器２内に誘導結合プラズマＰを生成するための高周波を複数の高周波アンテナ３に印加する高周波電源４とを備えている。高周波アンテナ３は、高周波が印加される印加端部３Ａと、接地された接地端部３Ｂとを有している。高周波アンテナ群は、隣り合う２つの高周波アンテナ３において一方の高周波アンテナ３の印加端部３Ａと他方の高周波アンテナ３の接地端部３Ｂとが隣り合うように構成されている。【選択図】図３
2017228422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気され且つガスが導入される真空容器と、
前記真空容器内において並列に配置された直線状をなす複数の高周波アンテナからなる高周波アンテナ群と、
前記真空容器内に誘導結合プラズマを生成するための高周波を前記高周波アンテナ群に印加する高周波電源とを備え、
前記高周波アンテナは、前記高周波が印加される印加端部と、接地された接地端部とを有しており、
前記高周波アンテナ群は、隣り合う２つの前記高周波アンテナにおいて一方の前記高周波アンテナの前記印加端部と他方の前記高周波アンテナの前記接地端部とが隣り合うように構成されている、プラズマ生成装置。
【請求項２】
前記真空容器内に前記高周波アンテナに沿って配置された副アンテナであって、その両端部付近が絶縁物を介して前記真空容器から支持されていて、電気的にフローティング状態に置かれている副アンテナと、前記高周波アンテナおよび前記副アンテナを一括して覆う絶縁カバーとを更に備える、請求項１記載のプラズマ生成装置。
【請求項３】
隣り合う２つの高周波アンテナそれぞれに印加される高周波の位相差が０°である、請求項１又は２記載のプラズマ生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波アンテナに高周波電圧を印加して真空容器内に誘導結合プラズマを生成する誘導結合型のプラズマ生成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
誘導結合型のプラズマ生成装置としては、特許文献１に示すように、直線状の高周波アンテナの一端を接地して、他端に高周波を印加することで、誘導結合プラズマを生成するものがある。
【０００３】
このプラズマ生成装置においては、大型の基板に対応する等のためにプラズマ生成領域を大面積化することが望まれている。
【０００４】
しかしながら、プラズマ生成領域を大面積化するために高周波アンテナを長くすると、当該高周波アンテナのインピーダンス（特にインダクタンス）が大きくなり、整合器のコンデンサ容量を非常に小さくする必要があり整合が困難になる。そうすると、接地された一端側のプラズマ密度は高周波が印加される他端側のプラズマ密度に比べて高くなる。これにより、高周波アンテナの長さが長くなるほど、高周波アンテナの長さ方向に沿ったプラズマ密度分布が大きくなってしまう。
【０００５】
なお、特許文献２に示すように、高周波アンテナにおける両端のプラズマ密度差が許容できる程度とした短尺の高周波アンテナを複数本配列して接続することにより、インピーダンスを低減して整合を取り、プラズマ密度の均一性を満足することはできる。ところが、プラズマ生成領域を大面積化すると、高周波アンテナの本数が多くなって高周波アンテナを広範囲で接続する必要があり、配線構造が複雑となる。また、これによって高周波漏れを防止するための高周波遮蔽構造も複雑となり、メンテナンスも困難になってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３１７２９９公報
【特許文献２】特許第３６４０４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで本発明は、上記問題点を解決すべくなされたものであり、プラズマ生成領域を大面積化する場合であっても、配線構造を簡単にしつつ、複数の高周波アンテナによる誘導結合プラズマの均一性を向上することをその主たる課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち本発明に係るプラズマ生成装置は、真空排気され且つガスが導入される真空容器と、前記真空容器内において並列に配置された直線状をなす複数の高周波アンテナからなる高周波アンテナ群と、前記真空容器内に誘導結合プラズマを生成するための高周波を前記複数の高周波アンテナに印加する高周波電源とを備え、前記高周波アンテナは、前記高周波が印加される印加端部と、接地された接地端部とを有しており、前記高周波アンテナ群は、隣り合う２つの前記高周波アンテナにおいて一方の前記高周波アンテナの前記印加端部と他方の前記高周波アンテナの前記接地端部とが隣り合うように構成されていることを特徴とする。
【０００９】
このようなプラズマ生成装置であれば、直線状をなす複数の高周波アンテナを並列に配置することにより、高周波アンテナを長くすることなく、大面積にプラズマを生成することができる。また、高周波アンテナのインピーダンスを小さくすることができ、高周波アンテナの長さ方向に沿ったプラズマ密度分布を小さくすることができる。
特に、複数の高周波アンテナにおいて、隣り合う２つの高周波アンテナにおいて一方の高周波アンテナの印加端部と他方の高周波アンテナの前記接地端部とが隣り合うように接続されているので、一方の高周波アンテナの長さ方向のプラズマ密度分布と他方の高周波アンテナの長さ方向のプラズマ密度分布とが重なり合ってそれら２つの高周波アンテナの長さ方向のプラズマ密度分布が均一化される。ここで、真空中でのプラズマ拡散効果も加わり、真空容器内全体においてプラズマ密度分布を均一にすることができる。
また、並列に配置された直線状をなす複数の高周波アンテナにおいてその両端に印加端部及び接地端部が並んで配置される構成となるため配線を短くすることができ、高周波遮蔽構造をコンパクトにすることができる。これにより、不要な浮遊容量が抑制され、高周波効率が向上して整合が安定する。また、不要な浮遊容量を考慮する必要が無く、高周波回路設計も容易となる。さらに、メンテナンスも容易にすることができる。
【００１０】
前記真空容器内に前記高周波アンテナに沿って配置された副アンテナであって、その両端部付近が絶縁物を介して前記真空容器から支持されていて、電気的にフローティング状態に置かれている副アンテナと、前記高周波アンテナおよび前記副アンテナを一括して覆う絶縁カバーとを更に備えることが望ましい。
【００１１】
隣り合う２つの高周波アンテナの長さ方向のプラズマ密度分布をより一層均一化するためには、隣り合う２つの高周波アンテナそれぞれに印加される高周波の位相差が０°であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
このように構成した本発明によれば、複数の高周波アンテナにおいて、隣り合う２つの高周波アンテナにおいて一方の高周波アンテナの印加端部と他方の高周波アンテナの前記接地端部とが隣り合うように接続されているので、プラズマ生成領域を大面積化する場合であっても、配線構造を簡単にしつつ、複数の高周波アンテナによる誘導結合プラズマの均一性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態のプラズマ生成装置の構成を模式的に示すアンテナ並列方向の断面図である。
【図２】同実施形態のプラズマ生成装置の構成を模式的に示すアンテナ方向の断面図である。
【図３】同実施形態の高周波アンテナの配線例を示す図である。
【図４】膜厚測定に用いたプラズマ生成装置の構成を示す図である。
【図５】比較例の高周波アンテナの配線例を示す図である。
【図６】膜厚測定におけるＹ位置を示す平面図である。
【図７】Ｙ＝１００ｍｍの位置での膜厚分布を示す測定結果である。
【図８】Ｙ＝１００ｍｍ、０ｍｍ、−１００ｍｍの位置での膜厚の均一性を示す測定結果である。
【図９】変形実施形態の高周波アンテナの配線例を示す図である。
【図１０】変形実施形態の高周波アンテナの配線例を示す図である。
【図１１】変形実施形態の高周波アンテナの配線例を示す図である。
【図１２】変形実施形態の高周波アンテナの配線例を示す図である。
【図１３】同実施形態の高周波アンテナの断面図及びその変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明に係るプラズマ生成装置の一実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１５】
＜装置構成＞
本実施形態のプラズマ生成装置１００は、誘導結合プラズマＰを用いて基板Ｗに処理を施すものである。ここで、基板Ｗに施す処理は、例えば、プラズマＣＶＤ法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。
【００１６】
なお、このプラズマ生成装置１００は、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う場合はプラズマＣＶＤ装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はプラズマスパッタリング装置とも呼ばれる。
【００１７】
具体的にプラズマ生成装置１００は、図１及び図２に示すように、真空排気され且つガス７が導入される真空容器２と、真空容器２内に配置された直線状をなす複数の高周波アンテナ３からなる高周波アンテナ群３Ｇと、真空容器２内に誘導結合プラズマＰを生成するための高周波を高周波アンテナ群３Ｇに印加する高周波電源４とを備えている。なお、高周波アンテナ３に高周波電源４から高周波を印加することにより高周波アンテナ３には高周波電流が流れて、真空容器２内に誘導電界が発生して誘導結合プラズマＰが生成される。
【００１８】
真空容器２は、例えば金属製の容器であり、その内部は真空排気装置６によって真空排気される。真空容器２はこの例では電気的に接地されている。
【００１９】
真空容器２内に、例えば流量調整器（図示省略）及び高周波アンテナ３に沿う方向に配置された複数のガス導入口２１を経由して、ガス７が導入される。ガス７は、基板Ｗに施す処理内容に応じたものにすれば良い。例えば、プラズマＣＶＤ法によって基板Ｗに膜形成を行う場合には、ガス７は、原料ガス又はそれを希釈ガス（例えばＨ２）で希釈したガスである。より具体例を挙げると、原料ガスがＳｉＨ４の場合はＳｉ膜を、ＳｉＨ４＋ＮＨ３の場合はＳｉＮ膜を、ＳｉＨ４＋Ｏ２の場合はＳｉＯ２膜を、ＳｉＦ４＋Ｎ２の場合はＳｉＮ：Ｆ膜（フッ素化シリコン窒化膜）を、それぞれ基板Ｗ上に形成することができる。
【００２０】
また、真空容器２内には、基板Ｗを保持する基板ホルダ８が設けられている。この例のように、基板ホルダ８にバイアス電源９からバイアス電圧を印加するようにしても良い。バイアス電圧は、例えば負の直流電圧、負のバイアス電圧等であるが、これに限られるものではない。このようなバイアス電圧によって、例えば、プラズマＰ中の正イオンが基板Ｗに入射する時のエネルギーを制御して、基板Ｗの表面に形成される膜の結晶化度の制御等を行うことができる。基板ホルダ８内に、基板Ｗを加熱するヒータを設けておいても良い。
【００２１】
さらに、真空容器２内において基板Ｗに対向する位置にターゲットＴが配置されている。ターゲットＴは、真空容器２の上壁２ａに設けられたターゲットホルダ１０１に保持されている。ターゲットホルダ１０１と真空容器２の上壁２ａとの間には、真空シール機能を有する絶縁部１０２が設けられている。また、ターゲットＴには、それにターゲットバイアス電圧を印加するターゲットバイアス電源１０３が、この例ではターゲットホルダ１０１を介して接続されている。ターゲットバイアス電圧は、誘導結合プラズマＰ中のイオンをターゲットＴに引き込んでスパッタさせる電圧である。
【００２２】
高周波アンテナ群３Ｇは、真空容器２内における基板Ｗの上方に、基板Ｗの表面に沿うように（例えば、基板Ｗの表面と実質的に平行に）同一平面上に、複数の高周波アンテナ３を並列に配置して構成されている。なお、各高周波アンテナ３は同一構成であり、その長さは数十ｃｍ以上である。
【００２３】
各高周波アンテナ３の両端部付近は、真空容器２の相対向する側壁２ｂ、２ｃに設けられた２つの開口部２２をそれぞれ貫通している。各開口部２２には、各開口部２２を気密に塞ぐように絶縁物（例えば絶縁フランジ）２３が設けられている。各高周波アンテナ３の両端部付近はこの各絶縁物２３を貫通していて、各絶縁物２３を介して真空容器２により支持されている。なお、絶縁物２３の材質は、例えば、アルミナ等のセラミックス、石英、又はポリフェニンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等のエンジニアリングプラスチック等であるが、これに限られるものではない。
【００２４】
また、各高周波アンテナ３の材質は、例えば、銅、アルミニウム、これらの合金、ステンレス等であるが、これに限られるものではない。なお、高周波アンテナ３を中空にして、その中に冷却水等の冷媒を流し、高周波アンテナ３を冷却するようにしても良い。
【００２５】
さらに、各高周波アンテナ３において、真空容器２内に位置する部分は、絶縁物製で直管状の絶縁カバー１０により覆われている。この絶縁カバー１０の両端部と真空容器２との間はシールしなくても良い。絶縁カバー１０内の空間にガス７が入っても、当該空間は小さくて電子の移動距離は短いので、通常は当該空間にプラズマＰは発生しないからである。なお、絶縁カバー１０の材質は、例えば、石英、アルミナ、フッ素樹脂、窒化シリコン、炭化シリコン、シリコン等であるが、これらに限られるものではない。
【００２６】
各高周波アンテナ３は、図２に示すように、アンテナ方向（長手方向）Ｘにおいて高周波が印加される印加端部３Ａと、接地された接地端部３Ｂとを有している。具体的には、各高周波アンテナ３のアンテナ方向Ｘの両端部において一方の側壁２ｂ又は２ｃの開口部２２から外部に延出した部分が印加端部３Ａとなり、他方の側壁２ｂ又は２ｃの開口部２２から外部に延出した部分が接地端部３Ｂとなる。
【００２７】
ここで、各高周波アンテナ３の印加端部３Ａには、高周波電源４から整合器５を介して高周波が印加される。高周波の周波数は、例えば、一般的な１３．５６ＭＨｚであるが、これに限られるものではない。
【００２８】
そして、図３に示すように、隣り合う２つの高周波アンテナ３において一方の高周波アンテナ３の印加端部３Ａと他方の高周波アンテナ３の接地端部３Ｂとが隣り合うように構成されている。つまり、アンテナ３を並べた方向をアンテナ並列方向Ｙとした場合に、複数の高周波アンテナ３（高周波アンテナ群３Ｇ）において、アンテナ並列方向Ｙに接地端部３Ｂ、印加端部３Ａ、接地端部３Ｂ、印加端部３Ａとなるように交互に接続されている。
【００２９】
具体的には、複数の高周波アンテナ３のアンテナ方向Ｘの一端側に位置する複数（具体的には２つ）の印加端部３Ａには、１つの第１の整合器５（５ａ）を介して１つの第１の高周波電源４（４ａ）が接続されている。また、複数の高周波アンテナ３のアンテナ方向Ｘの他端側に位置する複数（具体的には２つ）の印加端部３Ａには、１つの第２の整合器５（５ｂ）を介して１つの第２の高周波電源４（４ｂ）が接続されている。
【００３０】
ここで、隣り合う２つの高周波アンテナ３それぞれに印加される高周波の位相差が０°となるように構成されている。つまり、第１の高周波電源４及び第２の高周波電源４は、位相制御器４１によってそれらの位相差が０°となるように制御されている。
【００３１】
また、各整合器５（５ａ、５ｂ）からみて複数の高周波アンテナ３それぞれのインピーダンスが同じとなるように構成されている。例えば、各高周波アンテナ３の構成を同一にするだけでなく、整合器５（５ａ、５ｂ）と各印加端部３Ａとをそれぞれ同じ断面形状の給電側導体１１を用いて接続するとともに、それら給電側導体１１の長さを同じとしている。ここで、整合器５（５ａ、５ｂ）と各印加端部３Ａとは、トーナメント方式（Ｔ分岐）により接続されている。加えて、各接地端部３Ｂとグランドとをそれぞれ同じ断面形状の接地側導体１２を用いて接続するとともに、それら接地側導体１２の長さが同じとしている。ここで、各接地端部３Ｂとグランドとは、トーナメント方式（Ｔ分岐）により接続されている。
【００３２】
このプラズマ生成装置１００においては、複数の高周波アンテナ３に高周波を印加することによって、複数の高周波アンテナ３の周囲に高周波磁界（振動磁場）が発生し、それによって高周波電流と逆方向に誘導電界が発生する。この誘導電界によって、真空容器２内において、電子が加速されて高周波アンテナ３の近傍のガス７を電離させて高周波アンテナ３の近傍にプラズマＰ（すなわち誘導結合プラズマＰ）が発生する。このプラズマＰは基板Ｗの近傍まで拡散し、このプラズマＰによって基板Ｗに前述した処理を施すことができる。本実施形態では、真空容器２内に設けられたターゲットＴに直流電圧パルスを印加して、ターゲットＴに原料ガスのイオン（例えばＡｒイオン）が引き込まれて、ターゲットＴのスパッタリングが開始される。ターゲットＴから叩き出された粒子はターゲットＴに対向配置された基板Ｗ上に堆積して成膜される。
【００３３】
このとき、隣り合う２つの高周波アンテナ３の印加端部３Ａがアンテナ方向Ｘにおいて互いに反対側に位置するため、それら高周波アンテナ３に流れる高周波電流が逆向きとなる。これにより、隣り合う２つの高周波アンテナ３の周囲に生じる高周波磁界は逆向きとなり、それら高周波アンテナ３の間において、相互に強め合うことになる。その結果、複数の高周波アンテナ３の周囲に発生する誘導電界の強度が大きくなり、ガス７の分解効率が向上して、高密度な誘導結合プラズマＰを安定的に生成することがきる。
【００３４】
＜膜厚分布測定＞
次に、本実施形態のプラズマ生成装置１００を用いた膜厚分布測定について説明する。
この膜厚分布測定に用いたプラズマ生成装置１００において、高周波アンテナ３は無酸素銅製のパイプを使用し、パイプ中に冷却水を流して冷却する構成とした。また、絶縁カバー１０は石英ガラスを使用した。このプラズマ生成装置１００の構成は図４に示すものであり、使用ターゲットはＩＧＺＯ１１１４である。
【００３５】
また、比較例としては、図５に示すように、複数の高周波アンテナ３を１つの高周波電源４に対して並列に接続した構成、つまり、複数の高周波アンテナ３の印加端部３Ａ全てがアンテナ方向Ｘの一端側に位置し、接地端部３Ｂ全てがアンテナ方向Ｘの他端側に位置するように接続した構成のものである。
【００３６】
真空容器２内を３×１０−５Ｔｏｒｒ以下に真空排気後、Ａｒガスを導入しつつ、真空排気装置６を制御して所定の処理圧力にする。高周波アンテナ３に高周波電力を供給して誘導結合プラズマＰを生成・維持する。ターゲットＴに直流電圧パルスを印加すると、ターゲットＴにＡｒイオンが引き込まれて、ターゲットＴのスパッタリングが開始される。ターゲットＴから叩き出された粒子はターゲットＴに対向配置された基板Ｗ上に堆積する。この状態を所定の処理時間維持して成膜を実施した。
【００３７】
以下は、比較例と実施例とにおけるスパッタ条件の詳細である。
＜比較例＞
Ａｒの供給量  ：１００ｓｃｃｍ
処理圧力      ：１．３Ｐａ
高周波電力    ：３ｋＷ
直流電圧パルス：−４００Ｖ、５０ｋＨｚ、正バイアスデューティ２．４８％
処理時間      ：４０ｍｉｎ
【００３８】
＜実施例＞
Ａｒの供給量  ：１００ｓｃｃｍ
処理圧力      ：１．３Ｐａ
高周波電力    ：２．５ｋＷ×２
直流電圧パルス：６００Ｖ、５０ｋＨｚ、正バイアスデューティ２．４８％
処理時間      ：２０ｍｉｎ
【００３９】
上記の処理条件により成膜した基板Ｗ上の膜厚分布測定のＹ位置を図６に示す。高周波アンテナ３の直下をＹ＝０ｍｍとして、Ｙ＝±１００ｍｍの位置での膜厚を測定した。
【００４０】
図７にＹ＝１００ｍｍにおけるアンテナ方向（Ｘ方向）の膜厚分布を示す。なお、図７では、最大膜厚値を１として相対値表示している。比較例では、高周波導入側の膜厚が小さく接地側の膜厚が大きいが、実施例では高周波導入側から接地側に亘ってほぼ均一であることが確認できる。
【００４１】
図８にＸ＝−４００ｍｍ〜４００ｍｍの範囲の膜厚の均一性の計算結果を示す。実施例では、Ｙ位置によらず比較例に比べてＸ方向の均一性が向上していることがわかる。この結果により、本実施形態ではプラズマ密度分布が均一化されたことから、ターゲット全面から均一に粒子が飛び出し、基板Ｗ上に均一な膜が形成されたと考えられる。
【００４２】
＜本実施形態の効果＞
このように構成した本実施形態のプラズマ生成装置１００によれば、直線状をなす複数の高周波アンテナ３を並列に配置することにより、各高周波アンテナ３を長くすることなく、大面積にプラズマＰを生成することができる。また、各高周波アンテナ３のインピーダンスを小さくすることができ、高周波アンテナ３の長さ方向に沿ったプラズマ密度分布を小さくすることができる。
【００４３】
特に、複数の高周波アンテナ３において、隣り合う２つの高周波アンテナ３において一方の高周波アンテナ３の印加端部３Ａと他方の高周波アンテナ３の接地端部３Ｂとが隣り合うように接続されているので、一方の高周波アンテナ３の長さ方向のプラズマ密度分布と他方の高周波アンテナ３の長さ方向のプラズマ密度分布とが重なり合ってそれら２つの高周波アンテナ３の長さ方向のプラズマ密度分布が均一化される。ここで、真空中でのプラズマ拡散効果も加わり、真空容器２内全体においてプラズマ密度分布を均一にすることができる。
【００４４】
また、並列に配置された直線状をなす複数の高周波アンテナ３においてその両端に印加端部３Ａ及び接地端部３Ｂが並んで配置される構成となるため配線を短くすることができ、高周波遮蔽構造をコンパクトにすることができる。これにより、不要な浮遊容量が抑制され、高周波効率が向上して整合が安定する。また、不要な浮遊容量を考慮する必要が無く、高周波回路設計も容易となる。さらに、メンテナンスも容易にすることができる。
【００４５】
＜その他の変形実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
【００４６】
例えば、高周波アンテナ３は４本以上の偶数本（６本、８本、１０本など）であっても良い。図９及び図１０には、８本の高周波アンテナ３を有する場合の接続例を示している。図９の接続例は、前記実施形態の４本の高周波アンテナ３を１ユニットとしてそのユニットを２つ組み合わせたものである。また、図１０の接続例は、前記実施形態のように、高周波アンテナ３のアンテナ方向Ｘの一端側に位置する４つの印加端部３Ａには、１つの第１の整合器５（５ａ）を介して１つの第１の高周波電源４（４ａ）が接続されている。また、高周波アンテナ３のアンテナ方向Ｘの他端側に位置する４つの印加端部４Ａには、１つの第２の整合器５（５ｂ）を介して１つの第２の高周波電源４（４ｂ）が接続されている。
【００４７】
また、複数の高周波アンテナ３の接続方法はトーナメント方式に限られず、整合器５（５ａ、５ｂ）からみて各高周波アンテナ３のインピーダンスが同じとなるようにすればよい。例えば、図１１に示すように、整合器５（５ａ、５ｂ）から当該整合器５（５ａ、５ｂ）に接続される複数の印加端部３Ａそれぞれを一対一に接続し、それら給電側導体１１を同じ断面形状及び同じ長さとしても良い。同様に、複数の接地端部３Ｂそれぞれとグランドとを一対一に接続し、それら接地側導体１２を同じ断面形状及び同じ長さとしても良い。
【００４８】
さらに、図１２に示すように、複数の高周波アンテナ３全てに対して１つの高周波電源４から高周波を印加する構成としても良い。この場合、例えば、１つの高周波電源４からの高周波を分配器４２により分配し、アンテナ方向Ｘの一端側の印加端部３Ａに第１の整合器５ａを介して印加し、アンテナ方向Ｘの他端側の印加端部３Ａに第２の整合器５ｂを介して印加する構成とすることが考えられる。
【００４９】
ここで、各高周波アンテナ３の構成は前記実施形態の他に図１３に示す構成が考えられる。
図１３（ａ）は、断面円形の高周波アンテナ３の周囲に空間を形成することなく高周波アンテナ３に接触して絶縁カバー１０を設ける構成である。
【００５０】
また、図１３（ｂ）は、断面矩形状の高周波アンテナ３の周囲に断面円形状の絶縁カバー１０を設ける構成である。図１３（ｂ）では、高周波アンテナ３に接触して絶縁カバー１０を設けているが、高周波アンテナ３と絶縁カバー１０との間に空間を形成する構成としても良い。
【００５１】
また、図１３（ｃ）は、断面円形の高周波アンテナ３の周囲に断面矩形状の絶縁カバー１０を設ける構成である。図１３（ｃ）では、高周波アンテナ３に接触して絶縁カバー１０を設けているが、高周波アンテナ３と絶縁カバー１０との間に空間を形成する構成としても良い。
【００５２】
さらに、図１３（ｄ）は、高周波アンテナ３に沿って（例えば実質的に平行に）、副アンテナ１３を配置する構成である。この副アンテナ１３は、高周波アンテナ３と同様に直線状を成しており、その両端部付近が、絶縁物２３を介して真空容器２に支持されて、電気的にフローティング状態（浮いた状態）である。
【００５３】
この構成において、高周波アンテナ３に高周波を印加することにより副アンテナ１３に誘導起電力が生じ、それによって、副アンテナ１３を電気的にフローティング状態に置いていても、主として副アンテナ１３の両端部付近の絶縁物２３部分に自然に存在する静電容量を経由して副アンテナ１３に誘導電流が流れる。この副アンテナ１３に流れる誘導電流による誘導電界と、高周波アンテナ３に流れる高周波電流による誘導電界とが協働して、誘導結合プラズマＰを効率良く発生させることができる。ここで、高周波アンテナ３及び副アンテナ１３を一括して絶縁カバー１０で覆っているので、高周波アンテナ３と副アンテナ１３との間にプラズマＰが発生するのを防止して、真空容器２内にプラズマＰを発生させた時にも、副アンテナ１３の電気的フローティング状態を確保することができる。さらに、プラズマＰ中の荷電粒子が高周波アンテナ３及び副アンテナ１３に入射するのを防止することができるので、両アンテナ３、１３にプラズマＰが入射することによるプラズマ電位の上昇を抑えることができるとともに、両アンテナ３、１３がプラズマＰ中の荷電粒子によってスパッタされてプラズマＰ及び基板Ｗに対して金属汚染（メタルコンタミネーション）が生じるのを抑制することができる。
【００５４】
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５５】
１００・・・プラズマ生成装置
Ｐ・・・誘導結合プラズマ
２・・・真空容器
３・・・高周波アンテナ
３Ａ・・・印加端部
３Ｂ・・・接地端部
４・・・高周波電源
５・・・整合器
１１・・・給電側導体
１２・・・接地側導体
【図１】
2017228422.tif 000003
【図２】
2017228422.tif 000004
【図３】
2017228422.tif 000005
【図４】
2017228422.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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