(57)【要約】【課題】光共振構造における光路長の変動に伴う発光画素から得られる発光の色度ずれを低減可能な電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】電気光学装置としての有機ＥＬ装置の製造方法は、異なる発光色が得られる発光画素のうち少なくとも１つの発光画素において、反射層上の絶縁層と陽極としての画素電極とを含むキャビティ層の光路長の変動を求める第１の工程（ステップＳ１３）と、ステップＳ１３の結果に基づいて、画素電極上に形成される機能層のうち１層の有機層の膜厚を調整して形成する第２の工程（ステップＳ１５）と、を備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射層と半透過反射性の陰極との間に、絶縁層と、透光性の陽極と、発光層を含む機能層とを発光画素ごとに備えた電気光学装置の製造方法であって、
異なる発光色が得られる発光画素のうち少なくとも１つの発光画素において、前記反射層上の前記絶縁層と前記陽極とを含むキャビティ層の光路長の変動を求める第１の工程と、
前記第１の工程の結果に基づいて、前記陽極上に形成される前記機能層のうち１層の有機層の膜厚を調整して形成する第２の工程と、を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程では、可視光波長範囲における前記キャビティ層の分光反射率を測定し、分光反射率の極小波長または極大波長から、前記キャビティ層の光路長の変動を求めることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層は、屈折率が異なる複数の層を有し、
前記第１の工程では、前記複数の層のうち最も屈折率が大きい層の膜厚変動による分光反射率の極小波長または極大波長に基づいて、前記キャビティ層の光路長の変動を求めることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程では、前記キャビティ層の平均屈折率を用い、前記キャビティ層を一層とみなして前記キャビティ層の光路長の変動を求めることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程では、異なる発光色が得られる発光画素のうち、最も取り出し波長が長い発光画素における前記キャビティ層の光路長の変動を求めることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程では、異なる発光色が得られる発光画素のうち、最も膜厚が厚い前記絶縁層を有する発光画素における前記キャビティ層の光路長の変動を求めることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の工程では、前記陽極上に形成される前記機能層のうち、前記陽極と前記発光層との間の有機層の膜厚を調整して形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程で求められた前記キャビティ層の光路長の変動が所定の範囲内か否かを判定する判定工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光共振構造を有する自発光型の電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として画素ごとに発光素子である有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子が設けられた有機ＥＬ装置が挙げられる。このような有機ＥＬ装置では、画素に光共振構造を導入して、共振波長の光を取り出すことにより、カラー表示を実現する提案がなされている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、画素に、反射層と、光反射性及び光透過性の対向電極と、反射層と対向電極との間に、絶縁層と、画素電極と、発光層を含む機能層とを含む電気光学装置が開示されている。特許文献１の電気光学装置において、絶縁層は、反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層を含み、反射層と画素電極との間の絶縁層の層構成を画素ごとに変える光共振構造が提案されている。つまり、画素ごとに絶縁層の層構成を変えることによって光共振構造における光路長を調整し、所望の共振波長の光を取り出している。
【０００４】
また、積層された第３絶縁層に第１の画素及び第２の画素に亘って第２開口を形成する工程と、第２開口において第２絶縁層に第１開口を形成する工程と、第１開口において第１絶縁層上に第１画素電極を形成すると共に、第２開口において第２絶縁層上に第２画素電極を形成し、さらに、第３絶縁層上に第３画素電極を形成する工程とを備えた電気光学装置の製造方法が提案されている。これによれば、反射層と第１画素電極との間には、第１絶縁層が存在し、反射層と第２画素電極との間には、第１絶縁層及び第２絶縁層が存在し、反射層と第３画素電極との間には、第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層が存在することになり、画素ごとに絶縁層の層構成が変わることになる。
【０００５】
また、特許文献２には、基板上に少なくとも下部電極を形成する前処理工程と、下部電極上に少なくとも有機発光層を有する有機層と上部電極を成膜する成膜工程と、有機層及び上部電極を封止する封止工程と、を備え、前処理工程後から上部電極形成前までに検査工程を行う有機ＥＬ素子の製造方法が提案されている。また、検査工程では、下部電極の膜厚を測定し、その結果によって、下部電極上に形成される有機層の膜厚調整を行う例が示されている。特許文献２の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、下部電極上に適正な膜厚で有機層が形成されることから、有機層の成膜不良で光共振構造における光路長がばらついて色度ずれが生ずることを解消し、歩留りを改善できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−２３５９５９号公報
【特許文献２】特開２００５−３２２６１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１の電気光学装置の製造方法において、第１〜第３絶縁層を形成する際に、それぞれの膜厚がばらつくと、光共振構造における光路長が変動し、画素から所望の共振波長に光を取り出すことができず、色度ずれが生ずるおそれがある。
【０００８】
このような色度ずれを改善するため、上記特許文献２に示されているように、絶縁層の膜厚を測定してから、絶縁層上に形成される画素電極（下部電極）や機能層（有機層）の膜厚を調整して形成する方法が考えられる。絶縁層の膜厚を測定する方法として、上記特許文献２における下部電極や有機層の膜厚の測定方法と同様に、絶縁層の成膜時にモニター（測定）する方法が考えられる。しかしながら、膜厚を高精度で管理しようとすれば成膜時に膜厚を頻繁にモニターする必要が生じて煩雑となる。また、屈折率が異なる複数の層により絶縁層が構成される場合、絶縁層の膜厚を一括して測定することが技術的に難しいため、各層ごとに膜厚を測定する必要が生ずる。測定の回数が増えるほど、測定における誤差などの影響を受けることから、絶縁層の膜厚を正確に測定することが難しくなる。それゆえに、絶縁層の膜厚測定によって光路長を適正に調整することが困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、反射層と半透過反射性の陰極との間に、絶縁層と、透光性の陽極と、発光層を含む機能層とを発光画素ごとに備えた電気光学装置の製造方法であって、異なる発光色が得られる発光画素のうち少なくとも１つの発光画素において、前記反射層上の前記絶縁層と前記陽極とを含むキャビティ層の光路長の変動を求める第１の工程と、前記第１の工程の結果に基づいて、前記陽極上に形成される前記機能層のうち１層の有機層の膜厚を調整して形成する第２の工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、第１の工程では、絶縁層と陽極とを含むキャビティ層の光路長の変動を求めるため、絶縁層の膜厚を求めて陽極上における機能層の膜厚を調整して形成する場合に比べて、光共振構造における光路長を正確に調整することができる。すなわち、光路長のばらつきによる色度ずれが生じ難く、見栄えのよい電気光学装置の製造方法を提供することができる。
【００１２】
上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１の工程では、可視光波長範囲における前記キャビティ層の分光反射率を測定し、分光反射率の極小波長または極大波長から、前記キャビティ層の光路長の変動を求めることを特徴とする。
この方法によれば、キャビティ層に屈折率が異なる絶縁層や陽極が含まれていたとしても、各層の膜厚ばらつきが分光反射率における極小値や極大値の変化として現れるので、キャビティ層における光路長をより正確に求めることができる。すなわち、第２の工程における有機層の膜厚調整を適正に行うことができる。
【００１３】
上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記絶縁層は、屈折率が異なる複数の層を有し、前記第１の工程では、前記複数の層のうち最も屈折率が大きい層の膜厚変動による分光反射率の極小波長または極大波長に基づいて、前記キャビティ層の光路長の変動を求めることが好ましい。
この方法によれば、複数の層のうち最も屈折率が大きい層の膜厚変動（ばらつき）が他の層の膜厚変動（ばらつき）に比べて、分光反射率の変化に与える影響が大きいので、キャビティ層の光路長を簡素な方法で求めることができる。
【００１４】
上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１の工程では、前記キャビティ層の平均屈折率を用い、前記キャビティ層を一層とみなして前記キャビティ層の光路長の変動を求めるとしてもよい。
この方法によれば、キャビティ層を一層とみなすことで、分光反射率の変化とキャビティ層の光路長との関係を導くことが容易となる。ゆえに、キャビティ層の光路長をより簡素な方法で求めることができる。
【００１５】
上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１の工程では、異なる発光色が得られる発光画素のうち、最も取り出し波長が長い発光画素における前記キャビティ層の光路長の変動を求めることが好ましい。
【００１６】
また、上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１の工程では、異なる発光色が得られる発光画素のうち、最も膜厚が厚い前記絶縁層を有する発光画素における前記キャビティ層の光路長の変動を求めるとしてもよい。
これらの方法によれば、色度ずれが最も認識され易い発光画素における光共振構造の光路長を適正に調整することができる。それゆえに、他の発光画素における光共振構造における光路長の調整の程度を考慮しなくてもよいことから、見栄えのよい電気光学装置を効率的に製造することができる。
【００１７】
上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第２の工程では、前記陽極上に形成される前記機能層のうち、前記陽極と前記発光層との間の有機層の膜厚を調整して形成することが好ましい。
この方法によれば、キャビティ層の光路長が変動したとしても陽極と発光層との間の有機層の膜厚を調整するので、陽極と陰極との間の発光層の位置が設計上の位置に対して変動し難い。したがって、陽極と陰極との間の発光層の位置が変動することによる輝度の低下を避けることができる。すなわち、色度ずれと輝度低下とが生じ難い電気光学装置を製造することができる。
【００１８】
上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１の工程で求められた前記キャビティ層の光路長の変動が所定の範囲内か否かを判定する判定工程をさらに備えることが好ましい。
この方法によれば、不良なキャビティ層に対して機能層を形成する無駄な工程を削減できる。すなわち、見栄えのよい電気光学装置を高い生産性で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。
【図２】第１実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す概略平面図。
【図４】発光画素をＸ方向に沿って切ったときの構造を示す概略断面図。
【図５】発光画素における光共振構造を示す模式断面図。
【図６】第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図７】第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図８】第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図９】第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】ＳｉＮの膜厚と分光反射率との関係を示すグラフ。
【図１４】図１３のグラフにおける極小波長（λ（Ｒmin））とＳｉＮの膜厚との関係を示すグラフ。
【図１５】ＳｉＯ2の膜厚と分光反射率との関係を示すグラフ。
【図１６】図１５のグラフにおける極小波長（λ（Ｒmin））とＳｉＯ2の膜厚との関係を示すグラフ。
【図１７】キャビティ層の多層モデルの設計値と単層モデルの設計値における分光反射率を示すグラフ。
【図１８】実測したキャビティ層の分光反射率と、フィッティング後の単層モデルの分光反射率とを示すグラフ。
【図１９】電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す模式図。
【図２０】変形例の有機ＥＬ装置における発光画素の構成を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２１】
（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置の製造方法が適用される電気光学装置として有機ＥＬ装置を例に挙げて、図１〜図５を参照して説明する。図１は有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図２は有機ＥＬ装置の発光画素の電気的な構成を示す等価回路図、図３は有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す概略平面図である。
【００２２】
図１に示すように、電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、素子基板１０の表示領域Ｅにマトリックス状に配置された複数の発光画素２０と、複数の発光画素２０を駆動制御する周辺回路であるデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２と、外部回路との電気的な接続を図るための複数の外部接続用端子１０３とを備えている。本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、アクティブ駆動型、且つトップエミッション型の発光装置である。
【００２３】
表示領域Ｅには、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとが配置されている。また、同色の発光が得られる発光画素２０が図面上において縦方向に配列し、異なる色の発光が得られる発光画素２０が、図面上において横方向にＢ，Ｇ，Ｒの順に繰り返して配置されている。このような発光画素２０の配置は、ストライプ方式と呼ばれるものであるが、これに限定されるものではない。例えば、異なる色の発光が得られる発光画素２０の横方向における配置は、Ｂ，Ｇ，Ｒの順でなくてもよく、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの順としてもよい。
以降、同色の発光が得られる発光画素２０が配列した縦方向をＹ方向とし、Ｙ方向に直交する方向をＸ方向として説明する。また、発光画素２０の光の取り出し方向から素子基板１０を見ることを平面視として説明する。
【００２４】
発光画素２０の詳しい構成については後述するが、本実施形態における発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と呼ぶ）と、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色に対応するカラーフィルターとを備え、有機ＥＬ素子からの発光をＢ，Ｇ，Ｒの各色に変換してフルカラー表示を可能とするものである。また、有機ＥＬ素子からの発光波長範囲のうち特定の波長の輝度を向上させる光共振構造が発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに構築されている。
【００２５】
有機ＥＬ装置１００において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒは、サブ画素として機能するものであり、Ｂ，Ｇ，Ｒに対応する発光が得られる３つの発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにより、画像表示における１つの画素単位が構成されている。なお、画素単位の構成はこれに限定されず、Ｂ，Ｇ，Ｒ以外の発光色（白色を含む）が得られる発光画素２０が画素単位に含まれていてもよい。
【００２６】
素子基板１０の第１辺部に沿って、複数の外部接続用端子１０３がＸ方向に配列して設けられている。また、Ｙ方向において外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間にデータ線駆動回路１０１が配置され、Ｘ方向に延在している。また、Ｘ方向において表示領域Ｅを挟んで一対の走査線駆動回路１０２が設けられている。
【００２７】
前述したように表示領域Ｅには、複数の発光画素２０がマトリックス状に設けられており、素子基板１０には、図２に示すように、発光画素２０に対応する信号線として、走査線１１、データ線１２、点灯制御線１３、電源線１４が設けられている。
本実施形態では、走査線１１と点灯制御線１３とがＸ方向に並行して延びており、データ線１２と電源線１４とがＹ方向に並行して延びている。
表示領域Ｅには、マトリックス状に配置された複数の発光画素２０におけるｍ行に対応して複数の走査線１１と複数の点灯制御線１３とが設けられ、それぞれ図１に示した一対の走査線駆動回路１０２に接続されている。また、マトリックス状に配置された複数の発光画素２０におけるｎ列に対応して複数のデータ線１２と複数の電源線１４とが設けられ、複数のデータ線１２は、それぞれ図１に示したデータ線駆動回路１０１に接続され、複数の電源線１４は複数の外部接続用端子１０３のうちいずれかと接続されている。
【００２８】
走査線１１とデータ線１２との交差部付近に、発光画素２０の画素回路を構成する第１トランジスター２１、第２トランジスター２２、第３トランジスター２３、蓄積容量２４、そして発光素子である有機ＥＬ素子３０が設けられている。
有機ＥＬ素子３０は、陽極である画素電極３１と、陰極である対向電極３６と、これらの電極間に挟まれた、発光層を含む機能層３５とを有している。対向電極３６は、複数の発光画素２０に跨って共通に設けられた電極であり、例えば、電源線１４に与えられる電源電圧Ｖｄｄに対して、低位の基準電位ＶｓｓやＧＮＤの電位が与えられる。
【００２９】
第１トランジスター２１及び第３トランジスター２３は、例えばｎチャネル型のトランジスターである。第２トランジスター２２は、例えばｐチャネル型のトランジスターである。
【００３０】
第１トランジスター２１のゲート電極は走査線１１に接続され、一方の電流端はデータ線１２に接続され、他方の電流端は第２トランジスター２２のゲート電極と、蓄積容量２４の一方の電極とに接続されている。
第２トランジスター２２の一方の電流端は、電源線１４に接続されると共に蓄積容量２４の他方の電極に接続されている。第２トランジスター２２の他方の電流端は、第３トランジスター２３の一方の電流端に接続されている。言い換えれば、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とは一対の電流端のうち１つの電流端を共有している。
第３トランジスター２３のゲート電極は点灯制御線１３に接続され、他方の電流端は有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続されている。
第１トランジスター２１、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３のそれぞれにおける一対の電流端は、一方がソースであり、他方がドレインである。
【００３１】
このような画素回路において、走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＨｉレベルになると、ｎチャネル型の第１トランジスター２１がオン状態（ＯＮ）となる。オン状態（ＯＮ）の第１トランジスター２１を介してデータ線１２と蓄積容量２４とが電気的に接続される。そして、データ線駆動回路１０１からデータ線１２にデータ信号が供給されると、データ信号の電圧水準Ｖｄａｔａと電源線１４に与えられた電源電圧Ｖｄｄとの電位差が蓄積容量２４に蓄積される。
【００３２】
走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＬｏｗレベルになると、ｎチャネル型の第１トランジスター２１がオフ状態（ＯＦＦ）となり、第２トランジスター２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、電圧水準Ｖｄａｔａが与えられたときの電圧に保持される。また、走査信号ＹｉがＬｏｗレベルになった後に、点灯制御線１３に供給される点灯制御信号Ｖｇｉの電圧水準がＨｉレベルとなり、第３トランジスター２３がオン状態（ＯＮ）となる。そうすると、第２トランジスター２２のソース・ドレイン間には、第２トランジスター２２のゲート・ソース電圧Ｖｇｓに応じた電流が流れる。この電流は、具体的には、電源線１４から第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３を経由して、有機ＥＬ素子３０に至る経路で流れる。
【００３３】
有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０を流れる電流の大きさに応じて発光する。有機ＥＬ素子３０を流れる電流は、第２トランジスター２２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓで設定される第２トランジスター２２と有機ＥＬ素子３０の動作点によって定まる。第２トランジスター２２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓは、走査信号ＹｉがＨｉレベルのときに、データ線１２の電圧水準Ｖｄａｔａと電源電圧Ｖｄｄとの電位差によって蓄積容量２４に保持された電圧である。このように、発光画素２０は、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａ及び第３トランジスター２３がオン状態になる期間の長さによって発光輝度が規定される。つまり、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａの値により、発光画素２０において画像情報に応じた輝度の階調性を与えることができ、フルカラー表示を可能としている。
【００３４】
なお、本実施形態において、発光画素２０の画素回路は、３つのトランジスター２１，２２，２３を有することに限定されず、スイッチング用トランジスターと駆動用トランジスターとを有する構成としてもよい。また画素回路を構成するトランジスターは、ｎチャネル型のトランジスターでもよいし、ｐチャネル型のトランジスターでもよいし、ｎチャネル型のトランジスター及びｐチャネル型のトランジスターの双方を備えるものであってもよい。また、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターは、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであってもよいし、薄膜トランジスターであってもよいし、電界効果トランジスターであってもよい。
また、走査線１１、データ線１２以外の信号線である点灯制御線１３、電源線１４の配置は、トランジスターや蓄積容量２４の配置により左右され、これに限定されるものではない。
本実施形態では、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターとして、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターを採用した例について、以降説明する。
【００３５】
＜発光画素の構成＞
発光画素２０の具体的な構成について図３を参照して説明する。図３に示すように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、平面視で矩形状となっており、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれには、図２に示した等価回路の有機ＥＬ素子３０が設けられている。発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに設けられた有機ＥＬ素子３０を区別するため、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒとして説明することもある。また、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１を発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに区別するため、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとして説明することもある。
【００３６】
発光画素２０Ｂには画素電極３１Ｂと、画素電極３１Ｂと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｂｃとが設けられている。同様に、発光画素２０Ｇには画素電極３１Ｇと、画素電極３１Ｇと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｇｃとが設けられている。発光画素２０Ｒには画素電極３１Ｒと、画素電極３１Ｒと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｒｃとが設けられている。
各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒも平面視で略矩形状であり、長手方向の上方側に各コンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃがそれぞれ配置されている。
【００３７】
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、隣り合う画素電極３１同士を電気的に絶縁すると共に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に機能層３５（図４参照）と接する領域を規定する開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが形成された絶縁構造を有している。
【００３８】
また、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒの機能層３５に対して電荷を注入する画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとして実質的に機能するのは、上記絶縁構造における開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒによって規定され、それぞれ機能層３５と接する部分である。開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒは、後述する第５絶縁層２９（図４参照）によって規定されており、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれにおいて、上記各コンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃは第５絶縁層２９によって覆われて、相互に絶縁されている。
【００３９】
次に、発光画素２０の構造について、図４を参照して説明する。図４は発光画素をＸ方向に沿って切ったときの構造を示す概略断面図である。なお、図４では画素回路のうち、第１トランジスター２１及び第２トランジスター２２と、第１トランジスター２１及び第２トランジスター２２に関連する配線などを示し、第３トランジスター２３の図示を省略している。
【００４０】
図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ、カラーフィルター５０などが形成された素子基板１０と、透光性の封止基板７０とを備えている。素子基板１０と封止基板７０とは、接着性と透明性とを兼ね備えた樹脂層６０によって貼り合わされている。カラーフィルター５０は、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色に対応したフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを有している。各フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは、素子基板１０において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに対応して配置されている。機能層３５から発せられた光は、対応するフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒのいずれかを透過して封止基板７０側から射出される。つまり、有機ＥＬ装置１００は、封止基板７０側から発光が取り出されるトップエミッション構造となっている。
【００４１】
素子基板１０の基材１０ｓは、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、透明なガラス基板だけでなく、不透明なセラミック基板や半導体基板を用いることができる。
本実施形態では、基材１０ｓとして半導体基板を用いている。半導体基板は例えばシリコン基板である。
【００４２】
基材１０ｓには、半導体基板にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０ｗと、ウェル部１０ｗとは異なる種類のイオンをウェル部１０ｗに注入することにより形成されたアクティブ層であるイオン注入部１０ｄとが設けられている。ウェル部１０ｗは、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のチャネルとして機能し、イオン注入部１０ｄは、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のソース・ドレインや配線の一部として機能するものである。
【００４３】
次に、イオン注入部１０ｄやウェル部１０ｗが形成された基材１０ｓの表面を覆う絶縁膜１０ａが形成される。絶縁膜１０ａはゲート絶縁膜として機能するものである。絶縁膜１０ａ上に例えばポリシリコンなどの導電膜が成膜され、これをパターニングしてゲート電極２２ｇが形成される。ゲート電極２２ｇは、第２トランジスター２２のチャネルとして機能するウェル部１０ｗに対向するように配置されている。他の第１トランジスター２１や第３トランジスター２３においても同様にゲート電極が配置されている。
【００４４】
次に、ゲート電極２２ｇを覆う第１層間絶縁膜１５が形成される。そして、第１層間絶縁膜１５を貫通して、例えば第１トランジスター２１のドレインや第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇに至るコンタクトホールが形成される。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第１層間絶縁膜１５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば、第１トランジスター２１のドレイン電極２１ｄと第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとに接続される配線が形成される。
【００４５】
次に、第１層間絶縁膜１５上の各種配線を覆う第２層間絶縁膜１６が形成される。そして、第２層間絶縁膜１６を貫通して、第１層間絶縁膜１５上に形成された配線に至るコンタクトホールが形成される。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第２層間絶縁膜１６の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば、蓄積容量２４の一方の電極２４ａと第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとを電気的に接続させるコンタクト部が形成される。また、一方の電極２４ａと同層にデータ線１２が形成される。データ線１２は、図４では図示省略された配線によって、第１トランジスター２１のソースに接続されている。
【００４６】
次に、少なくとも一方の電極２４ａを覆う誘電体層（図４では図示を省略している）が形成される。また、誘電体層を挟んで一方の電極２４ａに対向する位置に蓄積容量２４の他方の電極２４ｂが形成される。これにより、一対の電極２４ａ，２４ｂ間に誘電体層を有する蓄積容量２４が形成される。
【００４７】
次に、データ線１２及び蓄積容量２４を覆う第３層間絶縁膜１７が形成される。第３層間絶縁膜１７を貫通して、例えば、蓄積容量２４の他方の電極２４ｂや第２層間絶縁膜１６上に形成された配線に至るコンタクトホールが形成される。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第３層間絶縁膜１７の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、電源線１４や電源線１４と他方の電極２４ｂとを接続させるコンタクト部が形成される。本実施形態では、電源線１４は光反射性と導電性とを兼ね備えた、例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）などの金属、あるいはこれらの金属の合金を用いて形成される。また、電源線１４は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのコンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃ（図３参照）と重なる部分を除いて、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと対向し、表示領域Ｅに亘る平面を構成するように形成される。電源線１４の画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと対向する部分が反射層として機能する。
なお、導電性を有する材料で電源線１４を形成し、電源線１４と画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとの間に反射層を設ける構成としてもよい。
【００４８】
図４では図示していないが、基材１０ｓには、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とが共用するウェル部１０ｗが設けられている。当該ウェル部１０ｗには、３つのイオン注入部１０ｄが設けられている。３つのイオン注入部１０ｄのうち中央側に位置するイオン注入部１０ｄは、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とが共用するドレインとして機能するものである。当該ウェル部１０ｗを覆う絶縁膜１０ａが設けられる。そして、絶縁膜１０ａを覆って例えばポリシリコンなどの導電膜が成膜され、この導電膜をパターニングすることによって、絶縁膜１０ａ上に、第２トランジスター２２のゲート電極及び第３トランジスター２３のゲート電極が形成される。それぞれのゲート電極は、上述した中央側のイオン注入部１０ｄと端側のイオン注入部１０ｄとの間のウェル部１０ｗにおけるチャネルとして機能する部分に対向するように配置されている。
【００４９】
次に、第２トランジスター２２のゲート電極は、第１層間絶縁膜１５と第２層間絶縁膜１６とを貫通するコンタクトホールによって、第２層間絶縁膜１６上に設けられた蓄積容量２４の一方の電極２４ａに接続されている。第２トランジスター２２のソース電極は、第２層間絶縁膜１６及び第３層間絶縁膜１７を貫通するコンタクトホールによって、第３層間絶縁膜１７上に設けられた電源線１４に接続されている。
【００５０】
第３トランジスター２３のゲート電極は、第１層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールによって、第１層間絶縁膜１５上に設けられた点灯制御線１３に接続されている。第１層間絶縁膜１５上には、点灯制御線１３以外に走査線１１が設けられている。走査線１１は、同じく第１層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールを経由して、第１トランジスター２１のゲートに接続されている。
【００５１】
第３トランジスター２３のソース電極は、第２層間絶縁膜１６及び第３層間絶縁膜１７、さらに電源線１４上の絶縁層２８を貫通するコンタクトホールによって、絶縁層２８上に設けられた配線に接続されている。当該配線は、例えば、発光画素２０Ｇのコンタクト部３１Ｇｃに対応して設けられたものであり、当該コンタクト部３１Ｇｃにおいて当該配線と画素電極３１Ｇとが接することにより、電気的な接続が図られている。
【００５２】
発光画素２０Ｂ，２０Ｒの画素電極３１Ｂ，３１Ｒのそれぞれと対応する第３トランジスター２３のソース電極との電気的な接続は、発光画素２０Ｇと同様にコンタクト部３１Ｂｃ、コンタクト部３１Ｒｃを介して行われている（図３参照）。
【００５３】
有機ＥＬ素子３０は、反射層として機能する電源線１４上に設けられている。また、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに異なる共振波長の光を取り出すことができる光共振構造が電源線１４上に構築されている。電源線１４は、平面視で発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒが設けられた表示領域Ｅに亘って第３層間絶縁膜１７の表面を覆うように形成されている。また、電源線１４は、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれと対応する第３トランジスター２３との電気的な接続を図る上記コンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃが設けられる部分を除いてパターニングされている。したがって、電源線１４よりも下層に設けられた画素回路の構成による凹凸が、電源線１４よりも上層に設けられる光共振構造に影響を及ぼし難い構造となっている。
【００５４】
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに設けられた有機ＥＬ素子３０を覆って封止層４０が少なくとも表示領域Ｅに亘って形成されている。封止層４０は、対向電極３６側から順に積層された第１封止膜４１と、緩衝層４２と、第２封止膜４３とを含んで構成されている。
【００５５】
第１封止膜４１は、水分や酸素などのガスを透過し難く（ガスバリア性）、且つ透明性が得られる、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタンなどの金属酸化物などの無機化合物を用いて形成される。形成方法としては、低温で緻密な膜を形成可能な気相プロセスを用いることが好ましく、例えば、プラズマＣＶＤ法やＥＣＲプラズマスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法や、真空蒸着法、イオンプレーティング法を挙げることができる。第１封止膜４１の膜厚はおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。
【００５６】
第１封止膜４１の表面は、下層に設けられた有機ＥＬ素子３０などの構造体の影響を受けて凹凸が生ずる。本実施形態では、該凹凸や異物の付着などに起因する第２封止膜４３の封止機能の低下を防止するために、第１封止膜４１の表面のうち少なくとも表示領域Ｅを覆い、少なくとも表示領域Ｅにおける該凹凸を緩和して平坦化するために緩衝層４２が形成されている。
【００５７】
緩衝層４２は、例えば、透明性を有する有機樹脂を溶媒に溶解させた溶液を用い、印刷法やスピンコート法で該溶液を塗布して乾燥することにより形成された有機樹脂層である。有機樹脂としては、エポキシ樹脂などを挙げることができる。緩衝層４２は、第１封止膜４１の表面における該凹凸を緩和し、第１封止膜４１に付着した異物を覆って平坦化することから、その膜厚は、１μｍ〜５μｍが好ましく、本実施形態では、エポキシ樹脂を用いて膜厚がおよそ３μｍの緩衝層４２が形成されている。緩衝層４２は、平面視で少なくとも機能層３５を覆うように形成され、且つ対向電極３６を覆うように形成されることが好ましい。緩衝層４２を少なくとも機能層３５を覆うように形成することで、機能層３５の端部での凹凸を緩和することができる。なお、緩衝層４２は、表示領域Ｅに加えて、周辺回路（データ線駆動回路１０１及び一対の走査線駆動回路１０２）の表示領域Ｅ側の少なくとも一部を覆うように形成してもよい（図１参照）。
【００５８】
緩衝層４２を覆う第２封止膜４３は、第１封止膜４１と同様に、透明性とガスバリア性とを兼ね備え、耐水性、耐熱性に優れた無機化合物を用いて形成される。無機化合物としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンが挙げられる。第２封止膜４３は、第１封止膜４１と同じ方法を用いて形成することができる。第２封止膜４３の膜厚は、成膜時にクラックが生じないように、２００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で成膜されることが好ましく、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で成膜することがより好ましい。なお、対向電極３６を覆うように緩衝層４２を形成すれば、第１封止膜４１とこれに直接積層した第２封止膜４３により、対向電極３６の端部を覆うことができる。
【００５９】
カラーフィルター５０は、表面が平坦な封止層４０上に形成されている。カラーフィルター５０の各フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは、各色に対応した顔料を含む感光性樹脂を封止層４０上に塗布して露光・現像することにより形成される。
【００６０】
＜光共振構造＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１００における光共振構造及び有機ＥＬ素子３０の構成について、図５を参照して説明する。図５は発光画素における光共振構造を示す模式断面図である。
【００６１】
本実施形態における有機ＥＬ素子３０は、透光性の陽極である画素電極３１と、半透過反射性の陰極である対向電極３６と、これらの電極間に挟持された機能層３５とを有している。機能層３５は、画素電極３１側から順に積層された正孔注入層（ＨＩＬ）３２、有機発光層（ＥＭＬ）３３、電子輸送層（ＥＴＬ）３４を含むものである。
【００６２】
画素電極３１と対向電極３６との間に駆動電位を印加することにより、画素電極３１から機能層３５に正孔が注入され、対向電極３６から機能層３５に電子が注入される。機能層３５に含まれる有機発光層３３では、注入された正孔と電子が励起子（エキシトン）を形成し、励起子（エキシトン）が消滅する際（電子と正孔とが再結合する際）にエネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。
【００６３】
機能層３５は、正孔注入層３２、有機発光層３３、電子輸送層３４以外に、正孔や電子の有機発光層３３への注入性や輸送性を改善あるいは制御する、例えば正孔輸送層や電子注入層あるいは中間層を含んでいてもよい。
【００６４】
本実施形態において、機能層３５の有機発光層３３からは白色光が得られる構成となっている。したがって、機能層３５は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに跨って共通に形成されている。なお、白色光は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせることにより実現できる。また、青（Ｂ）と黄（Ｙ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせても擬似白色光を得ることができる。
【００６５】
本実施形態では、有機ＥＬ素子３０から発せられた白色光がカラーフィルター５０を透過することで、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに所望の発光色が得られる構成となっている。加えて、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに反射層として機能する電源線１４と対向電極３６との間で光共振構造が構築されており、Ｂ，Ｇ，Ｒの各発光色に対応した共振波長において輝度が強調された発光が得られる。
【００６６】
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとの共振波長は、反射層としての電源線１４と対向電極３６との間の光学的な距離（光路長とも言う）によって決まる。
具体的には、電源線１４（反射層）から対向電極３６までの光学的な距離をＤ、電源線１４（反射層）での反射における位相シフトをφＬ、対向電極３６での反射における位相シフトをφＵ、定在波のピーク波長をλ、整数をｍとすると、光学的な距離Ｄは、下記の数式（１）を満たす構造となっている。
Ｄ＝{（２πｍ＋φＬ＋φＵ）／４π}λ・・・（１）
【００６７】
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの光共振構造における光学的な距離Ｄは、Ｂ，Ｇ，Ｒの順に大きくなり、電源線１４（反射層）と画素電極３１との間に配置された絶縁層２８の構成を異ならせることによって調整されている。具体的には、電源線１４と画素電極３１Ｂとの間には第１絶縁層２５と第２絶縁層２６が存在し、電源線１４と画素電極３１Ｇとの間には第１絶縁層２５及び第２絶縁層２６に加えて第４絶縁層２７ｂが存在し、電源線１４と画素電極３１Ｒとの間には絶縁層２８（第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７ａ、第４絶縁層２７ｂ）が存在することで該光学的な距離Ｄが発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに異なっている。光共振構造における各層の光学的な距離は、光が透過する各層の膜厚（ｔ）と屈折率（ｎ）との積で表すことができる。
【００６８】
例えば、発光画素２０Ｂにおける輝度のピーク波長（共振波長）は、４７０ｎｍに設定されている。同じく、発光画素２０Ｇにおける輝度のピーク波長（共振波長）は、５４０ｎｍに設定され、発光画素２０Ｒにおける輝度のピーク波長（共振波長）は、６１０ｎｍに設定されている。
【００６９】
上記ピーク波長を実現するため、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚をおよそ２０ｎｍ、屈折率を１．８とし、機能層３５の膜厚をおよそ１１０ｎｍ、屈折率を１．８として、上記数式（１）において、ｍ＝１として、電源線１４（反射層）と対向電極３６との間の絶縁層２８の膜厚を算出すると、発光画素２０Ｂでは、屈折率が１．４６であるＳｉＯ2からなる第１絶縁層２５の膜厚が３５ｎｍ、屈折率が１．８のＳｉＮからなる第２絶縁層２６の膜厚が４５ｎｍとなり、合計膜厚は８０ｎｍとなる。発光画素２０Ｇでは、屈折率が１．４６であるＳｉＯ2からなる第４絶縁層２７ｂの膜厚が４４ｎｍとなり、第１絶縁層２５と第２絶縁層２６とを加えた合計膜厚は１２４ｎｍとなる。発光画素２０Ｒでは、第３絶縁層２７ａと同じく屈折率が１．４６のＳｉＯ2からなる第４絶縁層２７ｂとを含む絶縁層２７の膜厚が１００ｎｍとなり、第１絶縁層２５と第２絶縁層２６とを加えた合計膜厚は１８０ｎｍとなる。
【００７０】
なお、本実施形態において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って共通に設けられ、反射層として機能する電源線１４を覆う第１絶縁層２５は上述したようにＳｉＯ2を用いて形成され、光反射性を向上させる増反射層として機能するものである。
【００７１】
また、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれの光共振構造において、上記ピーク波長を精度よく実現するため、光共振構造の光学的な距離Ｄは、絶縁層２８を構成する第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７ａ、第４絶縁層２７ｂのそれぞれの膜厚及び屈折率、画素電極３１及び機能層３５の膜厚及び屈折率、反射層としての電源線１４及び対向電極３６の消衰係数を考慮して設定される。また、光が透過する層の屈折率は、厳密には透過する光の波長に依存する。
【００７２】
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、本実施形態の電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置１００の製造方法について、図６〜図１２を参照して説明する。図６は有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図７〜図１２は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。本発明の特徴部分は、主に素子基板１０における絶縁層２８の形成工程と、絶縁層２８と画素電極３１とを含むキャビティ層の光路長の変動を求める工程と、機能層３５の形成工程とにある。したがって、以降は、有機ＥＬ装置１００の製造方法における素子基板１０の製造方法の特徴部分について説明する。
【００７３】
図６に示すように、本実施形態の素子基板１０の製造方法は、絶縁層形成工程（ステップＳ１１）、画素電極形成工程（ステップＳ１２）、キャビティ層の光路長の変動を求める工程（ステップＳ１３）、ステップＳ１３で求められた光路長の変動は所定の範囲内か否かを判定する工程（ステップＳ１４）、機能層形成工程（ステップＳ１５）、対向電極形成工程（ステップＳ１６）を少なくとも備えている。なお、素子基板１０の基材１０ｓ上に前述した画素回路や画素回路に繋がる配線などを形成する方法は、前述したように公知の方法を用いることができる。以降の説明において、反射層は電源線１４の符号を用いて、反射層１４として説明する。ステップＳ１３が本発明における第１の工程の一例であり、ステップＳ１５が本発明における第２の工程の一例である。
【００７４】
ステップＳ１１の絶縁層形成工程では、図７に示すように、反射層１４上に、第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７ａをこの順に成膜して形成する。第１絶縁層２５、第３絶縁層２７ａは例えばＳｉＯ2をＣＶＤ法などにより成膜する。第２絶縁層２６は同じく例えばＳｉＮをＣＶＤ法などにより成膜する。各絶縁層におけるねらいの膜厚は、前述したように、第１絶縁層２５が例えば３５ｎｍ、第２絶縁層２６が例えば４５ｎｍ、第３絶縁層２７ａが例えば５６ｎｍである。
【００７５】
そして、図８に示すように、第３絶縁層２７ａを覆うように感光性レジスト層を形成し、これを露光・現像して、開口部８１ａを有するレジストパターン８１を形成する。開口部８１ａは、隣り合う発光画素２０Ｂと発光画素２０Ｇとに亘って形成される。このようなレジストパターン８１を介して、第３絶縁層２７ａを例えばフッ素系の処理ガスを用いてドライエッチングすることにより、図９に示すように、第３絶縁層２７ａに開口部２７ｃを形成する。なお、ドライエッチング後にレジストパターン８１は除去される。開口部２７ｃは、図３に示すように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇのコンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃを除いた領域において、隣り合う発光画素２０Ｂと発光画素２０Ｇとに亘って形成される。
【００７６】
続いて、図１０に示すように、第３絶縁層２７ａ及びその開口部２７ｃを覆うように第４絶縁層２７ｂを形成する。第４絶縁層２７ｂもまた例えばＳｉＯ2をＣＶＤ法などにより成膜する。そして、第４絶縁層２７ｂを覆うように感光性レジスト層を形成し、これを露光・現像して、開口部８２ａを有するレジストパターン８２を形成する。開口部８２ａは、発光画素２０Ｂに対応して形成される。このようなレジストパターン８２を介して、開口部８２ａで露出した第４絶縁層２７ｂを例えばフッ素系の処理ガスを用いてドライエッチングすることにより、図１１に示すように、第４絶縁層２７ｂに開口部２７ｄを形成する。なお、ＳｉＮからなる第２絶縁層２６はＳｉＯ2に比べてドライエッチングにおけるエッチングレートが遅いため、第２絶縁層２６はドライエッチングにおけるエッチングストップ膜として機能させることができる。ドライエッチング後にレジストパターン８２は除去される。開口部２７ｄは、図３に示すように、隣り合う発光画素２０Ｂと発光画素２０Ｇとに亘って形成された開口部２７ｃ内において、発光画素２０Ｂ内に対応して形成される。そして、ステップＳ１２へ進む。
【００７７】
ステップＳ１２の画素電極形成工程では、絶縁層２８を覆うように例えばＩＴＯなどの透明導電膜を成膜して、これをパターニングすることにより、図１２に示すように、開口部２７ｄ内の第２絶縁層２６上に画素電極３１Ｂを形成し、開口部２７ｃ内の第４絶縁層２７ｂ上に画素電極３１Ｇを形成し、第４絶縁層２７ｂ上に画素電極３１Ｒを形成する。なお、透明導電膜のねらいの膜厚は例えばおよそ２０ｎｍである。そして、ステップＳ１３へ進む。
【００７８】
ステップＳ１３のキャビティ層の光路長の変動を求める工程では、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのうち、光共振構造における共振波長（ピーク波長）が最も長い発光画素２０Ｒにおいて、図１２に示すように、反射層１４の上面から画素電極３１Ｒの上面までの光路長ｔｃ（Ｒ）の変動を求める。具体的には、反射層１４上における膜厚が最も厚い絶縁層２８と画素電極３１Ｒとを含むキャビティ層の分光反射率を測定して光路長ｔｃ（Ｒ）の変動を求める。光路長ｔｃ（Ｒ）（以降、単にキャビティ層の光路長ｔｃと呼ぶ）の変動の詳しい求め方については、後述する。そして、ステップＳ１４へ進む。
【００７９】
ステップＳ１４の判定工程では、ステップＳ１３で求められたキャビティ層の光路長ｔｃの変動が所定の範囲内か否か判定する。所定の範囲内（ＹＥＳ）であれば、次のステップＳ１５へ進み、所定の範囲を外れていた場合（ＮＯ）には、不良として処理する。なお、不良品は、廃棄せずに再生してもよい。
【００８０】
ステップＳ１５の機能層形成工程では、各発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにおける画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に機能層３５を形成する。機能層３５は、前述したように、本実施形態では、正孔注入層３２、有機発光層３３、電子輸送層３４により構成されている。また、これらの層は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って共通に形成される。機能層３５の各層の構成や形成方法は特に限定されるものではなく、例えば蒸着法などの乾式成膜法やスピンコートなどの湿式成膜法などの公知の方法を用いることができる。また、用いられる機能層形成材料に応じて乾式成膜法と湿式成膜法とを組み合わせて用いてもよい。本実施形態では、蒸着法を用いて正孔注入層３２、有機発光層３３、電子輸送層３４を形成した。機能層３５における正孔注入層３２のねらいの膜厚は例えば３０ｎｍ、有機発光層３３のねらいの膜厚は例えば５５ｎｍ、電子輸送層３４のねらいの膜厚は例えば２５ｎｍである。すなわち、機能層３５のねらいの膜厚は、これらの層のねらいの膜厚の合計値である１１０ｎｍである。
【００８１】
さらに、ステップＳ１５では、ステップＳ１３で求められたキャビティ層の光路長ｔｃの変動に基づいて、機能層３５の膜厚を調整して形成する。具体的には、発光画素２０Ｇの光共振構造における光路長Ｄを実現するために、絶縁層２８と画素電極３１Ｒとを含むキャビティ層の光路長ｔｃの変動を考慮して、機能層３５のうち正孔注入層３２の膜厚を調整して形成する。詳しい正孔注入層３２の膜厚の調整の仕方については後述する。そして、ステップＳ１６へ進む。
【００８２】
ステップＳ１６の対向電極形成工程では、ステップＳ１５で形成された機能層３５を覆うように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って対向電極３６を形成する。本実施形態では、ＭｇとＡｇとを共蒸着して、膜厚がおよそ２０ｎｍのＭｇＡｇ合金の薄膜からなる対向電極３６を形成した。
【００８３】
この後、前述したように対向電極３６を覆う封止層４０を形成する工程、封止層４０上にカラーフィルター５０を形成する工程を経て、素子基板１０を完成させる。さらに、樹脂層６０を介して素子基板１０と封止基板７０とを貼り合わせる工程を経て有機ＥＬ装置１００ができあがる（図４あるいは図５参照）。
【００８４】
＜機能層の膜厚の調整方法＞
次に、素子基板１０の製造方法におけるステップＳ１３のキャビティ層の光路長ｔｃの変動を求める方法、及びステップＳ１５の正孔注入層３２の膜厚の調整の仕方について説明する。
【００８５】
本実施形態の有機ＥＬ装置１００では、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにおいて、光共振構造に含まれる機能層３５及び対向電極３６は、前述したように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って共通に形成される。したがって、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにおけるそれぞれの光共振構造の光路長Ｄは、キャビティ層の光路長ｔｃを発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに異ならせることにより実現される。キャビティ層の光路長ｔｃは、キャビティ層に含まれる絶縁層２８及び画素電極３１の膜厚や屈折率の影響を受ける。画素電極３１は、ステップＳ１２で説明したように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って形成されたＩＴＯなどの透明導電膜をパターニングすることによって形成されるため、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ間で画素電極３１の膜厚が異なることはない。これに対して、絶縁層２８の構成は、ステップＳ１１で説明したように、屈折率が異なる複数の層が積層されてなり、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ間で層構成が異なる。言い換えれば、絶縁層２８を構成する第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、絶縁層２７（すなわち第３絶縁層２７ａ及び第４絶縁層２７ｂ）の膜厚のばらつきが、キャビティ層の光路長ｔｃに影響する。とりわけ、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに共通して設けられる第２絶縁層２６は、他の絶縁層に比べて屈折率が大きいＳｉＮを用いて形成されることから、キャビティ層の光路長ｔｃに与える影響が最も大きいと考えられる。
【００８６】
前述したように、ＳｉＮからなる第２絶縁層２６のねらいの膜厚が４５ｎｍであることから、当該膜厚を３５ｎｍ〜５５ｎｍまで５ｎｍ刻みで変化させた場合の分光反射率を求めた。実際に試料を作製してキャビティ層の分光反射率を測定してもよいが、本実施形態では、光学シミュレーターを利用し、ＳｉＯ2からなる第１絶縁層２５及び絶縁層２７の膜厚と、画素電極３１としてのＩＴＯの膜厚とをそれぞれ固定して、ＳｉＮの膜厚が変動したとみなして、キャビティ層の分光反射率（図１３）を求めた。
【００８７】
図１３はＳｉＮの膜厚と分光反射率との関係を示すグラフ、図１４は図１３のグラフにおける極小波長（λ（Ｒmin））とＳｉＮの膜厚との関係を示すグラフである。
図１３に示すように、キャビティ層の分光反射率は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の間で、９５％程度〜７７％程度に変化している。この間に分光反射率の極小点と極大点とが存在する。極小点及び極大点は、ＳｉＮの膜厚が大きくなるほど、長波長側にシフトしている。
【００８８】
したがって、例えば、図１３の分光反射率のグラフにおける極小点の波長（極小波長（λ（Ｒmin））とＳｉＮの膜厚との関係を求めると図１４に示す近似直線が得られる。
図１４の近似直線における関係式（ｙ＝３．２１４４ｘ＋３７９．６４）において、ｘはＳｉＮの膜厚の値を示し、ｙはλ（Ｒmin）の値を示すものであり、近似直線における傾きすなわち極小波長とＳｉＮの膜厚との換算係数ａは、およそ３．２である。
ゆえに、キャビティ層の光路長ｔｃの変動をＳｉＮの膜厚変動とみなして正孔注入層３２の膜厚を調整することが以下の数式（２）を適用することで可能である。
【００８９】
ｔHS＝ｔHA−Δλ（Ｒmin）／ａ    ・・・・（２）
ｔHSは正孔注入層３２の調整膜厚、ｔHAは正孔注入層３２の膜厚の設計値、Δλ（Rmin）はキャビティ層の分光反射率における極小波長の測定値から当該極小波長の設計値を差し引いた値、ａは図１４に示した近似直線の傾き（換算係数）である。
【００９０】
例えば、ＳｉＮの膜厚がねらいの４５ｎｍから５０ｎｍに５ｎｍ大きく（厚く）なった場合、図１３に示すグラフによれば、分光反射率の極小波長がおよそ５４０ｎｍとなる。また、ＳｉＮの膜厚をねらいの４５ｎｍとしたときの分光反射率の極小波長はおよそ５２５ｎｍであることから、Δλ（Ｒmin）は５４０ｎｍ−５２５ｎｍ＝１５ｎｍとなる。
したがって、上記数式（２）によれば、正孔注入層３２の調整膜厚ｔHSは、次の通りとなる。ｔHS＝３０−１５／３．２＝２５．３１２５≒２５ｎｍ、すなわち、ステップＳ１５の機能層形成工程では、正孔注入層３２の膜厚をねらいの３０ｎｍから２５ｎｍに調整して形成する。
【００９１】
なお、ＳｉＮはＳｉＯ2と比較して成膜条件による屈折率の変化が大きく、屈折率がおよそ１．８〜２．０の間で変化する。上記数式（２）はＳｉＮと正孔注入層３２との屈折率にそれほど差がないことを前提として、正孔注入層３２の膜厚の調整膜厚ｔHSを求めたが、屈折率の差が０．１以上である場合には、相互の屈折率を用いて、以下の数式（３）に示すように補正することが望ましい。
【００９２】
ｔHS＝ｔHA−Δλ（Ｒmin）／ａ×ｎHIL／ｎSiN    ・・・・（３）
ｎHILは正孔注入層３２の屈折率、ｎSiNはＳｉＮの屈折率である。
【００９３】
例えば、ＳｉＮの屈折率を２．０とし、正孔注入層３２の屈折率を１．８として、上記数式（３）を適用すると、次の通りとなる。ｔHS＝３０−１５／３．２×１．８／２．０＝２５．７８１３≒２６ｎｍ、すなわち、ステップＳ１５の機能層形成工程では、正孔注入層３２の膜厚をねらいの３０ｎｍから２６ｎｍに調整して形成する。
【００９４】
つまり、ステップＳ１３において、実際にキャビティ層の分光反射率を測定して、極小波長λ（Ｒmin）を求めれば、Δλ（Ｒmin）を算出することができるため、正孔注入層３２の膜厚を適正に調整することができる。なお、分光反射率の測定装置としては、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製のＰＲＯＭＥＴＲＩＸ  ＵＶ−１０８０などが挙げられる。
【００９５】
ステップＳ１５において、実際に正孔注入層３２の膜厚を調整して形成する場合、１ｎｍを単位として成膜を制御することは技術的に難しい。それゆえに、キャビティ層の光路長ｔｃの変動による光共振構造における光路長Ｄへの影響を考慮して、例えば、２ｎｍ〜７ｎｍ、好ましくは３ｎｍ〜５ｎｍを単位として成膜を制御することが、生産性の観点から望ましい。
【００９６】
＜他の機能層の膜厚の調整方法＞
本実施形態では、絶縁層２８を屈折率が異なる複数の層で構成されている。上記数式（１）及び上記数式（２）は、ＳｉＮからなる第２絶縁層２６の膜厚ばらつきが、キャビティ層の光路長ｔｃに影響を与えたとして、正孔注入層３２の膜厚を調整する例を示した。
一方で、第１絶縁層２５及び第２絶縁層２６は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って共通に設けられ、第２絶縁層２６上に設けられる絶縁層２７のねらいの膜厚（１００ｎｍ）は、他の絶縁層のねらいの膜厚よりも大きいことから、発光画素２０Ｒにおいて、キャビティ層の分光反射率を測定することで、ＳｉＯ2からなる絶縁層２７（第３絶縁層２７ａ及び第４絶縁層２７ｂ）の膜厚が変動したとして正孔注入層３２の膜厚を調整することも可能である。
【００９７】
ＳｉＯ2からなる絶縁層２７のねらいの膜厚が１００ｎｍであることから、同様に光学シミュレーターを利用して、当該膜厚を８５ｎｍ〜１１５ｎｍまで５ｎｍ刻みで変化させ、ＳｉＯ2からなる第１絶縁層２５及びＳｉＮからなる第２絶縁層２６の膜厚と、画素電極３１としてのＩＴＯの膜厚とをそれぞれ固定して、絶縁層２７の膜厚が変動したとみなして、キャビティ層の分光反射率（図１５）を求めた。
【００９８】
図１５はＳｉＯ2の膜厚と分光反射率との関係を示すグラフ、図１６は図１５のグラフにおける極小波長（λ（Ｒmin））とＳｉＯ2の膜厚との関係を示すグラフである。
図１５に示すように、キャビティ層の分光反射率は、可視光波長範囲（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の間で、９５％程度〜７６％程度に変化している。この間に分光反射率の極小点と極大点とが同様に存在する。極小点及び極大点は、ＳｉＯ2の膜厚が大きくなるほど、やはり長波長側にシフトしている。
【００９９】
したがって、図１５の分光反射率のグラフにおける極小点の波長（極小波長（λ（Ｒｍｉｎ））とＳｉＯ2の膜厚との関係を求めると図１６に示す近似直線が得られる。
図１６の近似直線における関係式（ｙ＝１．８８７９ｘ＋３３５．４４）において、ｘはＳｉＯ2の膜厚の値を示し、ｙはλ（Ｒmin）の値を示すものであり、近似直線の傾きすなわち極小波長とＳｉＯ2の膜厚との換算係数ａは、およそ１．８９である。
ゆえに、キャビティ層の光路長ｔｃの変動をＳｉＯ2の膜厚変動とみなして正孔注入層３２の膜厚を調整することが可能である。なお、ＳｉＯ2と正孔注入層３２との屈折率の差が大きいので、上記数式（３）のｎSiNをｎSiO2としてあてはめて適用することが好ましい。
【０１００】
なお、図１４及び図１６における近似直線は、図１３及び図１５における分光反射率の極小波長に基づいて求めたが、極小波長によらず極大波長に基づいても同様に近似直線を得ることができる。当該近似直線の傾きａは、ＳｉＮの方が大きいことから、光共振構造の光路長Ｄへの影響を考慮すると、ＳｉＮの膜厚の変動に基づいて、正孔注入層３２の膜厚を調整するほうが好ましい。
【０１０１】
上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法（素子基板１０の製造方法）によれば、以下の効果が得られる。
（１）キャビティ層に屈折率が異なる絶縁層２８や画素電極３１が含まれていたとしても、各層の膜厚ばらつきが分光反射率における極小値や極大値の変化として現れるので、キャビティ層の分光反射率を測定することにより、キャビティ層における光路長ｔｃの変動を絶縁層２８の膜厚の変動として正確に求めることができる。すなわち、ステップＳ１５における機能層３５の膜厚調整を適正に行うことができ、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにおける色度ずれが低減された見栄えのよい有機ＥＬ装置１００を製造することができる。
【０１０２】
（２）屈折率が異なる複数の層からなる絶縁層２８のうち、最も屈折率が大きいＳｉＮからなる第２絶縁層２６の膜厚変動による分光反射率の極小波長または極大波長に基づいて、キャビティ層の光路長ｔｃの変動を求めるので、ステップＳ１５における機能層３５の膜厚調整を適正に且つ簡便に行うことができる。
【０１０３】
（３）異なる発光色が得られる発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのうち、最も取り出し波長が長い発光画素２０Ｒにおけるキャビティ層の光路長ｔｃの変動を求めるので、色度ずれが最も認識され易い発光画素２０Ｒにおける光共振構造の光路長Ｄを適正に調整することができる。それゆえに、他の発光画素２０Ｂ，２０Ｇにおける光共振構造における光路長Ｄの調整の程度を考慮しなくてもよいことから、見栄えのよい有機ＥＬ装置１００を効率的に製造することができる。
【０１０４】
（４）機能層３５を形成するステップＳ１５では、ステップＳ１３で求められたキャビティ層の光路長ｔｃの変動に基づいて、機能層３５のうち画素電極３１と有機発光層３３との間の有機層である正孔注入層３２の膜厚を調整して形成する。したがって、機能層３５のうち正孔注入層３２以外の例えば電子輸送層３４の膜厚を調整して形成する場合に比べて、画素電極３１上における有機発光層３３の位置が変動し難い。ゆえに、有機発光層３３の位置の変動に起因する輝度の低下を抑制できる。つまり、色度ずれと輝度低下とが生じ難い有機ＥＬ装置１００を製造することができる。
【０１０５】
（５）ステップＳ１４において、キャビティ層の光路長ｔｃの変動が所定の範囲内か否かを判定するので、有機ＥＬ装置１００（素子基板１０）の製造において、その後に工程で処理された後に不良が発生することを低減できる。つまり、付加価値が付いた状態の素子基板１０を破棄するなどの無駄を省くことができる。また、正孔注入層３２の成膜における膜厚制御の単位膜厚に基づいて所定の範囲を設定すれば、正孔注入層３２の成膜を適正に管理することができる。
【０１０６】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法（素子基板１０の製造方法）について、説明する。第２実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法（素子基板１０の製造方法）は、分光反射率を測定するキャビティ層の構成の考え方を上記第１実施形態と異ならせたものである。
【０１０７】
本実施形態の素子基板１０の製造方法は、上記第１実施形態と基本的に同じであって、ステップＳ１３におけるキャビティ層の光路長ｔｃの変動を求める方法が異なっている。具体的には、反射層１４上における屈折率が異なる複数の層からなる絶縁層２８及び画素電極３１を含むキャビティ層を単層（一層）であるとみなすものである。それゆえに、キャビティ層が多層である場合と、単層である場合とで、発光画素２０Ｒにおけるキャビティ層の分光反射率がどのように変化するかを光学シミュレーションによって求めた。
【０１０８】
図１７は、キャビティ層の多層モデルの設計値と単層モデルの設計値における分光反射率を示すグラフである。具体的には、キャビティ層を単層モデルとすることで多層モデルとした場合に比べて、分光反射率の極小点または極大点がシフトすることが考えられる。そこで、図１７に示すように、例えば、多層モデルの極小波長と単層モデルの極小波長とが一致するように、キャビティ層の単層モデルにおける膜厚の設計値を求める。
【０１０９】
発光画素２０Ｒにおけるキャビティ層の多層モデルでは、第１絶縁層２５のねらいの膜厚が３５ｎｍ、屈折率が１．４６であることから第１絶縁層２５の光路長は、膜厚と屈折率との積であり５１．１ｎｍとなる。同様に、第２絶縁層２６のねらいの膜厚が４５ｎｍ、屈折率が１．８２であることから第２絶縁層２６の光路長は、膜厚と屈折率との積であり８１．９ｎｍとなる。絶縁層２７のねらいの膜厚が１００ｎｍ、屈折率が１．４６であることから絶縁層２７の光路長は、膜厚と屈折率との積であり１４６ｎｍとなる。画素電極３１（ＩＴＯとして設定）のねらいの膜厚が２５ｎｍ、屈折率が１．８１であることから画素電極３１の光路長は、膜厚と屈折率との積であり３６．２ｎｍとなる。
【０１１０】
単層モデルにおける平均屈折率ｎ（λ）は、多層モデルにおける光路長の合計値を膜厚の合計値で除することで求められるので、以下の数式（４）が適用される。
【０１１１】
ｎ（λ）＝Σｎｉ（λ）×ｄｉ／Σｄ    ・・・・（４）
【０１１２】
したがって、上記数式（４）によれば、本実施形態におけるキャビティ層の平均屈折率ｎ（λ）は、１．５８となる。
上述したように、多層モデルの極小波長と単層モデルの極小波長とが一致するようにして、単層モデルの膜厚の設計値ｔadを求めると２２４ｎｍとなる。多層モデルの膜厚の設計値（ねらいの値）が２００ｎｍであったことからすると、２４ｎｍ増えたことになる。これは、反射層１４に接する第１絶縁層２５の屈折率が実際には１．４６であるのに対して、平均屈折率（１．５８）を用いることで、反射層１４の界面における位相シフトの値が変化したと考えられる。
【０１１３】
キャビティ層を単層モデルとして分光反射率を測定して、上記第１実施形態と同様に正孔注入層（ＨＩＬ）３２の膜厚の調整を行うには、キャビティ層を単層モデルとした場合の正孔注入層（ＨＩＬ）３２の膜厚の設計値（ねらいの値）ｔHAを見直す必要がある。そこで、実際に多層モデルのキャビティ層の分光反射率を測定して、単層モデルの分光反射率を実測データにフィッティングさせた。
【０１１４】
図１８は実測したキャビティ層の分光反射率と、フィッティング後の単層モデルの分光反射率とを示すグラフである。図１８に示すように、単層モデルのフィッティングは、キャビティ層の平均屈折率ｎ（λ）と、平均消衰係数ｋ（λ）とを用いて行う。平均消衰係数ｋ（λ）は、各層の消衰係数ｋと膜厚ｄとの積の合計値を総膜厚で除することで求められるので、以下の数式（５）が適用される。
【０１１５】
ｋ（λ）＝Σｋｉ（λ）×ｄｉ／Σｄ    ・・・・（５）
【０１１６】
本実施形態における単層モデルのフィッティングは、実測したキャビティ層の分光反射率と、単層モデルの分光反射率とから、単層モデルの膜厚を変数として、例えば最小二乗法を用いて求めた。フィッティング後の単層モデルの膜厚の値ｔafは、２１８．８ｎｍであった。なお、あらかじめ膜厚を変えた場合の単層モデルの分光反射率のデータを何点か準備しておき、最小二乗法による誤差が最も小さくなる単層モデルの膜厚をｔafとしてもよい。
【０１１７】
キャビティ層を単層モデルとした場合の正孔注入層（ＨＩＬ）３２の膜厚の設計値（ねらいの値）ｔHBは、以下の数式（６）を適用して求めることができる。
【０１１８】
ｔHB＝ｔHA−Δｔa×ｎHIL／ｎ（λ）    ・・・・（６）
ｔHAは、正孔注入層３２の元の設計値（３０ｎｍ）、Δｔaは、ｔafとｔadとの差である。
【０１１９】
上記数式（６）によれば、本実施形態の正孔注入層３２の膜厚の見直し後の設計値ｔHBは、次の通りである。
ｔHB＝３０−（２１８．８−２２４）×１．８／１．５８＝３５．９２≒３６ｎｍ
すなわち、上記第１実施形態の数式（２）または数式（３）において、ｔHAの値（３０ｎｍ）に替えてｔHBの値（３６ｎｍ）を用い、正孔注入層３２の膜厚の調整を行えば、キャビティ層を単層であるとしても、上記第１実施形態と同様に、光共振構造の光路長Ｄを適正に調整することができる。
【０１２０】
＜電子機器＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１００を適用した電子機器の例について、図１９を参照して説明する。図１９は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す模式図である。
【０１２１】
ヘッドマウントディスプレイ（Head  Mount  Display；ＨＭＤ）１０００は、左右の眼に対応して情報を表示するための一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒと、一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒを使用者の頭部に装着するための装着部（図示省略）と、電源部及び制御部（図示省略）などを有している。ここで、一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒは左右対称の構成であるため、右眼用の光学ユニット１００１Ｒを例として説明する。
【０１２２】
光学ユニット１００１Ｒは、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用された表示部１００Ｒと、集光光学系１００２と、Ｌ字状に折れ曲がった導光体１００３とを備えている。導光体１００３にはハーフミラー層１００４が設けられている。光学ユニット１００１Ｒにおいて、表示部１００Ｒから射出された表示光は、集光光学系１００２によって導光体１００３に入射し、ハーフミラー層１００４で反射して右眼に導かれる。ハーフミラー層１００４に投影された表示光（映像）は虚像である。したがって、使用者は、表示部１００Ｒによる表示（虚像）とハーフミラー層１００４の先にある外界の双方を視認することができる。つまり、ＨＭＤ１０００は、透過型（シースルー型）の投射型表示装置である。
【０１２３】
導光体１００３はロッドレンズを組み合わせたものであって、ロッドインテグレーターを形成している。導光体１００３の光の入射側に、集光光学系１００２と表示部１００Ｒとが配置され、集光光学系１００２により集光された表示光を、上記ロッドレンズが受光する構成となっている。また、導光体１００３のハーフミラー層１００４は、集光光学系１００２で集光され、ロッドレンズ内で全反射して伝達される光束を、右眼に向って反射する角度を有している。
【０１２４】
表示部１００Ｒは、制御部から伝送された表示信号を、文字や映像などの画像情報として表示することができる。表示された画像情報は、集光光学系１００２によって実像から虚像に変換される。
【０１２５】
なお、上述した通り、左眼用の光学ユニット１００１Ｌについても、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用された表示部１００Ｌを有し、構成及び機能は上記右眼用の光学ユニット１００１Ｒと同じである。
【０１２６】
本実施形態によれば、表示部１００Ｌ，１００Ｒとして上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用されているので、見栄えのよい表示を視認可能なシースルー型のＨＭＤ１０００を提供することができる。
【０１２７】
なお、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用されるＨＭＤ１０００は、両眼に対応した一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒを備える構成に限定されず、例えば、片方の光学ユニット１００１Ｒを備える構成であってもよい。また、シースルー型に限定されず、外光を遮光した状態で表示を視認する没入型であってもよい。
【０１２８】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１２９】
（変形例１）光共振構造におけるキャビティ層は、上記実施形態のように屈折率が異なる複数の層からなる絶縁層２８と、膜厚が一定な画素電極３１とを含む構成に限定されない。図２０は変形例の有機ＥＬ装置における発光画素の構成を示す模式断面図である。なお、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００と同じ構成については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。図２０に示すように、変形例の有機ＥＬ装置２００は、異なる発光色が得られる発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを備えた素子基板２１０と、樹脂層６０を介して素子基板２１０に対向配置された透光性の封止基板７０とを備える。素子基板２１０は、基材１０ｓ上において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って共通に形成された反射層１４及び絶縁層２２６と、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに対応して設けられた、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒ及びカラーフィルター５０（フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ）とを備えている。フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは、各有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒを覆う封止層４０上に配置されている。
【０１３０】
有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒのそれぞれは、陽極である画素電極３１と、陰極である対向電極３６との間に挟持された機能層３５を有する。機能層３５は、画素電極３１側から順に積層された正孔注入層３２、有機発光層３３、電子輸送層３４を含み、機能層３５からは白色光が発せられる。白色光は、フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを透過することで、所望の色光に変換されて封止基板７０側から取り出される。
【０１３１】
このような変形例の有機ＥＬ装置２００における光共振構造は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの厚みを異ならせることにより、共振波長（ピーク波長）の光を取り出している。反射層１４と画素電極３１との間の絶縁層２２６は、ＳｉＮあるいはＳｉＯ2を用いて形成することができる。上記実施形態の有機ＥＬ装置１００と同様な共振波長の光を取り出す場合、例えば、ＳｉＮを用いて絶縁層２２６を形成した場合の絶縁層２２６の膜厚の設計値は５０ｎｍ、ＩＴＯを用いて形成した場合の、画素電極３１Ｂの膜厚の設計値は４０ｎｍ、画素電極３１Ｇの膜厚の設計値は８０ｎｍ、画素電極３１Ｒの膜厚の設計値は１２５ｎｍである。このような、有機ＥＬ装置２００においても、発光画素２０Ｒにおいて、絶縁層２２６及び画素電極３１Ｒを含むキャビティ層の分光反射率を測定することで、キャビティ層の光路長ｔｃの変動を例えば画素電極３１Ｒの膜厚の変動あるいは絶縁層２２６の膜厚の変動として求めることができ、これによって機能層３５の正孔注入層３２の膜厚を調整して形成することができる。すなわち、色度ずれが生じ難い有機ＥＬ装置２００を製造することができる。
【０１３２】
（変形例２）発光画素２０Ｇにおける絶縁層２８の構成は、第１絶縁層２５及び第２絶縁層２６に加えて第４絶縁層２７ｂを有する構成であることに限定されない。例えば、第４絶縁層２７ｂに替えて第３絶縁層２７ａを有する構成としてもよい。すなわち、第３絶縁層２７ａを発光画素２０Ｇ，２０Ｒに亘って形成し、第４絶縁層２７ｂを発光画素２０Ｒに対応して形成する構成としてもよい。
【０１３３】
（変形例３）キャビティ層の光路長ｔｃの変動に基づいて機能層３５のうち正孔注入層３２の膜厚を調整する方法は、機能層３５から白色光が得られる構成に限定されない。有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒのそれぞれから対応する色光が得られる構成であってもよい。また、カラーフィルター５０を備えていない有機ＥＬ装置にも好適に用いることができる。
【０１３４】
（変形例４）上記実施形態の有機ＥＬ装置１００において、反射層は、電源線１４を用いて構成されることに限定されない。電源線１４とは別に光反射性を有する材料を用いて、電気的に独立した反射層を画素電極３１の下層に設けてもよい。これによれば、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対して反射層を自在に配置することができる。
【０１３５】
（変形例５）上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用される電子機器は、ＨＭＤ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）、携帯型情報端末などの表示部に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１３６】
１４…反射層（電源線）、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…発光画素、２５…第１絶縁層、２６…第２絶縁層、２７ａ…第３絶縁層、２７ｂ…第４絶縁層、２８…絶縁層、３０，３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒ…有機ＥＬ素子，３１，３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ…陽極としての画素電極、３２…正孔注入層、３３…有機発光層、３４…電子輸送層、３５…機能層、３６…陰極としての対向電極、１００…電気光学装置としての有機ＥＬ装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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