(57)【要約】【課題】単一のチャンバにおいて複数の物質層が積層された保護膜を蒸着する保護膜の蒸着装置及び保護膜の蒸着方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る保護膜の蒸着装置は、基板を支持する基板支持台と、基板を横切る第１の軸の方向に並ぶように配置される線形蒸着源を有し、基板の上に保護膜を蒸着する線形蒸着モジュール部と、線形蒸着モジュール部に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを選択的に且つ交互に供給するガス供給部と、第１の軸の方向と交差する第２の軸の方向に基板支持台又は線形蒸着モジュール部を移動させる駆動部とを備えている。保護膜は、第１の蒸着ガスにより蒸着される第１の物質層と、第２の蒸着ガスにより蒸着される第２の物質層とが積層されて形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持する基板支持台と、
前記基板を横切る第１の軸の方向に並ぶように配置される線形蒸着源を有し、前記基板の上に保護膜を蒸着する線形蒸着モジュール部と、
前記線形蒸着モジュール部に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを選択的に且つ交互に供給するガス供給部と、
前記第１の軸の方向と交差する第２の軸の方向に前記基板支持台又は前記線形蒸着モジュール部を移動させる駆動部と、
を備え、
前記保護膜は、前記第１の蒸着ガスにより蒸着される第１の物質層と、前記第２の蒸着ガスにより蒸着される第２の物質層とが積層されて形成される保護膜の蒸着装置。
【請求項２】
前記第１の物質層及び前記第２の物質層のうちのいずれか一方はバッファ膜であり、他方はバリア膜であり、
前記バッファ膜はＣＨ基を含む請求項１に記載の保護膜の蒸着装置。
【請求項３】
前記バッファ膜を形成する前記第１の蒸着ガス又は前記第２の蒸着ガスは、有機ケイ素化合物を含み、プラズマにより活性化される請求項２に記載の保護膜の蒸着装置。
【請求項４】
前記バッファ膜を形成する前記第１の蒸着ガス又は前記第２の蒸着ガスは、水素化ケイ素ガス及び炭化水素ガスを含み、プラズマにより活性化される請求項２に記載の保護膜の蒸着装置。
【請求項５】
前記第１の物質層は酸化物層であり、前記第２の物質層は窒化物層である請求項１に記載の保護膜の蒸着装置。
【請求項６】
前記第１の蒸着ガスは第１のソース物質及び第１の反応物質を含み、
前記第２の蒸着ガスは第２のソース物質及び第２の反応物質を含み、
前記線形蒸着源は、
前記第１のソース物質又は前記第２のソース物質を噴射するソース物質ノズルと、
前記第１の反応物質又は前記第２の反応物質を噴射する反応物質ノズルと、
を備える請求項１に記載の保護膜の蒸着装置。
【請求項７】
前記線形蒸着モジュール部には、前記ソース物質ノズル及び前記反応物質ノズルが交互に配置される請求項６に記載の保護膜の蒸着装置。
【請求項８】
前記線形蒸着モジュール部の両端には、前記反応物質ノズルが配設される請求項７に記載の保護膜の蒸着装置。
【請求項９】
前記線形蒸着源は原子層蒸着（ＡＬＤ）源であり、
前記線形蒸着モジュール部は、前記第１の軸の方向に並ぶように配置される複数の前記線形蒸着源からなる請求項１に記載の保護膜の蒸着装置。
【請求項１０】
基板を横切る第１の軸の方向に並ぶように配置される線形蒸着源を有する線形蒸着モジュール部に第１の物質層を蒸着するための第１の蒸着ガスを供給するステップと、
前記基板又は前記線形蒸着モジュール部を前記第１の軸の方向と交差する第２の軸の方向に移動させながら前記基板の上に前記第１の蒸着ガスを噴射するステップと、
前記線形蒸着モジュール部に第２の物質層を蒸着するための第２の蒸着ガスを供給するステップと、
前記基板又は前記線形蒸着モジュール部を前記第２の軸の方向に移動させながら前記基板の上に前記第２の蒸着ガスを噴射するステップと、
を含む保護膜の蒸着方法。
【請求項１１】
前記線形蒸着モジュール部にパージガスを供給するステップを更に含む請求項１０に記載の保護膜の蒸着方法。
【請求項１２】
前記第１の物質層及び前記第２の物質層のうちのいずれか一方はＣＨ基を含む請求項１０に記載の保護膜の蒸着方法。
【請求項１３】
ＣＨ基を含む物質層を形成する前記第１の蒸着ガス又は前記第２の蒸着ガスは、有機ケイ素化合物を含み、プラズマにより活性化される請求項１２に記載の保護膜の蒸着方法。
【請求項１４】
ＣＨ基を含む物質層を形成する前記第１の蒸着ガス又は前記第２の蒸着ガスは、水素化ケイ素ガス及び炭化水素ガスを含み、プラズマにより活性化される請求項１２に記載の保護膜の蒸着方法。
【請求項１５】
前記第１の物質層は酸化物層であり、前記第２の物質層は窒化物層である請求項１０に記載の保護膜の蒸着方法。
【請求項１６】
前記第１の蒸着ガスは第１のソース物質及び第１の反応物質を含み、
前記第１の蒸着ガスを噴射するステップにおいて、前記第１のソース物質及び前記第１の反応物質をそれぞれ別々に噴射し、
前記第２の蒸着ガスは第２のソース物質及び第２の反応物質を含み、
前記第２の蒸着ガスを噴射するステップにおいて、前記第２のソース物質及び前記第２の反応物質をそれぞれ別々に噴射する請求項１０に記載の保護膜の蒸着方法。
【請求項１７】
前記第１の物質層及び前記第２の物質層は原子層蒸着（ＡＬＤ）法により蒸着され、
前記線形蒸着モジュール部は、前記第１の軸の方向に並ぶように配置される複数の前記線形蒸着源からなる請求項１０に記載の保護膜の蒸着方法。
【請求項１８】
交互に積層される酸化物層及び窒化物層を備え、
前記酸化物層及び前記窒化物層のうちのいずれか一方はＣＨ基を含む保護膜。
【請求項１９】
前記酸化物層はＳｉＯｘ層であり、前記窒化物層はＳｉＮｘ層である請求項１８に記載の保護膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護膜の蒸着装置及び保護膜の蒸着方法に関し、更に詳しくは、単一のチャンバにおいて複数の物質層が積層された保護膜を蒸着する蒸着装置及び該保護膜の蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機太陽電池及び有機薄膜トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ ＴＦＴ）などの有機電子素子は、水分及び酸素に弱いため、素子の保護のための保護膜（又は封止膜）の形成工程が必要である。ここで、有機電子素子用の保護膜には、素子の保護だけではなく、柔軟特性も求められる。
【０００３】
保護膜は、透湿の防止のためのバリア膜及び柔軟性のためのバッファ膜を積層して形成するが、従来には、バリア膜及びバッファ膜の多層構造膜を交互に積層するが故に多数のチャンバにおいて多数枚のマスクを利用して蒸着することを余儀なくされ、その結果、保護膜の蒸着工程が煩雑であり、しかも、蒸着装置の大型化を招いてしまうという問題があった。
【０００４】
また、従来には、保護膜の柔軟性のためにバッファ膜として有機膜を用いたが、有機膜は透湿防止特性が低いが故に膜質が悪く、この有機膜の膜質がバリア膜（又は無機膜）の膜質にも影響を与えてしまい、保護膜の全体的な透湿防止特性を低下させてしまうという問題があった。更に、有機膜は、有機化合物を用いて蒸着するため、該有機化合物は多量の炭素原子（Ｃ）を含有しているが故に、チャンバを汚染させる汚染物質を多量に発生させてしまう。これにより、無機膜及び有機膜を交互に積層する場合、無機膜に炭素原子（Ｃ）などの汚染物質が混ざらないようにするために、無機膜及び有機膜を別々のチャンバにおいて蒸着しなければならず、その結果、保護膜を蒸着する工程時間が長引いてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】大韓民国登録特許公報第１０−０８３２８４７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記従来の技術に鑑みてなされたものであって、その目的は、単一のチャンバにおいて複数の物質層が積層された保護膜を蒸着することができ、酸化物層又は窒化物層にＣＨ基が含まれるようにして、保護膜の透湿防止特性を低下させることなく、柔軟性を確保することができる保護膜の蒸着装置及び保護膜の蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するためになされた本発明の一実施形態に係る保護膜の蒸着装置は、基板を支持する基板支持台と、基板を横切る第１の軸の方向に並ぶように配置される線形蒸着源を有し、基板の上に保護膜を蒸着する線形蒸着モジュール部と、線形蒸着モジュール部に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを選択的に且つ交互に供給するガス供給部と、第１の軸の方向と交差する第２の軸の方向に基板支持台又は線形蒸着モジュール部を移動させる駆動部とを備え、保護膜は、第１の蒸着ガスにより蒸着される第１の物質層と、第２の蒸着ガスにより蒸着される第２の物質層とが積層されて形成されることを特徴とする。
【０００８】
第１の物質層及び第２の物質層のうちのいずれか一方はバッファ膜であり、他方はバリア膜であり、バッファ膜はＣＨ基を含むことが好ましい。
【０００９】
バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、有機ケイ素化合物を含み、プラズマにより活性化されることが好ましい。
【００１０】
バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、水素化ケイ素ガス及び炭化水素ガスを含み、プラズマにより活性化されることが好ましい。
【００１１】
第１の物質層は酸化物層であり、第２の物質層は窒化物層であることが好ましい。
【００１２】
第１の蒸着ガスは第１のソース物質及び第１の反応物質を含み、第２の蒸着ガスは第２のソース物質及び第２の反応物質を含み、線形蒸着源は、第１のソース物質又は第２のソース物質を噴射するソース物質ノズルと、第１の反応物質又は第２の反応物質を噴射する反応物質ノズルとを備えることが好ましい。
【００１３】
線形蒸着モジュール部には、ソース物質ノズル及び反応物質ノズルが交互に配置されることが好ましい。
【００１４】
前記線形蒸着モジュール部の両端には、前記反応物質ノズルが配設されることが好ましい。
【００１５】
線形蒸着源は原子層蒸着（ＡＬＤ）源であり、線形蒸着モジュール部は、第１の軸の方向に並ぶように配置される複数の線形蒸着源からなることが好ましい。
【００１６】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の実施形態に係る保護膜の蒸着方法は、基板を横切る第１の軸の方向に並ぶように配置される線形蒸着源を有する線形蒸着モジュール部に第１の物質層を蒸着するための第１の蒸着ガスを供給するステップと、基板又は線形蒸着モジュール部を第１の軸の方向と交差する第２の軸の方向に移動させながら基板の上に第１の蒸着ガスを噴射するステップと、線形蒸着モジュール部に第２の物質層を蒸着するための第２の蒸着ガスを供給するステップと、基板又は線形蒸着モジュール部を第２の軸の方向に移動させながら基板の上に前記第２の蒸着ガスを噴射するステップとを含むことを特徴とする。
【００１７】
保護膜の蒸着方法は、線形蒸着モジュール部にパージガスを供給するステップを更に含むことが好ましい。
【００１８】
第１の物質層及び第２の物質層のうちのいずれか一方はＣＨ基を含むことが好ましい。
【００１９】
ＣＨ基を含む物質層を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、有機ケイ素化合物を含み、プラズマにより活性化されることが好ましい。
【００２０】
ＣＨ基を含む物質層を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、水素化ケイ素ガス及び炭化水素ガスを含み、プラズマにより活性化されることが好ましい。
【００２１】
第１の物質層は酸化物層であり、第２の物質層は窒化物層であることが好ましい。
【００２２】
第１の蒸着ガスは第１のソース物質及び第１の反応物質を含み、第１の蒸着ガスを噴射するステップにおいて、第１のソース物質及び第１の反応物質をそれぞれ別々に噴射し、第２の蒸着ガスは第２のソース物質及び第２の反応物質を含み、第２の蒸着ガスを噴射するステップにおいて、第２のソース物質及び第２の反応物質をそれぞれ別々に噴射することが好ましい。
【００２３】
第１の物質層及び第２の物質層は原子層蒸着（ＡＬＤ）法により蒸着され、線形蒸着モジュール部は、第１の軸の方向に並ぶように配置される複数の線形蒸着源からなることが好ましい。
【００２４】
上記目的を達成するためになされた本発明の更に他の実施形態に係る保護膜は、交互に積層される酸化物層及び窒化物層を備え、酸化物層及び窒化物層のうちのいずれか一方はＣＨ基を含むことを特徴とする。
【００２５】
酸化物層はＳｉＯｘ層であり、窒化物層はＳｉＮｘ層であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の一実施形態に係る保護膜の蒸着装置は、線形蒸着源を有する線形蒸着モジュール部に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを選択的に且つ交互に供給することにより、単一のチャンバにおいて複数の物質層を蒸着することができる。これにより、容易に保護膜の蒸着工程を行うことができ、蒸着装置の大型化を防ぐことができる。
【００２７】
また、第１の物質層及び第２の物質層を同じ線形蒸着モジュール部を用いて蒸着することにより、基板の上に複数の物質層を均一に蒸着することができる。更に、同じ線形蒸着モジュール部に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを選択的に供給して第１の物質層及び第２の物質層の厚さをそれぞれ調節することができる。なお、酸化物層又は窒化物層にＣＨ基が含まれるようにして、保護膜の透湿防止特性の低下を抑制しながら、保護膜の柔軟性を確保することができる。
【００２８】
更に、線形蒸着源の数を調節して蒸着速度を高めることができ、基板の移動距離を短縮することができる。なお、線形蒸着源が原子層蒸着（ＡＬＤ）源である場合に、線形蒸着モジュール部を複数の線形蒸着源により構成すると、緻密な膜構造が得られて透湿防止効率を高めることができるだけではなく、原子層蒸着源の蒸着速度を補うことができる。
【００２９】
一方、本発明の他の実施形態に係る保護膜の蒸着方法においては、同じ線形蒸着モジュール部を用いて第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを選択的に噴射することにより、基板の上に第１の物質層及び第２の物質層を均一に蒸着することができる。なお、酸化物層又は窒化物層にＣＨ基を含むようにして、柔軟でありながらも透湿防止をより効果的に行える保護膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態に係る保護膜の蒸着装置及びこれを用いて蒸着した保護膜を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る線形蒸着源及び線形蒸着モジュール部を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る保護膜の蒸着方法を示す手順図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態に係る「保護膜の蒸着装置及び保護膜の蒸着方法」について詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施形態に何ら限定されるものではなく、異なる様々な形態に具体化され、単にこれらの実施形態は本発明の開示を完全たるものにし、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。本発明の実施形態に係る保護膜の蒸着装置及び保護膜の蒸着方法について説明するに当たって、同じ構成要素に対しては同じ参照符号を付し、図面は、本発明の実施形態について正確に説明するために大きさが部分的に誇張されていてもよく、図中、同じ参照符号は同じ構成要素を示す。
【００３２】
図１は、本発明の一実施形態による保護膜の蒸着装置及びこれを用いて蒸着した保護膜を示す図であり、図１（ａ）は、保護膜の蒸着装置を示す概略図であり、図１（ｂ）は、保護膜の概略断面図である。
【００３３】
図１を参照すると、本発明の一実施形態による保護膜の蒸着装置は、基板１０を支持する基板支持台１１０と、基板１０を横切る第１の軸の方向１１に並ぶように配置される線形蒸着源１２１を有し、基板１０の上に保護膜２０を蒸着する線形蒸着モジュール部１２０と、線形蒸着モジュール部１２０に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを選択的に且つ交互に供給するガス供給部１３０と、第１の軸の方向１１と交差する第２の軸の方向１２に基板支持台１１０又は線形蒸着モジュール部１２０を移動させる駆動部１４０とを備えている。保護膜２０は、第１の蒸着ガスにより蒸着される第１の物質層２１及び第２の蒸着ガスにより蒸着される第２の物質層２２が積層されて形成されてもよい。
【００３４】
基板支持台１１０には基板１０が支持されてもよく、 基板支持台１１０が直接的に移動して基板１０を移動させるか、又は線形蒸着モジュール部１２０を移動させることにより、基板１０の全体の領域に第１の物質層２１を蒸着するための第１の蒸着ガス及び第２の物質層２２を蒸着するための第２の蒸着ガスが噴射されるようにしてもよい。
【００３５】
線形蒸着モジュール部１２０は、基板１０を横切る第１の軸の方向１１に並ぶように配置される線形蒸着源１２１を備えていてもよく、この構成により、基板１０の上に保護膜２０を蒸着してもよい。ここで、線形蒸着源１２１は、単一又は複数に構成されてもよいが、高い蒸着速度の実現のために線形蒸着源１２１を第１の軸の方向１１に並ぶように複数に構成することが好ましい。線形蒸着モジュール部１２０は、線形蒸着源１２１を介して基板１０の上に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを噴射してもよく、基板１０の蒸着面に対応して配設されてもよい。このとき、線形蒸着モジュール部１２０は、基板１０の上方に配設されて、その下側に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを噴射してもよく、基板１０の下側から上側に向かって第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを噴射してもよい。しかしながら、本発明はこれに何等限定されるものではなく、基板１０の蒸着面に対応して、該基板１０の蒸着面に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスが噴射可能であれば、種々の方法が利用可能である。
【００３６】
また、線形蒸着モジュール部１２０は、基板１０の上に保護膜２０を蒸着してもよい。このとき、線形蒸着モジュール部１２０は、複数の物質層を積層して保護膜２０を形成してもよい。保護膜２０は、第１の蒸着ガスにより蒸着される第１の物質層２１及び第２の蒸着ガスにより蒸着される第２の物質層２２が積層されて形成されてもよい。例えば、線形蒸着モジュール部１２０は、第１の蒸着ガスを所定の時間（又は基板の移動周期）で蒸着した後、蒸着ガスを切り替えて（スイッチング）第２の蒸着ガスを所定の時間で蒸着することにより、多層構造の保護膜２０を蒸着してもよい。
【００３７】
ガス供給部１３０は、線形蒸着モジュール部１２０に第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスを選択的に供給してもよく、これにより、基板１０の上に第１の物質層２１又は第２の物質層２２を選択的に蒸着することができ、第１の物質層２１及び第２の物質層２２の厚さをそれぞれ調節することができる。
【００３８】
更に、ガス供給部１３０は、第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを同じ線形蒸着源１２１に交互に供給してもよく、これにより、第１の物質層２１及び第２の物質層２２を積層して単一のチャンバにおいて多層構造の保護膜２０を形成することができる。
【００３９】
これにより、第１の物質層２１及び第２の物質層２２のうちのいずれか一方の物質層にのみＣＨ基が含まれるようにすることができるため、柔軟ながらも透湿防止特性に優れた保護膜２０を蒸着することができる。このため、同じ線形蒸着源（又は線形蒸着モジュール部）に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを交互に供給するなどして、多層構造の保護膜２０を容易に蒸着することができるので、蒸着装置の大型化を防ぐことができる。
【００４０】
更にまた、ガス供給部１３０は、第１の蒸着ガス供給源１３１と、第２の蒸着ガス供給源１３２と、ガス供給管１３３及びスイッチング部１３４とを備えていてもよい。第１の蒸着ガス供給源１３１は、第１の蒸着ガスを線形蒸着モジュール部１２０に供給してもよく、また、第２の蒸着ガス供給源１３２と分離されて第１の蒸着ガスのみを線形蒸着モジュール部１２０に供給してもよい。第２の蒸着ガス供給源１３２は、第２の蒸着ガスを線形蒸着モジュール部１２０に供給してもよい。このとき、第２の蒸着ガス供給源１３２は、第１の蒸着ガス供給源１３１と分離されて、それぞれ別々に第２の蒸着ガスのみを線形蒸着モジュール部１２０に供給してもよい。ガス供給管１３３は、第１の蒸着ガス供給源１３１及び第２の蒸着ガス供給源１３２と、線形蒸着モジュール部１２０との間に、第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスの移動経路を提供してもよい。スイッチング部１３４は、第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを切り替える役割を果たし、ガス供給管１３３に配設されてもよい。例えば、ガス供給管１３３が第１の蒸着ガス供給源１３１及び第２の蒸着ガス供給源１３２をそれぞれ線形蒸着モジュール部１２０に連結させる場合には、それぞれ弁を設けていずれか一方が開かれると、他方は閉じられるようにしてもよい。なお、ガス供給管１３３に第１の蒸着ガスの移動経路及び第２の蒸着ガスの移動経路の合流点がある場合には、スイッチング部１３４が該合流点に配設されてもよく、また、スイッチング部１３４をスイッチング弁（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｖａｌｖｅ）のタイプに構成して第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスを選択的に供給してもよい。但し、特にこれらに限定されることはない。
【００４１】
一方、ガス供給部１３０は、不活性ガスからなるパージガスを線形蒸着モジュール部１２０に供給するパージガス供給源（図示せず）を更に備えていてもよい。パージガス供給源（図示せず）は、線形蒸着モジュール部１２０にパージガスを供給してもよく、また、第１の蒸着ガスの供給部と第２の蒸着ガスの供給部との間にパージガスを供給して、第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスが混ざらないようにしてもよい。
【００４２】
駆動部１４０は、基板支持台１１０又は線形蒸着モジュール部１２０に連結されて第１の軸の方向１１と交差する第２の軸の方向１２に、基板支持台１１０又は線形蒸着モジュール部１２０を移動させてもよい。ここで、基板支持台１１０又は線形蒸着モジュール部１２０は往復動してもよく、この基板支持台１１０又は線形蒸着モジュール部１２０の往復動（又は移動）により、基板１０の全体の領域に第１の物質層２１及び第２の物質層２２が交互に積層されてもよい。駆動部１４０は、動力を提供する動力源１４１と、該動力源１４１から提供される動力を伝達する動力伝達部１４２と、基板支持台１１０又は線形蒸着モジュール部１２０に固定されて動力伝達部１４２と連結させる連結部１４３とを備えていてもよい。但し、この構成はこれに何等限定されるものではなく、第２の軸の方向１２に基板支持台１１０又は線形蒸着モジュール部１２０を移動（又は往復動）できる構成であればよい。
【００４３】
第１の物質層２１及び第２の物質層２２のうちのいずれか一方はバッファ膜であってもよく、他方はバリア膜であってもよく、バッファ膜はＣＨ基を含んでいてもよい。このとき、第１の物質層２１及び第２の物質層２２が積層されて形成される保護膜２０は、有機電子素子の上に形成される保護膜であってもよい。保護膜２０をバッファ膜及びバリア膜の多層膜に形成する場合には、優れた透湿防止効率を有すると共に、柔軟特性を確保することができる。
【００４４】
バッファ膜はＣＨ基を含んでいてもよく、また、無機膜（例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ）にＣＨ基が添加（又はドーピング）されて形成されてもよい。無機膜にＣＨ基を添加してバッファ膜を形成する場合には、ＣＨ基の添加によりバッファ膜の柔軟性を調節することができ、折り畳み可能なレベルの極柔軟性を確保することもできる。
【００４５】
ここで、ＣＨ基は、バッファ膜（又は無機膜）の透湿防止特性を低下させる虞があり、しかも、バッファ膜の膜質にも影響を及ぼす虞がある。バッファ膜の膜質の低下は、隣り合うバリア膜（又は無機膜）の膜質にも影響を与えて保護膜の全体的な透湿防止特性を低下させてしまう。しかしながら、本発明においては、ＣＨ基を含む物質層（又はバッファ膜）を緻密に蒸着することにより、ＣＨ基を含む物質層（又はバッファ膜）の膜質を改善することができ、これにより、保護膜２０の全体的な透湿防止特性が低下することを防ぐことができる。
【００４６】
一方、第１の物質層２１及び第２の物質層２２は、共にバリア膜であってもよい。このとき、柔軟特性は、バッファ膜を有する保護膜よりも低下する虞がある。透湿防止効率を最大化させることができる。また、本発明においては、第１の物質層２１及び第２の物質層２２の双方を共にバリア膜により形成しても、第１の物質層２１及び第２の物質層２２のそれぞれの厚さを薄肉化させることができるので、第１の物質層２１及び第２の物質層２２の多層膜からなる保護膜２０が柔軟性を有する。
【００４７】
また、第１の物質層２１及び第２の物質層２２に加えて、第３の物質層、第４の物質層などを更に積層して３種類以上の物質層の多層膜に保護膜２０を形成してもよく、第３の蒸着ガス、第４の蒸着ガスなどを用いて実現することができる。
【００４８】
このように、本発明においては、効果的な透湿の防止のために、２種類以上の物質層を多層構造にして用いており、物質層の種類及び数は特に限定されない。なお、２種類以上の物質層を用いるに当たって、１以上の物質層がバリア膜である場合には、保護膜２０としての役割を果たすことができる。
【００４９】
バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、有機ケイ素化合物（Ｏｒｇａｎｏ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）を含んでいてもよく、プラズマにより活性化され得る。ここで、有機ケイ素化合物は、第１の蒸着ガスのうち第１のソース物質であってもよく、第２の蒸着ガスのうち第２のソース物質であってもよい。第１の物質層２１及び第２の物質層２２のうちのいずれか一方にＣＨ基を含むようにしてバッファ膜を形成する方法を用いて、バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスが有機ケイ素化合物を含むようにしてもよい。ここで、有機ケイ素化合物（Ｏｒｇａｎｏ−Ｓｉ）は、ケイ素（Ｓｉ）が窒素（Ｎ）又は水素（Ｈ）などの原子と共に炭素原子（Ｃ）と結合された有機化合物であり、ビスジエチルアミノシラン（Ｂｉｓｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ ｓｉｌａｎｅ；ＢＤＥＡＳ）、ジイソプロピルアミノシラン（Ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｈｙｌａｍｉｎｏ ｓｉｌａｎｅ；ＤＩＰＡＳ）及びビスターシャリブチルアミノシラン（Ｂｉｓｔｅｒｔｉａｒｙｂｕｔｙｌａｍｉｎｏ ｓｉｌａｎｅ；ＢＴＢＡＳ）を含んでいてもよい。バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスが有機ケイ素化合物を含むと、第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスの以外に、ＣＨ基を添加（又はドーピング）するための別途の炭化水素ガスを更に線形蒸着モジュール部１２０に供給しなくてもよい。すなわち、有機ケイ素化合物はＣＨ基を含むので、ＣＨ基を添加するための別途の炭化水素ガスがなくても、ＣＨ基を含むバッファ膜を蒸着することができる。
【００５０】
このとき、バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、該バッファ膜の蒸着のためにプラズマにより活性化され得る。有機ケイ素化合物は、プラズマにより活性化されなくても、含有しているケイ素（Ｓｉ）が酸素原子（Ｏ）と結合され易いので、有機ケイ素化合物のケイ素がプラズマの形成なしに酸素と結合されてシリコン酸化物層（又はＳｉＯｘ層）を形成することができる。特定の条件下では、プラズマの形成なしに有機化合物におけるＣＨ基が酸化物層（又は窒化物層）に含有されることがあるが、ＣＨ基の調節し易さのためには、有機ケイ素化合物を含む第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスをプラズマにより活性化して基板１０の上に噴射してもよい。これにより、ＣＨ基を含む第１の物質層２１又は第２の物質層２２を安定的に蒸着することができる。
【００５１】
また、バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、水素化ケイ素ガス及び炭化水素ガスを含んでいてもよく、プラズマにより活性化してもよい。第１の物質層２１及び第２の物質層２２のうちのいずれか一方にＣＨ基を含むようにしてバッファ膜を形成する他の方法によれば、バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスが水素化ケイ素ガス及び炭化水素ガスを含むようにしてもよい。水素化ケイ素ガスは、無機膜であるシリコン化合物層を形成可能なガスである。炭化水素ガスは、無機膜であるシリコン化合物層にＣＨ基を添加（又はドーピング）するガスであり、水素化ケイ素ガス及び炭化水素ガスによりＣＨ基を含む第１の物質層２１又は第２の物質層２２を蒸着することができ、さらに、透湿防止特性に優れた無機膜にＣＨ基を添加（又はドーピング）して柔軟性を持たせることにより、バッファ膜を容易に形成することができる。水素化ケイ素ガスとしては、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）又はトリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）などを含んでいてもよい。また、炭化水素ガスは、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、シクロプロパン（Ｃ３Ｈ６）及びイソブタン（Ｃ４Ｈ１０）などが挙げられる。
【００５２】
このときにも、バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、バッファ膜の蒸着のためにプラズマにより活性化され得る。バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスをプラズマにより活性化すると、水素化ケイ素ガスからシリコンが分離され易く、基板１０の上にシリコン化合物層（又は物質層）が均一に蒸着され、ＣＨ基の吸着力が改善されて、ＣＨ基を含む第１の物質層２１又は第２の物質層２２が緻密に蒸着される。これにより、ＣＨ基を含む第１の物質層２１又は第２の物質層２２の膜質が隣り合う他の物質層の膜質に影響を及ぼさないので、透湿防止特性に優れた保護膜２０を形成することができる。
【００５３】
一方、バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスとして、水素化ケイ素ガス及び有機ケイ素化合物を含む蒸着ガスを用いてもよい。この場合、水素化ケイ素ガスの供給及び未供給に応じて、ＣＨ基を含むバッファ膜とＣＨ基を含まないバリア膜との多層膜を蒸着してもよい。例えば、有機ケイ素化合物のみを供給してＳｉＯｘ層を形成し、水素化ケイ素ガス及び有機ケイ素化合物の双方を供給してＣＨ基を含むＳｉＮｘ層を形成してもよい。逆に、有機ケイ素化合物だけでＳｉＮｘ層を形成し、水素化ケイ素ガス及び有機ケイ素化合物を用いてＣＨ基を含むＳｉＯｘ層を形成してもよい。なお、バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスとして、水素化ケイ素ガス、有機ケイ素化合物及び炭化水素ガスを含む蒸着ガスを用いてもよい。この場合、有機ケイ素化合物が足りないシリコン（Ｓｉ）を補うか、又は足りないＣＨ基を補う。
【００５４】
また、バリア膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、有機ケイ素化合物又は水素化ケイ素ガスを含んでいてもよく、有機ケイ素化合物を含むガス又は水素化ケイ素ガスを含むガスを用いて無機膜であるシリコン化合物層を蒸着することにより、透湿防止特性に優れたバリア膜を蒸着することができる。
【００５５】
第１の物質層２１は酸化物層であり、第２の物質層２２は窒化物層とすることができる。ここで、酸化物層及び窒化物層は緻密であるため、透湿防止特性に優れており、ここにＣＨ基を添加すれば柔軟性をも確保することができ、バッファ膜を容易に形成することができる。このようなバッファ膜により、柔軟でありながらも透湿防止効果に優れた保護膜２０を形成することができる。
【００５６】
酸化物層は、酸素原子の良好な反応性により、基板１０の上に優れた結合力で蒸着可能であり、酸素原子の良好な反応性により原子層蒸着（ＡＬＤ）が効率良く行われる。また、酸化物層は、原子層蒸着（ＡＬＤ）により酸化物層の膜の構造が緻密化されて透湿防止特性が向上する。これにより、最初に蒸着される物質層が基板１０の上に蒸着され易いように、第１の物質層２１を酸化物層として蒸着してもよい。なお、酸化物層を形成するには、酸素原子（Ｏ）を含むガス（例えば、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ）などを用いてもよい。
【００５７】
窒化物層は疎水性であるため高い透湿防止効率を有し、その結果、第２の物質層２２として窒化物層を蒸着する場合に、保護膜２０の透湿防止特性を向上させる上で有効である。なお、窒化物層を形成するには、窒素原子（Ｎ）を含むガス（例えば、ＮＨ３、Ｎ２など）を用いてもよい。
【００５８】
例えば、第１の物質層２１はＳｉＯｘ層であってもよく、第２の物質層２２はＳｉＮｘ層であってもよい。ＳｉＯｘ層（シリコン酸化物層）はシリコン（Ｓｉ）が酸素原子（Ｏ）と結合され易いので、シリコン原子（Ｓｉ）をプラズマにより活性化しなくても第１の物質層２１を蒸着することができ、シリコン及び酸素間の高い結合力により、原子層蒸着（ＡＬＤ）が効率良く行われる。
【００５９】
ＳｉＮｘ層（シリコン窒化物層）は疎水性であるため高い透湿防止効率を有し、その結果、第２の物質層２２としてＳｉＮｘ層を蒸着する場合は、保護膜２０の透湿防止特性を向上する上で有効である。
【００６０】
ＳｉＯｘ層は緻密な膜構造を有するので透湿防止特性に優れており、一方、ＳｉＮｘ層は疎水性であるため非常に高い透湿防止効率を有する。その結果、ＳｉＯｘ層及びＳｉＮｘ層の多層構造により保護膜２０を形成する場合は、保護膜２０の透湿防止がなお一層効率良く行われる。
【００６１】
また、ＳｉＯｘ層にＣＨ基が含まれる場合には、ＳｉＯｘ層の酸素がＣＨ基と結合され易いのでバッファ膜の膜質に優れている。その上、ＳｉＮｘ層の高い透湿防止効率により保護膜２０の透湿防止特性にも優れている。これにより、ＣＨ基を含むＳｉＯｘ層は、非常に優れた透湿防止効率を有すると共に、極柔軟性を確保可能な保護膜２０を提供することができる。従って、ＳｉＯｘ層にはＣＨ基が含まれることが最も好ましい。一方、本発明においては、ＳｉＮｘ層にＣＨ基が含まれる場合であっても、ＳｉＮｘ層を緻密に蒸着することができる。その結果、バッファ膜が優れた膜質を有し、ＳｉＯｘ層もシリコン及び酸素間の高い結合力により緻密でありながらも優れた膜質を有する。
【００６２】
図２は、本発明の一実施形態に係る線形蒸着源及び線形蒸着モジュール部を示す断面図であって、図２（ａ）は、線形蒸着源を示す断面図であり、図２（ｂ）は、線形蒸着モジュール部を示す断面図である。
【００６３】
図２を参照すると、線形蒸着源１２１は、ソース物質ノズル１２１ａ及び反応物質ノズル１２１ｂを備えていてもよい。この場合、ソース物質ノズル１２１ａ及び反応物質ノズル１２１ｂは、第１の軸の方向１１に並ぶように配置されてもよい。第１の蒸着ガスは第１のソース物質及び第１の反応物質を含んでいてもよく、第２の蒸着ガスは第２のソース物質及び第２の反応物質を含んでいてもよい。また、ソース物質ノズル１２１ａには、供給順序に従って第１のソース物質又は第２のソース物質が供給されてもよい。反応物質ノズル１２１ｂには、供給順序に従って第１の反応物質又は第２の反応物質が供給されてもよい。このとき、第１のソース物質は、第１のソース物質供給源１３１ａからソース物質ガス供給管１３３ａを介してソース物質ノズル１２１ａに供給され、第１の反応物質は、第１の反応物質供給源１３１ｂから反応物質ガス供給管１３３ｂを介して反応物質ノズル１２１ｂに供給されてもよい。また、第２のソース物質は、第２のソース物質供給源１３２ａからソース物質ガス供給管１３３ａを介してソース物質ノズル１２１ａに供給され、第２の反応物質は、第２の反応物質供給源１３２ｂから反応物質ガス供給管１３３ｂを介して反応物質ノズル１２１ｂに供給されてもよい。スイッチング部１３４は、第１のソース物質及び第２のソース物質を切り換えるソース物質スイッチング部１３４ａと、第１の反応物質及び第２の反応物質を切り換える反応物質スイッチング部１３４ｂとにより構成されてもよい。この構成により、ソース物質ノズル１２１ａは、第１のソース物質又は第２のソース物質を基板１０の上に噴射することができる。一方、反応物質ノズル１２１ｂは、第１の反応物質又は第２の反応物質を基板１０の上に噴射することができる。これにより、各ソース物質及び各反応物質を基板１０の上にそれぞれ別々に噴射することができる。
【００６４】
ここで、第１の物質層２１は、第１のソース物質及び第１の反応物質により形成される。この第１のソース物質及び第１の反応物質がソース物質ノズル１２１ａ及び反応物質ノズル１２１ｂを介して気相反応することなく、この順にそれぞれ基板１０の上に達して、該基板１０の上においてのみ反応することにより、基板１０の上に蒸着される。また、第２の物質層２２は、第２のソース物質及び第２の反応物質により形成される。この第２のソース物質及び第２の反応物質がソース物質ノズル１２１ａ及び反応物質ノズル１２１ｂを介して気相反応することなく、この順にそれぞれ基板１０の上に達して、該基板１０の上においてのみ反応することにより、基板１０の上に蒸着される。
【００６５】
このような蒸着方式により、各ソース物質及び各反応物質をそれぞれ別々に噴射すると、ソース物質及び反応物質を同時に供給する場合よりも緻密な膜構造を得ることができる。これにより、バッファ膜の役割を果たすＣＨ基を含む第１の物質層２１又は第２の物質層２２が良好な膜質を有し、バリア膜の役割を果たすＣＨ基が含まれていない残りの物質層は緻密な膜構造により透湿防止特性が向上する。
【００６６】
一方、隣り合うノズル（例えば、ソース物質ノズル及び反応物質ノズル、反応物質ノズル及び反応物質ノズル）の間の空間ごとにポンピング手段（図示せず）が配置されてもよく、ポンピング手段を介して蒸着に寄与しない余剰のガス物質及び蒸着副産物を排気することができる。
【００６７】
線形蒸着モジュール部１２０には、ソース物質ノズル１２１ａ及び反応物質ノズル１２１ｂが交互に配置されてもよい。ソース物質ノズル１２１ａ及び反応物質ノズル１２１ｂが交互に配置されると、物質層を形成する反応割合（例えば、化学量論）に合わせてソース物質ノズル１２１ａ及び反応物質ノズル１２１ｂを構成して、緻密でありながらも優れた膜質を得ることができる。なお、ソース物質ノズル１２１ａ又は反応物質ノズル１２１ｂが重なり合わないので不要な空間を無くすことができ、これにより、線形蒸着モジュール部１２０の第２の軸の方向１２の長さを短縮することができるので、蒸着装置（又は蒸着チャンバー）のサイズを小さくすることができる。
【００６８】
また、線形蒸着モジュール部１２０の両端には、反応物質ノズル１２１ｂが配設されてもよい。ソース物質ノズル１２１ａが線形蒸着モジュール部１２０の最外郭に配設されると、基板１０の外郭部分に噴射されるソース物質のうちの一部が、膜の蒸着反応に取り込まれずに飛散されて蒸着チャンバを汚染するという問題が生じる。特に、ソース物質として有機ケイ素化合物（例えば、ＢＤＥＡＳ）を用いる場合には、該有機ケイ素化合物が多量のＣＨ基を含有しているため、更に多くの汚染物質が発生する。しかしながら、本発明においては、線形蒸着モジュール部１２０の両端に反応物質ノズル１２１ｂが配設されるので、反応物質がソース物質の両側から供給されてソース物質と反応物質とが反応し易く、膜を安定的に蒸着することができる。それだけではなく、ソース物質ノズル１２１ａが線形蒸着モジュール部１２０の最外郭に配設されないため、ソース物質のうちの一部が膜の蒸着に取り込まれずに飛散されることをも防ぐこともできる。その結果、膜の蒸着に取り込まれずに飛散されるソース物質のうちの一部が蒸着チャンバを汚染させるという問題を解消することができる。
【００６９】
更に、線形蒸着モジュール部１２０の両端に反応物質ノズル１２１ｂが配設されると、物質層が基板１０の上に蒸着され易い。例えば、第１の反応物質は酸素原子（Ｏ）を含んでいてもよいが、酸素原子は反応性が良好であるため、酸素層（又は第１の反応物質層）が基板１０の上に蒸着され易いだけではなく、酸素層（又は第１の反応物質層）の上に第１のソース物質層（例えば、シリコン化合物層）が蒸着され易いので、基板１０の上に効果的に第１の物質層２１を形成することができる。なお、第１のソース物質層が形成された後にも、良好な反応性を有する酸素原子を含む第１の反応物質を噴射すると、次回のソース物質ノズル１２１ａから噴射される第１のソース物質と反応され易いだけではなく、蒸着ガスが切り換えられた場合に、第２の反応物質とも反応され易くなる。このため、酸素層（又は第１の反応物質層）の上に第２の反応物質層が形成されることにより、第１の物質層２１の上に第２の物質層２２が形成され易くなる。
【００７０】
更にまた、第１の反応物質層の上に第２の反応物質が噴射されることにより、第１の反応物質と第２の反応物質との間の反応が効果的に行われる。このため、第１の反応物質層と第２の反応物質層との間の結合力が良好であり、これにより、第１の物質層２１及び第２の物質層２２間の結合力も良好になる。その結果、第１の物質層２１及び第２の物質層２２は隣り合う物質層にＣＨ基が含まれても緻密な膜構造を維持することができる。これにより、保護膜２０の全体的な透湿防止特性が低下されることを防ぐことができる。
【００７１】
ここで、第１のソース物質としては、プラズマにより活性化しなくても、酸素原子に吸着され易い化学的な物質（例えば、有機ケイ素化合物）を用いてもよい。この場合、第１のソース物質は、初期の蒸着に当たって基板１０の上に酸素原子がなければ基板１０に吸着され難い虞がある。これに対し、第１の反応物質として使用可能な酸素は、プラズマを用いて酸素ラジカルの状態で供給すると、酸化され難い貴金属（例えば、金、白金など）と同じ性質の物質を除いては、基板１０に吸着され易い。このため、まず、酸素原子を含む第１の反応物質を基板１０の表面に吸着させた後に第１のソース物質を噴射すると、第１の反応物質がなす第１の反応物質層にシリコンなどの第１のソース物質が吸着され易い。これにより、第１のソース物質としてプラズマを用いなくても、酸素原子に吸着され易い化学的な物質を用いることができる。
【００７２】
化学的な物質は、有機ケイ素化合物（例えば、ＢＤＥＡＳ）であってもよいが、有機ケイ素化合物の特徴として、基板１０又は第２の物質層２２を損傷させる過度な反応性種又はイオンを生成することなく、第１の物質層（例えば、シリコン酸化物層又はＳｉＯｘ層）を蒸着することができるということが挙げられる。有機ケイ素化合物は、第１の物質層２１の蒸着工程中に、直接的に又は遠隔プラズマの形成を必要とせずに、相対的に低い温度においても酸素原子（Ｏ）が露出されている膜の表面に吸着反応して、第１の物質層２１を蒸着することができる。ＢＤＥＡＳを例にとって説明すると、下記の通りである。
【００７３】
ＢＤＥＡＳ及び酸素が反応（又は吸着反応）して一酸化ケイ素（ＳｉＯ）又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が生成され、ＢＤＥＡＳはプラズマを用いて活性化しなくてもケイ素（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）が反応し易い。常温において液体として存在するＢＤＥＡＳは、様々な方法によりソース物質ノズル１２１ａに供給される。ある任意の方法によれば、キャリアガスを用いてＢＤＥＡＳを蒸気状態で供給することができる。キャリアガスとしては、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス又は窒素（Ｎ２）ガスが挙げられる。一方、ＢＤＥＡＳをプラズマにより活性化すると、ＣＨ基が第１の物質層２１に含まれる。
【００７４】
このように、第１のソース物質が有機ケイ素化合物を含むと、第１のソース物質をプラズマにより活性化しなくても緻密な膜構造を有する第１の物質層２１を形成することができる。第２のソース物質としても有機ケイ素化合物を用いると、プラズマをオン／オフにする方法を用いて、バッファ膜及びバリア膜を容易に形成することができる。このため、バッファ膜にＣＨ基を含めるために酸化物層又は窒化物層を形成するガスに加えて別途の炭化水素ガスを用いなくてもよい。従って、基板１０の上に最初に蒸着される第１の物質層２１がＳｉＯｘ層であり、第２の物質層２２にＣＨ基が含まれるようにすることが好ましい。
【００７５】
その上、線形蒸着モジュール部１２０の両端に反応物質ノズル１２１ｂが配設されると、第２のソース物質が第１の物質層２１と反応することを防ぐことができ、第１のソース物質が第２の物質層２２と反応することを防ぐことができる。これにより、第１の物質層２１及び第２の物質層２２の膜質が良好であり、有機電子素子などに優れた膜質を有する保護膜２０を提供することができる。このため、炭化水素ガスは、ソース物質ノズル１２１ａ又は反応物質ノズル１２１ｂのうちのいずれを介して噴射しても構わないが、炭化水素ガスのＣＨ基が隣り合う他の物質層に影響を及ぼさないように、ソース物質ノズル１２１ａを介して噴射することが好ましい。
【００７６】
線形蒸着源１２１は、原子層蒸着（ＡＬＤ）源であってもよく、線形蒸着モジュール部１２０は、第１の軸の方向１１に並ぶように配置される複数の線形蒸着源１２１により構成されてもよい。原子層蒸着（ＡＬＤ）源は、物質層蒸着に必要な元素を交互に供給して基板１０の上に一つの原子層ずつ吸着されるようにする蒸着源であり、一つの原子ずつ原子層単位で物質層を蒸着することにより、緻密であり、しかも、優れた均一度を有する物質層を蒸着することができる。このため、ＣＨ基が物質層に含まれても、物質層の膜質が低下せず、物質層の膜質の低下により、隣り合う物質層の膜質にも影響が与えられて保護膜２０の全体的な透湿防止特性が低下するという問題を解消することができる。
【００７７】
このとき、線形蒸着モジュール部１２０は、第１の軸の方向１１に並ぶように配置される複数の線形蒸着源１２１により構成されてもよい。原子層蒸着（ＡＬＤ）源は物質層を原子層単位で蒸着するが故に蒸着速度が遅いため、高い蒸着速度の実現のために複数の線形蒸着源１２１からなる線形蒸着モジュール部１２０を用いて物質層を蒸着することができる。これにより、物質層の蒸着速度を高めて緻密な膜構造を有しながらも優れた膜質を有する物質層を相対的に短い時間内に蒸着することができる。
【００７８】
一方、線形蒸着モジュール部１２０は、第２の軸の方向１２の長さが基板１０の第２の軸の方向１２の長さよりも長くてもよい。線形蒸着モジュール部１２０の第２の軸の方向１２の長さが基板１０の第２の軸の方向１２の長さよりも長くなると、基板１０を線形蒸着モジュール部１２０の第２の軸の方向１２の長さ内において往復動させて、基板１０の全面に均一な物質層を蒸着することができる。これにより、基板１０の全面を走査するために基板１０が線形蒸着モジュール部１２０と対向する区間を逸脱する別途の走査空間が不要となる。これにより、線形蒸着モジュール部１２０の第２の軸の方向１２の長さが基板１０の第２の軸の方向１２の長さよりも短いか又はそれと等しいときよりも、蒸着装置（又は蒸着チャンバ）の長さが長くなることなく、物質層の蒸着速度を最大限に高めることができる。このため、物質層の蒸着速度の向上及び蒸着装置の大型化の防止を両立させることができ、該蒸着装置のフットプリントを低減することができる。これにより、装置の製作コストを節減することができ、クリーンルームの空間を軽便に確保することができる。
【００７９】
このように、本発明に係る保護膜の蒸着装置は、線形蒸着源１２１を有する線形蒸着モジュール部１２０に、第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを選択的に且つ交互に供給することにより、単一のチャンバにおいて複数の物質層を蒸着することができる。なお、第１の物質層２１及び第２の物質層２２のうちのいずれか一方の物質層にのみＣＨ基を含むようにし、第１の物質層２１及び第２の物質層２２のうちＣＨ基を含む物質層を緻密に蒸着することにより、保護膜の透湿防止特性を改善することができる。
【００８０】
より具体的に説明すると、ソース物質及び反応物質がそれぞれ別々に噴射されて蒸着されることにより、それぞれのソース物質層及び反応物質層が緻密に蒸着され、ＣＨ基がソース物質（例えば、シリコン）と反応することにより、ＣＨ基を含む物質層が緻密な膜構造を形成することができる。このとき、反応物質が酸素を含むと、ＣＨ基と反応物質層（又は酸素層）との間の吸着力も改善されて更に優れた膜質を得られる。また、本発明においては、第１の反応物質層の上に第２の反応物質が噴射されることにより、第１の反応物質及び第２の反応物質間の反応が効果的に起きて第１の反応物質層及び第２の反応物質層間の結合力が良好となる。これにより、第１の物質層２１及び第２の物質層２２間の結合力も良好となる。その結果、第１の物質層２１及び第２の物質層２２は、隣り合う物質層にＣＨ基が含まれても緻密な膜構造を維持することができ、これにより、保護膜２０の全体的な透湿防止特性が低下されることを防ぐことができる。
【００８１】
従って、本発明においては、第１の物質層２１又は第２の物質層２２にＣＨ基を添加（又はドーピング）して、柔軟でありながらも透湿防止特性に優れた保護膜２０を提供することができる。
【００８２】
図３は、本発明の他の実施形態に係る保護膜の蒸着方法を示す手順図である。
【００８３】
図３を参照して本発明の他の実施形態に係る保護膜の蒸着方法についてより詳細に説明する。なお、本発明の一実施形態に係る保護膜の蒸着装置と関連して上述した部分と重複する事項についての説明は省略する。
【００８４】
本発明の他の実施形態に係る保護膜の蒸着方法は、基板を横切る第１の軸の方向に並ぶように配置される線形蒸着源を有する線形蒸着モジュール部に第１の物質層を蒸着するための第１の蒸着ガスを供給するステップ（Ｓ１００）と、基板又は線形蒸着モジュール部を第１の軸の方向と交差する第２の軸の方向に移動させながら基板の上に第１の蒸着ガスを噴射するステップ（Ｓ２００）と、線形蒸着モジュール部に第２の物質層を蒸着するための第２の蒸着ガスを供給するステップ（Ｓ３００）と、基板又は線形蒸着モジュール部を第２の軸の方向に移動させながら基板の上に第２の蒸着ガスを噴射するステップ（Ｓ４００）とを含んでいてもよい。
【００８５】
まず、線形蒸着モジュール部に第１の蒸着ガスを供給する（Ｓ１００）。ここで、第１の蒸着ガスとは、順序的に先に供給される蒸着ガスのことをいい、その種類は特に問われない。
【００８６】
次に、基板又は線形蒸着モジュール部を移動させながら基板の上に第１の蒸着ガスを噴射する（Ｓ２００）。第１の蒸着ガスは基板の上に噴射されて基板の上において反応することにより、第１の物質層を形成することができる。
【００８７】
次に、線形蒸着モジュール部に第２の蒸着ガスを供給する（Ｓ３００）。ここで、第２の蒸着ガスとは、順序的に後で供給される蒸着ガスのことをいい、その種類は特に問われず、第２の蒸着ガスは、第１の蒸着ガスが供給されていた線形蒸着源に供給される。
【００８８】
次に、基板又は線形蒸着モジュール部を移動させながら基板の上に第２の蒸着ガスを噴射する（Ｓ４００）。第２の蒸着ガスは、基板の上に噴射されて第１の物質層の上において反応することにより、第２の物質層を形成することができる。
【００８９】
ステップ（Ｓ１００）からステップ（Ｓ４００）は繰り返し行われてもよい。第１の物質層及び第２の物質層が交互に積層されて保護膜を形成してもよい。
【００９０】
本発明の保護膜の蒸着方法は、線形蒸着モジュール部にパージガスを供給するステップ（Ｓ２５０、Ｓ４５０）を更に含んでいてもよい。ここで、パージガスは、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスであってもよい。ステップ（Ｓ２００）後（又は第１の物質層を形成した後）に線形蒸着モジュール部にパージガスを供給して線形蒸着モジュール部に残留する第１の蒸着ガスを除去することにより、第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスが混ざらないようにすることができ、第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガス間の反応を防ぐこともできる。なお、ステップ（Ｓ４００）後（又は第２の物質層を形成した後）にも線形蒸着モジュール部にパージガスを供給して、線形蒸着モジュール部に残留する第２の蒸着ガスを除去することにより、第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスが混ざらないようにすることができ、第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガス間の反応を防ぐこともできる。
【００９１】
第１の物質層及び第２の物質層のうちのいずれか一方は、ＣＨ基を含んでいてもよい。第１の物質層及び第２の物質層のうちのいずれか一方はバッファ膜であってもよく、その
他方はバリア膜であってもよい。また、バッファ膜はＣＨ基を含んでいてもよい。このとき、第１の物質層及び第２の物質層が積層されて形成される保護膜は、有機電子素子の上に形成される保護膜であってもよい。保護膜をバッファ膜及びバリア膜の多層膜に形成する場合には、優れた透湿防止効率を有すると共に、柔軟特性を確保することができる。
【００９２】
バッファ膜の役割を果たす物質層は、ＣＨ基を含んでいてもよく、無機膜（例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ）にＣＨ基が添加（又はドーピング）されていてもよい。無機膜にＣＨ基を添加してバッファ膜を形成する場合には、該ＣＨ基の添加によりバッファ膜の柔軟性を調節することができ、折り畳み可能なレベルの極柔軟性を確保することもできる。
【００９３】
ＣＨ基を含む物質層を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、有機ケイ素化合物を含んでいてもよく、また、プラズマにより活性化してもよい。ここで、有機ケイ素化合物は、第１の蒸着ガスのうちの第１のソース物質であってもよく、第２の蒸着ガスのうちの第２のソース物質であってもよい。第１の物質層及び第２の物質層のうちのいずれか一方にＣＨ基を含むようにする方法として、ＣＨ基を含む物質層を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスが、有機ケイ素化合物を含むようにする方法が挙げられる。ここで、有機ケイ素化合物は、ケイ素が窒素若しくは水素などの原子と共に炭素原子と結合された有機化合物であり、ＢＤＥＡＳ、ＤＩＰＡＳ及びＢＴＢＡＳを含んでいてもよい。ＣＨ基を含む物質層を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスが有機ケイ素化合物を含むと、第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスに加えて、ＣＨ基を添加するための別途の炭化水素ガスを更に線形蒸着モジュール部に供給しなくてもよい。有機ケイ素化合物はＣＨ基を含むので、ＣＨ基を添加するための別途の炭化水素ガスがなくても、バッファ膜を形成するためのＣＨ基を含む物質層を蒸着することができる。
【００９４】
このとき、ＣＨ基を含む物質層を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、ＣＨ基を含むようにするために、プラズマにより活性化してもよい。有機ケイ素化合物は、プラズマにより活性化しなくても、含有しているケイ素が酸素原子と結合され易いので、有機ケイ素化合物のケイ素がプラズマの形成がなくても、酸素と結合されてシリコン酸化物層（又はＳｉＯｘ層）を形成することができる。特定の条件下では、有機ケイ素化合物においてプラズマの形成がなくても、ＣＨ基が酸化物層又は窒化物層に含有される場合がある。但し、ＣＨ基をより簡便に調節するには、有機ケイ素化合物を含む第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスをプラズマにより活性化して基板の上に噴射してもよい。これにより、ＣＨ基を含む第１の物質層又は第２の物質層を安定的に蒸着することができる。
【００９５】
ＣＨ基を含む物質層を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、水素化ケイ素ガス及び炭化水素ガスを含んでいてもよく、また、プラズマにより活性化され得る。第１の物質層及び第２の物質層のうちのいずれか一方にＣＨ基を含むようにする他の方法によれば、ＣＨ基を含む物質層を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスが、水素化ケイ素ガス及び炭化水素ガスを含むようにしてもよい。水素化ケイ素ガスは、無機膜であるシリコン化合物層を形成可能なガスであり、炭化水素ガスは、無機膜であるシリコン化合物層にＣＨ基を添加（又はドーピング）するガスである。これら水素化ケイ素ガス及び炭化水素ガスにより、ＣＨ基を含む第１の物質層又は第２の物質層を蒸着することができ、透湿防止特性に優れた無機膜にＣＨ基を添加（又はドーピング）して柔軟性を持たせることにより、バッファ膜を容易に形成することができる。水素化ケイ素ガスとしては、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）及びトリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）などが挙げられ、炭化水素ガスとしては、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、シクロプロパン（Ｃ３Ｈ６）及びイソブタン（Ｃ４Ｈ１０）などが挙げられる。
【００９６】
このときにも、バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスは、バッファ膜の蒸着のためにプラズマにより活性化され得る。バッファ膜を形成する第１の蒸着ガス又は第２の蒸着ガスをプラズマにより活性化すると、水素化ケイ素ガスからシリコンが分離され易く、基板の上にシリコン化合物層（又は物質層）が蒸着され易く、ＣＨ基の吸着力が高いので、ＣＨ基を含む第１の物質層又は第２の物質層を緻密に蒸着することができる。これにより、透湿防止特性として優れたバッファ膜を形成することができる。
【００９７】
第１の物質層は酸化物層であってもよく、第２の物質層は窒化物層であってもよい。なお、酸化物層及び窒化物層は緻密であるため透湿防止特性に優れており、ここにＣＨ基を添加すると、柔軟性をも確保することができ、バッファ膜を容易に形成することができる。このようなバッファ膜により、柔軟でありながらも透湿防止を効果的に行える保護膜を形成することができる。酸化物層は、酸素原子の良好な反応性により、基板の上に優れた結合力で蒸着可能であり、酸素原子の良好な反応性により原子層蒸着（ＡＬＤ）が効率良く行われる。また、酸化物層は、原子層蒸着（ＡＬＤ）により酸化物層の膜の構造が緻密化されて透湿防止特性が向上する。これにより、最初に蒸着される物質層が基板の上に優れた結合力で蒸着されるように、第１の物質層を酸化物層で蒸着してもよい。
【００９８】
窒化物層は疎水性であるため高い透湿防止効率を有し、その結果、第２の物質層として窒化物層を蒸着する場合は、保護膜の透湿防止特性を向上させる上で有効である。
【００９９】
例えば、第１の物質層はＳｉＯｘ層であってもよく、第２の物質層はＳｉＮｘ層であってもよい。ＳｉＯｘ層（シリコン酸化物層）は、シリコン（Ｓｉ）が酸素原子（Ｏ）と結合され易いので、シリコン原子（Ｓｉ）をプラズマにより活性化しなくても第１の物質層を蒸着することができる。このため、シリコン及び酸素間の高い結合力により原子層蒸着（ＡＬＤ）を効率良く行うことができる。
【０１００】
ＳｉＮｘ層（シリコン窒化物層）は疎水性であるため高い透湿防止効率を有し、その結果、第２の物質層としてＳｉＮｘ層を蒸着する場合は、保護膜の透湿防止特性を向上させる上で有効である。
【０１０１】
ＳｉＯｘ層は、緻密な膜構造を有することから透湿防止特性に優れており、一方、ＳｉＮｘ層は疎水性であるため非常に高い透湿防止効率を有している。その結果、ＳｉＯｘ層及びＳｉＮｘ層からなる多層構造によって保護膜を形成する場合には、該保護膜の透湿防止がなお一層効率良く行われる。
【０１０２】
また、ＳｉＯｘ層にＣＨ基が含まれる場合には、該ＳｉＯｘ層の酸素がＣＨ基とも結合され易いので、バッファ膜の膜質が良好である。また、ＳｉＮｘ層の高い透湿防止効率により保護膜の透湿防止特性にも優れているので、非常に優れた透湿防止効率を有すると共に極柔軟性を確保可能な保護膜を提供することができる。なお、本発明においては、ＳｉＮｘ層にＣＨ基が含まれる場合であっても、該ＳｉＮｘ層を緻密に蒸着することができるので、バッファ膜が優れた膜質を有する。また、ＳｉＯｘ層においても、シリコン及び酸素間の高い結合力により、緻密でありながらも優れた膜質を有する。
【０１０３】
一方、酸素原子は反応性が良好であるため、酸素原子が基板の上に蒸着され易いだけでなく、酸素原子が吸着（又は蒸着）された酸素層の上には物質層が蒸着され易いので、基板の上に先に蒸着される第１の物質層がＳｉＯｘ層であることが好ましい。
【０１０４】
第１の蒸着ガスは第１のソース物質及び第１の反応物質を含んでいてもよい。この場合、第１の蒸着ガスを噴射するステップにおいては、第１のソース物質及び第１の反応物質をそれぞれ別々に噴射してもよい。第１の物質層は、第１のソース物質及び第１の反応物質により形成可能である。従って、第１のソース物質及び第１の反応物質がソース物質ノズル及び反応物質ノズルを介して噴射され、第１のソース物質及び第１の反応物質が気相反応することなく、この順にそれぞれ基板の上に達し、該基板の上においてのみ反応することにより、第１の物質層が基板の上に蒸着される。
【０１０５】
また、第２の蒸着ガスは第２のソース物質及び第２の反応物質を含んでいてもよい。この場合、第２の蒸着ガスを噴射するステップにおいては、第２のソース物質及び第２の反応物質をそれぞれ別々に噴射してもよい。第２の物質層は、第２のソース物質及び第２の反応物質により形成可能である。従って、第２のソース物質及び第２の反応物質がソース物質ノズル及び反応物質ノズルを介して噴射され、第２のソース物質及び第２の反応物質が気相反応することなく、この順にそれぞれ基板の上に達し、該基板の上においてのみ反応することにより、第２の物質層が基板の上に蒸着される。
【０１０６】
例えば、ソース物質ノズル及び反応物質ノズルが交互に（又は互い違いに）配置されるように線形蒸着モジュール部を構成することにより、ソース物質及び反応物質がそれぞれ別々に基板の上に噴射されるようにしてもよい。
【０１０７】
このような蒸着方式を用いてそれぞれのソース物質及び反応物質をそれぞれ別々に噴射すると、ソース物質及び反応物質を同時に供給する場合よりも緻密な膜構造を得ることができる。これにより、バッファ膜の役割を果たすＣＨ基を含む第１の物質層又は第２の物質層が優れた膜質を有し、バリア膜の役割を果たすＣＨ基を含まない残りの物質層も緻密な膜構造により透湿防止特性が向上する。
【０１０８】
一方、ソース物質又は反応物質を噴射する隣り合うノズルの間の空間ごとにポンピング手段が配置されてもよく、該ポンピング手段を介して蒸着に寄与されない余剰のガス物質及び蒸着副産物を排気することができる。
【０１０９】
第１の物質層及び第２の物質層は、原子層蒸着（ＡＬＤ）法により蒸着されてもよい。また、線形蒸着モジュール部は、第１の軸の方向に並ぶように配置される複数の線形蒸着源により構成されてもよい。原子層蒸着（ＡＬＤ）法は、物質層の蒸着に必要な元素を交互に供給して基板の上に一原子層ずつ吸着されるようにする蒸着法であり、一原子ずつ原子層単位で物質層を蒸着することにより、緻密でありながらも優れた均一度を有する物質層が蒸着される。このため、ＣＨ基が物質層に含まれても物質層の膜質が低下せず、物質層の膜質の低下により隣り合う物質層の膜質にも影響が出て、保護膜の全体的な透湿防止特性が低下するという問題を解消することができる。
【０１１０】
このとき、線形蒸着モジュール部は、第１の軸の方向に並ぶように配置される複数の線形蒸着源により構成されてもよい。線形蒸着源が原子層蒸着（ＡＬＤ）源である場合に、物質層を原子層単位で蒸着するが故に蒸着速度が遅いため、高い蒸着速度の実現のために複数の線形蒸着源からなる線形蒸着モジュール部を用いて物質層を蒸着してもよい。これにより、物質層の蒸着速度を高めて緻密な膜構造を有しながらも、優れた膜質を有する物質層を相対的に短い時間内に蒸着することができる。
【０１１１】
このため、本発明の他の実施形態に係る保護膜の蒸着方法は、同じ線形蒸着モジュール部を用いて第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを選択的に噴射することにより、基板の上に第１の物質層及び第２の物質層を均一に蒸着することができる。なお、第１の物質層及び第２の物質層のうちのいずれか一方の物質層にのみＣＨ基を含むようにして、透湿防止がより効果的に行われる保護膜を形成することができる。
【０１１２】
以下、本発明の更に他の実施形態による保護膜についてより具体的に説明する。ここでは、本発明の実施形態に係る保護膜の蒸着装置及び保護膜の蒸着方法と関連して上述した部分と重複する事項についての説明は省略する。
【０１１３】
本発明の更に他の実施形態に係る保護膜は、交互に積層される酸化物層及び窒化物層を備えていてもよく、酸化物層及び窒化物層のうちのいずれか一方はＣＨ基を含んでいてもよい。酸化物層及び窒化物層のうちのいずれか一方はバッファ膜であってもよく、他方はバリア膜であってもよい。また、バッファ膜はＣＨ基を含んでいてもよい。このとき、酸化物層及び窒化物層が交互に積層されて形成される保護膜は、有機電子素子の上に形成される保護膜であってもよい。保護膜をバッファ膜及びバリア膜の多層膜に形成する場合には、優れた透湿防止効率を有すると共に柔軟特性を確保することができる。
【０１１４】
酸化物層及び窒化物層のうちバッファ膜の役割を果たす物質層はＣＨ基を含んでいてもよく、また、酸化物層、窒化物層などの無機膜（例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ）にＣＨ基が添加（又はドーピング）されていてもよい。無機膜にＣＨ基を添加してバッファ膜を形成する場合には、ＣＨ基の添加によりバッファ膜の柔軟性を調節することができるので、折り畳み可能なレベルの極柔軟性を確保することもできる。
【０１１５】
酸化物層はＳｉＯｘ層であってもよく、窒化物層はＳｉＮｘ層であってもよい。ＳｉＯｘ層（シリコン酸化物層）は、シリコン（Ｓｉ）が酸素原子（Ｏ）と結合され易いので、シリコン原子（Ｓｉ）をプラズマにより活性化しなくても第１の物質層を蒸着することができる。このため、シリコン及び酸素間の高い結合力により原子層蒸着（ＡＬＤ）を効率良く行うことができる。
【０１１６】
ＳｉＮｘ層（シリコン窒化物層）は疎水性であるため高い透湿防止効率を有し、その結果、第２の物質層としてＳｉＮｘ層を蒸着する場合に、保護膜の透湿防止特性を向上させる上で有効である。
【０１１７】
ＳｉＯｘ層は、緻密な膜構造により透湿防止特性に優れており、一方、ＳｉＮｘ層は疎水性であるため非常に高い透湿防止効率を有している。その結果、ＳｉＯｘ層及びＳｉＮｘ層からなる多層構造によって保護膜を形成する場合には、該保護膜の透湿防止がなお一層効率良く行われる。
【０１１８】
また、ＳｉＯｘ層にＣＨ基が含まれる場合には、該ＳｉＯｘ層の酸素がＣＨ基とも結合され易いので、バッファ膜の膜質が良好である。また、ＳｉＮｘ層の高い透湿防止効率により保護膜の透湿防止特性にも優れているので、非常に優れた透湿防止効率を有すると共に極柔軟性を確保可能な保護膜を提供することができる。なお、本発明においては、ＳｉＮｘ層にＣＨ基が含まれる場合であっても、該ＳｉＮｘ層を緻密に蒸着することができるので、バッファ膜が優れた膜質を有する。また、ＳｉＯｘ層においても、シリコン及び酸素間の高い結合力により緻密でありながらも優れた膜質を有する。
【０１１９】
このため、本発明は、非常に優れた透湿防止効率を有すると共に、極柔軟性を確保可能な保護膜を提供することができる。
【０１２０】
このように、本発明においては、線形蒸着源を有する線形蒸着モジュール部に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを選択的に且つ交互に供給することにより、単一のチャンバにおいて複数の物質層を蒸着することができる。これにより、保護膜の蒸着工程を容易に行うことができ、蒸着装置の大型化を防ぐことができる。また、第１の物質層及び第２の物質層を同じ線形蒸着モジュール部を用いて蒸着することにより、基板の上に複数の物質層を均一に蒸着することができる。更に、同じ線形蒸着モジュール部に第１の蒸着ガス及び第２の蒸着ガスを選択的に供給して第１の物質層及び第２の物質層の厚さをそれぞれ別々に調節することができる。更に、第１の物質層及び第２の物質層のうちのいずれか一方の物質層にのみＣＨ基を含むようにし、第１の物質層及び第２の物質層のうちＣＨ基を含む物質層を緻密に蒸着することにより、保護膜の透湿防止特性を改善することができる。加えて、線形蒸着源の数を調節して蒸着速度を高めることができ、基板の移動距離を短縮することができる。なお、線形蒸着源が原子層蒸着（ＡＬＤ）源である場合に、線形蒸着モジュール部を複数の線形蒸着源により構成すると、透湿防止効率を高めることができるだけではなく、原子層蒸着源の蒸着速度を補うことができる。
【０１２１】
以上の説明において使用した「〜上に」は、直接的に接触する場合、及び直接的に接触はしないが、上部又は下部に向かい合うように配設される場合を含み、上部面又は下部面の全体に向かい合うように配設される場合だけではなく、部分的に向かい合うように配設される場合も含み、互いに離れて向かい合うように配設されるか、又は上部面若しくは下部面に直接的に接触するという意味として使用される。従って、「基板の上に」は、基板の表面（例えば、上部面又は下部面）であってもよく、基板の表面に蒸着された膜の表面であってもよい。
【０１２２】
以上、本発明の好適な実施形態について図示及び説明したが、本発明は、上記の実施形態に何等限定されるものではなく、特許請求の範囲において請求する本発明の要旨を逸脱することなく当該本発明が属する分野において通常の知識を有する者であれば、これより様々な変形例及び均等な他の実施形態が採用可能であるということは理解できる筈である。よって、本発明の技術的な保護範囲は下記の特許請求の範囲により定められるべきである。
【符号の説明】
【０１２３】
１０：基板
１１：第１の軸の方向
１２：第２の軸の方向
２０：保護膜
２１：第１の物質層
２２：第２の物質層
１１０：基板支持台
１２０：線形蒸着モジュール部
１２１：線形蒸着源
１２１ａ：ソース物質ノズル
１２１ｂ：反応物質ノズル
１３０：ガス供給部
１３１：第１の蒸着ガス供給源
１３１ａ：第１のソース物質供給源
１３１ｂ：第１の反応物質供給源
１３２：第２の蒸着ガス供給源
１３２ａ：第２のソース物質供給源
１３２ｂ：第２の反応物質供給源
１３３：ガス供給管
１３３ａ：ソース物質ガス供給管
１３３ｂ：反応物質ガス供給管
１３４：スイッチング部
１３４ａ：ソース物質スイッチング部
１３４ｂ：反応物質スイッチング部
１４０：駆動部
１４１：動力源
１４２：動力伝達部
１４３：連結部
【図１】
2017128803.tif 000003
【図２】
2017128803.tif 000004
【図３】
2017128803.tif 000005