(57)【要約】      （修正有）【課題】検査対象物に生じ得る欠陥の検出精度を高める検査方法を提供する。【解決手段】検査対象物よりも中性子線の吸収率が高いトレーサに、検査対象物をさらす工程と、トレーサにさらした検査対象物に中性子線を照射する工程と、トレーサにさらした検査対象物を透過する中性子線から透視画像を生成する工程と、生成された透視画像に基づいて、検査対象物の欠陥を検出する工程と、を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象物よりも中性子線の吸収率が高いトレーサに、前記検査対象物をさらす工程と、
前記トレーサにさらした検査対象物に前記中性子線を照射する工程と、
前記トレーサにさらした検査対象物を透過する中性子線から透視画像を生成する工程と、
前記生成された透視画像に基づいて、前記検査対象物の欠陥を検出する工程と、
を有する欠陥検査方法。
【請求項２】
前記検出する工程では、前記生成された透視画像に基づき、前記検査対象物に前記トレーサが浸透している箇所を検出した場合、前記浸透している箇所に前記欠陥が生じていると判定する、
請求項１記載の欠陥検査方法。
【請求項３】
前記さらす工程では、前記トレーサとして水を用いる、
請求項１又は２記載の欠陥検査方法。
【請求項４】
前記検出する工程では、はんだ付け部分のクラックを前記欠陥として検出する、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の欠陥検査方法。
【請求項５】
前記検査対象物をさらした前記トレーサを乾燥させる工程をさらに有し、
前記照射する工程では、前記トレーサを乾燥させている期間に前記検査対象物に前記中性子線を照射し、
前記生成する工程では、前記透視画像を、前記トレーサが乾燥するまでの過程で複数生成し、
前記検出する工程では、前記生成された複数の透視画像に基づいて、前記検査対象物の欠陥を検出する、
を有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の欠陥検査方法。
【請求項６】
前記さらす工程は、
前記検査対象物を密閉空間内に収容する工程と、
前記検査対象箇所が収容された前記密閉空間内に前記トレーサを気化させた状態で供給する工程と、
を有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の欠陥検査方法。
【請求項７】
前記さらす工程は、
前記検査対象物を密閉空間内に収容する工程と、
前記検査対象物が収容された前記密閉空間内に前記トレーサを気化させた状態で供給する工程と、を有し、
前記乾燥させる工程は、
前記密閉空間内へ乾燥したガスを吸気する工程と、
前記密閉空間内のガスを排気する工程と、を有する、
請求項５記載の欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、欠陥検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子機器に搭載される多くの部品は、表面実装などのはんだ付け工程を介して接合されている。しかしながら、表面実装に適用されるはんだバンプなどのはんだ付け部分は、電子機器の稼働に伴う熱疲労によって徐々に劣化が進み、場合によってはクラックなどが伸展して破断し、導通不良を引き起こすことがある。
【０００３】
そこで、はんだ付け部分の劣化状況（クラックの伸展など）の事前評価や、はんだ付け部分に欠陥が生じるメカニズムを解析するために、非破壊での検査を可能とする欠陥検査方法が利用されている。この種の欠陥検査方法は、Ｘ線観察装置やＸ線ＣＴ（Computed Tomography）装置が生成する透視画像によって、はんだ付け部分に生じるクラックなどの欠陥を可視化して検査する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１６９７９１号公報
【特許文献２】特開２００５−９８８７５号公報
【特許文献３】特開２００８−２０２９８９号公報
【特許文献４】特開２００７−１７８３７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した欠陥検査方法は、はんだによるＸ線の吸収率（減衰率）が高いことから、Ｘ線による透視画像上では、はんだ付け部分が全体的に暗く写るため、はんだ付け部分に生じた比較的小さいクラックなどを検出することが難しくなっている。なお、この他にも、樹脂成形品やはんだ以外の金属部品に生じている欠陥を、精度良く検出できるようにすることへの要請がある。
【０００６】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、検査対象物に生じ得る欠陥の検出精度を高めることができる欠陥検査方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施の形態に係る欠陥検査方法は、検査対象物よりも中性子線の吸収率が高いトレーサに、前記検査対象物をさらす工程と、前記トレーサにさらした検査対象物に前記中性子線を照射する工程と、前記トレーサにさらした検査対象物を透過する中性子線から透視画像を生成する工程と、前記生成された透視画像に基づいて、前記検査対象物の欠陥を検出する工程と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態に係る欠陥検査装置の構成を概略的に示す図。
【図２】図１の欠陥検査装置により検査される検査対象物の構造を示す断面図。
【図３】図１の欠陥検査装置の主要な構成を機能的に示すブロック図。
【図４】熱中性子に対する質量吸収係数と元素の原子番号との関係を示す図。
【図５】図１の欠陥検査装置による欠陥検出処理の一例を説明するための図。
【図６】図５の例とは異なる他の欠陥検出処理を説明するための図。
【図７】図５及び図６の例とは異なる他の欠陥検出処理を説明するための図。
【図８】図１の欠陥検査装置を用いる欠陥検査方法を示すフローチャート。
【図９】図１の欠陥検査装置とは異なる他の欠陥検査装置の構成を概略的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施の形態を図面に基づき説明する。
図１〜図３に示すように、本実施形態の欠陥検査装置１０は、例えば、ＳＰｒｉｎｇ−８（Super Photon ring-8 GeV）などの大型放射光施設を介して取り出せる中性子線を用いて、電子部品２０（電子部品２０の一部を構成する検査対象物としてのはんだバンプ５）に存在し得るクラックなどの欠陥を精度良く可視化して検出するための装置である。
【００１０】
この欠陥検査装置１０は、図１、図３に示すように、固定ホルダ１２、チャンバ１４、トレーサタンク１５、乾燥ガスタンク１６、排気用タンク１７、配管１５ａ、１６ａ、１７ａ、ポンプ１８、ヒータ１９、切替バルブ１１、制御部３０、透視画像生成部３１、欠陥検出処理部３２を備えている。
【００１１】
図１、２に示すように、電子部品２０は、インターポーザ（サブストレート）２２上にダイ（ベアチップ）２１を搭載し、複数のはんだバンプ（検査対象物）５及び電極パッド２１ａ、２２ａを介して、互いがフリップチップ接続された例えばＰＣ（Personal computer）用のＣＰＵ（Central Processing Unit）である。
【００１２】
また、この電子部品２０には、あらかじめ熱疲労が付与されている。この熱疲労は、温度サイクル試験（ＴＣＴ：Thermal Cycle Test）装置を用い、電子部品２０に対して、例えば３０分かけて−２０℃〜＋８０℃の温度変化を与え、さらにこの温度変化を１００００サイクル繰り返すことによって付与されたものである。本実施形態の欠陥検査装置１０は、上記はんだバンプ（検査対象物）５に生じ得るクラックの有無などを非破壊で検査する。
【００１３】
固定ホルダ１２は、図１に示すように、電子部品２０を固定するための支持台であり、親水性を持たない例えばステンレス鋼などによって形成されている。また、固定ホルダ１２は、矩形状の電子部品２０の周縁部を例えば１０箇所でクランプするためのクランプ機構を備えており、例えば１００ｎｍオーダの高い位置決め精度で電子部品２０を固定することが可能である。
【００１４】
さらに、図１に示すように、固定ホルダ１２は、例えば縦幅３００ｍｍ、横幅３００ｍｍ、厚さ１ｍｍの矩形管状に構成されており、矢印Ｚ１方向（鉛直上向き）に貫通する矩形状の貫通穴１２ａを有している。大型放射光施設を介して取り出される中性子線は、矢印Ｚ１方向（電子部品２０の底部側）からこの貫通穴１２ａ内を通じて、はんだバンプ（検査対象物）５を含む電子部品２０へ照射される。また、固定ホルダ１２は、ヒータ、コントローラ、熱電対などを備えていることによって加熱機能や冷却機能を実現する温度調節機構を有している。
【００１５】
図１に示すように、チャンバ１４は、インターポーザ２２との間で密閉空間１４ａを構成し、この密閉空間１４ａ内に、複数のはんだバンプ５を含むダイ２１を収容する。チャンバ１４は、例えば直径７０ｍｍ、高さ１０ｍｍの有底円筒状（シャーレ形状）の石英製容器（又は透明な樹脂製容器）に対してシリコーン樹脂はっ水コーティングを施して構成されている。また、チャンバ１４は、その開口部分における周縁部をインターポーザ２２に密着させつつ、はんだバンプ５を含むダイ２１を包囲する状態で、インターポーザ２２上に両面テープなどを介して取り付けられている。
【００１６】
トレーサタンク１５は、重水（Ｄ2Ｏ）や軽水などの水をトレーサ（追跡子）として貯留している。このトレーサは、中性子線による透視画像の造影剤として機能する。トレーサタンク１５は、例えば５００ｍｌ以上の容量を持ち、少なくとも内側面にテフロン（登録商標）などのフッ素樹脂（フッ化炭素樹脂）がコーティングされている。また、図１に示すように、トレーサタンク１５、乾燥ガスタンク１６及び排気用タンク１７は、フッ素樹脂で少なくとも内側面がコーティングされた例えば直径３ｍｍの配管１５ａ、１６ａ、１７ａを介して、それぞれチャンバ１４と接続されている。
【００１７】
図１に示すように、ポンプ１８及びヒータ１９は、配管１５ａに接続されている。ポンプ１８は、配管１５ａを介して、トレーサタンク１５内のトレーサ（水）を、チャンバ１４（密閉空間１４ａ）内に供給する。ヒータ１９は、配管１５ａ内を通過するトレーサを加熱して気化させる。つまり、ポンプ１８及びヒータ１９は、複数のはんだバンプ５を含むダイ２１が収容された密閉空間１４ａ内にトレーサを気化させた状態で供給する。
【００１８】
乾燥ガスタンク１６は、乾燥した窒素（Ｎ２）ガスを収容している。また、図１に示すように、切替バルブ１１は、配管１５ａ及び配管１６ａにそれぞれ接続されている。つまり、切替バルブ１１は、配管１５ａ内の流路を開放しかつ配管１６ａ内の流路を閉鎖する第１の状態と、配管１５ａ内の流路を閉鎖しかつ配管１６ａ内の流路を開放する第２の状態と、の切り替えを可能とする。
【００１９】
切替バルブ１１が第１の状態に切り替えられている場合、トレーサタンク１５内のトレーサを、配管１５ａを介してチャンバ１４内に供給することが可能となる。一方、切替バルブ１１が第２の状態に切り替えられている場合、乾燥ガスタンク１６内の乾燥した窒素ガスは、配管１６ａを介してチャンバ１４（密閉空間１４ａ）内に吸気される。さらにこの場合、チャンバ１４（密閉空間１４ａ）内のガスは、配管１７ａを介して排気用タンク１７へと排気される。これにより、チャンバ１４内を乾燥させることが可能となる。
【００２０】
また、図３に示すように、制御部３０は、上述した切替バルブ１１、ポンプ１８及びヒータ１９の動作を制御することに加え、透視画像生成部３１及び欠陥検出処理部３２の動作を制御する。
【００２１】
ここで、図４は、熱中性子に対する質量吸収係数と元素の原子番号との関係を表している。図４に示すように、はんだバンプ（検査対象物）５の主成分となる重い元素の鉛（Ｐｂ）やスズ（Ｓｎ）、さらにはチャンバ１４の材料（石英：ＳｉＯ2）及びインターポーザ２２を構成する例えば樹脂材料などと比べて、軽い元素の水（Ｈ2Ｏ）は、熱中性子に対する質量吸収係数（中性子線の吸収率）が大きくなっている。
【００２２】
そこで、はんだバンプ５にクラックが生じている場合などにおいて、このクラックにトレーサとしての水を浸透させて、中性子線による透視画像を生成することで、生成された透視画像は、淡く写るはんだバンプ５本体と濃く写る水（トレーサ）を浸透させたクラックとの間で高いコントラストを得ることができる。これにより、はんだバンプ５に生じているクラックなどの欠陥を、精度良く可視化（はんだバンプ５本体に対して差別化）できる。
【００２３】
具体的には、上述した透視画像生成部３１は、例えばＦＰＤ（フラットパネルディテクタ）などのイメージセンサ（撮像素子）をチャンバ１４の上方側に備えている。このイメージセンサは、図１に示すように、（トレーサ及び）はんだバンプを含む電子部品２０並びにチャンバ１４を矢印Ｚ１方向に沿って透過した中性子線を入射し、透過した物質における中性子線の吸収率に応じた透視イメージを出力する。すなわち、はんだバンプ５（検査対象物）よりも中性子線の吸収率が高いトレーサにさらした電子部品２０に中性子線が照射された状態で、透視画像生成部３１は、トレーサにさらした電子部品２０を透過する中性子線から透視画像を生成する。
【００２４】
一方、欠陥検出処理部３２は、図５〜図７に示すように、積算観察処理、タイムラプス処理、差分観察処理のうちから選択した欠陥検出処理によって、はんだバンプ（はんだ付け部分）５に存在し得るクラック８などの欠陥を検出する。ここで、図１、図３に示すように、制御部３０は、切替バルブ１１、ポンプ１８及びヒータ１９を制御して、チャンバ１４内ではんだバンプ５を気化したトレーサにさらし、次にチャンバ１４内の気化したトレーサ７を、切替バルブ１１を制御して乾燥させる。さらに、制御部３０は、透視画像生成部３１を制御して、チャンバ１４内のトレーサ７が乾燥するまでの過程で、チャンバ１４内を透過する中性子線による複数の透視画像を生成する。一方、欠陥検出処理部３２は、このようにして生成された複数の透視画像に基づいて、はんだバンプ５に存在し得るクラック８を検出する。この欠陥検出処理部３２は、生成された透視画像に基づき、はんだバンプ５（検査対象物）にトレーサ（水）が浸透している箇所を検出した場合、トレーサが浸透しているこの箇所にクラック（欠陥）８が生じていると判定する。また、欠陥検出処理部３２は、トレーサが浸透している箇所を検出できない場合、はんだバンプ５上には、クラックが生じていないと判定する。
【００２５】
具体的には、欠陥検出処理部３２は、図５に示すように、欠陥検出処理として積算観察処理を行う場合、チャンバ１４内が乾燥する過程で、透視画像生成部３１によって順次生成される複数の透視画像を例えば時系列順に取得し、取得した複数の透視画像のうち、例えばはんだバンプ５の周囲のトレーサ７が乾燥してから、チャンバ１４内のトレーサが完全に乾燥するまで、の複数の透視画像を選択する。さらに、欠陥検出処理部３２は、選択した複数の透視画像を対象として、各透視画像上の同じ位置の画素毎に、色の濃さを表す彩度（例えば黒色の濃さを表す彩度の値）を加算して行くヒストグラムを作成する。そして、欠陥検出処理部３２は、加算後の彩度の値が閾値を超えている画素を検出した場合、この画素に対応するはんだバンプ５の位置を、毛細管現象によってトレーサ（水）が浸透している箇所として特定し、この箇所にクラック８が生じていると判定する。
【００２６】
また、欠陥検出処理部３２は、図６に示すように、欠陥検出処理としてタイムラプス処理を行う場合、チャンバ１４内が乾燥する過程で、透視画像生成部３１によって順次生成される複数の透視画像を例えば時系列順に取得し、取得した各透視画像に基づき、これらの透視画像上の例えばはんだバンプ５の位置を特定する。さらに、欠陥検出処理部３２は、各透視画像上のこの特定した領域内における同じ位置の画素毎に、時間の経過に応じた彩度（色の濃さ）の値の減少量を監視する。そして、欠陥検出処理部３２は、上記減少量（減少の比率）が閾値以下の画素を検出した場合、この画素に対応するはんだバンプ５の位置を、トレーサが浸透している箇所として特定し、この箇所にクラック８が生じていると判定する。
【００２７】
また、欠陥検出処理部３２は、図７に示すように、欠陥検出処理として差分観察処理を行う場合、チャンバ１４内が乾燥する過程で、透視画像生成部３１によって順次生成される複数の透視画像を時系列順に例えば数分間隔で取得し、チャンバ１４内が完全に乾燥したときの透視画像とチャンバ１４内が乾燥する過程の数分間隔毎の透視画像との差分をとった差分画像を順次生成する。さらに、透視画像生成部３１は、順次生成した各差分画像上の同じ位置の画素毎に、数分間隔の時間経過に応じた彩度（色の濃さ）の値の減少量を監視する。そして、欠陥検出処理部３２は、上記減少量が閾値以下の画素を検出した場合、この画素に対応するはんだバンプ５の位置を、トレーサが浸透している箇所として特定し、この箇所にクラック８が生じていると判定する。
【００２８】
ここで、積算観察処理、タイムラプス処理、差分観察処理などの欠陥検出処理によって、欠陥検出処理部３２が、はんだバンプ（検出対象物）５上にクラック８などの欠陥が、主に、存在するか否かを検出する例について説明したが、欠陥検出処理部３２の機能は、これに限定されるものではない。欠陥検出処理部３２は、この欠陥の有無を検出する機能に加え、トレーサが浸透している領域のサイズなどを特定することによって、欠陥の大きさ（クラックの伸展）などの情報を検出する機能を備えていてもよい。
【００２９】
また、差分観察処理は、次のような人為的な処理を含むものであってもよい。チャンバ１４内への水蒸気状態のトレーサの導入が開始されてから例えば６０分経過した後、切替バルブ１１を切り替えてトレーサの導入を停止すると共に、乾燥した窒素ガスのチャンバ１４内への導入を開始させる。次に、窒素ガスの導入の開始から例えば１０分程度経過した後（例えばインターポーザ２２の表面やダイ２１の表面に水滴がなくなった後）、チャンバ１４内がさらに乾燥する過程で、０分、５分、１０分…６０分まで５分毎に上述した差分画像をモニタさせて人為的に観察する。
【００３０】
例えば０分の時点の差分画像は、例えばダイ２１とインターポーザ２２との間隙などにおそらく水滴が付着しているため、はんだバンプ５の周辺のほとんどが黒色になっていることが想定される。この後、時間が経過し例えば３５分経過時点の差分画像は、水滴の影響がほぼなくなり、この際、例えば、はんだバンプ５が存在する領域の内側に小さく黒色に写る箇所が観察され、さらに例えば４０分経過時点や４５分経過時点の差分画像でも黒色に写る箇所が観察され、さらに例えば５０分経過時点や５５分経過時点の差分画像では、水蒸気が完全に蒸発して黒色に写る箇所が消えた場合、消えるまで確認できていたこの黒色に写る箇所にクラック８が存在していると想定することができる。
【００３１】
この際、例えば、０分の時点の透視映像と４０分経過時点の透視映像とで差分画像を構築し、この差分画像を拡大して解析することなどによって、前記した小さく黒色に写る箇所（クラック）が、例えばはんだバンプ５とダイ２１との界面などの詳細な位置に存在することなどを確認することが可能となる。このような人為的な処理を含む差分観察処理であっても、図７に示すように、小さく黒色に映る箇所がはんだバンプ５に対応した位置に存在すること、及びこの黒色に映る箇所が時間の経過と共に消失することから、毛細管現象により水が浸透したはんだバンプ５上のクラック８を、可視化して検出することができる。
【００３２】
次に、このような欠陥検出装置１０を適用した欠陥検出方法を、図８に示すフローチャート及び図１、図６などに基づいて説明する。まず、図１、図８に示すように、固定ホルダ１２上に電子部品２０をセットした後、さらに、チャンバ１４と電子部品２０のインターポーザ２２との間でダイ（ベアチップ）２１を包囲することによって、複数のはんだバンプ５を含むダイ２１を密閉空間１４ａ内に収容する（Ｓ１）。
【００３３】
次に、制御部３０は、切替バルブ１１、ポンプ１８及びヒータ１９を制御し、トレーサタンク１５内から配管１５ａを介して、重水や軽水などのトレーサ（例えば純水）を、チャンバ１４（密閉空間１４ａ）内へ気化させた状態で供給する（Ｓ２）。なお、固定ホルダ１２は、例えば６０℃に温度調節され、配管１５ａは、ヒータ１９によって例えば１３０℃に温度調節される。これにより、配管１５ａを通る過程でトレーサは、沸騰状態以上に加熱されて気化する。気化したトレーサ（水蒸気）は、チャンバ１４内に流入し、チャンバ１４内を加湿状態とする。これにより、複数のはんだバンプ５を含むダイ２１は、チャンバ１４（密閉空間１４ａ）内でトレーサにさらされる（Ｓ３）。
【００３４】
チャンバ１４内へのトレーサの導入が開始されてから例えば３０分経過した後（例えばインターポーザ２２の表面やダイ２１の表面に水滴が現れた後）、これに加えてさらに３０分が経過した後に、制御部３０は、切替バルブ１１を切り替えてトレーサの導入を停止すると共に、乾燥ガスタンク１６内から配管１６ａを介して、乾燥した窒素ガスのチャンバ１４内への吸気を開始させる（Ｓ４）。これに伴い、チャンバ１４（密閉空間１４ａ）内のガスは、配管１７ａを介して排気用タンク１７へと排気される（Ｓ５）。この際、チャンバ１４内の乾燥が開始される。
【００３５】
次に、乾燥した窒素ガスのチャンバ１４内へ吸気を開始させてから例えば１０分程度経過した後（例えばインターポーザ２２の表面やダイ２１の表面の水滴がなくなった後）、図１に示すように、トレーサにさらしたはんだバンプ（検査対象物）５を含む電子部品２０に対して、矢印Ｚ１方向に沿って中性子線を照射させ（Ｓ６）、電子部品２０及びチャンバ１４を透過した中性子線から、透視画像生成部３１は、複数の透視画像を順次生成する（Ｓ７）。続いて、欠陥検出処理部３２は、順次生成される複数の透視画像に基づいて、図６などに示すように、電子部品２０のはんだバンプ（検査対象物）５上に存在し得るクラック８などの欠陥を検出するための欠陥検出処理を実行（開始）する（Ｓ８）。
【００３６】
さらに、欠陥検出処理部３２は、チャンバ１４（密閉空間１４ａ）内が完全に乾燥した後に（Ｓ９のＹＥＳ）、生成された透視画像とそれ以前に生成されていた複数の透視画像とに基づく最終的な欠陥検出処理による検出結果から、複数のはんだバンプ（検査対象物）５におけるクラック８の存在の有無を判定する（Ｓ１０）。
【００３７】
既述したように、本実施形態の欠陥検出装置１０及び欠陥検出方法によれば、トレーサ（中性子線の吸収率が高い水などのトレーサ）にさらしたはんだバンプ（検査対象物）を透過させた中性子線から透視画像を生成し、この生成された透視画像に基づいて、はんだバンプ上のクラックを検出するので、はんだバンプ本体とクラックとのコントラストが強調され、クラックの検出精度を高めることができる。また、本実施形態の欠陥検出方法によれば、電子部品２０以外の例えば樹脂成形品や金属部品などに生じている欠陥についても、精度良く検出することが可能である。
【００３８】
なお、欠陥検出処理後、電子部品２０にエポキシ樹脂を被覆してから、機械研磨によってはんだバンプ５の近傍箇所を断面加工し、さらにこの断面加工部分に導電処理を施した後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）などで観察することにより、欠陥検出処理で検出されたクラック８の存在を検証することが可能である。
【００３９】
また、上述した欠陥検査装置１０に代えて、図９に示すように、欠陥検査装置５０を適用することも可能である。この欠陥検査装置５０は、配線基板６２上に複数のメモリチップ６１を表面実装した電子部品（ＰＣ用のメモリ装置）６０を対象とし、各メモリチップ周縁のはんだ付け部分の欠陥（クラック）を検出する場合に有用である。
【００４０】
図９に示すように、欠陥検査装置５０は、欠陥検査装置１０の固定ホルダ１２及びチャンバ１４に代えて、固定ホルダ５２及び蓋５４ａ付きのチャンバ５４を備えている。チャンバ５４は、固定ホルダ５２との間に構成される密閉空間５４ｂ内に電子部品６０全体を収容する。このような欠陥検査装置５０においても、欠陥検査装置１０と同様に、はんだ付け部分（検査対象物）の欠陥（クラック）を精度良く検出することが可能である。
【００４１】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４２】
１０，５０…欠陥検査装置、５…はんだバンプ、７…トレーサ、８…クラック、１０…欠陥検査装置、１２，５２…固定ホルダ、１４，５４…チャンバ、１４ａ，５４ｂ…密閉空間、１５…トレーサタンク、１６…乾燥ガスタンク、１７…排気用タンク、２０，６０…電子部品、３０…制御部、３１…透視画像生成部、３２…欠陥検出処理部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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