(57)【要約】      （修正有）【課題】外部端子が設けられる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１００は、基板１０と、第１絶縁層２０と、第１金属層３０と、前記第１金属層３０の上方に第１開口４２を有している第２絶縁層４０と、前記第１開口４２を介して前記第１金属層３０に接続している配線５０と、前記配線５０を覆い、平面視で前記第１開口４２と重なる第２開口６２を有する樹脂層６０と、前記第２開口６２に設けられ、前記第２開口６２を介して前記配線５０に接続している電極７０と、を含み、前記配線５０は、第２金属層５２と、前記第２金属層５２の上方に設けられ、材質が銅またはニッケルである配線層５４と、を有し、前記電極７０は、第３金属層７２と、前記第３金属層７２の上方に設けられ、材質が金である金属部７４と、を有する。【選択図】図１
2017126653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
基板の上方に設けられている第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上方に設けられている第１金属層と、
前記第１金属層の上方および前記第１絶縁層の上方に設けられ、前記第１金属層の上方
に第１開口を有している第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上方および前記第１開口に設けられ、前記第１開口を介して前記第１
金属層に接続されている配線と、
前記配線を覆い、かつ、平面視で前記第１開口と重なる第２開口を有する樹脂層と、
前記第２開口に設けられ、前記第２開口を介して前記配線に接続されている電極と、
を含み、
前記配線は、第２金属層と、前記第２金属層の上方に設けられ、材質が銅またはニッケ
ルである配線層と、を有し、
前記電極は、第３金属層と、前記第３金属層の上方に設けられ、材質が金である金属部
と、を有する、配線基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記電極の一部は、前記樹脂層の上方に設けられている、配線基板。
【請求項３】
請求項１において、
前記電極と前記樹脂層とは、離間している、配線基板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記第２絶縁層は、前記第１金属層の上方に設けられている第３開口を有し、
前記配線は、前記第３開口に設けられ、前記第３開口を介して前記第１金属層に接続さ
れている、配線基板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記基板には、集積回路が設けられ、
前記集積回路と前記第１金属層とは、電気的に接続されている、配線基板。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記第２金属層および前記第３金属層の材質は、チタンタングステンであり、
前記配線層の材質は、銅である、配線基板。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の配線基板を含む、電子機器。
【請求項８】
基板の上方に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上方に第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層の上方および前記第１絶縁層の上方に、前記第１金属層を露出させる第
１開口が形成されている第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の上方および前記第１開口に、前記第１金属層に接続する配線を形成す
る工程と、
前記配線を覆い、かつ、平面視で前記第１開口と重なる第２開口が形成されている樹脂
層を形成する工程と、
前記第２開口に、前記配線に接続する電極を形成する工程と、
を含み、
前記配線を形成する工程は、
第２金属層を形成する工程と、
前記第２金属層の上方に、材質が銅またはニッケルである配線層を形成する工程と、
を有し、
前記電極を形成する工程は、
第３金属層を形成する工程と、
前記第３金属層の上方に、材質が金である金属部を形成する工程と、
を有する、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、電子機器、および配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット式記録装置等の液体噴射装置は、例えば、カートリッジやタンク等に貯
留されたインク等の液体を噴射するための圧電アクチュエーターを備えた液体噴射ヘッド
と、該液体噴射ヘッドを制御する制御装置と、を備えている。
【０００３】
特許文献１には、複数のノズルおよび複数のノズルにそれぞれ連通する複数の圧力室を
含む液体流路が形成された流路構造体と、複数の圧力室とそれぞれ対向して配置された複
数の圧電素子と、複数の圧電素子を駆動するドライバＩＣと、を備えた液体噴射装置が開
示されている。
【０００４】
特許文献１の液体噴射装置では、流路構造体には複数の圧電素子にそれぞれ接続された
複数の接続端子が設けられており、ドライバＩＣと複数の接続端子とは複数のバンプによ
って接続されている。また、特許文献１の液体噴射装置では、ドライバＩＣと、複数のバ
ンプと、複数のバンプの間に充填された封止材によって、圧電素子を密閉し、圧電素子を
大気から遮断している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−５１００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のドライバＩＣでは、外部端子を、流路構造体上に設けられた複数の接続端子の配
置に応じて形成しなければならない。そのため、ドライバＩＣでは、外部端子が設けられ
る位置（外部端子のレイアウト）に高い自由度が求められる。また、上記の液体噴射装置
では、ドライバＩＣから圧電素子に対して大電流が供給される場合がある。
【０００７】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、外部端子が設けられる位置の自由度を高
めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板を提供することにある。
また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記配線基板を含む電子機器を提供
することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、外部端子が設けら
れる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板の
製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態
様又は適用例として実現することができる。
【０００９】
［適用例１］
本発明に係る配線基板の一態様は、
基板と、
基板の上方に設けられている第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上方に設けられている第１金属層と、
前記第１金属層の上方および前記第１絶縁層の上方に設けられ、前記第１金属層の上方
に第１開口を有している第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上方および前記第１開口に設けられ、前記第１開口を介して前記第１
金属層に接続されている配線と、
前記配線を覆い、かつ、平面視で前記第１開口と重なる第２開口を有する樹脂層と、
前記第２開口に設けられ、前記第２開口を介して前記配線に接続されている電極と、
を含み、
前記配線は、第２金属層と、前記第２金属層の上方に設けられ、材質が銅またはニッケ
ルである配線層と、を有し、
前記電極は、第３金属層と、前記第３金属層の上方に設けられ、材質が金である金属部
と、を有する。
【００１０】
このような配線基板では、前記配線を含むため、外部端子として機能する電極が設けら
れる位置の自由度を高めることができる。また、このような配線基板では、前記配線の配
線層の材質は銅またはニッケルであるため、前記配線を低抵抗にできる。そのため、この
ような配線基板では、前記配線に大電流を印加することができる。したがって、このよう
な配線基板では、外部端子（電極）が設けられる位置の自由度を高めることができ、かつ
、大電流を印加することができる。また、このような配線基板では、前記配線が樹脂層で
覆われているため、前記配線の酸化を抑制することができる。
【００１１】
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、
「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）が設けられている」
などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを設けるような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを
設けるような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
【００１２】
［適用例２］
適用例１において、
前記電極の一部は、前記樹脂層の上方に設けられていてもよい。
【００１３】
このような配線基板では、実装時の接続信頼性を高めることができる。
【００１４】
［適用例３］
適用例１において、
前記電極と前記樹脂層とは、離間していてもよい。
【００１５】
このような配線基板では、実装時の接続信頼性を高めることができる。
【００１６】
［適用例４］
適用例１ないし３のいずれか１例において、
前記第２絶縁層は、前記第１金属層の上方に設けられている第３開口を有し、
前記配線は、前記第３開口に設けられ、前記第３開口を介して前記配線に接続されてい
てもよい。
【００１７】
このような配線基板では、より大電流を印加することができる。
【００１８】
［適用例５］
適用例１ないし４のいずれか１例において、
前記基板には、集積回路が設けられ、
前記集積回路と前記第１金属層とは、電気的に接続されていてもよい。
【００１９】
このような配線基板では、集積回路を、電極を介して実装先に電気的に接続することが
できる。
【００２０】
［適用例６］
適用例１ないし５のいずれか１例において、
前記第２金属層および前記第３金属層の材質は、チタンタングステンであり、
前記配線層の材質は、銅であってもよい。
【００２１】
このような配線基板では、配線に、より大電流を印加することができる。
【００２２】
［適用例７］
本発明に係る電子機器の一態様は、
適用例１ないし６のいずれか１例に記載の配線基板を含む。
【００２３】
このような電子機器では、外部端子として機能する電極が設けられる位置の自由度を高
めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板を含むことができる。
【００２４】
［適用例８］
本発明に係る配線基板の製造方法の一態様は、
基板の上方に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上方に第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層の上方および前記第１絶縁層の上方に、前記第１金属層を露出させる第
１開口が形成されている第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の上方および前記第１開口に、前記第１金属層に接続する配線を形成す
る工程と、
前記配線を覆い、かつ、平面視で前記第１開口と重なる第２開口が形成されている樹脂
層を形成する工程と、
前記第２開口に、前記配線に接続する電極を形成する工程と、
を含み、
前記配線を形成する工程は、
第２金属層を形成する工程と、
前記第２金属層の上方に、材質が銅またはニッケルである配線層を形成する工程と、
を有し、
前記電極を形成する工程は、
第３金属層を形成する工程と、
前記第３金属層の上方に、材質が金である金属部を形成する工程と、
を有する。
【００２５】
このような配線基板の製造方法では、外部端子として機能する電極が設けられる位置の
自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板を製造するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態に係る配線基板を模式的に示す断面図。
【図２】第１実施形態に係る配線基板を模式的に示す平面図。
【図３】第１実施形態の変形例に係る配線基板を模式的に示す断面図。
【図４】第１実施形態の変形例に係る配線基板を模式的に示す断面図。
【図５】第１実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示すフローチャート。
【図６】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１１】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１２】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１３】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１４】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１５】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１６】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１７】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１８】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１９】第１実施形態の変形例に係る配線基板を模式的に示す断面図。
【図２０】第１実施形態の変形例に係る配線基板を模式的に示す平面図。
【図２１】第１実施形態の変形例に係る配線基板を模式的に示す断面図。
【図２２】第２実施形態に係る配線基板を模式的に示す断面図。
【図２３】第２実施形態に係る配線基板を模式的に示す平面図。
【図２４】第２実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図２５】第２実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図２６】第２実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図２７】第２実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図２８】第２実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図２９】第２実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図３０】第２実施形態の変形例に係る配線基板を模式的に示す断面図。
【図３１】第２実施形態の変形例に係る配線基板を模式的に示す平面図。
【図３２】第３実施形態に係る電子機器の構成例を示すブロック図。
【図３３】プリントヘッドに配線基板を実装した状態を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説
明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものでは
ない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２８】
１．  第１実施形態
１．１．  配線基板
まず、第１実施形態に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図１は、
第１実施形態に係る配線基板１００を模式的に示す断面図である。図２は、第１実施形態
に係る配線基板１００を模式的に示す平面図である。なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線断面
図である。
【００２９】
配線基板１００は、基板１０と、第１絶縁層２０と、第１金属層３０と、第２絶縁層４
０と、配線５０と、樹脂層６０と、電極７０と、を含む。
【００３０】
基板１０は、例えば、シリコン基板である。基板１０は、シリコン以外の半導体材料か
らなる半導体基板であってもよい。基板１０は、ガラス基板、セラミックス基板、プラス
チック基板などであってもよい。
【００３１】
基板１０には、集積回路１２が設けられている。集積回路１２の構成は特に限定されな
いが、例えば、トランジスター等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサー等の受動素
子を含んでいる。集積回路１２は、第１金属層３０（例えば第１金属層３０ａ）に電気的
に接続されている。
【００３２】
第１絶縁層２０は、基板１０の上方（図示の例では基板１０上）に設けられている。第
１絶縁層２０は、例えば、層間絶縁層である。第１絶縁層２０は、複数の層間絶縁層が積
層された積層体であってもよい。第１絶縁層２０は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２
膜）や、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）等である。第１絶縁層２０には、図示はしないが、
基板１０に形成された集積回路１２と第１金属層３０（例えば第１金属層３０ａ）とを電
気的に接続するための配線が設けられている。
【００３３】
第１金属層３０は、第１絶縁層２０の上方（図示の例では第１絶縁層２０上）に設けら
れている。第１絶縁層２０が複数の層間絶縁層が積層された積層体である場合、第１金属
層３０は、例えば最上層の層間絶縁層上に形成されている。第１金属層３０の材質は、例
えば、アルミニウムである。なお、第１金属層３０は、単層の導電層であってもよいし、
導電層とバリア層とを含む複数の導電層が積層された積層体であってもよい。配線基板１
００は、２つの第１金属層３０（第１金属層３０ａ、第１金属層３０ｂ）を有している。
【００３４】
第２絶縁層４０は、第１絶縁層２０の上方および第１金属層３０の上方（図示の例では
第１絶縁層２０上および第１金属層３０上）に設けられている。第２絶縁層４０は、パッ
シベーション膜である。第２絶縁層４０は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）や、
窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）等である。
【００３５】
第２絶縁層４０は、第１開口４２を有している。図示の例では、第２絶縁層４０は、２
つの第１開口４２を有している。第１開口４２は、第１金属層３０の上方に設けられてい
る。すなわち、第１開口４２は、平面視で（基板１０の厚さ方向から見て）第１金属層３
０と重なっている。第１開口４２は、第２絶縁層４０を貫通している。第１開口４２は、
配線５０を第１金属層３０に接続するための開口である。
【００３６】
配線５０は、第２絶縁層４０の上方（図示の例では第２絶縁層４０上）および第１開口
４２に設けられている。配線５０は、第１開口４２を介して第１金属層３０上に設けられ
、第１金属層３０に接続（機械的および電気的に接続）されている。すなわち、配線５０
は、第１開口４２を介して第１金属層３０に接続されている。配線５０は、２つの電極７
０（電極７０ａ、電極７０ｂ）を電気的に接続している。
【００３７】
配線５０は、第２金属層５２と、配線層５４と、を有している。配線５０は、第２金属
層５２と配線層５４とが積層された積層体である。
【００３８】
第２金属層５２は、第２絶縁層４０上、および第１開口４２（第１開口４２を規定する
第２絶縁層４０の側面および第１金属層３０上）に設けられている。第２金属層５２は、
バリア層（バリアメタル）である。第２金属層５２によって、配線層５４を構成する金属
が第２絶縁層４０に拡散することを防ぐことができる。また、第２金属層５２によって、
配線５０と第２絶縁層４０との間の密着性を高めることができる。また、第２金属層５２
によって、配線層５４の酸化を抑制することができる。
【００３９】
第２金属層５２の材質は、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）や、チタン（Ｔｉ）
、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）等である。第２金
属層５２の材質としては、チタンタングステンが好ましい。チタンタングステンは、配線
層５４の材料として用いられる銅（Ｃｕ）に対して高い密着性を有するためである。
【００４０】
配線層５４は、第２金属層５２の上方（図示の例では第２金属層５２上）に設けられて
いる。配線層５４の材質は、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ）である。配線層５４の材
質としては、銅が好ましい。銅は電気抵抗率が小さいため、配線５０に、より大電流を印
加できるためである。
【００４１】
第２金属層５２の膜厚は、例えば、０．１ｎｍ〜５００ｎｍである。配線層５４の膜厚
は、例えば、１μｍ〜５μｍである。
【００４２】
樹脂層６０は、配線５０を覆っている。樹脂層６０が配線５０を覆うことにより、配線
５０の酸化を抑制することができる。樹脂層６０は、例えば金属膜と比べてカバレッジが
良好であるため、配線５０を確実に覆うことができる。樹脂層６０は、第１絶縁層２０上
、第２絶縁層４０上、および配線５０上に設けられている。樹脂層６０の材質は、例えば
、ポリイミドや、ソルダーレジスト等である。樹脂層６０の膜厚は、例えば、３μｍ〜１
０μｍである。
【００４３】
樹脂層６０は、第２開口６２を有している。図示の例では、樹脂層６０は、２つの第２
開口６２を有している。第２開口６２は、配線５０の上方に形成されている。第２開口６
２は、平面視で配線５０の外縁の内側に形成されている。第２開口６２は、樹脂層６０を
貫通している。第２開口６２は、電極７０を配線５０に接続するための開口である。
【００４４】
第２開口６２は、平面視で第１開口４２と重なっている。なお、第２開口６２は、平面
視で第１開口４２の少なくとも一部と重なっていればよい。第２開口６２が平面視で第１
開口４２と重なることにより、第１金属層３０上に配線５０が直接形成され、かつ、配線
５０上に電極７０が直接形成された積層構造が形成される。
【００４５】
電極７０は、第２開口６２に設けられている。電極７０は、第２開口６２を介して配線
５０上に設けられ、配線５０に接続（機械的および電気的に接続）されている。すなわち
、電極７０は、第２開口６２を介して配線５０に接続されている。電極７０は、配線基板
１００の外部端子として機能する。
【００４６】
電極７０と樹脂層６０とは、離間している。電極７０は、平面視で第２開口６２（配線
５０上）に設けられており、樹脂層６０上には設けられていない。
【００４７】
電極７０は、第３金属層７２と、金属部７４と、を有している。電極７０は、第３金属
層７２と金属部７４とが積層された積層体である。
【００４８】
第３金属層７２は、配線５０上に設けられている。第３金属層７２は、バリア層（バリ
アメタル）である。第３金属層７２によって、電極７０と配線５０との間の密着性を高め
ることができる。
【００４９】
第３金属層７２の材質は、例えば、上述した第２金属層５２として例示したものを用い
ることができる。第３金属層７２の材質は、第２金属層５２の材質と同じであってもよい
。
【００５０】
金属部７４は、第３金属層７２の上方（図示の例では第３金属層７２上）に設けられて
いる。金属部７４の材質は、金（Ａｕ）である。すなわち、電極７０は、金バンプである
。金は、化学的に安定しているため、酸化されにくい。また、Ａｕは、実装先の電極と比
較的低温で合金化する。そのため、金属部７４の材質を金とすることにより、電極７０で
は実装先の電極と良好な接合が可能である。
【００５１】
第３金属層７２の膜厚は、例えば、０．１ｎｍ〜５００ｎｍである。金属部７４の厚さ
（高さ）は、例えば、１０μｍ〜１６μｍである。
【００５２】
配線基板１００は、２つの電極７０（電極７０ａ、電極７０ｂ）を有している。電極７
０ａは、第１金属層３０ａの上方に設けられている。電極７０ｂは、第１金属層３０ｂの
上方に設けられている。
【００５３】
配線基板１００では、平面視で基板１０の電極７０と重なる領域には、集積回路１２が
設けられていない。そのため、配線基板１００を実装する際に電極７０に加わる荷重によ
って集積回路１２を構成している素子が壊れてしまうことを防止することができる。
【００５４】
配線基板１００では、電極７０ａおよび電極７０ｂを実装先（実装基板や外部装置等）
の電極にそれぞれ接続することで、集積回路１２が実装先に電気的に接続される。具体的
には、集積回路１２は、第１絶縁層２０に設けられた配線（図示せず）、第１金属層３０
ａ、および電極７０ａを介して実装先に電気的に接続される。さらに、集積回路１２は、
第１絶縁層２０に設けられた配線、第１金属層３０ａ、配線５０、および電極７０ｂを介
して実装先に電気的に接続される。
【００５５】
配線基板１００では、実装先の電極の配置に応じて、配線５０を形成して電極７０を配
置することができる。このように、配線基板１００では、配線５０によって電極７０を所
望の位置に配置することができる。
【００５６】
なお、上記では、基板１０に集積回路１２が設けられていたが、図３に示すように、基
板１０に集積回路１２が設けられなくてもよい。この場合、図３に示す配線基板１００を
、実装先の２つの電極を電気的に接続するために用いることができる。具体的には、電極
７０ａに実装先の一方の電極を接続し、電極７０ｂに実装先の他方の電極を接続すること
で、実装先の２つの電極を電気的に接続することができる。
【００５７】
また、上記では、配線基板１００が２つの電極７０（電極７０ａ，７０ｂ）を有してい
たが、図４に示すように、電極７０は１つであってもよい。例えば、図４に示す配線基板
１００では、集積回路１２は、第１絶縁層２０に設けられた配線、第１金属層３０ａ、配
線５０、および電極７０を介して実装先に電気的に接続される。
【００５８】
配線基板１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００５９】
配線基板１００では、配線５０を含むため、外部端子として機能する電極７０が設けら
れる位置（電極７０のレイアウト）の自由度を高めることができる。また、配線５０の配
線層５４の材質は銅またはニッケルである。銅およびニッケルは電気抵抗率が小さいため
、配線５０を低抵抗にできる。これにより、配線基板１００では、配線５０に大電流（例
えばアンペアオーダーの電流）を印加することができる。したがって、配線基板１００で
は、電極７０（外部端子）が設けられる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流
を印加することができる。
【００６０】
配線基板１００では、配線５０を覆う樹脂層６０を含むため、配線５０の酸化を抑制す
ることができる。仮に、配線５０が樹脂層６０で覆われていない場合、配線５０に大電流
を印加すると、配線５０は発熱し高温となる。これにより、配線５０の酸化が進行する。
配線５０の酸化が進行すると配線５０の電気抵抗率が増加してさらに発熱し、配線５０の
酸化がさらに進行する。このようにして、配線５０の酸化が加速することにより、配線５
０が溶断に至る場合がある。配線基板１００では、上記のように配線５０の酸化を抑制す
ることができるため、このような問題が生じない。
【００６１】
配線基板１００では、第２開口６２が平面視で第１開口４２と重なることにより、第１
金属層３０上に配線５０が直接形成され、かつ、配線５０上に電極７０が直接形成された
積層構造を得ることができる。そのため、電極７０の高さ（基板１０と電極７０の上面と
の間の距離）を大きくすることができる。これにより、配線基板１００と実装先との間の
空間を大きくすることができる。例えば、実装先がアクチュエーターを備える場合、配線
基板１００と実装先との間の空間を大きくすることで、配線基板１００がアクチュエータ
ーの動作を妨げることを防止することができる。
【００６２】
また、配線基板１００では、上述したように、第２開口６２が平面視で第１開口４２と
重なることにより、第１金属層３０上に配線５０が直接形成され、かつ、配線５０上に電
極７０が直接形成されている。すなわち、電極７０は、第２絶縁層４０（パッシベーショ
ン膜）の上方および樹脂層６０の上方に設けられていない。そのため、配線基板１００で
は、実装時の接続信頼性を高めることができる。例えば異方性導電フィルムを用いて配線
基板１００を実装する際には、電極７０によって異方性導電フィルムに圧力を加える。こ
れにより、異方性導電フィルム内に分散している導電性粒子が接触しながら重なり押しつ
けられることで導電経路が形成される。このとき、電極７０が第２絶縁層４０や樹脂層６
０のように柔らかい層の上方に形成されていると、異方性導電フィルムに十分な圧力を加
えることができずに、導電経路が形成できない場合がある。配線基板１００では、このよ
うな問題が生じないため、実装時の接続信頼性を高めることができる。
【００６３】
配線基板１００では、電極７０と樹脂層６０とは離間している。そのため、配線基板１
００では、例えば電極７０の一部が樹脂層６０上に設けられている場合と比べて、樹脂層
６０の上面（接続先に接続される面）を平坦にすることができる。これにより、配線基板
１００では、接続信頼性を高めることができる。
【００６４】
配線基板１００では、基板１０には集積回路１２が設けられ、集積回路１２と第１金属
層３０とは電気的に接続されている。そのため、配線基板１００では、集積回路１２を、
電極７０を介して実装先に電気的に接続することができる。
【００６５】
１．２．  配線基板の製造方法
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する
。図５は、第１実施形態に係る配線基板１００の製造方法の一例を示すフローチャートで
ある。図６〜図１８は、第１実施形態に係る配線基板１００の製造工程を模式的に示す断
面図である。
【００６６】
図６に示すように、集積回路１２が形成された基板１０を準備する。基板１０は、ウエ
ハーであってもよいし、個片化された状態（チップ）であってもよい。
【００６７】
まず、基板１０上に第１絶縁層２０を形成する（ステップＳ１０）。
【００６８】
第１絶縁層２０は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法、塗布（スピンコート）法等により形成される。図示はしないが、第１絶縁層
２０には、配線（第１金属層３０ａと集積回路１２を電気的に接続するための配線）が形
成されてもよい。
【００６９】
次に、第１絶縁層２０上に第１金属層３０を形成する（ステップＳ１２）。
【００７０】
第１金属層３０は、ＣＶＤ法やスパッタ法などによって成膜された後、パターニングさ
れる（例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によってパターニングさ
れる）ことにより形成される。
【００７１】
次に、第１金属層３０上および第１絶縁層２０上に、第１金属層３０を露出させる第１
開口４２が形成されている第２絶縁層４０を形成する（ステップＳ１４）。
【００７２】
第２絶縁層４０は、ＣＶＤ法やスパッタ法などによって成膜された後、パターニングさ
れることにより形成される。
【００７３】
次に、第２絶縁層４０上および第１開口４２に、第１金属層３０に接続する配線５０を
形成する（ステップＳ１６）。
【００７４】
配線５０を形成する工程は、第２金属層５２を形成する工程と、第２金属層５２上に材
質が銅またはニッケルである配線層５４を形成する工程と、を有する。以下、配線５０を
形成する工程について説明する。
【００７５】
図７に示すように、第１絶縁層２０上、第２絶縁層４０上、および第１開口４２（第１
金属層３０上）に、第２金属層５２を成膜する。第２金属層５２は、例えば、スパッタ法
により成膜される。次に、第２金属層５２上に下地金属５４ａを成膜する。下地金属５４
ａは、例えば、スパッタ法により成膜される。下地金属５４ａは、配線層５４をめっき法
により成膜する際のシード層である。第２金属層５２および下地金属５４ａは、大気開放
されることなく連続して成膜される。
【００７６】
図８に示すように、下地金属５４ａ上にレジスト層Ｒ２を形成する。レジスト層Ｒ２は
、下地金属５４ａ上の、配線層５４が形成される領域を除いて形成される。
【００７７】
図９に示すように、レジスト層Ｒ２をマスクとしてめっき法により配線層５４を成膜す
る。配線層５４は、例えば、電解めっきにより形成される。
【００７８】
図１０に示すように、レジスト層Ｒ２を除去（剥離）する。
【００７９】
図１１に示すように、露出している下地金属５４ａを除去する。下地金属５４ａは、例
えば、ウエットエッチングにより除去される。
【００８０】
図１２に示すように、露出している第２金属層５２を除去する。すなわち、第２金属層
５２の、平面視で配線層５４と重なっていない部分を除去する。第２金属層５２は、例え
ば、ウエットエッチングにより除去される。
【００８１】
以上の工程により、配線５０を形成することができる。
【００８２】
次に、図１３に示すように、配線５０を覆い、かつ、平面視で第１開口４２と重なる第
２開口６２が形成されている樹脂層６０を形成する（ステップＳ１８）。
【００８３】
樹脂層６０は、例えば、フォトリソグラフィー技術により形成される。第２開口６２は
、配線５０が露出するように形成される。
【００８４】
次に、樹脂層６０の第２開口６２に、配線５０に接続する電極７０を形成する（ステッ
プＳ２０）。
【００８５】
電極７０を形成する工程は、第３金属層７２を形成する工程と、第３金属層７２上に材
質が金である金属部７４を形成する工程と、を有する。以下、電極７０を形成する工程に
ついて説明する。
【００８６】
図１４に示すように、第１絶縁層２０上、第２絶縁層４０上、第２開口６２（配線５０
上）、および樹脂層６０上に、第３金属層７２を成膜する。第３金属層７２は、例えば、
スパッタ法により成膜される。次に、第３金属層７２上に下地金属７４ａを成膜する。下
地金属７４ａは、例えば、スパッタ法により成膜される。下地金属７４ａは、金属部７４
をめっき法により成膜する際のシード層である。第３金属層７２および下地金属７４ａは
、大気開放されることなく連続して成膜される。
【００８７】
図１５に示すように、下地金属７４ａ上にレジスト層Ｒ４を形成する。レジスト層Ｒ４
は、下地金属７４ａ上の、金属部７４が形成される領域を除いて形成される。
【００８８】
図１６に示すように、レジスト層Ｒ４をマスクとしてめっき法により金属部７４を形成
する。金属部７４は、例えば、電解めっきにより形成される。
【００８９】
図１７に示すように、レジスト層Ｒ４を除去（剥離）する。
【００９０】
図１８に示すように、露出している下地金属７４ａを除去する。下地金属７４ａは、例
えば、ドライエッチング（例えばスパッタエッチング）により除去される。
【００９１】
図１に示すように、露出している第３金属層７２を除去する。すなわち、第３金属層７
２の、平面視で金属部７４と重なっていない部分を除去する。第３金属層７２は、例えば
、ドライエッチング（例えばスパッタエッチング）により除去される。
【００９２】
以上の工程により、電極７０を形成することができる。
【００９３】
基板１０がウエハーである場合、基板１０をダイシング等の公知の切断技術により個片
化する。
【００９４】
以上の工程により、配線基板１００を製造することができる。
【００９５】
なお、上記では、配線５０の配線層５４をめっき法により形成する例について説明した
が、配線層５４をスパッタ法により形成してもよい。
【００９６】
第１実施形態に係る配線基板１００の製造方法によれば、電極７０（外部端子）が設け
られる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板
１００を製造することができる。
【００９７】
１．３．  変形例
次に、第１実施形態に係る配線基板の変形例について、図面を参照しながら説明する。
図１９は、第１実施形態の変形例に係る配線基板２００を模式的に示す断面図である。図
２０は、第１実施形態の変形例に係る配線基板２００を模式的に示す平面図である。なお
、図１９は、図２０のＸＩＸ−ＸＩＸ線断面図である。
【００９８】
以下、第１実施形態の変形例に係る配線基板２００において、上述した第１実施形態に
係る配線基板１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、
その説明を省略する。
【００９９】
上述した配線基板１００では、図１および図２に示すように、第２絶縁層４０は第１開
口４２を有し、配線５０は第１開口４２を介して第１金属層３０に接続されていた。
【０１００】
これに対して、配線基板２００では、図１９および図２０に示すように、第２絶縁層４
０は、さらに第３開口４４を有し、配線５０は第１開口４２を介して第１金属層３０に接
続されるとともに、第３開口４４を介して第１金属層３０に接続されている。
【０１０１】
第１金属層３０は、第１領域３２と、第２領域３４と、第３領域３６と、を有している
。第１領域３２は、平面視で電極７０ａと重なる領域である。第２領域３４は、平面視で
電極７０ｂと重なる領域である。第３領域３６は、第１領域３２と第２領域３４とを接続
する領域である。
【０１０２】
第２絶縁層４０は、複数（図示の例では２つ）の第３開口４４を有している。なお、第
３開口４４の数は特に限定されない。第３開口４４は、配線５０を第１金属層３０に接続
するための開口である。第３開口４４は、第１金属層３０の上方に設けられている。図示
の例では、第３開口４４は、第１金属層３０の第３領域３６の上方に設けられている。第
３開口４４は、第２絶縁層４０を貫通している。
【０１０３】
配線５０は、第２絶縁層４０上、第１開口４２、および第３開口４４に設けられている
。配線５０は、第１開口４２を介して第１金属層３０上（第１領域３２上、および第２領
域３４上）に設けられ、第１金属層３０に接続されている。さらに、配線５０は、第３開
口４４を介して第１金属層３０上（第３領域３６上）に設けられ、第１金属層３０に接続
されている。すなわち、配線５０は、第１開口４２を介して第１金属層３０（第１領域３
２、第２領域３４）に接続されるとともに、第３開口４４を介して第１金属層３０（第３
領域３６）に接続されている。
【０１０４】
配線基板２００では、第１金属層３０の第１領域３２と第２領域３４とは、配線５０に
よって電気的に接続されるとともに、第１金属層３０の第３領域３６によっても電気的に
接続されている。また、配線基板２００では、配線５０は、複数の第３開口４４を介して
第１金属層３０の第３領域３６に接続されている。
【０１０５】
なお、上記では、第１金属層３０の第３領域３６は、第１領域３２と第２領域３４とを
電気的に接続していたが、第３領域３６は、第１領域３２と第２領域３４とを電気的に接
続していなくてもよい。例えば、図２１に示すように、第３領域３６は、配線５０の一方
の第３開口４４に設けられた部分と配線５０の他方の第３開口４４に設けられた部分とを
電気的に接続してもよい。また、例えば、図示はしないが、第３領域３６は、配線５０の
第１開口４２に設けられた部分と配線５０の第３開口４４に設けられた部分とを電気的に
接続してもよい。
【０１０６】
配線基板２００では、上述した配線基板１００と同様の作用効果を奏することができる
。さらに、配線基板２００では、配線５０は、第１開口４２および第３開口４４に設けら
れ、第１開口４２および第３開口４４を介して第１金属層３０に接続されている。そのた
め、配線基板２００では、第１領域３２と第２領域３４との間の電流の経路を増やすこと
ができ、より大電流を印加することができる。
【０１０７】
配線基板２００の製造方法は、第１金属層３０を形成する工程において領域３２，３４
，３６を形成する点、第２絶縁層４０を形成する工程において第３開口４４を形成する点
を除いて、上述した第１実施形態に係る配線基板１００の製造方法と同じである。そのた
め、配線基板２００の製造方法の説明を省略する。
【０１０８】
２．  第２実施形態
２．１．  配線基板
次に、第２実施形態に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図２２は
、第２実施形態に係る配線基板３００を模式的に示す断面図である。図２３は、第２実施
形態に係る配線基板３００を模式的に示す平面図である。なお、図２２は、図２３のＸＸ
ＩＩ−ＸＸＩＩ線断面図である。
【０１０９】
以下、第２実施形態に係る配線基板３００において、上述した第１実施形態に係る配線
基板１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その説明
を省略する。
【０１１０】
上述した配線基板１００では、図１および図２に示すように、電極７０と樹脂層６０と
は離間していた。
【０１１１】
これに対して配線基板３００では、図２２および図２３に示すように、電極７０の一部
は、樹脂層６０の上方に設けられている。
【０１１２】
樹脂層６０の第２開口６２は、平面視で電極７０の外縁の内側に設けられている。
【０１１３】
電極７０は、第２開口６２（配線５０上）および樹脂層６０上に設けられている。電極
７０の一部は、樹脂層６０の、平面視で第２開口６２を囲む領域上に設けられている。そ
のため、電極７０の上面には、凹部７６が形成されている。
【０１１４】
凹部７６は、金属部７４の上面の中央に設けられている。金属部７４の上面に凹部７６
が設けられていることにより、異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄ
ｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ、ＡＣＦ）を用いて配線基板３００を実装する際に、接続信頼性
を高めることができる。異方性導電フィルムを用いて配線基板３００を実装する際には、
電極７０によって異方性導電フィルムに圧力を加える。これにより、異方性導電フィルム
内に分散している導電性粒子が接触しながら重なり押しつけられることで導電経路が形成
される。配線基板３００では、凹部７６によって導電性粒子を捕らえることができ、金属
部７４の上面から導電性粒子が逃げることを防ぐことができる。したがって、接続信頼性
を高めることができる。
【０１１５】
なお、上記では、基板１０に集積回路１２が設けられていたが、上述した配線基板１０
０の変形例（図３参照）と同様に、基板１０に集積回路１２が設けられなくてもよい。ま
た、上記では、配線基板１００が２つの電極７０（電極７０ａ，７０ｂ）を有していたが
、上述した配線基板１００の変形例（図４参照）と同様に、電極７０は１つであってもよ
い。
【０１１６】
配線基板３００では、上述した配線基板１００と同様に、外部端子（電極７０）が設け
られる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる。さらに
、配線基板３００では、電極７０の一部は樹脂層６０の上方に設けられているため、上述
したように、異方性導電フィルムを用いた実装時の接続信頼性を高めることができる。
【０１１７】
２．２．  配線基板の製造方法
次に、第２実施形態に係る配線基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する
。なお、第２実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示すフローチャートは、図５に
示すフローチャートと同じであり、図示を省略する。図２４〜図２９は、第２実施形態に
係る配線基板３００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【０１１８】
配線基板３００の製造方法では、第１絶縁層２０を形成する工程（ステップＳ１０）、
第１金属層３０を形成する工程（ステップＳ１２）、第２絶縁層４０を形成する工程（ス
テップＳ１４）、および配線５０を形成する工程（ステップＳ１６）は、配線基板１００
の製造工程と同じであり、説明を省略する。
【０１１９】
図２４に示すように、配線５０を覆い、かつ、平面視で第１開口４２と重なる第２開口
６２が形成されている樹脂層６０を形成する（ステップＳ１８）。
【０１２０】
樹脂層６０は、例えば、フォトリソグラフィー技術により形成される。
【０１２１】
次に、樹脂層６０の第２開口６２に、配線５０に接続する電極７０を形成する（ステッ
プＳ２０）。
【０１２２】
電極７０を形成する工程は、第３金属層７２を形成する工程と、第３金属層７２上に材
質が金である金属部７４を形成する工程と、を有する。以下、電極７０を形成する工程に
ついて説明する。
【０１２３】
図２５に示すように、第１絶縁層２０上、第２絶縁層４０上、第２開口６２（配線５０
上）、および樹脂層６０上に、第３金属層７２を成膜する。第３金属層７２は、例えば、
スパッタ法により成膜される。次に、第３金属層７２上に下地金属７４ａを成膜する。下
地金属７４ａは、例えば、スパッタ法により成膜される。下地金属７４ａは、金属部７４
をめっき法により成膜する際のシード層である。第３金属層７２および下地金属７４ａは
、大気開放されることなく連続して成膜される。
【０１２４】
図２６に示すように、下地金属７４ａ上にレジスト層Ｒ４を形成する。レジスト層Ｒ４
は、下地金属７４ａ上の、金属部７４が形成される領域を除いて形成される。
【０１２５】
図２７に示すように、レジスト層Ｒ４をマスクとしてめっき法により金属部７４を形成
する。金属部７４は、例えば、電解めっきにより形成される。このとき、金属部７４の上
面には、凹部７６が形成される。
【０１２６】
図２８に示すように、レジスト層Ｒ４を除去（剥離）する。
【０１２７】
図２９に示すように、露出している下地金属７４ａを除去する。下地金属７４ａは、例
えば、ドライエッチング（例えばスパッタエッチング）により除去される。
【０１２８】
図２２に示すように、露出している第３金属層７２を除去する。すなわち、第３金属層
７２の、平面視で金属部７４と重なっていない部分を除去する。第３金属層７２は、例え
ば、ドライエッチング（例えばスパッタエッチング）により除去される。
【０１２９】
以上の工程により、電極７０を形成することができる。
【０１３０】
基板１０がウエハーである場合、基板１０をダイシング等の公知の切断技術により個片
化する。
【０１３１】
以上の工程により、配線基板３００を製造することができる。
【０１３２】
配線基板３００の製造方法によれば、電極７０（外部端子）が設けられる位置の自由度
を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板３００を製造するこ
とができる。
【０１３３】
２．３．  変形例
次に、第２実施形態に係る配線基板の変形例について、図面を参照しながら説明する。
図３０は、第２実施形態の変形例に係る配線基板４００を模式的に示す断面図である。図
３１は、第２実施形態の変形例に係る配線基板４００を模式的に示す平面図である。なお
、図３０は、図３１のＸＸＸ−ＸＸＸ線断面図である。
【０１３４】
以下、第２実施形態の変形例に係る配線基板４００において、上述した配線基板１００
，２００，３００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、そ
の説明を省略する。
【０１３５】
上述した配線基板３００では、図１および図２に示すように、第２絶縁層４０は第１開
口４２を有し、配線５０は第１開口４２を介して第１金属層３０に接続されていた。
【０１３６】
これに対して、配線基板４００では、図３０および図３１に示すように、第２絶縁層４
０は、さらに第３開口４４を有し、配線５０は第１開口４２を介して第１金属層３０に接
続されるとともに、第３開口４４を介して第１金属層３０に接続されている。
【０１３７】
配線基板３００の第１金属層３０、第２絶縁層４０、および配線５０の構成は、上述し
た図１９および図２０に示す配線基板２００の第１金属層３０、第２絶縁層４０、および
配線５０と同様であり、その説明を省略する。
【０１３８】
配線基板４００では、上述した配線基板３００と同様の作用効果を奏することができる
。さらに配線基板４００では、上述した配線基板２００と同様に、第１領域３２と第２領
域３４との間の電流の経路を増やすことができ、より大電流を印加することができる。
【０１３９】
配線基板４００の製造方法は、第１金属層３０を形成する工程において領域３２，３４
，３６を形成する点、第２絶縁層４０を形成する工程において第３開口４４を形成する点
を除いて、上述した第２実施形態に係る配線基板３００の製造方法と同じである。そのた
め、配線基板４００の製造方法の説明を省略する。
【０１４０】
３．  第３実施形態
次に、第３実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。図３２は
、第３実施形態に係る電子機器５００の構成例を示すブロック図である。以下では、電子
機器５００がプリンターである場合について説明する。
【０１４１】
電子機器５００は、図３２に示すように、本発明に係る配線基板を含む。ここでは、図
３２に示すように、本発明に係る配線基板として、配線基板１００を用いた場合について
説明する。
【０１４２】
電子機器５００は、さらに、プリントヘッド５１１と、印字媒体搬送部５１２と、ＣＰ
Ｕ（中央演算装置）５２０と、操作部５３０と、ＲＯＭ（リードオンリー・メモリー）５
４０と、ＲＡＭ（ランダムアクセス・メモリー）５５０と、通信部５６０と、表示部５７
０と、を含んでもよい。なお、図３２に示す構成要素の一部を省略又は変更してもよいし
、あるいは、図３２に示す構成要素に他の構成要素を付加してもよい。
【０１４３】
プリントヘッド５１１としては、例えば、サーマル方式、ピエゾ方式、または、静電方
式のプリントヘッドが用いられる。配線基板１００は、プリントヘッド５１１を駆動する
ための複数の駆動回路を内蔵している。駆動回路は、集積回路１２に形成されている。
【０１４４】
図３３は、プリントヘッド５１１に配線基板１００を実装した状態を模式的に示す断面
図である。なお、図３３では、便宜上、プリントヘッド５１１は、簡略化して図示してい
る。
【０１４５】
配線基板１００に内蔵された駆動回路（集積回路１２）は、第１絶縁層２０に設けられ
た配線（図示せず）、第１金属層３０ａ、および電極７０ａを介してプリントヘッド５１
１に電気的に接続される。さらに、駆動回路（集積回路１２）は、第１金属層３０ａ、配
線５０、および電極７０ｂを介してプリントヘッド５１１に電気的に接続される。駆動回
路は、プリントヘッド５１１に駆動電流を供給する。例えばプリントヘッド５１１がサー
マルヘッドである場合には、駆動回路はサーマルヘッドに大電流を供給する必要がある。
【０１４６】
印字媒体搬送部５１２において、例えば、ステッピングモーターがベルトを介してプラ
テンローラーを駆動することにより、印字媒体である用紙が搬送される。配線基板１００
に内蔵された駆動回路がプリントヘッド５１１を駆動することにより、印字媒体搬送部５
１２によって搬送された用紙に印字を行う。
【０１４７】
ＣＰＵ５２０は、ＲＯＭ５４０等に記憶されているプログラムに従って各種の制御処理
を行う。例えば、ＣＰＵ５２０は、操作部５３０から供給される操作信号に応じて配線基
板１００および印字媒体搬送部５１２を制御したり、外部との間でデータ通信を行うため
に通信部５６０を制御したり、表示部５７０に各種の情報を表示させるための表示信号を
生成したりする。
【０１４８】
操作部５３０は、例えば、操作キーやボタンスイッチ等を含む入力装置であり、ユーザ
ーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ５２０に出力する。ＲＯＭ５４０は、ＣＰＵ５２
０が各種の制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。また、ＲＡＭ５
５０は、ＣＰＵ５２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ５４０から読み出されたプログ
ラムやデータ、または、操作部５３０を用いて入力されたデータ等を一時的に記憶する。
【０１４９】
通信部５６０は、例えば、アナログ回路及びデジタル回路で構成され、ＣＰＵ５２０と
外部装置との間のデータ通信を行う。したがって、電子機器５００は、外部のホストコン
ピューター等から供給される印字データに基づいて印字動作を行うことができる。表示部
５７０は、例えば、ＬＣＤ（液晶表示装置）等を含み、ＣＰＵ５２０から供給される表示
信号に基づいて各種の情報を表示する。
【０１５０】
本発明に係る配線基板は、プリンター以外の各種の電子機器に適用することも可能であ
る。そのような電子機器としては、例えば、携帯電話機等の移動端末、スマートカード、
電卓、電子辞書、電子ゲーム機器、デジタルスチルカメラ、デジタルムービー、テレビ、
テレビ電話、防犯用テレビモニター、ヘッドマウント・ディスプレイ、パーソナルコンピ
ューター、ネットワーク機器、カーナビゲーション装置、測定機器、及び、医療機器（例
えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、及び、電子内視
鏡）等が該当する。
【０１５１】
なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない
。例えば各実施形態及び各変形例は、適宜組み合わせることが可能である。
【０１５２】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法およ
び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実
施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、
実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成すること
ができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した
構成を含む。
【符号の説明】
【０１５３】
１０…基板、１２…集積回路、２０…第１絶縁層、３０…第１金属層、３０ａ…第１金属
層、３０ｂ…第１金属層、３２…第１領域、３４…第２領域、３６…第３領域、４０…第
２絶縁層、４２…第１開口、４４…第３開口、５０…配線、５２…第２金属層、５４…配
線層、５４ａ…下地金属、６０…樹脂層、６２…第２開口、７０…電極、７０ａ…電極、
７０ｂ…電極、７２…第３金属層、７４…金属部、７４ａ…下地金属、７６…凹部、１０
０…配線基板、２００…配線基板、３００…配線基板、４００…配線基板、５００…電子
機器、５１１…プリントヘッド、５１２…印字媒体搬送部、５２０…ＣＰＵ、５３０…操
作部、５４０…ＲＯＭ、５５０…ＲＡＭ、５６０…通信部、５７０…表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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