(57)【要約】【課題】半導体素子を充分に封止しつつ半導体装置の薄型化が可能な半導体装置製造用部材を提供する。【解決手段】半導体素子の再配置に用いられる半導体装置製造用部材であって、能動面１２２ａ、及び、能動面１２２ａとは反対側の受動面１２２ｂを有する半導体素子１２２と、半導体素子１２２の受動面１２２ｂに当接する熱硬化性樹脂組成物層１２４と、を備える、半導体装置製造用部材１２０ａ。【選択図】図４
2017010991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の再配置に用いられる半導体装置製造用部材であって、
能動面、及び、当該能動面とは反対側の受動面を有する半導体素子と、
当該半導体素子の前記受動面に当接する熱硬化性樹脂組成物層（ａ）と、を備える、半導体装置製造用部材。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の厚みが３０〜３００μｍである、請求項１に記載の半導体装置製造用部材。
【請求項３】
前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂から選ばれる１種以上を含む樹脂と、最大粒径が２０μｍ以下かつ平均粒径が５μｍ以下である無機フィラーと、を含有する、請求項１又は２に記載の半導体装置製造用部材。
【請求項４】
支持体と、仮固定層と、前記半導体素子と、前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）と、をこの順に備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置製造用部材。
【請求項５】
（Ｉ）前記半導体素子の前記能動面と仮固定層とが当接するように、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置製造用部材の前記半導体素子を再配置する工程、
（ＩＩ）前記半導体素子を前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）で封止して、前記半導体素子の全体を覆う熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を形成する工程、
（ＩＩＩ）前記熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を硬化して絶縁層（Ａ）を形成する工程、
（ＩＶ）前記仮固定層が除去された状態において前記半導体素子の前記能動面上に感光性樹脂組成物層を形成する工程、
（Ｖ）前記感光性樹脂組成物層に露光処理及び現像処理を施して、前記半導体素子の前記能動面にまで至る開口部を前記感光性樹脂組成物層に形成する工程、
（ＶＩ）前記感光性樹脂組成物層を硬化して絶縁層（Ｂ）を形成する工程、
（ＶＩＩ）前記絶縁層（Ｂ）上にシード層を形成する工程、
（ＶＩＩＩ）前記シード層上に回路形成用レジストを形成し、露光処理及び現像処理を施して再配線用のレジストパターンを形成する工程、
（ＩＸ）前記シード層における前記レジストパターンから露出する部分上に配線パターンを形成した後、前記レジストパターンを除去する工程、
（Ｘ）前記シード層における前記配線パターンから露出する部分を除去する工程、
（ＸＩ）前記配線パターンにまで至る開口部を有する絶縁層（Ｃ）を前記配線パターン上に形成する工程、並びに、
（ＸＩＩ）前記絶縁層（Ｃ）の前記開口部に外部接続用端子を形成する工程、を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法により得られる、半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置製造用部材の前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）に用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂から選ばれる１種以上を含む樹脂と、最大粒径が２０μｍ以下かつ平均粒径が５μｍ以下である無機フィラーと、を含有する、熱硬化性樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置製造用部材の製造に用いられる熱硬化性樹脂フィルムであって、
支持体と、当該支持体に積層された熱硬化性樹脂組成物層とを備え、
前記熱硬化性樹脂組成物層が、請求項７に記載の熱硬化性樹脂組成物を含む、熱硬化性樹脂フィルム。
【請求項９】
請求項８に記載の熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られる、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置製造用部材、半導体装置及びその製造方法、熱硬化性樹脂組成物、並びに、熱硬化性樹脂フィルムに関し、特に、半導体装置製造用部材；それを用いた半導体装置の製造方法；当該製造方法により得られる半導体装置；前記半導体装置製造用部材、半導体装置及びその製造方法に用いられる熱硬化性樹脂組成物；当該熱硬化性樹脂組成物を用いた熱硬化性樹脂フィルム；当該熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られる半導体装置に関する。本発明は、より詳しくは、小型化及び薄型化の要求が高いウェハレベル半導体装置を製造するための、半導体装置製造用部材、及び、それを用いた半導体装置の製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化に伴って、半導体装置の小型化及び薄型化が進んでいる。近年、半導体装置の軽薄短小化は留まるところを知らず、半導体素子とほぼ同じ大きさのチップサイズパッケージや、半導体装置の上に半導体装置を積むパッケージ・オン・パッケージといった実装形態も盛んに行われており、今後、ますます半導体装置の小型化及び薄型化が進むと予想される。このチップサイズパッケージの一形態として、ウェハレベルでパッケージ作製されたウェハレベルチップサイズパッケージが、極めて小型の半導体装置を実現する技術として注目されている。
【０００３】
ところで、ウェハレベルチップサイズパッケージ等のウェハレベル半導体装置は、ウェハ上に再配線層を形成し、はんだボール等の外部接続用端子を設けた後、ダイシングによって個片化することで得られる。このような方法において、端子数が数１０ピンから１００ピン程度の場合は、ウェハ上にはんだボール等の外部接続用端子を設けることが可能である。
【０００４】
しかしながら、半導体素子の微細化が進展し、端子数が１００ピン以上に増加してくると、ウェハ上のみに再配線層を形成し、外部接続用端子を設けることが難しくなる。無理に外部接続用端子を設けた場合、端子間のピッチが狭くなると共に、端子の高さが低くなり、半導体装置を実装した後の接続信頼性の確保が難しくなる。このため、半導体素子の微細化、すなわち外部接続用端子数の増加への対応が求められている。
【０００５】
このような背景から、近年、ウェハを所定サイズに個片化して半導体素子を得た後、半導体素子を再配置することで、半導体素子の外側にも外部接続用端子を設けることができる半導体装置の開発が進められている（例えば下記特許文献１〜３参照）。特許文献１〜３に記載されている半導体装置は、ウェハを所定サイズに個片化して半導体素子を得た後、半導体素子を再配置するため、ウェハ上に再配線するよりも再配線領域を広く確保することができ、半導体素子の多ピン化に対応することが可能となる。
【０００６】
他方で、小型化及び薄型化された半導体素子の加工性の向上を図る観点から、複数の半導体素子をプラスチックで封止した成型体を用いる方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。
【０００７】
次に、図１〜３を用いて、従来の半導体装置の製造方法の一例について説明する。図１〜３は、従来の半導体装置の製造方法を模式的に示す端面図である。図３（ｎ）に示す半導体装置３０は、半導体素子の再配置、封止、再配線層の形成、配線の形成、外部接続用端子の形成、及び、個片化等の工程を経て得られる。
【０００８】
まず、支持体１０の片側の面に仮固定用フィルムを貼り合わせて、支持体１０上に仮固定層１２を形成する（図１（ａ）参照）。次いで、半導体素子１４の能動面（表面：回路が形成された面）１４ａが仮固定層１２に当接するように、複数の半導体素子１４を所定の間隔で再配置する（図１（ｂ）参照）。次いで、半導体素子１４を覆うように熱硬化性樹脂等の封止材１６で封止し、必要に応じて硬化処理を行う（図１（ｃ）参照）。次いで、ホットプレート等で加熱することにより、支持体１０及び仮固定層１２を剥離し、半導体素子１４の能動面１４ａを露出させる（図１（ｄ）及び図１（ｅ）参照）。
【０００９】
次いで、半導体素子１４の能動面１４ａ及び封止材１６上に、スピンコート等により感光性樹脂組成物層１８を形成する（図２（ｆ）参照）。次いで、形成された感光性樹脂組成物層１８の所定の箇所を露光処理及び現像処理した後、オーブン等で後硬化して絶縁層１８ａを形成する（図２（ｇ）参照）。次いで、スパッタ等によりシード層２０を形成する（図２（ｈ）参照）。次いで、シード層２０上にラミネート等により回路形成用レジストを形成した後、所定の箇所を露光処理及び現像処理することによりレジストパターン２２を形成する（図２（ｉ）参照）。次いで、電気めっき法により配線パターン２４を形成する（図２（ｊ）参照）。
【００１０】
次いで、剥離液により回路形成用レジスト２２を除去する（図３（ｋ）参照）。次いで、シード層２０の一部をエッチングにより除去する（図３（ｌ）参照）。次いで、再度、スピンコート等により感光性樹脂組成物層を形成し、所定の箇所を露光処理及び現像処理した後、オーブン等で後硬化することにより絶縁層２６を形成する（図３（ｍ）参照）。次いで、はんだボール２８をリフロー搭載した後、ダイシングによって個片化することで半導体装置３０を作製することができる（図３（ｎ）参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−１４７８９号公報
【特許文献２】特開２００１−２４４３７２号公報
【特許文献３】特開２００１−１２７０９５号公報
【特許文献４】米国特許出願公開第２００７／２０５５１３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記の方法で得られた半導体装置は、小型化及び薄型化が可能であるため、高機能化及び多機能化が進むスマートフォン、タブレット端末等の電子機器に用いることができる。しかしながら、半導体装置の小型化及び薄型化に伴い、半導体装置が反ってしまうという問題点（例えば、加熱を伴う工程における反りに関する問題点）があり、反りを抑制するために、半導体素子を充分に封止しつつ、半導体素子の受動面（能動面と反対側の面）上の厚みを薄くする必要がある。
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体素子を充分に封止しつつ半導体装置の薄型化が可能な半導体装置製造用部材を提供することを目的とする。
【００１４】
また、本発明は、前記半導体装置製造用部材を用いる半導体装置の製造方法、当該製造方法により得られる半導体装置、前記半導体装置製造用部材に用いられる熱硬化性樹脂組成物、前記半導体装置製造用部材の製造に用いられる熱硬化性樹脂フィルム、及び、前記熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、半導体素子の再配置に用いられる半導体装置製造用部材であって、能動面、及び、当該能動面とは反対側の受動面を有する半導体素子と、当該半導体素子の前記受動面に当接する熱硬化性樹脂組成物層（ａ）と、を備える、半導体装置製造用部材を提供する。
【００１６】
本発明に係る半導体装置製造用部材によれば、予め半導体素子の受動面上に熱硬化性樹脂組成物層が配置されているため、半導体装置の薄型化に際して半導体素子の受動面上の熱硬化性樹脂組成物層が薄い場合であっても、半導体素子及び半導体素子間の間隙を充分に封止することができる。このような半導体装置製造用部材によれば、反りを抑制しつつ薄型の半導体装置を効率よく得ることができる。
【００１７】
ところで、本発明者は、従来の半導体装置の製造方法において、無機フィラーを含有する熱硬化性樹脂組成物を半導体素子上に供給して半導体素子を封止することにより薄型の半導体装置を製造する場合、無機フィラーが半導体素子の受動面上で凝集し樹脂の流動が阻害されてしまうことにより、半導体素子や半導体素子間の間隙が充分に封止されない問題があることを見出した。これに対し、本発明に係る半導体装置製造用部材によれば、熱硬化性樹脂組成物層（ａ）が無機フィラーを含有する場合であっても、予め半導体素子の受動面上に熱硬化性樹脂組成物層（ａ）が配置されていることにより、封止時に半導体素子の受動面上で無機フィラーが凝集することが抑制され、半導体素子及び半導体素子間の間隙を充分に封止することができる。
【００１８】
前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の厚みは、３０〜３００μｍであることが好ましい。前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂から選ばれる１種以上を含む樹脂と、最大粒径が２０μｍ以下かつ平均粒径が５μｍ以下である無機フィラーと、を含有することが好ましい。
【００１９】
本発明に係る半導体装置製造用部材は、支持体と、仮固定層と、前記半導体素子と、前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）と、をこの順に備える態様であってもよい。
【００２０】
本発明は、（Ｉ）前記半導体素子の前記能動面と仮固定層とが当接するように、前記半導体装置製造用部材の前記半導体素子を再配置する工程、（ＩＩ）前記半導体素子を前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）で封止して、前記半導体素子の全体を覆う熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を形成する工程、（ＩＩＩ）前記熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を硬化して絶縁層（Ａ）を形成する工程、（ＩＶ）前記仮固定層が除去された状態において前記半導体素子の前記能動面上に感光性樹脂組成物層を形成する工程、（Ｖ）前記感光性樹脂組成物層に露光処理及び現像処理を施して、前記半導体素子の前記能動面にまで至る開口部を前記感光性樹脂組成物層に形成する工程、（ＶＩ）前記感光性樹脂組成物層を硬化して絶縁層（Ｂ）を形成する工程、（ＶＩＩ）前記絶縁層（Ｂ）上にシード層を形成する工程、（ＶＩＩＩ）前記シード層上に回路形成用レジストを形成し、露光処理及び現像処理を施して再配線用のレジストパターンを形成する工程、（ＩＸ）前記シード層における前記レジストパターンから露出する部分上に配線パターンを形成した後、前記レジストパターンを除去する工程、（Ｘ）前記シード層における前記配線パターンから露出する部分を除去する工程、（ＸＩ）前記配線パターンにまで至る開口部を有する絶縁層（Ｃ）を前記配線パターン上に形成する工程、並びに、（ＸＩＩ）前記絶縁層（Ｃ）の前記開口部に外部接続用端子を形成する工程、を備える、半導体装置の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明は、前記半導体装置の製造方法により得られる、半導体装置を提供する。
【００２２】
本発明は、前記半導体装置製造用部材の前記熱硬化性樹脂組成物層（ａ）に用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂から選ばれる１種以上を含む樹脂と、最大粒径が２０μｍ以下かつ平均粒径が５μｍ以下である無機フィラーと、を含有する、熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【００２３】
本発明は、前記半導体装置製造用部材の製造に用いられる熱硬化性樹脂フィルムであって、支持体と、当該支持体に積層された熱硬化性樹脂組成物層とを備え、前記熱硬化性樹脂組成物層が前記熱硬化性樹脂組成物を含む、熱硬化性樹脂フィルムを提供する。
【００２４】
本発明は、前記熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られる、半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、半導体素子を充分に封止しつつ半導体装置の薄型化が可能な半導体装置製造用部材を提供することができる。また、本発明によれば、前記半導体装置製造用部材を用いる半導体装置の製造方法、当該製造方法により得られる半導体装置、前記半導体装置製造用部材に用いられる熱硬化性樹脂組成物、前記半導体装置製造用部材の製造に用いられる熱硬化性樹脂フィルム、及び、前記熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られる半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】従来の半導体装置の製造方法を模式的に示す端面図である。
【図２】図１の続きを模式的に示す端面図である。
【図３】図２の続きを模式的に示す端面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す端面図である。
【図５】図４の続きを模式的に示す端面図である。
【図６】図５の続きを模式的に示す端面図である。
【図７】図６の続きを模式的に示す端面図である。
【図８】図７の続きを模式的に示す端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００２８】
＜半導体装置製造用部材＞
本実施形態の半導体装置製造用部材は、半導体素子の再配置に用いられる半導体装置製造用部材である。「半導体素子の再配置」とは、例えば、シリコンウェハの個片化後に得られる半導体素子を再び配置することをいう。本実施形態の半導体装置製造用部材は、少なくとも、能動面（表面：回路が形成された面。回路面）、及び、当該能動面とは反対側の受動面を有する半導体素子と、当該半導体素子の受動面に当接する熱硬化性樹脂組成物層（ａ）と、を備える。半導体素子の大きさに制限はなく、半導体素子としては、例えば、シリコンウェハを個片化して得られる半導体チップが挙げられる。
【００２９】
本実施形態の半導体装置製造用部材としては、例えば、後述する図４（ｂ）又は図４（ｃ）に示される半導体装置製造用部材１１０，１２０ａが挙げられる。図４（ｃ）の半導体装置製造用部材１２０ａは、半導体素子１２２と、熱硬化性樹脂組成物層１２４とを積層方向においてこの順に備える積層構造を有する。
【００３０】
（熱硬化性樹脂組成物層（ａ））
熱硬化性樹脂組成物層（ａ）は、熱硬化性樹脂組成物から構成される層（熱硬化性樹脂組成物を層形成してなる層）であり、半導体素子の受動面上に形成される層である。熱硬化性樹脂組成物層（ａ）中の熱硬化性樹脂は、半導体素子を封止後に後硬化する観点から、半硬化又は未硬化であることが好ましい。
【００３１】
なお、本明細書において、「半硬化」とは、ＪＩＳ  Ｋ  ６８００「接着剤・接着用語」に定義されているようなＢ−ステージ（熱硬化性樹脂組成物の硬化中間体。この状態での樹脂は、加熱すると軟化し、ある種の溶剤に触れると膨潤するが、完全に溶融又は溶解することはない）状態を意味し、「未硬化」とは、前記溶剤に実質的に熱硬化性樹脂の全部が溶解する状態を意味する。
【００３２】
熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の厚み（半導体素子の封止前の厚み、図４（ｂ）の厚みＴ２）は、半導体素子を好適に封止できる厚みであり、好ましくは３０〜３００μｍ、より好ましくは５０〜２００μｍ、さらに好ましくは７５〜１００μｍである。熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の厚みを３００μｍ以下とすることにより、薄型の半導体装置に好適である。熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の厚みを３０μｍ以上とすることにより、封止後の熱硬化性樹脂組成物層（後述する熱硬化性樹脂組成物層（ｂ））を均一に形成することができ、半導体素子の受動面側の平滑性を向上させることができる。
【００３３】
以下、本実施形態の半導体装置製造用部材の熱硬化性樹脂組成物層（ａ）に好適に用いられる熱硬化性樹脂組成物についてさらに説明する。
【００３４】
［熱硬化性樹脂組成物］
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、樹脂成分及び無機フィラーを含有することができる。
【００３５】
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂成分は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂から選ばれる１種以上である。本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、半導体装置の低反り化効果及び薄型化効果をより効果的に発現させる観点から、エポキシ樹脂を含有することが好ましく、エポキシ樹脂とエポキシ樹脂用硬化剤とを含有することがより好ましい。また、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、アクリル樹脂、酸変性エポキシアクリレート、酸含有ウレタン樹脂等のカルボン酸含有樹脂を含有していてもよい。
【００３６】
熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を構成する熱硬化性樹脂組成物としては、特に限定されないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂から選ばれる１種以上を含む樹脂成分（樹脂）と、最大粒径が２０μｍ以下かつ平均粒径が５μｍ以下である無機フィラーと、を含有する熱硬化性樹脂組成物が好ましい。
【００３７】
〔樹脂成分〕
｛エポキシ樹脂｝
エポキシ樹脂としては、例えば、１分子中に２個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；ノボラックフェノール型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；ナフタレン型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ビキシレノールジグリシジルエーテル等のビキシレノール型エポキシ樹脂；水添ビスフェノールＡグリシジルエーテル等の水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；及び、それらの二塩基酸変性ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３８】
市販のエポキシ樹脂としては、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ４７００」（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製「ＮＣ−７０００」（ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のナフタレン型エポキシ樹脂；日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノールエポキシ樹脂）等の、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ（株）製「エピクロンＨＰ−７２００Ｈ」（ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のジシクロペンタジエンアラルキル型エポキシ樹脂；日本化薬（株）製「ＮＣ−３０００Ｈ」（ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂；ＤＩＣ（株）製「エピクロンＮ６６０」、「エピクロンＮ６９０」、日本化薬（株）製「ＥＯＣＮ−１０４Ｓ」等のノボラック型エポキシ樹脂；日産化学工業（株）製「ＴＥＰＩＣ」等のトリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート；ＤＩＣ（株）製「エピクロン８６０」、「エピクロン９００−ＩＭ」、「エピクロンＥＸＡ―４８１６」、「エピクロンＥＸＡ−４８２２」、旭チバ（株）製「アラルダイトＡＥＲ２８０」、新日鐵化学（株）製「エポトートＹＤ−１３４」、三菱化学（株）製「ＪＥＲ８３４」、「ＪＥＲ８７２」、住友化学（株）製「ＥＬＡ−１３４」等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ＤＩＣ（株）製「エピクロンＨＰ−４０３２」等のナフタレン型エポキシ樹脂；ＤＩＣ（株）製「エピクロンＮ−７４０」等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂；フェノールとサリチルアルデヒドの縮合物のエポキシ樹脂；日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ−５００シリーズ」などが挙げられる。
【００３９】
上記エポキシ樹脂の中でも、銅との密着性、及び、絶縁性に優れる観点から、日本化薬（株）製「ＮＣ−３０００Ｈ」（ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂が好ましく、また、架橋密度が高く、高Ｔｇが得られる観点から、日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ−５００シリーズ」が好ましい。
【００４０】
熱硬化性樹脂組成物層（ａ）中のエポキシ樹脂の含有量は、無機フィラーを除く樹脂成分１００質量部に対して、好ましくは３０〜９０質量部、より好ましくは４０〜８０質量部、さらに好ましくは５０〜８０質量部である。
【００４１】
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂用硬化剤を併用することが好ましく、必要に応じて硬化促進剤を組み合わせて使用してもよい。エポキシ樹脂と組み合わせる硬化剤としては、従来公知のエポキシ樹脂用硬化剤を用いることができる。
【００４２】
エポキシ樹脂用硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、酸無水物、脂肪族アミン、脂環族ポリアミン、芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド、グアニジン類等が挙げられる。具体的には、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、トリメチレンビス（４−アミノベンゾエート）、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、９，９’−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン等が挙げられる。エポキシ樹脂用硬化剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４３】
また、エポキシ樹脂用硬化剤として、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物に好適に用いられる、後述するフェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂を用いてもよく、半導体装置の低反り化効果及び薄型化効果をより効果的に発現させる観点から、ポリアミドイミド樹脂又は熱硬化性ポリイミド樹脂をエポキシ樹脂用硬化剤として用いることが好ましい。
【００４４】
熱硬化性樹脂組成物中のエポキシ樹脂用硬化剤の含有量は、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂用硬化剤の種類に応じて適宜決定すればよいが、半導体装置の低反り化効果及び薄型化効果をより効果的に発現させる観点から、無機フィラーを除く樹脂成分１００質量部に対して、好ましくは５〜５０質量部、より好ましくは１０〜４０質量部である。
【００４５】
エポキシ樹脂と組み合わせる硬化促進剤としては、従来公知の硬化促進剤を用いることができる。具体的には、イミダゾール化合物又はそのエポキシアダクト若しくはマイクロカプセル化物；ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（４．５．０）ウンデセン−７）又はその誘導体等の複素環式化合物；第３級アミン化合物；トリフェニルホスフィン等の有機フォスフィン化合物；テトラフェニルホスフォニウム塩、テトラフェニルボレート塩等のオニウム塩化合物などが挙げられる。硬化促進剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４６】
｛フェノール樹脂｝
フェノール樹脂としては、例えば、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール樹脂が挙げられる。フェノール樹脂としては、特に制限されないが、例えば、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ及び置換又は非置換のビフェノール等の１分子中に２個のフェノール性水酸基を有する化合物、アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ベンズアルデヒド型フェノールとアラルキル型フェノールとの共重合型フェノール樹脂、パラキシリレン及び／又はメタキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型ナフトール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、並びに、これらの２種以上を共重合して得られるフェノール樹脂などが挙げられる。フェノール樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４７】
フェノール樹脂は、従来公知のフェノール樹脂用硬化剤と併用して用いてもよく、エポキシ樹脂用硬化剤として用いてもよい。
【００４８】
｛シアネート樹脂｝
シアネート樹脂としては、例えば、１分子中に２個以上のイソシアネート基を有する化合物が挙げられる。シアネート樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビス（４−シアネートフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−シアネートフェニル）メタン、ビス（３−エチル−４−シアネートフェニル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−シアネートフェニル）メタン、１，１−ビス（４−シアネートフェニル）エタン、２，２−ビス（４−シアネートフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−シアネートフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ジ（４−シアネートフェニル）エーテル、ジ（４−シアネートフェニル）チオエーテル、４，４−ジシアネート−ジフェニル等が挙げられる。シアネート樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４９】
｛ポリアミドイミド樹脂｝
ポリアミドイミド樹脂は、分子骨格中にアミド結合とイミド結合とを有する樹脂であり、例えば、１分子中にカルボキシル基及びカルボン酸無水物の両者を有する化合物とジイソシアネート化合物とを反応させることにより得られるもの、及び、イミド基を有するジカルボン酸化合物とジイソシアネート化合物とを反応させることにより得られるもの等が挙げられる。
【００５０】
イミド基を有するジカルボン酸化合物は、例えば、ジアミン化合物と、無水トリメリット酸等のトリカルボン酸化合物とを反応させることにより得ることができる。イミド基を有するジカルボン酸化合物の製造に用いられるジアミン化合物としては、例えば、（４，４’−ジアミノ）ジシクロヘキシルメタンが好ましく挙げられ、硬化物の物性を調整する観点から、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル等のフェノール性水酸基を有するジアミン化合物を用いてもよい。
【００５１】
ジイソシアネート化合物としては、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートが好ましく挙げられる。
【００５２】
ポリアミドイミド樹脂としては、例えば、東洋紡績（株）製「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」、「バイロマックスＨＲ１２Ｎ２」、「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」等が商業的に入手可能である。
【００５３】
｛熱硬化性ポリイミド樹脂｝
熱硬化性ポリイミド樹脂としては、分子構造中に少なくとも２個の不飽和Ｎ−置換マレイミド基を有するビスマレイミド化合物を含有することが好ましい。具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ’−エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（１，３−フェニレン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−［１，３−（２−メチルフェニレン）］ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−［１，３−（４−メチルフェニレン）］ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（１，４−フェニレン）ビスマレイミド、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミド、ビス（４−マレイミドフェニル）エーテル、ビス（４−マレイミドフェニル）スルホン、ビス（４−マレイミドフェニル）スルフィド、ビス（４−マレイミドフェニル）ケトン、ビス（４−マレイミドシクロヘキシル）メタン、１，４−ビス（４−マレイミドフェニル）シクロヘキサン、１，４−ビス（マレイミドメチル）シクロヘキサン、１，４−ビス（マレイミドメチル）ベンゼン、１，３−ビス（４−マレイミドフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−マレイミドフェノキシ）ベンゼン、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］エタン、２，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、４，４−ビス（３−マレイミドフェノキシ）ビフェニル、４，４−ビス（４−マレイミドフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］ケトン、２，２’−ビス（４−マレイミドフェニル）ジスルフィド、ビス（４−マレイミドフェニル）ジスルフィド、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］エーテル、１，４−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）−３，５−ジメチル−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、ポリフェニルメタンマレイミド等が挙げられる。マレイミド化合物は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
上記マレイミド化合物の重合触媒としては、公知のビスマレイミド樹脂用の重合触媒を使用することができ、例えば、イミダゾール類、第３級アミン類、第４級アンモニウム塩類、三弗化ホウ素アミン錯体、オルガノフォスフィン類、オルガノホスホニウム塩等のイオン触媒；ヒドロペルオキシド等の有機過酸化物；アゾイソブチロニトリル等のアゾ化合物等のラジカル重合開始剤などが挙げられる。
【００５５】
重合触媒の添加量は、目的に応じて適宜決定すればよいが、マレイミド樹脂組成物の安定性に優れる観点から、樹脂成分１００質量部に対して、好ましくは０．１〜３．０質量部である。
【００５６】
熱硬化性ポリイミド樹脂は、エポキシ樹脂用硬化剤としても好ましく用いられる。エポキシ樹脂用硬化剤として好適に用いられる熱硬化性ポリイミド樹脂としては、好ましくは上記マレイミド化合物とジアミン化合物との反応物、より好ましくは上記マレイミド化合物とジアミン化合物と酸性置換基を有するアミン化合物との反応物である。
【００５７】
上記反応物の製造に用いられるジアミン化合物としては、例えば、芳香族アミン類であるｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ベンジジン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノ−３，３’−ビフェニルジオール及びグアナミン化合物類であるベンゾグアナミン等が好ましく挙げられる。
【００５８】
また、上記反応物の製造に用いられる酸性置換基を有するアミン化合物としては、例えば、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール、ｏ−アミノフェノール、ｐ−アミノ安息香酸、ｍ−アミノ安息香酸、ｏ−アミノ安息香酸、ｏ−アミノベンゼンスルホン酸、ｍ−アミノベンゼンスルホン酸、ｐ−アミノベンゼンスルホン酸、３，５−ジヒドロキシアニリン、３，５−ジカルボキシアニリン等が好ましく挙げられる。
【００５９】
〔無機フィラー〕
無機フィラーとしては、従来公知の無機フィラーを使用することができ、例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、窒化ケイ素及び窒化アルミニウム等の粒子、並びに、銅、錫、亜鉛、ニッケル、銀、パラジウム、アルミニウム、鉄、コバルト、金及び白金等の金属粒子（金属粉体等）などが挙げられる。無機フィラーは、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６０】
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物において無機フィラーの最大粒径は、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは１μｍ以下である。
【００６１】
また、無機フィラーの平均粒径は、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以下、特に好ましくは３００ｎｍ以下、極めて好ましくは１００ｎｍ以下である。
【００６２】
無機フィラーの最大粒径及び平均粒径を上記範囲内とすることにより、デスミア処理後の表面を平滑にすることができる。
【００６３】
無機フィラーの最大粒径及び平均粒径は、小さいものほど好ましいが、生産性及び入手容易性の観点から、最大粒径は、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上であり、平均粒径は、好ましくは２ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上である。
【００６４】
なお、ここでいう無機フィラーの最大粒径及び平均粒径は、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「ＵＰＡ−ＥＸ１５０」（日機装（株）製）又はレーザ回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「ＭＴ−３１００」（日機装（株）製）を用いて測定した値を意味する。
【００６５】
熱硬化性樹脂組成物中の無機フィラーの含有量は、半導体装置の低反り化効果及び薄型化効果をより効果的に発現させる観点から、樹脂成分１００質量部に対して、好ましくは０〜９０質量部、より好ましくは１０〜７０質量部、さらに好ましくは２０〜４０質量部である。
【００６６】
無機フィラーとしてシリカを用いる場合、一次粒径のまま凝集することなく樹脂成分中に分散させる観点から、シランカップリング剤により表面処理したシリカを用いることが好ましい。
【００６７】
シランカップリング剤としては、一般的に入手可能なものを用いることができ、例えば、アルキルシラン、アルコキシシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、アクリルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン、サルファーシラン、スチリルシラン、アルキルクロロシラン等が使用可能である。
【００６８】
具体的な化合物名としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−ドデシルメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルシラノール、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、ｎ−オクチルジメチルクロロシラン、テトラエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、ビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）ジスルフィド、ビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィド、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジアリルジメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６９】
［熱硬化性樹脂組成物の製造方法］
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の製造方法は、特に限定されないが、例えば、上記樹脂成分、無機フィラー等を、公知の撹拌機、混合機等を用いて混合することにより製造することができる。
【００７０】
熱硬化性樹脂組成物は、後に塗工等を行う観点から、液状の熱硬化性樹脂組成物又は熱硬化性樹脂組成物溶液（以下、「樹脂ワニス」ともいう）として得ることが好ましい。樹脂ワニスを得る方法としては、例えば、各成分を公知の撹拌機等により溶媒に溶解又は分散する方法、又は、予め各成分を溶融混合することにより得られた熱硬化性樹脂組成物を溶媒に溶解若しくは分散させる方法等が挙げられる。溶媒としては、樹脂成分を溶解することができ、かつ、無機フィラーを分散させることができる溶媒であれば特に限定されないが、例えば、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等が挙げられる。
【００７１】
＜半導体装置製造用部材の製造方法＞
図４を用いて本実施形態の半導体装置製造用部材の製造方法を説明する。まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハ１１２を準備する。シリコンウェハ１１２は、能動面１１２ａ、及び、能動面１１２ａとは反対側の受動面１１２ｂを有している。シリコンウェハ１１２、及び、シリコンウェハ１１２を個片化して得られる半導体素子の厚みＴ１は、例えば、２０〜１００μｍである。
【００７２】
次いで、図４（ｂ）に示すように、シリコンウェハ１１２の受動面１１２ｂ上に熱硬化性樹脂組成物層（熱硬化性樹脂組成物層（ａ））１１４を形成することにより半導体装置製造用部材１１０を得る。
【００７３】
次いで、図４（ｃ）に示すように、半導体装置製造用部材１１０（熱硬化性樹脂組成物層１１４が形成されたシリコンウェハ１１２）を個片化することにより、能動面１２２ａ、及び、能動面１２２ａとは反対側の受動面１２２ｂを有する半導体素子１２２と、半導体素子１２２の受動面１２２ｂに当接する熱硬化性樹脂組成物層１２４（熱硬化性樹脂組成物層（ａ））と、を備える半導体装置製造用部材１２０ａを得る。
【００７４】
半導体装置製造用部材１１０は、例えば、下記工程（ｉ）又は工程（ｉｉ）により製造することができる。
（ｉ）液状の熱硬化性樹脂組成物又は樹脂ワニスをシリコンウェハ１１２の受動面１１２ｂ上に塗布する方法。
（ｉｉ）熱硬化性樹脂組成物を支持体上に塗布及び乾燥して得られる熱硬化性樹脂フィルムをシリコンウェハ１１２の受動面１１２ｂ上に貼着する方法。
【００７５】
（工程（ｉ））
工程（ｉ）は、液状の熱硬化性樹脂組成物又は樹脂ワニスをシリコンウェハ１１２の受動面１１２ｂ上に塗布する方法である。塗布の方法としては、公知のコーターによる塗布、印刷法による塗布等が挙げられる。コーターの方式は、特に限定されるものではなく、ダイ、コンマ、ディップ、スピン等が使用できる。
【００７６】
液状の熱硬化性樹脂組成物又は樹脂ワニスを塗布した後の乾燥条件は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物を未硬化又は半硬化の状態で維持しつつ溶媒を除去する観点から、乾燥温度としては、好ましくは５０〜１５０℃、乾燥時間としては、好ましくは１〜３０分である。乾燥機としては、ホットプレート、乾燥炉等を用いることができる。
【００７７】
（工程（ｉｉ））
工程（ｉｉ）は、熱硬化性樹脂組成物を支持体上に塗布及び乾燥して得られる熱硬化性樹脂フィルムをシリコンウェハ１１２の受動面１１２ｂ上に貼着する方法である。
【００７８】
［熱硬化性樹脂フィルム］
本実施形態の熱硬化性樹脂フィルムは、半導体装置製造用部材の製造に用いられる熱硬化性樹脂フィルムであり、例えば上記工程（ｉｉ）において好適に用いられる。工程（ｉｉ）で好適に用いられる本実施形態の熱硬化性樹脂フィルムについて説明する。本実施形態の熱硬化性樹脂フィルムは、支持体αと、支持体αに積層された熱硬化性樹脂組成物層とを備え、前記熱硬化性樹脂組成物層が本実施形態の熱硬化性樹脂組成物を含む。本実施形態の熱硬化性樹脂フィルムは、例えば、熱硬化性樹脂組成物を支持体α上に塗布及び乾燥することにより製造することができる。
【００７９】
支持体αとしては、特に限定されず、ポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、「ＰＥＴフィルム」ともいう）等の公知のフィルムを使用することができる。支持体αの厚みは、使用する材質等に応じて適宜選択すればよいが、好ましくは１〜５０μｍ、より好ましくは１０〜３０μｍである。
【００８０】
熱硬化性樹脂フィルムの厚みは、好ましくは３０〜５００μｍ、より好ましくは５０〜４５０μｍ、さらに好ましくは７５〜４００μｍである。
【００８１】
熱硬化性樹脂フィルムは、支持体α上に、公知のコーター等を用いて前記液状の熱硬化性樹脂組成物又は樹脂ワニスを塗布し、次いで、乾燥機等により乾燥することにより製造することができる。塗布の方法としては、前記工程（ｉ）と同様の方法が挙げられる。
【００８２】
乾燥条件としては、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物を未硬化又は半硬化の状態で維持しつつ溶媒を除去する観点から、乾燥温度としては、好ましくは５０〜１５０℃、より好ましくは８０〜１２０℃であり、乾燥時間としては、好ましくは１〜６０分、より好ましくは５〜２０分である。
【００８３】
また、熱硬化性樹脂フィルムには、熱硬化性樹脂組成物層（ａ）への埃等の付着を抑制する観点から、ポリエチレンフィルム等の保護フィルムを貼着してもよい。
【００８４】
このようにして得られた熱硬化性樹脂フィルムを、公知の真空ラミネータ、ロールラミネータ、プレス機等を用いて、シリコンウェハの受動面上に貼着することにより、本実施形態の半導体装置製造用部材を製造することができる。
【００８５】
シリコンウェハとの貼り合わせ工程におけるラミネータの温度、時間及び圧力は、シリコンウェハの受動面上に、熱硬化性樹脂組成物が均一に、かつ、空気のかみこみ等が生じない条件を適宜選択すればよい。ラミネータの温度としては、後に半導体素子の受動面上で熱硬化性樹脂組成物を流動させて封止する必要があることから、好ましくは３０〜９０℃、より好ましくは４０〜８０℃である。ラミネータの時間としては、同様の観点から、好ましくは１〜６０秒、より好ましくは２〜２０秒である。ラミネータの圧力としては、同様の観点から、好ましくは０．０５〜１．０ＭＰａ、より好ましくは０．２〜０．６ＭＰａである。
【００８６】
＜半導体装置製造用部材の他の態様＞
本実施形態の半導体装置製造用部材は、少なくとも、支持体と、仮固定層と、半導体素子と、熱硬化性樹脂組成物層と、を積層方向においてこの順に備える態様であってもよい。例えば、後述する図５（ｅ）に示される半導体装置製造用部材１２０ｂは、支持体１２６と、仮固定層１２８と、半導体素子１２２と、熱硬化性樹脂組成物層１２４と、を積層方向においてこの順に備える。
【００８７】
（支持体）
支持体（図５（ｄ）の支持体１２６等）としては、特に限定されないが、熱による寸法変化が小さいＳＵＳ板、シリコンウェハ、ガラスクロスに樹脂を含浸させたガラスクロス入りコア基材等が好ましい。また、支持体の厚みは、特に限定されないが、好ましくは０．４〜３．０ｍｍ、より好ましくは０．５〜３．０ｍｍである。支持体の厚みが０．４ｍｍ以上であると、変形を抑制することができ、３．０ｍｍ以下であると、質量（例えば、ＳＵＳ板を用いた場合の質量）が大きくなり過ぎずハンドリングが良好になる。
【００８８】
（仮固定層）
仮固定層（図５（ｄ）の仮固定層１２８等）としては、一般的に半導体装置の製造に用いられる仮固定用フィルム等を用いることができる。仮固定用フィルムとしては、例えば、紫外線照射を行うことによって接着力が低下する紫外線剥離フィルム、特定の薬液によって溶解する固定フィルム、加熱処理によって接着力が低下する熱剥離シート等が挙げられ、作業性、安全性及び環境保全の観点から、熱剥離シートが好ましい。熱剥離シートとしては、例えば「リバアルファシリーズ」（日東電工（株）製）が商業的に入手可能である。
【００８９】
＜半導体装置の製造方法＞
以下、本実施形態の半導体装置製造用部材の代表的な使用方法として、本実施形態の半導体装置の製造方法について、図５〜８を用いて説明する。
【００９０】
まず、図５（ｄ）に示すように、支持体１２６及び仮固定層１２８を準備し、支持体１２６上に仮固定層１２８を配置する。次いで、図５（ｅ）に示すように、仮固定層１２８上に、半導体素子１２２の能動面１２２ａが仮固定層１２８と当接するように、図４（ａ）〜（ｃ）を経て得られた複数の半導体装置製造用部材１２０ａを所定の間隔で貼着することで、半導体装置製造用部材１２０ａの半導体素子１２２を再配置して半導体装置製造用部材１２０ｂを得る。次いで、図５（ｆ）に示すように、半導体素子１２２の受動面１２２ｂ上に配置された熱硬化性樹脂組成物層１２４で半導体素子１２２の全体を封止して、半導体素子１２２の全体を覆う熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を形成した後、当該熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）の硬化処理を行い、熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を硬化してなる絶縁層１３０（絶縁層（Ａ））を形成する。次いで、図５（ｇ）に示すように、硬化処理後の積層体から支持体１２６及び仮固定層１２８を剥離する。次いで、図５（ｈ）に示すように、仮固定層１２８が除去された状態において半導体素子１２２の能動面１２２ａ及び絶縁層１３０上に感光性樹脂組成物層１３２を形成する。
【００９１】
その後、図６（ｉ）に示すように、感光性樹脂組成物層１３２の露光処理及び現像処理を行い、積層方向において感光性樹脂組成物層１３２の表面から半導体素子１２２の能動面１２２ａにまで至る開口部１３４を感光性樹脂組成物層１３２に形成した後、感光性樹脂組成物層１３２の後硬化を行い、感光性樹脂組成物層１３２を硬化してなる絶縁層（絶縁層（Ｂ））１３２ａを形成する。次いで、図６（ｊ）に示すように、絶縁層１３２ａの表面及び開口部１３４の内壁上にシード層１３６を形成する。次いで、図６（ｋ）に示すように、シード層１３６の上に、感光性樹脂組成物を用いてレジストパターン１３８を形成する。次いで、図６（ｌ）に示すように、シード層１３６におけるレジストパターン１３８から露出する部分上にめっき法（電気めっき法（電解めっき法）等）により配線パターン１４０を形成する。
【００９２】
その後、図７（ｍ）及び図７（ｎ）に示すように、シード層１３６の一部（シード層１３６における配線パターン１４０から露出する部分）、及び、レジストパターン１３８を除去する。次いで、図７（ｏ）に示すように、絶縁層１３２ａ及び配線パターン１４０を覆うように感光性樹脂組成物層１４２を形成する。次いで、図７（ｐ）に示すように、積層方向において絶縁層１４２ａの表面から配線パターン１４０にまで至る開口部１４４を有する絶縁層（絶縁層（Ｃ））１４２ａを絶縁層１３２ａ及び配線パターン１４０上に形成する。
【００９３】
その後、図８（ｑ）に示すように、配線パターン１４０における開口部１４４から露出した部分にめっきを施してめっき層１４６を形成する。次いで、図８（ｒ）に示すように、開口部１４４におけるめっき層１４６上に外部接続用端子１４８を形成する。次いで、図８（ｓ）に示すように、ダイシングによって個片化することで半導体装置１５０を得る。
【００９４】
なお、本実施形態の半導体装置は、図８（ｓ）のダイシングを行う前の積層体であってもよい。また、本実施形態では、仮固定層１２８上に配置された一つの半導体装置製造用部材１２０ａに対して半導体素子１２２の封止等の後続の工程を行って半導体装置を製造してもよい。
【００９５】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、例えば、下記工程（Ｉ）〜（ＸＩＩ）を備えている。
（Ｉ）半導体素子の能動面と仮固定層とが当接するように半導体装置製造用部材の半導体素子を再配置する工程
（ＩＩ）半導体素子を半導体装置製造用部材の熱硬化性樹脂組成物層（ａ）で封止して、半導体素子の全体を覆う熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を形成する工程
（ＩＩＩ）熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を硬化して絶縁層（Ａ）を形成する工程
（ＩＶ）仮固定層が除去された状態において半導体素子の能動面上に感光性樹脂組成物層を形成する工程
（Ｖ）感光性樹脂組成物層に露光処理及び現像処理を施して、半導体素子の能動面にまで至る開口部を感光性樹脂組成物層に形成する工程
（ＶＩ）感光性樹脂組成物層を硬化して絶縁層（Ｂ）を形成する工程
（ＶＩＩ）絶縁層（Ｂ）上にシード層を形成する工程
（ＶＩＩＩ）シード層上に回路形成用レジストを形成し、露光処理及び現像処理を施して再配線用のレジストパターンを形成する工程
（ＩＸ）シード層におけるレジストパターンから露出する部分上に配線パターンを形成した後、レジストパターンを除去する工程
（Ｘ）シード層における配線パターンから露出する部分を除去する工程
（ＸＩ）配線パターンにまで至る開口部を有する絶縁層（Ｃ）を配線パターン上に形成する工程
（ＸＩＩ）絶縁層（Ｃ）の開口部に外部接続用端子を形成する工程
【００９６】
本実施形態の半導体装置製造用部材を用いる半導体装置の製造方法では、予め半導体素子の受動面上に熱硬化性樹脂組成物層が配置されているため、半導体素子の受動面上の熱硬化性樹脂組成物層が薄い場合であっても、半導体素子及び半導体素子間の間隙を充分に封止することが可能な絶縁層を形成することができる。これによって、薄型の半導体装置を効率よく形成できると考えられる。本実施形態の半導体装置の製造方法は、薄型化が進むウェハレベル半導体装置の形態において特に好適である。
【００９７】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、（Ｓ１）シリコンウェハの受動面上に熱硬化性樹脂組成物層（ａ）を形成する工程、及び、（Ｓ２）熱硬化性樹脂組成物層（ａ）が形成されたシリコンウェハを個片化し半導体装置製造用部材を得る工程を備えていてもよい。また、本実施形態の半導体装置の製造方法は、工程（ＩＶ）の前に、（Ｓ３）仮固定層を半導体素子から剥離する工程を備えていてもよい。本実施形態の半導体装置の製造方法は、工程（ＸＩＩ）の後に、（Ｓ４）工程（ＸＩＩ）で得られた積層体を個片化する工程を備えていてもよい。
【００９８】
以下、図４〜８を用いて、図８（ｓ）に示す半導体装置の製造方法における各工程の一例についてさらに説明する。
【００９９】
（工程（Ｓ１））
工程（Ｓ１）は、図４（ｂ）に示すように、シリコンウェハ１１２の受動面１１２ｂ上に熱硬化性樹脂組成物層（熱硬化性樹脂組成物層（ａ））１１４を形成する工程である。熱硬化性樹脂組成物層１１４を得るための熱硬化性樹脂組成物は、上記工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）のように、液状及びフィルム状のいずれであってよい。熱硬化性樹脂組成物層１１４は、熱硬化性樹脂組成物が液状の場合は、印刷機を用いて液状の熱硬化性樹脂組成物を塗布して形成することができ、熱硬化性樹脂組成物がフィルム状の場合は、ロールラミネータ、真空ラミネータ等を用いてフィルム状の熱硬化性樹脂組成物を貼り付けて形成することができる。熱硬化性樹脂組成物層１１４の厚みは、目的とする絶縁層１３０（図５（ｆ））の厚みが得られるように調整する。
【０１００】
（工程（Ｓ２））
工程（Ｓ２）は、図４（ｃ）に示すように、熱硬化性樹脂組成物層１１４が形成されたシリコンウェハ１１２を個片化し半導体装置製造用部材１２０ａを得る工程である。半導体素子１２２は、ダイサーを用いて個片化して得ることができる。半導体装置製造用部材１２０ａにおいて、熱硬化性樹脂組成物層１２４は、半導体素子１２２の受動面１２２ｂの全面を覆っている。半導体素子１２２の少なくとも一部は熱硬化性樹脂組成物層１２４から露出しており、例えば、半導体素子１２２の側面の少なくとも一部が熱硬化性樹脂組成物層１２４から露出している。
【０１０１】
（工程（Ｉ））
工程（Ｉ）は、図５（ｅ）に示すように、半導体素子１２２の能動面１２２ａと仮固定層１２８とが当接するように、少なくとも一つの半導体装置製造用部材の半導体素子（図５（ｅ）では、半導体装置製造用部材１２０ａの半導体素子１２２）を再配置する工程である。
【０１０２】
（工程（ＩＩ））
工程（ＩＩ）は、図５（ｆ）に示すように、半導体素子１２２の全体を半導体装置製造用部材１２０ａの熱硬化性樹脂組成物層１２４で封止して、受動面１２２ｂを含む半導体素子１２２の全体を覆う熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）（絶縁層１３０となる層）を形成する工程である。封止方法は、市販のコンプレッション封止成型機、真空ラミネータ等を用いることができる。
【０１０３】
熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）及び次工程の絶縁層１３０の厚みは、好ましくは３０〜１５０μｍ、より好ましくは５０〜１２０μｍ、さらに好ましくは７５〜１００μｍである。厚みを３０μｍ以上とすることで、熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）及び絶縁層１３０の表面を平滑に封止することができ、厚みを１５０μｍ以下とすることで、薄型の半導体装置に好適である。
【０１０４】
（工程（ＩＩＩ））
工程（ＩＩＩ）は、熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を硬化して、熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を硬化してなる絶縁層１３０を形成する工程である。絶縁層１３０における半導体素子１２２上の部分の厚み（図５（ｆ）のＴ３）は、好ましくは１０〜１５０μｍ、より好ましくは１５〜１２０μｍ、さらに好ましくは２０〜１００μｍである。熱硬化条件は、使用する樹脂の種類に応じて適宜決定すればよいが、硬化反応を充分進行させる観点、及び、生産性を向上させる観点から、硬化温度は、好ましくは８０〜２３０℃、より好ましくは１００〜２００℃、さらに好ましくは１４０〜２００℃であり、硬化時間は、好ましくは５〜１８０分、より好ましくは１０〜１２０分、さらに好ましくは３０〜８０分である。
→Ｔ３の範囲を追記致しました。
【０１０５】
（工程（Ｓ３））
工程（Ｓ３）は、図５（ｇ）に示すように、仮固定層１２８を剥離する工程である。支持体１２６を有している場合、仮固定層１２８の剥離前、又は、仮固定層１２８の剥離と同時に、支持体１２６を剥離してもよい。なお、工程（Ｓ３）は、前記工程（ＩＩＩ）の前に行ってもよい。
【０１０６】
剥離方法は特に限定されないが、仮固定層１２８として熱剥離シートを用いた場合は、例えば、所定温度に設定されたホットプレート上に載せて加熱する方法により剥離することができる。加熱する温度は、用いる熱剥離シートに応じて適宜決定すればよい。
【０１０７】
（工程（ＶＩ））
工程（ＶＩ）は、図５（ｈ）に示すように、仮固定層１２８が除去された状態において半導体素子１２２の能動面１２２ａ上に感光性樹脂組成物層１３２を形成する工程である。感光性樹脂組成物層１３２の感光性樹脂組成物としては、公知の感光性樹脂組成物を用いることができ、液状及びフィルム状のいずれであってよい。感光性樹脂組成物層１３２は、感光性樹脂組成物が液状の場合は、印刷機やスピンコーターを用いて液状の感光性樹脂組成物を塗布して形成することができ、感光性樹脂組成物がフィルム状の場合は、ロールラミネータ、真空ラミネータ等を用いてフィルム状の感光性樹脂組成物を貼り付けて形成することができる。
【０１０８】
（工程（Ｖ））
工程（Ｖ）は、図６（ｉ）に示すように、感光性樹脂組成物層１３２に露光処理及び現像処理を施して、積層方向において感光性樹脂組成物層１３２の表面から半導体素子１２２の能動面１２２ａにまで至る開口部１３４を感光性樹脂組成物層１３２に形成する工程である。露光処理は、形成された回路形成用レジストに対して、マスクパターンを通して活性光線を照射することにより、回路形成用レジストの所定部分を露光し、露光部の回路形成用レジストを光硬化させる処理である。当該露光処理に次いで、露光部以外の回路形成用レジストを除去する現像処理を施すことにより、再配線用の感光性樹脂組成物層１３２を形成することができる。
【０１０９】
露光処理における活性光線の光源としては、公知の光源を用いることができ、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の、紫外線を有効に放射するものを好適に使用できる。また、直接描画方式のダイレクトレーザ露光を用いてもよい。
【０１１０】
露光量は、使用する装置、及び、感光性樹脂組成物の組成等によって異なるが、好ましくは１０〜６００ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは２０〜４００ｍＪ／ｃｍ２である。露光量が１０ｍＪ／ｃｍ２以上であると、光硬化の進行が充分となり安定して開口部を形成することができ、６００ｍＪ／ｃｍ２以下であると、光硬化が過剰に進行することを抑制することができ、感光性樹脂組成物層における開口部の開口形状を安定して得ることができる。
【０１１１】
現像処理に用いる現像液としては、例えば、２０〜５０℃のテトラメチルアンモニウムの希薄溶液（２．３８質量％水溶液）等のアルカリ現像液が用いられる。現像方法は、特に限定されず、前記現像液を用いて、パドル、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング及びスクラッピング等の公知の方法により行うことができる。
【０１１２】
（工程（ＶＩ））
工程（ＶＩ）は、感光性樹脂組成物層１３２の硬化（後硬化）を行い、感光性樹脂組成物層１３２を硬化してなる絶縁層１３２ａを形成する工程である。後硬化条件は、使用する樹脂の種類に応じて適宜決定すればよいが、硬化反応を充分進行させる観点、及び、生産性を向上させる観点から、硬化温度は、特に限定するものではないが、好ましくは１７０〜２３０℃、より好ましくは１８０〜２２０℃、さらに好ましくは１９０〜２１０℃であり、硬化時間についても特に限定するものではないが、好ましくは６０〜３００分、より好ましくは１２０〜２４０分、さらに好ましくは１４０〜２００分である。
【０１１３】
（工程（ＶＩＩ））
工程（ＶＩＩ）は、図６（ｊ）に示すように、絶縁層１３２ａの表面及び開口部１３４の内壁上にシード層１３６を形成する工程である。シード層１３６は、配線パターン（銅配線パターン等）１４０（図６（ｌ））をめっき法（電気めっき法等）によって形成する際の基層となる導電性薄膜であり、無電解銅めっき法、スパッタ法等により好適に形成することができる。スパッタ法による場合、金属（銅等）を蒸着する前にＴｉを蒸着する等、形成層を種々選択することができる。シード層１３６の厚みは、特に限定されないが、通常は０．１〜２．０μｍである。
【０１１４】
（工程（ＶＩＩＩ））
工程（ＶＩＩＩ）は、図６（ｋ）に示すように、シード層１３６上に回路形成用レジストを形成し、露光処理及び現像処理を施して再配線用のレジストパターン１３８を形成する工程である。
【０１１５】
回路形成用レジストとしては、回路形成用レジストとして用いられている公知のレジスト材料を用いることができ、液状及びフィルム状のいずれであってよい。回路形成用レジストは、レジスト材料が液状の場合は、印刷機を用いて液状のレジスト材料を塗布して形成することができ、レジスト材料がフィルム状の場合は、ロールラミネータ、真空ラミネータ等を用いてフィルム状のレジスト材料を貼り付けて形成することができる。
【０１１６】
露光処理は、形成された回路形成用レジストに対して、マスクパターンを通して活性光線を照射することにより、回路形成用レジストの所定部分を露光し、露光部の回路形成用レジストを光硬化させる処理である。当該露光処理に次いで、露光部以外の回路形成用レジストを除去する現像処理を施すことにより、再配線用のレジストパターン１３８を形成することができる。
【０１１７】
露光処理における活性光線の光源としては、公知の光源を用いることができ、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の、紫外線を有効に放射するものを好適に使用できる。また、直接描画方式のダイレクトレーザ露光を用いてもよい。
【０１１８】
露光量は、使用する装置、及び、回路形成用レジストの組成等によって異なるが、好ましくは１０〜６００ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは２０〜４００ｍＪ／ｃｍ２である。露光量が１０ｍＪ／ｃｍ２以上であると、光硬化の進行が充分となり安定してレジストパターンを形成することができ、６００ｍＪ／ｃｍ２以下であると、光硬化が過剰に進行することを抑制することができ、回路形成用レジストにおける開口部の開口形状を安定して得ることができる。
【０１１９】
現像処理に用いる現像液としては、例えば、２０〜５０℃の炭酸ナトリウムの希薄溶液（１〜５質量％水溶液）等のアルカリ現像液が用いられる。現像方法は、特に限定されず、前記現像液を用いて、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング及びスクラッピング等の公知の方法により行うことができる。
【０１２０】
（工程（ＩＸ））
工程（ＩＸ）は、図６（ｌ）及び図７（ｍ）に示すように、シード層１３６におけるレジストパターン１３８から露出する部分上にめっき法（電気めっき法等）により配線パターン１４０を形成した後、剥離処理によりレジストパターン１３８を除去する工程である。電気めっきは、従来公知の方法により行えばよく、得られる配線パターン１４０の厚みは、１〜２０μｍが好ましい。
【０１２１】
（工程（Ｘ））
工程（Ｘ）は、図７（ｎ）に示すように、シード層１３６における配線パターン１４０から露出する部分を除去する工程である。シード層１３６の除去は、公知のエッチング液を用いて行うことができる。
【０１２２】
（工程（ＸＩ））
工程（ＸＩ）は、図７（ｏ）及び図７（ｐ）に示すように、積層方向において絶縁層１４２ａの表面から配線パターン１４０にまで至る開口部１４４を有する絶縁層１４２ａを配線パターン１４０上に形成する工程である。
【０１２３】
例えば、工程（ＸＩ）は、図７（ｏ）に示すように、絶縁層１３２ａ及び配線パターン１４０上に感光性樹脂組成物層１４２を形成した後、感光性樹脂組成物層１４２に露光処理及び現像処理を施して、配線パターン１４０にまで至る開口部１４４を感光性樹脂組成物層１４２に形成し、さらに、感光性樹脂組成物層１４２の硬化（後硬化）を行い、感光性樹脂組成物層１４２を硬化してなる絶縁層１４２ａを形成する工程である。
【０１２４】
絶縁層１４２ａは、絶縁層１３２ａの形成に用いられる感光性樹脂組成物を使用して好適に形成することができる。また、絶縁層１４２ａの好適な形成方法も、絶縁層１３２ａの形成方法と同様である。また、絶縁層１４２ａの開口部１４４の形成方法は、前記工程（Ｖ）における開口部１３４の形成方法と同様である。
【０１２５】
（工程（ＸＩＩ））
工程（ＸＩＩ）は、図８（ｑ）及び図８（ｒ）に示すように、絶縁層１４２ａの開口部１４４に外部接続用端子１４８を形成する工程である。
【０１２６】
外部接続用端子１４８を形成するにあたって、まず、図８（ｑ）に示すように、絶縁層１４２ａに設けた開口部１４４から露出した配線パターン１４０にめっき層（例えば、無電解ニッケルめっき層及び／又は金めっき層）１４６を形成することが好ましい。ニッケルめっきの厚みは、好ましくは１〜１０μｍであり、金めっきの厚みは、好ましくは０．０１〜１．０μｍ、より好ましくは０．０５〜０．１５μｍである。
【０１２７】
次いで、図８（ｒ）に示すように、絶縁層１４２ａの開口部１４４に外部接続用端子１４８としての導電材料を形成する。導電材料は、特に限定されるものではないが、環境保全の観点から、Ｓｎ−Ａｇ系や、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等のはんだを使用することが好ましい。また、回路形成用レジストを用いてＣｕポストを形成してもよい。
【０１２８】
（工程（Ｓ４））
工程（Ｓ４）では、図８（ｓ）に示すように、ダイサーを用いたダイシングによって個片化することで半導体装置１５０を得ることができる。
【０１２９】
以上、本発明の半導体装置製造用部材、及び、それを用いる半導体装置の製造方法等の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。
【実施例】
【０１３０】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【０１３１】
＜支持体及び仮固定層の準備＞
まず、図５（ｄ）に示すように、支持体１２６として、直径２２０ｍｍ、厚み１．５ｍｍのＳＵＳ板を準備した。次に、ラミネータを用いて仮固定用フィルム（日東電工（株）製、商品名：リバアルファＮｏ．３１９５Ｖ）をＳＵＳ板の片側に貼り付け、ＳＵＳ板上に仮固定層１２８を形成した。なお、ＳＵＳ板からはみ出した仮固定用フィルムについては、カッターナイフで切り離した。
【０１３２】
＜熱硬化性樹脂組成物の製造＞
［熱硬化性樹脂組成物Ａの製造］
熱硬化性樹脂組成物Ａを製造するにあたり、まず、硬化剤（Ａ−１）を調製した。
温度計、撹拌装置、還流冷却管付き水分定量器の付いた加熱及び冷却可能な容積２リットルの反応容器に、ビス（４−アミノフェニル）スルホン２６．４０ｇと、２，２’−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン４８４．５０ｇと、ｐ−アミノ安息香酸２９．１０ｇと、ジメチルアセトアミド３６０．００ｇとを入れ、１４０℃で５時間反応させて、分子主鎖中にスルホン基を有し、酸性置換基と不飽和Ｎ−置換マレイミド基とを有する硬化剤（Ａ−１）の溶液を得た。
【０１３３】
次に、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名：ＮＣ−３０００Ｈ）７０質量部と、上記で得られた硬化剤（Ａ−１）を固形分で３０質量部と、ビニルシランで処理したシリカフィラー（平均粒径：５０ｎｍ）を樹脂成分１００質量部に対して３０質量部とを配合して、ビーズミル（アシザワファインテック（株）製、商品名：スターミルＬＭＺ）を用い、周速１２ｍ／ｓにて３時間分散して、熱硬化性樹脂組成物Ａの溶液を得た。
【０１３４】
なお、シリカフィラーの分散状態については、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「ＵＰＡ−ＥＸ１５０」（日機装（株）製）、レーザ回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「ＭＴ−３１００」（日機装（株）製）を併用して測定し、平均粒径が５０ｎｍ、最大粒径が１μｍ以下であることを確認した。
【０１３５】
［熱硬化性樹脂組成物Ｂの製造］
熱硬化性樹脂組成物Ｂを製造するにあたり、まず、硬化剤（Ａ−２）を調製した。
ジアミン化合物として（４，４’−ジアミノ）ジシクロヘキシルメタン（新日本理化（株）製、商品名：ワンダミンＨＭ（ＷＨＭ））５２．７ｇ、反応性官能基を有するジアミンとして３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル６ｇ、トリカルボン酸無水物として無水トリメリット酸１０８ｇ、及び、非プロトン性極性溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン１２８１ｇをフラスコに入れ、フラスコ内の温度を８０℃に設定して３０分間撹拌した。撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン１９２ｇをさらに添加し、フラスコ内の温度を１６０℃に昇温して２．５時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水及びトルエンを除去しながら、フラスコ内の温度を１８０℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。フラスコ内の溶液を６０℃まで冷却した後、長鎖炭化水素鎖骨格（炭素原子数約５０）を有するジカルボン酸として水添α，ω−ポリブタジエンジカルボン酸（日本曹達（株）製、商品名：ＣＩ−１０００）３０９．５ｇを入れ、１０分間撹拌した。撹拌終了後、ジイソシアネートとして４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート１１９．７ｇを添加し、フラスコ内の温度を１６０℃に上昇させて２時間反応させ、硬化剤（Ａ−２）の溶液として、ポリアミドイミド樹脂溶液を得た。
【０１３６】
このポリアミドイミド樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ４７，０００であった。ポリアミドイミド１分子あたりの平均反応性官能基数Ｎは４．４であった。
【０１３７】
次に、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名：ＮＣ−３０００Ｈ）７０質量部と、上記で得られた硬化剤（Ａ−２）を固形分で３０質量部と、ビニルシランで処理したシリカフィラー（平均粒径：５０ｎｍ）を樹脂成分１００質量部に対して３０質量部とを配合して、ビーズミル（アシザワファインテック（株）製、商品名：スターミルＬＭＺ）を用い、周速１２ｍ／ｓにて３時間分散して、熱硬化性樹脂組成物Ｂの溶液を得た。
【０１３８】
熱硬化性樹脂組成物Ｂ中のシリカフィラーの分散状態を熱硬化性樹脂組成物Ａと同様の方法により分析し、平均粒径が５０ｎｍ、最大粒径が１μｍ以下であることを確認した。
【０１３９】
［熱硬化性樹脂組成物Ｃの製造］
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、商品名：エピクロンＮ６６０）７０質量部と、硬化剤としてフェノキシ樹脂（新日鉄化学（株）製、商品名：ＹＰ−５５）１０質量部及びメラミン変性フェノールノボラック樹脂（ＤＩＣ（株）製、商品名：ＬＡ７０５４）２０質量部と、硫酸バリウム粒子（平均粒径：３００ｎｍ）を樹脂成分１００質量部に対して１０質量部と、ビニルシランで処理したシリカフィラー（平均粒径：５０ｎｍ）を樹脂成分１００質量部に対して３０質量部とを配合して、ビーズミル（アシザワファインテック（株）製、商品名：スターミルＬＭＺ）を用い、周速１２ｍ／ｓにて３時間分散して、熱硬化性樹脂組成物Ｃの溶液を得た。
【０１４０】
熱硬化性樹脂組成物Ｃ中の硫酸バリウム粒子及びシリカフィラーの分散状態を熱硬化性樹脂組成物Ａと同様の方法により確認し、硫酸バリウム粒子の最大粒径が２μｍ以下であり、シリカフィラーの最大粒径が１μｍ以下であることを確認した。
【０１４１】
＜熱硬化性樹脂フィルムの製造＞
熱硬化性樹脂組成物Ａ〜Ｃの溶液を、支持体αであるＰＥＴフィルム（帝人（株）製、商品名：Ｇ２−１６、１６μｍ厚）上に、乾燥後の熱硬化性樹脂組成物層（ａ）の厚みが表１に示す厚みＴ（ａ１）になるように均一に塗布した。その後、熱風対流式乾燥機を用いて１００℃で約１０分間乾燥することによって熱硬化性樹脂フィルムを得た。
【０１４２】
次いで、熱硬化性樹脂フィルムに埃等が付着しないように、ポリエチレンフィルム（タマポリ（株）製、商品名：ＮＦ−１５）を保護フィルムとして貼り合わせ、保護フィルム付の熱硬化性樹脂フィルムＦ−１〜Ｆ−７を得た。熱硬化性樹脂フィルムの詳細を表１に示す。
【０１４３】
【表１】
2017010991.tif 000003
【０１４４】
＜実施例１〜１０＞
（半導体装置製造用部材の製造）
熱硬化性樹脂フィルムＦ−１〜Ｆ−７の保護フィルムのみを剥がし、８インチのシリコンウェハ（厚み：Ｔ１）の受動面上に載置した。プレス式真空ラミネータ（（株）名機製作所製、商品名：ＭＶＬＰ−５００）を用いてラミネートし、８インチのシリコンウェハの受動面上に熱硬化性樹脂組成物層（厚み：Ｔ（ａ２））を形成した。その後、支持体であるＰＥＴフィルムを剥離した後、ダイサーによって個片化し、半導体素子（厚み：Ｔ１）と熱硬化性樹脂組成物層（厚み：Ｔ（ａ２））とをこの順に有する半導体装置製造用部材Ｐ−１〜Ｐ−７を得た。半導体装置製造用部材の詳細を表２に示す。
【０１４５】
なお、プレス式真空ラミネータの真空引き時間は２０秒、ラミネート時間は３０秒、ラミネート温度は５０℃、ラミネート圧力は０．４ＭＰａ、気圧は４ｋＰａ以下の条件とした。また、個片化された半導体装置製造用部材Ｐ−１〜Ｐ−７のサイズは７．３ｍｍ×７．３ｍｍとした。
【０１４６】
（コンプレッション封止成形物の作製）
まず、図５（ｅ）に示すように、表２に示す厚みＴ１＋Ｔ（ａ２）を有する７．３ｍｍ×７．３ｍｍの半導体装置製造用部材Ｐ−１〜Ｐ−７のそれぞれを、支持体１２６に貼り付けた仮固定層（仮固定用フィルム）１２８と、半導体装置製造用部材中の半導体素子の能動面とが当接するように格子状に配置（再配置）した。
【０１４７】
半導体装置製造用部材の搭載数は２９３個、ピッチは縦方向、横方向ともに９．６ｍｍとした。半導体装置製造用部材の配置にはダイソーター（キヤノンマシナリー（株）製、商品名：ＣＡＰ３５００）を用いた。配置時の荷重は半導体素子１個あたり１ｋｇｆとした。
【０１４８】
次に、半導体装置製造用部材Ｐ−１〜Ｐ−７中の熱硬化性樹脂組成物層を用いて、半導体素子を覆うように封止し、表２に示す厚みＴ（ｂ）を有する熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を形成した。封止は、コンプレッション封止装置（アピックヤマダ（株）製、商品名：ＷＣＭ−３００）を用いて表２に記載の条件で行った。次いで、表２に記載の条件で後硬化を行い、熱硬化性樹脂組成物層（ｂ）を硬化してなる絶縁層（絶縁層（Ａ））１３０を形成した（図５（ｆ）参照）。そして、支持体１２６及び仮固定層１２８を２００℃のホットプレート上で剥離することによりコンプレッション封止成形物を作製した（図５（ｇ）参照）。
【０１４９】
（比較例１〜７）
８インチのシリコンウェハ（厚み：Ｔ１）をダイサーによって個片化して半導体素子を得た。次いで、仮固定層（仮固定用フィルム）１２８と半導体素子の能動面とが当接するように格子状に配置（再配置）し、支持体（ＳＵＳ板）１２６、仮固定層１２８及び半導体素子をこの順に有する半導体装置製造用部材Ｑ−１〜Ｑ−２を得た。半導体装置製造用部材の詳細を表３に示す。
【０１５０】
熱硬化性樹脂フィルムＦ−１〜Ｆ−７の保護フィルムのみを剥がし、表３に示す半導体装置製造用部材Ｑ−１〜Ｑ−２の上に載置した。その後、支持体であるＰＥＴフィルムを剥離し、コンプレッション封止した。次いで、後硬化を行い、コンプレッション封止成型物を作製した。コンプレッション封止条件及び後硬化条件としては、表３に記載の条件を採用した。
【０１５１】
＜評価＞
（埋め込み性）
コンプレッション封止成形物を目視で観察して、以下の基準に基づいて評価した。評価結果を表２及び表３に示す。
○：半導体素子間に充分に樹脂が埋め込まれており、未充填部がない。
×：半導体素子間に未充填部がある。
【０１５２】
【表２】
2017010991.tif 000004
【０１５３】
【表３】
2017010991.tif 000005
【０１５４】
＜半導体装置の製造＞
実施例１〜１０のコンプレッション封止成形物を用いて、以下のとおり半導体装置を製造した。
【０１５５】
図５（ｈ）に示すように、半導体素子の能動面側に感光性樹脂組成物層１３２を形成した。形成には、スピンコーター（ミカサ（株）製、商品名：Ｏｐｔｉｃｏａｔ  ＭＳ−Ａ２００）を用いた。形成条件は、回転数１５００ｒｐｍ、回転時間３０秒とした。
【０１５６】
次いで、図６（ｉ）に示すように、感光性樹脂組成物層１３２の露光・現像を行い、半導体素子に至るまでの開口部１３４を設けた後、感光性樹脂組成物層１３２の熱硬化を行い、感光性樹脂組成物層１３２を硬化してなる絶縁層（絶縁層（Ｂ））１３２ａを形成した。その後、図６（ｊ）に示すように、スパッタ法により絶縁層１３２ａ上に１μｍの厚みのシード層１３６を形成した。
【０１５７】
次いで、回路形成用レジスト（日立化成（株）製、商品名：Ｐｈｏｔｅｃ  ＲＹ−３５２５）をロールラミネータでシード層１３６上に貼着した。次いで、パターンを形成したフォトツールを回路形成用レジストに密着させ、露光機（（株）オーク製作所製、ＥＸＭ‐１２０１型）を使用して、１００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光を行った。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、９０秒間スプレー現像を行い、図６（ｋ）に示すように、回路形成用のレジストパターン１３８を形成した。
【０１５８】
次いで、図６（ｌ）に示すように、電気めっき法により、シード層１３６上に、５μｍの厚みの銅の配線パターン１４０を形成した。次いで、図７（ｍ）に示すように、剥離液により回路形成用のレジストパターン１３８を剥離した後、図７（ｎ）に示すように、シード層１３６における配線パターン１４０から露出している部分をエッチング液により除去した。
【０１５９】
次いで、図７（ｏ）に示すように、配線パターン１４０及び絶縁層１３２ａ上に、絶縁層１３２ａの形成に用いた感光性樹脂組成物と同様の感光性樹脂組成物を用い、厚み２０μｍの感光性樹脂組成物層１４２を形成した。
【０１６０】
次いで、図７（ｐ）に示すように、絶縁層１３２ａと同様の条件により露光・現像処理を行い、配線パターン１４０に至るまでの開口部１４４を感光性樹脂組成物層１４２に設けた後に熱硬化を行い、絶縁層１４２ａを形成した。
【０１６１】
その後、図８（ｑ）に示すように、市販の無電解ニッケル／金めっき液を用いて、ニッケルめっき厚３μｍ、金めっき厚０．１μｍとなるように、配線パターン１４０上にめっき処理を行ってめっき層１４６を形成した。次いで、めっき層１４６上に、外部接続用端子１４８としてＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだボールをリフロー搭載した（図８（ｒ）参照）。次いで、図８（ｓ）に示すように、ダイシング（ブレード幅０．３ｍｍ）により、９．３ｍｍ×９．３ｍｍの大きさに個片化して半導体装置１５０を得た。
【産業上の利用可能性】
【０１６２】
本発明の半導体装置製造用部材、及び、それを用いた半導体装置の製造方法は、ウェハレベル半導体装置に好適に用いられる他、パッケージ・オン・パッケージの再配線プロセス等、小型化及び薄型化が必要な全ての半導体装置、部品内蔵基板等に適用することができる。
【符号の説明】
【０１６３】
１０，１２６…支持体、１２，１２８…仮固定層、１４，１２２…半導体素子、１４ａ，１１２ａ，１２２ａ…能動面、１６…封止材、１８，１３２，１４２…感光性樹脂組成物層、１８ａ，２６，１３０，１３２ａ，１４２ａ…絶縁層、２０，１３６…シード層、２２，１３８…レジストパターン、２４，１４０…配線パターン、２８…はんだボール、３０，１５０…半導体装置、１１０，１２０ａ，１２０ｂ…半導体装置製造用部材、１１２…シリコンウェハ、１１２ｂ，１２２ｂ…受動面、１１４，１２４…熱硬化性樹脂組成物層、１３４，１４４…開口部、１４６…めっき層、１４８…外部接続用端子、Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３…厚み。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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