(57)【要約】【課題】熱処理空間におけるパーティクル数を低減し、異物付着が最小限に抑制され、且つ、熱収縮に優れたガラス基板を経済的に優位に製造する製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】アニール工程を含むガラス基板の製造方法であり、該アニール工程の熱処理空間がクリーンクラス１０，０００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に１０，０００個以下）に維持されることを特徴とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理空間がクリーンクラス１０，０００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に１０，０００個以下）に維持されるアニール工程を含む、ディスプレイ用のガラス基板の製造方法。
【請求項２】
熱収縮率が１５ｐｐｍ以下、且つ、表面付着の５μｍ以上のパーティクル数が４００個／ｍ２未満である、高精細ディスプレイ用のガラス基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アニール工程を含むガラス基板の製造方法、アニール工程を行う熱処理炉を含むガラス基板の製造装置、および、該製造方法又は該製造装置で得られるガラス基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイパネルの分野では、画質の向上のために画素の高精細化が進展している。この高精細化の進展に伴って、ディスプレイパネルに用いられるガラス基板にも寸法精度が高いことが望まれている。例えば、ディスプレイパネルの製造工程中に、ガラス基板が高温で熱処理されても寸法が変化しにくいように、熱収縮率の小さいガラス基板が求められている。
【０００３】
一般に、ガラス基板の熱収縮率は、ガラスの歪点が高いほど小さくなる。このため、特許文献１（特表２０１４−５０３４６５）に開示されているように、熱収縮率を抑制するために、歪点が高くなるようにガラス組成を変更する方法が知られている。しかし、歪点が高くなるようにガラス組成を変更すると、熔解温度および成形温度が高くなる傾向にあり、ガラス基板の製造が難しくなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１４−５０３４６５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ガラス基板製造の困難性を招くことなく、ガラス基板の熱収縮率を低減させる方法として、フュージョン法等により成形したシートガラスを切断して得られたガラス基板をオフラインにおいて熱処理（オフラインアニール処理）する方法がある。オフラインアニール処理の方法として、例えば、ガラス基板を吊り下げた状態で１枚ずつ搬送しながら、高温の雰囲気にガラス基板を曝すことでガラス基板を熱処理する方法が用いられる。この方法では、熱処理炉へ複数のガラス基板を連続して搬送することで、ガラス基板を効率的に熱処理することができる。
【０００６】
しかし、連続式のガラス基板の製造方法で、オフラインの熱処理によりガラス基板を連続して搬送し熱処理する手法により、異物付着が低減された高精細ディスプレイ用のガラス基板を得るためには、熱処理空間のパーティクル数をより低減することが求められていた。
【０００７】
そこで、本発明は、オフラインの熱処理における熱処理空間のパーティクル数をより低減することで、異物付着がより抑制され且つ熱収縮に優れたガラス基板を経済的に優位に製造する製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、熔融ガラスを成形体の上部から溢れさせることにより成形体の下方においてシートガラス（板状ガラス）を成形する成形工程と、シートガラスを徐冷する冷却工程と、重力方向に伸びるシートガラスを所定の寸法に切断してガラス基板とする切断工程とを含むガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の熱収縮率を低減させるために熱処理を行う、熱処理空間がクリーンクラス１０，０００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に１０，０００個以下）に維持されるアニール工程を含み、
前記切断工程を経たガラス基板は、時間的に等間隔で連続的に一枚ずつ前記アニール工程へ搬入され、
前記切断工程で切断されたガラス基板は、当該ガラス基板の平面が鉛直方向になるように保持されつつ、かつ、互いに隣接するガラス基板の平面が進行方向に向けて距離的に所定間隔をあけた平行状態を維持されて、ダウンフローの熱流により熱処理され、
前記アニール工程を経たガラス基板は、時間的に等間隔で連続的に一枚ずつ前記アニール工程から搬出される、ことを含む。
【０００９】
本発明の一態様は、熱処理空間がクリーンクラス１０，０００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に１０，０００個以下）に維持されるアニール工程を含む、ディスプレイ用のガラス基板の製造方法である。
【００１０】
本発明の一態様は、アニール工程を行う熱処理炉を備えた熱処理装置を含むディスプレイ用のガラス基板の製造装置であって、
前記熱処理炉の熱処理空間がクリーンクラス１０，０００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に１０，０００個以下）に維持された、ガラス基板の製造装置である。
【００１１】
本発明の一態様は、アニール工程を行う熱処理炉を備えた熱処理装置を含むディスプレイ用のガラス基板の製造装置であって、
前記熱処理炉内においてガラス基板の平面が鉛直方向であって、かつ、互いに離間して隣接する複数のガラス基板を保持する保持部と、
前記保持部を搬送させる駆動部と、
ガラス基板の平面の鉛直方向に向けてダウンフローの熱流を吐き出す吐出手段と
前記熱処理装置の外に排出する排出口を有し、前記駆動部を熱処理空間から隔離し、該排出口からパーティクルを排出するパーティクル排出機構と、
前記パーティクル排出機構の熱処理空間側の側面に設けられ、前記保持部が熱処理空間から駆動部側に通過する開口部と、
を備える。
【００１２】
さらに、前記保持部の両端部に保持延長部を有する、ことが好ましい。
【００１３】
さらに、前記炉内の熱処理空間がクリーンクラス１０，０００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に１０，０００個以下）に維持される、ことが好ましい。
【００１４】
前記アニール工程で得られたガラス基板は、表面付着の１μｍ以上のパーティクル数が３００個／ｍ２未満である、ことが好ましい。
【００１５】
前記アニール工程で得られたガラス基板は、熱収縮率が１５ｐｐｍ以下で且つ収縮率のばらつきが１．５ｐｐｍであるガラス基板、が好ましい。
【００１６】
本発明の一態様は、熔融ガラスを成形体の上部から溢れさせることにより成形体の下方においてシートガラス（板状ガラス）を成形する成形工程と、シートガラスを徐冷する冷却工程と、重力方向に伸びるシートガラスを所定の寸法に切断してガラス基板とする切断工程とを含むガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の熱収縮率を低減させるために熱処理を行う、熱処理空間がクリーンクラス１０，０００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に１０，０００個以下）に維持されるアニール工程を含み、
前記切断工程を経たガラス基板は、時間的に等間隔で連続的に一枚ずつ前記アニール工程へ搬入され、
前記切断工程で切断されたガラス基板は、当該ガラス基板の平面が鉛直方向になるように保持されつつ、かつ、互いに隣接するガラス基板の平面が進行方向に向けて距離的に所定間隔をあけた平行状態を維持されて、ダウンフローの熱流により熱処理され、
前記アニール工程を経たガラス基板は、時間的に等間隔で連続的に一枚ずつ前記アニール工程から搬出される、ことを含む。
さらに、前記アニール工程では、前記ガラス基板を熱処理炉内で搬送させる駆動部により、前記ガラス基板を搬送させ、
排出口を有し、前記駆動部から発生するパーティクルが熱処理空間に混入しないように前記駆動部を隔離する構造体を有する熱処理装置で熱処理される、
フラットパネルディスプレイ用ガラス板の製造方法である。
【００１７】
さらに、前記熱処理装置の駆動部は、ガラス基板の搬入側及び搬出側の領域を除き、保持部の熱処理空間に位置する部位を除き、隔離される構造体を有する、
フラットパネルディスプレイ用ガラス板の製造方法である、ことが好ましい。
【００１８】
前記熱処理装置における前記構造体の内部は、熱処理空間より負圧である、
フラットパネルディスプレイ用ガラス板の製造方法である、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
上述のガラス基板の製造方法およびガラス基板の製造装置によれば、熱処理空間におけるパーティクル数がより低減され、異物付着が最小限に抑制され、且つ熱収縮率が低減されたガラス基板を経済的に優位に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態のガラス基板の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図２】本発明のアニール工程を行う装置の一例で、ガラス基板の搬送を横から模式的に示す図である。
【図３】本発明のオフラインアニール工程を行う熱処理装置のパーティクル排出機構の構成概略を示す図である。
【図４】本発明のオフラインアニール工程を行う熱処理装置のパーティクル排出機構の一部を説明する図である（実施態様１）。
【図５】本発明のオフラインアニール工程を行う熱処理装置のパーティクル排出機構の一部を説明する図である（実施態様２）。
【図６】本発明のオフラインアニール工程を行う熱処理装置のパーティクル排出機構の一部を説明する図である（実施態様３）。
【図７】本発明のオフラインアニール工程を行う熱処理装置のパーティクル排出機構の一部を示す図である（変形例１）。
【図８】本発明のオフラインアニール工程を行う熱処理装置のパーティクル排出機構の一部を示す図である（変形例２）。
【図９】本発明のオフラインアニール工程を行う熱処理装置のパーティクル排出機構の一部を示す図である（変形例３）。
【図１０】ガラス基板の温度履歴を示す図である。
【図１１】熱処理温度で維持する維持時間とガラス基板の熱収縮率の絶対値との関係を示した図である。
【図１２】冷却時間とガラス基板の熱収縮率の絶対値との関係を示した図である。
【図１３】加熱時間とガラス基板の熱収縮率の絶対値との関係を示した図である
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（１）ガラス基板の製造方法
以下、本発明のガラス基板の製造装置およびガラス基板の製造方法について説明する。
本実施形態において製造されるガラス基板は、特に制限されないが、例えば縦寸法及び横寸法のそれぞれが、５００ｍｍ〜３５００ｍｍ、１５００ｍｍ〜３５００ｍｍ、１８００〜３５００ｍｍ、２０００ｍｍ〜３５００ｍｍなどが挙げられ、２０００ｍｍ〜３５００ｍｍであることが好ましい。
ガラス基板の厚さは、例えば、０．１〜１．１（ｍｍ）が挙げられ、より好ましくは０．７５ｍｍ以下の極めて薄い矩形形状の板で、例えば、０．５５ｍｍ以下、さらには０．４５ｍｍ以下の厚さがより好ましい。ガラス基板の厚さの下限値としては、０．１５ｍｍ以上が好ましく、０．２５ｍｍ以上がより好ましい。
まず、熔融されたガラスが、例えばフュージョン法あるいはフロート法等の公知の方法により、所定の厚さの帯状ガラスであるシートガラスが成形される（ステップＳ１）。
次に、成形されたシートガラスが所定の長さの素板であるガラス基板に採板される（ステップＳ２）。採板により得られたガラス基板は、搬送機構により、ピンチング保持されつつ、熱処理工程に誘導され搬送される（ステップＳ３）。次に、この搬送されたガラス基板に対し熱処理を行なう（ステップＳ４）。
このステップＳ３の処理およびステップＳ４の処理が、本実施形態のオフラインアニール工程である。オフラインアニール工程ついては後述する。
【００２２】
熱処理後のガラス基板は切断工程に搬送され、製品のサイズに切断され、ガラス基板が得られる（ステップＳ５）。得られたガラス基板には、端面の研削、研磨およびコーナカットを含む端面加工が行われた後、ガラス基板は洗浄される（ステップＳ６）。洗浄されたガラス基板はキズ、塵、汚れあるいは光学欠陥を含む傷が無いか、光学的検査が行われる（ステップＳ７）。検査により品質の適合したガラス基板は、ガラス基板を保護する紙と交互に積層された積層体としてパレットに積載されて梱包される（ステップＳ８）。梱包されたガラス基板は納入先業者に出荷される。
【００２３】
このようなガラス基板として、以下のガラス組成のガラス基板が例示される。つまり、以下のガラス組成のガラス基板が製造されるように、熔融ガラスの原料が調合される。
ＳｉＯ2  ５５〜８０モル％、
Ａｌ2Ｏ3  ８〜２０モル％、
Ｂ2Ｏ3  ０〜１２モル％、
ＲＯ  ０〜１７モル％（ＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量)。
【００２４】
ＳｉＯ2は６０〜７５モル％、さらには、６３〜７２モル％であることが、熱収縮率を小さくするという観点から好ましい。
ＲＯのうち、ＭｇＯが０〜１０モル％、ＣａＯが０〜１５モル％、ＳｒＯが０〜１０％、ＢａＯが０〜１０％であることが好ましい。
【００２５】
また、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、及びＲＯを少なくとも含み、モル比（（２×ＳｉＯ2）＋Ａｌ2Ｏ3）／（（２×Ｂ2Ｏ3）＋ＲＯ）は４．５以上であるガラスであってもよい。また、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、及びＢａＯの少なくともいずれか含み、モル比（ＢａＯ＋ＳｒＯ）／ＲＯは０．１以上であることが好ましい。
【００２６】
また、モル％表示のＢ2Ｏ3の含有率の２倍とモル％表示のＲＯの含有率の合計は、３０モル％以下、好ましくは１０〜３０モル％であることが好ましい。
また、上記ガラス組成のガラス基板におけるアルカリ金属酸化物の含有率は、０モル％以上０．４モル％以下であってもよい。
また、ガラス中で価数変動する金属の酸化物（酸化スズ、酸化鉄）を合計で０．０５〜１．５モル％含み、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３及びＰｂＯを実質的に含まないということは必須ではなく任意である。
【００２７】
本実施形態で製造されるガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板、またはカーブドパネルディスプレイ用ガラス基板で、例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板あるいは、有機ＥＬディスプレイ用のガラス基板として好適である。さらに、本実施形態で製造されるガラス基板は、高精細ディスプレイに用いるＬＴＰＳ（Low-temperature poly silicon）・ＩＧＺＯ（Indium-Gallium-Zinc-Oxide）・ＴＦＴディスプレイ用ガラス基板として特に好適である。
【００２８】
本実施形態における熔融ガラスからシートガラスを成形する方法として、フロート法やフュージョン法等が用いられるが、本実施形態のガラス基板のオフラインにおける熱処理を含むガラス基板の製造方法は、フュージョン法（オーバーダウンドロー法）において製造ライン上の徐冷装置を長くすることが困難である点から、フュージョン法に適している。本実施形態の熱処理により熱収縮率を低減する前のガラス基板の熱収縮率は、５０ｐｐｍ以下であり、好ましくは４０ｐｐｍ以下、より好ましくは３０ｐｐｍ以下、更により好ましくは２０ｐｐｍ以下である。熱収縮率を低減する前のガラス基板の熱収縮率の範囲としては、１０ｐｐｍ〜４０ｐｐｍが好ましい。
【００２９】
（２）オフラインアニール工程
本実施形態のオフラインアニール工程の熱処理について詳細に説明する。
前述のとおり、本実施形態のオフラインアニール工程は、採板により得られたガラス基板を搬送機構により保持してから、熱処理へ誘導し搬送する（ステップＳ３）、及び、この搬送されたガラス基板に対し熱処理を行なう（ステップＳ４）、を含む。
【００３０】
（２−１）ステップＳ３（Ｓ２からのガラス基板の搬送工程）
ステップＳ３の搬送機構を説明する。ステップＳ２で採板されたガラス基板は、受渡装置により、ガラス基板の平面が鉛直方向（Ｚ方向）になるように支持される。受渡装置はガラス基板の平面が鉛直方向に制御するための姿勢制御機構を備えている。
方向が調整されたガラス基板は、その平面が鉛直方向に支持された状態で、ガラス基板は保持部に固定され吊り下げられる。保持部に固定されて吊り下げられたガラス基板は、次工程の熱処理工程の入口側まで搬入手段により誘導され、熱処理炉の入口に搬入される。
【００３１】
（２−２）ステップＳ４（熱処理工程）
ステップＳ４の熱処理について説明する。本実施形態の熱処理工程（ステップ４）は、例えば、ダウンドロー法により成形されたシートガラスを温度管理された状態で冷却する第１徐冷工程を経て得られたガラス基板を、再度加熱し、所定の温度まで昇温させた後、再度冷却する第２徐冷工程を行う処理である。
【００３２】
本実施形態では、１枚ずつガラス基板１１を搬送しながら加熱する枚葉方式の熱処理が行われる。枚葉方式の熱処理を行う熱処理装置について説明する。
【００３３】
図２は、本実施形態の一例を示す熱処理装置１０１を横から見た概略図である。
熱処理装置１０１は、主に、熱処理炉４０と駆動部１０２とを備える。熱処理炉４０は、ガラス基板１１の熱処理が行われる熱処理空間４０ａを内部に有する。駆動部１０２は、熱処理炉４０内の熱処理空間４０ａをガラス基板の搬送方向に走行し設置される。駆動部１０２がガラス基板１１を吊り下げて熱処理空間４０ａを走行し、ガラス基板１１が熱処理される。
【００３４】
ガラス基板１１の上端部は保持部１１２に把持されていて、駆動部１０２と接する保持部１１２が搬送方向へと移動することで、保持部１１に吊り下げられているガラス基板１１が搬送される。保持部１１２は、ガラス基板１１を吊り下げつつ、ガラス基板１１の平面を鉛直方向に維持する。
【００３５】
保持部１１２は、ガラス基板の上端部を挟み込んで把持するためのクランプを有する。
クランプの種類は、特に制限されないが、例えば、バネ力によってガラス基板１１の両主表面を挟むバネクランプを採用することができる。１つの保持部１１２（例えば、保持バーなど）に取り付けられるクランプの数は、１つであってもよいが、搬送中のガラス基板の姿勢をより安定させるために、２つ以上であることが好ましい。２つ以上のクランプが保持部１１２に取り付けられている場合、クランプは、保持部に対し幅方向にスライドできるよう構成されていることが好ましい。金属材料で構成された保持部は、ガラス基板１１よりも熱膨張率が高く幅方向に延びやすい。このため、クランプが保持部１１２に対して幅方向に移動することで、保持部（保持バーなど）が熱膨張してもガラス基板１１上端部に撓みや変形が生じるのを防止することができる。
【００３６】
駆動部１０２は、複数のガラス基板１１を所定の間隔Ｇを空けて連続して搬送する。ガラス基板１１の間隔Ｇは、ガラス基板１１の搬送方向において、隣り合う２枚のガラス基板１１の対向する一対の主表面の間の距離である。
ガラス基板１１の間隔Ｇは、狭いほど、生産性は高くなるが、熱風の熱がガラス基板によって奪われやすくなる。本実施形態の製造方法では、後述するようにガラス基板の面内での熱収縮率のバラつきを低減できることから、ガラス基板の間隔が狭い場合にも好適である。
また、熱処理空間４０ａにおいて熱流を循環させてガラス基板１１を加熱する方式を採用する場合、熱流の流れが妨げられないように、ガラス基板１１の間隔を定めることができる。
本実施形態では、ガラス基板の間隔Ｇは、１０ｍｍ〜３００ｍｍの範囲であればよく、生産効率の観点から、好ましくは２００ｍｍ以下、より好ましくは１５０ｍｍ以下、更により好ましいのは１００ｍｍ以下である。ガラス基板の間隔Ｇの下限値として、５０ｍｍ以上が好ましい。
【００３７】
駆動部１０２のほかの搬送ユニットとして、ガラス基板の搬送領域の下方に、熱処理炉４０の底部を構成するようなベルト機構を設けてもよい。ベルト機構は、熱処理の間は駆動させず、必要に応じ、駆動させることができる。ベルト機構には、例えば、厚み方向に貫通する開孔が面方向に並ぶよう形成されたメッシュベルトが用いられる。メッシュベルトを用いることによって、熱処理で送風されるダウンフローの熱風はメッシュベルトを通過して下方に流れることができ、熱風の下方向への流れを安定させることができる。厚み方向に貫通する開孔を有しないベルトを用いた場合、熱風がベルトに衝突することでベルト上の粉塵が舞い上がって、搬送中のガラス基板Ｇに付着する可能性あるが、他方、メッシュベルトを用いた場合は、ベルト表面に粉塵が溜まる可能性が低いため、粉塵による不都合の発生を抑えることができる。なお、ベルト機構の代わりに、駆動しない板状部材（メッシュなどの部材を含む）で、熱処理炉４０の底部を構成してもよい。
【００３８】
熱処理炉４０には、炉４０の雰囲気（空気）を加熱するための加熱ユニット（複数の発熱装置）が設けられ、上から下への一方向の熱流（ダウンフロー）が形成され、炉４０の雰囲気が温められる。
【００３９】
加熱ユニットとして、搬送されるガラス基板１１の上方および下方のそれぞれに搬送方向に並ぶよう配置された複数のファン付きヒータが備えられる。ファン付きヒータは、搬送されるガラス基板１１に、予め設計された温度プロファイルが形成されるよう、制御装置によって温度、風力、風向きなどが制御され、さらに、炉４０内の搬送方向の各位置では温度分布はほぼ一様となるように、発熱量を制御する。
ガラス基板１１の上面と下面との間で熱履歴に差が生じると、上面と下面とで熱収縮率が異なり、引っ張りと圧縮応力が生じるために反りが発生する。このため、ガラス基板１１の上面と下面の温度変化の差をなくす、つまり、熱履歴の差を小さくする。
【００４０】
ファン付きヒータは、ヒータで加熱された気体をファンで送風するよう、ヒータとファンが互いに隣接して配置された一体の装置であり、熱処理炉４０内では、ヒータに対しファンを下方にして配置される。ファン付きヒータのヒータには、例えば、セラミックヒーター、金属線シーズヒーター等、が用いられる。ファンは、熱処理の間、ヒータで加熱された空気を、下方に向けて送風するよう駆動される。熱処理炉空間４０ａの雰囲気中に粉塵が浮遊している場合であっても、このようなダウンフローの熱風によって粉塵は炉４０の底部に運ばれるため、粉塵が雰囲気中を浮遊し続けてガラス基板１１の表面に付着するのを抑えることができる。また、ダウンフローの熱風は、熱処理空間４０ａ内を循環する空気流を形成できる点で好ましい。熱風は、ガラス基板１１間を下方に流れた後、熱処理空間４０ａの底部に沿って側壁まで流れて、側壁に沿って上昇し、さらに熱処理空間４０ａの天井に沿って流れることで、熱処理空間ａの中を循環する。
【００４１】
ファン付きヒータは、発熱する領域の横方向の長さが、搬送されるガラス基板１１の幅方向長さより長いことが好ましい。また、搬送方向に隣り合うファン付きヒータの間隔は、搬送方向にわたって熱風の温度にムラが生じないように調整され設置される。
【００４２】
次に、ステップＳ４の熱処理について説明する。熱処理（オフラインアニール処理）では、ガラス基板１１を所定の熱処理温度の雰囲気下に所定の時間曝すことで、ガラス基板１１の主表面１１ａ内の熱分布が一様になるように、ガラス基板１１の熱処理が行われる。
【００４３】
ステップＳ３により搬送されたガラス基板１１に対し、製造ラインから外れたオフラインで熱処理が行われる。切断装置により幅方向の端部（耳部）の切断された板状のガラス基板１１は、必要に応じ、表面等に付着した切断屑（パーティクル、カレット等）の除去が行われた後、ガラス基板１１は、熱処理炉４０の入口側の所定位置まで搬送される。
熱処理炉４０では、ファン付きヒータを制御して、炉内の雰囲気温度が、熱処理温度になるよう処理する。ここで、熱処理温度とは、高精細ディスプレイに用いるＬＴＰＳ、ＩＧＺＯから構成される半導体層をガラス基板１１に形成する形成温度であり、具体的には４００℃〜６００℃の範囲の温度である。高精細ディスプレイを製造する際のガラス基板Ｇの加工処理温度は、ガラスの歪点（１０１４．５ポワズの粘度に相当する温度、例えば６６１℃）より低い温度である。この加工処理温度より低い温度領域において、ガラス基板の熱収縮率が大きいと、ガラス基板は高精細ディスプレイを製造するためのガラス基板として適さない。このため、高精細ディスプレイを製造するガラス基板の加工処理温度と等しい温度領域である４００℃〜６００℃の範囲の熱処理温度において、ガラス基板１１を熱処理し、熱処理温度以下の温度領域において、熱収縮率が０〜１５ｐｐｍ、好ましくは０〜１０ｐｐｍ、より好ましくは０〜６ｐｐｍ、さらに好ましくは０〜３ｐｐｍとなるようにする。
なお、歪点はガラスの種類によって異なるが、ガラス基板１１は、熱収縮を小さくするために、歪点が高いガラス組成を有することが好ましく、ガラス基板１１のガラスの歪点は、６００℃以上であることが好ましく、より好ましくは６５５℃以上であり、例えば６６１℃が挙げられ、更に６９０℃以上であることがより好ましい。
歪点が６６１℃である場合、熱処理温度は、歪点（６６１℃）−（６０℃〜２６０℃）＝６０１℃〜４０１℃であることが好ましい。しかし、ガラス基板１１の熱収縮率を小さくして、ガラス基板１１を高精細ディスプレイ用ガラス基板として用いるためには、上記の温度範囲に限定されない。例えば、熱処理温度は、４００℃〜５５０℃でもよい。
【００４４】
以下、図１０とともに熱処理について説明する。
熱処理空間４０ａは、主として、昇温空間、維持空間および降温空間から構成される。駆動部１０２によって搬送されるガラス基板１１は、熱処理工程において、昇温空間４０ａ、維持空間４０ａおよび降温空間４０ａを順に通過する。
【００４５】
ガラス基板１１は、熱処理炉内に搬送されると、昇温区間（加熱区間）４０ａにおいて室温（例えば、２５℃）から熱処理温度になるよう加熱される。図５は、ガラス基板１１の熱履歴を示す図である。ガラス基板１１は、昇温区間４０ａ内で搬送されながら、室温から４００℃〜６００℃の範囲の熱処理温度Ｔｍ１になるまで加熱される。ガラス基板１１の温度を熱処理温度になるまで加熱する工程が、加熱工程である。昇温区間４０ａでは、例えば、６．７℃／分以上〜６０℃／分以下の昇温速度Ｓ１、加熱時間１０分〜６０分で加熱する。
【００４６】
次に、ガラス基板１１は、搬送されながら維持区間４０ａに入り、維持区間４０ａにおいて４００℃〜６００℃の範囲の熱処理温度Ｔｍ１が維持される。加熱工程を経た後、維持工程では、ガラス基板１１の温度を熱処理温度Ｔｍ１で、維持時間６０分〜１５０分維持する。ガラス基板１１の温度を熱処理温度Ｔｍ１のまま維持し続ける工程が、維持工程である。維持工程では、ガラス基板１１の温度が４００℃〜６００℃の範囲で変化してもよく、ガラス基板１１の温度が一定でなくてもよい。
【００４７】
次に、ガラス基板１１は、搬送されながら降温区間（冷却区間）４０ａに入り、降温区間４０ａにおいて中間温度Ｔｍ２を経て室温まで冷却される。ガラス基板１１の温度を、熱処理温度Ｔｍ１から中間温度Ｔｍ２、中間温度Ｔｍ２から室温まで冷却する工程が、冷却工程である。降温区間では、熱処理温度Ｔｍ１から熱処理温度Ｔｍ１より５０℃〜１５０℃低い中間温度Ｔｍ２（例えば、４００℃）になるまでの区間と、中間温度Ｔｍ２から室温になるまでの区間とで、ガラス基板Ｇの降温速度を変化させて冷却する。具体的には、熱処理温度Ｔｍ１から中間温度Ｔｍ２までの降温区間では、０．８℃／分以上〜２．５℃／分以下の第1降温速度Ｓ３、冷却時間６０分〜１２０分で冷却する。中間温度Ｔｍ２から常温までの降温区間では、第1降温速度Ｓ３より速い第２降温速度Ｓ４で冷却する。第２降温速度Ｓ４は、第１降温速度Ｓ３より速い速度であれば任意である。降温区間においては、熱処理温度Ｔｍ１から中間温度Ｔｍ２までの第１降温速度を、中間温度Ｔｍ２から常温までの第２降温速度より速くすることにより、ガラス基板１１の生産効率性を高めつつ、ガラス基板１１の熱収縮率を低減することができる。
【００４８】
図中に示す温度は、室温（常温）＜Ｔｍ２＜Ｔｍ１であり、Ｔｍ１＝熱処理温度（例えば、５００℃）、Ｔｍ２＝中間温度（例えば、４００℃）である。
加熱工程、維持工程、冷却工程における速度、時間の範囲を以下に示す。
（１）加熱工程：ｔ１−０＝１０分〜６０分、Ｔｍ１−室温＝４００℃〜６００℃、昇温速度Ｓ１は、（Ｔｍ１−室温）／（ｔ１−０）＝６．７℃／分〜６０℃／分。
（２）維持工程：ｔ２−ｔ１＝６０分〜１５０分、Ｔｍ１−Ｔｍ１＝０、速度Ｓ２＝（Ｔｍ１−Ｔｍ１）／（ｔ２−ｔ１）＝０℃／分、
（３）第１冷却工程：ｔ３−ｔ２＝６０分〜１２０分、Ｔｍ１−Ｔｍ２＝５０℃〜１５０℃、第１降温速度Ｓ３＝（Ｔｍ１−Ｔｍ２）／（ｔ３−ｔ２）＝０．８℃／分〜２．５℃／分
（４）第２冷却工程：ｔ４−ｔ３＞ｔ３−ｔ２、Ｔｍ２−室温＝３５０℃〜４５０℃、第２降温速度Ｓ４は、（Ｔｍ２−室温）／（ｔ４−ｔ３）＞第１降温速度Ｓ３。
ここで、室温は、２５℃に限定されず、例えば、０℃〜３０℃である。また、熱処理温度は、５００℃に限定されず、４００℃〜６００℃の任意の温度であり、中間温度は、４００℃に限定されず、熱処理温度−（５０℃〜１５０℃）の任意の温度である。また、昇温速度・降温速度は、ガラス基板Ｇ全体を昇温・降温する平均速度である。
【００４９】
熱処理炉内において、ガラス基板１１の平面方向の周囲（上方）からの熱風加熱によりガラス基板１１が加熱されると、ガラス基板１１において、発熱装置に近い風上側部分と発熱装置から遠い風下側部分とでは、温度のずれが生じる。このため、ガラス基板１１の熱収縮率の絶対値が小さくなるように、熱処理温度で維持する維持時間を、６０分〜１５０分、より好ましくは、９０分〜１２０分にする。熱処理温度で維持する時間を一定時間以上にすることにより、ガラス基板１１に加えられる熱量が多くなり、ガラス基板１１が熱収縮し、熱収縮率の絶対値が小さくなる。ガラス基板１１の熱収縮率の絶対値を小さくすることにより、ガラス基板１１の面方向の熱収縮率のばらつきを抑制することができる。図１１は、熱処理温度で維持する維持時間とガラス基板の熱収縮率の絶対値との関係を示した図である。同図に示すように、維持時間が６０分を過ぎるとガラス基板１１の熱収縮率の絶対値は３ｐｐｍ以下になり、維持時間が１２０分を過ぎるとガラス基板１１の熱収縮率の絶対値は１ｐｐｍ以下になる。ガラス基板１１の熱収縮率の絶対値を３ｐｐｍ以下にすることにより、面方向の熱収縮のばらつきは３ｐｐｍ以下になり、ガラス基板１１の熱収縮率の絶対値を１ｐｐｍ以下にすることにより、面方向の熱収縮のばらつきは１ｐｐｍ以下になる。維持時間を６０分以上、９０分以上、１２０分以上にすることにより、面方向の熱収縮のばらつきを３ｐｐｍ以下、２ｐｐｍ以下、１ｐｐｍ以下にすることができる。維持時間を１２０分以上にすることにより、ガラス基板１１の熱収縮率の絶対値を１ｐｐｍ以下にすることができるが、維持時間が１５０分であっても、維持時間が１２０分と比べて、ガラス基板１１の熱収縮率の絶対値はほとんど変化しない。維持時間が１５０分より長くすると、熱処理効率が悪くなり、ガラス基板１１の生産効率が低下する。このため、熱処理温度で維持する維持時間を、６０分〜１５０分、より好ましくは、９０分〜１２０分にすることにより、ガラス基板１１の生産効率を高めつつ、ガラス基板１１の熱収縮率の絶対値を小さくして、面方向の熱収縮のばらつきを抑制することができる。
【００５０】
次に、ガラス基板１１を熱処理温度から中間温度まで冷却する冷却時間とガラス基板１１の熱収縮率の絶対値との関係を示す。図１２は、冷却時間とガラス基板の熱収縮率の絶対値との関係を示した図である。同図に示すように、冷却時間が６０分を過ぎるとガラス基板１１の熱収縮率の絶対値は１ｐｐｍ以下になり、冷却時間が９０分を過ぎるとガラス基板１１の熱収縮率の絶対値はほぼ０ｐｐｍになる。冷却時間を６０分以上にすることにより、ガラス基板Ｇの熱収縮率の絶対値は１ｐｐｍ以下になり、面方向の熱収縮のばらつきを１ｐｐｍ以下にすることができる。冷却時間が１２０分であっても、冷却時間が９０分と比べて、ガラス基板１１の熱収縮率の絶対値はほとんど変化しない。冷却時間が１２０分より長くすると、熱処理効率が悪くなり、ガラス基板１１の生産効率が低下する。このため、熱処理温度から中間温度まで冷却する冷却時間を、６０分〜１２０分、より好ましくは、約９０分にすることにより、ガラス基板１１の生産効率を高めつつ、ガラス基板１１の熱収縮率の絶対値を小さくして、面方向の熱収縮のばらつきを抑制することができる。
【００５１】
次に、ガラス基板１１を室温（常温）から熱処理温度まで加熱する加熱時間とガラス基板１１の熱収縮率の絶対値との関係を示す。図１３は、加熱時間とガラス基板の熱収縮率の絶対値との関係を示した図である。同図に示すように、加熱時間が１０分、３０分、６０分のいずれであっても、ガラス基板１１の熱収縮率の絶対値はほとんど変化しない。ガラス基板１１の熱収縮率の絶対値は、加熱時間によってほとんど変化しないため、加熱時間が短いほど、ガラス基板１１の生産効率は高くなる。室温から熱処理温度まで加熱する加熱工程では、ガラス基板１１の温度を熱処理温度まで高めることができれば、加熱時間は任意であり、例えば、加熱時間を、６０分以下、より好ましくは、１０分〜３０分にすることにより、ガラス基板１１の生産効率を高めることができる。
【００５２】
このような熱処理により、高精細液晶ディスプレイを製造するのに好適な熱収縮率を有するガラス基板を製造することができる。また、ガラス基板の熱収縮率を０〜１５ｐｐｍとすることができる。ガラス基板Ｇの熱収縮率は、０〜１０ｐｐｍとすることが好ましく、０〜６ｐｐｍとすることがより好ましく、更に０〜３ｐｐｍとすることがより好ましい。このような熱収縮率が、ガラス基板のガラス組成と、熱処理の温度と熱処理時間を調整することにより達成することができる。また、ガラス基板の熱収縮に対して影響が小さい温度領域においては、処理時間を短くし、昇温速度・降温速度を速めることにより、ガラス基板の生産効率を高めることができる。
【００５３】
なお、本実施形態におけるステップＳ３及びステップＳ４については、ガラス基板１１を一枚ずつ保持部で固定し吊り下げる方法で製造する、という製造方法だけでなく、ガラス基板を積層させた方法で製造する、など、ほかの方法でガラス基板を保持し製造してもよい。
【００５４】
（２−３）オフラインアニール工程における熱処理装置
図３は、本実施形態にかかるオフラインアニール工程を行う熱処理装置における、パーティクル抑制機構１０３の概略を示す図である（ヒーター等の構成は省略する）。
【００５５】
高精細の液晶ディスプレイ用のガラス基板の製造では、製造プロセスにおけるパーティクルを抑制することが求められる。高精細の液晶ディスプレイにおいては、配線幅２０μｍ以下のレベルで微細化が進む中、この微細化に対応するために、より小さいパーティクルに対象を広げつつ、パーティクル数をより低減する必要がある。
【００５６】
本発明のオフラインアニール工程後（熱処理後）のガラス基板のパーティクル数（パーティクルの付着）は、１μｍ以上のパーティクルが、４００個以下／ｍ２であり、より好ましくは３００個以下／ｍ２、更により好ましくは２５０個以下／ｍ２、特に好ましくは２００個以下／ｍ２、更に特に好ましくは１５０個以下／ｍ２、更により特に好ましいのは１μｍ以上のパーティクル数が１００個以下／ｍ２である。
【００５７】
本発明のオフラインアニール工程を実施する熱処理装置では、熱処理空間におけるパーティクルの発生をより抑制することが求められる。
連続式でガラス基板を製造する方法で、１枚ずつガラス基板を連続搬送しながら加熱する枚葉方式の熱処理を行うオフラインアニール工程では、熱処理空間にパーティクルが発生する要因として、主に、次の点が挙げられる：
第１に、熱処理炉内を走行する駆動部からパーティクルが発生する；
第２に、熱処理空間を移動する保持部（保持バー）が熱膨張したとき、保持部（保持バー）におけるガラス基板の吊り下げ部位にて、熱膨張の伸び縮みのこすれによりパーティクルが発生する；
第３に、ガラス基板を吊り下げるクランプ（クランプの動き、素材）からパーティクルが発生する；
第４に、熱処理空間を移動する保持部（保持バー）が駆動部と接する箇所でこすれが生じ、パーティクルが発生する。
【００５８】
本発明のガラス基板の製造方法におけるオフラインアニール工程では、熱処理空間はダストフリーのクリーンな状態に保たれ、少なくとも、クリーンクラス１０，０００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に１０，０００個以下）であり、好ましくはクリーンクラス５，０００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に５，０００個以下）であり、より好ましくはクリーンクラス１，０００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に１，０００個以下）であり、更により好ましくはクリーンクラス５００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に５００個以下）であり、特に好ましいのはクリーンクラス１００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に１００個以下）である。
【００５９】
熱処理空間４０ａにおけるクリーンクラスの測定については、ＪＩＳ  Ｂ  ９９２０（２００２年）に従って、熱処理空間４０ａの空気中に存在する粒径０．５μｍ以上の粒子を測定する。
熱処理空間４０ａの所定の箇所（複数でもよい）から炉４０外へ通じる配管を設置し、熱処理空間４０ａの空気を抽出し（１５秒〜１２０秒間のサンプリング時間）、４０℃以下に冷却後、炉外に設置したパーティクルカウンター（ＪＩＳ  Ｂ  ９９２０（２００２年）に適合したもの）で測定する。前記配管よりサンプリングされる熱処理空間４０ａの空気を連続的にまたは定期的に観測してもよい。この場合、１５秒〜１２０秒のサンプリングで得た空気を、パーティクルカウンターにより１立方フィートあたりの積算値を出力することで、熱処理空間４０ａのクリーン度をモニタリングすることができる。
なお、クラス数は室内のクリーン度を示しており、従来、１立方フィート中の粒径０．５μｍ以上の粒子個数でクラス分けされ、現在もこの様な指標で管理することが多い。ＩＳＯ（国際標準化機構）では、１ｍ３で中の粒径が直径φ０．１μｍ以上の粒子数でクラス分けされるが、本実施形態では、従来法の単位を指標として説明する。
【００６０】
（ガラス基板のパーティクル数の測定）
ガラス表裏面に付着した異物量については、例えば、ガラス基板表面検査装置（日立ハイテク電子エンジニアリング社製ＧＩ４８３０）を用いて測定することができ、測定条件としてはポリスチレン標準粒子１μｍ以上を検知する条件で測定する。
【００６１】
実施形態１．
図７は、本発明の実施形態１にかかる熱処理装置１０１におけるパーティクル排出機構１０３の基本構成を示す図である。
実施形態１の熱処理装置は、熱処理炉４０内においてガラス基板の平面が鉛直方向であって、かつ、互いに離間して隣接する複数のガラス基板を保持する保持部１１２と、該保持部を搬送させる駆動部１０２と、熱処理炉４０に設けられ、ガラス基板の平面の鉛直方向に向けてダウンフローの熱流を吐き出す吐出手段と、熱処理装置の外へ排出する排出口を有し、前記駆動部を熱処理空間４０ａから隔離し囲うように覆う隔離カバー１１４と、該隔離カバーに設けられ、前記保持部が熱処理空間から駆動部側へ通過する開口部１１３と、を備える。
【００６２】
実施形態１の装置では、上から下の一方向のダウンフローの熱流が吐出手段より吐出され、その熱流が、熱処理空間４０ａを移動して熱流出口４２へ向かう。駆動部１０２で発生するパーティクルは、パーティクル排出機構１０３により、熱処理装置１０１外へ排出される。また、熱流の一部は、熱処理空間４０ａを通り、開口部１１３を通過する保持部１１２と隔離カバー１１４との間の間隙を通って、パーティクル排出機構１０３内に入る。この熱流の流入により、駆動部１０２で発生するパーティクルは、熱処理空間４０ａ内へ進入するのが抑制される。
【００６３】
実施形態２．
図８は、本発明の実施形態２にかかる熱処理装置１０１におけるパーティクル排出機構１０３の基本構成を示す図である。
実施形態２の熱処理装置は、前記熱処理炉４０内においてガラス基板の平面が鉛直方向であって、かつ、互いに離間して隣接する複数のガラス基板を保持する保持部１１２と、該保持部の両端に設けられる保持延長部１１５と、前記保持部を搬送させる駆動部１０２と、熱処理炉４０に設けられ、ガラス基板の平面の鉛直方向に向けてダウンフローの熱流を吐き出す吐出手段と、熱処理装置の外に排出する排出口を有し、前記駆動部を熱処理空間４０ａから隔離し囲うように覆う隔離カバー１１４と、該隔離カバーに設けられ、前記保持部が熱処理空間から駆動部側へ通過する開口部１１３と、を備える。
さらに、図８に示されるとおり、実施形態２の装置では、駆動部１０２の最上部高さｈ１の位置が、開口部１１３の下部高さｈ２よりも低く設定され、保持部１１２の両端に保持延長部１１５が備えられて、該保持延長部が駆動部１０２に接することで保持部１１２が搬送される。
【００６４】
実施形態２の装置では、上から下の一方向のダウンフローの熱流が吐出手段より吐出され、その熱流が、熱処理空間４０ａを移動して熱流出口４２へ向かう。駆動部１０２で発生するパーティクルは、パーティクル排出機構１０３により、熱処理装置１０１外へ排出される。また、熱流の一部は、熱処理空間４０ａを通り、開口部１１３を通過する保持部１１２と隔離カバー１１４との間の間隙を通って、パーティクル排出機構１０３内に入る。この熱流の流入により、駆動部１０２で発生するパーティクルは、熱処理空間４０ａ内への進入が抑制される。
さらに、実施形態２の装置では、駆動部１０２の最上部高さｈ１の位置が、開口部１１３の下部高さｈ２よりも低いため、駆動部１０２で発生するパーティクルの、熱処理空間４０ａ内への進入はより困難である。
【００６５】
実施形態３．
図９は、本発明の実施形態３にかかる熱処理装置１０１におけるパーティクル排出機構１０３の基本構成を示す図である。
実施形態３の熱処理装置は、前記熱処理炉４０内においてガラス基板の平面が鉛直方向であって、かつ、互いに離間して隣接する複数のガラス基板を保持する保持部１１２と、該保持部の両端に設けられる保持延長部１１５と、前記保持部を搬送させる駆動部１０２と、熱処理炉４０に設けられ、ガラス基板の平面の鉛直方向に向けてダウンフローの熱流を吐き出す吐出手段と、熱処理装置の外に排出する排出口を有し、前記駆動部を熱処理空間４０ａから隔離し囲うように覆う隔離カバー１１４と、該隔離カバーに設けられ、前記保持部が熱処理空間から駆動部側へ通過する開口部１１３と、を備える。
さらに、図９に示されるとおり、実施形態３の装置では、駆動部１０２の最上部高さｈ１の位置が、開口部１１３の下部高さｈ２よりも低く設定され、保持部１１２の両端に保持延長部１１５が備えられて、該保持延長部が駆動部１０２に接することで保持部１１２が搬送される。また、図６の装置の場合、保持部１１２の高さ位置を、開口部１１３よりも低くすることができ、保持部１１２の搬送の高さを、熱流の吐出手段の位置から離れたところに調整する等が容易となる。熱処理炉内で搬送される保持部１１２の高さ位置は、開口部１１３よりも低いため、該保持部の両端に備えられる保持延長部１１５は、開口部１１３を通過しなお且つ駆動部１０２に接することが可能な形状を有するように形成される。
【００６６】
実施形態３の装置では、上から下の一方向のダウンフローの熱流が吐出手段より吐出され、その熱流が、熱処理空間４０ａを移動して熱流出口４２へ向かう。駆動部１０２で発生するパーティクルは、パーティクル排出機構１０３により、熱処理装置１０１外へ排出される。また、熱流の一部は、熱処理空間４０ａを通り、開口部１１３を通過する保持部１１２と隔離カバー１１４との間の間隙を通って、パーティクル排出機構１０３内に入る。この熱流の流入により、駆動部１０２で発生するパーティクルは、熱処理空間４０ａ内への進入が抑制される。
さらに、実施形態３の装置では、実施形態２の装置と同様、駆動部１０２の最上部高さｈ１の位置が、開口部１１３の下部高さｈ２よりも低いため、駆動部１０２で発生するパーティクルの、熱処理空間４０ａ内への進入はより困難である。
【００６７】
本発明の実施形態において、隔離カバー１１４に設けられる開口部１１３と、該開口部を通過する保持部１１２あるいは保持延長部１１５との間の間隙の大きさは、２０ｍｍ以下、好ましくは１５ｍｍ以下、より好ましくは８ｍｍ以下である。また、隔離カバー１１４と、保持部１１２との接触を避けるため、少なくとも１ｍｍ以上、好ましくは２ｍｍ以上、より好ましくは４ｍｍ以上の間隙を要する。
【００６８】
変形例１、変形例２、及び変形例３
図７、８及び９は、本実施形態の変形例１、２及び３（パーティクル排出機構）を示す図である。
変形例１、２及び３の熱処理装置は、熱処理される前記ガラス基板が熱処理炉内を搬送させる駆動部を有し、
排出口を有し、前記駆動部から発生するパーティクルが熱処理空間に混入しないように前記駆動部を隔離する構造体を有する熱処理装置である。
【００６９】
さらに、前記熱処理装置の駆動部は、ガラス基板の搬入側及び搬出側の領域を除き、保持部の熱処理空間に位置する部位を除き、隔離される構造体とすることができる。
【００７０】
さらに、変形例１から３の前記熱処理装置における前記構造体の内部は、熱処理空間より負圧とすることができる。実施形態１から３におけるパーティクル排出機構についても、同様に、パーティクル排出機構１０３の内部は、熱処理空間より負圧とすることができるである。
【００７１】
上述のガラス基板の製造方法およびガラス基板の製造装置によれば、熱処理空間におけるパーティクル数がより低減され、異物付着が最小限に抑制され、且つ熱収縮率が低減されたガラス基板を経済的に優位に製造することができる。
【００７２】
本実施形態の変形例として、パーティクル排出機構１０３において、ガラス基板を保持する保持部１１２あるいは保持延長部１１５と開口部１１３との間の間隙をふさぐようなシーリング材をカバー内に用いてもよい。シーリング材としては、熱処理炉の温度に対する耐久性、支持部１１２の搬送摩擦に対する耐久性などを考慮し、さらに、パーティクル発生の極めて低い性質の材料であれば、特に制限されない。
【００７３】
本実施形態におけるパーティクル排出機構の隔離カバー１１４の大きさは、駆動部１０２を熱処理空間から隔離し、駆動部１０２で発生するパーティクルをカバー１１４外へ排出することができれば、炉４０内の構造に合わせて、適宜、決められる。駆動部１０２は、ガラス基板１１を吊るすために炉４０の上方領域に位置するため、隔離カバー１１４は、駆動部１０２の周辺を隔離するように、炉４０の上方領域に備えられてもよく、あるいは、図３に示すように、隔離カバー１１４が、駆動部１０２を囲んで覆いつつ、炉４０の底部領域まで到達するように備えられてもよい。
【００７４】
本発明の実施形態（実施形態１から３を含む）の熱処理装置よれば、熱処理空間４０ａに浮遊するパーティクル数を、クリーンクラス１０，０００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に１０，０００個以下）から、クリーンクラス１００（０．５μｍ以上の粒子が１立方フィート中に５００個以下）の範囲に低減することができる。
【００７５】
さらに、本発明の実施形態によれば、熱処理により得られるガラス基板は、熱収縮率が１５ｐｐｍ以下で且つ収縮率のばらつきが１．５ｐｐｍであり、好ましくは熱収縮率が１０ｐｐｍ以下で且つ収縮率のばらつきが１．５ｐｐｍであり、より好ましくは熱収縮率が６ｐｐｍ以下で且つ収縮率のばらつきが１．５ｐｐｍであり、更により好ましくは熱収縮率が３ｐｐｍ以下で且つ収縮率のばらつきが１．５ｐｐｍであり、
なお且つ、１μｍ以上のパーティクル数が４００個以下／ｍ２、好ましくは１μｍ以上のパーティクル数が３００個以下／ｍ２、より好ましくは１μｍ以上のパーティクル数が２５０個以下／ｍ２、更により好ましくは１μｍ以上のパーティクル数が２００個以下／ｍ２、特に好ましくは１μｍ以上のパーティクル数が１５０個以下／ｍ２、より特に好ましくは１μｍ以上のパーティクル数が１００個以下／ｍ２である。
【００７６】
以上のように、本発明によれば、ガラス基板のパーティクル付着をより低減しつつ、熱収縮率が低減したガラス基板を、連続式で効率的に製造することができる。このため、高精細ディスプレイに有用なガラス基板を、経済的に優れた方法で提供することができる。
【００７７】
以上、本発明のガラス基板の製造装置、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよい。
【符号の説明】
【００７８】
１１  ガラス基板
４０  熱処理装置
４０ａ  熱処理空間
４２  熱流出口
１０１  熱処理装置
１０２  駆動部
１０３  パーティクル排出機構
１１２  保持部
１１３  開口部
１１４  隔離カバー
１１５  保持延長部
１１６  排出口
１１７  保持部搬送車輪
１１８  レール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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