(57)【要約】【課題】本発明の実施形態は、記憶装置の信頼性を向上させる。【解決手段】実施形態の記憶装置は、回転可能なディスクと、ヒータへ電力を供給されることで前記ディスクへ突き出すヘッドと、前記ディスクよりも高速にデータ処理可能な不揮発性半導体メモリと、前記ディスク及び前記不揮発性半導体メモリに対するデータ処理を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記ディスクが回転してから所定の時間の間において、前記ディスクから読み出されたデータの再生品質に応じて、前記ヘッドの第一の突出し量を設定し、前記設定した第一の突出し量に応じて、ホストから受け取った書き込み用データを、前記ディスク又は前記不揮発性半導体メモリに書き込む。【選択図】図４
2017147008.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転可能なディスクと、
ヒータへ電力を供給されることで前記ディスクへ突き出すヘッドと、
前記ディスクよりも高速にデータ処理可能な不揮発性半導体メモリと、
前記ディスク及び前記不揮発性半導体メモリに対するデータ処理を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記ディスクが回転してから所定の時間の間において、前記ディスクから読み出されたデ
ータの再生品質に応じて、前記ヘッドの第一の突出し量を設定し、前記設定した第一の突
出し量に応じて、ホストから受け取った書き込み用データを、前記ディスク又は前記不揮
発性半導体メモリに書き込む記憶装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第一の突出し量が設定可能な最大設定量の場合、前記ホストから受
け取った前記書き込み用データを前記ディスクに書き込み、前記第一の突出し量が前記最
大設定量でない場合、前記書き込み用データを前記不揮発性半導体メモリに書き込む請求
項１に記載の記憶装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記再生品質が閾値よりも悪く、且つ前記第一の突出し量が設定可能な
最大設定量でない場合、前記第一の突出し量を大きくする請求項１又は請求項２に記載の
記憶装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第一の突出し量を設定する前に、前記記憶装置の周辺環境に応じて
、第二の突出し量を設定する請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の記憶装置。
【請求項５】
前記ヘッドを含んだ複数のヘッドを備え、
前記制御部は、前記第一の突出し量を前記複数のヘッドの各々に対して設定する請求項
１乃至請求項４のいずれか一項に記載の記憶装置。
【請求項６】
前記再生品質は、エラーレート又は信号品質に相関のある値である請求項１乃至請求項
５のいずれか一項に記載の記憶装置。
【請求項７】
回転可能なディスクと、ヒータへ電力を供給されることで前記ディスクへ突き出すヘッ
ドと、前記ディスクよりも高速にデータ処理可能な不揮発性半導体メモリと、を備えた記
憶装置の方法であって、
前記ディスクが回転してから所定の時間の間において、前記ディスクから読み出された
データの再生品質に応じて、前記ヘッドの第一の突出し量を設定し、前記設定した第一の
突出し量に応じて、ホストから受け取った書き込み用データを、前記ディスク又は前記不
揮発性半導体メモリに書き込むことを含んだ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、記憶装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、アクセス速度及び記憶容量が異なる複数種類（例えば２種類）の不揮発性記憶媒
体を備えたストレージ装置が開発されている。このようなストレージ装置の代表として、
ハイブリッドドライブが知られている。ハイブリッドドライブは一般に、第一の不揮発性
記憶媒体と、当該第一の不揮発性記憶媒体と比較してアクセス速度が低く、且つ記憶容量
の大きい第二の不揮発性記憶媒体とを備えている。
【０００３】
第二の不揮発性記憶媒体としては、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）で使用さ
れる磁気ディスクが用いられることがある。ＨＤＤに備えられた磁気ディスクの回転が開
始されてからしばらくの間は、ＨＤＤの特性は、磁気ディスクの回転が開始されてから充
分な時間が経過した後の状態とは異なることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１８６５６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、記憶装置の信頼性を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の記憶装置は、回転可能なディスクと、ヒータへ電力を供給されることで前記
ディスクへ突き出すヘッドと、前記ディスクよりも高速にデータ処理可能な不揮発性半導
体メモリと、前記ディスク及び前記不揮発性半導体メモリに対するデータ処理を制御する
制御部と、を備え、前記制御部は、前記ディスクが回転してから所定の時間の間において
、前記ディスクから読み出されたデータの再生品質に応じて、前記ヘッドの第一の突出し
量を設定し、前記設定した第一の突出し量に応じて、ホストから受け取った書き込み用デ
ータを、前記ディスク又は前記不揮発性半導体メモリに書き込む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る記憶装置の構成を示すブロック図。
【図２】ディスクとヘッドとを模式的に示した図であり、（ａ）はヒータ非加熱時、（ｂ）はヒータ加熱時。
【図３】ヘッドの突出し量設定の動作を示したフローチャート。
【図４】データ書き込み時の処理動作を示したフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
【０００９】
本明細書では、いくつかの要素に複数の表現の例を付している。なおこれら表現の例は
あくまで例示であり、上記要素が他の表現で表現されることを否定するものではない。ま
た、複数の表現が付されていない要素についても、別の表現で表現されてもよい。
【００１０】
また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係や各層の厚みの比率などは
現実のものと異なることがある。また、図面相互間において互いの寸法の関係や比率が異
なる部分が含まれることもある。
【００１１】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る記憶装置１の構成を示すブロック図である。本実施形態に係
る記憶装置１は、例えばハイブリッドドライブである。ハイブリッドドライブは、アクセ
ス速度及び記憶容量が異なる複数種類、例えば２種類の不揮発性記憶媒体（つまり、第一
の不揮発性記憶媒体及び第二の不揮発性記憶媒体）を備えている。本実施形態では、記憶
装置１をハイブリッドドライブ１として説明する。
【００１２】
本実施形態では、第一の不揮発性記憶媒体として、磁気ディスク媒体（以下、ディスク
と称する）２１が用いられ、第二の不揮発性記憶媒体としてＮＡＮＤフラッシュメモリ（
以下、ＮＡＮＤメモリと称する）１１が用いられる。ディスク２１のアクセス速度及び記
憶容量は、ＮＡＮＤメモリ１１のそれらと比較して低速で且つ大容量である。
【００１３】
図１に示されるハイブリッドドライブ１は、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）のよ
うな半導体ドライブユニット１０と、ハードディスクドライブユニット（以下、ＨＤＤと
称する）２０とから構成される。半導体ドライブユニット１０は、少なくともＮＡＮＤメ
モリ１１と、メインコントローラ（制御部）２７内のメモリＩＦ１２２とを含む。
【００１４】
ハイブリッドドライブ１では、ＮＡＮＤメモリ１１は種々の目的に使用される。ＮＡＮ
Ｄメモリ１１は、例えば、ハイブリッドドライブ１のパフォーマンス向上、ハイブリッド
ドライブ１が振動している時のライト動作の安定化、ハイブリッドドライブ１の起動高速
化、などのために使用される。
【００１５】
メインコントローラ２７は、ホスト装置（以下、ホストと称する）からのアクセス要求
（例えば、ライト要求またはリード要求）に応じて、ＮＡＮＤメモリ１１又はディスク２
１へのアクセスを制御する。本実施形態において、ＮＡＮＤメモリ１１は、ホストからハ
イブリッドドライブ１へのアクセスの高速化のために、例えば、当該ホストによって最近
アクセスされたデータを格納するためのキャッシュ（キャッシュメモリ）として用いられ
る。ホストは、図１に示されるハイブリッドドライブ１を、自身のストレージ装置として
利用する。
【００１６】
メインコントローラ２７は、例えば、複数の要素が単一チップに集積された大規模集積
回路（ＬＳＩ）によって実現される。メインコントローラ２７は、少なくとも、メモリイ
ンタフェースコントローラ（以下、メモリＩＦと称する）１２２と、マイクロプロセッサ
ユニット（ＭＰＵ）１２３と、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）１２４と、ランダムアクセ
スメモリ（ＲＡＭ）１２５と、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル２７１と、ハードディ
スクコントローラ（ＨＤＣ）２７２とを含む。
【００１７】
メモリＩＦ（第一のインタフェースコントローラ）１２２はＮＡＮＤメモリ１１と接続
されており、ＭＰＵ１２３の制御の下でＮＡＮＤメモリ１１にアクセスする。
【００１８】
ＭＰＵ１２３は、ＨＤＣ２７２を介してホストから転送されたコマンドに基づいてＮＡ
ＮＤメモリ１１にアクセスするための処理（例えば、ライト処理またはリード処理）を、
第１の制御プログラムに従って実行する。本実施形態において第一の制御プログラムは、
例えばＲＯＭ１２４に予め格納されている。
【００１９】
なお、ＲＯＭ１２４に代えて、ＮＡＮＤメモリ１１、ディスク２１、又は、書き換え可
能な不揮発性ＲＯＭ、例えばフラッシュＲＯＭを用いても良い。ＲＡＭ１２５の記憶領域
の一部は、例えばＭＰＵ１２３のワーク領域として用いられる。
【００２０】
ＨＤＤ２０は、例えば、ディスク２１と、ヘッド２２と、スピンドルモータ（ＳＰＭ）
２３と、アクチュエータ２４と、ドライバ集積回路（ＩＣ）２５と、ヘッドＩＣ２６と、
メインコントローラ２７とを含む。
【００２１】
ディスク２１は、例えばその一方の面に、データが磁気記録される記録面を備えている
。ディスク２１はＳＰＭ２３によって高速に回転させられる。ＳＰＭ２３は、ドライバＩ
Ｃ２５から供給される駆動電流（または駆動電圧）により駆動される。
【００２２】
図１の構成は、単一枚のディスク２１を備えたＨＤＤ２０を示している。しかし、ディ
スク２１が複数枚積層配置されたＨＤＤであっても構わない。また、図１の構成では、デ
ィスク２１は、その一方の面に記録面を備えている。しかし、ディスク２１がその両面に
記録面を備え、当該両記録面にそれぞれ対応してヘッドが配置されても構わない。
【００２３】
ディスク２１（より詳細には、ディスク２１の記録面）は、例えば同心円状の複数のト
ラックを備えている。なお、ディスク２１が、スパイラル状に配置される複数のトラック
を備えていても構わない。
【００２４】
ヘッド（ヘッドスライダ）２２はディスク２１の記録面に対応して配置される。ヘッド
２２は、アクチュエータ２４のアームから延出したサスペンションの先端に取り付けられ
ている。
【００２５】
図２（ａ）は、ヒータが加熱されていない状態（ヒータ非加熱時）におけるディスク２
１とヘッド２２とを模式的に示した図である。図２（ａ）に示すようにヘッド２２は、ヘ
ッド部２２１を含むスライダ２２３を備える。尚、後述するがヘッド２２（具体的には、
ヘッド部２２１）はヒータ２２Ｈを含む。図２（ａ）は、ヒータ２２Ｈが発熱していない
状態を示している。
【００２６】
ヘッド部２２１は、リードヘッド（読み出し部、又はリード素子、とも称される）２２
Ｒと、ライトヘッド（書き込み部、又はライト素子、とも称される）２２Ｗと、ヒータ（
発熱素子、とも称される）２２Ｈと、を含む。
【００２７】
リードヘッド２２Ｒは、ディスク２１に記録されているデータを読み出す。ライトヘッ
ド２２Ｗは、ディスク２１にデータを書き込む。尚、リードヘッド２２Ｒとライトヘッド
２２Ｗとを纏めて、記録再生素子（記録再生部）２２５と称することがある。
【００２８】
ヒータ２２Ｈは、電力供給されることによって発熱する。ヒータ２２Ｈへの印加電力の
増加に伴い、ヒータ２２Ｈの温度が高くなる（発熱量が大きくなる）。
【００２９】
尚、図２では単一のヒータ２２Ｈが記録再生素子２２５の近傍に設けられているが、ヒ
ータ２２Ｈは、リードヘッド２２Ｒの近傍と、ライトヘッド２２Ｗの近傍とに、別体で設
けられても良い。
【００３０】
図２（ｂ）は、ヒータ２２Ｈが発熱している状態（ヒータ加熱時）におけるディスク２
１とヘッド２２とを模式的に示した図である。図２（ｂ）に示すように、ヒータ２２Ｈが
発熱している状態では、ヘッド部２２１の記録再生部２２５は、ヒータ２２Ｈの発熱によ
る熱膨張の影響で、ディスク２１へ向かって突き出す。この結果、ヒータ２２Ｈが発熱し
ている状態では、熱膨張された記録再生部２２５の頂点がヘッド２２の浮上最下点となる
。
【００３１】
尚、このときのヘッド２２のディスク２１に対して突き出す量を、突出し量と称するこ
とがある。また、ヘッド２２とディスク２１との間の距離を浮上量又はクリアランスと称
することがある。尚、突出し量と浮上量との和は略一定になる。また、一般にヘッド２２
とディスク２１との距離が小さい方が、データの書き込み時や読み出し時にエラーが生じ
にくい。
【００３２】
前述のようにヒータ２２Ｈは、電力供給されることによって発熱するため、電力の供給
量に応じてヘッド２２の突出し量は異なる。換言すれば、ヒータ２２Ｈには、突出し量に
応じた電力が供給（印加）される。尚、ヒータ２２Ｈに供給される電力は、例えば、ＨＤ
Ｃ２７２からの制御情報に応じて調整される（変化する）。この制御情報を、制御値（Ｄ
ＡＱ値、又は指示値、とも称される）と呼ぶことがある。したがって、ヘッド２２の突出
し量は、当該突出し量に対応する制御値に応じて調整される。
【００３３】
図１に戻り、アクチュエータ２４は、当該アクチュエータ２４の駆動源となるボイスコ
イルモータ（ＶＣＭ）２４０を有している。ＶＣＭ２４０は、ドライバＩＣ２５から供給
される駆動電流（または駆動電圧）により駆動される。ヘッド２２は、アクチュエータ２
４がＶＣＭ２４０によって駆動されることにより、ディスク２１上を当該ディスク２１の
半径方向に、円弧を描くように移動する。
【００３４】
ドライバＩＣ２５は、メインコントローラ２７（より詳細には、メインコントローラ２
７内のＭＰＵ１２３）の制御に従い、ＳＰＭ２３とＶＣＭ２４０とを駆動する。ドライバ
ＩＣ２５によりＶＣＭ２４０が駆動されることで、ヘッド２２はディスク２１上の目標ト
ラックに位置付けられる。
【００３５】
ヘッドＩＣ２６はヘッドアンプとも呼ばれている。ヘッドＩＣ２６は、例えばアクチュ
エータ２４のＶＣＭ２４０近傍の所定の箇所に固定され、フレキシブル印刷回路基板（Ｆ
ＰＣ）を介してメインコントローラ２７と電気的に接続されている。但し、図１では、作
図の都合で、ヘッドＩＣ２６は、アクチュエータ２４から離れた箇所に配置されている。
【００３６】
ヘッドＩＣ２６は、ヘッド２２のリードヘッド２２Ｒによりリードされた信号（つまり
リード信号）を増幅する。ヘッドＩＣ２６はまた、メインコントローラ２７（より詳細に
は、メインコントローラ２７内のＲ／Ｗチャネル２７１）から出力されるライトデータを
ライト電流に変換して、当該ライト電流をヘッド２２のライトヘッド２２Ｗに出力する。
【００３７】
Ｒ／Ｗチャネル２７１は、リード／ライトに関連する信号を処理する。即ちＲ／Ｗチャ
ネル２７１は、ヘッドＩＣ２６によって増幅されたリード信号をデジタルデータに変換し
、このデジタルデータからリードデータを復号する。Ｒ／Ｗチャネル２７１は、復号結果
に応じて、エラーレート又は信号品質に相関のある値を算出する。尚、ここでの信号品質
に相間のある値は、例えばＶＭＭであるがこれに限らない。Ｒ／Ｗチャネル２７１はまた
、ＨＤＣ２７２から転送されるライトデータを符号化し、この符号化されたライトデータ
をヘッドＩＣ２６に転送する。
【００３８】
また、Ｒ／Ｗチャネル２７１は、ヘッドＩＣ２６及びヘッド２２を介して、ディスク２
１へのデータのライト及びディスク２１からのデータのリードを制御するディスクインタ
フェースコントローラとしても機能する。
【００３９】
ＨＤＣ２７２は、ホストインタフェース（ストレージインタフェース）３０を介してホ
ストと接続されている。ホスト及び図１に示されるハイブリッドドライブ１は、パーソナ
ルコンピュータ、ビデオカメラ、音楽プレーヤー、携帯端末、携帯電話機、或いはプリン
タ装置のような電子機器に備えられている。
【００４０】
ＨＤＣ２７２は、ホストから転送される信号を受信し、且つホストに信号を転送するホ
ストインタフェースコントローラとして機能する。具体的には、ＨＤＣ２７２は、ホスト
から転送されるコマンド（ライトコマンド、リードコマンド等）を受信して、当該受信さ
れたコマンドをＭＰＵ１２３に送信する。ＨＤＣ２７２は、ホストＩＦ回路を有する。Ｈ
ＤＣ２７２はまた、ホストと当該ＨＤＣ２７２との間のデータ転送を制御する。
【００４１】
ＭＰＵ１２３は、ホストからのアクセス要求（ライト要求またはリード要求）に応じて
、メモリＩＦ１２２を介したＮＡＮＤメモリ１１へのアクセスと、Ｒ／Ｗチャネル２７１
、ヘッドＩＣ２６、及びヘッド２２を介したディスク２１へのアクセスとを制御する。本
実施形態において、第２の制御プログラムは、例えばＲＯＭ１２４に格納されているが、
これに限られず、ＮＡＮＤメモリ１１、ディスク２１、又は、書き換え可能な不揮発性Ｒ
ＯＭ等に格納されても良い。尚、イニシャルプログラムローダ（ＩＰＬ）がＲＯＭ１２４
に格納され、第２の制御プログラムがディスク２１又はＮＡＮＤメモリ１１に格納されて
いても構わない。この場合、ハイブリッドドライブの電源が投入された際に、ＭＰＵ１２
３がＩＰＬを実行することにより、第２の制御プログラムがディスク２１又はＮＡＮＤメ
モリ１１からＲＯＭ１２４またはＲＡＭ１２５にロードされれば良い。
【００４２】
ＮＡＮＤメモリ１１は、複数のブロック（物理ブロック）を含む。ＮＡＮＤメモリ１１
では、このブロックを単位にデータが一括して消去される。つまりブロックは、データが
消去される消去単位である。
【００４３】
尚、ＮＡＮＤメモリ１１の記憶領域では、書き込みの最少単位と消去の最少単位とが異
なるため、一部のデータのみの書き換えができない。例えば、ＮＡＮＤメモリ１１では、
書き込みの最小単位が１ページであり、消去の最小単位が１ブロックである。例えば、１
ブロックは６４ページを含むが、これに限られない。
【００４４】
ＮＡＮＤメモリ１１の記憶領域の消去動作は、前述のように複数のページを含むブロッ
ク単位で行われる。また、書き換え（上書き）動作は１動作で完了せず、消去してからデ
ータの書き込みが行われる。すなわち１ページの書き換えでも１ブロック全てを消去する
必要があるため、その１ブロック内の少なくとも有効なデータは、他の記憶領域に一時的
に保存される。
【００４５】
ハイブリッドドライブ１では、複数の不揮発性記録媒体を搭載している。例えば、複数
のＮＡＮＤメモリ１１がハイブリッドドライブ１に設けられることで、１つのＮＡＮＤメ
モリ１１の記憶領域の劣化がある程度抑制され得る。
【００４６】
一般にＮＡＮＤメモリ１１は、データの書き換え回数に上限がある。また、記憶内容の
保持期間も有限であり、ＮＡＮＤメモリ１１の劣化によって、所定の期間が経過すると記
憶内容が失われ得る。また、ＮＡＮＤメモリ１１の記憶内容の保持期間は、データの書き
換えを繰り返すことで短くなる。また、高温環境下でＮＡＮＤメモリ１１を使用した場合
に記憶内容の保持期間が短くなることも知られている。
【００４７】
また、ＨＤＤ２０に備えられたヘッド２２は、ヒータ２２Ｈが加熱されることで、記録
再生部２２５（図２（ａ）、（ｂ）を参照）をディスク２１に向かって突き出し、ヘッド
２２とディスク２１との間の距離（浮上量、クリアランス）を制御可能である。このよう
な制御方法をＤＦＨ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｆｌｙｉｎｇ  Ｈｅｉｇｈｔ）制御と称する。
【００４８】
ヘッド２２の浮上量は、ディスク２１の記録面の位置毎に異なる。また、複数のヘッド
、並びに複数のディスクを備える場合は、その各々によってヘッド２２の浮上量は異なり
得る。そのため、ヘッド毎またはディスクの記録面の位置毎に、ヘッド２２の突出し量を
最適化したＤＦＨ制御が必要となることがある。
【００４９】
図３は、本実施形態に係るハイブリッドドライブ１における、ヘッド２２の突出し量設
定の動作を示したフローチャートである。以下、図３を参照してヘッド２２の突出し量の
設定方法を説明する。
【００５０】
尚、本実施形態においては、ハイブリッドドライブ１は、ハイブリッドドライブ１が起
動されてから所定の時間の間に、図３に示すフローチャートに従った動作（ヘッド２２の
突出し量の設定）が実行される。
【００５１】
尚、前述した所定の時間は、固定値（例えば、１５分）であっても良いし、例えば、ハ
イブリッドドライブ１の動作環境における周辺温度に応じて、適宜変更可能としても良い
。
【００５２】
はじめに、ハイブリッドドライブ１に電源が投入される。このとき、ＨＤＤ２０は、デ
ィスク２１が回転を開始し、ハイブリッドドライブ１が起動される（Ｓ１０１）。すなわ
ち、ＨＤＤ２０が起動される。
【００５３】
次に、ＨＤＤ２０は、制御対象となるヘッド２２を設定する（Ｓ１０２）。ＨＤＤ２０
は、複数のディスク２１並びに複数のヘッド２２を備えることがある。ここでは複数（例
えばＮ個）のヘッド２２を備えているとし、はじめにヘッド（ｈ＝０）を設定する。尚、
０≦ｈ≦Ｎ−１である。
【００５４】
ＨＤＤ２０は、Ｓ１０２で設定されたヘッド２２について、突出し量Ａ（第二の突出し
量）を設定する（Ｓ１０３）。尚、ヘッド２２の突出し量は、ハイブリッドドライブ１の
動作時における、温度や湿度等の周辺環境によっても変動し得る。よって、事前に取得さ
れた温度プロファイル等を参照して、突出し量Ａの設定が行われても良い。
【００５５】
既述のように、ヘッド２２の突出し量は、ヒータ２２Ｈに印加される電力（制御値）に
よって決定される。すなわち、ここでは突出し量Ａになるような制御値１が設定される。
【００５６】
次に、ＨＤＤ２０は、エラーレート（ＥＲ：Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ）又は信号品質に相
関のある値等のリードデータの品質の評価指標の規格値（閾値）を設定する（Ｓ１０４）
。エラーレートは、其々のデータ内における誤りの割合を指す。エラーレートは、例えば
データの全ビット（ｂｉｔ）数に対する、エラービット数の割合を指す。尚、前述のよう
に、ヘッド２２とディスク２１との距離が短いほうが、エラーレートは小さくなりやすい
。また、例えばエラーレートでなく、エラービット数の規格値が設定されても良い。
【００５７】
尚、前述した規格値とは、例えばデータを読み出す場合に読み出しが可能とされる、エ
ラーレート又は信号品質に相関のある値等の許容値である。よってエラーレート又は信号
品質に相関のある値等が規格値を満たすとは、エラーレート又は信号品質に相関のある値
が許容値よりも低く、データが正しく読み出せることを指す。尚、規格値は、少なくとも
、読み出す対象のデータが正しく読み出されるか否かの境界を規定していれば良い。
【００５８】
その後、ＨＤＤ２０は、ヘッド２２について突出し量Ｂ（第一の突出し量）を設定する
（Ｓ１０５）。例えば、Ｓ１０５では、Ｓ１０３で設定された突出し量Ａに対し、さらに
所定量だけヘッド２２をディスク２１に向かって突き出させる。また、Ｓ１０３で設定さ
れた突出し量Ａに対し、所定量だけヘッド２２をディスク２１から遠ざける場合もある。
すなわち、ここでは突出し量Ｂになるような制御値２が設定される。
【００５９】
次に、ＨＤＤ２０は、ディスク２１に記録されたデータを読み出し（Ｓ１０６）、読み
出されたデータのエラーレートが規格値（所定の値、閾値）を満たすか否かを確認する（
Ｓ１０７）。
【００６０】
尚、Ｓ１０６で読み出されるデータは、例えば評価用のデータである。評価用データは
、ディスク２１の所定領域に記録されており、例えば、システム領域、又はディスク２１
の内周／中周／外周に一か所ずつ記録されている。
【００６１】
エラーレートが規格値を満たさない（エラーレートが閾値を超える）場合（Ｓ１０７：
Ｎｏ）、ＨＤＤ２０は、突出し量Ｂに対応する制御値が最大設定値に到達しているか否か
を確認する（Ｓ１０８）。換言すると、１０８では、突出し量Ｂが、最大設定値に対応す
る最大突出し量に到達しているか否かが確認される。
【００６２】
尚、このときの制御値の最大設定値は、突き出されたヘッド２２がディスク２１に接触
しない程度に浮上量が最小量となる突出し量に対応し、例えば、実験的に、又は設計的に
得られる値や、評価テスト等の結果に基づいて設定された値である。また、本実施形態に
おいて、ヘッド２２の突出し量に対応する制御値が最大設定値に到達している場合、ヘッ
ド２２の突出し量が最大設定量となる。
【００６３】
突出し量Ｂに対応する制御値が最大設定値に到達していない（突出し量Ｂが最大設定量
に到達していない）場合（Ｓ１０８：Ｙｅｓ）、ＨＤＤ２０は、突出し量Ｂを増加（例え
ば、設定値に１を加算）し、ディスク２１に記録されたデータを再度読み出す（Ｓ１０６
）。すなわち、エラーレートが規格値を満たさずに、さらに突出し量Ｂに対応する制御値
が最大設定値よりも小さい場合、ヘッド２２をさらに突き出し、ディスク２１に近づける
。
【００６４】
一方で、突出し量Ｂに対応する制御値が最大設定値に到達した（突出し量Ｂが最大設定
量に到達した）場合（Ｓ１０８：Ｎｏ）、又はエラーレートが規格値を満たす場合（Ｓ１
０７：Ｙｅｓ）、ＨＤＤ２０は、突出し量Ｂの値を現在の値に設定する（Ｓ１１０）。そ
の後、ｈが最大値に設定されているか否かを確認する（Ｓ１１１）。すなわち、全てのヘ
ッド２２に対して突出し値の設定がされたか否かを確認する。
【００６５】
ｈが最大値に設定されていない場合（Ｓ１１１：Ｎｏ）、ＨＤＤ２０は、ｈを１加算し
、次のヘッド２２に対してＳ１０２以降の処理を行う。以上の処理により、ＨＤＤ２０は
、起動後の所定時間の間に、全てのヘッド２２に対して各ヘッド毎に突出し量の設定を行
う。尚、突出し量Ａ、突出し量Ｂ、エラーレートの規格値、及びｈ等の各パラメータは、
管理情報として不揮発性の記憶部（例えば、ＮＡＮＤメモリ１１、ディスク２１、ＲＯＭ
１２４等）に記憶され、動作中にＲＡＭ１２５に読み出される。
【００６６】
次に、図４を参照して、ハイブリッドドライブ１のデータ書き込み処理時の動作を説明
する。図４は、本実施形態におけるハイブリッドドライブ１のデータ書き込み時の処理動
作を示したフローチャートである。
【００６７】
はじめに、ハイブリッドドライブ１が起動され（Ｓ１０１）、ヘッド２２の突出し量が
設定される（Ｓ２０１）。尚、Ｓ２０１では、図３で示したフローチャートに従って、ヘ
ッド２２の突出し量が設定される。ここではその詳細についての説明を省略する。
【００６８】
ハイブリッドドライブ１がホストインタフェース３０を介してホストからライトコマン
ド及びデータ（書き込み用データ）を受信すると（Ｓ２０２）、ＭＰＵ１２３は、例えば
Ｒ／Ｗチャネル２７１にライト要求を指示する。Ｒ／Ｗチャネル２７１は、ライト要求を
受領（Ｓ２０３）した後に、書き込みに使用するヘッド２２（ライトヘッド２２Ｗ）を決
定（選択）する（Ｓ２０４）。ここで、書き込みに使用することが決定されたヘッド２２
を対象ヘッド２２とも称する。尚、複数のヘッド２２其々の突出し量の設定は、既にＳ２
０１で行われている。
【００６９】
尚、Ｓ２０４においてヘッド２２は、例えばホストから受領したライトコマンドで指定
される構成であっても良い。
【００７０】
次に、ハイブリッドドライブ１は、対象ヘッド２２の突出し量が最大設定量であるか否
かを確認する（Ｓ２０５）。ヘッド２２の突出し量が最大設定量でない場合（Ｓ２０５：
Ｎｏ）、ホストから受信したデータは、ディスク２１に書き込まれる（Ｓ２０６）。一方
、ヘッド２２の突出し量が最大設定量の場合（Ｓ２０５：Ｙｅｓ）、ホストから受信した
データは、ＮＡＮＤメモリ１１に書き込まれる（Ｓ２０７）。
【００７１】
以上、本実施形態によれば、ハイブリッドドライブ１は、起動されてから所定の時間の
間は、ヘッド２２の突出し量に応じて、ホストから受け取ったデータをディスク２１及び
ＮＡＮＤメモリ１１に書き分ける。
【００７２】
前述のように、前述したハイブリッドドライブ１等の記憶装置１は、起動されてから所
定の時間の間は、書き込み特性が悪い場合があり、書き込みエラーが生じやすい（エラー
レートが高くなりやすい）。
【００７３】
本実施形態では、エラーレートが規格値を満たさない場合（エラーレートが閾値を超え
る場合）、ハイブリッドドライブ１は、ヘッド２２を所定量だけ突き出す。これにより、
エラーレートを小さくすることができる。
【００７４】
尚、データを書き込む場合、ディスク２１とヘッド２２が接触することは望ましくない
ため、ヘッド２２の突出し量には上限（最大設定量）がある。また、図３に示したフロー
チャートで説明したように、ヘッド２２の突出し量が最大設定量となった場合、エラーレ
ートは規格値を満たしていない可能性がある。
【００７５】
そこで、本実施形態では、ハイブリッドドライブ１が起動されてから所定の時間の間に
おいて調整されたヘッド２２の突出し量が最大設定量となっている場合、ハイブリッドド
ライブ１は、ホストから受け取った書き込みデータをＮＡＮＤ１１に書き込む。このため
、ディスク２１に書くことでエラーレートが大きくなる可能性がある場合においても、デ
ータを正しく書き込むことが可能である。
【００７６】
また、本実施形態では、ハイブリッドドライブ１が起動されてから所定の時間の間にお
いて、調整されたヘッド２２の突出し量が最大設定量となっている場合にＮＡＮＤメモリ
１１への書き込み動作を実施する為、ハイブリッドドライブ１は、書き込み回数に上限の
あるＮＡＮＤメモリ１１への書き込みを抑えつつ、書き込みエラーの少なく信頼性の高い
書き込み動作が可能となる。
【００７７】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示
したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は
、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、
種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の
範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等に含まれる
。
【符号の説明】
【００７８】
１：記憶装置（ハイブリッドディスクドライブ）、１０：半導体ドライブユニット、１１
：ＮＡＮＤフラッシュメモリ（ＮＡＮＤメモリ、第二の不揮発性記憶媒体）、２０：ハー
ドディスクドライブユニット（ＨＤＤ）、２１：磁気ディスク媒体（ディスク、第一の不
揮発性記憶媒体）、２２：ヘッド、２２Ｈ：ヒータ、２２Ｗ：ライトヘッド、２２Ｒ：リ
ードヘッド、２７：メインコントローラ、３０：ホストインタフェース（ストレージイン
タフェース）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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