(57)【要約】【課題】耐振動性或いは耐衝撃性が高い分配合成器等を提供する。【解決手段】実施形態の分配合成器は、高周波電力を分配する高周波分配合成線路１６と、高周波分配合成線路１６を支持するシート状の誘電体１５と、それぞれ平面部を有し、平面部で誘電体を挟む導体ブロック１３、１４と、を備える。導体ブロック１３の平面部と導体ブロック１４の平面部には、それぞれ、高周波分配合成線路１６に沿って凹部が形成されている。導体ブロック１３と導体ブロック１４は、導体ブロック１３の凹部と導体ブロック１４の凹部とが高周波分配合成線路１６を間に対向するよう固定されている。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電力を分配或いは合成する高周波分配合成線路と、
前記高周波分配合成線路を支持するシート状の誘電体と、
それぞれ平面部を有し、前記平面部で前記誘電体を挟む第１、第２の導体ブロックと、を備え、
前記第１の導体ブロックの前記平面部と前記第２の導体ブロックの前記平面部には、それぞれ、前記高周波分配合成線路に沿って凹部が形成されており、
前記第１の導体ブロックと前記第２の導体ブロックは、前記第１の導体ブロックの前記凹部と前記第２の導体ブロックの前記凹部とが前記高周波分配合成線路を間に対向するよう固定されている、
分配合成器。
【請求項２】
前記高周波分配合成線路は、ウィルキンソン型の複数の高周波分配合成回路と、前記複数の高周波分配合成回路をトーナメント形に接続する接続線路と、で構成されている、
請求項１に記載の分配合成器。
【請求項３】
前記誘電体には、複数のスルーホールが形成されており、
前記複数のスルーホールは、前記第１の導体ブロックの前記平面部と前記第２の導体ブロックの前記平面部との間に位置しており、
前記複数のスルーホールの中には、前記第１の導体ブロックと前記第２の導体ブロックとを接続する導体が配置されている、
請求項１又は２に記載の分配合成器。
【請求項４】
前記複数のスルーホールは、前記第１、第２の導体ブロックの前記凹部の縁に沿うように形成されている、
請求項３に記載の分配合成器。
【請求項５】
前記誘電体はフレキシブルプリント基板のベースフィルムであり、
前記高周波分配合成線路は、前記ベースフィルムにプリントされたパターンにより形成されている、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の分配合成器。
【請求項６】
高周波電力を分配する高周波分配線路と、
前記高周波分配線路を支持するシート状の誘電体と、
それぞれ平面部を有し、前記平面部で前記誘電体を挟む第１、第２の導体ブロックと、を備え、
前記第１の導体ブロックの前記平面部と前記第２の導体ブロックの前記平面部には、それぞれ、前記高周波分配線路に沿って凹部が形成されており、
前記第１の導体ブロックと前記第２の導体ブロックは、前記第１の導体ブロックの前記凹部と前記第２の導体ブロックの前記凹部とが前記高周波分配線路を間に対向するよう固定されている、
分配器。
【請求項７】
前記高周波分配線路は、ウィルキンソン型の複数の高周波分配回路と、前記複数の高周波分配回路をトーナメント形に接続する接続線路と、で構成されている、
請求項６に記載の分配器。
【請求項８】
高周波電力を合成する高周波合成線路と、
前記高周波合成線路を支持するシート状の誘電体と、
それぞれ平面部を有し、前記平面部で前記誘電体を挟む第１、第２の導体ブロックと、を備え、
前記第１の導体ブロックの前記平面部と前記第２の導体ブロックの前記平面部には、それぞれ、前記高周波合成線路に沿って凹部が形成されており、
前記第１の導体ブロックと前記第２の導体ブロックは、前記第１の導体ブロックの前記凹部と前記第２の導体ブロックの前記凹部とが前記高周波合成線路を間に対向するよう固定されている、
合成器。
【請求項９】
前記高周波合成線路は、ウィルキンソン型の複数の高周波合成回路と、前記複数の高周波合成回路をトーナメント形に接続する接続線路と、で構成されている、
請求項８に記載の合成器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、分配合成器、分配器、及び合成器に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波電力（高周波信号）の使用が盛んになっている。高周波電力の分配或いは合成には、高周波電力分配合成器が使用される。高周波電力の伝送では、誘電体損失が無視できないほど大きくなる。誘電体損失を少なくするため、高周波電力分配合成器では、ストリップ線路（トリプレート線路）の誘電体部を空気層としたエアライン型の伝送線路が使用されることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１０８７４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
エアライン型の伝送線路は、通常、その一部が厚い誘電体層によって支えられる。エアライン型の伝送線路を有する高周波電力合成分配器の場合、振動や衝撃が加わると、伝送線路の空中に浮いた部分と厚い誘電体層で支えられた部分との境界で応力集中が発生する。そのため、エアライン型の伝送線路を有する高周波電力合成分配器は、場合によっては、振動或いは衝撃に対して弱くなる。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、耐振動性或いは耐衝撃性が高い分配合成器、分配器、及び合成器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の分配合成器は、高周波電力を分配する高周波分配合成線路と、高周波分配合成線路を支持するシート状の誘電体と、それぞれ平面部を有し、平面部で誘電体を挟む第１、第２の導体ブロックと、を備える。第１の導体ブロックの平面部と第２の導体ブロックの平面部には、それぞれ、高周波分配合成線路に沿って凹部が形成されている。第１の導体ブロックと第２の導体ブロックは、第１の導体ブロックの凹部と第２の導体ブロックの凹部とが高周波分配合成線路を間に対向するよう固定されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態１の分配合成器の斜視図である。
【図２】実施形態１の分配合成器の分解斜視図である。
【図３】第１の導体ブロックの底面図である。
【図４】第２の導体ブロックの上面図である。
【図５】上面に高周波分配合成線路が配置された誘電体シートの上面図である。
【図６】高周波分配合成線路を示す図である。
【図７】高周波分配合成線路が備える高周波分配合成回路の拡大図である。
【図８】高周波分配合成回路の等価回路である。
【図９】第１の導体ブロックを取り除いた分配合成器の上面図である。
【図１０】実施形態１の分配合成器の高周波分配合成回路付近の分解斜視図である。
【図１１】実施形態１の分配合成器の高周波分配合成回路付近の断面図である。
【図１２】実施形態２の分配合成器の高周波分配合成回路付近の分解斜視図である。
【図１３】実施形態２の分配合成器の高周波分配合成回路付近の断面図である。
【図１４】高周波分配合成線路の配置の変形例を示す図である。
【図１５】高周波分配合成線路の配置の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または同等の部分には同一の符号を付す。
【０００９】
（実施形態１）
図１は、実施形態１の分配合成器１の斜視図である。分配合成器１は、８分配或いは８合成の高周波電力（高周波信号）分配合成器である。合成端コネクタ１１に加えられた高周波電力は、分配されて分配端コネクタ１２ａ〜１２ｈに出力される。また、分配端コネクタ１２ａ〜１２ｈに加えられた高周波電力は、合成されて合成端コネクタ１１に出力される。分配合成器１の分配及び合成の動作は可逆的である。
【００１０】
ここで高周波電力とは、高周波成分（およそ３００ＭＨｚ〜３００ＧＨｚの周波数成分）を含む電力（信号）のことである。以下の説明では、高周波電力のことを高周波信号、或いは単に高周波という。高周波信号は、マイクロ波帯（およそ１ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ）の信号であってもよいし、準ミリ波帯（およそ２０〜３０ＧＨｚ）の信号であってもよい。また、高周波信号は、ミリ波帯（およそ３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ）の信号であってもよい。分配合成器１は、動作によって振動が伴う装置に設置される。例えば、分配合成器１は、航空管制用の航空レーダー等、アンテナの回転等に伴って振動する装置に設置される。
【００１１】
なお、以下の説明には、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸から構成される直交座標系を用いる。図中、矢印の指し示す方向がプラス方向である。Ｘ軸プラス方向が右方向であり、Ｘ軸マイナス方向が左方向である。また、Ｙ軸プラス方向が奥方向であり、Ｙ軸マイナス方向が手前方向である。また、Ｚ軸プラス方向が上方向であり、反対方向が下方向である。
【００１２】
図２は、分配合成器１の分解斜視図である。分配合成器１は、合成端コネクタ１１と、複数の分配端コネクタ１２ａ〜１２ｈと、導体ブロック１３、１４と、誘電体１５と、高周波分配合成線路１６と、を備える。
【００１３】
合成端コネクタ１１および分配端コネクタ１２ａ〜１２ｈは、同軸ケーブル、ストリップライン、マイクロストリップライン、フィーダ線等の伝送線路を接続するためのコネクタである。合成端コネクタ１１は分配合成器１の奥側側面に配置されており、分配端コネクタ１２ａ〜１２ｈは分配合成器１の分配合成器１の手前側側面に配置されている。合成端コネクタ１１には、例えば、伝送線路を介して信号発信機もしくは信号受信機が接続される。分配端コネクタ１２ａ〜１２ｈには、例えば、アンテナが接続される。
【００１４】
導体ブロック１３、１４は、鉄、銅、アルミ等の導体で形成されたブロックである。導体ブロック１３は第１の導体ブロックとして機能し、導体ブロック１４は第２の導体ブロックとして機能する。導体ブロック１４が第１の導体ブロックで、導体ブロック１３が第２の導体ブロックと見なしてもよい。導体ブロック１３は、少なくとも１つの平面部を有している。本実施形態の導体ブロック１３は底面が平面部となっている。また、導体ブロック１４は、少なくとも１つの平面部を有している。本実施形態の導体ブロック１４は上面が平面部となっている。導体ブロック１３および導体ブロック１４の形状は図に示した形状に限定されず、様々な変形が可能である。
【００１５】
導体ブロック１３および導体ブロック１４は、２つの平面部でシート状の誘電体１５を挟んでいる。言い換えると、誘電体１５は、導体ブロック１３の底面及び導体ブロック１４の上面で挟持されている。導体ブロック１３および導体ブロック１４は、直接的或いは間接的に接地されている。導体ブロック１３および導体ブロック１４は、電磁シールドとして機能する。
【００１６】
図３は導体ブロック１３の底面図であり、図４は導体ブロック１４の上面図である。導体ブロック１３の平面部１３ａ（底面）には、高周波分配合成線路１６に沿って凹部（溝）１３ｂが形成されている。同様に、導体ブロック１４の平面部１４ａ（上面）には、高周波分配合成線路１６に沿って凹部（溝）１４ｂが形成されている。導体ブロック１３と導体ブロック１４は、凹部１３ｂと凹部１４ｂとが対向するように固定されている。凹部１３ｂと凹部１４ｂの形状は、導体ブロック１３の底面と導体ブロック１４の上面とが向かい合ったときに、対応する形状となっている。そのため、分配合成器１の内部には、凹部１３ｂと凹部１４ｂとによる管状の空間が形成される。
【００１７】
図５は、上面に高周波分配合成線路１６が配置された誘電体１５の上面図である。誘電体１５は、シート状の誘電体である。“シート状の誘電体”とは、薄くて柔らかい誘電体、例えば、１μｍ以上１ｍｍ以下の厚さの樹脂シート（樹脂フィルム）のことである。誘電体を構成するシートの厚さは１μｍ以上１ｍｍ以下の範囲に限定されず、例えば、１ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲であってもよい。誘電体とは、導電性よりも誘電性が優位な物質のことであり、樹脂に限定されない。一例として、誘電体１５は、フレキシブルプリント基板のベースフィルムである。誘電体１５は、ポリイミドフィルムであってもよい。誘電体１５の厚さは、例えば、５０μｍである。フィルムとは、厚さが２５０μｍ（０．２５ｍｍ）未満のシートのことである。誘電体１５を構成するシートの厚さが２５０μｍの場合、“シート状”は“フィルム状”と言い換えることができる。なお、シートという概念にはフィルムも含まれる。
【００１８】
誘電体１５の一方の面には、高周波分配合成線路１６が配置されている。高周波分配合成線路１６は、誘電体１５の一方の面にプリントされたパターンにより形成されていてもよい。例えば、高周波分配合成線路１６は、フレキシブルプリント基板のベースフィルムにプリントされたパターンにより形成されていてもよい。一例として、高周波分配合成線路１６は、銅張ポリイミドフィルムをエッチングして形成される銅のパターンに抵抗等の素子を実装することにより形成されていてもよい。高周波分配合成線路１６は、誘電体１５によってその全面が支持された状態となっている。
【００１９】
図６は、誘電体１５から高周波分配合成線路１６のみを取り出したものである。高周波分配合成線路１６は、入力された高周波信号を８分配或いは８合成する高周波分配合成線路である。高周波分配合成線路１６は、複数の高周波分配合成回路１６ａ１〜１６ａ７と、それらをトーナメント形に接続する接続線路１６ｂ１〜１６ｂ６と、で構成されている。
【００２０】
高周波分配合成回路１６ａ１〜１６ａ７は、高周波信号の分配或いは合成する分配合成回路である。本実施形態では、高周波分配合成回路１６ａ１〜１６ａ７は、ウィルキンソン型の高周波分配合成回路である。高周波分配合成回路１６ａ１〜１６ａ７の動作は可逆的である。高周波信号を分配するときは、高周波分配合成回路１６ａ１〜１６ａ７は高周波分配回路として機能し、高周波信号を合成するときは、高周波分配合成回路１６ａ１〜１６ａ７は高周波合成回路として機能する。
【００２１】
高周波分配合成回路１６ａ１〜１６ａ７の構成は略同じ構成である。以下の説明では、高周波分配合成回路１６ａ１〜１６ａ７の構成として、高周波分配合成回路１６ａの構成について説明する。図７は、高周波分配合成回路１６ａの拡大図である。高周波分配合成回路１６ａは、合成端子１６１と、分配端子１６２、１６３と、を備える。合成端子１６１は、接続線路で他の高周波分配合成回路１６ａの分配端子と接続されている。或いは、合成端子１６１は、合成端コネクタ１１と接続されている。また、分配端子１６２、１６３は、接続線路で他の高周波分配合成回路１６ａの分配端子と接続されている。或いは、分配端子１６２、１６３は、分配端コネクタ１２ａ〜１２ｈのいずれかと接続されている。
【００２２】
図８は、高周波分配合成回路１６ａの等価回路である。高周波分配合成回路１６ａは、分岐線路Ｌ１及びＬ２と、これら２つの分岐線路間を跨ぐ２つのアイソレーション抵抗１６４、１６５とで構成されている。分岐線路Ｌ１及びＬ２は、それぞれ、所定の特性インピーダンスを有し、電気長、もしくは誘電体の特性を考慮した電気的な長さが中心周波数に対して１／４波長の線路である。分岐線路Ｌ１の特性インピーダンスは、Ｚ１、Ｚ２であり、分岐線路Ｌ２の特性インピーダンスは、Ｚ３、Ｚ４である。なお、図７及び図８に示した高周波分配合成回路１６ａはあくまで一例である。高周波分配合成回路１６ａの構成は、必要とされる特性に合わせ、変更可能である。例えば、アイソレーション抵抗は、１つの高周波分配合成回路につき１つであってもよい。
【００２３】
図９は、導体ブロック１３を取り除いた分配合成器１の上面図である。図中の破線は、導体ブロック１３に形成された凹部１３ｂの縁（すなわち、図３に示す平面部１３ａと凹部１３ｂとの境界）、及び導体ブロック１４に形成された凹部１４ｂの縁（図４に示す平面部１４ａと凹部１４ｂとの境界）を示している。凹部１３ｂおよび凹部１４ｂは、いずれも、高周波分配合成線路１６に沿って形成されている。凹部１３ｂおよび凹部１４ｂの幅は高周波分配合成線路１６の線路幅より大きい。凹部１３ｂおよび凹部１４ｂは、その幅の略中央に高周波分配合成線路１６が位置するよう、幅広のトーナメント形状となっている。
【００２４】
図１０は、分配合成器１の高周波分配合成回路１６ａ付近の分解斜視図である。また、図１１は、分配合成器の高周波分配合成回路付近の断面図である。より具体的には、図１１は、分解していない状態の分配合成器１を図１０に示すＡ−Ａ線で切り取った図である。導体ブロック１３と導体ブロック１４は、凹部１３ｂと凹部１４ｂとが高周波分配合成線路１６を間に対向するよう固定されている。そのため、分配合成器１の内部には、凹部１３ｂと凹部１４ｂによって管状の空間が形成されている。この管状の空間はシート状（或いはフィルム状）の誘電体１５によって上下に分割されている。高周波分配合成線路１６はこの誘電体１５によって支持されている。高周波分配合成線路１６は管状の空間の幅方向（図１１の例の場合、Ｘ軸方向）の中央に位置している。そのため、高周波分配合成線路１６は、この管状の空間の略中央に位置している。
【００２５】
次に、このような構成を有する分配合成器１の動作について説明する。分配合成器１の動作は高周波信号の分配と、高周波信号の合成に分けられる。最初に高周波信号の分配について説明する。
【００２６】
まず、外部の装置（例えば送信機）から伝送線路を介して合成端コネクタ１１に高周波信号が加えられる。合成端コネクタ１１に加えられた高周波信号は、図６に示す高周波分配合成回路１６ａ１の合成端子１６１に入力される。そして、高周波信号は、高周波分配合成回路１６ａ１で２分配されて分配端子１６２及び１６３から出力される。分配された高周波信号は、接続線路１６ｂ１或いは１６ｂ２を経由して、高周波分配合成回路１６ａ２或いは１６ａ３の合成端子１６１に入力される。高周波信号は、高周波分配合成回路１６ａ２及び１６ａ３それぞれでさらに２分配されて、それぞれの分配端子１６２及び１６３から出力される。そして、分配された高周波信号は、接続線路１６ｂ３、１６ｂ４、１６ｂ５、或いは１６ｂ６を経由して、高周波分配合成回路１６ａ４、１６ａ５、１６ａ６、或いは１６ａ７の合成端子１６１に入力される。高周波信号は、高周波分配合成回路１６ａ４〜１６ａ７それぞれでさらに２分配されて、それぞれの分配端子１６２及び１６３から出力される。出力された高周波信号は分配端コネクタ１２ａ〜１２ｈから分配合成器１の外部の装置（例えば、受信機）に出力される。
【００２７】
次に、高周波信号の合成について説明する。
【００２８】
まず、外部の装置（例えばアンテナ）から伝送線路を介して分配端コネクタ１２ａ〜１２ｈに高周波信号が加えられる。分配端コネクタ１２ａ〜１２ｈに加えられた高周波信号は、高周波分配合成回路１６ａ４〜１６ａ７の分配端子１６２、１６３に入力される。そして、高周波信号は、高周波分配合成回路１６ａ４〜１６ａ７それぞれで２合成されて、それぞれの合成端子１６１から出力される。合成された高周波信号は、接続線路１６ｂ３、１６ｂ４、１６ｂ５、或いは１６ｂ６を経由して、高周波分配合成回路１６ａ２或いは１６ａ３の分配端子１６２、１６３に入力される。高周波信号は、高周波分配合成回路１６ａ２及び１６ａ３それぞれでさらに２合成されて、それぞれの合成端子１６１から出力される。そして、合成された高周波信号は、接続線路１６ｂ１、或いは１６ｂ２を経由して、高周波分配合成回路１６ａ１の分配端子１６２、１６３に入力される。高周波信号は、高周波分配合成回路１６ａ１さらに２合成されて、合成端子１６１から出力される。出力された高周波信号は合成端コネクタ１１から分配合成器１の外部の装置（例えば、受信機）に出力される。
【００２９】
本実施形態によれば、高周波分配合成線路１６は、厚い誘電体層によってその一部が支持されるのではなく、シート状（或いはフィルム状）の誘電体１５によってその全面が支持されている。そのため、高周波分配合成線路１６は、分配合成器１に加わる振動若しくは衝撃によって、線路の一部に応力集中が発生することがほとんどない。したがって、分配合成器１の耐振動性及び耐衝撃性が高い。
【００３０】
信号によって生じる電界は、誘電体の厚さ方向を通り伝搬する。そのため、電界と直交する方向に厚い誘電体層が配置されている場合、誘電体損により伝送損失が大きく増加する。しかし、本実施形態では、電界と直交する方向に配置されているのは、厚い誘電体層ではなく、シート状（或いはフィルム状）の誘電体１５である。誘電体損を発生させる誘電体１５が薄いので、分配合成器１は低損失で信号を伝送することが可能である。
【００３１】
（実施形態２）
導体ブロック１３、１４のグランド電位は高周波分配合成線路１６の特性に影響を与える。そのため、導体ブロック１３のグランド電位と導体ブロック１４のグランド電位とは同じであることが望ましい。しかしながら、実施形態１の分配合成器１は、導体ブロック１３と導体ブロック１４は誘電体１５によって電気的に分離されている。そのため、導体ブロック１３と導体ブロック１４とでグランド電位が同電位でなければならないが、場合によっては微妙に異なるものとなる。実施形態２では、導体ブロック１３のグランド電位と導体ブロック１４のグランド電位との相違が少ない分配合成器１について説明する。
【００３２】
図１２は、実施形態２の分配合成器１の高周波分配合成回路１６ａ付近の分解斜視図である。誘電体１５には、複数のスルーホール１５ａが形成されている。複数のスルーホール１５ａは、凹部１３ｂと凹部１４ｂの間（すなわち、凹部１３ｂと凹部１４ｂで形成される管状の空間内部）ではなく、導体ブロック１３の平面部１３ａと導体ブロック１４の平面部１４ａとの間に位置している。複数のスルーホール１５ａは、凹部１３ｂ、１４ｂの縁に沿って形成されている。
【００３３】
図１３は、実施形態２の分配合成器１の高周波分配合成回路１６ａ付近の断面図である。より具体的には、図１２は、分解していない状態の分配合成器１を図１２に示すＡ−Ａ線で切り取った図である。導体ブロック１３の平面部１３ａと導体ブロック１４の平面部１４ａの間には導体層が形成されている。導体層１７は、例えば、液体の金属を平面部１３ａと平面部１４ａの間に流し込んで固化させることによって形成される。複数のスルーホール１５ａの中には、導体層１７の導体が配置された状態となっている。スルーホール１５ａに配置された導体（導体層１７）は、導体ブロック１３と導体ブロック１４とを電気的に接続する。
【００３４】
誘電体１５にスルーホールが形成されていない場合、導体ブロック１３と導体ブロック１４とを電気的に接続するためには、薄い誘電体１５を導体ブロック間に挟み、且つ、導体ブロック１３と導体ブロック１４とを接触させる必要がある。これには、導体ブロックの機械加工で高い精度が必要となる。しかし、本実施形態の分配合成器１は、誘電体１５に複数のスルーホール１５ａが形成されている。そして、導体ブロック１３と導体ブロック１４はスルーホール１５ａ内に配置された導体を介して電気的に接続されている。導体ブロック１３と導体ブロック１４とでグランド電位の相違が少ないので、高周波分配合成線路１６の特性が安定する。
【００３５】
また、複数のスルーホール１５ａは、凹部１３ｂ、１４ｂの縁に沿って形成されている。高周波分配合成線路１６の特性に強く影響を与えるのは、凹部１３ｂ、１４ｂで形成される空間の表面付近の電位である。凹部１３ｂ、１４ｂの縁に沿って複数のスルーホール１５ａ形成することにより、空間の表面付近の電位の相違がさらに少なくなるので、高周波分配合成線路１６の特性がさらに安定する。
【００３６】
上述の各実施形態はそれぞれ一例を示したものであり、種々の変更及び応用が可能である。
【００３７】
例えば、上述の実施形態では、高周波分配合成線路１６は誘電体１５の上面に配置されるものとしたが、高周波分配合成線路１６は誘電体１５の下面に配置されていてもよい。
【００３８】
また、高周波分配合成線路１６は誘電体１５によって空間中に支持されているのであれば、必ずしも誘電体１５の上面或いは下面に配置されていなくてもよい。例えば、高周波分配合成線路１６は、図１４に示すように、線路幅方向の両端を誘電体１５によって支持されていてもよい。このとき、誘電体１５には、実施形態２で説明したように、スルーホールが形成されていてもよい。そして、スルーホールには、導体ブロック１３と導体ブロック１４とを電気的に接続する導体が配置（充填）されていてもよい。
【００３９】
また、高周波分配合成線路１６は、図１５に示すように、２枚の誘電体１５の間に挟持されていてもよい。この場合も、誘電体１５にはスルーホールが形成され、導体ブロック１３と導体ブロック１４とを電気的に接続する導体が配置（充填）されていてもよい。
【００４０】
また、上述の実施形態では、誘電体１５は厚さ５０μｍのフィルムであるものとしたが
誘電体１５の厚さは５０μｍに限定されない。誘電体１５の厚さは、１μｍ以上２５０μｍ未満の範囲であってもよい。また、誘電体１５はフィルム（例えば、１μｍ以上２５０μｍ未満の厚さのシート）に限定されない。誘電体１５は、２５０μｍ以上１ｍｍ以下の厚さのシートであってもよい。誘電体１５は１ｍｍより大きな厚さのシートであってもよい。例えば、誘電体１５は、１ｍｍ以上２ｍｍ以下の厚さのシートであってもよい。
【００４１】
また、上述の実施形態では、誘電体１５はポリイミドフィルムであるものとしたが、誘電体１５はポリイミドフィルムに限定されない。例えば、誘電体１５はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、トリアセテート（ＴＡＣ）、アラミド（ＡＰＡ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリ塩化ビニール（ＰＶＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、或いはポリアリレート（ＰＡＲ）のシート（フィルム）であってもよい。勿論、誘電体１５はポリイミド（ＰＩ）のシートであってもよい。
【００４２】
また、誘電体１５は樹脂シート（樹脂フィルム）に限定されない。例えば、誘電体１５は紙や布（織布、不織布）であってもよい。誘電体１５を布とする場合、誘電体１５を構成する布は、プラスチック繊維、或いはガラス繊維の織布であってもよい。誘電体１５を紙や布とする場合、高周波分配合成線路１６は、誘電体１５に接着剤等で貼付されていてもよい。勿論、誘電体１５を樹脂シート（樹脂フィルム）とする場合であっても、高周波分配合成線路１６は誘電体１５に接着剤等で貼付されていてもよい。
【００４３】
また、上述の実施形態では、高周波分配合成回路１６ａ（高周波分配合成回路１６ａ１〜１６ａ７）は、ウィルキンソン型の高周波分配合成回路であるものとしたが、高周波分配合成回路１６ａは、ウィルキンソン型の高周波分配合成回路に限定されない。例えば、高周波分配合成回路１６ａは、分布結合型、ブランチライン型、或いはラットレース型の高周波分配合成回路であってもよい。
【００４４】
また、上述の実施形態では、分配合成器１は、７個の高周波分配合成回路１６ａをトーナメント形に接続した８分配または８合成の分配合成器であるものとした。しかし、高周波分配合成回路１６ａの数、並びに、分配もしくは合成の数は、これに限定されない。分配合成器１は、３個の高周波分配合成回路１６ａをトーナメント形に接続した４分配または４合成の分配合成器であってもよい。また、分配合成器１は、１５個の高周波分配合成回路１６ａをトーナメント形に接続した１６分配または１６合成の分配合成器であってもよい。勿論、分配合成器１は、１つの高周波分配合成回路１６ａを有する２分配または２合成の分配合成器であってもよい。高周波分配合成回路１６ａの数、並びに、分配もしくは合成の数は、目的や用途に応じて種々の値を選択可能である。
【００４５】
また、上述の実施形態では、分配合成器１は分配と合成の双方が可能であるものとした。しかし、分配合成器１は分配と合成のいずれかのみ可能であってもよい。分配合成器は、分配器、或いは合成器と言い換えることができる。高周波分配合成線路も、高周波分配線路、或いは高周波合成線路と言い換えることができる。同様に、高周波分配合成回路も、高周波分配回路、或いは高周波合成回路と言い換えることができる。
【００４６】
本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４７】
１…分配合成器（分配器、合成器）
１１…合成端コネクタ
１２ａ〜１２ｈ…分配端コネクタ
１３、１４…導体ブロック
１３ａ、１４ａ…平面部
１３ｂ、１４ｂ…凹部
１５…誘電体
１５ａ…スルーホール
１６…高周波分配合成線路（高周波分配線路、高周波合成線路）
１６ａ〜１６ａ７…高周波分配合成回路（高周波分配回路、高周波合成回路）
１６ｂ１〜１６ｂ６…接続線路
１６１…合成端子
１６２、１６３…分配端子
１６４、１６５…アイソレーション抵抗
１７…導体層
Ｌ１、Ｌ２…分岐線路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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