(57)【要約】【課題】ＵＶ硬化型異方性導電膜による表示装置の配線と半導体集積回路素子との接続の信頼性を向上させる。【解決手段】表示パネルに形成された金属配線は、ＵＶ硬化型異方性導電膜を介して半導体集積回路素子のバンプに電気的に接続されており、金属配線は、ＵＶを透過するための複数の開口部を有し、少なくとも１つのバンプは、複数の開口部のうち最短に隣接する２の開口部の間に配置されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、
前記表示パネルに形成された金属配線と、
前記表示パネルにＵＶ硬化型異方性導電膜を介して接続される半導体集積回路素子と、
を含み、
前記半導体集積回路素子は複数のバンプを有し、
前記金属配線は、前記ＵＶ硬化型異方性導電膜を介して前記バンプに電気的に接続されており、
前記金属配線は、平面視で前記半導体集積回路素子と重なる領域にＵＶを透過するための複数の開口部を有し、
少なくとも１つの前記バンプは、前記複数の開口部のうち最短に隣接する２つの開口部の間に配置されている、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記開口部と前記バンプとは、平面視で重ならない、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の開口部は、前記バンプの長手方向の長さより広い間隔で格子状に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の開口部は、千鳥状に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の開口部それぞれは、正方形または円形に形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記開口部は、さらに、平面視で前記半導体集積回路素子と重なる領域より外側の領域に形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記開口部は、それぞれ異なる層に形成される第１開口部と第２開口部とを含み、
前記第１開口部の面積は、前記第２開口部の面積より大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記金属配線は、
前記ＵＶ硬化型異方性導電膜のＵＶ励起可能距離よりも幅が短い短幅配線部と、
前記ＵＶ硬化型異方性導電膜のＵＶ励起可能距離よりも幅が広い広幅配線部と
を含み、
前記短幅配線部には前記複数の開口部が形成されておらず、
前記広幅配線部には前記複数の開口部が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から表示装置の配線と半導体集積回路素子の端子（バンプ）とは、熱硬化性の異方性導電膜を利用して圧着されていた。しかしながら、熱硬化性の異方性導電膜は、圧着時の熱による基板の変形が問題となっていた。そこで、熱硬化性の異方性導電膜と比較して必要とする加熱温度が低いＵＶ硬化型の異方性導電膜が利用されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ＵＶ硬化型異方性導電膜で半導体集積回路素子等の部品を基板に固定する際に、配線部によって遮光される箇所のＵＶ硬化型異方性導電膜にもＵＶ光を直接照射できるように、配線部の遮光層（金属配線）にＵＶ光透過用の開口部を形成することを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１４／０９２０３５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、半導体集積回路素子のバンプと接続される金属配線に開口部を形成しているため、接続強度と導電性の信頼性が十分でない。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＵＶ硬化型異方性導電膜による表示装置の配線と半導体集積回路素子との接続の信頼性を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、表示パネルと、前記表示パネルに形成された金属配線と、前記表示パネルにＵＶ硬化型異方性導電膜を介して接続される半導体集積回路素子と、を含み、前記半導体集積回路素子は複数のバンプを有し、前記金属配線は、前記ＵＶ硬化型異方性導電膜を介して前記バンプに電気的に接続されており、前記金属配線は、平面視で前記半導体集積回路素子と重なる領域にＵＶを透過するための複数の開口部を有し、少なくとも１つの前記バンプは、前記複数の開口部のうち最短に隣接する２つの開口部の間に配置されている、
ことを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る表示装置では、前記開口部と前記バンプとは、平面視で重ならない、ことを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る表示装置では、前記複数の開口部は、前記バンプの長手方向の長さより広い間隔で格子状に配置されてもよい。
【００１０】
本発明に係る表示装置では、前記複数の開口部は、千鳥状に配置されてもよい。
【００１１】
本発明に係る表示装置では、前記複数の開口部それぞれは、正方形または円形に形成されていてもよい。
【００１２】
本発明に係る表示装置では、前記開口部は、さらに、平面視で前記半導体集積回路素子と重なる領域より外側の領域に形成されてもよい。
【００１３】
本発明に係る表示装置では、前記開口部は、それぞれ異なる層に形成される第１開口部と第２開口部とを含み、前記第１開口部の面積は、前記第２開口部の面積より大きくてもよい。
【００１４】
本発明に係る表示装置では、前記金属配線は、前記ＵＶ硬化型異方性導電膜のＵＶ励起可能距離よりも幅が短い短幅配線部と、前記ＵＶ硬化型異方性導電膜のＵＶ励起可能距離よりも幅が広い広幅配線部とを含み、前記短幅配線部には前記複数の開口部が形成されておらず、前記広幅配線部には前記複数の開口部が形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る表示装置の構成によれば、ＵＶを透過するための開口部とバンプとは平面視で重ならない。これにより表示装置の配線と半導体集積回路素子との接続の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す図である。
【図２】データドライバＩＣの構成を示す平面図である。
【図３】データドライバＩＣの構成を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ´断面図である。
【図５】図３のＡ−Ａ´断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施形態について、図面を用いて以下に説明する。本発明の実施形態では、液晶表示装置を例に挙げるが、本発明に係る表示装置は液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば有機ＥＬ表示装置等であってもよい。
【００１８】
図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す図である。液晶表示装置は、画像を表示する表示パネル１０と、表示パネル１０を駆動する半導体集積回路素子であるドライバＩＣ（データドライバＩＣ２０、ゲートドライバＩＣ３０）と、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）４０と、ドライバＩＣを制御する制御回路を搭載する制御回路基板５０と、表示パネル１０に背面側から光を照射するバックライト（図示せず）とを含んで構成されている。表示パネル１０は、画像表示領域１０ａと、画像表示領域１０ａの周囲の額縁領域１０ｂとからなる。
【００１９】
画像表示領域１０ａには、行方向に延在する複数のデータ線１１と、列方向に延在する複数のゲート線１２とが設けられている。各データ線１１はデータドライバＩＣ２０に電気的に接続されている。各ゲート線１２はゲートドライバＩＣ３０に電気的に接続されている。各データ線１１と各ゲート線１２との各交差部に対応して、複数の画素１３がマトリクス状（行方向及び列方向）に配置されている。各画素１３に対応して、薄膜トランジスタ１４と画素電極１５と共通電極１６とが設けられている。薄膜トランジスタ１４は、各データ線１１と各ゲート線１２との各交差部に設けられている。なお、データ線１１が延在する方向を行方向、ゲート線１２が延在する方向を列方向、とする。
【００２０】
額縁領域１０ｂには、画像表示領域１０ａにおいて画像を表示させるための駆動回路である、ドライバＩＣ（データドライバＩＣ２０、ゲートドライバＩＣ３０）が設けられている。本液晶表示装置では、ドライバＩＣがＴＦＴ基板１００のガラス基板上に直接搭載されるＣＯＧ方式が採用されている。なお、本発明をＴＣＰ方式やＣＯＦ方式に適用してもよい。
【００２１】
ドライバＩＣは、データ線１１を駆動する複数のデータドライバＩＣ２０と、ゲート線１２を駆動する複数のゲートドライバＩＣ３０とを含んでいる。なお、図１では、データドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０が、液晶表示装置の一側面側（左側面側）において列方向に一列に並んで配置されているが、本発明はこれに限定されない。例えば、データドライバＩＣ２０が、液晶表示装置の左側面側において列方向に並んで配置され、ゲートドライバＩＣ３０が、液晶表示装置の上側面側において行方向に並んで配置されていてもよい。
【００２２】
制御回路基板５０は、ＦＰＣ４０を介して表示パネル１０に電気的に接続されている。制御回路基板５０は、例えば、データドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０の動作を制御するタイミングコントローラを搭載している。
【００２３】
ＴＦＴ基板１００に対向して、表示面側にＣＦ基板２００が設けられ、ＴＦＴ基板１００とＣＦ基板２００との間に、液晶層が挟持されている。ＴＦＴ基板１００の背面側には、液晶パネル（表示パネル）に光を照射するバックライト（図示せず）が設けられている。
【００２４】
ここで、液晶表示装置の駆動方法を簡単に説明する。各データ線１１には、対応するデータドライバＩＣ２０からデータ信号（データ電圧）が供給される。各ゲート線１２には、対応するゲートドライバＩＣ３０からゲート信号（ゲート電圧）が供給される。共通電極１６には、共通配線を介して共通電圧Ｖｃｏｍが供給される。ゲート信号のオン電圧（ゲートオン電圧）がゲート線１２に供給されると、ゲート線１２に接続された薄膜トランジスタ１４がオンし、薄膜トランジスタ１４に接続されたデータ線１１を介して、データ電圧が画素電極１５に供給される。画素電極１５に供給されたデータ電圧と、共通電極１６に供給された共通電圧Ｖｃｏｍとの差により電界が生じる。この電界により液晶を駆動してバックライトの光の透過率を制御することによって画像表示を行う。なお、カラー表示を行う場合は、ストライプ状のカラーフィルタで形成された赤色、緑色、青色に対応するそれぞれの画素１３の画素電極１５に接続されたそれぞれのデータ線１１に、所望のデータ電圧を供給することにより実現される。なお、共通電極１６は、ＴＦＴ基板１００に形成されていてもよいし、ＣＦ基板２００に形成されていてもよい。上記の液晶表示装置の駆動方法は、一例であり、他の周知の方法を適用することもできる。
【００２５】
図２は、データドライバＩＣ２０の構成を示す平面図である。以下、本実施形態ではデータドライバＩＣ２０を例として説明するが、ゲートドライバＩＣ３０も同様の構成を有する。図２は、データドライバＩＣ２０を裏面から見た図である。データドライバＩＣ２０は、入力端子部２１と出力端子部２２とを含んで構成される。入力端子部２１は、複数の入力バンプ２１１含む。複数の入力バンプ２１１は、データドライバＩＣ２０の一辺に沿って配列されており、後述する接続配線６１を介してＦＰＣ４０に電気的に接続される。出力端子部２２は、複数の出力バンプ２２１を含む。複数の出力バンプ２２１は、データドライバＩＣ２０の一辺に沿って配列されており、後述する接続配線６３を介してデータ線１１に電気的に接続される。複数の出力バンプ２２１の間隔は、複数の入力バンプ２１１の間隔より狭い。また出力バンプ２２１の表面積は、入力バンプ２１１より小さい。なお、図２では入力バンプ２１１と出力バンプ２２１の形状を異なるものとしたが、出力バンプ２２１の形状は入力バンプ２１１の形状と同一であってもよい。
【００２６】
図３は、データドライバＩＣ２０の構成を示す平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ´断面図である。図３及び図４は、ＴＦＴ基板１００にデータドライバＩＣ２０が搭載された状態における、データドライバＩＣ２０の構成を示している。
【００２７】
図３に示すように、複数の入力バンプ２１１に複数の接続配線６１が電気的に接続されており、接続配線６１は、データドライバＩＣ２０の搭載領域外でＦＰＣ４０に電気的に接続されている。具体的には、図３に示すように、連続する１０個の入力バンプ２１１（図３における右側より３番目から１２番目までの入力バンプ２１１）は、１つの接続配線６１ａに電気的に接続されている。また、連続する５個の入力バンプ２１１（図３における左側より１番目から５番目までの入力バンプ２１１）は、１つの接続配線６１ｂに電気的に接続されている。また、連続する２個の入力バンプ２１１（図３における左側より６番目と７番目の入力バンプ２１１）は、１つの接続配線６１ｃに電気的に接続されている。なお、１つの接続配線６１に共通して接続される入力バンプ２１１の個数はこの例に限定されない。
【００２８】
複数の出力バンプ２２１それぞれは接続配線６３に電気的に接続されており、接続配線６３は、データドライバＩＣ２０の搭載領域外でデータ線１１に電気的に接続されている。各接続配線６３には、一本のデータ線１１が電気的に接続されている。各接続配線６３とデータ線１１とは、同一層で直接接続されていてもよいし、異なる層でコンタクトホールを介してＩＴＯまたは金属層を用いて接続されていてもよい。
【００２９】
接続配線６２は、データドライバＩＣ２０で用いられる配線であってもよいし、他の用途に用いられる配線であってもよい。また接続配線６２は、接続配線６１及び接続配線６３とは電気的に接続されない。接続配線６２は、接続配線６１及び接続配線６３と同じ層に形成されてもよいし、異なる層に形成されてもよい。
【００３０】
次に、データドライバＩＣ２０の接続構造について説明する。図４に示すように、ＴＦＴ基板１００において、ガラス基板１０１上には、接続配線６１，６２，６３が形成されている。接続配線６１，６２，６３は、金属配線とする。接続配線６１，６２，６３を覆うように、絶縁膜１０２が形成されている。データドライバＩＣ２０の下部、すなわち平面視でＴＦＴ基板１００におけるデータドライバＩＣ２０と重畳する領域内において、絶縁膜１０２には、コンタクトホール１０３（コンタクトホール１０３ａ、１０３ｂ）が形成されており、コンタクトホール１０３内には、透明電極１０５（透明電極１０５ａ、１０５ｂ）が形成されている。
【００３１】
透明電極１０５ａは、複数の入力バンプ２１１に対応させて複数形成されている。各透明電極１０５ａは、ＴＦＴ基板１００にデータドライバＩＣ２０を搭載した際に、対応する入力バンプ２１１に対向する位置に形成されている。透明電極１０５ａには、異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）９０に含まれる導電粒子９１の一部が接触しており、導電粒子９１の他の部分にデータドライバＩＣ２０の入力バンプ２１１が接触している。これにより、接続配線６１とデータドライバＩＣ２０の入力端子部２１とが、互いに電気的に接続される。
【００３２】
透明電極１０５ｂは、複数の出力バンプ２２１に対応させて複数形成されている。各透明電極１０５ｂは、ＴＦＴ基板１００にデータドライバＩＣ２０を搭載した際に、対応する出力バンプ２２１に対向する位置に形成されている。透明電極１０５ｂには、異方性導電膜９０に含まれる導電粒子９１の一部が接触しており、導電粒子９１の他の部分にデータドライバＩＣ２０の出力バンプ２２１が接触している。これにより、接続配線６３とデータドライバＩＣ２０の出力端子部２２とが、互いに電気的に接続される。接続配線６３は、画像表示領域１０ａ側へ延伸しており、データドライバＩＣ２０の搭載領域外において、データ線１１に電気的に接続されている。
【００３３】
異方性導電膜９０は、絶縁性を有する接着剤に導電粒子９１を分散させたものであり、本実施形態ではＵＶ励起熱硬化型の異方性導電膜９０を用いる。異方性導電膜９０を透明電極１０５ａと入力バンプ２１１との間に配置し、ガラス基板１０１側から異方性導電膜９０に対してＵＶ照射を行うことで異方性導電膜９０が硬化する。これにより透明電極１０５ａと入力バンプ２１１とが接続される。また、異方性導電膜９０を透明電極１０５ｂと出力バンプ２２１との間に配置し、ガラス基板１０１側から異方性導電膜９０に対してＵＶ照射を行うことで透明電極１０５ｂと出力バンプ２２１とが接続される。このようにして、データドライバＩＣ２０とＴＦＴ基板１００とは異方性導電膜９０を介して接続される。ＵＶ励起熱硬化型の異方性導電膜９０を用いることで、比較的低温度でデータドライバＩＣ２０をＴＦＴ基板１００に接続することが可能となる。
【００３４】
ここで、接続配線６１，６２，６３等の金属配線はＵＶを透過しないため、平面視で金属配線と重なる箇所の異方性導電膜９０は硬化しにくい。そこで、本実施形態では接続配線６１及び接続配線６２に、ＵＶを照射するための複数の開口部７０を設けている。
【００３５】
以下、開口部７０の具体的な構成について説明する。まず、ＵＶ照射位置から励起可能な距離（以下、ＵＶ励起可能距離ｒとする）は、異方性導電膜９０に応じて定められる。例えば、ＵＶ励起可能距離ｒ＝１００μｍとすると、１つの開口部７０に対するＵＶ励起可能範囲は、ＵＶ照射位置（開口部７０）を中心とする半径１００μｍの円形状の領域と定められてもよい。異方性導電膜９０が配置される領域すべてにおいて、ＵＶ励起可能となるように開口部７０が形成されることが好ましい。本実施形態では、異方性導電膜９０が配置される領域（以下、ＵＶ照射対象領域１１０とする）は、平面視で、データドライバＩＣ２０の外形以上とする（図３参照）。具体的には、ＵＶ照射対象領域１１０は、データドライバＩＣ２０の外周から異方性導電膜９０が広がった領域とする。
【００３６】
開口部７０は、ＵＶ照射対象領域１１０内の金属配線に形成される。また、ＵＶ照射対象領域１１０内の金属配線は、ＵＶ励起可能距離ｒよりも幅が短い短幅配線部と、ＵＶ励起可能距離ｒよりも幅が広い広幅配線部とを含む。具体的には、図３に示すように、接続配線６１ａ、接続配線６１ｂ、及び接続配線６２は、ＵＶ励起可能距離ｒより幅が広い広幅配線部であり、これらの配線には開口部７０が形成されている。ここでは、配線の幅は、バンプの配列方向の幅（図３における横方向の幅）とする。また、接続配線６１ｃ及び接続配線６３は、ＵＶ励起可能距離ｒより幅が短い短幅配線部であり、これらの配線には開口部７０が形成されない。つまり、ＵＶ励起可能距離ｒよりも幅が短い短幅配線部には開口部が形成されておらず、ＵＶ励起可能距離ｒよりも幅が広い広幅配線部には開口部が形成されている。
【００３７】
本実施形態において少なくとも１つのバンプは、複数の開口部７０のうち最短に隣接する２つの開口部の間に配置されている。図３に示すように、例えば入力バンプ２１１ａは、入力バンプ２１１ａの長手方向（図３における縦方向）において最短に隣接する開口部７０ａ及び開口部７０ｂの間に配置されている。つまり、複数の開口部７０は、平面視で、複数の入力バンプ２１１及び複数の出力バンプ２２１に重ならない位置に形成されている。また、入力端子部２１及び出力端子部２２は、複数の開口部７０のうち最短に隣接する２つの開口部の間に配置されてもよい。また、複数の開口部７０は、入力端子部２１及び出力端子部２２に重ならない位置に形成されてもよい。これにより、接続配線６３とデータドライバＩＣ２０の出力端子部２２との電気的接続、及び接続配線６１とデータドライバＩＣ２０の入力端子部２１との電気的接続における導電性の低下、及び接続強度の低下を防止することができる。
【００３８】
また、複数の開口部７０それぞれは、略同一の正方形または略同一の円形で形成されていることが好ましい。これにより開口部７０の配置場所に応じて開口部７０の向きを変更する必要がなくなる。
【００３９】
また、複数の開口部７０は、平面視で、複数の入力バンプ２１１及び複数の出力バンプ２２１と重ならない位置に形成されるとともに、入力バンプ２１１の長手方向の長さより広い間隔で格子状に配置される。具体的には、入力バンプ２１１の長手方向（図３における縦方向）において入力バンプ２１１を挟むように開口部７０が配置されればよい。これにより、複数の開口部７０を、複数の入力バンプ２１１及び複数の出力バンプ２２１と重ならない範囲で等間隔に配置することができる。
【００４０】
また、複数の開口部７０は、平面視で、複数の入力バンプ２１１及び複数の出力バンプ２２１と重ならない位置に形成されるとともに、ＵＶ励起可能距離ｒより短い間隔で格子状に配置される。例えば、ＵＶ励起可能範囲がＵＶ照射位置を中心とする半径ｒの円形状領域の場合に、複数の開口部７０は２ｒより短い間隔で格子状に配置される。これにより、ＵＶ照射対象領域１１０においてＵＶ励起されない領域が生じることを低減することができる。
【００４１】
また、複数の開口部７０は、図３に示すように、ＵＶ照射対象領域１１０すべてがＵＶ励起可能となる間隔で千鳥状に配置される。例えば、複数の開口部７０は、上述した格子状に配置した開口部７０の間隔を半分だけずらした千鳥状に配置されてもよい。具体的には、図３の縦方向における開口部７０の間隔を、入力バンプ２１１の長手方向の長さより大きく、かつＵＶ励起可能距離ｒより短くする。なお開口部７０は、図３における縦方向において入力バンプ２１１を挟むように配置される。そして図３の横方向における開口部７０の間隔を、縦方向の間隔の半分とする。これにより、複数の開口部７０を格子状に配置する場合よりも開口部７０の数が減少するので、配線抵抗を低く保つことができる。
【００４２】
次に、図５を用いて、ＴＦＴ基板１００において複数の異なる層に金属配線が形成される例について説明する。図５は、図３のＡ−Ａ´断面図である。図５は、ＴＦＴ基板１００にデータドライバＩＣ２０が搭載された状態における、データドライバＩＣ２０の構成を示している。図５に示すデータドライバＩＣ２０の構成は、図４とは金属層１２０の構成に差異がある点を除けば同一のものである。したがって、図４と同等の構成には同符号を付し、重複する説明は省略するものとする。
【００４３】
図５に示すように、ＴＦＴ基板１００において、ガラス基板１０１上には、金属層１２０が形成されている。金属層１２０を覆うように絶縁膜１２１が形成されている。絶縁膜１２１上に接続配線６１，６２，６３が形成されている。接続配線６１，６２，６３を覆うように、絶縁膜１０２が形成されている。データドライバＩＣ２０の下部、すなわち平面視でＴＦＴ基板１００におけるデータドライバＩＣ２０と重畳する領域内において、絶縁膜１０２には、コンタクトホール１０３（コンタクトホール１０３ａ、１０３ｂ）が形成されており、コンタクトホール１０３内には、透明電極１０５（透明電極１０５ａ、１０５ｂ）が形成されている。
【００４４】
複数の異なる層に金属配線が形成される場合は、各開口部７０は第１開口部７０ｃと第２開口部７０ｄとを含む。ここでは、ＴＦＴ基板１００においてガラス基板１０１側の層に形成される開口部を第２開口部７０ｄとし、データドライバＩＣ２０側の層に形成される開口部を第１開口部７０ｃとする。具体的には図５に示すように、第１開口部７０ｃは、接続配線６１ａに形成され、第２開口部７０ｄは金属層１２０に形成されている。
【００４５】
また、第１開口部７０ｃの面積は第２開口部７０ｄの面積より大きく形成される。具体的には、まず第２開口部７０ｄの大きさを所望のサイズに合わせて形成する。次に第１開口部７０ｃを形成する際に、パタン形成時のズレなどの公差に応じて、第２開口部７０ｄより大きいサイズで形成する。これにより第１開口部７０ｃと第２開口部７０ｄとの位置ずれが生じても、所望のサイズの開口部を形成することができる。なお、第１開口部７０ｃと第２開口部７０ｄとが同じ大きさで形成されてもよいし、第２開口部７０ｄが第１開口部７０ｃより大きく形成されてもよい。第２開口部７０ｄが第１開口部７０ｃより大きく形成される場合は第１開口部７０ｃの大きさを所望のサイズに合わせて形成すればよい。
【００４６】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記実施の形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４７】
１０  表示パネル、１０ａ  画像表示領域、１０ｂ  額縁領域、１１  データ線、１２  ゲート線、１３  画素、１４  薄膜トランジスタ、１５  画素電極、１６  共通電極、２０  データドライバＩＣ、２１  入力端子部、２２  出力端子部、３０  ゲートドライバＩＣ、４０  ＦＰＣ、５０  制御回路基板、６１，６２，６３  接続配線、７０  開口部、７０ｃ  第１開口部、７０ｄ  第２開口部、９０  異方性導電膜、９１  導電粒子、１００  ＴＦＴ基板、１０１  ガラス基板、１０２，１２１  絶縁膜、１０３，１０３ａ，１０３ｂ  コンタクトホール、１０５，１０５ａ，１０５ｂ  透明電極、１１０  ＵＶ照射対象領域、１２０  金属層、２００  ＣＦ基板、２１１  入力バンプ、２２１  出力バンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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