(57)【要約】【課題】本願は、部品と配線基板とを電気的に繋ぐ配線層の形成における各部のダメージを可及的に抑制する技術を開示する。【解決手段】本願で開示する電子部品の製造方法は、支持基板に搭載された部品を可溶性の封止材で封止する工程と、封止材から部品を残したまま支持基板を剥がす工程と、封止材の部品が露出する面に配線層を形成する工程と、配線層から封止材を溶媒で除去する工程と、を有する。【選択図】図１
2017228614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板に搭載された部品を可溶性の封止材で封止する工程と、
前記封止材から前記部品を残したまま前記支持基板を剥がす工程と、
前記封止材の前記部品が露出する面に配線層を形成する工程と、
前記配線層から前記封止材を溶媒で除去する工程と、を有する、
電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記封止材に形成された状態の前記配線層を配線基板に固定する工程を更に有し、
前記配線層から前記封止材を溶媒で除去する工程においては、前記配線基板に固定された状態の前記配線層から前記封止材を溶媒で除去する、
請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記封止材は、水溶性であり、
前記溶媒は、水である、
請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記封止材は、水溶性高分子材料の体積比率が５乃至３０％である、
請求項１から３の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記水溶性高分子材料は、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアルキル酸ナトリウム、ポリアクリルアミド、ポリエチレンオキシド、ポリエチレンイミンから選ばれた単一または混合物である、
請求項４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記支持基板に搭載される部品は、半導体チップである、
請求項１から５の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、様々な電子装置が提案されている（例えば、特許文献１−４を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−８２５２８号公報
【特許文献２】特開２０１１−１８７８４５号公報
【特許文献３】特開２００４−１４６６０２号公報
【特許文献４】特開２００５−１４２２６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子機器の小型化に伴い、半導体チップ等の部品と配線基板とを電気的に繋ぐ配線層も薄型化の一途を辿っている。配線層を取り扱う手法としては、例えば、支持基板上で配線層を形成した後に配線基板へ転写する方法が考えられる。しかし、転写のプロセスにおいては、配線層の形成に用いた支持基板を溶解させて配線層を表出させるために使用される溶剤が、部品や配線層に形成された微細配線にダメージを与える可能性がある。
【０００５】
そこで、本願は、部品と配線基板とを電気的に繋ぐ配線層の形成における各部のダメージを可及的に抑制する技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願は、次のような電子部品の製造方法を開示する。すなわち、本願で開示する電子部品の製造方法は、支持基板に搭載された部品を可溶性の封止材で封止する工程と、封止材から部品を残したまま支持基板を剥がす工程と、封止材の部品が露出する面に配線層を形成する工程と、配線層から封止材を溶媒で除去する工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
上記の電子部品の製造方法であれば、部品と配線基板とを電気的に繋ぐ配線層の形成における各部のダメージを可及的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態に係る電子部品の製造方法を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態について説明する。以下に示す実施形態は、単なる例示であり、本開示の技術的範囲を以下の態様に限定するものではない。
【００１０】
図１は、実施形態に係る電子部品の製造方法を示した図である。本実施形態では、以下のような工程を経て電子部品が製造される。すなわち、本実施形態では、表面に仮接着層１が設けられた支持基板２に部品３を固定する工程が行われる（図１の「工程１」を参照）。次に、仮接着層１によって支持基板２に固定された部品３を可溶性の封止材４で封止する工程が行われる（図１の「工程２」を参照）。次に、封止材４から部品３を残したまま支持基板２を剥がす工程が行われる（図１の「工程３」を参照）。次に、封止材４の部
品３が露出する面に配線層５を形成する工程が行われる（図１の「工程４」を参照）。次に、配線基板６への実装や、配線層５から封止材４を溶媒で除去する工程が行われる（図１の「工程５」を参照）。なお、図１では、支持基板２に２つの部品３が固定されているが、支持基板２に固定される部品３は１つでもよいし３つ以上でもよい。
【００１１】
部品３は、微小な如何なる部品であってもよく、例えば、半導体チップ等の各種部品を適用可能である。配線層５は、部品３と配線基板６とを電気的に繋ぐ配線を形成する層である。
【００１２】
支持基板２は、仮接着層１を介して部品３を保持することができるものであれば如何なるものであってもよい。支持基板２として適用可能な素材としては、Ｓｉ、ガラス、石英、モールド樹脂、銅、樹脂フィルム、およびプリプレグ等が挙げられる。なお、支持基板２は、上述したように工程３で剥がされて不要となる。よって、支持基板２の素材は、廃棄や再利用を踏まえて選定されることが好ましい。
【００１３】
仮接着層１は、支持基板２上に部品３を保持することができるものであれば如何なるものであってもよい。仮接着層１として適用可能な素材としては、熱可塑性接着剤、ＵＶ剥離接着材、溶剤溶解性接着剤、酸・アルカリ溶解性接着剤および物理剥離弱粘着性接着剤等が挙げられる。しかし、上述した工程３における仮接着層１の剥離工程において、各部の溶解や消失を招く可能性を低減するには、熱可塑性接着剤、ＵＶ剥離接着材または物理剥離弱粘着性接着剤が好ましい。
【００１４】
封止材４の材料としては、例えば、水、温水または有機溶剤に溶解することが可能な水溶性高分子材料等が好適である。水および温水に溶解する素材としては、例えば、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアルキル酸、ポリアルキル酸中和物、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸中和物、ポリエチレンオキシド、ポリエチレンイミン等の合成高分子、天然デンプン、天然デンプンを酸化、エーテル化またはエステル化処理した加工デンプン、チルセルロース、カルボキシメチルセルロース、カゼイン、セラック、アラビアゴム、デキストリン等が挙げられる。また、有機溶剤に溶解する素材としては、天然ゴム、アスファルト、クロロプレン系樹脂、ニトリルゴム系樹脂、スチレン系樹脂、ブチルゴム、ポリサルファイド、シリコーンゴム、酢酸ビニル、ニトロセスロース等が挙げられる。しかし、本実施形態の各プロセスにおいて配線等に加わるダメージを抑制するには、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアルキル酸ナトリウム、ポリアクリルアミド、ポリエチレンオキシド、ポリエチレンイミンから選ばれた単一または混合物であることが好ましい。
【００１５】
また、封止材４には、配線層５を形成する工程において印加される熱プロセスによる各部の熱収縮、熱膨張率（ＣＴＥ：Coefficient of Thermal Expansion）低減による反りの抑制のため、フィラーが含まれていることが好ましい。封止材４に含有させるフィラーとしては、例えば、アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウム等が挙げられる。
【００１６】
ところで、封止材４の上記材料に架橋材として用いることが可能な材料としては、グリシジル基含有化合物が挙げられる。グリシジル基含有化合物としては、加熱することにより架橋反応が促進するタイプ、又は紫外線を照射することにより架橋反応が促進するタイプがある。グリシジル基含有化合物としては、何れのタイプも使用可能である。また、グリシジル基含有化合物として、両タイプを混合して用いても良い。このような、グリシジル基含有化合物としては、例えば、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、スチレンオキサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ラウリルグリシジルエーテル、ｐ−ｓｅｃ
−ブチルフェニルグリシジルエーテル、ノニルフェニルグリシジルエーテル、カルビノールのグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、ビニルシクロヘキセンモノエポキサイド、α−ピネンオキサイド、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリン、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、３級カルボン酸グリシジルエーテル、ジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールグリシジルエーテル、重合脂肪酸ポリグリシジルエーテル、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノール,ナフトール等のキシリレン結合によるアラルキル樹脂
のエポキシ化物、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、水素化ビスフェノール樹脂、ジヒドロキシナフタリン型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００１７】
なお、加熱することにより、架橋反応が促進するグリシジル基含有化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００１８】
また、紫外線を照射することにより架橋反応が促進するグリシジル基含有化合物としては、例えば、水素化ビスフェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙げられる。また、紫外線を照射することにより架橋反応が促進するグリシジル基含有化合物として、上述した加熱することにより架橋反応が促進するグリシジル基含有化合物と、光カチオン重合開始剤とを混合させた混合物を用いても良い。
【００１９】
上記の工程５において配線層５から封止材４を除去するのに用いる溶媒は、封止材４が水溶性材料の場合には水や温水であり、封止材４が有機溶剤に溶解する非水溶性材料の場合には有機溶剤である。水や温水を用いる場合は、各部へのダメージを抑制する観点から純水が好ましい。上記の工程５においては、封止材４を短時間で溶解し、部品３や配線基板６へのダメージが可及的に抑制されるように、水、温水あるいは有機溶剤に浸漬、スプレー、スピン塗布等に曝す処理が行われる。なお、封止材４が水溶性材料である場合に、配線層５から封止材４を除去するのに用いる溶媒として酸水溶液またはアルカリ水溶液を用いることは、配線等へのダメージの観点から好ましくない。
【００２０】
上記実施形態によって製造される電子部品７としては、例えば、Ｆａｎ−ｏｕｔ  ＷＬＰ，  ２．５Ｄ，  ３Ｄ他、集積デバイス形成技術による各種の電子部品が挙げられる。上記実施形態の製造方法では、部品３を可溶性の封止材４で保持した状態で配線層５の形成が行われ、その後に溶媒による封止材４の除去が行われるので、各部に加わるダメージが比較的小さく、歩留まりおよび信頼性の高い電子部品７を製造可能である。
【００２１】
近年、電子機器の小型化に伴い、部品の高密度実装の要求が高まっており、特に、半導体チップの多端子、狭ピッチ化に伴いこれを搭載する多層回路基板にも微細配線化が求められている。そこで、配線基板の微細化に向けて、集積回路を有する半導体チップと配線基板とを微細配線で接続するＦａｎ−ｏｕｔ  ＷＬＰ構造等の開発が行われている。このような電子部品の微細配線形成においては、例えば、支持基板と微細配線部との間に形成
された剥離層を配線基板へ実装後に溶解し、支持基板から剥がし取る方法（以下、「第１の方法」という）や、支持基板上に形成した微細配線部を配線基板に実装した後、支持基板全体を溶解除去して微細配線部を表出する方法（以下、「第２の方法」という）が考えられる。しかしながら、第１の方法では、支持基板と微細配線部との間に配置した剥離層を溶解するために、溶剤と接触するのは剥離層の側面の極一部のみであり、剥離層全体を溶解させるには非常に時間を要する。一方、第２の方法では、製造上のハンドリングの観点から基板が厚くなり、溶解除去する基板の体積が大きいことから、基板の溶解除去に大量の高濃度溶剤を用いて長時間処理することになる。このようなことから、いずれの技術においても、剥離工程中に溶剤に曝された微細配線部および配線基板は腐食・溶解等を生じ、信頼性を著しく低下する可能性が高い。
【００２２】
この点、上記実施形態の製造方法であれば、仮接着層１によって支持基板２に保持された部品３を可溶性の封止材４で封止した後に支持基板２が除去され、それから配線層５の形成が行われ、溶媒による封止材４の除去が行われる。なお、封止材４は水溶性高分子材料の他に、フィラー、架橋材を含むことから封止材４全てを溶解除去する必要はなく、溶媒により水溶性高分子材料部が溶解することにより、形状性を失い短時間で溶媒中に分散し配線層５および部品３から除去が行われるので、上記第１の方法や第２の方法に比べると各部に加わるダメージが比較的小さく、歩留まりおよび信頼性の高い電子部品７を製造可能である。すなわち、上記実施形態の製造方法であれば、封止材４が水または温水、有機溶剤へ浸漬により溶解して除去することが可能であるため、上記第１の方法や第２の方法において各部へ加わるダメージが抑制される。また、上記実施形態の製造方法であれば、封止材４に含まれるフィラーの含有率を適正に調整することで各部の熱膨張差によるダメージを抑制することが可能であるため、熱履歴による剥離やクラック等の発生を防止することができる。また、上記実施形態の製造方法によって製造される電子部品７は、部品３が露出しているので、部品３から発生する熱の放熱が容易である。
【００２３】
実際に電子部品を作成し、上記実施形態の製造方法の効果を検証したのでその結果を以下に示す。
【００２４】
＜実施例＞
まず、ＳＵＳ製の支持基板を用意し、熱可塑性仮接着剤を形成した後、この仮接着剤を介して支持基板上に部品を回路面を支持基板側に向けて貼付けた（実施形態の「工程１」に相当）。次に、封止材を滴下し、鋳型で１０ｋＰａにて加圧することにより、部品内蔵の樹脂基板を成型した（実施形態の「工程２」に相当）。続けて、当該構造体を８０℃〜１７０℃の温度で加熱して熱可塑性接着剤を反応させ、支持基板から剥がし取った部品内蔵の樹脂基板を１８０℃〜２５０℃のオーブン中で１時間焼成して、部品仮固定基板を形成した（実施形態の「工程３」に相当）。
【００２５】
続いて、部品仮固定基板の部品露出面への微細配線形成を行った（実施形態の「工程４」に相当）。すなわち、第１の絶縁層として感光性ポリイミド樹脂材をスピンコートで塗布し、１５０℃のホットプレートで２分の仮硬化を行った後、部品表面に配置された電極に重なるよう配置されたビアパターンを有するガラスマスクを用いてコンタクトアライナーで露光し、現像して、部品の電極と連通するビア溝を形成した。その後、窒素雰囲気のオーブンを用いて１８０℃〜２５０℃、１時間で本硬化させた。このとき、部品の電極サイズはφ１００μｍであり、第一絶縁層の膜厚は約１０μｍ、形成したビア溝の径はφ７０μｍであった。続いて、密着層として厚さ０．１μｍのＴｉおよびシード層として厚さ０．５μｍのＣｕをスパッタ法により順次形成した。その後、ノボラック型の液状レジストをスピンコート法により塗布し、前記φ７０μｍの径のビア溝と重なるよう配置されたφ１００μｍのランドパターンおよび５μｍ幅の配線パターンを有するガラスマスクを用いてコンタクトアライナーで該レジストを露光し、現像して、所定の位置にφ１００μｍ
のランドパターンと５μｍの配線パターンを形成した。続いて電気Ｃｕめっきによりランドパターン部および配線部へめっきした。このとき、電気Ｃｕめっきは高さが５μｍ程度になるようにめっきした。次に、該レジストをＮ−メチル−２−ピロリジノンを用いて剥離した後、レジストの被覆によってめっきされなかった部分のシード層Ｃｕを過硫酸アンモニウム溶液にて、Ｔｉをフッ化アンモニウム溶液にて順次エッチングして、ランドおよび配線を形成した。その後、第２の絶縁層として感光性ポリイミド樹脂材をスピンコートで塗布し、１５０℃のホットプレートで２分の仮硬化を行った後、φ１００μｍのランドパターンに重なるよう配置されたφ７０μｍのビアパターンを有するガラスマスクを用いてコンタクトアライナーで露光し、現像して、φ１００μｍと連通するφ７０μｍのビア溝を形成した。その後、窒素雰囲気のオーブンを用いて１８０℃〜２５０℃１時間で本硬化させた。このとき第２絶縁層の膜厚は約１０μｍであった。
【００２６】
さらに上記と同様にして、密着層として厚さ０．１μｍのＴｉおよびシード層として厚さ０．５μｍのＣｕをスパッタ法により順次形成した。その後、ノボラック型の液状レジストをスピンコート法により塗布し、前記φ７０μｍのビア溝と重なるよう配置されたφ１００μｍのランドパターンおよび５μｍ幅の配線パターンを有するガラスマスクを用いてコンタクトアライナーで該レジストを露光し、現像して、所定の位置にφ１００μｍのランドパターンと５μｍの配線パターンを形成した。続いて電気Ｃｕめっきによりランドパターン部および配線部へめっきした。このとき、電気Ｃｕめっきは高さが５μｍ程度になるようにめっきした。次に、該レジストをＮ−メチル−２−ピロリジノンを用いて剥離した後、レジストの被覆によってめっきされなかった部分のシード層Ｃｕを過硫酸アンモニウム溶液にて、Ｔｉをフッ化アンモニウム溶液にて順次エッチングして、ランドおよび配線を形成した。その後、第３の絶縁層として感光性ポリイミド樹脂材をスピンコートで塗布し、１５０℃のホットプレートで２分の仮硬化を行った後、φ１００μｍのランドパターンに重なるよう配置されたφ７０μｍのビアパターンを有するガラスマスクを用いてコンタクトアライナーで露光し、現像して、φ１００μｍと連通するφ７０μｍのビア溝を形成した。その後、窒素雰囲気のオーブンを用いて１８０℃〜２５０℃１時間で本硬化させた。このとき第３絶縁層の膜厚は約１０μｍであった。
【００２７】
続いて、密着層として厚さ０．１μｍのＴｉおよびシード層として厚さ０．５μｍのＣｕをスパッタ法により順次形成した。その後、ノボラック型の液状レジストをスピンコート法により塗布し、微細配線部の最上層に形成されたφ７０μｍのビア溝と重なるよう配置されたφ７００μｍのバンプパターンを有するガラスマスクを用いてコンタクトアライナーで該レジストを露光し、現像して、所定の位置にφ７００μｍのバンプパターンを形成した。続いて電気Ｃｕめっき、電気Ｎｉめっきおよび電気ＳｎＡｇめっきを順次バンプパターン部へめっきした。このとき、電気Ｃｕめっきは高さ３０μｍ程度、電気Ｎｉめっきは高さ１０μｍ程度、電気ＳｎＡｇめっきは高さ３０μｍ程度になるようにめっきした。次に、該レジストをＮ−メチル−２−ピロリジノンを用いて剥離した後、レジストの被覆によってめっきされなかった部分のシード層Ｃｕを過硫酸アンモニウム溶液にて、Ｔｉをフッ化アンモニウム溶液にて順次エッチングして、バンプを形成した。
【００２８】
次に、上記バンプ部にてビルドアップ基板を接合した。上記構造体とビルドアップ基板の間にアンダーフィル材を注入し、１２０℃で加熱してビルドアップ基板に固定した後、６０℃の温水に浸漬し、部品仮固定用基板を溶解・除去した（実施形態の「工程５」に相当）。
【００２９】
上記実施例において、ポリビニルピロリドンを封止材として用いた場合の評価結果は次の通りである。ポリビニルピロリドンの含有量は、５体積％（実施例１）、１０体積％（実施例２）、１５体積％（実施例３）、２０体積％（実施例４）、２５体積％（実施例５）、３０体積％（実施例６）の６種類を用意して評価を行った。また、比較例として、こ
の６種類の他に、３体積％（比較例１）、３５体積％（比較例２）の２種類を用意して評価を行った。評価は、封止材を溶解除去した際の配線ダメージの評価であり、配線の電気的な接続状態を確認することで行った。具体的には、配線ダメージが発生した場合には電気抵抗が上昇または無限大になるため、これを確認することで配線ダメージの有無を判定した。その結果を以下の表１に示す。
【表１】
2017228614.tif 000003
【００３０】
次に、上記実施例において、ポリビニルアルコールを封止材として用いた場合の評価結果は次の通りである。ポリビニルアルコールの含有量は、５体積％（実施例７）、１０体積％（実施例８）、１５体積％（実施例９）、２０体積％（実施例１０）、２５体積％（実施例１１）、３０体積％（実施例１２）の６種類を用意して評価を行った。また、比較例として、この６種類の他に、３体積％（比較例３）、３５体積％（比較例４）の２種類を用意して評価を行った。評価は、封止材を溶解除去した際の配線ダメージの評価であり、配線の電気的な接続状態を確認することで行った。具体的には、配線ダメージが発生した場合には電気抵抗が上昇または無限大になるため、これを確認することで配線ダメージの有無を判定した。その結果を以下の表２に示す。
【表２】
2017228614.tif 000004
【００３１】
次に、上記実施例において、ポリアルキル酸ナトリウムを封止材として用いた場合の評価結果は次の通りである。ポリアルキル酸ナトリウムの含有量は、５体積％（実施例１３）、１０体積％（実施例１４）、１５体積％（実施例１５）、２０体積％（実施例１６）、２５体積％（実施例１７）、３０体積％（実施例１８）の６種類を用意して評価を行った。また、比較例として、この６種類の他に、３体積％（比較例５）、３５体積％（比較例６）の２種類を用意して評価を行った。評価は、封止材を溶解除去した際の配線ダメージの評価であり、配線の電気的な接続状態を確認することで行った。具体的には、配線ダメージが発生した場合には電気抵抗が上昇または無限大になるため、これを確認することで配線ダメージの有無を判定した。その結果を以下の表３に示す。
【表３】
2017228614.tif 000005
【００３２】
次に、上記実施例において、ポリアクリルアミドを封止材として用いた場合の評価結果は次の通りである。ポリアクリルアミドの含有量は、５体積％（実施例１９）、１０体積
％（実施例２０）、１５体積％（実施例２１）、２０体積％（実施例２２）、２５体積％（実施例２３）、３０体積％（実施例２４）の６種類を用意して評価を行った。また、比較例として、この６種類の他に、３体積％（比較例７）、３５体積％（比較例８）の２種類を用意して評価を行った。評価は、封止材を溶解除去した際の配線ダメージの評価であり、配線の電気的な接続状態を確認することで行った。具体的には、配線ダメージが発生した場合には電気抵抗が上昇または無限大になるため、これを確認することで配線ダメージの有無を判定した。その結果を以下の表４に示す。
【表４】
2017228614.tif 000006
【００３３】
次に、上記実施例において、ポリエチレンオキシドを封止材として用いた場合の評価結果は次の通りである。ポリエチレンオキシドの含有量は、５体積％（実施例２５）、１０体積％（実施例２６）、１５体積％（実施例２７）、２０体積％（実施例２８）、２５体積％（実施例２９）、３０体積％（実施例３０）の６種類を用意して評価を行った。また、比較例として、この６種類の他に、３体積％（比較例９）、３５体積％（比較例１０）の２種類を用意して評価を行った。評価は、封止材を溶解除去した際の配線ダメージの評価であり、配線の電気的な接続状態を確認することで行った。具体的には、配線ダメージが発生した場合には電気抵抗が上昇または無限大になるため、これを確認することで配線ダメージの有無を判定した。その結果を以下の表５に示す。
【表５】
2017228614.tif 000007
【００３４】
次に、上記実施例において、ポリエチレンイミンを封止材として用いた場合の評価結果は次の通りである。ポリエチレンイミンの含有量は、５体積％（実施例３１）、１０体積％（実施例３２）、１５体積％（実施例３３）、２０体積％（実施例３４）、２５体積％（実施例３５）、３０体積％（実施例３６）の６種類を用意して評価を行った。また、比較例として、この６種類の他に、３体積％（比較例１１）、３５体積％（比較例１２）の２種類を用意して評価を行った。評価は、封止材を溶解除去した際の配線ダメージの評価であり、配線の電気的な接続状態を確認することで行った。具体的には、配線ダメージが発生した場合には電気抵抗が上昇または無限大になるため、これを確認することで配線ダメージの有無を判定した。その結果を以下の表６に示す。
【表６】
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【００３５】
上記評価結果より、封止材を水溶性高分子材料で形成する場合は水溶性高分子材料の体積比率が５乃至３０％の場合、上記実施形態の製造方法においては各部にダメージを与えることなく電子部品７を製造できることが判る。
【符号の説明】
【００３６】
１・・仮接着層：２・・支持基板：３・・部品：４・・封止材：５・・配線層：６・・配線基板：７・・電子部品
【図１】
2017228614.tif 000009