(57)【要約】【課題】本発明の解決すべき課題は、加工設備を大掛かりにすることなく、また、個々に分割されるデバイスの抗折強度を低下させずに効率よく加工を施すことができる加工装置を提供することにある。【解決手段】本発明によれば、ウエーハを保持する保持面を有する保持手段と、該保持手段を収容し該保持面と対向して透光性遮蔽窓が形成されたチャンバーと、該透光性遮蔽窓を通して該保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該レーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線と該保持手段とを相対的に移動する移動手段と、レーザー光線の照射によって励起された分割予定ラインをエッチングするエッチングガスを該チャンバー内に供給するエッチングガス供給手段と、該チャンバー内からエッチング済みガスを排出する排出手段と、から少なくとも構成される加工装置が提供される。【選択図】図３
2017147296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインによって区画され複数のデバイスが表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割する加工装置であって、
ウエーハを保持する保持面を有する保持手段と、該保持手段を収容し該保持面と対向して透光性遮蔽窓が形成されたチャンバーと、該透光性遮蔽窓を通して該保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該レーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線と該保持手段とを相対的に移動する移動手段と、レーザー光線の照射によって励起された分割予定ラインをエッチングするエッチングガスを該チャンバー内に供給するエッチングガス供給手段と、該チャンバー内からエッチング済みガスを排出する排出手段と、
から少なくとも構成される加工装置。
【請求項２】
該エッチングガス供給手段は、分割予定ラインに積層された素材に対応した種類のエッチングガスを２種以上供給可能に構成される請求項１に記載の加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの表面にレーザー光線を照射して分割予定ラインをエッチングする加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、切削ブレードを回転可能に備え、分割予定ラインを切削するダイシング装置、アブレーション加工、または内部加工を分割予定ラインに施し分割予定ラインに沿って分割するレーザー加工装置等によって個々のデバイスに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
しかし、上記ダイシング装置、レーザー加工装置による加工では、個々に分割されたデバイスの外周に歪が生じ、該加工による歪がデバイスの外周に残留することから、デバイスの抗折強度を低下させるという問題を有しており、上記加工装置により分割された個々のデバイスの外周に対してエッチングを施し該残留歪を除去する等の処理が必要となることが知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００４】
また、上記加工装置を使用して加工する際にデバイスの抗折強度が低下することを回避するために、プラズマエッチングによってウエーハを個々のデバイスに分割する技術も提案されているが（例えば、特許文献２を参照。）、プラズマエッチングにより分割予定ラインに沿って分割するためには、ウエーハの表面にレジスト膜を被覆し、分割予定ラインを露光して除去する工程が必要となり、加工設備が大掛かりとなると共に、加工効率が低下するという問題を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１０５２１１号公報
【特許文献２】特開２００２−０９３７４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、加工設備を大掛かりにすることなく、また、個々に分割されるデバイスの抗折強度を低下させずに効率よく加工を施すことができる加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、分割予定ラインによって区画され複数のデバイスが表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割する加工装置であって、ウエーハを保持する保持面を有する保持手段と、該保持手段を収容し該保持面と対向して透光性遮蔽窓が形成されたチャンバーと、該透光性遮蔽窓を通して該保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該レーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線と該保持手段とを相対的に移動する移動手段と、レーザー光線の照射によって励起された分割予定ラインをエッチングするエッチングガスを該チャンバー内に供給するエッチングガス供給手段と、該チャンバー内からエッチング済みガスを排出する排出手段と、から少なくとも構成される加工装置が提供される。
【０００８】
該エッチングガス供給手段は、分割予定ラインに積層された素材に対応した種類のエッチングガスを２種以上供給可能に構成されることが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係わる加工装置は、ウエーハを保持する保持面を有する保持手段と、該保持手段を収容し該保持面と対向して透光性遮蔽窓が形成されたチャンバーと、該透光性遮蔽窓を通して該保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該レーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線と該保持手段とを相対的に移動する移動手段と、レーザー光線の照射によって励起された分割予定ラインをエッチングするエッチングガスを該チャンバー内に供給するエッチングガス供給手段と、該チャンバー内からエッチング済みガスを排出する排出手段と、から少なくとも構成されることにより、ウエーハに対するレーザー光線の照射によりエッチングを施す際に、ウエーハ表面にレジスト膜を被覆し露光する等の行程を設ける必要がないことから、加工効率を低下させることなく、個々のデバイスに分割することができると共に、抗折強度に優れたデバイスを得ることができる。
【００１０】
また、該エッチングガス供給手段が、分割予定ラインに積層された素材に対応した種類のエッチングガスを２種以上供給可能に構成されるようにすれば、ウエーハ上の複数の素材に対応したエッチングガスを同時に供給しつつ、レーザー光線を照射することで、さらなる加工効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明によって構成される加工装置の構成を説明するための分解斜視図。
【図２】図１の加工装置に装備されるレーザー光線照射手段のブロック構成図。
【図３】図１に示す加工装置の全体斜視図。
【図４】図３に示す加工装置によって被加工物が加工される様子を説明するための説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に従い構成された加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１３】
図１には、本発明により提供される加工装置が示されており、説明の都合上、該加工装置１の一部を構成する静止基台２上の保持手段の上方を覆うチャンバー７を分離して示している。
【００１４】
図１に示すレーザー加工装置１は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示すＸ軸方向及び矢印Ｙで示すＹ軸方向に移動可能に配設され被加工物を保持する保持手段としての保持テーブル機構３と、静止基台２上に配設されレーザー光線照射手段５を備えたレーザー光線照射ユニット４と、を備えている。
【００１５】
上記保持テーブル機構３は、静止基台２上にＸ軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上にＸ軸方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上にＸ軸方向と直交する矢印Ｙで示すＹ軸方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２滑動ブロック３３上に円筒形状からなり内部にパルスモータを備える円筒部材３４により回転可能に支持された支持テーブル３５とを備え、該支持テーブル３５上には、チャックテーブル３６が備えられ、該チャックテーブル３６上に被加工物である表面にデバイスが形成された半導体ウエーハ１０が載置される。
【００１６】
該チャックテーブル３６は、多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を備えており、吸着チャック３６１の上面である保持面上に被加工物である円形状の半導体ウエーハ１０を図示しない吸引手段の作用により保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設されたパルスモータによって所望の角度に調整可能に回転させられる。なお、チャックテーブル３６には、半導体ウエーハ１０を、保護テープＴを介して支持する環状のフレームＦ（図４を参照）を固定するためのクランプ３６２が配設されている。
【００１７】
上記第１の滑動ブロック３２は、下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、上面にＹ軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の保持テーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動させる手段を構成するＸ軸方向移動手段３７を備えている。Ｘ軸方向移動手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１との間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動させるためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動させられる。
【００１８】
上記第２の滑動ブロック３３は、下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、上記Ｘ軸と直交するＹ軸方向に移動可能に構成されている。図示の保持テーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１に滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って移動させるためのＹ軸方向へ移動させる手段を構成するＹ軸方向移動手段３８を備えている。Ｙ軸方向移動手段３８は、上記一対の案内レール３２２、３２２との間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受けブロック３８３に回転自在に支持されており、他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合された雄ネジロッド３８１を正転及び逆転させることにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿ってＹ軸方向に移動させられる。
【００１９】
上記第１の滑動ブロック３２、第２の滑動ブロック３３は、それぞれ図示しないＸ軸方向位置を検出するＸ軸方向位置検出手段、Ｙ軸方向位置を検出するＹ軸方向位置検出手段を備えており、図示しない制御手段により、検出された各第１、第２の滑動ブロックの位置に基づいて、上記各駆動源に対して駆動信号を発信し、所望の位置にチャックテーブル３６を制御することが可能となっている。
【００２０】
上記レーザー光線照射ユニット４は、上記静止基台２上に配設された支持部材４１と、該支持部材４１によって支持された実質上水平に延出するケーシング４２と、該ケーシング４２内に配設されたレーザー光線照射手段５と、該ケーシング４２の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出しアライメントを実施するためのアライメント手段６と、を備えている。
【００２１】
アライメント手段６は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕える光学系と、該光学系によって捕えられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２２】
上記レーザー光線照射手段５は、図２に示すように、異なる波長のレーザー光線を出力可能にすべく、第１のレーザー光線照射手段５３と、第２のレーザー光線照射手段５４を備えている。第１のレーザー光線照射手段５３は、赤外光の波長のレーザー光線を発振する第１のレーザー光線発振手段５３１と、該第１のレーザー光発振手段５３１から発振されたレーザー光線の出力を調整する第１の出力調整手段５３２と、第１のレーザー光線発振手段５３１から発振されたレーザー光線ＬＢ１をチャックテーブル３６上の被加工物に向けて集光する第１の集光手段５１ａにより構成される。また、第２のレーザー光線照射手段５４は、紫外光の波長のレーザー光線を発振する第２のレーザー光線発振手段５４１と、該第２のレーザー光発振手段から発振されたレーザー光線の出力を調整する第２の出力調整手段５４２と、第２のレーザー光線発振手段５４１から発振されたレーザー光線ＬＢ２をチャックテーブル３６上の被加工物に向けて集光する第２の集光手段５１ｂにより構成される。そして、該第１の集光手段５１ａ、第２の集光手段５１ｂ、及び反射ミラー５１ｃにより集光器５１が構成される。該レーザー光線照射手段５により照射される該レーザー光線の集光点位置Ｐａは、保持テーブルの上面である保持面に対して所望の位置に調整可能に制御される。
【００２３】
本実施形態におけるレーザー加工装置１は、図示しない制御手段を備えており、該制御手段は、コンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、演算結果等を随時格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース及び出力インターフェースとを備えている。該制御手段の該入力インターフェースには、上記アライメント手段６からの検出信号の他、図示しない第１の滑動ブロック３２のＸ軸方向位置を検出するＸ軸方向位置検出手段、第２の滑動ブロック３３のＹ軸方向位置を検出するＹ軸方向位置検出手段からの位置信号等が入力される。そして、該出力インターフェースからは、円筒部材３４に内蔵されたパルスモータ、Ｘ軸方向移動手段３７、Ｙ軸方向移動手段３８、レーザー光線照射手段５、アライメント手段６等に信号を出力する。
【００２４】
本実施形態のレーザー加工装置は、図１に示すように、保持手段としての保持テーブル機構３を含む領域全体を覆うためのチャンバー７を備えている。該チャンバー７は箱型形状をなし、静止基台２上に設置された場合には、レーザー光線を照射してエッチング加工を実施する加工領域位置の上方に、透光性遮蔽窓７１が位置するように構成されている。なお、該透光性遮蔽窓７１としては、光透過度に優れた石英ガラスが採用されている。また、保持テーブル機構３のチャックテーブル３６上に対して半導体ウエーハ１０の搬出入を行う搬出入領域の上方には搬出入扉７２が配設されている。
【００２５】
図３に、該チャンバー７を本実施形態におけるレーザー加工装置１に載置した状態を示す。該チャンバー７は、上記した保持テーブル機構３、および該保持テーブル機構３のチャックテーブル３６を移動させるためのＸ軸方向移動手段３７、Ｙ軸方向移動手段３８、および案内レール３１、３１等、加工の際に保持テーブル機構３が移動する全体領域を、外部から完全に遮蔽するように構成されており、図示しない留め金（たとえば、いわゆるパッチン錠等）により静止基台２に対して固定する。また、チャンバー７の加工領域側の側壁には、エッチングガスを導入するための供給口７３が配設され、該供給口７３が設けられた該側壁と対向する搬出入領域側の側壁には、エッチング済みガスを排出するための排出口７４が配設されている。
【００２６】
図３に示すように、該チャンバー７の供給口７３には、塩素（Ｃｌ２）ガスボンベ８１、塩酸（ＨＣｌ）ガスボンベ８２が配管を介して接続されており、該配管上には、図示しない制御手段によりその開度が調整される調量バルブ９１、９２が配設されている。また、該調量バルブ９１、９２と、供給口７３との間には、大気導入用の配管が接続され、該大気導入用の配管上には、該制御手段による開度が調整可能な調量バルブ９３、及びチャンバー７から大気開放口に向かう方向にガスが流れないように機能する逆止弁９４が配設されている。また、排出口７４には、廃棄タンク８３が配管を介して接続されており、該配管上には、チャンバー７内のエッチング済みガスを吸引し該廃棄タンクに加圧して貯留するための吸引ポンプ８４、及び廃棄タンク８３と該配管との流通を遮断する開閉バルブ９５が配設されている。なお、該吸引ポンプ８４の下流側には吸引したガスが逆流しないように逆止弁が設けられていてもよい。
【００２７】
本実施形態のレーザー加工装置は、概略以上のように構成されており、以下にその作用について説明する。
【００２８】
図４には、レーザー光線によるエッチングが施される状態の半導体ウエーハ１０が示されている。本実施形態にて被加工物となる該半導体ウエーハ１０は、シリコン（Ｓｉ）からなる基板の表面に複数の分割予定ライン１１が格子状に形成されていると共に、該複数の分割予定ライン１１によって区画された複数の領域にデバイス１２が形成され、一部拡大図にて示すように、分割予定ライン１１に沿って、デバイスの特性をテストするための銅（Ｃｕ）からなるテストエレメントグループ（ＴＥＧ）１３が複数配設されると共に、該半導体ウエーハ１０の表面全体に、各デバイスを保護するための保護膜としての二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜が被覆されている。なお、図４では省略されているが、レーザー光線照射手段５の集光器５１と、半導体ウエーハ１０との間には、上記したチャンバー７の透光性遮蔽窓７１が配設される。
【００２９】
本実施形態において上記半導体ウエーハ１０の分割予定ライン１１に沿ってレーザー光線を照射してエッチングを施す方法について説明する。
【００３０】
先ず、加工を開始する前に、搬出入扉７２を開けて、チャックテーブル３６の保持面上に、保護テープＴを介してフレームＦに保持された半導体ウエーハ１０を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動させ、保護テープＴを介して半導体ウエーハ１０をチャックテーブル３６に吸引保持する。そして、半導体ウエーハ１０が貼着された保護テープＴが装着された環状のフレームＦがクランプ３６２によって固定される。半導体ウエーハ１０がチャックテーブル３６上に固定されたならば、搬出入扉７２を閉じ、図示しないロック手段によりロックされてチャンバー７内の空間と外界とが完全に遮断される。
【００３１】
半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、Ｘ軸方向移動手段３７によってアライメント手段６の下方に向けて移動させられ、チャックテーブル３６がアライメント手段６の直下に位置付けられると、アライメント手段６および制御手段によって半導体ウエーハ１０のエッチングを施すべき加工領域と、レーザー光線照射手段５の集光器５１との位置合わせを行うアライメント工程が実行される。アライメント工程が実施されたならば、レーザー光線の照射によるエッチングを実施する。
【００３２】
上述したように、半導体ウエーハ１０は、シリコン（Ｓｉ）基板の表面に形成された分割予定ライン１１に銅（Ｃｕ）からなるＴＥＧ１３が設けられ、該基板の表面を二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜により被覆されている。よって、該半導体ウエーハ１０を、分割予定ライン１１に沿ってレーザー光線を照射してエッチングする場合は、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）それぞれがエッチングされる必要がある。なお、レーザー光線の照射によってエッチングするとは、レーザー光線が照射される集光点Ｐａの位置に、反応ガスとしてのエッチングガスを供給し、照射されたレーザー光線の集光点ＰａにおいてＳｉ、Ｃｕ、ＳｉＯ２が励起されて、半導体ウエーハ１０上の該集光点位置がエッチングされることをいう。ここで、レーザー光線を照射してエッチングする場合、エッチングする対象の素材に応じた、適切なエッチングガスを供給する必要があり、エッチング対象の素材とエッチングガスとの組み合わせに応じて、良好に励起を生じさせるレーザー光線（以下、「励起レーザー光線」ともいう。）の波長域が存在する。
【００３３】
以下に、本実施形態においてエッチング対象となる素材と、それに対応したエッチングガス、励起レーザー光線、エッチングプロセスによって発生するエッチング済みガスについて示す。
素材    ：  エッチングガス＋励起レーザー波長域  ：  エッチング済みガス
ＳｉＯ２  ：          ＨＣｌ＋赤外光              ：  ＳｉＣｌ４＋Ｈ２Ｏ
Ｃｕ      ：          Ｃｌ２＋紫外光              ：  ＣｕＣｌ２
Ｓｉ      ：          Ｃｌ２＋紫外光              ：  ＳｉＣｌ４
【００３４】
以上から理解されるように、本実施形態の半導体ウエーハ１０をレーザー光線によるエッチングによって分割する場合は、２種（ＨＣｌ、Ｃｌ２）のエッチングガスを供給し、それに対応した赤外光波長域のレーザー光線と、紫外光波長域のレーザー光線を照射すればよい。
【００３５】
本実施形態において、上記説明したエッチングを実施するには、先ず、制御手段により、調量バルブ９１、９２が開弁され、チャンバー７内にエッチングガスとしての塩素ガス、および塩酸ガスが導入される。該塩素ガス、塩酸ガスがチャンバー７内に所定量導入されたならば、半導体ウエーハ１０が保持されたチャックテーブル３６をレーザー光線照射手段５の集光器５１下方の加工領域に移動させ、集光点Ｐａを半導体ウエーハ１０の分割予定ライン１１の端部に位置付ける。
【００３６】
そして、半導体ウエーハ１０を加工送りしつつ、レーザー光線照射手段５を作動させて、透光遮蔽窓７１を介して半導体ウエーハ１０に対するレーザー光線の照射を行う。ここで、上記したように、本実施形態のレーザー光線照射手段５は、赤外光の波長のレーザー光線を照射する第１のレーザー光線照射手段５３、紫外光のレーザー光を照射する第２のレーザー光線照射手段５４を備えており、また、図２に示すような第１、第２の集光手段５１ａ、５１ｂを備えていることから、半導体ウエーハ１０を加工送りしながら同時に二つのレーザー光線を照射することができ、分割予定ライン１１に対する一度の照射により、半導体ウエーハ１０の基板を構成するＳｉ、ＴＥＧ１３を構成するＣｕ、保護膜として形成されているＳｉＯ２のすべてを同時にエッチングすることが可能であり、半導体ウエーハ１０を分割予定ライン１１に沿って分割することができる。
【００３７】
なお、上記レーザー光線の照射条件は、例えば、以下のように設定される。
＜第１のレーザー光線（赤外光）＞
レーザー光線  ：ＣＯ２レーザー（ＣＷ、またはパルスレーザー）
波長          ：１００００ｎｍ
平均出力      ：０．５Ｗ
送り速度      ：１００ｍｍ／秒
＜第２のレーザー光線（紫外光）＞
レーザー光線  ：ＹＡＧレーザー（ＣＷ、またはパルスレーザー）
波長          ：３５５ｎｍ
平均出力      ：０．５Ｗ
送り速度      ：１００ｍｍ／秒
【００３８】
また、上記したように、レーザー光線を照射することによるエッチングを実行する場合、エッチング済みガスが発生するため、エッチングが開始されたならば、排出口７４からチャンバー７内のエッチング済みガスを吸引ポンプ８４により吸引し、廃棄タンク８３に貯留する。また、該エッチングが実行されることによりチャンバー７内のエッチングガスが減少するため、減少分を補うべく、調量バルブ９１、９２を調整して、新しいエッチングガスを供給するように制御される。
【００３９】
Ｘ軸方向移動手段３７、Ｙ軸方向移動手段３８を作動させて、上記レーザー光線ＬＢ１、ＬＢ２をすべての分割予定ライン１１に照射することにより、エッチングが完了して、保護テープＴ上において、半導体ウエーハ１０が個々のデバイスに分割される。当該分割工程が完了したならば、吸引ポンプ８４の作動を継続したまま、調量バルブ９１、９２を閉弁し、エッチングガスの供給を停止すると共に、大気導入用の調量バルブ９３を徐々に開弁する。これにより、エッチングガス、およびエッチング済みガスがチャンバー７の外部に漏れることなく廃棄タンク８３に貯留され、チャンバー７内の空間がエッチングガスから大気に入れ替えられて、エッチング工程が完了する。
【００４０】
エッチング工程が完了したならば、大気導入用の調量バルブ９３を閉弁し、吸引ポンプ８４を停止すると共に開閉弁９５を閉弁する。その後、チャンバー７内の空間が大気に入れ替えられたことが確認されたならば、搬出入扉７２を開放し、チャックテーブル３６に保持された個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ１０を取り出し、保護テープＴから個々に分割されたデバイスを取り出すピックアップ工程に搬送する。
【００４１】
なお、本実施形態では、２種のエッチングガスを同時に供給し、２種の波長のレーザー光線を同時に照射することにより、一度の走査により、半導体ウエーハ１０をエッチングして個々のデバイスに分割したが、本発明はこれに限定されない。例えば、分割予定ライン１１上の素材に対応したエッチングガスを１種ずつ供給して、該Ｓｉ、Ｃｕ、ＳｉＯ２等を励起させる波長のレーザー光線を１種ずつ照射して、分割予定ライン１１に対するエッチングを複数回に分けて行ってもよい。
【００４２】
本実施形態では、半導体基板の表面を保護する酸化膜として形成されたＳｉＯ２膜をエッチングすべく、ＨＣｌをエッチングガスとして供給し、赤外光のレーザー光線を照射してエッチングしたが、これに限定されない。レーザー光線を照射することによりエッチングする場合、素材の温度条件によりエッチングを施すことが可能なエッチングガスが変化する。例えば、分割予定ライン１１上のＳｉＯ２膜を他のレーザー光線の照射等により加熱すれば、エッチングガスとしてＣｌ２を供給しても、ＳｉＯ２を励起させることができるため、その場合は、エッチングガスをＣｌ２の１種供給するのみで、半導体ウエーハ１０を構成するＳｉＯ２、Ｃｕ、Ｓｉのすべてを、該レーザー光線の照射によるエッチングで除去することができる。
【００４３】
なお、本実施形態では、半導体ウエーハ１０の分割予定ラインが、Ｓｉ、Ｃｕ、ＳｉＯ２により構成されていることを前提にエッチング条件を設定したが、本発明はこれに限定されず、エッチングされる箇所のウエーハの素材に応じて、チャンバー内に導入するエッチングガス、照射するレーザー光線の照射条件適宜選択することができる。また、レーザー光線照射手段の具体的構成も本実施形態に限定されず、周知のレーザー光線照射手段を適用することが可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１：加工装置。
２：静止基台
３：保持テーブル機構
４：レーザー光線照射ユニット
５：レーザー光線照射手段
６：アライメント手段
７：チャンバー
１０：半導体ウエーハ
１１：分割予定ライン
１２：デバイス
１３：テストエレメントグループ（ＴＥＧ）
７１：透光性遮蔽窓
７２：搬出入扉
７３：供給口
７４：排出口
【図１】
2017147296.tif 000003
【図２】
2017147296.tif 000004
【図３】
2017147296.tif 000005
【図４】
2017147296.tif 000006