(57)【要約】【課題】高い機械的強度及び低位相差等の良好な光学的特性を備え、加えて有機溶媒に対する耐性が高く且つブロッキングの発生が抑制され、偏光板における保護フィルムとして有用に用いることができる光学フィルム及びその製造方法、並びにそれを備える偏光板及び表示装置を提供する。【解決手段】ブロック共重合体水素化物を含む処理前フィルムの架橋物からなる光学フィルムであって、前記ブロック共重合体水素化物は、特定の繰り返し単位［Ｉ］を主成分とする２つ以上の重合体ブロック［Ａ］と、特定の繰り返し単位［ＩＩ］、又は前記繰り返し単位［Ｉ］及び前記繰り返し単位［ＩＩ］の組み合わせを主成分とする１つ以上の重合体ブロック［Ｂ］とからなる特定のブロック共重合体を水素化してなり、前記光学フィルムは特定の引張破断伸度及び溶剤不溶成分率を有する光学フィルム及びその製造方法、並びにそれを備える偏光板及び表示装置。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含む処理前フィルムの架橋物からなる光学フィルムであって、
前記ブロック共重合体水素化物［Ｄ］は、
環式炭化水素基含有化合物由来の繰り返し単位［Ｉ］を主成分とする、２つ以上の重合体ブロック［Ａ］と、
鎖状炭化水素化合物由来の繰り返し単位［ＩＩ］、又は前記繰り返し単位［Ｉ］及び前記繰り返し単位［ＩＩ］の組み合わせを主成分とする１つ以上の重合体ブロック［Ｂ］と
からなるブロック共重合体［Ｃ］を水素化してなり：
（ｉ）ｗＡとｗＢとの比（ｗＡ／ｗＢ）が５０／５０〜７５／２５であり、ここでｗＡは前記重合体ブロック［Ａ］が前記ブロック共重合体［Ｃ］に占める重量分率であり、ｗＢは前記重合体ブロック［Ｂ］が前記ブロック共重合体［Ｃ］に占める重量分率であり、
（ｉｉ）ｗ［ＩＢ］とｗ［ＩＩＢ］との比（ｗ［ＩＢ］／ｗ［ＩＩＢ］）が５０／５０〜０／１００であり、ここでｗ［ＩＢ］は前記重合体ブロック［Ｂ］に占める前記繰り返し単位［Ｉ］の重量分率であり、ｗ［ＩＩＢ］は前記重合体ブロック［Ｂ］に占める前記繰り返し単位［ＩＩ］の重量分率であり、
（ｉｉｉ）前記ブロック共重合体水素化物［Ｄ］は、前記ブロック共重合体［Ｃ］の全不飽和結合の９０％以上が水素化されたものであり、
前記光学フィルムは：
（ｉｖ）引張破断伸度が１００％以上であり、
（ｖ）溶剤不溶成分率が８５％以上である
光学フィルム。
【請求項２】
前記環式炭化水素基含有化合物が芳香族ビニル化合物であり、前記鎖状炭化水素化合物が鎖状共役ジエン系化合物である、請求項１に記載の光学フィルム。
【請求項３】
正面位相差Ｒｅが、５ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の光学フィルム。
【請求項４】
前記ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含む処理前フィルムに、電子線またはγ線を照射してなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学フィルム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法であって、
ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含む処理前フィルムに、電子線またはγ線を照射する線照射工程を含む、製造方法。
【請求項６】
前記線照射工程を行う雰囲気中の酸素濃度が３００ｐｐｍより小さい、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記線照射工程における線量が２００ｋＧｙ以上８００ｋＧｙ以下である請求項５又は６に記載の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学フィルムと偏光子とを備える偏光板。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学フィルムを備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光学フィルム、その製造方法及び用途に関し、特に偏光板保護フィルムとして用いて好適な光学フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置などの表示装置には、偏光板、位相差板等の様々な光学素子が設けられる。このような光学素子の中にはフィルムにより構成されているものがある。例えば、偏光板は、ポリビニルアルコール等の材料で形成されたフィルム状の偏光子と、かかる偏光子を保護する保護フィルムとを含むことが一般的である。かかる保護フィルムの例としては、脂環式構造含有重合体を含む樹脂のフィルムが知られている（特許文献１）。脂環式構造含有重合体を含む樹脂のフィルムは、機械的強度及び光学的特性の観点から、偏光板における保護フィルムとして有用に用いうる。また特に、脂環式構造含有重合体として、特定のブロック共重合体を用いることにより、低位相差等の、保護フィルムとして特に好ましい光学的特性を有するものを得ることが知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２４５５５１号公報
【特許文献２】特開２０１１−０１３３７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
偏光板は、表示装置の製造時及び使用時の環境において耐久性を発現することが求められる。例えば、偏光板の表面には、ハードコート層等の層をさらに設けることが必要になる場合があり、その際には、有機溶媒を含む溶液を偏光板の表面に塗布する工程を行う場合がある。この際、保護フィルムが、有機溶媒に対する耐性が低いものであると、表示装置の光学的性能が損なわれうる。
【０００５】
また、保護フィルム、及び偏光板は、長尺状の形状で製造しフィルムロールの形状で保存されることがある。この際、ブロッキング（フィルムロール内でフィルムの隣接する表面が付着する現象）が発生し、それによりフィルムの品質が損なわれることがある。
【０００６】
従って、本発明の目的は、高い機械的強度及び低位相差等の良好な光学的特性を備え、加えて有機溶媒に対する耐性が高く且つブロッキングの発生が抑制され、偏光板における保護フィルムとして有用に用いることができる光学フィルム及びその製造方法、機械的強度が高く且つ光学的特性が良好であることに加え有機溶媒に対する耐性が高く且つブロッキングの発生が抑制された偏光板、並びに機械的強度が高く且つ光学的性能が良好な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し目的を達成するため検討した結果、本発明者は、特定の共重合体のフィルムに特定の処理を施すことにより、前記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明によれば、以下の〔１〕〜〔８〕が提供される。
【０００８】
〔１〕  ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含む処理前フィルムの架橋物からなる光学フィルムであって、
前記ブロック共重合体水素化物［Ｄ］は、
環式炭化水素基含有化合物由来の繰り返し単位［Ｉ］を主成分とする、２つ以上の重合体ブロック［Ａ］と、
鎖状炭化水素化合物由来の繰り返し単位［ＩＩ］、又は前記繰り返し単位［Ｉ］及び前記繰り返し単位［ＩＩ］の組み合わせを主成分とする１つ以上の重合体ブロック［Ｂ］と
からなるブロック共重合体［Ｃ］を水素化してなり：
（ｉ）ｗＡとｗＢとの比（ｗＡ／ｗＢ）が５０／５０〜７５／２５であり、ここでｗＡは前記重合体ブロック［Ａ］が前記ブロック共重合体［Ｃ］に占める重量分率であり、ｗＢは前記重合体ブロック［Ｂ］が前記ブロック共重合体［Ｃ］に占める重量分率であり、
（ｉｉ）ｗ［ＩＢ］とｗ［ＩＩＢ］との比（ｗ［ＩＢ］／ｗ［ＩＩＢ］）が５０／５０〜０／１００であり、ここでｗ［ＩＢ］は前記重合体ブロック［Ｂ］に占める前記繰り返し単位［Ｉ］の重量分率であり、ｗ［ＩＩＢ］は前記重合体ブロック［Ｂ］に占める前記繰り返し単位［ＩＩ］の重量分率であり、
（ｉｉｉ）前記ブロック共重合体水素化物［Ｄ］は、前記ブロック共重合体［Ｃ］の全不飽和結合の９０％以上が水素化されたものであり、
前記光学フィルムは：
（ｉｖ）引張破断伸度が１００％以上であり、
（ｖ）溶剤不溶成分率が８５％以上である
光学フィルム。
〔２〕  前記環式炭化水素基含有化合物が芳香族ビニル化合物であり、前記鎖状炭化水素化合物が鎖状共役ジエン系化合物である、〔１〕に記載の光学フィルム。
〔３〕  正面位相差Ｒｅが、５ｎｍ以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の光学フィルム。
〔４〕  前記ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含む処理前フィルムに、電子線またはγ線を照射してなる、〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の光学フィルム。
〔５〕  〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の光学フィルムの製造方法であって、
ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含む処理前フィルムに、電子線またはγ線を照射する線照射工程を含む、製造方法。
〔６〕  前記線照射工程を行う雰囲気中の酸素濃度が３００ｐｐｍより小さい、〔５〕に記載の製造方法。
〔７〕  前記線照射工程における線量が２００ｋＧｙ以上８００ｋＧｙ以下である〔５〕又は〔６〕に記載の製造方法。
〔８〕  〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の光学フィルムと偏光子とを備える偏光板。
〔９〕  〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の光学フィルムを備える表示装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光学フィルムは、高い機械的強度及び低位相差等の良好な光学的特性を備え、加えて有機溶媒に対する耐性が高く且つブロッキングの発生が抑制され、偏光板における保護フィルムとして有用に用いることができる。また、本発明の光学フィルムの製造方法によれば、そのような光学フィルムを容易に製造しうる。本発明の偏光板は、機械的強度が高く且つ光学的特性が良好であることに加え有機溶媒に対する耐性が高く且つブロッキングの発生が抑制されたものとすることができる。本発明の表示装置は、機械的強度が高く且つ光学的性能が良好な表示装置とすることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明について実施形態及び例示物を示して詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
【００１１】
本願において、「長尺状」のフィルムとは、フィルムの幅に対して、５倍以上の長さを有するものをいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するものをいう。フィルムの幅に対する長さの割合の上限は、特に限定されないが、例えば１００，０００倍以下としうる。
【００１２】
〔１．光学フィルム及びその製造方法：概要〕
本発明の光学フィルムは、特定の処理前フィルムの架橋物からなる。
【００１３】
〔１．１．処理前フィルムの材料〕
処理前フィルムは、特定のブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含む。処理前フィルムは通常、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含有する樹脂からなるものとしうる。
【００１４】
〔１．１．１．ブロック共重合体水素化物［Ｄ］〕
ブロック共重合体水素化物［Ｄ］は、特定のブロック共重合体［Ｃ］を水素化してなる。ブロック共重合体［Ｃ］は、１分子あたり２つ以上の特定の重合体ブロック［Ａ］と、１分子あたり１つ以上の特定の重合体ブロック［Ｂ］からなる。
【００１５】
〔１．１．１．１．重合体ブロック［Ａ］〕
重合体ブロック［Ａ］は、環式炭化水素基含有化合物由来の繰り返し単位［Ｉ］を主成分とする。本願において、ある化合物由来の単位とは、その化合物の重合により得られる構造を有する単位である。重合体ブロック［Ａ］中の、繰り返し単位［Ｉ］の含有量は、好ましくは９８重量％以上、より好ましくは９９重量％以上である。重合体ブロック［Ａ］の繰り返し単位［Ｉ］以外の繰り返し単位の例としては、鎖状炭化水素化合物由来の繰り返し単位［ＩＩ］及び／又はその他のビニル化合物（即ち、ビニル化合物であって、且つ環式炭化水素基含有化合物でも鎖状炭化水素化合物でも無い化合物）由来の繰り返し単位［ＩＩＩ］が挙げられる。その含有量は、好ましくは２重量％以下、より好ましくは１重量％以下である。
【００１６】
重合体ブロック［Ａ］中の繰り返し単位［ＩＩ］及び／又はその他のビニル化合物由来の繰り返し単位［ＩＩＩ］の成分を前記下限値以下とすることにより、光学フィルムの耐熱性を向上させることができる。ブロック共重合体［Ｃ］に含まれる２つの重合体ブロック［Ａ］同士は、上記の範囲を満足するものであれば、互いに同じであっても、相異なっていても良い。
【００１７】
〔１．１．１．２．重合体ブロック［Ｂ］〕
重合体ブロック［Ｂ］は、鎖状炭化水素化合物由来の繰り返し単位［ＩＩ］を主成分とするか、又は繰り返し単位［Ｉ］及び繰り返し単位［ＩＩ］の組み合わせを主成分とするものである。重合体ブロック［Ｂ］に占める、繰り返し単位［Ｉ］の重量分率ｗ［ＩＢ］及び繰り返し単位［ＩＩ］の重量分率ｗ［ＩＩＢ］の比、即ちｗ［ＩＢ］／ｗ［ＩＩＢ］は、好ましくは５０／５０以下、より好ましくは４５／５５以下、さらにより好ましくは４０／６０以下であり、一方好ましくは０／１００以上、より好ましくは５／９５以上、さらにより好ましくは１０／９０以上である。
【００１８】
重合体ブロック［Ｂ］中の、繰り返し単位［Ｉ］及び繰り返し単位［ＩＩ］の合計含有量は、好ましくは９５重量％以上、より好ましくは９７重量％以上、さらにより好ましくは９９重量％以上である。重合体ブロック［Ｂ］中の、繰り返し単位［Ｉ］及び繰り返し単位［ＩＩ］以外の成分としては、その他のビニル化合物由来の繰り返し単位［ＩＩＩ］が挙げられる。その含有量は、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下、さらにより好ましくは１重量％以下である。
【００１９】
重合体ブロック［Ｂ］中の、繰り返し単位［Ｉ］及び繰り返し単位［ＩＩ］の含有割合を上記範囲にすることにより、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］及びそれを含む光学フィルムの機械的強度と柔軟性を向上させることができ、位相差変化に対する耐熱性を向上させることができる。
【００２０】
〔１．１．１．３．環式炭化水素基含有化合物〕
本願において「環式炭化水素基含有化合物」とは、脂環式炭化水素基、又は芳香族基等の環式炭化水素基を含有する化合物である。環式炭化水素基含有化合物はまた、重合反応によって繰り返し単位［Ｉ］を形成しうる、重合性基を有する。環式炭化水素基含有化合物は、それ自体脂環式構造を有する化合物であるか、又は、水素化されると脂環式構造を有する化合物となるものである。
【００２１】
環式炭化水素基含有化合物の好ましい例としては、芳香族ビニル化合物が挙げられる。芳香族ビニル化合物の例としては、スチレン；α−メチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２，４−ジイソプロピルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、４−ｔ−ブチルスチレン、５−ｔ−ブチル−２−メチルスチレンなどの、置換基として炭素数１〜６のアルキル基を有するスチレン類；４−クロロスチレン、ジクロロスチレン、４−モノフルオロスチレンなどの、置換基としてハロゲン原子を有するスチレン類；４−メトキシスチレンなどの、置換基として炭素数１〜６のアルコキシ基を有するスチレン類；４−フェニルスチレンなどの、置換基としてアリール基を有するスチレン類；１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレンなどのビニルナフタレン類；などが挙げられる。これらの中でも、吸湿性の観点から、スチレン、置換基として炭素数１〜６のアルキル基を有するスチレン類などの、極性基を含有しない芳香族ビニル化合物が好ましく、工業的な入手の容易さから、スチレンが特に好ましい。
【００２２】
〔１．１．１．４．鎖状炭化水素化合物〕
本願において、「鎖状炭化水素化合物」とは、環式炭化水素基を有しない炭化水素化合物である。鎖状炭化水素化合物はまた、重合反応によって繰り返し単位［Ｉ］を形成しうる、重合性基を有する。
【００２３】
鎖状炭化水素化合物の好ましい例としては、鎖状共役ジエン系化合物が挙げられる。鎖状共役ジエン系化合物の例としては、１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエンなどが挙げられる。なかでも、吸湿性の観点から、極性基を含有しない鎖状共役ジエン系化合物が好ましく、工業的な入手の容易さから、１，３−ブタジエン、イソプレンが特に好ましい。
【００２４】
〔１．１．１．５．その他のビニル系化合物〕
その他のビニル系化合物の例としては、不飽和イミド化合物などが挙げられる。これらの化合物は、ニトリル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシカルボニル基、又はハロゲン原子を置換基として有していてもよい。
【００２５】
〔１．１．１．６．ブロック共重合体［Ｃ］〕
好ましい例において、１分子のブロック共重合体［Ｃ］が有する重合体ブロック［Ａ］及び重合体ブロック［Ｂ］の数は、通常、重合体ブロック［Ａ］が２つであり、且つ重合体ブロック［Ｂ］が１つである。従ってブロック共重合体［Ｃ］は通常［Ａ］−［Ｂ］−［Ａ］のトリブロック構造を有する。但しブロック共重合体［Ｃ］はトリブロック構造を有するものに限定されず、例えば［Ａ］−［Ｂ］−［Ａ］−［Ｂ］−［Ａ］のペンタブロック構造を有するものであってもよい。
【００２６】
ブロック共重合体[Ｃ]が２つ以上の重合体ブロック［Ａ］を有する場合、これらは互いに同じであっても、相異なってもよい。１分子のブロック共重合体［Ｃ］が有する２つの重合体ブロック［Ａ］の重量平均分子量は同一でも相異なってもよい。重合体ブロック［Ａ］の重量平均分子量をＭｗ（Ａ）は各々３，０００〜９０，０００、好ましくは３，５００〜８０，０００、より好ましくは４，０００〜６０，０００である。
【００２７】
重合体ブロック［Ａ］のＭｗ（Ａ）が３，０００以上であることにより、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の機械的強度を良好なものとすることができる。一方重合体ブロック［Ａ］のＭｗ（Ａ）が９０，０００以下であることにより、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の溶融成形性を良好なものとすることができる。
【００２８】
ブロック共重合体［Ｃ］中の、全重合体ブロック［Ａ］がブロック共重合体［Ｃ］に占める重量分率ｗＡと、重合体ブロック［Ｂ］がブロック共重合体［Ｃ］に占める重量分率ｗＢとは、所定の比率を有することが好ましい。即ちｗＡとｗＢとの比（ｗＡ／ｗＢ）は好ましくは５０／５０以上、より好ましくは５３／４７以上、さらにより好ましくは５７／４３以上であり、一方好ましくは７５／２５以下、より好ましくは７０／３０以下、さらにより好ましくは６５／３５以下である。ｗＡ／ｗＢを前記上限以下とすることにより、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］に柔軟性を付与し、良好な機械的強度を付与することができる。ｗＡ／ｗＢを前記下限以上とすることにより、良好な耐熱性を付与することができる。
【００２９】
ブロック共重合体［Ｃ］の分子量は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）で、好ましくは６０，０００以上、より好ましくは６５，０００以上、さらにより好ましくは７０，０００以上であり、一方好ましくは１５０，０００以下、より好ましくは１３０，０００以下、さらにより好ましくは１００，０００以下である。また、ブロック共重合体［Ｃ］の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは３以下、より好ましくは２以下、特に好ましくは１．５以下である。
【００３０】
ブロック共重合体［Ｃ］は、環式炭化水素基含有化合物を主成分として含有するモノマー混合物（ａ）、及び鎖状炭化水素化合物を主成分として含有するか、又は環式炭化水素基含有化合物及び鎖状炭化水素化合物を主成分として含有するモノマー混合物（ｂ）を用いて製造することができる。例えば、リビングアニオン重合などの方法により、モノマー混合物（ａ）とモノマー混合物（ｂ）とを交互に重合させる方法；モノマー混合物（ａ）とモノマー混合物（ｂ）を順に重合させた後、重合体ブロック［Ｂ］の末端同士を、カップリング剤によりカップリングさせる方法；などにより製造することができる。
【００３１】
モノマー混合物（ｂ）が、環式炭化水素基含有化合物及び鎖状炭化水素化合物を主成分として含有する場合、モノマー混合物（ｂ）を重合させて共重合体ブロック［Ｂ］を形成させる工程では、モノマー混合物（ｂ）を重合反応系に少量ずつ連続的に供給することが好ましい。それにより、環式炭化水素基含有化合物と鎖状炭化水素化合物の重合速度が大きく異なる場合であっても、モノマー組成の均質な共重合体ブロック［Ｂ］を形成することができる。これにより、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の耐熱性を向上させることができる。
【００３２】
〔１．１．１．７．ブロック共重合体水素化物［Ｄ］〕
ブロック共重合体水素化物［Ｄ］は、ブロック共重合体［Ｃ］の主鎖及び側鎖の炭素−炭素不飽和結合、並びに、芳香環の炭素−炭素不飽和結合を水素化することにより得うる。
【００３３】
ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の水素化率（ブロック共重合体［Ｃ］の全不飽和結合のうち、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］において水素化されたものの割合）は、好ましくは９０％以上、好ましくは９５％以上、より好ましくは９９％以上である。水素化率が高いほど、成形体の耐候性、耐熱性及び透明性が良好である。ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の水素化率は、１Ｈ−ＮＭＲ、又はＧＰＣによるＵＶ検出器及びＲＩ検出器によるピーク面積の比較などにより求めうる。
【００３４】
不飽和結合の水素化方法や反応形態などは特に限定されず、既知の方法にしたがって行いうる。水素化率を高くでき、重合体鎖切断反応の少ない水素化方法が好ましい。このような水素化方法の例としては、例えば、国際公開第２０１１／０９６３８９号に記載された方法、及び国際公開第２０１２／０４３７０８号に記載された方法が挙げられる。
【００３５】
水素化反応終了後、水素化触媒及び／又は重合触媒を反応溶液から除去した後、得られた溶液からブロック共重合体水素化物［Ｄ］を回収することができる。ブロック共重合体水素化物［Ｄ］は、通常はペレット状の形状とし、その後の操作に供しうる。
【００３６】
ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の分子量は、ＴＨＦを溶媒としたＧＰＣにより測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）で、好ましくは５０，０００以上、より好ましくは５５，０００以上、さらにより好ましくは６０，０００以上であり、一方好ましくは１５０，０００以下、より好ましくは１３０，０００以下、さらにより好ましくは１００，０００以下としうる。ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは３以下、より好ましくは２以下、特に好ましくは１．５以下にする。Ｍｗ及びＭｗ／Ｍｎが上記範囲となるようにすると、成形した光学フィルムの位相差の変化に対する耐熱性や機械的強度が良好である。
【００３７】
〔１．１．２．ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の割合〕
本発明の光学フィルムがブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含む樹脂からなる場合、当該樹脂における、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の割合は、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の割合を当該範囲内とすることにより、高い機械的強度及び良好な光学的特性等の、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の利点を得ることができる。特に、本発明の光学フィルムがブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含有するフィルムであることにより、容易に正面位相差Ｒｅの小さいフィルムとすることができ、表示装置において偏光子保護フィルムとして用いた場合、表示品質を損なわずに保護フィルムとしての機能を発揮しうる。
【００３８】
〔１．１．３．任意の成分〕
処理前フィルムを構成する樹脂は、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］以外に、任意の成分を含有しうる。
任意の成分の例としては、架橋助剤が挙げられる。架橋助剤を含有することにより、少ない線照射量で高い架橋度を達成することができる。
架橋助剤の例としては、ｐ−キノンジオキシム、ｐ，ｐ’−ジベンゾイルキノンジオキシム等のオキシム類；エチレンジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、アクリル酸／酸化亜鉛混合物、アリルメタクリレート等のアクリレート若しくはメタクリレート類；ジビニルベンゼン、ビニルトルエン、ビニルピリジン等のビニルモノマー類；ヘキサメチレンジアリルナジイミド、ジアリルイタコネート、ジアリルフタレート、ジアリルイソフタレート、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート等のアリル化合物類；Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（４，４’−メチレンジフェニレン）ジマレイミド等のマレイミド化合物類等が挙げられる。架橋助剤としては、一種類を単独で用いてもよく、二種類以上を任意の割合で組み合わせて用いてもよい。得られる光学フィルムの電気特性、耐熱性、耐溶剤性等の特性を向上させる観点からはアリル化合物類が好ましく、特に熱安定性の観点から、トリアリルイソシアヌレート（ＴＡＩＣ）が最も好ましい。
【００３９】
その他の任意の成分の例としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤などの安定剤；滑剤、可塑剤などの樹脂改質剤；染料や顔料などの着色剤；帯電防止剤などの配合剤が挙げられる。これらの配合剤は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は本発明の目的を損なわない範囲で適宜選択される。
【００４０】
〔１．２．処理前フィルム〕
本発明の光学フィルムの製造に供する処理前フィルムは、上に述べたブロック共重合体水素化物［Ｄ］をフィルムの形状に成形することにより得られる。
【００４１】
フィルムの成形方法は、特に限定されず、溶融押出成形等の既知の方法を採用しうる。
【００４２】
成形されたフィルムは、そのまま処理前フィルムとして用いてもよい。又は、成形されたフィルムに線照射以外の任意の処理を行い、これを処理前フィルムとして用いてもよい。例えば、成形されたフィルムに延伸の処理を行い、延伸フィルムとし、これを処理前フィルムとして用いうる。
【００４３】
延伸の処理を行う場合の延伸の態様は、一軸延伸、二軸延伸等の任意の態様としうる。また、延伸前のフィルムが長尺状のフィルムである場合、延伸の方向は、縦方向（長尺状のフィルムの長手方向に平行な方向）、横方向（長尺状のフィルムの幅方向に平行な方向）、及び斜め方向（縦方向でも横方向でも無い方向）のいずれであってもよい。
【００４４】
延伸倍率は、好ましくは１．１倍以上、より好ましくは１．５倍以上であり、一方好ましくは７倍以下、より好ましくは６倍以下である。延伸温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、一方好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。
【００４５】
このような延伸の処理を行うことにより、大面積のフィルムを容易に得ることができる。加えて、処理前フィルムとしてブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含むものを採用することにより、延伸の工程を経ても位相差の少ないフィルムを容易に得ることができるので、位相差の少ないフィルムが求められる場合、そのようなフィルムを容易に得ることができる。
【００４６】
処理前フィルムの寸法は、製品たる光学フィルムとして所望の寸法を有するものが得られるよう適宜設定しうる。製造の効率上、処理前フィルムは長尺状のフィルムであることが好ましい。処理前フィルムの厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上であり、一方好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下である。
【００４７】
〔１．３．線照射〕
本発明の光学フィルムは、処理前フィルムに電子線またはγ線を照射する線照射工程を行うことにより得うる。線照射工程において、電子線又はγ線を採用することにより、照射量を容易に制御することができ、得られる光学フィルムの特性を容易に調整することができる。特に、電子線を採用することにより、フィルムの不所望な黄変の発生を低減しながら線照射工程を行うことができる。
【００４８】
一般的にブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含むフィルムは、高い機械的強度及び低位相差等の良好な光学的特性を備える一方、有機溶媒に対する耐性が低く、且つブロッキングが発生しやすい傾向がある。本発明者が見出したところによれば、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含む処理前フィルムを架橋物とすることにより、耐溶媒性を高め、且つブロッキングの発生を抑制することができる一方、高い機械的強度及び低位相差等の良好な光学的特性は損なわれず維持され、その結果、良好な特性を兼ね備えた光学フィルムを得ることができる。
【００４９】
電子線の照射は、例えば、電子線照射装置などの線源から処理前フィルムに電子線を照射することにより行いうる。照射量は、所望の耐溶媒性及び耐ブロッキング性が得られるよう適宜調整しうる。具体的には、吸収線量として、好ましくは２００ｋＧｙ以上、より好ましくは１２００ｋＧｙ以下であり、一方好ましくは８００ｋＧｙ以下、より好ましくは５００ｋＧｙ以下である。電子線を照射する際の加速電圧は、好ましくは１５０ｋＶ以上であり、一方好ましくは２５０ｋＶ以下としうる。
【００５０】
γ線の照射は、例えば、γ線照射装置などの線源から処理前フィルムにγ線を照射することにより行いうる。照射量は、吸収線量として、電子線と同様の照射量としうる。
【００５１】
線照射工程を行う際の雰囲気は特に限定されず、空気雰囲気又は不活性ガス雰囲気としうる。不活性ガスとしては、窒素、アルゴン、ヘリウム等のガスを用いうる。特に、酸素濃度が３００ｐｐｍより小さい雰囲気とすることが、酸素による架橋阻害を抑制できるため好ましい。
【００５２】
線照射工程を行う際の温度は特に限定されず、常温、例えば１０℃以上３０℃以下の温度としうる。
【００５３】
〔１．４．光学フィルムの性質等〕
本発明の光学フィルムは、その引張破断伸度が１００％以上である。引張破断伸度は、好ましくは１１０％以上、より好ましくは１２０％以上である。一方破断伸度の上限は特に限定されないが、例えば２００％以下としうる。この範囲の引張破断伸度を有することにより、耐ブロッキング性に優れた光学フィルムとしうる。このような引張破断伸度を有する光学フィルムは、線照射工程における線量を適宜調整することにより容易に得うる。引張破断伸度は、ＪＩＳＫ７１２７記載の試験片タイプ１Ｂの試験片を用いて、引っ張り速度２０ｍｍ／分によって求めうる。
【００５４】
本発明の光学フィルムの寸法は、製品の用途に応じて所望の寸法となるよう適宜設定しうる。本発明の光学フィルムは、耐ブロッキング性に優れるため、光学フィルム又はそれをその表面に備える偏光板をフィルムロールの形状で保存及び運搬する際の取り扱い性に優れる。したがって、本発明の光学フィルムは長尺状のフィルムであることが好ましい。本発明の光学フィルムの厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上であり、一方好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下である。
【００５５】
本発明の光学フィルムは、その溶剤不溶成分率が８５％以上である。溶剤不溶成分率は、好ましくは８６％以上、より好ましくは８７％以上である。溶剤不溶成分率の上限は特に限定されないが、例えば１００％以下としうる。この範囲の溶剤不溶成分率を有することにより、有機溶媒に対する耐性が高い光学フィルムとして有用に用いうる。このような溶剤不溶成分率を有する光学フィルムは、線照射工程における線量を適宜調整することにより容易に得うる。溶剤不溶成分率は、以下の方法により測定しうる。光学フィルムを裁断し４０ｍｍ×４０ｍｍのサイズの試料とする。試料をトルエンを１００ｍＬに３０日間浸漬した後、５００メッシュの金網でろ過する。ろ取された残渣を１００℃のオーブンに投入し１０分間乾燥させ、乾燥物の重量を測定する。溶剤不溶成分率は、試料重量及び乾燥されたろ取物重量から、溶剤不溶成分率（％）＝（ろ取物重量／試料重量）×１００の式により求めうる。
【００５６】
本発明の光学フィルムは、その正面位相差Ｒｅが、好ましくは５ｎｍ以下、より好ましくは４ｎｍ以下である。正面位相差Ｒｅの値がこのように小さな値であることにより、表示装置において偏光子保護フィルムとして用いた場合、表示品質を損なわずに保護フィルムとしての機能を発揮しうる。このように小さい正面位相差Ｒｅを有する本発明の光学フィルムは、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を構成する繰り返し単位の割合を適宜調整し、フィルム中のブロック共重合体水素化物［Ｄ］の割合を高めることにより、容易に得ることができる。
【００５７】
本願において、フィルムの正面位相差Ｒｅは、式Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄに従って算出する。ｎｘは、測定対象の面内の遅相軸方向の屈折率（面内の最大屈折率）であり、ｎｙは、測定対象の面内の遅相軸に垂直な方向の屈折率であり、ｎｚは、測定対象の厚み方向の屈折率であり、ｄは、測定対象の厚み（ｎｍ）である。測定波長は、別に断らない限り、５９０ｎｍとする。
【００５８】
〔２．偏光板〕
本発明の光学フィルムは、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を含むことによる高い機械的強度及び低位相差等の良好な光学的特性を有することに加え、耐溶媒性が高く且つブロッキングの発生が抑制されているため、液晶表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの表示装置において、他の層を保護する保護フィルムとして好適に用いうる。特に、本発明の光学フィルムは、偏光板において偏光子を保護する保護フィルムとして特に良好に機能することができる。
【００５９】
本発明の偏光板は、前記本発明の光学フィルムと偏光子とを備える。本発明の偏光板において、光学フィルムは、偏光子保護フィルムとして機能しうる。本発明の偏光板はさらに、光学フィルムと偏光子との間に、これらを接着するための接着剤層を備えてもよい。
【００６０】
偏光子は、特に限定されず、任意の既知のものを用いうる。偏光子の例としては、ポリビニルアルコールフィルムに、ヨウ素、二色性染料等の材料を吸着させた後、延伸加工したものが挙げられる。接着剤層を構成する接着剤の例としては、各種の重合体をベースポリマーとしたものが挙げられる。かかるベースポリマーの例としては、例えば、アクリル重合体、シリコーン重合体、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエーテル、及び合成ゴムが挙げられる。接着剤が紫外線硬化性の接着剤である場合、光学フィルムと偏光子とを接着剤を介して貼合させた後、必要に応じて紫外線を照射し、接着剤の層を硬化させうる。また、光学フィルムと偏光子との貼合に先立ち、必要に応じて、コロナ処理等の表面処理を行いうる。
【００６１】
本発明の偏光板が備える偏光子と保護フィルムの層の数は任意であるが、本発明の偏光板は、通常は、１層の偏光子と、その両面に設けられた２層の保護フィルムを備えうる。かかる２層の保護フィルムのうち、両方が本発明の光学フィルムであってもよく、どちらか一方のみが本発明の光学フィルムであってもよい。
【００６２】
本発明の偏光板は、本発明の光学フィルム及び偏光子に加えて、任意の層を備えうる。例えば、かかる層の材料及び有機溶媒を含む組成物を、光学フィルムの表面に塗布し、有機溶媒を揮発させることにより形成しうる各種の層を備えうる。本発明の光学フィルムは、有機溶媒に対する耐性が高いため、そのような任意の層を、光学的性能を損なうことなく容易に形成することができる。
【００６３】
任意の層の例としては、フィルムの滑り性を良くするマット層、耐衝撃性ポリメタクリレート樹脂層などのハードコート層、反射防止層、防汚層等が挙げられる。特に、本発明の光学フィルムは、ハードコート層を有することが好ましい。ハードコート層を有することにより、表示装置において、表示面側の偏光子よりも表示面側に位置し、装置の表示面最外層を構成する保護フィルムとして、本発明の光学フィルムを好適に用いうる。
【００６４】
表示装置において、装置の表示面最外層を構成する面の鉛筆硬度は２Ｈ以上であることが求められる場合が多い。本発明の偏光板は、光学フィルムの上にさらにハードコート層を形成することにより、その表面の鉛筆硬度を、容易に、２Ｈ以上といった高い値とすることができる。
【００６５】
ハードコート層を構成する材料の例としては、有機系シリコーン系、メラミン系、エポキシ系、アクリル系、ウレタンアクリレート系などの有機ハードコート材料；および、二酸化ケイ素などの無機系ハードコート材料が挙げられる。なかでも、接着力が良好であり、生産性に優れる観点から、ウレタンアクリレート系および多官能アクリレート系ハードコート材料の使用が好ましい。ハードコート層の厚みは、好ましくは０．３μｍ以上、より好ましくは０．８μｍ以上、特に好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。ハードコート層は、これらの材料と有機溶媒との組成物を、光学フィルムの表面に塗布し、有機溶媒を揮発させることにより形成しうる。かかる有機溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンシクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類；イソプロピルアルコール、エチルアルコールなどのアルコール類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メトキシベンゼン、１，２−ジメトキベンゼンなどの芳香族炭化水素類；フェノール、パラクロロフェノールなどのフェノール類；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、テトラクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類等があげられる。これら溶媒は１種を単独で、または２種以上を混合して用いることができる。
【００６６】
〔３．表示装置〕
本発明の表示装置は前記本発明の光学フィルムを備える。本発明の表示装置は、液晶表示装置又は有機エレクトロルミネッセンス表示装置としうる。本発明の表示装置において、本発明の光学フィルムは、偏光板において偏光子を保護する保護フィルムとして設けうる。
【００６７】
通常、液晶表示装置は、光源、光源側偏光板、液晶セル及び視認側偏光板を、この順に備える。本発明の表示装置が液晶表示装置である場合、本発明の光学フィルムは、例えば光源側偏光板及び視認側偏光板のいずれか又は両方の両面又は片面の保護フィルムとして用いうる。液晶表示装置の液晶セルの駆動方式としては、例えば、インプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モード、バーチカルアラインメント（ＶＡ）モード、マルチドメインバーチカルアラインメント（ＭＶＡ）モード、コンティニュアスピンホイールアラインメント（ＣＰＡ）モード、ハイブリッドアラインメントネマチック（ＨＡＮ）モード、ツイステッドネマチック（ＴＮ）モード、スーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）モード、オプチカルコンペンセイテッドベンド（ＯＣＢ）モードなどが挙げられる。
【００６８】
本発明の表示装置において、本発明の光学フィルムは、その他の用途に用いられる偏光板における保護フィルムとして設けうる。例えば、反射防止機能を発現するための構成要素、所謂サングラスリーダブル機能（観察者が偏光サングラスを着用している場合において、観察角度による表示の相違を低減する機能）を発現するための構成要素の一部である偏光板の保護フィルムとして、本発明の光学フィルムを設けうる。
【００６９】
本発明の表示装置は、光学フィルムと併せて、任意の層を有しうる。かかる任意の層としては、偏光板の構成要素として説明したハードコート層等の層が挙げられる。ハードコート層は、表示装置の表示面側の偏光子よりも表示面側に位置し、装置の表示面最外層を構成する層として設けうる。
【実施例】
【００７０】
以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温及び常圧の条件において行った。
【００７１】
〔評価方法〕
〔重量平均分子量及び数平均分子量の測定方法〕
重合体の重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）システム（東ソー社製「ＨＬＣ−８３２０」）を用いて、ポリスチレン換算値として測定した。測定の際、カラムとしてはＨタイプカラム（東ソー社製）を用い、溶媒としてはテトラヒドロフランを用いた。また、測定時の温度は、４０℃であった。
【００７２】
〔ガラス転移温度Ｔｇ測定方法〕
試料をプレス成形して、長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの試験片を作製し、ＪＩＳ−Ｋ７２４４−４法に基づき、粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン社製、ＡＲＥＳ）を使用して、−１００℃から＋１５０℃の範囲で、昇温速度５℃／分で粘弾性スペクトルを測定した。損失正接ｔａｎδの低温側のピークトップ温度から、ソフトセグメントに由来するガラス転移温度Ｔｇ１、高温側のピークトップ温度から、ハードセグメントに由来するガラス転移温度Ｔｇ２を求めた。
【００７３】
〔ブロック共重合体水素化物［Ｄ］の水素化率の測定方法〕
重合体の水素化率は、オルトジクロロベンゼン−ｄ４を溶媒として、１４５℃で、１Ｈ−ＮＭＲ測定により測定した。
【００７４】
〔破断伸度の測定〕
破断伸度は、ＪＩＳＫ７１２７記載の試験片タイプ１Ｂの試験片を用いて、引っ張り速度２０ｍｍ／分によって求めた。
【００７５】
〔レターデーションの測定〕
正面位相差Ｒｅは、自動複屈折計（王子計測機器社製「ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ」）を用いて、測定波長５９０ｎｍで測定した。
【００７６】
〔溶剤不溶成分率の測定方法〕
光学フィルムを裁断し４０ｍｍ×４０ｍｍのサイズの試料とした。また、５００メッシュの金網を用意し、その重量を電子天秤で測定した。試料を金網上に載せ、電子天秤でフィルム及び金網の合計重量を測定し、試料重量を求めた。その後、トルエンを１００ｍＬ入れたガラス瓶に試料全体が浸かるように試料を浸漬した。３０日間静置後、ガラス瓶の内容物を、上記金網で濾過し、ろ取物を金網と共に１００℃のオーブンに投入し１０分間乾燥させた。その後、金網及びろ取物の合計重量を電子天秤で測定し、ろ取物重量を求めた。溶剤不溶成分率は下記式で算出した。
溶剤不溶成分率（％）＝（ろ取物重量／試料重量）×１００
【００７７】
〔実施例１〕
（１−１．ブロック共重合体［Ｃ］）
十分に乾燥し窒素置換した、攪拌装置を備えたステンレス鋼製反応器に、脱水シクロヘキサン２５６部、脱水スチレン２５．０部、及びｎ−ジブチルエーテル０．６５部を仕込み、６０℃で攪拌しながらｎ−ブチルリチウム（１５％シクロヘキサン溶液）１．３５部を添加して重合反応を開始した。さらに、攪拌しながら６０℃で６０分反応させた。この時点での重合転化率は９９．５％であった（ガスクロマトグラフィーにより測定、以下にて同じ。）。次に、脱水イソプレン５０．０部を加え、同温度で３０分攪拌を続けた。この時点での重合転化率は９９％であった。その後、更に、脱水スチレンを２５．０部加え、同温度で６０分攪拌した。この時点での重合転化率はほぼ１００％であった。次いで、反応液にイソプロピルアルコール０．５部を加えて反応を停止させ、ブロック共重合体［Ｃ］を含む重合反応溶液を得た。得られたブロック共重合体［Ｃ］の重量平均分子量（Ｍｗ）は４４，９００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０３であった。
【００７８】
（１−２．ブロック共重合体水素化物［Ｄ］）
（１−１）で得た重合反応溶液を、攪拌装置を備えた耐圧反応器に移送し、水素化触媒としてシリカ−アルミナ担持型ニッケル触媒（Ｅ２２Ｕ、ニッケル担持量６０％；日揮化学工業社製）４．０部及び脱水シクロヘキサン３５０部を添加して混合した。反応器内部を水素ガスで置換し、さらに溶液を攪拌しながら水素を供給し、温度１７０℃、圧力４．５ＭＰａにて６時間水素化反応を行った。
【００７９】
水素化反応終了後、反応溶液をろ過して水素化触媒を除去した。ろ液に、フェノール系酸化防止剤であるペンタエリスリチル・テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（コーヨ化学研究所社製、製品名「Ｓｏｎｇｎｏｘ１０１０」）０．１部を溶解したキシレン溶液１．０部を添加して溶解させた。次いで、上記溶液を、円筒型濃縮乾燥器（日立製作所社製、製品名「コントロ」）を用いて、温度２６０℃、圧力０．００１ＭＰａ以下で、溶液から溶媒であるシクロヘキサン、キシレン及びその他の揮発成分を除去した。連続して溶融ポリマーを、濃縮乾燥器に連結した孔径２０μｍのステンレス製焼結フィルターを備えたポリマーフィルター（富士フィルター社製）により、温度２６０℃でろ過した後、ダイから溶融ポリマーをストランド状に押出し、冷却後、ペレタイザーによりブロック共重合体水素化物［Ｄ］を得た。
【００８０】
得られたブロック共重合体水素化物［Ｄ］は、スチレン由来の繰り返し単位を含有するブロック（以下、適宜「Ｓｔ」という。）、及びイソプレン由来の繰り返し単位を含有するブロック（以下、適宜「Ｉｐ」という。）からなる３元ブロック共重合体であり、それぞれのブロックの重量比は、Ｓｔ：Ｉｐ：Ｓｔ＝２５：５０：２５であった。該ブロック共重合体水素化物［Ｄ］のＭｗは４５，１００、Ｍｗ／Ｍｎは１．０４、主鎖及び芳香環の水素化率はほぼ１００％、ガラス転移温度Ｔｇ１は−５０℃、Ｔｇ２は１４０℃であった。
【００８１】
（１−３．樹脂の調製）
（１−２）で得られたブロック共重合体水素化物［Ｄ］１００部と、架橋助剤（トリアリルイソシアヌレート、製品名タイク、日本化成株式会社製）５部とを混合して、フィルムの材料となる樹脂を得た。
【００８２】
（１−４．処理前フィルムの製造）
（１−３）で得た樹脂を、内径３ｍｍのダイ穴を４つ備えた二軸押出機に投入した。前記の二軸押出機によって、樹脂を熱溶融押出成形によりストランド状の成形体に成形した。この成形体をストランドカッターにて細断して、樹脂のペレットを得た。前記の二軸押出機の運転条件を、以下に示す。
・バレル設定温度：２７０℃〜２８０℃
・ダイ設定温度：２５０℃
・スクリュー回転数：１４５ｒｐｍ
・フィーダー回転数：５０ｒｐｍ
【００８３】
引き続き、得られたペレットを、Ｔダイを備える熱溶融押出しフィルム成形機に供給した。Ｔダイから樹脂を押出し、１ｍ／分の速度でロールに巻き取ることにより、前記の樹脂からなる長尺の処理前フィルム（厚み１００μｍ）を製造した。前記のフィルム成形機の運転条件を、以下に示す。
・バレル温度設定：２８０℃〜２９０℃
・ダイ温度：２７０℃
・スクリュー回転数：６０ｒｐｍ
【００８４】
（１−５．光学フィルムの製造及び評価）
電子線照射装置（アイ・エレクトロンビーム社製）を用いて、（１−４）で得た処理前フィルムに電子線照射雰囲気酸素濃度３００ｐｐｍ以下、加速電圧２００ｋＶの条件で吸収線量８００ｋＧｙになるように電子線を照射し、光学フィルムを得た。得られた光学フィルムについて、正面位相差Ｒｅ、引張破断伸度及び溶剤不溶成分率を測定した。
【００８５】
〔実施例２〕
（２−１．ブロック共重合体［Ｃ］）
十分に乾燥し窒素置換した、攪拌装置を備えたステンレス鋼製反応器に、脱水シクロヘキサン２５６部、脱水スチレン２０．０部、及びｎ−ジブチルエーテル０．６５部を仕込み、６０℃で攪拌しながらｎ−ブチルリチウム（１５％シクロヘキサン溶液）１．３５部を添加して重合反応を開始した。さらに、攪拌しながら６０℃で６０分反応させた。次に、脱水イソプレン２０．０部を加え、同温度で３０分攪拌を続けた。その後、更に、脱水スチレンを２０．０部加え、同温度で６０分攪拌した。更に、脱水イソプレン２０．０部を加え、同温度で３０分攪拌を続けた。その後、更に、脱水スチレンを２０．０部加え、同温度で６０分攪拌した。この時点での重合転化率はほぼ１００％であった。次いで、反応液にイソプロピルアルコール０．５部を加えて反応を停止させ、ブロック共重合体［Ｃ］を含む重合反応溶液を得た。
得られたブロック共重合体［Ｃ］の重量平均分子量（Ｍｗ）と分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を測定したところ、Ｍｗ＝９１,０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０３であった。
【００８６】
（２−２．ブロック共重合体水素化物［Ｄ］）
ブロック共重合体［Ｃ］を含む重合反応溶液として、（１−１）で得たものに代えて（２−１）で得たものを用いた他は、実施例１の（１−２）と同様にして、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を得た。
【００８７】
得られたブロック共重合体水素化物［Ｄ］は、ＳｔとＩｐとからなる５元ブロック共重合体であり、それぞれのブロックの重量比は、Ｓｔ：Ｉｐ：Ｓｔ：Ｉｐ：Ｓｔ＝２０：２０：２０：２０：２０であった。該ブロック共重合体水素化物［Ｄ］のＭｗは９２，０００、Ｍｗ／Ｍｎは１．０５、水素化率はほぼ１００％、ガラス転移温度Ｔｇ１は−４５°、Ｔｇ２は１３７℃であった。
【００８８】
（２−３．光学フィルムの製造）
（１−３）で得た樹脂に代えて、（２−２）で得たブロック共重合体水素化物［Ｄ］を用いた他は、実施例１の（１−４）〜（１−５）と同様にして、光学フィルムを製造し評価した。
【００８９】
〔実施例３〕
（３−１．ブロック共重合体［Ｃ］）
十分に乾燥し窒素置換した、攪拌装置を備えたステンレス鋼製反応器に、脱水シクロヘキサン２５６部、脱水スチレン２５．０部、及びｎ−ジブチルエーテル０．６５部を仕込み、６０℃で攪拌しながらｎ−ブチルリチウム（１５％シクロヘキサン溶液）０．８２部を添加して重合反応を開始した。さらに、攪拌しながら６０℃で６０分反応させた。この時点での重合転化率は９９．５％であった。
次に、反応溶液中に、スチレンモノマー２５部とイソプレンモノマー２５部からなる混合モノマー５０部を１５０分間に亘って連続的に添加し、添加終了後そのまま２０分間攪拌を続けた。この時点での重合転化率は９９．５％であった。その後、更に、脱水スチレンを２５．０部加え、同温度で６０分攪拌した。この時点での重合転化率はほぼ１００％であった。次いで、反応液にイソプロピルアルコール０．５部を加えて反応を停止させ、ブロック共重合体［Ｃ］を含む重合反応溶液を得た。得られたブロック共重合体［Ｃ］の重量平均分子量（Ｍｗ）は５８，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０３であった。
【００９０】
（３−２．ブロック共重合体水素化物［Ｄ］）
ブロック共重合体［Ｃ］を含む重合反応溶液として、（１−１）で得たものに代えて（３−１）で得たものを用いた他は、実施例１の（１−２）と同様にして、ブロック共重合体水素化物［Ｄ］を得た。
【００９１】
得られたブロック共重合体は、Ｓｔと、スチレン由来の繰り返し単位とイソプレン由来の繰り返し単位とが共存するブロック（以下、適宜「Ｓｔ／Ｉｐ」という。）と、Ｉｐとからなる３元ブロック共重合体であり、それぞれのブロックの重量比は、Ｓｔ：Ｓｔ／Ｉｐ：Ｓｔ＝２５：２５／２５：２５であった。該ブロック共重合体のＭｗは５９，０００、Ｍｗ／Ｍｎは１．０５、水素化率はほぼ１００％、ガラス転移温度Ｔｇ１は１５℃、Ｔｇ２は１２９℃であった。
【００９２】
（３−３．光学フィルムの製造）
下記の事項以外は、実施例１の（１−４）〜（１−５）と同様にして、光学フィルムを製造し評価した。
・（１−３）で得た樹脂に代えて、（３−２）で得たブロック共重合体水素化物［Ｄ］を用いた。
・（１−５）において、加速電圧は２５０ｋＶ、線量は４００ｋＧｙに変更した。
【００９３】
〔比較例１〕
電子線照射を行わなかった他は、実施例２と同様にして、光学フィルムを製造し評価した。
【００９４】
〔比較例２〕
電子線の照射に代えて、γ線の照射を行い、照射線量は１００ｋＧｙとし、大気下で照射した他は、実施例１と同様にして、光学フィルムを製造し評価した。
【００９５】
〔比較例３〕
（１−５）において、加速電圧を２５０ｋＶ、線量を１２００ｋＧｙに変更した他は、実施例３と同様にして、光学フィルムを製造し評価した。
【００９６】
〔比較例４〕
（Ｃ４−１．第１段階の重合反応：ブロックＡ１の伸長）
十分に乾燥し窒素置換した、攪拌装置を備えたステンレス鋼製反応器に、脱水シクロヘキサン３２０部、スチレン５５部、及びジブチルエーテル０．３８部を仕込み、６０℃で攪拌しながらｎ−ブチルリチウム溶液（１５重量％含有ヘキサン溶液）０．５６部を添加して重合反応を開始させ、第１段階の重合反応を行った。反応開始後１時間の時点で、重合転化率は９９．５％であった。
【００９７】
（Ｃ４−２．第２段階の反応：ブロックＢの伸長）
（Ｃ４−１）で得られた反応混合物に、スチレン２０部及びイソプレン２０部からなる混合モノマー４０部を添加し、引き続き第２段階の重合反応を開始した。第２段階の重合反応開始後１時間の時点で、重合転化率は９９．５％であった。
【００９８】
（Ｃ４−３．第３段階の反応：ブロックＡ２の伸長）
（Ｃ４−２）で得られた反応混合物に、スチレン５部を添加し、引き続き第３段階の重合反応を開始した。第３段階の重合反応開始後１時間の時点で、反応混合物から、試料をサンプリングし分析した結果、重合転化率はほぼ１００％であった。その後直ちに、反応混合物にイソプロピルアルコール０．２部を添加して反応を停止させた。これにより、Ａ１−Ｂ−Ａ２のトリブロック分子構造を有するブロック共重合体［Ｃ］を含む混合物を得た。
【００９９】
（Ｃ４−１）及び（Ｃ４−２）では重合反応を十分に進行させたことから、重合転化率は略１００％であり、したがってブロックＢにおけるＳｔ／Ｉｐの重量比は２０／２０であると考えられる。
これらの値から、得られたブロック共重合体［Ｃ］は、Ｓｔ−（Ｓｔ／Ｉｐ）−Ｓｔ＝５５−（２０／２０）−５のトリブロック分子構造を有する重合体であることが分かった。
【０１００】
（Ｃ４−４．ブロック共重合体水素化物［Ｄ］）
次に、上記のブロック共重合体［Ｃ］を含む混合物を攪拌装置を備えた耐圧反応器に移送し、水素化触媒として珪藻土担持型ニッケル触媒（製品名「Ｅ２２Ｕ」、ニッケル担持量６０％、日揮触媒化成社製）８．０部及び脱水シクロヘキサン１００部を添加して混合した。反応器内部を水素ガスで置換し、さらに溶液を攪拌しながら水素を供給し、温度１９０℃、圧力４．５ＭＰａにて６時間水素化反応を行った。水素化反応により得られた反応溶液に含まれるブロック共重合体水素化物の重量平均分子量（Ｍｗ）は７６，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０５であった。
【０１０１】
水素化反応終了後、反応溶液をろ過して水素化触媒を除去した後、フェノール系酸化防止剤であるペンタエリスリチル・テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（製品名「Ｓｏｎｇｎｏｘ１０１０」、松原産業社製）０．１部を溶解したキシレン溶液２．０部を添加して溶解させた。
次いで、上記溶液を、円筒型濃縮乾燥器（製品名「コントロ」、日立製作所社製）を用いて、温度２６０℃、圧力０．００１ＭＰａ以下で、溶液から、溶媒であるシクロヘキサン、キシレン及びその他の揮発成分を除去した。溶融ポリマーをダイからストランド状に押出し、冷却後、ペレタイザーによりブロック共重合体水素化物［Ｄ］のペレット９５部を作製した。
得られたペレット状のブロック共重合体水素化物［Ｄ］の重量平均分子量（Ｍｗ）は７７,０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０６、水素化率はほぼ１００％であった。
【０１０２】
（Ｃ４−５．光学フィルムの製造）
下記の事項以外は、実施例１の（１−４）〜（１−５）と同様にして、光学フィルムを製造し評価した。
・（１−３）で得た樹脂に代えて、（Ｃ４−４）で得たブロック共重合体水素化物［Ｄ］を用いた。
・（１−５）において、加速電圧は２５０ｋＶ、線量は４００ｋＧｙに変更した。
【０１０３】
実施例及び比較例の結果を表１にまとめて示す。
【０１０４】
【表１】
2017142331.tif 000002
【０１０５】
表１の結果から、本願実施例では、処理前フィルムに対する線照射によって、低い正面位相差Ｒｅ、高い引張破断伸度、及び高い溶剤不溶成分率を有し、偏光板における保護フィルム等の用途に有用に用いうる光学フィルムが得られたことが分かる。