(57)【要約】【課題】  ドライエッチングによってガラス基板の表面を粗化させる場合に、その粗化能力の向上を図ること。【解決手段】  エッチングガス６を用いてガラス基板２の下面２ａにエッチング処理を施す処理工程を含んだガラス基板の製造方法において、処理工程の実行前に、液体３を霧化させた霧化液体４をガラス基板２の下面２ａに向けて噴霧する噴霧工程を実行した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングガスを用いてガラス基板の被処理面にエッチング処理を施す処理工程を含んだガラス基板の製造方法において、
前記処理工程の実行前に、液体を霧化させた霧化液体を前記ガラス基板の被処理面に向けて噴霧する噴霧工程を実行することを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記噴霧工程の実行前に、前記ガラス基板の被処理面を洗浄して乾燥させる洗浄乾燥工程を実行することを特徴とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記液体が水を含んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記液体の電気伝導率が２．０μＳ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記霧化液体の平均粒子径が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記霧化液体が、超音波振動を利用して前記液体を霧化させたものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記霧化液体が、沸騰を利用して前記液体を霧化させたものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項８】
前記ガラス基板が無アルカリガラスであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチングガスを用いてガラス基板にエッチング処理を施す工程を含むガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等に代表されるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）や、スマートホン、タブレット型ＰＣ等のモバイル機器をはじめとして、多種多様な電子デバイスに組み込まれている。
【０００３】
ところで、ガラス基板の製造工程においては、静電気の帯電に起因した問題が生じることがある。例えば、ガラス基板に所定の処理を施すべく載置台上にガラス基板を置いた際に、静電気の帯電に起因してガラス基板が載置台に貼り付いてしまう場合があり、処理を終えたガラス基板を載置台から剥離させようとした際に、当該ガラス基板が破損してしまうことがある。
【０００４】
このような問題への対策として、ガラス基板にエッチング処理を施し、当該ガラス基板の表面を粗化させることにより、静電気の帯電に起因した問題の発生を回避する手法が知られている。このエッチング処理の実行の態様は、四フッ化炭素等のエッチングガスを用いてガラス基板に処理を行うドライエッチング（特許文献１を参照）と、フッ化水素酸等のエッチング液を用いてガラス基板に処理を行うウエットエッチングとに大別される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１２８６７３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ドライエッチングは、ウエットエッチングとの比較において、環境負荷が小さいという長所を有する一方で、エッチング処理の実行に伴って発生する残渣がガラス基板に堆積しやすいという短所がある。このためにドライエッチングでは、エッチング処理による処理量をウエットエッチングほどに増加させることが難しく、ガラス基板の表面の粗化能力に難があるのが現状であった。
【０００７】
上記の事情に鑑みなされた本発明は、ドライエッチングによってガラス基板の表面を粗化させる場合に、その粗化能力を向上させることを技術的な課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために創案された本発明は、エッチングガスを用いてガラス基板の被処理面にエッチング処理を施す処理工程を含んだガラス基板の製造方法において、処理工程の実行前に、液体を霧化させた霧化液体をガラス基板の被処理面に向けて噴霧する噴霧工程を実行することに特徴付けられる。
【０００９】
このような方法によれば、ドライエッチングによるガラス基板の表面の粗化能力を向上させることができる。なお、このような効果が得られるのは、以下のような理由によるものと想定される。噴霧工程の実行に伴ってガラス基板の被処理面には、霧化液体が付着した箇所（以下、付着箇所と表記）と、付着していない箇所（以下、非付着箇所と表記）とが存在することになる。そして、付着箇所においては、処理工程の実行に伴って霧化液体にエッチングガスが溶け込むと共に、エッチングガスが溶け込んだ霧化液体によって非付着箇所よりもエッチングが大きく進行するものと考えられる。つまり、付着箇所と非付着箇所との間で、エッチングの進行の程度に大きな差異を設けることが可能となっているものと考えられる。その結果、被処理面が良好に粗化されるようになり、ガラス基板の表面の粗化能力が向上しているものと想定される。
【００１０】
上記の方法において、噴霧工程の実行前に、ガラス基板の被処理面を洗浄して乾燥させる洗浄乾燥工程を実行することが好ましい。
【００１１】
このようにすれば、洗浄乾燥工程の実行に伴ってガラス基板の被処理面を洗浄することにより、当該被処理面に存する異物等が洗い流されるため、異物等の存在に起因して処理工程の実行による被処理面の粗化にムラが生じるような事態の発生を回避することができる。なお、洗浄時に被処理面に付着した液滴が残存した状態で処理工程を実行すると、エッチングガスが溶け込んだ液滴によってエッチングが過度に進行し、被処理面が白く濁る等の不具合が生じる。しかしながら、洗浄乾燥工程において、洗浄した被処理面を乾燥させることにより、上記のような不具合の発生も防止することが可能となる。
【００１２】
上記の方法において、液体が水を含んでいることが好ましい。
【００１３】
このようにすれば、ガラス基板の表面の粗化能力を更に向上させることができる。このような効果が得られるのは、以下のような理由によるものと想定される。水を含んだ液体を霧化させた霧化液体には、エッチングガスが溶け込みやすいことから、処理工程の実行時において、付着箇所では、エッチングガスが溶け込んだ霧化液体によってエッチングが更に進行しやすくなるものと考えられる。これにより、付着箇所と非付着箇所との間におけるエッチングの進行の程度の差異がより顕著となり、ガラス基板の表面の粗化能力が更に向上しているものと想定される。
【００１４】
上記の方法において、液体の電気伝導率が２．０μＳ／ｃｍ以上であることが好ましい。
【００１５】
このようにすれば、ガラス基板の表面の粗化能力をより一層に向上させることが可能となる。このような効果が得られるのは、以下のような理由によるものと想定される。電気伝導率が２．０μＳ／ｃｍ以上であるような液体には不純物が含まれている。これにより、噴霧工程の実行後における被処理面では、核となる不純物の周りに霧化液体が凝集するものと考えられる。そして、処理工程の実行時には、不純物の周りでエッチングガスが溶け込んだ霧化液体によってエッチングが進行すると共に、不純物自体は被処理面のエッチングの進行を妨げるマスキングとして機能しているものと想定される。このようにエッチングが進行する箇所と、エッチングが妨げられる箇所とが設けられることで、ガラス基板の表面の粗化能力がより一層に向上しているものと考えられる。
【００１６】
上記の方法において、霧化液体の平均粒子径が１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
噴霧工程において噴霧される霧化液体の粒子径が大きくなるほど、処理工程の実行時に、エッチングガスが溶け込んだ霧化液体によってエッチングが過度に進行し、被処理面が白く濁る等の不具合が生じるおそれが高まる。しかしながら、噴霧される霧化液体の平均粒子径を１０μｍ以下とすれば、上記のような不具合の発生を排除しやすくなる。
【００１８】
上記の方法において、霧化液体が、超音波振動を利用して液体を霧化させたものであることが好ましい。
【００１９】
このようにすれば、噴霧工程で噴霧する霧化液体について、その粒子径を小さくしやすくなる。
【００２０】
上記の方法において、霧化液体が、沸騰を利用して液体を霧化させたものであってもよい。
【００２１】
このようにしても、噴霧工程で噴霧する霧化液体について、その粒子径を小さくしやすくなる。
【００２２】
上記の方法において、ガラス基板が無アルカリガラスであってもよい。
【００２３】
本発明に係るガラス基板の製造方法は、ガラス基板が無アルカリガラスである場合に、顕著にその効果を得ることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係るガラス基板の製造方法によれば、ドライエッチングによるガラス基板の表面の粗化能力を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置を示す縦断側面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面を示す縦断正面図である。
【図３】ガラス基板の被処理面における粗化の程度を評価するための方法を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法について、添付の図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、ガラス基板の搬送方向（図１に示すＴ方向）に直交する方向（図１において紙面に鉛直な方向）を幅方向と表記し、この幅方向に沿ったガラス基板の寸法を幅寸法と表記する。
【００２７】
はじめに、本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置の構成について説明する。
【００２８】
図１に示すように、ガラス基板の製造装置１は、矩形のガラス基板２の被処理面（エッチング処理によって粗化の対象となる面）である下面２ａに向けて液体３を霧化させた霧化液体４を噴霧するための噴霧部５と、霧化液体４を噴霧済のガラス基板２の下面２ａに対してエッチングガス６（例えば、四フッ化炭素等）を用いてエッチング処理を施すための処理部７とを備えている。
【００２９】
噴霧部５は、直方体状の外形を有するチャンバー８と、チャンバー８内でガラス基板２を平置き姿勢でＴ方向に搬送するための複数の搬送ローラー９と、搬送中のガラス基板２の下面２ａに向けて霧化液体４を噴霧するための超音波式噴霧器１０と、噴霧後の霧化液体４をチャンバー８外へと排気するための排気ノズル１１とを備えている。
【００３０】
チャンバー８は、ガラス基板２をチャンバー８内へと搬入するための搬入口８ａａ、チャンバー８外へと搬出するための搬出口８ａｂ、排気ノズル１１と連通した底孔８ａｃ、及び天井孔８ａｄが形成された本体８ａと、天井孔８ａｄを塞ぐための板状の蓋体８ｂとを有している。
【００３１】
チャンバー８内、及びチャンバー８外には、それぞれ図示省略の気圧計が設置されている。そして、両気圧計による気圧の測定結果に基づいて、チャンバー８内の気圧が装置外よりも常に高圧となるように維持されている。
【００３２】
搬入口８ａａ及び搬出口８ａｂは、共に幅方向に長尺な長孔に形成されており、両者の幅方向に沿った開口幅は、ガラス基板２の幅寸法よりも長くなっている。底孔８ａｃは、図示省略の負圧発生装置（例えば、真空ポンプ等）と接続されている。これにより、負圧発生装置の稼働に伴って、底孔８ａｃと連通した排気ノズル１１が噴霧後の霧化液体４を吸引し、チャンバー８外へと排気することが可能となっている。
【００３３】
蓋体８ｂは、天井孔８ａｄの開口の全体を塞ぐことが可能であると共に、本体８ａへの取り付け、及び、本体８ａからの取り外しが可能となっている。これにより、本体８ａから蓋体８ｂを取り外すことで、チャンバー８内の各搬送ローラー９、超音波式噴霧器１０、排気ノズル１１、及び気圧計の保守、点検を行うことが可能となっている。
【００３４】
超音波式噴霧器１０は、霧化液体４の元となる液体３を収容するためのタンク１０ａと、タンク１０ａの底部に取り付けられた振動子１０ｂと、超音波振動を利用して液体３を霧化させた霧化液体４を上方へと流出させるための流出ノズル１０ｃとを備えている。
【００３５】
ここで、液体３としては、その電気伝導率が２．０μＳ／ｃｍ以上のものを用いている。このような電気伝導率を有する液体３としては、例えば、水道水、エタノール、電解水、界面活性剤溶液等を挙げることができる。なお、液体３としては、視認が不可能な程度の大きさの不純物を含有し、電気伝導率が１０μＳ／ｃｍ以上であるものを用いることが好ましく、１００μＳ／ｃｍ以上のものを用いることがより好ましいため、上記の各液体の中でも、液体３として水道水を用いることが特に好ましい。
【００３６】
また、超音波式噴霧器１０としては、平均粒子径が１０μｍ以下の霧化液体４を生成することが可能なものを使用している。なお、超音波式噴霧器１０によって生成される霧化液体４の平均粒子径が大きすぎると、エッチング処理後のガラス基板２の下面２ａが白く濁る等の不具合が生じるおそれがある。そのため、超音波式噴霧器１０によって生成される霧化液体４の平均粒子径としては、５μｍ以下であることが好ましく、このような平均粒子径を有する霧化液体４を生成することが可能な超音波式噴霧器１０を使用することが好ましい。
【００３７】
流出ノズル１０ｃは、幅方向に長尺なスリット状に形成された流出口１０ｃａを有しており、図２に示すように、流出口１０ｃａは、その幅方向に沿った開口幅がガラス基板２の幅寸法よりも長くなっている。これにより、流出ノズル１０ｃは、ガラス基板２の幅方向の全幅に霧化液体４を噴霧することが可能となっている。また、流出口１０ｃａは、幅方向の各域から均等な流量で、且つ、均等な圧力で霧化液体４を流出させることが可能となっている。さらに、流出口１０ｃａは、隣り合う搬送ローラー９の相互間を指向している。なお、流出ノズル１０ｃの上方を通過するガラス基板２の下面２ａと、流出口１０ｃａとの上下方向に沿った相互間距離は、２ｍｍ〜２００ｍｍの範囲内とすることが好ましい。
【００３８】
ここで、本実施形態においては、流出口１０ｃａが幅方向に長尺なスリット状に形成されているが、流出口１０ｃａの形状は、ガラス基板２の幅方向の全幅に霧化液体４を噴霧できさえすれば、どのような形状に形成されていてもよい。また、本実施形態では、流出口１０ｃａが、幅方向の各域から均等な流量で、且つ、均等な圧力で霧化液体４を流出させているが、この限りではなく、流出させる霧化液体４の流量や圧力にムラがあってもよい。
【００３９】
さらに、本実施形態では、霧化液体４の噴霧に超音波式噴霧器１０を使用しているが、この限りではない。例えば、超音波式噴霧器１０に代えて、沸騰を利用して液体３を霧化させる沸騰式噴霧器や、その他の形式の噴霧器を使用してもよい。
【００４０】
排気ノズル１１は、ガラス基板２の搬送経路の上流側と下流側とから超音波式噴霧器１０を挟むように一対が設置されている。一対の排気ノズル１１は、それぞれ幅方向に長尺なスリット状に形成された排気口１１ａを有している。なお、排気口１１ａから上記の流出口１０ｃａまでの距離が長すぎると、霧化液体４が排気され難くなり、結露が発生する等の不具合が生じるおそれがある。そのため、排気ノズル１１は、排気口１１ａから流出口１０ｃａまでのガラス基板２の搬送方向（Ｔ方向）に沿った距離が、５ｍｍ〜２００ｍｍの範囲内となるような位置に設置することが好ましい。
【００４１】
ここで、本実施形態においては、排気口１１ａが幅方向に長尺なスリット状に形成されているが、排気口１１ａの形状は任意の形状としてよい。また、本実施形態では、噴霧後の霧化液体４を排気ノズル１１がチャンバー８外へと排気しているが、この限りではない。例えば、ガラス基板２の搬送経路の上方に排気ダクトを設け、排気ノズル１１と排気ダクトとの双方によって噴霧後の霧化液体４をチャンバー８外へと排気してもよい。
【００４２】
処理部７は、直方体状の外形を有したチャンバー１２と、チャンバー１２内でガラス基板２を平置き姿勢でＴ方向に搬送するための複数の搬送ローラー１３と、搬送中のガラス基板２の下面２ａにエッチングガス６を噴き付けることにより、エッチング処理を施すための四器の処理器１４とを備えている。
【００４３】
チャンバー１２は、その内部からエッチングガス６がチャンバー１２外へと流出することを防止している。このチャンバー１２は、霧化液体４を噴霧済のガラス基板２をチャンバー１２内へと搬入するための搬入口１２ａａ、チャンバー１２外へと搬出するための搬出口１２ａｂ、各処理器１４と連通した底孔１２ａｃ、及び、四つの天井孔１２ａｄが形成された本体１２ａと、各天井孔１２ａｄを塞ぐための板状の四つの蓋体１２ｂとを有している。また、チャンバー１２は、上記のチャンバー８と連結部材１５を介して連結されている。
【００４４】
搬入口１２ａａ及び搬出口１２ａｂは、共に幅方向に長尺な長孔に形成されており、両者の幅方向に沿った開口幅は、ガラス基板２の幅寸法よりも長くなっている。底孔１２ａｃとしては、処理器１４へと供給されるエッチングガス６を通過させるための孔１２ａｃａ（以下、供給孔１２ａｃａと表記）と、処理器１４から回収されるエッチングガス６を通過させための孔１２ａｃｂ（以下、回収孔１２ａｃｂと表記）とが形成されている。両孔１２ａｃａ，１２ａｃｂのうち、供給孔１２ａｃａは、エッチングガス６を発生させるための図示省略の処理ガス発生装置と接続されている。また、回収孔１２ａｃｂは、図示省略の負圧発生装置（例えば、真空ポンプ等）と接続されている。
【００４５】
四つの蓋体１２ｂの各々は、各天井孔１２ａｄの開口の全体を塞ぐことが可能であると共に、本体１２ａへの取り付け、及び、本体１２ａからの取り外しが可能となっている。これにより、本体１２ａから蓋体１２ｂを取り外すことで、チャンバー１２内の各搬送ローラー１３、及び処理器１４の保守、点検を行うことが可能となっている。
【００４６】
連結部材１５は、チャンバー８とチャンバー１２との相互間に介在すると共に、チャンバー８から搬出され、チャンバー１２へと搬入されるガラス基板２を通過させるための幅方向に長尺な長孔１５ａを有している。この長孔１５ａはチャンバー８の搬出口８ａｂ、及びチャンバー１２の搬入口１２ａａと同一な形状、及び大きさを有している。
【００４７】
処理器１４は、搬送中のガラス基板２における下面２ａと対向するように配置された本体部１４ａと、ガラス基板２における上面２ｂと対向するように配置された天板部１４ｂとを備えている。そして、これら本体部１４ａと天板部１４ｂとの相互間には、ガラス基板２にエッチング処理を施すための処理空間１４ｃが形成されている。
【００４８】
本体部１４ａは、エッチングガス６を処理空間１４ｃに供給すると共に、相対的にガラス基板２の搬送経路の上流側に設けられた供給路１４ａａと、エッチングガス６を処理空間１４ｃから回収すると共に、相対的にガラス基板２の搬送経路の下流側に設けられた回収路１４ａｂとを有している。供給路１４ａａ及び回収路１４ａｂは、共に幅方向に長尺なスリット状に形成されており、両者の幅方向に沿った開口幅は、ガラス基板２の幅寸法よりも長くなっている。これにより、供給路１４ａａを通じて処理空間１４ｃに供給されたエッチングガス６は、ガラス基板２の下面２ａの全幅へと噴き付けられた後、ガラス基板２の搬送経路の下流側に向かって流れると共に、回収路１４ａｂを通じて処理空間１４ｃから回収されるようになっている。
【００４９】
ここで、ガラス基板２の下面２ａに霧化液体４を噴霧した後、当該下面２ａにエッチング処理を開始するまでの時間が短すぎると、エッチング処理後のガラス基板２の下面２ａが白く濁る等の不具合が生じるおそれがある。そのため、ガラス基板２が流出ノズル１０ｃの上方を通過した後、四器の処理器１４のうち、ガラス基板２の搬送経路の最も上流側に配置された処理器１４の処理空間１４ｃに到達するまでの時間は、３ｓ〜３０ｓ以上とすることが好ましい。
【００５０】
以下、上記のガラス基板の製造装置１を用いた本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法について説明する。なお、本実施形態においては、ガラス基板２として、本方法による効果を顕著に得ることが可能な無アルカリガラスを使用している。ここで、この無アルカリガラスは、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２：６０％〜７５％、Ａｌ２Ｏ３：５％〜２０％、Ｂ２Ｏ３：０％〜１５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、及びＫ２Ｏの合量）：０％〜１％未満、ＭｇＯ：０％〜１０％、ＣａＯ：０％〜１５％、ＳｒＯ：０％〜１０％、ＢａＯ：０％〜１０％を含有することが好ましい。
【００５１】
まず、ガラス基板の製造装置１の噴霧部５において、液体３を霧化させた霧化液体４をガラス基板２の下面２ａに向けて噴霧する噴霧工程を実行する。
【００５２】
なお、ガラス基板２に対しては、噴霧工程の実行前に、ガラス基板２の下面２ａの全面を洗浄して乾燥させる洗浄乾燥工程が既に実行されている。洗浄乾燥工程における洗浄は、例えば、ガラス基板２の下面２ａに向けて水を噴射することや、大気圧プラズマによる洗浄等により行う。また、洗浄乾燥工程における乾燥は、例えば、エアーナイフを用いてガラス基板２の下面２ａに付着した水滴を液切りすることにより行う。
【００５３】
洗浄乾燥工程を実行済のガラス基板２が、複数の搬送ローラー９によって搬入口８ａａからチャンバー８内へと搬入されると、超音波式噴霧器１０から搬送中のガラス基板２の下面２ａに向けて霧化液体４を連続的に噴霧することで、ガラス基板２の下面２ａの全面に霧化液体４を付着させる。また、負圧発生手段を稼働させ、排気ノズル１１によって噴霧後の霧化液体４を吸引することで、噴霧後の霧化液体４をチャンバー８外へと排気する。これにより、噴霧工程が完了する。
【００５４】
噴霧工程が完了すると、次に、ガラス基板の製造装置１の処理部７において、エッチングガス６を用いてガラス基板２の下面２ａにエッチング処理を施す処理工程を実行する。
【００５５】
噴霧工程が完了したガラス基板２は、複数の搬送ローラー９によって搬出口８ａｂからチャンバー８外へと搬出されると共に、複数の搬送ローラー１３によって搬入口１２ａａからチャンバー１２内へと搬入される。そして、ガラス基板２がチャンバー１２内へと搬入されると、処理ガス発生装置を稼働させ、四器の処理器１４の各々における処理空間１４ｃに供給路１４ａａを通じてエッチングガス６を供給する。これにより、四器の処理器１４がそれぞれの処理空間１４ｃにおいて、搬送中のガラス基板２の下面２ａに対してエッチングガス６を連続的に噴き付け、当該下面２ａの全面にエッチング処理を施す。このとき、負圧発生装置を稼働させ、処理空間１４ｃから回収路１４ａｂを通じてエッチングガス６を回収する。これにより、処理工程が完了する。
【００５６】
以上のようにして、噴霧工程と処理工程とを実行することで、チャンバー１２の搬出口１２ａｂから搬出されたガラス基板２が、エッチング処理済のガラス基板２として得られると共に、ガラス基板の製造方法が完了する。
【００５７】
ここで、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の実施形態で説明した態様に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態では、ガラス基板の下面を被処理面としているが、ガラス基板の上面、或いは、上面と下面の双方を被処理面としてもよい。ガラス基板の上面を被処理面とする場合には、処理工程の実行前に、ガラス基板の上面に向けて霧化液体を噴霧すると共に、その後の処理工程において、霧化液体を噴霧済の上面にエッチングガスを噴き付ければよい。また、ガラス基板の上面と下面との双方を被処理面とする場合には、処理工程の実行前に、ガラス基板の上面と下面との双方に霧化液体を噴霧すると共に、その後の処理工程において、霧化液体を噴霧済の上面と下面との双方にエッチングガスを噴き付ければよい。
【実施例】
【００５８】
本発明の実施例として、以下の六つの条件（実施例１〜実施例５、及び比較例）の下で、ガラス基板に対してエッチング処理を施すことでガラス基板を製造した。そして、処理後のガラス基板について、被処理面（エッチング処理によって粗化の対象となった面）の粗化の程度を二つの指標を用いて評価した。
【００５９】
まず、実施例１〜実施例５の間で共通するガラス基板の製造条件について説明する。
【００６０】
エッチング処理の対象として、日本電気硝子株式会社製のガラス基板（製品名：ＯＡ−１１）を用いた。そして、上記の実施形態に係るガラス基板の製造方法と同一の態様により、ガラス基板に噴霧工程と処理工程とを実行してエッチング処理を施した。噴霧工程及び処理工程におけるガラス基板の搬送速度は、１０ｍ／ｍｉｎとした。エッチングガスとしては、フッ化水素（四フッ化炭素から生成）を用いた。流出ノズルの上方を通過するガラス基板の下面（被処理面となる面）と、流出ノズルの流出口との上下方向に沿った相互間距離は、１５０ｍｍとした。ガラス基板の下面に対して霧化液体を噴霧する時間は、５ｓとした。排気ノズルの排気口から流出ノズルの流出口までのガラス基板の搬送方向に沿った距離は、５ｍｍとした。
【００６１】
次に、実施例１〜実施例５の間で異なるガラス基板の製造条件について説明する。
【００６２】
実施例１〜実施例５の間で製造条件が異なっている点は、下記の表１に示すように、霧化液体の元となる液体が異なっている点と、液体を霧化させる方式（表１における霧化方式）が異なっている点である。各実施例で用いた液体、及び、これら液体の電気伝導率の値は、下記の表１に示すとおりである。また、液体を霧化させる方式として、実施例１及び実施例３では、平均粒子径が１０μｍの霧化液体を生成する沸騰式加湿器を使用して液体を霧化させた。一方、実施例２、実施例４及び実施例５では、平均粒子径が４μｍの霧化液体を生成する超音波式加湿器を使用して液体を霧化させた。
【００６３】
次に、比較例におけるガラス基板の製造条件について説明する。
【００６４】
比較例では、上記の実施例１〜実施例５とは異なり、上記の実施形態に係るガラス基板の製造方法における噴霧工程と処理工程とのうち、処理工程のみを実行した。使用するガラス基板、処理工程におけるガラス基板の搬送速度、及び、エッチング処理に用いるエッチングガスは、上記の実施例１〜実施例５と同一である。
【００６５】
次に、実施例１〜実施例５、及び比較例の各々に対し、ガラス基板の被処理面の粗化の程度を評価するために実施した方法について説明する。なお、粗化の程度の評価は、実施例１〜実施例５、及び比較例の全てについて、共通した方法を用いて行っている。
【００６６】
粗化の程度を評価するための指標として、ガラス基板の被処理面の算術平均粗さＲａと、後に詳述する密着速度との二つを用いた。なお、これらの指標を用いた評価は、上記の各製造条件の下で製造したガラス基板を洗浄した後で行った。
【００６７】
算術平均粗さＲａの測定には、原子間力顕微鏡を用いた。そして、無作為にガラス基板の被処理面における１０μｍ×１０μｍ（縦寸法×横寸法）の領域を抽出し、当該領域における算術平均粗さＲａを測定した。
【００６８】
密着速度は、以下のような態様に基づいて測定した。
【００６９】
はじめに、実施例１〜実施例５、及び比較例の各々において、上記の製造条件の下で製造したガラス基板の被処理面と、このガラス基板を支持する支持ガラス基板の支持面とを面接触させ、両ガラス基板を重ね合わせた。なお、実施例１〜実施例５、及び比較例で使用する各支持ガラス基板は、全て同一の条件の下で製造されたものである。
【００７０】
次に、ガラス基板を５Ｎ〜１５Ｎ程度の大きさの力で支持ガラス基板側に押圧した。これにより、図３（ａ）に示すように、ガラス基板の被処理面と、支持ガラス基板の支持面とが密着した密着領域Ｘが、押圧力を付与した付与領域Ｙの中心Ｏを起点として次第に拡大していく。そして、ガラス基板を押圧した後、図３（ｂ）に示すように、拡大中の密着領域Ｘの外周が中心Ｏから１００ｍｍの距離だけ離間した地点（同図における半径が１００ｍｍの円Ｃ上）に到達するまでに要した時間（以下、所要時間と表記）を計測した。そして、所要時間の計測後、１００ｍｍの距離を所要時間で除した値を密着速度として割り出した。
【００７１】
なお、ガラス基板の被処理面と、支持ガラス基板の支持面とが粗いほど、密着速度は遅くなる。ここで、実施例１〜実施例５、及び比較例で使用した各支持ガラス基板は、全て同一の条件の下で製造されていることから、これら各支持ガラス基板の支持面は略同一な粗さを有している。従って、本評価における密着速度の高低は、ガラス基板の被処理面の粗さによってのみ支配される。以上のことから、密着速度は、その速度が遅いほど、ガラス基板の被処理面の粗化が促進されていることを示している。
【００７２】
また、算術平均粗さＲａが、ガラス基板の被処理面における極めて局所的な領域の粗さに基づいて、被処理面全体の粗さを評価する指標であるのに対し、密着速度は、被処理面における広範な領域の粗さに基づいて、被処理面全体の粗さを評価することが可能な指標である。そのため、密着速度は、算術平均粗さＲａと比較して、被処理面全体の粗さの実態に即した指標であるといえる。
【００７３】
実施例１〜実施例５、及び比較例の各々について、測定された算術平均粗さＲａ及び密着速度の値を下記の表１に示す。
【００７４】
【表１】
2017014083.tif 000003
【００７５】
上記の表１に示した算術平均粗さＲａ、及び密着速度の測定結果から、実施例１〜実施例５では、比較例よりもガラス基板の被処理面の粗化が促進されていることが分かる。以上のことから、本発明によるガラス基板の製造方法によれば、ドライエッチングによるガラス基板の表面の粗化能力が向上するものと推認される。
【符号の説明】
【００７６】
２          ガラス基板
２ａ        下面
２ｂ        上面
３          液体
４          霧化液体
６          エッチングガス
８          チャンバー
【図１】
2017014083.tif 000004
【図２】
2017014083.tif 000005
【図３】
2017014083.tif 000006