(57)【要約】【課題】温度変化による水素検知性能のばらつきが少なくかつ応答性に優れ、配索性及び設置自由度が高い光ファイバ水素センサを提供する。【解決手段】光ファイバ水素センサ１は、中空部２５を有するコア２０と、コア２０の中空部２５に面する内表面を被覆する内部クラッド３０とを有する光ファイバ１０と、光ファイバ１０のコア２０の外表面を被覆する水素感応クラッド４０と、光ファイバ１０の中空部２５内に挿通された加熱手段５０と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空部を有するコアと、前記コアの前記中空部に面する内表面を被覆する内部クラッドとを有する光ファイバと、
前記光ファイバのコアの外表面を被覆する水素感応クラッドと、
前記光ファイバの中空部内に挿通された加熱手段と、
を備えることを特徴とする光ファイバ水素センサ。
【請求項２】
前記水素感応クラッドの屈折率ｎＨは、前記光ファイバのコアの屈折率ｎＣよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ水素センサ。
【請求項３】
前記コアが純粋石英ガラスからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の光ファイバ水素センサ。
【請求項４】
前記内部クラッドがフッ素ドープ石英ガラスからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光ファイバ水素センサ。
【請求項５】
前記加熱手段がニクロム線、カンタル線及び熱風から選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光ファイバ水素センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ水素センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
燃料電池自動車（ＦＣＶ）は、燃料電池で水素と酸素の化学反応により発電し、得られた電気エネルギーでモーターを回転させることにより走行する自動車である。燃料電池は、水素を燃料とし、発電の際に、大気汚染の原因となる窒素酸化物、炭化水素や、地球温暖化の原因と考えられる二酸化炭素を排出しない。このため、燃料電池自動車は、いわゆる環境に優しい自動車であり、今後普及すると考えられている。
【０００３】
しかし、燃料電池の燃料である水素は、爆発限界が低く、空気中に４体積％程度含まれると爆発する。このため、燃料電池自動車には、ｐｐｍオーダーから爆発下限濃度の４体積％までの水素を応答性よく計測することができる水素ガス漏れ検知技術が求められている。
【０００４】
これに対し、特許文献１には、水素感応膜への水素の吸脱着を利用した光ファイバセンサが開示されている。また、特許文献２には、基板上に水素検知膜を設けた水素ガス検知センサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００９／１５４２１６号
【特許文献２】特開２００６−１６２３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された光ファイバセンサには、温度を調整する機構がないため、温度変化により水素の検知性能にばらつきが生じやすいという問題があった。これは、特許文献１の感応膜Ｐｔ／ＷＯ３膜が低温になるほど反応速度が低下することによるものである。また、特許文献１に記載された光ファイバセンサは、中実のファイバであるため、配索性や設置自由度が低い。
【０００７】
また、特許文献２に記載された水素ガス検知センサは、水素感応膜にヒータとなる電極を接触させて加熱するものであり、電極と水素感応膜との一部のみで接触する構造になっている。このため、特許文献２に記載された水素ガス検知センサでは、電極に接触していない水素感応膜が十分に加熱されないため、水素の検知性能にばらつきが生じやすいという問題があった。また、特許文献２に記載された水素ガス検知センサは、硬い基板上に水素感応膜を形成するため、配索性や設置自由度が低い。
【０００８】
なお、仮に特許文献１に記載された光ファイバセンサの外周にヒータを螺旋状に巻きつけた場合でも、電極と水素感応膜とは一部が接触するのみで水素の検知性能にばらつきが生じやすい。また、光ファイバセンサの外周にヒータを螺旋状に巻きつけた場合は、光ファイバセンサへのヒータの固定のために接着剤等を用いるために製造コストが増加する。
【０００９】
このように、従来、温度変化による水素検知性能のばらつきが少なくかつ応答性に優れ、配索性及び設置自由度が高い水素センサは知られていなかった。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、温度変化による水素検知性能のばらつきが少なくかつ応答性に優れ、配索性及び設置自由度が高い光ファイバ水素センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様に係る光ファイバ水素センサは、中空部を有するコアと、前記コアの前記中空部に面する内表面を被覆する内部クラッドとを有する光ファイバと、前記光ファイバのコアの外表面を被覆する水素感応クラッドと、前記光ファイバの中空部内に挿通された加熱手段と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第２の態様に係る光ファイバ水素センサは、前記水素感応クラッドの屈折率ｎＨが、前記光ファイバのコアの屈折率ｎＣよりも小さいことを特徴とする。
【００１３】
本発明の第３の態様に係る光ファイバ水素センサは、前記コアが純粋石英ガラスからなることを特徴とする。
【００１４】
本発明の第４の態様に係る光ファイバ水素センサは、前記内部クラッドがフッ素ドープ石英ガラスからなることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第５の態様に係る光ファイバ水素センサは、前記加熱手段がニクロム線、カンタル線及び熱風から選ばれる１種以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る光ファイバ水素センサは、温度変化による水素検知性能のばらつきが少なくかつ応答性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態に係る光ファイバ水素センサを示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
［光ファイバ水素センサ］
以下、本実施形態の光ファイバ水素センサについて、図面を参照して説明する。
【００１９】
図１は、本実施形態に係る光ファイバ水素センサを示す斜視図である。光ファイバ水素センサ１は、中空部２５を有するコア２０と内部クラッド３０とを有する光ファイバ１０と、光ファイバ１０のコア２０の外表面を被覆する水素感応クラッド４０と、光ファイバ１０の中空部２５内に挿通された加熱手段５０と、を有する。
【００２０】
（光ファイバ）
光ファイバ１０は、中空部２５を有するコア２０と、コア２０の中空部２５に面する内表面を被覆する内部クラッド３０とを有する。
【００２１】
＜コア＞
コア２０は、光ファイバ１０において光を伝搬する媒質である。コア２０中において、光は、内部クラッド３０又は水素感応クラッド４０で全反射されるまで直進する。コア２０は、中実でなく中空部２５を有する。中空部２５は、後述の加熱手段５０を収容するための空間である。中空部２５は、横断面が略円形かつコア２０の長手方向に沿って連続して形成された円筒形状の空間になっている。中空部２５の横断面形状は、コア２０の横断面形状と同心円形状であると、コア２０の厚さが一定であり、光の伝搬特性が良好であるため好ましい。
【００２２】
コア２０の材質としては、例えば、純粋石英ガラス、ゲルマニウムドープ石英ガラス、リンドープ石英ガラス等が用いられる。このうち、純粋石英ガラスは、短波長側の光の損失が低く、耐放射線特性に優れるため好ましい。
【００２３】
コア２０の外径は、特に限定されないが、例えば直径２００〜４００μｍ、好ましくは直径２５０〜３５０μｍである。コア２０の外径がこの範囲内にあると、中空部に設置する発熱体の寸法自由度が確保でき、またガラス製光ファイバの破断が発生しにくいため好ましい。
【００２４】
コア２０の横断面における中空部２５の内径は、特に限定されないが、例えば好ましくは例えば直径１００〜１８０μｍ、好ましくは例えば直径１３０〜１７０μｍである。中空部２５の内径がこの範囲内にあると、中空部２５内にニクロム線等の加熱手段５０を配置することが容易であるため好ましい。
【００２５】
なお、コア２０の径方向の厚さは、通常、コア２０の外径から、中空部２５の内径と後述の内部クラッド３０の厚さの２倍とを減じた残部、の半分となる。例えば、断面が真円のコア２０の外径が３００μｍ、横断面形状がコア２０と同心円形状である中空部２５の内径が１５０μｍ、内部クラッド３０の厚さが均一に５μｍである場合、コア２０の径方向の厚さは７０μｍである。
【００２６】
＜内部クラッド＞
内部クラッド３０は、コア２０の中空部２５に面する内表面を被覆し、コア２０中の伝搬光を全反射する層である。内部クラッド３０は、コア２０中の伝搬光を全反射するために、コア２０よりも屈折率の小さい材質からなる。すなわち、内部クラッド３０の屈折率ｎＩは、コア２０の屈折率ｎＣよりも小さい。
【００２７】
内部クラッド３０の材質としては、例えば、フッ素ドープ石英ガラス、純粋石英ガラス、ホウ素ドープ石英ガラス等が用いられる。なお、コア２０の材質と内部クラッド３０の材質とは、内部クラッド３０の屈折率ｎＩがコア２０の屈折率ｎＣよりも小さくなるように組み合わされる。例えば、コア２０の材質が純粋石英ガラスであるとき、内部クラッド３０の材質としては純粋石英ガラスよりも屈折率が小さいフッ素ドープ石英ガラス等が用いられる。また、コア２０の材質がゲルマニウムドープ石英ガラスであるとき、内部クラッド３０の材質としてはゲルマニウムドープ石英ガラスよりも屈折率が小さい純粋石英ガラス等が用いられる。
【００２８】
本実施形態に係る光ファイバ水素センサでは、コア２０の材質が純粋石英ガラスで、内部クラッド３０の材質がフッ素ドープ石英ガラスであると、内部クラッド３０の形成が容易であるため好ましい。
【００２９】
内部クラッド３０の厚さ（膜厚）は、特に限定されないが、例えば５０〜２００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍである。内部クラッド３０の厚さがこの範囲内にあると、コア２０中の伝搬光量を確実に全反射するとともに、加熱手段５０と接触しても内部クラッド３０の強度が十分であるため好ましい。
【００３０】
（水素感応クラッド）
水素感応クラッド４０は、光ファイバ１０のコア２０の外表面を被覆する層である。水素感応クラッド４０は、白金担持酸化タングステン（Ｐｔ／ＷＯ３）を含む。この白金担持酸化タングステン（Ｐｔ／ＷＯ３）は、コア２０よりも屈折率の小さい材質である。すなわち、水素感応クラッド４０を構成する白金担持酸化タングステン（Ｐｔ／ＷＯ３）の屈折率ｎＨは、コア２０の屈折率ｎＣよりも小さい。このため、水素感応クラッド４０はコア２０中の伝搬光を全反射する。
【００３１】
また、水素感応クラッド４０は、コア２０中の伝搬光を全反射する際にエバネッセント場を生じ、水素感応クラッド４０の外周面から外部に放出されるエバネッセント波（光の染み出し）を生じる。この水素感応クラッド４０から放出されるエバネッセント波は、水素感応クラッド４０を構成する白金担持酸化タングステンへの水素の吸着や脱着により強度が変化し、この結果、水素感応クラッド４０への水素の吸着や脱着に伴ってコア２０中の伝搬光量が変化する。
【００３２】
水素感応クラッド４０への水素の吸着や脱着に伴ってコア２０中の伝搬光量が変化することについて、具体的に説明する。水素感応クラッド４０を構成する白金担持酸化タングステン（Ｐｔ／ＷＯ３）に水素が吸着すると、Ｐｔの存在下で下記式（１）の反応が生じるとともに、下記式（２）の反応が生じる。この際、水素感応クラッド４０ではエバネッセント波吸収係数が増加し、これに伴ってコア２０中の伝搬光量が減少する。
（１／２）Ｈ２  →  １Ｈａｄ      （１）
（Ｈａｄは吸着水素である。）
ＷＯ３＋１Ｈａｄ  →  ＨxＷＯ３    （２）
【００３３】
一方、水素感応クラッド４０を構成する白金担持酸化タングステン（Ｐｔ／ＷＯ３）に吸着していた水素が脱着すると、Ｐｔの存在下で下記式（３）の反応が生じるとともに、下記式（４）の反応が生じる。この際、水素感応クラッド４０ではエバネッセント波吸収係数が減少し、これに伴ってコア２０中の伝搬光量が増加する。
（１／４）Ｏ２  →  （１／２）Ｏａｄ      （３）
（Ｏａｄは吸着酸素である。）
ＨxＷＯ３＋（１／２）Ｏａｄ  →  ＷＯ３＋（１／２）Ｈ２Ｏ    （４）
【００３４】
水素感応クラッド４０の厚さ（膜厚）は、特に限定されないが、例えば５０〜２００ｎｍ、好ましくは例えば１００〜１５０ｎｍである。水素感応クラッド４０の厚さがこの範囲内にあると、コア２０中の伝搬光量を確実に全反射するとともに、水素感応クラッド４０内で十分なエバネッセント場が生じてエバネッセント波を生じさせることができる。
【００３５】
（加熱手段）
加熱手段５０は、光ファイバ１０の中空部２５内に挿通され、光ファイバ１０を介して水素感応クラッド４０を加熱する手段である。
【００３６】
水素感応クラッド４０を構成する白金担持酸化タングステン（Ｐｔ／ＷＯ３）は、水素の吸着や脱着に伴って上記式（１）〜（４）の反応を生じ、エバネッセント波吸収係数が増加又は減少し、コア２０中の伝搬光量が減少又は増加することにより、水素感応クラッド４０の周囲の雰囲気の水素量を検知するものである。しかし、上記式（１）〜（４）の反応の反応速度は、低温になるほど低下するため、低温では水素濃度を正確に検知できないおそれがある。本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、加熱手段５０を用いて水素感応クラッド４０を加熱することにより、上記式（１）〜（４）の反応の反応速度を向上させ、低温でも水素濃度を正確に検知できるようにしたものである。
【００３７】
加熱手段５０としては、例えば、ニクロム線、カンタル線及び熱風から選ばれる１種以上とすることができる。加熱手段５０の直径は、コア２０の中空部２５に挿通可能な大きさであればよく、特に限定されない。なお、加熱手段５０と中空部２５との間に十分な空間が存在すると、光ファイバ水素センサ１の剛性の増加が抑制され、光ファイバ水素センサ１の高い配索性が維持されやすい。加熱手段５０の直径は、例えば１０〜２０μｍ、好ましくは１４〜１６μｍとすることができる。加熱手段５０の長さは、適宜設定される。
【００３８】
なお、図１に示す本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１では、中空部２５に加熱手段５０が３本挿通されている。しかし、光ファイバ水素センサの図示しない他の形態では、加熱手段５０は３本以外の数、例えば、１本、２本、又は４本以上とすることができる。
【００３９】
（作用）
次に、光ファイバ水素センサ１の作用について説明する。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に示す断面図である。図２に示す光ファイバ水素センサ１では、断面図であるため、中空部２５の上下方向に、内部クラッド３０及びコア２０からなる光ファイバ１０、並びに光ファイバ１０の外表面を被覆する水素感応クラッド４０が、２組形成されている。
【００４０】
光ファイバ水素センサ１のコア２０に導入された光Ｌは、内部クラッド３０及び水素感応クラッド４０で全反射しながら光ファイバ水素センサ１の長手方向に伝搬される。コア２０中の光Ｌは、内部クラッド３０に入射しようとしても全反射するだけである。しかし、水素感応クラッド４０の部分Ｓにおいては、エバネッセント場が形成されコア２０中の光Ｌが全反射しつつ光の一部が水素感応クラッド４０の内部に浸透し、エバネッセント波Ｅを生じる。
【００４１】
なお、この水素感応クラッド４０のエバネッセント波吸収係数は、水素感応クラッド４０を構成する白金担持酸化タングステン（Ｐｔ／ＷＯ３）への水素の吸着や脱着により変化する。すなわち、水素感応クラッド４０が置かれた雰囲気中に水素が存在したり水素濃度が増加したりすることにより、水素感応クラッド４０を構成する白金担持酸化タングステン（Ｐｔ／ＷＯ３）に水素が吸着されると、エバネッセント波吸収係数が増加し、コア２０中の光Ｌの伝搬光量が減少する。
【００４２】
一方、水素感応クラッド４０を構成する白金担持酸化タングステン（Ｐｔ／ＷＯ３）に水素が吸着している場合において、水素感応クラッド４０が置かれた雰囲気中に水素が存在しなかったり水素濃度が減少したりすることにより、水素感応クラッド４０を構成する白金担持酸化タングステン（Ｐｔ／ＷＯ３）から水素が脱着すると、エバネッセント波吸収係数が減少し、コア２０中の光Ｌの伝搬光量が増加する。
【００４３】
このため、コア２０中の光Ｌの伝搬光量を測定することにより、光ファイバ水素センサ１の水素感応クラッド４０の周囲の雰囲気中に含まれる水素量を測定することができる。
【００４４】
なお、水素感応クラッド４０を構成する白金担持酸化タングステン（Ｐｔ／ＷＯ３）は、水素の吸着や脱着に伴って上記式（１）〜（４）の反応を生じ、エバネッセント波吸収係数が増加又は減少し、コア２０中の伝搬光量が減少又は増加することにより、水素感応クラッド４０の周囲の雰囲気の水素量を検知するものである。しかし、上記式（１）〜（４）の反応の反応速度は、低温になるほど低下するため、低温では水素濃度を正確に検知できないおそれがある。
【００４５】
これに対し、本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、加熱手段５０を用いて水素感応クラッド４０を加熱することにより、上記式（１）〜（４）の反応の反応速度を向上させる。このため、本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１によれば、周囲温度が低温でも水素濃度を正確に検知することができる。
【００４６】
また、本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、加熱手段５０の温度変化により、水素感応クラッド４０への水素の吸着速度及び脱着量を制御することにより、水素検知性能のばらつきを抑制し測定の応答性を向上させることができる。
【００４７】
（製造方法）
本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、例えば、プリフォーム作製工程、光ファイバ作製工程、加熱手段挿通工程、及び水素感応クラッド形成工程を有する製造方法で製造することができる。
【００４８】
＜プリフォーム作製工程＞
プリフォーム作製工程は、内部クラッド３０及びコア２０からなるプリフォームを作製する工程である。プリフォーム作製工程では、例えば公知のＶＡＤ（Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ａｘｉａｌ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等が用いられる。
【００４９】
＜光ファイバ作製工程＞
光ファイバ作製工程は、プリフォームの中心に中空部２５の元となる孔を開けた後、線引きを行い、所定の外径と所定の内径の中空部２５とを有する光ファイバ１０を作製する工程である。
【００５０】
＜加熱手段挿通工程＞
加熱手段挿通工程は、中空部２５内にニクロム線等の加熱手段５０を挿通する工程である。加熱手段５０の挿通には例えば公知の方法が用いられる。
【００５１】
＜水素感応クラッド形成工程＞
水素感応クラッド形成工程は、光ファイバ１０の外周に水素感応クラッド４０を形成する工程である。水素感応クラッド形成工程としては、例えば、ゾル−ゲル法が用いられる。
【００５２】
上記工程を経ると本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１が得られる。
【００５３】
（効果）
本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、温度変化による水素検知性能のばらつきが少なくかつ応答性に優れ、配索性及び設置自由度が高い。具体的な効果を以下に示す。
【００５４】
従来技術では、水素センサの周囲の温度変化により水素漏れ検知の応答性が変化していた。本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、光ファイバ１０の中空部２５内に加熱手段５０を挿通したため、この加熱手段５０の温度変化により、水素感応クラッド４０への水素の吸着速度及び脱着量を制御することができる。これにより、本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１によれば、水素漏れ検知の応答性のばらつきを抑制し測定の応答性を向上させることができる。
【００５５】
従来技術では、水素感応膜を発熱体で加熱しても、水素感応膜が均一に加熱されずに水素感応膜の部位により温度のばらつきが生じるため、水素センサの検知応答性にばらつきがあった。本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、水素感応クラッド４０と加熱手段５０との距離が一定であり、水素感応クラッド４０が均一に加熱されて水素感応膜の部位により温度のばらつきが生じないため、水素センサの検知応答性にばらつきがない。
【００５６】
従来技術では、巻回等により発熱体を光ファイバ水素センサの外周に取り付けると、光ファイバの周囲に存在する耐熱性のない部品を故障させるおそれがあった。本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、光ファイバ１０の中空部２５内に加熱手段５０を挿通したため、光ファイバ水素センサ１の周囲に存在する耐熱性のない部品への熱の影響が小さく、設置自由度が高い。
【００５７】
従来技術では、巻回等により発熱体を光ファイバ水素センサの外周に取り付けると、発熱体の発熱量の一部が光ファイバの周囲の雰囲気の加熱に用いられるため、熱効率が低かった。本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、光ファイバ１０の中空部２５内に加熱手段５０を挿通したため、加熱手段５０の放熱が水素感応クラッド４０の加熱に有効に用いられ、熱効率が高い。
【００５８】
従来技術では、巻回等により発熱体を光ファイバ水素センサの外周に取り付けると、光ファイバの剛性が高くなり配索性が低下する。本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、光ファイバ１０の中空部２５内に加熱手段５０を挿通したため、剛性の増加を抑制し、高い配索性を有する。
【００５９】
従来技術では、巻回等により発熱体を光ファイバ水素センサの外周に取り付けると、光ファイバの屈曲時に発熱体が伸張されて発熱体が破損したり、光ファイバの剛性の増加により配索性が低下したりする。本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、光ファイバ１０の中空部２５内に加熱手段５０を挿通したため、発熱体の伸張がなく、高い配索性を有する。
【００６０】
従来技術では、巻回等により発熱体を光ファイバ水素センサの外周に取り付けると、発熱体の線径の分だけ光ファイバ水素センサの外径が増加する。本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、光ファイバ１０の中空部２５内に加熱手段５０を挿通したため、外径が増加しない。
【００６１】
従来技術では、巻回等により発熱体を光ファイバ水素センサの外周に取り付けると、発熱体が他部品と物理接触して脱落するおそれがあった。本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、光ファイバ１０の中空部２５内に加熱手段５０を挿通したため、加熱手段５０が脱落しない。
【００６２】
従来技術では、巻回等により発熱体を光ファイバ水素センサの外周に取り付ける場合、発熱体を光ファイバ水素センサに固定するために接着剤等の固定手段が必要になり製造コストが高い。本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、光ファイバ１０の中空部２５内に加熱手段５０を挿通するだけであるため、製造コストを低くすることができる
【００６３】
従来技術では、巻回等により発熱体を光ファイバ水素センサの外周に取り付けると、大気に晒された発熱体が腐食するおそれがあった。本実施形態に係る光ファイバ水素センサ１は、光ファイバ１０の中空部２５内に加熱手段５０を挿通したため、加熱手段５０が実質的に大気に晒されないため。加熱手段５０の腐食のおそれが非常に小さい。
【００６４】
以上、本発明を実施形態によって説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本実施形態に係る光ファイバ水素センサは、例えば、燃料電池自動車（ＦＣＶ）用の水素センサとして使用することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１  光ファイバ水素センサ
１０  光ファイバ
２０  コア
２５  中空部
３０  内部クラッド
４０  水素感応クラッド
５０  加熱手段（発熱体）
Ｓ  水素感応部
Ｌ  光
Ｅ  エバネッセント波
【図１】
2017142206.tif 000003
【図２】
2017142206.tif 000004