(57)【要約】【課題】  １５０℃以上かつ３００℃以下の環境で使用する高温用圧電デバイスにおいて、枠部の熱膨張による諸問題を解決し得る技術を提供する。【解決手段】  圧電デバイス１１は、四角形状の枠部としての第一枠部２６１を有する素子搭載部材２０と、第一枠部２６１の一辺に設けられた一対の素子用パッド２３１，２３２と、接合材としての導電性接着剤２７１，２７２を介して素子用パッド２３１，２３２に固定された圧電素子４０とを備え、１５０℃以上かつ３００℃以下の環境で使用される。そして、第一枠部２６１の素子用パッド２３１，２３２間に、切欠き２８が設けられたことを特徴とする。【選択図】  図１
2017046024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
四角形状の枠部を有する素子搭載部材と、前記枠部の一辺に設けられた一対の素子用パッドと、これらの素子用パッドに接合材を介して固定された一つの圧電素子とを備え、１５０℃以上かつ３００℃以下の環境で使用される高温用圧電デバイスにおいて、
前記枠部の前記一対の素子用パッド間に切欠きが設けられた、
ことを特徴とする高温用圧電デバイス。
【請求項２】
前記切欠きは、前記枠部の内側の端から前記枠部の外側へ向けて長さＬ１で形成され、
前記素子用パッドは、前記枠部の内側の端から前記枠部の外側へ向けて長さＬ２の領域に形成され、
Ｌ１＞Ｌ２が成り立つ、
請求項１記載の高温用圧電デバイス。
【請求項３】
前記枠部は長方形状であり、
前記一辺を挟む二辺に平行な前記枠部の中心線を引いたとき、
前記一対の素子用パッドは前記中心線に対して互いに対称に位置し、
前記切欠きは前記中心線上に形成された、
請求項１又は２記載の高温用圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１５０℃以上かつ３００℃以下の環境で使用される、水晶発振器などの高温用圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な圧電デバイスとして、四角形状の枠部を有する素子搭載部材と、枠部の一辺に設けられた二つの素子用パッドと、これらの素子用パッドに接合材を介して固定された一つの圧電素子と、を備えたものが知られている。例えば、そのような圧電デバイスとして、ＩＣチップをフリップチップで実装したもの（特許文献１、２参照）や、ＩＣチップをワイヤボンディングで実装したもの（特許文献３参照）も知られている。圧電素子としては、例えば水晶振動素子が用いられる。その水晶振動素子は、四角形の板状の水晶片からなり、一辺の二点でのみ導電性接着剤を介して素子用パッドに固定される。つまり、水晶振動素子は、一端を固定しておき他端を自由にした片持梁状に、枠部に固定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１７１１８１号公報
【特許文献２】特開２０１４−１８７６４１号公報
【特許文献３】特開２０１３−２３９７９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の圧電デバイスは、１５０℃以上かつ３００℃以下の環境で使用すると、次のような問題を生じる。
【０００５】
このような環境下の圧電デバイスでは、枠部の熱膨張が無視できなくなる。つまり、枠部の熱膨張に起因して枠部が歪むことにより、枠部の素子用パッドに接合材を介して固定された圧電素子の信頼性が低下する。
【０００６】
例えば、次のような問題が生ずる。(1)枠部の歪みによって圧電素子の保持姿勢が変わることにより、発振周波数などの電気的特性が変動する。(2)枠部の歪みによって接合材に応力が加わることにより、その接合力が低下する。その結果、接合材の抵抗値が増大して、圧電素子のＣＩ（Crystal Impedance）値を上げる。また、接合材が剥がれるおそれがある。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、１５０℃以上かつ３００℃以下の環境で使用する高温用圧電デバイスにおいて、枠部の熱膨張による諸問題を解決し得る技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る高温用圧電デバイスは、四角形状の枠部を有する素子搭載部材と、前記枠部の一辺に設けられた一対の素子用パッドと、これらの素子用パッドに接合材を介して固定された一つの圧電素子とを備え、１５０℃以上かつ３００℃以下の環境で使用されるものにおいて、前記枠部の前記一対の素子用パッド間に切欠きが設けられた、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、枠部の一対の素子用パッド間に切欠きを設けたことにより、枠部の熱膨張による枠部の歪みを切欠きで緩和できるので、枠部の熱膨張による諸問題を解決できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態１の圧電デバイスを一部を切り欠いて示す分解斜視図である。
【図２】実施形態１の圧電デバイスを示し、図２［Ａ］は平面図、図２［Ｂ］は図２［Ａ］におけるIIb−IIb線断面図である。
【図３】図３［Ａ］は図１における第一枠部及び素子用パッドを示す部分平面図、図３［Ｂ］は図３［Ａ］におけるIIIb−IIIb線断面図である。
【図４】図４［Ａ１］は図３［Ａ］におけるIV−IV線断面図（その１）であり、図４［Ｂ１］は図４［Ａ１］に対応する従来例である。図４［Ａ２］は図３［Ａ］におけるIV−IV線断面図（その２）であり、図４［Ｂ２］は図４［Ａ２］に対応する従来例である。
【図５】実施形態１における切欠きの変形例を示す部分平面図であり、図５［Ａ］は第一例、図５［Ｂ］は第二例である。
【図６】実施形態２の圧電デバイスを一部を切り欠いて示す分解斜視図である。
【図７】実施形態２の圧電デバイスを示し、図７［Ａ］は平面図、図７［Ｂ］は図７［Ａ］におけるVIIb−VIIb線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、見やすさ書きやすさを優先しているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。「高温用圧電デバイス」は「圧電デバイス」と略称する。
【００１２】
図１は、実施形態１の圧電デバイスを一部を切り欠いて示す分解斜視図である。図２は、実施形態１の圧電デバイスを示し、図２［Ａ］は平面図、図２［Ｂ］は図２［Ａ］におけるIIb−IIb線断面図である。図３［Ａ］は図１における第一枠部及び素子用パッドを示す部分平面図、図３［Ｂ］は図３［Ａ］におけるIIIb−IIIb線断面図である。
【００１３】
まず、本実施形態１の圧電デバイス１１の構成を概略的に説明する。
【００１４】
図１及び図２に示すように、圧電デバイス１１は、四角形状の枠部としての第一枠部２６１を有する素子搭載部材２０と、第一枠部２６１の一辺に設けられた一対の素子用パッド２３１，２３２と、接合材としての導電性接着剤２７１，２７２を介して素子用パッド２３１，２３２に固定された圧電素子４０とを備え、１５０℃以上かつ３００℃以下の環境で使用される。そして、第一枠部２６１の素子用パッド２３１，２３２間に、切欠き２８が設けられたことを特徴とする。
【００１５】
図３［Ａ］に示すように、切欠き２８は、第一枠部２６１の内側の端から第一枠部２６１の外側へ向けて長さＬ１で形成されている。素子用パッド２３１，２３２は、第一枠部２６１の内側の端から第一枠部２６１の外側へ向けて長さＬ２の領域に形成されている。そして、Ｌ１＞Ｌ２が成り立つ。
【００１６】
第一枠部２６１は長方形状である。ここで、図３［Ａ］に示すように、第一枠部２６１において、素子用パッド２３１，２３２が設けられた一辺２２１を挟む二辺２２２，２２３に平行な、第一枠部２６１の中心線２２を引く。このとき、一対の素子用パッド２３１，２３２は中心線２２に対して互いに対称に位置し、切欠き２８は中心線２２上に形成されている。
【００１７】
圧電デバイス１１は、ＩＣチップ５０及び蓋部材３０を更に備えている。素子搭載部材２０は、第二枠部２６２及び基板部２５を更に有する。基板部２５は第一枠部２６１の内側を塞ぐように設けられ、ＩＣチップ５０は基板部２５に固定される。蓋部材３０は、素子搭載部材２０上に設けられる。凹部空間２１は、素子搭載部材２０に形成され、水晶振動素子４０及びＩＣチップ５０を収容する。
【００１８】
つまり、素子搭載部材２０は、ＩＣチップ５０を搭載する第一底面２１１を有する基板部２５と、水晶振動素子４０を搭載する第二底面２１２を有するとともに基板部２５の周縁上に設けられた第一枠部２６１と、第一枠部２６１の周縁上に設けられた第二枠部２６２とからなる。基板部２５と第一枠部２６１及び第二枠部２６２によって囲まれた空間が、凹部空間２１である。
【００１９】
このように、圧電デバイス１１は、水晶振動素子４０を備えた表面実装型の水晶発振器である。水晶発振器は、装置の基準クロック信号源となるため、他の電子部品よりも高い信頼性が要求される。
【００２０】
次に、圧電デバイス１１の構成について更に詳しく説明する。
【００２１】
圧電デバイス１１は、水晶振動素子４０及びＩＣチップ５０が素子搭載部材２０に搭載された状態で、素子搭載部材２０と蓋部材３０とがシーム溶接やガラス封止によって接合されることにより、水晶振動素子４０及びＩＣチップ５０が凹部空間２１内に気密封止された構造となっている。
【００２２】
水晶振動素子４０は、表裏関係にある上面４１及び下面４２を有する水晶片４３と、水晶片４３の上面４１から下面４２まで延設された電極４４１，４４２と、を備えている。水晶片４３は例えばＡＴカット板からなる。電極４４１，４４２は、互いに絶縁されており、それぞれ励振電極、引き出し電極、パッド電極などに分けられ、上面４１から側面を跨いで下面４２まで延びている。このように、水晶振動素子４０は厚みすべり振動素子であるが、これに代えて音叉型屈曲振動素子や輪郭すべり振動素子を用いてもよい。また、水晶振動素子４０の代わりに、セラミックスなどからなる圧電素子を用いてもよい。
【００２３】
素子搭載部材２０を構成する基板部２５、第一枠部２６１及び第二枠部２６２は、例えば複数枚のグリーンシートが積層及び焼成された積層セラミックス板からなる。この場合、第一枠部２６１となる各グリーンシートには、切欠き２８となる形状が打ち抜きなどによって形成される。第一枠部２６１は基板部２５の周縁上に、第二枠部２６２は第一枠部２６１の周縁上に、それぞれ環状に設けられている。内部配線（図示せず）は、例えばグリーンシートに印刷された導体パターンやビアホール導体からなる。凹部空間２１の第一底面２１１にはＩＣ用パッド２４が設けられ、第二底面２１２には素子用パッド２３１，２３２が設けられている。ＩＣ用パッド２４及び素子用パッド２３１，２３２は、例えば表面のＡｕ（金）層と、その下地のＮｉ（ニッケル）層とからなる。
【００２４】
素子用パッド２３１，２３２は、水晶振動素子４０の電極４４１，４４２に対向する位置に設けられ、導電性接着剤２７１，２７２によって電極４４１，４４２に電気的に接続される。導電性接着剤２７１，２７２は、例えば銀入りエポキシ樹脂などであり、硬化前は流動性を有する。基板部２５の四隅の突端面には、それぞれ表面実装用の外部接続端子２９が設けられている。外部接続端子２９には、例えば、周波数制御端子、接地端子、出力端子、電源電圧端子などがある。なお、素子用パッド２３１，２３２、ＩＣ用パッド２４及び外部接続端子２９は、内部配線（図示せず）によって相互にかつ電気的に接続されている。導電性接着剤２７１，２７２の代わりに、はんだなどの接合材を用いてもよい。
【００２５】
ＩＣチップ５０は、水晶振動素子４０の発振回路等の機能を有し、接続端子がバンプ５１になっているフリップチップ（以下「ＦＣ（Flip Chip）という。」である。バンプ５１は、例えば金やはんだからなり、ＩＣ用パッド２４に電気的に接続される。バンプ５１とＩＣ用パッド２４とは、同じ数だけ設けられている。つまり、ＩＣチップ５０のバンプ５１を含む回路形成面を第一底面２１１のＩＣ用パッド２４に向けて、すなわちフェイスダウンで、ＩＣチップ５０をバンプ５１を介して素子搭載部材２０に実装する。
【００２６】
蓋部材３０は、例えばコバール（Kovar）などの金属又はセラミックスなどからなり、矩形形状の平板となっている。また、蓋部材３０は、素子搭載部材２０に電気溶接又はガラス封止などにより接合され、凹部空間２１を気密封止する。
【００２７】
次に、圧電デバイス１１の組み立て方法について説明する。
【００２８】
まず、凹部空間２１の第一底面２１１にＩＣチップ５０のバンプ５１の形成面を向け、ＩＣ用パッド２４とバンプ５１との位置を合わせ、ＩＣ用パッド２４にバンプ５１を押し付けるとともに熱又は超音波を加えることによって、ＩＣ用パッド２４にバンプ５１を接合する。
【００２９】
続いて、第二底面２１２において、素子用パッド２３１，２３２に、導電性接着剤２７１，２７２を塗布する。そして、導電性接着剤２７１，２７２に、水晶振動素子４０の電極４４１，４４２を載置し、室温中又は高温中で導電性接着剤２７１，２７２を硬化させる。
【００３０】
最後に、素子搭載部材２０の凹部空間２１を、蓋部材３０によって封止する。これにより、圧電デバイス１１が完成する。
【００３１】
次に、圧電デバイス１１の作用及び効果について説明する。
【００３２】
（１）圧電デバイス１１によれば、第一枠部２６１の一対の素子用パッド２３１，２３２間に切欠き２８を設けたことにより、第一枠部２６１の熱膨張による第一枠部２６１の歪みを切欠き２８で緩和できるので、第一枠部２６１の熱膨張による諸問題を解決できる。
【００３３】
ここで、熱膨張による第一枠部２６１の歪みを切欠き２８で緩和できる理由について説明する。図４［Ａ１］は図３［Ａ］におけるIV−IV線断面図（その１）であり、図４［Ｂ１］は図４［Ａ１］に対応する従来例である。図４［Ａ２］は図３［Ａ］におけるIV−IV線断面図（その２）であり、図４［Ｂ２］は図４［Ａ２］に対応する従来例である。第一枠部２６１の歪みは、「伸び」と「反り」が複合したものと考えることができる。まず、「伸び」について説明する。
【００３４】
図３［Ａ］において、中心線２２に直交する方向における第一枠部２６１の寸法を、幅と定義する。図４［Ａ１］に示すように、素子用パッド２３１が設けられた第一枠部２６１の幅Ｗａ１と、素子用パッド２３２が設けられた第一枠部２６１の幅Ｗａ２とは、等しい。幅Ｗａ１，Ｗａ２は、熱膨張後に幅Ｗａ１’，Ｗａ２’に増加する。このとき、温度上昇をΔＴ、線膨張率をαとすると、伸びΔＷａは、次式で与えられる。
ΔＷａ＝α×（Ｗａ１＋Ｗａ２）×ΔＴ
【００３５】
一方、図４［Ｂ１］に示すように、切欠き２８が設けられていない第一枠部２６０を従来例とする。従来例のその他の構成は、本実施形態１と同じである。第一枠部２６０の幅Ｗｂは、熱膨張後に幅Ｗｂ’に増加する。このときの伸びΔＷｂは、次式で与えられる。
ΔＷｂ＝α×Ｗｂ×ΔＴ
【００３６】
切欠き２８は第一枠部２６１に有って第一枠部２６０には無いため、（Ｗａ１＋Ｗａ２）＜ＷｂであるからΔＷａ＜ΔＷｂとなる。したがって、本実施形態１における第一枠部２６１は、従来例における第一枠部２６０よりも切欠き２８の幅Ｗの分、熱膨張による伸びを抑えることができる。
【００３７】
続いて「反り」について説明する。第一枠部２６１はセラミックスからなり、素子用パッド２３１，２３２は金属からなる。そのため、「反り」は第一枠部２６１と素子用パッド２３１，２３２との熱膨張率差によって生ずる。図４［Ａ２］に示す第一枠部２６１では、二つの反りＣ１，Ｃ２が切欠き２８の存在によって分断されるので、全体として小さな反りＣ１，Ｃ２が二つ生じるだけである。
【００３８】
一方、図４［Ｂ２］に示す第一枠部２６０では、二つの反りが連続することにより、全体として大きな反りＣ０が一つ生じることになる。したがって、本実施形態１における第一枠部２６１は、従来例における第一枠部２６０よりも、熱膨張による反りを抑えることができる。
【００３９】
このように、本実施形態１によれば、熱膨張による伸び及び反りを従来例よりも抑えられることからわかるように、熱膨張による第一枠部２６１の歪みを切欠き２８で緩和できる。
【００４０】
（２）図３［Ａ］に示すようにＬ１＞Ｌ２とする場合は、切欠き２８が十分に長くなるので、熱膨張による第一枠部２６１の歪みが素子用パッド２３１，２３２へ影響することを、より抑えることができる。
【００４１】
（３）図３［Ａ］に示すように、一対の素子用パッド２３１，２３２が中心線２２に対して互いに対称に位置し、切欠き２８が中心線２２上に形成されている場合は、熱膨張による第一枠部２６１の歪みの影響を、素子用パッド２３１と素子用パッド２３２とで均一化できるので、水晶振動素子４０へ影響を最小限にできる。
【００４２】
（４）図３［Ａ］に示す切込み２８の長さＬ１及び幅Ｗ並びに図３［Ｂ］に示す切込み２８の深さＤは、第一枠部２６１の強度を十分に保てれば、できるだけ大きい値とすることが効果面から望ましい。図３［Ｂ］に示す切込み２８の深さＤは、第一枠部２６１の厚みに相当しているが、第一枠部２６１の厚み方向の途中まででもよいし、基板部２５の一部に入り込んでもよい。切欠き２８の平面形状は、図３［Ａ］に示す長さＬ１かつ幅Ｗの長方形状に限らずどのような形状でもよく（後述）、深さ方向に変化させてもよい。
【００４３】
換言すると、圧電デバイス１１の作用及び効果は次のとおりである。
【００４４】
例えば温泉掘削機や石油掘削ドリルに使われる圧電デバイスは、１５０℃以上かつ３００℃以下の高温及び激しい振動に耐えられる信頼性が要求される。そこで、本実施形態１では、第一枠部２６１の素子用パッド２３１，２３２間に切欠き２８を設ける。切欠き２８を設けることにより、切欠き２８において応力を分散できるので、素子用パッド２３１，２３２の変位量を従来と比較して小さくできる。この結果、熱膨張によって素子搭載部材２０が歪むことによる電気的特性の悪化を軽減できる。
【００４５】
次に、本実施形態１における切欠きの変形例について説明する。図５は切欠きの変形例を示す部分平面図であり、図５［Ａ］は第一例、図５［Ｂ］は第二例である。
【００４６】
図５［Ａ］に示す第一例の切欠き２８ａの平面形状は、長方形状の先端が丸穴２８１になっている。丸穴２８１によって、熱膨張による第一枠部２６１の歪み（応力集中）をより緩和できる。丸穴２８１の半径は、第一枠部２６１の強度を十分に保てれば、できるだけ大きい値とすることが効果面から望ましい。
【００４７】
図５［Ｂ］に示す第二例の切欠き２８ｂの平面形状は、開き角θの三角形状の先端が半円２８２になっている。このような形状によっても、熱膨張による第一枠部２６１の歪み（応力集中）をより緩和できる。開き角θ及び半円２８２の半径は、第一枠部２６１の強度を十分に保てれば、できるだけ大きい値とすることが効果面から望ましい。
【００４８】
次に、実施形態２の圧電デバイスについて説明する。図６は、実施形態２の圧電デバイスを一部を切り欠いて示す分解斜視図である。図７は、実施形態２の圧電デバイスを示し、図７［Ａ］は平面図、図７［Ｂ］は図７［Ａ］におけるVIIb−VIIb線断面図である。
【００４９】
実施形態１の圧電デバイスはＩＣチップをＦＣ実装するタイプであるのに対し、本実施形態２の圧電デバイス１２はＩＣチップ７０をワイヤボンディング実装するタイプである。
【００５０】
圧電デバイス１２は、四角形状の枠部としての第二枠部６６２を有する素子搭載部材６０と、第二枠部６６２の一辺に設けられた一対の素子用パッド２３１，２３２と、接合材としての導電性接着剤２７１，２７２を介して素子用パッド２３１，２３２に固定された圧電素子４０とを備え、１５０℃以上かつ３００℃以下の環境で使用される。そして、第二枠部６６２の素子用パッド２３１，２３２間に、切欠き６８が設けられたことを特徴とする。
【００５１】
素子搭載部材６０は、ＩＣチップ７０を搭載する第一底面２１１を有する基板部２５と、ＩＣ用パッド６４を搭載する第二底面６１２を有するとともに基板部２５の周縁上に設けられた第一枠部６６１と、水晶振動素子４０を搭載する第三底面６１３を有するとともに第一枠部６６１の周縁上に設けられた第二枠部６６２と、第二枠部６６２の周縁上に設けられた第三枠部６６３とからなる。基板部２５と第一枠部６６１、第二枠部６６２及び第三枠部６６３とによって囲まれた空間が、凹部空間６１である。
【００５２】
素子搭載部材２０を構成する基板部２５、第一枠部６６１、第二枠部６６２及び第三枠部６６３は、例えば複数枚のグリーンシートが積層及び焼成された積層セラミックス板からなる。この場合、第二枠部６６２となる各グリーンシートには、既に切欠き６８となる形状が形成されている。第一枠部６６１は基板部２５の周縁上に、第二枠部６６２は第一枠部６６１の周縁上に、第三枠部６６３は第二枠部６６２の周縁上に、それぞれ環状に設けられている。
【００５３】
凹部空間６１の第一底面２１１には、ＩＣチップ７０が例えば接着剤などによってダイボンディングされている。第二底面６１２にはＩＣ用パッド６４、第三底面６１３には素子用パッド２３１，２３２がそれぞれ設けられている。ＩＣ用パッド６４とＩＣチップ７０とは、Ａｌ（アルミニウム）ワイヤ７２によって接続されている。ＩＣ用パッド６４は、例えば、Ａｌワイヤ７２が接するＡｕ層と、その下地のＮｉ層とからなる。
【００５４】
ＩＣチップ７０は、水晶振動素子４０の発振回路等からなり、接続端子である電極７１を有する。電極７１は、例えばＡｌ層やＡｕ層からなり、Ａｌワイヤ７２を介してＩＣ用パッド６４に電気的に接続される。つまり、電極７１とＩＣ用パッド６４とは、同じ数だけ設けられている。Ａｌワイヤ７２は、文字通りＡｌからなるワイヤであり、両端が電極７１及びＩＣ用パッド６４にそれぞれ電気的に接続される。その接続方法は、超音波によるワイヤボンディングである。
【００５５】
次に、圧電デバイス１２の組み立て方法について説明する。まず、凹部空間６１の第一底面２１１にＩＣチップ７０をダイボンディングする。続いて、ＩＣチップ７０の電極７１及び第二底面６１２のＩＣ用パッド６４に、Ａｌワイヤ７２をワイヤボンディングする。続いて、第三底面６１３の素子用パッド２３１，２３２に、水晶振動素子４０の電極４４１，４４２を、導電性接着剤２７１，２７２を介して載置する。最後に、素子搭載部材６０の凹部空間６１を、蓋部材３０によって封止する。これにより、圧電デバイス１２が完成する。
【００５６】
次に、圧電デバイス１２の作用及び効果について説明する。圧電デバイス１２によれば、第二枠部６６２の一対の素子用パッド２３１，２３２間に切欠き６８を設けたことにより、第二枠部６６２の熱膨張による第二枠部６６２の歪みを切欠き６８で緩和できるので、第二枠部６６２の熱膨張による諸問題を解決できる。
【００５７】
本実施形態２のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。
【００５８】
以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、水晶やセラミックスからなる圧電素子を備えた圧電デバイスに利用可能であり、特に温泉掘削機や石油掘削ドリル等で使われる水晶発振器に好適である。
【符号の説明】
【００６０】
＜実施形態１＞
１１  圧電デバイス（高温用圧電デバイス）
２０  素子搭載部材
２１  凹部空間
２１１  第一底面
２１２  第二底面
２２  中心線
２２１  一辺
２２２，２２３  二辺
２３１，２３２  素子用パッド
２４  ＩＣ用パッド
２５  基板部
２６０  第一枠部（従来例）
２６１  第一枠部（枠部）
２６２  第二枠部
２７１，２７２  導電性接着剤（接合材）
２８，２８ａ，２８ｂ  切欠き
２８１  丸穴
２８２  半円
２９  外部接続端子
３０  蓋部材
４０  水晶振動素子（圧電素子）
４１  上面
４２  下面
４３  水晶片
４４１，４４２  電極
５０  ＩＣチップ
５１  バンプ
＜実施形態２＞
１２  圧電デバイス（高温用圧電デバイス）
６０  素子搭載部材
６１  凹部空間
６１２  第二底面
６１３  第三底面
６４  ＩＣ用パッド
６６１  第一枠部
６６２  第二枠部（枠部）
６６３  第三枠部
６８  切欠き
７０  ＩＣチップ
７１  電極
７２  Ａｌワイヤ
【図１】
2017046024.tif 000003
【図２】
2017046024.tif 000004
【図３】
2017046024.tif 000005
【図４】
2017046024.tif 000006
【図５】
2017046024.tif 000007
【図６】
2017046024.tif 000008
【図７】
2017046024.tif 000009