(57)【要約】【課題】簡単な手法で温度による輝度と階調性の変化を抑制することができる電気光学装置を提供する。【解決手段】本実施形態の電気光学装置は、発光素子と発光素子を駆動する駆動トランジスタと駆動トランジスタのゲート電圧を保持する保持容量とを有する画素回路を複数有する表示部と、表示部の周囲温度を検知する温度検知部と、画像データの階調値に応じた電圧を保持容量に充電するためのデータ信号を、第１基準電圧と第１基準電圧と異なる電圧の第２基準電圧とに基づいて生成するデータ信号生成部と、温度検知部の検知結果に基づいて第１基準電圧および第２基準電圧を調整する制御部とを備える。【選択図】図２
2017142439.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と前記発光素子を駆動する駆動トランジスタと前記駆動トランジスタのゲート電圧を保持する保持容量とを有する画素回路を複数有する表示部と、
前記表示部の周囲温度を検知する温度検知部と、
画像データの階調値に応じた電圧を前記保持容量に充電するためのデータ信号を、第１基準電圧と前記第１基準電圧と異なる電圧の第２基準電圧とに基づいて生成するデータ信号生成部と、
前記温度検知部の検知結果に基づいて前記第１基準電圧および前記第２基準電圧を調整する制御部と
を備える電気光学装置。
【請求項２】
前記制御部が、前記温度検知部が検知した温度変化に対して第１電圧調整幅で前記第１基準電圧を調整するとともに、前記温度変化に対して前記第１電圧調整幅と異なる第２電圧調整幅で前記第２基準電圧を調整する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記制御部による前記調整において、
前記第１基準電圧が低階調側の基準電圧であり、
前記第２基準電圧が高階調側の基準電圧であり、
前記第１電圧調整幅が前記第２電圧調整幅より大きい
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記制御部による前記調整において、
前記第１基準電圧と前記第２基準電圧との電圧差が前記温度検知部が検知した前記周囲温度が高いほど大きい
請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記制御部が、前記温度検知部が検知した温度を変数とする第１の一次関数を用いて前記第１基準電圧を決定し、前記温度を変数とする前記第１の一次関数と傾きが異なる第２の一次関数を用いて前記第２基準電圧を決定する
請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記制御部が、前記温度検知部の検知結果に基づいて前記第１基準電圧および前記第２基準電圧を離散的に決定して調整する
請求項１から５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置を
含む電子機器。
【請求項８】
発光素子と前記発光素子を駆動する駆動トランジスタと前記駆動トランジスタのゲート電圧を保持する保持容量とを有する画素回路を複数有する表示部と、
前記表示部の周囲温度を検知する温度検知部と、
画像データの階調値に応じた電圧を前記保持容量に充電するためのデータ信号を、第１基準電圧と前記第１基準電圧と異なる電圧の第２基準電圧とに基づいて生成するデータ信号生成部と
を備える電気光学装置において、
制御部によって、前記温度検知部の検知結果に基づいて前記第１基準電圧および前記第２基準電圧を調整する
駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器および駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置において温度の変化による発光輝度と階調性の変化を抑えるための技術の例が特許文献１および特許文献２に記載されている。特許文献１および特許文献２に記載されている電気光学装置では、発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスタのゲート電圧とドレイン−ソース電流との関係が温度によって変化する。このため、特許文献１および特許文献２に記載されている電気光学装置では、温度に応じて駆動トランジスタのゲート電圧を変化させることでドレイン−ソース電流の変化を抑え、発光輝度の温度変化を抑制する。その際、駆動トランジスタのゲート電圧は、すべての階調のデータ電圧に対して共通の温度に応じた変化量をオフセットさせることで調整される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２６７３４号公報
【特許文献２】特開２０１０−９１７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、電気光学装置では、発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスタの温度変化による特性変化量は階調によって異なる。したがって、すべての階調のデータ電圧に対して共通の温度に応じた変化量をオフセットさせる構成では、温度変化によって階調毎の輝度が変化してしまう。すなわち、例えば、高輝度側の温度変化による輝度変化を抑制するように変化量を設定した場合には低輝度側の輝度変化を抑制できなかったり、低輝度側の温度変化による輝度変化を抑制するように変化量を設定した場合には高輝度側の輝度変化を抑制できなかったりする。このため、温度によっては、γ特性（ガンマ特性）が変化してしまったり、色が変化してしまったりする課題があった。
【０００５】
本発明は上記課題を解決するものであり、簡単な手法で温度による輝度と階調性の変化を抑制することができる電気光学装置、電子機器および駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の一態様は、発光素子と前記発光素子を駆動する駆動トランジスタと前記駆動トランジスタのゲート電圧を保持する保持容量とを有する画素回路を複数有する表示部と、前記表示部の周囲温度を検知する温度検知部と、画像データの階調値に応じた電圧を前記保持容量に充電するためのデータ信号を、第１基準電圧と前記第１基準電圧と異なる電圧の第２基準電圧とに基づいて生成するデータ信号生成部と、前記温度検知部の検知結果に基づいて前記第１基準電圧および前記第２基準電圧を調整する制御部とを備える電気光学装置である。
【０００７】
上記構成によれば、制御部によって第１基準電圧および第２基準電圧の両方を温度に応じて調整するので、簡単な手法で温度による輝度と階調性の変化を抑制することができる。
【０００８】
また、本発明の一態様は、上記の電気光学装置であって、前記制御部が、前記温度検知部が検知した温度変化に対して第１電圧調整幅で前記第１基準電圧を調整するとともに、前記温度変化に対して前記第１電圧調整幅と異なる第２電圧調整幅で前記第２基準電圧を調整する。
【０００９】
上記構成によれば、例えば温度による輝度と階調性の変化を低階調側（低輝度側）と高階調側（高輝度側）の両側で抑制することができる。
【００１０】
また、本発明の一態様は、上記の電気光学装置であって、前記制御部による前記調整において、前記第１基準電圧が低階調側の基準電圧であり、前記第２基準電圧が高階調側の基準電圧であり、前記第１電圧調整幅が前記第２電圧調整幅より大きい。
【００１１】
上記構成によれば、温度変化による低階調側の大きな特性変化を抑制するとともに、高階調側の小さな特性変化を抑制することができる。
【００１２】
また、本発明の一態様は、上記の電気光学装置であって、前記制御部による前記調整において、前記第１基準電圧と前記第２基準電圧との電圧差は前記温度検知部が検知した前記周囲温度が高いほど大きい。
【００１３】
上記構成によれば、大きな温度変化による特性変化を抑制するとともに、小さな温度変化による特性変化を抑制することができる。
【００１４】
また、本発明の一態様は、上記の電気光学装置であって、前記制御部が、前記温度検知部が検知した温度を変数とする第１の一次関数を用いて前記第１基準電圧を決定し、前記温度を変数とする前記第１の一次関数と傾きが異なる第２の一次関数を用いて前記第２基準電圧を決定する。
【００１５】
上記構成によれば、例えば記憶領域を削減しつつ簡単な計算で第１基準電圧と第２基準電圧とを決定することができる。
【００１６】
また、本発明の一態様は、上記の電気光学装置であって、前記制御部が、前記温度検知部の検知結果に基づいて前記第１基準電圧および前記第２基準電圧を離散的に決定して調整する。
【００１７】
上記構成によれば、例えば温度検出部がデジタル信号を出力する場合に簡単に対応することができる。
【００１８】
また、本発明の一態様は、上記の電気光学装置を含む電子機器である。
【００１９】
上記構成によれば、制御部によって第１基準電圧および第２基準電圧の両方を温度に応じて調整するので、簡単な手法で温度による輝度と階調性の変化を抑制することができる。
【００２０】
また、本発明の一態様は、発光素子と前記発光素子を駆動する駆動トランジスタと前記駆動トランジスタのゲート電圧を保持する保持容量とを有する画素回路を複数有する表示部と、前記表示部の周囲温度を検知する温度検知部と、画像データの階調値に応じた電圧を前記保持容量に充電するためのデータ信号を、第１基準電圧と前記第１基準電圧と異なる電圧の第２基準電圧とに基づいて生成するデータ信号生成部とを備える電気光学装置において、制御部によって、前記温度検知部の検知結果に基づいて前記第１基準電圧および前記第２基準電圧を調整する駆動方法である。
【００２１】
上記構成によれば、制御部によって第１基準電圧および第２基準電圧の両方を温度に応じて調整するので、簡単な手法で温度による輝度と階調性の変化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態における電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】図１に示したデータ線駆動回路３０の構成例を示すブロック図である。
【図３】図２に示した階調電圧生成回路３７の構成例を示す回路図である。
【図４】図１に示した画素回路１００の構成例を示す回路図である。
【図５】図４に示した画素回路１００の動作例を示すタイミング図である。
【図６】図４に示したトランジスタ１０１の温度特性（Ｉｄ−Ｖｇｓ特性）を示す図である。
【図７】図４に示したトランジスタ１０１の温度特性（２５℃と５０℃の電流比）を示す図である。
【図８】参考例の階調値−輝度特性（補正なし）を示す図である。
【図９】参考例の階調値−輝度比特性（補正なし、２５℃と５０℃の輝度比）を示す図である。
【図１０】本実施形態におけるデータ電圧と輝度の関係を示す図である。
【図１１】本実施形態における階調値とデータ電圧の関係を示す図である。
【図１２】本実施形態における温度とデータ電圧の関係の一例を示す図である。
【図１３】本実施形態と比較例の階調値−輝度比特性を示す図である。
【図１４】図３に示した階調電圧生成回路３７の変形例を示す回路図である。
【図１５】図１４に示した階調電圧生成回路３７ａを用いた場合のデータ電圧と輝度の関係を示す図である。
【図１６】図１４に示した階調電圧生成回路３７ａを用いた場合の階調値とデータ電圧の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る電気光学装置の構成例を示す。電気光学装置１は、表示部１０と、走査線駆動回路２０と、データ線駆動回路３０と、制御回路４０と、電源回路５０と、温度センサー６０とを備える。これらの構成のうち、例えば、表示部１０、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、電源回路５０および温度センサー６０は、シリコン基板等の半導体基板上に形成されている。温度センサー６０は、例えばサーミスタ、半導体センサー等を備えていて、表示部１０の周囲温度を検知し、検知した結果を制御回路４０へ出力する。制御回路４０の少なくとも一部は、シリコン基板等の半導体基板上に形成されてもよい。
【００２４】
表示部１０は、マトリックス状に配列されている複数の画素回路１００を備えている。画素回路１００は、発光素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode；有機発光ダイオード）を有している。複数の画素回路１００は、それぞれが同一の構成を有する。表示部１０には、走査線駆動回路２０からｍ行（ｍは２以上の整数）分の走査信号ＧＷＲが供給されるとともに、データ線駆動回路３０から３ｎ列（ｎは２以上の整数）分のデータ信号ＶＥが供給される。データ信号ＶＥを供給する配線は表示部１０内で図に向かって垂直方向に配列され、走査信号ＧＷＲを供給する配線は表示部１０内で図に向かって水平方向に配列されている。各画素回路１００は、データ信号ＶＥを供給する３ｎ列分の配線と走査信号ＧＷＲを供給するｍ行分の配線とが交差する部分に配置されている。各３個の画素回路１００は、各１個の画素回路グループ１１を構成する。１つの画素回路グループ１１内の３つの画素回路１００は、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、およびＢ（青）の画素に対応し、カラー画像を構成する画素の１ドットを表現する。
【００２５】
制御回路４０は、走査線駆動回路２０に対して制御信号Ｃｔｒ１を供給するとともに、データ線駆動回路３０に対して制御信号Ｃｔｒ２を供給する。また、制御回路４０は、データ線駆動回路３０に対して各行の画素に対応した画像データを行毎に供給する。また、制御回路４０は、電源回路５０による各種の電源電圧の生成を制御する。制御信号Ｃｔｒ１は、走査線駆動回路２０を制御するためのパルス信号である垂直同期信号、水平同期信号、クロック信号やイネーブル信号である。制御信号Ｃｔｒ２は、データ線駆動回路３０を制御するための水平同期信号、信号ＳＥＬ、ドットクロック信号ＤＣＬＫ、ラッチパルス信号ＬＰやイネーブル信号である。画像データは、走査線駆動回路２０からの走査信号ＧＷＲにより選択された行の画素毎の階調値（階調レベル）に対応したデジタル信号である。
【００２６】
走査線駆動回路２０は、垂直同期信号により規定される各フレーム期間において各行の画素回路１００に行毎に順番に選択して走査するための走査信号ＧＷＲを制御信号Ｃｔｒ１に基づいて生成する。なお、走査線駆動回路２０は、走査信号ＧＷＲの他に、各画素回路１００に供給する各種制御信号を行毎に生成するが図１では図示を省略している。
【００２７】
データ線駆動回路３０は、画像データと制御信号Ｃｔｒ２とに基づいて、水平走査期間毎に、走査線駆動回路２０によって選択され行の各画素の階調値に対応した３ｎ列分のデータ信号ＶＥを生成し、表示部１０に対して供給する。
【００２８】
電源回路５０は、表示部１０、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、および制御回路４０のそれぞれに必要な各種の電源電圧を生成し供給する。また、電源回路５０は、データ線駆動回路３０に対し、データ線駆動回路３０を動作させるための電源電圧や、階調値に対応した複数の階調基準電圧を供給する。電源回路５０は、例えば階調基準電圧等の電圧を、温度による電圧変化が小さい基準電圧を生成する回路と、その基準電圧を分圧したり増幅したりあるいは出力インピーダンスを小さくして出力したりする回路を用いて生成することができる。この場合に、分圧比や増幅率を制御回路４０が出力した制御信号に応じて変化させることができるようにしたり、あるいは複数の電圧を生成しておき制御回路４０が出力した制御信号に応じていずれかの電圧を選択できるようにしたりすることができる。電源回路５０は、走査線駆動回路２０に対し、走査線駆動回路２０を動作させるための電源電圧や、走査信号ＧＷＲや各画素回路１００に供給される制御信号を生成するための各種電源電圧を供給する。また、電源回路５０は、表示部１０を構成する各画素回路１００に対し、各画素回路１００が動作するための電源電圧を供給する。
【００２９】
図２は、図１に示したデータ線駆動回路３０の構成例を示したブロック図である。データ線駆動回路３０は、シフトレジスタ３１と、データラッチ３２と、ラインラッチ３３と、Ｄ／Ａ（デジタル／アナログ）変換回路３４（１）〜３４（ｎ）と、デマルチプレクサ３５（１）〜３５（ｎ）と、各データ信号ＶＥ（１）、ＶＥ（２）、ＶＥ（３）、…、ＶＥ（３ｎ−２）、ＶＥ（３ｎ−１）、ＶＥ（３ｎ）に対応して設けられるレベルシフト回路３６（１）〜３６（３ｎ）とを備えている。ここで、データ信号ＶＥ（１）、ＶＥ（２）、ＶＥ（３）、…、ＶＥ（３ｎ−２）、ＶＥ（３ｎ−１）、ＶＥ（３ｎ）は、図１に示した３ｎ列分のデータ信号ＶＥが含む各信号である。
【００３０】
シフトレジスタ３１には、ドットクロック信号ＤＣＬＫや、図示しない取り込みパルスが入力される。シフトレジスタ３１は、ドットクロック信号ＤＣＬＫに同期して取り込みパルスをシフトする。シフトレジスタ３１によって取り込みパルスをシフトして出力されるシフト出力は、データラッチ３２に供給される。
【００３１】
データラッチ３２には、ドットクロック信号ＤＣＬＫに同期した画像データや、シフトレジスタ３１からのシフト出力が入力される。データラッチ３２は、シフトレジスタ３１からのシフト出力に同期して画像データを取り込む。
【００３２】
ラインラッチ３３には、ラッチパルス信号ＬＰや、データラッチ３２に取り込まれた画像データが入力される。ラインラッチ３３は、ラッチパルス信号ＬＰに同期して、データラッチ３２に取り込まれた１行分の画像データをラッチする。
【００３３】
各Ｄ／Ａ変換回路３４（１）〜３４（ｎ）には、画素データをアナログ電圧に変換する際に基準となる複数の階調電圧Ｖ［０］〜Ｖ［６４］が入力されるとともに、ラインラッチ３３にラッチされた画像データが入力される。複数の階調電圧Ｖ［０］〜Ｖ［６４］は階調電圧生成回路３７から供給される。各Ｄ／Ａ変換回路３４（１）〜３４（ｎ）は、内部で、複数の階調電圧Ｖ［０］〜Ｖ［６４］のうちの隣り合う各２つの階調電圧をアンプや抵抗を用いて４分割して０〜２５６までの階調値に対応した階調電圧を生成する。Ｄ／Ａ変換回路３４（１）〜３４（ｎ）は、ラインラッチ３３によってラッチされた画像データに対応する０〜２５６までの階調値のいずれかに対応した階調電圧を画素毎に選択する。Ｄ／Ａ変換回路３４（１）〜３４（ｎ）は、選択した階調電圧を、１ドットを構成する３列の各画素のデータ信号が多重化されたデータ信号Ｖｄ（１）〜Ｖｄ（ｎ）の電圧として、対応するデマルチプレクサ３５（１）〜３５（ｎ）に供給する。データ信号Ｖｄ（１）〜Ｖｄ（ｎ）が取り得る電圧の最高値は階調基準電圧ＶＨであり、最低値は階調基準電圧ＶＬである。ここで階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬは、電源回路５０から階調電圧生成回路３７へ供給された電圧であり、階調電圧Ｖ［６４］と階調電圧Ｖ［０］とに対応する。
【００３４】
データ信号Ｖｄ（１）〜Ｖｄ（ｎ）のそれぞれは、デマルチプレクサ３５（１）〜３５（ｎ）の選択タイミングに合わせて、３列の各画素の階調値に対応したデータ信号が多重化された信号である。デマルチプレクサ３５（１）〜３５（ｎ）を構成する各デマルチプレクサは、信号ＳＥＬによる選択タイミングに合わせて列毎にデータ信号を出力する。
【００３５】
レベルシフト回路３６（１）〜３６（３ｎ）は、対応するデマルチプレクサ３５（１）〜３５（ｎ）により列毎に出力されたデータ信号Ｖｄ（１）〜Ｖｄ（ｎ）の電圧範囲を圧縮することでレベルシフトし、データ信号ＶＥ（１）〜ＶＥ（３ｎ）として出力する。すなわち、データ信号ＶＥ（１）〜ＶＥ（３ｎ）の電圧範囲は、データ信号Ｖｄ（１）〜Ｖｄ（ｎ）の電圧範囲を圧縮してレベルシフトしたものである。
【００３６】
図３は、階調電圧生成回路３７の構成例を示した図である。図３に示した階調電圧生成回路３７は、６４個の抵抗３７１を直列に接続した回路を備える。複数の抵抗３７１の直列回路の一端には階調基準電圧ＶＨが印加され、他端には階調基準電圧ＶＬが印加される。階調電圧生成回路３７は、各抵抗３７１の端子電圧を複数の階調電圧Ｖ［０］〜Ｖ［６４］として出力する。階調電圧生成回路３７によって生成された複数の階調電圧Ｖ［０］〜Ｖ［６４］はＤ／Ａ変換回路３４（１）〜３４（ｎ）に供給される。
【００３７】
図４は、図１に示した画素回路１００の構成例を示す。画素回路１００は、Ｐ型ＭＯＳ（金属酸化膜半導体）トランジスタ１０１〜１０５と、ＯＬＥＤ１１１と、保持容量１２１とを備えている。画素回路１００には、トランジスタ１０２、１０３、１０４および１０５のそれぞれのゲート信号となる走査信号ＧＷＲ、制御信号ＧＣＭＰ、制御信号ＧＥＬおよび制御信号ＧＯＲＳＴが走査線駆動回路２０から供給される。走査信号ＧＷＲ、制御信号ＧＣＭＰ、制御信号ＧＥＬおよび制御信号ＧＯＲＳＴは、同一行の画素回路１００に共通に供給される。
【００３８】
トランジスタ１０１は、駆動トランジスタとして、ソースが電源線としての給電線１３１に接続され、ドレインがトランジスタ１０３のソースと、トランジスタ１０４のソースとに接続される。また、トランジスタ１０１のゲート（ノードｇ）は、トランジスタ１０２のドレインと、保持容量１２１の一端とに接続される。給電線１３１には、画素回路１００において電源の高電位側となる電圧ＶＥＬが供給される。電圧ＶＥＬは、電源回路５０から供給される電圧である。
【００３９】
トランジスタ１０２は、書き込みトランジスタ（あるいは選択トランジスタ）として、ソースがデータ線１３２に接続される。トランジスタ１０２のゲートは、ゲート信号としての走査信号ＧＷＲにより制御される。
【００４０】
トランジスタ１０３は、閾値補償トランジスタとして、ゲートに制御信号ＧＣＭＰが供給される。トランジスタ１０３のゲートは、ゲート信号としての制御信号ＧＣＭＰにより制御される。
【００４１】
トランジスタ１０４は、電流供給制御トランジスタとして、ドレインがＯＬＥＤ１１１のアノードと、トランジスタ１０５のソースとに接続され、ゲートに制御信号ＧＥＬが供給される。トランジスタ１０４のゲートは、ゲート信号としての制御信号ＧＥＬにより制御される。トランジスタ１０４を設けることにより、例えば電源投入直後にＯＬＥＤ１１１に電流が供給されて意図しない画像を表示してしまうという事態を回避することができる。
【００４２】
トランジスタ１０５は、リセットトランジスタとして、ドレインが給電線１３３に接続され、ゲートに制御信号ＧＯＲＳＴが供給される。トランジスタ１０５のゲートは、ゲート信号としての制御信号ＧＯＲＳＴにより制御される。なお、図４では、トランジスタ１０１〜１０５の基板電位（バックゲート電位）として、電圧ＶＥＬが供給される。電圧ＶＥＬは、画素回路１００における最高電位である。
【００４３】
ＯＬＥＤ１１１のカソードは、電源線としての共通電極を構成する給電線１３４を介して、画素回路１００において電源の低電位側である電圧ＶＣＴが供給される。電圧ＶＣＴは、接地電圧ＶＳＳと同電位の電圧とすることができる。ＯＬＥＤ１１１は、シリコン基板上においてアノードと光透過性を有するカソードとにより、白色有機ＥＬ層を挟持することにより構成される発光素子である。ＯＬＥＤ１１１の出射側であるカソードには、Ｒ、ＧおよびＢのいずれかのカラーフィルタが重ねて配置されている。ＯＬＥＤ１１１に、アノードからカソードに電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが有機ＥＬ層において再結合して励起子が生成され、白色光が発光する。この白色光は、カソードを透過後にカラーフィルタにより着色され、観察者に視認される。ＯＬＥＤ１１１から出射される光は白色光に限られず、赤色の光、青色の光、緑色の光の何れかであってもよく、他の色の光であってもよい。
【００４４】
保持容量１２１のトランジスタ１０２のドレインに接続されていない他端は、給電線１３１に接続され、保持容量１２１にはトランジスタ１０１のゲート−ソース間電圧を保持する。保持容量１２１としては、トランジスタ１０１のゲートの寄生容量を用いたり、絶縁層を導電層で挟持して形成される容量を用いたりしてもよい。
【００４５】
次に、図５を参照して図４に示した画素回路１００の駆動例について説明する。図５は、本実施形態における画素回路１００の駆動方法に対応したタイミング図の一例を示す。図１に示した走査線駆動回路２０は、１フレーム期間内の各水平走査期間（Ｈ）に、走査信号ＧＷＲを行毎にＬレベルに変化させることで、各行を１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査する。１水平走査期間内での動作は、各行の画素回路１００において共通である。本実施形態では、走査信号ＧＷＲ、制御信号ＧＣＭＰおよび制御信号ＧＥＬのＨレベル電圧ＶＨＨは電圧ＶＥＬであり、Ｌレベル電圧ＶＬＬは電圧Ｖ３３である。電圧Ｖ３３は、走査線駆動回路２０、データ線駆動回路３０、制御回路４０等が有する論理回路のＨレベルの電圧を電圧ＶＤＤとした場合に、ＶＤＤ＜Ｖ３３＜ＶＨＨとなる電圧である。制御信号ＧＯＲＳＴのＨレベル電圧ＶＨＨは電圧ＶＥＬであり、Ｌレベル電圧は接地電圧ＶＳＳである。
【００４６】
水平走査期間（Ｈ）の開始時前（時刻ｔ１より前）には、走査信号ＧＷＲがＨレベル、制御信号ＧＥＬがＬレベル、制御信号ＧＣＭＰがＨレベル、制御信号ＧＯＲＳＴがＨレベルである。したがって、画素回路１００において、トランジスタ１０４がオン、トランジスタ１０２、１０３および１０５がオフする。このとき、トランジスタ１０１は、保持容量１２１が保持しているゲート−ソース間電圧に応じた電流を、トランジスタ１０４を介してＯＬＥＤ１１１のアノードに供給する。
【００４７】
次に、水平走査期間（Ｈ）になると制御信号ＧＥＬがＨレベル、制御信号ＧＯＲＳＴがＬレベル（接地電圧ＶＳＳ）となる（時刻ｔ１）。したがって、画素回路１００において、トランジスタ１０４がオフ、トランジスタ１０５がオンする。これにより、ＯＬＥＤ１１１のアノードに、給電線１３３に供給されるリセット電圧ＶＯＲＳＴが印加される。ＯＬＥＤ１１１は、アノード−カソード間に並列に図示しない寄生容量Ｃｏｌｅｄが寄生するため、トランジスタ１０５がオンすることにより、寄生容量Ｃｏｌｅｄに保持されたアノード−カソード間の電圧が初期化される。ＯＬＥＤ１１１のアノードの電圧を初期化することにより、後の発光期間においてＯＬＥＤ１１１に再び電流が流れる際に、寄生容量Ｃｏｌｅｄに保持された電圧の影響をなくすことができる。例えば高輝度の発光状態から低輝度の発光状態に遷移する場合、大電流が流れた後に寄生容量Ｃｏｌｅｄに高電圧が保持されてしまうため、小電流を流そうとしても、電流が過剰となり、所望の低輝度での発光状態を実現できなくなる場合がある。これに対し、本実施形態によれば、発光期間の前にＯＬＥＤ１１１のアノードの電圧を初期化することで、高輝度の発光状態から低輝度の発光状態に遷移する場合でも、低輝度側の再現性を高めることができる。なお、本実施形態では、電圧ＶＣＴとリセット電圧ＶＯＲＳＴとの差がＯＬＥＤ１１１の発光閾値電圧を下回るように設定されるため、初期化の際、ＯＬＥＤ１１１は非発光状態となる。
【００４８】
次に、走査信号ＧＷＲがＬレベルになり（時刻ｔ２）、続いて制御信号ＧＣＭＰがＬレベルになる（時刻ｔ３）。したがって、時刻ｔ３では、トランジスタ１０２および１０３がオンするため、トランジスタ１０１のゲートは、データ線１３２と電気的に接続される。このとき、トランジスタ１０１は、ゲートおよびドレインがショートされてダイオード接続となり、給電線１３１、トランジスタ１０１、トランジスタ１０３、データ線１３２およびトランジスタ１０２という順序の経路で電流が流れ、ノードｇおよびデータ線１３２が充電される。トランジスタ１０１の閾値電圧をＶｔｈ１とすると、ノードｇおよびデータ線１３２の電圧は、時間経過と共に次第に（ＶＥＬ−｜Ｖｔｈ１｜）で飽和し、保持容量１２１は、トランジスタ１０１の閾値電圧｜Ｖｔｈ１｜を保持する状態になる。
【００４９】
次に、制御信号ＧＣＭＰがＨレベルになる（時刻ｔ４）。したがって、時刻ｔ４では、画素回路１００において、トランジスタ１０３がオフする。次に、時刻ｔ４〜時刻ｔ５の書込期間では、データ線１３２にデータ信号ＶＥが出力されると、保持容量１２１によって（ＶＥＬ−｜Ｖｔｈ１｜）が保持されたデータ線１３２およびノードｇは、データ信号ＶＥの電圧変化分ΔＶだけ上昇方向に変化した値（ＶＥＬ−｜Ｖｔｈ１｜＋ΔＶ）の電圧となる。
【００５０】
書込期間が終了した後（時刻ｔ５後）、１水平走査期間の間をおいて発光期間となる（時刻ｔ６）。時刻ｔ６以降の発光期間では、制御信号ＧＥＬがＬレベルになるため、トランジスタ１０４がオンする。このとき、トランジスタ１０１のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、ＶＥＬ−（ＶＥＬ−｜Ｖｔｈ１｜＋ΔＶ）＝（｜Ｖｔｈ１｜−ΔＶ）となる。トランジスタ１０１のドレイン電流Ｉｄは、増幅率をβとすると、Ｉｄ＝（−１／２）・β・（Ｖｇｓ−｜Ｖｔｈ１｜）２により決定されるため、ＯＬＥＤ１１１には、トランジスタ１０１の閾値電圧を補償した状態で、階調値に応じた電流が供給される。
【００５１】
次に、図６〜図１３を参照して、図２および図３に示した階調基準電圧ＶＨおよび階調基準電圧ＶＬの制御例について説明する。図２および図３に示した階調基準電圧ＶＨおよび階調基準電圧ＶＬは、制御回路４０によって、温度センサー６０の検知結果に基づいて調整される。階調基準電圧ＶＨおよび階調基準電圧ＶＬは、制御回路４０の制御にしたがって電源回路５０が生成し、電源回路５０から階調電圧生成回路３７へと供給される。この階調基準電圧ＶＨおよび階調基準電圧ＶＬの変化により、図２に示したＤ／Ａ変換回路３４（１）〜３４（ｎ）が出力するデータ信号Ｖｄ（１）〜Ｖｄ（ｎ）の電圧（これをデータ電圧と呼ぶ）と電圧範囲が変化する。この結果、レベルシフト回路３６（１）〜３６（３ｎ）が出力する図４に示した保持容量１２１に充電されるデータ信号ＶＥ（すなわちデータ信号ＶＥ（１）〜ＶＥ（３ｎ）の電圧と電圧範囲を温度に応じて変更することができる。これにより、本実施形態の電気光学装置１では、温度変化による輝度変化を抑えられるため、色ずれ、黒浮きを抑制できる。
【００５２】
まず、図６〜図９を参照して、図１に示したトランジスタ１０１の動作特性および、本実施形態による階調基準電圧ＶＨおよび階調基準電圧ＶＬの温度による調整を行わない場合の階調性について説明する。図６は、ＯＬＥＤ１１１の発光電流を制御する駆動トランジスタである図４に示したトランジスタ１０１のドレイン−ソース電流とゲート−ソース電圧（これをゲート電圧とも呼ぶ）の関係を周囲温度２５℃と５０℃で比較して示した図である。横軸はゲート−ソース電圧Ｖｇｓを表し、縦軸はドレイン−ソース電流Ｉｄｓを対数目盛で表す。また、図７は、図６に示した特性について、周囲温度２５℃のドレイン−ソース電流Ｉｄｓを１００％として周囲温度５０℃のドレイン−ソース電流Ｉｄｓを電流比で表した図である。横軸はゲート−ソース電圧Ｖｇｓを表し、縦軸は電流比を表す。図６および図７に示したように、同一のゲート−ソース電圧Ｖｇｓにおいて、温度が高くなるほど電流Ｉｄｓの電流値が上昇する。この結果、図８および図９に示したように、調整を行わない場合、温度変化に伴い所望の輝度からの輝度ずれが発生することになる。図８は、横軸に階調値、縦軸に輝度をそれぞれとり、図６に示した特性のトランジスタを駆動トランジスタとして用いた場合に温度による調整を行わないときの階調値と輝度の関係を周囲温度２５℃と５０℃で比較して示した図である。なお、図８では階調値０が最低輝度、階調値２５５が最高輝度に対応する。図９は、横軸に階調値、縦軸に輝度比をそれぞれとり、図８に示した特性について、周囲温度２５℃の輝度を１００％として周囲温度５０℃の輝度を輝度比で表した図である。図９に示したように、階調値が低くなるほど輝度ずれが大きくなっている。
【００５３】
そこで、本実施形態では、温度による輝度変化を抑制するため、図１０および図１１に示したように、電源回路５０から階調電圧生成回路３７へ供給される階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬの両方を、温度に対する互いに異なる電圧調整幅（すなわち温度に対する互いに異なる電圧の変化率）で調整する。なお、この場合、階調基準電圧ＶＨは常に所望の最低輝度に対応するように温度に応じて調整された電圧であり、階調基準電圧ＶＬは常に所望の最高輝度に対応するように温度に応じて調整された電圧である。図１０は、データ電圧（データ信号Ｖｄ（１）〜Ｖｄ（ｎ）の電圧）と輝度の関係を、周囲温度が高い場合と低い場合で比較して示した図であり、横軸がデータ電圧の電圧値の大小、縦軸が輝度の高低を示す。図１１は、図１０に示した関係を、階調値とデータ電圧の関係に置き換えて示した図であり、横軸が１６進数で示した階調値、縦軸がデータ電圧を示す。ただし、図１１では、横軸を０〜１０２３の階調値で表している。
【００５４】
また、図１０および図１１において、ＶＬ＿Ｌは温度低時の階調基準電圧ＶＬ、ＶＨ＿Ｌは温度低時の階調基準電圧ＶＨ、およびΔＶｏｕｔ＿Ｌは温度低時の階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬの電圧差を表す。また、ＶＬ＿Ｈは温度高時の階調基準電圧ＶＬ、ＶＨ＿Ｈは温度高時の階調基準電圧ＶＨ、ΔＶｏｕｔ＿Ｈは温度高時の階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬの電圧差を表す。また、ΔＶＬは階調基準電圧ＶＬの温度高と温度低の電圧差、およびΔＶＨは階調基準電圧ＶＨの温度高時と温度低時の電圧差を表す。なお、温度低時と温度高時は、表示部１０の周囲温度が相対的に低い時と高い時という意味であるが、例えば、温度低時は電気光学装置１の動作最低温度とし、温度高時は電気光学装置１の動作最高温度とすることができる。図１０に示した制御回路４０による階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬの調整は、例えば次の（１）〜（３）のように行うことができる。
【００５５】
（１）図１０および図１１に示したように、本実施形態において、制御回路４０は、ΔＶＨ＞ΔＶＬとなるように、階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬを調整することができる。図６、図８等に示すように低階調側の輝度変化率が大きいので、低階調側の階調基準電圧ＶＨを高階調側の階調基準電圧ＶＬより大きく変化させることで、温度による輝度変化を抑制することができる。すなわち、制御回路４０は、階調基準電圧ＶＨの温度高と温度低の電圧差ΔＶＨが、階調基準電圧ＶＬの温度高と温度低の電圧差ΔＶＬより大きくなるように、階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬを調整することができる。
【００５６】
（２）また、制御回路４０は、ΔＶｏｕｔ＿Ｈ＞ΔＶｏｕｔ＿Ｌとなるように、階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬを調整することができる。図６に示すように駆動トランジスタの温度特性は温度が高いほどゲート−ソース電圧Ｖｇｓの変化に対する電流変化が小さい。すなわち最低輝度時電流と最高輝度時電流の比を同程度にするために変化させなければならないゲート−ソース電圧Ｖｇｓの範囲は温度が高いほど大きい。よって本実施形態ではデータ電圧の範囲も温度が高いほど大きくする。すなわち、制御回路４０は、温度高時の階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬの電圧差ΔＶｏｕｔ＿Ｈが温度低時の階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬの電圧差ΔＶｏｕｔ＿Ｌより大きくなるように、階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬを調整することができる。
【００５７】
（３）また、制御回路４０は、下式を用いて、階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬを調整することができる。階調基準電圧ＶＨまたは階調基準電圧ＶＬをＶとした場合、
【００５８】
Ｖ＝Ｖ０＋α（Ｔ−Ｔ０）
【００５９】
で表される一次関数を用いて階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬを決定することができる。ここで、Ｖ０は基準温度のときの階調基準電圧ＶＨまたは階調基準電圧ＶＬである。αは比例係数（一次関数の傾き）である。Ｔは周囲温度である。Ｔ０は基準温度である。なお、比例係数αは階調基準電圧ＶＨを求める場合と階調基準電圧ＶＬを求める場合で異なり、どちらかの場合の比例係数αは０でもよい。なお、上式は、温度センサー６０の出力（アナログ値）をＡ／Ｄ変換したデジタル値を用いた下式に代えてもよい。
【００６０】
Ｖ＝Ｖ０＋α（Δｄａｔａ）
【００６１】
ここで、Ｖ０は基準温度のときの階調基準電圧ＶＨまたは階調基準電圧ＶＬ、αは比例係数、Δｄａｔａは基準温度からの温度変化による温度センサー６０の出力のデジタル変換値におけるｂｉｔ変化量である。この場合は、Ａ／Ｄ変換精度により図１２のように温度に対する階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬは離散的な値をとる。図１２は、周囲温度（℃）とデータ電圧の範囲との関係を示す図である。図１２に示した例では、周囲温度が１０℃異なる毎に階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬが段階的に変更される。なお、この場合、例えば、１０℃毎の各温度範囲において温度が高い方の境界において階調基準電圧ＶＨが黒輝度となるように電圧範囲を決定することができる。
【００６２】
なお、温度に対する電圧を決定する式は、１次式に限られるものではなく、温度変化に対する２次以上の項を含む多項式でもあってもよい。
【００６３】
図１３は、階調値と輝度比の関係の温度特性のシミュレーション結果を示す図である。横軸は階調値であり、縦軸は輝度比である。輝度比は、周囲温度が２５℃のときの輝度を１００％として５０℃のときの輝度の割合を求めたものである。実線が本実施形態の特性（ＶＨＶＬ調整）であり、破線がデータ電圧を温度によらず一律にオフセットさせた場合の比較例の特性（電圧オフセット）である。図１３に示したように、本実施形態の構成によってデータ電圧を調整することにより温度による輝度変化を抑制することができる。破線で示した電圧オフセットでは中〜高階調側での輝度変化が抑えられるが、図７や図９で示したように電圧（階調）により温度に対する輝度変化率が異なるため、低階調側での輝度変化が大きい。
【００６４】
以上のように、本実施形態の電気光学装置１は、ＯＬＥＤ１１１（発光素子）とＯＬＥＤ１１１を駆動する駆動トランジスタであるトランジスタ１０１とトランジスタ１０１のゲート電圧を保持する保持容量１２１とを有する画素回路１００を複数有する表示部１０と、表示部１０の周囲温度を検知する温度センサー６０（温度検知部）と、画像データの階調値に応じた電圧を保持容量１２１に充電するためのデータ信号ＶＥを、階調基準電圧ＶＨ（第１基準電圧）と階調基準電圧ＶＨと異なる電圧の階調基準電圧ＶＬ（第２基準電圧）とに基づいて生成するデータ線駆動回路３０（階調電圧生成回路３７、Ｄ／Ａ変換回路３４（１）〜３４（ｎ）、デマルチプレクサ３５（１）〜３５（ｎ）、レベルシフト回路３６（１）〜３６（３ｎ）等））（データ信号生成部）と、温度センサー６０の検知結果に基づいて階調基準電圧ＶＨおよび階調基準電圧ＶＬを調整する制御回路４０（制御部）とを備える。この構成によれば、制御回路４０によって階調基準電圧ＶＨおよび階調基準電圧ＶＬの両方を温度に応じて調整することで、温度による輝度と階調性の変化を抑制することができる。すなわち、本実施形態によれば、簡単な手法で温度による輝度と階調性の変化を抑制することができる。
【００６５】
また、本実施形態の電気光学装置１では、制御回路４０（制御部）が、温度センサー６０（温度検知部）が検知した温度変化に対してΔＶＨ（第１電圧調整幅）で階調基準電圧ＶＨ（第１基準電圧）を調整するとともに、温度変化に対してΔＶＨと異なるΔＶＬ（第２電圧調整幅）で階調基準電圧ＶＬ（第２基準電圧）を調整する。したがって、例えば、温度による輝度と階調性の変化を低階調側と高階調側の両側で抑制することができる。
【００６６】
また、本実施形態の電気光学装置１では、制御回路４０（制御部）による階調基準電圧ＶＨ（第１基準電圧）と階調基準電圧ＶＬ（第２基準電圧）の調整において、階調基準電圧ＶＨが低階調側の基準電圧であり、階調基準電圧ＶＬが高階調側の基準電圧であり、ΔＶＨ（第１電圧調整幅）がΔＶＬ（第２電圧調整幅）より大きい。これによれば、温度変化による低階調側の大きな特性変化を抑制するとともに、高階調側の小さな特性変化を抑制することができる。
【００６７】
また、本実施形態の電気光学装置１では、制御回路４０（制御部）による階調基準電圧ＶＨ（第１基準電圧）と階調基準電圧ＶＬ（第２基準電圧）の調整において、階調基準電圧ＶＨ（第１基準電圧）と階調基準電圧ＶＬ（第２基準電圧）との電圧差（温度低時の階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬの電圧差ΔＶｏｕｔ＿Ｌ、温度高時の階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬの電圧差ΔＶｏｕｔ＿Ｈ等）が、温度センサー６０（温度検知部）が検知した周囲温度が高いほど大きい（ΔＶｏｕｔ＿Ｈ＞ΔＶｏｕｔ＿Ｌ）。これによれば、大きな温度変化による特性変化を抑制するとともに、小さな温度変化による特性変化を抑制することができる。
【００６８】
また、本実施形態の電気光学装置１では、制御回路４０（制御部）が、例えば、温度センサー６０（温度検知部）が検知した温度Ｔを変数とする一次関数（第１の一次関数）を用いて階調基準電圧ＶＨ（第１基準電圧）を決定し、温度Ｔを変数とする階調基準電圧ＶＨ決定用の一次関数と比例係数α（傾き）が異なる一次関数（第２の一次関数）を用いて階調基準電圧ＶＬ（第２基準電圧）を決定する。これによれば、記憶領域を削減しつつ簡単な計算で階調基準電圧ＶＨと階調基準電圧ＶＬとを決定することができる。
【００６９】
また、本実施形態の電気光学装置１では、制御回路４０（制御部）が、例えば、温度センサー６０（温度検知部）が検知結果に基づいて階調基準電圧ＶＨ（第１基準電圧）および階調基準電圧ＶＬ（第２基準電圧）を離散的に決定して調整する。これによれば、温度センサー６０がデジタル信号を出力する場合に簡単に対応することができる。
【００７０】
次に、図１４〜図１６を参照して、図３に示した階調電圧生成回路３７の構成の変形例について説明する。図１４は、図３に示した階調電圧生成回路３７の構成の変形例を、階調電圧生成回路３７ａとして示した図である。図１４に示した階調電圧生成回路３７ａでは、最大および最小の階調基準電圧ＶＨおよび階調基準電圧ＶＬに加えて、階調基準電圧ＶＭを用いることで、最大最小電圧（ＶＨ、ＶＬ）の調整に加え、中間電圧ＶＭの電圧調整を行うことができる。この中間電圧ＶＭは、直列接続された複数の抵抗３７１の中間部分の節点（中間階調に対応する階調電圧Ｖ［３２］の出力ノード）に入力される。また、中間電圧ＶＭは、階調基準電圧の１つであり、階調基準電圧ＶＨおよび階調基準電圧ＶＬと同様に、電源回路５０で生成することができる。中間電圧ＶＭは、階調基準電圧ＶＨおよび階調基準電圧ＶＬの間の電圧であればよく、最大または最小のどちらかに偏っていたり、３以上の中間電圧が用いられていたりしてもよい。
【００７１】
図１５は、図１４に示した階調電圧生成回路３７ａを用いた場合のデータ電圧（データ信号Ｖｄ（１）〜Ｖｄ（ｎ）の電圧）と輝度の関係を、周囲温度が高い場合と低い場合で比較して示した図であり、横軸がデータ電圧の電圧値の大小、縦軸が輝度の高低を示す。図１６は、図１５に示した関係を、階調値とデータ電圧の関係に置き換えて示した図であり、横軸が１６進数で示した階調値、縦軸がデータ電圧を示す。ただし、図１６では、横軸を０〜１０２３の階調値で表している。この場合、００ｈから１ＦＦｈまでと１ＦＦｈ〜３ＦＦｈまでとで変化率が変更されている。また、図１６では、比較のため、図３に示した階調電圧生成回路３７を用いた場合のデータ電圧と輝度の関係を、破線で示している。また、図１５および図１６では、図１０および図１１に示したものと同一の符号を用いている。また、図１５および図１６において、ＶＭ＿Ｌは温度低時の階調基準電圧ＶＭを表し、ＶＭ＿Ｌは温度高時の階調基準電圧ＶＭを表す。
【００７２】
以上のように、上記の変形例では、階調電圧生成回路３７ａに対して階調基準電圧ＶＨおよび階調基準電圧ＶＬに加えて中間階調に対応する階調基準電圧ＶＭを供給することで、中間階調における温度変化をさらに抑制することができる。
【００７３】
なお、本実施形態の電気光学装置１は、次のような電子機器に含ませることができる。すなわち、本実施形態の電気光学装置１は、例えば、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）の表示パネル（シースルー、クローズド）に適用することができる。また、本実施形態の電気光学装置１は、超小型ディスプレイとしてＥＶＦ（電子ビューファインダ）等の直視型の表示パネルを用いた電子機器に含まれていてもよい。また、本発明に係る電子機器として、情報携帯端末（ＰＤＡ；Personal  Digital  Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ（Point of sale system）端末、プリンタ、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【００７４】
以上、本発明に係る電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の駆動方法等を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、次のような変形も可能である。
【００７５】
（１）本実施形態では、電気光学装置１が、図１に示す構成を例に説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
【００７６】
（２）本実施形態では、画素回路１００の構成を図４に示す構成を例に説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
【００７７】
（３）本実施形態では、画素回路１００内を構成するトランジスタ１０１〜１０５がＰ型のＭＯＳトランジスタであるものとして説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。トランジスタ１０１〜１０５が、Ｎ型のＭＯＳトランジスタであり、少なくとも１つのトランジスタのゲートが、本実施形態と同様の技術思想により制御されるものであってもよい。また、トランジスタ１０１〜１０５が、Ｐ型のＭＯＳトランジスタとＮ型のＭＯＳトランジスタとを混在したものであり、少なくとも１つのトランジスタのゲートが、本実施形態と同様の技術思想により制御されるものであってもよい。
【００７８】
（４）本実施形態では、電気光学素子としてＯＬＥＤを例に説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、無機発光ダイオードやＬＥＤ等を電気光学素子とする電気光学装置に適用することができる。
【００７９】
（５）本実施形態では、デマルチプレクサが、３列毎にグループ化されたデータ信号を各データ線に供給する構成として説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、デマルチプレクサは、２列毎にグループ化されたデータ信号を各データ線に供給したり、４以上の列毎にグループ化されたデータ信号を各データ線に供給したりするようにしてもよい。或いは、データ線駆動回路３０が、デマルチプレクサを省略した構成を有していてもよい。
【００８０】
（６）本実施形態では、容量分割駆動方式によりデータ信号の電圧範囲を圧縮してレベルシフトしていたが、本発明は、これに限定されるものではない。
【００８１】
（７）上記の実施形態において、本発明を電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の駆動方法等として説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、本発明に係る電気光学装置の駆動方法の処理手順が記述されたプログラム、このプログラムが記録された記録媒体であってもよい。
【符号の説明】
【００８２】
１…電気光学装置、１０…表示部、１１…画素回路グループ、２０…走査線駆動回路、３０…データ線駆動回路、３１…シフトレジスタ、３２…データラッチ、３３…ラインラッチ、３４（１）〜３４（ｎ）…Ｄ／Ａ変換回路、３５（１）〜３５（ｎ）…デマルチプレクサ、３６（１）〜３６（３ｎ）…レベルシフト回路、４０…制御回路、５０…電源回路、６０…温度センサー、１００…画素回路、１０１〜１０５…トランジスタ、１１１…ＯＬＥＤ、１２１…保持容量、１３１、１３３、１３４…給電線、１３２…データ線、Ｃｔｒ１、Ｃｔｒ２、ＧＣＭＰ、ＧＥＬ、ＧＯＲＳＴ…制御信号、ＧＷＲ…走査信号、ＶＥ（１）〜ＶＥ（３ｎ）、Ｖｄ（１）〜Ｖｄ（ｎ）…データ信号、ＶＨ、ＶＬ、ＶＭ…階調基準電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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