(57)【要約】【課題】制限アパーチャ部材からのビームの漏れを抑制し、描画精度の低下を防止する。【解決手段】一実施形態によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、複数の個別ブランカ２８を用いて、マルチビームの各ビームを個別にブランキング偏向する工程と、共通ブランカ２１２を用いてマルチビーム全体に対して一括してブランキング偏向を行ってビームのＯＮ／ＯＦＦを切り替える工程と、を備える。個別ブランカ２８又は共通ブランカ２１２によりビームＯＦＦの状態になるように偏向されたビームは、穴２０６ａから位置が外れて制限アパーチャ部材２０６により遮蔽される。個別ブランカ２８と共通ブランカ２１２の一方がビームＯＦＦの状態になるようにビームを偏向している時に、他方がビームＯＦＦの状態になるようにビームを偏向した場合、ビームは穴２０６ａに近付かないように制限アパーチャ部材２０６上を移動する。【選択図】図１
2017126674.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームによるマルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う複数の個別ブランカを用いて、ビーム毎にブランキング偏向を行う工程と、
共通ブランカを用いて前記マルチビーム全体に対して一括してブランキング偏向を行ってビームのＯＮ／ＯＦＦを切り替える工程と、
を備え、
前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームＯＮの状態になるように制御されたビームは、中心部に穴が設けられた制限アパーチャ部材の該穴を通過して基板に照射され、前記個別ブランカ又は前記共通ブランカによりビームＯＦＦの状態になるように偏向されたビームは、該穴から位置が外れて該制限アパーチャ部材により遮蔽され、
前記個別ブランカと前記共通ブランカの一方がビームＯＦＦの状態になるようにビームを偏向している時に、他方がビームＯＦＦの状態になるようにビームを偏向した場合、ビームは前記穴に近付かないように前記制限アパーチャ部材上を移動することを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項２】
前記制限アパーチャ部材上での、前記個別ブランカによるビーム偏向方向と、前記共通ブランカによるビーム偏向方向とのなす角度が９０度以下であることを特徴とする請求項１に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項３】
前記制限アパーチャ部材上での、前記個別ブランカによるビーム偏向方向と、前記共通ブランカによるビーム偏向方向とが同じであることを特徴とする請求項２に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項４】
前記個別ブランカと前記共通ブランカとの間に設けられた磁界レンズによりビームが回転することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項５】
荷電粒子ビームによるマルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う複数の個別ブランカと、
前記マルチビーム全体に対して一括してビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う共通ブランカと、
中心部に穴が設けられ、前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームＯＮの状態になるように制御されたビームが該穴を通過して基板に照射され、前記個別ブランカ又は前記共通ブランカによりビームＯＦＦの状態になるように偏向されて該穴から位置が外れたビームを遮蔽する制限アパーチャ部材と、
を備え、
前記個別ブランカ及び前記共通ブランカの一方がビームＯＦＦの状態になるようにビームを偏向している時、他方は、前記制限アパーチャ部材により遮蔽されているビームを前記穴に近付かないように偏向してビームＯＦＦの状態とすることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅はさらに微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ回路パターンを形成するための露光用マスク（ステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）を形成する方法として、優れた解像性を有する電子ビーム描画技術が用いられている。
【０００３】
マルチビームを使った描画装置は、１本の電子ビームで描画する場合に比べて、一度（１回のショット）に多くのビームを照射できるので、スループットを大幅に向上させることができる。マルチビーム描画装置では、例えば、電子銃から下方へ放出された電子ビームが、複数の穴を持ったアパーチャ部材を通過することでマルチビームが形成される。
【０００４】
このアパーチャ部材の下方には、アパーチャ部材の各穴の配置位置に合わせて通過孔が形成されたブランキングプレートが設けられている。ブランキングプレートの各通過孔には個別ブランカ（個別ブランキング偏向器）がそれぞれ配置され、各ビームのブランキング偏向が行われる。
【０００５】
ブランキングプレートの下方には、マルチビーム全体を一括してブランキング制御する共通ブランカ（共通ブランキング偏向器）が設けられている。共通ブランカの下方には、中心部に穴が形成された制限アパーチャ部材が設けられている。個別ブランカ又は共通ブランカによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された電子ビームは、制限アパーチャ部材の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材によって遮蔽される。個別ブランカ及び共通ブランカによって偏向されなかった電子ビームは、制限アパーチャ部材を通過し、偏向器で偏向されて基板上の所望の位置へと照射される。
【０００６】
個別ブランカによるビーム偏向方向と、共通ブランカによるビーム偏向方向とが逆方向になっている場合、一方のブランカがビームＯＦＦとなるように偏向を行っている時に他方のブランカがビームＯＦＦとなるように偏向を行うと、ビームが制限アパーチャ部材の穴を通過して漏れビームが生じる。その結果、基板に対するビーム照射量の制御が十分にできず、描画精度が低下するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００９−５３２８８７号公報
【特許文献２】特開２０１３−１９７４６９号公報
【特許文献３】特開２０１０−２３２２０４号公報
【特許文献４】特開２０１４−１１２６３９号公報
【特許文献５】米国特許第７，７８１，７４８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、制限アパーチャ部材からのビームの漏れを抑制し、描画精度の低下を防止できるマルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームによるマルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う複数の個別ブランカを用いて、ビーム毎にブランキング偏向を行う工程と、共通ブランカを用いて前記マルチビーム全体に対して一括してブランキング偏向を行ってビームのＯＮ／ＯＦＦを切り替える工程と、を備え、前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームＯＮの状態になるように制御されたビームは、中心部に穴が設けられた制限アパーチャ部材の該穴を通過して基板に照射され、前記個別ブランカ又は前記共通ブランカによりビームＯＦＦの状態になるように偏向されたビームは、該穴から位置が外れて該制限アパーチャ部材により遮蔽され、前記個別ブランカと前記共通ブランカの一方がビームＯＦＦの状態になるようにビームを偏向している時に、他方がビームＯＦＦの状態になるようにビームを偏向した場合、ビームは前記穴に近付かないように前記制限アパーチャ部材上を移動することを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、前記制限アパーチャ部材上での、前記個別ブランカによるビーム偏向方向と、前記共通ブランカによるビーム偏向方向とのなす角度が９０度以下であることを特徴とする。
【００１１】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、前記制限アパーチャ部材上での、前記個別ブランカによるビーム偏向方向と、前記共通ブランカによるビーム偏向方向とが同じであることを特徴とする。
【００１２】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、前記個別ブランカと前記共通ブランカとの間に設けられた磁界レンズによりビームが回転することを特徴とする。
【００１３】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームによるマルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う複数の個別ブランカと、前記マルチビーム全体に対して一括してビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う共通ブランカと、中心部に穴が設けられ、前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームＯＮの状態になるように制御されたビームが該穴を通過して基板に照射され、前記個別ブランカ又は前記共通ブランカによりビームＯＦＦの状態になるように偏向されて該穴から位置が外れたビームを遮蔽する制限アパーチャ部材と、を備え、前記個別ブランカ及び前記共通ブランカの一方がビームＯＦＦの状態になるようにビームを偏向している時、他方は、前記制限アパーチャ部材により遮蔽されているビームを前記穴に近付かないように偏向してビームＯＦＦの状態とすることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、制限アパーチャ部材からのビームの漏れを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施形態による描画装置の概略構成図である。
【図２】アパーチャ部材の概略構成図である。
【図３】ブランキングプレートの概略構成図である。
【図４】（ａ）は制限アパーチャ部材の上面図であり、（ｂ）は制限アパーチャ部材上での各ブランカのビーム偏向方向を示す図である。
【図５】（ａ）（ｂ）は比較例による制限アパーチャ部材上での個別ブランカ及び共通ブランカのビーム偏向方向を示す図である。
【図６】第２の実施形態による個別ブランカ及び共通ブランカのビーム偏向方向を装置上方から見た概念図である。
【図７】第３の実施形態による描画装置の概略構成図である。
【図８】第３の実施形態による個別ブランカ及び共通ブランカのビーム偏向方向を装置上方から見た概念図である。
【図９】第４の実施形態による個別ブランカ及び共通ブランカのビーム偏向方向を装置上方から見た概念図である。
【図１０】（ａ）（ｂ）は変形例による制限アパーチャ部材上での個別ブランカ及び共通ブランカのビーム偏向方向を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態による描画装置の構成を示す概念図である。描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例であり、描画部１５０と制御部１６０を備えている。
【００１８】
描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、アパーチャ部材２０３、ブランキングプレート２０４、投影レンズ２０５、偏向器２１２、制限アパーチャ部材２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。照明レンズ２０２、投影レンズ２０５、及び対物レンズ２０７は静電レンズで構成されている。
【００１９】
描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画対象となるマスク基板１０１が載置される。マスク基板１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、マスク基板１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
【００２０】
制御部１６０は、制御計算機１１０、制御回路１１２、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０を有している。記憶装置１４０（記憶部）には、描画データが外部から入力され、格納されている。
【００２１】
図２は、アパーチャ部材２０３の構成を示す概念図である。図２（ａ）において、アパーチャ部材２０３には、縦（ｙ方向）ｍ列×横（ｘ方向）ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の穴（開口部）２２が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。例えば、５１２×８列の穴２２が形成される。各穴２２は、同じ寸法形状の矩形で形成される。各穴２２は、同じ外径の円形であっても構わない。これらの複数の穴２２を電子ビーム２００の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム２０が形成されることになる。
【００２２】
ここでは、縦横（ｘ，ｙ方向）が共に２列以上の穴２２が配置された例を示したが、これに限るものではない。例えば、縦横（ｘ，ｙ方向）どちらか一方が複数列で他方は１列だけであっても構わない。また、穴２２の配列の仕方は、図２（ａ）にように、縦横が格子状に配置される場合に限るものではない。図２（ｂ）に示すように、縦方向（ｙ方向）１段目の列と、２段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ａだけずれて配置されてもよい。同様に、縦方向（ｙ方向）２段目の列と、３段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ｂだけずれて配置されてもよい。
【００２３】
図３は、ブランキングプレート２０４の構成を示す概念図である。ブランキングプレート２０４には、アパーチャ部材２０３の各穴２２の配置位置に合わせて通過孔が形成され、各通過孔には、対となる２つの電極２４，２６の組（ブランカ２８：ブランキング偏向器）が配置される。各ビーム用の２つの電極２４，２６の一方（例えば、電極２４）には、制御回路１１２により、電圧が印加される。２つの電極２４，２６の他方（例えば、電極２６）は、接地される。
【００２４】
各通過孔を通過する電子ビーム２０ａ〜ｅは、２つの電極２４，２６に印加される電圧によって、それぞれ独立に偏向される。このような偏向によってブランキング制御が行われる。複数のブランカ２８が、アパーチャ部材２０３の複数の穴２２（開口部）を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。以下、各ビーム用の２つの電極２４，２６の組を個別ブランカ２８ともいう。
【００２５】
偏向器２１２は、マルチビーム全体を一括してブランキング制御する。以下、偏向器２１２を共通ブランカ２１２ともいう。
【００２６】
図４（ａ）は、制限アパーチャ部材２０６の上面図である。図４（ａ）に示すように、制限アパーチャ部材２０６の中心部には穴２０６ａが形成されている。個別ブランカ２８及び共通ブランカ２１２により偏向されなかった（ビームＯＮとなるように制御された）電子ビーム２０は、穴２０６ａを通過する。一方、個別ブランカ２８及び共通ブランカ２１２により偏向された（ビームＯＦＦとなるように制御された）電子ビーム２０は、穴２０６ａから位置が外れ、制限アパーチャ部材２０６によって遮蔽される。
【００２７】
このように、本実施形態では、複数の個別ブランカ２８と、共通ブランカ２１２とにより、ブランキング制御が行われ、ビームのＯＮ／ＯＦＦが制御される。ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに制限アパーチャ部材２０６を通過したビームにより、１回分のショットのビームが形成される。制限アパーチャ部材２０６を通過したマルチビーム２０のパターン像は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、マスク基板１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。
【００２８】
描画装置１００は、ＸＹステージ１０５が移動しながらショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームＯＮに制御される。
【００２９】
本実施形態では、ビームＯＦＦの状態になるように個別ブランカ２８がビームを偏向する方向と、ビームＯＦＦの状態になるように共通ブランカ２１２がビームを偏向する方向とが同じになるように、ブランキングプレート２０４及び共通ブランカ２１２が描画部１５０にセット（取り付け）されている。
【００３０】
ブランキングプレート２０４と共通ブランカ２１２との間に配置される投影レンズ２０５は静電レンズであり、ブランキングプレート２０４と共通ブランカ２１２との間でビームの回転や結像反転は生じない。
【００３１】
そのため、図４（ｂ）に示すように、ビームＯＦＦの状態になるように個別ブランカ２８がビームを偏向する時に制限アパーチャ部材２０６上でビームが移動（偏向）する方向Ｄ１と、ビームＯＦＦの状態になるように共通ブランカ２１２がビームを偏向する時に制限アパーチャ部材２０６上でビームが移動（偏向）する方向Ｄ２とが同じになっている。
【００３２】
このように、制限アパーチャ部材２０６上における、ビームＯＦＦとするための個別ブランカ２８によるビーム偏向方向Ｄ１と、共通ブランカ２１２によるビーム偏向方向Ｄ２とを同じにすることで、一方のブランカでビームＯＦＦとしている時に、他方のブランカでビームＯＦＦとした際に、穴２０６ａからビームが漏れることを防止できる。
【００３３】
図５（ａ）（ｂ）は比較例による個別ブランカ及び共通ブランカのビーム偏向を示し、個別ブランカのビーム偏向方向と、共通ブランカのビーム偏向方向とが逆方向になっている。図５（ａ）に示すように、個別ブランカがビームＯＦＦとなるように偏向している際に、共通ブランカがビームＯＦＦとなるように偏向を行うと、図５（ｂ）に示すように、ビームが制限アパーチャ部材２０６上を位置Ｐ１からＰ２へ移動する間に、穴２０６ａを通過し、ビームが漏れる。穴２０６ａを通過した漏れビームは、マスク基板１０１に照射され、パターンの描画精度を低下させる。
【００３４】
一方、本実施形態では、ビームＯＦＦとする際の個別ブランカ２８によるビーム偏向方向Ｄ１と、共通ブランカ２１２によるビーム偏向方向Ｄ２とが同じであるため、穴２０６ａからのビームの漏れを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
【００３５】
制御部１６０の制御計算機１１０は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換をおこなって、ショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、マスク基板１０１の描画面を例えばビームサイズで格子状の複数の照射領域に分割した各照射領域への照射有無、及び照射時間等が定義される。制御計算機１１０は、ショットデータに基づいて、制御回路１１２に制御信号を出力する。制御回路１１２は、制御信号に基づいて描画部１５０を制御する。例えば、制御回路１１２は、個別ブランカ２８や共通ブランカ２１２の電極、静電レンズ等への印加電圧を制御したり、ステージ１０５の移動を制御したりする。描画部１５０の動作は以下のようになる。
【００３６】
電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２によりほぼ垂直にアパーチャ部材２０３全体を照明する。電子ビーム２００は、アパーチャ部材２０３のすべての穴２２が含まれる領域を照明する。電子ビーム２００が穴２２を通過することによって、例えば矩形形状の複数の電子ビーム（マルチビーム）２０ａ〜ｅが形成される。
【００３７】
マルチビーム２０ａ〜ｅは、ブランキングプレート２０４のそれぞれ対応する個別ブランカ２８内を通過する。個別ブランカ２８は、それぞれ、通過する電子ビーム２０を個別に偏向する（ブランキング偏向を行う）。ブランキングプレート２０４を通過したマルチビーム２０ａ〜ｅは、投影レンズ２０５によって縮小され、共通ブランカ２１２内を通過して、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴２０６ａに向かって進む。
【００３８】
ブランキングプレート２０４の個別ブランカ２８によって偏向された電子ビーム２０は、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴２０６ａから位置がはずれ、制限アパーチャ部材２０６によって遮蔽される。一方、個別ブランカ２８によって偏向されなかった電子ビーム２０は、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴２０６ａを通過する。また、共通ブランカ２１２によって一括して偏向されたマルチビーム全体は、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴２０６ａから位置がはずれ、制限アパーチャ部材２０６によって遮蔽される。
【００３９】
このようなブランカのＯＮ／ＯＦＦによって、ブランキング制御が行われ、ビームのＯＮ／ＯＦＦが制御される。制限アパーチャ部材２０６を通過したマルチビーム２０のパターン像は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、偏向器２０８によって偏向され、マスク基板１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。
【００４０】
個別ブランカ２８がビームＯＦＦとする際のビーム偏向方向と、共通ブランカ２１２がビームＯＦＦとする際のビーム偏向方向とが一致しているため、一方のブランカがビームＯＦＦとしている時に他方のブランカがビームＯＦＦとしても、偏向されたビームが、制限アパーチャ部材２０６の中心の穴２０６ａを通過するビーム漏れを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
【００４１】
［第２の実施形態］
上記第１の実施形態では、照明レンズ２０２、投影レンズ２０５、及び対物レンズ２０７を静電レンズで構成する例について説明したが、使用される電子レンズは静電レンズに限定されず、磁界レンズを用いてもよい。
【００４２】
磁界レンズで作られる磁界中で電子は螺旋運動をするため、像が回転する。そのため、照明レンズ２０２、投影レンズ２０５、及び対物レンズ２０７を磁界レンズで構成する場合は、投影レンズ２０５のレンズ磁場の強さから、像の回転角φを予め計算しておく。
【００４３】
そして、図６に示すように、ビームＯＦＦの状態になるように個別ブランカ２８がビームを偏向する方向Ｄ３と、ビームＯＦＦの状態になるように共通ブランカ２１２がビームを偏向する方向Ｄ４とが角度φをなすように、ブランキングプレート２０４及び共通ブランカ２１２を描画部１５０にセットする。図６は、個別ブランカ２８及び共通ブランカ２１２のビーム偏向方向を描画装置（電子鏡筒１０２）の上方から見た概念図である。
【００４４】
投影レンズ２０５で像が回転されることで、上記第１の実施形態（図４（ｂ）参照）と同様に、ビームＯＦＦの状態になるように個別ブランカ２８がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材２０６上でビームが移動（偏向）する方向Ｄ１と、ビームＯＦＦの状態になるように共通ブランカ２１２がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材２０６上でビームが移動（偏向）する方向Ｄ２とが同じになる。
【００４５】
これにより、制限アパーチャ部材２０６の穴２０６ａからビームが漏れることを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
【００４６】
［第３の実施形態］
上記第１の実施形態では、描画部１５０において共通ブランカ２１２を投影レンズ２０５の下方に設けていたが、図７に示すように照明レンズ２０２の上方に設けてもよい。さらに、照明レンズ２０２を、照明レンズ２０２ａ、２０２ｂの２段構成としてもよい。
【００４７】
図７に示す構成の場合、照明レンズ２０２ａによる結像で像が反転する。そのため、図８に示すように、ビームＯＦＦの状態になるように個別ブランカ２８がビームを偏向する方向Ｄ５と、ビームＯＦＦの状態になるように共通ブランカ２１２がビームを偏向する方向Ｄ６とが逆方向となるように、ブランキングプレート２０４及び共通ブランカ２１２を描画部１５０にセットする。
【００４８】
照明レンズ２０２ａの結像で像が反転されることで、上記第１の実施形態（図４（ｂ）参照）と同様に、ビームＯＦＦの状態になるように個別ブランカ２８がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材２０６上でビームが移動（偏向）する方向Ｄ１と、ビームＯＦＦの状態になるように共通ブランカ２１２がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材２０６上でビームが移動（偏向）する方向Ｄ２とが同じになる。
【００４９】
これにより、制限アパーチャ部材２０６の穴２０６ａからビームが漏れることを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
【００５０】
［第４の実施形態］
上記第３の実施形態において、照明レンズ２０２ａ、２０２ｂ、投影レンズ２０５、及び対物レンズ２０７を磁界レンズで構成してもよい。
【００５１】
磁界レンズで作られる磁界中で電子は螺旋運動をするため、像が回転する。そのため、照明レンズ２０２、投影レンズ２０５、及び対物レンズ２０７を磁界レンズで構成する場合は、照明レンズ２０２ａ及び２０２ｂのレンズ磁場の強さから、像の回転角γを予め計算しておく。
【００５２】
そして、図９に示すように、ビームＯＦＦの状態になるように個別ブランカ２８がビームを偏向する方向Ｄ７と、ビームＯＦＦの状態になるように共通ブランカ２１２がビームを偏向する方向Ｄ８とが角度γ＋１８０°をなすように、ブランキングプレート２０４及び共通ブランカ２１２を描画部１５０にセットする。角度γは照明レンズ２０２ａ及び２０２ｂによる像の回転を考慮したものであり、１８０°は照明レンズ２０２ａの結像による像の反転を考慮したものである。
【００５３】
照明レンズ２０２ａ及び２０２ｂで像が回転され、かつ照明レンズ２０２ａの結像で像が反転されることで、上記第１の実施形態（図４（ｂ）参照）と同様に、ビームＯＦＦの状態になるように個別ブランカ２８がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材２０６上でビームが移動（偏向）する方向Ｄ１と、ビームＯＦＦの状態になるように共通ブランカ２１２がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材２０６上でビームが移動（偏向）する方向Ｄ２とが同じになる。
【００５４】
これにより、制限アパーチャ部材２０６の穴２０６ａからビームが漏れることを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
【００５５】
上記第１〜第４の実施形態では、制限アパーチャ部材２０６上での、ビームＯＦＦとするための個別ブランカ２８によるビーム偏向方向Ｄ１と、共通ブランカ２１２によるビーム偏向方向Ｄ２とを同じにする例について説明したが、一方のブランカがビームＯＦＦとしている時に他方のブランカがビームＯＦＦとした際に、制限アパーチャ部材２０６で遮蔽されているビームが穴２０６ａに近付かなければよい。そのため、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、方向Ｄ１と方向Ｄ２とのなす角度θが９０°以下となっていればよい。図１０（ａ）はθ＝９０°の例を示し、図１０（ｂ）はθ＝４５°の例を示している。角度θは４５°以下が好ましく、１０°以下すなわち方向Ｄ１と方向Ｄ２とがほぼ一致していることがさらに好ましい。
【００５６】
上記実施形態では、個別ブランカ２８及び共通ブランカ２１２の２段のブランキング機構が設けられていたが、３段以上であってもよい。制限アパーチャ部材２０６上での各段のブランキング機構によるビーム偏向方向を合わせることで、制限アパーチャ部材２０６の穴２０６ａからビームが漏れることを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
【００５７】
上記実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明したが、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームでもよい。
【００５８】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
２０  マルチビーム
２２  穴
２４，２６  電極
２８  個別ブランカ
１００  描画装置
１０１  マスク基板
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御計算機
１１２  制御回路
１４０  記憶装置
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  アパーチャ部材
２０４  ブランキングプレート
２０５  投影レンズ
２０６  制限アパーチャ部材
２０７  対物レンズ
２１２  偏向器（共通ブランカ）
【図１】
2017126674.tif 000003
【図２】
2017126674.tif 000004
【図３】
2017126674.tif 000005
【図４】
2017126674.tif 000006
【図５】
2017126674.tif 000007
【図６】
2017126674.tif 000008
【図７】
2017126674.tif 000009
【図８】
2017126674.tif 000010
【図９】
2017126674.tif 000011
【図１０】
2017126674.tif 000012