(57)【要約】【課題】本発明は、検査後の検査端子に対して製造工程を追加することなく絶縁処理して製品の劣化を防ぐことのできる、電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】本発明の電気光学装置は、複数の発光素子がマトリックス状に配列された表示領域と、前記表示領域の外側に複数の実装端子が配列された端子領域と、を含む素子基板を備え、前記素子基板は、前記複数の発光素子を駆動させるトランジスター回路と、前記トランジスター回路を検査する検査端子と、前記複数の発光素子を封止する封止膜と、を有し、前記検査端子の表面が前記封止膜で覆われている。【選択図】図４
2017147037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子がマトリックス状に配列された表示領域と、前記表示領域の外側に複数の実装端子が配列された端子領域と、を含む素子基板を備え、
前記素子基板は、
前記複数の発光素子を駆動させるトランジスター回路と、
前記トランジスター回路を検査する検査端子と、
前記複数の発光素子を封止する封止膜と、を有し、
前記検査端子の表面が前記封止膜で覆われている、電気光学装置。
【請求項２】
前記検査端子は、前記実装端子と前記トランジスター回路との間に存在する、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記実装端子は積層された複数の配線層によって構成され、
前記検査端子は、前記実装端子を構成する最上層の前記配線層よりも下層の前記配線層によって構成されている、請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置、例えば有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と呼ぶ）において、発光画素となる有機ＥＬ素子や有機ＥＬ素子を駆動する回路が形成された素子基板には、製造の途中で有機ＥＬ素子や駆動回路を検査するための検査端子と、外部回路と接続するための外部接続端子と、が設けられている。有機ＥＬ装置の製造の途中において、検査端子を用いて有機ＥＬ素子や駆動回路の電気的な特性を測定して、早期に不良を検出していた。一方で、有機ＥＬ装置完成後、検査端子が露出した状態では、外部から検査端子を経て侵入した静電気により駆動回路が故障して誤動作を起こす原因となっていた。そのため、特許文献１においては、検査端子上に絶縁層による平坦化膜を形成し、また、特許文献２においては、検査端子上に発光画素の劣化防止のための保護膜、例えは樹脂層を形成することで、誤動作を防止していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−３３０９０号公報
【特許文献２】特開２０１０−１６０９５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１における検査端子は、発光画素と駆動回路との間で、発光画素に隣接して設けられているため、検査時にプローブを検査端子と接触させることで生ずる傷により素子基板の表面に凹凸が生じ、その後のカラーフィルターを形成する際に塗布プロセスにおいて膜厚が不均一となる不具合が発生した。また、有機ＥＬ素子を保護するための封止層に欠陥が発生し、有機ＥＬ装置の信頼性品質が低下するという問題があった。また、特許文献２における検査端子は、発光画素ごとに設けられているため、上記検査時の傷による信頼性品質の低下と共に、有機ＥＬ装置の小型化や発光画素の微細化を図る上で問題となっていた。
【０００５】
また、外部接続端子と検査端子とは、ＩＴＯなどの透明導電膜を用いた積層構造とされている。検査端子の表面の材質がＩＴＯの場合、尖った針（プローブ）を検査端子に接触させた際にＩＴＯの表面に削れ、割れ等が生じ、発塵の原因となっていた。そのため、検査端子の構造を外部接続端子とは異ならせるなどの対策が取られたが、製品使用時に検査端子が表面に露出した状態であるため、異物等により検査端子が他の端子と電気的に短絡する可能性があるなど、品質が低下するおそれがあった。また、検査端子に対して絶縁処理を行う対策も考えられるが、さらに処理工程を追加しなければならない。
【０００６】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、検査後の検査端子に対して製造工程を追加することなく絶縁処理して製品の劣化を防ぐことのできる、電気光学装置、電子機器を提供することを目的の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様における電気光学装置は、複数の発光素子がマトリックス状に配列された表示領域と、前記表示領域の外側に複数の実装端子が配列された端子領域と、を含む素子基板を備え、前記素子基板は、前記複数の発光素子を駆動させるトランジスター回路と、前記トランジスター回路を検査する検査端子と、前記複数の発光素子を封止する封止膜と、を有し、前記検査端子の表面が前記封止膜で覆われている。
【０００８】
これによれば、発光素子を封止する封止膜によって検査端子の表面を覆っているため、製造工程を追加することなく検査端子の絶縁処理を施すことができる。よって、検査端子が他の端子と短絡することで製品が劣化するのを防ぐことができる。
【０００９】
また、本発明の一態様における電気光学装置において、前記検査端子は、前記実装端子と前記トランジスター回路との間に存在する構成としてもよい。
【００１０】
これによれば、既存の封止膜が形成される領域に検査端子を設けることによって、通常の製造過程で検査端子の表面を覆うことができる。
【００１１】
また、本発明の一態様における電気光学装置において、前記実装端子は積層された複数の配線層によって構成され、前記検査端子は、最上層の前記配線層よりも下層の前記配線層によって構成されていてもよい。
【００１２】
これによれば、別途検査端子を形成する必要がないため、構成を簡略化することができる。
【００１３】
また、本発明の一態様における電子機器は、上記の電気光学装置を備えている。
【００１４】
これによれば、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【００１５】
本発明の一態様における電気光学装置の製造方法は、素子基板の表示領域に複数の発光素子と、前記複数の発光素子を駆動させるトランジスター回路を形成する工程と、前記素子基板の前記表示領域の外側の端子領域に複数の実装端子を形成する工程と、前記実装端子と前記トランジスター回路との間に複数の検査端子を形成する工程と、前記検査端子による前記トランジスター回路の検査終了後、前記発光素子を封止する封止膜を形成する工程と、を有し、前記封止膜を形成する工程において、前記複数の検査端子の表面を覆うように前記封止膜を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】有機ＥＬ装置１００の構成を模式的に示す平面図。
【図２】素子基板１０の構成を示す回路図。
【図３】画素回路１１０の構成を示す回路図。
【図４】図１に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図５】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示すフローチャート。
【図６】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す概略断面図。
【図７】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す概略断面図。
【図８】検査端子に検査プローブを接触させた様子を示す図。
【図９】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（有機ＥＬ装置）
先ず、本発明の一実施形態として図１に示す有機ＥＬ装置（電気光学装置）１００について説明する。
有機ＥＬ装置１００は、本発明における「電気光学装置」の一例として示す自発光型の表示装置である。なお、図１は、有機ＥＬ装置１００の構成を模式的に示す平面図である。
【００１８】
有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、素子基板１０と、封止用基板７０とを有している。素子基板１０と封止用基板７０とは、互いに対向した状態で、図示を省略する接着剤によって接合されている。なお、接着剤には、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。
【００１９】
素子基板１０は、発光素子として、青色（Ｂ）光を発する有機ＥＬ素子（発光素子）３０Ｂが配置されたサブ画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の光を発する有機ＥＬ素子３０Ｇが配置されたサブ画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の光を発する有機ＥＬ素子３０Ｒが配置されたサブ画素２０Ｒとがマトリックス状に配列された表示領域Ｅ１を有している。
【００２０】
有機ＥＬ装置１００では、サブ画素２０Ｂとサブ画素２０Ｇとサブ画素２０Ｒとが表示単位となってフルカラーの表示が提供される。なお、以降の説明では、サブ画素２０Ｂ、サブ画素２０Ｇ及びサブ画素２０Ｒをまとめて画素２０として扱う場合があり、有機ＥＬ素子３０Ｂ、有機ＥＬ素子３０Ｇ及び有機ＥＬ素子３０Ｒをまとめて有機ＥＬ素子３０として扱う場合がある。
【００２１】
表示領域Ｅ１には、カラーフィルター５０が設けられている。カラーフィルター５０のうち、サブ画素２０Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂの上には、青色の着色層５０Ｂが配置され、サブ画素２０Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇの上には、緑色の着色層５０Ｇが配置され、サブ画素２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒの上には、赤色の着色層５０Ｒが配置されている。サブ画素２０Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂから発せられた光は青色の着色層５０Ｂを透過し、緑色の着色層５０Ｇ及び赤色の着色層５０Ｒにて遮光される。同様に、サブ画素２０Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇから発せられた光は緑色の着色層５０Ｇを透過し、青色の着色層５０Ｂ及び赤色の着色層５０Ｒにて遮光され、サブ画素２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒから発せられた光は赤色の着色層５０Ｒを透過し、青色の着色層５０Ｂ及び緑色の着色層５０Ｇにて遮光される。したがって、各有機ＥＬ素子３０の位置とカラーフィルター５０の各着色層の位置により、有機ＥＬ装置１００から取り出される光の方向が規定される。
【００２２】
本実施形態では、同色の発光が得られる画素２０がＹ方向（第１の方向）に配列し、異なる色の発光が得られる画素２０がＹ方向に対して交差（直交）するＸ方向（第２の方向）に配列している。したがって、画素２０の配置は、所謂ストライプ方式となっている。
この画素の配列に応じて、有機ＥＬ素子３０Ｂ、有機ＥＬ素子３０Ｇ及び有機ＥＬ素子３０Ｒはそれぞれストライプ状に配置されており、青色の着色層５０Ｂ、緑色の着色層５０Ｇ、赤色の着色層５０Ｒもまたストライプ状に配置されている。なお、画素２０の配置は、ストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。
【００２３】
有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造を有している。したがって、有機ＥＬ素子３０で発せられた光は、素子基板１０のカラーフィルター５０を透過して封止用基板７０の側から表示光として射出される。
【００２４】
有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、素子基板１０の基材には、透明な石英基板やガラス基板などに加えて、不透明なセラミック基板や半導体基板などを用いることができる。本実施形態では、素子基板１０の基材として、シリコン基板（半導体基板）を使用している。
【００２５】
表示領域Ｅ１の外側には、実装端子１０３が配列された端子領域Ｅ２が設けられている。端子領域Ｅ２には、素子基板１０の長辺側の一辺に沿って、複数の実装端子１０３が配列されている。また、複数の実装端子１０３と表示領域Ｅ１との間には、データ線駆動回路（トランジスター回路）１０１が設けられている。また、素子基板１０の短辺側の二辺と表示領域Ｅ１との間には、走査線駆動回路（トランジスター回路）１０２が設けられている。なお、以降の説明では、素子基板１０の長辺に沿った方向をＸ方向とし、素子基板１０の短辺に沿った方向をＹ方向とし、封止用基板７０から素子基板１０に向かう方向をＺ（＋）方向とする。
【００２６】
封止用基板７０は、素子基板１０よりも小さく、実装端子１０３の表面が露出されるように素子基板１０と対向して配置されている。封止用基板７０は、透光性の基板であり、石英基板やガラス基板などを使用することができる。封止用基板７０は、表示領域Ｅ１に配置された有機ＥＬ素子３０が傷つかないように保護する役割を有し、表示領域Ｅ１よりも広く設けられている。
【００２７】
図２は、素子基板１０の構成を示す回路図である。素子基板１０には、図２に示すように、ｍ行の走査線１２がＸ方向に延在して設けられ、ｎ列のデータ線１４がＹ方向に延在して設けられている。また、素子基板１０には、データ線１４に沿って列毎に電源線１９がＹ方向に延在して設けられている。
【００２８】
素子基板１０には、ｍ行の走査線１２とｎ列のデータ線１４との交差部に対応して、画素回路１１０が設けられている。画素回路１１０は、画素２０の一部をなす。表示領域Ｅ１には、ｍ行×ｎ列の画素回路１１０が、マトリックス状に配列されている。
【００２９】
電源線１９には、初期化用のリセット電位Ｖｏｒｓｔが供給（給電）されている。さらに、図示を省略するが、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを供給する３つの制御線が、走査線１２に並行して設けられている。
【００３０】
走査線１２は、走査線駆動回路１０２に電気的に接続されている。データ線１４は、データ線駆動回路１０１に電気的に接続されている。走査線駆動回路１０２には、走査線駆動回路１０２を制御するための制御信号Ｃｔｒ１が供給されている。データ線駆動回路１０１には、データ線駆動回路１０１を制御するための制御信号Ｃｔｒ２が供給されている。
【００３１】
走査線駆動回路１０２は、フレームの期間にわたって走査線１２を１行毎に走査するための走査信号Ｇｗｒ（１）、Ｇｗｒ（２）、Ｇｗｒ（３）、…、Ｇｗｒ（ｍ− １）、Ｇｗｒ（ｍ）を、制御信号Ｃｔｒ１に従って生成する。さらに、走査線駆動回路１０２は、走査信号Ｇｗｒの他に、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを制御線に供給する。なお、フレームの期間とは、有機ＥＬ装置１００で１カット（コマ）分の画像が表示される期間であり、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、１フレームの期間は約８．３ミリ秒となる。
【００３２】
データ線駆動回路１０１は、走査線駆動回路１０２によって選択された行に位置する画素回路１１０に対し、当該画素回路１１０の諧調データに応じた電位のデータ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（ｎ）を、１、２、…、ｎ列目のデータ線１４に供給する。
【００３３】
図３は、画素回路１１０の構成を示す回路図である。画素回路１１０は、図３に示すように、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５と、有機ＥＬ素子３０と、容量２１とを有している。画素回路１１０には、上述した走査信号Ｇｗｒや制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔなどが供給される。
【００３４】
有機ＥＬ素子３０は、互いに対向する画素電極（第１の電極）３１と対向電極（第２の電極）３３とで発光機能層（発光層）３２を挟持した構造を有している。
【００３５】
画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給するアノードであり、光透過性有する導電材料により形成されている。本実施形態では、画素電極３１として、例えば膜厚２００ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を形成している。画素電極３１は、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。
【００３６】
共通電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するカソードであり、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金などの光透過性と光反射性とを有する導電材料により形成されている。共通電極３３は、複数の画素２０に跨って設けられた共通電極であり、電源線８に電気的に接続されている。電源線８には、画素回路１１０において電源の低位側となる電位Ｖｃｔが供給されている。
【００３７】
発光機能層３２は、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機ＥＬ素子３０では、画素電極３１から供給される正孔と、共通電極３３から供給される電子とが、発光機能層３２の中で結合することによって、発光機能層３２が発光する。
【００３８】
また、素子基板１０には、各電源線１９に交差して電源線６がＸ方向に延在して設けられている。なお、電源線６はＹ方向に延在して設けられてもよいし、Ｘ方向及びＹ方向の両方に延在するように設けられてもよい。トランジスター１２１は、ソースが電源線６に電気的に接続され、ドレインがトランジスター１２３のソース又はドレインの他方と、トランジスター１２４のソースとにそれぞれ電気的に接続されている。また、電源線６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖｅｌが供給されている。また、電源線６には、容量２１の一端が電気的に接続されている。トランジスター１２１は、トランジスター１２１のゲート及びソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。
【００３９】
トランジスター１２２は、ゲートが走査線１２に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方がデータ線１４に電気的に接続されている。また、トランジスター１２２は、ソース又はドレインの他方が、トランジスター１２１のゲートと、容量２１の他端と、トランジスター１２３のソース又はドレインの一方とに、それぞれ電気的に接続されている。
トランジスター１２２は、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間に電気的に接続され、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間の電気的な接続を制御する書込トランジスターとして機能する。
【００４０】
トランジスター１２３は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｃｍｐが供給される。トランジスター１２３は、トランジスター１２１のゲート及びドレインの間の電気的な接続を制御する、閾値補償トランジスターとして機能する。
【００４１】
トランジスター１２４は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｅｌが供給される。トランジスター１２４は、ドレインがトランジスター１２５のソース又はドレインの一方と有機ＥＬ素子３０の画素電極３１とにそれぞれ電気的に接続されている。トランジスター１２４は、トランジスター１２１のドレインと、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する、発光制御トランジスターとして機能する。
【００４２】
トランジスター１２５は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｏｒｓｔが供給される。また、トランジスター１２５のソース又はドレインの他方は、電源線１９に電気的に接続され、リセット電位Ｖｏｒｓｔが供給されている。トランジスター１２５は、電源線１９と、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する初期化トランジスターとして機能する。
【００４３】
なお、以下の説明において、トランジスター１２２，１２３，１２４，１２５について、単にトランジスターＴと呼ぶこともある。
【００４４】
図４は、図１に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
なお、図４においては、複数の導電体の各々を、１層の金属層もしくは２〜３層の金属層の積層膜として図示している。
【００４５】
有機ＥＬ装置１００は、図４に示すように、基材１１と、基材１１上に順に形成された、画素回路１１０、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２等を含む回路層５と、有機ＥＬ素子３０と、複数の有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４と、カラーフィルター５０と、充填剤４２と、を含む素子基板１０と、封止用基板７０と、を備えている。
【００４６】
封止用基板７０は、例えば石英ガラスなどの可視光領域に対して透明な基板からなり、素子基板１０において封止層３４上に形成されたカラーフィルター５０を保護すべく、充填剤４２を介して素子基板１０に対向して配置されている。
【００４７】
サブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ（図１）の発光機能層３２からの発光は、後述する導電体７１で反射されると共に、カラーフィルター５０を通過して封止用基板７０の側から取り出される。すなわち、有機ＥＬ装置１００はトップエミッション型の発光装置である。
【００４８】
基材１１は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型のため、石英ガラスなどの透明基板のみならず、シリコン（Ｓｉ）やセラミックスなどの不透明な基板を用いることができる。以降、基材１１としてシリコン基板（半導体基板）を用い、画素回路１１０にトランジスターを用いた場合を例に説明する。
【００４９】
図４に示すように、基材１１の表面のうち、表示領域Ｅ１内に画素回路１１０のトランジスターＴが形成され、素子基板１０と封止用基板７０との間であって表示領域Ｅ１の外側の領域に、データ線駆動回路（不図示）のトランジスター（不図示）が形成される。
トランジスターＴは、基材１１の表面に形成された能動領域（ソース／ドレイン領域）と、基材１１の表面を被覆する層間絶縁膜Ｌ０（ゲート絶縁膜）と、層間絶縁膜Ｌ０上に形成されたゲートＧと、を含んで構成される。能動領域（不図示）は、基材１１内に不純物イオンが注入されたイオン注入領域で構成される。画素回路１１０のトランジスターＴのチャネル領域はソース領域とドレイン領域との間に存在する。チャネル領域には、能動領域とは別種類のイオンが注入されるが、図示は省略する。各トランジスターＴのゲートＧは、層間絶縁膜Ｌ０を挟んでチャネル領域に対向する位置に配置される。
【００５０】
図４に示すように、各トランジスターＴのゲートＧが形成された層間絶縁膜Ｌ０上には、複数の層間絶縁膜（ＬＡ〜ＬＥ）と複数の配線層（ＷＡ〜ＷＥ）とを交互に積層した多層配線層が形成される。各層間絶縁膜ＬＡ〜ＬＥは、例えばシリコン化合物（典型的には窒化シリコンや酸化シリコン）等の絶縁性の無機材料で形成される。各配線層ＷＡ〜ＷＥは、アルミニウムや銀等を含有する低抵抗の導電材料で形成される。
【００５１】
基材１１上には、上記したように、上記した複数の絶縁層を介して、実装端子１０３と検査端子６６とが設けられている。実装端子１０３及び検査端子６６は、有機ＥＬパネル１００Ａ（外部接続基板１０４を接合する前のパネル構造）と外部との信号のやり取りを行うインターフェイス部である。
【００５２】
実装端子１０３は、層間絶縁膜ＬＤ及び層間絶縁膜ＬＥを介して積層された複数の配線層８１〜８４から構成されている。具体的には、層間絶縁膜ＬＣの上面に設けられた第１配線層８１と、第１配線層８１上に層間絶縁膜ＬＤを介して設けられた第２配線層８２と、第２配線層８２上に層間絶縁膜ＬＥを介して設けられた第３配線層８３と、第３配線層８３上に直接積層された実装端子表面層８４と、を有する。第１配線層８１、第２配線層８２及び第３配線層８３は、（Ｔｉ）／ＡｌＣｕ（アルミニウム・銅合金）の積層膜からなる。第２配線層８２及び第３配線層８３は、データ線駆動回路１０１あるいは走査線駆動回路１０２を構成するトランジスターの一方の電極と電気的に接続されている。
【００５３】
実装端子表面層８４は、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などからなる透明導電膜である。上記したように、実装端子表面層８４は、外部回路と接続するための端子（フレキシブル基板３６の端子）と電気的に接続される。なお、ＩＴＯに限定されず、ＩＴＺＯ（Zn doped indium tin oxide）、ＩＴＳＯ（indium tin oxide containing siliconoxide）などを用いるようにしてもよい。
【００５４】
検査端子６６は、外部接続基板１０４を接合する前の有機ＥＬパネルの検査（良品選別、特性取得など）を行うために設けられており、ニードルプローブやＦＰＣプローブで接触される端子である。また、検査端子６６には、検査に必要な各種信号が外部の制御装置から入力される。検査端子６６は、アルミニウム合金である。
【００５５】
検査端子６６は、図１及び図４に示すように、データ線駆動回路１０１あるいは走査線駆動回路１０２と、実装端子１０３との間に配置されている。複数の検査端子６６のうちデータ線駆動回路１０１に対応する検査端子６６は、データ線駆動回路１０１に接続される実装端子１０３の配線層を利用して構成されている。一方、走査線駆動回路１０２に対応する検査端子６６は、走査線駆動回路１０２に接続される実装端子１０３の配線層を利用して構成されている。
【００５６】
図４に示すように、検査端子６６は、実装端子表面層８４と異なるレイヤー（層）に形成されている。具体的に検査端子６６は、実装端子１０３を構成する複数の配線層８１，８２，８３，８４のうち、実装端子表面層８４よりも下層側の第２配線層８２の一部から構成されている。検査端子６６は、データ線駆動回路１０１あるいは走査線駆動回路１０２を構成するトランジスターＴの一方の電極と電気的に接続されている。
【００５７】
実装端子表面層８４と同層には、ＩＴＯなどからなる画素電極３１が形成されている。画素電極３１は、上記した画素回路１１０を構成するトランジスターＴの一方の電極と電気的に接続されている。
【００５８】
層間絶縁膜ＬＥの上面には、導電体７１を覆うようにしてＳｉＮからなるＣａｖ調整層６１が形成されている。Ｃａｖ調整層６１の上には、ＳｉＯ２からなる平坦化層３７及びＴｉＮからなる遮光層３９が形成されている。第１光学調整層６２及び第２光学調整層６３は、平坦化層３７及び遮光層３９を覆うようにしてＣａｖ調整層６１の上に積層されている。第１光学調整層６２及び第２光学調整層６３は、Ｃａｖ調整層６１上にこの順で積層され、それぞれがＳｉＯ２から構成されている。
【００５９】
本実施形態では、検査端子６６の上方に位置する上記各層を貫通する開口孔２８が設けられており、該開口孔２８の底面が検査端子６６によって構成されている。検査端子６６の表面は、後述の第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃによって覆われている。
【００６０】
画素電極３１は、第２光学調整層６３の上面に形成されている。画素電極３１を含む第２光学調整層６３の上面には、画素電極３１の一部を露出させるとともに隣り合うサブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ（図１）を分離させる画素分離層３８が形成されている。画素分離層３８は端子領域Ｅ２にも形成されており、開口孔３５Ａを介して実装端子１０３の表面の一部を露出させている。
【００６１】
発光機能層３２は、画素電極３１に接するように、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成され、画素分離層３８の表面の一部も覆う。なお、画素分離層３８で区画された領域に発光機能層３２が形成されればよい。
【００６２】
発光機能層３２は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を有する。本実施形態では、画素電極３１に対して、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層をそれぞれ気相プロセスを用いて成膜し、順に積層することによって発光機能層３２が形成されている。なお、発光機能層３２の層構成は、これに限定されず、キャリアである正孔や電子の移動を制御する中間層をさら含んでも良いし、例えば有機発光層に電子輸送層の機能を持たせて、層数を減らすこともできる。有機発光層は、白色発光が得られる構成であればよく、例えば、赤色の発光が得られる有機発光層と、緑色の発光が得られる有機発光層と、青色の発光が得られる有機発光層とを組み合わせた構成を採用することができる。
【００６３】
共通電極３３は、複数の有機ＥＬ素子３０の共通陰極であり、発光機能層３２を覆って形成される。共通電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金を光透過性と光反射性とが得られる程度の膜厚（例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍ）で成膜することによって形成される。本実施形態において、共通電極３３の光透過率は好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上であり、共通電極３３の光反射率は好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上である。これによって、複数の有機ＥＬ素子３０ができあがる。
【００６４】
共通電極３３を光透過性と光反射性とを有する状態に形成することによって、サブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとの導電体７１と共通電極３３との間で光共振器を構成してもよい。光共振器は、サブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとに、導電体７１と共通電極３３との間の光学的距離を異ならせることにより、特定の共振波長の光が取り出されるものである。これによって、各サブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂからの発光の色純度を高めることができる。上記光学的距離は、光共振器を構成する導電体７１と共通電極３３との間に挟まれた各種の機能膜の屈折率と膜厚との積の合計として求められる。したがって、上記光学的距離をサブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとに異ならせる方法としては、画素電極３１の膜厚を色毎に異ならせる方法や、導電体７１と画素電極３１との間の第１光学調整層６２及び第２光学調整層６３の膜厚を異ならせる方法がある。上記のように有機ＥＬ素子３０が共振構造を有する場合、有機ＥＬ素子３０から発せられた光は、共通電極３３から後述の封止層３４側に出射される光であり、発光機能層３２の内部で発せられる光のスペクトルとは異なるスペクトルの光である。
【００６５】
次に、水や酸素などが浸入しないように複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４が形成される。本実施形態の封止層３４は、共通電極３３側から順に、第１封止膜（封止膜）３４ａ、緩衝膜３４ｂ、第２封止膜（封止膜）３４ｃが積層されたものである。
【００６６】
なお、封止層３４のガスバリア性としては、有機ＥＬ素子３０を大気中の酸素および水等から保護することが可能な程度であれば特に限定されないが、酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましく、水蒸気透過度が７×１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、中でも５×１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、特に５×１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。封止層３４の光の透過率は、共通電極３３からの射出光に対し８０％以上であることが好ましい。
【００６７】
第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃとしては、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有する無機材料である例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＸＮＹ）およびこれらを主成分としたものが好ましい。
【００６８】
第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃの形成方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、イオンプレーティング法などを挙げることができる。第１封止膜３４ａや第２封止膜３４ｃの膜厚を厚くするほど、高いガスバリア性を実現できるが、その一方で膜の膨張や収縮によって生じる膜応力によりクラックが生じ易い。したがって、それぞれ２００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度の膜厚に制御することが好ましく、本実施形態では緩衝膜３４ｂを挟んで、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとを重ねることで高いガスバリア性を実現している。
【００６９】
緩衝膜３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成することができる。また、緩衝膜３４ｂをスクリーンなどの印刷法や定量吐出法などにより塗布形成すれば、緩衝膜３４ｂの表面を平坦化することができる。つまり、緩衝膜３４ｂは第１封止膜３４ａの表面の凹凸を緩和する平坦化層としても機能させることができる。緩衝膜３４ｂの厚みは、１μｍ〜５μｍ、より好ましくは１．５μｍ〜２．０μｍの範囲である。
【００７０】
本実施形態では、図４に示すように、端子領域Ｅ２における封止構造は、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとで主に構成されており、表示領域Ｅ１のように第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとで緩衝膜３４ｂを挟んだ構成になっていない。表示領域Ｅ１においては画素回路１１０や有機ＥＬ素子３０などの構造物により、少なからず凹凸が生じてしまうため、緩衝膜３４ｂを挟むことにより凹凸を緩和させる必要がある。他方で、端子領域Ｅ２においては有機ＥＬ素子３０等が存在しないために、下地の凹凸をそれほど考慮しなくても良いからである。
【００７１】
端子領域Ｅ２に存在する第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃには、複数の実装端子１０３のそれぞれに対応する位置に開口孔３５Ａが形成されている。これら第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃに設けられた開口孔３５Ａを介して、各実装端子１０３の少なくとも一部の表面が外部に露出している。
【００７２】
また、本実施形態では、検査端子６６上に位置する開口孔２８内を埋めるようにして、第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃが設けられている。このように、製品状態で検査端子６６が外部に露出することのないよう構成されている。
【００７３】
封止層３４上には、各色のサブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに対応した着色層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂが形成される。着色層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂで構成されるカラーフィルター５０の形成方法としては、各色に対応した染料や顔料などの色材が溶剤に分散された感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像して形成する方法が挙げられる。
【００７４】
着色層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの膜厚は、どの色も同じでもよいし、少なくとも１色を他の色と異ならせてもよい。いずれにしても、有機ＥＬ素子３０からの発光が各着色層（５０Ｒ、５０Ｇ、５０Ｂ）を通過した際に、適度な色度やホワイトバランスが得られるような膜厚が設定される。
【００７５】
封止用基板７０は、素子基板１０の表示領域Ｅ１に充填剤４２を介して素子基板１０と貼り合わされている。充填剤４２の機能としては、封止用基板７０と素子基板１０との濡れ性および接着性を良好なものとし、また、有機ＥＬ素子３０からの発光に対して透明であることが必要とされる。そのため、充填剤４２としては、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂材料を挙げることができる。充填剤４２の厚みは、例えば１０μｍ〜１００μｍである。
【００７６】
外部接続基板１０４は、素子基板１０の端子領域Ｅ２に対向して配置され、異方性導電接着剤（ACF:Anisotropic Conductive Film、導電性接着フィルム）１０６を介して素子基板１０に固定されている。あるいは、ペースト状の異方性導電接着剤（ACP：Anisotropic conductive paste）を用いてもよい。異方性導電接着剤１０６は、熱硬化性樹脂１０６ａに微細な金属粒子１０６ｂを混ぜ合わせたもので、これら金属粒子１０６ｂを介して、素子基板１０側の実装端子１０３と、外部接続基板１０４の外部接続端子１０８と、が電気的に接続される。
【００７７】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法について説明する。
ここでは、本発明の特徴部分である、開口孔３５Ｂの形成方法を詳しく説明する。
図５は、有機ＥＬ装置１００の製造方法を示すフローチャートである。
図６及び図７は、有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す概略断面図である。
図８は、検査端子に検査プローブを接触させた様子を示す図である。
図９〜図１２は、有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す概略断面図である。
なお、図６及び図７、図９〜図１２は、図４に対応した領域の概略断面図である。
【００７８】
図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、レジストパターン形成工程Ｓ１、検査端子開口工程Ｓ２、回路検査Ｓ３、封止層形成工程Ｓ４、カラーフィルター形成工程Ｓ５、封止用基板貼り合わせ工程Ｓ６、実装端子開口工程Ｓ７及び外部接続基板貼り合わせＳ８を含んでいる。
【００７９】
なお、基材１１上に画素回路１１０、その他周辺回路、信号配線などを含む回路層５、画素電極３１を形成する方法は、公知の成膜技術、穴埋め技術、平坦化技術その他付随するプロセスを採用することができる。このようにして、図６に示すように、基材１１上に回路層５から画素電極３１までを形成する。
【００８０】
＜レジストパターン形成工程Ｓ１）＞
図６に示すように、まず、素子基板１０の最表面を覆うようにして、フォトレジストを所定の膜厚で塗布し、レジスト膜を形成する。さらに、得られたレジスト膜に対して露光・現像を行うことによってパターニングし、検査端子６６を形成する位置に開口１７Ａを有するレジストパターン１７を形成する。
【００８１】
＜検査端子開口工程Ｓ２）＞
次に、開口１７Ａを有するレジストパターン１７をマスクにして、第２配線層８２をエッチングストッパーとして、第２配線層８２上に存在する複数の積層膜を公知のエッチング技術によりパターニングし、図７に示すような開口孔２８を形成する。その後、レジストパターン１７を除去し、開口孔２８から露出する第２配線層８２が検査端子６６として機能する。
【００８２】
＜回路検査Ｓ３＞
次に、図８に示すように、検査端子６６にプローブ（検査用の針）１３を接触させることで導通させ、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２に対する検査を行い、有機ＥＬパネル１００Ａの特性等を調べる。
【００８３】
＜封止層形成工程Ｓ４）＞
次に、 図９に示すように、まず、公知の成膜技術等により有機ＥＬ素子３０を形成し、次に表示領域Ｅ１（共通電極３３）と端子領域Ｅ２（実装端子１０３）とを覆う第１封止膜３４ａを形成する。第１封止膜３４ａを形成する方法としては、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯＸＮＹ）を真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などで成膜する方法が挙げられる。第１封止膜３４ａの膜厚はおよそ２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることが望ましく、この場合、４００ｎｍとした。
【００８４】
本実施形態では、検査端子６６を露出させている開口孔２８を埋めるように第１封止膜３４ａを形成し、検査端子６６の表面を封止する。これにより、検査端子６６の表面が被覆されて他の端子と絶縁される。
【００８５】
次に、第１封止膜３４ａを覆う緩衝膜３４ｂを形成する。緩衝膜３４ｂは、端子領域Ｅ２と封止用基板７０との境界に掛からず、表示領域Ｅ１に収まるように形成することが望ましい。緩衝膜３４ｂの形成方法としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を用い、印刷法や定量吐出法で該溶液を塗布し、乾燥させることにより、エポキシ樹脂からなる緩衝膜３４ｂを形成する。緩衝膜３４ｂの膜厚は１μｍ〜５μｍが好ましく、より好ましくは１．５μｍ〜２．０μｍである。この場合、２μｍとした。
【００８６】
なお、緩衝膜３４ｂは、エポキシ樹脂などの有機材料を用いて形成することに限定されない。例えば、塗布型の無機材料を印刷法により塗布し、これを乾燥・焼成することによって、膜厚がおよそ２μｍの酸化シリコン膜を、緩衝膜３４ｂとして形成してもよい。
【００８７】
続いて、第１封止膜３４ａ上に、緩衝膜３４ｂを覆う第２封止膜３４ｃを形成する。第２封止膜３４ｃの形成方法は、第１封止膜３４ａと同じであって、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯＸＮＹ）を真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などで成膜する方法が挙げられる。第２封止膜３４ｃの膜厚もおよそ２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることが望ましく、この場合は８００ｎｍとした。
【００８８】
第２封止膜３４ｃを表示領域Ｅ１及び端子領域Ｅ２に亘って形成し、端子領域Ｅ２の開口孔２８内にも形成する。検査端子６６の表面を、開口孔２８内に充填された第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃによって被覆し、外部に露出しないようにする。
【００８９】
＜カラーフィルター形成工程Ｓ５＞
まず、図１０に示すように、第２封止膜３４ｃの表面に絶縁層４３を形成する。絶縁層４３は、異なる色の着色層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂを区分するものである。絶縁層４３は、色材を含まない感光性樹脂材料からなる。まず、色材を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法などを用いて基材１１の全面に亘って塗布して感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を露光・現像することで、絶縁層４３を形成する。この際、基材１１上に形成された実装端子１０３と平面視で重なる領域に開口部４３Ａをパターン形成する。本実施形態では、実装端子１０３に対応する領域を露出させる開口部４３Ａを形成するように、感光性樹脂層をパターニングする。このようにして絶縁層４３を形成する。
【００９０】
次に、図１０に示すように、カラーフィルター５０を形成する。
まず、絶縁層４３を覆うようにして、例えば緑の色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥させることにより感光性樹脂層を形成する。続いて、該感光性樹脂層を露光・現像することにより、図１０に示すように緑（Ｇ）の着色層５０Ｇを形成する。本実施形態においては、適度な光学特性を得られるよう、着色層５０Ｇの膜厚を１．０μｍ〜２．０μｍの範囲とした。また、図示はしないが、赤および青についても同様に各色の色材を含む感光性樹脂を塗布し、露光現像を行い、図１０に示すように着色層５０Ｒ、５０Ｂを形成する。すなわち、使用するカラーフィルターの色数に応じた回数分、塗布〜露光現像処理を行う必要がある。
【００９１】
＜封止基板貼り合わせ工程Ｓ６＞
図１０に示すように、着色層５０Ｇ（５０）を覆うように充填剤４２を塗布する。充填剤４２には、有機ＥＬ素子３０から発せられる光の透過性およびカラーフィルター５０と封止用基板７０との接着性を考慮して熱硬化型のエポキシ系樹脂が使用されている。その他、たとえばウレタン系、アクリル系、ポリオレフィン系などの樹脂材料でも同様の効果が得られる。充填剤４２は、緩衝膜３４ｂの効果により例えば有機ＥＬ素子３０などの構造物の凹凸が低減されているため、カラーフィルター５０や第２封止膜３４ｃの表面上を流動性よく塗布することができる。なお、最終的な充填剤４２の厚みはおよそ１０〜１００μｍである。
【００９２】
図１０に示すように、に示すように、充填剤４２が塗布された基材１１に対して、封止用基板７０を所定の位置に例えば真空吸引等で対向して配置する。封止用基板７０には光透過性やハンドリング性、後の封止膜エッチング工程による反応生成物の影響を考慮して、石英ガラスが使用されている。封止用基板７０の厚みは０．５ｍｍ〜１．２ｍｍが好適である。本実施形態においては０．７ｍｍの基板を用いている。
【００９３】
対向して配置された封止用基板７０を所定の押し圧で加圧し、基材１１と封止用基板７０とに挟まれて、いまだ固化していない充填剤４２を平面視でまんべんなく押し広げる。この際、封止用基板７０の端部（端子領域Ｅ２との境界面）から充填剤４２がはみ出て端子領域Ｅ２にかかり、実装端子１０３まで覆ってしまうことも懸念される。したがって、充填剤４２の塗布量の調整、封止用基板７０の平面積、加圧の程度により、充填剤４２が端子領域Ｅ２にはみ出さないように管理することが好ましい。ちなみに、充填剤４２の内部に気泡の残りがあると表示不良を引き起こす可能性もあるので、真空（大気圧以下）雰囲気の元で押し圧作業を行うことがより好ましい。
【００９４】
上記作業の後、充填剤４２の硬化条件となる温度および時間にて充填剤４２を固化し、素子基板１０と封止用基板７０とを接着する。なお、封止用基板７０を加圧することにより充填剤４２を平面的に延在させるため、前工程にて充填剤４２を表示領域Ｅ１全体に塗布することは特に求めない。
【００９５】
＜実装端子開口工程Ｓ７＞
図１０に示すように、絶縁層４３をマスクとして、開口部４３Ａ内の第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃをエッチングにより除去し、第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃの膜厚を貫通する開口孔３５Ａを形成する。このようにして、図１１に示すように、実装端子１０３（実装端子表面層８４）を露出させる開口孔３５Ａを形成する。
【００９６】
シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）およびシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＸＮＹ）などの無機膜からなる第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃをエッチングする方法として、ＣＨＦ３（三フッ化メタン）、ＣＦ４（四フッ化炭素）、ＮＦ３（三フッ化窒素）、ＳＦ６（六フッ化硫黄）などのフッ素系処理ガスを用いたドライエッチングが挙げられる。
【００９７】
ドライエッチングは、所定のガス流量、チャンバー圧力のもと高周波電圧を印加することにより行われる。ガス種に応じたプラズマ粒子が封止膜（３４ａ，３４ｃ）や封止用基板７０などに照射されることで、プラズマ粒子と被照射物である封止膜（３４ａ、３４ｃ）などとが化学反応を起こし揮発性物質を生成することにより、被照射物を削り取る。
【００９８】
端子領域Ｅ２では第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとが重なっている。そして双方の封止膜（３４ａ，３４ｃ）は、共にシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＸＮＹ）のいずれかであり、ＳｉまたはＳｉＯを主成分としている。よって、同種のエッチングガスで第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとを一括除去することが可能となる。
【００９９】
実装端子１０３には先に述べたようにアルミニウム（Ａｌ）や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が使用されている。よって、実装端子１０３を覆う封止膜（３４ａ，３４ｃ）を選択的に除去した後には、実装端子１０３自体が良好なエッチングストップ材となり、実装端子１０３は封止膜エッチング工程に対して保護される。
【０１００】
次に、封止用基板７０をマスクにしてアッシングを行い、端子領域Ｅ２内に存在する絶縁層４３を全て除去する。
【０１０１】
＜外部接続基板貼り合せ工程Ｓ８＞
次に、図１２に示すように、異方性導電接着剤１０６を介して、素子基板１０の端子領域Ｅ２に対して外部接続基板１０４を貼り合わせて固定する。これにより、素子基板１０側の実装端子１０３と外部接続基板１０４の接続端子１０５とが、開口孔３５Ａ内の異方性導電接着剤１０６を介して電気的に接続される。このようにして有機ＥＬ装置１００が完成する。
【０１０２】
本実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、製品完成状態において、検査端子６６の表面が第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃによって覆われているので、検査端子６６に検査用プローブ１３を接触させた際に、検査端子６６の表面に削れ、割れなどが生じた場合でも、これらに起因して生じた膜の屑を検査端子６６の表面に留まらせることが可能となる。これにより、検査端子６６の表面の膜が飛散することを抑えることができる。
よって、例えば、基板上に飛散した膜の屑に起因して、検査端子６６と他の端子との間で短絡が生じるのを防ぐことができるので、有機ＥＬ素子３０を駆動するための駆動回路の動作に不具合が生じるなど、不良になることを抑えることができる。
【０１０３】
また、本実施形態では、検査端子６６が実装端子１０３の実装端子表面層８４と異なる層に形成されている。すなわち、実装端子１０３を構成する実装端子表面層８４よりも下層側の第２配線層８２を検査端子６６として用いることにより、有機ＥＬ素子３０を封止する第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃによって検査端子６６の表面を被覆させることができる。これにより、製造工程を増やすことなく検査端子６６に対して絶縁処理を施すことができる。また、実装端子１０３を構成する配線層を利用して検査端子６６としているため、検査端子を別途設ける必要がない。
【０１０４】
［電子機器］
次に、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。
図１３は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）を示す概略図である。
図１３に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（電子機器）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
【０１０５】
表示部１００１には、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が搭載されている。したがって、優れた表示品質を有すると共に、高い生産性を有しているのでコストパフォーマンスに優れ小型で軽量なヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。
【０１０６】
ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。
【０１０７】
なお、上記有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。
【０１０８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１０９】
（変形例）
例えば、上記実施形態においては、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色表現をするためカラーフィルター５０を用いた有機ＥＬ装置１００について記載したが、これに拘るものでは無い。例えば、３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光をする有機ＥＬ素子３０を用いたＲＧＢ塗り分け方式、青（Ｂ）発光から蛍光体の色変換層を通して赤（Ｒ）、緑（Ｇ）の発光を得る色変換方式など、その他の多様な色表現方法を有する有機ＥＬ装置に本発明を適用することが可能である。
【０１１０】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１１１】
１０…素子基板、３０Ｂ…有機ＥＬ素子（発光素子）、３４ａ…第１封止膜（封止膜）、３４ｃ…第２封止膜（封止膜）、６６…検査端子、８１〜８４…配線層、１００…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、１０１…データ線駆動回路（トランジスター回路）、１０２…走査線駆動回路（トランジスター回路）、１０３…実装端子、１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，Ｔ…トランジスター、１０００…ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）、Ｅ１…表示領域、Ｅ２…端子領域、Ｓ７…封止膜形成工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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