(57)【要約】【課題】  本発明の課題は、金型内に予め機能層を仮固定していた作業を改良し、生産効率が向上した樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】  樹脂封止型半導体装置の製造に用いられる機能層転写体であって、前記機能層転写体が、ダミーフレームと機能層とを有する機能層転写体、および配線基板又はリードフレームからなる基体に固定された半導体素子を、金型を用いて封止樹脂により封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、ダミーフレームに仮固定された機能層を金型成形面に転写して前記金型成形面に機能層を仮固定する工程と、配線基板又はリードフレームからなる基体に固定された半導体素子を金型内に載置する工程と、金型内に封止樹脂を注入し、半導体素子を封止する工程とを含む樹脂封止型半導体装置の製造方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止型半導体装置の製造に用いられる機能層転写体であって、前記機能層転写体が、ダミーフレームと機能層とを有することを特徴とする機能層転写体。
【請求項２】
前記機能層が、ダミーフレームに仮固定されていることを特徴とする請求項１に記載の機能層転写体。
【請求項３】
前記機能層が、電磁波シールド層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の機能層転写体。
【請求項４】
前記電磁波シールド層が、樹脂層中に細孔のある導電層が形成されたシートであることを特徴とする請求項３に記載の機能層転写体。
【請求項５】
配線基板又はリードフレームからなる基体に固定された半導体素子を、金型を用いて封止樹脂により封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
ダミーフレームに仮固定された機能層を金型成形面に転写して前記金型成形面に機能層を仮固定する工程と、配線基板又はリードフレームからなる基体に固定された半導体素子を金型内に載置する工程と、金型内に封止樹脂を注入し、半導体素子を封止する工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記機能層が、厚さ方向における樹脂が偏在しており、該機能層の樹脂比率が多い面が金型成形面に仮固定されることを特徴とする請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機能層転写体及びそれを用いた樹封止型半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気電子分野や輸送機分野等では、使用するエネルギーを精密に制御するために以前にも増して半導体装置の搭載数が増大している。これに伴い、半導体装置から発せられる電磁波ノイズによる電子機器の誤動作の問題や、半導体装置の発熱による機能低下および寿命低下の問題への対策が必要になってきている。
【０００３】
前記のような問題に対して、従来より、電磁波遮蔽効果を有する電磁波シールド層や放熱効果の高い放熱層などの各種機能層を半導体装置の外周部に設けることが行われてきた。（例えば、特許文献１および２参照）
機能層を外周部に設ける方式として、半導体装置を製造後に外周部に塗布や貼り付けにより設置する方式があるが、この場合、工程数が増えるという課題や機能層と半導体装置との接着力が弱いという課題がある。この課題に対して、機能層をリリースフィルムに固定しておき、機能層付きリリースフィルムを金型に設置後、一括で樹脂封止する方式が提案されている。しかしながら、この場合においても、該リリースフィルムを金型から剥離する工程増加や樹脂封止時の樹脂漏れの懸念があるという問題を有していた。
【０００４】
そこで、本出願人は、特に高周波設備、機器、デバイスなどの情報通信機器に用いられる各種の樹脂封止された半導体デバイスのノイズ障害を防止する樹脂封止型半導体装置であり、かつ、従来はリリースフィルムが工程上必要であったのに対して容易に電磁波シールド機能を有する樹脂封止型半導体装置が得られる製造方法を先に提案した（特許文献３）。
特許文献３によれば、リリースフィルムを使用しないで電磁波シールド機能を有する樹脂封止型半導体装置を容易に得られる製造方法であるが、金型内に予め電磁波シールド層を仮固定する際に、人の手によって行なわれており、生産効率が悪いという課題を有していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１３／１８３６７１号明細書
【特許文献２】特開２０１５−１７３２３２
【特許文献３】特願２０１６−０５５２６０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その課題は、金型内に予め機能層を仮固定していた作業を改良し、生産効率が向上した樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の要旨とするところは、以下のとおりである。
（１）樹脂封止型半導体装置の製造に用いられる機能層転写体であって、前記機能層転写体が、ダミーフレームと機能層とを有することを特徴とする機能層転写体。
（２）前記機能層が、ダミーフレームに仮固定されていることを特徴とする前記（１）に記載の機能層転写体。
（３）前記機能層が、電磁波シールド層であることを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の機能層転写体。
（４）前記電磁波シールド層が、樹脂層中に細孔のある導電層が形成されたシートであることを特徴とする前記（３）に記載の機能層転写体。
（５）配線基板又はリードフレームからなる基体に固定された半導体素子を、金型を用いて封止樹脂により封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
ダミーフレームに仮固定された機能層を金型成形面に転写して前記金型成形面に機能層を仮固定する工程と、配線基板又はリードフレームからなる基体に固定された半導体素子を金型内に載置する工程と、金型内に封止樹脂を注入し、半導体素子を封止する工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
（６）前記機能層が、厚さ方向における樹脂が偏在しており、該機能層の樹脂比率が多い面が金型成形面に仮固定されることを特徴とする前記（５）に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、ダミーフレームと機能層とを有する機能層転写体を用いることによって、個々の半導体装置を成型する金型内に一括して機能層を仮固定できるため、半導体装置の生産効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の機能層転写体を示した図である。
【図２】図２は、ダミーフレームを示した図である。
【図３】図３は、機能層の実施形態である。
【図４】図４は、機能層転写体の他の実施形態である。
【図５】図５は、細孔を有するシート状の導電性材料に樹脂を含浸させた電磁波シールド層の断面図である。
【００１０】
【図６】図６は、ダミーフレームに仮固定された機能層を金型成形面に転写して金型成形面に機能層を仮固定する工程を示す図である。
【図７】図７は、機能層転写体の他の実施形態である。
【図８】図８は、本発明の樹脂封止型半導体装置を製造するための工程を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明について、詳細に説明する。
［機能層転写体］
図１は、本発明の機能層転写体を示した図である。図１において、機能層転写体１はダミーフレーム２と板状の機能層３とを有する。図１（ａ）は機能層転写体１の断面図であり、図１（ｂ）は機能層転写体１の斜視図である。機能層３は、ダミーフレーム２に仮固定されている。
図２は、ダミーフレーム２を示した図であって、図２（ａ）がダミーフレーム２の断面図、図２（ｂ）がダミーフレーム２の斜視図である。図２に示したようにダミーフレーム２には、半導体装置を製造する際の金型内に機能層３を仮固定するための突起部４を有している。図１に示すように、機能層３はダミーフレーム２の突起部４に仮固定される。
ダミーフレーム２は、樹脂封止する際の半導体装置における配線基板又はリードフレームからなる基体と同じ形状にすることによって、効率よく金型内に機能層３を仮固定することができる。ダミーフレーム２は、金型の形状に合うように適宜設計することが可能である。
また、図１及び図２においては、突起部４を２箇所有するダミーフレーム２を示しているが、半導体装置を製造する金型に合わせて３箇所以上の突起部４を有していてもよい。
【００１２】
図３は機能層３の他の実施形態であって、図３（ａ）は箱状の機能層３を示した斜視図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）を別方向から示した斜視図である。
図３（ａ）の箱状の機能層３は、配線基板又はリードフレームからなる基体に固定された半導体素子を樹脂封止した半導体装置の５面を覆うような形状となっている。このような半導体装置の５面を覆うことができる機能層３は、図１に示すような板状の機能層３と比較してより絶縁効果や放熱効果、電磁波抑制効果等が期待できる。
図４は、上記の図３における箱状の機能層３を、ダミーフレーム２の突起部４に仮固定した機能層転写体１の斜視図である。
【００１３】
本発明におけるダミーフレームの材質としては、樹脂、金属、セラミック等、材質について特に限定はないが、ダミーフレームの熱容量が高いほど金型に機能層がより転写させやすく、ダミーフレームが硬い材質のほど金型破損のリスクが高まるという理由から、樹脂が最も好ましい。
機能層を金型に仮固定する際、高温に維持された金型と接することから、樹脂としては耐熱性樹脂が好ましい。耐熱性樹脂としては、イソシアヌレート樹脂、イミド樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等を挙げることができる。
【００１４】
また、本発明におけるダミーフレームには、図２（ｃ）に示すように機能層固定面側に微粘着層１３を設けてもよい。ダミーフレームに微粘着層１３を設けることによって、機能層をダミーフレームに仮固定することが容易になる。本発明における微粘着層１３の微粘着性面は、軽度の粘着性を有することから、機能層を一時的に固定することができるが、機能層が金型内に仮固定された後は、ダミーフレームから容易に剥離される。図２（ｃ）における微粘着層１３は、突起部４の平面の全体に設けられているが、微粘着層１３は突起部４上に点在していてもよい。
【００１５】
上記のような特性を有する微粘着層１３の材料としては、エラストマー材料が挙げられる。エラストマー材料には、ゴム材料、熱硬化性樹脂系エラストマー材料、および熱可塑性樹脂系エラストマー材料が包含される。ゴム材料には、天然ゴムおよび合成ゴム（ポリブタジエン系ゴム、ニトリル系ゴム、クロロプレン系ゴム）が包含される。エラストマー材料の具体例としては、ウレタンゴム、ニトリルゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、およびポリイソブチレンゴムなどが挙げられる。
【００１６】
本発明における機能層は、金型への仮固定が可能なように樹脂成分を含むことが必要であるが、その他機能成分は必要な特性によって選定される。すなわち、例えば、絶縁性のみを付与したい場合には樹脂のみで良く、放熱性を付与したい場合には金属やセラミックスなどの熱伝導性材料を添加すれば良い。この場合、アルミナフィラーや窒化ホウ素フィラー、窒化アルミフィラーなどが好適に用いられる。
【００１７】
また、電磁波シールド効果を付与したい場合において、シールド材料は金属箔や金属粒子、導電性シート、磁性粒子などが挙げられ、材質および形状は特に限定するものではない。
上記のうち、導電しやすく電磁波シールド効果が高いという点では金属箔を用いることが好ましい。一方、細孔を有する導電性シートでは、該導電性シートと機能層の樹脂成分や封止樹脂とのアンカー効果が発現できることにより、封止樹脂から機能層が剥離しにくいという点で好ましい。
【００１８】
前記金属箔としては、例えばアルミ箔、銅箔、ステンレス箔などが挙げられるが、特に限定するものではない。厚みに関しても特に限定はしないが、シールド効果の点ではより厚くなるほど効果は増大し、厚すぎると成形性が悪化するため、５〜２００μｍが好ましい。
【００１９】
前記導電性シートを用いた電磁波シールド層は、細孔を有するシート状の導電性材料に樹脂を含浸させることによって得ることができる。また、樹脂シートを熱ラミネート等により導電性材料に貼り合わせたものでもよい。封止樹脂との接合側は、導電層の多孔質形状が維持されていた方が、封止樹脂が含浸されやすく、より強固に接着できるため好ましい。樹脂層中に細孔のある導電層が形成されたシートは、導電部分が表面に露出していてもよいが、導電性材料の落下防止のためには樹脂で覆われていた方が好ましい。
細孔を有するシート状の導電性材料とは、金属繊維からなる金属繊維シートが挙げられる。また、グラファイト構造を持つシートであるグラフェンシート、１つのグラフェンシートが筒状になった単層カーボンナノチューブ、２つ以上のグラフェンシートが筒状に層をなしている多層カーボンナノチューブ、ナノメートルサイズの直径を持つカーボン繊維が直径１０００ｎｍ以内でらせん状になったカーボンナノコイル、カーボンナノファイバー、カーボンナノホーン、カーボンナノカプセルなどからなるカーボン繊維シートを挙げることができる。
その他、ステンレスやアルミニウム等の金属材料から成るエキスパンドメタル等も挙げられる。エキスパンドメタルの場合、複数層を積層することで、よりシールド効果の向上が可能となる。
【００２０】
金属繊維シートとしては、金属材料であれば、磁性、非磁性を問わないが、高周波域のシールドのためには高透磁性を有する金属が好ましい。例えば、金属繊維としては、極細線加工が可能なステンレス鋼繊維、ニッケル繊維、銅繊維、アルミニウム繊維、銀繊維、金繊維、チタン繊維等があげられるが、導電性があり、細線加工が可能な金属であれば如何なるものでもよく、金属の種類に限定されるものではない。これらの金属繊維は、繊維径が細いものほどシートに形成したときの柔軟性がよく、繊維径が細いほど加工度が高くなり、高価格になりやすいため、通常５〜５０μｍ、好ましくは３０μｍ以下の範囲で目的に応じて選択される。また、金属繊維の長さは、特に限定されるものではないが、湿式抄紙法によりシートを作製する場合には、地合構成の観点から２〜１０ｍｍの範囲が最適である。
【００２１】
金属繊維シートの製造は、湿式抄紙法によって行うことが好ましいが、その他にも編組や織布の作製方法によって得ることもできる。湿式抄紙法による場合は、短繊維にカットした一種または複数種の金属繊維を水中に離解分散させ、適量のバインダーと必要に応じて助剤を添加し、混合した後、ワイヤー上で脱水処理し、プレス工程、乾燥工程を得てシート化し、真空または非酸化性雰囲気下で加熱してバインダー等を熱分解して除去すればよい。バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール繊維、ポリエチレン繊維、ポリプロピレン繊維、セルロースパルプ等が使用でき、また、助剤としては、一般に湿式抄紙法に使用されている分散剤、界面活性剤、消泡剤等が使用できる。非酸化性雰囲気としては、アルゴンガス、窒素ガス、水素ガス等を使用することができる。
【００２２】
また、金属繊維シートは電磁波シールド特性および品質向上の目的から、金属繊維同士を焼結してもよい。焼結は、真空または非酸化性雰囲気中で金属繊維の融点近くの温度において、例えば、ステンレス鋼繊維の場合、１１２０℃で１〜２時間加熱処理を行えばよい。
【００２３】
本発明において、金属繊維シートの金属繊維表面は、その金属繊維よりも低い抵抗率を有する金属で被覆させることができる。それにより、所望の導電性その他の特性を、より少量の金属を用いて得ることができ、優れた電磁波シールド効果が達成される。
金属繊維表面の被覆は、電解メッキ法、無電解メッキ法、スパッタリング法、蒸着法、プラズマ溶射法等、公知の方法によって行うことができる。また、金属繊維よりも低い融点を有する低抵抗の他の金属繊維を共存させて焼結することによって、焼結と同時に金属繊維の表面を低抵抗の金属で被覆するようにしてもよい。上記の方法で得られるシート状の金属繊維シートは、厚さが１０〜２００μｍであることが好ましい。
【００２４】
本発明における機能層は、転写シートにそのまま塗布する方法により得ることができる。
上記の転写シートとしては、ポリエチレン製シート、ポリエチレンテレフタレート製シート、ポリプロピレン製シート等を使用することができる。
【００２５】
他の方法としては、転写シートに樹脂を塗布した後、該転写シート上の樹脂を前記の金属箔や金属繊維シート、カーボン繊維シート等の機能材料シートに転写することにより得ることができる。
また、本発明における電磁波シールド層は、金属箔や金属繊維シート、カーボン繊維シート等に直接樹脂を塗布して製造することもできる。塗布の手段としては、エアドクターコーティング、ブレードコーティング、ナイフコーティング、リバースコーティング、トランスファロールコーティング、グラビアロールコーティング、キスコーティング、キャストコーティング、スプレーコーティング、スロットオリフィスコーティング、カレンダーコーティング、ディップコーティング、ダイコーティング等のコーティングや、フレキソ印刷等の凸版印刷、ダイレクトグラビア印刷、オフセットグラビア印刷等の凹版印刷等で形成することができる。
【００２６】
本発明における機能層は、厚さ方向において樹脂が偏在していることが好ましい。図５に機能層が前記細孔を含む導電性シートを含む電磁波シールド層の場合における、断面の模式図を示した。厚さ方向における樹脂が偏在している状態とは、図５に示したように、電磁波シールド層３の断面の一方の面Ａに樹脂１１が多く含まれ、他方の面Ｂに導電繊維１２が多く含まれている状態を意味する。
機能層が厚さ方向において樹脂が偏在している状態は、単層によって得ても良いし、樹脂成分が多い層を積層することによって得ても良い。
このような厚さ方向における樹脂が偏在した機能層は、該機能層の樹脂含浸比率が多い面が加熱した金型成形面に接触した際に、樹脂が溶融されて金型面に濡れ広がる樹脂面積が多くなりやすいことにより、容易に貼着され、仮固定の作業効率に優れている。また、金型内に樹脂が高圧力で注入された場合であっても該機能層の位置がずれる問題も発生しにくくなるため、樹脂封止型半導体装置の成形性が優れており、不良品が発生することなく製造上の歩留まりも向上できる。
【００２７】
本発明における樹脂としては、Ｂ−ステージ化の可能な熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、ゴム成分を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられ、耐熱性という点でエポキシ樹脂であることが好ましい。エポキシ樹脂としては、一般に用いられている半導体封止用エポキシ樹脂を用いることができ、アミン硬化のエポキシ樹脂、酸無水物硬化のエポキシ樹脂、ノボラックフェノール硬化のエポキシ樹脂であることが好ましい。
さらに、速硬化可能であるほど金型剥離性の点で優れており、硬化促進剤を添加することが望ましい。上記硬化促進剤としては種々のものが使用でき、例えば、リン系化合物、第３級アミン、イミダゾール、有機酸金属塩、ルイス酸、アミン錯塩等が挙げられるが、硬化性、耐熱性、電気特性、耐湿信頼性等に優れる点から、イミダゾール化合物では２−エチル−４−メチルイミダゾール、リン系化合物ではトリフェニルホスフィンが好ましい。
また、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド等を挙げることができる。また、ゴム成分としては、天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、ポリイソブチレン、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、アクリルゴム、フッ素ゴム、エピクロルヒドリンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等が挙げられる。
その他、金型剥離性に効果のある、シリコーンオイルやワックス類などの離型剤も少量添加することもできる。
【００２８】
［樹脂封止型半導体装置の製造方法］
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、配線基板又はリードフレームからなる基体に固定された半導体素子を、金型を用いて封止樹脂により封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
ダミーフレームに仮固定された機能層を金型成形面に転写して前記金型成形面に機能層を仮固定する工程と、配線基板又はリードフレームからなる基体に固定された半導体素子を金型内に載置する工程と、金型内に封止樹脂を注入し、半導体素子を封止する工程とを含むことを特徴とする。
図６は、ダミーフレームに仮固定された機能層を金型成形面に転写して前記金型成形面に機能層を仮固定する工程を示す図である。
図６では、片面封止法によるＢＧＡ（Ball Grid Array）の半導体装置を製造する例であって、トランスファー成形による封止用の金型が示されている。図６（ａ）においては、前記で詳述した機能層転写体１をトランスファー成形用の下金型２１に載置し、上方にはトランスファー成形用の上金型２２がある。図６における孔Ｐは、後述する封止樹脂を金型内に供給するための孔である。
このとき、機能層転写体１は、ダミーフレーム２上に機能層３が仮固定されている。該機能層３の樹脂成分のガラス転移点（Ｔｇ）を金型温度より低くすることで上金型２２への仮固定は容易となる。
【００２９】
図６（ｂ）では、上金型２２と下金型２１とを締めて固定することによって、機能層転写体１における機能層３が上金型２２に接触する。上金型２２は、予め加熱されているため、上金型２２に接触された機能層３の樹脂が溶融し、上金型２２に仮固定される。一方、ダミーフレーム２に仮固定されていた機能層３の面は、微粘着層を積層しているため容易にダミーフレーム２から剥離される。
図６（ｃ）では、ダミーフレーム２から剥離され、上金型２２に仮固定された機能層３が示されている。その後、ダミーフレーム２は下金型２１から外される。
【００３０】
前記図６の機能層転写体１は、突起部が片側のみに有する例であったが、図７の機能材転写体１のように両側に突起部４を有するものであってもよい。この場合の金型は、上金型２２と下金型２１に、機能層転写体１の突起部４が嵌るような凹状部を有する金型が使用される。このように機能層転写体１は、金型の形状に合わせて任意の形状とすることができる。
【００３１】
図８は、本発明の樹脂封止型半導体装置を製造するための工程を示した図である。
図８（ａ）においては、配線基板からなる基体２３に搭載された半導体素子２４に、信号接続のためにボンディングワイヤー２５が配線基板２３から伸びて接続されている。この基体２３の下には、トランスファー成形用の下金型２１があり配線基板２３が載置されている。一方、上方にはトランスファー成形用の上金型２２があり、また、上金型２２の成形面には樹脂層中に細孔のある導電層が形成されたシートからなる機能層３が仮固定されている。
【００３２】
樹脂封止前では、上金型２２と下金型２１は、封止樹脂を溶融するために必要な約１７５℃の温度まで加熱されている。
図８（ｂ）では、数十トン力で上金型と下金型とを締めて固定した後、トランスファーユニット２６により矢印方向に押し上げられた封止樹脂２７が金型の温度で液状化になり、金型内の半導体素子部に注入される。
図８（ｃ）では、半導体素子部に注入された樹脂２７が半導体素子２４全面を封止すると共に、機能層３が封止樹脂２７内に埋め込まれる。
図８（ｄ）では、上金型２２を外した図であり、機能層３が半導体素子２４の上部に固定されている。その後、金型から成形物を取り出し図示しないが基体２３の裏側に金属ボールを接続し、個々のパッケージ２８を切断して個片化することによって機能層を有するＢＧＡパッケージを製造することができる。
【００３３】
本発明でいう配線基板とは、ガラス、プラスチック、シリコンウェハ等やこれらの複合材からなる基板に、金、銀、白金、銅、アルミニウム、亜鉛、ニッケル、スズ、パラジウム、ロジウム、及びクロムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含む金属層が積層され、これら積層体の金属層を部分的に除去することにより形成された金属配線を備える基板をいう。また、リードフレームとは、上記金属層を部分的に除去することにより形成された金属配線からなる金属板をいう。配線基板やリードフレームには、半導体チップや他の部材が金属配線上に形成されている。
封止樹脂としては、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を使用することができる。
【実施例】
【００３４】
［実施例１］
繊維径８μｍ、繊維長３ｍｍのステンレス鋼繊維（材質：ＳＵＳ３１６Ｌ）９５質量部、および水中溶解温度７０℃のポリビニルアルコール繊維５質量部からなるスラリーを、湿式抄紙法によって抄造し、脱水プレス、加熱乾燥して、米坪量９５ｇ／ｍ２のシートを得た。得られたシートを、表面温度が１６０℃の加熱ロールを用いて、線圧３００ｋｇ／ｃｍ、速度５ｍ／ｍｉｎの条件で加熱圧着し、厚さ約４０μｍのステンレス鋼繊維加熱圧着シートを得た。
次にエポキシ樹脂１００質量部、イミダゾール硬化剤２質量部、ブタジエンゴム３５質量部及び溶剤２５０質量部を混合して塗料を得た後、ポリエチレンテレフタレート製シートに乾燥後の厚さが約４０μｍになるようにブレードコーティングにより塗工して樹脂シートを得た。
【００３５】
次に、前記のステンレス鋼繊維加熱圧着シートの表面に上記の樹脂シートの塗工された樹脂面を接触させて載置した後、熱と加圧を加えることにより厚さ約７０μｍの樹脂層中に細孔のある導電層が形成されたシートからなる電磁波シールド層を得た。
上記電磁波シールド層の一部を切り出してポリエチレンテレフタレート製シートから電磁波シールド層を剥離した後、該電磁波シールド層について、走査型電子顕微鏡を用いて断面の観察を行った。その結果、電磁波シールド層の一方の面側においては細孔のある導電層（ステンレス鋼繊維加熱圧着シート）を多数有し、一方、他面側においては導電層の内部に樹脂が多く存在していて、樹脂の含侵状態が偏在していることが確認された。
【００３６】
次に図６（ａ）のようなフェノール樹脂からなるダミーフレームを用意した。該ダミーフレームの突起部上に、アクリルゴムからなる微粘着剤をポッティングにより塗布し、厚さが１０μｍの微粘着層を形成した。次に、上記の電磁波シールド層の導電層を多数有する面側を、上記ダミーフレーム
の突起部上に形成したアクリルゴムからなる微粘着層に接触させて仮固定させた。
次に図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のようにして上金型の成型面に電磁波シールド層を転写して、該上金型に電磁波シールド層を仮固定させた。なお、電磁波シールド材は、約１７５℃に熱せられた上金型面に、該電磁波シールド層の樹脂が多く存在している面を接触させて転写した。
【００３７】
次に図８のようにして本発明の樹脂封止型半導体装置を得た。
なお、封止樹脂としては一般的なエポキシ樹脂とフェノール樹脂からなるモールド材を使用した。
上記の封止樹脂後の樹脂封止型半導体装置について、走査型電子顕微鏡を用いて断面の観察を行った。その結果、電磁波シールド層が封止樹脂に接着していることが確認できた。
【符号の説明】
【００３８】
１  機能層転写体
２  ダミーフレーム
３  機能層
４  突起部
１１  樹脂
１２  導電繊維
１３  微粘着層
【図１】
2017228733.tif 000003
【図２】
2017228733.tif 000004
【図３】
2017228733.tif 000005
【図４】
2017228733.tif 000006
【図５】
2017228733.tif 000007
【図６】
2017228733.tif 000008
【図７】
2017228733.tif 000009
【図８】
2017228733.tif 000010