(57)【要約】      （修正有）【課題】外部端子が設けられる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１００は、基板１０と、第１絶縁層２０と、第１配線３０と、第１配線の上方および第１絶縁層の上方に設けられ、かつ、第１配線の上方に設けられている第１開口４２および第２開口４４を有する第２絶縁層４０と、第２絶縁層の上方および第１開口に設けられ、第１開口を介して第１配線に接続されている第２配線５０と、第２絶縁層の上方および第２開口に設けられ、第２開口を介して第１配線に接続されている電極６０、６０ａ、６０ｂと、第２配線を覆う樹脂層７０と、を含む。第２配線は、第１金属層５２と、第１金属層の上方に設けられ、材質が銅またはニッケルである配線層５４と、を有する。電極は、第２金属層６２と、第２金属層の上方に設けられ、材質が金である金属部６４と、を有する。【選択図】図１
2017126652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に設けられている第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上方に設けられている第１配線と、
前記第１配線の上方および前記第１絶縁層の上方に設けられ、かつ、前記第１配線の上
方に設けられている第１開口および第２開口を有する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上方および前記第１開口に設けられ、前記第１開口を介して前記第１
配線に接続されている第２配線と、
前記第２絶縁層の上方および前記第２開口に設けられ、前記第２開口を介して前記第１
配線に接続されている電極と、
前記第２配線を覆う樹脂層と、
を含み、
前記第２配線は、第１金属層と、前記第１金属層の上方に設けられ、材質が銅またはニ
ッケルである配線層と、を有し、
前記電極は、第２金属層と、前記第２金属層の上方に設けられ、材質が金である金属部
と、を有する、配線基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２絶縁層は、前記第１配線の上方に設けられている第３開口を有し、
前記第２配線は、前記第３開口に設けられ、前記第３開口を介して前記第１配線に接続
されている、配線基板。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記基板には、集積回路が設けられ、
前記集積回路と前記第１配線とは、電気的に接続されている、配線基板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記第１金属層および前記第２金属層の材質は、チタンタングステンであり、
前記配線層の材質は、銅である、配線基板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の配線基板を含む、電子機器。
【請求項６】
基板の上方に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上方に第１配線を形成する工程と、
前記第１配線の上方および前記第１絶縁層の上方に、前記第１配線を露出させる第１開
口および第２開口が形成されている第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の上方および前記第１開口に、前記第１配線に接続する第２配線を形成
する工程と、
前記第２配線を覆う樹脂層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の上方および前記第２開口に、前記第１配線に接続する電極を形成する
工程と、
を含み、
前記第２配線を形成する工程は、
第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層の上方に、材質が銅またはニッケルである配線層を形成する工程と、
を有し、
前記電極を形成する工程は、
第２金属層を形成する工程と、
前記第２金属層の上方に、材質が金である金属部を形成する工程と、
を有する、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、電子機器、および配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット式記録装置等の液体噴射装置は、例えば、カートリッジやタンク等に貯
留されたインク等の液体を噴射するための圧電アクチュエーターを備えた液体噴射ヘッド
と、該液体噴射ヘッドを制御する制御装置と、を備えている。
【０００３】
特許文献１には、複数のノズルおよび複数のノズルにそれぞれ連通する複数の圧力室を
含む液体流路が形成された流路構造体と、複数の圧力室とそれぞれ対向して配置された複
数の圧電素子と、複数の圧電素子を駆動するドライバＩＣと、を備えた液体噴射装置が開
示されている。
【０００４】
特許文献１の液体噴射装置では、流路構造体には複数の圧電素子にそれぞれ接続された
複数の接続端子が設けられており、ドライバＩＣと複数の接続端子とは複数のバンプによ
って接続されている。また、特許文献１の液体噴射装置では、ドライバＩＣと、複数のバ
ンプと、複数のバンプの間に充填された封止材によって、圧電素子を密閉し、圧電素子を
大気から遮断している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−５１００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のドライバＩＣでは、外部端子を、流路構造体上に設けられた複数の接続端子の配
置に応じて形成しなければならない。そのため、ドライバＩＣでは、外部端子が設けられ
る位置（外部端子のレイアウト）に高い自由度が求められる。また、上記の液体噴射装置
では、ドライバＩＣから圧電素子に対して大電流が供給される場合がある。
【０００７】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、外部端子が設けられる位置の自由度を高
めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板を提供することにある。
また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記配線基板を含む電子機器を提供
することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、外部端子が設けら
れる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板の
製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態
様又は適用例として実現することができる。
【０００９】
［適用例１］
本発明に係る配線基板の一態様は、
基板と、
前記基板の上方に設けられている第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上方に設けられている第１配線と、
前記第１配線の上方および前記第１絶縁層の上方に設けられ、かつ、前記第１配線の上
方に設けられている第１開口および第２開口を有する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上方および前記第１開口に設けられ、前記第１開口を介して前記第１
配線に接続されている第２配線と、
前記第２絶縁層の上方および前記第２開口に設けられ、前記第２開口を介して前記第１
配線に接続されている電極と、
前記第２配線を覆う樹脂層と、
を含み、
前記第２配線は、第１金属層と、前記第１金属層の上方に設けられ、材質が銅またはニ
ッケルである配線層と、を有し、
前記電極は、第２金属層と、前記第２金属層の上方に設けられ、材質が金である金属部
と、を有する。
【００１０】
このような配線基板では、第２配線を含むため、外部端子として機能する電極が設けら
れる位置の自由度を高めることができる。また、このような配線基板では、第２配線の配
線層の材質は銅またはニッケルであるため、第２配線を低抵抗にできる。そのため、この
ような配線基板では、第２配線に大電流を印加することができる。したがって、このよう
な配線基板では、電極（外部端子）が設けられる位置の自由度を高めることができ、かつ
、大電流を印加することができる。また、このような配線基板では、第２配線が樹脂層で
覆われているため、第２配線の酸化を抑制することができる。
【００１１】
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、
「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）が設けられている」
などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを設けるような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを
設けるような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
【００１２】
［適用例２］
適用例１において、
前記第２絶縁層は、前記第１配線の上方に設けられている第３開口を有し、
前記第２配線は、前記第３開口に設けられ、前記第３開口を介して前記第１配線に接続
されていてもよい。
【００１３】
このような配線基板では、より大電流を印加することができる。
【００１４】
［適用例３］
適用例１または２において、
前記基板には、集積回路が設けられ、
前記集積回路と前記第１配線とは、電気的に接続されていてもよい。
【００１５】
このような配線基板では、集積回路を、電極を介して実装先に電気的に接続することが
できる。
【００１６】
［適用例４］
適用例１ないし３のいずれか１例において、
前記第１金属層および前記第２金属層の材質は、チタンタングステンであり、
前記配線層の材質は、銅であってもよい。
【００１７】
このような配線基板では、第２配線に、より大電流を印加することができる。
【００１８】
［適用例５］
本発明に係る電子機器の一態様は、
適用例１ないし４のいずれか１例に記載の配線基板を含む。
【００１９】
このような電子機器では、電極（外部端子）が設けられる位置の自由度を高めることが
でき、かつ、大電流を印加することができる配線基板を含むことができる。
【００２０】
［適用例６］
本発明に係る配線基板の製造方法の一態様は、
基板の上方に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上方に第１配線を形成する工程と、
前記第１配線の上方および前記第１絶縁層の上方に、前記第１配線を露出させる第１開
口および第２開口が形成されている第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の上方および前記第１開口に、前記第１配線に接続する第２配線を形成
する工程と、
前記第２配線を覆う樹脂層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の上方および前記第２開口に、前記第１配線に接続する電極を形成する
工程と、
を含み、
前記第２配線を形成する工程は、
第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層の上方に、材質が銅またはニッケルである配線層を形成する工程と、
を有し、
前記電極を形成する工程は、
第２金属層を形成する工程と、
前記第２金属層の上方に、材質が金である金属部を形成する工程と、
を有する。
【００２１】
このような配線基板の製造方法では、電極（外部端子）が設けられる位置の自由度を高
めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板を製造することができる
。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態に係る配線基板を模式的に示す断面図。
【図２】第１実施形態に係る配線基板を模式的に示す平面図。
【図３】第１実施形態の変形例に係る配線基板を模式的に示す断面図。
【図４】第１実施形態の変形例に係る配線基板を模式的に示す断面図。
【図５】第１実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示すフローチャート。
【図６】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１１】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１２】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１３】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１４】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１５】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１６】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１７】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１８】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１９】第２実施形態に係る配線基板を模式的に示す断面図。
【図２０】第２実施形態に係る配線基板を模式的に示す平面図。
【図２１】第２実施形態に係る配線基板の変形例を模式的に示す平面図。
【図２２】第３実施形態に係る電子機器の構成例を示すブロック図。
【図２３】プリントヘッドに配線基板を実装した状態を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説
明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものでは
ない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２４】
１．  第１実施形態
１．１．  配線基板
まず、第１実施形態に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図１は、
第１実施形態に係る配線基板１００を模式的に示す断面図である。図２は、第１実施形態
に係る配線基板１００を模式的に示す平面図である。なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線断面
図である。
【００２５】
配線基板１００は、基板１０と、第１絶縁層２０と、第１配線３０と、第２絶縁層４０
と、第２配線５０と、電極６０と、樹脂層７０と、を含む。
【００２６】
基板１０は、例えば、シリコン基板である。基板１０は、シリコン以外の半導体材料か
らなる半導体基板であってもよい。基板１０は、ガラス基板、セラミックス基板、プラス
チック基板などであってもよい。
【００２７】
基板１０には、集積回路１２が設けられている。集積回路１２の構成は特に限定されな
いが、例えば、トランジスター等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサー等の受動素
子を含んでいる。集積回路１２は、第１配線３０（例えば第１配線３０ａ）に電気的に接
続されている。
【００２８】
第１絶縁層２０は、基板１０の上方（図示の例では基板１０上）に設けられている。第
１絶縁層２０は、例えば、層間絶縁層である。第１絶縁層２０は、複数の層間絶縁層が積
層された積層体であってもよい。第１絶縁層２０は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２
膜）や、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）等である。第１絶縁層２０には、図示はしないが、
基板１０に形成された集積回路１２と第１配線３０（例えば第１配線３０ａ）とを電気的
に接続するための配線が設けられている。
【００２９】
第１配線３０は、第１絶縁層２０の上方（図示の例では第１絶縁層２０上）に設けられ
ている。第１配線３０は、第２配線５０と電極６０とを電気的に接続している。第１絶縁
層２０が複数の層間絶縁層が積層された積層体である場合、第１配線３０は、例えば最上
層の層間絶縁層上に形成されている。第１配線３０の材質は、例えば、アルミニウムであ
る。なお、第１配線３０は、単層の導電層であってもよいし、導電層とバリア層とを含む
複数の導電層が積層された積層体であってもよい。配線基板１００は、２つの第１配線３
０（第１配線３０ａ、第１配線３０ｂ）を有している。
【００３０】
第２絶縁層４０は、第１絶縁層２０の上方および第１配線３０の上方（図示の例では第
１絶縁層２０上および第１配線３０上）に設けられている。第２絶縁層４０は、パッシベ
ーション膜である。第２絶縁層４０は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）や、窒化
シリコン膜（ＳｉＮ膜）等である。
【００３１】
第２絶縁層４０は、第１開口４２および第２開口４４を有している。図示の例では、第
２絶縁層４０は、２つの第１開口４２と、２つの第２開口４４を有している。第１開口４
２は、第２配線５０を第１配線３０に接続するための開口である。第２開口４４は、電極
６０を第１配線３０に接続するための開口である。第１開口４２および第２開口４４は、
第１配線３０の上方に設けられている。すなわち、第１開口４２および第２開口４４は、
平面視で（基板１０の厚さ方向から見て）第１配線３０と重なっている。第１開口４２お
よび第２開口４４は、第２絶縁層４０を貫通している。
【００３２】
第２配線５０は、第２絶縁層４０の上方（図示の例では第２絶縁層４０上）および第１
開口４２に設けられている。第２配線５０は、第１開口４２を介して第１配線３０上に設
けられ、第１配線３０に接続（機械的および電気的に接続）されている。すなわち、第２
配線５０は、第１開口４２を介して第１配線３０に接続されている。第２配線５０は、２
つの第１配線３０（第１配線３０ａ、第１配線３０ｂ）を電気的に接続している。
【００３３】
第２配線５０は、第１金属層５２と、配線層５４と、を有している。第２配線５０は、
第１金属層５２と配線層５４とが積層された積層体である。
【００３４】
第１金属層５２は、第２絶縁層４０上、第１開口４２（第１開口４２を規定する第２絶
縁層４０の側面および第１配線３０上）に設けられている。第１金属層５２は、バリア層
（バリアメタル）である。第１金属層５２によって、配線層５４を構成する金属が第２絶
縁層４０に拡散することを防ぐことができる。また、第１金属層５２によって、第２配線
５０と第２絶縁層４０との間の密着性を高めることができる。また、第１金属層５２によ
って、配線層５４の酸化を抑制することができる。
【００３５】
第１金属層５２の材質は、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）や、チタン（Ｔｉ）
、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）等である。第１金
属層５２の材質としては、チタンタングステンが好ましい。チタンタングステンは、配線
層５４の材料として用いられる銅（Ｃｕ）に対して高い密着性を有するためである。
【００３６】
配線層５４は、第１金属層５２の上方（図示の例では第１金属層５２上）に設けられて
いる。配線層５４の材質は、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ）である。配線層５４の材
質としては、銅が好ましい。銅は電気抵抗率が小さいため、第２配線５０に、より大電流
を印加できるためである。
【００３７】
第１金属層５２の膜厚は、例えば、０．１ｎｍ〜５００ｎｍである。配線層５４の膜厚
は、例えば、１μｍ〜５μｍである。
【００３８】
電極６０は、第２絶縁層４０の上方（図示の例では第２絶縁層４０上）および第２開口
４４に設けられている。電極６０は、第２開口４４を介して第１配線３０上に設けられ、
第１配線３０に接続（機械的および電気的に接続）されている。すなわち、電極６０は、
第２開口４４を介して第１配線３０に接続されている。電極６０と第２配線５０とは、と
もに第１配線３０上に形成されており、第１配線３０に接続されている。電極６０は、配
線基板１００の外部端子として機能する。
【００３９】
電極６０は、第２金属層６２と、金属部６４と、を有している。電極６０は、第２金属
層６２と金属部６４とが積層された積層体である。
【００４０】
第２金属層６２は、第２絶縁層４０上、および第２開口４４（第２開口４４を規定する
第２絶縁層４０の側面および第１配線３０上）に設けられている。第２金属層６２は、バ
リア層（バリアメタル）である。第２金属層６２によって、金属部６４を構成する金属が
第２絶縁層４０に拡散することを防ぐことができる。また、第２金属層６２によって、電
極６０と第２絶縁層４０との間の密着性を高めることができる。
【００４１】
第２金属層６２の材質は、例えば、上述した第１金属層５２として例示したものを用い
ることができる。第２金属層６２の材質は、第１金属層５２の材質と同じであってもよい
。
【００４２】
金属部６４は、第２金属層６２の上方（図示の例では第２金属層６２上）に設けられて
いる。金属部６４の材質は、金（Ａｕ）である。すなわち、電極６０は、金バンプである
。金は、化学的に安定しているため、酸化されにくい。また、Ａｕは、実装先の電極と比
較的低温で合金化する。そのため、金属部６４の材質を金とすることにより、電極６０で
は実装先の電極と良好な接合が可能である。
【００４３】
第２金属層６２の膜厚は、例えば、０．１ｎｍ〜５００ｎｍである。金属部６４の厚さ
（高さ）は、例えば、１０μｍ〜１６μｍである。
【００４４】
配線基板１００は、２つの電極６０（電極６０ａ、電極６０ｂ）を有している。電極６
０ａは、第１配線３０ａに接続されている。電極６０ｂは、第１配線３０ｂに接続されて
いる。
【００４５】
配線基板１００では、平面視で基板１０の電極６０と重なる領域には、集積回路１２が
設けられていない。そのため、配線基板１００を実装する際に電極６０に加わる荷重によ
って集積回路１２を構成している素子が壊れてしまうことを防止することができる。
【００４６】
樹脂層７０は、第２配線５０を覆っている。樹脂層７０が第２配線５０を覆うことによ
り、第２配線５０の酸化を抑制することができる。樹脂層７０は、例えば金属膜と比べて
カバレッジが良好であるため、第２配線５０を確実に覆うことができる。
【００４７】
樹脂層７０は、第１絶縁層２０上、第２絶縁層４０上、および第２配線５０上に設けら
れている。樹脂層７０には、開口７２が設けられている。開口７２には、電極６０が設け
られている。樹脂層７０の材質は、例えば、ポリイミドや、ソルダーレジスト等である。
樹脂層７０の膜厚は、例えば、３μｍ〜１０μｍである。
【００４８】
配線基板１００では、電極６０ａおよび電極６０ｂを実装先（実装基板や外部装置等）
の電極にそれぞれ接続することで、集積回路１２が実装先に電気的に接続される。具体的
には、集積回路１２は、第１絶縁層２０に設けられた配線（図示せず）、第１配線３０ａ
、および電極６０ａを介して実装先に電気的に接続される。さらに、集積回路１２は、第
１絶縁層２０に設けられた配線、第１配線３０ａ、第２配線５０、第１配線３０ｂ、およ
び電極６０ｂを介して実装先に電気的に接続される。
【００４９】
配線基板１００では、実装先の電極の配置に応じて、第２配線５０を形成して電極６０
を配置することができる。このように、配線基板１００では、第２配線５０によって電極
６０を所望の位置に配置することができる。
【００５０】
なお、上記では、基板１０に集積回路１２が設けられていたが、図３に示すように、基
板１０に集積回路１２が設けられなくてもよい。この場合、図３に示す配線基板１００を
、実装先の２つの電極を電気的に接続するために用いることができる。具体的には、電極
６０ａに実装先の一方の電極を接続し、電極６０ｂに実装先の他方の電極を接続すること
で、実装先の２つの電極を電気的に接続することができる。
【００５１】
また、上記では、配線基板１００が２つの電極６０（電極６０ａ，６０ｂ）を有してい
たが、図４に示すように、電極６０は１つであってもよい。例えば、図４に示す配線基板
１００では、集積回路１２は、第１絶縁層２０に設けられた配線、第１配線３０ａ、第２
配線５０、第１配線３０ｂ、および電極６０を介して実装先に電気的に接続される。
【００５２】
配線基板１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００５３】
配線基板１００では、第２配線５０を含むため、外部端子として機能する電極６０が設
けられる位置（電極６０のレイアウト）の自由度を高めることができる。また、第２配線
５０の配線層５４の材質は銅またはニッケルである。銅およびニッケルは電気抵抗率が小
さいため、第２配線５０を低抵抗にできる。これにより、配線基板１００では、第２配線
５０に大電流（例えばアンペアオーダーの電流）を印加することができる。したがって、
配線基板１００では、外部端子（電極６０）が設けられる位置の自由度を高めることがで
き、かつ、大電流を印加することができる。
【００５４】
配線基板１００では、第２配線５０を覆う樹脂層７０を含むため、第２配線５０の酸化
を抑制することができる。仮に、第２配線５０が樹脂層７０で覆われていない場合、第２
配線５０に大電流を印加すると、第２配線５０は発熱し高温となる。これにより、第２配
線５０の酸化が進行する。第２配線５０の酸化が進行すると第２配線５０の電気抵抗率が
増加してさらに発熱し、第２配線５０の酸化がさらに進行する。このようにして、第２配
線５０の酸化が加速することにより、第２配線５０が溶断に至る場合がある。配線基板１
００では、上記のように第２配線５０の酸化を抑制することができるため、このような問
題が生じない。
【００５５】
配線基板１００では、基板１０には集積回路１２が設けられ、集積回路１２と第１配線
３０とは電気的に接続されている。そのため、配線基板１００では、集積回路１２を、電
極６０を介して実装先に電気的に接続することができる。
【００５６】
配線基板１００では、電極６０は第１配線３０上に設けられている。すなわち、電極６
０は、樹脂層７０の上方に設けられていない。そのため、配線基板１００では、実装時の
接続信頼性を高めることができる。例えば異方性導電フィルムを用いて配線基板１００を
実装する際には、電極６０によって異方性導電フィルムに圧力を加える。これにより、異
方性導電フィルム内に分散している導電性粒子が接触しながら重なり押しつけられること
で導電経路が形成される。このとき、電極６０が樹脂層７０のように柔らかい層の上方に
形成されていると、異方性導電フィルムに十分な圧力を加えることができずに、導電経路
が形成できない場合がある。配線基板１００では、このような問題が生じないため、実装
時の接続信頼性を高めることができる。
【００５７】
１．２．  配線基板の製造方法
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する
。図５は、第１実施形態に係る配線基板１００の製造方法の一例を示すフローチャートで
ある。図６〜図１８は、第１実施形態に係る配線基板１００の製造工程を模式的に示す断
面図である。
【００５８】
図６に示すように、集積回路１２が形成された基板１０を準備する。基板１０は、ウエ
ハーであってもよいし、個片化された状態（チップ）であってもよい。
【００５９】
まず、基板１０上に第１絶縁層２０を形成する（ステップＳ１０）。
【００６０】
第１絶縁層２０は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法、塗布（スピンコート）法等により形成される。図示はしないが、第１絶縁層
２０には、配線（第１配線３０ａと集積回路１２を電気的に接続するための配線）が形成
されてもよい。
【００６１】
次に、第１絶縁層２０上に第１配線３０を形成する（ステップＳ１２）。
【００６２】
第１配線３０は、ＣＶＤ法やスパッタ法などによって成膜された後、パターニングされ
る（例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によってパターニングされ
る）ことにより形成される。
【００６３】
次に、第１配線３０上および第１絶縁層２０上に、第１配線３０を露出させる第１開口
４２および第２開口４４が形成されている第２絶縁層４０を形成する（ステップＳ１４）
。
【００６４】
第２絶縁層４０は、ＣＶＤ法やスパッタ法などによって成膜された後、パターニングさ
れることにより形成される。
【００６５】
次に、第２絶縁層４０上および第１開口４２に、第１配線３０に接続する第２配線５０
を形成する（ステップＳ１６）。
【００６６】
第２配線５０を形成する工程は、第１金属層５２を形成する工程と、第１金属層５２上
に材質が銅またはニッケルである配線層５４を形成する工程と、を有する。以下、第２配
線５０を形成する工程について説明する。
【００６７】
図７に示すように、第１絶縁層２０上、第２絶縁層４０上、第１開口４２、および第２
開口４４に、第１金属層５２を成膜する。第１金属層５２は、例えば、スパッタ法により
成膜される。次に、第１金属層５２上に下地金属５４ａを成膜する。下地金属５４ａは、
例えば、スパッタ法により成膜される。下地金属５４ａは、配線層５４をめっき法により
成膜する際のシード層である。第１金属層５２および下地金属５４ａは、大気開放される
ことなく連続して成膜される。
【００６８】
図８に示すように、下地金属５４ａ上にレジスト層Ｒ２を形成する。レジスト層Ｒ２は
、下地金属５４ａ上の、配線層５４が形成される領域を除いて形成される。
【００６９】
図９に示すように、レジスト層Ｒ２をマスクとしてめっき法により配線層５４を成膜す
る。配線層５４は、例えば、電解めっきにより形成される。
【００７０】
図１０に示すように、レジスト層Ｒ２を除去（剥離）する。
【００７１】
図１１に示すように、露出している下地金属５４ａを除去する。下地金属５４ａは、例
えば、ウエットエッチングにより除去される。
【００７２】
図１２に示すように、露出している第１金属層５２を除去する。すなわち、第１金属層
５２の、平面視で配線層５４と重なっていない部分を除去する。第１金属層５２は、例え
ば、ウエットエッチングにより除去される。
【００７３】
以上の工程により、第２配線５０を形成することができる。
【００７４】
次に、図１３に示すように、第２配線５０を覆う樹脂層７０を形成する（ステップＳ１
８）。
【００７５】
樹脂層７０は、例えば、フォトリソグラフィー技術により形成される。
【００７６】
次に、第２絶縁層４０上および第２開口４４に、第１配線３０に接続する電極６０を形
成する（ステップＳ２０）。
【００７７】
電極６０を形成する工程は、第２金属層６２を形成する工程と、第２金属層６２上に材
質が金である金属部６４を形成する工程と、を有する。以下、電極６０を形成する工程に
ついて説明する。
【００７８】
図１４に示すように、第１絶縁層２０上、第２絶縁層４０上、第２開口４４、および樹
脂層７０上に、第２金属層６２を成膜する。第２金属層６２は、例えば、スパッタ法によ
り成膜される。次に、第２金属層６２上に下地金属６４ａを成膜する。下地金属６４ａは
、例えば、スパッタ法により成膜される。下地金属６４ａは、金属部６４をめっき法によ
り成膜する際のシード層である。第２金属層６２および下地金属６４ａは、大気開放され
ることなく連続して成膜される。
【００７９】
図１５に示すように、下地金属６４ａ上にレジスト層Ｒ４を形成する。レジスト層Ｒ４
は、下地金属６４ａ上の、金属部６４が形成される領域を除いて形成される。
【００８０】
図１６に示すように、レジスト層Ｒ４をマスクとしてめっき法により金属部６４を形成
する。金属部６４は、例えば、電解めっきにより形成される。
【００８１】
図１７に示すように、レジスト層Ｒ４を除去（剥離）する。
【００８２】
図１８に示すように、露出している下地金属６４ａを除去する。下地金属６４ａは、例
えば、ドライエッチング（例えばスパッタエッチング）により除去される。
【００８３】
図１に示すように、露出している第２金属層６２を除去する。すなわち、第２金属層６
２の、平面視で金属部６４と重なっていない部分を除去する。第２金属層６２は、例えば
、ドライエッチング（例えばスパッタエッチング）により除去される。
【００８４】
以上の工程により、電極６０を形成することができる。
【００８５】
基板１０がウエハーである場合、基板１０をダイシング等の公知の切断技術により個片
化する。
【００８６】
以上の工程により、配線基板１００を製造することができる。
【００８７】
なお、上記では、第２配線５０の配線層５４をめっき法により形成する例について説明
したが、配線層５４をスパッタ法により形成してもよい。
【００８８】
第１実施形態に係る配線基板１００の製造方法によれば、電極６０（外部端子）が設け
られる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板
１００を製造することができる。
【００８９】
２．  第２実施形態
２．１．  配線基板
次に、第２実施形態に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図１９は
、第２実施形態に係る配線基板２００を模式的に示す断面図である。図２０は、第２実施
形態に係る配線基板２００を模式的に示す平面図である。なお、図１９は、図２０のＸＩ
Ｘ−ＸＩＸ線断面図である。
【００９０】
以下、第２実施形態に係る配線基板２００において、上述した第１実施形態に係る配線
基板１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その説明
を省略する。
【００９１】
上述した配線基板１００では、図１および図２に示すように、第２絶縁層４０は第１開
口４２を有し、第２配線５０は第１開口４２を介して第１配線３０に接続されていた。
【００９２】
これに対して、配線基板２００では、図１９および図２０に示すように、第２絶縁層４
０は、さらに第３開口４６を有し、第２配線５０は第１開口４２を介して第１配線３０に
接続されるとともに、第３開口４６を介して第１配線３０に接続されている。
【００９３】
第１配線３０は、第１領域３２と、第２領域３４と、第３領域３６と、を有している。
第１領域３２は、電極６０ａと第２配線５０とを電気的に接続する領域である。第２領域
３４は、電極６０ｂと第２配線５０とを電気的に接続する領域である。第３領域３６は、
第１領域３２と第２領域３４とを接続する領域である。
【００９４】
第２絶縁層４０は、複数（図示の例では２つ）の第３開口４６を有している。なお、第
３開口４６の数は特に限定されない。第３開口４６は、第２配線５０を第１配線３０に接
続するための開口である。第３開口４６は、第１配線３０の上方に設けられている。図示
の例では、第３開口４６は、第１配線３０の第３領域３６の上方に設けられている。第３
開口４６は、第２絶縁層４０を貫通している。
【００９５】
第２配線５０は、第２絶縁層４０上、第１開口４２、および第３開口４６に設けられて
いる。第２配線５０は、第１開口４２を介して第１配線３０上（第１領域３２上、および
第２領域３４上）に設けられ、第１配線３０に接続されている。さらに、第２配線５０は
、第３開口４６を介して第１配線３０上（第３領域３６上）に設けられ、第１配線３０に
接続されている。すなわち、第２配線５０は、第１開口４２を介して第１配線３０（第１
領域３２、第２領域３４）に接続されるとともに、第３開口４６を介して第１配線３０（
第３領域３６）に接続されている。
【００９６】
配線基板２００では、第１配線３０の第１領域３２と第２領域３４とは、第２配線５０
によって電気的に接続されるとともに、第１配線３０の第３領域３６によっても電気的に
接続されている。また、配線基板２００では、第２配線５０は、複数の第３開口４６を介
して第１配線３０の第３領域３６に接続されている。
【００９７】
なお、上記では、第１配線３０の第３領域３６は、第１領域３２と第２領域３４とを電
気的に接続していたが、第３領域３６は第１領域３２と第２領域３４とを電気的に接続し
ていなくてもよい。例えば、図２１に示すように、第３領域３６は、第２配線５０の一方
の第３開口４６に設けられた部分と第２配線５０の他方の第３開口４６に設けられた部分
とを電気的に接続してもよい。また、例えば、図示はしないが、第３領域３６は、第２配
線５０の第１開口４２に設けられた部分と第２配線５０の第３開口４６に設けられた部分
とを電気的に接続してもよい。
【００９８】
配線基板２００では、第２配線５０は、第１開口４２および第３開口４６に設けられ、
第１開口４２および第３開口４６を介して第１配線３０に接続されている。そのため、配
線基板２００では、第１領域３２と第２領域３４との間の電流の経路を増やすことができ
、より大電流を印加することができる。
【００９９】
２．２．  配線基板の製造方法
第２実施形態に係る配線基板２００の製造方法は、第１配線３０を形成する工程におい
て領域３２，３４，３６を形成する点、第２絶縁層４０を形成する工程において第３開口
４６を形成する点を除いて、上述した第１実施形態に係る配線基板１００の製造方法と同
じである。そのため、第２実施形態に係る配線基板２００の製造方法の説明を省略する。
【０１００】
第２実施形態に係る配線基板２００の製造方法によれば、電極６０（外部端子）が設け
られる位置の自由度を高めることができ、かつ、大電流を印加することができる配線基板
２００を製造することができる。
【０１０１】
３．  第３実施形態
次に、第３実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。図２２は
、第３実施形態に係る電子機器３００の構成例を示すブロック図である。以下では、電子
機器３００がプリンターである場合について説明する。
【０１０２】
電子機器３００は、図２２に示すように、本発明に係る配線基板を含む。ここでは、図
２２に示すように、本発明に係る配線基板として、配線基板１００を用いた場合について
説明する。
【０１０３】
電子機器３００は、さらに、プリントヘッド３１１と、印字媒体搬送部３１２と、ＣＰ
Ｕ（中央演算装置）３２０と、操作部３３０と、ＲＯＭ（リードオンリー・メモリー）３
４０と、ＲＡＭ（ランダムアクセス・メモリー）３５０と、通信部３６０と、表示部３７
０と、を含んでもよい。なお、図２２に示す構成要素の一部を省略又は変更してもよいし
、あるいは、図２２に示す構成要素に他の構成要素を付加してもよい。
【０１０４】
プリントヘッド３１１としては、例えば、サーマル方式、ピエゾ方式、または、静電方
式のプリントヘッドが用いられる。配線基板１００は、プリントヘッド３１１を駆動する
ための複数の駆動回路を内蔵している。駆動回路は、集積回路１２に形成されている。
【０１０５】
図２３は、プリントヘッド３１１に配線基板１００を実装した状態を模式的に示す断面
図である。なお、図２３では、便宜上、プリントヘッド３１１は、簡略化して図示してい
る。
【０１０６】
配線基板１００に内蔵された駆動回路（集積回路１２）は、第１絶縁層２０に設けられ
た配線（図示せず）、第１配線３０ａ、および電極６０ａを介してプリントヘッド３１１
に電気的に接続される。さらに、駆動回路（集積回路１２）は、第１配線３０ａ、第２配
線５０、第１配線３０ｂ、および電極６０ｂを介してプリントヘッド３１１に電気的に接
続される。駆動回路は、プリントヘッド３１１に駆動電流を供給する。例えばプリントヘ
ッド３１１がサーマルヘッドである場合には、駆動回路はサーマルヘッドに大電流を供給
する必要がある。
【０１０７】
印字媒体搬送部３１２において、例えば、ステッピングモーターがベルトを介してプラ
テンローラーを駆動することにより、印字媒体である用紙が搬送される。配線基板１００
に内蔵された駆動回路がプリントヘッド３１１を駆動することにより、印字媒体搬送部３
１２によって搬送された用紙に印字を行う。
【０１０８】
ＣＰＵ３２０は、ＲＯＭ３４０等に記憶されているプログラムに従って各種の制御処理
を行う。例えば、ＣＰＵ３２０は、操作部３３０から供給される操作信号に応じて配線基
板１００および印字媒体搬送部３１２を制御したり、外部との間でデータ通信を行うため
に通信部３６０を制御したり、表示部３７０に各種の情報を表示させるための表示信号を
生成したりする。
【０１０９】
操作部３３０は、例えば、操作キーやボタンスイッチ等を含む入力装置であり、ユーザ
ーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ３２０に出力する。ＲＯＭ３４０は、ＣＰＵ３２
０が各種の制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。また、ＲＡＭ３
５０は、ＣＰＵ３２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ３４０から読み出されたプログ
ラムやデータ、または、操作部３３０を用いて入力されたデータ等を一時的に記憶する。
【０１１０】
通信部３６０は、例えば、アナログ回路及びデジタル回路で構成され、ＣＰＵ３２０と
外部装置との間のデータ通信を行う。したがって、電子機器３００は、外部のホストコン
ピューター等から供給される印字データに基づいて印字動作を行うことができる。表示部
３７０は、例えば、ＬＣＤ（液晶表示装置）等を含み、ＣＰＵ３２０から供給される表示
信号に基づいて各種の情報を表示する。
【０１１１】
本発明に係る配線基板は、プリンター以外の各種の電子機器に適用することも可能であ
る。そのような電子機器としては、例えば、携帯電話機等の移動端末、スマートカード、
電卓、電子辞書、電子ゲーム機器、デジタルスチルカメラ、デジタルムービー、テレビ、
テレビ電話、防犯用テレビモニター、ヘッドマウント・ディスプレイ、パーソナルコンピ
ューター、ネットワーク機器、カーナビゲーション装置、測定機器、及び、医療機器（例
えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、及び、電子内視
鏡）等が該当する。
【０１１２】
なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない
。例えば各実施形態及び各変形例は、適宜組み合わせることが可能である。
【０１１３】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法およ
び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実
施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、
実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成すること
ができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した
構成を含む。
【符号の説明】
【０１１４】
１０…基板、１２…集積回路、２０…第１絶縁層、３０…第１配線、３０ａ…第１配線、
３０ｂ…第１配線、３２…第１領域、３４…第２領域、３６…第３領域、４０…第２絶縁
層、４２…第１開口、４４…第２開口、４６…第３開口、５０…第２配線、５２…第１金
属層、５４…配線層、５４ａ…下地金属、６０…電極、６０ａ…電極、６０ｂ…電極、６
２…第２金属層、６４…金属部、６４ａ…下地金属、７０…樹脂層、７２…開口、１００
…配線基板、２００…配線基板、３００…電子機器、３１１…プリントヘッド、３１２…
印字媒体搬送部、３２０…ＣＰＵ、３３０…操作部、３４０…ＲＯＭ、３５０…ＲＡＭ、
３６０…通信部、３７０…表示部
【図１】
2017126652.tif 000003
【図２】
2017126652.tif 000004
【図３】
2017126652.tif 000005
【図４】
2017126652.tif 000006
【図５】
2017126652.tif 000007
【図６】
2017126652.tif 000008
【図７】
2017126652.tif 000009
【図８】
2017126652.tif 000010
【図９】
2017126652.tif 000011
【図１０】
2017126652.tif 000012
【図１１】
2017126652.tif 000013
【図１２】
2017126652.tif 000014
【図１３】
2017126652.tif 000015
【図１４】
2017126652.tif 000016
【図１５】
2017126652.tif 000017
【図１６】
2017126652.tif 000018
【図１７】
2017126652.tif 000019
【図１８】
2017126652.tif 000020
【図１９】
2017126652.tif 000021
【図２０】
2017126652.tif 000022
【図２１】
2017126652.tif 000023
【図２２】
2017126652.tif 000024
【図２３】
2017126652.tif 000025