(57)【要約】      （修正有）【課題】スタンパの表面性を向上し、アナログレコードのノイズを効果的に低減することによって、アナログレコードのＳ／Ｎを向上することができるアナログレコード用スタンパの製造方法を提供する。【解決手段】音溝１が形成されたラッカー盤２上に音溝１の形状に沿って均一の厚さのシード層３ａを形成し、該形成されたシード層３ａ上に電鋳によってスタンパ本体３ｂを形成し、該形成されたシード層３ａ及び該スタンパ本体３ｂを前記ラッカー盤２から剥離することによって、該シード層３ａ及び該スタンパ本体３ｂを有するスタンパ３を製造することを特徴とするアナログレコード用スタンパ３の製造方法において、前記シード層３ａの形成は、ドライプロセスによって行われ、前記ドライプロセスによって形成された前記シード層３ａは、ニッケル、チタン、金又はクロムを含むことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
音溝が形成されたラッカー盤上に該音溝の形状に沿って均一の厚さのシード層を形成し、該形成されたシード層上に電鋳によってスタンパ本体を形成し、該形成されたシード層及び該スタンパ本体を前記ラッカー盤から剥離することによって、該シード層及び該スタンパ本体を備えるスタンパを得るアナログレコード用スタンパの製造方法において、
前記シード層の形成はドライプロセスによって行い、形成されたシード層が、ニッケル、チタン、金又はクロムを含むことを特徴とする、アナログレコード用スタンパの製造方法。
【請求項２】
前記ドライプロセスが、スパッタリングであることを特徴とする、請求項１に記載のアナログレコード用スタンパの製造方法。
【請求項３】
前記スパッタリングによって形成された前記シード層が、前記ラッカー盤の表面に垂直方向に伸びた複数の柱状構造を有することを特徴とする、請求項２に記載のアナログレコード用スタンパの製造方法。
【請求項４】
前記シード層の柱状構造が、Ｔｈｏｒｔｏｎ  ｚｏｎｅ  ｍｏｄｅｌのＺｏｎｅＴの繊維的柱状構造であることを特徴とする、請求項３に記載のアナログレコード用スタンパの製造方法。
【請求項５】
前記シード層の、前記スタンパ本体が形成される面の表面粗さＲａが、２．５ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のアナログレコード用スタンパの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法によって得られたスタンパの表面に、電鋳によって第二のスタンパを形成し、該形成された第二のスタンパを前記スタンパの表面から剥離することによって、第二のスタンパを製造する第二スタンパ製造工程と、
該製造された第二のスタンパの表面に電鋳によって第三のスタンパを形成し、該形成された第三のスタンパを前記第二のスタンパの表面から剥離することによって、第三のスタンパを製造する第三スタンパ製造工程と、
を備えることを特徴とする、アナログレコード用スタンパの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法によって得られたスタンパ又は第三のスタンパを用いてアナログレコードを製造することを特徴とする、アナログレコードの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする、アナログレコード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アナログレコード用スタンパの製造方法、特に、アナログレコードの音質を向上することができるアナログレコード用スタンパの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、アナログレコード（レコード）が、再び人気を集めている。国際レコード産業連盟の２０１５年の発表によると、２０１４年のアナログレコードの売り上げは、全世界で３億４６８０万ドルとなり、前年比５４．７％の増加となった。
ここで、アナログレコードの音質向上については、スピーカーの振動板の材質や形状を改良することによって、振動を音に変換する変換効率を高める技術や、レコードのピックアップの構造を検討することによって、低音域から高音域での出力を平坦にする技術が開発されている（ピックアップに関して、国立科学博物館技術の系統化調査報告Ｖｏｌ．２１、２０１４、Ｍａｒｃｈの「アナログディスクレコード技術の系統化報告と現存資料の状況」を参照）。
【０００３】
また、スピーカーやピックアップだけでなく、アナログレコード自体の性能（アナログレコードに録音した音をレコードプレーヤーで再生した際、アナログレコードに録音した原音と同じ音の再生をより実現できるための性能）を改良するための研究も行われている。
ここで、アナログレコードの性能の一つとして、アナログレコードをレコードプレーヤーで再生した時の音楽信号の大きさＳと雑音の大きさＮの比であるＳ／Ｎがある。例えば、高音域でのＳ／Ｎが大きくなれば、録音した音が高音域において、より原音と同じ大きさで再生できる。
【０００４】
例えば、特許文献１には、板状の塩化ビニル樹脂を芯材とし、その両面にビニル樹脂を主体としたシートを積層してなるアナログレコード盤とすることで、レコード針に対する耐久性に優れているため、繰り返しアナログレコードの再生によるＳ／Ｎの低下がなく、良好なＳ／Ｎの維持が可能なアナログレコードの技術が開示されている。
さらに、特許文献２には、アクリル樹脂又は塩化ビニル樹脂を主体とした硬質シートのプレス形成によって得られるアナログレコード盤とすることで、レコード針に対する耐摩耗性に優れるため、繰り返しアナログレコードの再生によるＳ／Ｎの低下がなく、硬質シートを打ち抜く簡単な製造工程によるアナログレコード製造の実現を図るアナログレコードの技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３４９０１号公報
【特許文献２】特開２００１−９３１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これら特許文献１及び２の技術によれば、レコード針に対する耐久性にも優れ、かつ軽量であり、繰り返しの使用によってもＳ／Ｎが低下することのないアナログレコードを提供できる。
しかしながら、特許文献１及び２の技術では、アナログレコードに新しい材料を用いることによって、耐摩耗性や針に対する耐久性を改良し、繰り返しのアナログレコードの使用によって、Ｓ／Ｎが低下することを防ぐことはできるものの、アナログレコード自体の音質が向上している訳ではく、依然として高品質のアナログレコードを得るための技術が望まれていた。
【０００７】
そのため、本発明の目的は、アナログレコードの製造に用いた際、アナログレコードの表面粗さを改善できるため、アナログレコード音質の大幅な向上を可能とするアナログレコード用スタンパを得ることができる、アナログレコード用スタンパの製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、アナログレコードの製造に用いた際、アナログレコード音質の大幅な向上を可能とするアナログレコード及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決すべく検討を重ねた結果、アナログレコードの製造に用いられるスタンパの適正化を図ることで、得られたアナログレコードの音質向上に繋がることを見出した。
そして、さらに鋭意研究を重ねた結果、アナログレコード用スタンパの製造工程において、ドライプロセスによってシード層を形成することによって、シード層の表面粗さを小さくできるため、アナログレコード用スタンパの表面粗さを改良できること、さらに、形成されたシード層が特定の材料を含むことによって、優れた耐蝕性のため、アナログレコード製造中に、経時変化によってシード層の表面粗さが劣化することがないことを見出した。そして、表面性の改善されたアナログレコード用スタンパを用いて製造されたアナログレコードは、従来のアナログレコードに比べて、表面粗さが小さくなるため、表面粗さによって引き起こされるレコード針の振動も少なくなる結果、ノイズを低減でき、Ｓ／Ｎを向上できることを究明し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
本発明は、このような知見に基づきされたもので、その要旨は以下の通りである。
（１）音溝が形成されたラッカー盤上に該音溝の形状に沿って均一の厚さのシード層を形成し、該形成されたシード層上に電鋳によってスタンパ本体を形成し、該形成されたシード層及び該スタンパ本体を前記ラッカー盤から剥離することによって、該シード層及び該スタンパ本体を備えるスタンパを得るアナログレコード用スタンパの製造方法において、前記シード層の形成はドライプロセスによって行い、形成されたシード層が、ニッケル、チタン、金又はクロムを含むことを特徴とする、アナログレコード用スタンパの製造方法。
【００１０】
（２）前記ドライプロセスが、スパッタリングであることを特徴とする、上記（１）に記載のアナログレコード用スタンパの製造方法。
【００１１】
（３）前記スパッタリングによって形成された前記シード層が、前記ラッカー盤の表面に垂直方向に伸びた複数の柱状構造を有することを特徴とする、上記（２）に記載のアナログレコード用スタンパの製造方法。
【００１２】
（４）前記シード層の柱状構造が、Ｔｈｏｒｔｏｎ  ｚｏｎｅ  ｍｏｄｅｌのＺｏｎｅＴの繊維的柱状構造であることを特徴とする、上記（３）に記載のアナログレコード用スタンパの製造方法。
【００１３】
（５）  前記シード層の、前記スタンパ本体が形成される面の表面粗さＲａが、２．５ｎｍ以下であることを特徴とする、上記（１）〜（４）のいずれかに記載のアナログレコード用スタンパの製造方法。
【００１４】
（６）上記（１）〜（５）のいずれかに記載の製造方法によって得られたスタンパの表面に、電鋳によって第二のスタンパを形成し、該形成された第二のスタンパを前記スタンパの表面から剥離することによって、第二のスタンパを製造する第二スタンパ製造工程と、該製造された第二のスタンパの表面に電鋳によって第三のスタンパを形成し、該形成された第三のスタンパを前記第二のスタンパの表面から剥離することによって、第三のスタンパを製造する第三スタンパ製造工程と、を備えることを特徴とする、アナログレコード用スタンパの製造方法。
【００１５】
（７）上記（１）〜（６）のいずれかに記載の製造方法によって得られたスタンパ又は第三のスタンパを用いてアナログレコードを製造することを特徴とする、アナログレコードの製造方法。
【００１６】
（８）上記（７）に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする、アナログレコード。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、従来のアナログレコード用スタンパの製造方法に比べて、スタンパの表面粗さを効果的に改善することができる。その結果、該スタンパに基づいて製造されるアナログレコードの音質を大幅に向上することができる。また、該音質を大幅に向上するアナログレコードの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に従うアナログレコード用スタンパの製造方法の一実施形態について、製造工程を模式的に示したフロー図である。
【図２】本発明に従うアナログレコードの製造方法の一実施形態について、（ａ）は樹脂プレスの状態、（ｂ）は樹脂プレスによって得られたアナログレコードを、それぞれ模式的に示した図である。
【図３】アナログレコードの周波数特性の一例を示した図であり、（ａ）が高音域の周波数特性、（ｂ）が低音域の周波数特性である。
【図４】スパッタリングによって形成された膜の構造を模式的に示したものであり、（ａ）が隙間の広い柱状構造（Ｚｏｎｅ１）、（ｂ）が細い緻密な繊維的柱状構造（ＺｏｎｅＴ）である。
【図５】スパッタリングによって形成された膜の、ソーントンモデルによる微細構造モデルを模式的に示した図である。
【図６】本発明に従う第二及び第三のスタンパの製造方法の一実施形態について、製造工程の一例を示したフロー図である。
【図７】本発明に従う第二及び第三のスタンパの製造方法によって得られた第三のスタンパを用いたアナログレコードの製造方法の一実施形態について、（ａ）は樹脂プレスの状態、（ｂ）は樹脂プレスによって得られたアナログレコードを、それぞれ模式的に示した図である。
【図８】（ａ）はアナログレコードの音溝の構造とレコード針の位置関係を模式的に示した断面図、（ｂ）はアナログレコード上に刻まれた音溝のうねりを説明するための斜視図である。
【図９】第二のスタンパ及び第三のスタンパの形成工程における電鋳について、従来の電鋳プログラム及び精密電鋳プログラムの、電流と電鋳時間との関係を示した図である。
【図１０】従来技術のアナログレコード用スタンパの製造方法の一実施形態について、製造工程を模式的に示したフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜アナログレコード用スタンパの製造方法＞
本発明に従うアナログレコード用スタンパの製造方法について、必要に応じて図面を用いて説明する。
本発明によるアナログレコード用スタンパの製造方法は、図１に示すように、ラッカー盤２上に音溝１を形成する、カッティング工程（図１（ａ））と、該音溝１が形成されたラッカー盤２上に音溝１の形状に沿って均一の厚さのシード層３ａを形成する、シード層形成工程（図１（ｂ））と、該形成されたシード層３ａ上に電鋳によってスタンパ本体３ｂを形成する、スタンパ本体形成工程（図１（ｃ））と、該形成されたシード層３ａ及び該スタンパ本体３ｂを前記ラッカー盤２から剥離させ、該シード層及び該スタンパ本体を備えるスタンパ３を得る、剥離工程（図１（ｄ））とを備える。
【００２０】
（カッティング工程）
ここで、本発明のアナログレコード用スタンパの製造方法では、図１（ａ）に示すように、前記カッティング工程を備える。該カッティング工程では、音溝１をラッカー盤２に形成する。
前記ラッカー盤２は、円形の金属板の上に、ラッカーを塗布して作製されるものである。ラッカー盤の材料となる金属板としては、例えば、アルミニウム板、銅板、ニッケル板が挙げられるが、平坦な表面を有する金属板であれば特に限定されない。また、ラッカーとしては、例えば、ウルシオールラッカー、ニトロセルロースラッカー、アクリルラッカーが挙げられるが、音溝を形成できるラッカーであれば特に限定されない。また、ラッカー盤の大きさは、例えば、直径２００〜４００ｍｍであり、厚さは０．５〜５．０ｍｍである。
【００２１】
なお、前記音溝１は、音源の信号に基づいてラッカー盤に刻まれる溝のことである。図１（ａ）及び（ｄ）に示すように、ラッカー盤２に刻まれる音溝１の形状に対応してアナログレコード用スタンパ３の凸部が形成され、さらに、図２（ｂ）に示すように、該スタンパ３の凸部の形状に応じて、アナログレコード４０の音溝１２が形成される。
ここで、図１、図２、図６、図７及び図１０では、音溝１の幅、深さ及び間隔、また、シード層３ａ、３０ａの厚み等については、説明の便宜のため、実際の比率に比べて大きく示している。
【００２２】
また、前記カッティングの方法については、特に限定はされず公知のカッティング方法に従って行うことができる。例えば、収録する楽曲を、テープへ録音し編集することによって、マスターテープを作成し、該マスターテープに基づいて、ラッカー盤をカッティングマシンでカットすることによって行うことができる。
【００２３】
（シード層形成工程）
本発明のアナログレコード用スタンパの製造方法は、図１（ｂ）に示すように、シード層形成工程を備える。該シード層形成工程では、音溝１が形成されたラッカー盤２上に、音溝１の形状に沿って均一の厚さのシード層３ａを形成する。
そして、本発明は、該シード層３ａの形成を、ドライプロセスによって行うことを特徴とする。
ここで、シード層３ａとは中間層のことであり、ラッカー盤２上に形成するスタンパ本体３ｂの形成を助けるための下地となる層である。基板上に薄膜（スタンパ本体３ｂ）を成長させる場合に、成長させる薄膜の物質に似た構造をもつ中間層（シード層３ａ）をあらかじめ下地として作製することで、該中間層の構造を利用して均一な薄膜を成長させることができる。なお、シード層３ａの厚さは、特に限定されない。例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さである。
【００２４】
従来技術においては、シード層として、例えば、ウエットプロセス（液相から成膜する技術）である銀鏡反応又は無電解ニッケルめっきによって、銀導電膜又はニッケル導電膜を形成していた。
なお、銀鏡反応とは、アンモニア性硝酸銀水溶液によってアルデヒド基を有する化合物が酸化されてカルボン酸アンモニウムとなり、還元された銀が析出する化学反応である。無電解ニッケルめっきとは、めっき液に含まれる還元剤の酸化によって放出される電子により、めっき液に含浸することで被めっき物に金属ニッケル膜を析出させる方法である。
【００２５】
ここで、ウエットプロセスは不安定な方法であるため、季節変動による温度又は湿度の変化や、水温変化等の影響によって反応速度が変わる結果、シード層の品質である平滑性、膜厚、欠陥の量及び組成が安定しない問題があった。シード層の品質が安定しない場合、表面粗さが良好なシード層が形成できないという問題があるため、得られたシード層の表面粗さが安定しないため、シード層の歩留まりが劣る。
【００２６】
加えて、ウエットプロセスによりシード層を形成する場合には、製造現場の温度湿度、溶液濃度、溶液の温度又はラッカー盤の表面状態により、形成される銀導電膜の性質が影響されるため、製造環境や製造条件の厳しい管理が必要であった。そのため、製造環境や製造条件が変化すると、シード層の表面粗さが劣化するため、アナログレコード用スタンパの表面粗さも劣化し、該スタンパを用いて製造するアナログレコードの表面粗さも悪化する。そのため、レコード針は、アナログレコードの悪化した表面粗さによって引き起こされる振動を感知し、該振動はプレーヤーによってノイズとして再生されるため、高音質なアナログレコードを製造することが難しかった。
なお、銀鏡反応を用いた場合には、硝酸銀とアンモニアが反応して爆発性の雷銀を発生する場合があるため、危険な製造工程でもあった。
【００２７】
さらに、従来のスタンパを用いたアナログレコードの製造では、図１０（ｅ）に示すように、シード層として形成された銀導電膜を、クロム酸等によって溶解除去するための工程が別途必要であった。銀は柔らかいため耐久性が劣り、酸化し易いため錆が発生するおそれがあることから、スタンパの銀導電膜が部分的に剥がれ易いため、スタンパの銀導電膜面に凹部が発生することがあった。その場合には、製造されたアナログレコードの表面に凹凸が形成されることとなり、ノイズや音飛びが発生する結果、音質の低下を招く。
【００２８】
ここで、従来のアナログレコード用スタンパの製造方法は、図１０に示すように、ラッカー盤２０上に音溝１９を形成する、カッティング工程（図１０（ａ））と、該音溝１９が形成されたラッカー盤２０上に音溝１９の形状に沿って均一の厚さのシード層３０ａをウエットプロセスによって形成する、シード層形成工程（図１０（ｂ））と、該形成されたシード層３０ａ上に電鋳によってスタンパ本体３０ｂを形成する、スタンパ本体形成工程（図１０（ｃ））と、該形成されたシード層３０ａ及び該スタンパ本体３０ｂを前記ラッカー盤２０から剥離させ、該シード層及び該スタンパ本体を備えるスタンパ３０を得る、剥離工程（図１（ｄ））と、該スタンパ３０からシード層３０ａを溶解除去する、シード層除去工程（図１０（ｅ））とを備える。
【００２９】
本発明による前記シード層３ａの形成は、上述したように、ドライプロセスによって行われる。そのため、ドライプロセスによってシード層を形成すると、ウエットプロセスによって形成する場合に比べ、シード層の膜厚をより厳密に制御した薄膜形成ができる。そのため、前記シード層３ａの外側の音溝部分の表面３２の表面粗さ及び内側の音溝部分の裏面３３の結晶粒径もより厳密に制御できるようになるため、シード層３ａの外側の音溝部分の表面３２（図１（ｂ）参照）及びラッカー盤から剥離後のシード層３ａの外側の音溝部分の表面３３０（図１（ｄ）参照）の表面粗さが小さくなる。
また、前記シード層３ａの表面３１の表面粗さが小さくなると、シード層３ａの膜厚が薄いため、スタンパ３（図１（ｄ）参照）のシード層の外側の音溝部分の表面３３０の表面粗さに影響することによっても、表面３３０の表面粗さが改善される。
【００３０】
また、ドライプロセスによって形成されたシード層３ａは、ウエットプロセスによって形成する場合に比べ、膜の密度が高く機械的に強度である。したがって、剥離工程（図１（ｄ）参照）において、ラッカー盤２からスタンパ３を剥離することによって、シード層３ａの音溝部分の表面３３０の表面粗さが、剥離による力によって悪化しにくい。
【００３１】
したがって、ドライプロセスによって形成されたシード層３ａを有するスタンパ３に基づいて製造されるアナログレコード４０（図２参照）は、シード層をウエットプロセスによって形成する場合に比べ、該アナログレコードの音溝１２（図８参照）の表面１４の表面粗さが小さくなる。そのため、表面粗さによって引き起こされるレコード針１３の振動も少なくなるため、ノイズや音飛びが発生し難くなる。
【００３２】
さらに、ドライプロセスによってシード層を形成すると、ウエットプロセスによって形成する場合に比べ、シード層の膜質が密になり耐久性及び耐蝕性に優れるため、スタンパのシード層が部分的に剥がれることがないため、シード層を除去する必要がなくなり、ウエットプロセスにおいて必要であったシード層の除去工程を省くことができる。そのため、製造時間の短縮に対しても寄与できる。
【００３３】
さらに、ドライプロセスによるシード層の形成は、ウエットプロセスである銀鏡反応によって銀導電膜を形成する場合に比べ、製造環境の温度湿度による影響がなく、装置による条件設定及び管理が容易で、シード層形成工程におけるシード層の歩留まりが高いという利点がある。
【００３４】
なお、前記ドライプロセスは、ガス中の反応を用いること又は、高真空中に原子、分子又は HYPERLINK "https://kotobank.jp/word/%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%B3-29970" イオンを飛ばすことによって、薄膜を形成する HYPERLINK "https://kotobank.jp/word/%E3%83%97%E3%83%AD%E3%82%BB%E3%82%B9-8500" プロセス技術の総称であり、物理的な成膜方式の物理気相成長法と化学的な成膜方式の化学気相成長法が挙げられる。物理気相成長法として、例えば、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングがある。また、化学気相成長法として、例えば、プラズマ重合法がある。ドライプロセスは、ウエットプロセスに比べ、膜形成の制御が安定しているため、形成される膜の品質が安定する利点がある。
【００３５】
ここで、真空蒸着とは、成膜材料をヒーターや電子ビームで蒸発させ、基板に成膜する方法をいう。また、スパッタリングとは、プラズマ中のイオンによって成膜する物質のターゲットの表面の原子を物理的にたたき出し、基板に成膜する方法をいう。さらに、イオンプレーティングとは、成膜材料をヒーターや電子ビームで蒸発させ、蒸発した粒子をプラズマ中を通過させることによって、プラスの電荷を帯びさせ、基板にマイナスの電荷を印加することによって、プラスの電荷を帯びた蒸発した粒子を引きよせ、基板に成膜する方法をいう。また、プラズマ重合法とは、成膜材料の元素を含むガスを導入し、プラズマにより励起又は分解し、基板表面で吸着又は反応によって、基板に成膜する方法をいう。
【００３６】
また、前記ドライプロセスは、真空蒸着又はスパッタリングであることが好ましい。真空蒸着又はスパッタリングによって、表面粗さと膜密度が良好な膜を形成できるため、形成される膜の表面粗さや機械特性を制御し易く、薄膜製造の技術として工業的に広く用いられており、量産に適しているからである。
特に、スパッタリングは、真空蒸着に比べ、シード層の膜が緻密となるため、膜質に優れ、シード層とラッカー盤の密着性及び接着性がより向上できる点で、より好ましい。
【００３７】
また、ドライプロセスによって形成された前記シード層は、ニッケル、チタン、金、又はクロムを含むことを特徴とする。
ニッケル、チタン、金、又はクロムは、耐蝕性が優れているため、該シード層を有するスタンパに基づくアナログレコード製造中に、経時変化によってシード層の表面粗さが劣化することがないからである。また、ニッケル、チタン、金、又はクロムは、導電性を有するため、スタンパ本体３ｂの形成工程において、シード層３ａに電流を流すことができるからである。さらに、ニッケルは耐蝕性が高く、硬度も高すぎて脆くなることもなく、硬度が低すぎて音溝が変形することもないため、ニッケル又はニッケル合金を含むことが好ましい。なお、ニッケル又はニッケル合金の含有量は、５０重量％以上あることが好ましく、ニッケル又はニッケル合金のビッカース硬度は１５０〜２５０（ｋｇｆ／ｍｍ2）（１５００〜２５００［Ｎ／ｍｍ2］）であることが好ましい。アナログレコード用のスタンパとして望ましい耐蝕性と硬度を有するからである。さらにまた、スタンパ本体３ｂが、ニッケルを含んだ場合は、シード層３ａとしてニッケルを含むことが好ましい。スタンパ本体３ｂとシード層３ａとの密着性及び接着性が向上するためである。
【００３８】
なお、従来のウエットプロセスの銀鏡反応によって形成された銀導電膜のシード層は、ニッケル、チタン、金、又はクロムのいずれも含まない膜であるため、本発明のシード層の構成とは異なるものであり、同様の効果を奏することはできない。また、従来のウエットプロセスの無電解ニッケルめっきによって形成されたニッケル導電膜のシード層は、音溝に水素気泡によるピンホールを発生し易い。該ピンホールが原因となり、製造されたアナログレコードの表面に凹凸が形成され、アナログレコードの再生時にノイズが発生する結果、音質の低下を招く。また、該形成されたアナログレコードの表面の凹凸は、アナログレコードの外観不良となる。そのため、本発明のシード層と同様の効果を奏することはできない。
また、本発明のシード層の成膜に比べ、無電解めっきは、使用する液体の濃度や温度の成膜条件の管理が困難であるため、形成されるシード層の表面粗さが安定しない欠点がある。
【００３９】
前記スパッタリングによって形成された前記シード層は、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、前記ラッカー盤の表面に垂直方向に伸びた複数の柱状構造を有する膜であることが好ましい。結晶化が十分に進んでいないか、又は、結晶化が進んでもまだ多結晶体にはなっていないため、結晶粒が大きく成長しておらず、シード層の表面が滑らかで表面粗さが小さくなるため、アナログレコードの音溝の表面粗さが小さくでき、表面粗さによって引き起こされるレコード針の振動が少なくなり、ノイズや音飛びが発生し難くできるからである。
【００４０】
また、柱状構造を有する膜は、等方性構造を有する膜に比べ、膜を形成する際の基板温度Ｔｓが低くできるため、高い耐熱性を有しないラッカー盤を用いることが可能であるからである。
ここで、スパッタリングによって形成された薄膜の構造については、Ｔｈｏｒｔｏｎ  ｚｏｎｅ  ｍｏｄｅｌ（ソーントンモデル）によって、図５に示すように、スパッタ中のＡｒガス圧と基板温度Ｔｓの２つを変数として、分類できる（Ｊ．Ａ．Ｔｈｏｒｎｔｏｎ：Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．１１（１９７４）６６６）。柱状構造を有する膜は、ＺｏｎｅI、ＺｏｎｅＴ及びＺｏｎｅIIの膜であるので、図５に示すように、Ｔｓ
／Ｔｍが０．７以下の基板温度（ラッカー盤の温度）である。そのため、ＺｏｎｅI、Ｚ
ｏｎｅＴ及びＺｏｎｅIIの場合は、ＺｏｎｅIIIの場合（等方性構造を有する膜の場合）に比べ、高い耐熱性を要求されないラッカー盤を用いることが可能である。なお、Ｔｍは、スパッタリングする金属の融点（Ｋ）であり、Ｔｓはスパッタリング中の膜が形成される基板の温度（Ｋ）である。
ＺｏｎｅIIIは、基板であるラッカー盤の温度Ｔｓに関し、Ｔｓ／Ｔｍが、０．７〜１の
領域であるので、例えば、ニッケルのスパッタリングの場合、ニッケルの融点Ｔｍが１７２８Ｋであるため、ラッカー盤の温度が１２１０Ｋ〜１７２８Ｋに相当する。そのため、高い耐熱性のラッカーを用いることが必要になる。
【００４１】
また、前記シード層の柱状構造は、ＺｏｎｅＴの繊維的柱状構造であることがより好ましい。ＺｏｎｅＴの領域の膜は、膜の表面が滑らかで表面粗度が小さいからである。シード層の表面粗さがより小さくなるため、上述したように、アナログレコードの音溝１２の表面１４の表面粗度が小さくなり（図８（ａ）参照）、アナログレコードのノイズが小さくなるからである。
【００４２】
なお、図５において、Ａｒガス圧Ｐの単位は、１０-3Ｔｏｒｒ（０．１３３３Ｐａ）である。Ｔｈｏｒｔｏｎ  ｚｏｎｅ  ｍｏｄｅｌのＺｏｎｅIでは、図４（ａ）に示すよう
に、スパッタリングによって形成された膜は隙間の広い柱状構造８となり、結晶化はあまり進んでいなく、表面は繊維が立ったような状態になっており、表面粗さはＺｏｎｅＴに比べると大きい。
また、ＺｏｎｅＴでは、図４（ｂ）に示すように、細い緻密な繊維的柱状構造９となり、結晶化は十分に進んでおらず、結晶粒も大きくならず、表面は滑らかになるため表面粗度は小さい。さらに、ＺｏｎｅIIは、柱状構造となり、結晶化が進み膜は緻密になってく
る。ＺｏｎｅＴに比べると表面粗さは大きくなってくる。また、ＺｏｎｅIIIは、薄膜は多結晶体となり、柱状構造を有しなくなる。
【００４３】
また、前記シード層３ａは、図１（ｂ）に示すように、前記スタンパ本体が形成される面３１の表面粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であることが好ましい。前記シード層３ａの表面３１の表面粗さが小さくなると、シード層３ａの膜厚が薄いため、スタンパ３（図１（ｄ）参照）のシード層の外側の音溝部分の表面３３０の表面粗さに影響することによって、表面３３０の表面粗さが改善される。そのため、アナログレコード４０（図２を参照）の表面粗さが改善されるからである。
なお、表面粗さＲａについては、シード層３ａの表面３１の表面粗さを、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって粗さ曲線を測定し、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２０１３の規格に従って算出したものである。図１（ｂ）において、該表面粗さＲａは、シード層３ａの音溝部分の表面３２の表面粗さと同じと考えられる。
【００４４】
前記ドライプロセスで形成されたシード層３ａの表面粗さや硬度は、スパッタリングの膜について、上述したように、膜構造によって変化する。そのため、例えば、スパッタリングの成膜条件によって、シード層３ａの膜構造がＺｏｎｅＴの構造であると、シード層３ａは、表面３１の表面粗さが小さくなり、機械的に強度となる。したがって、ＺｏｎｅＴの構造であるシード層３ａの内側の表面３３の粒径は小さく緻密になり、ラッカー盤から剥離されたシード層３ａの音溝部分の表面３３０（図１（ｄ）を参照）の表面粗さも改善する。また、ＺｏｎｅＴの構造であるシード層３ａが、機械的に強度であるため、剥離工程（図１（ｄ）参照）において、ラッカー盤からスタンパ３を剥離することによって、シード層３ａの音溝部分の表面３３０の表面性が、剥離による力によって悪化しにくい。
そのため、ドライプロセスによってシード膜を形成すると、図１（ｄ）及び図２（ａ）に示すように、シード層３ａの外側の音溝部分の表面３３０の面と接した状態でプレスされ作製されたアナログレコード４０（図２を参照）の音溝１２（図８参照）の表面１４の表面粗さが改善され、表面粗さによって引き起こされるレコード針１３（図８参照）の振動も少なくなるため、ノイズや音飛びが発生し難くなる。
【００４５】
なお、従来の銀鏡反応によって形成したシード層３０ａ（図１０（ｂ）参照）の表面３１０の表面粗さＲａは、例えば、５〜１０ｎｍとなり、無電解ニッケルめっきによって形成したシード層の表面３１０の表面粗さは、例えば、約５．０ｎｍであった。一方、スパッタリングによって形成されたシード層３ａの表面３１（図１参照）の表面粗さＲａは、１例として、１．９ｎｍとなる。銀鏡反応や無電解ニッケルめっきのウエットプロセスによって形成されたシード層の表面３１０（図１０参照）の表面粗さに比べ、スパッタリングによって形成されたシード層３ａの表面３１（図１参照）の表面粗さＲａは、半分以下になり、２．５ｎｍ以下である。
【００４６】
（スタンパ本体形成工程）
本発明のスタンパ本体３ｂは、図１（ｃ）に示すように、電鋳によってシード層３ａ上に形成する。ここで、電鋳とは、電気めっきの一種であり、電気分解した金属を電鋳の対象物の表面にめっきすることで、該対象物の表面の凹凸や形状を複製することができる技術である。本発明における電鋳で使用する金属の種類は、特に限定されない。例えば、ニッケル、亜鉛、白金、金、銀、銅、カドミウム、スズ、クロム、亜鉛と鉄の合金、亜鉛とニッケルの合金、スズと亜鉛の合金、スズと銀の合金、スズとコバルトの合金、はんだ、黄銅又は青銅を含む金属がある。
【００４７】
さらに、本発明における電鋳で使用する金属は、ニッケル、ニッケル合金、銅、鉄、金又はクロムを含むことが好ましい。耐蝕性に優れているからである。さらにまた、ニッケルは耐蝕性が高く、硬度も高すぎて脆くなることもなく、硬度が低すぎて音溝が変形することもないため、ニッケル又はニッケル合金を含むことが、より好ましい。なお、ニッケル又はニッケル合金の含有量は、５０重量％以上あることが好ましい。アナログレコード用のスタンパ本体として望ましい耐蝕性と硬度を有するからである。
【００４８】
（スタンパ）
本発明に従うスタンパ３は、図１（ｄ）に示すように、スタンパ本体３ｂとシード層３ａとから形成され、スタンパ３の厚みは、シード層３ａが十分薄いため、スタンパ本体３ｂの厚みとほぼ等しく、例えば、約０．２ｍｍ〜約０．３ｍｍである。なお、スタンパとは、アナログレコードを大量に複製するための金型をいう。
【００４９】
また、第二のスタンパ及び第三のスタンパを形成することが好ましい。アナログレコードを大量生産する場合、スタンパの耐久性が十分でないため、複数のスタンパを製造する必要があるからである。そのため、図６に示すように、第二のスタンパの形成工程（図６（ａ））において、本発明の前記スタンパ３の表面に電鋳によって、第二のスタンパ１０を形成し、剥離工程（図６（ｂ））において、該形成された第二のスタンパ１０を前記スタンパ３の表面から剥離することによって第二のスタンパ１０を製造し、第三のスタンパの形成工程（図６（ｃ））において、該製造された第二のスタンパ１０の表面に電鋳によって第三のスタンパ１１を形成し、剥離工程（図６（ｄ））において、該形成された第三のスタンパ１１を前記第二のスタンパ１０の表面から剥離することによって第三のスタンパ１１を製造する。ここで、第二スタンパ製造工程は、第二のスタンパ１０の形成工程（図６（ａ））及び剥離工程（図６（ｂ））を有し、第三スタンパ製造工程は、第三のスタンパ１１の形成工程（図６（ｃ））及び剥離工程（図６（ｄ））を有する。また、第二のスタンパ１０及び第三のスタンパ１１の厚みは、特に限定されないが、例えば、約０．２ｍｍ〜約０．３ｍｍである。
【００５０】
ここで、例えば、第二のスタンパ１０の形成工程（図６（ａ））において、前記スタンパ３のシード層３ａの表面に離型膜を形成し、該形成した剥離膜の表面に電鋳によって、第二のスタンパ１０を製造することが好ましい。また、第三のスタンパ１１の形成工程（図６（ｃ））においても、前記第二のスタンパ１０の表面に離型膜を形成し、該形成した剥離膜の表面に電鋳によって、第三のスタンパ１１を製造することが好ましい。剥離工程（図６（ｂ）、図６（ｄ））において、離型膜の働きによって、第二のスタンパ１０及び第三のスタンパ１１の剥離が容易になるからである。ここで、離型膜は、特に限定されないが、例えば、酸化膜であり、厚みは、例えば１〜５０ｎｍである。離型膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、アルカリ性の水溶液中に、スタンパ３又は第二のスタンパ１０を陽極として入れ、電気を流すことによる陽極酸化処理によって形成される。
【００５１】
また、ドライプロセスによって形成されたシード層３ａを有するスタンパに基づいて形成される第三のスタンパ１１（図６を参照）に基づいて製造されるアナログレコード４０（図７を参照）も、シード層をウエットプロセスによって形成する場合に比べ、該アナログレコードの音溝１２（図８参照）の表面１４の表面粗さが小さくなる。
【００５２】
ドライプロセスによって形成されたシード層３ａを有するスタンパ３（図１（ｄ）を参照）のシード層の外側の音溝部分の表面３３０の表面粗さは、上述したように、シード層をウエットプロセスによって形成する場合に比べ、小さくなる。また、図６に示したように、スタンパ３に基づいて第二のスタンパ１０及び第三のスタンパ１１を製造する工程において、スタンパ３の表面形状とシード層の外側の音溝部分の表面３３０（図１（ｄ）を参照）の表面粗さは、ナノメートルのレベルで正確に転写されて、アナログレコードが製造される。そのため、第三のスタンパ１１の表面１１０の表面粗さは、シード層３ａをウエットプロセスによって形成する場合に比べ小さくなる。したがって、ドライプロセスによってシード膜を形成すると、図６（ｄ）及び図７（ａ）に示すように、第三のスタンパ１１の外側の表面１１０の面と接した状態でプレスされ作製されたアナログレコード４０（図７を参照）の音溝１２（図８参照）の表面１４の表面粗さが改善され、表面粗さによって引き起こされるレコード針１３（図８参照）の振動も少なくなるため、ノイズや音飛びが発生し難くなる。
【００５３】
なお、図１及び図６に示された剥離工程（図１（ｄ）、図６（ｂ）、及び図６（ｄ））において、スタンパ、第二スタンパ及び第三スタンパを、それぞれ、ラッカー盤、スタンパの表面及び第二スタンパの表面から剥離する方法は、例えば、力を加えて剥がすことで行う。
【００５４】
また、第二のスタンパの形成工程（図６（ａ））及び第三のスタンパの形成工程（図６（ｃ））において、図９に示すように、例えば、３０分以上の時間をかけて徐々に電流を増加させ大電流にすることによって、電鋳を行うことが好ましい（精密電鋳プログラム１８）。電鋳によって形成される層の結晶粒が小さくなるため、第二及び第三のスタンパの表面性が向上するからである。なお、従来技術においては、例えば、図９に示すように、低電流を約１０分間流し、製造時間短縮のため、１０分以下の短時間で大電流まで電流を増加し、電鋳を行っている（従来電鋳プログラム１７）。
【００５５】
＜アナログレコードの製造方法＞
次に、本発明によるスタンパを用いて製造するアナログレコードの製造方法について、必要に応じて図面を用いて説明する。
本発明の前記スタンパ３又は前記第三のスタンパ１１を用いて、図２（ａ）又は図７（ａ）に示すように、アナログレコード材料４からプレス５によって、図２（ｂ）又は図７（ｂ）に示すアナログレコード４０を製造する。本発明の表面性の優れたスタンパ又は前記第三のスタンパを用いて製造することで、図８（ａ）に示すように、音溝１２の表面１４の表面粗さの小さいアナログレコードを提供することができ、その結果、表面粗さによって引き起こされるレコード針１３（図８参照）の振動も少なくなるため、ノイズや音飛びが発生し難くなり、アナログレコードの音質が向上する。
【００５６】
「スタンパ又は第三のスタンパを用いてアナログレコードを製造する」とは、図２又は図７に示すように、「スタンパ３又は第三のスタンパ１１を金型として用いることによって製造する」ことである。
ここで、アナログレコード材料は、特に限定されないが、例えば、ポリ塩化ビニルを含む樹脂である。ここで、プレスとは、アナログレコード材料を音溝が刻まれた２枚のスタンパの間に入れて、熱と圧力を加えて、押すことをいう。
【００５７】
＜アナログレコード＞
次に、本発明に係る前記スタンパ又は第三のスタンパを用いて製造するアナログレコードについて、必要に応じて図面を用いて説明する。
本発明による前記アナログレコードは、図２（ａ）及び図７（ａ）に示すように、前記スタンパ３又は前記第三のスタンパ１１に基づいて、アナログレコード材料４からプレス５によって製造する。図２（ｂ）及び図７（ｂ）に示すように、製造されたアナログレコード４０は、本発明の表面性の優れたスタンパに基づいて製造されるため、図８に示すように音溝１２の表面１４の表面性が改善され、その結果、音質の優れたアナログレコードとなる。
【００５８】
ここで、アナログレコードの音溝は、図８に示すように、例えば、Ｖ字の形状をし、幅αは５０〜３００μｍ及び深さβは２５〜１５０μｍである。アナログレコードをプレーヤーによって再生する場合は、再生用のレコード針１３がアナログレコードの音溝１２に沿って移動しながら、図８（ｂ）に示す音溝のうねり１２０による振動を感知し、レコード針１３が取り付けられたカートリッジによって、電気信号に変換され音として再生している。
また、レコード針１３は、アナログレコードの音溝の表面１４の表面粗さによって引き起こされる振動も感知し、該感知された振動は、カートリッジによって電気信号に変換され、ノイズとして再生される。
【実施例】
【００５９】
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。
【００６０】
（実施例）
図１に示すように、カッティング工程（図１（ａ））において、ラッカー盤２上に音溝１を形成し、シード層形成工程（図１（ｂ））において、音溝１が形成されたラッカー盤２上に該音溝１の形状に沿って、スパッタリングによって均一の厚さのシード層３ａを形成し、スタンパ本体形成工程（図１（ｃ））において、該形成されたシード層３ａ上に電鋳によってスタンパ本体３ｂを形成し、剥離工程（図１（ｄ））において、該形成されたシード層３ａ及び該スタンパ本体３ｂを前記ラッカー盤２から剥離することによって、該シード層３ａ及び該スタンパ本体３ｂを有するスタンパ３を製作した。その後、図６に示すように、第二のスタンパの形成工程（図６（ａ））において、前記スタンパ３の表面に電鋳によって、第二のスタンパ１０を形成し、剥離工程（図６（ｂ））において、該形成された第二のスタンパ１０を前記スタンパ３の表面から剥離することによって第二のスタンパ１０を製作し、第三のスタンパの形成工程（図６（ｃ））において、該製作された第二のスタンパ１０の表面に電鋳によって第三のスタンパ１１を形成し、剥離工程（図６（ｄ））において、該形成された第三のスタンパ１１を前記第二のスタンパ１０の表面から剥離することによって第三のスタンパ１１を製作した。その後さらに、図７に示すように、該第三のスタンパ１１に基づいて、アナログレコード材料であるポリ塩化ビニルからプレスによって、実施例のアナログレコードを製作した。
【００６１】
ここで、シード層は、ニッケルをターゲット材料（シード層の成膜の材料）に用いて、スパッタリングによって形成した。そのため、シード層はニッケルを含んでいる。また、シード層の膜厚は１５０ｎｍとした。なお、スパッタリングは、ラッカー盤（基板）の温度が７３°Ｃ（約３４６Ｋ）であった。また、圧力は０．１３３３Ｐａ（１×１０-3Ｔｏｒｒ）と設定した。その結果、ＺｏｎｅＴの膜が形成された。また、電鋳において使用した金属は、ニッケルであり、電鋳の膜厚は０．２ｍｍとした。
さらに、上述したように、前記スタンパのシード層の表面及び、前記第二のスタンパの表面には、酸化膜の前記離型膜を形成することで、前記第二のスタンパと前記第三のスタンパの剥離を容易にできるようにした。
なお、電鋳は、スルファミン酸ニッケル浴を用い、浴内の温度を５０°Ｃにしておこなった。また、離型膜は、水酸化ナトリウムの水溶液中に、前記スタンパ及び前記第二のスタンパを陽極として入れ、電気を流すことによる陽極酸化処理によって形成した。前記離型膜の厚みは、３０ｎｍとした。
【００６２】
ここで、第二のスタンパの形成工程（図６（ａ））及び第三のスタンパの形成工程（図６（ｃ））において、図９に示すように、低電流を約１０分間流し、製造時間短縮のため、電流を１０分間で増加し、１２０Ａの大電流を流すことによって電鋳を行い（従来電鋳プログラム１７）、実施例のアナログレコード＃１を製造した。また、図９に示すように、４０分かけて徐々に電流を増加させ１２０Ａの大電流にすることによって、電鋳を行い（精密電鋳プログラム１８）、実施例のアナログレコード＃２を製作した。アナログレコード＃２においては、電鋳によって形成される層の結晶粒が小さくなるため、第二及び第三のスタンパの表面性が向上する。
【００６３】
なお、カッティング工程（図１（ａ））において、ラッカー盤２上に音溝１を形成する際、単一周波数をカッティングすることによって、音溝１を形成した。該単一周波数とは、高音域では、１５、１０、９、８、７、６、５、４、３、２、１ｋＨｚであり、低音域では、１０００、８００、５００、４００、３００、２００、１００、７０、５０Ｈｚである。
【００６４】
（比較例）
また、比較のため、銀鏡反応によってシード層を形成すること及びシード層除去工程（図１０（ｅ））においてシード層を溶解除去すること以外は、上述したアナログレコード＃１と同じ条件で、比較例のアナログレコードを製作した。銀鏡反応によるシード層３０ａの形成は、図１０に示すように、音溝１９が形成されたラッカー盤２０の音溝１９側の表面を、塩化すず溶液に浸漬することによって活性した（センシタイザー処理）後、銀を含む液及び還元剤を含む液を、スプレーによって同時に噴霧することによって行った。なお、銀鏡反応によって形成したシード層の厚みは、１００ｎｍであった。
これにより、２種の実施例のアナログレコードと比較例のアナログレコードの合計３種のサンプルについて評価を行った。
【００６５】
（評価方法）
前記音溝を有するアナログレコードについて、単一周波数のＳ／Ｎの測定をするため、レコードプレーヤーをアンプに接続し、該アンプをスペクトラムアナライザに接続した。本実施例と比較例に係るアナログレコードを前記レコードプレーヤーにかけ、スペクトラムアナライザによって、再生した音の周波数ごとのＳ／Ｎを測定した。なお、レコードプレーヤーは、テクニクス社製ＳＬ−１７００を使用し、アンプは、サンスイ社製ＡＵ−７７００を使用した。
【００６６】
実施例のアナログレコード＃１について、比較例に比べ、測定したＳ／Ｎは大きいことがわかった。また、実施例のアナログレコード＃２について、測定したＳ／Ｎと周波数ｆの関係を、図３（ａ）及び（ｂ）に示す。実施例のアナログレコード＃２は、比較例に比べ、Ｓ／Ｎが大きい傾向があることがわかる。特に、高音域側の１０ｋＨｚ以上の周波数では、顕著にＳ／Ｎが向上している。この差は、スパッタタリングによって形成されシード層を有するスタンパによって、アナログレコードの表面性が改善し、ノイズが低減した効果と考えられる。
なお、アナログレコード＃１及びアナログレコード＃２のシード層の表面３１の表面粗さＲａは、１．９ｎｍであり、比較例のアナログレコードの表面粗さは、５ｎｍであった。スパッタリングによって形成されたシード層の表面粗さは、銀鏡反応によって形成されたシード層の表面粗さに比べ、半分以下に改善されることが確かめられた。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明によれば、従来のアナログレコード用スタンパ技術に比べて、スタンパの表面粗さを効果的に改善することができる。その結果、該スタンパに基づいて製造されるアナログレコードの音質を大幅に向上することが可能となり、産業上有用である。
【符号の説明】
【００６８】
１、１９          音溝
２、２０          ラッカー盤
３、３０          スタンパ
３ａ、３０ａ      シード層
３ｂ、３０ｂ      スタンパ本体
３１、３１０      シード層の表面
３２、３２０      シード層の音溝部分の表面
３３、３４        シード層の音溝部分の裏面
３３０、３４０    ラッカー盤から剥離後のシード層の音溝部分の表面
４                アナログレコード材料
４０              アナログレコード
５                プレス
６                実施例に係るアナログレコード＃２のＳ／Ｎ
７                比較例に係るアナログレコードのＳ／Ｎ
８                隙間の広い柱状構造
９                繊維的柱状構造
１０              第二のスタンパ
１１              第三のスタンパ
１２              アナログレコードの音溝
１２０            音溝のうねり
１３              レコード針
１４              アナログレコードの音溝の表面
１５              アナログレコード
１６              アナログレコードの表面
１７              従来電鋳プログラム
１８              精密電鋳プログラム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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