(57)【要約】【課題】筒内圧の検出精度を向上させることのできる筒内圧センサを提供する。【解決手段】筒内圧センサは、半導体基板３０と、該半導体基板３０に燃焼室内の圧力である筒内圧を伝達する力伝達部材としてのガラスブロック１９を備えている。半導体基板３０は、脚部３１と該脚部３１よりも薄肉のゲージ３２とを有している。ゲージ３２は、板状の支持部３４と該支持部３４に連結された受圧部３５とを含んでいる。半導体基板３０には、支持部３４及び受圧部３５によってガラスブロック１９が固定される固定面３８が構成されている。受圧部３５は、導電材を構成部材として含み圧力に応じて抵抗値が変化するとともに、支持部３４よりも固定面３８の反対側に突出している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に固定され、該半導体基板に燃焼室内の圧力である筒内圧を伝達する力伝達部材とを備え、
前記半導体基板は、脚部と該脚部よりも薄肉のゲージとを有し、前記ゲージは、板状の支持部と該支持部に連結された受圧部とを含み、前記支持部及び前記受圧部によって前記力伝達部材が固定される固定面が構成されており、
前記受圧部は、導電材を構成部材として含み圧力に応じて抵抗値が変化するとともに、前記支持部よりも前記固定面の反対側に突出している筒内圧センサ。
【請求項２】
前記受圧部は、前記支持部に連結されている基部と、該基部に連結されて前記支持部よりも前記固定面の反対側に突出している突出部とを有し、前記突出部は、前記固定面から離間する方向に延びている一対の側面と、前記固定面から最も離間した位置にある底面と、前記側面と前記底面とを繋ぐ湾曲面とを有する
請求項１に記載の筒内圧センサ。
【請求項３】
前記受圧部は前記固定面から該固定面の反対側の先端までの全体が導電材を構成部材として含んでいる
請求項１または２に記載の筒内圧センサ。
【請求項４】
前記半導体基板には、前記脚部が一対設けられ、
前記ゲージは一対の脚部を繋ぐように連結されており、
前記受圧部は、一方の脚部から他方の脚部まで連続して延びている
請求項１〜３のいずれか一項に記載の筒内圧センサ。
【請求項５】
前記受圧部は、所定方向に延びていて、その延伸方向と直交する断面において、前記固定面の反対側への突出長さが、突出方向と直交する幅方向における長さよりも長い
請求項１〜４のいずれか一項に記載の筒内圧センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内燃機関の燃焼室内の圧力である筒内圧を検出する筒内圧センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
筒内圧センサは、半導体基板と、該半導体基板に筒内圧を伝達する力伝達部材とを有している。半導体基板には、圧力に応じて抵抗値が変化するゲージが設けられている。このゲージには、半導体基板に形成された電極を通じて定電流が供給される。力伝達部材を介してゲージに筒内圧が作用すると、ゲージの抵抗値が変化して、該ゲージの両端に生じている電圧である両端電圧が変化する。筒内圧センサには、ゲージの両端電圧に対応した信号が入力される回路部が設けられている。回路部は、その信号に基づいて筒内圧を検出する。特許文献１には、１対の脚部と、該脚部の間に配設されて脚部よりも薄肉のゲージとを有する半導体基板が開示されている。脚部の上面とゲージの上面とは面一であり、該ゲージは、半導体基板の底面にエッチング加工を施すことにより形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５‐１２４９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体基板のゲージにはイオン等の導電材が添加され、これにより圧力に応じてゲージの抵抗値が変化するようになる。ゲージの感度、すなわち、圧力の変化度合いに対する抵抗値の変化度合いは、添加される導電材の濃度が濃いときほど高くなる。筒内圧を精度良く検出する上では、ゲージの感度は高い方が望ましい。しかしながら、半導体基板に添加可能な導電材の量には限度があり、特許文献１に記載のゲージであっても、筒内圧を検出する際の精度向上については未だ改善の余地がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するための筒内圧センサは、半導体基板と、前記半導体基板に固定され、該半導体基板に燃焼室内の圧力である筒内圧を伝達する力伝達部材とを備え、前記半導体基板は、脚部と該脚部よりも薄肉のゲージとを有し、前記ゲージは、板状の支持部と該支持部に連結された受圧部とを含み、前記支持部及び前記受圧部によって前記力伝達部材が固定される固定面が構成されており、前記受圧部は、導電材を構成部材として含み圧力に応じて抵抗値が変化するとともに、前記支持部よりも前記固定面の反対側に突出している。
【０００６】
ゲージの受圧部は、ゲージの支持部に比べて固定面の反対側に突出していることに起因して、より多くのイオン等の導電材の添加が可能となる。しかも、ゲージの受圧部が圧力を受けた場合には、その突出に起因して歪み量をより大きくすることができる。ゲージの抵抗値は、添加される導電材の量、さらには歪み量が多くなるほど大きくなる。上記構成によれば、受圧部によって圧力の変化度合いに対する抵抗値の変化度合いが大きくなり、ゲージの感度が向上する。そのため、筒内圧の検出精度の向上に貢献できる。
【０００７】
また、上記筒内圧センサでは、前記受圧部は、前記支持部に連結されている基部と、該基部に連結されて前記支持部よりも前記固定面の反対側に突出している突出部とを有し、前記突出部は、前記固定面から離間する方向に延びている一対の側面と、前記固定面から最も離間した位置にある底面と、前記側面と前記底面とを繋ぐ湾曲面とを有することが望ましい。
【０００８】
上記構成によれば、受圧部の突出部は側面と底面とを接続する部位が湾曲した形状になるため、ゲージの歪みによってこの接続部位の一部に応力が集中することが抑えられる。したがって、ゲージの耐久性の向上が図れる。
【０００９】
また、上記筒内圧センサでは、前記受圧部は前記固定面から該固定面の反対側の先端までの全体が導電材を構成部材として含んでいることが望ましい。
上記構成によれば、歪み量の大きい受圧部全体が導電材を含んで構成されているため、加えられる圧力に応じて抵抗値を大きく変化させることができる。したがって、ゲージの感度を高める上で、受圧部の構成が適切になる。
【００１０】
また、上記筒内圧センサでは、前記半導体基板には、前記脚部が一対設けられ、前記ゲージは一対の脚部を繋ぐように連結されており、前記受圧部は、一方の脚部から他方の脚部まで連続して延びていることが望ましい。
【００１１】
上記構成では、受圧部は脚部によって支持されることにもなるため、半導体基板のゲージの剛性が高められる。そのため、ゲージの感度の向上と耐久性の向上とを実現することができる。
【００１２】
また、上記筒内圧センサでは、前記受圧部は、所定方向に延びていて、その延伸方向と直交する断面において、前記固定面の反対側への突出長さが、突出方向と直交する幅方向における長さよりも長いことが望ましい。
【００１３】
受圧部の歪み量は突出量に対して乗数的に大きくなる。一方で、受圧部の剛性は、断面積に比例して高くなる。上記構成によれば、突出長さが幅方向における長さよりも長いため、受圧部の断面積の増加を抑えつつその突出量を大きくすることができる。したがって、ゲージの感度を高める上で適切な構成を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】筒内圧センサの先端部を拡大して示す断面図。
【図２】半導体基板の斜視図。
【図３】半導体基板の平面図。
【図４】図３の４−４線に沿った断面図。
【図５】図３の５−５線に沿った断面図。
【図６】筒内圧に応じた変形態様を示す半導体基板の断面図。
【図７】筒内圧に応じた変形態様を示す受圧部の拡大断面図。
【図８】（ａ）はマスクを形成した状態の半導体基板の底面図、（ｂ）は該半導体基板の側面図。
【図９】（ａ）はエッチング処理により中央部分が薄肉になった半導体基板の底面図、（ｂ）は該半導体基板の側面図。
【図１０】（ａ）は中央部分の一部を除いて更にエッチング処理を行ったときの半導体基板の底面図、（ｂ）は該半導体基板の側面図。
【図１１】エッチング加工によって角部を丸める前の受圧部の拡大断面図。
【図１２】エッチング加工によって角部を丸めた後の受圧部の拡大断面図。
【図１３】（ａ）は他の例の筒内圧センサにおいて受圧部における導電体を含む領域を示す断面図。（ｂ）は他の例の筒内圧センサにおいて受圧部における導電体を含む領域を示す断面図。
【図１４】他の例の筒内圧センサにおいて半導体基板の構成を示す側面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１に示すように、筒内圧センサは、筒状のハウジング１０を有している。ハウジング１０の一端部には、可撓性を有するダイアフラム１１が設けられている。ダイアフラム１１は、例えば金属からなり、ハウジング１０の一端部を塞いでいる。ダイアフラム１１は、本体部１２と、該本体部１２からハウジング１０の内部に向けて筒状に延出された延出部１３とを有している。延出部１３は、ハウジング１０の内面から離間している。ダイアフラム１１は、本体部１２から外方に拡径したフランジ１４を有している。フランジ１４は、ハウジング１０の一端面と対向していて、その一端面に固定されている。フランジ１４は、その外周面がハウジング１０の外周面と面一である。本体部１２の中心部分は、その周縁部分に比して薄肉になっており、燃焼室内の圧力である筒内圧に応じて撓む可撓部１２Ａを構成している。可撓部１２Ａは、ハウジング１０の軸線方向（図１の左右方向）においてハウジング１０の内側（図１の右方）に湾曲した形状をなしている。
【００１６】
ハウジング１０の内域には、対向部材１５が設けられている。対向部材１５は、円柱状の挿通部１６と、挿通部１６のダイアフラム１１側とは反対側の端面に立設された円筒状の筒部１７とを有している。筒部１７はダイアフラム１１から離間する方向に延びている。挿通部１６と筒部１７との外径は略同一である。筒部１７には、外周面から外方に突出した係止部１７Ａが形成されており、該係止部１７Ａはダイアフラム１１の延出部１３の端面に固定されている。挿通部１６は、ダイアフラム１１の延出部１３の内部に挿通され、その外面が延出部１３の内面に当接している。挿通部１６及び筒部１７は、例えば金属からなり、一体物として構成されている。対向部材１５のダイアフラム１１に対向する対向面と、ダイアフラム１１の内面とによって収容室１８が構成されている。
【００１７】
収容室１８には、半導体基板３０が収容されている。半導体基板３０は、一端面が対向部材１５の挿通部１６に固定され、他端面にガラスブロック１９が固定されている。ガラスブロック１９には、ダイアフラム１１の可撓部１２Ａの内面に連結されたロッド２０が固定されている。ロッド２０は、ダイアフラム１１との当接面が湾曲した形状をなしている。ロッド２０は、断熱性を有し、例えば、セラミックスから構成されている。筒内圧センサが内燃機関に組付けられた状態では、筒内圧がダイアフラム１１に作用する。ダイアフラム１１の可撓部１２Ａは筒内圧に応じて前記軸線方向に変位する。可撓部１２Ａが該軸線方向におけるハウジング１０側（図１の右方）に撓むと、ロッド２０を介してガラスブロック１９が半導体基板３０側に押される。このようにして筒内圧が半導体基板３０に伝達される。ダイアフラム１１、ロッド２０、及びガラスブロック１９が半導体基板３０に筒内圧を伝達する力伝達部材として機能する。
【００１８】
図２に示すように、半導体基板３０は、シリコンからなる真性半導体であり、一対の脚部３１と、薄肉のゲージ３２とを有している。脚部３１は直方体状であり、互いに離間して対向配置されている。図２及び図３に示すように、脚部３１の上面には、電極３３が設けられている。電極３３は、例えば金属などを蒸着することによって薄膜状に形成されている。脚部３１の上端部には、導電材としてボロンやアルミニウムなどの３価のイオンが添加された導電部３１Ａがそれぞれ形成されている。導電部３１Ａは、電極３３と電気的に接続されており、接続されている電極３３から離間する方向に延びている。
【００１９】
図２に示すように、ゲージ３２は、対向配置された一対の脚部３１の間に配設されている。ゲージ３２は各脚部３１の上端部に連結されており、これにより一対の脚部３１は繋がっている。ゲージ３２は、その上面が脚部３１の上面と面一になっている。図２及び図３に示すように、ゲージ３２は、板状の支持部３４と受圧部３５とからなる。支持部３４は、互いに同形状の第１支持部３４Ａと第２支持部３４Ｂとを有し、第１支持部３４Ａと第２支持部３４Ｂとの間に受圧部３５が配設されている。支持部３４及び受圧部３５は、それらの上面が面一になっている。半導体基板３０には、ゲージ３２の上面を覆うようにしてガラスブロック１９が固定されている。ガラスブロック１９は支持部３４及び受圧部３５の双方の上面に固定されている。換言すれば、半導体基板３０におけるガラスブロック１９が固定される固定面３８は支持部３４の上面３８Ａ及び受圧部３５の上面３８Ｂによって構成されている。
【００２０】
図４に示すように、受圧部３５は、支持部３４と同じ厚さを有し、第１支持部３４Ａと第２支持部３４Ｂとの双方に連結されている基部３６と、該基部３６に連結されて支持部３４よりも固定面３８の反対側に突出している突出部３７とを有している。受圧部３５は支持部３４よりも肉厚である。受圧部３５の突出部３７は、固定面３８から離間する方向に延びている一対の側面３７Ａを有している。側面３７Ａは、支持部３４における固定面３８の反対側の裏面３９に連結されている。突出部３７は、固定面３８から最も離間した位置にある底面３７Ｂを有し、一対の側面３７Ａと底面３７Ｂとは、湾曲面３７Ｃによって繋がっている。図３及び図５に示すように、受圧部３５は、ゲージ３２の中央部分に配設され、一方の脚部３１から他方の脚部３１まで連続して延びている。すなわち、基部３６及び突出部３７の双方は、一方の脚部３１から他方の脚部３１まで連続して延びている。図４に示すように、受圧部３５は、その延伸方向と直交する断面において、突出部３７の側面３７Ａの長さ、すなわち固定面３８の反対側への突出長さＬ１が、突出方向に直交する幅方向における長さＬ２よりも長い（Ｌ１＞Ｌ２）。受圧部３５には、導電材としてボロンなどの３価のイオンが添加されており、圧力に応じて抵抗値が変化する。受圧部３５は、基部３６及び突出部３７の全体であって、受圧部３５における固定面３８から該固定面３８の反対側の底面３７Ｂまでの全体が導電材を構成部材として含んでいる。図２及び図３に示すように、受圧部３５の両端部には、脚部３１に形成されている導電部３１Ａが接続されており、受圧部３５と電極３３とが電気的に接続されている。
【００２１】
図１に示すように、各電極３３には一対のリード線２１が接続されている。リード線２１は、対向部材１５の挿通部１６を貫通して延びる細長状の端子２２にそれぞれ接続されている。各端子２２は、絶縁被膜され、筒内圧センサに設けられた回路部２３に接続されている。回路部２３には、一定の電流が流れるように制御された定電流回路２４と、検出回路２５とが設けられている。半導体基板３０は、各端子２２及びリード線２１を介して定電流回路２４に接続されており、該半導体基板３０の一方の電極３３に供給された電流は、受圧部３５を通じて他方の電極３３に流れている。
【００２２】
図６に矢印で示すように、力伝達部材を介して半導体基板３０に筒内圧が伝達されると、半導体基板３０における受圧部３５は、図６に実線で示すように、脚部３１に支持されている端部よりもその中央側ほど大きく変位するように撓む。また、受圧部３５が筒内圧を受けて撓むと、図７に矢印で示すように、受圧部３５には引っ張り荷重が作用する。このため、受圧部３５には引張応力が発生する。受圧部３５に生じる引張応力は、固定面３８から離間している底面３７Ｂ側ほど大きくなる。受圧部３５が歪むとその抵抗値が変化して各電極３３の間に発生している電圧（以下「両端電圧」という。）が変化する。この両端電圧に対応した信号は検出回路２５に出力され、該検出回路２５はその信号に基づいて筒内圧を検出する。
【００２３】
半導体基板３０の製造方法について説明する。
上述した形状の半導体基板３０を製造する際には、まず、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、直方体状に成形された半導体基板３０の両端部分の底面にマスキング処理によりマスク４０を形成する。このマスク４０は、次のエッチング処理において半導体基板３０が削られないように保護するものである。その後、エッチング処理を行い、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体基板３０のマスク４０が形成されていない中央部分を底面側から削る。エッチング処理の手法としては異方性エッチングや等方性エッチングを用いることができる。また、ウェットエッチングであってもドライエッチングであってもよい。こうして中央部分を薄肉にすることによって、その両端部分に厚肉の一対の脚部３１が形成される。その後、図１０（ａ）に示すように、マスキング処理によって、中央部分の底面の一部にマスク４０を形成する。このマスク４０は、一対の脚部３１を繋ぐように直線上に形成されている。そして、再度エッチング処理を行うことにより、図１０（ｂ）に示すように、マスク４０が形成されている部分を除いて中央部分がさらに薄肉になる。これにより、図１１に示すように、中央部分には、一対の薄肉部４１と該薄肉部４１の間に配設された厚肉部４２とが形成される。その後、厚肉部４２の底面における幅方向の端縁を残してそれ以外の部分にマスク４０を形成する。そして、エッチング処理を行い厚肉部４２の底面の端縁を削ることにより、図１２に示すように厚肉部４２に湾曲面４３を形成する。その後、マスク４０を除去し、厚肉部４２の全体及び脚部３１の上端部の一部に導電材を添加する。これにより、中央部分はゲージ３２となり、薄肉部４１は支持部３４となり、厚肉部４２は受圧部３５となる。また、脚部３１に導電部３１Ａが形成される。その後、脚部３１の上面に電極３３を形成することによって上述した半導体基板３０が製造される。
【００２４】
本実施形態の作用効果について説明する。
（１）本実施形態では、導電材により構成されて圧力に応じて抵抗値が変化する受圧部３５と、支持部３４とによって薄肉のゲージ３２を構成し、受圧部３５を支持部３４に比べて固定面３８の反対側に突出させている。そのため、受圧部３５の容積が大きくなり、該受圧部３５により多くの導電材の添加が可能となる。また、支持部３４よりも固定面３８の反対側に突出している受圧部３５では、圧力を受けた場合の歪み量がより大きくなる。ゲージ３２の抵抗値は、添加される不純物の量、さらには該ゲージ３２の歪み量が多くなるほど大きくなる。したがって、本実施形態によれば、受圧部３５によって圧力の変化度合いに対する抵抗値の変化度合いを大きくすることができ、ゲージ３２の感度を向上させることができる。そのため、筒内圧の検出精度の向上に貢献できる。
【００２５】
（２）受圧部３５の突出部３７は、一対の側面３７Ａと底面３７Ｂとが湾曲面３７Ｃによって繋がれている。そのため、突出部３７は側面３７Ａと底面３７Ｂとを接続する部位が湾曲した形状になっている。これにより、ゲージ３２の歪みによってこの接続部位の一部に応力が集中することが抑えられる。したがって、ゲージ３２の耐久性の向上が図れる。
【００２６】
（３）受圧部３５の全体が導電材を構成部材として含んでいるため、圧力が加えられたときの歪み量がより大きくなる底面３７Ｂ側の部分の影響を抵抗値の変化に反映させることができる。そのため、加えられる圧力に応じて抵抗値を大きく変化させることができ、ゲージ３２の感度を高める上で、受圧部３５の構成が適切になる。
【００２７】
（４）受圧部３５は一方の脚部３１から他方の脚部３１まで連続して延びている。そのため、受圧部３５は支持部３４だけではなく脚部３１によって支持されることにもなる。その結果、半導体基板３０のゲージ３２の剛性が高められる。したがって、ゲージ３２の感度の向上と耐久性の向上とを実現することができる。
【００２８】
（５）受圧部３５の歪み量は突出量に対して乗数的に大きくなる。一方で、受圧部３５の剛性は、断面積に比例して高くなる。本実施形態によれば、突出長さＬ１が幅方向における長Ｌ２さよりも長いため、受圧部３５の断面積の増加を抑えつつその突出量を大きくすることができる。したがって、圧力を受けたときの受圧部３５の発生応力が大きくなり、ゲージ３２の感度を高める上で適切な構成を実現できる。
【００２９】
（６）本実施形態では、ゲージ３２の一部として受圧部３５を設け、ゲージ３２の肉厚を部分的に厚くしている。そのため、ゲージ３２全体の剛性を高めることなくその歪み量を大きくすることができる。
【００３０】
上記実施形態は以下のように変更して実施することができる。
・受圧部３５は、前記延伸方向と直交する断面において、突出長さＬ１が、幅方向における長さＬ２よりも短くてもよい（Ｌ１＜Ｌ２）。また、突出長さＬ１と幅方向における長さＬ２とが同じ長さであってもよい（Ｌ１＝Ｌ２）。
【００３１】
・受圧部３５では、突出部３７が一方の脚部３１から他方の脚部３１まで連続して設けられていなくてもよい。例えば、一方の脚部３１と他方の脚部３１との間においてその中央側の部分にだけ突出部３７を設けるようにしてもよい。
【００３２】
・半導体基板３０に一対の脚部３１を設けた例を示したが、脚部３１の数や形状は適宜変更可能である。例えば、１つの脚部３１を設けるようにしてもよい。この場合には、半導体基板３０の上面視において脚部３１がＯの字状やＣの字状になるように形成すればよい。また、脚部３１を３つ以上設けるようにしてもよい。
【００３３】
・受圧部３５の全体が構成部材として導電材を含んでいなくてもよい。例えば、図１３（ａ）に示すように、受圧部３５において、基部３６の全体及び突出部３７における基部３６側の領域のみに導電材を含ませるようにしてもよい。また、図１３（ｂ）に示すように、突出部３７における一部の領域のみに導電材を含ませるようにしてもよい。
【００３４】
・支持部３４の一部または全部が構成部材として導電材を含んでいてもよい。
・受圧部３５の一対の側面３７Ａと支持部３４の裏面３９とを、湾曲面を介して接続するようにしてもよい。こうした構成によれば、受圧部３５の側面３７Ａと支持部３４との接続部位が湾曲した形状になるため、ゲージ３２の歪みによってこの接続部位の一部に応力が集中することが抑えられる。
【００３５】
・受圧部３５において、湾曲面３７Ｃを省略してもよい。すなわち、受圧部３５の側面３７Ａと底面３７Ｂとを直接接続してもよい。この構成では、半導体基板３０を製造する際に厚肉部４２の底面の端縁をエッチング処理する工程を省略できる。
【００３６】
・受圧部３５はゲージ３２の中央部分からずれた位置に設けられていてもよい。
・受圧部３５の形状は、上述したものに限られない。例えば、受圧部３５の前記延伸方向と直交する断面において、突出部３７の形状が多角形や半円であってもよい。また、突出部３７の底面３７Ｂが円弧状になっていてもよい。
【００３７】
・脚部３１とゲージ３２とをそれぞれの上面が面一になるように連結したが、これらの連結態様は適宜変更が可能である。例えば、図１４に示すように、脚部３１の上面よりもゲージ３２の上面が低くなるように脚部３１とゲージ３２とを連結するようにしてもよい。この場合には、ゲージ３２の受圧部３５と脚部３１の上面に設けられている電極３３とを接続するように導電部３１Ａを形成する。
【００３８】
・半導体基板３０は真性半導体に限らない。例えば、リンやヒ素などの５価のイオンが添加されたｎ型半導体であってもよい。この場合であっても、導電体として、上記３価のイオンを添加することにより、該導電体を構成部材として含む受圧部３５及び導電部３１Ａを構成する。導電体を含む領域と導電体を含まない他の領域との境界部分では、ｎ型半導体の電子と導電体の正孔とが結びついて、電子や正孔がほとんど存在しない空乏層が形成される。このため、導電部３１Ａや受圧部３５を流れる電流は、他の領域には流れない。この場合には、脚部３１において電極３３が形成される上端部も導電体をその構成部材として含むように構成することが望ましい。また、半導体基板３０をボロンやアルミニウムなどの３価のイオンが注入されたｐ型半導体によって構成してもよい。この場合には、導電体として、リンやヒ素などの５価のイオンを添加することにより、受圧部３５及び導電部３１Ａを構成する。こうした場合にも同様に、脚部３１において電極３３が形成される上端部もその構成部材として導電体を含むように構成することが望ましい。
【００３９】
・導電部３１Ａを、脚部３１の上面に導電材を添加することによって形成していたが、導電部３１Ａの構成はこうしたものに限られない。例えば、脚部３１の上面に金属を蒸着することによって形成してもよい。要は、電極３３と受圧部３５とを電気的に接続することができればよい。
【符号の説明】
【００４０】
１０…ハウジング、１１…ダイアフラム、１２…本体部、１２Ａ…可撓部、１３…延出部、１４…フランジ、１５…対向部材、１６…挿通部、１７…筒部、１７Ａ…係止部、１８…収容室、１９…ガラスブロック、２０…ロッド、２１…リード線、２２…端子、２３…回路部、２４…定電流回路、２５…検出回路、３０…半導体基板、３１…脚部、３１Ａ…導電部、３２…ゲージ、３３…電極、３４…支持部、３４Ａ…第１支持部、３４Ｂ…第２支持部、３５…受圧部、３６…基部、３７…突出部、３７Ａ…側面、３７Ｂ…底面、３７Ｃ…湾曲面、３８…固定面、３８Ａ，３８Ｂ…上面、３９…裏面、４０…マスク、４１…薄肉部、４２…厚肉部、４３…湾曲面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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