(57)【要約】      （修正有）【課題】液晶表示装置の表示品位を向上させる。【解決手段】互いに対向する第１電極Ｅ１及び第２電極と、走査信号線Ｇ及び映像信号線で区画された複数の副画素領域とを備える。副画素領域は、第１電極Ｅ１が形成される第１領域と、第１電極Ｅ１が形成されない第２領域とを有する。第１領域は、第１方向に延在する接続領域と、接続領域から延出する複数の枝領域とを有する。複数の副画素領域は、第１副画素領域と第２副画素領域とを有する。第１方向に交差する方向を第２方向とした場合に、第１副画素領域において、枝領域は接続領域から第２方向の一方である第２Ａ方向に延出し、第２副画素領域において、枝領域は接続領域から第２方向の他方である第２Ｂ方向に延出している。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と前記第１基板に対向する第２基板との間に、液晶分子を含む液晶層を有する液晶表示装置であって、
前記第１基板は、複数の映像信号線と、前記映像信号線に交差する複数の走査信号線と、絶縁層と、第１電極と、前記第１電極と前記絶縁層を介して対向し、前記第１電極との間で電界を発生させて前記液晶分子を回転させる第２電極と、平面視において前記複数の映像信号線と前記複数の走査信号線とによって区画された複数の副画素領域と、を備え、
前記第１電極は第１層に形成され、前記第２電極は第２層に形成され、
前記第１層は、前記副画素領域内に第１領域と第２領域とを有し、
前記第１電極及び前記第２電極の一方が画素電極であり、他方が複数の前記画素電極に対向する共通電極であり、
前記第１領域及び前記第２領域の一方は前記第１電極が形成される領域であり、他方は前記第１電極が形成されない領域であり、
前記第１領域は、第１方向に延在する接続領域と、前記接続領域から延出する複数の枝領域と、を有し、
前記枝領域は、幅方向において第１辺と第２辺とを有し、
前記電界が発生している場合、前記枝領域の前記第１辺の近傍と、前記枝領域の前記第２辺の近傍とで、前記液晶分子の回転方向が逆転しており、
前記複数の副画素領域は、第１副画素領域と第２副画素領域とを有し、
前記第１方向に交差する方向を第２方向とした場合に、前記第１副画素領域において、前記枝領域は前記接続領域から前記第２方向の一方である第２Ａ方向に延出し、前記第２副画素領域において、前記枝領域は前記接続領域から前記第２方向の他方である第２Ｂ方向に延出している、液晶表示装置。
【請求項２】
前記映像信号線は前記第１方向に延在し、前記走査信号線は前記第２方向に延在している、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記複数の走査信号線は、第１走査信号線と、前記第１走査信号線に隣り合う第２走査信号線と、前記第２走査信号線に隣り合う第３走査信号線と、を含み、
前記第１走査信号線と前記第２走査信号線との間に形成される前記複数の副画素領域は、前記第１副画素領域であり、
前記第２走査信号線と前記第３走査信号線との間に形成される前記複数の副画素領域は、前記第２副画素領域である、
請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
平面視において、前記第２方向に隣り合う前記副画素領域の間に形成された遮光層をさらに備え、
隣り合う前記副画素領域の一方における前記接続領域は少なくとも一部が前記遮光層と重畳し、他方における前記枝領域は先端部が前記遮光層と重畳し、
前記第２方向において前記接続領域が前記遮光層と重畳する幅は第１幅であり、前記第２方向において前記枝領域の前記先端部が前記遮光層と重畳する幅は第２幅であり、
前記第１幅は前記第２幅よりも大きい、
請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記接続領域と重畳する前記遮光層の縁部は、当該接続領域よりも、当該接続領域から延出する前記枝領域の前記先端部側に位置している、
請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域は、前記第１方向において互いに隣り合い、
前記第１副画素領域において前記接続領域と重畳する前記遮光層の縁部と、前記第２副画素領域において前記枝領域の前記先端部と重畳する前記遮光層の縁部とは、前記第２方向においてずれている、
請求項４又は５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１方向と前記第２方向とは直交しない、
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
複数の前記副画素領域をそれぞれ含む複数の画素を有し、
１つの前記画素に含まれる前記複数の副画素領域は、全てが前記第１副画素領域であるか、或いは全てが前記第２副画素領域である、
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記複数の走査信号線は、第１走査信号線と、前記第１走査信号線に隣り合う第２走査信号線と、前記第２走査信号線に隣り合う第３走査信号線と、を含み、
前記複数の画素は、前記第１走査信号線と前記第２走査信号線の間に配置された第１画素及び第２画素と、前記第２走査信号線と前記第３走査信号線の間に配置された第３画素及び第４画素と、を含み、
前記第１画素及び前記第３画素は互いに隣り合い、前記第２画素及び前記第４画素は互いに隣り合い、
前記第１画素及び前記第４画素に含まれる前記複数の副画素領域は全てが前記第１副画素領域であり、前記第２画素及び前記第３画素に含まれる前記複数の副画素領域は全てが前記第２副画素領域である、
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記副画素領域に含まれる複数の前記枝領域は前記第１方向に配列し、
前記第１方向における前記枝領域の配列のピッチをＰ［μｍ］、隣り合う前記副画素領域の一方の前記枝領域と他方の前記接続領域との間の幅をＷ［μｍ］とした場合に、ＰＷ＞８［μｍ２］が成り立つ、
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、ＩＰＳ（In-Plane-Switching）モードの液晶表示装置が知られている。ＩＰＳモードの液晶表示装置は、液晶層を介して対向する一対の基板のうちの一方に画素電極及び共通電極が設けられ、これら電極間に発生する横電界を利用して液晶層の液晶分子の配向を制御する。また、画素電極及び共通電極を異なる層に配置し、これらの電極間に発生するフリンジ電界を利用して液晶分子の配向を制御するＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶表示装置が実用化されている。
【０００３】
一方で、下記の特許文献１には、画素電極及び共通電極を異なる層に配置するとともに、液晶層に近い側の電極にスリットを設け、このスリットの幅方向における両側辺の近傍の液晶分子を互いに逆方向に回転させる液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置はＦＦＳモードとは明確に異なる方式であり、従来のＦＦＳモードに比べて応答速度を速めるとともに配向安定性を向上させることができる。以下、この種の液晶表示装置の構成を、高速応答モードと呼ぶ。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１１４４９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
高速応答モードの液晶表示装置において、画素電極及び共通電極の間には、上記の配向制御に寄与しない電界も生じ得る。このような電界が液晶層に作用すると、不所望の配向変化が生じ、表示品位が低下する。
【０００６】
本開示の一態様における目的は、表示品位を向上させることが可能な高速応答モードの液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と上記第１基板に対向する第２基板との間に、液晶分子を含む液晶層を有する。この液晶表示装置において、上記第１基板は、複数の映像信号線と、上記映像信号線に交差する複数の走査信号線と、絶縁層と、第１電極と、上記第１電極と上記絶縁層を介して対向し、上記第１電極との間で電界を発生させて上記液晶分子を回転させる第２電極と、平面視において上記複数の映像信号線と上記複数の走査信号線とによって区画された複数の副画素領域と、を備える。上記第１電極は第１層に形成され、上記第２電極は第２層に形成されている。上記第１層は、上記副画素領域内に第１領域と第２領域とを有する。上記第１電極及び上記第２電極の一方が画素電極であり、他方が複数の上記画素電極に対向する共通電極である。上記第１領域及び上記第２領域の一方は上記第１電極が形成される領域であり、他方は上記第１電極が形成されない領域である。上記第１領域は、第１方向に延在する接続領域と、上記接続領域から延出する複数の枝領域と、を有する。上記枝領域は、幅方向において第１辺と第２辺とを有する。上記電界が発生している場合、上記枝領域の上記第１辺の近傍と、上記枝領域の上記第２辺の近傍とで、上記液晶分子の回転方向が逆転する。上記複数の副画素領域は、第１副画素領域と第２副画素領域とを有する。上記第１方向に交差する方向を第２方向とした場合に、上記第１副画素領域において、上記枝領域は上記接続領域から上記第２方向の一方である第２Ａ方向に延出し、上記第２副画素領域において、上記枝領域は上記接続領域から上記第２方向の他方である第２Ｂ方向に延出している。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、上記液晶表示装置の概略的な等価回路を示す図である。
【図３】図３は、上記液晶表示装置の断面の一部を示す図である。
【図４】図４は、上記液晶表示装置が備える副画素の概略的な平面図である。
【図５】図５は、上記液晶表示装置における液晶分子の初期配向状態を示す図である。
【図６】図６は、上記電界が作用した液晶分子の配向状態を示す図である。
【図７】図７は、上記副画素を透過する光の輝度分布の一部を示す図である。
【図８】図８は、上記副画素における光漏れの一例を示す図である。
【図９】図９は、上記副画素が有する第１電極の配置例を示す図である。
【図１０】図１０は、上記液晶表示装置が備える遮光層の平面形状を示す図である。
【図１１】図１１は、上記遮光層と上記第１電極の位置関係を具体的に示す図である。
【図１２】図１２は、第２実施形態に係る副画素の平面的な配置例を示す図である。
【図１３】図１３は、第３実施形態に係る第１電極の平面的な形状を示す図である。
【図１４】図１４は、第４実施形態に係る第１電極の平面的な形状を示す図である。
【図１５】図１５は、第５実施形態に係る液晶表示装置の断面の一部を示す図である。
【図１６】図１６は、第５実施形態に係る第１電極の概略的な平面図である。
【図１７】図１７は、図９と同様の手法を第５実施形態に適用した例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
【００１０】
各実施形態においては、液晶表示装置の一例として、透過型の液晶表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、他種の表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。他種の表示装置としては、例えば、外光を利用して画像を表示する反射型の液晶表示装置や、透過型と反射型の双方の機能を備えた液晶表示装置などが想定される。
【００１１】
（第１実施形態）  
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置１の概略的な構成を示す斜視図である。液晶表示装置１は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器、ウェアラブル端末等の種々の装置に用いることができる。
【００１２】
液晶表示装置１は、表示パネル２と、バックライト３と、表示パネル２を駆動するドライバＩＣ４と、表示パネル２及びバックライト３の動作を制御する制御モジュール５と、表示パネル２及びバックライト３へ制御信号を伝達するフレキシブル回路基板ＦＰＣ１，ＦＰＣ２とを備えている。
【００１３】
本実施形態においては、図１に示すように、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２を定義する。第１方向Ｄ１は、例えば表示パネル２の長辺に沿う方向である。第２方向Ｄ２は、例えば表示パネル２の短辺に沿う方向である。図示した例において、各方向Ｄ１，Ｄ２は互いに垂直に交わるが、各方向Ｄ１，Ｄ２は他の角度で交わっても良い。
【００１４】
表示パネル２は、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に配置された液晶層（後述する液晶層ＬＣ）とを備えている。表示パネル２は、画像を表示する表示領域ＤＡ（アクティブエリア）を有している。表示パネル２は、例えば、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２にマトリクス状に並ぶ複数の画素ＰＸを備えている。
【００１５】
バックライト３は、第１基板ＳＵＢ１と対向している。ドライバＩＣ４は、例えば第１基板ＳＵＢ１に実装されている。但し、ドライバＩＣ４は、制御モジュール５などに実装されても良い。フレキシブル回路基板ＦＰＣ１は、第１基板ＳＵＢ１と制御モジュール５とを接続している。フレキシブル回路基板ＦＰＣ２は、バックライト３と制御モジュール５とを接続している。
【００１６】
図２は、液晶表示装置１の概略的な等価回路を示す図である。液晶表示装置１は、第１ドライバＤＲ１と、第２ドライバＤＲ２と、複数の走査信号線Ｇと、複数の映像信号線Ｓとを備えている。走査信号線Ｇは、第１ドライバＤＲ１に接続されている。映像信号線Ｓは、第２ドライバＤＲ２に接続され、各走査信号線Ｇと交差している。
【００１７】
各走査信号線Ｇは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｄ２に延びるとともに第１方向Ｄ１に並んでいる。各映像信号線Ｓは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｄ１に延びるとともに第２方向Ｄ２に並んでいる。各走査信号線Ｇ及び各映像信号線Ｓは、第１基板ＳＵＢ１に形成されている。
【００１８】
液晶表示装置１は、複数の副画素領域Ａを有している。副画素領域Ａは、平面視において、各走査信号線Ｇ及び各映像信号線Ｓによって区画された領域である。各副画素領域Ａには、副画素ＳＰが形成される。１つの画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰで構成されている。本実施形態においては、１つの画素ＰＸが赤色、緑色、青色をそれぞれ表示する副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢを１つずつ含む場合を想定する。但し、画素ＰＸは、白色を表示する副画素ＳＰなどをさらに含んでも良いし、同一の色に対応する複数の副画素ＳＰを含んでも良い。
【００１９】
各副画素ＳＰは、スイッチング素子ＳＷと、第１電極Ｅ１と、第１電極Ｅ１に対向する第２電極Ｅ２とを備えている。これらスイッチング素子ＳＷ、第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２も、走査信号線Ｇ及び映像信号線Ｓと同じく第１基板ＳＵＢ１に形成されている。なお、第１電極Ｅ１は第１基板ＳＵＢ１の第１層に形成され、第２電極Ｅ２は第１基板ＳＵＢ１の第２層に形成されている。
【００２０】
本実施形態において、第１電極Ｅ１は画素電極であり、スイッチング素子ＳＷとともに副画素ＳＰごとに設けられている。また、本実施形態において、第２電極Ｅ２は共通電極であり、複数の副画素ＳＰに亘って形成されている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタであり、走査信号線Ｇ、映像信号線Ｓ、及び第１電極Ｅ１と電気的に接続されている。
【００２１】
第１ドライバＤＲ１は、各走査信号線Ｇに対して走査信号を順次供給する。第２ドライバＤＲ２は、各映像信号線Ｓに対して映像信号を選択的に供給する。あるスイッチング素子ＳＷに対応する走査信号線Ｇに走査信号が供給され、かつこのスイッチング素子ＳＷに接続された映像信号線Ｓに映像信号が供給されると、この映像信号に応じた電圧が第１電極Ｅ１に印加される。このとき第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に生じる電界によって、液晶層ＬＣの液晶分子の配向が電圧の印加されていない初期配向状態から変化する。このような動作により、表示領域ＤＡに画像が表示される。
【００２２】
図３は、液晶表示装置１の断面の一部を示す図である。この図においては、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢの第２方向Ｄ２に沿う断面を示している。  
第１基板ＳＵＢ１は、光透過性を有するガラス基板や樹脂基板などの第１絶縁基板１０を備えている。第１絶縁基板１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する第１主面１０Ａと、第１主面１０Ａの反対側の第２主面１０Ｂとを有している。さらに、第１基板ＳＵＢ１は、スイッチング素子ＳＷと、第１電極Ｅ１と、第２電極Ｅ２と、第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第１配向膜１３とを備えている。
【００２３】
スイッチング素子ＳＷは、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢにそれぞれ配置されている。スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁基板１０の第１主面１０Ａに設けられ、第１絶縁層１１によって覆われている。
【００２４】
なお、図３においては、走査信号線Ｇや映像信号線Ｓの図示を省略している。さらに、図３においては、スイッチング素子ＳＷを簡略化して示している。実際には、第１絶縁層１１が複数の層を含んでおり、スイッチング素子ＳＷはこれらの層に形成された半導体層や各種電極を含む。
【００２５】
図３の例において、第１電極Ｅ１は副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢに対して１つずつ設けられており、第２電極Ｅ２は副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢに亘って設けられている。第２電極Ｅ２は、第１絶縁層１１の上（上述の第２層）に形成されている。第２電極Ｅ２は、各第１電極Ｅ１に対向する位置において開口部１４を有している。第２電極Ｅ２は、第２絶縁層１２によって覆われている。
【００２６】
第１電極Ｅ１は、第２絶縁層１２の上（上述の第１層）に形成され、第２電極Ｅ２と対向している。各第１電極Ｅ１は、開口部１４を通じてそれぞれ副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢのスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの透明な導電材料で形成することができる。第１配向膜１３は、第１電極Ｅ１を覆い、液晶層ＬＣと接している。第１配向膜１３には、ラビング処理或いは光配向処理などの配向処理が施されている。
【００２７】
一方、第２基板ＳＵＢ２は、光透過性を有するガラス基板や樹脂基板などの第２絶縁基板２０を備えている。第２絶縁基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する第１主面２０Ａと、第１主面２０Ａの反対側の第２主面２０Ｂとを有している。さらに、第２基板ＳＵＢ２は、カラーフィルタ２１（２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ）と、遮光層２２と、オーバーコート層２３と、第２配向膜２４とを備えている。第２配向膜２４には、第１配向膜１３と同じく、ラビング処理或いは光配向処理などの配向処理が施されている。
【００２８】
遮光層２２は、平面視において、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢの境界に配置されている。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを覆うとともに、これらカラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの表面を平坦化している。第２配向膜２４は、オーバーコート層２３を覆っており、液晶層ＬＣと接している。第２配向膜２４には、第１配向膜１３と同じく、ラビング処理或いは光配向処理などの配向処理が施されている。
【００２９】
第１絶縁基板１０の第２主面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。また、第２絶縁基板２０の第２主面２０Ｂには、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸（あるいは第１吸収軸）と第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸（あるいは第２吸収軸）とは、互いに直交するクロスニコルの関係にある。
【００３０】
図４は、副画素ＳＰの一例を概略的に示す平面図である。この図においては、第２方向Ｄ２のうちの一方向を第２Ａ方向、他方を第２Ｂ方向と定義している。第１方向Ｄ１に隣り合う２本の走査信号線Ｇと、第２方向Ｄ２に隣り合う２本の映像信号線Ｓとで上述の副画素領域Ａが形成されている。副画素領域Ａは、第１領域Ａ１と、第２領域Ａ２とを有している。これら領域Ａ１，Ａ２は、いずれも上記第１層に含まれる。図４においては、第１領域Ａ１にドットのハッチングを付している。第２領域Ａ２は、副画素領域Ａから第１領域Ａ１を除いた形状である。
【００３１】
第１領域Ａ１は、第１方向Ｄ１に延在する長尺な接続領域３０と、接続領域３０から延出する複数の枝領域４０とを有している。枝領域４０は、例えば先端に向けて先細る形状である。図４においては、接続領域３０から第２Ａ方向に各枝領域４０が延出している。副画素領域Ａにおいて、接続領域３０は第２Ｂ方向側の映像信号線Ｓの近傍に位置し、各枝領域４０の先端は第２Ａ方向側の映像信号線Ｓの近傍に位置している。
【００３２】
さらに図４において、第１領域Ａ１は、端部領域５０を有している。端部領域５０は、枝領域４０と同じく、接続領域３０から第２Ａ方向に延出している。端部領域５０は、第１方向Ｄ１における幅が枝領域４０よりも大きい。
【００３３】
第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の一方は第１電極Ｅ１が形成される領域であり、他方は第１電極Ｅ１が形成されない領域である。図４の例では、第１領域Ａ１に第１電極Ｅ１が形成され、第２領域Ａ２に第１電極Ｅ１が形成されていない。
【００３４】
スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、接続位置Ｐ１において映像信号線Ｓに接続され、接続位置Ｐ２において第１電極Ｅ１に接続されている。図４の例において、接続位置Ｐ２は、端部領域５０に含まれる。半導体層ＳＣは、図中上側の走査信号線Ｇと２回交差している。すなわち、ここではスイッチング素子ＳＷがダブルゲート型である場合を例示している。但し、スイッチング素子ＳＷは、走査信号線Ｇと１回のみ交差するシングルゲート型であっても良い。
【００３５】
図４においては、遮光層２２の縁部を１点鎖線で示している。遮光層２２は、走査信号線Ｇ、映像信号線Ｓ、及びスイッチング素子ＳＷと重畳している。さらに図４の例において、遮光層２２は、接続領域３０の一部と重畳するとともに、枝領域４０の先端と重畳している。遮光層２２の詳細については、図１１を用いて後述する。
【００３６】
図３に示した第１配向膜１３及び第２配向膜２４は、第２方向Ｄ２と平行な配向処理方向ＡＤに沿って配向処理が施されている。これにより、第１配向膜１３及び第２配向膜２４は、液晶分子を配向処理方向ＡＤと平行な初期配向方向に配向する機能を有している。すなわち、本実施形態においては、枝領域４０の延出方向と、液晶分子の初期配向方向とが一致している。
【００３７】
このような構成においては、一般的なＦＦＳモードよりも応答速度の速い高速応答モードを実現することができる。なお、ここにいう応答速度は、例えば、第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２の間への電圧印加により液晶層ＬＣの光の透過率を所定レベルの間で遷移させる際の速度として定義することができる。
【００３８】
高速応答モードの動作原理につき、図５乃至図７を用いて説明する。  
図５は、第１電極Ｅ１（第１領域Ａ１）の一部と、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子ＬＭの初期配向状態とを示す図である。枝領域４０は、幅方向（第１方向Ｄ１）において第１辺４１と第２辺４２とを有している。さらに、枝領域４０は、先端において、第１辺４１及び第２辺４２を繋ぐ頂辺４３を有している。第１辺４１は配向処理方向ＡＤに対して時計回りに鋭角である角度θ（例えば約１.０度）だけ傾いており、第２辺４２は配向処理方向ＡＤに対して反時計回りに角度θだけ傾いている。
【００３９】
隣り合う２本の枝領域４０の間において、接続領域３０は、底辺３１を有している。さらに、接続領域３０は、底辺３１の反対側に、側辺３２を有している。隣り合う２本の枝領域４０の間には、第１辺４１、第２辺４２、及び底辺３１で囲われたスリットＳＬが形成される。スリットＳＬは、第２領域Ａ２の一部である。
【００４０】
底辺３１及び第１辺４１により角部Ｃ１が形成され、第１辺４１及び頂辺４３により角部Ｃ２が形成され、底辺３１及び第２辺４２により角部Ｃ３が形成され、第２辺４２及び頂辺４３により角部Ｃ４が形成されている。
【００４１】
第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電圧が印加されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、図５に示すようにその長軸が配向処理方向ＡＤと一致するように初期配向される。
【００４２】
一般的に広く使用されているＦＦＳモードにおいて、２つの電極間にフリンジ電界が形成された場合、液晶分子は全て同一の方向に回転する。しかし、本発明の液晶モードにおける液晶分子の回転は、ＦＦＳモードの液晶分子の回転とは異なっている。図６は、オン状態における液晶分子ＬＭの配向状態を示す図である。本実施形態における液晶分子ＬＭは、誘電率異方性が正（ポジ型）である。そのため、図５に示したオフ状態から第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２の間に電圧が印加されると、これにより生じる電界の方向に対して長軸が平行となる（或いは等電位線に直交する）ように液晶分子ＬＭを回転させる力が働く。
【００４３】
角部Ｃ１，Ｃ２の近傍においては、液晶分子ＬＭが実線矢印で示す第１回転方向Ｒ１に回転する。また、角部Ｃ３，Ｃ４の近傍においては、液晶分子ＬＭが破線矢印で示す第２回転方向Ｒ２に回転する。第１回転方向Ｒ１及び第２回転方向Ｒ２は、互いに反対の回転方向である。図６の例において、第１回転方向Ｒ１は反時計回りの方向であり、第２回転方向Ｒ２は時計回りの方向である。
【００４４】
角部Ｃ１〜Ｃ４は、第１辺４１及び第２辺４２の近傍における液晶分子ＬＭの回転方向を制御する配向制御機能（換言すると、配向を安定化する機能）を有している。すなわち、第１辺４１の近傍の液晶分子ＬＭは、角部Ｃ１，Ｃ２の近傍における液晶分子ＬＭの回転の影響を受けて、第１回転方向Ｒ１に回転する。また、第２辺４２の近傍の液晶分子ＬＭは、角部Ｃ３，Ｃ４の近傍における液晶分子ＬＭの回転の影響を受けて、第２回転方向Ｒ２に回転する。一方で、第１方向Ｄ１における枝領域４０の中心ＣＲ１及びスリットＳＬの中心ＣＲ２の近傍においては、第１回転方向Ｒ１に回転する液晶分子ＬＭと第２回転方向Ｒ２に回転する液晶分子ＬＭとが拮抗している。このため、このような領域の液晶分子ＬＭは、初期配向状態に維持され、殆ど回転しない。
【００４５】
このように、高速応答モードにおいては、第１辺４１及び第２辺４２の近傍において、底辺３１から頂辺４３まで液晶分子ＬＭの回転方向が揃う。これにより、電圧印加時における応答速度を速めるとともに、液晶分子ＬＭの回転方向のバラつきを抑えて配向安定性を高めることが可能となる。
【００４６】
図７は、オン状態の副画素ＳＰを透過する光の輝度分布の一部を示している。白い部分ほど高輝度であり、黒い部分ほど低輝度である。液晶分子ＬＭが初期配向状態から回転した第１辺４１及び第２辺４２の近傍には、第２方向Ｄ２に長尺な高輝度領域ＢＡが生じる。一方で、図６に示した中心ＣＲ１及び中心ＣＲ２の近傍は、液晶分子ＬＭが初期配向状態から殆ど回転していないために低輝度となる。
【００４７】
なお、図５乃至図７に示す枝領域４０において、第１辺４１及び第２辺４２が配向処理方向ＡＤに対して傾いていることも、配向安定性の向上に寄与している。すなわち、配向処理方向ＡＤに対して傾いた第１辺４１及び第２辺４２の近傍においては、電界の方向が配向処理方向ＡＤに対して直角以外の角度で交わるために、電圧印加時における液晶分子ＬＭの回転方向を概ね一定に定めることができる。特に、枝領域４０の第２方向Ｄ２における中腹部分では、角部Ｃ１〜Ｃ４の影響が弱まる。したがって配向安定性の悪化が懸念されるが、第１辺４１及び第２辺４２を配向処理方向ＡＤに対して傾けることで、中腹部分においても良好な配向安定性を確保することができる。
【００４８】
表示領域ＤＡを斜め方向から見た場合には、側辺３２の近傍の電界により液晶分子ＬＭが僅かに回転している。そのため、側辺３２の近傍で僅かに光が透過し得る。以下、このように側辺３２の近傍で光が透過する現象を光漏れと呼ぶ。図８は、この光漏れの一例を示す図であり、図８と同じくオン状態の副画素ＳＰを透過する光の輝度分布の一部を示している。
【００４９】
図８においては、図７と同様の高輝度領域ＢＡが生じている。さらに、第１方向Ｄ１に長尺なスジ領域ＬＡが生じている。このスジ領域ＬＡは、上記光漏れに相当するもので、側辺３２に沿って延びている。スジ領域ＬＡは、高輝度領域ＢＡよりも輝度は低いが、表示品位を低下させる一因となり得る。例えば、スジ領域ＬＡが隣接する副画素ＳＰに及ぶと、隣接する副画素ＳＰ同士の混色を招く。
【００５０】
以下、側辺３２の近傍における光漏れの影響を低減するための構成について説明する。  
図９は、複数の第１電極Ｅ１の平面的な配置例を示す図である。ここでは、４本の走査信号線Ｇの間に配列された複数の画素ＰＸにおいて、各画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢの第１電極Ｅ１を示している。以下、４本の走査信号線Ｇを、図中の上から順に第１走査信号線Ｇ１、第２走査信号線Ｇ２、第３走査信号線Ｇ３、第４走査信号線Ｇ４と呼ぶ。
【００５１】
表示領域ＤＡに配列された複数の副画素ＳＰは、第１副画素（第１副画素領域）ＳＰ１と、第２副画素（第２副画素領域）ＳＰ２とを含む。第１副画素ＳＰ１は、図４に示した第１電極Ｅ１を有する副画素ＳＰである。第２副画素ＳＰ２は、第１方向Ｄ１を軸として図４に示した第１電極Ｅ１を反転させた形状の第１電極Ｅ１を有する副画素ＳＰである。すなわち、第２副画素ＳＰ２の第１電極Ｅ１は、枝領域４０が接続領域３０から第２Ｂ方向に延出している。
【００５２】
図９の例においては、走査信号線Ｇ１，Ｇ２の間、及び、走査信号線Ｇ３，Ｇ４の間の各画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰが、いずれも第１副画素ＳＰ１である。一方で、走査信号線Ｇ２，Ｇ３の間の各画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰが、いずれも第２副画素ＳＰ２である。
【００５３】
表示領域ＤＡの全体を見た場合であっても、このように第１副画素ＳＰ１が第２方向Ｄ２に並ぶ水平ラインと、第２副画素ＳＰ２が第２方向Ｄ２に並ぶ水平ラインとが、第１方向Ｄ１において交互に並んでいる。
【００５４】
第１副画素ＳＰ１及び第２副画素ＳＰ２においては、接続領域３０の位置が異なる。そのため、例えば特定の斜め方向から表示領域ＤＡを見た場合に、第１副画素ＳＰ１及び第２副画素ＳＰ２の一方においては側辺３２（図６参照）の近傍で光漏れが生じるが、他方においてはこの光漏れが生じない。これにより、光漏れが生ずる領域が分散することで、光漏れの影響が視認されにくくなり、表示品位が向上する。
【００５５】
また、ある色の副画素ＳＰの接続領域３０に隣り合う副画素ＳＰの色は、第１副画素ＳＰ１が配列された水平ラインと、第２副画素ＳＰ２が配列された水平ラインとで異なる。すなわち、これらの水平ラインにおいては、ある色の副画素ＳＰの光漏れが影響する副画素ＳＰの色が異なっている。
【００５６】
具体例を挙げると、副画素ＳＰＧの接続領域３０は、走査信号線Ｇ１，Ｇ２の間の画素ＰＸにおいては副画素ＳＰＲと隣接するが、走査信号線Ｇ２，Ｇ３の間の画素ＰＸにおいては副画素ＳＰＢと隣接する。そのため、副画素ＳＰＧの接続領域３０に起因した光漏れは、走査信号線Ｇ１，Ｇ２の間では副画素ＳＰＲに影響し、走査信号線Ｇ２，Ｇ３の間では副画素ＳＰＢに影響する。
【００５７】
このことから、特定の斜め方向から見た場合に第１副画素ＳＰ１及び第２副画素ＳＰ２の双方において光漏れが生じる場合であっても、これら光漏れが影響し合う副画素ＳＰの関係が表示領域ＤＡにおいて不均一となる。したがって、光漏れの影響が分散されるので、表示品位に与える影響も低減される。
【００５８】
図９のような画素レイアウトにおいては、遮光層２２の形状を最適化することで、光漏れの影響を低減するとともに開口率を高めることができる。図１０は、遮光層２２の平面的な形状を第１電極Ｅ１とともに示す図である。ここでは、遮光層２２に斜線を付している。
【００５９】
遮光層２２は、第１方向Ｄ１に隣り合う副画素ＳＰの間で第２方向Ｄ２に延びる第１部分２２Ａと、第２方向Ｄ２に隣り合う副画素ＳＰの間で第１方向Ｄ１に延びる第２部分２２Ｂとを有している。第１部分２２Ａは、平面視において、走査信号線Ｇやスイッチング素子ＳＷと重畳する。第２部分２２Ｂは、平面視において、映像信号線Ｓと重畳する。第１部分２２Ａ及び第２部分２２Ｂは、第１電極Ｅ１の一部とも重畳している。
【００６０】
図１０の例においては、第１副画素ＳＰ１が配列された水平ラインにおける第２部分２２Ｂの中心と、第２副画素ＳＰ２が配列された水平ラインにおける第２部分２２Ｂの中心とが直線状に並ばずに、第２方向Ｄ２において互いにずれている。
【００６１】
図１１は、遮光層２２と第１電極Ｅ１との平面的な位置関係をより具体的に示す図である。ここでは、走査信号線Ｇ及び映像信号線Ｓも図示している。また、遮光層２２の縁部を１点鎖線で示している。遮光層２２の第２部分２２Ｂは、第１縁部ＥＤ１と、第２縁部ＥＤ２とを有している。これら縁部ＥＤ１，ＥＤ２は、例えば第１方向Ｄ１と平行である。
【００６２】
遮光層２２は、図中の中央上段に示す第１副画素ＳＰ１において、接続領域３０と重畳している。具体的には、遮光層２２の第１縁部ＥＤ１は、接続領域３０の底辺３１と側辺３２の間に位置している。さらに、遮光層２２は、図中の左上段に示す第１副画素ＳＰ１において、枝領域４０の先端部と重畳している。
【００６３】
遮光層２２が接続領域３０と重畳する第２方向Ｄ２の幅は、第１幅Ｗ１である。遮光層２２が枝領域４０の先端部と重畳する第２方向Ｄ２の幅は、第２幅Ｗ２である。枝領域４０の近傍は表示に寄与させるべき領域であり、開口率を高めるためには幅Ｗ２が小さい方が良い。一方で、接続領域３０の側辺３２の近傍では上述の光漏れが生じ得ることから、幅Ｗ１が大きい方が良い。このような観点から、図１１の例においては、第１幅Ｗ１が第２幅Ｗ２よりも大きくなっている（Ｗ１＞Ｗ２）。
【００６４】
第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２の間に電界が形成された状態において、枝領域４０の先端近傍を透過する光の輝度は、枝領域４０の先端から離れるに連れて低下する。枝領域４０の先端を遮光層２２と重畳させることで、このような輝度変化が生じる部分を遮光し、副画素ＳＰのコントラストを高めることができる。なお、枝領域４０の先端と遮光層２２とを重畳させなくても良い（Ｗ２＝０）。この場合においては、副画素ＳＰにおける開口率を高めることができる。
【００６５】
同様の輝度変化は、枝領域４０の根本近傍においても生じる。そこで、さらにコントラストを高めるべく、第２部分２２Ｂの第１縁部ＥＤ１を、接続領域３０よりもこの接続領域３０から延出する枝領域４０の先端側に位置させても良い。具体的には、例えば図１１に示したラインＬに第１縁部ＥＤ１を位置させる。この場合、接続領域３０は、遮光層２２と完全に重畳する。
【００６６】
第１副画素ＳＰ１が並ぶ水平ラインに配置された各第２部分２２Ｂは、いずれも以上の構成を有している。第２副画素ＳＰ２が並ぶ水平ラインに配置された各第２部分２２Ｂも同様の構成を有する。但し、各縁部ＥＤ１，ＥＤ２の位置が逆転している。
【００６７】
図１１の例においては、第２部分２２Ｂの第２方向Ｄ２における中心と、映像信号線Ｓの第２方向Ｄ２における中心とがずれている。一方で、接続領域３０の側辺３２と映像信号線Ｓの間隔と、枝領域４０の先端と映像信号線Ｓの間隔は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２のいずれにおいても同じである。この場合、各水平ラインの第２部分２２Ｂを第１方向Ｄ１に直線状に並べると、副画素ＳＰ１，ＳＰ２において幅Ｗ１，Ｗ２が一定とならない。
【００６８】
そこで、図１１の例においては、第１副画素ＳＰ１が並ぶ水平ラインの第２部分２２Ｂと、第２副画素ＳＰ２が並ぶ水平ラインの第２部分２２Ｂとを、第２方向Ｄ２にずらしている。具体的には、第１副画素ＳＰ１が並ぶ水平ラインの第１縁部ＥＤ１と、第２副画素ＳＰ２が並ぶ水平ラインの第２縁部ＥＤ２とは、第３幅Ｗ３だけ第２方向Ｄ２にずれている。同様に、第１副画素ＳＰ１が並ぶ水平ラインの第２縁部ＥＤ２と、第２副画素ＳＰ２が並ぶ水平ラインの第１縁部ＥＤ１とは、第３幅Ｗ３だけ第２方向Ｄ２にずれている。一例として、第３幅Ｗ３は、第１幅Ｗ１より小さく、且つ第２幅Ｗ２よりも大きい（Ｗ２＜Ｗ３＜Ｗ１）。
【００６９】
ここで、第１方向Ｄ１における枝領域４０の配列のピッチをＰ［μｍ］、第２方向Ｄ２に隣り合う２つの副画素ＳＰにおける一方の枝領域４０と、他方の接続領域３０との間の幅をＷ［μｍ］とする。幅Ｗを小さくすることで、副画素ＳＰの高精細化が可能となる。一方で、幅Ｗが小さいと、隣り合う第１電極Ｅ１同士の間で電界が生じ得る。そのため、枝領域４０の先端における液晶分子の配向が不安定となる。また、ピッチＰが大きいほど、隣り合う枝領域４０の間における液晶分子の配向が安定する。すなわち、ピッチＰを大きくすれば、幅Ｗを小さくしても配向の安定が保たれる。一例として、ピッチＰと幅Ｗを、ＰＷ＞８［μｍ２］好ましくはＰＷ＞１０［μｍ２］の関係が成り立つように定めれば、配向安定性と高精細化とを両立することができる。
【００７０】
なお、本実施形態においては、図９に示したように水平ラインごとに第１電極Ｅ１を反転させることで、接続領域３０の側辺３２の近傍で生じる光漏れの影響を低減する構成を開示した。この構成においては、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２を貼り合せる際の許容誤差を大きくできる利点もある。すなわち、互いに反転された２種類の第１電極Ｅ１が存在するので、例えば各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２が第２方向Ｄ２にずれて貼り合わされた場合であっても、上述の光漏れによる混色が増大する副画素ＳＰと、低減される副画素ＳＰとが混在することになる。これにより、貼り合せ誤差を考慮した各部の設計マージンを小さくすることができる。
【００７１】
なお、このような光漏れに対応する方法としては、遮光層２２の幅を広げて光漏れによる混色等が生じないようにすることも考えられる。しかしながら、この方法においては、副画素ＳＰの開口率が低下する。これに対し、本実施形態の構成であれば、開口率を低下させることなく光漏れの影響を低減することが可能である。  
以上の他にも、本実施形態からは既述の好適な効果や、その他の種々の効果を得ることができる。
【００７２】
（第２実施形態）  
第２実施形態について説明する。ここでは主に第１実施形態との相違点に着目し、第１実施形態と同一の構成については説明を適宜省略する。
【００７３】
本実施形態は、第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２の配置態様において第１実施形態と相違する。図１２は、第２実施形態に係る副画素ＳＰの平面的な配置例を示す図である。図９と同じく、走査信号線Ｇ１〜Ｇ４とこれらの間の副画素ＳＰとを示している。
【００７４】
図１２においては、水平ラインごとに副画素ＳＰ１，ＳＰ２を変えるのではなく、画素ＰＸごとに副画素ＳＰ１，ＳＰ２を変えている。すなわち、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２のいずれにおいても、第１副画素ＳＰ１が配置された画素ＰＸと、第２副画素ＳＰ２が配置された画素ＰＸとが交互に並んでいる。
【００７５】
ここで、表示領域ＤＡに配置された４つの画素ＰＸ（第１〜第４画素）に着目して、本実施形態の構成を他の観点から説明する。  
例えば、第１画素及び第２画素は走査信号線Ｇ１，Ｇ２の間に配置された画素であり、第３画素及び第４画素は走査信号線Ｇ２，Ｇ３の間に配置された画素である。さらに、第１画素及び第３画素は第１方向Ｄ１において隣り合い、第２画素及び第４画素は第１方向Ｄ１において隣り合う。この場合において、第１画素及び第４画素に含まれる複数の副画素ＳＰ（副画素領域Ａ）は全てが第１副画素ＳＰ１（第１副画素領域）であり、第２画素及び第３画素に含まれる複数の副画素ＳＰ（副画素領域Ｂ）は全てが第２副画素ＳＰ２（第２副画素領域）である。
【００７６】
例えば図１２の上段中央、上段右、中段中央、中段右の画素ＰＸをそれぞれ第１〜第４画素とした場合には、第１画素と第２画素が第２方向Ｄ２に隣り合い、第３画素と第４画素が第２方向Ｄ２に隣り合う。但し、第１画素と第２画素の間、及び、第３画素と第４画素の間に他の画素ＰＸが介在しても良い。
【００７７】
本実施形態のように副画素ＳＰ１，ＳＰ２を配置すれば、水平ラインごとに副画素ＳＰ１，ＳＰ２を交互に配置する場合に比べて、上述の光漏れの影響が表示領域ＤＡにおいて一層分散される。したがって、液晶表示装置１の表示品位をさらに高めることができる。  
その他、本実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００７８】
（第３実施形態）  
第３実施形態について説明する。ここでは主に上述の各実施形態との相違点に着目し、各実施形態と同一の構成については説明を適宜省略する。
【００７９】
本実施形態は、第１電極Ｅ１の形状において上述の各実施形態と相違する。図１３は、第３実施形態に係る第１電極Ｅ１の平面的な形状を示す図である。この図に示す第１電極Ｅ１においては、接続領域３０の延出方向である第１方向Ｄ１と、枝領域４０の延出方向である第２方向Ｄ２とが直交しない。また、第１配向膜１３及び第２配向膜２４の配向処理方向ＡＤは、第２方向Ｄ２と平行である。したがって、配向処理方向ＡＤも第１方向Ｄ１と直交しない。なお、走査信号線Ｇは、上述の各実施形態と同じく第１方向Ｄ１と直交する方向に延びている。
【００８０】
図１３に示す第１電極Ｅ１は、例えば第１副画素ＳＰ１に配置される。この場合、第２副画素ＳＰ２に配置される第１電極Ｅ１においては、枝領域４０が第２Ｂ方向に延出している。
【００８１】
一般に、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２のいずれか一方は配向処理方向ＡＤと偏光軸が一致し、他方は配向処理方向ＡＤと偏光軸が直交する。そのため、例えば第１実施形態の構成において、第２方向Ｄ２と平行な偏光軸を有する偏光サングラスなどを介して表示領域ＤＡを視認した際に、第２偏光板ＰＬ２の偏光軸と偏光サングラスの偏光軸とが直交し得る。この場合、表示領域ＤＡからの光が殆ど遮断されてしまい、画像のコントラストが低下して表示画像が見えにくくなる可能性がある。これに対し、図１３のように配向処理方向ＡＤが第１方向Ｄ１と直交しない方向であれば、第２偏光板ＰＬ２の偏光軸と偏光サングラスの偏光軸とが直交しにくくなる。したがって、コントラスト低下を抑制できる。
【００８２】
なお、図１３のように第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とが直交しない場合には、接続領域３０の側辺３２の近傍に生じる光漏れが増大することが判明している。したがって、本実施形態に係る第１電極Ｅ１に対して、図９及び図１２に開示した手法を適用し、光漏れの影響を低減させると好ましい。  
その他、本実施形態は、上述の各実施形態と同様の効果を奏する。
【００８３】
（第４実施形態）  
第４実施形態について説明する。ここでは主に上述の各実施形態との相違点に着目し、各実施形態と同一の構成については説明を適宜省略する。
【００８４】
本実施形態は、第１電極Ｅ１の形状において上述の各実施形態と相違する。図１４は、第４実施形態に係る、１つの副画素ＳＰの第１電極Ｅ１の平面的な形状を示す図である。この図に示す第１電極Ｅ１は、第１接続領域３０ａと、第２接続領域３０ｂと、複数の第１枝領域４０ａと、複数の第２枝領域４０ｂと、複数の第３枝領域４０ｃと、第１端部領域５０ａと、第２端部領域５０ｂとを備えている。
【００８５】
各接続領域３０ａ，３０ｂは、いずれも第１方向Ｄ１に延出している。各端部領域５０ａ，５０ｂは、各接続領域３０ａ，３０ｂの端部をそれぞれ接続している。第１端部領域５０ａは、第１方向Ｄ１に幅が拡大した拡大部分５１を有している。上述した半導体層ＳＣと第１電極Ｅ１とを接続する接続位置Ｐ２は、拡大部分５１に含まれる。第１枝領域４０ａは、各接続領域３０ａ，３０ｂの間において、第１接続領域３０ａから第２Ａ方向に延出している。第２枝領域４０ｂは、各接続領域３０ａ，３０ｂの間において、第２接続領域３０ｂから第２Ｂ方向に延出している。第３枝領域４０ｃは、第２接続領域３０ｂから第２Ａ方向に延出している。各第１枝領域４０ａ、各第２枝領域４０ｂ、及び各第３枝領域４０ｃは、いずれも第１方向Ｄ１において一定のピッチで並んでいる。
【００８６】
図１４の例においては、各第１枝領域４０ａと、各第２枝領域４０ｂとが、第１方向Ｄ１において互い違いに配置されている。すなわち、これら枝領域４０ａ，４０ｂは、第２方向Ｄ２に並んでいない。同様に、各第２枝領域４０ｂと各第３枝領域４０ｃも第１方向Ｄ１において互い違いに配置されている。
【００８７】
このような第１電極Ｅ１では、上述した各実施形態の第１電極Ｅ１に比べ、枝領域４０（４０ａ〜４０ｃ）の第２方向Ｄ２における長さを短くすることができる。そのため、角部Ｃ１〜Ｃ４の配向制御機能が枝領域４０の中腹部分まで良好に及び、液晶分子ＬＭの配向をより安定化できる。
【００８８】
また、図１４の例においては、第１枝領域４０ａの第１辺４１、第２枝領域４０ｂの第２辺４２、第３枝領域４０ｃの第１辺４１が概ね直線状に並ぶ。これら各辺の近傍における液晶分子ＬＭの回転方向は、いずれも第１回転方向Ｒ１である。同様に、第１枝領域４０ａの第２辺４２、第２枝領域４０ｂの第１辺４１、第３枝領域４０ｃの第２辺４２も概ね直線状に並び、これら各辺の近傍における液晶分子の回転方向はいずれも第２回転方向Ｒ２である。このように各枝領域４０ａ〜４０ｃの近傍における液晶分子ＬＭの回転方向を揃えることで、応答速度を一層高めることができる。
【００８９】
図１４に示す第１電極Ｅ１は、例えば第１副画素ＳＰ１に配置される。この場合、第２副画素ＳＰ２に配置される第１電極Ｅ１は、例えば第１方向Ｄ１を軸として図１４に示す第１電極Ｅ１を反転させた形状となる。すなわち、第２副画素ＳＰ２に配置される第１電極Ｅ１は、第１枝領域４０ａが第１接続領域３０ａから第２Ｂ方向に延出し、第２枝領域４０ｂが第２接続領域３０ｂから第２Ａ方向に延出し、第３枝領域４０ｃが第２接続領域３０ｂから第２Ｂ方向に延出する。
【００９０】
本実施形態に係る第１電極Ｅ１においても、第１接続領域３０ａの側辺３２の近傍で上述の光漏れが生じ得るが、図９及び図１２に開示した手法を用いることでこの光漏れの影響を低減できる。  
その他、本実施形態は、上述の各実施形態と同様の効果を奏する。
【００９１】
（第５実施形態）  
第５実施形態について説明する。ここでは主に上述の各実施形態との相違点に着目し、各実施形態と同一の構成については説明を適宜省略する。
【００９２】
本実施形態は、第１電極Ｅ１が共通電極であり、第２電極Ｅ２が画素電極である点で、上述の各実施形態と相違する。図１５は、第５実施形態に係る液晶表示装置１の断面の一部を示す図である。この図においては、図３と同じく、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢの第２方向Ｄ２に沿う断面を示している。また、走査信号線Ｇや映像信号線Ｓの図示を省略するとともに、スイッチング素子ＳＷを簡略化して示している。
【００９３】
図１５において、第１電極Ｅ１は、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢに亘って設けられている。一方で、第２電極Ｅ２は、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢに対して１つずつ設けられている。第２電極Ｅ２は、対応するスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。
【００９４】
図１６は、第１電極Ｅ１の概略的な平面図である。ここでは、主に１つの副画素ＳＰに対応する領域を示している。この図の例において、副画素領域Ａは、図４と同じく第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を有している。また、第１領域Ａ１は、接続領域３０及び複数の枝領域４０を有している。本実施形態においては、第２領域Ａ２に第１電極Ｅ１が形成され、第１領域Ａ１に第１電極Ｅ１が形成されていない。すなわち、第１領域Ａ１は、接続領域３０及び複数の枝領域４０を有したスリット（開口）である。第２電極Ｅ２は、例えば破線枠で示した外形を有し、平面視において第１領域Ａ１と重畳している。
【００９５】
接続領域３０及び各枝領域４０の形状等は図４の例と概ね同様である。但し、図１６においては、枝領域４０の第１方向Ｄ１における幅が、図４の例よりも大きい。例えば図４の例では、枝領域４０の先端近傍において、枝領域４０の幅が隣り合う枝領域４０の間隔よりも小さい。一方で、図１６においては、枝領域４０の先端近傍において、枝領域４０の幅が隣り合う枝領域４０の間隔よりも大きい。
【００９６】
第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２の間に電界が形成されると、枝領域４０の第１辺４１及び第２辺４２の近傍の液晶分子ＬＭは、図６の例と同様に回転する。すなわち、第１辺４１の近傍においては、底辺３１から頂辺４３まで液晶分子ＬＭが第１回転方向Ｒ１に回転する。また、第２辺４２の近傍においては、底辺３１から頂辺４３まで液晶分子ＬＭが第２回転方向Ｒ２に回転する。このように、本実施形態の構成においても、上述した各実施形態と同様の高速応答モードを実現できる。
【００９７】
本実施形態の構成においても、接続領域３０の側辺３２の近傍において、上述の光漏れが生じ得る。この光漏れの影響は、図９や図１２を用いて説明した手法により低減できる。
【００９８】
一例として、図９と同様の手法の適用例を図１７に示す。第１副画素ＳＰ１が第２方向Ｄ２に並ぶ水平ラインと、第２副画素ＳＰ２が第２方向Ｄ２に並ぶ水平ラインとが、第１方向Ｄ１において交互に並んでいる。ここでの第１副画素ＳＰ１は、例えば図１６に示した第１領域Ａ１を有する副画素ＳＰである。第２副画素ＳＰ２は、第１方向Ｄ１を軸として図１６に示した第１領域Ａ１を反転させた形状の第１領域Ａ１を有する副画素ＳＰである。
【００９９】
なお、接続領域３０、枝領域４０、及び遮光層２２には、図１０及び図１１を用いて説明した構成を適用できる。また、第１領域Ａ１には、図１３及び図１４に示した第１電極Ｅ１の形状を適用することもできる。  
以上の本実施形態は、上述の各実施形態と同様の効果を奏する。
【０１００】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【０１０１】
例えば、図９及び図１７においては、水平ラインごとに第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２を交互に配置する例を示した。しかしながら、隣り合う映像信号線Ｓの間で第１方向Ｄ１に並ぶ一群の副画素ＳＰ（カラム）ごとに、第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２を交互に配置しても良い。
【０１０２】
また、第１方向Ｄ１に並ぶｎ（ｎ≧２）の水平ラインごとに第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２を交互に配置しても良いし、ｍ（ｍ≧２）のカラムごとに第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２を交互に配置しても良い。
【０１０３】
また、ｎ×ｍの副画素ＳＰを含むブロックの単位で、第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２を変更しても良い。この場合において、例えば第１副画素ＳＰ１が配置されたブロックと、第２副画素ＳＰ２が配置されたブロックとを、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に交互に並べても良い。
【０１０４】
各実施形態においては、接続領域３０の延出方向である第１方向Ｄ１が映像信号線Ｓと平行である場合を例示した。しかしながら、第１方向Ｄ１と映像信号線Ｓとが平行でなくても良い。例えば、第１方向Ｄ１は、走査信号線Ｇと平行な方向であっても良い。この場合において、枝領域４０の延出方向である第２方向Ｄ２及び配向処理方向ＡＤは、例えば映像信号線Ｓと平行にしても良い。さらに、図１１を用いて遮光層２２の第２部分２２Ｂについて述べた条件を、第１部分２２Ａに適用しても良い。
【０１０５】
各実施形態においては、液晶層ＬＣの液晶分子の誘電率異方性が正である場合に採用し得る構成を例示した。しかしながら誘電率異方性が負（ネガ型）である液晶分子により液晶層ＬＣを構成することもできる。この場合においては、配向処理方向ＡＤ（或いは液晶分子の初期配向方向）を枝領域４０の延出方向に直交する方向とすれば良い。
【符号の説明】
【０１０６】
１…液晶表示装置、２…表示パネル、３…バックライト、４…ドライバＩＣ、５…制御モジュール、１０…第１絶縁基板、１１…第１絶縁層、１２…第２絶縁層、１３…第１配向膜、２０…第２絶縁基板、２０…第２絶縁基板、２１…カラーフィルタ、２２…遮光層、２３…オーバーコート層、２４…第２配向膜、３０…接続領域、４０…枝領域、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＬＣ…液晶層、ＤＲ１…第１ドライバ、ＤＲ２…第２ドライバ、Ｄ１…第１方向、Ｄ２…第２方向、ＤＡ…表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ…副画素、Ｇ…走査信号線、Ｓ…映像信号線、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、ＳＷ…スイッチング素子、ＯＤ１…第１光学素子、ＯＤ２…第２光学素子、Ａ…副画素領域、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、ＡＤ…配向処理方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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