(57)【要約】【課題】搬送される基板への基板処理用の流体の噴射による基板の滑りを抑える基板処理装置及び基板処理方法の提供。【解決手段】基板１２の下面を支持しつつ基板１２を搬送する基板搬送機構１５ａと、基板搬送機構１５ａにより搬送される基板１２の上面に基板処理用のエッチング液１６（第１の流体）を噴射する供給ノズル部１７と、エッチング液１６の噴射による基板１２の搬送速さの変化を抑えるために基板１２にエッチング液２１（２１ａ〜２１ｈ）（第２の流体）を噴射する噴射ノズル部１８ａ、１８ｂと、を有する構成による。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の下面を支持しつつ前記基板を搬送する基板搬送機構と、該基板搬送機構により搬送される前記基板の上面に基板処理用の第１の流体を噴射する処理用流体供給部と、前記流体の噴射による前記基板の搬送速さの変化を抑えるために前記基板に第２の流体を噴射する搬送安定化用流体供給部と、を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の流体と前記第２の流体とは、同一の流体である請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記搬送安定化用流体供給部は、前記基板の搬送方向と直交する方向の前記基板の両端外側にそれぞれ位置し、前記搬送方向と直交する方向の前記基板の両端部に前記第２の流体を噴射する請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記搬送安定化用流体供給部は、前記基板の搬送方向と直交する方向の前記基板の両端内側にそれぞれ位置し、前記搬送方向と直交する方向の前記基板の両端部に前記第２の流体を噴射する請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記搬送安定化用流体供給部は、前記基板の搬送方向に沿って、前記第２の流体を噴射する噴射口を２以上有する請求項３又は４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記搬送安定化用流体供給部の前記２以上の噴射口からの前記第２の流体の噴射量は、前記基板上に到達する前記第２の流体の噴射量の総和が、前記処理用流体供給部から噴射される第１の流体から前記基板にかかる推進力を打ち消すように設定されている請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
下面を支持されて搬送される基板の上面に、基板処理用の第１の流体を噴射する基板処理方法であって、
前記第１の流体の噴射による前記基板の搬送速さの変化を抑えるために、前記基板に第２の流体を噴射する基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネル用のガラス基板やフォトマスク用のガラス基板等の各基板は、搬送機構により各種の基板処理を行う各処理装置に搬送され、例えば、剥離液、エッチング液、現像液、リンス液等の処理液が基板表面に供給される（例えば、特許文献１参照）。このような基板処理の一例として、処理液をガラス基板の表面に供給して基板処理を行う処理装置の概略を図７に示す。図７において、回転する複数の搬送ローラ１０１から成る搬送機構１０２により下面を支持されて搬送される、薄板方形状ガラスから成る基板１０３は、その表面（上面）に、供給ノズル部１０５のスリット開口部１０５ａから処理液１０６（鎖線で示す）が噴射、供給される。基板１０３の表面全体に均等に処理液１０６を供給するために、スリット開口部１０５ａのスリット長さ（スリット開口部１０５ａの長手方向の長さ）は、ガラス基板１０３の幅（基板１０３の搬送方向と直交する方向の長さ）と略同一に設定される。そして、供給ノズル部１０５は、基板１０３に対して、斜め上方から基板１０３の搬送方向１０８に向けて処理液１０６を供給できるよう、傾斜して設けられている（法線方向に対する傾斜角度Ａ）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１６９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記に説明したような、従来の基板処理装置によれば、供給ノズル部１０５からの処理液１０６が基板１０３の表面に傾斜した状態で供給されることによって、基板１０３に対して処理液１０６の吐出方向に向かう推進力が与えられ、基板１０３の搬送速度が所定速度よりも速くなってしまう。あるいは、基板１０３のある箇所とその他の箇所とで、搬送速度が変化してしまうことがある。基板１０３の搬送速度が場所によって変化することになれば、処理液１０６による基板１０３表面の処理時間が場所によって異なることになり、基板１０３を均一に処理することができない。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、搬送される基板の処理を良好に行う基板処理装置及び基板処理方法の提供を目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置は、基板の下面を支持しつつ前記基板を搬送する基板搬送機構と、該基板搬送機構により搬送される前記基板の上面に基板処理用の第１の流体を噴射する処理用流体供給部と、前記流体の噴射による前記基板の搬送速さの変化を抑えるために前記基板に第２の流体を噴射する搬送安定化用流体供給部と、を有する構成となる。
【０００７】
本発明に係る基板処理方法は、下面を支持されて搬送される基板の上面に、基板処理用の第１の流体を噴射する基板処理方法であって、前記第１の流体の噴射による前記基板の搬送速さの変化を抑えるために、前記基板に第２の流体を噴射する構成となる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板処理を良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置であるエッチング処理装置を含む基板処理装置本体の全体概略図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置であるエッチング処理装置の概略斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置であるエッチング処理装置の概略側面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置であるエッチング処理装置の概略平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置であるエッチング処理装置の概略平面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置である乾燥処理装置の概略側面図である。
【図７】従来の基板処理装置の概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置であるエッチング処理装置を図１乃至図４に示す。
【００１２】
図１において、一連の基板処理を行う装置本体１は、リソグラフィ処理（不図示）されたガラス基板１２（以下「基板１２」という。）の表面にエッチング処理を行うエッチング処理装置２（基板処理装置）と、エッチング処理後の基板１２の表面にリンス液を供給してリンス処理を行うリンス処理装置３と、リンス処理後の基板１２の表面に高圧流体の洗浄液を噴射して洗浄する洗浄処理装置４と、洗浄処理された基板１２を乾燥させる乾燥処理装置５と、装置本体１内で基板１２を搬送する搬送機構１５（１５ａ〜１５ｄ）と、を有する。
【００１３】
エッチング処理装置２は、基板１２を搬送する搬送機構１５ａと、基板１２の表面にエッチング液を供給する供給ノズル部（処理用流体供給部）１７と、エッチング液を基板１２の両端部に噴射する噴射ノズル部（搬送安定化用流体供給部）１８ａ、１８ｂと、を有する。リンス処理装置３は、基板１２を搬送する搬送機構１５ｂと、基板１２にリンス液を供給するリンス液供給部５１（５１ａ〜５１ｄ）と、を有する。洗浄処理装置４は、基板１２を搬送する搬送機構１５ｃと、高圧洗浄水を噴射する高圧ツール５２（５２ａ、５２ｂ）と、を有する。乾燥処理装置５は、基板１２を搬送する搬送機構１５ｄと、基板１２に気体をスリット開口部（不図示）から噴射して乾燥させるエアーナイフ５３（５３ａ、５３ｂ）と、を有する。
【００１４】
エッチング処理装置２の具体的構成を、図２〜図４を用いて説明する。方形上の薄板である、基板１２の下面を支持しつつ所定の速さで搬送する搬送機構１５ａと、搬送される基板１２の表面（上面）に第１の流体であるエッチング液１６（鎖線で示す）を基板１２に対して基板１２の搬送方向（矢印２０で示す方向）に向けて噴射する供給ノズル部１７を有する。さらに、搬送機構１５ａにより搬送される基板１２の搬送方向と直交する方向の基板１２の両端外側で基板１２の上方にそれぞれ位置する、噴射ノズル部１８ａ、１８ｂを有する。この噴射ノズル部１８ａ、１８ｂは、第２の流体であるエッチング液を基板１２の両端部に対して搬送方向（矢印２０で示す方向）と反対方向に向けて斜め上方から噴射するシャワーノズルである。
【００１５】
搬送機構１５ａは、基板１２の搬送方向と直交する方向を軸方向とする円筒形状のシャフト軸体２２ａ〜２２ｅが５本、所定の均等間隔を設けて基板１２の搬送方向に配置され、さらにシャフト軸体２２ａ〜２２ｅには、それぞれ搬送ローラ２３ａ１〜２３ａ４、２３ｂ１〜２３ｂ４、２３ｃ１〜２３ｃ４、２３ｄ１〜２３ｄ４、２３ｅ１〜２３ｅ４が４個ずつ均等な間隔を設けて挿着されている（図４参照）。搬送機構１５ａは、シャフト軸体２２ａ〜２２ｅに挿着した搬送ローラ２３で基板１２の下面を支持させて搬送する構造である。シャフト軸体２２ａ〜２２ｅは、モータ等の駆動部（不図示）と、これを制御する制御部（不図示）により回転駆動し、基板１２を搬送する。なお、リンス処理装置３に設けられる搬送機構１５ｂ、洗浄処理装置４に設けられる搬送機構１５ｃ、乾燥処理装置５に設けられる搬送機構１５ｄにおいても、同じ機構となっている。
【００１６】
隣接するシャフト軸体２２（２２ａ〜２２ｅ）は、基板１２の搬送方向に沿う長さ（基板１２の「搬送方向長さ」という）の１／２未満の長さの間隔で設けられている。これにより基板１１は、常に少なくとも２個以上のシャフト軸体２２に下面が支持されることになる。
【００１７】
基板１２にエッチング液１６を噴射する供給ノズル部１７は、その下端部に基板１２に向けたスリット開口部１７ａを有し、エッチング液供給部（不図示）及び供給コントローラ（不図示）と配管接続されている。供給コントローラは、エッチング液供給部から提供されるエッチング液１６の流量を調整して供給ノズル部１７へ供給する。具体的には、例えば、搬送機構１５ａにより基板１２の進行方向の先端がエッチング処理装置２に搬入されると、供給ノズル部１７からエッチング液１６の噴射を開始し、基板１２の進行方向の後端が通過したときに噴射を終了する。基板１２にエッチング液１６を均一に供給するために、噴射量は一定の所定量に設定されている。なお、基板１２の有無に関係なく、供給ノズル部１７からエッチング液１６が供給される態様であっても良い。
【００１８】
供給ノズル部１７のスリット開口部１７ａは、搬送される基板１２の全体にエッチング液を噴射するために、スリット長さ（スリット開口部１７ａの長手方向の長さ）が、基板１２の幅方向の長さと略同一となっている。そして、基板１２への不均一な液供給を防止するために、スリット開口部１７ａを基板１２の搬送方向２０側に向けるように、供給ノズル部１７が傾斜して配置されている（図３に示すように、法線方向に対する傾斜角度Ｃ）。
これは、例えば、供給ノズル部１７を垂直に配置してスリット開口部１７ａから搬送中の基板１２の真下にエッチング液１６を噴射すると、基板１２上のエッチング液１６は搬送方向と反対の方向にも流される。すなわち、スリット１７ａの真下に最初に到達する基板１２の先端部分がスリット１７ａからのエッチング液を受けた時点で、その上流側にもエッチング液が流れるため、上流側の基板１２表面の処理も開始してしまうことになる。つまり、基板１２の搬送方向の先端部周辺の接液時間と比べて、他の部分の接液時間が長くなり、均一な基板処理が困難となる。さらに、スリット１７ａを搬送方向２０と反対方向に向けて傾斜させた場合には、垂直に設けた場合と比べて、さらに上流側までエッチング液１６が流れ広がるため、基板１２の各位置における接液時間の差がより顕著になる。そのため、図３に示すように、スリット開口部１７ａを基板１２の搬送方向２０側に突き出すように、供給ノズル部１７を傾斜して配置することで、基板１２全体がエッチング液１６と接液時間を同じくすることができ、均一なエッチング処理を可能としたものである。上記した角度Ｃは、例えば、エッチング処理に最適となる角度となるように設定される。
【００１９】
噴射ノズル部１８ａ、１８ｂは、所定長さの円筒形状部材から成り、基板１２の幅方向で、基板１２の両端外側にそれぞれ配置され、上記円筒形状部材の長手方向（軸方向）が基板１２の搬送方向２０と同一方向に設けられている。噴射ノズル部１８ａ、１８ｂの基板１２側には、長手方向に均等な所定間隔でそれぞれ４個の噴射口１９ａ〜１９ｄ、１９ｅ〜１９ｈが設けられている。噴射口１９ａ〜１９ｄ、１９ｅ〜１９ｈは、基板１２の搬送方向と反対側に向けて基板１２の幅方向の両端部にエッチング液２１を噴射できる位置に設けられている。噴射ノズル部１８ａ、１８ｂは、先に述べた供給ノズル部１７にエッチング液を供給するエッチング液供給部（不図示）に、供給コントローラ（不図示）を介して配管接続されている。従って、本実施形態では、噴射ノズル部１８ａ、１８ｂから噴射されるエッチング液は、供給ノズル１７から噴射されるエッチング液と同種のものとされる。供給コントローラがエッチング液供給部から提供されるエッチング液の流量を調整して噴射ノズル部１８ａ、１８ｂへ供給し、噴射口１９ａ〜１９ｄ、１９ｅ〜１９ｈから基板１２の両端部に向けて、しかも搬送方向と反対方向に向けてエッチング液２１ａ〜２１ｄ、２１ｅ〜２１ｈを噴射する。噴射口１９ａ〜１９ｈは、供給ノズル部１７と向き合う（対向する）角度で設けられており、エッチング液２１ａ〜２１ｈが基板１２の幅方向の両端部の部分に噴射するように（幅方向の中央部に噴射しないように）、噴射角度が設定される。さらに、噴射されるエッチング液２１ａ〜２１ｈの拡散を抑え、直進性を持つように噴射口１９ａ〜１９ｈの形状、サイズが設定される。供給ノズル部１７から供給されるエッチング液１６による基板１２処理を均一にするために、基板１２の中央部へのエッチング液２１ａ〜２１ｈの噴射を避ける。なお、液晶基板などにおいては基板１２の幅方向の両端部付近の領域は、もともと最終製品として使用されずに破棄される。このため、噴射ノズル部１８ａ、１８ｂから基板１２に供給されるエッチング液２１が、基板１２の幅方向中央部まで行き届かないようにすることで、基板において必要とされる領域での処理を良好に保つことができる。そのため、エッチング液２１ａ〜２１ｈは基板１２の両端部に限って噴射するものである。
【００２０】
噴射ノズル部１８ａ、１８ｂの噴射口１９ａ〜１９ｄ、１９ｅ〜１９ｈから基板１２に噴射されるエッチング液２１ａ〜２１ｄ、２１ｅ〜２１ｈは、供給ノズル部１７から噴射されるエッチング液１６による基板１２の滑りを防止すると共に、エッチング処理の均一化維持を目的とするものである。したがって、噴射口１９ａ〜１９ｄ、１９ｅ〜１９ｈから基板１２に噴射されるエッチング液２１ａ〜２１ｄ、２１ｅ〜２１ｈの液量は、上記目的の達成のために、予め最適な噴射液量が決定される。そして、噴射液量の決定に際しては、搬送される基板１２の位置によって、基板１２に直接エッチング液２１を噴射する噴射口１９の数が変化する点を考慮する。基板１２の搬送方向の先端が供給ノズル部１７の下を通過した直後は、噴射ノズル部１８ａ、１８ｂの噴射口１９ａ、１９ｅからのエッチング液２１ａ、２１ｅが基板１２の両端部に噴射される。その後、基板１２の搬送により、噴射口１９ａ、１９ｂ、１９ｅ、１９ｆからエッチング液２１ａ、２１ｂ、２１ｅ、２１ｆが噴射され、さらに搬送されて、噴射口１９ａ〜１９ｃ、１９ｅ〜１９ｇからエッチング液２１ａ〜２１ｃ、２１ｅ〜２１ｇが噴射され、さらに搬送されて全ての噴射口１９ａ〜１９ｄ、１９ｅ〜１９ｈから基板１２にエッチング液２１ａ〜２１ｄ、２１ｅ〜２１ｈが噴射される。
【００２１】
供給ノズル部１７から基板１２の搬送方向に噴射するエッチング液１６の液量は所定の一定量に設定されているため、エッチング液１６の噴射による搬送方向への基板１２の滑りを生じさせる推進力は一定となる。このエッチング液１６の噴射による基板１２に対する搬送方向への推進力を抑えるために、基板１２の搬送位置をセンサー（光センサ等）により検出し、基板１２の当該搬送位置に対応するエッチング液２１の噴射口１９の数量に応じて、各噴射口１９から噴射するエッチング液の液量を供給コントローラ（不図示）が個別に調整するように設定されている。具体的には後述する。
【００２２】
次に、本実施形態の動作について、図面を参照して説明する。
【００２３】
図１において、リソグラフィ処理（不図示）された基板１２がエッチング処理装置２に搬入されると、エッチング処理装置１１の搬送機構１５ａは基板１２の下面を支持しつつエッチング処理装置２内を搬送する。基板１２の先端がエッチング処理装置２に搬入されると、供給コントローラ（不図示）は、所定のタイミングで供給ノズル部１７のスリット開口部１７ａから基板１２の搬送方向（矢印２０の方向）に向けてエッチング液１６を所定傾斜角度（図３の傾斜角度Ｃ）で噴射開始する。供給ノズル部１７からのエッチング液１６噴射と略同時に、供給コントローラは、噴射ノズル１８ａ、１８ｂの噴射口１９ａ、１９ｅから、基板１２の幅方向の両端部に基板１２の搬送方向（矢印２０の方向）と反対の方向に向けて所定傾斜角度でエッチング液２１ａ、２１ｅを噴射する。
【００２４】
噴射口１９ａ、１９ｅからのエッチング液２１ａ、２１ｅの噴射量、噴射圧、噴射角度等は、供給ノズル１７から噴射されるエッチング液１６による基板１２に対する推進力を打ち消すように設定されている。したがって、搬送機構１５ａによる基板１２の搬送速さは予め定めた速度で一定に維持される。さらに、基板１２が搬送機構１５ａにより搬送方向に搬送されると、基板１２の位置検出により、噴射口１９ａ、１９ｅに加えて、噴射口１９ｂ、１９ｆからもエッチング液２１ｂ、２１ｆが基板１２の両端部に噴射される。このとき、４つの噴射口１９ａ、１９ｂ、１９ｅ、１９ｆから噴射されるエッチング液２１ａ、２１ｂ、２１ｅ、２１ｆの噴射の総和により、供給ノズル１７から噴射されるエッチング液１６による基板１２に対する推進力を打ち消すように、噴射量、噴射圧等が設定される。例えば、前述した２つの噴射口１９ａ、１９ｅによる噴射のときよりも、各噴射口１９ａ、１９ｂ、１９ｅ、１９ｆからの噴射量、噴射圧等を低下させることができる。
【００２５】
さらに、基板１２が搬送機構１５ａにより搬送方向に搬送されると、基板１２の位置検出により噴射口１９ｃ、１９ｇからもエッチング液２１ｃ、２１ｇが基板１２の両端部に噴射される。このとき、上記６つの噴射口１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｅ、１９ｆ、１９ｇから噴射されるエッチング液２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｅ、２１ｆ、２１ｇの噴射の総和により、供給ノズル１７から噴射されるエッチング液１６による基板１２に対する推進力を打ち消すように、噴射量、噴射圧等が設定される。さらに基板１２が搬送方向２０へと搬送されていくと、すべての噴射口１９ａ〜１９ｈからエッチング液２１ａ〜２１ｈが基板１２の両端部に噴射される。このとき、すべての噴射口である８つの噴射口１９ａ〜１９ｈから噴射されるエッチング液２１ａ〜２１ｈの噴射の総和により、供給ノズル１７から噴射されるエッチング液１６による基板１２に対する推進力を打ち消すように、噴射量、噴射圧等が設定される。
【００２６】
エッチング処理がなされた基板１２は、その後、搬送機構１５ａによってリンス処理装置３に搬入される。リンス処理装置３では、搬送機構１５ｂによって搬送される基板１２に対して、リンス液供給部５１（５１ａ〜５１ｄ）からリンス液が供給され、基板１２のリンス処理が行われる。リンス処理が終了した基板１２は、洗浄処理装置４に搬入される。洗浄処理装置４では、搬送機構１５ｃによって搬送される基板１２に対して、高圧ツール５２（５２ａ、５２ｂ）から高圧洗浄水が供給され、基板１２の洗浄処理が行われる。洗浄処理が終了した基板１２は、乾燥処理装置５に搬入される。洗浄処理装置４では、搬送機構１５ｄによって搬送される基板１２に対して、エアーナイフ５３（５３ａ、５３ｂ）から気体が噴射され、基板１２の乾燥処理が行われる。乾燥処理の終了した基板１２は、その後、装置本体１から搬出され、これで基板１２の一連の処理は完了する。
【００２７】
上述した実施形態においては、エッチング処理装置２において、傾斜させた供給ノズル部１７によるエッチング液１６の基板１２の搬送方向側への噴射により、基板１２は搬送方向に向けた推進力が作用する。この基板１２に加わる推進力による基板１２の搬送速さの変化を抑制するべく、噴射ノズル１８ａ、１８ｂの噴射口１９ａ〜１９ｈから基板１２の幅方向の両端部に、エッチング液２１ａ〜２１ｈが搬送方向と反対方向の側に向けて噴射される。噴射口１９ａ〜１９ｈから噴射されるエッチング液の液量、噴射圧、噴射角度等は、供給ノズル部１７から噴射されるエッチング液１６による推進力を抑制できるように、予め得た実験データを基にして上述した供給コントローラ（不図示）が調整するので、基板１２を予め定めた所定の搬送速度に維持することができ、基板１２表面のエッチング処理を均一に行うことができる。
【００２８】
また、供給コントローラは、搬送される基板１２の位置を図示しないセンサ（光センサ等）により検出し、検出した基板１２の位置に応じて、エッチング液１９を噴射する噴射口１９及び噴射液量、噴射圧等を決定するようにした。例えば、搬送される基板１２が供給ノズル１７の直下を通過した直後であれば、噴射口１９ｂ〜１９ｄ、１９ｆ〜１９ｈによるエッチング液２１ｂ〜２１ｄ、２１ｆ〜２１ｈの噴射が基板１２に到達できないので、供給ノズル１７による搬送方向側に向けたエッチング液１６の噴射による推進力に抗するためには、エッチング液２１ａ、２１ｅの噴射液量、噴射圧等は、全ての噴射口１９ａ〜１９ｈからのエッチング液２１ａ〜２１ｈが基板１２に当たる位置における供給ノズル１７からのエッチング液１６の推進力に抗する場合に比較して、噴射口１個当たりの噴射液量は多くなり、噴射圧は高くなるよう調整される。
【００２９】
一方、基板１２の搬送が続き、基板１２にエッチング液２１を噴射できる噴射口１９の数が増加するにつれて、噴射口１個あたりの噴射するエッチング液量、噴射圧を低下させる。供給ノズル１７からの基板１２に対するエッチング液１６の液量、噴射圧は、均一な基板処理を行うことから一定量である。これの推進力に抗する、噴射ノズル部１８ａ、１８ｂの噴射口１９全体からの噴射液量、噴射圧も一定にすることで、基板１２を一定の速度で搬送する。なお、搬送される基板１２とこれを支持する搬送機構１５の搬送ローラ２３ａ１等との間には摩擦力が発生するので、基板１２の位置の検出により噴射可能な噴射口１９の決定に加えて、この摩擦力も考慮し、エッチング液の供給コントローラは、噴射口１９からの噴射液量、噴射圧、噴射角度等を決定するようにして良い。
【００３０】
このように、本実施形態においては、基板１２のエッチング処理を均一に行うために、エッチング液１６を搬送方向側に向けて噴射して、搬送方向の逆方向への流れを防止すると共に、エッチング液１６の噴射による基板１２の搬送速さの変化（基板の滑り）を抑制すべく、噴射ノズル部１８ａ、１８ｂの噴射口１９ａ〜１９ｈからエッチング液２１ａ〜２１ｈを搬送方向と逆方向に向けて基板１２の両端部に噴射したので、基板１２の搬送を一定に維持し、基板処理を良好に行うことができる。また、噴射口１９ａ〜１９ｈから同じエッチング液２１ａ〜２１ｈを基板１２の幅方向の両端部に噴射するので、エッチング液１６による基板１２の本来のエッチング処理に与える影響を抑制できる。
【００３１】
（第２の実施形態）
次に、図５を参照して、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置であるエッチング処理装置５４について説明する。第１の実施形態とは、噴射ノズル部の配置位置、噴射口位置が相違するものであり、他の構成部分、構成要素は共通する。したがって、構成部分等の名称、符号は第１の実施形態と同一にし、相違点を中心に説明する。
【００３２】
図５に示すように、本実施形態では、噴射ノズル部１８ａ、１８ｂが基板１２の幅方向の両端から基板１２の内側の所定位置で基板１２の上方にそれぞれ配置されている。噴射口１９ａ〜１９ｄ、１９ｅ〜１９ｈは、それぞれ基板１２の搬送方向（矢印２０の示す方向）と逆の方向に向けて基板１２の幅方向の端部にエッチング液２１を斜め上方から噴射可能となるように、円筒形状である噴射ノズル部１８ａ、１８ｂの基板１２の幅方向の端部側に向いた位置で、基板１２の搬送方向に沿って形成されている。
【００３３】
搬送される基板１２に供給ノズル部１７からエッチング液１６が搬送方向に向けて噴射されるときに、エッチング液１６の噴射による基板１２の搬送速さの変化（基板の滑り）を抑えるために、噴射ノズル部１８ａ、１８ｂの噴射口１９ａ〜１９ｈからエッチング液２１ａ〜２１ｈが、基板１２の搬送方向と逆の方向に向けて基板１２の幅方向の両端部に噴射されるので、基板１２の搬送を一定に維持し、基板処理を均一に行うことができる。さらに第１の実施形態と同様に、噴射口１９ａ〜１９ｈから同じエッチング液２１ａ〜２１ｈを基板１２の幅方向の両端部に噴射するので、基板１２の本来のエッチング処理を損なうことがない。特に、本実施形態では、基板１２の幅方向の両端の内側から、基板１２の幅方向の両端部にエッチング液２１を噴射するので、第１の実施形態よりさらに基板１２の中央部へのエッチング液２１の噴射を防止できるので、本来の供給ノズル部１７からのエッチング液１６によるエッチング処理に与える影響をより低減することができる。なお、噴射口１９ａ〜１９ｈからのエッチング液２１ａ〜２１ｈの噴射については、第１の実施形態と同様、搬送される基板１２の位置を検出し、当該検出位置に応じた噴射口の特定、噴射量、噴射圧を決定する。
【００３４】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、上述した通り、基板１２の中央部へ噴射口１９ａ〜１９ｈからのエッチング液が到達する可能性がかなり低くなるため、基板１２の中央部において、より良好なエッチング処理を行うことが可能となる。
【００３５】
（第３の実施形態）
次に、図６を参照して、本発明の第３の実施形態に係る乾燥処理装置と６１について説明する。本実施形態は、本発明の基板処理装置を乾燥装置に採用した場合の例である。
【００３６】
本実施形態に係る乾燥処理装置６１は、例えば、図１に示す乾燥処理装置５での基板の乾燥処理装置５３に替えて使用することができる。図６に示すように、エアーナイフ３１は、基板１２の搬送方向（矢印２０の示す方向）と反対の方向に向けてスリット開口部３１ａからエアー６２を基板１２の表面（上面）に噴射する。なお、基板１２を均一に乾燥するために、スリット長さ（スリット開口部１７ａの長手方向の長さ）は、基板１２の幅方向の長さと略同様の長さとなっている。乾燥処理装置５では、洗浄処理装置４での洗浄が終了した基板１２について、付着した処理液を搬送方向と逆の方向に吹き飛ばすために、エアー６２を搬送方向と逆の方向に向けて噴射する。そのため、図６に示すように、エアーナイフ３１は、スリット開口部３１ａからエアー６２が搬送方向と反対の方向に噴射するように、傾斜した状態に配置される（図６に示すように、法線方向に対する傾斜角度Ｃ）。なお、傾斜角度Ｃは、例えば、基板１２の乾燥に最適となるように決定される。噴射ノズル部１８ａ、１８ｂは、基板１２に対して第１の実施形態又は第２の実施形態で説明した位置にそれぞれ設けられている。
【００３７】
エアーナイフ３１のスリット開口部３１ａからのエアー６２が、搬送方向と逆の方向に向けて基板１２の表面（上面）に噴射されると、エアー６２の噴射により基板１２に対して搬送方向と逆の方向に推進力が作用して、基板１２の滑りによる脱落、搬送速さの変動等を招く恐れが生じる。上記した基板１２の搬送速さの変化を抑えるために、噴射ノズル部１８ａ、１８ｂの噴射口１９ａ〜１９ｈから基板１２の搬送方向に向けて基板１２の幅方向の両端部にエアー（６３ａ〜６３ｈ）を噴射することで、基板１２の滑り等を防止することができる。なお、噴射口１９ａ〜１９ｈからのエッチング液２１ａ〜２１ｈの噴射については、第１の実施形態と同様、搬送される基板１２の位置を検出し、当該検出位置に応じた噴射口の特定、噴射量、噴射圧を決定する。すなわち、搬送により基板１２の位置が変化し、基板１２にエアー６３を噴射可能な噴射口１９の数が増加するにつれて、噴射口１個あたりの噴射するエアー量、噴射圧を変動（低下）させる。噴射ノズル部１８ａ、１８ｂの噴射口１９からの噴射圧等が高すぎると、搬送方向への基板１２の滑りが発生する恐れがあるためである。搬送される基板１２とこれを支持する搬送機構１５の搬送ローラ２３との間には摩擦力が発生するので、基板１２の位置の検出による、基板１２へのエアー６３を噴射可能な噴射口１９の決定に加えて、この摩擦力も考慮し、エアーの供給コントローラは、噴射口１９からのエアーの噴射量、噴射圧、噴射角度等を決定する。
【００３８】
本実施形態においては、本発明を乾燥処理装置に適用したが、第１、第２の実施形態と同様に、良好な処理を行なうことができる。
【００３９】
上記した第１〜第３の実施形態では、本発明に係る基板処理装置を、図１のエッチング処理装置２、図５のエッチング処理装置５４、図６の乾燥処理装置６１に適用したものを説明したが、本発明に係る基板処理装置はこれに限定するものではない。液体、気体等の流体を傾斜して噴射することにより、基板の搬送速さの変動（滑り）が生じるおそれがある場合には、これを防止するために、リンス処理装置３、洗浄処理装置４としても使用することができる。
【００４０】
また、本実施形態では、第１の流体であるエッチング液１６と、第２の流体であるエッチング液２１ａ〜２１ｈを同じエッチング液としたが、これは基板１２のエッチング処理に与える影響を抑えるためである。したがって、基板処理に影響を抑えることが可能ならば、同一の液体、気体とする必要はない。また、基板処理に支障が無い場合には、第１の流体、第２の流体の一方を液体、他方を気体とすることも可能である。
【００４１】
また、上記した第１〜第３の実施形態では、基板１２の搬送位置をセンサにより検出して、噴射ノズル部１８ａ、１８ｂからエッチング液（エアー）を噴射する噴射口の特定と、噴射量、噴射圧等を決定しているが、センサによる位置検出によらず、時間制御により上記決定を行うことができる。基板１２の処理、搬送は所定の一定速度で行われているので、時間制御が可能となる。複数の基板１２を順次処理する場合には、たとえば基板１２の搬入のタイミングを所定間隔にすることで、時間制御が可能となる。
【００４２】
また、噴射口１９からの噴射量を基板１２の位置に応じて徐々に変動させているが、これに限定するものではなく、噴射量等を一定としてもよい。さらには、基板１２に対する噴射角度（上下角度）を変更することで、噴射の基板１２に作用する力を変更させることができる。例えば、下流側に行くに従い、徐々にノズルを寝せる方向に傾斜させることにより、基板１２に作用する力を変えることができる。
【００４３】
また上記実施の形態では、第１の実施形態のようにエッチング処理装置に適用する場合には、噴射ノズル部１８ａ、１８ｂ噴射する処理液が基板中央部に届かないことが好ましいが、処理に影響がないのであれば、この点までを考慮する必要はない。
【００４４】
また、上記した基板１２の搬送機構１５（１５ａ〜１５ｄ）では、シャフト軸体２２にリング形状の搬送ローラ２３を所定間隔で挿着しているが、搬送ローラ２３に替えて、円筒形状の搬送ローラを挿着してもよい。
【００４５】
以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。
【符号の説明】
【００４６】
２  エッチング処理装置（基板処理装置）
１２  ガラス基板（基板）
１５（１５ａ〜１５ｄ）  搬送機構
１６  エッチング液（第１の流体）
１７  供給ノズル部（処理用流体供給部）
１８ａ、１８ｂ  噴射ノズル部（搬送安定化用流体供給部）
１９ａ〜１９ｈ  噴射口
２０  矢印（基板の搬送方向）
２１ａ〜２１ｈ  エッチング液（第２の流体）
２２ａ〜２２ｅ  シャフト軸体
２３ａ１〜２３ａ４  搬送ローラ
２３ｂ１〜２３ｂ４  搬送ローラ
２３ｃ１〜２３ｃ４  搬送ローラ
２３ｄ１〜２３ｄ４  搬送ローラ
２３ｅ１〜２３ｅ４  搬送ローラ
３１    エアーナイフ
５４    エッチング処理装置（基板処理装置）
６１    乾燥処理装置（基板処理装置）
６２    エアー
６３ａ〜６３ｈ    エアー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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