(57)【要約】【課題】  半導体装置の樹脂内に気泡が発生することを抑制し得る。【解決手段】半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子が一方の面に接合された第１の放熱板と、前記半導体素子を挟んで前記第１の放熱板に対向する第２の放熱板と、を有する一対の放熱板と、前記半導体素子及び前記第２の放熱板と接合されたスペーサブロックと、前記一対の放熱板の間に充填されている樹脂と、を備える。前記一方の面は、前記半導体素子の外縁に沿って延伸するとともに、その延伸方向に垂直な断面では、前記半導体素子に近づくにつれて深くなる周辺溝と、前記周辺溝の第１位置から前記第１の放熱板の周縁まで伸びる注入溝と、前記周辺溝の第２位置から前記第１の放熱板の周縁まで伸びる排出溝と、を有する。前記周辺溝の前記第１位置と前記第２位置は、前記半導体素子を挟んで互いに反対側に位置する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子が一方の面に接合された第１の放熱板と、前記半導体素子を挟んで前記第１の放熱板に対向する第２の放熱板と、を有する一対の放熱板と、
前記半導体素子及び前記第２の放熱板の間に位置しているとともに、前記半導体素子及び前記第２の放熱板のそれぞれと接合されたスペーサブロックと、
前記一対の放熱板の間に充填されている樹脂と、を備え、
前記第１の放熱板の前記一方の面は、
前記半導体素子の外縁に沿って延伸するとともに、その延伸方向に垂直な断面では、前記半導体素子に近づくにつれて深くなる周辺溝と、
前記周辺溝の第１位置から前記第１の放熱板の周縁まで伸びる注入溝と、
前記周辺溝の第２位置から前記第１の放熱板の周縁まで伸びる排出溝と、を有し、
前記周辺溝の前記第１位置と前記第２位置は、前記半導体素子を挟んで互いに反対側に位置する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する技術は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、半導体装置が開示されている。この半導体装置は、半導体素子と、一対の放熱板と、ブロック体（即ちスペーサブロック）と、樹脂と、を備える。一対の放熱板は、半導体素子が一方の面に載置されている第１の放熱板と、半導体素子を挟んで第１の放熱板に対向する第２の放熱板と、を有する。樹脂は、半導体素子を封止しており、一対の放熱板の間に充填されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−０６２４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の半導体装置の製造では、半導体素子を樹脂によって封止するために、通常、トランスファー成形（又は射出成形でもよい。以下においても同様）が実施される。このトランスファー成形では、一対の放熱板の間に半導体素子及びスペーサブロックがはんだ付けされた半製品を金型内に配置し、金型に設けられた注入口から金型内へ加熱された樹脂を注入する。金型内に注入された樹脂は、金型内の空間を充填するように広がり、一対の放熱板の間にも流れ込む。一対の放熱板の間に流れ込んだ樹脂は、半導体素子及びスペーサブロック（以下、半導体素子等）を避けるように、半導体素子等の一方側と他方側とに分岐して流れる。そして、一方側を通って流れた樹脂と、他方側を通って流れた樹脂は、半導体素子等を越えた位置で再び合流する。さらに樹脂の注入が続けられることによって、樹脂が一対の放熱板の間に充填される。
【０００５】
一対の放熱板の間を樹脂が流れるときに、半導体素子等から近い範囲（以下、内側範囲という）では、一対の放熱板による抵抗の影響が大きいので、樹脂が比較的にゆっくり流れる。一方、半導体素子等から遠い範囲（以下、外側範囲という）では、一対の放熱板による抵抗の影響が小さいので、樹脂が比較的に速く流れる。そのため、樹脂が半導体素子等の両側へ分岐して流れたときに、外側範囲を流れる樹脂が先に合流し、その後に内側範囲を流れる樹脂が合流することが起こり得る。この場合、樹脂によって空気が巻き込まれることにより、内側範囲に気泡（ボイド）が発生する。このような気泡は、その後に樹脂の注入が続けられても、樹脂内に残存するおそれがある。本明細書では、半導体装置の樹脂内に気泡が発生することを抑制し得る技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書で開示される半導体装置は、半導体素子と、半導体素子が一方の面に接合された第１の放熱板と、半導体素子を挟んで第１の放熱板に対向する第２の放熱板と、を有する一対の放熱板と、半導体素子及び第２の放熱板の間に位置しているとともに、半導体素子及び第２の放熱板のそれぞれと接合されたスペーサブロックと、一対の放熱板の間に充填されている樹脂と、を備える。第１の放熱板の一方の面は、半導体素子の外縁に沿って延伸するとともに、その延伸方向に垂直な断面では、半導体素子に近づくにつれて深くなる周辺溝と、周辺溝の第１位置から第１の放熱板の周縁まで伸びる注入溝と、周辺溝の第２位置から第１の放熱板の周縁まで伸びる排出溝と、を有する。周辺溝の第１位置と第２位置は、半導体素子を挟んで互いに反対側に位置する。
【０００７】
上記の半導体装置では、半導体素子が接合された第１放熱板の表面に、周辺溝が設けられている。周辺溝は、半導体素子の外縁に沿って延伸しており、その延伸方向に垂直な断面では、半導体素子に近づくにつれて深くなっている。これにより、一対の放熱板の間の内側範囲では、樹脂が流れることができるスペースが大きくなり、樹脂が受ける抵抗が緩和される。即ち、内側範囲において樹脂が流れやすくなる。また、半導体素子が接合された第１放熱板の表面には、注入溝と排出溝がさらに設けられている。注入溝と排出溝は、半導体素子を挟んで互いに反対側の位置において、それぞれ周辺溝から第１放熱板の周縁まで伸びている。これにより、内側範囲へ向かう樹脂の流れ、及び、内側範囲から排出される樹脂の流れが促進される。このような構成により、外側範囲を流れる樹脂が合流する前に、内側範囲を流れる樹脂が合流しやすくなっている。その結果、半導体装置の樹脂内に気泡が発生することを抑制し得る。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施例の半導体装置１０の正面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線における断面図。
【図３】図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図。
【図４】第１実施例の半導体装置１０の回路構成を示す回路図。
【図５】第１実施例の第１放熱板３６、３８が金型７０内に配置された様子を示す図。
【図６】比較例の半導体装置の製造工程においてトランスファー成形が実施される様子を示す図。
【図７】図６の続きの図。
【図８】第１実施例の半導体装置１０の製造工程においてトランスファー成形が実施される様子を示す図。
【図９】図８の続きの図。
【図１０】第２実施例の第２放熱板３２の斜視図。
【図１１】図１０中のＸＩ線における断面図。
【図１２】図１０中のＸＩＩ線における断面図。
【図１３】第３実施例の第１放熱板３６を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第１実施例）
図面を参照して、第１実施例の半導体装置１０について説明する。本実施例の半導体装置１０は、一例ではあるが、電力の変換や制御を行うための電力変換装置に用いられ、特に、インバータ回路の一つの上下アームを構成する。図１〜図４に示すように、半導体装置１０は、第１半導体素子１２と、第２半導体素子１４と、第１半導体素子１２及び第２半導体素子１４を封止する封止体２０を備える。第１半導体素子１２と第２半導体素子１４は、許容電流が１００アンペア以上であり、パワー半導体素子に属するものである。図４に示すように、第１半導体素子１２と第２半導体素子１４は、電気的に直列に接続されている。一例ではあるが、第１半導体素子１２と第２半導体素子１４のそれぞれは、単一の半導体基板にトランジスタ素子とダイオード素子が形成された半導体素子であり、互いに等しい構造及び特性を有する。なお、第１半導体素子１２及び第２半導体素子１４の構成は特に限定されない。第１半導体素子１２及び第２半導体素子１４は、ＩＧＢＴ又はＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）といったトランジスタ素子であってよく、また、必ずしもダイオード素子を内蔵する必要はない。
【００１０】
封止体２０は、樹脂材料で構成されている。なお、封止体２０を構成する樹脂材料は特に限定されず、パワー半導体素子向けの各種の封止材が採用可能である。封止体２０は、概して板状の形状を有しており、正面２１、背面２２、上面２３、下面２４、右側面２５及び左側面２６を有する。正面２１は、図面においてＸ軸正方向側の面である。背面２２は、図面においてＸ軸負方向側の面であり、正面２１の反対側に位置する。上面２３は、図面においてＺ軸正方向側の面であり、正面２１及び背面２２と隣り合う。下面２４は、図面においてＺ軸負方向側の面であり、上面２３の反対側に位置する。下面２４は、正面２１及び背面２２と隣り合う。右側面２５は、図面においてＹ軸負方向側の面であり、正面２１、背面２２、上面２３及び下面２４と隣り合う。左側面２６は、図面においてＹ軸正方向側の面であり、右側面２５の反対側に位置する。左側面２６は、正面２１、背面２２、上面２３及び下面２４と隣り合う。
【００１１】
封止体２０の正面２１及び背面２２は、互いに平行な平面であり、それらの法線はＸ軸に平行である。半導体装置１０が二つの冷却器の間に配置されたときに、封止体２０の正面２１及び背面２２は、それぞれ隣接する冷却器にグリスを介して対向する。
【００１２】
図１〜図４に示すように、半導体装置１０はさらに、二つの第１放熱板３６、３８と、二つの第２放熱板３２、３４とを備える。二つの第１放熱板３６、３８は、封止体２０の背面２２に露出している。第１放熱板３６、３８の構造の詳細については後述する。二つの第２放熱板３２、３４は、封止体２０の正面２１に露出している。換言すると、封止体２０は、放熱板３２、３６の間、及び放熱板３４、３８の間に充填されている。それぞれの放熱板３２、３４、３６、３８は、封止体２０を構成する材料よりも熱伝導率の高い材料で構成されており、半導体装置１０内で発生した熱（特に半導体素子１２、１４の発熱）を、半導体装置１０の外部へ放出する。一例ではあるが、本実施例における放熱板３２、３４、３６、３８は、金属材料（詳しくは銅）で構成されている。放熱板３２、３４、３６、３８を構成する材料は特に限定されない。放熱板３２、３４、３６、３８の一部又は全部を、セラミック材料その他の熱伝達率に優れた材料で構成することができる。また、封止体２０の正面２１又は背面２２に露出する放熱板の位置、大きさ、数も特に限定されない。
【００１３】
図２を参照して、封止体２０の内部の構成について説明する。なお、下記する説明は一例であり、半導体装置１０の構成を限定するものではない。図２に示すように、一方の第１放熱板３６は、はんだ層５３を介して第１半導体素子１２の下面電極１２ｂに接合されている。また、一方の第２放熱板３２は、第１スペーサブロック４２及びはんだ層５１、５２を介して、第１半導体素子１２の上面電極１２ａに接合されている。即ち、第１放熱板３６と第２放熱板３２は、第１半導体素子１２を挟んで対向する一対の放熱板を構成している。
【００１４】
第１スペーサブロック４２は、第１半導体素子１２及び第２放熱板３２の間に位置している。第１スペーサブロック４２は、はんだ層５２を介して第１半導体素子１２と接合され、はんだ層５１を介して第２放熱板３２と接合されている。第１スペーサブロック４２は、金属材料（詳しくは銅）で形成されており、封止体２０を構成する材料よりも高い熱伝達率を有する。これらにより、第１半導体素子１２は、封止体２０の背面２２に露出する第１放熱板３６と、封止体２０の正面２１に露出する第２放熱板３２の両者と熱的に接続されている。第１半導体素子１２で発生した熱は、第１放熱板３６及び第２放熱板３２へ伝達され、半導体装置１０の外部へ放出される。
【００１５】
第２半導体素子１４についても、同様の構成が採用されている。即ち、他方の第１放熱板３８は、はんだ層５６を介して第２半導体素子１４の下面電極１４ｂに接合されている。また、他方の第２放熱板３４は、第２スペーサブロック４４及びはんだ層５４、５５を介して、第２半導体素子１４の上面電極１４ａに接合されている。即ち、第１放熱板３８と第２放熱板３４は、第２半導体素子１４を挟んで対向する一対の放熱板を構成している。第２スペーサブロック４４は、金属材料（詳しくは銅）で形成されており、封止体２０を構成する材料よりも高い熱伝達率を有する。これらにより、第２半導体素子１４は、封止体２０の背面２２に露出する第１放熱板３８と、封止体２０の正面２１に露出する第２放熱板３４の両者と熱的に接続されている。第２半導体素子１４で発生した熱は、第１放熱板３８及び第２放熱板３４へ伝達され、半導体装置１０の外部へ放出される。
【００１６】
本実施例の半導体装置１０では、二つの第１放熱板３６、３８、二つの第２放熱板３２、３４、第１スペーサブロック４２及び第２スペーサブロック４４が、単に放熱用の部材ではなく、第１半導体素子１２及び第２半導体素子１４へ電気的に接続された導電経路を構成する。ここで、第２半導体素子１４の下面電極１４ｂに接続された第１放熱板３８の継手３９と、第１半導体素子１２の上面電極１２ａに接続された第２放熱板３２の継手３３は、はんだ層５７を介して接合されており、互いに電気的に接続されている。これにより、第１半導体素子１２と第２半導体素子１４が電気的に直列に接続されている。
【００１７】
図１、図３に示すように、半導体装置１０はさらに、複数の第１信号端子６２と、複数の第２信号端子６４とを備える。それぞれの第１信号端子６２及び第２信号端子６４は、封止体２０の上面２３から、図面においてＺ軸正方向に突出している。図３に示すように、複数の第１信号端子６２は、第１半導体素子１２に設けられた複数の信号パッド１２ｃへ電気的に接続されている。一例であるが、複数の第１信号端子６２には、ゲート信号用の信号端子、温度センス用の信号端子及び電流センス用の信号端子が含まれる。同様に、図示省略するが、複数の第２信号端子６４は、第２半導体素子１４に設けられた複数の信号パッドへ電気的に接続されている。複数の第１信号端子６２にも、例えば、ゲート信号用の信号端子、温度センス用の信号端子及び電流センス用の信号端子が含まれる。
【００１８】
半導体装置１０はさらに、正極端子６６と負極端子６７と出力端子６８とを備える。正極端子６６、負極端子６７及び出力端子６８は、封止体２０の下面２４から、図面においてＺ軸負方向に突出している。正極端子６６は、第１半導体素子１２の下面電極１２ｂに接合された第１放熱板３６と電気的に接続されている。負極端子６７は、第２半導体素子１４の上面電極１４ａに第２スペーサブロック４４を介して接合された第２放熱板３４と電気的に接続されている。そして、出力端子６８は、第２半導体素子１４の下面電極１４ｂに接合された第１放熱板３８と電気的に接続されている。これにより、正極端子６６は第１半導体素子１２の下面電極１２ｂと電気的に接続され、負極端子６７は第２半導体素子１４の上面電極１４ａと電気的に接続され、出力端子６８は第１半導体素子１２の上面電極１２ａ及び第２半導体素子１４の下面電極１４ｂと電気的に接続されている（図４参照）。
【００１９】
次いで、図２、３、５を参照して第１放熱板３６、３８の構造の詳細を説明する。半導体素子１２、１４は、トランスファー成形により封止体２０を構成する樹脂材料によって封止される。第１放熱板３６、３８は、トランスファー成形を適切に実施するために、以下で説明する構造を備える。図５には、トランスファー成形の際に第１放熱板３６、３８が金型７０内に配置された様子が示されている。金型７０は、封止体２０が注入される注入口７２を有する。第１放熱板３６は、周辺溝３６ａ、注入溝３６ｂ及び排出溝３６ｃを有する。周辺溝３６ａは、第１半導体素子１２の外縁に沿って延伸するとともに（図５参照）、その延伸方向に垂直な断面では、第１半導体素子１２に近づくにつれて深くなる（図２、図３参照）。注入溝３６ｂは、周辺溝３６ａの第１位置３７ａから第１放熱板３６の周縁まで伸びる。第１位置３７ａは、周辺溝３６ａのうち、注入口７２に最も近い位置である。排出溝３６ｃは、周辺溝３６ａの第２位置３７ｂから第１放熱板３６の周縁まで伸びる。第２位置３７ｂは、第１半導体素子１２を挟んで第１位置３７ａの反対側に位置する。
【００２０】
他方の第１放熱板３８についても、同様の構成が採用されている。即ち、第１放熱板３８は、周辺溝３８ａ、注入溝３８ｂ及び排出溝３８ｃを有する。周辺溝３８ａは、第２半導体素子１４の外縁に沿って延伸するとともに、その延伸方向に垂直な断面では、第２半導体素子１４に近づくにつれて深くなる。注入溝３８ｂは、周辺溝３８ａの第１位置３９ａから第１放熱板３６の周縁まで伸びる。第１位置３９ａは、周辺溝３８ａのうち、注入口７２に最も近い位置である。排出溝３８ｃは、周辺溝３８ａの第２位置３９ｂから第１放熱板３８の周縁まで伸びる。第２位置３９ｂは、第２半導体素子１４を挟んで第１位置３９ａの反対側に位置する。
【００２１】
図６、図７には、比較例の半導体装置の製造工程においてトランスファー成形が実施される様子が示されている。比較例の半導体装置では、第１放熱板３６、３８は、周辺溝、注入溝及び排出溝を有さない。トランスファー成形では、半製品を金型７０内に配置する。半製品では、一対の放熱板３２、３６の間に第１半導体素子１２及び第１スペーサブロック４２がはんだ付けされており、一対の放熱板３４、３８の間に第２半導体素子１４及び第２スペーサブロック４４がはんだ付けされている。ただし、図６、図７では、半導体素子１２、１４及びスペーサブロック４２、４４が省略され、半導体素子１２、１４が配置される位置が破線で示されている。注入口７２から金型７０内へ加熱された樹脂材料２０ａが注入されると、樹脂材料２０ａは、金型７０内の空間を充填するように広がり、一対の放熱板３４、３８の間にも流れ込む。一対の放熱板３４、３８の間に流れ込んだ樹脂材料２０ａは、第２半導体素子１４及び第２スペーサブロック４４を避けるように、第２半導体素子１４及び第２スペーサブロック４４の一方側と他方側とに分岐して流れる。そして、一方側を通って流れた樹脂材料２０ａと、他方側を通って流れた樹脂材料２０ａは、第２半導体素子１４及び第２スペーサブロック４４を越えた位置で再び合流する（図６参照）。
【００２２】
上記のように、分岐位置で分岐して流れる樹脂材料２０ａが合流する合流位置について説明する。樹脂材料２０ａの流れは、注入口７２から同心円状（あるいは放射状）に広がる第１の流れと、第１の流れが金型７０の側壁にぶつかることによって形成される第２の流れと、が合成された流れである。樹脂材料２０ａは、当該合成された流れによって、第２半導体素子１４及び第２スペーサブロック４４（以下、第２半導体素子１４等）の反対側に回り込む。ここで、第２半導体素子１４等から近い範囲（即ち内側範囲）では、第２の流れについて、一対の放熱板３４、３８による抵抗の影響が大きいので、流速が減少しやすい。そのため、内側範囲では、樹脂材料２０ａが比較的にゆっくり流れる。一方、第２半導体素子１４等から遠い範囲（即ち外側範囲）では、第２の流れについて、一対の放熱板３４、３８による抵抗の影響が小さいので、流速が減少しにくい。そのため、外側範囲では、樹脂材料２０ａが比較的に速く流れる。そのため、樹脂材料２０ａが第２半導体素子１４及び第２スペーサブロック４４の両側へ分岐して流れたときに、外側範囲を流れる樹脂材料２０ａが先に合流し、その後に内側範囲を流れる樹脂材料２０ａが合流する。その結果、樹脂材料２０ａと第２半導体素子１４との間に空気が巻き込まれ、内側範囲に気泡が発生する（図６参照）。
【００２３】
樹脂材料２０ａの注入が続けられると、同様に、第１半導体素子１２及び第１スペーサブロック４２から近い範囲（即ち内側範囲）でも気泡が発生する。そして、さらに樹脂材料２０ａの注入が続けられることによって、樹脂材料２０ａが一対の放熱板３４、３８の間と、一対の放熱板３２、３６の間と、に充填される。しかし、二箇所の内側範囲に発生した気泡は、半導体装置１０内に残存することがある。このように気泡が残存すると、半導体装置１０内のはんだ層５１〜５６の歪振幅が増加し、はんだ層５１〜５６が劣化するおそれがある。
【００２４】
図８、図９には、本実施例の半導体装置１０の製造工程においてトランスファー成形が実施される様子が示されている。比較例と同様に、半製品が金型７０内に配置され、注入口７２から金型７０内へ加熱された樹脂材料２０ａが注入されると、樹脂材料２０ａは、金型７０内の空間を充填するように広がり、一対の放熱板３４、３８の間にも流れ込む。一対の放熱板３４、３８の間に流れ込んだ樹脂材料２０ａは、分岐位置で一方側と他方側とに分岐して流れ、合流位置で再び合流する（図８参照）。ただし、比較例と異なり、本実施例では、第１放熱板３８の内側範囲に周辺溝３８ａが設けられているので（図５参照）、樹脂材料２０ａが流れることができるスペースが大きくなり、樹脂材料２０ａが受ける抵抗が緩和される。即ち、内側範囲において樹脂材料２０ａが流れやすくなる。また、第１放熱板３８の表面に注入溝３８ｂと排出溝３８ｃがさらに設けられているので（図５参照）、内側範囲へ向かう樹脂材料２０ａの流れ、及び、内側範囲から排出される樹脂材料２０ａの流れが促進される。このような構成により、外側範囲を流れる樹脂材料２０ａが合流する前に、内側範囲を流れる樹脂材料２０ａが合流しやすくなっている。その結果、半導体装置１０の封止体２０内に気泡が発生することを抑制することができる（図８参照）。樹脂材料２０ａの注入が続けられると、同様に、第１放熱板３６の内側範囲でも気泡を抑制することができる（図９参照）。
【００２５】
（第２実施例）
第２実施例では、第２放熱板３２、３４の構造のみが第１実施例とは異なる。図１０には、本実施例の第２放熱板３２が示されている。また、第１スペーサブロック４２が接合される領域が破線で示されている。半導体装置１０内での第２放熱板３２の位置関係について、第２放熱板３２の頂点Ａは、第１放熱板３６の注入溝３６ｂに対向し、頂点Ｃは、第１放熱板３６の排出溝３６ｃに対向する。
【００２６】
第２放熱板３２のＸ軸方向の厚さは、Ｚ軸負方向側の面の中央部分と、Ｙ軸正方向側の面の中央部分と、において最大となっている。第２放熱板３２のＸ軸方向の厚さは、第１スペーサブロック４２が接合される領域と、第２放熱板３２の頂点Ｂ、Ｃ、Ｄによって形成される三角形ＢＣＤの内部と、線分ＡＣ上と、において最小となっている。第２放熱板３２のＸ軸負方向側の面は、Ｘ軸方向の厚さが最大となる位置から、Ｘ軸方向の厚さが最小となる位置にかけて傾斜している（図１１、図１２参照）。なお、図示省略しているが、第２放熱板３４も、第２放熱板３２と同様の構造である。
【００２７】
第２放熱板３２がこのような構造を採用していることによって、第１放熱板３６の外側範囲では、トランスファー成形において樹脂材料２０ａが流れることができるスペースが小さくなっている。これにより、外側範囲において樹脂材料２０ａが流れにくくなる。そのため、外側範囲を流れる樹脂材料２０ａが合流する前に、内側範囲を流れる樹脂材料２０ａがより合流しやすくなっている。その結果、半導体装置１０の封止体２０内に気泡が発生することをより効果的に抑制することができる。なお、他方の第２放熱板３４についても同様の作用及び効果を奏することができる。
【００２８】
（第３実施例）
第３実施例では、第１放熱板３６、３８の構造のみが第１実施例とは異なる。第１放熱板３６のＸ軸正方向側の面（即ち、第２放熱板３２に対向する面）は、表面が比較的に平滑な第１領域３６ｄ（図１３の色付きでない領域）と、表面が比較的に粗い第２領域３６ｅ（図１３の色付きの領域）と、を含む。第１領域３６ｄは、第１半導体素子１２の周縁から第１距離Ｌ０までの範囲である。第２領域３６ｅは、第１領域３６ｄの外側に位置し、第１放熱板３６の周縁まで広がっている。第１半導体素子１２の周縁から第１放熱板３６の周縁（即ち第２領域３６ｅの周縁）までの距離を第２距離Ｌとしたときに、第１領域３６ｄの周縁までの第１距離Ｌ０に対する第２距離Ｌの比の値（Ｌ／Ｌ０）は、２よりも大きく、３よりも小さいことが望ましい。なお、図示省略しているが、第１放熱板３８も第１放熱板３６と同様の構造を有する。
【００２９】
第１放熱板３６がこのような構造を採用していることによって、第１放熱板３６の内側範囲で流れる樹脂材料２０ａへの抵抗が小さくなり、第１放熱板３６の外側範囲で流れる樹脂材料２０ａへの抵抗が大きくなっている。即ち、内側範囲において樹脂材料２０ａが流れやすくなり、外側範囲において封止体２０が流れにくくなる。そのため、外側範囲を流れる樹脂材料２０ａが合流する前に、内側範囲を流れる樹脂材料２０ａがより合流しやすくなっている。その結果、半導体装置１０の樹脂材料２０ａ内に気泡が発生することをより効果的に抑制することができる。なお、第１放熱板３８についても、同様の作用及び効果を奏することができる。
【００３０】
以上、いくつかの具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。以下に、本明細書の開示内容から把握される技術的事項を列記する。なお、以下に記載する技術的事項は、それぞれが独立した技術的事項であり、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものである。例えば、第２実施例において、第１放熱板３６、３８のそれぞれは、周辺溝、注入溝及び排出溝を有さなくてもよい。第２放熱板３２、３４の少なくとも一方が、図１０〜１２に示される構造を有すること自体で、半導体装置１０の封止体２０内に気泡が発生することを抑制するという一定の効果を奏し得る。また、第３実施例において、第１放熱板３６、３８のそれぞれは、周辺溝、注入溝及び排出溝を有さなくてもよい。第１放熱板３６、３８の少なくとも一方が第１領域と第２領域とを含むこと自体で、半導体装置１０の封止体２０内に気泡が発生することを抑制するという一定の効果を奏し得る。
【符号の説明】
【００３１】
１０、１００：半導体装置
１２：第１半導体素子
１２ａ：上面電極
１２ｂ：下面電極
１２ｃ：信号パッド
１４：第２半導体素子
１４ａ：上面電極
１４ｂ：下面電極
２０：封止体
２１：封止体の正面
２２：封止体の背面
２３：封止体の上面
２４：封止体の下面
２５：封止体の右側面
２６：封止体の左側面
３２、３４：第２放熱板
３３、３９：継手
３６、３８：第１放熱板
３６ａ、３８ａ：周辺溝
３６ｂ、３８ｂ：注入溝
３６ｃ、３８ｃ：排出溝
３７ａ、３７ｂ、３９ａ、３９ｂ：位置
３９：継手
４２、４４：スペーサブロック
５１〜５７：はんだ層
６２：第１信号端子
６４：第２信号端子
６６：正極端子
６７：負極端子
６８：出力端子
７０：金型
７２：注入口
Ａ〜Ｄ：頂点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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