(57)【要約】【課題】絶縁基板表面に対して優れた密着性と、均一な厚みを有する微細金属配線を簡便に、精度良く、且つ前記基板の絶縁性を低下させること無く形成することができる組成物を提供する。【解決手段】本発明の絶縁基板上に金属配線を形成するための組成物は、配位性基を備えた化合物の前記配位性基に金属イオンが配位した化合物（Ａ）と、前記化合物（Ａ）の配位性基との反応性を有する基を備えた化合物（Ｂ）とを含む。前記化合物（Ａ）の配位性基としては、カルボキシル基が好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
配位性基を備えた化合物の前記配位性基に金属イオンが配位した化合物（Ａ）と、前記化合物（Ａ）の配位性基との反応性を有する基を備えた化合物（Ｂ）とを含む、絶縁基板上に金属配線を形成するための組成物。
【請求項２】
化合物（Ａ）が、配位性基と重合性基とを備えた化合物の前記配位性基に金属イオンが配位した化合物である請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
化合物（Ａ）の配位性基がカルボキシル基である請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
化合物（Ａ）が、金属イオンが配位したカルボキシル基と、炭素−炭素二重結合とを備えた化合物である請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
化合物（Ａ）が、金属イオンが配位したカルボキシル基を備えた（メタ）アクリル酸エステルである請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
化合物（Ｂ）における配位性基との反応性を有する基が、エポキシ基、オキセタン基、イソシアネート基、又はアミノ基である請求項１〜５の何れか１項に記載の組成物。
【請求項７】
下記工程を有する金属配線の形成方法。
工程１：請求項１〜６の何れか１項に記載の組成物を使用して配線パターン形状の塗膜を形成する
工程２：塗膜を硬化させる
工程３：塗膜表面に存在する金属イオンを金属として析出させる
【請求項８】
工程１において、配線パターン形状の塗膜の形成をインプリント法又は印刷法を用いて行う請求項７に記載の金属配線の形成方法。
【請求項９】
工程３において、金属イオンを還元することにより金属として析出させる請求項７又は８に記載の金属配線の形成方法。
【請求項１０】
絶縁基板上に、請求項７〜９の何れか１項に記載の金属配線の形成方法により金属配線を形成することを特徴とする配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板上に金属配線を形成するための組成物、前記組成物を使用して金属配線を形成する方法、及び前記方法を用いた配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品を表面に固定し、その部品間を配線で接続することで電子回路を形成する用途に用いられるプリント配線板の製造方法としては、ドライプロセス（真空蒸着法やスパッタリング法等）により、絶縁基板の表面全体に金属層を形成したものを出発材として使用し、前記出発材の金属層の不必要な部位を、フォトリソグラフ法を用いて形成したマスクを利用してエッチングし、エッチング終了後にマスクを除去することにより金属配線を形成する方法（サブトラクティブ法）が知られている。しかし、近年のプリント配線板は、電子機器の小型化、高機能化に伴う配線板の高密度化に対応するため、より微細な配線パターンの形成が求められており、サブトラクティブ法では微細な配線パターンを精度良く形成することは困難であった。
【０００３】
より微細な配線パターンを形成する方法としてはアディティブ法が知られている。この方法では、絶縁基板の表面に、フォトリソグラフ法を用いて配線パターン形状の凹部を有する樹脂層を形成し、その後、メッキ処理により前記凹部に金属層を形成してから樹脂層を除去することによって金属配線を形成する。この方法によれば、微細な配線パターンを、優れた生産性で形成することができる。しかし、絶縁基板と金属配線間の密着力が弱く、はがれやすいことが問題であった。
【０００４】
絶縁基板と金属配線間の密着力を向上する方法として、特許文献１には、絶縁基板としてのポリイミド基板の表面をアルカリ水溶液で処理してカルボキシル基を生成させ、生成したカルボキシル基に金属イオンを配位させてカルボキシル基の金属塩としたのち、紫外線を照射することによって金属イオンを還元して金属薄層を形成し、更に前記金属薄層表面にメッキ処理を施して増膜することにより金属配線を形成する方法が提案されている。また、特許文献２には、金属イオンが配位したポリアミック酸からなる樹脂層の表面に還元処理を施して金属薄層を形成し、更に金属薄層表面にメッキ処理を施して増膜することにより金属配線を形成する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−７３１５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１００１３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者等が検討した結果、特許文献１や２に記載の発明では、カルボキシル基に配位した金属イオンを還元して金属を析出させた後は、絶縁基板表面に存在するフリーのカルボキシル基によって絶縁性が低下して、漏電や短絡等の問題が生じることがわかった。そして、絶縁性の低下を防止するためには、熱処理を施してポリアミック酸をポリイミドに変換する必要があるが、ポリイミド化には、４００℃近い高温で加熱する必要があり、高温により金属配線が劣化することがわかった。
【０００７】
その他、インクジェット法により金属ナノ粒子を含有するインキを絶縁基板上に吐出し、その後、焼成することにより金属配線を形成する方法も知られているが、金属ナノ粒子は凝集し易く、インキ中の金属ナノ粒子を高分散した状態で保持することは困難であり、金属ナノ粒子の凝集により均一な膜厚を有する金属配線を形成することは困難である。また、吐出された金属ナノ粒子は焼成により互いに接合されて導電性を有する配線を形成するが、金属ナノ粒子の数が不十分であると配線が断線し、過剰であると配線の厚みが不均一になるなど、金属ナノ粒子の数を適度な範囲にコントロールすることは困難である。
【０００８】
従って、本発明の目的は、絶縁基板表面に対して優れた密着性と、均一な厚みを有する微細金属配線を簡便に、精度良く、且つ前記基板の絶縁性を低下させること無く形成することができる組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記組成物を使用して絶縁基板上に金属配線を形成する方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記組成物を使用して配線板を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は上記課題を解決するため鋭意検討した結果、配位性基に金属イオンを配位させた構成を有する化合物（Ａ）に、前記配位性基との反応性を有する基を備えた化合物（Ｂ）を配合して得られる組成物は、金属成分をイオンとして含有するため金属成分を高分散した状態を経時安定的に保持できること、インプリント法や印刷法等によって、絶縁基板上に微細な配線パターンを形成することができること、前記化合物（Ａ）に配位した金属イオンを金属として析出させても、絶縁性の低下を引き起こす原因となるフリーの配位性基は、化合物（Ｂ）が有する反応性基と反応することによって消失し、更に前記化合物（Ａ）のフリーの配位性基と化合物（Ｂ）が有する反応性基との反応はポリアミック酸のポリイミド化に比べて温和な条件で進行するため、高温で加熱しなくても絶縁性の低下の問題を解消でき、その後は必要に応じてメッキ処理を施すことにより、絶縁基板表面に対して優れた密着性と、均一な厚みを有する微細な金属配線を精度良く形成することができることを見いだした。本発明はこれらの知見に基づいて完成させたものである。
【００１０】
すなわち、本発明は、配位性基を備えた化合物の前記配位性基に金属イオンが配位した化合物（Ａ）と、前記化合物（Ａ）の配位性基との反応性を有する基を備えた化合物（Ｂ）とを含む、絶縁基板上に金属配線を形成するための組成物を提供する。
【００１１】
本発明は、また、化合物（Ａ）が、配位性基と重合性基とを備えた化合物の前記配位性基に金属イオンが配位した化合物である前記の組成物を提供する。
【００１２】
本発明は、また、化合物（Ａ）の配位性基がカルボキシル基である前記の組成物を提供する。
【００１３】
本発明は、また、化合物（Ａ）が、金属イオンが配位したカルボキシル基と、炭素−炭素二重結合とを備えた化合物である前記の組成物を提供する。
【００１４】
本発明は、また、化合物（Ａ）が、金属イオンが配位したカルボキシル基を備えた（メタ）アクリル酸エステルである前記の組成物を提供する。
【００１５】
本発明は、また、化合物（Ｂ）における配位性基との反応性を有する基が、エポキシ基、オキセタン基、イソシアネート基、又はアミノ基である前記の組成物を提供する。
【００１６】
本発明は、また、下記工程を有する金属配線の形成方法を提供する。
工程１：前記の組成物を使用して配線パターン形状の塗膜を形成する
工程２：塗膜を硬化させる
工程３：塗膜表面に存在する金属イオンを金属として析出させる
【００１７】
本発明は、また、工程１において、配線パターン形状の塗膜の形成をインプリント法又は印刷法を用いて行う前記の金属配線の形成方法を提供する。
【００１８】
本発明は、また、工程３において、金属イオンを還元することにより金属として析出させる前記の金属配線の形成方法を提供する。
【００１９】
本発明は、また、絶縁基板上に、前記の金属配線の形成方法により金属配線を形成することを特徴とする配線板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の組成物は、金属成分をイオンの状態で含有するため、金属成分が凝集することがなく、組成を均一に保持することができる。そのため、本発明の組成物を用いれば、インプリント法や印刷法等によって、絶縁基板上に高精度の配線パターンを簡便に、且つ安価に形成することができる。そして、高温で加熱しなくても基板の絶縁性の低下を引き起こすことがなく、必要に応じてメッキ処理を施すことにより、均一な厚みを有し、絶縁基板に対して優れた密着性を有する微細な金属配線を精度良く形成することができる。以上の効果を併せて有するため、本発明の組成物を用いれば、短絡や漏電の発生を抑制して、高い信頼性を有する、小型、高機能の電子機器を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は本発明の組成物を、インプリント法を用いてパターン形成する方法の一例を示す模式図である。
【図２】図２は本発明の組成物を、インプリント（凸版転写）法を用いてパターン形成する方法の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
［絶縁基板上に金属配線を形成するための組成物］
本発明の組成物は絶縁基板上に金属配線を形成するための組成物であり、配位性基を備えた化合物の前記配位性基に金属イオンが配位した化合物（Ａ）と、前記化合物（Ａ）の配位性基との反応性を有する基を備えた化合物（Ｂ）とを含むことを特徴とする。
【００２３】
本発明の組成物は、化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）以外にも必要に応じて他の成分を１種又は２種以上含有していても良い。他の成分としては、例えば、化合物（Ａ）との重合性を有するモノマー（例えば、ラジカル硬化性モノマー等）、重合開始剤、光増感剤、反応触媒、溶媒、フィラー（例えば、タルク、シリカ等の金属酸化物等）等を挙げることができる。
【００２４】
（化合物（Ａ））
本発明における化合物（Ａ）は、配位性基を備えた化合物の前記配位性基に金属イオンが配位した化合物である。
【００２５】
化合物（Ａ）は配位性基として１種又は２種以上の基を含有する。前記配位性基は金属イオンと配位結合する性質を有する基であり、例えば、カルボキシル基、フェノール基、スルホン酸基等を挙げることができる。本発明においては、なかでも、硬化物の電気特性に優れ、且つ電気特性の信頼性に優れる点、より詳細には、化合物（Ｂ）の反応性基との反応性に特に優れ、化合物（Ｂ）の反応性基との結合を経時安定的に維持できるため、フリーの配位性基（具体的には、カルボキシル基、フェノール基、スルホン酸基等）による絶縁性の低下を抑制することができ、更に、経時で結合が切断され、フリーの配位性基（具体的には、カルボキシル基、フェノール基、スルホン酸基等）が生じることによる絶縁性の低下を防止することができる点でカルボキシル基が好ましい。
【００２６】
また、化合物（Ａ）は金属イオンが配位した配位性基と共に重合性基を備えることが、室温において、インプリント法又は印刷法を用いて配線パターンを高精度に転写できると同時に、硬化により、耐熱性、耐候性、及び電気特性に優れた金属配線を形成することができる点で好ましい。化合物（Ａ）１分子中に備わる重合性基の数としては、例えば１〜５０個である。
【００２７】
前記重合性基としては、例えば、ラジカル重合性基やカチオン重合性基が挙げられる。本発明における化合物（Ａ）としては、なかでも重合性基としてラジカル重合性基を備えた化合物が、反応性、反応速度、及び汎用性に優れる点で好ましく、特に重合性基として炭素−炭素二重結合を備えた化合物が好ましい。
【００２８】
化合物（Ａ）は、配位性基を備えた化合物（好ましくは配位性基と重合性基を備えた化合物）の前記配位性基に金属イオンが配位した化合物であり、例えば、配位性基を備えた化合物（好ましくは配位性基と重合性基を備えた化合物）（「化合物（Ａ’）」と称する）と金属イオン含有水溶液を混合することにより、化合物（Ａ’）の配位性基に金属イオンを配位させることで製造することができる。金属イオンを配位させた後は、未反応の金属イオンは水洗等により除去することが好ましい。
【００２９】
前記化合物（Ａ’）としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル［例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸Ｃ1-10アルキルエステル；ベンジル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、シクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボロニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、２−（ジシクロペンテニルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、２−（ジシクロペンタニルオキシ）エチル（メタ）アクリレート等の分子内に環状構造（脂肪族環状構造又は芳香族環状構造）を有する（メタ）アクリル酸エステル等］、スチレン系化合物［例えば、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、又はビニルナフタレンに配位性基が結合した化合物等］、ビニルエーテル化合物［例えば、メチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、又はフェニルビニルエーテルに配位性基が結合した化合物等］等のモノマーや、これらのオリゴマー又はポリマー等を挙げることができる。尚、「（メタ）アクリル酸」とは「アクリル酸」または「メタクリル酸」を意味する。また、「（メタ）アクリレート」とは「アクリレート」または「メタクリレート」を意味する。
【００３０】
前記化合物（Ａ’）の酸価は、例えば１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが好ましく、より好ましくは５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、更に好ましくは１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、更に好ましくは３００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、特に好ましくは４００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、最も好ましくは６００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上である。尚、酸価の上限は、例えば８００ｍｇＫＯＨ／ｇ程度である。従って、化合物（Ａ）としては、配位性基を備えた、酸価が１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の化合物の前記配位性基に金属イオンが配位した化合物であることが好ましい。上記範囲の酸価を有する化合物（Ａ’）に金属イオンを配位させて得られた化合物（Ａ）を使用すると、密着性に優れた金属配線を形成することができる点で好ましい。また、上記範囲のなかでもより高い酸価（例えば３００〜８００ｍｇＫＯＨ／ｇ、好ましくは４００〜８００ｍｇＫＯＨ／ｇ、特に好ましくは６００〜８００ｍｇＫＯＨ／ｇ）を有する化合物（Ａ’）に金属イオンを配位させて得られた化合物（Ａ）を含む組成物を使用すれば、より薄い塗膜でも十分な金属薄膜が得られ、密着性に優れた金属配線を形成することができるため、配線層の薄膜化が可能となり、電子機器の一層の小型化、高密度化に対応することが可能となる。一方、上記範囲を下回る酸価を有する化合物（Ａ’）に金属イオンを配位させて得られた化合物（Ａ）を使用すると、組成物中の金属イオン濃度が低いため、前記金属イオンを金属として析出させても、十分な金属薄膜が得られにくくなるため、その後、メッキ処理を施しても密着性に優れた金属配線を形成することが困難となる傾向がある。
【００３１】
金属イオンとしては、導電性を有する配線を形成することができる金属イオンを使用することが好ましく、例えば、金イオン、銀イオン、銅イオン、タングステンイオン、タンタルイオン、チタンイオン、錫イオン、インジウムイオン、カドミウムイオン、バナジウムイオン、クロムイオン、マンガンイオン、アルミニウムイオン、鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、亜鉛イオンや、白金アンミン錯体、パラジウムアンミン錯体等の錯体由来の金属イオン等を挙げることができる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００３２】
以上より、化合物（Ａ）としては、配位性基と重合性基を備えた化合物の前記配位性基に金属イオンが配位した化合物が好ましく、より好ましくは金属イオンが配位した配位性基を備えたラジカル硬化性化合物、更に好ましくは金属イオンが配位した配位性基と炭素−炭素二重結合とを備えた化合物、更に好ましくは金属イオンが配位した配位性基を備えた（メタ）アクリル酸エステル、特に好ましくは金属イオンが配位したカルボキシル基を備えたラジカル硬化性化合物、とりわけ好ましくは金属イオンが配位したカルボキシル基と炭素−炭素二重結合とを備えた化合物、最も好ましくは金属イオンが配位したカルボキシル基を備えた（メタ）アクリル酸エステルである。
【００３３】
（化合物（Ｂ））
本発明における化合物（Ｂ）は、化合物（Ａ）の配位性基との反応性を有する基（本明細書においては、「反応性基」と称する場合がある）を１種又は２種以上備えた化合物である。
【００３４】
前記反応性基としては、例えば、エポキシ基、オキセタン基、イソシアネート基、アミノ基等を挙げることができる。また、化合物（Ｂ）１分子中に備わる前記反応性基の数としては、高度に架橋構造を形成することにより、耐熱性、耐候性、及び電気特性（例えば、絶縁性）に優れる硬化物（若しくは、金属配線）が得られる点で、２個以上が好ましく、特に２〜４個が好ましい。
【００３５】
本発明の組成物は、なかでも、化合物（Ｂ）としてエポキシ基（オキシラン環）を２個以上備えた化合物を含有することが好ましく、特にグリシジル基を２個以上備えた化合物を含有することが好ましい。本発明の組成物が化合物（Ｂ）としてこれらの化合物を含有すると、絶縁基板の表面官能基とエポキシ基、又はエポキシ基が配位性基と反応した後に生成する水酸基が結合するためか、若しくは前記エポキシ基又は水酸基により絶縁基板との親和性が高まるためか、絶縁基板との密着性に特に優れた塗膜（若しくは、金属配線）を形成することができる。
【００３６】
化合物（Ｂ）は上記反応性基と共に硬化性基（例えば、炭素−炭素二重結合等のラジカル重合性基）を有していてもよい。すなわち、化合物（Ｂ）はラジカル硬化性化合物であってもよい。
【００３７】
エポキシ基を有する化合物（Ｂ）としては、例えば、エポキシ変性シロキサン化合物、脂環式エポキシ化合物、芳香族エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、及び複素環式エポキシ化合物等が挙げられる。
【００３８】
＜エポキシ変性シロキサン化合物＞
前記エポキシ変性シロキサン化合物としては、例えば、エポキシ変性シリコーンやエポキシ変性ポリオルガノシルセスキオキサン等を挙げることができる。
【００３９】
前記エポキシ変性シリコーンは、ジメチルシリコーン骨格の末端及び側鎖の少なくとも１つにエポキシ基を導入した化合物である。
【００４０】
前記エポキシ変性ポリオルガノシルセスキオキサンは、シルセスキオキサン構造と、それに結合したエポキシ基を有するポリシロキサン化合物であり、前記シルセスキオキサン構造には、ランダム型構造、カゴ型構造、及びラダー型構造等が含まれる。
【００４１】
＜脂環式エポキシ化合物＞
前記脂環式エポキシ化合物としては、例えば、分子内に脂環及びグリシジルエーテル基を有する化合物（グリシジルエーテル型エポキシ化合物）等を挙げることができる。より詳しくは、例えば、２，２−ビス［４−（２，３−エポキシプロポキシ）シクロへキシル］プロパン、２，２−ビス［３，５−ジメチル−４−（２，３−エポキシプロポキシ）シクロへキシル］プロパンなどのビスフェノールＡ型エポキシ化合物を水素化した化合物（水素化ビスフェノールＡ型エポキシ化合物）；ビス［ｏ，ｏ−（２，３−エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタン、ビス［ｏ，ｐ−（２，３−エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタン、ビス［ｐ，ｐ−（２，３−エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタン、ビス［３，５−ジメチル−４−（２，３−エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタンなどのビスフェノールＦ型エポキシ化合物を水素化した化合物（水素化ビスフェノールＦ型エポキシ化合物）；水素化ビフェノール型エポキシ化合物；水素化フェノールノボラック型エポキシ化合物；水素化クレゾールノボラック型エポキシ化合物；ビスフェノールＡの水素化クレゾールノボラック型エポキシ化合物；水素化ナフタレン型エポキシ化合物；トリスフェノールメタンから得られるエポキシ化合物を水素化した化合物等が挙げられる。
【００４２】
＜芳香族エポキシ化合物＞
前記芳香族エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノール類［例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フルオレンビスフェノール等］と、エピハロヒドリンとの縮合反応により得られるエピビスタイプグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；これらのエピビスタイプグリシジルエーテル型エポキシ樹脂を上記ビスフェノール類とさらに付加反応させることにより得られる高分子量エピビスタイプグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；フェノール類［例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等］とアルデヒド［例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等］とを縮合反応させて得られる多価アルコール類を、さらにエピハロヒドリンと縮合反応させることにより得られるノボラック・アルキルタイプグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；フルオレン環の９位に２つのフェノール骨格が結合し、かつこれらフェノール骨格のヒドロキシ基から水素原子を除いた酸素原子に、それぞれ、直接又はアルキレンオキシ基を介してグリシジル基が結合しているエポキシ化合物等が挙げられる。
【００４３】
＜脂肪族エポキシ化合物＞
前記脂肪族エポキシ化合物としては、例えば、ｑ価の環状構造を有しないアルコール（ｑは自然数である）のグリシジルエーテル；一価又は多価カルボン酸のグリシジルエステル；二重結合を有する油脂のエポキシ化物；エポキシ化ポリブタジエン等のポリオレフィン（ポリアルカジエンを含む）のエポキシ化物等が挙げられる。尚、上記ｑ価の環状構造を有しないアルコールとしては、例えば、一価のアルコール、二価のアルコール、三価以上の多価アルコール等が挙げられる。また、ｑ価の環状構造を有しないアルコールは、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリオレフィンポリオール等であってもよい。
【００４４】
＜複素環式エポキシ化合物＞
前記複素環式エポキシ化合物としては、トリアジン環、イソシアヌル環、ヒダントイン環、グリコールウリル環等のヘテロ原子として少なくとも窒素を含有する化合物の、前記窒素原子にエポキシ基（例えば、グリシジル基等）が置換した化合物等を挙げることができる。具体的には、１，３，４，６−テトラグリシジルグリコールウリル、トリグリシジルイソシアヌレート等を挙げることができる。
【００４５】
本発明の組成物において、化合物（Ｂ）の含有量（２種以上含有する場合はその総量）は、化合物（Ａ）の配位性基１モルに対して、化合物（Ｂ）中の反応性基が例えば０．５〜３モル、なかでも０．８〜１．５モル、とりわけ０．９〜１．２モルとなる範囲であることが、絶縁基板の絶縁性の低下を十分に抑制することができる点で好ましい。化合物（Ｂ）の含有量が上記範囲を下回ると、絶縁性の低下の抑制が困難となる場合がある。一方、化合物（Ｂ）の含有量が過剰となると、相対的に化合物（Ａ）の含有量が少なくなり、金属イオン導入量が少なくなるため、十分な金属薄膜が得られにくくなり、その後、メッキ処理を施しても密着性に優れた金属配線を形成することが困難となる傾向がある。
【００４６】
（ラジカル硬化性モノマー）
本発明の組成物は、化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）以外にもラジカル硬化性モノマーを含有していても良く、ラジカル硬化性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルへキシル等の単官能モノマーや、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート等の多官能モノマーを挙げることができる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００４７】
本発明においては、なかでも多官能モノマーを使用することが、硬化物の架橋密度を向上することにより、より耐熱性、耐候性に優れる硬化物（若しくは、金属配線）が得られる点で好ましい。一方、硬化物の架橋密度が高くなりすぎると、脆く、割れやすくなる場合があるが、その場合は、単官能モノマーを配合することが好ましい。これにより、架橋密度を適度に低下させることができ、得られる硬化物に強靱性を付与し、脆性を改良することができる。
【００４８】
上記ラジカル硬化性モノマーの使用量（２種以上含有する場合はその総量）としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して例えば０〜３００重量部程度であり、上限は、好ましくは２００重量部、特に好ましくは１００重量部、最も好ましくは６０重量部である。また、下限は、好ましくは１重量部、特に好ましくは５重量部、最も好ましくは１０重量部である。本発明の組成物がラジカル硬化性モノマーを上記範囲で含有すると、耐熱性、及び電気特性に優れた配線板を形成することができる。また、インプリント法により配線パターン形状を転写する際に、モールドとの離型性に優れ、離型不良による歩留まりの低下を抑制することができる点で好ましい。
【００４９】
本発明の組成物は硬化性化合物として化合物（Ａ）と、化合物（Ｂ）と、上記ラジカル硬化性モノマー以外にも他の硬化性化合物を含有していても良いが、組成物に含まれる全硬化性化合物における、化合物（Ａ）と、化合物（Ｂ）と、上記ラジカル硬化性モノマーの合計含有量の占める割合は、例えば６０重量％以上が好ましく、より好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは８０重量％以上、最も好ましくは９０重量％以上である。尚、上限は１００重量％である。他の硬化性化合物の含有量が過剰となると、本発明の効果が得られにくくなる傾向がある。
【００５０】
また、本発明の組成物に含まれる不揮発性成分全量における、化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、及び上記ラジカル硬化性モノマーの合計含有量の占める割合は、例えば７０重量％以上、好ましくは８０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上、最も好ましくは９５重量％以上である。
【００５１】
（重合開始剤）
重合開始剤には、光ラジカル重合開始剤、及び熱ラジカル重合開始剤が含まれる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００５２】
光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノンベンジル、ベンジルジメチルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ジメトキシアセトフェノン、ジメトキシフェニルアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、ジフェニルジサルファイト、オルトベンゾイル安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル（日本化薬（株）製、商品名「カヤキュアＥＰＡ」等）、２，４−ジエチルチオキサンソン（日本化薬（株）製、商品名「カヤキュアＤＥＴＸ」等）、２−メチル−１−［４−（メチル）フェニル］−２−モルホリノプロパノン−１（チバガイギ−（株）製、商品名「イルガキュア９０７」等）、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバガイギ−（株）製、商品名「イルガキュア１８４」等）、２−ジメチルアミノ−２−（４−モルホリノ）ベンゾイル−１−フェニルプロパン等の２−アミノ−２−ベンゾイル−１−フェニルアルカン化合物、テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、ベンジル、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等のアミノベンゼン誘導体、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾ−ル（保土谷化学（株）製、商品名「Ｂ−ＣＩＭ」等）等のイミダゾール化合物、２，６−ビス（トリクロロメチル）−４−（４−メトキシナフタレン−１−イル）−１，３，５−トリアジン等のハロメチル化トリアジン化合物、２−トリクロロメチル−５−（２−ベンゾフラン２−イル−エテニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のハロメチルオキサジアゾール化合物等を挙げることができる。
【００５３】
前記熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物類を挙げることができる。上記有機過酸化物類としては、例えば、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステル、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシケタール、ケトンパーオキサイド等（具体的には、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイル）パーオキシヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジブチルパーオキシヘキサン、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、１，４−ジ（２−ｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、メチルエチルケトンパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート等）が含まれる。
【００５４】
さらに、上記熱ラジカル重合開始剤とともに、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸マンガン、ナフテン酸亜鉛、オクテン酸コバルト等のナフテン酸やオクテン酸のコバルト、マンガン、鉛、亜鉛、バナジウム等の金属塩を併用することができる。同様に、ジメチルアニリン等の第３級アミンも使用することができる。
【００５５】
重合開始剤の使用量（配合量）は、本発明の組成物に含まれるラジカル硬化性化合物（化合物（Ａ）と、化合物（Ｂ）がラジカル硬化性化合物である場合は化合物（Ｂ）と、上記ラジカル硬化性モノマーの合計）１００重量部に対して、例えば０．０１〜５重量部程度、好ましくは０．１〜３重量部である。
【００５６】
（溶媒）
本発明の組成物は、粘度を調整する目的で溶媒を含有していても良い。前記溶媒としては、例えば、キシレン、トルエン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒；シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒；メチルセロソルブ、セロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、カルビトール、ブチルカルビトール、ジエチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−アミル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、３−メトキシブチルアセテート等のエステル系溶媒；ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、シクロヘキサノール、２−エチルヘキサノール、３−メチル−３−メトキシブタノール等のアルコール系溶媒等を挙げることができる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００５７】
溶媒の使用量としては、本発明の組成物中の固形分濃度が、例えば２５〜１００重量％程度となる範囲である。
【００５８】
［金属配線の形成方法］
本発明の金属配線の形成方法は、下記工程を有する。
工程１：本発明の組成物を使用して配線パターン形状の塗膜を形成する
工程２：塗膜を硬化させる
工程３：塗膜表面に存在する金属イオンを金属として析出させる
【００５９】
工程１における、組成物を使用して配線パターン形状の塗膜（配線パターン形状の凹部を有する塗膜も含まれる）を形成する方法としては、例えば、印刷法（例えば、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等が含まれる）、若しくは凸版転写法により、絶縁基板上に組成物を配線パターン形状に塗布する方法や、ローラー塗布、バーコート、スプレーコート等により組成物を絶縁基板表面に塗布して塗膜を形成し、その後、前記塗膜にインプリント法により配線パターン形状を転写する方法を採用することができる。
【００６０】
本発明の組成物は、金属成分をイオンの状態で含有するため、金属成分が凝集することがなく、組成を均一に保持することができる。そのため、インプリント法や印刷法によって、絶縁基板上に高精度の配線パターンを簡便に、且つ安価に形成することができる。
【００６１】
インプリント法には、（１）本発明の組成物を絶縁基板上に塗布して塗膜を形成し、該塗膜に配線パターン形状の凸部を有するモールドを押し付けて配線パターン形状が転写された塗膜（＝配線パターン形状の凹部を有する塗膜）を形成する方法や、（２）配線パターン形状の凸部を有するモールドの凸部に本発明の組成物を付着させて、付着した組成物を絶縁基板上に押し付けることで配線パターン形状の塗膜を形成する方法（凸版転写法）が含まれる。
【００６２】
グラビア印刷法では、本発明の組成物をインクとして用い、配線パターン形状の凹部を有する版の凹部に前記インクを塗布して、それを絶縁基板上に転写することによって、配線パターン形状の塗膜を形成する。
【００６３】
スクリーン印刷法では、配線パターン形状の孔を有する孔版を介して、本発明の組成物を絶縁基材上に塗布することによって配線パターン形状の塗膜を形成する。
【００６４】
また、インクジェット印刷法では、本発明の組成物をインクとして用い、絶縁基板上に、前記インクを噴射・塗布することによって、配線パターン形状の塗膜を形成する。インクジェット印刷法としては、サーマル方式、ピエゾ方式等を採用できる。
【００６５】
本発明においては、なかでもインプリント法を採用することが、高解像度の配線を形成することができる点、及び少ない工程数で配線を形成することができるため、コストの面で有利である点で好ましい。
【００６６】
本発明の組成物中の化合物（Ａ）及び／又は化合物（Ｂ）としてラジカル硬化性化合物を使用する場合、若しくは本発明の組成物中に上記ラジカル硬化性モノマーを含有する場合は、工程１において、配線パターン形状の塗膜を形成する際に（例えば、インプリント法によって塗膜を形成する場合は、モールドを絶縁基板上に押し付けた状態において）、前記ラジカル硬化性化合物及び／又はラジカル硬化性モノマーのラジカル硬化反応を進行させることが、より高精度の配線パターンを形成することができる点で好ましい。
【００６７】
そして、本発明の組成物が重合開始剤として光ラジカル重合開始剤を含有する場合は、紫外線を照射することによってラジカル硬化反応を進行させることができる。また、熱ラジカル重合開始剤を含有する場合は加熱処理を施すことによってラジカル硬化反応を進行させることができる。
【００６８】
前記紫外線の光源としては、光を照射することによりラジカル硬化反応を進行させることができる光源であれば良く、例えば、ＵＶ−ＬＥＤ、低、中、高圧水銀ランプのような水銀ランプ、水銀キセノンランプ、メタルハライドランプ、タングステンランプ、アーク灯、エキシマランプ、エキシマレーザ、半導体レーザ、ＹＡＧレーザ、レーザと非線形光学結晶とを組み合わせたレーザシステム、高周波誘起紫外線発生装置等を使用することができる。紫外線照射量（積算光量）は、例えば１０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2程度である。
【００６９】
加熱処理を施す場合、加熱温度は２５〜１５０℃程度、加熱時間は１秒〜５分程度である。
【００７０】
工程２における塗膜の硬化は、化合物（Ａ）の配位性基と化合物（Ｂ）の反応性基とを反応させることにより行われる。本発明の組成物では、化合物（Ｂ）が化合物（Ａ）の配位性基（金属イオンが外れて、フリーとなったもの）と反応して、例えば前記反応性基がエポキシ基又はオキセタン基である場合は前記配位性基をエステル化し、前記反応性基がイソシアネート基又はアミノ基である場合は前記配位性基をアミド化するため、絶縁基板の絶縁性を保持することができる。フリーの配位性基は導電性を示すため、絶縁基板の表面に残存すると、絶縁性の劣化が引き起こされる。
【００７１】
化合物（Ａ）の配位性基と化合物（Ｂ）の反応性基との反応は、ポリアミック酸のポリイミド化に要する加熱温度（４００℃程度）に比べて温和な条件で加熱処理を施すことにより進行させることができ、加熱温度は１００〜２５０℃程度、加熱時間は１分〜３０分程度である。
【００７２】
工程３における塗膜表面に存在する金属イオンを金属として析出させる方法としては、例えば、金属イオンを還元することによって行なうことができる。そして、金属イオンの還元は、例えば、下記（１）又は（２）の方法によって行なうことができる。
（１）還元剤を含む溶液で塗膜表面を処理する方法
（２）還元ガスや不活性ガスの雰囲気下で塗膜表面に加熱処理を施す方法
【００７３】
（１）の場合、還元剤としては、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸及びその塩、ジメチルアミンボラン等から選択される１種又は２種以上を使用することが好ましく、前記還元剤を含む溶液中に、工程２を経て得られる塗膜の硬化物を１〜３０分程度浸漬することが好ましい。
【００７４】
（２）の場合、還元ガスとしては、例えば、水素ガス、水素−窒素混合ガス、ボラン−窒素混合ガス等を使用することができる。また、不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等を使用することができる。
【００７５】
還元処理終了後は、蒸留水等で洗浄することが好ましい。これにより塗膜表面に残存する金属イオンを除去することができ、金属イオンが存在することによる絶縁性の低下を抑制することができる。
【００７６】
工程３において金属を析出させることにより、塗膜表面に、膜厚が１０〜５００ｎｍ程度の金属薄膜を形成することができる。このようにして形成された金属薄膜は、その一部が絶縁基材表面の塗膜中に埋包されているため、アンカー効果により絶縁基材の表面に対して非常に優れた密着性を有する。
【００７７】
金属配線の厚みは、電気抵抗やノイズ低減の観点から、μｍ単位の膜厚を有することが好ましい。このため、金属薄膜の厚みを増すことが必要とされる場合は、更に、工程３において形成された金属薄膜の表面にメッキ処理（無電解メッキ及び／又は電解メッキ処理）を施してメッキ膜を設ける工程を設けることが好ましい。このようにして形成されたメッキ膜は金属薄膜との密着性に優れ、且つ前記金属薄膜は上述の通り絶縁基材表面に優れた密着性を有するため、メッキ膜は絶縁基板表面の密着性に優れる。
【００７８】
更に、メッキ膜を形成した後は、余分なメッキ膜を除去することが好ましく、例えば、化学的機械研磨（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishing）等の方法により除去することができる。
【００７９】
本発明の金属配線の形成方法としては、例えば、図１に示される方法（インプリント法）が挙げられる。
（１）絶縁基板の表面に本発明の組成物を塗布して塗膜を形成する。
（２）前記塗膜に配線パターン形状の凸部を有するモールドを押し付けて配線パターンを塗膜に転写し、紫外線照射を行ってからモールドを取り除く。
（３）塗膜を硬化させる。
（４）硬化塗膜の表面を還元剤で処理して金属を析出させることにより、硬化塗膜表面に金属薄膜を形成する。
（５）メッキ処理を施してメッキ膜を形成する。
（６）余分なメッキ膜を除去する。
【００８０】
本発明の金属配線の形成方法としては、その他、図２に示される方法（凸版転写法）が挙げられる。
（１）配線パターン形状の凸部を有するモールドの凸部分に、本発明の組成物を付着させる。
（２）モールドの凸部分に付着した組成物を絶縁基板の表面に押し付けて、紫外線照射を行ってからモールドを取り除くことにより、配線パターン形状の塗膜を絶縁基板表面に形成する。
（３）塗膜を硬化させる。
（４）硬化塗膜の表面を還元剤で処理して金属を析出させることにより、硬化塗膜表面に金属薄膜を形成する。
（５）メッキ処理を施してメッキ膜を形成する。
【００８１】
上記方法で形成された金属配線は絶縁基板表面に優れた密着性を有する。また、前記金属配線は導電性に優れ、電気抵抗値は、例えば１×１０-2Ωｃｍ以下、好ましくは１×１０-3〜１×１０-5Ωｃｍである。
【００８２】
［配線板の製造方法］
本発明の配線板の製造方法は、上記金属配線の形成方法により絶縁基板上に金属配線を形成することを特徴とする。本発明によれば、均一な厚みを有し、絶縁基板に対して優れた密着性を有する、高精度の微細金属配線を有する配線板を形成することができる。更に、得られた配線板にコンデンサ等の各種部品を接続することにより回路板（例えば、フレキシブル回路板、フレックスリジッド回路板、ＴＡＢキャリアなどの回路板等）を形成することができ、前記回路板を備えた電子機器は、小型、高機能で、且つ短絡や漏電の発生を抑制して、高い信頼性を有する。
【実施例】
【００８３】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００８４】
調製例１
下記式（１）で表されるアクリルオリゴマー［商品名「サイクロマーＰ（ＡＣＡ）Ｚ３２０」（ダイセル・オルネクス（株）製）、平均分子量（Ｍｗ）：２３０００、酸価１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ］に５０ｍＭ濃度のＣｕＳＯ4水溶液を混合することによって、前記アクリルオリゴマーのカルボキシル基に銅イオンを配位させ、遠心分離によりゲル状の銅イオン含有アクリルオリゴマーを分離し、さらに蒸留水で余分な銅イオンを除去してゲル状の銅イオン含有アクリルオリゴマーを得た。得られたゲル状の銅イオン含有アクリルオリゴマーをＰＧＭＥＡ（（株）ダイセル製）に溶解させて銅イオン含有アクリルオリゴマー溶液を得た。
【００８５】
得られた銅イオン含有アクリルオリゴマー溶液１１４ｇ（不揮発分換算）、ビスフェノールＡグリシジルエーテル（東都化成（株）製）４７ｇ（銅イオン含有アクリルオリゴマー中のカルボキシル基１モルに対して、ビスフェノールＡグリシジルエーテル中のエポキシ基１モル）、トリメチロールプロパントリアクリレート（ダイセル・オルネクス（株）製）５０ｇ、及び光ラジカル重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」、ＢＡＳＦ社製）２ｇを混合して、固形分濃度５０重量％の組成物（Ａ）を得た。
【００８６】
【化１】
2017128757.tif 000002
【００８７】
調製例２
アクリル酸銅（II）（Ａｌｆａ  Ａｅｓａｒ社製、アクリル酸の酸価：７７９ｍｇＫＯＨ／ｇ）２０ｇをシクロヘキサノン１２０ｇに溶解し、それをフィルター（孔径：０．２５μｍ）に通して得られた溶液７０ｇ（不揮発分換算）に、１，３，４，６−テトラグリシジルグリコールウリル（四国化成工業（株）製）２０ｇ（アクリル酸銅（II）中のカルボキシル基１モルに対して、１，３，４，６−テトラグリシジルグリコールウリル中のエポキシ基１．１モル）、トリメチロールプロパントリアクリレート（ダイセル・オルネクス（株）製）１０ｇ、及び光ラジカル重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」、ＢＡＳＦ社製）０．６ｇを混合して、固形分濃度３３重量％の組成物（Ｂ）を得た。
【００８８】
実施例１
（インプリント法によるパターン形成）
シリコンウエハ上に、調製例１で得られた組成物（Ａ）を、スピンコーター（Ｄｒｙ）を用いて塗布して、１０μｍ厚の塗膜を形成した。次いで、コンピュータで制御されたインプリント装置（商品名「ＮＭ−０４０１」、明昌機工（株）製）を用いてモールドを塗膜に押し付けてパターンの転写を行い、モールドを塗膜に押し付けた状態で紫外線照射を行ってパターンを形成した。尚、モールドとしては、Ｌ／Ｓ（線幅／線間隔）が２μｍのＰＤＭＳ製モールドを使用した。
（硬化）
パターンが形成された塗膜をオーブンに入れ（２００℃で５分間）、塗膜中のカルボキシル基とエポキシ基を反応させて、硬い硬化塗膜を得た。
（還元）
次いで、得られた硬化塗膜をＤＭＡＢ（ジメチルアミノボラン、和光純薬工業（株）製）水溶液に５分間浸漬し、その後、蒸留水で洗浄したところ、硬化塗膜表面に銅薄膜が析出していることが観察された。
（メッキ）
次に、銅薄膜が析出した硬化塗膜を、無電解ニッケルメッキ浴（商品名「トップニコロンＴＯＭ−Ｓ」、奥野製薬工業（株）製）中に８０℃において３０秒間浸漬させて、電気銅メッキの下地となるニッケル層を形成した。更に、電気銅メッキ浴中で３．５Ａ／ｄｍ2の電気密度で電気メッキを行った。
最後に表面をＣＭＰ研削して、２μｍの線幅及び厚みを持つ金属配線を得た。
【００８９】
実施例２
調製例１で得られた組成物（Ａ）に代えて調製例２で得られた組成物（Ｂ）を使用した以外は実施例１と同様にして（インプリント法によるパターン形成）から（還元）の処理を行ったところ、硬化塗膜表面に銅薄膜が析出していることが観察された。更に、実施例１と同様に（メッキ）処理を行ったところ、２μｍの線幅及び厚みを持つ金属配線が得られた。
【００９０】
実施例３
（インプリント（凸版転写）法によるパターン形成）
調製例１で得られた組成物（Ａ）を用いて模擬的に凸版印刷により塗膜を形成した。詳細には、コンピュータで制御されたインプリント装置（商品名「ＮＭ−０４０１」、明昌機工（株）製）に、凸型の配線パターン（Ｌ／Ｓ：５μｍ）を備えたＰＤＭＳモールドをセットした。
シリコンウエハ上に、スピンコーター（Ｄｒｙ）を用いて組成物（Ａ）を塗布して、３００ｎｍ膜厚の塗膜を作成した。
室温にて、インプリント装置に備えたモールドを前記塗膜に接触させて、塗膜をモールドに付着させ、次いで、モールドに付着した塗膜を、モールドをガラス基板に接触させることで、ガラス基板に転写し、モールドがガラス基板に接触した状態で紫外線照射を行ってパターンを形成した。
その後、パターンが形成された塗膜について、実施例１と同様に（硬化）から（還元）の処理を行ったところ、塗膜表面に銅薄膜が析出していることが観察された。
更に、実施例１と同様に（メッキ）処理を行った。金属配線の厚みを５μｍとしたところ、線幅は５．９μｍ程度であった。
【００９１】
実施例４
調製例１で得られた組成物（Ａ）に代えて、調製例２で得られた組成物（Ｂ）を用いた以外は実施例３と同様に（インプリント（凸版転写）法によるパターン形成）から（還元）の処理を行ったところ、塗膜表面に銅薄膜が析出していることが観察された。
更に、実施例３と同様に（メッキ）処理を行った。金属配線の厚みを５μｍとしたところ、線幅は５．５μｍであった。
【００９２】
実施例５
実施例４と同様の方法で、（インプリント（凸版転写）法によるパターン形成）から（還元）の処理を行って、塗膜表面に銅薄膜を析出させた。この銅薄膜の厚みは１００ｎｍ、線幅は５μｍであり、モールドと同形状の配線パターンを形成することができていた。
この後、得られた塗膜（表面に銅薄膜を有する塗膜）を、５０℃に調温した下記組成の中性無電解銅メッキ浴（ｐＨ：６．７５）に３時間浸漬した。
このように無電解銅メッキ浴を行ったところ、銅薄膜の表面に銅が析出し、膜厚が５μｍの均一な無電解銅メッキ膜が得られた。無電解銅メッキ膜の電気抵抗値は３×１０-5Ωｃｍであり、導電性に優れた電子回路基板の回路を形成することができた。
＜中性無電解銅メッキ浴組成＞
ＣｕＣｌ2：０．０５Ｍ
エチレンジアミン：０．６０Ｍ
Ｃｏ（ＮＯ3）2：０．１５Ｍ
アスコルビン酸：０．０１Ｍ
２，２’−ビピリジル：２０ｐｐｍ
【００９３】
実施例６
（インクジェット印刷法によるパターン形成）
紫外線照射装置を付帯したインクジェット印刷装置を用い、インクカートリッジに、調製例２で得られた組成物（Ｂ）を充填し、ガラス基板表面に線幅１０μｍの配線パターンを描画してパターンを形成した。
その後、パターンが形成された塗膜について、実施例１と同様に（硬化）から（還元）の処理を行ったところ、塗膜表面に銅薄膜が析出していることが観察された。
更に、実施例１と同様に（メッキ）処理を行った。金属配線の厚みを５μｍとしたところ、線幅は５．９μｍ程度であった。
【符号の説明】
【００９４】
１      配線パターン形状の凸部を有するモールド
２      本発明の組成物からなる塗膜
３      絶縁基板
４      本発明の組成物の硬化物（硬化塗膜）
５      金属薄膜
６      メッキ膜
【図１】
2017128757.tif 000003
【図２】
2017128757.tif 000004