(57)【要約】【課題】本発明は、メンテナンス状態や待機状態のデバイス製造装置がある場合でも、他のデバイス製造装置から排出される可燃性ガスを含む第１の排ガスの除害処理を行うことが可能であり、また、可燃性ガスを含まない第２の排ガスを、除害装置をバイパスさせて、除害装置が必要とする熱量を低減可能であり、さらに、過剰な熱量で第１の排ガスの処理が行われることを抑制可能な排ガス処理方法を提供することを課題とする。【解決手段】第１及び第２の可燃性ガスを含む第１の排ガスを除害装置７４に供給するとともに、第１及び第２の可燃性ガスを含まない第２の排ガスを、除害装置７４をバイパスさせ、第１の排ガスを排出するデバイス製造装置２９，３９の台数に基づいて、必要最小限の除害装置７４の熱量を算出し、該熱量に基づいた量の燃料またはエネルギーを除害装置７４に供給することで、除害処理を行う。【選択図】図１
2017142004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを製造する複数のデバイス製造装置から排出される可燃性ガスを含んだ第１の排ガスを処理する１台の除害装置を用いた排ガス処理方法であって、
制御部により、複数のデバイス製造装置に設けられた可燃性ガス供給弁の開閉状態を検知する開閉状態検知工程と、
前記開閉状態検知工程において、前記複数のデバイス製造装置のうち、前記可燃性ガス供給弁が開状態と検知されたデバイス製造装置から排出された前記第１の排ガスを、排ガス供給ラインを介して、前記除害装置に供給するとともに、前記複数のデバイス製造装置のうち、前記可燃性ガス供給弁が閉状態と検知されたデバイス製造装置から排出された前記可燃性ガスを含まない第２の排ガスを、排ガス供給ラインから分岐し、かつ前記除害装置をバイパスするバイパスラインに供給するライン切替工程と、
前記除害装置により、前記第１の排ガスの除害処理を行う除害工程と、
を含み、
前記除害工程では、前記制御部により、前記複数のデバイス製造装置のうち、前記可燃性ガス供給弁が開状態と検知されたデバイス製造装置の台数に基づいて、前記第１の排ガスの処理に必要な前記除害装置の熱量を算出し、該熱量に基づいた量の燃料またはエネルギーを前記除害装置に供給することを特徴とする排ガス処理方法。
【請求項２】
前記可燃性ガス供給弁は、空圧弁であり、
前記開閉状態検知工程において、前記制御部は、前記空圧弁の開閉信号または制御空気圧の有無により、前記空圧弁の開閉状態を検知することを特徴とする請求項１記載の排ガス処理方法。
【請求項３】
前記可燃性ガス供給弁は、電磁弁であり、
前記開閉状態検知工程において、前記制御部は、前記電磁弁の開閉信号により、前記電磁弁の開閉状態を検知することを特徴とする請求項１記載の排ガス処理方法。
【請求項４】
前記排ガス供給ラインには、前記制御部と電気的に接続された第１の自動弁が設けられており、
前記バイパスラインには、前記制御部と電気的に接続された第２の自動弁が設けられており、
前記ライン切替工程では、前記可燃性ガス供給弁の開閉状態に応じて、前記制御部が前記第１及び第２の自動弁の開閉を制御することを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の排ガス処理方法。
【請求項５】
前記除害装置は、液化石油ガス、都市ガス、メタン、プロパン、ブタン、水素のうち、いずれか１種を前記燃料として使用する燃焼式除害装置であることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の排ガス処理方法。
【請求項６】
前記除害装置は、前記可燃性ガスを酸化・熱分解させるヒーター式除害装置であり、
前記除害工程では、前記除害装置の出口側の温度を、前記可燃性ガスを酸化・熱分解させるために必要な温度の下限値と等しくすることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の排ガス処理方法。
【請求項７】
前記除害装置は、プラズマを用いて前記可燃性ガスを酸化・熱分解させるプラズマ式除害装置であり、
前記プラズマ式除害装置は、前記第１の排ガスの除害処理に必要な前記プラズマ式除害装置に基づいた前記エネルギーに対応するプラズマを印加することを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の排ガス処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体、液晶、太陽光発電パネル、及び発光ダイオード（ＬＥＤ）等の電子デバイスを成膜するデバイス製造装置から排出され、可燃性ガスを含む排ガスを処理する排ガス処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体、液晶、太陽光発電パネル、及び発光ダイオード（ＬＥＤ）等の電子デバイスを製造する際に使用するデバイス製造装置から排出される排ガスを処理するために、除害装置が用いられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１には、半導体の製造装置から排出される排ガスに燃料ガス及び空気を混合し、排ガス中に含まれる有害成分を燃焼させて除害する燃焼室と、燃焼室に供給される燃料ガスの流量を調整する燃料ガス流量調整器と、燃焼室に供給される空気の流量を調整する空気流量調整器と、製造装置から燃焼室へ送られる排ガスの流量を、製造装置に導入される反応ガスの流量の測定値に基づいて算出する演算装置と、演算装置から送られた排ガスの流量に基づいてその流量に見合う燃料ガス及び空気の供給流量を算出し、その結果に基づいて燃料ガス流量調整器及び前記空気流量調整器を制御する制御装置と、を備えた燃焼式除害装置が開示されている。
【０００４】
ところで、近年の除害装置の大型化（処理能力の向上）に伴い、複数のデバイス製造装置から排出される排ガスを、１台の除害装置で処理することが行われている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
特許文献２には、複数のＣＶＤ装置から排出された排ガスを、燃焼式除害装置に導入して燃焼除害処理を行い、燃焼式除害装置から導出された一次処理ガスを触媒酸化式除害装置に導入して、触媒酸化処理を行うことで、排ガス中の水素やアンモニア等の可燃性ガスの除害処理を行うことが開示されている。
また、特許文献２には、複数のＣＶＤ装置と燃焼式除害装置とがそれぞれ１つの排ガスラインで接続されている図が開示されている。
さらに、特許文献２には、燃焼式除害装置から導出された一次処理ガスの温度を温度測定手段で測定し、測定した一次処理ガスの温度に応じて燃料供給量、大気供給量、冷却水供給量を制御し、一次処理ガスの温度を触媒酸化式除害装置における最適処理温度に調節することにより、燃焼式除害装置の燃料消費量の削減が可能となることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４６９０５９７号公報
【特許文献２】特許第５７８５９７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示された燃焼式除害装置では、製造装置（デバイス製造装置）に導入される反応ガスの流量の測定値、及び排ガスの流量に基づいてその流量に見合う燃料ガス及び空気の供給流量を算出しているが、排ガス中に含まれる粒子状の副生成物がマスフローメーターのセンサーを汚染するため、マスフローメーターの誤計測を起こしてしまう。
これにより、排ガスの流量を継続的にマスフローメーターで精度良く測定することは、非常に困難であった。
このため、ガスの無害化に必要な燃料が過剰に供給される可能性や、ガスの無害化に必要な燃料よりも少ない量の燃料が供給される可能性があった。
そして、ガスの無害化に必要な燃料が過剰に供給された場合には、必要以上の熱量で除害処理が行われる恐れがあり、ガスの無害化に必要な燃料よりも少ない量の燃料が供給された場合には、ガスの無害化処理を十分に行えない恐れがあった。
【０００８】
特許文献２に開示された技術では、複数のＣＶＤ装置と燃焼式除害装置とがそれぞれ１つの排ガスラインで接続されているため、複数のＣＶＤ装置のうち、いずれかの処理チャンバが故障或いはメンテナンスしている期間において、燃焼式除害装置を用いて、残りのＣＶＤ装置から排出される排ガスの処理を行うことができないという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、複数のデバイス製造装置のいずれかがメンテナンス状態や待機状態の場合でも、残りのデバイス製造装置から排出される可燃性ガスを含んだ第１の排ガスの除害処理を行うことが可能であり、可燃性ガスを含まない第２の排ガスを、除害装置をバイパスさせることで、除害装置が除害処理に必要な熱量を小さくすることを可能とし、さらに、過剰な熱量を用いて除害装置による第１の排ガスの処理が行われることを抑制可能な排ガス処理方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明によれば、電子デバイスを製造する複数のデバイス製造装置から排出される可燃性ガスを含んだ第１の排ガスを処理する１台の除害装置を用いた排ガス処理方法であって、制御部により、複数のデバイス製造装置に設けられた可燃性ガス供給弁の開閉状態を検知する開閉状態検知工程と、前記開閉状態検知工程において、前記複数のデバイス製造装置のうち、前記可燃性ガス供給弁が開状態と検知されたデバイス製造装置から排出された前記第１の排ガスを、排ガス供給ラインを介して、前記除害装置に供給するとともに、前記複数のデバイス製造装置のうち、前記可燃性ガス供給弁が閉状態と検知されたデバイス製造装置から排出された前記可燃性ガスを含まない第２の排ガスを、排ガス供給ラインから分岐し、かつ前記除害装置をバイパスするバイパスラインに供給するライン切替工程と、前記除害装置により、前記第１の排ガスの除害処理を行う除害工程と、を含み、前記除害工程では、前記制御部により、前記複数のデバイス製造装置のうち、前記可燃性ガス供給弁が開状態と検知されたデバイス製造装置の台数に基づいて、前記第１の排ガスの処理に必要な前記除害装置の熱量を算出し、該熱量に基づいた量の燃料またはエネルギーを前記除害装置に供給することを特徴とする排ガス処理方法が提供される。
【００１１】
また、請求項２に係る発明によれば、前記可燃性ガス供給弁は、空圧弁であり、前記開閉状態検知工程において、前記制御部は、前記空圧弁の開閉信号または制御空気圧の有無により、前記空圧弁の開閉状態を検知することを特徴とする請求項１記載の排ガス処理方法が提供される。
【００１２】
また、請求項３に係る発明によれば、前記可燃性ガス供給弁は、電磁弁であり、前記開閉状態検知工程において、前記制御部は、前記電磁弁の開閉信号により、前記電磁弁の開閉状態を検知することを特徴とする請求項１記載の排ガス処理方法が提供される。
【００１３】
また、請求項４に係る発明によれば、前記排ガス供給ラインには、前記制御部と電気的に接続された第１の自動弁が設けられており、前記バイパスラインには、前記制御部と電気的に接続された第２の自動弁が設けられており、前記ライン切替工程では、前記可燃性ガス供給弁の開閉状態に応じて、前記制御部が前記第１及び第２の自動弁の開閉を制御することを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の排ガス処理方法が提供される。
【００１４】
また、請求項５に係る発明によれば、前記除害装置は、液化石油ガス、都市ガス、メタン、プロパン、ブタン、水素のうち、いずれか１種を前記燃料として使用する燃焼式除害装置であることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の排ガス処理方法が提供される。
【００１５】
また、請求項６に係る発明によれば、前記除害装置は、前記可燃性ガスを酸化・熱分解させるヒーター式除害装置であり、前記除害工程では、前記除害装置の出口側の温度を、前記可燃性ガスを酸化・熱分解させるために必要な温度の下限値と等しくすることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の排ガス処理方法が提供される。
【００１６】
また、請求項７に係る発明によれば、前記除害装置は、プラズマを用いて前記可燃性ガスを酸化・熱分解させるプラズマ式除害装置であり、前記プラズマ式除害装置は、前記第１の排ガスの除害処理に必要な前記プラズマ式除害装置に基づいた前記エネルギーに対応するプラズマを印加することを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の排ガス処理方法が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、複数のデバイス製造装置のいずれかがメンテナンス状態や待機状態の場合でも、残りのデバイス製造装置から排出される可燃性ガスを含んだ第１の排ガスの除害処理を行うことができ、また可燃性ガスを含まない第２の排ガスを、除害装置をバイパスさせることで、除害装置が除害処理に必要な熱量を小さくでき、さらに、過剰な熱量を用いて除害装置による第１の排ガスの処理が行われることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る排ガス処理方法を行う際に使用する排ガス処理システムの概略構成を模式的に示す図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る排ガス処理方法を行う際に使用する排ガス処理システムの概略構成を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の排ガス処理システムの寸法関係とは異なる場合がある。
【００２０】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る排ガス処理方法を行う際に使用する排ガス処理システムの概略構成を模式的に示す図である。
なお、図１では、説明の便宜上、排ガス処理システム１０以外の構成についても図示する。また、図１では、一例として、３つのデバイス製造装置１９，２９，３９を除害装置７４と接続した場合を例に挙げて図示する。
【００２１】
初めに、図１に示す排ガス処理システム１０以外の構成である第１の可燃性ガス供給源１１，２１，３１、第２の可燃性ガス供給源１２，２２，３２、不活性ガス供給源１３，２３，３３、第１の可燃性ガス供給ライン１５，２５，３５、第２の可燃性ガス供給ライン１６，２６，３６、不活性ガス供給ライン１７，２７，３７、及びデバイス製造装置１９，２９，３９について、順次説明する。
【００２２】
第１の可燃性ガス供給源１１は、第１の可燃性ガス供給ライン１５を介して、デバイス製造装置１９を構成するチャンバ４１内に第１の可燃性ガス（例えば、アンモニアガス（ＮＨ３））を供給する。
第２の可燃性ガス供給源１２は、第２の可燃性ガス供給ライン２５を介して、チャンバ４１内に第１の可燃性ガスとは異なる第２の可燃性ガス（例えば、水素ガス（Ｈ２））を供給する。
不活性ガス供給源１３は、不活性ガス供給ライン１７を介して、チャンバ４１内に不活性ガス（例えば、水素ガス（Ｎ２））を供給する。
【００２３】
第１の可燃性ガス供給ライン１５は、その一端が第１の可燃性ガス供給源１１と接続されており、他端がチャンバ４１と接続されている。
第２の可燃性ガス供給ライン１６は、その一端が第２の可燃性ガス供給源１２と接続されており、他端がチャンバ４１と接続されている。
不活性ガス供給ライン１７は、その一端が不活性ガス供給源１３と接続されており、他端がチャンバ４１と接続されている。
【００２４】
第１の可燃性ガス供給源２１は、第１の可燃性ガス供給ライン２５を介して、デバイス製造装置２９を構成するチャンバ５１内に第１の可燃性ガス（例えば、アンモニアガス（ＮＨ３））を供給する。
第２の可燃性ガス供給源２２は、第２の可燃性ガス供給ライン２６を介して、チャンバ５１内に第２の可燃性ガス（例えば、水素ガス（Ｈ２））を供給する。
不活性ガス供給源２３は、不活性ガス供給ライン２７を介して、チャンバ５１内に不活性ガス（例えば、窒素ガス（Ｎ２））を供給する。
【００２５】
第１の可燃性ガス供給ライン２５は、その一端が第１の可燃性ガス供給源２１と接続されており、他端がチャンバ５１と接続されている。
第２の可燃性ガス供給ライン２６は、その一端が第２の可燃性ガス供給源２２と接続されており、他端がチャンバ５１と接続されている。
不活性ガス供給ライン２７は、その一端が不活性ガス供給源２３と接続されており、他端がチャンバ５１と接続されている。
【００２６】
第１の可燃性ガス供給源３１は、第１の可燃性ガス供給ライン３５を介して、デバイス製造装置３９を構成するチャンバ６１内に第１の可燃性ガス（例えば、アンモニアガス（ＮＨ３））を供給する。
第２の可燃性ガス供給源３２は、第２の可燃性ガス供給ライン３６を介して、チャンバ６１内に第２の可燃性ガス（例えば、水素ガス（Ｈ２））を供給する。
不活性ガス供給源３３は、不活性ガス供給ライン３７を介して、チャンバ６１内に不活性ガス（例えば、窒素ガス（Ｎ２））を供給する。
【００２７】
第１の可燃性ガス供給ライン３５は、その一端が第１の可燃性ガス供給源３１と接続されており、他端がチャンバ６１と接続されている。
第２の可燃性ガス供給ライン３６は、その一端が第２の可燃性ガス供給源３２と接続されており、他端がチャンバ６１と接続されている。
不活性ガス供給ライン３７は、その一端が不活性ガス供給源３３と接続されており、他端がチャンバ６１と接続されている。
【００２８】
デバイス製造装置１９，２９，３９は、半導体、液晶、太陽光発電パネル、及び発光ダイオード（ＬＥＤ）等の電子デバイスを製造する際に使用する装置である。デバイス製造装置１９，２９，３９としては、例えば、薄膜を成膜する成膜装置（例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置）やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等を例示できる。
【００２９】
デバイス製造装置１９は、チャンバ４１と、第１の可燃性ガス供給弁４３と、第２の可燃性ガス供給弁４４と、不活性ガス供給弁４５と、ポンプ４７と、を有する。
チャンバ４１内には、図示していない基板を載置するサセプタ（図示せず）が設けられている。基板の上面へのＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理、或いはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理が実施される。
【００３０】
第１の可燃性ガス供給弁４３は、第１の可燃性ガス供給ライン１５に設けられている。第１の可燃性ガス供給弁４３は、排ガス処理システム１０を構成する制御部１１５と電気的に接続されている。
第１の可燃性ガス供給弁４３が開状態になると、チャンバ４１内に第１の可燃性ガスが供給され、第１の可燃性ガス供給弁４３が閉状態になると、チャンバ４１内への第１の可燃性ガスの供給が停止される。
【００３１】
第２の可燃性ガス供給弁４４は、第２の可燃性ガス供給ライン１６に設けられている。第２の可燃性ガス供給弁４４は、制御部１１５と電気的に接続されている。
第２の可燃性ガス供給弁４４が開状態になると、チャンバ４１内に第２の可燃性ガスが供給され、第２の可燃性ガス供給弁４４が閉状態になると、チャンバ４１内への第２の可燃性ガスの供給が停止される。
【００３２】
上述した第１及び第２の可燃性ガス供給弁４３，４４としては、例えば、空気弁或いは電磁弁を用いることが可能である。
【００３３】
不活性ガス供給弁４５は、不活性ガス供給ライン１７に設けられている。不活性ガス供給弁４５は、制御部１５と電気的に接続されている。
不活性ガス供給弁４５が開状態になると、チャンバ４１内に不活性ガスが供給され、不活性ガス供給弁４５が閉状態になると、チャンバ４１内への不活性ガスが停止される。
【００３４】
ポンプ４７は、排ガス処理システム１０を構成する後述する排ガス供給ライン７１に設けられている。ポンプ４７は、チャンバ４１内に存在するガスを排ガス供給ライン７１内に導出させる。
【００３５】
デバイス製造装置２９は、チャンバ５１と、第１の可燃性ガス供給弁５３と、第２の可燃性ガス供給弁５４と、不活性ガス供給弁５５と、ポンプ５７と、を有する。
チャンバ５１は、先に説明したチャンバ４１と同様な構成とされている。
第１の可燃性ガス供給弁５３は、第１の可燃性ガス供給ライン２５に設けられている。第１の可燃性ガス供給弁５３は、排ガス処理システム１０を構成する制御部１１５と電気的に接続されている。
【００３６】
第２の可燃性ガス供給弁５４は、第２の可燃性ガス供給ライン２６に設けられている。第２の可燃性ガス供給弁５４は、制御部１１５と電気的に接続されている。
第１及び第２の可燃性ガス供給弁５３，５４としては、例えば、空気弁或いは電磁弁を用いることが可能である。
不活性ガス供給弁５５は、不活性ガス供給ライン２７に設けられている。不活性ガス供給弁５５は、制御部１１５と電気的に接続されている。
ポンプ５７は、排ガス処理システム１０を構成する後述する排ガス供給ライン８５に設けられている。
【００３７】
デバイス製造装置３９は、チャンバ６１と、第１の可燃性ガス供給弁６３と、第２の可燃性ガス供給弁６４と、不活性ガス供給弁６５と、ポンプ６７と、を有する。
チャンバ６１は、先に説明したチャンバ４１と同様な構成とされている。
第１の可燃性ガス供給弁６３は、第１の可燃性ガス供給ライン３５に設けられている。第１の可燃性ガス供給弁６３は、排ガス処理システム１０を構成する制御部１１５と電気的に接続されている。
【００３８】
第２の可燃性ガス供給弁６４は、第２の可燃性ガス供給ライン３６に設けられている。第２の可燃性ガス供給弁６４は、制御部１１５と電気的に接続されている。
第１及び第２の可燃性ガス供給弁６３，６４としては、例えば、空気弁或いは電磁弁を用いることが可能である。
不活性ガス供給弁６５は、不活性ガス供給ライン３７に設けられている。不活性ガス供給弁６５は、制御部１１５と電気的に接続されている。
ポンプ５７は、排ガス処理システム１０を構成する後述する排ガス供給ライン１０１に設けられている。
【００３９】
次に、第１の実施の形態に係る排ガス処理方法を行う際に使用する排ガス処理システム１０について説明する。
排ガス処理システム１０は、排ガス供給ライン７１，８５，１０１と、バイパスライン７２，８８，１０３と、除害装置７４と、第１の自動弁７５，９１，１０６と、第２の自動弁７６，９２，１０７と、増設用ライン７８，８１，９３，９５，１０９，１１３と、第１の接続部７９，８３と、第２の接続部８６，８９と、第３の接続部９４，９６と、第４の接続部１０２，１０４と、第５の接続部１１１，１１４と、制御部１１５と、を有する。
【００４０】
排ガス供給ライン７１は、一端がチャンバ４１と接続されており、他端が除害装置７４と接続されている。排ガス供給ライン７１は、チャンバ４１内のガス（例えば、第１の可燃性ガス及び／または第２の可燃性ガスを含んだ第１の排ガスや第１の可燃性ガス及び第２の可燃性ガスを含まない第２の排ガス）を排気する。
第１の排ガスは、排ガス供給ライン７１のうち、第１の自動弁７５の下流側に位置する部分を介して、除害装置７４に供給される。
【００４１】
バイパスライン７２は、ポンプ４７の下流側に位置する排ガス供給ライン７１から分岐し、かつ除害装置７４をバイパスしている。バイパスライン７２には、チャンバ４１内から排気された排ガスのうち、第２の排ガスが供給される。
このようなバイパスライン７２を設けることで、第１及び第２の可燃性ガスが含まれていない第２の排ガスが除害装置７４に導入されることがなくなるため、第２の排ガスの除害処理に要する熱量（言い換えれば、燃料またはエネルギー）を削減することができる。
【００４２】
除害装置７４は、第１の排ガスを無害化処理する装置である。除害装置７４は、デバイス製造装置１９，２９，３９のチャンバ４１，５１，６１から排気された第１の排ガスを無害化する。
除害装置７４としては、例えば、液化石油ガス、都市ガス、メタン、プロパン、ブタン、水素のうち、いずれか１種を燃料として使用する燃焼式除害装置であってもよいし、第１及び第２の可燃性ガスを酸化・熱分解させるヒーター式除害装置であってもよいし、プラズマを用いて第１及び第２の可燃性ガスを酸化・熱分解させるプラズマ式除害装置であってもよい。
【００４３】
第１の自動弁７５は、バイパスライン７２の分岐位置よりも下流側に位置する排ガス供給ライン７１に設けられている。第１の自動弁７５は、制御部１１５と電気的に接続されている。第２の自動弁７６が閉じた状態で、第１の自動弁７５が開くと、除害装置７４に第１の排ガスが供給され、第１の自動弁７５が閉じると、除害装置７４への第１の排ガスの供給が停止される。
【００４４】
第２の自動弁７６は、バイパスライン７２に設けられている。第２の自動弁７６は、制御部１１５と電気的に接続されている。第１の自動弁７５が閉じた状態で、第２の自動弁７６が開くと、第２の自動弁７６の下流側に第２の排ガスが供給され、第２の自動弁７６が閉じると、第２の自動弁７６の下流側への第２の排ガスの供給が停止される。
【００４５】
増設用ライン７８は、第１の自動弁７５と除害装置７４との間に位置する排ガス供給ライン７１から分岐されている。増設用ライン７８は、排ガス供給ライン８５を介して、デバイス製造装置２９のチャンバ５１と除害装置７４とを間接的に接続することで、第１の排ガスを排気するデバイス製造装置２９を増設させるためのラインである。
第１の接続部７９は、増設用ライン７８の先端に設けられている。第１の接続部７９は、第２の接続部８６に対して着脱可能な構造とされている。
【００４６】
増設用ライン８１は、第２の自動弁７６の下流側に位置するバイパスライン７２から分岐されている。増設用ライン８１は、バイパスライン８８を介して、デバイス製造装置２９のチャンバ５１と除害装置７４とを間接的に接続することで、第２の排ガスを排気するデバイス製造装置２９を増設させるためのラインである。
第１の接続部８３は、増設用ライン８１の先端に設けられている。第１の接続部８３は、第２の接続部８９に対して着脱可能な構造とされている。
【００４７】
排ガス供給ライン８５は、一端がチャンバ５１と接続されている。排ガス供給ライン８５は、デバイス製造装置２９を構成するチャンバ５１から排気された第１の排ガスが流れるラインである。
第２の接続部８６は、排ガス供給ライン８５の他端に設けられている。第２の接続部８６は、第１の接続部７９に接続されている。
これにより、チャンバ５１から排気された第１の排ガスは、排ガス供給ライン８５、増設用ライン７８、及び排ガス供給ライン７１の一部を介して、除害装置７４に供給される。
【００４８】
バイパスライン８８は、排ガス供給ライン８５から分岐されたラインである。バイパスライン８８には、チャンバ５１内から排気された第２の排ガスが供給される。
バイパスライン８８は、先に説明したバイパスライン７２と同様な機能を有する。このようなバイパスライン８８を設けることで、バイパスライン７２と同様な効果を得ることができる。
【００４９】
第２の接続部８９は、バイパスライン８８の先端に設けられている。第２の接続部８９は、第１の接続部８３と接続されている。
これにより、チャンバ５１から排気された第２の排ガスは、バイパスライン８８、及び増設用ライン８１を介して、バイパスライン７２に供給される。
【００５０】
第１の自動弁９１は、バイパスライン８８の分岐位置よりも下流側に位置する排ガス供給ライン８５に設けられている。第１の自動弁９１は、制御部１１５と電気的に接続されている。
第２の自動弁９２は、バイパスライン８８に設けられている。第２の自動弁９２は、制御部１１５と電気的に接続されている。
【００５１】
増設用ライン９３は、第１の自動弁９１と第２の接続部８６との間に位置する排ガス供給ライン８５から分岐されている。
第３の接続部９４は、増設用ライン９３の先端に設けられている。第３の接続部９４は、第４の接続部１０２に対して着脱可能な構成とされている。
増設用ライン９５は、第２の接続部８９と第２の自動弁９２との間に位置するバイパスライン８８から分岐されている。
第３の接続部９６は、増設用ライン９５の先端に設けられている。第３の接続部９６は、第４の接続部１０４に対して着脱可能な構成とされている。
【００５２】
排ガス供給ライン１０１は、一端がチャンバ６１と接続されている。第３の接続部９４と第４の接続部１０２とが接続された状態において、排ガス供給ライン１０１には、デバイス製造装置３９を構成するチャンバ６１から排気された第１の排ガスが流れる。
第４の接続部１０２は、排ガス供給ライン１０１の他端に設けられている。第４の接続部１０２は、第３の接続部９４と接続されている。
これにより、チャンバ６１から排気された第１の排ガスは、排ガス供給ライン１０１を介して、除害装置７４に供給される。
【００５３】
バイパスライン１０３は、ポンプ６７の下流側に位置する排ガス供給ライン１０１から分岐されている。第３の接続部９６と第４の接続部１０４とが接続された状態において、バイパスライン１０３には、チャンバ６１から排気された第２の排ガスが供給される。
バイパスライン１０３は、先に説明したバイパスライン７２と同様な機能を有する。このようなバイパスライン１０３を設けることで、バイパスライン７２と同様な効果を得ることができる。
【００５４】
第４の接続部１０４は、バイパスライン１０３の他端に設けられている。第４の接続部１０４は、第３の接続部９６と接続されている。
これにより、チャンバ６１から排気された第２の排ガスは、バイパスライン１０３を介して、バイパスライン７２に供給される。
【００５５】
第１の自動弁１０６は、バイパスライン１０３の分岐位置よりも下流側に位置する排ガス供給ライン１０１に設けられている。第１の自動弁１０６は、制御部１１５と電気的に接続されている。
第２の自動弁１０７は、バイパスライン１０３に設けられている。第２の自動弁１０７は、制御部１１５と電気的に接続されている。
【００５６】
増設用ライン１０９は、第１の自動弁１０６と第４の接続部１０２との間に位置する排ガス供給ライン１０１から分岐されている。
第５の接続部１１１は、増設用ライン１０９の先端に設けられている。第５の接続部１１１は、先に説明した第１の接続部７９及び第３の接続部９４と同様な機能を有する。
増設用ライン１１３は、第２の自動弁１０７と第４の接続部１０４との間に位置するバイパスライン１０３から分岐されている。
第５の接続部１１４は、増設用ライン１１３の先端に設けられている。第５の接続部１１４は、先に説明した第１の接続部８３及び第３の接続部９６と同様な機能を有する。
第５の接続部１１１，１１４は、図１に示す状態（他の接続部が接続されていない状態）において、ガスが外部に漏れない構造とされている。
【００５７】
制御部１１５は、排ガス処理システム１０の制御全般を行う。また、制御部１１５は、第１の可燃性ガス供給弁４３，５３，６３、第２の可燃性ガス供給弁４４，５４，６４、及び不活性ガス供給弁４５，５５，６５の開閉状態に基づいて、第１の自動弁７５，９１，１０６及び第２の自動弁７６，９２，１０７の開閉状態を制御する。
また、制御部１１５は、第１の可燃性ガス供給弁４３，５３，６３、及び第２の可燃性ガス供給弁４４，５４，６４が開状態と検知されたデバイス製造装置の台数に基づいて、第１の排ガスの処理に必要な除害装置７４の熱量（必要最小限の熱量）を算出し、該熱量に基づいた量の燃料またはエネルギーを除害装置７４に供給する。
【００５８】
ちなみに、流量を無視して、単に台数のみを考慮する場合には、第１及び第２の可燃性ガス供給弁の少なくとも一方が開状態のときに、デバイス製造装置を１台とカウントし、この台数と必要最小限の熱量とを掛け算した結果が、除害装置が必要とする最小の熱量となる。この熱量に応じて、燃料或いはエネルギーを除害装置に供給する。
【００５９】
ここで、除害装置７４として燃焼式除害装置を用いるときの一例について説明する。この場合、可燃性ガスであるＮ２及びＮＨ３を無害化処理するときにＮＨ３が分解する１０００℃まで加熱する熱量が必要であるとすると、Ｎ２及びＮＨ３のそれぞれの最大流量（Ｌ／ｍｉｎ）を加算した流量（Ｌ／ｍｉｎ）の１／２のＨ２の流量（Ｌ／ｍｉｎ）をデバイス製造装置1台あたりの熱量として除害装置７４へ供給する。
【００６０】
次に、除害装置７４としてヒーター式除害装置を用いるときの一例について説明する。
この場合、可燃性ガスであるＮ２及びＮＨ３を無害化処理するときにＮＨ３が分解する１０００℃まで加熱する熱量が必要であるとすると、Ｎ２及びＮＨ３のそれぞれの最大流量（Ｌ／ｍｉｎ)を加算した流量（Ｌ／ｍｉｎ）に０．０３を乗じたエネルギー（ｋＷ）をデバイス製造装置1台あたりの熱量として除害装置７４へ供給する。
【００６１】
次に、除害装置７４としてプラズマ式除害装置を用いるときの一例について説明する。
この場合、可燃性ガスであるＮ２及びＮＨ３を無害化処理するときにＮＨ３が分解する１０００℃まで加熱する熱量が必要であるとすると、Ｎ２及びＮＨ３のそれぞれの最大流量(Ｌ／ｍｉｎ)を加算した流量（Ｌ／ｍｉｎ）に０．１２を乗じたエネルギー（ｋＷ）をデバイス製造装置1台あたりの熱量として除害装置７４へ供給する。
【００６２】
なお、各デバイス製造装置１９，２９，３９の各種供給ガス流量は、予め分かっているため、本実施の形態の排ガス処理システム１０の場合、特許文献1で必要であったＭＦＭ（マスフローメーター）が不要となるので、シンプルな構成となる。
また、上述したように、特許文献1の場合、排ガス中に含まれる粒子状の副生成物がマスフローメーターのセンサーを汚染するため、マスフローメーターの誤計測を起こし、排ガスの流量を継続的にマスフローメーターで測定することは、現実的な方法ではない。
【００６３】
次に、図１を参照して、排ガス処理システム１０を用いた第１の実施の形態の排ガス処理方法について説明する。
本実施の形態の排ガス処理方法は、半導体、液晶、太陽光発電パネル、及び発光ダイオード（ＬＥＤ）等の電子デバイスを製造する複数のデバイス製造装置（図１の場合、一例として、３台のデバイス製造装置１９，２９，３９）から排出される第１の可燃性ガス及び／または第２の可燃性ガスを含んだ第１の排ガスを処理する１台の除害装置７４を用いた排ガス処理方法である。
【００６４】
ここでは、一例として、デバイス製造装置１９がメンテナンス状態で、デバイス製造装置２９，３９が稼働中（デバイス製造プロセスを実行中）の場合を例に挙げて説明する。
この段階では、制御部１１５は、閉状態となるように、第１の可燃性ガス供給弁４３、第２の可燃性ガス供給弁４４、及び不活性ガス供給弁４５を制御するとともに、開状態となるように、第１の可燃性ガス供給弁５３，６３、第２の可燃性ガス供給弁５４，６４、及び不活性ガス供給弁５５，６５を制御する。
【００６５】
そして、制御部１１５は、第１の可燃性ガス供給弁４３，５３，６３、第２の可燃性ガス供給弁４４，５４，６４、及び不活性ガス供給弁４５，５５，６５から送信される開閉信号に基づいて、第１の可燃性ガス供給弁４３、第２の可燃性ガス供給弁４４、及び不活性ガス供給弁４５が閉状態であることと、第１の可燃性ガス供給弁５３，６３、第２の可燃性ガス供給弁５４，６４、及び不活性ガス供給弁５５，６５が開状態であることを検知する（開閉状態検知工程）。
【００６６】
第１の可燃性ガス供給弁４３，５３，６３、及び第２の可燃性ガス供給弁４４，５４，６４として、例えば、空圧弁を用いる場合、制御部１１５は、空圧弁の開閉信号または空気弁への制御空気圧の供給の有無により、第１の可燃性ガス供給弁４３，５３，６３、及び第２の可燃性ガス供給弁４４，５４，６４の開閉状態を検知する。
【００６７】
第１の可燃性ガス供給弁４３，５３，６３、及び第２の可燃性ガス供給弁４４，５４，６４として、例えば、電磁弁を用いる場合、制御部１１５は、電磁弁の開閉信号により、第１の可燃性ガス供給弁４３，５３，６３、及び第２の可燃性ガス供給弁４４，５４，６４の開閉状態を検知する。
【００６８】
上記メンテナンス状態では、チャンバ４１を開放状態にしてチャンバ４１内のクリーニング作業等を作業者が行う場合があるため、第１の自動弁７５の下流側、言い換えれば、除害装置７４に支燃性ガスとなる空気が流れる恐れがあり、非常に危険である。
そのため、制御部１１５は、第１及び第２の可燃性ガス供給弁４３，４４が閉状態であることを検知した段階で、第１の自動弁７５を閉状態にするとともに、第２の自動弁７６を開状態にすることで、第１及び第２の可燃性ガスが含まれていない、除害が不要で安全な第２の排ガスをバイパスライン７２に流す。これにより、除害装置７４を安全に連続的に稼働させることができる。
【００６９】
また、上記メンテナンスが終了し、チャンバ４１内を真空引きする状態や、気密されたチャンバ４１内に不活性ガス供給源１３から供給された不活性ガス（例えば、窒素ガス）を供給してパージ処理する状態である待機状態では、第１及び第２の可燃性ガス供給弁４３，４４が閉状態とされ、不活性ガス供給弁４５が開状態とされている。
このため、待機状態の場合も、チャンバ４１内には、第１及び第２の可燃性ガスが含まれていない。
したがって、待機状態の場合も、第１の自動弁７５の閉状態、及び第２の自動弁７６の開状態を維持することで、第１及び第２の可燃性ガスが含まれていない、除害が不要で安全な第２の排ガスをバイパスライン７２に流す。
【００７０】
一方、稼働中のデバイス製造装置２９，３９のチャンバ５１，６１からは、第１及び第２の可燃性ガスを含んだ第１の排ガスが排出される。
このため、制御部１１５は、第１及び第２の可燃性ガス供給弁５３，５４，６３，６４が開状態であることを検知した段階で、第１の自動弁９１，１０６を開状態にするとともに、第２の自動弁９２，１０７を閉状態にすることで、第１及び第２の可燃性ガスが含まれた第１の排ガスを、排ガス供給ライン８５，１０１を介して、除害装置７４に供給する。
【００７１】
このように、制御部１１５は、第１の可燃性ガス供給弁４３，５３，６３及び第２の可燃性ガス供給弁４４，５４，６４の開閉状態に基づいて、第１の自動弁７５，９１，１０６及び第２の自動弁７６，９２，１０７の開閉状態を切り替えることで、第１の排ガスを除害装置７４に供給し、第２の排ガスをバイパスライン７２に供給する（ライン切替工程）。
【００７２】
デバイス製造装置２９，３９から第１の排ガスが除害装置７４に供給されると、除害装置７４は、第１の排ガスの無害化処理（除害処理）を行う（除害工程）。
このとき、除害装置７４を稼働させて、第１の排ガスを無害化するためには、除害装置７４に、燃料またはエネルギーを供給する必要がある。
【００７３】
制御部１１５は、デバイス製造装置１９，２９，３９（複数のデバイス製造装置）のうち、第１の可燃性ガス供給弁４３，５３，６３及び／または第２の可燃性ガス供給弁４４，５４，６４が開状態と検知されたデバイス製造装置の台数（第１の実施の形態の場合、２台）に基づいて、上述した手法により、第１の排ガスの処理に必要な最低限の除害装置７４の熱量（必要最低限の熱量）を算出し、該熱量に基づいた量の燃料またはエネルギーを除害装置７４に供給する。
このように、第１の排ガスの処理に必要な除害装置７４の最低限の熱量を算出し、該熱量に基づいた量の燃料またはエネルギーを除害装置７４に供給することで、除害装置７４に必要以上の熱量やエネルギーを供給することがなくなるため、除害処理に要するコストを低減することができる。
【００７４】
上記除害工程において、除害装置７４として、例えば、燃焼式除害装置を用いる場合、液化石油ガス、都市ガス、メタン、プロパン、ブタン、水素のうち、いずれか１種を燃料とし、上記最低限の熱量に応じた流量の燃料を除害装置７４に供給することで、除害性能を確保することができる。
【００７５】
また、上記除害工程において、除害装置７４として、第１及び第２の可燃性ガスを酸化・熱分解させるヒーター式除害装置を用いる場合、除害装置７４の出口側の温度を、第１及び第２の可燃性ガスを酸化・熱分解させるために必要な温度の下限値と等しくするとよい。
このように、除害装置７４の出口側の温度を、第１及び第２の可燃性ガスを酸化・熱分解させるために必要な温度の下限値と等しくして、上記最低限のエネルギーに応じた電力量を除害装置７４に供給することで、除害性能を確保することができる。
【００７６】
また、上記除害工程において、除害装置７４として、プラズマを用いて第１及び第２の可燃性ガスを酸化・熱分解させるプラズマ式除害装置を用いる場合、除害装置７４には、上記エネルギーとして、上記熱量に応じたプラズマを印加してもよい。
このように、プラズマ印加量(電力量)を、第１及び第２の可燃性ガスを酸化・熱分解させるために必要なプラズマ印加量の下限値と等しくして、上記最低限のエネルギーに応じた電力量を除害装置７４に供給することで、除害性能を確保することができる。
【００７７】
第１の実施の形態の排ガス処理方法によれば、複数のデバイス製造装置１９，２９，３９のいずれかがメンテナンス状態や待機状態の場合でも、残りのデバイス製造装置から排出される第１の可燃性ガス及び／または第２の可燃性ガスを含んだ第１の排ガスの除害処理を行うことができ、また、第１及び第２の可燃性ガスを含まない第２の排ガスを、除害装置７４をバイパスさせることで、除害装置７４が除害処理に必要な熱量を小さくすることができ、さらに、過剰な熱量を用いて除害装置７４による第１の排ガスの処理が行われることを抑制することができる。
【００７８】
なお、第１の実施の形態では、図１において、チャンバ４１，５１，６１内に、第１の可燃性ガス、第２の可燃性ガス、及び不活性ガスを供給する場合を例に挙げて説明したが、別途、毒性を有するガス（以下、毒性ガス）を供給するガス供給源（図示せず）を設けて、可動中のデバイス製造装置１９，２９，３９のチャンバ４１，５１，６１内に、毒性ガス（例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、ホスフィン（ＰＨ３）等）を供給する場合があるが、第１の実施の形態の排ガス処理方法は、このような場合にも有効である。
【００７９】
また、第１の実施の形態では、一例として、第１の可燃性ガスの一例として、アンモニアガスを用い、第２の可燃性ガスの一例として、水素ガスを用いた場合を例に挙げて説明したが、第１及び第２の可燃性ガスとして、アンモニアや水素ガス以外に、例えば、エチルアミン、ジシラン、ジボラン、ジメチルアミン、セレン化水素、トリメチルアミン、プロピレン、ホスフィン、メタン、モノゲルマン、モノシラン、モノメチルアミン、硫化水素等を用いてもよい。
【００８０】
さらに、第１の実施の形態では、一例として、３台のデバイス製造装置１９，２９，３９と除害装置７４とを接続させた場合を例に挙げて説明したが、除害装置７４と接続されるデバイス製造装置の数は、２台以上であればよく、３台に限定されない。
【００８１】
（第２の実施の形態）
図２は、本発明の第２の実施の形態に係る排ガス処理方法を行う際に使用する排ガス処理システムの概略構成を模式的に示す図である。図２では、説明の便宜上、排ガス処理システム１２０以外の構成についても図示する。図２において、図１に示す構造体と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００８２】
図２を参照するに、排ガス処理システム１２０は、第１の実施の形態で説明した排ガス処理システム１０の構成に、さらに、ガス濃度計測用バイパスライン１２１，１２５，１２８と、ガス濃度検知器１２３，１２６，１２９と、を有すること以外は、排ガス処理システム１０と同様に構成される。
【００８３】
ガス濃度計測用バイパスライン１２１は、第２の自動弁７６と増設用ライン８１の接続位置との間に位置するバイパスライン７２から分岐されており、その先端がガス濃度計測用バイパスライン１２１の分岐位置と増設用ライン８１の接続位置との間に位置するバイパスライン７２と接続されている。
【００８４】
ガス濃度検知器１２３は、ガス濃度計測用バイパスライン１２１に設けられている。ガス濃度検知器１２３は、制御部１１５と電気的に接続されている。ガス濃度検知器１２３は、ガス濃度計測用バイパスライン１２１に流れるガスに、第１の可燃性ガス及び／または第２の可燃性ガスが含まれていた場合に、第１及び第２の可燃性ガスの濃度を検知する。
ガス濃度検知器１２３は、バイパスライン７２に流れるガスに第１の可燃性ガス及び／または第２の可燃性ガスが含まれているか否かを検知する。
ガス濃度検知器１２３は、第１の可燃性ガス及び／または第２の可燃性ガスの濃度を検知した際に、制御部１１５に濃度検知信号を送信する。
制御部１１５は、排ガス処理システム１２０が動作不良を起こしている可能性があるので、デバイス製造装置１９、２９、３９及び除害装置７４を停止するよう停止信号を送信する。
【００８５】
このような構成とされたガス濃度計測用バイパスライン１２１、及びガス濃度検知器１２３を設けることで、万が一、第１の可燃性ガス及び／または第２の可燃性ガスを含むガスが流れた場合でも、瞬時に、第１及び第２の自動弁７５，７６の開閉状態を切り替えて、バイパスライン７２に第１の可燃性ガス及び第２の可燃性ガスが流れ続けることを抑制することができる。
【００８６】
ガス濃度計測用バイパスライン１２５は、第２の自動弁９２と増設用ライン９５の接続位置との間に位置するバイパスライン８８から分岐されており、その先端がガス濃度計測用バイパスライン１２５の分岐位置と増設用ライン９５の接続位置との間に位置するバイパスライン８８と接続されている。
【００８７】
ガス濃度検知器１２６は、ガス濃度計測用バイパスライン１２５に設けられている。ガス濃度検知器１２６は、制御部１１５と電気的に接続されている。
上述したガス濃度計測用バイパスライン１２５、及びガス濃度検知器１２６は、先に説明したガス濃度計測用バイパスライン１２１、及びガス濃度検知器１２３と同様な機能を有しており、ガス濃度計測用バイパスライン１２１、及びガス濃度検知器１２３を設けた場合と同様な効果を得ることができる。
【００８８】
ガス濃度計測用バイパスライン１２８は、第２の自動弁１０７と増設用ライン１１３の接続位置との間に位置するバイパスライン１０３から分岐されており、その先端がガス濃度計測用バイパスライン１２８の分岐位置と増設用ライン１１３の接続位置との間に位置するバイパスライン１２８と接続されている。
【００８９】
ガス濃度検知器１２９は、ガス濃度計測用バイパスライン１２８に設けられている。ガス濃度検知器１２９は、制御部１１５と電気的に接続されている。
上述したガス濃度計測用バイパスライン１２８、及びガス濃度検知器１２９は、先に説明したガス濃度計測用バイパスライン１２１、及びガス濃度検知器１２３と同様な機能を有しており、ガス濃度計測用バイパスライン１２１、及びガス濃度検知器１２３を設けた場合と同様な効果を得ることができる。
【００９０】
図２に示す排ガス処理システム１２０を用いた場合の第２の実施の形態の排ガス処理方法は、第２の自動弁７６，９２，１０７のいずれかが開かれた際に、第２の自動弁７６，９２，１０７が開かれたバイパスライン７２，８８，１０３を流れるガスに含まれる第１の可燃性ガス及び／または第２の可燃性ガスの濃度の測定を行い、第１の可燃性ガス及び／または第２の可燃性ガスの濃度が検知された際に、制御部１１５は、排ガス処理システム１２０が動作不良を起こしている可能性があるので、デバイス製造装置１９、２９、３９及び除害装置７４を停止するよう停止信号を送信する。
【００９１】
第２の実施の形態の排ガス処理方法によれば、第１の実施の形態の排ガス処理方法と同調な効果を得ることができるとともに、第１の可燃性ガス及び／または第２の可燃性ガスを含むガスが、バイパスライン７２，８８，１０３に流れ続けることを抑制できる。
【００９２】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明は、半導体、液晶、太陽光発電パネル、及び発光ダイオード（ＬＥＤ）等の電子デバイスを成膜するデバイス製造装置から排出され、可燃性ガスを含む排ガスを処理する排ガス処理方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００９４】
１０，１２０…排ガス処理システム、１１，２１，３１…第１の可燃性ガス供給源、１２，２２，３２…第２の可燃性ガス供給源、１３，２３，３３…不活性ガス供給源、１５，２５，３５…第１の可燃性ガス供給ライン、１６，２６，３６…第２の可燃性ガス供給ライン、１７，２７，３７…不活性ガス供給ライン、１９，２９，３９…デバイス製造装置、４１，５１，６１…チャンバ、４３，５３，６３…第１の可燃性ガス供給弁、４４，５４，６４…第２の可燃性ガス供給弁、４５，５５，６５…不活性ガス供給弁、４７，５７，６７…ポンプ、７１，８５，１０１…排ガス供給ライン、７２，８８，１０３…バイパスライン、７４…除害装置、７５，９１，１０６…第１の自動弁、７６，９２，１０７…第２の自動弁、７８，８１，９３，９５，１０９，１１３…増設用ライン、７９，８３…第１の接続部、８６，８９…第２の接続部、９４，９６…第３の接続部、１０２，１０４…第４の接続部、１１１，１１４…第５の接続部、１１５…制御部、１２１，１２５，１２８…ガス濃度計測用バイパスライン、１２３，１２６，１２９…ガス濃度検知器
【図１】
2017142004.tif 000003
【図２】
2017142004.tif 000004