(57)【要約】【課題】基板に形成されるパターンの精度の点で有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】モールドを用いてパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記モールドを保持して移動するモールド保持部と、前記パターンを形成すべき第１領域を第１面に含む基板の前記第１面とは反対側の第２面を吸着する第１チャックを含み、前記第１チャックによって前記基板を保持して移動する基板保持部と、前記第２面の側に配置され、前記第１領域の反対側の領域である前記第２面の第２領域の高さ方向の位置を計測する第１計測部と、前記第１計測部によって計測された位置に基づいて、前記インプリント処理を行っている間における前記モールドのパターン面と前記基板の前記第１領域との間の相対的な傾き及び位置の少なくとも一方を制御する処理を行う制御部と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
2017126723.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを用いてパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記モールドを保持して移動するモールド保持部と、
前記パターンを形成すべき第１領域を第１面に含む基板の前記第１面とは反対側の第２面を吸着する第１チャックを含み、前記第１チャックによって前記基板を保持して移動する基板保持部と、
前記第２面の側に配置され、前記第１領域の反対側の領域である前記第２面の第２領域の高さ方向の位置を計測する第１計測部と、
前記第１計測部によって計測された位置に基づいて、前記インプリント処理を行っている間における前記モールドのパターン面と前記基板の前記第１領域との間の相対的な傾き及び位置の少なくとも一方を制御する処理を行う制御部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記基板は、前記基板保持部に保持された状態で前記第１チャックと前記第２面の前記第２領域を含む領域との間に空間を規定する凹部を前記第２面に含むブランクモールドを含み、
前記第１チャックは、前記第２面のうちの前記凹部よりも外側の領域を吸着し、
前記基板保持部は、前記凹部のうちの前記第２領域よりも外側の領域を吸着する第２チャックを含み、
前記計測部は、前記第２チャックよりも内側、且つ、前記第２領域の下方に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記基板保持部は、前記第２チャックを前記高さ方向に駆動する駆動部を含み、
前記制御部は、前記駆動部を制御することで前記処理を行うことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記基板は、前記基板保持部に保持された状態で前記第１チャックと前記第２領域との間に空間を規定する凹部を前記第２面に含むブランクモールドを含み、
前記インプリント装置は、前記空間の圧力を調整する調整部を更に有し、
前記制御部は、前記モールド保持部、前記基板保持部及び前記調整部の少なくとも１つを制御することで前記処理を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記インプリント処理は、前記第１領域にインプリント材を供給する供給工程を含み、
前記制御部は、前記供給工程において前記第１領域の平面度を許容範囲に収めるように、前記調整部を制御することを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記第１計測部は、前記第２領域内の複数の箇所の高さ方向の位置を計測し、
前記制御部は、前記第１計測部によって計測される位置の前記複数の箇所間の差分を低減するように、前記調整部を制御することを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記インプリント処理は、前記第１領域に供給されたインプリント材と前記パターン面とを接触させる押印工程を含み、
前記制御部は、前記押印工程において、前記インプリント材と前記パターン面との接触領域が前記パターン面の中心から外側に向けて拡大し、且つ、前記モールドと前記基板との間の相対的な傾きを低減するように、前記調整部と、前記モールド保持部及び前記基板保持部のうちの少なくとも一方とを制御することを特徴とする請求項４乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記押印工程の各時刻における前記第２領域の高さ方向の目標位置を示す第１情報を記憶し、
前記押印工程の各時刻において前記第１計測部によって計測される位置が前記第１情報によって示される前記目標位置となるように、前記調整部と、前記モールド保持部及び前記基板保持部のうちの少なくとも一方とを制御することを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記インプリント処理は、前記第１領域に供給されたインプリント材と前記パターン面とを接触させた状態を予め定められた時間維持する充填工程と、前記第１領域に供給された前記インプリント材と前記パターン面とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させる硬化工程と、を含み、
前記制御部は、前記充填工程及び前記硬化工程のそれぞれにおいて前記第１領域の平面度を許容範囲に収めるように、前記モールド保持部及び前記基板保持部のうちの少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項４乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記充填工程及び硬化工程のそれぞれにおける前記空間の圧力を一定値に維持するように、前記調整部を制御することを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記インプリント処理は、硬化したインプリント材から前記モールドを引き離す離型工程を含み、
前記制御部は、前記離型工程において、前記インプリント材と前記パターン面との接触領域が前記パターン面の外側から中心に向けて縮小し、且つ、前記モールドと前記基板との間の相対的な傾きを低減するように、前記調整部と、前記モールド保持部及び前記基板保持部のうちの少なくとも一方とを制御することを特徴とする請求項４乃至１０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記制御部は、
前記離型工程の各時刻における前記第２領域の高さ方向の目標位置を示す第２情報を記憶し、
前記離型工程の各時刻において前記第１計測部によって計測される位置が前記第２情報によって示される前記目標位置となるように、前記調整部と、前記モールド保持部及び前記基板保持部のうちの少なくとも一方とを制御することを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記第１面の側に配置され、前記第１領域の高さ方向の位置を計測する第２計測部を更に有し、
前記制御部は、前記第１領域の上のインプリント材と前記パターン面とを接触させていない状態において前記第１計測部によって計測される位置と前記第２計測部によって計測された位置との関係に基づいて、前記第１領域に供給された前記インプリント材と前記パターン面とを接触させた状態において前記第１計測部によって計測される位置から前記第１領域の高さ方向の位置を求めることを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
前記第２計測部は、前記第１計測部が高さ方向の位置を計測する前記第２領域内の複数の箇所に対応する前記第１領域内の複数の箇所の高さ方向の位置を計測することを特徴とする請求項１３に記載のインプリント装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの分野において微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加えて、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することが可能なインプリント技術が注目を集めている。インプリント技術は、基板上の未硬化のインプリント材を凹凸パターンが形成されたモールドで成形し、インプリント材の凹凸パターンを基板上に形成する微細加工技術である。
【０００３】
インプリント技術で用いられるモールドは、通常、描画装置によって作製されたマスターモールド（原版）を用いて複製される。モールドを複製する際には、例えば、インプリント技術の１つである光硬化法が用いられる。具体的には、まず、凹凸パターンを形成する対象となるブランクモールドの領域に光硬化性のインプリント材を供給する（供給工程）。次いで、ブランクモールドに供給されたインプリント材とマスターモールドとを接触させる（押印工程）。押印工程では、インプリント材が供給された領域をマスターモールドに対して凸形状に変形させ、インプリント材とマスターモールドとの接触面積が少しずつ増加するように、マスターモールドをインプリト材に押し付ける。次に、マスターモールドの凹凸パターンにインプリント材が充填されるまで、ブランクモールドに供給されたインプリント材とマスターモールドとを接触させた状態を維持する（充填工程）。マスターモールドの凹凸パターンにインプリント材が充填されたら、光を照射してインプリント材を硬化させる（硬化工程）。次いで、硬化したインプリント材からマスターモールドを引き離す（離型工程）。これにより、インプリント材の凹凸パターンがブランクモールド上に形成される。そして、インプリント材の凹凸パターンをマスクとしてエッチング処理などが施され、ブランクモールドに凹凸パターンが形成される。このようにして複製されたモールドは、レプリカモールドとも呼ばれる。
【０００４】
インプリント技術（を用いたインプリント装置）では、凹凸パターンの転写精度の劣化や転写される凹凸パターンの欠損を防止する必要があり、それに関する技術が従来から提案されている（特許文献１及び２参照）。
【０００５】
例えば、特許文献１には、ブランクモールド（レプリカモールド）の厚さのばらつきによる凹凸パターンの転写精度の劣化を抑制するための技術が開示されている。特許文献１に開示された技術では、まず、凹凸パターンを転写する前に、ブランクモールドを凸形状に変形させる力と凸形状の変形量との関係を取得する。そして、かかる関係に基づいて、ブランクモールドを凸形状に変形させる力を制御するためのプロファイルを校正し、凹凸パターンを転写する際には、校正したプロファイルに基づいて、ブランクモールドを凸形状に変形させている。
【０００６】
また、特許文献２には、転写された凹凸パターンの局所的な歪みを抑制するための技術が開示されている。特許文献２に開示された技術では、まず、ブランクモールドの段差構造を有する領域（即ち、凹凸パターンを形成する領域）外の領域の傾き及びブランクモールドとマスターモールドとの間の距離を計測する。そして、かかる計測値に基づいて、マスターモールドにブランクモールドを押し付つける力を制御している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−１６２０４５号公報
【特許文献２】特開２０１３−２１９２３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
インプリント装置において、基板を保持して移動可能な基板保持機構は、例えば、エアベアリングによって浮上している。エアベアリングのエア圧は、エアを供給するポンプの脈動によって変動する。しかしながら、特許文献１に開示された技術では、ブランクモールドを凸形状に変形させる力を予め校正されたプロファイルに応じて制御するため、エアベアリングのエア圧の変動などの外乱に対応することが難しい。また、特許文献２に開示された技術は、凹凸パターンを転写する過程（供給工程、押印工程、充填工程、硬化工程及び離型工程）の間でのブランクモールドの段差構造を有する領域内の変形量を考慮していない。従って、特許文献２に開示された技術は、凹凸パターンの転写精度の向上や転写される凹凸パターンの欠損を防止する点で不利である。
【０００９】
また、ブランクモールドから複製されるレプリカモールドは、凹凸パターンが転写される基板に対してマスター側となるため、凹凸パターンの品質がより厳しく要求される。従って、供給工程、押印工程、充填工程及び離型工程にかける時間を長くすることが考えられるが、その間、マスターモールドとブランクモールドとの相対的な姿勢を安定させて維持しなければならない。
【００１０】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板に形成されるパターンの精度の点で有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドを用いてパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記モールドを保持して移動するモールド保持部と、前記パターンを形成すべき第１領域を第１面に含む基板の前記第１面とは反対側の第２面を吸着する第１チャックを含み、前記第１チャックによって前記基板を保持して移動する基板保持部と、前記第２面の側に配置され、前記第１領域の反対側の領域である前記第２面の第２領域の高さ方向の位置を計測する第１計測部と、前記第１計測部によって計測された位置に基づいて、前記インプリント処理を行っている間における前記モールドのパターン面と前記基板の前記第１領域との間の相対的な傾き及び位置の少なくとも一方を制御する処理を行う制御部と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、例えば、基板に形成されるパターンの精度の点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるインプリント装置の構成及びブランクモールドを示す図である。
【図２】図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するための図である。
【図３】図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するための図である。
【図４】ブランクモールドのメサ領域の平面度の補正を説明するための図である。
【図５】図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理の押印工程を説明するための図である。
【図６】図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理の押印工程を説明するための図である。
【図７】図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理の充填工程を説明するための図である。
【図８】図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理の離型工程を説明するための図である。
【図９】本発明の第２の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図である。
【図１０】図９に示すインプリント装置の第２計測部の計測値の原点の取得を説明するための図である。
【図１１】図９に示すインプリント装置におけるインプリント処理の供給工程を説明するための図である。
【図１２】ブランクモールドのメサ領域の平面度の補正を説明するための図である。
【図１３】図９に示すインプリント装置におけるインプリント処理の押印工程を説明するための図である。
【図１４】第１計測部や第２計測部の計測箇所の一例を示す図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態におけるインプリント装置を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１６】
＜第１の実施形態＞
図１（ａ）乃至図１（ｃ）は、本発明の第１の実施形態におけるインプリント装置１００の構成及びブランクモールド５を示す図である。インプリント装置１００は、モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行うリソグラフィ装置である。インプリント装置１００は、凹凸パターンが形成されたモールドと基板に供給（塗布）されたインプリント材とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで基板上に凹凸パターンを転写する。インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波や熱などが用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。硬化性組成物は、光の照射により、或いは、加熱により硬化する組成物である。光の照射により硬化する硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。本実施形態では、光硬化法を採用し、インプリント材として光硬化性の材料を用いている。また、モールドをマスターモールド、基板をブランクモールドとし、レプリカモールドを複製する場合を例に説明する。
【００１７】
インプリント装置１００は、図１（ａ）に示すように、モールド保持部４と、基板保持部９と、調整部１２と、第１計測部１３と、制御部５０とを有する。更に、インプリント装置１００は、後述するように、供給部１７と、光源２４とを有する。
【００１８】
マスターモールド１は、１５２ｍｍ角の大きさ、６．３５ｍｍの厚さを有する合成石英ガラスで構成されている。マスターモールド１は、ブランクモールド側（基板側）の面の中央部に、ナノメートルオーダーのラインアンドスペースで凹凸パターンが形成されたパターン領域（パターン面）２を有する。パターン領域２は、例えば、２６ｍｍ×３３ｍｍの大きさを有する。
【００１９】
モールド保持部４は、マスターモールド１を保持して移動する。モールド保持部４は、例えば、マスターモールド１を吸着するモールドチャック３によってマスターモールド１を保持する。また、モールド保持部４は、制御部５０の制御下において、マスターモールド１の位置や姿勢を調整（変更）する機能を実現する。
【００２０】
基板としてのブランクモールド５は、マスターモールド１と同様に、１５２ｍｍ角の大きさ、６．３５ｍｍの厚さを有する合成石英ガラスで構成されている。ブランクモールド５は、マスターモールド側の第１面５ａの中央部に、パターンを形成すべきメサ領域（第１領域）６を有する。メサ領域６は、２６ｍｍ×３３ｍｍの大きさを有する。メサ領域６は、パターンを形成する際に、メサ領域６を除く領域がマスターモールド１に接触することを防止するために、その周囲より３０μｍ高く形成されている。
【００２１】
また、ブランクモールド５は、図１（ｂ）に示すように、メサ領域６を含む第１面５ａとは反対側の第２面５ｂに、直径ｄ１＝６４ｍｍ、深さｄ２＝５．２５ｍｍの円形状の凹部であるコアアウト７を有する。コアアウト７は、図１（ｃ）に示すように、コアアウト７の中心がメサ領域６の中心と重なるように形成されている。
【００２２】
基板保持部９は、ブランクモールド５を保持して移動する。基板保持部９は、ブランクモールド５（の第２面５ｂ）を吸着する基板チャック（第１チャック）８を含み、基板チャック８によってブランクモールド５を保持する。ブランクモールド５が基板保持部９に保持された状態において、コアアウト７は、基板チャック８とメサ領域６の反対側の領域である第２面５ｂの領域（第２領域）５ｃを含む領域との間に空間、所謂、キャビティ１０を規定する。
【００２３】
基板チャック８には、キャビティ１０に連通する配管１１が形成されており、配管１１は、調整部１２に接続されている。調整部１２は、例えば、キャビティ１０に圧縮空気を供給する供給源とキャビティ１０を真空にする供給源とを切り替える切替弁やサーボバルブなどを含む圧力調整器で構成されている。調整部１２は、配管１１を介して、キャビティ１０の圧力を調整することで、メサ領域６をマスターモールド１に向かって凸形状又は凹形状に変形させる。
【００２４】
第１計測部１３は、ブランクモールド５の第２面５ｂの側に配置され、ブランクモールド５の第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置を計測する。第１計測部１３は、本実施形態では、分光干渉変位計で構成され、基板チャック８に実装されている。
【００２５】
制御部５０は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の全体を制御する。制御部５０は、インプリント装置１００の各部を統括的に制御して、マスターモールド１を用いて、ブランクモールド５（のメサ領域６）にパターンを形成するインプリント処理を制御する。また、制御部５０は、第１計測部１３の計測値に基づいて、インプリント処理を行っている間におけるマスターモールド１のパターン領域２とブランクモールド５のメサ領域６との間の相対的な傾き及び位置の少なくとも一方を制御する処理を行う。
【００２６】
図２（ａ）乃至図２（ｃ）及び図３（ａ）乃至図３（ｃ）を参照して、インプリント装置１００におけるインプリント処理について説明する。まず、第１計測部１３の計測値の原点を取得する。具体的には、図２（ａ）に示すように、基準面１４を含む基準プレート１５を、基準面１４と第１計測部１３とが対向するように基板チャック８に載置して基板保持部９に保持させる。基準面１４は、メサ領域６と同等、或いは、メサ領域６よりも小さい平面度及び面粗さを有する。基準面１４は、例えば、０．５μｍ以下の平面度、０．５ｎｍ以下の面粗さを有する平面で構成されている。基板保持部９に保持された基準面１４の高さ方向の位置を第１計測部１３によって計測し、その計測値を原点とする。基準面１４の高さ方向の位置を計測したら、基準プレート１５を基板保持部９から搬出する。
【００２７】
次いで、ブランクモールド５のメサ領域６にインプリント材を供給する（供給工程）。具体的には、パターンが形成されていないブランクモールド５を基板保持部９に保持させて、図２（ｂ）に示すように、供給部１７からメサ領域６にインプリント材１６を供給する。供給部１７は、インプリント材１６の供給方式として、例えば、インクジェット方式を採用し、インプリント材１６をドロップ状に吐出して、メサ領域６の所定の位置に着弾させる。
【００２８】
供給工程では、インプリント材１６を供給するにあたって、メサ領域６の平面度を補正する必要がある。これは、コアアウト７が自重によって基板チャック８の側に撓み、メサ領域６が撓んだ状態では正しい位置にドロップ状のインプリント材１６を着弾させることができないからである。そこで、本実施形態では、供給工程において、ブランクモールド５のメサ領域６の平面度を許容範囲に収めるように、調整部１２を制御する。
【００２９】
図４（ａ）乃至図４（ｂ）を参照して、ブランクモールド５のメサ領域６の平面度の補正について説明する。図４（ａ）に示すように、ブランクモールド５のメサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置を第１計測部１３によって計測する。
【００３０】
ブランクモールド５の第２面５ｂの領域５ｃにおいて（領域内で）、第１計測部１３によって高さ方向の位置を計測する計測箇所１８としては、図４（ｂ）に示すように、領域５ｃの中央及び四隅の５箇所が考えられる。図４（ｂ）は、メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃを基板チャック８の側から示す平面図である。第１計測部１３は、メサ領域６の裏側に対応する領域内の計測箇所１８に応じて配置され、本実施形態では、図４（ｂ）に示すように、５箇所の計測箇所１８のそれぞれに対応して第１計測部１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ及び１３ｅが配置されている。
【００３１】
ここで、第１計測部１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ及び１３ｅのそれぞれで得られた計測値をＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４及びＤ５とし、Ｄ１−Ｄ２＝ΔＤ１２、Ｄ１−Ｄ３＝ΔＤ１３、Ｄ１−Ｄ４＝ΔＤ１４、Ｄ１−Ｄ５＝ΔＤ１５とする。この場合、メサ領域６の平面度が補正されていくと、図４（ｃ）に示すように、ΔＤ１２、ΔＤ１３、ΔＤ１４及びΔＤ１５のそれぞれは、ゼロに近づいていく。従って、ΔＤ１２、ΔＤ１３、ΔＤ１４及びΔＤ１５が規格値に収まるように、キャビティ１０の圧力Ｐを調整部１２で調整することで、メサ領域６の平面度を所望の値にすることが可能である。このように、第１計測部１３ａ乃至１３ｅで得られる計測値の複数の計測箇所間の差分を低減するように、調整部１２を調整する。これにより、ブランクモールド５のメサ領域６の所定の位置にドロップ状のインプリント材１６を着弾させることができる。また、ブランクモールド５のメサ領域６において所望の平面度が得られたときのキャビティ１０の圧力Ｐｔ１は、参照値として、例えば、制御部５０のメモリなどの記憶部に記憶される。
【００３２】
次に、ブランクモールド５のメサ領域６に供給されたインプリント材１６とマスターモールド１のパターン領域２とを接触させる（押印工程）。具体的には、インプリント材１６が供給されたブランクモールド５を、基板保持部９を介してマスターモールド１の直下に移動させる。そして、図２（ｃ）に示すように、キャビティ１０の圧力Ｐを調整部１２で調整する（高くする）ことで、メサ領域６をマスターモールド１に対して凸形状に変形させる。この際、ブランクモールド５のメサ領域６に供給されたインプリント材１６は、マスターモールド１のパターン領域２と接触していない。
【００３３】
ブランクモールド５のメサ領域６に供給されたインプリント材１６とマスターモールド１のパターン領域２とを接触させる際には、モールド保持部４をＺ方向に下降させて、インプリント材１６とパターン領域２の中央部とを接触させる。更に、モールド保持部４の下降を継続しながらキャビティ１０の圧力Ｐを調整部１２で調整する（低くする）ことで、インプリント材１６とパターン領域２との接触領域をパターン領域２の中心から外側に向けて連続的に拡大させる。最終的には、マスターモールド１のパターン領域２とブランクモールド５のメサ領域６に供給されたインプリント材１６とを完全に接触させる。
【００３４】
押印工程では、マスターモールド１とブランクモールド５との相対的な姿勢が変動すると、パターン領域２とメサ領域６との間でインプリント材１６の接触と剥離とが繰り返され、かかるインプリント材１６に気泡が混入しやすくなる。従って、図５（ａ）に示すように、接触領域１９と非接触領域２０との境界２１がパターン領域２の中心から外側に向けて連続的に移動するように、インプリント材１６とパターン領域２とを接触させる必要がある。なお、接触領域１９とは、メサ領域６に供給されたインプリント材１６とパターン領域２とが接触している領域であって、非接触領域２０とは、メサ領域６に供給されたインプリント材１６とパターン領域２とが接触していない領域である。
【００３５】
また、ブランクモールド５のメサ領域６を凸形状に変形させる際、その変形量が少ないと、メサ領域６に供給されたインプリント材１６とパターン領域２との接触開始時の接触領域１９が大きくなる。このように接触領域１９が大きくなることも、パターン領域２とメサ領域６との間のインプリント材１６に気泡が混入しやすくなる要因の１つとなる。
【００３６】
本実施形態では、押印工程において、接触領域１９がパターン領域２の中心から外側に向けて拡大し、且つ、マスターモールド１とブランクモールド５との間の相対的な傾きを低減するように、調整部１２、モールド保持部４、基板保持部９などを制御する。例えば、接触開始時の接触領域１９の最適な大きさと、接触領域１９の最適な拡大速度２２とに基づいて、押印工程におけるメサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の目標位置を設定することが可能である。従って、かかる目標位置に対して第１計測部１３で得られる計測値が追従するように、調整部１２と、モールド保持部４及び基板保持部９の少なくとも一方とを制御すればよい。
【００３７】
図５（ａ）に示すように、一点鎖線Ｌａ及びＬｂを軸とする線対称な接触領域１９が、押印工程を経るにつれて、パターン領域２の中心から外側に向けて拡大する場合を考える。上述したように、第１計測部１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ及び１３ｅのそれぞれで得られた計測値をＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４及びＤ５とし、ここでは、計測値Ｄ２に着目する。
【００３８】
図５（ｂ）では、押印工程の各時刻ｔにおける目標位置ＩＰを実線で示し、押印工程の各時刻ｔにおいて第１計測部１３ｂで得られた計測値Ｄ２を点線及び破線で示している。具体的には、第１計測部１３ｂで得られた計測値Ｄ２と目標位置ＩＰとの差分を求め、かかる差分をモールド保持部４の駆動量としてフィードバック制御し、計測値Ｄ２を目標位置ＩＰ（のプロファイル）に追従させる。一方、キャビティ１０の圧力Ｐに関しては、図５（ｃ）に示すように、接触開始の時刻ｔ１からΔｔ後に圧力Ｐｔ２から低くし、接触完了の時刻ｔ２からΔｔ後に圧力Ｐｔ１（供給工程で取得した参照値）となるように、調整部１２で調整（制御）する。なお、圧力Ｐｔ２は、接触開始時に接触領域１９の最適な大きさが得られる圧力である。
【００３９】
接触開始の時刻ｔ１から接触完了の時刻ｔ２までの期間には、例えば、基板保持部９を浮上させるエアベアリングにおいて、エアを供給するポンプの脈動によってエア圧の変動が生じることがある。このような外乱は、図５（ｂ）に示すように、目標位置ＩＰ（実線）に対する計測値Ｄ２（点線、破線）の偏差として現れる。目標位置ＩＰに対する計測値Ｄ２の偏差については、点線で示す場合はあってもよいが、破線で示す場合のように、フィードバック制御による計測値Ｄ２の変化率がプラスになることは避けなければならない。計測値Ｄ２の変化率がプラスであることは、ブランクモールド５のメサ領域６に供給したインプリント材１６がマスターモールド１のパターン領域２に接触した状態から剥離したことを意味する。従って、接触領域１９を拡大するには、インプリント材１６とパターン領域２とを再び接触させなければならないため、パターン領域２とメサ領域６との間のインプリント材１６に気泡が混入する可能性が高くなる。
【００４０】
そこで、押印工程では、第１計測部１３ｂで得られる計測値Ｄ２を目標位置ＩＰに追従させるように、モールド保持部４によるマスターモールド１のＺ方向の位置及び傾きの制御と、調整部１２によるキャビティ１０の圧力Ｐの調整とを行うことが有効となる。例えば、押印工程の各時刻におけるメサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の目標位置を示す目標位置情報（第１情報）を予め記憶する。そして、押印工程の各時刻において第１計測部１３で得られる計測値が目標位置情報によって示される目標位置となるように、モールド保持部４や調整部１２を制御すればよい。なお、第１計測部１３ｂで得られる計測値Ｄ２を目標位置ＩＰに追従させる際には、モールド保持部４によるマスターモールド１のＺ方向の位置及び傾きの制御に代えて、基板保持部９によるブランクモールド５のＺ方向の位置及び傾きの制御を行ってもよい。また、基板保持部９によるブランクモールド５のＺ方向の位置及び傾きの制御と、モールド保持部４によるマスターモールド１のＺ方向の位置及び傾きの制御とを組み合わせてもよい。
【００４１】
これまでの説明では、計測値Ｄ２と目標位置ＩＰとの関係から押印工程における接触領域１９の状態を推察しているが、これに限定されるものではない。例えば、図６に示すように、第１計測部１３ａ及び第２計測部１３ｂのそれぞれで得られる計測値Ｄ１及びＤ２と、これらの計測箇所１８の間隔から近似される傾き量αから押印工程における接触領域１９の状態を推察してもよい。
【００４２】
このように、本実施形態では、ブランクモールド５のメサ領域６に供給されたインプリント材１６とマスターモールド１のパターン領域２との接触開始時の接触領域１９を小さくして最適な大きさとしている。そして、接触領域１９がパターン領域２の中心から外側に向けて拡大し、且つ、マスターモールド１とブランクモールド５との間の相対的な傾きを低減するようにしている。これにより、パターン領域２とメサ領域６との間でインプリント材１６の接触と剥離とが繰り返されることが抑制され、かかるインプリント材１６への気泡の混入を低減（防止）することができる。
【００４３】
次いで、マスターモールド１のパターン領域２の隅々にまでブランクモールド５のメサ領域６に供給されたインプリント材１６が充填されるように、インプリント材１６とパターン領域２とを接触された状態を予め定められた時間維持する（充填工程）。本実施形態では、充填工程においても、ブランクモールド５のメサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置を第１計測部１３によって計測する。そして、ΔＤ１２、ΔＤ１３、ΔＤ１４及びΔＤ１５が規格値に収まるように、モールド保持部４や基板保持部９の駆動量を制御する。これにより、パターン領域２をメサ領域６に供給されたインプリント材１６に押し付ける力を調整するとともに、メサ領域６の平面度を許容範囲に収めることが可能となる。この際、キャビティ１０の圧力Ｐに関しては、一定値、具体的には、圧力Ｐｔ１（供給工程で取得した参照値）を維持するように、調整部１２で調整（制御）する。
【００４４】
充填工程において、図７に示すように、一点鎖線Ｌｂを軸としてメサ領域６が１０μｒａｄ傾いた場合、メサ領域６は、外周周辺で１ｎｍ歪むことになる。例えば、メサ領域６の歪みを２ｎｍ以下に抑えるためには、メサ領域６の傾きを２０μｒａｄ以下にする必要がある。従って、第１計測部１３ｂ及び１３ｃの間隔を２０ｍｍとすると、ΔＤ２３が０．４μｍ以下となるように、モールド保持部４によるマスターモールド１のＺ方向の位置及び傾きの制御と、調整部１２によるキャビティ１０の圧力Ｐの調整とを行えばよい。なお、モールド保持部４によるマスターモールド１のＺ方向の位置及び傾きの制御に代えて、基板保持部９によるブランクモールド５のＺ方向の位置及び傾きの制御を行ってもよいし、それらを組み合わせてもよい。
【００４５】
マスターモールド１のパターン領域２にインプリント材１６が十分に充填されたら、図３（ａ）に示すように、ブランクモールド５のメサ領域６に供給されたインプリント材１６とパターン領域２とを接触させた状態でインプリント材１６を硬化させる（硬化工程）。例えば、光源２４からのｉ線（波長３６５ｎｍ）に代表される紫外線２３を、マスターモールド１（パターン領域２）を介してインプリント材１６に照射し、かかるインプリント材１６を硬化させる。
【００４６】
本実施形態では、硬化工程においても、ブランクモールド５のメサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置を第１計測部１３によって計測する。そして、充填工程と同様に、ΔＤ１２、ΔＤ１３、ΔＤ１４及びΔＤ１５が規格値に収まるように、調整部１２と、モールド保持部４及び基板保持部９の少なくとも一方とを制御する。また、ブランクモールド５のメサ領域６に供給されたインプリント材１６を硬化させた後であっても、次の工程が開始されるまで、ΔＤ１２、ΔＤ１３、ΔＤ１４及びΔＤ１５が規格値に収まっている状態を維持するとよい。これにより、マスターモールド１のパターン領域２に充填されて硬化したインプリント材１６に応力が加わり、ブランクモールド５（メサ領域６）に形成されるパターンに欠陥が生じる可能性を低減することができる。
【００４７】
次いで、ブランクモールド５のメサ領域６に供給されて硬化したインプリント材１６からマスターモールド１を引き離す（離型工程）。具体的には、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すように、モールド保持部４をＺ方向に上昇させて、メサ領域６に供給されて硬化したインプリント材１６からマスターモールド１を引き離す。
【００４８】
離型工程では、マスターモールド１とブランクモールド５との相対的な姿勢が変動すると、メサ領域６に形成されたインプリント材１６のパターンとマスターモールド１のパターン領域２とが衝突し、かかるパターンに欠陥が生じる可能性がある。このようなパターンの欠陥を防止するためには、図８（ａ）に示すように、接触領域１９と離型完了領域２５との境界２６がパターン領域２の外側から中心に向けて連続的に移動するように、マスターモールド１を離型させる必要がある。なお、離型完了領域２５とは、メサ領域６に供給されて硬化したインプリント材１６からマスターモールド１が引き離された領域、即ち、インプリント材１６とパターン領域２とが接触していない領域である。
【００４９】
本実施形態では、離型工程において、接触領域１９がパターン領域２の外側から中心に向けて縮小し、且つ、マスターモールド１とブランクモールド５との間の相対的な傾きを低減するように、調整部１２、モールド保持部４、基板保持部９などを制御する。例えば、離型工程においても、押印工程と同様に、接触領域１９の最適な縮小速度２２’に基づいて、離型工程におけるメサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の目標位置を設定することが可能である。従って、かかる目標位置に対して第１計測部１３で得られる計測値が追従するように、調整部１２と、モールド保持部４及び基板保持部９の少なくとも一方とを制御すればよい。
【００５０】
図８（ａ）に示すように、一点鎖線Ｌａ及びＬｂを軸とする線対称な接触領域１９が、離型工程を経るにつれて、パターン領域２の外側から中心に向けて縮小する場合を考える。上述したように、第１計測部１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ及び１３ｅのそれぞれで得られた計測値をＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４及びＤ５とし、ここでも、計測値Ｄ２に着目する。
【００５１】
図８（ｂ）では、離型工程の各時刻ｔにおける目標位置ＩＰ’を実線で示し、離型工程の各時刻ｔにおいて第１計測部１３ｂで得られた計測値Ｄ２を点線及び破線で示している。充填工程と同様に、第１計測部１３ｂで得られた計測値Ｄ２と目標位置ＩＰ’との差分を求め、かかる差分をモールド保持部４の駆動量としてフィードバック制御し、計測値Ｄ２を目標位置ＩＰ’（のプロファイル）に追従させる。一方、キャビティ１０の圧力Ｐに関しては、図８（ｃ）に示すように、離型開始の時刻ｔ３からΔｔ後に圧力Ｐｔ１から低くし、離型完了の時刻ｔ４からΔｔ後に圧力Ｐｔ０となるように、調整部１２で調整（制御）する。なお、圧力Ｐｔ０は、キャビティ１０に圧力をかけていない状態に対応する圧力である。
【００５２】
離型開始の時刻ｔ３から離型完了の時刻ｔ４までの期間における外乱は、図８（ｂ）に示すように、目標位置ＩＰ’（実線）に対する計測値Ｄ２（点線、破線）の偏差として現れる。目標位置ＩＰ’に対する計測値Ｄ２の偏差については、点線で示す場合はあってもよいが、破線で示す場合のように、フィードバック制御による計測値Ｄ２の変化率がマイナスになることは避けなければならない。計測値Ｄ２の変化率がマイナスであることは、メサ領域６に形成されたインプリント材１６のパターンとマスターモールド１のパターン領域２とが衝突（接触）したことを意味し、かかるパターンに欠陥が生じている可能性を示唆している。
【００５３】
そこで、離型工程では、第１計測部１３ｂで得られる計測値Ｄ２を目標位置ＩＰ’に追従させるように、モールド保持部４によるマスターテンモールド１のＺ方向の位置及び傾きの制御と、調整部１２によるキャビティ１０の圧力Ｐの調整を行うことが有効となる。例えば、離型工程の各時刻におけるメサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の目標位置を示す目標位置情報（第２情報）を予め記憶する。そして、離型工程の各時刻において第１計測部１３で得られる計測値が目標位置情報によって示される目標位置となるように、モールド保持部４や調整部１２を制御すればよい。なお、第１計測部１３ｂで得られる計測値Ｄ２を目標位置ＩＰ’に追従させる際には、モールド保持部４によるマスターモールド１のＺ方向の位置及び傾きの制御に代えて、基板保持部９によるブランクモールド５のＺ方向の位置及び傾きの制御を行ってもよい。また、基板保持部９によるブランクモールド５のＺ方向の位置及び傾きの制御と、モールド保持部４によるマスターモールド１のＺ方向の位置及び傾きの制御とを組み合わせてもよい。
【００５４】
これまでの説明では、計測値Ｄ２と目標位置ＩＰ’との関係から離型工程における接触領域１９の状態を推察しているが、これに限定されるものではない。例えば、押印工程と同様に、第１計測部１３ａ及び第２計測部１３ｂのそれぞれで得られる計測値Ｄ１及びＤ２と、これらの計測箇所１８の間隔から近似される傾き量から離型工程における接触領域１９の状態を推察してもよい。
【００５５】
本実施形態におけるインプリント装置１００によれば、供給工程、押印工程、充填工程及び離型工程とを含むインプリント処理において、マスターモールド１（モールド）とブランクモールド５（基板）との相対的な姿勢を安定して維持することができる。従って、インプリント装置１００は、基板としてのブランクモールド５に形成されるパターンの精度の点で有利である。
【００５６】
＜第２の実施形態＞
第１の実施形態では、メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置を第１計測部１３によって計測し、その計測結果に基づいて、パターン領域２とメサ領域６との間の相対的な傾きや位置を制御している。但し、第１の実施形態では、メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの平面度及び面粗さがメサ領域６の平面度及び面粗さと同等で、且つ、領域５ｃとメサ領域６との平行度が十分に得られていることを前提としている。実際には、メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの平面度及び面粗さがメサ領域６の平面度及び面粗さよりも大きく、且つ、領域５ｃとメサ領域６との平行度も十分に得られていない場合もある。従って、メサ領域６の平面度を所望の値にするためには、メサ領域６の高さ方向の位置を計測しながら、調整部１２によってキャビティ１０の圧力Ｐを調整するとよい。但し、インプリント処理における押印工程、充填工程、硬化工程及び離型工程では、メサ領域６の高さ方向の位置を計測することが難しい。そこで、本実施形態では、メサ領域６において平面度が所望の値が得られたときのメサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置を取得し、その計測値を参照値としてメサ領域６の平面度を制御する。
【００５７】
図９は、本発明の第２の実施形態におけるインプリント装置２００の構成を示す図である。インプリント装置２００は、インプリント装置１００と同様に、モールド（マスターモールド）を用いて基板（ブランクモールド）上のインプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行うリソグラフィ装置である。また、インプリント装置２００は、インプリント装置１００の構成に加えて、第２計測部２７を更に有する。
【００５８】
第２計測部２７は、ブランクモールド５の第１面５ａの側に配置され、ブランクモールド５のメサ領域６の高さ方向の位置を計測する。第２計測部２７は、本実施形態では、分光干渉変位計で構成され、モールド保持部４に実装されている。
【００５９】
ブランクモールド５のメサ領域６の高さ方向の位置を第２計測部２７によって計測する際には、第１計測部１３と同様に、第２計測部２７の計測値の原点を取得する必要がある。具体的には、図１０に示すように、第２計測部２７の側の基準面２８ａと第１計測部１３の側の基準面２８ｂとの平行度が十分に得られた基準プレート２９を、基板チャック８に載置して基板保持部９に保持させる。基準プレート２９の基準面２８ａには、Ｖ型の溝３０が形成され、第２計測部２７（の外周）には、溝３０に対応する半球部３１が設けられている。第２計測部２７に設けられた半球部３１が基準プレート２９の基準面２８ａに形成された溝３０に突き当たるように、モールド保持部４をＺ方向に下降させる。これにより、第２計測部２７に対して、基準プレート２９がキネマティックに位置決めされる。図１０に示す状態において、基準プレート２９の基準面２８ａの高さ方向の位置を第２計測部２７によって計測し、その計測値を原点とする。同様に、基準プレート２９の基準面２８ｂの高さ方向の位置を第１計測部１３によって計測し、その計測値を原点とする。
【００６０】
ブランクモールド５のメサ領域６にインプリント材を供給する供給工程では、ブランクモールド５のメサ領域６の平面度を補正するために、図１１（ａ）に示すように、メサ領域６の高さ方向の位置を第２計測部２７によって計測する。ブランクモールド５のメサ領域６において（メサ領域内で）、第２計測部２７によって高さ方向の位置を計測する計測箇所１８ａとしては、図１１（ｂ）に示すように、メサ領域６の中央及び四隅の５箇所が考えられる。換言すれば、第２計測部２７は、第１計測部１３が高さ方向の位置を計測する第２面５ｂの領域５ｃの複数の箇所に対応するメサ領域６の複数の箇所の高さ方向の位置を計測する。図１１（ｂ）は、メサ領域６をモールドチャック３の側から示す平面図である。第２計測部２７は、メサ領域内の計測箇所１８ａに応じて配置され、本実施形態では、図１１（ｂ）に示すように、５箇所の計測箇所１８ａのそれぞれに対応して第２計測部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ及び２７ｅが配置されている。
【００６１】
ここで、第２計測部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ及び２７ｅのそれぞれで得られた計測値をＤｃ１、Ｄｃ２、Ｄｃ３、Ｄｃ４及びＤｃ５とする。また、Ｄｃ１−Ｄｃ２＝ΔＤｃ１２、Ｄｃ１−Ｄｃ３＝ΔＤｃ１３、Ｄｃ１−Ｄｃ４＝ΔＤｃ１４、Ｄｃ１−Ｄｃ５＝ΔＤｃ１５とする。この場合、メサ領域６の平面度を補正されていくと、図１１（ｃ）に示すように、ΔＤｃ１２、ΔＤｃ１３、ΔＤｃ１４及びΔＤｃ１５のそれぞれは、ゼロに近づいていく。従って、ΔＤｃ１２、ΔＤｃ１３、ΔＤｃ１４及びΔＤｃ１５が規格値に収まるように、キャビティ１０の圧力Ｐを調整部１２で調整することで、メサ領域６の平面度を所望の値にすることが可能である。
【００６２】
但し、第１の実施形態でも説明したように、基板保持部９を浮上させるエアベアリングにおいて、エアを供給するポンプの脈動によってエア圧の変動が生じ、基板保持部９の姿勢が変化することがある。基板保持部９の姿勢が変化すると、ブランクモールド５のメサ領域６が傾くことになる。従って、メサ領域６において所望の値の平面度が得られたとしても、図１２に示すように、ΔＤｃ１２が残存してしまうため、メサ領域６において所望の値が得られていないと誤って判断されてしまう。このような場合には、ΔＤｃ２３（＝Ｄｃ２−Ｄｃ３）についても考慮し、ΔＤｃ２３をゼロに近づけるように、モールド保持部４の傾きを制御するとよい。
【００６３】
ブランクモールド５のメサ領域６の平面度を補正する過程において、ブランクモールド５のメサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置も第１計測部１３によって計測する。そして、ΔＤｃ１２、ΔＤｃ１３、ΔＤｃ１４及びΔＤｃ１５が規格値に収まったときの第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置（第１計測部１３の計測値）を、メサ領域６において所望の値の平面度が得られたときの参照値として記憶する。かかる参照値は、メサ領域６の高さ方向の位置を第２計測部２７で計測することが不可能となる後の工程で用いる。具体的には、各工程において、第１計測部１３の計測値（メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置）を、参照値に基づいて、メサ領域６の高さ方向の位置に換算する。これにより、メサ領域６の高さ方向の位置を第２計測部２７で計測することができない場合であっても、メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置を第１計測部１３で計測することで、メサ領域６の高さ方向の位置を求めることが可能となる。
【００６４】
押印工程では、ブランクモールド５のメサ領域６に供給されたインプリント材１６をマスターモールド１のパターン領域２に接触させる前に、第１の実施形態と同様に、メサ領域６をマスターモールド１に対して凸形状に変形させる。この際、図１３に示すように、メサ領域６の高さ方向の位置を第２計測部２７で計測しながら、メサ領域６が予め定められた凸形状となるように、キャビティ１０の圧力Ｐを調整部１２で調整する。また、メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置も第１計測部１３によって計測する。そして、メサ領域６が予め定められた凸形状となったときの第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置（第１計測部１３の計測値）を、別の参照値として記憶する。これにより、ブランクモールド５をマスターモールド１の直下に移動させた後であっても、かかる別の参照値及び第１計測部１３の計測値に基づいて、キャビティ１０の圧力を調整部１２で調整することで、メサ領域６を予め定められた形状に維持することができる。また、メサ領域６が平坦形状から凸形状になるまでの過程について、メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置の目標値のプロファイルとして生成してもよい。
【００６５】
このように、本実施形態では、ブランクモールド５のメサ領域６に供給されたインプリント材１６とマスターモールド１のパターン領域２とを接触させていない状態における第１計測部１３の計測値と第２計測部２７の計測値との関係を取得する。そして、かかる関係に基づいて、メサ領域６に供給されたインプリント材１６とパターン領域２とを接触させた状態における第１計測部１３の計測値からメサ領域６の高さ方向の位置を求めている。これにより、メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの平面度や面粗さ、領域５ｃとメサ領域６との平行度が十分に得られていない場合であっても、マスターモールド１とブランクモールド５との相対的な姿勢を安定して維持することができる。従って、インプリント装置２００は、基板としてのブランクモールド５に形成されるパターンの精度の点で有利である。
【００６６】
また、第１の実施形態及び第２の実施形態では、第１計測部１３や第２計測部２７が計測対象となる領域（メサ領域６や領域５ｃ）の中央及び四隅の５箇所を計測する場合について説明したが、これに限定されるものではない。メサ領域６の変形（形状）は、メサ領域６の剛性が高いほど拘束される。このような場合、図１４（ａ）に示すように、メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃにおける１箇所の計測値と、ブランクモールド５の弾性率とに基づいて、メサ領域６の変形を予測することが可能である。換言すれば、第１計測部１３による計測箇所１８及び第２計測部２７による計測箇所１８’は、１箇所であってもよい。
【００６７】
一方、メサ領域６の変形をより高精度に求めるためには、第１計測部１３や第２計測部２７によって複数の計測箇所を計測することが必要となる。例えば、図１４（ｂ）に示すように、ある直線上の２箇所を計測箇所として配置したり、図１４（ｃ）に示すように、三角形状に計測箇所を配置したりすることが考えられる。
【００６８】
また、第１の実施形態及び第２の実施形態では、メサ領域６をマスターモールド１に対して凸形状に変形させるため、第１計測部１３や第２計測部２７の計測対象となる領域の中央を計測箇所として追加するとよい。例えば、図１４（ｄ）に示すように、三角形状に配置された計測箇所に加えて、中央の１箇所を計測箇所として追加することが考えられる。また、図１４（ｅ）に示すように、第１の実施形態及び第２の実施形態と同様に、計測対象となる領域の中央及び四隅の５箇所を計測箇所とすることが考えられる。
【００６９】
＜第３の実施形態＞
第１の実施形態及び第２の実施形態では、コアアウト７の自重によるメサ領域６の撓みをキャビティ１０の圧力Ｐを調整することで補正する場合について説明した。但し、図１５（ａ）に示すように、ブランクモールド５の第２面５ｂのうちのキャビティ１０よりも外側の領域を吸着する基板チャック８に加えて、追加チャック３２を設けてもよい。図１５（ａ）は、本発明の第３の実施形態におけるインプリント装置３００の構成を示す図である。インプリント装置３００は、インプリント装置２００と同様に、モールド（マスターモールド）を用いて基板（ブランクモールド）上のインプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行うリソグラフィ装置である。また、インプリント装置３００は、インプリント装置２００の構成に加えて、追加チャック３２を更に有する。
【００７０】
追加チャック３２は、第１計測部１３を取り囲むように配置され、ブランクモールド５のメサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃよりも外側の領域を吸着する。追加チャック３２によって、キャビティ１０のうちの領域５ｃよりも外側の領域を吸着、即ち、保持することで、コアアウト７の自重によるメサ領域６の撓みを抑制することができる。なお、第１計測部１３は、追加チャック３２よりも内側、且つ、メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの下方に配置されている。従って、第１計測部１３は、追加チャック３２に干渉することなく、メサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃの高さ方向の位置を計測することができる。
【００７１】
ここで、ブランクモールド５のメサ領域６の裏側に対応する第２面５ｂの領域５ｃよりも外側の領域を追加チャック３２が吸着（保持）する理由について説明する。理想的には、図１５（ｂ）に示すように、ブランクモールド５は、第２面５ｂの領域５ｃよりも外側の領域だけではなく、領域５ｃも保持するようにチャック３３を設けるとよい。但し、ブランクモールド５には公差があるため、例えば、図１５（ｃ）に示すように、ブランクモールド５の第２面５ｂとチャック３３との間に隙間Ｇが生じ、コアアウト７においてブランクモールド５を保持できない可能性がある。
【００７２】
そこで、第１の実施形態及び第２の実施形態では、コアアウト７においてブランクモールド５を保持する代わりに、キャビティ１０に圧力Ｐを加えているが、本実施形態では、追加チャック３２によってコアアウト７においてブランクモールド５を保持する。更に、本実施形態では、追加チャック３２をＺ方向（高さ方向）に駆動する駆動部（アクチュエータ）３２ａを基板保持部９に設けている。駆動部３２ａにより追加チャック３２をＺ方向に駆動することで、ブランクモールド５の公差に対応することができるとともに、メサ領域６の平面度も補正することができる。なお、メサ領域６の平面度の補正は、駆動部３２ａの制御、即ち、追加チャック３２のＺ方向への駆動のみで行ってもよいし、キャビティ１０の圧力Ｐの調整と併せて行ってもよい。
【００７３】
このように、本実施形態においても、追加チャック３２をＺ方向に駆動することで、メサ領域６の平面度を補正し、マスターモールド１とブランクモールド５との相対的な姿勢を安定して維持することができる。従って、インプリント装置３００は、基板としてのブランクモールド５に形成されるパターンの精度の点で有利である。
【００７４】
＜第４の実施形態＞
物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１００、２００又は３００を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００７５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１００、２００、３００：インプリント装置    １：マスターモールド    ４：モールド保持部    ５：ブランクモールド    ８：基板チャック    ９：基板保持部    １３：第１計測部    ５０：制御部
【図１】
2017126723.tif 000003
【図２】
2017126723.tif 000004
【図３】
2017126723.tif 000005
【図４】
2017126723.tif 000006
【図５】
2017126723.tif 000007
【図６】
2017126723.tif 000008
【図７】
2017126723.tif 000009
【図８】
2017126723.tif 000010
【図９】
2017126723.tif 000011
【図１０】
2017126723.tif 000012
【図１１】
2017126723.tif 000013
【図１２】
2017126723.tif 000014
【図１３】
2017126723.tif 000015
【図１４】
2017126723.tif 000016
【図１５】
2017126723.tif 000017