(57)【要約】【課題】  ＬＴＣＣ基板表層を部分研磨することにより、より高精度な薄膜抵抗体の配線パターンを形成することを目的とする。【解決手段】  イオンミリングにより上記低温焼成セラミック基板の抵抗膜下部のセラミック表面を部分的に研磨する研磨工程、上記研磨工程後の上記低温焼成セラミック基板のセラミック表面にスパッタリングによりアルミナ膜を形成するスパッタリング工程、上記スパッタリング工程後のアルミナ膜を研磨するバフ研磨工程、上記バフ研磨工程後のアルミナ膜上に抵抗膜を蒸着する抵抗膜蒸着工程を備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面にアルミナ膜を形成し、当該アルミナ膜の表面に抵抗膜を形成するイオンミリングを用いた低温焼成セラミック基板の抵抗膜製造方法であって、
イオンミリングにより上記低温焼成セラミック基板の抵抗膜下部のセラミック表面を部分的に研磨する研磨工程、
上記研磨工程後の上記低温焼成セラミック基板のセラミック表面にスパッタリングによりアルミナ膜を形成するスパッタリング工程、
上記スパッタリング工程後のアルミナ膜を研磨するバフ研磨工程、
上記バフ研磨工程後のアルミナ膜上に抵抗膜を蒸着する抵抗膜蒸着工程、
を備えた低温焼成セラミック基板の抵抗膜製造方法。
【請求項２】
基板表面にアルミナ膜を形成し、当該アルミナ膜の表面に抵抗膜を形成するフォトリソグラフィを用いた低温焼成セラミック基板の抵抗膜製造方法であって、
スパッタリングにより上記低温焼成セラミック基板の抵抗膜下部のセラミック表面にアルミナ膜を部分的に形成し、表面研磨するスパッタリング及び表面研磨工程、
上記スパッタリング及び表面研磨工程後のアルミナ膜に抵抗膜を蒸着する抵抗膜蒸着工程、
上記抵抗膜蒸着工程後の抵抗膜上にレジストを塗布するレジスト塗布工程、
上記レジスト塗布工程後のレジストを露光及び現像してレジストパターンを形成した後、ドライエッチングにより当該レジストパターン周囲の抵抗膜及びアルミナ膜を除去し、更に当該レジストパターンを除去するドライエッチング工程、
を備えた低温焼成セラミック基板の抵抗膜製造方法。
【請求項３】
上記請求項１もしくは請求項２に記載の低温焼成セラミック基板の抵抗膜製造方法により、基板表面にアルミナ膜及び抵抗膜を形成した低温焼成セラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、低温焼成セラミック（Low Temperature Co-fired Ceramics、以下ＬＴＣＣ）基板の抵抗膜製造方法、及び低温焼成セラミック基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーダ装置、通信装置等の送受信回路に用いられる送受信モジュールは、高密度に実装した半導体素子を搭載している。近年、送受信モジュールは、半導体素子の微細化により高発熱密度化し、熱抵抗の増加、高出力化が進んでおり、より放熱性の優れたものが求められている。また、低コストで多機能一体化または小型化した送受信モジュールの開発も進んでいる。
【０００３】
送受信モジュールは、分布定数線路の信号ライン上に数Ωの抵抗体を有するＭＩＣ（microwave integrated circuit）基板、ＬＴＣＣ基板等から構成される。ＭＩＣ基板は寸法精度の高い抵抗線路を有するため薄膜プロセスでしかつくれないという制約がある。ＭＩＣ基板はその薄膜プロセスにより表層形成スペースを必要とするが、ＬＴＣＣ基板等の他の部品とともに金属キャリア上に別々に実装する場合、その実装スペースが競合してモジュールサイズの小型化に限界があった。
【０００４】
一方、ＬＴＣＣ基板サイズを大きく取り、その表層に高精度配線、薄膜の抵抗膜等を形成して、一枚のＬＴＣＣ基板に多機能回路を一体的に形成することで、送受信モジュールの小型化を実現することが検討されている。これにより機能回路を別体のＭＩＣ基板とＬＴＣＣ基板に分けて実装する場合に比べて、モジュール全体サイズの小型化を図ることが可能となる。また、ＭＩＣ基板の表層実装スペースの制約も緩和される。
【０００５】
ＬＴＣＣ基板は、一般にアルミナ等のセラミックスフィラーとガラスとの複合物からなり、ガラスの低温流動性によって焼結する。このためＬＴＣＣ基板は、表面に微細な凹凸がある。一般的なＬＴＣＣ基板の表面粗さＲａは１．０μｍ程度であり、Ｓｉ基板等に比べて表面が粗いため、表層の配線パターンが「ガタガタまたはジグザグ」になりやすいといった問題がある。
【０００６】
従来、ＬＴＣＣ基板の誘電体による損失（以下、誘電体損）を低減するために、ＬＴＣＣ基板の表層に比誘電率が高いアルミナ膜、ポリイミド樹脂等を形成し、さらにその上に抵抗膜等の配線をより精度良く形成するものがある（例えば特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平６−１１２６４８号公報
【特許文献２】特開２００９−２００２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、更に微細な高い精度が要求される高精度配線を行う場合、その抵抗膜の長さや幅のみならず、ＬＴＣＣ基板表面の粗さが重要となる。このためＬＴＣＣ表面全体を研磨して、基板表面を滑らかにする必要がある。
【０００９】
この場合、ＬＴＣＣ表面全体を研磨すると、ＬＴＣＣ基板の抵抗膜の剥離強度等の膜強度が小さくなり、膜剥がれが発生し易くなってしまう。このため気密不良発生につながるといった問題を生じる。
【００１０】
さらにＬＴＣＣ基板焼成時に、内部や表層の導体及び抵抗、ビアの収縮率の関係で、基板の反りや表面に凹凸を生じるという問題もあった。
【００１１】
この発明は係る課題を解決するためになされたものであって、ＬＴＣＣ基板表層を部分研磨することにより、より高精度な抵抗膜の配線パターンを形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明によるＬＴＣＣ基板の抵抗膜製造方法は、基板表面にアルミナ膜を形成し、当該アルミナ膜の表面に抵抗膜を形成するイオンミリングを用いたＬＴＣＣ基板の抵抗膜製造方法であって、イオンミリングにより上記低温焼成セラミック基板の抵抗膜下部のセラミック表面を部分的に研磨する研磨工程、上記研磨工程後の上記低温焼成セラミック基板のセラミック表面にスパッタリングによりアルミナ膜を形成するスパッタリング工程、上記スパッタリング工程後のアルミナ膜を研磨するバフ研磨工程、上記バフ研磨工程後のアルミナ膜上に抵抗膜を蒸着する抵抗膜蒸着工程を備えたものである。
【００１３】
また、基板表面にアルミナ膜を形成し、当該アルミナ膜の表面に抵抗膜を形成するフォトリソグラフィを用いたＬＴＣＣ基板の抵抗膜製造方法であって、スパッタリングにより上記低温焼成セラミック基板の抵抗膜下部のセラミック表面にアルミナ膜を部分的に形成し、表面研磨するスパッタリング及び表面研磨工程、上記スパッタリング及び表面研磨工程後のアルミナ膜に抵抗膜を蒸着する抵抗膜蒸着工程、上記抵抗膜蒸着工程後の抵抗膜上にレジストを塗布するレジスト塗布工程、上記レジスト塗布工程後のレジストを露光及び現像してレジストパターンを形成した後、ドライエッチングにより当該レジストパターン周囲の抵抗膜及びアルミナ膜を除去し、更に当該レジストパターンを除去するドライエッチング工程を備えたものである。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、ＬＴＣＣ基板表層を部分研磨することにより、より高精度な抵抗膜の配線パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１による送受信モジュールの構成を示す図である。
【図２】実施の形態１によるイオンミリングを用いた部分的な研磨工程を示す図である。
【図３】実施の形態１におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおけるスパッタリング工程を示す図である。
【図４】実施の形態１におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおける表面研磨工程を示す図である。
【図５】実施の形態１におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおける抵抗膜蒸着工程を示す図である。
【図６】実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおけるスパッタリング及び表面研磨工程を示す図である。
【図７】実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおける抵抗膜蒸着工程を示す図である。
【図８】実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおけるレジスト塗布工程を示す図である。
【図９】実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおける露光及び現像工程を示す図である。
【図１０】実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおけるドライエッチング工程を示す図である。
【図１１】実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおけるレジスト除去工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１による送受信モジュールの構成を示す図である。図１において、実施の形態１による送受信モジュールを構成する低温焼成セラミック基板のパッケージは、第１の機能部１と、第２の機能部２から構成される。例えば第１の機能部１は、ＬＴＣＣ基板６の表層に一体的に形成したアルミナ膜８上の送信回路から構成される。第２の機能部２は別体の複数のＭＩＣ基板８０上に形成した受信回路から構成される。第１の機能部１及び第２の機能部２はＬＴＣＣ基板６に搭載される。
【００１７】
ＬＴＣＣ基板６は複数のセラミック基板と配線回路パターンとグランド導体パターンが多層に積層され、層間の配線回路パターン、グランド導体パターン等を金属ビア等により接続して、形成される。ＬＴＣＣ基板６は、従来に比べて寸法サイズの比較的大きな基板サイズを有して、金属キャリア５の上に搭載される。金属キャリア５はシャシ３の上に搭載される。第１の機能部１及び第２の機能部２は、上蓋７をＬＴＣＣ基板６に接合することで、上蓋７の内側に設けられる個別のキャビティ空間にそれぞれ収納される。上蓋７は仕切壁を有しており、第１の機能部１及び第２の機能部２は仕切壁を介して、個別のキャビティ空間内に別箇に配置される。上蓋７は、第１の機能部１及び第２の機能部２の周囲をそれぞれ囲むように、ＬＴＣＣ基板６のセラミック表面に形成したアルミナ膜８上に接合される。上蓋７は、別体のシールリングとカバーを溶接または半田付けすることで形成されても良い。上蓋７は、仕切壁を有しており、第１の機能部１及び第２の機能部２はそれぞれ仕切壁を介して、個別のキャビティ空間内にそれぞれ配置される。
【００１８】
ＬＴＣＣ基板６は、表層に誘電体損を低減しかつ比誘電率の高いアルミナ膜８を形成し、アルミナ膜８上に薄膜の抵抗膜９等の配線が狭線幅でかつ高い位置決め精度で、高精度に配線されることを特徴としている。このようにＬＴＣＣ基板６上のアルミナ膜８の表層に、高精度に抵抗膜９等の配線回路パターンを形成する。またＬＴＣＣ基板６上の凹み部（キャビティ部）表層に別体のＭＩＣ基板８０を実装する。これによって多機能回路を一体的かつ小型に形成することができる。また従来は別体のＬＴＣＣ基板とＭＩＣ基板を同一の金属キャリアに実装し、それぞれの基板間をワイヤボンディング等で接続していた。これに対し実施の形態１では、ＬＴＣＣ基板上に一体的に多機能回路を形成することができるので、表層のＭＩＣ基板の形成スペースを縮減することができる。これによってＭＩＣ基板とＬＴＣＣ基板を別体とする際の実装スペースの競合が発生しなくなり、モジュールサイズの小型化を実現することが可能となる。
【００１９】
ＬＴＣＣ基板は、一般にアルミナ等のセラミックスフィラーとガラスとの複合物から形成される。ＬＴＣＣ基板はガラスの低温流動性によって焼結するために、表面に微細な凹凸がある。一般的なＬＴＣＣ基板の表面粗さＲａが１．０μｍ程度であり、Ｓｉ基板等に比べて表面が粗いため、配線パターンがガタガタ、ジグザグになり易い。また、ＬＴＣＣ基板の表面全体をそのまま研磨すると、膜強度が小さくなり、膜剥がれが発生し易くなってしまう。従いＬＴＣＣ基板表面全体を研磨することが困難である。
【００２０】
このＬＴＣＣ基板の一般的な特性を勘案し、実施の形態１によるＬＴＣＣ基板６は、ＬＴＣＣ基板の表面粗さとＬＴＣＣ基板表面の凹凸を最小化することを目的として、ＬＴＣＣ基板表層において、抵抗体の下部におけるアルミナ膜の成形領域８００のみ部分研磨することで、薄膜の抵抗膜９等の高精度な配線を形成する。
【００２１】
以下、実施の形態１によるＬＴＣＣ基板６のアルミナ膜８及び抵抗膜９の形成プロセスについて、その製造方法を説明する。
【００２２】
ここでは、イオンミリング法を用いて、アルミナ膜の成形領域８００において部分的に研磨する研磨工程（Ｓ１）と、アルミナ膜を形成するスパッタリング工程（Ｓ２）と、バフ研磨工程（Ｓ３）と、フォトリソグラフィ法を用いたドライエッチング工程（Ｓ４）からなる。
【００２３】
図２は、実施の形態１によるイオンミリングを用いたＬＴＣＣ基板６の部分的な研磨工程Ｓ１を示す図である。ＬＴＣＣ基板６は、硬いものと柔らかいものが混在している複合材料であっても材料による影響を最小限に抑えて、綺麗な平滑化断面を作製可能なイオンミリングを用いて、部分的に研磨する。
【００２４】
図２において、研磨工程Ｓ１では、ＬＴＣＣ基板６を斜めにして配置し、アルゴン（Ａｒ）イオンビームをＬＴＣＣ基板６におけるアルミナ膜の成形領域８００のセラミック表面に上方から照射し、ＬＴＣＣ基板６の表面に対して斜め（図の例では４５°の傾斜角）にアルゴンイオンビームが照射されるようにする。このとき原子を弾き飛ばすスパッタリング現象を利用して、ＬＴＣＣ基板６の表面を部分的に削る。
【００２５】
図３は、実施の形態１によるスパッタリング工程Ｓ２を示す図であって、（ａ）は側断面図、（ｂ）は上面図である。
図３において、研磨工程Ｓ１にてＬＴＣＣ基板６の表面を部分研磨したところに、スパッタリング工程Ｓ２にて、アルミナをスパッタリングで噴き付けて、ＬＴＣＣ基板６におけるアルミナ膜の成形領域８００内のセラミック表面に、アルミナ膜８を部分的に形成する。
【００２６】
次に、図４は、実施の形態１におけるＬＴＣＣ基板６の形成プロセスにおける表面研磨工程Ｓ３を示す図であって、（ａ）は側断面図、（ｂ）は上面図である。
図４において、スパッタリング工程Ｓ２の後、抵抗精度を向上するために、再びバフ研磨工程Ｓ３にてアルミナ膜８を研磨し、ダイヤモンドあるいは酸化アルミニウム等のペースト状研磨剤や化学溶剤を研磨布にしみ込ませて行うバフ研磨を用いて、アルミナ膜８の表面を研磨する。
【００２７】
図５は、実施の形態１におけるＬＴＣＣ基板６の形成プロセスにおける抵抗膜蒸着工程Ｓ４を示す図であって、（ａ）は側断面図、（ｂ）は上面図である。
図５において、バフ研磨工程Ｓ３の後、抵抗膜蒸着工程Ｓ４において、アルミナ膜８上に形成する抵抗膜９を、アルミナ膜８の表面全体に蒸着させる。
【００２８】
以上説明した通り、実施の形態１によるＬＴＣＣ基板６の形成プロセスにおいて、図２から図５に示す研磨工程Ｓ１、スパッタリング工程Ｓ２、バフ研磨工程Ｓ３、抵抗膜蒸着工程Ｓ４の各工程により、ＬＴＣＣ基板６上にアルミナ膜８及び抵抗膜９を高精度に形成することができる。
【００２９】
このように実施の形態１のＬＴＣＣ基板の抵抗膜製造方法は、基板表面にアルミナ膜を形成し、当該アルミナ膜の表面に抵抗膜を形成するイオンミリングを用いたＬＴＣＣ基板の抵抗膜製造方法であって、イオンミリングにより上記低温焼成セラミック基板の抵抗膜下部のセラミック表面を部分的に研磨する研磨工程、上記研磨工程後の上記低温焼成セラミック基板のセラミック表面にスパッタリングによりアルミナ膜を形成するスパッタリング工程、上記スパッタリング工程後のアルミナ膜を研磨するバフ研磨工程、上記バフ研磨工程後のアルミナ膜上に抵抗膜を蒸着する抵抗膜蒸着工程を備えたものである。
【００３０】
かくして、ＬＴＣＣ基板６にアルミナ膜８及び抵抗膜９を形成する際に、膜剥がれ等のダメージが少なくなり、かつ抵抗膜９の寸法精度が向上するので、高精度な抵抗体を形成することができる。また、抵抗膜９の下のみ研磨するので、抵抗膜９の膜密着力を保持することができる。更に、抵抗膜９の下のみ研磨するので、抵抗膜９の接触抵抗の影響を取り除き、高精度な測定が可能になる。また、ＬＴＣＣ基板６上のアルミナ膜８の表面を滑らかにするので、上蓋７を接合する際の接合面の気密不良を抑制することができる。
【００３１】
また、ＬＴＣＣ基板６の表層に高精度に配線を形成することで、多機能一体化及び小型化を実現するＬＴＣＣ基板を得ることができる。
【００３２】
実施の形態２．
次に、実施の形態２によるＬＴＣＣ基板６のアルミナ膜８及び抵抗膜９の形成プロセスについて、図６から図１１を用いて説明する。
【００３３】
ここでは、フォトリソグラフィ方法のドライエッチング工程を用いて、アルミナ膜の成形領域８００において部分的にアルミナ膜を形成し研磨するスパッタリング及び表面研磨工程（Ｓ１１）と、抵抗膜蒸着工程（Ｓ１２）と、レジスト塗布工程（Ｓ１３）と、露光及び現像工程（Ｓ１４）と、ＩＣＰ−ＲＩＥ（ドライエッチング工程）（Ｓ１５）と、レジスト除去工程（Ｓ１６）からなる。
なお、実施の形態２によるＬＴＣＣ基板６を用いた送受信モジュールについては、実施の形態１の図１と同じものである。
【００３４】
図６は、実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおけるスパッタリング及び表面研磨工程Ｓ１１を示す図であって、（ａ）は側断面図、（ｂ）は上面図である。
図６において、スパッタリング及び表面研磨工程Ｓ１１では、ＬＴＣＣ基板６の全体にアルミナ膜８をスパッタリングでつける。次いで、アルミナ膜８の抵抗精度を向上させるために、ダイヤモンドあるいは酸化アルミニウム等のペースト状研磨剤や化学溶剤を研磨布にしみ込ませて、その研磨布を用いたバフ研磨により、ＬＴＣＣ基板６の部分的な表面全体を研磨する。
【００３５】
次に、スパッタリング及び表面研磨工程Ｓ１１の後、抵抗膜蒸着工程Ｓ１２を行う。
図７は、実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおける抵抗膜蒸着工程Ｓ１２を示す図であって、（ａ）は側断面図、（ｂ）は上面図である。
図７において、抵抗膜９をアルミナ膜８の表面全体に蒸着させる。
【００３６】
次に、抵抗膜蒸着工程Ｓ１２の後、レジスト塗布工程Ｓ１３を行う。
図８は、実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおけるレジスト塗布工程Ｓ１３を示す図であって、（ａ）は側断面図、（ｂ）は上面図である。
図８において、抵抗膜９の上にレジスト１０を塗布する。
【００３７】
次に、レジスト工程Ｓ１３の後、露光及び現像工程Ｓ１４を行う。
図９は、実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおける露光及び現像工程Ｓ１４を示す図であって、（ａ）は側断面図、（ｂ）は上面図である。図９において、露光により感光していない部分がパターンとなるポジ型レジストを用いて、レジスト１０に抵抗体パターンを形成する。
【００３８】
次に、露光及び現像工程Ｓ１４の後、ドライエッチング工程Ｓ１５を行う。
図１０は、実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおけるドライエッチング工程を示す図であって、（ａ）は側断面図、（ｂ）は上面図である。図１０において、ドライエッチング工程により、抵抗体パターンの形成されたレジスト１０において、その周囲の抵抗膜９及びアルミナ膜８を除去することで、抵抗膜９及びアルミナ膜８の配線パターンを形成する。
【００３９】
ここで、アルミナ膜８とＬＴＣＣ基板６におけるセラミック表面の色合いが似ている。このためドライエッチング工程Ｓ１５において、アルミナ膜８の部分が削れているのを確認するのが難しい。そこでアルミナ膜８の部分が削れているかを確認するために、次の二つの方法を提案する。
【００４０】
一つ目は、ドライエッチング工程Ｓ１５のエッチングレートによって、アルミナ膜８の削る深さを調整する。更に、アルミナ膜８が薄く残る残渣があるといけないので、念の為オーバーエッチを掛ける方法である。
【００４１】
二つ目は、アルミナ膜８とＬＴＣＣ基板６をエッチングするためのガスを分け、選択的にドライエッチングする方法である。
この場合、ドライエッチングの装置にガス検知用のディテクターを組み込めこみ、ドライエッチング用のガスをディテクターにて検知する。そして、アルミナ膜８のガスからＬＴＣＣ基板６のガスに切替わり、ディテクターが違うガスを検知したら止めるという方法で、アルミナ膜８だけを削るというものである。
【００４２】
次に、図１１は、実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板の形成プロセスにおけるレジスト除去工程を示す図であって、（ａ）は側断面図、（ｂ）は上面図である。
図１１において、ドライエッチング工程Ｓ１５の後、レジスト除去工程Ｓ１６にて、レジストを溶かす化学溶剤を用いてレジスト１０を除去する。
【００４３】
以上説明した通り、実施の形態２によるＬＴＣＣ基板６の形成プロセスにおいて、図６から図１１に示すスパッタリング及び表面研磨工程（Ｓ１１）、抵抗膜蒸着工程（Ｓ１２）、レジスト塗布工程（Ｓ１３）、露光及び現像工程（Ｓ１４）、ＩＣＰ−ＲＩＥ（ドライエッチング工程）（Ｓ１５）、及びレジスト除去工程（Ｓ１６）の各工程により、ＬＴＣＣ基板６上にアルミナ膜８及び抵抗膜９を高精度に形成することができる。
【００４４】
このように実施の形態２によるＬＴＣＣ基板の抵抗膜製造方法は、基板表面にアルミナ膜を形成し、当該アルミナ膜の表面に抵抗膜を形成するフォトリソグラフィを用いた低温焼成セラミック基板の抵抗膜製造方法であって、スパッタリングにより上記低温焼成セラミック基板の抵抗膜下部のセラミック表面にアルミナ膜を部分的に形成し、表面研磨するスパッタリング及び表面研磨工程、上記スパッタリング及び表面研磨工程後のアルミナ膜に抵抗膜を蒸着する抵抗膜蒸着工程、上記抵抗膜蒸着工程後の抵抗膜上にレジストを塗布するレジスト塗布工程、上記レジスト塗布工程後のレジストを露光及び現像してレジストパターンを形成した後、ドライエッチングにより当該レジストパターン周囲の抵抗膜及びアルミナ膜を除去し、更に当該レジストパターンを除去するドライエッチング工程を備えたことを特徴とする。
【００４５】
かくして、ＬＴＣＣ基板６にアルミナ膜８及び抵抗膜９を形成する際に、アルミナ膜８及び抵抗膜９を付けた後に研磨を行うので、ＬＴＣＣ基板６における膜剥がれ等のダメージが少なくなる。また、抵抗膜９の下のみ研磨するので、抵抗膜９の膜密着力は保持することができる。更に、抵抗膜９の下のみ研磨するので、抵抗膜９の接触抵抗の影響を取り除き、高精度な測定が可能になる。また、ＬＴＣＣ基板６上のアルミナ膜８の表面を滑らかにするので、上蓋７を接合する際の接合面の気密不良を抑制することができる。
【００４６】
なお、実施の形態１で説明したバフ研磨工程Ｓ３、または実施の形態２で説明したスパッタリング及び表面研磨工程Ｓ１１のバフ研磨において、小粒またはアルミナに反応する化学溶剤等を用いても良い。この場合、従来の機械研磨よりも低ダメージかつ平坦な表面を実現できるＣＭＰ法を用いて、ＬＴＣＣ基板表面全体を研磨するようにしても良い。
【００４７】
また、実施の形態１のスパッタリング工程Ｓ２は、アルゴンイオンビームのビーム径に依存するので、抵抗膜９を配置する所望の部分以外の領域も削れてしまうことがある。このため実施の形態２におけるＬＴＣＣ基板６のアルミナ膜８及び抵抗膜９の形成プロセスの方がより高精度に抵抗膜９を形成することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１  第１の機能部、２  第２の機能部、３  シャシ、５  金属キャリア、６  ＬＴＣＣ基板、７  上蓋、８  アルミナ膜、９  抵抗膜、１０  レジスト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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