(57)【要約】      （修正有）【課題】放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制する発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１は、ヒートシンク１０と、絶縁層２０と、発光素子４０とを具備する。絶縁層２０は、反射性材料を含んだ無機ガラスにより形成され、ヒートシンク１０に重ねて設けられる。発光素子４０は、絶縁層２０上に設けられる。【選択図】図１
2017126714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンクと；
反射性材料を含んだ無機ガラスにより形成され、前記ヒートシンクに重ねて設けられた絶縁層と；
前記絶縁層上に設けられる発光素子と； 
を具備することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記ヒートシンクは、金属材料により形成され、
前記絶縁層は、前記絶縁層の厚み方向における前記発光素子側の端面から第１の高さの間に形成される第１領域と、前記絶縁層の厚み方向における前記ヒートシンク側から第２の高さの間に形成される熱伝導性材料が位置する第２領域とを具備することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１領域は、前記反射性材料を含んだ反射領域であり、前記第２領域は、前記熱伝導性材料を含んだ放熱領域であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記反射領域における前記反射性材料の添加率は、８０ｖｏｌ％未満であり、前記放熱領域における前記熱伝導性材料の添加率は、８０ｖｏｌ％未満である
ことを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記絶縁層の厚み方向の高さは、４０μｍ以上１５０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
無機ガラスにより形成され、前記発光素子を封止する封止部；
をさらに具備することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、セラミック基板上に発光ダイオード（ＬＥＤ：light  emitting  diode）などの半導体発光素子が実装され、半導体発光素子が樹脂で封止された発光装置がある。ＬＥＤは、例えば、セラミックで形成される絶縁層の上に配電層とともに搭載されＣＯＢ（Chip  On  Board）モジュールを形成する。
【０００３】
このような発光装置は、例えば屋外照明として投光器などに用いられることがあり、その場合指向性の強い配光特性が要求される。このような配光特性を実現するためには、発光装置の発光面積を小さく抑えることが好ましい。そのため、発光装置における発光素子の高密度化が進んでいる。ここで、高出力且つ高光束発散度を有するＬＥＤは、発光素子の発熱量が非常に多く、また発熱密度が高い。さらに、上述したような発光素子の高密度化のため、発光装置には、さらなる発熱量の増大や発熱密度の上昇が懸念される。
【０００４】
このような発熱量の増大や発熱密度の上昇に対応するために、発光装置の放熱性を向上させることが重要となる。例えば、放熱性を向上させる手段として、ヒートスプレッダを用いる従来技術が提案されている。ヒートスプレッダは、放熱筐体（ヒートシンク）へ放熱グリースを介してネジ止めなどで取り付けられる。ただし、ヒートスプレッダを用いた場合、構成部材間における熱抵抗増加への影響が避けきれない。
【０００５】
そこで、ヒートシンク上に絶縁層を介して直接チップ及び蛍光体などの発光部を形成する方法や、蛍光体を有するＣＯＢモジュールをヒートシンクに直接金属接合する方法などが考えられる。これにより、熱抵抗を大幅に低減し、且つ部品点数を減らすことができる。そして、熱抵抗の低減により、発光素子に投入可能な電力を大幅に増加させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２０１４−５１６４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、大きな電力の発光素子への投入に伴い、点灯時における発光素子の放熱により絶縁層に与える影響が大きくなる。例えば、絶縁層に樹脂等の有機材料が用いられる場合、発光素子からの熱による影響を受けやすいため、絶縁層の熱劣化により所望の光取出し効率が得られないことがある。
【０００８】
本発明は、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制する発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本実施形態の発光装置は、ヒートシンクと、絶縁層と、発光素子とを具備する。絶縁層は、反射性材料を含んだ無機ガラスにより形成され、ヒートシンクに重ねて設けられる。発光素子は、絶縁層上に設けられる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制する発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態に係る発光装置の図２中のＡ−Ａ断面の一部を示す断面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る発光装置を示す平面図である。
【図３】図３は、実施形態に係る図１中の反射領域の概要を示す拡大図である。
【図４】図４は、実施形態に係る発光装置の図２中のＡ−Ａ断面の一部を示す断面図である。
【図５】図５は、変形例に係る発光装置を示す断面図である。
【図６】図６は、変形例に係る反射領域を有しない場合における発光装置の全光線反射率を示す図である。
【図７】図７は、変形例に係る発光装置の全光線反射率を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下で説明する実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａは、ヒートシンク１０，１０Ａと、反射性材料を含んだ無機ガラスにより形成され、ヒートシンク１０，１０Ａに重ねて設けられた絶縁層２０，２０Ａと、絶縁層２０，２０Ａ上に設けられる発光素子４０とを具備する。
【００１３】
また、以下で説明する実施形態に係る発光装置１において、ヒートシンク１０は、金属材料により形成され、絶縁層２０は、絶縁層２０の厚み方向における発光素子４０側の端面２０１から第１の高さＨ１の間に形成される第１領域（実施形態においては反射領域２１）と、絶縁層２０の厚み方向におけるヒートシンク１０側の端面２０２から第２の高さＨ２の間に形成される熱伝導性材料が位置する第２領域（実施形態においては放熱領域２２）とを具備する。
【００１４】
また、以下で説明する実施形態に係る発光装置１において、第１領域は、反射性材料を含んだ反射領域であり、第２領域は、熱伝導性材料を含んだ放熱領域である。
【００１５】
また、以下で説明する実施形態に係る発光装置１において、反射領域における反射性材料の添加率は、８０ｖｏｌ％未満であり、放熱領域における熱伝導性材料の添加率は、８０ｖｏｌ％未満である。
【００１６】
また、以下で説明する実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａにおいて、絶縁層２０，２０Ａの厚み方向の高さは、４０μｍ以上１５０μｍ以下である。
【００１７】
また、以下で説明する実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａは、無機ガラスにより形成され、発光素子４０を封止する封止部５０を具備する。
【００１８】
［実施形態］
まず、本発明の実施形態に係る発光装置１を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態に係る発光装置の図２中のＡ−Ａ断面の一部を示す断面図である。具体的には、図１は、発光装置１の封止部５０を除いた図２中のＡ−Ａ断面の一部を示す図である。また、図１では、導体パターン３０の断面以外の部分の図示を省略する。図２は、実施形態に係る発光装置を示す平面図である。
【００１９】
本実施形態に係る発光装置１は、ヒートシンク１０と、絶縁層２０と、導体パターン３０と、発光素子４０と、封止部５０とを具備する。以下、図１を用いて、発光装置１の各構成について詳述する。
【００２０】
ヒートシンク１０は、金属材料により形成される。例えば、ヒートシンク１０は、アルミニウムや銅により形成される。また、図１では、ヒートシンク１０は、矩形状に形成される。
【００２１】
また、ヒートシンク１０上には、絶縁性材料である無機ガラスにより形成される絶縁層２０が設けられる。例えば、絶縁層２０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）により形成される。また、絶縁層２０の厚み（高さ）は、４０μｍ以上１５０μｍ以下に形成される。なお、絶縁層２０の厚み（高さ）は、１００μｍ以下に形成されることが好適である。また、絶縁層２０の耐電圧は、０．５ｋＶ以上５ｋＶ以下に形成されることが好ましい。
【００２２】
このように、絶縁層２０が二酸化ケイ素等の無機ガラスにより形成されることにより、発光装置１は、機械的応力を向上させることができる。また、絶縁層２０が二酸化ケイ素等の無機ガラスにより形成されることにより、発光装置１は、絶縁層２０と他の部材との熱膨張率の差による影響を抑制することができる。すなわち、発光装置１は、外部から加わる力により変形等することをさらに抑制できる。絶縁層２０が二酸化ケイ素等の無機ガラスにより形成されることにより、発光装置１は、絶縁層２０と他の部材（ヒートシンク１０等）とを結合させることができる。例えば、発光装置１は、焼成等の熱を加える工程により、絶縁層２０と他の部材（ヒートシンク１０等）とを結合させることができる。
【００２３】
ここで、絶縁層２０は、絶縁層２０の厚み方向における発光素子４０側の端面２０１からの厚み（高さ）である第１の高さＨ１の間に形成される反射領域２１と、絶縁層２０の厚み方向におけるヒートシンク１０側の端面２０２からの厚み（高さ）である第２の高さＨ２の間に形成される熱伝導性材料が位置する放熱領域２２とを具備する。
【００２４】
反射領域２１は、絶縁層２０のうち、反射性材料を含んだ領域である。例えば、反射領域２１は、アルミナとも称される酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）やジルコニアとも称される二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）を含む領域である。なお、反射領域２１の第１の高さＨ１は、４０μｍ以上６０μｍ以下に形成されることが好適である。また、例えば、反射領域２１は、可視光線領域（例えば３８０〜７４０ｎｍ）の全光線反射率が８５（％）以上である。ここでいう、全光線反射率とは、平行入射光束に対する反射光束の割合であり、拡散成分を含む光線反射率を意味する。
【００２５】
ここで、反射領域２１の構造の概要について図３を用いて説明する。図３は、実施形態に係る図１中の反射領域の概要を示す拡大図である。図３における反射領域２１は、無機ガラスとジルコニアとにより形成される。図３中の灰色で図示する部分ＰＴ１１は、無機ガラスが位置する部分を示す。また、図３中の白で図示する部分ＰＴ１２は、ジルコニアが位置する部分を示す。また、図３中の黒で図示する部分ＰＴ１３は、無機ガラス及びジルコニアが位置しない、すなわち空間（孔）が位置する部分を示す。このように、図１に示す絶縁層２０中の反射領域２１はポーラス（多孔質）である。また、図３に示すように、ジルコニアの粒子同士が無機ガラスを介して接合される。
【００２６】
また、放熱領域２２は、絶縁層２０のうち、熱伝導性材料を含んだ領域である。例えば、放熱領域２２は、アルミナイトライドとも称される窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や窒化ホウ素（ＢＮ）を含む領域である。なお、放熱領域２２の第２の高さＨ２は、４０μｍ以上６０μｍ以下に形成されることが好適である。また、例えば、放熱領域２２は、可視光線領域（例えば３８０〜７４０ｎｍ）の全光線反射率が５０（％）以上である。
【００２７】
図１では、反射領域２１の第１の高さＨ１は、５０μｍである。また、図１では、放熱領域２２の第２の高さＨ２は、５０μｍである。すなわち、図１では、反射領域２１の第１の高さＨ１と放熱領域２２の第２の高さＨ２との合計は、１００μｍとなる。例えば、１０μｍあたりの耐電圧を０．５ｋＶとした場合、反射領域２１と放熱領域２２との合計の耐電圧は、５ｋＶ（＝０．５×１００÷１０）となる。
【００２８】
また、反射領域２１の反射性材料の添加率は、８０ｖｏｌ％（体積パーセント）未満であることが好適である。また、放熱領域２２の熱伝導性材料の添加率は、８０ｖｏｌ％未満であることが好適である。これにより、発光装置１は、絶縁層２０において、反射領域２１と放熱領域２２とが分離した状態を保つことができる。
【００２９】
また、反射領域２１の反射性材料の添加率は、４０ｖｏｌ％（体積パーセント）以上であってもよい。また、放熱領域２２の熱伝導性材料の添加率は、４０ｖｏｌ％以上であってもよい。この場合、発光装置１は、絶縁層２０において、反射領域２１と放熱領域２２との間に反射領域２１と放熱領域２２とが混合した領域が形成され、さらに機械的応力を向上させることができる。すなわち、発光装置１は、外部から加わる力により変形等することをさらに抑制できる。
【００３０】
また、図１に示すように、絶縁層２０は、放熱領域２２の上に反射領域２１が重なるように位置するため、絶縁層２０の可視光線領域（例えば３８０〜７４０ｎｍ）の全光線反射率は、例えば、反射領域２１の全光線反射率と同等、すなわち８５（％）以上となる。これにより、発光装置１は、所望の耐電圧、所望の放熱効率、及び所望の全光線反射率を実現することができる。
【００３１】
また、絶縁層２０上には、導体パターン３０が設けられる。図１では、導体パターン３０は、絶縁層２０の端面２０１上に設けられる。導体パターン３０は、外部から発光素子４０に給電するためにヒートシンク１０上に設けられる。また、導体パターン３０の幅や厚みは、用いられる発光素子４０等により適宜設定される。例えば、導体パターン３０の幅や体積は、導体パターン３０に印加される電流や電圧等により適宜設定される。
【００３２】
例えば、導体パターン３０は、金属材料を用いてメッキ処理されることにより、絶縁層２０上に設けられる。具体的には、導体パターン３０は、金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）を用いてメッキ処理されることにより、絶縁層２０上に設けられる。
【００３３】
発光素子４０は、絶縁層２０上に設けられる。具体的には、発光素子４０は、絶縁層２０上の導体パターン３０に載置される。例えば、発光素子４０には、ＬＥＤチップ等が用いられる。また、発光素子４０は、導体パターン３０上に載置される面の反対面（以下、「上面」とする場合がある）から給電される。すなわち、発光素子４０は、上面側から給電される。例えば、発光素子４０は、上面に設けられる電極（図示せず）により電力が供給される。また、例えば、発光素子４０の導体パターン３０上に載置される面側は、サファイア等の絶縁性材料により形成される。これにより、発光素子４０は、導体パターン３０上に載置可能となる。
【００３４】
また、発光素子４０は、封止部５０により封止される。この点について、図４を用いて説明する。図４は、実施形態に係る発光装置の図２中のＡ−Ａ断面の一部を示す断面図である。図４に示すように、封止部５０は、発光素子４０を覆うように設けられる。例えば、封止部５０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）により形成される。例えば、封止部５０は、蛍光体を含んだ無機ガラスにより形成され、発光素子４０や導体パターン３０や絶縁層２０を覆うように設けられる。これにより、発光装置１においては、絶縁層２０と封止部５０とが同様の材料（無機ガラス）により形成されるため、絶縁層２０と封止部５０との界面による光取出し効率への影響を抑制することができる。なお、光取出し効率は、例えば、発光素子４０が放射する光のうち、発光装置１外へ放射される光の割合を示す。
【００３５】
また、図４に示すように、導体パターン３０のうち、発光素子４０が載置される部分以外は、反射領域２１と同様の材料により形成される反射部材２３により覆われてもよい。例えば、反射部材２３は、反射性材料を含んだ無機ガラスにより形成されてもよい。具体的には、反射部材２３は、アルミナやジルコニアを含んだ無機ガラスにより形成されてもよい。これにより、発光装置１は、より全光線反射率を向上させることができる。
【００３６】
［変形例］
ここから、変形例に係る発光装置１Ａを図面に基づいて説明する。図５は、変形例に係る発光装置を示す断面図である。例えば、図５は、図２中のＡ−Ａ断面の一部を示す断面図において、ヒートシンク１０をヒートシンク１０Ａに置き換えた場合の構成を示す。なお、図５において、実施形態に係る発光装置１と同一部分には、同一符号を付する。また、図５においては、ヒートシンク１０Ａ及び絶縁層２０Ａを説明するため、封止部５０の図示を省略する。
【００３７】
変形例に係る発光装置１Ａは、ヒートシンク１０Ａと、絶縁層２０Ａと、導体パターン３０と、発光素子４０と、封止部５０とを具備する。以下、図５を用いて、発光装置１Ａの各構成について詳述する。
【００３８】
ヒートシンク１０Ａは、セラミック等の材料により形成される。例えば、ヒートシンク１０Ａには、窒化アルミニウムや窒化ホウ素等を含む材料により形成されたセラミック基板などが用いられる。また、図５では、ヒートシンク１０Ａは、矩形状に形成される。
【００３９】
また、ヒートシンク１０Ａ上には、絶縁性材料である無機ガラスにより形成される絶縁層２０Ａが設けられる。絶縁層２０Ａは、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）により形成される。また、絶縁層２０Ａの厚み方向の高さ（単に「厚み」とする場合がある）は、４０μｍ以上１５０μｍ以下に形成される。なお、絶縁層２０Ａの厚みは、１００μｍ以下に形成されることが好適である。また、絶縁層２０Ａの耐電圧は、０．５ｋＶ以上５ｋＶ以下に形成されることが好ましい。
【００４０】
絶縁層２０Ａは、反射領域２１Ａからなる。反射領域２１Ａは、反射性材料を含んだ領域である。例えば、反射領域２１Ａは、アルミナやジルコニアを含む領域である。なお、反射領域２１Ａの厚み（図５中のＨ３）は、４０μｍ以上６０μｍ以下に形成されることが好適である。また、例えば、反射領域２１Ａは、可視光線領域（例えば３８０〜７４０ｎｍ）の全光線反射率が８５（％）以上である。これにより、発光装置２は、所望の耐電圧、所望の放熱効率、及び所望の全光線反射率を実現することができる。
【００４１】
ここで、図６及び図７を用いて、変形例に係る発光装置１Ａにおいて、絶縁層２０Ａ、すなわち反射領域２１Ａの有無による全光線反射率の差異について説明する。図６は、変形例に係る反射領域を有しない場合における発光装置の全光線反射率を示す図である。具体的には、図６は、反射領域２１Ａ、すなわち絶縁層２０Ａを設けず発光素子４０をヒートシンク１０Ａ上に設けた場合の発光装置の全光線反射率を示す図である。また、図７は、変形例に係る発光装置の全光線反射率を示す図である。具体的には、図７は、反射領域２１Ａを有する発光装置１Ａの全光線反射率を示す図である。なお、図７は、絶縁層２０Ａ、すなわち反射領域２１Ａの厚み（図５中のＨ３）が５０μｍである場合を示す。
【００４２】
まず、図６を用いて反射領域２１Ａ、すなわち絶縁層２０Ａを設けず発光素子４０をヒートシンク１０Ａ上に設けた場合の発光装置の全光線反射率を説明する。図６中の一点鎖線ＬＮ１１は、ヒートシンク１０Ａがアルミナにより形成される場合の全光線反射率を示す。図６に示すように、ヒートシンク１０Ａがアルミナにより形成される場合、各可視光線領域（例えば３８０〜７４０ｎｍ）の全光線反射率が９０（％）以上である。
【００４３】
また、図６中の点線ＬＮ１２は、ヒートシンク１０Ａが窒化アルミニウムにより形成される場合の全光線反射率を示す。図６に示すように、ヒートシンク１０Ａが窒化アルミニウムにより形成される場合、各可視光線領域（例えば３８０〜７４０ｎｍ）の全光線反射率が４０（％）前後である。また、図６中の実線ＬＮ１３は、ヒートシンク１０Ａが窒化ケイ素により形成される場合の全光線反射率を示す。図６に示すように、ヒートシンク１０Ａが窒化ケイ素により形成される場合、各可視光線領域（例えば３８０〜７４０ｎｍ）の全光線反射率が３０（％）前後である。このように、絶縁層２０Ａを設けず発光素子４０をヒートシンク１０Ａ上に設けた場合の発光装置の全光線反射率は、ヒートシンク１０Ａがアルミナにより形成される場合以外は、５０（％）以下となり所望の全光線反射率を実現することは難しい。
【００４４】
次に、図７を用いて反射領域２１Ａを有する発光装置１Ａの全光線反射率を説明する。図７中の一点鎖線ＬＮ２１は、ヒートシンク１０Ａがアルミナにより形成される場合の全光線反射率を示す。図７に示すように、ヒートシンク１０Ａがアルミナにより形成される場合、各可視光線領域（例えば３８０〜７４０ｎｍ）の全光線反射率が９５（％）前後である。このように、ヒートシンク１０Ａがアルミナにより形成される場合であっても、反射領域２１Ａを有する発光装置１Ａは、絶縁層２０Ａを設けず発光素子４０をヒートシンク１０Ａ上に設けた場合に比べて、全光線反射率を向上させることができる。
【００４５】
また、図７中の点線ＬＮ２２は、ヒートシンク１０Ａが窒化アルミニウムにより形成される場合の全光線反射率を示す。図７に示すように、ヒートシンク１０Ａが窒化アルミニウムにより形成される場合、各可視光線領域（例えば３８０〜７４０ｎｍ）の全光線反射率が９０（％）前後である。このように、ヒートシンク１０Ａが窒化アルミニウムにより形成される場合、反射領域２１Ａを有する発光装置１Ａは、絶縁層２０Ａを設けず発光素子４０をヒートシンク１０Ａ上に設けた場合に比べて、大幅に全光線反射率を向上させることができる。
【００４６】
また、図７中の実線ＬＮ２３は、ヒートシンク１０Ａが窒化ケイ素により形成される場合の全光線反射率を示す。図７に示すように、ヒートシンク１０Ａが窒化ケイ素により形成される場合、各可視光線領域（例えば３８０〜７４０ｎｍ）の全光線反射率が９０（％）前後である。このように、ヒートシンク１０Ａが窒化ケイ素により形成される場合、反射領域２１Ａを有する発光装置１Ａは、絶縁層２０Ａを設けず発光素子４０をヒートシンク１０Ａ上に設けた場合に比べて、大幅に全光線反射率を向上させることができる。
【００４７】
このように、ヒートシンク１０Ａがどの材料により形成された場合であっても、反射領域２１Ａを有する発光装置１Ａは、全光線反射率を９０（％）前後とすることができ、所望の全光線反射率を実現することができる。
【００４８】
前述した構成の実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａは、ヒートシンク１０，１０Ａと、反射性材料を含んだ無機ガラスにより形成され、ヒートシンク１０，１０Ａに重ねて設けられた絶縁層２０，２０Ａと、絶縁層２０，２０Ａ上に設けられる発光素子４０とを具備する。このように絶縁層２０，２０Ａに反射性材料を含んだ無機ガラスを用いることにより、発光装置１，１Ａは、所望の耐電圧、所望の放熱効率、及び所望の全光線反射率を実現することができる。したがって、発光装置１，１Ａは、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制することができる。
【００４９】
また、前述した構成の実施形態に係る発光装置１において、第１領域は、反射性材料を含んだ反射領域２１であり、第２領域は、熱伝導性材料を含んだ放熱領域２２である。このように、絶縁層２０に反射性材料を含んだ反射領域２１と熱伝導性材料を含んだ放熱領域２２とを形成することにより、発光装置１は、所望の耐電圧、所望の放熱効率、及び所望の全光線反射率を実現することができる。したがって、発光装置１は、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制することができる。
【００５０】
また、前述した構成の実施形態に係る発光装置１において、反射領域における反射性材料の添加率は、８０ｖｏｌ％未満であり、放熱領域における熱伝導性材料の添加率は、８０ｖｏｌ％未満である。したがって、発光装置１は、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制することができる。
【００５１】
また、前述した構成の実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａは、絶縁層２０，２０Ａの厚みは、４０μｍ以上１５０μｍ以下である。このように絶縁層２０，２０Ａの厚みをヒートシンク１０，１０Ａに取り付け可能、かつ必要な耐電圧を維持可能な厚みにすることにより、発光装置１，１Ａは、所望の耐電圧、所望の放熱効率、及び所望の全光線反射率を実現することができる。したがって、発光装置１，１Ａは、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制することができる。
【００５２】
また、前述した構成の実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａは、無機ガラスにより形成され、発光素子４０を封止する封止部５０を具備する。これにより、発光装置１，１Ａは、絶縁層２０，２０Ａと封止部５０とが同様の材料（無機ガラス）により形成されるため、絶縁層２０，２０Ａと封止部５０との界面による光取出し効率への影響を抑制することができる。したがって、発光装置１，１Ａは、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制することができる。
【００５３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５４】
１，１Ａ      発光装置
１０，１０Ａ  ヒートシンク
２０，２０Ａ  絶縁層
２１，２１Ａ  反射領域（第１領域）
２２          放熱領域（第２領域）
３０          導体パターン
４０          発光素子
５０          封止部
Ｈ１          第１の高さ
Ｈ２          第２の高さ
【図１】
2017126714.tif 000003
【図２】
2017126714.tif 000004
【図３】
2017126714.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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