(57)【要約】【課題】抵抗値のバラツキを低減できる温度センサ素子及び温度センサ並びに温度センサ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】温度センサ素子１３は、セラミックス基板４３と、セラミックス基板４３の表面４３ａに密着して形成されている、温度によって抵抗値が変化する金属抵抗体４１とを備えている。この温度センサ素子１３では、金属抵抗体４１が形成されているセラミックス基板４３の表面４３ａの表面粗さＲａが、０．１μｍ以下である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板と、
該セラミックス基板の表面に密着して形成されている、温度によって抵抗値が変化する金属抵抗体と、
を備えた温度センサ素子において、
前記金属抵抗体が形成されている前記セラミックス基板の表面の表面粗さＲａが、０．１μｍ以下であることを特徴とする温度センサ素子。
【請求項２】
前記セラミックス基板が、アルミナを主成分とするアルミナ基板であることを特徴とする請求項１に記載の温度センサ素子。
【請求項３】
前記アルミナ基板のアルミナの純度が９５．５％以上であることを特徴とする請求項２に記載の温度センサ素子。 
【請求項４】
前記アルミナ基板のアルミナの純度が９９．９％以上であることを特徴とする請求項３に記載の温度センサ素子。 
【請求項５】
前記金属抵抗体が形成されている前記セラミックス基板の表面の表面粗さＲａが、０．０１μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の温度センサ素子。 
【請求項６】
前記請求項１〜５のいずれか１項に記載の温度センサ素子を備えたことを特徴とする温度センサ。
【請求項７】
前記請求項１〜５のいずれか１項に記載の温度センサ素子の製造方法であって、
前記セラミックス基板の表面の表面粗さＲａを０．１μｍ以下に調整する第１工程と、
前記第１工程後の前記セラミックス基板の表面に、前記金属抵抗体を形成する第２工程と、
前記金属抵抗体に対して、該金属抵抗体の一部を除去して抵抗値を調整するトリミングを行う第３工程と、
を有することを特徴とする温度センサ素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１工程では、研磨によって、前記表面粗さＲａを調整することを特徴とする請求項７に記載の温度センサ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば車両のエンジンや設置式汎用エンジンなどに適用できる温度センサ素子及び温度センサ並びに温度センサ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、車両のエンジンから排出される排ガスの温度を検出する温度センサ（車載用温度センサ）や、設置式汎用エンジンから排出される排ガスの温度を検出する温度センサとして、温度によって抵抗値が変化する温度センサ素子を用いた温度センサが知られている。
【０００３】
例えば、温度センサ素子としては、温度によって抵抗値が変化する白金等の金属抵抗体を用いた温度センサ素子が用いられている（特許文献１参照）。
この種の温度センサ素子においては、セラミック基板上に金属抵抗体をパターニングした場合に、金属抵抗体の成膜厚みなどに起因する抵抗値のバラツキ（抵抗バラツキ）があるので、通常は、抵抗トリミングによって抵抗値の調整を行っていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２３４６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の抵抗トリミング技術だけでは、製造時における抵抗値のバラツキを十分に低減することは容易ではなく、抵抗値の初期精度を向上できる技術の開発が求められていた。
【０００６】
そこで、本発明では、抵抗値のバラツキを低減できる温度センサ素子及び温度センサ並びに温度センサ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の第１局面は、セラミックス基板と、セラミックス基板の表面に密着して形成されている、温度によって抵抗値が変化する金属抵抗体と、を備えた温度センサ素子に関するものであり、この温度センサ素子は、金属抵抗体が形成されているセラミックス基板の表面の表面粗さＲａが、０．１μｍ以下である。
【０００８】
本第１局面では、セラミックス基板の表面の表面粗さＲａが、０．１μｍ以下であるので、その表面に形成された金属抵抗体の厚みのバラツキが少なく、さらに、金属抵抗体の沿面距離も長大化しにくくなる。よって、温度センサ素子の抵抗値のバラツキが少ない。つまり、製造時における抵抗値の初期精度を向上できるという効果がある。
【０００９】
（２）本発明の第２局面では、セラミックス基板が、アルミナを主成分とするアルミナ基板である。
本第２局面では、セラミックス基板が、アルミナを主成分とするアルミナ基板であるので、温度センサ素子が使用される温度範囲（例えば１０００℃〜１２００℃）における基板の電気絶縁性能が十分に確保される。よって、温度センサ素子を使用した場合（高温時）においても、基板の電気絶縁性能が十分にあるので、基板に電流が流れず、精度良く温度を測定することができる。
【００１０】
（３）本発明の第３局面では、アルミナ基板のアルミナの純度（体積％）が９５．５％以上である。
本第３局面では、アルミナ基板のアルミナの純度が９５．５％以上であるので、より基板の電気絶縁性能が十分に確保でき、精度良く温度を測定することができる。
【００１１】
（４）本発明の第４局面では、アルミナ基板のアルミナの純度（体積％）が９９．９％以上である。
本第４局面では、アルミナ基板のアルミナの純度が９９．９％以上であるので、より一層基板の電気絶縁性能が十分に確保でき、一層精度良く温度を測定することができる。
【００１２】
（５）本発明の第５局面では、金属抵抗体が形成されているセラミックス基板の表面の表面粗さＲａが、０．０１μｍ以上である。
本第５局面では、金属抵抗体が形成されているセラミックス基板の表面の表面粗さＲａが、０．０１μｍ以上であるので、アンカー効果によって、金属抵抗体の接合強度を高めることができる。
【００１３】
（６）本発明の第６局面は、前記第１〜第５局面のいずれか記載の温度センサ素子を備えた温度センサである。
本第６局面の温度センサは、上述した温度センサ素子を備えているので、温度センサ素子の抵抗値のバラツキが少ない。つまり、製造時における抵抗値の初期精度を向上できるという効果がある。
【００１４】
（７）本発明の第７局面は、前記第１〜第５局面のいずれか記載の温度センサ素子の製造方法に関するものである。この温度センサ素子の製造方法は、セラミックス基板の表面の表面粗さＲａを０．１μｍ以下に調整する第１工程と、第１工程後のセラミックス基板の表面に、金属抵抗体を形成する第２工程と、金属抵抗体に対して、金属抵抗体の一部を除去して抵抗値を調整するトリミングを行う第３工程と、を有している。
【００１５】
本第７局面では、セラミックス基板の表面の表面粗さＲａを０．１μｍ以下に調整し、それによって表面の凹凸が小さくなった表面に金属抵抗体を形成するので、金属抵抗体の厚みのバラツキを低減でき、さらに、金属抵抗体の沿面距離も長大化しにくくなる。従って、金属抵抗体の厚みのバラツキに起因する抵抗値のバラツキを低減できる。
【００１６】
更に、この厚みのバラツキが小さい金属抵抗体に対して、上述したトリミング（抵抗トリミング）を行うことによって、一層抵抗値のバラツキを低減できる。
なお、周知のように、導体の抵抗値（Ｒ）は、下記式（１）に示すように、電気抵抗率（ρ）、導体の長さ（Ｌ）、導体の断面積（Ａ）によって決まる。
【００１７】
Ｒ＝ρ（Ｌ／Ａ）・・・（１）
従って、トリミングよって、例えば導体の長さ（Ｌ）を変更する（例えば長くする）ことによって、抵抗値を調整すること（例えば抵抗値を増加させること）ができる。
【００１８】
（８）本発明の第８局面では、第１工程にて、研磨によって、表面粗さＲａを調整する。
本第８局面は、表面粗さＲａを調整する好ましい例を挙げたものである。この研磨によって、表面粗さＲａを０．１μｍ以下に調整することができる。
【００１９】
＜ここで、本発明の各構成について説明する＞
・セラミックス基板とは、セラミックスを主成分（５０体積％を上回る量）とする基板であり、このセラミックスとしては、アルミナ（サファイアを含む）、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、コージェライト、ムライト、ステアタイト、ジルコニア等を採用できる。
【００２０】
なお、アルミナ基板は、アルミナを主成分とする基板である。
・金属抵抗体は、温度が変化すると抵抗値が変化するものであり、金属抵抗体の材料としては、白金、ニッケル、銅等を採用できる。
【００２１】
・表面粗さＲａ（即ち算術平均粗さＲａ）は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１にて規定されるものである。
・研磨とは、例えば研磨材を用いて表面を研磨して表面を平滑にする技術（即ち表面粗さＲａを小さくする技術）であり、例えば鏡面研磨等が挙げられる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、製造時における抵抗値のバラツキを低減して、抵抗値の初期精度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施形態の温度センサの構造を示す部分破断断面図である。
【図２】軸線方向における温度センサの先端側を破断し拡大して示す断面図である。
【図３】温度センサ素子に電極線が接続された状態の外観を表す平面図である。
【図４】図３における温度センサ素子、電極線、電極線固定材のＡ−Ａ断面における断面図である。
【図５】温度センサ素子のセラミックス基板上の金属抵抗体の平面形状（パターン形状）を示す平面図である。
【図６】温度センサ素子の製造方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．実施形態］
［１−１．全体構成］
ここでは、実施形態として、自動車などの内燃機関の排ガスの温度検出に用いられる温度センサについて、図１及び図２に基づいて説明する。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態の温度センサ１は、例えば、内燃機関の排気管などの流通管に装着され、自身の先端部が測定対象ガス（排気ガス）が流れる流通管内に配置されることにより、測定対象ガスの温度を検出するものである。
【００２６】
なお、図１において、温度センサ１の長手方向が軸線方向であり、図１においては図の上下方向に相当する。また、温度センサ１における先端側は図１における下側であり、温度センサ１における後端側は図１における上側である。
【００２７】
温度センサ１は、シース部材３と、金属チューブ５と、取付部材７と、ナット部材９と、外筒１１と、温度センサ素子１３などを備えている。
図２に示すように、シース部材３は、一対のシース芯線１５と、シース芯線１５を覆う絶縁体１７と、絶縁体１７を覆う金属製の外皮部材１９を備える。
【００２８】
シース芯線１５は、温度センサ素子１３との導通を得るための線材であり、耐腐食性金属（例えば、耐熱性金属でもあるＳＵＳ３１０Ｓなどのステンレス合金やＡｌを含有するＮｉ基合金）で形成されている。絶縁体１７は、外皮部材１９と２本のシース芯線１５との間を電気的に絶縁してシース芯線１５を保持するものであり、シリカ、マグネシア、アルミナ等の絶縁材料で形成されている。外皮部材１９は、耐腐食性金属（例えば、耐熱性金属でもあるＳＵＳ３１０Ｓなどのステンレス合金やＡｌを含有するＮｉ基合金）で形成されており、絶縁体１７の周囲を覆う筒状に形成されている。
【００２９】
シース芯線１５は、図１に示すように、その先端部が温度センサ素子１３から延びる電極線２０と（抵抗溶接やレーザー溶接により）接続されており、後端部が（抵抗溶接により）加締め端子２１と接続されている。これにより、シース芯線１５は、自身の後端側が加締め端子２１を介して外部回路（例えば、車両の電子制御装置（ＥＣＵ）等）接続用の
外部リード線２３と接続されている。
【００３０】
なお、一対のシース芯線１５および一対の加締め端子２１は、絶縁チューブ２５により互いに絶縁される。外部リード線２３は、導線を絶縁性の被覆材にて被覆され耐熱ゴム製のグロメット２７の内部を貫通する状態で配置される。
【００３１】
金属チューブ５は、耐腐食性金属（例えば、耐熱性金属でもあるＳＵＳ３１０Ｓなどのステンレス合金やＡｌを含有するＮｉ基合金）で形成されている。また、金属チューブ５は、鋼板の深絞り加工によりチューブ先端側が閉塞した軸線方向に延びる筒状をなし、筒状のチューブ後端側が開放した形態で構成されている。
【００３２】
この金属チューブ５は、径が小さく設定された先端側の小径部３１と、径が小径部３１よりも大きく設定された後端側の大径部３２と、小径部３１と大径部３２との間の段差部３３とを備えている。
【００３３】
取付部材７は、径方向外側に突出する突出部３５と、突出部３５の後端側に位置すると共に軸線方向に延びる後端側鞘部３６と、を有している。取付部材７は、金属チューブ５の後端側の外周面を取り囲んで金属チューブ５を支持する。
【００３４】
ナット部材９は、六角ナット部３７およびネジ部３８を有する。外筒１１は、取付部材７の後端側に嵌め合わされている。
図２に示すように、温度センサ素子１３は、金属チューブ５の先端側の小径部３１内に配置されており、温度センサ素子１３の後端側からは一対の電極線２０が後端側に延びており、この電極線２０の後端側にシース芯線１５が接続されている。
【００３５】
なお、電極線２０は白金（Ｐｔ）からなる白金線であり、この電極線２０は、後述するように、例えばレーザー溶接により温度センサ素子１３に接続されている。電極線２０は、白金（Ｐｔ）を主成分とする白金合金線であってもよい。
【００３６】
この温度センサ素子１３の周囲には、セメント３９が充填されており、セメント３９は、非晶質のシリカにアルミナ骨材を含有した絶縁材で形成されている。
［１−２．温度センサ素子］
次に、温度センサ素子１３の構成について、図３〜図５に基づいて説明する。
【００３７】
図３及び図４に示すように、温度センサ素子１３は、温度によって電気的特性（電気抵抗値）が変化する金属抵抗体４１を備えている。つまり、温度センサ素子１３は、温度によって電気抵抗値が変化する感温素子である。
【００３８】
この温度センサ素子１３は、アルミナ純度９５．５％以上（例えば９９．９％以上）のセラミックス基板（即ちアルミナ基板）４３と、セラミックス基板４３の表面に膜状に形成された金属抵抗体４１と、金属抵抗体４１を覆うようにしてセラミックス基板４３の表面を被覆するアルミナ純度９５．５％以上のセラミックス被覆層４５と、を有している。
【００３９】
また、セラミックス基板４３の表面のうち、金属抵抗体４１が形成されている表面の表面粗さＲａは、０．１μｍ以下である。さらに、この金属抵抗体４１が形成されている表面の表面粗さＲａとしては、例えば０．０１μｍ以上を採用できる。
【００４０】
なお、上述した組成のセラミックス基板４３及びセラミックス被覆層４５の熱膨張率は、７．０×１０−６：２０℃〜３００℃である。
金属抵抗体４１は、白金（Ｐｔ）からなる白金抵抗体であり、温度変化に応じて電気抵抗値が変化する。なお、金属抵抗体４１の熱膨張率は、９．５×１０−６：２０℃〜３００℃である。
【００４１】
この金属抵抗体４１は、図５に示すように、長尺で場所によって幅が異なる線状部分（
ライン）４７が各所で曲げられたパターン形状を有している。
具体的には、先端側（図５の左側）には、幅の狭いライン４７が複数回蛇行するように形成された先端発熱部４９が形成され、その先端発熱部４９の後端側（図５の右側）には、幅の広いライン４７からなる一対の端子部５１ａ、５１ｂが形成されている。
【００４２】
さらに、先端発熱部４９と一方の端子部５１ｂとの間には、後述する抵抗値を調整するための抵抗調整部５３が設けられている。この抵抗調整部５３は、図５の左右一対の長尺の長辺部５５ａ、５５ｂと、両長辺部５５ａ、５５ｂの間を接続するように平行に設けられた複数の連通部５７とから構成されている。
【００４３】
なお、後述するように、トリミングによって連通部５７を切断することにより、両長辺部５５ａ、５５ｂ間の導通状態（従って抵抗調整部５３における抵抗値）が変化するので、金属抵抗体４１全体の抵抗値も変化する。  
【００４４】
ここで、金属抵抗体４１の厚み（目標とする厚み）は例えば１．２μｍであり、先端発熱部４９の線幅は例えば１５μｍである。また、両長辺部５５ａ、５５ｂの線幅は例えば１０〜２０μｍ（例えば１５μｍ）であり、両長辺部５５ａ、５５ｂ間の間隔は例えば５μｍ〜１５μｍ（例えば１０μｍ）である。さらに、連通部５７の線幅は例えば１０μｍ〜２０μｍ（例えば１５μｍ）であり、連通部５７間の間隔は例えば５μｍ〜１５μｍ（例えば１０μｍ）である。
【００４５】
なお、金属抵抗体４１の連通部５７の一部は、本実施形態ではトリミングによって切断されているが、図５ではトリミング前の形状を示している。
図４に示すように、セラミックス被覆層４５は、例えばアルミナ純度９９．５％以上からなる接合層５９により、セラミックス基板４３の先端側（図４の左側）に接合されて、金属抵抗体４１の先端側を覆っている。
【００４６】
また、金属抵抗体４１のうち後端側（図４の右側）の一対の端子部５１ａ、５１ｂは、例えば白金とアルミノケイ酸塩ガラスからなる電極パッド６１に覆われており、この電極パッド６１を介して、電極線２０と電気的に接続されている。なお、電極パッド６１と電極線２０とは、溶接点６３にて電気的に接続されている。
【００４７】
そして、温度センサ素子１３と電極線２０との接続部分は、例えばアルミノケイ酸塩ガラスを主体とするガラス材料からなる電極線固定材６５によって覆われている。これにより、温度センサ素子１３と電極線２０とが強固に接続されている。 
【００４８】
このように構成された温度センサ素子１３は、電極線２０及びシース芯線１５を介して外部機器などと電気的に接続される。
［１−３．温度センサ素子の製造方法］
次に、温度センサ素子１３の製造方法について、図６等に基づいて説明する。
【００４９】
＜セラミックス基板の製造＞
図６（ａ）に示すように、セラミックス基板４３を製造する場合には、まず、周知のように、セラミックス基板４３の原料とバインダー等とを混合した混合材料を用いて、例えばドクターブレード法によって、セラミックスグリーンシートを作製する。
【００５０】
次に、セラミックスグリーンシートを所定形状に切断し、その切断したセラミックスグリーンシートを所定の温度（例えば１２００℃〜１６００℃）で焼成してセラミックス基板４３を作製する。
【００５１】
次に、セラミックス基板４３の表面のうち、金属抵抗体４１を形成する表面（形成表面）４３ａに対して、周知の研磨（例えば鏡面研磨）を行って、その表面粗さＲａを０．１μｍ以下に調整する（第１工程）。なお、この際に、表面粗さＲａを、例えば０．０１μｍ以上に調整することが好ましい。
【００５２】
＜金属抵抗体の形成＞
次に、上述した鏡面研磨によって、表面粗さＲａを０．１μｍ以下に調整した形成表面４３ａに、図６（ｂ）に示すようなパターン形状の金属抵抗体４１を形成する。
【００５３】
具体的には、まず、形成表面４３ａに対して洗浄及び脱脂を行った後に、形成表面４３ａの全体に、周知の蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成方法によって、ほぼ均一な厚み（例えば厚み約１．２μｍ）を有する白金の薄膜を形成する。
【００５４】
次に、前記薄膜に対して、例えば周知のフォトレジスト法によって、金属抵抗体４１を形成する（第２工程）。
＜抵抗値の調整＞
次に、前記金属抵抗体４１に対して、金属抵抗体４１の一部（即ち抵抗調整部５３の一部）を除去して抵抗値を調整するトリミングを行う。
【００５５】
つまり、抵抗調整部５３の連通部５７のうちのいくつかを、レーザーによって切断することにより、抵抗値を調整する（いわゆるレーザートリミングを行う）（第３工程）。
詳しくは、まず、金属抵抗体４１の一対の端子部５１ａ、５１ｂ間に、金属抵抗体４１の抵抗値を測定するための測定器（図示せず）を接続し、（トリミング前の）金属抵抗体４１の抵抗値を測定する。そして、この測定値を目標とする抵抗値（目標抵抗値）に近づけるように、連通部５７を切断する（トリミングする）。
【００５６】
つまり、連通部５７を切断するたびに抵抗値が徐々に増加するので、所定の個数の連通部５７を切断することにより、目標抵抗値に近づけることができる。なお、例えば３箇所の連通部５７を切断した場合には、例えば図６（ｃ）に示すような状態となる。
【００５７】
なお、複数の連通部５７をどのように切断すれば、どの程度抵抗値が変化するかを、予め実験等によって求めておけば、容易に目標抵抗値に調整することができる。
＜後工程＞
次に、周知のように、金属抵抗体４１の一対の端子部５１ａ、５１ｂの表面を覆うように、電極パッド６１の材料（例えばアルミノケイ酸塩ガラスを含有する白金ペースト）を厚膜印刷する。また、金属抵抗体４１の先端側のセラミックス被覆層４５を配置する部分に、接合層５９の材料（例えばアルミナペースト）を厚膜印刷する。
【００５８】
そして、接合層５９の上にセラミックス被覆層４５を配置して、１０００℃〜１６００℃で加熱して焼成する。これによって、電極パッド６１が焼成されて形成されるとともに、セラミックス被覆層４５が（焼成によって形成された）接合層５９によって接合されて、セラミックス基板４３と一体化する。
【００５９】
その後、電極パッド６１上に、シース部材３の電極線２０を配置し、電極パッド６１と電極線２０とを、抵抗溶接またはレーザー溶接により、溶接点６３で電気的に接続する。
このあと、温度センサ素子１３と電極線２０との接続部分を、ガラス材料である電極線固定材６５により覆ってから固化させて、温度センサ素子１３と電極線２０とを強固に接続する。
【００６０】
これによって、電極線２０に接合された温度センサ素子１３が得られる。なお、その後で、電極線２０とシース芯線１５とが例えばレーザー溶接により接続される。
その後、周知のような製造手順によって、この温度センサ素子１３を備えた温度センサ１を製造することができる。
【００６１】
［１−４．効果］
本実施形態の温度センサ素子１３を備えた温度センサ１では、セラミックス基板４３の形成表面４３ａの表面粗さＲａが、０．１μｍ以下であるので、その形成表面４３ａに形成された金属抵抗体４１の厚みのバラツキが少なく、さらに、金属抵抗体４１の沿面距離も長大化しにくくなる。よって、温度センサ素子１３の抵抗値のバラツキが少ない。つまり、製造時における抵抗値の初期精度を向上できるという効果がある。
【００６２】
なお、金属抵抗体４１が形成されているセラミックス基板４３の形成表面４３ａの表面粗さＲａが、０．０１μｍ以上であると、アンカー効果によって、金属抵抗体４１の接合強度が高まるので好適である。
【００６３】
また、セラミックス基板４３が、アルミナを主成分とする（詳しくはアルミナの純度が９５．５％以上、好ましくは９９．９％以上の）アルミナ基板であるので、温度センサ素子１３が使用される温度範囲において、白金製の金属抵抗体４１との熱膨張率（熱膨張係数）が近い。よって、温度センサ素子１３を使用する場合に、金属抵抗体４１等に加わる熱応力が小さいので、長期間使用した場合でも、破損が生じにくいという利点がある。
【００６４】
さらに、本実施形態の温度センサ素子１３の製造方法では、鏡面研磨によって、セラミックス基板４３の形成表面４３ａの表面粗さＲａを０．１μｍ以下に調整し、それによって表面の凹凸が小さくなった形成表面４３ａに金属抵抗体４１を形成するので、金属抵抗体４１の厚みのバラツキを低減でき、さらに、金属抵抗体４１の沿面距離も長大化しにくくなる。従って、金属抵抗体４１の厚みのバラツキに起因する抵抗値のバラツキを低減できる。
【００６５】
更に、この厚みのバラツキが小さい金属抵抗体４１に対して、上述したトリミングを行うことによって、一層抵抗値のバラツキを低減できる。
［１−５．特許請求の範囲との対応関係］
実施形態の、セラミックス基板４３、表面（形成表面）４３ａ、金属抵抗体４１、温度センサ素子１３、温度センサ１が、それぞれ、本発明の、セラミックス基板、表面、金属抵抗体、温度センサ素子、温度センサの一例に相当する。
【００６６】
［２．実験例］
次に、本発明の効果を確認するために行った実験例について説明する。
本実験例は、前記実施形態と同様して、セラミックス基板上に金属抵抗体を形成した試料を複数個作製し、各試料における金属抵抗体の抵抗値のバラツキを調べたものである。
【００６７】
具体的には、下記表１に示すように、表面粗さＲａが異なるセラミックス基板を作製し、そのセラミック基板に下記表１に示すように膜厚が異なる金属抵抗体を形成し、その金属抵抗体の抵抗値を測定した。
【００６８】
各試料は、それぞれ５０個作製し、その試料における抵抗値のバラツキ（６σ）を調べた。なお、６σは、標準偏差σの６倍の値を平均値で除して％で示した値である。その結果を、下記表１に示す。
【００６９】
【表１】
2017201290.tif 000003
【００７０】
この表１から明らかなように、（本発明例である）表面粗さＲａが０．１μｍ以下の場合は、金属抵抗体の膜厚が異なっていても、抵抗値のバラツキ（６σ）が０．１５９％以下と小さく好適である。
【００７１】
それに対して、（比較例の）表面粗さＲａが０．２μｍの場合は、抵抗値のバラツキ（６σ）が０．１９２％と大きいので好ましくない。
［３．その他の実施形態］
尚、本発明は、前記実施形態等に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもない。
【００７２】
（１）例えば、セラミックス基板としては、アルミナ（サファイアを含む）基板に限らず、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、コージェライト、ムライト、ステアタイト、ジルコニアなどからなる基板を採用できる。
【００７３】
（２）また、金属抵抗体も、白金抵抗体に限らず、例えば、ニッケル、銅などからなる金属抵抗体を採用できる。
【符号の説明】
【００７４】
１…温度センサ
１３…温度センサ素子
１５…シース芯線
２０…電極線
４１…金属抵抗体
４３…セラミックス基板
４３ａ…表面（形成表面）
５３…抵抗調整部
５７…連通部
【図１】
2017201290.tif 000004
【図２】
2017201290.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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