(57)【要約】【課題】昇華性物質の除去時間を短縮することができる基板乾燥装置、および基板処理システムを提供することである。【解決手段】実施形態に係る基板乾燥装置は、溶媒と昇華性物質を含み、基板の表面に付着した溶液を加熱して、前記基板の表面に前記昇華性物質を析出させ、前記析出した昇華性物質を加熱して昇華させる加熱部と、前記基板の表面にガスを供給するガス供給部と、を備えている。【選択図】図４
2017139279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒と昇華性物質を含み、基板の表面に付着した溶液を加熱して、前記基板の表面に前記昇華性物質を析出させ、前記析出した昇華性物質を加熱して昇華させる第１の加熱部と、
前記基板の表面にガスを供給するガス供給部と、
を備えた基板乾燥装置。
【請求項２】
溶媒と昇華性物質を含み、基板の表面に付着した溶液を加熱して、前記基板の表面に前記昇華性物質を析出させる第２の加熱部と、
前記析出した昇華性物質に、紫外線、レーザ光、およびプラズマ生成物の少なくともいずれかを供給する除去部と、
前記基板の表面にガスを供給するガス供給部と、
を備えた基板乾燥装置。
【請求項３】
前記溶媒は、水および有機溶剤の少なくともいずれかを含み、
前記昇華性物質は、前記有機溶剤および前記水に対する溶解性と、前記基板に対する濡れ性を有し、融点が２５℃以上の有機物である請求項１または２に記載の基板乾燥装置。
【請求項４】
前記ガスの露点は、室温以下である請求項１〜３のいずれか１つに記載の基板乾燥装置。
【請求項５】
前記析出した昇華性物質に、紫外線、レーザ光、およびプラズマ生成物の少なくともいずれかを供給する昇華部をさらに備えた請求項１、３、４のいずれか１つに記載の基板乾燥装置。
【請求項６】
溶媒と昇華性物質を含む溶液を基板の表面に供給して、前記基板の表面にある液体を前記溶液に置換する置換部と、
請求項１〜５のいずれか１つに記載の基板乾燥装置と、
を備えた基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板乾燥装置、および基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置やＭＥＭＳ (Micro Electro Mechanical Systems) などの分野においては、リソグラフィ技術を用いて基板の表面に微細な凹凸部が形成される。凹凸部を形成する際には、基板の表面に残留する薬液や残渣などを除去するために、洗浄及び乾燥が行われる。
ここで、乾燥工程において、基板の表面に残留している液体を除去する際に、液体の表面張力により、凹凸部の凸状体が倒壊する場合がある。  
そのため、基板の表面に残留している液体を昇華性物質を含む溶液で置換し、溶媒を除去することで昇華性物質を析出させ、さらに昇華性物質を昇華させることで基板を乾燥させる技術が提案されている。  
この様な技術によれば、凸状体の倒壊を抑制することができる。  
ところが、単に、昇華性物質を昇華させるようにすると、昇華性物質の除去時間が長くなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−９２６１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、昇華性物質の除去時間を短縮することができる基板乾燥装置、および基板処理システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る基板乾燥装置は、溶媒と昇華性物質を含み、基板の表面に付着した溶液を加熱して、前記基板の表面に前記昇華性物質を析出させ、前記析出した昇華性物質を加熱して昇華させる加熱部と、前記基板の表面にガスを供給するガス供給部と、を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本実施の形態に係る基板処理システム１を例示するためのレイアウト図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、凸状体間に残留する液体の表面張力の影響を例示するための模式断面図である。
【図３】置換部５０を例示するための模式断面図である。
【図４】乾燥部６０を例示するための模式断面図である。
【図５】昇華性物質の蒸気を排出する効果を例示するためのグラフ図である。
【図６】（ａ）は、析出部６０ａを例示するための模式断面図である。（ｂ）は、分解部６０ｂを例示するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
図１は、本実施の形態に係る基板処理システム１を例示するためのレイアウト図である。
図１に示すように、基板処理システム１は、集積部１０、第１搬送部２０、受け渡し部３０、第２搬送部４０、置換部５０、乾燥部６０（基板乾燥装置の一例に相当する）、および制御部７０を有する。  
制御部７０は、集積部１０、第１搬送部２０、受け渡し部３０、第２搬送部４０、置換部５０、および乾燥部６０に設けられた各要素の動作を制御する。
【０００８】
集積部１０は、収納部１１、スタンド１２、および開閉扉１３を有する。  
収納部１１は、基板２００を収納する。  
基板２００の表面には、微細な凹凸部が形成されている。基板２００は、例えば、半導体装置の製造において回路パターンなどが形成された半導体ウェーハ、ＭＥＭＳの製造において機械要素部品、センサ、アクチュエータ、電子回路などが形成された基板、ナノインプリント法に用いられるテンプレートなどとすることができる。ただし、基板２００は例示をしたものに限定されるわけではなく、表面に微細な凹凸部が形成されているものであればよい。
【０００９】
収納部１１の数には、特に限定はないが、複数の収納部１１を設ける様にすれば、生産性を向上させることができる。収納部１１は、例えば、基板２００を積層状（多段状）に収納可能なキャリアなどとすることができる。例えば、収納部１１は、ミニエンバイロメント方式の半導体工場で使われている基板の搬送と保管を目的とした正面開口式キャリア（ＦＯＵＰ(Front-Opening Unified Pod)）などとすることができる。ただし、収納部１１は、ＦＯＵＰなどに限定されるわけではなく、基板２００を収納することができるものであればよい。
【００１０】
スタンド１２は、床面または筐体２１の側面に設けられている。スタンド１２の上面には、収納部１１が載置される。スタンド１２は、載置された収納部１１を保持する。
【００１１】
開閉扉１３は、収納部１１の開口部と、筐体２１の開口部との間に設けられている。開閉扉１３は、収納部１１の開口部を開閉する。例えば、図示しない駆動部により開閉扉１３を上昇させることで、収納部１１の開口部を閉鎖する。また、図示しない駆動部により開閉扉１３を下降させることで、収納部１１の開口部を開放する。
【００１２】
第１搬送部２０は、集積部１０と、受け渡し部３０との間に設けられている。第１搬送部２０は、基板２００を搬送する。  
第１搬送部２０は、筐体２１、および移載部２２を有する。  
筐体２１は、箱状を呈し、その内部には移載部２２が設けられている。筐体２１は、例えば、外部からパーティクルなどが侵入できない程度の気密構造を有するものとすることができる。筐体２１の内部の雰囲気は、例えば、大気圧となっている。  
なお、筐体２１、筐体３１、筐体４１、筐体５１、および筐体６１は、一体に形成することもできるし、別々に形成することもできる。
【００１３】
移載部２２は、集積部１０と受け渡し部３０との間における基板２００の搬送と受け渡しを行う。移載部２２は、回転軸を中心として回転するアーム２２ａを有する搬送ロボットとすることができる。アーム２２ａの先端には、基板２００を保持する保持部２２ｂが設けられている。
【００１４】
アーム２２ａの下方には移動部２２ｃが設けられている。移動部２２ｃは、搬送方向Ｘ（矢印Ｘの方向）に移動可能となっている。また、基板２００の回転方向の位置や昇降方向の位置を変化させる図示しない位置調整部や、アーム２２ａの方向を変える図示しない方向変換部などが設けられている。  
なお、移載部２２の構成は例示をしたものに限定されるわけではない。移載部２２は、集積部１０と受け渡し部３０との間における基板２００の搬送と受け渡しができるものであればよい。
【００１５】
受け渡し部３０は、第１搬送部２０と第２搬送部４０との間に設けられている。  
受け渡し部３０は、筐体３１および載置台３２を有する。  
筐体３１は、箱状を呈し、その内部には載置台３２が設けられている。筐体３１は、例えば、外部からパーティクルなどが侵入できない程度の気密構造を有するものとすることができる。筐体３１の内部の雰囲気は、例えば、大気圧となっている。
【００１６】
載置台３２には、基板２００が載置される。受け渡し部３０は必ずしも必要ではなく省くこともできる。例えば、第１搬送部２０と第２搬送部４０との間において、基板２００を直接受け渡すようにしてもよい。ただし、受け渡し部３０を設けるようにすれば、第１搬送部２０における作業と第２搬送部４０における作業を並行して行うことができる。そのため、基板２００を受け渡す際に待ち時間が生じるのを抑制することができる。
【００１７】
第２搬送部４０の周囲には、受け渡し部３０、置換部５０、および乾燥部６０が設けられている。第２搬送部４０は、置換部５０と受け渡し部３０との間、置換部５０と乾燥部６０との間、および、乾燥部６０と受け渡し部３０との間において基板２００の受け渡しを行う。  
第２搬送部４０は、筐体４１および移載部４２を有する。  
筐体４１は、箱状を呈し、その内部には移載部４２が設けられている。筐体４１は、例えば、外部からパーティクルなどが侵入できない程度の気密構造を有するものとすることができる。筐体４１の内部の雰囲気は、例えば、大気圧となっている。
【００１８】
移載部４２は、アーム４２ａを有する。アーム４２ａの先端には、基板２００を保持する保持部４２ｂが設けられている。  
アーム４２ａの下方には、アーム２２ａの伸縮および旋回を行う駆動部４２ｃが設けられている。  
なお、移載部４２の構成は例示をしたものに限定されるわけではない。移載部４２は、置換部５０と受け渡し部３０との間、置換部５０と乾燥部６０との間、および、乾燥部６０と受け渡し部３０との間における基板２００の受け渡しができるものであればよい。
【００１９】
ここで、比較例に係る乾燥工程における凸状体の倒壊について説明する。  
図２（ａ）〜（ｃ）は、凸状体間に残留する液体の表面張力の影響を例示するための模式断面図である。  
図２（ａ）に示すように、基板２００の表面に液体２０２（例えば、洗浄液、リンス液、エッチング液など）が供給されると、液体２０２が凸状体２０３同士の間に侵入する。
【００２０】
次に、図２（ｂ）に示すように、乾燥工程において、基板２００の表面から液体２０２が除去されると、凸状体２０３の上面が大気中に露出する。すると、凸状体２０３同士の間に残留する液体２０２の表面張力により、凸状体２０３の側面を押す作用力Ｆが生じる。
【００２１】
この場合、凸状体２０３の強度が充分に高ければ、作用力Ｆによる凸状体２０３の倒壊は生じにくい。ところが、基板２００の材質、微細化の程度（集積度）、アスペクト比などによっては凸状体２０３の強度が弱くなる。そのため、図２（ｃ）に示すように、作用力Ｆによる凸状体２０３の倒壊が生じる場合がある。  
例えば、デザインルールが３０ｎｍ（ナノメートル）以下になると作用力Ｆによる凸状体２０３の倒壊が生じ易くなる。
【００２２】
そこで、本実施の形態に係る基板処理システム１においては、置換部５０が凸状体２０３同士の間に残留する液体２０２を溶液２０１に置換する。次に、乾燥部６０が溶液２０１中の溶媒を除去して凸状体２０３同士の間に昇華性物質を析出させる。溶媒の表面張力により凸状体２０３の側面を押す作用力Ｆが生じるが、析出した昇華性物質により凸状体２０３の倒壊が抑制される。次に、乾燥部６０が析出した昇華性物質を昇華させることで除去する。  
この様にすれば、基板２００を乾燥させる際に、凸状体２０３が倒壊するのを抑制することができる。
【００２３】
図３は、置換部５０を例示するための模式断面図である。  
置換部５０は、基板２００の、微細な凹凸部が形成された面に溶液２０１を供給する。凸状体２０３同士の間に残留している液体２０２は、溶液２０１と置換される。  
すなわち、置換部５０は、溶媒と昇華性物質を含む溶液２０１を基板２００の表面に供給して、基板２００の表面にある液体２０２を溶液２０１に置換する。
図３に示すように、置換部５０は、筐体５１、基板保持部５２、および溶液供給部５３を有する。
【００２４】
筐体５１は、箱状を呈し、その内部には保持台５２ａ、カップ５２ｃ、ノズル５３ａ、保持アーム５３ｂ１、および回転軸５３ｂ２などが設けられている。筐体５１は、例えば、外部からパーティクルなどが侵入できない程度の気密構造を有するものとすることができる。筐体５１の内部の雰囲気は、例えば、大気圧となっている。
【００２５】
基板保持部５２は、保持台５２ａ、駆動部５２ｂ、およびカップ５２ｃを有する。  
保持台５２ａは、基板２００を１枚づつ水平に保持する。保持台５２ａは、例えば、バキュームチャック、静電チャック、基板２００を機械的に保持するチャックなどを備えたものとすることができる。また、保持台５２ａは、基板２００を保持した状態で回転することができるようになっている。
【００２６】
駆動部５２ｂは、保持台５２ａに接続されている。駆動部５２ｂは、保持台５２ａを回転させる。また、駆動部５２ｂは、保持台５２ａの回転速度や回転方向を制御する。駆動部５２ｂは、例えば、サーボモータなどの制御モータを備えたものとすることができる。
【００２７】
カップ５２ｃは、保持台５２ａを囲んでいる。カップ５２ｃは、上方が開口した箱状体とすることができる。カップ５２ｃの底面には、排出口５２ｃ１が設けられている。カップ５２ｃは、基板２００が回転することで飛び散る溶液２０１を受け止める。受け止められた溶液２０１は、排出口５２ｃ１から置換部５０の外部に排出される。
【００２８】
溶液供給部５３は、ノズル５３ａ、アーム５３ｂ、ポンプ５３ｃ、およびタンク５３ｄを有する。  
ノズル５３ａは、保持台５２ａの上方に設けられている。ノズル５３ａは、保持台５２ａに保持された基板２００の、微細な凹凸部が形成された面に溶液２０１を供給する。
【００２９】
アーム５３ｂは、保持台５２ａの上方におけるノズル５３ａの位置を変化させる。すなわち、アーム５３ｂは、溶液２０１の吐出位置を変化させる。  
アーム５３ｂは、保持アーム５３ｂ１、回転軸５３ｂ２、および駆動部５３ｂ３を有する。  
保持アーム５３ｂ１の一方の端部には、ノズル５３ａが設けられている。保持アーム５３ｂ１の他方の端部には、回転軸５３ｂ２の一方の端部が接続されている。  
回転軸５３ｂ２の他方の端部には、駆動部５３ｂ３が接続されている。  
駆動部５３ｂ３は、回転軸５３ｂ２の回転角度を変化させる。また、駆動部５３ｂ３は、回転軸５３ｂ２の回転速度や回転方向を制御する。駆動部５３ｂ３は、例えば、サーボモータなどの制御モータを備えたものとすることができる。
【００３０】
なお、ノズル５３ａは、保持台５２ａの上方における所定の位置に固定されるようにしてもよい。ノズル５３ａが所定の位置に固定される場合には、回転軸５３ｂ２および駆動部５３ｂ３を省くことができる。ただし、保持台５２ａの上方におけるノズル５３ａの位置を変化させるようにすれば、溶液２０１を満遍なく全域に供給することが容易となる。
【００３１】
ポンプ５３ｃは、タンク５３ｄに収納された溶液２０１をノズル５３ａに供給する。  
なお、ポンプ５３ｃは必ずしも必要ではなく、例えば、重力を利用して溶液２０１をノズル５３ａに供給することもできる。ただし、ポンプ５３ｃを設けるようにすれば、供給量の安定化、供給時間の短縮化などを図ることができる。
【００３２】
タンク５３ｄは、溶液２０１を収納する。  
その他、溶液２０１の流量を制御する制御弁、溶液２０１の供給と供給の停止を切り替える開閉弁などを設けることができる。
【００３３】
また、タンク５３ｄとノズル５３ａとの間において、溶液２０１の温度が低くなりすぎると、溶液２０１に溶けていた昇華性物質が析出するおそれがある。タンク５３ｄとノズル５３ａとの間において昇華性物質が析出すると、溶液２０１の供給量が少なくなったり、供給時間が長くなったりするおそれがある。  
この場合、タンク５３ｄとノズル５３ａとの間の配管などに、ヒータや断熱材を設ける様にすれば、昇華性物質の意図しない析出を抑制することができる。
【００３４】
なお、スピンコート法を用いて基板２００の表面に溶液２０１を供給する置換部５０を例示したがこれに限定されるわけではない。置換部５０は、例えば、インクジェット法などを用いて基板２００の表面に溶液２０１を供給するものであってもよい。  
すなわち、置換部５０は、基板２００の表面に溶液２０１を供給することができるものであればよい。  
ただし、スピンコート法を用いて基板２００の表面に溶液２０１を供給すれば、溶液２０１の供給と液体２０２の排出とを同時に行うことができるので、液体２０２を溶液２０１に置換するのが容易となる。
【００３５】
ここで、溶液２０１について説明する。  
溶液２０１は、溶媒に昇華性物質を溶解させたものである。  
溶媒は、有機溶剤、純水、および、純水と有機溶剤の混合液などとすることができる。有機溶剤は、例えば、メタノール、エタノール、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、トルエンなどとすることができる。
【００３６】
昇華性物質は、溶媒に容易に溶解するものとすることが好ましい。すなわち、昇華性物質は、有機溶剤および純水に容易に溶解するものとすることが好ましい。  
例えば、ナフタレンやショウノウは、昇華性物質ではあるが、純水に溶解しにくいため好ましくない。
【００３７】
また、液体２０２との置換を考慮すると、基板２００に対する濡れ性が高いことが好ましい。  
本発明者らの得た知見によれば、この様な条件を満たす昇華性物質は、融点が２５℃以上の有機物となる。  
すなわち、溶液２０１に含まれる昇華性物質は、有機溶剤および純水に対する溶解性と、基板２００に対する濡れ性を有し、融点が２５℃以上の有機物とすることが好ましい。
【００３８】
昇華性物質の濃度が高すぎると、溶液２０１が基板２００に接触した瞬間に析出が開始されるおそれがある。すなわち、昇華性物質の濃度が高すぎると、基板２００上において意図しない析出が生じるおそれがある。また、昇華性物質の濃度が低すぎると、昇華性物質の析出量が不足するおそれがある。昇華性物質の析出量が不足すると、基板２００の表面に設けられた微細な凸状体が倒壊するおそれがある。  
そのため、昇華性物質の濃度は、基板２００の温度や、必要となる昇華性物質の析出量などに応じて適宜決定することができる。この場合、実験やシミュレーションを行うことで、昇華性物質の濃度を決定することができる。  
【００３９】
図４は、乾燥部６０を例示するための模式断面図である。  
乾燥部６０は、基板２００の表面に供給された溶液２０１中の溶媒を加熱することで除去する。溶媒が除去されることで、凸状体２０３同士の間に、昇華性物質が析出する。またさらに、乾燥部６０は、析出した昇華性物質を加熱することで昇華させる。  
図４に示すように、乾燥部６０は、筐体６１、載置台６２、加熱部６３（第１の加熱部の一例に相当する）、ガス供給部６４、および昇華部６５を有する。
【００４０】
筐体６１は、箱状を呈し、その内部には載置台６２、発熱体６３ａ、ノズル６４ａ、保持部６４ｄ、および昇華部６５などが設けられている。筐体６１は、例えば、外部からパーティクルなどが侵入できない程度の気密構造を有するものとすることができる。筐体６１の内部の雰囲気は、例えば、大気圧となっている。
【００４１】
載置台６２は、基板２００を１枚づつ水平に保持する。載置台６２は、例えば、バキュームチャック、静電チャック、基板２００を機械的に保持するチャックなどを備えたものとすることができる。
【００４２】
加熱部６３は、基板２００を介して、基板２００の表面にある溶液２０１を加熱する。溶液２０１が加熱されると溶媒が気化し、基板２００の表面に昇華性物質が析出する。またさらに、加熱部６３は、基板２００を介して、析出された昇華性物質を加熱する。昇華性物質は、加熱されることで昇華する。  
すなわち、加熱部６３は、溶媒と昇華性物質を含み、基板２００の表面に付着した溶液２０１を加熱して、基板２００の表面に昇華性物質を析出させる。またさらに、加熱部６３は、析出した昇華性物質を加熱して昇華させる。
【００４３】
加熱部６３は、発熱体６３ａ、電源６３ｂ、および制御部６３ｃを有する。  
発熱体６３ａは、例えば、ジュール熱を発生させるものとすることができる。発熱体６３ａは、載置台６２の内部に設けることができる。発熱体６３ａにおいて発生した熱は、載置台６２を介して基板２００に伝わる。
【００４４】
電源６３ｂは、発熱体６３ａに電力を供給する。  
制御部６３ｃは、載置台６２などに設けられた温度検出器からの出力に基づいて、発熱体６３ａに供給する電力を制御する。すなわち、制御部６３ｃは、載置台６２の温度、ひいては溶液２０１および昇華性物質の温度を制御する。
【００４５】
なお、加熱部６３の構成は例示をしたものに限定されるわけではない。加熱部６３は、例えば、加熱された熱媒体を載置台６２の内部に供給するもの、基板２００に所定の温度のガスを吹き付けるもの、基板２００に遠赤外線やレーザ光などを照射するものであってもよい。すなわち、加熱部６３は、溶液２０１および昇華性物質を加熱できるものであればよい。
【００４６】
ガス供給部６４は、基板２００の表面にガスＧを供給する。ガスＧの種類には特に限定はない。ガスＧは、例えば、空気、窒素ガス、アルゴンガスなどの希ガスなどとすることができる。また、ガスＧは、乾燥ガスである。この場合、ガスＧの露点を室温以下（例えば、２５℃以下）とすれば、基板２００の表面において結露が発生するのを抑制することができる。
【００４７】
ガス供給部６４は、ノズル６４ａ、ガス供給源６４ｂ、ガス制御部６４ｃ、および保持部６４ｄを有する。  
ノズル６４ａは、載置台６２の上方に設けられている。ノズル６４ａは載置台６２に保持された基板２００の表面にガスＧを供給する。なお、ガスＧの供給方向には特に限定はない。例えば、ガスＧは、基板２００の真上から供給することもできるし、基板２００の斜め上方や側方から供給することもできる。
【００４８】
ガス供給源６４ｂは、ノズル６４ａにガスＧを供給する。ガス供給源６４ｂは、例えば、高圧のガスＧが収納されたボンベや、工場配管などとすることができる。  
ガス制御部６４ｃは、ノズル６４ａに供給されるガスＧの流速、流量、圧力などを制御する。  
保持部６４ｄは、ノズル６４ａを保持する。保持部６４ｄは、例えば、筐体６１の内壁などに設けることができる。
【００４９】
昇華部６５は、基板２００の表面にある昇華性物質を昇華させる。  
昇華部６５は、析出した昇華性物質に、紫外線、レーザ光、およびプラズマ生成物の少なくともいずれかを供給する。  
昇華部６５は、例えば、紫外線ランプなどを備えた紫外線照射装置、レーザ照射装置、大気圧プラズマ装置などとすることができる。前述したように、昇華性物質は有機物であるため、大気圧プラズマ装置は酸素ラジカルを発生させるものとすることが好ましい。紫外線照射装置、レーザ照射装置、および大気圧プラズマ装置は、既知の技術を適用することができるので詳細な説明は省略する。
【００５０】
前述したように、加熱部６３により、基板２００の表面にある昇華性物質を昇華させることができる。  
そのため、昇華部６５は、必ずしも必要ではない。
【００５１】
ただし、昇華部６５を設ける様にすれば、昇華性物質に直接働きかけることができるので、残留する昇華性物質の量を少なくすることができる。
【００５２】
次に、ガス供給部６４の作用および効果について説明する。  
ガス供給部６４を設けるようにすれば、供給されたガスＧにより、溶媒の蒸気を排出することができる。そのため、基板２００の表面近傍における溶媒の蒸気圧を低下させることができるので、溶媒の除去時間を短縮することができる。
【００５３】
また、供給されたガスＧにより、昇華性物質の蒸気を排出することができる。そのため、基板２００の表面近傍における昇華性物質の蒸気圧を低下させることができるので、昇華性物質の除去時間を短縮することができる。
【００５４】
図５は、昇華性物質の蒸気を排出する効果を例示するためのグラフ図である。  
図５中のＡ１は、ノズル６４ａに供給されるガスＧの流量が５０Ｌ／ｍｉｎの場合である。Ａ２は、ノズル６４ａに供給されるガスＧの流量が３０Ｌ／ｍｉｎの場合である。  
Ｂは、吸引により昇華性物質の蒸気を排出する場合である。
【００５５】
排気ファンなどを用いて吸引により昇華性物質の蒸気を排出することもできる。しかしながら、吸引により昇華性物質の蒸気を排出すると、蒸気の排出速度が遅くなる。そのため、図５中のＢから分かるように、昇華速度が遅くなる。その結果、昇華性物質の除去時間が長くなる。
【００５６】
これに対して、図５中のＡ１およびＡ２から分かるように、基板２００の表面にガスＧを供給して昇華性物質の蒸気を排出すると、蒸気の排出速度を速くすることができる。そのため、図５中のＡ１およびＡ２から分かるように、昇華速度が速くなる。その結果、昇華性物質の除去時間を短縮することができる。  
またさらに、基板２００の温度を１２０℃以上とすれば、昇華速度をさらに速くすることができる。この場合、吸引により昇華性物質の蒸気を排出する場合と比べて、除去時間を１／５程度にすることができる。
【００５７】
また、加熱により昇華性物質を析出させる析出部６０ａと、加熱以外の方法で析出した昇華性物質を除去する分解部６０ｂを設けることもできる。  
図６（ａ）は、析出部６０ａを例示するための模式断面図である。  
図６（ｂ）は、分解部６０ｂを例示するための模式断面図である。
【００５８】
図６（ａ）に示すように、析出部６０ａは、筐体６１、載置台６２、加熱部６３（第２の加熱部の一例に相当する）、およびガス供給部６４を有する。  
加熱部６３は、基板２００を介して溶液２０１を加熱することで溶媒を除去し、昇華性物質を析出させる。  
すなわち、加熱部６３は、溶媒と昇華性物質を含み、基板２００の表面に付着した溶液２０１を加熱して、基板２００の表面に昇華性物質を析出させる。
ガス供給部６４は、基板２００の表面にガスＧを供給する。供給されたガスＧにより、溶媒の蒸気が排出される。
【００５９】
図６（ｂ）に示すように、分解部６０ｂは、筐体６１、載置台６２、除去部６５ａ、およびガス供給部６４を有する。  
除去部６５ａは、析出した昇華性物質に、紫外線、レーザ光、およびプラズマ生成物の少なくともいずれかを供給する。紫外線、レーザ光、およびプラズマ生成物の少なくともいずれかにより、昇華性物質が分解除去される。除去部６５ａの構成は、昇華部６５の構成と同様とすることができる。
ガス供給部６４は、基板２００の表面にガスＧを供給する。供給されたガスＧにより、分解された昇華性物質が排出される。
【００６０】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１  基板処理システム、１０  集積部、２０  第１搬送部、３０  受け渡し部、４０  第２搬送部、５０  置換部、５２  基板保持部、５３  溶液供給部、６０  乾燥部、６０ａ  析出部、６０ｂ  分解部、６２  載置台、６３  加熱部、６４  ガス供給部、６５  昇華部、６５ａ  除去部、７０  制御部、２００  基板、２０１  溶液、２０２  液体、２０３  凸状体、Ｇ  ガス
【図１】
2017139279.tif 000003
【図２】
2017139279.tif 000004
【図３】
2017139279.tif 000005
【図４】
2017139279.tif 000006
【図５】
2017139279.tif 000007
【図６】
2017139279.tif 000008