(57)【要約】      （修正有）【課題】所望のインダクタンス特性を得ることができるインダクタ部品を提供する。【解決手段】インダクタ部品１０は、インダクタが、プリント配線板のコア基板４３０の平面に対して平行方向の軸線上にループするヘリカル状であり、プリント配線板の厚み方向では無く、横方向にループするため、プリント配線板の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができる。第１導体パターン６０Ｆ及び第２導体パターン６０Ｓの断面積は、スルーホール導体３６の１倍前後である。このため、インダクタ全体としての直流抵抗が低く、高いＱ値を得ることができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と該主面の反対側の副面とを備え、貫通孔を有するコア基材と、該コア基材の主面上に形成されている第１導体パターンと、該コア基材の副面上に形成されている第２導体パターンと、前記貫通孔の内部に設けられ、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを接続するスルーホール導体とを有し、
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンと前記スルーホール導体とからなるインダクタを含み、
前記インダクタの内側に設けられた磁性材料からなる磁性体とを備えるインダクタ部品であって、
前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの導体厚が５０μｍ以上、２００μｍ以下であり、
前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの断面積／前記スルーホール導体の断面積は０．８〜２．０である。
【請求項２】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンは、前記コア基材上の被覆絶縁層に形成されたトレンチ溝をめっき充填してなる充填パターンを備える。
【請求項３】
請求項２のインダクタ部品であって、
前記コア基板上の被覆絶縁層の表面よりも前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの表面が凹んでいる。
【請求項４】
請求項２のインダクタ部品であって、
前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンが、第１電解銅めっき膜と、前記第１電解銅めっき膜上に形成され前記充填パターンを構成する無電解銅めっき膜及び第２電解銅めっき膜を備え、
前記第１電解銅めっき膜よりも、前記充填パターンの方が導体幅が狭い。
【請求項５】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの導体厚み／前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの線間絶縁距離は２〜８である。
【請求項６】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記インダクタは、前記コア基材の前記主面、前記副面に対して平行方向の軸線上に沿って、ヘリカル状で形成されている。
【請求項７】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記磁性体は、磁性金属と有機材料からなる材料である。
【請求項８】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記コア基材は、該コア基材に形成された貫通穴に充填された前記磁性体と、該コア基材の主面上及び副面上及び磁性体上に設けられている樹脂絶縁層と、を有する。
【請求項９】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記コア基材の厚みは０．１mm〜０．５mmである。
【請求項１０】
主面と該主面の反対側の副面とを備えるコア基材に貫通穴を形成することと、
前記貫通穴に磁性体を充填することと、
該コア基材の主面上及び副面上及び前記磁性体上に樹脂絶縁層を設けることと、
前記樹脂絶縁層及び前記コア基材を貫通する貫通孔を形成することと、
前記樹脂絶縁層上にレジストを形成して露光・現像によりめっきレジストパターンを形成することと、
電解めっきを行い、前記貫通孔内にスルーホール導体を形成すると共に、前記めっきレジストパターンの非形成部に第１電解銅めっき膜を形成することと、
前記めっきレジストパターンを剥離することと、
前記樹脂絶縁層及び前記第１電解銅めっき膜上に被覆絶縁層を積層することと、
前記被覆絶縁層にレーザ加工で前記第１電解銅めっき膜を露出させるトレンチ溝を形成することと、
前記トレンチ溝を充填する第２電解銅めっき膜を形成することと、からなるインダクタ部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板に内蔵するインダクタ部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、金属板からプレス加工でインダクタ部品を製造している。そのインダクタ部品は特許文献１の図２に示されている。そのインダクタ部品が基板上に接着される。その後、特許文献１の図８に示されているように、特許文献１は基板とインダクタ部品上にビルドアップ層を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２７０５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のインダクタ部品は金属板から形成されているので、特許文献１の技術でスパイラル状のインダクタが積層されると、異なる層のインダクタを接続することは困難であると考えられる。特許文献１の方法でインダクタンスの値を高くすることは難しいと考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができるインダクタ部品、及び、インダクタ部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明のインダクタ部品は、主面と該主面の反対側の副面とを備え、貫通孔を有するコア基材と、該コア基材の主面上に形成されている第１導体パターンと、該コア基材の副面上に形成されている第２導体パターンと、前記貫通孔の内部に設けられ、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを接続するスルーホール導体とを有し、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンと前記スルーホール導体とからなるインダクタを含み、前記インダクタの内側に設けられた磁性材料からなる磁性体とを備える。そして、前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの導体厚が５０μｍ以上、２００μｍ以下であり、前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの断面積／前記スルーホール導体の断面積は０．８〜２．０である。
【発明の効果】
【０００７】
本願発明では、インダクタが、コア基板の平面に対して平行方向の軸線上に沿って、形成されるヘリカル状であり、プリント配線板の厚み方向では無く、横方向にループするため、プリント配線板の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。また、第１導体パターン及び第２導体パターンの導体厚が５０μｍ以上と厚く直流抵抗が低い。また、第１導体パターン及び第２導体パターンの断面積／スルーホール導体の断面積は０．８〜２．０と約１より大きいため、インダクタ全体としての直流抵抗が低く、所望のＱ値を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図。
【図２】図２（Ａ）、図２（Ｃ）は第１実施形態のインダクタ構造体の平面図、図２（Ｂ）は側面図。
【図３】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図。
【図８】第１実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
図１は、第１実施形態に係るインダクタ部品の断面図である。
インダクタ部品１０は、磁性体材料を含む磁性体２４を開口２２内に備えるコア基材２０と、コア基材の第１面Ｆ側に形成された第１樹脂絶縁層５０Ｆと、コア基材の第２面Ｓ側に形成された第２樹脂絶縁層５０Ｓと、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成された第１導体パターン６０Ｆと、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成された第２導体パターン６０Ｓと、該第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓを接続するスルーホール導体３６と、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成された第１カバーレイ７０Ｆと、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成された第２カバーレイ７０Ｓとを備える。第１カバーレイ７０Ｆ、第２カバーレイ７０Ｓは例えばポリイミド膜から成る被覆絶縁層である。第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓは、第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成された第１無電解銅めっき膜５２、第１電解銅めっき膜５６からなる下層パターン５８Ｆ、５８Ｓと、第１カバーレイ７０Ｆ、第２カバーレイ７０Ｓのトレンチ溝７２Ｆ、７２Ｓにめっき充填された充填パターン６８Ｆ、６８Ｓとから成る。充填パターン６８Ｆは第２無電解銅めっき膜６２、第２電解銅めっき膜６６により構成される。コア基材の厚みは０．１mm〜０．５mmが好ましい。
【００１０】
図２（Ａ）は、該インダクタ部品１０の平面図であり、図２（Ｂ）は側面図である。第１面側の第１導体パターン６０Ｆは、スルーホール導体３６を介して第２面側の第２導体パターン６０Ｓに接続される。第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓは、スルーホール導体３６を介してヘリカル状（螺旋状）に配置され、該第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓ、スルーホール導体３６によりインダクタ５９が形成される。
【００１１】
図１は、図２（Ａ）中のＸ１−Ｘ１断面に対応する。図中に示すようにインダクタ部品１０では、コア基材２０の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｆ上に第１導体パターン６０Ｆが形成されている。コア基材２０の第２面Ｓ側に樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｓ上に第２導体パターン６０Ｓが形成されている。第１導体パターン６０Ｆと第２導体パターン６０Ｓとを接続するスルーホール導体３６は、コア基材２０に形成された貫通孔２６内に形成されている。
【００１２】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０の表裏の第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓとは、コア基材のスルーホール導体３６を介してヘリカル状（螺旋状）に配置され、インダクタを形成する。螺旋状に配置される第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓに囲まれた空間には磁束が集中し、この磁束の集中する箇所に磁性体材料（磁性体）２４が存在し、磁束の密度が高まり所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。
【００１３】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０上の樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ上に下層パターン（導体パターン）５８Ｆ、５８Ｓが設けられる。この場合、導体パターンが樹脂絶縁層上に設けられることとなる。よって、導体パターンと磁性体とが接する場合と比較して、導体パターンの密着性が確保されやすくなる。
【００１４】
第１実施形態のインダクタ部品は、磁性体２４とスルーホール導体３６とは、コア基材に形成された開口、貫通孔に形成される。これにより、磁性体２４とスルーホール導体３６との接触が避けられる。その結果、スルーホール導体の密着性が確保されやすくなる。
【００１５】
第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓは、第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成された下層パターン５８Ｆ、５８Ｓと、第１カバーレイ７０Ｆ、第２カバーレイ７０Ｓのトレンチ溝７２Ｆ、７２Ｓにめっき充填された充填パターン６８Ｆ、６８Ｓとから成る。第１カバーレイ７０Ｆ、第２カバーレイ７０Ｓの厚みｔ２は、１０５μｍで、第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓの厚みｔ３は、例えば、１００μｍである。第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓは、第１カバーレイ７０Ｆ、第２カバーレイ７０Ｓのトレンチ溝７２Ｆ、７２Ｓにめっき充填された充填パターン６８Ｆ、６８Ｓを備えるため、厚みを厚くすることができる。第１導体パターン及び第２導体パターンの導体厚が５０μｍ以上、２００μｍ以下であることが望ましい。第１導体パターン及び第２導体パターンの導体厚が５０μｍ以上と厚いため、直流抵抗が低い。スルーホール導体３６の径ｋ１（図２（Ａ）参照）は０．１５mmで、断面積は０．０１６９mm2である。一方、第１導体パターン及び第２導体パターンを構成する下層パターン５８Ｆ、５８Ｓの幅ｄ１は２５０μｍ、厚みｔ５は１５μｍで、断面積は０．００３７５mm2である。充填パターン６８Ｆ、６８Ｓの幅ｄ２は２３０μｍ、厚みｔ４は８５μｍで、断面積は０．０１９６mm2である。下層パターンと充填パターンとから成る第１導体パターン及び第２導体パターンの断面積０．０２３４mm2である。第１導体パターン及び第２導体パターンの断面積は、スルーホール導体の１．３８倍となる。好ましい範囲としては、０．８〜２倍と１倍前後である。このため、インダクタ５９全体としての直流抵抗が低く、Ｑ＝ωＬ／ＲのＲ分を小さくできるので、高いＱ値（値所望のインダクタンス特性）を得ることができる。ここで、スルーホール導体がテーパーを有する場合、スルーホール導体の断面積は最小径の部位の断面積である。
【００１６】
上述されたように第１導体パターン及び第２導体パターンの導体厚ｔ３は１００μｍである。第１導体パターン及び第２導体パターンの導体厚は５０μｍ以上、２００μｍ以下であることが望ましい。一方、図２（Ａ）中に示される第１導体パターン及び第２導体パターンの線間絶縁距離ｗ２は、ここでは２５μｍである。即ち、第１導体パターン及び第２導体パターンの導体厚み／第１導体パターン及び第２導体パターンの線間絶縁距離は４である。好ましい範囲としては、２〜８である。第１実施形態では、第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓが、第１カバーレイ７０Ｆ、第２カバーレイ７０Ｓのトレンチ溝７２Ｆ、７２Ｓにめっき充填された充填パターン６８Ｆ、６８Ｓを備えるため、厚みを厚くすることができる。一方で、線間絶縁距離がトレンチ溝７２Ｆ、７２Ｓ間に残された第１カバーレイ７０Ｆ、第２カバーレイ７０Ｓにより構成されるため、第１導体パターン、第２導体パターンの厚みが厚くても、線間絶縁の信頼性が損なわれない。また、インダクタンスを構成する第１導体パターン、第２導体パターン相互間の電位差が小さいため、高い絶縁耐圧を必要としない。このため、インダクタ部品は大きさを大きくすることなく、直流抵抗値を低下させることができる。第１導体パターン及び第２導体パターンの幅ｗ１は、例えば、２５０μｍである。
【００１７】
第１実施形態のインダクタ部品は、図１中に示されるように最表層の樹脂層（第１カバーレイ７０Ｆ、第２カバーレイ７０Ｓ）の表面よりも第１導体パターン６０Ｆ及び第２導体パターン６０Ｓの表面がｔ１分（５μｍ）凹んでいる。このため、第１導体パターン６０Ｆ及び第２導体パターン６０Ｓの絶縁信頼性が高い。第１実施形態のインダクタ部品は表面の凹凸が小さいため、プリント配線板への内蔵に適する。
【００１８】
第１実施形態のインダクタ部品は、図１中に示されるように第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓを構成する下層パターン５８Ｆ、５８Ｓの導体幅ｄ１よりも、充填パターン６８Ｆ、６８Ｓの導体幅ｄ２の方が狭い。充填パターン６８Ｆ、６８Ｓは、下層パターン５８Ｆ、５８Ｓ上にめっきで構成されるため、充填パターン６８Ｆ、６８Ｓの方の導体幅が狭いことにより、充填パターン６８Ｆ、６８Ｓの下層パターン５８Ｆ、５８Ｓへの接続信頼性が高い。
【００１９】
図７は、第１実施形態のインダクタ部品を内蔵するプリント配線板４１０の断面図を示す。プリント配線板４１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する絶縁性基材４３０ｚと絶縁性基材の第１面Ｆ上の第１導体層４３４Ａと絶縁性基材の第２面Ｓ上の第２導体層４３４Ｂと第１導体層４３４Ａと第２導体層４３４Ｂを接続しているスルーホール導体４３６とで形成されているコア基板４３０を有する。コア基板は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する。コア基板の第１面と絶縁性基材の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁性基材の第２面は同じ面である。
【００２０】
スルーホール導体４３６は、絶縁性基材４３０ｚに形成されている貫通孔４２８内をめっき膜で充填することにより形成される。更に、絶縁性基材４３０ｚには、貫通孔４３２が形成され、該貫通孔内に積層セラミックコンデンサ５１０が収容されている。積層セラミックコンデンサ５１０は電極５１２ｐ、５１２ｅを備える。
【００２１】
プリント配線板４１０は、さらに、コア基板４３０の第１面Ｆ上に上側のビルドアップ層４５０Ｆを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはコア基板４３０の第１面Ｆ上に形成されている絶縁層４５０Ａと絶縁層４５０Ａ上の導体層４５８Ａと絶縁層４５０Ａを貫通し第１導体層４３４Ａ、スルーホール導体４３６、積層セラミックコンデンサ５１０の電極５１２ｐ、５１２ｅと導体層４５８Ａを接続しているビア導体４６０Ａとを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはさらに絶縁層４５０Ａと導体層４５８Ａ上の絶縁層４５０Ｃと絶縁層４５０Ｃ上の導体層４５８Ｃと絶縁層４５０Ｃを貫通し導体層４５８Ａやビア導体４６０Ａと導体層４５８Ｃとを接続するビア導体４６０Ｃを有する。
【００２２】
プリント配線板４１０は、さらに、コア基板４３０の第２面Ｓ上に下側のビルドアップ層４５０Ｓを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはコア基板４３０の第２面Ｓ上に形成されている絶縁層４５０Ｂと絶縁層４５０Ｂ上の導体層４５８Ｂと絶縁層４５０Ｂを貫通し第２導体層４３４Ｂやスルーホール導体４３６と導体層４５８Ｂを接続しているビア導体４６０Ｂとを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはさらに絶縁層４５０Ｂと導体層４５８Ｂ上の絶縁層４５０Ｄと絶縁層４５０Ｄ上の導体層４５８Ｄと絶縁層４５０Ｄを貫通し導体層４５８Ｂやビア導体４６０Ｂと導体層４５８Ｄとを接続するビア導体４６０Ｄを有する。
【００２３】
プリント配線板４１０の下側のビルドアップ層４５０Ｓはインダクタ部品１０を有する。第１実施形態では、プリント配線板４１０の下側のビルドアップ層は、インダクタ部品１０を収容するためのキャビティ４５２を有する。そして、第１実施形態のプリント配線板４１０は、キャビティ４５２に収容されているインダクタ部品１０を有する。第１実施形態では、キャビティ４５２は下側のビルドアップ層を貫通している。キャビティによりコア基板の第２面とスルーホール導体の下面（下側のスルーホールランド）４３６Ｓが露出している。キャビティ４５２は下側と最下の絶縁層４５０Ｂ、４５０Ｄに形成されている。
【００２４】
インダクタ部品１０の第１導体パターン６０Ｆとスルーホール導体４３６のランド（下側のスルーホールランド）４３６Ｓを導電性部材（接合部材）ＣＤＭで電気的に接続することができる。接合部材は例えば半田や導電性ペーストや異方導電性フィルムである。インダクタ部品１０の各インダクタ５９は、コア基板４３０の表裏面に対して平行方向の軸線x２、x３上に沿ってループするようにヘリカル状に配置されている（図２（Ａ）参照）。
【００２５】
キャビティ４５２により露出している下側のビルドアップ層の側壁とインダクタ部品１０との間の隙間は充填樹脂４４９で充填されてもよい。コア基板４３０の第２面やスルーホール導体とインダクタ部品との間の隙間にも充填樹脂４４９が充填されてもよい。充填樹脂４４９は磁性粒子を含んでも良い。インダクタのＱ値やインダクタンスの値が低下し難い。磁性粒子として、酸化鉄（■）やコバルト酸化鉄等が挙げられる。
【００２６】
第１実施形態のプリント配線板は、さらに、上側のビルドアップ層４５０Ｆ上に開口４７１Ｆを有するソルダーレジスト層４７０Ｆと下側のビルドアップ層４５０Ｓ及びインダクタ部品１０上に開口４７１Ｓ、４７１ＳＳを有するソルダーレジスト層４７０Ｓを有する。インダクタ部品１０の第２面側は下側のビルドアップ層上のソルダーレジスト層４７０Ｓで覆われている。従って、インダクタ部品は、第２面側にソルダーレジスト層を有さなくてもよい。
【００２７】
ソルダーレジスト層４７０Ｆ、４７０Ｓの開口４７１Ｆ、４７１Ｓにより露出している導体層４５８Ｃ、４５８Ｄやビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄの上面はパッドとして機能する。パッド上に、Ｎｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ、ＯＳＰから成る保護膜４７２が形成されている。その保護膜上に半田バンプ４７６Ｆ、４７６Ｓが形成されている。上側のビルドアップ層４５０Ｆ上に形成されている半田バンプ４７６Ｆを介して図示しないＩＣチップがプリント配線板４１０に搭載される。下側のビルドアップ層４５０Ｓ上に形成されている半田バンプ４７６Ｓを介してプリント配線板４１０はマザーボードに搭載される。
【００２８】
ソルダーレジスト層４７０Ｓはインダクタ部品の第２導体パターン６０Ｓを露出する開口４７１ＳＳをさらに有する。第２導体層上に保護膜４７２を形成することができる。第２導体パターン６０Ｓ上に半田バンプなどの接続部材４７６ＳＳが形成されている。半田バンプ以外の接続部材として、導電性ペーストや異方性導電ゴムが挙げられる。
【００２９】
第１実施形態では、インダクタ５９が、プリント配線板のコア基板４３０の平面に対して平行方向の軸線上にループするヘリカル状であり、プリント配線板の厚み方向では無く、横方向にループするため、プリント配線板の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。また、プリント配線板の第２面側にインダクタ部品１０を配置するため、第１面に搭載される半導体の直下にインダクタ部品を置くことができ、半導体とインダクタ部品との配線長を短縮でき、半導体への電力伝達を高速化、高効率化できる。
【００３０】
[第１実施形態のインダクタ部品の製造方法]
図３〜図６に第１実施形態のインダクタ部品の製造方法が示される。
厚さ０．１５mmのコア基材２０が用意される。コア基材２０には銅箔２１が積層されている（図３（Ａ））。コア基材２０の隅に貫通孔２３が形成される（図３（Ｂ））。銅箔がエッチングによりパターニングされ、アライメントマーク２５が形成される（図３（Ｃ））。そして、開口２２がルーター加工で形成される（図３（Ｄ））。開口２２内に磁性体２４がメタルマスクを用い、真空印刷される（図３（Ｅ））。磁性体は、磁性金属と樹脂等の有機材料からなる複合体である。磁性体の透磁率は２〜２０で、磁気飽和が０．１Ｔ〜２Ｔであることが、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得るため望ましい。コア基材２０の表面がベルトで研磨され、基板表面の凹凸が±１０μｍに平滑化される（図４（Ａ））。
【００３１】
コア基材２０の第１面Ｆ及び第２面Ｓに４０μｍのプリプレグが積層され、第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、積層体３０が完成する（図４（Ｂ））。ドリルで、積層体３０のスルーホール形成部位に貫通孔２６が形成される（図４（Ｃ））。積層体３０の平面図を図２（Ｃ）に示す。図４（Ｃ）は、図２（Ｃ）中のＸ０−Ｘ０断面に対応する。
【００３２】
第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上、及び、貫通孔２６の内壁に第１無電解銅めっき膜５２が形成される（図４（Ｄ））。第１無電解銅めっき膜５２上にレジスト組成物が形成され、露光・現像によりめっきレジスト５４が形成される（図５（Ａ））。貫通孔２６内に電解めっきが充填されスルーホール導体３６が形成される。同時に、めっきレジスト５４の非形成部分に第１電解銅めっき膜５６が形成される（図５（Ｂ））。めっきレジストが除去され、第１電解銅めっき膜５６の非形成部分の第１無電解銅めっき膜５２が除去され、第１無電解銅めっき膜５２、第１電解銅めっき膜５６からなる下層パターン５８Ｆ、５８Ｓが形成される（図５（Ｃ））。
【００３３】
第１樹脂絶縁層５０Ｆ、下層パターン５８Ｆ、及び、第２樹脂絶縁層５０Ｓ、下層パターン５８Ｓ上にポリイミドからなるカバーレイ７０Ｆ、７０Ｓが積層される（図５（Ｄ））。カバーレイ７０Ｆ、７０Ｓにレーザで、下層パターン５８Ｆ、５８Ｓを露出させるトレンチ溝７２Ｆ、７２Ｓが形成される（図６（Ａ））。カバーレイ７０Ｆ、７０Ｓ上、トレンチ溝７２Ｆ、７２Ｓ内に第２無電解銅めっき膜６２、第２電解銅めっき膜６６が形成される（図６（Ｂ））。エッチングにより、カバーレイ７０Ｆ、７０Ｓ上の第２無電解銅めっき膜６２、第２電解銅めっき膜６６が除去され、充填パターン６８Ｆ、６８Ｓが形成され、第１導体パターン６０Ｆ、第２導体パターン６０Ｓが完成する（図６（Ｃ））。このエッチングの際に、第１カバーレイ７０Ｆ、第２カバーレイ７０Ｓの表面よりも第１導体パターン６０Ｆ及び第２導体パターン６０Ｓの表面がｔ１（５μｍ）分凹む。そして、個片に切り分けられインダクタ部品１０が完成する（図６（Ｄ））。第１実施形態のインダクタ部品は、プリント配線板と同様な製造方法で形成できるので、製造が容易である。
【００３４】
[第１実施形態の第１改変例]
第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板を構成するプリント配線板４１０の断面が図８に示される。第１実施形態の第１改変例のプリント配線板４１０は、コア基板４３０にインダクタ部品１０を収容するための開口４２０を備える。第１実施形態の第１改変例のプリント配線板では、厚みのあるインダクタ部品を収容することができる。
【符号の説明】
【００３５】
１０  インダクタ部品
２０  コア基材
２４  磁性体
３６  スルーホール導体
５０Ｆ、  ５０Ｓ  樹脂絶縁層
５８Ｆ、５８Ｓ  下層パターン
６０Ｆ  第１導体パターン
６０Ｓ  第２導体パターン
６８Ｆ、６８Ｓ  充填パターン
７０Ｆ  第１カバーレイ
７０Ｓ  第２カバーレイ
７２Ｆ、７２Ｓ  トレンチ溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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