(57)【要約】【課題】表示装置にドライバＩＣを接続する場合の接続不良を無くする。【解決手段】ドライバＩＣ１０がＴＦＴ基板１００に接続された表示装置であって、前記ドライバＩＣ１０の第１の主面は、第１の端部を有する第１の辺に沿って第１バンプ１１が形成され、前記第１の辺に対向し、第２の端部を有する第２の辺に沿って第２バンプ１２が形成され、前記ＴＦＴ基板１００は、前記第１バンプ１１に接続している第１端子と前記第２バンプに接続している第２端子を有し、前記第１の辺と前記第２の辺と直角方向の断面における前記第１の主面は、前記第１バンプと前記第２バンプの間の第１領域と、前記第２バンプから前記第２の端部までの第２領域とを有し、前記第１領域と前記第２領域は、前記ＴＦＴ基板に向かって湾曲していることを特徴とする表示装置。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライバＩＣが基板に実装される表示装置であって、
前記ドライバＩＣは、第１端部を有する第１長辺に沿って形成された第１バンプと、前記第１長辺と対向し第２端部を有する第２長辺に沿って形成された第２バンプとを有し、
前記基板は、前記第１バンプと接続する第１端子と、前記第２バンプと接続する第２端子とを有し、
前記第１長辺及び前記第２長辺と直角方向の断面における前記ドライバＩＣは、前記第１バンプと前記第２バンプとの間の第１領域と、前記第２バンプから前記第２端部までの第２領域とを有し、前記第１領域と前記第２領域は、前記基板に向かって湾曲していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
ドライバＩＣが基板に実装される表示装置であって、
前記ドライバＩＣは、第１端部を有する第１長辺に沿って形成された第１バンプと、前記第１長辺に対向し第２端部を有する第２長辺に沿って形成された第２バンプとを有し、
前記基板は、前記第１バンプと接続する第１端子と、前記第２バンプと接続する第２端子とを有し、
前記第１長辺及び前記第２長辺と直角方向の断面における前記ドライバＩＣは、前記第１バンプと前記第２バンプの間の第１領域と、前記第２バンプから前記第２端部までの第２領域と、前記第２バンプが形成された位置に対応する第３領域とを有し、
前記第３領域の前記基板から前記ドライバＩＣまでの間隔の最大値は、前記第２領域の前記基板から前記前記第２端部までの間隔の最大値よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
ドライバＩＣが基板に実装される表示装置であって、
前記ドライバＩＣは、第１端部を有する第１長辺に沿って形成された第１バンプと、前記第１長辺に対向し第２端部を有する第２長辺に沿って形成された第２バンプとを有し、
前記基板は、前記第１バンプと接続する第１端子と、前記第２バンプと接続する第２端子とを有し、
前記第１長辺及び前記第２長辺と直角方向の断面における前記ドライバＩＣの曲線は、前記第１端部を原点とし、前記第１端部から前記第２端部に向かう距離をｘとし、前記ドライバＩＣと前記基板との距離の方向をｙとし、ｙ＝ｆ（ｘ）とした場合、
前記ｆ（ｘ）の2次微分は、前記第１バンプから前記第２端部に向かうにつれて、正から負に変化し、
前記2次微分が負になっている領域において、ｆ（ｘ）に極大値が存在していることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記第２バンプは、前記第２長辺と平行に複数列形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ドライバＩＣは、前記第１バンプと前記第２バンプの間にダミーバンプが形成されていることを特徴とする請求項1乃至３のいずれか1項に記載の表示装置。
【請求項６】
ドライバＩＣが基板に実装される表示装置であって、
前記ドライバＩＣは、第１端部を有する第１長辺に沿って形成された第１バンプと、前記第１長辺に対向し第２端部を有する第２長辺に沿って形成された第２バンプと、前記第１バンプと前記第２バンプの間に形成されたダミーバンプとを有し、
前記基板は、前記第１バンプと接続する第１端子と、前記第２バンプと接続する第２端子と、前記ダミーバンプと接続するダミー端子とを有し、
前記第１長辺及び前記第２長辺と直角方向の断面における前記ドライバＩＣの前記第１端部及び前記第２端部は、前記ダミーバンプを中心にして、前記基板に向かって湾曲していることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記ダミーバンプの高さは、前記第１バンプおよび前記第２バンプの高さよりも高いことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記ダミーバンプは、前記第１長辺に平行に連続して形成されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ダミーバンプと接続する前記ダミー端子は、前記第１端子および前記第２端子の高さよりも高いことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
ドライバＩＣが基板に実装される表示装置であって、
前記ドライバＩＣは、第１端部を有する第１長辺に沿って形成された第１バンプと、前記第１長辺に対向し第２端部を有する第２長辺に沿って形成された第２バンプとを有し、
前記基板は、前記第１バンプと接続する第１端子と、前記第２バンプと接続する第２端子とを有し、
前記第２バンプは、前記第２長辺に平行に３列以上で複数形成され、
前記第２端子は、前記第２バンプの内側列、中央列、外側列へといくにしたがって高さが高くなることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記第２バンプの前記中央列に対応する前記第２端子の高さは、前記第１端子の高さと同じであることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記ドライバＩＣは前記第１バンプと前記第２バンプとの間にダミーバンプを有し、前記ダミーバンプに対応する前記基板に形成された端子の高さは、前記第２バンプの前記最外列に対応する前記第２端子の高さよりも低いことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記ドライバＩＣは前記第１バンプと前記第２バンプの間にダミーバンプを有し、前記ダミーバンプに対応する前記基板に形成された端子の高さは、前記第２バンプの前記中央列に対応する前記第２端子の高さよりも低いことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はドライバＩＣを搭載した表示装置の、ドライバＩＣとの接続の信頼性向上技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等の薄型でフラットな表示装置では、画面が高精細となり、ドライバＩＣの接続端子数が増大している。本明細書では、液晶表示装置を例にとって説明するが、本発明は、有機ＥＬ表示装置等、他の表示装置にも適用することが出来る。
【０００３】
表示装置のうち、液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００４】
画素には走査線を介して走査信号が、映像線を介して映像信号が供給される。走査信号や映像線を形成するために、ドライバＩＣが用いられる。ドライバＩＣは、ＴＦＴ基板の端子部に、ドライバＩＣのバンプと端子部の端子とをＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ、異方性導電膜）を介して接続される。
【０００５】
ＡＣＦは熱可塑性のプラスチックフィルムに導電性の微粒子が分散されたものである。加熱された圧着ヘッドによって、ドライバＩＣをＡＣＦを介して端子に熱圧着すると、ドライバＩＣのバンプと端子とが導電性微粒子によって接続され導通を確保する。
【０００６】
ドライバＩＣには複数のバンプが存在し、この複数のバンプと対応する複数の端子とを全て確実に接続する必要がある。特許文献１には、ドライバＩＣと端子とが確実に接続されたか否かを検出するための検査システムが記載されている。
【０００７】
一方、ドライバＩＣを熱圧着によって接続する場合、ドライバＩＣが撓むために、バンプが均一に加圧されない現象が生ずる。特許文献２には、これを対策するために、入力バンプと出力バンプとの間にダミーバンプを配置することによって、接続不良を解消する構成が記載されている。
【０００８】
特許文献３には、一方の辺に複数列の端子が形成され、対向する他方の辺には単列の端子が形成されているドライバＩＣの接続において、ドライバＩＣを熱圧着する際、複数列側の端子に対する圧着力が小さくなって接続不良の問題を生ずることを防止するために、複数列の端子側において、端子とドライバＩＣ端部との距離を大きくすることによって、各端子に均一に圧着力がかかるようにする構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１５−４９４３５
【特許文献２】特開２０１４−２６０４２
【特許文献３】特開２０１５−１２２３６６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
液晶表示装置では高精細化が進んでおり、ドライバＩＣに形成されたバンプ（以後単にバンプを呼ぶこともある）の数、および、対応する端子の数が多くなっており、それに伴い、バンプあるいは端子の面積も小さくなっている。したがって、ドライバＩＣと端子の接続は高い信頼性が要求されている。
【００１１】
ドライバＩＣは平面が長方形であり、長辺、短辺を有している。第１長辺側にＩＣへの入力のためのバンプがライン状に配置し、第１長辺に対向する第２長辺側にＩＣからの出力のためのバンプがライン状に配置している。ドライバＩＣを熱圧着する際、ドライバＩＣが短辺方向に撓むと、最外側のバンプに十分に圧力が加わらないために、接続不良が生ずる。
【００１２】
本発明は、以上のような課題を解決するものであり、ドライバＩＣと端子の接続を確実に行い、信頼性の高い液晶表示装置を実現することである。なお、このような課題は、液晶表示装置に限らず、ドライバＩＣを用いている、有機ＥＬ表示装置等の表示装置においても同様に存在する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。すなわち、ドライバＩＣがＴＦＴ基板に接続された表示装置であって、前記ドライバＩＣの第１主面は、第１端部を有する第１辺に沿って第１バンプが形成され、前記第１辺に対向し、第２端部を有する第２辺に沿って第２バンプが形成され、
前記ＴＦＴ基板は、前記第１バンプに接続している第１端子と前記第２バンプに接続している第２端子を有し、前記第１辺と前記第２辺と直角方向の断面における前記第１主面は、前記第１バンプと前記第２バンプの間の第１領域と、前記第２バンプから前記第２端部までの第２領域とを有し、前記第１領域と前記第２領域は、前記ＴＦＴ基板に向かって湾曲していることを特徴とする表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。
【図２】ＡＣＦによってドライバＩＣとＴＦＴ基板に形成された端子が接続した状態を示す模式断面図である。
【図３】ドライバＩＣの熱圧着プロセスを示す斜視図である。
【図４】熱圧着時の問題点を示すドライバＩＣの斜視図である。
【図５】比較例１での熱圧着の問題点を示す模式断面図である。
【図６】比較例２での熱圧着の問題点を示す模式断面図である。
【図７】本発明の実施例１における熱圧着を示す模式断面図である。
【図８】熱圧着プロセスを示す模式断面図である。
【図９】シミュレーションに使用したドライバＩＣの断面図である。
【図１０】シミュレーション結果を示すグラフである。
【図１１】比較例１における熱圧着を示す模式断面図である。
【図１２】実施例１の第１の形態及び第２の形態における熱圧着を示す模式断面図である。
【図１３】ドライバＩＣのバンプ配置を示す平面図である。
【図１４】比較例１でのバンプにおける圧着力の分布である。
【図１５】実施例１の第１形態における圧着力の分布である。
【図１６】実施例１の第２形態における圧着力の分布である。
【図１７】比較例１と本発明の第１形態および第２形態における圧着力の分布の差を示すグラフである。
【図１８】比較例２における熱圧着を示す模式断面図である。
【図１９】実施例１の第３の形態及び第４の形態における熱圧着を示す模式断面図である。
【図２０】ダミーバンプが存在する場合のドライバＩＣのパンプ配置例である。
【図２１】比較例１でのバンプにおける圧着力の分布である。
【図２２】実施例１の第３形態における圧着力の分布である。
【図２３】実施例１の第４形態における圧着力の分布である。
【図２４】比較例２と本発明の第３形態３および第４形態における圧着力の分布の差を示すグラフである。
【図２５】品質工学における制御因子と水準を示す表である。
【図２６】制御因子とＳＮ比を示すグラフである。
【図２７】入力バンプと出力バンプの間隔と必要な庇長さを示すグラフである。
【図２８】ドライバＩＣの厚さを変えた場合における、入力バンプと出力バンプの間隔と必要な庇長さを示すグラフである。
【図２９】ダミーバンプが必要となる場合の入力バンプと出力バンプの間隔と必要な庇長さを示すグラフである。
【図３０】出力バンプがドライバＩＣの短辺側にも形成されている場合の平面図である。
【図３１】出力バンプがドライバＩＣの短辺側に２列形成されている場合の平面図である。
【図３２】出力バンプがドライバＩＣの短辺側に３列形成されている場合の平面図である。
【図３３】ダミーバンプを有するドライバＩＣがＴＦＴ基板に接続されている例である。
【図３４】実施例２の第１の形態を示す断面図である。
【図３５】実施例２の第２の形態を示す断面図である。
【図３６】実施例２の第３の形態を示す断面図である。
【図３７】ドライバＩＣのバンプがＴＦＴ基板の端子に接続される状態を示す断面図である。
【図３８】実施例３において、ドライバＩＣのバンプがＴＦＴ基板の端子に接続される状態を示す断面図である。
【図３９】端子突起の構成例を示す図である。
【図４０】実施例３の他の形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は本発明が適用される液晶表示装置の例を示す平面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が周辺のシール材１６０を介して接着し、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が対向している部分に表示領域９０が形成されている。表示領域９０には、走査線８１が第１方向に延在して第２方向に配列しており、映像線８２が第２方向に延在して第１方向に配列している。走査線８１と映像線８２で囲まれた領域が画素８０になっている。
【００１７】
ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が１枚になっている部分が端子部１５０となっている。端子部１５０には、走査信号、あるいは映像信号を供給するためのドライバＩＣ１０が接続している。また、端子部１５０には、外部から映像信号、電源等を供給するためのフレキシブル配線基板５０が接続している。
【００１８】
図２は、ドライバＩＣ１０を端子部１５０に接続する場合の模式図である。図２において、ＴＦＴ基板１００の端子部１５０にドライバＩＣ１０がＡＣＦ２０を介して配置している。ドライバＩＣ１０には多くのバンプが形成されており、このバンプは、ＡＣＦ２０を介して、端子部１５０に形成された端子に接続する。
【００１９】
図３はドライバＩＣを端子部に接続する様子を示す模式断面図である。図３において、ヒータ４１で加熱された圧着ヘッド４０が、緩衝のための樹脂シート３０を介して、ドライバＩＣ１０を端子部側に圧着する。ドライバＩＣ１０とＴＦＴ基板１００の端子１６０との間には、ＡＣＦ２０が配置されている。ＡＣＦ２０は熱可塑性のプラスチックフィルム２２に導電性微粒子２１が分散された構成を有しており、熱を加えて圧着すると、導電性微粒子２１が入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２と端子１６０を導通し、電気的な接続をとることが出来る。熱圧着をすることによって、プラスチックフィルム２２は、接着材としての役割を有することになる。
【００２０】
しかし、ドライバＩＣ１０を圧着ヘッド４０によってＴＦＴ基板１００に圧着する際、ドライバＩＣ１０が図４に示すように、短辺方向に撓む現象が生ずる。ドライバＩＣ１０の第１長辺側には入力バンプ１１が配置し、第２長辺側には出力バンプ１２が配置している。図４のように、ドライバＩＣ１０が撓むと、入力バンプ１１あるいは出力バンプ１２と端子１６０との圧着が不十分になり、接続不良を生ずる。
【００２１】
図５は比較例における圧着工程を示す模式断面図である。図５において、受台６０の上にＴＦＴ基板１００が配置し、その上にバンプ１１、１２を有するドライバＩＣ１０が配置している。ドライバＩＣ１０のバンプは樹脂シート３０を介して圧着ヘッド４０によって、ＴＦＴ基板１００側に熱圧着される。この時、圧力の分布の影響によって、ドライバＩＣ１０が図４に示すように、短辺方向に撓む。そうすると、特に、ドライバＩＣ１０の長辺の端部側に存在するバンプへの圧力が不足して導通不良をきたす。なお、樹脂シート３０は、本来は平板であるが、図５乃至６では、圧力分布によって撓んで、変形していることを示している。
【００２２】
図６はこの現象を軽減するために、入力バンプ１１と出力バンプ１２との間にダミーバンプ１３を形成した例である。図６ではダミーバンプ１３によってドライバＩＣ１０の撓みを軽減し、入力バンプ１１と出力バンプ１２に係る圧力を均一にする構成となっている。しかし、後で説明するように、ダミーバンプ１３を配置しても、圧着力分布は十分に均一にはならない。図６の他の構成は図５で説明したのと同様である。なお、ダミーバンプ１３は、少なくとも、走査線あるは映像線等とは接続されておらず、熱圧着時のドライバＩＣ１０の撓みを軽減する目的で使用されるものである。
【００２３】
図７は、このような問題を対策する本発明の第１の実施例を示す模式断面図である。図７の特徴は、領域Ｅで示すように、ドライバＩＣ１０において、バンプが複数列形成されている出力バンプ１２の側において、バンプとドライバＩＣの端部との距離を大きくしていることである。以後、この部分を庇と呼ぶ。
【００２４】
このような形状とすることによって、ドライバＩＣ１０は圧着時に、図７に示すように撓む。この撓み方の特徴は、ドライバＩＣ１０が、入力バンプ１１と出力バンプ１２の中央付近から上側に屈曲し、出力バンプ１２の中央付近にからドライバＩＣ１０の端部にかけて下側に屈曲している点である。言い換えると、ドライバＩＣ１０の断面におけるバンプ側の面を見た場合、ドライバＩＣ１０とＴＦＴ基板１００との距離が、入力バンプ１１と出力バンプ１２の中央付近において、ｈ１であり、出力バンプ１２の位置においてｈ２であり、ドライバＩＣ１０端部においてｈ３であるとした場合、ｈ１＜ｈ２、ｈ３＜ｈ２であるということが言える。
【００２５】
ドライバＩＣがこのような撓み方をすることによって出力バンプ１２の外側において、バンプと基板との圧着力が大きくなり、出力バンプ１２の外側列における接続の信頼性を向上させることが出来る。ドライバＩＣ１０を基板側端子に圧着する際、図７のような形状になるか否かは、ドライバＩＣ１０の厚さ、庇の長さ等が影響する。
【００２６】
図８乃至図１０は、特定のドライバＩＣについて、ドライバＩＣ１０の断面のバンプ側の面の曲線をシミュレーションによって評価した図である。図８は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板１００にドライバＩＣ１０を熱圧着している状態を示す断面図である。図８において、液晶表示パネルはＴＦＴ基板１００に対向基板２００が重ね合わされ、ＴＦＴ基板１００の下側に下偏光板１０１が貼り付けられ、対向基板２００の上側に上偏光板２０１が貼り付けられている。ＴＦＴ基板１００の端子部にドライバＩＣ１０が樹脂シート３０を介して熱圧着される。
【００２７】
図９は、評価対象に使用したドライバＩＣの短辺方向の断面図である。図９の左側には、入力バンプが１列配置し、右側には出力バンプは３列配置している。図９の各数字は、μｍで表した寸法を示している。例えば、ドライバＩＣ１０の短辺方向の径は１３２０μｍである。図９において、最外列の出力バンプ１２とドライバＩＣ１０の端部までの距離、すなわち、庇の長さは１０５μｍである。一方、入力バンプ１１側の庇の長さは７５μｍである。出力バンプ１２側の庇のほうが入力バンプ１１側の庇よりも長くなっている。
【００２８】
図１０は、このようなドライバＩＣ１０を図８に示すようにＴＦＴ基板１００に熱圧着した場合のドライバＩＣ１０のバンプ側の面の湾曲状態を示すものである。図１０は、バンプの配置や庇の長さは同一であるが、厚さが、１００μｍと２００μｍの場合について評価したものである。図１０ではドライバＩＣ１０の厚さが１００μｍの場合と２００μｍの場合について評価したものである。
【００２９】
図１０において、ｘ＝０の点は、図９におけるドライバＩＣ１０の左端である。また、ｙ＝０の点は、図９におけるドライバＩＣ１０の下表面の左端を示している。図１０は、ドライバＩＣ１０の左端から右端までのドライバＩＣ１０の下面の湾曲状態を示すものである。ドライバＩＣ１０の板厚が１００μｍの場合について着目すると、ドライバＩＣ１０の左端から、４５０ｎｍまでは下側に湾曲し、その後、上側に湾曲して１０５０μｍ付近でピークとなり、その後、再び、ドライバＩＣ１０の右端まで下側に湾曲している。
【００３０】
ドライバＩＣ１０の板厚が２００μｍの場合は、ドライバＩＣ１０の左端から４５０μｍ付近まで、下側に湾曲し、その後、右端に向かうにつれて上側に湾曲するが、ドライバＩＣ１０の右端付近にピークが存在する。
【００３１】
このようなドライバＩＣ表面の曲線は、ドライバＩＣ１０の板厚と図９に示す庇の長さに依存する。ドライバＩＣ１０の厚さが２００μｍの場合であっても、庇の長さが１０５μｍよりも大きくなると、ピークは、右端よりも内側となり、ピークから下側に湾曲する領域が存在することになる。
【００３２】
ドライバＩＣ１０の短辺方向の断面における、表面の曲線が図１０におけるような、上側に凸になる領域が、バンプ付近に存在すると、最外の端子に対する圧着力を十分に確保することが出来、ドライバＩＣ接続の信頼性を確保することが出来る。図１０において、例えば、ドライバＩＣの厚さが１００μｍの場合について、横軸をｘとし、縦軸をｙとした場合、ｙをｘの関数ｆ（ｘ）で表すことが出来る。
【００３３】
この場合、ｆ（ｘ）が下に凸の場合は、ｆ（ｘ）の２次微分が正であり、ｆ（ｘ）が上に凸の場合は、ｆ（ｘ）の2次微分が負になる。すなわち、図１０のようなドライバＩＣが１００μｍのような曲線は、ｆ（ｘ）の2次微分が負の場合と正の場合を有していると表現することが出来る。さらに、ｆ（ｘ）の2次微分が負になっている領域において、ｆ（ｘ）に極大値が存在していることが最も好ましい。
【００３４】
ところで、図１０のような曲線は、ｆ（ｘ）＝ａｘ２＋ｂｘ４＋ｃＸ６で評価できる場合が多い。ａ、ｂ、ｃは、測定データをもとに、連立方程式を解くことによって容易に割り出すことが出来る。したがって、ｆ（ｘ）の２次微分の符号の評価も容易である。
【００３５】
図１１乃至図１７は、庇の長さを長くした場合に、各バンプにおける圧着力を評価したものである。すなわち、バンプにおける圧着力の最小値Ｍｉｎが所定の値以上である必要があるが、圧着力の最小値を庇の長さによって大きくすることが出来ることを示すシミュレーションである。
【００３６】
図１１は比較例として、庇が従来と同程度である、ｗｅ＝５０μｍ程度の場合のドライバＩＣ１０を基板１００に熱圧着していることを示す断面図である。図１１において、ドライバＩＣ１０が樹脂シートを介して圧着ヘッドによって、基板に押しつけられている。図１１では、ＡＣＦは省略されている。図１２は、本発明においてドライバＩＣ１０をＴＦＴ基板１００に熱圧着していることを示す模式断面図である。図１２では、ドライバＩＣ１０の庇の幅ｗｅを１５０μｍの場合と３００μｍの場合とで評価をしている。その他の構成は図１１で説明したのと同様である。図１１および図１２におけるドライバＩＣ１０の厚さは２００μｍ、樹脂シート３０の厚さは５０μｍである。
【００３７】
図１３は、図１１あるいは図１２のドライバＩＣ１０のバンプの配置を示す平面図である。図１３の上側の図は、ドライバＩＣ１０のバンプが形成されている側の全体の平面図であり、右側の四角で囲った領域の詳細図が図１３の下側の図である。図１３における数値は寸法を示し、単位はμｍである。図１３において、ドライバＩＣの一方の辺には入力バンプ１１が１列形成されており、対向する辺には出力バンプ１２が３列形成されている。ドライバＩＣ１０の幅は、１２７９．６＋ｗｅである。すなわち、ドライバＩＣの幅は、ｗｅの大きさによって変化する。
【００３８】
図１４乃至図１６は、図１１および図１２のような熱圧着を行った場合、ドライバＩＣにおけるｗｅの幅を変えた場合において、各端子における圧着力を評価したものである。なお、圧着力をバンプ面圧ということもあるが、同義である。比較例１である図１４、本発明１を示す図１５、本発明２を示す図１６とでは、出力バンプ側における庇の長さｗｅが異なっている。図１４ではｗｅは５０μｍ、図１５ではｗｅは１５０μｍ、図１６ではｗｅは３００μｍである。図１４乃至図１６はいずれもダミーバンプが存在していない場合である。
【００３９】
図１４乃至図１６において、上側の図はドライバＩＣ１０のバンプ側の面の右半分を示すものである。図１４乃至図１６の下側の図は、上側の図におけるドライバＩＣ１０の中央付近における四角で囲んだ領域における圧着力の分布を示す詳細図である。図１４乃至図１６におけるＭＰａは、圧力の単位としてのメガパスカルである。
【００４０】
図１４乃至図１６の上側の図に示すドライバＩＣ１０において、Ｍｉｎは、圧着力の最も小さな場所を示している。圧着力の最も小さな場所は、図１４乃至図１６でほぼ同様であるが、値が異なっている。本発明の目的は、バンプにおける圧着力が極端に小さい場所を無くすこと、すなわち、最小圧着力を上げることである。
【００４１】
比較例１である図１４では、最低圧着力は８ＭＰａである。本発明１を示す図１５では、最低圧着力は２８ＭＰａであり、比較例１に比較して大幅に改善している。本発明２を示す図１６では、最低圧着力は５４ＭＰａであり、さらに改善している。
【００４２】
図１４乃至図１６の下側の図面において、各バンプに対応した数値は、各バンプにおける圧着力を示したものである。図１４乃至図１６において、入力バンプ１１は１列形成され、出力バンプ１２は３列形成されている。図１４乃至図１６の下側の図面において、１−１は出力バンプ１２の最外バンプの外側の圧着力を示し、１−２は同じバンプの内側の圧着力を示している。２−１は出力バンプ１２の中列のバンプにおける外側の圧着力を示し、２−２は同じバンプの内側の圧着力を示している。３−１は、出力バンプ１２の最も内側の例のバンプにおける外側の圧着力を示し、３−２は同じバンプの内側の圧着力を示している。４−１は入力バンプ１１の内側の圧着力を示し、４−２は同じバンプの外側の圧着力を示す。
【００４３】
図１４乃至図１６に示すように、一つのバンプ内においても圧着力の大きさは異なっている。バンプ間あるいは各バンプ内における圧着力はできるだけ均一であることが望ましい。比較例１を示す図１４においては、１−１における圧着力は１０ＭＰａであるのに対し、３−２では１０１ＭＰａであり、差は非常に大きい。つまり、外側のバンプでは圧着力が十分でなくなる場合がある。
【００４４】
本発明１を示す図１５では、１−１における圧着力は３０ＭＰａであるのに対し、３−２では９１ＭＰａであり、比較例１の場合よりも圧着力分布は大幅に改善している。これは、庇を長くした効果である。本発明２を示す図１６では、１−１における圧着力は５８ＭＰａであるのに対し、３−２では７６ＭＰａであり、圧着力分布はさらに改善している。
【００４５】
図１７は、図１４乃至図１６の結果をグラフにまとめたものである。図１７において、横軸は、圧着力を測定した位置であり、図１４乃至図１６で説明したとおりである。ｄｂはダミーバンプの位置を示すが、図１４乃至図１６ではダミーバンプは存在していないので、データは無い。Ｍｉｎは図１４乃至図１６の上側の図における圧着力が最も小さい位置を示す。図１７の縦軸はバンプ面圧すなわち、圧着力を示し、単位はＭＰａである。
【００４６】
図１７において、３３ＭＰａの点線は、導電微粒子１個当たりの荷重が１．５ｍＮに相当する線であり、導電微粒子によって安定して導電を確保するための目安になる圧力である。導電微粒子１個あたりの加重と圧着力（バンプ面圧）の関係は、次のとおりである。出力バンプ１個の面積は９０×１５μｍ＝１３５０μｍ２である。バンプ１個あたり、導電微粒子は３０個である。導電微粒子1個当たり荷重を１．５ｍＮとすると、バンプ1個当たりの荷重は４５ｍＮとなる。バンプ１個当たりの圧着力は、４５ｍＮ／１３５０μｍ２であるから、４５×１０−３／１３５０×１０−１２＝３３×１０６つまり、３３ＭＰａとなる。
【００４７】
図１７において、比較例１では、圧着力すなわち、バンプ面圧の最小値は８ＭＰａであるのに対し、最大値は１０１ＭＰａであり、最大値は最小値の１０倍以上になっている。また、最小値は導電性微粒子にかかる必要荷重の目安となるバンプ面圧３３ＭＰａを大幅に下回っている。したがって、圧着力が最小値であるバンプでは、圧着不足による導通不良の懸念が生ずる。
【００４８】
一方、本発明１では、圧着力すなわち、バンプ面圧の最小値は２８ＭＰａであるのに対し、最大値は９１ＭＰａであり圧着力は大幅に均一化されている。最小値２８ＭＰａは導電性微粒子にかかる必要荷重の目安となるバンプ面圧３３ＭＰａに近く、比較例１に対して導通の信頼性も大幅に改善している。
【００４９】
本発明２では、圧着力すなわち、バンプ面圧の最小値は５４ＭＰａであるのに対し、最大値は７６ＭＰａであり圧着力は大幅に均一化されている。最小値５４ＭＰは導電性微粒子にかかる必要荷重の目安となるバンプ面圧３３ＭＰａを大幅に上回っており、導通の信頼性も大幅に改善している。
【００５０】
図１８乃至図２４は、ドライバＩＣ１０にダミーバンプ１３が存在している場合において、庇の長さを長くした場合に、各バンプにおける圧着力を評価したものである。すなわち、図１１乃至図１７で説明した評価をダミーバンプが存在している場合のドライバＩＣについて行ったものである。
【００５１】
図１８は比較例２として、庇が従来と同程度である、ｗｅ＝５０μｍ程度の場合においてダミーバンプが存在しているドライバＩＣ１０をＴＦＴ基板１００に熱圧着していることを示す断面図である。ドライバＩＣ１０にダミーバンプ１３が存在している他は、図１１で説明したのと同様である。
図１９では、ドライバＩＣ１０の庇の幅ｗｅを１５０μｍの場合と３００μｍの場合とで評価をしていることを示す模式断面図である。ドライバＩＣの庇の幅を除いては図１８と同様の構成である。図１８および図１９におけるドライバＩＣの厚さは２００μｍ、樹脂シートの厚さは５０μｍである。
【００５２】
図２０は、図１８あるいは図１９のドライバＩＣ１０のバンプの配置を示す平面図である。図２０は、入力バンプ１１と出力バンプ１２の中間にダミーバンプ１３が存在している他は図１３で説明したのと同様である。ダミーバンプ１３は、径が５０μｍ×５０μｍであり、ピッチが２００μｍで配列している。
【００５３】
図２１乃至図２３は、図１８および図１９のような熱圧着を行った場合、ドライバＩＣ１０におけるｗｅの幅を変えた場合において、各端子における圧着力を評価したものである。比較例２である図２１、本発明３を示す図２２、本発明４を示す図２３とでは、出力バンプ側における庇の長さｗｅが異なっている。図２１ではｗｅは５０μｍ、図２２ではｗｅは１５０μｍ、図２３ではｗｅは３００μｍである。図２１乃至図２３は、ダミーバンプが存在している他は、図１４乃至１６で説明したのと同様である。
【００５４】
図２１乃至図２３の上側の図に示すドライバＩＣ１０において、Ｍｉｎは、圧着力の最も小さな場所を示している。圧着力の最も小さな場所は、図２１乃至図２３でほぼ同様であるが、値が異なっている。本発明の目的は、バンプにおける圧着力が極端に小さい場所を無くすこと、すなわち、最小圧着力を上げることである。
【００５５】
比較例２である図２１では、最低圧着力は１７ＭＰａであり、ダミーバンプの影響により、比較例１より改善しているが、目安となる３３ＭＰａの半分程度でしかない。本発明３を示す図２２では、最低圧着力は３６ＭＰａであり、目安となる３３ＭＰａを超えている。本発明４を示す図２３では、最低圧着力は５４ＭＰａであり、さらに改善している。
【００５６】
図２１乃至図２３の下側の図面において、各バンプに対応した数値は、各バンプにおける圧着力を示したものである。図２１乃至図２３は、ダミーバンプが存在している他は、図１４至図１６で説明したのと同様である。
【００５７】
図２１乃至図２３に示すように、一つのバンプ内においても圧着力の大きさは異なっている。バンプ間あるいは各バンプ内における圧着力はできるだけ均一であることが望ましい。比較例２を示す図２１においては、１−１における圧着力は１９ＭＰａであるのに対し、３−２では８４ＭＰａであり、比較例１よりも改善されているが、差は依然として大きい。
【００５８】
本発明３を示す図２２では、１−１における圧着力は３８ＭＰａであるのに対し、３−２では７６ＭＰａであり、比較例２の場合よりも圧着力分布は大幅に改善している。これは、庇を長くした効果である。本発明４を示す図２３では、１−１における圧着力は６６ＭＰａであるのに対し、３−２では６５ＭＰａであり、圧着力分布はさらに改善している。
【００５９】
図２４は、図２１乃至図２３の結果をグラフにまとめたものである。図２４において、横軸は、圧着力を測定した位置であり、図２１乃至図２３で説明したとおりである。ｄｂはダミーバンプの位置を示す。Ｍｉｎは図２１乃至図２３の上側の図における圧着力が最も小さい位置を示す。図２４の縦軸はバンプ面圧すなわち、圧着力を示し、単位はＭＰａである。
【００６０】
図２４において、３３Ｍｐの点線は、図１７で説明したとおりである。図２４において、比較例２では、圧着力すなわち、バンプ面圧の最小値は１７ＭＰａであるのに対し、最大値はダミーバンプにおける１３７ＭＰａである。比較例２では、ダミーバンプの存在によって、比較例１よりも均一化されているが十分ではない。最小値は導電性微粒子にかかる必要荷重の目安となるバンプ面圧３３ＭＰａを依然として大幅に下回っている。
【００６１】
一方、本発明３では、圧着力すなわち、バンプ面圧の最小値は３６ＭＰａであるのに対し、最大値は１２０ＭＰａであり圧着力は大幅に均一化されている。最小値３６ＭＰａは導電性微粒子にかかる必要荷重の目安となるバンプ面圧３３ＭＰａを上回っている。
【００６２】
本発明４では、圧着力すなわち、バンプ面圧の最小値は５４ＭＰａであるのに対し、最大値は９８ＭＰａであり圧着力はさらに大幅に均一化されている。最小値５４ＭＰは導電性微粒子にかかる必要荷重の目安となるバンプ面圧３３ＭＰａを大幅に上回っており、導通の信頼性も大幅に改善している。
【００６３】
このように、庇の長さｗｅを大きくすることによって、ダミーバンプが存在しない場合においても、接続の信頼性を大幅に改善することができる。ダミーバンプが存在することによって、接続の信頼性をさらに向上させることができる。
【００６４】
ドライバＩＣの接続において、バンプの最小圧着力を上昇させるためには、種々の要素が存在する。これらの要素は、導電性粒子密度、導電性粒子密度の硬さ、ダミーバンプの有無、ドライバＩＣの厚さ、樹脂シートの厚さ、庇の長さ、入力バンプと出力バンプの間隔、出力バンプの面積と出力バンプの面積の比などである。これらの要素をパラメータとしたときに、どの要素がバンプの圧着力に影響が強いのかを品質工学によって評価することが可能である。
【００６５】
図２５は上記の要素を制御因子とし、各制御因子と水準を示す表である。図２５において、水準２を標準条件としている。図２６は、各制御因子毎にパラメータを変化させた場合における影響度を評価したグラフである。図２６において、横軸は、制御因子およびそのパラメータであり、縦軸はＳＮ比である。ＳＮ比の単位はｄｂ（デシベル）である。図２６におけるＳＮ比はマイナスであるが、絶対値が小さいほど接続の信頼性が高いと評価することができる。
【００６６】
図２６において、制御因子を変化させた場合、ＳＮ比の変化が大きいほど、その制御因子を変化させることによる接続の信頼性への影響が大きいと考えることができる。図２６において、ＳＮ比に対して最も効果が大きい制御因子は入力バンプと出力バンプの間隔であり、次に効果が大きい制御因子がドライバＩＣの厚さであり、次に効果が大きい制御因子が庇の長さである。
【００６７】
つまり、バンプの圧着力を向上させるには、入力バンプと出力バンプの間隔を小さくする、あるいは、ドライバＩＣの厚さを大きくすることが、効果が大きいが、これらの要素は、顧客要求によって決定される要素であり、自在に変更することは難しい。これに対して、ドライバＩＣの庇長さは、ドライバＩＣが実装される部材からはみ出ることがなければ、自在に変更することができる要素であり、重要な要素であるといえる。
【００６８】
図２６に示すように、入力バンプと出力バンプの間隔が大きくなると外側のバンプにおける圧着力が小さくなり、接続の信頼性が問題になる。したがって、入力バンプと出力バンプの間隔が大きいほど、必要な庇長さが大きくなるといえる。図２７は、入力バンプと出力バンプの間隔とそれに対応する庇長さの関係を示すグラフである。図２７の横軸は、入力バンプと出力バンプの間隔をμｍで示したものであり、縦軸は、必要な庇長さをμｍで示したものである。図２７では、ドライバＩＣの庇長さは各曲線より大きな値である必要があるということを示している。
【００６９】
図２７のシミュレーションは、入力バンプと出力バンプの間隔が、７００μｍより小さい場合はダミーバンプが存在せず、７００μｍ以上で１１００μmより小さい場合は、ダミーバンプが１列存在した場合であり、１１００μｍ以上で１４００μｍより小さい場合は、ダミーバンプが2列存在している場合であり、１４００μｍ以上の場合は、ダミーバンプが２列よりも多い場合として評価したものである。
【００７０】
図２７で示すように、ドライバＩＣの板厚が大きいほど、必要な庇の長さは小さくて済む。これは、ドライバＩＣの板厚が大きいほど、短辺方向のそりを小さくできるからである。図２７において、入力バンプと出力バンプの間隔が６００乃至８００μｍの間で変曲点が存在するが、これは、ダミーバンプが存在しない場合と存在する場合での差を示している。
【００７１】
図２８は、ドライバＩＣの厚さと必要な庇長さの関係を示すグラフである。図２８において、入力バンプと出力バンプの間隔Ａが７００μｍより小さい場合はダミーバンプが存在しない場合であり、入力バンプと出力バンプの間隔が７００μｍ以上の場合はダミーバンプが存在する場合である。図２８では、ドライバＩＣの厚さが小さいほど、必要な庇長さが大きくなることを示しているが、ドライバＩＣの厚さの影響はダミーバンプが存在すると、小さくなることも示している。
【００７２】
図２８における表１は、入力バンプと出力バンプの間隔Ａと必要な庇長さの関係を示す係数を示した表であり、図２８の内容を表にしたものである。表１における係数は、ダミーバンプが存在しない場合である入力バンプと出力バンプの間隔Ａが７００μｍより小さい場合と、ダミーバンプが存在する場合である入力バンプと出力バンプの間隔が７００μｍ以上の場合とを記載している。
【００７３】
図１１乃至図１７および図１８乃至図２４で説明したように、バンプの最小圧着力を向上させるには、ドライバＩＣの庇長さが重要であるが、この他に、ダミーバンプを設置することも有効である。レイアウトの都合上、庇長さを十分に確保できない場合は、ダミーバンプを配置することが有効である。
【００７４】
図２９は、庇長さがどの程度の時に、ダミーバンプが必要になるかを示すグラフである。図２９の横軸は入力バンプと出力バンプの間隔Ａであり、縦軸は、ダミーバンプが必要になる庇長さである。図２９はこの関係をドライバＩＣの厚さ毎に評価したものである。すなわち、各ドライバＩＣの厚さにおいて、図２９の曲線よりも庇長さが小さい場合にはダミーバンプを配置したほうが良いと言える。
【００７５】
図２９に示す表２は、ドライバＩＣの厚さ毎に入力バンプと出力バンプの間隔と必要な庇長さの関係を示しており、図２９のグラフを表にまとめたものである。表２に示す庇長さよりも実際のドライバＩＣにおいて庇長さが小さくなる場合は、ダミーバンプを配置したほうがよいということになる。なお、表２においては、ドライバＩＣの厚さ毎に、評価する入力バンプと出力バンプの間隔の範囲を変えている。実際のドライバＩＣの状況を考慮したものである。
【００７６】
以上は、出力バンプ側における圧着力について評価したものである。しかし、画面が高精細になるにしたがって、入力バンプ側においても、圧着力が問題となる場合がある。すなわち、入力バンプの数が増大すると、入力バンプの面積が小さくなり、また、入力バンプ側も複数列配置する場合もあるからである。以上で説明した出力バンプ側についての評価は、入力バンプ側についても適用することができる。
【００７７】
ただし、入力バンプは出力バンプよりもバンプ面積が大きいので、入力バンプの列数によって、ドライバＩＣの庇長さについて、出力バンプ側よりもやや緩い条件とすることができる。入力バンプの列数によって以下のようにすることができる。
【００７８】
入力バンプが３列以上存在する場合、入力バンプと出力バンプの間隔に対する必要な庇長さは、図２８の表１と同様とすればよい。また、所定の入力バンプと出力バンプの間隔に対してダミーバンプが必要となる庇長さの長さは図２９の表２と同様にすればよい。
【００７９】
入力バンプが２列の場合、入力バンプと出力バンプの間隔に対する必要な庇長さは、図２８の表１で算出した値の１／２とすればよい。また、所定の入力バンプと出力バンプの間隔に対してダミーバンプが必要となる庇長さは図２９の表２で算出した値の１／２とすればよい。入力バンプは出力バンプよりも面積が大きいので緩やかな条件となっている。
【００８０】
入力バンプが１列の場合、入力バンプと出力バンプの間隔に対する必要な庇長さは、図２８の表１で算出した値の１／３とすればよい。また、所定の入力バンプと出力バンプの間隔に対してダミーバンプが必要となる庇長さは図２９の表２で算出した値の１／３とすればよい。入力バンプは出力バンプよりも面積が大きいので緩やかな条件となっている。
【００８１】
図３０乃至３２は、ドライバＩＣの短辺側にも出力バンプが配置している場合のドライバＩＣの平面図である。バンプが短辺側に配置している場合においても、バンプへの圧着力を安定して確保するためには、庇長さを制御することが有効である。
【００８２】
図３０は、ドライバＩＣの短辺に出力バンプが１列配置している例である。この構成においては、短辺における庇長さを短辺側の出力バンプの長径Ｂ１と同じ長さ以上を確保しておくことによって、短辺側における出力バンプの圧着力を安定して確保することができる。
【００８３】
図３１は、ドライバＩＣの短辺に出力バンプが２列配置している例である。この構成においては、短辺における庇長さを短辺側の2列の出力バンプの長径（Ｂ１、Ｂ２）を合わせた寸法（Ｂ１＋Ｂ２）の１／２以上確保することによって、短辺側における出力バンプの圧着力を安定して確保することができる。
【００８４】
図３２は、ドライバＩＣの短辺に出力バンプが３列配置している例である。この構成においては、短辺における庇長さを短辺側の３列の出力バンプの長径（Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３）を合わせた寸法（Ｂ１＋Ｂ２＋Ｂ３）の１／２以上確保することによって、短辺側における出力バンプの圧着力を安定して確保することができる。
【実施例２】
【００８５】
本実施例は、ダミーバンプによる圧着力の確保の効果をさらに向上させる構成である。
【００８６】
図３３は通常のダミーバンプ１３を用いた場合のドライバＩＣ１０をＴＦＴ基板１００に接続している断面図である。図３３において、ドライバＩＣ１０の左側に入力バンプ１１が配置し、右側に出力バンプ１２が３列配置し、入力バンプ１１と出力バンプ１２の間にダミーバンプ１３が存在している。このドライバＩＣ１０を樹脂シート３０を介して圧着ヘッド４０によってＴＦＴ基板１００に圧着している。図３３において、ＡＣＦは省略されている。図３４乃至３６も同様である。図３３において、ＴＦＴ基板１００は受台６０の上に載置されている。図３３では、入力バンプ１１、出力バンプ１２、ダミーバンプ１３の高さは同じである。
【００８７】
図３４は、本実施例の第１形態を示す断面図である。図３４の左側は本実施形態におけるドライバＩＣ１０をＴＦＴ基板１００に圧着している状態を示す断面図であり、右側は、本実施形態におけるドライバＩＣ１０の平面図である。ドライバＩＣ１０のダミーバンプ１３は飛び飛びに配置している。入力バンプ１１と出力バンプ１２の間に存在しているダミーバンプ１３の高さは入力バンプ１１および出力バンプ１２の高さよりも大きい。これによって、ドライバＩＣ１０が基板１００側に凸になるように湾曲しようとする応力を効果的に緩和することができる。その結果として、最外周における出力バンプ１２あるいは入力バンプ１１に対する必要な圧着力を確保することができる。
【００８８】
図３５は、本実施例の第２形態を示す断面図である。図３５の左側は本実施形態におけるドライバＩＣ１０をＴＦＴ基板１００に圧着している状態を示す断面図であり、右側は、本実施形態におけるドライバＩＣ１０の平面図である。ドライバＩＣ１０のダミーバンプは連続して棒状に形成されていることが特徴である。ダミーバンプ１３を連続して棒状に形成することによって、ダミーバンプ１３による反発力をより大きくして、ドライバＩＣ１０が基板１００側に凸になるように湾曲しようとする応力を効果的に緩和することができる。その結果として、最外周における出力バンプ１２あるいは入力バンプ１１に対する必要な圧着力を確保することができる。
【００８９】
図３６は、本実施例の第３形態を示す断面図である。図３６の左側は本実施形態におけるドライバＩＣ１０をＴＦＴ基板１００に圧着している状態を示す断面図であり、右側は、本実施形態におけるドライバＩＣ１０の平面図である。ドライバＩＣ１０のダミーバンプ１３は飛び飛びに配置している。ドライバＩＣ１０は図３３で使用しているものと同様である。
【００９０】
図３６の特徴は、ＴＦＴ基板１００側において、ドライバＩＣ１０のダミーバンプ１３に対応する部分に突起１７０を設けることによって、図３４で説明したのと同じ効果を得るものである。ＴＦＴ基板１００側の突起１７０は、例えば、表示領域における有機パッシベーション膜を突起部分に残すことで形成することができる。有機パッシベーション膜は、３．５μｍ程度と厚く形成されるので、突起として好適である。有機パッシベーション膜による突起が高すぎる場合は、ハーフ露光プロセスを用いることによって突起の高さを調整することができる。有機パッシベーション膜を用いれば、表示領域内における有機パッシベーション膜の加工と同じプロセスで突起を形成できるので、プロセス負荷は生じない。
【００９１】
本実施例では、ダミーバンプ１３が形成された部分において、ＴＦＴ基板１００とドライバＩＣ１０との間隔が最も大きくなるような形状とすることができる。この場合は、ドライバＩＣ１０がＴＦＴ基板１００に対して逆側に凸となるような形状となる。この場合は、最外側列におけるバンプの圧着力をより大きくすることができる。
【００９２】
このように、本実施例によれば、ドライバＩＣ１０がＴＦＴ基板１００側に凸になるように湾曲しようとする応力を緩和することができ、あるいは、ＴＦＴ基板側と逆側に凸になるように湾曲させることができるので、ドライバＩＣ周辺におけるバンプの圧着力を安定して確保することができる。
【実施例３】
【００９３】
本実施例は、ＴＦＴ基板側における端子の高さを制御することによって、ドライバＩＣがＴＦＴ基板側に湾曲しようとする応力を緩和する構成である。図３７は、通常のダミーバンプ１３を有するドライバＩＣ１０を通常のＴＦＴ基板１００側に圧着しているプロセスを示す断面図である。図３７は、図３３と同じ構成であるが、ＴＦＴ基板１００側の端子１６０が記載されている。図３３におけるＴＦＴ基板１６０側の端子１６０の高さは同じである。
【００９４】
図３８は、本実施例におけるドライバＩＣ１０とＴＦＴ基板１００を接続している状態を示す断面図である。図３８の特徴は、バンプ列毎に端子突起の高さを変えていることである。図３８において、ダミーバンプ列１３と出力バンプ１２の内側のバンプ列に対応する端子は同じ高さである。出力バンプ１２の中央のバンプ列に対応する第１端子１６１の高さは、出力バンプ１２の内側のバンプ列に対応する端子の高さよりも高くなっている。また、出力バンプ１２の中央のバンプ列に対応する端子１６１の高さは、入力バンプ列１１に対応する端子１６１の高さと同じである。
【００９５】
図３８において、出力バンプ１２の最外側のバンプ列に対応する第２端子１６２の端子突起の高さは他の端子突起の高さよりも高い。これによって、出力バンプ１２の最外側のバンプ列における圧着力を上げることができ、導通の安定性を確保することができる。第２突起１６２の高さは、例えば、通常の突起１６０の高さよりも、バンプにおける導電性微粒子の径と同じくらいである、３乃至５μｍ程度高くする。また、第１突起１６１の高さは、例えば、通常の突起１６０に高さに対して、バンプにおける導電性微粒子の径の半分程度である、１．５乃至２．５μｍ程度高くする。
【００９６】
図３９は、図３８における端子の高さを制御する手段を、第２端子１６２を例にとって示す図である。図３９の上側の図は、端子の平面図である。端子は、透明導電膜であるＩＴＯによって覆われている。ＩＴＯはコンタクトホール１６５を介して端子金属と接続している。
【００９７】
図３９の下側の図は、図３９の上側の図のＴ−Ｔ断面図である。図３９の下側の図において、表示領域から延在してきた引出し線と接続している端子金属１１０の上に有機パッシベーション膜１１１が形成されている。有機パッシベーション膜１１１には、コンタクトホールが形成されている。有機パッシベーション膜１１１を覆って無機パッシベーション膜１１２が形成され、無機パッシベーション膜１１２およびコンタクトホールを覆ってＩＴＯ１１３が形成されている。図３９におけるＩＴＯ１１３とドライバＩＣのバンプが接続することになる。
【００９８】
有機パッシベーション膜１１１は厚さが３．５μｍ程度であり、第２端子１６２の突起として好適である。また、第１端子の高さは、第２端子の高さの半分程度であるが、有機パッシベーション膜１１１をハーフ露光することによって、高さの低い端子を形成することができる。また、端子突起は、表示領域における有機パッシベーション膜の加工と同じプロセスで行うことができるので、プロセス負荷が増大することは無い。
【００９９】
図４０は、ダミーバンプが存在しない場合での本実施例を示す断面図である。図４０において、出力バンプ１２は３列形成され、入力バンプ１１は１列形成されている。出力バンプ１２に対応するＴＦＴ基板１００の端子は、内側１６０、中央１６１、外側１６２の順に高くなっている。入力バンプ１１に対応する端子の高さは出力バンプ１２の中央列の端子と同じ高さである。出力バンプが３列以上の複数形成されている場合には、中央列は内側列から2番目の列の端子と定義すれば良い。
【０１００】
以上のように、本実施例によれば、短辺方向外周に向けて端子の高さを高くすることによって、最外周のバンプ列における圧着力を安定して確保することができるので、ドライバＩＣ接続の信頼性を確保することができる。
【０１０１】
実施例１乃至３は、液晶表示装置をベースに説明したが、本発明は、有機ＥＬ表示装置等、他の表示装置についても適用することができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１０…ドライバＩＣ、  １１…入力バンプ、  １２…出力バンプ、  １３…ダミーバンプ、  ２０…ＡＣＦ、  ２１…導電性微粒子、  ２２…プラスチックフィルム、  ３０…樹脂シート、  ４０…圧着ヘッド、４１…ヒータ、  ５０…フレキシブル配線基板、  ６０…受台、  ８０…画素、  ８１…走査線、  ８２…映像線、９０…表示領域、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…下偏光板、  １１０…端子金属、  １１１…有機パッシベーション膜、  １１２…無機絶縁膜、  １１３…ＩＴＯ、  １１０…下偏光板、  １５０…端子部、  １６０…端子、  １６１…第１の突起端子、  １６２…第２の突起端子、１６５…コンタクトホール、１７０…ダミー突起、  ２００…対向基板、  ２０１…上偏光板
【図１】
2017138377.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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