(57)【要約】【課題】プラズマの発光強度の空間分布に対して簡易な構成で計測を可能とすること。【解決手段】処理容器１ａ内の複数箇所においてプラズマが発する光の光強度を一の焦点可変レンズ２ｂを用いて検出する検出システム２と、プラズマ処理中に変化する物理量を処理容器１ａ内の複数箇所のそれぞれに対応した処理容器１ａ内の対応箇所毎に個別に調節する調節装置６ａを制御する調節制御装置４とを備える。焦点可変レンズ２ｂは印加される電圧によって焦点位置を変えるレンズであり、検出システム２は、処理容器１ａ内で光強度が検出された箇所と当該箇所において検出された光強度の値とを示す検出結果を調節制御装置４に送り、調節制御装置４は検出結果が示す箇所と光強度の値とに基づいて物理量を調節するように調節装置６ａを制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理が行われる処理容器と、
一台の焦点可変レンズを備えており、前記処理容器内の複数箇所においてプラズマが発する光の光強度を前記焦点可変レンズを用いて検出する検出システムと、
前記プラズマ処理中に変化する第１の物理量または第２の物理量を、前記複数箇所のそれぞれに対応した前記処理容器内の対応箇所毎に個別に調節する調節装置と、
前記調節装置を制御する調節制御装置と、
を備え、
前記焦点可変レンズは、印加される電圧によって焦点位置を変えるレンズであり、
前記第１の物理量は、前記光強度の増減に応じて増減し、
前記第２の物理量は、該第２の物理量の増減に応じて前記光強度を増減させ、
前記検出システムは、前記処理容器内で前記光強度が検出された箇所と当該箇所において検出された前記光強度の値とを示す検出結果を前記調節制御装置に送り、
前記調節制御装置は、前記検出結果が示す前記箇所と前記光強度の値とに基づいて前記第１の物理量または前記第２の物理量を調節するよう前記調節装置を制御する、
プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記調節制御装置は、前記光強度と前記第１の物理量または前記第２の物理量との対応を示す対応データを当該調節制御装置のメモリに格納しており、前記検出結果が示す該光強度の値に対応する該第１の物理量の値または該第２の物理量の値を該対応データを用いて算出し、この算出した該第１の物理量の値または該第２の物理量の値と当該検出結果が示す前記箇所とに基づいて該箇所に係る該第１の物理量または該第２の物理量を調節するよう前記調節装置を制御する、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記検出システムは、
前記焦点可変レンズから出力される光を電荷に変換し、この電荷を出力する光電変換素子と、
前記光電変換素子から出力される電荷を受け、この受けた電荷の量を示す信号を前記調節制御装置に送ると共に、前記焦点可変レンズに電圧を印加して該焦点可変レンズの焦点位置を調節する検出制御装置と、
を備える請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理容器内に配置されており前記プラズマ処理の処理対象のウエハが載置される載置台を更に備えており、
前記載置台は、前記ウエハが載置される主面と、前記複数箇所のそれぞれに対応する領該主面の各領域の温度を個別に調節する調節装置とを備えており、
前記調節装置によって調節される前記温度は、前記光強度の増減に応じて増減する前記第１の物理量であり、
前記調節制御装置は、前記検出結果に基づいて、前記複数箇所のそれぞれに対応する前記主面の各領域の前記温度を個別に調節するよう前記調節装置を制御する、
請求項１〜３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記プラズマ処理の処理対象のウエハが載置される載置台の上方において、該載置台に設けられている下部電極と対面配置されている複数の上部電極と、
前記複数の上部電極のそれぞれに供給するプラズマ励起用の電力をそれぞれ個別に調節する複数の調節装置と、
を更に備え、
前記調節装置によって調節されるプラズマ励起用の前記電力は、前記第２の物理量であって、該電力の増減に応じて前記光強度を増減させ、
前記調節制御装置は、前記検出結果に基づいて、前記複数箇所のそれぞれに対応する前記複数の上部電極のそれぞれに供給するプラズマ励起用の前記電力を個別に調節するよう前記複数の調節装置のそれぞれを制御する、
請求項１〜３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマ処理装置においては、例えばナノレベルでの精密なプロセス制御が要求されている。このようなプロセス制御を実現するための技術が種々開発されている（特許文献１，２）。例えば、特許文献１に記載のプラズマ処理装置は、ウエハの加工形状の面内均一性の向上と、チャージダメージングの低減とを図ることによって、より精密なプロセス制御を可能とすることを目的とたものであって、処理室と、プラズマ生成のための高周波電源と、処理室にガスを供給する手段と、シャワープレートと、処理室を減圧する排気手段と、被処理体を戴置するステージと、フォーカスリングとを備え、処理室内のガス温度分布を計測できると共に、フォーカスリングの温度を調整でき、ガス温度分布の計測結果に基づいて被処理体の面内のガス温度が均一になるようにフォーカスリングの温度を制御する。
【０００３】
また、特許文献２に記載のプラズマ処理装置は、プラズマの発光強度を検出する光学系の焦点を移動可能とすることによって、より精密なプロセス制御を可能とするものであって、プラズマ処理手段の処理領域からの発光を光学系を介してモニタするモニタ手段を有し、上記光学系の集光レンズがＸテーブル，ＹテーブルおよびＺテーブルよりなる移動機構上に取り付られて固定されている。このような構成を有する特許文献２のプラズマ処理装置によって、処理領域中の三つの発光ピーク点が変動しても移動機構を駆動することにより集光レンズの焦点が上記発光ピーク点に一致可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２５１８６６号公報
【特許文献２】特開平５−２０６０７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
プラズマ処理においては、ウエハへのプラズマ入熱にムラが生じる場合がある。このことは、精密なプロセス制御に対して阻害要因となり得る。ウエハへのプラズマ入熱のムラは、プラズマの発光強度の空間分布と対応している。特許文献１に記載の技術では、発光強度の空間分布を得るために、複数の集光ヘッドが用いられる。特許文献２に記載の技術では、発光強度の空間分布を得るために、集光レンズを移動させる装置が設けられている。このように、特許文献１，２においては、プラズマの発光強度の詳細な空間分布を得るために複雑な構成が必要となる。このため、プラズマの発光強度の空間分布に対して簡易な構成で計測が可能となる技術が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様においてはプラズマ処理装置が提供される。このプラズマ処理装置は、プラズマ処理が行われる処理容器と、一台の焦点可変レンズを備えており、処理容器内の複数箇所においてプラズマが発する光の光強度を焦点可変レンズを用いて検出する検出システムと、プラズマ処理中に変化する第１の物理量または第２の物理量を、複数箇所のそれぞれに対応した処理容器内の対応箇所毎に個別に調節する調節装置と、調節装置を制御する調節制御装置と、を備える。焦点可変レンズは、印加される電圧によって焦点位置を変えるレンズである。第１の物理量は、光強度の増減に応じて増減する。第２の物理量は、該第２の物理量の増減に応じて光強度を増減させる。検出システムは、処理容器内で光強度が検出された箇所と当該箇所において検出された光強度の値とを示す検出結果を調節制御装置に送る。調節制御装置は、検出結果が示す箇所と光強度の値とに基づいて第１の物理量または第２の物理量を調節するように調節装置を制御する。従って、簡易な一台の焦点可変レンズを用いて処理容器内の複数箇所におけるプラズマの光強度が検出され、当該検出結果に基づいて、プラズマ処理中に光強度の増減に応じて増減する第１の物理量、または、プラズマ処理中に光強度を増減させ得る第２の物理量が好適に調節される。また、処理容器中の複数箇所におけるプラズマの光強度の検出が簡易な一台の焦点可変レンズを介して行われるので、処理容器中の複数箇所における光強度の検出に要する時間が短縮される。また、処理容器中の複数箇所における光強度の検出に要する時間が短縮されるので、この検出結果に基づいて行われる第１の物理量または第２の物理量に対する調節も比較的に短時間で行われ得る。
【０００７】
一実施形態において、プラズマ処理装置では、調節制御装置は、光強度と第１の物理量または第２の物理量との対応を示す対応データを調節制御装置のメモリに格納しており、検出結果が示す光強度の値に対応する第１の物理量の値または第２の物理量の値を対応データを用いて算出し、この算出した第１の物理量の値または第２の物理量の値と検出結果が示す箇所とに基づいて該箇所に係る第１の物理量または第２の物理量を調節するように調節装置を制御する。従って、検出システムによって検出された光強度に対応する第１の物理量の値または第２の物理量の値が対応データを用いて直ちに算出できるので、この検出結果に基づいて行われる第１の物理量または第２の物理量に対する調節もより短時間で行い得る。
【０００８】
一実施形態において、プラズマ処理装置では、検出システムは、焦点可変レンズから出力される光を電荷に変換し、この電荷を出力する光電変換素子と、光電変換素子から出力される電荷を受け、この受けた電荷の量を示す信号を調節制御装置に送ると共に、焦点可変レンズに電圧を印加して焦点可変レンズの焦点位置を調節する検出制御装置と、を備える。従って、処理容器内の複数箇所における光強度の検出が光電変換素子と検出制御装置とによって一台の焦点可変レンズで確実に行い得る。
【０００９】
一実施形態において、プラズマ処理装置は、処理容器内に配置されておりプラズマ処理の処理対象のウエハが載置される載置台を更に備える。載置台は、ウエハが載置される主面と、複数箇所のそれぞれに対応する主面の各領域の温度を個別に調節する調節装置とを備える。調節装置によって調節される温度は、光強度の増減に応じて増減する第１の物理量である。調節制御装置は、検出結果に基づいて、複数箇所のそれぞれに対応する主面の各領域の温度を個別に調節するように調節装置を制御する。従って、第１の物理量がウエハが搭載される主面の温度の場合には、主面の複数箇所の温度の調節を、一台の可変焦点レンズを介して検出されたプラズマの光強度を用いることによって、容易に行える。プラズマの光強度はプラズマの入熱ムラに対応しており、プラズマの光強度を用いて主面の複数箇所の温度が調節されるので、例えば、主面における複数箇所の温度がプラズマの入熱ムラによらずに維持されるよう当該温度が好適に調節され得る。
【００１０】
一実施形態において、プラズマ処理装置は、プラズマ処理の処理対象のウエハが載置される載置台の上方において、載置台に設けられている下部電極と対面配置されている複数の上部電極と、複数の上部電極のそれぞれに供給するプラズマ励起用の電力をそれぞれ個別に調節する複数の調節装置と、を更に備える。調節装置によって調節されるプラズマ励起用の電力は、第２の物理量であって、電力の増減に応じて光強度を増減させる。調節制御装置は、検出結果に基づいて、複数箇所のそれぞれに対応する複数の上部電極のそれぞれに供給するプラズマ励起用の電力を個別に調節するよう複数の調節装置のそれぞれを制御する。従って、第２の物理量がプラズマ励起用の電力の場合には、上部電極に供給される当該電力の調節を、一台の可変焦点レンズを介して検出されたプラズマの光強度を用いることによって、容易に行える。プラズマの光強度はプラズマの入熱ムラに対応しており、例えば、プラズマの光強度を処理容器内の複数箇所にわたって均一に維持するようにプラズマ励起用の電力を調節することによって、プラズマの入熱ムラが好適に低減され得る。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、プラズマの発光強度の空間分布に対し簡易な構成で計測が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の主要な構成を断面的に示す図である。
【図２】図２は、実施例１に係るプラズマ処理装置の主要な構成を概略的に示す図である。
【図３】図３は、実施例１に係るステージの主要な構成の概略を分解して示す図である。
【図４】図４は、（ａ）部と（ｂ）部とを備え、図４の（ａ）部は、実施例１に係る熱交換器の外観を一の側から見た図であり、図４の（ｂ）部は、実施例１に係る熱交換器の外観を上記一の側の逆側から見た図である。
【図５】図５は、（ａ）部と（ｂ）部と（ｃ）部とを備え、図５の（ａ）部は、実施例１に係るセル部の平面図であり、図５の（ｂ）部は、実施例１に係るセル部の外観を一方の側から見た図であり、図５の（ｃ）部は、実施例１に係るセル部の外観を上記一方の側の反対側から見た図である。
【図６】図６は、実施例１に係る流路部の主要な構成を示す図である。
【図７】図７は、実施例１に係る対応データを作成するために用いられる実測結果の一例を示すグラフであり、ウエハの温度とプラズマの発する光の光強度との相関を示す。
【図８】図８は、実施例２に係るプラズマ処理装置の主要な構成を断面的に示す図である。
【図９】図９は、実施例２に係るマイクロ波出力部および実施例２に係るアンテナモジュールの主要な構成を模式的に示す図である。
【図１０】図１０は、実施例２に係るマイクロ波供給部の外観を示す平面図である。
【図１１】図１１は、実施例２に係る対応データを作成するために用いられる実測結果の一例を示すグラフであり、マイクロ波放射部に印加される電力とプラズマの発する光の光強度との相関を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１〜図１１を参照して、一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を説明する。同一要素または同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明を省略する。
【００１４】
図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の主要な構成を概略的に示す図である。プラズマ処理装置１００は、処理容器１ａ、載置台１ｂを備え、更に、検出システム２、調節制御装置４、調節装置６ａ、計測装置６ｂを備える。検出システム２は、窓２ａ、一台の焦点可変レンズ２ｂ、分光器２ｃ、検出制御装置２ｄを備える。
【００１５】
処理容器１ａは、プラズマ処理が行われる。処理容器１ａは、プラズマ処理が行われる処理空間１ａ１を画定する。載置台１ｂは、処理容器１ａ内に配置されている。載置台１ｂは、ステージ１ｃ、静電チャック１ｄを備える。載置台１ｂは、主面１ｂ１を備える。載置台１ｂは、ウエハＷが載置される。載置台１ｂは、ウエハＷが載置される主面１ｂ１を備える。ウエハＷは、プラズマ処理の処理対象である。
【００１６】
検出システム２は、処理容器１ａ内の複数箇所（例えば、図１に示す検出箇所ＰＮ１、検出箇所ＰＮ２、検出箇所ＰＮ３等）においてプラズマが発する光の光強度（例えば、単位時間当たりの光量）を検出する。検出システム２は、処理容器１ａ内でプラズマの光強度が検出された箇所（例えば、図１に示す検出箇所ＰＮ１、検出箇所ＰＮ２、検出箇所ＰＮ３等）と当該箇所において検出された光強度の値とを示す検出結果を調節制御装置４に送る。検出システム２は、光強度の検出について、２次元または３次元の空間分解能を有し得る。検出システム２は、複数の波長の光に対して、３次元の空間分解能を有し得る。
【００１７】
窓２ａは、処理容器１ａの側壁に設けられた開口に設けられている。処理空間１ａ１は、この開口と窓２ａとを介して、処理容器１ａの外部（焦点可変レンズ２ｂ）に連通する。窓２ａの材料は、例えば、石英が用いられ得る。
【００１８】
焦点可変レンズ２ｂは、窓２ａと光学的に接続されている。焦点可変レンズ２ｂは、窓２ａを介して入射する処理容器１ａ内の光を受ける。焦点可変レンズ２ｂは、光ファイバを介して分光器２ｃに接続されている。焦点可変レンズ２ｂは、電気信号線を介して検出制御装置２ｄに接続されている。焦点可変レンズ２ｂは、印加される電圧によって焦点位置を変える。焦点可変レンズ２ｂは、例えば、液体レンズであり得る。
【００１９】
分光器２ｃは、電気信号線を介して検出制御装置２ｄに接続されている。分光器２ｃは、光ファイバを介して焦点可変レンズ２ｂに接続されている。分光器２ｃは、図示しないスリット、グレーチングを備えると共に、光電変換素子２ｃ１を備える。光電変換素子２ｃ１は、焦点可変レンズ２ｂから出力される光を、スリット、グレーチングを順次介して受けると、この受けた光を電荷に変換し、この電荷を検出制御装置２ｄに出力する。
【００２０】
検出制御装置２ｄは、電気信号線を介して調節制御装置４に接続されている。検出制御装置２ｄは、図示されていないが、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭを備える。検出制御装置２ｄは、ＲＯＭに格納されているコンピュータプログラムをＣＰＵが実行することによって、焦点可変レンズ２ｂに電圧を印加して焦点可変レンズ２ｂの焦点位置を調節すると共に、光電変換素子２ｃ１から出力される電荷を受け、この受けた電荷の量（一実施形態においては、上記の光強度に対応する電荷の量。）を示す信号を調節制御装置４に送る。
【００２１】
一実施形態において、検出システム２が光を検出する箇所は、主に、ウエハＷ上であってプラズマＰＡ１内にある箇所である。焦点可変レンズ２ｂは、検出制御装置２ｄの制御によって、処理容器１ａ内にあって基準面ＰＡ２に含まれる任意の点に焦点を合わせることができる。基準面ＰＡ２は、ウエハＷに平行に延びており、焦点可変レンズ２ｂと交わる。検出システム２によって光が検出される箇所を、検出箇所ＰＮｉとする（ｉは、１以上の自然数を表しており、検出システム２によって光が検出される箇所を識別する記号である。以下同様。）。検出箇所ＰＮｉは、処理空間１ａ１にあって、基準面ＰＡ２に含まれる。図１に示す検出箇所ＰＮ１、検出箇所ＰＮ２、検出箇所ＰＮ３のそれぞれは、検出箇所ＰＮｉの一例であり、図示されている三カ所に限らない。検出箇所ＰＮ１、検出箇所ＰＮ２、検出箇所ＰＮ３のそれぞれは、基準線ＰＡ３、基準線ＰＡ４、基準線ＰＡ５を通る。基準線ＰＡ３、基準線ＰＡ４、基準線ＰＡ５は、互いに平行であり、基準面ＰＡ２に直交する。基準線ＰＡ３、基準線ＰＡ４、基準線ＰＡ５のそれぞれの軸線方向は、何れも、ウエハＷの上からウエハＷを見る方向である。なお、基準線ＰＡ３等の基準線の数は、検出箇所ＰＮｉの数と同数であり、図示されている三本に限らない。
【００２２】
検出制御装置２ｄは、予め設定された時間間隔（例えば、数ナノ秒の間隔。）で検出箇所ＰＮｉ毎に焦点可変レンズ２ｂの焦点位置を制御して光強度を検出し、検出した光強度と、検出が行われた検出箇所ＰＮｉとを示す検出結果を、調節制御装置４に送る。
【００２３】
調節制御装置４は、電気信号線を介して調節装置６ａおよび計測装置６ｂに接続されている。調節制御装置４は、図示されていないが、ＣＰＵ、ＲＯＭを備える。調節制御装置４は、更に、メモリ４ａを備え、メモリ４ａには、予め作成された対応データ４ａ１、目標値データ４ａ２が、読出し自在に格納されている。調節制御装置４は、検出制御装置２ｄ、調節装置６ａ、計測装置６ｂの間で信号の送受信を行う。調節制御装置４は、メモリ４ａに格納されている各種データと計測装置６ｂから送られる計測結果とを用いて、ＲＯＭに格納されているコンピュータプログラムをＣＰＵが実行することによって、調節装置６ａの制御等を行う。調節装置６ａは、プラズマ処理中に変化する第１の物理量または第２の物理量を、複数の検出箇所ＰＮｉのそれぞれに対応した処理容器１ａ内の対応箇所毎に個別に調節する。第１の物理量は、検出システム２によって検出される光強度の増減に応じて増減する量であり、例えば、ウエハＷの温度等であり得る。計測装置６ｂは、調節装置６ａが第１の物理量を調節する場合に、第１の物理量の計測を行って、計測結果を調節制御装置４に送信し、調節装置６ａが第２の物理量を調節する場合に、第２の物理量の計測を行って、計測結果を調節制御装置４に送信する。調節制御装置４は、計測装置６ｂから送信される計測結果（更には設定値を含み得る。）に基づいたフィードバック制御によって、第１の物理量または第２の物理量の調節を調節装置６ａに指示する。ウエハＷの温度は、例えば、静電チャック１ｄの主面１ｂ１の温度、ステージ１ｃと静電チャック１ｄとの界面の温度等と同じである。第２の物理量は、第２の物理量の増減に応じて、検出システム２によって検出される光強度を増減させる量であり、例えば、プラズマ励起用の電力等であり得る。調節制御装置４は、検出制御装置２ｄから出力される検出結果が示す箇所（検出箇所ＰＮ１等）と、検出システム２によって検出される光強度の値とに基づいて第１の物理量または第２の物理量を調節するように調節装置６ａを制御する。
【００２４】
より具体的に説明すると、調節制御装置４は、検出システム２によって検出される光強度と第１の物理量または第２の物理量との対応を示す対応データ４ａ１をメモリ４ａに格納しており、対応データ４ａ１を用いて（更には、メモリ４ａに格納されており、検出システム２によって検出される光強度、第１の物理量、または第２の物理量についての目標値を示す目標値データ４ａ２を用いて）、検出システム２から送られる検出結果が示す光強度の値に対応する第１の物理量の値または第２の物理量の値を算出し、この算出した第１の物理量の値または第２の物理量の値と、当該検出結果が示す箇所（検出箇所ＰＮ１等）とに基づいて当該箇所に係る第１の物理量または第２の物理量を調節するように調節装置６ａを制御する。
【００２５】
なお、プラズマ処理装置１００は、図１に図示されてはいないが、ガス供給系、下部電極、上部電極等、プラズマ処理を行うために必要となる各種の装置を備える。プラズマ処理に用いられる処理ガスは、Ａｒ等の不活性ガス等、好適なものが用いられ得る。
【００２６】
次に、対応データ４ａ１および目標値データ４ａ２を用いて第１の物理量および第２の物理量のそれぞれの設定値を算出する算出方法について説明する。以下で説明する算出方法は、予め定められた周期で（例えば、ロット単位、ウエハ単位、レシピステップ単位、数ｓｅｃから数ｎｓｅｃ単位等であり、好適な周期が利用可能である。）連続して調節制御装置４によって行われる。調節制御装置４は、当該算出処理によって算出した設定値に第１の物理量または第２の物理量を設定することによって、第１の物理量または第２の物理量を予め定められた目標値（目標値データ４ａ２が示す目標値）に維持する。また、当該算出方法による算出は、調節制御装置４のＲＯＭに格納されるコンピュータプログラムを調節制御装置４のＣＰＵが実行することによって、実現される。
【００２７】
まず、対応データ４ａ１が、検出システム２によって検出される光強度（プラズマ処理中に処理容器１ａ内においてプラズマが発する光の光強度）と第１の物理量との対応を示すデータである場合の上記算出方法について説明する。第１の物理量は、検出システム２によって検出される光強度の増減に応じて増減する量であり、例えばウエハＷの温度等であり得る。検出箇所ＰＮｉにおいて検出システム２によって検出される光強度の値をＩ（ｉ）（Ｉ（ｉ）の単位については、任意単位［ａ．ｕ．］であるので、以下省略する。また、Ｉ（ｉ）は、検出システム２によって例えば３秒間程度の間の数値の平均値が用いられ得るものであり、以下、同様。）とし、Ｉ（ｉ）に対応する第１の物理量をＴ（ｉ）とする。すなわち、光強度の値Ｉ（ｉ）が検出システム２によって検出される時点で検出され得る第１の物理量の値がＴ（ｉ）である。対応データ４ａ１が示すＩ（ｉ）とＴ（ｉ）との対応は、実測に基づいて検出箇所ＰＮｉ毎に設定されており、例えば、一次関数として、Ｉ（ｉ）＝α（ｉ）×Ｔ（ｉ）＋β（ｉ）・・・（式１）、であり得る。α（ｉ）およびβ（ｉ）は、実測に基づいて特定される定数である。第１の物理量を目標値Ｔ０（＝Ｔ（ｉ）、ｉは任意）に維持する制御が行われる場合に、Ｔ０に応じたＩ（ｉ）の値をＩ０（ｉ）とすると、Ｉ０（ｉ）＝α（ｉ）×Ｔ０＋β（ｉ）・・・（式２）、が成り立つ。調節制御装置４が調節装置６ａに指示する第１の物理量の設定値をＴ１（ｉ）とすると、Ｔ１（ｉ）は、ΔＴ（ｉ）＝Ｔ０−Ｔ（ｉ）・・・（式３）、を用いて、Ｔ１（ｉ）＝Ｔ０＋ΔＴ（ｉ）・・・（式４）、と表される。式１〜式４を用いれば、Ｔ１（ｉ）＝２×Ｔ０−（Ｉ（ｉ）−β（ｉ））／α（ｉ）・・・（式５）、が得られる。式３は、第１の物理量の目標値Ｔ０と、検出システム２による検出結果に基づいて得られる第１の物理量の値（Ｔ（ｉ））との差分を表している。式４は、第１の物理量の設定値Ｔ１（ｉ）が、第１の物理量の目標値Ｔ０から当該差分（ΔＴ（ｉ））だけオフセットされた値であることを表している。式５は、第１の物理量の設定値Ｔ１（ｉ）が、第１の物理量の目標値Ｔ０と、検出システム２による検出結果が示す光強度の値Ｉ（ｉ）とによって得られることを示している。調節制御装置４は、第１の物理量の設定値Ｔ１（ｉ）を調節装置６ａに指示することによって、例えば数ナノ秒〜数ミリ秒程度のインターバルを経て、第１の物理量の値Ｔ（ｉ）を第１の物理量の目標値Ｔ０に調節できる。
【００２８】
次に、対応データ４ａ１が、検出システム２によって検出される光強度（プラズマ処理中に処理容器１ａ内においてプラズマが発する光の光強度）と第２の物理量との対応を示すデータである場合の上記算出方法について説明する。第２の物理量は、第２の物理量の増減に応じて、検出システム２によって検出される光強度を増減させる量であり、例えば、プラズマ励起用の電力等であり得る。検出箇所ＰＮｉにおいて検出システム２によって検出される光強度の値Ｉ（ｉ）に対応する第２の物理量をＥ（ｉ）とする。すなわち、光強度の値Ｉ（ｉ）が検出システム２によって検出される時点で検出され得る第２の物理量の値がＥ（ｉ）である。対応データ４ａ１が示すＩ（ｉ）とＥ（ｉ）との対応は、実測に基づいて検出箇所ＰＮｉ毎に設定されており、例えば、一次関数として、Ｉ（ｉ）＝η（ｉ）×Ｅ（ｉ）＋θ（ｉ）・・・（式６）、であり得る。η（ｉ）およびθ（ｉ）は、実測に基づいて特定される定数である。検出システム２によって検出される光強度を目標値Ｉ０（＝Ｉ（ｉ）、ｉは任意）に維持する制御が行われる場合に、Ｉ０に応じたＥ（ｉ）の値をＥ０（ｉ）とすると、Ｉ０＝η（ｉ）×Ｅ０（ｉ）＋θ（ｉ）・・・（式７）、が成り立つ。そこで、調節制御装置４が調節装置６ａに指示する第２の物理量の設定値をＥ１（ｉ）とすると、Ｅ１（ｉ）は、ΔＥ（ｉ）＝Ｅ０（ｉ）−Ｅ（ｉ）・・・（式８）、を用いて、Ｅ１（ｉ）＝Ｅ０（ｉ）＋ΔＥ（ｉ）・・・（式９）、と表される。式６〜式９を用いれば、Ｅ１（ｉ）＝（２×Ｉ０−Ｉ（ｉ）−θ（ｉ））／η（ｉ）・・・（式１０）が得られる。式８は、第２の物理量の目標値Ｅ０（ｉ）と、検出システム２による検出結果に基づいて得られる第２の物理量の値（Ｅ（ｉ））との差分を表している。式９は、第２の物理量の設定値Ｅ１（ｉ）が、第２の物理量の目標値Ｅ０から当該差分（ΔＥ（ｉ））だけオフセットされた値であることを表している。式１０は、第２の物理量の設定値Ｅ１（ｉ）が、第２の物理量の目標値Ｉ０と、検出システム２による検出結果が示す光強度の値Ｉ（ｉ）とによって得られることを示している。調節制御装置４は、第２の物理量の設定値Ｅ１（ｉ）を調節装置６ａに指示することによって、例えば数ナノ秒〜数ミリ秒程度のインターバルを経て、光強度の値Ｉ（ｉ）を光強度の目標値Ｉ０に調節できる。
【００２９】
なお、対応データ４ａ１に含まれる光強度（Ｉ（ｉ））と第１の物理量（Ｔ（ｉ））または第２の物理量（Ｅ（ｉ））との対応関係は、式１、２、および、式６、７に示されているような一次関数に限らず、他の関数によって対応づけられたものであることができる。また、焦点可変レンズ２ｂは、一点に焦点を合わせるものを想定しているが、これに限らず、線分（基準線ＰＡ３等に含まれる線分）に焦点を合わせるものであることが可能である。
【００３０】
以上説明した一実施形態に係るプラズマ処理装置１００によれば、簡易な一台の焦点可変レンズ２ｂを用いて処理容器１ａ内の複数箇所（検出箇所ＰＮｉ）におけるプラズマの光強度が検出され、当該検出結果に基づいて、プラズマ処理中に光強度の増減に応じて増減する第１の物理量、または、プラズマ処理中に光強度を増減させ得る第２の物理量が好適に調節される。また、処理容器１ａ中の複数箇所（検出箇所ＰＮｉ）におけるプラズマの光強度の検出が簡易な一台の焦点可変レンズ２ｂを介して行われるので、処理容器１ａ中の複数箇所（検出箇所ＰＮｉ）における光強度の検出に要する時間が短縮される。また、処理容器１ａ中の複数箇所（検出箇所ＰＮｉ）における光強度の検出に要する時間が短縮されるので、この検出結果に基づいて行われる第１の物理量または第２の物理量に対する調節も比較的に短時間で行われ得る。
【００３１】
更に、検出システム２によって検出された光強度に対応する第１の物理量の値または第２の物理量の値が対応データ４ａ１を用いて直ちに算出できるので、この検出結果に基づいて行われる第１の物理量または第２の物理量に対する調節もより短時間で行い得る。
【００３２】
更に、処理容器１ａ内の複数箇所（検出箇所ＰＮｉ）における光強度の検出が光電変換素子２ｃ１と検出制御装置２ｄとによって一台の焦点可変レンズ２ｂで確実に行い得る。
【００３３】
（実施例１）図２〜７を参照して、実施例１に係るプラズマ処理装置Ａ５０を説明する。実施例１では、上記した一実施形態における第１の物理量が用いられ、当該第１の物理量として、ウエハＷの温度（Ｔ［℃］）が用いられる。実施例１では、上記した一実施形態におけるプラズマ処理装置１００、処理容器１ａ、ステージ１ｃ、静電チャック１ｄ、処理空間１ａ１、主面１ｂ１のそれぞれは、プラズマ処理装置Ａ５０、処理容器Ａ５２、ステージＡ９７、静電チャックＡ５４、処理空間Ａ９３、主面Ａ５４ａのそれぞれに対応している。上記した一実施形態における載置台１ｂは、実施例１では、ステージＡ９７と静電チャックＡ５４とを含む構成に対応している。また、実施例１では、上記した一実施形態における検出システム２、調節制御装置４を備え、更に、温度検出器Ａ４３ａ、温度検出器Ａ４３ｂ、温度検出器Ａ４３ｃを備える。上記した一実施形態における調節装置６ａは、実施例１では、チラーユニットＡ４２に対応し、計測装置６ｂは、実施例１では、温度検出器Ａ４３ａ、温度検出器Ａ４３ｂ、温度検出器Ａ４３ｃに対応している。なお、調節制御装置４は、制御部Ａ９８とは別の構成として設けられるが、制御部Ａ９８に含まれることもできる。
【００３４】
図２は、実施例１に係るプラズマ処理装置Ａ５０の主要な構成を概略的に示す図である。プラズマ処理装置Ａ５０は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置であり、略円筒状の処理容器Ａ５２を備えている。処理容器Ａ５２は、例えば、処理容器Ａ５２の表面に陽極酸化処理がされたアルミニウムから構成されている。処理容器Ａ５２は、接地されている。
【００３５】
処理容器Ａ５２の底部上には、ステージＡ９７が配置されている。図３に示すように、ステージＡ９７は、プレートＡ２、ケースＡ４、熱交換器Ａ６、流路部Ａ８を備えている。
【００３６】
プレートＡ２には、温度検出器Ａ４３ａ、温度検出器Ａ４３ｂ、温度検出器Ａ４３ｃが設けられている。温度検出器Ａ４３ａ、温度検出器Ａ４３ｂ、温度検出器Ａ４３ｃは、静電チャックＡ５４とプレートＡ２との界面（表面Ａ２ａ）に面しており、当該界面の温度（当該温度は、静電チャックＡ５４の主面Ａ５４ａの温度、および、ウエハＷの温度と同様）を検出し、検出結果を調節制御装置４に送信する。
【００３７】
図３を参照して、ステージＡ９７について詳細に説明する。図３は、実施例１に係るステージＡ９７の主要な構成の概略を分解して示す図である。プレートＡ２は、円盤形状を有しており、例えばアルミニウムといった金属によって構成されている。プレートＡ２は、表面Ａ２ａと裏面Ａ２ｂを備える。プレートＡ２の表面Ａ２ａに静電チャックＡ５４が設けられ、静電チャックＡ５４の主面Ａ５４ａにウエハＷが載置される。
【００３８】
ケースＡ４は、例えばステンレスといった金属によって構成されており、側壁Ａ４ａと底壁Ａ４ｂとを備える。側壁Ａ４ａは、円筒形状を有しており、側壁Ａ４ａの内側に収容空間Ａ９４を画成している。側壁Ａ４ａは、円筒軸線方向に沿って延びており、プレートＡ２を、プレートＡ２の裏面Ａ２ｂ側から支持する。底壁Ａ４ｂは、側壁Ａ４ａの下端部（プレートＡ２が配置されている側壁Ａ４ａの端部と反対側にある端部）に接続されている。側壁Ａ４ａの上端面Ａ４ｃ（プレートＡ２が配置されている側壁Ａ４ａの端部の表面）には、上端面Ａ４ｃに沿って環状に延在するＯリングＡ１０が設けられ得る。上端面Ａ４ｃには、例えばねじ止めによってＯリングＡ１０を介してプレートＡ２が気密に固定される。これにより、収容空間Ａ９４がプレートＡ２よって上方（収容空間Ａ９４において底壁Ａ４ｂの反対側）から画成される。側壁Ａ４ａには、供給管Ａ１２および回収管Ａ１４が設けられている。供給管Ａ１２は、側壁Ａ４ａの径方向に沿って延びており、第１の開口Ａ１６を介して収容空間Ａ９４に連通している。回収管Ａ１４は、側壁Ａ４ａの径方向に沿って延びており、第２の開口Ａ１８を介して収容空間Ａ９４に連通している。収容空間Ａ９４内には、流路部Ａ８および熱交換器Ａ６が収容される。底壁Ａ４ｂには流路部Ａ８が設けられており、流路部Ａ８には熱交換器Ａ６が設けられている。側壁Ａ４ａの円筒軸線方向に沿って、底壁Ａ４ｂ、流路部Ａ８、熱交換器Ａ６が順次配置されている。流路部Ａ８および熱交換器Ａ６は、共に、収容空間Ａ９４の形状と同様の円筒形の形状を備える。流路部Ａ８および熱交換器Ａ６の円筒軸線は、共通しており、側壁Ａ４ａの円筒軸線に一致する。
【００３９】
図４および図５を参照して、熱交換器Ａ６について詳細に説明する。図４は、（ａ）部と（ｂ）部とを備え、図４の（ａ）部は、実施例１に係る熱交換器Ａ６の外観を一の側（上方）から見た図であり、図４の（ｂ）部は、実施例１に係る熱交換器Ａ６の外観を上記一の側の逆側（下方）から見た図である。図４に示すように、熱交換器Ａ６は、隔壁Ａ２０、複数の第１の管Ａ２２および複数の第２の管Ａ２４を備える。熱交換器Ａ６は、プレートＡ２の裏面Ａ２ｂの複数の領域であって２次元的に分布し、且つ互いに内包しない該複数の領域に対し個別に熱交換媒体を供給し、供給した熱交換媒体を回収できるように構成されている。隔壁Ａ２０は、全体として円盤形状または円柱形状をなしており、隔壁Ａ２０の中心軸方向に延びる略六角柱状の複数のセル部Ａ９５を備える。
【００４０】
複数のセル部Ａ９５のうち１つのセル部Ａ９５を図５に示す。図５は、（ａ）部と（ｂ）部と（ｃ）部とを備え、図５の（ａ）部は、実施例１に係るセル部Ａ９５の平面図であり、図５の（ｂ）部は、実施例１に係るセル部Ａ９５の外観を一方の側から見た図であり、図５の（ｃ）部は、実施例１に係るセル部Ａ９５の外観を上記一方の側の反対側から見た図である。セル部Ａ９５は、隔壁Ａ２０の上方からの平面視においてハニカム構造を形成するように互いに結合されている。セル部Ａ９５は、断面六角形状の空間Ａ９６を画成している。即ち、隔壁Ａ２０は、複数の空間Ａ９６を形成する。空間Ａ９６は、プレートＡ２の下方（プレートＡ２の裏面Ａ２ｂであり、熱交換器Ａ６と向き合っている側）において２次元的に分布し、且つ互いに内包しない。
【００４１】
第１の管Ａ２２はそれぞれ、平面視において対応の空間Ａ９６の略中心位置を通って延在している。第１の管Ａ２２は、プレートＡ２の裏面Ａ２ｂに向けて延びている。第１の管Ａ２２の各々は、第１の管Ａ２２の周囲の空間を画成する隔壁Ａ２０によって囲まれている。第１の管Ａ２２の各々は、第１の開口端Ａ２２ａおよび第２の開口端Ａ２２ｂを備える。第１の開口端Ａ２２ａは、プレートＡ２の裏面Ａ２ｂと向き合うように配置されている。第２の開口端Ａ２２ｂは、第１の開口端Ａ２２ａの反対側に位置しており、空間Ａ９６の下方（プレートＡ２の裏面Ａ２ｂの側とは反対側）に位置している。第１の管Ａ２２は、チラーユニットＡ４２から熱交換媒体を受け、この熱交換媒体を第１の開口端Ａ２２ａから空間Ａ９６内に吐出する管として機能する。
【００４２】
第２の管Ａ２４は、空間Ａ９６に連通するように隔壁Ａ２０に接続されている。第２の管Ａ２４の各々の下端部（空間Ａ９６に接続している側の反対側にある第２の管Ａ２４の端部）には、開口Ａ２４ａが設けられている。第２の管Ａ２４は、第１の管Ａ２２の第１の開口端Ａ２２ａから空間Ａ９６内に吐出された熱交換媒体を外部に排出する管として機能する。以上説明した構成の熱交換器Ａ６においては、第１の管Ａ２２と、第１の管Ａ２２を囲む空間Ａ９６を画成する隔壁Ａ２０と、空間Ａ９６に連通する第２の管Ａ２４とが熱交換部を構成する。よって、熱交換器Ａ６は、熱交換器Ａ６の隔壁Ａ２０の表面に沿って（プレートＡ２の裏面Ａ２ｂに沿って）互いに内包しないように二次元的に並べられた複数の熱交換部を備える。
【００４３】
一実施形態では、熱交換器Ａ６は、樹脂を主成分として構成され得る。なお、強度や熱伝導率を変更するために熱交換器Ａ６を構成する材料を部分的に変更し得る。例えば、複数の第１の管Ａ２２の第１の開口端Ａ２２ａが炭素を含有する樹脂によって構成され得る。これにより、第１の開口端Ａ２２ａの強度を特に高めることができる。
【００４４】
次に、流路部Ａ８について説明する。図６は、実施例１に係る流路部Ａ８の主要な構成を示す図である。流路部Ａ８は、熱交換器Ａ６の下方（熱交換器Ａ６が配置されている側）に配置されており、熱交換器Ａ６に熱交換媒体を供給するための流路と、熱交換器Ａ６から熱交換媒体を回収するための流路とを備える。
【００４５】
図６に示すように、流路部Ａ８は、略円柱形のブロック体であり、上面Ａ８ａおよび側面Ａ８ｂを備える。流路部Ａ８は、側面Ａ８ｂから突出する第１の集合部Ａ２９および第２の集合部Ａ３０を備える。流路部Ａ８は、流路部Ａ８の内部を貫通する複数の第１の流路Ａ２６と、流路部Ａ８の内部を貫通する複数の第２の流路Ａ２８とを備える。すなわち、流路部Ａ８には、流路部Ａ８の上面Ａ８ａから第１の集合部Ａ２９および第２の集合部Ａ３０に向けて流路部Ａ８の内部を貫通する小径の複数の空洞（複数の第１の流路Ａ２６および複数の第２の流路Ａ２８）が形成されている。
【００４６】
第１の流路Ａ２６は、一端部Ａ２６ａおよび他端部Ａ２６ｂを備える。第１の流路Ａ２６の一端部Ａ２６ａは、流路部Ａ８の上面Ａ８ａにおいて熱交換器Ａ６の複数の第１の管Ａ２２に対応する位置に設けられており、第１の管Ａ２２の第２の開口端Ａ２２ｂに接続される。第１の流路Ａ２６の他端部Ａ２６ｂは、第１の集合部Ａ２９に纏められている。第１の集合部Ａ２９は、ケースＡ４の第１の開口Ａ１６に対応する位置に設けられており、ケースＡ４内に収容された状態において第１の開口Ａ１６に対面する。
【００４７】
第２の流路Ａ２８は、一端部Ａ２８ａおよび他端部Ａ２８ｂを備える。第２の流路Ａ２８の一端部Ａ２８ａは、流路部Ａ８の上面Ａ８ａにおいて熱交換器Ａ６の第２の管Ａ２４の開口Ａ２４ａに対応する位置に設けられており、第２の管Ａ２４の開口Ａ２４ａに接続される。第２の流路Ａ２８の他端部Ａ２８ｂは、第２の集合部Ａ３０に纏められている。第２の集合部Ａ３０は、ケースＡ４の第２の開口Ａ１８に対応する位置に設けられており、ケースＡ４内に収容された状態において第２の開口Ａ１８に対面する。
【００４８】
流路部Ａ８内において、第１の流路Ａ２６および第２の流路Ａ２８は、互いに連通しない独立した流路として設けられている。第１の流路Ａ２６および第２の流路Ａ２８は、熱交換器Ａ６を介して、互いに連通し得る。
【００４９】
図２の説明に戻り、プラズマ処理装置Ａ５０の構成を説明する。ステージＡ９７のプレートＡ２の表面Ａ２ａには、静電チャックＡ５４が設けられている。静電チャックＡ５４は、導電膜である電極Ａ５６を一対の絶縁層または絶縁シート間に配置した構造を有している。電極Ａ５６には、直流電源Ａ５８が電気的に接続されている。静電チャックＡ５４は、直流電源５８からの直流電圧により生じる静電力によってウエハＷを静電吸着保持することができる。静電チャックＡ５４は、主面Ａ５４ａを備える。ウエハＷは、主面Ａ５４ａに載置される。
【００５０】
プラズマ処理装置Ａ５０は、複数の第１の配管Ａ４０ａと複数の第２の配管Ａ４０ｂとを備える。複数の第１の配管Ａ４０ａのそれぞれは、ケースＡ４の供給管Ａ１２を介して、複数の第１の流路Ａ２６のそれぞれの他端部Ａ２６ｂに接続されている。複数の第２の配管Ａ４０ｂのそれぞれは、ケースＡ４の回収管Ａ１４を介して、複数の第２の流路Ａ２８のそれぞれの他端部Ａ２８ｂに接続されている。複数の第１の配管Ａ４０ａおよび複数の第２の配管Ａ４０ｂの各他端は、処理容器Ａ５２の外部に設けられたチラーユニットＡ４２に接続されている。ステージＡ９７には、複数の第１の配管Ａ４０ａおよび複数の第２の配管Ａ４０ｂを介してチラーユニットＡ４２から所定温度の熱交換媒体が循環供給される。なお、熱交換媒体とは、プレートＡ２との熱の交換を目的としてステージＡ９７内を流通する流体であり、プレートＡ２から熱を吸収する冷媒、およびプレートＡ２に熱を与える熱媒を含む概念である。熱交換媒体としては、水、フッ素系液体等の液体や、ガス等が用いられ得る。チラーユニットＡ４２から供給される熱交換媒体は、一の流路の一端から他端を経て（第１の配管Ａ４０ａ、供給管Ａ１２、複数の第１の流路Ａ２６、複数の第１の管Ａ２２、複数の第２の管Ａ２４、複数の第２の流路Ａ２８、回収管Ａ１４、第２の配管Ａ４０ｂを経て）、チラーユニットＡ４２に戻される。このように循環される熱交換媒体の温度を制御することにより、静電チャックＡ５４の主面Ａ５４ａに載置されたウエハＷの温度が局所的に調節され得る。チラーユニットＡ４２は、互いに独立した複数の流路を介して複数の第１の流路Ａ２６と個別に接続されており、複数の第１の流路Ａ２６に供給される熱交換媒体の温度を独立して制御する。同様に、チラーユニットＡ４２は、互いに独立した複数の流路を介して複数の第２の流路Ａ２８と個別に接続されている。実施例１の構成によれば、複数の第１の配管Ａ４０ａから吐出する熱交換媒体の温度が個別に制御される。
【００５１】
処理容器Ａ５２内には、上部電極Ａ６０が設けられている。上部電極Ａ６０は、下部電極として機能するプレートＡ２の上方において、プレートＡ２と対向配置されており、プレートＡ２と上部電極Ａ６０とは、互いに平行に設けられている。上部電極Ａ６０とプレートＡ２との間には、プラズマが生成される処理空間Ａ９３が画成されている。
【００５２】
上部電極Ａ６０は、絶縁性遮蔽部材Ａ６２を介して、処理容器Ａ５２の上部に支持されている。上部電極Ａ６０は、電極板Ａ６４および電極支持体Ａ６６を含み得る。電極板Ａ６４は、処理空間Ａ９３に面しており、複数のガス吐出孔Ａ６４ａを画成している。電極板Ａ６４は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体または半導体から構成され得る。電極板Ａ６４は、接地されている。
【００５３】
電極支持体Ａ６６は、電極板Ａ６４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。電極支持体Ａ６６は、水冷構造を有し得る。電極支持体Ａ６６の内部には、ガス拡散室Ａ６６ａが設けられている。ガス拡散室Ａ６６ａからは、ガス吐出孔Ａ６４ａに連通する複数のガス通流孔Ａ６６ｂが下方に延びている。電極支持体Ａ６６にはガス拡散室Ａ６６ａに処理ガスを導くガス導入口Ａ６６ｃが形成されており、ガス導入口Ａ６６ｃには、ガス供給管Ａ６８が接続されている。
【００５４】
ガス供給管Ａ６８には、バルブＡ７２およびマスフローコントローラＡ７４（ＭＦＣ）を介して、ガス源Ａ７０が接続されている。なお、ＭＦＣの代わりにＦＣＳが設けられ得る。ガス源Ａ７０は、処理ガスのガス源である。ガス源Ａ７０からの処理ガスは、ガス供給管Ａ６８からガス拡散室Ａ６６ａに至り、ガス通流孔Ａ６６ｂおよびガス吐出孔Ａ６４ａを介して処理空間Ａ９３に吐出される。
【００５５】
プラズマ処理装置Ａ５０は、接地導体Ａ５２ａを備える。接地導体Ａ５２ａは、略円筒状の接地導体であり、処理容器Ａ５２の側壁から上部電極Ａ６０の高さ位置よりも上方に延びるように設けられている。
【００５６】
プラズマ処理装置Ａ５０では、処理容器Ａ５２の内壁に沿ってデポシールドＡ７６が着脱自在に設けられている。デポシールドＡ７６は、ステージＡ９７の外周にも設けられている。デポシールドＡ７６は、処理容器Ａ５２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。
【００５７】
処理容器Ａ５２の底部側においては、ステージＡ９７と処理容器Ａ５２の内壁との間に排気プレートＡ７８が設けられている。排気プレートＡ７８は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。排気プレートＡ７８の下方において処理容器Ａ５２には、排気口Ａ５２ｅが設けられている。排気口Ａ５２ｅには、排気管Ａ５３を介して排気装置Ａ８０が接続されている。排気装置Ａ８０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、処理容器Ａ５２内を所望の真空度まで減圧することができる。ウエハＷの搬入出口Ａ５２ｇは、処理容器Ａ５２の側壁に設けられている。搬入出口Ａ５２ｇは、ゲートバルブＡ８１により開閉可能となっている。
【００５８】
一実施形態においては、プラズマ処理装置Ａ５０は、高周波電源Ａ９２ａ、高周波電源Ａ９２ｂ、整合器Ａ９１ａ、整合器Ａ９１ｂを更に備えている。高周波電源Ａ９２ａは、プラズマ生成用の高周波電力を発生するものであり、２７［ＭＨｚ］以上の周波数、例えば、４０［ＭＨｚ］の高周波電力を整合器Ａ９１ａを介して、プレートＡ２に供給する。整合器Ａ９１ａは、高周波電源Ａ９２ａの内部（または出力）インピーダンスを負荷インピーダンスに整合させる回路を備える。高周波電源Ａ９２ｂは、イオン引き込み用の高周波バイアス電力を発生するものであり、１３．５６［ＭＨｚ］以下の周波数、例えば、３［ＭＨｚ］の高周波バイアス電力を、整合器Ａ９１ｂを介してプレートＡ２に供給する。整合器Ａ９１ｂは、高周波電源Ａ９２ｂの内部（または出力）インピーダンスを負荷インピーダンスに整合させる回路を備える。なお、下部電極はプレートＡ２と別体として設けられても良い。
【００５９】
実施例１の構成においては、プラズマ処理装置Ａ５０は、制御部Ａ９８を更に備え得る。制御部Ａ９８は、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置Ａ５０の各部、例えば電源系やガス供給系、駆動系等を制御する。制御部Ａ９８では、入力装置を用いて、オペレータがプラズマ処理装置Ａ５０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができ、また、表示装置により、プラズマ処理装置Ａ５０の稼働状況を可視化して表示すことができる。さらに、制御部Ａ９８の記憶部には、プラズマ処理装置Ａ５０で実行される各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマ処理装置Ａ５０の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち、処理レシピが格納される。
【００６０】
以上説明した構成を備える実施例１に係る載置台は、ウエハＷが載置される主面Ａ５４ａと、複数箇所（実施例１においては、処理容器Ａ５２内においてプラズマが発する光の光強度が検出システム２によって検出される検出箇所ＰＮｉ）のそれぞれに対応する主面Ａ５４ａの各領域の温度（実施例１においては、検出箇所ＰＮｉを通りウエハＷの上からウエハＷを見る方向に延びる基準線ＰＡ３等が主面Ａ５４ａと交わる領域の温度）を個別に調節する調節装置（チラーユニットＡ４２）とを備えている。調節制御装置４は、検出システム２による検出結果に基づいて、複数箇所（処理容器Ａ５２内においてプラズマが発する光の光強度が検出システム２によって検出される検出箇所ＰＮｉ）のそれぞれに対応する主面Ａ５４ａの各領域の温度（検出箇所ＰＮｉを通りウエハＷの上からウエハＷを見る方向に延びる基準線ＰＡ３等が主面Ａ５４ａと交わる領域の温度）を個別に調節するようにチラーユニットＡ４２を制御する。チラーユニットＡ４２によって調節される温度は、主面Ａ５４ａの温度であり、プラズマ処理中に処理容器Ａ５２内で発生するプラズマが発する光の光強度の増減に応じて増減する第１の物理量（Ｔ［℃］）である。なお、主面Ａ５４ａの温度は、ウエハＷの温度と同様であると共に、静電チャックＡ５４とプレートＡ２との界面（互いの接触面であり、表面Ａ２ａ）における温度と同様であり、当該界面に設けられている温度検出器Ａ４３ａ等によって検出され、この検出結果は温度検出器Ａ４３ａ等から調節制御装置４に送られる。
【００６１】
次に実施例１に係る調節制御装置４が算出する第１の物理量の設定値（Ｔ（ｉ）［℃］）の具体例を説明する。図７は、実施例１に係る対応データ４ａ１を作成するために用いられる実測結果の一例を示すグラフであり、ウエハＷの温度（Ｔ（ｉ＝１）［℃］）とプラズマの発する光の光強度（Ｉ（ｉ＝１））との相関を示す。図７に示す実測結果は、実施例１に係る検出システム２によって検出された検出箇所ＰＮ１の光強度と、検出箇所ＰＮ１に対応する温度検出器Ａ４３ａによって検出された温度（当該温度は、主面Ａ５４ａの温度、静電チャックＡ５４と検出システム２との界面の温度、ウエハＷの温度と同様である）との相関である。図７の横軸は、Ｔ（１）［℃］を表しており、図７の縦軸は、Ｉ（１）を表している。目標値データ４ａ２の一例を、Ｔ０＝８０［℃］であるとする。図７に示す実測結果に基づいて得られる対応データ４ａ１は、上記した式１（α（１）＝１０、β（１）＝０）であり、図７に示す線分ＳＬ１によって表される。α（１）＝１０、β（１）＝０、Ｔ０＝８０［℃］を用いると、設定値Ｔ１（１）［℃］を定める式５は、Ｔ１（１）＝２×Ｔ０−（Ｉ（１）−β（１））／α（１）＝１６０−Ｉ（１）／１０［℃］、となる。
【００６２】
例えば、検出箇所ＰＮ１における光強度の値Ｉ（１）＝１２３５の場合、検出箇所ＰＮ１に対応する領域の温度（検出箇所ＰＮ１を通りウエハＷの上からウエハＷを見る方向に延びる基準線ＰＡ３が主面Ａ５４ａと交わる領域の温度であり、温度検出器Ａ４３ａ（計測装置６ｂ）によって検出される温度である。）に対する設定値Ｔ１（１）［℃］は、Ｔ１（１）＝１６０−１２３５／１０＝３６．５［℃］、となる。また、他の例としては、検出箇所ＰＮ１における光強度の値Ｉ（１）＝１１９２の場合、検出箇所ＰＮ１に対応する領域の温度（検出箇所ＰＮ１を通りウエハＷの上からウエハＷを見る方向に延びる基準線ＰＡ３が主面Ａ５４ａと交わる領域の温度であり、温度検出器Ａ４３ａ（計測装置６ｂ）によって検出される温度）に対する設定値Ｔ１（１）［℃］は、Ｔ１（１）＝１６０−１１９２／１０＝４０．８［℃］、となる。
【００６３】
以上説明した実施例１によれば、第１の物理量がウエハＷが搭載される主面Ａ５４ａの温度である場合には、主面Ａ５４ａの複数箇所の温度（検出箇所ＰＮｉを通りウエハＷの上からウエハＷを見る方向に延びる基準線ＰＡ３等が主面Ａ５４ａと交わる領域の温度）の調節を、一台の焦点可変レンズ２ｂを介して検出されたプラズマの光強度を用いることによって、容易に行える。プラズマの光強度はプラズマの入熱ムラに対応しており、プラズマの光強度を用いて主面Ａ５４ａの複数箇所の温度が調節されるので、主面Ａ５４ａにおける複数箇所の温度がプラズマの入熱ムラによらずに維持されるよう当該温度が好適に調節され得る。
【００６４】
（実施例２）図８〜１１を参照して、実施例２に係るプラズマ処理装置Ｂ１００を説明する。実施例２では、上記した一実施形態における第２の物理量が用いられ、当該第２の物理量として、マイクロ波放射部Ｂ４３に供給するプラズマ励起用の電力［ワット］が用いられる。実施例２では、上記した一実施形態におけるプラズマ処理装置１００、処理容器１ａ、ステージ１ｃ、静電チャック１ｄ、処理空間１ａ１のそれぞれは、プラズマ処理装置Ｂ１００、チャンバＢ１、支持部材Ｂ１２、サセプタＢ１１、処理空間Ｂ５のそれぞれに対応している。上記した一実施形態における載置台１ｂは、実施例２では、サセプタＢ１１と支持部材Ｂ１２とを含む構成に対応している。また、実施例２では、上記した一実施形態における検出システム２、調節制御装置４を備える。上記した一実施形態における調節装置６ａは、実施例２では、アンプ部Ｂ４２に対応し、計測装置６ｂは、実施例２では、検出システム２に対応している。なお、調節制御装置４は、制御部Ｂ１４０とは別の構成として設けられるが、制御部Ｂ１４０に含まれることもできる。
【００６５】
図８は、実施例２に係るプラズマ処理装置Ｂ１００の主要な構成を断面的に示す図である。図９は、実施例２に係るマイクロ波出力部Ｂ３０および実施例２に係るアンテナモジュールＢ４１の主要な構成を模式的に示す図である。図１０は、実施例２に係るマイクロ波供給部Ｂ４０の外観を示す平面図である。
【００６６】
プラズマ処理装置Ｂ１００は、ウエハＷに対するプラズマ処理として例えばエッチング処理を施すプラズマエッチング装置として構成されている。プラズマ処理装置Ｂ１００は、チャンバＢ１とマイクロ波プラズマ源Ｂ２とを備える。チャンバＢ１は、気密に構成されたアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属材料からなる略円筒状を有しており、接地されており、開口部Ｂ１ａを備える。開口部Ｂ１ａは、チャンバＢ１の上部に設けられている。チャンバＢ１は、プラズマが発生する処理空間Ｂ５を画成する。マイクロ波プラズマ源Ｂ２は、チャンバＢ１内にマイクロ波プラズマを形成する。マイクロ波プラズマ源Ｂ２は、開口部Ｂ１ａからチャンバＢ１の内部に臨むように設けられている。
【００６７】
プラズマ処理装置Ｂ１００は、更に、サセプタＢ１１、支持部材Ｂ１２、絶縁部材Ｂ１２ａ、整合器Ｂ１３、高周波バイアス電源Ｂ１４、排気管Ｂ１５、排気装置Ｂ１６、搬入出口Ｂ１７、ゲートバルブＢ１８、支持リングＢ２９、ガス供給源Ｂ１１０、ガス配管Ｂ１１１、スロットＢ１２２、環状誘電体部材Ｂ１２６、制御部Ｂ１４０を備える。
【００６８】
チャンバＢ１内には被処理体である半導体のウエハＷを水平に支持するためのサセプタＢ１１が、チャンバＢ１の底部中央に絶縁部材Ｂ１２ａを介して立設された筒状の支持部材Ｂ１２により支持された状態で設けられている。サセプタＢ１１および支持部材Ｂ１２を構成する材料としては、表面をアルマイト処理（陽極酸化処理）したアルミニウムや、ＡｌＮなどのセラミックス等が例示される。
【００６９】
サセプタＢ１１は、ウエハＷを静電吸着するための静電チャックの機能を有する。サセプタＢ１１には、また、温度制御機構、ウエハＷの裏面に熱伝達用のガスを供給するガス流路、およびウエハＷを搬送するために昇降する昇降ピン等が設けられている。サセプタＢ１１には、整合器Ｂ１３を介して高周波バイアス電源Ｂ１４が電気的に接続されている。高周波バイアス電源Ｂ１４からサセプタＢ１１に高周波電力が供給されることにより、ウエハＷ側にプラズマ中のイオンが引き込まれる。このようにサセプタＢ１１は、マイクロ波放射部Ｂ４３の上部電極に対向して配置される下部電極を構成する。
【００７０】
チャンバＢ１の底部には排気管Ｂ１５が接続されており、排気管Ｂ１５には真空ポンプを含む排気装置Ｂ１６が接続されている。排気装置Ｂ１６を作動させることによってチャンバＢ１内が排気され、チャンバＢ１内を所定の真空度まで高速に減圧することが可能である。チャンバＢ１の側壁には、ウエハＷの搬入出を行うための搬入出口Ｂ１７と、搬入出口Ｂ１７を開閉するゲートバルブＢ１８とが設けられている。
【００７１】
マイクロ波プラズマ源Ｂ２は、マイクロ波出力部Ｂ３０とマイクロ波供給部Ｂ４０とを備える。マイクロ波出力部Ｂ３０は、マイクロ波を複数経路に分配して出力する。マイクロ波供給部Ｂ４０は、マイクロ波出力部Ｂ３０から出力されるマイクロ波を伝送し、チャンバＢ１内に放射する。
【００７２】
図９に示すように、マイクロ波出力部Ｂ３０は、マイクロ波電源Ｂ３１と、マイクロ波発振器Ｂ３２と、発振されたマイクロ波を増幅するアンプＢ３３と、増幅されたマイクロ波を複数に分配する分配器Ｂ３４とを備える。マイクロ波発振器Ｂ３２は、所定周波数（例えば、９１５［ＭＨｚ］）のマイクロ波を例えばＰＬＬ発振させる。分配器Ｂ３４は、マイクロ波の損失を抑制するために、入力側と出力側のインピーダンス整合を取りながらアンプＢ３３で増幅されたマイクロ波を分配する。マイクロ波の周波数としては、９１５［ＭＨｚ］の他に、７００［ＭＨｚ］から３［ＧＨｚ］を用いることができる。
【００７３】
マイクロ波供給部Ｂ４０は、複数のアンテナモジュールＢ４１と、マイクロ波放射アンテナＢ４５とを備える。アンテナモジュールＢ４１は、アンプ部Ｂ４２とマイクロ波放射部Ｂ４３とを備える。アンテナモジュールＢ４１は、分配器Ｂ３４によって分配されたマイクロ波をチャンバＢ１内へ導く。マイクロ波供給部Ｂ４０は、７台のアンテナモジュールＢ４１を備える。平面視で円形を成しているマイクロ波放射アンテナＢ４５の表面上には、当該円形の円周に沿って６つのマイクロ波放射部Ｂ４３が等間隔に配置されていると共に、当該円形の中心に一つのマイクロ波放射部Ｂ４３が配置されている。（図１０）。
【００７４】
アンプ部Ｂ４２は、分配されたマイクロ波を主に増幅し、複数のマイクロ波放射部Ｂ４３のそれぞれにプラズマ励起用の電力を供給する。マイクロ波放射部Ｂ４３は、上部電極を構成する。アンプ部Ｂ４２は、位相器Ｂ４６と、可変ゲインアンプＢ４７と、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプＢ４８と、アイソレータＢ４９とを備える。位相器Ｂ４６は、マイクロ波の位相を変化させることができるように構成されており、このマイクロ波の位相を調節することによって放射特性を変調させることができる。例えば、各アンテナモジュール毎に位相を調節することにより指向性を制御してプラズマ分布を変化させることができる。また、隣り合うアンテナモジュールにおいて９０°ずつ位相をずらすようにして円偏波を得ることができる。位相器Ｂ４６は、アンプ内の部品間の遅延特性を調節し、チューナ内での空間合成を目的として使用することができる。なお、このような放射特性の変調やアンプ内の部品間の遅延特性の調節が不要な場合には位相器４６は設ける必要はない。
【００７５】
可変ゲインアンプＢ４７は、メインアンプＢ４８へ入力するマイクロ波の電力レベルを調節し、プラズマ強度を調節するためのアンプである。可変ゲインアンプＢ４７を各アンテナモジュール毎に変化させることによって、発生するプラズマに分布を生じさせ得る。
【００７６】
ソリッドステートアンプを構成するメインアンプＢ４８は、例えば、入力整合回路と、半導体増幅素子と、出力整合回路と、高Ｑ共振回路とを備える構成であり得る。
【００７７】
アイソレータＢ４９は、マイクロ波放射アンテナＢ４５で反射してメインアンプＢ４８に向かう反射マイクロ波を分離するものであり、サーキュレータとダミーロード（同軸終端器）とを備える。サーキュレータは、マイクロ波放射アンテナＢ４５で反射したマイクロ波をダミーロードへ導き、ダミーロードはサーキュレータによって導かれた反射マイクロ波を熱に変換する。
【００７８】
マイクロ波放射アンテナＢ４５は、チャンバＢ１の上部に設けられた支持リングＢ２９に気密にシールされた状態で設けられており、マイクロ波の放射とガスの導入が可能となっている。マイクロ波放射アンテナＢ４５は、チャンバＢ１の天壁として構成されている。マイクロ波放射アンテナＢ４５は、上述した複数のマイクロ波放射部Ｂ４３が接続されており、プラズマ生成ガスや処理ガスを吐出するシャワー構造となっており、ガス供給源Ｂ１１０から延びるガス配管Ｂ１１１がマイクロ波放射アンテナＢ４５に接続されている。マイクロ波放射アンテナＢ４５からチャンバＢ１内に導入されるプラズマ生成ガスは、マイクロ波放射アンテナＢ４５から放射されるマイクロ波によってプラズマ化され、このプラズマによって、マイクロ波放射アンテナＢ４５からチャンバＢ１内に導入される処理ガスが励起され、処理ガスのプラズマが生成される。マイクロ波プラズマ源Ｂ２は、プラズマを生成するためのプラズマ生成ガスや、成膜処理やエッチング処理を行うための処理ガス等を供給するガス供給源Ｂ１１０を備える。
【００７９】
プラズマ生成ガスとしては、Ａｒガス等の希ガスを好適に用いることができる。また、処理ガスとしては、成膜処理やエッチング処理等、処理の内容に応じて種々のものを採用することができる。
【００８０】
上記したように、実施例２に係るプラズマ処理装置Ｂ１００は、プラズマ処理の処理対象のウエハＷが載置される載置台（サセプタＢ１１と支持部材Ｂ１２とを含む構成）の上方において、サセプタＢ１１に設けられている下部電極と対面配置されている複数の上部電極を備える。そして、実施例２に係るプラズマ処理装置Ｂ１００は、複数の上部電極（マイクロ波放射部Ｂ４３）のそれぞれに供給するプラズマ励起用の電力をそれぞれ個別に調節する複数の調節装置（アンプ部Ｂ４２）を備える。アンプ部Ｂ４２によって調節されるプラズマ励起用の電力は、第２の物理量であって、当該電力の増減に応じて、プラズマが発する光の光強度が増減される。調節制御装置４は、検出結果に基づいて、複数箇所（実施例２においては、チャンバＢ１内においてプラズマが発する光の光強度が検出システム２によって検出される検出箇所ＰＮｉ）のそれぞれに対応する複数の上部電極（マイクロ波放射部Ｂ４３）のそれぞれに供給するプラズマ励起用の電力（実施例２においては、検出箇所ＰＮｉを通りウエハＷの上からウエハＷを見る方向に延びる基準線ＰＡ３等と交わるマイクロ波放射部Ｂ４３に供給される電力であり、換言すれば、検出箇所ＰＮｉに最も近いマイクロ波放射部Ｂ４３に供給される電力である。）を個別に調節するよう複数の調節装置（アンプ部Ｂ４２）のそれぞれを制御する。
【００８１】
次に実施例２に係る調節制御装置４が算出する第２の物理量の設定値（Ｅ（ｉ）［ワット］）の具体例を説明する。図１１は、実施例２に係る対応データ４ａ１を作成するために用いられる実測結果の一例を示すグラフであり、マイクロ波放射部Ｂ４３に印加される電力（Ｅ（ｉ＝１）［ワット］）とプラズマの発する光の光強度（Ｉ（ｉ＝１））との相関を示す。図１１に示す実測結果は、実施例２に係る検出システム２によって検出された検出箇所ＰＮ１の光強度と、検出箇所ＰＮ１に対応しており当該光強度が得られたマイクロ波放射部Ｂ４３の印加電力との相関である。図１１の横軸は、Ｅ（１）［ワット］を表しており、図１１の縦軸は、Ｉ（１）を表している。目標値データ４ａ２の一例を、Ｉ０＝１２００であるとする。図１１に示す実測結果に基づいて得られる対応データ４ａ１は、上記した式６（η（１）＝０．４７、θ（１）＝２４．７２）であり、図１１に示す線分ＳＬ２によって表される。η（１）＝０．４７、θ（１）＝２４．７２、Ｉ０＝１２００を用いると、設定値Ｅ１（１）［ワット］を定める式１０は、Ｅ１（１）＝（２×Ｉ０−Ｉ（１）−θ（１））／η（１）＝（２４００−Ｉ（１）−２４．７２）／０．４７［ワット］、となる。
【００８２】
例えば、検出箇所ＰＮ１における光強度の値Ｉ（１）＝１２３５の場合、検出箇所ＰＮ１に対応するマイクロ波放射部Ｂ４３に印加される電力（検出箇所ＰＮ１を通りウエハＷの上からウエハＷを見る方向に延びる基準線ＰＡ３と交わるマイクロ波放射部Ｂ４３に供給される電力であり、換言すれば、検出箇所ＰＮ１に最も近いマイクロ波放射部Ｂ４３に供給される電力であり、当該電力は、調節制御装置４の制御に応じてアンプ部Ｂ４２によって調節される。）に対する設定値Ｅ１（１）［ワット］は、Ｅ１（１）＝（２４００−１２３５−２４．７２）／０．４７＝２４２６［ワット］、となる。また、他の例としては、検出箇所ＰＮ１における光強度の値Ｉ（１）＝１１９２の場合、検出箇所ＰＮ１に対応するマイクロ波放射部Ｂ４３に印加される電力（検出箇所ＰＮ１を通りウエハＷの上からウエハＷを見る方向に延びる基準線ＰＡ３と交わるマイクロ波放射部Ｂ４３に供給される電力であり、換言すれば、検出箇所ＰＮ１に最も近いマイクロ波放射部Ｂ４３に供給される電力であり、当該電力は、調節制御装置４の制御に応じてアンプ部Ｂ４２によって調節される。）に対する設定値Ｅ１（１）［ワット］は、Ｅ１（１）＝（２４００−１１９２−２４．７２）／０．４７＝２５１８［ワット］、となる。
【００８３】
以上説明した実施例２によれば、第２の物理量がプラズマ励起用の電力の場合には、マイクロ波放射部Ｂ４３に供給される当該電力の調節を、一台の焦点可変レンズ２ｂを介して検出されたプラズマの光強度を用いることによって、容易に行える。プラズマの光強度はプラズマの入熱ムラに対応しており、例えば、プラズマの光強度をチャンバＢ１内の複数箇所（検出箇所ＰＮｉ）にわたって均一に維持するようにプラズマ励起用の電力を調節することによって、プラズマの入熱ムラが好適に低減され得る。
【００８４】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００８５】
１００…プラズマ処理装置、１ａ…処理容器、１ａ１…処理空間、１ｂ…載置台、１ｂ１…主面、１ｃ…ステージ、１ｄ…静電チャック、２…検出システム、２ａ…窓、２ｂ…焦点可変レンズ、２ｃ…分光器、２ｃ１…光電変換素子、２ｄ…検出制御装置、４…調節制御装置、４ａ…メモリ、４ａ１…対応データ、４ａ２…目標値データ、６ａ…調節装置、６ｂ…計測装置、Ａ１０…Ｏリング、Ａ１２…供給管、Ａ１４…回収管、Ａ１６…第１の開口、Ａ１８…第２の開口、Ａ２…プレート、Ａ２０…隔壁、Ａ２２…第１の管、Ａ２２ａ…第１の開口端、Ａ２２ｂ…第２の開口端、Ａ２４…第２の管、Ａ２４ａ…開口、Ａ２６…第１の流路、Ａ２６ａ…一端部、Ａ２６ｂ…他端部、Ａ２８…第２の流路、Ａ２８ａ…一端部、Ａ２８ｂ…他端部、Ａ２９…第１の集合部、Ａ２ａ…表面、Ａ２ｂ…裏面、Ａ３０…第２の集合部、Ａ４…ケース、Ａ４０ａ…第１の配管、Ａ４０ｂ…第２の配管、Ａ４２…チラーユニット、Ａ４３ａ…温度検出器、Ａ４３ｂ…温度検出器、Ａ４３ｃ…温度検出器、Ａ４ａ…側壁、Ａ４ｂ…底壁、Ａ４ｃ…上端面、Ａ５０…プラズマ処理装置、Ａ５２…処理容器、Ａ５２ａ…接地導体、Ａ５２ｅ…排気口、Ａ５２ｇ…搬入出口、Ａ５３…排気管、Ａ５４…静電チャック、Ａ５４ａ…主面、Ａ５６…電極、Ａ５８…直流電源、Ａ６…熱交換器、Ａ６０…上部電極、Ａ６２…絶縁性遮蔽部材、Ａ６４…電極板、Ａ６４ａ…ガス吐出孔、Ａ６６…電極支持体、Ａ６６ａ…ガス拡散室、Ａ６６ｂ…ガス通流孔、Ａ６６ｃ…ガス導入口、Ａ６８…ガス供給管、Ａ７０…ガス源、Ａ７２…バルブ、Ａ７４…マスフローコントローラ、Ａ７６…デポシールド、Ａ７８…排気プレート、Ａ８…流路部、Ａ８０…排気装置、Ａ８１…ゲートバルブ、Ａ８ａ…上面、Ａ８ｂ…側面、Ａ９１ａ…整合器、Ａ９１ｂ…整合器、Ａ９２ａ…高周波電源、Ａ９２ｂ…高周波電源、Ａ９３…処理空間、Ａ９４…収容空間、Ａ９５…セル部、Ａ９６…空間、Ａ９７…ステージ、Ａ９８…制御部、Ｂ１…チャンバ、Ｂ１００…プラズマ処理装置、Ｂ１１…サセプタ、Ｂ１１０…ガス供給源、Ｂ１１１…ガス配管、Ｂ１２…支持部材、Ｂ１２２…スロット、Ｂ１２６…環状誘電体部材、Ｂ１２ａ…絶縁部材、Ｂ１３…整合器、Ｂ１４…高周波バイアス電源、Ｂ１４０…制御部、Ｂ１５…排気管、Ｂ１６…排気装置、Ｂ１７…搬入出口、Ｂ１８…ゲートバルブ、Ｂ１ａ…開口部、Ｂ２…マイクロ波プラズマ源、Ｂ２９…支持リング、Ｂ３０…マイクロ波出力部、Ｂ３１…マイクロ波電源、Ｂ３２…マイクロ波発振器、Ｂ３３…アンプ、Ｂ３４…分配器、Ｂ４０…マイクロ波供給部、Ｂ４１…アンテナモジュール、Ｂ４２…アンプ部、Ｂ４３…マイクロ波放射部、Ｂ４５…マイクロ波放射アンテナ、Ｂ４６…位相器、Ｂ４７…可変ゲインアンプ、Ｂ４８…メインアンプ、Ｂ４９…アイソレータ、Ｂ５…処理空間、ＰＡ１…プラズマ、ＰＡ２…基準面、ＰＡ３…基準線、ＰＡ４…基準線、ＰＡ５…基準線、ＰＮ１…検出箇所、ＰＮ２…検出箇所、ＰＮ３…検出箇所、ＳＬ１…線分、ＳＬ２…線分、Ｗ…ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2017168298.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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