(57)【要約】【課題】コンタクトホールを浅くできる表示装置を提供する。【解決手段】絶縁基板１０上の半導体層１７、その上に形成された絶縁膜１５Ａと、その上に形成された台座部２１と。台座部２１を覆う金属部２２と、金属部２２を覆う絶縁膜１２と、前記台座部２１に対応する位置に形成されたコンタクトホール２２と、コンタクトホール２２上の透明電極１４とを有し、金属部２２とコンタクトホール２３を介して半導体層１７と透明電極１４とが電気的に接触し、台座部２１の高さｈ１が、絶縁膜１２の高さｈ２の１／２〜２／３である。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上の半導体層と、
前記半導体層上の第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上の前記信号線と金属部と、
前記第１絶縁膜上の台座部と、
前記第１絶縁膜に形成された第１コンタクトホールと、
前記第１絶縁膜と前記台座部と前記金属部を覆う第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜に形成された第２コンタクトホールと、
前記第２絶縁膜上の透明電極と、
を備え、
前記第２コンタクトホールは、前記台座部の上面に形成され、
前記金属部は、前記第１コンタクトホールにて前記半導体層に接触すると共に、前記第１絶縁膜の上面及び前記台座部の上面を覆うように形成され、
前記透明電極は、前記第２コンタクトホールを介して前記台座部上の前記金属部に接触し、
前記台座部の高さは、前記第２絶縁膜の厚さの１／２〜２／３である、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記台座部は無機材料から形成され、
前記台座部の平面形状が円形、側面形状が円弧形である、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２絶縁膜は、前記第２コンタクトホールの縁部に突部を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１コンタクトホールの中心と、前記第２コンタクトホールの中心とが、平面視においてずれた位置に形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１コンタクトホールの下面径と、前記第２コンタクトホールの下面径は実質的に同じである、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の画像表示領域を囲う周辺領域における第１金属線と、
前記第１金属線上の無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上の第２金属線と台座部と、
前記無機絶縁膜、前記第２金属線、前記台座部上の有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上の導電層と、
を備え、
前記台座部の高さは、前記有機絶縁膜の膜厚の１／２〜２／３であり、
前記第２金属線は、少なくとも２層以上の積層構造を有し、
前記第２金属線は、前記台座部の上面を少なくとも覆うように形成され、
第３コンタクトホールが、前記有機絶縁膜上から前記台座部の上面に位置する前記第２金属線まで形成され、
前記導電層は、前記台座部の上面に形成された前記第２金属線に前記第３コンタクトホールを介して接触している、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記導電層は、透明導電膜、又は、少なくとも２層以上の積層構造を有する第３金属線である、
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第３コンタクトホールが形成される領域は、前記台座部、前記第２金属線、前記導電層が積層されている、
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第３コンタクトホールの下面径は、２〜３μmである、
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記台座部は平面形状が円形であり、前記台座部の側面形状は円弧形である、
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記台座部の上面径は、前記第３コンタクトホールの下面径と実質的に同じである、
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記有機絶縁膜は、前記第３コンタクトホールの縁部に突部を有する、
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置などの表示装置の表示パネルにおいては、アレイ基板のガラス基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート線、層間絶縁膜、信号線を形成した後に有機絶縁膜を形成し、その上に画素電極を形成している。そして、画素電極と半導体層とを接続するために、コンタクトホールを有機絶縁膜に設けている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−０５７８４７号公報
【特許文献２】特開２０１３−２３５１４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、表示パネルの高精細化に伴い、有機絶縁膜にコンタクトホールを深く設けると、コンタクトホールのテーパ領域の専有面積の割合が増大して画素の開口率が下がり、また、コンタクトホールが深くなった結果、透明電極膜の加工マージンが減ったり、洗浄が困難になりシミやムラなどが生じるという問題点があった。
【０００５】
そこで本発明の実施形態では、コンタクトホールを浅くできる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態は、絶縁基板と、前記絶縁基板上の半導体層と、前記半導体層上の第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上の前記信号線と金属部と、前記第１絶縁膜上の台座部と、前記第１絶縁膜に形成された第１コンタクトホールと、前記第１絶縁膜と前記台座部と前記金属部を覆う第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜に形成された第２コンタクトホールと、前記第２絶縁膜上の透明電極と、を備え、前記第２コンタクトホールは、前記台座部の上面に形成され、前記金属部は、前記第１コンタクトホールにて前記半導体層に接触すると共に、前記第１絶縁膜の上面及び前記台座部の上面を覆うように形成され、前記透明電極は、前記第２コンタクトホールを介して前記台座部上の前記金属部に接触し、前記台座部の高さは、前記第２絶縁膜の厚さの１／２〜２／３である、ことを特徴とする表示装置である。
【０００７】
また、本発明の実施形態は、絶縁基板と、前記絶縁基板の画像表示領域を囲う周辺領域における第１金属線と、前記第１金属線上の無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上の第２金属線と台座部と、前記無機絶縁膜、前記第２金属線、前記台座部上の有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上の導電層と、を備え、前記台座部の高さは、前記有機絶縁膜の膜厚の１／２〜２／３であり、前記第２金属線は、少なくとも２層以上の積層構造を有し、前記第２金属線は、前記台座部の上面を少なくとも覆うように形成され、第３コンタクトホールが、前記有機絶縁膜上から前記台座部の上面に位置する前記第２金属線まで形成され、前記導電層は、前記台座部の上面に形成された前記第２金属線に前記第３コンタクトホールを介して接触している、ことを特徴とする表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態１の画素の平面図である。
【図２】アレイ基板の概略平面図である。
【図３】ＴＦＴの拡大平面図である。
【図４】図１におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図１におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】図１におけるＣ−Ｃ線断面図である。
【図７】第２コンタクトホールを作る第１工程の断面図である。
【図８】第２コンタクトホールを作る第２工程の断面図である。
【図９】第２コンタクトホールを作る第３工程の断面図である。
【図１０】実施形態２のＴＦＴの縦断面面である。
【図１１】実施形態３のＴＦＴの縦断面図である。
【図１２】実施形態４のＴＦＴの平面図である。
【図１３】実施形態４のＴＦＴの縦断面図である。
【図１４】実施形態５の周辺領域の縦断面図である。
【図１５】実施形態５のアレイ基板の平面図である。
【図１６】実施形態５の周辺領域の縦断面図である。
【図１７】実施形態５の周辺領域の変更例１の縦断面図である。
【図１８】実施形態５の周辺領域の変更例２の一部欠裁斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一の実施形態の液晶表示装置について、図面を参照して説明する。なお、実施形態における開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の趣旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の対応に比べ、各部の幅、厚さ、形状などについて模式的に表される場合があるが、あくまでも一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
本実施形態の液晶表示装置は、具体例において、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式などと呼ばれる横電界方式のものであり、特には、ＩＰＳ方式の一例としてのフリンジ電界を用いるＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式である。
【実施形態１】
【００１１】
実施形態１の液晶表示装置について、図１〜図９を参照して説明する。
【００１２】
（１）表示パネル１の全体構成
液晶表示装置の表示パネル１は、アレイ基板２と、対向基板３と、これらの間隙に保持される液晶層４と、両基板２，３の周辺部同士を貼り合わせて液晶層４を封止するシール部材５とにより形成されている。表示パネル１は、画像を表示するための画像表示領域と、その画像表示領域を囲む周辺領域とからなる。
【００１３】
（２）アレイ基板２
アレイ基板２について図１、図２、図４を参照して説明する。図２に示すようにアレイ基板２のガラス基板１０の画像表示領域において、縦方向の信号線１５と横方向のゲート線１６とが格子状に配列され、これらの交点毎に画素６が形成されている。画素６は、スイッチング素子であるｎ型チャネル又はｐ型チャネルのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）７、画素電極１４を有し、ゲート線１６がＴＦＴ７のゲート電極１６Ａに接続され、信号線１５がソース電極に接続され、ドレイン電極が画素電極１４に接続されている。図１に示すように画素６は、信号線１５の方向に沿って長く延び、その長手方向の領域の大部分が、画素開口部に相当し、この部分にスリット１４Ａを有する画素電極１４が配置される。また、ＴＦＴ７は、画素６の一端部に形成されている。
【００１４】
アレイ基板２のガラス基板１０の上面にはＴＦＴ７を構成するポリシリコンよりなる半導体層１７が形成され、その上にゲート絶縁膜１６Ｂが形成されている。その上には、ゲート線１６が所定間隔毎に平行に横方向に形成されている。図２に示すように、横方向の各ゲート線１６の端部で、かつ、アレイ基板２の周辺領域において、ゲート線１６と連続してゲート引き出し線１６Ｃが縦方向に形成され、シール部材５のある周辺領域まで延びている。
【００１５】
ゲート線１６上には、第１層間絶縁膜１５Ａが形成され、その上に信号線１５が縦方向に形成されている。信号線１５上には樹脂によって有機絶縁膜１２が形成されている。有機絶縁膜１２上には、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電材料からなるコモン電極１３が形成されている。
【００１６】
信号線１５上で、かつ、コモン電極１３上にコモン線２０が形成され、各コモン電極１３がコモン線２０で電気的に接続されている。コモン電極１３、コモン配線２０上には、第２層間絶縁膜１３Ａが形成されている。第２層間絶縁膜１３Ａ上には、画素電極１４が形成されている。図４に示すように、画素電極１４上で、かつ、液晶層４と接する表面には配向膜１８が形成されている。配向膜１８は、ラビング処理もしくは光配向処理によって配向処理された水平配向膜であっても良いし、垂直配向膜であっても良い。
【００１７】
（３）ＴＦＴ７
ＴＦＴ７の構造について説明する。
【００１８】
ガラス基板１０上に形成された半導体層１７は、図１に示すように、ゲート線１６と交叉しつつ信号線１５に沿って縦方向に延び、その後に屈曲して画素電極１４の方向に向かって横方向に延び、その後に屈曲してゲート線１６と交叉しつつ縦方向に延び、ＴＦＴ７の位置に至る。
【００１９】
コンタクトホール１５Ｂが、図１、図６に示すように、半導体層１７の一端と信号線１５とを接続するために、ゲート絶縁膜１６Ｂ、第１層間絶縁膜１５Ａに設けられている。
【００２０】
半導体層１７の他端は、図６、図７に示すように、ゲート絶縁膜１６Ｂ、第１層間絶縁膜１５Ａに覆われているため、第１コンタクトホール１９が設けられている。
【００２１】
半球型の台座部２１が、図３、図６、図７に示すように、ＴＦＴ７の中央部分における第１層間絶縁膜１５Ａ上で、かつ、第１コンタクトホール１９の近傍に設けられている。台座部２１の材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＮなどの無機材料、有機材料、スペーサと同じ材料、金属である。台座部２１の形状は、半球型、すなわち、側面形状は円弧状、平面形状は円形であるが、これに限らず台形型、正方形型でもよい。また、この台座部２１の下面径では５μｍ程度、上面径で２〜３μｍ程度である。台座部２１の高さｈ１は、有機絶縁膜の高さｈ２の１／２〜２／３程度であり、有機絶縁膜の高さｈ２が例えば３μｍである場合には、台座部２１の高さｈ１は例えば１．５μｍ〜２μｍ程度である。
【００２２】
金属部２２が、図５、図６に示すように、台座部２１の上面、第１コンタクトホール、台座部２１と第１コンタクトホール１９との間にある第１層間絶縁膜１５Ａを覆っている。金属部２２は、厚さが０．６〜０．７μｍ程度であり、信号線１５と同じ材料であるアルミニウムを含む金属材料であって、例えばアルミニウムの上層及び下層をチタンで挟み込むような積層構造から形成されている。そして、金属部２２は、第１コンタクトホール１９に充填され、半導体層１７と電気的に接続されている。
【００２３】
有機絶縁膜１２が、金属部２２で覆われた台座部２１、信号線１５、第１層間絶縁膜１５Ａを覆っている。
【００２４】
第２層間絶縁膜１３Ａが、図５、図６に示すように、有機絶縁膜１２上に形成されている。なお、ＴＦＴ７以外の位置では、有機絶縁膜１２の上にコモン電極１３が形成され、コモン電極１３の上に第２層間絶縁膜１３Ａが形成されている。
【００２５】
第２コンタクトホール２３が、台座部２１の上方に位置する有機絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３Ａに形成され、金属部２２の上面が露出させている。
【００２６】
透明導電材料からなる画素電極１４が、図５、図６に示すように、第２層間絶縁膜１３Ａの上に形成され、第２コンタクトホール２３を介して金属部２２と接続され、電気的には半導体層１７と接続されている。第２コンタクトホール２３の縁部、すなわち、有機絶縁膜１２の縁部には、リング状の突部２４が形成されている。また、図３に示すように、第１コンタクトホール１９の中心と、第２コンタクトホール２３の中心は、平面視においてずれた位置に設けられている。第２コンタクトホール２３の下面径は２〜３μｍ程度であり一例では２．５μｍである。第１コンタクトホール１９の下面径と第２コンタクトホール２３の下面径は実質的に同じである。また、半導体層１７と信号線１５とを接続するためのコンタクトホール１５Ｂの下面径も２〜３μｍ程度であり、コンタクトホール１５Bの下面径と第２コンタクトホール２３の下面径は実質的に同じである。そして、平面視において半導体層１７と台座部２１とは、一部重なっている。これは、第２コンタクトホール２３の周りの省スペース化を図るためである。台座部２０により、第２コンタクトホール２３の下面が底上げされ、深さの浅いコンタクトホールとなる。
【００２７】
なお、台座部２１の高さｈ１を有機絶縁膜１２の１／２〜２／３の高さにする理由は、有機絶縁膜１２と同じ高さにすると、台座部２１の酸化膜などを成膜する時間が掛かって生産性が落ち、成膜した後に台座の形にエッチングする時間が掛かって生産性が落ち、また台座部２１が高すぎると台座の側壁の金属部２２が切れるなどの問題点があるからである。そのため、台座部２１の高さｈ１をある程度低くして、上記のような副作用とのバランスをとり、実際の生産に適した高さにするためである。
【００２８】
（４）対向基板３
対向基板３について図４を参照して説明する。対向基板３のガラス基板１００には、黒色の樹脂材料により格子状に設けられたブラックマトリクス１０２が形成されている。図２に示すように、ブラックマトリックス１０２は、信号線１５及びその近傍を覆うように信号線１５に沿って延びる縦部分と、各ＴＦＴ７及びその近傍を覆う横部分とにより形成されている。図示の例においては、ＴＦＴ７近傍を覆う横部分が、ゲート線１６に沿って連続して延びており、信号線１５近傍を覆う縦部分とにより格子状に形成されている。ブラックマトリクス１０２の格子状の各開口部分が、画素開口部に対応する。
【００２９】
ブラックマトリックス１０２上には、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）からなるカラーフィルタ層１０４が形成されている。
【００３０】
カラーフィルタ層１０４上には、樹脂からなるオーバーコート層１０６が形成されている。対向基板３における液晶層４と接する表面には、配向膜１１０が形成されている。
【００３１】
（５）アレイ基板２の製造工程
アレイ基板２の製造工程の概略について図７〜図９を参照して説明する。
【００３２】
第１工程において、アレイ基板２のガラス基板１０上に、画素６毎に半導体層１７を形成し、次に、各半導体層１７と共にアレイ基板２全体を酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等からなるゲート絶縁膜１６Ｂによって被覆する。
【００３３】
第２工程において、モリブデン合金等の金属層により横方向にゲート線１６、ゲート線１６端部からの縦方向のゲート引き出し線Ｄとを形成し、次に、これら線と共にアレイ基板２全体を酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜１５Ａにより被覆する。
【００３４】
第３工程において、第１層間絶縁膜１５Ａ及びゲート絶縁膜１６Ｂを貫き半導体層１７を露出させコンタクトホール１５Ｂと第１コンタクトホール１９を形成する。
【００３５】
第４工程において、第１層間絶縁膜１５Ａの上に台座部２１を形成する。台座部２１は、ＳｉＯ、ＳｉＮなどの無機材料、有機材料、スペーサと同じ材料であるアクリル、金属などで形成する。台座部２１の高さｈ１は、有機絶縁膜の高さｈ２の１／２〜２／３程度である。例えば、有機絶縁膜の高さｈ２が３μｍ程度である場合には、１．５〜２．０μｍ程度である。そして、台座部２１の形状は例えば半球型に形成する。
【００３６】
第５工程において、第１層間絶縁膜１５Ａ上にアルミニウム、その合金などの金属によって信号線１５を形成する。また、台座部２１、第１コンタクトホール１９及び台座部２１と第１コンタクトホール１９の間にある第１層間絶縁膜１５Ａを覆うように金属部２２を形成する。信号線１５及び金属部２２は、例えばチタン・アルミニウム・チタンが積層された金属材料で形成し、その厚さは０．６〜０．７μｍ程度である。
【００３７】
第６工程において、図７に示すように、透明の樹脂により有機絶縁膜１２を形成し、これにより信号線１５及び金属部２２を被膜する。有機絶縁膜の高さｈ２としては例えば３μｍ程度である。
【００３８】
第７工程において、台座部２１の上方にある有機絶縁膜１２に穴を開けて金属部２２の上面を露出させて、第２コンタクトホール２３を形成する。このときの製造方法について図８〜図９に基づいて説明する。
【００３９】
図８に示すように、第２コンタクトホール２３を露光、現像することにより有機絶縁膜１２に形成する。このとき第２コンタクトホール２３の縁部には、突部２４が形成される。これは、有機絶縁膜１２の凸形状の効果であり、第２コンタクトホール２３の深さは極めて浅くなる。
【００４０】
図９に示すように、有機絶縁膜１２の突部２４は、熱処理などでリフローすると角が取れて、表面は滑らかな形状になる。
【００４１】
第８工程において、有機絶縁膜１２上にＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料からなるコモン電極を形成する。但し、ＴＦＴ７付近にはコモン電極１３を形成しない。コモン電極１３の厚みは、例えば１０〜３０ｎｍ（０．０１〜０．０３μｍ）程度である。
【００４２】
第９工程において、コモン電極１３上で、かつ、信号線１５の上にコモン線２０を形成し、各コモン電極１３をコモン線２０で電気的に接続する。
【００４３】
第１０工程において、コモン電極１３、コモン線２０などを覆う第２層間絶縁膜１３Ａをアレイ基板２の全体に形成する。
【００４４】
第１１工程において、第２コンタクトホール２３の位置に対応する第２層間絶縁膜１３Ａにコンタクトホールを開口し、金属部２２の上面を露出させる。この場合に、第２コンタクトホール２３の側面が第２層間絶縁膜１３Ａによって覆われる。
【００４５】
第１２工程において、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料からなる透明電極の画素電極１４を形成する。画素電極１４の厚みは、例えば１０〜３０ｎｍ（０．０１〜０．０３μｍ）である。このときに画素電極１４と金属部２２の上面とを、第２コンタクトホール２３を介して電気的に接続する。
【００４６】
第１３工程において、樹脂よりなる配向膜１８をアレイ基板２の全体に形成し、最後に紫外線照射による光配向処理を行う。
【００４７】
（６）対向基板３の製造工程
対向基板３の製造工程の概略について説明する。
【００４８】
第１工程において、図４に示すように、対向基板３のガラス基板１００上に、黒色顔料を分散させた樹脂層、又は、金属層からなるブラックマトリクス１０２を形成する。
【００４９】
第２工程において、赤色、青色及び緑色の顔料をそれぞれ分散させた樹脂層からなる３種のカラーフィルタ層１０４Ｒ，１０４Ｂ，１０４Ｇを、順に形成する。
【００５０】
第３工程において、図９に示すように、カラーフィルタ層１０４Ｒ，１０４Ｂ，１０４Ｇの間の厚みの不均一や凹凸を均等にするオーバーコート層１０６を形成する。オーバーコート層１０６の厚みは、例えば、０．５〜２μｍ、特には、０．８〜１．２μｍである。
【００５１】
第４工程において、オーバーコート層１０６上に樹脂よりなる配向膜１１０を形成し、次に、紫外線照射による光配向処理を行う。
【００５２】
（７）効果
本実施形態において、第２コンタクトホール２３の下面は、台座部２１により底上げされ浅くなっているため、第２コンタクトホール２３のテーパ領域が縮小し、画素開口率が向上し、ＩＴＯなどの画素電極１４の加工マージンも拡大する。これにより歩留まりが向上する。
【００５３】
また、第２コンタクトホール２３の深さが浅くなるため、洗浄が容易になって、シミ、ムラなどが減少し、表示パネル１の表示品位が向上する。
【００５４】
また、台座部２１が、有機絶縁膜の高さｈ２の１／２〜２／３程度であるため、台座部２１を形成する時間が短くでき、また、台座部２１を覆っている金属部２２が切れたりすることがない。そのため、金属部２２のエッチングの難易度が上がらず、ムラなどが減少し、表示パネル１の表示品位が向上する。また、金属で台座部２１を形成した場合には、金属部２２の段切れがあっても、半導体層１７と画素電極１４との電気的接続を確保できる。
【００５５】
また、第２コンタクトホール２３の径が小さくなるので、スペーサを形成するための平坦部領域が大きくなり、そのスペーサを形成する領域が充分確保され、液晶層４のばらつきをより低減できる。
【００５６】
また、第２コンタクトホール２３の領域の金属部２２は、他の領域より突出した構造となっているが、有機絶縁膜１２は平坦性に優れているため、表面がなだらかになり、画素電極１４との接続を良好とさせる。
【実施形態２】
【００５７】
次に、実施形態２の液晶表示装置の表示パネル１について図１０に基づいて説明する。本実施形態は、実施形態１のように画像表示領域ではなく、その周辺領域の構造である。
【００５８】
図１０に示すように、アレイ基板２の周辺領域のガラス基板１０の上面には、ゲート絶縁膜１６Ｂ、ゲート引き出し線１６Ｃ、第１層間絶縁膜１５Ａが形成されている。そしてこの第１層間絶縁膜１５Ａの上に、台座部２１が形成されている。台座部２１は、平面形状が円形であり、側面形状が円弧型の半球型、台形型、正方形などでもよい。
【００５９】
台座部２１を覆うようにコモン電極１３に電源を供給するためのコモン電源配線５０が形成されている。コモン電源配線５０を覆うように、透明な樹脂よりなる有機絶縁膜１２が形成されている。有機絶縁膜１２における台座部２１と対応する位置に、第３コンタクトホール５１を開口し、その上にコモン電極１３が形成されている。なお、この場合にコモン電源配線５０が、実施形態１の金属部２２に対応する。第３コンタクトホール５１の下面径は、例えば２〜３μｍである。また、台座部２１の上面径は、第３コンタクトホール５１の下面径と実質的に同じである。さらに、有機絶縁膜１２には、実施形態１と同様に第３コンタクトホール５１の縁部に突部を有する。
【００６０】
本実施形態であっても、第３コンタクトホール５１の下面を底上げされ、第３コンタクトホール５１の深さが浅くなる。
【００６１】
なお、上記実施形態２では、コモン電源配線５０とコモン電極１３を接続する構成で示したが、これに代えてセンサ配線と、有機絶縁膜１２上に形成されるセンサ配線とを接続する構造であってもよい。また、センサ配線として第３金属線であるコモン配線２０を利用することも可能である。このときのコモン配線２０、又は、センサ配線の材料としては、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造である。
【実施形態３】
【００６２】
次に、実施形態３の液晶表示装置の表示パネル１について図１１に基づいて説明する。
【００６３】
実施形態１では、コモン電極１３の上に画素電極１４を形成したが、ガラス基板１０、半導体層１７、ゲート絶縁膜１６Ｂ、第１層間絶縁膜１５Ａ、台座部２１が形成されている。半導体層１７の端部には、第１コンタクトホール１９が形成されている。台座部２１は、金属部２２に覆われ、この金属部２２は、第１コンタクトホール１９を介して半導体層１７と電気的に接続されている。第１層間絶縁膜１５Ａ、金属部２２の上には有機絶縁膜１２が形成されている。台座部２１に対応した有機絶縁膜１２には、第２コンタクトホール２３が形成されている。有機絶縁膜１２上には、透明電極である画素電極が形成されている。なお、台座部２１の高さｈ１は、有機絶縁膜の高さｈ２の１／２〜２／３程度である。そして、第２コンタクトホール２３、金属部２２を介して、半導体層１７と画素電極１４が電気的に接続されている。画素電極１４の上に第２層間絶縁膜１３Ａが形成され、その上にコモン電極１３を形成されている。次に、コモン電極１３における信号線１５に対応する位置にコモン線２０を形成し、コモン電極１３、コモン線２０の上に配向膜１８が形成されている。
【００６４】
本実施形態においても、第２コンタクトホール２３の下面は、台座部２１により底上げされ浅くなっている。
【実施形態４】
【００６５】
次に、実施形態４の液晶表示装置の表示パネル１について図１２と図１３に基づいて説明する。
【００６６】
本実施形態は、実施形態１における構造において、台座部２１自体が、ゲート線１６から延びたゲート枝線１６Ｄで底上げされている点にある。すなわち、ゲート線１６を形成するときに、ＴＦＴ７の台座部２１に対応する位置にゲート枝線１６Ｄを形成し、その上に第１層間絶縁膜１５Ａ、台座部２１を形成する。これにより、ゲート枝線１６Ｄの厚みｈ３がよって台座部２１がより底上げされる。この場合に、台座部２１の高さｈ１は、実施形態１と同様の高さであるため生産性が落ちない。
【実施形態５】
【００６７】
次に、実施形態４の液晶表示装置の表示パネル１について図１４〜図１８に基づいて説明する。
【００６８】
図１４に示すように、表示パネル１の周辺領域においては、対向基板３側にスペーサ６０，６１，６２が形成され、アレイ基板３とのギャップを維持し、その部分にシール部材５が設けられている。このとき、シール部材５の接着面積を大きくするために、図15に示すようにアレイ基板２の有機絶縁膜１２には、４辺に溝６３が形成されている。本実施形態では、図１５，１６に示すようにシール部材５の接着面積をさらに大きくするために溝６３に線状の突起、すなわち突条部６４を形成する。この突条部６４を、画像表示領域における台座部２１と同じ工程で製造する。また、この突条部６４の材料は、台座部２１と同じ材料を使用する。
【００６９】
これにより突条部６４の表面積の分だけ接着面積が増えて、より確実にシール部材５の接着力が向上する。
【００７０】
本実施形態では、突条部６４を形成したが、これに代えて、変更例１としては、図１７に示すように一直線上に半球状の突起６５を突出させてもよい。
【００７１】
また、変更例２としては、図１８に示すように半球状の突起６６を千鳥状に溝６３に配置しても良い。
【００７２】
また、変更例３としては、有機絶縁膜１２上の溝６３に突条部６４を設けるのではなく、突条部６４の上に有機絶縁膜１２を被膜し、突条部６４の分だけ有機絶縁膜の高さｈ２を高くしてもよい。
【変更例】
【００７３】
上記の実施形態においては、液晶表示装置がＩＰＳ方式等のものであるとして説明したが、他の横電界方式のものであっても、混色防止の効果を得ることができる。また、対向基板にコモン電極（対向電極）が設けられる液晶表示装置にあっても、混色限界角を大きくすると共に、信号線近傍での液晶層の厚みを小さくすることにより、混色防止の効果を得ることができる。
【００７４】
また、本発明の実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての実施形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００７５】
また、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、上記実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００７６】
また、本実施形態において述べた対応によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は、当業者において時に想到し得るものについては、当然に発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００７７】
１・・・表示パネル、２・・・アレイ基板、３・・・対向基板、４・・・液晶層、６・・・画素、７・・・ＴＦＴ、１０・・・ガラス基板、１２・・・有機絶縁膜、１３・・・コモン電極、１３Ａ・・第２層間絶縁膜、１４・・・画素電極、１５・・・信号線、１５Ａ・・第１層間絶縁膜、１５Ｂ・・コンタクトホール、１６・・・ゲート線、１６Ｂ・・ゲート絶縁膜、１７・・・半導体層、１８・・・配向膜、１９・・・第１コンタクトホール、２０・・・コモン配線、２１・・・台座部、２２・・・金属部、２３・・・第２コンタクトホール、２４・・・突部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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