(57)【要約】【課題】透過率の異なる領域が並ぶことによる模様の発生を抑制する入力検出装置及びタッチ検出機能付き表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】入力検出装置は、基板と、基板と平行な面上に配置される複数の検出電極と、を備える。検出電極は、第１方向に沿う複数の第１導電性配線と、複数の第１導電性配線間に配置される複数の開口部と、を有する。第１導電性配線は、第１ワイド部と、第１ワイド部の幅よりも小さい幅を有する第１ナロー部と、を備える。【選択図】図１１
2017220015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板と平行な面上に配置され、第１方向に沿う複数の第１導電性配線と、複数の前記第１導電性配線間に配置される複数の開口部と、を有する複数の検出電極と、
を備え、
前記第１導電性配線は、第１ワイド部と、前記第１ワイド部の幅よりも小さい幅を有する第１ナロー部と、を備える
入力検出装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板と平行な面上に配置され、第１方向に沿う複数の第１導電性配線と、複数の前記第１導電性配線間に配置される複数の開口部と、を有する複数の検出電極と、
を備え、
前記第１導電性配線は、幅が前記第１方向に沿って漸減する第１傾斜部を備える
入力検出装置。
【請求項３】
前記第１方向とは異なる第２方向に沿う複数の第２導電性配線と、前記第１導電性配線と前記第２導電性配線とを繋ぐ連結部と、を備え、
前記第１ナロー部は、前記第１ワイド部より前記連結部側にある
請求項１に記載の入力検出装置。
【請求項４】
前記第２導電性配線は、第２ワイド部と、前記第２ワイド部の幅よりも小さい幅を有する第２ナロー部と、を備え、
前記第２ナロー部は、前記第２ワイド部より前記連結部側にある
請求項３に記載の入力検出装置。
【請求項５】
前記第１導電性配線は、前記第１ワイド部と前記第１ナロー部とを繋ぐ第１傾斜部を備え、
前記第１傾斜部の幅は、前記第１ワイド部から前記第１ナロー部に向かって漸減する
請求項１に記載の入力検出装置。
【請求項６】
前記基板に垂直な方向から見て、前記第１傾斜部の縁は直線状である
請求項５に記載の入力検出装置。
【請求項７】
前記基板に垂直な方向から見て、前記第１傾斜部の縁は曲線状である
請求項５に記載の入力検出装置。
【請求項８】
前記第１ナロー部の幅は、前記連結部に向かって漸減する
請求項３に記載の入力検出装置。
【請求項９】
前記基板と平行な面上に設けられ、前記第１方向に沿う複数の第１ダミー配線を有するダミー電極を備え、
前記第１ダミー配線は、第１ダミーワイド部と、前記第１ダミーワイド部の幅よりも小さい幅を有する第１ダミーナロー部と、を備える
請求項１に記載の入力検出装置。
【請求項１０】
前記第１導電性配線は遮光性の金属配線である
請求項１に記載の入力検出装置。
【請求項１１】
基板と、
前記基板と平行な面上に配置され、第１方向に沿う複数の第１導電性配線と、前記第１方向とは異なる第２方向に沿う複数の第２導電性配線と、前記第１導電性配線と前記第２導電性配線とを繋ぐ連結部と、前記第１導電性配線と前記第２導電性配線との間に配置される複数の開口部と、を有する複数の検出電極と、
前記検出電極に重なる表示領域と、
を備え、
前記表示領域は、マトリクス状に配置された複数の画素を含み、
前記画素は、互いに異なる色の色領域に対応する複数の副画素を含み、
互いに異なる色の前記副画素は、前記第１方向と角度をなす方向である第１画素方向に並び、
前記第１画素方向に隣接する２つの前記連結部の距離は、前記第１画素方向の前記画素の幅の２倍以上６倍以下であり、
前記第１画素方向に対して直交する第２画素方向に隣接する２つの前記連結部間の距離は、前記第２画素方向の画素の幅の２倍以上６倍以下である
タッチ検出機能付き表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部近接物体を検出可能な入力検出装置及びタッチ検出機能付き表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能な検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化される、タッチ検出機能付き表示装置に用いられている。そして、タッチ検出機能付き表示装置は、表示装置に各種のボタン画像等を表示させることにより、タッチパネルを通常の機械式ボタンの代わりとして情報入力を可能としている。このようなタッチパネルを有する、タッチ検出機能付き表示装置は、キーボードやマウス、キーパッドのような入力装置を必要としないため、コンピュータのほか、携帯電話のような携帯情報端末などでも、使用が拡大する傾向にある。
【０００３】
外部近接物体を検出可能な検出装置では、薄型化、大画面化又は高精細化のため、検出電極の低抵抗化が求められている。検出電極には、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等で形成された透光性電極が用いられている。検出電極を低抵抗にするには、金属材料などの導電性材料を用いることが有効である。遮光性の金属材料が検出電極に用いられると表示領域の透過率が下がるため、金属材料を細線化することで細線間に開口部を設ける必要がある。しかし、複数の細線が狭い間隔で規則的に配置されると画素と細線パターン間にモアレが生じるという問題があった。これに対して、例えば特許文献１には、モアレの発生を抑制する表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１９１６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、このような方法に限らず、モアレの発生をさらに軽減させることが求められていた。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、モアレなどの模様の発生を抑制する入力検出装置及びタッチ検出機能付き表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の入力検出装置は、基板と、前記基板と平行な面上に設けられ、第１方向に沿う複数の第１導電性配線を有する検出電極と、を備え、前記第１導電性配線は、第１ワイド部と、前記第１ワイド部の幅よりも小さい幅を有する第１ナロー部と、を備える。
【０００８】
本発明の一態様の入力検出装置は、基板と、前記基板と平行な面上に設けられ、第１方向に沿う複数の第１導電性配線を有する検出電極と、を備え、前記第１導電性配線は、幅が前記第１方向に沿って漸減する第１傾斜部を備える。
【０００９】
本発明の一態様のタッチ検出機能付き表示装置は、基板と、前記基板と平行な面上に設けられ、第１方向に沿う複数の第１導電性配線と、前記第１方向とは異なる第２方向に沿う複数の第２導電性配線とを有する検出電極と、前記検出電極に重なる表示領域と、を備え、前記表示領域は、マトリクス状に配置された複数の画素を含み、前記画素は、互いに異なる色の色領域に対応する複数の副画素を含み、互いに異なる色の前記副画素は、前記第１方向と角度をなす方向である第１画素方向に並び、前記第１導電性配線と前記第２導電性配線との連結部と、隣接する前記連結部を結ぶ線分の中点との間の前記第１画素方向における距離は、前記第１画素方向における前記画素の幅以上である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】図２は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するための、指が表示装置に接触又は近接していない状態を示す模式図である。
【図３】図３は、図２に示す状態における回路図である。
【図４】図４は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するための、指が表示装置に接触又は近接した状態を示す模式図である。
【図５】図５は、図４に示す状態における回路図である。
【図６】図６は、駆動信号及び検出信号の波形の一例を示す図である。
【図７】図７は、タッチ検出機能付き表示装置が実装されたモジュールの一例を示す図である。
【図８】図８は、タッチ検出機能付き表示装置が実装されたモジュールの一例を示す図である。
【図９】図９は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を示す断面図である。
【図１０】図１０は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の画素配置を示す回路図である。
【図１１】図１１は、実施形態１に係る検出電極を示す平面図である。
【図１２】図１２は、実施形態１に係る検出電極の連結部を拡大した図である。
【図１３】図１３は、実施形態１に係るダミー電極を示す平面図である。
【図１４】図１４は、実施形態１に係るダミー電極の連結部を拡大した図である。
【図１５】図１５は、実施形態２に係る検出電極の連結部を拡大した図である。
【図１６】図１６は、実施形態３に係る検出電極の連結部を拡大した図である。
【図１７】図１７は、実施形態４に係る検出電極の連結部を拡大した図である。
【図１８】図１８は、実施形態５に係る検出電極の連結部を拡大した図である。
【図１９】図１９は、実施形態６に係る検出電極の連結部を拡大した図である。
【図２０】図２０は、実施形態７に係る検出電極の連結部を拡大した図である。
【図２１】図２１は、実施形態８に係る検出電極を示す平面図である。
【図２２】図２２は、実施形態９に係る検出電極を示す平面図である。
【図２３】図２３は、実施形態９に係る検出電極の連結部を拡大した図である。
【図２４】図２４は、実施形態１０に係る検出電極を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１２】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の一構成例を示すブロック図である。タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出部（単に、検出部ともいう）４０とを備えている。タッチ検出機能付き表示部１０は、いわゆるインセル型である。表示パネル２０は、例えば液晶表示装置である。タッチパネル３０は、例えば静電容量型である。
【００１３】
なお、タッチ検出機能付き表示部１０は、オンセル型であってもよい。表示パネル２０は、例えば有機ＥＬ表示装置であってもよい。タッチパネル３０は、例えばフィルム式タッチパネルであってもよい。ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、又は、駆動電極ドライバ１４は、タッチ検出機能付き表示部１０に設けられていてもよい。
【００１４】
表示パネル２０は、後述するように、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う装置である。制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４、及びタッチ検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路（制御装置）である。
【００１５】
ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。
【００１６】
ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される制御信号Ｖｓｉｇに基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、後述する各副画素ＳＰｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。
【００１７】
駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、後述する駆動電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。
【００１８】
タッチ検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチ検出機能付き表示部１０のタッチパネル３０から供給された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、タッチパネル３０に対するタッチ（後述する接触又は近接の状態）の有無を検出し、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標などを求める回路である。タッチ検出部４０は、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備えている。
【００１９】
検出信号増幅部４２は、タッチパネル３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。検出信号増幅部４２は、検出信号Ｖｄｅｔに含まれる高い周波数成分（ノイズ成分）を除去し、タッチ成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過アナログフィルタを備えていてもよい。
【００２０】
（静電容量型近接検出の基本原理）
タッチパネル３０は、静電容量型近接検出の基本原理に基づいて動作し、検出信号Ｖｄｅｔを出力する。図１から図６を参照して、実施形態１のタッチ検出機能付き表示部１０におけるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するための、指が表示装置に接触又は近接していない状態を示す模式図である。図３は、図２に示す状態における回路図である。図４は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するための、指が表示装置に接触又は近接した状態を示す模式図である。図５は、図４に示す状態における回路図である。図６は、駆動信号及び検出信号の波形の一例を示す図である。なお、外部物体とは、静電容量を発生させる物体であればよく、例えば指又はスタイラスが挙げられる。実施形態１では、外部物体として、指を例にして説明する。
【００２１】
例えば、図３及び図５に示すように、容量素子Ｃ１及び容量素子Ｃ１’は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極として駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。図３に示すように、容量素子Ｃ１の一端が交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、容量素子Ｃ１の他端が電圧検出器（タッチ検出部）ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示す検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。
【００２２】
交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚから数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加されると、検出電極Ｅ２（容量素子Ｃ１の他端）側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、出力波形（検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。なお、この交流矩形波Ｓｇは、後述するタッチ駆動信号Ｖｃｏｍｔに相当する。
【００２３】
指が接触（又は近接）していない状態（非接触状態）では、図２及び図３に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ０が流れる。図６に示すように電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ０の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ０）に変換する。
【００２４】
一方、指が接触（又は近接）した状態（接触状態）では、図４に示すように、指によって形成される静電容量Ｃ２が検出電極Ｅ２と接している又は近傍にあることにより、駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２の間にあるフリンジ分の静電容量が遮られる。このため、容量素子Ｃ１’の容量値は、容量素子Ｃ１の容量値よりも小さくなる。そして、図５に示すように、容量素子Ｃ１’に電流Ｉ１が流れる。図６に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ１）に変換する。この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から近接する物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出することが好ましい。このために、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせてコンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔが設けられることがより好ましい。
【００２５】
図１に示すタッチパネル３０は、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｃｏｍに従って、１検出ブロックずつ順次走査してタッチ検出を行う。
【００２６】
タッチパネル３０は、後述する複数の検出電極ＴＤＬを備える。タッチパネル３０は、検出電極ＴＤＬから、図３又は図５に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出ブロック毎に検出信号Ｖｄｅｔ１を出力し、タッチ検出部４０のＡ／Ｄ変換部４３に供給する。
【００２７】
Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。
【００２８】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、駆動信号Ｖｃｏｍをサンプリングした周波数以外の周波数成分（ノイズ成分）を低減するデジタルフィルタを備えている。信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、タッチパネル３０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による差分の電圧のみ取り出す処理を行う。この指による差分の電圧は、上述した波形Ｖ０と波形Ｖ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。信号処理部４４は、１検出ブロック当たりの絶対値｜ΔＶ｜を平均化する演算を行い、絶対値｜ΔＶ｜の平均値を求めてもよい。これにより、信号処理部４４は、ノイズによる影響を低減できる。信号処理部４４は、検出した指による差分の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧以上であれば、外部から近接する指の接触状態と判断し、しきい値電圧未満であれば、指の非接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出部４０はタッチ検出が可能となる。
【００２９】
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。検出タイミング制御部４６は、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を信号出力Ｖｏｕｔとして出力する。
【００３０】
図７及び図８は、タッチ検出機能付き表示装置が実装されたモジュールの一例を示す図である。図７は、駆動電極の一例を示す平面図であり、図８は、検出電極の一例を示す平面図である。図９は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を示す断面図である。
【００３１】
図９に示すように、タッチ検出機能付き表示部１０は、表示パネル２０と、表示パネル２０の表面に垂直な方向に対向するタッチパネル３０と、表示パネル２０及びタッチパネル３０の間に配置された液晶層６とを備えている。
【００３２】
表示パネル２０は、回路基板としてのＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）基板２１と、ＴＦＴ基板２１と平行な平面上でマトリクス状に配列された複数の画素電極２２と、ＴＦＴ基板２１と画素電極２２との間に配置された複数の駆動電極ＣＯＭＬと、画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層２４と、を含む。ＴＦＴ基板２１の駆動電極ＣＯＭＬとは反対側には、接着層６６を介して偏光板６８が設けられる。以下の説明において、ＴＦＴ基板２１から見て偏光板６８がある方向を下側とし、ＴＦＴ基板２１から見て駆動電極ＣＯＭＬがある方向を上側とする。
【００３３】
図７に示すように、ＴＦＴ基板２１は、表示領域１０ａと、表示領域１０ａを囲む額縁領域１０ｂと、を備える。ＴＦＴ基板２１は、ＣＯＧ（Chip  On  Glass）１９を搭載し、且つフレキシブルプリント基板７２に接続されている。ＣＯＧ１９は、ＴＦＴ基板２１に実装されたＩＣドライバのチップであり、表示動作に必要な各回路（図１に示す制御部１１、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３など）を内蔵する。ＣＯＧ１９及び駆動電極ドライバ１４は、額縁領域１０ｂに設けられる。フレキシブルプリント基板７２を介して、外部から映像信号Ｖｄｉｓｐ及び電源電圧がＣＯＧ１９に供給される。なお、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、又は駆動電極ドライバ１４は、ＴＦＴ基板２１に形成されてもよい。なお、ＣＯＧ１９は、駆動電極ドライバ１４を内蔵していてもよい。この場合、額縁領域１０ｂを狭くすることが可能となる。
【００３４】
タッチパネル３０は、基板３１と、基板３１の一方の面に配置されたカラーフィルタ３２と、基板３１の他方の面に配置された検出電極ＴＤＬと、保護層３８と、フレキシブルプリント基板７１とを含む。図９に示すように、基板３１の下方にカラーフィルタ３２が設けられ、基板３１の上方に検出電極ＴＤＬが設けられている。保護層３８は、検出電極ＴＤＬを保護するために、検出電極ＴＤＬの上に設けられた層である。保護層３８には、アクリル系樹脂等の透光性樹脂が用いられる。保護層３８の上に、接着層３９を介して偏光板３５が設けられている。フレキシブルプリント基板７１には、タッチ検出部４０（図１参照）が搭載されている。なお、タッチ検出部４０は、フレキシブルプリント基板７１に搭載されてなくてもよく、フレキシブルプリント基板７１に接続された別基板に搭載されていてもよい。
【００３５】
基板３１は、例えば、透光性を有するガラス基板であり、図７に示すＴＦＴ基板２１の表面の垂直方向においてＴＦＴ基板２１と対向する。図８に示すように、表示領域１０ａと重なる領域に複数の検出電極ＴＤＬが配置されている。図８に示すように、隣り合う検出電極ＴＤＬの間には隙間ＳＰがある。
【００３６】
図８に示すように、検出電極ＴＤＬは、複数の第１導電性配線５１及び複数の第２導電性配線５２を備える。第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２は、表示領域１０ａの一辺と平行な方向に対して互いに逆方向に傾斜している。表示領域１０ａの両端に配置された第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２は、額縁領域１０ｂに配置された接続配線３４ａ及び接続配線３４ｂに接続されている。これにより、複数の第１導電性配線５１及び複数の第２導電性配線５２は、互いに電気的に接続され、１つの検出電極ＴＤＬとして機能する。接続配線３４ａには配線３７が接続されている。配線３７によって検出電極ＴＤＬ及びフレキシブルプリント基板７１が接続される。なお、検出電極ＴＤＬの一部は表示領域１０ａ外（額縁領域１０ｂ）に配置されても良い。また、接続配線３４ａ及び接続配線３４ｂも額縁領域１０ｂになくてもよく、表示領域１０ａ内に配置されてもよい。また、接続配線３４ａ及び接続配線３４ｂは、配線３７によりタッチ検出部４０と接続されてもよい。すなわち、接続配線３４ａ及び接続配線３４ｂは、検出電極ＴＤＬとタッチ検出部４０とを接続するための配線であってもよい。
【００３７】
ＴＦＴ基板２１及び基板３１は、スペーサ６９により所定の間隔を空けて配置される。ＴＦＴ基板２１、基板３１、及びスペーサ６９によって囲まれた空間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調する。例えば、タッチ検出機能付き表示装置１は、ＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式の表示装置である。なお、図９に示す液晶層６と表示パネル２０との間、及び液晶層６とタッチパネル３０との間には、それぞれ配向膜が配置されてもよい。
【００３８】
タッチ検出機能付き表示装置１は、表示動作の際に、１水平ラインずつ順次走査を行う。一方、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出動作の際に、駆動電極ドライバ１４から駆動電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍを順次印加することにより、１検出ラインずつ順次走査を行う。
【００３９】
図７に示すように、表示領域１０ａに重なる領域に複数の駆動電極ＣＯＭＬが設けられている。駆動電極ＣＯＭＬには、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、複数の駆動電極ブロックに分割されている。駆動電極ブロックは、表示領域１０ａの一辺に沿った方向に沿い、且つ表示領域１０ａの他辺に沿った方向において間隔を設けて配列されている。駆動電極ＣＯＭＬは駆動電極ドライバ１４にそれぞれ接続されている。駆動電極ＣＯＭＬは、ストライプ状に複数に分割されなくてもよい。例えば、駆動電極ＣＯＭＬは、櫛歯形状であってもよい。駆動電極ＣＯＭＬを分割するスリットの形状は直線であっても、曲線であってもよい。
【００４０】
検出電極ＴＤＬは、駆動電極ブロックの長手方向と交差する方向に沿う。複数の検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬの長手方向において間隔を設けて配列されている。検出電極ＴＤＬは、タッチ検出部４０の検出信号増幅部４２の入力にそれぞれ接続される（図１参照）。検出電極ＴＤＬは、ＴＦＴ基板２１（図９参照）の表面に対する垂直な方向において、駆動電極ＣＯＭＬと対向している。つまり、複数の駆動電極ＣＯＭＬ及び複数の検出電極ＴＤＬは、立体交差するように配置されている。駆動電極ＣＯＭＬ及び検出電極ＴＤＬが重なる部分で静電容量が形成される。駆動電極ＣＯＭＬは、表示パネル２０の複数の画素電極２２に共通の電位を与える共通電極として機能するとともに、タッチパネル３０の相互静電容量方式によるタッチ検出を行う際の駆動電極としても機能する。
【００４１】
相互静電容量方式のタッチ検出動作を行う際、１つの駆動電極ブロックが順次選択される。そして、検出電極ＴＤＬから検出信号Ｖｄｅｔ１が出力されることにより、１検出ブロックのタッチ検出が行われる。つまり、駆動電極ブロックは、上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応するものである。タッチパネル３０は上述した基本原理に従ってタッチ入力を検出する。互いに立体交差した検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬは、マトリクス状の静電容量式タッチセンサを構成している。よって、タッチパネル３０のタッチ検出面全体に亘って走査することにより、外部からの導体の接触または近接が生じた位置の検出が可能となっている。
【００４２】
タッチ検出機能付き表示装置１の動作方法の一例として、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出動作（検出期間）と表示動作（表示動作期間）とを時分割に行う。タッチ検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよい。
【００４３】
なお、実施形態１において、駆動電極ＣＯＭＬは表示パネル２０の共通電極を兼用するので、表示動作期間においては、駆動電極ドライバ１４を介して選択される駆動電極ＣＯＭＬに、制御部１１が表示用の共通電極電位である駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。
【００４４】
検出期間に駆動電極ＣＯＭＬを用いず、検出電極ＴＤＬのみで検出動作を行う場合、例えば、後述する自己静電容量方式のタッチ検出原理に基づいてタッチ検出を行う場合、駆動電極ドライバ１４は、検出電極ＴＤＬにタッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給してもよい。
【００４５】
図１０は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の画素配置を示す回路図である。図９に示すＴＦＴ基板２１には、図１０に示す各副画素ＳＰｉｘの薄膜トランジスタ素子（以下、ＴＦＴ素子）Ｔｒ、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給する画素信号線ＳＧＬ、及び各ＴＦＴ素子Ｔｒを駆動する走査信号線ＧＣＬ等の配線が配置されている。画素信号線ＳＧＬ及び走査信号線ＧＣＬは、ＴＦＴ基板２１の表面と平行な平面に沿う。
【００４６】
図１０に示す表示パネル２０は、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれＴＦＴ素子Ｔｒ及び液晶素子ＬＣを備えている。ＴＦＴ素子Ｔｒは、例えば、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal  Oxide  Semiconductor）型のＴＦＴである。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース及びドレインの一方は画素信号線ＳＧＬに接続され、ソース及びドレインの他方は液晶素子ＬＣの一端に接続され、ゲートは走査信号線ＧＣＬに接続されている。液晶素子ＬＣの他端は駆動電極ＣＯＭＬに接続されている。
【００４７】
副画素ＳＰｉｘは、走査信号線ＧＣＬにより、同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。走査信号線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２（図１参照）と接続されている。走査信号線ＧＣＬにはゲートドライバ１２から走査信号Ｖｓｃａｎが供給される。また、副画素ＳＰｉｘは、画素信号線ＳＧＬにより、同じ列に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。画素信号線ＳＧＬは、ソースドライバ１３（図１参照）と接続されている。画素信号線ＳＧＬにはソースドライバ１３から画素信号Ｖｐｉｘが供給される。さらに、副画素ＳＰｉｘは、駆動電極ＣＯＭＬにより、同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。駆動電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４（図１参照）と接続されている。駆動電極ＣＯＭＬには駆動電極ドライバ１４から駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。つまり、同じ一行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが１本の駆動電極ＣＯＭＬを共有する。駆動電極ＣＯＭＬの長手方向は、走査信号線ＧＣＬの長手方向と平行である。なお、駆動電極ＣＯＭＬの長手方向は走査信号線ＧＣＬの長手方向と平行でなくてもよい。例えば、駆動電極ＣＯＭＬの長手方向は、画素信号線ＳＧＬの長手方向と平行な方向であってもよい。
【００４８】
図１に示すゲートドライバ１２は、複数の走査信号線ＧＣＬに走査信号Ｖｓｃａｎを順次供給する。走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）が、走査信号線ＧＣＬを介して、副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加される。同じ行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが表示駆動の対象として順次選択される。また、タッチ検出機能付き表示装置１は、同じ行に属する複数の副画素ＳＰｉｘに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖｐｉｘを供給することにより、１行ずつ表示が行われる。この表示動作が行われる際、駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍを印加する。
【００４９】
図９に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）に着色された色領域３２Ｒ、緑（Ｇ）に着色された色領域３２Ｇ、及び青（Ｂ）に着色された色領域３２Ｂを備える。色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂは、それぞれ一列に並べられている。色領域３２Ｒの列、色領域３２Ｇの列及び色領域３２Ｂの列が、列に対する直交方向に並べられている。１つの色領域３２Ｒ、１つの色領域３２Ｇ及び１つの色領域３２Ｂは、それぞれ上述した図１０に示す１つの副画素ＳＰｉｘに対応している。色領域３２Ｒに対応する副画素ＳＰｉｘ、色領域３２Ｇに対応する副画素ＳＰｉｘ、及び色領域３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘにより画素Ｐｉｘが構成される。表示領域１０ａは、マトリクス状に配列された複数の画素を含む。図９に示すように、カラーフィルタ３２は、ＴＦＴ基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ３２は、３色の組み合わせに限定されず、４色以上の組み合わせであってもよい。
【００５０】
図１０に示すように、異なる色の副画素ＳＰｉｘが並ぶ方向（走査信号線ＧＣＬの長手方向）を第１画素方向Ｄｘとし、同じ色の副画素ＳＰｉｘが並ぶ方向（画素信号線ＳＧＬの長手方向）を第２画素方向Ｄｙとする。第２画素方向Ｄｙは、タッチパネル３０と平行な平面上において第１画素方向Ｄｘに対して直交する方向である。
【００５１】
図１１は、実施形態１に係る検出電極を示す平面図である。図１２は、実施形態１に係る検出電極の連結部を拡大した図である。図１３は、実施形態１に係るダミー電極を示す平面図である。図１４は、実施形態１に係るダミー電極の連結部を拡大した図である。図１１に示す検出電極ＴＤＬは、図８に示す検出電極ＴＤＬの部分拡大図である。
【００５２】
第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属で形成される。または、第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上を含む金属材料の合金で形成される。すなわち、第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２は、遮光性の金属配線である。なお、第１導電性配線５１、第２導電性配線５２は、上述した金属材料又は金属材料の合金に加えて、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物の導電層、又は導電性カーボン若しくは高分子等の有機導電物質の導電層が積層されていてもよい。
【００５３】
上述した金属材料は、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物よりも低抵抗である。上述した金属材料は、透光性導電酸化物と比較して遮光性があるため、透過率が低下する可能性又は検出電極ＴＤＬが視認されてしまう可能性がある。実施形態１において、１つの検出電極ＴＤＬが複数の第１導電性配線５１及び複数の第２導電性配線５２を有しており、且つ複数の第１導電性配線５１及び複数の第２導電性配線５２が、自身の線幅よりも大きい間隔を空けて配置されることで、低抵抗化及び不可視化が実現される。第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２が配置されない場所は開口部５９、すなわち検出電極ＴＤＬの透過領域となる。開口部５９は、第１導電性配線５１同士の間、第２導電性配線５２同士の間、又は第１導電性配線５１と第２導電性配線５２との間に配置される。図１１に示すように、２本の第１導電性配線５１と２本の第２導電性配線５２とで囲まれた領域に開口部５９が配置される。
【００５４】
第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２は、互いに角度をなす。第１導電性配線５１は、第２画素方向Ｄｙと角度θｕをなす第１方向Ｄｕに沿う。第２導電性配線５２は、第２画素方向Ｄｙと角度θｖをなす第２方向Ｄｖに沿う。第２方向Ｄｖは、第１方向Ｄｕとは異なる方向である。例えば、角度θｖの大きさは角度θｕの大きさと同じである。複数の第１導電性配線５１は、第１方向Ｄｕに沿って連なり、列を形成している。第１導電性配線５１の列は、第２方向Ｄｖにおいて所定間隔を空けて並べられている。複数の第２導電性配線５２は、第２方向Ｄｖに沿って連なり、列を形成している。第２導電性配線５２の列は、第１方向Ｄｕにおいて所定間隔を空けて並べられている。第１導電性配線５１は、第２導電性配線５２と交差する。このため、検出電極ＴＤＬは網目状の模様を描く。すなわち、検出電極ＴＤＬは、第１導電性配線５１と第２導電性配線５２との交差点である連結部５５を含む。連結部５５は、第１導電性配線５１と第２導電性配線５２とを繋いでいる。連結部５５には、２つの第１導電性配線５１と２つの第２導電性配線５２とが接している。
【００５５】
第１導電性配線５１が第２画素方向Ｄｙとは異なる第１方向Ｄｕに沿い且つ第２導電性配線５２が第２画素方向Ｄｙとは異なる第２方向Ｄｖに沿うので、第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２がカラーフィルタ３２の特定の色領域とだけ重なることが防がれる。これにより、画素Ｐｉｘと検出電極ＴＤＬとの干渉が起こりにくくなる。また、検出電極ＴＤＬが網目状であることで、検出電極ＴＤＬが視認されにくくなる。
【００５６】
しかし、網目状の検出電極ＴＤＬは、第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２と、連結部５５と、第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２のない開口部５９とを含むため、配線密度差が発生する。配線密度とは、表示領域１０ａに対する垂直方向から見た時の微小な単位領域のうち検出電極ＴＤＬ（第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２）が占める割合を意味する。例えば、表示領域１０aに対する垂直方向から見た時、連結部５５の周辺領域においては、連結部５５を含む単位領域の配線密度は連結部５５を含まない単位領域の配線密度よりも高くなる。これにより、検出電極ＴＤＬの配線密度が高い所と低い所との間で透過率の差が生じる。透過率の低い部分と高い部分との規則的な配列と画素配列との間の干渉によるモアレなど、視認性に関わる模様が生じる可能性があった。本実施形態は、第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２の幅を調整することで、配線密度差を低減することができる。以下にその詳細を述べる。
【００５７】
図１２に示すように、第１導電性配線５１は、第１ワイド部５１ａと、２つの第１ナロー部５１ｂと、第１傾斜部５１ｃと、を備える。第１ワイド部５１ａは、例えば隣接する２つの連結部５５の中間に配置されている。第１ワイド部５１ａの幅は、連結部５５に近付くにつれて漸減する。第１ワイド部５１ａの縁は直線状である。第１ワイド部５１ａの最大幅である幅Ｗ１は、例えば４μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂは、第１ワイド部５１ａより連結部５５側に配置されている。具体的には、第１ナロー部５１ｂは連結部５５の近傍に配置されている。第１ナロー部５１ｂの幅は、連結部５５に近付くにつれて漸減する。第１ナロー部５１ｂの縁は直線状である。第１ナロー部５１ｂの最小幅である幅Ｗ２は、例えば２μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂの幅は、第１ワイド部５１ａの幅より小さい。第１傾斜部５１ｃは、第１ワイド部５１ａと第１ナロー部５１ｂとの間に配置されている。第１傾斜部５１ｃは、第１ワイド部５１ａと第１ナロー部５１ｂとを繋いでいる。第１傾斜部５１ｃの幅は、第１方向Ｄｕに沿って漸減する。具体的には、第１傾斜部５１ｃの幅は、第１ワイド部５１ａから第１ナロー部５１ｂに向かって漸減する。第１傾斜部５１ｃの縁は直線状である。言い換えると、第１導電性配線５１の幅は、隣接する２つの連結部５５を結ぶ線分の中点から連結部５５に向かって漸減している。第１導電性配線５１の縁は直線状である。すなわち、第１導電性配線５１は、第１ワイド部５１ａ及び第１ナロー部５１ｂを備えず、第１傾斜部５１ｃのみを備えるとも言える。なお、幅Ｗ１及び幅Ｗ２は、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ１が幅Ｗ２より大きければよい。
【００５８】
図１２に示すように、第２導電性配線５２は、第２ワイド部５２ａと、２つの第２ナロー部５２ｂと、第２傾斜部５２ｃと、を備える。第２ワイド部５２ａは、例えば隣接する２つの連結部５５の中間に配置されている。第２ワイド部５２ａの幅は、連結部５５に近付くにつれて漸減する。第２ワイド部５２ａの縁は直線状である。第２ワイド部５２ａの最大幅である幅Ｗ３は、例えば４μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂは、第２ワイド部５２ａより連結部５５側に配置されている。具体的には、第２ナロー部５２ｂは連結部５５の近傍に配置されている。第２ナロー部５２ｂの幅は、連結部５５に近付くにつれて漸減する。第２ナロー部５２ｂの縁は直線状である。第２ナロー部５２ｂの最小幅である幅Ｗ４は、例えば２μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂの幅は、第２ワイド部５２ａの幅より小さい。第２傾斜部５２ｃは、第２ワイド部５２ａと第２ナロー部５２ｂとの間に配置されている。第２傾斜部５２ｃは、第２ワイド部５２ａと第２ナロー部５２ｂとを繋いでいる。第２傾斜部５２ｃの幅は、第２方向Ｄｖに沿って漸減する。具体的には、第２傾斜部５２ｃの幅は、第２ワイド部５２ａから第２ナロー部５２ｂに向かって漸減する。第２傾斜部５２ｃの縁は直線状である。言い換えると、第２導電性配線５２の幅は、隣接する２つの連結部５５を結ぶ線分の中点から連結部５５に向かって漸減している。第２導電性配線５２の縁は直線状である。すなわち、第２導電性配線５２は、第２ワイド部５２ａ及び第２ナロー部５２ｂを備えず、第２傾斜部５２ｃのみを備えるとも言える。なお、幅Ｗ３及び幅Ｗ４は、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ３が幅Ｗ４より大きければよい。
【００５９】
このように、入力検出装置であるタッチパネル３０は、基板３１と、基板３１と平行な面上に設けられる検出電極ＴＤＬとを備える。検出電極ＴＤＬは、第１方向Ｄｕに沿う複数の第１導電性配線５１と、第１方向Ｄｕとは異なる第２方向Ｄｖに沿う複数の第２導電性配線５２とを備える。第１導電性配線５１は、第１ワイド部５１ａと、第１ワイド部５１ａの幅よりも小さい幅を有する第１ナロー部５１ｂと、を備える。
【００６０】
第１導電性配線５１が第１ナロー部５１ｂを備え且つ第２導電性配線５２が第２ナロー部５２ｂを備えるので、連結部５５の周辺領域における配線密度が小さくなりやすい。すなわち、第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２は、連結部５５から遠い場所と連結部５５に近い場所とで異なる配線幅を有する。第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２の連結部５５から遠い場所の配線幅は、連結部５５に近い場所の配線幅より太くなっている。このため、本実施形態は、連結部５５を含む単位領域における検出電極ＴＤＬの配線密度と、連結部５５を含まない単位領域における検出電極ＴＤＬの配線密度との差を低減できる。このため、連結部５５の周辺領域と連結部５５以外の領域との間の透過率の差が小さくなる。このため、透過率の異なる領域が並ぶことによる模様の発生が抑制される。さらに、透過率の異なる領域の規則的な配列と画素配列とが一定間隔を空けて重なる時に生じるモアレ（干渉縞）が抑制される。したがって、表示画像の視認が阻害されにくくなる。
【００６１】
また、図１１に示すように、第１画素方向Ｄｘに隣接する２つの連結部５５間の距離Ｘ１は、第１画素方向Ｄｘの画素Ｐｉｘの幅Ｘ２の２倍以上６倍以下であることが好ましい。第２画素方向Ｄｙに隣接する２つの連結部５５間の距離Ｙ１は、第２画素方向Ｄｙの画素Ｐｉｘの幅Ｙ２の２倍以上６倍以下であることが好ましい。このような場合に透過率の異なる領域が並ぶことによる模様の発生に対する抑制効果は特に有効である。また、距離Ｘ１は、幅Ｘ２の整数倍でないことが好ましい。距離Ｙ１は、幅Ｙ２の整数倍でないことが好ましい。これにより、モアレの発生が抑制される。
【００６２】
なお、第１導電性配線５１が第１ワイド部５１ａ及び第１ナロー部５１ｂを備えていれば、第２導電性配線５２は、必ずしも第２ワイド部５２ａ及び第２ナロー部５２ｂを備えていなくてもよい。反対に、第２導電性配線５２が第２ワイド部５２ａ及び第２ナロー部５２ｂを備えていれば、第１導電性配線５１は、必ずしも第１ワイド部５１ａ及び第１ナロー部５１ｂを備えていなくてもよい。すなわち、第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２の少なくとも一方が、幅広の部材（ワイド部）と、幅広の部材の幅より小さい幅を有する部材（ナロー部）とを備えていればよい。また、第１ナロー部５１ｂ及び第２ナロー部５２ｂのそれぞれの数は、必ずしも２つでなくてもよく、１つであってもよい。すなわち、第１導電性配線５１の一端にのみ第１ナロー部５１ｂが設けられていてもよいし、第２導電性配線５２の一端にのみ第２ナロー部５２ｂが設けられていてもよい。
【００６３】
図８に示すように、隣り合う検出電極ＴＤＬの間には、隙間ＳＰがある。検出電極ＴＤＬが重なる領域における表示画像の見え方と隙間ＳＰにおける表示画像の見え方との差を抑制するため、図１３に示すように、ダミー電極ＴＤＤが配置されている。
【００６４】
図１３に示すように、ダミー電極ＴＤＤは、複数の第１ダミー配線６１と、複数の第２ダミー配線６２とを備える。第１ダミー配線６１及び第２ダミー配線６２は、例えば第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２と同じ材料で形成されている。
【００６５】
第１ダミー配線６１及び第２ダミー配線６２は、互いに角度をなす。第１ダミー配線６１は第１方向Ｄｕに沿う。第２ダミー配線６２は第２方向Ｄｖに沿う。第１ダミー配線６１は、第１導電性配線５１の延長線上に配置されている。第２ダミー配線６２は、第２導電性配線５２の延長線上に配置されている。第１ダミー配線６１は、第２ダミー配線６２と交差する。このため、ダミー電極ＴＤＤは網目状の模様を描く。すなわち、ダミー電極ＴＤＤは連結部６５を含む。
【００６６】
ダミー電極ＴＤＤは、第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２と同じ材料であり、且つ同じ方向に沿う。このため、検出電極ＴＤＬが重なる領域における表示画像の見え方と隙間ＳＰにおける表示画像の見え方との差が抑制される。
【００６７】
第１ダミー配線６１にはスリット６１１が設けられ、第２ダミー配線６２にはスリット６２１が設けられている。スリット６１１及びスリット６２１においては、第１ダミー配線６１及び第２ダミー配線６２を構成する材料が形成されていないか、又はエッチングなどにより除去されている。スリット６１１及びスリット６２１により、ダミー電極ＴＤＤは、検出電極ＴＤＬと絶縁されている。
【００６８】
図１４に示すように、第１ダミー配線６１は、第１ダミーワイド部６１ａと、２つの第１ダミーナロー部６１ｂと、第１ダミー傾斜部６１ｃと、を備える。第１ダミーワイド部６１ａは、例えば隣接する２つの連結部６５の中間に配置されている。第１ダミーワイド部６１ａの幅は、連結部６５に近付くにつれて漸減する。第１ダミーワイド部６１ａの縁は直線状である。第１ダミーワイド部６１ａの最大幅である幅Ｗ５は、例えば４μｍ程度である。第１ダミーナロー部６１ｂは、第１ダミーワイド部６１ａより連結部６５側に配置されている。具体的には、第１ダミーナロー部６１ｂは連結部６５の近傍に配置されている。第１ダミーナロー部６１ｂの幅は、連結部６５に近付くにつれて漸減する。第１ダミーナロー部６１ｂの縁は直線状である。第１ダミーナロー部６１ｂの最小幅である幅Ｗ６は、例えば２μｍ程度である。第１ダミーナロー部６１ｂの幅は、第１ダミーワイド部６１ａの幅より小さい。第１ダミー傾斜部６１ｃは、第１ダミーワイド部６１ａと第１ダミーナロー部６１ｂとの間に配置されている。第１ダミー傾斜部６１ｃは、第１ダミーワイド部６１ａと第１ダミーナロー部６１ｂとを繋いでいる。第１ダミー傾斜部６１ｃの幅は、第１ダミーワイド部６１ａから第１ダミーナロー部６１ｂに向かって漸減する。第１ダミー傾斜部６１ｃの縁は直線状である。言い換えると、第１ダミー配線６１の幅は、隣接する２つの連結部６５を結ぶ線分の中点から連結部６５に向かって漸減している。第１ダミー配線６１の縁は直線状である。なお、幅Ｗ５及び幅Ｗ６は、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ５が幅Ｗ６より大きければよい。
【００６９】
図１４に示すように、第２ダミー配線６２は、第２ダミーワイド部６２ａと、２つの第２ダミーナロー部６２ｂと、第２ダミー傾斜部６２ｃと、を備える。第２ダミーワイド部６２ａは、例えば隣接する２つの連結部６５の中間に配置されている。第２ダミーワイド部６２ａの幅は、連結部６５に近付くにつれて漸減する。第２ダミーワイド部６２ａの縁は直線状である。第２ダミーワイド部６２ａの最大幅である幅Ｗ７は、例えば４μｍ程度である。第２ダミーナロー部６２ｂは、第２ダミーワイド部６２ａより連結部６５側に配置されている。具体的には、第２ダミーナロー部６２ｂは連結部６５の近傍に配置されている。第２ダミーナロー部６２ｂの幅は、連結部６５に近付くにつれて漸減する。第２ダミーナロー部６２ｂの縁は直線状である。第２ダミーナロー部６２ｂの最小幅である幅Ｗ８は、例えば２μｍ程度である。第２ダミーナロー部６２ｂの幅は、第２ダミーワイド部６２ａの幅より小さい。第２ダミー傾斜部６２ｃは、第２ダミーワイド部６２ａと第２ダミーナロー部６２ｂとの間に配置されている。第２ダミー傾斜部６２ｃは、第２ダミーワイド部６２ａと第２ダミーナロー部６２ｂとを繋いでいる。第２ダミー傾斜部６２ｃの幅は、第２ダミーワイド部６２ａから第２ダミーナロー部６２ｂに向かって漸減する。第２ダミー傾斜部６２ｃの縁は直線状である。言い換えると、第２ダミー配線６２の幅は、隣接する２つの連結部６５を結ぶ線分の中点から連結部６５に向かって漸減している。第２ダミー配線６２の縁は直線状である。なお、幅Ｗ７及び幅Ｗ８は、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ７が幅Ｗ８より大きければよい。
【００７０】
第１ダミー配線６１が第１ダミーナロー部６１ｂを備え且つ第２ダミー配線６２が第２ダミーナロー部６２ｂを備えるので、連結部６５の周辺領域における配線密度が小さくなりやすい。このため、連結部６５の周辺領域と連結部６５以外の領域との間の透過率の差が小さくなる。このため、透過率の異なる領域が並ぶことによる模様の発生が抑制される。さらに、透過率の異なる領域の規則的な配列と画素配列とが一定間隔を空けて重なる時に生じるモアレ（干渉縞）が抑制される。したがって、表示画像の視認が阻害されにくくなる。
【００７１】
なお、第１ダミー配線６１が第１ダミーワイド部６１ａ及び第１ダミーナロー部６１ｂを備えていれば、第２ダミー配線６２は、必ずしも第２ダミーワイド部６２ａ及び第２ダミーナロー部６２ｂを備えていなくてもよい。反対に、第２ダミー配線６２が第２ダミーワイド部６２ａ及び第２ダミーナロー部６２ｂを備えていれば、第１ダミー配線６１は、必ずしも第１ダミーワイド部６１ａ及び第１ダミーナロー部６１ｂを備えていなくてもよい。すなわち、第１ダミー配線６１及び第２ダミー配線６２の少なくとも一方が、幅広の部材（ワイド部）と、幅広の部材の幅より小さい幅を有する部材（ナロー部）とを備えていればよい。また、第１ダミーナロー部６１ｂ及び第２ダミーナロー部６２ｂのそれぞれの数は、必ずしも２つでなくてもよく、１つであってもよい。すなわち、第１ダミー配線６１の一端にのみ第１ダミーナロー部６１ｂが設けられていてもよいし、第２ダミー配線６２の一端にのみ第２ダミーナロー部６２ｂが設けられていてもよい。
【００７２】
（実施形態２）
図１５は、実施形態２に係る検出電極の連結部を拡大した図である。図１５に示すように、実施形態２に係る検出電極ＴＤＬＡは、上述した連結部５５とは異なる連結部５５Ａを備える。第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２は、例えばエッチングにより形成される。このため、連結部５５Ａの縁は、丸みを帯びる。このような場合、第１ナロー部５１ｂの最小幅である幅Ｗ２Ａは、連結部５５Ａの縁が描く曲線と第１ナロー部５１ｂの縁が描く直線との境界における幅である。第２ナロー部５２ｂの最小幅である幅Ｗ４Ａは、連結部５５Ａの縁が描く曲線と第２ナロー部５２ｂの縁が描く直線との境界における幅である。
【００７３】
（実施形態３）
図１６は、実施形態３に係る検出電極の連結部を拡大した図である。図１６に示すように、実施形態３に係る検出電極ＴＤＬＢは、上述した第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２と異なる第１導電性配線５１Ｂ及び第２導電性配線５２Ｂを備える。
【００７４】
図１６に示すように、第１導電性配線５１Ｂは、第１ワイド部５１ａＢと、２つの第１ナロー部５１ｂＢと、第１傾斜部５１ｃＢと、を備える。第１ワイド部５１ａＢは、例えば隣接する２つの連結部５５Ｂの中間に配置されている。第１ワイド部５１ａＢの幅は、一定であって、幅Ｗ１Ｂである。幅Ｗ１Ｂは、例えば４μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂＢは、第１ワイド部５１ａＢより連結部５５Ｂ側に配置されている。具体的には、第１ナロー部５１ｂＢは連結部５５Ｂの近傍に配置されている。第１ナロー部５１ｂＢの幅は、連結部５５Ｂに近付くにつれて漸減する。第１ナロー部５１ｂＢの縁は直線状である。第１ナロー部５１ｂＢの最小幅である幅Ｗ２Ｂは、例えば２μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂＢの幅は、第１ワイド部５１ａＢの幅より小さい。第１傾斜部５１ｃＢは、第１ワイド部５１ａＢと第１ナロー部５１ｂＢとの間に配置されている。第１傾斜部５１ｃＢは、第１ワイド部５１ａＢと第１ナロー部５１ｂＢとを繋いでいる。第１傾斜部５１ｃＢの幅は、第１ワイド部５１ａＢから第１ナロー部５１ｂＢに向かって漸減する。第１傾斜部５１ｃＢの縁は直線状である。なお、幅Ｗ１Ｂ及び幅Ｗ２Ｂは、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ１Ｂが幅Ｗ２Ｂより大きければよい。また、第１導電性配線５１Ｂは、第１傾斜部５１ｃＢを備えず、第１ワイド部５１ａＢと、幅が連結部５５Ｂに向かって漸減し且つ第１ワイド部５１ａＢと接続される第１ナロー部５１ｂＢと、を備えるとも言える。又は、第１導電性配線５１Ｂは、第１ナロー部５１ｂＢを備えず、第１ワイド部５１ａＢと、幅が連結部５５Ｂに向かって漸減し且つ第１ワイド部５１ａＢと接続される第１傾斜部５１ｃＢと、を備えるとも言える。
【００７５】
図１６に示すように、第２導電性配線５２Ｂは、第２ワイド部５２ａＢと、２つの第２ナロー部５２ｂＢと、第２傾斜部５２ｃＢと、を備える。第２ワイド部５２ａＢは、例えば隣接する２つの連結部５５Ｂの中間に配置されている。第２ワイド部５２ａＢの幅は、一定であって、幅Ｗ３Ｂである。幅Ｗ３Ｂは、例えば４μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂＢは、第２ワイド部５２ａＢより連結部５５Ｂ側に配置されている。具体的には、第２ナロー部５２ｂＢは連結部５５Ｂの近傍に配置されている。第２ナロー部５２ｂＢの幅は、連結部５５Ｂに近付くにつれて漸減する。第２ナロー部５２ｂＢの縁は直線状である。第２ナロー部５２ｂＢの最小幅である幅Ｗ４Ｂは、例えば２μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂＢの幅は、第２ワイド部５２ａＢの幅より小さい。第２傾斜部５２ｃＢは、第２ワイド部５２ａＢと第２ナロー部５２ｂＢとの間に配置されている。第２傾斜部５２ｃＢは、第２ワイド部５２ａＢと第２ナロー部５２ｂＢとを繋いでいる。第２傾斜部５２ｃＢの幅は、第２ワイド部５２ａＢから第２ナロー部５２ｂＢに向かって漸減する。第２傾斜部５２ｃＢの縁は直線状である。なお、幅Ｗ３Ｂ及び幅Ｗ４Ｂは、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ３Ｂが幅Ｗ４Ｂより大きければよい。また、第２導電性配線５２Ｂは、第２傾斜部５２ｃＢを備えず、第２ワイド部５２ａＢと、幅が連結部５５Ｂに向かって漸減し且つ第２ワイド部５２ａＢと接続される第２ナロー部５２ｂＢと、を備えるとも言える。又は、第２導電性配線５２Ｂは、第２ナロー部５２ｂＢを備えず、第２ワイド部５２ａＢと、幅が連結部５５Ｂに向かって漸減し且つ第２ワイド部５２ａＢと接続される第２傾斜部５２ｃＢと、を備えるとも言える。
【００７６】
（実施形態４）
図１７は、実施形態４に係る検出電極の連結部を拡大した図である。図１７に示すように、実施形態４に係る検出電極ＴＤＬＣは、上述した第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２と異なる第１導電性配線５１Ｃ及び第２導電性配線５２Ｃを備える。
【００７７】
図１７に示すように、第１導電性配線５１Ｃは、第１ワイド部５１ａＣと、２つの第１ナロー部５１ｂＣと、第１傾斜部５１ｃＣと、を備える。第１ワイド部５１ａＣは、例えば隣接する２つの連結部５５Ｃの中間に配置されている。第１ワイド部５１ａＣの幅は、一定であって、幅Ｗ１Ｃである。幅Ｗ１Ｃは、例えば４μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂＣは、第１ワイド部５１ａＣより連結部５５Ｃ側に配置されている。具体的には、第１ナロー部５１ｂＣは連結部５５Ｃの近傍に配置されている。第１ナロー部５１ｂＣの幅は、一定であって、幅Ｗ２Ｃである。幅Ｗ２Ｃは、例えば２μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂＣの幅は、第１ワイド部５１ａＣの幅より小さい。第１傾斜部５１ｃＣは、第１ワイド部５１ａＣと第１ナロー部５１ｂＣとの間に配置されている。第１傾斜部５１ｃＣは、第１ワイド部５１ａＣと第１ナロー部５１ｂＣとを繋いでいる。第１傾斜部５１ｃＣの幅は、第１ワイド部５１ａＣから第１ナロー部５１ｂＣに向かって漸減する。第１傾斜部５１ｃＣの縁は直線状である。なお、幅Ｗ１Ｃ及び幅Ｗ２Ｃは、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ１Ｃが幅Ｗ２Ｃより大きければよい。
【００７８】
図１７に示すように、第２導電性配線５２Ｃは、第２ワイド部５２ａＣと、２つの第２ナロー部５２ｂＣと、第２傾斜部５２ｃＣと、を備える。第２ワイド部５２ａＣは、例えば隣接する２つの連結部５５Ｃの中間に配置されている。第２ワイド部５２ａＣの幅は、一定であって、幅Ｗ３Ｃである。幅Ｗ３Ｃは、例えば４μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂＣは、第２ワイド部５２ａＣより連結部５５Ｃ側に配置されている。具体的には、第２ナロー部５２ｂＣは連結部５５Ｃの近傍に配置されている。第２ナロー部５２ｂＣの幅は、一定であって、幅Ｗ４Ｃである。幅Ｗ４Ｃは、例えば２μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂＣの幅は、第２ワイド部５２ａＣの幅より小さい。第２傾斜部５２ｃＣは、第２ワイド部５２ａＣと第２ナロー部５２ｂＣとの間に配置されている。第２傾斜部５２ｃＣは、第２ワイド部５２ａＣと第２ナロー部５２ｂＣとを繋いでいる。第２傾斜部５２ｃＣの幅は、第２ワイド部５２ａＣから第２ナロー部５２ｂＣに向かって漸減する。第２傾斜部５２ｃＣの縁は直線状である。なお、幅Ｗ３Ｃ及び幅Ｗ４Ｃは、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ３Ｃが幅Ｗ４Ｃより大きければよい。
【００７９】
第１傾斜部５１ｃＣは、一定幅の第１ワイド部５１ａＣと一定幅の第１ナロー部５１ｂＣとを滑らかに繋ぐことができる。また、第２傾斜部５２ｃＣは、一定幅の第２ワイド部５２ａＣと一定幅の第２ナロー部５２ｂＣとを滑らかに繋ぐことができる。
【００８０】
（実施形態５）
図１８は、実施形態５に係る検出電極の連結部を拡大した図である。図１８に示すように、実施形態５に係る検出電極ＴＤＬＤは、上述した第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２と異なる第１導電性配線５１Ｄ及び第２導電性配線５２Ｄを備える。
【００８１】
図１８に示すように、第１導電性配線５１Ｄは、第１ワイド部５１ａＤと、２つの第１ナロー部５１ｂＤと、第１傾斜部５１ｃＤと、を備える。第１ワイド部５１ａＤは、例えば隣接する２つの連結部５５Ｄの中間に配置されている。第１ワイド部５１ａＤの幅は、一定であって、幅Ｗ１Ｄである。幅Ｗ１Ｄは、例えば４μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂＤは、第１ワイド部５１ａＤより連結部５５Ｄ側に配置されている。具体的には、第１ナロー部５１ｂＤは連結部５５Ｄの近傍に配置されている。第１ナロー部５１ｂＤの幅は、一定であって、幅Ｗ２Ｄである。幅Ｗ２Ｄは、例えば２μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂＤの幅は、第１ワイド部５１ａＤの幅より小さい。第１傾斜部５１ｃＤは、第１ワイド部５１ａＤと第１ナロー部５１ｂＤとの間に配置されている。第１傾斜部５１ｃＤは、第１ワイド部５１ａＤと第１ナロー部５１ｂＤとを繋いでいる。第１傾斜部５１ｃＤの幅は、第１ワイド部５１ａＤから第１ナロー部５１ｂＤに向かって漸減する。第１傾斜部５１ｃＤの縁は曲線状である。より具体的には、第１傾斜部５１ｃＤの縁は、第１ワイド部５１ａＤの縁の端部と第１ナロー部５１ｂＤの縁の端部とを通る円弧である。なお、幅Ｗ１Ｄ及び幅Ｗ２Ｄは、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ１Ｄが幅Ｗ２Ｄより大きければよい。
【００８２】
図１８に示すように、第２導電性配線５２Ｄは、第２ワイド部５２ａＤと、２つの第２ナロー部５２ｂＤと、第２傾斜部５２ｃＤと、を備える。第２ワイド部５２ａＤは、例えば隣接する２つの連結部５５Ｄの中間に配置されている。第２ワイド部５２ａＤの幅は、一定であって、幅Ｗ３Ｄである。幅Ｗ３Ｄは、例えば４μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂＤは、第２ワイド部５２ａＤより連結部５５Ｄ側に配置されている。具体的には、第２ナロー部５２ｂＤは連結部５５Ｄの近傍に配置されている。第２ナロー部５２ｂＤの幅は、一定であって、幅Ｗ４Ｄである。幅Ｗ４Ｄは、例えば２μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂＤの幅は、第２ワイド部５２ａＤの幅より小さい。第２傾斜部５２ｃＤは、第２ワイド部５２ａＤと第２ナロー部５２ｂＤとの間に配置されている。第２傾斜部５２ｃＤは、第２ワイド部５２ａＤと第２ナロー部５２ｂＤとを繋いでいる。第２傾斜部５２ｃＤの幅は、第２ワイド部５２ａＤから第２ナロー部５２ｂＤに向かって漸減する。第２傾斜部５２ｃＤの縁は曲線状である。より具体的には、第２傾斜部５２ｃＤの縁は、第２ワイド部５２ａＤの縁の端部と第２ナロー部５２ｂＤの縁の端部とを通る円弧である。なお、幅Ｗ３Ｄ及び幅Ｗ４Ｄは、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ３Ｄが幅Ｗ４Ｄより大きければよい。
【００８３】
第１傾斜部５１ｃＤは、一定幅の第１ワイド部５１ａＤと一定幅の第１ナロー部５１ｂＤとを滑らかに繋ぐことができる。また、第２傾斜部５２ｃＤは、一定幅の第２ワイド部５２ａＤと一定幅の第２ナロー部５２ｂＤとを滑らかに繋ぐことができる。
【００８４】
（実施形態６）
図１９は、実施形態６に係る検出電極の連結部を拡大した図である。図１９に示すように、実施形態６に係る検出電極ＴＤＬＥは、上述した第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２と異なる第１導電性配線５１Ｅ及び第２導電性配線５２Ｅを備える。
【００８５】
図１９に示すように、第１導電性配線５１Ｅは、第１ワイド部５１ａＥと、２つの第１ナロー部５１ｂＥと、を備える。第１ワイド部５１ａＥは、例えば隣接する２つの連結部５５Ｅの中間に配置されている。第１ワイド部５１ａＥの幅は、一定であって、幅Ｗ１Ｅである。幅Ｗ１Ｅは、例えば４μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂＥは、第１ワイド部５１ａＥより連結部５５Ｅ側に配置されている。具体的には、第１ナロー部５１ｂＥは連結部５５Ｅの近傍に配置されている。第１ナロー部５１ｂＥの幅は、一定であって、幅Ｗ２Ｅである。幅Ｗ２Ｅは、例えば２μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂＥの幅は、第１ワイド部５１ａＥの幅より小さい。第１ナロー部５１ｂＥは、第１ワイド部５１ａＥと繋がっている。第１ワイド部５１ａＥと第１ナロー部５１ｂＥとの間には段差が生じている。なお、幅Ｗ１Ｅ及び幅Ｗ２Ｅは、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ１Ｅが幅Ｗ２Ｅより大きければよい。
【００８６】
図１９に示すように、第２導電性配線５２Ｅは、第２ワイド部５２ａＥと、２つの第２ナロー部５２ｂＥと、を備える。第２ワイド部５２ａＥは、例えば隣接する２つの連結部５５Ｅの中間に配置されている。第２ワイド部５２ａＥの幅は、一定であって、幅Ｗ３Ｅである。幅Ｗ３Ｅは、例えば４μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂＥは、第２ワイド部５２ａＥより連結部５５Ｅ側に配置されている。具体的には、第２ナロー部５２ｂＥは連結部５５Ｅの近傍に配置されている。第２ナロー部５２ｂＥの幅は、一定であって、幅Ｗ４Ｅである。幅Ｗ４Ｅは、例えば２μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂＥの幅は、第２ワイド部５２ａＥの幅より小さい。第２ナロー部５２ｂＥは、第２ワイド部５２ａＥと繋がっている。第２ワイド部５２ａＥと第２ナロー部５２ｂＥとの間には段差が生じている。なお、幅Ｗ３Ｅ及び幅Ｗ４Ｅは、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ３Ｅが幅Ｗ４Ｅより大きければよい。
【００８７】
（実施形態７）
図２０は、実施形態７に係る検出電極の連結部を拡大した図である。図２０に示すように、実施形態７に係る検出電極ＴＤＬＦは、互いに異なる方向に沿う複数の導電性配線を備える。すなわち、導電性配線が第２画素方向Ｄｙに対してなす角度が一定ではない（ランダムである）。例えば１つの連結部Ｆにおいては、第１導電性配線５１Ｆと、第２導電性配線５２Ｆと、第３導電性配線５３Ｆと、第４導電性配線５４Ｆとが交差している。第１導電性配線５１Ｆ、第２導電性配線５２Ｆ、第３導電性配線５３Ｆ及び第４導電性配線５４Ｆは、それぞれ第２画素方向Ｄｙに対して異なる角度をなしている。
【００８８】
上述した実施形態１と同様に、第１導電性配線５１Ｆは、第１ワイド部５１ａＦと、２つの第１ナロー部５１ｂＦと、第１傾斜部５１ｃＦとを備える。第２導電性配線５２Ｆは、第２ワイド部５２ａＦと、２つの第２ナロー部５２ｂＦと、第２傾斜部５２ｃＦと、を備える。第３導電性配線５３Ｆは、第３ワイド部５３ａＦと、２つの第３ナロー部５３ｂＦと、第３傾斜部５３ｃＦと、を備える。第４導電性配線５４Ｆは、第４ワイド部５４ａＦと、２つの第４ナロー部５４ｂＦと、第４傾斜部５４ｃＦと、を備える。
【００８９】
（実施形態８）
図２１は、実施形態８に係る検出電極を示す平面図である。図２１に示すように、実施形態８に係る検出電極ＴＤＬＧは、ジグザグ状の模様を描く。すなわち、１つの連結部５５Ｇにおいて、１つの第１導電性配線５１に接する第２導電性配線５２の数は、１つである。
【００９０】
検出電極ＴＤＬＧがジグザグ状あっても、連結部５５Ｇおける透過率は低下しやすい。第１導電性配線５１が第１ナロー部５１ｂを備え且つ第２導電性配線５２が第２ナロー部５２ｂを備えるので、連結部５５Ｇの周辺領域における配線密度が小さくなりやすい。このため、連結部５５Ｇの周辺領域と連結部５５Ｇ以外の領域との間の透過率の差が小さくなる。
【００９１】
なお、連結部５５Ｇの縁は、実施形態２と同様に丸みを帯びていてもよい。また、第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２の形状には、実施形態３から実施形態６に示した形状が適用されてもよい。また、第１導電性配線５１及び第２導電性配線５２が第２画素方向Ｄｙに対してなす角度は、実施形態７で示したように一定でなくてもよい（ランダムであってもよい）。
【００９２】
（実施形態９）
図２２は、実施形態９に係る検出電極を示す平面図である。図２３は、実施形態９に係る検出電極の連結部を拡大した図である。図２２に示すように、実施形態９に係る検出電極ＴＤＬＨは、ハニカム格子状の模様を描く。検出電極ＴＤＬＨは、第１導電性配線５１Ｈと、第２導電性配線５２Ｈと、第３導電性配線５３Ｈとを備える。１つの連結部５５Ｈにおいて、１つの第１導電性配線５１Ｈに接する第２導電性配線５２Ｈの数は１つであり、且つ１つの第１導電性配線５１Ｈに接する第３導電性配線５３Ｈの数は１つである。
【００９３】
第１導電性配線５１Ｈは、第１画素方向Ｄｘと角度θｍをなす第１方向Ｄｍに沿う。第２導電性配線５２Ｈは、第１画素方向Ｄｘと角度θｎをなす第２方向Ｄｎに沿う。第３導電性配線５３Ｈは、第１画素方向Ｄｘに沿う。例えば、角度θｍの大きさは角度θｎの大きさと同じであって、６０°である。すなわち、２つの第１導電性配線５１Ｈ、２つの第２導電性配線５２Ｈ及び２つの第３導電性配線５３Ｈによって正六角形が形成されている。
【００９４】
図２２に示すように、第１導電性配線５１Ｈは、第１ワイド部５１ａＨと、２つの第１ナロー部５１ｂＨと、第１傾斜部５１ｃＨと、を備える。第１ワイド部５１ａＨは、例えば隣接する２つの連結部５５Ｈの中間に配置されている。第１ワイド部５１ａＨの幅は、連結部５５Ｈに近付くにつれて漸減する。第１ワイド部５１ａＨの縁は直線状である。第１ワイド部５１ａＨの最大幅である幅Ｗ１Ｈは、例えば４μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂＨは、第１ワイド部５１ａＨより連結部５５Ｈ側に配置されている。具体的には、第１ナロー部５１ｂＨは連結部５５Ｈの近傍に配置されている。第１ナロー部５１ｂＨの幅は、連結部５５Ｈに近付くにつれて漸減する。第１ナロー部５１ｂＨの縁は直線状である。図２３に示すように、第１ナロー部５１ｂＨの最小幅である幅Ｗ２Ｈは、例えば２μｍ程度である。第１ナロー部５１ｂＨの幅は、第１ワイド部５１ａＨの幅より小さい。第１傾斜部５１ｃＨは、第１ワイド部５１ａＨと第１ナロー部５１ｂＨとの間に配置されている。第１傾斜部５１ｃＨは、第１ワイド部５１ａＨと第１ナロー部５１ｂＨとを繋いでいる。第１傾斜部５１ｃＨの幅は、第１ワイド部５１ａＨから第１ナロー部５１ｂＨに向かって漸減する。第１傾斜部５１ｃＨの縁は直線状である。なお、幅Ｗ１Ｈ及び幅Ｗ２Ｈは、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ１Ｈが幅Ｗ２Ｈより大きければよい。
【００９５】
図２２に示すように、第２導電性配線５２Ｈは、第２ワイド部５２ａＨと、２つの第２ナロー部５２ｂＨと、第２傾斜部５２ｃＨと、を備える。第２ワイド部５２ａＨは、例えば隣接する２つの連結部５５Ｈの中間に配置されている。第２ワイド部５２ａＨの幅は、連結部５５Ｈに近付くにつれて漸減する。第２ワイド部５２ａＨの縁は直線状である。第２ワイド部５２ａＨの最大幅である幅Ｗ３Ｈは、例えば４μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂＨは、第２ワイド部５２ａＨより連結部５５Ｈ側に配置されている。具体的には、第２ナロー部５２ｂＨは連結部５５Ｈの近傍に配置されている。第２ナロー部５２ｂＨの幅は、連結部５５Ｈに近付くにつれて漸減する。第２ナロー部５２ｂＨの縁は直線状である。図２３に示すように、第２ナロー部５２ｂＨの最小幅である幅Ｗ４Ｈは、例えば２μｍ程度である。第２ナロー部５２ｂＨの幅は、第２ワイド部５２ａＨの幅より小さい。第２傾斜部５２ｃＨは、第２ワイド部５２ａＨと第２ナロー部５２ｂＨとの間に配置されている。第２傾斜部５２ｃＨは、第２ワイド部５２ａＨと第２ナロー部５２ｂＨとを繋いでいる。第２傾斜部５２ｃＨの幅は、第２ワイド部５２ａＨから第２ナロー部５２ｂＨに向かって漸減する。第２傾斜部５２ｃＨの縁は直線状である。なお、幅Ｗ３Ｈ及び幅Ｗ４Ｈは、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ３Ｈが幅Ｗ４Ｈより大きければよい。
【００９６】
図２２に示すように、第３導電性配線５３Ｈは、第３ワイド部５３ａＨと、２つの第３ナロー部５３ｂＨと、第３傾斜部５３ｃＨと、を備える。第３ワイド部５３ａＨは、例えば隣接する２つの連結部５５Ｈの中間に配置されている。第３ワイド部５３ａＨの幅は、連結部５５Ｈに近付くにつれて漸減する。第３ワイド部５３ａＨの縁は直線状である。第３ワイド部５３ａＨの最大幅である幅Ｗ５Ｈは、例えば４μｍ程度である。第３ナロー部５３ｂＨは、第３ワイド部５３ａＨより連結部５５Ｈ側に配置されている。具体的には、第３ナロー部５３ｂＨは連結部５５Ｈの近傍に配置されている。第３ナロー部５３ｂＨの幅は、連結部５５Ｈに近付くにつれて漸減する。第３ナロー部５３ｂＨの縁は直線状である。図２３に示すように、第３ナロー部５３ｂの最小幅である幅Ｗ６Ｈは、例えば２μｍ程度である。第３ナロー部５３ｂＨの幅は、第３ワイド部５３ａＨの幅より小さい。第３傾斜部５３ｃＨは、第３ワイド部５３ａＨと第３ナロー部５３ｂＨとの間に配置されている。第３傾斜部５３ｃＨは、第３ワイド部５３ａＨと第３ナロー部５３ｂＨとを繋いでいる。第３傾斜部５３ｃＨの幅は、第３ワイド部５３ａＨから第３ナロー部５３ｂＨに向かって漸減する。第３傾斜部５３ｃＨの縁は直線状である。なお、幅Ｗ５Ｈ及び幅Ｗ６Ｈは、上述した大きさに限らない。少なくとも幅Ｗ５Ｈが幅Ｗ６Ｈより大きければよい。
【００９７】
検出電極ＴＤＬＨがハニカム格子状であっても、連結部５５Ｈにおける透過率は低下しやすい。第１導電性配線５１Ｈが第１ナロー部５１ｂＨを備え、且つ第２導電性配線５２Ｈが第２ナロー部５２ｂＨを備え、且つ第３導電性配線５３Ｈが第３ナロー部５３ｂＨを備えるので、連結部５５Ｈの周辺領域における配線密度が小さくなりやすい。このため、連結部５５Ｈの周辺領域と連結部５５Ｈ以外の領域との間の透過率の差が小さくなる。
【００９８】
なお、連結部５５Ｈの縁は、実施形態２と同様に丸みを帯びていてもよい。また、第１導電性配線５１Ｈ、第２導電性配線５２Ｈ及び第３導電性配線５３Ｈの形状には、実施形態３から実施形態６に示した形状が適用されてもよい。また、角度θｍ及び角度θｎは、必ずしも６０°でなくてもよい。第３導電性配線５３Ｈは、第１画素方向Ｄｘと角度をなす方向に沿っていてもよい。また、第１導電性配線５１Ｈ、第２導電性配線５２Ｈ及び第３導電性配線５３Ｈが第１画素方向Ｄｘに対してなす角度は、実施形態７で示したように一定でなくてもよい（ランダムであってもよい）。
【００９９】
（実施形態１０）
図２４は、実施形態１０に係る検出電極を示す平面図である。図２４に示すように、実施形態１０に係る検出電極ＴＤＬＩは、複数の第１導電性配線５１及び複数の第２導電性配線を含む複数の検出ブロックを有する。例えば、複数の検出ブロックは、基板３１と平行な平面上にマトリクス状に配列されている。複数の検出ブロックは、それぞれ配線３７によってフレキシブルプリント基板７１（図８参照）に接続されている。実施形態１０に係るタッチパネル３０は、自己静電容量方式のタッチ検出動作を行う。このような自己静電容量方式のタッチ検出動作が、上述した実施形態１から実施形態９に適用されてもよい。
【０１００】
また、上述した実施形態及び変形例において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１０１】
１  タッチ検出機能付き表示装置
６  液晶層
１０  タッチ検出機能付き表示部
１０ａ  表示領域
１０ｂ  額縁領域
１１  制御部
１２  ゲートドライバ
１３  ソースドライバ
１４  駆動電極ドライバ
２０  表示パネル
２１  ＴＦＴ基板
２２  画素電極
３０  タッチパネル（入力検出装置）
３１  基板
３２  カラーフィルタ
３４ａ、３４ｂ  接続配線
３７  配線
３８  保護層
４０  タッチ検出部
４２  検出信号増幅部
４３  Ａ／Ｄ変換部
４４  信号処理部
４５  座標抽出部
４６  検出タイミング制御部
５１、５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄ、５１Ｅ、５１Ｆ、５１Ｈ  第１導電性配線
５１ａ、５１ａＢ、５１ａＣ、５１ａＤ、５１ａＥ、５１ａＦ、５１ａＨ  第１ワイド部
５１ｂ、５１ｂＢ、５１ｂＣ、５１ｂＤ、５１ｂＥ、５１ｂＦ、５１ｂＨ  第１ナロー部
５１ｃ、５１ｃＢ、５１ｃＣ、５１ｃＤ、５１ｃＦ、５１ｃＨ  第１傾斜部
５２、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄ、５２Ｅ、５２Ｆ、５２Ｈ  第２導電性配線
５２ａ、５２ａＢ、５２ａＣ、５２ａＤ、５２ａＥ、５２ａＦ、５２ａＨ  第２ワイド部
５２ｂ、５２ｂＢ、５２ｂＣ、５２ｂＤ、５２ｂＥ、５２ｂＦ、５２ｂＨ  第２ナロー部
５２ｃ、５２ｃＢ、５２ｃＣ、５２ｃＤ、５２ｃＦ、５２ｃＨ  第２傾斜部
５３Ｆ、５３Ｈ  第３導電性配線
５３ａＦ、５３ａＨ  第３ワイド部
５３ｂＦ、５３ｂＨ  第３ナロー部
５３ｃＦ、５３ｃＨ  第３傾斜部
５４Ｆ  第４導電性配線
５４ａＦ  第４ワイド部
５４ｂＦ  第４ナロー部
５４ｃＦ  第４傾斜部
５５、５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃ、５５Ｄ、５５Ｅ、５５Ｆ、５５Ｇ、５５Ｈ  連結部
６１  第１ダミー配線
６１１  スリット
６１ａ  第１ダミーワイド部
６１ｂ  第１ダミーナロー部
６１ｃ  第１ダミー傾斜部
６２  第２ダミー配線
６２１  スリット
６２ａ  第２ダミーワイド部
６２ｂ  第２ダミーナロー部
６２ｃ  第２ダミー傾斜部
６５  連結部
ＣＯＭＬ  駆動電極
Ｄｕ  第１方向
Ｄｖ  第２方向
Ｄｘ  第１画素方向
Ｄｙ  第２画素方向
ＧＣＬ  走査信号線
Ｐｉｘ  画素
ＳＧＬ  画素信号線
ＳＰｉｘ  副画素
ＴＤＤ  ダミー電極
ＴＤＬ、ＴＤＬＡ、ＴＤＬＢ、ＴＤＬＣ、ＴＤＬＤ、ＴＤＬＥ、ＴＤＬＦ、ＴＤＬＧ、ＴＤＬＨ、ＴＤＬＩ  検出電極
Ｔｒ  ＴＦＴ素子
Ｖｃｏｍ  駆動信号
Ｖｄｅｔ  検出信号
Ｖｄｉｓｐ  映像信号
Ｖｐｉｘ  画素信号
Ｖｓｃａｎ  走査信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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