(57)【要約】【課題】  補正用の画素への放射線又は光入射を抑制してより正確な補正を行い良好な画質の放射線画像を得る。【解決手段】  基板の上に複数の行および複数の列を構成するように配列された複数の画素を有し、複数の画素は、放射線画像の取得のための複数の第１画素と、オフセット信号の取得のための第２画素と、を有し、複数の第１画素及び第２画素はそれぞれ放射線又は光を電気信号に変換する変換素子を含み、第２画素の変換素子の基板とは反対側の表面を覆うように配された放射線遮蔽又は遮光するための部材を含む撮像装置であって、当該部材は、その正射影が複数の第１画素のうち第２画素と隣り合う第１画素の変換素子の基板とは反対側の表面の少なくとも一部まで重なるように配置されている。【選択図】  図２
2017220616.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に複数の行および複数の列を構成するように配列された複数の画素を有し、前記複数の画素は、放射線画像の取得のための複数の第１画素と、オフセット信号の取得のための第２画素と、を有し、前記複数の第１画素及び第２画素はそれぞれ、放射線又は光を電気信号に変換する変換素子を含み、前記第２画素の前記変換素子の前記基板とは反対側の表面を覆うように配された放射線遮蔽又は遮光するための部材を含む撮像装置であって、
前記部材は、その正射影が前記複数の第１画素のうち前記第２画素と隣り合う第１画素の変換素子の前記基板とは反対側の表面の少なくとも一部まで重なるように配置されている、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記部材は、前記第２画素と隣り合う第１画素の変換素子の前記基板とは反対側の表面と重なりをもつまで延在している、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記変換素子は、フォトダイオードを含み、
前記変換素子を覆う第１誘電体層と、前記第１誘電体層とを覆う第２誘電体層と、を更に含み、
前記部材は、前記フォトダイオードの厚さとフォトダイオード最上部から前記部材までの厚さの合算値をＤ、前記第１誘電体層の屈折率をｎＡ、前記第２誘電体層の屈折率をｎＢ、臨界角をΘとすると、前記第２画素と隣り合う第１画素の変換素子に対して必要な重なり幅Ｌは、以下の式を満たす
ｓｉｎΘ＝ｎＡ／ｎＢ
Ｌ＝Ｄ＊ｔａｎΘ
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第２画素の出力に基づいて、前記第１画素のオフセット補正を行う処理部をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記第１画素のオフセット出力を当該第１画素の周辺の複数の前記第２画素の出力に基づいて、当該第１画素からの距離が近い前記第２画素の出力ほど重みを付けた加重平均を用いて、前記第１画素のオフセット出力を算出する、
ことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記処理部は、前記第２画素と隣り合う前記第１画素の出力に対して、遮光された面積に応じた感度補正を行い、当該感度補正によって得られた前記第２画素と隣り合う前記第１画素の出力に基づいて、前記第２画素の出力補正を行う、
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記部材は、開口を有する、
ことを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第２画素は、発熱部材の近傍ほど高い密度で配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
放射線を発生する放射線源と、
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置と、
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置および放射線撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線等の放射線による医療画像診断や非破壊検査に用いる放射線撮影装置として、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチ素子と、光電変換素子等の変換素子と、を組み合わせた画素のアレイを有するマトリクス基板を有する放射線撮像装置が実用化されている。
【０００３】
画素をアレイ状に複数を配した撮像装置においては、それぞれの画素毎に温度などの環境の違いによって、放射線又は光の照射が行なわれない暗時の出力（即ちオフセット出力）の値に多少のばらつきがある。きれいな画質を得るには、このようなオフセット出力のばらつきを補正することが好ましい。
【０００４】
特許文献１では、放射線又は光に応じた信号を取得する変換素子を有する第１画素が基板の上にアレイ状に配置された画素アレイに、オフセット出力の信号であるオフセット信号を取得する放射線遮蔽又は遮光された変換素子を有する第２画素が配されている。そして特許文献１には、第２画素から得られたオフセット信号を用いて、第１画素から得られた信号を補正する機能を備えた放射線撮像装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１８９９３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら特許文献１では、第１画素と第２画素との間の放射線遮蔽又は遮光が不十分であった。特に、基板の上の変換素子が配置される放射線撮像装置にあっては、間を通過した放射線又は光が基板や変換素子と基板の間の構造物によって散乱して変換素子に入射されてしまう。それにより、オフセット信号だけでなく、間を通過した放射線又は光の信号も加わってしまう為、正確に補正することが困難になる。
【０００７】
本発明は、補正用の画素への放射線又は光入射を抑制して、より正確な補正を行い良好な画質の放射線画像を得ることが可能な放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板の上に複数の行および複数の列を構成するように配列された複数の画素を有し、前記複数の画素は、放射線画像の取得のための複数の第１画素と、オフセット信号の取得のための第２画素と、を有し、前記複数の第１画素及び第２画素はそれぞれ、放射線又は光を電気信号に変換する変換素子を含み、前記第２画素の前記変換素子の前記基板とは反対側の表面を覆うように配された放射線遮蔽又は遮光するための部材を含む撮像装置であって、前記部材は、その正射影が前記複数の第１画素のうち前記第２画素と隣り合う第１画素の変換素子の前記基板とは反対側の表面の少なくとも一部まで重なるように配置されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、補正用の画素への放射線又は光入射を抑制して、より正確な補正を行い良好な画質の放射線画像を得る第２画素ことが可能な放射線撮像装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の放射線撮像装置の構成の一例を示す図。
【図２】本発明の放射線撮像装置における第１画素および第２画素の構成例を示す平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿った断面図。
【図４】本発明の放射線撮像装置の第２画素の出力から第１画素のオフセット補正を行う方法を示す図。
【図５】本発明の放射線撮像装置の構成の一例を示す図。
【図６】本発明の放射線撮像装置の構成の別の例を示す図。
【図７】本発明の放射線撮像装置のオフセット補正方法を示す図。
【図８】本発明の放射線撮像装置の構成の他の一例を示す図。
【図９】本発明の放射線撮像装置の別の構成例を示す図。
【図１０】本発明の画素アレイ及びその周辺の構成例を示す図。
【図１１】放射線撮像システムの構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１には、本発明の第１の実施形態の放射線撮像装置２００の構成が示されている。放射線撮装置２００は、複数の行および複数の列を構成するように画素アレイＩＲに配列された複数の画素を有する。該複数の画素は、放射線画像の取得のための複数の第１画素１０１と、オフセット信号の取得のための第２画素１２１とを含む。該複数の画素は、支持基板１００に配列されうる。第１画素１０１は、放射線を電気信号に変換する変換素子１０２と、列信号線１０６と変換素子１０２との間に配置されたスイッチ１０３とを含む。第２画素１２１は、放射線を電気信号に変換する変換素子１２２と、列信号線１０６と遮光変換素子１２２との間に配置されたスイッチ１０３とを含む。ここで、変換素子１２２は、放射線遮蔽又は遮光された変換素子であり、オフセット信号の取得のための変換素子である。
【００１３】
変換素子１０２および変換素子１２２は、放射線を光に変換するシンチレータおよび光を電気信号に変換する光電変換素子とで構成されうる。シンチレータは、一般的には、画素アレイＩＲを覆うようにシート状に配置され、複数の画素によって共有されうる。あるいは、変換素子１０２および変換素子１２２は、放射線を直接に光に変換する変換素子で構成されうる。
【００１４】
スイッチ１０３は、例えば、非晶質シリコンまたは多結晶シリコン（好ましくは多結晶シリコン）などの半導体で活性領域が構成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含みうる。
【００１５】
放射線撮像装置２００は、複数の列信号線１０６および複数の駆動線１０４を有する。各列信号線１０６は、画素アレイＩＲにおける複数の列のうちの１つに対応する。各駆動線１０４は、画素アレイＩＲにおける複数の行のうちの１つに対応する。各駆動線１０４は、行選択部２２１によって駆動される。
【００１６】
変換素子１０２の第１電極は、スイッチ１０３の第１主電極に接続され、変換素子１０２の第２電極は、バイアス線１０８に接続される。ここで、１つのバイアス線１０８は、列方向に延びていて、列方向に配列された複数の変換素子１０２の第２電極に共通に接続される。バイアス線１０８は、電源回路２２６からバイアス電圧Ｖｓを受ける。１つの列を構成する複数の第１画素１０１のスイッチ１０３の第２主電極は、１つの列信号線１０６に接続される。１つの行を構成する複数の第１画素１０１のスイッチ１０３の制御電極は、１つの駆動線１０４に接続される。
【００１７】
複数の列信号線１０６は、読出部１３０に接続される。ここで、読出部１３０は、複数の検知部１３２と、マルチプレクサ１３４と、アナログデジタル変換器（以下、ＡＤ変換器）１３６とを含みうる。複数の列信号線１０６のそれぞれは、読出部１３０の複数の検知部１３２のうち対応する検知部１３２に接続される。ここで、１つの列信号線１０６は、１つの検知部１３２に対応する。検知部１３２は、例えば、差動増幅器及びサンプルホールド回路を含む。マルチプレクサ１３４は、複数の検知部１３２を所定の順番で選択し、選択した検知部１３２からの信号をＡＤ変換器１３６に供給する。ＡＤ変換器１３６は、供給された信号をデジタル信号に変換して出力する。
【００１８】
以下に、本実施形態の検出装置の動作について説明する。変換素子１０２および遮光変換素子１２２の第１電極はスイッチ１０３を介して基準電位Ｖｒｅｆを与え、第２電極には、放射線又は可視光によって発生した電子正孔対分離に必要なバイアス電位Ｖｓを与える。この状態で、被検体を透過した放射線又はそれに応じた可視光が変換素子１０２に入射し、電荷に変換され変換素子１０２に蓄積される。一方、変換素子１２２は遮光されている為、ダーク電流相当の電荷が蓄積される。この電荷に応じた電気信号は、駆動回路２２１から制御配線１０４に印加される駆動パルスによりＴＦＴ１０３が導通状態となることで、信号配線１０６に出力され、読出回路１３０によりデジタルデータとして外部に読み出される。この動作により、第１画素１０１においては、変換素子１０２から、照射された光に応じた信号を読み出すことができ、第２画素１２１においては、遮光された変換素子１２２から、オフセット信号を読み出すことができる。
【００１９】
図２は、本発明の第１実施形態の放射線撮像装置２００における第１画素１０１および検知画素１２１の構成を示す平面図である。ここで、平面図は、放射線撮像装置２００の画素アレイＩＲに平行な面への正投影と等価である。図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００２０】
図２および図３に例示されるように、第１画素は、変換素子１０２、スイッチ１０３を含み、第２画素１２１は、変換素子１２２と、スイッチ１０３とを含む。変換素子１０２は、この例では、不図示のシンチレータによって放射線から変換された光を電荷に変換し蓄積する。スイッチ１０３は、変換素子１０２に蓄積された電荷に応じた電気信号を出力するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含む。変換素子１０２、及び遮光変換素子１２２は、例えば、ＰＩＮ型のフォトダイオードでありうる。変換素子１０２、遮光変換素子１２２は、例えば、ＭＩＳ型のセンサによって構成されてもよい。変換素子１０２及び変換素子１２２は、スイッチ１０３を介して、列信号線１０６と接続される。変換素子１０２及び変換素子１２２は、ガラス基板等の絶縁性の支持基板１００の上に配置されたスイッチ１０３の上に層間絶縁層１１０を挟んで配置されうる。変換素子１０２及び変換素子１２２は、例えば、第１電極１３１、ＰＩＮフォトダイオード１３５、第２電極１３７で構成されうる。また、変換素子１２２は、変換素子１２２の上の層間絶縁層１３９の上に配置されたメタルからなる遮光部材１４１によって遮光されうる。上記形態で製造する場合、バイアス配線と同層で遮光部材を形成している為、製造上のプロセスを追加することなく、遮光部材１４１を配置できる。また、バイアス配線及び遮光部材１４１の表面保護のために、ＩＴＯ等の透明導電性酸化物層１４２が遮光部材１４１及びバイアス配線を覆うように設けられている。本例は一例であり、変換素子を遮光さえできれば、他の方法で変換素子１２２の遮光部材を配置しても良い。また、遮光部材ではなく、放射線遮蔽するための部材であってもよい。すなわち、第２画素１２１の変換素子１２２の基板１００とは反対側の表面を覆うように配された放射線遮蔽又は遮光するための部材であればよい。
【００２１】
図２および図３に例示されるように、遮光部材１４１は、変換素子１２２の基板１００とは反対側の表面を覆っている。遮光部材１４１はそれだけではなく、変換素子１２２と隣り合う変換素子１０２と変換素子１２２との間、および、隣り合う変換素子１０２の基板１００とは反対側の表面の少なくとも一部と重るように延在している。すなわち、遮光部材１４１は、その正射影が変換素子１２２と隣り合う変換素子１０２の基板１００とは反対側の表面の少なくとも一部まで重なるように配置されている。そのため、隣り合う変換素子１０２と変換素子１２２との間を透過した光が反射して変換素子１２２に入射することを低減できる。このような構成にすることで、第２画素１２１をより遮光し、より正確なオフセット量を検出することができる。
【００２２】
次に、遮光部材１４１によって変換素子１２２への光入射を抑制する為、隣り合う変換素子１０２にどのくらい被覆させることが望ましいかについて説明する。各変換素子の上層には光透過性を有する誘電体が積層されている為、ある一定の角度以上の入射角をもつ放射線は全反射され、各変換素子まで到達しない。例えば、図３に示す断面図では、無機絶縁膜からなる保護層１４０や、アクリル樹脂などからなる有機の層間絶縁層１３９が変換素子の光入射側に配置されている例を示している。例えば、保護層１４０の屈折率が約１．８、層間絶縁層１３９の屈折率が１．５程度とすると、スネルの法則より全反射の臨界角は、５６度程度となり、それ以上の入射角の光は、変換素子まで到達しない。その為、その入射角以下の光が変換素子１２２の側面や変換素子１２２と隣り合う変換素子１０２と変換素子１２２との間に入らないようにすればよい。ここで、図３の例では、変換素子を覆う第１誘電体層である層間絶縁層１３９の屈折率をｎＡ、第１誘電体層を覆う第２誘電体層である保護層１４０の屈折率をｎＢ、とすると、臨界角Θは以下の式（１）で表せられる。
【００２３】
ｓｉｎΘ＝ｎＡ／ｎＢ・・・（１）
そして、変換素子１２２の変換部であるフォトダイオード１３５と、フォトダイオード最上部から遮光部材１４１までの層の合算膜厚（合算値）をＤ、遮光部材１４１の変換素子１２２と隣り合う変換素子１０２に対して必要な重なり幅Ｌは、以下の式（２）で表せられる。
【００２４】
Ｌ＝Ｄ＊ｔａｎΘ・・・（２）
例えば図３の例において、それらを満たすためには、フォトダイオード１３５の膜厚が１．５ｕｍ、保護層１３８の膜厚が５００ｎｍ、層間絶縁層１３９の膜厚が２ｕｍとした場合、おおよそ６ｕｍ程度以上を、変換素子１２２と隣り合う変換素子１０２の上に遮光部材１４１を被せることとなる。
【００２５】
なお、第２画素１２１は、変換素子１２２の全域が遮光されており、第２画素１２１と隣り合う画素である第１画素１０１は、変換素子１０２の一部が遮光されている。その為、第２画素１２１では、光信号が検出できず、第２画素１２１と隣り合う第１画素１０１では通常の第１画素よりも感度が低下する。そこで、第２画素１２１と隣り合う第１画素１０１では、遮光部材１４１が覆う面積に応じて、感度補正行い、その補正された出力を元に、第２画素１２２の信号量を類推し、第２画素１２２の出力補正を行ってもよい。
【００２６】
次に、図４を用いて、第２画素１２１の信号を元に、第１画素１０１の信号に対するオフセット補正を行う方法について説明する。図４は簡略化の為、遮光部材１４１を含む層のみを記載している。第１画素１０１は近傍の第２画素１２１の出力を元にオフセット補正を行う。例えば、図４のように、補正対象第１画素から、第２画素１２１Ａ、１２１Ｂ、１２１Ｃ、１２１Ｄの距離を、それぞれａ、ｂ、ｃ、ｄとしたとき、補正対象の第１画素１０１’から距離が近い第２画素の出力ほど、影響を強く受ける。そこで、補正対象の第１画素１０１’からの距離に重みを付けて、出力補正を行う。例えば、第２画素１２１Ａ，１２１Ｂ、１２１Ｃ、１２１Ｄの出力をそれぞれＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄとすると、第１画素１０１’のオフセット出力Ｏは、以下の式（３）で加重平均の計算を行うことが考えられる。
【００２７】
オフセット出力Ｏ＝Ａｘ（１／ａ）／（１／ａ＋１／ｂ＋１／ｃ＋１／ｄ）＋Ｂｘ（１／ｂ）／（１／ａ＋１／ｂ＋１／ｃ＋１／ｄ）＋Ｃｘ（１／ｃ）／（１／ａ＋１／ｂ＋１／ｃ＋１／ｄ）＋Ｄｘ（１／ｄ）／（１／ａ＋１／ｂ＋１／ｃ＋１／ｄ）・・・（３）
そのような補正を行うことで、第２画素１２１の間に存在する第１画素１０１のオフセット補正値を場所毎に徐々に変化していくように補正することができる。ここで示した補正方法は、あくまでも一例であり、その他の方法で、より補正対象の第１画素からの距離に応じて第２画素１２２の出力により重みを付けて、通常画素の１０１のオフセット補正量を求める方法を採用しても問題無い。
【００２８】
また図４では、周囲４つの第２画素からの出力を元に出力補正を行う例を示したが、より多くの第２画素１２１の出力を用いて、第１画素１０１の出力の補正を行うことで、より補正精度を向上させることができる。
【００２９】
また、図５の様にいくつかの第２画素１２２からなる第２画素グループ１５０の平均値を元に、周囲の通常画素のオフセット補正値を求めてもよい。このように、いくつかの第２画素１２２の出力を平均化した値を元にオフセット補正量を算出することで、ノイズ等でオフセット量が変動しやすい場合に、安定してオフセット補正を行うことができる。
【００３０】
（第２の実施形態）
図６は、本発明の第の２実施形態の放射線撮像装置を示す図である。図６は簡略化の為、遮光部材１４１を含む層のみを記載している。
【００３１】
図６に示すように、第２画素がいくつか配置された第２画素グループ１５０を持ち、その第２画素グループ１５０の中の第２画素は、遮光部材１４１に一部開口を持っており、その開口面積は各第２画素によって異なっている。
【００３２】
このような構成によって、後述するように、より正確にオフセット補正ができるようすることが第２の実施形態の特徴である。
【００３３】
次に、第２の実施形態のオフセット補正方法を、図７を用いて説明する。第２の実施形態では、キャリブレーション時に、ダーク測定と光測定をそれぞれ測定する。光測定では、第２画素の開口面積が大きい画素ほど、放射線が変換素子１２２に到達する為、開口面積が大きい第２画素の出力が高くなる。遮光部材を配置していても、変換素子１２２に漏れ光が入射されてしまう場合は、その漏れ光による出力Ｙは、開口０％の第２画素の光測定の出力とダーク測定の出力差分によって算出できる。もしくは、出力Ｙは、第２画素の開口面積に対して、第２画素の光測定出力をプロットしたグラフの切片とダーク測定の出力の差分によって算出できる。また、キャリブレーション時のオフセット量Ｘは、ダーク測定の出力から得られる。
【００３４】
次に、被写体の撮影を行う。被写体の撮影を行った場合も、第２画素の開口面積が大きい画素ほど、第２画素の出力が高くなる。開口面積に応じたキャリブレーション光測定時の画素出力の傾きを感度αと撮影時の画素出力の傾きを感度βとした際、β／αは撮影時の当該画素に到達する放射線量の比を表すこととなり、撮影時の漏れ光はβ／α×Ｙで表わされる。この際、第２画素の開口面積に対して、第２画素の撮影時の出力をプロットしたグラフの切片から撮影時の漏れ光による出力β／α×Ｙとキャリブレーション時のオフセット量Ｘを差し引く。この差し引いた値が、キャリブレーション時からのオフセット量のズレであるΔオフセットＺを算出できる。
【００３５】
以上の方法により、遮光部材を配置しても、第２画素１２２に漏れ光により放射線が入射してしまう場合も、より正確にオフセット量を算出することができるようになる。ここで得られたオフセット量を用いて、第２画素グループ１５０近傍の第１画素１０１の出力を補正することで、正確なオフセット量の補正を行うことができるようになる。
【００３６】
また、第２の実施形態においても、図８に示すように、遮光部材１４１を第２画素と隣り合う第１画素の変換素子の少なくとも一部まで延在させる構成であることが望ましい。もともとの漏れ光が少なくなる為、補正する絶対値も非常に小さくなり、オフセット補正の精度が向上する。
【００３７】
（第３の実施形態）
図９は、本発明の第３の実施形態の放射線撮像装置２００の構成が示されている。放射線撮像装置２００は、読み出し部１３０、行選択部２２１の中のＩＣの発熱量が大きい為、それらの近くが暖まりやすい。また画素アレイＩＲ直下に、発熱部品などがおかれている場合もその付近が暖まりやすくなる。その為、これらＩＣや発熱部品などの発熱部材からの発熱の影響を受けた高温領域１５１や高温領域１５１の近傍では、温度変化が大きくなる。高温領域１５１及びその近傍では、温度変化により、領域毎のダーク電流量の変化も大きくなる為、オフセット量の変化量が大きくなる。
【００３８】
そこで、第３の実施形態では、図９のように、高温領域１５１及びその周辺に第２画素１２１の配置密度が高くなるように、第２画素１２１を配置している。そのような構成をとることで、領域毎のオフセット量の変化量が大きくても、細かくオフセット出力をモニターすることができ、精度良くオフセット量を補正することが可能となる。この形態は常時通電には不向きで撮像装置内の温度が安定しづらい可搬型の放射線撮像装置で特に有効である。
【００３９】
なお、図１に示すバイアス線１０８は列方向の変換素子１０２に共通に接続されるものであるが、図２などに示すように遮光部材１４１をバイアス線１０８と同じ金属配線材料から形成され得る。そのような場合、バイアス線１０８は、行方向の複数の変換素子１０２にも共通に接続され、バイアス線１０８は格子状の構成を取り得る。そのような場合、バイアス線１０８の配線抵抗はより低減される。更に、画素アレイ外において、図１０に示すようにバイアス線１０８の幅を太くすることによって、バイアス線１０８の配線抵抗はより低減される。当該部分を画素アレイ外における遮光部材とすることで、第２画素の遮光精度はより向上しうる。また、画素アレイ外のバイアス線１０８の幅は、太いほど、第１画素、第２画素双方において、画素アレイ外から侵入する入射光、拡散光等の侵入光の影響を低減することが可能となる。その為、画素アレイ外のバイアス線１０８の幅は太いほど好ましく、特に１画素以上の長さの幅を確保することで、遮光画素アレイ外からの侵入光の影響を大きく低減することが可能となる。
【００４０】
以下、図１１を参照しながら放射線撮像装置２００を放射線撮像システムに応用した例を説明する。放射線源であるＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、前述の放射線撮像装置２００に代表される放射線撮像装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には被験者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータ２１６は発光し、これを光電変換素子で光電変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００４１】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。なお、本発明において説明されたオフセット補正や出力補正などに係る様々な処理は、イメージプロセッサ６０７０にて行うことが可能であり、イメージプロセッサ６０７０は本発明の処理部に相当し得る。ただし、本発明はそれに限定されるものではなく、イメージプロセッサ６０７０で行える処理の一部又はすべてを、放射線撮像装置２００に設けられ得る処理部で行ってもよい。その場合には、放射線撮像装置２００に設けられた処理部が本発明の処理部に相当し得る。
【符号の説明】
【００４２】
１０１  第１画素
１２１  第２画素
２００  放射線撮像装置
１０６  列信号線
１０２  変換素子
１０３  スイッチ
１２２  変換素子
１２３  スイッチ
ＩＲ  画素アレイ
【図１】
2017220616.tif 000003
【図２】
2017220616.tif 000004
【図３】
2017220616.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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