(57)【要約】【課題】インプリントによって所望位置にパターンを形成することができる描画位置補正データ作成方法を提供すること。【解決手段】実施形態の描画位置補正データ作成方法では、テンプレートパターンに関するパターン情報に基づいて、基板にかかる離型力が算出される。この離型力は、第１のテンプレートを用いたインプリントによって、前記基板から第２のテンプレートを形成する際に、前記基板にかかるものである。また、前記離型力に基づいて、離型時の前記基板の歪み量が算出される。さらに、前記歪み量に基づいて、前記第２のテンプレート上に形成されるパターンの位置ずれ量が算出される。そして、前記位置ずれ量に基づいて、前記第１のテンプレートの描画データを補正する補正データが作成される。【選択図】図３
2017168660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のテンプレートを用いたインプリントによって基板から第２のテンプレートを形成する際に前記基板にかかる離型力を、テンプレートパターンに関するパターン情報に基づいて算出する第１の算出ステップと、
前記離型力に基づいて、離型時の前記基板の歪み量を算出する第２の算出ステップと、
前記歪み量に基づいて、前記第２のテンプレート上に形成されるパターンの位置ずれ量を算出する第３の算出ステップと、
前記位置ずれ量に基づいて、前記第１のテンプレートの描画データを補正する補正データを作成する作成ステップと、
を含むことを特徴とする描画位置補正データ作成方法。
【請求項２】
前記パターン情報は、前記テンプレートパターンのパターン深さ、パターンサイズおよびパターン周囲長の少なくとも１つの情報を含んでいる、
ことを特徴とする請求項１に記載の描画位置補正データ作成方法。
【請求項３】
前記第２の算出ステップでは、前記インプリントの際のインプリント条件を用いて、前記歪み量を算出する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の描画位置補正データ作成方法。
【請求項４】
前記インプリント条件は、前記インプリントの際に前記第２のテンプレートに配置されるレジストの粘性に関する情報および前記第２のテンプレートの構造に関する情報の少なくとも１つを含んでいる、
ことを特徴とする請求項３に記載の描画位置補正データ作成方法。
【請求項５】
前記テンプレートパターンのパターン領域を複数の領域に分割する分割ステップをさらに含み、
前記第１の算出ステップでは、前記離型力が前記分割後の領域に対して算出される、
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つに記載の描画位置補正データ作成方法。
【請求項６】
第１のテンプレートを用いたインプリントによって基板から第２のテンプレートを形成する際に前記基板にかかる離型力を、テンプレートパターンに関するパターン情報に基づいて算出する第１の算出ステップと、
前記離型力に基づいて、前記第１のテンプレートの描画データを補正する補正ステップと、
補正された描画データを用いて、前記第１のテンプレートを作製する第１の作製ステップと、
前記第１のテンプレートを用いたインプリントによって前記第２のテンプレートを作製する第２の作製ステップと、
を含むテンプレート作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、描画位置補正データ作成方法およびテンプレート作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程で用いられる技術の１つにインプリントリソグラフィがある。インプリントリソグラフィが行われる際には、転写用の凹凸パターンを有したテンプレートが作製される。そして、このテンプレートの凹凸パターンが基板上のレジストに押当てられる。その後、レジストを硬化させ、テンプレートが硬化したレジストから離型される。この離型の際には、レジストパターンに離型力がかかる。そして、この離型力が原因でレジストパターンに位置ずれが発生する場合がある。このため、所望の位置にパターンを形成することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５２８９００６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、インプリントによって所望位置にパターンを形成することができる描画位置補正データ作成方法およびテンプレート作製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、描画位置補正データ作成方法が提供される。前記描画位置補正データ作成方法は、第１の算出ステップと、第２の算出ステップと、第３の算出ステップと、補正ステップと、を含んでいる。前記第１の算出ステップでは、テンプレートパターンに関するパターン情報に基づいて、基板にかかる離型力が算出される。この離型力は、第１のテンプレートを用いたインプリントによって、前記基板から第２のテンプレートを形成する際に、前記基板にかかるものである。前記第２の算出ステップでは、前記離型力に基づいて、離型時の前記基板の歪み量が算出される。前記第３の算出ステップでは、前記歪み量に基づいて、前記第２のテンプレート上に形成されるパターンの位置ずれ量が算出される。前記補正ステップでは、前記位置ずれ量に基づいて、前記第１のテンプレートの描画データを補正する補正データが作成される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、実施形態に係るテンプレート作製システムの構成を示す図である。
【図２】図２は、実施形態に係る補正データ作成装置の構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、実施形態に係るレプリカテンプレート作製処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図４】図４は、パターン周囲長と離型力との関係を説明するための図である。
【図５】図５は、離型力とレプリカテンプレート基板の歪みとの関係を説明するための図である。
【図６】図６は、テンプレートパターンのパターン被覆率を説明するための図である。
【図７】図７は、マスターテンプレートの断面形状を説明するための図である。
【図８】図８は、パターン被覆率とレジストパターンの位置ずれ方向との関係を説明するための図である。
【図９】図９は、インプリント装置の構成を示す図である。
【図１０】図１０は、インプリント工程の処理手順を説明するための図である。
【図１１】図１１は、補正データ作成装置のハードウェア構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る描画位置補正データ作成方法およびテンプレート作製方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（実施形態）
図１は、実施形態に係るテンプレート作製システムの構成を示す図である。テンプレート作製システムは、ＮＩＬ（Nano  Imprint  Lithography）などのインプリントリソグラフィで用いられる、マスターテンプレートＴｘおよびレプリカテンプレートＴｙを作製するシステムである。
【０００９】
本実施形態では、レプリカテンプレートＴｙのパターンサイズやパターン周囲長などに基づいて、レプリカテンプレートＴｙが形成される際のレジストパターンの位置ずれ量が算出される。そして、算出された位置ずれ量に基づいて、マスターテンプレートＴｘの描画データを位置補正する描画位置補正データが生成される。この描画位置補正データを用いて、マスターテンプレートＴｘが作製され、マスターテンプレートＴｘを用いてレプリカテンプレートＴｙが作製される。
【００１０】
マスターテンプレートＴｘは、マスターテンプレート基板（インプリント用ブランクス）に、テンプレートパターンが形成されたものである。したがって、マスターテンプレート基板は、テンプレートパターンが形成される前の板状部材である。
【００１１】
また、レプリカテンプレートＴｙは、レプリカテンプレート基板（インプリント用ブランクス）に、テンプレートパターンが形成されたものである。したがって、レプリカテンプレート基板は、テンプレートパターンが形成される前の板状部材である。
【００１２】
マスターテンプレートＴｘは、電子ビーム（Electron  Beam：ＥＢ）描画等によって形成されるテンプレートである。レプリカテンプレートＴｙは、マスターテンプレートＴｘを用いたインプリントリソグラフィが行われることによって形成されるコピーテンプレートである。したがって、マスターテンプレートＴｘは、親テンプレートであり、レプリカテンプレートＴｙは、子テンプレートである。
【００１３】
マスターテンプレートＴｘおよびレプリカテンプレートＴｙは、透明な石英基板等であるマスターテンプレート基板に凹凸パターンが掘り込まれることによって形成されている。レプリカテンプレートＴｙは、マスターテンプレートＴｘの凹凸パターンを逆転させたものである。マスターテンプレートＴｘにおいて凸部だった箇所は、レプリカテンプレートＴｙでは、凹部となる。一方、マスターテンプレートＴｘにおいて凹部だった箇所は、レプリカテンプレートＴｙでは、凸部となる。インプリント法を用いて回路パターンを大量生産する場合には、上述したレプリカテンプレートＴｙを大量に作製しておくことが望ましい。
【００１４】
本実施形態のテンプレート作製システム１００は、マスターテンプレートＴｘを用いたインプリントリソグラフィによって、レプリカテンプレートＴｙを作製した場合の離型力を算出する。そして、算出した離型力に基づいて、マスターテンプレートＴｘが作製される。さらに、マスターテンプレートＴｘを用いたインプリントリソグラフィによって、レプリカテンプレートＴｙが作製される。
【００１５】
その後、レプリカテンプレートＴｙの凹凸パターンであるテンプレートパターンが所望の位置に形成されているか否かが判定される。テンプレートパターンが所望の位置に形成されていない場合には、位置ずれ量に基づいて、マスターテンプレートＴｘが再作製される。テンプレートパターンが所望の位置に形成されている場合には、レプリカテンプレートＴｙを用いて、基板（ウエハなど）上にインプリントリソグラフィが行われる。
【００１６】
テンプレート作製システム１００は、補正データ作成装置１０と、描画装置３０と、インプリント装置４０と、位置計測装置６０とを有している。補正データ作成装置１０は、マスターテンプレートＴｘの描画データ（描画パターン）を補正するための描画位置補正データを作成するコンピュータなどである。描画位置補正データは、描画データに設定されているパターン位置を補正するためのデータである。
【００１７】
補正データ作成装置１０は、マスターテンプレートＴｘを用いたインプリントリソグラフィによってレプリカテンプレートＴｙを作製した場合の離型力を算出する。このとき、補正データ作成装置１０は、レプリカテンプレートＴｙのパターン表面積などの情報に基づいて、離型力を算出する。さらに、補正データ作成装置１０は、算出した離型力に基づいて、マスターテンプレートＴｘを用いたインプリント時におけるレプリカテンプレート基板の歪み量を算出する。そして、補正データ作成装置１０は、レプリカテンプレートＴｙの歪み量に基づいて、マスターテンプレートＴｘの描画パターン位置を補正するための補正データ（描画位置補正データ）を作成する。補正データ作成装置１０は、レプリカテンプレート基板に歪みが発生した場合であっても、所望の位置にレプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターンを形成することができる描画位置補正データを作成する。
【００１８】
描画装置３０は、マスターテンプレートＴｘの描画データに基づいて、マスターテンプレート基板にパターン描画を行う装置である。描画装置３０は、電子ビーム描画によってマスターテンプレート基板上のレジストにパターン描画を行う。本実施形態の描画装置３０は、補正データ作成装置１０が作成した描画位置補正データに基づいて、描画パターンの位置補正を行なう。すなわち、描画装置３０は、位置補正後の描画パターン（描画データ）を用いて、マスターテンプレート基板にパターン描画を行う。パターン描画されたマスターテンプレート基板は、現像やエッチングなどの処理を経て、マスターテンプレートＴｘとなる。
【００１９】
インプリント装置４０は、テンプレートを用いてインプリントを行う装置である。インプリント装置４０は、マスターテンプレートＴｘを用いたインプリントリソグラフィによって、レプリカテンプレート基板上にレジストパターンを形成する。レジストパターンが形成されたレプリカテンプレート基板は、エッチングなどの処理を経て、レプリカテンプレートＴｙとなる。
【００２０】
位置計測装置６０は、レプリカテンプレートＴｙに形成されているテンプレートパターンの位置（以下、レプリカパターン位置Ｒ１という）を計測する。そして、位置計測装置６０は、レプリカパターン位置Ｒ１の所望位置からの位置ずれ量（以下、位置差分という）を算出する。ここでの所望位置は、例えば、マスターテンプレートＴｘのパターン描画に用いたパターンデータ（設計データ）に基づいて設定されている。
【００２１】
なお、所望位置は、マスターテンプレートＴｘに実際に形成されたテンプレートパターンの位置に基づいて設定されてもよい。この場合、位置計測装置６０は、マスターテンプレートＴｘに形成されているテンプレートパターンの位置（以下、マスターパターン位置Ｍ１という）を計測する。
【００２２】
また、所望位置は、レプリカテンプレートＴｙを用いてウエハ上に実際に形成された基板上パターンの位置に基づいて設定されてもよい。また、所望位置は、基板上パターンのパターンデータ（設計データ）に基づいて設定されてもよい。
【００２３】
位置計測装置６０は、例えば、マスターパターン位置Ｍ１（計測結果）と、レプリカパターン位置Ｒ１（計測結果）とに基づいて、レプリカパターン位置Ｒ１の所望位置との位置差分を算出する。そして、位置計測装置６０は、算出した位置差分に基づいて、位置差分が許容範囲内（基準値以下または基準値未満）であるか否かを判定する。
【００２４】
位置差分が許容範囲内であった場合、レプリカテンプレートＴｙを用いて、ウエハなどの基板へのインプリント処理が行われる。位置計測装置６０が算出した位置差分は、補正データ作成装置１０での描画位置補正データの作成処理にフィードバックされる。
【００２５】
つぎに、補正データ作成装置１０の構成について説明する。図２は、実施形態に係る補正データ作成装置の構成を示すブロック図である。補正データ作成装置１０は、入力部１１と、記憶部１２と、分割部（分割モジュール）１３と、離型力算出部（離型力算出モジュール）１４と、歪み量算出部（歪み量算出モジュール）１５と、位置ずれ量算出部（位置ずれ量算出モジュール）１６と、位置補正データ生成部（位置補正データ生成モジュール）１７と、出力部１８とを備えている。
【００２６】
入力部１１へは、レプリカテンプレートＴｙの描画データが入力される。また、入力部１１へは、レプリカテンプレートＴｙのパターンデータに関する情報（後述するパターン情報２１）が入力される。また、入力部１１へは、マスターテンプレートＴｘを用いてレプリカテンプレート基板にレジストパターンを形成する際のインプリント処理に関する情報（後述するインプリント条件２２）が入力される。入力部１１は、レプリカテンプレートＴｙの描画データを記憶部１２に送る。また、入力部１１は、パターン情報２１およびインプリント条件２２を記憶部１２に送る。記憶部１２は、レプリカテンプレートＴｙの描画データ、パターン情報２１およびインプリント条件２２を記憶するメモリなどである。
【００２７】
分割部１３は、記憶部１２からレプリカテンプレートＴｙの描画データを読み込む。分割部１３は、レプリカテンプレートＴｙの描画データ（パターン領域）をメッシュ状などの所定領域に分割する。なお、分割部１３は、レプリカテンプレートＴｙの描画データを正方形領域に分割してもよいし、正方形以外の形状領域に分割してもよい。分割部１３は、分割後のメッシュ領域を、メッシュ領域毎に離型力算出部１４に送る。
【００２８】
離型力算出部１４は、記憶部１２からパターン情報２１を読み出す。離型力算出部１４は、パターン情報２１に基づいて、レプリカテンプレート基板での各メッシュ領域における離型力ΔＰを試算する。離型力算出部１４は、パターン情報２１を用いた離型シミュレーションなどによって各離型力ΔＰを試算する。離型力算出部１４が算出する離型力ΔＰは、マスターテンプレートＴｘをレプリカテンプレート基板上のレジストから離型する際にレプリカテンプレート基板にかかる離型力である。
【００２９】
パターン情報２１は、レプリカテンプレートＴｙのパターンデータに関する情報である。なお、パターン情報２１は、レプリカテンプレートＴｙの描画データに関する情報であってもよい。パターン情報２１は、テンプレートパターンのパターン深さ（掘り込み深さ）、パターンサイズ、パターン周囲長の少なくとも１つの情報を含んでいる。なお、パターン情報２１は、凹凸情報または構造情報（構造に関する情報）を含んでいてもよい。ここでの凹凸情報は、レプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターンが凹パターンであるか凸パターンであるかの情報である。また、ここでの構造情報は、レプリカテンプレートＴｙの固さ、厚さ、材質、形状などの情報である。
【００３０】
また、パターン情報２１には、マスターテンプレートＴｘに関する情報を含めてもよい。例えば、パターン情報２１には、マスターテンプレートＴｘの構造情報を含めてもよい。この場合の構造情報は、マスターテンプレートＴｘの固さ、厚さ、材質、形状などの情報である。離型力算出部１４は、算出したメッシュ領域毎の各離型力ΔＰを歪み量算出部１５に送る。
【００３１】
歪み量算出部１５は、記憶部１２からインプリント条件２２を読み出す。歪み量算出部１５は、インプリント条件２２に基づいて、レプリカテンプレート基板の各メッシュ領域における歪み量ΔＺを算出する。歪み量算出部１５は、インプリント条件２２を用いた離型シミュレーションなどによって歪み量ΔＺを試算する。歪み量算出部１５が算出する歪み量ΔＺは、マスターテンプレートＴｘをレプリカテンプレート基板上のレジストから離型する際のレプリカテンプレート基板の歪み量である。
【００３２】
インプリント条件２２は、レプリカテンプレート基板上のレジストの粘性（硬度）に関する情報およびレプリカテンプレートＴｙの構造情報の少なくとも１つを含んでいる。歪み量算出部１５は、算出したメッシュ領域毎の各歪み量ΔＺを位置ずれ量算出部１６に送る。
【００３３】
位置ずれ量算出部１６は、レプリカテンプレート基板上のレジストパターンの位置ずれ量を算出する。具体的には、位置ずれ量算出部１６は、歪み量ΔＺに基づいて、レジストパターンの所望位置からの位置ずれ量を算出する。これにより、位置ずれ量算出部１６は、インプリントの離型の際に発生するレプリカテンプレート基板の歪み量ΔＺに応じたレジストパターンの位置ずれ量を算出する。例えば、歪み量ΔＺが大きいほど、レジストパターンの位置ずれ量は大きくなる。位置ずれ量算出部１６は、メッシュ領域毎にレジストパターンの位置ずれ量を算出する。位置ずれ量算出部１６は、算出した各位置ずれ量を位置補正データ生成部１７に送る。
【００３４】
位置補正データ生成部１７は、位置ずれ量算出部１６から送られてきた位置ずれ量と、マスターテンプレートＴｘの描画データとを用いて、メッシュ領域毎に描画位置補正データを生成する。位置補正データ生成部１７が生成する描画位置補正データは、マスターテンプレートＴｘの描画データを補正するためのデータである。位置補正データ生成部１７は、生成した描画位置補正データを出力部１８に送る。出力部１８は、描画位置補正データを描画装置３０などの外部装置に送る。
【００３５】
補正データ作成装置１０の各構成要素の少なくとも一部は、ハードウェアで実現されてもよいし、ソフトウェアで実現されてもよい。例えば、分割部１３は、分割回路であってもよい。また、離型力算出部１４、歪み量算出部１５、位置ずれ量算出部１６、位置補正データ生成部１７は、それぞれ離型力算出回路、歪み量算出回路、位置ずれ量算出回路、位置補正データ生成回路であってもよい。
【００３６】
つぎに、レプリカテンプレートＴｙの作製処理手順について説明する。図３は、実施形態に係るレプリカテンプレート作製処理の処理手順を示すフローチャートである。レプリカテンプレートＴｙが作製される際には、レプリカテンプレートＴｙの描画データが作成される。なお、レプリカテンプレートＴｙの描画データは、マスターテンプレートＴｘの描画データを反転させたものであってもよい。レプリカテンプレートＴｙの描画データは、描画装置３０が、レプリカテンプレート基板上にテンプレートパターンを描画する場合に用いられるデータである。レプリカテンプレートＴｙの描画データは、レプリカテンプレートＴｙのパターンデータが描画用に補正されたものである。
【００３７】
補正データ作成装置１０の入力部１１へは、レプリカテンプレートＴｙの描画データが入力される。また、入力部１１へは、レプリカテンプレートＴｙのパターンデータに関する情報として、パターン情報２１が入力される。また、入力部１１へは、インプリント処理に関する情報として、インプリント条件２２が入力される。レプリカテンプレートＴｙの描画データ、パターン情報２１およびインプリント条件２２は、記憶部１２で記憶される。
【００３８】
分割部１３は、記憶部１２からレプリカテンプレートＴｙの描画データを読み込む（ステップＳ１０）。分割部１３は、レプリカテンプレートＴｙの描画データをメッシュ状の領域に分割する（ステップＳ２０）。分割部１３は、分割後のメッシュ領域（メッシュ分割した描画データ）を、メッシュ領域毎に離型力算出部１４に送る。
【００３９】
離型力算出部１４は、記憶部１２からパターン情報２１を読み出す。離型力算出部１４は、パターン情報２１に基づいて、レプリカテンプレート基板での各メッシュ領域における離型力ΔＰを試算する（ステップＳ３０）。ここでの離型力ΔＰは、マスターテンプレートＴｘをレプリカテンプレート基板上のレジストから離型する際にレプリカテンプレート基板にかかる離型力である。離型力算出部１４は、算出した各離型力ΔＰをメッシュ領域に対応付けして歪み量算出部１５に送る。
【００４０】
歪み量算出部１５は、記憶部１２からインプリント条件２２を読み出す。歪み量算出部１５は、インプリント条件２２に基づいて、レプリカテンプレート基板の各メッシュ領域における歪み量（基板歪み量）ΔＺを算出する（ステップＳ４０）。ここでの歪み量ΔＺは、マスターテンプレートＴｘをレプリカテンプレート基板上のレジストから離型する際の、レプリカテンプレート基板の歪み量である。歪み量算出部１５は、算出した各歪み量ΔＺをメッシュ領域に対応付けして位置ずれ量算出部１６に送る。
【００４１】
位置ずれ量算出部１６は、レプリカテンプレート基板上のレジストパターンの位置ずれ量を算出する。具体的には、位置ずれ量算出部１６は、歪み量ΔＺに基づいて、レジストパターンの所望位置からの位置ずれ量を算出する。これにより、位置ずれ量算出部１６は、インプリントの離型の際に発生するレプリカテンプレート基板の歪み量ΔＺに応じたレジストパターンの位置ずれ量（基板歪み量に応じたパターン位置ずれ量）を算出する（ステップＳ５０）。位置ずれ量算出部１６は、メッシュ領域毎にレジストパターンの位置ずれ量を算出する。位置ずれ量算出部１６は、算出した各位置ずれ量をメッシュ領域に対応付けして位置補正データ生成部１７に送る。
【００４２】
位置補正データ生成部１７は、位置ずれ量算出部１６から送られてきた位置ずれ量と、マスターテンプレートＴｘの描画データとを用いて、メッシュ領域毎に描画位置補正データを生成する（ステップＳ６０）。ここでの描画位置補正データは、マスターテンプレートＴｘの描画データを位置補正するためのデータである。換言すると、描画位置補正データは、レプリカテンプレート基板の離型時の歪みを相殺することができるデータである。このように、本実施形態では、パターン情報２１およびインプリント条件２２に基づいた、描画位置補正データが生成される。
【００４３】
位置補正データ生成部１７は、生成した描画位置補正データをメッシュ領域に対応付けして出力部１８に送る。出力部１８は、各メッシュ領域に対応付けされた描画位置補正データを描画装置３０に送る。
【００４４】
描画装置３０は、マスターテンプレートＴｘの描画データと、描画位置補正データと、を用いて、マスターテンプレート基板上のレジストにパターン描画を行う（ステップＳ７０）。パターン描画されたマスターテンプレート基板は、現像装置（デベロッパー）によって現像処理が行われ、エッチング装置（エッチャー）によってエッチング処理が行われる。これにより、マスターテンプレート基板上にテンプレートパターンが形成されて、マスターテンプレート基板がマスターテンプレートＴｘとなる。
【００４５】
マスターテンプレートＴｘが作製された後、位置計測装置６０は、マスターテンプレートＴｘの位置を計測する（ステップＳ８０）。具体的には、位置計測装置６０は、マスターテンプレートＴｘに形成されているテンプレートパターンの位置であるマスターパターン位置Ｍ１を計測する。なお、位置計測装置６０がマスターテンプレートＴｘの描画データに基づいて、位置差分を算出する場合、マスターパターン位置Ｍ１の計測は省略されてもよい。
【００４６】
また、インプリント装置４０は、インプリント処理を行う（ステップＳ９０）。具体的には、インプリント装置４０は、マスターテンプレートＴｘを用いたインプリントリソグラフィによって、レプリカテンプレート基板上にレジストパターンを形成する。レジストパターンが形成されたレプリカテンプレート基板は、エッチング装置によってエッチング処理が行われる。これにより、レプリカテンプレート基板上にテンプレートパターンが形成されて、レプリカテンプレート基板がレプリカテンプレートＴｙとなる。
【００４７】
レプリカテンプレートＴｙが作製された後、位置計測装置６０は、レプリカテンプレートＴｙの位置を計測する（ステップＳ１００）。具体的には、位置計測装置６０は、レプリカテンプレートＴｙに形成されているテンプレートパターンの位置であるレプリカパターン位置Ｒ１を計測する。
【００４８】
なお、位置計測装置６０によるマスターパターン位置Ｍ１の計測処理と、インプリント装置４０などを用いたレプリカテンプレートＴｙの作製処理とは、何れが先に行われてもよい。また、位置計測装置６０によるレプリカパターン位置Ｒ１の計測処理と、マスターパターン位置Ｍ１の計測処理とは、何れが先に行われてもよい。
【００４９】
位置計測装置６０は、レプリカパターン位置Ｒ１と所望位置との位置差分を算出する。位置計測装置６０は、例えば、マスターパターン位置Ｍ１とレプリカパターン位置Ｒ１とを比較することによって、位置差分を算出する。位置計測装置６０は、算出した位置差分が許容範囲内であるか否かを判定する。換言すると、位置計測装置６０は、レプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターンが所望通りの位置に形成されているか否かを判定する（ステップＳ１１０）。
【００５０】
レプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターンが所望通りの位置に形成されていない場合（ステップＳ１１０、Ｎｏ）、レプリカパターン位置Ｒ１の位置差分は、補正データ作成装置１０が用いる歪みモデルにフィードバックされる（ステップＳ１２０）。この場合、位置計測装置６０が算出した位置差分は、補正データ作成装置１０に送られる。この位置差分は、入力部１１に入力され、記憶部１２で記憶される。
【００５１】
歪みモデルは、レプリカテンプレート基板の歪み量ΔＺに応じたパターン位置ずれ量を算出するモデルである。したがって、位置ずれ量算出部１６が、記憶部１２で記憶されている位置差分を用いて、次回以降の処理を実行する。具体的には、位置ずれ量算出部１６は、レプリカテンプレート基板の歪み量ΔＺに応じたパターン位置ずれ量を、位置差分を用いて算出する（ステップＳ５０）。そして、位置補正データ生成部１７は、描画位置補正データを生成する（ステップＳ６０）。このように、レプリカパターン位置Ｒ１の位置差分は、補正データ作成装置１０での描画位置補正データの生成処理にフィードバックされる。
【００５２】
位置差分を用いて描画位置補正データが生成された場合も、位置差分が算出される前の処理と同様に、ステップＳ７０〜Ｓ１１０の処理が行われる。そして、レプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターンが所望通りの位置に形成されていない場合（ステップＳ１１０、Ｎｏ）、ステップＳ１２０およびステップＳ５０〜Ｓ１１０の処理が繰り返される。
【００５３】
このように、レプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターンに対して所望の位置精度を得ることができない場合には、パターン位置ずれ量の算出に誤差があると考えられるため、計測結果に最も合うパラメータを用いて描画位置補正データが再作成される。
【００５４】
レプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターンが所望通りの位置に形成されている場合（ステップＳ１１０、Ｙｅｓ）、このレプリカテンプレートＴｙを用いて、ウエハにインプリント処理が行われる。これにより、レプリカテンプレートＴｙに対応するレジストパターンがウエハ上に形成される。このように、位置ずれ量が許容範囲内であった場合、レプリカテンプレートＴｙを用いて、ウエハへのインプリント処理が行われる。このインプリント処理は、インプリント装置４０を用いて行われてもよいし、他のインプリント装置を用いて行われてもよい。
【００５５】
ウエハ上のレジストパターンは、レプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターンに応じた位置に形成されている。また、レプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターンは、マスターテンプレートＴｘのテンプレートパターンの位置に応じた位置に形成されている。そして、マスターテンプレートＴｘのテンプレートパターンの位置は、パターン情報２１およびインプリント条件２２に基づいて補正されている。したがって、ウエハ上のレジストパターンは、パターン情報２１およびインプリント条件２２に応じた位置に形成されている。
【００５６】
ここで、パターン情報２１の一例であるテンプレートパターンのパターン周囲長と、離型力ΔＰとの関係について説明する。図４は、パターン周囲長と離型力との関係を説明するための図である。図４の（ａ）では、テンプレートパターンのパターン周囲長が短い場合の離型処理を示している。図４の（ｂ）では、図４の（ａ）の場合よりも、テンプレートパターンのパターン周囲長が短い場合の離型処理を示している。
【００５７】
図４の（ａ）では、マスターテンプレートＴｘの一例として、パターン周囲長が短いマスターテンプレート５１Ｍを示している。また、図４の（ｂ）では、マスターテンプレートＴｘの一例として、パターン周囲長がマスターテンプレート５１Ｍよりも長いマスターテンプレート５２Ｍを示している。
【００５８】
マスターテンプレート５１Ｍを用いたインプリント処理の際には、レプリカテンプレート基板５０Ｒ上にレジスト７０が配置される。そして、レジスト７０に対して、マスターテンプレート５１Ｍが押し当てられる。これにより、レジスト７０がマスターテンプレート５１Ｍのテンプレートパターンに充填される。そして、レジスト７０に光照射などが行われ、これにより、テンプレートパターンに充填されているレジスト７０が硬化する。この後、マスターテンプレート５１Ｍが硬化したレジスト７０から離型される。
【００５９】
また、マスターテンプレート５２Ｍを用いたインプリント処理の際には、レプリカテンプレート基板５０Ｒ上にレジスト７０が配置される。そして、レジスト７０に対して、マスターテンプレート５２Ｍが押し当てられる。これにより、レジスト７０がマスターテンプレート５２Ｍのテンプレートパターンに充填される。そして、レジスト７０に光照射などが行われ、これにより、テンプレートパターンに充填されているレジスト７０が硬化する。この後、マスターテンプレート５２Ｍが硬化したレジスト７０から離型される。
【００６０】
マスターテンプレート５１Ｍを用いたインプリントの離型処理の場合、マスターテンプレート５１Ｍに形成されているテンプレートパターンの周囲長が短いので、レプリカテンプレート基板５０Ｒにかかる離型力ΔＰは小さいものとなる。
【００６１】
一方、マスターテンプレート５２Ｍを用いたインプリントの離型処理の場合、マスターテンプレート５２Ｍに形成されているテンプレートパターンの周囲長が長いので、レプリカテンプレート基板５０Ｒにかかる離型力ΔＰは大きいものとなる。
【００６２】
このように、レプリカテンプレート基板５０Ｒにかかる離型力ΔＰは、テンプレートパターンの周囲長に応じた大きさとなる。同様に、レプリカテンプレート基板５０Ｒにかかる離型力ΔＰは、テンプレートパターンの深さ、パターンサイズ、凹凸情報または構造情報などのパターン情報２１に応じた大きさとなる。
【００６３】
マスターテンプレートＴｘには、テンプレート面内に種々の形状（パターン周囲長など）を有したテンプレートパターンが配置されている。したがって、レプリカテンプレート基板５０Ｒにかかる離型力ΔＰは、テンプレート面内で種々の大きさとなる。この結果、離型の際には、レプリカテンプレート基板５０Ｒが面内で歪むこととなる。
【００６４】
図５は、離型力とレプリカテンプレート基板の歪みとの関係を説明するための図である。図５ではテンプレートパターンが種々のパターン周囲長を有している場合の離型処理を示している。
【００６５】
図５に示すマスターテンプレート５３Ｍは、マスターテンプレートＴｘの一例である。マスターテンプレート５３Ｍは、パターン周囲長が長いテンプレートパターン５６と、パターン周囲長がテンプレートパターン５６よりも短いテンプレートパターン５７と、を有している。
【００６６】
このようなマスターテンプレート５３Ｍを用いたインプリント処理では、マスターテンプレート５３Ｍが、レプリカテンプレート基板５０Ｒ上のレジスト７０から離型される。この場合おいて、パターン周囲長が長いテンプレートパターン５６の近傍では、レプリカテンプレート基板５０Ｒにかかる離型力ΔＰは大きいものとなる。一方、パターン周囲長が短いテンプレートパターン５７の近傍では、レプリカテンプレート基板５０Ｒにかかる離型力ΔＰは小さいものとなる。
【００６７】
このように、インプリント法では、レジストパターン（テンプレートパターン）の周囲長などに応じて、インプリントプロセス時の離型力ΔＰが局所的に異なる。このため、レプリカテンプレート基板５０Ｒには、離型力ΔＰに応じた微小な反りが生じる。その結果、レプリカテンプレート基板５０Ｒの反り量に応じた量だけ転写パターン（レジストパターン）の位置がシフトする。転写パターンのシフト量は、レプリカテンプレート基板５０Ｒの中心を原点とした場合、例えば、原点からの距離と離形力ΔＰの差との積で表される。
【００６８】
本実施形態では、レプリカテンプレート基板５０Ｒの反り量（歪み量ΔＺ）が予め予測され、予測結果に基づいて、マスターテンプレートＴｘのパターン位置が補正されたうえでマスターテンプレートＴｘが作製される。これにより、マスターテンプレートＴｘを用いて所望のレプリカテンプレートＴｙを作製することが可能となる。
【００６９】
つぎに、パターン情報２１と、レジストパターンの位置ずれ方向について説明する。ここでは、パターン情報２１の一例であるテンプレートパターンのパターン被覆率（パターン密度）と、レジストパターンの位置ずれ方向との関係について説明する。
【００７０】
図６は、テンプレートパターンのパターン被覆率を説明するための図である。図６では、種々のパターン被覆率を有したマスターテンプレート５４Ｍの上面図を示している。マスターテンプレートＴｘの一例であるマスターテンプレート５４Ｍでは、パターン被覆率が大きな領域（密な領域）と、パターン被覆率が小さな領域（疎な領域）と、が混在している。図６では、パターン被覆率が最も小さな領域１０１と、２番目に小さな領域１０２と、３番目に小さな領域１０３と、パターン被覆率が最も大きな領域１０４と、をハッチングで区別して図示している。
【００７１】
図７は、マスターテンプレートの断面形状を説明するための図である。図７の（ａ）では、力がかかっていない状態のマスターテンプレートＴｘの断面形状を示している。また、図７の（ｂ）では、離型時のマスターテンプレートＴｘの断面形状を示している。なお、図７の（ｂ）では、レジスト７０の図示を省略している。
【００７２】
図７の（ａ）に示すように、マスターテンプレートＴｘの一例であるマスターテンプレート５５Ｍには、パターン被覆率が小さな領域（領域７６）と、パターン被覆率が大きな領域（領域７５）とがある。
【００７３】
図７の（ｂ）に示すように、離型処理の際には、所定領域から順番にマスターテンプレート５５Ｍがレジスト７０から引き剥がされる。例えば、マスターテンプレート５５Ｍは、外周部から中央部に向かって順番に剥がされ、最後に中央部がはがされる。この場合において、マスターテンプレート５５Ｍは、反らされながらレジスト７０から剥がされる。そして、テンプレートパターンの疎密分布に応じてレプリカテンプレート基板５０Ｒも反る。
【００７４】
疎なテンプレートパターンが配置されている領域７６は、レジスト７０とマスターテンプレート５５Ｍとの間の密着力が小さいので、離型力ΔＰが小さい。一方、密なテンプレートパターンが配置されている領域７５は、レジスト７０とマスターテンプレート５５Ｍとの間の密着力が大きいので、離型力ΔＰが大きい。このように、離型力ΔＰは、テンプレートパターンの疎密に応じた大きさとなる。
【００７５】
このため、離型の際には、レジスト７０が、疎なテンプレートパターンが配置されている方向に位置ずれする。このように、レジスト７０（レジストパターン）の位置はテンプレートパターン（レジストパターン）の疎密に応じて位置ずれする。
【００７６】
図８は、パターン被覆率とレジストパターンの位置ずれ方向との関係を説明するための図である。図８では、図６に示したマスターテンプレート５４Ｍのテンプレートパターン領域８１を示している。図８に示す矢印の方向は、レジスト７０の位置ずれ方向を示している。また、図８に示す矢印の長さは、レジスト７０の位置ずれ量を示している。したがって、短い矢印は、小さな位置ずれ量が発生していることを示し、長い矢印は、大きな位置ずれ量が発生していることを示している。
【００７７】
テンプレートパターン領域８１内の領域８４では、疎な領域１０１，１０２などの影響を受けて、レジスト７０が疎の方向に位置ずれを起こす。ここでは、領域８４において、レジスト７０が広がる方向（マスターテンプレート５４Ｍの外周側）に位置ずれを起こした場合を示している。テンプレートパターン領域８１内の領域８５は、疎な領域１０１が、密な領域である領域１０４と隣接した領域である。このため、領域８５では、例えば、密な領域１０４などの影響を受けて、レジスト７０が密の方向に位置ずれを起こす。ここでは、領域８５において、レジスト７０が縮まる方向（マスターテンプレート５４Ｍの内周側）に位置ずれを起こした場合を示している。
【００７８】
本実施形態の補正データ作成装置１０は、このようなレジスト７０の位置ずれを解消するよう、パターン情報２１およびインプリント条件２２に基づいて描画位置補正データを生成している。したがって、レプリカテンプレート基板５０Ｒ上にレジスト７０を形成した際に、レジスト７０の位置ずれ（位置誤差）を抑制することが可能となる。また、レプリカテンプレートＴｙを用いてウエハ上にレジスト７０を形成した際に、レジスト７０の位置ずれ（位置誤差）を抑制することが可能となる。
【００７９】
ここで、インプリント装置４０の構成について説明する。図９は、インプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置４０は、レプリカテンプレート基板５０Ｒなどの被転写基板（被加工基板）に、モールド基板であるマスターテンプレート（原版）Ｔｘのテンプレートパターン（回路パターンなど）を転写する装置である。
【００８０】
インプリント装置４０は、ＵＶ光源４１、原版ステージ４２、基板チャック４４、試料ステージ４５、基準マーク４６、アライメントセンサ４７、液滴下装置４８、ステージベース４９を備えている。また、本実施形態のインプリント装置４０は、コントローラ２５を備えている。
【００８１】
試料ステージ４５は、レプリカテンプレート基板５０Ｒを載置するとともに、載置したレプリカテンプレート基板５０Ｒと平行な平面内（水平面内）を移動する。試料ステージ４５は、レプリカテンプレート基板５０Ｒに転写材としてのレジスト７０を滴下する際にはレプリカテンプレート基板５０Ｒを液滴下装置４８の下方側に移動させ、レプリカテンプレート基板５０Ｒへの押印処理を行う際には、レプリカテンプレート基板５０ＲをマスターテンプレートＴｘの下方側に移動させる。
【００８２】
また、試料ステージ４５上には、基板チャック４４が設けられている。基板チャック４４は、レプリカテンプレート基板５０Ｒを試料ステージ４５上の所定位置に固定する。また、試料ステージ４５上には、基準マーク４６が設けられている。基準マーク４６は、試料ステージ４５の位置を検出するためのマークであり、レプリカテンプレート基板５０Ｒを試料ステージ４５上にロードする際の位置合わせに用いられる。
【００８３】
ステージベース４９の底面側（レプリカテンプレート基板５０Ｒ側）には、原版ステージ４２が設けられている。原版ステージ４２は、マスターテンプレートＴｘの裏面側（テンプレートパターンの形成されていない側の面）からマスターテンプレートＴｘを真空吸着などによって所定位置に固定する。
【００８４】
ステージベース４９は、原版ステージ４２によってマスターテンプレートＴｘを支持するとともに、マスターテンプレートＴｘのテンプレートパターンをレプリカテンプレート基板５０Ｒ上のレジスト７０に押し当てる。ステージベース４９は、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、マスターテンプレートＴｘのレジスト７０への押し当てと、マスターテンプレートＴｘのレジスト７０からの引き離し（離型）と、を行う。インプリントに用いるレジスト７０は、例えば、光硬化性などの樹脂（光硬化剤）である。また、ステージベース４９の上部には、アライメントセンサ４７が設けられている。アライメントセンサ４７は、レプリカテンプレート基板５０Ｒの位置検出やマスターテンプレートＴｘの位置検出を行う。
【００８５】
液滴下装置４８は、インクジェット方式によってレプリカテンプレート基板５０Ｒ上にレジスト７０を滴下する装置である。液滴下装置４８が備えるインクジェットヘッド（図示せず）は、レジスト７０の液滴を噴出する複数の微細孔を有している。
【００８６】
ＵＶ光源４１は、ＵＶ光を照射する光源であり、ステージベース４９の上方に設けられている。ＵＶ光源４１は、マスターテンプレートＴｘがレジスト７０に押し当てられた状態で、マスターテンプレートＴｘ上からＵＶ光を照射する。コントローラ２５は、インプリント装置４０の各構成要素に接続され、各構成要素を制御する。図７では、コントローラ２５と、各構成要素との接続は図示省略している。
【００８７】
レプリカテンプレート基板５０Ｒへのインプリントを行う際には、試料ステージ４５に載せられたレプリカテンプレート基板５０Ｒが液滴下装置４８の直下まで移動させられる。そして、レプリカテンプレート基板５０Ｒの所定位置にレジスト７０が滴下される。
【００８８】
その後、試料ステージ４５上のレプリカテンプレート基板５０ＲがマスターテンプレートＴｘの直下に移動させられる。そして、マスターテンプレートＴｘがレプリカテンプレート基板５０Ｒ上のレジスト７０に押し当てられる。
【００８９】
インプリント装置４０は、マスターテンプレートＴｘとレジスト７０とを所定時間だけ接触させてテンプレートパターンにレジスト７０を充填させる。この状態でＵＶ光源４１がＵＶ光をレジスト７０に照射してレジスト７０を硬化させる。これにより、テンプレートパターンに対応する転写パターンがレプリカテンプレート基板５０Ｒ上のレジスト７０にパターニングされる。
【００９０】
なお、レプリカテンプレートＴｙを用いてウエハ上にレジストパターンを形成する際に用いられるインプリント装置もインプリント装置４０と同様の構成を有している。この場合のインプリント装置は、レプリカテンプレートＴｙをウエハ上のレジスト７０に押し当てる。これにより、ウエハ上にレジストパターンが形成される。
【００９１】
つぎに、インプリント工程の処理手順について説明する。図１０は、インプリント工程の処理手順を説明するための図である。なお、レプリカテンプレートＴｙを用いたインプリント処理と、マスターテンプレートＴｘを用いたインプリント処理とは、同様の処理なので、ここではレプリカテンプレートＴｙを用いたインプリント処理について説明する。
【００９２】
図１０では、インプリント工程におけるウエハＷＡやレプリカテンプレートＴｙなどの断面図を示している。図１０の（ａ）に示すように、ウエハＷＡの上面にはレジスト７０が滴下される。これにより、ウエハＷＡに滴下されたレジスト７０の各液滴はウエハＷＡ面内に広がる。
【００９３】
そして、レプリカテンプレートＴｙがレジスト７０側に移動させられ、図１０の（ｂ）に示すように、レプリカテンプレートＴｙがレジスト７０に押し当てられる。このように、石英基板等を掘り込んで作ったレプリカテンプレートＴｙをレジスト７０に接触させると、毛細管現象によりレプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターン内にレジスト７０が流入する。
【００９４】
予め設定しておいた時間だけ、レジスト７０をレプリカテンプレートＴｙに充填させた後、図１０の（ｃ）に示すように、ＵＶ光３５が照射される。これにより、レジスト７０が硬化する。そして、図１０の（ｄ）に示すように、レプリカテンプレートＴｙが、硬化したレジスト７０から離型されることにより、テンプレートパターンを反転させたレジストパターンがウエハＷＡ上に形成される。
【００９５】
なお、マスターテンプレートＴｘを用いたインプリント処理では、レプリカテンプレートＴｙの代わりにマスターテンプレートＴｘが用いられる。そして、ウエハＷＡの代わりにレプリカテンプレート基板５０Ｒが用いられる。
【００９６】
テンプレート作製システム１００によるレプリカテンプレートＴｙの作製は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。そして、位置補正されたレプリカテンプレートＴｙを用いて半導体装置（半導体集積回路）が製造される。具体的には、レプリカテンプレートＴｙのパターン周囲長などに基づいて、マスターテンプレートＴｘ用の描画位置補正データが作成される。そして、描画位置補正データを用いてマスターテンプレートＴｘが作製され、このマスターテンプレートＴｘを用いてレプリカテンプレートＴｙが作製される。
【００９７】
さらに、ウエハＷＡ上に被加工膜が形成され、被加工膜上にレジスト７０が配置される。この後、レジスト７０の配置されたウエハＷＡにレプリカテンプレートＴｙを用いたインプリント処理が行われ、これにより、ウエハＷＡ上にレジストパターンが形成される。そして、レジストパターンをマスクとしてレジストパターンの下層側がエッチングされる。これにより、レプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターンに対応する実パターンがウエハＷＡ上に形成される。半導体装置を製造する際には、上述した描画位置補正データの作成処理、マスターテンプレートＴｘの作製処理、レプリカテンプレートＴｙの作製処理、ウエハＷＡ上への被加工膜の形成処理、レプリカテンプレートＴｙを用いたインプリント処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００９８】
つぎに、補正データ作成装置１０のハードウェア構成について説明する。図１１は、補正データ作成装置のハードウェア構成を示す図である。補正データ作成装置１０は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）９１、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）９２、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。補正データ作成装置１０では、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。
【００９９】
ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムである位置補正データ生成プログラム９７を用いてパターンの判定を行う。位置補正データ生成プログラム９７は、コンピュータで実行可能な、描画位置補正データを作成するための複数の命令を含むコンピュータ読取り可能かつ非遷移的な記録媒体（non-transitory  computer  readable  recording  medium）を有するコンピュータプログラムプロダクトである。位置補正データ生成プログラム９７では、前記複数の命令が描画位置補正データを作成することをコンピュータに実行させる。
【０１００】
表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、レプリカテンプレートＴｙの描画データ、離型力ΔＰ、歪み量ΔＺ、位置ずれ量、描画位置補正データなどを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（描画位置補正データの作成に必要なパラメータ等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。
【０１０１】
位置補正データ生成プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図１１では、位置補正データ生成プログラム９７がＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。
【０１０２】
ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされた位置補正データ生成プログラム９７を実行する。具体的には、補正データ作成装置１０では、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内から位置補正データ生成プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
【０１０３】
補正データ作成装置１０で実行される位置補正データ生成プログラム９７は、分割部１３、離型力算出部１４、歪み量算出部１５、位置ずれ量算出部１６、位置補正データ生成部１７を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。なお、位置補正データ生成プログラム９７が実行する処理のうちの何れかは他のプログラムによって実行されてもよい。例えば、分割部１３の処理は他のプログラムによって実行されてもよい。
【０１０４】
また、補正データ作成装置１０は、circuitry（電気回路）を有していてもよい。この場合、circuitryが、分割部１３、離型力算出部１４、歪み量算出部１５、位置ずれ量算出部１６、位置補正データ生成部１７として機能する。
【０１０５】
なお、本実施形態では、パターン情報２１およびインプリント条件２２に基づいて描画位置補正データが生成される場合について説明したが、インプリント条件２２を用いることなく、パターン情報２１に基づいて描画位置補正データが生成されてもよい。
【０１０６】
また、本実施形態では、離型力算出部１４が、レプリカテンプレートＴｙの描画データを用いて離型力ΔＰを算出したが、離型力算出部１４は、マスターテンプレートＴｘの描画データを用いて離型力ΔＰを算出してもよい。
【０１０７】
また、パターン情報２１は、補正データ作成装置１０（離型力算出部１４など）で算出されてもよい。また、本実施形態では、パターン周囲長などに基づいて、レジストパターンの位置ずれを補正したが、パターン周囲長などに基づいてレジストパターンの形状補正が行われてもよい。この場合、補正データ作成装置１０は、パターン情報２１およびインプリント条件２２に基づいて、レジストパターンの形状補正データを生成する。そして、描画装置３０が、形状補正データに基づいて、描画データ（描画パターン）の形状補正を行なう。
【０１０８】
また、本実施形態では、レプリカテンプレートＴｙのテンプレートパターンが所望通りの位置に形成されていない場合に、位置差分のフィードバックが行われたが、テンプレートパターンが所望通りの位置に形成されている場合に、位置差分のフィードバックが行われてもよい。また、位置差分が所定値以下または所定値未満の場合に、位置差分のフィードバックが行われてもよい。
【０１０９】
また、本実施形態では、ＵＶ光３５を照射することによってレジスト７０を硬化させたが、熱を与えることによってレジスト７０を硬化させてもよい。この場合、レジスト７０には、熱硬化性の樹脂（熱硬化剤）が用いられる。
【０１１０】
このように実施形態では、マスターテンプレート（第１のテンプレート）Ｔｘを用いたインプリントによってレプリカテンプレート（第２のテンプレート）Ｔｙを形成する際の離型力ΔＰが、パターン情報２１に基づいて算出される。また、離型力ΔＰに基づいて、離型時のレプリカテンプレートＴｙの歪み量ΔＺが算出される。また、歪み量ΔＺに基づいて、レプリカテンプレートＴｙ上に形成されるレジストパターンの位置ずれ量が算出される。そして、位置ずれ量に基づいて、マスターテンプレートＴｘの描画データが補正される。さらに、補正後の描画データを用いてマスターテンプレートＴｘが作製される。また、マスターテンプレートＴｘを用いたインプリント処理によってレプリカテンプレートＴｙが作製される。また、レプリカテンプレートＴｙを用いたインプリント処理によって基板上にパターンが形成される。
【０１１１】
このように、パターン情報２１に基づいて離型力ΔＰが算出され、離型力ΔＰに基づいて、マスターテンプレートＴｘが作製され、マスターテンプレートＴｘを用いてレプリカテンプレートＴｙが作製される。したがって、インプリントによって基板上の所望位置にパターンを形成することが可能となる。
【０１１２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１３】
１０…補正データ作成装置、１３…分割部、１４…離型力算出部、１５…歪み量算出部、１６…位置ずれ量算出部、１７…位置補正データ生成部、２１…パターン情報、２２…インプリント条件、３０…描画装置、３５…ＵＶ光、４０…インプリント装置、５０Ｒ…レプリカテンプレート基板、５１Ｍ〜５５Ｍ…マスターテンプレート、５６，５７…テンプレートパターン、６０…位置計測装置、７０レジスト、１００…テンプレート作製システム、Ｔｘ…マスターテンプレート、Ｔｙ…レプリカテンプレート、ＷＡ…ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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