(57)【要約】【課題】放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制する発光装置を提供する。【解決手段】実施形態の発光装置は、基板と、配線層と、発光素子と、レジスト層と、赤色蛍光層とを具備する。配線層は、基板上に設けられる。発光素子は、配線層上に載置される。レジスト層は、基板上において配線層が設けられた領域以外に設けられ、基板の厚み方向に沿う断面において、基板に対して傾斜する傾斜面を有する。赤色蛍光層は、傾斜面に形成される。【選択図】図１
2017168559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
前記基板上に設けられる配線層と；
前記配線層上に載置される発光素子と；
前記基板上において前記配線層が設けられた領域以外に設けられるレジスト層であって、前記基板の厚み方向に沿う断面において、前記基板に対して傾斜する傾斜面を有するレジスト層と；
前記傾斜面に形成される赤色蛍光層と；
を具備する発光装置。
【請求項２】
前記発光素子は、前記基板に載置される載置面以外から光を放射し、
前記傾斜面は、前記発光素子から離れるにつれて前記基板からの高さが高く形成される請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子は、前記基板に載置される載置面の反対面から光を放射し、
前記傾斜面は、前記発光素子から離れるにつれて前記基板からの高さが低く形成される請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記赤色蛍光層は前記レジスト層と一体に形成される請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、セラミック基板上に発光ダイオード（ＬＥＤ：light  emitting  diode）などの半導体発光素子（以下、単に「発光素子」とする）が実装され、半導体発光素子が樹脂で封止された発光装置がある。ＬＥＤは、例えば、セラミックで形成される絶縁層の上に配電層とともに搭載されＣＯＢ（Chip  On  Board）モジュールを形成する。
【０００３】
このような発光装置は、例えば屋外照明として投光器などに用いられることがあり、その場合指向性の強い配光特性が望まれている。このような配光特性を実現するためには、発光装置の発光面積を小さく抑えることが好ましい。そのため、発光装置における発光素子の高密度化が進んでいる。ここで、高出力かつ高光束発散度を有する発光素子は、発熱量が非常に多く、また発熱密度が高い。さらに、上述したような発光素子の高密度化のため、発光装置には、さらなる発熱量の増大や発熱密度の上昇が懸念される。
【０００４】
そのため、高出力かつ高光束発散度を有する発光素子が光源として用いられる場合、発光素子から放熱部材への熱抵抗を低減する技術が提供されている。この場合、熱抵抗の低減により発光素子に供給可能な電力を大幅に増加させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−７６５２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、発光素子に供給する電力を増加させた場合、蛍光体の発熱量が比例して増えてしまうため、蛍光体における発熱や光取出し効率の低下を抑制することが難しい。そのため、蛍光体における発熱を抑制し、光取出し効率を向上させることが望ましい。
【０００７】
本発明は、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制することができる発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態の発光装置は、基板と、配線層と、発光素子と、レジスト層と、赤色蛍光層とを具備する。配線層は、基板上に設けられる。発光素子は、配線層上に載置される。レジスト層は、基板上において配線層が設けられた領域以外に設けられ、基板の厚み方向に沿う断面において、基板に対して傾斜する傾斜面を有する。赤色蛍光層は、傾斜面に形成される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態に係る発光装置の図２中のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る発光装置の一部を示す平面図である。
【図３】図３は、変形例に係る発光装置における傾斜面の構成例を示す断面図である。
【図４】図４は、変形例に係る発光装置における傾斜面の他の構成例を示す断面図である。
【図５】図５は、変形例に係る発光素子を用いた発光装置を示す断面図である。
【図６】図６は、変形例に係る発光素子を用いた発光装置を示す断面図である。
【図７】図７は、実施形態に係る発光装置を用いた照明器具を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下で説明する実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２は、基板１０と、基板１０上に設けられる配線層２０と、配線層２０上に載置される発光素子３０、３００と、基板１０上において配線層２０が設けられた領域以外に設けられるレジスト層５０，５０Ａ，５０Ｂ，５００であって、基板１０の厚み方向に沿う断面において、基板１０に対して傾斜する傾斜面５１ａ，５１Ａａ，５１Ｂａ，５０１ａ，５２ａ，５２Ａａ，５２Ｂａ，５０２ａを有するレジスト層５０，５０Ａ，５０Ｂ，５００と、傾斜面５１ａ，５１Ａａ，５１Ｂａ，５０１ａ，５２ａ，５２Ａａ，５２Ｂａ，５０２ａに形成される赤色蛍光層６１，６１Ａ，６１Ｂ，６０１と、を具備する。
【００１２】
また、以下で説明する実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａ，１Ｂにおいて、発光素子３０は、基板１０に載置される載置面３１以外から光を放射し、傾斜面５１ａ，５１Ａａ，５１Ｂａは、発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高く形成される。
【００１３】
また、以下で説明する変形例に係る発光装置２において、発光素子３００は、基板１０に載置される載置面３０１の反対面（実施形態においては、「発光面３０２」）から光を放射し、傾斜面５０１ａ，５０２ａは、発光素子３００から離れるにつれて基板１０からの高さが低く形成される。
【００１４】
また、以下で説明する実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２において、赤色蛍光層６１，６１Ａ，６１Ｂ，６０１はレジスト層５０，５０Ａ，５０Ｂ，５００と一体に形成される。
【００１５】
［実施形態］
まず、本発明の実施形態に係る発光装置１を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態に係る発光装置の図２中のＡ−Ａ断面を示す断面図である。また、図２は、実施形態に係る発光装置の一部を示す平面図である。具体的には、図２は、実施形態に係る封止部を除いた発光装置の一部を示す平面図である。
【００１６】
本実施形態に係る発光装置１は、基板１０と、配線層２０と、発光素子３０と、バンク部４０と、レジスト層５０と、赤色蛍光層６１と、封止部６２と、ヒートシンク７０とを具備する。以下、図１を用いて、発光装置１の各構成について詳述する。
【００１７】
基板１０は、板状に形成される。例えば、基板１０は、平面視において矩形状や円形状等、用途等に応じて種々の形状に形成される。例えば、基板１０は、絶縁性材料により形成される。例えば、基板１０には、セラミック基板等が用いられる。
【００１８】
基板１０の実装面の反対側は、ヒートシンク７０が設けられる。ヒートシンク７０は、金属材料により形成される。例えば、ヒートシンク７０は、アルミニウムや銅により形成される。例えば、ヒートシンク７０は、平面視において矩形状や円形状に形成される。
【００１９】
また、基板１０の実装面上（以下、単に「基板１０上」とする）には、配線層２０が設けられる。図１では、配線層２０は、所定の間隔で設けられる。例えば、配線層２０は、外部から発光素子３０に給電するために基板１０上に設けられる。例えば、一対の配線層２０ごとに所定の間隔で設けられ、一対の配線層２０のうち一方の配線層２０はプラス側の電極（カソード）に接続され、一対の配線層２０のうち他方の配線層２０はマイナス側の電極（アノード）に接続される。また、配線層２０の幅や厚みは、用いられる発光素子３０等により適宜設定される。例えば、配線層２０の幅や体積は、配線層２０に印加される電流や電圧等により適宜設定される。
【００２０】
例えば、配線層２０は、銅（Ｃｕ）等の材料に形成され、基板１０上に設けられる。なお、配線層２０は、金属材料を用いてメッキ処理されることにより、基板１０上に設けられてもよい。例えば、配線層２０は、金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）を用いてメッキ処理されることにより、基板１０上に設けられてもよい。
【００２１】
発光素子３０は、配線層２０上に複数設けられる。具体的には、発光素子３０は、一対の配線層２０上に載置される。例えば、発光素子３０には、ＬＥＤチップ等が用いられる。例えば、発光素子３０は、配線層２０上に載置される載置面３１以外から光が放射されるＬＥＤチップが用いられる。例えば、発光素子３０は、配線層２０上に載置される載置面３１から給電される。例えば、発光素子３０の載置面３１には、一対の配線層２０のうち一方の配線層２０に載置される部分にプラスの電極（カソード）が設けられ、一対の配線層２０のうち他方の配線層２０に載置される部分にマイナスの電極（アノード）が設けられる。また、例えば、発光素子３０には、青色ＬＥＤチップや赤色ＬＥＤチップや緑色ＬＥＤチップ等が用いられる。
【００２２】
例えば、発光素子３０は、基板１０上に格子状に並べて配置される。例えば、発光素子３０は、基板１０に沿う第１方向に所定の間隔で並ぶ第１仮想線と、基板１０に沿い第１方向に直交する第２方向に所定の間隔で並ぶ第２仮想線との交点の位置に配置されてもよい。例えば、図１の例では、基板１０上に９個の発光素子３０が並べて配置される。例えば、９個の発光素子３０は、第１方向に所定の間隔で並ぶ３本の第１仮想線と、第２方向に所定の間隔で並ぶ３本の第２仮想線との交点の位置に各々配置される。また、例えば、発光素子３０は、基板１０に沿う第１方向に所定の間隔で並ぶ第１仮想線と、基板１０に沿い第１方向に直交する第２方向に所定の間隔で並ぶ第２仮想線とにより囲まれる各領域に配置されてもよい。例えば、基板１０上に格子状に配置される。なお、発光素子３０は、格子状に限らず、用途等に応じて種々の態様で配置されてもよい。例えば、発光素子３０は、基板１０上に千鳥格子状に並べて配置されてもよい。
【００２３】
また、基板１０の周端部には、バンク部４０が形成される。例えば、バンク部４０は、樹脂等により形成される。例えば、バンク部４０は、白色で反射率が高いことが望ましい。これにより、バンク部４０は、高反射枠として機能する。また、図１では、バンク部４０は、基板１０の周端部に基板１０から立設される。例えば、基板１０が平面視において矩形状に形成される場合、バンク部４０は、基板１０の平面視において基板１０の内側を囲むように、基板１０の周端部に矩形状に立設される。また、例えば、基板１０が平面視において円形状に形成される場合、バンク部４０は、基板１０の平面視において基板１０の内側を囲むように、基板１０の周端部に円形状に立設される。図１では、バンク部４０に囲まれた領域に封止部６２を流し込むことにより、基板１０上の発光素子３０等を封止部６２により封止するが、詳細は後述する。
【００２４】
また、基板１０上には、配線層２０が設けられた領域以外にレジスト層５０が設けられる。レジスト層５０には、電気絶縁性の有機系または無機系のレジストが用いられる。例えば、レジスト層５０には、白色のレジストが用いられる。レジスト層５０には、反射率の高い材料が用いられることが望ましい。
【００２５】
ここで、レジスト層５０には、発光素子３０間に設けられるレジスト層５１と、発光素子３０とバンク部４０との間に設けられるレジスト層５２とを有する。なお、レジスト層５１とレジスト層５２とを区別しないで説明する場合、レジスト層５０とする。
【００２６】
図１に示すように、レジスト層５１は、基板１０から離れる方向に凸状に形成される。レジスト層５１は、発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高くなるように形成される傾斜面５１ａと、一対の傾斜面５１ａに連続し、基板１０と略平行な水平面５１ｂとを有する。具体的には、レジスト層５１の傾斜面５１ａは、その傾斜面５１ａが臨む発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高くなるように形成される。例えば、傾斜面５１ａは、図１に示す断面において、傾斜面５１ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ１１が４５°以下となるように形成される。この場合、傾斜面５１ａは、図１に示す断面において、基板１０の実装面に直交する方向に対して、その傾斜面５１ａが臨む発光素子３０から離れる方向に４５°以上傾くように形成される。例えば、傾斜面５１ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ１１は、０°より大きく９０°未満となるように形成される。例えば、傾斜面５１ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ１１は、０°より大きく４５°以下となるように形成されることが好適である。
【００２７】
また、図１に示すように、レジスト層５２は、発光素子３０側からバンク部４０側へ向かうにつれて基板１０から離れる方向の高さが高くなるように形成される。レジスト層５２は、発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高くなるように形成される傾斜面５２ａを有する。例えば、傾斜面５２ａは、図１に示す断面において、傾斜面５２ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ１２が４５°以下となるように形成される。この場合、傾斜面５２ａは、図１に示す断面において、基板１０の実装面に直交する方向に対して、その傾斜面５２ａが臨む発光素子３０から離れる方向に４５°以上傾くように形成される。例えば、傾斜面５２ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ１２は、０°より大きく９０°未満となるように形成される。例えば、傾斜面５２ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ１２は、０°より大きく４５°以下となるように形成されることが好適である。
【００２８】
また、レジスト層５１の傾斜面５１ａには赤色蛍光層６１が形成される。また、レジスト層５２の傾斜面５２ａにも赤色蛍光層６１が形成される。例えば、赤色蛍光層６１は、ピーク発光波長が波長６００ｎｍ〜６７０ｎｍ程度である材料（赤色蛍光体）が用いられる。例えば、赤色蛍光層６１には、赤色蛍光体として、赤色窒化物蛍光体が用いられる。例えば、赤色蛍光層６１には、赤色蛍光体として、ＣａＡｌＳｉＮ３:Ｅｕ等を基本組成とする蛍光体が用いられる。例えば、赤色蛍光層６１には、赤色蛍光体として、ＳＣＡＳＮ、ＣＡＳＮ等や、例えば１１１３蛍光体等が含まれる。なお、赤色蛍光層６１には、所望のピーク発光波長を有すれば、赤色蛍光体としてどのような材料が含まれてもよい。また、図２に示すように、レジスト層５１の傾斜面５１ａに形成された赤色蛍光層６１は、基板１０の平面視において発光素子３０を囲むように設けられる。なお、図２に示す例においては、レジスト層５１の各傾斜面５１ａが連続し、その全面に赤色蛍光層６１が形成される場合を図示するが、レジスト層５１の傾斜面５１ａや赤色蛍光層６１の構成は、上記に限られない。例えば、レジスト層５１の各傾斜面５１ａ間には空隙が形成されてもよい。すなわち、レジスト層５１の各傾斜面５１ａは、連続していなくてもよい。また、赤色蛍光層６１は、傾斜面５１ａの一部に形成されてもよい。
【００２９】
上述のように、発光素子３０は、封止部６２により封止される。図１に示すように、封止部６２は、発光素子３０全体を覆うようにバンク部４０内に充填されている。ここで、封止部６２には、緑蛍光体または黄蛍光体が含まれる。例えば、封止部６２に含まれる緑色蛍光体には、ピーク発光波長が波長５００ｎｍ〜５３０ｎｍ程度である材料が用いられる。例えば、封止部６２には、緑色蛍光体として、ＹＡＧ、ＬＡＧ等が含まれる。例えば、封止部６２には、緑色蛍光体として、イットリウム・アルミニウム・ガーネットやランタン・アルミニウム・ガーネット等が含まれる。例えば、封止部６２には、緑色蛍光体として、ガーネット構造を有する蛍光体等が用いられる。なお、封止部６２には、所望のピーク発光波長を有すれば、緑色蛍光体としてどのような材料が含まれてもよい。
【００３０】
また、例えば、封止部６２に含まれる黄色蛍光体には、ピーク発光波長が波長５３０ｎｍ〜５６０ｎｍ程度である材料が用いられる。例えば、封止部６２には、黄色蛍光体として、ＹＡＧ等が含まれる。例えば、封止部６２には、黄色蛍光体として、イットリウム・アルミニウム・ガーネット等が含まれる。例えば、封止部６２には、黄色蛍光体として、ガーネット構造を有する蛍光体等が用いられる。なお、封止部６２には、所望のピーク発光波長を有すれば、黄色蛍光体としてどのような材料が含まれてもよい。
【００３１】
一般的に赤蛍光体は緑色蛍光体や黄色蛍光体より発光効率が低いため、発熱量が多い。また、発光素子３０からの光に加えて、緑色蛍光体や黄色蛍光体から放射される赤より短波長の緑や黄の光を吸収する。そのため、発光装置１においては、緑色蛍光体や黄色蛍光体が含まれる封止部６２よりも基板１０側に赤蛍光体層６１を形成することで、放熱性の確保と緑・黄発光の吸収抑制を同時に行うことができる。また、発光装置１は、基板１０から離れる方向に凸状にレジスト層５０を形成することで、発光素子３０の側面（図１中の左右方向）から放射される光を効果的に赤蛍光体層６１に照射することができる。また、発光装置１は、レジスト層５１の傾斜面５１ａやレジスト層５２の傾斜面５２ａを基板１０に対して傾斜するように形成することにより、光取出し効率を向上させることが可能となる。
【００３２】
［変形例］
ここから、発光装置の各種変形例を説明する。まず、レジスト層の傾斜面の変形例に係る発光装置１Ａを図面に基づいて説明する。図３は、変形例に係る発光装置における傾斜面の構成例を示す断面図である。例えば、図３は、図２中のＡ−Ａ断面の一部を示す断面図において、レジスト層５１をレジスト層５１Ａに、傾斜面５１ａを傾斜面５１Ａａに置き換えた場合の構成を示す。なお、図３において、実施形態に係る発光装置１と同一部分には、同一符号を付する。また、図３においては、レジスト層５１Ａの傾斜面５１Ａａを説明するため、封止部６２及びヒートシンク７０の図示を省略する。
【００３３】
変形例に係る発光装置１Ａは、基板１０と、配線層２０と、発光素子３０と、バンク部４０（図示省略）と、レジスト層５０Ａと、赤色蛍光層６１Ａと、封止部６２（図示省略）と、ヒートシンク７０（図示省略）とを具備する。以下、図３を用いて、発光装置１Ａの各構成について詳述する。
【００３４】
ここで、レジスト層５０Ａには、発光素子３０間に設けられるレジスト層５１Ａと、発光素子３０とバンク部４０との間に設けられるレジスト層５２Ａとを有する。なお、レジスト層５１Ａとレジスト層５２Ａとを区別しないで説明する場合、レジスト層５０Ａとする。
【００３５】
図３に示すように、レジスト層５１Ａは、基板１０から離れる方向に凸状に形成される。レジスト層５１Ａは、発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高くなるように形成される傾斜面５１Ａａを有する。具体的には、レジスト層５１Ａの傾斜面５１Ａａは、その傾斜面５１Ａａが臨む発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高くなるように形成される。図３に示す断面において、レジスト層５１Ａの一対の傾斜面５１Ａａは、発光素子３０間の略中央において連続するように形成される。例えば、傾斜面５１Ａａは、図３に示す断面において、傾斜面５１Ａａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ２１が４５°以下となるように形成される。この場合、傾斜面５１Ａａは、図３に示す断面において、基板１０の実装面に直交する方向に対して、その傾斜面５１Ａａが臨む発光素子３０から離れる方向に４５°以上傾くように形成される。例えば、傾斜面５１Ａａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ２１は、０°より大きく９０°未満となるように形成される。例えば、傾斜面５１Ａａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ２１は、０°より大きく４５°以下となるように形成されることが好適である。
【００３６】
また、図３に示すように、レジスト層５２Ａは、発光素子３０側からバンク部４０側へ向かうにつれて基板１０から離れる方向の高さが高くなるように形成される。レジスト層５２Ａは、発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高くなるように形成される傾斜面５２Ａａを有する。例えば、傾斜面５２Ａａは、図３に示す断面において、傾斜面５２Ａａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ２２が４５°以下となるように形成される。この場合、傾斜面５２Ａａは、図３に示す断面において、基板１０の実装面に直交する方向に対して、その傾斜面５２Ａａが臨む発光素子３０から離れる方向に４５°以上傾くように形成される。例えば、傾斜面５２Ａａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ２２は、０°より大きく９０°未満となるように形成される。例えば、傾斜面５２Ａａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ２２は、０°より大きく４５°以下となるように形成されることが好適である。
【００３７】
また、レジスト層５１Ａの傾斜面５１Ａａには赤色蛍光層６１Ａが形成される。また、レジスト層５２Ａの傾斜面５２Ａａにも赤色蛍光層６１Ａが形成される。例えば、赤色蛍光層６１Ａは、実施形態中の赤色蛍光層６１と同様である。このように、発光素子３０間の略中央において連続する一対の傾斜面５１Ａａに赤色蛍光層６１Ａが形成されることにより、発光装置１Ａは、より均一な光を放射することができる。
【００３８】
なお、上述したレジスト層やレジスト層の傾斜面の構成は一例であり、レジスト層やレジスト層の傾斜面は、傾斜面が、発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高くなるように形成されれば、どのような態様で形成されてもよい。
【００３９】
次に、レジスト層の他の態様の傾斜面の変形例に係る発光装置１Ｂを図面に基づいて説明する。図４は、変形例に係る発光装置における他の傾斜面の構成例を示す断面図である。例えば、図４は、図２中のＡ−Ａ断面の一部を示す断面図において、レジスト層５１をレジスト層５１Ｂに、傾斜面５１ａを傾斜面５１Ｂａに置き換えた場合の構成を示す。なお、図４において、実施形態に係る発光装置１と同一部分には、同一符号を付する。また、図４においては、レジスト層５１Ｂの傾斜面５１Ｂａを説明するため、封止部６２及びヒートシンク７０の図示を省略する。
【００４０】
変形例に係る発光装置１Ｂは、基板１０と、配線層２０と、発光素子３０と、バンク部４０（図示省略）と、レジスト層５０Ｂと、赤色蛍光層６１Ｂと、封止部６２（図示省略）と、ヒートシンク７０（図示省略）とを具備する。以下、図４を用いて、発光装置１Ｂの各構成について詳述する。
【００４１】
ここで、レジスト層５０Ｂには、発光素子３０間に設けられるレジスト層５１Ｂと、発光素子３０とバンク部４０との間に設けられるレジスト層５２Ｂとを有する。なお、レジスト層５１Ｂとレジスト層５２Ｂとを区別しないで説明する場合、レジスト層５０Ｂとする。
【００４２】
図４に示すように、レジスト層５１Ｂは、基板１０から離れる方向に凸状に形成される。レジスト層５１Ｂは、発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高くなるように形成される傾斜面５１Ｂａを有する。具体的には、レジスト層５１Ｂの傾斜面５１Ｂａは、その傾斜面５１Ｂａが臨む発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高くなるように形成される。図４に示す断面において、レジスト層５１Ｂの一対の傾斜面５１Ｂａは、発光素子３０間の略中央において連続するように形成される。例えば、傾斜面５１Ｂａは、図４に示す断面において、発光素子３０間の略中央において連続する一対の傾斜面５１Ｂａは円弧状に形成される。
【００４３】
また、図４に示すように、レジスト層５２Ｂは、発光素子３０側からバンク部４０側へ向かうにつれて基板１０から離れる方向の高さが高くなるように形成される。レジスト層５２Ｂは、発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高くなるように形成される傾斜面５２Ｂａを有する。例えば、図４に示す断面において、傾斜面５２Ｂａは、円弧状に形成される。
【００４４】
また、レジスト層５１Ｂの傾斜面５１Ｂａには赤色蛍光層６１Ｂが形成される。また、レジスト層５２Ｂの傾斜面５２Ｂａにも赤色蛍光層６１Ｂが形成される。例えば、赤色蛍光層６１Ｂは、実施形態中の赤色蛍光層６１と同様である。このように、発光素子３０間の略中央において連続する一対の傾斜面５１Ｂａに赤色蛍光層６１Ｂが形成されることにより、発光装置１Ｂは、より均一な光を放射することができる。
【００４５】
次に、発光素子３０とは異なる発光素子３００を用いた変形例に係る発光装置２を図面に基づいて説明する。図５は、変形例に係る発光素子を用いた発光装置を示す断面図である。なお、図５において、実施形態に係る発光装置１と同様の構成には、同一符号を付して、適宜説明を省略する。
【００４６】
本実施形態に係る発光装置２は、基板１０と、配線層２０と、発光素子３００と、ワイヤ３５０と、バンク部４０と、レジスト層５００と、赤色蛍光層６０１と、封止部６０２と、ヒートシンク７０とを具備する。以下、図５を用いて、発光装置２の各構成について詳述する。
【００４７】
発光素子３００は、配線層２０上に複数設けられる。具体的には、発光素子３００は、配線層２０上に載置される。発光素子３００には、ＬＥＤチップ等が用いられる。例えば、発光素子３００は、配線層２０上に載置される載置面３０１以外から光が放射されるＬＥＤチップが用いられる。例えば、発光素子３００は、配線層２０上に載置される載置面３０１から給電される。また、例えば、発光素子３００には、青色ＬＥＤチップや赤色ＬＥＤチップや緑色ＬＥＤチップ等が用いられる。ここで、発光素子３００は、載置面３０１に対向する面３０２（以下、「発光面３０２」とする）からのみ光を放射する。なお、ここでいう発光面３０２は、図５に示すように所定の厚みを有するものとする。
【００４８】
また、発光素子３００は、発光面３０２から給電される。すなわち、発光素子３００は、上面（発光面３０２）に電極が設けられ、上面側から給電される。例えば、発光素子３００は、上面に設けられる電極（図示せず）により電力が供給される。例えば、図５において左側に配置された発光素子３００は、左側に配置された配線層２０から延びるワイヤ３５０が一方の電極に接続される。例えば、図５において左側に配置された発光素子３００の他方の電極に接続されたワイヤ３５０は、隣接する発光素子３００の一方の電極に接続される。このように、図５に示す発光装置２は、発光素子３００間をワイヤ３５０で電気的に接続する。また、例えば、図５において右側に配置された発光素子３００は、右側に配置された配線層２０から延びるワイヤ３５０が一方の電極に接続される。
【００４９】
また、基板１０上には、レジスト層５００が設けられる。レジスト層５００には、電気絶縁性の有機系または無機系のレジストが用いられる。例えば、レジスト層５００には、白色のレジストが用いられる。レジスト層５００には、反射率の高い材料が用いられることが望ましい。
【００５０】
なお、配線層２０のうち、ワイヤ３５０と接続される配線層２０以外は設けられなくてもよい。例えば、発光素子３００と基板１０間に配置される配線層２０は設けられなくてもよい。この場合、発光素子３００と基板１０間に配置される配線層２０の部分には、空隙が形成されてもよいし、レジスト層５００が設けられてもよいし、他の部材が設けられてもよい。また、発光素子３００は、直接基板１０上に配置されてもよい。
【００５１】
ここで、レジスト層５００には、発光素子３００間に設けられるレジスト層５０１と、発光素子３００とバンク部４０との間に設けられるレジスト層５０２とを有する。なお、レジスト層５０１とレジスト層５０２とを区別しないで説明する場合、レジスト層５００とする。
【００５２】
図５に示すように、レジスト層５０１は、基板１０から離れる方向に凹状に形成される。レジスト層５０１は、発光素子３００から離れるにつれて基板１０からの高さが低くなるように形成される傾斜面５０１ａを有する。具体的には、レジスト層５０１の傾斜面５０１ａは、その傾斜面５０１ａが臨む発光素子３００から離れるにつれて基板１０からの高さが低くなるように形成される。例えば、レジスト層５０１の一対の傾斜面５０１ａは、図５に示す断面において、発光素子３００間の略中央において連続するように形成される。また、例えば、レジスト層５０１の傾斜面５０１ａは、図５に示す断面において、傾斜面５０１ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ３１が４５°以下となるように形成される。この場合、傾斜面５０１ａは、図５に示す断面において、基板１０の実装面に直交する方向に対して、その傾斜面５０１ａが臨む発光素子３００間の中央部から離れる方向に４５°以上傾くように形成される。例えば、傾斜面５０１ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ３１は、０°より大きく９０°未満となるように形成される。例えば、傾斜面５０１ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ３１は、０°より大きく４５°以下となるように形成されることが好適である。
【００５３】
また、図５に示すように、レジスト層５０２は、発光素子３００側からバンク部４０側へ向かうにつれて基板１０から離れる方向の高さが低くなるように形成される。レジスト層５０２は、発光素子３００から離れるにつれて基板１０からの高さが低くなるように形成される傾斜面５０２ａを有する。例えば、傾斜面５０２ａは、図５に示す断面において、傾斜面５０２ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ３２が４５°以下となるように形成される。この場合、傾斜面５０２ａは、図５に示す断面において、基板１０の実装面に直交する方向に対して、その傾斜面５０２ａが臨むバンク部４０から離れる方向に４５°以上傾くように形成される。例えば、傾斜面５０２ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ３２は、０°より大きく９０°未満となるように形成される。例えば、傾斜面５０２ａを延長した仮想線と、基板１０の実装面とのなす角の角度θ３２は、０°より大きく４５°以下となるように形成されることが好適である。
【００５４】
また、レジスト層５０１の傾斜面５０１ａには赤色蛍光層６０１が形成される。また、レジスト層５０２の傾斜面５０２ａにも赤色蛍光層６０１が形成される。例えば、赤色蛍光層６０１は、実施形態中の赤色蛍光層６１と同様である。図５に示す断面において、赤色蛍光層６０１の基板１０の高さ方向の上端部は、発光素子３００の発光面３０２の基板１０の高さ方向の下端部と基板１０の高さ方向の位置が略揃っていることが望ましい。例えば、発光素子３００の発光面３０２以外の面は、例えば、黒色等である場合、発光素子３００の発光面３０２から放射された光が発光素子３００の発光面３０２以外の面に照射された場合、発光素子３００の発光面３０２以外の面に吸収される光が多くなる。しかしながら、上述のように、赤色蛍光層６０１の基板１０の高さ方向の上端部は、発光素子３００の発光面３０２の基板１０の高さ方向の下端部と基板１０の高さ方向の位置が略揃っていることにより、赤色蛍光層６０１は、発光素子３００の発光面３０２から放射された光は、発光素子３００の発光面３０２以外の面に照射され、光取出し効率が低下することを抑制することが可能となる。
【００５５】
なお、上述したレジスト層やレジスト層の傾斜面の構成は一例であり、レジスト層やレジスト層の傾斜面は、発光素子３００から離れるにつれて基板１０からの高さが低くなるように形成されれば、どのような態様で形成されてもよい。例えば、発光装置２のレジスト層５０１は、一対の傾斜面５０１ａに連続し、基板１０と略平行な水平面を有してもよい。例えば、発光装置２は、図５に示す断面において、レジスト層５０１の一対の傾斜面５０１ａに連続し、基板１０から離れる方向に凹である円弧状に形成されてもよい。
【００５６】
なお、上記例においては、両方の電極を発光面３０２に有する発光素子３００を示したが、発光素子３００は、一方の電極を発光面３０２側に有し、他方の電極を発光面３０２とは反対面（載置面３０１）に有してもよい。すなわち、発光素子３００は、上面電極の発光素子であっても、上下電極の発光素子であってもよい。図６は、変形例に係る発光素子を用いた発光装置を示す断面図である。なお、図６では、ワイヤ３５０と配線層２０との接続を示すため、ワイヤ３５０のみ平面視した状態で示す。なお、ワイヤ３５０は、どのような態様において、配線層２０に接続されてもよい。例えば、ワイヤ３５０は、配線層２０のうちレジスト層５００が設けられていない領域において、配線２０と接続されてもよい。また、例えば、ワイヤ３５０は、レジスト層５００に設けられた間隙を通って、配線２０と接続されてもよい。また、例えば、ワイヤ３５０は、レジスト層５００に設けられた基板１０の厚み方向に貫通した貫通孔に挿通されることにより、配線２０と接続されてもよい。
【００５７】
図６に示す発光素子３００は、発光面３０２と載置面３０１とから給電される。すなわち、発光素子３００は、上面（発光面３０２）と下面（載置面３０１）とに各々電極が設けられ、上面と下面とから給電される。例えば、発光素子３００は、上面に設けられる電極（図示せず）により電力が供給される。例えば、図６において左側に配置された発光素子３００は、左側に配置された配線層２０から延びるワイヤ３５０が発光面３０２の電極に接続される。また、例えば、図６において左側に配置された発光素子３００は、載置面３０１の電極が配線層２０に接続される。図６において左側に配置された発光素子３００が載置された配線層２０から延びるワイヤ３５０が、隣接する（図６中の中央の）発光素子３００の発光面３０２の電極に接続される。このように、図６に示す発光装置２は、発光素子３００間をワイヤ３５０及び配線層２０で電気的に接続する。
【００５８】
［レジスト層と赤色蛍光層の一体化］
上記例においては、レジスト層の傾斜面に赤色蛍光層が形成される例を示したが、レジスト層と赤色蛍光層とは一体に形成されてもよい。例えば、実施形態に係る発光装置１において、レジスト層５０と赤色蛍光層６１とは一体に形成されてもよい。例えば、レジスト層５０に赤色蛍光層６１の材料を含有させることにより、レジスト層５０と赤色蛍光層６１とは一体に形成されてもよい。この場合、例えば、レジスト層５１に形成される傾斜面５１ａやレジスト層５２に形成される傾斜面５２ａは、赤色を含む光を反射（放射）する。また、この場合、発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２の製造を容易化することが可能になる。
【００５９】
［照明器具］
また、発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２は、照明器具の光源として用いられる。例えば、発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２は、投光器やスポットライトとして使用される照明器具の光源として用いられる。この点について、図７を用いて説明する。図７は、実施形態に係る発光装置を用いた照明器具を示す斜視図である。図７に示す照明器具１００においては、例えば、発光装置１が器具本体１１０内に設けられる。なお、図７に示す照明器具１００は一例であって、発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２は、目的に応じて種々の照明器具の光源として用いられてもよい。
【００６０】
前述した構成の実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２は、基板１０と、基板１０上に設けられる配線層２０と、配線層２０上に載置される発光素子３０，３００と、基板１０上において配線層２０が設けられた領域以外に設けられるレジスト層５０，５０Ａ，５０Ｂ，５００であって、基板１０の厚み方向に沿う断面において、基板１０に対して傾斜する傾斜面５１ａ，５１Ａａ，５１Ｂａ，５０１ａ，５２ａ，５２Ａａ，５２Ｂａ，５０２ａを有するレジスト層５０，５０Ａ，５０Ｂ，５００と、傾斜面５１ａ，５１Ａａ，５１Ｂａ，５０１ａ，５２ａ，５２Ａａ，５２Ｂａ，５０２ａに形成される赤色蛍光層６１，６１Ａ，６１Ｂ，６０１と、を具備する。これにより、発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２は、赤色蛍光層６１，６１Ａ，６１Ｂ，６０１を緑色蛍光体や黄色蛍光体よりも基板１０側に設けることができる。そのため、発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２は、レジスト層５１の傾斜面５１ａやレジスト層５２の傾斜面５２ａを基板１０に対して傾斜するように形成することにより、光取出し効率を向上させることが可能となる。したがって、発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２は、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制することができる。
【００６１】
また、前述した構成の実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａ，１Ｂにおいて、発光素子３０は、基板１０に載置される載置面３１以外から光を放射し、傾斜面５１ａ，５１Ａａ，５１Ｂａは、発光素子３０から離れるにつれて基板１０からの高さが高く形成される。これにより、発光装置１，１Ａ，１Ｂは、傾斜面５１ａ，５１Ａａ，５１Ｂａが臨む発光素子３０の側面から放射される光を基板１０から離れる方向に反射することにより、光取出し効率を向上させることが可能となる。したがって、発光装置１，１Ａ，１Ｂは、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制することができる。
【００６２】
また、前述した構成の変形例に係る発光装置２において、発光素子３００は、基板１０に載置される載置面３０１の反対面である発光面３０２から光を放射し、傾斜面５０１ａ，５０２ａは、発光素子３００から離れるにつれて基板１０からの高さが低く形成されることにより、発光装置２は、発光素子３００の発光面３０２以外に光が照射することを抑制する。これにより、発光装置２は、光取出し効率を向上させることが可能となる。したがって、発光装置２は、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制することができる。
【００６３】
また、前述した構成の実施形態及び変形例に係る発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２において、赤色蛍光層６１，６１Ａ，６１Ｂ，６０１はレジスト層５０，５０Ａ，５０Ｂ，５００と一体に形成される。したがって、発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２は、赤色蛍光層６１，６１Ａ，６１Ｂ，６０１が一体となったレジスト層５０，５０Ａ，５０Ｂ，５００の傾斜面５１ａ，５１Ａａ，５１Ｂａ，５０１ａ，５０２ａにより、所定の波長の光を赤色の光に波長変換し、発光素子３００からの照射される光を基板１０から離れる方向に反射することにより、光取出し効率を向上させることが可能となる。そのため、発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２は、放熱性の低下を抑制し、光取出し効率の低下を抑制することができる。また、この場合、発光装置１，１Ａ，１Ｂ，２の製造を容易化することが可能になる。
【００６４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６５】
１，１Ａ，１Ｂ，２                    発光装置
１０                                  基板
２０                                  配線層
３０，３００                          発光素子
４０                                  バンク部
５０，５０Ａ，５０Ｂ，５００          レジスト層
５１，５１Ａ，５１Ｂ，５０１          レジスト層
５１ａ，５１Ａａ，５１Ｂａ，５０１ａ  傾斜面
５２，５２Ａ，５２Ｂ，５０２          レジスト層
５２ａ，５２Ａａ，５２Ｂａ，５０２ａ  傾斜面
６１，６１Ａ，６１Ｂ，６０１          赤色蛍光層
６２                                  封止部
７０                                  ヒートシンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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