(57)【要約】【課題】短形紙に繰り返し画像を形成した後に長形紙に画像を形成したときに生じるカブリを抑制した画像形成装置の提供。【解決手段】単位面積あたりの静電容量が２×１０−１０Ｆ／ｃｍ２以上２×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下である下引層を有する電子写真感光体と、帯電手段と、静電潜像形成手段と、現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に直接転写する直接転写方式の転写手段と、を備える画像形成装置。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と前記導電性基体上に設けられ単位面積あたりの静電容量が２×１０−１０Ｆ／ｃｍ２以上２×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下である下引層と前記下引層上に設けられた感光層とを有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に直接転写する直接転写方式の転写手段と、
を備える画像形成装置。
【請求項２】
前記下引層は、結着樹脂と、金属酸化物粒子と、電子受容性化合物と、を含有する請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記金属酸化物粒子は、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、及び酸化亜鉛粒子から選ばれる少なくとも１種を含む請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記金属酸化物粒子の体積平均一次粒径は、１００ｎｍ以下である請求項２又は請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記金属酸化物粒子は、１種以上のカップリング剤で処理されたものである請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記カップリング剤は、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、及びアルミニウム系カップリング剤から選択される少なくとも１種を含む請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記電子受容性化合物は、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物である請求項２〜請求項６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物は、下記一般式（１）で表される化合物である請求項７に記載の画像形成装置。
【化１】
2017201366.tif 000018
（一般式（１）中、ｎ１及びｎ２は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。但し、ｎ１及びｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ１１及びＲ１２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。）
【請求項９】
前記下引層の厚みが１５μｍ以上３５μｍ以下である請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真方式の画像形成装置としては、電子写真感光体を用いて帯電、静電潜像形成、現像、転写、クリーニング等の工程を順次行う装置が広く知られている。
【０００３】
例えば特許文献１には、導電性支持体上に、電子輸送物質を含有する電子輸送層と、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、正孔輸送物質を含有する正孔輸送層とをこの順で積層してなり、電子輸送層及び正孔輸送層における移動度、静電容量、及び膜厚が特定の関係を満たす電子写真感光体と、電子写真感光体を帯電させる帯電手段と、帯電された電子写真感光体に対して露光を施す露光手段と、露光によって形成される静電潜像を現像する現像手段と、現像されたトナー像を転写する転写手段とを備えた画像形成装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１４５５０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
直接転写方式の画像形成装置を用いて画像を形成する場合、例えば、寸法の異なる記録媒体（以下「用紙」ともいう）に連続して画像を形成したり、短辺と長辺を有する用紙を異なる方向で連続して転写領域に搬送したりすることがある。
そして、転写領域に搬送される用紙における電子写真感光体の軸方向の長さが相対的に短い用紙（以下「短形紙」ともいう）に繰り返し画像を形成した後に、前記電子写真感光体軸方向の長さが相対的に長い用紙（以下「長形紙」ともいう）に画像を形成すると、長形紙のうち、転写領域において短形紙が通過しない領域に相当する位置に、カブリが発生することがある。
【０００６】
本発明の課題は、直接転写方式の画像形成装置において、電子写真感光体における下引層の単位面積あたりの静電容量が２×１０−９Ｆ／ｃｍ２を超える場合に比べ、短形紙に繰り返し画像を形成した後に長形紙に画像を形成したときに生じるカブリを抑制した画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、以下の手段により解決される。
即ち、請求項１に係る発明は、
導電性基体と前記導電性基体上に設けられ単位面積あたりの静電容量が２×１０−１０Ｆ／ｃｍ２以上２×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下である下引層と前記下引層上に設けられた感光層とを有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に直接転写する直接転写方式の転写手段と、
を備える画像形成装置である。
【０００８】
請求項２に係る発明は、
前記下引層は、結着樹脂と、金属酸化物粒子と、電子受容性化合物と、を含有する請求項１に記載の画像形成装置である。
【０００９】
請求項３に係る発明は、
前記金属酸化物粒子は、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、及び酸化亜鉛粒子から選ばれる少なくとも１種を含む請求項２に記載の画像形成装置である。
【００１０】
請求項４に係る発明は、
前記金属酸化物粒子の体積平均一次粒径は、１００ｎｍ以下である請求項２又は請求項３に記載の画像形成装置である。
【００１１】
請求項５に係る発明は、
前記金属酸化物粒子は、１種以上のカップリング剤で処理されたものである請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の画像形成装置である。
【００１２】
請求項６に係る発明は、
前記カップリング剤は、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、及びアルミニウム系カップリング剤から選択される少なくとも１種を含む請求項５に記載の画像形成装置である。
【００１３】
請求項７に係る発明は、
前記電子受容性化合物は、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物である請求項２〜請求項６のいずれか１項に記載の画像形成装置である。
【００１４】
請求項８に係る発明は、
前記アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物は、下記一般式（１）で表される化合物である請求項７に記載の画像形成装置である。
【００１５】
【化１】
2017201366.tif 000002
【００１６】
（一般式（１）中、ｎ１及びｎ２は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。但し、ｎ１及びｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ１１及びＲ１２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。）
【００１７】
請求項９に係る発明は、
前記下引層の厚みが１５μｍ以上３５μｍ以下である請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、又は９に係る発明によれば、直接転写方式の画像形成装置において、電子写真感光体における下引層の単位面積あたりの静電容量が２×１０−９Ｆ／ｃｍ２を超える場合に比べ、短形紙に繰り返し画像を形成した後に長形紙に画像を形成したときに生じるカブリを抑制した画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。
【図３】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の一例である実施形態について詳細に説明する。
【００２１】
［画像形成装置］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により、電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に直接転写する直接転写方式の転写手段と、を備える。
上記の電子写真感光体（以下、単に「感光体」とも称する）は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた下引層と、下引層上に設けられた感光層と、を有する。そして、下引層における単位面積あたりの静電容量が２×１０−１０Ｆ／ｃｍ２以上２×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下である。
【００２２】
本実施形態に係る画像形成装置は、下引層の単位面積あたりの静電容量が上記範囲であると、短形紙に繰り返し画像を形成した後に長形紙に画像を形成したときに生じるカブリ（以下単に「カブリ」ともいう）が抑制される。この理由は定かではないが、以下に示す理由によるものと推測される。
【００２３】
直接転写方式の画像形成装置において、感光体と転写手段とが向かい合う領域である転写領域では、用紙（記録媒体）の寸法や方向によって、用紙が通過する領域と用紙が通過しない領域が存在する場合がある。以下、用紙が通過する領域を「通紙領域」、用紙が通過しない領域を「非通紙領域」と称する場合がある。用紙は電気抵抗が大きいため、通紙領域における感光体と転写手段との間の電気抵抗は、非通紙領域における感光体と転写手段との間の電気抵抗に比べて大きくなり、両者に差が生じる。
ここで、直接転写方式の画像形成装置において、感光体から記録媒体にトナー像が転写される際には、転写手段に転写電圧が印加され、それによって転写手段から感光体へと転写電流が流入する。このとき、転写領域のうち通紙領域と非通紙領域との間で電気抵抗に差があると、電気抵抗の小さい非通紙領域において選択的に電流が流れこみ、感光体のうち非通紙領域に相当する部分に、相対的に多くの電荷が蓄積されやすくなる。
【００２４】
このように、非通紙領域に相当する部分に過度な電荷が蓄積された状態で、感光体の軸方向の長さが相対的に大きな用紙（長形紙）への画像形成が行われると、非画像部にトナーが付着してトナー像が現れる現象（以下「カブリ」ともいう）が生じやすい。以下、転写領域に搬送される用紙において、感光体の軸方向の長さが相対的に短い用紙を「短形紙」、感光体の軸方向の長さが相対的に長い用紙を「長形紙」と称する場合がある。
具体的には、短形紙への繰り返し画像形成により、帯電電位と逆極性の電荷が感光体の非通紙領域に過度に蓄積されると、次の帯電工程で感光体の表面を帯電しても、蓄積された逆極性の電荷によって表面電荷が打ち消され、帯電不良が起こりやすくなる。その結果、短形紙への繰り返し画像形成後に長形紙に画像形成を行うと、長形紙のうち、短形紙の非通紙領域に相当する部分にカブリが生じることがある。
なお、短形紙への繰り返し画像形成後に長形紙に画像形成を行う形態としては、例えば、Ａ４寸法の用紙を横方向での搬送で繰り返し画像形成した後にＡ３寸法の用紙を横方向での搬送で画像を形成した場合のほか、Ａ４寸法の用紙を横方向での搬送で繰り返し画像形成した後にＡ４寸法の用紙を縦方向での搬送で画像を形成した場合等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２５】
特に、高速（例えば記録媒体搬送速度４００ｍｍ／ｓ以上）で画像を形成する場合、感光体から記録媒体へのトナー像の転写を短時間で行うため、転写電流の不足による転写不良を抑制するために、より高い転写電圧を印加することが要求される。そして、転写電圧を高くすると、上記非通紙領域において感光体へ電流が過度に流入することがさらに起こりやすくなるため、蓄積された電荷による帯電不良が顕著となりやすく、カブリがより顕著に発生しやすくなる。
【００２６】
これに対して本実施形態では、下引層における単位面積あたりの静電容量を前記範囲とすることで、短形紙に繰り返し画像を形成した後に長形紙に画像を形成しても、カブリが生じにくくなる。
具体的には、下引層における単位面積あたりの静電容量を従来よりも小さい上記範囲とすることで、下引層が電荷を溜めにくくなり、転写工程において転写手段から感光体に転写電流が流入しても、流入した電荷が導電性基体側に流れやすくなる。その上、流入した電荷と逆極性の電荷も下引層内を移動しやすいため、前記流入した電荷と前記逆極性の電荷とが打ち消しあい、消滅しやすい。その結果、次の画像形成が始まる時点で、感光体に蓄積されている電荷量が少なくなると考えられる。そのため、次の画像形成において、特定の領域（短形紙の非通紙領域）のみに多くの電荷が蓄積していることに起因する帯電不良が起こりにくいため、カブリが生じにくくなると推測される。
【００２７】
以上の理由により、本実施形態の画像形成装置は、直接転写方式の画像形成装置において、下引層における単位面積あたりの静電容量を２×１０−１０Ｆ／ｃｍ２以上２×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下とすることで、カブリが抑制されると推測される。
【００２８】
なお、記録媒体搬送速度（プロセススピード）としては、例えば４００ｍｍ／ｓ以上７００ｍｍ／ｓ以下が挙げられ、４５０ｍｍ／ｓ以上６００ｍｍ／ｓ以下が好ましい。
【００２９】
ここで、本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【００３０】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【００３１】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。また、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【００３２】
また、本実施形態では、トナー像を転写する転写手段の下流側、かつ、感光体表面を清掃する清掃手段の上流側に、記録媒体の表面にトナー像を転写した後の感光体の表面を帯電する非接触帯電方式の再帯電手段を備えた画像形成装置であってもよい。上記再帯電手段を備えた直接転写方式の画像形成装置では、再帯電手段により再帯電を行うことで、上記カブリの発生がより抑制され易くなり、画像濃度低下も抑制され易くなる。また、上記の再帯電手段により再帯電を行った場合、トナー像を記録媒体の表面に転写した後の感光体の表面に残留する残留トナーの帯電が調整される。それによって、残留トナーが、例えば、清掃手段で回収され易くなる。
【００３３】
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る画像形成装置について詳細に説明する。
【００３４】
図１は、本実施形態に係る画像形成装置の構成の一例を示す概略構成図である。
図１に示すように、本実施形態に係る画像形成装置１０には、例えば、電子写真感光体７が設けられている。電子写真感光体７は、円柱状とされ、駆動モータ２７（駆動部の一例）にギア等の駆動力伝搬部材（不図示）を介して連結されており、当該駆動モータ２７により、回転駆動（図１中の矢印Ａ方向）される。
【００３５】
電子写真感光体７（像保持体の一例）の周辺には、例えば、帯電装置１５（帯電手段の一例）、静電潜像形成装置１６（静電潜像形成手段の一例）、現像装置１８（現像手段の一例）、直接転写方式の転写装置３１（転写手段の一例；以下、単に「転写装置」（「転写手段」）とも称する）、非接触帯電方式の再帯電装置４０（非接触帯電方式の再帯電手段の一例；以下、単に「再帯電装置」（「再帯電手段」）とも称する）、清掃装置（クリーニング装置）２２（清掃手段（クリーニング手段）の一例）、及び除電装置２４（除電手段の一例）が、電子写真感光体７の回転方向に沿って順に配設されている。そして、本実施形態に係る画像形成装置１０には、定着装置２６も配設されている。さらに、画像形成装置１０内の各装置及び各部材と接続され、各装置及び各部材の動作を制御する制御装置３６も備えている。
【００３６】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【００３７】
＜電子写真感光体＞
電子写真感光体７としては、導電性基体と、導電性基体上に設けられた下引層と、下引層上に設けられた感光層と、を有する構成の感光体が適用される。
なお、感光層は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型の感光層（以下「機能分離型感光層」ともいう）であってもよいし、単層型の感光層（以下「単層型感光層」ともいう）であってもよい。感光層が機能分離型感光層である場合、電荷発生層に電荷発生材料を含み、電荷輸送層に電荷輸送材料を含む。
【００３８】
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る電子写真感光体を詳細に説明する。
図２は、電子写真感光体７の層構成の一例として示した電子写真感光体７Ａの模式断面図である。図２に示す電子写真感光体７Ａは、導電性基体１上に、下引層３、電荷発生層４、及び電荷輸送層５がこの順序で積層された構造を有する。そして、電荷発生層４及び電荷輸送層５が機能分離型感光層６を構成している。
なお、電子写真感光体７Ａは、必要に応じてその他の層を設けてもよい。必要に応じて設けられる層としては、例えば、電荷輸送層５上に更に設けられる保護層等が挙げられる。
【００３９】
図３は、電子写真感光体７の層構成の他の一例として示した電子写真感光体７Ｂの模式断面図である。図３に示した電子写真感光体７Ｂは、例えば、導電性基体１上に、下引層３及び単層型感光層２がこの順序で積層された構造を有する。
なお、電子写真感光体７Ｂは、必要に応じてその他の層を設けてもよい。必要に応じて設けられる層としては、例えば、単層型感光層２上に更に設けられる保護層等が挙げられる。
【００４０】
以下、電子写真感光体７の各層について詳細に説明する。なお、符号は省略して説明する。
【００４１】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００４２】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００４３】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて支持体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００４４】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【００４５】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００４６】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００４７】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００４８】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００４９】
（下引層）
下引層は、導電性基体と感光層との間に設けられ、単位面積あたりの静電容量が２×１０−１０Ｆ／ｃｍ２以上２×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下である層である。
前述のように、下引層における単位面積あたりの静電容量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べてカブリが抑制される。また、下引層における単位面積あたりの静電容量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも小さい場合に比べて感光体の良好な電気特性が得られやすくなる。
また、下引層における単位面積あたりの静電容量は、カブリ抑制の観点から、２×１０−１０Ｆ／ｃｍ２以上２×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下が好ましく、５×１０−１０Ｆ／ｃｍ２以上１×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下がより好ましい。
【００５０】
ここで、下引層における単位面積あたりの静電容量を求める方法について説明する。
例えば、電子写真感光体の各層を構成する導電性有機膜の等価回路としては、一般的に、抵抗（抵抗値：Ｒ）とコンデンサー（静電容量：Ｃ）との並列回路が適用される。抵抗値Ｒ、及び静電容量Ｃが不明な並列回路において、抵抗値Ｒと静電容量Ｃとを解析・算出する方法として、コール・コールプロット（Ｃｏｌｅ・Ｃｏｌｅ  Ｐｌｏｔ）解析が挙げられる。
コール・コールプロット解析とは、抵抗値Ｒ及び静電容量Ｃが不明の並列回路（例えば、導電性有機膜）の両端に電極を取り付け、両電極間に、周波数を変化させながら交流電圧を印加し、印加させた電圧と得られた電流の位相関係を解析する方法である。この方法により、上記並列回路の抵抗値Ｒ及び静電容量Ｃを求め、静電容量Ｃの値と取り付けた電極の面積の値とから、単位面積あたりの静電容量を求める。
【００５１】
具体的には、例えば、まず下引層の外周面に対向電極としてφ６ｍｍの金電極を真空蒸着法にて形成し、常温常湿（２２℃／５０％ＲＨ）において、ソーラトロン社製インピーダンスアナライザー１２６０９６Ｗ型により測定を行う。
測定条件としては、例えば、ＤＣバイアス（直流印加電圧）：０Ｖ、ＡＣ（交流印加電圧）：±１Ｖ、周波数：１Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下の範囲が挙げられる。
得られた測定結果から、コール・コールプロット解析により上記静電容量Ｃが求められ、対向電極の電極面積Ｓ（ｃｍ２）で除することにより、下引層における単位面積あたりの静電容量が算出される。
【００５２】
なお、測定対象となる感光体から、上記単位面積あたりの静電容量を測定する方法としては、例えば以下の方法が挙げられる。
まず、測定対象となる感光体を準備する。次に、例えば、下引層を被覆している電荷発生層、及び電荷輸送層等の感光層をアセトン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール等の溶剤を用いて除去し、下引層を露出させる。そして、露出された下引層上に真空蒸着法やスパッタ法等の手段により金電極を装着して、測定用試料とする。そして、この測定用試料について測定を行い、単位面積あたりの静電容量を求める。
【００５３】
下引層における単位面積あたりの静電容量を制御する方法としては、特に制限されるものではないが、下引層が結着樹脂と金属酸化物粒子と電子受容性化合物とを含有する層である場合、例えば、下引層内における金属酸化物粒子の分散度を調整する方法、金属酸化物粒子の粒径を調整する方法、金属酸化物粒子の表面処理量（すなわち、金属酸化物粒子の表面処理に用いる表面処理剤の量）を調整する方法、金属酸化物粒子の含有量（金属酸化物粒子の表面に表面処理剤が付着している場合は表面処理剤も含む含有量）を調整する方法、金属酸化物粒子の表面処理剤の種類と結着樹脂の種類との組み合わせを変える方法、及び電子受容性化合物の含有量を調整する方法、並びにこれらを組み合わせる方法等が挙げられる。
【００５４】
具体的には、各種材料の種類、組み合わせ、及び含有量等の条件によって適切な調整方法が変わるが、例えば、金属酸化物粒子の分散度を下げると下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の分散度を上げると下引層の静電容量が上がる傾向がある。
金属酸化物粒子を分散させた下引層形成用塗布液の塗膜を形成して下引層を形成する場合、形成された下引層の膜中に、例えば、金属酸化物粒子の一次粒子とともに、一次粒子が凝集した二次粒子が存在することがある。二次粒子の金属酸化物粒子は、一次粒子に比べて粒径が大きく、この二次粒子の存在によって電荷が移動する経路が形成されやすい。そのため、例えば、金属酸化物粒子の分散度を調整して、二次粒子の金属酸化物粒子を制御することによって、下引層の単位面積当たりの静電容量が制御される。
具体的には、金属酸化物粒子の分散度が低い場合（すなわち金属酸化物粒子の分散粒径が大きい場合）、下引層中での電荷の移動度が高くなり、単位面積当たりの静電容量が低下し易くなる。一方、金属酸化物粒子の分散度が高い場合（すなわち金属酸化物粒子の分散粒径が小さい場合）、下引層中での電荷の移動度が低くなり、単位面積当たりの静電容量が増大し易くなる傾向がある。
なお、分散度を調整する方法は、例えば、下引層形成用塗布液を形成する際における金属酸化物粒子の分散時間等によって調整する方法が挙げられる。
【００５５】
また、例えば、金属酸化物粒子の粒径を大きくすると下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の粒径を小さくすると下引層の静電容量が上がる傾向がある。
さらに、金属酸化物粒子としてアミノ基を有するシランカップリング剤により表面処理した酸化亜鉛粒子を用い、結着樹脂としてアセタール樹脂を用いた場合、例えば、金属酸化物粒子の表面処理量を多くすると金属酸化物粒子の分散度が下がることで下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の表面処理量を少なくすると金属酸化物粒子の分散度が上がることで下引層の静電容量が上がる傾向がある。
また、例えば、金属酸化物粒子の含有量を多くすると結着樹脂量が少なくなることで下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の含有量を少なくすると結着樹脂量が多くなることで下引層の静電容量が上がる傾向がある。
また、例えば、電子受容性化合物の含有量を多くすると下引層の静電容量が下がり、電子受容性化合物の含有量を少なくすると下引層の静電容量が上がる傾向がある。
以下、下引層の一例として、結着樹脂と金属酸化物粒子と電子受容性化合物とを含有する層について、材料、製造方法、及び特性等を説明する。
【００５６】
−金属酸化物粒子−
金属酸化物粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等が挙げられ、その中でも、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、及び酸化亜鉛粒子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、酸化亜鉛粒子がより好ましい。
【００５７】
金属酸化物粒子の体積平均一次粒径としては、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が挙げられる。
金属酸化物粒子の体積平均一次粒径が上記範囲であることにより、上記範囲よりも小さい場合に比べて、金属酸化物粒子の表面積が大きすぎることによる分散液中での偏在が抑制される。また、金属酸化物粒子の体積平均一次粒径が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べて、二次粒子又はそれ以上の高次粒子の粒径が大きくなりすぎることによる下引層内での偏在が抑制される。なお、上記下引層内での偏在が起こると、下引層内で金属酸化物粒子の存在する部分と存在しない部分とで構成された海島構造が形成され、ハーフトーン濃度のムラ等の画像欠陥が発生することがある。
また、金属酸化物粒子の体積平均一次粒径は、下引層における単位面積当たりの静電容量を前記範囲に調整する観点から、２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下がより好ましい。
【００５８】
金属酸化物粒子の体積平均一次粒径の測定は、レーザ回折式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００：堀場製作所製）を用いて測定を行う。測定法としては、分散液となっている状態の試料を固形分で２ｇになるように調整し、これにイオン交換水を添加して、４０ｍｌにする。これをセルに適当な濃度になるまで投入し、２分待ったところで測定する。得られたチャンネルごとの粒径を体積基準で小さい方から累積し、累積５０％になったところを体積平均一次粒径とする。
【００５９】
金属酸化物粒子の体積抵抗率としては、例えば、１０４Ω・ｃｍ以上１０１０Ω・ｃｍ以下が挙げられる。
下引層は、電子写真プロセス速度に対応した周波数で適切なインピーダンスを得ることが好ましく、その観点で、金属酸化物粒子の体積抵抗率が上記範囲であることが好ましい。すなわち、金属酸化物粒子の体積抵抗率が上記範囲であることにより、上記範囲よりも低い場合に比べて、インピーダンスの粒子含有量依存性の傾きが小さくなり、インピーダンスの制御困難性が抑制されやすくなる。また、金属酸化物粒子の体積抵抗率が上記範囲であることにより、上記範囲よりも高い場合に比べて、残留電位の上昇が抑制されやすくなる。
また、金属酸化物粒子の体積抵抗率は、下引層における単位面積当たりの静電容量を前記範囲に調整する観点から、３×１０６Ω・ｃｍ以上３×１０９Ω・ｃｍ以下が好ましく、５×１０６Ω・ｃｍ以上１×１０９Ω・ｃｍ以下がより好ましい。
【００６０】
金属酸化物粒子の体積抵抗率は、次のようにして測定する。なお、測定環境は、温度２０℃、湿度５０％ＲＨとする。
まず、層中から金属酸化物粒子を分離する。そして、２０ｃｍ２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象となる分離した金属酸化物粒子を１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度の厚さになるように載せ、金属酸化物粒子層を形成する。この上に前記同様の２０ｃｍ２の電極板を載せ金属酸化物粒子層を挟み込む。金属酸化物粒子間の空隙をなくすため、金属酸化物粒子層上に載せた電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてから金属酸化物粒子層の厚み（ｃｍ）を測定する。金属酸化物粒子層上下の両電極には、エレクトロメーター及び高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が予め定められた値となるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取ることにより、金属酸化物粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を計算する。金属酸化物粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の計算式は、下式に示す通りである。
なお、式中、ρは金属酸化物粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌは金属酸化物粒子層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。本評価では印加電圧が１０００Ｖの時の体積抵抗率を用いた。
・式：ρ＝Ｅ×２０／（Ｉ−Ｉ０）／Ｌ
【００６１】
金属酸化物粒子のＢＥＴ比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上が挙げられ、下引層における単位面積当たりの静電容量を前記範囲に調整する観点から、１０ｍ２／ｇ以上２５ｍ２／ｇ以下が好ましく、１５ｍ２／ｇ以上２０ｍ２／ｇ以下がより好ましい。
なお、上記ＢＥＴ比表面積は、ＢＥＴ式比表面積測定器（島津製作所製：フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。
【００６２】
金属酸化物粒子の含有量としては、例えば、下引層中の全固形分に対して３０質量％以上６０質量％以下が挙げられ、電気特性維持の観点から３５質量％以上５５質量％以下が好ましい。また、金属酸化物粒子の含有量は、下引層における単位面積当たりの静電容量を前記範囲に調整する観点から、下引層中の全固形分に対して、３０質量％以上５０質量％以下が好ましく、３５質量％以上４５質量％以下がより好ましい。
【００６３】
金属酸化物粒子は、表面処理剤によって表面処理が施されていてもよく、表面処理剤の中でも１種以上のカップリング剤で処理されたものであることが好ましい。カップリング剤は、一般に、有機系材料と無機系材料とを化学的に結び付ける作用を有するものであり、例えば、金属酸化物粒子の表面と親和性又は反応性を有する官能基を含有する化合物が挙げられる。
なお、金属酸化物粒子は、表面処理の異なるものを２種以上混合して用いてもよく、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【００６４】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【００６５】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６６】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６７】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【００６８】
金属酸化物粒子は、例えば、カップリング剤で表面処理がされた後、必要に応じて、金属酸化物粒子の体積抵抗率の環境依存性の改善等の目的で熱処理を行ってもよい。上記熱処理における温度としては、例えば、１５０℃以上３００℃以下が挙げられ、上記熱処理における処理時間としては、例えば、３０分以上５時間以下が挙げられる。
【００６９】
表面処理剤の処理量としては、例えば、金属酸化物粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が挙げられる。また、例えば金属酸化物粒子としてアミノ基を有するシランカップリング剤により表面処理した酸化亜鉛粒子を用い、結着樹脂としてアセタール樹脂を用いた場合、金属酸化物粒子に対する表面処理剤の処理量は、下引層における単位面積当たりの静電容量を前記範囲に調整する観点から０．１質量％以上７質量％以下が好ましく、０．５質量％以上５質量％以下がより好ましい。
【００７０】
−電子受容性化合物−
電子受容性化合物は、下引層中に金属酸化物粒子と共に分散して含まれていてもよいし、金属酸化物粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。電子受容性化合物が金属酸化物粒子の表面に付着した状態で含まれる場合、電子受容性化合物は、金属酸化物粒子の表面と化学反応する材料、又は金属酸化物粒子の表面に吸着する材料であることが好ましく、金属酸化物粒子の表面に選択的に存在し得る。
【００７１】
電子受容性化合物としては、例えば、キノン骨格、アントラキノン骨格、クマリン骨格、フタロシアニン骨格、トリフェニルメタン骨格、アントシアニン骨格、フラボン骨格、フラーレン骨格、ルテニウム錯体骨格、キサンテン骨格、ベンゾキサジン骨格、ポルフィリン骨格等を有する電子受容性化合物が挙げられる。
なお、電子受容性化合物は、これら骨格に、酸性基（例えば、水酸基、カルボキシル基、スルホニル基等）、アリール基、アミノ基等の置換基で置換された化合物であってもよい。
【００７２】
特に、電子受容性化合物としては、下引層における単位面積あたりの静電容量を前記範囲に調整する観点から、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物が好ましく、ヒドロキシアントラキノン骨格（水酸基を持つアントラキノン骨格）を有する電子受容性化合物がより好ましい。
【００７３】
ヒドロキシアントラキノン骨格を有する電子受容性化合物として具体的には、例えば、下記一般式（１）で示される化合物が挙げられる。
【００７４】
【化２】
2017201366.tif 000003
【００７５】
一般式（１）中、ｎ１及びｎ２は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。但し、ｎ１及びｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ１及びｎ２が同時に０を表さない）。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ１１及びＲ１２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。
【００７６】
また、電子受容性化合物としては、下記一般式（２）で表される化合物であってもよい。
【００７７】
【化３】
2017201366.tif 000004
【００７８】
一般式（２）中、ｎ１、ｎ２、ｎ３、及びｎ４は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。ｎ１及びｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ１及びｎ２が同時に０を表さない）。ｎ３及びｎ４の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ３及びｎ４が同時に０を表さない）。ｒは、２以上１０以下の整数を示す。Ｒ１１及びＲ１２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。
【００７９】
ここで、一般式（１）及び（２）中、Ｒ１１及びＲ１２が表す炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、直鎖状、又は分枝状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、好ましくは１以上８以下のアルキル基、より好ましくは１以上６以下のアルキル基である。
Ｒ１１及びＲ１２が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基（アルコキシル基）としては、直鎖状、又は分枝状のいずれでもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、好ましくは１以上８以下のアルコキシル基、より好ましくは１以上６以下のアルコキシル基である。
【００８０】
電子受容性化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【００８１】
【化４】
2017201366.tif 000005
【００８２】
【化５】
2017201366.tif 000006
【００８３】
【化６】
2017201366.tif 000007
【００８４】
電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【００８５】
乾式法は、例えば、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【００８６】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、金属酸化物粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に金属酸化物粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【００８７】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を金属酸化物粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【００８８】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、下引層中の全固形分に対して０．０１質量％以上２０質量％以下が挙げられ、好ましくは０．１質量％以上１０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以上５質量％以下である。
電子受容性化合物の含有量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも小さい場合に比べて、電子受容性化合物のアクセプターとしての効果が得られやすい。また、電子受容性化合物の含有量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べて、金属酸化物粒子同士の凝集を引き起こして下引層内に金属酸化物粒子が偏在しすぎることが起こりにくく、金属酸化物粒子が偏在しすぎることによる残留電位の上昇、黒点の発生、ハーフトーン濃度ムラ等が起こりにくい。
また、電子受容性化合物の含有量は、下引層における単位面積当たりの静電容量を前記範囲に調整する観点から、下引層中の全固形分に対して、０．１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１質量％以下がより好ましい。
【００８９】
−結着樹脂−
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【００９０】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【００９１】
−添加剤−
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように金属酸化物粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【００９２】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００９３】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【００９４】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【００９５】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【００９６】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００９７】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【００９８】
−下引層の形成方法−
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【００９９】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【０１００】
下引層形成用塗布液を調製するときの金属酸化物粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【０１０１】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１０２】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上５０μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以上３０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以上２５μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１０３】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１０４】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【０１０５】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【０１０６】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【０１０７】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【０１０８】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【０１０９】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【０１１０】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【０１１１】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【０１１２】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【０１１３】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【０１１４】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【０１１５】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１１６】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【０１１７】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【０１１８】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【０１１９】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１２０】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１２１】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
【０１２２】
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２３】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【０１２４】
【化７】
2017201366.tif 000008
【０１２５】
構造式（ａ−１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１２６】
【化８】
2017201366.tif 000009
【０１２７】
構造式（ａ−２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１２８】
ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
【０１２９】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記一般式（ＣＴ１）で表されるブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）も好ましく挙げられる。
【０１３０】
【化９】
2017201366.tif 000010
【０１３１】
一般式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。
ｃｍ及びｃｎは、各々独立に、０、１又は２を表す。
【０１３２】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１３３】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１３４】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１３５】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
【０１３６】
なお、一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１３７】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６の隣接する二つの置換基同士（例えばＲＣ１１及びＲＣ１２同士、ＲＣ１３及びＲＣ１４同士、ＲＣ１５及びＲＣ１６同士）が連結した炭化水素環構造における、当該置換基同士を連結する基としては、単結合、２，２’−メチレン基、２，２’−エチレン基、２，２’−ビニレン基などが挙げられ、これらの中でも単結合、２，２’−メチレン基が好ましい。
ここで、炭化水素環構造として具体的には、例えば、シクロアルカン環構造、シクロアルケン環構造、シクロアルカンポリエン環構造等が挙げられる。
【０１３８】
一般式（ＣＴ１）において、ｃｍ及びｃｎは、１であることが好ましい。
【０１３９】
一般式（ＣＴ１）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表し、ｃｍ及びｃｎが１又は２を表することが好ましく、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子を表し、ｃｍ及びｃｎが１を表すことがより好ましい。
つまり、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、下記構造式（ＣＴ１Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ１−３））であることがより好ましい。
【０１４０】
【化１０】
2017201366.tif 000011
【０１４１】
以下に、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０１４２】
【化１１】
2017201366.tif 000012
【０１４３】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ３：メチル基
・−ＯＣＨ３：メトキシ基
【０１４４】
ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１４５】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記一般式（ＣＴ２）で表されるベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）も好ましく挙げられる。特に、電荷移動度の観点から、電荷輸送材料として、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）とベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）とを併用することが好ましい。
【０１４６】
【化１２】
2017201366.tif 000013
【０１４７】
一般式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。
【０１４８】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１４９】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１５０】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１５１】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。
【０１５２】
なお、一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子及び基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１５３】
一般式（ＣＴ２）において、特に、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成（感光体の高感度化）の点から、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表すことが好ましく、ＲＣ２１、及びＲＣ２３が水素原子を表し、ＲＣ２２が炭素数１以上１０以下のアルキル基（特に、メチル基）を表すことがより好ましい。
具体的には、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、下記構造式（ＣＴ２Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ２−２））であることが特に好ましい。
【０１５４】
【化１３】
2017201366.tif 000014
【０１５５】
以下に、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０１５６】
【化１４】
2017201366.tif 000015
【０１５７】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ３：メチル基
・−Ｃ２Ｈ５：エチル基
・−ＯＣＨ３：メトキシ基
・−ＯＣ２Ｈ５：エトキシ基
【０１５８】
ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１５９】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【０１６０】
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【０１６１】
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１６２】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【０１６３】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【０１６４】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１６５】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１６６】
（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
【０１６７】
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
【０１６８】
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲＱ１３−Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。
【０１６９】
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
【０１７０】
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
【０１７１】
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
【０１７２】
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１７３】
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
【０１７４】
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
【０１７５】
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１７６】
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１７７】
（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【０１７８】
＜帯電装置＞
帯電装置１５（帯電手段の一例）は、感光体７の表面を帯電する。帯電装置１５は、例えば、感光体７の表面を帯電する帯電部材１４に帯電電位を印加する電源２８（帯電部材用の電圧印加部の一例）を含んで構成されている。電源２８は、帯電部材１４に電気的に接続されている。
【０１７９】
帯電装置１５の帯電部材１４は、例えば、感光体７の表面に接触または非接触で設けられている。帯電部材１４としては、例えば、導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触帯電方式の帯電器が挙げられる。また、例えば、非接触帯電方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も挙げられる。
【０１８０】
帯電装置１５（電源２８を含む）は、例えば、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、帯電部材１４に帯電電圧を印加する。電源２８から帯電電圧を印加された帯電部材１４は、印加された帯電電圧に応じた帯電電位に、感光体７を帯電させる。このため、電源２８から印加される帯電電圧が調整されることで、感光体７は、異なる帯電電位に帯電される。
【０１８１】
＜静電潜像形成装置＞
静電潜像形成装置（露光装置）１６（静電潜像形成手段の一例）は、帯電された感光体７の表面に静電潜像を形成する。
具体的には、例えば、静電潜像形成装置１６は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、帯電部材１４により帯電された感光体７の表面に、形成する対象となる画像の画像情報に基づいて変調された光Ｌを露光する。そして、感光体７上に画像情報の画像に応じた静電潜像を形成し、露光された感光体の表面は、静電潜像形成装置の露光光量に応じた露光後電位となる。
【０１８２】
静電潜像形成装置１６としては、例えば、半導体レーザ光、発光ダイオード（ＬＥＤ：ライト・エミッティング・  ダイオード）光、液晶シャッタ光等の光を像様に露光する光源を持つ光学系機器等の露光装置が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体７の分光感度領域にあるものがよい。半導体レーザの波長としては、例えば、７８０ｎｍ前後に発振波長を有する近赤外がよい。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、静電潜像形成装置１６としては、例えばカラー画像形成のためにはマルチビーム出力する形式の面発光型のレーザ光源も有効である。
【０１８３】
＜現像装置＞
現像装置１８は、例えば、静電潜像形成装置１６による光Ｌの照射位置より感光体７の回転方向下流側に設けられている。現像装置１８内には、現像剤を収容する収容部が設けられている。
【０１８４】
なお、現像装置１８に収容される現像剤としては、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。
【０１８５】
現像装置１８は、例えば、トナーを含む現像剤により、感光体７の表面に形成された静電潜像を現像する現像部材１８Ａと、現像部材１８Ａに現像電圧を印加する電源３２（現像部材用の電圧印加部の一例）と、を含んで構成されている。この現像部材１８Ａは、例えば、電源３２に電気的に接続されている。
【０１８６】
現像装置１８の現像部材１８Ａとしては、現像剤の種類に応じて選択されるが、例えば、磁石が内蔵された現像スリーブを有する現像ロールが挙げられる。
【０１８７】
現像装置１８（電源３２を含む）は、例えば、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、現像部材１８Ａに現像電圧を印加する。電源３２から現像電圧を印加された現像部材１８Ａは、印加された現像電圧に応じた現像電位に帯電される。
そして、現像電位に帯電された現像部材１８Ａは、例えば、現像装置１８内に収容された現像剤を表面に保持して、現像剤に含まれるトナーを現像装置１８内から感光体７の表面へと供給する。
【０１８８】
感光体７上に供給されたトナーは、例えば、感光体７上の静電潜像に静電力により付着する。詳細には、例えば、感光体７と現像部材１８Ａとの向かい合う領域における電位差、すなわち、この領域における感光体７の表面の電位と現像部材１８Ａの現像電位との電位差によって、現像剤に含まれるトナーが感光体７の静電潜像の形成された領域に供給され、現像剤にキャリアが含まれている場合には、キャリアは現像部材１８Ａに保持されたまま現像装置１８内に戻る。
これにより、例えば、感光体７上の静電潜像は、現像部材１８Ａから供給されたトナーによって現像されて、感光体７上には、静電潜像に応じたトナー像が形成される。
【０１８９】
＜転写装置＞
転写装置３１（転写手段の一例）は、例えば、現像部材１８Ａの配設位置より感光体７の回転方向下流側に設けられている。
転写装置３１は、例えば、感光体７の表面に形成されたトナー画像を用紙Ｐ（記録媒体の一例）へ転写する転写部材２０と、転写部材２０に転写電圧を印加する電源３０（転写部材用の電圧印加部の一例）と、を含んで構成されている。転写部材２０は、例えば、円柱状とされており、矢印Ｃ方向に回転し、感光体７との間で用紙Ｐを挟んで搬送する。転写部材２０は、例えば、電源３０に電気的に接続されている。
【０１９０】
転写装置３１の転写部材２０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の非接触型転写帯電器が挙げられる。
【０１９１】
転写装置３１（電源３０を含む）は、例えば、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、転写部材２０に転写電圧を印加する。電源３２から転写電圧を印加された転写部材２０は、印加された転写電圧に応じた転写電位に帯電される。
【０１９２】
転写部材２０の電源３０から転写部材２０に、感光体７上に形成されたトナー像を構成するトナーとは逆極性の転写電圧が印加されると、例えば、感光体７と転写部材２０との向かい合う領域（図１中、転写領域Ｔ参照）には、感光体７上のトナー像を構成する各トナーを静電力により感光体７から転写部材２０側へと移動させる電界強度の電界が形成される。
【０１９３】
用紙Ｐ（記録媒体の一例）は、例えば、図示を省略する収容部に収容されており、この収容部から図示を省略する複数の搬送部材によって搬送経路３４に沿って搬送され、感光体７と転写部材２０との向かい合う領域である転写領域Ｔに到る。図１中に示す例では、矢印Ｂ方向に搬送される。転写領域Ｔに到達した用紙Ｐは、例えば、転写部材２０に転写電圧が印加されることにより、この領域に形成された転写電界によって、感光体７上のトナー像が転写される。すなわち、例えば、感光体７の表面から用紙Ｐへのトナーの移動により、用紙Ｐ上にトナー像が転写される。
【０１９４】
感光体７上のトナー像は、転写電界により用紙Ｐ上に転写される。転写電界の大きさは転写電流値に基づいて制御されている。
ここで、「転写電流値」とは、感光体から記録媒体にトナー像が転写される際に、転写手段から感光体に流れる転写電流の電流値を示す。
転写電流値は、転写不良の抑制及びカブリの抑制を両立する観点から、５０μＡ以上２００μＡ以下が好ましく、７５μＡ以上１５０μＡ以下がより好ましい。
【０１９５】
＜再帯電装置＞
再帯電装置４０（再帯電手段の一例）は、トナー像を前記記録媒体の表面に直接転写した後の前記電子写真感光体を帯電させる。再帯電装置４０は、例えば、再帯電部材４０Ａに帯電電位を印加する電源（不図示）を含んで構成されている。図示しない電源は、例えば、再帯電部材４０Ａに電気的に接続されている。
【０１９６】
再帯電装置４０の再帯電部材４０Ａは、感光体７の表面に非接触で設けられている。再帯電部材４０Ａとしては、例えば、非接触帯電方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器、コロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等が挙げられる。
【０１９７】
再帯電装置４０は、例えば、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、再帯電部材４０Ａに帯電電圧を印加する。印加する電圧は、直流電圧がよい。電源（不図示）から帯電電圧を印加された再帯電部材４０Ａは、印加された帯電電圧に応じた帯電電位に、トナー像を用紙Ｐに転写した後の感光体７の表面を帯電させる。
【０１９８】
再帯電装置４０は、帯電装置１５と同極性に帯電させる。例えば、再帯電装置４０によって感光体７を帯電させることで、転写装置３１によって感光体７の内部に蓄積された電荷を打ち消す。また、再帯電装置４０によって感光体７を帯電させることにより、感光体７の表面に残留した残留トナーの帯電が制御され易くなる。そして、残留トナーは、例えば、清掃装置２２で回収され易くなる。
【０１９９】
＜清掃装置＞
清掃装置（クリーニング装置）２２（清掃手段（クリーニング手段）の一例）は、転写領域Ｔより感光体７の回転方向下流側に設けられている。
清掃装置２２は、トナー像を用紙Ｐに転写した後に、感光体７に付着した付着物を除去する（つまり、クリーニング装置２２は、感光体７の表面をクリーニングする）。
清掃装置２２は、感光体７上の残留トナーや紙粉等の付着物を除去する。清掃装置２２としては、例えば、感光体７に対して、予め定めた線圧で接触する清掃ブレード（クリーニングブレード）２２Ａを有する構成等が挙げられる。清掃ブレード２２Ａは、例えば、線圧１０ｇ／ｃｍ以上１５０ｇ／ｃｍ以下で感光体７に接触することがよい。
【０２００】
＜除電装置＞
除電装置２４（除電手段の一例）は、例えば、清掃装置２２より感光体７の回転方向下流側に設けられている。
除電装置２４は、トナー画像を転写した後、感光体７の表面を露光して除電する。
具体的には、例えば、除電装置２４は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、感光体７の全表面（具体的には例えば画像形成領域の全面）を露光して除電する。
【０２０１】
除電装置２４としては、例えば、白色光を照射するタングステンランプ、赤色光を照射する発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源を有する装置が挙げられる。
【０２０２】
＜定着装置＞
定着装置２６（定着手段の一例）は、例えば、転写領域Ｔより用紙Ｐの搬送経路３４の搬送方向下流側に設けられている。
定着装置２６は、例えば、用紙Ｐ上に転写されたトナー像を定着する。
具体的には、例えば、定着装置２６は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、用紙Ｐ上に転写されたトナー像を熱または熱及び圧力によって用紙Ｐに定着する。
【０２０３】
定着装置２６としては、それ自体公知の定着器、例えば、熱ローラ定着器、オーブン定着器等が挙げられる。図１では、加熱ロール２６Ａと、加熱ロール２６Ａと対向するように配置された加圧ロール２６Ｂとを備えた熱ローラ定着器を例示している。
【０２０４】
ここで、搬送経路３４に沿って搬送されて感光体７と転写部材２０との向かい合う領域（転写領域Ｔ）を通過することによりトナー像を転写された用紙Ｐは、例えば、図示を省略する搬送部材によって、さらに、搬送経路３４に沿って定着装置２６の設置位置に到り、用紙Ｐ上のトナー像の定着が行われる。
トナー像の定着によって画像形成された用紙Ｐは、図示を省略する複数の搬送部材によって、画像形成装置１０の外部へと排出される。
なお、感光体７は、除電装置２４による除電後、再度、帯電装置１５によって帯電される。
【０２０５】
＜制御装置＞
制御装置３６は、装置全体の制御及び各種演算を行うコンピュータとして構成されている。具体的には、制御装置３６は、例えば、ＣＰＵ（中央処理装置；  Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、各種プログラムを記憶したＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、プログラムの実行時にワークエリアとして使用されるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、各種情報を記憶する不揮発性メモリ、及び入出力インターフェース（Ｉ／Ｏ）を備えている。ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリ、及びＩ／Ｏの各々は、バスを介して接続されている。そして、Ｉ／Ｏには、感光体７（駆動モータ２７を含む）、帯電装置１５（電源２８を含む）、静電潜像形成装置１６、現像装置１８（電源３２を含む）、転写装置３１（電源３０を含む）、再帯電装置４０（不図示の電源含む）、除電装置２４、定着装置２６等の画像形成装置１０の各部が接続されている。
【０２０６】
なお、ＣＰＵは、例えば、ＲＯＭや不揮発性メモリに記憶されているプログラム（例えば、画像形成シーケンスや回復シーケンス等）の制御プログラム）実行し、画像形成装置１０の各部の動作を制御する。ＲＡＭは、ワークメモリとして使用される。ＲＯＭや不揮発性メモリには、例えば、ＣＰＵが実行するプログラムやＣＰＵの処理に必要なデータ等が記憶されている。なお、制御プログラムや各種データは、記憶部等の他の記憶装置に記憶されていてもよいし、通信部を介して外部から取得されてもよい。
【０２０７】
また、制御装置３６には、各種ドライブが接続されていてもよい。各種ドライブとしては、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）メモリなどのコンピュータ読み取り可能な可搬性の用紙Ｐからデータを読み込んだり、用紙Ｐに対してデータを書き込んだりする装置が挙げられる。各種ドライブを備える場合には、可搬性の用紙Ｐに制御プログラムを記録しておいて、これを対応するドライブで読み込んで実行してもよい。
【０２０８】
＜画像形成動作＞
画像形成装置１０の画像形成動作について説明する。
まず、感光体７の表面が帯電装置１５により帯電される。静電潜像形成装置１６は、帯電された感光体７の表面を画像情報に基づいて露光する。これにより、感光体７上に画像情報に応じた静電潜像が形成される。現像装置１８では、トナーを含む現像剤により、感光体７の表面に形成された静電潜像が現像される。これにより、感光体７の表面に、トナー画像が形成される。転写装置３１では、感光体７の表面に形成されたトナー画像が用紙Ｐへ転写される。用紙Ｐに転写されたトナー画像は、定着装置２６により定着される。
一方、トナー画像を転写した後の感光体７の表面は、再帯電装置４０によって、感光体７の表面を再帯電することで、感光層内部に蓄積されていた逆極性の電荷が打ち消される。また、感光体７の表面に残留した残留トナーの極性を揃えるように帯電が制御される。そして、清掃装置２２により清掃され、除電装置２４により除電される。
【０２０９】
また、図１では、除電装置２４として、トナー像の転写後、帯電前に感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置を例に挙げて説明したが、本実施形態に係る画像形成装置は、上記構成に限らない。
さらに、本実施形態に係る画像形成装置において、トナー像の転写後、転写手段よりも感光体７の回転方向下流側で、清掃手段（クリーニング手段）よりも感光体７の回転方向上流側に、再帯電手段を備える装置を例に挙げて説明したが、本実施形態に係る画像形成装置は、上記構成に限らない。
【０２１０】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、感光体７を備える部分、及び転写装置３１が、画像形成装置に対して脱着されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る感光体７、及び転写装置３１を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、感光体７以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、再帯電手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【実施例】
【０２１１】
以下、実施例により本実施形態を詳細に説明するが、本実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。
【０２１２】
＜表面処理金属酸化物粒子の作製＞
〔表面処理金属酸化物粒子１〕
金属酸化物粒子として酸化亜鉛（商品名：ＭＺ−３００、テイカ株式会社製、体積平均一次粒径：３５ｎｍ）１００質量部と、シランカップリング剤としてγ−アミノプロピルトリエトキシシランの１０質量％トルエン溶液５質量部と、トルエン２００質量部と、を混合し、攪拌を行い、２時間還流を行った。その後１０ｍｍＨｇにてトルエンを減圧留去し、１３５℃で２時間焼き付け処理を行い、表面処理金属酸化物粒子を得た。
【０２１３】
〔表面処理金属酸化物粒子２〜６〕
金属酸化物粒子の種類及びγ−アミノプロピルトリエトキシシランの１０質量％トルエン溶液の添加量（表中の「カップリング剤溶液の添加量」）を表１に示す通りにした以外は、表面処理金属酸化物粒子１と同様にして、表面処理金属酸化物粒子を得た。
【０２１４】
【表１】
2017201366.tif 000016
【０２１５】
＜感光体の作製＞
〔感光体１〕
（下引層の形成）
表２に示す表面処理金属酸化物粒子３３質量部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）６質量部と、表２に示す電子受容性化合物９質量部と、メチルエチルケトン２５質量部と、を３０分間混合した。その後、ブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）５質量部と、シリコーンボール（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）３質量部と、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２９ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）：０．０１質量部と、を添加し、サンドミルにて１時間の分散を行い、下引層形成用塗布液を得た。
【０２１６】
この下引層形成用塗布液を用いて、浸漬塗布法にて、直径８４ｍｍ、長さ３５７ｍｍ、肉厚１．０ｍｍのアルミニウム基材（導電性基体）上に塗布し、１８０℃、３０分の乾燥硬化を行い、厚さ２０μｍの下引層を得た。
【０２１７】
（電荷発生層の形成）
電荷発生材料としてＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、９．９゜、１２．５゜、１６．３゜、１８．６゜、２５．１゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１５質量部と、結着樹脂として塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、株式会社ＮＵＣ製）１０質量部と、溶媒としてｎ−ブチルアルコール３００質量部と、からなる混合物を、サンドミルにて４時間分散して電荷発生層形成用塗布液を得た。
得られた電荷発生層形成用塗布液を、前記下引層上に浸漬塗布し、１００℃で１０分間乾燥して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を得た。
【０２１８】
（電荷輸送層の形成）
電荷輸送材料としてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン４質量部と、結着樹脂としてビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（重量平均分子量：４万）６質量部と、をテトラヒドロフラン２４質量部及びクロロベンゼン５質量部の混合溶媒に加え、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
得られた電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布して１３０℃で４０分間乾燥して膜厚３５μｍの電荷輸送層を形成し、目的の電子写真感光体を得た。
【０２１９】
（下引層の静電容量の測定）
上記下引層の形成において得られた下引層形成用塗布液を、直径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍのアルミニウム基材に浸漬塗布し、１８０℃で３０分乾燥硬化を行い厚さ２０μｍの下引層を得た。対向電極としてφ６ｍｍの金電極を真空蒸着法にて下引層上に形成し、常温常湿（２２℃／５０％ＲＨ）おいて、ソーラトロン社製インピーダンスアナライザー１２６０９６Ｗ型を用い、ＤＣバイアス０Ｖ、ＡＣ±１Ｖ、周波数１〜１００Ｈｚの範囲で測定を行い、下引層における単位面積あたりの静電容量（表中の「静電容量」）を求めた。結果を表２に示す。
【０２２０】
〔感光体２〜８、感光体Ｃ１〜Ｃ２〕
感光体１の下引層の形成において、用いた表面処理金属酸化物粒子の種類並びに電子受容性化合物の種類及び添加量を表２示すようにした以外は、感光体１と同様にして電子写真感光体を得た。
また、感光体１と同様にして、得られた下引層形成用塗布液を用いて測定を行い、下引層における単位面積あたりの静電容量（表中の「静電容量」）を求めた。結果を表２に示す。
【０２２１】
＜評価＞
〔カブリの評価〕
得られた感光体を、画像形成装置（富士ゼロックス社製：複写機ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ  ｆ  １１００）に搭載し、転写電流値：１２０μＡ、プロセス速度：４００ｍｍ／ｓｅｃ、温度２２℃、湿度５０％の環境下で、画像濃度３％の文字チャートをＡ４サイズの記録媒体に横送りで連続５０００枚形成した後、画像濃度３％の文字チャートをＡ３ノビサイズの記録媒体に１枚形成し、Ａ３ノビサイズの非画像部を目視で観察することで、下記評価基準によりカブリの評価を行った。結果を表２に示す。
また、転写電流値：２５０μＡ、プロセス速度：４００ｍｍ／ｓｅｃの条件においても同様にカブリの評価を行った。結果を表２に示す。
【０２２２】
−カブリの評価基準−
Ａ（○）：発生しない又は識別困難
Ｂ（△）：よく観察してようやく識別できる程度に発生するが、許容範囲内である
Ｃ（×）：明らかに識別できる程度に発生し、許容範囲を超える
【０２２３】
【表２】
2017201366.tif 000017
【０２２４】
上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、カブリが抑制されていることが分かる。
【０２２５】
なお、表２の略称等の詳細は以下の通りである。
・１−２：電子受容性化合物の例示化合物（１−２）
・１−９：電子受容性化合物の例示化合物（１−９）
・１−１４：電子受容性化合物の例示化合物（１−１４）
・１−２１：電子受容性化合物の例示化合物（１−２１）
【符号の説明】
【０２２６】
１  導電性基体、２  単層型感光層、３  下引層、４  電荷発生層、５  電荷輸送層、６  機能分離型感光層、７  電子写真感光体、７Ａ  電子写真感光体、７Ｂ  電子写真感光体、１０  画像形成装置、１５  帯電装置（帯電手段の一例）、１６  静電潜像形成装置（露光装置）（静電潜像形成手段の一例）、１８  現像装置（現像手段の一例）、２２  清掃装置（クリーニング装置）（清掃手段の一例）、２２Ａ  清掃ブレード（クリーニングブレード）、２４  除電装置、２６  定着装置、２７  駆動モータ、３１  転写装置（転写手段の一例）、４０  再帯電装置（再帯電手段の一例）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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