(57)【要約】【課題】素子基板にレンズを設ける場合でも、レンズ層でのクラックの発生を抑制できる電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０を形成する工程では、基板１１の一方面１１ｓ側に画素スイッチング素子３０を構成する膜および画素電極９ａを構成する膜を含む複数の膜を形成した後、研磨およびエッチングによって基板１１を除去し、積層構造体１５を得る。次に、貼り合わせ工程では、積層構造体１５において基板１１が位置していた側の面と、レンズ面１４１およびレンズ面１４１を覆うレンズ層１４０が設けられたレンズアレイ基板１９とを、平面視で画素電極９ａとレンズ面１４１とが重なるように接着層１７によって貼り合わせる。【選択図】図５
2017187569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極および前記画素電極に電気的に接続された画素スイッチング素子が設けられた
素子基板と、
前記画素電極に対向する共通電極が設けられた対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電気光学層と、
を有し、
前記素子基板は、
前記画素電極に重なる凹曲面または凸曲面からなる第１レンズ面、および前記第１レン
ズ面を覆う透光性の第１レンズ層が設けられたレンズアレイ基板と、
前記レンズアレイ基板の一方面側に接着層を介して貼り合わされ、前記画素スイッチン
グ素子を構成する膜および前記画素電極を構成する膜を含む複数の膜からなる積層構造体
と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記レンズアレイ基板には、前記画素スイッチング素子の半導体層に重なる遮光層が設
けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置において、
前記遮光層は、前記レンズアレイ基板の前記積層構造体側に位置する一方面側に設けら
れていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の電気光学装置において、
前記遮光層は、前記積層構造体とは反対側に位置する光反射層と、前記光反射層に対し
て前記積層構造体側に積層された光吸収層とを備えていることを特徴とする電気光学装置
。
【請求項５】
請求項２乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記積層構造体には、前記複数の膜の何れかと同層の第１アライメントマークが設けら
れ、
前記レンズアレイ基板には、前記遮光層と同層の第２アライメントマークが設けられて
いることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記レンズアレイ基板には、前記積層構造体とは反対側に位置する他方面側に前記第１
レンズ面および前記第１レンズ層が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記レンズアレイ基板には、前記第１レンズ面および前記第１レンズ層より前記積層構
造体側に透光膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記対向基板には、平面視で前記画素電極に重なる凹曲面または凸曲面からなる第２レ
ンズ面、および前記第２レンズ面を覆う透光性の第２レンズ層が設けられていることを特
徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子
機器。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子機器において、
前記電気光学装置に対して前記素子基板側から光を入射させる光源部を有することを特
徴とする電子機器。
【請求項１１】
画素電極および前記画素電極に電気的に接続された画素スイッチング素子が設けられた
素子基板と、前記画素電極に対向する共通電極が設けられた対向基板と、前記素子基板と
前記対向基板との間に設けられた電気光学層と、を有する電気光学装置の製造方法におい
て、
前記素子基板を形成する工程では、
基板の一方面側に前記画素スイッチング素子を構成する膜および前記画素電極を構成す
る膜を含む複数の膜を形成する素子形成工程と、
前記基板を他方面側から除去して前記複数の膜からなる積層構造体を得る第１基板除去
工程と、
前記積層構造体において前記基板が位置していた側の面と、凹曲面または凸曲面からな
る第１レンズ面、および前記第１レンズ面を覆う透光性の第１レンズ層が設けられたレン
ズアレイ基板とを、前記画素電極と前記第１レンズ面とが重なるように貼り合わせる貼り
合わせ工程と、
を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記レンズアレイ基板には、前記積層構造体と前記レンズアレイ基板とを貼り合せたと
きに平面視で前記画素スイッチング素子の半導体層と重なる遮光層を設けておくことを特
徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記素子形成工程では、前記複数の膜の何れかによって第１アライメントマークを形成
し、
前記レンズアレイ基板では、前記遮光層と同層の第２アライメントマークを形成し、
前記貼り合わせ工程では、前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマーク
とによって前記積層構造体と前記レンズアレイ基板との位置合わせを行うことを特徴とす
る電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記レンズアレイ基板には、前記積層構造体とは反対側に位置する他方面側に前記第１
レンズ面および前記第１レンズ層を設けておくことを特徴とする電気光学装置の製造方法
。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記素子形成工程では、前記基板の一方面側にエッチングストッパー層を形成した後、
前記複数の膜を形成し、
前記第１基板除去工程では、少なくとも前記エッチングストッパー層に到達するまで前
記基板をエッチングにより除去するエッチング工程を行い、前記エッチング工程の後、前
記エッチングストッパー層を除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素電極に対応してレンズが形成された電気光学装置、電子機器、および電
気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
投射型表示装置のライトバルブ等として用いられる電気光学装置（液晶装置）では、画
素電極および画素スイッチング素子が形成された素子基板と、共通電極が形成された対向
基板との間に液晶層が配置されている。かかる電気光学装置では、画像の品位を向上する
ことを目的に、素子基板に対して、複数の画素電極の各々に対して平面視で重なる複数の
レンズを形成した構成が提案されている。また、素子基板にレンズを形成するにあたって
は、基板に対して凹曲面からなるレンズ面を形成した後、その全面にレンズ層を形成し、
その後、レンズ層の表面を平坦化してレンズを形成する技術が提案されている（特許文献
１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２５８０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の技術において、レンズ層は、平坦化の際に凹曲面の内側だけでなく
、基板の一方面の全体に残される。かかる構成では、基板の面内方向においてレンズ層の
厚さの差が大きいにもかかわらず、基板の全面にレンズ層が形成されている。このため、
レンズ層を形成した後の工程でレンズ層に高い温度が加わると、厚さの差に起因してレン
ズ層の特定個所に応力が集中する。例えば、レンズ層を形成した後、画素スイッチング素
子のポリシリコンからなる半導体層を形成する工程や熱酸化法によりゲート絶縁層を形成
する工程でレンズ層に高い温度が加わると、厚さの差に起因してレンズ層の特定個所に応
力が集中する。かかる応力は、レンズ層にクラック等が発生する原因となるため、好まし
くない。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、素子基板にレンズを設ける場合でも、レンズ
層でのクラックの発生を抑制できる電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造
方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の一態様は、画素電極および前記画
素電極に電気的に接続された画素スイッチング素子が設けられた素子基板と、前記画素電
極に対向する共通電極が設けられた対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に設
けられた電気光学層と、を有し、前記素子基板は、前記画素電極に重なる凹曲面または凸
曲面からなる第１レンズ面、および前記第１レンズ面を覆う透光性の第１レンズ層が設け
られたレンズアレイ基板と、前記レンズアレイ基板の一方面側に接着層を介して貼り合わ
され、前記画素スイッチング素子を構成する膜および前記画素電極を構成する膜を含む複
数の膜からなる積層構造体と、を有することを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様は、画素電極および前記画素電極に電気
的に接続された画素スイッチング素子が設けられた素子基板と、前記画素電極に対向する
共通電極が設けられた対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電気
光学層と、を有する電気光学装置の製造方法において、前記素子基板を形成する工程では
、基板の一方面側に前記画素スイッチング素子を構成する膜および前記画素電極を構成す
る膜を含む複数の膜を形成する素子形成工程と、前記基板を他方面側から除去して前記複
数の膜からなる積層構造体を得る第１基板除去工程と、前記積層構造体において前記基板
が位置していた側の面と、凹曲面または凸曲面からなる第１レンズ面、および前記第１レ
ンズ面を覆う透光性の第１レンズ層が設けられたレンズアレイ基板とを、前記画素電極と
前記第１レンズ面とが重なるように貼り合わせる貼り合わせ工程と、を行うことを特徴と
する。
【０００８】
本発明では、画素スイッチング素子を構成する膜および画素電極を構成する膜を含む複
数の膜からなる積層構造体と、第１レンズ面および第１レンズ層が設けられたレンズアレ
イ基板とを接着層を介して貼り合わせるため、画素スイッチング素子等を形成する際の熱
が第１レンズ層に加わらない。従って、第１レンズ層の特定個所に大きな応力が集中しに
くい。従って、第１レンズ層にクラックが発生するという問題や、クラックが原因で第１
レンズ層が剥離する等の問題の発生を抑制することができる。また、本発明では、レンズ
アレイ基板と積層構造体とを貼り合せる際、積層構造体は複数の膜からなり、基板を有し
ない。従って、素子基板が厚くなることを抑制することができる。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置において、前記レンズアレイ基板には、前記画素スイッチン
グ素子の半導体層に重なる遮光層が設けられていることが好ましい。かかる電気光学装置
の製造方法では、前記レンズアレイ基板には、前記積層構造体と前記レンズアレイ基板と
を貼り合せたときに平面視で前記画素スイッチング素子の半導体層と重なる遮光層を設け
ておく。かかる構成によれば、遮光層には、画素スイッチング素子等を形成する際の熱が
加わらない。従って、遮光層の遮光性が熱によって低下することを防止することができる
。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置、および電気光学装置の製造方法において、前記遮光層は、
前記レンズアレイ基板の前記積層構造体側に位置する一方面側に設けられていることが好
ましい。かかる構成によれば、画素スイッチング素子の半導体層と遮光層との間隔を狭く
することができる。従って、画素スイッチング素子の半導体層に入射しようとする光を遮
光層によって効果的に遮ることができる。
【００１１】
本発明に係る電気光学装置、および電気光学装置の製造方法において、前記遮光層は、
前記積層構造体とは反対側に位置する光反射層と、前記光反射層に対して前記積層構造体
側に積層された光吸収層とを備えている態様を採用することができる。かかる構成によれ
ば、対向基板とは反対側から遮光層に向かう光を光反射層によって反射することができる
とともに、対向基板側から遮光層に向かう光を光吸収層によって吸収することができる。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置において、前記積層構造体には、前記複数の膜の何れかと同
層の第１アライメントマークが設けられ、前記レンズアレイ基板には、前記遮光層と同層
の第２アライメントマークが設けられている態様を採用することができる。本発明に係る
電気光学装置の製造方法において、前記素子形成工程では、前記複数の膜の何れかによっ
て第１アライメントマークを形成し、前記レンズアレイ基板では、前記遮光層と同層の第
２アライメントマークを形成しておき、前記貼り合わせ工程では、前記第１アライメント
マークと前記第２アライメントマークとによって前記積層構造体と前記レンズアレイ基板
との位置合わせを行う態様を採用することができる。かかる構成によれば、積層構造体と
レンズアレイ基板とを適正に貼り合せることができる。また、第１アライメントマークに
ついては複数の膜の何れかと同層に形成すればよく、第２アライメントマークについては
遮光層と同層に形成すればよいので、アライメントマークを形成するために工程を追加す
る必要がない。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置、および電気光学装置の製造方法において、前記レンズアレ
イ基板には、前記積層構造体とは反対側に位置する他方面側に前記第１レンズ面および前
記第１レンズ層が設けられている態様を採用することができる。かかる構成によれば、素
子基板にレンズを設けても、レンズ面から積層構造体までの光路長を十分長く確保するこ
とができる。従って、レンズアレイ基板の側から素子基板に入射した光を画素開口部に効
率よく導くことができる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置、および電気光学装置の製造方法において、前記レンズアレ
イ基板には、前記第１レンズ面および前記第１レンズ層より前記積層構造体側に透光膜が
設けられている態様を採用することができる。かかる構成によれば、素子基板にレンズを
設けても、レンズ面から積層構造体までの光路長を十分長く確保することができる。従っ
て、レンズアレイ基板の側から素子基板に入射した光を画素開口部に効率よく導くことが
できる。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置、および電気光学装置の製造方法において、前記対向基板に
は、前記画素電極に重なる凹曲面または凸曲面からなる第２レンズ面、および前記第２レ
ンズ面を覆う透光性の第２レンズ層が設けられている態様を採用することができる。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記素子形成工程では、前記基板の一
方面側にエッチングストッパー層を形成した後、前記複数の膜を形成し、前記第１基板除
去工程では、少なくとも前記エッチングストッパー層に到達するまで前記基板をエッチン
グにより除去するエッチング工程を行い、前記エッチング工程の後、前記エッチングスト
ッパー層を除去する態様を採用することができる。
【００１７】
本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器に用いられる。かかる電子機器は、例
えば、前記電気光学装置に対して前記素子基板側から光を入射させる光源部を有している
。また、各種電子機器のうち、投射型表示装置に電気光学装置を用いる場合、投射型表示
装置には、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によ
って変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の断面図である。
【図３】図２に示す電気光学装置において隣り合う複数の画素の平面図である。
【図４】図２に示す電気光学装置の一部の断面図である。
【図５】図２に示すレンズアレイ基板の遮光層の断面図である。
【図６】図２に示す電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の断面図である。
【図８】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、素子基板に形成される層を説明す
る際、上層側あるいは表面側とは対向基板が位置する側を意味し、下層側とは対向基板が
位置する側とは反対側を意味する。これに対して、対向基板に形成される層を説明する際
、上層側あるいは表面側とは素子基板が位置する側を意味し、下層側とは素子基板が位置
する側とは反対側を意味する。
【００２０】
［実施の形態１］
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置１００の平面図である。図２は、本発明の実施
の形態１に係る電気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気
光学装置１００では、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０
７によって貼り合わされており、素子基板１０と対向基板２０とが対向している。シール
材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、素子基板１０と対向
基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配
置されている。従って、電気光学装置１００は液晶装置として構成されている。シール材
１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤で
あり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等
のギャップ材が配合されている。
【００２１】
素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中
央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、
シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周
縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。
【００２２】
素子基板１０の対向基板２０側の面において、表示領域１０ａの外側には、素子基板１
０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、こ
の一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２に
は、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシ
ブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２３】
素子基板１０の対向基板２０側の面において、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａ、および複数の画
素電極９ａの各々に電気的に接続する画素スイッチング素子３０がマトリクス状に形成さ
れている。画素電極９ａに対して対向基板２０側には第１配向膜１６が形成されており、
画素電極９ａは、第１配向膜１６によって覆われている。
【００２４】
対向基板２０において素子基板１０と対向する面側には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の
共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して素子基板１０側には第２配向膜２
６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されており、第２配
向膜２６によって覆われている。
【００２５】
第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、
ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、電気光学
層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液
晶分子は、素子基板１０および対向基板２０に対して所定の角度を成している。このよう
にして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード
の液晶装置として構成されている。
【００２６】
素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領
域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１
０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１
０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび
基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため
、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位が印加されている。
【００２７】
本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜（
透光性導電膜）により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構
成されている。かかる電気光学装置１００では、後述する投射型表示装置等の電子機器に
おいて、光源部から出射された光は、素子基板１０および対向基板２０のうち、一方の基
板側から入射し、他方の基板側から出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調
されて画像を表示する。本形態では、図２に矢印Ｌで示すように、光源部から出射された
光は、素子基板１０側から入射し、対向基板２０の側から出射される間に電気光学層８０
によって画素毎に変調され、画像を表示する。本形態の電気光学装置１００においては、
素子基板１０および対向基板２０のうち、光の入射側に位置する素子基板１０には、表示
領域１０ａの外周縁に沿って延在する遮光層からなる見切り１８ｂが形成されている。ま
た、素子基板１０の周辺領域１０ｂのうち、見切り１８ｂ等と平面視で重なるダミー画素
領域１０ｃには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００２８】
（素子基板１０の平面構成）
図３は、図２に示す電気光学装置１００において隣り合う複数の画素の平面図である。
なお、図３では、各層を以下の線で表してある。また、図３では、互いの端部が平面視で
重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある
。
走査線３ａ（下層側遮光層８ａ）＝太い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
ゲート電極３ｂ＝細くて長い破線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
【００２９】
図３に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する面には、複数の画素
の各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領
域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。画素間領域は縦横に延在し
ており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に延在する第１画素間領域に沿って直線
的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在し
ている。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素スイッチング素子３０
が形成されており、本形態において、画素スイッチング素子３０は、データ線６ａと走査
線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線
５ａが形成されており、かかる容量線５ａには共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。容量
線５ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されてい
る。画素スイッチング素子３０の上層側には上層側遮光層７ａが形成されており、かかる
上層側遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素スイッチング素子
３０の下層側には下層側遮光層８ａが形成されており、かかる下層側遮光層８ａは、走査
線３ａとしてＸ方向に延在している。
【００３０】
（素子基板１０の断面構成）
図４は、図２に示す電気光学装置１００の一部の断面図であり、図３のＦ−Ｆ′線に沿
って切断したときの断面図である。図２および図４に示すように、素子基板１０は、レン
ズアレイ基板１９と、レンズアレイ基板１９の一方面１９ｓ側に接着層１７を介して貼り
合わされた積層構造体１５とによって構成されている。レンズアレイ基板１９は、素子基
板１０の平面に対して垂直な方向からみた平面視で画素電極９ａに重なる凹曲面または凸
曲面からなるレンズ面１４１（第１レンズ面）と、レンズ面１４１を覆う透光性のレンズ
層１４０（第１レンズ層）とが設けられている。積層構造体１５は、以下に説明するよう
に、画素スイッチング素子３０を構成する膜、および画素電極９ａを構成する膜を含む複
数の膜からなる。
【００３１】
積層構造体１５は、レンズアレイ基板１９側にシリコン酸化膜等からなる保護膜４７を
有しており、保護膜４７の上層には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属
膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側遮光層８ａが形成されている。本形態
において、下層側遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、タングステン、窒
化チタン等の遮光膜からなり、素子基板１０側から入射した光が画素スイッチング素子３
０の半導体層１ａに入射して画素スイッチング素子３０で光電流に起因する誤動作が発生
することを防止する。本形態において、下層側遮光層８ａは走査線３ａとして構成されて
おり、走査線３ａは、コンタクトホール４８ａを介して、後述するゲート電極３ｂと導通
している。
【００３２】
下層側遮光層８ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４８が形成
され、絶縁膜４８の上層側に、半導体層１ａを備えた画素スイッチング素子３０が形成さ
れている。画素スイッチング素子３０は、半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直
交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂとを備
えている。画素スイッチング素子３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性
のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層
２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側に
ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素スイッチン
グ素子３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１
ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領
域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００３３】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲ
ート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２
ａと、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂと
の２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金
属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。
【００３４】
ゲート電極３ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成
され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。ドレイン電極４
ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導
電膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃと一部が重なるよ
うに形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール
４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００３５】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッ
パー用の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４
０の上層側には容量線５ａが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜や
シリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタ
ン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコ
ニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポ
リシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。容
量線５ａは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構
成している。
【００３６】
容量線５ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成さ
れており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の
導電膜により形成されている。データ線６ａは、画素間領域のうち、図３に示すＹ方向に
延在する画素間領域に沿って直線的に延在しており、データ線６ａと走査線３ａとの交差
に対応して画素スイッチング素子３０が設けられている。
【００３７】
データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属
膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜
４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介して
ソース領域１ｂに導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫
通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００３８】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間
絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、上層側遮光層７ａお
よび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４の表面は平坦
化されている。上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属
シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極７ｂは、層間
絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。上
層側遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能してい
る。なお、上層側遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよ
い。
【００３９】
上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性
の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側にはＩＴＯ膜等から
なる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４５には、中継電極７ｂまで到達したコ
ンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介
して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、
中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している
。層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや
無機配向膜からなる透光性の第１配向膜１６が形成されている。
【００４０】
（レンズアレイ基板１９の構成）
図５は、図２に示すレンズアレイ基板１９の遮光層１８ａの断面図である。図２、図３
および図４を参照して説明した素子基板１０には、データ線６ａ等からなる遮光層や画素
スイッチング素子３０が形成されており、遮光層や画素スイッチング素子３０は光を透過
しない。このため、素子基板１０では、画素電極９ａと平面視で重なる領域のうち、遮光
層や画素スイッチング素子３０と平面視で重なる領域や、隣り合う画素電極９ａに挟まれ
た領域と平面視で重なる領域は、光を透過しない遮光領域になっている。これに対して、
画素電極９ａと平面視で重なる領域のうち、遮光層や画素スイッチング素子３０と平面視
で重ならない領域は光を透過する画素開口領域（透光領域）になっている。従って、開口
領域を透過した光のみが画像の表示に寄与し、遮光領域に向かう光は、画像の表示に寄与
しない。
【００４１】
そこで、素子基板１０にはレンズアレイ基板１９が用いられており、レンズアレイ基板
１９には、複数の画素電極９ａの各々に対して平面視で１対１の関係をもって重なる複数
のレンズ１４が形成されている。レンズ１４は、画素開口領域に光を導く。
【００４２】
かかるレンズアレイ基板１９を構成するにあたって、レンズアレイ基板１９の他方面１
９ｔには、複数の画素電極９ａの各々と平面視で一対一の関係をもって重なる凸曲面から
なるレンズ面１４１が複数形成されている。また、レンズアレイ基板１９の他方面１９ｔ
側には、レンズ面１４１を覆うようにレンズ層１４０が形成されている。レンズ面１４１
を構成する半球状の凸部１４２とレンズ層１４０とは屈折率が相違しており、レンズ面１
４１およびレンズ層１４０は、レンズ１４を構成している。本形態において、凸部１４２
の屈折率は、レンズ層１４０の屈折率より大である。例えば、レンズ層１４０は、シリコ
ン酸化物（ＳｉＯ２）からなり、屈折率が１．４８であるのに対して、凸部１４２は、シ
リコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）からなり、屈折率が１．５８〜１．６８である。それ故、レ
ンズ１４は、光源からの光を収束させるパワーを有している。
【００４３】
上記の凸部１４２（レンズ面１４１）を形成するには、レンズアレイ基板１９の他方面
１９ｔにシリコン酸窒化膜を形成した後、半球状の樹脂製の凸部１４２を形成し、その後
、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａｓ：誘導結合型プラ
ズマ）装置等を用いたドライエッチングにより、凸部およびシリコン酸窒化膜をエッチン
グし、凸部１４２（レンズ面１４１）を形成する。なお、樹脂製の凸部１４２は、例えば
、ポジ型の感光性樹脂を塗布した後、グレースケールマスクなどを用いて感光性樹脂を露
光し、その後現像する。
【００４４】
レンズアレイ基板１９には、平面視で画素スイッチング素子３０の半導体層１ａに重な
る遮光層１８ａが設けられている。本形態において、遮光層１８ａは、レンズアレイ基板
１９の積層構造体１５側に位置する一方面１９ｓ側に設けられている。本形態において、
図１および図２を参照して説明した見切り１８ｂは、例えば、遮光層１８ａと同層の遮光
膜からなる。レンズアレイ基板１９には、レンズ面１４１およびレンズ層１４０より積層
構造体１５側に、シリコン酸化膜等からなる光路長調整用の透光膜１３が設けられている
。本形態において、透光膜１３は、レンズアレイ基板１９と遮光層１８ａとの間に設けら
れている。
【００４５】
本形態において、遮光層１８ａは、図５に示すように、積層構造体１５とは反対側（光
の入射側）に位置する光反射層１８ａ１と、光反射層１８ａ１に対して積層構造体１５側
に積層された光吸収層１８ａ２との２層構造になっている。従って、対向基板２０とは反
対側から遮光層１８ａに向かう光を光反射層１８ａ１によって反射することができるとと
もに、対向基板２０側から遮光層１８ａに向かう光を光吸収層１８ａ２によって吸収する
ことができる。本形態では、光反射層１８ａ１は、例えばアルミニウム層からなり、光吸
収層１８ａ２は、チタン層、窒化チタン層、タングステン層、タングステンシリサイド層
、クロム層、モリブデン層等からなる。
【００４６】
再び図２および図４において、積層構造体１５には、積層構造体１５に形成された複数
の膜の何れかと同層の第１アライメントマーク１５ａが設けられている一方、レンズアレ
イ基板１９には、第１アライメントマーク１５ａと平面視で重なる位置に遮光層１８ａと
同層の第２アライメントマーク１９ａが設けられている。
【００４７】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板２９（透光性基板）の電気
光学層８０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２９ｓ）には、遮光層２７、シリコ
ン酸化膜等からなる保護層２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１
が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる
透光性の第２配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜か
らなる。
【００４８】
（電気光学装置１００の製造方法）
図６は、図２に示す電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。なお、図
６では、上下方向については図２に示す方向に対応させてあり、各工程では、上下を反転
させて処理を行う場合がある。本形態の電気光学装置１００の製造方法において、素子基
板１０を製造する工程では、単品サイズの基板１１やレンズアレイ基板１９より大型のマ
ザー基板を用いるが、以下の説明では、単品サイズおよびマザー基板にかかわらず、基板
１１、素子基板１０およびレンズアレイ基板１９として説明する。
【００４９】
本形態の素子基板１０を製造する工程では、以下の工程を行う。
素子形成工程ＳＴ１
第１基板除去工程ＳＴ２
貼り合わせ工程ＳＴ３
【００５０】
素子形成工程ＳＴ１では、基板１１の一方面１１ｓ側に画素スイッチング素子３０を構
成する膜および画素電極９ａを構成する膜を含む複数の膜を形成する。より具体的には、
まず、エッチングストッパー形成工程ＳＴ１ａにおいて、基板１１の一方面１１ｓの全面
にエッチングストッパー層１２を形成する。エッチングストッパー層１２は、ポリシリコ
ン膜やタングステンシリサイド膜からなる。次に、積層工程ＳＴ１ｂでは、エッチングス
トッパー層１２の上層側に、図４を参照して説明した保護膜４７、下層側遮光層８ａ、絶
縁膜４８、画素スイッチング素子３０、保持容量５５、データ線６ａ、画素電極９ａ、お
よび第１配向膜１６等を順次形成する。
【００５１】
次に、第１基板除去工程ＳＴ２では、基板１１を他方面１１ｔ側から除去して複数の膜
からなる積層構造体１５を得る。より具体的には、支持基板貼り合せ工程ＳＴ２ａにおい
て、基板１１の一方面１１ｓ側に粘着層９１を介して支持基板９０を貼り合せた後、除去
工程ＳＴ２ｂにおいて、研磨処理やエッチング処理により、基板１１を除去する。本形態
では、基板１１の他方面１１ｔ側に対して粗研磨や機械研磨により研磨した後、ＣＭＰ（
Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等の平坦化工程を
行う。次に、スピンエッチャー等を用い、フッ酸を含むエッチング液によってエッチング
ストッパー層１２が露出するまで基板１１をエッチングするエッチング工程を行い、基板
１１を完全に除去する。次に、ドライエッチング処理やＣＭＰ処理によってエッチングス
トッパー層１２を除去する。
【００５２】
次に、貼り合わせ工程ＳＴ３では、積層構造体１５において基板１１が位置していた側
の面とレンズアレイ基板１９の一方面１９ｓ側と接着剤１７０等の接着層１７によって貼
り合わせる。より具体的は、位置合わせ工程ＳＴ３ａにおいて、レンズアレイ基板１９と
積層構造体１５とを画素電極９ａとレンズ面１４１とが平面視で重なり、画素スイッチン
グ素子３０の半導体層１ａとが平面視で重なるように、レンズアレイ基板１９と積層構造
体１５との位置合わせを行う。本形態では、積層構造体１５には、データ線６ａ等と同層
の第１アライメントマーク１５ａが形成され、レンズアレイ基板１９には、遮光層１８ａ
と同層の第２アライメントマーク１９ａが形成されているので、第１アライメントマーク
１５ａおよび第２アライメントマーク１９ａを基準にレンズアレイ基板１９と積層構造体
１５との位置合わせを行う。その際、レンズアレイ基板１９および積層構造体１５の少な
くとも一方に接着剤１７０を塗布しておく。例えば、レンズアレイ基板１９の一方面１９
ｓ側（遮光層１８ａが形成されている側）に接着剤１７０を塗布しておく。そして、接着
工程ＳＴ３ｂでは、レンズアレイ基板１９と積層構造体１５とを接着剤１７０を挟んで重
ね合せ、その後、接着剤１７０を硬化させる。この段階で、支持基板９０、積層構造体１
５、およびレンズアレイ基板１９が貼り合わされた状態となる。次に、支持基板９０を外
す。その結果、レンズアレイ基板１９の一方面１９ｓ側に接着層１７を介して積層構造体
１５が貼り合わされた素子基板１０が得られる。
【００５３】
しかる後には、図１および図２に示すように、素子基板１０と対向基板２０とをシール
材１０７によって貼り合わせ、その後、素子基板１０と対向基板２０との間に電気光学層
８０を注入する。
【００５４】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００に用いた素子基板１０では、画素ス
イッチング素子３０を構成する膜および画素電極９ａを構成する膜を含む複数の膜からな
る積層構造体１５と、レンズ面１４１およびレンズ層１４０が設けられたレンズアレイ基
板１９とを接着層１７を介して貼り合わせるため、画素スイッチング素子３０の半導体層
１ａを形成する際の熱や、ゲート絶縁層２を形成する際の熱がレンズ層１４０に加わらな
い。従って、面内方向においてレンズ層１４０の厚さの差が大きいという事情があっても
、厚さの差に起因してレンズ層１４０の特定個所に応力が集中するという事態を抑制する
ことができる。それ故、レンズ層１４０にクラックが発生するという問題や、クラックが
原因でレンズ層１４０が剥離する等の問題の発生を抑制することができる。また、レンズ
アレイ基板１９と積層構造体１５とを貼り合せる際、積層構造体１５は複数の膜からなり
、基板１１を有しない。従って、素子基板１０が厚くなることを抑制することができる。
【００５５】
また、電気光学装置１００には、光源部からの光が素子基板１０の側から入射するが、
素子基板１０には、平面視で画素スイッチング素子３０の半導体層１ａに重なる遮光層１
８ａが設けられている。このため、光源部からの光が画素スイッチング素子３０の半導体
層１ａに入射しないので、光電流に起因する画素スイッチング素子３０の誤動作が発生し
にくい。また、素子基板１０側にレンズ面１４１を構成したため、対向基板２０に対して
素子基板１０や電気光学層８０とは反対側にＯプレートやＣプレート等の光学補償素子を
設けた状態で、電気光学層８０と光学補償素子との間には、レンズ１４や画素開口部を囲
む配線等の構造物が存在しない。従って、光学補償素子による効果がレンズ１４や画素開
口部を囲む配線等の構造物によって妨げられるという事態が発生しにくい。それ故、画像
のコントラストの低下が発生しにくい。
【００５６】
また、レンズアレイ基板１９に遮光層１８ａが設けられているため、かかる遮光層１８
ａには、画素スイッチング素子３０等を形成する際の熱が加わらない。従って、遮光層１
８ａの遮光性が熱によって低下することを防止することができる。例えば、下層側遮光層
８ａにタングステンシリサイド等を用いた場合、下層側遮光層８ａは、画素スイッチング
素子３０等を形成する際の熱によって遮光性が低下するが、レンズアレイ基板１９に設け
た遮光層１８ａでは、画素スイッチング素子３０等を形成する際の熱を受けないので、遮
光性が低下しない。また、遮光層１８ａは、レンズアレイ基板１９の積層構造体１５側に
位置する一方面１９ｓ側に設けられている。このため、画素スイッチング素子３０の半導
体層１ａと遮光層１８ａとの間隔を狭くすることができる。従って、画素スイッチング素
子３０の半導体層１ａに入射しようとする光を遮光層１８ａによって効果的に遮ることが
できる。
【００５７】
また、積層構造体１５には、データ線６ａ等と同層の第１アライメントマーク１５ａが
設けられ、レンズアレイ基板１９には、遮光層１８ａと同層の第２アライメントマーク１
９ａが設けられており、第１アライメントマーク１５ａと第２アライメントマーク１９ａ
とによって積層構造体１５とレンズアレイ基板１９との位置合わせを行うことができる。
このため、積層構造体１５とレンズアレイ基板１９とを適正に貼り合せることができる。
また、第１アライメントマーク１５ａについてはデータ線６ａ等と同時に形成すればよく
、第２アライメントマーク１９ａについては遮光層１８ａと同時に形成すればよいので、
アライメントマークを形成するために工程を追加する必要がない。
【００５８】
また、レンズアレイ基板１９には、積層構造体１５とは反対側に位置する他方面１９ｔ
側にレンズ面１４１およびレンズ層１４０が設けられているため、素子基板１０にレンズ
面１４１を設けた場合でも、レンズ面１４１から積層構造体１５までの光路長を十分長く
確保することができる。従って、レンズアレイ基板１９の側から素子基板１０に入射した
光を画素開口部に効率よく導くことができる。また、素子基板１０において、レンズアレ
イ基板１９には、レンズ面１４１およびレンズ層１４０より積層構造体１５側に光路長調
整用の透光膜１３が設けられているため、素子基板１０にレンズ面１４１を設けた場合で
も、レンズ面１４１から積層構造体１５までの光路長を十分長く確保することができる。
従って、レンズアレイ基板１９の側から素子基板１０に入射した光を画素開口部に効率よ
く導くことができる。
【００５９】
また、素子基板１０を製造する際、基板１１の一方面１１ｓ側にエッチングストッパー
層１２を形成しておき、エッチングストッパー層１２に到達するまで基板１１をエッチン
グにより除去する。従って、エッチングの終点を制御しやすいので、過度なエッシングを
抑制することができる。
【００６０】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の断面図である。なお、本形
態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付
して図示し、それらの説明を省略する。上記実施の形態１では、素子基板１０側のみにレ
ンズ１４が形成されていたが、図７に示すように、対向基板２０側にもレンズ２４を形成
してもよい。すなわち、対向基板２０は、平面視で画素電極９ａに重なる凹曲面または凸
曲面からなるレンズ面２４１（第２レンズ面）が形成された基板２９を有するとともに、
基板２９には、レンズ面２４１を覆う透光性のレンズ層２４０（第２レンズ層）が設けら
れている。本形態では、基板２９の一方面２９ｓに凹曲面からなるレンズ面２４１が形成
されており、レンズ層２４０は、基板２９より屈折率が大のシリコン酸窒化膜からなる。
【００６１】
かかる構成によれば、レンズ２４によって、対向基板２０から出射される光を平行光化
することができるので、画像の品位を向上することができる。
【００６２】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、レンズアレイ基板１９の他方面１９ｔ側に凸曲面からなるレンズ
面１４１を形成したが、レンズアレイ基板１９の一方面１９ｓ側に凹曲面からなるレンズ
面２４１を形成し、かかるレンズ面２４１を覆うように、シリコン酸窒化膜からなるレン
ズ層２４０（第２レンズ層）を形成してもよい。レンズ面２４１は、例えば、基板２９の
一方面２９ｓにエッチングマスクを形成した後、エッチングマスクの開口部から等方エッ
チングを行って凹曲面からなるレンズ面２４１を形成する。
【００６３】
上記実施の形態では、素子基板１０の側から光が入射するタイプの電気光学装置１００
に本発明を適用したが、対向基板２０の側から光が入射するタイプの電気光学装置１００
に本発明を適用してもよい。この場合、対向基板２０のレンズ２４が画素開口部に光を導
き、素子基板１０（レンズアレイ基板１９）のレンズ１４によって、素子基板１０から出
射される光の一部を平行光化する。また、素子基板１０側から出射された光が他の部材で
反射して画素スイッチング素子３０の半導体層１ａに入射することをレンズアレイ基板１
９に形成した遮光層１８ａによって抑制することができる。この場合、図１および図２に
示す見切り１８ｂについては対向基板２０の側に設ける。また、対向基板２０には、画素
電極９ａと間と平面視で重なる領域にブラックマトリクス等に遮光層を形成することが好
ましい。
【００６４】
［電子機器への搭載例］
図８は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の
概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数の
電気光学装置１００が用いられているが、いずれの電気光学装置１００にも、本発明を適
用した電気光学装置１００が用いられている。
【００６５】
図８に示す投射型表示装置１１０は、透過型の電気光学装置１００を用いた液晶プロジ
ェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材１１１に光を照射し、画像を表示する
。投射型表示装置１１０は、装置光軸Ｌ０に沿って、照明装置１６０と、照明装置１６０
から出射された光が供給される複数の電気光学装置１００（液晶ライトバルブ１１５〜１
１７）と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイク
ロイックプリズム１１９（光合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１１９によ
り合成された光を投射する投射光学系１１８とを有している。また、投射型表示装置１１
０は、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０を備えている。投射
型表示装置１１０において、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１
１９は、光学ユニット２００を構成している。
【００６６】
照明装置１６０では、装置光軸Ｌ０に沿って、光源部１６１、フライアイレンズ等のレ
ンズアレイからなる第１インテグレーターレンズ１６２、フライアイレンズ等のレンズア
レイからなる第２インテグレーターレンズ１６３、偏光変換素子１６４、およびコンデン
サーレンズ１６５が順に配置されている。光源部１６１は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青
色光Ｂを含む白色光を出射する光源１６８と、リフレクター１６９とを備えている。光源
１６８は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター１６９は、放物線状の
断面を有している。第１インテグレーターレンズ１６２および第２インテグレーターレン
ズ１６３は、光源部１６１から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子１６
４は、光源部１６１から出射された光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する
偏光にする。
【００６７】
ダイクロイックミラー１１３は、照明装置１６０から出射された光に含まれる赤色光Ｒ
を透過させるとともに、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１１
４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち、青色光
Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する。このように、ダイクロイックミラー１１３
、１１４は、照明装置１６０から出射された光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分
離する色分離光学系を構成している。
【００６８】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３
で反射した赤色光Ｒを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバ
ルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤
色用電気光学装置１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ラ
イトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の
偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００６９】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光
板である。電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に
応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっ
ている。第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従
って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光
Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。λ／２位相差板１１５ａお
よび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態
で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪
むのを回避することができる。
【００７０】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイッ
クミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である
。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、
電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備え
ている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、
１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ
偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）は
、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）
に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過さ
せる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変
調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。
【００７１】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミ
ラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透
過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と
同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用電
気光学装置１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１
７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー
１１４を透過した後にリレー系１２０の２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射する
ことから、ｓ偏光となっている。
【００７２】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光
板である。電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に
応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっ
ている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従
って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光
Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。なお、λ／２位相差板１１
７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００７３】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂ
とを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる
光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラ
ー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。リレーレンズ１２４ｂは、反射
ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイッ
クミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１
２４ｂに向けて反射する。反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青
色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射する。
【００７４】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂ
をＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反
射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑
色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライ
トバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成
し、投射光学系１１８に向けて出射する。
【００７５】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１
１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム１１
９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一
般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため
、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光
とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投
射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム
１１９で合成された光をスクリーン等の被投射部材１１１に投射する。
【００７６】
［他の投射型表示装置］
上記実施の形態では、光学補償素子として、λ／２位相差板１１５ａ、１１６ａ、１１
７ａが配置されていたが、ＣプレートやＯプレート等の光学補償素子を配置してもよい。
この場合、電気光学装置１００と光源部１６１との間に設けることが好ましい。上記投射
型表示装置において、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬ
ＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００７７】
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、投射型の
ＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）
、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓ
ｔａｎｔｓ）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話等に
用いてもよい。
【符号の説明】
【００７８】
１ａ…半導体層、２…ゲート絶縁層、３ａ…走査線、３ｂ…ゲート電極、６ａ…データ線
、８ａ…下層側遮光層、９ａ…画素電極、１０…素子基板、１０ａ…表示領域、１１…基
板、１２…エッチングストッパー層、１３…透光膜、１４…レンズ（第１レンズ）、１５
…積層構造体、１５ａ…第１アライメントマーク、１７…接着層、１８ａ…遮光層、１８
ａ１…光反射層、１８ａ２…光吸収層、１９…レンズアレイ基板、１９ａ…第２アライメ
ントマーク、２０…対向基板、２１…共通電極、２４…レンズ（第２レンズ）、３０…画
素スイッチング素子、４７…保護膜、８０…電気光学層、９０…支持基板、９１…粘着層
、１００…電気光学装置、１１０…投射型表示装置（電子機器）、１４０…レンズ層（第
１レンズ層）、１４１…レンズ面（第１レンズ面）、１６１…光源部、１７０…接着剤、
２００…光学ユニット、２４０…レンズ層（第２レンズ層）、２４１…レンズ面（第２レ
ンズ面）、ＳＴ１…素子形成工程、ＳＴ２…第１基板除去工程、ＳＴ３…貼り合わせ工程
、ＳＴ１ａ…エッチングストッパー形成工程、ＳＴ１ｂ…積層工程、ＳＴ２ａ…支持基板
貼り合せ工程、ＳＴ２ｂ…除去工程、ＳＴ３ａ…位置合わせ工程、ＳＴ３ｂ…接着工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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