(57)【要約】【課題】従来のＩＣ構成体に比べてより薄く、しかも耐衝撃性に優れたＩＣパッケージを提供する。【解決手段】補強用のチップベース１と、チップベース１上に固定されるＩＣチップ２と、ＩＣチップ２の外面を覆う樹脂封止層３を備えている。ＩＣチップ２を間にしてチップベース１と対向する側のパッケージ表面に外部電極７が露出させてある。ＩＣチップ２の端子１０は樹脂封止層３の上面側に露出させてある。樹脂封止層３の上面は第１樹脂層４と第２樹脂層５で覆われている。第１樹脂層４に設けたシート状の配線層６がＩＣチップ２の端子１０に接続され、第２樹脂層５に設けたシート状の外部電極７が第１樹脂層４の配線層６に接続してあることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強用のチップベース（１）と、チップベース（１）上に固定されるＩＣチップ（２）と、ＩＣチップ（２）の外面を覆う樹脂封止層（３）を備えており、ＩＣチップ（２）を間にしてチップベース（１）と対向する側のパッケージ表面に外部電極（７）が露出させてあるＩＣパッケージであって、
ＩＣチップ（２）の端子（１０）は樹脂封止層（３）の上面側に露出させてあり、
樹脂封止層（３）の上面は第１樹脂層（４）と第２樹脂層（５）で覆われて、第１樹脂層（４）に設けた配線層（６）がＩＣチップ（２）の端子（１０）に接続され、第２樹脂層（５）に設けた外部電極（７）が第１樹脂層（４）の配線層（６）に接続してあることを特徴とするＩＣパッケージ。
【請求項２】
チップベース（１）が単層の金属材で形成されており、
チップベース（１）にＩＣチップ（２）がダイボンド材（１１）で接着固定してある請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項３】
チップベース（１）が金属材で形成した第１ベース層（２６）と、第１ベース層（２６）の下面に積層したプラスチック材で形成した第２ベース層（２７）で複層状に形成されており、
第１ベース層（２６）にＩＣチップ（２）がダイボンド材（１１）で接着固定してある請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項４】
ＩＣチップ（２）の左右両側に端子（１０・１０）が配置されており、
チップベース（１）の中央にＩＣチップ（２）が配置され、端子（１０）に接続した一対の配線層（６・６）が互いに端子（１０・１０）から遠ざかる向きに連出されており、
外部電極（７）が配線層（６）の連出端側に接続されて、ＩＣパッケージの周縁に沿って露出させてある請求項１から３のいずれかひとつに記載のＩＣパッケージ。
【請求項５】
ＩＣパッケージの全厚が０．４０ｍｍ以下である請求項１から４のいずれかひとつに記載のＩＣパッケージ。
【請求項６】
チップベース（１）の厚みが０．１０ｍｍ以上、０．２０ｍｍ以下である請求項１から５のいずれかひとつに記載のＩＣパッケージ。
【請求項７】
ダイボンド材（１１）の厚みが０．０１ｍｍ以上、０．０３ｍｍ以下であり、
ダイボンド材（１１）のヤング率が３ＧＰａ以下である請求項２から６のいずれかひとつに記載のＩＣパッケージ。
【請求項８】
ＩＣチップ（２）の端子（１０）と外部電極（７）を接続する配線層（６）が、前記端子（１０）に接続される端子側配線部（５１）と、外部電極（７）に接続される電極側配線部（５２）と、これら両者（５１・５２）を繋ぐ中間配線部（５３）で構成されており、
電極側配線部（５２）が、平面視におけるＩＣチップ（２）の配置領域の外に配置してある請求項１から７のいずれかひとつに記載のＩＣパッケージ。
【請求項９】
外部電極（７）が、平面視におけるＩＣチップ（２）の配置領域の外に配置してある請求項８に記載のＩＣパッケージ。
【請求項１０】
配線層（６）および外部電極（７）のコーナー部分が丸められている請求項８、または９に記載のＩＣパッケージ。
【請求項１１】
一対の配線層（６）の周囲に、配線層（６）と同時に形成される内補強層（５４）が形成されており、
一対の配線層（６）と内補強層（５４）が、第１樹脂層（４）に設けた配線境界部（５６）で絶縁してある請求項８から１０のいずれかひとつに記載のＩＣパッケージ。
【請求項１２】
内補強層（５４）に一群のガス抜き穴（６０）が形成してある請求項１１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項１３】
第２樹脂層（５）に外部電極（７）と、同電極（７）と同時に形成される外補強層（６１）が形成されており、
外補強層（６１）が、ＩＣチップ（２）の配置領域の外で、かつ配線層（６）の形成領域の外に位置する状態で形成してある請求項８から１０のいずれかひとつに記載のＩＣパッケージ。
【請求項１４】
絶縁性を備えたインレットベース（３１）上に、請求項１から１３のいずれかひとつに記載したＩＣパッケージ（３２）とアンテナ（３３）が固定されており、
アンテナ（３３）がＩＣパッケージ（３２）の外部電極（７）に接続してあるＩＣインレット。
【請求項１５】
アンテナ（３３）がＩＣパッケージ（３２）の外部電極（７）に溶接されており、
外部電極（７）に溶接したアンテナ（３３）の溶接位置が、ＩＣパッケージ（３２）の周縁寄りに偏寄させてある請求項１４に記載のＩＣインレット。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載したＩＣインレット（４１）の上下面に、複数のカバーシート（４２・４３・４４）を積層固定して構成した非接触ＩＣカード。
【請求項１７】
ＩＣインレット（４１）の上面に積層したカバーシート（４３）の厚みが、ＩＣパッケージ（３２）の高さ寸法と同じに設定され、カバーシート（４３）にＩＣパッケージ（３２）を収容する窓（４５）が開口してある請求項１６に記載の非接触ＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップベース上にＩＣチップと外部電極が設けられているＩＣパッケージと、インレットベース上にＩＣパッケージとアンテナが配置されているＩＣインレットと、ＩＣインレットの両面に複数の保護シートを積層して得られる非接触ＩＣカードに関する。なお、以下の説明においては、これらＩＣパッケージ、ＩＣインレット、および非接触ＩＣカードの３者を適宜に「ＩＣ構成体」と総称する。
【背景技術】
【０００２】
本発明のＩＣ構成体に関して、本出願人は特許文献１を提案した。そこでは、端子部を備えたリードフレーム上にＩＣチップを固定したのち、ＩＣチップの端子とリードフレームの端子部（外部電極）をボンディングワイヤーで電気的に接続し、ＩＣチップおよびボンディングワイヤーの外面を樹脂封止し、樹脂封止層の外面に補強層を接着してＩＣパッケージを構成している。また、絶縁性シート（インレットベース）上にＩＣパッケージを固定し、リードフレームの端子部にアンテナを固定してＩＣインレットを構成している。さらに、ＩＣインレットの両面に複数の保護シートを積層して非接触ＩＣカードを構成している。
【０００３】
この種のＩＣパッケージは、特許文献２の半導体装置にも開示されている。そこでは、ステンレス薄板材からなる平板（チップベース）上に、半導体チップ（ＩＣチップ）を接着固定し、半導体チップの外面を絶縁材料層で覆っている。次に、半導体チップの端子と正対する絶縁材料層に開口を形成し、絶縁材料層の上面に電解メッキを施して配線層を形成し、その外面にソルダーレジスト層を形成する。さらに、配線層と正対するソルダーレジスト層の開口部にはんだボール（外部電極）を形成して半導体チップを構成している。半導体チップの電極パッド（端子）と配線層は、絶縁材料層に形成した開口内のビア部を介して接続してある。つまり、特許文献２の半導体装置においては、配線層を半導体チップの周囲に引きだした状態で形成することにより、はんだボールを広い領域に、配列ピッチが大きな状態で配置して、半導体チップの電極パッドの微細化に対応できるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１７８８７５号公報（段落番号００３２、図１）
【特許文献２】特開２０１０−２１９４８９号公報（段落番号００１６〜００２２、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のＩＣパッケージは、その下面を例えばＣｕ−Ｆｅやステンレスなどの金属材料で形成したリードフレームで補強し、さらに上面を補強材で覆うので、ＩＣパッケージを薄くしながら耐衝撃性を向上できる。しかし、ＩＣチップの端子とリードフレームの端子部とが山形に湾曲するボンディングワイヤーで接続されているため、ボンディングワイヤーの湾曲高さの分だけ樹脂封止層が分厚くなるのを避けられず、ＩＣ構成体を薄く形成することに限界がある。
【０００６】
その点、特許文献２の半導体装置においては、電解メッキ法で形成した配線層を、ビア部を介して半導体チップの端子に接続するので、平板から配線層までの厚みを薄くできる。しかし、配線層の外面にソルダーレジスト層を形成し、さらに配線層と正対するソルダーレジスト層の開口部にはんだボールを形成するので、配線層より上側の厚みが大きくなり、特許文献１のＩＣパッケージと同様に、半導体装置の全体の厚みを薄くすることに限界がある。また、電解メッキを施して配線層を形成する過程で、絶縁材料層に形成した小さな開口内にビア部を形成するので、ビア部を均一に形成するのが難しく、半導体チップの電極パッドと配線層の接続部分（ビア部）との間に接続不良が生じるおそれがある。
【０００７】
本発明は以上のような従来のＩＣ構成体の抱える問題を解決するためになされたものであり、従来のＩＣ構成体に比べてより薄く、しかも耐衝撃性に優れたＩＣパッケージ、ＩＣインレット、および非接触ＩＣカードを提供することを目的とする。
また、本発明は、カード表面に凹凸がなく、印刷性に優れた非接触ＩＣカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るＩＣパッケージは、図１に示すように、補強用のチップベース１と、チップベース１上に固定されるＩＣチップ２と、ＩＣチップ２の外面を覆う樹脂封止層３を備える。ＩＣチップ２を間にしてチップベース１と対向する側のパッケージ表面に外部電極７を露出させる。ＩＣチップ２の端子１０を樹脂封止層３の上面側に露出させる。樹脂封止層３の上面は第１樹脂層４と第２樹脂層５で覆う。そして、第１樹脂層４に設けた配線層６をＩＣチップ２の端子１０に接続し、第２樹脂層５に設けた外部電極７を第１樹脂層４の配線層６に接続することを特徴とする。
【０００９】
チップベース１は単層の金属材で形成する。チップベース１にＩＣチップ２をダイボンド材１１で接着固定する。
【００１０】
図６に示すように、チップベース１を、金属材で形成した第１ベース層２６と、第１ベース層２６の下面に積層したプラスチック材で形成した第２ベース層２７で複層状に形成する。第１ベース層２６にＩＣチップ２をダイボンド材１１で接着固定する。
【００１１】
ＩＣチップ２の左右両側に端子１０・１０を配置する。チップベース１の中央にＩＣチップ２を配置し、端子１０に接続した一対の配線層６・６を互いに端子１０・１０から遠ざかる向きに連出させる。外部電極７が配線層６の連出端側に接続されて、ＩＣパッケージの周縁に沿って露出させる。
【００１２】
ＩＣパッケージの全厚は０．４０ｍｍ以下とする。
【００１３】
チップベース１の厚みが０．１０ｍｍ以上、０．２０ｍｍ以下とする。
【００１４】
ダイボンド材１１の厚みは０．０１ｍｍ以上、０．０３ｍｍ以下とし、ダイボンド材１１のヤング率は３ＧＰａ以下とする。
【００１５】
図１２に示すように、ＩＣチップ２の端子１０と外部電極７を接続する配線層６は、前記端子１０に接続される端子側配線部５１と、外部電極７に接続される電極側配線部５２と、これら両者５１・５２を繋ぐ中間配線部５３で構成する。電極側配線部５２は、平面視におけるＩＣチップ２の配置領域の外に配置する。
【００１６】
外部電極７は、平面視におけるＩＣチップ２の配置領域の外に配置してある。
【００１７】
配線層６および外部電極７のコーナー部分は丸めてある。
【００１８】
一対の配線層６の周囲に、配線層６と同時に形成される内補強層５４を形成する。一対の配線層６と内補強層５４は、第１樹脂層４に設けた配線境界部５６で絶縁してある。
【００１９】
内補強層５４に一群のガス抜き穴６０を形成する（図１６参照）。
【００２０】
図１９に示すように、第２樹脂層５に外部電極７と、同電極７と同時に形成される外補強層６１を形成する。外補強層６１は、ＩＣチップ２の配置領域の外で、かつ配線層６の形成領域の外に位置する状態で形成する。
【００２１】
本発明に係るＩＣインレットは、図７に示すように、絶縁性を備えたインレットベース３１上に、上記のＩＣパッケージ３２とアンテナ３３とを固定する。アンテナ３３はＩＣパッケージ３２の外部電極７に接続されている。
【００２２】
アンテナ３３はＩＣパッケージ３２の外部電極７に溶接する。上記のＩＣインレットにおいて、外部電極７に溶接したアンテナ３３の溶接位置を、ＩＣパッケージ３２の周縁寄りに偏寄させる。
【００２３】
本発明に係る非接触ＩＣカードは、図１０に示すように、上記のＩＣインレット４１の上下面に、複数のカバーシート４２・４３・４４を積層固定して構成する。
【００２４】
上記の非接触ＩＣカードにおいて、ＩＣインレット４１の上面に積層したカバーシート４３の厚みを、ＩＣパッケージ３２の高さ寸法と同じに設定し、カバーシート４３にＩＣパッケージ３２を収容する窓４５を開口する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係るＩＣパッケージは、チップベース１上に固定したＩＣチップ２の外面を樹脂封止層３で覆い、ＩＣチップ２の端子１０を樹脂封止層３の上面側に露出させるようにした。また、樹脂封止層３の上面を第１樹脂層４で覆い、第１樹脂層４に設けた配線層６をＩＣチップ２の端子１０に接続するようにした。さらに、第１樹脂層４の上面を第２樹脂層５で覆い、第２樹脂層５に設けた外部電極７を第１樹脂層４の配線層６に接続するようにした。こうしたＩＣパッケージによれば、従来のＩＣパッケージに比べて、ＩＣチップ２の上面からパッケージ表面の外部電極７に至る間の層厚みを充分に小さくして、ＩＣパッケージを薄く形成できる。また、ＩＣチップ２の上面からパッケージ表面の外部電極７に至る間の層厚みを小さくできる分だけ、樹脂封止層３やチップベース１の厚みを増強してＩＣパッケージの耐衝撃性を向上し、あるいはＩＣパッケージの構造強度を向上できる。以上より、本発明に係るＩＣパッケージによれば、従来のＩＣパッケージに比べてより薄く、しかも耐衝撃性に優れたＩＣパッケージを提供できる。
ボンディングワイヤーによる接続に比べて、ＩＣチップ２の端子１０と配線層６との接触面積を大きくすることができるので、より効率的にＩＣチップ２の熱を配線層６と外部電極７に伝導させて大気中に放熱することができる。以上より、本発明によれば、ＩＣチップ２の発熱に由来する動作不良の発生を効果的に防ぐことができるので、従来のＩＣパッケージに比べて放熱性に優れ、しかも信頼性に優れたＩＣパッケージを提供できる。
【００２６】
単層の金属材で形成したチップベース１に、ＩＣチップ２をダイボンド材１１で接着固定するＩＣパッケージによれば、ＩＣパッケージの構造強度をチップベース１で増強しながら、外部衝撃をダイボンド材１１で緩和できる。従って、ＩＣパッケージの耐衝撃性を向上しながら構造強度を増強できる。また、単層の金属材でチップベース１を形成するので、ＩＣパッケージの製造工数を減らすことができる。
【００２７】
金属材で形成した第１ベース層２６と、プラスチック材で形成した第２ベース層２７でチップベース１を複層状に形成すると、第１ベース層２６でＩＣパッケージを補強しながら、第２ベース層２７で外部衝撃を緩和することができる。また、ダイボンド材１１によっても外部衝撃を緩和できる。従って、第２ベース層２７でＩＣパッケージの耐衝撃性を充分に増強しながら、第１ベース層２６でＩＣパッケージの構造強度を向上できる。
【００２８】
一対の配線層６・６を互いに端子１０・１０から遠ざかる向きに連出し、外部電極７を配線層６の連出端側に接続して、ＩＣパッケージの周縁に沿って露出させると、溶接熱によってＩＣチップ２が機能不全に陥るのを防止できる。ＩＣインレットの製造過程においては、アンテナ３３を外部電極７に溶接するが、溶接位置がＩＣチップ２に近づくほど、熱の伝導経路が短くなるため、溶接熱がＩＣチップ２に伝わりやすくなる。しかし、一対の配線層６・６を互いに端子１０・１０から遠ざかる向きに連出し、外部電極７を配線層６の連出端側に接続すると、熱の伝導経路を長くして溶接熱がＩＣチップ２に伝わるのを極力避けて、溶接熱によってＩＣチップ２が機能不全に陥るのを防止できる。
【００２９】
全厚が０．４０ｍｍ以下であるＩＣパッケージによれば、同パッケージを使用してＩＣインレットを作成し、さらにＩＣインレットを使用して非接触ＩＣカードを作成する際の、ＩＣインレットの全厚み、および非接触ＩＣカードの全厚みを薄くできる。従って、本発明に係るＩＣパッケージを内蔵する非接触ＩＣカードを、非接触ＩＣカードの規格（ＪＩＳＸ６３０１）に適合した非接触ＩＣカードを確実に作成できる。
【００３０】
チップベース１の厚みを０．１０ｍｍ以上、０．２０ｍｍ以下とするのは以下の理由による。チップベース１の厚みが０．１０ｍｍ未満であると、その機械的強度が不足し、ＩＣパッケージを製造する際の、ＩＣパッケージの取扱いに支障をきたす。また、チップベース１の厚みが０．２０ｍｍを越えると、ＩＣパッケージの全体厚みが大きくなり、非接触ＩＣカードの規格（ＪＩＳＸ６３０１）に準拠した非接触ＩＣカードを作成するのが困難になる。
【００３１】
ダイボンド材１１の厚みを０．０１ｍｍ以上、０．０３ｍｍ以下とし、ダイボンド材１１のヤング率を３ＧＰａ以下とするのは以下の理由による。ダイボンド材１１の厚みが０．０１ｍｍ未満であると、外力がＩＣチップ２に伝わりやすくなり、ＩＣチップ２が破損しやすい。また、ダイボンド材１１の厚みが０．０３ｍｍを越えると、ＩＣパッケージの全体厚みが大きくなり、非接触ＩＣカードの規格（ＪＩＳＸ６３０１）に準拠した非接触ＩＣカードを作成するのが困難になる。さらに、外部衝撃が作用するとき、外力を受けたＩＣチップ２がたわんで変形し、破損しやすくなる。
【００３２】
端子側配線部５１、電極側配線部５２、および中間配線部５３で配線層６を構成し、電極側配線部５２を平面視におけるＩＣチップ２の配置領域の外に配置するようにした。こうしたＩＣパッケージによれば、ＩＣパッケージに外力が作用する場合に、電極側配線部５２と第１樹脂層４の境界面にクラックが形成されたとしても、クラックが形成される位置を、ＩＣチップ２の上面の周囲にずらすことができる。従って、ＩＣチップ２の上面でクラックが発生する場合に比べて、クラックがＩＣチップ２の上面に達するのを避けて、クラックが成長し始めるのと同時にＩＣチップ２が破損するのを防止できる。
【００３３】
外部電極７を平面視におけるＩＣチップ２の配置領域の外に配置したＩＣパッケージによれば、ＩＣパッケージに外力が作用する場合に、外部電極７と第２樹脂層５の境界面にクラックが形成されたとしても、クラックが形成される位置を、ＩＣチップ２の上面の周囲にずらすことができる。従って、上記と同様に、ＩＣチップ２の上面でクラックが発生する場合に比べて、クラックがＩＣチップ２の上面に達するのを極力避けて、クラックが成長し始めるのと同時にＩＣチップ２が破損するのを防止できる。
【００３４】
配線層６および外部電極７のコーナー部分が丸めてあると、コーナー部分が直角に形成してある配線層６および外部電極７を備えたＩＣパッケージに比べて、コーナー部分を起点にしてクラックが形成されるのをよく防止して、ＩＣパッケージの構造強度を構造できる。
【００３５】
一対の配線層６の周囲に内補強層５４を形成すると、内補強層５４を付加した分だけＩＣパッケージの構造強度を向上できる。また、配線層６を形成する過程で内補強層５４を同時に形成するので、内補強層５４を付加することで、ＩＣパッケージが分厚くなることを防止でき、全体として、従来のＩＣ構成体に比べてより薄く、しかも耐衝撃性に優れたＩＣパッケージが得られる。さらに、一対の配線層６と内補強層５４を第１樹脂層４の配線境界部５６で絶縁しているので、一対の配線層６が内補強層５４を介して短絡するのを確実に防止できる。
【００３６】
配線層６および内補強層５４がメッキ処理を施して形成してある場合には、その過程でガス（アウトガス）が生成されて、面積の大きな内補強層５４の一部が上突湾曲状に膨出することがある。しかし、内補強層５４に一群のガス抜き穴６０を形成しておくと、生成されたガスをガス抜き穴６０から速やかに逃がすことができるので、内補強層５４を均質にむらなく形成することができる。
【００３７】
ＩＣチップ２の配置領域の外で、かつ配線層６の形成領域の外に外補強層６１を形成すると、外補強層６１を付加した分だけＩＣパッケージの構造強度を向上できる。また、外部電極７６を形成する過程で外補強層６１を同時に形成できるので、外補強層６１を付加することで、ＩＣパッケージが分厚くなることを防止でき、全体として、従来のＩＣ構成体に比べてより薄く、しかも耐衝撃性に優れたＩＣパッケージが得られる。
【００３８】
本発明に係るＩＣインレットは、インレットベース３１上に薄形化されたＩＣパッケージ３２とアンテナ３３を固定して構成するので、従来のＩＣインレットに比べて、より薄いＩＣインレットを構成できる。従って、本発明に係るＩＣインレットを使用して非接触ＩＣカードを作成することにより、非接触ＩＣカードの規格（ＪＩＳＸ６３０１）に適合した薄い非接触ＩＣカードを容易に、しかも確実に作成できる。
【００３９】
アンテナ３３を外部電極７に溶接するＩＣインレットにおいては、アンテナ３３の溶接位置をＩＣパッケージ３２の周縁寄りに偏寄させることにより、溶接位置からＩＣチップ２に至る熱伝導経路長さを大きくできる。従って、溶接熱がＩＣチップ２に伝わるのを極力避けて、溶接熱によってＩＣチップ２が機能不全に陥るのを防止できる。
【００４０】
本発明に係る非接触ＩＣカードは、上記のＩＣインレット４１の上下面に、複数のカバーシート４２・４３・４４を積層固定して構成するので、ので、従来の非接触ＩＣカードに比べて、非接触ＩＣカードの規格（ＪＩＳＸ６３０１）に適合した薄い非接触ＩＣカードを容易に、しかも確実に作成できる。
【００４１】
上記の非接触ＩＣカードにおいて、カバーシート４３の厚みを、ＩＣパッケージ３２の高さ寸法と同じに設定し、カバーシート４３にＩＣパッケージ３２を収容する窓４５を開口するようにした。こうした非接触ＩＣカードによれば、カバーシート４３をＩＣインレット４１の上面に積層した状態において、ＩＣパッケージ３２が窓４５内に収容されるので、カバーシート４３の上面を平坦にできる。また、カバーシート４３の上面に積層されるカバーシート４４も平坦に積層できる。従って、非接触ＩＣカードの外観の品位を向上し、カバーシート４４の上面に施される印刷表示の仕上がりを高品質化できる。これに伴い、カード表面に凹凸がなく、印刷性に優れた非接触ＩＣカードを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施例１に係るＩＣパッケージの縦断正面図である。
【図２】本発明の実施例１に係るＩＣパッケージの平面図である。
【図３】ＩＣパッケージの製造過程の前段部分を示す説明図である。
【図４】ＩＣパッケージの製造過程の中段部分を示す説明図である。
【図５】ＩＣパッケージの製造過程の後段部分を示す説明図である。
【図６】本発明の実施例２に係るＩＣパッケージの要部の縦断面図である。
【図７】本発明に係るＩＣインレットの平面図である。
【図８】ＩＣインレットにおけるアンテナの溶接状況を示す一部破断正面図である。
【図９】本発明に係る非接触ＩＣカードの一部破断平面図である。
【図１０】非接触ＩＣカードの分解斜視図である。
【図１１】本発明に係る非接触ＩＣカードの別の実施例を示す分解斜視図である。
【図１２】本発明の実施例３に係る製造途中のＩＣパッケージの平面図である。
【図１３】本発明の実施例３に係るＩＣパッケージの平面図である。
【図１４】本発明の実施例３に係るＩＣパッケージの縦断正面図である。
【図１５】本発明の実施例３に係るＩＣパッケージの分解斜視図である。
【図１６】ＩＣパッケージの製造過程の第１段階を示す説明図である。
【図１７】ＩＣパッケージの製造過程の第２段階を示す説明図である。
【図１８】ＩＣパッケージの製造過程の第３段階を示す説明図である。
【図１９】ＩＣパッケージの製造過程の第４段階を示す説明図である。
【図２０】ＩＣパッケージの別の製造形態を示す説明図である。
【図２１】本発明の実施例４に係る製造途中のＩＣパッケージの平面図である。
【図２２】本発明の実施例５に係る製造途中のＩＣパッケージの平面図である。
【図２３】本発明の実施例６に係る製造途中のＩＣパッケージの平面図である。
【図２４】本発明の実施例６に係るＩＣパッケージの平面図である。
【図２５】本発明の実施例７に係るＩＣパッケージの縦断正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
（実施例１）  図１ないし図５は、本発明に係るＩＣパッケージの実施例１を示す。本発明における前後、左右、上下とは、図１および図２に示す交差矢印と、各矢印の近傍に表記した前後、左右、上下の表示に従うものとする。図１および図２においてＩＣパッケージは、平面から見て横長四角形状の補強用のチップベース１と、チップベース１上に固定されるＩＣチップ２と、ＩＣチップ２の外面を覆う樹脂封止層３と、樹脂封止層３の上面を覆って補強する第１樹脂層４および第２樹脂層５などで構成される。第１樹脂層４には、同層４と同じ厚みの配線層６が形成されており、第２樹脂層５には同層５と同じ厚みの外部電極７が形成されている。外部電極７は、ＩＣチップ２を間にしてチップベース１と対向する側のパッケージ表面に露出されている。
【００４４】
チップベース１は、外部電極７が露出する側のパッケージ表面に作用する外力に耐えられる材料強度を備えていることが好ましく、例えばＳＵＳ４１０、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ３０４などのＦｅ−Ｃｒ系合金（ステンレス材）の薄板で形成されている。チップベース１の厚みは０．１０ｍｍ以上、０．２０ｍｍ以下であることが好ましく、０．１２ｍｍ以上、０．１５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。チップベース１の厚みが０．１０ｍｍ未満であると、その機械的強度が不足し、ＩＣパッケージを製造する際の取扱いに支障をきたす。また、チップベース１の厚みが０．２０ｍｍを越えると、ＩＣパッケージの全体厚みが大きくなり、非接触ＩＣカードの規格（ＪＩＳＸ６３０１）に準拠した非接触ＩＣカードを作成するのが困難になる。
【００４５】
ＩＣチップ２の直方体状の本体部の上面の左後隅と右前隅には、四角形状の端子１０が突設されている。平面から見るときのＩＣチップ２は正方形であり、各辺部の寸法は３．０ｍｍである。端子１０を含むＩＣチップ２の高さ寸法は、０．１０ｍｍ以下であることが好ましく、０．０５ｍｍ以上、０．０７ｍｍ以下であることがさらに好ましい。ＩＣチップ２は、その下面側に接着したダイボンド材１１でチップベース１の中央部分に接着固定されている。ＩＣチップ２の高さ寸法が０．１０ｍｍを越えると、ＩＣパッケージの全体厚みが大きくなり、非接触ＩＣカードの規格（ＪＩＳＸ６３０１）に準拠した非接触ＩＣカードを作成するのが困難になる。また、ＩＣチップ２の高さ寸法が０．０５ｍｍ未満であると、ＩＣチップ２の機械的強度が不足し、外部衝撃が作用するとき、外力を受けたＩＣチップ２が変形し、破損しやすくなる。
【００４６】
ダイボンド材１１は、熱硬化性エポキシ樹脂や、熱硬化性シリコーン樹脂などの衝撃吸収性を備えた接着剤からなり、硬化後のダイボンド材１１の厚みは、０．０１ｍｍ以上、０．０３ｍｍ以下であることが好ましい。ダイボンド材１１のヤング率は３ＧＰａ以下であることが好ましい。ダイボンド材１１の厚みが０．０１ｍｍ未満であると、外力がＩＣチップ２に伝わりやすくなり、ＩＣチップ２が破損しやすい。また、ダイボンド材１１の厚みが０．０３ｍｍを越えると、ＩＣパッケージの全体厚みが大きくなり、非接触ＩＣカードの規格（ＪＩＳＸ６３０１）に準拠した非接触ＩＣカードを作成するのが困難になる。さらに、外部衝撃が作用するとき、外力を受けたＩＣチップ２がたわんで変形し、破損しやすくなる。ダイボンド材１１のヤング率に関して、ヤング率が３ＧＰａを越えて硬度が増すと、衝撃吸収性が低下し、外部衝撃を受けたＩＣチップ２が破損しやすくなる。
【００４７】
樹脂封止層３は、エポキシ系、シリコン系、フェノール系などの熱硬化樹脂をチップベース１の上面側に積層して形成されており、ＩＣチップ２の全体が樹脂封止層３中に封入される。樹脂封止層３が硬化した状態で、その上面を研磨して樹脂封止層３の厚みを調整し、同時に端子１０を樹脂封止層３の上面側に露出させる。樹脂封止層３の厚みは、端子１０を含むＩＣチップ２の高さ寸法に、ダイボンド材１１の硬化後の厚み寸法を加えた値となる。この状態のＩＣパッケージのブランク体を、前段パッケージブランクと言う。
【００４８】
第１樹脂層４は、前段パッケージブランクの上面にフォトレジストを積層したのち、フォトマスクを使用して露光し硬化させて形成されており、透光パターンに一致する露光凹部を備えている。この状態のパッケージブランクにメッキ処理を施すことにより、露光凹部内に銅製の配線層６を形成して、配線層６をＩＣチップ２の左右の端子１０に接続することができる。第１樹脂層４の厚みは、少なくとも０．０１５ｍｍあれば、充分な補強効果を発揮できる。しかし、第１樹脂層４の厚みが０．０５ｍｍを越えると、ＩＣパッケージの全体厚みが大きくなるのを避けられず、非接触ＩＣカードの規格（ＪＩＳＸ６３０１）に準拠した非接触ＩＣカードを作成するのが困難になる。
【００４９】
図１および図２に示すように、配線層６は左右幅がＩＣチップ２の辺部と同じ長さで、前後長さがＩＣチップ２の辺部より長い長方形状に形成されており、端子１０に接続した一対の配線層６・６は、互いに端子１０から遠ざかる向きに連出してある。具体的には、図２に向かって左側の配線層６は、その左側端が第１樹脂層４の左側端寄りに位置する状態で連出されており、図２に向かって右側の配線層６は、その右側端が第１樹脂層４の右側端寄りに位置する状態で連出されている。メッキ処理が終了したブランクは、その上面を研磨して第１樹脂層４の厚みを調整し、同時に配線層６を第１樹脂層４の上面側に露出させる。この状態のＩＣパッケージのブランク体を、後段パッケージブランクと言う。
【００５０】
第２樹脂層５は、後段パッケージブランクの上面にフォトレジストを積層したのち、フォトマスクを使用して露光し硬化させて形成されており、透光パターンに一致する露光凹部２４を備えている。この状態のパッケージブランクにメッキ処理を施すことにより、露光凹部２４内に銅製の外部電極７を形成して、外部電極７を配線層６に接続することができる。第２樹脂層５は第１樹脂層４と協同して補強作用を発揮するが、第２樹脂層５の厚みは、第１樹脂層４と同様に０．０５ｍｍ以下であることが好ましい。第２樹脂層５の厚みが０．０５ｍｍを越えると、充分な補強効果を発揮できるが、ＩＣパッケージの全体厚みが大きくなるのを避けられず、非接触ＩＣカードの規格（ＪＩＳＸ６３０１）に準拠した非接触ＩＣカードを作成するのが困難になる。
【００５１】
図１および図２に示すように、外部電極７は左右幅がＩＣチップ２の辺部より短く、前後長さが配線層６の前後長さと同じにした長方形状に形成されており、一対の外部電極７は、それぞれ左右の配線層６・６の側端寄りに接続されている。なお、外部電極７と配線層６・６の接続部分の面積は、外部電極７の面積に等しい。メッキ処理が終了したブランクは、その上面を研磨して第２樹脂層５の厚みを調整し、同時に外部電極７を第２樹脂層５の上面側に露出させて、ＩＣパッケージを完成する。この状態のＩＣパッケージの全厚は０．４０ｍｍ以下であることが好ましく、０．３０ｍｍ以下であることがさらに好ましい。ＩＣパッケージの全厚が０．４０ｍｍを越えると、非接触ＩＣカードの規格（ＪＩＳＸ６３０１）に準拠した非接触ＩＣカードを作成するのが困難になる。また、非接触ＩＣカードを作成した場合に、カード表面に凹凸が発生するため、印刷性が損なわれる。
【００５２】
（ＩＣパッケージの製造方法）
図３ないし図５にＩＣパッケージの製造方法の詳細を示す。
まず図３（ａ）に示すように、先に説明したチップベース１より大きな面積のチップベース材１Ａをテーブル上に載置し、その上面にＩＣチップ２をダイボンド材１１で一定間隔おきに接着固定する。次に図３（ｂ）に示すように、熱硬化樹脂１４をチップベース１の上面側に積層して、ＩＣチップ２を熱硬化樹脂１４中に埋没させ、熱源１５の熱で熱硬化樹脂１４を硬化させる。熱硬化樹脂１４が硬化した状態で、その上面を研磨して厚みが調整された樹脂封止層３を形成し、同時に端子１０を樹脂封止層３の上面側に露出させて前段パッケージブランクを得る。
【００５３】
図４（ａ）に示すように、前段パッケージブランクの上面にフォトレジスト１６を積層したのち、その上面に配線層６に対応したパターンを備えたフォトマスク１７を載置し、光源１８から照射した光でフォトレジスト１６を露光し硬化させる。図４（ｂ）に示すように、フォトマスク１７を除去したのち、露光されなかった部分を溶解除去することにより、透光パターンに一致する露光凹部１９を備えた第１樹脂層４が形成される。この状態のＩＣチップ２の端子１０は、それぞれ露光凹部１９に臨んでいる。図４（ｃ）に示すように、図４（ｂ）に示すブランクに無電解メッキ処理を施して、露光凹部１９内に銅製の配線層６を形成することにより、シート状の配線層６をＩＣチップ２の左右の端子１０に密着接続することができる。さらに、図４（ｃ）で得られたブランクの上面を研磨して厚みが調整された第１樹脂層４を形成し、同時に配線層６を第１樹脂層４の上面側に露出させて、後段パッケージブランクを得る。
【００５４】
図５（ａ）に示すように、後段パッケージブランクの上面に、フォトレジスト２１を積層したのち、その上面に外部電極７に対応したパターンを備えたフォトマスク２２を載置し、光源２３から照射した光でフォトレジスト２１を露光し硬化させる。図５（ｂ）に示すように、フォトマスク２２を除去したのち、露光されなかった部分を溶解除去することにより、透光パターンに一致する露光凹部２４を備えた第２樹脂層５が形成される。この状態の配線層６の大半の部分は、それぞれ露光凹部２４に臨んでいる。図５（ｃ）に示すように、図５（ｂ）で得られたブランクにメッキ処理を施すことにより、露光凹部２４内に銅製の外部電極７を形成して、シート状の外部電極７を配線層６に接続することができる。さらに、図５（ｃ）で得られたブランクの上面を研磨して厚みが調整された第２樹脂層５を形成し、同時に外部電極７を第２樹脂層５の表面側に露出させる。この状態の外部電極７に金メッキを施したのち、個々のＩＣチップ２ごとに切断することにより、ＩＣパッケージを完成できる。切断部位を図５（ｃ）に縦方向の破線で示している。
【００５５】
上記のように、メッキ処理を施して露光凹部１９内にシート状の配線層６を形成すると、配線層６と端子１０を確実に、しかも高い信頼性のもとに接続することができる。また、メッキ処理を施して露光凹部２４内にシート状の外部電極７を形成すると、外部電極７と配線層６を確実に、しかも高い信頼性のもとに接続することができる。従って、ＩＣチップ２の端子１０と外部電極７の接続部分の信頼性を向上して生産性を向上できる。
【００５６】
（実施例２）  図６は本発明に係るＩＣパッケージの実施例２を示す。そこでは、チップベース１を、銅製の薄板で形成した第１ベース層２６と、第１ベース層２６の下面を覆う第２ベース層２７で複層状に形成した。第２ベース層２７は、第１ベース層２６にプラスチック材（ガラスエポキシ樹脂）を積層して形成してある。第１ベース層２６の厚みは０．１０ｍｍとし、第２ベース層２７の厚みは０．０５ｍｍとして、両者の合計厚みが、チップベース１の好適な厚みである０．１０ｍｍ以上、０．２０ｍｍ以下になるようにした。上記のように、チップベース１を第１ベース層２６と第２ベース層２７で複層状に形成すると、実施例１で説明したチップベース１に比べて、剛性がやや劣るものの、切断加工を容易に行える。一般的な回路基板に使用されている材料でチップベース１を構成できるからである。他は実施例１と同じであるので、同じ部材に同じ符号を付してその説明を省略する。
【００５７】
（ＩＣインレット）
図７および図８は、上記のＩＣパッケージを用いて構成したＩＣインレットを示している。ＩＣインレットは、ＰＥＴ樹脂シートで形成したインレットベース３１上に、ＩＣパッケージ３２とアンテナ３３を固定して構成してある。詳しくは、図８に示すように、ＩＣパッケージ３２のチップベース１をインレットベース３１に接着剤３７で接着固定し、その周囲に配置したアンテナ３３の渦巻き部分をインレットベース３１に接着固定し、さらにアンテナ３３の始端３３ａおよび終端３３ｂをＩＣパッケージ３２の外部電極７に溶接して構成する。インレットベース３１の形成素材としては、ＰＥＴ−Ｇ以外に、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、不織布などを適用できる。
【００５８】
アンテナ３３を溶接する際には、図８に示すように溶接ヘッド３４にパルス電流を供給して高抵抗テープ３５を発熱させ、その熱でアンテナ３３の始端３３ａおよび終端３３ｂを加熱しながら溶接ヘッド３４で押圧し熱変形させて外部電極７に溶接する。このとき、アンテナ３３の溶接位置を、ＩＣパッケージ３２の周縁寄りに偏寄させておくことにより、溶接熱がＩＣチップ２に伝わるのを極力避けて、溶接熱によってＩＣチップ２が機能不全に陥るのを防止できる。また、外部電極７の面積が大きいので、アンテナ３３の始端３３ａおよび終端３３ｂの溶接位置を厳密に位置決めする必要がないので、始端３３ａおよび終端３３ｂの溶接をより簡便に行うことができる。アンテナ３３は、線径が８０μｍの絶縁被覆が施された銅線を形成素材にして四角形渦巻き状に形成するか、プリントパターンで形成してある。
【００５９】
（非接触ＩＣカード）
図９および図１０は、上記のＩＣインレットを用いて構成した非接触ＩＣカードを示している。非接触ＩＣカードは、ＩＣインレット４１の上下に、複数のカバーシート４２・４３・４４を積層固定して構成してある。詳しくは図１０に示すように、ＩＣパッケージ３２およびアンテナ３３が固定されていない側のインレットベース３１の下面に第１のカバーシート４２を積層して熱プレスし、さらにインレットベース３１の上面に第２のカバーシート４３と、第３のカバーシート４４をそれぞれ積層し熱プレスして非接触ＩＣカードを構成している。各カバーシート４２・４３・４４は、ＰＥＴ−Ｇ樹脂製のシートで構成してある。第２・第３のカバーシート４３・４４をインレットベース３１に積層した状態において、両カバーシート４３・４４がＩＣパッケージ３２の高さ分だけ膨らむのを避けるために、第２のカバーシート４３の厚みをＩＣパッケージ３２の高さ寸法に一致させ、さらにＩＣパッケージ３２と対応するシート部分に窓４５を開口している。
【００６０】
上記の非接触ＩＣカードによれば、第２のカバーシート４３をＩＣインレット４１の上面に積層した状態においては、図９に示すようにＩＣパッケージ３２が窓４５内に収容されるので、第２のカバーシート４３の上面を平坦にできる。また、第２のカバーシート４３に積層される第３のカバーシート４４も平坦に積層できる。従って、非接触ＩＣカードの外観の品位を向上し、第３のカバーシート４４の上面に施される印刷表示の仕上がりを高品質化できる。つまり、カード表面に凹凸がなく、印刷性に優れた非接触ＩＣカードを提供できる。本発明のＩＣパッケージを使用して非接触ＩＣカードを作成した場合には、非接触ＩＣカードが強磁界環境に晒された場合に、ＩＣチップ２が発熱するおそれがある。しかし、ＩＣチップ２の熱を面積が大きな配線層６と外部電極７に伝導して、大気中に放熱することができるので、ＩＣチップ２が自己の発熱作用で機能不全に陥るのを確実に防止できる。なお、各カバーシート４２・４３・４４が積層された非接触ＩＣカードのブランクは、図１０に想像線で示す切断線４６に沿って切断される。ＩＣパッケージ３２の周囲壁は、小さな隙間を介して窓４５の内周面と対向しているので、非接触ＩＣカードの上下面に曲げ力が作用する場合に、ＩＣパッケージ３２の周囲壁が窓４５の内周面に接当するのを防止して、ＩＣパッケージ３２が破損するのをよく防止できる。
【００６１】
図１１は、非接触ＩＣカードの別の実施例を示す。そこでは、第２のカバーシート４３を省略して、第３のカバーシート４４をインレットベース３１に積層して非接触ＩＣカードを構成するようにした。また、インレットベース３１に窓４８を設けて、ＩＣパッケージ３２を窓４８内に収容した状態で、アンテナ３３をインレットベース３１に固定できるようにした。このインレットモジュールを使用して非接触ＩＣカードを構成すると、ＩＣパッケージ３２が窓４８内に収容できるので、上記の非接触ＩＣカードと同様に、第３のカバーシート４４を平坦に積層できる。従って、非接触ＩＣカードの外観の品位を向上し、第３のカバーシート４４の上面に施される印刷表示の仕上がりを高品質化して、カード表面に凹凸がなく、印刷性に優れた非接触ＩＣカードを提供できる。また、図９および図１０で説明した非接触ＩＣカードにおいては、第２のカバーシート４３をインレットベース３１に積層した状態において、アンテナ３３の始端３３ａおよび終端３３ｂが窓４５の内縁で折曲げられて損傷するおそれがあるが、図１１の非接触ＩＣカードによれば、先のような損傷を一掃して非接触ＩＣカードの信頼性を向上できる。
【００６２】
上記のように構成したＩＣカードは、多くの場合、使用者が通常の生活環境で携行使用するため、日常環境において作用する外力や外部衝撃に耐えられることが必要となる。そこで、本発明者らは、実施例１、２で説明したＩＣパッケージについて耐久テストを行って、その耐衝撃性や破断強度などを確認した。耐久テストは、ＩＣパッケージに、テストプローブで外力や衝撃力を作用させて、ＩＣパッケージの破断強度および耐衝撃性を確認した。
【００６３】
耐久テストの結果、実施例１、２のＩＣパッケージは、実用上支障がない、ほぼ同じ耐衝撃性や破断強度を備えていることを確認できた。しかし、破損した実施例１、２のＩＣパッケージの破断個所を精査してみると、いずれも一対の配線層６の対向側縁（電極１０に接続される側の側縁）に沿ってクラックが生じた状態で、ＩＣチップ２が破損していることが観察された。その一方で、一対の外部電極７の対向側縁に沿ってクラックが発生することは稀であった。その原因を検討し、耐久テストを繰り返し行って、ＩＣパッケージが破損に至る経過を綿密に観察した結果、ＩＣパッケージに外力が作用した場合には、配線層６と第１樹脂層４の境界面に外力が集中して初期クラックが形成され、クラックが成長するのに伴ってＩＣチップ２に外力が作用して破損しているのを確認した。また、実施例１、２のＩＣパッケージでは、一対の配線層６の対向側縁がＩＣチップ２の上面を前後方向へ横切っている。そのため、クラックが成長し始めるのと同時に、ＩＣチップ２の上面に外力が加わって破損に至ることを確認した。これらの事実から、平面視におけるＩＣチップ２の配置領域を基準にして、配線層６および外部電極７の配置形態を好適化すると、ＩＣパッケージの破損を防止するうえで有利であることを見出した。この知見に基づくＩＣパッケージを実施例３以下に説明する。
【００６４】
（実施例３）  図１２ないし図１５は、本発明に係るＩＣパッケージの実施例３を示す。そこでは図１２に示すように、ＩＣチップ２の端子１０と外部電極７を接続する配線層６を、端子１０に接続される端子側配線部５１と、外部電極７に接続される電極側配線部５２と、これら両者５１・５２を繋ぐ細幅の中間配線部５３でＬ字状に形成した。左右一対の配線層６は線対称に形成してある。電極側配線部５２は、アンテナ３３の溶接を容易化するために、端子側配線部５１に比べて前後幅および左右幅が大きく設定してある。中間配線部５３は、端子１０から遠ざかる向きに連出されて、電極側配線部５２の前端に連続している。このように、電極側配線部５２を平面視におけるＩＣチップ２の配置領域の外に配置してあると、ＩＣパッケージに外力が作用する場合に、電極側配線部５２と第１樹脂層４の境界面に初期クラックが形成されるものの、クラックがＩＣチップ２の上面に達するのを極力避けることができる。従って、ＩＣチップ２の上面にクラックが発生するのを解消して、クラックが成長し始めるのと同時にＩＣチップ２が破損するのを防止できる。
【００６５】
配線層６は、実施例１と同様に、露光凹部１９を備えた第１樹脂層４を形成したのち、無電解メッキ処理を施して、露光凹部１９内に形成される銅メッキ層で形成するが、このとき同時に内補強層５４を形成している。この実施例では、左右一対の配線層６の間と、第１樹脂層４の前縁および後縁の殆どを占めるように内補強層５４を形成した。このように、一対の配線層６の周囲に内補強層５４を形成すると、内補強層５４を付加した分だけＩＣパッケージの構造強度を向上できる。また、配線層６を形成する過程で内補強層５４を同時に形成できるので、内補強層５４を付加することで、ＩＣパッケージが分厚くなることを防止でき、全体として、従来のＩＣ構成体に比べてより薄く、しかも耐衝撃性に優れたＩＣパッケージが得られる。なお、配線層６を形成する金属メッキ層の形成材料としては、銅以外にアルミニウムなどを適用することができる。
【００６６】
また、端子側配線部５１、電極側配線部５２、あるいは中間配線部５３の各コーナー部分を丸めて、コーナー部分を起点にしてクラックが形成されるのを避けるようにした。丸められたコーナー部分を符号５５で示している。なお、配線層６と内補強層５４は、第１樹脂層４と一体の配線境界部５６で絶縁されている。次に、実施例１と同様に、露光凹部２４を備えた第２樹脂層５を形成したのち、無電解メッキ処理を施して、露光凹部１９内に形成される金属メッキ層で外部電極７を形成する。外部電極７を形成する金属メッキ層の形成材料としては、銅、錫、銀、金、パラジウム、ニッケルなどを適用でき、外部電極７に溶接される材料に応じて適切な金属材を選ぶことができる。外部電極７は、電極側配線部５２と同形で同大に形成してある。従って、外部電極７は電極側配線部５２と同様に、平面視におけるＩＣチップ２の配置領域の外に配置される。実施例１における配線層６は、上記と同様に銅以外にアルミニウムなどを適用することができる。同様に、実施例１における外部電極７を形成する金属メッキ層の形成材料としては、銅、錫、銀、金、パラジウム、ニッケルなどを適用できる。
【００６７】
上記のように、電極側配線部５２および外部電極７がＩＣチップ２の配置領域の外に配置してあると、ＩＣパッケージに外力が作用して、電極側配線部５２と第１樹脂層４の境界面に沿ってクラックが発生したとしても、クラックが形成される位置を、ＩＣチップ２の上面の周囲にずらすことができる。従って、ＩＣチップ２の上面でクラックが発生する場合に比べて、クラックがＩＣチップ２の上面に達するのを避けて、クラックが成長し始めるのと同時にＩＣチップ２が破損するのを防止できる。また、外部電極７と第２樹脂層５の境界面に沿ってクラックが発生した場合でも、電極側配線部５２と第１樹脂層４の境界面に沿ってクラックが発生した場合と同様に、クラックがＩＣチップ２の上面に達するのを避けて、クラックが成長し始めるのと同時にＩＣチップ２が破損するのを防止できる。
【００６８】
また、外部電極７の各コーナー部分を丸めて、コーナー部分を起点にしてクラックが形成されるのを避けるようにした。丸められたコーナー部分を符号５７で示している。このように、配線層６および外部電極７のコーナー部分が丸めてあると、配線層６および外部電極７のコーナー部分が直角に形成してある場合に比べて、コーナー部分を起点にしてクラックが形成されるのをよく防止できるので、その分だけＩＣパッケージの構造強度を構造できる。他は実施例１と同じであるので、同じ部材に同じ符号を付してその説明を省略する。以下の実施例においても同じとする。
【００６９】
実施例３では、露光凹部１９を備えた第１樹脂層４にメッキ処理を施して、配線層６と内補強層５４を形成したが、その必要はなく、図１６ないし図１９に示す製造方法で製造することができる。そこでは、第１樹脂層４の上面全体に銅を積層したのち、エッチング処理を行って、配線層６および内補強層５４を形成する。なお、この実施例で説明するＩＣチップ２の端子１０の厚みは、実施例１で説明したＩＣチップ２の端子１０の厚みに比べて小さく設定してある。
【００７０】
（エッチング処理を含むＩＣパッケージの製造方法）
まず図１６（ａ）に示すように、先に説明したチップベース１より大きな面積のチップベース材１Ａをテーブル上に載置し、その上面にＩＣチップ２をダイボンド材１１で一定間隔おきに接着固定する。次に図１６（ｂ）に示すように、熱硬化樹脂１４をチップベース１の上面側に積層して、ＩＣチップ２を熱硬化樹脂１４中に埋没させ、熱源１５の熱で熱硬化樹脂１４を硬化させる。熱硬化樹脂１４が硬化した状態で、図１６（ｃ）に示すように、その上面を研磨して厚みが調整された樹脂封止層３を形成する。さらに、ＩＣチップ２の端子１０の上面を覆う樹脂封止層３に端子露出穴７０を、例えばＣＯ２等を用いたレーザー加工法で形成したのち、図１６（ｄ）に示すように、樹脂封止層３の上面に銅メッキを施して銅層７１を形成し、前段パッケージブランクを得る。これにより、銅層７１をＩＣチップ２の左右の端子１０に密着接続することができる。なお、樹脂封止層３は光硬化樹脂で形成してあってもよい。また、端子露出穴７０に銅ペーストを充填したうえで、樹脂封止層３の上面に銅箔を貼付けて銅層７１を形成してもよい。なお、端子露出穴７０は、レーザーアブレーション、レーザー穿孔プロセス、プラズマエッチング、フォトデフィニション、あるいは機械的穿孔プロセスで形成してもよい。
【００７１】
図１７（ａ）に示すように、前段パッケージブランクの上面にフォトレジスト７２を積層したのち、その上面に配線層６に対応したパターンを備えたフォトマスク７３を載置し、光源７４から照射した光でフォトレジスト７２を露光し硬化させる。図１７（ｂ）に示すように、フォトマスク７３を除去したのち、露光されなかった部分を溶解除去することにより、透光パターンに一致するエッチング穴７５を備えたエッチングマスク７６を形成する。図１７（ｃ）に示すように、図１７（ｂ）のブランクにエッチング処理を施して、エッチング穴７５に臨む不用な銅層を除去して配線層６と内補強層５４を形成し、さらにエッチングマスク７６を除去して後段パッケージブランクを得る。
【００７２】
図１８（ａ）に示すように、後段パッケージブランクの上面に、フォトレジスト７８を積層したのち、その上面に外部電極７に対応したパターンを備えたフォトマスク７９を載置し、光源８０から照射した光でフォトレジスト７８を露光し硬化させる。図１８（ｂ）に示すように、フォトマスク７９を除去したのち、露光されなかった部分を溶解除去することにより、透光パターンに対応した凹部８１を備えた第１樹脂層４が形成される。この状態の配線層６の電極側配線部５２は、凹部８１に臨んでいる。
【００７３】
図１９（ａ）に示すように、得られたパッケージブランクの上面に、フォトレジスト８２を積層したのち、その上面に外部電極７に対応したパターンを備えたフォトマスク８３を載置し、光源８４から照射した光でフォトレジスト８２を露光し硬化させる。図１９（ｂ）に示すように、フォトマスク８３を除去したのち、露光されなかった部分を溶解除去することにより、透光パターンに対応した凹部８５を備えた第２樹脂層５が形成される。図１９（ｃ）に示すように、メッキ処理を施して凹部８５内に銅製の外部電極７を形成して、外部電極７を配線層６に接続する。さらに、図１９（ｃ）で得られたブランクの上面を研磨して厚みが調整された第２樹脂層５を形成し、同時に外部電極７を第２樹脂層５の表面側に露出させる。この状態の外部電極７に金メッキを施したのち、個々のＩＣチップ２ごとに切断することにより、ＩＣパッケージを完成できる。切断部位を図１９（ｃ）に縦方向の破線で示している。
【００７４】
上記のように、第１樹脂層４の上面全体に銅を積層したのち、エッチング処理を行って、配線層６および内補強層５４を形成すると、ＩＣチップ２の端子１０と配線層６の接続部分、および配線層６と外部電極７の接続部分を確実に、しかも高い信頼性のもとに接続できる。従って、メッキ処理を施して配線層６を形成する実施例１のＩＣパッケージと同様に、信頼性に優れたＩＣパッケージを得ることができる。
【００７５】
図１６から図１９で説明したＩＣパッケージでは、配線層６および内補強層５４に対応して第１樹脂層４を形成し、外部電極７に対応して第２樹脂層５を形成したがその必要はなく、第２樹脂層５は省略することができる。図１８（ｂ）に示すように、第１樹脂層４を形成した状態では、配線層６が凹部８１内に露出している。この状態のパッケージブランクに、図２０に示すようにメッキ処理を施すことにより、凹部８１内に金属メッキされた外部電極７を形成して、外部電極７を配線層６に接続することができる。こうしたＩＣパッケージによれば、第２樹脂層５を形成する工程を省略できる分だけ、ＩＣパッケージの製造に要するコストを削減できるうえ、第２樹脂層５を省略した分だけＩＣパッケージの厚みを薄くできる。
【００７６】
（実施例４）  図２１（ａ）（ｂ）は、内補強層５４に一群のガス抜き穴６０を形成した実施例４を示している。先に説明したように、配線層６および内補強層５４はメッキ処理を施して形成するが、その過程でガス（アウトガス）が生成されて、面積の大きな内補強層５４の一部が上突湾曲状に膨出することがある。こうしたガスを速やかに逃がして、内補強層５４を均質にむらなく形成するために、内補強層５４に一群のガス抜き穴６０を形成している。詳しくは、露光凹部１９を備えた第１樹脂層４を形成するのに先行して、樹脂封止層３の上面に、メッキ金属の付着を妨げる表面処理材をガス抜き穴６０の形成パターンに合致して形成しておく。この状態で露光凹部１９を備えた第１樹脂層４を形成したのち、メッキ処理を施して内補強層５４を形成することにより、ガス抜き穴６０を備えた内補強層５４を形成することができる。また、図１７で説明した後段パッケージブランクを形成する過程において、銅層７１の上面に形成するエッチングマスク７６に、エッチング穴７５およびガス抜き穴６０の形成パターンに合致するエッチングパターンを形成しておけば、エッチング処理を行って配線層６を形成するのと同時に、ガス抜き穴６０を備えた内補強層５４を形成することができる。必要があれば、配線層６の面積が大きい場合に、配線層６にガス抜き穴６０を形成してもよい。
【００７７】
図２１（ａ）においては、ガス抜き穴６０を左右方向および前後方向に直線列を構成する状態で形成して、メッキ処理時に生成されたガスを、内補強層５４の全表面から均等に放出できるようにした。また、図２１（ｂ）においては、ガス抜き穴６０を千鳥パターン状に互い違いに配置して、内補強層５４がガス抜き穴６０の直線列に沿って破損するのを避けるようにした。なお、ガス抜き穴６０は、縦横斜めに直線列を形成しない状態でランダムに形成することが好ましく、その場合には、内補強層５４が隣接するガス抜き穴６０に沿って破損するのをさらに確実に避けることができる。
【００７８】
（実施例５）  図２２は、端子１０がＩＣチップ２の前左隅と後右隅に設けてある場合の、配線層６の配置パターンを示す実施例５である。そこでは、前左隅の端子１０に接続される配線層６と、後右隅の端子１０に接続される配線層６を点対称に配置して、一対の電極側配線部５２が、ＩＣチップ２の配置領域の左右方向の外に配置されるようにした。また、実施例３と同様に、左右の電極側配線部５２の間に内補強層５４を形成するようにした。このように、配線層６はＩＣチップ２の端子１０の形成位置や形状に応じて、配置位置や配置形状を適宜変更することができる。
【００７９】
（実施例６）  図２３および図２４は、第２樹脂層５に外補強層６１を設けた実施例６を示している。そこでは、実施例３と同様に配線層６を形成するが、内補強層５４を省略し、それに代えて外補強層６１を設けるようにした。外部電極７は実施例１と同様に、露光凹部２４を備えた第２樹脂層５にメッキ処理を施して形成するが、このとき同時に外補強層６１を形成する。外補強層６１は、一対の配線層６を短絡してはならず、しかもその周縁がＩＣチップ２の配置領域を縦横斜めに横断してはならない。そこで、この実施例では、外補強層６１をＩＣチップ２の配置領域の外で、しかも配線層６の形成領域の外に位置する状態で、第２樹脂層５の前後縁に沿って形成した。このように、外補強層６１を設けることで、外補強層６１を付加した分だけＩＣパッケージの構造強度を向上できる。また、外部電極７を形成する過程で外補強層６１を同時に形成できるので、外補強層６１を付加することで、ＩＣパッケージが分厚くなることを防止でき、全体として、従来のＩＣ構成体に比べてより薄く、しかも耐衝撃性に優れたＩＣパッケージが得られる。なお、内補強層５４、端子側配線部５１、中間配線部５３の上面に絶縁層を設ける場合には、内補強層５４と外補強層６１を２重に設けて、補強効果をさらに向上することができる。また、図２４で説明した外補強層６１の代わりに、配線層６を形成する過程で外補強層６１と同じパターンの内補強層５４を形成することができる。さらに、図２２で説明した内補強層５４の代わりに、外部電極７を形成する過程で内補強層５４と同じパターンの外補強層６１を第２樹脂層５に形成することができる。
【００８０】
（実施例７）  図２５は第１樹脂層４の構造を変更した実施例７を示している。そこでは、図１７（ｃ）に示すようにエッチング処理を施して、エッチング穴７５に臨む不用な銅層を除去して配線層６と内補強層５４を形成し、エッチング処理で形成された開口部分に限って、配線層６と内補強層５４と同じ厚みの第１樹脂層４を形成する。この状態のパッケージブランクに第２樹脂層５を形成し、さらにメッキ処理を施して外部電極７を形成する。こうしたＩＣパッケージによれば、第１樹脂層４の厚みを配線層６および内補強層５４と同じ厚みにできるので、その分だけＩＣパッケージの厚みを薄くできる。また、実施例３で説明したＩＣパッケージの製造法に比べて、ＩＣパッケージを容易に製造できる利点がある。なお、実施例３から実施例７で説明したＩＣパッケージは、実施例１、２のＩＣパッケージと同様にしてＩＣインレットおよび非接触ＩＣカードを構成できる。
【００８１】
上記以外に、ＩＣパッケージ３２の平面から見るときの形状は長方形である必要はなく、三角形、正方形、５以上の辺部を備えた多角形、円形、楕円形などに形成することができる。同様に、インレットベース３１の形状も必要な形状に形成することができる。非接触ＩＣカードは４層以上のカバーシートをインレットベース３１の上下面に積層し熱プレスして構成することができる。非接触ＩＣカードは、インレットベース３１の上下面に２層以上のカバーシートを積層し、熱プレスして構成することができる。
【符号の説明】
【００８２】
１  チップベース
２  ＩＣチップ
３  樹脂封止層
４  第１樹脂層
５  第２樹脂層
６  配線層
７  外部電極
１０  端子
１１  ダイボンド材
２６  第１ベース層
２７  第２ベース層
３１  インレットベース
３２  ＩＣパッケージ
３３  アンテナ
４１  ＩＣインレット
４２  第１のカバーシート
４３  第２のカバーシート
４４  第３のカバーシート
４５  窓
５１  端子側配線部
５２  電極側配線部
５３  中間配線部
５４  内補強層
５６  配線境界部
６１  外補強層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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