(57)【要約】【課題】内面反射を確実に低減可能な電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置用基板としての対向基板は、透光性の基材２１と、基材２１上において画素間の領域に配置された遮光部２５と、を有し、遮光部２５は、第１反射膜２２と、第１反射膜２２に重なって配置され、第１反射膜２２よりも反射率が低い第２反射膜２４とを含み、第１反射膜２２と第２反射膜２４との間に、第１反射膜２２を覆う第１保護膜２３ａを備えた。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板であって、
透光性の基材と、
前記基材上において画素間の領域に配置された遮光部と、を有し、
前記遮光部は、第１反射膜と、前記第１反射膜に重なって配置され、前記第１反射膜よりも反射率が低い第２反射膜とを含み、
前記第１反射膜と前記第２反射膜との間に、前記第１反射膜を覆う第１保護膜を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記第１保護膜は、前記基材とほぼ同じ屈折率を有する材料からなり、前記基材上において、少なくとも前記複数の画素を含む領域に亘って設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記第１保護膜は、前記第１反射膜と前記第２反射膜との間に位置するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記第２反射膜は、前記基材上において平面的に前記第１反射膜が設けられた領域からはみ出した庇部を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
前記第２反射膜は、窒化チタンからなり、前記第２反射膜の膜厚は、５０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記遮光部を覆うと共に、少なくとも前記複数の画素を含む領域に亘って設けられた透光性の第２保護膜を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
前記第１保護膜と前記第２保護膜とが同じ材料からなることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置用基板。
【請求項８】
前記基材上における前記遮光部の断面形状は、前記第１反射膜が底辺をなす台形状であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項９】
前記遮光部は、前記基材上において前記複数の画素のそれぞれを区画するように設けられ、前記遮光部によって区画された開口部を少なくとも埋めるように設けられたカラーフィルターの着色層を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１０】
前記遮光部及び前記着色層を覆う透光性の平坦化層と、
前記平坦化層を覆う透明導電膜と、を有することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板、電気光学装置用基板を用いた電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、例えば携帯情報端末やノート型パーソナルコンピューターなどの表示部に用いられる液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置などが知られている。このような電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板には、複数の画素を区分するブラックマトリックス（ＢＭ）とも呼ばれる遮光膜が設けられている。画素間に遮光膜を設けることで画素間から漏れる光を遮光してコントラストの低下や混色を防止し、見栄えのよい表示を実現している。
【０００３】
例えば、特許文献１には、一対の第１基板及び第２基板を有する電気光学装置が開示されている。第１基板の各画素の非開口領域には所定のパターンが設けられ、第１基板に対向配置される第２基板には、前記所定のパターンを平面的に見て少なくとも部分的に覆う領域に遮光膜が設けられている。この遮光膜は、第１反射率の高反射膜と、第１反射率よりも低い第２反射率の低反射膜とが積層されたものであって、高反射膜が低反射膜で覆われている例が示されている。このような遮光膜を第２基板に設けることで、第２基板側から高反射膜に入射する光は反射される。これによって各画素の非開口領域には光が入射し難くなる。一方で、各画素の開口領域に入射し、第１基板側で反射して第２基板に向かう戻り光が低反射膜に入射しても反射し難くなる。すなわち、対向配置された第１基板と第２基板との間における内面反射が低減されるので、内面反射に起因する表示品位の低下を抑えることができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３３０８２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の電気光学装置において、上記所定のパターンは、画素スイッチング用薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）や、ＴＦＴに接続される走査線やデータ線などであるとしている。また、遮光膜は、平面的に少なくともＴＦＴと重なるように島状に設けられたり、平面的に走査線やデータ線と重なるように縞状あるいは格子状に設けられたりするとしている。遮光膜を構成する、高反射膜の例として、窒素化合物や高融点金属を含有するアルミニウム膜が挙げられ、低反射膜の例として、酸化クロムを含有する膜が挙げられている。このような遮光膜の形成方法としては、まず、基板上に高反射膜を成膜した後に、上記所定のパターンに対応して高反射膜をパターニングする。そして、パターニングされた高反射膜を覆うように低反射膜を成膜し、再び低反射膜をパターニングする方法が考えられる。しかしながら、低反射膜のパターニングにおける位置精度が十分に確保されていないと、パターニングされた高反射膜を確実に覆うことができないおそれがある。また、低反射膜のパターニングにおけるエッチング工程で高反射膜の一部がエッチングされて欠損するおそれがある。とりわけ、画素サイズが高精細になると、上記所定のパターンが設けられる画素間の非開口領域の幅も狭くなるため、低反射膜のパターニングには高い位置精度が求められる。低反射膜によって覆われていない高反射膜の部分が存在すると、当該部分で内面反射が顕著になってコントラストなどの特性が部分的に低下するおそれがある。また、低反射膜のパターニング時に高反射膜の一部が欠損すると、欠損した高反射膜の材料が拡散して電気光学装置の信頼性を損ねるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置用基板は、複数の画素を有する電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板であって、透光性の基材と、前記基材上において画素間の領域に配置された遮光部と、を有し、前記遮光部は、第１反射膜と、前記第１反射膜に重なって配置され、前記第１反射膜よりも反射率が低い第２反射膜とを含み、前記第１反射膜と前記第２反射膜との間に、前記第１反射膜を覆う第１保護膜を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、第２反射膜をパターニングする際に、パターニングの位置精度ばらつきによって、画素間の領域に相当する部分で第２反射膜の一部が欠損したとしても、第１反射膜が第１保護膜で覆われていることから第１反射膜の一部が露出したり、欠損したりすることが防止される。つまり、画素間の領域で第１反射膜の一部が露出したり、欠損したりすることに起因する光学特性あるいは信頼性に係る不具合を低減することが可能な電気光学装置用基板を提供することができる。
【０００９】
上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記第１保護膜は、前記基材とほぼ同じ屈折率を有する材料からなり、前記基材上において、少なくとも前記複数の画素を含む領域に亘って設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、第１保護膜を設けることで画素における光の透過率が低下することを抑制することができる。
【００１０】
上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記第１保護膜は、前記第１反射膜と前記第２反射膜との間に位置するように配置されているとしてもよい。
この構成によれば、第１保護膜が透光性である必要がなくなるので、第１保護膜を構成する材料の選択範囲が広がる。
【００１１】
上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記第２反射膜は、前記基材上において平面的に前記第１反射膜が設けられた領域からはみ出した庇部を有することが好ましい。
この構成によれば、基材の表面の法線に対して斜め方向から基材に入射する光の一部を庇部によって遮ることができる。例えば、斜め方向から基材に入射する光が偏光であった場合には、第２反射膜で反射して偏光方向が変化した偏光が画素を透過する割合を低減することができる。
【００１２】
上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記第２反射膜は、窒化チタンからなり、前記第２反射膜の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。
この構成によれば、第２反射膜に入射した可視光の反射を５０％以下とすることができる。
【００１３】
上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記遮光部を覆うと共に、少なくとも前記複数の画素を含む領域に亘って設けられた透光性の第２保護膜を有するとしてもよい。
この構成によれば、第２反射膜を第２保護膜によって保護することができる。また、第２保護膜が透光性を有していることから、第２保護膜を複数の画素を含む領域に亘って設けても、画素の透過率の低下を抑制できる。
【００１４】
上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記第１保護膜と前記第２保護膜とが同じ材料からなることが好ましい。
この構成によれば、第１保護膜と第２保護膜とが異なる材料からなる場合に比べて、相互の保護膜の密着性を確保できる。また、同一の成膜方法あるいは成膜装置を用いて第１保護膜及び第２保護膜を形成することが可能となり生産性が向上する。
【００１５】
上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記基材上における前記遮光部の断面形状は、前記第１反射膜が底辺をなす台形状であることを特徴とする。
この構成によれば、基材の表面の法線に対して斜め方向から基材に入射する光を効率的に透過させることができる。
【００１６】
上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記遮光部は、前記基材上において前記複数の画素のそれぞれを区画するように設けられ、前記遮光部によって区画された開口部を少なくとも埋めるように設けられたカラーフィルターの着色層を有するとしてもよい。
この構成によれば、第２反射膜により不要な光の反射を抑え、優れた光学特性を有する電気光学装置用基板としてのカラーフィルター基板を提供することができる。
【００１７】
上記適用例に記載の電気光学装置用基板において、前記遮光部及び前記着色層を覆う透光性の平坦化層と、前記平坦化層を覆う透明導電膜と、を有するとしてもよい。
この構成によれば、優れた光学特性を有すると共に、表面が平坦な透明導電膜を電極として利用可能な電気光学装置用基板としてのカラーフィルター基板を提供できる。
【００１８】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、上記適用例に記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、優れた光学特性を有する電気光学装置を提供することができる。
【００１９】
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、見栄えのよい電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】表示領域におけるサブ画素と遮光部の配置を示す拡大図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】図２に示す表示領域のＡ−Ａ’線に沿った液晶パネルの断面図。
【図５】対向基板における遮光部と着色層の構造を示す拡大断面図。
【図６】対向基板の製造方法を示すフローチャート。
【図７】対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図９】対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１５】対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１６】対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１７】窒化チタンの膜厚と反射率との関係を示すグラフ。
【図１８】比較例の対向基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１９】第２実施形態の液晶装置の表示領域における画素及び遮光部の配置を示す概略平面図。
【図２０】図１９のＣ−Ｃ’線に沿った第２実施形態の液晶パネルの構造を示す概略断面図。
【図２１】第２実施形態の素子基板における遮光部の構造を示す拡大断面図。
【図２２】電子機器としてのデジタルカメラの構成を示す概略図。
【図２３】他の電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２２】
（第１実施形態）
［電気光学装置］
本実施形態の電気光学装置の一例として液晶装置を例に挙げ、図１〜図３を参照して説明する。図１は第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は表示領域におけるサブ画素と遮光部の配置を示す拡大図、図３は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２３】
図１に示すように、本実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置１００は、複数のサブ画素がマトリックス状に配置された表示領域Ｅを有するアクティブ駆動型の表示装置である。
【００２４】
液晶装置１００は、枠状に配置されたシール材４０を介して対向配置された素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０（図４参照）が挟持された液晶パネル１２０を有している。また、液晶パネル１２０の端子部１０ａに貼り合わされたフレキシブル基板（ＦＰＣ；Flexible  Printed  Circuits、以降、ＦＰＣと称す）１１０を有している。
以降、液晶パネル１２０のＦＰＣ１１０が貼り合わされた側の一辺に沿った方向をＸ軸方向、当該１辺と交差し互いに対向する他の２辺に沿った方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する、液晶パネル１２０の厚さ方向をＺ軸方向として説明する。また、Ｚ軸方向において対向基板２０側から見ることを平面的あるいは平面視として表現する。
【００２５】
素子基板１０は、複数のサブ画素がＸ軸方向及びＹ軸方向にマトリックス状に配列された表示領域Ｅ、サブ画素を駆動する駆動回路（データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２）及び検査回路１０３などを備える。走査線駆動回路１０２は、素子基板１０のＹ軸方向に延びる外縁（辺）と表示領域Ｅとの間に配置されている。データ線駆動回路１０１は、素子基板１０のＦＰＣ１１０が貼り合わされた側の辺と表示領域Ｅとの間に配置されている。検査回路１０３は、素子基板１０のＹ軸（＋）方向側でＸ軸方向に延びる辺と表示領域Ｅとの間に配置されている。
【００２６】
素子基板１０の一辺は、対向基板２０から突出し、この突出した端子部１０ａにＦＰＣ１１０が貼り合わされている。ＦＰＣ１１０には、駆動用ＩＣ１１１が実装され、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、及び検査回路１０３を駆動する信号が素子基板１０に供給されている。
【００２７】
液晶パネル１２０はフルカラー表示が可能な表示体であって、対向基板２０には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の着色層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂを有するカラーフィルター２６が配置されている（図４参照）。対向基板２０は、本発明における「電気光学装置用基板」の一例である。
【００２８】
図２に示すように、表示領域Ｅには、赤色（Ｒ）に対応するサブ画素ＳＲ、緑色（Ｇ）に対応するサブ画素ＳＧ、及び青色（Ｂ）に対応するサブ画素ＳＢが、マトリックス状に配列している。具体的には、異なる色のサブ画素ＳＲ，ＳＧ，ＳＢがＸ軸方向に配列し、同じ色のサブ画素がＹ軸方向に配列している。このようなサブ画素ＳＲ，ＳＧ，ＳＢの配列の仕方は、ストライプ方式と呼ばれている。また、サブ画素ＳＲ，ＳＧ，ＳＢのそれぞれは遮光部２５によって区分されている。すなわち、表示領域Ｅには、サブ画素ＳＲ，ＳＧ，ＳＢを色別に区分するための遮光部２５が格子状に配置されている。
これら３つのサブ画素ＳＲ，ＳＧ，ＳＢが平面視で略正方形の表示単位となって、フルカラーの表示が提供される。なお、本発明は、上述したストライプ状のサブ画素ＳＲ，ＳＧ，ＳＢの色配列に限定されず、例えばＹ軸方向において異なる色配列（モザイク配列、デルタ配列）であってもよい。また、表示単位は、３つのサブ画素ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ以外の他の色（例えば黄色）のサブ画素を含んでいてもよい。
【００２９】
このような液晶装置１００は透過型であって、サブ画素ＳＲ，ＳＧ，ＳＢが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。また、液晶パネル１２０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光板が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００３０】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３１および複数のデータ線３２と、容量線３３とを有する。表示領域Ｅにおいて、走査線３１と容量線３３とはＸ軸方向に延在し、データ線３２はＹ軸方向に延在している。
【００３１】
走査線３１と容量線３３、及びデータ線３２により区画された領域がサブ画素となる。サブ画素ＳＲ，ＳＧ，ＳＢのそれぞれは、画素電極１５、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin  Film  Transistor、以降、ＴＦＴと称す）３０、及び保持容量３４などを有している。
【００３２】
走査線３１はＴＦＴ３０のゲート電極に電気的に接続され、データ線３２はＴＦＴ３０のソース電極に電気的に接続されている。画素電極１５は、ＴＦＴ３０のドレイン電極に電気的に接続されている。
【００３３】
データ線３２は、データ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎがサブ画素に供給されている。走査線３１は、走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍがサブ画素に供給されている。
【００３４】
画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、データ線駆動回路１０１からデータ線３２に対して、この順に線順次で供給されていてもよく、互いに隣り合う複数のデータ線３２同士に対してグループごとに供給されていてもよい。走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍは、走査線駆動回路１０２から走査線３１に対して、所定のタイミングでパルス的に線順次で供給されている。
【００３５】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態となった間に、データ線３２から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２８との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するために、画素電極１５と対向電極２８との間に形成される液晶容量と並列に保持容量３４が接続されている。保持容量３４は、ＴＦＴ３０のドレイン電極と容量線３３との間に設けられている。
【００３６】
なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線３２が接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では省略している。
【００３７】
また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線３２に供給するサンプリング回路、データ線３２に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００３８】
「液晶パネルの概要」
次に、液晶パネルの概要について、図４及び図５を参照して説明する。図４は図２に示す表示領域のＡ−Ａ’線に沿った液晶パネルの断面図、図５は対向基板における遮光部と着色層の構造を示す拡大断面図である。
【００３９】
図４に示すように、液晶パネル１２０は、Ｚ軸方向に間隔を置いて配置された素子基板１０及び対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間隙に液晶が充填されてなる液晶層５０とを有している。
【００４０】
素子基板１０の基材１１のＺ軸（＋）方向に、画素電極１５、及び配向膜１８が、順に積層されている。
【００４１】
素子基板１０の基材１１は、例えば、石英や無アルカリガラスなどの透明な基板が用いられている。基材１１には、前述した、ＴＦＴ３０、走査線３１、データ線３２、容量線３３、保持容量３４、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３、これらを電気的に結ぶ配線などが公知技術によって形成されている。ＴＦＴ３０、走査線３１、データ線３２、容量線３３、保持容量３４は、隣り合う画素電極１５の間、つまり、サブ画素間に設けられている。なお、図４では、画素電極１５に近い側から容量線３３と、データ線３２とを表示した。
【００４２】
画素電極１５は、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）膜などの透明導電膜を用いて形成されている。配向膜１８は、画素電極１５を覆い、少なくとも表示領域Ｅに亘って配置されている。
【００４３】
対向基板２０の基材２１のＺ軸（―）方向に、遮光部２５、カラーフィルター２６、平坦化層としてのオーバーコート層（以降、ＯＣ層と称す）２７、対向電極２８、及び配向膜２９が、この順に積層されている。
【００４４】
基材２１は、基材１１と同様に、石英や無アルカリガラスなどの透明な基板で構成され、光が透過するようになっている。遮光部２５は、光反射性を有する第１反射膜２２と、第１反射膜２２に重なって配置され、第１反射膜２２よりも反射率が低い第２反射膜２４と、を含んで構成されている。
第１反射膜２２は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、及びタングステンシリサイドなどを用いることができる。第２反射膜２４は、例えば、金属窒化物やタングステンシリサイドなどを用いることができる。本実施形態では、アルミニウム合金を用いて第１反射膜２２を形成し、窒化チタン（ＴｉＮ）を用いて第２反射膜２４を形成した。
【００４５】
また、本実施形態では、第１反射膜２２と第２反射膜２４との間に、第１反射膜２２を覆う第１保護膜２３ａが設けられている。また、第２反射膜２４を覆う第２保護膜２３ｂが設けられている。これらの保護膜２３ａ，２３ｂは、少なくとも複数の画素電極１５が配置された表示領域Ｅに亘って配置されている。これらの保護膜２３ａ，２３ｂは、基材２１とほぼ同じ屈折率（ｎ＝１．４６〜１．５０）を有する、例えば、酸化シリコンなどを用いて透光性を有するように形成されている。なお、同じ材料を用いて第１保護膜２３ａと第２保護膜２３ｂとを形成してもよいし、異なる材料を用いて第１保護膜２３ａと第２保護膜２３ｂとを形成してもよい。
【００４６】
カラーフィルター２６は、白色光を所定の波長域の色光に変換する着色層を備えるものである。また、着色層は、隣り合って配置された遮光部２５の間の領域を埋めるように配置されている。先の図２に示した表示領域Ｅにおいて、サブ画素ＳＲに赤色（Ｒ）の着色層２６Ｒが、サブ画素ＳＧに緑色（Ｇ）の着色層２６Ｇが、サブ画素ＳＢに青色（Ｂ）の着色層２６Ｂが、それぞれ配置されている。断面形状が台形状の遮光部２５の頭頂部側では、異なる色の着色層同士が重なって頭頂部を覆っている。なお、前述したように、表示単位が赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）以外のサブ画素を含む場合、当該サブ画素に対応した赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）以外の着色層が配置される。
このようなカラーフィルター２６の表面は、着色層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂの形成方法にもよるが凹凸を有している。それゆえに、当該凹凸が液晶層５０に与える影響を考慮して、当該凹凸を緩和するために、カラーフィルター２６を覆うＯＣ層２７が設けられている。
【００４７】
ＯＣ層２７は、例えばアクリル系の透光性樹脂からなり、その表面に例えばＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）処理などの平坦化処理が施されている。なお、平坦化処理は必須ではなく、カラーフィルター２６の表面における凹凸の程度やＯＣ層２７の形成の仕方によって、ＯＣ層２７の表面を平坦にすることも可能である。
【００４８】
対向電極２８は、画素電極１５と同様に、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）膜などの透明導電膜を用いて形成されている。配向膜２９は、対向電極２８を覆い、少なくとも表示領域Ｅに亘って配置されている。
【００４９】
液晶層５０に接するところの、画素電極１５を覆う配向膜１８及び対向電極２８を覆う配向膜２９は、正の誘電異方性を有する液晶分子を所定の方向に略水平配向させる配向処理が施された、例えばポリイミドなどの有機配向膜や、負の誘電異方性を有する液晶分子を略垂直配向させる例えば酸化シリコンなどの無機配向膜が用いられる。
【００５０】
図４に示すように、本実施形態では、光源から発した白色光が対向基板２０側から入射し、カラーフィルター２６、液晶層５０、素子基板１０を透過して表示光として射出される。カラーフィルター２６の着色層２６Ｒを透過した白色光は赤色光に変換され、着色層２６Ｇを透過した白色光は緑色光に変換され、着色層２６Ｂを透過した白色光は青色光に変換される。また、遮光部２５、とりわけ第１反射膜２２に入射した白色光は反射される。
【００５１】
また、前述したように、液晶パネル１２０の光の入射側には、光学設計に基づいて偏光板が配置されていることから、液晶パネル１２０に入射する白色光は偏光板を透過することで、直線偏光に変換される。対向基板２０側から入射する直線偏光は、対向基板２０の入射面に対して必ずしも法線方向から入射するとは限らない。
【００５２】
本実施形態では、図５に示すように、第１反射膜２２は、基材２１の光の入射面と反対側の面において断面形状が台形状となるように形成されている。第２反射膜２４は、第１反射膜２２と重なる位置に配置されて第１反射膜２２と類似な台形状をなしている。また、第２反射膜２４は、第１反射膜２２が設けられた領域からややはみ出るように設けられ、隣り合う遮光部２５の間にはみ出た庇部２４ａを有している。したがって、法線方向に対して斜め方向から庇部２４ａに入射した直線偏光の一部は、庇部２４ａによって反射及び吸収される。また、台形状の第２反射膜２４の斜面に入射した直線偏光の一部もまた、反射及び吸収される。とりわけ、第２反射膜２４の斜面で反射した直線偏光は、反射することで偏光軸の方向が変化するため、着色層２６Ｇを透過した後の画素電極１５と対向電極２８との間の液晶層５０を透過する緑色光の偏光状態にむらを生じさせるおそれがある。つまり、表示におけるコントラストなどの特性に影響を及ぼす。本実施形態では、第２反射膜２４は、第１反射膜２２に比べて反射率が低い材料を用いて形成されているため、第２反射膜２４の斜面で反射して偏光軸の方向が変化した直線偏光の割合を低減することができる。言い換えれば、緑色光の偏光状態のむらを低減可能である。なお、図５は着色層２６Ｇが設けられた部分を拡大したものであるが、他の着色層２６Ｒ，２６Ｂが設けられた部分においても同様に、赤色光や青色光の偏光状態のむらを低減可能である。
【００５３】
［電気光学装置用基板の製造方法］
次に、本実施形態の電気光学装置用基板としての対向基板２０の製造方法について、図６〜図１７を参照して説明する。図６は対向基板の製造方法を示すフローチャート、図７〜図１６は対向基板の製造方法を示す概略断面図、図１７は窒化チタンの膜厚と反射率との関係を示すグラフである。
【００５４】
図６に示すように、本実施形態の対向基板２０の製造方法は、第１反射膜形成工程（ステップＳ１）と、第１保護膜形成工程（ステップＳ２）と、第２反射膜形成工程（ステップＳ３）と、第２保護膜形成工程（ステップＳ４）と、着色層形成工程（ステップＳ５）と、ＯＣ層形成工程（ステップＳ６）と、透明導電膜形成工程（ステップＳ７）と、を備える。
【００５５】
ステップＳ１の第１反射膜形成工程では、図７に示すように、まず、基材２１上に、スパッタ法や蒸着法などの成膜方法を用いて、例えば、アルミニウム合金の反射膜２２ｍを成膜する。反射膜２２ｍの膜厚は例えば１．０μｍ〜１．５μｍ（マイクロメーター）である。本実施形態では、後に、遮光部２５で囲まれた領域に着色層を形成する。着色層の光学特性（透過率、色度、彩度）が着色層の膜厚に依存することから、反射膜２２ｍの膜厚は、着色層の光学特性に係る膜厚を考慮して設定される。続いて、反射膜２２ｍ上に例えば感光性レジストを形成して露光・現像することにより、第１反射膜２２に対応した位置にレジストパターン６０を形成する。感光性レジストは、ポジ型、ネガ型のいずれを用いてもよく、例えば、スピンコート法などにより感光性レジスト液を塗布し乾燥することにより形成される。感光性レジストの膜厚は例えば２μｍ程度である。そして、レジストパターン６０が形成された反射膜２２ｍをエッチングする。エッチング方法としては、例えば、リン酸、硝酸などを含むエッチング液を用いるウェットエッチングや、三塩化硼素ガス（ＢＣｌ3）、塩素ガス（Ｃｌ2）を含む処理ガスを用いたドライエッチングなどが挙げられる。反射膜２２ｍの膜厚がマイクロメーター単位の厚膜であることから、反射膜２２ｍにエッチングを施すと、図８に示すように、断面形状が台形状にパターニングされた第１反射膜２２が得られる。台形状の第１反射膜２２の底辺の長さ、つまり第１反射膜２２の幅は、例えば１．０μｍ〜１．５μｍである。隣り合う第１反射膜２２の配置ピッチは、サブ画素の配置ピッチと同じであって、例えば３μｍ程度である。なお、第１反射膜２２の材料として、アルミニウム合金よりも高い反射率が得られるアルミニウムを用いてもよいが、この後の処理工程で、３５０℃以上の加熱を伴う場合は、アルミニウム膜の表面にヒロック（半球状突起）が発生し易いので、ヒロックが発生し難いＳｉやＣｕなどの金属を含むアルミニウム合金を用いることが好ましい。また、反射膜２２ｍのエッチング後にレジストパターン６０を除去する剥離工程が行われる。レジストパターン６０の剥離方法としては、例えば有機アルカリ系の剥離液を用いる方法が挙げられる。そして、ステップＳ２へ進む。
【００５６】
ステップＳ２の第１保護膜形成工程では、図９に示すように、第１反射膜２２が形成された基材２１の表面を覆うように第１保護膜２３ａを形成する。第１保護膜２３ａの形成方法としては、例えば、モノシランガス（ＳｉＨ4）、亜酸化窒素ガス（Ｎ2Ｏ）を含む処理ガスを用いたプラズマＣＶＤ法などにより、ＳｉＯx膜（酸化シリコン膜）を成膜する方法が挙げられる。第１保護膜２３ａの膜厚は例えば６０ｎｍ（ナノメーター）である。そして、ステップＳ３へ進む。
【００５７】
ステップＳ３の第２反射膜形成工程では、図１０に示すように、まず、第１保護膜２３ａを覆うように、スパッタ法や蒸着法などを用いて、例えば、ＴｉＮの反射膜２４ｍを成膜する。反射膜２４ｍの膜厚は例えば１５０ｎｍである。ＴｉＮの反射膜２４ｍの反射率は、第１反射膜２２の反射率よりも低くなるように形成する。図１７のグラフに示すように、ＴｉＮの膜厚が２０ｎｍ程度では、波長が５００ｎｍより短い光における反射率は３０％以下となるものの、波長が６００ｎｍ以上になると反射率が５０％を超えてしまう。本実施形態のように、ＴｉＮの膜厚を１５０ｎｍ程度とすることで、可視光波長範囲（４５０ｎｍ〜７００ｎｍ）の反射率を５０％未満とすることができる。可視光波長範囲（４５０ｎｍ〜７００ｎｍ）の反射率を５０％以下とする観点では、図１７のグラフに示すように、ＴｉＮの膜厚は少なくとも５０ｎｍとする必要がある。なお、図１７に示したグラフの反射率は、アルミニウム膜の反射率を１００％としたときの反射率である。
【００５８】
続いて、第１反射膜形成工程と同様に、反射膜２４ｍ上に感光性レジストを形成して露光・現像することにより、第２反射膜２４に対応した位置にレジストパターン７０を形成する。感光性レジストの膜厚は同じく例えば２μｍ程度である。そして、レジストパターン７０が形成された反射膜２４ｍをエッチングする。エッチング方法としては、例えば、フッ素系のエッチング液を用いたウェットエッチングや、塩素ガス、窒素ガスを含む処理ガスを用いたドライエッチングが挙げられる。ウェットエッチングでは、反射膜２４ｍの下層の第１保護膜２３ａがエッチングされないようにエッチングを制御することが難しいことから、本実施形態では、エッチングの制御がし易いドライエッチングを用いて反射膜２４ｍをエッチングした。続いて、レジストパターン７０を除去する剥離工程を行った。剥離方法は、上述したレジストパターン６０と同様である。これにより、図１１に示すように、第１保護膜２３ａを介して第１反射膜２２に重なる位置に第２反射膜２４を形成した。これにより、第１反射膜２２と第２反射膜２４とを含む遮光部２５が形成される。そして、ステップＳ４へ進む。
【００５９】
ステップＳ４の第２保護膜形成工程では、図１２に示すように、遮光部２５が形成された基材２１の表面を覆うように第２保護膜２３ｂを形成する。第２保護膜２３ｂの形成方法は、第１保護膜２３ａの形成方法と同様に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯｘ膜を成膜した。第２保護膜２３ｂの膜厚は例えば５０ｎｍである。本実施形態では、隣り合う遮光部２５の間に入射した光が着色層を通過することになるため、隣り合う遮光部２５の間に成膜され積層された第１保護膜２３ａ及び第２保護膜２３ｂは、可視光波長領域に亘って透光性を確保する必要がある。したがって、第１保護膜２３ａ及び第２保護膜２３ｂの積層後の膜厚の合計が、特定波長における光の吸収や反射が生じ難い１１０ｎｍ以下となるように、それぞれの膜厚を調整することが好ましい。なお、本実施形態において「透光性」とは可視光波長範囲の光を少なくとも８５％以上透過させる性質を言う。そして、ステップＳ５へ進む。
【００６０】
ステップＳ５の着色層形成工程では、図１３に示すように、まず、遮光部２５及び第２保護膜２３ｂが形成された基材２１上に感光性カラーレジスト層８０Ｇを形成する。具体的には、例えばスピンコート法などにより緑色の色材を含むネガ型の感光性カラーレジスト液を遮光部２５の間を埋めるように塗布して乾燥させることにより、感光性カラーレジスト層８０Ｇを形成する。着色層２６Ｇの形成領域に対応する開口部９１を有するマスク９０を用いて、感光性カラーレジスト層８０Ｇを露光する。現像工程では、露光された部分の感光性カラーレジスト層８０Ｇが残ることから、図１４に示すように、隣り合う遮光部２５の間の着色層形成領域２５ａに緑色（Ｇ）の着色層２６Ｇが形成される。なお、本実施形態では、感光性カラーレジスト層８０Ｇの厚みは、第２保護膜２３ｂで覆われた遮光部２５の基材２１上の高さよりも大きい。着色層２６Ｇの端部が第２保護膜２３ｂで覆われた遮光部２５の頭頂部に乗り上げた状態に着色層２６Ｇが形成される。以降、着色層２６Ｇと同様にして、図１５に示すように、着色層２６Ｒ、着色層２６Ｂをこの順に形成する。これにより、着色層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂを含むカラーフィルター２６が形成される。なお、着色層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂは、緑（Ｇ）、赤色（Ｒ）、青（Ｂ）の順に形成されることに限定されない。また、着色層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂをすべて同じ膜厚で形成しなくてもよい。前述したように、カラーフィルター２６の光学特性を考慮して、着色層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂのそれぞれの膜厚が設定される。また、サブ画素の大きさ、つまり着色層形成領域２５ａの大きさにもよるが、スピンコート法で感光性カラーレジスト液を塗布する方法に限らず、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて、着色層形成領域２５ａに所望の色の着色層形成材料を含む溶液を塗布して乾燥することにより着色層を形成してもよい。また、感光性カラーレジスト液はネガ型に限定されず、ポジ型であってもよい。そして、ステップＳ６へ進む。
【００６１】
ステップＳ６のＯＣ層形成工程及びステップＳ７の透明導電膜形成工程では、図１６に示すように、まず、カラーフィルター２６を覆うように、例えば、アクリル系の透明樹脂を含む溶液をスピンコート法により塗布して乾燥することによりＯＣ層２７を形成する。形成されたＯＣ層２７の表面の凹凸状況によって、ＯＣ層２７の表面を平坦化する例えばＣＭＰ処理などの平坦化処理を施してもよい。なお、ＯＣ層２７は有機材料を用いて形成されることに限定されず、例えばシリコン化合物などの無機材料を用いてＯＣ層２７を形成してもよい。そして、スパッタ法や蒸着法などを用い、ＯＣ層２７上に例えばＩＴＯ膜などの透明導電膜を成膜して対向電極２８を形成する。対向電極２８の膜厚は例えば２００ｎｍ程度である。なお、この後、対向電極２８を覆う配向膜２９が形成され、対向基板２０とした。
【００６２】
次に、本実施形態の対向基板２０及びその製造方法について、図１８を参照して説明する。図１８は比較例の対向基板の製造方法を示す概略断面図である。
図１８に示すように、比較例の対向基板の製造方法として、例えば、第１反射膜２２を形成した後に、第１保護膜２３ａを形成せずに、第１反射膜２２を覆うように反射膜２４ｍを形成する。そして、レジストパターン７０を形成し、反射膜２４ｍをエッチングしてパターニングする方法が考えられる。このとき、第１反射膜２２に対してレジストパターン７０の位置がずれて、例えば、台形状の第１反射膜２２の斜面を覆う反射膜２４ｍの一部が露出すると、露出した部分の反射膜２４ｍがエッチングされる。反射膜２４ｍの膜厚は前述したように少なくとも５０ｎｍ以上であればよいことから、ドライエッチングエッチングが進むと、第１反射膜２２が部分的にエッチングされて欠損するおそれがある。
また、ドライエッチングにおいて反射膜２４ｍをエッチングすることはできるが、第１反射膜２２をエッチングしない処理ガスを選択したとしても、レジストパターン７０を剥離するために有機アルカリ系の剥離液を用いると、反射膜２４ｍがエッチングされて露出した第１反射膜２２の部分は、剥離液によって溶解して欠損するおそれがある。そうすると、図５に示した基材２１に対して斜め方向から入射した直線偏光の一部が、図１８に示した第１反射膜２２の欠損部分に入射して散乱することになる。つまり、このような直線偏光の散乱を第１反射膜２２よりも反射率が低い第２反射膜２４を設けて抑える効果が部分的に消失することになる。
【００６３】
特に、本実施形態のように幅が１．０μｍ〜１．５μｍの遮光部２５を形成しようとする場合、レジストパターン７０の第１反射膜２２に対する位置精度を十分に確保することが難しい。レジストパターン７０の位置精度を考慮して、レジストパターン７０の幅を広げると、遮光部２５によって区画されるサブ画素の開口部の大きさが小さくなって、サブ画素を透過する光の透過率が低下し、表示における明るさやコントラスト比が低下するおそれがある。
これに対して、本実施形態の対向基板２０の製造方法によれば、第１反射膜２２を覆う第１保護膜２３ａを形成する、つまり第１反射膜２２は第１保護膜２３ａにより保護されるので、レジストパターン７０の位置精度を十分に確保できない状態であったとしても、反射膜２４ｍのパターニングの際に、第１反射膜２２が部分的に欠損することを防ぐことができる。
【００６４】
上記第１実施形態の液晶装置１００及び対向基板２０の製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）基材２１上において、断面形状が台形状の第１反射膜２２を覆う第１保護膜２３ａが形成され、さらに、平面視で第１反射膜２２と重なるように第２反射膜２４が形成されて遮光部２５が構成される。第１反射膜２２は、アルミニウム合金を用いて形成され、第２反射膜２４は窒化チタン（ＴｉＮ）を用いて形成される。したがって、第２反射膜２４の反射率は第１反射膜２２よりも小さく、第２反射膜２４の斜面に入射した直線偏光の一部は、反射され難い。ゆえに、隣り合う遮光部２５の間を透過した直線偏光に、第２反射膜２４の斜面で反射して偏光軸の方向が変化した直線偏光が混ざり難くなるため、サブ画素におけるコントラストの低下が抑制され、見栄えのよい表示品質を有する液晶装置１００を提供できる。
（２）第１反射膜２２が第１保護膜２３ａによって保護されているため、第２反射膜２４のパターニング時にレジストパターン７０の位置精度を十分に確保できずに位置ずれが生じても、第１反射膜２２がエッチングされたり、剥離液に溶解したりして欠損する不具合を防止することができる。つまり、対向基板２０を歩留りよく製造することができる。また、第１反射膜２２の欠損部分において、不必要な直線偏光の散乱が起こることを防止できる。さらには、第１反射膜２２の欠損に伴って、第１反射膜２２を構成する材料が基材２１やカラーフィルター２６などに分散し、時間の経過と共に、液晶層５０に拡散することで表示機能が低下するなどの信頼性に係る不具合が生ずることを防止することができる。
（３）遮光部２５が形成された基材２１の表面を覆うように第２保護膜２３ｂが形成される。したがって、第２保護膜２３ｂが形成されない場合に比べて、着色層形成領域２５ａにおけるカラーフィルター２６と遮光部２５及び基材２１の表面との密着性を向上させることができる。また、カラーフィルター２６の形成工程において、遮光部２５を第２保護膜２３ｂにより保護することができる。つまり、カラーフィルター２６を備えた電気光学装置用基板としての対向基板２０を歩留りよく製造することができる。
【００６５】
（第２実施形態）
＜電気光学装置＞
次に、第２実施形態の電気光学装置について、上記第１実施形態と同様に液晶装置を例に挙げ、図１９〜図２１を参照して説明する。図１９は第２実施形態の液晶装置の表示領域Ｅにおける画素及び遮光部の配置を示す概略平面図、図２０は図１９のＣ−Ｃ’線に沿った第２実施形態の液晶パネルの構造を示す概略断面図、図２１は素子基板における遮光部の構造を示す拡大断面図である。
第２実施形態の電気光学装置としての液晶装置２００は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対して、対向基板側にカラーフィルター２６が設けられておらず、素子基板側に本発明の遮光部の一例を有するものである。したがって、上記第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略し、異なる構成について説明する。
【００６６】
図１９に示すように、本実施形態の電子機器としての液晶装置２００は、表示領域ＥにおいてＸ軸方向とＹ軸方向とにマトリックズ状に配置された複数の画素Ｐを有する。複数の画素Ｐのそれぞれは、遮光部２１５によって区分された領域に配置されており、平面視における画素Ｐの形状は正方形である。遮光部２１５はＸ軸方向とＹ軸方向とに延在して格子状に配置され、非開口領域を構成している。
画素Ｐの画素回路は、上記第１実施形態の液晶装置１００と同様に、画素電極１５、ＴＦＴ３０、保持容量３４を含んで構成されている（図３参照）。また、遮光部２１５が設けられた非開口領域に、ＴＦＴ３０及びＴＦＴ３０に接続される走査線３１及びデータ線３２や、保持容量３４及び保持容量３４に接続される容量線３３が配置されている。
【００６７】
図２０に示すように、液晶装置２００は、液晶層５０を挟んで対向配置された素子基板２１０と対向基板２２０とを有する液晶パネル２３０を備える。対向基板２２０は、透光性の基材２１と、基材２１の一方の面に設けられた対向電極２８と、対向電極２８を覆う配向膜２９と、を有している。対向基板２２０には、上記第１実施形態のような遮光部２５やカラーフィルター２６が設けられていない。
【００６８】
素子基板２１０は、透光性の基材１１と、基材１１の一方の面に画素Ｐごとに設けられた画素電極１５と、複数の画素電極１５を覆う配向膜１８と、を有している。また、基材１１の隣り合う画素電極１５の間に前述したデータ線３２や容量線３３などが設けられている。対向基板２２０側から入射した光は、画素電極１５と対向電極２８との間の液晶層５０を透過することで画像情報に基づいて変調され、表示光として素子基板２１０側から射出される。このような液晶装置２００は、例えば後述する投射型表示装置１０００（図２３参照）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いられるものである。なお、液晶パネル２３０の光の入射側と射出側には、液晶パネル２３０の光学設計に基づいて偏光素子が配置される。
本実施形態では、基材１１において画素電極１５に近い側に配置される配線である容量線３３が遮光部２１５として機能するように構成されている。つまり、素子基板２１０が本発明の「電気光学装置用基板」の一例である。
【００６９】
具体的には、図２１に示すように、素子基板２１０は、基材１１と、基材１１の一方の面に設けられたＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０を覆う第１層間絶縁膜１２と、第１層間絶縁膜１２上に設けられたデータ線３２と、データ線３２を覆う第２層間絶縁膜１３と、を有している。また、第２層間絶縁膜１３上に設けられた容量線３３と、容量線３３を覆う第３層間絶縁膜１４と、第３層間絶縁膜１４上に設けられた画素電極１５と、を有している。基材１１上において、ＴＦＴ３０、データ線３２、容量線３３は、隣り合う画素電極１５の間の領域と重なるように設けられている。
【００７０】
容量線３３は、第２層間絶縁膜１３上に設けられた第１反射膜としての第１配線部３３ａと、第１配線部３３ａを覆う第１保護膜としての絶縁膜３３ｂと、絶縁膜３３ｂを介して第１配線部３３ａと重なるように設けられた第２反射膜としての第２配線部３３ｃと、を有している。つまり、第１保護膜としての絶縁膜３３ｂは、第１反射膜としての第１配線部３３ａと第２反射膜としての第２配線部３３ｃとの間に配置されている。言い換えれば、遮光部２１５としての容量線３３は、第１配線部３３ａと絶縁膜３３ｂと第２配線部３３ｃとを含んで構成されている。
【００７１】
第１配線部３３ａは、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、及びタングステンシリサイドなどを用いて形成することができる。第２配線部３３ｃは、例えば、窒化チタンなどの金属窒化物を用いて形成することができる。絶縁膜３３ｂは、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどを用いて透光性を有するように形成してもよいし、例えば、アルミニウムやアルミニウム合金からなる第１配線部３３ａの表面に熱酸化処理を施して形成される酸化アルミニム膜を用いてもよい。第１配線部３３ａが保持容量３４に電気的に接続される。また、絶縁膜３３ｂにコンタクトホールを設けて、第１配線部３３ａと第２配線部３３ｃとを電気的に接続してもよい。
【００７２】
第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３、第３層間絶縁膜１４もまた、例えば酸化シリコンや窒化シリコンなどを用いて透光性を有するように形成される。したがって、対向基板２２０側から画素電極１５に入射した光は、これらの層間絶縁膜１２，１３，１４を透過して基材１１側から射出される。一方、画素電極１５の間に入射した光は、第２配線部３３ｃによって反射または吸収される。第２配線部３３ｃは、第１配線部３３ａに比べて反射率が低い材料を用いて形成されていることから、第２配線部３３ｃで反射する内面反射光の割合を減らすことができる。つまり、遮光部２１５として機能する容量線３３を有する素子基板２１０を備えることにより、内面反射によるコントラストの低下を抑制し、優れた表示品質を実現可能な液晶装置２００を提供することができる。また、第１配線部３３ａが絶縁膜３３ｂにより保護されているため、第２配線部３３ｃのパターニング時にレジストパターンの位置精度を十分に確保できず位置がずれたとしても、第１配線部３３ａがエッチングされたり、剥離液で溶解されたりして欠損することを防ぐことができる。
【００７３】
（第３実施形態）
次に、本実施形態の電子機器について、図２２及び図２３を参照して説明する。図２２は電子機器としてのデジタルカメラの構成を示す概略図、図２３は他の電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００７４】
図２２に示すように、本実施形態の電子機器としてのデジタルカメラ５００は、撮像素子などの光学系を有する本体５０１を有している。本体５０１には、撮像した画像などを表示するモニター５０２と、被写体を視認するための電子ビューファインダー５０３とが設けられている。電子ビューファインダー５０３には、上記第１実施形態に係る液晶装置１００が搭載されている。
【００７５】
電子ビューファインダー５０３は、上記第１実施形態に係る液晶装置１００が搭載されているので、内面反射が低減され、優れた表示品質を有し、被写体を適切に確認可能なデジタルカメラ５００を提供することができる。また、モニター５０２にも上記第１実施形態の液晶装置１００を適用することができる。
【００７６】
図２３に示すように、本実施形態の他の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備える。
【００７７】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００７８】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００７９】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８０】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、画像情報（画像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８１】
液晶ライトバルブ１２１０は、上記第２実施形態の液晶装置２００が適用されたものである。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８２】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、液晶装置２００が用いられているので、内面反射が低減され、優れた表示品質で画像を投射可能な投射型表示装置１０００を提供することができる。
【００８３】
上記第１実施形態の液晶装置１００や、上記第２実施形態の液晶装置２００を適用可能な電子機器は、上述したデジタルカメラ５００や投射型表示装置１０００の他に、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、モバイルコンピューター、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、及び情報端末機器など各種電子機器の表示部に適用させることもできる。
【００８４】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を適用する電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８５】
（変形例１）上記第１実施形態の液晶装置１００の対向基板２０において、遮光部２５を覆う第２保護膜２３ｂは必須ではない。カラーフィルター２６はＯＣ層２７によって覆われることから、第２保護膜２３ｂを設けなくとも着色層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂの基材２１に対する密着性を補うことができる。
【００８６】
（変形例２）上記第１実施形態の液晶装置１００において、白色光は対向基板２０側から入射することに限定されず、素子基板１０側から入射してもよい。上記第２実施形態の液晶装置２００においても同様である。素子基板側から光を入射させる場合、ＴＦＴ３０に直接に光が入射しないように、ＴＦＴ３０に入射する光を遮光するための遮光部を設ける。当該遮光部に本発明の遮光部の構成を適用してもよい。
【００８７】
（変形例３）上記第２実施形態の液晶装置２００において、遮光部２１５の機能を有する配線は、容量線３３であることに限定されない。例えば、画素電極１５に近い位置に設けられたシールド層であってもよい。シールド層は、画素電極１５の下層に設けられた各種の配線などに印加される電位が画素電極１５に印加される電位に影響を及ぼすことを防ぐためのものであって、例えば、ＧＮＤ電位などの固定電位が印加される。
【００８８】
（変形例４）上記第１実施形態の液晶装置１００の素子基板１０において、上記第２実施形態の液晶装置２００における遮光部２１５（例えば容量線３３）を適用してもよい。また、上記第２実施形態の液晶装置２００において、遮光部２１５を適用するのは、素子基板２１０に限定されず、例えば、対向基板２２０に複数の画素Ｐを区分する格子状の遮光部２１５を設けてもよい。これにより、内面反射をより低減できる。
【００８９】
（変形例５）本発明の遮光部を有する電気光学装置用基板は、受光型の液晶装置１００，２００に適用されることに限定されない。例えば、画素Ｐごとに発光素子として有機ＥＬ素子を備えたアクティブ駆動型の有機ＥＬ装置にも適用することができる。より具体的には、白色発光する有機ＥＬ素子が設けられた素子基板に対して対向配置された対向基板に遮光部２５とカラーフィルター２６とを配置してフルカラー表示が可能なトップエミッション型の有機ＥＬ装置や、透光性の画素電極と、反射性の対向電極とを有する有機ＥＬ素子を備えた素子基板に遮光部２１５を配置したボトムエミッション型の有機ＥＬ装置などが考えられる。
【符号の説明】
【００９０】
１０…素子基板、１１…基材、１５…画素電極、２０…電気光学装置用基板としての対向基板、２１…基材、２２…第１反射膜、２３ａ…第１保護膜、２３ｂ…第２保護膜、２４…第２反射膜、２５…遮光部、２６…カラーフィルター、２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂ…着色層、２７…平坦化層としてのオーバーコート（ＯＣ）層、２８…対向電極、３０…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、３３…容量線、３３ａ…第１反射膜としての第１配線部、３３ｂ…第１保護膜としての絶縁膜、３３ｃ…第２反射膜としての第２配線部、１００，２００…電気光学装置としての液晶装置、２１０…電気光学装置用基板としての素子基板、２１５…遮光部、５００…電子機器としてのデジタルカメラ、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…表示領域、ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ…サブ画素、Ｐ…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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