(57)【要約】【課題】簡易な方法で端子１２を封止膜から露出させることを目的とする。【解決手段】発光層３８並びに発光層３８を挟む陽極及び陰極を含む発光素子４２と、外部との接続のための端子１２と、を有する基板を用意する。発光素子４２及び端子１２を覆うように、基板に封止層４４を形成する。封止層４４の上に、発光素子４２の上方の領域を覆い、端子１２の上方の領域を避けて、アモルファスカーボン膜５８を形成する。アモルファスカーボン膜５８をマスクとして、端子１２が封止層４４から露出するように、封止層４４をドライエッチングする。アモルファスカーボン膜５８を除去する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層並びに前記発光層を挟む陽極及び陰極を含む発光素子と、外部との接続のための端子と、を有する基板を用意する工程と、
前記発光素子及び前記端子を覆うように、前記基板に封止層を形成する工程と、
前記封止層の上に、前記発光素子の上方の領域を覆い、前記端子の上方の領域を避けて、アモルファスカーボン膜を形成する工程と、
前記アモルファスカーボン膜をマスクとして、前記端子が前記封止層から露出するように、前記封止層をドライエッチングする工程と、
前記アモルファスカーボン膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
前記封止層を形成する工程は、
第１無機層を形成する工程と、
前記第１無機層の上に有機層を形成する工程と、
前記有機層を覆って、前記第１無機層の上に直接載る部分を有するように、前記第２無機層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された表示装置の製造方法において、
前記アモルファスカーボン膜を形成する工程で、前記第１無機層の上に直接載る前記第２無機層の前記部分の一部にも載るように、前記アモルファスカーボン膜を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記アモルファスカーボン膜を形成する工程では、前記端子の上方の前記領域をマスキングした蒸着によって前記アモルファスカーボン膜を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記アモルファスカーボン膜を除去する工程は、水洗によって行うことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記基板を用意する工程で、複数の製品領域のそれぞれに、前記発光素子及び前記端子を有するように、前記基板を用意し、
前記アモルファスカーボン膜を形成する工程で、隣同士の前記製品領域の間の領域を避けて、前記アモルファスカーボン膜を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子などの発光素子は、吸湿によって劣化するため、大気から遮断するために封止膜で覆うことが必要である。封止膜は、外部との電気的な接続のための端子を避けて形成する。発光素子が水分に弱いため、ウェットプロセスであるフォトリソグラフィを適用して膜をパターニングすることは避けたい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−７３３５３号公報
【特許文献２】特開２００４−１４２３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
端子が形成された領域をマスクして封止膜を成膜すると、マスクに積層した膜材料が剥離し、異物となって歩留まりが低下するという問題があった。特許文献１には、メタルマスクを用いて封止膜をドライエッチングによりパターニングすることが開示されている。特許文献２には、上部電極のパターニングに、パッシベーション膜をマスクにしてドライエッチングを実施することが開示されているが、封止膜のパターニングについての記載はない。
【０００５】
本発明は、簡易な方法で端子を封止膜から露出させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置の製造方法は、発光層並びに前記発光層を挟む陽極及び陰極を含む発光素子と、外部との接続のための端子と、を有する基板を用意する工程と、前記発光素子及び前記端子を覆うように、前記基板に封止層を形成する工程と、前記封止層の上に、前記発光素子の上方の領域を覆い、前記端子の上方の領域を避けて、アモルファスカーボン膜を形成する工程と、前記アモルファスカーボン膜をマスクとして、前記端子が前記封止層から露出するように、前記封止層をドライエッチングする工程と、前記アモルファスカーボン膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、アモルファスカーボン膜をマスクとして、ドライエッチングを使用した簡易な方法で、端子を封止膜から露出させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。
【図２】図１に示す表示装置のII−II線断面の拡大図である。
【図３】本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【０００９】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１０】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１１】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素（ピクセル）を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、樹脂などの柔軟性を有する材料からなる第１基板１０を有する。第１基板１０には、外部との電気的接続のための端子１２が設けられている。
【００１２】
図２は、図１に示す表示装置のII−II線断面の拡大図である。第１基板１０には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート１１が形成され、その上に半導体層１４が形成されている。半導体層１４にソース電極１６及びドレイン電極１８が電気的に接続し、半導体層１４を覆ってゲート絶縁膜２０が形成されている。ゲート絶縁膜２０の上にはゲート電極２２が形成され、ゲート電極２２を覆って層間絶縁膜２４が形成されている。ソース電極１６及びドレイン電極１８は、ゲート絶縁膜２０及び層間絶縁膜２４を貫通している。半導体層１４、ソース電極１６、ドレイン電極１８及びゲート電極２２によって薄膜トランジスタ２６が構成される。薄膜トランジスタ２６を覆うようにパッシベーション膜２８が設けられている。
【００１３】
パッシベーション膜２８の上には、平坦化層３０が設けられている。平坦化層３０の上には、複数の単位画素それぞれに対応するように構成された複数の画素電極３２（例えば陽極）が設けられている。平坦化層３０は、少なくとも画素電極３２が設けられる面が平坦になるように形成される。画素電極３２は、平坦化層３０及びパッシベーション膜２８を貫通するコンタクトホール３４によって、半導体層１４上のソース電極１６及びドレイン電極１８の一方に電気的に接続している。
【００１４】
平坦化層３０及び画素電極３２上に、絶縁層３６が形成されている。絶縁層３６は、画素電極３２の周縁部に載り、画素電極３２の一部（例えば中央部）を開口させるように形成されている。絶縁層３６によって、画素電極３２の一部を囲むバンクが形成される。
【００１５】
画素電極３２上に発光層３８が設けられている。発光層３８は、画素電極３２ごとに別々に（分離して）設けられ、絶縁層３６にも載るようになっている。この場合は各画素に対応して青、赤、緑で発光層３８が発光するようになる。変形例として、発光層３８は、複数の画素電極３２に連続的に載るように設けて白色で発光するようにしてもよく、その場合はカラーフィルタを設ける。
【００１６】
発光層３８の上には、共通電極４０（例えば陰極）が設けられている。共通電極４０は、バンクとなる絶縁層３６の上方に載るように形成する。発光層３８並びに発光層３８を挟む画素電極３２（陽極）及び共通電極４０（陰極）から発光素子４２が構成される。発光層３８は、画素電極３２及び共通電極４０に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層３８と画素電極３２（陽極）との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層３８と共通電極４０（陰極）との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。
【００１７】
発光素子４２は、共通電極４０に積層する封止層４４によって覆われることで封止されて、水分から遮断される。封止層４４は、第１無機層４６と、第１無機層４６に積層する有機層４８と、有機層４８に積層する第２無機層５０と、を有する。第１無機層４６及び第２無機層５０は、それぞれ、シリコン窒化膜からなる。有機層４８は、第１無機層４６のピンホールを埋めるとともに、異物を覆って、第２無機層５０が載る平坦な下地となる。封止層４４には、粘着層５２を介して、樹脂などの柔軟性を有する材料からなる第２基板５４が貼り付けられている。
【００１８】
図３〜図７は、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す図である。各図において、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す平面図の一部を拡大した断面図である。
【００１９】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、第１基板１０を用意する。第１基板１０は、発光素子４２を有する。発光素子４２は、図２に示すように、発光層３８並びに発光層３８を挟む画素電極３２（陽極）及び共通電極４０（陰極）を含む。第１基板１０は、外部との接続のための端子１２を有する。なお、図３（Ａ）では、複数の端子１２を簡略化して示してある。なお、第１基板１０は、図３（Ａ）に示すように、複数の製品領域５６のそれぞれに、発光素子４２及び端子１２を有するように用意する。第１基板１０は、最終的には、製品領域５６ごとに切断される。
【００２０】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、発光素子４２及び端子１２を覆うように、第１基板１０に封止層４４を形成する。具体的には、発光素子４２を覆うように第１無機層４６を形成する。次に、第１無機層４６の上に有機層４８を形成する。有機層４８は、発光素子４２の全体と重なるが、発光素子４２の周囲の一部の領域との重なりを避けて形成する。例えば、端子１２の上方を避けて、有機層４８を設ける。また、有機層４８は、隣同士の製品領域５６の間（つまり切断領域）を避けて形成する。そして、有機層４８を覆うように第２無機層５０を形成する。第２無機層５０は、有機層４８の周囲で、第１無機層４６に直接載るように形成する。つまり、第２無機層５０は、第１無機層４６の上に直接載る部分を有するように形成する。端子１２の上方で、第２無機層５０は第１無機層４６に直接載るように形成する。
【００２１】
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、封止層４４の上に、発光素子４２の上方の領域を覆い、端子１２の上方の領域を避けて、アモルファスカーボン膜５８を形成する。アモルファスカーボン膜５８は、第２無機層５０の、第１無機層４６の上に直接載る部分の一部にも載るように形成する。また、アモルファスカーボン膜５８は、隣同士の製品領域５６の間の領域を避けて形成する。このような形成を可能にするため、具体的には、端子１２の上方の領域をメタルマスク６０でマスキングし、蒸着によってアモルファスカーボン膜５８を形成する。
【００２２】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、アモルファスカーボン膜５８をマスクとして、端子１２が封止層４４から露出するように、封止層４４をドライエッチングする。アモルファスカーボン膜５８をマスクとして使用するので、エッチングされた封止層４４のエッジに傾斜（テーパ）が形成されない。
【００２３】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、アモルファスカーボン膜５８を除去する。これは、水洗によって行う。その後、図２に示すように、封止層４４に、粘着層５２を介して、樹脂などの柔軟性を有する材料からなる第２基板５４を貼り付ける。また、第１基板１０及び第２基板５４並びにこれらに挟まれた層を、製品領域５６（図３（Ａ）及び図４（Ａ）参照）ごとに切断する。本実施形態によれば、アモルファスカーボン膜５８をマスクとして、ドライエッチングを使用した簡易な方法で、端子１２を封止膜から露出させることができる。
【００２４】
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。
【００２５】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００２６】
１０  第１基板、１１  アンダーコート、１２  端子、１４  半導体層、１６  ソース電極、１８  ドレイン電極、２０  ゲート絶縁膜、２２  ゲート電極、２４  層間絶縁膜、２６  薄膜トランジスタ、２８  パッシベーション膜、３０  平坦化層、３２  画素電極、３４  コンタクトホール、３６  絶縁層、３８  発光層、４０  共通電極、４２  発光素子、４４  封止層、４６  第１無機層、４８  有機層、５０  第２無機層、５２  粘着層、５４  第２基板、５６  製品領域、５８  アモルファスカーボン膜、６０  メタルマスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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