(57)【要約】【課題】半導体発光素子を製造する過程で発生する中間品又は最終製品の管理を可能にする、半導体発光素子の製造方法及び製造システムを実現する。【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、基板と、基板の上層に形成された、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層と、基板の面上、又は半導体層の所定の領域に形成され、基板及び半導体層とは異なる材料からなり、励起光が照射されることで蛍光を放射する識別体とを備える。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上層に形成された、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層と、
前記基板の面上、又は前記半導体層の所定の領域に形成され、前記基板及び前記半導体層とは異なる材料からなり、励起光が照射されることで蛍光を放射する識別体とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記識別体に対して前記励起光が照射されたときに当該識別体から放射される蛍光のピーク波長は、前記半導体層に対して前記励起光が照射されたときに当該半導体層から放射されるフォトルミネセンスのピーク波長と異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記識別体は、前記半導体層のうち、光取り出し側の面上に形成され、前記活性層から放射される光に対して透光性を有する材料で構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記識別体は、蛍光体を含むガラス材料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記ガラス材料は、セリウムを含有することを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記ガラス材料は、アルミニウムフッ化物を含有することを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記ガラス材料は、イットリウムフッ化物、ランタンフッ化物、ジルコニウムフッ化物、又はリン酸の少なくともいずれか一つを含有することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記活性層は、主たる発光波長が４１０ｎｍ以下である窒化物半導体層で構成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
基板と、
前記基板の上層に形成された、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層と、
前記基板の面上、又は前記半導体層の所定の領域に形成され、前記基板及び前記半導体層とは異なる材料からなり、励起光が照射されることで蛍光を放射する識別体とを備えたことを特徴とする半導体発光素子用ウェハ。
【請求項１０】
前記識別体に対して前記励起光が照射されたときに当該識別体から放射される蛍光のピーク波長は、前記半導体層に対して前記励起光が照射されたときに当該半導体層から放射されるフォトルミネセンスのピーク波長と異なることを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子用ウェハ。
【請求項１１】
前記識別体は、前記半導体層のうち、光取り出し側の面上に形成され、前記活性層から放射される光に対して透光性を有する材料で構成されていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体発光素子用ウェハ。
【請求項１２】
前記識別体は、蛍光体を含むガラス材料からなることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の半導体発光素子用ウェハ。
【請求項１３】
前記ガラス材料は、セリウムを含有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体発光素子用ウェハ。
【請求項１４】
前記ガラス材料は、アルミニウムフッ化物を含有することを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光素子用ウェハ。
【請求項１５】
前記ガラス材料は、イットリウムフッ化物、ランタンフッ化物、ジルコニウムフッ化物、又はリン酸の少なくともいずれか一つを含有することを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光素子用ウェハ。
【請求項１６】
前記活性層は、主たる発光波長が４１０ｎｍ以下である窒化物半導体層で構成されていることを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の半導体発光素子用ウェハ。
【請求項１７】
成長基板を準備する工程（ａ）と、
前記成長基板の上層に、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層を形成する工程（ｂ）と、
前記成長基板の面上、又は前記半導体層の所定の領域に、前記基板及び前記半導体層とは異なる材料からなり、励起光が照射されることで蛍光を放射する識別体を付与する工程（ｃ）とを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記工程（ｃ）は、前記半導体層のうち、光取り出し側の面上に前記識別体を付与する工程であることを特徴とする請求項１７に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記工程（ｃ）は、
一方の面に粘着層を有すると共に、前記粘着層側の面に、所定の材料からなる前記識別体が形成されたシート部材を準備する工程（ｃ１）と、
前記シート部材の前記粘着層側を、前記成長基板の面上又は前記半導体層の露出されている面上に貼り合わせる工程（ｃ２）と、
前記シート部材を介して、前記粘着層に対して前記粘着層の粘着力を低下させる波長の光を照射する工程（ｃ３）と、
前記シート部材を前記成長基板又は前記半導体層から剥離して、前記識別体を前記成長基板の面上又は前記半導体層の面上に残存させる工程（ｃ４）とを有することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記工程（ｃ）は、
粘着力を有する材料からなる前記識別体が一方の面に形成されたシート部材を準備する工程（ｃ５）と、
前記シート部材の、前記識別体が形成された側の面を、前記成長基板の面上又は前記半導体層の露出されている面上に、押圧しながら貼り合わせる工程（ｃ６）と、
前記シート部材を前記成長基板又は前記半導体層から剥離して、前記識別体を前記成長基板の面上又は前記半導体層の面上に残存させる工程（ｃ７）とを有することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記工程（ｃ）は、
所定のパターンで貫通孔が形成されたマスク部材を準備する工程（ｃ８）と、
前記マスク部材を前記成長基板の面上又は前記半導体層の面上に載置する工程（ｃ９）と、
前記マスク部材の上方から、前記識別体を構成する流動性材料を塗布して、当該流動性材料を前記貫通孔を介して前記成長基板の面上又は前記半導体層の面上に付着させる工程（ｃ１０）と、
前記マスク部材を取り外す工程（ｃ１１）とを有することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２２】
前記工程（ｃ）は、
粘着部材を準備する工程（ｃ１２）と、
前記粘着部材の一部分に前記識別体を固着させる工程（ｃ１３）と、
保持部材を介して、前記粘着部材とは反対側から前記識別体を保持しながら、前記成長基板の面上又は前記半導体層の面上に、前記識別体が接触していない領域内の前記粘着部材の粘着面を押圧して貼り合わせる工程（ｃ１４）と、
前記保持部材を取り外す工程（ｃ１５）と、を有することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２３】
前記工程（ｃ）の後、加熱処理を行って形成された前記識別体を固定化させる工程を有することを特徴とする請求項１９〜２２のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２４】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体発光素子、又は、請求項９〜１６のいずれか１項に記載の半導体発光素子用ウェハに対して前記励起光を照射する光源部と、
前記識別体が付与されている領域を含む面から放射される光を受光して、前記蛍光の放射位置情報を含む画像データを作成する撮像部と、を含むことを特徴とする検査装置。
【請求項２５】
前記撮像部は、前記識別体から放射される蛍光の主たる波長を透過し、前記励起光の主たる波長及び前記半導体層から放射されるフォトルミネセンスの主たる波長を遮断するフィルタを備えることを特徴とする請求項２４に記載の検査装置。
【請求項２６】
前記光源から照射される前記励起光は、主たる波長が３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２４又は２５に記載の検査装置。
【請求項２７】
基板上に、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層を形成する半導体層形成部と、
前記基板の面上、又は前記半導体層の所定の領域に、前記基板及び前記半導体層とは異なる材料からなり、励起光が照射されることで蛍光を放射する識別体を付与する識別体付与部と、
前記半導体層を含むウェハに関する識別情報と前記識別体とが関連付けられてなる管理情報を記憶する記憶部と、
前記ウェハに対して前記励起光を照射する光源部と、
前記励起光の照射時に、前記識別体が付与されている領域を含む面から放射される光を受光して、前記蛍光の放射位置情報を含む画像データを作成する撮像部と、
前記撮像部で撮像されたデータと前記管理情報を照合する照合部とを備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造システム。
【請求項２８】
基板上に、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層を形成する半導体層形成部と、
前記基板の面上、又は前記半導体層の所定の領域に、前記基板及び前記半導体層とは異なる材料からなり、励起光が照射されることで蛍光を放射する識別体を付与する識別体付与部と、
前記半導体層を含むウェハに関する識別情報と前記識別体とが関連付けられてなる管理情報を記憶する記憶部と、
前記ウェハに対して前記励起光を照射する光源部と、
前記励起光の照射時に、前記識別体が付与されている領域を含む面から放射される光を受光して、前記蛍光の放射位置情報を含む画像データを作成する撮像部と、
前記撮像部で撮像されたデータと前記管理情報を照合する照合部とを備えたことを特徴とする半導体発光素子用ウェハの製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子、半導体発光素子用ウェハ、半導体発光素子の製造方法、検査装置、半導体発光素子の製造システム、及び半導体発光素子用ウェハの製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体発光素子は、例えば、一枚のウェハから厚さ数百μｍで１ｍｍ角のＬＥＤチップが大量に切り出されることによって製造されている。その具体的な製造工程の一例が、下記特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１４２５０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、工業製品を製造するに際しては、製品管理や品質管理を目的として、当該製品に対して、型番や製造時期を示す文字や記号がマーキング加工されるのが通例である。具体的な例としては、製品に対して識別用としての罫書き、刻印、又はラベル貼付等が施され、各製品に施されたこれらの識別用の情報に基づいて、当該製品の管理が行われている。特に近年では、製品のＩＴ管理・効率化が推し進められており、製造又は流通等における製品管理や品質管理の必要性が高まっている。
【０００５】
しかしながら、半導体発光素子の分野においては、精密な製造工程が必要とされているため、製造工程時の中間品や製品自体に、上述のようなマーキング加工を施すことは困難であり、これまで行われていない。現時点では、最終製品の包装物等に識別文字や記号が付与され、この情報に基づいて最終製品の管理が行われている。
【０００６】
半導体発光素子を製造するにあたっては、異なる装置を用いた複数の工程を経る必要がある。このため、製造途中の中間品が、次の工程で用いられる装置の設置された場所に運搬されることになる。また、工程の内容によっては、別の業者に該当する工程の実行を依頼する場合もあり、この場合は車輌等を用いて中間品を別の場所に運搬する必要性がある。これらの事情に鑑みると、製造過程において中間品の取り違えが生じる可能性は否定できない。
【０００７】
また、上述したように、最終製品については、これまで包装物等に識別文字や記号が付されるに留まっていたため、包装物を開封した後の製品については管理することができなかった。このため、誤った製品を機器に取り付けてしまう可能性は否定できない。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑み、半導体発光素子を製造する過程で発生する中間品又は最終製品の管理を可能にする、半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光素子の製造システムを実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体発光素子は、
基板と、
前記基板の上層に形成された、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層と、
前記基板の面上、又は前記半導体層の所定の領域に形成され、前記基板及び前記半導体層とは異なる材料からなり、励起光が照射されることで蛍光を放射する識別体とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
基板の面上、又は半導体層に識別体を付与することで、基板と半導体層を含むウェハの段階で識別体を確認することで、当該ウェハ（中間品）の管理が可能となる。また、半導体発光素子の光取り出し面から半導体層に付与された識別体を確認することができ、最終製品の管理も可能となる。
【００１１】
ここで、前記識別体に対して前記励起光が照射されたときに当該識別体から放射される蛍光の主たる波長は、前記半導体層に対して前記励起光が照射されたときに当該半導体層から放射されるフォトルミネセンスの主たる波長と異なるものとしても構わない。より詳細には、前記蛍光のピーク波長が、前記フォトルミネセンスのピーク波長と異なるものとしても構わない。
【００１２】
このように構成されることで、受光部（撮像部）において、識別体から放射された蛍光と、半導体層から放射されたフォトルミネセンスとを確実に切り分けることができるため、管理精度が高められる。例えば、受光部（撮像部）において、識別体から放射された蛍光の主たる波長成分を透過し、半導体層から放射されたフォトルミネセンスの主たる波長成分を遮断するフィルタを備えるものとしても構わない。
【００１３】
一例として、識別体からの蛍光の主たる発光波長が半導体層から放射されたフォトルミネセンスよりも短波長となるように、識別体の構成材料が適宜選択されるものとしても構わない。この場合、受光部（撮像部）にフィルタ等を備えることで、前記蛍光と前記フォトルミネセンスとの切り分けを高精度に行える。
【００１４】
逆に、識別体から放射される蛍光の主たる発光波長が、半導体層から放射されるフォトルミネセンスよりも長波長となるように、識別体の構成材料が適宜選択されても構わない。この場合、識別体から放射された蛍光の一部が半導体層内で吸収される可能性があり、蛍光の強度が低下する懸念は否定できない。しかし、波長が比較的長い光に対する高感度の受光センサは市場に流通している。よって、このような受光センサを受光部に設けておくことで、仮に半導体層内で一部の蛍光が吸収されたとしても、識別体の存在を確認できる程度に蛍光を受光することは可能である。
【００１５】
前記識別体は、蛍光体を含むガラス材料からなるものとしても構わない。一例として、前記ガラス材料は、セリウムを含有することができる。セリウムは蛍光体を構成する材料の一つである。
【００１６】
また、前記ガラス材料は、アルミニウムフッ化物を含有することができる。また、前記ガラス材料は、バリウムフッ化物やカルシウムフッ化物が含まれていても構わない。これらの材料は、ガラス材料の母体を構成する材料である。これらの材料をガラス材料の母体に含めることで、識別体から放射される蛍光の波長を、短波長に設定することが可能となる。これにより、受光部において、識別体から放射される蛍光と、半導体層から放射されるフォトルミネセンスとの切り分けが容易となる。
【００１７】
また、前記ガラス材料は、イットリウムフッ化物、ランタンフッ化物、ジルコニウムフッ化物又はリン酸の少なくともいずれか一つを含有することができる。ガラス材料にこれらの材料を含めることで、ガラス化を促進することができる。識別体がガラス材料で構成されることで、識別体が半導体層の上面に形成されていても、発光時に活性層から放射される光を透過させることができるため、光取り出し効率を全く又はほとんど低下させることがない。
【００１８】
前記識別体は、前記半導体層のうち、光取り出し側の面上に形成され、前記活性層から放射される光に対して透光性を有する材料で構成されているものとしても構わない。
【００１９】
前記活性層は、主たる発光波長が４１０ｎｍ以下である窒化物半導体層で構成されているものとしても構わない。
【００２０】
本発明に係る半導体発光素子用ウェハは、
基板と、
前記基板の上層に形成された、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層と、
前記基板の面上、又は前記半導体層の所定の領域に形成され、前記基板及び前記半導体層とは異なる材料からなり、励起光が照射されることで蛍光を放射する識別体とを備えたことを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、
成長基板を準備する工程（ａ）と、
前記成長基板の上層に、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層を形成する工程（ｂ）と、
前記成長基板の面上、又は前記半導体層の所定の領域に、前記基板及び前記半導体層とは異なる材料からなり、励起光が照射されることで蛍光を放射する識別体を付与する工程（ｃ）とを有することを特徴とする。
【００２２】
前記工程（ｃ）は、前記半導体層のうち、光取り出し側の面上に前記識別体を付与する工程としても構わない。
【００２３】
この場合において、前記工程（ｂ）よりも後で、前記工程（ｃ）よりも前に、前記半導体層の面のうちの、前記工程（ｃ）で前記識別体が形成される側の面上に電極を形成する工程を有するものとしても構わない。
【００２４】
このような構成によれば、識別体の形成後に結晶成長や電極形成を行う必要がないため、識別体が高温下にさらされることがなく、識別体を安定的に定着させることができる。
【００２５】
前記工程（ｃ）は、例えば以下の４つの方法で実現することができる。
【００２６】
第一の方法は、前記工程（ｃ）が、
一方の面に粘着層を有すると共に、前記粘着層側の面に、所定の材料からなる前記識別体が形成されたシート部材を準備する工程（ｃ１）と、
前記シート部材の前記粘着層側を、前記成長基板の面上又は前記半導体層の露出されている面上に貼り合わせる工程（ｃ２）と、
前記シート部材を介して、前記粘着層に対して前記粘着層の粘着力を低下させる波長の光を照射する工程（ｃ３）と、
前記シート部材を前記成長基板又は前記半導体層から剥離して、前記識別体を前記成長基板の面上又は前記半導体層の面上に残存させる工程（ｃ４）とを有することを特徴とする。
【００２７】
このとき、前記粘着層は、所定の波長の光が照射されることで粘着力が低下するような材料で構成されているものとして構わない。また、シート部材は、当該所定の波長の光が透過するような材料で構成されているものとして構わない。
【００２８】
また、工程（ｃ１）の状態でシート部材の上面に形成されている識別体は、シート部材上には定着されているものの、完全には硬化されていない性質を有する状態で形成されているものとして構わない。工程（ｃ３）において光が照射されることで、粘着層の粘着力が低下するため、シート部材と半導体層の間の粘着性、及び識別体とシート部材との間の粘着性が低下する。この結果、シート部材が剥離されると、識別体のみが半導体層側に残存する。
【００２９】
第二の方法は、前記工程（ｃ）が、
粘着力を有する材料からなる前記識別体が一方の面に形成されたシート部材を準備する工程（ｃ５）と、
前記シート部材の、前記識別体が形成された側の面を、前記成長基板の面上又は前記半導体層の露出されている面上に、押圧しながら貼り合わせる工程（ｃ６）と、
前記シート部材を前記成長基板又は前記半導体層から剥離して、前記識別体を前記成長基板の面上又は前記半導体層の面上に残存させる工程（ｃ７）とを有することを特徴とする。
【００３０】
第三の方法は、前記工程（ｃ）が、
所定のパターンで貫通孔が形成されたマスク部材を準備する工程（ｃ８）と、
前記マスク部材を前記成長基板の面上又は前記半導体層の面上に載置する工程（ｃ９）と、
前記マスク部材の上方から、前記識別体を構成する流動性材料を塗布して、当該流動性材料を前記貫通孔を介して前記成長基板の面上又は前記半導体層の面上に付着させる工程（ｃ１０）と、
前記マスク部材を取り外す工程（ｃ１１）とを有することを特徴とする。
【００３１】
前記工程（ｃ１０）は、例えばスクリーン印刷の技術を利用することができる。また、前記流動性材料としては、蛍光体を微粒や粉末状態にした上で、水やアルコールといった容易に蒸発が可能な流体内に混在させたものを利用することができる。この場合、塗布後に、流体を蒸発させた後、フラッシュランプアニール等の方法によって、短時間で加熱処理を行って焼結や溶融をさせることで、表面上に蛍光体を含む識別体が付与される。
【００３２】
第四の方法は、前記工程（ｃ）が、
粘着部材を準備する工程（ｃ１２）と、
前記粘着部材の一部分に前記識別体を固着させる工程（ｃ１３）と、
保持部材を介して、前記粘着部材とは反対側から前記識別体を保持しながら、前記成長基板の面上又は前記半導体層の面上に、前記識別体が接触していない領域内の前記粘着部材の粘着面を押圧して貼り合わせる工程（ｃ１４）と、
前記保持部材を取り外す工程（ｃ１５）と、を有することを特徴とする。
【００３３】
上記製造方法は、前記工程（ｃ）の後、加熱処理を行って形成された前記識別体を固定化させる工程を有するものとしても構わない。
【００３４】
本発明に係る検査装置は、
上記の半導体発光素子、又は半導体発光素子用ウェハに対して前記励起光を照射する光源部と、
前記識別体が付与されている領域を含む面から放射される光を受光して、前記蛍光の放射位置情報を含む画像データを作成する撮像部と、を含むことを特徴とする。
【００３５】
このとき、前記撮像部は、前記識別体から放射される蛍光の主たる波長を透過し、前記励起光の主たる波長及び前記半導体層から放射されるフォトルミネセンスの主たる波長を遮断するフィルタを備えるものとしても構わない。
【００３６】
前記光源から照射される前記励起光は、一例として、主たる波長を３００ｎｍ以下とすることができる。
【００３７】
本発明に係る半導体発光素子の製造システムは、
基板上に、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層を形成する半導体層形成部と、
前記基板の面上、又は前記半導体層の所定の領域に、前記基板及び前記半導体層とは異なる材料からなり、励起光が照射されることで蛍光を放射する識別体を付与する識別体付与部と、
前記半導体層を含むウェハに関する識別情報と前記識別体とが関連付けられてなる管理情報を記憶する記憶部と、
前記ウェハに対して前記励起光を照射する光源部と、
前記励起光の照射時に、前記識別体が付与されている領域を含む面から放射される光を受光して、前記蛍光の放射位置情報を含む画像データを作成する撮像部と、
前記撮像部で撮像されたデータと前記管理情報を照合する照合部とを備えたことを特徴とする。
【００３８】
本発明に係る半導体発光素子用ウェハの製造システムは、
基板上に、ｎ型又はｐ型の第一半導体層、活性層、及び前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層が積層されてなる半導体層を形成する半導体層形成部と、
前記基板の面上、又は前記半導体層の所定の領域に、前記基板及び前記半導体層とは異なる材料からなり、励起光が照射されることで蛍光を放射する識別体を付与する識別体付与部と、
前記半導体層を含むウェハに関する識別情報と前記識別体とが関連付けられてなる管理情報を記憶する記憶部と、
前記ウェハに対して前記励起光を照射する光源部と、
前記励起光の照射時に、前記識別体が付与されている領域を含む面から放射される光を受光して、前記蛍光の放射位置情報を含む画像データを作成する撮像部と、
前記撮像部で撮像されたデータと前記管理情報を照合する照合部とを備えたことを特徴とする。
【００３９】
上記各システムによれば、光源部から励起光を照射した状態下で撮像部でウェハを撮像することで得られたデータと、記憶部で記憶されている管理情報とが、照合部において照合される。ここで、ウェハに対して上記識別体が付与されていれば、照合部において当該ウェハの識別情報を検出することができるため、ウェハの管理が可能となる。
【００４０】
ここで、識別体付与部による処理が完了した時点で、撮像部がウェハを撮像し、当該撮像データに基づいてウェハに形成された識別体に関する情報を取得して記憶部に記憶させるものとしても構わない。また、撮像部によって最終製品が撮像され、照合部によって当該撮像されたデータと管理情報が照合されるものとしても構わない。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、半導体発光素子を製造する過程で識別体を付与することができるため、当該識別体に基づいて半導体発光素子の中間品又は最終製品の管理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】半導体発光素子の一例を模式的に示す平面図である。
【図２】半導体発光素子の一例を模式的に示す断面図である。
【図３Ａ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｂ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｃ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｄ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｅ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｆ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｇ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｈ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｉ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｊ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図３Ｋ】半導体発光素子の第一実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図４Ａ】ステップＳ１１の内容を説明するための模式的な平面図である。
【図４Ｂ】ステップＳ１３の内容を説明するための模式的な平面図である。
【図５】半導体発光素子の製造システムの構成を模式的に示すブロック図である。
【図６】検証用試料に関するデータを示すグラフである。
【図７】半導体発光素子の第二実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図８Ａ】半導体発光素子の第三実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図８Ｂ】ステップＳ３２の内容を説明するための模式的な平面図である。
【図８Ｃ】半導体発光素子の第三実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図９】半導体発光素子の第四実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１０Ａ】半導体発光素子の別実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１０Ｂ】半導体発光素子の別実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｂに対応する工程の内容を説明するための模式的な平面図である。
【図１０Ｄ】半導体発光素子の別実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１０Ｅ】半導体発光素子の別実施形態の製造方法における一工程を模式的に示す断面図である。
【図１１Ａ】半導体発光素子の別の一例を模式的に示す断面図である。
【図１１Ｂ】半導体発光素子の別の一例を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
本発明の半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光素子の製造システムの各実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、各図において図面の寸法比と実際の寸法比は必ずしも一致しない。
【００４４】
また、以下において、ＡｌＧａＮという記述は、ＡｌmＧａ1-mＮ（０＜ｍ＜１）という記述と同義であり、ＡｌとＧａの組成比の記述を単に省略して記載したものであって、ＡｌとＧａの組成比が１：１である場合に限定する趣旨ではない。ＩｎＧａＮ等という記述についても同様である。
【００４５】
＜第一実施形態＞
本発明の第一実施形態につき、説明する。
【００４６】
［構造］
図１は、半導体発光素子の一例を模式的に示す平面図である。図１に示す半導体発光素子１は、光取り出し面を上側に図示されている。図１では、光取り出し面をＸＹ平面とし、その奥行方向をＺ方向と規定している。なお、図１（ａ）、（ｂ）の違いについては後述される。
【００４７】
また、図２は、図１に示す半導体発光素子１を、ＸＺ平面に沿って切断したときの模式的な断面図である。図２に示すように、半導体発光素子１は、基板３と、半導体層５と、識別体２とを有する。以下、半導体発光素子１の構造を詳細に説明する。以下では、半導体発光素子１を単に「発光素子１」と適宜略記することがある。
【００４８】
（基板３）
基板３は、例えばＣｕＷ、Ｗ、Ｍｏなどの導電性基板、又はＳｉなどの半導体基板で構成される。
【００４９】
（半導体層５）
本実施形態では、半導体層５は、基板３に近い側からｐ型半導体層１１、活性層９及びｎ型半導体層７が順に積層されて形成されている。本実施形態では、ｎ型半導体層７が「第一半導体層」に対応し、ｐ型半導体層１１が「第二半導体層」に対応する。
【００５０】
ｐ型半導体層１１は、例えばＭｇ、Ｂｅ、Ｚｎ、又はＣなどのｐ型不純物がドープされた窒化物半導体層で構成される。窒化物半導体層としては、例えばＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等を利用することができる。
【００５１】
活性層９は、例えばＩｎＧａＮで構成される発光層及びｎ型ＡｌＧａＮで構成される障壁層が周期的に繰り返されてなる半導体層で形成される。これらの層はアンドープでもｐ型又はｎ型にドープされていても構わない。活性層９は、少なくともエネルギーバンドギャップの異なる２種類の材料からなる層が積層されて構成されていればよい。活性層９の構成材料は、生成したい光の波長に応じて適宜選択される。発光素子１は、活性層９における主たる発光波長を４１０ｎｍ以下とすることができる。例えば、主たる発光波長が３６５ｎｍの場合、活性層９は、Ｉｎ0.05Ｇａ0.95ＮとＡｌ0.09Ｇａ0.91Ｎとが繰り返し積層されて構成される。
【００５２】
ｎ型半導体層７は、例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｎ、又はＴｅなどのｎ型不純物がドープされた窒化物半導体層で構成される。この窒化物半導体層としては、例えばＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等を利用することができる。なお、ｎ型半導体層７は、ｐ型半導体層１１と異なる組成の材料で構成されているものとしても構わない。
【００５３】
（第一電極１５）
第一電極１５は、ｎ型半導体層７の面のうち、活性層９とは反対側の面に形成されている。本実施形態では、第一電極１５はｎ側の電極を構成する。第一電極１５は、例えば、Ｎｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕの多層構造の他、Ｃｒ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ｃｒ／Ａｕ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ等で構成することができる。
【００５４】
図１に示される例では、本実施形態の発光素子１が備える第一電極１５は、半導体層５（ｎ型半導体層７）の上面において、枠形状を示している。より詳細には、第一電極１５の外縁部は、半導体層５の外縁部に沿って枠形状を有して構成されている。図１に示される例では、枠形状を示す第一電極１５の外縁部の内側の２箇所で、外縁部からＸ方向に離間した位置に、Ｙ方向に延伸した２本の第一電極１５を有している。しかし、枠形状を示す領域の内側において、第一電極１５の延伸する本数は２本に限られるものではなく、１本でもよいし、３本以上であっても構わない。図１に示される第一電極１５の形状はあくまで一例であり、設計に応じて任意に変更可能である。
【００５５】
（第二電極１３）
第二電極１３は、ｐ型半導体層１１に接触して形成されており、ｐ型半導体層１１との間でオーミック接触が形成されている。本実施形態では、第二電極１３はｐ側電極を構成する。
【００５６】
第一電極１５と第二電極１３の間に電圧が印加されることで、活性層９内を電流が流れ、活性層９が発光する。
【００５７】
第二電極１３は、活性層９から射出される光に対して高い反射率（例えば８０％以上であり、より好ましくは９０％以上）を示す導電性の材料で構成されるのが好ましい。より具体的には、第二電極１３は、例えばＡｇ、Ａｌ、又はＲｈを含む材料で構成される。上述したように、図１に示す発光素子１は、活性層９から放射された光をｎ型半導体層７側に取り出すことが想定されている。第二電極１３を高い反射率を示す材料で構成すると、活性層９から基板３側に向けて放射された光をｎ型半導体層７側に向けて反射させることで、光取り出し効率を高める機能も果たしている。
【００５８】
（導電層２０）
導電層２０は、基板３の上層に形成されている。本実施形態では、導電層２０は、保護層２３、接合層２１、接合層１９及び保護層１７の多層構造で構成されている。
【００５９】
接合層１９及び接合層２１は、例えばＡｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｉｎ、Ａｕ−Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｓｎなどで構成される。後述するように、これらの接合層１９と接合層２１は、基板３上に形成された接合層２１と、別の基板（後述する成長基板２５）上に形成された接合層１９を対向させた後に、両者を貼り合わせることで形成されたものである。これらの接合層１９及び接合層２１は、単一の層として一体化されているものとしても構わない。
【００６０】
保護層１７は、例えばＮｉ／Ｔｉ／Ｐｔ、ＴｉＷ／Ｐｔ等の多層構造で構成されており、接合層（１９，２１）を構成する材料が第二電極１３側に拡散して、第二電極１３の反射率が低下することを抑制する目的で設けられている。ただし、発光素子１が保護層１７を備えるか否かは任意である。
【００６１】
保護層２３は、例えば保護層１７と同一の材料で構成され、接合層（１９，２１）を構成する材料が基板３側に拡散するのを抑制する目的で設けられている。ただし、発光素子１が保護層２３を備えるか否かは任意である。
【００６２】
（識別体２）
図２に示すように、本実施形態の発光素子１は、ｎ型半導体層７の上面の所定の領域に、所定の形状を有して形成された識別体２を有している。この識別体２は、基板３及び半導体層５とは異なる材料からなり、所定波長の励起光が照射されると蛍光を放射するように構成されている。
【００６３】
本実施形態では、識別体２は、蛍光体を含むガラス材料で構成されている。このガラス材料を構成する母体として、バリウムフッ化物、カルシウムフッ化物、アルミニウムフッ化物を含有するものとしても構わないし、更にこれらの材料に、イットリウムフッ化物、ランタンフッ化物、ジルコニウムフッ化物又はリン酸の少なくともいずれか一つを含有するものとしても構わない。識別体２をこのような構成とすることで、製造時に容易にガラス化が可能である。
【００６４】
また、蛍光体としては、セリウムを含む材料とすることができる。別の例として、セリウム以外のＥｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体・サイアロン系蛍光体、Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、又は、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体又はＥｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか１以上とすることができる。蛍光体の材料は、得たい蛍光の主たる波長に応じて適宜選択される。
【００６５】
図２に示すように、識別体２を光取り出し面を構成する半導体層５の面上（具体的にはｎ型半導体層７の面上）に形成する場合には、活性層７から放射される光を透過する材料で構成されるのが好ましい。図１（ａ）は、このような状態の平面図を模式的に示したものである。
【００６６】
一方、発光素子１の光取り出し面に励起光が照射されると、識別体２及び半導体層５が励起される。このとき、識別体２からは蛍光が放射され、半導体層５からはフォトルミネセンスが放射される。また、一部の励起光が半導体層５の面で反射されることで、この反射光が放射される。識別体２の材料は、当該識別体２から放射される蛍光の主たる波長が、半導体層５から放射されるフォトルミネセンスの主たる波長、及び励起光の波長と異なるように選択される。このとき、受光部（撮像部）側において、蛍光の主たる波長成分と、それ以外の光の波長成分とを切り分けることで、蛍光の発生領域、すなわち識別体２の形成領域が確認される。図１（ｂ）は、このような状態の平面図を模式的に示したものである。受光部（撮像部）を含む装置の構成については後述される。
【００６７】
識別体２は、その形状や模様等で、例えば、発光素子１の製造日、ロット番号、製造場所、その他多くの情報を付与することが可能である。なお、識別体２としては、英数字、図形、模様、又はこれらが組み合わせられてなる形を示しているものとして構わない。
【００６８】
なお、図２で示した発光素子１は絶縁層２４を備える構造としたが、本発明において絶縁層２４を備えるか否かは任意である。
【００６９】
［製造方法］
次に、発光素子１の製造方法につき、図面を参照して説明する。なお、以下で説明する製造条件や膜厚等の寸法はあくまで一例である。
【００７０】
（ステップＳ１）
図３Ａに示すように、成長基板２５を準備する。成長基板２５としては、一例としてＣ面を有するサファイア基板を用いることができる。
【００７１】
準備工程として、成長基板２５のクリーニングを行う。このクリーニングは、より具体的な一例としては、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相蒸着）装置の処理炉内に成長基板２５を配置し、処理炉内に所定の流量の水素ガスを流しながら、炉内温度を例えば１１５０℃に昇温することにより行われる。
【００７２】
ステップＳ１が工程（ａ）に対応する。
【００７３】
（ステップＳ２）
図３Ｂに示すように、成長基板２５の上層に、下地層２７、ｎ型半導体層７、活性層９、及びｐ型半導体層１１を順に形成する。このステップＳ２は、例えば以下の手順で行われる。
【００７４】
まず、МОＣＶＤ装置の炉内圧力を１００ｋＰａ、炉内温度を４８０℃とする。そして、処理炉内にキャリアガスとして流量がそれぞれ５ｓｌｍの窒素ガス及び水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が５０μｍｏｌ／ｍｉｎのトリメチルガリウム（ＴＭＧ）及び流量が２５００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニアを処理炉内に６８秒間供給する。これにより、成長基板２５の表面に、厚みが２０ｎｍのＧａＮよりなる低温バッファ層を形成する。
【００７５】
次に、ＭＯＣＶＤ装置の炉内温度を１１５０℃に昇温する。そして、処理炉内に、キャリアガスとして、流量が２０ｓｌｍの窒素ガス及び流量が１５ｓｌｍの水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が１００μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＧ及び流量が２５００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニアを処理炉内に３０分間供給する。これにより、低温バッファ層の表面に、厚みが１．７μｍのＧａＮよりなるバッファ層を形成する。これらのバッファ層により下地層２７が形成される。
【００７６】
次に、下地層２７の上層にｎ型半導体層７を形成する。ｎ型半導体層７の具体的な形成方法は、例えば以下の通りである。
【００７７】
引き続き炉内温度を１１５０℃とした状態で、ＭＯＣＶＤ装置の炉内圧力を３０ｋＰａとする。そして、処理炉内にキャリアガスとして流量が２０ｓｌｍの窒素ガス及び流量が１５ｓｌｍの水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が９４μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＧ、流量が６μｍｏｌ／ｍｉｎのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、流量が２５００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニア及び流量が０．０１３μｍｏｌ／ｍｉｎのテトラエチルシランを処理炉内に６０分間供給する。これにより、例えばＡｌ0.06Ｇａ0.94Ｎの組成を有し、厚みが２μｍ、ｎ型不純物濃度が３×１０19／ｃｍ3のｎ型半導体層７が下地層２７の上層に形成される。なお、ｎ型半導体層７をＧａＮ又はＡｌＧａＮで構成する場合、Ａｌの組成比は、０％以上１５％以下であるのが好ましく、２％以上１１％以下であるのがより好ましく、５％以上９％以下であるのが更により好ましい。
【００７８】
なお、この後、ＴＭＡの供給を停止すると共に、それ以外の原料ガスを６秒間供給することにより、ｎ型ＡｌＧａＮ層の上層に、厚みが５ｎｍ程度のｎ型ＧａＮよりなる保護層を有してなるｎ型半導体層７を実現してもよい。
【００７９】
上記の説明では、ｎ型半導体層７に含まれるｎ型不純物をＳｉとする場合について説明したが、ｎ型不純物としては、Ｓｉ以外にＧｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｎ又はＴｅ等を用いることができる。
【００８０】
次に、ｎ型半導体層７の上層に活性層９を形成する。活性層９の具体的な形成方法は、例えば以下の通りである。
【００８１】
まずＭＯＣＶＤ装置の炉内圧力を１００ｋＰａ、炉内温度を８３０℃とする。そして、処理炉内にキャリアガスとして流量が１５ｓｌｍの窒素ガス及び流量が１ｓｌｍの水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が１０μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＧ、流量が１２μｍｏｌ／ｍｉｎのトリメチルインジウム（ＴＭＩ）及び流量が３０００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニアを処理炉内に４８秒間供給するステップを行う。その後、流量が１０μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＧ、流量が１．６μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＡ、０．００２μｍｏｌ／ｍｉｎのテトラエチルシラン及び流量が３０００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニアを処理炉内に１２０秒間供給するステップを行う。以下、これらの２つのステップを繰り返すことにより、厚みが２ｎｍのＩｎＧａＮよりなる発光層、及び厚みが７ｎｍのｎ型ＡｌＧａＮよりなる障壁層が１５周期積層されてなる活性層９が、ｎ型半導体層７の上層に形成される。
【００８２】
なお、活性層９から放射される光の波長を４１０ｎｍ以下とする場合には、発光層を構成するＩｎＧａＮのＩｎ組成比を１０％以下とするのが好ましい。この場合、障壁層を構成するＧａＮ又はＡｌＧａＮのＡｌ組成比を、０％以上１５％以下とするのが好ましく、２％以上１３％以下とするのがより好ましく、５％以上１０％以下とするのが更により好ましい。
【００８３】
次に、活性層９の上層にｐ型半導体層１１を形成する。ｐ型半導体層１１の具体的な形成方法は、例えば以下の通りである。
【００８４】
具体的には、ＭＯＣＶＤ装置の炉内圧力を１００ｋＰａに維持し、処理炉内にキャリアガスとして流量が１５ｓｌｍの窒素ガス及び流量が２５ｓｌｍの水素ガスを流しながら、炉内温度を１０２５℃に昇温する。その後、原料ガスとして、流量が３５μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＧ、流量が２０μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＡ、流量が２５００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニア及びｐ型不純物をドープするための流量が０．１μｍｏｌ／ｍｉｎのビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を処理炉内に６０秒間供給する。これにより、活性層９の表面に、厚みが２０ｎｍのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎの組成を有する正孔供給層を形成する。その後、ＴＭＡの流量を４μｍｏｌ／ｍｉｎに変更して原料ガスを３６０秒間供給することにより、厚みが１２０ｎｍのＡｌ0.13Ｇａ0.87Ｎの組成を有する正孔供給層を形成する。これらの正孔供給層によりｐ型半導体層１１が形成される。なお、これらの正孔供給層のｐ型不純物濃度は、例えば３×１０19／ｃｍ3程度に設定される。
【００８５】
なお、この工程の後、ＴＭＡの供給を停止すると共に、ＣＰ2Ｍｇの流量を０．２μｍｏｌ／ｍｉｎに変更して原料ガスを２０秒間供給することにより、厚みが５ｎｍ程度で、ｐ型不純物濃度が１×１０20／ｃｍ3程度のｐ型ＧａＮ層を有してなるｐ型半導体層１１を実現してもよい。
【００８６】
上記の説明では、ｐ型半導体層１１に含まれるｐ型不純物をＭｇとする場合について説明したが、ｐ型不純物としては、Ｍｇ以外に、Ｂｅ、Ｚｎ、又はＣ等を用いることもできる。
【００８７】
ステップＳ２が工程（ｂ）に対応する。
【００８８】
（ステップＳ３）
ステップＳ２で得られたウェハに対して活性化処理を行う。具体的な一例としては、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal：急速加熱）装置を用いて、窒素雰囲気下中６５０℃で所定の時間だけ活性化処理を行う。
【００８９】
（ステップＳ４）
図３Ｃに示すように、ｐ型半導体層１１の上層に、絶縁層２４、第二電極１３、保護層１７、接合層１９を順次形成する。このステップＳ４は、例えば以下の手順で行われる。
【００９０】
ｐ型半導体層１１の上面のうち、所定の領域に絶縁層２４を形成する。絶縁層２４は、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ｚｒ2Ｏ3、ＡｌＮ、又はＡｌ2Ｏ3等をスパッタリング法等によって成膜することで形成される。
【００９１】
次に、ｐ型半導体層１１及び絶縁層２４の上面に第二電極１３を形成する。第二電極１３は、例えば、スパッタリング装置にてＮｉ／Ａｇを成膜した後、ＲＴＡ装置を用いてドライエア雰囲気中でコンタクトアニールを行うことで形成される。ここでは、一例として、第二電極１３の材料としてＮｉとＡｇの合金を挙げたが、ＡｌやＲｈ等を用いることもできる。上述したように、第二電極１３の材料としては、活性層９から放射される光に対する反射率の高い材料を用いるのが好ましい。
【００９２】
次に、第二電極１３の上面に保護層１７を形成し、保護層１７の上面に接合層１９を形成する。保護層１７は、例えば、電子線蒸着装置（ＥＢ装置）を用いて、ＴｉとＰｔを多周期積層させることで形成される。また、接合層１９は、例えば、Ａｕ−Ｓｎハンダを蒸着することで形成される。保護層１７を設けるか否かは任意である。
【００９３】
（ステップＳ５）
図３Ｄに示すように、成長基板２５とは別に準備された基板３の上面に、保護層２３及び接合層２１を形成する。基板３としては、上述したようにＣｕＷ、Ｗ、Ｍｏ等の導電性基板、又はＳｉ等の半導体基板を利用することができる。保護層２３は、保護層１７と同様に形成することができ、接合層２１は、接合層１９と同様に形成することができる。保護層２３を設けるか否かは任意である。
【００９４】
（ステップＳ６）
図３Ｅに示すように、成長基板２５の上層に形成された接合層１９と、基板３の上層に形成された接合層２１を貼り合わせることで、成長基板２５と基板３の貼り合わせを行う。具体的な一例としては、２８０℃の温度、０．２ＭＰａの圧力下で、貼り合わせ処理が行われる。
【００９５】
この工程により、接合層１９及び接合層２１が溶融して接合されることで、基板３と成長基板２５が表裏面に貼り合わされた構造が形成される。つまり、接合層１９と接合層２１は、本ステップ以後においては一体化されているものとして構わない。なお、本ステップＳ６の実行前の段階で保護層２３及び保護層１７が形成されていることで、接合層（１９，２１）の構成材料の拡散が抑制されている。保護層２３、接合層２１、接合層１９、及び保護層１７の積層体を、以下の図では導電層２０と表記している。
【００９６】
（ステップＳ７）
図３Ｆに示すように、成長基板２５を剥離する。より具体的には、成長基板２５側からレーザ光を照射する。ここで、照射するレーザ光を、成長基板２５の構成材料（本実施形態ではサファイア）を透過し、下地層２７の構成材料（本実施形態ではＧａＮ）によって吸収されるような波長の光とする。これにより、下地層２７でレーザ光が吸収されるため、成長基板２５と下地層２７の界面が高温化してＧａＮが分解され、成長基板２５が剥離される。
【００９７】
その後、ウェハ上に残存している金属Ｇａを塩酸等を用いて除去した後、ＧａＮ（下地層２７）をＩＣＰ装置を用いたドライエッチングによって除去し、ｎ型半導体層７を露出させる。なお、本ステップＳ７において下地層２７が除去されて、ｐ型半導体層１１、活性層９、及びｎ型半導体層７が、基板３側からこの順に積層されてなる半導体層５が残存する（図３Ｇ参照）。
【００９８】
（ステップＳ８）
図３Ｈに示すように、隣接する素子同士を分離する。具体的には、隣接素子との境界領域に対し、ＩＣＰ装置を用いて絶縁層２４の上面が露出するまで半導体層５をエッチングする。なお、図３Ｈでは、半導体層５の側面が鉛直方向に対して傾斜を有するように図示しているが、これは一例であって、このような形状に限定する趣旨ではない。
【００９９】
（ステップＳ９）
図３Ｉに示すように、ｎ型半導体層７の上面の一部に、第一電極１５を形成する。このとき、第一電極１５は、絶縁層２４に対して、基板３の面に直交する方向に対向する領域に形成されるのが好ましい。これにより、通電時に活性層９内を流れる電流を、基板３の面に平行な方向に拡げる効果が得られ、発光効率が向上する。具体的な方法の一例としては、第一電極１５を形成する予定の領域以外をレジスト等でマスクした状態で、Ｃｒ／Ａｕを蒸着する。その後、マスクを剥離して、窒素雰囲気中でアニール処理を行う。
【０１００】
（ステップＳ１０）
図３Ｊに示すように、シート部材３０を準備する。このシート部材３０は、基材層３１と、粘着層３２を有して構成されており、粘着層３２の一部の領域にはシート部材３０とは別の材料からなる識別体２が付着されている。粘着層３２は、所定の波長の光が照射されると粘着力が低下する材料で構成されている。また、基材層３１は、粘着層３２の粘着力を低下させるために必要な波長の光を透過する材料で構成されている。また、識別体２は、上述したように、基板３及び半導体層５とは異なる材料であって、所定波長の励起光が照射されると蛍光を放射するガラス材料を含んで構成されている。
【０１０１】
一例として、識別体２は、上記ガラス材料を微粒や粉末状態にし、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂などに混練されたもので構成されることができる。
【０１０２】
ステップＳ１０が工程（ｃ１）に対応する。
【０１０３】
（ステップＳ１１）
図３Ｊに示すように、ステップＳ１０で準備されたシート部材３０を、半導体層５の面上に貼り合わせる。このとき、シート部材３０のうち、粘着層３２の側の面を半導体層５の面に貼り合わせる。これにより、シート部材３０に付着された識別体２が、半導体層５（ここではｎ型半導体層７）の上面に接触する。
【０１０４】
図４Ａは、このステップＳ１１を模式的に示す平面図である。図４Ａ（ａ）は、ステップＳ１１においてシート部材３０を貼り合わせられる前の状態のウェハの平面図である。図４Ａ（ｂ）は、ステップＳ１１においてウェハに貼り合わせられる前の状態のシート部材３０の平面図である。
【０１０５】
シート部材３０には、図４Ａ（ｂ）に示すように、予め第一電極１５のパターン形状に応じたライン３４が描かれている。そして、上述したように、シート部材３０の粘着層３２側の面の所定の領域には、付与したい情報に応じた形状を有する識別体２が付着されている。シート部材３０に対して識別体２を付着させる際には、このライン３４に基づいて位置合わせが行われる。
【０１０６】
図４Ａ（ｂ）に示されるシート部材３０を、図４Ａ（ａ）に示されるウェハに貼り合わせる場合においても、シート部材３０に付されたライン３４と、実際の第一電極１５のパターンとを利用して位置合わせできる。
【０１０７】
なお、シート部材３０に付されたライン３４は、必ずしも第一電極１５のパターン形状を完全に模擬する必要はない。あくまで、ライン３４は、識別体２をシート部材３０の所望の領域に付着させ、且つ、シート部材３０に付着された識別体２を半導体層５の上面の所望の領域に接触させることを可能にするための位置合わせ用の手段である。従って、上記の位置合わせが可能な態様であれば、ライン３４の形状はどのようなものでも構わない。
【０１０８】
ステップＳ１１が工程（ｃ２）に対応する。
【０１０９】
（ステップＳ１２）
図３Ｋに示すように、シート部材３０の上方から所定の光を照射する。この光は、基材層３１を透過し、且つ、粘着層３２によって吸収されることで、粘着層３２の粘着力が低下するような波長の光である。本ステップＳ１２により、粘着層３２の粘着力が低下するため、シート部材３０と半導体層５との間の粘着力が低下する。
【０１１０】
ステップＳ１２が工程（ｃ３）に対応する。
【０１１１】
（ステップＳ１３）
次に、シート部材３０を半導体層５から剥離する。前のステップＳ１２によって、粘着層３２の粘着力が低下しているため、シート部材３０は、識別体２を半導体層５側に残した状態で容易に剥離される。これにより、図２に示すように、半導体層５の所定の領域に識別体２を付与した状態の半導体発光素子１が実現される。
【０１１２】
図４Ｂは、このステップＳ１３が完了した状態を模式的に示す平面図である。図４Ｂ（ａ）は、ステップＳ１３においてシート部材３０が剥離された後のウェハの平面図である。図４Ｂ（ｂ）は、ステップＳ１３においてウェハから剥離された後のシート部材３０の平面図である。図４Ｂ（ａ）に示すように、識別体２がウェハ側に付着されている。
【０１１３】
ステップＳ１３が工程（ｃ４）に対応する。なお、この後に、識別体２を固定化（硬化）させるための加熱処理を行っても構わない。
【０１１４】
上記の方法で半導体発光素子１を製造することにより、所定の領域に識別体２が付与される。この結果、所定の領域の識別体２を確認することで、ウェハの管理が可能であり、製品の取り違え等を未然に防ぐことができる。また、上記の方法によって製造された最終製品としての半導体発光素子についても、予め決められた形状の識別体２が付与されている。よって、同様に、当該領域に形成された識別体２を確認することで、半導体発光素子の管理が可能となる。
【０１１５】
また、この方法によれば、通常の工業製品に対して識別体を付与するために行われるマーキング加工のような工程を行うことなく、半導体発光素子の中間品や最終製品に対しても管理のための識別体２を付与することが可能となる。
【０１１６】
［製造システム］
以下、本実施形態の半導体発光装置の製造システムにつき、説明する。図５は、製造システムの一例を模式的に示す図面である。なお、図５では、一部の構成のみを図示している。
【０１１７】
図５に示されるように、本実施形態の製造システム５０は、半導体層形成部５１、識別体付与部５３、光源部５４、撮像部５５、照合部５７、及び記憶部５９を備えている。なお、図５では、処理対象となる中間品をウェハ６０として表現している。
【０１１８】
半導体層形成部５１は、成長基板２５上に半導体層５を形成するための装置である。なお、本実施形態の製造システム５０は、半導体層形成部５１と、識別体付与部５３との間に、上述したステップＳ３〜Ｓ９を実行するための手段を備えるものとして構わない。
【０１１９】
識別体付与部５３は、半導体層５の上面に識別体２を付与するための装置である。具体的には、識別体付与部５３は、上述したステップＳ１１〜Ｓ１３に対応する処理を行う。ステップＳ１０に係る処理、すなわち識別体２が付されたシート部材３０を準備する工程は、識別体付与部５３で行っても構わないし、本システム５０以外の装置で行っても構わない。
【０１２０】
識別体付与部５３による処理が完了した後のウェハ６０には、識別体２が付与されることになる。
【０１２１】
光源部５４は、識別体付与部５３における処理が完了したウェハ６０に対して励起光７１を照射する。撮像部５５は、励起光７１が照射されたウェハ６０を撮像する。励起光７１が照射されている状態において、ウェハ６０からは、励起光７１の反射光７２、半導体層５から放射されるフォトルミネセンス７３、及び識別体２から放射される蛍光７４が発せられる。撮像部５５は、蛍光７４の主たる発光波長の光を透過し、反射光７２の主たる発光波長の光、及びフォトルミネセンス７３の主たる発光波長の光を遮断するフィルタ５６を備える。これにより、撮像部５５では、蛍光７４を選択的に受光することができ、識別体２の存在領域及びその形状を確認することができる。
【０１２２】
記憶部５９は、例えばＲＡＭ等のメモリで構成され、予めウェハ６０に関する識別情報（ロット番号等）と識別体２に関する情報とが関連付けられた情報（管理情報）を記憶する。照合部５７は、例えばＣＰＵ等のプロセッサで構成され、撮像部５５から送られてきた撮像データと、記憶部５９から読み出した管理情報に基づいて照合を行う。具体的には、照合部５７は、撮像データから認識された識別体２が、管理情報に含まれたものであるかどうか、及び対象となるウェハ６０が後の工程に進行させるべきロット番号が付されたものかどうかを判断する。そして、照合部５７は、上記判断の結果、問題がなければ、ウェハ６０を後の工程に進行させる指示を行い、問題があれば工程を中断させる指示を行う。
【０１２３】
このシステムによれば、中間品（ウェハ６０）の搬送時に取り違えが生じたり、不良品が混在した場合であっても、工程の途中の段階で前記の事態を検出することが可能となる。
【０１２４】
識別体付与部５３における処理（ステップＳ１１〜Ｓ１３に対応）が完了した後、ウェハ６０に対して励起光７１を照射させた状態で、撮像部５５がウェハ６０を撮像し、当該撮像データとウェハ６０に関する識別情報を関連付けた管理情報を作成し、この管理情報を記憶部５９に記憶させるものとしても構わない。そして、その後の工程の実行前において、再び、ウェハ６０に対して励起光７１を照射させた状態で撮像部５５がウェハ６０を撮像し、照合部５７が、撮像データと記憶部５９から読み出された管理情報との照合を行うものとしても構わない。
【０１２５】
照合部５７は、必要に応じて撮像データに対してコントラストや明るさの調整等の画像処理を行った後、識別体２の形状等を読み出して管理情報に記載されている識別体に関する情報と照らし合わせるものとしても構わない。より具体的な一例としては、照合部５７は、撮像されたデータの明るさや色を座標毎に数値化し、当該数値を管理情報に記載されている識別体に関する情報と照合する。そして、照合部５７は、照合対象となっているウェハ６０が、所定の閾値（例えば９０％）以上の点で一致している識別体２を有していれば、当該識別体２に関連付けられたロット番号が付されたものであると判断する。
【０１２６】
図６は、19BaF2-33.25CaF2-42.75AlF3-5YF3-0.1CeF3（ただし、各組成式の前の数字は各物質のmol％を示している。）で構成される材料を識別体２として用いる場合を想定したときの、検証用試料の実験データである。この検証用試料は、以下の方法で作製された。
【０１２７】
窒素雰囲気で原料試薬を混合し、グラッシーカーボンるつぼを用いて、乾燥窒素雰囲気において９００℃で３０分間溶融を行った。その後、０℃に冷却した黒鉛板上に融体が入ったるつぼを置くことにより、融体を急冷してガラス化させた。その後、４４０度で３０分間保持した後、１℃/分の冷却速度で室温まで徐冷することで、歪み除去のアニールを行った。そして、得られたバルクガラスを板状に加工し、厚さ１．００±０．０１ｍｍ程度にまで両面を研磨して検証用試料を作製した。
【０１２８】
この検証用試料に対して、波長２６６ｎｍの励起光を照射して得られた蛍光のスペクトルを、図６の符号７５に示す。この蛍光スペクトルは、蛍光分光光度計（日立製作所製F-4500）によって得られたものである。また、この検証用試料に対して、自記分光光度計（日立製作所製U-3500）を用いて測定された透過率スペクトルを、図６の符号７６に示す。また、発光素子１の例として、３６７ｎｍにピーク波長を有する発光スペクトルを符号７７として併記している。符号７７で表される発光スペクトルは、半導体層５のフォトルミネセンスのスペクトルにほぼ対応する。
【０１２９】
図６によれば、識別体２を構成する材料は、３６７ｎｍにピークを有する発光素子１の発光領域で光吸収をほとんど起こさないことが分かる。また、識別体２に対して波長２６６ｎｍの励起光を照射したときのピーク波長は３０４ｎｍであり、半導体層５のフォトルミネセンスの波長帯とほとんど重ならない。よって、識別体２を構成する材料による吸光率の高い波長帯（例えば波長２５０ｎｍ近傍）の光を、例えば、低圧水銀ランプやＹＡＧレーザの４倍高調波等を用いて光源部５４から照射し、撮像部５５で識別体２から放射される蛍光の発光領域を特定することで、識別パターンを確認できる。
【０１３０】
更に、撮像部５５の前段に、半導体層５からのフォトルミネセンスの主たる波長帯の光を遮断し、識別体２からの蛍光の主たる波長帯の光を透過するフィルタ５６を設けておくことで、撮像部５５において識別体２からの蛍光発光領域を高精度に撮像することができる。ただし、半導体層５からのフォトルミネッセンス７３や、励起光の反射光７２の強度が、蛍光７４の強度に比べて十分に低い場合には、必ずしもフィルタ５６を備えなくても構わない。
【０１３１】
＜第二実施形態＞
本発明の第二実施形態につき、第一実施形態と異なる箇所のみを説明する。本実施形態は、製造方法に関し、第一実施形態とステップＳ１０以後が異なる。なお、半導体発光素子の構造については第一実施形態と共通するため、説明を割愛する。
【０１３２】
［製造方法］
（ステップＳ１〜Ｓ９）
第一実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ９を実行する。
【０１３３】
（ステップＳ２１）
図７に示すように、シート部材３０を準備する。このシート部材３０は、基材層３１を有して構成されているが、第一実施形態とは異なり粘着層３２を有していない。そして、基材層３１の一部の領域には基材層３１とは別の材料からなる識別体２が付着されている。識別体２は、例えば上記ガラス材料が、樹脂に混練されることで構成されており、完全には硬化していないものの、一定の粘着力を有している。このため、基材層３１の上面に安定して付着されている。
【０１３４】
ステップＳ２１が工程（ｃ５）に対応する。
【０１３５】
（ステップＳ２２）
図７に示すように、ステップＳ２１で準備されたシート部材３０を、半導体層５の面上に貼り合わせる。なお、図７は両者が貼り合わられる直前の状態を図示したものである。このとき、好ましくは、半導体層５を含むウェハを、半導体層５の面をシート部材３０の側に向けて、シート部材３０に向けて押圧して貼り合わせる。なお、貼り合わせの際の位置合わせ方法については、第一実施形態と同様の方法を採用することができる。
【０１３６】
このステップＳ２２が工程（ｃ６）に対応する。
【０１３７】
（ステップＳ２３）
シート部材３０を半導体層５から剥離する。そもそもシート部材３０には粘着性が存在しないため、半導体層５から容易に剥離される。一方、ステップＳ２２においてシート部材３０とウェハとの間で押圧がされているため、識別体２が半導体層５側に押し付けられる。この結果、識別体２が有する粘着力が半導体層５側に働き、シート部材３０を剥離した後においても、識別体２が半導体層５側に残存したままとなる。この後、必要に応じて、識別体２を固定化（硬化）させるための加熱処理を行う。これにより、図２に示すように、半導体層５の所定の領域に識別体２を付与した状態の半導体発光素子１が実現される。
【０１３８】
このステップＳ２３が工程（ｃ７）に対応する。
【０１３９】
［製造システム］
本実施形態の製造システムは、図５に示した製造システム５０と同様の構成で実現できる。ただし、第一実施形態と比較して、識別体付与部５３の構成が異なる。本実施形態においては、識別体付与部５３は、上述したステップＳ２２〜Ｓ２３に対応する処理を行う。なお、ステップＳ２１に係る処理、すなわち識別体２が付されたシート部材３０を準備する工程は、識別体付与部５３で行っても構わないし、本システム５０以外の装置で行っても構わない。
【０１４０】
＜第三実施形態＞
本発明の第三実施形態につき、第一実施形態と異なる箇所のみを説明する。本実施形態は、製造方法に関し、第一実施形態とステップＳ１０以後が異なる。なお、半導体発光素子の構造については第一実施形態と共通するため、説明を割愛する。
【０１４１】
［製造方法］
（ステップＳ１〜Ｓ９）
第一実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ９を実行する。
【０１４２】
（ステップＳ３１）
図８Ａに示すように、マスク部材３５を準備する。このマスク部材３５は、半導体層５の面上に形成される識別体２のパターン形状に応じたパターンで形成された、貫通孔３６を有している。
【０１４３】
ステップＳ３１が工程（ｃ８）に対応する。
【０１４４】
（ステップＳ３２）
図８Ａに示すように、マスク部材３５を半導体層５の上面に載置する。図８Ｂは、このステップＳ３２を模式的に示す平面図である。図８Ｂ（ａ）は、ステップＳ３２においてマスク部材３５が載置される前の状態のウェハの平面図である。図８Ｂ（ｂ）は、ステップＳ３２においてウェハの上面に載置される前の状態のマスク部材３５の平面図である。
【０１４５】
例えば、マスク部材３５には、図８Ｂ（ｂ）に示すように、予め第一電極１５のパターン形状に応じたライン３４が図示されている。そして、上述したように、識別体２の形状に応じたパターンを有する貫通孔３６が、マスク部材３５に設けられている。図８Ｂ（ｂ）に示されるマスク部材３５を、図８Ｂ（ａ）に示されるウェハの上面に載置する場合、マスク部材３５に付されたライン３４と、実際の第一電極１５のパターンとを利用して位置合わせすることができる。ただし、マスク部材３５に付されたライン３４は、必ずしも第一電極１５のパターン形状を完全に模擬する必要はない。この点は、第一実施形態において、シート部材３０に付されたライン３４と同様である。
【０１４６】
ステップＳ３２が工程（ｃ９）に対応する。
【０１４７】
（ステップＳ３３）
図８Ｃに示すように、マスク部材３５の上方から、識別体２の材料を構成する流動性材料３７を、例えばスクリーン印刷の技術を利用して塗布する。この流動性材料３７は、貫通孔３６（図８Ａ参照）が形成されている箇所においては、半導体層５の面上に流れ込み、付着する。流動性材料３７は、例えば蛍光体を含むガラス材料を、硬化前のシリコーン樹脂に混練させたものを採用することができる。また、流動性材料３７として、蛍光体を含むガラス材料を微細粉末状にした上で、水やアルコールといった溶液に混在させたものを採用することもできる。
【０１４８】
ステップＳ３３が工程（ｃ１０）に対応する。
【０１４９】
（ステップＳ３４）
マスク部材３５を半導体層５から剥離する。このとき、半導体層５の面上の所定の領域には、流動性材料３７が残存している。この後、必要に応じて、流動性材料３７を固定化（硬化）させるための加熱処理を行うことで、識別体２が形成される。これにより、図２に示すように、半導体層５の所定の領域に識別体２を付与した状態の半導体発光素子１が実現される。
【０１５０】
このステップＳ３４が工程（ｃ１１）に対応する。なお、加熱を行う際には、短時間で加熱処理を行うのが好ましい。このように加熱時間を短時間とすることで、半導体層５への影響を最小限に抑制することができる。
【０１５１】
［製造システム］
本実施形態の製造システムは、図５に示した製造システム５０と同様の構成で実現できる。ただし、第一実施形態と比較して、識別体付与部５３の構成が異なる。本実施形態においては、識別体付与部５３は、上述したステップＳ３２〜Ｓ３４に対応する処理を行う。すなわち、識別体付与部５３は、ステップＳ３２に対応した処理を行う第一処理部と、ステップＳ３３に対応した処理を行う第二処理部と、ステップＳ３４に対応した処理を行う第三処理部を備える。なお、ステップＳ３１に係る処理、すなわち識別体２に応じた形状を有するマスク部材３５を準備する工程は、識別体付与部５３で行っても構わないし、本システム５０以外の装置で行っても構わない。
【０１５２】
＜第四実施形態＞
本発明の第四実施形態につき、第一実施形態と異なる箇所のみを説明する。本実施形態は、製造方法に関し、第一実施形態とステップＳ１０以後が異なる。なお、半導体発光素子の構造については第一実施形態と共通するため、説明を割愛する。
【０１５３】
［製造方法］
（ステップＳ１〜Ｓ９）
第一実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ９を実行する。
【０１５４】
（ステップＳ４１）
図９に示すように、粘着部材４２を準備する。粘着部材４２としては、上述したようなシリコーン樹脂等の樹脂材料を利用することができる。このステップＳ４１が工程（ｃ１２）に対応する。
【０１５５】
（ステップＳ４２）
図９に示すように、識別体２を構成するガラス材料を、粘着部材４２の一部分に固着させる。粘着部材４２は粘着力を有するため、識別体２を容易に固定できる。このステップＳ４２が工程（ｃ１３）に対応する。
【０１５６】
（ステップＳ４３）
図９に示すように、保持部材４３を介して、粘着部材４２によって固着された識別体２を保持する。保持部材４３は、識別体２を、粘着部材４２とは反対側の面から真空吸引することのできる機構で構成されていても構わないし、ピンセット等の物理的な保持が可能な機構で構成されていても構わない。
【０１５７】
（ステップＳ４４）
図９に示すように、この保持部材４３を介して、識別体２が接触されていない粘着部材４２の面を半導体層５の所定の面上に押圧すると共に、保持部材４３による識別体２を引く力を低下させる。これにより、識別体２が固着された粘着部材４２が半導体層５の面上に定着する。この後、必要に応じて、識別体２を固定化させるための加熱処理が行割れる。これにより、図２に示すように、半導体層５の所定の領域に識別体２を付与した状態の半導体発光素子１が実現される。このステップＳ４４が工程（ｃ１４）及び（ｃ１５）に対応する。
【０１５８】
［製造システム］
本実施形態の製造システムは、図５に示した製造システム５０と同様の構成で実現できる。ただし、第一実施形態と比較して、識別体付与部５３の構成が異なる。本実施形態においては、識別体付与部５３は、上述したステップＳ４１〜Ｓ４４に対応する処理を行う。
【０１５９】
＜別実施形態＞
以下、別実施形態について説明する。
【０１６０】
〈１〉  上述した各実施形態では、識別体２が、半導体層５のうちの光取り出し面を構成する側の面上に形成されるものとした。しかし、識別体２は、半導体層５内の他の箇所に形成されるものとしても構わない。この場合、各実施形態で上述した識別体２を付与するための工程を適宜前倒しして行うことで実現が可能である。
【０１６１】
更に、識別体２は、成長基板２５の裏面や、基板３の裏面に形成されるものとしても構わない。成長基板２５の裏面に識別体２を形成する場合には、ステップＳ２以後で、Ｓ７より前に、上記各実施形態で説明した識別体２の付与工程が行われるものとして構わない。これにより、成長基板２５の上層に半導体層が形成されてなるウェハの管理が可能となる。また、基板３の裏面に識別体２を形成する場合には、ステップＳ７以後に、上記各実施形態で説明した識別体２の付与工程が行われるものとして構わない。これにより、実装前の発光素子の管理が可能となる。
【０１６２】
〈２〉  上述した各実施形態による方法の他、以下の方法によって識別体２を付与するものとしても構わない。
【０１６３】
ステップＳ９の実行後、図１０Ａに示すように、半導体層５の上面に、例えばスピンコータ等を用いてフォトレジスト８１を形成する。このフォトレジスト８１は、所定波長の励起光が照射されると蛍光を放射する蛍光体を含んで構成される。その後、必要に応じて、例えば８０℃〜１００℃程度の温度で加熱する。この加熱工程は、プリベーク又はソフトベークと呼ばれる工程である。これにより、フォトレジスト８１に含まれている有機溶剤が蒸発し、半導体層５との間の密着性が高められる。
【０１６４】
次に、図１０Ｂに示すように、フォトレジスト８１の上面にマスク部材８２を形成する。このマスク部材８２は、識別体２の形状に応じた形状を有している。より具体的には、マスク部材８２には、識別体２の形状に応じて、光を透過しない材料（金属など）が形成されている。図１０Ｂでは、光を透過しない領域（光不透過領域）を符号８３で表している。なお、マスク部材８２は、次の工程で光を照射する光源部と、フォトレジスト８１の間であれば、どの位置に配置されても構わない。
【０１６５】
図１０Ｃは、図１０Ｂに示す工程を模式的に示す平面図である。図１０Ｃ（ａ）は、マスク部材８２が載置される前の状態のウェハの平面図である。図１０Ｃ（ｂ）は、ウェハの上方に載置される前の状態のマスク部材８２の平面図である。
【０１６６】
例えば、マスク部材８２には、図１０Ｃ（ｂ）に示すように、位置合わせ用マーク８６が図示されている。そして、上述したように、識別体２の形状に応じたパターンを有する光不透過領域８３が、マスク部材８２に設けられている。図１０Ｃ（ｂ）に示されるマスク部材８２を、図１０Ｃ（ａ）に示されるウェハの上方に載置する場合、マスク部材８２に付された位置合わせ用マーク８６と、実際の第一電極１５の交差部８７とを利用して位置合わせすることができる。ただし、マスク部材８２に付された位置合わせ用マーク８６は、必ずしも第一電極１５の交差部の形状を完全に模擬する必要はない。例えば、マスク部材８２には、第一実施形態と同様に、第一電極１５自体の形状を模したマークが施されていても構わない。
【０１６７】
次に、図１０Ｄに示すように、マスク部材８２を介してフォトレジスト８１に対して光を照射する。ここでは、フォトレジスト８１を感光させることのできる波長（例えば１９３ｎｍ）の光を照射する。フォトレジスト８１のうち、光が当たった箇所は変質する。また、マスク部材８２が備える光不透過領域８３の下方に位置するフォトレジスト８１の領域には光が届かないため、変質しない。図１０Ｄでは、模式的に、フォトレジスト８１が変質した領域を黒塗りで表示し、フォトレジスト８１が変質しなかった領域を白塗りで表示している。
【０１６８】
ここで、フォトレジスト８１のうち、光不透過領域８３の下方以外の領域に対しては、確実に変質を進行させるべく、必要に応じて光照射後に加熱を行っても構わない。
【０１６９】
次に、マスク部材８２を取り外した後、所定の現像液をフォトレジスト８１に接触させる。これにより、フォトレジスト８１のうち、前段のステップで変質された領域については溶解される。一方、フォトレジスト８１のうち、前段のステップで変質されなかった領域については、残存する。
【０１７０】
その後、必要に応じて純水で洗浄する。この結果、変質されなかったフォトレジスト８１のみが半導体層５の上面に残存する（図１０Ｅ）。このフォトレジスト８１によって識別体２が形成される。なお、残存したフォトレジスト８１と半導体層５との密着性を向上させるべく、例えば１００℃〜２００℃程度の温度で加熱しても構わない。この加熱工程は、ポストベーク又はハードベークと呼ばれる工程である。
【０１７１】
また、図１０Ｅでは、識別体２が第一電極１５よりも厚膜で形成されているかのように図示されているが、識別体２の厚みについては適宜変更が可能である。上述した他の実施形態においても同様である。
【０１７２】
〈３〉  上述した各実施形態において、半導体発光素子１は図１〜図２に示すような構造であるものとして説明した。しかし、半導体発光素子１の構造は、上記に限られない。図１１Ａ及び図１１Ｂは、半導体発光素子１の別の構造を模式的に示す図面である。図１１Ａは平面図に対応し、図１１Ｂは断面図に対応する。この構造においては、識別体２は、ｐ型半導体層１１の上面の所定の領域に形成されている。
【０１７３】
この構造を製造するに際しては、ステップＳ１〜Ｓ３を実行後に以下のステップを行う。
【０１７４】
（ステップＳ５１）
一部の領域に形成されたｐ型半導体層１１及び活性層９を、ｎ型半導体層７の上面が露出するまでエッチングする。
【０１７５】
（ステップＳ５２）
ｐ型半導体層１１の所定の領域の上面に第二電極１３を形成し、露出されたｎ型半導体層７の所定の領域の上面に第一電極１５を形成する。なお、この構造においては、第二電極１３は第一電極１５と同じ材料で構成しても構わない。
【０１７６】
第一実施形態と同様の方法で識別体２を付与する場合には、ステップＳ５２の後、ステップＳ１０〜Ｓ１３を実行する。第二実施形態と同様の方法で識別体２を付与する場合には、ステップＳ５２の後、ステップＳ２１〜Ｓ２３を実行する。第三実施形態と同様の方法で識別体２を付与する場合には、ステップＳ５２の後、ステップＳ３１〜Ｓ３４を実行する。第四実施形態と同様の方法で識別体２を付与する場合には、ステップＳ５２の後、ステップＳ４１〜Ｓ４４を実行する。
【０１７７】
〈４〉  上述した各実施形態において、識別体２を、蛍光体を含むガラス材料で構成されるものとして説明したが、蛍光体を含む材料であればよく、必ずしもガラス材料でなくても構わない。
【０１７８】
〈５〉  上述した各実施形態において、ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層７との導電型を反転させても構わない。
【０１７９】
また、上述した各実施形態では、窒化物半導体層で構成された半導体発光素子１を製造する場合について説明したが、本発明の方法は、ＧａＡｓ系やＧａＰ系等、窒化物半導体以外の半導体で構成された発光素子を製造する場合にも適用可能である。
【符号の説明】
【０１８０】
１      ：    半導体発光素子
２      ：    識別体
３      ：    基板
５      ：    半導体層
７      ：    ｎ型半導体層
９      ：    活性層
１１      ：    ｐ型半導体層
１３      ：    第二電極
１５      ：    第一電極
１７      ：    保護層
１９      ：    接合層
２０      ：    導電層
２１      ：    接合層
２３      ：    保護層
２４      ：    絶縁層
２５      ：    成長基板
２７      ：    下地層
３０      ：    シート部材
３１      ：    基材層
３２      ：    粘着層
３４      ：    ライン
３５      ：    マスク部材
３６      ：    貫通孔
３７      ：    流動性材料
４２      ：    粘着部材
４３      ：    保持部材
５０      ：    製造システム
５１      ：    半導体層形成部
５３      ：    識別体付与部
５４      ：    光源部
５５      ：    撮像部
５６      ：    フィルタ
５７      ：    照合部
５９      ：    記憶部
６０      ：    ウェハ
７１      ：    光源部から照射された励起光
７２      ：    励起光の反射光
７３      ：    フォトルミネセンス
７４      ：    蛍光
８１      ：    フォトレジスト
８２      ：    マスク部材
８３      ：    光不透過領域
８６      ：    位置合わせ用マーク
８７      ：    第一電極の交差部
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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【図３Ｋ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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