(57)【要約】【課題】マーキングの視認性を向上させたマーキング構造を提供する。【解決手段】マーキング構造を有する半導体装置であって、マーキング構造は、表面を有する被マーキング体と、表面に形成された第１の凹部を有する第１マーク群と、表面において第１の凹部と隣り合って形成された第２の凹部を有する第２マーク群とを備えている。第１の凹部と第２の凹部とは、互いに光の反射が異なるように異なる形状を有している。これにより、マーキング構造の視認性を向上させることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マーキング構造を有する半導体装置であって、
前記マーキング構造は、
表面を有する被マーキング体と、
前記表面に形成された第１の凹部を有する第１マーク群と、
前記表面において前記第１の凹部と隣り合って形成された第２の凹部を有する第２マーク群とを備え、
前記第１の凹部と前記第２の凹部とは、互いに光の反射が異なるように異なる形状を有している、半導体装置。
【請求項２】
前記第１の凹部と前記第２の凹部とは、互いに深さにおいて異なっている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の凹部の底部における表面粗さは、前記第２の凹部の底部における表面粗さと異なっている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の凹部は、入射光を前記第２の凹部とは異なる方向に反射させる構造を有している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の凹部と前記第２の凹部とは、前記表面に対する深さ方向の傾斜角度において異なっている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の凹部の底部の前記表面に対する傾斜角度は、前記第２の凹部の底部の前記表面に対する傾斜角度は異なっている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１マーク群は第１の文字情報を構成し、
前記第２マーク群は前記第１の文字情報と異なる第２の文字情報を構成している、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記被マーキング体は半導体ウエハである、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記被マーキング体は半導体基板である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記被マーキング体は、内部に半導体素子が配置された封止部材である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
マーキング構造を有する半導体装置の製造方法であって、
被マーキング体の表面に第１の凹部を形成する工程と、
前記表面において前記第１の凹部に隣り合って第２の凹部を形成する工程とを備え、
前記第１の凹部と前記第２の凹部とは、互いに光の反射が異なるように異なる形状を有している、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の凹部及び前記第２の凹部は、前記被マーキング体の前記表面にレーザを照射することにより形成される、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の凹部は、レーザを第１の強度で照射することにより形成され、
前記第２の凹部は、レーザを前記第１の強度と異なる第２の強度で照射することにより形成される、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の凹部は、レーザを前記表面に対して第１の角度で照射することにより形成され、
前記第２の凹部は、レーザを前記表面に対して前記第１の角度と異なる第２の角度で照射することにより形成される、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記被マーキング体は半導体ウエハである、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記被マーキング体は半導体基板である、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記被マーキング体は、内部に半導体素子が配置された封止部材である、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２０１４−１５４６６１号公報（特許文献１）には、半導体ウエハ等の表面に複数のドットが形成されたマーキング構造が開示されている。特許文献１記載のマーキング構造は、各々のドットの深さを最適化することにより、マーキング構造の視認性の改善を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１５４６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１記載のマーキング構造においては、各々のドットの形状が均一である。そのため、ドットの深さが浅すぎた場合には、マーキングがかすれてしまう。また、ドットの深さが深すぎた場合には、半導体ウエハ等の被マーキング体が飛散し、パーティクルが発生する。
【０００５】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態に係る半導体装置は、マーキング構造を有している。マーキング構造は、表面を有する被マーキング体と、表面に形成された第１の凹部を含む第１マーク群と、表面において第１の凹部に隣り合って形成された第２の凹部を含む第２マーク群とを備える。第１の凹部と第２の凹部とは、互いに光の反射が異なるように異なる形状を有している。
【発明の効果】
【０００７】
一実施形態に係る半導体装置によると、マーキング構造の視認性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係るマーキング構造の上面図である。
【図２】第１の実施形態に係るマーキング構造の断面図である。
【図３】第１の実施形態に係るマーキング方法における工程図である。
【図４】第１凹部形成工程におけるマーキング構造の断面図である。
【図５】第２凹部形成工程におけるマーキング構造の断面図である。
【図６】比較例に係るマーキング構造の断面図である。
【図７】第１の実施形態に係るマーキング構造及び比較例に係るマーキング構造に光が照射された場合の反射の状況を示す模式図である。
【図８】第２の実施形態に係るマーキング構造の断面図である。
【図９】第２の実施形態に係るマーキング方法における工程図である。
【図１０】凹部形成工程におけるマーキング構造の断面図である。
【図１１】粗面化工程におけるマーキング構造の断面図である。
【図１２】第２の実施形態に係るマーキング構造に光が照射された場合の反射の状況を示す模式図である。
【図１３】第３の実施形態に係るマーキング構造の断面図である。
【図１４】第３の実施形態に係るマーキング構造の上面図である。
【図１５】第１凹部形成工程におけるマーキング構造の断面図である。
【図１６】第２凹部形成工程におけるマーキング構造の断面図である。
【図１７】第３の実施形態に係るマーキング構造に光が照射された場合の反射の状況を示す模式図である。
【図１８】第４の実施形態に係るマーキング構造の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、実施形態について図を参照して説明する。なお、各図中同一又は相当部分には同一符号を付している。また、以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。
【００１０】
（第１の実施形態）
以下に、第１の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、半導体装置には、トランジスタ等の半導体素子が形成されるウエハも含まれるものとする。
【００１１】
図１（Ａ）に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置は、マーキング構造ＭＡを有している。マーキング構造ＭＡは、被マーキング体ＭＢを有している。被マーキング体ＭＢは、第１の実施形態に係る半導体装置においては、半導体ウエハＷである。半導体ウエハＷは、表面Ｓを有している。
【００１２】
図１（Ｂ）に示すように、マーキング構造ＭＡは、第１の凹部ＣＰ１を含む第１マーク群と、第２の凹部ＣＰ２を含む第２マーク群とを有している。第１の凹部ＣＰ１は、半導体ウエハＷの表面Ｓ上に形成されている。第２の凹部ＣＰ２は、半導体ウエハＷの表面Ｓ上に形成されている。第１の凹部ＣＰ１と、第２の凹部ＣＰ２とは、隣り合って形成されている。なお、第１の凹部ＣＰ１と、第２の凹部ＣＰ２とは、少なくとも一方向において隣り合っていればよい。
【００１３】
第１の凹部ＣＰ１及び第２の凹部ＣＰ２は、アルファベット、数字等の文字を描くように配列されている。例えば、図１（Ｂ）においては、第１の凹部ＣＰ１及び第２の凹部ＣＰ２により、数字の５が描かれている。これにより、第１の凹部ＣＰ１及び第２の凹部ＣＰ２は、情報を表示している。この情報は、例えば半導体ウエハＷのロット番号、半導体ウエハＷのウエハ番号等である。
【００１４】
図２に示すように、第１の凹部ＣＰ１と第２の凹部ＣＰ２とは、互いに光の反射が異なるように、形状が異なっている。より具体的には、第１の凹部ＣＰ１は、第１の深さＤ１を有している。第１の深さＤ１は、半導体ウエハＷの表面Ｓから第１の凹部ＣＰ１の底部までの距離である。第２の凹部ＣＰ２は、第２の深さＤ２を有している。第２の深さＤ２は、半導体ウエハＷの表面Ｓから第２の凹部ＣＰ２の底部までの距離である。第１の深さＤ１は、第２の深さＤ２と異なっている。例えば、第１の深さＤ１は第２の深さＤ２よりも深い。これにより、第１の凹部ＣＰ１と第２の凹部ＣＰ２とは、形状が異なっている。
【００１５】
以下に、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図３に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、凹部形成工程Ｓ１を有している。凹部形成工程Ｓ１は、第１凹部形成工程Ｓ１１と第２凹部形成工程Ｓ１２とを有している。第１凹部形成工程Ｓ１１においては、第１の凹部ＣＰ１が形成される。第２凹部形成工程Ｓ１２においては、第２の凹部ＣＰ２が形成される。
【００１６】
図４に示すように、第１凹部形成工程Ｓ１１においては、半導体ウエハＷの表面ＳにレーザＬが照射される。これにより、第１の凹部ＣＰ１が形成される。レーザＬは、例えばＹＡＧ（Yttrium  Aluminum  Garnet）レーザである。第１凹部形成工程Ｓ１１においては、レーザＬは、第１の強度ＰＷ１で半導体ウエハＷの表面Ｓに照射される。第１凹部形成工程Ｓ１１においては、レーザＬを走査することにより、複数の第１の凹部ＣＰ１が形成される。
【００１７】
図５に示すように、第２凹部形成工程Ｓ１２においては、半導体ウエハＷの表面Ｓに、レーザＬが照射される。これにより、第２の凹部ＣＰ２が形成される。第２凹部形成工程Ｓ１２においては、レーザＬは、第２の強度ＰＷ２で半導体ウエハＷの表面Ｓにおいて、第１の凹部ＣＰ１が形成された位置に隣り合って照射される。これにより、第２の凹部ＣＰ２が、第１の凹部ＣＰ１に隣り合って形成される。第２凹部形成工程Ｓ１２においては、レーザＬを走査することにより、複数の第２の凹部ＣＰ２が形成される。
【００１８】
第２の強度ＰＷ２は第１の強度ＰＷ１と異なっている。例えば、第２の強度ＰＷ２は、第１の強度ＰＷ１よりも小さい。そのため、第２の凹部ＣＰ２の第２の深さＤ２は、第１の凹部の第１の深さＤ１よりも浅くなる。このように、レーザＬの強度を変化させることにより、第１の凹部ＣＰ１の第１の深さＤ１と異ならせることができる。
【００１９】
以下に、第１の実施形態に係る半導体装置の効果について、比較例と対比することにより説明する。
【００２０】
図６に示すように、比較例に係るマーキング構造は、半導体ウエハＷと、第１の凹部ＣＰ１と、第２の凹部ＣＰ２とを有している。半導体ウエハＷは、表面Ｓを有している。第１の凹部ＣＰ１及び第２の凹部ＣＰ２は、半導体ウエハＷの表面Ｓに形成されている。第１の凹部ＣＰ１と第２の凹部ＣＰ２は、互いに隣り合って配置されている。これらの点において、第１の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造と、比較例に係るマーキング構造は同様である。
【００２１】
しかしながら、第１の凹部ＣＰ１及び第２の凹部ＣＰ２は、形状が同一である。より具体的には、第１の凹部ＣＰ１及び第２の凹部ＣＰ２は、共に同一の深さＤを有している。この点において、第１の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造と、比較例に係るマーキング構造は異なっている。
【００２２】
図７（Ａ）に示すように、比較例に係るマーキング構造においては、入射光ＩＬ１、入射光ＩＬ２が、第１の凹部ＣＰ１及び第２の凹部ＣＰ２において反射される。上記のとおり、第１の凹部ＣＰ１及び第２の凹部ＣＰ２は同一の形状を有している（同一の深さを有している）ため、第１の凹部ＣＰ１からの反射光ＲＬ１と第２の凹部ＣＰ２からの反射光ＲＬ２との間に強度に変化が生じない。すなわち、第１の凹部ＣＰ１からの反射光ＲＬ１と第２の凹部ＣＰ２からの反射光ＲＬ２との間にコントラストが生じがたい。その結果、比較例に係るマーキング構造においては、マーキングの視認性が低い。
【００２３】
図７（Ｂ）に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡにおいても、入射光ＩＬ１、入射光ＩＬ２は、第１の凹部ＣＰ１及び第２の凹部ＣＰ２において反射される。上記のとおり、第１の凹部ＣＰ１及び第２の凹部ＣＰ２は、異なる形状を有している（異なる深さを有している）ため、例えば第２の凹部ＣＰ２からの反射光ＲＬ２が第２の凹部ＣＰ２の側部等で遮られる等により、反射光ＲＬ１の強度と反射光ＲＬ２の強度とが異なることになる。すなわち、第１の凹部ＣＰ１からの反射光ＲＬ１と第２の凹部ＣＰ２からの反射光ＲＬ２との間にコントラストが生じる。
【００２４】
そのため、第１の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造によると、マーキングの視認性を向上させることが可能となる。
【００２５】
以下に、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の効果について説明する。
第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法によると、第１の凹部ＣＰ１及び第２の凹部ＣＰ２を深く形成しなくてもマーキングの視認性を確保することができる。
【００２６】
そのため、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、第１の凹部ＣＰ１及び第２のＣＰ２がレーザＬを用いて形成される場合、マーキングの過程におけるパーティクルの発生を抑制することが可能となる。
【００２７】
また、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、第１の凹部ＣＰ１を第１の強度ＰＷ１のレーザＬを照射することにより形成し、第２の凹部ＣＰ２を第１の強度ＰＷ１と異なる第２の強度ＰＷ２のレーザＬを照射することにより形成する場合、簡易に視認性が向上したマーキング構造を得ることが可能となる。
【００２８】
（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、以下においては、第１の実施形態と異なる点について主に説明する。
【００２９】
図８に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡは、第１の実施形態に係るマーキング構造ＭＡと同様に、被マーキング体ＭＢとしての半導体ウエハＷと、第１の凹部ＣＰ１を含む第１マーク群と、第２の凹部ＣＰ２を含む第２マーク群とを有している。第２の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡは、第１の実施形態に係るマーキング構造と同様に、第１の凹部ＣＰ１の形状と、第２の凹部ＣＰ２の形状とが異なっている。
【００３０】
第２の実施形態において、第１の凹部ＣＰ１の底部は、第１の表面粗さＳＲ１を有している。第１の表面粗さＳＲ１は、第１の凹部ＣＰ１の底部における平均表面粗さである。第２の凹部ＣＰ２の底部は、第２の表面粗さＳＲ２を有している。第２の表面粗さＳＲ２は、第２の凹部ＣＰ２の底部における平均表面粗さである。なお、平均表面粗さは、接触式粗さ測定又は非接触式粗さ測定に規定される方法にしたがって測定される。第１の表面粗さＳＲ１は、第２の表面粗さＳＲ２よりも大きい。すなわち、第１の凹部ＣＰ１は、第２の凹部ＣＰ２よりも入射光をより散乱させる構造を有している。
【００３１】
以下に、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図９に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、凹部形成工程Ｓ１と、粗面化工程Ｓ２とを有する。凹部形成工程Ｓ１は、第１凹部形成工程Ｓ１１と、第２凹部形成工程Ｓ１２とを有している。
【００３２】
図１０に示すように、第１凹部形成工程Ｓ１１においては、第１の凹部ＣＰ１が、例えばレーザＬを用いて形成される。第２凹部形成工程Ｓ１２においては、第２の凹部ＣＰ２が例えばレーザＬを用いて形成される。なお、レーザＬの第１の強度ＰＷ１は、レーザＬの第２の強度ＰＷ２と同一でもよく、異なっていてもよい。
【００３３】
粗面化工程Ｓ２は、マスク形成工程Ｓ２１とエッチング工程Ｓ２２とを有する。マスク形成工程Ｓ２１においては、図１１（Ａ）に示すように、半導体ウエハＷの表面Ｓ及び第２の凹部ＣＰ２の底部に、マスクＭが形成される。換言すれば、第１の凹部ＣＰ１の底部上には、マスクＭが形成されない。
【００３４】
マスクＭは、例えばフォトレジスト等の感光性有機材料である。マスクＭは、フォトレジスト等を、半導体ウエハＷの表面Ｓ上に塗布した後に、フォトリソグラフィ等によりパターンニングすることにより形成される。
【００３５】
エッチング工程Ｓ２２においては、図１１（Ｂ）に示すように、第１の凹部ＣＰ１の底部に対するエッチングが行われる。上記のとおり、第２の凹部ＣＰ２の底部上にはマスクＭが形成されているため、第２の凹部ＣＰ２の底部に対してはエッチングが行われない。そのため、エッチング工程Ｓ２２の結果、第１の表面粗さＳＲ１は、第２の表面粗さＳＲ２よりも大きくなる。なお、このエッチングは、ウエットエッチング又はドライエッチングにより行われる。
【００３６】
以下に、第２の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造の効果について説明する。
第１の表面粗さＳＲ１は、第２の表面粗さＳＲ２よりも大きくなっている。そのため、図１２に示すように、第１の凹部ＣＰ１に入射した入射光ＩＬ１は、第１の凹部ＣＰ１の底部において散乱される。その結果、第１の凹部ＣＰ１からの反射光ＲＬ１の強度は弱くなる。
【００３７】
他方、第２の表面粗さＳＲ２は、第１の表面粗さＳＲ１よりも小さい。第２の凹部ＣＰ２に入射した入射光ＩＬ２は、散乱されることなく、通常とおり反射される。その結果、第２の凹部ＣＰ２からの反射光ＲＬ２の強度は弱くならない。
【００３８】
そのため、第１の凹部ＣＰ１と第２の凹部ＣＰ２との間に明暗のコントラストが生じることになる。したがって、第２の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造によると、視認性を向上させることができる。
【００３９】
以下に、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の効果について説明する。
第２の実施形態に係るマーキング方法によると、第２の実施形態に係るマーキング構造を得ることが可能となる。そのため、第２の実施形態に係るマーキング方法によると、視認性を向上させたマーキング構造を作製することが可能となる。
【００４０】
（第３の実施形態）
以下に、第３の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造の構成について説明する。なお、ここでは、第１の実施形態と異なる点について主に説明する。
【００４１】
図１３（Ａ）に示すように、第３の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造は、第１の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造と同様に、被マーキング体としての半導体ウエハＷと、第１の凹部ＣＰ１と、第２の凹部ＣＰ２とを有している。また、第３の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造は、第１の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造と同様に、第１の凹部ＣＰ１の形状と、第２の凹部ＣＰ２の形状とが異なっている。
【００４２】
具体的には、第１の凹部ＣＰ１の側部が半導体ウエハＷの表面Ｓに対してなす角度は、第２の凹部ＣＰ２の側部が半導体ウエハＷの表面Ｓに対してなす角度と異なっている。また、第１の凹部ＣＰ１の底部が半導体ウエハＷの表面Ｓに対してなす角度は、第２の凹部ＣＰ２の底部が半導体ウエハＷの表面Ｓに対してなす角度と異なっている。
【００４３】
なお、図１３（Ｂ）に示すように、第１の凹部ＣＰ１の側部が半導体ウエハＷの表面Ｓに対してなす角度は、第２の凹部ＣＰ２の側部が半導体ウエハＷの表面Ｓに対してなす角度と同一であってもよい。要するに、第１の凹部ＣＰ１は、入射光を第２の凹部ＣＰ２とは異なる方向に反射する構造を有していればよい。
【００４４】
図１４に示すように、第１の凹部ＣＰ１は、半導体ウエハＷの表面Ｓ上において、複数形成されている。複数の第１の凹部ＣＰ１は、アルファベット、数字等を表すように配列されている（図１４においては、アルファベットのＢを表すように配列されている）。第２の凹部ＣＰ２は、半導体ウエハＷの表面Ｓ上において、複数形成されている。複数の第２の凹部ＣＰ２は、アルファベット、数字等を表すように配列されている（図１４においては、アルファベットのＣを表すように配列されている）。
【００４５】
複数の第１の凹部ＣＰ１により表されるアルファベット、数字等は、第１の文字情報の一部をなしている。複数の第２の凹部ＣＰ２により表されるアルファベット、数字等は、第２の文字情報の一部をなしている。第１の文字情報と第２の文字情報とは、互いに異なる情報である。例えば、第１の文字情報が半導体ウエハＷのロット番号である場合、第２の文字情報は半導体ウエハＷのウエハ番号である。
【００４６】
以下に、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様に、凹部形成工程Ｓ１を有している。また、凹部形成工程Ｓ１は、第１の実施形態に係るマーキング方法と同様に、第１凹部形成工程Ｓ１１と、第２凹部形成工程Ｓ１２とを有している。
【００４７】
図１５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、第１凹部形成工程Ｓ１１においては、半導体ウエハＷの表面Ｓに、レーザＬが照射される。レーザＬは、半導体ウエハＷの表面Ｓに対して、第１の角度θ１をなすように傾けて照射される。これにより、第１の凹部ＣＰ１が形成される。第１凹部形成工程Ｓ１１においては、レーザＬを走査することにより、複数の第１の凹部ＣＰ１が形成される。
【００４８】
なお、図１５（Ａ）に示すように、レーザＬの照射口を半導体ウエハＷの表面Ｓに対して傾けてることにより、レーザＬが、半導体ウエハＷの表面Ｓに対して、第１の角度θ１をなすように傾けて照射されるようにしてもよい。また、図１５（Ｂ）に示すように、半導体ウエハＷの表面ＳをレーザＬに対して傾けることにより、半導体ウエハＷの表面Ｓに対して、第１の角度θ１をなすように傾けて照射されるようにしてもよい。
【００４９】
図１６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、第２凹部形成工程Ｓ１２においては、半導体ウエハＷの表面Ｓに、レーザＬが照射される。レーザＬは、半導体ウエハＷの表面Ｓに対して、第２の角度θ２をなすように傾けて照射される。第２の角度θ２は、第１の角度θ１と異なっている。これにより、第２の凹部ＣＰ２が形成される。第２凹部形成工程Ｓ１２においては、レーザＬを走査することにより、複数の第２の凹部ＣＰ２が形成される。
【００５０】
以下に、第３の実施形態に係る半導体装置の効果について説明する。
第２の実施形態に係る実施形態に係る半導体装置においては、第１の凹部ＣＰ１の底部が半導体ウエハＷの表面Ｓに対してなす角度は、第２の凹部ＣＰ２の底部が半導体ウエハＷの表面Ｓに対してなす角度と異なっている。そのため、図１７に示すように、第１の凹部ＣＰ１への入射光ＩＬ１と、第２の凹部ＣＰ２への入射光ＩＬ２とは、異なる方向に反射される。その結果、第１の凹部ＣＰ１と第２の凹部ＣＰ２との間に、明暗のコントラストが生じることになる。したがって、第３の実施形態に係る半導体装置によると、マーキングの視認性を向上させることが可能となる。
【００５１】
このことは、別の観点からいえば、ある角度からは第１の凹部ＣＰ１のみを視認可能であるが、ある別の角度からは第２の凹部ＣＰ２のみを視認可能ということである。そのため、第１の凹部ＣＰ１により第１の文字情報を表示し、第２の凹部ＣＰ２により第１の文字情報とは異なる第２の文字情報を表示することが可能となる。その結果、小さいマーキング面積でより多くの情報をマーキングすることが可能となる。
【００５２】
以下に、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法の効果について説明する。第３の実施形態に係るマーキング方法によると、視認性を向上させたマーキング構造を有する半導体装置を作製することができる。また、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法によると、小さいマーキング面積で多くの情報をマーキングすることが可能となる。
【００５３】
（第４の実施形態）
以下に、第４の実施形態に係る半導体装置について説明する。なお、ここでは、第１乃至第３の実施形態に係る半導体装置と異なる点について主に説明する。
【００５４】
図１８（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、第４の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡは、第１乃至第３の実施形態に係る半導体装置と同様、被マーキング体ＭＢと、第１の凹部ＣＰ１と、第２の凹部ＣＰ２とを有している。また、第４の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡは、第１乃至第３の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡと同様に、互いに光の反射が異なるように、第１の凹部ＣＰ１の形状と、第２の凹部ＣＰ２の形状とが異なっている。
【００５５】
第４の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造においては、例えば、第１の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造と同様に、第１の凹部ＣＰ１の深さＤ１と、第２の凹部ＣＰ２の深さＤ２とが異なっている。
【００５６】
第４の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡにおいては、第２の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡと同様に、第１の凹部ＣＰ１の底面の表面粗さと、第２の凹部ＣＰ２の底面の表面粗さとが異なっていてもよい。
【００５７】
第４の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡにおいては、第３の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡと同様に、第１の凹部ＣＰ１は、入射光を第２の凹部ＣＰ２と異なる方向に反射させる構造を有していてもよい。
【００５８】
しかし、第４の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡにおいては、被マーキング体ＭＢが封止部材ＥＭ又は半導体基板ＳＵＢである点において、第１乃至第３の実施形態に係る半導体装置のマーキング構造ＭＡと異なっている。
【００５９】
封止部材ＥＭは、例えばエポキシ樹脂等である。図１８（Ａ）に示すように、封止部材ＥＭは、半導体装置としての半導体パッケージＰＫＧの一部である。封止部材ＥＭは、第１面ＦＳと第２面ＳＳとを有している。第２面ＳＳは、半導体パッケージＰＫＧが載置されるプリント回路基板等に対向する側の面である。第１面ＦＳは、第２面ＳＳの反対側の面である。第１面ＦＳは、表面Ｓに対応している。封止部材ＥＭの内部には、半導体装置ＳＤが配置されている。また、封止部材ＥＭの内部には、例えばリードフレームＬＦが設けられている。半導体装置ＳＤは、例えばリードフレームＬＦ上に載置されている。リードフレームＬＦは、端子が封止部材ＥＭから突出している。
【００６０】
図１８（Ｂ）に示すように、半導体基板ＳＵＢは、第１面ＦＳと、第２面ＳＳとを有している。半導体基板ＳＵＢは、半導体装置ＳＤの一部である。第２面ＳＳは、第１面ＦＳの反対側の面である。第２面ＳＳは、被マーキング体ＭＢの表面Ｓに対応している。半導体基板ＳＵＢの第１面ＦＳ側には、トランジスタ等の半導体素子が形成されている（図示していない）。また、半導体基板ＳＵＢの第１面ＦＳ上には、例えば、層間絶縁膜ＩＬＤと、配線ＷＬと、保護膜ＰＶ、電極ＥＬと、はんだボールＳＢとが形成されている。
【００６１】
なお、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１乃至第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。
【００６２】
以下に、第４の実施形態に係る半導体装置及び第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法の効果について説明する。第４の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法によると、被マーキング体が半導体パッケージＰＫＧの封止部材ＥＭである場合、半導体装置ＳＤの半導体基板ＳＵＢである場合においても、視認性の高いマーキング構造を得ることが可能となる。
【００６３】
以上、本発明者によってなされた発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で主従変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００６４】
ＣＰ１  第１の凹部、ＣＰ２  第２の凹部、Ｄ  深さ、Ｄ１  第１の深さ、Ｄ２  第２の深さ、ＳＲ１  第１の表面粗さ、ＳＲ２  第２の表面粗さ、ＥＭ  封止部材、ＦＳ  第１面、ＩＬ１，ＩＬ２  入射光、ＩＬＤ  層間絶縁膜、Ｌ  レーザ、ＬＦ  リードフレーム、Ｍ  マスク、ＭＡ  マーキング構造、ＰＫＧ  半導体パッケージ、ＰＷ１  第１の強度、ＰＷ２  第２の強度、ＲＬ１，ＲＬ２  反射光、Ｓ  表面、Ｓ１  凹部形成工程、Ｓ２  粗面化工程、Ｓ１１  第１凹部形成工程、Ｓ１２  第２凹部形成工程、Ｓ２１  マスク形成工程、Ｓ２２  エッチング工程、ＳＢ  はんだボール、ＳＤ  半導体装置、ＳＳ  第２面、ＳＵＢ  半導体基板、Ｗ  半導体ウエハ、ＷＬ  配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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