(57)【要約】【課題】めっき層の外周の突出や厚さの薄いめっき層の欠けを低減するとともに、一度のエッチングで窪み形状と貫通形状の双方を形成することができ、製造コストの低減が可能なリードフレームの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】表面１１にめっき層が形成された端子を有するリードフレームの製造方法であって、  リードフレーム材１０の被めっき領域を覆うように第１のレジスト２０、２５をパターニングする工程と、  前記第１のレジストをエッチングマスクとして、前記リードフレーム材にエッチング加工を行う工程と、  前記第１のレジストで覆われていない領域に、電着レジスト５０からなる第２のレジストを電着させる工程と、  前記第１のレジストを除去する工程と、  前記被めっき領域をめっきする工程と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にめっき層が形成された端子を有するリードフレームの製造方法であって、
リードフレーム材の被めっき領域を覆うように第１のレジストをパターニングする工程と、
前記第１のレジストをエッチングマスクとして、前記リードフレーム材にエッチング加工を行う工程と、
前記第１のレジストで覆われていない領域に、電着レジストからなる第２のレジストを電着させる工程と、
前記第１のレジストを除去する工程と、
前記被めっき領域をめっきする工程と、を含むリードフレームの製造方法。
【請求項２】
前記第１のレジストをパターニングする工程は、
前記第１のレジストを前記リードフレーム材の両面に塗布する工程と、
前記第１のレジストを所定のフォトマスクを介して露光し、前記被めっき領域を覆う領域に硬化領域、前記エッチング加工が行われる領域に非硬化領域、前記めっき層が形成されず、かつ前記エッチング加工が行われない領域に半硬化領域を形成する工程と、
前記非硬化領域のみを現像により除去する工程と、を含む請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項３】
前記リードフレーム材にエッチング加工を行う工程と、前記第２のレジストを電着させる工程との間に、前記半硬化領域のみを現像により除去する工程を更に有する請求項２に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項４】
前記半硬化領域のみを現像により除去する工程に用いられる現像液は、前記非硬化領域のみを現像により除去する工程に用いられる現像液よりも溶解能力が高い請求項３に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項５】
前記所定のフォトマスクは、光の透過率がほぼ１００％である透過領域と、光の透過率がほぼ０％である遮蔽領域と、前記透過領域と前記遮蔽領域の間の所定の透過率を有する半透過領域とを有する請求項２乃至４のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項６】
前記リードフレーム材にエッチング加工を行う工程は、前記リードフレーム材をハーフエッチングする工程であり、貫通孔を形成する箇所には、前記リードフレーム材の両面に前記第１のレジストをパターニングしない請求項１乃至５のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項７】
前記被めっき液をめっきする工程の後に、前記第２のレジストを除去する工程を更に有する請求項１乃至６のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記第２のレジストは、ポジ型のレジストである請求項１乃至７のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項９】
前記第１のレジストはポジ型のレジストであり、
前記第２のレジストはネガ型のレジストであり、
前記第２のレジストを電着させる工程と、前記第１のレジストを除去する工程との間に、前記リードフレーム材の両面を全面露光する工程を更に有する請求項１乃至７のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１０】
前記リードフレーム材にエッチング加工を行う工程は、スプレー式又は浸漬式のウェットエッチングである請求項１乃至９のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１１】
前記めっき層は、貴金属からなる請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体素子をパッケージングした半導体パッケージが知られている。半導体パッケージの分野においては、多ピン化、小型化、薄化の要求から、半田ボールを使用したＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージや半導体素子のしたにアウターリードを配置したＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）等のさまざまなパッケージが出現している。
【０００３】
その中でも、比較的安価で上記要求に対応できる方法として、金属材料であるリードフレームを利用したＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄ）タイプのパッケージがある。これは、金属材料を用いて、中央に形成されたパッドに半導体素子を搭載し、その周辺をエリアアレイ状に形成し、表面側は半導体素子とワイヤで繋ぐワイヤボンディング部として機能し、その裏面側は外部接続部となる導体端子部として機能する半導体パッケージである。この導体端子部の上下（表裏）面を、ワイヤボンディング部と外部接続部とにそれぞれ使用することにより、多ピン化、小型化、薄化を実現している。
【０００４】
特許文献１には、リードフレーム材の表面と裏面とに第１レジスト膜を形成し、これにメッキパターンの開口を形成する工程と、メッキパターンの開口にメッキ層を形成する工程と、メッキ層の表面に電着レジストからなる第２レジスト膜を形成する工程と、第１レジスト膜を除去する工程と、第１レジスト膜を除去した領域をエッチングして上側端子を突出させ、リードフレームをする工程と、リードフレーム材に半導体素子を搭載し、半導体素子と金属貴金属めっき層をワイヤボンディングする工程と、樹脂封止する工程と、リードフレーム材の裏面側をエッチング加工して下側端子を独立させる工程を有する半導体パッケージの製造方法が記載されている。
【０００５】
また、特許文献２には、レジスト用素材表面にポジ型のレジスト層を設け、エッチング部分に対応する部分では光が透過し、メッキ部に対応する部分では光が半透過し、それ以外の部分では光が遮蔽されるように形成されたマスクを用いて露光を行い、第１回目の現像でエッチングマスクを得て、２回目の現像でメッキ用マスクを得るようにし、エッチングマスクとメッキ用マスク１回の露光で得るようにしたリードフレームの製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１０８８１８号公報
【特許文献２】特開２００３−３７２３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、リードフレームを製造する過程において、リードフレーム材の表面側と裏面側にメッキ層を形成し、次に表面側に形成したメッキ層上にのみ電着レジストを形成してエッチングマスクとして使用しているため、垂直方向にエッチングする際には、リードフレーム材の水平方向にもエッチングがなされてしまう。よって、リードフレーム材の表面側に形成された端子の表面のメッキ層は、その外周がリードフレーム材のエッチング断面より突出し、厚みの薄いめっき層が欠けるという問題があった。
【０００８】
また、エッチングによる端子形成を必要としないリードフレーム材の裏面側には、エッチング前に保護フィルムを形成する必要があり、エッチングで形成できる形状はリードフレーム材の表面側のハーフエッチング形状のみである。従って、保護フィルムによる裏面側からのエッチングが阻害される為、貫通エッチングを行うことができず、貫通孔を形成するには別の加工が必要となり、コスト高になるという問題があった。
【０００９】
また、特許文献２に記載の方法では、エッチングマスクが残留している領域内ではメッキ用マスクを得ることができるが、この段階でエッチングした領域にはマスクが残っていないので、メッキを行う際、エッチングをした領域にもメッキが施されてしまう。この方法では、エッチングをした領域にはメッキを施さず、エッチングを施していない平坦領域のみ端子としてメッキを施したい用途には対応できないという問題があった。
【００１０】
そこで本発明は、めっき層の外周の突出や厚さの薄いめっき層の欠けを低減するとともに、一度のエッチングで窪み形状と貫通形状の双方を形成することができ、製造コストの低減が可能なリードフレームの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るリードフレームの製造方法は、表面にめっき層が形成された端子を有するリードフレームの製造方法であって、
リードフレーム材の被めっき領域を覆うように第１のレジストをパターニングする工程と、
前記第１のレジストをエッチングマスクとして、前記リードフレーム材にエッチング加工を行う工程と、
前記第１のレジストで覆われていない領域に、電着レジストからなる第２のレジストを電着させる工程と、
前記第１のレジストを除去する工程と、
前記被めっき領域をめっきする工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、めっき層の外周の突出や厚さの薄いめっき層の欠けを低減できとともに、ハーフエッチングと貫通エッチングを同時に行うことができ、工程数を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態１に係るリードフレームの製造方法の一例の前半の工程を示した図である。図１（Ａ）は、レジスト塗布工程の一例を示した図である。図１（Ｂ）は、露光工程の一例を示した図である。図１（Ｃ）は、第１の現像工程の一例を示した図である。図１（Ｄ）は、エッチング工程の一例を示した図である。図１（Ｅ）は、第２の現像工程の一例を示した図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るリードフレームの製造方法の一例の後半の工程を示した図である。図２（Ａ）は、電着レジスト膜形成工程の一例を示した図である。図２（Ｂ）は、第１のレジスト膜除去工程の一例を示した図である。図２（Ｃ）は、めっき工程の一例を示した図である。
【図３】本発明の実施形態１に係るリードフレームの製造方法の露光工程に用いるフォトマスクの一例を示した図である。
【図４】フォトマスクの平面構成の一例を示した部分拡大図である。
【図５】従来のリードフレームの製造方法の一例の前半の工程を示した図である。図５（Ａ）は、第１のレジスト塗布、露光、現像工程を示した図である。図５（Ｂ）は、めっき工程を示した図である。図５（Ｃ）は、第１の保護フィルム貼り付け工程を示した図である。図５（Ｄ）は、電着レジスト膜形成工程を示した図である。図５（Ｅ）は、保護フィルム及び第１のレジスト膜除去工程を示した図である。図５（Ｆ）は、第２の保護フィルム貼り付け工程を示した図である。図５（Ｇ）は、エッチング工程を示した図である。図５（Ｈ）は、電着レジスト膜除去工程を示した図である。
【図６】従来のリードフレームの製造方法の一例の後半の工程を示した図である。図６（Ｅ）は、保護フィルム及び第１のレジスト膜除去工程を示した図である。図６（Ｆ）は、第２の保護フィルム貼り付け工程を示した図である。図６（Ｇ）は、エッチング工程を示した図である。図６（Ｈ）は、電着レジスト膜除去工程を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
【００１５】
〔実施形態１〕
図１は、本発明の実施形態１に係るリードフレームの製造方法の一例の前半の工程を示した図である。
【００１６】
図１（Ａ）は、レジスト塗布工程の一例を示した図である。レジスト塗布工程においては、リードフレーム材１０の表面１１と裏面１２の両面１１、１２に、それぞれレジスト膜２０、２５を形成する。リードフレーム材１０は、リードフレームに適した種々の金属基板を用いることができ、例えば、厚さ０．１〜０．１５ｍｍの銅合金の基板をリードフレーム材として使用してもよい。
【００１７】
また、レジスト膜２０、２５を形成する前に、リードフレーム材１０の異物や不純物を取り除く前処理を行い、両面１１、１２にレジスト膜２０、２５を形成する。ここで、レジスト膜２０、２５の形成に用いる第１のレジストは、ポジ型の通電性の無い液体レジストを用いる。また、第１のレジストは、フォトレジスト以外のレジストを用いることも可能であるが、本実施形態では、露光及び現像によりレジストのパターニングを行うフォトレジストを用いた例を挙げて説明する。
【００１８】
図１（Ｂ）は、露光工程の一例を示した図である。露光工程においては、リードフレーム材１０の表面１１側にフォトマスク３０、裏面１２側にフォトマスク３５を配置し、光源４０、４１からフォトマスク３０、３５を介してレジスト膜２０、２５に光を照射し、レジスト膜２０、２５の露光を行う。その際、フォトマスク３０、３５は、ほぼ完全に光を透過し、１００％近い透過率を有する透過領域３１、３６と、ほぼ完全に光を遮蔽し、０％近い透過率を有する遮蔽領域３２、３７と、その中間の透過率を有する半透過領域３３、３８の３段階に異なる光透過率を有するフォトマスク３０、３５を用いる。
【００１９】
図３は、本発明の実施形態１に係るリードフレームの製造方法の露光工程に用いるフォトマスク３０の一例を示した図である。露光工程に用いられるフォトマスク３０は、透過率が０〔％〕、１００〔％〕の領域の他、１０〔％〕という中間的な透過率を有するフォトマスク３０が示されている。フォトマスク３０は、例えば、ガラス基板により構成されてよく、透過率が１００〔％〕である透過領域は、ガラス基板が露出している透過領域３２であり、露光により照射された光は、１００〔％〕レジスト層２０に照射される。透過率１００〔％〕の透過領域においては、ポジ型のレジスト膜２０は、１００〔％〕透過して照射される光により未硬化状態の未硬化領域２２となる。つまり、現像により除去され得る状態となる。また逆に、透過率が０〔％〕の領域は、露光による光を遮蔽して通さない遮光領域３１であり、遮光膜等によるガラス基板の遮蔽がなされた領域である。透過率０〔％〕の遮光領域は、レジスト層２１が硬化した状態のままの硬化領域２１となり、現像工程でも除去されず、リードフレーム材１０の表面１１上にレジストパターンが形成される。
【００２０】
一方、透過率が１０〔％〕の半透過領域３３では、レジスト膜２０が半硬化状態の半硬化領域２３となる。かかる半硬化領域２３は、現像液の濃度、つまり現像強度の調整により、除去することも残すことも可能な領域となる。つまり、現像強度を弱くすれば、レジスト膜２０を残すことが可能であるし、現像強度を強くすれば、レジスト膜２０を除去することが可能である。本実施形態に係るリードフレームの製造方法においては、このような半硬化領域２３を形成することにより、工程数を削減するが、その詳細は後述する。
【００２１】
なお、０〔％〕と１００〔％〕の間の中間の透過率の大きさは、１０〔％〕以外にも、用途に応じて、種々の透過率に設定できることは言うまでもない。また、このような０〔％〕と１００〔％〕との間の中間の透過率は、種々の方法により実現することができるが、例えば、遮光膜の透過率を色や材質により調整したり、フォトマスク３０にスモークの部分を作ったりすることにより、実現できる。
【００２２】
図４は、フォトマスク３０の平面構成の一例を示した部分拡大図である。フォトマスク３０は、光をほぼ完全に遮光する遮光領域３１と、光をほぼ完全に透過する透過領域３２との間に、半透過領域３３を有している。半透過領域３３は、遮光領域３１と透過領域３２が混合したようなパターンとなっている。つまり、図４においては、遮光領域３１と同様の黒い遮光膜が形成された領域の中に、透明な透過領域３２が窓３４のように形成された構成となっている。このように、遮光領域３１と透過領域３２を混合させたパターンを形成することにより、半透過領域３３を形成することができる。
【００２３】
なお、図４においては、遮光膜が形成された領域中に窓３４を形成することにより半透過領域を形成しているが、遮光膜とガラス基板とでメッシュ状のパターンを形成して半透過領域３３を形成してもよいし、種々のパターンを形成することにより半透過領域３３を形成することができる。かかる遮光領域３１と透過領域３２の混合パターンで半透過領域３３を形成することにより、スモーク等でフォトマスク３０を加工するよりも、安価かつ容易に半透過領域３３を形成することができる。
【００２４】
なお、図３、４においては、フォトマスク３０を例に挙げて説明したが、フォトマスク３５も同様に構成できることは言うまでも無い。
【００２５】
図１に戻る。
【００２６】
図１（Ｃ）は、第１の現像工程の一例を示した図である。第１の現像工程においては、レジスト膜２０、２５において、未硬化状態となった未硬化領域２２、２７が現像により除去される。現像は、現像液に露光後のリードフレーム材１０を浸漬することにより行われるが、現像液は、レジスト膜２０、２５の未硬化領域２２、２７のみを除去し、レジスト膜２０、２５の半硬化領域２３、２８を残すような現像濃度又は現像強度に調整された液を用いるようにする。これにより、図１（Ｃ）に示すように、レジスト膜２０、２５の硬化領域２１、２６及び半硬化領域２３、２８が残され、残された領域でリードフレーム材１０を覆ったレジストパターンが形成される。
【００２７】
なお、レジストパターンは、ハーフエッチングにより窪みを形成する領域については、表面１１側のみレジスト膜２０が除去されてリードフレーム材１０が露出し、貫通孔を形成する領域については、表面１１側及び裏面１２側の双方のレジスト膜２０、２５が除去され、表面１１と裏面１２の両面についてリードフレーム材１０が露出した状態となる。
【００２８】
また、硬化領域２１、２６は、リードフレーム材１０の被めっき領域を覆うようにパターニングされ、未硬化領域２３、２８は、エッチングもめっきもされない領域を覆うようにパターニングされる。
【００２９】
図１（Ｄ）は、エッチング工程の一例を示した図である。エッチング工程においては、エッチングにより、リードフレーム材１０がエッチングされる。エッチングは、種々の円チング方法により行われてよいが、例えば、エッチング液をスプレーでリードフレーム材１０に噴射するスプレーエッチングや、エッチング液にリードフレーム材１０を浸漬させる浸漬式エッチング等のウェットエッチングにより行ってもよい。レジスト膜２０、２５が片面だけ開口している部分にはハーフエッチング形状、即ち、窪み形状１３（又は凹形状）が形成され、両面が開口している部分に貫通エッチング形状、即ち、貫通孔１４が形成される。このように、窪み形状と貫通孔を１回のエッチング工程で同時に形成することができる。また、ハーフエッチング加工により、リードフレームの端子部１５が形成される。
【００３０】
図１（Ｅ）は、第２の現像工程の一例を示した図である。第２の現像工程においては、現像により、レジスト膜２０、２５の半硬化領域２３、２８のみが除去される。上述のように、現像強度が高い現像液を用いて現像を行い、レジスト膜２０、２５の半硬化領域２３、２８を溶解除去する。なお、レジスト膜２０、２５の硬化領域２１、２６は、完全に硬化しているので、現像強度が高い現像液を用いて現像を行っても溶解せずにそのまま残る。
【００３１】
なお、図１（Ａ）〜（Ｃ）及び図１（Ａ）〜（Ｅ）は、レジスト膜２０、２５をパターニングする工程であるので、全体をレジストパターニング工程と呼んでもよい。
【００３２】
図２は、本発明の実施形態１に係るリードフレームの製造方法の一例の後半の工程を示した図である。なお、図２の内容は、図１と連続した内容であるので、図１と連続した図番を用い、同一の構成要素には同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００３３】
図２（Ａ）は、電着レジスト膜形成工程の一例を示した図である。電着レジスト膜形成工程においては、レジスト膜２０、２５で覆われていない領域に、第２のレジストとして電着レジストを用いて、電着レジスト膜５０を形成する。電着レジストは、電気めっきと同じようにして、電着レジスト液にリードフレーム材１０を浸漬させ、通電させてレジスト膜５０を形成するので、通電可能なリードフレーム材１０が露出した箇所にのみ選択的に電着レジスト膜５０を形成することが可能となる。つまり、レジスト膜２０、２５上には電着レジスト膜５０は形成されず、リードフレーム材１０が露出した領域にのみ電着レジスト膜５０が形成される。
【００３４】
なお、電着レジストは、ポジ型を用いることが好ましい。ネガ型とすると、電着レジスト膜５０を硬化させるために、電着レジスト膜５０に光を照射する工程が必要となるが、ポジ型を用いれば、電着レジスト膜５０に光を照射すること無く硬化させることができ、工程数を低減させることができる。
【００３５】
図２（Ｂ）は、第１のレジスト膜除去工程の一例を示した図である。第１のレジスト膜除去工程では、レジスト膜２０、２５の硬化領域２１、２６を除去する。第１のレジスト膜除去工程では、レジスト膜２０、２５の硬化領域２１、２６を溶解除去する溶液を用いて、硬化領域２１、２６をリードフレーム材１０から剥離除去する。
【００３６】
第１のレジスト膜除去工程により、めっき層を形成する被めっき領域が露出する。被めっき領域は、リードフレームにおいて端子となるリードフレーム材１０の平坦領域であり、エッチング等の加工が施されていないリードフレーム材１０そのものが露出した領域である。
【００３７】
図２（Ｃ）は、めっき工程の一例を示した図である。めっき工程では、電着レジスト膜５０が形成されていない領域にめっき層６０が形成される。めっき層６０には、リードフレームの端子となるのに適した貴金属が用いられてよい。めっき工程は、貴金属を含むめっき液にリードフレーム材１０が浸漬され、通電することにより行われる。これにより、電着レジスト膜５０に覆われておらず、リードフレーム材１０が露出した領域、つまりリードフレーム材１０の表面１１及び裏面１２の露出領域にめっき層６０が形成される。
【００３８】
図２（Ｄ）は、電着レジスト膜除去工程の一例を示した図である。電着レジスト膜除去工程においては、電着レジスト膜剥離溶液にリードフレーム材１０を浸漬し、電着レジスト膜５０を剥離除去する。本工程の終了により、リードフレームが完成する。
【００３９】
図２（Ｄ）に示すように、めっき層６０の形成後にエッチング工程は行われないので、めっき層６０の領域は、端子部１５の領域と等しくなっている。よって、めっき層６０の外周が、リードフレーム材１０の端子部１５の側面よりも突出することは無く、また、めっき層６０の厚さが薄い場合であっても欠けることは無い。
【００４０】
このように、実施形態１に係るリードフレームの製造方法によれば、窪み形状１３と貫通孔１４を１回のエッチング工程で同時に行うことができ、製造工程を簡素化できるとともに、めっき層６０の外周部の横方向への突出及びめっき層６０の欠けを防止することができる。
【００４１】
〔実施形態２〕
実施形態１においては、図１（Ａ）、（Ｂ）で説明したレジスト膜形成工程及び露光工程を、ポジ型の第１のレジストを用いて行った。
【００４２】
しかしながら、第１のレジストは、ネガ型のレジストを用いることも可能である。この場合、図１（Ａ）、（Ｂ）及び図３、４で説明したフォトマスク３０、３５の遮光領域３１、３６と透過領域３２、３７の配置関係を逆にするとともに、半透過領域３３、３８の透過率を高めに設定し、例えば、約９０％の光を透過する透過率に設定すればよい。
【００４３】
その他の工程については、実施形態１に係るリードフレームの製造方法と同様であるので、その説明を省略する。
【００４４】
実施形態２に係るリードフレームの製造方法によれば、ネガ型のフォトレジストを用いた場合であっても、窪み形状１３と貫通孔１４を１回のエッチング工程で同時に行うことができ、製造工程を簡素化できるとともに、めっき層６０の外周部の横方向への突出及びめっき層６０の欠けを防止することができる。
【００４５】
〔実施形態３〕
実施形態３に係るリードフレームの製造方法においては、第１のレジストはポジ型のフォトレジストを用い、電着レジストはネガ型の電着レジストを用いる。以下、その内容について説明する。
【００４６】
まず、第１のレジストにポジ型のフォトレジストを用いる点は、実施形態１と同様である。よって、図１（Ａ）〜（Ｅ）については、実施形態１と同様であるので、その説明を省略する。
【００４７】
図２（Ａ）に示す電着レジスト膜形成工程においては、ネガ型の電着レジストを用いて電着レジスト膜５０を電着形成する。
【００４８】
電着レジスト膜５０を電着形成したら、リードフレーム材１０の表面１１側及び裏面１２側、つまり両面１１、１２から光を全面照射する。これにより、電着形成された電着レジスト膜５０が硬化して現像液に対して不溶性になるとともに、両面１１、１２に形成されたポジ型のレジスト膜２０、２５が現像液に対して可溶性となる。
【００４９】
図２（Ｂ）では、現像工程を行う。この現像工程において、電着レジスト膜形成工程の露光により現像液に対して可溶性となったレジスト膜２０、２５の硬化領域２１、２６は溶解除去され、不溶性となった電着レジスト膜５０は残される。
【００５０】
以後、図２（Ｃ）のめっき工程、図２（Ｄ）の電着レジスト膜除去工程は、実施形態１と同様であるので、その説明を省略する。
【００５１】
実施形態３に係るリードフレームの製造方法によれば、ポジ型の第１のレジストとネガ型の電着レジストを組み合わせて用いることにより、窪み形状１３と貫通孔１４を１回のエッチング工程で同時に行うことができ、製造工程を簡素化できるとともに、めっき層６０の外周部の横方向への突出及びめっき層６０の欠けを防止することができる。
【００５２】
〔比較のための従来例〕
次に、本実施形態に係るリードフレームの製造方法との比較のため、比較例として、従来のリードフレームの製造方法について説明する。
【００５３】
図５は、従来のリードフレームの製造方法の一例の前半の工程を示した図である。
【００５４】
図５（Ａ）は、第１のレジスト塗布、露光、現像工程を示した図である。図５（Ａ）に示すように、最初に、レジスト膜１２０、１２５がリードフレーム材１１０の表面１１１及び裏面１１２に塗布され、露光工程、現像工程を経てレジスト膜１２０、１２５がパターニングされる。
【００５５】
図５（Ｂ）は、めっき工程を示した図である。めっき工程においては、リードフレーム材１１０の露出領域、つまりレジスト膜１２０、１２５に覆われていない領域にめっきが施され、めっき層１６０が形成される。
【００５６】
図５（Ｃ）は、第１の保護フィルム貼り付け工程を示した図である。第１の保護フィルム貼り付け工程においては、リードフレーム材１１０の裏面１１２の全面に、保護フィルム１７０が貼り付けられる。このように、従来のリードフレームの製造方法では、表面１１１側にのみ電着レジストを形成するためには、裏面１２を保護フィルム１７０で覆う必要があり、工程数が増加する。
【００５７】
図５（Ｄ）は、電着レジスト膜形成工程を示した図である。電着レジスト膜形成工程においては、めっき層１６０上に電着レジスト膜１５０が形成される。
【００５８】
図６は、従来のリードフレームの製造方法の一例の後半の工程を示した図である。
【００５９】
図６（Ｅ）は、保護フィルム及び第１のレジスト膜除去工程を示した図である。保護フィルム及び第１のレジスト膜除去工程においては、裏面１１２の保護フィルム１７０及び両面１１１、１１２のレジスト膜１２０、１２５が除去される。
【００６０】
図６（Ｆ）は、第２の保護フィルム貼り付け工程を示した図である。第２の保護フィルム貼り付け工程においては、リードフレーム材１１０の裏面１１２に、再度保護フィルム１７１が貼り付けられる。
【００６１】
図６（Ｇ）は、エッチング工程を示した図である。エッチング工程においては、リードフレーム材１１０の表面１１１側がエッチング加工される。このように、従来のリードフレームの製造方法では、表面１１１側のみをエッチング加工するためには、裏面１２を保護フィルム１７０で覆う必要があり、工程数が増加する。また、エッチング加工では、垂直方向だけでなく、水平方向にもエッチングがなされてしまうため、リードフレーム材１０が横方向にもエッチングされ、めっき層１６０の外周が横方向に突出した形状となってしまう。
【００６２】
図６（Ｈ）は、電着レジスト膜除去工程を示した図である。電着レジストを除去することにより、リードフレームは完成するが、上述のように、めっき層１６０の外周が水平方向に張り出した形状となってしまっている。
【００６３】
また、上述のように、保護フィルム１７０、１７１を貼り付ける工程が必要となり、工程数も増加する。更に、図６（Ｈ）の段階では、貫通孔が形成されていないので、貫通孔も形成する場合には、更に工程数が増加することになる。
【００６４】
このように、比較例と比較すると、本実施形態に係るリードフレームの製造方法が、簡素な工程で品質の高いリードフレームを製造できる優れた製造方法であることが分かる。
【００６５】
〔実施例〕
次に、本発明に係るリードフレームの製造方法を実施した実施例について説明する。
【００６６】
まず、リードフレーム材として厚さ０．１２５ｍｍの銅系合金材（古河電工ＥＦＴＥＣ６４−Ｔ）を用いて、前処理を施したリードフレーム材の両面に第１レジスト膜としてポジ型の液状レジスト（冨士薬品工業  ＦＰＰＲ−Ｐ３０）を塗布した。次いで、光透過量がエッチングする為の開口部分は２００ｍＪ／ｃｍ２、エッチングも貴金属めっきもしない部分は１８０ｍＪ／ｃｍ２、貴金属めっきするための開口部分は０ｍＪ／ｃｍ２の３段階に異なるガラスマスクを介して露光し、現像液（１％水酸化カリウム溶液）にて２００ｍＪ／ｃｍ２露光量部の第１レジスト膜を除去してエッチング用の開口部を形成した。
【００６７】
そして、液温４０℃のエッチング液を用いてスプレー圧０．２ＭＰａで２分間エッチング加工を行い、表面側からエッチング深さを約８０μｍとすることによりリードフレーム材の表面側にワイヤボンディング用の端子形状を形成し、また裏面側からもエッチングされた部分には位置決め用の貫通穴を形成した。
【００６８】
次に、剥離液（０．５％水酸化ナトリウム溶液）に用いリードフレーム材上の１８０ｍＪ／ｃｍ＾２露光量部の第１レジストを除去した。
【００６９】
次いで、第１レジスト膜で覆われていないリードフレーム材の表面側と裏面側とエッチング断面に第２レジスト膜としてネガ型の電着レジスト（ハニー化成  HONNYRESIST-E）を電着形成した。
【００７０】
次に、リードフレーム材の全面に２００ｍＪ／ｃｍ２で露光をし、その後に剥離液（５％水酸化ナトリウム溶液）を用いて第１レジストのみを除去した。
【００７１】
次に、第２レジスト膜の開口部から露出しているリードフレーム材の部分に、酸化膜等を除去するめっき前処理を行い、Ｎｉを１μｍ、Ｐｄを０．０７μｍ、Ａｕを０．００３μｍの厚さで順次貴金属めっきを施した。
【００７２】
最後に、剥離液（ハニー化成  HONNYRESIST-R-100）を用いて第２レジストを剥離することで本実施例に係る半導体素子搭載用のリードフレームが得られた。
【００７３】
この半導体素子搭載用のリードフレームの表面の、エッチングにより形成された端子部の表面に施された貴金属めっきの外周は、エッチング断面より突出することなく、ワイヤボンディング等の次工程で貴金属めっきの外周が欠ける不具合の発生はなかった。
【００７４】
また、ガイドホールの貫通穴が必要とされる半導体素子搭載用のリードフレームの場合でも、貫通孔を形成する為の別工程は必要としなかった。
【００７５】
〔比較例〕
次に、比較例について説明する。
【００７６】
まず、リードフレーム材として厚さ０．１２５ｍｍの銅系合金材（古河電工ＥＦＴＥＣ６４−Ｔ）を用いて、前処理を施したリードフレーム材の両面に第１レジスト膜としてポジ型の液状レジスト（冨士薬品工業  ＦＰＰＲ−Ｐ３０）を塗布した。次に、光透過量が貴金属めっきする為の開口部分は２００ｍＪ／ｃｍ２、貴金属めっきしない部分は０ｍＪ／ｃｍ２の２段階に異なるガラスマスクを介して露光し、現像液（１％水酸化カリウム溶液）にて２００ｍＪ／ｃｍ２露光量部の第１レジスト膜を除去し、貴金属めっき用の開口部を形成した。
【００７７】
そして、第１レジスト膜の開口部から露出しているリードフレーム材の部分に、酸化膜を除去するめっき前処理を行い、Ｎｉを１μｍ、Ｐｄを０．０７μｍ、Ａｕを０．００３μｍの厚さで順次貴金属めっきを施した。
【００７８】
次に、リードフレーム材の裏面側に次工程で電着レジストが塗布されないようにする為に保護フィルム（タイコーテープ  ＦＳＡ−３００Ｍ）を貼り付けた。
【００７９】
次に、リードフレーム材の表面側の貴金属めっき部上に第２レジストとしてネガ型の電着レジスト（ハニー化成  HONNYRESIST-E）を電着塗布した。
【００８０】
次に、リードフレーム材の裏面に張り付けた保護フィルムを剥がし、リードフレーム材の全面に２００ｍＪ／ｃｍ２で露光をし、現像液（１％水酸化カリウム溶液）を用いて第１レジストを除去した。
【００８１】
次に、リードフレーム材の裏面側に次工程でリードフレーム材がエッチングされないようにする為に保護フィルム（タイコーテープ  ＦＳＡ−３００Ｍ）を貼り付けた。
【００８２】
次に、液温４０℃のエッチング液を用いてスプレー圧０．２ＭＰａで２分間エッチング加工を行い、表面側からエッチング深さを約８０μｍとすることによりリードフレーム材の表面側にワイヤボンディング用の端子形状を形成した。
【００８３】
最後に、剥離液（ハニー化成  HONNYRESIST-R-100）を用いて第２レジストを剥離することで半導体素子搭載用のリードフレームが得られた。
【００８４】
この半導体素子搭載用のリードフレームの表面にエッチングにより形成された端子部の表面に施された貴金属めっきの外周は、エッチング断面より突出しており、ワイヤボンディング等の次工程で貴金属めっきの外周が欠ける不具合が発生した。
【００８５】
また、ガイドホールの貫通穴が必要とされる半導体素子搭載用のリードフレームの場合は、貫通孔を形成する為の別工程の追加が必要であった。
【００８６】
以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施形態及び実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００８７】
１０    リードフレーム材
２０、２５    レジスト膜
２１、２６    硬化領域
２２、２７    未硬化領域
２３、２８    半硬化領域
３０、３５    フォトマスク
３１、３６    遮光領域
３２、３７    透過領域
３３、３８    半透過領域
５０    電着レジスト
６０    めっき層
【図１】
2017139391.tif 000003
【図２】
2017139391.tif 000004
【図３】
2017139391.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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