(57)【要約】【課題】発光装置において非発光の外枠部を狭くしつつ、安定した発光を確保する。【解決手段】発光装置１０は、基板１００と、基板１００に形成された発光部１４０とを備える。発光部１４０は、透光性の第１電極１１０、光反射性の第２電極１３０、および、第１電極１１０と第２電極１３０との間に位置する有機層１２０を有する。そして、第２電極１３０の有機層１２０側と反対側の面には凹部１３６が設けられている。【選択図】図１
2017139160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された発光部と
を備え、
前記発光部は透光性の第１電極、光反射性の第２電極および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層を有し、
前記第２電極の前記有機層側と反対側の面には凹部が設けられている、
発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記発光部からの光を検出する検出部をさらに備え、
前記検出部は、前記第２電極の前記凹部を介して前記有機層と対向している発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
前記凹部が設けられた部分の前記第２電極の厚さは５０ｎｍ以下である発光装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の発光装置において、
前記検出部と前記発光部の間に、前記発光部を封止する封止部材をさらに備え、
前記封止部材には、前記基板に垂直な方向から見て前記凹部と重なる位置に第１の光透過性領域が設けられている発光装置。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光部を介して前記基板と対向する回路基板をさらに備え、
前記回路基板には、前記基板に垂直な方向から見て前記凹部と重なる位置に、貫通孔または第２の光透過性領域が設けられており、
前記検出部は、前記貫通孔または前記第２の光透過性領域を介して前記発光部からの光を検出する発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置において、
前記回路基板には、前記貫通孔が設けられており、
前記検出部は、少なくとも一部が前記貫通孔内に位置しており、
前記貫通孔の、前記発光部側と反対側の開口は、遮光部材に覆われている発光装置。
【請求項７】
請求項２〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記基板に垂直な方向の断面において、前記凹部の幅は、前記検出部に近づくにつれて広がっている発光装置。
【請求項８】
請求項２〜７のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記検出部の検出結果に基づいて、前記発光部の発光を制御する制御部をさらに備える発光装置。
【請求項９】
請求項２〜７のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記検出部の検出結果から前記発光部の発光色に関する情報を生成する処理部をさらに備え、
互いに異なる色の発光をする複数の前記発光部を含む発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光装置において、
前記検出部の検出結果に基づいて、前記発光部の発光を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記発光部からの光の色温度に基づいて前記発光部の発光を制御する発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明装置や表示装置などの発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。
【０００３】
有機ＥＬ素子を用いた照明装置や表示装置では、有機層の経時変化等によって出力される光の輝度や色味等が変化する場合がある。これに対し、例えば特許文献１には液晶表示パネルのバックライトの光を、表示パネルの外部領域に設けたフォトセンサで検知し、その検知結果に基づいて、表示輝度や表示明度を制御する事が記載されている。
【０００４】
また、特許文献２には、ＥＬパネルの反射電極に設けた開口部から受光センサで光を受光し、測定された輝度を用いて有機ＥＬデバイスの輝度低下を補正することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２５１６３６号公報
【特許文献２】特開２０１０−９１７０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、フォトセンサを特許文献１のように液晶表示パネルの外部領域に設ける場合、基板のうち非発光の領域が大きくなってしまう。また、特許文献２のように電極に開口部を設けた場合、その開口部が暗部となるため十分に開口径を大きくできない。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題としては、発光装置において非発光の外枠部を狭くしつつ、安定した発光を確保することが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、
基板と、
前記基板に形成された発光部と
を備え、
前記発光部は透光性の第１電極、光反射性の第２電極および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層を有し、
前記第２電極の前記有機層側と反対側の面には凹部が設けられている、
発光装置
である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】実施形態に係る発光装置の構成を示すブロック図である。
【図３】実施例１に係る発光装置の平面図である。
【図４】実施例１に係る発光装置の発光部を拡大して示した断面図である。
【図５】実施例１に係る発光装置の平面図である。
【図６】図５から第２電極を取り除いた図である。
【図７】図６から第３発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、および電子注入層を取り除いた図である。
【図８】図７から正孔注入層、正孔輸送層、第１発光層、第２発光層、および絶縁層を取り除いた図である。
【図９】実施例１の変形例２に係る発光装置の構成を示すブロック図である。
【図１０】実施例２に係る発光装置の平面図である。
【図１１】実施例２の変形例１に係る発光装置の平面図である。
【図１２】実施例２の変形例２に係る発光装置の平面図である。
【図１３】実施例２の変形例３に係る発光装置の平面図である。
【図１４】実施例２の変形例４に係る発光装置の平面図である。
【図１５】実施例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１６】実施例４に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１７】実施例５に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
以下に示す説明において、発光装置１０の処理部４１０、制御部４３０、および記憶部４５０は、ハードウエア単位の構成ではなく、機能単位のブロックを示している。発光装置１０の処理部４１０、制御部４３０、および記憶部４５０は、任意のコンピュータのＣＰＵ、メモリ、メモリにロードされたプログラム、そのプログラムを格納するハードディスクなどの記憶メディア、ネットワーク接続用インタフェースを中心にハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。そして、その実現方法、装置には様々な変形例がある。
【００１２】
図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。人物Ｐは、図１の基板１００に垂直な方向から発光装置１０の光射出面を見ている。本実施形態に係る発光装置１０は、基板１００と、基板１００に形成された発光部１４０とを備える。発光部１４０は、透光性の第１電極１１０、光反射性の第２電極１３０、および、第１電極１１０と第２電極１３０との間に位置する有機層１２０を有する。そして、第２電極１３０の有機層１２０側と反対側の面には凹部１３６が設けられている。
【００１３】
また、発光装置１０は、発光部１４０からの光を検出する検出部３００をさらに備える。そして、検出部３００は、第２電極１３０の凹部１３６を介して有機層１２０と対向している。以下に詳しく説明する。
【００１４】
なお、以下では、発光部１４０を基準に基板１００が設けられた側を発光装置１０のおもて面、基板１００と反対側を発光装置１０の裏面と呼ぶ。
【００１５】
実施形態に係る発光装置１０は、照明装置または表示装置である。発光部１４０は、基板１００の一面に形成されている。発光装置１０は絶縁層１５０をさらに備え、発光部１４０は絶縁層１５０によって画定されている。絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の材料を用いて形成されており、露光及び現像工程を経て、所定の形状に形成される。絶縁層１５０は、第１電極１１０が形成された後、かつ有機層１２０が形成される前に形成される。ただし、絶縁層１５０は形成されていなくてもよい。
【００１６】
発光部１４０は第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は、いずれも第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。発光部１４０は、有機層１２０が第１電極１１０および第２電極１３０と接している領域であり、発光領域である。また、有機層１２０は絶縁層１５０に形成された開口の内側に位置している。このため、発光部１４０は絶縁層１５０の開口の内側に位置することになる。
【００１７】
基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
【００１８】
第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。第１電極１１０を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
【００１９】
第２電極１３０は凹部１３６以外の領域において透光性を有していない。第２電極１３０は例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
【００２０】
上述の通り、第２電極１３０の有機層１２０側と反対側の面（第１の面１３５）には凹部１３６が設けられている。なお、凹部１３６の部分とそれ以外の部分とでは第２電極１３０の厚さが異なる。基板１００に垂直な方向から見た凹部１３６の形状は特に限定されないが、たとえば円形、矩形、多角形である。凹部１３６が設けられた部分の第２電極１３０の厚さｄ１は特に限定されないが、たとえば５０ｎｍ以下である。また、第２電極１３０がＡｌからなる場合、厚さｄ１は、１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。一方、第２電極１３０がＡｇからなる場合、厚さｄ１は、４０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることがより好ましい。そして、第２電極１３０の厚さｄ１は特に限定されないが、たとえば２ｎｍ以上である。また、凹部１３６が設けられていない部分の第２電極１３０の厚さｄ２はたとえば８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
【００２１】
凹部１３６は例えば、以下の様に形成する事ができる。第２電極１３０の成膜時に、まず凹部１３６を設ける部分とそれ以外の部分を合わせて成膜する。このときの膜厚は厚さｄ１となるようにする。その後、凹部１３６の部分にマスクを設け、さらに凹部１３６以外の部分をトータルの厚さがｄ２となるまで成膜する。また、厚さが一様な第２電極１３０を形成した後に、エッチング等によって凹部１３６を設けても良い。この場合、厚さがｄ２の膜を成膜した上で、エッチングを行う。
【００２２】
発光装置１０は透光領域１３８を有する。透光領域１３８は、基板１００に垂直な方向から見て、凹部１３６に重なる領域である。そして、基板１００に垂直な方向から見て、透光領域１３８は発光部１４０と重なっている。透光領域１３８において、第２電極１３０は薄膜であるため、発光部１４０から発せられた光の内少なくとも一部を透過する。一方、第２電極１３０に貫通孔ではない凹部１３６が設けられていることにより透光領域１３８にも第２電極１３０が形成されており、発光が確保される。ひいては、凹部１３６を大きくし、検出部３００に入射する光を増やすことができる。
【００２３】
有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
【００２４】
第１電極１１０の縁は、絶縁層１５０によって覆われている。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０となる部分を囲んでいる。そして、本図に示す例では、基板１００に垂直な方向から見た場合において、絶縁層１５０の一部は第１電極１１０からはみ出ている。また、第２電極１３０の縁は、少なくとも一部が絶縁層１５０上に位置している。言い換えると、基板１００に垂直な方向から見た場合において、絶縁層１５０の一部は第２電極１３０からはみ出ている。くわえて、本図に示す例において、有機層１２０は絶縁層１５０の側面に接して形成されている。基板１００に複数の発光部１４０が形成されている場合、有機層１２０は隣り合う発光部１４０の間で分断されていてもよいし、隣り合う発光部１４０にわたって連続して形成されていてもよい。
【００２５】
発光装置１０は第１端子１１２、及び第２端子１３２をさらに有している。発光装置１０が複数の発光部１４０を備える場合、たとえば第１電極１１０、第１端子１１２、第２電極１３０、及び第２端子１３２は、発光部１４０毎に独立している。ただし、第２端子１３２はすべての発光部１４０に対して共通の端子であってもよい。この場合、第２電極１３０も、全ての発光部１４０に共通の電極（いわゆるベタ電極）であってもよい。また、第１端子１１２はすべての発光部１４０に対して共通の端子であってもよい。この場合、第１電極１１０も、全ての発光部１４０に共通の電極（いわゆるベタ電極）であってもよい。
【００２６】
第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０と同じ材料を用いて形成された層を有している。この層は、第１電極１１０と同一の工程で形成される。また、第１端子１１２のうち第１電極１１０と同様の材料で形成されている層は、第１電極１１０と一体になっている。一方、第２端子１３２は第１電極１１０から分離している。また、第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０を挟んで互いに逆側に位置している。
【００２７】
発光装置１０は、検出部３００と発光部１４０との間に、発光部１４０を封止する封止部材２００をさらに備える。封止部材２００には、基板１００に垂直な方向から見て凹部１３６と重なる位置に第１の光透過性領域２０１が設けられている。具体的には、封止部材２００はその一部が光透過性部材２２０により形成されている。光透過性部材２２０はたとえばガラスまたは樹脂から成る。そして、光透過性部材２２０により形成された部分が第１の光透過性領域２０１を成している。第１の光透過性領域２０１の大きさは特に限定されないが、基板１００に垂直な方法から見て、凹部１３６の全体を覆うことが好ましく、凹部１３６と重なる領域よりも大きいことがより好ましい。封止部材２００は基板１００に固定される部分を除いて開口無く形成されている。そして、発光部１４０が基板１００と封止部材２００との間で密閉されるように、封止部材２００は縁を基板１００に固定されている。なお、封止部材２００は全体が光透過性を有していても良い。
【００２８】
発光装置１０は、発光部１４０を介して基板１００と対向する回路基板３１０をさらに備える。回路基板３１０には、基板１００に垂直な方向から見て凹部１３６と重なる位置に、貫通孔３１２が設けられている。そして、検出部３００は、貫通孔３１２を介して発光部１４０からの光を検出する。具体的には、検出部３００は、少なくとも一部が貫通孔３１２内に位置している。また、回路基板３１０には、発光部１４０を駆動するための処理制御部４００等が設けられている。処理制御部４００はたとえばマイクロコンピュータ等の演算装置である。本実施形態において、処理制御部４００は後に説明する制御部４３０および処理部４１０の機能を果たす。ただし、後述のように光センサＩＣを検出部３００として用いる場合、処理部４１０および制御部４３０の少なくとも一部の機能を果たす演算装置は検出部３００と一体化されていても良い。回路基板３１０には配線や、電極３１１ａおよび電極３１１ｂを含む電極パッド等が設けられている。そして、処理制御部４００は電極３１１ａおよび電極３１１ｂを介して第１端子１１２および第２端子１３２に電気的に接続されている。
【００２９】
なお、貫通孔３１２の内面に光反射性の膜を形成しても良い。また、基板１００に垂直な方向の断面において、貫通孔３１２の幅が、発光部１４０に近づくにつれて広がっているようにしてもよい。そうすれば、より多くの光を検出部３００が受光でき、発光部１４０の発光をより精度良く検出できる。なお、貫通孔３１２は、基板１００に垂直な方向から見て、少なくとも一部が第１の光透過性領域２０１に重なっていれば良く、貫通孔３１２の大きさは第１の光透過性領域２０１の大きさに必ずしも一致している必要は無い。
【００３０】
検出部３００はたとえばフォトダイオード等の光センサ素子または光センサＩＣである。検出部３００は受光部３０２を有し、受光部３０２に入射した光を検出する。検出部３００は、受光部３０２が発光部１４０に対向するように回路基板３１０に固定されている。受光部３０２は基板１００に垂直な方向から見て透光領域１３８に重なっている。すなわち、検出部３００は、基板１００に垂直な方向から見て、発光部１４０に重なっている。そして、受光部３０２は貫通孔３１２内に位置する。たとえば、検出部３００がリードタイプのフォトダイオードである場合、受光部３０２を基板１００側に向けるように検出部３００が貫通孔３１２に挿入され、検出部３００のリード３０４が回路基板３１０の電極パッドに半田付けされることで固定されている。本図の例において、検出部３００はリード３０４とは反対側の面に受光部３０２を備える。ただし、検出部３００は、リード３０４と同じ側に受光部３０２を備えていてもよい。
【００３１】
上述のように発光部１４０の第２電極１３０に凹部１３６を形成し、凹部１３６に対向する検出部３００を設けることにより、発光部１４０の外側に検出部３００を設けるスペースを確保する必要が無く、発光装置１０の外枠部を狭くすることができる。そして、たとえば複数の発光装置１０をタイリングする場合にも、発光領域を連続させて敷き詰めることができる。
【００３２】
また、回路基板３１０および処理制御部４００を基板１００に垂直な方向から見て発光部１４０に重なるように、基板１００に対し発光装置１０の裏面側に配置することで、コンパクトで、かつ、発光装置１０の薄さを極力損なわない構成にできる。くわえて、配線等も最小限にできるため、製造や取り扱いも容易となる。ここで、発光装置１０が封止部材２００を備えることにより、別途、支台を設けることなく回路基板３１０を配置できる。また、回路基板３１０の貫通孔３１２内に検出部３００を配置することで、発光装置１０の厚さを薄くすることができる。
【００３３】
図２は、本実施形態に係る発光装置１０の構成を示すブロック図である。発光装置１０は、処理部４１０、制御部４３０、および記憶部４５０を含む。
【００３４】
処理部４１０は検出部３００の検出結果から、発光部１４０の発光に関する情報を生成する。本実施形態において、検出部３００は光の強度を検出する光センサ素子であり、輝度または照度の高さに応じた信号を出力する。処理部４１０は、検出部３００の出力信号に基づいて発光部１４０の発光強度を示す情報を生成する。
【００３５】
制御部４３０は、発光部１４０の駆動信号を出力し、その駆動信号が第１端子１１２と第２端子１３２との間に印加されて発光部１４０が発光する。本実施形態において、発光部１４０の発光強度は、駆動信号に応じて変化する。
【００３６】
また、制御部４３０は、検出部３００の検出結果に基づいて、発光部１４０の発光を制御する。すなわち、制御部４３０は、処理部４１０に生成された発光部１４０の発光に関する情報に基づいて、発光部１４０の発光を制御する。具体的には制御部４３０は、処理部４１０に生成された発光部１４０の発光に関する情報を取得し、発光に関する情報が予め定められた基準を満たすか否かを判定する。基準を満たさないと判定した場合、制御部４３０は、取得した発光に関する情報と予め定められた目標値との差を算出し、算出した差に基づいて所望の発光が得られるよう発光部１４０の駆動信号を生成し、出力する。ここで駆動信号は、たとえば検出部３００が光を検出した時点での駆動信号に対して、算出された差および補正パラメータを用いた補正処理を行うことにより得られる。補正処理は、具体的にはたとえば、算出された差に補正パラメータを乗じたものを、それまでの駆動信号に対して加算することにより行える。
【００３７】
たとえば、検出部３００の検出結果が、目標値よりも低い発光強度（輝度または照度）である場合、制御部４３０は第１電極１１０と第２電極１３０との間に印加する電力を上げるよう制御を行う。一方、検出部３００の検出結果が、目標値よりも高い発光強度である場合、制御部４３０は第１電極１１０と第２電極１３０との間に印加する電力を下げるよう制御を行う。
【００３８】
一方、基準を満たすと判定した場合、制御部４３０は、駆動信号を変更せず、検出部３００が光を検出した時点での出力を維持する。
【００３９】
また、制御部４３０は、判定を行わず、取得した発光に関する情報と予め定められた目標値との差を算出し、上述の様に、算出した差に基づいて所望の発光が得られるよう発光部１４０の駆動信号を生成しても良い。すなわち、フィードバック制御を行っても良い。
【００４０】
なお、上記の基準、目標値、および補正パラメータは、記憶部４５０に予め保持させたものを制御部４３０が読み出して用いることができる。補正パラメータはたとえば他の発光装置１０等を用いた試験を行うことで予め決定し、記憶部４５０に保持させることができる。ここで、発光装置１０のおもて面側に放出される光と、裏面側に放出されて検出部３００で検出される光とは、必ずしも同じでない場合がある。たとえば、おもて面側に放出される光は第２電極１３０を透過しないのに対し、検出部３００で検出される光は、第２電極１３０の薄膜を透過したものであるからである。そこで、補正パラメータは、発光装置１０のおもて面側で所望の光を得られるように決定される。
【００４１】
なお、基準、目標値、および補正パラメータは、発光装置１０に対する設定操作に応じて変更可能であっても良い。また、目標値は、絶対値であっても良いし、発光装置１０の初期の輝度に対する相対値であっても良い。
【００４２】
本実施形態の発光装置１０においては、制御部４３０は、処理部４１０に生成された発光部１４０の発光強度を示す情報に基づき、発光部１４０の発光強度を制御する。そうすることにより、経時変化等によらず所望の発光強度を維持することができる。
【００４３】
発光装置１０の製造方法について以下に説明する。まず、基板１００に第１電極１１０を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、第１電極１１０を例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。なお、第１電極１１０と同時に第１端子１１２および第２端子１３２を形成する事ができる。次いで、第１電極１１０の縁の上に絶縁層１５０を形成する。例えば絶縁層１５０が感光性の樹脂で形成されている場合、絶縁層１５０は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。
【００４４】
次いで、有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。具体的には上述の通り、第２電極１３０の成膜時には、まず凹部１３６を設ける部分とそれ以外の部分を合わせて成膜する。その後、凹部１３６の部分にマスクを設け、さらに凹部１３６以外の部分を成膜することにより、凹部１３６が設けられた第２電極１３０を形成できる。
【００４５】
一方、光透過性部材２２０を備える封止部材２００を準備し、その封止部材２００で発光部１４０を封止する。そして、処理制御部４００および検出部３００を設けた回路基板３１０を、封止部材２００の上に配置して固定する。次いで、電極３１１ａと第１端子１１２、および電極３１１ｂと第２端子１３２とをワイヤー等で接続して発光装置１０を得る。なお、第２電極１３０と封止部材２００との間の空間を、さらにエポキシなどの接着剤で充填しても良い。
【００４６】
なお、図１では、一つの基板１００に対して凹部１３６が一つのみ設けられている例を示したが、一つの基板１００に対して二つ以上の凹部１３６が設けられていても良い。その場合、発光装置１０はたとえば第２電極１３０および第１電極１１０のうち少なくとも一方が独立に設けられた複数の発光部１４０を備え、複数の凹部１３６は基板１００に垂直な方向から見て互いに異なる発光部１４０に重なるように設けられる。そして、各凹部１３６に対して第１の光透過性領域２０１、貫通孔３１２、および検出部３００が設けられる。そうすれば、たとえば対応する検出部３００の検出結果に基づいて、各発光部１４０の発光を独立に制御する事ができる。
【００４７】
また、図１では、発光装置１０が封止部材２００を備える例を示したが、封止部材２００の代わりに発光装置１０は保護層を備えても良い。保護層はたとえば光透過性を有する膜である。または、保護層は、基板１００に垂直な方向から見て透光領域１３８に重なる領域のみが光透過性の膜で形成され、他の領域が不透明な膜で形成された層であっても良い。保護層は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの無機材料によって形成される。また、保護層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
【００４８】
保護層は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成される。この場合、保護層の段差被覆性は高くなる。またこの場合、保護層は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、保護層は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。
【００４９】
ただし、保護層は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、保護層は、ＳｉＯ２、ＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
【００５０】
封止部材２００の代わりに保護層を設ける場合には、別途、回路基板３１０を支える支台を設けても良い。
【００５１】
以上、本実施形態によれば、第２電極１３０の有機層１２０側と反対側の面には凹部１３６が設けられている。そして、検出部３００は、第２電極１３０の凹部１３６を介して有機層１２０と対向している。したがって、発光部１４０からの発光を検出した結果に基づいて発光部１４０を制御する事ができ、経時変化等によらず所望の発光強度を維持することができる。また、発光装置１０において非発光の外枠部を大きくする必要が無いため、例えば複数の発光装置１０をタイリングする場合にも、発光領域を連続させて敷き詰めることができる。
【００５２】
（実施例１）
図３は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。ただし、本図において、封止部材２００、回路基板３１０は省略して描いている。図１は、図３のＡ−Ａ断面図に相当する。ただし、図１では、絶縁層１５０の上には有機層１２０が形成されていない例を示している。図４は、本実施例に係る発光装置１０の発光部１４０を拡大して示した断面図である。図５は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。ただし、本図において、封止部材２００、回路基板３１０および凹部１３６は省略して描いている。図６は図５から第２電極１３０を取り除いた図である。図７は図６から第３発光層１２３ｃ、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、および電子注入層１２６を取り除いた図である。図８は図７から正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、第１発光層１２３ａ、第２発光層１２３ｂ、および絶縁層１５０を取り除いた図である。図４は、図５のＢ−Ｂ断面図である。
【００５３】
本実施例に係る発光装置１０は、互いに異なる色の発光をする複数の発光部１４０を含む。そして、処理部４１０は、検出部３００の検出結果から発光部１４０の発光色に関する情報を生成する。また、本実施例に係る制御部４３０は、たとえば発光部１４０からの光の色温度に基づいて発光部１４０の発光を制御する。以下に詳しく説明する。
【００５４】
本実施例に係る発光装置１０は照明装置であり、基板１００のほぼ全面に発光領域が形成されている。この発光領域には、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、及び第３発光部１４０ｃが繰り返し形成されている。第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、及び第３発光部１４０ｃは、いずれもストライプ状（線状）に延在している。各発光部１４０は、絶縁層１５０の開口１５２内に位置している。第１発光部１４０ａは第１有機層１２０ａを含み、第２発光部１４０ｂは第２有機層１２０ｂを含み、第３発光部１４０ｃは第３有機層１２０ｃを含む。
【００５５】
第１発光部１４０ａは、基板１００の第１領域１００ａに形成されており、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、第１発光層１２３ａ、第３発光層１２３ｃ、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、および電子注入層１２６を有している。第２発光部１４０ｂは、基板１００の第２領域１００ｂに形成されており、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、第２発光層１２３ｂ、第３発光層１２３ｃ、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５および電子注入層１２６を有している。第３発光部１４０ｃは、基板１００の第３領域１００ｃに形成されており、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、第３発光層１２３ｃ、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５および電子注入層１２６を有している。なお、各発光部１４０において、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、および電子注入層１２６のうち少なくとも一つは形成されていなくても良い。
【００５６】
正孔注入層１２１は、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）を用いて形成されている。正孔注入層１２１の厚さは例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。第１有機層１２０ａの正孔注入層１２１、第２有機層１２０ｂの正孔注入層１２１、および第３有機層１２０ｃの正孔注入層１２１は同一工程で形成できる。正孔注入層１２１の形成方法としては、たとえば蒸着法および塗布法が挙げられる。
【００５７】
正孔輸送層１２２は正孔移動性の有機材料を用いて形成されている。第１有機層１２０ａの正孔輸送層１２２、第２有機層１２０ｂの正孔輸送層１２２、および第３有機層１２０ｃの正孔輸送層１２２は同一工程で形成できる。正孔輸送層１２２の形成方法としては、たとえば蒸着法および塗布法が挙げられる。
【００５８】
第１発光層１２３ａ、第２発光層１２３ｂ、および第３発光層１２３ｃは、いずれも電子と正孔の再結合に伴って発光する材料を用いて形成されている。ただし、第１発光層１２３ａの発光色、第２発光層１２３ｂの発光色、および第３発光層１２３ｃの発光色は互いに異なる。したがって、第１発光部１４０ａの発光色、第２発光部１４０ｂの発光色、および第３発光部１４０ｃの発光色は互いに異なる。例えば、第１発光層１２３ａの発光スペクトルのピーク波長は、第２発光層１２３ｂの発光スペクトルのピーク波長よりも長い。また、第２発光層１２３ｂの発光スペクトルのピーク波長は、第３発光層１２３ｃの発光スペクトルのピーク波長よりも長い。第１発光層１２３ａの発光色は、例えば赤色（ピーク波長が６００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下）であり、第２発光層１２３ｂの発光色は、例えば緑色（ピーク波長が５３０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下）であり、第３発光層１２３ｃの発光色は、例えば青色（ピーク波長が４５０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下）である。
【００５９】
図４に示す例において、第１発光層１２３ａは第１発光部１４０ａにのみ形成されており、第２発光層１２３ｂは第２発光部１４０ｂにのみ形成されている。一方、第３発光層１２３ｃは第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃにわたって連続して形成されている。ただし、第３発光層１２３ｃは第３発光部１４０ｃのみに形成されていても良い。
【００６０】
本実施例に係る発光装置１０は、このように、互いに異なる発光色を生じる第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃを備える。このことにより、発光装置１０はたとえば白色やカラーの照明として用いることができる。また、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃの発光をそれぞれ独立に調整することにより、発光装置１０全体の色を調整することができる。
【００６１】
第１有機層１２０ａの正孔ブロック層１２４は、第１発光層１２３ａのうち正孔輸送層１２２とは逆側の面に接しており、正孔が第１発光層１２３ａを突き抜けて第１有機層１２０ａの電子輸送層１２５又は電子注入層１２６に到達することを抑制する。第２有機層１２０ｂおよび第３有機層１２０ｃの正孔ブロック層１２４も同様である。正孔ブロック層１２４は、例えば電子が移動することができる材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成される。図４に示す例において、正孔ブロック層１２４は、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃにわたり連続して形成されている。正孔ブロック層１２４の厚さは、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００６２】
第１有機層１２０ａの電子輸送層１２５、第２有機層１２０ｂの電子輸送層１２５、および第３有機層１２０ｃの電子輸送層１２５は、いずれも電子が移動する材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成されている。このような材料としては、例えば、含窒素芳香族複素環誘導体、芳香族炭化水素環誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体が挙げられる。図４に示す例において、電子輸送層１２５は、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃにわたり連続して形成されている。電子輸送層１２５の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００６３】
第１有機層１２０ａの電子注入層１２６、第２有機層１２０ｂの電子注入層１２６、および第３有機層１２０ｃの電子注入層１２６は、いずれも例えばＬｉＦなどのアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、又はリチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体を用いて形成される。図４に示す例において、電子注入層１２６は、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃにわたり連続して形成されている。電子注入層１２６の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【００６４】
なお、第１有機層１２０ａ、第２有機層１２０ｂ、および第３有機層１２０ｃは、さらに電子阻害層を有していてもよい。電子阻害層は、正孔輸送層１２２と発光層１２３ａ，ｂ，ｃの間に位置し、発光層を突き抜けた電子が正孔輸送層１２２や正孔注入層１２１に到達することを抑制する。電子阻害層は、例えば、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）の少なくとも一つを用いて形成することができる。電子阻害層の厚さは、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００６５】
また、図４に示す例において、第１有機層１２０ａの各層は第１の開口１５２ａの内側に位置しており、第２有機層１２０ｂの各層は第２の開口１５２ｂの内側に位置しており、第３有機層１２０ｃの各層は第３の開口１５２ｃの内側に位置している。ただし、本図の例において、第３発光層１２３ｃ、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、および電子注入層１２６は、絶縁層１５０の上にも形成されている。また、正孔注入層１２１および正孔輸送層１２２は、絶縁層１５０の上に形成されていてもよい。この場合、第１有機層１２０ａの正孔注入層１２１、第２有機層１２０ｂの正孔注入層１２１、および第３有機層１２０ｃの正孔注入層１２１は互いに繋がっていてもよい。また、第１有機層１２０ａの正孔輸送層１２２、第２有機層１２０ｂの正孔輸送層１２２、および第３有機層１２０ｃの正孔輸送層１２２は互いに繋がっていてもよい。
【００６６】
第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、及び第３発光部１４０ｃは、いずれも、第１電極１１０、第１端子１１２、第２電極１３０、及び第２端子１３２を有している。本実施例において、発光装置１０は、調光可能な照明装置である。このため、図３から図８に示す例において、第１電極１１０および第１端子１１２は、発光部１４０毎に独立している。一方、第２端子１３２はすべての発光部１４０に対して共通の端子であり、第２電極１３０も全ての発光部１４０に共通の電極（いわゆるベタ電極）である。ただし、第２電極１３０および第２端子１３２が、発光部１４０毎に独立しており、一方、第１端子１１２がすべての発光部１４０に対して共通の端子であり、第１電極１１０が全ての発光部１４０に共通の電極（いわゆるベタ電極）であってもよい。
【００６７】
また、第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０を挟んで互いに逆側に位置している。本図に示す例では基板１００は矩形である。そして、第１端子１１２は基板１００の一辺に沿って形成されており、第２端子１３２は、基板１００の４辺のうち第１端子１１２とは逆側の辺に沿って形成されている。
【００６８】
絶縁層１５０は、第１の開口１５２ａ、第２の開口１５２ｂ、及び第３の開口１５２ｃを有している。第１の開口１５２ａは第１発光部１４０ａが形成されるべき領域に位置しており、第２の開口１５２ｂは第２発光部１４０ｂが形成されるべき領域に位置しており、第３の開口１５２ｃは第３発光部１４０ｃが形成されるべき領域に位置している。そして、第２電極１３０の一部は、絶縁層１５０をまたいで第２端子１３２の上まで延在している。
【００６９】
本実施例に係る発光装置１０においては、たとえば第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃの輝度比率を調整することによって色度調整が行われる。
【００７０】
上述の通り、本実施例に係る処理部４１０は、検出部３００の検出結果から発光部１４０の発光色に関する情報を生成する。そして処理部４１０は、検出部３００の検出結果から発光部１４０の発光色に関する情報として発光部１４０の色度を示す情報、または発光部１４０の色温度を示す情報を生成する。
【００７１】
本実施例において、凹部１３６は、基板１００に垂直な方向から見て、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃの少なくともいずれか一つと重なるように設けられている。また、凹部１３６は、基板１００に垂直な方向から見て、少なくとも一つずつの第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃと重なるように設けられていても良い。
【００７２】
本実施例では、凹部１３６が、基板１００に垂直な方向から見て、少なくとも一つずつの第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃと重なるように設けられている例について説明する。この場合、凹部１３６は、基板１００に垂直な方向から見て、各三つ以上の第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃと重なるように設けられていることがより好ましい。そうすれば、検出部３００は多くの光量を受光することができ、より精度の高い光検出ができる。
【００７３】
本実施例において、検出部３００はたとえば色度センサである。そして、一つの検出部３００は第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃからの光を同時に受光する。そして、検出部３００は、受光した光の色度または色温度を示す情報を生成する。ここで、検出部３００が受光する光において、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃからの光が混色されている。したがって、検出部３００の検出結果から、発光装置１０全体としての発光の色度または色温度に対応する情報を得られる。
【００７４】
そして制御部４３０は、処理部４１０から、色度または色温度を示す情報を取得し、色度または色温度を示す情報が予め定められた基準を満たすか否かを判定する。基準を満たさないと判定した場合、制御部４３０は、取得した発光に関する情報と予め定められた目標値との差を算出し、算出した差に基づいて所望の色度または色温度の発光が得られるよう発光部１４０の駆動信号を生成し、出力する。ここで駆動信号は、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃに対し独立に生成され、出力される。ここで駆動信号は、たとえば、実施形態で説明した方法と同様に、検出部３００が光を検出した時点での駆動信号に対して、算出された差および補正パラメータを用いた補正処理を行うことにより得られる。
【００７５】
補正処理によりたとえば第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃの出力強度比が変更される。ここで、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃの総和としての発光強度は低下する場合があっても良い。また、制御部４３０が色温度を示す情報に基づいて発光部１４０の発光を制御する場合、その目標値は特に制限されないが、たとえば４０００Ｋ以上５０００Ｋ以下である。
【００７６】
一方、基準を満たすと判定した場合、制御部４３０は、駆動信号を変更せず、検出部３００が光を検出した時点での出力を維持する。
【００７７】
また、実施形態と同様、制御部４３０は、判定を行わず、色度または色温度を示す情報と予め定められた目標値との差を算出し、算出した差に基づいて所望の色度または色温度の発光が得られるよう発光部１４０の駆動信号を生成しても良い。
【００７８】
なお、上記の基準、目標値、および補正パラメータは、記憶部４５０に予め保持させたものを制御部４３０が読み出して用いることができる。補正パラメータはたとえば他の発光装置１０等を用いた試験を行うことで予め決定し、記憶部４５０に保持させることができる。ここで、発光装置１０のおもて面側に放出される光と、裏面側に放出されて検出部３００で検出される光とは、必ずしも同じでない場合がある。たとえば、おもて面側に放出される光は第２電極１３０を透過しないのに対し、検出部３００で検出される光は、第２電極１３０の薄膜を透過したものであるからである。くわえて、第１有機層１２０ａ、第２有機層１２０ｂ、および第３有機層１２０ｃを構成する各層の積層関係が基板１００の厚さ方向に対称ではないからである。そこで、補正パラメータは、実施形態と同様、発光装置１０のおもて面側で所望の光を得られるように決定される。
【００７９】
なお、基準、目標値、および補正パラメータは、発光装置１０に対する設定操作に応じて変更可能であっても良い。また、目標値は、絶対値であっても良いし、発光装置１０の初期の輝度に対する相対値で合っても良い。
【００８０】
実施例１の変形例１について、以下に説明する。本変形例に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて実施例１に係る発光装置１０と同様である。
【００８１】
本変形例において、検出部３００は照度センサまたは輝度センサである。その場合、たとえば発光装置１０は第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃを順に発光させる試験動作を一時的に行う。具体的には制御部４３０は第１発光部１４０ａのみの発光、第２発光部１４０ｂのみの発光、および第３発光部１４０ｃのみの発光を順に行わせる。そして、各発光部１４０の輝度または照度を順に検出部３００が検出する。処理部４１０は検出部３００から、第１発光部１４０ａの発光時、第２発光部１４０ｂの発光時、および第３発光部１４０ｃの発光時の検出結果を示す情報をそれぞれ取得する。そして、処理部４１０は取得した検出結果に基づき、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃからの各色の発光強度（輝度または照度）の比率を算出する。そして、算出した比率に基づき、発光部１４０の発光に関する情報として、発光装置１０全体としての発光の色度または色温度を示す情報を生成する。以後、制御部４３０の動作は実施例１に係る発光装置１０と同じである。
【００８２】
図９は、実施例１の変形例２に係る発光装置１０の構成を示すブロック図である。本変形例に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて実施例１に係る発光装置１０と同様である。
【００８３】
本変形例では、発光装置１０は、第１検出部３００ａ、第２検出部３００ｂ、および第３検出部３００ｃを備える。第１検出部３００ａは第１発光部１４０ａから発せられた光を検出し、第２検出部３００ｂは第２発光部１４０ｂから発せられた光を検出し、第３検出部３００ｃは第３発光部１４０ｃから発せられた光を検出する。すなわち、基板１００に垂直な方向から見て、第１検出部３００ａは第１発光部１４０ａのみに重なり、第２検出部３００ｂは第２発光部１４０ｂのみに重なり、第３検出部３００ｃは第３発光部１４０ｃのみに重なる。各検出部３００に対しては、独立に凹部１３６、第１の光透過性領域２０１、および貫通孔３１２が設けられている。
【００８４】
本変形例において、第１検出部３００ａ、第２検出部３００ｂ、および第３検出部３００ｃはたとえば輝度センサ又は照度センサである。処理部４１０は第１検出部３００ａ、第２検出部３００ｂ、および第３検出部３００ｃから、それぞれの検出結果を示す情報を取得する。そして、処理部４１０は取得した検出結果に基づき、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃからの各色の発光強度（輝度または照度）の比率を算出する。そして、算出した比率に基づき、発光部１４０の発光に関する情報として、発光装置１０全体としての発光の色度または色温度を示す情報を生成する。以後、制御部４３０の動作は実施例１に係る発光装置１０と同じである。
【００８５】
図４に戻り、本実施例に係る発光装置１０の製造方法について以下に説明する。まず、基板１００の第１領域１００ａ、第２領域１００ｂ、および第３領域１００ｃに、第１電極１１０を、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成する。次いで、基板１００の上に絶縁層１５０、第１の開口１５２ａ、第２の開口１５２ｂ、および第３の開口１５２ｃを形成する。次いで、基板１００の第１領域１００ａ、第２領域１００ｂ、および第３領域１００ｃに、正孔注入材料を、例えばスピンコーティング法を用いて塗布し、その後乾燥させる。これにより、第１発光部１４０ａの正孔注入層１２１、第２発光部１４０ｂの正孔注入層１２１、および第３発光部１４０ｃの正孔注入層１２１が形成される。
【００８６】
次いで、基板１００の第１領域１００ａ、第２領域１００ｂ、および第３領域１００ｃに、正孔輸送材料を、例えばスピンコーティング法を用いて塗布し、その後乾燥させる。これにより、第１発光部１４０ａの正孔輸送層１２２、第２発光部１４０ｂの正孔輸送層１２２、および第３発光部１４０ｃの正孔輸送層１２２が形成される。
【００８７】
次いで、基板１００の第１領域１００ａに第１発光層１２３ａとなる発光材料を、第２領域１００ｂに第２発光層１２３ｂとなる発光材料を、例えばインクジェット法を用いて塗布する。これにより第１発光部１４０ａの第１発光層１２３ａ、および第２発光部１４０ｂの第２発光層１２３ｂが形成される。
【００８８】
次いで、基板１００の第１領域１００ａ、第２領域１００ｂ、および第３領域１００ｃに第３発光層１２３ｃとなる発光材料をたとえば真空蒸着する。これにより、第１発光部１４０ａの第３発光層１２３ｃ、第２発光部１４０ｂの第３発光層１２３ｃ、および第３発光部１４０ｃの第３発光層１２３ｃが形成される。
【００８９】
その後、第１有機層１２０ａの正孔ブロック層１２４、第２有機層１２０ｂの正孔ブロック層１２４、及び第３有機層１２０ｃの正孔ブロック層１２４を、真空蒸着法を用いて形成する。次いで、第１有機層１２０ａの電子輸送層１２５、第２有機層１２０ｂの電子輸送層１２５、及び第３有機層１２０ｃの電子輸送層１２５を、真空蒸着法を用いて形成する。さらに、電子輸送層１２５の上に、電子注入材料を真空蒸着する。これにより、第１有機層１２０ａの電子注入層１２６、第２有機層１２０ｂの電子注入層１２６、及び第３有機層１２０ｃの電子注入層１２６が形成される。このようにして、第１有機層１２０ａ、第２有機層１２０ｂ、及び第３有機層１２０ｃが形成される。
【００９０】
そして、第１有機層１２０ａ、第２有機層１２０ｂ、及び第３有機層１２０ｃのそれぞれの上に、第２電極１３０を形成する。第２電極１３０は、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成され、凹部１３６が設けられる。以後は実施形態に係る発光装置１０の製造方法と同様にして、発光装置１０を得られる。
【００９１】
なお、図４から図８に示す例では、発光装置１０が互いに異なる色の発光をする三種の発光部１４０、すなわち第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃを含むが、発光装置１０は、互いに異なる色の発光をする二種のみの発光部１４０を備えても良い。たとえば、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃのうちいずれか一つを備えなくても良い。また、発光装置１０は、互いに異なる色の発光をする四種以上の発光部１４０を備えても良い。
【００９２】
本実施例においても、第２電極１３０の有機層１２０側と反対側の面には凹部１３６が設けられている。そして、検出部３００は、第２電極１３０の凹部１３６を介して有機層１２０と対向している。したがって、発光部１４０からの発光を検出した結果に基づいて発光部１４０を制御する事ができ、経時変化等によらず所望の発光強度を維持することができる。また、発光装置１０において非発光の外枠部を大きくする必要が無いため、例えば複数の発光装置１０をタイリングする場合にも、発光領域を連続させて敷き詰めることができる。
【００９３】
また、本実施例に係る発光装置１０は、互いに異なる色の発光をする複数の発光部１４０を含む。そして、処理部４１０は、検出部３００の検出結果から発光部１４０の発光色に関する情報を生成し、制御部４３０は、発光部１４０からの光の色温度に基づいて発光部１４０の発光を制御する。したがって、安定した色温度での発光を実現することができる。
【００９４】
（実施例２）
図１０は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。本図は実施例１の図３に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、第２電極１３０に凹部１３６に接続する溝部１３７が設けられている点を除いて実施形態または実施例１に係る発光装置１０と同じである。
【００９５】
本実施例に係る発光装置１０の製造方法において、凹部１３６は、以下の様に形成される。第２電極１３０の成膜時に、まず凹部１３６を設ける部分とそれ以外の部分を合わせて成膜する。その後、凹部１３６の部分にマスクを設け、さらに凹部１３６以外の部分を成膜する。ここで、第２電極１３０を蒸着する蒸着装置は、蒸着源と基板１００との間にマスクを挿入した挿入状態と、挿入しない非挿入状態とを切り替え可能に構成されている。そして、挿入状態において、凹部１３６の形状に対応する形状のマスクは、梁によって装着装置に固定されている。そして、第２電極１３０の、基板１００とは反対側の面には、凹部１３６と共にこの梁の形状に対応する溝部１３７が形成される。
【００９６】
溝部１３７は、凹部１３６に繋がっており、基板１００に垂直な方向から見て第２電極１３０の端まで繋がっている。そして、溝部１３７の深さと凹部１３６の深さは一様である。なお、本図では、凹部１３６に繋がる二つの溝部１３７が設けられている例を示しているが、溝部１３７は一つのみ設けられていても良い。
【００９７】
本図に示す例では、基板１００に垂直な方向から見て、線状の発光部１４０の延在方向に垂直な方向に溝部１３７が延在している。こうすることにより、複数の発光部１４０のうち一部の発光部１４０に特に溝部１３７が重なることを避けることができる。したがって、第２電極１３０の厚さが薄くなる結果、特定の発光部１４０の輝度が低下してしまうことを回避することができる。
【００９８】
また、溝部１３７は、第１電極１１０の延在方向において、第１電極１１０の中心もしくは、中心よりも第１端子１１２に近いことが好ましい。そうすれば、第１端子１１２から遠い領域において、輝度が低くなりすぎることを避けられる。すなわち、第１電極１１０の抵抗が比較的大きい場合、第１端子１１２から離れるにつれて電位降下が生じ得る。その結果、第１端子１１２から遠い領域で輝度が低下することがある。これに対し、第１端子１１２から遠い領域に溝部１３７を設けないことにより、更なる輝度低下を避けることができる。
【００９９】
図１１は、実施例２の変形例１に係る発光装置１０の平面図である。本図は実施例１の図３に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、溝部１３７の位置を除いて実施例２に係る発光装置１０と同じである。
【０１００】
本変形例では、基板１００に垂直な方向から見て、線状の発光部１４０の延在方向に平行な方向に溝部１３７が延在している。そして、溝部１３７と開口１５２とが重ならないように形成されることにより、溝部１３７と発光部１４０の重なりを低減でき、発光部１４０の発光状態への影響を小さくすることができる。また、溝部１３７の一部と開口１５２とが重なる場合であっても、溝部１３７の幅、開口１５２の幅、および開口１５２の間隔を考慮して、溝部１３７と発光部１４０の重なりをできるだけ小さくするよう配置することが好ましい。
【０１０１】
図１２は、実施例２の変形例２に係る発光装置１０の平面図である。本図は実施例１の図３に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、凹部１３６および溝部１３７の位置を除いて実施例２に係る発光装置１０と同じである。
【０１０２】
本変形例では、基板１００に垂直な方向から見て、線状の発光部１４０の延在方向に斜めに交わる方向に溝部１３７が延在している。溝部１３７を特定の部分に限定して形成することにより、発光部１４０の発光状態のムラも、その部分に限定することができる。このことにより、人物Ｐは、発光状態のムラを視認しにくくなる。
【０１０３】
図１３は、実施例２の変形例３に係る発光装置１０の平面図である。本図は実施例１の図３に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、凹部１３６の位置および形状を除いて実施例２に係る発光装置１０と同じである。
【０１０４】
本変形例では、基板１００に垂直な方向から見て、凹部１３６の輪郭の一部が第２電極１３０の輪郭の一部に一致する。本図の例では、第２電極１３０には、基板１００に垂直な方向から見て、半円状の凹部１３６が設けられている。そして、凹部１３６は第２電極１３０の端に設けられている。具体的には、半円の直線部分が、第２電極１３０の何れかの外辺に重なるように設けられている。そうすることにより、凹部１３６を設けるためのマスクの形状の自由度が増し、凹部１３６を容易に形成できる。具体的には上述の梁等を設ける必要が無く、また、第２電極１３０に溝部１３７が形成されない。なお、凹部１３６の形状は特に限定されず、矩形や多角形であっても良い。
【０１０５】
図１４は、実施例２の変形例４に係る発光装置１０の平面図である。本図は実施例１の図３に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、凹部１３６の位置および形状を除いて実施例２に係る発光装置１０と同じである。
【０１０６】
本変形例では、基板１００に垂直な方向から見て、凹部１３６の輪郭の一部が第２電極１３０の輪郭の一部に一致し、かつ、凹部１３６の輪郭のうち一つの頂点が第２電極１３０の輪郭の一つの頂点に一致する。本図の例では、第２電極１３０には、基板１００に垂直な方向から見て、扇形の凹部１３６が設けられている。そして、凹部１３６は第２電極１３０の角部に設けられている。具体的には、凹部１３６の輪郭の直線部分は第２電極１３０の輪郭に重なり、曲線部分は第２電極１３０に重なる様に設けられている。そうすることにより、凹部１３６を設けるためのマスクの形状の自由度が増し、凹部１３６を容易に形成できる。具体的には上述の梁等を設ける必要が無く、また、第２電極１３０に溝部１３７が形成されない。なお、凹部１３６の形状は特に限定されず、矩形や多角形であっても良い。
【０１０７】
以上、実施例２および、実施例２の各変形例においても、実施形態と同様に、第２電極１３０の有機層１２０側と反対側の面には凹部１３６が設けられている。そして、検出部３００は、第２電極１３０の凹部１３６を介して有機層１２０と対向している。したがって、発光部１４０からの発光を検出した結果に基づいて発光部１４０を制御する事ができ、経時変化等によらず所望の発光強度を維持することができる。また、発光装置１０において非発光の外枠部を大きくする必要が無いため、例えば複数の発光装置１０をタイリングする場合にも、発光領域を連続させて敷き詰めることができる。
【０１０８】
（実施例３）
図１５は、実施例３に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は、実施形態の図１に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて、実施形態、実施例１または実施例２に係る発光装置１０と同じである。
【０１０９】
本実施例に係る発光装置１０において、回路基板３１０には、貫通孔３１２が設けられており、検出部３００は、少なくとも一部が貫通孔３１２内に位置している。そして、貫通孔３１２の、発光部１４０側と反対側の開口は、遮光部材３１４に覆われている。
【０１１０】
遮光部材３１４は、貫通孔３１２の、発光部１４０側と反対側の開口全体を覆うように設けられている。遮光部材３１４は、たとえば遮光性の樹脂から成る。遮光部材３１４は、たとえば、回路基板３１０に検出部３００を固定した後に、貫通孔３１２の開口を塞ぐようモールドしたり、又は、別途準備した遮光性の部材を被せて固定したりすることで発光装置１０に設けられる。
【０１１１】
以上、本実施例においても、実施形態と同様に、第２電極１３０の有機層１２０側と反対側の面には凹部１３６が設けられている。そして、検出部３００は、第２電極１３０の凹部１３６を介して有機層１２０と対向している。したがって、発光部１４０からの発光を検出した結果に基づいて発光部１４０を制御する事ができ、経時変化等によらず所望の発光強度を維持することができる。また、発光装置１０において非発光の外枠部を大きくする必要が無いため、例えば複数の発光装置１０をタイリングする場合にも、発光領域を連続させて敷き詰めることができる。
【０１１２】
くわえて、本実施例では、回路基板３１０の貫通孔３１２の、発光部１４０側と反対側の開口は、遮光部材３１４に覆われている。したがって、発光部１４０以外から検出部３００に入射する外光を遮断し、発光部１４０の発光を精度良く検出できる。
【０１１３】
（実施例４）
図１６は、実施例４に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は、実施形態の図１に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて、実施形態、実施例１、実施例２、または実施例３に係る発光装置１０と同じである。
【０１１４】
本実施例に係る発光装置１０では、基板１００に垂直な方向の断面において、凹部１３６の幅が、検出部３００に近づくにつれて広がっている。
【０１１５】
第２電極１３０の厚さに急激な変化がある場合、透光領域１３８とそれ以外の領域との間で急激な輝度の変化が生じ得る。第２電極１３０の厚さ変化により、抵抗の変化、および流れる電流の変化が生じるからである。これに対し、凹部１３６の幅を、検出部３００に近づくにつれて広げ、テーパー形状とすることにより、急激な厚さの変化を避け、すなわち、急峻な輝度変化を避けることができる。ひいては、人物Ｐに、透光領域１３８の輝度低下を視認されにくくなる。
【０１１６】
凹部１３６の断面形状は、所望の輝度ムラレベル、検出部３００の必要光量、凹部１３６の最大幅等を勘案して決定できる。また、本実施例に係る凹部１３６は、たとえば、第２電極１３０の蒸着時に基板１００とマスクとの距離を適宜変化させることによって形成できる。
【０１１７】
なお、本図では、基板１００に垂直な方向の断面において、凹部１３６の幅が、直線的に広がっている例を示したが、これに限定されない。凹部１３６の幅は、曲線的に広がっても良い。また、凹部１３６の底面は曲面であっても良い。すなわち、凹部１３６の基板１００に垂直な断面は、半円状や半楕円状であっても良い。そうすれば、第２電極１３０の厚さ変化をより連続的にすることができ、輝度変化をより緩やかにすることができる。
【０１１８】
以上、本実施例においても、実施形態と同様に、第２電極１３０の有機層１２０側と反対側の面には凹部１３６が設けられている。そして、検出部３００は、第２電極１３０の凹部１３６を介して有機層１２０と対向している。したがって、発光部１４０からの発光を検出した結果に基づいて発光部１４０を制御する事ができ、経時変化等によらず所望の発光強度を維持することができる。また、発光装置１０において非発光の外枠部を大きくする必要が無いため、例えば複数の発光装置１０をタイリングする場合にも、発光領域を連続させて敷き詰めることができる。
【０１１９】
くわえて、本実施例では、基板１００に垂直な方向の断面において、凹部１３６の幅が、検出部３００に近づくにつれて広がっている。したがって、透光領域１３８とそれ以外の領域との間で急激な輝度の変化を避けることができる。
【０１２０】
（実施例５）
図１７は、実施例５に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は、実施形態の図１に相当する。本実施例に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて、実施形態、実施例１、実施例２、実施例３、または実施例４に係る発光装置１０と同じである。
【０１２１】
本実施例に係る発光装置１０において、回路基板３１０には、基板１００に垂直な方向から見て凹部１３６と重なる位置に、第２の光透過性領域３１８が設けられている。そして、検出部３００は、第２の光透過性領域３１８を介して発光部１４０からの光を検出する。本実施例に係る回路基板３１０には、貫通孔３１２は形成されていない。回路基板３１０は光透過性部材３１６を含み、回路基板３１０の第２の光透過性領域３１８は、光透過性部材３１６により構成されている。光透過性部材３１６は例えばガラス又は樹脂から成る。
【０１２２】
本実施例において、検出部３００としてはたとえば、リード３０４と同じ側に受光部３０２を備える光センサＩＣが挙げられる。
【０１２３】
以上、本実施例においても、実施形態と同様に、第２電極１３０の有機層１２０側と反対側の面には凹部１３６が設けられている。そして、検出部３００は、第２電極１３０の凹部１３６を介して有機層１２０と対向している。したがって、発光部１４０からの発光を検出した結果に基づいて発光部１４０を制御する事ができ、経時変化等によらず所望の発光強度を維持することができる。また、発光装置１０において非発光の外枠部を大きくする必要が無いため、例えば複数の発光装置１０をタイリングする場合にも、発光領域を連続させて敷き詰めることができる。
【０１２４】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【０１２５】
１０  発光装置
１００  基板
１００ａ  第１領域
１００ｂ  第２領域
１００ｃ  第３領域
１１０  第１電極
１１２  第１端子
１２０  有機層
１２０ａ  第１有機層
１２０ｂ  第２有機層
１２０ｃ  第３有機層
１２１  正孔注入層
１２２  正孔輸送層
１２３ａ  第１発光層
１２３ｂ  第２発光層
１２３ｃ  第３発光層
１２４  正孔ブロック層
１２５  電子輸送層
１２６  電子注入層
１３０  第２電極
１３２  第２端子
１３５  第１の面
１３６  凹部
１３７  溝部
１３８  透光領域
１４０  発光部
１４０ａ  第１発光部
１４０ｂ  第２発光部
１４０ｃ  第３発光部
１５０  絶縁層
１５２  開口
１５２ａ  第１の開口
１５２ｂ  第２の開口
１５２ｃ  第３の開口
２００  封止部材
２０１  第１の光透過性領域
２２０  光透過性部材
３００  検出部
３００ａ  第１検出部
３００ｂ  第２検出部
３００ｃ  第３検出部
３０２  受光部
３０４  リード
３１０  回路基板
３１１ａ  電極
３１１ｂ  電極
３１２  貫通孔
３１４  遮光部材
３１６  光透過性部材
３１８  第２の光透過性領域
４００  処理制御部
４１０  処理部
４３０  制御部
４５０  記憶部
【図１】
2017139160.tif 000003
【図２】
2017139160.tif 000004
【図３】
2017139160.tif 000005
【図４】
2017139160.tif 000006
【図５】
2017139160.tif 000007
【図６】
2017139160.tif 000008
【図７】
2017139160.tif 000009
【図８】
2017139160.tif 000010
【図９】
2017139160.tif 000011
【図１０】
2017139160.tif 000012
【図１１】
2017139160.tif 000013
【図１２】
2017139160.tif 000014
【図１３】
2017139160.tif 000015
【図１４】
2017139160.tif 000016
【図１５】
2017139160.tif 000017
【図１６】
2017139160.tif 000018
【図１７】
2017139160.tif 000019