(57)【要約】      （修正有）【課題】液体吐出装置用基板の信頼性の低下を抑制することができる液体吐出装置用基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板２０の表面および裏面にポリシリコンを形成する工程と、基板の表面に形成されたポリシリコンをパターニングしてトランジスタ３１のゲート電極３３を形成する工程と、トランジスタに接続された液体吐出部４０を基板の表面の側に形成する工程と、基板の裏面に形成されたポリシリコンを覆う保護膜を形成する工程と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体吐出装置用基板の製造方法であって、
基板の表面および裏面にポリシリコンを形成する工程と、
前記基板の前記表面に形成された前記ポリシリコンをパターニングしてトランジスタのゲート電極を形成する工程と、
前記トランジスタに接続された液体吐出部を前記基板の前記表面の側に形成する工程と、
前記基板の前記裏面に形成された前記ポリシリコンを覆う保護膜を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記液体吐出部を形成する工程の後、前記液体吐出部の上に、前記液体吐出部に液体を導くための流路を形成する流路材を、密着性向上膜を介して形成する工程と、をさらに有する
ことを特徴とする請求項１に記載の液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記密着性向上膜には酸化シリコンを含む材料を用いる
ことを特徴とする請求項２に記載の液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記液体吐出部を形成する工程の後かつ前記流路材を形成する工程の前に、前記密着性向上膜を形成する工程をさらに有し、
前記密着性向上膜は第１材料で構成され、
前記密着性向上膜を形成する工程は、
前記第１材料の膜を形成する工程と、
ウェットエッチングにより前記膜をパターニングする工程と、を含む
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項５】
前記液体吐出部を形成する工程の後かつ前記流路材を形成する工程の前に、前記密着性向上膜を形成する工程をさらに有しており、
前記密着性向上膜は第１材料で構成され、
前記密着性向上膜を形成する工程は、
前記第１材料の膜を形成する工程と、
前記膜の上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いたウェットエッチングにより前記膜をパターニングする工程と、
前記膜をパターニングする工程の後に前記レジストパターンを除去する工程と、
を含み、
前記レジストパターンを除去する工程が、前記保護膜を形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項６】
前記レジストパターンを除去する工程は、酸素を含む雰囲気において前記レジストパターンをアッシングする工程を含み、
前記アッシングする工程において前記保護膜を形成する
ことを特徴とする請求項５に記載の液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項７】
前記レジストパターンを除去する工程は、前記アッシングする工程の後に、アルカリ性の薬液を用いて前記レジストパターンを前記密着性向上膜から剥離する工程を含む
ことを特徴とする請求項６に記載の液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項８】
前記基板の前記裏面の側から、前記基板を貫通する液体供給口を形成する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項９】
前記基板の前記裏面に形成された前記ポリシリコンにアライメントマークを形成する工程をさらに有し、
前記液体供給口を形成する工程では、前記アライメントマークを用いて前記液体供給口を形成する位置を決定する
ことを特徴とする請求項８に記載の液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記密着性向上膜を形成する工程の後に、前記基板の前記裏面側の前記ポリシリコンにアライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークを用いて、前記基板の前記裏面の側から、前記基板を貫通する液体供給口を形成する工程と、をさらに有する
ことを特徴とする請求項４から請求項７のいずれか１項に記載の液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記アライメントマークを形成する工程の後かつ前記液体供給口を形成する工程の前に、前記基板の前記裏面に形成された前記ポリシリコンおよび前記保護膜を除去する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ポリシリコンを形成する工程の前において、前記基板の前記表面および前記裏面は絶縁膜で覆われており、
前記液体供給口を形成する工程では、
前記アライメントマークを用いて、前記基板の前記裏面側の前記ポリシリコンの一部と、該裏面側の前記絶縁膜の一部とを除去し、前記一部が除去されたポリシリコンと前記一部が除去された絶縁膜とをマスクとして用いたエッチングにより前記液体供給口を形成し、又は、
前記アライメントマークを用いて、前記基板の前記裏面側の前記ポリシリコンの一部と、該裏面側の前記絶縁膜の一部とを除去した後、前記一部が除去されたポリシリコンを除去し、前記一部が除去された絶縁膜をマスクとして用いたエッチングにより前記液体供給口を形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の液体吐出装置用基板の製造方法。
【請求項１３】
液体吐出装置用基板の製造方法であって、
基板の表面および裏面にポリシリコンを形成する工程と、
前記基板の前記表面に形成された前記ポリシリコンをパターニングしてトランジスタのゲート電極を形成する工程と、
前記基板の前記表面の側に、前記トランジスタに接続された液体吐出部を形成する工程と、
前記液体吐出部を形成する工程の後に、シリコン酸化膜を形成する工程と、
レジストパターンを用いたウェットエッチングにより前記シリコン酸化膜をパターニングする工程と、
前記シリコン酸化膜をパターニングする工程の後に、酸素を含む雰囲気において前記レジストパターンをアッシングする工程と、
前記アッシングする工程の後に、アルカリ性の薬液を用いて前記レジストパターンを剥離する工程と、を含む
ことを特徴とする液体吐出装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出装置用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体吐出装置のなかには、液体（インク）に熱エネルギーを与えて該液体を紙等の媒体に吐出するサーマル方式のインクジェット記録装置（例えばプリンタやファクシミリ等）がある。液体吐出装置は、例えば、液体を吐出するためのノズルが設けられたヘッドを備えており、該ヘッドには、発熱素子を含む液体吐出部を備える基板（液体吐出装置用基板）が取り付けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３３２９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１はインクジェットヘッドの製造方法を開示している。特許文献１によると、半導体基板の表面側にポリシリコンゲートを形成するのに伴って該半導体基板の裏面側にポリシリコンが形成され（図１（１−４））、その後、該表面側にインク流路を形成する前に該裏面側のポリシリコンは除去される（図２（１−１０））。該裏面側のポリシリコンは、形成されてから除去されるまでの間、ヘッドの製造に必要な各工程においてそれに起因するダメージを受ける可能性がある。
【０００５】
本発明は、発明者による上記課題の認識を契機として為されたものであり、裏面側のポリシリコンを保護することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの側面は液体吐出装置用基板の製造方法にかかり、前記液体吐出装置用基板の製造方法は、基板の表面および裏面にポリシリコンを形成する工程と、前記基板の前記表面に形成された前記ポリシリコンをパターニングしてトランジスタのゲート電極を形成する工程と、前記トランジスタに接続された液体吐出部を前記基板の前記表面の側に形成する工程と、前記基板の前記裏面に形成された前記ポリシリコンを覆う保護膜を形成する工程と、を有することを特徴とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、液体吐出装置用基板の信頼性の低下が抑制される。このことは、以下において詳細な説明および添付図面を参照しながら本発明の例示的態様と共に詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】液体吐出装置の構成の例を説明するための図である。
【図２】液体吐出装置用基板の構造の例を説明するための図である。
【図３】液体吐出装置用基板の製造方法の例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図は、構造ないし構成を説明する目的で記載されたものに過ぎず、図示された各部材の寸法は必ずしも現実のものを反映するものではない。また、各図において、同一の部材または同一の構成要素には同一の参照番号を付しており、以下、重複する内容については説明を省略する。
【００１０】
図１を参照しながら、本発明に係る液体吐出装置の典型的な例として、サーマル方式のインクジェット記録装置ＰＡの構成を述べる。図１の（Ａ）は、記録装置ＰＡの外観構成の一例を示す斜視図である。記録装置ＰＡは、インクを吐出して記録を行う記録ヘッド３をキャリッジ２に搭載し、キャリッジ２を矢印Ａ方向に往復移動させて記録を行う。記録装置ＰＡは、プリント用紙などの記録媒体Ｐを、給紙機構５を介して給紙し、記録位置まで搬送する。記録装置ＰＡは、その記録位置において記録ヘッド３から記録媒体Ｐにインクを吐出することにより記録を行う。
【００１１】
キャリッジ２には、記録ヘッド３の他、例えば、インクカートリッジ６が搭載される。インクカートリッジ６は、記録ヘッド３に供給するインクを貯留する。インクカートリッジ６は、キャリッジ２に対して着脱自在になっている。また、記録装置ＰＡは、カラー記録が可能である。そのため、キャリッジ２には、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、イエロ（Ｙ）、ブラック（Ｋ）のインクをそれぞれ収容する４つのインクカートリッジが搭載されている。これら４つのインクカートリッジは、それぞれ独立して着脱可能である。
【００１２】
記録ヘッド３は、インクを吐出するためのノズルを有し、また、ノズルに対応して設けられた発熱素子（電気熱変換素子、ヒーター等とも称されうる。）を備える基板を具備する。記録信号にしたがうパルス電圧が印加された発熱素子は熱エネルギーを発生し、それによってインク内では気泡が生じ、そして、該発熱素子に対応するノズルからインクが吐出される。
【００１３】
図１の（Ｂ）は、記録装置ＰＡのシステム構成の例を示している。記録装置ＰＡは、インターフェース１７００、ＭＰＵ１７０１、ＲＯＭ１７０２、ＲＡＭ１７０３及びゲートアレイ１７０４を有する。インターフェース１７００には記録信号が入力される。ＲＯＭ１７０２は、ＭＰＵ１７０１が実行する制御プログラムを格納する。ＲＡＭ１７０３は、前述の記録信号や記録ヘッド１７０８に供給された記録データ等、各種データを保存する。ゲートアレイ１７０４は、記録ヘッド１７０８に対する記録データの供給制御を行い、また、インターフェース１７００、ＭＰＵ１７０１、ＲＡＭ１７０３の間のデータ転送の制御を行う。
【００１４】
記録装置ＰＡは、記録ヘッドドライバ１７０５、並びにモータドライバ１７０６及び１７０７、搬送モータ１７０９、キャリアモータ１７１０をさらに有する。記録ヘッドドライバ１７０５は記録ヘッド１７０８を駆動する。モータドライバ１７０６及び１７０７は搬送モータ１７０９及びキャリアモータ１７１０をそれぞれ駆動する。搬送モータ１７０９は記録媒体を搬送する。キャリアモータ１７１０は記録ヘッド１７０８を搬送する。
【００１５】
インターフェース１７００に記録信号が入力されると、この記録信号は、ゲートアレイ１７０４とＭＰＵ１７０１の間で所定の形式の記録データに変換されうる。この記録データにしたがって各機構が所望の動作を行い、このようにして上述の記録が為される。
【００１６】
図２は、液体吐出装置用基板２０（記録装置においては「記録ヘッド基板」、「記録素子基板」等と称されてもよい。以下、本明細書において単に「基板」という。）の構造の一部の断面図を説明するための模式図である。基板２０は、例えば、半導体基板３０と、半導体基板３０の上に配された液体吐出部４０と、液体吐出部４０に液体を導く流路５１を形成する流路材５０と、ノズル６１を有する板材６０とを備える。
【００１７】
半導体基板３０は、シリコン等の半導体で構成され得、その表面（図中において上面）又はその上には、トランジスタ３１等の各素子を構成する各部材が形成される。例えば、半導体基板３０の表面には、アクティブ領域（素子領域）を区画するフィールド酸化膜７０が形成される。また、該アクティブ領域における半導体基板３０の表面には、トランジスタ３１のドレインまたはソースとなる不純物領域３２が形成され、半導体基板３０の表面の上には不図示の絶縁膜（例えばシリコン酸化膜）を介してゲート電極３３が配される。また、半導体基板３０の上には、例えば、酸化シリコン等の絶縁材料で構成された第１の層間絶縁層７１および第２の層間絶縁層７２が配される。例えば、層間絶縁層７１には、例えばＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）が用いられ、層間絶縁層７２には、例えばＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）が用いられうる。
【００１８】
液体吐出部４０は、層間絶縁層７２の上に配されている。液体吐出部４０は、配線パターン８０を介してトランジスタ３１に接続されており、トランジスタ３１が導通状態になることによって液体を吐出するように構成されている。配線パターン８０は、例えば、第１配線層に対応する導電部材８１と、半導体基板３０に形成された領域３２と導電部材８１とを接続するプラグ８２とを含む。導電部材８１には、例えばＡｌ、Ｃｕ等が用いられうる。プラグ８２には、例えばＡｌ−Ｓｉ（シリコン含有アルミニウム）等が用いられうる。
【００１９】
また、液体吐出部４０は、例えば、発熱素子Ｈの抵抗成分を形成する金属膜４１と、第２配線層に対応し且つ発熱素子Ｈの電極を形成する電極部４２と、発熱素子Ｈを覆う複数層の膜Ｆ１〜Ｆ３とを含みうる。図中において、金属膜４１のうち２つの電極部４２の間の一部（上面が露出した一部）が発熱素子Ｈの主たる抵抗成分を形成する。金属膜４１には、例えばＴａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ等が用いられうる。電極部４２には、例えばＡｌ、Ｃｕ等が用いられうる。
【００２０】
膜Ｆ１は、例えば窒化シリコン等で構成され、半導体基板３０側への液体の侵入を防止して発熱素子Ｈ、配線パターン８０等を液体から保護する保護膜として作用する。膜Ｆ１は、図２に例示されるように発熱素子Ｈおよび層間絶縁層７２を覆うように形成されてもよいが、発熱素子Ｈおよび付随的に層間絶縁層７２のうち発熱素子Ｈの周辺の一部を覆うように形成されてもよい。膜Ｆ２は、例えばタンタル等で構成され、液体におけるキャビテーションから発熱素子Ｈを保護する耐キャビテーション膜として作用する。また、膜Ｆ３は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン等で構成され、その上の流路材５０を固定するための密着性向上膜として作用する。
【００２１】
流路材５０は、例えばエポキシ樹脂等の有機樹脂で構成され、液体の流路５１を形成する。半導体基板３０の裏面（下面）側には、流路５１に接続（流体連結）された開口である液体供給口９０が形成されている。流路５１は、液体供給口９０を介して供給された液体を液体吐出部４０に（具体的には発熱素子Ｈの上方の領域に）導く。
【００２２】
板材６０は、ノズル６１を有しており、流路５１の上かつ液体吐出部４０（具体的には発熱素子Ｈ）の上にノズル６１が位置するように、流路材５０の上に配される。板材６０は、ノズルプレート、オリフィスプレート等と称されてもよい。
【００２３】
図３（ａ）〜（ｅ）は、基板２０の製造方法の例における各工程での構造を示している。基板２０は、公知の半導体製造プロセスを用いて製造することが可能である。なお、以下では説明の容易化のため省略するが、各工程の間には、適宜、熱処理工程や洗浄工程等の各工程が挿入されてもよい。例えば、熱処理は、格子欠陥を回復するための熱処理、プラズマ処理によって帯電した半導体基板３０を除電するための熱処理等を含みうる。
【００２４】
図３（ａ）の工程では、半導体基板３０の表面に、アクティブ領域を区画するフィールド酸化膜７０（膜厚９００ｎｍ程度）を形成し、その後、該区画されたアクティブ領域にトランジスタ３１を形成する。さらにその後、フィールド酸化膜７０、トランジスタ３１等を覆うように、半導体基板３０の上に層間絶縁層７１（厚さ５００ｎｍ程度）を形成する。
【００２５】
トランジスタ３１は、ドレインまたはソースとなる不純物領域３２と、ゲート電極３３とを含む。不純物領域３２は、半導体基板３０又は半導体基板３０に形成された不図示のウエルに対して、所望の導電型の不純物を注入することにより形成されうる。ゲート電極３３は、ポリシリコンで構成され、半導体基板３０の表面に絶縁膜（ゲート絶縁膜）を介してポリシリコン膜をＣＶＤ（化学気相成長）法等によって形成した後、該ポリシリコン膜をパターニングすることによって得られうる。
【００２６】
この工程では、図中に示されるように、半導体基板３０の表面側のフィールド酸化膜７０の形成に伴って半導体基板３０の裏面側に酸化膜７０Ｂが形成され、また、該表面側のポリシリコン膜の形成に伴って該裏面側にポリシリコン膜３３Ｂが形成される。即ち、本例では、酸化膜７０Ｂおよびポリシリコン膜３３Ｂは、半導体基板３０の表面に各素子を形成するのに伴って副次的に半導体基板３０の裏面側に形成される。以下、本明細書において、半導体基板３０の裏面側に形成されたポリシリコン膜３３Ｂを「裏面側ポリシリコン膜」という場合がある。
【００２７】
ここで、図中に拡大図で示されるように、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂの下面（図中において下側の面）には被膜３４Ｂが形成されうる。被膜３４Ｂは、例えば、半導体基板３０の表面側のゲート電極３３に不図示のサイドスペーサ（サイドウォールスペーサ、サイドウォール等とも称される。）を形成するのに伴って形成される酸化膜でありうる。該サイドスペーサは、ゲート電極３３の側面に形成されるスペーサであり、例えばトランジスタ３１をＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ−Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造にするのに用いられうる。また、他の例では、被膜３４Ｂは、例えば、半導体基板３０の表面側に不図示のＮＳＧ（Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜を形成するのに伴って形成される酸化膜（膜厚１００ｎｍ程度）でありうる。該ＮＳＧ膜は、半導体基板３０と、その上に形成されうる部材との間に形成され、それらの間での不純物の移動ないし拡散を防ぐ作用を有する。
【００２８】
なお、上述のサイドスペーサの形成とＮＳＧ膜の形成との双方が為されてもよく、被膜３４Ｂは、それらに伴って形成され得、又は、ここでは説明を省略するが他の処理に伴っても形成されてもよい。また、ここでは、上述の膜７０Ｂ、３３Ｂ及び３４Ｂが半導体基板３０の表面側の処理に伴って半導体基板３０の裏面側に副次的に形成される態様を例示したが、これらは、本例に限られるものではなく、所定の目的に応じて追加的に形成されてもよい。
【００２９】
図３（ｂ）の工程では、図３（ａ）で得られた構造の上に配線パターン８０および層間絶縁層７２を形成する。具体的には、まず、層間絶縁層７１の所望の位置に開口を形成し、その後、該開口を埋めるようにＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕ等の導電材料をスパッタリング等の堆積法により形成する。そして、該導電材料をパターニングすることにより、配線パターン８０が得られうる。その後、配線パターン８０を覆うように層間絶縁層７２（厚さ１μｍ程度）が形成され、また、付随的に、層間絶縁層７２の上面に対してＣＭＰ（化学機械研磨）等の平坦化処理が為されうる。
【００３０】
図３（ｃ）の工程では、図３（ｂ）で得られた構造の上に、発熱素子Ｈを形成する金属膜４１及び電極部４２を形成する。具体的には、まず、層間絶縁層７１の所望の位置に開口を形成し、その後、該開口の底面および側面に沿ってＴａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ等の薄膜を形成し、更に、該薄膜で覆われた開口を埋めるようにＡｌ、Ｃｕ等の金属材料を形成する。そして、これら薄膜および金属材料をパターニングすることにより、金属膜４１及び電極部４２が得られうる。
【００３１】
図３（ｄ）の工程では、図３（ｃ）で得られた構造の上に膜Ｆ１〜Ｆ３を順に形成する。まず、発熱素子Ｈを形成する金属膜４１及び電極部４２並びに層間絶縁層７２の上に、窒化シリコン等で構成された保護膜Ｆ１（膜厚３００〜４００ｎｍ程度）を形成する。この工程は、例えばプラズマＣＶＤ等によって為されればよい。その後、膜Ｆ１の上に発熱素子Ｈ（少なくとも２つの電極部４２の間の部分）を覆うように、タンタル等で構成された耐キャビテーション膜Ｆ２を形成する。
【００３２】
さらに、膜Ｆ２の上に、後に形成される流路材５０を固定する（流路材５０の剥離を防止する）ための密着性向上膜Ｆ３を形成する。ここでは、膜Ｆ３には酸化シリコンを用いるが、本明細書で援用される特開２００７−２６１１７０号公報に記載されているように、窒化シリコンや炭化シリコン等のシリコン化合物が用いられてもよい。なお、ここでは膜Ｆ２の一部の上に膜Ｆ３が配された構成を例示したが、膜Ｆ３は、他の領域では（他の断面では）広域にわたって形成され得、流路材５０を適切に固定しうる。
【００３３】
ここで、この工程では、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂの下面を覆う前述の被膜３４Ｂが除去され、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂが露出される可能性がある。例えば、膜Ｆ３の形成（具体的には、酸化シリコンで構成された膜を堆積し、該堆積された膜をパターニングして膜Ｆ３にする工程）は、レジストパターンを用いたウェットエッチングにより為されうる。この場合、フッ酸を含む薬液がエッチャントとして用いられ得、それにより、被膜３４Ｂは除去され、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂが露出されうる。しかし、膜Ｆ３をパターニングした後、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂが露出された状態で上記レジストパターンを剥離する工程を行うと、該裏面側ポリシリコン膜３３Ｂがダメージを受ける可能性がある。例えば、上記レジストパターンの剥離にはアルカリ性の薬液（以下、「剥離液」という。）が用いられ得、この剥離液は、上記露出された裏面側ポリシリコン膜３３Ｂと接触することにより該裏面側ポリシリコン膜３３Ｂを腐食させうる。
【００３４】
そこで、本例では、ウェットエッチングにより膜Ｆ３をパターニングする工程の後に行われるレジストパターンを剥離する工程において、上記露出された裏面側ポリシリコン膜３３Ｂの露出面に保護膜ＦＰを形成する。保護膜ＦＰは、例えば酸化膜である。本実施例では、酸素を含む雰囲気においてレジストパターンに対してプラズマアッシングを行う。この時、露出している裏面側ポリシリコン膜３３Ｂが酸化されるため、当該露出面に保護膜ＦＰを形成することができる。なお、プラズマアッシングの他にも、酸素雰囲気の下での熱処理等、公知の成膜処理によって裏面側ポリシリコン膜３３Ｂの露出面を覆うように保護膜ＦＰを形成することができる。本例では、保護膜ＦＰとして酸化膜を形成する態様を例示するが、保護膜ＦＰの材料はその後の工程を考慮して選択されてもよい。
【００３５】
さらにその後、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂにアライメントマーク（不図示）を形成する。該アライメントマークは、半導体基板３０の表面側に既に形成されているアライメントマークを参照することによって、例えばレーザーマーカー等により形成されればよい。これにより、裏面側に所望の処理を行う際には、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂに形成されたアライメントマークを参照することが可能になる。前述のとおり、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂが受け得たダメージを保護膜ＦＰによって防いだことにより、本例によると、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂにアライメントマークを形成するのに有利になる。このアライメントマークは、後述の工程において液体供給口９０を形成する位置を決定するのに用いられる。
【００３６】
図３（ｅ）の工程では、図３（ｄ）で得られた構造の上に流路材５０を形成し、さらに、流路材５０の上に板材６０を配置する。流路材５０は、例えば、まず、流路５１が形成されるべき領域に可溶性の固体（不図示）を配置し、その後、該可溶性の固体を覆うエポキシ樹脂を形成することにより得られうる。この工程は、スピンコート法等の公知の手段でコーティングすることによって為され得、また、これと共にパターニング処理が為されうる。また、付随的にシランカップリング処理が為されてもよい。なお、該可溶性の固体は、後述の工程において除去される。
【００３７】
このようにして形成された流路材５０の上には、その後、板材６０が、流路５１の上かつ液体吐出部４０の上にノズル６１が位置するように配される。
【００３８】
さらにその後、前述の裏面側ポリシリコン膜３３Ｂのアライメントマークを参照しながら、半導体基板３０の裏面側の所望の位置に液体供給口９０を形成する。液体供給口９０は、例えば、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂおよび酸化膜７０Ｂ、又は、酸化膜７０Ｂをハードマスクとして用いたエッチングによって形成されうる。該エッチングは、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）等を用いた異方性ウェットエッチングを含みうる。他の例では、該エッチングは、異方性プラズマエッチング、サンドブラストを含みうる。
【００３９】
裏面側ポリシリコン膜３３Ｂおよび酸化膜７０Ｂ、又は、酸化膜７０Ｂを上記エッチングにおいてハードマスクとして使用するのに際して、これらは、例えば前述の保護膜ＦＰが除去された後、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂのアライメントマークを参照することによって所望の位置に開口を有するように加工されればよい。そして、該開口が形成された裏面側ポリシリコン膜３３Ｂおよび酸化膜７０Ｂ、又は、該開口が形成された酸化膜７０Ｂを、該エッチング工程において、液体供給口９０を形成するためのハードマスクとして用いる。前述のとおり、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂが受け得たダメージを保護膜ＦＰによって防いだことにより、本例によると、上記エッチングでの加工不良の発生を防ぐのに有利になる。なお、上記開口が形成された酸化膜７０Ｂのみをハードマスクとして用いる場合には、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂおよび酸化膜７０Ｂに開口を形成した後、該開口が形成された裏面側ポリシリコン膜３３Ｂを除去すればよい。
【００４０】
その後、上述の可溶性の固体（流路５１が形成されるべき領域に配置された可溶性の固体）を除去する。該可溶性の固体は、例えば、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光による露光処理の後、現像処理によって除去され、さらにその後、付随的に乾燥処理が為されてもよい。以上により、図２に例示された基板２０の構造が得られる。
【００４１】
以上、本製造方法によると、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂが形成されてから除去されるまでの間の各工程において該裏面側ポリシリコン膜３３Ｂが受けうるダメージを防ぐことができる。上述の例（図３（ｄ）の工程）では、ウェットエッチングによる膜Ｆ３のパターニングの際に被膜３４Ｂが除去されることによって露出された裏面側ポリシリコン膜３３Ｂに、保護膜ＦＰを形成する。この保護膜ＦＰにより、その後、剥離液を用いてレジストパターンを剥離する際に、該剥離液に接触することによる裏面側ポリシリコン膜３３Ｂの腐食を防ぐことができる。よって、本製造方法によると、基板２０の信頼性の低下を抑制することができる。特に、上述の例によると、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂを、液体供給口９０を形成する際にアライメントマークとして用いることができると共に、その際にハードマスクとしても用いることもできる。そのため、上述の例によると、基板２０の製造面においても有利である。
【００４２】
上述の例では、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂがエッチング工程でエッチャントにより露出され若しくはダメージを受け、又は、該エッチング工程で用いられたレジストパターンを剥離する際に剥離液によって腐食する場合に着目した。しかし、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂがダメージを受けうる場合はこれに限られず、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂが形成されてから除去されるまでの間の如何なる工程によってもその可能性がある。特に、半導体基板３０の裏面側に形成された裏面側ポリシリコン膜３３Ｂを、その後、それが除去される前までの工程で所定の目的で使用する場合には、それまでの各処理に伴う外的環境から該裏面側ポリシリコン膜３３Ｂを保護する必要がある。上述の例では、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂをアライメントマークやハードマスクとして使用する場合を例示したが、裏面側ポリシリコン膜３３Ｂの用途はこれに限られるものではない。
【００４３】
その他、本発明は、以上に例示された態様に限られるものではないことは言うまでもなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部が変更されてもよい。例えば、上述の製造方法において、一部の工程の順番は必要に応じて変更されてもよいし、又は、他の工程が追加され若しくは該一部の工程は該他の工程に置換されもよい。また、本明細書に記載された個々の用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、本発明は、その用語の厳密な意味に限定されるものでないことは言うまでもなく、その均等物をも含みうる。
【符号の説明】
【００４４】
２０：液体吐出装置用基板、３３：ゲート電極、３３Ｂ：裏面側ポリシリコン膜、４０：液体吐出部、ＦＰ：保護膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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