(57)【要約】 【課題】電子デバイスをプリント基板への実装する際のリフロー処理によって、再溶融した半田が実装用基板から金属ベースへ流れることを抑制し、実装後の電子デバイスの品質を確保する。【解決手段】第１基板１０と第２基板２０とを含む少なくとも２つの基板と、これらの少なくとも２つの基板を互いに離間して保持する支柱４０と、を有する電子デバイス１００であって、第１基板１０は、プリント基板に実装される基板であって、半田Ｓ２により支柱４０と接合され、支柱４０は、第１基板１０から第２基板２０へ流れる半田Ｓ２を止めるストッパー４３を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とを含む少なくとも２つの基板と、
前記少なくとも２つの基板を互いに離間して保持する支柱と、を有する電子デバイスであって、
前記第１基板は、プリント基板に実装される基板であって、半田により前記支柱と接合され、
前記支柱は、前記第１基板から前記第２基板へ流れる前記半田を止めるストッパーを備える電子デバイス。
【請求項２】
前記ストッパーは、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される請求項１記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記ストッパーは、前記支柱の側面に形成されるフランジである請求項１又は請求項２記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記支柱を複数有し、
前記ストッパーは、前記複数の支柱に対して共通の板部材により形成される請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記第１基板は貫通孔を備え、
前記貫通孔は、一方の開口から前記支柱が挿入されるとともに、他方の開口から非導電性樹脂が充填される請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータや携帯端末、基地局に用いられる電子機器には、多くの電子デバイスが搭載されている。電子デバイスとしては、水晶振動片などの圧電振動片を備える振動子や発振器が知られている。このような電子デバイスについては、従来は、いわゆるリード挿入タイプ（ＴＨＤ：Through Hole Device）が主流であったが、近年では、これに代えていわゆる表面実装タイプ（ＳＭＤ：Surface Mount Device）の使用が増えてきている。
【０００３】
このような事情により、近年の電子デバイスの構成としては、リード挿入タイプのアウターリード（支柱）の先端部分に実装用基板（第１基板）を接合することにより、リード挿入タイプから表面実装タイプへ構成を変更したものが増えている。このような構成の電子デバイスにおいて、アウターリードに接合される実装用基板は、プリント基板に実装される基板であって外部接続用端子を備えている。また、実装用基板は、金属ベース（第２基板）から下方へ突出するアウターリードの先端を挿入可能な孔部を有し、アウターリードの先端が孔部に挿入された状態で半田によりアウターリードと接合されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−８５２６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記構成の電子デバイスは、例えば、半田や導電ボールなどの導電性接合材を用いて電子製品などのプリント基板に実装される。このような電子デバイスの実装は、電子デバイスの外部接続用端子とプリント基板の接続端子との間に導電性接合材を配置し、この状態でリフロー処理する工程により行われる。これにより、導電性接合材を介して、電子デバイスとプリント基板とが接合されるとともに、外部接続用端子と接続端子とが電気的に接続される。
【０００６】
しかしながら、このようなリフロー処理において電子デバイスが加熱されると、実装用基板とアウターリードとを接合する半田が再溶融する。すると、再溶融した半田は、アウターリードを伝ってアウターリードの先端側（実装用基板側）から基端側（金属ベース側）へ向けて這い上がるように流れ出す場合がある。特に、アウターリードと半田接合された後の孔部に非導電性樹脂が充填されているものでは、リフロー時の熱により、かかる樹脂が熱膨張するとともに一部がガス化した状態となって、再溶融した半田を流出させる半田のフラッシュ現象が生じる。この際、再溶融した半田の一部はアウターリードを伝って金属ベースへ向けて流れる。
【０００７】
このように、リフロー時において、実装用基板とアウターリードとを接合する半田が金属ベースへ向けて流出すると、半田がリフロー前の位置へ戻らなくなる場合があり、オープン不良が発生して半田の接合強度の低下や電気的導通不良を招くおそれがある。さらには、流出した半田が金属ベースに接触して固着すると、電子デバイスにおいて電気的短絡（ショート）が生じるおそれもある。
【０００８】
以上のような事情に鑑み、本発明は、電子デバイスのプリント基板への実装時のリフロー処理（再リフロー）によって、再溶融した半田が実装用基板から金属ベースへ流れることを抑制し、電子デバイスのプリント基板への実装後においても品質が確保される電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明では、第１基板と第２基板とを含む少なくとも２つの基板と、少なくとも２つの基板を互いに離間して保持する支柱と、を有する電子デバイスであって、第１基板は、プリント基板に実装される基板であって、半田により支柱と接合され、支柱は、第１基板から第２基板へ流れる半田を止めるストッパーを備える。
【００１０】
また、ストッパーは、第１基板と第２基板との間に配置されてもよい。また、ストッパーは、支柱の側面に形成されるフランジであってもよい。また、支柱を複数有し、ストッパーは、複数の支柱に対して共通の板部材により形成されてもよい。また、第１基板は貫通孔を備え、貫通孔は、一方の開口から支柱が挿入されるとともに、他方の開口から非導電性樹脂が充填されてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、再リフロー時に、第１基板上に配置された半田が溶融して支柱を伝って第２基板へ向けて流れる場合であっても、半田の流れはストッパーによりせき止められるため、第１基板からの半田の流出が抑制されるとともに、半田が第２基板に接触することにより生じる電気的短絡が防止されるので、プリント基板への実装後においても品質が確保される電子デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る電子デバイスの一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図２】図１に示す電子デバイスの要部断面図である。
【図３】図１に示す電子デバイスの半田の流れを示す図である。
【図４】第２実施形態に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。
【図５】第３実施形態に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。また、以下の実施形態を説明するため、図面においては一部分を大きくまたは強調して記載するなど適宜縮尺を変更して表現している。以下の各図において、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。このＸＹＺ座標系においては、電子デバイスの上面に平行な平面をＸＺ平面とする。ＸＺ平面に垂直な方向（電子デバイスの厚さ方向）はＹ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
【００１４】
＜第１実施形態＞
本実施形態に係る電子デバイス１００の一例について、図１（ａ）及び（ｂ）を用いて説明する。図１（ａ）は、電子デバイス１００の平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図１（ａ）では、後述するカバー５０を透過して表している。電子デバイス１００は、いわゆる表面実装タイプ（ＳＭＤ）の構成であり、水晶振動子の周囲温度を一定に保つ恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ）である。後述する他の実施形態についても同様である。電子デバイス１００は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、電子デバイス本体１と、第１基板（基板）１０とを有している。
【００１５】
電子デバイス本体１は、いわゆるリード挿入タイプ（ＴＨＤ）の恒温槽付水晶発振器の構成であり、電子製品などのプリント基板にアウターリード４１ｂを挿し込んだ状態で実装可能な構成となっている。電子デバイス本体１は、第１基板１０の＋Ｙ側に配置されており、第１基板１０と接合されている。電子デバイス本体１は、第２基板（基板）２０と、第３基板（基板）３０と、支柱４０と、カバー５０とを有している。
【００１６】
第２基板２０は、第１基板１０に対して最も近接して配置される基板である。本実施形態では、第２基板２０は、第１基板１０と第３基板３０とに挟まれるように配置されている。
【００１７】
第２基板２０は、例えば、鉄やコバール（鉄、ニッケル、コバルトの合金）などの導電性の金属材料が用いられて矩形の板状に形成されている。なお、第２基板２０は、金属に代えて、樹脂、セラミックス、ガラスなどから形成されてもよい。第２基板２０の長手方向はＸ方向に平行であり、第２基板２０の短手方向はＺ方向に平行である。第２基板２０は、＋Ｙ側の面が周辺部分よりも＋Ｙ側に突出する中央部分２０Ａと、中央部分２０Ａを囲む周縁部分２０Ｂとを含んで構成されている。周縁部分２０Ｂの＋Ｙ側の面２０ｃは、カバー５０が接合される接合面である。中央部分２０Ａの＋Ｙ側の面２０ｄ及び接合面２０ｃは、いずれもＸＺ平面に平行となっている。
【００１８】
第２基板２０（中央部分２０Ａ）は、第２基板２０を厚さ方向（Ｙ方向）に貫通する４つの貫通穴２１が設けられている。これらの貫通穴２１は、中央部分２０Ａの４つの角部にそれぞれ配置され、支柱４０が挿通可能に形成されている。これら４つの貫通穴２１のうち＋Ｘ側かつ＋Ｚ側の貫通穴２１Ａは、支柱４０Ａが挿通された状態で溶接されることによって気密封止される。これにより、支柱４０Ａは、第２基板２０に固定されるとともに、第２基板２０と電気的に接続される。この支柱４０Ａは、いわゆるグランドピンの構成であり、接地に接続される。このため、支柱４０Ａとカバー５０とが第２基板２０を介して電気的に接続されることにより、後述する電子部品６０に対する電磁気的シールドが形成される。
【００１９】
上記４つの貫通穴２１のうち他の３つの貫通穴２１には、支柱４０が挿通された後、封止材２２が充填される。これにより、貫通穴２１はハーメチック封止される。このハーメチック封止により、支柱４０が第２基板２０に固定される。封止材２２としては、例えばガラス材や樹脂材などの非導電性の材料が用いられる。これにより、支柱４０と第２基板２０との電気的な接続が防止される。
【００２０】
第３基板３０は、矩形の板状に形成されている。第３基板３０の長手方向はＸ方向に平行であり、第３基板３０の短手方向はＺ方向に平行である。第３基板３０としては、ガラスエポキシ基板が用いられるが、これに限定されず、セラミックス基板、ガラス基板、モールド樹脂基板などが用いられてもよい。第３基板３０の表面（＋Ｙ側の面）３０ａ及び裏面（−Ｙ側の面）３０ｂには、圧電デバイスや半導体デバイスなどの電子部品６０が搭載されている。第３基板３０の表面３０ａ側には、例えば、水晶振動子６１及び発振回路６２が搭載されており、裏面３０ｂ側には、例えば、ヒーター６３、温度センサー６４、及び温度制御回路６５が、搭載されている。これらの電子部品６０は、第３基板３０に設けられた回路配線（不図示）に接続されている。なお、これらの電子部品６０は、第３基板３０の表面３０ａ側及び裏面３０ｂ側のいずれか一方側のみに搭載されてもよい。また、電子部品６０が第３基板３０の表面３０ａ側に搭載されかつ裏面３０ｂ側には搭載されない場合、第３基板３０は、第２基板２０と接合されて第２基板２０と一体的に形成されてもよい。この場合、第２基板２０の中央部分２０Ａの＋Ｙ側の表面２０ｄと第３基板３０の裏面３０ｂとが非導電性接合材を介して面接合された構成としてもよい。
【００２１】
第３基板３０には、例えば４つの角部に、それぞれ穴部３１が形成されている。これら４つの穴部３１は、第３基板３０をＹ方向に貫通する貫通孔の構成であり、それぞれ同一形状かつ同一寸法の円筒形状に形成されている。穴部３１は、後述する支柱４０の軸部４１が挿通可能に形成されており、穴部３１の口径は、軸部４１の外径よりも若干大きく設定されている。上記した４つの穴部３１には、それぞれ支柱４０が挿通されている。第３基板３０は、第２基板２０から起立した支柱４０によって第２基板２０から離間して保持されている。第３基板３０の裏面３０ｂは、第２基板２０の＋Ｙ側の面２０ｄ，２０ｃに対向している。第３基板３０は、第２基板２０と平行に配置されている。
【００２２】
第３基板３０の表面３０ａには、穴部３１を囲む領域にそれぞれ接続電極３２が形成されている。接続電極３２は銅めっきにより形成された金属膜である。なお、接続電極３２の金属膜は、銅に代えて、金や銀などであってもよい。また、接続電極３２は、めっきに代えて、メタルマスクを介した印刷や、スパッタリング、真空蒸着などの手法により形成されてもよい。接続電極３２は、第３基板３０に設けられる回路配線（不図示）に接続されている。
【００２３】
支柱４０は、電子デバイス本体１において例えば４本設置されている。支柱４０は、各基板１０，２０，３０を互いに離間させた状態で保持する。また、支柱４０は、電子デバイス本体１と第１基板１０とを電気的に接続するリードとしての機能も有する。支柱４０としては、例えば、銅、鉄とニッケルの合金、コバール、ステンレス鋼などの導電性の金属材料が使用される。
【００２４】
支柱４０は、Ｙ方向に直線状に延びる軸部４１を有している。軸部４１は、円柱形状であるが、これに限定されず、角柱形状などであってもよい。軸部４１は、第２基板２０をＹ方向に貫通している。
【００２５】
軸部４１のうち、第２基板２０の中央部分２０Ａから＋Ｙ方向に延びるインナーリード部４１ａには、軸部４１の側面（周面）から軸方向に直交する方向（ＸＺ平面に平行な方向）に突出する係止部４２が設けられている。係止部４２は、支柱４０が第３基板３０の裏面３０ｂ側から穴部３１に挿入された際に、第３基板３０の裏面３０ｂに係止される係止片として機能する。係止部４２は、例えば、外縁の直径が穴部３１の口径に比べて大きく設定された円盤状に形成されている。係止部４２が第３基板３０の裏面３０ｂに係止されることにより、第３基板３０は第２基板２０に対して離間した状態でかつＸＺ平面に平行に配置される。
【００２６】
支柱４０の＋Ｙ側の先端４０ａは、穴部３１に挿入されて第３基板３０の表面３０ａから＋Ｙ方向に突出した状態となっている。この状態で、支柱４０は、第３基板３０の表面３０ａ側から半田Ｓ１により第３基板３０と接合されている。これにより、支柱４０は、第３基板３０の所定位置に固定されているとともに、半田Ｓ１を介して接続電極３２と電気的に接続されている。半田Ｓ１は、穴部３１に支柱４０が挿通された状態において、接続電極３２上にペースト状のクリーム半田が配置され、さらにリフロー処理を経て固着される。この際、クリーム半田は、リフロー処理において加熱されて溶融し、接続電極３２の表面に濡れ広がって固着する。
【００２７】
軸部４１のうち第２基板２０から−Ｙ方向へ突出して延びるリード部４１ｂには、ストッパー４３が設けられている。ストッパー４３は、第１基板１０と第２基板２０との間に配置されている。ストッパー４３は、第１基板１０から第２基板２０へ流れる半田Ｓ２を止める機能を有する。なお、後述する他の実施形態に係るストッパー２４３，３４３についても同様の機能を有する。
【００２８】
ストッパー４３は、支柱４０の側面に形成されたフランジの構成である。ストッパー４３は、軸部４１の側面（周面）から、軸方向に直交する方向（ＸＺ平面に平行な方向）へ突出した構成となっている。ストッパー４３は、Ｙ方向を厚さ方向とする円盤状に形成されている。ストッパー４３は、軸部４１と同一材料から形成されてもよいし、軸部４１とは異なる材料から形成されてもよい。
【００２９】
ストッパー４３は、例えば、軸部４１を軸方向に圧縮させて軸部４１の側面を部分的に円盤状に突出させることにより形成されてもよいし、軸部４１に対して円盤状のジグが溶接されて形成されてもよい。なお、ストッパー４３は、上記構成に限定されず、例えば、厚さ方向（Ｙ方向）から見て多角形状に形成されてもよいし、軸部４１の側面から、ＸＺ平面に平行な方向に対して傾斜する方向に突出して形成されてもよい。また、ストッパー４３は、均一厚さ（Ｙ方向の長さが一定）に形成されてもよいし、例えば外縁部分が中央部分よりも薄く形成されるなど、部分的に厚さが異なるように形成されてもよい。
【００３０】
支柱４０の−Ｙ側の先端４０ｂ（リード部４１ｂの先端）は、後述する第１基板１０の孔部１１に挿入されている。この状態で、支柱４０は、第１基板１０の表面１０ａ側から半田Ｓ２により第１基板１０と接合されている。これにより、支柱４０は、第１基板１０の所定位置に固定され、電子デバイス本体１と第１基板（基板）１０とが互いに接合されている。また、支柱４０は、半田Ｓ２を介して、後述する第１基板１０の接続電極１２と電気的に接続されている。なお、リード部４１ｂの軸方向（Ｙ方向）の長さは、電子デバイス１００の高さ（Ｙ方向の長さ）に合わせて適宜調整される。このようなリード部４１ｂの長さの調整は、電子デバイス本体１と第１基板（基板）１０とが接合された後の支柱４０について、第１基板１０の孔部１１から−Ｙ側に突出する部分を含む部分を切断することにより行われてもよい。
【００３１】
カバー５０は、平面部（＋Ｙ側の面）５１と、平面部５１の周囲から−Ｙ方向に延びる筒状の胴部５２と、胴部５２の−Ｙ側の端部から外側に向けて突出する鍔部５３と、を有している。胴部５２は、第２基板２０の周縁部分２０Ｂに対して嵌入可能に形成されている。鍔部５３の−Ｙ側の面には、第２基板２０の接合面２０ｃに接合される接合面５３ａが形成されている。第２基板２０の接合面２０ｃとカバー５０の接合面５３ａとは、シーム溶接やスポット溶接などの抵抗溶接により接合されている。
【００３２】
第２基板２０とカバー５０とが接合されて形成される収容空間７０には、第３基板３０が収容され、真空雰囲気あるいは窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に設定されてもよい。
【００３３】
第１基板１０は、電子デバイス本体１に対して−Ｙ側に配置され、半田Ｓ２により電子デバイス本体１と接合されている。第１基板１０は、電子デバイス１００を搭載する電子製品のプリント基板（不図示）に実装される基板である。電子デバイス１００がプリント基板に実装される際、第１基板１０は、例えば、裏面（−Ｙ側の面）１０ｂをプリント基板側に向けた状態でプリント基板に配置され、実装される。第１基板１０には、このようなプリント基板の接続端子（不図示）に接合されかつ電気的に接続される外部接続用端子１３が設けられている。
【００３４】
第１基板１０は、略矩形状に形成され、第１基板１０の長手方向はＸ方向に平行であり、第１基板１０の短手方向はＺ方向に平行である。第１基板１０の表面（＋Ｙ側の面）１０ａ及び裏面１０ｂは、ＸＺ平面に平行である。第１基板１０は、上記した第３基板３０と同様に、ガラスエポキシ基板が用いられるが、これに限定されず、セラミックス基板など用いられてもよい。また、第１基板１０は、第３基板３０と同一材料から形成されてもよいし、第３基板３０とは異なる材料から形成されてもよい。なお、第１基板１０には、電子部品６０が搭載されてもよい。この場合、第１基板１０には、搭載された電子部品６０と電気的に接続される配線回路が設けられる。
【００３５】
第１基板１０の表面１０ａには、孔部１１が形成されている。孔部１１は、４つ設けられており、それぞれ上記した４つの支柱４０に対応する位置に形成されている。孔部１１は、支柱４０のリード部４１ｂの先端４０ｂが挿入可能に形成されている。
【００３６】
図２は、電子デバイス１００の要部を示す断面図であり、第１基板１０の−Ｘ側かつ＋Ｚ側の孔部１１を含む部分を示している。以下、この孔部１１を含む部分の構成について説明するが、他の３箇所における孔部１１などの構成についても同様である。図２に示すように、孔部１１は、第１基板１０を厚さ方向（Ｙ方向）に貫通する貫通孔であり、第１基板１０の表面１０ａ側の第１開口１１ａと、裏面１０ｂ側の第２開口１１ｂとを有している。第１開口１１ａはＹ方向から見て円形状に形成され、第１開口１１ａの口径は、支柱４０の軸部４１の外径よりも若干大きく設定されている。第２開口１１ｂについても、第１開口１１ａと同様にＹ方向から見て円形状に形成されているが、第２開口１１ｂの口径は、第１開口１１ａに比べて大きく設定されている。
【００３７】
孔部１１には、第１開口１１ａを介して支柱４０が挿入されている。この状態で、半田Ｓ２により、支柱４０と孔部１１とが互いに接合されている。この半田Ｓ２は、孔部１１に支柱４０が挿入された状態で、接続電極１２上にペースト状のクリーム半田が配置され、さらにリフロー処理を経て固着される。クリーム半田は、リフロー処理において加熱されて溶融し、接続電極１２上を濡れ広がって固着する。また、クリーム半田の一部は、孔部１１の内壁面と支柱４０の側面との間に入り込み、さらに孔部１１の内部へ流れ込んだ状態で固着される。このように固着した半田Ｓ２を介して、支柱４０と第１基板１０とが接合されているとともに、支柱４０と接続電極１２とが電気的に接続されている。
【００３８】
接続電極１２は、第１基板１０の表面１０ａに形成され、孔部１１を囲んだ領域に形成されている。接続電極１２は、例えば、上記した第３基板３０における接続電極３２と同様の金属膜の構成であり、同様の手法で成膜される。
【００３９】
また、孔部１１には、第２開口１１ｂを介して、孔部１１を塞ぐように非導電性樹脂１４が充填されている。この非導電性樹脂１４は、半田Ｓ２により支柱４０が接合された後の孔部１１に充填される。非導電性樹脂１４としては、例えばエポキシ樹脂が用いられる。なお、このように孔部１１に非導電性樹脂１４が充填された構成とするか否かについては任意である。
【００４０】
図１に戻り、外部接続用端子１３は、第１基板１０の裏面１０ｂにおいて、例えば４つ設けられている。これらの外部接続用端子１３は、上記した第３基板３０の接続電極３２と同様の金属膜の構成であり、同様の手法により成膜される。外部接続用端子１３は、例えば、電源供給、出力、グランド接続などに用いられる。このうち、＋Ｘ側かつ＋Ｚ側外部接続用端子１３Ａは、グランド接続端子である。外部接続用端子１３は、それぞれ引回電極を介して、接続電極１２と電気的に接続されている。この引回電極は、それぞれ第１基板１０の＋Ｚ側あるいは−Ｚ側の側面に形成されたキャスタレーション電極１４を含んで構成されているが、このような構成に代えて、第１基板１０をＹ方向に貫通する穴に導電性ペーストが充填されて形成される貫通電極を含む構成などであってもよい。
【００４１】
次に、電子デバイス１００がプリント基板に実装される場合において、例えば半田や導電ボールなどの導電性接合材が用いられ、リフロー処理される際の電子デバイス１００内部の半田Ｓ２の挙動について説明する。図３は、上記の場合において溶融した半田Ｓ２の流れを説明するための図である。
【００４２】
上記したリフロー処理工程において電子デバイス１００が加熱されると、非導電性樹脂１４は熱膨張するとともに一部はガス化し、再溶融した半田Ｓ２が流出する半田のフラッシュ現象が生じる。この際、図３に示すように、再溶融した半田Ｓ２は、支柱４０を伝って第１基板１０から第２基板２０へ向けて流れる（図３矢印参照）。
【００４３】
しかし、このように流れた半田Ｓ２は、ストッパー４３においてせき止められる。このため、半田Ｓ２の流出量が低減されるのでオープン不良の発生を防止することができる。さらには、再溶融した半田Ｓ２が第２基板２０に接触することを防止して、グランドピン４０Ａ以外の支柱４０と第２基板２０とが溶融半田Ｓ２を介して電気的に接続されることにより発生する電気的短絡を回避することができる。
【００４４】
なお、上記したリフロー処理においては、第３基板３０上に配置されている半田Ｓ１も同時に溶融し、支柱４０を伝って＋Ｙ方向に流れるが、支柱４０の＋Ｙ側の先端４０ａにおいて半田Ｓ１の流れが止まるため、所定位置からの半田Ｓ１の流出量は限定的であるとともに、これにより電気的短絡が生じる可能性も低い。
【００４５】
このように、第１実施形態によれば、電子デバイス１００をプリント基板へ実装する場合のリフロー処理の際に、半田Ｓ２が再溶融してフラッシュ現象により流出し、支柱４０を伝って第２基板２０側へ流れる場合であっても、ストッパー４３において溶融半田Ｓ２をせき止めることにより、半田のオープン不良や電気的短絡を防止し、プリント基板への実装後においても電子デバイス１００の品質が確保される。
【００４６】
＜第２実施形態＞
続いて、第２実施形態について、図４を用いて説明する。図４は、第２実施形態に係る電子デバイス２００の一例を示す断面図である。第２実施形態に係る電子デバイス２００は、ストッパー２４３の構成を除き、上記した第１実施形態に係る電子デバイス１００と同一の構成となっている。したがって、以下の本実施形態の説明においては、第１実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化することとし、主としてストッパー２４３の構成について説明する。
【００４７】
電子デバイス２００は、例えば４本の支柱４０を有している。これら４本の支柱４０はストッパー２４３を有している。図４に示すように、ストッパー２４３は、Ｙ方向を厚さ方向とする略矩形状の板状に形成されている。また、ストッパー２４３は、４本の支柱４０に対して共通の板部材により形成されている。ストッパー２４３は、上記４本の支柱４０の軸部４１がそれぞれＹ方向に挿通可能な穴Ｈを備え穴Ｈに軸部４１を嵌入した状態で軸部４１の側面と接合されている。この軸部４１とストッパー２４３との接合は、例えば抵抗溶接により行われる。なお、ストッパー２４３は、このように軸部４１とは別部材として形成された後に軸部４１に接合されてもよいし、軸部４１と一体で形成されてもよい。また、ストッパー２４３は、軸部４１と同一材料から形成されてもよいし、軸部４１とは異なる材料から形成されてもよい。
【００４８】
ストッパー２４３は、ＸＺ平面に対して平行に配置されている。なお、ストッパー２４３は、ＸＺ平面に平行な方向に対して傾斜する方向に配置されてもよい。
【００４９】
このように、第２実施形態によれば、第２基板２０から−Ｙ方向に延びる複数のリード部４１ｂの軸部４１を、板部材の穴に貫通した状態で嵌め込んで接合することで、複数の支柱４０においてストッパー２４３を容易に形成することができる。また、第１実施形態と同様に、半田Ｓ２が再溶融してフラッシュ現象により流出して、支柱４０を伝って第２基板２０側へ流れる場合であっても、ストッパー２４３において溶融半田Ｓ２をせき止めることにより、半田Ｓ２のオープン不良や電気的短絡を防止し、プリント基板への実装後においても電子デバイス２００の品質が確保される。
【００５０】
＜第３実施形態＞
続いて、第３実施形態について、図５を用いて説明する。図５は、第３実施形態に係る電子デバイス３００の一例を示す断面図である。なお、以下の説明において第１実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。図５に示すように、電子デバイス３００は、第１基板１０と、第２基板３２０と、支柱３４０と、カバー５０とを有している。第２基板３２０は、上記した実施形態の第３基板３０と同様の構成である。
【００５１】
電子デバイス３００において、第２基板３２０は、第１基板１０の表面１０ａから起立する支柱３４０により第１基板１０から離間して保持されている。カバー５０の接合面５３ａは、第１基板１０の表面１０ａの周縁部分と接合されている。支柱３４０は、第１実施形態の支柱４０と同様の構成であるが、軸部４１の軸方向（Ｙ方向）の長さは支柱４０に比べて短く設定されている。これにより、電子デバイス３００は、上記した電子デバイス１００，２００に比べて低背構成となっている。
【００５２】
支柱３４０は、２つの係止部４２、４２Ａと、ストッパー３４３とを有している。係止部４２Ａは、係止部４２の−Ｙ側に配置され、係止部４２と同様の構成となっている。このような係止部４２Ａは、支柱３４０の−Ｙ側の先端４０ｂが孔部１１に挿入された際に、第１基板１０の表面１０ａに係止される係止片として機能する。
【００５３】
ストッパー３４３は、第１実施形態に係るストッパー４３と同様の構成であり、第１基板１０と第２基板３２０との間に配置されている。
【００５４】
このような第３実施形態にかかる電子デバイス３００についても、上記した実施形態と同様に、ストッパー３４３において、再溶融した半田Ｓ２の流れがせき止められるので、半田Ｓ２のオープン不良の発生が抑制されるとともに、溶融した半田Ｓ２が第２基板３２０の裏面（−Ｙ側の面）３０ｂへ流れて、裏面３０ｂの回路配線（不図示）上で固着することにより生じる電気的短絡が防止される。したがって、本実施形態に係る電子デバイス３００についても、上記実施形態と同様に、プリント基板への実装後において品質が確保される。
【００５５】
以上、実施形態について説明したが、本発明は、上記した説明に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。例えば、ストッパー４３等は、１本の支柱４０，３４０において、１つ設けられているが、複数設けられてもよい。また、上記した実施形態の一部の構成を他の実施形態の構成と置き換えてもよく、また、上記した実施形態の構成を組み合わせてもよい。また、上記実施形態では、電子デバイス１００等として、恒温槽付水晶発振器を例に挙げて説明したが、これに限定されず、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）や電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ）など、他の種類の電子デバイスであってもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１０…第１基板（基板）
１１ａ，１１ｂ…開口
１４…非導電性樹脂
２０，３２０…第２基板（基板）
４０，３４０…支柱
４３，２４３，３４３…ストッパー
１００，２００，３００…電子デバイス
Ｓ１，Ｓ２…半田
【図１】
2017220740.tif 000003
【図２】
2017220740.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2017220740.tif 000007