(57)【要約】【課題】アーム導波路に接続される電極の機械的な強度を増加できる構造を有するマッハツェンダー変調器を提供する。【解決手段】マッハツェンダー変調器１１は、第１エリア２２ｂ及び第２エリア２２ｃ上にそれぞれ設けられた第１導波路部２５ｂ及び第２導波路部２５ｃを有する第１アーム導波路１３と、第１アーム導波路１３を埋め込むと共に第１導波路部２５ｂ上に第１開口２１ｄを有する埋込樹脂体２１と、埋込樹脂体２１の第１開口２１ｄを介して第１導波路部２５ｂに接続される第１オーミック電極部２７ｂ及び第２エリア２２ｃ上において埋込樹脂体２１上に設けられた第２オーミック電極部２７ｃを含むオーミック電極２７と、を備える。埋込樹脂体２１は、第２エリア２２ｃにおいて第２オーミック電極部２７ｃの縁に沿って延在する第２溝２１ｃを有する。第２導電部２９ｃは、第２オーミック電極部２７ｃの幅より大きな幅を有する。【選択図】図２
2017187579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マッハツェンダー変調器であって、
第１軸の方向に順に配列された第１エリア、第２エリア及び第３エリアを含む主面を有する基板と、
前記第１エリア、前記第２エリア及び前記第３エリア上にそれぞれ設けられた第１導波路部、第２導波路部及び第３導波路部を有しておりアーム導波路のための半導体構造と、
前記主面上において前記半導体構造を埋め込むと共に前記第１導波路部上に開口を有する埋込樹脂体と、
前記埋込樹脂体の前記開口を介して前記第１導波路部に接続され前記第１導波路部に沿って延在する第１オーミック電極部、及び前記第２エリア上において前記埋込樹脂体上に設けられた第２オーミック電極部を含むオーミック電極と、
前記第１エリア上において前記第１オーミック電極部に沿って延在する第１導電部、並びに前記第２エリア上において前記埋込樹脂体上に設けられた第２導電部を含む導電体と、
を備え、
前記埋込樹脂体は、前記第２エリアにおいて前記第２オーミック電極部の縁に沿って延在する溝を有し、
前記第２導電部は、前記第２オーミック電極部の幅より大きな幅を有する、マッハツェンダー変調器。
【請求項２】
前記埋込樹脂体は、前記第１エリアにおいて前記第１導波路部の縁に沿って延在する別溝を有し、
前記第１オーミック電極部は、前記第１エリアにおいて前記別溝内に設けられる、請求項１に記載されたマッハツェンダー変調器。
【請求項３】
前記第２導電部は、前記第２エリアと前記第３エリアとの境界において該第２導電部を終端させる端部を有し、該端部の下縁は、前記第２導電部の下面に沿って延在すると共に前記主面の法線軸に交差する基準面上の曲線に沿って延在する部分を有する、請求項１又は請求項２に記載されたマッハツェンダー変調器。
【請求項４】
マッハツェンダー変調器を作製する方法であって、
基板の第１エリア、第２エリア及び第３エリア上にそれぞれ設けられた第１導波路部、第２導波路部及び第３導波路部を有する半導体構造を含む基板生産物を準備する工程と、
前記基板生産物の前記半導体構造を埋め込む樹脂体を形成する工程と、
前記第１導波路部に到達するコンタクト開口を前記第１エリア上の前記樹脂体に形成する工程と、
前記第１導波路部に沿って延在する第１オーミック電極部、及び前記第２エリア上において前記樹脂体上に設けられた第２オーミック電極部を含むオーミック電極を形成する工程と、
前記第１エリア上において前記第１オーミック電極部上に設けられた第１導電部、及び前記第２エリア上において前記樹脂体上に設けられた第２導電部を含む導電体を形成する工程と、
を備え、
前記第２導電部は、前記第２オーミック電極部の幅より大きな幅を有し、
前記樹脂体の前記コンタクト開口は、前記第１導波路部の幅より大きな幅を有し、
前記オーミック電極を形成する工程は、
前記第１エリア及び前記第２エリア上にリフトオフ開口を有するマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記樹脂体のプラズマエッチングを行う工程と、
前記オーミック電極のための金属層を堆積して前記マスクの前記リフトオフ開口にオーミック電極を形成する工程と、
前記金属層を堆積した後に、前記マスクを剥離する工程と、
前記マスクを剥離した後に、前記樹脂体及び前記オーミック電極をプラズマに曝す工程と、
を含む、マッハツェンダー変調器を作製する方法。
【請求項５】
前記オーミック電極を形成する前記工程では、前記第２エリアにおいて前記オーミック電極の縁に沿って溝が前記樹脂体に形成され、
当該方法は、
前記オーミック電極を形成した後であって前記電極を形成する先だって、前記第２エリアの前記溝上に開口を有する第２マスクを形成する工程と、
前記第２マスクを用いて、前記樹脂体をエッチングする工程と、
を備える、請求項４に記載されたマッハツェンダー変調器を作製する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マッハツェンダー変調器、及びマッハツェンダー変調器を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、半導体マッハツェンダー変調器および半導体マッハツェンダー変調器の製造方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２５０５２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
マッハツェンダー変調器のアーム導波路は、樹脂体で埋め込まれており、またオーミック電極及び導電体を含む電極に樹脂体の開口を介して接触を成す。電極は、アーム導波路上を延在すると共に、樹脂体の開口はアーム導波路上において終端する。電極は、開口を終端させる平坦ではない段差側面、及び樹脂体の上面を延在して、第２導電部を含む電極端部は、開口内の電極の高さに比べて開口の深さ分だけ突出する。突出した電極は、作製工程及び組立工程において加わる可能性のある予期しない外力を受ける可能性がある。外力によって特性及び外観に不具合を生じた素子は、選別によって除去される。求められていることは、アーム導波路に接続される電極の機械的な強度を増加させることにある。
【０００５】
本発明の一側面は、上記のような背景において為されたものであり、アーム導波路に接続される電極の機械的な強度を増加できる構造を有するマッハツェンダー変調器を提供することにある。また、本発明の別の側面は、アーム導波路に接続されており機械的な強度を増強できる電極を形成できるマッハツェンダー変調器を作製する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係るマッハツェンダー変調器は、第１軸の方向に順に配列された第１エリア、第２エリア及び第３エリアを含む主面を有する基板と、前記第１エリア、前記第２エリア及び前記第３エリア上にそれぞれ設けられた第１導波路部、第２導波路部及び第３導波路部を有しておりアーム導波路のための半導体構造と、前記主面上において前記半導体構造を埋め込むと共に前記第１導波路部上に開口を有する埋込樹脂体と、前記埋込樹脂体の前記開口を介して前記第１導波路部に接続され前記第１導波路部に沿って延在する第１オーミック電極部、及び前記第２エリア上において前記埋込樹脂体上に設けられた第２オーミック電極部を含むオーミック電極と、前記第１エリア上において前記第１オーミック電極部に沿って延在する第１導電部、並びに前記第２エリア上において前記埋込樹脂体上に設けられた第２導電部を含む導電体と、を備え、前記埋込樹脂体は、前記第２エリアにおいて前記第２オーミック電極部の縁に沿って延在する溝を有し、前記第２導電部は、前記第２オーミック電極部の幅より大きな幅を有する。
【０００７】
本発明の別の側面に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法は、基板の第１エリア、第２エリア及び第３エリア上にそれぞれ設けられた第１導波路部、第２導波路部及び第３導波路部を有する半導体構造を含む基板生産物を準備する工程と、前記基板生産物の前記半導体構造を埋め込む樹脂体を形成する工程と、前記第１導波路部に到達するコンタクト開口を前記第１エリア上の前記樹脂体に形成する工程と、前記第１導波路部に沿って延在する第１オーミック電極部、及び前記第２エリア上において前記樹脂体上に設けられた第２オーミック電極部を含むオーミック電極を形成する工程と、前記第１エリア上において前記第１オーミック電極部上に設けられた第１導電部、及び前記第２エリア上において前記第２オーミック電極部及び前記樹脂体上に設けられた第２導電部を含む導電体を形成する工程と、を備え、前記第２導電部は、前記第２オーミック電極部の幅より大きな幅を有し、前記樹脂体の前記コンタクト開口は、前記第１導波路部の幅より大きな幅を有し、前記オーミック電極を形成する工程は、前記第１エリア及び前記第２エリア上にリフトオフ開口を有するマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて前記樹脂体のプラズマエッチングを行う工程と、前記オーミック電極のための金属層を堆積して前記マスクの前記リフトオフ開口にオーミック電極を形成する工程と、前記金属層を堆積した後に、前記マスクを剥離する工程と、前記マスクを剥離した後に前記樹脂体及び前記オーミック電極のプラズマエッチングを行う工程と、を含む。
【０００８】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【０００９】
以上説明したように、本発明の一側面によれば、アーム導波路に接続される電極の機械的な強度を増加できる構造を有するマッハツェンダー変調器が提供される。また、本発明の別の側面によれば、アーム導波路に接続されており機械的な強度を増強できる電極を形成できるマッハツェンダー変調器を作製する方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を示す図面である。
【図２】図２は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器のアーム導波路を示す図面である。
【図３】図３は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図４】図４は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図５】図５は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図６】図６は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図７】図７は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図８】図８は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図９】図９は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図１０】図１０は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図１１】図１１は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図１２】図１２は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図１３】図１３は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図１４】図１４は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。
【図１５】図１５は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を示す図面である。
【図１６】図１６は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を示す図面である。
【図１７】図１７は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を示す図面である。
【図１８】図１８は、第２エリアにおいて広い幅の電極を備えるマッハツェンダー変調器を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
いくつかの具体例を説明する。
【００１２】
一形態に係るマッハツェンダー変調器は、（ａ）第１軸の方向に順に配列された第１エリア、第２エリア及び第３エリアを含む主面を有する基板と、（ｂ）前記第１エリア、前記第２エリア及び前記第３エリア上にそれぞれ設けられた第１導波路部、第２導波路部及び第３導波路部を有しておりアーム導波路のための半導体構造と、（ｃ）前記主面上において前記半導体構造を埋め込むと共に前記第１導波路部上に開口を有する埋込樹脂体と、（ｄ）前記埋込樹脂体の前記開口を介して前記第１導波路部に接続され前記第１導波路部に沿って延在する第１オーミック電極部、及び前記第２エリア上において前記埋込樹脂体上に設けられた第２オーミック電極部を含むオーミック電極と、（ｅ）前記第１エリア上において前記第１オーミック電極部に沿って延在する第１導電部、並びに前記第２エリア上において前記埋込樹脂体上に設けられた第２導電部を含む導電体と、を備え、前記埋込樹脂体は、前記第２エリアにおいて前記第２オーミック電極部の縁に沿って延在する溝を有し、前記第２導電部は、前記第２オーミック電極部の幅より大きな幅を有する。
【００１３】
マッハツェンダー変調器によれば、アーム導波路の半導体構造は、埋込樹脂体で埋め込まれており、またオーミック電極及び導電体を含む電極に埋込樹脂体の開口を介して接触を成す。電極は、アーム導波路上を延在すると共に、アーム導波路上のいずれかの位置で終端する。電極は、埋込樹脂体の開口を規定する段差の側面上を埋込樹脂体の開口から延びて、埋込樹脂体の上面に到達すると共に、第２導電部は、第２エリアと第３エリアとの境界において終端する。第２導電部を含む電極端部は、開口内の電極の高さに比べて開口の深さ分だけ突出する。埋込樹脂体は、第２エリアにおいて第２オーミック電極部の縁に沿って延在する溝を有する。この第２オーミック電極部の幅より第２導電部の幅が大きく、第２導電部は、第２オーミック電極部の両側面及び端側面に沿って延在して溝に到達する。第２導電部は、溝内に設けられて、第２オーミック電極部の両側面及び端側面並びに溝の表面によって支持される。これらの支持によって、突出した電極が、当該電極に加わる可能性のある予期しない外力に対して対抗できる。
【００１４】
一形態に係るマッハツェンダー変調器では、前記埋込樹脂体は、前記第１エリアにおいて前記第１導波路部の縁に沿って延在する別溝を有し、前記第１オーミック電極部は、前記第１エリアにおいて前記別溝内に設けられる。
【００１５】
マッハツェンダー変調器によれば、埋込樹脂体は、第１エリアに溝を有する。第１エリアにおける溝は、第２オーミック電極部の両側面及び端側面、並びに溝の表面による支持を増強する。
【００１６】
一形態に係るマッハツェンダー変調器では、前記第２導電部は、前記第２エリアと前記第３エリアとの境界において該第２導電部を終端させる端部を有し、該端部の下縁は、前記第２導電部の下面に沿って延在すると共に前記主面の法線軸に交差する基準面上の曲線に沿って延在する部分を有する。
【００１７】
マッハツェンダー変調器によれば、第２導電部の端部の下縁が、基準面上の曲線に沿って延在する部分を有するので、外力に対する対抗性が高められる。
【００１８】
一形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法は、（ａ）基板の第１エリア、第２エリア及び第３エリア上にそれぞれ設けられた第１導波路部、第２導波路部及び第３導波路部を有する半導体構造を含む基板生産物を準備する工程と、（ｂ）前記基板生産物の前記半導体構造を埋め込む樹脂体を形成する工程と、（ｃ）前記第１導波路部に到達するコンタクト開口を前記第１エリア上の前記樹脂体に形成する工程と、（ｄ）前記第１導波路部に沿って延在する第１オーミック電極部、及び前記第２エリア上において前記樹脂体上に設けられた第２オーミック電極部を含むオーミック電極を形成する工程と、（ｅ）前記第１エリア上において前記第１オーミック電極部上に設けられた第１導電部、並びに前記第２エリア上において前記樹脂体上に設けられた第２導電部を含む導電体を形成する工程と、を備え、前記第２導電部は、前記第２オーミック電極部の幅より大きな幅を有し、前記樹脂体の前記コンタクト開口は、前記第１導波路部の幅より大きな幅を有し、前記オーミック電極を形成する工程は、前記第１エリア及び前記第２エリア上にリフトオフ開口を有するマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて前記樹脂体のプラズマエッチングを行う工程と、前記オーミック電極のための金属層を堆積して前記マスクの前記リフトオフ開口にオーミック電極を形成する工程と、前記金属層を堆積した後に、前記マスクを剥離する工程と、前記マスクを剥離した後に、前記樹脂体及び前記オーミック電極のプラズマエッチングを行う工程と、を含む。
【００１９】
マッハツェンダー変調器を作製する方法によれば、第１エリア及び第２エリアにリフトオフ開口を有するマスクを用いて樹脂体の表面をプラズマに曝して、凹んだ樹脂面をリフトオフ開口内の樹脂体に形成する。この後に、オーミック電極のための金属層を堆積して、マスクのリフトオフ開口の凹んだ樹脂面上及び半導体構造上にオーミック電極を形成する。オーミック電極を堆積した後にマスクを剥離して樹脂体の樹脂表面を露出させる。樹脂体は、第２エリアにおける凹んだ樹脂面に起因する浅い溝を有すると共に、オーミック電極は、浅い溝内に設けられる。樹脂体の樹脂表面及び凹んだ樹脂面並びにオーミック電極をプラズマに曝して、オーミック電極をマスクとして用いて樹脂体の全面をプラズマエッチングする。２回のプラズマエッチングによって、第２エリアにおいて樹脂体に第２オーミック電極部の縁に沿って延在する溝を形成できる。第２導電部は、第２オーミック電極部の幅より大きな幅を有するので、第２オーミック電極部上と、第２オーミック電極部の縁に沿って延在する溝内とに形成される。
【００２０】
一形態に係るマッハツェンダー変調器を作製する方法では、前記オーミック電極を形成する前記工程において、前記第２エリアにおいて前記オーミック電極の縁に沿って溝が前記樹脂体に形成され、当該方法は、前記オーミック電極を形成した後であって前記導電体を形成する先だって、前記第２エリアの前記溝上に開口を有する第２マスクを形成する工程と、前記第２マスクを用いて前記樹脂体をエッチングする工程と、を備える。
【００２１】
マッハツェンダー変調器を作製する方法によれば、第２マスクを用いたエッチングは、樹脂体における溝の断面形状を調整するために役立つ。
【００２２】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、マッハツェンダー変調器、及びマッハツェンダー変調器を作製する方法に係る実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２３】
図１は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器を示す図面である。マッハツェンダー変調器１１は、第１分岐導波路１２、第１アーム導波路１３、第２アーム導波路１４、及び第２分岐導波路１５を備える。第１分岐導波路１２は、導波路１６ａ及び導波路１６ｂに光学的にそれぞれ接続された第１ポート１２ａ及び第２ポート１２ｂと、第１アーム導波路１３及び第２アーム導波路１４に光学的にそれぞれ接続された第３ポート１２ｃ及び第４ポート１２ｄとを有する。第２分岐導波路１５は、導波路１７ａ及び導波路１７ｂに光学的にそれぞれ接続された第１ポート１５ａ及び第２ポート１５ｂと、第１アーム導波路１３及び第２アーム導波路１４に光学的にそれぞれ接続された第３ポート１５ｃ及び第４ポート１５ｄとを有する。第１分岐導波路１２及び第２分岐導波路１５は、例えば多モード干渉器（ＭＭＩ）を含むことができる。
【００２４】
マッハツェンダー変調器１１は、光導波路のための半導体構造２０、埋込樹脂体２１及び基板２２を備える。半導体構造２０は基板２２の主面２２ａ上に設けられ、埋込樹脂体２１は半導体構造２０を埋め込む。半導体構造２０は、下部クラッド層２０ｂ、ｉ型のコア層２０ｃ及び上部クラッド層２０ｄを含み、下部クラッド層２０ｂ、ｉ型のコア層２０ｃ及び上部クラッド層２０ｄは、基板２２上に順に設けられる。第１分岐導波路１２、第１アーム導波路１３、第２アーム導波路１４、第２分岐導波路１５は、埋込樹脂体２１により埋め込まれている。上部クラッド層２０ｄは、その上部にコンタクト層を含んでいてもよい。
下部クラッド層２０ｂ：ｎ型ＩｎＰ。
ｉ型のコア層２０ｃ：ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ。
上部クラッド層２０ｄ：ｐ型ＩｎＰ。
コンタクト層：ｐ型ＩｎＧａＡｓ。
基板２２：半絶縁性ＩｎＰ。
埋込樹脂体２１：ＢＣＢ樹脂。
【００２５】
第１アーム導波路１３上には、第１上部電極１８ａ（ＡＣ電極）及び第２上部電極１８ｂ（ＤＣ電極）が設けられている。第１上部電極１８ａ（ＡＣ電極）は、第１アーム導波路１３の第１部分１３ａに接続されており、第２上部電極１８ｂは、第１アーム導波路１３の第２部分１３ｂに接続されている。第１アーム導波路１３の第１部分１３ａと第１アーム導波路１３の第２部分１３ｂとの間には第１アーム導波路１３の第３部分１３ｃが設けられている。埋込樹脂体２１は、第１アーム導波路１３の第１部分１３ａ及び第２部分１３ｂの上面にそれぞれ到達する第１開口及び第２開口を有する。埋込樹脂体２１は、第３部分１３ｃの上面を覆う。第２アーム導波路１４上には、第３上部電極１９ａ及び第４上部電極１９ｂが設けられている。第３上部電極１９ａ（ＡＣ電極）は、第２アーム導波路１４の第１部分１４ａに接続されており、第４上部電極１９ｂ（ＤＣ電極）は、第２アーム導波路１４の第２部分１４ｂに接続されている。第２アーム導波路１４の第１部分１４ａと第２アーム導波路１４の第２部分１４ｂとの間には第２アーム導波路１４の第３部分１４ｃが設けられている。埋込樹脂体２１は、第２アーム導波路１４の第１部分１４ａ及び第２部分１４ｂの上面にそれぞれ到達する第３開口及び第４開口を有する。埋込樹脂体２１は、第３部分１４ｃの上面を覆う。第１アーム導波路１３と第２アーム導波路１４とを互いに接続する半導体領域上には、下部電極２３が設けられている。
【００２６】
引き続き、図２を参照しながら、電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）の構造を説明する。図２は、本実施形態に係るマッハツェンダー変調器のアーム導波路を示す図面である。図２の（ａ）部は、アーム導波路に接続される電極の終端及びその周辺を示す平面図であり、図２の（ｂ）部は、図２の（ａ）部に示されたＩＩｂ−ＩＩｂ線に沿ってとられた断面を示し、図２の（ｃ）部は、図２の（ａ）部に示されたＩＩｃ−ＩＩｃ線に沿ってとられた断面を示す。
【００２７】
マッハツェンダー変調器１１では、基板２２の主面２２ａは、第１エリア２２ｂ、第２エリア２２ｃ及び第３エリア２２ｄを含む。第１エリア２２ｂ、第２エリア２２ｃ及び第３エリア２２ｄは、アーム導波路の延在方向を示す第１軸Ａｘ１の方向に順に配列される。第１アーム導波路１３（第２アーム導波路１４）のための半導体構造２０は、第１導波路部２５ｂ、第２導波路部２５ｃ及び第３導波路部２５ｄを有しており、第１導波路部２５ｂ、第２導波路部２５ｃ及び第３導波路部２５ｄは、それぞれ、第１エリア２２ｂ、第２エリア２２ｃ及び第３エリア２２ｄ上に設けられている。埋込樹脂体２１は、主面２２ａ上において第１アーム導波路１３（１４）を埋め込むと共に、第１導波路部２５ｂ上に第１開口２１ｄを有する一方で第２導波路部２５ｃ及び第３導波路部２５ｄを覆う。第１開口２１ｄの深さＤＰは、例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍであることができる。
【００２８】
電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）の各々は、オーミック電極２７及び導電体２９を含む。オーミック電極２７は、第１オーミック電極部２７ｂ及び第２オーミック電極部２７ｃを含む。第１オーミック電極部２７ｂは、第１エリア２２ｂ上において第１導波路部２５ｂ及び第１軸Ａｘ１に沿って延在する。第１オーミック電極部２７ｂは、埋込樹脂体２１の第１開口２１ｄを介して第１アーム導波路１３（１４）の第１導波路部２５ｂに接続される。第２オーミック電極部２７ｃは、第２エリア２２ｃ上において埋込樹脂体２１上に設けられる。オーミック電極２７は、第３エリア２２ｄ上の埋込樹脂体２１上に設けられていない。導電体２９は、第１導電部２９ｂ及び第２導電部２９ｃを含む。第１導電部２９ｂは、第１エリア２２ｂ上において第１オーミック電極部２７ｂ及び第１軸Ａｘ１に沿って延在する。第２導電部２９ｃは、第２エリア２２ｃ上において第２オーミック電極部２７ｃ及び埋込樹脂体２１上に設けられる。第１エリア２２ｂにおいて、第１開口２１ｄは、第１導波路部２５ｂの幅ＷＧ１より大きな幅ＯＰＮ１を有する。第１オーミック電極部２７ｂは、第１導波路部２５ｂの幅ＷＧ１より大きな幅Ｍ１Ｃを有する。第１導電部２９ｂは、第１導波路部２５ｂの幅ＷＧ１より大きな幅ＣＮ１Ｄを有する。第２導電部２９ｃは、第２オーミック電極部２７ｃの幅Ｍ２Ｃより大きな幅ＣＮ２Ｄを有する。これらの幅は、第１軸Ａｘ１と交差する第２軸Ａｘ２の方向に規定される。第２エリア２２ｃにおいて、第２オーミック電極部２７ｃは、オーミック電極２７を終端させる端部２７ｄを第２エリア２２ｃに有する。第２導電部２９ｃは、導電体２９を終端させる端部２９ｄを第２エリア２２ｃに有する。
【００２９】
第１エリア２２ｂにおいて、埋込樹脂体２１は、第１導波路部２５ｂの上面２５ｅの縁に沿って延在する第１溝２１ｂを有しており、第１溝２１ｂは第１開口２１ｄの底面に設けられる。第２エリア２２ｃにおいて、埋込樹脂体２１は、第２オーミック電極部２７ｃの縁に沿って延在する第２溝２１ｃを有しており、第２溝２１ｃは、埋込樹脂体２１の主面２１ａに設けられる。第１開口２１ｄの終端において、第１溝２１ｂは第２溝２１ｃに繋がる。第１溝２１ｂは、アーム導波路の半導体構造２０に自己整合的に形成される。第２溝２１ｃは、第２オーミック電極部に自己整合的に形成される。第１溝２１ｂの幅は第２溝２１ｃの幅と異なっている。
【００３０】
マッハツェンダー変調器１１によれば、第１アーム導波路１３（１４）は、埋込樹脂体２１で埋め込まれており、またオーミック電極２７及び導電体２９を含む電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）に埋込樹脂体２１の第１開口２１ｄを介して接触を成す。電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）は、第１アーム導波路１３（第２アーム導波路１４）上を延在すると共に、第１アーム導波路１３（１４）上のいずれかの位置で終端する。電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）については、第１導電部２９ｂは、埋込樹脂体２１の第１開口２１ｄを規定する段差２１ｅを乗り越えて埋込樹脂体２１の第１開口２１ｄから延び出す共に埋込樹脂体２１の主面２１ａに到達して、第２導電部２９ｃに繋がる。第２導電部２９ｃは、埋込樹脂体２１の主面２１ａ上を延在する。第２導電部２９ｃは、第２エリア２２ｃ上において終端する端部２９ｄを有する。電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）は、第１開口２１ｄを終端させる平坦ではない段差２１ｅの側面、及び埋込樹脂体２１の主面２１ａを延在すると共に、第２導電部２９ｃ（電極端部）は、第１開口２１ｄ内の電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）の高さに比べて第１開口２１ｄの深さ分だけ突出する。埋込樹脂体２１は、第２エリア２２ｃにおいて第２オーミック電極部２７ｃの縁に沿って延在する第２溝２１ｃを有する。第２オーミック電極部２７ｃの幅Ｍ２Ｃより第２導電部２９ｃの幅ＣＮ２Ｄが大きく、第２導電部２９ｃは、図２の（ｃ）部に示されるように、第２オーミック電極部２７ｃの両側面及び端側面に沿って第２溝２１ｃに到達する。第２導電部２９ｃは、第２オーミック電極部２７ｃの両側面及び端側面、並びに第２溝２１ｃの表面（側面及び／又は底面）によって支持される。これらの支持によって、第２導電部２９ｃ（突出した電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ））が、作製工程及び組立工程において加わる可能性のある予期しない外力に対して対抗できる。
【００３１】
埋込樹脂体２１の第１溝２１ｂは、第１エリア２２ｂにおいて第１導波路部２５ｂの縁に沿って延在する一方で、第１軸Ａｘ１に沿って延在する第１開口２１ｄの側面の下縁から離れている。第１開口２１ｄの樹脂底面は、第１開口２１ｄの側面の下縁と第１溝２１ｂとを結ぶ平坦面２１ｆを含み、この平坦面２１ｆは、第１開口２１ｄ内において第１軸Ａｘ１の方向に延在する。第１オーミック電極部２７ｂは、第１エリア２２ｂにおいて第１溝２１ｂ内に設けられる。埋込樹脂体２１は、第２エリア２２ｃにおける第２溝２１ｃに連なる第１溝２１ｂを第１エリア２２ｂに有する。第１エリア２２ｂにおける第１溝２１ｂは、第２オーミック電極部２７ｃの両側面及び端側面、並びに第２溝２１ｃの表面による第２導電部２９ｃの支持をアシストする。
【００３２】
第２導電部２９ｃは、第２エリア２２ｃの埋込樹脂体２１上において第２導電部２９ｃを終端させる端部２９ｄを有し、該端部２９ｄの下縁は、基準面ＲＥ０Ｆ上の曲線ＣＶに沿って延在する部分２９ｅを有し、基準面ＲＥ０Ｆは、第２導電部２９ｃの下面２９ｆに沿って延在すると共に主面２２ａの法線軸Ｎｘに交差する。第２導電部２９ｃの端部２９ｄの下縁が基準面ＲＥ０Ｆ上の曲線ＣＶに沿って延在する部分２９ｅを有するので、端部の下縁が角（かど）を有する場合にくらべて、電極がはがれにくい。また、外力に対する高められた対抗性を電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）の端部に提供できる。第１導電部２９ｂの幅は第１オーミック電極部２７ｂの幅と実質的に同じであり、第２導電部２９ｃの最大幅は第２オーミック電極部２７ｃの最大幅より大きい。
【００３３】
図２に示されるように、半導体構造２０はメサ形状を有しており、半導体構造２０では下部クラッド層２０ｂ、ｉ型のコア層２０ｃ及び上部クラッド層２０ｄが法線軸Ｎｘの方向に配列されている。半導体構造２０の表面は、第１無機絶縁膜３１で覆われている。第１無機絶縁膜３１は、例えばシリコン系無機絶縁体（具体的には，シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物）を備える。第１無機絶縁膜３１は、第１エリア２２ｂにおいては、半導体メサを搭載する半導体領域２０ｅの表面及び第１導波路部２５ｂの側面を覆い、第１導波路部２５ｂの上面に位置する開口を有する。第１導波路部２５ｂの上面は、第１導波路部２５ｂの上面に位置する開口及び第１開口２１ｄを介して電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）に接触を成す。第１無機絶縁膜３１は、第２エリア２２ｃ及び第３エリア２２ｄにおいては、第２導波路部２５ｃ及び第３導波路部２５ｄの側面及び上面並びに半導体領域２０ｅの表面を覆う。
【００３４】
埋込樹脂体２１は、半導体構造２０を埋め込むように第１無機絶縁膜３１上に設けられている。埋込樹脂体２１の主面２１ａは、第２無機絶縁膜３３で覆われている。第２無機絶縁膜３３は、例えばシリコン系無機絶縁体（具体的には，シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物）を備える。
【００３５】
第２無機絶縁膜３３は、第１エリア２２ｂにおいては、第１導波路部２５ｂ上の第１オーミック電極部２７ｂの上面上に位置する開口を有し、第１開口２１ｄの表面及び埋込樹脂体２１の主面２１ａを覆う。第２無機絶縁膜３３は、第２エリア２２ｃにおいては、第２オーミック電極部２７ｃの上面及び側面並びに埋込樹脂体２１の主面２１ａを覆う。第２無機絶縁膜３３が第２オーミック電極部２７ｃの上面及び側面に接触を成すと共に第２導電部２９ｃが第２無機絶縁膜３３及び第２オーミック電極部２７ｃ上に設けられ、第２無機絶縁膜３３に接触を成す。
【００３６】
本実施例では、導電体２９は、シード層３５ａ及び金属層３５ｂを含む。シード層３５ａは、例えばＴｉＷ及びＡｕを備え、金属層３５ｂは、例えばＡｕ（メッキ金）を備える。オーミック電極２７は、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを備える。第２エリア２２ｃにおいて第２無機絶縁膜３３が第２オーミック電極部２７ｃの上面及び側面並びに埋込樹脂体２１の主面２１ａを覆うので、シード層３５ａ及び第２無機絶縁膜を介して、第２導電部２９ｃと埋込樹脂体２１との間の密着性が良好になる。
【００３７】
第２導電部２９ｃの幅が第２オーミック電極部２７ｃの幅より大きい電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）では、第２導電部２９ｃが、第２溝２１ｃ内の第２無機絶縁膜３３に接触を成している。また、第２溝２１ｃを越えて埋込樹脂体２１上の第２無機絶縁膜３３に接触を成す。これ故に、電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）の機械的な強度は、電極１８、１９（１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ）の端部において増強される。
【００３８】
図３〜図１４を参照しながら、マッハツェンダー変調器を作製する方法を説明する。引き続く説明において、理解の容易化のために、可能な場合には、図１及び図２において付された参照符合を用いる。図３の（ａ）部は、導波路メサを形成する工程における平面図を示し、図３の（ｂ）部は、図３の（ａ）部に示されたＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線に沿ってとられた断面を示す。工程Ｓ１０１では、ウエハ生産物ＳＰ１を準備する。ウエハ生産物ＳＰ１は、マッハツェンダー変調器１１の光導波路のための半導体構造２０及び基板２２を含む。半導体構造２０はメサ形状を有しており、また基板２２の主面２２ａ上に設けられる。半導体構造２０の高さは、例えば２．０〜３．５μｍであり、本実施例では２．７５μｍである。半導体構造２０は、下部クラッド層２０ｂ、ｉ型のコア層２０ｃ及び上部クラッド層２０ｄを含み、下部クラッド層２０ｂ、ｉ型のコア層２０ｃ及び上部クラッド層２０ｄは、基板２２上に順に設けられる。ウエハ生産物ＳＰ１のメサ形状の導波路部の上面にマスク４０が設けられている。このマスク４０は、エピタキシャル基板をドライエッチングしてウエハ生産物ＳＰ１を作製するために用いられる。マスク４０は、例えばＳｉＮといったシリコン系無機絶縁膜を備えることができる。エピタキシャル基板は、下部クラッド層２０ｂ、ｉ型のコア層２０ｃ及び上部クラッド層２０ｄのための半導体層を備える。さらに別のマスクを用いたドライエッチングにより、下部クラッド層２０ｂの一部を除去して基板２２の主面２２ａを露出させる箇所を設ける。導電性半導体からなる下部クラッド層２０ｂを除去することにより、基板２２内に複数のマッハツェンダー変調器１１を作製する場合において、複数のマッハツェンダー変調器１１同士を互いに電気的に分離することができる。
【００３９】
図４の（ａ）部は、樹脂体を形成する工程における平面図を示し、図４の（ｂ）部は、図４の（ａ）部に示されたＩＶｂ−ＩＶｂ線に沿ってとられた断面を示す。工程Ｓ１０２では、ウエハ生産物ＳＰ１の全面に第１無機絶縁膜３１をＣＶＤ法で成長すると共に、塗布及びベークにより樹脂体４１を第１無機絶縁膜３１上に形成する。これらのプロセスによって、ウエハ生産物ＳＰ１から基板生産物ＳＰ２が形成される。樹脂体４１は、例えばＢＣＢ樹脂であることができる。第１無機絶縁膜３１は、例えば厚さ２００ｎｍのシリコン酸化膜であることができる。ＢＣＢ樹脂は、半導体構造２０の側面及び上面を覆うことができる程度の厚さであって、半導体構造２０の上面上において厚さ１０００〜４０００ｎｍの範囲の厚さを備える。樹脂体４１は半導体構造２０を埋め込む。
【００４０】
図５の（ａ）部は、樹脂体に開口を形成する工程における平面図を示す。図５の（ｂ）部は、図５の（ａ）部に示されたＶｂ−Ｖｂ線に沿ってとられた断面を示し、図５の（ｃ）部は、図５の（ａ）部に示されたＶｃ−Ｖｃ線に沿ってとられた断面を示す。工程Ｓ１０３では、第１開口を形成するための加工を樹脂体４１に行う。この加工のために、基板生産物ＳＰ２上にマスク４５を形成する。マスク４５のパターンは、第１エリア２２ｂ上の樹脂体４１の上面４１ａに開口４５ａを有すると共に第２エリア２２ｃ及び第３エリア２２ｄ上の樹脂体４１の上面４１ａを覆う。マスク４５は、例えばレジストを備えることができる。マスク４５を用いて樹脂体４１及び第１無機絶縁膜３１をエッチングして、樹脂体４１に第１開口４１ｄを形成する。このエッチングにおける使用ガスは、ＣＦ４／Ｏ２である。樹脂体４１の第１開口４１ｄには、半導体構造２０の上面が現れている。第１開口４１ｄの幅は半導体構造２０の幅（メサ幅）より大きい。半導体構造２０の側面は第１無機絶縁膜３１で覆われている。これらのプロセスによって、基板生産物ＳＰ２から基板生産物ＳＰ３が形成される。
【００４１】
図６及び図７を参照しながら、樹脂体４１に溝を形成すると共にオーミック電極２７を形成するプロセスを説明する。具体的には、工程Ｓ１０４では、オーミック電極２７を形成するプロセスを基板生産物に適用しながら、第１溝２１ｂ及び第２溝２１ｃを樹脂体４１に形成して、埋込樹脂体２１を形成する。
【００４２】
図６は、第１エリアにおけるプロセスの進捗を示し、図７は、第２エリアにおけるプロセスの進捗を示す。具体的には、図６は、図５の（ａ）部に示されたＶｂ−Ｖｂ線に沿ってとられた断面の進捗を示す。図７は、図５の（ａ）部に示されたＶｃ−Ｖｃ線に沿ってとられた断面の進捗を示す。
【００４３】
図６の（ａ）部及び図７の（ａ）部に示されるように、基板生産物ＳＰ３上にリフトオフマスク４７を形成する。リフトオフマスク４７は、オーミック電極を形成すべきエリアに開口４７ａを有する。開口４７ａは、第１エリア２２ｂ及び第２エリア２２ｃにおいて第１軸Ａｘ１の方向に延在し、第２エリア２２ｃにおいて終端する。開口４７ａは、第３エリア２２ｄには設けられない。リフトオフマスク４７の材料は、例えばフォトレジストであることができる。開口４７ａの上端サイズは、開口４７ａの下端サイズより小さい。開口４７ａの上端サイズは、形成されるべきオーミック電極の幅を規定しており、開口４７ａの下端サイズは、オーミック電極のための金属堆積膜が開口４７ａの上縁において分離されることを可能にしている。このサイズ差により、第１エリア２２ｂ上においては、半導体構造２０を覆う樹脂体４１、半導体構造２０の側面を覆う第１無機絶縁膜３１の上端、及び半導体構造２０の上面が開口４７ａに露出される。第２エリア２２ｃ上においては、半導体構造２０を覆う樹脂体４１の表面が開口４７ａの下端に露出される。開口４７ａの下端を規定するレジストの位置は、形成されるべき第１溝及び第２溝の位置に関連している。
【００４４】
図６の（ｂ）部及び図７の（ｂ）部に示されるように、リフトオフマスク４７を用いて酸素プラズマエッチングにより樹脂体４１を加工する。酸素プラズマは、第１エリア２２ｂにおいては、リフトオフマスク４７の開口４７ａを通して、開口４７ａに現れる樹脂体４１の上面４１ａ及びリフトオフマスク４７のレジストをエッチングする。また、酸素プラズマは、第２エリア２２ｃにおいては、リフトオフマスク４７の開口４７ａを通して、開口４７ａに現れる樹脂体４１の上面４１ａ及びリフトオフマスク４７のレジストをエッチングする。第１エリア２２ｂでは、半導体構造２０の上面の縁（具体的には、半導体構造２０の側面を覆う第１無機絶縁膜３１の上縁）に沿って第１溝４１ｂが形成される。第２エリア２２ｃでは、開口４７ａの全体にわたって樹脂体４１に窪み４１ｅが形成される。窪み４１ｅは樹脂体４１の上面４１ａに対して凹んでいる。
【００４５】
図６の（ｃ）部及び図７の（ｃ）部に示されるように、リフトオフマスク４７を用いて、オーミック電極のための金属膜の堆積及びパターン形成を行う。第１エリア２２ｂでは、半導体構造２０の上面、半導体構造２０の側面を覆う第１無機絶縁膜３１の上縁）、及び樹脂体４１の第１溝４１ｂに第１オーミック電極部４９ｂが形成される。第２エリア２２ｃでは、開口４７ａに現れる樹脂体４１に窪み４１ｅ内に第２オーミック電極部４９ｃが形成される。第１エリア２２ｂ、第２エリア２２ｃ及び第３エリア２２ｄにおいて、リフトオフマスク４７上に金属堆積物４９ａが形成される。
【００４６】
図６の（ｄ）部及び図７の（ｄ）部に示されるように、リフトオフマスク４７を除去すると、第１エリア２２ｂに第１オーミック電極部４９ｂが残されると共に、第２エリア２２ｃに第２オーミック電極部４９ｃが残される。金属堆積物４９ａは、リフトオフマスク４７と一緒に除去される。リフトオフマスク４７を除去した後に、再び、酸素プラズマエッチングにより樹脂体４１を加工する。第１オーミック電極部４９ｂが、半導体構造２０の側面を覆う第１無機絶縁膜３１の上端を覆っている。酸素プラズマは、第１エリア２２ｂにおいては、樹脂体４１の第１溝４１ｂ及び樹脂体４１の上面４１ａを全体にわたって同様にエッチングする。このエッチングに際して、第１オーミック電極部４９ｂがマスクとして働いて、第１エリア２２ｂでは、第１オーミック電極部４９ｂの縁に第１溝２１ｂが残される。これと対象的に、第２エリア２２ｃにおいては、酸素プラズマは、樹脂体４１に窪み４１ｅ及び樹脂体４１の上面４１ａをエッチングする。このエッチングに際して、第２オーミック電極部４９ｃがマスクとして働いて、第２エリア２２ｃでは、第２オーミック電極部４９ｃに覆われていない窪み４１ｅの表面（露出面）及び樹脂体４１の上面４１ａがエッチングされて、第２オーミック電極部４９ｃの縁に沿って第２溝２１ｃが形成される。第２エリア２２ｃにおいては、リフトオフマスク４７の開口４７ａにわたるエッチングと、第２オーミック電極部４９ｃに対する自己整合的なエッチングとによって第２溝２１ｃが形成される。
【００４７】
上記のようなプロセスの結果、基板生産物ＳＰ４が形成される。図８の（ａ）部は、樹脂体に第１溝及び第２溝並びにオーミック電極を形成する工程における基板生産物ＳＰ４を示す平面図を示す。図８の（ｂ）部は、図８の（ａ）部に示されたＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ線に沿ってとられた断面を示し、図８の（ｃ）部は、図８の（ａ）部に示されたＶＩＩＩｃ−ＶＩＩＩｃ線に沿ってとられた断面を示す。
【００４８】
必要な場合には、オプション工程の溝形成を追加することができる。図９の（ａ）部は、オプション工程における基板生産物ＳＰ４を示す平面図を示す。図９の（ｂ）部は、図９の（ａ）部に示されたＩＸｂ−ＩＸｂ線に沿ってとられた断面を示し、図９の（ｃ）部は、図９の（ａ）部に示されたＩＸｃ−ＩＸｃ線に沿ってとられた断面を示す。溝の形成のために第２マスク５１を基板生産物ＳＰ４上に形成する。第２マスク５１は、開口５１ａを有しており、開口５１ａは、第２エリア２２ｃにおいてオーミック電極の縁に形成された溝上に位置する開口を有する。好ましくは、開口５１ａの幅Ｗ５１は、オーミック電極４９の縁又は半導体構造２０に上面の縁に沿って既に形成された一対の溝における一方の溝の外縁から他方の溝の外縁までの距離に対応することが良い。第２エリア２２ｃの第２マスク５１を用いて樹脂体４１をエッチングする。この第２マスク５１及びオーミック電極４９が実効的なマスクとして用いるエッチングにより溝を深くすることができ、溝幅を広くすることができ、溝の断面形状を変えることができる。マッハツェンダー変調器を作製する方法によれば、第２マスク５１を用いたエッチングは、樹脂体における溝の断面形状を調整するために役立つ。
【００４９】
本実施例では、オプション工程は基板生産物ＳＰ４に適用されない。工程Ｓ１０５のプロセスにおいて、作製されるべき半導体素子における樹脂体の構造が作製されたので、引き続く工程における説明において、理解を容易にするために、樹脂体４１を埋込樹脂体２１として参照し、オーミック電極の参照符合として「４９」に替えて「２７」を用いる。図１０の（ａ）部は、保護膜を形成する工程を示す平面図を示す。図１０の（ｂ）部は、図１０の（ａ）部に示されたＸｂ−Ｘｂ線に沿ってとられた断面を示し、図１０の（ｃ）部は、図１０の（ａ）部に示されたＸｃ−Ｘｃ線に沿ってとられた断面を示す。工程Ｓ１０５では、基板生産物ＳＰ４の全面に第２無機絶縁膜３３をＣＶＤ法で成長する。第２無機絶縁膜３３は、例えば厚さ２００ｎｍのシリコン酸化膜であることができる。第２無機絶縁膜３３は、埋込樹脂体２１の主面２１ａ、第１溝２１ｂ及び第２溝２１ｃ並びにオーミック電極２７の上面及び側面を覆う。
【００５０】
図１１の（ａ）部は、保護膜に開口を形成する工程を示す平面図を示す。図１１の（ｂ）部は、図１１の（ａ）部に示されたＸＩｂ−ＸＩｂ線に沿ってとられた断面を示し、図１１の（ｃ）部は、図１１の（ａ）部に示されたＸＩｃ−ＸＩｃ線に沿ってとられた断面を示す。工程Ｓ１０６では、基板生産物ＳＰ４上の第２無機絶縁膜３３に開口３３ａを形成する。この開口を形成するためのマスク５３を第２無機絶縁膜３３上に形成する。マスク５３は、第１エリア２２ｂにおいて第１オーミック電極部２７ｂ上に位置する開口５３ａを備え、第２エリア２２ｃ及び第３エリア２２ｄに開口を備えない。第２オーミック電極部２７ｃは第２無機絶縁膜３３で覆われている。マスク５３は、例えばレジストからなることができる。マスク５３を用いたエッチングにより第２無機絶縁膜３３に開口３３ａを形成する。開口３３ａにはオーミック電極２７が現れている。
【００５１】
図１２の（ａ）部は、導電体を形成する工程を示す平面図を示す。図１２の（ｂ）部は、図１２の（ａ）部に示されたＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ線に沿ってとられた断面を示し、図１２の（ｃ）部は、図１２の（ａ）部に示されたＸＩＩｃ−ＸＩＩｃ線に沿ってとられた断面を示す。工程Ｓ１０７では、基板生産物ＳＰ４上に導電体２９を形成する。導電体２９の形成には、メッキ法を用いることができる。第２エリア２２ｃにおいては、導電体２９の第２導電部２９ｃの幅は、第２オーミック電極部２７ｃの幅より広く、本実施例では、導電体２９の第２導電部２９ｃは、第２無機絶縁膜３３の表面に沿って第２溝２１ｃを越えて延在する。これ故に、導電体２９の機械的強度を高めることができる。また、第２導電部２９ｃの端部の上縁が曲線状である。曲線状の上縁によれば、角（かど）を有する上縁の場合よりも、電極がはがれにくいので、導電体２９の機械的強度を高めることができる。
【００５２】
これらの工程により、ウエハプロセスが完了して、生産物Ｗが完成された。この後に、製造に用いた基板の厚さを薄くするために基板の裏面を加工する。具体的には、図１３の（ａ）部に示されるように、サファイア基板といった支持部材６１に生産物Ｗのおもて面ＦＴをワックスＷＡＸにより固定して、加工対象物６５を作製する。加工対象物６５において生産物Ｗの基板の裏面ＢＫが表に現れている。この加工は、例えば化学的機械的研磨法によって行われる。図１３の（ｂ）部に示されるように、加工装置６３に加工対象物６５を取り付ける。図１４に示されるように、加工対象物６５を加工装置６３にに対して相対的に矢印ＡＲＷ方向を含む方向に動かして、支持部材６１に取り付けた生産物Ｗの裏面を研磨装置で研磨する。研磨によって生産物Ｗの厚みを薄くできる。この研磨工程において、電極の端部にワックスＷＡＸから力が加わる。本実施形態に係る電極構造は、この力に対抗できる機械的強度を有する。また、研磨工程の終了後にワックスＷＡＸから生産物Ｗを剥がす際にも電極の端部に力が加わる。本実施形態に係る電極構造は、この力に対抗できる機械的強度を有する。
【００５３】
第２エリア２２ｃにおける電極端部の構造は、上記の実施形態に限定されることなく、例えば以下の形状を有することができる。
【００５４】
第２溝２１ｃは、図１５の（ａ）部及び（ｂ）部に示されるように、第１軸Ａｘ１に交差する断面において、矩形又は正方形であることができる。このような形状は、オプション工程により異方性の強いドライエッチングを行って埋込樹脂体２１を加工することによって形成される。図１５の（ｂ）部は図１５の（ａ）部に示されたＸＶｂ−ＸＶｂ線に沿ってとられた断面である。
【００５５】
第２溝２１ｃは、図１６の（ａ）部及び（ｂ）部に示されるように、第１軸Ａｘ１に交差する断面において、深く幅広い曲線形状の断面を有することができる。このような形状は、オプション工程により弱い異方性のドライエッチングを行って埋込樹脂体２１を加工することによって形成される。図１６の（ｂ）部は図１６の（ａ）部に示されたＸＶＩｂ−ＸＶＩｂ線に沿ってとられた断面である。
【００５６】
第２溝２１ｃは、図１７の（ａ）部に示されるように、第１軸Ａｘ１に交差する断面においてくさび形状であることができる。
【００５７】
第２溝２１ｃは、図１７の（ｂ）部に示されるように、第１軸Ａｘ１に交差する断面において、幅広い曲線形状であることができる。このような形状は、オプション工程において広い開口幅のマスクを用いて埋込樹脂体２１を加工することによって形成される。
【００５８】
図１７の（ｃ）部に示されるように、第２溝２１ｃに加えて、第２溝２１ｃの外側に設けられた追加の第２溝（２１ｆ）が設けられることができる。このような配置は、オプション工程において追加の開口を有するマスクを用いて埋込樹脂体２１を加工することによって形成される。
【００５９】
図１８は、第２エリアに溝を形成していない樹脂体上に広い幅の電極を形成するマッハツェンダー変調器Ｃを示す。マッハツェンダー変調器Ｃでは、第２エリアの樹脂体上の電極の幅は、アーム導波路上の電極の幅の８倍である。本実施形態のいずれの構造における外力に対する対抗性能も、マッハツェンダー変調器Ｃに比べて優れる。この実施例は、埋込樹脂体２１の溝（２１ｃ）の有効性を示す。
【００６０】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
以上説明したように、本実施形態によれば、アーム導波路に接続される電極の機械的な強度を増加できる構造を有するマッハツェンダー変調器が提供される。また、本実施形態によれば、アーム導波路に接続されており機械的な強度を増強できる電極を形成できるマッハツェンダー変調器を作製する方法が提供される。
【符号の説明】
【００６２】
２０…半導体構造、２１…埋込樹脂体、２１ｂ…第１溝、２１ｃ…第２溝、２１ｄ、４１ｄ…第１開口、２２…基板、１８、１９…電極、２７…オーミック電極、２９…導電体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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