(57)【要約】【課題】半田ブリッジの発生をより適切に抑制できる回路基板を提供する。【解決手段】絶縁基板（１３）に形成された配線パターン（１５）と、配線パターンに接続する導電材でなり、電子部品（３１）を半田（３５）で接続できるように絶縁基板の表面（１３ａ）側に表出した複数のランド（１９ａ）と、を備える回路基板（１１）であって、隣接するランドの間の絶縁基板の表面側には、ソルダーレジスト層（１７）と、半田を弾く材料でなり、ソルダーレジスト層を覆うシルク印刷層（２３）と、を含み、シルク印刷層は、ランドの外周縁にオーバーラップして形成されることで、電子部品を実装するためにランドに供給される半田がランドからはみ出して、隣接するランドの半田同士が接続するのを防ぐ。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板に形成された配線パターンと、該配線パターンに接続する導電材でなり、電子部品を半田で接続できるように該絶縁基板の表面側に表出した複数のランドと、を備える回路基板であって、
隣接する該ランドの間の該絶縁基板の表面側には、ソルダーレジスト層と、半田を弾く材料でなり、該ソルダーレジスト層を覆うシルク印刷層と、を備え、
該シルク印刷層は、該ランドの外周縁にオーバーラップして形成されることで、該電子部品を実装するために該ランドに供給される半田が該ランドからはみ出して、隣接する該ランドの半田同士が接続するのを防ぐことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
該電子部品をフロー半田付け方式で該ランドに接続する際に該ランドに対して半田が流れる下流方向に設定され、該ランドに付着した余分な半田を引き込む捨てランドを更に備え、
該捨てランドの面積は、隣接する該ランドより広く設定されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
該捨てランドは、該ランドに接続する配線パターンの一部であり、
該捨てランドと該ランドとは、該配線パターンの表面側に形成された絶縁層によって区画されていることを特徴とする請求項２記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品等が実装される回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種の電子部品を含む電子回路を実現するために、配線パターンを備えた回路基板（プリント基板）が使用されている。例えば、この配線パターンに接続されたスルーホールに電子部品の端子（ピン）を挿入し、溶融した半田をスルーホールに供給することで、回路基板に電子部品を実装して電子回路を形成できる。
【０００３】
近年では、配線パターンの微細化や、端子間隔の狭小化等が進められており、隣接するスルーホールの間隔も狭くなっている。そのため、電子部品を実装する際にスルーホールに半田を供給すると、隣接するスルーホール間で半田同士が接続し、半田ブリッジと呼ばれる不良（ショート）が発生し易かった。
【０００４】
この問題を解決するために、シルク印刷法で形成される絶縁層（シルク印刷層）を隣接するスルーホール間に配置する方法が検討されている（例えば、特許文献１参照）。この方法によれば、絶縁層（シルク印刷層）によって半田が弾かれるので、隣接するスルーホール間で半田同士が接続する可能性を低く抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１２０７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、隣接するスルーホールの間隔が更に狭くなると、上述の方法では、半田ブリッジの発生を必ずしも適切に抑制できない。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半田ブリッジの発生をより適切に抑制できる回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、絶縁基板に形成された配線パターンと、該配線パターンに接続する導電材でなり、電子部品を半田で接続できるように該絶縁基板の表面側に表出した複数のランドと、を備える回路基板であって、隣接する該ランドの間の該絶縁基板の表面側には、ソルダーレジスト層と、半田を弾く材料でなり、該ソルダーレジスト層を覆うシルク印刷層と、を備え、該シルク印刷層は、該ランドの外周縁にオーバーラップして形成されることで、該電子部品を実装するために該ランドに供給される半田が該ランドからはみ出して、隣接する該ランドの半田同士が接続するのを防ぐことを特徴とする回路基板が提供される。
【０００８】
本発明の一態様において、該電子部品をフロー半田付け方式で該ランドに接続する際に該ランドに対して半田が流れる下流方向に設定され、該ランドに付着した余分な半田を引き込む捨てランドを更に備え、該捨てランドの面積は、隣接する該ランドより広く設定されていることが好ましい。
【０００９】
また、本発明の一態様において、該捨てランドは、該ランドに接続する配線パターンの一部であり、該捨てランドと該ランドとは、該配線パターンの表面側に形成された絶縁層によって区画されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様に係る回路基板では、隣接するランドの間の絶縁基板の表面側に、ランドの外周縁にオーバーラップするシルク印刷層が設けられているので、電子部品を実装するためにランドに供給される半田がランドからはみ出して、隣接するランドの半田同士が接続するのを防止できる。すなわち、本発明の一態様に係る回路基板によれば、半田ブリッジの発生をより適切に抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】回路基板の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、回路基板の構成例を模式的に示す平面図であり、図２（Ｂ）は、回路基板の構成例を模式的に示す一部断面図側面図である。
【図３】変形例に係る回路基板の構成例を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る回路基板の構成例を模式的に示す斜視図である。なお、図１では、フロー半田付け方式（フロー方式）で半田を供給する際に半田が流れる方向Ａを併せて示している。図１に示すように、回路基板１１は、絶縁性を持つ樹脂等の材料（絶縁材）を用いて矩形の平板状に形成された基材（絶縁基板）１３を含む。
【００１３】
基材１３の第１面（表面）１３ａ側には、導電性の材料（導電材）でなる配線パターン１５が設けられている。この配線パターン１５に各種の電子部品３１（図２（Ｂ）参照）を接続することで、所望の電子回路を形成できる。なお、配線パターン１５は、基材１３の第２面（裏面）１３ｂ側及び基材１３の内部にも形成されている。配線パターン１５を構成する導電性の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等が使用される。
【００１４】
基材１３の第１面１３ａ側及び第２面１３ｂ側には、熱や光によって硬化するエポキシ樹脂等でなるソルダーレジスト層１７が設けられている。ソルダーレジスト層１７には、電子部品３１を実装する際に供給される半田３５（図２（Ａ）、図２（Ｂ）等参照）から配線パターン１５等を保護する機能がある。そのため、ソルダーレジスト層１７は、配線パターン１５の一部又は全部を覆うように形成される。
【００１５】
図２（Ａ）は、回路基板１１の構成例を模式的に示す平面図であり、図２（Ｂ）は、回路基板１１の構成例を模式的に示す一部断面図側面図である。なお、図２（Ｂ）では、図２（Ａ）において一点鎖線で示した領域を矢印の方向に見た断面を示している。図２（Ｂ）に示すように、基材１３には、基材１３を第１面１３ａ側から第２面１３ｂ側まで貫通する複数の開口部１３ｃが形成されている。
【００１６】
各開口部１３ｃ及びその近傍は、導電性の材料（導電材）でなる導電膜１９によって被覆されている。この導電膜１９は、配線パターン１５に対して電気的に接続されている。また、第１面１３ａ側で露出する導電膜１９の一部は、電子部品３１を接続する際に半田３５が供給されるランド１９ａとなる。
【００１７】
一方で、開口部１３ｃ内の導電膜１９によって、基材１３を第１面１３ａ側から第２面１３ｂ側まで貫通するスルーホール１９ｂが規定されている。このスルーホール１９ｂに第２面１３ｂ側から電子部品３１の端子（ピン）３３を挿入し、ランド１９ａに半田３５を供給することで、電子部品３１を回路基板１１に実装できる。
【００１８】
導電膜１９を構成する導電性の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を使用できる。また、この導電膜１９は、配線パターン１５と別に形成されても良いし、配線パターン１５と一体的に形成されても良い。
【００１９】
図１に示すように、ランド１９ａに対して、半田３５が流れる方向Ａの下流側には、ランド１９ａに付着した余分な半田３５を引き込むための捨てランド２１が形成されている。捨てランド２１は、例えば、導電膜１９と同等の材料で形成される。また、捨てランド２１の面積は、捨てランド２１に十分な量の半田３５を引き込むことができるように、隣接するランド１９ａの面積より広く設定されることが好ましい。
【００２０】
なお、ランド１９ａに接続する配線パターン１５の一部を用いて、捨てランド１５ａを形成することもできる。この場合、ランド１９ａと捨てランド１５ａとは、例えば、配線パターン１５の表面側に形成されたソルダーレジスト層（絶縁層）１７等によって区画される。
【００２１】
また、この場合、ソルダーレジスト層１７をできるだけ薄く形成することが好ましい。ソルダーレジスト層１７を薄く形成することで、捨てランド１５ａ等に半田３５を引き込み易くなるためである。代表的には、一般的な厚みの１／２以下、好ましくは１／３以下程度のソルダーレジスト層１７を形成するのが効果的である。
【００２２】
基材１３の第１面１３ａ側及び第２面１３ｂ側において、隣接するスルーホール１９ｂ（ランド１９ａ）の間の領域には、上述したソルダーレジスト層１７を覆うシルク印刷層２３が形成されている。シルク印刷層２３は、例えば、半田３５を弾く材料を用いて、導電膜１９（ランド１９ａ）の外周縁にオーバーラップする態様で形成される。
【００２３】
このように、ランド１９ａの外周縁に重なる態様のシルク印刷層２３を形成することで、隣接するランド１９ａの間隔を実質的に広げることができる。これにより、隣接するランド１９ａの間隔が狭い場合等でも、ランド１９ａに供給される半田３５がランド１９ａからはみ出して、隣接するランド１９ａの半田３５同士が接続するのを防止できる。
【００２４】
なお、このシルク印刷層２３は、従来から行われているように、基材１３に対して文字や記号等を記すシルク印刷工程で同時に形成できる。よって、シルク印刷層２３を形成するために新たな工程が増えることはなく、回路基板１１の製造コストが大幅に増加することもない。
【００２５】
以上のように、本実施形態に係る回路基板１１では、隣接するランド１９ａの間の基材（絶縁基板）１３の第１面（表面）１３ａ側に、ランド１９ａの外周縁にオーバーラップするシルク印刷層２３が設けられているので、電子部品３１を実装するためにランド１９ａに供給される半田３５がランド１９ａからはみ出して、隣接するランド１９ａの半田３５同士が接続するのを防止できる。すなわち、本実施形態に係る回路基板１１によれば、半田ブリッジの発生をより適切に抑制できる。
【００２６】
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態の回路基板１１では、ランド１９ａと捨てランド１５ａとの間にシルク印刷層２３を形成しているが、ランド１９ａと捨てランド１５ａとの間でシルク印刷層２３の一部又は全部を省略することもできる。
【００２７】
図３は、変形例に係る回路基板１１の構成例を模式的に示す平面図である。図３に示すように、変形例に係る回路基板４１の基本的な構成は、図２（Ａ）等に示す回路基板１１の構成と同様である。よって、回路基板１１と共通する構成要素には同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
【００２８】
図３に示すように、変形例に係る回路基板４１のシルク印刷層２３には、ランド１９ａと捨てランド１５ａとの間に切り欠き部２３ａが設けられている。すなわち、ランド１９ａと捨てランド１５ａとの間では、シルク印刷層２３が部分的に省略されている。このように、ランド１９ａと捨てランド１５ａとの間でシルク印刷層２３の一部又は全部を省略することで、捨てランド１５ａに半田３５を引き込み易くなる。
【００２９】
また、上記実施形態では、４層の配線パターン１５を備える回路基板１１を例示したが、本発明に係る回路基板は、５層以上の配線パターンを備える多層基板、４層未満の配線パターンを備える多層基板、１層の配線パターンを備える単層基板等でも良い。
【００３０】
また、上記実施形態では、電子部品３１の端子（ピン）３３が挿入されるスルーホール１９ｂを含むランド１９ａを形成しているが、スルーホール１９ｂの代わりに、底のある凹部を形成することもできる。もちろん、スルーホールや凹部を含まない完全に平坦なランドを形成しても良い。
【００３１】
また、上記実施形態では、フロー半田付け方式（フロー方式）で半田を供給する場合を例示したが、半田の供給方法等に制限はない。例えば、リフロー半田付け方式（リフロー方式）を採用する場合にも、上述した回路基板は有用である。
【００３２】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００３３】
１１  回路基板
１３  基材（絶縁基板）
１３ａ  第１面（表面）
１３ｂ  第２面（裏面）
１３ｃ  開口部
１５  配線パターン
１５ａ  捨てランド
１７  ソルダーレジスト層（絶縁層）
１９  導電膜
１９ａ  ランド
１９ｂ  スルーホール
２１  捨てランド
２３  シルク印刷層
３１  電子部品
３３  端子（ピン）
３５  半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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