(57)【要約】【課題】ワイヤボンディング時に接触等が生じたボンディングワイヤ間の間隔を効率よく広げることを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、複数の第１のボンディング部２２と複数の第２のボンディング部２１との間を、ボンディングワイヤが挿通されたキャピラリを用いて、それぞれボンディングワイヤ２３で電気的に接続する工程と、隣接するボンディングワイヤ２３間の隙間を測定する工程と、隣接するボンディングワイヤ間の隙間が設定値以下である一組のボンディングワイヤ２３間にキャピラリ（９）を配置し、ボンディングワイヤ２３の結線方向に沿ってボンディングワイヤ２３の少なくとも一方に接触させつつキャピラリ（９）を移動させることによって、隣接するボンディングワイヤ２３間の隙間を広げる工程とを具備する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の装置構成部品に設けられた複数の第１のボンディング部と、第２の装置構成部品に設けられた複数の第２のボンディング部との間を、ボンディングワイヤが挿通されたキャピラリを用いて、それぞれ前記ボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、
前記複数の第１のボンディング部と前記複数の第２のボンディング部とに接続された複数の前記ボンディングワイヤにおいて、隣接する前記ボンディングワイヤ間の隙間を測定する工程と、
測定した前記隣接するボンディングワイヤ間の隙間が設定値以下である一組のボンディングワイヤを選択する工程と、
選択した前記一組のボンディングワイヤ間に前記キャピラリを配置し、前記ボンディングワイヤの結線方向に沿って前記ボンディングワイヤの少なくとも一方に接触させつつ前記キャピラリを移動させることによって、前記一組のボンディングワイヤ間の隙間を広げる工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記一組のボンディングワイヤ間の隙間を広げた後に、前記一組のボンディングワイヤ間の隙間を再測定する工程と、
前記再測定した一組のボンディングワイヤ間の隙間の測定値が設定値以下である前記一組のボンディングワイヤ間に前記キャピラリを配置し、前記ボンディングワイヤの結線方向に前記ボンディングワイヤの少なくとも一方に接触させつつ前記キャピラリを移動させることによって、前記一組のボンディングワイヤ間の隙間を再度広げる工程と
具備する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記隙間を再測定する工程において、前記隙間を広げた一組のボンディングワイヤ間の隙間のみを再測定する、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１の装置構成部品に設けられた複数の第１のボンディング部と、第２の装置構成部品に設けられた複数の第２のボンディング部との間を、ボンディングワイヤが挿通されたキャピラリを用いて、それぞれ前記ボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、
前記複数の第１のボンディング部と前記複数の第２のボンディング部とに接続された複数の前記ボンディングワイヤにおいて、１つの前記ボンディングワイヤが設定軌跡から外れている量を測定する工程と、
測定した１つの前記ボンディングワイヤが設定軌跡から外れている量が設定値以上であるとき、設定軌跡から外れている量が設定値以上である第１のボンディングワイヤと前記第１のボンディングワイヤが設定軌跡から外れている方向に隣接する第２のボンディングワイヤとを一組のボンディングワイヤとして選択する工程と、
選択した前記一組のボンディングワイヤ間に前記キャピラリを配置し、前記ボンディングワイヤの結線方向に沿って前記ボンディングワイヤの少なくとも一方に接触させつつ前記キャピラリを移動させることによって、前記一組のボンディングワイヤ間の隙間を広げる工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
さらに、前記一組のボンディングワイヤ間の隙間を広げた後に、前記第１のボンディングワイヤの設定軌跡から外れている量を再測定する工程と、
前記再測定した前記第１のボンディングワイヤが設定軌跡から外れている量が設定値以上である前記第１のボンディングワイヤを含む前記一組のボンディングワイヤ間に前記キャピラリを配置し、前記ボンディングワイヤの結線方向に前記ボンディングワイヤの少なくとも一方に接触させつつ前記キャピラリを移動させることによって、前記一組のボンディングワイヤ間の隙間を再度広げる工程と
具備する、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記再測定する工程において、前記隙間を広げた一組のボンディングワイヤについてのみ設定軌跡から外れている量を再測定する、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記選択した一組のボンディングワイヤ間に前記キャピラリを配置する前に、前記キャピラリに挿通された前記ボンディングワイヤを上昇させ、前記ボンディングワイヤの先端を前記キャピラリ内に収納する工程を具備する、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記キャピラリはボトルネック構造の先端部を有し、前記先端部の先端径より大きい部分で、かつボトルネック高さより低い部分を、前記ボンディングワイヤに接触させる、請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等のメモリチップを内蔵する半導体記憶装置においては、小型化と高容量化が急速に進められている。半導体記憶装置のような半導体装置では、小型化と高容量化を両立させるために、例えば回路基材上に複数のメモリチップ等の半導体チップを順に積層し、これら半導体チップを樹脂層で封止した構成が適用されている。さらに、回路基材の端子や半導体チップの電極パッドに関しては、形成ピッチの狭ピッチ化が進められている。このような回路基材の端子と半導体チップの電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続した場合、隣接するボンディングワイヤ間に接触が生じたり、またワイヤボンディング時には接触が生じないまでも、ワイヤ間隔が狭まることで後工程の樹脂封止工程におけるワイヤ流れでボンディングワイヤ間が接触しやすくなる。
【０００３】
ワイヤボンディング工程や樹脂封止工程等で隣接するボンディングワイヤ間に接触が生じた半導体装置は不良として扱われ、半導体装置の歩留まりを低下させる原因となっている。隣接するボンディングワイヤ間の接触を防止する技術が種々提案されているが、付加的な構造物を使用する場合には、半導体装置の製造コストや製造工数を増大させる要因となる。さらに、ボンディングワイヤ間の接触は、回路基材の端子や半導体チップの電極パッドの形成ピッチを狭ピッチ化するほど発生しやすくなるため、ワイヤ間の接触を防止することが困難になりつつある。また、微細制御が可能な検査装置等を用いて、作業者が手作業でボンディングワイヤ間の間隔を広げることも検討されているが、このような作業は生産効率が極めて悪く、半導体装置の製造コストや製造工数の増大が避けられない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１５７５９９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、ワイヤボンディング時に接触が生じたり、また後工程で接触が生じるおそれがあるボンディングワイヤ間の間隔を効率よく広げることを可能にした半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の半導体装置の製造方法は、第１の装置構成部品に設けられた複数の第１のボンディング部と、第２の装置構成部品に設けられた複数の第２のボンディング部との間を、ボンディングワイヤが挿通されたキャピラリを用いて、それぞれボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、前記複数の第１のボンディング部と前記複数の第２のボンディング部とに接続された複数の前記ボンディングワイヤにおいて、隣接する前記ボンディングワイヤ間の隙間を測定する工程と、測定した前記隣接するボンディングワイヤ間の隙間が設定値以下である一組のボンディングワイヤを選択する工程と、選択した前記一組のボンディングワイヤ間に前記キャピラリを配置し、前記ボンディングワイヤの結線方向に沿って前記ボンディングワイヤの少なくとも一方に接触させつつ前記キャピラリを移動させることによって、前記一組のボンディングワイヤ間の隙間を広げる工程とを具備する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態による半導体製造装置を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体製造装置に用いられるキャピラリの一例を示す図である。
【図３】図１に示す半導体製造装置を用いてワイヤボンディング工程が実施される半導体部品の一例を示す図である。
【図４】図１に示す半導体製造装置の動作制御の第１の例を示すフローチャート図である。
【図５】図１に示す半導体製造装置を用いたワイヤ修復工程を示す図である。
【図６】図１に示す半導体製造装置を用いたワイヤ修復工程を示す図である。
【図７】図１に示す半導体製造装置を用いたワイヤ修復工程を示す図である。
【図８】図１に示す半導体製造装置を用いてワイヤ修復工程を実施した後のボンディングワイヤを示す図である。
【図９】図１に示す半導体製造装置の動作制御の第２の例を示すフローチャート図である。
【図１０】図１に示す半導体製造装置の動作制御の第３の例を示すフローチャート図である。
【図１１】図１に示す半導体製造装置の動作制御の第４の例を示すフローチャート図である。
【図１２】図１に示す半導体製造装置の動作制御の第５の例を示すフローチャート図である。
【図１３】図１に示す半導体製造装置の動作制御の第５の例の変形例を示すフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態の半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。図１は実施形態の製造方法で用いる半導体製造装置の構成を示す図である。図１に示す半導体製造装置（ワイヤボンディング装置）１は、第１の装置構成部品の複数の第１のボンディング部と第２の装置構成部品の複数の第２のボンディング部とを、それぞれボンディングワイヤで電気的に接続するワイヤボンディング動作（工程）に加えて、複数の第１のボンディング部と複数の第２のボンディング部とに接続された複数のボンディングワイヤにおいて、隣接するボンディングワイヤ間の隙間が設定値以下の場合に隙間を広げるワイヤ修復動作（工程）を実施するものである。
【０００９】
図１に示す半導体製造装置１は、Ｘ−Ｙステージ２上に設置されたボンディングヘッド３を備えている。ボンディングヘッド３には、ボンディングアーム４が取り付けられている。ボンディングヘッド３のボンディングアーム４の先端側には、ボンディングステージ５が配置されている。ボンディングステージ５上には、例えば複数の半導体チップ６が搭載された基板７がボンディング部品として載置されている。ボンディングステージ５は、図示しない移動機構によりＸ−Ｙ方向に移動可能とされている。
【００１０】
ボンディングアーム４は、図示しないＺ方向モータにより回転中心の回りに駆動され、その先端がボンディング面である半導体チップ６のパッド面および基板７の端子面に対して弧状に接離動作するように構成されている。ボンディングアーム４の先端には、キャピラリ８が取り付けられている。ボンディングヘッド３は、Ｘ−Ｙステージ２によりボンディング面に沿った面内（Ｘ−Ｙ面内）を自由に移動することができるように構成されている。さらに、ボンディングアーム４をＺ方向モータで駆動させることによって、ボンディングアーム４の先端およびボンディングアーム４の先端に取り付けられたキャピラリ８は、Ｘ−Ｙ−Ｚ方向に自在に移動することができるように構成されている。
【００１１】
キャピラリ８には、例えばボトルネック形状のキャピラリが用いられる。キャピラリ８は、図２に示すように、円錐形状の先端部９を有する円柱体からなり、その中心に軸方向に沿って貫通孔１０が設けられている。キャピラリ８の貫通孔１０には、ボンディングワイヤ１１が挿通されている。ボンディングワイヤ１１は、ボンディングヘッド３上に配置されたスプール１２から供給される。ボンディングワイヤ１１には、金細線、銀細線、銅細線等が用いられる。ボンディングアーム４は、超音波振動子１３を備えており、超音波振動子１３から超音波エネルギがキャピラリ８に供給される。
【００１２】
ボンディングヘッド３は、キャピラリ８に挿通されるボンディングワイヤ１１を把持するワイヤクランプ１４を備えている。ワイヤクランプ１４は、キャピラリ８の上方に位置しており、キャピラリ８と共にＸ−Ｙ−Ｚ方向に自在に移動可能とされている。さらに、ワイヤクランプ１４は単独でＺ方向に移動可能とされている。ワイヤクランプ１４は開閉機構１５を備えており、開閉機構１５によりワイヤクランプ１４が開閉駆動される。
【００１３】
ボンディングヘッド３には、半導体チップ６や基板７等の画像、さらに後述する半導体チップ６と基板７とに接続されたボンディングワイヤ１１の画像を取得する撮像部としてカメラ（例えば、ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサ）１６が取り付けられている。カメラ１６により撮像した画像に基づいて、ワイヤボンディング工程時およびワイヤ修復工程時におけるキャピラリ８のＸ−Ｙ方向の位置決めを行うと共に、ワイヤ修復工程時におけるキャピラリ８のＸ−Ｙ方向への移動を制御するように構成されている。半導体製造装置１の各部の位置検出や動作は、制御部１７により制御される。
【００１４】
実施形態の半導体製造装置１を用いて、ワイヤボンディング動作とワイヤ修復動作が実施されるボンディング部品としては、図３に示すように、第１の装置構成部品としての配線基板やインターポーザ基板等の回路基板７上に第２の装置構成部品としての半導体チップ６を搭載した半導体部品が挙げられる。半導体チップ６は、外形辺に沿って所定のピッチで形成された複数の電極パッド２１を有している。回路基板７は、複数の電極パッド２１と対応するように、所定のピッチで形成された複数のボンディングパッド２２を有している。ボンディング部品において、回路基板７に代えてリードフレームを用いてもよい。
【００１５】
ボンディング部品は、第１の装置構成部品としての第１の半導体チップと、第１の半導体チップ上に第２の装置構成部品として積層された第２の半導体チップとを有する半導体部品であってもよい。積層される第１および第２の半導体チップの例としては、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等のメモリチップが挙げられる。複数のメモリチップが積層された半導体部品においては、メモリチップの電極パッド間、および回路基材の第１のボンディング部（端子）とメモリチップの電極パッドとが、ボンディングワイヤで電気的に接続される。第１の半導体チップとしての単層または積層された複数のメモリチップ上に、第２の半導体チップとしてコントローラチップ、インターフェースチップ、ロジックチップ、ＲＦチップ等のシステムＬＳＩチップ等が積層された半導体部品であってもよい。
【００１６】
上記したような半導体部品において、回路基板７のボンディングパッド２２と半導体チップ６の電極パッド２１とが、ボンディングワイヤ２３により電気的に接続される。もしくは、第１の半導体チップの第１の電極パッドと第１の半導体チップ上に積層された第２の半導体チップの第２の電極パッドとが、ボンディングワイヤにより電気的に接続される。さらに、図３に示したように、ボンディングパッド２１と電極パッド２２とに接続されたボンディングワイヤ２３１に曲がりや傾き等が生じ、隣接するボンディングワイヤ２３２と接触していたり、また接触しないまでも隣接するボンディングワイヤ２３１、２３２の隙間が設定値以下の場合に、例えばボンディングワイヤ２３１の修復が行われる。これらの工程によって、目的とする半導体装置が製造される。
【００１７】
次に、実施形態の半導体製造装置（ワイヤボンディング装置）１の動作および工程について説明する。まず、図４に示すフローチャートを参照して、半導体製造装置１の第１の動作制御例について述べる。なお、以下では回路基板７のボンディングパッド２２と半導体チップ６の電極パッド２１とを、ボンディングワイヤ２３で電気的に接続する場合について主として説明するが、回路基板７に代えてリードフレームを用いた場合や、第１の半導体チップの第１の電極パッドと第２の半導体チップの第２の電極パッドとを電気的に接続する場合の動作および工程も同様である。
【００１８】
まず、ワイヤボンディング工程が実施される（Ｓ１０１）。ワイヤボンディング工程に先立って、カメラ１６により回路基板７のボンディングパッド２２および半導体チップ６の電極パッド２１の撮像が行われる。この撮像結果に基づいてボンディングパッド２２および電極パッド２１のＸ−Ｙ方向における各位置が認識される。ワイヤボンディング工程およびワイヤ修復工程におけるキャピラリ８の移動等は、ボンディングパッド２２および電極パッド２１の位置認識結果に基づいて制御される。
【００１９】
ワイヤボンディング工程においては、例えば第１のボンディングパッド２２ａ上にキャピラリ８を移動させ、ボンディングワイヤ１１の先端に形成されたボールを第１のボンディングパッド２２ａに接続（ボールボンディング）する。キャピラリ８からボンディングワイヤ１１を繰り出しつつ、キャピラリ８を所定の軌跡で第１の電極パッド２１ａ上に移動させる。ボンディングワイヤ１１を第１の電極パッド２１ａに接続（ステッチボンディング）した後、ボンディングワイヤ１１をワイヤクランプ１４で把持して切断する。このようにして、第１のボンディングパッド２２ａと第１の電極パッド２１ａとを、第１のボンディングワイヤ２３ａで結線する。このようなワイヤボンディング工程を全てのボンディングパッド２２および電極パッド２１に対して実施する。
【００２０】
ボンディングワイヤ２３によるボンディングパッド２２と電極パッド２１との結線構造は、上記したボンディング構造（リバース（逆）ボンディング）に限らない。ボンディング構造は、ボンディングワイヤ１１の先端に形成されたボールを電極パッド２１に接続（ボールボンディング）した後、ボンディングワイヤ１１をボンディングパッド２２に接続（ステッチボンディング）した構造（ノーマル（正）ボンディング）であってもよい。ただし、リバースボンディングによれば、ボンディングワイヤ２３のループ高さを低くすることができると共に、ループ形状も比較的単純化することができる。
【００２１】
次に、ボンディングパッド２２および電極パッド２１に接続された全てのボンディングワイヤ２３について、カメラ１６で撮像することにより隣接するボンディングワイヤ２３間の間隔（クリアランス）を測定する（Ｓ１０２）。隣接するボンディングワイヤ２３間のクリアランスの測定結果から、設定値以下のボンディングワイヤ２３を選択する。隣接するボンディングワイヤ２３間のクリアランスの測定は、例えば１つのボンディングワイヤ２３が設定軌跡（仮想線）から外れている量をボンディングワイヤ２３の撮像結果から計測し、この計測値が設定値以上の場合に修復が必要なボンディングワイヤ２３とする。さらに、計測値が設定値以上の場合に修復が必要なボンディングワイヤ２３に隣接するボンディングワイヤ２３のうち、設定軌跡から外れている方向に隣接するボンディングワイヤ２３が存在するかどうかを判断する。設定軌跡から外れている方向に隣接するボンディングワイヤ２３が存在する場合には、計測値が設定値以上で修復が必要なボンディングワイヤ２３と設定軌跡から外れている方向に隣接するボンディングワイヤ２３とを、修復が必要な一組のボンディングワイヤ２３として選択する。あるいは、隣接するボンディングワイヤ２３間の間隔を直接測定し、隙間の最小値が設定値以下（接触（クリアランス＝零）を含む）の場合に、修復が必要な一組のボンディングワイヤ２３として選択するようにしてもよい。
【００２２】
修復が必要なボンディングワイヤ２３を選択するための設定値（閾値）は、隣接するボンディングワイヤ２３間が接触していると判断し得る値のみに限らず、例えば後工程で隣接するボンディングワイヤ２３間が接触するおそれが高い値（間隔）を含めて設定するようにしてもよい。例えば、ワイヤボンディング工程後には、半導体チップ６を樹脂封止する工程を実施するのが一般的である。半導体チップ６の樹脂封止にトランスファー成形を適用する場合、ボンディングワイヤが偏移（ワイヤ流れ）を起こし、隣接するボンディングワイヤ間が接触するおそれがある。このような後工程でボンディングワイヤ２３間に接触が生じるおそれが高いワイヤ間隔を設定値（閾値）としてもよい。後工程でボンディングワイヤ２３間に接触が生じるおそれがない場合には、隣接するボンディングワイヤ２３間が接触していると判断し得るボンディングワイヤ２３のみを選択してもよい。
【００２３】
次いで、上記したワイヤ間隔の測定工程で修復が必要と判定（選択）された一組のボンディングワイヤ２３の近傍にキャピラリ８を移動させ（Ｓ１０３）、キャピラリ８の先端部９を当該一組のボンディングワイヤ２３の少なくとも一方に接触させつつ結線方向に沿って移動させることによって、ボンディングワイヤ２３を修復する（Ｓ１０４）。ワイヤ修復工程には、図２に示したキャピラリ８のボトルネック構造の先端部９を使用する。ボンディングワイヤ２３に接触させる部分は、例えば先端部９の先端径Ｔより大きく、かつボトルネック高さＨより低い部分とすることが好ましい。このような部分を使用することによって、狭ピッチ化が進められているボンディングパッド２２および電極パッド２１間に結線されたボンディングワイヤ２３に接触させつつキャピラリ８の先端部９を移動させやすくなる。
【００２４】
ワイヤ修復工程においては、図５および図６に示すように、選択された一組のボンディングワイヤ２３のうち、修復が必要なボンディングワイヤ２３１とそれと隣接するボンディングワイヤ２３２との間にキャピラリ８の先端部９が位置するようにキャピラリ８を移動させる。先端部９の配置位置は、図５および図６に示すように、例えば隣接する電極パッド２１間に近い位置とする。キャピラリ８の移動は、電極パッド２１のＸ−Ｙ面内における位置認識結果および電極パッド２１の設定高さ（半導体チップ６のボンドレベル）に基づいて実施される。このような位置からキャピラリ８の先端部９をボンディングワイヤ２３１に接触させつつ結線方向に沿ってボンディングパッド２２に向けて移動させる。
【００２５】
キャピラリ８の先端部９は、図５に示すように、隣接するボンディングワイヤ２３１とボンディングワイヤ２３２との間の間隔を広げるように、言い換えると２つのボンディングワイヤ２３１、２３２のそれぞれに接触させつつ移動させてもよいし、また１つのボンディングワイヤ２３の曲がりや傾き等の変形方向に応じて、１つのボンディングワイヤ２３に接触させつつ移動させてもよい。キャピラリ８の先端部９の移動は、ボンディングワイヤ２３の変形モードに応じて調整するようにしてもよい。また、先端部９は回路基板７のボンディング面におおよそ平行な部分のみに沿って移動（Ｘ−Ｙ方向に移動）させてもよいし、ボンディングワイヤ２３の立上り部分に沿ってボンディングパッド２２の近傍まで移動（Ｘ−Ｙ−Ｚ方向に移動）させてもよい。
【００２６】
ワイヤ修復工程におけるキャピラリ８の先端部９は、図７に示すように、まず電極パッド２１の近傍位置に配置し、この位置からボンディングワイヤ２３の立上り部分からボンディング面におおよそ平行な部分に沿って電極パッド２１の近傍まで移動（Ｘ−Ｙ−Ｚ方向に移動）させるようにしてもよい。この場合、先端部９のＺ方向を含む移動は、例えばボンディングワイヤ２３の設定軌跡（設定ループ形状）に基づいて制御される。また、ボンディングワイヤ２３のＺ方向の位置を撮像するカメラを別途設置し、撮像結果に基づいて先端部９のＺ方向を含む移動を制御するようにしてもよい。このようなワイヤ修復工程を修復が必要と判定された全てのボンディングワイヤ２３に対して実施する。
【００２７】
上述したワイヤ修復工程を実施することによって、図８に示すように、修復が必要と判定されたボンディングワイヤ２３１、２３２間の間隔を広げることができる。従って、ワイヤボンディング工程で生じた隣接したボンディングワイヤ２３間の接触、もしくは後工程で生じるボンディングワイヤ２３間の接触による半導体装置の歩留まりの低下を抑制することができる。ボンディングワイヤ２３間の接触は、ボンディングパッド２２や電極パッド２１の形成ピッチを狭ピッチ化した場合、またボンディングワイヤ２３を細線化した場合に生じやすい。このため、実施形態のワイヤ修復工程を含む半導体装置の製造方法は、ボンディングパッド２２の形成ピッチが１００μｍ以下、さらには６０μｍ以下で、電極パッド２１の形成ピッチが６０μｍ以下の場合に有効である。ボンディングワイヤ２３の直径に関しては、３０μｍ以下、さらには２０μｍ以下の場合に有効である。
【００２８】
次に、図９に示すフローチャートを参照して、半導体製造装置１の第２の動作制御例について述べる。第２の動作制御例は、ボンディングワイヤ２３の修復工程後に隣接するボンディングワイヤ２３間の間隔を再測定する動作（工程）を備える。すなわち、第１の動作制御例と同様に、ワイヤボンディング工程（Ｓ２０１）、および隣接するボンディングワイヤ２３間の間隔（クリアランス）の測定工程（Ｓ２０２）を実施する。次いで、間隔の測定結果と設定値（閾値）とを比較し、測定結果が設定値以下の場合に修復が必要なボンディングワイヤ２３として選択する（Ｓ２０３）。修復が必要と判定（選択）されたボンディングワイヤ２３の近傍へのキャピラリ８の移動工程（Ｓ２０４）、およびキャピラリ８の先端部９による当該ボンディングワイヤ２３の修復工程（Ｓ２０５）を実施する。
【００２９】
ボンディングワイヤ２３の修復工程（Ｓ２０５）を実施した後、再度ボンディングワイヤ２３間の間隔を測定する（Ｓ２０２）。次いで、間隔の測定結果と設定値（閾値）とを比較し、全ての測定結果が設定値を超えるまで、ボンディングワイヤ２３の修復工程を繰り返す。このような工程を実施することによって、１回の修復工程では隣接するボンディングワイヤ２３間の間隔が十分に広がらなかった場合においても、最終的には全ての隣接するボンディングワイヤ２３間の間隔が設定値を超えた状態とすることができる。従って、半導体装置の歩留まりをより一層向上させることが可能になる。
【００３０】
次に、図１０に示すフローチャートを参照して、半導体製造装置１の第３の動作制御例について述べる。第３の動作制御例は、ボンディングワイヤ２３の修復工程の前に、ワイヤクランプ１４でボンディングワイヤ１１を把持して上昇させ、ボンディングワイヤ１１の先端をキャピラリ８内に収納する動作（工程）を備える。ワイヤボンディング工程を実施した後において、ボンディングワイヤ１１の先端はキャピラリ８の先端から突出している。この状態でボンディングワイヤ２３の修復工程を実施すると、突出部分に曲がり等が生じ、次のワイヤボンディング工程に不具合が生じるおそれがある。このような点に対して、ボンディングワイヤ２３の修復工程の前にボンディングワイヤ１１の先端をキャピラリ８内に収納することによって、突出部分の曲がり等を防止することができる。
【００３１】
すなわち、第２の動作制御例と同様に、ワイヤボンディング工程（Ｓ３０１）、隣接するボンディングワイヤ２３間の間隔（クリアランス）の測定工程（Ｓ３０２）、間隔の測定結果と設定値（閾値）との比較工程（修復が必要なボンディングワイヤ２３の選択工程）（Ｓ３０３）を実施した後、ボンディングワイヤ１１の先端をキャピラリ８内に収納する工程（Ｓ３０４）を実施する。次いで、第２の動作制御例と同様に、キャピラリ８の移動工程（Ｓ３０５）、ボンディングワイヤ２３の修復工程（Ｓ３０６）、および隣接するボンディングワイヤ２３間の間隔の再測定工程（Ｓ３０２）を実施する。これを全ての測定結果が設定値を超えるまで、ボンディングワイヤ２３の修復工程を繰り返す。このような工程を実施することによって、ワイヤボンディング工程に悪影響を及ぼすことなく、ボンディングワイヤ２３の修復工程を実施することができる。
【００３２】
次に、図１１に示すフローチャートを参照して、半導体製造装置１の第４の動作制御例について述べる。第４の動作制御例は、ボンディングワイヤ２３の修復工程の後に、修復したボンディングワイヤ２３の間隔のみを測定する動作（工程）を備える。このように、修復工程後における間隔の測定対象を修復したボンディングワイヤ２３のみに限定することによって、間隔の再測定に要する時間を短縮することができる。
【００３３】
すなわち、第３の動作制御例と同様に、ワイヤボンディング工程（Ｓ４０１）、隣接するボンディングワイヤ２３間の間隔の測定工程（Ｓ４０２）、間隔の測定結果と設定値（閾値）との比較工程（修復が必要なボンディングワイヤ２３の選択工程）（Ｓ４０３）、キャピラリ８の移動工程（Ｓ４０４）、およびボンディングワイヤ２３の修復工程（Ｓ４０５）を実施する。この後、修復したボンディングワイヤ２３についてワイヤ間隔を測定する工程（Ｓ４０７）を実施する。この測定結果が設定値を超えるまで、ボンディングワイヤ２３の修復工程を繰り返す。このような工程を実施することによって、半導体装置の製造工程を短縮した上で歩留まりをより一層向上させることが可能になる。
【００３４】
上述した第２ないし第４の動作制御は、それぞれ組み合わせて適用することができる。例えば、図１２は半導体製造装置１の第３の動作制御例と第４の動作制御例とを組み合わせた第５の動作制御例のフローチャートである。すなわち、第５の動作制御例は、ボンディングワイヤ１１の先端をキャピラリ８内に収納する工程（Ｓ５０４）と、修復したボンディングワイヤ２３のワイヤ間隔を測定する工程（Ｓ５０８）とを備えている。このとき、図１３に示すように、キャピラリ８の移動工程（Ｓ６０４）の後に、ボンディングワイヤ１１の先端をキャピラリ８内に収納する工程（Ｓ６０５）を実施してもよい。
【００３５】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３６】
１…半導体製造装置、２…Ｘ−Ｙステージ、３…ボンディングヘッド、４…ボンディングアーム、５…ボンディングステージ、６…半導体チップ、７…回路基板、８…キャピラリ、９…先端部、１０…貫通孔、１１，２３…ボンディングワイヤ、１４…ワイヤクランプ、１６…カメラ、１７…制御部、２１…電極パッド、２２…ボンディングバッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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