(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の透過画像を重ね合わせる際に高い精度を必要とせず、ズレが発生しても各層の欠陥を正確に検出することが可能な多層基板の検査方法を提供する。【解決手段】多層基板に異なる２方向から放射線を透過させて得られた２つの透過画像（第１画像、第２画像）を入力し、第２画像の２値化画像を膨張処理した後、非注目層のズレ量分だけ第１画像に合わせてシフトさせた非注目層ズレ量シフト画像を得る。この非注目層ズレ量シフト画像を第１画像の２値化画像から減算することにより、複数画像の重ね合わせ時にズレが発生しても非注目層の欠陥を高精度に除去することができる。また、欠陥のエッジに平滑化処理を行わないため、欠陥の正確な面積率を求めることができる。【選択図】図２
2017187325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体である多層基板の注目層および非注目層に存在する欠陥を層毎に検出し、該多層基板の良否を判定する多層基板の検査方法であって、
該多層基板に異なる２方向から放射線を透過させて得られた２つの透過画像を第１画像、第２画像として入力する透過画像入力工程、
注目層エリア、非注目層エリアの各々について前記第１画像と前記第２画像のズレ量を求めるズレ量算出工程、
前記第１画像、前記第２画像の各々について、前記注目層エリアおよび前記非注目層エリアを２値化して欠陥を抽出した２値化画像を取得する２値化処理工程、
前記第２画像の前記注目層エリアの前記２値化画像について、所定範囲の画素中の最大輝度に中心画素の輝度を置き換えた膨張処理画像を取得する膨張処理工程、
前記第２画像の前記注目層エリアの前記膨張処理画像について、前記非注目層エリアのズレ量分を前記第１画像に合わせてシフトさせた非注目層ズレ量シフト画像を取得するシフト処理工程、および
前記第１画像の前記注目層エリアの前記２値化画像から前記非注目層ズレ量シフト画像を減算する第１の減算処理工程を含むことを特徴とする多層基板の検査方法。
【請求項２】
前記第１の減算処理工程で得られた画像を注目層欠陥画像とし、良否判定に用いることを特徴とする請求項１記載の多層基板の検査方法。
【請求項３】
前記膨張処理工程において、前記第１画像の前記注目層エリアの前記２値化画像についても膨張処理画像を取得し、
前記シフト処理工程において、前記第１画像の前記注目層エリアの前記膨張処理画像について、前記非注目層エリアのズレ量分を前記第２画像に合わせてシフトさせた非注目層ズレ量シフト画像を取得し、
前記第１の減算処理工程において、前記第１画像の前記注目層エリアの前記２値化画像から前記第２画像の前記非注目層ズレ量シフト画像を減算して第１画像の注目層欠陥候補画像を取得すると共に、前記第２画像の前記注目層エリアの前記２値化画像から前記第１画像の前記非注目層ズレ量シフト画像を減算して第２画像の注目層欠陥候補画像を取得し、前記第１の減算処理工程の後、前記第２画像の前記注目層欠陥候補画像について、前記注目層エリアのズレ量分を前記第１画像に合わせてシフトさせた注目層欠陥候補シフト画像を取得し、前記第１画像の前記注目層欠陥候補画像と前記第２画像の前記注目層欠陥候補シフト画像を加算する第１の加算処理工程を行うことを特徴とする請求項１記載の多層基板の検査方法。
【請求項４】
前記第１の加算処理工程で得られた画像を注目層欠陥画像とし、良否判定に用いることを特徴とする請求項３記載の多層基板の検査方法。
【請求項５】
前記第１画像の前記非注目層エリアの前記２値化画像から前記注目層欠陥画像を減算して得られた画像を非注目層欠陥画像とし、良否判定に用いることを特徴とする請求項２または請求項４に記載の多層基板の検査方法。
【請求項６】
前記第１の加算処理工程で得られた注目層欠陥画像について、前記注目層エリアのズレ量分を前記第２画像に合わせてシフトさせた注目層欠陥シフト画像を取得し、前記第１画像の前記非注目層エリアの前記２値化画像から前記注目層欠陥画像を減算して第１画像の非注目層欠陥候補画像を取得すると共に、前記第２画像の前記非注目層エリアの前記２値化画像から前記注目層欠陥シフト画像を減算して第２画像の非注目層欠陥候補画像を取得する第２の減算処理工程、
前記第２の減算処理工程の後、前記第２画像の前記非注目層欠陥候補画像について、前記非注目層エリアのズレ量分を前記第１画像に合わせてシフトさせた非注目層欠陥候補シフト画像を取得し、前記第１画像の前記非注目層欠陥候補画像と前記第２画像の前記非注目層欠陥候補シフト画像を加算する第２の加算処理工程を含むことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の多層基板の検査方法。
【請求項７】
前記第２の加算処理工程で得られた画像を非注目層欠陥画像とし、良否判定に用いることを特徴とする請求項６記載の多層基板の検査方法。
【請求項８】
前記注目層と前記非注目層の合計が３層以上の多層基板を被検体とするとき、
前記シフト処理工程において、前記第２画像の前記注目層エリアの前記膨張処理画像について、全ての前記非注目層エリアのズレ量分を前記第１画像に合わせてシフトさせた非注目層ズレ量シフト画像を取得し、
前記第１の減算処理工程において、前記第１画像の前記注目層エリアの前記２値化画像から前記非注目層ズレ量シフト画像と既抽出層の欠陥画像を減算することを特徴とする請求項１記載の多層基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板の検査方法に関し、特にパワー半導体モジュールのはんだ層に存在する欠陥を非破壊で画像処理により検査する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、多層基板の検査方法として、被検体に放射線を透過させて透過画像を撮影し、被検査層の欠陥を検出する方法が知られている。被検体がパワー半導体モジュールの場合、２層以上のはんだ層を有しており、それぞれの層にボイドやヒケス等の欠陥が存在する。パワー半導体モジュールの良否判定を行う際には、それぞれのはんだ層のボイドを検出し、ボイドの面積率を求めて評価を行う。
【０００３】
はんだ層にボイドが存在すると放熱性が低下し、電子部品で発生した熱が逃げ難くなるため、ボイドの面積率が予め設定されたしきい値よりも大きい場合には、不良品と判定される。その際、はんだ層の接合対象、接合面積、および求められる放熱量が層毎に異なることから、許容されるボイドの面積率、すなわちしきい値は層毎に設定される。
【０００４】
従って、透過画像で認められた欠陥がどの層にあるか判別できない場合には、より厳しい判定基準の層にあるものとして判定せざるを得なかった。その結果、手直しによる修正作業が増えると共に、修正作業により新たな不良が発生することがあった。このため、欠陥がどの層に存在するかを正確に判別することが可能な検査方法が求められていた。
【０００５】
欠陥が存在する層を判別する方法として、被検査層面に対する照射角度が異なる複数の透過画像について各層の移動量の違いに着目した画像合成を行い、注目層の画像を取得する技術が一般に知られている。例えば特許文献１では、距離測定装置等を用いて検出面との相対位置からズレ量を求め、複数の透過画像をズレ量に基づいて重ね合わせ、注目層の欠陥のみエッジを強調して抽出する方法が提示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２６８０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１のように、検出面との相対位置からズレ量を求め、複数の透過画像の重ね合わせを行う検査方法では、複数の透過画像を正確に重ね合わせるために、検査装置のステージに対して高い停止位置精度が要求される。その結果、距離測定装置に加えて停止位置精度の高い機構が必要となり、装置コストが上がるという問題があった。
【０００８】
また、先行技術として、欠陥のエッジを平滑化することによりズレを補間する方法があるが、平滑化により本来の欠陥の大きさとは変わってしまう可能性があり、正確な面積率が求められないという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、複数の透過画像を重ね合わせる際に高い精度を必要とせず、重ね合わせ時にズレが発生しても各層の欠陥を正確に検出することが可能な多層基板の検査方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る多層基板の検査方法は、被検体である多層基板の注目層および非注目層に存在する欠陥を層毎に検出し、該多層基板の良否を判定する多層基板の検査方法であって、該多層基板に異なる２方向から放射線を透過させて得られた２つの透過画像を第１画像、第２画像として入力する透過画像入力工程と、注目層エリア、非注目層エリアの各々について第１画像と第２画像のズレ量を求めるズレ量算出工程と、第１画像、第２画像の各々について、注目層エリアおよび非注目層エリアを２値化して欠陥を抽出した２値化画像を取得する２値化処理工程と、第２画像の注目層エリアの２値化画像について、所定範囲の画素中の最大輝度に中心画素の輝度を置き換えた膨張処理画像を取得する膨張処理工程と、第２画像の注目層エリアの膨張処理画像について、非注目層エリアのズレ量分を第１画像に合わせてシフトさせた非注目層ズレ量シフト画像を取得するシフト処理工程と、第１画像の注目層エリアの２値化画像から非注目層ズレ量シフト画像を減算する第１の減算処理工程とを含むものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る多層基板の検査方法によれば、第２画像の注目層エリアの膨張処理画像について非注目層エリアのズレ量分を第１画像に合わせてシフトさせた非注目層ズレ量シフト画像を取得し、これを第１画像の注目層の２値化画像から減算処理することにより、第１画像と第２画像の重ね合わせ時にズレが発生しても非注目層の欠陥を高精度に除去することが可能であり、注目層の欠陥を、その大きさを変えることなく正確に検出することができる。よって、信頼性の高い良否判定を行うことができると共に、高い重ね合わせ精度を必要としないため、装置コストを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１に係る多層基板の検査方法の被検体であるパワー半導体モジュールを示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る多層基板の検査方法における処理の流れを示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る多層基板の検査方法における透過画像の例を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る多層基板の検査方法におけるエッジ検出画像の例を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る多層基板の検査方法における２値化画像の例を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る多層基板の検査方法における各処理で得られる画像の例を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る多層基板の検査方法における処理の流れを示す図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る多層基板の検査方法における各処理で得られる画像の例を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る多層基板の検査方法における各処理で得られる画像の例を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る多層基板の検査方法における処理の流れを示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態３に係る多層基板の検査方法における各処理で得られる画像の例を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態４に係る多層基板の検査方法における透過画像の例を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態４に係る多層基板の検査方法における処理の流れを示す図である。
【図１４】本発明の実施の形態４に係る多層基板の検査方法における処理の流れを示す図である。
【図１５】本発明の実施の形態４に係る多層基板の検査方法における各処理で得られる画像の例を示す図である。
【図１６】本発明の実施の形態４に係る多層基板の検査方法における各処理で得られる画像の例を示す図である。
【図１７】本発明の実施の形態４に係る多層基板の検査方法における各処理で得られる画像の例を示す図である。
【図１８】本発明の実施の形態４に係る多層基板の検査方法における各処理で得られる画像の例を示す図である。
【図１９】本発明の実施の形態４に係る多層基板の検査方法における各処理で得られる画像の例を示す図である。
【図２０】本発明の実施の形態４に係る多層基板の検査方法における各処理で得られる画像の例を示す図である。
【図２１】本発明の実施の形態４に係る多層基板の検査方法における各処理で得られる画像の例を示す図である。
【図２２】本発明の実施の形態４に係る多層基板の検査方法において被検査層がＮ層の場合の処理の流れを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施の形態１．
以下に、本発明の実施の形態１に係る多層基板の検査方法について、図面に基づいて説明する。図１は、本実施の形態１に係る多層基板の検査方法の被検体の例であるパワー半導体モジュールを示している。なお、各図において、図中、同一、相当部分には同一符号を付している。
【００１４】
本実施の形態１に係る多層基板の検査方法は、被検体である多層基板に異なる２方向から放射線（Ｘ線、ガンマ線等を含む）を透過させて得られた２つの放射線透過画像に対し、２値化処理、膨張処理、シフト処理等の画像処理を施すことにより、多層基板の注目層および非注目層に存在する欠陥を層毎に検出し、良否判定を行うものである。
【００１５】
被検体は、半導体素子等の電子部品が実装された多層の電子基板である。本実施の形態１では、被検体として、図１に示すように、部品１、基板２、ベース３、部品１と基板２を接合する部品下はんだ層４ａ、および基板２とベース３を接合する基板下はんだ層４ｂを備えたパワー半導体モジュールを例に挙げて説明する。なお、部品下はんだ層４ａは欠陥５ａ、５ｂを有し、基板下はんだ層４ｂは欠陥５ｃ、５ｄを有するものとする。
【００１６】
本実施の形態１に係る多層基板の検査方法における処理の流れについて、図２のフローチャートを用いて説明する。なお、図３〜図６は、図２のフローチャートの各処理で得られる画像の例である。以下の説明では、部品下はんだ層４ａを注目層とし、基板下はんだ層４ｂを非注目層とする。また、部品下はんだ層４ａは基板下はんだ層４ｂよりも薄いものとする。
【００１７】
まず、ステップＳ１００において、被検体であるパワー半導体モジュールに異なる２方向から放射線を照射して得られた２つの透過画像を、第１画像、第２画像として入力する（透過画像入力処理）。図３において、（ａ）は、第１方向からの透過画像である第１画像、（ｂ）は第２方向からの透過画像である第２画像を示している。本検査では、これらの第１画像および第２画像が原画像となる。
【００１８】
図３に示すように、透過画像には、部品下はんだ層４ａ中の欠陥５ａ、５ｂと、基板下はんだ層４ｂ中の欠陥５ｃ、５ｄが混在している。実際には、層の薄い部品下はんだ層４ａ中の欠陥５ａ、５ｂよりも、非注目層である基板下はんだ層４ｂ中の欠陥５ｃ、５ｄが存在する領域は、放射線の減衰が少なくなるため明るく写る傾向にある。
【００１９】
続いて、ステップＳ２００において、１次微分オペレータ、２次微分オペレータ等のフィルタを用いてエッジ検出を行う。求めたエッジから、最小２乗法等で部品１の４辺の近似直線と、基板２の４辺の近似直線を求める。
【００２０】
図４において、（ａ）は第１画像における部品エッジ検出画像、（ｂ）は第２画像における部品エッジ検出画像、（ｃ）は第１画像における基板エッジ検出画像、（ｄ）は第２画像における基板エッジ検出画像をそれぞれ示している。図４中、Ｄ１、Ｄ２は部品１の４辺の近似直線、Ｄ３、Ｄ４は基板２の４辺の近似直線である。
【００２１】
また、複数のエッジ点（ｘｉ，ｙｉ）から下記の数式１および数式２を用いて傾きａ、切片ｂを求め、数式３の近似直線を得る。さらに、部品１および基板２において各々求めた４辺の近似直線Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３およびＤ４から４つの交点を求め、第１画像、第２画像の各々について、部品下はんだ層４ａの中心座標Ｅ１、Ｅ２、基板下はんだ層４ｂの中心座標Ｅ３、Ｅ４を求める。
【００２２】
このとき、前処理として放射線源との距離の違いによって生じる画像内の輝度差、および第１方向と第２方向の輝度差に対し、輝度調整を行ってもよい。輝度調整の方法としては、各方向の画像を分割し、対応する各領域の最小輝度と最大輝度を求め、第１方向か第２方向のいずれか一方を基準に、最小輝度および最大輝度を用いた線形変換によって他方の輝度を合わせる方法がある。あるいは、最小輝度と最大輝度の代わりに、高輝度と低輝度の各々の範囲での最大頻度となる２点を用いてもよい。また、変換は線形変換に限らず、非線形変換等でもよい。
【００２３】
【数１】
2017187325.tif 000003
【００２４】
【数２】
2017187325.tif 000004
【００２５】
【数３】
2017187325.tif 000005
【００２６】
次に、ステップＳ３００において、ステップＳ２００で求めた部品下はんだ層４ａの中心座標Ｅ１、Ｅ２、および基板下はんだ層４ｂの中心座標Ｅ３、Ｅ４から、部品１、基板２の各々について第１画像と第２画像のズレ量を求める（ズレ量算出工程）。なお、部品１のズレ量とはすなわち部品下はんだ層４ａのズレ量であり、基板２のズレ量とはすなわち基板下はんだ層４ｂのズレ量である。
【００２７】
続いて、本実施の形態１ではステップＳ４００に進み、ステップＳ４０１〜Ｓ４０７の処理を行う。ステップＳ４０１では、第１画像、第２画像の部品下はんだ層エリア（以下、部品下エリアと称す）、および第１画像の基板下はんだ層エリア（以下、基板下エリアと称す）について、適応２値化により欠陥を抽出する（２値化処理）。
【００２８】
適応２値化とは、周辺輝度の平均値を用いて局所的に異なるしきい値を設けることで、輝度ムラの影響を低減する方法である。ある画素の輝度をｆ（ｘ，ｙ）とした場合、局所領域Ｄ内（Ｎ画素）のしきい値ｄ（ｘ，ｙ）は下記の数式４、数式５により求められる。
【００２９】
【数４】
2017187325.tif 000006
【００３０】
【数５】
2017187325.tif 000007
【００３１】
ある画素の輝度ｆ（ｘ，ｙ）がしきい値ｄ（ｘ，ｙ）よりも一定割合以上低ければ黒、高ければ白とする。これにより、部品下エリア、基板下エリアは黒、それぞれのエリアに含まれる欠陥は白となり、欠陥が抽出される。
【００３２】
図５は、ステップＳ４０１で得られた２値化画像を示している。ただし、図５では、２値化処理で黒となった部分も白で示している。図５において、（ａ）は第１画像の部品下エリアの２値化画像、（ｂ）は第２画像の部品下エリアの２値化画像、（ｃ）は第１画像の基板下エリアの２値化画像をそれぞれ示している。
【００３３】
なお、ステップＳ４０１では、２値化処理として適応２値化を実施したが、単一しきい値の２値化処理を適用してもよい。その場合、基板下はんだ層４ｂとその内部の欠陥５ｃ、５ｄの輝度差と比べ、層の薄い部品下はんだ層４ａとその内部の欠陥５ａ、５ｂの輝度差は低いと考えられるため、各層で異なるしきい値を想定してもよい。
【００３４】
続いて、ステップＳ４０２において、ステップＳ４０１で得られた第２画像の部品下エリアの２値化画像（図５（ｂ））について、膨張処理を行う（膨張処理工程）。膨張処理とは、所定範囲の画素、例えば縦横３×３画素（すなわち中心画素とその周囲の８個の画素を含む合計９個の画素）の中の最大輝度に中心画素の輝度を置き換える処理である。図５（ｂ）に示す第２画像の部品下エリアの２値化画像について膨張処理を行うと、図６（ａ）に示す膨張処理画像が得られる。
【００３５】
膨張処理は、ズレ量を十分に含有するように２、３回繰り返して行われる。なお、膨張処理の回数や置き換えの際の画素領域の範囲は、これに限定されるものではない。ステップＳ４０１において、各層について単一しきい値で欠陥を抽出した場合は、２値化画像は対象となるエリアが限定されただけで同じ画像となるため、部品下エリアを含有する基板下エリアの２値化画像を膨張し、以降のステップで代用してもよい。
【００３６】
続いて、ステップＳ４０３では、図６（ａ）に示す第２画像の部品下エリア膨張処理画像について、非注目層である基板下はんだ層４ｂのズレ量分、すなわち基板２のズレ量分を第１画像に合わせてシフトさせる（シフト処理工程）。具体的には、ステップＳ２００で得られた第２画像の基板下はんだ層４ｂの中心座標（図４（ｄ）のＥ４）を、第１画像の中心座標（図４（ｃ）のＥ３）に合わせるようにシフトさせることにより、図６（ｂ）に示す基板ズレ量シフト画像（非注目層ズレ量シフト画像）が得られる。
【００３７】
次に、ステップＳ４０４において、ステップＳ４０１で得られた第１画像の部品下エリアの２値化画像（図５（ａ））から、ステップＳ４０３で得られた基板ズレ量シフト画像（図６（ｂ））を減算する（第１の減算処理工程）。これにより、部品下エリアから基板下エリアの欠陥を取り除くことができ、図６（ｃ）に示す第１画像の部品下欠陥画像（注目層欠陥画像）が得られる。続いてステップＳ４０５において、部品下欠陥画像から部品下はんだ層４ａの欠陥５ａ、５ｂを抽出する。
【００３８】
さらに、ステップＳ４０６では、ステップＳ４０１で得られた第１画像の基板下エリア２値化画像（図５（ｃ））から、図６（ｃ）に示す部品下欠陥画像を減算する。これにより、基板下エリアから部品下エリアの欠陥を取り除くことができ、図６（ｄ）に示す第１画像の基板下欠陥画像（非注目層欠陥画像）が得られる。続いてステップＳ４０７において、基板下欠陥画像から基板下はんだ層４ｂの欠陥５ｃ、５ｄを抽出する。
【００３９】
ステップＳ８００では、ステップＳ４０５で得られた部品下はんだ層４ａの欠陥５ａ、５ｂと、ステップＳ４０７で得られた基板下はんだ層４ｂの欠陥５ｃ、５ｄの２値化画像に対し、２値特徴量計測を実施する。ここでは一般に知られている特徴量として、欠陥の面積を計算する。
【００４０】
続いてステップＳ９００では、各層の欠陥の面積率を計算する。すなわち、部品下はんだ層４ａにおける欠陥５ａ、５ｂの面積率と、基板下はんだ層４ｂにおける欠陥５ｃ、５ｄの面積率を求める。注目層および非注目層における欠陥の面積率は、以下の式６および式７で求められる。
【００４１】
注目層の欠陥の面積率＝注目層の欠陥の総面積／注目層全体の面積×１００  （式６）
【００４２】
非注目層の欠陥の面積率＝非注目層の欠陥の総面積／非注目層全体の面積×１００
（式７）
【００４３】
最後にステップＳ１０００において、ステップＳ９００で得られた各層における欠陥の面積率を予め設定された各層のしきい値と比較し、良否判定を行う。なお、本実施の形態１では、部品下はんだ層４ａを注目層、基板下はんだ層４ｂを非注目層としているが、その逆であってもよい。また、部品下はんだ層４ａは基板下はんだ層４ｂよりも薄いものとしているが、その限りではない。さらに、異なる２方向の透過画像を原画像として用いているが、３方向以上の透過画像を用いることも可能である。
【００４４】
以上のように、本実施の形態１に係る多層基板の検査方法によれば、第２画像の注目層エリアの２値化画像を膨張処理した後、非注目層のズレ量分だけ第１画像に合わせてシフト処理した非注目層ズレ量シフト画像を取得し、これを第１画像の注目層の２値化画像から減算処理することにより、第１画像と第２画像の重ね合わせ時にズレが発生しても、非注目層の欠陥を高精度に除去することが可能である。
【００４５】
また、欠陥のエッジに平滑化処理を行わないため、欠陥を、その大きさを変えることなく検出することが可能である。よって、各層の欠陥の面積率を正確に求めることができ、信頼性の高い良否判定を行うことが可能である。さらに、高い重ね合わせ精度を必要としないため、装置コストを抑制することができる。
【００４６】
実施の形態２．
上記実施の形態１では、異なる２方向の透過画像（第１画像、第２画像）のうち、第２画像を対象に膨張処理、シフト処理、および減算処理を行ったが、本発明の実施の形態２では、第１画像、第２画像の各々について膨張処理、シフト処理、および減算処理を実施し、第１画像、第２画像それぞれについて部品下欠陥候補画像（注目層欠陥候補画像）を取得するようにした。
【００４７】
本実施の形態２に係る多層基板の検査方法における処理の流れについて、図７のフローチャートを用いて説明する。なお、図７において、ステップＳ１００〜Ｓ３００、およびステップＳ８００〜Ｓ１０００については、上記実施の形態１で説明した図２のフローチャートと同じ処理であるので、ここでは説明を省略する。
【００４８】
本実施の形態２では、図２のフローチャートのステップＳ４００に代わって、ステップＳ５００を実施する。また、図８および図９は、図７のフローチャートの各処理で得られる画像の例である。ただし、上記実施の形態１と同じ画像については、図５および図６を流用して説明する。
【００４９】
まず、ステップＳ５０１において、第１画像、第２画像の部品下エリア、および第１画像の基板下エリアについて、適応２値化により欠陥を抽出する。これにより、図５に示す２値化画像が得られる。なお、２値化処理については、上記実施の形態１と同じ処理であるので説明を省略する。
【００５０】
続いて、ステップＳ５０２において、ステップＳ５０１で得られた第１画像の部品下エリアの２値化画像（図５（ａ））と、第２画像の部品下エリアの２値化画像（図５（ｂ））について、膨張処理を行う。これにより、図８（ａ）に示す第１画像の部品下エリア膨張処理画像と、図８（ｂ）に示す第２画像の部品下エリア膨張処理画像が得られる。なお、膨張処理については、上記実施の形態１と同じ処理であるので説明を省略する。
【００５１】
次に、ステップＳ５０３では、ステップＳ５０２で得られた第１画像、第２画像の部品下エリア膨張処理画像の各々について、非注目層のズレ量分、すなわち基板２のズレ量分をシフト処理する。まず、図８（ａ）に示す第１画像の部品下エリア膨張処理画像について、ステップＳ３００で算出した基板２のズレ量分をシフト処理する。
【００５２】
具体的には、ステップＳ２００で得られた第１画像の基板下はんだ層４ｂの中心座標（図４（ｃ）のＥ３）を、第２画像の中心座標（図４（ｄ）のＥ４）に合わせるようにシフト処理することにより、図８（ｃ）に示す基板ズレ量シフト画像が得られる。
【００５３】
また、図８（ｂ）に示す第２画像の部品下エリア膨張処理画像について、ステップＳ３００で算出した基板２のズレ量分をシフト処理する。具体的には、ステップＳ２００で得られた第２画像の基板下はんだ層４ｂの中心座標（図４（ｄ）のＥ４）を、第１画像の中心座標（図４（ｃ）のＥ３）に合わせるようにシフト処理することにより、図８（ｄ）に示す基板ズレ量シフト画像が得られる。
【００５４】
続いてステップＳ５０４では、ステップＳ５０１で得られた第１画像の部品下エリアの２値化画像（図５（ａ））から、第２画像の基板ズレ量シフト画像（図８（ｄ））を減算すると共に、第２画像の部品下エリア２値化画像（図５（ｂ））から、第１画像の基板ズレ量シフト画像（図８（ｃ））を減算する。これらの処理により、図９（ａ）に示す第１画像の部品下欠陥候補画像（注目層欠陥候補画像）と、図９（ｂ）に示す第２画像の部品下欠陥候補画像（注目層欠陥候補画像）が得られる。
【００５５】
次に、ステップＳ５０５において、第２画像の部品下欠陥候補画像（図９（ｂ））について、部品のズレ量分をシフト処理する。具体的には、ステップＳ２００で得られた第２画像の部品下はんだ層４ａの中心座標（図４（ｂ）のＥ２）を、第１画像の中心座標（図４（ａ）のＥ１）に合わせてシフトすることにより、図９（ｃ）に示す部品下欠陥候補シフト画像（注目層欠陥候補シフト画像）が得られる。
【００５６】
続いてステップＳ５０６では、第１画像の部品下欠陥候補画像（図９（ａ））と、ステップＳ５０５で得られた部品下欠陥候補シフト画像（図９（ｃ））を加算する（第１の加算処理工程）。これにより、図９（ｄ）に示す部品下欠陥画像（注目層欠陥画像）が得られる。続いてステップＳ５０７において、部品下欠陥画像から部品下はんだ層４ａの欠陥５ａ、５ｂを抽出する。
【００５７】
さらに、ステップＳ５０８では、ステップＳ５０１で得られた第１画像の基板下エリアの２値化画像（図５（ｃ））から、図９（ｄ）に示す部品下欠陥画像を減算する。これにより、基板下エリアから部品下エリアの欠陥を取り除くことができ、図９（ｅ）に示す第１画像の基板下欠陥画像（非注目層欠陥画像）が得られる。続いてステップＳ５０９において、ステップＳ５０８で得られた基板下欠陥画像から基板下はんだ層４ｂの欠陥５ｃ、５ｄを抽出する。
【００５８】
なお、本実施の形態２では、ステップＳ５０５において、第２画像の部品下欠陥候補画像について部品ズレ量分を第１画像に合わせてシフトさせたが、第１画像の部品下欠陥候補画像（図９（ａ））について、部品ズレ量分を第２画像に合わせてシフトさせ、部品下欠陥候補シフト画像を得るようにしてもよい。その場合、ステップＳ５０６では、第２画像の部品下欠陥候補画像（図９（ｂ））と加算すればよい。
【００５９】
本実施の形態２によれば、上記実施の形態１と同様の効果に加え、第１画像、第２画像それぞれについて部品下欠陥候補画像を取得し、一方の部品ズレ量分を他方に合わせてシフト処理した後、加算するようにしたので、第１画像、第２画像のいずれかで部品下エリアの欠陥５ａ、５ｂの重なりが生じた場合に、その欠けを低減して抽出することが可能となる。これにより、注目層における欠陥の面積率の精度が向上する。
【００６０】
実施の形態３．
上記実施の形態２では、第１画像、第２画像それぞれについて部品下欠陥候補画像を取得し、それらの一方をシフト処理して加算することにより、注目層である部品下エリアの欠陥５ａ、５ｂの重なりによる欠けを低減するようにした。本発明の実施の形態３ではさらに、非注目層である基板下エリアの欠陥５ｃ、５ｄに重なりによる欠けが生じた場合に、その欠けを低減するものである。
【００６１】
本実施の形態３に係る多層基板の検査方法における処理の流れについて、図１０のフローチャートを用いて説明する。なお、図１０において、ステップＳ１００〜Ｓ３００、およびステップＳ８００〜Ｓ１０００については、上記実施の形態１で説明した図２のフローチャートと同じ処理であるので、ここでは説明を省略する。本実施の形態３では、図２のフローチャートのステップＳ４００に代わって、ステップＳ６００を実施する。
【００６２】
図１１は、図１０のフローチャートの各処理で得られる画像の例である。ただし、上記実施の形態１と同じ画像については、図５および図６を流用し、上記実施の形態２と同じ画像については、図８および図９を流用して説明する。
【００６３】
まず、ステップＳ６０１において、第１画像、第２画像の部品下エリアおよび基板下エリアについて、適応２値化により欠陥を抽出する。これにより、図５に示す２値化画像と、第２画像の基板下エリア２値化画像（図示省略）が得られる。なお、２値化処理については、上記実施の形態１と同じ処理であるので説明を省略する。
【００６４】
ステップＳ６０２〜Ｓ６０７は、上記実施の形態２で説明したステップＳ５０２〜Ｓ５０７と同様であるので、簡単に説明する。ステップＳ６０２において、第１画像の部品下エリアの２値化画像（図５（ａ））と、第２画像の部品下エリアの２値化画像（図５（ｂ））について、膨張処理を行う。これにより、図８（ａ）に示す第１画像の部品下エリア膨張処理画像と、図８（ｂ）に示す第２画像の部品下エリア膨張処理画像が得られる。
【００６５】
次に、ステップＳ６０３において、第１画像、第２画像の部品下エリア膨張処理画像の各々について、基板２のズレ量分をシフト処理する。これにより、図８（ｃ）に示す第１画像の基板ズレ量シフト画像と、図８（ｄ）に示す第２画像の基板ズレ量シフト画像が得られる。
【００６６】
続いてステップＳ６０４では、第１画像の部品下エリア２値化画像（図５（ａ））から、第２画像の基板ズレ量シフト画像（図８（ｄ））を減算すると共に、第２画像の部品下エリア２値化画像（図５（ｂ））から、第１画像の基板ズレ量シフト画像（図８（ｃ））を減算する（第１の減算処理工程）。これらの処理により、図９（ａ）に示す第１画像の部品下欠陥候補画像と、図９（ｂ）に示す第２画像の部品下欠陥候補画像が得られる。
【００６７】
次に、ステップＳ６０５において、第２画像の部品下欠陥候補画像（図９（ｂ））について、部品のズレ量分をシフト処理する。これにより、図９（ｃ）に示す部品下欠陥候補シフト画像が得られる。
【００６８】
続いてステップＳ６０６では、第１画像の部品下欠陥候補画像（図９（ａ））と、部品下欠陥候補シフト画像（図９（ｃ））を加算する（第１の加算処理工程）。これにより、図９（ｄ）に示す部品下欠陥画像が得られる。続いてステップＳ６０７において、部品下欠陥画像から部品下はんだ層４ａの欠陥５ａ、５ｂを抽出する。ここまでの処理は、上記実施の形態２と同様である。
【００６９】
次に、ステップＳ６０８において、ステップＳ６０６で得られた部品下欠陥画像（図９（ｄ））について、注目層である部品下はんだ層４ａのズレ量分を第２画像に合わせてシフト処理する。なお、部品下はんだ層４ａのズレ量とは、すなわち部品１のズレ量である。これにより、図１１（ａ）に示す部品下欠陥シフト画像（注目層欠陥シフト画像）が得られる。
【００７０】
次に、ステップＳ６０９では、第１画像の基板下エリア２値化画像（図５（ｃ））から、図９（ｄ）に示す部品下欠陥画像を減算する。これにより、図１１（ｂ）に示す第１画像の基板下欠陥候補画像（非注目層欠陥候補画像）が得られる。また、第２画像の基板下エリア２値化画像（図示省略）から、部品下欠陥シフト画像（図１１（ａ））を減算する。これにより、図１１（ｃ）に示す第２画像の基板下欠陥候補画像（非注目層欠陥候補画像）が得られる（第２の減算処理工程）。
【００７１】
続いてステップＳ６１０において、第２画像の基板下欠陥候補画像（図１１（ｃ））について、基板２のズレ量分をシフト処理する。これにより、図１１（ｄ）に示す基板下欠陥候補シフト画像（非注目層欠陥候補シフト画像）が得られる。
【００７２】
続いてステップＳ６１１では、第１画像の基板下欠陥候補画像（図１１（ｂ））と、ステップＳ６１０で得られた基板下欠陥候補シフト画像（図１１（ｄ））を加算する（第２の加算処理工程）。これにより、図１１（ｅ）に示す基板下欠陥画像（非注目層欠陥画像）が得られる。続いてステップＳ６１２において、ステップＳ６１１で得られた基板下欠陥画像から基板下はんだ層４ｂの欠陥５ｃ、５ｄを抽出する。
【００７３】
本実施の形態３によれば、上記実施の形態２と同様の効果に加え、第１画像、第２画像それぞれについて基板下欠陥候補画像を取得し、基板２のズレ量を他方に合わせてシフトさせた後、加算するようにしたので、非注目層である基板下エリアの欠陥５ｃ、５ｄに対しても、第１画像、第２画像のいずれかで重なりが生じた場合に、その欠けを低減して抽出することが可能となる。これにより、注目層のみならず、非注目層における欠陥の面積率の精度が向上する。
【００７４】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４では、被検査層である注目層と非注目層の合計が３層以上の多層基板の検査方法について説明する。上記実施の形態１〜実施の形態３では、部品下はんだ層４ａと基板下はんだ層４ｂの２層を検査対象とし、部品下はんだ層４ａ中の欠陥５ａ、５ｂ、および基板下はんだ層４ｂ中の欠陥５ｃ、５ｄを検出したが、本実施の形態４ではさらに、パワー半導体モジュールのベース３（図１参照）を検査対象とし、ベース３に発生するヒケス等の欠陥を検出するものである。
【００７５】
図１２は、本実施の形態４に係る多層基板の検査方法における透過画像の例を示している。透過画像には、部品下はんだ層４ａ中の欠陥５ａ、５ｂ、基板下はんだ層４ｂ中の欠陥５ｃ、５ｄ、およびベース３中の欠陥５ｅが混在している。このように、被検査層が３層以上となった場合でも、検査の流れは上記実施の形態１〜実施の形態３と同様であり、部品下エリア、基板下エリア、ベースエリアの順に欠陥を抽出する。
【００７６】
被検査層が３層以上の場合、基本的には、２値化処理工程、膨張処理工程の後、シフト処理工程において、第２画像の注目層エリア（ここでは部品下エリア）の膨張処理画像について、全ての非注目層エリア（ここではベースエリア、基板下エリア）のズレ量分を第１画像に合わせてシフトさせた非注目層ズレ量シフト画像（ここではベースズレ量シフト画像、基板ズレ量シフト画像）を取得する。
【００７７】
その後、第１の減算処理工程において、第１画像の注目層エリアの２値化画像から非注目層ズレ量シフト画像と既抽出層の欠陥画像を減算する。これにより、上記実施の形態１と同様に、注目層欠陥画像が得られる。ただし、上記実施の形態２と同様に注目層の欠陥の欠けを低減するためには、第１の加算処理工程を行い、上記実施の形態３と同様に非注目層の欠陥の欠けを低減するためには、さらに第２の減算処理工程と第２の加算処理工程を行えばよい。
【００７８】
本実施の形態４に係る多層基板の検査方法における処理の流れについて、図１３および図１４のフローチャートを用いて説明する。また、図１５〜図２１は、図１３および図１４のフローチャートの各処理で得られる画像の例である。なお、図１３におけるステップＳ１００、Ｓ２００と、図１４におけるステップＳ８００〜Ｓ１０００については、上記実施の形態１で説明した図２のフローチャートと同じ処理であるので、ここでは説明を省略する。
【００７９】
ただし、本実施の形態４では、ステップＳ２００において、第１画像、第２画像における部品エッジ、基板エッジ、およびベースエッジをそれぞれ検出する。続いてステップＳ３００において、第１画像と第２画像における部品下はんだ層４ａ、基板下はんだ層４ｂ、およびベース３の中心座標から、部品１、基板２、ベース３の各々について第１画像と第２画像のズレ量を求める。
【００８０】
本実施の形態４では、上記実施の形態１で説明した図２のフローチャートのステップＳ４００に代わって、ステップＳ７００を実施する。まず、ステップＳ７０１において、第１画像、第２画像の部品下エリア、基板下エリア、およびベースエリアについて、適応２値化により欠陥を抽出する。これにより、第１画像の部品下エリア２値化画像（図１５（ａ））、第２画像の部品下エリア２値化画像（図１５（ｂ））と、第１画像の基板下エリア２値化画像（図１５（ｃ））、第２画像の基板下エリア２値化画像（図１５（ｄ））と、第１画像のベースエリア２値化画像（図１５（ｅ））、第２画像のベースエリア２値化画像（図１５（ｆ））が得られる。
【００８１】
続いてステップＳ７０２において、ステップＳ７０１で得られた第１画像、第２画像の部品下エリアおよび基板下エリアの２値化画像について、膨張処理を行う。これにより、第１画像の部品下エリア膨張処理画像（図１６（ａ））、第２画像の部品下エリア膨張処理画像（図１６（ｂ））と、第１画像の基板下エリア膨張処理画像（図１６（ｃ））、第２画像の基板下エリア膨張処理画像（図１６（ｄ））が得られる。
【００８２】
次に、ステップＳ７０３において、ステップＳ７０２で得られた第１画像、第２画像の部品下エリア膨張処理画像および基板下エリア膨張画像の各々について、ベースのズレ量分をシフト処理する。これにより、第１画像の部品下エリアベースズレ量シフト画像（図１７（ａ））、第２画像の部品下エリアベースズレ量シフト画像（図１７（ｂ））と、第１画像の基板下エリアベースズレ量シフト画像（図１７（ｃ））、第２画像の基板下エリアベースズレ量シフト画像（図１７（ｄ））が得られる。
【００８３】
次に、ステップＳ７０４において、ステップＳ７０２で得られた第１画像、第２画像の部品下エリア膨張処理画像の各々について、基板２のズレ量分をシフト処理する。これにより、第１画像の部品下エリア基板ズレ量シフト画像（図１７（ｅ））と、第２画像の部品下エリア基板ズレ量シフト画像（図１７（ｆ））が得られる。
【００８４】
続いてステップＳ７０５では、第１画像、第２画像の部品下エリア２値化画像から、ステップＳ７０３で得られた部品下エリアのベースズレ量シフト画像を減算処理すると共に、第１画像、第２画像の基板下エリア２値化画像から、基板下エリアのベースズレ量シフト画像を減算する。
【００８５】
これらの処理により、部品下エリア、基板下エリアからベースエリアの欠陥が取り除かれ、第１画像の部品下エリアベース欠陥候補減算画像（図１８（ａ））、第２画像の部品下エリアベース欠陥候補減算画像（図１８（ｂ））と、第１画像の基板下エリアベース欠陥候補減算画像（図１８（ｃ））、第２画像の基板下エリアベース欠陥候補減算画像（図１８（ｄ））が得られる。
【００８６】
次に、ステップＳ７０６において、ステップＳ７０５で得られた部品下エリアのベース欠陥候補減算画像から、ステップＳ７０４で得られた基板ズレ量シフト画像を減算する。これにより、部品下エリアから基板下エリアの欠陥が取り除かれ、第１画像の部品下欠陥候補画像（図１９（ａ））と、第２画像の部品下欠陥候補画像（図１９（ｂ））が得られる。
【００８７】
続いてステップＳ７０７では、Ｓ７０６で得られた第２画像の部品下欠陥候補画像について、部品のズレ量分をシフト処理する。これにより、部品下欠陥候補シフト画像（図１９（ｃ））が得られる。さらに、ステップＳ７０８では、Ｓ７０６で得られた第１画像の部品下欠陥候補画像と、ステップＳ７０７で得られた部品下欠陥候補シフト画像を加算処理する。これにより、部品下エリアの欠陥５ａ、５ｂの欠けが低減された部品下欠陥画像（図１９（ｄ））が得られる。
【００８８】
続いてステップＳ７０９において、部品下欠陥画像から部品下はんだ層４ａの欠陥５ａ、５ｂを抽出する。次に、ステップＳ７１０において、ステップＳ７０８で得られた部品下欠陥画像について、部品のズレ量分をシフトさせる。これにより、部品下欠陥シフト画像（図１９（ｅ））が得られる。
【００８９】
続いて、図１４のステップＳ７１１では、ステップＳ７０５で得られた基板下エリアのベース欠陥候補減算画像の各々から、ステップＳ７０８で得られた部品下欠陥画像、ステップＳ７１０で得られた部品下欠陥シフト画像の各々を減算する。これにより、基板下エリアから部品下エリアの欠陥が取り除かれ、第１画像の基板下欠陥候補画像（図２０（ａ））と、第２画像の基板下欠陥候補画像（図２０（ｂ））が得られる。
【００９０】
続いて、ステップＳ７１２では、ステップＳ７１１で得られた第２画像の基板下欠陥候補画像について、基板２のズレ量分をシフト処理する。これにより、基板下欠陥候補シフト画像（図２０（ｃ））が得られる。
【００９１】
ステップＳ７１３では、Ｓ７１１で得られた第１画像の基板下欠陥候補画像と、ステップＳ７１２で得られた基板下欠陥候補シフト画像を加算処理する。これにより、基板下エリアの欠陥５ｃ、５ｄの欠けが低減された基板下欠陥画像（図２０（ｄ））が得られる。続いてステップＳ７１４において、基板下欠陥画像から基板下はんだ層４ｂの欠陥５ｃ、５ｄを抽出する。
【００９２】
さらに、ステップＳ７１５において、ステップＳ７１３で得られた基板下欠陥画像について、基板２のズレ量分を第２画像に合わせてシフトさせる。これにより、基板下欠陥シフト画像（図２０（ｅ））が得られる。
【００９３】
続いて、ステップＳ７１６において、第１画像のベースエリア２値化画像（図１５（ｅ））から、部品下欠陥画像と基板下欠陥画像を減算する。これにより、ベースエリアから、部品下エリアと基板下エリアの欠陥が取り除かれ、図２１（ａ）に示す第１画像のベース欠陥候補画像が得られる。
【００９４】
同様に、第２画像のベースエリア２値化画像（図１５（ｆ））から、部品下欠陥シフト画像と基板下欠陥シフト画像を減算する。これにより、図２１（ｂ）に示す第２画像のベ
ース欠陥候補画像が得られる。続いてステップＳ７１７において、第２画像のベース欠陥候補画像について、ベースのズレ量分をシフトさせる。これにより、図２１（ｃ）に示すベース欠陥候補シフト画像が得られる。
【００９５】
続いてステップＳ７１８では、第１画像のベース欠陥候補画像（図２１（ａ））と、ステップＳ７１７で得られた第２画像のベース欠陥候補シフト画像（図２１（ｃ））を加算する。これにより、図２１（ｄ）に示すように、ベースエリアの欠陥５ｅの欠けが低減されたベース欠陥画像が得られる。続いてステップＳ７１９において、ベース欠陥画像からベース３の欠陥５ｅを抽出する。
【００９６】
なお、ステップＳ７０７、Ｓ７１２、およびＳ７１７では、第２画像の部品１、基板２、およびベース３の欠陥候補画像について、それぞれ部品１、基板２、ベース３のズレ量分を第１画像に合わせてシフトさせたが、第１画像の欠陥候補画像を第２画像に合わせてシフトさせてもよい。
【００９７】
次に、被検査層がＮ層（Ｎ≧３の整数）の多層基板を検査する場合について、図２２のフローチャートを用いて説明する。図２２のステップＳ１００〜Ｓ３００、およびステップＳ８００〜Ｓ１０００については、上記実施の形態１で説明した図２のフローチャートと同じ処理であるので、ここでは説明を省略する。まず、ステップＳ３０１において、第１画像、第２画像における各対象エリアに対し、各層のしきい値（同一でも可）で２値化を行う。
【００９８】
続いてステップＳ３０２において、第１画像、第２画像の各対象エリアの２値化画像について膨張処理を行う。ただし、最終抽出層であるＮ層については膨張処理を行う必要はない。また、ステップＳ３０１の２値化処理で各層に同一しきい値を適用した場合、ステップＳ３０２の膨張処理は各層に行う必要はなく、全ての対象エリアを含む２値化画像を膨張し、以降のステップに代用すればよい。
【００９９】
次に、ステップＳ３０３において、ステップＳ２００〜Ｓ３０２の一連の処理を、全ての対象層について行ったか判定を行う。全ての処理が完了している場合（ＹＥＳ）はステップＳ３０４に進み、未完了の場合（ＮＯ）はステップＳ２００に戻り、次の層の処理を行う。
【０１００】
続いてステップＳ３０４では、ステップＳ３０２で得られた第１画像における注目層の対象エリアの膨張画像について、ステップＳ３００で求めた注目層と既抽出層を除く各層のズレ量分についてシフト処理し、非注目層ズレ量シフト画像を得る。
【０１０１】
同様に、第２画像における注目層の対象エリアの膨張画像についても、ステップＳ３００で求めた注目層と既抽出層を除く各層のズレ量分についてシフト処理し、非注目層ズレ量シフト画像を得る。なお、最終抽出層であるＮ層については、注目層、既抽出層を除くと該当する層はないため、この処理は行われない。
【０１０２】
次に、ステップＳ３０５では、第１画像における注目層の２値化画像から、ステップＳ３０４で得られた第２画像の各層における非注目層のズレ量シフト画像を減算する。同様に、第２画像における注目層の２値化画像から、第１画像の各層における非注目層のズレ量シフト画像を減算し、注目層と既抽出層以外の欠陥が取り除かれた非注目層の欠陥候補減算画像を得る。なお、最終抽出層であるＮ層については、注目層、既抽出層を除くと該当する層はないため、この処理は行われない。
【０１０３】
続いてステップＳ３０６において、第１画像、第２画像について、ステップＳ３０５で得られた非注目層の欠陥候補減算画像から、全ての既抽出層の欠陥画像あるいは欠陥シフト画像を減算し、注目層の欠陥候補画像を得る。
【０１０４】
次に、ステップＳ３０７では、ステップＳ３０６で得られた第２画像の注目層の欠陥候補画像について、ステップＳ３００で求めた注目層のズレ量分を第１画像に合わせてシフト処理し、注目層の欠陥候補シフト画像を得る。なお、ここでは第２画像の欠陥候補画像を第１画像に合わせてシフトさせたが、第１画像の欠陥候補画像を第２画像に合わせてシフトさせてもよい。
【０１０５】
続いてステップＳ３０８において、ステップＳ３０６で得られた第１画像の注目層の欠陥候補画像と、ステップＳ３０７で得られた注目層の欠陥候補シフト画像を加算し、得られた注目層欠陥画像から欠陥を抽出する。第１画像、第２画像において抽出された注目層の対象エリアの欠陥画像を加算することにより、欠陥の欠けが低減された注目層欠陥画像が得られる。ステップＳ３０７で第１画像について注目層のズレ量分をシフトさせた場合は、第２画像の注目層の欠陥候補画像を加算すればよい。
【０１０６】
ステップＳ３０９では、注目層欠陥画像について、注目層のズレ量分を第２画像に合わせてシフト処理し、注目層欠陥シフト画像を得る。ステップＳ３０７で第１画像について注目層のズレ量分をシフトさせた場合は、第１画像に合わせてシフト処理すればよい。最終抽出層であるＮ層についてはこの処理は不要である。
【０１０７】
次に、ステップＳ３１０において、ステップＳ３０４〜Ｓ３０９の一連の処理を、全ての対象層について行ったか判定を行う。全ての処理が完了している場合（ＹＥＳ）はステップＳ８００に進み、未完了の場合（ＮＯ）はステップＳ３０４に戻り、次の層の処理を行う。
【０１０８】
なお、図２２のフローチャートでは、ステップＳ２００〜Ｓ３０２を一連の処理として繰り返し行い、それらがＮ層まで完了したことを確認した後、ステップＳ３０４〜Ｓ３０９を一連の処理として繰り返し行うようにしているが、処理の分け方はこの限りではなく、ステップＳ２００〜Ｓ３０９を一連の処理として行ってもよい。
【０１０９】
本実施の形態４によれば、被検査層が３層以上の場合であっても、各層の欠陥について抽出することが可能である。また、各層において、２方向のいずれかで重なりが生じた場合に、その欠けを低減して抽出することが可能であるため、欠陥の面積率の精度が向上する。なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明は、電子部品を搭載したパワー半導体モジュール等の多層基板の検査方法として利用することができる。
【符号の説明】
【０１１１】
１  部品、２  基板、３  ベース、４ａ  部品下はんだ層、４ｂ  基板下はんだ層、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ  欠陥
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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