(57)【要約】      （修正有）【課題】酸素や水等が配線層に侵入しても微細配線間の樹脂が変形せず、誘電特性に影響を与えずに信頼性を確保できる配線基板を提供する。【解決手段】ベース基板２上に樹脂絶縁膜で形成される複数の配線層を備える配線基板２０を、微細配線１１を含む複数の配線層２２〜２３を備えて形成すると共に、ベース基板２に対して、微細配線１１を含む配線層２２よりも外側に、微細配線１１に接しない無機バリヤ膜２４を積層して設ける。無機バリヤ膜２４より外側の配線層２３の樹脂絶縁膜の樹脂に、無機バリヤ膜２４より内側の配線層２２の樹脂絶縁膜の樹脂より酸化し易い樹脂を使用して形成することにより、微細配線１１の腐食を防止する。【選択図】図３
2017220516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板上に樹脂絶縁膜で形成される複数の配線層を備える配線基板であって、
前記配線層の少なくとも１つは、微細配線を含み、
前記ベース基板に対して、前記微細配線を含む前記配線層よりも遠い外側に、前記微細配線に接しないバリヤ膜が設けられており、
前記ベース基板に近い前記バリヤ膜の内側の配線層と、前記バリヤ膜の外側の配線層には、異なる種類の樹脂絶縁膜が用いられている配線基板。
【請求項２】
前記異なる種類の樹脂絶縁膜として、前記バリヤ膜より外側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂には、前記バリヤ膜より下側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂より酸化し易い樹脂が用いられている請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記バリヤ膜は無機バリヤ膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
酸化のし易さが、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリイミド樹脂の順である時に、前記バリヤ膜より外側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としては、ポリイミド樹脂を除く樹脂から選択され、前記バリヤ膜より下側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としては、選択された樹脂よりも酸化のし易さが下位の樹脂が選択されることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記バリヤ膜より内側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としてポリイミド樹脂が選択されている時は、前記バリヤ膜より外側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂として、フェノール樹脂、 エポキシ樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂の何れかが選択され、
前記バリヤ膜より内側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としてポリベンゾオキサゾール樹脂が選択されている時は、前記バリヤ膜より外側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂として、フェノール樹脂、 エポキシ樹脂、シクロオレフィン樹脂の何れかが選択され、
前記バリヤ膜より内側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としてシクロオレフィン樹脂が選択されている時は、前記バリヤ膜より外側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂として、フェノール樹脂または エポキシ樹脂が選択され、
前記バリヤ膜より内側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としてエポキシ樹脂が選択されている時は、前記バリヤ膜より外側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂として、フェノール樹脂が選択されることを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、可搬型コンピュータ、ＰＤＡ（パーソナル携帯情報機器）等の電子機器は、小型化、軽量化及び高機能化が進み、電子機器に搭載される半導体パッケージについても小型軽量化及び実装基板への高密度実装が要求されている。この状況の下で、ウエハ状態のままでベアチップのパッケージングを行うＷＬＰ−ＣＳＰ（ウエハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージ）が実用化されている。このＷＬＰ−ＣＳＰは、ベアチップ大のパッケージであり、ベアチップをプリント基板に接続する配線基板である。これに対して、ベアチップ面積を超える広い領域に配線層が形成されたファンアウト型ＷＬＰが普及し始めた。
【０００３】
ファンアウト型ＷＬＰはベアチップとプリント基板とを微細配線で接続するものであり、用いられる配線は、デバイスの高機能化とともに微細化（Ｌｉｎｅ/Ｓｐａｃｅ＝３μｍ以下程度の高密度化）、及び高信頼性化が求められている。また同時に、ファンアウト型ＷＬＰは、低コスト化も重要であるため、配線材にＣｕ（銅）、 絶縁膜にエポキシ系やフェノール系等の樹脂材が用いられて作成されている。
【０００４】
一方、半導体チップを微細化された配線でプリント基板に実装する技術として、複数の半導体チップを１つのインターポーザ基板（配線層のみを持つ基板）でプリント基板に実装するものがある。図１はこのインターポーザ基板１の例を示すものである。図１において、インターポーザ基板１は、ベース基板２の上に樹脂絶縁膜を用いた複数層の配線層３〜５を備えており、各層の配線はビア６で接続されている。配線層３はベース基板２から１層目の配線層であり、配線層４はベース基板２から２層目の配線層であり、配線層５はベース基板２から１層目の配線層であり、再配線層と呼ばれる。
【０００５】
インターポーザ基板１の上には、マイクロバンプ７を介して複数のＬＳＩチップ８が実装されている。図１には２つのＬＳＩチップ８しか図示していないが、インターポーザ基板１の上のＬＳＩチップ８の数は限定されない。また、インターポーザ基板１の上に実装されたＬＳＩチップ８は、インターポーザ基板１の配線層３〜５によって相互に信号のやり取りができる。ベース基板２には１層目の配線層３にある配線に接続する端子２Ｔがあり、半田バンプ９でプリント基板１０に設けられたランド部１０Ｔに接続している。
【０００６】
ファンアウト型ＷＬＰやインターポーザ基板における微細な配線は、一般的にはセミアディティブ法と呼ばれる、Ｃｕ（銅）のシード層の上にフォトレジストをパターン形成し、選択メッキ、余分なシード層の除去等の工程を経て形成される。この微細な配線について、図１に示したインターポーザ基板１の符号Ａで示す部分の構造を例に取って説明する。
【０００７】
図２（ａ）は、比較技術における、樹脂絶縁膜を用いたＣｕ微細配線１１の一例を示す断面図である。樹脂やＳｉ（シリコン）で形成されたべース基板２の上には、樹脂絶縁膜で形成された３層の配線層３．４．５がある。ベース基板２から２層目の配線層４にはＣｕ微細配線１１があり、３層目の配線層５には、Ｃｕ微細配線１１にビア６で接続する電極１２がある。本比較技術では、Ｃｕ微細配線１１が３層の樹脂絶縁層に覆われることによって、Ｃｕ微細配線１１と外気中の水や酸素との接触を無くし、Ｃｕ微細配線１１の酸化を防止して腐食を避けている。
【０００８】
図２（ｂ）は、図２（ａ）に示したＣｕ微細配線１１の外周に、バリヤ膜１３が設けられた比較技術を示す断面図であり、図２（ａ）と同じ構成部材には同じ符号が付してある。バリヤ膜１３には、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ2膜。ＳｉＯＮ膜、アルミナ膜等の膜を使用することができる。本比較技術では、Ｃｕ微細配線１１の外周部を被覆したバリヤ膜１３により、Ｃｕ微細配線１１と外気中の水や酸素との接触を無くし、Ｃｕ微細配線１１の酸化を防止して腐食を避けている。
【０００９】
また、図２（ｃ）は、シリコンチップ内部の配線に用いられるいわゆるダマシン法を用いて、Ｃｕ微細配線１１がベース基板２の上の１層目の配線層３に設けられた比較技術を示す断面図である。ダマシン法を用いて１層目の配線層３に形成されたＣｕ微細配線１１においても、Ｃｕ微細配線１１の上部に緻密で不活性な膜をバリヤ膜１３として被膜する方法が一般に用いられている。図２（ｃ）に示した比較技術では、バリヤ膜１３のべース基板２から遠い側（外側）に２層目と３層目の配線層４、５が形成されている。
【００１０】
ところが、以上説明した比較技術におけるＣｕ微細配線の酸化防止の手法では、微細配線１１の間の樹脂が、環境から拡散侵入する酸素や水等により、酸化したり加水分解して変質し、誘電特性等に影響が生じる。また、Ｃｕ微細配線１１の近傍まで水や酸素等が透過するため、Ｃｕ微細配線１１をバリヤ膜１３で覆っても、バリヤ膜１３自体が水や酸素等の影響で変質した場合、Ｃｕ微細配線１１も腐食し、Ｃｕ微細配線１１の電導特性にも悪影響をおよぼす場合もある。
【００１１】
更に、樹脂絶縁膜を用いた配線構造自体に、バリヤ膜１３として緻密な無機膜（ＳｉＮやＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3等）を使用すると、樹脂との熱膨張率や応力の差によりクラック（ひび割れ）が起こるおそれがある。これを回避するためにはバリヤ膜１３を極薄く（少なくとも５０ｎｍ以下）する必要がある。そして、極薄いバリヤ膜１３を成膜するためにはＡＬＤ（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の、表面反応が関与する手法を使用することが一般的で簡便である。
【００１２】
しかしながら、図２（ｂ）のように、第２層目の配線層４の樹脂絶縁膜とＣｕ微細配線１１を含む部分に、ＳｉＮやＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3等を、バリヤ膜１３として極薄くＡＬＤ法で成膜させると、次の問題が生じる。すなわち、Ｃｕ上と樹脂上での、ＡＬＤソースガスとの反応の速さの違いから、バリヤ膜１３が、Ｃｕ上は薄く、樹脂上は厚く堆積される傾向があり、厚く堆積したバリヤ膜１３が原因でクラックが発生する確率が高くなるという信頼性上の課題がある。
【００１３】
以上の問題を解決する手段として、図２（ｄ）に示すように、ベース基板２から遠い側のＣｕ微細配線１１に接しない部分に、無機バリヤ膜１４を配置する構造がある。この構造は、ある程度の酸化防止効果はあるものの、樹脂絶縁膜を透過した環境中の酸素等は、容易に無機バリヤ膜１４まで達し、無機バリヤ膜１４自体を劣化させてＣｕ微細配線１１まで達する。よって、この構造もＣｕ微細配線１１の酸化の防止、すなわちＣｕ微細配線１１の信頼性向上には十分ではない。特に、近年のＬｉｎｅ/Ｓｐａｃｅ幅＝２μｍ以下程度のＣｕ微細配線１１では、Ｃｕ微細配線１１が僅かに酸化しても電気抵抗の劣化が非常に大きいため、ベース基板から遠い側のＣｕ微細配線１１に接しない部分に単に無機バリヤ膜１４を配置しても有効ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００６−１３５２７８号公報
【００１５】
【特許文献２】特開２００９−１１７５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
１つの側面では、上述の問題に鑑み、環境から拡散し侵入する酸素や水等により、微細配線間の樹脂が変形せず、誘電特性に影響を与えずに微細配線の腐食を防止して、信頼性を確保できる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
１つの形態によれば、ベース基板上に樹脂絶縁膜で形成される複数の配線層を備える配線基板であって、配線層の少なくとも１つは、微細配線を含み、ベース基板に対して、微細配線を含む配線層よりも遠い外側に、微細配線に接しないバリヤ膜が設けられており、ベース基板に近いバリヤ膜の内側の配線層と、バリヤ膜の外側の配線層には、異なる種類の樹脂絶縁膜が用いられている配線基板が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
開示の配線基板には、環境から拡散して基板内に酸素や水等が侵入しても、微細配線の周囲にある樹脂が変形せず、誘電特性に影響を与えずに微細配線の腐食を防止することができ、信頼性を確保できる配線基板が提供できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】半導体チップをプリント基板に実装するインターポーザ基板の構造を断面で示す説明図である。
【図２】（ａ）は、樹脂絶縁膜を用いたＣｕ配線の比較技術を示す断面図、（ｂ）は、（ａ）に示したＣｕ微細配線の外周にバリヤ膜が設けられた比較技術を示す断面図、（ｃ）は、ダマシン法を用いて形成されたＣｕ微細配線の上部にバリヤ層が設けられた比較技術の配線構造を示す断面図、（ｄ）は、Ｃｕ微細配線に接しない部分に無機バリヤ膜が配置された比較技術を示す断面図である。
【図３】（ａ）は開示の配線基板の構造を示す断面図、（ｂ）は（ａ）に示した配線基板の構造における配線層の、２層目と３層目の配線層の樹脂の配置を逆にした配線基板の構造を示す断面図である。
【図４】（ａ）は図２（ａ）に示した配線基板を用いた高温試験での抵抗変化率、（ｂ）は図２（ｂ）に示した配線基板を用いた高温試験での抵抗変化率、（ｃ）は図２（ｄ）に示した配線基板を用いた高温試験での抵抗変化率、（ｄ）は図３（ａ）に示した配線基板を用いた高温試験での抵抗変化率、（ｅ）は図３（ｂ）に示した配線基板を用いた高温試験での抵抗変化率、を示すグラフである。
【図５】（ａ）は開示の配線基板を用いた酸化試験の結果を示す微細配線の部分拡大断面図、（ｂ）は比較技術の配線基板を用いた酸化試験の結果を示す微細配線の部分拡大断面図である。
【図６】樹脂の酸化速度の定量方法の例を示すグラフである。
【図７】（ａ）は樹脂Ａにポリイミド樹脂を用いた時に、樹脂Ｂとして用いることができる樹脂の種類を示す組合せ図、（ｂ）は樹脂Ａにポリベンゾオキサゾール樹脂を用いた時に、樹脂Ｂとして用いることができる樹脂の種類を示す組合せ図、（ｃ）は樹脂Ａにシクロオレフィン樹脂を用いた時に、樹脂Ｂとして用いることができる樹脂の種類を示す組合せ図、（ｄ）は樹脂Ａにエポキシ樹脂を用いた時に、樹脂Ｂとして用いることができる樹脂の種類を示す組合せ図である。
【図８】開示の配線基板の変形例の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を用いて本出願の実施の形態を、具体的な実施例に基づいて詳細に説明する。なお、以下に説明する配線基板の構造は、図１で説明したインターポーザ基板１の符号Ａで示す部分の構造である。そして、インターポーザ基板１におけるベース基板２、ビア６、Ｃｕ微細配線１１のように、構造が変わらない部材については、図１で説明した符号と同じ符号を付して説明する。しかし、インターポーザ基板１の符号Ａで示す部分の構造は新規な構造であるので、以下に開示する配線構造を備えるインターポーザ基板１は、配線基板２０として説明する。
【００２１】
図３（ａ）は、開示の配線基板２０の構造を示す断面図である。配線基板２０には、樹脂やＳｉ（シリコン）で形成されたべース基板２があり、ベース基板２の上に、複数の配線層、本実施例では３層の配線層がある。ベース基板２から数えて１層目の配線層２１は、比較技術と同じ樹脂絶縁膜で形成することができる。ベース基板２から数えて２層目の配線層２２と３層目の配線層２３は、酸化のし易さが異なる樹脂を用いた樹脂絶縁膜で形成されている。そして、２層目の配線層２２と３層目の配線層２３の間には、無機バリヤ膜２４が設けられている。２層目の配線層２２にはＣｕ微細配線１１があり、３層目の配線層２３には、Ｃｕ微細配線１１にビア６で接続する電極１２がある点は。図２で説明した比較技術と同様である。
【００２２】
ここで、Ｃｕ微細配線１１に接し、無機バリヤ膜２４よりもベース基板２側（以後、無機バリヤ膜２４の内側と記す）にある絶縁層を第１の絶縁層Ｆとし、無機バリヤ膜２４よりも外側にある絶縁層を第２の絶縁層Ｓとする。本実施例では、第１の絶縁層Ｆは１層目の配線層２１と２層目の配線層２２から形成され、第２の絶縁層Ｓは３層目の配線層２３だけで形成されている。なお、第１の絶縁層Ｆは２層目の配線層２２だけで形成しても良く、第２の絶縁層Ｓは３層目の配線層２３に加えて更に別の配線層を加えても良い。
【００２３】
開示の配線基板２０では、第１の絶縁層Ｆと第２の絶縁層Ｓは、異なる種類の樹脂を用いた樹脂絶縁膜で形成されている。更に詳しく述べれば、第２の絶縁層Ｓを形成する樹脂絶縁膜には、第１の絶縁層Ｆに比べて酸化し易い（酸化速度が速い）樹脂が用いられている。これにより、第２の絶縁層Ｓが酸化犠牲層として作用し、第１の絶縁層Ｆへの酸素等の環境中の酸化促進物質の到達を遅らせることができる。
【００２４】
ここで、第１の絶縁層Ｆに使用する樹脂を樹脂Ａ、第２の絶縁層Ｓに使用する樹脂を樹脂Ｂとしたときに、樹脂Ａ、Ｂは、図６に示す樹脂の酸化速度の定量方法により決めることができる。図６は、フェノール系の樹脂の熱分析例（ＴＧ−ＤＴＡ）を示しており、ＴＧは温度を加えながら樹脂の重さを測定するものであり、ＤＴＡは温度を加えながら樹脂の発熱を測定するものである。樹脂の場合、酸化は発熱反応であり且つ通常は重量が減少する反応であるので、図６から樹脂Ａは１３０°Ｃ、樹脂Ｂは１５０°Ｃが樹脂の酸化開始温度と判定できる。酸化開始温度が高い樹脂ほど酸化速度は遅くて酸化し難く、また酸化開始温度が低い樹脂ほど感化速度が速くて酸化し易いと言える。よって、第１の絶縁層Ｆに使用する樹脂Ａと第２の絶縁層Ｓに使用する樹脂Ｂは、樹脂の酸化速度をこの方法で測定することによって決めることができる。
【００２５】
そして、樹脂絶縁膜として使用できる樹脂は主には、フェノール樹脂、 エポキシ樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリイミド樹脂等がある。これらの樹脂の酸化のし易さの順番は、フェノール樹脂＞エポキシ樹脂＞シクロオレフィン樹脂＞ポリベンゾオキサゾール樹脂＞ポリイミド樹脂であることが分っている。よって、この順番に基づいて、第２の絶縁層Ｓには、第１の絶縁層Ｆよりも酸化しやすい樹脂を用いれば良い。
【００２６】
図７（ａ）から（ｄ）は、第１の絶縁層Ｆに使用する樹脂Ａと第２の絶縁層Ｓに使用する樹脂Ｂの組合せの例を示すものである。図７（ａ）に示すように、樹脂Ａに最も酸化し難いポリイミド樹脂を用いた時は、樹脂Ｂとして、ポリイミド樹脂より酸化し易いポリベンゾオキサゾール樹脂、シクロオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、及びフェノール樹脂の何れかを用いることができる。図７（ｂ）に示すように、樹脂Ａにポリベンゾオキサゾール樹脂を用いた時は、樹脂Ｂとして、ポリベンゾオキサゾール樹脂より酸化し易いシクロオレフィン樹脂、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の何れかを用いることができる。図７（ｃ）に示すように、樹脂Ａにシクロオレフィン樹脂を用いた時は、樹脂Ｂとして、シクロオレフィン樹脂より酸化し易いエポキシ樹脂またはフェノール樹脂を用いることができる。また、図７（ｄ）に示すように、樹脂Ａにエポキシ樹脂を用いた時は、樹脂Ｂとしてはエポキシ樹脂より酸化し易いフェノール樹脂を用いることができる。
【００２７】
図３（ｂ）は、図３（ａ）に示した配線基板２０の構造における配線層の、２層目の配線層２２と３層目の配線層２３の樹脂の種類が逆になっている配線基板２０Ａの構造を示す断面図である。すなわち、図３（ｂ）に示した配線基板２０Ａでは、無機バリヤ膜２４よりもベース基板２側（内側）にある第１の絶縁層Ｆに、酸化し易い樹脂が使用されている。そして、無機バリヤ膜２４よりも外側にある第２の絶縁層Ｓに、第１の絶縁層Ｆに使用された樹脂よりも酸化し難い樹脂が使用されている。
【００２８】
図４は、高温試験を行って、図３（ａ）に示した構造の配線基板２０と、図２（ａ）、（ｂ）及び（ｄ）に示した配線基板１及び図３（ｂ）に示した配線基板２０Ａとの、Ｃｕ微細配線１１の腐食の程度を比較したものである。Ｃｕ微細配線１１の腐食の程度が大きいことは、Ｃｕ微細配線１１の抵抗変化率が大きくなることによって判定することができる。この高温試験では、Ｃｕ微細配線１１の配線幅を１．０μｍ、無機バリヤ膜２４の内側の第１の配線層Ｆと外側の第２の配線層Ｓの厚さは共に１５μｍとし、温度を２００°Ｃとして、２４時間での配線抵抗変化率を測定した。
【００２９】
図４の、（ａ）は図２（ａ）に示した配線基板１、（ｂ）は図２（ｂ）に示した配線基板１、（ｃ）は図２（ｄ）に示した配線基板１、（ｄ）は図３（ａ）に示した配線基板２０、（ｅ）は図３（ｂ）に示した配線基板２０Ａの、高温試験での抵抗変化率を示す。図４に破線Ｂで示すように、（ｄ）に示した開示の配線基板２０では、Ｃｕ微細配線１１の抵抗変化率が殆ど無いのに対して、（ａ）〜（ｃ）及び（ｅ）に示したその他の配線基板ではＣｕ微細配線１１の抵抗変化率が大きい。よって、図４から、図３（ａ）に示した開示の配線基板２０では、Ｃｕ微細配線１１が酸化の影響を受けていないことが分る。
【００３０】
図５（ａ）は、開示の配線基板２０を用いた高温試験（酸化試験）の結果を示すＣｕ微細配線１１の状態を示す図であり、図５（ｂ）は比較技術の配線基板、例えば図２（ｂ）に示す配線基板を用いた高温試験の結果を示すＣｕ微細配線１１の状態を示す図である。なお、図５（ａ）、（ｂ）は高温試験後の開示の配線基板２０と図２（ｂ）に示す配線基板１の断面写真をトレースしたものであるので、Ｃｕ微細配線１１の形状は正確ではないが、変形の程度を知ることができる。図５（ａ）、（ｂ）の比較から、開示の配線基板２０におけるＣｕ微細配線１１は殆ど酸化されていないのに対して、比較技術におけるＣｕ微細配線１１はかなりの程度酸化されていることが分る。
【００３１】
このように、図３（ａ）に示した構造を備える配線基板２０は、Ｃｕ微細配線の長期使用時の信頼性を向上させることが出来、ひいては図３（ａ）に示した構造を備える配線基板２０を用いたデバイス製品の品質の向上が可能となる。
【００３２】
なお、前述の実+施例では、無機バリヤ層２４とベース基板２の間の配線層２１、２２のうち、２層目の配線層２２にしかＣｕ微細配線１１が設けられていなかったが、Ｃｕ微細配線１１は、１層目の配線層２１にも設けられていて良い。
【００３３】
更に、前述の実施例では、第２の絶縁層Ｓが３層目の配線層２３だけで形成されているが、図８のように、第２の絶縁層Ｓを３層目の配線層２３と４層目の配線層２５で形成した配線基板２０Ｂが可能である。配線基板２０Ｂでは、３層目の配線層２３と４層目の配線層２５に用いる樹脂に、酸化し易い異なる種類の樹脂を使用することができる。使用する樹脂の酸化のし易さの程度は、３層目の配線層２３の方が大きくても、４層目の配線層２５の方が大きくても良い。ただし、３層目の配線層２３と４層目の配線層２５に使用する樹脂は、両方とも第１の絶縁層Ｆに用いる樹脂よりも酸化し易い樹脂とする。
【００３４】
以上、本出願を特にその好ましい実施の形態を参照して詳細に説明した。本出願の容易な理解のために、本出願の具体的な形態を以下に付記する。
【００３５】
（付記１）  ベース基板上に樹脂絶縁膜で形成される複数の配線層を備える配線基板であって、
前記配線層の少なくとも１つは、微細配線を含み、
前記ベース基板に対して、前記微細配線を含む前記配線層よりも遠い外側に、前記微細配線に接しないバリヤ膜が設けられており、
前記ベース基板に近い前記バリヤ膜の内側の配線層と、前記バリヤ膜の外側の配線層には、異なる種類の樹脂絶縁膜が用いられている配線基板。
（付記２）  前記異なる種類の樹脂配線膜を形成する樹脂として、前記バリヤ膜より外側の配線層に用いる樹脂には、前記バリヤ膜より内側の配線層に用いる樹脂より酸化し易い樹脂が用いられている付記１に記載の配線基板。
（付記３）  前記バリヤ膜は無機バリヤ膜であることを特徴とする付記１または２に記載の配線基板。
（付記４）  前記無機バリヤ膜は５０ｎｍから１ｎｍの膜厚を備えるＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、アルミナ等の金属酸化膜または窒化物であることを特徴とする付記３に記載の配線基板。
（付記５）  前記バリヤ膜より外側に２層の配線層が形成されており、前記２層の配線層を形成する樹脂には、前記バリヤ膜より内側の配線層を形成する樹脂より酸化し易い樹脂が用いられている付記１に記載の配線基板。
【００３６】
（付記６）  前記樹脂絶縁膜には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリイミド樹脂の中の異なる種類の樹脂が用いられることを特徴とする付記１に記載の配線基板。
（付記７）  酸化のし易さが、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリイミド樹脂の順である時に、前記バリヤ膜より外側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としては、ポリイミド樹脂を除く樹脂から選択され、前記バリヤ膜より下側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としては、選択された樹脂よりも酸化のし易さが下位の樹脂が選択されることを特徴とする付記２に記載の配線基板。
（付記８）  前記バリヤ膜より内側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としてポリイミド樹脂が選択されている時は、前記バリヤ膜より外側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂として、フェノール樹脂、 エポキシ樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂の何れかが選択され、
前記バリヤ膜より内側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としてポリベンゾオキサゾール樹脂が選択されている時は、前記バリヤ膜より外側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂として、フェノール樹脂、 エポキシ樹脂、シクロオレフィン樹脂の何れかが選択され、
前記バリヤ膜より内側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としてシクロオレフィン樹脂が選択されている時は、前記バリヤ膜より外側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂として、フェノール樹脂または エポキシ樹脂が選択され、
前記バリヤ膜より内側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂としてエポキシ樹脂が選択されている時は、前記バリヤ膜より外側の配線層の樹脂絶縁膜の樹脂として、フェノール樹脂が選択されることを特徴とする付記７に記載の配線基板。
（付記９）  前記配線基板がインターポーザ基板であることを特徴とする付記１から８の何れかに記載の配線基板。
（付記１０）  前記配線基板がファンアウト型ＷＬＰであることを特徴とする付記１から８の何れかに記載の配線基板。
【符号の説明】
【００３７】
１    インターポーザ基板
２    ベース基板
３〜５    配線層
１０    プリント基板
１１    Ｃｕ微細配線
２０    配線基板
２１〜２３    配線層
２４    無機バリヤ層
【図１】
2017220516.tif 000003
【図２】
2017220516.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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