(57)【要約】【課題】高精細、かつ光取出し効率に優れた波長変換基板を提供する。【解決手段】基材と、基材の一方の面に設けられ、格子状の遮光部と、遮光部に囲まれた複数の開口部と、を有するブラックマトリックス層と、遮光部上に設けられた障壁と、障壁の表面に設けられた感光性樹脂層と、感光性樹脂層の表面に設けられた機能層と、開口部に設けられた波長変換層と、を備え、機能層は、基材と接していない波長変換基板。【選択図】図１
2017187549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の一方の面に設けられ、格子状の遮光部と、前記遮光部に囲まれた複数の開口部と、を有するブラックマトリックス層と、
前記遮光部上に設けられた障壁と、
前記障壁の表面に設けられた感光性樹脂層と、
前記感光性樹脂層の表面に設けられた機能層と、
前記開口部に設けられた波長変換層と、を備え、
前記機能層は、前記基材と接していない波長変換基板。
【請求項２】
基材と、
前記基材の一方の面に設けられ、格子状の遮光部と、前記遮光部に囲まれた複数の開口部と、を有するブラックマトリックス層と、
前記遮光部上に設けられた障壁と、
前記開口部に設けられた波長変換層と、を備える波長変換基板の製造方法であって、
前記基材の一方の面に前記ブラックマトリックス層を形成する工程と、
前記一方の面において、前記ブラックマトリックス層を覆って、ポジ型の感光性樹脂を形成材料とする第１樹脂層を形成する工程と、
前記基材の他方の面側から前記第１樹脂層を露光し、露光された前記第１樹脂層を現像することにより、前記障壁を形成する第１露光現像工程と、を備える波長変換基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１露光現像工程の後に、前記障壁が形成された前記基材の表面に沿ってポジ型の感光性樹脂を形成材料とする第１膜を形成する工程と、
前記第１膜の表面に沿って第２膜を形成する工程と、
前記他方の面側から前記第１膜を露光し、露光された前記第１膜を現像する第２露光現像工程と、を備え、
前記第２露光現像工程では、前記開口部に形成された前記第１膜および前記第２膜を除去することにより、前記障壁の表面に設けられたポジ型の感光性樹脂層と前記ポジ型の感光性樹脂層の表面に設けられた機能層とを形成する請求項２に記載の波長変換基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１膜を形成する工程と、前記第２膜を形成する工程との間において、
前記開口部に形成された前記第１膜の一部を、前記一方の面側から露光し、露光された前記第１膜を現像する第３露光現像工程を含み、
前記第３露光現像工程では、前記開口部に、前記第１膜の厚さが異なる部分を形成する請求項３に記載の波長変換基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２膜を形成する工程において、
前記開口部に影部形成部材を形成する工程と、
前記影部形成部材を形成した前記一方の面に前記第２膜を形成する工程と、を備え、
前記影部形成部材は、前記影部形成部材の側面と、前記第１膜の表面とのなす角が鋭角または直角となる部分を有し、
前記影部形成部材は、前記遮光部と平面的に重ならない請求項３に記載の波長変換基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２膜を形成する工程において、
前記開口部に形成された前記第１膜の一部を覆うマスクを介して、前記第２膜を形成する請求項３に記載の波長変換基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１露光現像工程の後に、前記障壁が形成された前記基材の表面に沿ってネガ型の感光性樹脂を形成材料とする第３膜を形成する工程と、
前記障壁の表面に形成された前記第３膜を、前記一方の面側から露光し、前記開口部に形成された前記第３膜を現像することにより、前記障壁の表面に設けられたネガ型の感光性樹脂層を形成する第４露光現像工程と、
前記ネガ型の感光性樹脂層および前記開口部に第２膜を形成する工程と、
前記第２膜の表面に沿ってポジ型の感光性樹脂を形成材料とする第４膜を形成する工程と、
前記開口部に形成された前記第４膜を、前記一方の面側から露光し、露光された前記第４膜を現像することにより、前記障壁に設けられた前記第２膜の表面にその表面を保護する保護層を形成する第５露光現像工程と、
前記開口部に形成された前記第２膜を、エッチングにより除去した後、前記保護層を除去することにより、前記ネガ型の感光性樹脂層の表面に設けられた機能層を形成する工程と、を備える請求項２に記載の波長変換基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の波長変換基板と、前記波長変換層に励起光を照射する励起光源と、を備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換基板、波長変換基板の製造方法および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代の有機ＥＬディスプレイにおいて、高解像度および低消費電力を可能にする技術の一つとして、波長変換方式を用いた有機ＥＬディスプレイがある（例えば、特許文献１）。波長変換方式では、青色光を光源として、青色光の一部を青表示に使用し、残りを、波長変換材料を用いて赤色光と緑色光に波長変換する。
【０００３】
波長変換方式による有機ＥＬディスプレイは、波長変換材料からなる波長変換層を備えた波長変換基板を有する。波長変換基板は、波長変換層の混じりによる混色を抑制するため、２つの波長変換層を仕切る障壁を備えている。この障壁は、波長変換基板における入射光の利用効率や光取り出し効率を高めるため、複数の層からなることが多い。
【０００４】
波長変換基板の製造方法としては、例えばフォトリソグラフィー法によるパターニング方法がある。しかし、この方法では、波長変換基板の高精細化に伴い、障壁を構成する各層の位置ずれが生じ、波長変換基板における入射光の利用効率や光取り出し効率が低下することがある。そのため、波長変換基板を高精細化する場合、露光工程で使用するマスクの位置合わせの精度が十分に高いことが要求される。
【０００５】
マスクの位置合わせの精度は、マスクの仕上がり精度および露光装置の位置合わせの精度で決まるため、高精度のマスクと位置合わせ精度の高い露光装置が必要となる。したがって、マスクおよび露光装置は高価なものとなる。また、精度の高いマスクの位置合わせが必要なため、露光工程のスループットは低くなる。以上のことから、波長変換基板の製造方法においては、製造コストが高くなるといった課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０８４５８７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一態様はこのような事情に鑑みてなされたものであって、高精細、かつ光取出し効率に優れた波長変換基板および波長変換基板の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の一態様は、上述の波長変換基板を備えた高精細、かつ明るさに優れた表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明の一態様は、基材と、基材の一方の面に設けられ、格子状の遮光部と、遮光部に囲まれた複数の開口部と、を有するブラックマトリックス層と、遮光部上に設けられた障壁と、障壁の表面に設けられた感光性樹脂層と、感光性樹脂層の表面に設けられた機能層と、開口部に設けられた波長変換層と、を備え、機能層は、基材と接していない波長変換基板を提供する。
【０００９】
本発明の一態様は、基材と、基材の一方の面に設けられ、格子状の遮光部と、遮光部に囲まれた複数の開口部と、を有するブラックマトリックス層と、遮光部上に設けられた障壁と、開口部に設けられた波長変換層と、を備える波長変換基板の製造方法であって、基材の一方の面にブラックマトリックス層を形成する工程と、一方の面において、ブラックマトリックス層を覆って、ポジ型の感光性樹脂を形成材料とする第１樹脂層を形成する工程と、基材の他方の面側から第１樹脂層を露光し、露光された第１樹脂層を現像することにより、障壁を形成する第１露光現像工程と、を備える波長変換基板の製造方法を提供する。
【００１０】
本発明の一態様において、第１露光現像工程の後に、障壁が形成された基材の表面に沿ってポジ型の感光性樹脂を形成材料とする第１膜を形成する工程と、第１膜の表面に沿って第２膜を形成する工程と、他方の面側から第１膜を露光し、露光された第１膜を現像する第２露光現像工程と、を備え、第２露光現像工程では、開口部に形成された第１膜および第２膜を除去することにより、障壁の表面に設けられたポジ型の感光性樹脂層とポジ型の感光性樹脂層の表面に設けられた機能層とを形成することが好ましい。
【００１１】
本発明の一態様においては、第１膜を形成する工程と、第２膜を形成する工程との間において、開口部に形成された第１膜の一部を、一方の面側から露光し、露光された第１膜を現像する第３露光現像工程を含み、第３露光現像工程では、開口部に、第１膜の厚さが異なる部分を形成することが好ましい。
【００１２】
本発明の一態様においては、第２膜を形成する工程において、開口部に影部形成部材を形成する工程と、影部形成部材を形成した一方の面に第２膜を形成する工程と、を備え、影部形成部材は、影部形成部材の側面と、第１膜の表面とのなす角が鋭角または直角となる部分を有し、影部形成部材は、遮光部と平面的に重ならないことが好ましい。
【００１３】
本発明の一態様においては、第２膜を形成する工程において、開口部に形成された第１膜の一部を覆うマスクを介して、第２膜を形成することが好ましい。
【００１４】
本発明の一態様においては、第１露光現像工程の後に、障壁が形成された基材の表面に沿ってネガ型の感光性樹脂を形成材料とする第３膜を形成する工程と、障壁の表面に形成された第３膜を、一方の面側から露光し、開口部に形成された第３膜を現像することにより、障壁の表面に設けられたネガ型の感光性樹脂層を形成する第４露光現像工程と、ネガ型の感光性樹脂層および開口部に第２膜を形成する工程と、第２膜の表面に沿ってポジ型の感光性樹脂を形成材料とする第４膜を形成する工程と、開口部に形成された第４膜を、一方の面側から露光し、露光された第４膜を現像することにより、障壁に設けられた第２膜の表面にその表面を保護する保護層を形成する第５露光現像工程と、開口部に形成された第２膜を、エッチングにより除去した後、保護層を除去することにより、ネガ型の感光性樹脂層の表面に設けられた機能層を形成する工程と、を備えることが好ましい。
【００１５】
本発明の一態様は、上記の波長変換基板と、波長変換層に励起光を照射する励起光源と、を備える表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一態様によれば、高精細、かつ光取出し効率に優れた波長変換基板が提供される。本発明の一態様によれば、高精細、かつ光取出し効率に優れた波長変換基板が得られる波長変換基板の製造方法が提供される。本発明の一態様によれば、上述の波長変換基板を備えることにより、高精細、かつ明るさに優れた表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態の波長変換基板１００を示す概略断面図である。
【図２】第１実施形態における波長変換基板１００の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】第１実施形態に係る仕切り部３０の形成工程Ｓ２を示すフローチャートである。
【図４】第１実施形態に係る第１樹脂層３３０の形成工程Ｓ２１を示す工程図である。
【図５】第１実施形態に係る第１露光現像工程Ｓ２２を示す工程図である。
【図６】第１実施形態に係る第１膜３５０の形成工程Ｓ２３を示す工程図である。
【図７】第１実施形態に係る第２膜３７０の形成工程Ｓ２４を示す工程図である。
【図８】第１実施形態に係る第２露光現像工程Ｓ２５を示す工程図である。
【図９】第１実施形態に係る表示装置１０００の配置例を示す概略断面図である。
【図１０】第２実施形態に係る第２膜３７１の形成工程Ｓ２４を示す工程図である。
【図１１】第３実施形態に係る仕切り部３０の形成工程Ｓ１２０を示すフローチャートである。
【図１２】第３実施形態に係る第３露光現像工程Ｓ１２１における露光を示す工程図である。
【図１３】第３実施形態に係る第３露光現像工程Ｓ１２１の現像後を示す工程図である。
【図１４】第３実施形態に係る第２膜３７２の形成工程Ｓ２４を示す工程図である。
【図１５】第４実施形態に係る仕切り部３０の形成工程Ｓ２２０を示すフローチャートである。
【図１６】第４実施形態に係る第２樹脂層７１０の塗工を示す工程図である。
【図１７】第４実施形態に係る第２樹脂層７１０の露光を示す工程図である。
【図１８】第４実施形態に係る露光した第２樹脂層７１０の現像後を示す工程図である。
【図１９】第４実施形態に係る第２膜３７３の形成工程Ｓ２２２を示す工程図である。
【図２０】第５実施形態に係る仕切り部３０の形成工程Ｓ３２０を示すフローチャートである。
【図２１】第５実施形態に係る第３膜３５１の形成工程Ｓ３２１を示す工程図である。
【図２２】第５実施形態に係る第４露光現像工程Ｓ３２２における露光を示す工程図である。
【図２３】第５実施形態に係る第４露光現像工程Ｓ３２２における現像後を示す工程図である。
【図２４】第５実施形態に係る第４膜３９０の形成工程Ｓ３２４を示す工程図である。
【図２５】第５実施形態に係る第５露光現像工程Ｓ３２５における露光を示す工程図である。
【図２６】第５実施形態に係る第５露光現像工程Ｓ３２５における現像後を示す工程図である。
【図２７】第５実施形態に係る機能層３７の形成工程Ｓ３２６におけるエッチングを示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜第１実施形態＞
以下、図面を参照しながら、第１実施形態の波長変換基板、および波長変換基板を備えた表示装置について説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、同様の目的で、特徴とならない部分を省略して図示している場合がある。
【００１９】
［波長変換基板］
図１は、第１実施形態の波長変換基板１００を示す概略断面図である。
図１に示すように、第１実施形態の波長変換基板１００は、基材１０と、ブラックマトリックス層２０と、仕切り部３０と、波長変換部４０と、を備える。
【００２０】
［基材］
第１実施形態の基材１０は、後述する表示装置から光を射出する側となることから、光透過性が要求される。また、基材１０上に各部材を形成するにあたって、基材１０は、耐熱性、耐溶剤性、寸法安定性、平滑性が合わせて要求される。基材１０の形成材料としては、これらの特性を有する、無機材料またはプラスチック材料等が好ましい。
【００２１】
無機材料の具体例としては、ガラス、石英等が挙げられる。
プラスチック材料の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）等が挙げられる。
これらの他にも、上述のプラスチック材料を形成材料とする基材の表面を無機材料でコーティングした基材、アルミナ等を形成材料とするセラミックス基材等が挙げられる。
【００２２】
基材１０の具体例としては、例えば従来の表示装置に用いられる、厚さ０．７ｍｍのガラス基材が挙げられる。
【００２３】
［ブラックマトリックス層］
第１実施形態のブラックマトリックス層２０は、基材１０の一方の面１０ａに形成されている。ブラックマトリックス層２０は、格子状の遮光部３１と、遮光部３１に囲まれた複数の開口部４１と、を有している。
【００２４】
遮光部３１は、隣接する波長変換部４０間での混色を低減し、表示装置としたときのコントラスト比を向上させる機能を有する。このような機能を発現するために、遮光部３１は、高遮光率、低反射性が要求される。遮光部３１の形成材料として、例えば感光性樹脂に顔料を混合したブラックフォトレジストや、Ｃｒ（クロム）やＣｒ／酸化Ｃｒの多層膜等の金属等が用いられる。
感光性樹脂としては、ポジ型の感光性樹脂であってもよく、ネガ型の感光性樹脂であってもよい。
顔料としては、例えば黒色顔料、金属粉、金属酸化物または複数の金属酸化物からなる複合酸化物が挙げられる。これらの中でも光学密度が高いことから、顔料として黒色顔料が好ましく用いられる。黒色顔料の具体例としては、カーボンブラックが挙げられる。
【００２５】
遮光部３１の厚さは、１０ｎｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。遮光部３１の厚さが１０ｎｍ以上であると、十分な遮光性が得られる。遮光部３１の厚さが３μｍ以下であると、励起光や波長変換部４０から射出する光が遮光部３１に吸収されにくく、光取出し効率に優れている。
【００２６】
［仕切り部］
第１実施形態の仕切り部３０は、遮光部３１上に設けられている。仕切り部３０は、ブラックマトリックス層２０における遮光部３１と同様に、隣接する波長変換部４０間での混色を低減し、表示装置としたときのコントラスト比を向上させる機能を有する。また、仕切り部３０は、各波長変換部４０からの光取出し効率を向上させる機能を合わせて有する。このような機能を効果的に発揮するために、仕切り部３０の厚さは、後述する波長変換部４０の厚さと比べて大きいことが好ましい。
【００２７】
仕切り部３０は、障壁３３と、感光性樹脂層３５と、機能層３７と、がこの順に積層して設けられている。
【００２８】
（障壁）
第１実施形態に係る障壁３３の形成材料として、例えばポジ型のフォトレジストが用いられる。ポジ型のフォトレジストは、永久膜としての優れた熱安定性や、優れた耐溶剤性を有することが望まれる。
【００２９】
ポジ型のフォトレジストは、ベースポリマーと、光反応性化合物と、溶剤とを含む。ベースポリマーは、フォトレジストの基材に対する密着性、現像液への溶解性、温度安定性および耐薬品性などの機械的および化学的性質を決定する。すなわち、優れた熱安定性および優れた耐溶剤性を示す樹脂をベースポリマーとして選択することで、優れた耐熱性および優れた耐溶剤性を示すフォトレジストが得られる。このようなポジ型の感光性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、ポリシロキサン樹脂、またはエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３０】
障壁３３の高さは、波長変換基板１００の外部へ波長変換部４０を通過する光を有効に取出すために、波長変換部４０の厚さよりも大きいことが好ましい。具体的に、障壁３３の厚さは０．１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
障壁３３のアスペクト比は、０．５以上１０以下であることが好ましい。障壁３３のアスペクト比が０．５以上であると、高精細かつ高開口率な波長変換基板とすることができる。障壁３３のアスペクト比が１０以下であると、障壁３３が破損しにくく、かつ、障壁３３と遮光部３１との密着性が十分に得られる。ここで、障壁のアスペクト比とは、障壁の幅に対する障壁の高さの比のことである。
【００３２】
障壁３３の形状は、隣接する波長変換部４０への光漏れを低減するため、波長変換部の側面を覆うものであれば特に限定されない。つまり、障壁３３の側面と基材１０とのなす角（傾斜角）は、９０°より小さくてもよく、９０°より大きくでもよい。波長変換基板１００の光取出し効率を向上させられる観点から、障壁３３の傾斜角は９０°より大きいことが好ましい。すなわち、図１に示す障壁３３の断面の幅は、光を射出する側である基材１０側では、最も大きく、表示装置としたときの光源側では、最も小さく、基材１０から光源側に向かって断面の幅が徐々に小さくなるように構成されている。
【００３３】
（感光性樹脂層）
第１実施形態の感光性樹脂層３５は、障壁３３に沿って設けられている。
感光性樹脂層３５の形成材料として、例えばポジ型またはネガ型のフォトレジストが用いられる。ポジ型またはネガ型のフォトレジストに含まれる樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリメチルグルタルイミド、メラミン樹脂、ナイロン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、ポリメタクリル酸メチル、ＭＢＳ樹脂、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、テトラフルオロエチレン、ポリ三フッ化塩化エチレン、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。ポジ型のフォトレジストを用いる場合、ポジ型のフォトレジストに含まれる樹脂としては、露光後ベークやポストベークを行わなくても優れた熱安定性を示すことから、ポリイミド、ポリメチルグルタルイミドが好ましい。
【００３４】
また、感光性樹脂層３５の形成材料として、上述の樹脂に粒径１００ｎｍ以上１μｍ以下の微粒子を含有させた樹脂組成物を用いることができる。これにより、感光性樹脂層３５の表面に凹凸が形成することができる。感光性樹脂層３５上に機能層３７を形成すると、機能層３７の表面においても凹凸を形成することができる。つまり、感光性樹脂層３５は、機能層３７の表面形状を制御する機能を有する。
【００３５】
感光性樹脂層３５の厚さは、１０ｎｍ以上１μｍ以下が好ましい。感光性樹脂層３５の厚さが上述の範囲であることにより、仕切り部３０を水平方向に十分に薄くすることができる。仕切り部３０が十分に薄いと、波長変換部４０を形成する領域を十分に確保することができ、表示装置としたときの明るさを向上させることができる。
【００３６】
（機能層）
第１実施形態の機能層３７は、感光性樹脂層３５に沿って設けられ、基材１０と接していない。機能層３７は、後述する励起光源からの励起光や、各波長変換部４０で変換された光を等方的かつ効果的に反射または散乱させることで、光取出し効率を向上させる機能を有する。また、機能層３７が基材１０と接していないことで、後述する波長変換部４０のカラーフィルター層５０が基板１０から剥がれにくくなる。このような機能を発現するために、機能層３７は、４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光領域の光反射率または光散乱率が高いことが要求される。また、機能層３７は、隣接する波長変換部４０間の混色を低減するため、４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光領域の光透過率が低いことが合わせて要求される。
【００３７】
機能層３７は、光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜状であってもよいし、これらの材料を樹脂中に分散させた固形状態のものであってもよい。また、光反射性または光散乱性を有する材料のうち、高精細化に対応可能な材料、および高精細化のためのプロセスを適用可能な材料が好ましい。
【００３８】
光反射性または光散乱性を有する材料として、無機材料を用いてもよいし、有機材料を用いてもよいし、無機材料と有機材料を組み合わせ用いてもよい。
【００３９】
無機材料の具体例としては、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、スズ、クロム、チタン、コバルト等の金属、およびそれらの合金のような金属材料が挙げられる。別の具体例としては、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫、バリウムおよびアンチモンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を有する酸化物、窒化物、硫酸塩、塩酸塩、硝酸塩等が挙げられる。これらの中でも、元来、光または熱に対する安定性が高く、光反射性または光散乱性に優れていることから、金属材料が好ましく、アルミニウムがより好ましい。
【００４０】
有機材料の具体例としては、ポリメチルメタクリレート、アクリル樹脂、アクリル−スチレン共重合体、メラミン樹脂、高屈折率メラミン樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒド樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。
【００４１】
樹脂としては、透光性を有することが好ましい。また、光反射性または光散乱性を有する材料の屈折率と比べて、樹脂の屈折率は低いことが好ましい。このような樹脂の具体例としては、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ナイロン、ポリスチレン、メラミンビーズ、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、ポリメタクリル酸メチル、ＭＢＳ樹脂、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、テトラフルオロエチレン、ポリ三フッ化塩化エチレン、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。
【００４２】
また、元来光反射性または光散乱性を有さない材料であっても、例えばこれらの材料を含む微粒子を樹脂中に分散させた固体状態のものも、機能層３７として含まれる。これらの材料を含む微粒子の表面に凹凸を有していてもよい。別の例としては、光反射性または光散乱性を有さない材料により形成された機能層３７の表面に凹凸が形成されていてもよい。
【００４３】
このとき、微粒子の粒径、または表面の凹凸の平均周期は、１００ｎｍ以上１μｍ以下が好ましい。微粒子の粒径、または凹凸の平均周期が１μｍを超えると、各波長変換部４０で発する光の波長と比べて大きすぎるため、機能層３７で効果的に光散乱させることが難しくなる。一方、微粒子の粒径、または凹凸の平均周期が１００ｎｍ未満であると、各波長変換部４０で発する光の波長と比べて、光散乱させるためには小さすぎるため、光の直進方向にも散乱する。これにより、障壁３３および感光性樹脂層３５の内部にも光が入り込むため、光取出し効率が低下することがある。
【００４４】
［波長変換部］
以下、第１実施形態の波長変換部４０について説明する。
波長変換部４０のうち、赤色光を呈するものを赤色波長変換部４３と称する。赤色波長変換部４３は、開口部４１に、赤色カラーフィルター層５３と、赤色波長変換層６３とがこの順に積層されて構成されている。
波長変換部４０のうち、緑色光を呈するものを緑色波長変換部４５と称する。緑色波長変換部４５は、開口部４１に、緑色カラーフィルター層５５と、緑色波長変換層６５とがこの順に積層されて構成されている。
波長変換部４０のうち、青色光を呈するものを青色波長変換部４７と称する。青色波長変換部４７は、開口部４１に、青色カラーフィルター層５７と、光散乱層６７とがこの順に積層されて構成されている。
【００４５】
赤色カラーフィルター層５３と、緑色カラーフィルター層５５と、青色カラーフィルター層５７と、をまとめてカラーフィルター層５０と称する。
赤色波長変換層６３と、緑色波長変換層６５と、をまとめて波長変換層６０と称する。
【００４６】
（カラーフィルター層）
第１実施形態のカラーフィルター層５０は、ブラックマトリックス層２０における複数の開口部４１に設けられている。すなわち、カラーフィルター層５０は、基材１０と複数の開口部４１が平面的に重なる位置において、一方の面１０ａ上に形成されている。カラーフィルター層５０は、波長変換層６０から射出される光の色純度を向上させる機能を有する。
【００４７】
カラーフィルター層５０の形成材料として、例えばバインダーに顔料を分散させた顔料分散レジストが用いられる。
【００４８】
カラーフィルター層５０に用いられるバインダーとしては、例えば光ラジカル重合型の樹脂または架橋型の樹脂が挙げられ、光ラジカル重合型の樹脂が好ましい。光ラジカル重合型の樹脂としては、例えばアクリル系樹脂とエポキシアクリレート系樹脂との混合物に、光開始剤を配合したものが挙げられる。
【００４９】
カラーフィルター層５０に用いられる顔料としては、例えばペリレン系顔料、イソインドリン系顔料、シアニン系顔料、アゾ系顔料、オキサジン系顔料、フタロシアニン系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノン系顔料、ジケトピロロピロール系顔料などが挙げられる。
【００５０】
（波長変換層）
第１実施形態の波長変換層６０は、カラーフィルター層５０上に設けられている。第１実施形態の波長変換層６０は、波長変換層６０に入射する励起光の特定の波長の光を吸収し、吸収した光の波長とは異なる波長の光を放出する（発する）機能、すなわち、波長変換機能を有する。
【００５１】
波長変換層６０の形状は、光取出し効率を高められる形状であれば、特に限定されない。例えば、図１に示す波長変換層６０の断面の幅は、光を射出する側である基材１０側では、最も小さく、表示装置としたときの光源側では、最も大きく、基材１０から光源側に向かって断面の幅が徐々に大きくなるように構成されている。すなわち、基材１０側で波長変換部４０の開口面積が大きくなっており、光源側で波長変換部４０の開口面積が小さくなっている。
【００５２】
赤色波長変換層６３は、後述する励起光源からの励起光のうち、紫外光、青色光、または緑色光を吸収し、赤色光を発する。
緑色波長変換層６５は、後述する励起光源からの励起光のうち、紫外光、または青色光を吸収し、緑色光を発する。
【００５３】
波長変換層６０は、少なくとも波長変換材料を含んでいる。波長変換層６０は、波長変換材料のみから構成されていてもよいが、波長変換層６０の成膜性の向上や波長変換効率を高める目的から、波長変換材料は、バインダー材料に分散されていることが好ましい。
【００５４】
波長変換材料は、蛍光性物質または燐光性物質のいずれでもよいが、励起光の波長帯域における吸収率が高く、かつ、発光量子収率が高い材料が好ましい。ここで、発光量子収率とは、波長変換層６０が吸収した励起光の光量に対する、波長変換層６０で変換された光の光量の割合を表す値である。また、波長変換材料は、所望の色（赤色、緑色）の光を発する、いわゆる色純度の高い材料であることが好ましい。波長変換材料は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。２種以上の波長変換材料を併用する場合は、その組み合わせおよび比率は任意に設定できる。
【００５５】
波長変換材料は、有機系の波長変換材料または、無機系の波長変換材料から任意に選択することができる。有機系の波長変換材料は、一般的に発光量子収率が高いため好ましく用いられる。一方、無機系の波長変換材料は、耐久性が高いため好ましく用いられる。
【００５６】
有機系の波長変換材料としては、例えば多環芳香族炭化水素（ＰＡＨ）化合物、ポリメチン系化合物、ヘテロ環式芳香族化合物、錯体などの低分子化合物や、これら分子構造を主鎖や側鎖に含む高分子化合物が挙げられる。
【００５７】
ＰＡＨ化合物としては、例えばアントラセン、ルブレン、ペリレン、またはその誘導体が挙げられる。
ポリメチン系化合物としては、例えばシアニンなどの直線型のポリメチンや、ボロンジピロメテン（ＢＯＤＩＰＹ）、ローダミン、フルオロセインなどの環式ポリメチン、またはそれらの誘導体が挙げられる。
ヘテロ環式芳香族化合物としては、化合物クマリン、オキサジアゾール、イミダゾール、またはその誘導体が挙げられる。
錯体としては、ユウロピウム（Ｅｕ）等の希土類元素やイリジウム（Ｉｒ）を中心金属とし、π共役系分子を配位子とした錯体が挙げられる。
【００５８】
これら低分子量の波長変換材料をバインダー材料に分散させることで、波長変換材料の濃度消光を抑制し、波長変換層６０の発光量子収率を高めることができる。また、高分子量の波長変換材料であれば、バインダー材料に分散させなくてもよく、良好な成膜性が得られる。
【００５９】
無機系の波長変換材料としては、例えば発光中心型の蛍光体や量子ドットが挙げられる。
【００６０】
発光中心型の蛍光体としては、例えばβ-サイアロンまたはＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋が挙げられる。また、これらの蛍光体の結晶中にＥｕ２＋やＣｅ３＋などの発光中心となる賦活剤、シリコンやアルミニウムの酸化物、窒化物、酸窒化物、硫化物が含まれていてもよい。
量子ドットとしては、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）などのＩＩ−ＶＩ族、リン化インジウム（ＩｎＰ）などのＩＩＩ−Ｖ族が挙げられる。量子ドットは、低分子蛍光材料と同様に、前記バインダー材料に分散させることで、蛍光材料の濃度消光を抑制することが可能で発光量子収率を高めることができ、さらに変換された光の色純度を高めることができるため好ましい。
【００６１】
赤色波長変換層６３に用いられる有機系の波長変換材料は、波長５９５ｎｍ〜８００ｎｍにピーク発光波長を有することが好ましく、さらに、色純度を良くする観点から、波長６１０ｎｍ〜７５０ｎｍにピーク発光波長を有することが好ましい。このような波長変換材料としては、例えばシアニン系色素、ピリジン系色素、ローダミン系色素、またはオキサジン系色素等が挙げられる。
【００６２】
シアニン系色素の具体例としては、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等が挙げられる。
ピリジン系色素の具体例としては、１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート等が挙げられる。
ローダミン系色素の具体例としては、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１等が挙げられる。
オキサジン系色素の具体例としては、スルホローダミン１０１等が挙げられる。
【００６３】
赤色波長変換層６３に用いられる無機系の波長変換材料の具体例としては、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、ＹＡｌＯ３：Ｅｕ３＋、Ｃａ２Ｙ２（ＳｉＯ４）６：Ｅｕ３＋、ＬｉＹ９（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ３＋、ＹＶＯ４：Ｅｕ３＋、ＣａＳ：Ｅｕ３＋、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ３＋、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ４：Ｅｕ３＋、Ｍｇ４ＧｅＯ５．５Ｆ：Ｍｎ４＋、Ｍｇ４ＧｅＯ６：Ｍｎ４＋、Ｋ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５、Ｎａ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５、Ｋ５Ｅｕ２．５（ＭｏＯ４）６．２５、およびＮａ５Ｅｕ２．５（ＭｏＯ４）６．２５等が挙げられる。
【００６４】
緑色波長変換層６５に用いられる有機系の波長変換材料は、波長４９０ｎｍ〜５９５ｎｍにピーク発光波長を有することが好ましく、さらに、色純度を良くする観点から、波長５００ｎｍ〜５６０ｎｍにピーク発光波長を有することが好ましい。このような波長変換材料としては、例えばクマリン系色素、またはナフタルイミド系色素等が挙げられる。
クマリン系色素の具体例としては、２，３，５，６−１Ｈ、４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）等が挙げられる。
ナフタルイミド系色素の具体例としては、ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等が挙げられる。
【００６５】
緑色波長変換層６５に用いられる無機系の波長変換材料の具体例としては、（ＢａＭｇ）Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋、（ＳｒＢａ）Ａｌ１２Ｓｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、（ＢａＭｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７−Ｓｒ２Ｂ２Ｏ５：Ｅｕ２＋、（ＢａＣａＭｇ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２Ｓｉ３Ｏ８−２ＳｒＣｌ２：Ｅｕ２＋、Ｚｒ２ＳｉＯ４、ＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋、Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、および（ＢａＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋等が挙げられる。
【００６６】
上述の波長変換材料を分散させるバインダー材料としては、波長変換材料の発光特性を低下させることなく、波長変換層６０の成膜性を高められる材料であることが好ましい。バインダー材料は、成膜性を高められる観点から、樹脂であることが好ましく、波長変換材料の発光特性を低下させない観点から、波長変換層６０で変換された光の波長帯域で透過性を有する樹脂であることが好ましい。波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光領域における樹脂の透過率は、８０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。
【００６７】
さらに、バインダー材料は感光性樹脂であることが好ましい。バインダー材料として感光性樹脂を用いることで、フォトリソグラフィー法により高精細な波長変換層を得ることができる。
【００６８】
感光性樹脂としては、ポジ型の感光性樹脂であってもよく、ネガ型の感光性樹脂であってもよい。ネガ型の感光性樹脂は、得られる波長変換層６０の溶解性を著しく低下させることができる。そのため、例えば波長変換層６０の形成後に行われるウェットプロセスなどの工程に対して耐久性の高い波長変換層６０とすることができる。
一方、ポジ型の感光性樹脂は、波長変換層６０となる部分に光が照射されないため、この部分に含まれる波長変換材料の劣化を抑制することができる。
【００６９】
ネガ型の感光性樹脂を含有する感光性材料の例としては、(メタ)アクリレート基等のラジカル重合性基を有するモノマーまたはオリゴマーと、光ラジカル重合開始剤とを含有する材料、環状エーテル等のカチオン重合性基を有するモノマーまたはオリゴマーと、光酸発生剤とを含有する材料、環状エーテル等のアニオン重合性基、塩基との架橋可能な架橋性基を有するモノマーまたはオリゴマーと、光塩基発生剤とを含有する材料、クマリンまたはシンナメート等の光二量化が可能な官能基を有するモノマーおよびオリゴマーを含有する材料が挙げられる。
【００７０】
ポジ型の感光性樹脂を含有する感光性材料の例としては、ノボラック樹脂またはポリイミドなどの高分子材料とジアゾナフトキノン誘導体とを含有する材料、ｔｅｒｔ−ブチル基等で保護されたカルボキシ基や水酸基を有する高分子材料と光酸発生剤とを含有する材料、シクロブタン環またはニトロベンジル基等の光開裂部位を有する高分子材料を含有する材料が挙げられる。
【００７１】
上述の感光性材料は、波長変換材料の発光量子収率や色純度を低下させることなく、高精細化が可能な材料を任意に選択することができる。
【００７２】
波長変換材料の含有量は、バインダー材料１００質量部に対して、０．０１質量部以上１０質量部以下であることが好ましい。波長変換材料の含有量が０．０１質量部以上であると、励起光を十分に吸収することができる。波長変換材料の含有量が１０質量部以下であると、波長変換材料の濃度消光を抑制し、波長変換層６０の波長変換効率を高めることができる。
【００７３】
波長変換層６０の形成材料としては、上述の波長変換材料やバインダー材料の他にも、波長変換層６０の吸収率や発光量子効率を向上させる目的から、エネルギー移動材料が含まれていてもよい。エネルギー移動材料は、励起光を吸収してその励起エネルギーをフェルスター機構により波長変換材料へ移動させ、波長変換材料を励起させやすくする機能を有する。したがって、エネルギー移動材料は、励起光を吸収することができ、エネルギー移動材料の励起状態におけるエネルギー準位が、波長変換材料の励起状態におけるエネルギー準位よりも高い材料であることが好ましい。なお、エネルギー移動材料は、上述の波長変換材料またはバインダー材料を兼ねていてもよい。
【００７４】
波長変換層６０の厚さは、例えば１００ｎｍ以上１００μｍ以下であり、１μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。波長変換層６０の厚さが１００ｎｍ未満であると、励起光の吸収率が低下する。また、波長変換層６０の厚さが１００μｍを超えると、波長変換層６０の材料が必要以上に多くなるので、コストが高くなる。
【００７５】
波長変換層６０の厚さが１００ｎｍ以上であると、波長変換層６０から射出された光と、波長変換層６０を透過した励起光との混色を、低減することができる。これにより、波長変換層６０から射出された光の色純度を維持することができる。
【００７６】
一方、波長変換層６０の厚さが１００μｍ以下であると、波長変換層６０は、励起光を十分に吸収することができる。波長変換層６０の厚さが３０μｍ以下であると、波長変換層６０は、励起光をより多く吸収することができるので好ましい。これにより、波長変換基板１００における波長変換効率を向上させることができる。
【００７７】
（光散乱層）
本実施形態においては、青色カラーフィルター層５７を通過した励起光を散乱させて視野角を改善する目的で、光散乱層６７が設けられている。光散乱層６７に要求される特性としては、励起光を広視野角に拡散させて波長変換基板１００の外部に出射させることができる高い光散乱性が挙げられる。また、光散乱層６７の別の特性としては、光取出し効率を高くする観点から、励起光に対する高い光透過性が挙げられる。
なお、青色波長変換部４７に、光散乱層６７が設けられていない場合には、青色波長変換層が設けられていてもよい。
【００７８】
光散乱層６７の形成材料としては、上述の要求特性を有する材料であれば特に制限されないが、例えば光透過性のバインダー樹脂に光透過性の光散乱粒子を分散させた材料が挙げられる。
【００７９】
光透過性のバインダー樹脂としては、例えば、アクリレート系置換基、メタクリレート系置換基等の反応性ビニル基を有する光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂を使用することができる。光硬化型透明樹脂、または熱硬化型透明樹脂としては、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。
【００８０】
光散乱粒子としては、無機材料であってもよく、有機材料であってもよく、無機材料と有機材料の組み合わせであってもよい。
【００８１】
無機材料として、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫、およびアンチモンからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物を主成分とした粒子（微粒子）等を用いることができる。具体的には、シリカビーズ、アルミナビーズ、酸化チタンビーズ、酸化ジルコニアビーズ、酸化亜鉛ビーズ、チタン酸バリウムビーズ等が挙げられる。
【００８２】
有機材料として、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ、アクリルビーズ、アクリル−スチレン共重合体、メラミン、高屈折率メラミン、ポリカーボネート、スチレン、架橋ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒド、シリコーン等を主成分とした粒子（微粒子）等が挙げられる。
【００８３】
光散乱層６７中の光散乱粒子の含有量は、特に限定されず、所望の視野角等に応じて適宜調節される。
【００８４】
光散乱層６７によって効果的に励起光を散乱させるためには、上述のバインダー樹脂中にバインダー樹脂よりも屈折率の高い光散乱粒子を分散させた材料で光散乱層６７が形成されていることが好ましい。また、光散乱強度は一般的に光散乱粒子の粒径が励起光の波長の１／２程度のときに最も大きくなるので、光散乱粒子の粒径としては数百ｎｍであることが好ましい。
【００８５】
本実施形態において、光散乱粒子は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて併用してもよい。例えば、２種の光散乱粒子を用いる場合には、一方の光散乱粒子と、一方の光散乱粒子よりも粒径が小さく、屈折率の大きい他方の散乱粒子と、を用いることで、励起光をより効果的に光散乱させることができる。
【００８６】
［その他部材］
第１実施形態の波長変換基板１００において、波長変換層６０上に封止膜を有してもよい（図示なし）。波長変換基板１００が封止膜を有している場合、波長変換層６０に対する酸素や水分等の混入を、低減することができる。これにより、波長変換層６０の劣化を低減することができる。さらに、波長変換基板１００を表示装置に適用したとき、波長変換層６０に含まれる酸素や水分が表示装置を構成する各部材に到達し、各部材が劣化するのを抑制することができる。
【００８７】
上述の封止膜が波長変換層６０に備えられている場合には、封止膜上にさらに平坦化膜を有してもよい（図示なし）。波長変換基板１００が平坦化膜を有している場合、波長変換基板１００を表示装置に適用した際の空隙を低減し、密着性を向上することができる。
【００８８】
平坦化膜の形成材料として、従来公知の材料を用いられ、無機材料であってもよく、有機材料であってもよい。
無機材料の具体例としては、酸化シリコン、酸化タンタル等の酸化物や、窒化シリコン等の窒化物が挙げられる。
有機材料として、例えば光散乱層６７のバインダー樹脂と同様の樹脂を使用することができる。平坦化膜は、単層構造であってもよく、異なる材質の層が複数積層された複層構造であってもよい。
【００８９】
［波長変換基板の製造方法］
以下、図面を参照しながら、第１実施形態に係る波長変換基板の製造方法について説明する。なお、図面において、図１に示した構成要素と同じ構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
【００９０】
図２は、第１実施形態における波長変換基板１００の製造方法を示すフローチャートである。図２に示すように、波長変換基板１００の製造方法は、ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１と、仕切り部３０の形成工程Ｓ２と、カラーフィルター層５０の形成工程Ｓ３と、波長変換層６０の形成工程Ｓ４と、光散乱層６７の形成工程Ｓ５と、を含む。なお、波長変換層６０の形成工程Ｓ４および光散乱層６７の形成工程Ｓ５は、この順でなくてよく、波長変換層６０の形成工程Ｓ４の前に、光散乱層６７の形成工程Ｓ５を行ってもよい。
【００９１】
［ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１］
ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１では、基材１０の一方の面１０ａにブラックマトリックス層２０を形成する。ブラックマトリックス層２０の形成は、フォトリソグラフィー法により行うことができる。
【００９２】
まず、基材１０の一方の面１０ａに、顔料を含む感光性材料を塗工する。感光性材料の塗工は、例えば、スピンコート法等の塗布法により行うことができる。また、塗工前に必要に応じて、基材１０の一方の面１０ａを洗浄してもよい。基材１０の洗浄は、例えば水、有機溶媒、紫外線オゾン等を用いて行うことができる。
【００９３】
次に、得られた塗膜を、格子状の遮光部を有するフォトマスクを介して、基材１０の一方の面１０ａ側から露光する。例えば、ネガ型の感光性材料を用いる場合には、フォトマスクにおける格子状の遮光部と、塗膜とが平面的に重ならない部分を硬化させる。
【００９４】
次に、露光後の塗膜を現像して、未硬化の塗膜を除去する。具体的には、塗膜の硬化した部分が格子状の遮光部３１となり、未硬化の塗膜が除去された部分が開口部４１となる。このようにして、ブラックマトリックス層２０が得られる。
【００９５】
塗膜の現像は、例えば、公知のアルカリ性現像液を用いて行うことができる。アルカリ性現像液の具体例としては、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、アンモニア、苛性ソーダー、苛性カリ、メタ珪酸ソーダー、メタ珪酸カリ、炭酸ソーダー、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの水性液が挙げられる。
【００９６】
現像後に必要に応じて、例えば水、アルカリ水溶液等を用いて、得られたブラックマトリックス層２０を洗浄してもよい。
【００９７】
また、ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１では、必要に応じてプリベーク、ポストベーク等の熱処理を行ってもよい。
【００９８】
［仕切り部３０の形成工程Ｓ２］
図３は、第１実施形態に係る仕切り部３０の形成工程Ｓ２を示すフローチャートである。図４〜図８は仕切り部３０の形成工程Ｓ２の各工程における工程図である。図３に示すように、仕切り部３０の形成工程Ｓ２は、第１樹脂層３３０の形成工程Ｓ２１と、第１露光現像工程Ｓ２２と、第１膜３５０の形成工程Ｓ２３と、第２膜３７０の形成工程Ｓ２４、第２露光現像工程Ｓ２５と、を含む。仕切り部３０を構成する各層の形成は、ブラックマトリックス層２０と同様に、フォトリソグラフィー法により行うことができる。
【００９９】
（第１樹脂層３３０の形成工程Ｓ２１）
図４は、第１実施形態に係る第１樹脂層３３０の形成工程Ｓ２１を示す工程図である。図４に示すように、第１樹脂層３３０の形成工程Ｓ２１では、基材１０の一方の面１０ａにおいて、ブラックマトリックス層２０を覆って、第１樹脂層３３０を形成する。ここで、第１樹脂層３３０とは、後の第１露光現像工程Ｓ２２において、障壁３３となる部材を指す。
【０１００】
具体的には、基材１０の一方の面１０ａに、ポジ型の感光性材料（ポジ型の感光性樹脂）を塗工する。ポジ型の感光性材料の塗工は、ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１と同様の塗布法で行うことができる。このようにして、ポジ型の感光性材料を形成材料とする、第１樹脂層３３０が得られる。
【０１０１】
なお、第１樹脂層３３０の形成工程Ｓ２１では、必要に応じてプリベーク等の熱処理を行ってもよい。
【０１０２】
（第１露光現像工程Ｓ２２）
図５は、第１実施形態に係る第１露光現像工程Ｓ２２を示す工程図である。図５に示すように、第１露光現像工程Ｓ２２では、ブラックマトリックス層２０における格子状の遮光部３１上に、障壁３３を形成する。
【０１０３】
まず、図４に示す基材１０の他方の面１０ｂ側から第１樹脂層３３０を露光し、開口部４１上に形成された第１樹脂層３３０を感光させる。
【０１０４】
次に、露光後の第１樹脂層３３０を現像して、感光した第１樹脂層３３０を除去する。第１樹脂層３３０の現像は、ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１と同様の現像液を用いて行うことができる。このようにして、障壁３３が得られる。
【０１０５】
現像後に必要に応じて、例えば水、アルカリ水溶液等を用いて、得られた障壁３３を洗浄してもよい。
【０１０６】
なお、第１露光現像工程Ｓ２２では、必要に応じてポストベーク等の熱処理を行ってもよい。
【０１０７】
第１露光現像工程Ｓ２２によれば、自己整合を利用したフォトリソグラフィー法を用いて、障壁３３を形成するので、遮光部３１と障壁３３との間の位置ずれを低減することができる。図５に示すような、遮光部３１および障壁３３を有する波長変換基板であっても、表示装置に適用することができる。また、第１露光現像工程Ｓ２２では、そもそもフォトマスクを利用していないため、フォトマスクの位置合わせをする必要がなく、効率的である。
【０１０８】
（第１膜３５０の形成工程Ｓ２３）
図６は、第１実施形態に係る第１膜３５０の形成工程Ｓ２３を示す工程図である。図６に示すように、第１膜３５０の形成工程Ｓ２３では、障壁３３が形成された基材１０の表面に沿って、第１膜３５０を形成する。ここで、第１膜３５０とは、後の第２露光現像工程Ｓ２５において、感光性樹脂層３５となる部材を指す。
【０１０９】
具体的には、障壁３３が形成された基材１０の表面に、ポジ型の感光性材料（ポジ型の感光性樹脂）を塗工する。ポジ型の感光性材料の塗工は、第１膜３５０を好適に薄く形成することができることから、例えばスピンコート法またはスプレーコート法が好ましい。このようにして、ポジ型の感光性材料を形成材料とする、第１膜３５０が得られる。
【０１１０】
なお、第１膜３５０の形成工程Ｓ２３では、必要に応じてプリベーク等の熱処理を行ってもよい。
【０１１１】
（第２膜３７０の形成工程Ｓ２４）
図７は、第１実施形態に係る第２膜３７０の形成工程Ｓ２４を示す工程図である。図７に示すように、第２膜３７０の形成工程Ｓ２４では、第１膜３５０の表面３５０ａに沿って第２膜３７０を形成する。ここで、第２膜３７０とは、後の第２露光現像工程Ｓ２５において、機能層３７となる部材を指す。
【０１１２】
第２膜の形成は、熱蒸着法、メッキ法、スパッタリング法等の公知の蒸着法により行うことができる。これらの蒸着法のなかでも、低コストかつ簡便であることから、熱蒸着法が好ましい。
【０１１３】
（第２露光現像工程Ｓ２５）
図８は、第１実施形態に係る第２露光現像工程Ｓ２５を示す工程図である。図８に示すように、第２露光現像工程Ｓ２５では、障壁３３の表面に設けられた感光性樹脂層３５と、感光性樹脂層３５の表面に設けられた機能層３７と、を形成する。
【０１１４】
まず、図７に示す基材１０の他方の面１０ｂ側から第１膜３５０を露光し、開口部４１上に形成された第１膜３５０を感光させる。
【０１１５】
次に、露光後の第１膜３５０を現像して、感光した第１膜３５０を除去する。このとき、現像液は第２膜３７０に存在する微小な隙間を滲入し、第１膜３５０に到達する。これにより、感光した第１膜３５０が現像されると同時に、感光した第１膜３５０上に形成された第２膜３７０も除去することができる。一方、遮光部３１によって光が遮られ、感光していない第１膜３５０は、その第１膜３５０上の第２膜３７０とともに、基材１０上に残存する。第１膜３５０の現像は、第１露光現像工程Ｓ２２と同様の現像液を用いて行うことができる。このようにして、感光性樹脂層３５および機能層３７が得られる。
【０１１６】
現像後に必要に応じて、例えば水、アルカリ水溶液等を用いて、得られた感光性樹脂層３５および機能層３７を洗浄してもよい。
【０１１７】
［カラーフィルター層５０の形成工程Ｓ３］
図２に戻って、カラーフィルター層５０の形成工程Ｓ３では、開口部４１上にカラーフィルター層５０を形成する。カラーフィルター層５０の形成は、例えば、染色法、フォトリソグラフィー法、印刷法、電着法などにより行うことができる。これらの方法のなかでも、高精細のカラーフィルター層５０が得られることから、フォトリソグラフィー法が好ましい。以下では、フォトリソグラフィー法によるカラーフィルター層５０の形成について説明するが、本実施形態はこれに限定されない。
【０１１８】
カラーフィルター層５０の形成工程Ｓ３では、例えば赤色カラーフィルター層５３、緑色カラーフィルター層５５、青色カラーフィルター層５７を、この順に形成する。なお、赤色カラーフィルター層５３、緑色カラーフィルター層５５、青色カラーフィルター層５７の形成順はこの限りではない。
【０１１９】
まず、仕切り部３０が形成された基材１０の表面に、赤色顔料を含むネガ型の感光性材料を塗工する。赤色顔料を含むネガ型の感光性材料の塗工は、ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１と同様の塗布法で行うことができる。
【０１２０】
次に、赤色波長変換部４３を形成する開口部４１上の塗膜を、フォトマスクを介して、露光し、硬化させる。
【０１２１】
次に、露光後の塗膜を現像して、未硬化の塗膜を除去する。塗膜の現像は、ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１と同様の現像液を用いて行うことができる。このようにして、赤色カラーフィルター層５３が得られる。
【０１２２】
現像後に必要に応じて、例えば水、アルカリ水溶液等を用いて、得られた赤色カラーフィルター層５３を洗浄してもよい。
【０１２３】
緑色カラーフィルター層５５、青色カラーフィルター層５７は、赤色顔料の代わりに緑色顔料、青色顔料を用いること以外は、赤色カラーフィルター層５３と同様の方法で形成することができる。
【０１２４】
また、カラーフィルター層５０の形成工程Ｓ３では、必要に応じてプリベーク、ポストベーク等の熱処理を行ってもよい。
【０１２５】
［波長変換層６０の形成工程Ｓ４］
波長変換層６０の形成工程Ｓ４では、得られたカラーフィルター層５０上に波長変換層６０を形成する。波長変換層６０の形成は、例えば、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、インクジェット法などの印刷法や、レーザー熱転写法等により行うことができる。これらの方法のなかでも、効率的、かつ、精度よく波長変換層６０を形成できることから、フォトリソグラフィー法が好ましく、自己整合を利用したフォトリソグラフィー法がより好ましい。以下では、フォトリソグラフィー法による波長変換層６０の形成について説明するが、本実施形態はこれに限定されない。
【０１２６】
波長変換層６０の形成工程Ｓ４では、例えば赤色波長変換層６３、緑色波長変換層６５を、この順に形成する。なお、赤色波長変換層６３、緑色波長変換層６５の形成順はこの限りではない。
【０１２７】
まず、カラーフィルター層が形成された基材１０の表面を覆って、所定の波長変換材料を含む感光性材料を塗工する。ここで、所定の波長変換材料とは、後述する励起光源からの励起光を赤色光に変換する材料を指す。感光性材料の塗工は、スピンコート法または蒸着法などにより行うことができる。
【０１２８】
次に、赤色カラーフィルター層５３以外に形成された塗膜を、フォトマスクを介して、露光し、感光させる。
【０１２９】
次に、露光後の塗膜を現像して、感光した塗膜を除去する。塗膜の現像は、ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１と同様の現像液を用いて行うことができる。このようにして、赤色波長変換層６３が得られる。
【０１３０】
現像後に必要に応じて、例えば水、アルカリ水溶液等を用いて、得られた赤色波長変換層６３を洗浄してもよい。
【０１３１】
なお、赤色カラーフィルター層５３以外に形成された不要な領域は、現像の代わりにエッチングにより除去してもよい。
【０１３２】
また、上述した以外の方法としては、例えば赤色カラーフィルター層５３以外に形成された不要な領域に光照射し、波長変換材料を退色させる方法が挙げられる。この方法によれば、バインダー材料の選択肢が広く、例えば成膜性の高いバインダー材料を選択することができる。
【０１３３】
緑色波長変換層６５は、励起光を緑色光に変換する波長変換材料を用いること以外は、赤色波長変換層６３と同様の方法で形成することができる。
【０１３４】
［光散乱層６７の形成工程Ｓ５］
光散乱層６７の形成工程Ｓ５では、得られた青色カラーフィルター層５７上に光散乱層６７を形成する。光散乱層６７の形成は、例えば、フォトリソグラフィー法により行うことができる。具体的には、光散乱層６７は、波長変換材料の代わりに、例えば酸化チタン微粒子等を用いること以外は、赤色波長変換層６３と同様の方法で形成することができる。
【０１３５】
以上のようにして、第１実施形態の波長変換基板１００が得られる。
【０１３６】
［表示装置］
以下、第１実施形態の表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、「有機ＥＬ表示装置」と言う。）を例に挙げて説明するが、本実施形態はこれに限定されない。図９は、第１実施形態に係る表示装置１０００の配置例を示す概略断面図である。
【０１３７】
第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１０００は、上述の波長変換基板１００と、基材１０の一方の面１０ａ側に設けられた有機ＥＬ素子基板５００と、を備えている。
なお、図９では、波長変換基板１００における波長変換の様子を分かり易く説明するために、有機ＥＬ素子基板５００と波長変換基板１００を離して図示している。
【０１３８】
有機ＥＬ素子基板５００は、基板５０１と、薄膜トランジスタ５０２と、層間絶縁層５０３と、陽極５０５と、有機ＥＬ層５０６と、陰極５０７とを有する有機ＥＬ素子を備えている。
【０１３９】
基板５０１の一方の面５０１ａに、薄膜トランジスタ５０２が設けられ、薄膜トランジスタ５０２上に層間絶縁層５０３が設けられている。薄膜トランジスタ５０２は、ドレイン電極５０２ａ、ソース電極５０２ｂ、半導体層５０２ｃ、ゲート電極５０２ｄおよびゲート絶縁層５０２ｅを備えている。
【０１４０】
層間絶縁層５０３には、ドレイン電極５０２ａ上の部位にコンタクトホール５０４が設けられている。また、層間絶縁層５０３上に設けられた陽極５０５が、コンタクトホール５０４を介して、ドレイン電極５０２ａと電気的に接続されている。
【０１４１】
陽極５０５上には、有機ＥＬ層５０６が設けられ、有機ＥＬ層５０６上に陰極５０７が設けられている。
【０１４２】
なお、図９では紙面の都合上、１個の波長変換部４０に対して１個の薄膜トランジスタ５０２を図示しているが、有機ＥＬ層５０６を安定的および効率的に駆動するためには、１個の波長変換部４０に対して複数個の薄膜トランジスタ５０２を備えていてもよい。
【０１４３】
基板５０１の形成材料として、例えばガラス、石英等の無機材料が用いられる。
基板５０１の厚さは、１００μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。
【０１４４】
半導体層５０２ｃの形成材料としては、例えばアモルファスシリコン、多結晶シリコン、有機半導体、無機酸化物等が挙げられる。
有機半導体の具体例としては、ペンタセン、ポリチオフェン、フラーレンＣ６０等が挙げられる。
無機酸化物の具体例としては、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物等が挙げられる。
【０１４５】
半導体層５０２ｃの厚さは、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１４６】
ドレイン電極５０２ａ、ソース電極５０２ｂおよびの形成材料の具体例としては、半導体層５０２ｃの形成材料にリン等の不純物元素をドーピングしたものが挙げられる。また、別の例としては、金、銀、銅、またはアルミニウム等の金属が挙げられる。ソース電極５０２ｂ、およびドレイン電極５０２ａの形成材料は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【０１４７】
ドレイン電極５０２ａ、およびソース電極５０２ｂの厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。ドレイン電極５０２ａ、およびソース電極５０２ｂの厚さは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【０１４８】
ゲート電極５０２ｄの形成材料としては、例えば金属、または有機化合物等が挙げられる。
金属の具体例としては、金、白金、銀、銅、アルミニウム、タンタル、またはドープシリコン等が挙げられる。
有機化合物の具体例としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、またはポリスチレンサルフォネイト（ＰＳＳ）等が挙げられる。
【０１４９】
ゲート電極５０２ｄの厚さは、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１５０】
ゲート絶縁層５０２ｅの形成材料としては、無機化合物であってもよいし、有機化合物であってもよい。
無機化合物の具体例としては、窒化シリコン、または酸化シリコン等が挙げられる。
有機化合物の具体例としては、シクロテン、サイトップ、またはパリレン等が挙げられる。
【０１５１】
ゲート絶縁層５０２ｅの厚さは、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１５２】
層間絶縁層５０３の形成材料としては、無機化合物であってもよいし、有機化合物であってもよい。
無機化合物の具体例としては、窒化シリコン、または酸化シリコン等が挙げられる。
有機化合物の具体例としては、シクロテン、サイトップ、またはパリレン等が挙げられる。
【０１５３】
層間絶縁層５０３の厚さは、１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１５４】
陽極５０５は、透明電極５０５Ａと反射電極５０５Ｂとを積層させて構成されている。反射電極５０５Ｂは、透明電極５０５Ａよりも基板５０１の一方の面５０１ａ側に設けられる。
透明電極５０５Ａの形成材料としては、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）等が挙げられる。反射電極５０５Ｂの形成材料としては、銀やアルミニウム等が挙げられる。
【０１５５】
透明電極５０５Ａの厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。反射電極５０５Ｂの厚さは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１５６】
有機ＥＬ層５０６は、ホール注入層、ホール輸送層、青色発光層、ホールブロック層、電子輸送層、電子注入層等を積層させて構成されている。有機ＥＬ層５０６を構成する各層は、必要に応じて、適宜選択される。
【０１５７】
有機ＥＬ層５０６を構成する各層の厚さは、０．５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１５８】
陰極５０７の形成材料としては、例えば単体金属または合金などが挙げられる。
単体金属の具体例としては、銀、アルミニウム等が挙げられる。
合金の具体例としては、マグネシウム銀、アルミニウムリチウム等が挙げられる。
陰極５０７は、単層構造であってもよく、異なる組成の層が複数積層された複層構造であってもよい。
【０１５９】
陰極５０７の厚さは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１６０】
有機ＥＬ表示装置１０００では、有機ＥＬ素子基板５００から射出された励起光（青色光）Ｌ１が波長変換基板１００に入射する。励起光Ｌ１の一部は、赤色波長変換層６３によって赤色光Ｌ１１に変換される。同様に、励起光Ｌ１の一部は、緑色波長変換層６５によって緑色光Ｌ１２に変換される。励起光Ｌ１の残りは、光散乱層６７を透過する。赤色光Ｌ１１、緑色光Ｌ１２、および光散乱層６７を透過した青色光Ｌ１３は、波長変換基板１００の基材１０側から射出される。
【０１６１】
以上、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置として、基材１０の一方の面１０ａ側に有機ＥＬ素子基板５００が設けられている例を示したが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、基材１０の他方の面１０ｂ側に有機ＥＬ素子基板５００が設けられていてもよい。
【０１６２】
＜第２実施形態＞
［波長変換基板の製造方法］
図１０は、第２実施形態に係る第２膜３７１の形成工程Ｓ２４を示す工程図である。図１０に示すように、第２膜３７１の形成工程Ｓ２４において、開口部４１に形成された第１膜３５０の一部を覆うフォトマスク２００を介して、第２膜３７１を形成してもよい。第２膜３７１の形成は、第２膜３７０の形成と同様の蒸着法により、行うことができる。
【０１６３】
この方法によれば、フォトマスク２００と、第１膜３５０とが平面的に重なる部分には、第２膜３７１が形成されず、第１膜３５０が露出した状態となる。つまり、第２膜３７１は、第１膜３５０の表面３５０ａに不連続に形成された不連続部分３７１ａが形成される。これにより、後の第２露光現像工程Ｓ２５において、現像液が不連続部分３７１ａから第１膜３５０に入り込みやすくなり、効率的に現像することができる。
【０１６４】
なお、不連続部分３７１ａは、開口部４１のいずれかの位置に形成されればよいため、フォトマスク２００の位置合わせは、高い精度を必要とせず、効率よく作製できる。
【０１６５】
以上のような方法の波長変換基板の製造方法によれば、自己整合を利用したフォトリソグラフィー法を用いて、仕切り部を形成するので、仕切り部３０を構成する各層の位置ずれを低減することができる。そのため、波長変換基板を効率的、かつ高精度で製造することができる。また、得られる波長変換基板は、高精細、かつ光取出し効率に優れた構成とすることができる。
【０１６６】
以上のような構成の波長変換基板によれば、高精細、かつ光取出し効率に優れた波長変換基板が得られる。
【０１６７】
以上のような構成の表示装置によれば、上述の波長変換基板を備えているので、高精細、かつ明るさに優れた表示装置が得られる。
【０１６８】
＜第３実施形態＞
［波長変換基板の製造方法］
以下、図面を参照しながら、第３実施形態における波長変換基板の製造方法について説明する。第２実施形態における波長変換基板の製造方法においては、仕切り部３０の形成工程が第１実施形態と異なる。そのため、波長変換基板の製造方法全体の説明は省略し、仕切り部３０の形成工程についてのみ説明する。
【０１６９】
［仕切り部３０の形成工程Ｓ１２０］
図１１は、第３実施形態に係る仕切り部３０の形成工程Ｓ１２０を示すフローチャートである。図１２〜図１４は、仕切り部３０の形成工程Ｓ１２０の主要の工程を示す工程図である。
なお、図１２〜図１４において、図１に示した構成要素と同じ構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
【０１７０】
図１１に示すように、第３実施形態における仕切り部３０の形成工程Ｓ１２０は、第１実施形態と同様の工程を備える。さらに、第３実施形態では、第１膜３５０の形成工程Ｓ２３と、第２膜３７２の形成工程Ｓ２４との間において、第３露光現像工程Ｓ１２１を含む。
【０１７１】
（第３露光現像工程Ｓ１２１）
図１２は、第３実施形態に係る第３露光現像工程Ｓ１２１における露光を示す工程図である。図１３は、第３実施形態に係る第３露光現像工程Ｓ１２１の現像後を示す工程図である。第３露光現像工程Ｓ１２１では、開口部４１に、第１膜３５０の厚さが異なる部分を形成する。
【０１７２】
まず、図１２に示すように、開口部４１に形成された第１膜３５０の一部を、フォトマスク２０１を用いて、基材１０の一方の面１０ａ側から露光する。
【０１７３】
次に、露光後の第１膜３５０を現像する。このとき、図１３に示すように、感光した第１膜３５０における厚さ方向の一部のみを除去する。これにより、第１膜３５０に凹部３５０ｂを形成する。第３露光現像工程Ｓ１２１は、後の第２露光現像工程Ｓ２５よりも、現像力が低い現像液を用いて行われる。また、別の方法としては、第３露光現像工程Ｓ１２１は、後の第２露光現像工程Ｓ２５よりも、現像時間を短くして行われる。例えば、第２露光現像工程Ｓ２５で用いられる現像液よりも濃度が低い現像液を用いて、第３露光現像工程Ｓ１２１を行うことができる。
【０１７４】
なお、凹部３５０ｂは、開口部４１のいずれかの位置に形成されればよいため、フォトマスク２０１の位置合わせは、高い精度を必要としない。
【０１７５】
（第２膜３７２の形成工程Ｓ２４）
図１４は、第３実施形態に係る第２膜３７２の形成工程Ｓ２４を示す工程図である。図１４に示すように、第２膜３７２の形成工程Ｓ２４では、第１膜３５０の表面３５０ａに沿って第２膜３７２を形成する。第２膜３７２の形成は、第２膜３７０と同様の蒸着法により、行うことができる。このとき、第１膜３５０の凹部３５０ｂには、第２膜３７２は形成されず、第１膜３５０が露出した状態となる。これにより、後の第２露光現像工程Ｓ２５において、現像液が第１膜３５０に入り込みやすくなり、効率的に現像することができる。
【０１７６】
第３実施形態における波長変換基板の製造方法においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【０１７７】
＜第４実施形態＞
［波長変換基板の製造方法］
以下、図面を参照しながら、第４実施形態における波長変換基板の製造方法について説明する。第４実施形態における波長変換基板の製造方法においては、仕切り部３０の形成工程が第１実施形態と異なる。そのため、波長変換基板の製造方法全体の説明は省略し、仕切り部３０の形成工程についてのみ説明する。
【０１７８】
［仕切り部３０の形成工程Ｓ２２０］
図１５は、第４実施形態に係る仕切り部３０の形成工程Ｓ２２０を示すフローチャートである。図１６〜図１９は、仕切り部３０の形成工程Ｓ２２０の主要の工程を示す工程図である。
なお、図１６〜図１９において、図１に示した構成要素と同じ構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
【０１７９】
第４実施形態における仕切り部３０の形成工程Ｓ２２０は、第１実施形態と同様の工程を備える。第４実施形態では、第１実施形態における第２膜３７０の形成工程Ｓ２４において、影部形成部材７１の形成工程Ｓ２２１と、第２膜３７３の形成工程Ｓ２２２と、を備える。
【０１８０】
（影部形成部材７１の形成工程Ｓ２２１）
影部形成部材７１の形成工程Ｓ２２１では、開口部４１に影部形成部材７１を形成する。影部形成部材７１の形成は、転写法、フォトリソグラフィー法により行うことができる。以下では、フォトリソグラフィー法による影部形成部材７１の形成について説明するが、本実施形態はこれに限定されない。
【０１８１】
まず、基材１０の一方の面１０ａにおいて、ブラックマトリックス層２０、障壁３３および第１膜３５０を覆って、第２樹脂層７１０を形成する。図１６は、第４実施形態に係る第２樹脂層７１０の塗工を示す工程図である。ここで、第２樹脂層７１０とは、後の工程において、影部形成部材７１となる部材を指す。
【０１８２】
具体的には、図１６に示すように、基材１０の一方の面１０ａに、ネガ型の感光性材料を塗工する。ネガ型の感光性材料は、既に形成された第１膜３５０を溶解し、混じり合う可能性が低い材料を選択する。ネガ型の感光性材料の塗工は、ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１と同様の塗布法で行うことができる。このようにして、ネガ型の感光性材料を形成材料とする、第２樹脂層７１０が得られる。
【０１８３】
次に、開口部４１に形成された第２樹脂層７１０の一部を、フォトマスク２０２を用いて、基材１０の一方の面１０ａ側から露光し、硬化させる。図１７は、第４実施形態に係る第２樹脂層７１０の露光を示す工程図である。
【０１８４】
次に、露光後の第２樹脂層７１０を現像して、未硬化の第２樹脂層７１０を除去する。図１８は、第４実施形態に係る露光した第２樹脂層７１０の現像後を示す工程図である。このようにして、影部形成部材７１が得られる。なお、影部形成部材７１は、開口部４１のいずれかの位置に形成されればよいため、フォトマスク２０２の位置合わせは、高い精度を必要とせず、効率よく作製できる。
【０１８５】
第２樹脂層７１０の現像は、例えば、有機溶剤を用いた溶解除去により行うことができる。有機溶剤の具体例としては、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートまたはシクロヘキサノン等が挙げられる。
【０１８６】
現像後に必要に応じて、例えばアルコールなどの有機溶媒等を用いて、得られた影部形成部材７１を洗浄してもよい。
【０１８７】
影部形成部材７１は、影部形成部材７１の側面７１ａと、前記第１膜３５０の表面３５０ａとのなす角θが鋭角または直角となる部分を有している。また、影部形成部材７１は、格子状の遮光部３１と平面的に重ならないように形成されている。
【０１８８】
なお、第２樹脂層７１０の露光時に、露光源からの光が基材１０に対して斜めに照射されてもよい。このとき、得られる影部形成部材７１は、基材１０の法線に対して左右非対称となり、基材１０に対して傾いている。
【０１８９】
また、影部形成部材７１の形成工程Ｓ２２１では、必要に応じてプリベーク、ポストベーク等の熱処理を行ってもよい。
【０１９０】
（第２膜３７３の形成工程Ｓ２２２）
図１９は、第４実施形態に係る第２膜３７３の形成工程Ｓ２２２を示す工程図である。図１９に示すように、第２膜３７３の形成工程Ｓ２２２では、影部形成部材７１を形成した基材１０の一方の面１０ａに第２膜３７３を形成する。第２膜３７３の形成は、第２膜３７０の形成と同様の蒸着法により、行うことができる。
【０１９１】
この方法によれば、影部形成部材７１と、第１膜３５０とが平面的に重なる部分には、第２膜３７３が形成されず、第１膜３５０が露出した状態となる。つまり、第２膜３７３は、第１膜３５０の表面３５０ａに不連続に形成された不連続部分３７３ａが形成される。これにより、後の第２露光現像工程Ｓ２５において、現像液が不連続部分３７３ａから第１膜３５０に入り込みやすくなり、効率的に現像することができる。
【０１９２】
第４実施形態における波長変換基板の製造方法においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【０１９３】
＜第５実施形態＞
［波長変換基板の製造方法］
以下、図面を参照しながら、第５実施形態における波長変換基板の製造方法について説明する。第５実施形態における波長変換基板の製造方法においては、仕切り部３０の形成工程が第１実施形態と異なる。そのため、波長変換基板の製造方法全体の説明は省略し、仕切り部３０の形成工程についてのみ説明する。
【０１９４】
図２０は、第５実施形態に係る仕切り部３０の形成工程Ｓ３２０を示すフローチャートである。図２１〜図２７は、仕切り部３０の形成工程Ｓ３２０の主要の工程を示す工程図である。
なお、図２１〜図２７において、図１に示した構成要素と同じ構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
【０１９５】
第５実施形態における仕切り部３０の形成工程Ｓ３２０は、第１実施形態と同様に、第１樹脂層３３０の形成工程Ｓ２１と、第１露光現像工程Ｓ２２と、を備える。第５実施形態では、第１露光現像工程Ｓ２２後に、第３膜３５１の形成工程Ｓ３２１と、第４露光現像工程Ｓ３２２と、第２膜３７４の形成工程Ｓ３２３と、第４膜３９０の形成工程Ｓ３２４と、第５露光現像工程Ｓ３２５と、機能層３７の形成工程Ｓ３２６と、を備える。
【０１９６】
（第３膜３５１の形成工程Ｓ３２１）
図２１は、第５実施形態に係る第３膜３５１の形成工程Ｓ３２１を示す工程図である。図２１に示すように、第３膜３５１の形成工程Ｓ３２１では、障壁３３が形成された基材１０の表面に沿って、第３膜３５１を形成する。ここで、第３膜３５１とは、後の第４露光現像工程Ｓ３２２において、感光性樹脂層３５となる部材を指す。
【０１９７】
具体的には、障壁３３が形成された基材１０の表面に、ネガ型の感光性材料（ネガ型の感光性樹脂）を塗工する。ネガ型の感光性材料の塗工は、ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１と同様の塗布法で行うことができる。このようにして、ネガ型の感光性材料を形成材料とする、第３膜３５１が得られる。
【０１９８】
なお、第３膜３５１の形成工程Ｓ３２１では、必要に応じてプリベーク等の熱処理を行ってもよい。
【０１９９】
（第４露光現像工程Ｓ３２２）
第４露光現像工程Ｓ３２２では、障壁３３の表面に設けられた感光性樹脂層３５を形成する。
【０２００】
図２２は、第５実施形態に係る第４露光現像工程Ｓ３２２における露光を示す工程図である。図２２に示すように、まず、障壁３３の表面に形成された第３膜３５１を、フォトマスク２０３を介して、基材１０の一方の面１０ａ側から露光し、硬化させる。
【０２０１】
次に、露光後の第３膜３５１を現像して、未硬化の第３膜３５１を除去する。図２３は、第５実施形態に係る第４露光現像工程Ｓ３２２における現像後を示す工程図である。このようにして、感光性樹脂層３５が得られる。
【０２０２】
第３膜３５１の現像は、ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１と同様の現像液を用いて行うことができる。
【０２０３】
現像後に必要に応じて、例えば水、アルカリ水溶液等を用いて、得られた感光性樹脂層３５を洗浄してもよい。
【０２０４】
なお、第４露光現像工程Ｓ３２２では、必要に応じてポストベーク等の熱処理を行ってもよい。
【０２０５】
（第２膜３７４の形成工程Ｓ３２３）
第２膜３７４の形成工程Ｓ３２３では、感光性樹脂層３５および開口部４１に第２膜３７４を形成する。第２膜３７４の形成は、第２膜３７０と同様の蒸着法により行うことができる。
【０２０６】
（第４膜３９０の形成工程Ｓ３２４）
図２４は、第５実施形態に係る第４膜３９０の形成工程Ｓ３２４を示す工程図である。図２４に示すように、第４膜３９０の形成工程Ｓ３２４では、第２膜３７４の表面に沿って第４膜３９０を形成する。ここで、第４膜３９０とは、後の第５露光現像工程Ｓ３２５において、保護層３９となる部材を指す。保護層３９は、第２膜３７４の表面を保護する目的で形成される。
【０２０７】
具体的には、第２膜３７４の表面に、ポジ型の感光性材料（ポジ型の感光性樹脂）を塗工する。ポジ型の感光性材料の塗工は、ブラックマトリックス層２０の形成工程Ｓ１と同様の塗布法で行うことができる。このようにして、ポジ型の感光性材料を形成材料とする、第４膜３９０が得られる。
【０２０８】
なお、第３膜３５１の形成工程Ｓ３２１では、必要に応じてプリベーク等の熱処理を行ってもよい。
【０２０９】
（第５露光現像工程Ｓ３２５）
第５露光現像工程Ｓ３２５では、障壁３３に設けられた第２膜３７４の表面に、その表面を保護する保護層３９を形成する。
【０２１０】
図２５は、第５実施形態に係る第５露光現像工程Ｓ３２５における露光を示す工程図である。図２５に示すように、まず、開口部４１に形成された第４膜３９０を、フォトマスク２０４を介して、基材１０の一方の面１０ａ側から露光し、感光させる。
【０２１１】
図２６は、第５実施形態に係る第５露光現像工程Ｓ３２５における現像後を示す工程図である。図２６に示すように、露光された第４膜３９０を現像して、感光した第４膜３９０を除去する。第４膜３９０の現像は、第１露光現像工程Ｓ２２と同様の現像液を用いて行うことができる。このようにして、保護層３９が得られる。
【０２１２】
現像後に必要に応じて、例えば水、アルカリ水溶液等を用いて、得られた保護層３９を洗浄してもよい。
【０２１３】
なお、第５露光現像工程Ｓ３２５では、必要に応じてポストベーク等の熱処理を行ってもよい。
【０２１４】
（機能層３７の形成工程Ｓ３２６）
機能層３７の形成工程Ｓ３２６では、感光性樹脂層３５の表面に設けられた機能層３７を形成する。
【０２１５】
図２７は、第５実施形態に係る機能層３７の形成工程Ｓ３２６におけるエッチングを示す工程図である。図２７に示すように、まず、開口部４１に形成された第２膜３７４を、エッチングにより除去する。第２膜３７４のエッチングは、公知のエッチング液を用いて行うことができる。エッチング後に必要に応じて、例えば水洗等により、開口部４１上の酸成分を低減してもよい。
【０２１６】
次に、保護層３９を、例えば有機溶剤等に溶解させて除去する。このようにして機能層３７が得られる。この有機溶剤は、保護層３９が可溶な溶剤であり、例えばアセトン等が挙げられる。
【０２１７】
第５実施形態における波長変換基板の製造方法においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【０２１８】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本実施形態における各構成およびそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。また、本発明は実施形態によって限定されることはない。
【実施例】
【０２１９】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
【０２２０】
［実施例１（障壁３３の製造）］
基材１０として、厚さ０．７ｍｍのガラス基材を用意した。基材１０の一方の面１０ａを紫外線オゾンで洗浄し、アクリレート系のブラックフォトレジストを、スピンコート法により塗工した。得られた塗膜を、２０分間風乾した後、ホットプレートを用いて９０℃で６０秒間プリベークした。
【０２２１】
次に、プリベーク後の塗膜を、格子状の遮光部を有するフォトマスクを介して、基材１０の一方の面１０ａ側から露光した。このとき、３６５ｎｍの光を、露光量が１００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射した。さらに、現像液として、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の濃度が０．１質量％である水溶液を用いて、露光後の塗膜を３０秒間〜６０秒間現像し、ブラックマトリックス層２０を得た。
【０２２２】
さらに、得られたブラックマトリックス層２０を、窒素雰囲気下で、オーブンを用いて２２０℃でポストベークした。このようにして、基材１０の一方の面１０ａにブラックマトリックス層２０が得られた。
【０２２３】
ブラックマトリックス層２０が形成された基材１０の一方の面１０ａに、ポリイミド系のポジ型のフォトレジストをスピンコート法により１８００ｒｐｍの回転速度で塗工し、第１樹脂層３３０を得た。これを、ホットプレートを用いて９０℃で３分間プリベークした。
【０２２４】
次に、第１樹脂層３３０を、基材１０の他方の面１０ｂ側から露光した。このとき、３６５ｎｍの光を、露光量が３００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射した。さらに、現像液として、ＴＭＡＨの濃度が１．５質量％である水溶液を用いて、露光後の第１樹脂層３３０を６０秒間ずつ２回現像し、障壁３３を得た。さらに、得られた障壁３３を６０秒間水洗した。
【０２２５】
さらに、得られた障壁３３を、窒素雰囲気下で、オーブンを用いて２００℃で１時間ポストベークした。このようにして、格子状の遮光部３１上に、障壁３３が得られた。
【０２２６】
アクリレート系のブラックフォトレジスト、およびポリイミド系のポジ型のフォトレジストとして、以下の材料を用いた。
アクリレート系のブラックフォトレジスト：ＢＫ−８３１０、東京応化工業株式会社製
ポリイミド系のポジ型のフォトレジスト：フォトニース（登録商標）ＰＷ−２１００、東レ株式会社製
【０２２７】
得られた障壁３３の断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。その結果、障壁３３は略対称な形状をしており、遮光部３１と障壁３３との間に位置ずれは確認されなかった。
【０２２８】
［実施例２（第１実施形態に係る波長変換基板の製造）］
実施例１の基材１０の表面に、ポリメチルグルタルイミドのポジ型のフォトレジストをスプレー法により塗工し、第１膜３５０を得た。得られた第１膜３５０を、ホットプレートを用いて９０℃で６０秒間プリベークした。
【０２２９】
次に、第１膜３５０の表面３５０ａに沿って、アルミニウムを、熱蒸着法により、４．２×１０−４Ｐａの真空度で蒸着し、第２膜３７０を得た。得られた第２膜の厚さは、約２００ｎｍであった。
【０２３０】
さらに、第１膜３５０を、基材１０の他方の面１０ｂ側から露光した。このとき、１９３ｎｍの光を、露光量が３００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射した。さらに、現像液として、ＴＭＡＨの濃度が２．３８質量％である水溶液を用いて、露光後の第１膜を６０秒間現像した。このようにして、障壁３３上に、感光性樹脂層３５と機能層３７とが積層した仕切り部３０が得られた。
【０２３１】
ポジ型のフォトレジストとして、以下の材料を用いた。
ポジ型のフォトレジスト：ポリメチルグルタルイミド（ＰＭＧＩ）、ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ社製
【０２３２】
得られた仕切り部３０の断面を、ＳＥＭで観察した。その結果、仕切り部３０を構成する各層の間に位置ずれは確認されなかった。
【０２３３】
仕切り部３０が形成された基材１０の表面に、赤色顔料を分散させた顔料分散レジストを、スピンコート法により塗工した。次に、赤色波長変換部４３を形成する開口部４１上の塗膜を、フォトマスクを介して、で露光した。このとき、３６５ｎｍの光を、露光量が２００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射した。さらに、１００倍希釈した現像液を用いて、露光後の塗膜を６０秒間現像し、赤色カラーフィルター層５３を得た。さらに、得られた赤色カラーフィルター層５３を、窒素雰囲気下で、オーブンを用いて２００℃で１時間ポストベークした。このようにして、赤色波長変換部４３を形成する開口部４１上に、赤色カラーフィルター層５３が得られた。
【０２３４】
緑色カラーフィルター層５５、青色カラーフィルター層５７は、赤色顔料の代わりに緑色顔料、青色顔料を分散させた顔料分散レジストを用いたこと以外は、赤色カラーフィルター層５３と同様の方法で形成した。
【０２３５】
赤色、緑色および青色の顔料分散レジスト、現像液は以下の材料を用いた。
赤色、緑色および青色の顔料分散レジスト：ＯＰＴＭＥＲ、ＪＳＲ株式会社製
現像液：ＣＤ−１５０ＣＲ、ＪＳＲ株式会社製
【０２３６】
アクリル系のポジ型のフォトレジストと、クマリン６との混合物を超音波処理し、その波長変換材料の濃度が２質量％であるフォトレジストを調製した。得られたフォトレジストを０．２μｍのフィルターでろ過し、不溶物を取り除いた。これを、カラーフィルター層５０が形成された基材１０の表面に、スピンコート法により塗工した。次に、赤色カラーフィルター層５３以外に形成された塗膜を、フォトマスクを介して、露光した。このとき、３６５ｎｍの光を、露光量が５０ｍＪ／ｃｍ２になるように照射した。さらに、現像液として、ＴＭＡＨの濃度が２．３８質量％である水溶液を用いて、露光後の塗膜を９０秒間現像し、赤色波長変換層６３を得た。さらに、得られた赤色波長変換層６３を６０秒間水洗した。このようにして、赤色カラーフィルター層５３上に、赤色波長変換層６３が得られた。
【０２３７】
緑色波長変換層６５は、クマリン６の代わりに、ルモゲンレッドおよびクマリン６を質量比で３：１で混合したものを用いたこと以外は、赤色波長変換層６３と同様の方法で形成した。
【０２３８】
アクリル系のポジ型のフォトレジストは以下の材料を用いた。
アクリル系のポジ型のフォトレジスト：ＬＩＸＯＮ  ＣＯＡＴ  ＰＩＦ−４０００、ＪＮＣ株式会社製
【０２３９】
（光散乱層６７の形成）
光散乱層６７は、クマリン６の代わりに、酸化チタン微粒子を用いたこと以外は、赤色波長変換層６３と同様の方法で形成した。このようにして、実施例１の波長変換基板が得られた。
【０２４０】
［実施例３（第２実施形態に係る波長変換基板の製造）］
開口部４１に形成された第１膜３５０の一部を覆うマスク２００を介して、第２膜３７１を形成した以外は、実施例１と同様に行い、実施例２の波長変換基板を作製した。
【０２４１】
実施例２と同様に、得られた仕切り部３０の断面を、ＳＥＭで観察した。その結果、実施例３においても、仕切り部３０を構成する各層の間に位置ずれは確認されなかった。
【０２４２】
［実施例４（第３実施形態に係る波長変換基板の製造）］
第１膜３５０を形成後、第２膜３７２を形成するまでの間、以下の操作を行った以外は実施例１と同様に行い、実施例３の波長変換基板を作製した。
【０２４３】
まず、開口部４１に形成された第１膜３５０の一部を、フォトマスクを２０１用いて、基材１０の一方の面１０ａ側から露光した。このとき、３６５ｎｍの光を、露光量が１００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射した。
【０２４４】
次に、現像液として、ＴＭＡＨの濃度が１．５質量％である水溶液を用いて、露光後の第１膜３５０を６０秒間現像し、開口部４１に第１膜３５０の厚さが異なる部分を形成した。
【０２４５】
実施例２と同様に、得られた仕切り部３０の断面を、ＳＥＭで観察した。その結果、実施例４においても、仕切り部３０を構成する各層の間に位置ずれは確認されなかった。
【０２４６】
［実施例５（第４実施形態に係る波長変換基板の製造）］
感光性樹脂層３５および機能層３７の形成時に、以下の操作を行った以外は実施例１と同様に行い、実施例３の波長変換基板を作製した。
【０２４７】
まず、実施例１で得られた第１膜３５０を、ホットプレートを用いて１５０℃で６０秒間プリベークした。次に、第１膜３５０が形成された基材１０の一方の面１０ａに、ネガ型のフォトレジストを、スピンコート法により塗工し、第２樹脂層７１０を得た。得られた第２樹脂層７１０を、ホットプレートを用いて９５℃で６分間プリベークした後、さらに６５℃で１分間プリベークした。
【０２４８】
次に、開口部４１に形成された第２樹脂層７１０の一部を、フォトマスク２０２を用いて、基材１０の一方の面１０ａ側から露光した。このとき、３６５ｎｍの光を、露光量が１５０ｍＪ／ｃｍ２になるように照射した。さらに、現像液として、プロピレングリコールものメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を用いて、露光後の第２樹脂層７１０を２分間現像し、影部形成部材７１を得た。さらに、得られた影部形成部材７１を、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いて、１０秒間洗浄した。さらに、得られた影部形成部材７１を、窒素雰囲気下で、オーブンを用いて２００℃で５分間ポストベークした。
【０２４９】
次に、影部形成部材７１を形成した基材１０の一方の面１０ａに、アルミニウムを、熱蒸着法により、４．２×１０−４Ｐａの真空度で蒸着し、第２膜３７３を得た。得られた第２膜の厚さは、約１５０ｎｍであった。
【０２５０】
さらに、第１膜３５０を、基材１０の他方の面１０ｂ側から露光した。このとき、２９４ｎｍの光を、露光量が２００ｍＪ／ｃｍ２になるように照射した。さらに、現像液として、ＴＭＡＨの濃度が１．５質量％である水溶液を用いて、露光後の第１膜を６０秒間現像し、感光性樹脂層３５および機能層３７を得た。さらに、得られた感光性樹脂層３５および機能層３７を、６０秒間水洗した。
【０２５１】
ネガ型のフォトレジストとして、以下の材料を用いた。
ネガ型のフォトレジスト：ＳＵ−８  ２０１０、ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ社製
【０２５２】
実施例２と同様に、得られた仕切り部３０の断面を、ＳＥＭで観察した。その結果、実施例５においても、仕切り部３０を構成する各層の間に位置ずれは確認されなかった。
【０２５３】
［実施例６（第５実施形態に係る波長変換基板の製造）］
実施例１の基材１０の表面に、クレゾールノボラック系のネガ型のフォトレジストを、スピンコート法により塗工し、第３膜３５１を得た。得られた第３膜３５１を、ホットプレートを用いて１１０℃で６０秒間焼成プリベークした。
【０２５４】
次に、障壁３３の表面に形成された第３膜３５１を、フォトマスク２０３を介して、基材１０の一方の面１０ａ側から露光した。このとき、３６５ｎｍの光を、露光量が６５ｍＪ／ｃｍ２になるように照射した。露光後の第３膜３５１を、ホットプレートを用いて１１０℃で６０秒間ポストベークした。
【０２５５】
さらに、現像液として、ＴＭＡＨの濃度が２．３８質量％である水溶液を用いて、露光後の第３膜３５１を２分間現像し、感光性樹脂層３５を得た。さらに、得られた感光性樹脂層３５を、６０秒間水洗した。このようにして、障壁３３上に、感光性樹脂層３５が得られた。
【０２５６】
次に、感光性樹脂層３５および開口部４１の表面に沿って、アルミニウムを、熱蒸着法により、４．２×１０−４Ｐａの真空度で蒸着し、第２膜３７４を得た。得られた第２膜の厚さは、約１００ｎｍであった。
【０２５７】
次に、第２膜３７４の表面に、ノボラック系のポジ型のフォトレジストを、スピンコート法により塗工し、第４膜３９０を得た。得られた第４膜３９０を、ホットプレートを用いて１１０℃で３分間プリベークした。
【０２５８】
次に、第４膜３９０を、基材１０の一方の面１０ａ側から露光した。このとき、３６５ｎｍの光を、露光量が６８．５ｍＪ／ｃｍ２になるように照射した。さらに、現像液として、ＴＭＡＨの濃度が２．３８質量％である水溶液を用いて、露光後の第４膜３９０を２分間現像し、保護層３９を得た。さらに、得られた保護層３９を６０秒間水洗した。このようにして、感光性樹脂層３５に形成された第２膜３７４上に、保護層３９が得られた。得られた保護層３９を、ホットプレートを用いて１２０℃で３分間プリベークした。
【０２５９】
次に、開口部４１上に形成された第２膜３７４を、エッチング液を用いて３分間エッチングした後、６０秒間ずつ２回水洗した。
【０２６０】
次に、保護層３９を、アセトンを用いて除去した。このようにして、実施例５の波長変換基板が得られた。
【０２６１】
クレゾールノボラック系のネガ型のフォトレジスト、ノボラック系のポジ型のフォトレジスト、およびエッチング液として、以下の材料を用いた。
クレゾールノボラック系のネガ型のフォトレジスト：ＡＺ  ｎＬＯＦ  ２０００、Ｃｌａｒｉａｎｔ社製
ノボラック系のポジ型のフォトレジスト：ＴＦＲ−１０００、東京応化工業株式会社製
エッチング液：ＳＬＡエッチャント、林純薬工業株式会社製
【０２６２】
実施例２と同様に、得られた仕切り部３０の断面を、ＳＥＭで観察した。その結果、実施例６においても、仕切り部３０を構成する各層の間に位置ずれは確認されなかった。
【０２６３】
［有機ＥＬ表示装置の性能評価］
実施例１〜６で得られた波長変換基板を用いて、有機ＥＬ表示装置を作製した。具体的には、以下のとおりである。
【０２６４】
（有機ＥＬ素子基板の作製）
基板５０１として、厚さが０．７ｍｍのガラス基板に、公知の半導体プロセスにより、半導体層５０２ｃがＩＧＺＯからなる薄膜トランジスタ５０２を形成し、さらに、窒化シリコンからなる層間絶縁層５０３を薄膜トランジスタ５０２上に形成し、層間絶縁層５０３のソース電極５０２ｂ上にコンタクトホール５０４を空けたアクティブマトリックスＴＦＴ基板を作製した。
【０２６５】
次に、層間絶縁層５０３上に、有機ＥＬの反射電極５０５Ｂとして、膜厚が１００ｎｍとなるようにスパッタ法により銀を成膜し、その上に透明電極５０５Ａとして、膜厚が２０ｎｍとなるようにＩＺＯをスパッタ法により成膜した。そして、フォトリソグラフィー法により、陽極（画素電極）５０５として１１μｍ×４１μｍのパターンを形成し、コンタクトホール５０４を介して電気的に薄膜トランジスタ５０２のソース電極５０２ｂと接続した。
【０２６６】
次に、これを水洗後、アルカリ性水溶液中にて超音波洗浄を３０分間行い、水洗後、超純水にて超音波洗浄を１５分間行い、１１０℃で３０分間乾燥させた。乾燥後のこの基板に対して、ＵＶオゾンクリーナーを用いて、大気雰囲気下でＵＶ−オゾン処理を行った。
【０２６７】
次に、基板をインライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０−４Ｐａ以下の圧力まで減圧して、ホール注入層、ホール輸送層、青色発光層、ホールブロック層、電子輸送層および電子注入層をこの順に形成した。このようにして、有機ＥＬ層５０６とした。
【０２６８】
ホール注入層、ホール輸送層、青色発光層、ホールブロック層、電子輸送層および電子注入層は、以下に示す材料および膜厚で形成した。
ホール注入層：１，１−ビスージー４-トリルアミノーフェニルーシクロヘキサン、膜厚１００ｎｍ
ホール輸送層：Ｎ，Ｎ’−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、膜厚４０ｎｍ
青色発光層：ポリ（ビニルカルバゾール）に、ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート  イリジウム（ＩＩＩ）および２，２’−（３，１−フェニレン）ビス［５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール］を添加したもの、膜厚３０ｎｍ
ホールブロック層：２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、膜厚１０ｎｍ
電子輸送層：トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム、膜厚３０ｎｍ
電子注入層：フッ化リチウム、膜厚０．５ｎｍ
【０２６９】
次に、真空蒸着法により、有機ＥＬ層５０６の表面にシャドーマスクを介してマグネシウム及び銀を共蒸着し、厚さ１ｎｍのマグネシウム銀層を形成し、さらに、その上に、厚さ１９ｎｍの銀層を形成して、陰極（半透明電極）５０７を形成した。
【０２７０】
（貼り合わせ工程）
実施例１〜６で得られた波長変換基板と、有機ＥＬ素子基板５００とを、有機ＥＬ素子基板の陰極５０７と、波長変換基板の赤色波長変換層６３、緑色波長変換層６５および光散乱層６７とが対向するように、窒素雰囲気下で貼り合せ、さらに駆動回路を取り付けることで有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０２７１】
実施例１〜６の波長変換基板は、高精細、かつ光取出し効率に優れていることが確認された。これらの波長変換基板を備えた有機ＥＬ表示装置は、従来の有機ＥＬ表示装置よりも高精細、かつ明るさに優れていることが確認された。
【０２７２】
以上の結果により、本発明が有用であることが確かめられた。
【符号の説明】
【０２７３】
１０…基材、１０ａ…一方の面、１０ｂ…他方の面、２０…ブラックマトリックス層、３０…仕切り部、３１…遮光部、３３…障壁、３５…感光性樹脂層、３７…機能層、３９…保護層、４０…波長変換部、４１…開口部、５０…カラーフィルター層、６０…波長変換層、７１…影部形成部材、３３０…第１樹脂層、３５０…第１膜、３５１…第３膜、３７０、３７１、３７２、３７３、３７４…第２膜、３９０…第４膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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