(57)【要約】【課題】  表示不良の発生を低減することを目的の一つとする。【解決手段】  第１電極と、第１電極の周縁部と重なり第１電極の内側領域を開口する開口部を有する絶縁層と、第１電極上の有機層と、第１電極と対向し有機層上で絶縁層の開口部に対応して設けられた第２電極と、絶縁層上の導電性膜と、を有し、第２電極と導電性膜とは少なくとも一部が接触している表示装置が提供される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極の内側領域を露出させる開口領域と、前記第１電極の内側領域以外の領域を被覆する被覆領域とを有し、前記被覆領域の端部が前記第１電極の周縁部と重なる絶縁層と、
前記第１電極上の有機層と、
前記第１電極と対向し前記有機層上で前記絶縁層の開口領域に対応して設けられた第２電極と、
前記絶縁層の前記被覆領域上の導電性膜と、を有し、
前記第２電極と前記導電性膜とは少なくとも一部が接触していること、を特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第２電極の端部が前記導電性膜の端部と接触している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２電極と前記導電性膜とは前記絶縁層と重なる領域で接触している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁層の前記被覆領域の端部は、断面視において傾斜面を有し、前記前記第２電極と前記導電性膜とは前記傾斜面で接触している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２電極の上層側から前記導電性膜が前記第２電極と接触している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１電極が光反射性を有し、前記第２電極が透光性を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２電極が導電性の金属酸化物被膜であり、前記導電性膜が金属膜である、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２電極が、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚みを有する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２電極及び前記導電性膜の上面にパッシベーション膜を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
複数の画素が配列する画素領域を有し、
前記画素は、第１電極と、有機層と、第２電極とが積層された発光素子を含み、
前記画素領域は、前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記第１電極の内側領域を露出させる開口領域と前記第１電極の内側領域以外の領域を被覆する被覆領域とを有し前記被覆領域の端部が前記第１電極の周縁部と重なる絶縁層と、前記絶縁層の前記被覆領域上において前記複数の画素に沿って延伸する導電性膜と、を含み、
前記複数の画素のそれぞれは、前記第２電極と前記導電性膜とが電気的に接続されていること、を特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記第２電極の端部が前記導電性膜の端部と接触している、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２電極と前記導電性膜とは前記絶縁層と重なる領域で接触している、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記絶縁層の前記被覆領域の端部は、断面視において傾斜面を有し、前記前記第２電極と前記導電性膜とは前記傾斜面で接触している、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２電極の上層側から前記導電性膜が前記第２電極と接触している、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記複数の画素のそれぞれに前記第２電極が設けられ前記導電性膜によって接続されている、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１電極が光反射性を有し、前記第２電極が透光性を有する、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第２電極が導電性の金属酸化物被膜であり、前記導電性膜が金属膜である、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第２電極が、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚みを有する、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記複数の画素は、第１方向及び前記第１方向と交差する第２方向に配列され、前記導電性膜は、前記第１方向及び第２方向に延伸する、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第２電極及び前記導電性膜の上面にパッシベーション膜を有する、請求項１０に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、表示装置において画素が設けられる画素部の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス素子は、下部電極の上に、有機エレクトロルミネセンス材料を含む有機層と、この有機層上に上部電極が設けられた構造を有している。このような有機エレクトロルミネセンス素子を用いて画素が形成される表示装置は、下部電極及び上部電極の一方が透明電極とされている。例えば、有機層上に設けられる上部電極を透明電極とする場合、酸化インジウム錫等の材料が用いられる。透明導電膜はアルミニウム等の金属膜に比べて抵抗が高いため、画素領域の中央部で電圧降下の影響により有機エレクトロルミネセンス素子に十分な電圧を印加することができなくなり、輝度が低下することが問題となる。そのため、上部電極として用いる透明導電膜に、金属膜による補助電極を設けた構造が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−０８４５４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機エレクトロルミネセンス素子が画素に設けられる表示装置において、画素毎に設けられる下部電極に対し、有機層の上に設けられる上部電極を透光性として、上部電極から光を出射する構造が知られている。この場合、上部電極は透明導電膜であり、画素部の略全面に設けられる。上部電極は、抵抗損失による電圧降下の影響を低減するため、シート抵抗が低いことが望まれる。透明導電膜は、スパッタリング法等で作製されるが、製造条件の制御により低抵抗化が図られる。
【０００５】
透明導電膜は、金属酸化物であり、抵抗率をアルミニウムのような純金属並みに低くすることはできない。したがって、上部電極として用いる透明導電膜は、シート抵抗を低減するために膜厚を大きくする必要がある。
【０００６】
しかしながら、透明導電膜の膜厚を増加させると、堆積表面に付着する異物の大きさも増大し、パッシベーション膜で有機エレクトロルミネセンス素子を十分に封止できないという問題が生ずる。有機エレクトロルミネセンス素子は、パッシベーション膜により被覆が十分でないと、水分の浸入により劣化する。これにより、表示装置においては非発光画素（表示において黒く視認されるため「ダークスポット」とも呼ばれる。）が発生し、表示不良の原因となってしまう。
【０００７】
このような問題に鑑み、本発明の一実施形態は、表示装置において、表示不良の発生を低減することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、第１電極と、第１電極の内側領域を露出させる開口領域と、第１電極の内側領域以外の領域を被覆する被覆領域とを有し、被覆領域の端部が第１電極の周縁部と重なる絶縁層と、第１電極上の有機層と、第１電極と対向し有機層上で絶縁層の開口部に対応して設けられた第２電極と、絶縁層の前記被覆領域上の導電性膜と、を有し、第２電極と導電性膜とは少なくとも一部が接触している。
【０００９】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、複数の画素が配列する画素領域を有し、画素は、第１電極と有機層と第２電極とが積層された発光素子を含み、画素領域は、複数の画素のそれぞれにおいて、第１電極の内側領域を露出させる開口領域と第１電極の内側領域以外の領域を被覆する被覆領域とを有し被覆領域の端部が第１電極の周縁部と重なる絶縁層と、絶縁層の被覆領域上において複数の画素に沿って延伸する導電性膜と、を含み、複数の画素のそれぞれは、第２電極と導電性膜とが電気的に接続されている。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の外観を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を模式的に説明する断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図１６】表示装置の画素部において異物が付着したときの形態を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同じ要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。符号の末尾付される「ａ」、「ｂ」等の記号は同じ要素を識別するために用いられることがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
【００１２】
本発明において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
【００１３】
本発明において、表示装置は第１基板を含む。第１基板は、少なくとも平面状の一主面を有し、この一主面上に複数の被膜が設けられ層構造が形成される。以下の説明では、断面視において、第１基板の一主面を基準とし、その一主面の上方側を「上」、「上層」、「上方」又は「上面」として説明する。
【００１４】
１．表示装置の概要
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の斜視図を示す。表示装置１００は、複数の画素１０６が配列する画素部１０４を有する。画素部１０４は、基板１０２の一主面に設けられる。基板１０２の一主面上には封止部材１１２が設けられる。画素部１０４は封止部材１１２によって封止される。封止部材１１２は板状又は膜状の形態を有する。封止部材１１２の材質は、ガラス又は有機樹脂材料が用いられる。また、表示装置１００は、画素部１０４に対し、走査信号を出力する第１駆動回路１０８、映像信号を出力する第２駆動回路１１０が設けられていてもよい。
【００１５】
基板１０２の材質は、ガラス、有機樹脂等が適用される。基板１０２が有機樹脂で形成される場合、表示装置１００は可撓性を有する。例えば、基板１０２として、有機樹脂フィルムを用いることができる。有機樹脂フィルムの一例として、ポリイミドフィルムを用いることができる。基板１０２が可撓性を有する場合、封止部材１１２も可撓性を有するように樹脂材料、または無機材料と有機樹脂材料の積層体で形成される。例えば、封止部材１１２は、窒化シリコン膜とポリイミド膜の積層体で形成される。ここで、表示装置１００がトップエミッション型である場合、封止部材１１２には高透明度が求められるため、ポリイミド膜に代えてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）膜、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）膜、ＰＣ（ポリカーボネート）膜等を用いても良い。
【００１６】
２．画素の構造
図２は、表示装置１００に設けられる画素１０６の平面図を示す。画素１０６は複数の層が積層された構造を有する。図２は、下層側から、第１電極１１４、第２電極１１８が積層された構造を有する。また、図２は、第２電極１１８と少なくとも一部が接する導電性膜１２４が設けられる態様を示す。なお、図２に示されていないが、画素１０６は、第１電極１１４と第２電極１１８との間に、発光材料を含む有機層１１６が設けられている。すなわち、画素１０６には、第１電極１１４、有機層１１６、第２電極１１８が積層された発光素子が設けられている。発光材料としては、例えば、有機エレクトロルミネセンス材料が用いられる。また、画素部１０４には、開口部を有する絶縁層が設けられる。この絶縁層は、第１電極１１４の内側領域を露出させる開口領域と、第１電極１１４の周縁部及びそれ以外の領域を覆う被覆領域を有する。図２は、この絶縁層の被覆領域の端部１２２を点線で示す。
【００１７】
画素１０６は、第１電極１１４が、絶縁層の被覆領域の端部１２２より内側の領域（開口領域）において、有機層を介して第２電極１１８と重畳する構造を有し、この重畳部が発光領域となる。導電性膜１２４は、絶縁層の被覆領域において、被覆領域の端部１２２にかからない幅で設けられ、発光領域の外側に配置されている。第２電極１１８の端部は、少なくとも一部が発光領域より外側に拡張されている。第２電極１１８は、絶縁層上においてその端部又は端部近傍（端部領域）で導電性膜１２４と接触している。すなわち、第２電極１１８の少なくとも一部は、導電性膜１２４と接触している。これにより、第２電極１１８と導電性膜１２４とは電気的に接続された状態を有する。
【００１８】
一方、第１電極１１４は、コンタクトホール１３０を介して、第１電極１１４より下層に配置される駆動素子１３２と電気的に接続される。コンタクトホール１３０は、第１電極１１４の端部に寄せて配置され、第１電極１１４の周縁部を覆う絶縁層によって埋設される。
【００１９】
なお、図２は、第１電極１１４より下層に設けられる、走査信号線１０９、映像信号線１１１、電源線１１３を点線で示す。走査信号線１０９、映像信号線１１１及び電源線１１３は、第１電極１１４の下層に配置される平坦化膜や層間絶縁膜によって埋設されている。図２で示す例では、走査信号線１０９は一方向に配設され、映像信号線１１１及び電源線１１３は一方向と交差する方向に配設されている。導電性膜１２４は、走査信号線１０９、映像信号線１１１及び電源線１１３が配設される領域と重なる領域に設けられている。
【００２０】
図２に示されるＡ−Ｂ線に沿った断面構造を、図３に示す。図３に示すように、画素１０６は、第１電極１１４、有機層１１６及び第２電極１１８が積層され重畳する領域を有する。前述のように、この重畳部が画素１０６における発光領域となる。
【００２１】
第１電極１１４は平坦化膜１２８の上に配置される。平坦化膜１２８は絶縁材料で形成される層であり、第１電極１１４が配置される表面が略平滑に設けられている。平坦化膜１２８に用いられる絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル等の有機樹脂材料である。第１電極１１４は、平坦化膜１２８に設けられたコンタクトホール１３０によって駆動素子１３２と電気的に接続される。
【００２２】
なお、駆動素子１３２の一例は、トランジスタであり、例えば、半導体膜にチャネルが形成される薄膜トランジスタが適用される。薄膜トランジスタは、半導体層１３４、ゲート絶縁層１３６及びゲート電極１３８が積層された構造を有し、半導体層１３４に形成されるソース領域又はドレイン領域の一方と電気的に接続されるソース・ドレイン電極１３９が、平坦化膜１２８に設けられるコンタクトホール１３０を介して第１電極１１４と電気的に接続される。半導体層１３４は、シリコン半導体（多結晶シリコン、非晶質シリコン等）、酸化物半導体が用いられる。第１電極１１４は駆動素子１３２と電気的に接続されることにより電位が制御される。
【００２３】
平坦化膜１２８及び第１電極１１４の上に絶縁層１２０が配置される。絶縁層１２０は、第１電極１１４の内側領域を露出させる開口領域１２１と、第１電極１１４の内側領域以外の領域を被覆する被覆領域１２３とを有している。絶縁層１２０は、被覆領域１２３の端部１２２が第１電極１１４の周縁部と重なっている。また、コンタクトホール１３０は、絶縁層１２０によって埋設されている。有機層１１６は、第１電極１１４の上面から、絶縁層１２０の表面（すなわち被覆領域１２３の表面）に沿って設けられる。本実施形態において有機層１１６の構成に限定はない。有機層１１６は、例えば、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、有機層１１６は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等含んで構成されていてもよい。
【００２４】
導電性膜１２４は、絶縁層１２０の被覆領域１２３上に配置される。すなわち、導電性膜１２４は、絶縁層１２０の被覆領域１２３の端部１２２より内側の領域に設けられており、画素１０６の発光領域と重ならない領域であって、絶縁層１２０の上層側に配置される。導電性膜１２４は、少なくとも一方向に延伸し、複数の画素に連接するように設けられる。導電性膜１２４は、好ましくは、画素１０６の発光領域を囲むように設けられる。
【００２５】
第２電極１１８は、有機層１１６の上面に設けられる。第２電極１１８は、少なくとも一端が、導電性膜１２４と接するように設けられる。すなわち、第２電極１１８と導電性膜１２４とは、絶縁層１２０と重なる領域で接触するように配置される。第２電極１１８と導電性膜１２４とは、少なくとも一部が接触していればよく、例えば、第２電極１１８は、その端部が導電性膜１２４の端部と接触するように設けられる。これにより、第２電極１１８導電性膜１２４とは電気的に接続される(導通状態となる)。絶縁層１２０の被覆領域における端部は、断面視において傾斜面を有している。第２電極１１８は、第１電極１１４の上面領域から、絶縁層１２０の傾斜面に沿って設けられる。また、導電性膜１２４は、絶縁層１２０の上面から、この傾斜面に広がる幅で設けられていることが好ましい。このような構造によれば、第２電極１１８と導電性膜１２４とが絶縁層１２０の傾斜面で接触させることができる。これにより、絶縁層１２０の厚みによる段差で、第２電極１１８と導電性膜１２４とが段差によって切れてしまうことなく、良好な接触を形成することができる。
【００２６】
第２電極１１８は、第１電極１１４に対応して、画素毎に設けられる。第２電極１１８は、画素毎に孤立して設けられているが、導電性膜１２４と接続されていることにより、電位の制御が可能となっている。
【００２７】
本実施形態において、第２電極１１８は透光性の電極であり、第１電極１１４は光反射性を有する（光反射面を有する）電極である。透光性を有する第２電極１１８は、例えば、透明導電膜によって形成することができ、或いは、光を透過する厚さに形成された金属薄膜によって形成され得る。透明導電膜としては、例えば、酸化インジウム錫（以下、「ＩＴＯ」ともいう。）、酸化インジウム亜鉛（以下、「ＩＺＯ」ともいう。）のような金属酸化物の被膜が用いられる。また、第２電極１１８は、銀ナノワイヤー又はグラフェンを用いて形成されてもよい。
【００２８】
この場合、第１電極１１４は金属材料により形成される。第１電極１１４は金属材料で形成されることにより光反射性を有するものとなる。第１電極１１４は、例えば、透明導電膜と金属膜とが積層された構造を有していてもよい。例えば、第１電極１１４は、少なくとも２層の透明導電膜と、その２層の透明導電膜に挟まれた金属膜（例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の反射率の高い材料が好ましい。）と、により構成することができる。このような構造により、有機層１１６で発光した光を、第２電極１１８側に反射することが可能となる。
【００２９】
導電性膜１２４は、金属材料により形成される。導電性膜１２４に適用される金属材料としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）チタン（Ｔｉ）等が例示される。導電性膜１２４は、これらの金属材料単位の被膜、またはモリブデン−タングステンのような合金材料で形成される。また、導電性膜１２４は、銀ペーストのような導電性粒子を含む層によって形成されていてもよい。いずれにしても、導電性膜１２４は、第２電極１１８よりも低抵抗の層となるように形成されることが好ましい。
【００３０】
ところで、従来の表示パネルでは、第２電極に相当する電極は、画素部の略全面に形成される。第２電極に相当する電極としてＩＴＯやＩＺＯの金属酸化物の薄膜を用いる場合、シート抵抗が数Ω／□から数十Ω／□となるように膜厚が設定される。これは、電極のシート抵抗が高いと、電圧降下の影響を無視できなくなり、画面内で均一性のある表示をすることができなくなるためである。ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜は作製条件によって抵抗値が変化するが、通常の場合、前述のシート抵抗を実現するには１００ｎｍより大きな膜厚が必要とされる。例えば、画面サイズが５インチ程度の表示パネルにおいても、透光性を有する第２電極の膜厚は、前述のシート抵抗を実現するために２００ｎｍ以上が必要とされる。
【００３１】
一方、本実施形態において、第２電極１１８は、画素１０６毎に設けられ、導電性膜１２４によって接続される構造を有する。このため、第２電極１１８は、低抵抗の導電性膜１２４が補助電極となり、画素部１０４全体でみたときのシート抵抗は低下する。そのため、第２電極１１８は薄膜化することができる。本実施形態において、第２電極１１８の膜厚は、例えば、５０ｎｍから１００ｎｍの厚みとすることができ、薄膜化を図ることができる。
【００３２】
第２電極１１８を、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の導電性の金属酸化物で形成するとき、薄膜製造技術としてスパッタリング法が用いられる。スパッタリング法は、導電性薄膜の製造に好適であるが、ターゲットをスパッタリングして成膜するときに発生する異物（パーティクル）の管理が重要となる。
【００３３】
本実施形態においては、図４で示すように、第２電極１１８の作製方法として、スパッタリング法を用いる際に、基板１０２とスパッタリングターゲット１４０との間に、第１電極１１４に対応する領域に開口部を有するシャドーマスク１４２を使用する。これにより、画素１０６が形成される基板１０２は画素同士が隣接する画素間領域がシャドーマスク１４２で遮蔽され、第２電極１１８が形成されるべき必要最小限の領域のみに、スパッタリングで被膜が形成されるようになる。そのため、基板１０２の被堆積表面への異物の付着を抑えることができる。
【００３４】
さらに、本実施形態によれば、第２電極１１８の膜厚を薄くすることができるので、スパッタリングによる成膜時間を短縮することができる。それによっても、基板１０２の被堆積表面への異物の付着を抑えることができる。また、第２電極１１８の膜厚を薄くすることで異物のサイズも小さくなるため、パッシベーション膜１２６で十分に覆うことができ、後述するパッシベーション膜９２６に隙間が発生することや、クラックに起因する表示不良の発生を抑制することができる。
【００３５】
導電性膜１２４として用いられる金属材料の抵抗率は、タングステンが約５．６μΩｃｍ、モリブデンが約４．８μΩｃｍ、アルミニウムが約２．７μΩｃｍ、チタンが約７０μΩｃｍであり、ＩＴＯやＩＺＯのような導電性金属酸化物と比較して十分に低抵抗である。そのため、導電性膜１２４としての膜厚は２００ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍから１２０ｎｍであればよい。導電性膜１２４は、このような膜厚であっても、第２電極１１８が薄膜化されているので、第２電極１１８の端部領域を被覆することができ、段差部でクラックが生じないようにすることができる。
【００３６】
図３で示すように、第２電極１１８及び導電性膜１２４の上層には、パッシベーション膜１２６が設けられる。パッシベーション膜１２６は有機層１１６を保護するためにガスバリア性を有す絶縁膜が用いられる。パッシベーション膜１２６として、例えば、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等が用いられる。パッシベーション膜１２６は、有機層１１６を保護するために十分な厚みを有している。パッシベーション膜１２６の厚みは、２００ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍから１０００ｎｍの厚みで設けられる。
【００３７】
本実施形態によれば、第２電極１１８の形成後において、異物の付着が抑えられているので、有機層１１６はパッシベーション膜１２６によって確実に被覆される。一方、図１６で模式的に示すように、第１基板９０２の被成膜面に異物９００が付着していると、その部分においてパッシベーション膜９２６が均一に形成されず、膜が付着しない隙間やクラックによる欠陥部９２７が出来てしまう。例えば、第１電極９１４、有機層９１６、第２電極９１８までを形成する段階で、これらの被膜の膜厚より大きい異物９００が存在すると、パッシベーション膜９２６に前述のような不良箇所が出来てしまう。このような異物９００は、画素の発光領域はもとより、絶縁層９２０上にあっても重大な影響を及ぼすおそれがある。すなわち、この部分から有機層９１６を劣化させる水分が浸入すると、画素に非発光領域が生成し、または非発光の画素が発生し、表示不良の原因となる。
【００３８】
本実施形態によれば、画素部１０４において、第２電極１１８を画素１０６毎に設け総面積を小さくしたこと、第２電極１１８の膜厚を小さくしたこと、及びこれらの相乗効果により、パッシベーション膜１２６を形成する前において異物の付着を抑え、また、異物の大きさを小さくすることができる。そのため、パッシベーション膜１２６を均一に設けることができ、非発光画素（ダークスポット）による表示不良の発生を抑制することができる。
【００３９】
図２及び図３を参照して説明したように、本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、画素部１０４に複数の画素１０６と、画素間の領域に配設された導電性膜１２４を含む。そして、画素１０６を形成する一方の電極である第２電極１１８は、少なくとも一部が導電性膜１２４と接している。以下においては、第２電極１１８と導電性膜１２４が配置される態様について詳細に説明する。
【００４０】
３．画素部の構造
図５は、画素部１０４の平面図を示す。また、図５に示すＣ−Ｄ線に対応する断面構造を図６に示す。
【００４１】
図５は、第１画素１０６ａ、第２画素１０６ｂ、第３画素１０６ｃ及び第４画素１０６ｄが配列する態様を示す。画素１０６は第１電極１１４、第２電極１１８が有機層１１６を挟んで対向配置されている。第１電極１１４は、画素ごとに離間して配置される。この隣接間領域に、絶縁層１２０が設けられている。絶縁層１２０は、第１電極１１４の上面を露出させる開口領域１２１を有し、被覆領域１２３の端部１２２は第１電極１１４上に配置される。
【００４２】
図５及び図６で示す一例は、第２電極１１８の端部を覆うように導電性膜１２４が設けられている。導電性膜１２４は、例えば、第１画素１０６ａの第２電極１１８ａと接触し、第２画素１０６ｂの第２電極１１８ｂとも接触している。このように導電性膜１２４は、複数の第２電極１１８と接続される。これにより各画素１０６の第２電極１１８は、同電位又は実質的に同電位に制御される。導電性膜１２４は、絶縁層１２０上において、一方向（図５で示すＸ方向）に延伸し、また一方向と交差する方向（図５で示すＹ方向）にも延伸するように設けられる。このように、画素１０６の配列に沿って導電性膜１２４を設けることで、画素部１０４における各画素の電位（第２電極１１８の電位）を均一にすることができる。
【００４３】
なお、図５では、導電性膜１２４が、一方向及び一方向と交差する方向に延伸する態様を示すが、本発明はこれに限定されない。例えば、導電性膜１２４は、一方向又は一方向と交差する方向の一方のみに配置されていてもよい。いずれの場合でも、導電性膜１２４が第２電極１１８を連接するように設けることで、導電性膜１２４に印加する電位によって画素部１０４における第２電極１１８の電位を制御することが可能となる。また、第２電極１１８を薄膜化したことによる抵抗損失の影響を低減することができる。
【００４４】
図６で示す構造は、絶縁層１２０上に第２電極１１８が延伸し、導電性膜１２４と接触している。このように、絶縁層１２０上で第２電極１１８と導電性膜１２４が接触することで、導電性膜１２４が第１電極１１４と短絡するのを防止することができる。また、絶縁層１２０の端部が傾斜面を有することで、第２電極１１８と導電性膜１２４との接触を良好なものとすることができる。第２電極１１８の上層側に導電性膜１２４が設けられることで、導電性膜１２４の作製時に有機層１１６が第２電極１１８で保護されるという利点を有する。導電性膜１２４は、スパッタリング法、真空蒸着法等の薄膜作製技術により作製される。この場合、導電性膜１２４が発光領域に形成されないように、シャドーマスクを用いることが好ましい。図６では導電性膜１２４が、図５で示すように格子状に設けられている。この場合、導電性膜１２４の成膜は、ストライプ状の開口部を有するシャドーマスクを用い、一方向に延伸するパターンと、一方向と交差する方向に延伸するパターンの２回に分けて行うようにすればよい。導電性膜１２４を絶縁層１２０のパターンに合わせて設けることで、画素の開口率に影響を与えることなく、画素部１０４に設けることができる。また、導電性膜１２４は、導電性ペーストを用い、印刷法によって形成されるものであってもよい。
【００４５】
図７は、絶縁層１２０上に導電性膜１２４を設けた後、第２電極１１８を作製した場合の形態を示す。第２電極１１８の端部は、導電性膜１２４の上部に配置される。このような形状では、第２電極１１８が、導電性膜１２４の側端部及び上面部と接するので、接触面積を大きくすることができ、接触抵抗を低減することができる。
【００４６】
図８は、絶縁層１２０上に導電性膜１２４を設けた後、有機層１１６及び第２電極１１８を設けた場合の形状を示す。この形状によれば、導電性膜１２４を設ける際には、有機層１１６はまだ形成されていない。このため、導電性膜１２４の成膜工程により有機層１１６にダメージを与えることはない。また、導電性膜１２４の膜厚を大きくすることで、有機層１１６を各画素に対して自己整合的に設けることができる。すなわち、有機層１１６を、１００ｎｍから２００ｎｍ程度厚さに真空蒸着法によって成膜すると、有機層１１６は段差被覆性が悪いため、導電性膜１２４の側面に十分被覆しない。その後、第２電極１１８をスパッタリング法で作製することで、有機層１１６に被覆されない導電性膜１２４の側面部にＩＴＯ膜やＩＺＯ膜を付着させることができる。これにより、第２電極１１８と導電性膜１２４との導通状態が確保され、電気的な接続を形成することができる。
【００４７】
図６、図７及び図８のそれぞれの場合において、第２電極１１８の上層側にはパッシベーション膜１２６が設けられる。パッシベーション膜１２６は、第２電極１１８作製後においても異物の付着が抑制されているので、有機層１１６を保護し、非発光画素（ダークスポット）の発生を抑制することができる。導電性膜１２４は、前述のように低抵抗材料を用いることにより厚膜化する必要がない。そのため、導電性膜１２４を絶縁層１２０の上に設けても、パッシベーション膜１２６の被覆性に影響を与えない。すなわち、導電性膜１２４の段差によりパッシベーション膜１２６が薄くなったり、クラックが生じたりしないようにすることができる。また、スパッタリング法や真空蒸着法等で導電性膜１２４を作製するとき、シャドーマスクを用いると、当該導電性膜１２４の端部は成膜時の被膜の回り込みにより、急峻な端面とならず、比較的なだらかな傾斜面とすることができる。それにより、パッシベーション膜１２６の段差被覆性を向上させることができる。
【００４８】
このように、本発明の一実施形態によれば、画素１０６の非発光領域である絶縁層１２０上に、導電性膜１２４を設け、画素毎、又は複数の画素毎に設けられる第２電極１１８と電気的に導通させることで、パッシベーション膜１２６を確実に設けることができ、画素部１０４において、ダークスポットと呼ばれる不良の発生を抑制することができる。
【００４９】
４．適用例
本発明の一実施形態に係る画素の電極と導電性膜（補助配線）の構成は、様々な画素の配列に適用することができる。以下、その一例を示す。
【００５０】
図９は、ストライプ配列する画素部の例を示す。すなわち、図９で示すＹ方向に、赤色に対応する画素１０６＿１１、１０６＿２１、１０６＿３１、緑色に対応する画素１０６＿１２、１０６＿２２、１０６＿３２、青色に対応する画素１０６＿１３、１０６＿２３、１０６＿３３が配列している。なお、図９で示す例は、各画素が等間隔に配列され、導電性膜１２４はＸ方向とＹ方向の双方に配列する態様を示している。
【００５１】
図９において、各色に対応する画素を交互に配列させて、スクエア配列を構成してもよい。スクエア配置では、各色に対応する画素が交互に配列されている。例えば、画素１０６＿１１が赤色に対応し、画素１０６＿１２が緑色に対応し、画素１０６＿１３が青色に対応する場合、画素１０６＿２１は青色に対応し、画素１０６＿２２が赤色に対応し、画素１０６＿２３が緑色に対応するように配列する。このように、各色に対応する画素の配列が異なる場合でも、導電性膜１２４を画素間領域に設けることができる。
【００５２】
図１０は、ストライプ配列の画素において、青色に対応する画素１０６＿１３、１０６＿２３、１０６＿３３が、他の画素に比較して大きく設けられている場合を示す。このように、一部の画素の大きさが異なる場合でも、導電性膜１２４を画素間領域に設けることができる。
【００５３】
図１１は、スクエア配列の画素において、青色に対応する画素１０６＿２１が、他の画素に比較して大きく設けられている場合を示す。このように、一部の画素の大きさが異なる場合でも、導電性膜１２４を画素間領域に設けることができる。
【００５４】
図１２は、デルタ配列する画素部の例を示す。デルタ配列では、ある行に属する画素（画素１０６＿１１、１０６＿１２、１０６＿１３）と、隣接する行に属する画素（画素１０６＿２１、１０６＿２２、１０６＿２３）との配置が約半ピッチ分ずれて配置されている。この場合、導電性膜１２４は、列方向に対して直線状に延設することはできない。したがって、この場合には、行方向のみに導電性膜１２４を配置してもよいし、画素の配列に合わせて、列方向に延伸する導電性膜は、行方向に延伸する導電性膜１２４の隣接間を接続するように配設してもよい。
【００５５】
図１３は、ペンタイル配列する画素部の例を示す。ペンタイル配列では、視感度の高い緑色に対応する画素１０６＿１１、１０６＿１３、１０６＿１５、１０６＿２１、１０６＿２３、１０６＿２５、１０６＿３１、１０６＿３３、１０６＿３５、の間に、青色に対応する画素１０６＿１２、１０６＿１６、１０６＿２４、１０６＿３２、１０６＿３６又は赤色に対応する画素１０６＿１４、１０６＿２２、１０６＿２６、１０６＿３４が配置される。青色に対応する画素１０６＿１２、１０６＿１６、１０６＿２４、１０６＿３２、１０６＿３６又は赤色に対応する画素１０６＿１４、１０６＿２２、１０６＿２６、１０６＿３４は、緑色に対応する画素１０６＿１１、１０６＿１３、１０６＿１５、１０６＿２１、１０６＿２３、１０６＿２５、１０６＿３１、１０６＿３３、１０６＿３５に比べて大面積を有している。
【００５６】
また、図１４は、ペンタイル配列の画素において、緑色に対応する一部の画素（画素１０６＿１３、１０６＿２１、１０６＿２５、１０６＿３３）が、白色に対応する画素に置き換えられた例を示す。
【００５７】
さらに、図１５は、ペンタイル配列する画素において、斜め４５度の方向に画素が配列するダイヤモンドペンタイルと呼ばれる画素配列を示す。図１５で示す画素の配列では、青色に対応する画素１０６ａ１のまわりに、緑色に対応する画素１０６ｂ１〜１０６ｂ４、赤色に対応する画素１０６ｃ１〜１０６ｃ４が設けられている。
【００５８】
図１３、図１４及び図１５のいずれの場合でも、画素が周期的に配置され、画素間には絶縁層が設けられている。したがって、これらの画素配列においても、導電性膜１２４と第２電極１１８との接続構造を設けることができる。
【００５９】
このように本発明の一実施形態に係る画素の電極と導電性膜（補助配線）の構成は、様々な画素の配列に適用することができる。それにより、各種の画素配列を有する表示装置１００に対して、ダークスポットによる表示不良を低減することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１００・・・表示装置、１０２・・・基板、１０４・・・画素部、１０６・・・画素、１０８・・・第１駆動回路、１０９・・・走査信号線、１１０・・・第２駆動回路、１１１・・・映像信号線、１１２・・・封止部材、１１３・・・電源線、１１４・・・第１電極、１１６・・・有機層、１１８・・・第２電極、１２０・・・絶縁層、１２１・・・開口領域、１２２・・・被覆領域の端部、１２３・・・被覆領域、１２４・・・導電性膜、１２６・・・パッシベーション膜、１２８・・・平坦化膜、１３０・・・コンタクトホール、１３２・・・駆動素子、１３４・・・半導体層、１３６・・・ゲート絶縁層、１３８・・・ゲート電極、１３９・・・ソース・ドレイン電極、１４０・・・スパッタリングターゲット、１４２・・・シャドーマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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