(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性に優れ、また貫通電極に接続された電極膜と外部接続端子あるいは金属配線との導電性、密着性に優れた貫通電極の製造方法を提供する。【解決手段】基板１の一方の面にフィルム４を貼り合わせて貫通ビア２の片側をフィルムで覆ってから、貫通ビアに金属配線７を充填して貫通電極を形成する。このとき、貫通ビア内に入り込ませるフィルムの厚さを調整するこで、貫通ビア内に充填される金属配線の高さを調整する。【選択図】図２
2017220611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された貫通ビアに金属を充填する貫通電極の製造方法において、
前記貫通ビアを有する前記基板の一方の面にフィルムを貼り合わせる工程と、
前記貫通ビア内に前記金属を充填する工程と、
前記基板から前記フィルムを剥離する工程と、を含み、
前記基板の前記一方の面に前記フィルムを貼り合わせる工程は、前記貫通ビア内に入り込ませる前記フィルムの厚さを調整することで、前記貫通ビア内に充填される前記金属表面の位置を設定することを特徴とする貫通電極の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の貫通電極の製造方法において、前記フィルムを前記基板の前記一方の面に貼り合わせる工程は、前記貫通ビア内に前記フィルムを入り込ませず、前記金属表面と前記基板の表面の位置を同じ位置とする工程であることを特徴とする貫通電極の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の貫通電極の製造方法において、前記フィルムを前記基板の前記一方の面に貼り合わせる工程は、前記貫通ビア内に前記フィルムを所定の厚さだけ入り込ませ、前記金属表面と前記基板表面の位置を前記貫通ビア内に入り込ませた前記フィルムの厚さの分だけ異なる位置とする工程であることを特徴とする貫通電極の製造方法。
【請求項４】
請求項２または３いずれか記載の貫通電極の製造方法において、前記貫通ビア内に前記金属を充填する工程は、前記貫通ビア内に連続するシード層を形成し、メッキ法により前記貫通ビア内に前記金属を充填する工程であることを特徴とする貫通電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に形成された貫通ビアに金属を充填する貫通電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板等からなる基板に形成された貫通ビアや非貫通ビアを金属で充填する方法として、基板表面に導電化処理を施し、その後メッキ法によって貫通ビア内や非貫通ビア内にメッキ金属を充填する方法が種々提案されている。
【０００３】
例えばビア・ファースト（Ｖｉａ  Ｆｉｒｓｔ：素子を形成する工程の前、配線を形成する工程の前に貫通ビアを形成）やビア・ミドル（Ｖｉａ  Ｍｉｄｄｌｅ：素子を形成する工程の後、配線を形成する工程の前に貫通ビアを形成）と呼ばれる工程では、非貫通ビアを有する基板表面に導電化処理を施した後に導電体を埋め込み、基板裏面を研削することで貫通電極を形成する。具体的には図５に示すように、基板１の貫通電極形成予定領域に非貫通ビア２Ａを形成し、その表面に絶縁膜３を形成する（図５ａ）。絶縁膜３表面上をチタンからなるシード層５で被覆した後、メッキ用レジスト６をパターニングし、非貫通ビア２Ａ内に金属配線７を充填（図５ｂ）し、メッキ用レジスト６と絶縁膜３表面上にある不要なシード層５を除去する（図５ｃ）。一方、基板１の裏面は、研削して薄くすることにより金属配線７を露出させて貫通電極を形成する（図５ｄ）。この貫通電極は、外部引き出し用電極となる電極膜８に接続する（図５ｅ）。この種の貫通電極の形成方法は、例えば特許文献１、２に記載されている。
【０００４】
一方、ビア・ラスト（Ｖｉａ  Ｌａｓｔ：素子を形成する工程の後、配線を形成する工程の後に貫通ビアを形成）と呼ばれる工程では、基板を薄くする研削工程が貫通ビアを形成する前に行われる。具体的には、薄板化した基板１の裏面に外部引き出し用電極となる電極膜８を形成した後、貫通ビア２を形成し貫通ビア２内に電極膜８を露出させる（図６ａ）。次に表面に絶縁膜３を形成し、全面にチタンからなるシード層５を形成し、メッキ用レジスト６を一般的なフォトリソグラフィーの工程により形成し、貫通ビア２内に金属配線７を充填する（図６ｂ）。メッキ用レジスト６と不要なシード層５を除去し、貫通電極が完成する（図６ｃ）。その後、電極膜８上に一般的なフォトリソグラフィーの工程を利用して第２金属配線７Ａを形成した後、無電解メッキ法等によりＵＢＭ（ｕｎｄｅｒ  ｂｕｍｐ  ｍｅｔａｌ）１５を形成し、外部接続端子として半田ボール９を搭載する（図６ｄ）。この種の貫通電極の形成方法は、例えば特許文献３に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−５３４３号公報
【特許文献２】特開２０１３−１７２０９９号公報
【特許文献３】特開２００１−９４０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の貫通電極の製造方法のうち、図５に示したビア・ファースト工程に従う製造方法では、基板１内に設けた非貫通ビア２Ａに金属配線７を形成した後に、基板１の裏面を研削する必要がある。このために貫通電極部分に研削時の応力が掛かり、貫通電極と絶縁膜３との界面で剥離が生じたり、絶縁膜３に欠け等が発生し電気的にショートしてしまう問題が発生する場合があった。また、研削した基板１の研削面に残るダメージを除去するため、基板１の研削面をわずかにエッチングすると、基板１のエッチング量に相当する高さだけ金属配線７が突出してしまうことになる。
【０００７】
また、図６に示したビア・ラスト工程に従う製造方法では、電極膜８は平坦な形状となる。このような形状の電極膜８上に半田ボール９等の外部接続端子を形成すると、電極膜８と外部接続端子、あるいは電極膜８と基板１との密着性が不十分となる場合があった。
【０００８】
本発明は、上記問題点を解消し基板の研削工程により、貫通電極にダメージを与えることなく、接続信頼性に優れた貫通電極の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
また、貫通電極に接続された電極膜と外部接続端子、あるいは電極膜と金属配線との導電性、密着性に優れた貫通電極の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本願請求項１に係る発明は、基板に形成された貫通ビアに金属を充填する貫通電極の製造方法において、前記貫通ビアを有する前記基板の一方の面にフィルムを貼り合わせる工程と、前記貫通ビア内に前記金属を充填する工程と、前記基板から前記フィルムを剥離する工程と、を含み、前記基板の前記一方の面に前記フィルムを貼り合わせる工程は、前記貫通ビア内に入り込ませる前記フィルムの厚さを調整することで、前記貫通ビア内に充填される前記金属表面の位置を設定することを特徴とする。
【００１１】
本願請求項２に係る発明は、請求項１記載の貫通電極の製造方法において、前記フィルムを前記基板の前記一方の面に貼り合わせる工程は、前記貫通ビア内に前記フィルムを入り込ませず、前記金属表面と前記基板の表面の位置を同じ位置とする工程であることを特徴とする。
【００１２】
本願請求項３に係る発明は、請求項１記載の貫通電極の製造方法において、前記フィルムを前記基板の前記一方の面に張り合わせる工程は、前記貫通ビア内に前記フィルムを所定の厚さだけ入り込ませ、前記金属表面と前記基板表面の位置を前記貫通ビア内に入り込ませた前記フィルムの厚さ分だけ異なる位置とする工程であることを特徴とする。
【００１３】
本願請求項４に係る発明は、請求項２または３いずれか記載の貫通電極の製造方法において、前記貫通ビア内と前記金属を充填する工程は、前記貫通ビア内に連続するシード層を形成し、メッキ法により前記貫通ビア内に前記金属を充填する工程であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の製造方法によると、貫通ビアが形成されている基板の一方の面にフィルムを貼り合わせるとき、貫通ビアの中にフィルムを入り込ませず、基板表面と同じ高さで製造することできる。このように形成するとフィルムを貼り合わせた側の貫通電極は、基板表面から突出することなく基板表面と同じ高さになる。この形状は、ビア・ファースト工程やビア・ミドル工程と呼ばれる従来の製造方法で作られた貫通電極と同じ構造となる。しかし、本発明では基板の一方の面にフィルムを貼り合わせてから貫通ビア内に金属を充填するため、貫通電極を基板表面に露出させるための基板研削工程がなくなるので、貫通電極に基板研削時の応力が掛かることがない。このため、基板研削工程に起因するショート等が発生することもなく、信頼性の高い貫通電極を製造することができる。
【００１５】
一方、貫通ビアが形成されている基板の一方の面にフィルムを貼り合わせるとき、貫通ビアの内部にフィルムを入り込ませた状態で製造することもできる。このように形成するとフィルムを貼り合わせた側の貫通電極は、基板表面よりも凹んだ形状になる。このような形状の貫通電極に外部接続端子に接続する電極膜を形成すると、必然的に凹んだ形状になる。このために、引き続き金属配線や半田ボールまたは導電性接着剤等の導電性材料を接続すると、アンカー効果から材料間の密着性が向上し、外部接続端子の接続信頼性が高い貫通電極を製造することができる。
【００１６】
また、本発明の製造方法により形成した貫通電極は、貫通ビアを通して圧力がリークするといった信頼性低下の原因となる貫通ビア内の金属と絶縁膜間での剥離が起きないため、減圧になった中空構造を有する半導体装置に適用した場合に、半導体装置の信頼性向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施例を説明する図である。
【図２】本発明の第２の実施例を説明する図である。
【図３】本発明の第１の実施例からなる貫通電極を用いた半導体装置の例を説明する図である。
【図４】本発明の第２の実施例からなる貫通電極を用いた半導体装置の例を説明する図である。
【図５】従来の貫通電極の製造方法のうち、ビア・ファースト工程、ビア・ミドル工程により得られる貫通電極の例を説明する図である。
【図６】従来の貫通電極の製造方法のうち、ビア・ラスト工程により得られる貫通電極の例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の貫通電極の製造方法について説明する。本発明の貫通電極の製造方法は、まず、絶縁膜で覆われた貫通ビアが形成された基板の一方の面にフィルムを貼り合わせる。次に、フィルムを貼り合わせた面と反対側の面からシード層を形成する。次に、シード層を形成した貫通ビア内にメッキ法により金属を充填し、金属配線を形成する。最後に、先に貼り合わせたフィルムを剥離することにより貫通電極を製造する。特に本発明では、基板にフィルムを貼り合わせる際、貫通ビア内に入り込ませるフィルムの厚さを適宜設定することで所望の形状の貫通ビアを形成することができる。以下、実施例について詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は本発明の第１の実施例の説明図である。まず、貫通ビア２が形成された基板１上に絶縁膜３を形成する（図１ａ）。このとき基板１の材料は、Ｓｉ（シリコン）系、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）系、サファイア系等適宜選択可能である。また、絶縁膜３は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等、基板１との接着性を考慮し選択すれば良い。シリコン酸化膜を形成する場合は、例えば、ＴＥＯＳ（ｔｅｔｒａ  ｅｔｈｏｘｙ  ｓｉｌａｎｅ）ガスを用いたプラズマＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成することができる。シリコン窒化膜を形成する場合は、例えば、シラン系ガスと、窒素ガス及び水素ガスまたはアンモニアガスとを含む処理ガスを供給してプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。
【００２０】
次に基板１の一方の面にドライフィルム４を、ラミネータ装置を用いて貼り合わせる（図１ｂ）。このとき、絶縁膜３の表面が疎水性の場合、あらかじめ表面をＨＭＤＳ（ｈｅｘａ  ｍｅｔｈｙｌ  ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）処理により、親水性にしておいても良い。ドライフィルム４としては、感光性ドライフィルムレジストが好ましく、ポジ型感光性ドライフィルムレジストあるいは、ネガ型感光性ドライフィルムレジストいずれでも良い。ネガ型感光性ドライフィルムレジストを用いる場合、紫外線等で露光させることによりフィルム中の樹脂同士が光反応し、架橋反応が進行することにより膜強度が向上する。このため、工程中によるネガ型感光性ドライフィルムレジストの損傷等によるトラブルを避けることができ、歩留まりの向上に貢献することが可能である。特にメッキ法により貫通ビアに金属を充填する際、メッキ液に浸漬するため耐薬品性の強いドライフィルム膜を必要とする際に有効である。また、ラミネータ装置を用いて基板に貼り合わせる際、ラミネート条件により貫通ビア内に入り込ませるネガ型感光性ドライフィルムレジストの厚さを調整可能である。例えば、ラミネータ装置の条件を温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、送り速度１ｍ／分、ネガ型感光性ドライフィルムレジストとして、日立化成株式会社製のＰＨ−３０４５を用いると、直径１００μｍの貫通ビア２に入り込まないようにフィルムを貼り合わせることが可能である。
【００２１】
また、ポジ型感光性ドライフィルムレジストを用いる場合、紫外線等で露光すると水溶性アルカリ現像液への溶解性が増すために、より短時間でポジ型感光性ドライフィルムレジストを剥離することが可能になり、作業時間の短縮に貢献する。
【００２２】
次に、ドライフィルム４を貼り合わせる面と反対側の基板面からスパッタ法により順にＴｉ（チタン）、Ｃｕ（銅）の積層膜からなるシード層５を形成する（図１ｃ）。このとき、Ｔｉ（チタン）の代わりにＣｒ（クロム）やＴｉＷ（チタンタングステン）を用いても良いし、Ｃｕ（銅）の代わりにＡｌＳｉ（アルミニウムシリコン）を用いても良い。シード層５の形成方法には蒸着法を用いても良い。ここでシード層５は、貫通ビア２の内壁面から底面に露出するドライフィルム４の表面に連続した膜として形成するのが好ましい。
【００２３】
次に、シード層５上にメッキ用レジスト６によりメッキ処理するためのパターンを形成する（図１ｄ）。このパターンは、一般的なフォトリソグラフィーの工程により形成される。
【００２４】
次に、メッキ処理により貫通ビア２内に金属配線７を充填する（図１ｅ）。メッキ処理方法としては、電解メッキ法、無電解メッキ法のいずれでもよいが電解メッキ法の方が、無電解メッキ法よりもスループットやコストの面から好ましい。メッキ金属としては、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｓｎ（スズ）、ＳｎＡｇ（スズ銀）、ＡｕＳｎ（金スズ）等が選ばれ、単独でも２種類以上混合していても良い。貫通ビア２内へのメッキ金属の充填は、埋め込みメッキ、または、コンフォーマルメッキのいずれでも良い。
【００２５】
次に、メッキ用レジスト６とドライフィルム４を剥離する（図１ｆ）。剥離方法としては、レジスト剥離液等を用いる。例えば、メッキ用レジスト６、ドライフィルム４共にネガ型感光性ドライフィルムレジストを用いると、同時に剥離することが可能になる。レジスト剥離液としては、例えば、関東化学株式会社製のＪＥＬＫ−００１を６０℃に加温して５分間浸漬処理する。またはプラズマ装置を用いたアッシング処理（例えば、酸素アッシング）等を用いても良い。
【００２６】
次に、絶縁膜３表面上にある不要なシード層５を除去する（図１ｇ）。除去方法としては、例えば、まず基板１の一方の面に保護膜用の別のドライフィルムをラミネータ装置を用いて貼り合わせる（図示省略）。このとき、絶縁膜３の表面が疎水性の場合、あらかじめ表面をＨＭＤＳ処理により、親水性にしておいても良い。ドライフィルムとしては、フィルム形状のものであれば特に限定は無い。この後、シード層５に使用した金属に対応する各々の金属エッチング液中に、浸漬させることにより絶縁膜３表面上にある不要なシード層５を除去する。引き続き、ドライフィルムを剥離する。この結果、貫通電極内のシード層５は除去されず、金属配線７が基板表面から凹んだ形状にならずに、基板表面と同じ高さの貫通電極を製造することができる。
【００２７】
以上説明したように、本実施例によれば、従来問題であった裏面研削時の貫通電極への応力集中による基板１上の絶縁膜３の剥離等を抑えることにより、基板１と金属配線７とのショートの発生を抑えて貫通電極の信頼性を向上することができる。
【００２８】
また、金属配線７またはシード層５と絶縁膜３との間の剥離を抑えたことにより、貫通電極を用いた半導体装置の信頼性も向上することができる。特に、後述する中空構造を持つような半導体装置への適用が期待できる。具体的には中空構造内を大気圧より低い圧力状態にした半導体装置の場合、貫通電極を通して圧力がリークしないことが重要になる。本実施例によれば、電極と基板上の絶縁膜との間に剥離を生じさせないために、半導体装置内部の減圧状態を保つことが可能になる。
【００２９】
図３は、上記実施例により得られた貫通電極を用いて、減圧状態を保った中空構造１４を有する半導体装置を示す。電極膜８が貫通電極と接続し、さらに導電性接着剤等からなる導電性材料１０と接続している。導電性材料１０は、水晶振動子等の素子１１と接続している。さらに減圧雰囲気下において蓋体１３と接合部材１２で封止することにより、中空構造１４が減圧状態である半導体装置となる。本実施例によれば、貫通電極を通して圧力がリークすることがないので、半導体装置内部の減圧状態を保つことが可能になる。
【実施例２】
【００３０】
図２は本発明の第２の実施例の説明図である。まず、貫通ビア２が形成された基板１上に絶縁膜３を形成する（図２ａ）。このとき基板１の材料は、Ｓｉ系、ＧａＡｓ系、サファイア系等適宜選択可能である。また、絶縁膜３は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等基板１との接着性等を考慮して選択すれば良い。シリコン酸化膜を形成する場合は、例えば、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成することができる。シリコン窒化膜を形成する場合は、例えば、シラン系ガスと、窒素ガス及び水素ガスまたはアンモニアガスとを含む処理ガスを供給してプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。
【００３１】
次に基板１の一方の面に、ドライフィルム４をラミネータ装置を用いて貼り合わせる（図２ｂ）。このとき、絶縁膜３の表面が疎水性の場合、あらかじめ表面をＨＭＤＳ（ｈｅｘａ  ｍｅｔｈｙｌ  ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）処理により、親水性にしておいても良い。ドライフィルム４としては、感光性ドライフィルムレジストが好ましく、ポジ型感光性ドライフィルムレジストあるいは、ネガ型感光性ドライフィルムレジストいずれでも良い。ネガ型感光性ドライフィルムレジストを用いる場合、紫外線等で露光させることにより、フィルム中の樹脂同士が光反応し、架橋反応が進行することにより膜強度が向上する。このため、工程中によるネガ型感光性ドライフィルムレジストの損傷等によるトラブルを避けることができ、歩留まりの向上に貢献することが可能である。特にメッキ法により貫通ビアに金属を充填する際、メッキ液に浸漬するため耐薬品性の強いドライフィルム膜を必要とする際に有効である。また、ラミネート装置を用いて基板に貼り合わせる際、ラミネート条件により貫通ビア内に入り込ませるネガ型感光性ドライフィルムレジストの厚さを調整可能である。例えば、ラミネータ装置の条件を温度１１０℃、圧力０．３ＭＰａ、送り速度１ｍ／分、ネガ型感光性ドライフィルムレジストとして、レジスト層の厚みが４５μｍである日立化成株式会社製のＰＨ−３０４５を用いると、直径１００μｍ、深さ２００μｍの貫通ビア２に３０μｍの厚さで入り込ませることができる。
【００３２】
また、ポジ型感光性ドライフィルムレジストを用いる場合、紫外線等で露光すると水溶性アルカリ現像液への溶解性が増すために、より短時間でポジ型感光性ドライフィルムレジストを剥離することが可能になり、作業時間の短縮に貢献する。
【００３３】
次に、ドライフィルム４を貼り合わせる面と反対側の基板面からスパッタ法により順にＴｉ、Ｃｕの積層膜からなるシード層５を形成する（図２ｃ）。このとき、Ｔｉの代わりにＣｒやＴｉＷを用いても良いし、Ｃｕの代わりにＡｌＳｉを用いても良い。シード層５の形成方法には蒸着法を用いても良い。ここで、シード層５は、貫通ビア２の内壁面から底面に露出するドライフィルム４の表面に連続した膜として形成するのが好ましい。
【００３４】
次に、シード層５上にメッキ用レジスト６によりメッキ処理するためのパターンを形成する（図２ｄ）。このパターンは、一般的なフォトリソグラフィーの工程により形成される。
【００３５】
次に、メッキ処理により貫通ビア２内に金属配線７を充填する（図２ｅ）。メッキ処理方法としては、電解メッキ法、無電解メッキ法のいずれでも良いが電解メッキ法の方が、無電解メッキ法よりもスループットやコストの面から好ましい。メッキ金属としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、ＳｎＡｇ、ＡｕＳｎ等が選ばれ、単独でも２種類以上混合していても良い。貫通ビア２内へのメッキ金属の充填は、埋め込みメッキ、または、コンフォーマルメッキのいずれでも良い。
【００３６】
次に、メッキ用レジスト６とドライフィルム４を剥離する（図２ｆ）。剥離方法としては、レジスト剥離液等を用いる。例えば、メッキ用レジスト６、ドライフィルム４共にネガ型感光性ドライフィルムレジストを用いると、同時に剥離することが可能になる。レジスト剥離液としては、例えば、関東化学株式会社製のＪＥＬＫ−００１を６０℃に加温して５分間浸漬処理する。またはプラズマ装置を用いたアッシング処理（例えば、酸素アッシング）等を用いても良い。
【００３７】
次に、絶縁膜３表面上にある不要なシード層５を除去する（図２ｇ）。除去方法としては、例えば、まず基板１の一方の面に保護用の別のドライフィルムをラミネータ装置を用いて貼り合わせる（図示省略）。このとき、絶縁膜３の表面が疎水性の場合、あらかじめ表面をＨＭＤＳ処理により、親水性にしておいても良い。ドライフィルムとしては、フィルム形状のものであれば特に限定は無い。この後、シード層５に使用した金属に対応する各々のエッチング液中に、浸漬させることにより絶縁膜３表面上にある不要なシード層５を除去する。引き続き、ドライフィルムを剥離する。この結果貫通電極内のシード層５は除去されず、貫通ビア２内に形成された金属配線７が、基板１上の絶縁膜３表面よりも３０μｍ凹んだ形状を維持した貫通電極を製造することができる。
【００３８】
図４は、上記実施例により得られた貫通電極を用いて、外部接続端子として半田ボール９を搭載した半導体装置を示す。先に従来例で説明した（図６ｄ）に示す構造と比較すると、先に形成したシード層５に第２シード層５Ａが、貫通ビア内に入り込むように接し、その上に第２金属配線７Ａ、ＵＢＭ１５および半田ボール９が接続する構造となっている。このような本発明の構造によれば、半田ボール９のシェア強度を向上させることが期待できる。
【００３９】
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではないことは言うまでもない。例えば、上記のドライフィルム４は、感光性ドライフィルムレジストに限定されず、ラミネート条件により貫通ビアへの入り込みを制御できるシート状のものであればいずれでもよい。具体的には、基板を裏面研削するときに使用されるバックグラインド用テープ、基板を個片化するときに使用されるダイシング用テープ、プリント基板において配線化するときに使用されるプリント基板製造用熱プレス工程での離型フィルム、一時的に基板とサポート基材を接続するときに使用される仮接着フィルム等、適宜選択することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１：基板、２：貫通ビア、３：絶縁膜、４：ドライフィルム、５：シード層、５Ａ：第２シード層、６：メッキ用レジスト、７：金属配線、７Ａ：第２金属配線、８：電極膜、９：半田ボール、１０：導電性材料、１１：素子、１２：接合部材、１３：蓋体、１４：中空構造、１５：ＵＢＭ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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