(57)【要約】【課題】半導体ウエハの裏面研磨または切断等の加工を行う際、半導体ウエハが支持材から剥がれることなきよう半導体ウエハを支持材に迅速に確実に固定し、加工後に速やかに半導体ウエハを支持材から剥離させる、半導体ウエハの加工方法を提供する。【解決手段】表面粗さがＲａ０．０１０以上、１．０００以下であるガラス基板に、光重合性基を有するシロキサン化合物、光重合開始剤および発泡剤を少なくとも含む接着性組成物を塗布し、形成した接着面に半導体ウエハを粘着させ、次いで、該接着性組成物に高エネルギー光を照射して硬化させることからなる、ガラス基板に半導体ウエハを固定させる接着工程と、固定させた前記半導体ウエハを加工する加工工程と、硬化した前記接着性組成物を加熱し、該接着性組成物中の発泡剤を発泡させてガラス基板から半導体ウエハを剥離する剥離工程を有する、半導体ウエハの加工方法。【選択図】図１
2017220622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面粗さがＲａ０．０１０以上、１．０００以下であるガラス基板に光重合性基を有するシロキサン化合物、光重合開始剤および発泡剤を少なくとも含む接着性組成物を塗布し、形成した接着面に半導体ウエハを粘着させ、次いで、該接着性組成物に高エネルギー光を照射して硬化させることからなる、ガラス基板に半導体ウエハを固定させる接着工程と、
固定させた前記半導体ウエハを加工する加工工程と、
硬化した前記接着性組成物を加熱し、該接着性組成物中の発泡剤を発泡させてガラス基板から半導体ウエハを剥離する剥離工程を有する、
半導体ウエハの加工方法。
【請求項２】
加工工程で行う加工が半導体ウエハの裏面研磨または切断である請求項１に記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項３】
シロキサン化合物が有する光重合性基が、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基およびビニルエーテル基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基を含む光重合性基である、請求項１または請求項２に記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項４】
シロキサン化合物が、アルコキシシランの加水分解縮合物である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体ウエハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハの加工方法に関する。特に、集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＩＣと呼ぶことがある）やマイクロマシン（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ、以下、ＭＥＭＳと呼ぶことがある）などの電子デバイスの製造において、シリコン基板などに微細な回路パターンが形成された半導体ウエハを加工する際に有用な半導体ウエハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの小型化および高集積化のために、ＩＣまたはＭＥＭＳなどの電子デバイスの製造において、シリコン基板上などに微細な回路パターンが形成された半導体ウエハを作製した後工程で、シリコンウエハに裏面研磨および切断などのさらなる加工がされることが多い。
【０００３】
例えば、後工程で半導体ウエハを薄く研磨するバックグラインド（裏面研磨）工程が必要とされることがある。バックグラインド工程においては、半導体ウエハの回路面（表面）側をバックグラインド用テープ（以下、ＢＧテープと呼ぶことがある）に固定した状態で、回路加工など施されていない裏面側を研磨し半導体ウエハを薄くする。この際、半導体ウエハへのＢＧテープの接着および剥離は、それぞれの専用装置であるラミネーターとリムーバーを用いて行われる。半導体ウエハをＢＧテープに固定した状態から剥離する際、ＢＧテープには剥離時に紫外線を照射するタイプと照射しないタイプが存在し、例えば、特許文献１には紫外線照射で剥離可能な半導体ウエハ加工用粘着テープが開示されている。
【０００４】
しかしながら、半導体ウエハ加工用粘着テープを使ったとしても、ＢＧテープに固定した状態で半導体ウエハを研磨し、例えば１００μｍ未満まで薄くすると、半導体ウエハに反りまたは収縮が発生し、裏面研磨工程の歩留まりが低下する懸念がある。
【０００５】
また裏面研磨によって薄くした半導体ウエハを、チップに切り分けるダイシング工程において、半導体ウエハの裏面をダイシングテープ（以下、ＤＣテープと呼ぶことがある）に固定する操作が行われることがある。例えば、特許文献２には半導体加工用ＤＣテープが開示されている。
【０００６】
しかしながら、半導体加工用ＤＣテープを用いた場合、例えば１００μｍ未満まで薄膜化したウエハをテープに粘着させて固定するという操作自体に困難が伴うことがある。
【０００７】
また、薄くした半導体ウエハをＢＧテープやＤＣテープに粘着させ固定したまま、フォトリソグフィー、またはエッチングによる電極用の穴あけ加工を行うことがある。ＢＧテープやＤＣテープの基材には、通常、エチレン・酢酸ビニル共重合（ＥＶＡ）またはポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）が用いるが、これらの基材は耐熱性、耐エッチング性、耐溶剤性に優れず半導体ウエハがテープから剥がれるという問題があった。
【０００８】
また、特許文献３〜５には、光重合性基を有するシリコン化合物、光重合開始剤および発泡剤を含み、光重合性基がアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基およびビニルエーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を含む光重合性基である接着性組成物が開示されている。
【０００９】
また、特許文献３〜５には、接着性組成物をシリコン基板とガラス基板間に挟み光照射により硬化させシリコン基板とガラス基板を接着させた後、剥離する方法が開示されており、シリコン基板と接着性組成物間で選択的に剥離させる手段として、光重合性基を有するアルコキシシランの加水分解縮合物を、予めガラス基板の接着面に塗布しておき、加熱することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１５−１８５６９２号公報
【特許文献２】特開２０１３−９８２２４号公報
【特許文献３】特開２０１４−４０５７４号公報
【特許文献４】特開２０１４−４０５７５号公報
【特許文献５】国際公開ＷＯ２０１４／０１７２９４のパンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の半導体ウエハの加工方法は、半導体ウエハを支持材に固定した状態で研磨および切断などの加工を行う際、半導体ウエハが支持材から剥がれることなきよう半導体ウエハを支持材に迅速且つ確実に固定し、加工後に速やかに半導体ウエハを支持材から剥離させることができる、半導体ウエハの加工方法を提供することを目的とする。
【００１２】
さらに、本発明の半導体ウエハの加工方法は、半導体ウエハと支持材とを接着性組成物を介して接着させた後に半導体ウエハを支持材から剥離させる際に、半導体ウエハに接着性組成物の残渣を残さない、半導体ウエハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討し「表面粗さがＲａ０．０１０以上、１．０００以下であるガラス基板に光重合性基を有するシロキサン化合物、光重合開始剤および発泡剤を少なくとも含む接着性組成物を塗布し、形成した接着面に半導体ウエハを粘着させ、次いで、該接着性組成物に高エネルギー光を照射して硬化させることからなる、ガラス基板に半導体ウエハを固定させる接着工程と、固定させた前記半導体ウエハを加工する加工工程と、硬化した前記接着性組成物を加熱し、該接着性組成物中の発泡剤を発泡させてガラス基板から半導体ウエハを剥離する剥離工程を有する、半導体ウエハの加工方法。」に到達した。
【００１４】
本発明の半導体ウエハの加工方法において、「接着面の表面粗さがＲａ０．０１０以上、１．０００以下であるガラス基板」を支持材に用いることで、引用文献３〜５に記載の、光重合性基を有するアルコキシシランの加水分解縮合物をガラス基板の接着面に予め塗布することを含むゾルゲル法などによる煩雑なガラス基板の前処理を行うことなく、ガラス基板と半導体ウエハ間に強い接着強度が得ることができた。このようにして、本発明の半導体ウエハの加工方法においては、表面粗さがＲａ０．０１０以上、１．０００以下であるガラス基板に半導体ウエハを接着し固定させた後、半導体ウエハの裏面研磨または切断加工を行う。
【００１５】
さらに、これら加工後に加熱し、硬化した接着性組成物中の発泡剤を発泡させてガラス基板から半導体ウエハを速やかに、且つ半導体ウエハに残渣を残すことなく剥離することが可能となる。
【００１６】
本発明は以下の発明１〜４を含む。
【００１７】
［発明１］
表面粗さがＲａ０．０１０以上、１．０００以下であるガラス基板に、光重合性基を有するシロキサン化合物、光重合開始剤および発泡剤を少なくとも含む接着性組成物を塗布し、形成した接着面に半導体ウエハを粘着させ、次いで、該接着性組成物に高エネルギー光を照射して硬化させることからなる、ガラス基板に半導体ウエハを固定させる接着工程と、
固定させた前記半導体ウエハを加工する加工工程と、
硬化した前記接着性組成物を加熱し、該接着性組成物中の発泡剤を発泡させてガラス基板から半導体ウエハを剥離する剥離工程を有する、
半導体ウエハの加工方法。
【００１８】
［発明２］
加工工程で行う加工が半導体ウエハの裏面研磨または切断である発明１の半導体ウエハの加工方法。
【００１９】
［発明３］
シロキサン化合物が有する光重合性基が、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基およびビニルエーテル基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基を含む光重合性基である、発明１または２の半導体ウエハの加工方法。
【００２０】
［発明４］シロキサン化合物が、アルコキシシランの加水分解縮合物である、発明１〜３の半導体ウエハの加工方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の半導体ウエハの加工方法は、支持材であるガラス基板と加工材である半導体ウエハ間の接着性組成物に高エネルギー光を照射することによって接着性組成物を硬化させて、迅速且つ確実に半導体ウエハをガラス基板に固定することができる。さらに、本発明の半導体ウエハの加工方法は、半導体ウエハをガラス基板から剥離させた際に、半導体ウエハに残る接着性組成物の残渣を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】ガラス基板と半導体ウエハの接着および剥離操作の説明図であり、（Ａ）が接着前の概略図であり、（Ｂ）が接着後の概略図であり、（Ｃ）が研磨後の概略図であり、（Ｄ）が剥離後の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
１．半導体ウエハの加工方法
発明の半導体ウエハの加工方法は、「表面粗さがＲａ０．０１０以上、１．０００以下であるガラス基板に光重合性基を有するシロキサン化合物、光重合開始剤および発泡剤を少なくとも含む接着性組成物を塗布し、形成した接着面に半導体ウエハを粘着させ、次いで、該接着性組成物に高エネルギー光を照射して硬化させることからなる、ガラス基板に半導体ウエハを固定させる接着工程と、固定させた前記半導体ウエハを加工する加工工程と、硬化した前記接着性組成物を加熱し、該接着性組成物中の発泡剤を発泡させてガラス基板から半導体ウエハを剥離する剥離工程を有する、半導体ウエハの加工方法。」である。
【００２４】
以下、図１を用いて、本発明の半導体ウエハの加工方法における接着工程および剥離工程について説明するが、本発明の半導体ウエハの加工方法の実施形態は図１に限定されるものではない。
【００２５】
図１は、ガラス基板と半導体ウエハの接着工程および剥離工程の説明図であり、（Ａ）が接着前の概略図であり、（Ｂ）が接着後の概略図であり、（Ｃ）が研磨後の概略図であり、（Ｄ）が剥離後の概略図である。
【００２６】
図１の（Ａ）に示すように、支持材としてのガラス基板Ｇと加工を行う半導体ウエハＷの間に挟み込む様に接着性組成物１を配置し、図１の（Ｂ）に示す積層状態とした後、接着性組成物層１に高エネルギー光を照射して、ガラス基板Ｇと半導体ウエハＷを接着する。
【００２７】
次いで、図１の（Ｃ）に示すように、半導体ウエハＷの裏面側２を研磨し、半導体ウエハＷを薄くした後、図示しない切断などを行った後に加熱し、図１の（Ｄ）に示すように、加熱し接着性組成物層１を発泡させて、半導体ウエハＷを剥がし、半導体ウエハＷの加工を完成させる。
【００２８】
１−１．接着工程
本発明の半導体ウエハの加工方法における接着工程は、半導体ウエハＷを加工する際の支えのための表面粗さがＲａ０．０１０以上、１．０００以下であるガラス基板Ｇに光重合性基を有するシロキサン化合物、光重合開始剤および発泡剤を少なくとも含む接着性組成物１を塗布し、形成した接着面に半導体ウエハＷを粘着させ、次いで、該接着性組成物１に高エネルギー光を照射して硬化させることからなる、ガラス基板Ｇに半導体ウエハＷを固定させる工程である。
【００２９】
接着工程における、接着性組成物１によるガラス基板Ｇと半導体ウエハＷの接着は、高エネルギー光の照射によって迅速に行うことができる。例えば、支持材としてのガラス基板Ｇと加工材としての半導体ウエハＷの間に接着性組成物１を配置させた後、ガラス基板Ｇ側より高エネルギー光を照射し、接着性組成物１を硬化させることで、ガラス基板Ｇと半導体ウエハＷを確実に接着させることができる。
【００３０】
本発明の半導体ウエハの加工方法における接着工程において、ガラス基板Ｇの接着面に接着性組成物１を塗布し接着性組成物層１を形成する際の塗布方法には、スピンコート法、ロールコート法、スリットコート法、バーコート法、スクリーン印刷法またはインクジェット法が挙げられる。また、接着性組成物１をディスペンサーで塗布し接着性組成物層１を形成してもよい。尚、バーコート法またはスキージを用いたスクリーン印刷法により、塗布後にガラス基板Ｇに接着性組成物層１によるパターンを形成するのであれば、塗布する箇所と塗布しない箇所を設けたメタルマスクを用いることで、パターンを形成することもできる。
【００３１】
図１の（Ｂ）に示すように、ガラス基板Ｇと半導体ウエハＷの間に挟みこんで接着性組成物層１を配し、接着性組成物層１の反対側であるガラス基板Ｇ側より、高エネルギー光を照射させることで接着を行う。接着性組成物層１は、高エネルギー光の照射を行うことで、接着性組成物層１が含む光重合開始剤の作用により重合反応が進行し、接着性組成物層１が硬化することで、ガラス基板Ｇと半導体ウエハＷが接着する。
【００３２】
接着の際、高エネルギー光の波長および照度は光重合開始剤の吸収波長および感度を考慮して選択すればよく、特に限定されるものではないが、光源である発光装置の価格および入手の容易さなどを考慮すると、好ましくは波長２００ｎｍ以上、４７０ｎｍ以下の紫外から青色域の光が使いやすい。例えば光重合開始剤に２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社、商品名、Ｄａｒｏｃｕｒ１１７３）を用いた場合は、波長４２０ｎｍ以下の紫外線を選択すればよい。好ましくは、波長２００ｎｍ以上、４２０ｎｍ以下の紫外線が使いやすく、これらの波長域の紫外線の光源には、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、中圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンフラッシュランプまたは紫外発光ダイオード（ＬＥＤ）が挙げられる。
【００３３】
また、光重合開始剤にビス（２,４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社、商品名、Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９）を用いた場合は、光重合開始剤の吸収が長波長側にも存在することから、上記の紫外線の他に、４７０ｎｍの青色ＬＥＤなどの青色光を用いることもできる。
【００３４】
接着工程おいて、接着性組成物１がこれら光重合開始材を含むことで、ガラス基板Ｇ側より接着性組成物層１に対して高エネルギー光を照射することにより、接着性組成物層１を硬化させて接着できるため、室温（約２０℃）にてガラス基板Ｇと半導体ウエハＷを迅速に接着することが可能である。
【００３５】
１−２．加工工程
本発明の半導体ウエハの加工方法における加工工程は、接着工程に次いで、半導体ウエハＷを加工する工程である。例えば、本発明の半導体ウエハの加工方法における加工工程には、前記接着工程でガラス基板Ｇに半導体ウエハＷを固定した状態のままで、半導体ウエハＷの裏面側に研磨または切断などの加工を行う工程を挙げることができる。具体的には、電子デバイスの小型化並びに高集積化のために半導体ウエハＷを薄く研磨するバックグラインド（裏面研磨）工程、または裏面研磨によって薄くした半導体ウエハＷをチップに切り分けるダイシング工程を例示することができる。
【００３６】
１−３．剥離工程
本発明の半導体ウエハの加工方法における剥離工程は、加工工程に次いで、硬化した接着性組成物１中の発泡剤を発泡させてガラス基板Ｇから半導体ウエハＷを剥離する工程である。
【００３７】
接着工程で接着性組成物１により接着されたガラス基板Ｇと半導体ウエハＷは加工工程で半導体ウエハＷを加工後、剥離工程においては、加熱することで接着性組成物１中の発泡剤を発泡させて、半導体ウエハＷと接着性組成物層１を離間（剥離）させることが可能である。
【００３８】
本発明の半導体ウエハの加工方法において、ガラス基板Ｇの接着面の表面粗さＲａを０．０１０以上、１．０００以下とすることで、剥離後に半導体ウエハＷに残る接着性組成物１による残渣を低減するという効果を得ることができる。
【００３９】
半導体ウエハＷは硬質なガラス基板Ｇに確実に接着固定されるため、半導体ウエハＷの研磨または切断において、半導体ウエハＷの反りや収縮によるクラックの発生を低減することができ、またガラス基板Ｇおよび接着性組成物層１は耐熱性、耐溶剤性および耐プラズマ性に優れるので、半導体ウエハＷをガラス基板Ｇに固定した状態で、フォトリソグラフィーなどの加工が容易である。
【００４０】
図１の（Ｄ）に示すように、接着部位である接着性組成物層１は加熱することで発泡し、ガラス板Ｇから半導体ウエハＷを剥離することができる。本剥離は、接着性組成物層１に含まれる発泡剤の作用による。接着性組成物層１は、前記接着工程で光照射により硬化した接着性組成物層１中の発泡剤が加熱されることで発泡し、半導体ウエハＷと接着性組成物層１の間で剥がれて、ガラス基板Ｇと半導体ウエハＷが自発的に剥離する。その際、ガラス基板Ｇの接着面の表面粗さＲａを０．０１０以上、１．０００以下とすることで、半導体ウエハＷを洗浄する必要がない程に半導体ウエハＷ側には接着性組成物１の残渣が殆ど残らないことが期待される。このことは、接着面の表面粗さＲａを０．０１０以上、１．０００以下のガラス基板Ｇを選択したことで、ガラス基板Ｇと接着性組成物層１の結合が、接着性組成物層１と半導体ウエハＷの結合より格段に強くなったことによる。
【００４１】
ガラス基板Ｇと半導体ウエハＷが接着した状態で、ホットプレートまたはオーブンなどを用いて、発泡剤が発泡開始する温度以上に加熱し、接着性組成物層１を発泡させて、ガラス基板Ｇと半導体ウエハＷを剥離する。例えば、発泡剤にヒドラゾジカルボンアミド（分解温度：２４５℃）を使用した場合、剥離温度は、その発泡温度付近か、または上回る温度が好ましく、具体的には２３５℃以上、２６０℃以下が好ましい。発泡剤にアゾジカルボンアミド（分解温度：２００℃）を使用した場合、剥離温度は１９０℃以上、２２０℃以下が好ましい。発泡剤に４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）（分解温度１５５℃〜１６５℃）を使用した場合、剥離温度は１４５℃以上、１８０℃以下が好ましい。さらに尿素の様な分解助剤を任意の割合で併用することで、分解温度を下げることもできる。
【００４２】
これら発泡剤を用い、接着性組成物層１を加熱し発泡させることによって、ガラス基板Ｇと半導体ウエハＷが自発的に剥離し、接着面の表面粗さＲａを０．０１０以上、１．０００以下のガラス基板Ｇを選択すると、剥離は接着性組成物層１と半導体ウエハＷの間で選択的に生じ、接着性組成物層１の残渣は半導体ウエハＷ側には残らず、ほぼ全てがガラス基板Ｇ側へ付着し、接着性組成物層１の残渣は半導体ウエハＷ側に付着しない。
【００４３】
２．接着性組成物
本発明の半導体ウエハの加工方法において、接着性組成物１は加工工程におけるガラス基板Ｇに接着後の半導体ウエハＷの裏面研磨および切断などの機械加工に耐える接着力を有し、加工後には接着性組成物層１の発泡により、容易に剥離可能であることを必要とする。
【００４４】
本発明の半導体ウエハの加工方法に用いる接着性組成物１は、光重合性基を有するシロキサン化合物を含む。シロキサン化合物の光重合性基は、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基およびビニルエーテル基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基を含む光重合性基であることが好ましい。また、本発明の半導体ウエハの加工方法に用いる接着性組成物１は、光照射によって重合を開始するための光重合開始剤、および加熱により気体を発生する発泡剤を含む。尚、本発明の半導体ウエハの加工方法に用いる接着性組成物１において、シロキサン化合物とは、珪素と酸素を骨格とする化合物で、シロキサン結合（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）を有するものであり、環状シロキサン化合物も含まれる。
【００４５】
以下、本発明の半導体ウエハの加工方法に用いる接着性組成物１の各成分について、それぞれ説明する。
【００４６】
２−１．光重合性基を有するシロキサン化合物
光重合性基を有するシロキサン化合物として、従来から知られているゾルゲル法によって製造することができ、原料化合物が入手しやすいことから、光重合性基を有するアルコキシシランの加水分解縮合物１を好適に用いることができる。光重合性基を有するアルコキシシランの加水分解縮合物１とは、以下の一般式（１）または一般式（２）で表わされるアルコキシシランを、各々少なくとも１種類以上用い、加水分解縮合して得られる縮合物であることが好ましい。
【００４７】
【化１】
2017220622.tif 000003
（式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立にメチル基またはフェニル基であり、Ｒ２はそれぞれ独立にメチル基またはエチル基であり、ｘは０〜３の整数である。）
【００４８】
【化２】
2017220622.tif 000004
（式（２）中、Ｒ３は光重合性基であり、Ｒ４はそれぞれ独立にメチル基またはエチル基であり、Ｒ３はそれぞれ独立にアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基およびビニルエーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を含む光重合性基であり、ｘは１〜３の整数である。）
例えば、式（１）で表わされるアルコキシシランとしてのフェニルトリメトキシシラン（Ｒ１＝フェニル基、Ｒ２＝メチル基、ｘ＝１）またはジメチルジエトキシシラン（Ｒ１＝メチル基、Ｒ２＝エチル基、ｘ＝２）、および式（２）で表わされるアルコキシシランとしての３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（Ｒ３＝プロピルメタクリレート基、Ｒ４＝メチル基、ｘ＝１）から得られる加水分解縮合物は、以下に示した部分構造を有しているものと考えられる。尚、図中の波線は、その先も結合が連続していることを意味する。
【００４９】
【化３】
2017220622.tif 000005
【００５０】
２−２．光重合開始剤
本発明の半導体ウエハの加工方法に用いる接着性組成物１が含む光重合開始剤は、可視光または紫外線の照射により、ラジカルまたはカチオンを発生するものである。発生したラジカルまたはカチオンを開始点として、重合が開始し接着性組成物１を高分子化し硬化させることで、基板などを接着することができる。
【００５１】
光重合開始剤には、光ラジカル重合開始剤または光カチオン重合開始剤を用いることが好ましい。当該光重合性開始剤は、シロキサン化合物が含む光重合基の種類により選択される。重合性基がアクリロイル基、メタクリロイル基およびビニル基である場合は、光ラジカル重合開始剤を用いることが好ましく、重合性基がエポキシ基、オキセタン基およびビニルエーテル基である場合は光カチオン重合開始剤を用いることが好ましい。
【００５２】
光ラジカル重合開始剤には、分子内の結合が高エネルギー光の吸収によって開裂してラジカルを生成する分子内開裂型と、３級アミンやエ−テルなどの水素供与体を併用することによってラジカルを生成する水素引き抜き型などがある。本発明の接着性組成物１において、光ラジカル重合開始剤は、光を吸収することでラジカルを発生し、前記の光重合性基を有するシロキサン化合物を重合することができればよい。
【００５３】
例えば、分子内開裂型である２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製、商品名Ｄａｒｏｃｕｒ １１７３）は、光照射（特に波長２００ｎｍ以上、４２０ｎｍ以下の紫外線領域の光）によって、炭素−炭素結合が開裂することでラジカルを生成する。
【００５４】
また、水素引き抜き型としては、ベンゾフェノン、オルソベンゾイン安息香酸メチル、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルサルファイドまたはカンファ−キノンなどが、水素供与体との２分子反応によって、ラジカルを生成する。
【００５５】
これらのラジカルの作用によって、アクリロイル基、メタクリロイル基またはビニル基の二重結合が開裂して重合する。
【００５６】
その他、市販の光ラジカル重合開始剤を用いることができる。例えば、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製の光ラジカル重合開始剤Ｄａｒｏｃｕｒシリ−ズから、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン（商品名、Ｄａｒｏｃｕｒ １１７３）、Ｄａｒｏｃｕｒ ＴＰＯまたはＩｒｇａｃｕｒｅシリ−ズから、２−ヒロドキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン（商品名Ｉｒｇａｃｕｒｅ １２７）、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン（商品名、Ｉｒｇａｃｕｒｅ １８４）、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（商品名、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ２９５９）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１（商品名、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ３６９、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ３７９）、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン（商品名、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ３７９ＥＧ）、オキシフェニル酢酸と２−［２−オキソ−２−フェニルアセトキシエトキシ］エチルエステルとオキシフェニル酢酸と２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチルエステルの混合物（商品名、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ７５４）、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（商品名、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ９０７、Ｉｒｇａｃｕｒｅ １７００、Ｉｒｇａｃｕｒｅ １８００、Ｉｒｇａｃｕｒｅ １８５０、Ｉｒｇａｃｕｒｅ １８７０）、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド（商品名、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ８１９）、ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロ−ル−１−イル）−フェニル）チタニウム（商品名、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ７８４、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ４２６５）を使用することができる。
【００５７】
光カチオン重合開始剤は、高エネルギー光の照射によって、カチオン重合を開始させる酸触媒を発生させる化合物であり、特にオニウム塩の化学構造を有するものが保存安定性および耐熱性の面で有用である。
【００５８】
市販の光カチオン重合開始剤としては、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナート（みどり化学株式会社製、商品名ＴＰＳ１０３）またはビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモナート（みどり化学株式会社製、商品名ＢＢＩ−１０３）を挙げることができる。
【００５９】
本発明の半導体ウエハの加工方法に用いる接着性組成物１において、光重合開始剤の光の吸収効率を向上させる目的で、光増感剤を添加することもできる。光増感剤として、例えばアントラセン、２−エチル−９，１０−ジメトキシアントラセンまたは２−イソプロピルチオキサントンを使用することができる。また市販の増感剤として、日本化薬株式会社製、商品名、ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＤＥＴＸ−Ｓを挙げることができる。
【００６０】
２−３．発泡剤
本発明の半導体ウエハＷの加工方法に用いる接着性組成物１が含む発泡剤には、加熱により気体を発生する発泡剤を用いることが好ましい。当該発泡剤には、加熱によって化学構造が変わり気体を発生する化合物、吸着成分が脱離して気体を発生する化合物、または、熱的に不安定な化学結合を有し加熱により分解して気体を発生する有機化合物が挙げられる。所望の発泡温度を有する発泡剤を選択することで、基板が剥離する際の温度を、所望の温度に調整できる。特に、ガラス基板Ｇから半導体ウエハＷが、自発的に剥離する際の温度を、所望の温度に調整できる。
【００６１】
加熱によって化学構造が変わり発泡する発泡剤は、有機化合物と無機化合物とに分けられる。有機化合物の例としては、約２４５℃で窒素およびアンモニアなどを発生するヒドラゾジカルボンアミド（三協化成株式会社製、商品名セルマイク１４２）、２００℃近傍で窒素および二酸化炭素などを発生するアゾジカルボンアミド（三協化成株式会社製、商品名セルマイクＣＥ）、２００℃近傍で窒素などを発生するＮ、Ｎ’−ジニトロソペンタメチレンテトラミン（永和化成工業株式会社製、商品名セルラーＤ）、１６０℃近傍で窒素などを発生する４、４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）（永和化成工業株式会社製、商品名ネオセルボン）を挙げることができる。無機化合物の例としては、１４０℃以上で二酸化炭素を発生する炭酸水素ナトリウムが挙げられる。また市販の発泡剤として、３２５℃近傍で窒素を発生する永和化成工業株式会社製、商品名セルテトラＢＨＴ−２ＮＨ３、または３５０℃近傍で窒素を発生する永和化成工業株式会社製、商品名セルテトラＢＨＴ−ＰＩＰＥを挙げることができる。
【００６２】
加熱によって吸着成分が脱離して気体を発生する化合物としては、例えば、約３００℃で吸着水を分離し水蒸気を発生するホウ酸亜鉛（早川商事株式会社製、商品名ＦｉｒｅＢｒｅａｋ  ＺＢ）が挙げられ発泡剤として使用することができる。
【００６３】
２−４．その他、添加物
本発明の半導体ウエハの加工方法に用いる接着性組成物１に、半導体ウエハＷと接着性組成物１の接着力を向上させるなど、接着力を制御する目的で、極性基を有する化合物を添加しても良い。例えば、メタクリル酸（２−ヒドロキシエチル）、ペンタエリスリトールトリアクリレート（大阪有機化学工業株式会社製、商品名ビスコート＃３００）、エポキシアクリレート（大阪有機化学工業株式会社製、商品名ビスコート＃５４０）、トリ（２−アクリロイルオキシエチル）ホスフェート（大阪有機化学工業株式会社製、商品名ビスコート３ＰＡ）、またはビス（２−メタクリロイルオキシエチル）リン酸エステル（日本化薬株式会社製、商品名ＫＡＹＡＭＥＲ ＰＭ−２）などの極性基を有する化合物を添加することで、より強固な接着が可能になる。
【００６４】
当該化合物は、接着性組成物１の全質量に対して、１質量％以上、４０質量％以下で添加することが好ましい。１質量％より少ないと接着力を向上させる効果がなく、４０質量％を超えて加える必要はなく、光重合性基を有するシロキサン化合物、光重合開始剤、発泡剤の作用を阻害する虞がある。
【００６５】
さらに接着性組成物１の粘度を調整する目的で、接着剤中に無機微粒子であるシリカを添加してもよい。例えば、日本アエロジル株式会社製のアエロジルシリーズ、株式会社トクヤマ製のレオロシールシリーズなどが挙げられる。当該化合物は、接着性組成物１の全質量に対して、０．０１質量％以上、１０質量％以下で添加することが好ましい。
【００６６】
２−５．接着性組成物の組成比
本発明の半導体ウエハＷの加工方法に用いる接着性組成物１は、光重合性基を有するシロキサン化合物、光重合開始剤および発泡剤を含有しており、アルコキシシランの光重合性基を有する加水分解縮合物、光重合開始剤および発泡剤が、質量％による比で表して、加水分解縮合物：光重合開始剤：発泡剤＝５０％〜９８％：１％〜１０％：１％〜４９％の範囲内であることが好ましい。この範囲外では接着力が弱い、発泡し過ぎるなどの不具合を生じやすい傾向がある。
【００６７】
３．ガラス基板
本発明の半導体ウエハの加工方法に用いる半導体ウエハＷの支持材には接着面の表面粗さＲａが０．０１０以上、１．０００以下のガラス基板Ｇを用いる。
【００６８】
ガラス基板Ｇと材質しては、ソーダライムシリケートガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラスが挙げられ、好ましくはソーダライムシリケートガラス、無アルカリガラスである。半導体ウエハＷを浸す可能性のあるアルカリ分を含まず、半導体製造における使用実績があることから、無アルカリガラスの使用が好ましい。しかしながら、加工において半導体ウエハＷに影響を与えないのであれば、ソーダライムシリケートガラスを用いてもよい。本発明の半導体ウエハの加工方法において、ガラス板Ｇと接着性組成物層１の強固な接着を得るために、接着面の表面粗さＲａが０．０１０以上、１．０００以下のガラス基板Ｇを支持材に用いる。Ｒａが０．０１０以上、１．０００の以下のガラス基板Ｇを用いると、接着時のガラス基板Ｇと接着性組成物層１の接着強度を上げることで、剥離は接着性組成物層１と半導体ウエハＷの間で選択的に生じ、接着性組成物層１の残渣は半導体ウエハＷ側には残らず、ほぼ全てがガラス基板Ｇ側へ付着し、接着性組成物層１の残渣は半導体ウエハＷ側に付着しないという効果がある。
【００６９】
これはガラス基板Ｇの表面粗さＲａが０．０１０以上、１．０００以下である場合、ガラス基板Ｇと接着性組成物層１の接着界面において、ガラス基板Ｇの接着面が粗い面となることで、接着性組成物層１の接着面２に対し、硬化物がアンカー効果を示し、ガラス基板Ｇに対する接着性組成物層１の機械的な接着強度が向上する。Ｒａが０．０１０未満の場合には、接着性組成物層１の残渣をガラス基板Ｇへ選択的に付着させる効果が十分に得られず、またＲａが１．０００を超えると、ガラス基板Ｇの機械的な強度が低下してしまい、ガラス基板Ｇの割れなどが生じやすくなる。
【００７０】
また接着性組成物層１は主成分がシロキサン化合物であり、シロキサン結合およびＳｉＯＨを含み、ガラス基板Ｇの表面もシロキサン結合およびＳｉＯＨを含むことから、接着性組成物層１とガラス基板Ｇの接着界面において、分子間力やＯＨ基の水素結合による接着力の向上が期待できる。これらの効果は、接着面積が大きいことにより、ガラス基板Ｇの表面粗さＲａが０．０１０以上、１．０００以下の場合に特に有効であり、剥離工程において、半導体ウエハＷに接着性組成物１の残渣を残さない効果を得ることができる。
【００７１】
尚、表面粗さとは、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜取り部分の平均線の方向にＸ軸を、縦倍率の方向にＹ軸を取り、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で表したときに、次の式によって求められる値をマイクロメートル（μｍ）で表したものをいい、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２０１３「製品の幾何特性仕様（ＧＰＳ）−表面性状：輪郭曲線方式−用語，定義及び表面性状パラメータ」に規定される。
【００７２】
表面粗さＲａが０．０１０以上、１．０００以下のガラス基板Ｇは、公知の方法で製造することができる。公知の方法には、サンドブラスト法、表面研磨法、化学的エッチング法またはゾルゲル法が挙げられる。
【００７３】
本発明の半導体ウエハの加工方法に用いる、表面粗さＲａが０．０１０以上、１．０００以下のガラス基板Ｇはサンドブラスト法による製造が簡便であり、サンドブラスト法により製造されたものを用いることが好ましい。サンドブラスト法により表面粗さが調整されたガラス基板Ｇは市販のものを入手することも可能である。本発明の半導体ウエハの加工方法における半導体ウエハＷの加工時に破損することがなきよう、さらに、化学的エッチング法を併用して、ガラス表面に形成されたマイクロクラックを低減させて、ガラス基板Ｇの機械的強度を向上させることが好ましい。
【００７４】
サンドブラスト法とは、基材表面に研磨材の微粒子を衝突させて基材表面を加工する方法である。具体的には、圧縮空気を開放することにより酸化アルミニウムＡｌ２Ｏ３などの硬質の微粒子を基材であるガラス基板Ｇに吹き付け、圧力をかけてガラス基板Ｇに衝突させ、ガラス基板Ｇ表面に凹凸を形成する方法が挙げられ、衝突させる粒子の粒子径および量、圧力、吹き付け時間などにより、ガラス基板Ｇの表面粗さを調整することができる。
【００７５】
表面研磨法とは、基材表面に研磨材の微粒子、例えば、炭化珪素ＳｉＣの微粒子などを擦すりつけて基材表面を加工する方法である。具体的には、回転ブラシまたは回転スポンジにより微粒子をガラス基板Ｇに擦りつけて、ガラス基板Ｇ表面に凹凸を形成する方法が挙げられ、ブラシまたはスポンジの回転速度、擦りつける際の圧力、微粒子の粒径を変えることによって、ガラス基板Ｇの表面粗さを調整することができる。
【００７６】
化学的エッチング法とは、酸またはアルカリなどの化学薬品の腐食（エッチング）作用を利用し、基材表面を変化させる方法であり、具体的には弗酸または弗硝酸に基材であるガラス基板Ｇを浸漬させて、ガラス基板Ｇ表面をエッチングする方法である。        
【００７７】
ゾルゲル法とは、基材であるガラス基板Ｇに、シリカ化合物または金属アルコキシドの分散液または溶液を均一に塗布した後、乾燥させ、焼成しガラス基板Ｇ表面にゾルゲル膜を得る方法であり、シリカ化合物の粒径または種類、金属アルコキシドの種類などを変えることによって、ガラス基板Ｇの表面粗さを調整することができる。
【００７８】
４．半導体ウエハ
本発明の半導体ウエハの加工方法に用いる半導体ウエハＷとしては、半導体の製造に用いられる通常の材質であればよく、具体的には、シリコン基板、化合物半導体である窒化ガリウム（ＧａＮ）基板、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板、またはサファイア基板を例示することができ、いずれの基板を使用してもよい。
【００７９】
これら半導体ウエハＷの接着面は、フォトレジスト膜または半導体面のコーティング膜で覆われていてもよく、また金属配線や電極などが形成されていてもよい。本発明において、裏面とはこれら加工されていない側の半導体の基板そのものの面を言う。
【実施例】
【００８０】
本発明の半導体ウエハの加工方法を、実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【００８１】
実施例１
＜光重合性基を有するアルコキシシランの加水分解縮合物の調製＞
ジムロートと撹拌翼を備えた２Ｌフラスコ内に、室温（約２０℃）にて、フェニルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名 ＫＢＭ−１０３）７９．２９ｇ、ジメチルジエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名 ＫＢＭ−２２）４８．０８ｇ、３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（東京化成株式会社製）４９．６７ｇ、イソプロピルアルコール、３５５．２８ｇ、水、３９．１０ｇ、酢酸、０．１０ｇを採取した。
【００８２】
フラスコ底部をオイルバスに浸漬させた後、攪拌翼を２００ｒｐｍで回転させ内容物を攪拌しつつオイルバスを昇温し、内容物を９０℃に保持した状態で６時間、撹拌を続け縮合反応を行った。６時間経過後、フラスコをオイルバスから取出し室温まで冷却した。内容物を分液ロートに移し、イソプロピルエーテル４００ｍｌおよび水４００ｍｌを加えて二層分離させた後、有機層を分取した。有機層に硫酸マグネシウムを加え脱水した後、ナスフラスコに移し、エバポレーターにて有機溶媒を留去して、無色透明の固形物を１１８．３３ｇ得た。このようにして光重合性基を有するアルコキシシランの加水分解縮合物を調製した。
＜接着性組成物の調製＞
調製した光重合性基を有するアルコキシシランの加水分解縮合物１０．００ｇに、発泡剤としてのアゾジカルボンアミド１．４０ｇ（三協化成株式会社製、商品名セルマイクＣＥ）、光ラジカル重合開始剤としての２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社、商品名、Ｄａｒｏｃｕｒ１１７３）、０．３２ｇを加え、接着性組成物１を調製し１１．７２ｇを得た。
＜ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗの接着および剥離＞
厚さ１．１ｍｍ、大きさ１０ｃｍ角の表面粗さＲａ０．０２９であるガラス基板Ｇと、半導体ウエハＷとしての厚さ５２５μｍ、径１００ｍｍのシリコン製円板（以下、シリコン板Ｗと呼ぶことがある）を用意した。
【００８３】
図１の（Ａ）に示すように、前記接着性組成物１の中の１．３ｇをスピンコーターでシリコン板Ｗに塗布し、接着性組成物層１を形成した。次いで、図１の（Ｂ）に示すように、ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗの間に接着性組成物１を挟み込む様に、ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗ期を重ねた。紫外線照射機（ＨＯＹＡ−ＳＣＨＯＴＴ社製、型式ＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＥＸ２５０）を用い、ガラス基板Ｇ側から接着性組成物層１に紫外線を３０秒間、ガラス基板Ｇを介して照射し接着性組成物層１を硬化させ、ガラス基板Ｇにシリコン板Ｗを接着固定した。
【００８４】
次いで、ガラス基板Ｇにシリコン板Ｗを接着固定した状態で、ホットプレートを用い加熱し、室温（約２０℃）から２００℃まで昇温したところ、２００℃に到達後、接着性組成物層１中の発泡剤アゾジカルボンアミドが分解発泡し、ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗが３０秒後に剥離した。
【００８５】
剥離面を目視にて観察したところ、接着性組成物層１の剥離はシリコン板Ｗと接着性組成物層１の間で起こり、接着性組成物層１はガラス基板Ｇに付着しており、シリコン板Ｗへ接着性組成物１が残留したことによる残渣は認められなかった。
【００８６】
実施例２
＜接着性組成物の調製＞
実施例１の光重合性基を有するアルコキシシランの加水分解縮合物の合成で調製したアルコキシシランの加水分解縮合物１０．００ｇを用い、発泡剤をアゾジカルボンアミドから４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）に替えた以外は、実施例１と同様の手順で接着性組成物１を調製した。
【００８７】
具体的には、前期加水分解縮合物１０．００ｇに、発泡剤としての４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）（永和化成工業株式会社製、商品名ネオセルボン）を１．５１ｇ、光ラジカル重合開始剤としての２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社、商品名、Ｄａｒｏｃｕｒ１１７３）を０．３３ｇ加え、接着性組成物１を調製し１１．８４ｇを得た。
＜ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗの接着および剥離＞
実施例１と同様に厚さ１．１ｍｍ、大きさ１０ｃｍ角の表面粗さＲａ０．０２９であるガラス基板Ｇと、の厚さ５２５μｍ、径１００ｍｍのシリコン板Ｗを用意した。
【００８８】
図１の（Ａ）に示すように、前記接着性組成物１中の１．３ｇをスピンコーターでシリコン板Ｗに塗布し、接着性組成物層１を形成した。次いで、図１の（Ｂ）に示すように、ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗの間に接着性組成物１を挟み込み様に、ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗに重ねた。紫外線照射機（ＨＯＹＡ−ＳＣＨＯＴＴ社製、型式ＵＶ ＬＩＧＨＴ ＳＯＵＲＣＥ ＥＸ２５０）を用い、ガラス基板Ｇ側から接着性組成物層１に紫外線を３０秒間、ガラス基板Ｇを介し照射し接着性組成物層１を硬化させ、ガラス基板Ｇにシリコン板Ｗを接着固定した。
【００８９】
次いで、ガラス基板Ｇにシリコン板Ｗを接着固定した状態で、ホットプレートを用い加熱し、室温（約２０℃）から１６０℃まで昇温したところ、１６０℃に到達後、接着性組成物層１中の発泡剤４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）が分解発泡し、ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗが３０秒後に剥離した。
【００９０】
剥離面を目視にて観察したところ、接着性組成物層１の剥離はシリコン板Ｗと接着性組成物層１の間で起こり、接着性組成物層１はガラス基板Ｇに付着しており、シリコン板Ｗへ接着性組成物１が残留付着したことによる残渣は認められなかった。
【００９１】
実施例３
実施例１で用いた表面粗さＲａが０．０２９のガラス基板Ｇと替えて、厚さ１．１ｍｍ、大きさ１０ｃｍ角の表面粗さＲａ０．４６８であるガラス基板Ｇを用意した。
【００９２】
表面粗さＲａが０．０２９から０．４６８のガラス基板Ｇに変更した以外は、実施例１と同様に、半導体ウエハＷとしての厚さ５２５μｍ、径１００ｍｍのシリコン板Ｗを用い、実施例１と同様の、発泡剤としてアゾジカルボンアミド（三協化成株式会社製、商品名セルマイクＣＥ）を含む接着性組成物１を用い、実施例１と同様の手順で、ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗの接着および剥離を行った。
＜ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗの接着および剥離＞
剥離面を目視にて観察したところ、接着性組成物層１の剥離はシリコン板Ｗと接着性組成物層１の間で起こり、接着性組成物層１はガラス基板Ｇに付着しており、シリコン板Ｗへ接着性組成物１が残留付着したことによる残渣は認められなかった。
【００９３】
実施例４
実施例２と異なり、表面粗さＲａが０．０２９のガラス基板Ｇと替えて、厚さ１．１ｍｍ、大きさ１０ｃｍ角の表面粗さＲａ０．４６８であるガラス基板Ｇを用意した。実施例１と同様に厚さ５２５μｍ、径１００ｍｍのシリコン板Ｗを用意した。
【００９４】
表面粗さＲａが０．０２９から０．４６８のガラス基板Ｇに変更した以外は、発泡剤として、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）（永和化成工業株式会社製、商品名ネオセルボン）を含む実施例２と同様の組成の接着性組成物１を用い、実施例２と同様の手順で、シリコン板Ｗとガラス基板Ｇの接着および剥離を行った。
＜ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗの接着および剥離＞
剥離面を目視にて観察したところ、接着性組成物層１の剥離はシリコン板Ｗと接着性組成物層１の間で起こり、接着性組成物層１はガラス基板Ｇに付着しており、シリコン板Ｗへ接着性組成物１が残留付着したことによる残渣は認められなかった。
【００９５】
比較例１
接着性組成物１中に発泡剤を添加しない以外は、実施例１と同様の手順で、ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗの接着および剥離を行った。
【００９６】
具体的には、実施例１で用いたのと同様のガラス基板Ｇ、シリコン板Ｗ、接着性組成物１中に発泡剤を添加しない以外は同様の接着性組成物１を用い、実施例１と同様の手順で、シリコン板Ｗの接着面にをスピンコーターにて塗布し接着性組成物層１を設け、接着性組成物層１を挟み込む様にガラス基板Ｇとシリコン板Ｗとを重ね合わせた。
【００９７】
実施例１と同様の手順で、紫外線を３０秒間照射して、シリコン板Ｗとガラス基板Ｇを接着させた後、ホットプレートにて室温から２００℃まで昇温させた。しかしながら、発泡剤が添加されていないため接着性組成物層１は発泡せず、シリコン板Ｗとガラス基板Ｇ２００℃においても剥離しなかった。さらにホットプレートの温度を上げたところ、２５０℃においても、剥離しなかった。
【００９８】
比較例２
実施例１と異なり、表面粗さＲａが０．０２９のガラス基板Ｇと替えて、厚さ１．１ｍｍ、大きさ１０ｃｍ角の表面粗さＲａ０．００７であるガラス基板Ｇを用いた以外は、実施例１と同様のシリコン板Ｗおよび接着性組成物１を用い、実施例１と同様の手順で、シリコン板Ｗの接着面にをスピンコーターにて塗布し接着性組成物層１を設け、接着性組成物層１を挟み込む様にガラス基板Ｇとシリコン板Ｗとを重ね合わせた。
【００９９】
実施例１と同様の手順で、紫外線を３０秒間照射して、ガラス基板Ｇとシリコン板Ｗを接着させた後、ホットプレートにて室温から２００℃まで昇温させた。２００℃に到達後、約３０秒後に、シリコン板Ｗとガラス基板Ｇが剥離した。接着性組成物１の残渣はシリコン板Ｗとガラス基板Ｇの両方に付着していた。
［評価結果］
表１に実施例１〜４の結果を示す。
【０１００】
【表１】
2017220622.tif 000006
表１に示すように、実施例１〜４においては、何れにおいても、発泡剤を含む接着性組成物１が所望の温度で発泡することでシリコン板Ｗは接着性組成物層１より剥離した。目視観察したところ、シリコン板Ｗに接着性組成物１の残渣（接着残渣）は認められず、良好な結果であった。このことは、表面粗さ０．０２９または０．４６８のガラス基板Ｇを用いたことで、ガラス基板Ｇと接着性組成物層１が強固に接着し、剥離は接着性組成物層１とシリコン板Ｗの間で選択的に生じたことによる。
表２に比較例１〜２の結果を示す。
【０１０１】
【表２】
2017220622.tif 000007
表２の比較例１に示すように、接着性組成物１が発泡剤を含まない場合、シリコン板Ｗとガラス基板Ｇは加熱しても剥離しなかった。このことは、剥離の駆動力に発泡を用いることができないため、シリコン板Ｗとガラス基板Ｇを自発的に剥離させることはできなかったことによる。
【０１０２】
比較例２に示すように、ガラス基板ＧにＲａが０．００７のガラス基板Ｇを用いた場合、シリコン板Ｗに接着性組成物層１の残渣（接着残渣）が認められた。このことは、ガラス基板Ｇと接着性組成物層１の接着力が低く、剥離がシリコン板Ｗと接着性組成物層１との間で選択的に生じなかったことによる。
【符号の説明】
【０１０３】
Ｇ    ガラス基板
Ｗ    半導体ウエハ、シリコン基板
１    接着性組成物、接着性組成物層
２    （半導体ウエハの）裏面側
【図１】
2017220622.tif 000008