(57)【要約】【課題】アナログデータの演算処理を実行できる半導体装置の回路規模を小さく抑える。【解決手段】メモリセルは、第１のアナログデータに応じた第１の電流を生成する機能と、第１のアナログデータ及び第２のアナログデータに応じた第２の電流を生成する機能と、を有し、参照用メモリセルは、参照データに応じた参照電流を生成する機能を有し、第１の回路は、第１の電流が参照電流より小さい場合に第１の電流と参照電流との差分に応じた第３の電流を生成する機能と、第３の電流を保持する機能と、を有し、第２の回路は、第１の電流が参照電流より大きい場合に第１の電流と参照電流との差分に応じた第４の電流を生成する機能と、第４の電流を保持する機能と、を有し、第１の回路または第２回路は、第２の電流と第３の電流または第４の電流とから、第３のアナログデータに応じた第５の電流を生成する機能を有する半導体装置。【選択図】図１
2017168099.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルと、参照用メモリセルと、第１の回路と、第２の回路と、を有し、
前記メモリセルは、第１のアナログデータに応じた第１の電流を生成する機能と、前記第１のアナログデータ及び第２のアナログデータに応じた第２の電流を生成する機能と、を有し、
前記参照用メモリセルは、参照データに応じた参照電流を生成する機能を有し、
前記第１の回路は、前記第１の電流が前記参照電流より小さい場合に前記第１の電流と前記参照電流との差分に応じた第３の電流を生成する機能と、前記第３の電流を保持する機能と、を有し、
前記第２の回路は、前記第１の電流が前記参照電流より大きい場合に前記第１の電流と前記参照電流との差分に応じた第４の電流を生成する機能と、前記第４の電流を保持する機能と、を有し、
前記第１の回路または前記第２の回路は、前記第２の電流と前記第３の電流または前記第４の電流とから、第３のアナログデータに応じた第５の電流を生成する機能を有する半導体装置。
【請求項２】
第１のメモリセルと、第２のメモリセルと、第１の参照用メモリセルと、第２の参照用メモリセルと、第１の回路と、第２の回路と、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のアナログ電位に応じた第１の電流を生成する機能と、前記第１のアナログ電位及び第２のアナログ電位に応じた第２の電流を生成する機能と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第３のアナログ電位に応じた第３の電流を生成する機能と、前記第３のアナログ電位及び第４のアナログ電位に応じた第４の電流を生成する機能と、を有し、
前記第１の参照用メモリセルは、参照電位に応じた第１の参照電流を生成する機能を有し、
前記第２の参照用メモリセルは、前記参照電位に応じた第２の参照電流を生成する機能を有し、
前記第１の回路は、前記第１の電流及び前記第３の電流の和が前記第１の参照電流及び前記第２の参照電流の和より小さい場合に前記第１の電流及び前記第３の電流の和と前記第１の参照電流及び前記第２の参照電流の和との差分に応じた第５の電流を生成する機能と、前記第５の電流を保持する機能と、を有し、
前記第２の回路は、前記第１の電流及び前記第３の電流の和が前記第１の参照電流及び前記第２の参照電流の和より大きい場合に前記第１の電流及び前記第３の電流の和と前記第１の参照電流及び前記第２の参照電流の和との差分に応じた第６の電流を生成する機能と、前記第６の電流を保持する機能と、を有し、
前記第１の回路または前記第２の回路は、前記第２の電流及び前記第４の電流の和と前記第５の電流または前記第６の電流とから、第５のアナログ電位に応じた第７の電流を生成する機能を有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、アナログデータを扱う演算処理回路などの半導体装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
アナログデータをデジタルデータに変換してから演算処理を行うと、膨大な量の演算処理を実行する必要があり、演算処理に要する時間を抑えることが難しい。そこで、ニューロンを基本的な素子とする脳において実行されるアナログデータの情報処理と同様に、アナログデータをデジタルデータに変換することなく、演算処理を行う各種の方法が提案されている。
【０００４】
下記の特許文献１には、独立した非線形変換演算と重み付け演算とを同時に実行することができる演算回路について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１１０４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
積和演算処理はデジタル回路において多く使用される演算処理である。アナログデータの積和演算処理をデジタル回路で実行する場合、具体的には、複数の第１のデジタルデータと、複数の第１のデジタルデータに各々対応する複数の第２のデジタルデータとの乗算を積演算回路にて実行し、得られた結果に相当する複数の第３のデジタルデータをデジタルメモリに格納する。次いで、上記デジタルメモリから複数の第３のデジタルデータを逐次読み出し、複数の第３のデジタルデータの加算を加算回路にて実行することで、積和演算処理の結果を得ることができる。すなわち、デジタル回路で実行される積和演算処理では、デジタルメモリからの第３のデジタルデータ読み出し及びデジタルメモリへのデータ格納を頻繁に行う必要が生じるため、デジタルメモリへのアクセスに要する速度が演算処理の速度を決めることになる。また、積演算回路や加算回路をデジタル回路に複数設けることで演算処理に要する時間を短縮することもできるが、この場合、デジタル回路の消費電力を抑えることが難しくなる。
【０００７】
上述したような技術的背景のもと、本発明の一態様は、アナログデータの演算処理を実行できる半導体装置の回路規模を小さく抑えることを課題の一つとする。或いは、本発明の一態様は、アナログデータの演算処理に要する時間を抑えることができる半導体装置の提供を課題の一つとする。或いは、本発明の一態様は、アナログデータの演算処理を実行できる半導体装置の低消費電力化を実現することを課題の一つとする。
【０００８】
なお、本発明の一態様は、新規な半導体装置などの提供を、課題の一つとする。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題に鑑み、本発明の一態様に係る半導体装置は、メモリセルと、参照用メモリセルと、第１の回路と、第２の回路と、を有し、上記メモリセルは、第１のアナログデータに応じた第１の電流を生成する機能と、上記第１のアナログデータ及び第２のアナログデータに応じた第２の電流を生成する機能と、を有し、上記参照用メモリセルは、参照データに応じた参照電流を生成する機能を有し、上記第１の回路は、上記第１の電流が上記参照電流より小さい場合に上記第１の電流と上記参照電流との差分に応じた第３の電流を生成する機能と、上記第３の電流を保持する機能と、を有し、上記第２の回路は、上記第１の電流が上記参照電流より大きい場合に上記第１の電流と上記参照電流との差分に応じた第４の電流を生成する機能と、上記第４の電流を保持する機能と、を有し、上記第１の回路または上記第２の回路は、上記第２の電流と上記第３の電流または上記第４の電流とから、第３のアナログデータに応じた第５の電流を生成する機能を有することを特徴とする。
【００１０】
上記課題に鑑み、本発明の一態様に係る半導体装置は、第１のメモリセルと、第２のメモリセルと、第１の参照用メモリセルと、第２の参照用メモリセルと、第１の回路と、第２の回路と、を有し、上記第１のメモリセルは、第１のアナログデータに応じた第１の電流を生成する機能と、上記第１のアナログデータ及び第２のアナログデータに応じた第２の電流を生成する機能と、を有し、上記第２のメモリセルは、第３のアナログデータに応じた第３の電流を生成する機能と、上記第３のアナログデータ及び第４のアナログデータに応じた第４の電流を生成する機能と、を有し、上記第１の参照用メモリセルは、参照データに応じた第１の参照電流を生成する機能を有し、上記第２の参照用メモリセルは、上記参照データに応じた第２の参照電流を生成する機能を有し、上記第１の回路は、上記第１の電流及び上記第３の電流の和が上記第１の参照電流及び上記第２の参照電流の和より小さい場合に上記第１の電流及び上記第３の電流の和と上記第１の参照電流及び上記第２の参照電流の和との差分に応じた第５の電流を生成する機能と、上記第５の電流を保持する機能と、を有し、上記第２の回路は、上記第１の電流及び上記第３の電流の和が上記第１の参照電流及び上記第２の参照電流の和より大きい場合に上記第１の電流及び上記第３の電流の和と上記第１の参照電流及び上記第２の参照電流の和との差分に応じた第６の電流を生成する機能と、上記第６の電流を保持する機能と、を有し、上記第１の回路または上記第２の回路は、上記第２の電流及び上記第４の電流の和と上記第５の電流または上記第６の電流とから、第５のアナログデータに応じた第７の電流を生成する機能を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様により、アナログデータの演算処理を実行できる半導体装置の回路規模を小さく抑えることができる。或いは、本発明の一態様により、アナログデータの演算処理に要する時間を抑えることができる半導体装置を提供することができる。或いは、本発明の一態様により、アナログデータの演算処理を実行できる半導体装置の低消費電力化を実現することができる。
【００１２】
なお、本発明の一態様により、新規な半導体装置などを提供することができる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】半導体装置の構成を示す図。
【図２】記憶回路と参照用記憶回路の具体的な構成を示す図。
【図３】メモリセルＭＣとメモリセルＭＣＲとの具体的な回路構成と接続関係とを示す図。
【図４】回路１３と回路１４と電流源回路の具体的な構成を示す図。
【図５】タイミングチャート。
【図６】回路１３と回路１４と電流源回路とスイッチとの具体的な接続関係を示す図。
【図７】電流電圧変換回路の構成を示す図。
【図８】駆動回路の構成を示す図。
【図９】半導体装置の構成を示す図。
【図１０】トランジスタの構造を示す図。
【図１１】エネルギーバンド構造の模式図。
【図１２】半導体装置の断面構造を示す図。
【図１３】チップとモジュールの図。
【図１４】ＰＬＤの構成を示す図。
【図１５】電子機器の図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１５】
図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
【００１６】
本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている場合がある。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【００１７】
図面に記載したブロック図の各回路ブロックの配置は、説明のため位置関係を特定するものであり、異なる回路ブロックで別々の機能を実現するよう示していても、実際の回路ブロックにおいては同じ回路ブロック内で別々の機能を実現しうるように設けられている場合もある。また各回路ブロックの機能は、説明のため機能を特定するものであり、一つの回路ブロックとして示していても、実際の回路ブロックにおいては一つの回路ブロックで行う処理を、複数の回路ブロックで行うよう設けられている場合もある。
【００１８】
本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用した装置であり、半導体素子（トランジスタ、ダイオード等）を含む回路、同回路を有する装置等をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般をいう。例えば、集積回路、集積回路を備えたチップは、半導体装置の一例である。また、記憶装置、表示装置、発光装置、照明装置及び電子機器等は、それ自体が半導体装置である場合があり、又は半導体装置を有している場合がある。
【００１９】
また、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【００２０】
トランジスタは、ゲート、ソース、およびドレインと呼ばれる３つの端子を有する。ゲートは、トランジスタの導通状態を制御する制御ノードとして機能するノードである。ソースまたはドレインとして機能する２つの入出力ノードは、トランジスタの型及び各端子に与えられる電位の高低によって、一方がソースとなり他方がドレインとなる。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。また、本明細書等では、ゲート以外の２つの端子を第１端子、第２端子と呼ぶ場合がある。
【００２１】
ノードは、回路構成やデバイス構造等に応じて、端子、配線、電極、導電層、導電体、不純物領域等と言い換えることが可能である。また、端子、配線等をノードと言い換えることが可能である。
【００２２】
電圧は、ある電位と、基準の電位（例えば接地電位（ＧＮＤ）またはソース電位）との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である。なお、電位とは、相対的なものである。よって、接地電位と記載されていても、必ずしも、０Ｖを意味しない場合もある。
【００２３】
本明細書等において、「膜」という言葉と「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
【００２４】
本明細書等において、“第１”、“第２”、“第３”という序数詞は構成要素の混同を避けるために付す場合があり、その場合は数的に限定するものではなく、また順序を限定するものでもない。
【００２５】
（実施の形態１）
本発明の一態様に係る半導体装置１０の構成の一例を図１に示す。図１に示す半導体装置１０は、記憶回路１１（ＭＥＭ）と、参照用記憶回路１２（ＲＭＥＭ）と、回路１３と、回路１４と、を有する。半導体装置１０は、さらに電流源回路１５（ＣＲＥＦ）を有していても良い。
【００２６】
記憶回路１１（ＭＥＭ）は、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］で例示されるメモリセルＭＣを有する。また、各メモリセルＭＣは、入力された電位を電流に変換する機能を有する素子を有する。上記機能を有する素子として、例えばトランジスタなどの能動素子を用いることができる。図１では、各メモリセルＭＣがトランジスタＴｒ１を有する場合を例示している。
【００２７】
そして、メモリセルＭＣには、配線ＷＤ［ｊ］で例示される配線ＷＤから第１のアナログ電位が入力される。第１のアナログ電位は第１のアナログデータに対応する。そして、メモリセルＭＣは、第１のアナログ電位に応じた第１のアナログ電流を生成する機能を有する。具体的には、トランジスタＴｒ１のゲートに第１のアナログ電位を供給したときに得られるトランジスタＴｒ１のドレイン電流を、第１のアナログ電流とすることができる。なお、以下、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］に流れる電流をＩ［ｉ、ｊ］とし、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］に流れる電流をＩ［ｉ＋１、ｊ］とする。
【００２８】
なお、トランジスタＴｒ１が飽和領域で動作する場合、そのドレイン電流はソースとドレイン間の電圧に依存せず、ゲート電圧と閾値電圧の差分によって制御される。よって、トランジスタＴｒ１は飽和領域で動作させることが望ましい。トランジスタＴｒ１を飽和領域で動作させるために、そのゲート電圧、ソースとドレイン間の電圧は、飽和領域で動作する範囲の電圧に適切に設定されているものとする。
【００２９】
具体的に、図１に示す半導体装置１０では、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］に配線ＷＤ［ｊ］から第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ、ｊ］、または第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ、ｊ］に応じた電位が入力される。メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］は、第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ、ｊ］に応じた第１のアナログ電流を生成する機能を有する。すなわち、この場合、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］の電流Ｉ［ｉ、ｊ］は、第１のアナログ電流に相当する。
【００３０】
また、具体的に、図１に示す半導体装置１０では、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］に配線ＷＤ［ｊ］から第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］、または第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］に応じた電位が入力される。メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］は、第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］に応じた第１のアナログ電流を生成する機能を有する。すなわち、この場合、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］の電流Ｉ［ｉ＋１、ｊ］は、第１のアナログ電流に相当する。
【００３１】
そして、メモリセルＭＣは、第１のアナログ電位を保持する機能を有する。すなわち、メモリセルＭＣは、第１のアナログ電位を保持することで、第１のアナログ電位に応じた第１のアナログ電流を保持する機能を有すると言える。
【００３２】
また、メモリセルＭＣには、配線ＲＷ［ｉ］、配線ＲＷ［ｉ＋１］で例示される配線ＲＷから第２のアナログ電位が入力される。第２のアナログ電位は第２のアナログデータに対応する。メモリセルＭＣは、既に保持されている第１のアナログ電位に、第２のアナログ電位、或いは第２のアナログ電位に応じた電位を加算する機能と、加算することで得られる第３のアナログ電位を保持する機能とを有する。そして、メモリセルＭＣは、第３のアナログ電位に応じた第２のアナログ電流を生成する機能を有する。すなわち、メモリセルＭＣは、第３のアナログ電位を保持することで、第３のアナログ電位に応じた第２のアナログ電流を保持する機能を有すると言える。
【００３３】
具体的に、図１に示す半導体装置１０では、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］に配線ＲＷ［ｉ］から第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ、ｊ］が入力される。そして、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］は、第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ、ｊ］及び第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ、ｊ］に応じた、第３のアナログ電位を保持する機能を有する。そして、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］は、第３のアナログ電位に応じた第２のアナログ電流を生成する機能を有する。すなわち、この場合、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］の電流Ｉ［ｉ、ｊ］は、第２のアナログ電流に相当する。
【００３４】
また、図１に示す半導体装置１０では、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］に配線ＲＷ［ｉ＋１］から第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１、ｊ］が入力される。そして、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］は、第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］及び第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１、ｊ］に応じた第３のアナログ電位を保持する機能を有する。そして、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］は、第３のアナログ電位に応じた第２のアナログ電流を生成する機能を有する。すなわち、この場合、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］の電流Ｉ［ｉ＋１、ｊ］は、第２のアナログ電流に相当する。
【００３５】
そして、電流Ｉ［ｉ、ｊ］は、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］を介して配線ＢＬ［ｊ］と配線ＶＲ［ｊ］の間を流れる。電流Ｉ［ｉ＋１、ｊ］は、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］を介して配線ＢＬ［ｊ］と配線ＶＲ［ｊ］の間を流れる。よって、電流Ｉ［ｉ、ｊ］と電流Ｉ［ｉ＋１、ｊ］との和に相当する電流Ｉ［ｊ］が、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］及びメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］を介して配線ＢＬ［ｊ］と配線ＶＲ［ｊ］の間を流れることとなる。
【００３６】
参照用記憶回路１２（ＲＭＥＭ）は、メモリセルＭＣＲ［ｉ］、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］で例示されるメモリセルＭＣＲを有する。メモリセルＭＣＲには、配線ＷＤＲＥＦから第１の参照電位ＶＰＲが入力される。そして、メモリセルＭＣＲは、第１の参照電位ＶＰＲに応じた第１の参照電流を生成する機能を有する。なお、以下、メモリセルＭＣＲ［ｉ］に流れる電流をＩＲＥＦ［ｉ］とし、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］に流れる電流をＩＲＥＦ［ｉ＋１］とする。
【００３７】
そして、具体的に、図１に示す半導体装置１０では、メモリセルＭＣＲ［ｉ］に配線ＷＤＲＥＦから第１の参照電位ＶＰＲが入力される。メモリセルＭＣＲ［ｉ］は、第１の参照電位ＶＰＲに応じた第１の参照電流を生成する機能を有する。すなわち、この場合、メモリセルＭＣＲ［ｉ］の電流ＩＲＥＦ［ｉ］は、第１の参照電流に相当する。
【００３８】
また、図１に示す半導体装置１０では、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］に配線ＷＤＲＥＦから第１の参照電位ＶＰＲが入力される。メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］は、第１の参照電位ＶＰＲに応じた第１の参照電流を生成する機能を有する。すなわち、この場合、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］の電流ＩＲＥＦ［ｉ＋１］は、第１の参照電流に相当する。
【００３９】
そして、メモリセルＭＣＲは、第１の参照電位ＶＰＲを保持する機能を有する。すなわち、メモリセルＭＣＲは、第１の参照電位ＶＰＲを保持することで、第１の参照電位ＶＰＲに応じた第１の参照電流を保持する機能を有すると言える。
【００４０】
また、メモリセルＭＣＲには、配線ＲＷ［ｉ］、配線ＲＷ［ｉ＋１］で例示される配線ＲＷから第２のアナログ電位が入力される。メモリセルＭＣＲは、既に保持されている第１の参照電位ＶＰＲに、第２のアナログ電位、或いは第２のアナログ電位に応じた電位を加算する機能と、加算することで得られる第２の参照電位を保持する機能を有する。そして、メモリセルＭＣＲは、第２の参照電位に応じた第２の参照電流を生成する機能を有する。すなわち、メモリセルＭＣＲは、第２の参照電位を保持することで、第２の参照電位に応じた第２の参照電流を保持する機能を有すると言える。
【００４１】
具体的に、図１に示す半導体装置１０では、メモリセルＭＣＲ［ｉ］に配線ＲＷ［ｉ］から第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ、ｊ］が入力される。そして、メモリセルＭＣＲ［ｉ］は、第１の参照電位ＶＰＲ及び第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ、ｊ］に応じた第２の参照電位を保持する機能を有する。そして、メモリセルＭＣＲ［ｉ］は、第２の参照電位に応じた第２の参照電流を生成する機能を有する。すなわち、この場合、メモリセルＭＣＲ［ｉ］の電流ＩＲＥＦ［ｉ］は、第２の参照電流に相当する。
【００４２】
また、図１に示す半導体装置１０では、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］に配線ＲＷ［ｉ＋１］から第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１、ｊ］が入力される。そして、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］は、第１の参照電位ＶＰＲ及び第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１、ｊ］に応じた第２の参照電位を保持する機能を有する。そして、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］は、第２の参照電位に応じた第２の参照電流を生成する機能を有する。すなわち、この場合、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］の電流ＩＲＥＦ［ｉ＋１］は、第２の参照電流に相当する。
【００４３】
そして、電流ＩＲＥＦ［ｉ］は、メモリセルＭＣＲ［ｉ］を介して配線ＢＬＲＥＦと配線ＶＲＲＥＦの間を流れる。電流ＩＲＥＦ［ｉ＋１］は、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］を介して配線ＢＬＲＥＦと配線ＶＲＲＥＦの間を流れる。よって、電流ＩＲＥＦ［ｉ］と電流ＩＲＥＦ［ｉ＋１］との和に相当する電流ＩＲＥＦが、メモリセルＭＣＲ［ｉ］及びメモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］を介して配線ＢＬＲＥＦと配線ＶＲＲＥＦの間を流れることとなる。
【００４４】
電流源回路１５は、配線ＢＬＲＥＦに流れる電流ＩＲＥＦと同じ値の電流、もしくは電流ＩＲＥＦに対応する電流を、配線ＢＬに供給する機能を有する。そして、後述するオフセットの電流を設定する際には、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］及びメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］を介して配線ＢＬ［ｊ］と配線ＶＲ［ｊ］の間を流れる電流Ｉ［ｊ］が、メモリセルＭＣＲ［ｉ］及びメモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］を介して配線ＢＬＲＥＦと配線ＶＲＲＥＦの間を流れる電流ＩＲＥＦと異なる場合、差分の電流は回路１３または回路１４に流れる。回路１３は電流ソース回路としての機能を有し、回路１４は電流シンク回路としての機能を有する。
【００４５】
具体的に、電流Ｉ［ｊ］が電流ＩＲＥＦよりも大きい場合、回路１３は、電流Ｉ［ｊ］と電流ＩＲＥＦの差分に相当する電流ΔＩ［ｊ］を生成する機能を有する。また、回路１３は、生成した電流ΔＩ［ｊ］を配線ＢＬ［ｊ］に供給する機能を有する。すなわち、回路１３は、電流ΔＩ［ｊ］を保持する機能を有すると言える。
【００４６】
また、電流Ｉ［ｊ］が電流ＩＲＥＦよりも小さい場合、回路１４は、電流Ｉ［ｊ］と電流ＩＲＥＦの差分に相当する電流ΔＩ［ｊ］を生成する機能を有する。また、回路１４は、生成した電流ΔＩ［ｊ］の絶対値に相当する電流を配線ＢＬ［ｊ］から引き込む機能を有する。すなわち、回路１４は、電流ΔＩ［ｊ］を保持する機能を有すると言える。
【００４７】
次いで、図１に示す半導体装置１０の動作の一例について説明する。
【００４８】
まず、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］に第１のアナログ電位に応じた電位を格納する。具体的には、第１の参照電位ＶＰＲから第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ、ｊ］を差し引いた電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］が、配線ＷＤ［ｊ］を介してメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］に入力される。メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］では、電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］が保持される。また、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］では、電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］に応じた電流Ｉ［ｉ、ｊ］が生成される。例えば第１の参照電位ＶＰＲは、接地電位よりも高いハイレベルの電位とする。具体的には、接地電位よりも高く、電流源回路１５に供給されるハイレベルの電位ＶＤＤと同程度か、それ以下の電位であることが望ましい。
【００４９】
また、メモリセルＭＣＲ［ｉ］に第１の参照電位ＶＰＲを格納する。具体的には、第１の参照電位ＶＰＲが、配線ＷＤＲＥＦを介してメモリセルＭＣＲ［ｉ］に入力される。メモリセルＭＣＲ［ｉ］では、第１の参照電位ＶＰＲが保持される。また、メモリセルＭＣＲ［ｉ］では、第１の参照電位ＶＰＲに応じた電流ＩＲＥＦ［ｉ］が生成される。
【００５０】
また、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］に第１のアナログ電位に応じた電位を格納する。具体的には、第１の参照電位ＶＰＲから第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］を差し引いた電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］が、配線ＷＤ［ｊ］を介してメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］に入力される。メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］では、電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］が保持される。また、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］では、電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］に応じた電流Ｉ［ｉ＋１、ｊ］が生成される。
【００５１】
また、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］に第１の参照電位ＶＰＲを格納する。具体的には、第１の参照電位ＶＰＲが、配線ＷＤＲＥＦを介してメモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］に入力される。メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］では、第１の参照電位ＶＰＲが保持される。また、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］では、第１の参照電位ＶＰＲに応じた電流ＩＲＥＦ［ｉ＋１］が生成される。
【００５２】
上記動作において、配線ＲＷ［ｉ］及び配線ＲＷ［ｉ＋１］は基準電位とする。例えば、基準電位として接地電位、接地電位よりも低いローレベルの電位ＶＳＳなどを用いることができる。或いは、基準電位として電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位を用いると、第２のアナログ電位Ｖｗを正負にしても、配線ＲＷの電位を接地電位よりも高くできるので信号の生成を容易にすることができ、正負のアナログデータに対する積演算が可能になるので好ましい。
【００５３】
上記動作により、配線ＢＬ［ｊ］には、配線ＢＬ［ｊ］に電気的に接続されたメモリセルＭＣにおいてそれぞれ生成される電流を合わせた電流が、流れることとなる。具体的に図１では、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］で生成される電流Ｉ［ｉ、ｊ］と、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］で生成される電流Ｉ［ｉ＋１、ｊ］とを合わせた電流Ｉ［ｊ］が流れる。また、上記動作により、配線ＢＬＲＥＦには、配線ＢＬＲＥＦに電気的に接続されたメモリセルＭＣＲにおいてそれぞれ生成される電流を合わせた電流が、流れることとなる。具体的に図１では、メモリセルＭＣＲ［ｉ］で生成される電流ＩＲＥＦ［ｉ］と、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］で生成される電流ＩＲＥＦ［ｉ＋１］とを合わせた電流ＩＲＥＦが流れる。
【００５４】
次いで、配線ＲＷ［ｉ］及び配線ＲＷ［ｉ＋１］の電位を基準電位としたまま、第１のアナログ電位を入力することによって得られる電流Ｉ［ｊ］と第１の参照電位を入力することによって得られる電流ＩＲＥＦとの差分から得られるオフセットの電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］を、回路１３または回路１４において保持する。
【００５５】
具体的に、電流Ｉ［ｊ］が電流ＩＲＥＦよりも大きい場合、回路１３は電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］を配線ＢＬ［ｊ］に供給する。すなわち、回路１３に流れる電流ＩＣＭ［ｊ］は電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］に相当することとなる。そして、当該電流ＩＣＭ［ｊ］の値は回路１３において保持される。また、電流Ｉ［ｊ］が電流ＩＲＥＦよりも小さい場合、回路１４は電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］を配線ＢＬ［ｊ］から引き込む。すなわち、回路１４に流れる電流ＩＣＰ［ｊ］は電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］に相当することとなる。そして、当該電流ＩＣＰ［ｊ］の値は回路１４において保持される。
【００５６】
次いで、既にメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］において保持されている第１のアナログ電位、または第１のアナログ電位に応じた電位に加算するように、第２のアナログ電位、または第２のアナログ電位に応じた電位をメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］に格納する。具体的には、配線ＲＷ［ｉ］の電位を基準電位に対してＶｗ［ｉ］だけ高い電位とすることで、第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ］が、配線ＲＷ［ｉ］を介してメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］に入力される。メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］では、電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］＋Ｖｗ［ｉ］が保持される。また、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］では、電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］＋Ｖｗ［ｉ］に応じた電流Ｉ［ｉ、ｊ］が生成される。
【００５７】
また、既にメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］において保持されている第１のアナログ電位、または第１のアナログ電位に応じた電位に加算するように、第２のアナログ電位、または第２のアナログ電位に応じた電位をメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］に格納する。具体的には、配線ＲＷ［ｉ＋１］の電位を基準電位に対してＶｗ［ｉ＋１］だけ高い電位とすることで、第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１］が、配線ＲＷ［ｉ＋１］を介してメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］に入力される。メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］では、電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］＋Ｖｗ［ｉ＋１］が保持される。また、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］では、電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］＋Ｖｗ［ｉ＋１］に応じた電流Ｉ［ｉ＋１、ｊ］が生成される。
【００５８】
なお、電位を電流に変換する素子として飽和領域で動作するトランジスタＴｒ１を用いる場合、配線ＲＷ［ｉ］の電位がＶｗ［ｉ］であり、配線ＲＷ［ｉ＋１］の電位がＶｗ［ｉ＋１］であると仮定すると、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］が有するトランジスタＴｒ１のドレイン電流が電流Ｉ［ｉ、ｊ］に相当するので、第２のアナログ電流は以下の式１で表される。なお、ｋは係数、ＶｔｈはトランジスタＴｒ１の閾値電圧である。
【００５９】
Ｉ［ｉ、ｊ］＝ｋ（Ｖｗ［ｉ］−Ｖｔｈ＋ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］）２      （式１）
【００６０】
また、メモリセルＭＣＲ［ｉ］が有するトランジスタＴｒ１のドレイン電流が電流ＩＲＥＦ［ｉ］に相当するので、第２の参照電流は以下の式２で表される。
【００６１】
ＩＲＥＦ［ｉ］＝ｋ（Ｖｗ［ｉ］−Ｖｔｈ＋ＶＰＲ）２      （式２）
【００６２】
そして、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］に流れる電流Ｉ［ｉ、ｊ］と、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］に流れる電流Ｉ［ｉ＋１、ｊ］の和に相当する電流Ｉ［ｊ］は、Ｉ［ｊ］＝ΣｉＩ［ｉ、ｊ］であり、メモリセルＭＣＲ［ｉ］に流れる電流ＩＲＥＦ［ｉ］と、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］に流れる電流ＩＲＥＦ［ｉ＋１］の和に相当する電流ＩＲＥＦは、ＩＲＥＦ＝ΣｉＩＲＥＦ［ｉ］となり、その差分に相当する電流ΔＩ［ｊ］は以下の式３で表される。
【００６３】
ΔＩ［ｊ］＝ＩＲＥＦ−Ｉ［ｊ］＝ΣｉＩＲＥＦ［ｉ］−ΣｉＩ［ｉ、ｊ］      （式３）
【００６４】
式１、式２、式３から、電流ΔＩ［ｊ］は以下の式４のように導き出される。
【００６５】
ΔＩ［ｊ］
＝Σｉ｛ｋ（Ｖｗ［ｉ］−Ｖｔｈ＋ＶＰＲ）２−ｋ（Ｖｗ［ｉ］−Ｖｔｈ＋ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］）２｝
＝２ｋΣｉ（Ｖｗ［ｉ］・Ｖｘ［ｉ、ｊ］）−２ｋΣｉ（Ｖｔｈ−ＶＰＲ）・Ｖｘ［ｉ、ｊ］−ｋΣｉＶｘ［ｉ、ｊ］２      （式４）
【００６６】
式４において、２ｋΣｉ（Ｖｗ［ｉ］・Ｖｘ［ｉ、ｊ］）で示される項は、第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ、ｊ］及び第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ］の積と、第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］及び第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１］の積と、の和に相当する。
【００６７】
また、電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］は、配線ＲＷの電位を基準電位としたとき、すなわち第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ］を０、第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１］を０としたときの電流ΔＩ［ｊ］とすると、式４から、以下の式５が導き出される。
【００６８】
Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］＝−２ｋΣｉ（Ｖｔｈ−ＶＰＲ）・Ｖｘ［ｉ、ｊ］−ｋΣｉＶｘ［ｉ、ｊ］２      （式５）
【００６９】
したがって、式３乃至式５から、第１のアナログデータと第２のアナログデータの積和値に相当する２ｋΣｉ（Ｖｗ［ｉ］・Ｖｘ［ｉ、ｊ］）は、以下の式６で表されることが分かる。
【００７０】
２ｋΣｉ（Ｖｗ［ｉ］・Ｖｘ［ｉ、ｊ］）＝ＩＲＥＦ−Ｉ［ｊ］−Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］      （式６）
【００７１】
そして、メモリセルＭＣに流れる電流の和を電流Ｉ［ｊ］、メモリセルＭＣＲに流れる電流の和を電流ＩＲＥＦ、回路１３または回路１４に流れる電流を電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］とすると、配線ＲＷ［ｉ］の電位をＶｗ［ｉ］、配線ＲＷ［ｉ＋１］の電位をＶｗ［ｉ＋１］としたときに配線ＢＬ［ｊ］から流れ出る電流Ｉｏｕｔ［ｊ］は、ＩＲＥＦ−Ｉ［ｊ］−Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］で表される。式６から、電流Ｉｏｕｔ［ｊ］は、２ｋΣｉ（Ｖｗ［ｉ］・Ｖｘ［ｉ、ｊ］）であり、第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ、ｊ］及び第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ］の積と、第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］及び第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１］の積と、の和に相当することが分かる。
【００７２】
なお、トランジスタＴｒ１は飽和領域で動作させることが望ましいが、トランジスタＴｒ１の動作領域が理想的な飽和領域と異なっていたとしても、第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ、ｊ］及び第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ］の積と、第１のアナログ電位Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］及び第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１］の積との和に相当する電流を、所望の範囲内の精度で問題なく得ることができる場合は、トランジスタＴｒ１は飽和領域で動作しているものとみなせる。
【００７３】
本発明の一態様により、アナログデータの演算処理をデジタルデータに変換せずとも実行することができるので、半導体装置の回路規模を小さく抑えることができる。或いは、本発明の一態様により、アナログデータの演算処理をデジタルデータに変換せずとも実行することができるので、アナログデータの演算処理に要する時間を抑えることができる。或いは、本発明の一態様により、アナログデータの演算処理に要する時間を抑えつつ、半導体装置の低消費電力化を実現することができる。
【００７４】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【００７５】
（実施の形態２）
次いで、記憶回路１１（ＭＥＭ）と、参照用記憶回路１２（ＲＭＥＭ）の具体的な構成の一例について、図２を用いて説明する。
【００７６】
図２では、記憶回路１１（ＭＥＭ）がｙ行ｘ列（ｘ、ｙは自然数）の複数のメモリセルＭＣを有し、参照用記憶回路１２（ＲＭＥＭ）がｙ行１列の複数のメモリセルＭＣＲを有する場合を例示している。
【００７７】
記憶回路１１は、配線ＲＷと、配線ＷＷと、配線ＷＤと、配線ＶＲと、配線ＢＬとに電気的に接続されている。図２では、配線ＲＷ［１］乃至配線ＲＷ［ｙ］が各行のメモリセルＭＣにそれぞれ電気的に接続され、配線ＷＷ［１］乃至配線ＷＷ［ｙ］が各行のメモリセルＭＣにそれぞれ電気的に接続され、配線ＷＤ［１］乃至配線ＷＤ［ｘ］が各列のメモリセルＭＣにそれぞれ電気的に接続されて、配線ＢＬ［１］乃至配線ＢＬ［ｘ］が各列のメモリセルＭＣにそれぞれ電気的に接続されている場合を例示している。また、図２では、配線ＶＲ［１］乃至配線ＶＲ［ｘ］が各列のメモリセルＭＣにそれぞれ電気的に接続されている場合を例示している。なお、配線ＶＲ［１］乃至配線ＶＲ［ｘ］は、互いに電気的に接続されていても良い。
【００７８】
そして、参照用記憶回路１２は、配線ＲＷと、配線ＷＷと、配線ＷＤＲＥＦと、配線ＶＲＲＥＦと、配線ＢＬＲＥＦとに電気的に接続されている。図２では、配線ＲＷ［１］乃至配線ＲＷ［ｙ］が各行のメモリセルＭＣＲにそれぞれ電気的に接続され、配線ＷＷ［１］乃至配線ＷＷ［ｙ］が各行のメモリセルＭＣＲにそれぞれ電気的に接続され、配線ＷＤＲＥＦが一列のメモリセルＭＣＲにそれぞれ電気的に接続され、配線ＢＬＲＥＦが一列のメモリセルＭＣＲにそれぞれ電気的に接続され、配線ＶＲＲＥＦが一列のメモリセルＭＣＲにそれぞれ電気的に接続されている場合を例示している。なお、配線ＶＲＲＥＦは、配線ＶＲ［１］乃至配線ＶＲ［ｘ］に電気的に接続されていても良い。
【００７９】
次いで、図２に示した複数のメモリセルＭＣのうち、任意の２行２列のメモリセルＭＣと、図２に示した複数のメモリセルＭＣＲのうち、任意の２行１列のメモリセルＭＣＲとの、具体的な回路構成と接続関係とを、一例として図３に示す。
【００８０】
具体的に図３では、ｉ行ｊ列目のメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］と、ｉ＋１行ｊ列目のメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］と、ｉ行ｊ＋１列目のメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］と、ｉ＋１行ｊ＋１列目のメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］とを図示している。また、具体的に図３では、ｉ行目のメモリセルＭＣＲ［ｉ］と、ｉ＋１行目のメモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］とを図示している。なお、ｉは１からｙまでの任意の数で、ｊは１からｘまでの任意の数とする。
【００８１】
ｉ行目のメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］と、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］と、メモリセルＭＣＲ［ｉ］とは、配線ＲＷ［ｉ］及び配線ＷＷ［ｉ］に電気的に接続されている。また、ｉ＋１行目のメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］と、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］と、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］とは、配線ＲＷ［ｉ＋１］及び配線ＷＷ［ｉ＋１］に電気的に接続されている。
【００８２】
ｊ列目のメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］と、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］とは、配線ＷＤ［ｊ］、配線ＶＲ［ｊ］、及び配線ＢＬ［ｊ］に電気的に接続されている。また、ｊ＋１列目のメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］と、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］とは、配線ＷＤ［ｊ＋１］、配線ＶＲ［ｊ＋１］、及び配線ＢＬ［ｊ＋１］に電気的に接続されている。また、ｉ行目のメモリセルＭＣＲ［ｉ］と、ｉ＋１行目のメモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］とは、配線ＷＤＲＥＦ、配線ＶＲＲＥＦ、及び配線ＢＬＲＥＦに電気的に接続されている。
【００８３】
そして、各メモリセルＭＣと各メモリセルＭＣＲとは、トランジスタＴｒ１と、トランジスタＴｒ２と、容量素子Ｃ１と、を有する。トランジスタＴｒ２は、メモリセルＭＣまたはメモリセルＭＣＲへの第１のアナログ電位の入力を制御する機能を有する。トランジスタＴｒ１は、ゲートに入力された電位に従って、アナログ電流を生成する機能を有する。容量素子Ｃ１は、メモリセルＭＣまたはメモリセルＭＣＲにおいて保持されている、第１のアナログ電位、または第１のアナログ電位に応じた電位に、第２のアナログ電位、或いは第２のアナログ電位に応じた電位を加算する機能を有する。
【００８４】
具体的に、図３に示すメモリセルＭＣでは、トランジスタＴｒ２は、ゲートが配線ＷＷに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線ＷＤに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方がトランジスタＴｒ１のゲートに電気的に接続されている。また、トランジスタＴｒ１は、ソース又はドレインの一方が配線ＶＲに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が配線ＢＬに電気的に接続されている。容量素子Ｃ１は、第１の電極が配線ＲＷに電気的に接続され、第２の電極がトランジスタＴｒ１のゲートに電気的に接続されている。
【００８５】
また、図３に示すメモリセルＭＣＲでは、トランジスタＴｒ２は、ゲートが配線ＷＷに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線ＷＤＲＥＦに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方がトランジスタＴｒ１のゲートに電気的に接続されている。また、トランジスタＴｒ１は、ソース又はドレインの一方が配線ＶＲＲＥＦに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が配線ＢＬＲＥＦに電気的に接続されている。容量素子Ｃ１は、第１の電極が配線ＲＷに電気的に接続され、第２の電極がトランジスタＴｒ１のゲートに電気的に接続されている。
【００８６】
メモリセルＭＣにおいてトランジスタＴｒ１のゲートをノードＮとすると、メモリセルＭＣでは、トランジスタＴｒ２を介してノードＮに第１のアナログ電位、または第１のアナログ電位に応じた電位が入力され、次いでトランジスタＴｒ２がオフになるとノードＮが浮遊状態になり、ノードＮにおいて第１のアナログ電位、または第１のアナログ電位に応じた電位が保持される。また、メモリセルＭＣでは、ノードＮが浮遊状態になると、容量素子Ｃ１の第１の電極に入力された第２のアナログ電位、または第２のアナログ電位に応じた電位がノードＮに与えられる。上記動作により、ノードＮは、第１のアナログ電位、または第１のアナログ電位に応じた電位に、第２のアナログ電位、または第２のアナログ電位に応じた電位が加算されることで得られる電位となる。
【００８７】
なお、容量素子Ｃ１の第１の電極の電位は容量素子Ｃ１を介してノードＮに与えられるため、実際には、第１の電極の電位の変化量がそのままノードＮの電位の変化量に反映されるわけではない。具体的には、容量素子Ｃ１の容量値と、トランジスタＴｒ１のゲート容量の容量値と、寄生容量の容量値とから一意に決まる結合係数を、第１の電極の電位の変化量に乗ずることで、ノードＮの電位の変化量を正確に算出することができる。以下、説明を分かり易くするために、第１の電極の電位の変化量がほぼノードＮの電位の変化量に反映されるものとして説明を行う。
【００８８】
トランジスタＴｒ１は、ノードＮの電位にしたがってそのドレイン電流が定まる。よって、トランジスタＴｒ２がオフになることでノードＮの電位が保持されると、トランジスタＴｒ１のドレイン電流の値も保持される。上記ドレイン電流には第１のアナログ電位と第２のアナログ電位が反映されている。
【００８９】
また、メモリセルＭＣＲにおいてトランジスタＴｒ１のゲートをノードＮＲＥＦとすると、メモリセルＭＣＲでは、トランジスタＴｒ２を介してノードＮＲＥＦに第１の参照電位、または第１の参照電位に応じた電位が入力され、次いでトランジスタＴｒ２がオフになるとノードＮＲＥＦが浮遊状態になり、ノードＮＲＥＦにおいて第１の参照電位、または第１の参照電位に応じた電位が保持される。また、メモリセルＭＣＲでは、ノードＮＲＥＦが浮遊状態になると、容量素子Ｃ１の第１の電極に入力された第２のアナログ電位、または第２のアナログ電位に応じた電位がノードＮＲＥＦに与えられる。上記動作により、ノードＮＲＥＦは、第１の参照電位、または第１の参照電位に応じた電位に、第２のアナログ電位、または第２のアナログ電位に応じた電位が加算されることで得られる電位となる。
【００９０】
トランジスタＴｒ１は、ノードＮＲＥＦの電位にしたがってそのドレイン電流が定まる。よって、トランジスタＴｒ２がオフになることでノードＮＲＥＦの電位が保持されると、トランジスタＴｒ１のドレイン電流の値も保持される。上記ドレイン電流には第１の参照電位と第２のアナログ電位が反映されている。
【００９１】
メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］のトランジスタＴｒ１に流れるドレイン電流を電流Ｉ［ｉ、ｊ］とし、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］のトランジスタＴｒ１に流れるドレイン電流を電流Ｉ［ｉ＋１、ｊ］とすると、配線ＢＬ［ｊ］からメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］及びメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］に供給される電流の和は、電流Ｉ［ｊ］となる。また、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］のトランジスタＴｒ１に流れるドレイン電流を電流Ｉ［ｉ、ｊ＋１］とし、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］のトランジスタＴｒ１に流れるドレイン電流を電流Ｉ［ｉ＋１、ｊ＋１］とすると、配線ＢＬ［ｊ＋１］からメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］及びメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］に供給される電流の和は、電流Ｉ［ｊ＋１］となる。また、メモリセルＭＣＲ［ｉ］のトランジスタＴｒ１に流れるドレイン電流を電流ＩＲＥＦ［ｉ］とし、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］のトランジスタＴｒ１に流れるドレイン電流を電流ＩＲＥＦ［ｉ＋１］とすると、配線ＢＬＲＥＦからメモリセルＭＣＲ［ｉ］及びメモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］に供給される電流の和は、電流ＩＲＥＦとなる。
【００９２】
次いで、回路１３と、回路１４と、電流源回路１５（ＣＲＥＦ）の具体的な構成の一例について、図４を用いて説明する。
【００９３】
図４では、図３に示すメモリセルＭＣとメモリセルＭＣＲに対応した、回路１３、回路１４、電流源回路１５の構成の一例を示している。具体的に、図４に示す回路１３は、ｊ列目のメモリセルＭＣに対応した回路１３［ｊ］と、ｊ＋１列目のメモリセルＭＣに対応した回路１３［ｊ＋１］とを有する。また、図４に示す回路１４は、ｊ列目のメモリセルＭＣに対応した回路１４［ｊ］と、ｊ＋１列目のメモリセルＭＣに対応した回路１４［ｊ＋１］とを有する。
【００９４】
そして、回路１３［ｊ］及び回路１４［ｊ］は、配線ＢＬ［ｊ］に電気的に接続されている。また、回路１３［ｊ＋１］及び回路１４［ｊ＋１］は、配線ＢＬ［ｊ＋１］に電気的に接続されている。
【００９５】
電流源回路１５は、配線ＢＬ［ｊ］、配線ＢＬ［ｊ＋１］、配線ＢＬＲＥＦに電気的に接続されている。そして、電流源回路１５は、配線ＢＬＲＥＦに電流ＩＲＥＦを供給する機能と、電流ＩＲＥＦと同じ電流、または電流ＩＲＥＦに応じた電流を、配線ＢＬ［ｊ］及び配線ＢＬ［ｊ＋１］のそれぞれに供給する機能を有する。
【００９６】
具体的に、回路１３［ｊ］及び回路１３［ｊ＋１］は、トランジスタＴｒ７乃至Ｔｒ９と、容量素子Ｃ３とをそれぞれ有する。オフセットの電流を設定する際に、回路１３［ｊ］において、トランジスタＴｒ７は、電流Ｉ［ｊ］が電流ＩＲＥＦよりも大きい場合に、電流Ｉ［ｊ］と電流ＩＲＥＦの差分に相当する電流ＩＣＭ［ｊ］を生成する機能を有する。また、回路１３［ｊ＋１］において、トランジスタＴｒ７は、電流Ｉ［ｊ＋１］が電流ＩＲＥＦよりも大きい場合に、電流Ｉ［ｊ＋１］と電流ＩＲＥＦの差分に相当する電流ＩＣＭ［ｊ＋１］を生成する機能を有する。電流ＩＣＭ［ｊ］及び電流ＩＣＭ［ｊ＋１］は、回路１３［ｊ］及び回路１３［ｊ＋１］から配線ＢＬ［ｊ］及び配線ＢＬ［ｊ＋１］に供給される。
【００９７】
そして、回路１３［ｊ］及び回路１３［ｊ＋１］において、トランジスタＴｒ７は、ソース又はドレインの一方が対応する配線ＢＬに電気的に接続されており、ソース又はドレインの他方が所定の電位が供給される配線に電気的に接続されている。トランジスタＴｒ８は、ソース又はドレインの一方が配線ＢＬに電気的に接続されており、ソース又はドレインの他方がトランジスタＴｒ７のゲートに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ９は、ソース又はドレインの一方がトランジスタＴｒ７のゲートに電気的に接続されており、ソース又はドレインの他方が所定の電位が供給される配線に電気的に接続されている。容量素子Ｃ３は、第１の電極がトランジスタＴｒ７のゲートに電気的に接続されており、第２の電極が所定の電位が供給される配線に電気的に接続されている。
【００９８】
トランジスタＴｒ８のゲートは配線ＯＳＭに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ９のゲートは配線ＯＲＭに電気的に接続されている。
【００９９】
なお、図４では、トランジスタＴｒ７がｐチャネル型であり、トランジスタＴｒ８及びＴｒ９がｎチャネル型である場合を例示している。
【０１００】
また、回路１４［ｊ］及び回路１４［ｊ＋１］は、トランジスタＴｒ４乃至Ｔｒ６と、容量素子Ｃ２とをそれぞれ有する。オフセットの電流を設定する際に、回路１４［ｊ］において、トランジスタＴｒ４は、電流Ｉ［ｊ］が電流ＩＲＥＦよりも小さい場合に、電流ＩＲＥＦと電流Ｉ［ｊ］の差分に相当する電流ＩＣＰ［ｊ］を生成する機能を有する。また、回路１４［ｊ＋１］において、トランジスタＴｒ４は、電流Ｉ［ｊ＋１］が電流ＩＲＥＦよりも小さい場合に、電流ＩＲＥＦと電流Ｉ［ｊ＋１］の差分に相当する電流ＩＣＰ［ｊ＋１］を生成する機能を有する。電流ＩＣＰ［ｊ］及び電流ＩＣＰ［ｊ＋１］は、配線ＢＬ［ｊ］及び配線ＢＬ［ｊ＋１］から回路１４［ｊ］及び回路１４［ｊ＋１］に引き込まれる。
【０１０１】
なお、電流ＩＣＭ［ｊ］と電流ＩＣＰ［ｊ］とが、電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］に相当する。また、なお、電流ＩＣＭ［ｊ＋１］と電流ＩＣＰ［ｊ＋１］とが、電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ＋１］に相当する。
【０１０２】
そして、回路１４［ｊ］及び回路１４［ｊ＋１］において、トランジスタＴｒ４は、ソース又はドレインの一方が対応する配線ＢＬに電気的に接続されており、ソース又はドレインの他方が所定の電位が供給される配線に電気的に接続されている。トランジスタＴｒ５は、ソース又はドレインの一方が配線ＢＬに電気的に接続されており、ソース又はドレインの他方がトランジスタＴｒ４のゲートに電気的に接続されている。トランジスタＴｒ６は、ソース又はドレインの一方がトランジスタＴｒ４のゲートに電気的に接続されており、ソース又はドレインの他方が所定の電位が供給される配線に電気的に接続されている。容量素子Ｃ２は、第１の電極がトランジスタＴｒ４のゲートに電気的に接続されており、第２の電極が所定の電位が供給される配線に電気的に接続されている。
【０１０３】
トランジスタＴｒ５のゲートは配線ＯＳＰに電気的に接続されており、トランジスタＴｒ６のゲートは配線ＯＲＰに電気的に接続されている。
【０１０４】
なお、図４では、トランジスタＴｒ４乃至Ｔｒ６がｎチャネル型である場合を例示している。
【０１０５】
また、電流源回路１５は、配線ＢＬに対応したトランジスタＴｒ１０と、配線ＢＬＲＥＦに対応したトランジスタＴｒ１１とを有する。具体的に、図４に示す電流源回路１５は、トランジスタＴｒ１０として、配線ＢＬ［ｊ］に対応したトランジスタＴｒ１０［ｊ］と、配線ＢＬ［ｊ＋１］に対応したトランジスタＴｒ１０［ｊ＋１］とを有する場合を例示している。
【０１０６】
そして、トランジスタＴｒ１０のゲートは、トランジスタＴｒ１１のゲートに電気的に接続されている。また、トランジスタＴｒ１０は、ソース又はドレインの一方が対応する配線ＢＬに電気的に接続されており、ソース又はドレインの他方が所定の電位が供給される配線に電気的に接続されている。トランジスタＴｒ１１は、ソース又はドレインの一方が配線ＢＬＲＥＦに電気的に接続されており、ソース又はドレインの他方が所定の電位が供給される配線に電気的に接続されている。
【０１０７】
トランジスタＴｒ１０とトランジスタＴｒ１１とは、同じ極性を有している。図４では、トランジスタＴｒ１０とトランジスタＴｒ１１とが、共にｐチャネル型を有する場合を例示している。
【０１０８】
トランジスタＴｒ１１のドレイン電流は電流ＩＲＥＦに相当する。そして、トランジスタＴｒ１０とトランジスタＴｒ１１とはカレントミラー回路としての機能を有するため、トランジスタＴｒ１０のドレイン電流は、トランジスタＴｒ１１のドレイン電流とほぼ同じ値、またはトランジスタＴｒ１１のドレイン電流に応じた値となる。
【０１０９】
なお、図４に示した回路１３［ｊ］と回路１４［ｊ］の間にスイッチを設けても良い。また、回路１３［ｊ＋１］と回路１４［ｊ＋１］の間にスイッチを設けても良い。或いは、電流源回路１５が有するトランジスタＴｒ１１と、参照用記憶回路１２との間にスイッチを設けても良い。
【０１１０】
図６に、回路１３［ｊ］と、回路１４［ｊ］と、回路１３［ｊ］と回路１４［ｊ］の電気的な接続を制御するスイッチＳＷ［ｊ］と、電流源回路１５との接続関係の一例を示す。図６には、回路１３［ｊ＋１］と、回路１４［ｊ＋１］と、回路１３［ｊ＋１］と回路１４［ｊ＋１］の電気的な接続を制御するスイッチＳＷ［ｊ＋１］と、電流源回路１５との接続関係も例示する。
【０１１１】
具体的に、スイッチＳＷ［ｊ］は、回路１３［ｊ］のトランジスタＴｒ７のソース又はドレインの一方と、回路１４［ｊ］のトランジスタＴｒ４のソース又はドレインの一方との間の電気的な接続を制御する機能を有する。また、スイッチＳＷ［ｊ＋１］は、回路１３［ｊ＋１］のトランジスタＴｒ７のソース又はドレインの一方と、回路１４［ｊ＋１］のトランジスタＴｒ４のソース又はドレインの一方との間の電気的な接続を制御する機能を有する。
【０１１２】
スイッチＳＷ［ｊ］を設けることにより、メモリセルＭＣに第１のアナログ電位を書き込む際に、電流源回路１５或いは回路１３［ｊ］と、回路１４［ｊ］或いは記憶回路１１との間に電流が流れるのを防ぐことができる。また、スイッチＳＷ［ｊ＋１］を設けることにより、メモリセルＭＣに第１のアナログ電位を書き込む際に、電流源回路１５或いは回路１３［ｊ＋１］と、回路１４［ｊ＋１］或いは記憶回路１１との間に電流が流れるのを防ぐことができる。
【０１１３】
次いで、図３乃至図５を用いて、本発明の一態様に係る半導体装置１０の具体的な動作の一例について説明する。
【０１１４】
図５は、図３に示すメモリセルＭＣ、メモリセルＭＣＲと、図４に示す回路１３、回路１４、電流源回路１５の動作を示すタイミングチャートの一例に相当する。図５では、時刻Ｔ０１乃至時刻Ｔ０４において、メモリセルＭＣ及びメモリセルＭＣＲに第１のアナログデータを格納する動作が行われる。時刻Ｔ０５乃至時刻Ｔ１０において、回路１３及び回路１４が流すオフセットの電流Ｉｏｆｆｓｅｔの電流値を設定する動作が行われる。時刻Ｔ１１乃至時刻Ｔ１６において、第１のアナログデータと第２のアナログデータとの積和値に対応したデータを取得する動作が行われる。
【０１１５】
なお、配線ＶＲ［ｊ］及び配線ＶＲ［ｊ＋１］にはローレベルの電位が供給されるものとする。また、回路１３に電気的に接続される所定の電位を有する配線は、全てハイレベルの電位ＶＤＤが供給されるものとする。また、回路１４に電気的に接続される所定の電位を有する配線は、全てローレベルの電位ＶＳＳが供給されるものとする。また、電流源回路１５に電気的に接続される所定の電位を有する配線は、全てハイレベルの電位ＶＤＤが供給されるものとする。
【０１１６】
また、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ４、Ｔｒ７、Ｔｒ１０［ｊ］、Ｔｒ１０［ｊ＋１］、Ｔｒ１１は飽和領域で動作するものとする。
【０１１７】
まず、時刻Ｔ０１乃至時刻Ｔ０２において、配線ＷＷ［ｉ］にハイレベルの電位が与えられ、配線ＷＷ［ｉ＋１］にローレベルの電位が与えられる。上記動作により、図３に示すメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］、メモリセルＭＣＲ［ｉ］においてトランジスタＴｒ２がオンになる。また、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］においてトランジスタＴｒ２がオフの状態を維持する。
【０１１８】
また、時刻Ｔ０１乃至時刻Ｔ０２では、図３に示す配線ＷＤ［ｊ］と配線ＷＤ［ｊ＋１］とに、第１の参照電位ＶＰＲから第１のアナログ電位を差し引いた電位がそれぞれ与えられる。具体的に、配線ＷＤ［ｊ］には電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］が与えられ、配線ＷＤ［ｊ＋１］には電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ＋１］が与えられる。また、配線ＷＤＲＥＦには第１の参照電位ＶＰＲが与えられ、配線ＲＷ［ｉ］及び配線ＲＷ［ｉ＋１］には基準電位として電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２が与えられる。
【０１１９】
よって、図３に示すメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］のノードＮ［ｉ、ｊ］にはトランジスタＴｒ２を介して電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］が与えられ、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］のノードＮ［ｉ、ｊ＋１］にはトランジスタＴｒ２を介して電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ＋１］が与えられ、メモリセルＭＣＲ［ｉ］のノードＮＲＥＦ［ｉ］にはトランジスタＴｒ２を介して第１の参照電位ＶＰＲが与えられる。
【０１２０】
時刻Ｔ０２が終了すると、図３に示す配線ＷＷ［ｉ］に与えられる電位はハイレベルからローレベルに変化し、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］、メモリセルＭＣＲ［ｉ］においてトランジスタＴｒ２がオフになる。上記動作により、ノードＮ［ｉ、ｊ］には電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］が保持され、ノードＮ［ｉ、ｊ＋１］には電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ＋１］が保持され、ノードＮＲＥＦ［ｉ］には第１の参照電位ＶＰＲが保持される。
【０１２１】
次いで、時刻Ｔ０３乃至時刻Ｔ０４において、図３に示す配線ＷＷ［ｉ］の電位はローレベルに維持され、配線ＷＷ［ｉ＋１］にハイレベルの電位が与えられる。上記動作により、図３に示すメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］においてトランジスタＴｒ２がオンになる。また、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］、メモリセルＭＣＲ［ｉ］においてトランジスタＴｒ２がオフの状態を維持する。
【０１２２】
また、時刻Ｔ０３乃至時刻Ｔ０４では、図３に示す配線ＷＤ［ｊ］と配線ＷＤ［ｊ＋１］とに、第１の参照電位ＶＰＲから第１のアナログ電位を差し引いた電位がそれぞれ与えられる。具体的に、配線ＷＤ［ｊ］には電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］が与えられ、配線ＷＤ［ｊ＋１］には電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ＋１］が与えられる。また、配線ＷＤＲＥＦには第１の参照電位ＶＰＲが与えられ、配線ＲＷ［ｉ］及び配線ＲＷ［ｉ＋１］には基準電位として電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２が与えられる。
【０１２３】
よって、図３に示すメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］のノードＮ［ｉ＋１、ｊ］にはトランジスタＴｒ２を介して電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］が与えられ、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］のノードＮ［ｉ＋１、ｊ＋１］にはトランジスタＴｒ２を介して電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ＋１］が与えられ、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］のノードＮＲＥＦ［ｉ＋１］にはトランジスタＴｒ２を介して第１の参照電位ＶＰＲが与えられる。
【０１２４】
時刻Ｔ０４が終了すると、図３に示す配線ＷＷ［ｉ＋１］に与えられる電位はハイレベルからローレベルに変化し、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］、メモリセルＭＣＲ［ｉ＋１］においてトランジスタＴｒ２がオフになる。上記動作により、ノードＮ［ｉ＋１、ｊ］には電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］が保持され、ノードＮ［ｉ＋１、ｊ＋１］には電位ＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ＋１］が保持され、ノードＮＲＥＦ［ｉ＋１］には第１の参照電位ＶＰＲが保持される。
【０１２５】
次いで、時刻Ｔ０５乃至時刻Ｔ０６において、図４に示す配線ＯＲＰ及び配線ＯＲＭにハイレベルの電位が与えられる。図４に示す回路１３［ｊ］及び回路１３［ｊ＋１］では、配線ＯＲＭにハイレベルの電位が与えられることで、トランジスタＴｒ９がオンになり、トランジスタＴｒ７のゲートは電位ＶＤＤが与えられることでリセットされる。また、図４に示す回路１４［ｊ］及び回路１４［ｊ＋１］では、配線ＯＲＰにハイレベルの電位が与えられることで、トランジスタＴｒ６がオンになり、トランジスタＴｒ４のゲートは電位ＶＳＳが与えられることでリセットされる。
【０１２６】
時刻Ｔ０６が終了すると、図４に示す配線ＯＲＰ及び配線ＯＲＭに与えられる電位はハイレベルからローレベルに変化し、回路１３［ｊ］及び回路１３［ｊ＋１］においてトランジスタＴｒ９がオフになり、回路１４［ｊ］及び回路１４［ｊ＋１］においてトランジスタＴｒ６がオフになる。上記動作により、回路１３［ｊ］及び回路１３［ｊ＋１］においてトランジスタＴｒ７のゲートに電位ＶＤＤが保持され、回路１４［ｊ］及び回路１４［ｊ＋１］においてトランジスタＴｒ４のゲートに電位ＶＳＳが保持される。
【０１２７】
次いで、時刻Ｔ０７乃至時刻Ｔ０８において、図４に示す配線ＯＳＰにハイレベルの電位が与えられる。また、図３に示す配線ＲＷ［ｉ］及び配線ＲＷ［ｉ＋１］には基準電位として電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２が与えられる。配線ＯＳＰにハイレベルの電位が与えられることにより、回路１４［ｊ］及び回路１４［ｊ＋１］においてトランジスタＴｒ５がオンになる。
【０１２８】
配線ＢＬ［ｊ］に流れる電流Ｉ［ｊ］が配線ＢＬＲＥＦに流れる電流ＩＲＥＦよりも小さい場合、すなわち電流ΔＩ［ｊ］が正の場合、図３に示すメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］のトランジスタＴｒ１が引き込むことのできる電流と、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］のトランジスタＴｒ１が引き込むことのできる電流との和が、トランジスタＴｒ１０［ｊ］のドレイン電流より小さいことを意味する。よって、電流ΔＩ［ｊ］が正の場合、回路１４［ｊ］においてトランジスタＴｒ５がオンになると、トランジスタＴｒ１０［ｊ］のドレイン電流の一部がトランジスタＴｒ４のゲートに流れ込み、当該ゲートの電位が上昇し始める。そして、トランジスタＴｒ４のドレイン電流が電流ΔＩ［ｊ］とほぼ等しくなると、トランジスタＴｒ４のゲートの電位は所定の値に収束する。このときのトランジスタＴｒ４のゲートの電位は、トランジスタＴｒ４のドレイン電流が電流ΔＩ［ｊ］、すなわち電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］（＝ＩＣＰ［ｊ］）となるような電位に相当する。つまり、回路１４［ｊ］のトランジスタＴｒ４は、電流ＩＣＰ［ｊ］を流し得る電流源に設定された状態であると言える。
【０１２９】
同様に、配線ＢＬ［ｊ＋１］に流れる電流Ｉ［ｊ＋１］が配線ＢＬＲＥＦに流れる電流ＩＲＥＦよりも小さい場合、つまり電流ΔＩ［ｊ＋１］が正の場合、回路１４［ｊ＋１］においてトランジスタＴｒ５がオンになると、トランジスタＴｒ１０［ｊ＋１］のドレイン電流の一部がトランジスタＴｒ４のゲートに流れ込み、当該ゲートの電位が上昇し始める。そして、トランジスタＴｒ４のドレイン電流が電流ΔＩ［ｊ＋１］とほぼ等しくなると、トランジスタＴｒ４のゲートの電位は所定の値に収束する。このときのトランジスタＴｒ４のゲートの電位は、トランジスタＴｒ４のドレイン電流が電流ΔＩ［ｊ＋１］、すなわち電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ＋１］（＝ＩＣＰ［ｊ＋１］）となるような電位に相当する。つまり、回路１４［ｊ＋１］のトランジスタＴｒ４は、電流ＩＣＰ［ｊ＋１］を流し得る電流源に設定された状態であると言える。
【０１３０】
時刻Ｔ０８が終了すると、図４に示す配線ＯＳＰに与えられる電位はハイレベルからローレベルに変化し、回路１４［ｊ］及び回路１４［ｊ＋１］においてトランジスタＴｒ５がオフになる。上記動作により、トランジスタＴｒ４のゲートの電位は保持される。よって、回路１４［ｊ］は電流ＩＣＰ［ｊ］を流し得る電流源に設定された状態を維持し、回路１４［ｊ＋１］は電流ＩＣＰ［ｊ＋１］を流し得る電流源に設定された状態を維持する。
【０１３１】
次いで、時刻Ｔ０９乃至時刻Ｔ１０において、図４に示す配線ＯＳＭにハイレベルの電位が与えられる。また、図３に示す配線ＲＷ［ｉ］及び配線ＲＷ［ｉ＋１］には基準電位として電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２が与えられる。配線ＯＳＭにハイレベルの電位が与えられることにより、回路１３［ｊ］及び回路１３［ｊ＋１］においてトランジスタＴｒ８がオンになる。
【０１３２】
配線ＢＬ［ｊ］に流れる電流Ｉ［ｊ］が配線ＢＬＲＥＦに流れる電流ＩＲＥＦよりも大きい場合、すなわち電流ΔＩ［ｊ］が負の場合、図３に示すメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］のトランジスタＴｒ１が引き込むことのできる電流と、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］のトランジスタＴｒ１が引き込むことのできる電流との和が、トランジスタＴｒ１０［ｊ］のドレイン電流より大きいことを意味する。よって、電流ΔＩ［ｊ］が負の場合、回路１３［ｊ］においてトランジスタＴｒ８がオンになると、トランジスタＴｒ７のゲートから配線ＢＬ［ｊ］に電流が流れ出し、当該ゲートの電位が下降し始める。そして、トランジスタＴｒ７のドレイン電流が電流ΔＩ［ｊ］とほぼ等しくなると、トランジスタＴｒ７のゲートの電位は所定の値に収束する。このときのトランジスタＴｒ７のゲートの電位は、トランジスタＴｒ７のドレイン電流が電流ΔＩ［ｊ］、すなわち電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］（＝ＩＣＭ［ｊ］）となるような電位に相当する。つまり、回路１３［ｊ］のトランジスタＴｒ７は、電流ＩＣＭ［ｊ］を流し得る電流源に設定された状態であると言える。
【０１３３】
同様に、配線ＢＬ［ｊ＋１］に流れる電流Ｉ［ｊ＋１］が配線ＢＬＲＥＦに流れる電流ＩＲＥＦよりも大きい場合、つまり電流ΔＩ［ｊ＋１］が負の場合、回路１３［ｊ＋１］においてトランジスタＴｒ８がオンになると、トランジスタＴｒ７のゲートから配線ＢＬ［ｊ＋１］に電流が流れ出し、当該ゲートの電位が下降し始める。そして、トランジスタＴｒ７のドレイン電流が電流ΔＩ［ｊ＋１］の絶対値とほぼ等しくなると、トランジスタＴｒ７のゲートの電位は所定の値に収束する。このときのトランジスタＴｒ７のゲートの電位は、トランジスタＴｒ７のドレイン電流が電流ΔＩ［ｊ＋１］、すなわち電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ＋１］（＝ＩＣＭ［ｊ＋１］）の絶対値に等しくなるような電位に相当する。つまり、回路１３［ｊ＋１］のトランジスタＴｒ７は、電流ＩＣＭ［ｊ＋１］を流し得る電流源に設定された状態であると言える。
【０１３４】
時刻Ｔ１０が終了すると、図４に示す配線ＯＳＭに与えられる電位はハイレベルからローレベルに変化し、回路１３［ｊ］及び回路１３［ｊ＋１］においてトランジスタＴｒ８がオフになる。上記動作により、トランジスタＴｒ７のゲートの電位は保持される。よって、回路１３［ｊ］は電流ＩＣＭ［ｊ］を流し得る電流源に設定された状態を維持し、回路１３［ｊ＋１］は電流ＩＣＭ［ｊ＋１］を流し得る電流源に設定された状態を維持する。
【０１３５】
なお、回路１４［ｊ］及び回路１４［ｊ＋１］において、トランジスタＴｒ４は電流を引き込む機能を有する。そのため、時刻Ｔ０７乃至時刻Ｔ０８において配線ＢＬ［ｊ］に流れる電流Ｉ［ｊ］が配線ＢＬＲＥＦに流れる電流ＩＲＥＦよりも大きく電流ΔＩ［ｊ］が負の場合、或いは、配線ＢＬ［ｊ＋１］に流れる電流Ｉ［ｊ＋１］が配線ＢＬＲＥＦに流れる電流ＩＲＥＦよりも大きく電流ΔＩ［ｊ＋１］が負の場合、回路１４［ｊ］または回路１４［ｊ＋１］から過不足なく配線ＢＬ［ｊ］または配線ＢＬ［ｊ＋１］に電流を供給するのが難しくなる恐れがある。この場合、配線ＢＬ［ｊ］または配線ＢＬ［ｊ＋１］に流れる電流と、配線ＢＬＲＥＦに流れる電流とのバランスを取るために、メモリセルＭＣのトランジスタＴｒ１と、回路１４［ｊ］または回路１４［ｊ＋１］のトランジスタＴｒ４と、トランジスタＴｒ１０［ｊ］またはＴｒ１０［ｊ＋１］とが、共に飽和領域で動作することが困難になる可能性がある。
【０１３６】
時刻Ｔ０７乃至時刻Ｔ０８において電流ΔＩ［ｊ］が負の場合でも、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ４、Ｔｒ１０［ｊ］またはＴｒ１０［ｊ＋１］における飽和領域での動作を確保するために、時刻Ｔ０５乃至時刻Ｔ０６において、トランジスタＴｒ７のゲートを電位ＶＤＤにリセットするのではなく、トランジスタＴｒ７のゲートの電位を所定のドレイン電流が得られる程度の高さに設定しておいても良い。上記構成により、トランジスタＴｒ１０［ｊ］またはＴｒ１０［ｊ＋１］のドレイン電流に加えてトランジスタＴｒ７から電流が供給されるため、トランジスタＴｒ１において引き込めない分の電流を、トランジスタＴｒ４においてある程度引き込むことができるため、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ４、Ｔｒ１０［ｊ］またはＴｒ１０［ｊ＋１］における飽和領域での動作を確保することができる。
【０１３７】
なお、時刻Ｔ０９乃至時刻Ｔ１０において、配線ＢＬ［ｊ］に流れる電流Ｉ［ｊ］が配線ＢＬＲＥＦに流れる電流ＩＲＥＦよりも小さい場合、すなわち電流ΔＩ［ｊ］が正の場合、時刻Ｔ０７乃至時刻Ｔ０８において回路１４［ｊ］が電流ＩＣＰ［ｊ］を流し得る電流源に既に設定されているため、回路１３［ｊ］においてトランジスタＴｒ７のゲートの電位はほぼ電位ＶＤＤのままとなる。同様に、配線ＢＬ［ｊ＋１］に流れる電流Ｉ［ｊ＋１］が配線ＢＬＲＥＦに流れる電流ＩＲＥＦよりも小さい場合、すなわち電流ΔＩ［ｊ＋１］が正の場合、時刻Ｔ０７乃至時刻Ｔ０８において回路１４［ｊ＋１］が電流ＩＣＰ［ｊ＋１］を流し得る電流源に既に設定されているため、回路１３［ｊ＋１］においてトランジスタＴｒ７のゲートの電位はほぼ電位ＶＤＤのままとなる。
【０１３８】
次いで、時刻Ｔ１１乃至時刻Ｔ１２において、図３に示す配線ＲＷ［ｉ］に第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ］が与えられる。また、配線ＲＷ［ｉ＋１］には、基準電位として電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２が与えられたままである。具体的に、配線ＲＷ［ｉ］の電位は、基準電位である電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２に対して電位差Ｖｗ［ｉ］だけ高い電位となるが、以下説明を分かり易くするために、配線ＲＷ［ｉ］の電位は第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ］であると仮定する。
【０１３９】
配線ＲＷ［ｉ］が第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ］になると、容量素子Ｃ１の第１の電極の電位の変化量がほぼノードＮの電位の変化量に反映されるものと仮定すると、図３に示すメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］におけるノードＮの電位はＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］＋Ｖｗ［ｉ］となり、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］におけるノードＮの電位はＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ＋１］＋Ｖｗ［ｉ］となる。そして、上記の式６から、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］に対応する第１のアナログデータと第２のアナログデータの積和値は、電流ΔＩ［ｊ］から電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］を差し引いた電流、すなわち、配線ＢＬ［ｊ］から流れ出る電流Ｉｏｕｔ［ｊ］に反映されることが分かる。また、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］に対応する第１のアナログデータと第２のアナログデータの積和値は、電流ΔＩ［ｊ＋１］から電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ＋１］を差し引いた電流、すなわち、配線ＢＬ［ｊ＋１］から流れ出る電流Ｉｏｕｔ［ｊ＋１］に反映されることが分かる。
【０１４０】
時刻Ｔ１２が終了すると、配線ＲＷ［ｉ］には、再度、基準電位である電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２が与えられる。
【０１４１】
次いで、時刻Ｔ１３乃至時刻Ｔ１４において、図３に示す配線ＲＷ［ｉ＋１］に第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１］が与えられる。また、配線ＲＷ［ｉ］には、基準電位として電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２が与えられたままである。具体的に、配線ＲＷ［ｉ＋１］の電位は、基準電位である電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２に対して電位差Ｖｗ［ｉ＋１］だけ高い電位となるが、以下説明を分かり易くするために、配線ＲＷ［ｉ＋１］の電位は第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１］であると仮定する。
【０１４２】
配線ＲＷ［ｉ＋１］が第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１］になると、容量素子Ｃ１の第１の電極の電位の変化量がほぼノードＮの電位の変化量に反映されるものと仮定すると、図３に示すメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］におけるノードＮの電位はＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］＋Ｖｗ［ｉ＋１］となり、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］におけるノードＮの電位はＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ＋１］＋Ｖｗ［ｉ＋１］となる。そして、上記の式６から、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］に対応する第１のアナログデータと第２のアナログデータの積和値は、電流ΔＩ［ｊ］から電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］を差し引いた電流、すなわち、電流Ｉｏｕｔ［ｊ］に反映されることが分かる。また、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］に対応する第１のアナログデータと第２のアナログデータの積和値は、電流ΔＩ［ｊ＋１］から電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ＋１］を差し引いた電流、すなわち、電流Ｉｏｕｔ［ｊ＋１］に反映されることが分かる。
【０１４３】
時刻Ｔ１４が終了すると、配線ＲＷ［ｉ＋１］には、再度、基準電位である電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２が与えられる。
【０１４４】
次いで、時刻Ｔ１５乃至時刻Ｔ１６において、図３に示す配線ＲＷ［ｉ］に第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ］が与えられ、配線ＲＷ［ｉ＋１］に第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１］が与えられる。具体的に、配線ＲＷ［ｉ］の電位は、基準電位である電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２に対して電位差Ｖｗ［ｉ］だけ高い電位となり、配線ＲＷ［ｉ＋１］の電位は、基準電位である電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２に対して電位差Ｖｗ［ｉ＋１］だけ高い電位となるが、以下説明を分かり易くするために、配線ＲＷ［ｉ］の電位は第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ］であり、配線ＲＷ［ｉ＋１］の電位は第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１］であると仮定する。
【０１４５】
配線ＲＷ［ｉ］が第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ］になると、容量素子Ｃ１の第１の電極の電位の変化量がほぼノードＮの電位の変化量に反映されるものと仮定すると、図３に示すメモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］におけるノードＮの電位はＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ］＋Ｖｗ［ｉ］となり、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］におけるノードＮの電位はＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ、ｊ＋１］＋Ｖｗ［ｉ］となる。また、配線ＲＷ［ｉ＋１］が第２のアナログ電位Ｖｗ［ｉ＋１］になると、容量素子Ｃ１の第１の電極の電位の変化量がほぼノードＮの電位の変化量に反映されるものと仮定すると、図３に示すメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］におけるノードＮの電位はＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ］＋Ｖｗ［ｉ＋１］となり、メモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］におけるノードＮの電位はＶＰＲ−Ｖｘ［ｉ＋１、ｊ＋１］＋Ｖｗ［ｉ＋１］となる。
【０１４６】
そして、上記の式６から、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ］とメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ］とに対応する第１のアナログデータと第２のアナログデータの積和値は、電流ΔＩ［ｊ］から電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ］を差し引いた電流、すなわち、電流Ｉｏｕｔ［ｊ］に反映されることが分かる。また、メモリセルＭＣ［ｉ、ｊ＋１］とメモリセルＭＣ［ｉ＋１、ｊ＋１］とに対応する第１のアナログデータと第２のアナログデータの積和値は、電流ΔＩ［ｊ＋１］から電流Ｉｏｆｆｓｅｔ［ｊ＋１］を差し引いた電流、すなわち、電流Ｉｏｕｔ［ｊ＋１］に反映されることが分かる。
【０１４７】
時刻Ｔ１６が終了すると、配線ＲＷ［ｉ］及び配線ＲＷ［ｉ＋１］には、再度、基準電位である電位ＶＳＳと電位ＶＤＤの間の電位、例えば電位（ＶＤＤ＋ＶＳＳ）／２が与えられる。
【０１４８】
上記構成により、積和演算を小さな回路規模で行うことができる。また、上記構成により、積和演算を高速で行うことができる。また、上記構成により、低消費電力で積和演算を行うことができる。
【０１４９】
なお、トランジスタＴｒ２、Ｔｒ５、Ｔｒ６、Ｔｒ８、またはＴｒ９は、オフ電流の著しく低いトランジスタを用いることが望ましい。トランジスタＴｒ２にオフ電流の著しく低いトランジスタを用いることにより、ノードＮの電位の保持を長時間に渡って行うことができる。また、トランジスタＴｒ５及びＴｒ６にオフ電流の著しく低いトランジスタを用いることにより、トランジスタＴｒ４のゲートの電位の保持を、長時間に渡って行うことができる。また、トランジスタＴｒ８及びＴｒ９にオフ電流の著しく低いトランジスタを用いることにより、トランジスタＴｒ７のゲートの電位の保持を、長時間に渡って行うことができる。
【０１５０】
トランジスタのオフ電流を下げるには、例えば、チャネル形成領域をエネルギーギャップが広い半導体で形成すればよい。半導体のエネルギーギャップは、２．５ｅＶ以上、または２．７ｅＶ以上、または３ｅＶ以上であることが好ましい。このような半導体材料として酸化物半導体が挙げられる。トランジスタＴｒ２、Ｔｒ５、Ｔｒ６、Ｔｒ８、またはＴｒ９として、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタという）を用いればよい。チャネル幅で規格化したＯＳトランジスタのリーク電流は、ソースドレイン間電圧が１０Ｖ、室温（２５℃程度）の状態で１０×１０−２１Ａ／μｍ（１０ゼプトＡ／μｍ）以下とすることが可能である。Ｔｒ２、Ｔｒ５、Ｔｒ６、Ｔｒ８、またはＴｒ９に適用されるＯＳトランジスタのリーク電流は、室温（２５℃程度）にて１×１０−１８Ａ以下、または、１×１０−２１Ａ以下、または１×１０−２４Ａ以下が好ましい。または、リーク電流は８５℃にて１×１０−１５Ａ以下、または１×１０−１８Ａ以下、または１×１０−２１Ａ以下であることが好ましい。
【０１５１】
酸化物半導体はエネルギーギャップが大きく、電子が励起されにくく、ホールの有効質量が大きい半導体である。このため、ＯＳトランジスタは、シリコン等を用いた一般的なトランジスタと比較して、アバランシェ崩壊等が生じにくい場合がある。アバランシェ崩壊に起因するホットキャリア劣化等が抑制されることで、ＯＳトランジスタは高いドレイン耐圧を有することとなり、高いドレイン電圧で駆動することが可能である。
【０１５２】
トランジスタのチャネル形成領域に含まれる酸化物半導体は、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）の少なくとも一方を含む酸化物半導体であることが好ましい。このような酸化物半導体としては、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）が代表的である。これら酸化物半導体は、電子供与体（ドナー）となる水素などの不純物を低減し、かつ酸素欠損も低減することで、酸化物半導体をｉ型半導体（真性半導体）にする、あるいはｉ型半導体に限りなく近づけることができる。このような酸化物半導体は、高純度化された酸化物半導体と呼ぶことができる。
【０１５３】
チャネル形成領域を、キャリア密度の低い酸化物半導体で形成することが好ましい。酸化物半導体のキャリア密度は、例えば、８×１０１１／ｃｍ３未満１×１０−９／ｃｍ３以上であるとよい。キャリア密度は、１×１０１１／ｃｍ３未満が好ましく、１×１０１０／ｃｍ３未満がさらに好ましい。
【０１５４】
高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低い場合がある。酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、チャネル形成領域がトラップ準位密度の高い酸化物半導体である場合、トランジスタの電気特性は不安定になる場合がある。
【０１５５】
従って、ＯＳトランジスタの電気特性を安定にするためには、チャネル形成領域の不純物濃度を低減することが有効である。チャネル形成領域の不純物濃度を低減するためには、チャネル形成領域に近接する領域の不純物濃度も低いことが好ましい。酸化物半導体の不純物は、水素、窒素、炭素、シリコン、アルカリ金属、アルカリ土類金属等である。
【０１５６】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１５７】
（実施の形態３）
次いで、配線ＢＬに流れるアナログの電流をアナログの電圧に変換する機能を有する、電流電圧変換回路１８の構成について説明する。
【０１５８】
図７に、電流電圧変換回路１８の構成の一例を示す。電流電圧変換回路１８は、各配線ＢＬに対応したスイッチＳＷｏｕｔと、アンプ１９と、抵抗素子２０と、を有する。
【０１５９】
具体的に図７では、配線ＢＬ［ｊ］がスイッチＳＷｏｕｔ［ｊ］を介してアンプ１９［ｊ］の反転入力端子（−）に電気的に接続されている。アンプ１９［ｊ］の非反転入力端子（＋）は、所定の電位が与えられている配線に電気的に接続されている。抵抗素子２０［ｊ］は、一方の端子が反転入力端子（−）に電気的に接続されており、他方の端子がアンプ１９［ｊ］の出力端子ＯＵＴ［ｊ］に電気的に接続されている。アンプ１９［ｊ］の出力端子ＯＵＴ［ｊ］から、アナログの電流Ｉｏｕｔ［ｊ］に対応したアナログの電圧が出力される。
【０１６０】
配線ＢＬ［ｊ＋１］、スイッチＳＷｏｕｔ［ｊ＋１］、アンプ１９［ｊ＋１］、抵抗素子２０［ｊ＋１］の接続関係も、配線ＢＬ［ｊ］、スイッチＳＷｏｕｔ［ｊ］、アンプ１９［ｊ］、抵抗素子２０［ｊ］と同様である。
【０１６１】
（実施の形態４）
次いで、配線ＷＤに第１のアナログ電位を供給する機能を有する駆動回路と、配線ＲＷに第２のアナログ電位を供給する機能を有する駆動回路の構成の一例について説明する。
【０１６２】
図８に示す駆動回路２１（ＤＲ）は、デコーダ２２（ＤＥＣ）と、サンプリング回路２３（ＳＡＭ）と、アナログバッファ２４（ＢＵＦ）と、を有する。
【０１６３】
デコーダ２２は、メモリセルＭＣのアドレス情報に従って、配線ＷＤ或いは配線ＲＷを選択する機能を有する。
【０１６４】
サンプリング回路２３は、選択されたメモリセルＭＣのアナログデータをサンプリングする機能を有する。具体的に、駆動回路２１（ＤＲ）が、配線ＷＤに第１のアナログ電位を供給する機能を有する場合、選択されたメモリセルＭＣに対応する第１のアナログ電位を取得し、保持する機能を有する。また、駆動回路２１（ＤＲ）が、配線ＲＷに第２のアナログ電位を供給する機能を有する場合、選択されたメモリセルＭＣに対応する第２のアナログ電位を取得し、保持する機能を有する。サンプリングされたアナログデータは、アナログバッファを介して対応する配線ＷＤ或いは配線ＲＷに入力される。
【０１６５】
次いで、本発明の一態様に係る半導体装置１０の構成を、図９に一例として示す。図９では、配線ＷＤに第１のアナログ電位を供給する機能を有する駆動回路を、駆動回路２１Ｗ（ＤＲ）として示す。また、配線ＲＷに第２のアナログ電位を供給する機能を有する駆動回路を、駆動回路２１Ｒ（ＤＲ）として示す。
【０１６６】
さらに、図９に示す半導体装置１０は、記憶回路１１（ＭＥＭ）、参照用記憶回路１２（ＲＭＥＭ）、電流源回路１５（ＣＲＥＦ）、オフセット回路２５（ＯＦＣ）、選択回路２６（ＳＥＬ）、選択回路２７（ＳＥＬ）を有する。オフセット回路２５には、回路１３及び回路１４が含まれる。
【０１６７】
選択回路２６（ＳＥＬ）は、オフセット回路２５に電気的に接続された配線ＯＳＭ、配線ＯＲＭ、配線ＯＲＰ、配線ＯＳＰ（図４または図６参照）に供給する電位を制御する機能を有する。また、選択回路２７（ＳＥＬ）は、記憶回路１１（ＭＥＭ）及び参照用記憶回路１２（ＲＭＥＭ）に電気的に接続された、配線ＷＷに供給する電位を制御する機能を有する。
【０１６８】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１６９】
（実施の形態５）
次いで、酸化物半導体を用いたトランジスタの構成例について説明する。
【０１７０】
図１０（Ａ）はトランジスタの構成例を示す上面図である。図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＸ１−Ｘ２線断面図であり、図１０（Ｃ）はＹ１−Ｙ２線断面図である。ここでは、Ｘ１−Ｘ２線の方向をチャネル長方向と、Ｙ１−Ｙ２線方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。図１０（Ｂ）は、トランジスタのチャネル長方向の断面構造を示す図であり、図１０（Ｃ）は、トランジスタのチャネル幅方向の断面構造を示す図である。なお、デバイス構造を明確にするため、図１０（Ａ）では、一部の構成要素が省略されている。
【０１７１】
本発明の一態様に係る半導体装置は、絶縁層５１２乃至５２０、金属酸化物膜５２１乃至５２４、導電層５５０乃至５５３を有する。トランジスタ５０１は絶縁表面に形成される。図１０では、トランジスタ５０１が絶縁層５１１上に形成される場合を例示している。トランジスタ５０１は絶縁層５１８及び絶縁層５１９で覆われている。
【０１７２】
なお、トランジスタ５０１を構成している絶縁層、金属酸化物膜、導電層等は、単層であっても、複数の膜が積層されたものであってもよい。これらの作製には、スパッタリング法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、パルスレーザアブレーション法（ＰＬＡ法）、ＣＶＤ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）などの各種の成膜方法を用いることができる。なお、ＣＶＤ法は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法などがある。
【０１７３】
導電層５５０は、トランジスタ５０１のゲート電極として機能する領域を有する。導電層５５１、導電層５５２は、ソース電極またはドレイン電極として機能する領域を有する。導電層５５３は、バックゲート電極として機能する領域を有する。絶縁層５１７は、ゲート電極（フロントゲート電極）側のゲート絶縁層として機能する領域を有し、絶縁層５１４乃至絶縁層５１６の積層で構成される絶縁層は、バックゲート電極側のゲート絶縁層として機能する領域を有する。絶縁層５１８は層間絶縁層としての機能を有する。絶縁層５１９はバリア層としての機能を有する。
【０１７４】
金属酸化物膜５２１乃至５２４をまとめて酸化物層５３０と呼ぶ。図１０（Ｂ）、図１０（Ｃ）に示すように、酸化物層５３０は、金属酸化物膜５２１、金属酸化物膜５２２、金属酸化物膜５２４が順に積層されている領域を有する。また、一対の金属酸化物膜５２３は、それぞれ導電層５５１、導電層５５２上に位置する。トランジスタ５０１がオン状態のとき、チャネル形成領域は酸化物層５３０のうち主に金属酸化物膜５２２に形成される。
【０１７５】
金属酸化物膜５２４は、金属酸化物膜５２１乃至５２３、導電層５５１、導電層５５２を覆っている。絶縁層５１７は金属酸化物膜５２３と導電層５５０との間に位置する。導電層５５１、導電層５５２はそれぞれ、金属酸化物膜５２３、金属酸化物膜５２４、絶縁層５１７を介して、導電層５５０と重なる領域を有する。
【０１７６】
導電層５５１及び導電層５５２は、金属酸化物膜５２１及び金属酸化物膜５２２を形成するためのハードマスクから作製されている。そのため、導電層５５１及び導電層５５２は、金属酸化物膜５２１および金属酸化物膜５２２の側面に接する領域を有していない。例えば、次のような工程を経て、金属酸化物膜５２１、５２２、導電層５５１、導電層５５２を作製することができる。まず、積層された２層の金属酸化物膜上に導電膜を形成する。この導電膜を所望の形状に加工（エッチング）して、ハードマスクを形成する。ハードマスクを用いて、２層の金属酸化物膜の形状を加工し、積層された金属酸化物膜５２１及び金属酸化物膜５２２を形成する。次に、ハードマスクを所望の形状に加工して、導電層５５１及び導電層５５２を形成する。
【０１７７】
絶縁層５１１乃至５１８に用いられる絶縁材料には、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどがある。絶縁層５１１乃至５１８はこれらの絶縁材料でなる単層、または積層して構成される。絶縁層５１１乃至５１８を構成する層は、複数の絶縁材料を含んでいてもよい。
【０１７８】
なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、酸素の含有量が窒素よりも多い化合物であり、窒化酸化物とは、窒素の含有量が酸素よりも多い化合物のことを意味する。
【０１７９】
酸化物層５３０の酸素欠損の増加を抑制するため、絶縁層５１６乃至絶縁層５１８は、酸素を含む絶縁層であることが好ましい。絶縁層５１６乃至絶縁層５１８は、加熱により酸素が放出される絶縁膜（以下、「過剰酸素を含む絶縁膜」という。）で形成されることがより好ましい。過剰酸素を含む絶縁膜から酸化物層５３０に酸素を供給することで、酸化物層５３０の酸素欠損を補償することができる。トランジスタ５０１の信頼性および電気的特性を向上することができる。
【０１８０】
過剰酸素を含む絶縁層とは、ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：昇温脱離ガス分光法）において、膜の表面温度が１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上５００℃以下の範囲における酸素分子の放出量が１．０×１０１８［分子／ｃｍ３］以上である膜とする。酸素分子の放出量は、３．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることがより好ましい。
【０１８１】
過剰酸素を含む絶縁膜は、絶縁膜に酸素を添加する処理を行って形成することができる。酸素を添加する処理は、酸素雰囲気下による熱処理や、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、またはプラズマ処理などを用いて行うことができる。酸素を添加するためのガスとしては、１６Ｏ２もしくは１８Ｏ２などの酸素ガス、亜酸化窒素ガスまたはオゾンガスなどを用いることができる。
【０１８２】
酸化物層５３０の水素濃度の増加を防ぐために、絶縁層５１２乃至５１９中の水素濃度を低減することが好ましい。特に絶縁層５１３乃至５１８の水素濃度を低減することが好ましい。具体的には、水素濃度は、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下が好ましく、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下がより好ましく、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下がさらに好ましい。
【０１８３】
酸化物層５３０の窒素濃度の増加を防ぐために、絶縁層５１３乃至５１８の窒素濃度を低減することが好ましい。具体的には、窒素濃度は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であり、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下がより好ましく、５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下がより好ましい。
【０１８４】
上掲の水素濃度、窒素濃度は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定された値である。
【０１８５】
トランジスタ５０１において、酸素および水素に対してバリア性をもつ絶縁層（以下、バリア層）によって酸化物層５３０が包み込まれる構造であることが好ましい。このような構造であることで、酸化物層５３０から酸素が放出されること、酸化物層５３０に水素が侵入することを抑えることができる。トランジスタ５０１の信頼性、電気的特性を向上できる。
【０１８６】
例えば、絶縁層５１９をバリア層として機能させ、かつ絶縁層５１１、５１２、５１４の少なくとも１つをバリア層と機能させればよい。バリア層は、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム、窒化シリコンなどの材料で形成することができる。
【０１８７】
絶縁層５１１乃至５１８の構成例を記す。この例では、絶縁層５１１、５１２、５１５、５１９は、それぞれ、バリア層として機能する。絶縁層５１６乃至５１８は過剰酸素を含む酸化物層である。絶縁層５１１は窒化シリコンであり、絶縁層５１２は酸化アルミニウムであり、絶縁層５１３は酸化窒化シリコンである。バックゲート電極側のゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層５１４乃至５１６は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化シリコンの積層である。フロントゲート側のゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層５１７は、酸化窒化シリコンである。層間絶縁層としての機能を有する絶縁層５１８は、酸化シリコンである。絶縁層５１９は酸化アルミニウムである。
【０１８８】
導電層５５０乃至５５３に用いられる導電材料には、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウム等の金属、または上述した金属を成分とする金属窒化物（窒化タンタル、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン）等がある。インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を用いることができる。
【０１８９】
導電層５５０乃至５５３の構成例を記す。導電層５５０は窒化タンタル、またはタングステン単層である。あるいは、導電層５５０は窒化タンタル、タンタルおよび窒化タンタルでなる積層である。導電層５５１は、窒化タンタル単層、または窒化タンタルとタングステンとの積層である。導電層５５２の構成は導電層５５１と同じである。導電層５５３は窒化タンタル単層、または窒化タンタルとタングステンとの積層である。
【０１９０】
トランジスタ５０１のオフ電流の低減のために、金属酸化物膜５２２は、例えば、エネルギーギャップが大きいことが好ましい。金属酸化物膜５２２のエネルギーギャップは、２．５ｅＶ以上４．２ｅＶ以下であり、２．８ｅＶ以上３．８ｅＶ以下が好ましく、３ｅＶ以上３．５ｅＶ以下がさらに好ましい。
【０１９１】
酸化物層５３０は、結晶性を有することが好ましい。少なくとも、金属酸化物膜５２２は結晶性を有することが好ましい。上記構成により、信頼性、および電気的特性の良いトランジスタ５０１を実現できる。
【０１９２】
金属酸化物膜５２２に適用できる酸化物は、例えば、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）である。金属酸化物膜５２２は、インジウムを含む酸化物層に限定されない。金属酸化物膜５２２は、例えば、Ｚｎ−Ｓｎ酸化物、Ｇａ−Ｓｎ酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ酸化物等で形成することができる。金属酸化物膜５２１、５２３、５２４も、金属酸化物膜５２２と同様の酸化物で形成することができる。特に、金属酸化物膜５２１、５２３、５２４は、それぞれ、Ｇａ酸化物で形成することができる。
【０１９３】
金属酸化物膜５２２と金属酸化物膜５２１の界面に界面準位が形成されると、界面近傍の領域にもチャネル領域が形成されるために、トランジスタ５０１の閾値電圧が変動してしまう。そのため、金属酸化物膜５２１は、構成要素として、金属酸化物膜５２２を構成する金属元素の少なくとも１つを含むことが好ましい。これにより、金属酸化物膜５２２と金属酸化物膜５２１の界面には、界面準位が形成されにくくなり、トランジスタ５０１の閾値電圧等の電気的特性のばらつきを低減することができる。
【０１９４】
金属酸化物膜５２４は、構成要素として、金属酸化物膜５２２を構成する金属元素の少なくとも１つを含むことが好ましい。これにより、金属酸化物膜５２２と金属酸化物膜５２４との界面では、界面散乱が起こりにくくなり、キャリアの動きが阻害されにくくなるので、トランジスタ５０１の電界効果移動度を高くすることができる。
【０１９５】
金属酸化物膜５２１乃至５２４のうち、金属酸化物膜５２２のキャリア移動度が最も高いことが好ましい。これにより、絶縁層５１６、５１７から離間している金属酸化物膜５２２にチャネルを形成することができる。
【０１９６】
例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物等のＩｎ含有金属酸化物は、Ｉｎの含有率を高めることで、キャリア移動度を高めることができる。Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物では主として重金属のｓ軌道がキャリア伝導に寄与しており、インジウムの含有率を多くすることにより、より多くのｓ軌道が重なるため、インジウムの含有率が多い酸化物はインジウムの含有率が少ない酸化物と比較して移動度が高くなる。そのため、金属酸化物膜にインジウムの含有量が多い酸化物を用いることで、キャリア移動度を高めることができる。
【０１９７】
そのため、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物で金属酸化物膜５２２を形成し、Ｇａ酸化物で金属酸化物膜５２１、５２３を形成する。例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で、金属酸化物膜５２１乃至５２３を形成する場合、Ｉｎの含有率は金属酸化物膜５２２のＩｎの含有率を金属酸化物膜５２１、５２３よりも高くする。Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物をスパッタリング法で形成する場合、ターゲットの金属元素の原子数比を変えることで、Ｉｎ含有率を変化させることができる。
【０１９８】
例えば、金属酸化物膜５２２の成膜に用いるターゲットの金属元素の原子数比Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎは、１：１：１、３：１：２、または４：２：４．１が好ましい。例えば、金属酸化物膜５２１、５２３の成膜に用いるターゲットの金属元素の原子数比Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎは、１：３：２、または１：３：４が好ましい。Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１のターゲットで成膜したＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の原子数比は、およそＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３である。
【０１９９】
トランジスタ５０１に安定した電気的特性を付与するには、酸化物層５３０の不純物濃度を低減することが好ましい。金属酸化物において、水素、窒素、炭素、シリコン、および主成分以外の金属元素は不純物となる。例えば、水素および窒素はドナー準位の形成に寄与し、キャリア密度を増大させてしまう。また、シリコンおよび炭素は金属酸化物中で不純物準位の形成に寄与する。不純物準位はトラップとなり、トランジスタの電気的特性を劣化させることがある。
【０２００】
例えば、酸化物層５３０は、シリコン濃度が２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは、２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の領域を有する。酸化物層５３０の炭素濃度も同様である。
【０２０１】
酸化物層５３０は、アルカリ金属濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の領域を有する。酸化物層５３０のアルカリ土類金属の濃度についても同様である。
【０２０２】
酸化物層５３０は、窒素濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の領域を有する。
【０２０３】
酸化物層５３０は、水素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の、より好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の領域を有する。
【０２０４】
上掲した酸化物層５３０の不純物濃度は、ＳＩＭＳにより得られる値である。
【０２０５】
金属酸化物膜５２２が酸素欠損を有する場合、酸素欠損のサイトに水素が入り込むことでドナー準位を形成することがある。その結果、トランジスタ５０１のオン電流を低下させる要因となる。なお、酸素欠損のサイトは、水素が入るよりも酸素が入る方が安定する。したがって、金属酸化物膜５２２中の酸素欠損を低減することで、トランジスタ５０１のオン電流を大きくすることができる場合がある。よって、金属酸化物膜５２２の水素を低減することで、酸素欠損のサイトに水素が入りこまないようにすることが、オン電流特性に有効である。
【０２０６】
金属酸化物に含まれる水素は、金属原子に結合している酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成することがある。酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成されることがある。また、水素の一部が金属原子に結合している酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。金属酸化物膜５２２にチャネル形成領域が設けられるので、金属酸化物膜５２２に水素が含まれていると、トランジスタ５０１はノーマリーオン特性となりやすい。このため、金属酸化物膜５２２中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。
【０２０７】
図１０は、酸化物層５３０が４層構造の例であるが、これに限定されない。例えば、酸化物層５３０を金属酸化物膜５２１または金属酸化物膜５２３のない３層構造とすることができる。または、酸化物層５３０の任意の層の間、酸化物層５３０の上、酸化物層５３０の下のいずれか二箇所以上に、金属酸化物膜５２１乃至５２４と同様の金属酸化物膜を１層または複数を設けることができる。
【０２０８】
図１１を参照して、金属酸化物膜５２１、５２２、５２４の積層によって得られる効果を説明する。図１１は、トランジスタ５０１のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造の模式図である。
【０２０９】
図１１中、Ｅｃ５１６ｅ、Ｅｃ５２１ｅ、Ｅｃ５２２ｅ、Ｅｃ５２４ｅ、Ｅｃ５１７ｅは、それぞれ、絶縁層５１６、金属酸化物膜５２１、金属酸化物膜５２２、金属酸化物膜５２４、絶縁層５１７の伝導帯下端のエネルギーを示している。
【０２１０】
ここで、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差（「電子親和力」ともいう。）は、真空準位と価電子帯上端のエネルギーとの差（イオン化ポテンシャルともいう。）からエネルギーギャップを引いた値となる。なお、エネルギーギャップは、分光エリプソメータ（ＨＯＲＩＢＡ  ＪＯＢＩＮ  ＹＶＯＮ社  ＵＴ−３００）を用いて測定できる。また、真空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光分析（ＵＰＳ：Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）装置（ＰＨＩ社  ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ）を用いて測定できる。
【０２１１】
絶縁層５１６、５１７は絶縁体であるため、Ｅｃ５１６ｅとＥｃ５１７ｅは、Ｅｃ５２１ｅ、Ｅｃ５２２ｅ、およびＥｃ５２４ｅよりも真空準位に近い（電子親和力が小さい）。
【０２１２】
金属酸化物膜５２２は、金属酸化物膜５２１、５２４よりも電子親和力が大きい。例えば、金属酸化物膜５２２と金属酸化物膜５２１との電子親和力の差、および金属酸化物膜５２２と金属酸化物膜５２４との電子親和力の差は、それぞれ、０．０７ｅＶ以上１．３ｅＶ以下である。電子親和力の差は、０．１ｅＶ以上０．７ｅＶ以下が好ましく、０．１５ｅＶ以上０．４ｅＶ以下がさらに好ましい。なお、電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差である。
【０２１３】
トランジスタ５０１のゲート電極（導電層５５０）に電圧を印加すると、金属酸化物膜５２１、金属酸化物膜５２２、金属酸化物膜５２４のうち、電子親和力が大きい金属酸化物膜５２２に主にチャネルが形成される。
【０２１４】
インジウムガリウム酸化物は、小さい電子親和力と、高い酸素ブロック性を有する。そのため、金属酸化物膜５２４がインジウムガリウム酸化物を含むと好ましい。ガリウム原子割合［Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）］は、例えば、７０％以上、好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上とする。
【０２１５】
また、金属酸化物膜５２１と金属酸化物膜５２２との間には金属酸化物膜５２１と金属酸化物膜５２２の混合領域が存在する場合がある。また、金属酸化物膜５２４と金属酸化物膜５２２との間には金属酸化物膜５２４と金属酸化物膜５２２の混合領域が存在する場合がある。混合領域は、界面準位密度が低くなるため、金属酸化物膜５２１、５２２、５２４の積層されている領域は、それぞれの界面近傍においてエネルギーが連続的に変化する（連続接合ともいう）バンド構造となる。
【０２１６】
このようなエネルギーバンド構造を有する酸化物層５３０において、電子は主に金属酸化物膜５２２を移動することになる。そのため、金属酸化物膜５２１と絶縁層５１６との界面に、または、金属酸化物膜５２４と絶縁層５１７との界面に準位が存在したとしても、これらの界面準位により、酸化物層５３０中を移動する電子の移動が阻害されにくくなるため、トランジスタ５０１のオン電流を高くすることができる。
【０２１７】
また、図１１に示すように、金属酸化物膜５２１と絶縁層５１６の界面近傍、および金属酸化物膜５２４と絶縁層５１７の界面近傍には、それぞれ、不純物や欠陥に起因したトラップ準位Ｅｔ５２６ｅ、Ｅｔ５２７ｅが形成され得るものの、金属酸化物膜５２１、５２４があることにより、金属酸化物膜５２２をトラップ準位Ｅｔ５２６ｅ、Ｅｔ５２７ｅから離間することができる。
【０２１８】
なお、Ｅｃ５２１ｅとＥｃ５２２ｅとの差が小さい場合、金属酸化物膜５２２の電子が該エネルギー差を越えてトラップ準位Ｅｔ５２６ｅに達することがある。トラップ準位Ｅｔ５２６ｅに電子が捕獲されることで、絶縁膜の界面にマイナスの固定電荷が生じ、トランジスタの閾値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。Ｅｃ５２２ｅとＥｃ５２４ｅとのエネルギー差が小さい場合も同様である。
【０２１９】
トランジスタ５０１の閾値電圧の変動が低減され、トランジスタ５０１の電気的特性を良好なものとするため、Ｅｃ５２１ｅとＥｃ５２２ｅとの差、Ｅｃ５２４ｅとＥｃ５２２ｅとの差を、それぞれ０．１ｅＶ以上とすることが好ましく、０．１５ｅＶ以上とすることがより好ましい。
【０２２０】
トランジスタ５０１は、バックゲート電極を有さない構造とすることができる。
【０２２１】
図１２に、図３に示すメモリセルＭＣが有するトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、及び容量素子Ｃ１の積層構造を例示する。
【０２２２】
半導体装置１０は、ＣＭＯＳ層５６１、配線層Ｗ１乃至Ｗ５、トランジスタ層５６２、配線層Ｗ６、Ｗ７の積層で構成されている。
【０２２３】
ＣＭＯＳ層５６１には、シリコンをチャネル形成領域に有するトランジスタが設けられている。当該トランジスタＴｒ１の活性層は単結晶シリコンウエハ５６０に設けられている。トランジスタＴｒ１のゲートは配線層Ｗ１乃至Ｗ５を介してトランジスタＴｒ２のソース又はドレインの他方と、容量素子Ｃ１の第２の電極５６５と、に電気的に接続されている。
【０２２４】
トランジスタ層５６２には、トランジスタＴｒ２が設けられている。図１２では、トランジスタＴｒ２がトランジスタ５０１（図１０）と同様の構造を有する。なお、本実施の形態では、トランジスタＴｒ２がバックゲート電極を配線層Ｗ５に有する場合を例示している。また、配線層Ｗ６には、容量素子Ｃ１が設けられている。
【０２２５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０２２６】
（実施の形態６）
本実施の形態では、酸化物半導体について説明する。酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）および非晶質酸化物半導体などがある。
【０２２７】
また別の観点では、酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と、それ以外の結晶性酸化物半導体と、に分けられる。結晶性酸化物半導体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体およびｎｃ−ＯＳなどがある。
【０２２８】
非晶質構造は、一般に、等方的であって不均質構造を持たない、準安定状態で原子の配置が固定化していない、結合角度が柔軟である、短距離秩序は有するが長距離秩序を有さない、などといわれている。
【０２２９】
即ち、安定な酸化物半導体を完全な非晶質（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）酸化物半導体とは呼べない。また、等方的でない（例えば、微小な領域において周期構造を有する）酸化物半導体を、完全な非晶質酸化物半導体とは呼べない。一方、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、等方的でないが、鬆（ボイドともいう。）を有する不安定な構造である。不安定であるという点では、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、物性的に非晶質酸化物半導体に近い。
【０２３０】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部（ペレットともいう。）を有する酸化物半導体の一種である。
【０２３１】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ−ｂ面方向において複数の結晶部（ナノ結晶）が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。結晶部一つの大きさは１ｎｍ以上、または３ｎｍ以上である。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳの結晶部をナノ結晶と称することができ、ＣＡＡＣ−ＯＳを、ＣＡＡ  ｃｒｙｓｔａｌ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ  ａ−ｂ−ｐｌａｎｅ−ａｎｃｈｏｒｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体と称することもできる。
【０２３２】
ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶性の高い酸化物半導体である。酸化物半導体の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。
【０２３３】
なお、不純物は、酸化物半導体の主成分以外の元素で、水素、炭素、シリコン、遷移金属元素などがある。例えば、シリコンなどの、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化物半導体から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。
【０２３４】
酸化物半導体が不純物や欠陥を有する場合、光や熱などによって特性が変動する場合がある。例えば、酸化物半導体に含まれる不純物は、キャリアトラップとなる場合や、キャリア発生源となる場合がある。例えば、酸化物半導体中の酸素欠損は、キャリアトラップとなる場合や、水素を捕獲することによってキャリア発生源となる場合がある。
【０２３５】
不純物および酸素欠損の少ないＣＡＡＣ−ＯＳは、キャリア密度の低い酸化物半導体である。具体的には、８×１０１１ｃｍ−３未満、好ましくは１×１０１１ｃｍ−３未満、さらに好ましくは１×１０１０ｃｍ−３未満であり、１×１０−９ｃｍ−３以上のキャリア密度の酸化物半導体とすることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。ＣＡＡＣ−ＯＳは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い。即ち、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
【０２３６】
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。ｎｃ−ＯＳは、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。結晶部（ナノ結晶）間で結晶方位が規則性を有さないことから、ｎｃ−ＯＳを、ＲＡＮＣ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｌｉｇｎｅｄ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体、またはＮＡＮＣ（Ｎｏｎ−Ａｌｉｇｎｅｄ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
【０２３７】
ｎｃ−ＯＳの結晶は配向性を有さないので、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳや非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。
【０２３８】
なお、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて密度の低い構造である。具体的には、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の７８．６％以上９２．３％未満である。また、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の９２．３％以上１００％未満である。単結晶の密度の７８％未満である酸化物半導体は、成膜すること自体が困難である。
【０２３９】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３である。よって、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの密度は５．０ｇ／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満である。また、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３未満である。
【０２４０】
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合、任意の割合で組成の異なる単結晶を組み合わせることにより、所望の組成における単結晶に相当する密度を見積もることができる。所望の組成の単結晶に相当する密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して、加重平均を用いて見積もればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を組み合わせて見積もることが好ましい。
【０２４１】
以上のように、酸化物半導体は、様々な構造をとり、それぞれが様々な特性を有する。なお、酸化物半導体は、例えば、非晶質酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。酸化物半導体の構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）、ナノビーム電子回折、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）観察などによって、特定することができる。
【０２４２】
次に、酸化物半導体のキャリア密度について、説明する。
【０２４３】
酸化物半導体のキャリア密度に影響を与える因子としては、酸化物半導体中の酸素欠損（Ｖｏ）、または酸化物半導体中の不純物などが挙げられる。
【０２４４】
酸化物半導体中の酸素欠損が多くなると、該酸素欠損に水素が結合（この状態をＶｏＨともいう）した際に、欠陥準位密度が高くなる。または、酸化物半導体中の不純物が多くなると、該不純物に起因し欠陥準位密度が高くなる。したがって、酸化物半導体中の欠陥準位密度を制御することで、酸化物半導体のキャリア密度を制御することができる。
【０２４５】
ここで、酸化物半導体をチャネル領域に用いるトランジスタを考える。
【０２４６】
トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトの抑制、またはトランジスタのオフ電流の低減を目的とする場合においては、酸化物半導体のキャリア密度を低くする方が好ましい。酸化物半導体のキャリア密度を低くする場合においては、酸化物半導体中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性と言う。高純度真性の酸化物半導体のキャリア密度としては、８×１０１５ｃｍ−３未満、好ましくは１×１０１１ｃｍ−３未満、さらに好ましくは１×１０１０ｃｍ−３未満であり、１×１０−９ｃｍ−３以上とすればよい。
【０２４７】
一方で、トランジスタのオン電流の向上、またはトランジスタの電界効果移動度の向上を目的とする場合においては、酸化物半導体のキャリア密度を高くする方が好ましい。酸化物半導体のキャリア密度を高くする場合においては、酸化物半導体の不純物濃度をわずかに高める、または酸化物半導体の欠陥準位密度をわずかに高めればよい。あるいは、酸化物半導体のバンドギャップをより小さくするとよい。例えば、トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性のオン／オフ比が取れる範囲において、不純物濃度がわずかに高い、または欠陥準位密度がわずかに高い酸化物半導体は、実質的に真性とみなせる。また、電子親和力が大きく、それにともなってバンドギャップが小さくなり、その結果、熱励起された電子（キャリア）の密度が増加した酸化物半導体は、実質的に真性とみなせる。なお、より電子親和力が大きな酸化物半導体を用いた場合には、トランジスタのしきい値電圧がより低くなる。
【０２４８】
上述のキャリア密度が高められた酸化物半導体は、わずかにｎ型化している。したがって、キャリア密度が高められた酸化物半導体を、「Ｓｌｉｇｈｔｌｙ−ｎ」と呼称してもよい。
【０２４９】
実質的に真性の酸化物半導体のキャリア密度は、１×１０５ｃｍ−３以上１×１０１８ｃｍ−３未満が好ましく、１×１０７ｃｍ−３以上１×１０１７ｃｍ−３以下がより好ましく、１×１０９ｃｍ−３以上５×１０１６ｃｍ−３以下がさらに好ましく、１×１０１０ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３以下がさらに好ましく、１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１５ｃｍ−３以下がさらに好ましい。
【０２５０】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０２５１】
（実施の形態７）
図１３（Ａ）に、リードフレーム型のインターポーザを用いたパッケージの断面構造を表す斜視図を示す。
【０２５２】
図１３（Ａ）に示すパッケージは、本発明の一態様にかかる半導体装置に相当するチップ３５１が、ワイヤボンディング法により、インターポーザ３５０上の端子３５２と接続されている。端子３５２は、インターポーザ３５０のチップ３５１がマウントされている面上に配置されている。そしてチップ３５１はモールド樹脂３５３によって封止されていても良いが、各端子３５２の一部が露出した状態で封止されるようにする。
【０２５３】
パッケージが回路基板に実装されている電子機器のモジュールの構成を、図１３（Ｂ）に示す。
【０２５４】
図１３（Ｂ）に示す携帯電話のモジュールは、プリント配線基板８０１に、パッケージ８０２と、バッテリー８０４とが実装されている。また、表示素子が設けられたパネル８００に、プリント配線基板８０１がＦＰＣ８０３によって実装されている。
【０２５５】
図１４に、本発明の一態様に係る半導体装置である半導体装置１０を用いたプログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ：Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ）の構成例を示す。図１４では、ＰＬＤ８０に、Ｉ／Ｏ７０、ＰＬＬ（ｐｈａｓｅ  ｌｏｃｋ  ｌｏｏｐ）７１、ＲＡＭ７２、半導体装置１０が設けられている。Ｉ／Ｏ７０は、ＰＬＤ８０の外部回路からの信号の入力、または外部回路への信号の出力を制御する、インターフェースとしての機能を有する。ＰＬＬ７１は、信号ＣＬＫを生成する機能を有する。ＲＡＭ７２は、論理演算に用いられるデータを格納する機能を有する。半導体装置１０は、積和演算回路としての機能を有する。
【０２５６】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０２５７】
（実施の形態８）
本発明の一態様に係る記憶装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置）に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る記憶装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等）、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、医療機器などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図１５に示す。
【０２５８】
図１５（Ａ）は携帯型ゲーム機であり、筐体５００１、筐体５００２、表示部５００３、表示部５００４、マイクロホン５００５、スピーカー５００６、操作キー５００７、スタイラス５００８等を有する。本発明の一態様にかかる記憶装置は、携帯型ゲーム機の各種集積回路に用いることができる。なお、図１５（Ａ）に示した携帯型ゲーム機は、２つの表示部５００３と表示部５００４とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定されない。
【０２５９】
図１５（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体５４０１、表示部５４０２、キーボード５４０３、ポインティングデバイス５４０４等を有する。本発明の一態様にかかる半導体装置は、ノート型パーソナルコンピュータの各種集積回路に用いることができる。
【０２６０】
図１５（Ｃ）は表示装置であり、筐体５３０１、表示部５３０２、支持台５３０３等を有する。本発明の一態様に係る半導体装置は、表示部５３０２に用いることができる。なお、表示装置には、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０２６１】
図１５（Ｄ）はビデオカメラであり、第１筐体５８０１、第２筐体５８０２、表示部５８０３、操作キー５８０４、レンズ５８０５、接続部５８０６等を有する。本発明の一態様にかかる半導体装置は、ビデオカメラの各種集積回路に用いることができる。操作キー５８０４及びレンズ５８０５は第１筐体５８０１に設けられており、表示部５８０３は第２筐体５８０２に設けられている。そして、第１筐体５８０１と第２筐体５８０２とは、接続部５８０６により接続されており、第１筐体５８０１と第２筐体５８０２の間の角度は、接続部５８０６により変更が可能である。表示部５８０３における映像を、接続部５８０６における第１筐体５８０１と第２筐体５８０２との間の角度に従って切り替える構成としても良い。
【０２６２】
図１５（Ｅ）は表示装置であり、曲面を有する筐体５７０１、表示部５７０２等を有する。本発明の一態様に係る半導体装置に可撓性を有する基板を用いることで、曲面を有する筐体５７０１に支持された表示部５７０２に、当該半導体装置を用いることができ、フレキシブルかつ軽くて使い勝手の良い表示装置を提供することができる。
【０２６３】
図１５（Ｆ）は携帯電話であり、曲面を有する筐体５９０１に、表示部５９０２、マイク５９０７、スピーカー５９０４、カメラ５９０３、外部接続部５９０６、操作用のボタン５９０５が設けられている。本発明の一態様にかかる記憶装置は、表示部５９０２に用いられる表示装置の動作を制御するための各種集積回路に用いることができる。
【０２６４】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０２６５】
１０    半導体装置
１１    記憶回路
１２    参照用記憶回路
１３    回路
１４    回路
１５    電流源回路
１８    電流電圧変換回路
１９    アンプ
２０    抵抗素子
２１    駆動回路
２１Ｒ    駆動回路
２２    デコーダ
２３    サンプリング回路
２４    アナログバッファ
２５    オフセット回路
２６    選択回路
２７    選択回路
７１    ＰＬＬ
７２    ＲＡＭ
８０    ＰＬＤ
３５０    インターポーザ
３５１    チップ
３５２    端子
３５３    モールド樹脂
５０１    トランジスタ
５１１    絶縁層
５１２    絶縁層
５１３    絶縁層
５１４    絶縁層
５１５    絶縁層
５１６ｅ    Ｅｃ
５１６    絶縁層
５１７ｅ    Ｅｃ
５１７    絶縁層
５１８    絶縁層
５１９    絶縁層
５２０    絶縁層
５２１    金属酸化物膜
５２１ｅ    Ｅｃ
５２２    金属酸化物膜
５２２ｅ    Ｅｃ
５２３    金属酸化物膜
５２４    金属酸化物膜
５２４ｅ    Ｅｃ
５２７ｅ    Ｅｔ
５３０    酸化物層
５５０    導電層
５５１    導電層
５５２    導電層
５５３    導電層
５６０    単結晶シリコンウエハ
５６１    ＣＭＯＳ層
５６２    トランジスタ層
５６５    電極
８００    パネル
８０１    プリント配線基板
８０２    パッケージ
８０３    ＦＰＣ
８０４    バッテリー
５００１    筐体
５００２    筐体
５００３    表示部
５００４    表示部
５００５    マイクロホン
５００６    スピーカー
５００７    操作キー
５００８    スタイラス
５３０１    筐体
５３０２    表示部
５３０３    支持台
５４０１    筐体
５４０２    表示部
５４０３    キーボード
５４０４    ポインティングデバイス
５７０１    筐体
５７０２    表示部
５８０１    筐体
５８０２    筐体
５８０３    表示部
５８０４    操作キー
５８０５    レンズ
５８０６    接続部
５９０１    筐体
５９０２    表示部
５９０３    カメラ
５９０４    スピーカー
５９０５    ボタン
５９０６    外部接続部
５９０７    マイク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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