(57)【要約】【課題】描画装置において短時間に正確な位置情報を取得する技術を提供する。【解決手段】校正用スケールに設けられた透過パターンは、複数の描画ヘッドから照射される光の照射パターンと対応した複数の単位透過パターンを有する。複数の単位透過パターンは、校正用スケールにおいて第１方向に互いにずれつつ第１方向と直交する第２方向に並んで形成されている。このため、複数の描画ヘッドと校正用スケールとを相対移動しつつ光量センサが経時的に透過パターンの透過光を検出することで、検出された光量を基に各描画ヘッドと校正用スケールとの相対位置関係が得られる。【選択図】図１３
2017067888.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の主面に光を照射して前記基材にパターンを描画する描画装置であって、
基材を保持する基材保持部と、
それぞれが光を出射する複数の描画ヘッドと、
位置指標および光を選択的に透過させる透過パターンが形成された校正用スケールと、
前記基材保持部に保持された前記基材および前記校正用スケールに形成された前記位置指標を撮像する撮像部と、
前記複数の描画ヘッドから出射された光のうち前記透過パターンを透過した透過光の光量を検出する光量センサと、
を備え、
描画処理の際には、前記複数の描画ヘッドから前記基材に向けて空間変調された光を照射しつつ、前記複数の描画ヘッドと前記基材とが相対移動され、
前記透過パターンは前記複数の描画ヘッドから照射される光の照射パターンと対応した複数の単位透過パターンを有し、
前記複数の単位透過パターンは、前記校正用スケールにおいて第１方向に互いにずれつつ前記第１方向と直交する第２方向に並んで形成されていることを特徴とする描画装置。
【請求項２】
請求項１に記載の描画装置であって、
前記透過パターンは、前記複数の単位透過パターンに加え、前記複数の描画ヘッドの配列方向に伸びる直線透過パターンをさらに有し、
前記配列方向は前記第１方向と一致し、前記光量センサによって光検出される際の前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとの相対移動方向は前記第２方向と一致することを特徴とする描画装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の描画装置であって、
前記第２方向に隣接する各単位透過パターンでは、前記第１方向についての互いのずれ量が同一であり、
前記ずれ量は、前記基材の前記主面に前記描画ヘッドから照射される光を前記第１方向について変位可能な最小単位に相当することを特徴とする描画装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の描画装置であって、
前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとが連続的に相対移動されている状態で、前記複数の描画ヘッドから前記校正用スケールに向けて光を照射し、
前記光量センサは、前記複数の描画ヘッドから出射された光のうち前記透過パターンを透過した透過光の光量を経時的に検出することを特徴とする描画装置。
【請求項５】
請求項１に記載の描画装置において前記複数の描画ヘッドと前記基材との位置関係を把握する位置情報取得方法であって、
ａ）前記撮像部が前記基材保持部に保持された前記基材を撮像することにより、前記撮像部と前記基材との相対的な位置関係を得る工程と、
ｂ）前記撮像部が前記校正用スケールに形成された前記位置指標を撮像することにより、前記撮像部と前記校正用スケールとの相対的な位置関係を得る工程と、
ｃ）前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとを相対移動しつつ前記複数の描画ヘッドから前記校正用スケールに向けて光を照射し、前記光量センサが前記複数の描画ヘッドから出射された光のうち前記透過パターンを透過した透過光の光量を経時的に検出して、前記複数の単位透過パターンを透過する透過光が前記光量センサによって最大で検出されるタイミングを基にこのタイミングと対応する一の単位透過パターンを特定して、この一の単位透過パターンが校正用スケールに形成されている前記第１方向の位置を基に、前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとの位置関係を前記第１方向について得る工程と、
ｄ）前記ａ）工程ないし前記ｃ）工程によって得られた各位置関係を基に、前記複数の描画ヘッドと前記基材との前記第１方向についての位置関係を得る工程と、
を備えることを特徴とする位置情報取得方法。
【請求項６】
請求項５に記載の位置情報取得方法であって、
前記透過パターンは、前記複数の単位透過パターンに加え、前記複数の描画ヘッドの配列方向に伸びる直線透過パターンをさらに有し、
前記配列方向は前記第１方向と一致し、前記ｃ）工程における前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとの相対移動方向は前記第２方向と一致し、
前記ｃ）工程では、さらに、前記直線透過パターンを透過する透過光が前記光量センサによって最大で検出されるタイミングを基に、このタイミングと対応する前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとの位置関係を前記第２方向について得て、
前記ｄ）工程では、前記複数の描画ヘッドと前記基材との位置関係を得る、ことを特徴とする位置情報取得方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の位置情報取得方法において、
前記第２方向に隣接する各単位透過パターンでは、前記第１方向についての互いのずれ量が同一であり、
前記ずれ量は、前記基材の前記主面に前記描画ヘッドから照射される光を前記第１方向について変位可能な最小単位に相当することを特徴とする位置情報取得方法。
【請求項８】
請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の位置情報取得方法において、
前記ｃ）工程では、前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとを連続的に相対移動することを特徴とする位置情報取得方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基材の主面に光を照射して基材にパターンを描画する描画装置、および、該描画装置における位置情報取得方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材上に塗布された感光材料に回路などのパターンを露光するにあたって、マスクなどを用いず、パターンを記述したデータに応じて変調した光によって基材上の感光材料を走査することによって、当該感光材料に直接パターンを露光する露光装置（いわゆる、描画装置）が知られている。この種の描画装置は、例えば、光ビームを画素単位でオン・オフ変調するための空間光変調器を備える描画ヘッドから、該描画ヘッドに対して相対的に移動する基材に対して描画光を照射して、基材にパターンを露光するものが知られている。
【０００３】
このような基材に直接パターンを描画する描画装置では、基材の表面に設けられたアライメントマークを撮像するアライメント用カメラや描画ヘッドを撮像してその位置を把握する校正用カメラ等を用いて、基材と描画ヘッドとの相対的な位置関係が把握される。そして、この相対的な位置関係は、描画データ（パターンデータ）に基づいた描画処理が行われる際にパターン描画する位置などを補正するために利用され、高精度な描画処理が実行される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１９７１３６号公報
【特許文献２】特開２００５−３７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、特許文献１の態様では、校正用カメラが描画ヘッドと校正用スケールとを撮像することで、描画ヘッドと校正用スケールとの相対位置関係が把握される。しかしながら、この態様においては、描画ヘッドと校正用スケールと校正用カメラとをそれぞれ相対移動させた状態では撮像のピントが合い難く、描画ヘッドと校正用スケールと校正用カメラとをそれぞれ静止させた状態でなければ正確な上記相対位置関係が得られない。このため、撮像の度に各部を静止させる必要が生じ、上記相対位置関係を得るのに長時間を要する。
【０００６】
また、例えば、特許文献２の態様では、ステージに光を選択的に透過させる透過パターンが形成されており、描画ヘッドから出射された１画素分の光が透過パターンを透過してディテクタにより検出されることで、ステージと描画ヘッドとの相対位置関係が把握される。しかしながら、この態様においては、光の照射パターンと透過パターンとが非対応であるため、相対移動方向に沿って何度も描画ヘッドと透過パターンとの相対移動を繰り返さなければ上記相対位置関係を得ることができない。また、この態様においては、１画素分の光を用いて上記相対位置関係を得るため、得られる位置情報において装置各部の誤差が影響しやすく、正確な位置情報を取得することが困難である。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、描画装置において短時間に正確な位置情報を取得する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様にかかる描画装置は、基材の主面に光を照射して前記基材にパターンを描画する描画装置であって、基材を保持する基材保持部と、それぞれが光を出射する複数の描画ヘッドと、位置指標および光を選択的に透過させる透過パターンが形成された校正用スケールと、前記基材保持部に保持された前記基材および前記校正用スケールに形成された前記位置指標を撮像する撮像部と、前記複数の描画ヘッドから出射された光のうち前記透過パターンを透過した透過光の光量を検出する光量センサと、を備え、描画処理の際には、前記複数の描画ヘッドから前記基材に向けて空間変調された光を照射しつつ、前記複数の描画ヘッドと前記基材とが相対移動され、前記透過パターンは前記複数の描画ヘッドから照射される光の照射パターンと対応した複数の単位透過パターンを有し、前記複数の単位透過パターンは、前記校正用スケールにおいて第１方向に互いにずれつつ前記第１方向と直交する第２方向に並んで形成されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２の態様にかかる描画装置は、本発明の第１の態様にかかる描画装置であって、前記透過パターンは、前記複数の単位透過パターンに加え、前記複数の描画ヘッドの配列方向に伸びる直線透過パターンをさらに有し、前記配列方向は前記第１方向と一致し、前記光量センサによって光検出される際の前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとの相対移動方向は前記第２方向と一致することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第３の態様にかかる描画装置は、本発明の第１の態様または第２の態様にかかる描画装置であって、前記第２方向に隣接する各単位透過パターンでは、前記第１方向についての互いのずれ量が同一であり、前記ずれ量は、前記基材の前記主面に前記描画ヘッドから照射される光を前記第１方向について変位可能な最小単位に相当することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第４の態様にかかる描画装置は、本発明の第１の態様ないし第３の態様のいずれかにかかる描画装置であって、前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとが連続的に相対移動されている状態で、前記複数の描画ヘッドから前記校正用スケールに向けて光を照射し、前記光量センサは、前記複数の描画ヘッドから出射された光のうち前記透過パターンを透過した透過光の光量を経時的に検出することを特徴とする。
【００１２】
本発明の第５の態様にかかる位置情報取得方法は、本発明の第１の態様にかかる描画装置において前記複数の描画ヘッドと前記基材との位置関係を把握する位置情報取得方法であって、ａ）前記撮像部が前記基材保持部に保持された前記基材を撮像することにより、前記撮像部と前記基材との相対的な位置関係を得る工程と、ｂ）前記撮像部が前記校正用スケールに形成された前記位置指標を撮像することにより、前記撮像部と前記校正用スケールとの相対的な位置関係を得る工程と、ｃ）前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとを相対移動しつつ前記複数の描画ヘッドから前記校正用スケールに向けて光を照射し、前記光量センサが前記複数の描画ヘッドから出射された光のうち前記透過パターンを透過した透過光の光量を経時的に検出して、前記複数の単位透過パターンを透過する透過光が前記光量センサによって最大で検出されるタイミングを基にこのタイミングと対応する一の単位透過パターンを特定して、この一の単位透過パターンが校正用スケールに形成されている前記第１方向の位置を基に、前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとの位置関係を前記第１方向について得る工程と、ｄ）前記ａ）工程ないし前記ｃ）工程によって得られた各位置関係を基に、前記複数の描画ヘッドと前記基材との前記第１方向についての位置関係を得る工程と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第６の態様にかかる位置情報取得方法は、本発明の第５の態様にかかる位置情報取得方法であって、前記透過パターンは、前記複数の単位透過パターンに加え、前記複数の描画ヘッドの配列方向に伸びる直線透過パターンをさらに有し、前記配列方向は前記第１方向と一致し、前記ｃ）工程における前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとの相対移動方向は前記第２方向と一致し、前記ｃ）工程では、さらに、前記直線透過パターンを透過する透過光が前記光量センサによって最大で検出されるタイミングを基に、このタイミングと対応する前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとの位置関係を前記第２方向について得て、前記ｄ）工程では、前記複数の描画ヘッドと前記基材との位置関係を得る、ことを特徴とする。
【００１４】
本発明の第７の態様にかかる位置情報取得方法は、本発明の第５の態様または第６の態様にかかる位置情報取得方法であって、前記第２方向に隣接する各単位透過パターンでは、前記第１方向についての互いのずれ量が同一であり、前記ずれ量は、前記基材の前記主面に前記描画ヘッドから照射される光を前記第１方向について変位可能な最小単位に相当することを特徴とする。
【００１５】
本発明の第８の態様にかかる位置情報取得方法は、本発明の第５の態様ないし第７の態様のいずれかにかかる位置情報取得方法であって、前記ｃ）工程では、前記複数の描画ヘッドと前記校正用スケールとを連続的に相対移動することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明では、透過パターンは複数の描画ヘッドから照射される光の照射パターンと対応した複数の単位透過パターンを有し、複数の単位透過パターンは校正用スケールにおいて第１方向に互いにずれつつ第１方向と直交する第２方向に並んで形成されている。このため、複数の描画ヘッドと校正用スケールとを相対移動しつつ光量センサが経時的に透過パターンの透過光を検出することで、検出された光量を基に各描画ヘッドと校正用スケールとの相対位置関係が得られる。
【００１７】
これに対して、光量センサに代えて校正用カメラを有する他の態様（例えば、特許文献１の態様）では、描画ヘッドと校正用スケールと校正用カメラとをそれぞれ相対移動させた状態では撮像のピントが合い難く、描画ヘッドと校正用スケールと校正用カメラとをそれぞれ静止させた状態でなければ正確な上記相対位置関係が得られない。本発明の態様では、該他の態様と異なり、各部を動作させつつより短時間で上記相対位置関係を得ることができ、望ましい。
【００１８】
また、光を透過する透過パターンが光の照射パターンと非対応な他の態様（例えば、特許文献２の態様）では、相対移動方向に沿って何度も描画ヘッドと透過パターンとの相対移動を繰り返さなければ描画ヘッドの位置調整を行うことができない。本発明の態様では、該他の態様と異なり、１回の相対移動で上記相対位置関係を得ることができ、望ましい。
【００１９】
また、該他の態様では、描画ヘッドから照射された１画素分の光が透過パターンを透過してディテクタで検出されることにより描画ヘッドの位置情報が得られるが、このように１画素分の光を用いて位置情報を得る態様では、得られる位置情報において装置各部の誤差が影響しやすく、正確な位置情報を取得することが困難である。これに対して、本発明の態様では、複数の描画ヘッドから照射される光の照射パターン（言い換えると、複数画素によって構成される照射パターン）を用いて上記相対位置関係を得るため、各描画ヘッドの振動や光量センサのノイズ等の計測誤差成分が平均化される。このため、本発明の態様では、該他の態様と異なり、より正確に上記相対位置関係を得ることができ、望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】描画装置の概略斜視図である。
【図２】描画装置の概略平面図である。
【図３】描画装置のバス配線図である。
【図４】露光部の概略を示す斜視図である。
【図５】描画処理が行われている基材を示す平面図である。
【図６】描画ヘッドの概略を示す側面図である。
【図７】各アライメント用カメラと基材保持プレートに保持された基材との相対位置関係を得る様子を示す概略平面図である。
【図８】各アライメント用カメラと基材保持プレートに保持された基材との相対位置関係を得る様子を示す概略側面図である。
【図９】各アライメント用カメラと校正用スケールとの相対位置関係を得る様子を示す概略平面図である。
【図１０】各アライメント用カメラと校正用スケールとの相対位置関係を得る様子を示す概略側面図である。
【図１１】各描画ヘッドと校正用スケールとの相対位置関係を得る様子を示す概略平面図である。
【図１２】各描画ヘッドと校正用スケールとの相対位置関係を得る様子を示す概略側面図である。
【図１３】各描画ヘッドと校正用スケールとの相対位置関係を得る様子を示す拡大平面図である。
【図１４】変形例において、各描画ヘッドと校正用スケールとの相対位置関係を得る様子を示す拡大平面図である。
【図１５】変形例において、各描画ヘッドと校正用スケールとの相対位置関係を得る様子を示す拡大平面図である。
【図１６】変形例において、各描画ヘッドと校正用スケールとの相対位置関係を得る様子を示す拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、重複説明が省略される。なお、以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、図面においては、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。また、図面には、方向を説明するためにＸＹＺ直交座標軸がふされる場合がある。座標軸における＋Ｚ方向は鉛直上方向であり、ＸＹ平面は水平面である。
【００２２】
＜１  実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る描画装置１００の概略斜視図である。また、図２は、描画装置１００の概略平面図である。さらに図３は、描画装置１００のバス配線図である。図２においては、説明の都合上、架橋構造体１１および描画ヘッド３３が二点鎖線によって図示されている。
【００２３】
描画装置１００は、基材９０（例えば、プリント基板）の主面に形成された感光材料の層（例えば、レジストの感光体）に光を照射してデバイス形成のためのパターンを描画する装置である。図１および図２に示されるように、描画装置１００は、主に架台１、移動プレート群２、露光部３、および制御部５を備えている。
【００２４】
架台１は、略直方体状の外形を有しており、その上面の略水平な領域には、架橋構造体１１や移動プレート群２が備えられる。架橋構造体１１は、移動プレート群２の上方に略水平に掛け渡されるようにして架台１上に固定されている。図１に示すように、架台１は、移動プレート群２と架橋構造体１１とを一体的に支持する。
【００２５】
移動プレート群２は、主に、基材９０をその上面の略水平な領域に保持する基材保持プレート２１（基材保持部）と、基材保持プレート２１を下方から支持する支持プレート２２と、支持プレート２２を下方から支持するベースプレート２３と、ベースプレート２３を下方から支持する基台２４と、基材保持プレート２１をＺ軸回りに回動させる回動機構２１１と、支持プレート２２をＸ軸方向に移動させるための副走査機構２２１と、ベースプレート２３をＹ軸方向に移動させるための主走査機構２３１とを備える。
【００２６】
基材保持プレート２１の上面には、図示省略の複数の吸着孔が分散して設けられている。これらの吸着孔は、真空ポンプに接続されており、当該真空ポンプを動作することによって、基材９０と基材保持プレート２１との間の雰囲気を排気することができる。これにより、基材９０が基材保持プレート２１の上面に吸着保持される。
【００２７】
図２に示されるように、回動機構２１１は、基材保持プレート２１の−Ｙ側端部に取り付けられた移動子と、支持プレート２２の上面に設けられた固定子とにより構成されるリニアモータ２１１ａを有する。また、回動機構２１１は、基材保持プレート２１の中央部下面側と支持プレート２２との間に、回動軸２１１ｂを有する。リニアモータ２１１ａを動作させることによって、固定子に沿って移動子がＸ軸方向に移動し、基材保持プレート２１が支持プレート２２上の回動軸２１１ｂを中心として所定角度の領域内で回動する。
【００２８】
副走査機構２２１は、支持プレート２２の下面に取り付けられた移動子と、ベースプレート２３の上面に設けられた固定子とにより構成されるリニアモータ２２１ａを有する。また、副走査機構２２１は、支持プレート２２とベースプレート２３との間に、Ｘ軸方向に延びる一対のガイド部２２１ｂを有する。リニアモータ２２１ａを動作させることによって、支持プレート２２がベースプレート２３上のガイド部２２１ｂに沿ってＸ軸方向に移動する。
【００２９】
主走査機構２３１は、ベースプレート２３の下面に取り付けられた移動子と、基台２４上に設けられた固定子とにより構成されるリニアモータ２３１ａを有する。また、主走査機構２３１は、ベースプレート２３と架台１との間に、Ｙ軸方向に延びる一対のガイド部２３１ｂを有する。リニアモータ２３１ａを動作させることによって、ベースプレート２３が基台２４上のガイド部２３１ｂに沿ってＹ軸方向移動する。したがって、基材保持プレート２１に基材９０を保持した状態で主走査機構２３１を動作させることによって、基材９０をＹ軸方向に沿って移動させることができる。なお、これら移動機構は、制御部５により、その動作が制御される。
【００３０】
なお、回動機構２１１、副走査機構２２１および主走査機構２３１の駆動については、上述のリニアモータ２１１ａ，２２１ａ，２３１ａを利用したものに限定されない。例えば、回動機構２１１および副走査機構２２１については、サーボモータおよびボールネジ駆動を利用したものであってもよい。また、基材９０を移動させる代わりに、露光部３を移動させる移動機構を設けてもよい。さらに、基材９０および露光部３の双方を移動させるようにしてもよい。また、図示を省略するが、例えば、基材保持プレート２１をＺ軸方向に昇降させることによって、基材９０を上下に昇降させる昇降機構を設けてもよい。
【００３１】
図１に戻って、露光部３は、ＬＥＤ光源部３１、照明光学系３２および描画ヘッド３３で構成される光学ユニットを複数台（本実施形態では、５台）備えている。なお、図１では、図示が省略されているが、各描画ヘッド３３に対して、ＬＥＤ光源部３１および照明光学系３２がそれぞれ設けられている。ＬＥＤ光源部３１は、制御部５から送られる所要の駆動信号に基づいて、所要波長のレーザ光を出射する光源装置である。ＬＥＤ光源部３１から出射された光ビームは、ロッドインテグレーター、レンズおよびミラーなどで構成される照明光学系３２を介して、描画ヘッド３３へ導かれる。
【００３２】
各描画ヘッド３３は、照明光学系３２から出射される光線を、基材９０の上面に照射するものである。各描画ヘッド３３は、Ｘ軸方向に沿って架橋構造体１１の側面上部に等ピッチで配設されている。
【００３３】
図４は、露光部３の概略を示す斜視図である。図４において、光変調部４および投影光学系３３２は、各描画ヘッド３３の内部の所定位置に配置されている。ＬＥＤ光源部３１から出射された光ビームは、照明光学系３２にて当該ビームの形状が整えられる。そして、照明光学系３２にて断面矩形状に成形される。そして、照明光学系３２を通過した光ビームは、光変調部４へと導かれ、光変調部４の変調動作有効領域に照射される。
【００３４】
光変調部４へ照射された光ビームは、制御部５の制御に基づいて空間的に変調され、投影光学系３３２へと入射する。投影光学系３３２は、入射してきた光を所要の倍率に変倍して、主走査方向へ移動する基材９０上へ導く。
【００３５】
光変調部４は、電気的な制御によって入射光を空間変調させて、パターンの描画に寄与させる必要光と、パターンの描画に寄与させない不要光とを、互いに異なる方向に反射させる、デジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）を備えている。ＤＭＤは、例えば、１辺約１０μｍの正方形の微小ミラーが、１９２０×１０８０個マトリクス状に配列された空間変調素子である。各々のミラーがメモリセルに書き込まれたデータに従って、正方形の対角を軸として、所要角度で傾くように構成されている。制御部５からのリセット信号によって、各々のミラーは、一斉に駆動される。
【００３６】
ＤＭＤに表示されたパターンは、投影光学系３３２によって、基材９０の露光面上に投影される。また、ＤＭＤに表示されるパターンは、後述するように、主走査機構２３１による基材保持プレート２１の移動に伴って、主走査機構２３１のエンコーダー信号を元に作られるリセットパルスによって連続的に書き換えられる。これによって、描画光が基材９０の露光面上に照射され、ストライプ状の像が形成される。
【００３７】
図５は、描画処理が行われている基材９０を示す平面図である。描画処理は、制御部５の制御下で主走査機構２３１および副走査機構２２１が基材保持プレート２１に載置された基材９０を、複数台の描画ヘッド３３に対して相対的に移動させつつ、複数の描画ヘッド３３のそれぞれから基材９０の上面に空間変調された光を照射することによって行われる。
【００３８】
本実施形態では、主走査機構２３１によって基材９０が移動された際の、基材９０から見た描画ヘッド３３の移動方向を主走査方向とする。また、副走査機構２２１によって基材９０が移動された際の、基材９０から見た描画ヘッド３３の移動方向を副走査方向とする。図５に示される例では、主走査方向は＋Ｙ方向（矢印ＡＲ１１）および−Ｙ方向（矢印ＡＲ１３）となっており、副走査方向は＋Ｘ方向（矢印ＡＲ１２）となっている。
【００３９】
まず、主走査機構２３１によって、基材保持プレート２１が−Ｙ方向に移動され、基材９０が複数の描画ヘッド３３に対して相対的に移動される（主走査）。これを基材９０から見ると、複数の描画ヘッド３３が矢印ＡＲ１１で示されるように＋Ｙ方向に相対的に移動したことになる。この主走査が行われる間、各描画ヘッド３３は、パターンデータ５４１に応じて変調された断面矩形状の各描画光を基材９０に連続的に照射する。すなわち、各描画光が基材９０の露光面に投影される。各描画ヘッド３３が主走査方向（＋Ｙ方向）に沿って基材９０を１回横断すると、各描画光に対応した描画領域３３Ｒが基材９０上を通過することによって、帯状領域Ｒ１にパターンが描画されることなる。この帯状領域Ｒ１は、主走査方向に延びており、副走査方向に沿う幅が、描画光の幅（ストライプ幅）に相当する領域である。ここでは、５台の描画ヘッド３３が、同時に基材９０上を横断するため、１回の主走査により同時の５本の帯状領域Ｒ１のそれぞれに、パターンが描画されることになる。
【００４０】
１回の主走査が終了すると、副走査機構２２１によって、基材保持プレート２１が＋Ｘ方向に、既定の距離だけ移動させることによって、基材９０を描画ヘッド３３に対して相対的に移動させる（副走査）。これを基材９０からみると、矢印ＡＲ１２で示されるように、複数の描画ヘッド３３が、副走査方向（＋Ｘ方向）に既定の距離分だけ移動することになる。
【００４１】
副走査が終了すると、再び主走査が行われる。すなわち、主走査機構２３１によって、基材保持プレート２１が＋Ｙ方向に移動させることによって、基材９０を複数の描画ヘッド３３に対して相対的に移動させる。これを基材９０から見ると、各描画ヘッド３３は、−Ｙ方向に移動することによって、矢印ＡＲ１３で示されるように、基材９０上における、直前の主走査で描画された帯状領域Ｒ１に隣接する領域を横断することとなる。この主走査においても、各描画ヘッド３３は、パターンデータ５４１に応じて変調された描画光を、基材９０に向けて連続的に照射する。これによって、先の主走査で描画された帯状領域Ｒ１に隣接する帯状領域Ｒ２に、パターンが描画される。
【００４２】
以後、上記と同様に、主走査と副走査とが繰り返して行われ、基材９０上の描画対象領域の全域にパターンが描画されると、描画処理が終了する。図５に示される例では、２回の副走査を挟んだ３回の主走査によって、各描画ヘッド３３が帯状領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を横断し、これによって、描画対象領域の全域にパターンが形成される。
【００４３】
図３に示されるように、制御部５は、ＣＰＵ５１、読取専用のＲＯＭ５２、主にＣＰＵ５１の一時的なワーキングエリアとして使用されるＲＡＭ５３および不揮発性の記録媒体であるメモリ５４を備えている。また、制御部５は、表示部５６、操作部５７、回動機構２１１、副走査機構２２１、主走査機構２３１、ＬＥＤ光源部３１（詳細には、光源ドライバ）、光変調部４およびオートフォーカス機構６といった描画装置１００の各構成とバス配線、ネットワーク回線またはシリアル通信回線などにより接続されており、これら各構成の動作の制御を行う。
【００４４】
ＣＰＵ５１は、ＲＯＭ５２内に格納されているプログラム５５を読み取りつつ実行することにより、ＲＡＭ５３またはメモリ５４に記憶されている各種データについての演算を行う。このように、描画装置１００は、ＣＰＵ５１、ＲＯＭ５２、ＲＡＭ５３およびメモリ５４を備えることにより、一般的なコンピュータとしての構成を備えている。画像処理部５１１、光量処理部５１２、および、描画制御部５１３は、ＣＰＵ５１がプログラム５５に従って動作することにより実現される機能ブロックである。ただし、これらの要素の一部または全部は、論理回路などによって実現されてもよい。これらの要素の動作内容の詳細については、後述する。
【００４５】
メモリ５４は、基材９０上に描画すべきパターンについてのパターンデータ５４１を記憶する。パターンデータ５４１は、例えば、ＣＡＤソフトなどによって作成されたベクトル形式のデータを、ラスター形式のデータに展開した画像データである。制御部５は、このパターンデータ５４１に基づき、光変調部４を制御することによって、描画ヘッド３３から出射する光ビームを変調する。なお、描画装置１００では、主走査機構２３１のリニアモータ２３１ａから送られてくるリニアスケール信号に基づいて、変調のリセットパルスが生成される。このリセットパルスに基づいて動作する光変調部４によって、基材９０の位置に応じて変調された描画光が、各描画ヘッド３３から出射される。
【００４６】
なお、本実施形態では、パターンデータ５４１は、単一の画像（基材９０全面に形成すべきパターンが表現された画像）についてのデータとしてもよいが、例えば、単一画像についてのパターンデータ５４１から、描画ヘッド３３のそれぞれが描画を担当する部分についての画像データを、描画ヘッド３３毎に個別に生成する構成としてもよい。
【００４７】
表示部５６は、一般的なＣＲＴモニタや液晶ディスプレイなどで構成され、制御部５の制御によりオペレータに対して各種データを表示する。また、操作部５７は、各種ボタンやキー、マウス、タッチパネル等から構成され、描画装置１００に対して指示を入力するために、オペレータにより操作される。
【００４８】
図６は、描画ヘッド３３の概略を示す側面図である。図６に示されるように、各描画ヘッド３３には、オートフォーカス機構６がそれぞれ設けられている。オートフォーカス機構６は、描画ヘッド３３および基材９０（詳細には、露光面）の間の離間距離Ｌ１の変動を検出するための検出器６１を備えている。オートフォーカス機構６は、検出器６１によって検出された離間距離Ｌ１の変動に合わせて、描画ヘッド３３の描画光の焦点を調整する。
【００４９】
検出器６１は、レーザ光を基材９０に照射する照射部６１１と、基材９０を反射したレーザ光を受光する受光部６１３とで構成されている。照射部６１１は、基材９０の表面に対する法線方向（ここでは、Ｚ軸方向）に対して所定の角度だけ傾斜した軸に沿って基材９０の上面に入射させ、スポット状に照射する。受光部６１３は、例えばＺ軸方向に延びるラインセンサーで構成されている。該ラインセンサー上におけるレーザ光の入射位置によって、基材９０の上面の変動が検出されることとなる。検出器６１は、描画ヘッド３３の投影光学系３３２の筐体外周面に設けられている取付機構６２を介して、描画ヘッド３３に対して固定される。
【００５０】
また、オートフォーカス機構６は、検出器６１によって検出された変動量に応じて、投影光学系３３２のレンズをＺ軸方向に上下させる昇降機構６３を備えている。検出器６１が検出した変動量が、制御部５または不図示の専用の演算回路などに渡され、所要のプログラムに従った演算処理が行われる。これによって、昇降機構６３によるレンズの昇降量が決定される。
【００５１】
図７は、各アライメント用カメラ４１と基材保持プレート２１に保持された基材９０との相対位置関係（以下、「第１位置関係」と呼ぶ）を得る様子を示す概略平面図である。図８は、第１位置関係を得る様子を示す概略側面図である。
【００５２】
基材９０の表面の周端部付近には、複数のアライメントマークＡＭ（図７に示す例では、６個のアライメントマークＡＭ）が形成されている。また、図１では図示が省略されているが、アライメント用カメラ４１は、架台１に固定されかつ移動プレート群２を跨ぐように架け渡される架橋構造体（図示せず）に取り付けられている。アライメント用カメラ４１は、該架橋構造体に設けられたスライド機構によって、Ｘ軸方向に移動するように構成されている。この移動機構によってアライメント用カメラ４１をＸ軸方向に沿って移動させるとともに、基材保持プレート２１をＹ軸方向に沿って移動させることによって、アライメント用カメラ４１と基材９０の各アライメントマークＡＭとの位置関係が調節される。そして、６つのアライメントマークＡＭが各アライメント用カメラ４１によって撮像される。
【００５３】
この撮像によって取得された撮像情報５４３が、画像処理部５１１に送信され、所要の画像処理が行われる。これによって、第１位置関係が取得され、メモリ５４などの記憶部（ＲＡＭ５３などの一時的に情報を記憶するものも含む。）に保存される。
【００５４】
図９は、各アライメント用カメラ４１と校正用スケール７１との相対位置関係（以下、「第２位置関係」と呼ぶ）を得る様子を示す概略平面図である。図１０は、第２位置関係を得る様子を示す概略側面図である。
【００５５】
校正用スケール７１は透明な素材に不透明な膜をパターニングして得た部材であり、その表面のうち−Ｙ側の領域にはＸ方向に伸びる目盛り７１１が形成されている。この目盛りのＺ軸方向の高さは、基材保持プレート２１に保持された基材９０の表面の高さ（すなわち、複数のアライメントマークＡＭが形成されている高さ）にほぼ一致している。校正用スケール７１は、移動プレート群２（例えば、Ｙ軸方向に沿って移動する基材保持プレート２１）の＋Ｙ側に固定されている。このため、校正用スケール７１は、基材保持プレート２１とともに、Ｙ軸方向に移動される。上記移動機構によってアライメント用カメラ４１をＸ軸方向に沿って移動させるとともに、基材保持プレート２１とともに校正用スケール７１をＹ軸方向に沿って移動させることによって、アライメント用カメラ４１と校正用スケール７１の目盛り７１１との位置関係が調節される。そして、位置指標としての目盛り７１１が各アライメント用カメラ４１によって撮像されることにより、第２位置関係が得られる。
【００５６】
この撮像によって取得された撮像情報５４３が、画像処理部５１１に送信され、所要の画像処理が行われる。これによって、第２位置関係が取得され、メモリ５４などの記憶部（ＲＡＭ５３などの一時的に情報を記憶するものも含む。）に保存される。このように、各アライメント用カメラ４１が、基材保持プレート２１に保持された基材９０および校正用スケール７１に形成された位置指標を撮像する撮像部として機能する。
【００５７】
図１１は、各描画ヘッド３３と校正用スケール７１との相対位置関係（以下、「第３位置関係」と呼ぶ）を得る様子を示す概略平面図である。図１２は、第３位置関係を得る様子を示す概略側面図である。図１３は、第３位置関係を得る様子を示す拡大平面図である。
【００５８】
校正用スケール７１の表面のうち＋Ｙ側の領域には、光を選択的に透過させる透過パターン７１２が形成されている。また、校正用スケール７１の下方には、複数の描画ヘッド３３から出射された光のうち透過パターン７１２を透過した透過光の光量を検出する光量センサ７２が設けられる。光量センサ７２についても、校正用スケール７１と同様に、移動プレート群２に固定されており、基材保持プレート２１とともにＹ軸方向に移動される。
【００５９】
透過パターン７１２は、複数の描画ヘッド３３から照射される光の照射パターンＰｓと対応した複数の単位透過パターンＰａ〜Ｐｅを有し、複数の単位透過パターンＰａ〜Ｐｅは校正用スケール７１においてＸ方向（第１方向）に互いにずれつつＹ方向（第２方向）に並んで形成されている。
【００６０】
照射パターンＰｓは、５つの描画ヘッド３３から基材９０の表面に照射される光のパターンであり、５つの矩形の照射領域をＸ方向に間隔をあけて構成される。単位透過パターンＰｃは、各描画ヘッド３３が描画処理時の理想位置に配されている場合に、照射パターンＰｓと一致するパターンである。単位透過パターンＰｂは、各描画ヘッド３３が描画処理時の理想位置から＋Ｘ方向に所定距離ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓと一致するパターンである。単位透過パターンＰａは、各描画ヘッド３３が描画処理時の理想位置から＋Ｘ方向に上記所定距離の２倍ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓと一致するパターンである。単位透過パターンＰｄは、各描画ヘッド３３が描画処理時の理想位置から−Ｘ方向に所定距離ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓと一致するパターンである。単位透過パターンＰｅは、各描画ヘッド３３が描画処理時の理想位置から−Ｘ方向に上記所定距離の２倍ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓと一致するパターンである。
【００６１】
このように、Ｙ方向に隣接する各単位透過パターンＰａ〜Ｐｅでは、Ｘ方向についての互いのずれ量が上記所定距離で同一とされる。そして、この所定距離は、基材９０の表面に描画ヘッド３３から照射される光をＸ方向について変位可能な最小単位（本実施形態では、ＤＭＤにて変調可能な１画素）に相当する。なお、図１３においては、単位透過パターンＰａ〜ＰｅのＸ方向ずれが誇張して描かれているが、実際にはこのずれ量は微小（例えば、１μｍ）である。このため、図７、図９、図１１では、このずれが無いものとして透過パターン７１２が簡略的に描かれている。
【００６２】
そして、複数の描画ヘッド３３と校正用スケール７１とがＹ方向に連続的に（例えば、等速で）相対移動されている状態で、複数の描画ヘッド３３から校正用スケール７１に向けて光を照射し、光量センサ７２は複数の描画ヘッド３３から出射された光のうち複数の単位透過パターンＰａ〜Ｐｅを透過した透過光の光量を経時的に検出する。
【００６３】
この光量情報５４４が、光量処理部５１２に送信され、所要の解析処理が行われる。具体的には、複数の単位透過パターンＰａ〜Ｐｅを透過する透過光が光量センサ７２によって最大で検出されるタイミングを基に、このタイミングと対応する一の単位透過パターン（単位透過パターンＰａ〜Ｐｅのいずれか）が特定される。そして、この一の単位透過パターンが校正用スケール７１に形成されているＸ方向位置を基に、Ｘ方向についての第３位置関係が得られる。また、この一の単位透過パターンが校正用スケール７１に形成されているＹ方向位置を基に、Ｙ方向についての第３位置関係が得られる。得られた第３位置関係が、メモリ５４などの記憶部（ＲＡＭ５３などの一時的に情報を記憶するものも含む。）に保存される。
【００６４】
また、透過パターン７１２は、複数の単位透過パターンＰａ〜Ｐｅよりも＋Ｙ側の領域に、複数の描画ヘッド３３の配列方向（Ｘ方向）に伸びる直線透過パターンＰｘをさらに有する。そして、複数の描画ヘッド３３と校正用スケール７１とがＹ方向に連続的に（例えば、等速で）相対移動されている状態で、複数の描画ヘッド３３から校正用スケール７１に向けて光を照射し、光量センサ７２は複数の描画ヘッド３３から出射された光のうち直線透過パターンＰｘを透過した透過光の光量を経時的に検出する。
【００６５】
この光量情報５４４が、光量処理部５１２に送信され、所要の解析処理が行われる。具体的には、直線透過パターンＰｘを透過する透過光が光量センサ７２によって最大で検出されるタイミングを基に、このタイミングと対応するＹ方向についての第３位置関係が得られる。得られたＹ方向についての第３位置関係が、メモリ５４などの記憶部（ＲＡＭ５３などの一時的に情報を記憶するものも含む。）に保存される。
【００６６】
このように、Ｙ方向についての第３位置関係は、一の単位透過パターンを透過した透過光の光量に基づいて得ることもできるし、直線透過パターンＰｘを透過する透過光の光量に基づいて得ることもできる。なお、第３位置関係を得る際には、各描画ヘッド３３の振動等の影響により、校正用スケール７１に到達する各照射光が理想的な位置から僅かにＸ方向およびＹ方向にずれる場合がある。そして、このずれの影響が、一の単位透過パターンを透過した透過光の光量検出の際にはＸ方向およびＹ方向その両方について生じるのに対し、直線透過パターンＰｘを透過した透過光の光量検出の際にはＹ方向についてのみ生じる。したがって、より高精度に位置関係を把握したい場合には、本実施形態のように、直線透過パターンＰｘを透過する透過光の光量に基づいてＹ方向についての第３位置関係を得ればよい。他方、装置構成や演算処理をより簡易にしたい場合には、本実施形態とは異なり、校正用スケール７１に直線透過パターンＰｘを設けず、一の単位透過パターンを透過する透過光の光量に基づいてＹ方向についての第３位置関係を得ればよい。
【００６７】
そして、メモリ５４などの記憶部に保存された第１位置関係ないし第３位置関係を基に、まず、複数の描画ヘッド３３と基材９０との相対的な位置関係が求められる。この相対的な位置関係は、パターンデータ５４１に基づいた描画処理が行われる際に、描画制御部５１３によってパターン描画する位置などを補正するために利用される。また、所定期間描画処理を実行する度に（或いは、所定のロット数の描画処理を実行する度に）、上記相対的な位置関係が求められ、描画制御部５１３によってパターン描画する位置などが適宜補正される。
【００６８】
本実施形態では、複数の描画ヘッド３３と校正用スケール７１とをＹ方向に相対移動しつつ光量センサ７２が経時的に透過パターン７１２の透過光を検出し、検出された光量を基に第３位置関係が得られる。これに対して、光量センサ７２に代えて校正用カメラを有する他の態様（例えば、特許文献１の態様）では、描画ヘッドと校正用スケールと校正用カメラとをそれぞれ相対移動させた状態では撮像のピントが合い難く、描画ヘッドと校正用スケールと校正用カメラとをそれぞれ静止させた状態でなければ正確な第３位置関係が得られない。本実施形態の態様では、該他の態様と異なり、各部を動作させつつより短時間で第３位置関係を得ることができ、望ましい。
【００６９】
また、本実施形態では、透過パターン７１２が複数の描画ヘッド３３から照射される光の照射パターンＰｓと対応した複数の単位透過パターンＰａ〜Ｐｅを有し、複数の単位透過パターンＰａ〜Ｐｅは校正用スケール７１においてＸ方向に互いにずれつつＹ方向に並んで形成されている。これに対して、光を透過する透過パターンが光の照射パターンと非対応な他の態様（例えば、特許文献２の態様）では、Ｙ方向に沿って何度も描画ヘッド３３と透過パターン７１２との相対移動を繰り返さなければ描画ヘッド３３の位置調整を行うことができない。本実施形態の態様では、該他の態様と異なり、１回の相対移動で第３位置関係を得ることができ、望ましい。
【００７０】
また、該他の態様では、描画ヘッドから照射された１画素分の光が透過パターンを透過してディテクタで検出されることにより描画ヘッドの位置情報が得られるが、このように１画素分の光を用いて位置情報を得る態様では、得られる位置情報において装置各部の誤差が影響しやすく、正確な位置情報を取得することが困難である。これに対して、本実施形態の態様では、複数の描画ヘッド３３から照射される光の照射パターンＰｓ（言い換えると、複数画素によって構成される照射パターンＰｓ）を用いて第３位置関係を得るため、各描画ヘッドの振動や光量センサのノイズ等の計測誤差成分が平均化される。このため、本実施形態の態様では、該他の態様と異なり、より正確に第３位置関係を得ることができ、望ましい。
【００７１】
＜２  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
【００７２】
図１４は、変形例の描画装置１００Ａにおいて、第３位置関係を得る様子を示す拡大平面図である。以下では、図１４を参照しつつ変形例における描画装置１００Ａについて説明するが、上記実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
【００７３】
照射パターンＰｓ１は、５つの描画ヘッド３３Ａから基材９０の表面に照射される光のパターンであり、５つの矩形の照射領域をＸ方向に間隔をあけて構成される。また、５つの描画ヘッド３３Ａにおいて、５つの矩形の照射領域の各長辺および各短辺がＸ方向およびＹ方向に対して所定角度だけ傾斜するよう各光学素子が設けられる。
【００７４】
そして、透過パターン７１２Ａは、複数の描画ヘッド３３Ａから照射される光の照射パターンＰｓ１と対応した複数の単位透過パターンＰａ１〜Ｐｅ１を有し、複数の単位透過パターンＰａ１〜Ｐｅ１は校正用スケール７１Ａにおいて第１方向（Ｘ方向から上記所定角度だけ傾斜した方向）に互いにずれつつ第２方向（Ｙ方向から上記所定角度だけ傾斜した方向）に並んで形成されている。
【００７５】
単位透過パターンＰｃ１は、各描画ヘッド３３Ａが描画処理時の理想位置に配されている場合に、照射パターンＰｓ１と一致するパターンである。単位透過パターンＰｂ１は、各描画ヘッド３３Ａが描画処理時の理想位置から第１方向の一方側に所定距離ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓ１と一致するパターンである。単位透過パターンＰａ１は、各描画ヘッド３３Ａが描画処理時の理想位置から第１方向の一方側に上記所定距離の２倍ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓ１と一致するパターンである。単位透過パターンＰｄ１は、各描画ヘッド３３Ａが描画処理時の理想位置から第１方向の他方側に所定距離ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓ１と一致するパターンである。単位透過パターンＰｅ１は、各描画ヘッド３３Ａが描画処理時の理想位置から第１方向の他方側に上記所定距離の２倍ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓ１と一致するパターンである。
【００７６】
上記実施形態では照射パターンＰｓを構成する各矩形領域の各長辺および各短辺がＸ方向およびＹ方向に平行な態様について説明したが、これに限られるものではない。本変形例のように、各矩形領域が基材９０と描画ヘッド３３Ａとの相対移動方向（ＸＹ方向）から所定角度だけ傾斜した態様であっても構わない。
【００７７】
図１５は、変形例の描画装置１００Ｂにおいて、第３位置関係を得る様子を示す拡大平面図である。以下では、図１５を参照しつつ変形例における描画装置１００Ｂについて説明するが、上記実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
【００７８】
描画装置１００Ｂでは、第３位置関係を得る際に各描画ヘッド３３から基材９０の表面に照射される光のパターンがそれぞれＸ方向に間隔をあけた２個の矩形の照射領域で構成される。照射パターンＰｓ２は、５つの描画ヘッド３３から基材９０の表面に照射される光のパターンであり、１０個の矩形の照射領域をＸ方向に間隔をあけて構成される。
【００７９】
そして、透過パターン７１２Ｂは、複数の描画ヘッド３３から照射される光の照射パターンＰｓ２と対応した複数の単位透過パターンＰａ２〜Ｐｅ２を有し、複数の単位透過パターンＰａ２〜Ｐｅ２は校正用スケール７１ＢにおいてＸ方向に互いにずれつつＹ方向に並んで形成されている。
【００８０】
単位透過パターンＰｃ２は、各描画ヘッド３３が描画処理時の理想位置に配されている場合に、照射パターンＰｓ２と一致するパターンである。単位透過パターンＰｂ２は、各描画ヘッド３３が描画処理時の理想位置から＋Ｘ方向に所定距離ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓ２と一致するパターンである。単位透過パターンＰａ２は、各描画ヘッド３３が描画処理時の理想位置から＋Ｘ方向に上記所定距離の２倍ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓ２と一致するパターンである。単位透過パターンＰｄ２は、各描画ヘッド３３が描画処理時の理想位置から−Ｘ方向に所定距離ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓ２と一致するパターンである。単位透過パターンＰｅ２は、各描画ヘッド３３が描画処理時の理想位置から−Ｘ方向に上記所定距離の２倍ずれて配されている場合に、照射パターンＰｓ２と一致するパターンである。
【００８１】
上記実施形態では、第３位置関係を得る際に各描画ヘッド３３から基材９０の表面に照射される光のパターンがそれぞれ１個の照射領域で構成される態様について説明したが、これに限られるものではない。本変形例のように、第３位置関係を得る際に各描画ヘッド３３から基材９０の表面に照射される光のパターンがそれぞれ複数個の照射領域で構成される態様であっても構わない。
【００８２】
図１６は、変形例の描画装置１００Ｃにおいて、第３位置関係を得る様子を示す拡大平面図である。以下では、図１６を参照しつつ変形例における描画装置１００Ｃについて説明するが、上記実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
【００８３】
透過パターン７１２Ｃは、透過パターン７１２と同様に、複数の描画ヘッド３３から照射される光の照射パターンＰｓと対応した複数の単位透過パターンＰａ〜Ｐｅを有する。ただし、透過パターン７１２Ｃは、複数の単位透過パターンＰａ〜ＰｅをＹ方向に間隔をあけて有する点で、透過パターン７１２とは異なる。
【００８４】
第３位置関係を得る際には、各描画ヘッド３３の振動等の影響により、校正用スケール７１Ｃに到達する各照射光が理想的な位置から僅かにＸ方向およびＹ方向にずれる場合がある。このため、複数の単位透過パターンＰａ〜ＰｅがＹ方向に間隔をあけずに配される上記実施形態の態様では、ある単位透過パターンに向けて照射されるはずの光がＹ方向に隣接する単位透過パターンに向けて誤って照射されて、光量センサ７２によって透過光の光量が誤検出されるおそれがあった。本変形例の態様では、複数の単位透過パターンＰａ〜ＰｅをＹ方向に間隔をあけて配されるため、このような誤検出が抑制され、望ましい。
【００８５】
以上、実施形態およびその変形例に係る描画装置および位置情報取得方法について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の増減が可能である。
【符号の説明】
【００８６】
１００，１００Ａ〜１００Ｃ  描画装置
２  移動プレート群
２１  基材保持プレート
２１１  回動機構
２２１  副走査機構
２３１  主走査機構
３  露光部
３３，３３Ａ  描画ヘッド
４  光変調部
４１  アライメント用カメラ
５  制御部
５１１  画像処理部
５１２  光量処理部
５１３  描画制御部
５４  メモリ
５４１  パターンデータ
５４３  撮像情報
５４４  光量情報
７１，７１Ａ〜７１Ｃ  校正用スケール
７１１  目盛り
７１２，７１２Ａ〜７１２Ｃ  透過パターン
７２  光量センサ
９０  基材
ＡＭ  アライメントマーク
Ｐｓ，Ｐｓ１，Ｐｓ２  照射パターン
Ｐａ〜Ｐｅ，Ｐａ１〜Ｐｅ１，Ｐａ２〜Ｐｅ２  単位透過パターン
Ｐｘ  直線透過パターン
【図１】
2017067888.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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