(57)【要約】【課題】高輝度且つ高精細な表示装置、及びそれを容易に製造する方法を提供する。【解決手段】  基板上の表示領域に配置され、各々がｎ（ｎは２以上の整数）個の発光素子に共通する複数のアノード電極と、凹部を有し、複数のアノード電極の各々において、凹部を境に前記ｎ個の発光素子を区画するバンクと、表示領域に亘り、複数のアノード電極上に配置された発光層と、発光層上に配置され、凹部を境に電気的に分離されたｎ組のカソード配線とを備えた表示装置である。【選択図】図６
2017083517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の表示領域に配置され、各々がｎ（ｎは２以上の整数）個の発光素子に共通する複数のアノード電極と、
凹部を有し、前記複数のアノード電極の各々において、前記凹部を境に前記ｎ個の発光素子を区画するバンクと、
前記表示領域に亘り、前記複数のアノード電極上に配置された発光層と、
前記発光層上に配置され、前記凹部を境に電気的に分離されたｎ組のカソード配線とを備えた表示装置。
【請求項２】
前記複数のアノード電極及び前記バンクを覆う第１封止層と
前記凹部に配置され、前記第１封止層上に配置され、前記バンクの頂部を平坦化する有機絶縁層と、
前記第１封止層および前記有機絶縁層を覆う第２封止層とを更に備えた請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記有機絶縁層は、アクリル樹脂であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記バンクは、ストッパ層、及び前記ストッパ層上の有機絶縁層を含む層構造を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ストッパ層は、無機絶縁層を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
基板上に配置された表示領域に、各々がｎ（ｎは２以上の整数）個の発光素子に共通する複数のアノード電極を形成し、
前記複数のアノード電極の各々において、前記ｎ個の発光素子を区画するバンクを形成し、
前記バンク上に、前記バンクに沿って凹部を形成し、
前記表示領域に亘って発光層を成膜すると共に、前記凹部を境に互いに隔離された発光層群を形成し、
前記表示領域に亘って導電層を成膜すると共に、前記凹部を境に互いに電気的に分離されたｎ組のカソード配線を形成することを含む表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記凹部を形成することは、エネルギー照射によって前記バンクの一部を蒸発させて前記凹部を形成することである請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記バンクは、ストッパ層と、前記ストッパ層上の有機絶縁層とを含む層構造を有することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記ストッパ層は、無機絶縁層を含む請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ｎ組のカソード配線を形成した後に、前記表示領域に亘る第１封止層を形成し、
前記第１封止層の表面を平坦化するためのアクリル樹脂を形成し、
前記表示領域に亘る第２封止層を形成することを更に含む請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
基板上に配置された表示領域に、各々がｎ（ｎは２以上の整数）個の発光素子に共通する複数のアノード電極を形成し、
前記複数のアノード電極の各々において、前記ｎ個の発光素子を区画するバンクを形成し、
前記表示領域に亘る発光層を形成し、
前記発光層上に、前記表示領域に亘る導電層を形成し、
前記バンク上に、前記バンクに沿って、前記導電層及び前記発光層を貫通する凹部を形成すると共に、前記凹部を境に互いに電気的に分離されたｎ組のカソード配線を形成することを含む表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記凹部を形成することは、エネルギー照射によって、少なくとも前記導電層及び前記発光層を蒸発させて前記凹部を形成することである請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記バンクは、ストッパ層と、前記ストッパ層上の有機絶縁層とを含む層構造を有することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ストッパ層は、無機絶縁層を含む請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ｎ組のカソード配線を形成した後に、前記表示領域に亘る第１封止層を形成し、
前記第１封止層の表面を平坦化するためのアクリル樹脂を形成し、
前記表示領域に亘る第２封止層を形成することを更に含む請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の構成及びその製造方法に関する。特に、表示装置の画素の構成及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔の再結合が起こる。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
【０００４】
近年、有機ＥＬ表示装置の高精細化が進んでいる。高精細化のために画素を単純に微細化すると、画素毎に配置されたコンタクト開孔部の面積が無視できなくなり、開口率を圧迫する問題が生じる。更に、一つの画素内に配置しなければならない画素回路も、面積縮小によりトランジスタ数やデバイスサイズの制約を受ける。
【０００５】
このような課題に対し、例えば特許文献１には、複数の副画素でアノード電極（陽極）を共通化することによってコンタクトホール及び駆動トランジスタを共有し、フィールドシーケンシャル方式で駆動する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−０１８３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような表示装置においては、アノード電極を複数の発光素子で共通化すると共に、カソード電極を分割して駆動する。そのようなカソード電極分割型の表示装置の製造工程において、カソード電極はマスクを用いた蒸着法等によって形成される。しかしながら、表示装置の画素の構成が微細且つ複雑になると、１枚のマスクでは微細なスリットを形成するのが困難になる。そこで、複数枚のマスクを適用すると、それぞれのマスクの合わせ精度などで歩留りが低下する可能性がある。そのため、カソード電極分割型の表示装置においても、高輝度化や高精細化に限界があった。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑み、高輝度且つ高精細な表示装置、及びそれを容易に製造する方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による表示装置の一態様は、基板上の表示領域に配置され、各々がｎ（ｎは２以上の整数）個の発光素子に共通する複数のアノード電極と、凹部を有し、複数のアノード電極の各々において、凹部を境にｎ個の発光素子を区画するバンクと、表示領域に亘り、複数のアノード電極上に配置された発光層と、発光層上に配置され、凹部を境に電気的に分離されたｎ組のカソード配線とをを備える。
【００１０】
本発明による表示装置の製造方法の一態様は、基板上に配置された表示領域に、各々がｎ（ｎは２以上の整数）個の発光素子に共通する複数のアノード電極を形成し、複数のアノード電極の各々において、ｎ個の発光素子を区画するバンクを形成し、バンク上に、バンクに沿って凹部を形成し、表示領域に亘って発光層を成膜すると共に、凹部を境に互いに隔離された発光層群を形成し、表示領域に亘って導電層を成膜すると共に、凹部を境に互いに電気的に分離されたｎ組のカソード配線を形成することを含む。
【００１１】
本発明による表示装置の製造方法の一態様は、基板上に配置された表示領域に、各々がｎ（ｎは２以上の整数）個の発光素子に共通する複数のアノード電極を形成し、複数のアノード電極の各々において、ｎ個の発光素子を区画するバンクを形成し、表示領域に亘る発光層を形成し、発光層上に、表示領域に亘る導電層を形成し、バンク上に、バンクに沿って、導電層及び発光層を貫通する凹部を形成すると共に、凹部を境に互いに電気的に分離されたｎ組のカソード配線を形成することを含む表示装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素回路を説明する回路図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素のレイアウトを説明する上面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の構成を説明する断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素のバンク周辺の構成を説明する断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素のバンク周辺の構成を説明する断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素のレイアウトを説明する上面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
【図１７】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素のレイアウトを説明する上面図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１４】
＜第１実施形態＞
【００１５】
図面を用いて、本実施形態に係る表示装置１００の構成、駆動方法、及び製造方法について説明する。
【００１６】
［構成］
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成を示す斜視図である。本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、第２基板１０４と、複数の画素１０８と、シール材１１０と、端子領域１１４と、接続端子１１６とを有している。
【００１７】
第１基板１０２には、表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には第１基板１０２と対向する第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は表示領域１０６を囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された表示領域１０６は、第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素１０８に設けられる発光素子の劣化を抑制している。
【００１８】
第１基板１０２には、一端部に端子領域１１４が設けられている。端子領域１１４は第２基板１０４の外側に配置されている。端子領域１１４は、複数の接続端子１１６によって構成されている。接続端子１１６には、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネル（図１では表示装置１００）とを接続する配線基板が配置される。配線基板と接続する接続端子１１６の接点は、外部に露出している。第１基板１０２には接続端子１１６から入力された映像信号を表示領域１０６に出力するドライバＩＣ１１２が設けられている。
【００１９】
図２は、本実施形態に係る表示装置１００の画素回路を説明する回路図であり、図３は本実施形態に係る表示装置１００の画素のレイアウトを説明する上面図である。
【００２０】
図２及び図３では、画素単位で行と列に番号を付し、ｉ行ｊ列の画素にＰｉｊ等の符号を付け、画素Ｐｉｊを構成する副画素にＲｉｊなどの符号を付けている。赤の副画素は、奇数行奇数列及び偶数行偶数列の画素内に配置され、Ｒ１１、Ｒ１３、・・・、Ｒ２２、Ｒ２４、・・・、Ｒ３１、Ｒ３３・・・の符号で示されている。緑の副画素は、奇数行偶数列及び偶数行奇数列の画素内に配置され、Ｇ１２、Ｇ１４、・・・、Ｇ２１、Ｇ２３、・・・、Ｇ３２、Ｇ３４・・・の符号で示されている。青の副画素は、全ての画素Ｐ内に配置され、Ｂ１１、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ１４・・・、Ｂ２１、Ｂ２２、Ｂ２３、Ｂ２４・・・、Ｂ３１、Ｂ３２、Ｂ３３、Ｂ３４、・・・の符号で示されている。
【００２１】
本実施形態に係る表示装置１００は、一画素Ｐ内に異なる色の光を発するの二つの副画素を含み、一画素Ｐを構成している。一画素Ｐ内の二つの副画素は、一つのアノード電極１１９を共有している。つまり、本明細書において、画素とは、一つのアノード電極１１９を共有する複数（本実施形態においては二つ）の副画素の集合を指すものとする。
【００２２】
この例では、赤の副画素Ｒ１１及び青の副画素Ｂ１１によって画素Ｐ１１が構成されている。緑の副画素Ｇ１２及び青の副画素Ｂ１２によって、画素Ｐ１１と行方向に隣接する画素Ｐ１２が構成されている。行方向には、画素Ｐ１１及び画素Ｐ１２と同様の二画素が、交互に配列されている。不図示の列方向にも、画素Ｐ１１及び画素Ｐ１２と同様の二画素が、交互に配列されている。
【００２３】
駆動回路１１８は各画素で同じ構成であり、選択トランジスタ１２０、伝達トランジスタ１２２、駆動トランジスタ１２４、発光素子１２６ａ及び１２６ｂ、ならびに２つの保持容量ＣＨ１及びＣＨ２を含んでいる。画素を行単位で選択する選択線１３８の信号が選択トランジスタ１２０のゲートに接続され、そのオン・オフが制御される。また、画素を行単位で選択する伝達信号線１４０の信号が伝達トランジスタ１２２のゲートに接続され、そのオン・オフが制御される。
【００２４】
各駆動回路１１８の駆動トランジスタ１２４は、発光素子１２６ａ及び１２６ｂの駆動電流を供給する電流供給線１２８と発光素子１２６ａ及び１２６ｂのアノード電極１１９に接続されて、これらの発光素子１２６ａ及び１２６ｂに電流を供給する。青の副画素Ｂ１１と赤の副画素Ｒ１１が１つの駆動回路１１８で共通に駆動され、緑の副画素Ｇ１２と青の副画素Ｂ１２が別の１つの駆動回路１１８で共通に駆動される。本実施形態では、青の副画素Ｂ１１と赤の副画素Ｒ１１とが一つの画素Ｐ１１を構成し、緑の副画素Ｇ１２と青の副画素Ｂ１２とが別の画素Ｐ１２を構成している。
【００２５】
画素Ｐ内の二つの副画素を構成する発光素子１２６ａ及び１２６ｂのカソードは、それぞれ、行方向に隣接する画素Ｐを構成する副画素の発光素子１２６ｂ及び１２６ａと接続される。図３を用いて説明すると、この例では、画素Ｐ１１の赤の副画素Ｒ１１を構成する発光素子は、隣接する画素Ｐ１２の緑の副画素Ｇ１２を構成する発光素子とカソード電極同士が接続される。画素Ｐ１２の青の副画素Ｂ１２を構成する発光素子は、隣接する画素Ｐ１３の青の副画素Ｂ１３を構成する発光素子とカソード電極同士が接続される。
【００２６】
更に、画素Ｐ内の二つの副画素を構成する発光素子１２６ａ及び１２６ｂのカソードは、それぞれ、列方向に隣接する画素１０８を構成する副画素の発光素子１２６ａ及び１２６ｂと接続される。図３を用いて説明すると、この例では、画素Ｐ１１の赤の副画素Ｒ１１を構成する発光素子は、隣接する画素Ｐ２１の青の副画素Ｂ２１を構成する発光素子とカソード電極同士が接続される。画素Ｐ１２の緑の副画素Ｇ１２を構成する発光素子は、隣接する画素Ｐ２２の青の副画素Ｂ２２を構成する発光素子とカソード電極同士が接続される。
【００２７】
複数の発光素子において共通化されたカソード電極は、列方向に周期性を有し、カソード配線１３０ａ及び１３０ｂを構成する。
【００２８】
カソード配線１３０ａ及び１３０ｂは、表示領域１０６の外に延長され、そこでコンタクトホール１３２ａを通じて１本置きに共通電源線１３４ａ及び１３４ｂに接続されている。本実施形態に係る表示装置１００においては、共通電源線を２本（１３４ａ及び１３４ｂ）有し、それぞれの共通電源線に２つのカソード電源（図示せず）から点灯電圧Ｖ１と消灯電圧Ｖ２が切り替えられて選択的に供給される。
【００２９】
図４は、図３のＡＡ´に沿った画素の概略的な構成を説明する断面図である。図３と同じ部分には同じ符号を付した。また、駆動トランジスタ１２４以外の画素回路要素は省略した。
【００３０】
図中のバンク１３６に囲まれた左側の領域に、緑の副画素Ｇ２３が配置されている。また、右の領域に、青の副画素Ｂ２３が配置されている。このように、バンク１３６に囲まれた１つの領域には、１つの副画素が配置されている。
【００３１】
青の副画素Ｂ２３と緑の副画素Ｇ２３を構成するそれぞれの発光素子は、アノード電極１１９が共通しており、１つの駆動トランジスタ１２４で駆動される。当該アノード電極１１９と当該駆動トランジスタ１２４のソース電極は、コンタクトホール１３２ｂを介して電気的に接続されている。また、一画素Ｐ内の２つの副画素を構成するカソード配線１３０ａ及び１３０ｂは、バンク１３６を境に分離されて形成されている。
【００３２】
本実施形態に係る表示装置１００の駆動方法について、図５を用いて説明する。図５は本実施形態に係る表示装置１００の駆動方法を説明するタイミングチャートである。Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２、Ｓｃａｎ３は選択線１３８に印加される電圧パルス、Ｔｒａｎｓｆｅｒは伝達信号線１４０に印加される電圧パルス、Ｄａｔａ１−Ｄａｔａ４はデータ線のデータ信号、Ｃａｔｈｏｄｅ１はカソード配線１３０ａの電圧、Ｃａｔｈｏｄｅ２はカソード配線１３０ｂの電圧を表している。
【００３３】
１フレームは前半の第１フィールドと後半の第２フィールドに分けられる。
【００３４】
第１フィールドで、信号Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２、・・・が各行の選択線１３８に印加され、選択トランジスタ１２０のゲート電極に、１行ずつ順次選択電位（Ｈｉｇｈレベル）が供給される。１行目の選択線１３８に印加されたＳｃａｎ１はｔ１の期間選択電位となり、データ線（Ｄａｔａ１−４）のデータ信号が画素回路１０の第１段の保持容量ＣＨ１に伝達される。期間ｔ２に２行目、期間ｔ３に３行目が選択され、同じ動作が順次繰り返されて、全行の画素回路にデータ信号が書き込まれる。
【００３５】
ついで、全行の伝達信号線１４０の信号Ｔｒａｎｓｆｅｒがｔ１１の期間一斉にＨｉｇｈレベルになり、駆動回路１１８の伝達トランジスタ１２２がオン状態になる。これによって第１段の保持容量ＣＨ１の電圧が第２段の保持容量ＣＨ２に伝達される。トランスファー信号線がＬｏｗレベルに戻った後も、第２段の保持容量ＣＨ２に保持された電圧が駆動トランジスタ１２４のゲートに与え続けられる。
【００３６】
期間ｔ１１終了後の第２フィールドで、第１の共通電源線１３４ａ（Ｃａｔｈｏｄｅ１）には消灯電圧Ｖ１が印加され、第２の共通電源線１３４ｂ（Ｃａｔｈｏｄｅ２）には点灯電圧Ｖ２が印加される。第１の共通電源線１３４ａ（Ｃａｔｈｏｄｅ１）に接続されたカソード配線１３０ａ上の発光素子は逆方向バイアスになり、電流が流れず発光しない。第２の共通電源線１３４ｂ（Ｃａｔｈｏｄｅ２）に接続されたカソード配線１３０ｂ上の発光素子は順方向バイアスになり、電流が流れて発光する。したがって、第２フィールドの発光期間中、各副画素の２つの発光素子のうちの一方だけが点灯し、他方が消灯状態になる。
【００３７】
第２フィールドでは、Ｓｃａｎ１がｔ４の期間、Ｓｃａｎ２がｔ５の期間、以下の行も同様に順次選択電位となり、同じ書き込み動作が行われる。次いで伝達信号線１４０が期間ｔ１２で選択電位（Ｈレベル）になり、データ信号が駆動トランジスタ１２４のゲートに転送される。
【００３８】
期間ｔ１２終了後の次のフレームの第１フィールドで、第１の共通電源線１３４ａに点灯電圧Ｖ２、第２の共通電源線１３４ｂには消灯電圧Ｖ１が印加される。これにより、各副画素の第２フィールドの発光期間中点灯しなかったほうの発光素子が点灯状態になり、第２フィールドで点灯した発光素子は消灯状態になる。
【００３９】
２つのフィールドで１フレームの画像表示が完了し、２つのフィールドの平均化されたカラー画像が視認される。
【００４０】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の概略構成及び駆動方法について説明した。以下では、本実施形態に係る表示装置１００の構成について更に詳細に説明し、その製造方法について説明する。
【００４１】
図６は、本実施形態に係る表示装置１００の、バンク１３６周辺の断面図である。
【００４２】
アノード電極１１９は、第１基板１０２上の表示領域１０６に配置され、各々がｎ（ｎは２以上の整数）個の発光素子に共通する。尚、本実施形態においては、ｎは２であるが、ｎが３以上の場合においても同様に拡張することができる。
【００４３】
バンク１３６は、凹部１４４を有し、複数のアノード電極１１９の各々において、凹部１４４を境にｎ個の発光素子を区画する。この例では、バンク１３６が有する凹部１４４の下にコンタクトホール１３２ｂが設けられている。これによって、一画素内でコンタクトホール１３２ｂが発光領域の面積を圧迫しないため、高輝度の表示装置１００を提供することができる。
【００４４】
ここで、バンク１３６は、ストッパ層１３６ａと、ストッパ層上の有機絶縁層１３６ｂとを含む層構造を有していてもよい。
【００４５】
ここで、ストッパ層１３６ａは、無機絶縁層を含んでいてもよい。
【００４６】
このような構成を有することによって、製造工程において凹部１４４を形成する際に、バンク１３６の下に配置されたトランジスタや配線等へのダメージを抑制することができる。更に、カソード配線１３０とアノード電極１１９とが短絡することを防止することができる。尚、ストッパ層１３６ａは、少なくとも凹部１４４の下に配置されていればよく、平面視においてバンクの全面に配置されていなくてもよい。
【００４７】
発光層１４２は、表示領域１０６に亘り、複数のアノード電極１１９上に配置される。本実施形態においては、発光層１４２は凹部１４４の側壁を被覆せず、凹部１４４の底部にも配置されている。つまり、発光層１４２は、凹部１４４を境に複数の発光層１４２に分離されている。
【００４８】
カソード配線１３０は、発光層１４２上に配置され、凹部１４４を境に電気的に分離されてｎ組のカソード配線１３０として配置される。カソード配線１３０は、凹部１４４の側壁を被覆しないことによって、凹部１４４を境に電気的に分離されてｎ組のカソード配線１３０として配置される。尚、カソード配線１３０は、ｎ組のカソード配線１３０に電気的に分離されるように、凹部１４４の側壁を被覆しなければよく、本実施形態のように凹部１４４の底部には配置されていてもよい。
【００４９】
複数のアノード１１９電極及びバンク１３６を覆う第１封止層１４８ａを更に備えてもよい。
【００５０】
凹部１４４に配置され、バンク１３６の頂部を平坦化する有機絶縁層１５０を更に備えてもよい。更に、有機絶縁層１５０は、バンク１３６の端部を被覆してもよい。有機絶縁層１５０によって、バンク１３６に起因した凹凸を緩和することができる。有機絶縁層１５０としては、埋め込み性の高い絶縁材料を用いればよく、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂を用いることができる。
【００５１】
複数のアノード電極１１９及びバンク１３６を覆う第２封止層１４８ｂを更に備えてもよい。第２封止層によって被覆される表面は、有機絶縁層１５０によって凹凸が緩和されているため、バンク１３６や、バンク１３６に形成された凹部１４４等による凹凸に起因した水分侵入経路の発生を抑制することができる。これによって、水分への耐性が高く、信頼性の高い表示装置を提供することができる。
【００５２】
以上、本実施形態に係る表示装置１００のバンク１３６周辺の構成について詳細に説明した。以上の様な構成を有することによって、水分への耐性が高く、信頼性の高い表示装置１００を提供することができる。
【００５３】
本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明する。図７乃至図１０は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明する断面図である。
【００５４】
先ず、第１基板１０２上に配置された表示領域１０６に、複数のアノード電極１１９を形成する（図７（ａ））。この例では、第１基板１０２上に配置された平坦化絶縁層１３５上に複数のアノード電極１１９が形成されている。更に、複数のアノード電極１１９は、平坦化絶縁層の下に形成された図示しない駆動トランジスタ１２４のソース電極に、コンタクトホール１３２ｂを介して、電気的に接続される。
【００５５】
複数のアノード電極１１９の各々は、画素Ｐ毎に配置され、ｎ（ｎは２以上の整数）個の発光素子に共通する。ここで、本実施形態に係る表示装置１００において、ｎは２である。
【００５６】
アノード電極１１９は、発光層１４２で発生した光をカソード配線１３０側に反射させるため、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましい。或いは、アノード電極１１９を金属膜と透明導電膜との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。
【００５７】
次いで、複数のアノード電極１１９の各々において、ｎ個の発光素子を区画するバンク１３６を形成する（図７（ｂ））。
【００５８】
バンク１３６の役割の一つとして、アノード電極１１９の端部で発光層１４２が十分に被覆されず、カソード配線１３０と短絡するのを防ぎ、隣接する画素Ｐ間を絶縁する。そのため、絶縁材料で形成されることが好ましい。例えば、バンク１３６を形成するには、ポリイミドやアクリル等の有機材料、若しくは酸化珪素等の無機材料を用いることが好ましい。
【００５９】
ここで、バンク１３６は、ストッパ層１３６ａと、ストッパ層上の有機絶縁層１３６ｂとを含む層構造を有していてもよい。
【００６０】
ここで、ストッパ層１３６ａは、無機絶縁層を含んでいてもよい。
【００６１】
このような製造方法を用いることによって、後の製造工程において、バンク１３６の下方に配置されたトランジスタ等へのダメージを抑制することができる。これによって、表示装置１００を更に歩留まり良く製造することができる。更に、カソード配線１３０とアノード電極１１９とが短絡することを防止できる。
【００６２】
次いで、バンク１３６上に、当該バンク１３６に沿って凹部１４４を形成する（図８（ａ））。
【００６３】
ここで、凹部１４４を形成することは、フォトリソグラフィ工程を用いて凹部１４４を形成してもよい。
【００６４】
また、凹部１４４を形成することは、エネルギー照射によってバンク１３６の一部を蒸発させて凹部１４４を形成してもよい。エネルギー照射としては、例えばレーザ照射を用いることができる。
【００６５】
このような製造方法を用いることによって、マスクを用いずに凹部１４４を形成することができる。これによって、分割されたカソード配線１３０を有し、分割駆動する表示装置１００の製造方法が簡略化される。
【００６６】
次いで、表示領域１０６に亘って発光層１４２を成膜する。これと共に、凹部１４４を境に互いに隔離された発光層群１４２を形成する（図８（ｂ））。これについては、発光層１４２の膜厚に対して凹部１４４の段差が大きく、テーパー角がほぼ垂直に加工されていれば、発光層１４２を段切れさせることが可能である。
【００６７】
発光層１４２が、例えば有機ＥＬ層から成る場合、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１４２は発光性の有機材料を含む発光層１４２に加え、当該発光層１４２を挟むように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。
【００６８】
発光層１４２は、白色発光を呈するものを用い、カラーフィルタ（図示せず）によってフルカラー発光を実現してもよい。また、各色の光を発光する発光素子を塗り分けてもよい。
【００６９】
次いで、表示領域１０６に亘って導電層１３０を成膜する。これと共に、凹部１４４を境に互いに電気的に分離されたｎ組のカソード配線１３０を形成する（図９（ａ））。これについても、導電層１３０の膜厚に対して凹部１４４の段差が大きく、テーパー角がほぼ垂直に加工されていれば、導電層１３０を段切れさせることが可能である。
【００７０】
このような製造方法を用いることによって、分割された複数のカソード配線１３０を有し、分割駆動する表示装置１００を歩留まり良く製造することができる。
【００７１】
カソード配線１３０は、発光層１４２で生成された光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、カソード配線１３０として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。
【００７２】
次いで、ｎ組のカソード配線１３０を形成した後に、表示領域１０６に亘る第１封止層１４８ａを形成し（図９（ｂ））、第１封止層１４８ａの表面を平坦化するためのアクリル樹脂１５０を形成し（図１０（ａ））、表示領域１０６に亘る第２封止層１４８ｂを形成してもよい（図１０（ｂ））。
【００７３】
このような製造方法を用いることによって、第２封止層１４８ｂによる被覆性が向上するため、バンク１３６や、バンク１３６に形成された凹部１４４等による凹凸に起因した水分侵入経路の発生を抑制することができる。これによって、水分への耐性が高く、信頼性の高い表示装置１００を製造することができる。
【００７４】
＜変形例＞
本実施形態の変形例に係る表示装置１００の詳細な構成及び製造方法について、図面を用いて説明する。
【００７５】
図１１は、本実施形態の変形例に係る表示装置１００の、バンク１３６周辺の断面図である。図６に示した本実施形態に係る表示装置１００と比較すると、本実施形態に係る表示装置は、凹部１４４の底部に発光層１４２及びカソード電極１３０が配置されない点のみで異なっている。これによって、カソード配線１３０は、凹部１４４を境に電気的に分離されてｎ組のカソード配線１３０として配置される。
【００７６】
［製造方法］
本実施形態に係る表示装置１００の製造方法の変形例について説明する。図１２乃至図１４は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法の変形例について説明する断面図である。
【００７７】
本変形例においては、バンク１３６の形成までは、前述した本実施形態に係る表示装置の製造方法と共通であるため、説明を省略する。
【００７８】
バンク１３６を形成した後、表示領域１０６に亘る発光層１４２を成膜し、発光層１４２上に、表示領域１０６に亘る導電層１３０を形成する（図１２（ａ））。
【００７９】
次いで、バンク１３６上に、バンク１３６に沿って、導電層１３０及び発光層１４２を貫通する凹部１４４を形成する（図１２（ｂ））。これと共に、凹部１４４を境に互いに電気的に分離されたｎ組のカソード配線１３０を形成する。
【００８０】
ここで、凹部１４４を形成するには、レーザー照射などによって、導電層１３０及び発光層１４２を昇華させて凹部１４４を形成することができる。
【００８１】
このような製造方法を用いることによって、マスクを用いずに凹部１４４を形成することができる。これによって、分割されたカソード配線１３０を有し、分割駆動する表示装置１００の製造方法が簡略化される。
【００８２】
次いで、ｎ組のカソード配線１３０を形成した後に、表示領域１０６に亘る第１封止層１４８ａを形成し（図１３（ａ））、第１封止層１４８ａの表面を平坦化するためのアクリル樹脂１５０を形成し（図１３（ｂ））、表示領域１０６に亘る第２封止層１４８ｂを形成してもよい（図１４）。
【００８３】
このような製造方法を用いることによって、第２封止層１４８ｂによる被覆性が向上するため、バンク１３６や、バンク１３６に形成された凹部１４４等による凹凸に起因した水分侵入経路の発生を抑制することができる。これによって、水分への耐性が高く、信頼性の高い表示装置を製造することができる。
【００８４】
このような製造方法を用いることによって、分割された複数のカソード電極を有し、分割駆動する表示装置を歩留まり良く製造することができる。
【００８５】
＜第２実施形態＞
図面を用いて、本実施形態に係る表示装置２００の構成、駆動方法について説明する。図１５は本実施形態に係る表示装置２００の画素のレイアウトを説明する上面図である。
【００８６】
本実施形態に係る表示装置２００と第１実施形態に係る表示装置１００とを比較すると、画素Ｐ及びカソード配線１３０のレイアウトが異なっている。特に、カソード配線１３０のレイアウトが単純化されたことによって、製造工程において、カソード配線の分離が容易になる。
【００８７】
図１５では、画素単位で行と列に番号を付し、ｉ行ｊ列の画素にＰｉｊ等の符号を付け、画素Ｐｉｊを構成する副画素にＲｉｊなどの符号を付けている。赤の副画素は、奇数列の画素内に配置され、Ｒ１１、Ｒ２１、Ｒ３１、・・・、Ｒ１３、Ｒ２３、Ｒ３３、・・・の符号で示されている。緑の副画素は、偶数列の画素内に配置され、Ｇ１２、Ｇ２２、Ｇ３２、・・・、Ｇ１４、Ｇ２４、Ｇ３４、・・・の符号で示されている。青の副画素は、全ての画素Ｐ内に配置され、Ｂ１１、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ１４・・・、Ｂ２１、Ｂ２２、Ｂ２３、Ｂ２４・・・、Ｂ３１、Ｂ３２、Ｂ３３、Ｂ３４、・・・の符号で示されている。
【００８８】
この例では、赤の副画素Ｒ１１及び青の副画素Ｂ１１によって画素Ｐ１１が構成されている。緑の副画素Ｇ１２及び青の副画素Ｂ１２によって、画素Ｐ１１と行方向に隣接する画素Ｐ１２が構成されている。行方向には、画素Ｐ１１及び画素Ｐ１２と同様の二画素が、交互に配列されている。不図示の列方向にも、画素Ｐ１１及び画素Ｐ１２と同様の構成を有する画素が連続して配列されている。
【００８９】
画素Ｐ内の二つの副画素を構成する発光素子１２６ａ及び１２６ｂのカソードは、それぞれ、行方向に隣接する画素Ｐを構成する副画素の発光素子１２６ｂ及び１２６ａと接続される。この例では、画素Ｐ１１の赤の副画素Ｒ１１を構成する発光素子は、隣接する画素Ｐ１２の青の副画素Ｂ１２を構成する発光素子とカソード配線同士が接続される。画素Ｐ１２の緑の副画素Ｇ１２を構成する発光素子は、隣接する画素Ｐ１３の青の副画素Ｂ１３を構成する発光素子とカソード配線同士が接続される。
【００９０】
更に、画素１０８内の二つの副画素を構成する発光素子１２６ａ及び１２６ｂのカソードは、それぞれ、列方向に隣接する画素１０８を構成する副画素の発光素子１２６ａ及び１２６ｂと接続される。この例では、画素Ｐ１１の赤の副画素Ｒ１１を構成する発光素子は、隣接する画素Ｐ２１の赤の副画素Ｒ２１を構成する発光素子とカソード電極同士が接続される。画素Ｐ１２の緑の副画素Ｇ１２を構成する発光素子は、隣接する画素Ｐ２２の緑の副画素Ｇ２２を構成する発光素子とカソード電極同士が接続される。
【００９１】
複数の発光素子において共通化されたカソード電極は、カソード配線１３０ａ及び１３０ｂを構成する。
【００９２】
カソード配線１３０ａ及び１３０ｂは、表示領域１０６の外に延長され、そこでコンタクトホール１３２ａを通じて１本置きに共通電源線１３４ａ及び１３４ｂに接続されている。本実施形態に係る表示装置２００においては、共通電源線を２本有し、それぞれの共通電源線に２つのカソード電源（図示せず）から消灯電圧Ｖ１と点灯電圧Ｖ２が切り替えられて選択的に供給される。
【００９３】
本実施形態に係る表示装置２００の駆動方法について、図１６を用いて説明する。図１６は本実施形態に係る表示装置２００の駆動方法を説明するタイミングチャートである。Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２、Ｓｃａｎ３は選択線１３８に印加される電圧パルス、Ｔｒａｎｓｆｅｒは伝達信号線１４０に印加される電圧パルス、Ｄａｔａ１−Ｄａｔａ４はデータ線のデータ信号、Ｃａｔｈｏｄｅ１はカソード配線１３０ａの電圧、Ｃａｔｈｏｄｅ２はカソード配線１３０ｂの電圧を表している。
【００９４】
１フレームは前半の第１フィールドと後半の第２フィールドに分けられる。
【００９５】
第１フィールドで、信号Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２、・・・が各行の選択線１３８に印加され、選択トランジスタ１２０のゲート電極に、１行ずつ順次選択電位（Ｈｉｇｈレベル）が供給される。１行目の選択線１３８に印加されたＳｃａｎ１はｔ１の期間選択電位となり、データ線（Ｄａｔａ１−４）のデータ信号が画素回路１０８の第１段の保持容量ＣＨ１に伝達される。期間ｔ２に２行目、期間ｔ３に３行目が選択され、同じ動作が順次繰り返されて、全行の画素回路にデータ信号が書き込まれる。
【００９６】
ついで、全行の伝達信号線１４０の信号Ｔｒａｎｓｆｅｒがｔ１１の期間一斉にＨｉｇｈレベルになり、駆動回路１１８の伝達トランジスタ１２２がオン状態になる。これによって第１段の保持容量ＣＨ１の電圧が第２段の保持容量ＣＨ２に伝達される。トランスファー信号線がＬｏｗレベルに戻った後も、第２段の保持容量ＣＨ２に保持された電圧が駆動トランジスタ１２４のゲートに与え続けられる。
【００９７】
期間ｔ１１終了後の第２フィールドで、第１の共通電源線１３４ａ（Ｃａｔｈｏｄｅ１）には消灯電圧Ｖ１が印加され、第２の共通電源線１３４ｂ（Ｃａｔｈｏｄｅ２）には点灯電圧Ｖ２が印加される。第１の共通電源線１３４ａ（Ｃａｔｈｏｄｅ１）に接続されたカソード配線１３０ａ上の発光素子は逆方向バイアスになり、電流が流れず発光しない。第２の共通電源線１３４ｂ（Ｃａｔｈｏｄｅ２）に接続されたカソード配線１３０ｂ上の発光素子は順方向バイアスになり、電流が流れて発光する。したがって、第２フィールドの発光期間中、各副画素の２つの発光素子のうちの一方だけが点灯し、他方が消灯状態になる。
【００９８】
第２フィールドでは、Ｓｃａｎ１がｔ４の期間、Ｓｃａｎ２がｔ５の期間、以下の行も同様に順次選択電位となり、同じ書き込み動作が行われる。次いで伝達信号線１４０が期間ｔ１２で選択電位（Ｈレベル）になり、データ信号が駆動トランジスタ１２４のゲートに転送される。
【００９９】
期間ｔ１２終了後の次のフレームの第１フィールドで、第１の共通電源線１３４ａに点灯電圧Ｖ２、第２の共通電源線１３４ｂには消灯電圧Ｖ１が印加される。これにより、各副画素の第２フィールドの発光期間中点灯しなかったほうの発光素子が点灯状態になり、第２フィールドで点灯した発光素子は消灯状態になる。
【０１００】
２つのフィールドで１フレームの画像表示が完了し、２つのフィールドの平均化されたカラー画像が視認される。
【０１０１】
＜第３実施形態＞
図面を用いて、本実施形態に係る表示装置３００の構成、駆動方法について説明する。図１７は、本実施形態に係る表示装置３００の画素のレイアウトを説明する上面図である。
【０１０２】
本実施形態に係る表示装置３００と第１実施形態に係る表示装置１００とを比較すると、画素Ｐ及びカソード配線１３０のレイアウトが異なっている。特に、カソード配線１３０のレイアウトが単純化されたことによって、製造工程において、カソード配線の分離が容易になる。
【０１０３】
図１７は本実施形態に係る表示装置３００の画素のレイアウトを説明する上面図である。図１７では、画素単位で行と列に番号を付し、ｉ行ｊ列の画素にＰｉｊ等の符号を付け、画素Ｐｉｊを構成する副画素にＲｉｊなどの符号を付けている。赤の副画素は、Ｒ１１、Ｒ２２、Ｒ３３、Ｒ４４、・・・、Ｒ５１、Ｒ６２、・・・の符号で示されている。緑の副画素は、Ｇ１３、Ｇ２４、Ｇ３５、・・・、Ｇ４２、Ｇ５３、Ｇ６４、・・・の符号で示されている。青の副画素は、全ての画素Ｐ内に配置され、・・・Ｂ１３、Ｂ１５、・・・Ｂ２２、Ｂ２４、・・・、Ｂ３１、Ｂ３３、・・・、Ｂ４２、Ｂ４４、・・・、Ｂ５３、Ｂ５５、・・・、Ｂ６２、Ｂ６４、・・・の符号で示されている。
【０１０４】
この例では、例えば、青の副画素Ｂ２２及び赤の副画素Ｒ２２によって画素Ｐ２２が構成されている。緑の副画素Ｇ１３及び青の副画素Ｂ１３によって、画素Ｐ２２と隣接する画素Ｐ１３が構成されている。右下がり方向には、同様の構成を有する画素が配列されている。右上がり方向には、画素Ｐ２２及び画素Ｐ１３と同様の二画素が、交互に配列されている。
【０１０５】
画素Ｐ内の二つの副画素のうち、下側の副画素を構成する発光素子のカソードは、左下に隣接する画素Ｐ内の副画素のうち、上側の副画素を構成する発光素子のカソードと接続する。この例では、例えば、画素Ｐ２２の赤の副画素Ｒ２２を構成する発光素子は、左下に隣接する画素Ｐ１３の緑の副画素Ｇ１３を構成する発光素子とカソード配線同士が接続される。
【０１０６】
複数の発光素子において共通化されたカソード配線は、縦方向に周期性を有し、カソード配線１３０ａ及び１３０ｂを構成する。
【０１０７】
カソード配線１３０ａ及び１３０ｂは、表示領域１０６の外に延長され、そこでコンタクトホール１３２ａを通じて１本置きに共通電源線１３４ａ及び１３４ｂに接続されている（図示せず）。本実施形態に係る表示装置３００においては、共通電源線を２本有し、それぞれの共通電源線に２つのカソード電源（図示せず）から消灯電圧Ｖ１と点灯電圧Ｖ２が切り替えられて選択的に供給される。
【０１０８】
本実施形態に係る表示装置３００の駆動方法について、図１８を用いて説明する。図１８は本実施形態に係る表示装置３００の駆動方法を説明するタイミングチャートである。Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２、Ｓｃａｎ３は選択線１３８に印加される電圧パルス、Ｔｒａｎｓｆｅｒは伝達信号線１４０に印加される電圧パルス、Ｄａｔａ１−Ｄａｔａ４はデータ線のデータ信号、Ｃａｔｈｏｄｅ１はカソード配線１３０ａの電圧、Ｃａｔｈｏｄｅ２はカソード配線１３０ｂの電圧を表している。
【０１０９】
１フレームは前半の第１フィールドと後半の第２フィールドに分けられる。
【０１１０】
第１フィールドで、信号Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２、・・・が各行の選択線１３８に印加され、選択トランジスタ１２０のゲート電極に、１行ずつ順次選択電位（Ｈｉｇｈレベル）が供給される。１行目の選択線１３８に印加されたＳｃａｎ１はｔ１の期間選択電位となり、データ線（Ｄａｔａ１−４）のデータ信号が画素回路１０８の第１段の保持容量ＣＨ１に伝達される。期間ｔ２に２行目、期間ｔ３に３行目が選択され、同じ動作が順次繰り返されて、全行の画素回路にデータ信号が書き込まれる。
【０１１１】
ついで、全行の伝達信号線１４０の信号Ｔｒａｎｓｆｅｒがｔ１１の期間一斉にＨｉｇｈレベルになり、駆動回路１１８の伝達トランジスタ１２２がオン状態になる。これによって第１段の保持容量ＣＨ１の電圧が第２段の保持容量ＣＨ２に伝達される。トランスファー信号線がＬｏｗレベルに戻った後も、第２段の保持容量ＣＨ２に保持された電圧が駆動トランジスタ１２４のゲートに与え続けられる。
【０１１２】
期間ｔ１１終了後の第２フィールドで、第１の共通電源線１３４ａ（Ｃａｔｈｏｄｅ１）には消灯電圧Ｖ１が印加され、第２の共通電源線１３４ｂ（Ｃａｔｈｏｄｅ２）には点灯電圧Ｖ２が印加される。第１の共通電源線１３４ａ（Ｃａｔｈｏｄｅ１）に接続されたカソード配線１３０ａ上の発光素子は逆方向バイアスになり、電流が流れず発光しない。第２の共通電源線１３４ｂ（Ｃａｔｈｏｄｅ２）に接続されたカソード配線１３０ｂ上の発光素子は順方向バイアスになり、電流が流れて発光する。したがって、第２フィールドの発光期間中、各副画素の２つの発光素子のうちの一方だけが点灯し、他方が消灯状態になる。
【０１１３】
第２フィールドでは、Ｓｃａｎ１がｔ４の期間、Ｓｃａｎ２がｔ５の期間、以下の行も同様に順次選択電位となり、同じ書き込み動作が行われる。次いで伝達信号線１４０が期間ｔ１２で選択電位（Ｈレベル）になり、データ信号が駆動トランジスタ１２４のゲートに転送される。
【０１１４】
期間ｔ１２終了後の次のフレームの第１フィールドで、第１の共通電源線１３４ａに点灯電圧Ｖ２、第２の共通電源線１３４ｂには消灯電圧Ｖ１が印加される。これにより、各副画素の第２フィールドの発光期間中点灯しなかったほうの発光素子が点灯状態になり、第２フィールドで点灯した発光素子は消灯状態になる。
【０１１５】
２つのフィールドで１フレームの画像表示が完了し、２つのフィールドの平均化されたカラー画像が視認される。
【０１１６】
以上、本発明の好ましい実施形態による表示装置１００乃至３００について説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。よって、特許請求の範囲において請求されている本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能である。ゆえにそれらの変更も同様に、本発明の技術的範囲に属する。
【符号の説明】
【０１１７】
１００：表示装置、１０２：第１基板、１０４：第２基板、１０６：表示領域、１０８：画素、１１０：シール材、１１２：ドライバＩＣ、１１４：端子領域、１１６：接続端子、１１８：駆動回路、１１９：アノード電極、１２０：選択トランジスタ、１２２：伝達トランジスタ、１２４：駆動トランジスタ、１２６ａ、１２６ｂ：発光素子、１２８：電流供給線、１３０、１３０ａ、１３０ｂ：カソード配線、１３２ａ、１３２ｂ：コンタクトホール、１３４ａ、１３４ｂ：共通電源線、１３５：平坦化絶縁層、１３６：バンク、１３６ａ：ストッパ層、１３６ｂ：有機絶縁層、１３８：選択線、１４０：伝達信号線、１４２：発光層、１４４：凹部、１４８、１４８ａ、１４８ｂ：封止層、１５０：有機層
【図１】
2017083517.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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