(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップ又は半導体デバイスの３次元（３Ｄ）スタッキングに適した、選択的堆積用に改良された装置で、高い沸騰温度を有する前駆体を供給するための処理チャンバの提供。【解決手段】内部空間１０８を画定するチャンバ本体１０２及びリッド１０６であって、リッド１０６がキャップ１３６を有するハウジング１３４を支持するように構成されたチャンバ本体１０２及びリッド１０６と；内部空間１０８に配置された基板支持体１２６と；キャップ１３６に連結され、処理チャンバの内部空間１０８に開放された排出口１４２を有する気化器１１４であって、気化器１１４と基板支持体１２６との間に画定された処理領域１２４に前駆体ガスを供給するように構成される気化器１１４と；気化器１１４に隣接して配置されたヒータ１２２であって、気化器１１４を加熱するように構成されるヒータ１２２とを備える処理チャンバ１００。【選択図】図１
2017101318.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を画定するチャンバ本体及びリッドであって、前記リッドがキャップを有するハウジングを支持するように構成された、チャンバ本体及びリッドと、
前記内部空間に配置された基板支持体と、
前記キャップに連結され、処理チャンバの前記内部空間に開放された排出口を有する気化器であって、前記気化器と前記基板支持体との間に画定された処理領域に前駆体ガスを供給するように構成される気化器と、
前記気化器に隣接して配置されたヒータであって、前記気化器を加熱するように構成されるヒータと
を備える処理チャンバ。
【請求項２】
内部空間を画定するチャンバ本体及びリッドであって、前記リッドが、キャップを有するハウジングを支持するように構成され、前記キャップが、前記リッドの温度を制御するための水冷式ベースプレートを含む、チャンバ本体及びリッドと、
前記内部空間に配置された基板支持体アセンブリと、
熱絶縁物によって前記内部空間内で処理チャンバの前記キャップに連結された気化器であって、前記気化器と前記基板支持体アセンブリとの間に画定された処理領域に前駆体を供給するように構成される気化器と、
前記気化器に隣接して配置されたヒータであって、前記気化器を１００℃から６００℃の温度まで加熱するように構成されるヒータと
を備える処理チャンバ。
【請求項３】
前記チャンバ本体が、
加熱された壁と、
加熱されたリッドと、
前記加熱された壁及び前記加熱されたリッドに近接して位置付けられた熱シールドであって、前記基板支持体が加熱される、熱シールドと
を備える、請求項１又は２に記載の処理チャンバ。
【請求項４】
前記キャップが水冷式ベースプレートを含む、請求項３に記載の処理チャンバ。
【請求項５】
前記処理領域に配置された内側熱シールドであって、前記チャンバ本体から間隔を空けて配置され、前記気化器を少なくとも部分的に取り囲み、加熱される、内側熱シールド
を更に備える、請求項１又は２に記載の処理チャンバ。
【請求項６】
前記処理チャンバが、
前記内側熱シールドに連結されたアクチュエータであって、前記キャップと前記基板支持体との間で前記内側熱シールドを移動させるように構成されたアクチュエータ
を更に備える、請求項５に記載の処理チャンバ。
【請求項７】
前記基板支持体を前記リッドの方へ移動させるように作動可能なアクチュエータ
を更に備える、請求項５に記載の処理チャンバ。
【請求項８】
前記気化器の前記排出口が複数の開口を備える、請求項１又は２に記載の処理チャンバ。
【請求項９】
前記基板支持体の中心線の第１の側に位置付けられた排気口であって、前記気化器が、前記基板支持体の前記中心線の第２の側に配置される排気口
を更に備える、請求項１又は２に記載の処理チャンバ。
【請求項１０】
前記ヒータが、抵抗ヒータ、ハロゲンランプ、発光ダイオード、レーザ、及びフラッシュランプから成る群から選択される、請求項１又は２に記載の処理チャンバ。
【請求項１１】
複数の基板を処理するための基板処理プラットフォームであって、
回転軌道機構と、
前記回転軌道機構周囲でアレイに配置された複数の処理チャンバであって、前記処理チャンバの１つが、
内部空間を画定するチャンバ本体及びリッドであって、前記リッドがキャップを有するハウジングを支持するように構成された、チャンバ本体及びリッドと、
前記内部空間に配置された基板支持体と、
前記キャップに連結され、前記処理チャンバの前記内部空間に開放された排出口を有する気化器であって、前記気化器と前記基板支持体との間に画定された処理領域に前駆体ガスを供給するように構成される気化器と、
前記気化器に隣接して配置されたヒータと
を更に備える複数の処理チャンバと、
複数の基板を運び、同時に前記基板処理プラットフォーム内に及び前記基板処理プラットフォームから前記基板を移送するように構成された移送ロボットと
を備える基板処理プラットフォーム。
【請求項１２】
前記処理チャンバが、
加熱された壁と、
加熱されたリッドと、
前記加熱された壁及び前記加熱されたリッド周囲に位置付けられた熱シールドであって、前記基板支持体が加熱される、熱シールドと
を更に備える、請求項１１に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項１３】
前記処理チャンバが、
前記処理領域に配置され、前記チャンバ本体から間隔を空けて配置され、前記気化器を少なくとも部分的に取り囲む内側熱シールドであって、加熱される内側熱シールド
を更に備える、請求項１１に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項１４】
前記処理チャンバが、
前記内側熱シールドに連結されたアクチュエータであって、前記キャップと前記基板支持体との間で前記内側熱シールドを移動させるように構成されたアクチュエータ
を更に備える、請求項１３に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項１５】
前記処理チャンバが、
前記基板支持体の中心線の第１の側に位置付けられた排気口であって、前記気化器が、前記基板支持体の前記中心線の第２の側に配置される排気口
を更に備える、請求項１１に記載の基板処理プラットフォーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、概して、半導体処理装置に関し、より具体的には、高い沸騰温度を有する前駆体を供給するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
サブハーフミクロン及びより小さな特徴を確実に生産することが、半導体デバイスの次世代の超大規模集積（ＶＬＳＩ）及び極超大規模集積（ＵＬＳＩ）に対する主要な技術的挑戦の１つである。しかしながら、回路技術の限界が押し上げられたので、ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ技術の寸法が縮小され、加えて処理能力が要求されることとなった。基板上でのゲート構造の確実な形成が、ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩの成功及び回路密度を増やすための継続的な努力にとって重要である。
【０００３】
次世代デバイス用の回路密度が増加すると、間にある誘電体材料だけではなく、バイアス、トレンチ、コンタクト、ゲート構造及び他の特徴などの相互接続の幅が、４５ｎｍ、３２ｎｍ、更にそれ以上低下する。次世代デバイス及び構造の製造を可能にするために、半導体チップにおける特徴の３次元（３Ｄ）スタッキングが用いられることが多い。特に、フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）が、半導体チップの３次元（３Ｄ）構造を形成するためによく用いられる。従来の２次元の代わりに３次元のトランジスタを配置することによって、多数のトランジスタが、互いに非常に接近して集積化回路（ＩＣ）に載置され得る。回路密度及びスタッキングが増加すると、事前に堆積した材料の上に後続の材料を選択的に堆積させる能力の重要性が増す。
【０００４】
したがって、半導体チップ又は他の半導体デバイスの３次元（３Ｄ）スタッキングに適した選択的堆積用の改良された装置が必要である。
【発明の概要】
【０００５】
１つの実施形態では、処理チャンバが本明細書で開示される。処理チャンバは、内部空間を画定するチャンバ本体及びリッドであって、リッドがキャップを有するハウジングを支持するように構成された、チャンバ本体及びリッドと；内部空間に配置された基板支持体と；処理チャンバの内部空間内で処理チャンバのキャップに連結された気化器であって、気化器と基板支持体との間に画定された処理領域に前駆体ガスを供給するように構成される気化器と；気化器に隣接して配置されたヒータであって、気化器を加熱するように構成されるヒータとを備える。
【０００６】
別の実施形態では、処理チャンバが本明細書で開示される。処理チャンバは、内部空間を画定するチャンバ本体及びリッドであって、リッドが、キャップを有するハウジングを支持するように構成され、キャップが、キャップの温度を制御するための水冷式ベースプレートを含む、チャンバ本体及びリッドと；内部空間に配置された基板支持体アセンブリと；熱絶縁物によって内部空間内で処理チャンバのキャップに連結された気化器であって、気化器と基板支持体アセンブリとの間に画定された処理領域に前駆体を供給するように構成される気化器と；気化器に隣接して配置されたヒータであって、気化器を１００℃から６００℃の温度まで加熱するように構成されるヒータとを含む。
【０００７】
１つの実施形態では、複数の基板を処理するための基板処理プラットフォームが、本明細書で開示される。基板処理プラットフォームは、回転軌道機構と、複数の処理チャンバと、移送ロボットとを含む。複数の処理チャンバは、回転軌道機構周囲でアレイに配置される。１つの処理チャンバは、内部空間を画定するチャンバ本体及びリッドであって、リッドがキャップを有するハウジングを支持するように構成された、チャンバ本体及びリッドと；内部空間に配置された基板支持体と；処理チャンバの内部空間内で処理チャンバのキャップに連結された気化器であって、気化器と基板支持体との間に画定された処理領域に前駆体ガスを供給するように構成される気化器と；気化器に隣接して配置されたヒータであって、気化器を加熱するように構成されるヒータとを備える。移送ロボットは、複数の基板を運び、同時に基板処理プラットフォーム内に及び基板処理プラットフォームから基板を移送するように構成される。
【０００８】
本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、実施形態の一部は付随する図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態のみを示しており、従って発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】１つの実施形態による、基板の上方に装着された加熱された側壁及び気化器を有する処理チャンバを示す。
【図２】１つの実施形態による、気化器及び内側熱シールドを有する処理チャンバを示す。
【図３】１つの実施形態による、加熱側壁及びマルチノズル式気化器を有する処理チャンバを示す。
【図４】１つの実施形態による、クロスフロー構成の処理チャンバを示す。
【図５】１つの実施形態による、マルチチャンバ処理システムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
理解を容易にするため、可能な場合には、図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号を使用した。１つの実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことができることが企図される。
【００１１】
しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態しか例示しておらず、従って、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
【００１２】
図１は、１つの実施形態による処理チャンバ１００を示す。例えば、処理チャンバ１００は、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、又は高沸点及び低蒸気圧を有する前駆体を供給する任意の処理チャンバであり得る。処理チャンバ１００は、側壁１０４、底部１０５、及びリッド１０６を有するチャンバ本体１０２を含む。側壁１０４及びリッド１０６は、内部空間１０８を画定する。１つの実施形態では、側壁１０４及びリッド１０６は、加熱される。例えば、側壁１０４及びリッド１０６が、摂氏２５０度（℃）の温度まで加熱され得るのに対して、基板支持体アセンブリ１２６は、２２０℃まで加熱され得る。１つの実施形態では、基板支持体アセンブリ１２６は、加熱された基板支持体アセンブリであり得る。例えば、基板支持体アセンブリ１２６は、約１９０℃、又は側壁１０４より約２０℃から３０℃低い温度まで加熱され得る。外側熱シールド１４０は、加熱された側壁１０４及びリッド１０６からユーザを保護するために、チャンバ本体１０２周囲に位置付けられ得る。内部空間１０８へかつ内部空間１０８から基板を移送するための基板移送口１１０が、側壁１０４に形成される。
【００１３】
前駆体供給システム１１２が、前駆体材料を内部空間１０８に供給するために、処理チャンバ１００に連結される。１つの実施形態では、前駆体は、オクタデシルホスホン酸（ＯＤＰＡ）、六塩化タングステン、ドデカンチオールなどを含み得る。排気口１１５は、内部空間１０８の圧力を制御するために、内部空間１０８と連通した処理チャンバ１００に連結され得る。処理チャンバ１００内部のガス圧は、圧力センサ１１９によってモニタされ得る。例えば、１つの実施形態では、処理チャンバ１００の圧力は、１ｍｔｏｒｒから２００ｔｏｒｒまでの圧力で維持される。
【００１４】
基板支持体アセンブリ１２６は、処理チャンバ１００の内部空間１０８内に配置される。基板支持体アセンブリ１２６は、処理中に基板（図示されず）を支持するように構成される。基板支持体アセンブリ１２６は、当該アセンブリを貫通して移動可能に配置される複数のリフトピン１２８を含む。リフトピン１２８は、基板支持体アセンブリ１２６の支持体表面１３０から突出するように作動させることができ、これにより、基板支持体アセンブリ１２６と間隔を空けて基板を載置できるので、移送ロボット（図示されず）による移送を容易にする。
【００１５】
リッド１０６は、ハウジング１３４を支持するように構成される。ハウジング１３４は、リッド１０６の反対側に配置されたキャップ１３６を含み、気化器１１４を取り囲む。気化器は、キャップ１３６から吊り下げられてもよく、ハウジング１３４の別の部分に連結されてもよい。気化器１１４は、内部空間１０８に直接開放されている排出口１４２を含む。気化器１１４は、前駆体供給システム１１２によって供給された前駆体を、基板支持体アセンブリ１２６と気化器１１４との間に画定された処理領域１２４に供給される蒸気に変換するように構成される。前駆体は、室温では固体又は液体であり得る。熱絶縁物１１３は、キャップ１３６を過熱から保護するために、キャップ１３６と気化器１１４との間に位置付けられ得る。加熱要素１２２は、気化器１１４に隣接したハウジング１３４内部に位置付けられる。１つの実施形態では、加熱要素１２２は、キャップ１３６又はハウジング１３４によって支持される。加熱要素１２２は、気化器１１４内部で前駆体を加熱するように構成される。加熱要素１２２は、例えば、ランプ、発光ダイオード、レーザ、抵抗ヒータ、又は任意の適したヒータであり得る。１つの実施形態では、加熱要素１２２は、前駆体が１００℃から６００℃までの温度に達するように、気化器１１４を加熱する。キャップ１３６は、キャップ１３６及びハウジング１３４の温度制御を補助するように構成された水冷式ベースプレート１４４を含み得る。
【００１６】
コントローラ１９０は、処理チャンバ１００に連結される。コントローラ１９０は、中央処理装置（ＣＰＵ）１９２、メモリ１９４、及び支持回路１９６を含む。コントローラ１９０は、気化器１１４によって処理領域１２４に供給されるガスの速度、並びに側壁１０４、底部１０５及び基板支持体アセンブリ１２６の温度を制御するために用いられる。基板支持体アセンブリ１２６の温度を気化器１１４の温度未満に維持することは、チャンバ本体１０２の側壁１０４への堆積を低減する助けとなる。ＣＰＵ１９２は、工業環境で使用することができる汎用コンピュータプロセッサの任意の形態であり得る。ソフトウェアルーチンは、ランダムアクセスメモリ、読み出し専用メモリ、フロッピー若しくはハードディスクドライブ、又はデジタルストレージの他の形態などのメモリ１９４に記憶することができる。支持回路１９６は、従来、ＣＰＵ１９２に接続され、キャッシュ、クロック回路、入出力サブシステム、電源などを含み得る。ソフトウェアルーチンは、ＣＰＵ１９２によって実行されると、本開示に従って処理が実行されるように、ＣＰＵ１９２を、処理チャンバ１００を制御する特定用途コンピュータ（コントローラ）１９０に変換する。ソフトウェアルーチンはまた、チャンバから遠隔に位置する第２のコントローラ（図示されず）によって、記憶及び／又は実行され得る。
【００１７】
コントローラ１９０は、複数のコントローラを含む制御システムの代表的なものであり得る。例えば、コントローラ１９０は、ヒータコントローラ、マルチチャネルヒータコントローラ、及びメインコントローラを含み得る。ヒータコントローラは、気化器１１４の加熱要素に電力供給するように構成される。マルチチャネルヒータコントローラは、側壁１０４、リッド１０６、基板支持体アセンブリ１２６、及び内側熱シールド（図２に示される）を加熱するように構成される。メインコントローラは、気化器１１４及び排気口１１５の位置の温度を変えることにより、チャンバ１００圧力を調節するように構成される。メインコントローラはまた、ユーザ入力及び方策パラメータに基づき、マルチチャネルヒータコントローラに設定点を提供する。
【００１８】
図２は、別の実施形態による処理チャンバ２００を示す。処理チャンバ２００は、処理チャンバ１００と実質的に類似している。処理チャンバ２００は、側壁２０４、底部２０５、及びリッド２０６を有するチャンバ本体２０２を含む。側壁２０４、リッド２０６、及び底部２０５は、内部空間２０８を画定する。１つの実施形態では、側壁２０４及びリッド２０６は、水冷式チャンバ壁である。水冷式チャンバ側壁２０４及びリッド２０６は、チャンバ本体２０２の温度制御の助けとなる。
【００１９】
リッド２０６は、ハウジング２３４を支持するように構成される。ハウジング２３４は、リッド２０６の反対側に配置されたキャップ２３６を含み、気化器１１４を取り囲む。気化器１１４は、キャップ２３６から吊り下げられてもよく、ハウジング２３４の別の部分に連結されてもよい。内側熱シールド２１０は、内部空間２０８内でキャップ２３６又はハウジング２３４に装着される。熱絶縁物２１１は、内側熱シールド２１０とキャップ２３６又はハウジング２３４との間に位置付けられる。内側熱シールド２１０は、チャンバ本体２０２から間隔を空けて配置される。内側熱シールド２１０は、気化器１１４を少なくとも部分的に取り囲む。内側熱シールド２１０は、チャンバ本体２０２の側壁２０４及びリッド２０６を高温まで加熱する代わりに、加熱されることもある。内側熱シールド２１０は、チャンバ本体２０２における意図されない凝縮を防止し、外側熱シールド（図１の外側熱シールド１４０）を不要とし、またチャンバ壁及びリッドの加熱を不要とするため、エネルギーの有効なシステムがもたらされる。１つの実施形態では、内側熱シールド２１０は、圧力センサ１１９が内側熱シールド２１０外部の処理チャンバ２００の圧力をモニタするのに対して、内側熱シールド２１０の空間内のガス圧力を測定するように構成される内圧センサ２３１を含む。
【００２０】
気化器１１４は、内側熱シールド２１０を通って延びる排出口１４２を含む。排出口１４２は、熱シールド２１０と基板支持体アセンブリ１２６の支持体表面１３０に配置された基板との間の処理領域１２４内の空間に開放されている。別の実施形態では、均一蒸気分配用のシャワーヘッド（図示されず）が、内側熱シールド２１０内に組み込まれてもよい。排出口１４２は、シャワーヘッドのプレナム（図示されず）内に開放されるだろう。シャワーヘッドは、熱シールドと同じ温度まで加熱されるだろう。
【００２１】
１つの実施形態では、処理チャンバ２００は、キャップ２３６に連結された第１のアクチュエータ２１２を更に含む。キャップ２３６は、ベローズ２１４によってハウジング２３４に連結される。ベローズ２１４は、処理チャンバ２００の内部空間２０８内の真空を維持しつつ、アクチュエータ２１２がキャップ２３６をｚ方向に移動できるようにする。キャップ２３６のｚ方向への移動は、キャップ２３６に連結した内側熱シールド２１０及び気化器１１４を上げ下げする。内側熱シールド２１０を下げると、基板と内側熱シールド２１０との間の処理領域１２４内の間隔が縮小し、処理ガスが基板上方に直接閉じ込められる。これにより、処理ガスの有効な処理材料及びエネルギー利用がもたらされる。１つの実施形態では、内側熱シールド２１０は、内側熱シールド２１０の底にＯリング（図示されず）を含み得る。Ｏリングは、処理チャンバ２００の底圧力より高い圧力まで加圧される基板上方に空洞を許容し、この結果、有効に処理材料が利用される。これは、内側熱シールド２１０内に位置付けられた内圧センサ２３１によって測定される。
【００２２】
別の実施形態では、処理チャンバ２００は、基板支持体アセンブリ１２６に連結された第２のアクチュエータ２１６を含み得る。第２のアクチュエータ２１６は、基板支持体アセンブリ１２６をｚ方向に移動させるように構成される。基板支持体アセンブリ１２６を上向きｚ方向に移動させることにより、アクチュエータ２１２で内側熱シールド２１０を下げることと同じように、処理領域１２４が閉じ込められるように、基板支持体アセンブリ１２６が内側熱シールド２１０により接近して位置付けられる。ベローズ２５０は、アクチュエータ２１６が基板支持体アセンブリ１２６を移動させるときに真空を維持するように、チャンバ本体２０２の底部２０５に連結される。
【００２３】
図３は、処理チャンバ３００の別の実施形態を示す。処理チャンバ３００は、処理チャンバ２００及び１００と実質的に類似している。処理チャンバ３００は、側壁３０４、底部３０５、及びリッド３０６を有するチャンバ本体３０２を含む。側壁３０４、リッド３０６、及び底部３０５は、内部空間３０８を画定する。１つの実施形態では、側壁３０４及びリッド３０６は、加熱される。例えば、側壁３０４及びリッド３０６は、２５０℃の温度まで加熱され得る。外側熱シールド３４０は、ユーザが加熱された側壁３０４及びリッド３０６から保護されるように、チャンバ本体３０２周囲に位置付けられ得る。別の実施形態では、内側熱シールド２１０に類似する内側熱シールドが、側壁３０４及びリッド３０６を加熱する代わりに使用されてもよい。
【００２４】
リッド３０６は、ハウジング３３４を支持するように構成される。ハウジング３３４は、リッド３０６の反対側に配置されたキャップ３３６を含み、気化器３１４を取り囲む。気化器３１４は、キャップ３３６から吊り下げられてもよく、ハウジング３３４の別の部分に連結されてもよい。気化器３１４は、内部空間３０８に直接開放されている複数の排出口３１６を含む。気化器３１４は、前駆体供給システム１１２によって供給された前駆体を、基板支持体アセンブリ１２６と気化器１１４との間に画定された処理領域３２４に供給される蒸気に変換するように構成される。複数の排出口３１６は、基板に分散される蒸気が均一に流れるようにする。複数の加熱要素３２２は、気化器３１４に隣接して位置付けられる。１つの実施形態では、加熱要素３２２は、キャップ３３６と気化器３１４との間で、キャップ３３６に装着される。加熱要素３２２は、気化器３１４内部で前駆体を加熱するように構成される。加熱要素３２２は、例えば、ランプ、発光ダイオード、レーザ、抵抗ヒータ、又は任意の適した加熱要素であり得る。１つの実施形態では、加熱要素３２２は、前駆体が１００℃から６００℃までの温度に達するように、気化器３１４を加熱する。複数の加熱要素３２２及び複数の排出口３１６は、基板の表面にわたり異なる処理ゾーンを実現する。
【００２５】
図４は、別の実施形態による処理チャンバ４００を示す。処理チャンバ４００は、処理チャンバ１００と実質的に類似している。処理チャンバ４００は、側壁４０４、底部４０５、及びリッド４０６を有するチャンバ本体４０２を含む。側壁４０４、リッド４０６、及び底部４０５は、内部空間４０８を画定する。１つの実施形態では、側壁４０４及びリッド４０６は、加熱される。例えば、側壁４０４及びリッド４０６は、２５０℃の温度まで加熱され得る。外側熱シールド４４０は、ユーザが加熱された側壁４０４及びリッド４０６から保護されるように、チャンバ本体４０２周囲に位置付けられ得る。内部空間４０８へかつ内部空間１０８から基板を移送するための基板移送口１１０が、側壁４０４に形成される。
【００２６】
リッド４０６は、ハウジング４３４を支持するように構成される。ハウジング４３４は、リッド４０６の反対側に配置されたキャップ４３６を含み、気化器１１４を取り囲む。気化器１１４は、キャップ４３６から吊り下げられてもよく、ハウジング４３４の別の部分に連結されてもよい。気化器１１４は、内部空間４０８に直接開放されている排出口１４２を含む。リッド４０６は、基板支持体アセンブリ１２６の中心線４２２の第１の側４２０でハウジングを支持する。したがって、気化器１１４は、基板支持体アセンブリ１２６の中心線４２２の第１の側４２０でキャップ４３６に連結される。排気口１１５は、第１の側４２０と反対側の中心線４２２の第２の側４２６に位置付けられる。気化器１１４と排気口１１５を中心線４２２の反対側に位置付けることにより、処理領域４２４の中の基板（図示されず）の表面にわたる蒸気のクロスフローが可能になる。
【００２７】
代替的には、別の実施形態において、ハウジング４３４は、基板の表面にわたり蒸気のクロスフローを提供するために、側壁４０４によって水平に支持され得る。気化器１１４は、基板支持体アセンブリ１２６の中心線４２２の第１の側４２０で側壁４０４に位置付けられる。
【００２８】
別の実施形態では、チャンバ４００は、垂直チャンバ構成を含み得、基板が垂直基板支持体アセンブリに垂直に装着され、ガスが基板の表面にわたり上部から底部まで流れる。
【００２９】
図５は、１つの実施形態による、基板処理チャンバ５００の概略図を示す。処理システム５００は、複数の処理チャンバ５０６を有する処理プラットフォーム５０２を含む。処理プラットフォーム５０２は、移送チャンバ５０４に連結される。移送チャンバ５０４は、その内部に配置され、処理プラットフォーム５０２の中に及び処理プラットフォーム５０２から２つの基板（図示されず）を移送するように構成された、デュアルブレードロボット５０５を含む。任意選択的に、各処理チャンバ５０６を空間的に分離し及び／又は基板加熱若しくは硬化を行うための複数のバッファステーション５０８が、処理チャンバ５０６の中間に配置される。
【００３０】
図５に示されるように、複数の基板は、処理チャンバ５０６の中に回転可能に配置することができる。基板処理中に、回転軌道機構５１０は、複数の基板が処理チャンバ５０６及びバッファステーション５０８の各々の下で回転して通過するように、第１の回転速度で水平方向５１２に（例えば、時計回りに又は反時計回りに）回転するように構成される。
【００３１】
処理チャンバ５０６は、前駆体を基板に堆積させるように構成された、処理チャンバ１００、２００、３００、又は４００の任意の１つであり得る。処理チャンバ５０６はまた、基板の露出面からの自然酸化物、汚染物質、又はその両方を除去するための前洗浄処理チャンバと、堆積後処理チャンバと、基板表面に構造を形成するための堆積チャンバとを含み得る。
【００３２】
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の更なる実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。
【符号の説明】
【００３３】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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