(57)【要約】【課題】導電性に優れ、低コストで得られ、かつ軽量である導電フィラー用粉末の提供。【解決手段】導電フィラー用粉末の粒子の材質は、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、導電性の元素Ｍ１及び不可避的不純物を含む合金である。この合金におけるＡｌとＡｇとの合計量は、０．１質量％以上２０質量％以下である。この合金は、Ａｌ相、Ａｇ相、ＡｌＡｇ相、Ｓｉと元素Ｍ１とを含有する複数のシリサイド相、及びＳｉ相を有している。Ａｌ相、Ａｇ相又はＡｌＡｇ相により、シリサイド相と他のシリサイド相とがジョイントされている。ＡｌＡｇ相における、Ａｇの質量含有率ｘとＡｌの質量含有率ｙとの比（ｘ／ｙ）は、０．５０以下又は１．５０以上である。この粉末の密度は、２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下である。【選択図】図１
2017007885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その材質が、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、導電性の元素Ｍ１及び不可避的不純物を含む合金であり、
上記合金におけるＡｌとＡｇとの合計量が０．１質量％以上２０質量％以下であり、
上記合金が、Ａｌ相、Ａｇ相、ＡｌＡｇ相、上記Ｓｉと上記元素Ｍ１とを含有する複数のシリサイド相、及びＳｉ相を有しており、
上記ＡｌＡｇ相における、Ａｇの質量含有率ｘとＡｌの質量含有率ｙとの比（ｘ／ｙ）が、０．５０以下又は１．５０以上であり、
密度が２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下である導電フィラー用粉末。
【請求項２】
上記合金におけるＡｇの量が０．１質量％以上１５質量％以下であり、上記比（ｘ／ｙ）が０．３０以下又は２．００以上である請求項１に記載の粉末。
【請求項３】
上記Ａｌ相、上記Ａｇ相又は上記ＡｌＡｇ相により、シリサイド相と他のシリサイド相とがジョイントされている請求項１又は２に記載の粉末。
【請求項４】
上記元素Ｍ１が、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された１種又は２種以上である請求項１から３のいずれかに記載の粉末。
【請求項５】
上記合金が元素Ｍ２をさらに含んでおり、
上記元素Ｍ２が、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇａ及びＰｂからなる群から選択された１種又は２種以上である請求項１から４のいずれかに記載の粉末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性樹脂、導電性プラスチック、導電性ペースト、電子機器、電子部品等に用いられる導電フィラーに適した粉末に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性物質に含有されるフィラーに、金、銀、白金及び銅のような貴金属の粉末が用いられている。他の金属の表面に貴金属がコーティングされた粉末も、導電フィラーとして用いられている。貴金属の電気抵抗は小さいので、この貴金属を含むフィラーは導電性に優れる。貴金属を含む粒子の凝集により、粒子同士の大きな接触面積が得られるので、この観点からも貴金属はフィラーの導電性に寄与する。貴金属はさらに、熱伝導性にも優れる。
【０００３】
貴金属は、高価である。従って、貴金属を含む導電性物質は、高コストである。しかも、貴金属は高比重である。従って、貴金属を含む導電性物質は、重い。コスト低減及び軽量化の観点から、貴金属以外の元素を含む合金の検討が、種々なされている。
【０００４】
特開２００４−４７４０４公報には、シリコン化合物からなる粒子の表面に、炭素がコーティングされた導電フィラー用合金が開示されている。この粒子では、シリコン微結晶がシリコン化合物に分散している。
【０００５】
特開２００４−２３２６９９公報には、Ａｇからなる粒子の表面に、Ｓｉ又はＳｉ系化合物がコーティングされた導電フィラー用合金が開示されている。
【０００６】
特開２００８−１３６４７５公報には、銀と、０．０１−１０質量％のＳｉとを含有する導電フィラー用合金が開示されている。この合金では、銀粒子の表面に、ＳｉＯ２のゲルがコーティングされている。
【０００７】
特開２００６−３０２５２５公報には、Ａｇを含み、さらにＡｌ又はＳｉが添加された導電フィラー用合金が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−４７４０４公報
【特許文献２】特開２００４−２３２６９９公報
【特許文献３】特開２００８−１３６４７５公報
【特許文献４】特開２００６−３０２５２５公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、電子機器の高性能化及び用途拡大が進んでいる。導電性物質には、低コスト化及び軽量化の要請がある。
【００１０】
本発明の目的は、導電性に優れ、低コストで得られ、かつ軽量である導電フィラー用粉末の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る導電フィラー用粉末の材質は、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、導電性の元素Ｍ１及び不可避的不純物を含む合金である。この合金におけるＡｌとＡｇとの合計量は、０．１質量％以上２０質量％以下である。この合金は、Ａｌ相、Ａｇ相、ＡｌＡｇ相、Ｓｉと元素Ｍ１とを含有する複数のシリサイド相、及びＳｉ相を有している。ＡｌＡｇ相における、Ａｇの質量含有率ｘとＡｌの質量含有率ｙとの比（ｘ／ｙ）は、０．５０以下又は１．５０以上である。この粉末の密度は、２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下である。
【００１２】
好ましくは、この合金におけるＡｇの量は、０．１質量％以上１５質量％以下である。好ましくは、比（ｘ／ｙ）は、０．３０以下又は２．００以上である。
【００１３】
好ましくは、Ａｌ相、Ａｇ相又はＡｌＡｇ相により、シリサイド相と他のシリサイド相とがジョイントされる。
【００１４】
好ましくは、元素Ｍ１は、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された１種又は２種以上である。
【００１５】
好ましくは、合金は、元素Ｍ２をさらに含む。この元素Ｍ２は、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇａ及びＰｂからなる群から選択された１種又は２種以上である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る導電フィラー用粉末は、材質がＳｉを含む合金であるため、低コストで得られうる。この粉末は、貴金属がコーティングされて得られる粉末に比べ、製造に手間がかからず、しかもコーティング層の剥離の問題も生じない。この粉末は低密度でもある。この粉末では、Ａｌ相、Ａｇ相、ＡｌＡｇ相及びシリサイド相が、導電性に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る粉末に含まれる粒子の一部が示された模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、適宜図面が参照されつつ、好ましい実施形態に基づいて本発明が詳細に説明される。
【００１９】
本発明に係る導電フィラー用粉末は、多数の粒子１の集合である。図１に、この粒子１の断面が拡大されて示されている。この粒子１の材質は、合金である。この合金は、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ及び元素Ｍ１を含んでいる。元素Ｍ１は、導電性である。元素Ｍ１の電気伝導度は、１００ＡＶ−１ｍ−１以上である。
【００２０】
好ましくは、合金は、
（１）Ａｌ
（２）Ａｇ
（３）Ｓｉ
（４）元素Ｍ１
及び
（５）不可避的不純物
のみを含む。合金が、積極的に添加された他の元素を含んでもよい。他の元素として、Ａｕ及びＣｕが例示される。
【００２１】
図１に示されるように、この合金は、複数のリンク２、複数のシリサイド相３及びＳｉ相４を有している。これらのリンク２は、Ｓｉ相４に分散して析出している。シリサイド相３も、Ｓｉ相４に分散して析出している。それぞれのリンク２により、シリサイド相３と他のシリサイド相３とがジョイントされている。
【００２２】
これらのリンク２には、
（１）その組織がＡｌ相であるもの
（２）その組織がＡｇ相であるもの
及び
（３）その組織がＡｌＡｇ相であるもの
が含まれる。
【００２３】
Ａｌ相の主成分は、Ａｌである。Ａｌ相が、Ａｌのみを含んでもよい。Ａｌ相が、Ａｌと共に、少量の他の元素を含んでもよい。Ａｌ相におけるＡｌの比率は、９０質量％以上である。Ａｌは、導電性である。
【００２４】
Ａｇ相の主成分は、Ａｇである。Ａｇ相が、Ａｇのみを含んでもよい。Ａｇ相が、Ａｇと共に、少量の他の元素を含んでもよい。Ａｇ相におけるＡｇの比率は、９０質量％以上である。Ａｇは、導電性である。
【００２５】
ＡｌＡｇ相は、Ａｌ及びＡｇを含む。ＡｌＡｇ相が、Ａｌ及びＡｇのみを含んでもよい。ＡｌＡｇ相が、Ａｌ及びＡｇと共に、少量の他の元素を含んでもよい。ＡｌＡｇ相は、導電性である。
【００２６】
それぞれのシリサイド相３は、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ及び元素Ｍ１を含有する。このシリサイド相３に含まれうる化合物として、
（１）ＡｌとＳｉとの化合物
（２）ＡｇとＳｉとの化合物
（３）元素Ｍ１とＳｉとの化合物
（４）Ａｌ、Ａｇ及びＳｉの化合物
（５）Ａｌ、元素Ｍ１及びＳｉの化合物
（６）Ａｇ、元素Ｍ１及びＳｉの化合物
並びに
（７）Ａｌ、Ａｇ、元素Ｍ１及びＳｉの化合物
が挙げられる。このシリサイド相３において、Ａｌ、Ａｇ及び元素Ｍ１は、Ｓｉに固溶しうる。Ａｌ、Ａｇ及び元素Ｍ１を含有するので、このシリサイド相３は導電性である。
【００２７】
Ｓｉ相４の主成分は、Ｓｉである。Ｓｉ相４が、Ｓｉのみを含んでもよい。Ｓｉ相４が、Ｓｉと共に、少量の他の元素（Ａｌ等）を含んでもよい。他の元素は、Ｓｉ相４にドープされてもよく、固溶してもよい。
【００２８】
Ｓｉは、電気伝導度の低い金属である。一方、Ａｌ相、Ａｇ相、ＡｌＡｇ相及びシリサイド相３は、粒子１の電気抵抗を抑制する。このＡｌ相、Ａｇ相、ＡｌＡｇ相及びシリサイド相３を含む導電フィラー用粉末は、導電性に優れる。特に、Ａｇ相を有する粉末は、導電性に優れる。この粉末を含む物体（例えば電子機器）は、導電性に優れる。
【００２９】
前述の通り、ぞれぞれのリンク２により、シリサイド相３と他のシリサイド相３とがジョイントされている。このリンク２の組織は、Ａｌ相、Ａｇ相又はＡｌＡｇ相である。この合金では、電気は、リンク２及びシリサイド相３を通じて流れる。この粉末は、導電性に極めて優れる。
【００３０】
従来の導電フィラー粉末には、前述の通り、金、銀、白金及び銅のような貴金属が用いられている。金の密度は１９．３２Ｍｇ／ｍ３であり、銀の密度は１０．５０Ｍｇ／ｍ３であり、白金の密度は２１．４５Ｍｇ／ｍ３であり、銅の密度は８．９６０Ｍｇ／ｍ３である。一方、Ｓｉの密度は２．３２９Ｍｇ／ｍ３である。Ｓｉの密度は、金属の中では小さい。Ｓｉを含む導電フィラー用粉末は、軽量である。この粉末を含む物体は、軽量である。
【００３１】
Ｓｉは、貴金属に比べて低価格である。Ｓｉを含む導電フィラー用粉末は、この粉末を含む物体の低コストを達成する。さらにこの粉末は、コーティングの手間がなく製造されうる。
【００３２】
導電性の観点から、合金におけるＡｌとＡｇとの合計量は、０．１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上が特に好ましい。
【００３３】
導電性の観点から、合金におけるＡｇの量は、０．１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上が特に好ましい。
【００３４】
粒子１の表面に存在するＡｌは、大気中の酸素と反応しうる。この反応により、アルミナが生成される。アルミナは、粒子１の表面において酸化被膜を形成する。アルミナは、絶縁性である。アルミナは、粒子１同士の接触抵抗を高める。アルミナが過剰に生成された粒子１を含む粉末は、導電性に劣る。
【００３５】
一方、粒子１の表面に存在するＡｇは、大気中の水分の影響を受ける。この影響により、イオンマイグレーションが生じる。
【００３６】
アルミナの生成が抑制されるとの観点、Ａｇのイオンマイグレーションが抑制されるとの観点、及び低コストの観点から、合金におけるＡｌとＡｇの合計量は２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が特に好ましい。
【００３７】
Ａｇのイオンマイグレーションが抑制されるとの観点、及び低コストの観点から、合金におけるＡｇの量は１５質量％以下が好ましく、１２質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が特に好ましい。
【００３８】
元素Ｍ１の具体例として、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉが挙げられる。粉末が、２種以上の元素Ｍ１を含んでもよい。これらの元素Ｍ１は、導電性に寄与する。これらの元素Ｍ１は、粉末の熱伝導性にも寄与しうる。
【００３９】
導電性の観点から、合金における元素Ｍ１の比率は１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上が特に好ましい。合金が十分なＳｉを含有しうるとの観点から、元素Ｍ１の比率は５０質量％以下が好ましい。
【００４０】
軽量及び低コストの観点から、合金におけるＳｉの比率は３０質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、４５質量％以上が特に好ましい。合金が十分なＡｌ、Ａｇ及び元素Ｍ１を含有しうるとの観点から、Ｓｉの比率は９５質量％以下が好ましい。
【００４１】
導電フィラー用粉末を含む物体の軽量の観点から、この粉末の密度は６．０Ｍｇ／ｍ３以下が好ましく、５．５Ｍｇ／ｍ３以下がより好ましく、５．０Ｍｇ／ｍ３以下が特に好ましい。密度は、２．０Ｍｇ／ｍ３以上が好ましく、２．５Ｍｇ／ｍ３以上がより好ましく、３．０Ｍｇ／ｍ３以上が特に好ましい。
【００４２】
密度は、島津製作所社の乾式自動密度計「アキュピック  II  ３４０シリーズ」により測定される。この装置の容器に粉末が投入され、ヘリウムガスが充填される。定容積膨張法に基づき、粉末の密度が検出される。１０回の測定の平均値が算出される。
【００４３】
前述の通り、この粉末では、ＡｌＡｇ相が導電性に寄与する。ＡｌＡｇ相における、Ａｇの質量含有率ｘとＡｌの質量含有率ｙとの比（ｘ／ｙ）が、０．５を超えて１．５未満であると、ＡｌＡｇ相がπ相の組織又はこれに類似する組織を有する。この場合、ＡｌＡｇ相の導電性への寄与は、大きくない。導電性の観点から、比（ｘ／ｙ）は０．５０以下又は１．５０以上が好ましい。比（ｘ／ｙ）が０．５０以下である粒子１では、Ａｌ含有率の高いＡｌＡｇ相４−１が析出している。このＡｌＡｇ相４−１は、導電性に優れている。導電性の観点から、比（ｘ／ｙ）は０．４５以下がより好ましく、０．３０以下が特に好ましい。比（ｘ／ｙ）が１．５０以上である粒子１では、Ａｇ含有率の高いＡｌＡｇ相４−２が析出している。このＡｌＡｇ相４−２は、導電性に優れている。導電性の観点から、比（ｘ／ｙ）は１．５５以上がより好ましく、２．００以上が特に好ましい。
【００４４】
合金が、元素Ｍ２を含んでもよい。この場合、好ましくは、合金は、
（１）Ａｌ
（２）Ａｇ
（３）Ｓｉ
（４）元素Ｍ１
（５）元素Ｍ２
及び
（６）不可避的不純物
のみを含む。合金が、積極的に添加された他の元素を含んでもよい。他の元素として、Ａｕ及びＣｕが例示される。
【００４５】
元素Ｍ２として、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇａ及びＰｂが挙げられる。合金が、２種以上の元素Ｍ２を含んでもよい。
【００４６】
粉末の電気伝導度は、粒子１の内部のバルク抵抗と、粒子１同士の接触抵抗とに、主として支配される。軟質な元素Ｍ２を含む合金は、粒子１同士の密着性を高める。この元素Ｍ２により、接触抵抗が低減される。
【００４７】
合金における元素Ｍ２の含有量は、０．１質量％以上５質量％以下が好ましい。
【００４８】
元素Ｍ２は、Ｓｉとの融点差が大きい。元素Ｍ２とＳｉとの相互の溶解は、ほとんどない。従って、もしＳｉ−Ｍ２合金がアトマイズに供されると、Ｓｉと元素Ｍ２とを含有するシリサイド相３が現れにくい。このアトマイズにより、Ｓｉ単体と元素Ｍ２の単体とが析出する傾向が見られる。Ｓｉ単体の電気伝導度は非常に小さく、さらにＳｉ−Ｍ２合金におけるＳｉ単体の比率が多いので、Ｓｉ−Ｍ２合金は、導電フィラー粉末には適さない。本発明に係る粉末の合金では、元素Ｍ２は、Ａｌ、Ａｇ及び元素Ｍ１に付随して添加される。この合金は、導電フィラー粉末に適している。
【００４９】
導電フィラー粉末は、アトマイズ工程を含む液体急冷プロセスによって製造されうる。このプロセスにより、容易かつ安価に粉末が製造されうる。好ましいアトマイズとして、水アトマイズ法、ガスアトマイズ法、ディスクアトマイズ法及びプラズマアトマイズ法が例示される。ガスアトマイズ法及びディスクアトマイズ法が、特に好ましい。
【００５０】
ガスアトマイズ法では、底部に細孔を有する石英坩堝の中に、原料が投入される。この原料が、アルゴンガス雰囲気中で、高周波誘導炉によって加熱され、溶融する。アルゴンガス雰囲気において、細孔から流出する原料に、アルゴンガスが噴射される。原料は急冷されて凝固し、粉末が得られる。噴射圧の調整により、凝固速度がコントロールされうる。噴射圧が大きいほど、凝固速度は大きい。凝固速度のコントロールにより、所望の粒度分布を有する粉末が得られうる。凝固速度が速いほど、粒度分布の幅は小さい。
【００５１】
ディスクアトマイズ法では、底部に細孔を有する石英坩堝の中に、原料が投入される。この原料が、アルゴンガス雰囲気中で、高周波誘導炉によって加熱され、溶融する。アルゴンガス雰囲気において、細孔から流出する原料が、高速で回転するディスクの上に落とされる。回転速度は、４００００ｒｐｍから６００００ｒｐｍである。ディスクによって原料は急冷され、凝固して、粉末が得られる。この粉末にミリングが施されてもよい。
【００５２】
メルトスピニング法によって製造した鱗片状又は薄箔状の材料が、メカニカルアロイング法で粉砕されることで、粉末が製造されてもよい。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例によって本発明の効果が明らかにされるが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるべきではない。
【００５４】
表１及び２に示される組成を有する実施例１−１７及び比較例１−１７の粉末を得た。これらの粉末は、表１及び２に記載された成分以外に、Ｓｉ及び不可避的不純物を含む。
【００５５】
各粉末の電気伝導度を測定した。まず、篩を用いて径が４５μｍを超える粒子を粉末から除去した。この粉末を、直径が２５ｍｍであり高さが１０ｍｍである円柱状のサンプルホルダー（東陽テクニカ社の粉体インピーダンス測定用四端子サンプルホルダー）に充填した。この粉末に、上下から４Ｎｍの荷重をかけた。この粉末の上側に電流のプラス端子及び電圧のプラス端子を取り付けた。この粉末の下側に電流のマイナス端子及び電圧のマイナス端子を取り付けた。いわゆる四端子法により、粉末に電流を流して電圧を測定した。この結果が、下記の表１及び２に示されている。
【００５６】
【表１】
2017007885.tif 000003
【００５７】
【表２】
2017007885.tif 000004
【００５８】
表１及び２における製造プロセスの詳細は、下記の通りである。
Ｇ．Ａ．：ガスアトマイズ法
Ｄ．Ａ．：ディスクアトマイズ法
Ｍ．Ｓ．：メルトスピニング法
【００５９】
表１−２に示される通り、各実施例の粉末の合金では、ＡｌとＡｇとの合計量が０．１質量％以上２０質量％以下である。この合金は、
（１）Ａｌ相、
（２）Ａｇ相、
（３）ＡｌＡｇ相、
（４）元素Ｍ１を含むシリサイド相
（５）Ａｌ、Ｓｉ及び元素Ｍ１を含むシリサイド相、
（６）Ａｇ、Ｓｉ及び元素Ｍ１を含むシリサイド相、
（７）Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ及び元素Ｍ１を含むシリサイド相、
及び
（８）Ｓｉ相
を含む。このＡｌＡｇ相の比（ｘ／ｙ）は、０．５０以下又は１．５０以上である。この粉末の密度は、２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下である。
【００６０】
表１では、各粉末が、Ａ−Ｄの格付けで評価されている。この評価の基準は、以下の通りである。
格付けＡ
比（ｘ／ｙ）：０．５以下又は１．５以上
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：１０００ＡＶ−１ｍ−１以上
格付けＢ
比（ｘ／ｙ）：０．５以下又は１．５以上
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：５００ＡＶ−１ｍ−１以上１０００ＡＶ−１ｍ−１未満
格付けＣ
比（ｘ／ｙ）：０．５以下又は１．５以上
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：１００ＡＶ−１ｍ−１以上５００ＡＶ−１ｍ−１未満
格付けＤ
比（ｘ／ｙ）：０．５以下又は１．５以上
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：１００ＡＶ−１ｍ−１未満
【００６１】
表２に示された各比較例の粉末の格付けは、Ｅである。この粉末は、ＡｌとＡｇとの合計量、比（ｘ／ｙ）及び密度のいずれかが、本発明の要件を満たしていない。
【００６２】
実施例８に係る粉末の組成は、５Ａｌ−５Ａｇ−２０Ｃｒ−２０Ｔｉ−５０Ｓｉである。この粉末では、比（ｘ／ｙ）は１．５３であり、密度は３．６８Ｍｇ／ｍ３である。この粉末の電気伝導度は、１３００ＡＶ−１ｍ−１である。この粉末は、全ての実施例の粉末の中で最も導電性に優れる。
【００６３】
比較例９に係る粉末では、電気伝導度は１８００ＡＶ−１ｍ−１であり、比（ｘ／ｙ）は２．０５である。この粉末は、導電性に優れる。しかし、この粉末では、ＡｌとＡｇとの合計量は８０質量％であり、密度は８．７４Ｍｇ／ｍ３である。この粉末は、低コストの観点及び軽量の観点から、好ましくない。
【００６４】
以上の評価結果から、本発明の優位性は明かである。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明に係る粉末は、導電性樹脂、導電性プラスチック、導電性ペースト、電子機器、電子部品等に用いられ得る。
【図１】
2017007885.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月25日(2016.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
特開２００６−５４０６１公報には、Ａｇからなる粒子の表面に、Ｓｉ又はＳｉ系化合物がコーティングされた導電フィラー用合金が開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
特開２００８−２６２９１６公報には、銀と、０．０１−１０質量％のＳｉとを含有する導電フィラー用合金が開示されている。この合金では、銀粒子の表面に、ＳｉＯ２のゲルがコーティングされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−４７４０４公報
【特許文献２】特開２００６−５４０６１公報
【特許文献３】特開２００８−２６２９１６公報
【特許文献４】特開２００６−３０２５２５公報