(57)【要約】      （修正有）【課題】アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ及びその製造方法を提供する。【解決手段】バックプレーン基板１１０の表面上の所定の位置又はバックプレーン基板の表面の直下の所定の位置のそれぞれにおいて、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００の１以上のピクセルを制御するように構成された複数の制御可能なゲート電子部品１１５を備えるステップと、１以上のピクセルコンタクト１４０をそれぞれ有する１以上のピクセル領域を含むＯＬＥＤアセンブリ１２０を、バックプレーン基板１１０とは異なるＯＬＥＤ基板１２５上にバックプレーンから隔てて形成するステップと、ピクセルコンタクト１４０の１以上を、対応する制御可能なゲート電子部品１１５に電気的に接続するステップを備える、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイを形成する方法であって、
バックプレーンを提供するステップであって、前記バックプレーンは、
支持材料及び前記支持材料から隔てて形成され、その後、前記支持材料上の所定の位置のそれぞれにおいて前記支持材料に固定される１以上の部品基板を含むバックプレーン基板と、
対応する部品基板上に形成される又は対応する部品基板の直下に形成される複数の制御可能なゲート電子部品であって、前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの１以上のピクセルを制御するように構成される、複数の制御可能なゲート電子部品と、を備える、ステップと、
１以上のピクセルコンタクトをそれぞれ有する１以上のピクセル領域を含むＯＬＥＤアセンブリを提供するステップであって、前記ＯＬＥＤアセンブリは、前記バックプレーン基板とは異なるＯＬＥＤ基板上のバックプレーンから隔てて形成される、ステップと、
前記ピクセルコンタクトの１以上を、対応する制御可能なゲート電子部品に電気的に接続することを含む、前記ＯＬＥＤアセンブリを前記バックプレーンに結合するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
各ピクセル領域は、光放出領域を含み、各ピクセル領域に対応する前記ピクセルコンタクトの少なくとも１つは、対応する光放出領域内に含まれる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電気的に接続するステップは、前記ピクセルコンタクトの１以上を、前記対応する制御可能なゲート電子部品に接続するために、フレキシブル導電性リンクを用いるステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フレキシブル導電性リンクは、導電性エポキシ、ハンダ及び低温ハンダのうちの１以上を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
互いに結合された前記ＯＬＥＤアセンブリと前記バックプレーンとの間のギャップの少なくとも一部にほぼ黒色のアンダーフィルでアンダーフィルを充填するステップを更に備える請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記バックプレーン基板は、複数のスルーホールを含み、前記複数のスルーホールは、当該スルーホールを通じてアンダーフィルを、互いに結合された前記ＯＬＥＤアセンブリと前記バックプレーンとの間のギャップの少なくとも一部に注入することを可能にするように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記バックプレーン及び前記ＯＬＥＤアセンブリの一方又は両方は、フレキシブルであり、前記バックプレーンが前記ＯＬＥＤアセンブリに結合される前又は形成されている間の１以上に、一方を他方に対して広げられるように構成される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
互いに結合された前記ＯＬＥＤアセンブリと前記バックプレーンとの間のギャップの少なくとも一部にアンダーフィルを充填するために、一方が他方に対して広げられる前に、前記バックプレーン及び前記ＯＬＥＤアセンブリの一方又は両方の少なくとも一部にアンダーフィルを堆積するステップを更に備える請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＯＬＥＤアセンブリは、各ピクセル領域とその隣接するピクセル領域との間に光学バリアを更に備え、前記光学バリアは、前記ＯＬＥＤアセンブリを通じて隣接するピクセル領域に入り、各ピクセル領域で放出される光を少なくとも部分的にブロックするように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記光学バリアは、前記ＯＬＥＤ基板の第１の面に溝を含み、前記溝は、前記ＯＬＥＤアセンブリを通じて隣接するピクセル領域に入り、各ピクセル領域で放出される光を少なくとも部分的にブロックするように構成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記光学バリアは、前記ＯＬＥＤ基板の第２の面に別の溝を含み、前記第２の面は、前記第１の面の反対側にあり、前記別の溝は、前記溝に位置合わせされる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記溝は、前記ＯＬＥＤ基板の総厚さを通じて延び、それにより、各ピクセル領域に対応する前記ＯＬＥＤ基板の一部を、隣接するピクセル領域に対応する前記ＯＬＥＤ基板の一部から隔てる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＯＬＥＤアセンブリは、前記バックプレーンに結合され、その後、前記ＯＬＥＤアセンブリと前記バックプレーンとの間のギャップの少なくとも一部は、前記溝が形成される前にアンダーフィルにより充填される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＯＬＥＤ基板は、支持体に固定され、前記ＯＬＥＤ基板上に１以上の発光層を堆積して、前記ＯＬＥＤアセンブリを形成し、前記ＯＬＥＤアセンブリを前記バックプレーンに結合する前に、前記溝は形成される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記支持体は、前記ＯＬＥＤアセンブリを前記バックプレーンに結合した後に、前記ＯＬＥＤ基板から除去される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＯＬＥＤ基板は、接着剤を用いて前記支持体に固定され、前記除去するステップは、前記接着剤を取り除くためにＵＶレーザを用いるステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記溝は、ウェットケミカルエッチング、レーザエッチング、スクライビング、ダイシングソーを用いたソーイング、及び深掘り反応性イオンエッチングのうちの１以上により形成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記溝は、隣接するピクセル領域から離れたピクセル領域で放出される光を少なくとも部分的に反射するために、総合的内部的に反射し、かつ金属化されることの１以上となるように構成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
前記溝は、各ピクセルで放出される光を、それぞれ少なくとも部分的に散乱及び部分的に吸収して、前記ＯＬＥＤアセンブリを通じて隣接するピクセル領域に向かって伝搬するために、光散乱及び光吸収の１以上となるように構成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
前記溝は、各ピクセルで放出される光を、それぞれ少なくとも部分的に散乱及び部分的に吸収して、前記ＯＬＥＤアセンブリを通じて隣接するピクセル領域に向かって伝搬するために、光散乱材料及び光吸収材料の１以上で少なくとも部分的に充填される、請求項１０に記載の方法。
【請求項２１】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイを形成する方法であって、
バックプレーンを提供するステップであって、前記バックプレーンは、
バックプレーン基板と、
前記バックプレーン基板の表面上又は前記バックプレーン基板の表面の直下の所定の位置のそれぞれにおける複数の制御可能なゲート電子部品であって、前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの１以上を制御するように構成される、複数の制御可能なゲート電子部品と、を備える、ステップと、
１以上のピクセルコンタクトをそれぞれ有する１以上のピクセル領域を含むＯＬＥＤアセンブリを提供するステップであって、前記ＯＬＥＤアセンブリは、前記バックプレーン基板とは異なるＯＬＥＤ基板上のバックプレーンから隔てて形成される、ステップと、
前記ピクセルコンタクトの１以上を、対応する制御可能なゲート電子部品に電気的に接続することを含む、前記ＯＬＥＤアセンブリを前記バックプレーンに結合するステップと、
を備える方法。
【請求項２２】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイであって、
バックプレーンであって、
支持材料及び前記支持材料から隔てて形成され、その後、前記支持材料上の所定の位置にそれぞれにおいて前記支持材料に固定される１以上の部品基板を含むバックプレーン基板と、
対応する部品基板の表面上に形成される又は対応する部品基板の表面の直下に形成される複数の制御可能なゲート電子部品であって、前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの１以上を制御するように構成される、複数の制御可能なゲート電子部品と、を有する、バックプレーンと、
１以上のピクセルコンタクトをそれぞれ有する１以上のピクセル領域を含むＯＬＥＤアセンブリであって、前記バックプレーン基板とは異なるＯＬＥＤ基板上のバックプレーンから隔てて形成される、ＯＬＥＤアセンブリと、
前記ピクセルコンタクトの少なくとも一部を、対応する制御可能なゲート電子部品に電気的に接続する複数のフレキシブル導電性リンクと、
を備えるアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項２３】
前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイは、各ピクセル領域とその隣接するピクセル領域との間に光学バリアを更に備え、前記光学バリアは、前記ＯＬＥＤアセンブリを通じて隣接するピクセル領域に入り、各ピクセル領域で放出される光を少なくとも部分的にブロックするように構成される、請求項２２に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項２４】
前記ＯＬＥＤアセンブリに隣接する前記バックプレーンに接続される１以上の追加ＯＬＥＤアセンブリと、
前記ＯＬＥＤアセンブリと前記１以上の追加ＯＬＥＤアセンブリとの間に配置される１以上の追加光学バリアと、
を更に備える請求項２３に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項２５】
互いに隣接して位置決めされた請求項２３に記載の複数のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイと、
隣接するアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ間に配置される１以上の追加光学バリアと、
を備えるタイル化されたアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本願は、２０１６年１月１９日に出願された米国特許仮出願第６２／２８０，５５５号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本明細書は、ＯＬＥＤディスプレイに関し、特に、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
単結晶シリコンは、電子工学的な用途で最も多く用いられている。例えば、ディスプレイ又はイメージャピクセルを処理するために、アモルファスシリコンがガラス基板に適用されるディスプレイ及び一部のイメージャ等には例外がある。多くの用途では、ディスプレイ又はイメージャは、シリコン電子機器の上部に製造される。液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）への用途については、アモルファスシリコンは、十分な性能を提供している。有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ（ＯＬＥＤ））等のような次世代ディスプレイデバイスについては、アモルファスシリコンからなるアクティブマトリックス駆動トランジスタは、問題があることが証明されている。基本的に、ＬＣＤは、電圧デバイスを用い、アクティブマトリックスＯＬＥＤは、電流デバイスを要求する。従来のガラス上のアモルファスシリコンを変更することを含む従来のアプローチの延長を試みる。アモルファスシリコンは、典型的には一辺が２メートル超の基板パネル全体に適用され、その後、エキシマレーザを用い、パネルを横断するラインフォーカスをスキャンして再結晶化される。レーザは、Ｓｉ表面のみを溶解し、ガラスは溶解しないようにパルスされる。この技術は、単結晶シリコンではなく多結晶シリコンの形成をもたらす。
【０００４】
非シリコン及び有機デバイスを含む、いずれかの種類のアモルファス又は多結晶トランジスタの移動度は、単結晶シリコントランジスタの移動度よりも小さい。アモルファスシリコンの電子移動度は、ポリシリコンの〜１００ｃｍ２／Ｖ．ｓ、及び高品質単結晶シリコンの〜１５００ｃｍ２／Ｖ．ｓと比較して〜１ｃｍ２／Ｖ．ｓである。したがって、このようなデバイスにおいてアモルファスシリコンに代えて単結晶シリコンを用いることが有利である。しかし、一辺が２メートル超で測定されうる現在のディスプレイパネルと比較して、シリコンウェーハは、典型的には直径３００ｍｍである。大面積ＯＬＥＤディスプレイを含むこのような大面積デバイスの場合には、単結晶シリコンの大きなウェーハは、極めて高額となる、及び／又は製造するのが技術的に実現不可能となりうる。
【０００５】
また、従来のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイを製造する際に、発光材料は、典型的には、アクティブマトリックスバックプレーン上に薄膜として堆積される。このプロセスは、少なくとも２つの重大な制限を有する：１つめは、バックプレーンの表面上のわずかな凹凸でさえ、発光層の堆積に干渉し、ディスプレイの完成品に故障を生じる。２つめは、発光層及びバックプレーンが互いに強固に取り付けられているため、温度変化の結果としてディスプレイへの損傷を回避するために、それらの各熱膨張係数（ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ  ｏｆ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｘｐａｎｓｉｏｎ（ＣＴＥ））が厳密に一致しなければならない。この厳密なＣＴＥのための需要は、バックプレーン及び発光層に用いられうる材料の種類を制限する。
【発明の概要】
【０００６】
本明細書では、要素は、１以上の機能を実行する「ように構成される」又はこのような機能の「ために構成される」ものとして記載されてもよい。通常、機能を実行するように構成される又は機能を実行するために構成される要素は、機能を実行することを可能にする、又は機能を実行するために適している、又は機能を実行するように適合される、又は機能を実行するように動作可能である、又は機能を実行することを可能にする。
【０００７】
本開示の目的のために、「Ｘ、Ｙ及びＺの少なくとも１つ」ならびに「Ｘ、Ｙ及びＺの１つ以上」の用語は、Ｘのみ、Ｙのみ、Ｚのみとして、または２つ以上の対象Ｘ、Ｙ及びＺの任意の組合せ（例えば、ＸＹＺ、ＸＹＹ、ＹＺ、ＺＺ）として解釈され得ることは理解される。「少なくとも１つの．．．」及び「１以上の．．．」の語で生じる２以上の項目に対しても同様のロジックが適用されうる。
【０００８】
本明細書の一態様は、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイを形成する方法を提供する。前記方法は、バックプレーンを提供するステップを備える。前記バックプレーンは、支持材料及び前記支持材料から隔てて形成され、その後、前記支持材料上の所定の位置のそれぞれにおいて前記支持材料に固定される１以上の部品基板を含むバックプレーン基板を備える。前記バックプレーンは、対応する部品基板上に形成される又は対応する部品基板の直下に形成される複数の制御可能なゲート電子部品も備える。前記制御可能なゲート電子部品は、前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの１以上のピクセルを制御するように構成される。前記方法は、１以上のピクセルコンタクトをそれぞれ有する１以上のピクセル領域を含むＯＬＥＤアセンブリを提供するステップを更に備える。前記ＯＬＥＤアセンブリは、前記バックプレーン基板とは異なるＯＬＥＤ基板上のバックプレーンから隔てて形成される。前記方法は、前記ＯＬＥＤアセンブリを前記バックプレーンに結合するステップを備え、前記結合するステップは、前記ピクセルコンタクトの１以上を、対応する制御可能なゲート電子部品に電気的に接続することを含む。
【０００９】
各ピクセル領域は、光放出領域を含むことができ、各ピクセル領域に対応する前記ピクセルコンタクトの少なくとも１つは、対応する光放出領域内に含まれうる。
【００１０】
前記電気的に接続するステップは、前記ピクセルコンタクトの１以上を、前記対応する制御可能なゲート電子部品に接続するために、フレキシブル導電性リンクを用いるステップを含みうる。
【００１１】
前記フレキシブル導電性リンクは、導電性エポキシ、ハンダ及び低温ハンダのうちの１以上を含みうる。
【００１２】
前記方法は、互いに結合された前記ＯＬＥＤアセンブリと前記バックプレーンとの間のギャップの少なくとも一部にほぼ黒色のアンダーフィルでアンダーフィルを充填するステップを更に備えうる。
【００１３】
前記バックプレーン基板は、複数のスルーホールを含むことができ、前記複数のスルーホールは、当該スルーホールを通じてアンダーフィルを、互いに結合された前記ＯＬＥＤアセンブリと前記バックプレーンとの間のギャップの少なくとも一部に注入することを可能にするように構成される。
【００１４】
前記バックプレーン及び前記ＯＬＥＤアセンブリの一方又は両方は、フレキシブルであり、前記バックプレーンが前記ＯＬＥＤアセンブリに結合される前又は形成されている間の１以上に、一方を他方に対して広げられるように構成されうる。
【００１５】
前記方法は、互いに結合された前記ＯＬＥＤアセンブリと前記バックプレーンとの間のギャップの少なくとも一部にアンダーフィルを充填するために、一方が他方に対して広げられる前に、前記バックプレーン及び前記ＯＬＥＤアセンブリの一方又は両方の少なくとも一部にアンダーフィルを堆積するステップを更に備えうる。
【００１６】
前記ＯＬＥＤアセンブリは、各ピクセル領域とその隣接するピクセル領域との間に光学バリアを更に備えることができ、前記光学バリアは、前記ＯＬＥＤアセンブリを通じて隣接するピクセル領域に入り、各ピクセル領域で放出される光を少なくとも部分的にブロックするように構成される。
【００１７】
前記光学バリアは、前記ＯＬＥＤ基板の第１の面に溝を含むことができ、前記溝は、前記ＯＬＥＤアセンブリを通じて隣接するピクセル領域に入り、各ピクセル領域で放出される光を少なくとも部分的にブロックするように構成される。
【００１８】
前記光学バリアは、前記ＯＬＥＤ基板の第２の面に別の溝を含むことができ、前記第２の面は、前記第１の面の反対側にあり、前記別の溝は、前記溝に位置合わせされる。
【００１９】
前記溝は、前記ＯＬＥＤ基板の総厚さを通じて延びることができ、それにより、各ピクセル領域に対応する前記ＯＬＥＤ基板の一部を、隣接するピクセル領域に対応する前記ＯＬＥＤ基板の一部から隔てる。
【００２０】
前記ＯＬＥＤアセンブリは、前記バックプレーンに結合されることができ、その後、前記ＯＬＥＤアセンブリと前記バックプレーンとの間のギャップの少なくとも一部は、前記溝が形成される前にアンダーフィルにより充填されうる。
【００２１】
前記ＯＬＥＤ基板は、支持体に固定されることができ、前記ＯＬＥＤ基板上に１以上の発光層を堆積して、前記ＯＬＥＤアセンブリを形成し、前記ＯＬＥＤアセンブリを前記バックプレーンに結合する前に、前記溝は形成されうる。
【００２２】
前記支持体は、前記ＯＬＥＤアセンブリを前記バックプレーンに結合した後に、前記ＯＬＥＤ基板から除去されうる。
【００２３】
前記ＯＬＥＤ基板は、接着剤を用いて前記支持体に固定されることができ、前記除去するステップは、前記接着剤を取り除くためにＵＶレーザを用いるステップを含みうる。
【００２４】
前記溝は、ウェットケミカルエッチング、レーザエッチング、スクライビング、ダイシングソーを用いたソーイング、及び深掘り反応性イオンエッチングのうちの１以上により形成されうる。
【００２５】
前記溝は、隣接するピクセル領域から離れたピクセル領域で放出される光を少なくとも部分的に反射するために、総合的内部的に反射し、かつ金属化されることの１以上となるように構成されうる。
【００２６】
前記溝は、各ピクセルで放出される光を、それぞれ少なくとも部分的に散乱及び部分的に吸収して、前記ＯＬＥＤアセンブリを通じて隣接するピクセル領域に向かって伝搬するために、光散乱及び光吸収の１以上となるように構成されうる。
【００２７】
前記溝は、各ピクセルで放出される光を、それぞれ少なくとも部分的に散乱及び部分的に吸収して、前記ＯＬＥＤアセンブリを通じて隣接するピクセル領域に向かって伝搬するために、光散乱材料及び光吸収材料の１以上で少なくとも部分的に充填されうる。
【００２８】
本明細書の別の態様は、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイを形成する方法を提供し、前記方法は、バックプレーンを提供するステップを備える。前記バックプレーンは、前記バックプレーン基板と、前記バックプレーン基板の表面上又は前記バックプレーン基板の表面の直下の所定の位置のそれぞれにおける複数の制御可能なゲート電子部品と、を備える。前記制御可能なゲート電子部品は、前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの１以上を制御するように構成される。前記方法は、１以上のピクセルコンタクトをそれぞれ有する１以上のピクセル領域を含むＯＬＥＤアセンブリを提供するステップを更に備える。前記ＯＬＥＤアセンブリは、前記バックプレーン基板とは異なるＯＬＥＤ基板上のバックプレーンから隔てて形成される。前記方法は、また、前記ピクセルコンタクトの１以上を、対応する制御可能なゲート電子部品に電気的に接続することを含む、前記ＯＬＥＤアセンブリを前記バックプレーンに結合するステップを備える。
【００２９】
本明細書の別の態様は、バックプレーンを備えるアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイを提供する。前記バックプレーンは、支持材料及び前記支持材料から隔てて形成され、その後、前記支持材料上の所定の位置にそれぞれにおいて前記支持材料に固定される１以上の部品基板を含むバックプレーン基板を備える。前記バックプレーンは、また、対応する部品基板の表面上に形成される又は対応する部品基板の表面の直下に形成される複数の制御可能なゲート電子部品を備える。制御可能なゲート電子部品は、前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの１以上を制御するように構成される。前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイは、また、１以上のピクセルコンタクトをそれぞれ有する１以上のピクセル領域を含むＯＬＥＤアセンブリを備える。前記ＯＬＥＤアセンブリは、前記バックプレーン基板とは異なるＯＬＥＤ基板上のバックプレーンから隔てて形成される。前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイは、また、前記ピクセルコンタクトの少なくとも一部を、対応する制御可能なゲート電子部品に電気的に接続する複数のフレキシブル導電性リンクを備える。
【００３０】
前記ＯＬＥＤディスプレイは、各ピクセル領域とその隣接するピクセル領域との間に光学バリアを更に備えうる。前記光学バリアは、前記ＯＬＥＤアセンブリを通じて隣接するピクセル領域に入り、各ピクセル領域で放出される光を少なくとも部分的にブロックするように構成されうる。
【００３１】
前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイは、前記ＯＬＥＤアセンブリに隣接する前記バックプレーンに接続される１以上の追加ＯＬＥＤアセンブリと、前記ＯＬＥＤアセンブリと前記１以上の追加ＯＬＥＤアセンブリとの間に配置される１以上の追加光学バリアと、を更に備えうる。
【００３２】
本明細書の別の態様は、互いに隣接して位置決めされた複数のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイと、隣接するアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ間に配置される１以上の追加光学バリアと、を備えるタイル化されたアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイを提供する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
添付の図面を参照して、例示により本明細書の一部の実施がここで説明されるであろう。
【図１】図１は、非限定的な実施に係る、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの断面図を示す。
【図２】図２は、非限定的な実施に係る、図１のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイのピクセル領域の上部斜視図を示す。
【図３】図３は、非限定的な実施に係る、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施の断面図を示す。
【図４】図４は、非限定的な実施に係る、アセンブリされる処理におけるアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの更に別の実施の断面図を示す。
【図５】図５は、非限定的な実施に係る、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの更に別の実施の断面図を示す。
【図６】図６は、非限定的な実施に係る、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの更に別の実施の断面図を示す。
【図７】図７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ及び７ｅは、非限定的な実施に係る、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの更に別の実施を製造するためのステップを選択する断面図を示す。
【図８】図８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ及び８ｅは、非限定的な実施に係る、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの更に別の実施を製造するためのステップを選択する断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
図１は、ＯＬＥＤアセンブリ１２０に電気的に接続されたバックプレーン１０５を含むアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００の断面図を示す。バックプレーン１０５は、バックプレーン基板１１０と、バックプレーン基板１１０の表面上又はバックプレーン基板１１０の直下の所定の位置のそれぞれにおいて複数の制御可能なゲート電子部品１１５と、を備える。ＯＬＥＤアセンブリ１２０は、ＯＬＥＤ基板１２５と、各ピクセル領域１５０，１５５に対してＯＬＥＤ基板１２５上に形成される第１の電極１３０と、を備える。発光材料１３５は、第１の電極１３０上に形成され、ピクセルコンタクト１４０は、発光材料１３５上に形成される。ＯＬＥＤアセンブリ１２０は、１以上のピクセル領域１５０，１５５を有しうる。ピクセルコンタクト１４０は、導電性リンク１４５を用いて、対応する制御可能なゲート電子部品１１５に電気的に接続されうる。制御可能なゲート電子部品１１５は、光放出の方向１６０に光を放出するためにピクセル領域１５０，１５５を電力供給及び／又は制御しうる。放出される光は、限定されないが、可視光を含みうる。
【００３５】
ＯＬＥＤアセンブリ１２０は、バックプレーン１０５に結合される前に、バックプレーン１０５から隔てて形成されうる。ＯＬＥＤアセンブリ１２０は、第１の電極１３０、発光材料１３５及びピクセルコンタクト１４０をＯＬＥＤ基板１２５上に順次堆積することにより形成されることができ、このＯＬＥＤ基板１２５は、バックプレーン基板１１０とは異なることができる。ＯＬＥＤ基板１２５は、限定されないが、ガラスを含む材料と、ポリイミド等のようなプラスチックと、を含みうる。第１の電極１３０は、発光材料１３５により放出された光に対して少なくとも部分的に透明である導電性材料を含む。例えば、第１の電極１３０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含みうる。
【００３６】
発光材料１３５は、有機発光材料の１以上の層を備えうる。ピクセルコンタクト１４０は、発光材料１３５上に形成される、アルミニウム等のような導電性材料の層を備えうる。図１は、ピクセル領域１５０，１５５に分割されたＯＬＥＤアセンブリ１２０を示す。ピクセル領域１５０とピクセル領域１５５との間の破線は、説明のためだけのものであり、ＯＬＥＤアセンブリ１２０において物理的な構成は存在しない。図１は、隔てた第１の電極１３０及び発光材料１３５を有するように各ピクセルを示しているが、第１の電極１３０及び発光材料１３５の１以上が、複数のピクセル領域に及びうることが考えられる。
【００３７】
また、図１は、２つの可視ピクセルコンタクト１４０を有する各ピクセル領域１５０，１５５を示しているが、各ピクセル領域が、１又は２より多くのピクセルコンタクトを有しうることが考えられる。各ピクセル領域１５０，１５５は、３つのピクセルコンタクト１４０を有することができ、各々が、光の主要な色、例えば、赤、緑及び青等の１つに対応する。一部の実施では、各ピクセル領域は、複数のサブピクセル領域を有することができ、複数のサブピクセル領域の各々が、光の主要な色を放出するように構成され、複数のサブピクセル領域の各々が、専用のピクセルコンタクトを有する。一部の実施では、２以上のピクセル領域１５０，１５５は、ピクセルコンタクト１４０への対電極として、及び／又はグランド電極として用いられうる共通の第１の電極１３０を共有しうる。別の実施では、各ピクセル領域１５０，１５５は、その独自の専用グランド電極又は対電極を有しうる。
【００３８】
各ピクセル領域１５０，１５５は、光放出領域を有し、非光放出領域も有しうる。ここで、図２を参照し、図２は、ピクセル領域１５０の上部斜視図を示し、光放出領域２０５を有する。光放出領域２０５は、発光材料１３５でカバーされるピクセル領域１５０の領域である。例えば、ピクセル領域１５０，１５５等のような各ピクセル領域について、一部又は全ての光放出領域２０５は、当該ピクセル領域の動作時に光を放出しうる。一部の実施では、ピクセルコンタクト１４０は、光放出領域２０５に対して図１及び２に示される面積／サイズよりも大きい領域を有しうる。このような相対的に大きなピクセルコンタクト１４０は、対応するピクセル領域の動作時に光を放出するために、光放出領域２０５の対応する大きな部分に電力供給及び／又は励起しうる。
【００３９】
また、一部の実施では、発光材料１３５上に形成されるピクセルコンタクト１４０は、光放出領域２０５内に含まれうる。これらのコンタクトには、光放出領域２０５を超えて延びる部分がないため、これらの実施では、ピクセルコンタクトに専用のピクセル領域１５０の非放出領域を有する必要がない。この配置は、ピクセル領域１５０当りの光放出領域２０５の増加した比率を可能にするという利益を提供することができる。
【００４０】
また、一部の実施では、図示されないが、ピクセルコンタクト１４０の１以上は、放出領域２０５を超え、ＯＬＥＤ基板１２５上に延びる延長部をそれぞれ備えうる。このような延長部は、ピクセルコンタクト１４０と第１の電極１３０との電気的な短絡を防ぐために第１の電極１３０から絶縁される。一部の実施では、これらの延長部によりカバーされるＯＬＥＤ基板１２５の領域は、第１の電極１３０によってカバーされない、つまり、第１の電極１３０がない。これらの延長部は、導電性リンク１４５を介して、対応する制御可能なゲート電子部品１１５へ各ピクセル領域１５０，１５５を電気的に接続するために用いられうる。
【００４１】
光放出領域２０５の電気的コンタクトオフを移動するためにこのような延長部を用いることにより、以下の１つ以上の利益を提供することができる：第１に、導電性リンク１４５自体のリスク及び／又は発光材料１３５を損傷する導電性リンク１４５を適用する処理のリスクを低減することができる；第２に、ピクセルコンタクト１４０と第１の電極１３０とのパンチ穴短絡のリスクを低減することができる。
【００４２】
一部の実施では、図示されないが、第１の電極１３０は、光放出領域２０５の外側に延び、その延長部は、非放出であるピクセル領域ごとのＯＬＥＤ基板１２５の面積を占有する。このような非放出領域は、ピクセル領域ごとのフラクションを低減する。これに対して、複数のピクセル領域１５０，１５５が共通の第１の電極１３０を共有する場合の実施は、各ピクセル領域において第１の電極１３０により占有されるＯＬＥＤ基板１２５の非放出領域を有する必要がないので、ピクセルごとの光放出領域２０５の大きなフラクションを可能にする。
【００４３】
しかし、共有される第１の電極１３０による実施は、１つの第１の電極１３０が複数のピクセル領域に用いられる場合よりも、低い電気的な性能及び／又は相対的に多くの電気的な寄生を示しうる。一方、各ピクセル領域１５０，１５５が専用の第１の電極１３０９を有する別の実施では、電気的な性能が相対的に速くなり、各第１の電極１３０が１つのピクセル領域のみに用いられるときにいくつかの電気的な寄生を有する。
【００４４】
再び図１を参照すると、一部の実施では、バックプレーン基板１１０は、支持材料と、支持材料とは隔てて形成され、その後、支持材料上の所定の位置で支持材料に固定される１以上の部品基板と、を備えうる。複数の制御可能なゲート電子部品は、対応する部品基板上又は部品基板の直下に形成されうる。制御可能なゲート電子部品（又は他の形成された電子／回路素子）は、限定されないが、リソグラフィ、印刷等を含む適切な技術を用いて形成されうる。
【００４５】
例えば、限定されないが、部品基板は、支持材料から隔てて形成され、その後、支持材料に固定される半導体粒子を含みうる。半導体粒子は、その後、横断面を、その横断面の表面上又はその断面の表面の直下に露出するように平坦化されることができ、電子及び／又は回路部品は、リソグラフィ、印刷等を用いて形成されうる。このような電子／回路部品は、限定されないが、トランジスタ等のような制御可能なゲート電子部品を含みうる。
【００４６】
支持材料に固定された半導体粒子を含むこのようなバックプレーン基板１１０の非限定的な例は、米国特許出願第２０１４／００７０２２３号公報（米国特許出願第１３／９９２０６３号に対応）及び米国特許出願第２０１５／００６４８８３号（米国特許出願第１４／０１９１３１号に対応）で説明され、その両方の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【００４７】
部品基板は、半導体、ガラス、セラミックス、誘電体又は部品基板上に形成される及び／又は部品基板内にある電子及び／又は回路部品の種類に適切な他の材料を含みうることが考えられる。同様に、支持材料は、限定されないが、セラミックス、焼成セラミックス、ガラス、プラスチック、誘電体、複合材等を含む適切な材料を含みうる。
【００４８】
別の実施では、制御可能なゲート電子部品１１５は、それらの対応する部品基板の表面上又は表面の直下に形成され、その後、パッケージ化され、その後、各所定の位置において支持材料に配置及び固定される。例えば、ピック−アンド−プレース装置は、支持材料上のそれらの各所定の位置に予め製造された制御可能なゲート電子部品１１５を配置するために用いられうる。それらの配置された制御可能なゲート電子部品１１５は、その後、限定されないが、接着剤を用いることを含む適切な方法を用いて支持材料に固定されうる。このような実施では、バックプレーンは、支持材料と、支持材料から隔てて形成され、その後、所定の位置に支持材料に固定される部品基板と、を備える。バックプレーンは、また、対応する部品基板の表面上又は表面の直下に形成される制御可能なゲート電子部品（又は他の電子／回路部品）も備える。
【００４９】
対応するピクセルコンタクト１４０に接続するために部品基板が必要とされる位置にのみ、支持材料上の部品基板を配置及び／又は位置決めすることによって、バックプレーン基板１１０を形成することは、支持材料の表面全体をこのような高性能な材料でカバーすることの高いコスト及び／又は技術的な困難性を避けつつ、制御可能なゲート電子部品１１５を形成するための部品基板のように、結晶の、高性能な半導体材料の使用を可能にする。
【００５０】
別の実施では、バックプレーン１０５は、バックプレーン基板１１０と、バックプレーン基板１１０の表面上又は表面の直下に形成される制御可能なゲート電子部品１１５等のような複数の回路／電子部品と、を備えうる。このような実施では、バックプレーン基板１１０は、バックプレーン基板１１０の（支持）材料から隔てて形成される部品基板を備える必要がない。すなわち、バックプレーン基板１１０の材料は、バックプレーン基板１１０の表面上又は表面の直下に形成される電子／回路部品のための部品基板としてそれ自体が機能することができる。
【００５１】
ここで、導電性リンク１４５に移り、図面は、ピクセルコンタクト１４０を制御可能なゲート電子部品１１５に接続する導電性リンク１４５を示すが、各制御可能なゲート電子部品１１５は、１以上のコンタクトパッドを備えることができ、導電性リンク１４５は、ピクセルコンタクト１４０を、制御可能なゲート電子部品１１５の対応するコンタクトパッドに接続することができることも考えられる。
【００５２】
本明細書は、制御可能なゲート電子部品を示すが、他の回路及び／又は電子素子も制御可能なゲート電子部品に代えて及び／又は加えて用いられうることが考えられる。一部の実施では、制御可能なゲート電子部品は、トランジスタを含む。制御可能なゲート電子部品１１５は、バックプレーン基板１１０上に位置決めされ、それらは、ピクセル領域１５０，１５５の対応するピクセルコンタクト１４０に位置合わせされる及び／又は接続されることができる。
【００５３】
バックプレーン１０５及びＯＬＥＤアセンブリ１２０が形成されると、一方が他方と結合されうる。結合することは、バックプレーン１０５及びＯＬＥＤアセンブリ１２０の１以上に導電性リンク１４５を堆積すること、及びバックプレーン１０５及びＯＬＥＤアセンブリ１２０を結合して、各ピクセルコンタクト１４０が、導電性リンク１４５を介して対応する制御可能なゲート電子部品１１５に電気的に接続されることを含みうる。導電性リンク１４５は、限定されないが、銀エポキシ等のような導電性エポキシ、ハンダ及び低温ハンダを含む材料を含みうる。
【００５４】
一部の実施では、スペーサは、ＯＬＥＤアセンブリ１２０とバックプレーン基板１１０との距離を制御するために用いられ、これは、次に、アセンブリ後のアクティブマトリックスＯＬＥＤアセンブリ１００においてピクセルコンタクト１４０と、対応する制御可能なゲート電子部品１１５との距離を制御しうる。ピクセルコンタクト１４０と、対応する制御可能なゲート電子部品１１５との距離を制御することは、次に、ＯＬＥＤアセンブリ１２０をバックプレーン基板１１０に結合する処理時に、導電性リンク１４５が、１つのピクセルコンタクト１４０及びその対応する制御可能なゲート電子部品１１５から、近傍のピクセルコンタクト１４０及び／又は制御可能な電子部品１１５に向かってそこへ延びる延長部を制御しうる。
【００５５】
これらのスペーサは、ＯＬＥＤ基板１２５とバックプレーン基板１１０との間に配置されるシム（ｓｈｉｍｓ）を含みうる。一部の実施では、これらのシムは、ＯＬＥＤ基板１２５及びバックプレーン基板１１０が共にアセンブリされ、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００を形成するときに、ＯＬＥＤ基板１２５及びバックプレーン基板１１０のエッジに配置されうる。また、一部の実施では、これらのシムは、導電性リンク１４５が流動状態ではなくなった後に、除去可能である。
【００５６】
バックプレーン１０５及びＯＬＥＤアセンブリ１２０が共に結合されると、ギャップ１６５は、バックプレーン１０５とＯＬＥＤアセンブリ１２０との間に残る。一部の実施では、スペーサは、ギャップ１６５に位置決めされるスペーシング粒子を含みうる。これらのスペーシング粒子は、限定されないが、プラスチック、ガラス、セラミックス及び他の誘電体を含む材料を含みうる。また、一部の実施では、スペーシング粒子は、球体、球体に近い、又は実質的に球体である形状を有しうる。
【００５７】
間隔（スペーシング）粒子は、バックプレーン基板１１０及びＯＬＥＤ基板１２５の１以上に位置決め及び固定されうる。間隔粒子は、適切な方法を用いて、それらに対応する基板に位置決め及び固定されうる。例えば、限定されないが、所定の量の接着剤が、対応する基板上の所定の位置に印刷される又は堆積される。次に、間隔粒子は、基板上に導入され、間隔粒子は、接着剤が存在する場所のみで基板に接着しうる。一部の実施では、間隔粒子の相対的なサイズ及び接着剤の量は、ある間隔粒子のみが、基板上の接着剤の各量に対して基板に接着しうるようになりうる。その後、基板に接着されない間隔粒子は、バックプレーン基板１１０とＯＬＥＤ基板１２５とを結合して、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００を形成する前に、除去されうる。
【００５８】
一部の実施では、基板上の所定の位置にある量の接着剤を堆積することに代えて及び／又は加えて、間隔粒子は、所定の位置で基板上にピック及び配置されうる。また、一部の実施では、間隔粒子は、導電性リンク１４５の材料が流動状態であるときに、導電性リンク１４５と混合されることができ、それにより、アセンブリ後のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００においてピクセルコンタクト１４０と、対応する制御可能なゲート電子部品１１５との間の最小距離を制御する。
【００５９】
更に、一部の実施では、ギャップ１６５は、アンダーフィルで少なくとも部分的に充填されうる。アンダーフィルは、限定されないが、ポリマー材料を含む適切な材料を含みうる。アンダーフィルは、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００により生成される画像と干渉する場合があるアンダーフィルから又はバックプレーン基板１１０からの可視反射を低減及び／又は排除するために、不透明な、光散乱性及び／又は光吸収性でありうる。
【００６０】
一部の実施では、アンダーフィルは、実質的に黒色でありうる。実質的に黒色であることは、アンダーフィルへの光の入射の十分に小さな部分を反射することを含み、この反射された光は、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００により生成される画像により、人が視ることが可能な干渉を構成しないであろう。アンダーフィルは、また、例えば、バックプレーン１０５とＯＬＥＤアセンブリ１２０との取り付けを強化することにより、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００を機械的に強化しうる。また、アンダーフィルは、埃、水分及び他の環境要因からアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００を形成する傷つきやすい材料及び電子機器を密閉及び保護しうる。
【００６１】
図１では、１つの制御可能なゲート電子部品１１５が、各ピクセルコンタクト１４０に接続されて示されているが、２以上の制御可能なゲート電子部品１１５が各ピクセルコンタクト１４０に接続されることができることが考えられる。一部の実施では、導電性リンク１４５は、導電性エポキシ等のようなフレキシブルな導電性材料を含みうる。バックプレーン１０５をＯＬＥＤアセンブリ１２０に結合するためにこれらのフレキシブル電気コンタクトを使用することにより、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００が、機械的又は電気的な損傷に苦しむことなく、バックプレーン１０５とＯＬＥＤアセンブリ１２０との異なる熱膨張率を許容することが可能になりうる。これは、次に、バックプレーン１０５及びＯＬＥＤ基板１２５に対する異なる熱膨張係数の材料の選択においてより大きな自由度を提供しうる。
【００６２】
また、フレキシブル導電性材料を用いることは、発光材料１３５を潜在的に傷つけやすい熱膨張／収縮による機械的な力（例えば、剪断力）を低減することにより、導電性リンク１４５が、各ピクセル領域１５０，１５５の光放出領域２０５に重複する又は全体に含まれることを可能にしうる。これは、次に、各ピクセル領域１５０，１５５の一部の領域を非放出領域コンタクトにささげるための必要性を低減し、それにより、各ピクセル領域１５０，１５５の領域のより多くの部分が光放出領域２０５として用いられることを可能にする。
【００６３】
また、バックプレーン１０５及びＯＬＥＤアセンブリ１２０を隔てて作成し、その後それらを共に結合して、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００を形成することは、２つのサブ部品が互いに結合されて、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００を形成する前に不良が検出される場合、各サブ部品（例えば、バックプレーン又はＯＬＥＤアセンブリ）の製造時の不良が、他のサブ部品に影響を与えないという追加の利益を提供しうる。
【００６４】
ここで、図３に移り、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ３００の断面が示される。アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ３００は、バックプレーン３０５へ導電性リンク１４５を用いて結合されたＯＬＥＤアセンブリ１２０を含む。バックプレーン３０５は、バックプレーン基板３１０と、所定の位置にバックプレーン基板３１０に固定される複数の制御可能なゲート電子部品１１５と、を備える。バックプレーン３０５及びＯＬＥＤアセンブリ１２０が結合されて、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ３００を形成するとき、ギャップ３２０，３２５は、バックプレーン３０５とＯＬＥＤアセンブリ１２０との間に残る。バックプレーン３０５は、バックプレーン基板３１０からギャップ３２０，３２５へアンダーフィルを注入することを可能にする１以上のスルーホール３１５を備えうる。バックプレーン３０５は、バックプレーン１０５と同様であり、バックプレーン３０５においてスルーホール３１５が存在する点が異なる。
【００６５】
スルーホール３１５は、限定されないが、ドリリング、レーザカッティング、ケミカルエッチング及び反応性イオンエッチングを含む適切な技術を用いて形成されうる。アンダーフィルを注入するために多数の分散スルーホール３１５を用いることは、ギャップ３２０，３２５におけるアンダーフィルのより多くの分散及びギャップ３２０，３２５の大部分をアンダーフィルで充填することを可能にしうる。
【００６６】
図４は、アセンブリされる処理においてアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ４００の断面図を示す。アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ４００は、導電性リンク１４５を用いてＯＬＥＤアセンブリ４０１に結合される処理においてバックプレーン１０５を備える。ＯＬＥＤアセンブリ４０１は、その上に第１の電極４１０が各ピクセル領域４４０，４４５に対して形成される、ＯＬＥＤ基板４０５を備える。発光材料４１５は、その後、第１の電極４１０上に堆積され、１以上のピクセルコンタクト４２０は、ピクセル領域４４０，４４５ごとに発光材料４１５上に形成される。導電性リンク１４５は、各ピクセルコンタクト４２０を、所定の位置でバックプレーン基板１１０に固定される対応する制御可能なゲート電子部品１１５に電気的に接続されるように構成される。
【００６７】
ＯＬＥＤ基板４０５は、フレキシブルであり、ＯＬＥＤアセンブリ４０１を、バックプレーン１０５に対して方向４２５に沿って広げられることを可能にする。第１の電極４１０、発光材料４１５、及びピクセルコンタクト４２０は、十分にフレキシブルであることができ、そのため、それらは、例えば、剥離、剥がれ落ち及びひび割れ等のＯＬＥＤアセンブリ４０１の機械的及び電気的な完全性を落とすことなく、ＯＬＥＤ基板４０５により曲げることができる。一部の実施では、ＯＬＥＤ基板４０５は、約０．５ｍｍ未満の厚さを有するシートを含みうる。別の実施では、ＯＬＥＤ基板４０５は、約０．１ｍｍ以下の厚さを有するシートを含みうる。更に別の実施では、ＯＬＥＤ基板４０５は、約０．０２５ｍｍ以下の厚さを有するシートを含みうる。ＯＬＥＤ基板４０５は、限定されないが、ガラス及びプラスチック材料を含む材料を含みうる。例えば、Ｓｃｈｏｔｔ，  Ｉｎｃ．製のＡＦ  ３２（登録商標）  ｅｃｏ及びＤ  ２６３（登録商標）  ｅｃｏ  超薄型ガラスシートが用いられうる。
【００６８】
図４は、ピクセル領域４４５が、バックプレーン１０５に対して広げられ、バックプレーン１０５に結合された処理にある際の、バックプレーン１０５に既に結合されたピクセル領域４４０を示す。ＯＬＥＤアセンブリ４０１がバックプレーン１０５に対して広げられる前に、導電性リンク１４５の小球は、それらの電子部品を、ＯＬＥＤアセンブリ４０１の対応するピクセルコンタクト４２０に電気的に接続するために、制御可能なゲート電子部品１１５に堆積されうる。一部の実施では、導電性リンク１４５は、ウェット導電性エポキシとして堆積され、これは、その後、ＯＬＥＤアセンブリ４０１がバックプレーン１０５に対して広げられる前に、乾燥及び／又は硬化される。導電性エポキシは、炭素の粒子又は例えば銀等の金属の粒子を含みうる。
【００６９】
別の実施では、導電性リンク１４５は、制御可能なゲート電子部品１１５上に堆積され、ＯＬＥＤアセンブリ４０１がバックプレーン１０５に対して広げられるときに固体のままである低温ハンダを含みうる。その後、バックプレーン１０５及びＯＬＥＤアセンブリ４０１は、低温ハンダを軟化し、制御可能なゲート電子部品１１５をピクセルコンタクト４２０に電気的に接続するために十分な温度に加熱されうる。
【００７０】
すなわち、一部の実施では、バックプレーン１０５は、一方が他方に対して広げられると、ＯＬＥＤアセンブリ４０１に結合され、別の実施では、バックプレーン１０５がＯＬＥＤアセンブリ４０１に結合される前に広げられる。当該結合は、バックプレーン１０５をＯＬＥＤアセンブリ４０１に電気的に接続することを含むことができ、制御可能なゲート電子部品１１５は、対応するピクセル領域４４０，４４５に電力供給及び／又は制御しうる。導電性リンク１４５は、電磁放射を用いて軟化及び／又は硬化されうる別の材料を含みうることも考えられる。
【００７１】
上記の記載は、導電性リンク１４５がバックプレーン１０５の制御可能なゲート電子部品１１５上に堆積されることを説明したが、バックプレーン１０５及びＯＬＥＤアセンブリ４０１が結合される前に、導電性リンクが、ピクセルコンタクト４２０又は制御可能なゲート電子部品１１５及びピクセルコンタクト４２０の両方に堆積されうることも考えられる。
【００７２】
一部の実施では、アンダーフィル４３０は、流動可能な状態でバックプレーン基板１１０上にアンダーフィル４３０を堆積し、その後、アンダーフィル４３０をギャップ４３５に押し込むためにバックプレーン１０５に対して広げられるバックプレーン１０５とＯＬＥＤアセンブリ４０１との間にウィッキング及び／又はキャピラリー力を用いることによりギャップ４３５に導入されうる。アンダーフィル４３０は、バックプレーン基板１１０上に堆積されるものとして図４に示されるが、アンダーフィル４３０は、ＯＬＥＤ基板４０５上又はバックプレーン基板１１０及びＯＬＥＤ基板４０５の両方の上に堆積されうることも考えられる。
【００７３】
広がるアンダーフィル４３０がピクセルコンタクト４２０等のような電気的なコンタクトを汚染することを防ぐために、電気的なコンタクトは、アンダーフィル４３０に亘って導電性リンク１４５のために優先的にぬれ性（湿潤性）を有するように変更されうる。それに代えて及び／又は加えて、導電性リンク１４５は、アンダーフィル４３０の粘度よりも高い粘度を有するように選択されることができ、これは、制御可能なゲート電子部品１１５と対応するピクセルコンタクト４２０との電気的な接続を形成する導電性リンク１４５と干渉するアンダーフィル４３０の可能性も低減するであろう。
【００７４】
導電性リンク１４５及び／又はアンダーフィル４３０は、限定されないが、インクジェット印刷、スクリーン印刷及びロボットアームを用いる堆積を含む適切な技術を用いてバックプレーン１０５及びＯＬＥＤアセンブリ４０１の１以上に堆積されうる。図４及び前述したＯＬＥＤ基板４０５はフレキシブルであるが、バックプレーン基板１１０がフレキシブルでありうる、又はバックプレーン基板１１０及びＯＬＥＤ基板４０５の両方がフレキシブルでありうることも考えられる。フレキシブルバックプレーン基板１１０及び／又はＯＬＥＤ基板４０５を用いることは、大面積のバックプレーン及びＯＬＥＤ基板を保管及び／又は輸送することを容易にすることができ、バックプレーン１０５をＯＬＥＤアセンブリ４０１に結合してアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ４００をアセンブリするために必要な製造スペースを容易にし、かつ低減することができる。
【００７５】
図１に戻り、光放出方向１６０のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ１００の外に放出され、閲覧者に到達するために、各ピクセル領域１５０，１５５の発光材料１３５により生成される光は、ＯＬＥＤ基板１２５を通過しなければならないことが理解されうる。各ピクセル領域１５０，１５５により放出される光がＯＬＥＤ基板１２５に入ると、ＯＬＥＤ基板１２５は、光導波路として機能し、１つのピクセル領域により生成された光の一部を隣接するピクセル領域に導入しうる。例えば、ピクセル領域１５０により生成された光の一部は、ＯＬＥＤ基板１２５により隣接するピクセル領域１５５に導入されうる。この導入された光は、隣接するピクセル間の光学的なクロストークを表しうる。ＯＬＥＤ基板１２５に加えて、複数のピクセル領域１５０，１５５に及ぶＯＬＥＤアセンブリ１２０の他の透明層も、このような導波路として機能しうる；ＩＴＯ共有の第１の電極１３０は、複数のピクセル領域１５０，１５５（図１には図示せず）に及ぶこのような透明層の一例でありうる。
【００７６】
図５は、上述された内部ピクセル領域の光学的なクロストークを少なくとも部分的に低減したアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ５００の断面図を示す。アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ５００は、ＯＬＥＤアセンブリ５０１に電気的に接続されるバックプレーン１０５を備える。バックプレーン１０５は、所定の位置でバックプレーン基板１１０に固定される複数の制御可能なゲート電子部品１１５を備える。
【００７７】
ＯＬＥＤアセンブリ５０１は、１以上のピクセル領域５２５，５３０を有するＯＬＥＤ基板５０５を備える。各ピクセル領域５２５，５３０について、第１の電極１３０は、ＯＬＥＤ基板５０５上に形成され、その後、発光材料１３５は、第１の電極１３０上に堆積される。各ピクセル領域５２５，５３０について、１以上のピクセルコンタクト１４０は、発光材料１３５上に形成される。バックプレーン１０５は、各ピクセルコンタクト１４０と対応する制御可能なゲート電子部品１１５との間に導電性リンク１４５を用いてＯＬＥＤアセンブリ５０１に結合される。
【００７８】
ＯＬＥＤアセンブリ５０１も、各ピクセル領域５２５，５３０と、その隣接するピクセル領域との間に溝５１０を備える。溝５１０は、ピクセル領域５２５，５３０等のような隣接するピクセル領域間の光学バリアの一例である。このような光学バリアは、その隣接するピクセル領域から各ピクセル領域を少なくとも部分的に光学的に隔てうる。溝５１０は、ＯＬＥＤ基板５０５の厚さを通じて部分的に延び、あるピクセル領域で放出された光の、ＯＬＥＤ基板５０５等のＯＬＥＤアセンブリ５０１の一部を通じて隣接するピクセル領域への伝搬を少なくとも部分的にブロックしうる。一方、例えば、光放出方向５１５に沿うピクセル領域５２５の外に伝搬する放出光の一部は、溝５１０によって影響されない。
【００７９】
溝５１０は、例えば、つや消し又は粗面を有することにより、少なくとも部分的に光を散乱及び／又は光を吸収しうる。一部の実施では、溝５１０は、部分的に又は総合的に内部的に反射しうる、及び／又は金属等の反射材料で被覆された、つまり、金属化されたそれらの表面を有しうる。隣接するピクセル領域に向かう光の伝搬が溝５１０に作用するとき、例えば、光線５２０によって示されるような隣接するピクセル領域から離れて反射されうる。
【００８０】
また、図５には示されないが、溝５１０は、ＯＬＥＤ基板５０５等のＯＬＥＤアセンブリ５０１の部品を通じて隣接するピクセル領域に向かう所与のピクセル領域から伝搬する光を、少なくとも部分的に吸収及び／又は散乱するために、光吸収及び／又は光散乱材料で少なくとも部分的に充填されうる。一部の実施では、バックプレーン１０５とＯＬＥＤアセンブリ５０１との間のギャップ５３５は、アンダーフィル材料で充填されうる。このアンダーフィルは、バックプレーン１０５とＯＬＥＤアセンブリ５０１との間の機械的な接続を強化しうる。また、アンダーフィルは、溝５１０の少なくとも一部を充填することができ、ピクセル領域５２５，５３０で放出される光を少なくとも部分的に吸収又は散乱するように選択されうる。アンダーフィルもまた、上述されたようにほぼ黒色となるように選択されうる。
【００８１】
図５がｖ字形状を示すが、溝５１０は、限定されないが、矩形形状のトレンチを含む適切な形状を有しうることが考えられる。溝５１０は、ウェットケミカルエッチング、レーザエッチング、スクライビング、ダイシングソーを用いたソーイング、及び深掘り反応性エッチング（ｄｅｅｐ  ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ（ＤＲＩＥ））、特にＤＲＩＥ用のＢｏｓｃｈプロセスを含む適切な技術によって製造されうる。
【００８２】
溝５１０が、あるピクセル領域から隣接するピクセル領域へ伝搬する光を部分的にブロックすることのみを提供しうるが、溝の補完セットを用いることにより、ブロックされうるこのような光の一部を増加しうる。図６は、このような補完溝を有するアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ６００の断面図を示す。アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ６００は、導電性リンク１４５を用いてＯＬＥＤアセンブリ６０１に結合されるバックプレーン１０５を備える。バックプレーン１０５は、所定の位置でバックプレーン基板１１０に固定される制御可能なゲート電子部品１１５を備える。
【００８３】
ＯＬＥＤアセンブリ６０１は、ＯＬＥＤ基板６０５と、各ピクセル領域６２５，６３０に対してＯＬＥＤ基板６０５上に形成される第１の電極１３０と、を備える。発光材料１３５は、第１の電極１３０上に堆積され、ピクセルコンタクト１４０は、ピクセル領域６２５，６３０ごとに発光材料１３５上に形成される。導電性リンク１４５は、各ピクセルコンタクト１４０を、対応する制御可能なゲート電子部品１１５に電気的に接続する。
【００８４】
溝の第１のセット６１０は、ＯＬＥＤ基板６０５の第１の面に形成され、図５に関連して記載される溝５１０とほぼ同様でありうる。溝の第２のセット６１５は、第１の面の反対側の、ＯＬＥＤ基板６０５の第２の面に形成される。溝６１５は、各溝６１５が、対応する溝６１０の光ブロックを補完するという点で溝６１５に対する補完となりうる。一部の実施では、溝６１０は、溝６１５とほぼ位置合わせされうる。図６が、共通の点で合致する溝６１０及び溝６１５を示しているが、溝６１０及び溝６１５が合致しない場合も考えられる。溝６１０及び溝６１５が互いにオフセットされる場合も考えられる。溝６１０及び溝６１５がオフセットされるとき、各溝は、ＯＬＥＤ基板６０５の厚さを通じて半分以上延びる。
【００８５】
また、図６は、両方がｖ字形状であるときの溝６１０及び溝６１５を示すが、別の実施では、溝６１５は、溝６１０とは異なる形状を有しうることが考えられる。ＯＬＥＤ基板６０５の機械的な完全性を保つために、初めに形成される溝のセットは、溝の第２のセットを形成する前に埋め戻されうる。例えば、溝６１０が初めに形成される場合、溝６１０は、埋め戻し材料６２０で埋め戻されうる。埋め戻し材料６２０は、光散乱、光吸収及び／又は光反射の１以上でありうる。一部の実施では、溝の第１のセット６１０は、光散乱及び／又は光吸収ガラスで埋め戻され、その後、ＯＬＥＤ基板６０５は、ＯＬＥＤ基板６０５の機械的強度を向上させるためにオーブンで焼成されうる。
【００８６】
埋め戻し材料は、ガラス粉末が溶解する前に、焼成時に、気体に蒸発及び／又は酸化する有機バインダーと混合されたガラス粉末を含む焼成可能なガラスペーストを含みうる。このようなガラスペーストは、例えば、黒色となりうるように色付けされうる。このようなガラスペーストの一例は、Ｇｌａｓｓｌｉｎｅ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓによって製造されたＧｌａｓｓｌｉｎｅ（登録商標）  Ｐａｉｎｔである。一部の実施では、埋め戻し材料は、溝にドクターブレード（ｄｏｃｔｏｒ−ｂｌａｄｅｄ）が行われることができ、必要な場合、ＯＬＥＤ基板の表面は、再研磨されうる。
【００８７】
一部の実施では、バックプレーン１０５とＯＬＥＤアセンブリ６０１との間のギャップ６３５は、アンダーフィルで少なくとも部分的に充填されうる。更に別の実施では、ギャップ６３５を充填するアンダーフィル材料も、溝６１０を少なくとも部分的に充填しうる。溝６１５も、埋め戻し材料６２２で埋め戻されうる。埋め戻し材料６２２は、埋め戻し材料６２０と同一又は異なるものでありうる。図６は、埋め戻し材料６２０及び６２２のそれぞれで部分的に充填される溝６１０及び溝６１５を示すが、溝６１０及び溝６１５の１以上は、埋め戻し材料６２０及び６２２のそれぞれで完全に充填されうることも考えられる。一部の実施では、溝６１０及び溝６１５の１以上は、埋め戻し材料６２０及び６２２のそれぞれで過剰充填され、その後、ＯＬＥＤ基板６０５の対応する面が平坦に研磨されうる。
【００８８】
一部の実施では、溝６１０は、はじめに形成され、溝６１５が形成される前に、埋め戻し材料６２０で埋め戻される。両方の溝のセットが形成されると、第１の電極１３０、発光材料１３５及びピクセルコンタクト１４０は、ＯＬＥＤアセンブリ６０１を形成するために形成されうる。別の実施では、溝６１０が形成され、埋め戻す又は埋めないで残されうる。その後、第１の電極１３０、発光材料１３５及びピクセルコンタクト１４０は、ＯＬＥＤアセンブリ６０１を形成するために形成され、その後、ＯＬＥＤアセンブリ６０１をバックプレーン１０５に結合する。その後、溝６１５が形成され、埋め戻す又は埋めないで残されうる。
【００８９】
一部の実施では、溝の第１のセット６１０が形成され、その後、ＯＬＥＤ基板６０５の機械的な強度を少なくとも部分的に復元するように構成される埋め戻し材料で埋め戻されうる。その後、溝の第２のセット６１５が形成され、その後、ＯＬＥＤ基板６０５を通じて部分的に延び、溝６１０にも部分的に延びる。例えば、埋め戻し材料は、黒色及び／又は不透明なガラスを含みうる。溝６１０は、このような埋め戻し材料で充填され、その後、ＯＬＥＤ基板６０５及び埋め戻し材料は、ＯＬＥＤ基板６０５の機械的な強度を少なくとも部分的に復元するためにオーブンで硬化及び／又は焼成されうる。その後、溝６１５の第２のセットが形成され、ＯＬＥＤ基板６０５を通じて部分的に延び、かつ焼成及び／又は硬化された埋め戻し材料を充填した溝６１０にも部分的に延びる。溝６１５がこのように溝６１０に延びかつ重なるとき、溝６１０及び６１５の組み合わせは、ＯＬＥＤ基板６０５の厚さ全体を横切って延びる光学バリアとして機能しうる。
【００９０】
溝がＯＬＥＤ基板に形成され、ピクセル領域を隔てる実施では、第１の電極、つまり、複数のピクセル領域に及ぶ対電極又はグランド電極を用いるために、実現不可能となりうる。これに応じて、一部の実施では、グランド又はカウンター第１の電極は、ピクセルごとに製造され、各ピクセル領域は、第１の専用グランド又は対電極を有する。
【００９１】
以下、一体的に図７ａ−ｅと呼ばれる図７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ及び７ｅは、その隣接するピクセルからアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ７００の各ピクセル領域を光学的に隔てる溝７１５を有するアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ７００を製造するためのステップの選択の断面図を示す。
【００９２】
図７ａは、バックプレーン３０５に結合されるＯＬＥＤアセンブリ１２０を示す。バックプレーン１０５又は他の適切なバックプレーンも用いられうることが考えられる。ＯＬＥＤアセンブリ１２０は、各ピクセル領域１５０，１５５についてＯＬＥＤ基板１２５上に形成される第１の電極１３０を有するＯＬＥＤ基板１２５を備える。発光材料１３５は、第１の電極１３０上に形成され、ピクセルコンタクト１４０は、発光材料１３５上に形成される。バックプレーン３０５は、所定の位置でバックプレーン３１０に固定された複数の制御可能なゲート電子部品１１５を備える。バックプレーン３１０もまた、ＯＬＥＤアセンブリ１２０とバックプレーン３０５との間のギャップ３２０，３２５にアンダーフィルを注入するための複数のスルーホールを備える。導電性リンク１４５は、ピクセルコンタクト１４０を、対応する制御可能なゲート電子部品１１５に電気的に接続するために用いられる。
【００９３】
図７ｂは、スルーホール３１５を介して注入されるアンダーフィル７０５を示し、ギャップ３２０，３２５を実質的に充填する。図７ｃは、各ピクセル領域１５０，１５５の一部に形成されるマスク７１０を示す。マスク７１０は、限定されないが、アモルファスシリコン及びクロムを含む材料を含みうる。図７ｄは、マスク７１０によって保護されない隣接するピクセル領域１５０と１５５との間の領域に形成される溝７１５を示す。溝７１５は、ＯＬＥＤ基板１２５の総厚さを通じて延び、ギャップ３２０を充填うるアンダーフィル７０５へ更に延びうる。溝７１５は、限定されないが、ケミカルエッチング及び深掘り反応性イオンエッチングを含む適切なプロセスにより形成されうる。アンダーフィル７０５は、潜在的に傷つきやすい発光材料１３５、ピクセルコンタクト１４０、導電性リンク１４５及び制御可能なゲート電子部品１１５を反応性エッチングから保護しうる。
【００９４】
図７ｅは、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ７００を生産するためのマスク７１０の除去を示す。マスク７１０は、限定されないが、選択的エッチング等を含む適切な方法により除去されうる。図７ｄ及び７ｅには１つの溝７１５のみが符号付けされているが、複数の同様の溝が、隣接するピクセル領域から他のピクセル領域を隔てて形成される。これらの溝は、ＯＬＥＤ基板１２５等のようなＯＬＥＤアセンブリ１２０の部品を通じて、あるピクセル領域からその隣接するピクセル領域へ光を伝搬することを防ぐことにより、その隣接するピクセル領域からあるピクセル領域を光学的に隔離する。一部の実施では、溝７１５を含む溝は、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ７００の機械的な強度を増加するために埋め戻されうる。また、埋め戻し材料は、その隣接するピクセル領域から各ピクセル領域を光学的に更に隔離するために、光学的に散乱、吸収及び／又は反射しうる。
【００９５】
以下、一体的に図８ａ−ｅと呼ばれる図８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ及び８ｅは、各ピクセル領域がその隣接するピクセルから光学的に隔てられたアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ８００を製造するためのステップの選択の断面図を示す。
【００９６】
図８ａは、ＯＬＥＤ基板８１５が、接着剤８１０を用いて支持体８０５に固定される、ＯＬＥＤアセンブリを形成する際の初期ステップを示す。支持体８０５は、バックプレーン基板に関して上述された「支持材料」と同一である必要はなく、異なることができる部品を示す。支持体８０５は、限定されないが、ガラス及びプラスチックを含む適切な材料を含みうる。図８ｂは、ＯＬＥＤ基板８１５への溝８２０の形成を示し、ＯＬＥＤ基板８１５を領域８２５及び８３０に隔てる。領域８２５及び８３０は、ＯＬＥＤアセンブリのピクセル領域を形成するために用いられうるであろう。図８ｂでは、１つの溝８２０のみが符号付けされているが、複数の同様の溝は、ＯＬＥＤ基板８１５を、ピクセル領域を形成するために用いられるであろう複数の領域に隔てるために形成される。
【００９７】
溝８２０を含む溝は、限定されないが、ウェットケミカルエッチング、レーザエッチング、スクライビング及びダイシングソーを用いたソーイングを含む適切な方法により形成されうる。付加的に、溝は、接着剤８１０へ延びることができ、図８ｂ−ｅには示されないが、支持体８０５へ部分的に延びることができる。
【００９８】
図８ｃは、各領域８２５，８３０上に形成される第１の電極８３５、続いて、第１の電極８３５上への発光材料８４０の堆積を示す。その後、ピクセルコンタクト８４５は、発光材料８４０上に形成される。第１の電極８３５、発光材料８４０及びピクセルコンタクト８４５は、それぞれ第１の電極１３５、発光材料１３５及びピクセルコンタクト１４０と同様でありうる。第１の電極８３５、発光材料８４０及びピクセルコンタクト８４５の形成の後、ＯＬＥＤ基板８１５の領域８２５，８３０は、ピクセル領域と呼ばれる。この点で、ピクセル領域８２５，８３０は、支持体８０５に取り付けたままであり、支持体８０５によって支持される。
【００９９】
図８ｄは、バックプレーン３０５に結合されたピクセル領域８２５，８３０を示す。バックプレーン１０５又は他の適切なバックプレーンも用いられうることが考えられる。導電性リンク１４５は、各ピクセルコンタクト８４５を、バックプレーン３０５のバックプレーン基板３１０上の対応する制御可能なゲート電子部品１１５に電気的に接続する。付加的に、アンダーフィル８５０は、バックプレーン基板３１０におけるスルーホール３１５を介して支持体８０５とバックプレーン３０５との間のスペースに注入されうる。
【０１００】
ピクセル領域８２５，８３０がバックプレーン３０５に接続されると、支持体８０５は、除去されうる。図８ｅは、支持体８０５の除去の後、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ８００を示す。支持体８０５は、接着剤８１０を選択的に除去することにより除去されうる。一部の実施では、ＵＶレーザは、ピクセル領域８２５，８３０の構成要素を損傷することなく、選択的に接着剤８１０を取り除くために用いられうる。別の実施では、接着剤８１０は、低温ワックスを含むことができ、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ８００を、ワックスを軟化するために十分であるが、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ８００の構成要素を無害のままにするために十分低い温度に加熱することによって軟化されうる。更に別の実施では、支持体８０５及び接着剤８１０は、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ８００の構成要素が傷つかないままで、選択的にエッチングされうる。
【０１０１】
ＯＬＥＤ基板８１５を、各ピクセル領域８２５，８３０を形成する個々のピースに隔てることは、光が、ＯＬＥＤ基板８１５を通じてあるピクセル領域から隣接するピクセル領域へ伝搬することを防ぐ。また、アンダーフィル８５０は、その隣接するピクセルから各ピクセルを光学的に更に隔離するために選択されうる。例えば、アンダーフィル８５０は、光学吸収材料、光学散乱材料、光学反射材料、及び／又は実質的に黒色の材料の１以上を含みうる。
【０１０２】
一部の実施では、図示されないが、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの製造は、図８ａ−ｅに示されるものと同様のステップに従い、主な違いは、支持体８０５等のような支持体８０５が用いられないことである。ＯＬＥＤ基板は、ピクセル領域を形成するために用いられる部分に切断されうる。その後、これらの部分の間のスペースは、ガラス埋め戻しで充填され、ＯＬＥＤ基板及びガラス埋め戻しは、ＯＬＥＤ基板の機械的な強度を復元するためにオーブンで焼成される。ガラス埋め戻しは、不透明及び／又は実質的に黒色の材料を含みうる。
【０１０３】
前述の記載は、バックプレーンに結合される１つのＯＬＥＤアセンブリを説明したが、複数のＯＬＥＤアセンブリが、バックプレーンに互いに隣接して結合されうる、つまり、互いに「タイル化」されて、タイル化されたアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイを形成しうることも考えられる。このようなタイル化された実施は、所与のＯＬＥＤアセンブリのピクセル領域間の光学バリアに加えて及び／又は代えて、隣接するＯＬＥＤアセンブリ間の光学バリアを備えうる。このような内部ＯＬＥＤ（ｉｎｔｅｒ−ＯＬＥＤ）アセンブリの光学バリアは、限定されないが、光吸収材料及び光散乱材料を含みうる。例えば、内部ＯＬＥＤアセンブリの光学バリアは、黒色及び／又は不透明なガラス及びエポキシの１以上を含みうる。一部の実施では、内部ＯＬＥＤアセンブリの光学バリアは、ＯＬＥＤアセンブリから取り外されるように構成される又は取り外し可能であり、タイル化されたアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ内の個々のＯＬＥＤアセンブリの除去及び／又は配置を可能にする。
【０１０４】
一部の実施では、内部ＯＬＥＤアセンブリの光学バリアの大きさ及び／又は光学特性は、内部ピクセル領域の光学バリアの大きさ及び／又は光学特性と同様になるように選択されうる。また、一部の実施では、内部ピクセル領域の光学バリアの光学特性は、各ＯＬＥＤアセンブリの外縁又はその近傍における光学特性と同様になるように選択されうる。これらの技術は、ＯＬＥＤアセンブリ間の継ぎ目を可能にし、この継ぎ目は、内部ＯＬＥＤアセンブリの光学バリアを含むことができ、所与のＯＬＥＤアセンブリの隣接するピクセル領域間の区域と光学的に同様に見え、この区域は、内部ＯＬＥＤアセンブリの光学バリアを含みうる。この光学的類似性は、次に、一部の閲覧条件下で、継ぎ目なし（シームレス）に見える、タイル化されたアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイを作製しうる。
【０１０５】
前述の記載は、単一のバックプレーンと結合された１又は複数のＯＬＥＤアセンブリについて説明したが、ＯＬＥＤアセンブリの区域及びバックプレーンの区域は、互いに独立となりうることも考えられる。すなわち、大規模なＯＬＥＤアセンブリは、複数の小さなバックプレーンと結合されうることが考えられる。また、その各々が１以上のバックプレーンと結合される１以上のＯＬＥＤアセンブリを含みうる複数の小さなアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイは、それら自体をタイルとして用い、互いに隣接してアセンブリされ、複数のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイを含むタイル化されたディスプレイを形成しうることも考えられる。例えば、タイル化されたアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイは、６つの２×２インチＯＬＥＤアセンブリを１つの４×６インチバックプレーンに結合することによって形成され、４×６インチタイル化ディスプレイを形成する。その後、これらの４×６インチタイル化ディスプレイのうちの４つは、それら自体を互いに隣接してアセンブリされ、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイがタイルとして用いられ、互いにアセンブリされる場合、隣接するＯＬＥＤディスプレイ間の継ぎ目に光学バリアが存在しうることも考えられる。
【０１０６】
また、前述の記載は、ディスプレイについて説明したが、同様の方法及び構造は、光を検出して、それに応じて電気信号を生成する検出器を製造するために用いられうることも考えられる。例えば、ＯＬＥＤアセンブリは、ＯＬＥＤアセンブリの発光材料に代わる光検出材料を含む光検出アセンブリで置き換えられうる。光が検出されるとき、光検出アセンブリは、制御可能なゲート電子部品によりサンプリングされる電気信号を生成しうる。このような検出器の例は、限定されないが、赤外線検出器及びＸ線検出器を含む。
【０１０７】
上述された実施は、実施例となることのみが意図され、添付の特許請求の範囲によってのみ定義される本発明の範囲から逸脱せずに、当業者によって変更及び修正がそれらに対してもたらされてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【外国語明細書】
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