(57)【要約】【課題】歩留まりの向上を図ることが可能な有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、画素電極と、前記画素電極が底に露出する開口が形成された画素分離絶縁膜と、前記開口の底に露出する前記画素電極上に部分的に形成された有機材料の凝集体と、前記画素電極と前記凝集体を覆う、発光層を含む有機膜と、前記有機膜を覆う対向電極と、を備え、前記凝集体は、前記開口の底に露出する前記画素電極と、前記画素分離絶縁膜の前記開口を形成する内壁とが成す角に形成される。【選択図】図２
2017174606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、
前記画素電極が底に露出する開口が形成された画素分離絶縁膜と、
前記開口の底に露出する前記画素電極上に部分的に形成された有機材料の凝集体と、
前記画素電極と前記凝集体を覆う、発光層を含む有機膜と、
前記有機膜を覆う対向電極と、
を備え、
前記凝集体は、前記開口の底に露出する前記画素電極と、前記画素分離絶縁膜の前記開口を形成する内壁とが成す角に形成される、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記凝集体は、前記開口の底に露出する前記画素電極と、前記画素電極上に存在する粒子とが成す角に形成される、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記画素分離絶縁膜の、前記画素電極が配列した表示領域の外方に位置する額縁領域に、凹部又は凸部が形成される、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
画素電極を形成する工程と、
前記画素電極が底に露出する開口が形成された画素分離絶縁膜を形成する工程と、
前記開口の底に露出する前記画素電極上に部分的に形成された有機材料の凝集体を形成する工程と、
前記画素電極と前記凝集体を覆う、発光層を含む有機膜を形成する工程と、
前記有機膜を覆う対向電極を形成する工程と、
を備え、
前記凝集体を形成する工程は、有機材料を含む溶剤を噴霧する工程と、付着した前記溶媒を硬化させる工程とを含む、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記凝集体を形成する工程は、硬化した前記溶剤の一部を除去する工程をさらに含む、
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置では、画素電極を覆う絶縁膜に画素電極を露出させる開口が形成され、開口内の画素電極上に発光層を含む有機膜が形成され、さらに有機膜上に対向電極が形成されることがある（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１０９１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、発光層を含む有機膜は、絶縁膜と比べて薄いことから、絶縁膜に形成された開口の内部で切断されてしまうことがある。有機膜が切断された状態でその上に対向電極が形成されると、画素電極と対向電極がショートして画素欠陥になるおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、歩留まりの向上を図ることが可能な有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、画素電極と、前記画素電極が底に露出する開口が形成された画素分離絶縁膜と、前記開口の底に露出する前記画素電極上に部分的に形成された有機材料の凝集体と、前記画素電極と前記凝集体を覆う、発光層を含む有機膜と、前記有機膜を覆う対向電極と、を備え、前記凝集体は、前記開口の底に露出する前記画素電極と、前記画素分離絶縁膜の前記開口を形成する内壁とが成す角に形成される。
【０００７】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、画素電極を形成する工程と、前記画素電極が底に露出する開口が形成された画素分離絶縁膜を形成する工程と、前記開口の底に露出する前記画素電極上に部分的に形成された有機材料の凝集体を形成する工程と、前記画素電極と前記凝集体を覆う、発光層を含む有機膜を形成する工程と、前記有機膜を覆う対向電極を形成する工程と、を備え、前記凝集体を形成する工程は、有機材料を含む溶剤を噴霧する工程と、付着した前記溶媒を硬化させる工程とを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。
【図２】前記有機ＥＬ表示装置の画素の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【図４】平坦化層の形成工程に含まれる各工程を説明する図である。
【図５】前記有機ＥＬ表示装置の額縁領域の構造を概略的に示す断面図である。
【図６】前記有機ＥＬ表示装置の額縁領域の構造を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配置された画素ＰＸを含むアクティブエリアＡＣＴと、その外方に位置する額縁領域ＦＡと、アレイ基板ＡＲと、対向基板ＣＴと、駆動回路ＤＲＶと、フレキシブル基板ＦＲＣと、を備えている。
【００１１】
アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは対向して配置され、アクティブエリアＡＣＴを囲むように配置したシール材ＳＬにより固定されている。
【００１２】
アレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴの端から延びた領域には、複数の画素ＰＸを駆動する駆動回路ＤＲＶが配置されている。駆動回路ＤＲＶは、アレイ基板ＡＲの端部に接続されたフレキシブル基板ＦＲＣを介して外部から入力された制御信号及び映像信号に従って、図示しないソース配線及びゲート配線等へ制御信号及び映像信号を出力する。
【００１３】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の画素の構造を概略的に示す断面図である。
【００１４】
アレイ基板ＡＲは、支持基板１０と、スイッチング素子１１と、補助容量コンデンサＣと、陽極（画素電極）１２と、発光層を含む有機層１３と、陰極（対向電極）１４と、封止膜ＬＳと、を備えている。
【００１５】
支持基板１０は、ガラス等により形成された透明の絶縁性の基板であって、その上面に後述するスイッチング素子１１、補助容量コンデンサＣ、陽極１２、有機層１３、及び、陰極１４等が形成される部材である。
【００１６】
スイッチング素子１１は、支持基板１０上に形成された複数の導電層及び絶縁層により形成された薄膜トランジスタを備える。すなわち、スイッチング素子は、図示しないソース配線やゲート配線などの各種配線と同時に形成される。
【００１７】
補助容量コンデンサＣは、支持基板１０上に形成された複数の導電層及び絶縁層により形成される。補助容量は、陽極１２と陰極１４との間に形成される画素容量に結合する。
【００１８】
パッシベーション膜ＬＰは、スイッチング素子１１及び補助容量コンデンサＣを覆うように形成されている。パッシベーション膜ＬＰをスイッチング素子１１及び補助容量コンデンサＣ上に配置することにより、スイッチング素子１１及び補助容量コンデンサＣの隣接した導電体間や、スイッチング素子１１と陽極１２との間が電気的に絶縁される。パッシベーション膜ＬＰには、スイッチング素子１１と陽極１２とを電気的に接続するコンタクトホール（図示せず）が画素ＰＸ毎に形成されている。パッシベーション膜ＬＰは、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する材料により形成され、スイッチング素子１１や補助容量コンデンサＣの表面に生じる凹凸を平坦化する。
【００１９】
陽極１２は、パッシベーション膜ＬＰ上において画素ＰＸ毎に配置されている。陽極１２は、有機層１３で発光した光を陰極１４側へ反射するように構成されている。例えば、陽極１２は、パッシベーション膜ＬＰ上に配置された反射層と、反射層上に配置された透明電極とを備えている。
【００２０】
陽極１２の反射層は画素ＰＸ毎に配置されてもよく、複数の画素ＰＸに共有されてもよい。反射層は、光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜を用いることができる。
【００２１】
陽極１２の透明電極はパッシベーション膜ＬＰに設けられたコンタクトホール（図示せず）においてスイッチング素子１１と電気的に接続している。陽極１２の透明電極には、スイッチング素子１１を介して駆動回路ＤＲＶから駆動電流が供給される。
【００２２】
陽極１２の透明電極は透光性及び導電性を有する材料からなる。陽極１２の透明電極は、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）や、ＩＺＯ（indium zinc oxide）等の透光性及び導電性を有する材料により形成することができる。
【００２３】
リブ層（画素分離絶縁膜）ＬＩＢは、パッシベーション膜ＬＰと陽極１２を覆っている。リブ層ＬＩＢには、陽極１２が底に露出する開口ＯＰが形成されている。言い換えると、リブ層ＬＩＢは、隣接する陽極１２間に配置されている。開口ＯＰは、平面視において陽極１２に包含されるように形成されており、陽極１２の周縁部を除くそれよりも内方の一部を露出させている。リブ層ＬＩＢの開口ＯＰを形成する内壁は、画素電極５３の周縁部を覆っており、テーパー形状を有している。リブ層ＬＩＢは、隣接した陽極１２同士が接触することを防止している。リブ層ＬＩＢは、例えば画素ＰＸ同士の境界に沿って形成され陽極１２の外周を覆っている。リブ層ＬＩＢの高さは略２０００ｎｍである。リブ層ＬＩＢは絶縁性を有する材料により形成され、例えば、感光性の樹脂材料により形成することができる。
【００２４】
有機層１３は、リブ層ＬＩＢの開口ＯＰの底に露出する陽極１２上に配置されている。有機層１３は光を発する発光層を有しており、その発光は、白色でも、その他の色であってもよい。有機層１３は、アクティブエリアＡＣＴの画素ＰＸの配置されている領域全体を覆うように形成されている。これに限られず、アクティブエリアＡＣＴは、画素ＰＸ毎に形成されていてもよい。
【００２５】
有機層１３は、例えば、陽極１２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層１３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。
【００２６】
発光層は、例えば、陽極１２を介して駆動電流が供給されることにより、正孔と電子とが結合して発光する有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）物質から構成されている。このような有機エレクトロルミネッセンス物質としては例えば、一般に有機発光材料として用いられているものを用いてよく、具体的には例えば、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ’―ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’―ジアリール置換ピロロピロール系等、一重項状態から発光可能な公知の蛍光性低分子材料や、希土類金属錯体系の三重項状態から発光可能な公知の燐光性低分子材料を用いることができる。
【００２７】
陰極１４は、有機層１３上に配置されている。陰極１４は、複数の画素ＰＸで共有されている。すなわち、陰極１４は複数の画素ＰＸに渡って配置され、例えばアクティブエリアＡＣＴの画素ＰＸの配置されている領域全体を覆うように形成される。
【００２８】
陰極１４は透明な電極材料により形成される。陰極１４は、具体的には例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透光性及び導電性を有する材料により形成することができる。
【００２９】
上記陽極１２と、有機層１３と、陰極１４とは、発光源として機能する有機ＥＬ発光素子である。
【００３０】
封止膜ＬＳは陰極１４上に配置されている。封止膜ＬＳは、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるバリア膜、あるいは、バリア膜と、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるポリマー樹脂とを積層した多層構造となっている。
【００３１】
封止膜ＬＳの上面は、例えば充填材２０を介して対向基板ＣＴによって覆われている。対向基板ＣＴは例えばガラス等の透明な絶縁性基板３０を有し、支持基板１０よりも小さい外周を有する。
【００３２】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、リブ層ＬＩＢに形成された開口ＯＰの内部に平坦化層ＡＧが形成されている。平坦化層ＡＧは、有機材料の凝集体であり、開口ＯＰの底に露出する陽極１２上に部分的ないし断続的に形成されている。
【００３３】
具体的には、平坦化層ＡＧは、開口ＯＰの底に形成された角を埋めるように形成されている。言い換えると、平坦化層ＡＧは、下層の構成により生じる平坦面と傾斜面の交点を中心に選択的に配置され、平坦面と傾斜面の交点近傍の傾斜を緩やかにするものである。平坦化層ＡＧを配置することにより、有機層１３を配置する面の傾斜が緩やかになって、有機層１３が切れたり薄くなり難くなるため、陽極１２と陰極１４がショートすることを抑制することができる。
【００３４】
例えば、開口ＯＰの内部には、開口ＯＰの底に露出する陽極１２と、開口ＯＰを形成する内壁とが成す角ＣＲが形成されている。平坦化層ＡＧはこの角ＣＲに形成されており、開口ＯＰを形成する内壁よりも緩やかに傾斜した上面を有している。言い換えると、平坦化層ＡＧは、リブ層ＬＩＢの傾斜面と陽極１２の平坦面との交点近傍に形成されている。角ＣＲは直角よりもやや大きく、開口ＯＰを形成する内壁は外方に広がるテーパー形状の傾斜面となっている。角ＣＲに形成された平坦化層ＡＧの上面は、開口ＯＰを形成する内壁よりも緩やかに傾斜している。
【００３５】
また例えば、開口ＯＰの底に露出する陽極１２上には、製造過程で発生した異物（粒子）ＬＸが付着することがある。平坦化層ＡＧは、開口ＯＰの底に露出する陽極１２と、陽極１２上に存在する異物ＬＸとが成す角にも形成されている。すなわち、平坦化層ＡＧは、異物ＬＸを取り囲むように形成されており、異物ＬＸの周囲に異物ＬＸの側面よりも緩やかに傾斜した上面を有している。言い換えると、平坦化層ＡＧは、陽極１２の平坦面と異物ＬＸの傾斜面との交点近傍に形成されている。
【００３６】
このように、平坦化層ＡＧが開口ＯＰの底に形成された角を埋めて緩やかな傾斜を形成することで、開口ＯＰの内部に有機膜１３を形成する際に、有機膜１３を途切れたり薄くなることなく連続的に形成することが可能である。なお、有機層１３が途切れたり薄くなることがないように、陽極１２上の平坦化層ＡＧの表面に生じる傾斜面は、陽極１２の表面と所定の角度以下の角度を成していることが望ましい。
【００３７】
平坦化層ＡＧの材料としては有機材料が好ましく、具体的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む重合反応により硬化する高分子有機材料を用いることができる。
【００３８】
平坦化層ＡＧは、例えば有機材料を含む溶剤を噴霧し、硬化させることで形成される。このとき、陽極１２の表面及び開口ＯＰを形成する側壁などに吹き付けられた溶剤は、表面張力により凝集する。溶剤は、特に、開口ＯＰを形成する内壁と陽極１２が成す角ＣＲや異物ＬＸの周囲に凝集し、こうして凝集した溶剤が硬化したものが平坦化層ＡＧとなる。
【００３９】
なお、平坦化層ＡＧは、陽極１２上に生じる傾斜面の傾きを緩和するとともに、断続的に配置されることが望ましい。したがって、平坦化層ＡＧが連続して形成された場合には、エッチングにより平坦化層ＡＧの薄膜部分を除去して断続的にすることが望ましい。平坦化層ＡＧの形成の詳細については後述する。
【００４０】
以下、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。図３は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【００４１】
ＳＴ１において、支持基板１０上に、導電材料又は絶縁材料の製膜とパタンニングとを繰り返して、例えば半導体層としてポリシリコンを用いた薄膜トランジスタを含むスイッチング素子１１、補助容量コンデンサＣ、ゲート配線、データ配線、陽極１２（画素電極）、リブ層ＬＩＢを形成する。
【００４２】
続いて、ＳＴ２において、陽極１２上及びリブ層ＬＩＢ上に平坦化層ＡＧを部分的ないし断続的に形成する。平坦化層ＡＧの形成の詳細については後述する。
【００４３】
続いて、ＳＴ３において、ベーキングや蒸着膜形成を行い、発光層を含む有機層１３を真空蒸着で形成する。このとき、平坦化層ＡＧの形成から有機層１３の形成の間は、途中で大気解放せずに、真空装置で連結させるか、水分濃度１ｐｐｍ以下のＮ２雰囲気やＣＤＡ（クリーンドライエア）環境で接続することが望ましい。
【００４４】
続いて、ＳＴ４において、有機層１３上に対向電極である陰極１４を真空蒸着で形成する。
【００４５】
続いて、ＳＴ５において、アクティブエリアＡＣＴ全体を覆うように封止膜ＬＳを形成し、有機層１３を水分から保護する。
【００４６】
続いて、ＳＴ６において、充填材２０として樹脂材料を挟んで対向基板ＣＴを貼り合わせる。このようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００４７】
以下、平坦化層ＡＧの形成工程（ＳＴ２）について説明する。図４は、平坦化層ＡＧの形成工程に含まれる各工程を説明する図である。
【００４８】
まず、図４（ａ）に示される工程では、有機材料を含む溶剤ＡＬを噴霧する。具体的には、ポリマー樹脂と重合開始剤とを混合した溶剤ＡＬを真空環境下において基板に霧状噴霧する。陽極１２の表面及び開口ＯＰを形成する側壁などに吹き付けられた溶剤ＡＬは、表面張力により開口ＯＰを形成する内壁と陽極１２が成す角ＣＲや異物ＬＸの周囲に凝集して付着する。一方、角ＣＲや異物ＬＸから離れた平坦な領域には、溶剤ＡＬは付着し難い。
【００４９】
このとき、溶剤ＡＬが連続的な膜を形成しないように溶剤ＡＬの供給条件（供給時間、基板温度、成膜雰囲気など）を調整する。例えば、溶剤ＡＬの供給量を、平坦な領域に平坦化層ＡＧを形成するとした場合にリブ層ＬＩＢの高さの１／５以下程度の高さの層となるように少なくし、断続的に膜が形成されるように調整する。
【００５０】
続いて、図４（ｂ）に示される工程では、付着した溶剤ＡＬを硬化させる。具体的には、付着した溶剤ＡＬに紫外光を照射することで、開口ＯＰを形成する内壁と陽極１２が成す角ＣＲや異物ＬＸの周囲に付着した溶剤ＡＬを硬化させて、平坦化層ＡＧを得る。
【００５１】
続いて、図４（ｃ）に示される工程では、硬化した溶剤ＡＬの一部を除去する。この工程は任意である。溶剤ＡＬの供給条件によっては、図４（ｂ）に示されるように平坦な領域にも硬化した溶剤ＡＬ（平坦化層ＡＧ）の薄膜部分ＴＰが形成される場合がある。その場合には、薄膜部分ＴＰのみが除去されるようにエッチングを行うことが望ましい。
【００５２】
以上のように有機ＥＬ表示装置を形成することにより、リブ層ＬＩＢの傾斜面と陽極１２の平坦面との交点近傍の屈曲や陽極１２上の異物ＬＸにより有機層１３が切断されることを抑制でき、その結果、陽極１２と陰極１４がショートすることによる滅点不良の発生を抑制することが可能である。すなわち、本実施形態によれば、製造歩留りの高い有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。
【００５３】
図５は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の額縁領域ＦＡの構造を概略的に示す断面図である。
【００５４】
更に、本実施形態ではアクティブエリアＡＣＴの周囲の額縁領域ＦＡにおいて、平坦化層ＡＧを形成する前の表面形状として、リブ層ＬＩＢに凹部４０を形成してもよい。凹部４０は、図１に示すように、アクティブエリアＡＣＴの周囲を囲むように、アクティブエリアＡＣＴとシール材ＳＬとの間に形成されている。これに限られず、凹部４０は、シール材ＳＬと対向する位置に配置されてもよいし、シール材ＳＬよりも外方に配置されてもよい。凹部４０の解像度を表すＬ／Ｓは例えば１０乃至１００μｍ、更には２０乃至５０μｍとすることが望ましく、凹部４０の深さは例えば１乃至１０μｍとすることが望ましい。
【００５５】
このようにアクティブエリアＡＣＴの周囲を囲む凹部４０を設けると、平坦化層ＡＧが、凹部４０の内壁と底面が成す角に凝集して形成され、凹部４０の中央の平坦な領域には形成されないため、凹部４０において平坦化層ＡＧは途切れることになる。したがって、平坦化層ＡＧは、凹部４０においてアクティブエリアＡＣＴ側と外部環境側とが非連続となり、平坦化層ＡＧを介してアクティブエリアＡＣＴへ水分が侵入し拡散することを回避することができ、さらに、マスクを用いて非連続な平坦化層を形成する必要がないため設備、運用上の低コスト化を実現するとともに表示装置の狭額縁化を実現することができる。
【００５６】
図６は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の額縁領域ＦＡの構造を概略的に示す断面図である。
【００５７】
更に、本実施形態ではアクティブエリアＡＣＴの周囲の額縁領域ＦＡにおいて、平坦化層ＡＧを形成する前の表面形状として、リブ層ＬＩＢに凸部５０を形成してもよい。凸部５０は、図１に示すように、アクティブエリアＡＣＴの周囲を囲むように、アクティブエリアＡＣＴとシール材ＳＬとの間に形成されている。これに限られず、凸部５０は、シール材ＳＬと対向する位置に配置されてもよいし、シール材ＳＬよりも外方に配置されてもよい。凸部５０の解像度を表すＬ／Ｓは例えば１０乃至１００μｍとし、凸部５０の高さは例えば１乃至１０μｍとすることが望ましい。
【００５８】
このようにアクティブエリアＡＣＴの周囲を囲む凸部５０を設けると、平坦化層ＡＧが、凸部５０の外壁と周囲の上面が成す角に凝集して形成され、凸部５０の頂面の平坦な領域には形成されないため、凸部５０において平坦化層ＡＧは途切れることになる。したがって、平坦化層ＡＧは、凸部５０においてアクティブエリアＡＣＴ側と外部環境側とが非連続となり、平坦化層ＡＧを介してアクティブエリアＡＣＴへ水分が侵入し拡散することを回避することができ、さらに、マスクを用いて非連続な平坦化層を形成する必要がないため設備、運用上の低コスト化を実現するとともに表示装置の狭額縁化を実現することができる。
【００５９】
なお、図４及び図５に示す例では、全周の凹部４０あるいは凸部５０のパターンは少なくとも１パターンであるが、２パターン以上に増やしても同様の効果が見込まれる。例えば、アクティブエリアＡＣＴの周囲において、シール材ＳＬと対向する位置に凹部４０あるいは凸部５０のパターンを更に設けてもよく、シール材ＳＬよりも外部環境側の位置に凹部４０あるいは凸部５０のパターンを更に設けてもよい。アクティブエリアＡＣＴの周囲に少なくとも１パターンの凹部４０あるいは凸部５０を設けることにより、上述の効果を得ることができる。
【００６０】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６１】
ＰＸ  画素、ＡＣＴ  アクティブエリア、ＡＧ  平坦化層（凝集体）、ＡＬ  溶剤、ＡＲ  アレイ基板、Ｃ  補助容量コンデンサ、ＣＲ  角、ＣＴ  対向基板、ＤＲＶ  駆動回路、ＦＡ  額縁領域、ＦＲＣ  フレキシブル基板、ＯＰ  開口、ＳＬ  シール材、ＴＰ  薄膜部分、ＬＰ  パッシベーション膜、ＬＳ  封止膜、ＬＩＢ  リブ層（画素分離絶縁膜）、ＬＸ  異物（粒子）、１０  支持基板、１１  スイッチング素子、１２  陽極（画素電極）、１３  有機層（発光層を含む有機膜）、１４  陰極（対向電極）、２０  充填材、３０  絶縁性基板、４０  凹部、５０  凸部。
【図１】
2017174606.tif 000003
【図２】
2017174606.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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