(57)【要約】【課題】基板の任意の場所で露光の境界部を形成することが出来る表示装置。【解決手段】表示領域１００と、端子１３０と、前記表示領域１００と前記端子１３０との間に形成され、前記端子１３０と接続される配線３０と、を有する表示装置であって、前記配線３０は、第１部分３６と、第２部分３５と、第３部分３５と、を有し、前記第１部分３６は、前記第１方向に延在し、前記第２部分３５及び前記第３部分３５は、前記第１方向とは異なる方向に延在し、前記第１部分３６は、前記第１方向と直交する第２方向に突出した凸部１３を有していることを特徴とする表示装置用基板。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と、端子と、前記表示領域と前記端子との間に形成され、前記端子と接続される配線と、を有する表示装置であって、
前記配線は、第１部分と、第２部分と、第３部分と、を有し、
前記第１部分は、第１方向に延在し、
前記第２部分及び前記第３部分は、前記第１方向とは異なる方向に延在し、
前記第１部分は、前記第１方向と直交する第２方向に突出した凸部を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１部分は、前記凸部が形成された側と反対側に凹部を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１部分は、前記凸部が形成された側と反対側に凹部を有し、前記凹部は、前記凸部と前記第２方向において対応する位置に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記凸部は、前記第１方向の長さが、前記凹部の前記第１方向の長さよりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２部分及び前記第３部分は、前記第２方向に対して所定の角度で傾いていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
第１方向に延出している第１の辺と、前記第１の辺と対向する第２の辺と、前記第１の辺の一方の端部と前記第２の辺の一方の端部とを接続し、前記第１方向と直交する第２方向に延出している第３の辺と、前記第３の辺と対向し、前記第１の辺の他方の端部と前記第２の辺の他方の端部とを接続する第４の辺と、を有し、複数の配線パターンが形成されているフォトマスクであって、
前記第２の辺及び前記第３の辺は、第１幅で前記第１方向に蛇行して延在し、
前記複数の配線パターンは、前記第１方向に延出している第１部分と、前記第２方向に対して所定の角度で傾いている第２部分と、を有し、
前記第１部分は、前記第２の辺及び前記第３の辺と重なる位置において、前記第２方向に突出した凸部が形成されていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項７】
前記凸部は、平面視において、前記第１部分の片側に形成されていることを特徴とする請求項６に記載のフォトマスク。
【請求項８】
前記凸部は、平面視において、前記第１部分の両側に形成されていることを特徴とする請求項６に記載のフォトマスク。
【請求項９】
前記凸部は、前記第１幅と同じ幅で形成されていることを特徴とする請求項７に記載のフォトマスク。
【請求項１０】
前記凸部は、前記第１幅よりも小さい幅で形成されていることを特徴とする請求項７又は８に記載のフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に高密度配線が可能な表示装置およびそれを形成するためのフォトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置は、軽量で薄型にできることから種々のディスプレイに使用されている。このような表示装置は、個々に製造したのでは効率が悪いので、マザー基板に多数の表示装置を形成し、マザー基板が完成した後、個々の表示装置に分離される。
【０００３】
マザー基板は大きいほうが一度に多くの表示装置を形成できるので、コスト的に有利である。表示装置は、多くのフォトリソグラフィ工程を使用するが、フォトリソグラフィ工程に使用する露光装置、およびフォトマスクは簡単には大きくすることが出来ない。そこで、小さなフォトマスクを移動させて大きなマザー基板全体を露光することが行われる。あるいは基板を移動しながら、同じマスクが繰り返し使用される。
【０００４】
特許文献１には、繰り返し露光を容易にするマスクパターンの設計方法が記載されている。具体的には、露光枠（ショット枠ともいう）において、配線に補正パターンを形成する、あるいは、露光枠のさらに周辺に間隔を置いてブラインド枠を形成する構成が記載されている。
【０００５】
一方、ショット枠の境界は、露光不足、あるいは、２重露光による配線の太りあるいは配線の細り等の問題が生ずる。特許文献２には、ショット枠を直線状にせずに蛇行させ、ショット枠の位置が、配線毎に異なるようにして、配線の太りあるいは配線の細りの問題を対策する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−３０４７１６号公報
【特許文献２】特開平１１−１３５４１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
大きなマザー基板に小さなフォトマスク使用して、マザー基板を移動しながら露光する露光装置はステッパーともよばれている。そして、露光枠内のマスクパターンが繰り返し利用される。マスクパターンの境界、すなわち、マザー基板を移動する毎に露光枠を正確に設定する必要があるが、現在のステッパーの精度では、設定精度は１μｍ程度が限度である。
【０００８】
境界部分における露光量の不規則性を解消するために、所定の幅で２重露光をする領域を形成する。例えば、ポジ型レジストを使用した場合は、この部分において、レジストパターンの細りが生ずる。レジストにネガを使用する場合は、この逆に配線の太りが生ずる。
【０００９】
一方、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置では、画面が高精細になってきており、各配線の幅、あるいは、配線間ピッチが小さくなっている。そうすると、マスク枠における露光の不規則性が、配線のショートあるいは断線等の不良を生ずる場合がある。これは、配線ピッチが小さくなる斜め配線部分において特に深刻な問題になる。
【００１０】
本発明の課題は、ステッパーを用いたフォトリソグラフィにおいて、マスク境界（ショット境界部）における、配線不良を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
【００１２】
（１）表示領域と、端子と、前記表示領域と前記端子との間に形成され、前記端子と接続される配線と、を有する表示装置であって、前記配線は、第１部分と、第２部分と、第３部分と、を有し、前記第１部分は、第１方向に延在し、前記第２部分及び前記第３部分は、前記第１方向とは異なる方向に延在し、前記第１部分は、前記第１方向と直交する第２方向に突出した凸部を有していることを特徴とする表示装置。
【００１３】
（２）第１方向に延出している第１の辺と、前記第１の辺と対向する第２の辺と、前記第１の辺の一方の端部と前記第２の辺の一方の端部とを接続し、前記第１方向と直交する第２方向に延出している第３の辺と、前記第３の辺と対向し、前記第１の辺の他方の端部と前記第２の辺の他方の端部とを接続する第４の辺と、を有し、複数の配線パターンが形成されているフォトマスクであって、前記第２の辺及び前記第３の辺は、第１幅で前記第１方向に蛇行して延在し、前記複数の配線パターンは、前記第１方向に延出している第１部分と、前記第２方向に対して所定の角度で傾いている第２部分と、を有し、前記第１部分は、前記第２の辺及び前記第３の辺と重なる位置において、前記第２方向に突出した凸部が形成されていることを特徴とするフォトマスク。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】マザー基板の一部をフォトマスクを用いて露光している状態を示す平面図である。
【図２】図１におけるマザー基板に多数形成されているうちの１つのＴＦＴ基板の平面図である。
【図３】図２における端子領域付近の拡大平面図である。
【図４】図３において、１点鎖線で囲まれた部分の拡大平面図である。
【図５】図４の構成のショット境界部のマスクパターンを示す平面図である。
【図６】図５のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターンを示す平面図である。
【図７】本発明における、図３において１点鎖線で囲まれた部分の拡大平面図である。
【図８】実施例１のショット境界部のマスクパターンを示す平面図である。
【図９】図８のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターンを示す平面図である。
【図１０】（ａ）はフォトマスクの第２のパターンを示す平面図、（ｂ）はフォトマスクの第１のパターンを示す平面図、（ｃ）は（ａ）及び（ｂ）のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターンを示す平面図である。
【図１１】実施例２の他の形態のショット境界部のマスクパターンを示す平面図である。
【図１２】図１１のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターンを示す平面図である。
【図１３】実施例２のさらに他の形態のショット境界部のマスクパターンを示す平面図である。
【図１４】図１３のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターンを示す平面図である。
【図１５】実施例２のさらに他の形態のショット境界部のマスクパターンを示す平面図である。
【図１６】図１５のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターンを示す平面図である。
【図１７】（ａ）は図３の斜め配線が１層である場合の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａの断面図である。
【図１８】（ａ）は図３の斜め配線が２層である場合の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂの断面図である。
【図１９】（ａ）は図３の斜め配線が２層である場合の他の形態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃの断面図である。
【図２０】（ａ）はフォトマスクの第２のパターンを示す平面図、（ｂ）はフォトマスクの第１のパターンを示す平面図、（ｃ）は（ａ）及び（ｂ）のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターンを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。以下の実施例においては、１つのＴＦＴ基板１の短辺に平行な方向を第１方向Ｘとし、ＴＦＴ基板１の長辺に平行な方向を第２方向Ｙとしている。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していても良い。
【実施例１】
【００１６】
図１はマザー基板の一部をフォトマスクを用いて露光している状態を示す平面図である。マザー基板には、例えば、液晶表示パネルのＴＦＴ基板１が多数形成されているが、図１では、９個分のみ記載されている。ＴＦＴ基板１には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、画素電極、コモン電極、配線等が形成されている。また、各ＴＦＴ基板１の下側は端子領域１２０であり、端子１３０が多数形成されている。また、端子領域１２０には、端子１３０と接続する配線が多数形成されている。図１は液晶表示パネルに用いられるＴＦＴ基板であるが、これは例であって、以下で説明する本発明は有機ＥＬ表示パネル等、他の表示パネルの基板にも適用することが出来る。
【００１７】
図１において、フォトマスク１０は複数のＴＦＴ基板１（以後、基板ともいう）をカバーしている。フォトマスク１０は基板の整数倍等の大きさで形成すれば、フォトマスク１０の境界における露光が不規則になる問題は軽減することが出来る。しかし、表示パネルのサイズは多種類にわたり、各サイズに合わせてフォトマスクのサイズ、あるいは、ステッパーを変えることはできない。そうすると、フォトマスク１０の境界は、基板１に形成された配線パターンの任意の場所に設定されることになる。
【００１８】
図２は、図１におけるマザー基板に多数形成されているうちの１つのＴＦＴ基板の平面図である。図２において、表示領域１００の周辺に額縁領域１１０が形成されている。額縁領域１１０には多数の配線等が存在している。図２において、表示領域１００、額縁領域１１０とは別に、端子領域１２０が形成されている。この部分には、液晶表示パネルを駆動するドライバＩＣが配置される。そして、ドライバＩＣは、額縁領域に形成された端子１３０を介して、多数の配線の少なくとも一部と接続する。
【００１９】
図３は、図２における端子領域１２０付近の拡大平面図である。図３の端子領域１２０と隣接している額縁領域１１０において、配線３０は斜め配線３５となっており、第２方向Ｙに対して傾いて延在し、端子領域１２０においては、第２方向Ｙと平行に延在している。但し、これは例であり、実際の製品では、端子領域１２０においても斜め配線が存在しても良い。
【００２０】
図３において、２点鎖線１２５は、露光境界部（以後、ショット境界部ともいう）である。図３におけるショット境界部１２５の左側と右側とでは、異なる露光となる。図３におけるショット境界部１２５より左側はフォトマスクの第１のパターンで露光され、図３におけるショット境界部１２５より右側はフォトマスクの第２のパターンで露光される。
【００２１】
図４は、図３において1点鎖線で囲まれた部分の拡大平面図である。斜め配線３５の部分では他の部分に比較して、配線間ピッチあるいは配線幅が小さくなるという問題がある。図４において、Ｌで示す矢印の方向がフォトマスクの第２のパターンによって露光され、Ｒで示す矢印の方向がフォトマスクの第１のパターンによって露光されることを示している。
【００２２】
図４において、ショット境界部１２５における露光不足を防止するために、所定の幅ｄ１だけ２重露光の部分５０（以後、２重露光部ともいう）を形成している。すなわち、この部分はオーバー露光になる。ポジレジストを使用する場合、オーバー露光となった部分は、レジストが細くなり、この部分で断線を引き起こしやすい。
【００２３】
図５は、図４の構成のショット境界部１２５のマスクパターン１１を示す平面図である。図５において、２重露光の部分５０では、マスクパターン１１の幅が他の部分よりも太くなるように補正パターン１３が形成されている。これは、２重露光によるオーバー露光を補償するためである。
【００２４】
図６は、図５のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターン２０である。なお、レジストパターン２０はそのまま配線パターンと置き換えることが出来る。２重露光部５０においても、他の部分と同様な配線パターンの幅が維持されている。
【００２５】
しかし、図６に示すような、斜め配線３５の部分における分割露光は、補正パターン１３を配線の形成方向と同様に斜め方向に形成するため、補正パターン１３の形成が難しいという問題を有している。すなわち、マスクパターンはグリッド格子を組み合わせて形成されるので、斜め方向へのわずかな量の補正パターン１３の形成には、調整に時間がかかり、マスクパターンの作図工数が大きくなる。
【００２６】
また、斜め配線３５は、配線ピッチが小さくなるので、補正パターン１３を形成すると、補正パターン１３がつながりやすくなり、配線のショートを引き起こしやすくなる。また、配線ピッチが小さい分、ショットごとの露光量のばらつきの影響を受けやすくなる。その結果、配線ピッチを大きくせざるを得なくなり、高密度に配線を形成することが出来なくなる。
【００２７】
図７は、本発明における、図３において１点鎖線で囲まれた部分の拡大平面図である。図７において、斜め配線３５の一部に、マスクと基板が相対的に移動する方向（以後、ショット移動方向という）と平行、言い換えると、第１方向Ｘと平行になっている水平配線３６を有している。この水平配線３６の長さ、つまり、水平配線３６が形成される幅はｄ２である。図７における斜め配線３５の角度θは０度以上９０度未満である。図７に示すように、水平配線３６の部分の配線ピッチＰ２は、斜め配線３５の部分の配線ピッチＰ１に比べて大きくすることが出来るので、各配線の幅も大きくすることが出来る。したがって、ショット境界部における露光量のばらつきによる影響を小さくすることが出来る。なお、本実施例において、補正パターン１３は凸部に相当し、水平配線３６は第１部分に相当し、水平配線３６と繋がっている斜め配線３５は第２部分及び第３部分に相当する。
【００２８】
図７において、Ｌで示す矢印の方向がフォトマスクの第２のパターンによって露光され、Ｒで示す矢印の方向がフォトマスクの第１のパターンによって露光されることを示している。２重露光部５０の幅はｄ１である。図７における２重露光部５０の幅ｄ１はステッパーの移動精度以上であり、具体的には２μｍ以上である。また、水平配線３６が形成される幅ｄ２は２重露光部５０の幅ｄ１よりも大きい必要がある。具体的には、ｄ１＜ｄ２であり、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは９μｍ以上である。水平配線３６が形成される幅ｄ２が大きいと配線レイアウトに支障をきたすので、水平配線３６が形成される幅ｄ２の上限は配線レイアウトの条件から決まる。
【００２９】
図８は、実施例１のショット境界部１２５のマスクパターンを示す平面図である。図８において、Ｌで示す矢印の方向がフォトマスクの第２のパターンによって露光され、Ｒで示す矢印の方向がフォトマスクの第１のパターンによって露光されることを示している。２重露光部５０には補正パターン１３が形成されている。マスクパターンピッチはＰ２であり、マスクパターン１１の幅はＷｍであり、補正パターン１３の高さはＷｒであり、マスクパターン１１とマスクパターン１１との間の最小間隔（この場合は補正パターン１３と補正パターン１３との間の間隔）はＳｍである。この場合、Ｐ２＝Ｗｍ＋２Ｗｒ＋Ｓｍである。ここで、補正パターン１３の高さＷｒは例えば０．５μｍ程度、マスクパターン１１とマスクパターン１１との間の最小間隔Ｓｍは３．０μｍ程度である。
【００３０】
図９は、図８のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターン２０の平面図である。なお、レジストパターン２０はそのまま配線パターンと置き換えることが出来る。補正パターン１３の存在によって２重露光部５０における配線パターンの幅は、２重露光部５０ではない他の部分と同じ幅になっている。つまり、２重露光部５０と２重露光部ではない部分とで、同じ幅となっている。図９に示すように、本発明によれば、２重露光部５０においても、配線パターンの幅、配線ピッチともに、２重露光部５０ではない他の部分と同じ形状を維持できるので、配線のショートあるいは断線等の問題を回避することが出来る。
【実施例２】
【００３１】
実施例１は、２重露光部５０を直線上に配置した例である。２重露光部５０を直線上に配置すると、平面視において、２重露光による問題が同一の配線の上側と下側において同じ位置で生じ、配線のショートあるいは断線等の問題を引き起こしやすくなる。
【００３２】
これに対して、本実施例では、２重露光部５０を蛇行させ、同一の配線の上側と下側とで、２重露光部５０の位置が異なるようにした。
【００３３】
図１０（ａ）〜（ｃ）は、実施例２の露光方法を示す平面図である。図１０（ａ）は、フォトマスクの第２のパターンを示す平面図である。図１０（ａ）において、左側が遮光部１２であり、右側が通常に露光される配線のためのマスクパターン１１である。図１０（ａ）において、２重露光の部分５０は蛇行している。すなわち、２重露光される位置は、同一の配線の上側と下側とで異なっている。配線の上側を２重露光する第１の部分と配線の下側を２重露光する第２の部分は、ショット移動方向、つまり、第１方向Ｘにｄ３だけずれている。すなわち、ｄ３は２重露光部の蛇行幅である。この２重露光部５０の蛇行幅ｄ３は、２重露光部の幅ｄ１より大きく、２倍以上であることが好ましい。さらに、２重露光部の蛇行幅ｄ３は、図６に示す水平配線３６が形成される幅ｄ２より小さい。
【００３４】
第１の部分と第２の部分には、配線細りを対策するための補正パターン１３が形成されている。第１の部分と第２の部分との間の部分、つまり、水平配線３６と平行な部分も２重露光されるが、この部分は、光の回折を防止するために、配線パターンに対応するマスクパターン１１に重なるように形成されている。
【００３５】
図１０（ｂ）は、フォトマスクの第１のパターンを示す平面図である。図１０（ｂ）において、右側が遮光部１２であり、左側が通常に露光される配線のためのマスクパターン１１である。図１０（ｂ）において、２重露光の部分５０は蛇行している。すなわち、配線の上側を２重露光する第１の部分と配線の下側を２重露光する第２の部分は、ショットの移動方向、つまり、第１方向Ｘにｄ３だけずれている。
【００３６】
図１０（ａ）と同様に、第１の部分と第２の部分には、配線細りを対策するための補正パターン１３が形成されている。第１の部分と第２の部分との間の部分、つまり、水平配線３６と平行な部分も２重露光されるが、この部分は、光の回折を防止するために、配線パターンに対応するマスクパターン１１に重なるように形成されている。
【００３７】
図１０（ｃ）は、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）で示すフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターン２０である。なお、レジストパターン２０はそのまま配線パターンと置き換えることが出来る。図１０（ｃ）において、２重露光部５０における第１の部分と第２の部分は、２重露光されない他の部分と同様な配線パターンの幅が維持されている。一方、２重露光がショット移動方向と平行な方向、つまり第１方向Ｘに延在する領域では、配線パターンが片側だけ太くなっている。
【００３８】
この配線パターンが太くなっている部分は、２重露光部５０を蛇行させる際に、第１の部分と第２の部分との間の２重露光部５０を配線パターンに対応するマスクパターン１１の上に形成しやすくして、光の回折によるパターニングへの影響を軽減するためである。本実施例では、２重露光する部分５０は水平配線３６に重なるように形成され、配線ピッチが斜め配線３５の部分と比較して大きいため、片側の配線の太りによる影響は少ない。
【００３９】
補正パターン１３が形成されていない側では、多少の配線の細りが生ずるが、補正パターン１３によって配線が太っている側と合わせて、配線パターンの太さは、最低でも、２重露光されない部分の配線パターンの幅と同じにすることが出来る。なお、本実施例において、補正パターン１３が形成されていない側において、多少の配線の細りが生じている部分は凹部に相当する。
【００４０】
図１１は、実施例２の他の形態のショット境界部のマスクパターンを示す平面図である。図１１において、Ｌで示す矢印の方向がフォトマスクの第２のパターンによって露光され、Ｒで示す矢印の方向がフォトマスクの第１のパターンによって露光されることを示している。パターンピッチはＰ２であり、マスクパターン１１の幅はＷｍであり、補正パターン１３の高さはＷｒであり、マスクパターン１１とマスクパターン１１との間の最小間隔、つまり、補正パターン１３間の間隔はＳｍである。この場合、Ｐ２＝Ｗｍ＋２Ｗｒ＋Ｓｍである。
【００４１】
図１１においては、２重露光部５０に対応する位置に補正パターン１３が形成されている。図１１の補正パターン１３は、図１０と異なり、補正パターン１３の幅が２重露光部５０の幅と同じである。すなわち、第１方向Ｘにおいて、補正パターン１３のパターン幅を大きくしていない。
【００４２】
図１２は、図１１のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターン２０の平面図である。なお、レジストパターン２０はそのまま配線パターンと置き換えることが出来る。補正パターン１３の存在によって、２重露光部５０における配線パターンの幅は、他の部分と同じ幅になっている。また、図１２では、図１０（ｃ）と異なり、２重露光部５０が第１方向Ｘに延在する領域で、配線パターンが太くなっている部分は存在しない。この場合、ステッパーの精度によっては、２重露光部５０における光の回折による影響が出やすくなるが、配線のショート等の問題は起こりにくくなる。
【００４３】
図１３は、実施例２のさらに他の形態のショット境界部のマスクパターンを示す平面図である。図１３におけるフォトマスクの配置、マスクパターンのピッチ等は図１１で説明したのと同様である。図１３が図１１と異なる点は、補正パターン１３がマスクパターン１１の片側に２重露光部５０と同じ幅で、２重露光５０の蛇行幅と同等の間隔をおいて２か所に形成されている点である。
【００４４】
図１４は、図１３のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターン２０の平面図である。なお、レジストパターン２０はそのまま配線パターンと置き換えることが出来る。図１４の２重露光部５０において、補正パターン１３が形成されていない側では、配線の細りが生ずるが、配線パターンの他の側において、補正パターン１３が存在するので、配線の太さは、最低でも、２重露光されない部分の配線パターンの幅と同じにすることが出来る。さらに、図１４では、図１０の場合と比較して、補正パターン１３の幅が小さい分、配線ショートの確率が小さくなる。
【００４５】
図１５は、実施例２のさらに他の形態のショット境界部のマスクパターンを示す平面図である。図１５におけるフォトマスクの配置、マスクパターンのピッチ等は図１１あるいは図１３で説明したのと同様である。図１５が図１３と異なる点は、補正パターン１３が、２重露光部５０と同じ幅で、２重露光部５０と重なる位置、つまり、第１の部分と第２の部分に補正パターン１３が形成されているマスクパターン１１と、第１の部分と第２の部分の反対側に補正パターン１３が形成されているマスクパターン１１とが交互に配置されている点である。
【００４６】
図１６は、図１５のフォトマスクを用いて露光した場合のレジストパターン２０の平面図である。なお、レジストパターン２０はそのまま配線パターンと置き換えることが出来る。図１６において、２重露光部５０において、補正パターン１３が形成されていない側では、配線の細りが生ずるが、その反対側では、補正パターン１３が存在するので、配線の太さは、最低でも、２重露光されない部分の配線パターンの幅と同じにすることが出来る。また、図１６では、図１０の場合と比較して、補正パターン１３の幅が小さい分、配線ショートの確率が小さくなる。さらに、図１６では、図１１の場合と比較して、マスクパターン１１とマスクパターン１１との間の最小間隔Ｓｍが広い分、配線ショートの確率が小さくなる。
【実施例３】
【００４７】
実施例１および実施例２では、配線が１層に形成されている場合について説明したが、本発明は多層配線の場合にも適用することが出来る。多層配線の場合も、各層について、実施例１あるいは実施例２で説明したようなフォトマスクを用いて露光をすることが出来る。
【００４８】
図１７（ａ）は、図３の斜め配線３５が１層である場合の配線の平面図であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＡ−Ａの断面図である。図１７（ｂ）において、基板４０の上に配線３０が形成され、その上を第１絶縁膜４１が覆っている。図１８（ａ）は、図３の斜め配線３５が２層である場合の平面図であり、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＢ−Ｂの断面図である。図１８（ｂ）において、基板４０の上に下側の配線３１が形成され、その上を第１絶縁膜４１が覆っている。さらに、第１絶縁膜４１の上に上側の配線３２が形成され、その上を第２絶縁膜４２が覆っている。図１８においては、下側の配線３１の間を上側の配線３２が形成されている。図１９（ａ）は、図３の斜め配線３５が２層である場合の他の形態を示す平面図であり、図１９（ｂ）は、図１９（ａ）のＣ−Ｃの断面図である。図１９（ｂ）において、基板４０の上に下側の配線３１が形成され、その上を第１絶縁膜４１が覆っている。さらに、第１絶縁膜４１の上に上側の配線３２が形成され、その上を第２絶縁膜４２が覆っている。図１９においては、下側の配線３１と上側の配線３２とが重なるように形成されている。
【００４９】
図１８、図１９の場合において、上側の配線３２、下側の配線３１のいずれの配線においても、実施例１および実施例２で説明したような露光方法を採用することが出来る。あるいは、図２０に示すように、下側の配線３１と上側の配線３２において、ショット境界部１２５におけるマスクパターンを変えることも出来る。
【００５０】
図２０は、下側の配線３１の露光方法を示す平面図である。上側の配線３１は、図１０と同じ方法で露光される。図２０は、２重露光部の蛇行幅ｄ４が、図１０における２重露光部の蛇行幅ｄ３よりも小さい点を除いては図１０と同じである。
【００５１】
図２０では、下側の配線３１の２重露光部５０の蛇行幅が上側の配線３２の２重露光部５０の蛇行幅よりも大きい場合であるが、逆に下側の配線３１の２重露光部５０の蛇行幅が上側の配線３２の２重露光部５０の蛇行幅よりも小さい場合にも全く同様に本発明を適用することが出来る。さらに、下側の配線３１と上側の配線３２について、独立なフォトマスクを用いる場合はショット境界部１２５の位置を変えることも可能である。なお、本実施例において、２重露光部の蛇行幅ｄ３は第１幅に相当し、２重露光部の蛇行幅ｄ４は第２幅に相当する。
【００５２】
以上の説明では、ショット移動方向が水平方向、つまり、第１方向Ｘとして説明したが、ショット移動方向が垂直方向、つまり、第２方向Ｙであっても、同様である。また、以上の説明では、レジストはポジ型であるとして説明したが、ネガ型の場合も同様である。ポジ型の場合にレジスト太りが生じた部分は、ネガ型の場合はレジスト細りになり、ポジ型の場合にレジスト細りが生じた部分は、ネガ型の場合はレジスト太りになると考えればよい。また、本発明は、液晶表示パネルのみでなく、有機ＥＬ表示パネルについても適用することが出来る。
【符号の説明】
【００５３】
１…ＴＦＴ基板、  １０…フォトマスク、  １１…マスクパターン、  １２…遮光部、  １３…補正パターン、  ２０…レジストパターン、  ３０…配線、  ３１…下側の配線、  ３２…上側の配線、  ３５…斜め配線、  ３６…水平配線、  ４０…基板、  ４１…第１絶縁層、  ４２…第２絶縁層、  ５０…２重露光部、  １００…表示領域、  １１０…額縁領域、  １２０…端子領域、  １２５…ショット境界部、  １３０…端子、  ２００…液晶セル、  Ｒ…フォトマスクの第１のパターン、  Ｌ…フォトマスクの第２のパターン、  ｄ１…２重露光部の幅、  ｄ２…水平配線が形成される幅、  ｄ３…２重露光部の蛇行幅、  ｄ４…２重露光部の蛇行幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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