(57)【要約】【課題】ＥＵＶ光を利用したＥＵＶリソグラフィにおいて、回路パターンのコントラストを向上させて転写性能を向上させた反射型マスクを提供する。更に遮光枠を形成する事無く、ウェハ転写時の多重露光の影響を低減した反射型マスクを提供する。【解決手段】基板と、基板上にリソグラフィ用として波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の光（以下、ＥＵＶ光（極端紫外光）と呼ぶ）を含む露光光を反射する多層反射層と、多層反射層上に特定波長に対して発熱する発熱層と、発熱層上に露光光を吸収する吸収層から成り、吸収層および発熱層に回路パターンを形成した後に発熱層を発熱させ、発熱層下部の多層反射層にミキシングを発生させて、ＥＵＶ光反射率を低減する機能を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にリソグラフィ用として波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の光であるＥＵＶ光を含む露光光を反射する多層反射層を形成し、上記多層反射層上に特定波長に対して発熱する発熱層を形成し、上記発熱層上に露光光を吸収する吸収層を形成し、
上記吸収層および上記発熱層に回路パターンを形成した後に、上記発熱層を発熱させることで、上記発熱層下部の上記多層反射層にミキシングを引き起こして、ＥＵＶ光反射率を低減するミキシング層を形成することを特徴とする反射型マスクの作製方法。
【請求項２】
上記発熱層は、特定波長に対して発熱する磁性体材料を含むことを特徴とする請求項１に記載した反射型マスクの作製方法。
【請求項３】
上記発熱層は、特定波長に対し発熱する材料を含む材料を用いて、スパッタリングまたは塗布処理によって上記多層反射層上に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載した反射型マスクの作製方法。
【請求項４】
上記発熱層の層厚を０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲で形成することを特徴とする請求項３に記載した反射型マスクの作製方法。
【請求項５】
上記発熱層は、マイクロ波〜ミリ波の範囲に存在する電磁波を受けて発熱する材料から構成されることを特徴とする請求項１に記載した反射型マスクの作製方法。
【請求項６】
上記発熱層の発熱は、上記発熱層の温度が少なくとも１５０度以上まで昇温するように発熱させること特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載した反射型マスクの作製方法。
【請求項７】
上記ミキシング層は、上記吸収層上部から測定したＥＵＶ光反射率が０％以上０．１％以下となっていることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載した反射型マスクの作製方法。
【請求項８】
基板と、上記基板上に形成され、リソグラフィ用として波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の光であるＥＵＶ光を含む露光光を反射する多層反射層と、上記多層反射層上に形成され、特定波長に対して発熱する発熱層と、上記発熱層上に形成され、露光光を吸収する吸収層とを有し、
上記吸収層および上記発熱層に回路パターンが形成されると共に、
上記発熱層下部の上記多層反射層部分に対しＥＵＶ光反射率を低減するミキシング層が形成されていることを特徴とする反射型マスク。
【請求項９】
上記発熱層は、特定波長に対して発熱する材料を含むことを特徴とする請求項８に記載した反射型マスク。
【請求項１０】
上記発熱層の層厚は０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載した反射型マスク。
【請求項１１】
上記発熱層は、マイクロ波以上ミリ波以下に存在する電磁波を受けて発熱する材料から構成されることを特徴とする請求項８に記載した反射型マスク。
【請求項１２】
上記ミキシング層は、上記吸収層上部から測定したＥＵＶ光反射率が０％〜０．１％となっていることを特徴とする請求項８〜請求項１１のいずれか１項に記載した反射型マスク。
【請求項１３】
基板と、上記基板上に形成され、リソグラフィ用として波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の光であるＥＵＶ光を含む露光光を反射する多層反射層と、上記多層反射層上に形成され、特定波長に対して発熱する発熱層と、上記発熱層上に形成され、露光光を吸収する吸収層とを有し、上記発熱層は、特定波長に対して発熱する材料を含むことを特徴とする反射型マスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ；ＥＵＶ）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用される、反射型マスク及びその作製方法に関する技術である。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは、光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。またＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値である。このため、ＥＵＶリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクとも呼ぶ）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスク（反射型マスク）とする必要がある。
【０００３】
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層とがこの順に形成されて構成され、吸収層に回路パターンが形成される。反射型マスクブランクから反射型マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術により吸収層を部分的に除去し、吸収部と反射部からなる回路パターンを形成する。このように作製された上記反射型マスクによって反射された光像が、反射光学系を経て半導体基板上（以下ウェハとも呼ぶ）に転写される。
【０００４】
反射光学系を用いた露光方法では、露光光が、マスク面に対し、垂直方向から所定角度傾いた入射角（通常６°）で照射されるため、吸収層の層厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまう。そして、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンのエッジ部でのぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射型マスクの原理的課題の一つとなっている。
このようなパターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれを防ぐためには、吸収層の層厚を小さくし、パターンの高さを低くすることが有効であるが、吸収層の層厚が小さくなると、吸収層における遮光性が低下して、転写コントラストが低下し、転写パターンの精度低下となる。つまり吸収層を薄くし過ぎると、転写パターンの精度を保つために必要なコントラストが得られなくなってしまう。そこで、現在は吸収層の膜厚が概ね５０〜９０ｎｍの間になっており、ＥＵＶ光の吸収層での反射率は０．５〜２％程度である。
【０００５】
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。このとき、隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これは、生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、場所により複数回（最大で４回）に渡り露光（多重露光）されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。しかしながら、上述したように吸収層上でのＥＵＶ光の反射率は０．５〜２％程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。このため、マスク上のチップ外周部は通常の吸収層よりもＥＵＶ光の遮光性の高い領域（以下遮光枠）の必要性が出てきた。
【０００６】
このような問題を解決するために、反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することや、回路パターン領域の吸収層の層厚よりも厚い層を形成することや、反射型マスク上にレーザー照射もしくはイオン注入することで多層反射層の反射率を低下させることにより、露光光源波長に対する遮光性の高い遮光枠を設けた反射型マスクが提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２１２２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、マスクパターン作成後の多層反射層の掘り込みとして、材質の異なるＳｉの層とＭｏの層とからなる合計８０層を加工する必要があり、ドライエッチングにおいて実現させるには非常に複雑な条件が必須となる。また、メインパターンのエッチングとは別に、２度に分けてリソグラフィとエッチングを行う必要があり、スループットの悪化が懸念される。
【０００９】
また、遮光枠だけではなく回路パターン部分における吸収層からのＥＵＶ光反射により、多層反射層部分と吸収層とのコントラスト低下を招き、回路パターンの転写性を低下させる事も懸念される。
本発明は、上記のような点に着目したもので、より簡易に、多層反射層からの反射率を低下させることが可能な反射型マスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
発明者は、吸収層と多層反射層の間に磁性体材料から成る発熱層を成層し、回路パターンを作る際に吸収層と同時にエッチングによって除去する。その後、マイクロ波またはミリ波にて発熱層を加熱し、近接する多層反射層にミキシングを引き起こして吸収層のＥＵＶ光反射率を大幅に低下させるミキシング層を形成することで、遮光枠箇所においてはその吸収層におけるＥＵＶ反射率を大幅に低下させる効果を奏し、遮光枠を形成せずとも多重露光の影響度を低減可能である、との知見を得た。
【００１１】
また、回路パターン箇所においても吸収層におけるＥＵＶ反射率を大幅に低下させる効果を奏し、多層反射層とのコントラストを増加させ、回路パターンの転写性向上が期待出来るとの知見も得た。
【００１２】
そして、課題を解決するために、本発明の一態様である反射型マスクの作製方法は、基板上にリソグラフィ用として波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の光であるＥＵＶ光を含む露光光を反射する多層反射層を形成し、上記多層反射層上に特定波長に対して発熱する発熱層を形成し、上記発熱層上に露光光を吸収する吸収層を形成し、上記吸収層および上記発熱層に回路パターンを形成した後に、上記発熱層を発熱させることで、上記発熱層下部の上記多層反射層にミキシングを引き起こして、ＥＵＶ光反射率を低減するミキシング層を形成することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の一態様である反射型マスクは、基板と、上記基板上に形成され、リソグラフィ用として波長５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の光であるＥＵＶ光を含む露光光を反射する多層反射層と、上記多層反射層上に形成され、特定波長に対して発熱する発熱層と、上記発熱層上に形成され、露光光を吸収する吸収層とを有し、上記吸収層および上記発熱層に回路パターンが形成されると共に、上記発熱層下部の上記多層反射層部分に対しＥＵＶ光反射率を低減するミキシング層が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様によれば、多層反射層と吸収層の間に特定波長に対して発熱する発熱層を設けて、回路パターン形成後にマイクロ波やミリ波などの特定波長の電磁波を照射する事によって、多層反射層に、ミキシングを引き起こしてミキシング層を形成する。この結果、本発明の一態様によれば、吸収層回路パターンおよびマスク外周の遮光枠部分におけるＥＵＶ光反射率を限りなくゼロに出来る。
以上のことから、本発明の反射型マスクを用いることで、ウェハ転写時における回路パターンのコントラストを向上させて、転写性能を向上させる事が出来る、また現在遮光枠は掘り込み型が主流となっているが、必ずしも遮光枠を形成する必要が無くなる為、位置精度、検査性、異物の発生等の遮光枠形成による様々な問題を回避し、工程の短縮にも繋がることからＥＵＶマスク作製のスループット向上および良品率改善に貢献する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に基づく実施形態に係る反射型マスクブランクおよび反射型マスクの構造の概略断面図である。
【図２】本発明に基づく実施形態に係る反射型マスクブランクおよび反射型マスクの構造の概略断面図である。
【図３】本発明に基づく実施形態に係る発熱層効果の説明図である。
【図４】実施例１における反射型マスクの構造の概略断面図である。
【図５】実施例２における反射型マスクの構造の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（本発明の反射型マスクの構成）
以下、本発明に基づく実施形態について図面を参照しながら説明する。
ここで、図面は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率等は現実のものとは異なる。
また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造等が下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【００１７】
まず、本実施形態の反射型マスクブランク及び反射型マスクの構成について説明する。
図１（ａ）および図２（ａ）は、本実施形態の反射型マスクブランクの断面の例を示している。本発明のマスクブランクの構成は、図１（ａ）や図２（ａ）に示す構成に限定されない。
【００１８】
＜第１の実施形態の反射型マスクブランク及び反射型マスク＞
第１の実施形態について図１を参照して説明する。
反射型マスクブランク１００は、図１（ａ）に示すように、基板１１１の表面に、多層反射層１２１、発熱層１３１、吸収層１４１がこの順に形成されて構成される。
反射型マスク２００は、図１（ｂ）に示すように、反射型マスクブランク１００にフォトリソグラフィー技術を用いて、回路パターニングを施したものであり、エッチングにて吸収層１４１および発熱層１３１の一部を除去した状態を示している。
続いて、図１（ｃ）に示す反射型マスク３００は、反射型マスク２００に対して、基板１１１上面側からマイクロ波またはミリ波により、発熱層１３１を昇温させた状態を示している。
【００１９】
最後に図１（ｄ）に示す反射型マスク４００は、反射型マスク３００で十分にマイクロ波またはミリ波を照射した後の反射型マスクであり、発熱層１３１の昇温により、多層反射層１２１の上部が熱伝導により昇温してミキシングを引き起こして、ミキシング層１５１が発生した状態を示している。
なお、回路パターンＡにおいてミキシング層１５１が発生する箇所は、発熱層１３１をエッチングにて除去していない箇所、つまり吸収層１４１と発熱層１３１を回路パターンＡとして残している箇所に限る。これにより、回路パターンＡにおいて、ＥＵＶ反射率が高い多層反射層１２１の箇所とＥＵＶ反射率が低い吸収層１４１および発熱層１３１およびミキシング層１５１の箇所を選択的に作製する事ができる。この結果、ＥＵＶ光のコントラストを大きく出来る事から、転写性の向上が見込める構造体（マスク）となる。更に、遮光枠領域において、ＥＵＶ反射率が低い吸収層１４１および発熱層１３１およびミキシング層１５１の箇所を作製する事もできる。この結果、掘り込み型遮光枠を作製すること無く、遮光枠としての機能を十分に果たすことが可能な構造体（マスク）となる。
【００２０】
＜第２の実施形態の反射型マスクブランク及び反射型マスク＞
第２の実施形態について図２を参照して説明する。
反射型マスクブランク１０１は、図２（ａ）に示すように、基板１１１の表面に、多層反射層１２１、発熱層１３１、吸収層１４１がこの順に形成されて構成される。
このとき、発熱層１３１については、マスキング技術等を用いて、反射型マスクブランク外周部分の遮光枠領域のみに形成している。
反射型マスク２０１は、図２（ｂ）に示すように、反射型マスクブランク１０１にフォトリソグラフィー技術を用いて、回路パターニングを施したものであり、エッチングにて吸収層１４１を部分的に除去した状態を示している。図１（ｂ）と比較すると、回路パターンＡ領域には発熱層１３１は存在していない為、エッチングは吸収層１４１のみで良い。
【００２１】
続いて、図２（ｃ）に示す反射型マスク３０１は、反射型マスク２０１に対して、基板上面側からマイクロ波またはミリ波により、発熱層１３１を昇温させた状態を示している。
最後に図２（ｄ）に示す反射型マスク４０１は、反射型マスク３０１で十分にマイクロ波またはミリ波を照射した後の反射型マスクであり、発熱層１３１の昇温により多層反射層１２１の上部が熱伝導により昇温してミキシングを引き起こして、ミキシング層１５１が発生した状態を示している。これにより、遮光枠領域において、ＥＵＶ反射率が低い吸収層および発熱層およびミキシング層の箇所を作製する事ができる。この結果、掘り込み型遮光枠を作製すること無く遮光枠としての機能を十分に果たす事が可能な構造体（マスク）となる。
【００２２】
＜発熱層の効果＞
回路パターンＡにおける本実施形態の発熱層１３１の効果について、図３を参照して更に詳しく説明する。
図３（ａ）に示す反射型マスク５００は、回路パターンＡの一部を示しており、発熱層を有していない既存の反射型マスクである。この反射型マスクに対してウェハ転写時にＥＵＶ光３１１が入射されると、多層反射層１２１では６５％程度のＥＵＶ反射光３２１が発生しウェハへ入射する。一方、吸収層１４１では吸収層を透過して多層反射層１２１にて反射したＥＵＶ反射光３２１は２％程度となり、こちらもウェハへ入射する。
【００２３】
図３（ｂ）に示す反射型マスク６００は、回路パターンＡの一部を示しており、本実施形態の発熱層１３１を有している反射型マスクである。この反射型マスクに対してウェハ転写時にＥＵＶ光３１１が入射されると、多層反射層１２１では６５％程度のＥＵＶ反射光３２１が発生しウェハへ入射する。一方、吸収層１４１および発熱層１３１およびミキシング層１５１では、吸収層１４１および発熱層１３１を透過してミキシングを起こした多層反射層上部のミキシング層１５１にてＥＵＶ光の反射がほとんど得られない為、ＥＵＶ反射光３２１は０．１％程度となり、こちらもウェハへ入射する。
以上の結果から、図３（ａ）の構造のマスクよりも（ｂ）の構造のマスクの方が吸収層１４１下部における多層反射層１２１からの反射ＥＵＶ光を抑える事が出来る。このように本発明に基づく反射型マスクの方が、コントラストが大きく得られる事からパターンの転写性が向上する効果を奏する。
【００２４】
ここで、発熱層１３１は、特定波長に対して発熱する磁性体材料やマイクロ波〜ミリ波の範囲に存在する電磁波を受けて発熱する材料を含むことが好ましい。
具体的には、発熱層１３１を構成する材料の例は、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｐｂ、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｎなどの金属またはその酸化物、もしくは特定波長に対して発熱するその他材料を用い、スパッタリングまたは塗布技術を用いて成層する。
また、発熱層１３１は、特定波長に対し発熱する材料を含む材料を用いて、スパッタリングまたは塗布処理によって多層反射層１２１上に形成することが好ましい。
【００２５】
また、発熱層１３１の層厚を０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲で形成することが好ましい。その理由は、発熱効果が得られ、かつ吸収膜厚が大きくならずにシャドーイングの影響が出ないようにする為である。
また、発熱層１３１の発熱は、発熱層１３１の温度が少なくとも１５０度以上まで昇温するように発熱させることが好ましい。
その理由は多層反射層に十分にミキシングを発生させられるようにする為である。また、発熱層１３１の昇温の上限値は吸収層および発熱層が融解しない温度である。
また、ミキシング層１５１は、吸収層１４１上部から測定したＥＵＶ光反射率が０％以上０．１％以下となっていることが好ましい。
その理由は、ウェハ露光時のコントラストを向上させ、解像性向上が見込める為である。
【００２６】
以上のように、本実施形態によれば、多層反射層１２１と吸収層１４１の間に特定波長に対して発熱する発熱層１３１を設けて、回路パターンＡを形成後にマイクロ波やミリ波などの特定波長の電磁波を照射する事によって、多層反射層１２１に、ミキシングを引き起こしてミキシング層１５１を形成する。この結果、本実施形態によれば、吸収層回路パターンおよびマスク外周の遮光枠部分におけるＥＵＶ光反射率を限りなくゼロに出来る。
これらのことから、本実施形態の反射型マスクを用いることで、ウェハ転写時における回路パターンのコントラストを向上させて、転写性能を向上させる事が出来る、また現在遮光枠は掘り込み型が主流となっているが、必ずしも遮光枠を形成する必要が無くなる為、位置精度、検査性、異物の発生等の遮光枠形成による様々な問題を回避し、工程の短縮にも繋がることからＥＵＶマスク作製のスループット向上および良品率改善に貢献する。
【実施例】
【００２７】
＜実施例１＞
（マスクブランク製造方法の実施例）
以下、本発明の反射型マスク４００の製造方法の実施例を図４を参照して説明する。
図４（ａ）に低熱膨張ガラス基板１１１を示す。ガラス基板１１１上に波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６５％程度となるように設計されたＭｏの層とＳｉの層とからなる４０ペア（合計２８０ｎｍ）の多層反射層１２１を図４（ｂ）のように積層した。続いてＴｉＯ２からなる発熱層１３１とＴａＮからなる吸収層１４１をスパッタリング装置により形成した（図４（ｃ））。このときの発熱層１３１と吸収層１４１の層厚はそれぞれ５ｎｍ、５０ｎｍとした。
【００２８】
（マスクブランクへのパターニングの実施例）
次いで、上記のように作製した図４（ｃ）の反射型マスクブランクから、図４（ｄ）の反射型マスクを作製した。
その作製方法を示す。図４（ｃ）の反射型マスクブランクに対してポジ型化学増幅レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学社製）を１５０ｎｍの層厚に塗布し、電子線描画機（ＪＢＸ３０４０：日本電子社製）によって所定のパターンに描画し、その後１１０℃、１０分のＰＥＢおよびスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）をして、レジストパターンを形成した。
【００２９】
次に、図４（ｄ）のように、ドライエッチング装置を用いて、ＣＦ４プラズマとＣｌ２プラズマにより吸収層１４１を、ＣＦ４プラズマにより発熱層１３１をエッチングした。その後、残ったレジストパターンを剥離・洗浄・乾燥し、吸収層１４１および発熱層１３１に回路パターンＡを有する反射型マスクを作製した。
【００３０】
次に、図４（ｄ）の反射型マスクに対して、図４（ｅ）のように、マスク上部から波長１ｍｍかつ周波数３００ＧＨｚのミリ波２１１を３０秒間照射した。その結果、図４（ｆ）の多層反射層１２１の上部４０ｎｍをミキシング状態にしたミキシング層１５１を有した、本発明に基づく反射型マスクを作製した。
＜実施例２＞
【００３１】
（マスクブランク製造方法の実施例）
以下、本実施形態の反射型マスク４０１の製造方法の実施例を図５を参照して説明する。
図５（ａ）に本実施例で用意した低熱膨張ガラス基板１１１を示す。ガラス基板１１１上に波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６５％程度となるように設計されたＭｏの層とＳｉの層とからなる４０ペア（合計２８０ｎｍ）の多層反射層１２１を図５（ｂ）のように積層した。続いてＴｉＯ２からなる発熱層１３１とＴａＮからなる吸収層１４１をスパッタリング装置により形成した（図５（ｃ））。
なお、発熱層１３１のスパッタリング時に、図５（ｂ）の基板１１１上面に基板中心を保護するようマスキングを施すことで、基板外周部分にのみ発熱層１３１を設けた、図５（ｃ）の反射型マスクブランクを得た。このときの発熱層１３１と吸収層１４１の層厚はそれぞれ５ｎｍ、５０ｎｍとした。
【００３２】
（マスクブランクへのパターニングの実施例）
次いで、上記のように作製した図５（ｃ）の反射型マスクブランクから図５（ｄ）の反射型マスクを作製した。
その作製方法を示す。図５（ｃ）の反射型マスクブランクに対してポジ型化学増幅レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学社製）を１５０ｎｍの層厚に塗布し、電子線描画機（ＪＢＸ３０４０：日本電子社製）によって所定のパターンに描画し、その後１１０℃、１０分のＰＥＢおよびスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）をして、レジストパターンを形成した。
【００３３】
次に、図５（ｄ）のように、ドライエッチング装置を用いて、ＣＦ４プラズマとＣｌ２プラズマにより吸収層１４１を、ＣＦ４プラズマにより発熱層１３１をエッチングした。その後、残ったレジストパターンを剥離・洗浄・乾燥し、吸収層１４１および発熱層１３１に回路パターンＡを有する反射型マスクを作製した。
【００３４】
次に、図５（ｄ）の反射型マスクに対して、図５（ｅ）の通りマスク上部から波長１ｍｍかつ周波数３００ＧＨｚのミリ波２１１を６０秒間照射した。その結果、図５（ｆ）の多層反射層１２１の上部８０ｎｍをミキシング状態にしたミキシング層１５１を有した本発明に基づく反射型マスクを作製した。
＜評価＞
【００３５】
（遮光枠と裏面導電層除去部作成の実施例）
上記実施例１及び実施例２にて作製した図４（ｆ）、図５（ｆ）の各反射型マスクにおける発熱層１３１を含む箇所のＥＵＶ光反射率を調べた所、表１の通りであった。
【００３６】
【表１】
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【００３７】
表１から分かるように、図４（ｆ）の反射型マスク４００はＥＵＶ光反射率が０．１％、図５（ｆ）の反射型マスク４０１はＥＵＶ光反射率が０．０１％となり、本発明に基づく反射型マスクは、ＥＵＶ光反射率の低減に成功していることが分かる。
【符号の説明】
【００３８】
１００・・・反射型マスクブランク
２００・・・反射型マスク
３００・・・昇温中反射型マスク
４００・・・ミキシング済み反射型マスク
１０１・・・反射型マスクブランク
２０１・・・反射型マスク
３０１・・・昇温中反射型マスク
４０１・・・ミキシング済み反射型マスク
５００・・・既存反射型マスクの回路パターンＡ拡大図
６００・・・反射型マスクの回路パターンＡ拡大図
１１１・・・基板  
１２１・・・多層反射層
１３１・・・発熱層  
１４１・・・吸収層  
１５１・・・ミキシング層
Ａ・・・回路パターン
２１１・・・マイクロ波またはミリ波
３１１・・・入射ＥＵＶ光
３１２・・・反射ＥＵＶ光
【図１】
2017223729.tif 000004
【図２】
2017223729.tif 000005
【図３】
2017223729.tif 000006
【図４】
2017223729.tif 000007
【図５】
2017223729.tif 000008