(57)【要約】【課題】ＳｉＯ２粒子を用いた光ファイバ母材の製造において、粒子層における空隙の発生を抑制し、高品質の光ファイバ母材を製造する。【解決手段】光ファイバ母材の製造方法は、フィルタ配置工程と粒子層形成工程と気体処理工程とを含み、フィルタ（３）は、気体を通過させ、かつ、ＳｉＯ２粒子を通過さない、ＳｉＯ２から成る綿状体である。【選択図】図１
2017007899.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端が開口した石英管にフィルタを配置するフィルタ配置工程と、
前記石英管内にて前記フィルタに接してＳｉＯ２粒子を含む粒子層を形成する粒子層形成工程と、
（ａ）前記石英管内を真空引きする真空処理工程、又は、（ｂ）前記粒子層から不純物を除去するための又は前記粒子層にドーパントを導入するためのガスを前記粒子層に流すガス処理工程である、気体処理工程と、を含み、
前記フィルタは、気体を通過させ、かつ、前記ＳｉＯ２粒子を通過さない、ＳｉＯ２から成る綿状体であることを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
【請求項２】
前記フィルタは、石英ウールであることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ母材の製造方法。
【請求項３】
前記粒子層形成工程と前記気体処理工程との間に、前記粒子層を前記フィルタとの間で挟み込む他のフィルタを前記石英管に配置する他のフィルタ配置工程を更に含み、
前記他のフィルタは、気体を通過させ、かつ、前記ＳｉＯ２粒子を通過さない、ＳｉＯ２から成る綿状体であることを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ母材の製造方法。
【請求項４】
前記粒子層を加熱してガラス化する加熱工程を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光ファイバ母材の製造方法。
【請求項５】
前記ガス処理工程では、前記ガスは、酸素、塩素、ヘリウム、及びフッ素のいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光ファイバ母材の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の光ファイバ母材の製造方法により製造された光ファイバ母材。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか１項に記載の光ファイバ母材の製造方法を用いて光ファイバ母材を製造する工程と、
前記光ファイバ母材を加熱により線引きする線引工程と、を含むことを特徴とする光ファイバの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ母材の製造方法、光ファイバ母材、及び光ファイバの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
容器内にＳｉＯ２粒子を詰めて加熱によりガラス化させて光ファイバ母材（プリフォーム）を製造する技術がある。例えば、特許文献１では、石英管にＳｉＯ２粒子を詰めて、ガス処理及び熱処理による不純物除去後に、熱処理してＳｉＯ２粒子同士を溶融させてガラス化させる。また、特許文献２，３では、容器内にてコアとなるガラスロッドの周囲に上記技術を用いてクラッドガラスを製造する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許ＵＳ８，７２０，２３０Ｂ２（２０１４年５月１３日登録）
【特許文献２】特表２０１２−５０３５９０（２０１２年２月９日公表）
【特許文献３】特開２０１４−８４２５７（２０１４年５月１２日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、石英管にＳｉＯ２粒子を詰めて粒子層とする場合、粒子層の上面または下面、あるいはその両方に、不純物を除去するためのガスを通し、かつ、ＳｉＯ２粒子を通さないフィルタであって、耐熱性を有するフィルタを配置する必要がある。このようなフィルタとして、例えばセラミックの多孔質体等を用いることが考えられる。しかしながら、セラミックのような硬い物質を配置する場合、製造する石英管の大きさやガスを導通する孔の大きさに合せて、その形やサイズを変更しなくてはならない。
【０００５】
さらに、図５に示すように、粒子層２０の下面とセラミックスのような硬いフィルタ３０とが接していると、粒子層２０と硬いフィルタ３０との境界面（粒子層の下面）には、ＳｉＯ２粒子の大きさ程度あるいはそれ以上の大きさの空隙４０が発生しやすくなる。このような空隙４０は、石英管１０を振動させたりしても、容易に除去できるものではない。また、粒子層２０の境界面付近にある空隙４０が、例えば、粒子を詰めた石英管１０の移動や加熱装置への取付けによる振動などにより、粒子層２０の内部へと移動していく可能性がある。空隙４０が存在する状態で粒子層２０を加熱し一体化すると、一体化したガラス内に気泡が生じたり、ガラス径が不均一になったりする原因になる。よって、低品質の光ファイバ母材が製造され、それにより信頼性の低い光ファイバが出来上がってしまう。
【０００６】
そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＳｉＯ２粒子を用いた光ファイバ母材の製造において、粒子層における空隙の発生を抑制し、高品質の光ファイバ母材を製造する製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、両端が開口した石英管にフィルタを配置するフィルタ配置工程と、前記石英管内にて前記フィルタに接してＳｉＯ２粒子を含む粒子層を形成する粒子層形成工程と、（ａ）前記石英管内を真空引きする真空処理工程、又は、（ｂ）前記粒子層から不純物を除去するための又は前記粒子層にドーパントを導入するためのガスを前記粒子層に流すガス処理工程である、気体処理工程と、を含み、前記フィルタは、気体を通過させ、かつ、前記ＳｉＯ２粒子を通過さない、ＳｉＯ２から成る綿状体であることを特徴としている。
【０００８】
上記方法によると、フィルタに接して粒子層が形成される。このフィルタは綿状体であるため、フィルタと粒子層との間に生じ得る空隙を埋めるように変形する。よって、フィルタと粒子層との間における空隙の発生を抑制することができる。
【０００９】
また、フィルタは、気体を通過させるため、気体処理工程を確実に実施することができ、また、フィルタは、ＳｉＯ２粒子を通過させないため、粒子層を石英管内に固定することができる。さらに、フィルタは、ＳｉＯ２から成るため、光ファイバ母材に不必要な不純物質を持ち込むことなく、つまり不純物質を混入させることなく、光ファイバ母材を形成することができる。
【００１０】
以上から分かるように、上記方法によると、粒子層における空隙の発生を抑制し、高品質の光ファイバ母材を製造することが可能となる。
【００１１】
また、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法では、前記フィルタは石英ウールであるのが好ましい。
【００１２】
石英ウールは、変形が自在であるため、石英管に配置させやすい。密度も変化させやすい。よって、密度が低くＳｉＯ２粒子を通してしまう場合には、密度を高くしてＳｉＯ２粒子を通過さないようにすることができる。また、石英ウールは入手しやすいものである。よって、上記方法によると、石英ウールを用いて、安価に容易に光ファイバ母材を製造することができる。
【００１３】
また、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、前記粒子層形成工程と前記気体処理工程との間に、前記粒子層を前記フィルタとの間で挟み込む他のフィルタを前記石英管に配置する他のフィルタ配置工程を更に含み、前記他のフィルタは、気体を通過させ、かつ、前記ＳｉＯ２粒子を通過さない、ＳｉＯ２から成る綿状体であるのが好ましい。
【００１４】
粒子層をフィルタとの間で挟み込む他のフィルタを配置しない場合、石英管を封止するためのロッドが石英管内（粒子層内）に徐々に埋まっていく。しかしながら、上記方法により、他のフィルタを配置することで、石英管を封止するためのロッドを配置しても、他のフィルタによりロッドが石英管内に埋まるのを防ぐことができる。
【００１５】
本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、前記粒子層を加熱してガラス化する加熱工程を含んでいるのが好ましい。
【００１６】
上記方法によると、粒子層を加熱してガラス化することができ、粒子層がガラス化され一体化された光ファイバ母体を製造することができる。なお、粒子層をガラス化せずに、加熱しながら、溶融してファイバ化（線引き、紡糸）してもよい。このように、本明細書では、粒子層がガラス化されていてもいなくても、光ファイバに形成するための線引きをする前段階にあるものを、光ファイバ母材と称する。
【００１７】
また、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、前記ガス処理工程では、前記ガスは、酸素、塩素、ヘリウム、及びフッ素のいずれか１つ以上を含んでいるのが好ましい。
【００１８】
上記方法によると、酸素を流すことで粒子層に含まれる不純物を酸化物として、排出できる。また、塩素を流すことで、粒子層に含まれる不純物や水分を塩化物として、排出できる。酸素又は塩素を流す場合には、流しながら、あるいは、流した後に、加熱をする必要がある。
【００１９】
また、フッ素を流し、粒子層にフッ素を充填した状態で粒子層を加熱によりガラス化することで、ドーパントとしてフッ素が添加された光ファイバ母材を製造することができる。ドーパントにより、光ファイバの屈折率を制御できる。なお、粒子層にフッ素を流し込む段階では、粒子層を加熱する必要はない。
【００２０】
また、ヘリウムを流し、粒子層にヘリウムを充填した状態で粒子層を加熱によりガラス化する場合、加熱及び脱泡を行う工程を経ることで、空隙に不純物ガスを含まない状態にてガラス化することができる。よって、不純物が低減されたガラス（石英管の中にガラスロッドを配置しない場合には、コア材、石英管の中心にガラスロッドを配置し周囲に粒子層を形成する場合には、クラッド材）を得ることができる。なお、粒子層にヘリウムを流し込む段階では、粒子層を加熱する必要はない。
【００２１】
本発明に係る光ファイバ母材は、本発明に係る上記のいずれか１つの光ファイバ母材の製造方法により製造されたものである。よって、高品質の光ファイバ母材である。そのため、この光ファイバ母材を用いることで、信頼性の高い光ファイバを製造することができる。
【００２２】
本発明に係る光ファイバの製造方法は、本発明に係る上記のいずれか１つの光ファイバ母材の製造方法を用いて光ファイバ母材を製造する工程と、前記光ファイバ母材を加熱により線引きする線引工程と、を含むことを特徴としている。
【００２３】
上記方法によると、信頼性の高い光ファイバを製造することができる。
【発明の効果】
【００２４】
上記方法によると、ＳｉＯ２粒子を用いた光ファイバ母材の製造において、粒子層における空隙の発生を抑制し、高品質の光ファイバ母材を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】ＳｉＯ２粒子を詰めた石英管を加熱炉に配置させた状態を示す断面図である。
【図２】光ファイバ母材に用いられる石英管を示す図である。
【図３】ＳｉＯ２粒子を詰めた他の石英管を加熱炉に配置させた状態を示す断面図である。
【図４】ＳｉＯ２粒子を詰めたさらに別の石英管を加熱炉に配置させた状態を示す断面図である。
【図５】従来の光ファイバ母材の製造において粒子層に生じる空隙を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
〔実施形態１〕
以下、本発明の一実施形態について、図１及び２に基づき詳細に説明する。図１は、ＳｉＯ２粒子２を詰めた石英管１を加熱炉８に配置させた状態を示す断面図である。
【００２７】
本実施形態の光ファイバ母材の製造方法は次の通りである。
【００２８】
まず、図２に示すように、両端が開口した石英管１の一端に中心が空洞になったダミー棒４を接続させる。石英管１は、公知のものを用いることができ、例えば、直径３２ｍｍで肉厚２．５ｍｍのものを用いることができる。ダミー棒４は、公知のものを用いることができ、例えば石英から形成されている。また、ダミー棒４は、例えば、直径３５ｍｍであり、空洞の直径６ｍｍであり、長さ３００ｍｍのものを用いることができる。なお、記載の数値は例示であり、これらに限定されない。
【００２９】
石英管１とダミー棒４との接続は、例えばバーナ等の加熱手段を用いて溶着することで行えばよい。
【００３０】
次に、石英管１にフィルタ３ａを配置させる（フィルタ配置工程）。フィルタ３ａは、気体を通過させ、かつ、前記ＳｉＯ２粒子を通過さない、ＳｉＯ２から成る綿状体である。このようにフィルタ３ａは、綿状体であるため、フィルタ３ａと粒子層２０との間に生じ得る空隙を埋めるように変形する。よって、フィルタ３ａと粒子層２０との間における空隙の発生を抑制することができる。
【００３１】
また、フィルタ３ａは、気体を通過させるため、後述のガス処理工程を確実に実施することができる。さらに、フィルタ３ａは、ＳｉＯ２粒子を通過させないため、粒子層２０を石英管内に固定することができる。さらに、フィルタ３ａは、ＳｉＯ２から成るため、光ファイバ母材に不必要な不純物質を持ち込むことなく、つまり不純物質を混入させることなく、光ファイバ母材を形成することができる。
【００３２】
フィルタ３ａは、例えば、石英ウールであってもよい。しかしこれに限定はされない。石英ウールは、変形が自在であるため、石英管１に配置させやすい。また、密度も変化させやすい。よって、密度が低くＳｉＯ２粒子２を通してしまう場合には、密度を高くしてＳｉＯ２粒子２を通さないようにすることができる。また、石英ウールは入手しやすいものである。よって、石英ウールを用いることで、安価に容易に光ファイバ母材を製造することができる。
【００３３】
次に、石英管１にＳｉＯ２粒子２を詰めて、フィルタ３ａに接して粒子層２０を形成する（粒子層形成工程）。ＳｉＯ２粒子２は、合成石英由来であっても、天然石英由来であってもよい。
【００３４】
あるいは、ＳｉＯ２粒子２とドーパント固体と所望の濃度分布になるよう石英管１に詰めて、粒子層２０としてもよい。このドーパント固体は、粒子層２０をガラス化した際、ガラス内で、分子で存在するもの、あるいはドーパントを含む分子で存在するもの、である。この粒子層２０をガラス化すると、ドーパントの濃度分布を石英管１の長手方向に安定して得ることができる。なお、複数のドーパント固体を用いてもよい。
【００３５】
本実施形態では、ＳｉＯ２粒子２を、バインダーを使用せずに石英管１に詰める。よって、バインダーによる不純物混合のおそれはない。また、バインダーを使用しないため、バインダーを用いる際の下処理及び仮焼きも不要である。
【００３６】
次に、フィルタ３ｂを粒子層２０のフィルタ３ａと接していない側に配置させ、粒子層２０をフィルタ３ａとフィルタ３ｂとの間で挟み込む（他のフィルタ配置工程）。フィルタ３ｂは、フィルタ３ａと同様に、気体を通過させ、かつ、ＳｉＯ２粒子２を通過さない、ＳｉＯ２から成る綿状体である。
【００３７】
さらに、石英管１をガラスロッド５にて封止する（封止工程）。ガラスロッド５には、粒子層２０を押し付ける役割と蓋の一部としての役割との２つの役割がある。本実施形態では、以下のように、ガス処理工程および加熱工程を、石英管１を縦に配置して行う。そのため、フィルタ３ｂ上のガラスロッド５は位置がずれるような動きをしないので、石英管１とガラスロッド５との溶着は不要である。この場合、後述のガス処理工程では、ガス７は石英管１とガラスロッド５との間を通り抜ける。
【００３８】
本実施形態では、ガス７は石英管１とガラスロッド５との間を通り抜けるものとするが、ガラスロッド５として貫通孔を長軸方向に設けたものを用いて、ガス７が貫通孔を通るようにしてもよい。特に、後述の変形例２のように石英管１を横に配置する場合には、石英管１とガラスロッド５とを溶着させるため、貫通孔を設けたガラスロッド５を用いる。
【００３９】
本実施形態では、粒子層２０の上下にフィルタ３ａ，３ｂを配置するが、フィルタ３ｂを配置しなくてもよい。つまり、粒子層２０に接してガラスロッド５を配置してもよい。
【００４０】
ここで、フィルタ３ｂを配置しない場合、ガラスロッド５が石英管１内（粒子層２０内）に徐々に埋まっていく。しかしながら、フィルタ３ｂを配置することで、ガラスロッド５が石英管１内に埋まるのを防ぐことができる。
【００４１】
なお、ここまでの工程は、石英管１を縦に配置して行っても横に配置して行ってもよい。これ以降の処理は、図１に示すように、石英管１を縦に配置して行う。横に配置して行う形態は後段の変形例２に記載する。
【００４２】
そして、上記のように粒子層２０を形成した石英管１を、図１に示すように、加熱炉８に設置する。加熱炉８は、光ファイバ母材を線引きするために用いられる公知のものを用いることができる。
【００４３】
次に、粒子層２０から不純物を除去するための、又は粒子層２０にドーパントを導入するためのガス７を流すためのコネクタ６を石英管１に取り付け、ガス７を粒子層２０の上方から下方に流す（ガス処理工程、気体処理工程）。逆に、つまり下方から上方にガスを流すと、途中でガスが粒子層２０を持ち上げる等して、粒子層２０に比較的大きな空隙ができたり、粒子層２０の密度が下がってしまったりするというように、粒子層２０に様々な不具合が生じる。しかし、本実施形態では、粒子層２０の上方から下方にガスを流すので、粒子層２０は、常に下方向へ押し付ける力を、より密度が高くなる方に力を受けるため、粒子層２０に間隙が生じるのを防ぐことができる。よって、ガス処理工程における粒子層２０に生じる不具合を抑制し、高品質の光ファイバ母材を製造することができる。
【００４４】
ここで、ガス７は、酸素、塩素、ヘリウム、及びフッ素のいずれか１つ以上を含んでいるのが好ましい。
【００４５】
酸素を流すことで粒子層２０に含まれる不純物を酸化物として、排出できる。また、塩素を流すことで、粒子層２０に含まれる不純物や水分を塩化物として、排出できる。酸素又は塩素を流す場合には、流しながら、あるいは、流した後に、加熱炉８により加熱をする必要がある。
【００４６】
また、フッ素を流すことで、粒子層２０にドーパントとしてフッ素を添加することができる。ドーパントにより、光ファイバの屈折率を制御できる。なお、粒子層２０にフッ素を流し込む段階では、粒子層２０を加熱する必要はない。
【００４７】
また、ヘリウムを流し、粒子層２０にヘリウムを充填した状態で粒子層２０を加熱によりガラス化する場合、加熱及び脱泡を行う工程を経ることで、空隙に不純物ガスを含まない状態にてガラス化することができる。よって、不純物が低減されたガラス（本実施形態では、コア材、実施形態２では、クラッド材）を得ることができる。なお、粒子層２０にヘリウムを流し込む段階では、粒子層２０を加熱する必要はない。
【００４８】
ガス処理後、加熱炉８による加熱を行って、粒子層２０をガラス化して一体化する（加熱工程）。ガス処理工程にて不純物を除去するためのガスを流した場合には、加熱工程は、真空引きしながら行ってもよい。真空引きにより、粒子層２０内の空隙を真空にした状態でガラス化することで、母材の中に泡を残さないようにすることができる。
【００４９】
ここで、ガス処理工程での必要に応じた加熱、及び加熱工程での加熱には、加熱炉８の代わりに、バーナ（例えば、酸水素バーナ）を用いてもよい。バーナを用いる場合、石英管１を回転させるために、封止工程では、石英管１に接続しているダミー棒４を、旋盤（図示せず）の一方のチャックに固定する。また、ガラスロッド５を、他方のチャックに固定する。そして、このガラスロッド５を石英管１内のフィルタ３ｂ側に挿入する。その後、ガス処理工程及び加熱工程を実施する。
【００５０】
以上から分かるように、本実施形態の光ファイバ母材の製造方法を用いると、粒子層２０の空隙の発生を抑制して、また、ガス処理工程における粒子層２０に生じる不具合を抑制して、高品質の光ファイバ母材を製造することが可能となる。
【００５１】
以上の様に製造された光ファイバ母材を、線引きして（線引工程）、光ファイバを製造する。実施形態の光ファイバ母材の製造方法を用いることで、高品質の光ファイバ母材を製造できる。よって、これを用いて製造する光ファイバは、信頼性の高いものとなる。なお、本実施形態では、加熱工程により、粒子層２０をガラス化して一体化しているが、一体化せずに、加熱しながら線引きして光ファイバを製造してもよい。なお、本実施形態では、粒子層２０がガラス化されていてもいなくても、光ファイバに形成するための線引きをする前段階にあるものを、光ファイバ母材と称する。
【００５２】
（変形例１）
上記の光ファイバ母材の製造方法では、粒子層２０にガスを流すガス処理工程を行っているが、ガス処理工程の代わりに、真空引き（減圧）を行ってもよい。この場合、ガラスロッド５は貫通孔の無いものを用いて、以下のように光ファイバ母材を製造する。
【００５３】
ダミー棒４が接続した石英管１に、フィルタ３ａ、粒子層２０、フィルタ３ｂ、ガラスロッド５を、この順に配置させる。そして、ガラスロッド５と石英管１とを例えばバーナ等の加熱手段を用いて溶着する。そして、ダミー棒４を、例えばロータリージョイント等の接続部材を用いて真空ポンプ（図示せず）に接続し、真空ポンプにより石英管１内を減圧し（真空処理工程、気体処理工程）、加熱炉８により加熱して、光ファイバ母材を製造する。
【００５４】
（変形例２）
上記では、石英管１を縦に配置してガス処理工程又は真空処理工程、及び加熱処理工程を行うものとして説明したが、石英管１を横に配置してガス処理工程又は真空処理工程、及び加熱処理工程を行ってもよい。ガス処理工程又は真空処理工程では、横方向に気体が移動することになる。
【００５５】
横に配置する場合、ガラスロッド５がずれないように、封止工程では、石英管１とガラスロッド５とを溶着させる。そうすると、ガス７の通り道が無くなるので、長軸方向に貫通孔を設けたガラスロッド５を用いる。
【００５６】
ガス処理工程での必要に応じた加熱、及び加熱工程での加熱に、加熱炉８を用いる場合、加熱炉８は、石英管１を横に配置できるようになっているものとする。石英管１を横に配置する場合も、フィルタ３ａおよびフィルタ３ｂの両方が設けられているのが好ましいが、フィルタ３ａのみが設けられていてもよい。
【００５７】
他方、ガス処理工程での必要に応じた加熱、及び加熱工程での加熱に、バーナを用いる場合には、横型旋盤（図示せず）を用いる。そして、封止工程では、ガラスロッド５を石英管１内のフィルタ３ｂ側に挿入し、ガラスロッド５にて粒子層２０を押し付けながら石英管１を横にする。そして、横型旋盤の両チャックに石英管１に接続しているダミー棒４およびガラスロッド５を固定し、ガラスロッド５と石英管１とをバーナにて溶着させる。その後、ガス処理工程、加熱工程を行う。
【００５８】
以上のように、石英管１を横に配置してファイバ母材を形成し、粒子層２０を一体化せずに線引きする場合、ガラスロッド５の貫通孔は塞ぐ必要はない。石英管１の線引きはダミー棒４に接続した側から行う場合、ダミー棒４の空洞が溶融して塞がる。この状態でガラスロッド５側から真空引きを行う。
【００５９】
〔実施形態２〕
本発明の別の実施形態について、図３に基づき詳細に説明する。
【００６０】
本実施形態では、以下の方法により、光ファイバ母材を製造する。
【００６１】
まず、図３に示すように、実施形態１と同様に、ダミー棒４を接続した石英管１にフィルタ３ａを配置した後、石英管１の中心にガラスロッド５Ａを配置する（ロッド配置工程）。ガラスロッド５Ａは公知のものを用いることができる。
【００６２】
次に、ガラスロッド５Ａの周囲にＳｉＯ２粒子を詰めていき粒子層２０を形成する。その後、フィルタ３ｂを配置する。本実施形態では、実施形態１と異なり、ガラスロッド５は配置させていないが、配置させてもよい。貫通孔を設けたガラスロッド５を配置する場合には、貫通孔は、粒子層２０に対応するように、つまり、粒子層２０にガスを流せる位置に、設けられる。
【００６３】
その後、実施形態１と同様に、ガス処理又は真空処理、及び加熱処理を行い、光ファイバ母材を製造する。
【００６４】
本実施形態では、ガラスロッド５Ａが光ファイバのコアになり、粒子層２０が第１クラッドに、石英管１が第２クラッドになる。
【００６５】
（変形例）
実施形態２の変形例について図４を用いて説明する。図４に示すように、ダミー棒４を接続した石英管１にフィルタ３ａを配置する。ここでは、フィルタ３ａは、ガラスロッド５Ａの配置位置がある程度固定されるように、中心が凹んだ形状に成形されている。
【００６６】
次に、石英管１の中心にガラスロッド５Ａを配置する（ロッド配置工程）。ここでは、ガラスロッド５Ａは、コネクタ６の孔に入る長さで、コネクタ６の孔よりも細い形状となっている。
【００６７】
次に、ガラスロッド５Ａの周囲にＳｉＯ２粒子を詰めていき粒子層２０を形成する。その後、フィルタ３ｂを配置する。ここでは、フィルタ３ｂは、ガラスロッド５Ａを囲むように中心に穴が開いた形状に成形されている。
【００６８】
次に、ロッド固定治具９でガラスロッド５Ａを固定する。ロッド固定治具９は、ガラスＡを囲むように中心に穴が開いた形状であり、さらに、ガス７が通過できる孔が開いているものを用いる。
【００６９】
その後、コネクタ６を取り付け、ガス処理又は真空処理、及び加熱処理を行い、光ファイバ母材を製造する。
【００７０】
なお、本発明は上述した各実施形態や実施例に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、実施形態または実施例に開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７１】
１    石英管
２    ＳｉＯ２粒子
３ａ，３ｂ    フィルタ
４    ダミー棒
５    ガラスロッド
５Ａ  ガラスロッド
６    コネクタ
７    ガス
８    加熱炉
２０  粒子層
４０  空隙
【図１】
2017007899.tif 000003
【図２】
2017007899.tif 000004
【図３】
2017007899.tif 000005
【図４】
2017007899.tif 000006
【図５】
2017007899.tif 000007