(57)【要約】【課題】内容物によらず高いガスバリア性を保ち且つ外側から保存環境下の物質を吸着に難いプラスチック容器を提供できる。【解決手段】プラスチック基材の外側の表面が有機酸化ケイ素膜又は酸化ケイ素膜のいずれか或いは双方の薄膜で被覆されていることを特徴とするプラスチック容器。  また、プラスチック基材の外側の表面が、第１層として比較的炭素含有量が多い有機酸化ケイ素膜が積層された後、除々に酸化ケイ素の比率が高まって、第２層として酸化ケイ素膜が積層された薄膜で被覆されていることを特徴とするプラスチック容器。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック基材の外側の表面が有機酸化ケイ素膜又は酸化ケイ素膜のいずれか或いは双方の薄膜で被覆されていることを特徴とするプラスチック容器。
【請求項２】
プラスチック基材の外側の表面が、第１層として比較的炭素含有量が多い有機酸化ケイ素膜が積層された後、除々に酸化ケイ素の比率が高まって、第２層として酸化ケイ素膜が積層された薄膜で被覆されていることを特徴とするプラスチック容器。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプラスチック容器の成膜方法であって、プラスチック容器の外側の空間を真空にした状態で、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、プラスチック容器の外側の空間に注入し、高周波電力を印加してプラスチック容器を高周波電磁界空間に置き、プラスチック容器の外側の空間にプラズマを発生させて、プラスチック容器のプラスチック基材の外側の表面に薄膜を成膜することを特徴とするプラスチック容器の成膜方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のプラスチック容器の成膜装置であって、プラスチック容器の内部に挿入されるアース電極と、プラスチック容器とアース電極とが内部に入るホット電極となる金属筺体と、金属筺体の内側を囲い内部にアース電極とプラスチック容器とが入る誘電体の円筒とを備え、プラスチック容器の内部、プラスチック容器の外側と円筒の内側との間、円筒の外側と金属筺体の内側との間、それぞれの空間の真空引きを継続しながら、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、プラスチック容器の外側と円筒の内側との間の空間に注入し、アース電極とホット電極との間に高周波電力を印加してプラスチック容器を高周波電磁界空間に置き、プラスチック容器の外側と円筒の内側との間の空間にプラズマを発生させて、プラスチック容器のプラスチック基材の外側の表面に薄膜を成膜する手段を有することを特徴とするプラスチック容器の成膜装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のプラスチック容器の成膜装置であって、アース電極と、プラスチック容器とアース電極とが内部に入るホット電極となる金属筺体と、金属筺体の内側を囲い内部にアース電極が入らずプラスチック容器が入る誘電体の円筒とを備え、円筒の内部、金属筺体の内部で円筒の外部、それぞれの空間の真空引きを継続しながら、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、円筒の内部の空間に注入し、アース電極とホット電極との間に高周波電力を印加してプラスチック容器を高周波電磁界空間に置き、円筒の内部でプラスチック容器の外側の空間にプラズマを発生させて、プラスチック容器のプラスチック基材の外側の表面に薄膜を成膜する手段を有することを特徴とするプラスチック容器の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラスチック容器及びそれの成膜方法並びに装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラスチック容器は、軽量で使い勝手が良く、安全で比較的低コスト、かつ比較的透明であるため、食品分野や医療医薬分野をはじめ様々な分野で使用されている。
【０００３】
しかしながら、その反面、金属容器やガラス容器と比較してガスバリア性が悪く、保管環境下で容器外側から移行する揮発成分や臭気成分等の物質を吸着し易いという欠点を有している。
【０００４】
しかしながら、プラスチック容器の上記利便性があるために、種々の内容物を、充填、保管、流通、販売、廃棄する各工程で、このプラスチック容器を使うことが多くなった。
【０００５】
そのため、シェルライフ、賞味期限、容器外側からの揮発成分等の吸着耐性を、ある程度犠牲にして、プラスチック容器を使わざるを得ない状況にあった。
【０００６】
そこで、従来から、プラスチック容器のガスバリア性を向上させる目的で、プラスチック容器のプラスチック基材の内側表面に、酸化ケイ素膜や炭素膜で被覆することが行われている（例えば特許文献１及び２参照）。
【０００７】
ところが、酸化ケイ素膜とプラスチック容器のプラスチック基材との密着性については不十分であり、ｐＨが高い、すなわち水素イオン濃度が大きい内容物を充填した場合、密着性を維持することが難しいため、ガスバリアが劣化する傾向にあった。
【０００８】
そのため、プラスチック容器のプラスチック基材の内側表面が酸化ケイ素膜で被覆されているものに充填できる内容物は、油、アルコール、炭酸飲料等の非水系の内容物に限定されてしまうという問題点があった。
【０００９】
また、プラスチック容器のプラスチック基材の内側表面に成膜することで、容器からの内容物への物質（例えば、プラスチック容器がペットボトルの場合、ポリエチレンテレフタレートの重縮合プロセスで発生する高温によるアセトアルデヒド）の溶出は防止できるが、プラスチック容器のプラスチック基材の外側表面が空気に暴露されているために、特に、ポリオレフィン（例えばポリエチレンやポリプロピレン）をプラスチック基材とするプラスチック容器の場合、保存環境下の影響を受け易く、プラスチック容器の外側から、保存環境下の臭気成分等の物質が移行して吸着することで、この容器を介して、さらに内側の内容物への移行を疑われる風評被害に合う可能性があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００８−９４４４７号公報
【特許文献２】特開２００９−１９０７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、内容物によらず高いガスバリア性を保ち且つ外側から保存環境下の物質を吸着に難いプラスチック容器を提供できることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明において上記課題を解決するために、まず請求項１の発明では、
プラスチック基材の外側の表面が有機酸化ケイ素膜又は酸化ケイ素膜のいずれか或いは双方の薄膜で被覆されていることを特徴とするプラスチック容器としたものである。
【００１３】
また請求項２の発明では、プラスチック基材の外側の表面が、第１層として比較的炭素含有量が多い有機酸化ケイ素膜が積層された後、除々に酸化ケイ素の比率が高まって、第２層として酸化ケイ素膜が積層された薄膜で被覆されていることを特徴とするプラスチック容器としたものである。
【００１４】
また請求項３の発明では、請求項１又は２に記載のプラスチック容器の成膜方法であって、プラスチック容器の外側の空間を真空にした状態で、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、プラスチック容器の外側の空間に注入し、高周波電力を印加してプラスチック容器を高周波電磁界空間に置き、プラスチック容器の外側の空間にプラズマを発生させて、プラスチック容器のプラスチック基材の外側の表面に薄膜を成膜することを特徴とするプラスチック容器の成膜方法としたものである。
【００１５】
また請求項４の発明では、請求項１又は２に記載のプラスチック容器の成膜装置であって、プラスチック容器の内部に挿入されるアース電極と、プラスチック容器とアース電極とが内部に入るホット電極となる金属筺体と、金属筺体の内側を囲い内部にアース電極とプラスチック容器とが入る誘電体の円筒とを備え、プラスチック容器の内部、プラスチック容器の外側と円筒の内側との間、円筒の外側と金属筺体の内側との間、それぞれの空間の真空引きを継続しながら、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、プラスチック容器の外側と円筒の内側との間の空間に注入し、アース電極とホット電極との間に高周波電力を印加してプラスチック容器を高周波電磁界空間に置き、プラスチック容器の外側と円筒の内側との間の空間にプラズマを発生させて、プラスチック容器のプラスチック基材の外側の表面に薄膜を成膜する手段を有することを特徴とするプラスチック容器の成膜装置としたものである。
【００１６】
また請求項５の発明では、請求項１又は２に記載のプラスチック容器の成膜装置であって、アース電極と、プラスチック容器とアース電極とが内部に入るホット電極となる金属筺体と、金属筺体の内側を囲い内部にアース電極が入らずプラスチック容器が入る誘電体の円筒とを備え、円筒の内部、金属筺体の内部で円筒の外部、それぞれの空間の真空引きを継続しながら、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、円筒の内部の空間に注入し、アース電極とホット電極との間に高周波電力を印加してプラスチック容器を高周波電磁界空間に置き、円筒の内部でプラスチック容器の外側の空間にプラズマを発生させて、プラスチック容器のプラスチック基材の外側の表面に薄膜を成膜する手段を有することを特徴とするプラスチック容器の成膜装置としたものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の請求項１に係る発明は、プラスチック容器のプラスチック基材の外側の表面が有機酸化ケイ素膜又は酸化ケイ素膜のいずれか或いは双方の薄膜で被覆されているので、ガスバリア性が改善され、内容物の充填温度や液性に影響されることなく、改善されたガスバリア性を保持することが可能となり、保管環境下で前記容器の外側から移行する揮発成分や臭気成分等の物質を吸着し難いという効果がある。
【００１８】
また、本発明の請求項２に係る発明は、プラスチック容器のプラスチック基材の外側の表面が、第１層として比較的炭素含有量が多い有機酸化ケイ素膜が積層された後、除々に酸化ケイ素の比率が高まって、第２層として酸化ケイ素膜が積層された薄膜で被覆されているので、ガスバリア性が改善され、内容物の充填温度や液性に影響されることなく、改善されたガスバリア性を保持することが可能となり、保管環境下で前記容器の外側から移行する揮発成分や臭気成分等の物質を吸着し難いという効果がある。
【００１９】
また、炭化ケイ素膜は、クラックは入り易いがガスバリア性に優れ、有機ケイ素膜は、柔軟性に富み、しかも、Ｓｉ−ＣＨ３結合を多く含むため優れた撥水性を示すので、本願の請求項２に係る発明は、落とす等して外部から衝撃が与えられても、水に漬けても、前記薄膜が傷つき難く、改善されたガスバリア性を保持することが可能であるという効果がある。
【００２０】
また、本願の請求項３〜６に係る発明は、請求項１又は２の発明を製造することが可能であるという効果がある。
【００２１】
また、本願の請求項４に係る発明は、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、プラスチック容器の外側と円筒の内側との間の空間に注入し、アース電極とホット電極との間に高周波電力を印加してプラスチック容器を高周波電磁界空間に置き、プラスチック容器の外側と円筒の内側との間の空間にプラズマを発生させるので、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスや、薄膜の、円筒の外側に位置する金属筺体への飛散、拡散、付着を防ぎ、金属筺体の汚染、劣化を防止できるという効果がある。
【００２２】
また、本願の請求項４に係る発明は、プラスチック容器の内部、プラスチック容器の外側と円筒の内側との間、円筒の外側と金属筺体の内側との間、それぞれの空間の真空引きを継続しながら、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、プラスチック容器の外側と円筒の内側との間の空間に注入するので、プラスチック容器の内外の圧力差、さらには近接する円筒内外の圧力差が、ガス注入時でも、少なくなり、プラスチック容器、円筒の変形、破壊を未然に防止できるという効果もある。
【００２３】
また、本願の請求項５に係る発明は、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、円筒の内部の空間に注入し、アース電極とホット電極との間に高周波電力を印加してプラスチック容器を高周波電磁界空間に置き、円筒の内部でプラスチック容器の外側の空間にプラズマを発生させるので、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスや、薄膜の、円筒の外側に位置する金属筺体への飛散、拡散、付着を防ぎ、金属筺体の汚染、劣化を防止できるという効果がある。
【００２４】
また、本願の請求項５に係る発明は、円筒の内部、金属筺体の内部で円筒の外部、それぞれの空間の真空引きを継続しながら、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、円筒の内部の空間に注入するので、プラスチック容器の内外の圧力差、さらには近接する円筒内外の圧力差が、ガス注入時でも、少なくなり、プラスチック容器、円筒の変形、破壊を未然に防止できるという効果もある。
【００２５】
さらに、本願の請求項５に係る発明は、円筒の内部にアース電極が入っていないので、円筒の内部に複数のプラスチック容器を入れて、請求項１又は２の発明を複数同時に製造できるという効果がある。
【００２６】
以上、本発明は、内容物によらず高いガスバリア性を保ち且つ外側から保存環境下の物質を吸着に難いプラスチック容器を提供できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】プラスチック容器の外側表面を被覆する薄膜の１例を示す図。
【図２】プラスチック容器の外側表面を被覆する薄膜の１例を示す図。
【図３】プラスチック容器の外側表面を被覆する薄膜の１例を示す図。
【図４】プラスチック容器の外側表面に薄膜を成膜する成膜装置の例を示す透視斜視図。
【図５】プラスチック容器の外側表面に薄膜を成膜する成膜装置の例を示す透視斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下に、本発明の一実施形態を説明する。
【００２９】
本発明のプラスチック容器は、前記容器のプラスチック基材の外側表面のみが、図１に示すように、有機ケイ素膜の薄膜で被覆されているか、又は、図２に示すように、酸化ケイ素膜の薄膜で被覆されているか、或いは、図３に示すように、有機ケイ素膜と酸化ケイ素膜の双方の薄膜で被覆されており、第１層として比較的炭素含有量が多い有機酸化ケイ素膜が積層された後、除々に酸化ケイ素の比率が高まって、第２層として酸化ケイ素膜が積層された薄膜で被覆されていて、前記容器のプラスチック基材の内側表面は、プラスチック基材そのものが露出したままのものである。
【００３０】
本発明のプラスチック容器は、前記容器のプラスチック基材の外側表面が、これらの薄膜で被覆されているので、ガスバリア性が改善され、保管環境下で前記容器の外側から移行する揮発成分や臭気成分等の物質を吸着し難い。
【００３１】
また、本発明のプラスチック容器は、前記容器のプラスチック基材の外側表面のみが、これらの薄膜で被覆され、前記容器のプラスチック基材の内側表面は、プラスチック基材そのものが露出したままであるので、内容物の充填温度や液性に影響されることなく、改善されたガスバリア性を保持することが可能となる。
【００３２】
さらに、プラスチック容器のプラスチック基材の外側の表面が、第１層として比較的炭素含有量が多い有機酸化ケイ素膜が積層された後、除々に酸化ケイ素の比率が高まって、第２層として酸化ケイ素膜が積層された薄膜で被覆されている場合、炭化ケイ素膜は、クラックは入り易いがガスバリア性に優れ、有機ケイ素膜は、柔軟性に富み、しかも、Ｓｉ−ＣＨ３結合を多く含むため優れた撥水性を示すので、落とす等して外部から衝撃が与えられても、水に漬けても、この薄膜が傷つき難く、改善されたガスバリア性を保持することが可能である
【００３３】
プラスチック容器のプラスチック基材の外側表面のみに薄膜を成膜させるには、プラスチック容器の外側の空間を真空にした状態で、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、プラスチック容器の外側の空間に注入し、高周波電力を印加してプラスチック容器を高周波電磁界空間に置き、プラスチック容器の外側の空間にプラズマを発生させるプラズマＣＶＤ法で行える。
【００３４】
薄膜の原料となるモノマーガスは、有機ケイ素化合物のガスであって、例えば、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を好ましく用いることができる。
【００３５】
有機ケイ素膜の薄膜を成膜させる場合は、混合ガスにおけるモノマーガスの比率を大き
く酸素ガスの比率を小さくし、酸化ケイ素膜の薄膜を成膜させる場合は、混合ガスにおけるモノマーガスの比率を小さく酸素ガスの比率を大きくする。
【００３６】
また、第１層として比較的炭素含有量が多い有機酸化ケイ素膜を積層した後、除々に酸化ケイ素の比率を高めて、第２層として酸化ケイ素膜を積層させた薄膜を成膜する場合は、最初は、混合ガスにおけるモノマーガスの比率を大きく酸素ガスの比率を小さくし、徐々に混合ガスにおけるモノマーガスの比率を小さく酸素ガスの比率を大きくすれば良い。
【００３７】
プラスチック容器のプラスチック基材の外側表面のみに薄膜を成膜させる成膜装置の例を、図４に示す。
【００３８】
図４に示す成膜装置は、プラスチック容器９の口部から内部に挿入されるダミーガス管２と、プラスチック容器９とダミーガス管２とが内部に入る金属筺体１と、金属筺体１の内側を囲い内部にダミーガス管２とプラスチック容器９とが入る誘電体の円筒３と、プラスチック容器９の内部の空間の真空引きに用いられダミーガス管２を通す孔４と、プラスチック容器９と円筒３との間の空間の真空引きとガス注入とに用いられる孔５と、円筒３と金属筺体１との間の空間の真空引きに用いられる孔６と、整合器７と、高周波電源８とを備える。
【００３９】
金属筺体１と、円筒３とには、開閉可能な蓋を設け、この蓋を開けることで、プラスチック容器９を出し入れしても良い。
【００４０】
また、金属筺体１と、円筒３とは、底面を有し、孔４及び孔５を、金属筺体１及び円筒３の底面に設け、孔６を金属筺体１の底面に設けても良いし、或いは、金属筺体１と、円筒３とは、底面がなく、孔４〜６を有する誘電体の円盤の上に、設置されても良い。
【００４１】
ダミーガス管２は、従来のプラスチック容器のプラスチック基材の内側表面に酸化ケイ素膜や炭素膜を成膜させる成膜装置で、プラスチック容器の内側にガスを注入するのに用いられる金属製の管である。
【００４２】
図４に示す成膜装置は、孔４〜６から真空引きを行って金属筺体１内を例えば１Ｐａ以下の高真空にした状態で、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、孔５からプラスチック容器９と円筒３との間の空間に注入し、同時に孔４〜６からの真空引きは継続する。この時、平行状態となった真空度は１〜１００Ｐａ、好ましくは１〜５０Ｐａに圧力制御する。
【００４３】
そして、図４に示す成膜装置は、金属筺体１をホスト電極、ダミーガス管２をアース電極として、整合器７を介して高周波電源８から、例えば、１３．５ＭＨｚのラジオ波、又は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発信して、ホスト電極とアース電極との間に高周波電力を印加してプラスチック容器９を高周波電磁界空間に置き、プラスチック容器９の外側と円筒３の内側の空間にプラズマを発生させるプラズマＣＶＤ法で、プラスチック容器９の外側表面のみに薄膜を成膜させる。
【００４４】
円筒３は、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスや、薄膜の、円筒３の外側に位置する金属筺体１への飛散、拡散、付着を防ぎ、金属筺体１の汚染、劣化を防止する。
【００４５】
また、孔４〜６から真空引きを行って金属筺体１内を例えば１Ｐａ以下の高真空にした状態で、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、孔５からプラスチック容器９と円筒３との間の空間に注入し、同時に孔４〜６からの真空引きは継続すること
で、プラスチック容器９の内外の圧力差、さらには近接する円筒３内外の圧力差が、ガス注入時でも、少なくなり、プラスチック容器９、円筒３の変形、破壊を未然に防止する。
【００４６】
図４に示す成膜装置では、円筒３の内部の空間にダミーガス管２が入っているが、円筒３の形状を、円筒の内部の空間からダミーガス管２を外すように変えることで、複数のプラスチック容器を、円筒の内部の空間に置き、それぞれのプラスチック容器のプラスチック基材の外側表面のみに薄膜が成膜され、それぞれのプラスチック容器のプラスチック基材の内側表面は、プラスチック基材そのものが露出したままにすることが可能になる。
【００４７】
内部の空間にダミーガス管２が含まれない円筒の例として、図５に、ドーナツ型円筒１３を示す。
【００４８】
図５に示す成膜装置は、ダミーガス管２と、プラスチック容器９とダミーガス管２とが内部に入る金属筺体１と、金属筺体１の内側を囲い内部にプラスチック容器９が入る誘電体のドーナツ型円筒１３であってドーナツ型円筒１３のドーナツの穴の部分にダミーガス管２を入れることでドーナツ型円筒１３の内部からダミーガス管２を外したものと、金属筺体１の内部であってドーナツ型円筒１３のドーナツの穴の部分の空間の真空引きに用いられダミーガス管２を通す孔４と、ドーナツ型円筒１３の内部の空間の真空引きとガス注入とに用いられる孔５と、ドーナツ型円筒１３と金属筺体１との間の空間の真空引きに用いられる孔６と、整合器７（図示せず）と、高周波電源８（図示せず）とを備える。
【００４９】
図５に示す成膜装置は、孔４〜６から真空引きを行って金属筺体１内を例えば１Ｐａ以下の高真空にした状態で、薄膜の原料となるモノマーガスと酸素ガスとの混合ガスを、孔５からドーナツ型円筒１３の空間に注入し、同時に孔４〜６からの真空引きは継続する。この時、平行状態となった真空度は１〜１００Ｐａ、好ましくは１〜５０Ｐａに圧力制御する。
【００５０】
そして、図５に示す成膜装置は、金属筺体１をホスト電極、ダミーガス管２をアース電極として、整合器７（図示せず）を介して高周波電源８（図示せず）から、例えば、１３．５ＭＨｚのラジオ波、又は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発信して、ホスト電極よアース電極との間で高周波電力を印加してプラスチック容器９を高周波電磁界空間に置き、ドーナッツ円筒１３の内部であってプラスチック容器９の外側の空間にプラズマを発生させるプラズマＣＶＤ法で、プラスチック容器９の外側表面のみに薄膜を成膜させる。
【実施例】
【００５１】
以下に、本発明の実施例を説明する。
【００５２】
＜実施例１＞
図４に示す成膜装置で、プラスチック容器９として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレレフタレート）容器、モノマーガスとしてヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を用い、プラズマＣＶＤ法で８．４秒間成膜する間、孔４〜６からの真空引きを継続しながら、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を６０℃に温調した状態で、酸素ガスは温調せず、それぞれマスフローコントローラー（ＭＦＣ）にフィードバック制御をかけて、表１に示すように、流量をコントロールして、モノマーガスと酸素ガスの混合ガスを、孔５からプラスチック容器９と円筒３との間の空間に注入し、プラスチック容器９の外側表面に、第１層として比較的炭素含有量が多い有機酸化ケイ素膜を積層した後、除々に酸化ケイ素の比率を高めて、第２層として酸化ケイ素膜を積層させた薄膜を成膜して、実施例１のＰＥＴ容器を得た。
【００５３】
【表１】
2017007683.tif 000003
【００５４】
＜比較例１＞
モノマーガスと酸素ガスの混合ガスを、孔５からではなく、ダミーガス管２からプラスチック容器９の内部の空間に注入し、プラスチック容器９の内側表面に、第１層として比較的炭素含有量が多い有機酸化ケイ素膜を積層した後、除々に酸化ケイ素の比率を高めて、第２層として酸化ケイ素膜を積層させた薄膜を成膜したことを除いて実施例１と同様にして比較例１のＰＥＴ容器を得た。
【００５５】
＜比較例２＞
実施例１で外側の表面に薄膜を成膜するのに用い、比較例１で外側の表面に薄膜を成膜するのに用いるＰＥＴ容器であって、内側、外側のいずれの表面にも薄膜を一切成膜していないものを比較例２のＰＥＴ容器とした。
【００５６】
実施例１及び比較例１並びに比較例２、それぞれのＰＥＴ容器に、ｐＨ≒７の内容物を充填し、充填後４０℃で保存した。そして、それぞれのＰＥＴ容器の酸素バリア性を、充填前、充填後４０℃で保存して１週間保存後、充填後４０℃で保存して１ヶ月保存後、それぞれで測定した。測定結果を、表２に示す。
【００５７】
【表２】
2017007683.tif 000004
【００５８】
表２から明らかなように、実施例１のＰＥＴ容器、比較例１のＰＥＴ容器は、共に、充填前の酸素バリア性は、０．００２５  ｃｃ／ｐｋｇ／ｄａｙであり、比較例２のＰＥＴ容器に対して２０倍の酸素バリア性を有している。
【００５９】
しかしながら、比較例１のＰＥＴ容器の酸素バリア性は、充填後４０℃で保存して１週間保存後、０．００５０ｃｃ／ｐｋｇ／ｄａｙ、比較例２のＰＥＴ容器に対して１０倍に劣化し、さらに、充填後４０℃で保存して１ヶ月後、０．０１００ｃｃ／ｐｋｇ／ｄａｙ、比較例２のＰＥＴ容器に対して５倍まで劣化した。
【００６０】
これに対して、実施例１のＰＥＴ容器の酸素バリア性は、充填後４０℃で保存して１週間後、１ヶ月後、いずれも、０．００２５ｃｃ／ｐｋｇ／ｄａｙ、比較例２のＰＥＴ容器に対して２０倍と、充填前の値を維持した。
【符号の説明】
【００６１】
１…金属筺体（金属製のホット電極）
２…ダミーガス管（金属製のアース電極）
３…円筒（誘電体）
４…孔（真空引き用）
５…孔（真空引きとガス注入兼用）
６…孔（真空引き用）
７…整合器
８…高周波電源
９…プラスチック容器
１３…ドーナツ型円筒（誘電体）
【図１】
2017007683.tif 000005
【図２】
2017007683.tif 000006
【図３】
2017007683.tif 000007
【図４】
2017007683.tif 000008
【図５】
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