(57)【要約】【課題】遮光性を従来よりも向上させつつ走査線の配線抵抗を低くでき、安定した駆動状態が得られるＴＦＴを備えた表示装置、および電子機器を提供する。【解決手段】液晶表示装置１は、基板１０ａと、基板２０ａと、液晶層４０と、基板１０ａ上に画素Ｐ毎に配置された半導体層３０ａと、半導体層３０ａを覆うゲート絶縁層１１ｃと、ゲート絶縁層１１ｃを介してチャネル領域３０ｃに対向するように配置されたゲート電極３０ｇと、を有するＴＦＴ３０とを備え、基板１０ａ上に半導体層３０ａと平面視で重なるように配置され、ゲート電極３０ｇと同電位に設定された下側遮光層３ｂと、下側遮光層３ｂを覆うように配置された層間絶縁層１１ａと、層間絶縁層１１ａ上に、半導体層３０ａおよび下側遮光層３ｂと平面視で重なるように配置され、ゲート電極３０ｇと同電位に設定された上側遮光層３ｃと、を備えていることを特徴とする。【選択図】図４Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１の基板上に画素毎に配置された、チャネル領域を含む半導体層と、前記半導体層を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を介して前記チャネル領域に対向するように配置されたゲート電極と、を有するスイッチング素子と、を備え、
前記第１の基板と前記半導体層との間に、
前記第１の基板上に前記半導体層と平面視で重なるように配置され、前記ゲート電極と同電位に設定された第１の遮光層と、
前記第１の遮光層を覆うように配置された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に、前記半導体層および前記第１の遮光層と平面視で重なるように配置され、前記ゲート電極と同電位に設定された第２の遮光層と、
前記第２の遮光層を覆うように配置された第２の絶縁層と、を備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記第１の遮光層と前記第２の遮光層とは、前記画素間に跨って形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記第１の遮光層または前記第２の遮光層は、前記画素毎に分断されて形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記第１の絶縁層を貫通し、前記第１の遮光層と前記第２の遮光層とを電気的に接続する第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールとを有し、
前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとは、平面視で前記半導体層の延在方向と交差する方向における前記半導体層の両側に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の表示装置であって、
前記第２の遮光層は、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとを埋めるように形成され、略平坦な表面を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の表示装置であって、
前記ゲート絶縁層と前記第２の絶縁層とを貫通し、前記ゲート電極と前記第２の遮光層とを電気的に接続する第３のコンタクトホールと第４のコンタクトホールと、を有し、
前記第３のコンタクトホールは前記第１のコンタクトホールと平面視で重なるように配置され、前記第４のコンタクトホールは前記第２のコンタクトホールと平面視で重なるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記第１の絶縁層を貫通し、前記第１の遮光層と前記第２の遮光層とを電気的に接続する第５のコンタクトホールを有し、
前記半導体層の延在方向に沿った断面視において、
前記第２の遮光層は、前記第５のコンタクトホールの底部および側部と、前記第５のコンタクトホールの外側に位置する前記第１の絶縁層の表面とに亘って配置され、
前記半導体層は、前記第２の絶縁層を間に介して、前記第２の遮光層を覆うように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の表示装置であって、
前記半導体層のうち少なくとも前記チャネル領域は、前記第５のコンタクトホールの前記底部に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の表示装置であって、
前記ゲート絶縁層と前記第２の絶縁層とを貫通し、前記ゲート電極と前記第２の遮光層とを電気的に接続する第３のコンタクトホールと第４のコンタクトホールと、を有し、
前記第３のコンタクトホールと前記第４のコンタクトホールとは、平面視で前記半導体層の延在方向と交差する方向における前記半導体層の両側に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項２に記載の表示装置であって、
前記第１の絶縁層を貫通し前記第１の遮光層と前記第２の遮光層とを電気的に接続する複数のコンタクトホールを有し、
前記コンタクトホールの数は、前記画素の数よりも少ないことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の表示装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の画素およびスイッチング素子が設けられた素子基板と、素子基板に対向配置された対向基板との間に液晶などを備えた表示装置が知られている。表示装置として、例えば、プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる液晶表示装置などを挙げることができる。
【０００３】
液晶ライトバルブには光源からの強力な光が入射するが、スイッチング素子を構成する半導体層に光が照射されると、光リーク電流により表示画像にフリッカーや画素ムラが生じて表示品位を低下させてしまう。そのため、従来から入射する光に対する遮光性の向上が図られてきた。近年では、光源からの光量の増大とともに、従来よりも反射率の高い無機偏光板が用いられる場合もあり、液晶表示装置の光が射出される側（裏面）から入射する反射光等に対する遮光性を向上するための技術が提案されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
特許文献１には、逆スタガード（ボトムゲート）型ＴＦＴの半導体層の下層に、金属遮光膜Ａと絶縁膜（金属酸化膜または金属窒化膜）Ｂと金属遮光膜Ｃとが積層されて形成された走査線（ゲート配線）が配置される構成が開示されている。特許文献２には、半導体層の下層に第１遮光膜と第２遮光膜とが間に絶縁膜を介して積層され、第２遮光膜がゲート電位または定電圧に設定される構成が開示されている。
【０００５】
また、大型の液晶表示装置で高周波の駆動信号で駆動する必要性が高まっており、一方で、小型の液晶表示装置では画素の配置ピッチが狭い中で高開口率化を図るため遮光領域が狭小化される傾向にある。そのため、遮光性を向上するとともに配線抵抗を低くするための技術が提案されている（例えば、特許文献３参照）。特許文献３には、半導体層の下層に、３層の金属膜が積層されて形成された走査線が配置される構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３０２４７５号公報
【特許文献２】特開２０１１−２３８８３５号公報
【特許文献３】特開２０１１−１５８７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１および特許文献２では、２層の遮光層同士は絶縁されており、走査線の配線抵抗は考慮されていない。また、特許文献３では、遮光層（走査線）が互いに接して積層された３層の金属膜で構成されており、遮光層同士の間に絶縁膜等の光屈折率が異なる層が介在する場合と比べて、遮光性が十分でないおそれがある。したがって、遮光性を従来よりも向上させつつ、走査線の配線抵抗を低くすることができる表示装置が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る表示装置は、第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶層と、前記第１の基板上に画素毎に配置された、チャネル領域を含む半導体層と、前記半導体層を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を介して前記チャネル領域に対向するように配置されたゲート電極と、を有するスイッチング素子と、を備え、前記第１の基板と前記半導体層との間に、前記第１の基板上に前記半導体層と平面視で重なるように配置され、前記ゲート電極と同電位に設定された第１の遮光層と、前記第１の遮光層を覆うように配置された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に、前記半導体層および前記第１の遮光層と平面視で重なるように配置され、前記ゲート電極と同電位に設定された第２の遮光層と、前記第２の遮光層を覆うように配置された第２の絶縁層と、を備えていることを特徴とする。
【００１０】
本適用例の構成によれば、第１の基板と半導体層との間に第１の遮光層と第１の絶縁層と第２の遮光層と第２の絶縁層とが配置されている。そのため、第１の基板側から半導体層側に向かって入射する光は、第１の基板と第１の遮光層との界面で反射され、さらに、第１の絶縁層と第２の遮光層との界面で反射されるので、第１の基板側から半導体層に入射する光を効果的に遮光できる。また、第１の遮光層と第２の遮光層とはともにゲート電極と同電位に設定されているため、２層の遮光層で走査線を構成でき、ゲート電極と同層にゲート配線が配置されている場合は２層の遮光層を含む３層で走査線を構成できるので、走査線の配線抵抗を低くできる。この結果、遮光性を従来よりも向上させつつ、走査線の配線抵抗を低くすることができるので、表示品質が高い表示装置を提供できる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る表示装置であって、前記第１の遮光層と前記第２の遮光層とは、前記画素間に跨って形成されていることが好ましい。
【００１２】
本適用例の構成によれば、走査線を構成する第１の遮光層と第２の遮光層とが画素間に跨って形成されているので、表示装置が大型であり走査線が長い場合でも、遮光性を向上させつつ走査線の配線抵抗を低くすることができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る表示装置であって、前記第１の遮光層または前記第２の遮光層は、前記画素毎に分断されて形成されていてもよい。
【００１４】
表示装置が大型でなく配線抵抗を低くすることがそれほど重要視されない場合では、いずれか一方の遮光層が画素毎に分断された構成とすることもできる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係る表示装置であって、前記第１の絶縁層を貫通し、前記第１の遮光層と前記第２の遮光層とを電気的に接続する第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールとを有し、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとは、平面視で前記半導体層の延在方向と交差する方向における前記半導体層の両側に配置されていることが好ましい。
【００１６】
本適用例の構成によれば、第１の絶縁層を貫通するコンタクトホールにより第１の遮光層と第２の遮光層との間に第１の基板の法線方向に沿った一対の遮光部が形成され、この一対の遮光部が平面視で半導体層の両側に配置される。そのため、第１の基板側から第１の基板の法線方向に対して斜めに入射する光や、第１の遮光層と第２の遮光層との間で反射されて伝播される光を、コンタクトホールにより形成される遮光部で半導体層の両側から遮光できるので、遮光性を一層向上させることができる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例に係る表示装置であって、前記第２の遮光層は、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとを埋めるように形成され、略平坦な表面を有していることが好ましい。
【００１８】
本適用例の構成によれば、第１の絶縁層を貫通する一対のコンタクトホールを埋めて、第１の絶縁層上に略平坦な表面を有する第２の遮光層が形成される。そのため、上層側（ゲート電極側）から第２の遮光層と電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する場合に、そのコンタクトホールを配置する位置が制約されないので、配線パターン設計の自由度を高めることができる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例に係る表示装置であって、前記ゲート絶縁層と前記第２の絶縁層とを貫通し、前記ゲート電極と前記第２の遮光層とを電気的に接続する第３のコンタクトホールと第４のコンタクトホールと、を有し、前記第３のコンタクトホールは前記第１のコンタクトホールと平面視で重なるように配置され、前記第４のコンタクトホールは前記第２のコンタクトホールと平面視で重なるように配置されていることが好ましい。
【００２０】
本適用例の構成によれば、第１の絶縁層を貫通し第１の遮光層と第２の遮光層とを電気的に接続する一対のコンタクトホールと、ゲート絶縁層と第２の絶縁層とを貫通しゲート電極と第２の遮光層とを電気的に接続する一対のコンタクトホールと、が平面視で重なるように配置される。そのため、コンタクトホールにより遮光される領域を小さくできるので、表示装置の開口率を向上させることができる。また、ゲート絶縁層と第２の絶縁層とを貫通するコンタクトホールにより第１の基板の法線方向に沿った一対の遮光部が形成され、この一対の遮光部が平面視で半導体層の両側に配置されるので、遮光性をより一層向上させることができる。
【００２１】
［適用例７］上記適用例に係る表示装置であって、前記第１の絶縁層を貫通し、前記第１の遮光層と前記第２の遮光層とを電気的に接続する第５のコンタクトホールを有し、前記半導体層の延在方向に沿った断面視において、前記第２の遮光層は、前記第５のコンタクトホールの底部および側部と、前記第５のコンタクトホールの外側に位置する前記第１の絶縁層の表面とに亘って配置され、前記半導体層は、前記第２の絶縁層を間に介して、前記第２の遮光層を覆うように配置されていることが好ましい。
【００２２】
本適用例の構成によれば、半導体層の延在方向に沿った断面視において、第１の絶縁層を貫通するコンタクトホールの底部と、その側部と、さらにその外側の第１の絶縁層の表面とに亘って第２の遮光層が配置され、第２の絶縁層を介して第２の遮光層を覆うように半導体層が配置される。そのため、半導体層の実質的な長さを平面視における長さよりも長くすることができる。換言すれば、必要とする半導体層の長さに対して平面視における半導体層の長さを短くできるので、遮光領域を小さくすることが可能となり、表示装置の開口率を向上させることができる。
【００２３】
［適用例８］上記適用例に係る表示装置であって、前記半導体層のうち少なくとも前記チャネル領域は、前記第５のコンタクトホールの前記底部に配置されていることが好ましい。
【００２４】
本適用例の構成によれば、半導体層のうち少なくともチャネル領域はコンタクトホールの底部に配置されるので、表示装置が小型である場合でもチャネル長を確保することができる。そして、チャネル領域の両側にＬＤＤ領域を有する場合は、ＬＤＤ領域をコンタクトホールの底部から側部を経てさらにその外側に亘る範囲内に配置することが可能となるので、十分なＬＤＤ領域を確保できる。したがって、優れた動作特性を有するスイッチング素子を形成できる。また、半導体層の下層に配置される第２の遮光層が、チャネル領域が配置される底部と側部とさらにその外側の第１の絶縁層の表面とを覆うように配置されるので、チャネル領域に入射する光を効果的に遮光できる。
【００２５】
［適用例９］上記適用例に係る表示装置であって、前記ゲート絶縁層と前記第２の絶縁層とを貫通し、前記ゲート電極と前記第２の遮光層とを電気的に接続する第３のコンタクトホールと第４のコンタクトホールと、を有し、前記第３のコンタクトホールと前記第４のコンタクトホールとは、平面視で前記半導体層の延在方向と交差する方向における前記半導体層の両側に配置されていることが好ましい。
【００２６】
本適用例の構成によれば、ゲート絶縁層と第２の絶縁層とを貫通するコンタクトホールにより第１の基板の法線方向に沿った一対の遮光部が形成され、この一対の遮光部が平面視で半導体層の両側に配置される。そのため、第１の基板側から第１の基板の法線方向に対して斜めに入射する光や、ゲート電極と第２の遮光層との間で反射されて伝播される光を、コンタクトホールにより形成される遮光部で半導体層の両側から遮光できるので、遮光性を一層向上させることができる。
【００２７】
［適用例１０］上記適用例に係る表示装置であって、前記第１の絶縁層を貫通し前記第１の遮光層と前記第２の遮光層とを電気的に接続する複数のコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールの数は、前記画素の数よりも少なくてもよい。
【００２８】
第１の遮光層と第２の遮光層とが画素間に跨って形成されている場合では、コンタクトホールの数が画素の数よりも少ない構成とすることもできる。
【００２９】
［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の表示装置を備えていることを特徴とする。
【００３０】
本適用例の構成によれば、安定した表示品質を有する表示装置を備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１Ａ】第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す概略平面図。
【図１Ｂ】図１ＡのＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１の実施形態に係る液晶表示装置の素子基板の構造を示す概略断面図。
【図４Ａ】第１の実施形態に係る素子基板のＴＦＴ部の構成を示す概略平面図。
【図４Ｂ】図４ＡのＡ−Ａ’線に沿った概略断面図。
【図５】第１の実施形態に係る素子基板の遮光効果を示すグラフ。
【図６Ａ】第２の実施形態に係る素子基板のＴＦＴ部の構成を示す概略平面図。
【図６Ｂ】図６ＡのＡ−Ａ’線に沿った概略断面図。
【図７Ａ】第３の実施形態に係る素子基板のＴＦＴ部の構成を示す概略平面図。
【図７Ｂ】図７ＡのＡ−Ａ’線に沿った概略断面図。
【図８Ａ】第４の実施形態に係る素子基板のＴＦＴ部の構成を示す概略平面図。
【図８Ｂ】図８ＡのＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図。
【図９】第５の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。
【図１０Ａ】従来の素子基板のＴＦＴ部の構成例を示す概略平面図。
【図１０Ｂ】図１０ＡのＡ−Ａ’線に沿った概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大、縮小、あるいは誇張して表示している。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。
【００３３】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００３４】
（第１の実施形態）
＜液晶表示装置＞
ここでは、表示装置として、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶表示装置を例に挙げて説明する。この液晶表示装置は、例えば、後述する投写型表示装置（プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００３５】
まず、第１の実施形態に係る表示装置としての液晶表示装置について、図１Ａおよび図１Ｂを参照して説明する。図１Ａは、第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図である。また、図２は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００３６】
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、第１の実施形態に係る液晶表示装置１は、素子基板１０と、素子基板１０に対向配置された対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に配置された液晶層４０とを備えている。素子基板１０を構成する第１の基板としての基板１０ａと、対向基板２０を構成する第２の基板としての基板２０ａとには、例えば、ガラスや石英などの光透過性を有する材料からなる基板が用いられている。
【００３７】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４２を介して接合されている。液晶層４０は、素子基板１０と対向基板２０とシール材４２とによって囲まれた空間に封入された、正または負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。
【００３８】
シール材４２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤からなる。シール材４２には、素子基板１０と対向基板２０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。額縁状に配置されたシール材４２の内側には、対向基板２０に設けられた額縁状の遮光層２１が配置されている。遮光層２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。
【００３９】
遮光層２１の内側は、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅとなっている。表示領域Ｅは、液晶表示装置１において、実質的に表示に寄与する領域である。なお、図１Ａおよび図１Ｂでは図示を省略したが、表示領域Ｅ内においても、複数の画素Ｐを平面的に区画する格子状の遮光部が、例えば対向基板２０に設けられている。
【００４０】
素子基板１０の１辺部のシール材４２の外側には、１辺部に沿ってデータ線駆動回路５１および複数の外部接続端子５４が設けられている。また、その１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４２の内側には、検査回路５３が設けられている。さらに、これらの２辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４２の内側には、走査線駆動回路５２が設けられている。
【００４１】
検査回路５３が設けられた１辺部のシール材４２の内側には、２つの走査線駆動回路５２を繋ぐ複数の配線５５が設けられている。これらデータ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２に繋がる配線は、複数の外部接続端子５４に接続されている。また、対向基板２０の角部には、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通部５６が設けられている。なお、検査回路５３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路５１と表示領域Ｅとの間のシール材４２の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００４２】
以下の説明では、データ線駆動回路５１が設けられた１辺部に沿った方向をＸ方向とし、この１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向とする。図１ＡのＨ−Ｈ’線の方向は、Ｙ方向に沿った方向である。また、Ｘ方向およびＹ方向と直交し図１Ｂにおける上方に向かう方向をＺ方向とする。なお、本明細書では、液晶表示装置１の対向基板２０の表面の法線方向（Ｚ方向）から見ることを「平面視」という。
【００４３】
図１Ｂに示すように、基板１０ａの液晶層４０側の表面には、画素Ｐ毎に設けられたスイッチング素子としてのＴＦＴ３０（図２参照）と、光透過性を有する画素電極１５と、信号配線（図示しない）と、画素電極１５を覆う配向膜１８とが設けられている。画素電極１５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する導電膜からなる。
【００４４】
また、本実施形態の素子基板１０には、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａ（図４Ａ参照）に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。遮光構造については後述する。
【００４５】
対向基板２０の液晶層４０側には、遮光層２１と、層間層２２と、共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００４６】
遮光層２１は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、平面的に走査線駆動回路５２、複数の配線５５や検査回路５３と重なる位置に額縁状に設けられている。遮光層２１は、対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４７】
図１Ｂに示す層間層２２は、遮光層２１を覆うように形成されている。層間層２２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの絶縁膜で形成され、光透過性を有している。層間層２２は、遮光層２１などに起因する凹凸を緩和し、共通電極２３が形成される液晶層４０側の面が平坦となるように設けられている。層間層２２の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４８】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する導電膜からなり、層間層２２を覆うとともに、図１Ａに示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部５６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
【００４９】
配向膜１８および配向膜２４は、液晶表示装置１の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８および配向膜２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
【００５０】
液晶層４０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶表示装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。
【００５１】
図２に示すように、表示領域Ｅには、ゲート配線（走査線）３ａとデータ線６ａとが互いに絶縁され交差するように形成されている。ゲート配線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。画素Ｐは、ゲート配線３ａとデータ線６ａとの交差に対応して設けられている。画素Ｐのそれぞれには、画素電極１５と、スイッチング素子としてのＴＦＴ３０（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）とが設けられている。
【００５２】
ＴＦＴ３０のソース電極３１（図３参照）は、データ線６ａに電気的に接続されている。データ線６ａは、データ線駆動回路５１（図１Ａ参照）に接続されており、データ線駆動回路５１から供給される画像信号（データ信号）Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを画素Ｐに供給する。データ線駆動回路５１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。
【００５３】
ＴＦＴ３０のゲート電極３０ｇ（図３参照）は、ゲート配線（走査線）３ａに電気的に接続されている。本実施形態では、ゲート電極３０ｇはゲート配線（走査線）３ａの一部である。ゲート配線（走査線）３ａは、走査線駆動回路５２（図１Ａ参照）に接続されており、走査線駆動回路５２から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各画素Ｐに供給する。走査線駆動回路５２は、ゲート配線（走査線）３ａに対して、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。ＴＦＴ３０のドレイン電極３２（図３参照）は、画素電極１５に電気的に接続されている。
【００５４】
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、ＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａを介して画素電極１５に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極１５を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向基板２０に設けられた共通電極２３（図１Ｂ参照）との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。
【００５５】
保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、データ線６ａに沿って平行するように形成された容量線１６ａと画素電極１５との間に保持容量１６が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、各画素Ｐの液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶の配向状態が変化する。これにより、液晶層４０（図１Ｂ参照）に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【００５６】
なお、図１Ａに示した検査回路５３には、データ線６ａが接続されており、液晶表示装置１の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶表示装置１の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。また、検査回路５３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００５７】
＜素子基板＞
図３は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の素子基板の構造を示す概略断面図である。図３に示すように、素子基板１０は、第１の基板としての基板１０ａと、第１の遮光層としての下側遮光層３ｂと、第１の絶縁層としての層間絶縁層１１ａと、第２の遮光層としての上側遮光層３ｃと、第２の絶縁層としての層間絶縁層１１ｂと、ＴＦＴ３０と、データ線６ａと、保持容量１６と、画素電極１５とを備えている。
【００５８】
下側遮光層３ｂは、基板１０ａ上に形成されている。下側遮光層３ｂは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらを積層したものからなり、導電性と遮光性とを有している。下側遮光層３ｂの膜厚は、例えば、２００ｎｍ程度である。
【００５９】
基板１０ａと下側遮光層３ｂとを覆うように、層間絶縁層１１ａが形成されている。層間絶縁層１１ａは、例えば酸化シリコン膜などからなる。層間絶縁層１１ａの膜厚は、例えば、３００ｎｍ〜４００ｎｍ程度である。
【００６０】
上側遮光層３ｃは、層間絶縁層１１ａ上に形成されている。上側遮光層３ｃは、下側遮光層３ｂと同様の金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらを積層したものからなり、導電性と遮光性とを有している。上側遮光層３ｃの膜厚は、例えば、１００ｎｍ程度である。下側遮光層３ｂと上側遮光層３ｃとは、基板１０ａ側から入射する光を遮光する役割を果たすとともに、走査線としての役割を果たす。
【００６１】
層間絶縁層１１ａと上側遮光層３ｃとを覆うように、層間絶縁層１１ｂが形成されている。層間絶縁層１１ｂは、例えば酸化シリコン膜などからなる。層間絶縁層１１ｂの膜厚は、例えば、３００ｎｍ〜４００ｎｍ程度である。
【００６２】
層間絶縁層１１ｂ上には、ＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａとゲート絶縁層１１ｃとゲート電極３０ｇとソース電極３１とドレイン電極３２とを有している。半導体層３０ａは、層間絶縁層１１ｂ上に島状に形成されている。半導体層３０ａは、例えば、多結晶シリコン膜からなり、Ｐ（リン）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されている。
【００６３】
半導体層３０ａは、データ線側ソースドレイン領域（以下ではソース領域と称する）３０ｓと、画素電極側ソースドレイン領域（以下ではドレイン領域と称する）３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、ソース領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられたデータ線側ＬＤＤ領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃとドレイン領域３０ｄとの間に設けられた画素電極側ＬＤＤ領域３０ｆと、を有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。半導体層３０ａの膜厚は、例えば、５０ｎｍ程度である。
【００６４】
チャネル領域３０ｃには、Ｂ（ボロン）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。ソース領域３０ｓ、ドレイン領域３０ｄ、データ線側ＬＤＤ領域３０ｅ、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｆには、Ｐ（リン）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このような構成により、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００６５】
ゲート絶縁層１１ｃは、層間絶縁層１１ｂと半導体層３０ａとを覆うように形成されている。ゲート絶縁層１１ｃは、例えば酸化シリコン膜などからなる。ゲート電極３０ｇは、ゲート絶縁層１１ｃ上に、ゲート絶縁層１１ｃを間に挟んでチャネル領域３０ｃに対向するように形成されている。ゲート電極３０ｇ（ゲート配線３ａ）は、例えば、多結晶シリコン膜からなる。
【００６６】
ゲート絶縁層１１ｃとゲート電極３０ｇとを覆うように、層間絶縁層１１ｄが形成されている。層間絶縁層１１ｄは、例えば酸化シリコン膜などからなる。半導体層３０ａのソース領域３０ｓ側の端部と重なる位置に、層間絶縁層１１ｄとゲート絶縁層１１ｃとを貫通するコンタクトホールＣＨ１が形成されている。また、ドレイン領域３０ｄ側の端部と重なる位置には、層間絶縁層１１ｄとゲート絶縁層１１ｃとを貫通するコンタクトホールＣＨ２が形成されている。
【００６７】
層間絶縁層１１ｄ上には、データ線６ａと中継電極６ｂとが形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらを積層したものからなり、導電性と遮光性とを有している。
【００６８】
データ線６ａおよび中継電極６ｂは、例えば、同じ材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることによって得られる。また、データ線６ａおよび中継電極６ｂを形成する材料でコンタクトホールＣＨ１を埋めることによりソース電極３１が形成され、コンタクトホールＣＨ２を埋めることによりドレイン電極３２が形成される。
【００６９】
データ線６ａと中継電極６ｂと層間絶縁層１１ｄとを覆うように層間絶縁層１１ｅが形成されている。層間絶縁層１１ｅは、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなる。層間絶縁層１１ｅには、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施されている。平坦化処理の方法としては、例えば化学的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing；ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００７０】
層間絶縁層１１ｅには、中継電極６ｂと重なる位置に、層間絶縁層１１ｅを貫通するコンタクトホールＣＨ３が形成されている。層間絶縁層１１ｅ上には、保持容量１６の一部を構成する容量線１６ａ（ＣＯＭ電位）が形成されている。容量線１６ａは、例えば、下層にＡｌ（アルミニウム）膜が配置され、上層にＴｉＮ（窒化チタン）膜が配置された積層構造になっている。
【００７１】
容量線１６ａを覆うように、アルミナやシリコン窒化膜などからなる容量絶縁膜１６ｂが形成されている。また、容量絶縁膜１６ｂ上における、コンタクトホールＣＨ４の領域と平面視で重なる領域近傍に、シリコン酸化膜などからなるストッパー膜１６ｃ１が形成されている。ストッパー膜１６ｃ１は、容量絶縁膜１６ｂの形成前、すなわち、容量線１６ａと容量絶縁膜１６ｂとの間に形成されていてもよい。
【００７２】
ストッパー膜１６ｃ１と容量絶縁膜１６ｂと層間絶縁層１１ｅとの上には、平面視で中継電極６ｂと重なるように、保持容量１６の一部を構成する容量電極１６ｃが形成されている。容量電極１６ｃは、Ａｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより形成されている。なお、上記したストッパー膜１６ｃ１上において、隣り合う容量電極１６ｃと容量電極１６ｃとが分離するようにパターニングされている。
【００７３】
容量電極１６ｃは、コンタクトホールＣＨ３の内部にも形成されている。これにより、容量電極１６ｃは、コンタクトホールＣＨ３を介して中継電極６ｂに電気的に接続され、ドレイン電極３２に電気的に接続されている。容量電極１６ｃは、コンタクトホールＣＨ３を介して、中継電極６ｂと画素電極１５とを電気的に接続する中継電極としての役割も果たす。
【００７４】
容量電極１６ｃ上には、層間絶縁層１１ｆが形成されている。層間絶縁層１１ｆは、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなる。層間絶縁層１１ｆにも、層間絶縁層１１ｅと同様に平坦化処理が施されていてもよい。容量電極１６ｃと重なる位置に、層間絶縁層１１ｆを貫通するコンタクトホールＣＨ４が形成されている。コンタクトホールＣＨ４は、例えば、容量電極１６ｃのうちストッパー膜１６ｃ１と平面視で重なる位置に形成される。
【００７５】
画素電極１５は、層間絶縁層１１ｆ上に、平面視で容量電極１６ｃおよびコンタクトホールＣＨ４と重なるように形成されている。画素電極１５は、ＩＴＯなどの透明導電膜で成膜され、コンタクトホールＣＨ４の内部にも形成されている。これにより、画素電極１５は、コンタクトホールＣＨ４を介して容量電極１６ｃに電気的に接続され、コンタクトホールＣＨ３と中継電極６ｂとを介してドレイン電極３２に電気的に接続されている。
【００７６】
＜素子基板の遮光構造＞
図１Ｂに示す液晶表示装置１がプロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる場合、光源から発せられた光は、対向基板２０側から入射し、液晶層４０を透過して、素子基板１０側へ射出される。図３に示す素子基板１０では、容量電極１６ｃ、データ線６ａ、中継電極６ｂが、対向基板２０側（図３における上方側）から半導体層３０ａに入射する光を遮蔽して、光によるＴＦＴ３０の誤動作を防止する役目を果たしている。
【００７７】
近年では、光源からの光量の増大とともに、従来よりも反射率の高い無機偏光板が用いられる場合もあり、液晶表示装置１の光が射出される素子基板１０側（裏面）から入射する反射光等に対する遮光性を従来よりも向上させることが求められている。また、対角１インチ程度の大型の液晶表示装置で高周波の駆動信号で駆動する必要性が高まっており、ゲート配線３ａの配線抵抗を低くすることも求められている。
【００７８】
そこで、本実施形態に係る液晶表示装置１は、素子基板１０側（裏面）から入射する光を遮蔽する遮光構造を備え、その遮光構造が走査線の配線抵抗を低くする役割も果たす。以下に、液晶表示装置１が備える遮光構造を、図４Ａおよび図４Ｂを参照して説明する。
【００７９】
図４Ａは、第１の実施形態に係る素子基板のＴＦＴ部の構成を示す概略平面図である。図４Ｂは、図４ＡのＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。なお、図４ＡのＡ−Ａ’線は、半導体層３０ａが延在する方向と交差するＸ方向に沿った線である。図４Ａおよび図４Ｂでは、ゲート電極３０ｇ（ゲート配線３ａ）よりも上層の構成要素の図示を省略している。
【００８０】
図４Ａには、第１の実施形態に係る素子基板１０のうち、Ｘ方向に沿って延在するゲート配線３ａと、Ｙ方向に沿って延在するデータ線６ａ（図２参照）との交差部が示されている。ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、Ｙ方向に沿ってゲート配線３ａとデータ線６ａとの交差部の両側に延在し、平面視でデータ線６ａと重なるように配置されている。ゲート配線３ａにおける平面視で半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと重なる部分が、ゲート電極３０ｇとなっている。すなわち、ゲート電極３０ｇは、平面視で半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと重なっている。
【００８１】
下側遮光層３ｂと上側遮光層３ｃとは、平面視でゲート配線３ａと重なるように配置されており、Ｘ方向において画素Ｐ（図１Ａ参照）間に跨って設けられている。また、下側遮光層３ｂと上側遮光層３ｃとは、ゲート配線３ａとデータ線６ａとの交差部において、平面視で半導体層３０ａの少なくともチャネル領域３０ｃと重なるように配置されている。
【００８２】
このように、画素Ｐ同士の間の遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止するとともに、画素Ｐの開口領域における開口率を確保している。
【００８３】
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、半導体層３０ａ（チャネル領域３０ｃ）のＸ方向における両外側には、ゲート絶縁層１１ｃと層間絶縁層１１ｂとを貫通する第３のコンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＨ５と、第４のコンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＨ６とが形成されている。ゲート電極３０ｇ（ゲート配線３ａ）を形成する材料でコンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６を埋めることにより、ゲート電極３０ｇ（ゲート配線３ａ）と上側遮光層３ｃとが電気的に接続されている。
【００８４】
また、半導体層３０ａ（チャネル領域３０ｃ）のＸ方向における両外側には、層間絶縁層１１ａを貫通する第１のコンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＨ７と、第２のコンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＨ８とが形成されている。半導体層３０ａに対して、コンタクトホールＣＨ７はコンタクトホールＣＨ５よりも外側に配置され、コンタクトホールＣＨ８はコンタクトホールＣＨ６よりも外側に配置されている。
【００８５】
上側遮光層３ｃを形成する材料でコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８を埋めることにより、ゲート電極３０ｇ（ゲート配線３ａ）と電気的に接続された上側遮光層３ｃと、下側遮光層３ｂとが電気的に接続されている。すなわち、上側遮光層３ｃと下側遮光層３ｂとは、ともにゲート電極３０ｇと同電位に設定されている。したがって、ゲート配線３ａと上側遮光層３ｃと下側遮光層３ｂとの３層で、走査線が構成される。
【００８６】
なお、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８の位置は特に制約されないが、上側遮光層３ｃの表面におけるコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８の位置に窪みが生じる場合があるので、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８が平面視で上層のコンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６と重ならないように配置されることが好ましい。
【００８７】
第１の実施形態に係る素子基板１０では、半導体層３０ａと基板１０ａとの間に、平面視で半導体層３０ａと重なるように、上側遮光層３ｃと下側遮光層３ｂとが配置されている。そのため、基板１０ａ側から半導体層３０ａに入射する光を遮蔽することができる。
【００８８】
そして、半導体層３０ａの両外側に、半導体層３０ａの下層の層間絶縁層１１ｂを貫通するコンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６により形成されるＺ方向に沿った一対の遮光部と、さらに上側遮光層３ｃの下層の層間絶縁層１１ａを貫通するコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８により形成されるＺ方向に沿った一対の遮光部とが配置されている。そのため、基板１０ａ側からＺ方向に対して斜めに入射する光や、ゲート配線３ａと上側遮光層３ｃとの間あるいは上側遮光層３ｃと下側遮光層３ｂとの間で反射されて伝播される光を半導体層３０ａの両外側から遮蔽することができる。
【００８９】
ここで、第１の実施形態に係る素子基板１０の遮光効果を従来の構成の素子基板と比較して説明する。図５は、第１の実施形態に係る素子基板の遮光効果を示すグラフである。図１０Ａは、従来の素子基板のＴＦＴ部の構成例を示す概略平面図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。なお、図１０Ａおよび図１０Ｂでは、ゲート電極３０ｇ（ゲート配線３ａ）よりも上層の構成要素の図示を省略している。
【００９０】
図１０Ａおよび図１０Ｂに示す従来の素子基板６０は、第１の実施形態に係る素子基板１０に対して、半導体層３０ａと基板１０ａとの間に配置された遮光層が１層（下側遮光層３ｂのみ）である点が異なっているものとする。下側遮光層３ｂの膜厚は、素子基板１０と同様に、２００ｎｍ程度である。下側遮光層３ｂは、コンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６を介してゲート電極３０ｇ（ゲート配線３ａ）と電気的に接続されている。すなわち、従来の素子基板６０ではゲート配線３ａと下側遮光層３ｂとの２層で走査線が構成される。
【００９１】
図１０Ｂに示すように、従来の素子基板６０において、基板１０ａ側から基板１０ａの法線方向（Ｚ方向）に対して斜めに入射する入射光Ｌは、その一部が基板１０ａと下側遮光層３ｂとの界面で反射され、他の一部が下側遮光層３ｂで吸収と透過とがなされ、透過した光の一部が半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃに入射する。これに対して、図４Ｂに示すように、第１の実施形態に係る素子基板１０では、基板１０ａ側から入射する入射光Ｌは、基板１０ａと下側遮光層３ｂとの界面で反射され、さらに、下側遮光層３ｂを透過した一部が層間絶縁層１１ａと上側遮光層３ｃとの界面で反射される。そのため、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃに入射する光をより効果的に遮光できる。
【００９２】
図５において、横軸は入射光Ｌの波長（ｎｍ）であり、縦軸は遮光層を透過する入射光Ｌの透過率（％）である。図５に示す遮光層１層（膜厚２００ｎｍ）が素子基板６０の構成における透過率であり、遮光層２層（膜厚１００ｎｍ＋２００ｎｍ）が第１の実施形態に係る素子基板１０の構成における透過率である。また、遮光層２層（膜厚１００ｎｍ＋１００ｎｍ）は、素子基板１０で下側遮光層３ｂの膜厚を１００ｎｍとした比較例における透過率である。
【００９３】
図５に示すように、従来の素子基板６０の構成における透過率と比べて、第１の実施形態に係る素子基板１０の構成における透過率は格段に低くなっている。これは、半導体層３０ａと下側遮光層３ｂとの間に、さらに上側遮光層３ｃが設けられていることにより、遮光性が従来よりも向上していることを示している。
【００９４】
また、素子基板１０で下側遮光層３ｂの膜厚を１００ｎｍとした比較例では、２層の遮光層の膜厚の合計は２００ｎｍで従来の素子基板６０と同様であるが、比較例における透過率は従来の素子基板６０の構成における透過率よりも低くなっている。これは、遮光層の膜厚（合計）が同じであっても、間に層間絶縁層（層間絶縁層１１ａ）を介して２層の遮光層を配置する方が、界面反射が多くなることで遮光性が従来よりも向上することを示している。なお、図５では、横軸の範囲を可視光の波長域のほぼ中央部としているが、上述の透過率の大小関係は、可視光の波長域全域においてほぼ同様である。
【００９５】
第１の実施形態に係る素子基板１０の構成において、下側遮光層３ｂおよび上側遮光層３ｃの膜厚をともに２００ｎｍ（２層で２００ｎｍ＋２００ｎｍ）とすれば、遮光性のさらなる向上が期待できるが、２層の遮光層に起因して上層に生じる段差が大きくなるため、上側遮光層３ｃの膜厚を１００ｎｍとすることが好ましい。
【００９６】
また、従来の素子基板６０ではゲート配線３ａと下側遮光層３ｂとの２層で走査線が構成されるのに対して、第１の実施形態に係る素子基板１０ではゲート配線３ａと下側遮光層３ｂと上側遮光層３ｃとの３層で走査線が構成されるので、走査線の配線抵抗を従来よりも低く抑えることができる。したがって、液晶表示装置１が大型で高周波の駆動信号で駆動する液晶表示装置であっても、基板１０ａ側から入射する入射光Ｌに対する遮光性を従来よりも向上させつつ、走査線の配線抵抗を低くすることができる。
【００９７】
なお、下側遮光層３ｂと上側遮光層３ｃとは画素Ｐ間に跨って設けられているので、下側遮光層３ｂと上側遮光層３ｃとを電気的に接続するコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８は、画素Ｐ毎に設けられていなくてもよい。すなわち、下側遮光層３ｂと上側遮光層３ｃとが画素Ｐ間に跨って形成されている場合では、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８の数が画素Ｐの数よりも少ない構成としてもよい。
【００９８】
以上述べたように、第１の実施形態に係る素子基板１０の構成によれば、以下のような効果が得られる。
【００９９】
（１）基板１０ａと半導体層３０ａとの間に下側遮光層３ｂと層間絶縁層１１ａと上側遮光層３ｃとが配置されている。そのため、基板１０ａ側から半導体層３０ａ側に向かって入射する入射光Ｌは、基板１０ａと下側遮光層３ｂとの界面で反射され、さらに、層間絶縁層１１ａと上側遮光層３ｃとの界面で反射されるので、基板１０ａ側から半導体層３０ａに入射する入射光Ｌを効果的に遮光できる。また、下側遮光層３ｂと上側遮光層３ｃとはともにゲート電極３０ｇと同電位に設定されているため、ゲート配線３ａと２層の遮光層を含む３層で走査線を構成できるので、走査線の配線抵抗を低くできる。この結果、遮光性を従来よりも向上させつつ、走査線の配線抵抗を低くすることができるので、表示品質が高い液晶表示装置１を提供できる。
【０１００】
（２）走査線を構成する下側遮光層３ｂと上側遮光層３ｃとが画素Ｐ間に跨って形成されているので、液晶表示装置１が大型であり走査線が長い場合でも、遮光性を向上させつつ走査線の配線抵抗を低くすることができる。
【０１０１】
（３）層間絶縁層１１ａを貫通するコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８により下側遮光層３ｂと上側遮光層３ｃとの間にＺ方向に沿った一対の遮光部が形成され、この一対の遮光部が平面視で半導体層３０ａの両側に配置される。そのため、基板１０ａ側からＺ方向に対して斜めに入射する入射光Ｌや、上側遮光層３ｃと下側遮光層３ｂとの間で反射されて伝播される光を、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８により形成される遮光部で半導体層３０ａの両側から遮光できるので、遮光性を一層向上させることができる。
【０１０２】
（４）ゲート絶縁層１１ｃと層間絶縁層１１ｂとを貫通するコンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６によりＺ方向に沿った一対の遮光部が形成され、この一対の遮光部が平面視で半導体層３０ａの両側に配置される。そのため、基板１０ａ側からＺ方向に対して斜めに入射する入射光Ｌや、ゲート配線３ａと上側遮光層３ｃとの間で反射されて伝播される光を、コンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６により形成される遮光部で半導体層３０ａの両側から遮光できるので、遮光性を一層向上させることができる。
【０１０３】
（第２の実施形態）
＜素子基板の遮光構造＞
次に、第２の実施形態に係る素子基板の遮光構造について、図６Ａおよび図６Ｂを参照して説明する。図６Ａは、第２の実施形態に係る素子基板のＴＦＴ部の構成を示す概略平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。
【０１０４】
第２の実施形態に係る素子基板１０Ａは、第１の実施形態に係る素子基板１０に対して、第２の遮光層としての上側遮光層３ｄが画素Ｐ毎に分断されて形成されている点が異なる以外は、第１の実施形態と同様の構成を有している。ここでは、第１の実施形態との相違点を説明し、第１の実施形態と同じ構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１０５】
図６Ａおよび図６Ｂに示すように、第２の実施形態に係る素子基板１０Ａは、基板１０ａと半導体層３０ａとの間に下側遮光層３ｂと層間絶縁層１１ａと上側遮光層３ｄとを備えている。第１の実施形態の上側遮光層３ｃがＸ方向において画素Ｐ間に跨って設けられていたのに対して、第２の実施形態の上側遮光層３ｄは画素Ｐ毎に分断されている。下側遮光層３ｂは、画素Ｐ間に跨って形成されている。
【０１０６】
第２の実施形態の上側遮光層３ｄは、第１の実施形態の上側遮光層３ｃと同様の材料および膜厚で形成されている。上側遮光層３ｄは、層間絶縁層１１ａを貫通するコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８を介して下側遮光層３ｂと電気的に接続されている。半導体層３０ａに対して、コンタクトホールＣＨ７はコンタクトホールＣＨ５よりも外側に配置され、コンタクトホールＣＨ８はコンタクトホールＣＨ６よりも外側に配置されている。
【０１０７】
第２の実施形態に係る素子基板１０Ａの構成によれば、上側遮光層３ｄが画素Ｐ毎に分断されていても、基板１０ａと半導体層３０ａとの間に下側遮光層３ｂと層間絶縁層１１ａと上側遮光層３ｄとが配置されているため、第１の実施形態と同様に、遮光性を従来よりも向上させることができる。また、図１０Ａおよび図１０Ｂに示す従来の素子基板６０のように基板１０ａと半導体層３０ａとの間に下側遮光層３ｂの一層のみが配置される場合よりも、走査線の配線抵抗を低く抑えることができる。第２の実施形態のこのような構成は、液晶表示装置１が小型であり走査線の配線抵抗を低くすることがそれほど重要視されない場合に適用できる。
【０１０８】
第２の実施形態に係る素子基板１０Ａの構成によれば、以下のような効果が得られる。
【０１０９】
（１）上側遮光層３ｄが画素Ｐ毎に分断されていても、基板１０ａと半導体層３０ａとの間に下側遮光層３ｂと層間絶縁層１１ａと上側遮光層３ｄとが配置されているため、第１の実施形態と同様に、遮光性を従来よりも向上させることができる。そして、走査線の配線抵抗を低く抑えることができる。
【０１１０】
（第３の実施形態）
＜素子基板の遮光構造＞
次に、第３の実施形態に係る素子基板の遮光構造について、図７Ａおよび図７Ｂを参照して説明する。図７Ａは、第３の実施形態に係る素子基板のＴＦＴ部の構成を示す概略平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。
【０１１１】
第３の実施形態に係る素子基板１０Ｂは、第２の実施形態に係る素子基板１０Ａに対して、第２の遮光層としての上側遮光層３ｅが画素Ｐ毎に分断されて形成されている点は同様であるが、コンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６とコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８とが平面視で重なるように配置されている点が異なる。ここでは、上記実施形態との相違点を説明し、上記実施形態と同じ構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１１２】
図７Ａおよび図７Ｂに示すように、第３の実施形態に係る素子基板１０Ｂは、基板１０ａと半導体層３０ａとの間に下側遮光層３ｂと層間絶縁層１１ａと上側遮光層３ｅとを備えている。層間絶縁層１１ａには、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８が形成されており、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８を含む範囲に、表面（上方の面）から窪んだ凹部３４が形成されている。
【０１１３】
第３の実施形態の上側遮光層３ｅは、第１の実施形態の上側遮光層３ｃと同様の材料および膜厚で形成されている。上側遮光層３ｅは、画素Ｐ毎に分断されており、層間絶縁層１１ａに設けられた凹部３４とコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８とを埋めるように形成されている。上側遮光層３ｅの表面は、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８の位置も含め略平坦な面となっている。また、上側遮光層３ｅの表面と層間絶縁層１１ａの表面とは、略平坦な一つの面となっている。上側遮光層３ｅは、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８を介して下側遮光層３ｂと電気的に接続されている。
【０１１４】
このような第３の実施形態に係る素子基板１０Ｂは、以下のようにして製造できる。層間絶縁層１１ａにコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８を形成した後、層間絶縁層１１ａを表面側からエッチングして凹部３４を形成する。そして、凹部３４とコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８とを埋めるように上側遮光層３ｅの材料を配置してパターニングした後、上側遮光層３ｅの表面と層間絶縁層１１ａの表面とを平坦化する平坦化処理を施す。
【０１１５】
第３の実施形態に係る素子基板１０Ｂでは、コンタクトホールＣＨ７はコンタクトホールＣＨ５と平面視で重なるように配置され、コンタクトホールＣＨ８はコンタクトホールＣＨ６と平面視で重なるように配置されている。素子基板１０Ｂでは、上側遮光層３ｅの表面が略平坦な面となっているので、その上層に形成するコンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６の位置が制約されない。換言すれば、コンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６の位置に対して、コンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８の位置が制約されない。
【０１１６】
そのため、コンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６，ＣＨ７，ＣＨ８により遮光される領域を小さくできるので、液晶表示装置１の開口率を向上させることができる。したがって、第３の実施形態に係る素子基板１０Ｂの構成は、液晶表示装置１が、画素Ｐの配置ピッチが狭い小型で高精細の液晶表示装置である場合に好適である。また、上側遮光層３ｅの表面と層間絶縁層１１ａの表面とが略平坦な面となっているので、上側遮光層３ｅの膜厚に起因して上層に生じる段差を抑えることができる。
【０１１７】
第３の実施形態に係る素子基板１０Ｂの構成によれば、以下のような効果が得られる。
【０１１８】
（１）上側遮光層３ｅが画素Ｐ毎に分断されていても、基板１０ａと半導体層３０ａとの間に下側遮光層３ｂと層間絶縁層１１ａと上側遮光層３ｅとが配置されているため、第１の実施形態と同様に、遮光性を従来よりも向上させることができる。そして、走査線の配線抵抗を低く抑えることができる。
【０１１９】
（２）層間絶縁層１１ａを貫通する一対のコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８を埋めて、層間絶縁層１１ａ上に略平坦な表面を有する上側遮光層３ｅが形成される。そのため、上層側から上側遮光層３ｅと電気的に接続するためのコンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６を形成する場合にその位置が制約されないので、配線パターン設計の自由度を高めることができる。
【０１２０】
（３）層間絶縁層１１ａを貫通し下側遮光層３ｂと上側遮光層３ｅとを電気的に接続する一対のコンタクトホールＣＨ７，ＣＨ８と、ゲート絶縁層１１ｃと層間絶縁層１１ｂとを貫通しゲート電極３０ｇと上側遮光層３ｅとを電気的に接続する一対のコンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６とが平面視で重なるように配置される。そのため、コンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６，ＣＨ７，ＣＨ８により遮光される領域を小さくできるので、液晶表示装置１の開口率を向上させることができる。
【０１２１】
（第４の実施形態）
＜素子基板の遮光構造＞
次に、第４の実施形態に係る素子基板の遮光構造について、図８Ａおよび図８Ｂを参照して説明する。図８Ａは、第４の実施形態に係る素子基板のＴＦＴ部の構成を示す概略平面図である。図８Ｂは、図８ＡのＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。なお、図８ＡのＢ−Ｂ’線は、半導体層３０ａが延在するＹ方向に沿った線である。
【０１２２】
第４の実施形態に係る素子基板１０Ｃは、上記実施形態に係る素子基板１０，１０Ａ，１０Ｂに対して、層間絶縁層１１ａを貫通し下側遮光層３ｂと第２の遮光層としての上側遮光層３ｆとを電気的に接続するコンタクトホールＣＨ９が、平面視で半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと重なる位置に設けられている点が異なる。ここでは、上記実施形態との相違点を説明し、上記実施形態と同じ構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１２３】
図８Ａおよび図８Ｂに示すように、第４の実施形態に係る素子基板１０Ｃは、基板１０ａと半導体層３０ａとの間に下側遮光層３ｂと層間絶縁層１１ａと上側遮光層３ｆとを備えている。第４の実施形態の上側遮光層３ｆは、第１の実施形態の上側遮光層３ｃと同様の材料および膜厚で形成されている。また、第１の実施形態と同様に、コンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６は、平面視で半導体層３０ａの両側に配置されている（図８Ａ参照）。
【０１２４】
層間絶縁層１１ａには、平面視で半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと重なる位置に、貫通孔３５（第５のコンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＨ９）が設けられている。貫通孔３５は、Ｘ方向およびＹ方向において、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃを含みチャネル領域３０ｃよりも広い範囲に形成されていることが好ましい。貫通孔３５のＹ方向に沿った長さは、例えば２μｍ程度であり、貫通孔３５の深さは、例えば０．５μｍ程度である。
【０１２５】
図８Ｂに示すように、貫通孔３５は平面視で下側遮光層３ｂと重なる領域に設けられるので、層間絶縁層１１ａに貫通孔３５を形成した時点では、貫通孔３５内に下側遮光層３ｂが露出する。本明細書では、層間絶縁層１１ａに形成された貫通孔３５の側部（斜面）を、コンタクトホールＣＨ９の側部３５ｂと称し、貫通孔３５内に露出する下側遮光層３ｂの表面をコンタクトホールＣＨ９の底部３５ａと称する。
【０１２６】
図８Ｂに示す半導体層３０ａの延在方向に沿った断面視において、上側遮光層３ｆは、コンタクトホールＣＨ９の底部３５ａ（貫通孔３５内に露出する下側遮光層３ｂの表面）と、コンタクトホールＣＨ９の側部３５ｂと、コンタクトホールＣＨ９の外側に位置する層間絶縁層１１ａの表面とに亘って配置されている。上側遮光層３ｆは、コンタクトホールＣＨ９の底部３５ａにおいて、下側遮光層３ｂと接して電気的に接続されている。
【０１２７】
このように上側遮光層３ｆを断面視で凹状に形成することで、上層に半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃが配置される底部３５ａと側部３５ｂとさらにその外側の層間絶縁層１１ａの表面とを覆うように上側遮光層３ｆが配置されるので、チャネル領域３０ｃに入射する光を効果的に遮光できる。
【０１２８】
層間絶縁層１１ａと上側遮光層３ｆとを覆うように、層間絶縁層１１ｂが形成されている。層間絶縁層１１ａ上に形成される層間絶縁層１１ｂの膜厚が上述したように３００ｎｍ〜４００ｎｍ程度である場合、コンタクトホールＣＨ９の側部３５ｂにおける層間絶縁層１１ｂの膜厚は、例えば２００ｎｍ程度となる。層間絶縁層１１ｂの表面側には、コンタクトホールＣＨ９の底部３５ａと側部３５ｂとに沿って形成された上側遮光層３ｆの形状が反映されて、底部３５ａに対応する底部３６ａと、側部３５ｂに対応する側部３６ｂとを有する凹部３６が形成される。底部３６ａのＹ方向に沿った長さは、例えば１．５μｍ程度である。
【０１２９】
半導体層３０ａは、層間絶縁層１１ｂ上に、凹部３６の底部３６ａと側部３６ｂとに沿って上側遮光層３ｆを覆うように配置されている。このように半導体層３０ａを断面視で凹状に形成することで、半導体層３０ａの実質的な長さを、図８Ａに示す半導体層３０ａの平面視における長さＤよりも長くできる。
【０１３０】
換言すれば、本来必要とする半導体層３０ａの長さに対して、平面視における半導体層３０ａの長さＤを短くできる。そのため、遮光領域を小さくすることができるので、液晶表示装置１の開口率を向上させることができる。したがって、第４の実施形態に係る素子基板１０Ｃの構成は、液晶表示装置１が、画素Ｐの配置ピッチが狭い小型で高精細の液晶表示装置である場合に好適である。
【０１３１】
層間絶縁層１１ｂと半導体層３０ａとを覆うように、ゲート絶縁層１１ｃが形成されている。ゲート絶縁層１１ｃ上に、チャネル領域３０ｃに対向するようにゲート電極３０ｇが形成されている。ゲート絶縁層１１ｃの表面にも凹部３６の形状が反映されるので、ゲート電極３０ｇも凹部３６の底部３６ａと側部３６ｂとに沿うように形成される。したがって、平面視におけるゲート電極３０ｇの幅を小さくできる。ゲート電極３０ｇは、半導体層３０ａ（チャネル領域３０ｃ）のＸ方向における両外側に、ゲート絶縁層１１ｃと層間絶縁層１１ｂとを貫通するコンタクトホールＣＨ５，ＣＨ６を介して上側遮光層３ｆと電気的に接続されている（図８Ａ参照）。
【０１３２】
ここで、半導体層３０ａのうち少なくともチャネル領域３０ｃは、凹部３６の底部３６ａに配置されていることが好ましい。チャネル領域３０ｃが凹部３６の底部３６ａに配置されることで、チャネル領域３０ｃのチャネル長を確保することができる。そして、チャネル領域３０ｃの両側に配置されるデータ線側ＬＤＤ領域３０ｅと画素電極側ＬＤＤ領域３０ｆとを、凹部３６の底部３６ａから側部３６ｂを経てさらにその外側に亘る範囲内に配置することが可能となるので、十分な長さのＬＤＤ領域を確保できる。したがって、液晶表示装置１が画素Ｐの配置ピッチが狭い小型で高精細の液晶表示装置である場合でも、優れた動作特性を有するＴＦＴ３０を形成できる。
【０１３３】
なお、チャネル領域３０ｃの所望のチャネル長に対して、底部３６ａの径がそのチャネル長以上となるように、下層側の層間絶縁層１１ａに形成されるコンタクトホールＣＨ９（貫通孔３５）の底部３５ａの径が適宜設定されるものとする。
【０１３４】
第４の実施形態に係る素子基板１０Ｃの構成によれば、以下のような効果が得られる。
【０１３５】
（１）半導体層３０ａの延在方向に沿った断面視において、層間絶縁層１１ａを貫通するコンタクトホールＣＨ９の底部３５ａと、その側部３５ｂと、さらにその外側の層間絶縁層１１ａの表面とに亘って上側遮光層３ｆが配置され、層間絶縁層１１ｂを介して上側遮光層３ｆを覆うように半導体層３０ａが配置される。そのため、半導体層３０ａの実質的な長さを平面視における長さＤよりも長くすることができる。換言すれば、必要とする半導体層３０ａの長さに対して平面視における半導体層３０ａの長さＤを短くできるので、遮光領域を小さくすることが可能となり、液晶表示装置１の開口率を向上させることができる。
【０１３６】
（２）半導体層３０ａのうち少なくともチャネル領域３０ｃはコンタクトホールＣＨ９の底部３５ａに配置されるので、液晶表示装置１が小型である場合でもチャネル領域３０ｃのチャネル長を確保することができる。そして、チャネル領域３０ｃの両側にデータ線側ＬＤＤ領域３０ｅと画素電極側ＬＤＤ領域３０ｆとを有する場合は、データ線側ＬＤＤ領域３０ｅと画素電極側ＬＤＤ領域３０ｆとをコンタクトホールＣＨ９の底部３５ａから側部３５ｂを経てさらにその外側に亘る範囲内に配置することが可能となるので、十分なＬＤＤ領域を確保できる。したがって、優れた動作特性を有するＴＦＴ３０を形成できる。また、半導体層３０ａの下層に配置される上側遮光層３ｆが、チャネル領域３０ｃが配置される底部３５ａと側部３５ｂとさらにその外側の層間絶縁層１１ａの表面とを覆うように配置されるので、チャネル領域３０ｃに入射する光を効果的に遮光できる。
【０１３７】
なお、第４の実施形態に係る素子基板１０Ｃの構成は、第１の実施形態、第２の実施形態、および第３の実施形態にも適用できる。
【０１３８】
（第５の実施形態）
＜電子機器＞
次に、第５の実施形態に係る電子機器について図９を参照して説明する。図９は、第５の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。
【０１３９】
図９に示すように、第５の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクター（投写型表示装置）１００は、偏光照明装置１１０と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１０４，１０５と、３つの反射ミラー１０６，１０７，１０８と、５つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３，１１４，１１５と、３つの液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１１６と、投写レンズ１１７とを備えている。
【０１４０】
偏光照明装置１１０は、例えば超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とを備えている。ランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とは、システム光軸Ｌｘに沿って配置されている。
【０１４１】
ダイクロイックミラー１０４は、偏光照明装置１１０から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１０５は、ダイクロイックミラー１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１４２】
ダイクロイックミラー１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１０６で反射した後にリレーレンズ１１５を経由して液晶ライトバルブ１２１に入射する。ダイクロイックミラー１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１１４を経由して液晶ライトバルブ１２２に入射する。ダイクロイックミラー１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３と２つの反射ミラー１０７，１０８とで構成される導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３に入射する。
【０１４３】
光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３は、クロスダイクロイックプリズム１１６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調され、クロスダイクロイックプリズム１１６に向けて射出される。
【０１４４】
クロスダイクロイックプリズム１１６は、４つの直角プリズムが貼り合わされて構成されており、その内面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１１７によってスクリーン１３０上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【０１４５】
液晶ライトバルブ１２１は、上記実施形態の液晶表示装置１が適用されたものである。液晶ライトバルブ１２１は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２，１２３も同様である。
【０１４６】
第５の実施形態に係るプロジェクター１００の構成によれば、複数の画素Ｐが高精細に配置されていても、光が透過する画素領域の開口率が高くＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑止できる液晶表示装置１を備えているので、品質が高く明るいプロジェクター１００を提供することができる。
【０１４７】
上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形および応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。
【０１４８】
（変形例１）
上記実施形態に係る素子基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃでは、下側遮光層３ｂの膜厚が厚く（２００ｎｍ程度）、上側遮光層３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆの膜厚が薄い（１００ｎｍ程度）構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。下側遮光層３ｂの膜厚が薄く（１００ｎｍ程度）、上側遮光層３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆの膜厚が厚い（２００ｎｍ程度）構成としてもよい。このような構成であっても、上記実施形態と同様の効果が得られる。
【０１４９】
（変形例２）
第２の実施形態に係る素子基板１０Ａおよび第３の実施形態に係る素子基板１０Ｂでは、下側遮光層３ｂが画素Ｐ間に跨って形成され、上側遮光層３ｄ，３ｅは画素Ｐ毎に分断された構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。下側遮光層３ｂが画素Ｐ毎に分断され、上側遮光層３ｄ，３ｅが画素Ｐ間に跨って形成された構成であってもよい。このような構成であっても、上記実施形態と同様の効果が得られる。
【０１５０】
（変形例３）
上記実施形態に係る素子基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの遮光構造を適用可能な表示装置は、液晶表示装置１に限定されない。素子基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの遮光構造は、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等の表示装置に適用するようにしてもよい。
【０１５１】
（変形例４）
上記実施形態に係る液晶表示装置１を適用可能な電子機器は、プロジェクター１００に限定されない。液晶表示装置１は、例えば、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１５２】
１…液晶表示装置（表示装置）、３ａ…ゲート配線（走査線）、３ｂ…下側遮光層（第１の遮光層）、３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ…上側遮光層（第２の遮光層）、１０ａ…基板（第１の基板）、１１ａ…層間絶縁層（第１の絶縁層）、１１ｂ…層間絶縁層（第２の絶縁層）、１１ｃ…ゲート絶縁層、２０ａ…基板（第２の基板）、３０…ＴＦＴ（スイッチング素子）、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｇ…ゲート電極、３５ａ…底部、３５ｂ…側部、４０…液晶層、１００…プロジェクター（電子機器）、ＣＨ５…コンタクトホール（第３のコンタクトホール）、ＣＨ６…コンタクトホール（第４のコンタクトホール）、ＣＨ７…コンタクトホール（第１のコンタクトホール）、ＣＨ８…コンタクトホール（第２のコンタクトホール）、ＣＨ９…コンタクトホール（第５のコンタクトホール）、Ｐ…画素。
【図１Ａ】
2017083679.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
2017083679.tif 000016
【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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