(57)【要約】【課題】表示領域を囲む周辺領域からの光漏れを防止可能な電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶パネル１１０は、第１基板としての素子基板１０の周辺領域Ｅ２において画素電極１５と異なる層に配置され、第２基板としての対向基板２０の共通電極２３との間で液晶層５０を黒表示に制御する電位が供給される遮光性の導電膜８を備えた。【選択図】図５
2017083678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に配置された画素電極を有する第１基板と、
少なくとも前記表示領域に亘って配置された対向電極を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とにより挟持され、前記画素電極と前記対向電極との間の電界によって制御される液晶層と、
前記第２基板の前記表示領域の周辺領域において、前記表示領域を囲むように配置された遮光膜と、
前記第１基板の前記周辺領域において前記画素電極と異なる層に配置され、前記対向電極との間で前記液晶層を黒表示に制御する電位が供給される遮光性の導電膜と、を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記導電膜は、前記第１基板において前記画素電極の下層に絶縁膜を介して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記導電膜には、前記対向電極の電位と同じ電位が供給されることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２基板の外縁と前記遮光膜の外縁との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを接着させるシールを備え、
前記シールは、光硬化型の接着剤からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１基板の前記シールが配置されたシール領域と前記周辺領域とに配置された透明導電膜を、さらに備えたことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記透明導電膜は、前記第１基板の少なくとも前記シール領域において分断されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記透明導電膜は、電気的にフローティング状態であることを特徴とする請求項５または６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、画素ごとにスイッチング素子を有するアクティブ駆動型の液晶装置が挙げられる。液晶装置は、一対の基板を所定の間隔で対向配置し、その隙間に液晶を充填して液晶層が構成される。液晶装置の表示領域には、複数の画素が配置されており、表示領域における表示を見易くするため、一対の基板のうち一方の基板には、表示領域を囲む遮光部が設けられている。遮光部が表示領域の外縁との間にわずかな隙間を有して配置されている場合、該隙間から光が漏れることで表示品質の低下を招くおそれがあった。
【０００３】
係る不具合を改善するため、例えば特許文献１には、第１の基板において、複数の画素電極が配置された表示領域の周囲を覆うように遮光用電極を形成し、画像表示中は、遮光用電極と、第２の基板の対向電極との間に黒表示となる電位を供給する液晶表示装置が開示されている。
【０００４】
また、例えば特許文献２には、第１基板において、表示領域の周りの外周領域内に画素電極と接しないように配置されると共に、上記外周領域の外縁近傍まで延在している第１調光電極と、第２基板において、上記外周領域内に第１調光電極に対向して配置された光透過性の第２調光電極とを有し、表示領域の表示状態にかかわらず、第１調光電極と第２調光電極との間の電圧を制御可能とする液晶表示装置が開示されている。また、画像表示の際に、調光電極間の液晶を遮光状態とすることが示されている。
【０００５】
上記特許文献１や特許文献２によれば、いずれも表示領域の周辺における光漏れを防止することが可能であるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−６３２８号公報
【特許文献２】特開２００６−３４３５２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１の遮光用電極や上記特許文献２の第１調光電極は、一方の基板上において画素電極と同層に形成されており、画素電極が透明電極からなる場合、遮光用電極や第１調光電極もまた透明電極であると推察される。したがって、これらの電極に対して液晶層を挟んで配置された光透過性の対向電極や第２調光電極との間に電圧を印加して、黒表示あるいは液晶層を遮光状態としても、液晶層における液晶分子の配向状態によってはわずかに光漏れが生ずるおそれがあった。
【０００８】
具体的には、画素電極と同層に遮光用電極や第１調光用電極が形成されているため、これらの電極と画素電極との間に横電界が生ずると、該横電界によって液晶層における液晶分子の配向状態が乱れて、黒表示あるいは遮光状態が不安定となり、光漏れが生ずるおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、表示領域に配置された画素電極を有する第１基板と、少なくとも前記表示領域に亘って配置された対向電極を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持され、前記画素電極と前記対向電極との間の電界によって制御される液晶層と、前記第２基板の前記表示領域の周辺領域において、前記表示領域を囲むように配置された遮光膜と、前記第１基板の前記周辺領域において前記画素電極と異なる層に配置され、前記対向電極との間で前記液晶層を黒表示に制御する電位が供給される遮光性の導電膜と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、表示領域の周辺において第２基板側から入射する光は遮光膜によって遮光される。また、対向電極との間で液晶層を黒表示とする導電膜は遮光性であるため、黒表示においてわずかな光漏れがあったとしても、導電膜に入射した光は遮光される。さらに、導電膜は画素電極と異なる層に配置されているため、画素電極との間で横電界が生じ難い。すなわち、表示領域の周辺における光漏れを防止可能な電気光学装置を提供することができる。
【００１２】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記導電膜は、前記第１基板において前記画素電極の下層に絶縁膜を介して配置されていることを特徴とする。
この構成によれば、導電膜と画素電極との間の横電界の発生を抑制できる。
【００１３】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記導電膜には、前記対向電極の電位と同じ電位が供給されることが好ましい。
この構成によれば、導電膜と対向電極との間で電界が生じないので、導電膜と対向電極との間の液晶層における液晶分子の配向状態は電界の影響を受けずに安定した状態となる。つまり、液晶層に電界を生じさせない状態で黒表示を実現できる。
【００１４】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２基板の外縁と前記遮光膜の外縁との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを接着させるシールを備え、前記シールは、光硬化型の接着剤からなることを特徴とする。
この構成によれば、シールが設けられた領域には遮光膜が配置されていないので、光を照射することでシールを確実に硬化させることができる。その一方で、シールと遮光膜との間の液晶層は黒表示であることから、シールと遮光膜との間に隙間があっても、当該隙間からの光漏れを防止することができる。
【００１５】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１基板の前記シールが配置されたシール領域と前記周辺領域とに配置された透明導電膜を、さらに備えることが好ましい。
この構成によれば、シール領域と周辺領域とに透明導電膜を設けない場合に比べて、シールを透過した水分などが周辺領域における基板表面に吸着され難くなる。つまり、シールを透過した水分などにより信頼性品質が低下することを抑制できる。
【００１６】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記透明導電膜は、前記第１基板の少なくとも前記シール領域において分断されていることが好ましい。
この構成によれば、シールと第１基板との間で、透明導電膜が分断されることに伴う凹凸が生ずるので、シールと第１基板との密着性を向上させて、水分などの浸入を低減し、高い信頼性品質を有する電気光学装置を提供することができる。
【００１７】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記透明導電膜は、電気的にフローティング状態であることが好ましい。
この構成によれば、透明導電膜と画素電極との間で横電界が生じ難いので、周辺領域の液晶層において安定した黒表示状態を実現できる。
【００１８】
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
本適用例によれば、表示領域の周辺領域における光漏れが防止され、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の画素の構造を示す概略断面図。
【図５】図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の周辺領域における遮光構造を示す要部断面図。
【図６】液晶装置の周辺領域における透明導電膜の配置を示す概略平面図。
【図７】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２１】
本実施形態では、電気光学装置として、スイッチング素子である薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素ごとに備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２２】
（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図である。図３は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２３】
図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを備えた液晶パネル１１０を有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。素子基板１０が本発明の第１基板に相当し、対向基板２０が本発明の第２基板に相当するものである。
【００２４】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール４０を介して間隔を置いて貼り合わされている。額縁状に配置されたシール４０の内側に液晶が注入され液晶層５０が構成されている。なお、上記間隔に液晶を注入する方法は、例えば、額縁状に配置されたシール４０の内側に液晶を滴下して、減圧下で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるＯＤＦ（One  Drop  Fill）法が挙げられる。
シール４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を用いることができる。本実施形態では、紫外線硬化型のエポキシ樹脂が採用されている。シール４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２５】
シール４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅ１が設けられている。また、シール４０と表示領域Ｅ１との間に表示領域Ｅ１を取り囲んで遮光膜としての見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。
【００２６】
素子基板１０には、複数の外部接続用端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１の辺部とシール４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール４０と表示領域Ｅ１との間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール４０と表示領域Ｅ１との間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線（図示省略）が設けられている。
【００２７】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線（図示省略）は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅ１との間のシール４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、対向基板２０側から素子基板１０側に向かう方向に沿って見ることを「平面視」または「平面的に」と言う。
【００２８】
図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、画素電極１５が設けられた表示領域Ｅ１の外縁とシール４０との間の周辺領域Ｅ２と、シール４０が設けられたシール領域Ｅ３とには、それぞれ島状に且つ電気的に独立して透明導電膜１６が設けられている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、透明導電膜１６、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。素子基板１０の詳しい構成については、後述する。
【００２９】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、基材２０ｓのほぼ全面に亘って設けられた対向電極としての共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。対向基板２０において遮光膜としての見切り部２１が設けられた領域を見切り領域Ｅ４と呼ぶこととする。
【００３０】
見切り部２１は、図１に示すように表示領域Ｅ１を取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅ１に入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅ１の表示における高いコントラストを確保している。なお、表示領域Ｅ１の外縁と見切り領域Ｅ４の内縁との間には、素子基板１０と対向基板２０との貼り合わせにおける位置精度を考慮して、わずかではあるが隙間がある（図１参照）。また、前述したように、本実施形態では紫外線硬化型のエポキシ樹脂を用いてシール４０が形成されているため、見切り部２１は平面視でシール４０と重ならないように配置されている。よって、シール領域Ｅ３の内縁と見切り領域Ｅ４の外縁との間には、素子基板１０と対向基板２０との貼り合わせにおける位置精度とシール４０の紫外線硬化性とを考慮して、わずかではあるが隙間がある（図１参照）。
【００３１】
平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３２】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３３】
画素電極１５を覆う配向膜１８及び共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００３４】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００３５】
次に図３を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅ１において互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３及び複数のデータ線６と、データ線６に沿って平行に配置された容量線７とを有する。走査線３が延在する方向がＸ方向であり、データ線６が延在する方向がＹ方向である。
【００３６】
走査線３、データ線６及び容量線７と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量３１とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３７】
走査線３はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００３８】
データ線６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３は走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。
【００３９】
データ線駆動回路１０１からデータ線６に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３に対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４０】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。
【００４１】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量３１が接続されている。蓄積容量３１は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線７との間に設けられている。
【００４２】
なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線６が接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では図示を省略している。
【００４３】
本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６に供給するサンプリング回路、データ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４４】
＜画素の構造＞
次に、本実施形態の液晶装置１００（液晶パネル１１０）における画素Ｐの構造について説明する。図４は、液晶装置の画素の構造を示す概略断面図である。
【００４５】
図４に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３が形成される。走査線３は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００４６】
走査線３を覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（下地絶縁膜）１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、第１ソース・ドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、第２ソース・ドレイン領域を有するＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造が形成されている。
半導体層３０ａは、遮光性を有する走査線３の上方に設けられているため、基材１０ｓ側から半導体層３０ａに入射する光は遮光される。これにより、当該入射光によるＴＦＴ３０の光誤動作が防止される。
【００４７】
半導体層３０ａを覆うように第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第２絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００４８】
ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第３絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
【００４９】
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第３絶縁膜１１ｃを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域に繋がるデータ線６が形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域に繋がる第１中継電極６ｂが形成される。
【００５０】
次に、データ線６及び第１中継電極６ｂと第３絶縁膜１１ｃを覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなる。そして、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical  Mechanical  Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００５１】
第１中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第１容量電極３１ａと第２中継電極３１ｄとが形成される。
【００５２】
第１容量電極３１ａのうち、後に形成される誘電体層３１ｃを介して第２容量電極３１ｂと対向する部分の外縁を覆うように絶縁膜１３ａがパターニングされて形成される。また、第２中継電極３１ｄのうちコンタクトホールＣＮＴ４と重なる部分を除いた外縁を覆うように絶縁膜１３ａがパターニングされて形成される。
【００５３】
絶縁膜１３ａと第１容量電極３１ａを覆って誘電体層３１ｃが成膜される。誘電体層３１ｃとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、又はこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第２中継電極３１ｄと重なる部分の誘電体層３１ｃはエッチングされて除かれる。誘電体層３１ｃを覆うように例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極３１ａに対向配置され、第２中継電極３１ｄに繋がる第２容量電極３１ｂが形成される。誘電体層３１ｃと、誘電体層３１ｃを挟んで対向配置された第１容量電極３１ａと第２容量電極３１ｂとにより蓄積容量３１が構成される。
【００５４】
次に、第２容量電極３１ｂと誘電体層３１ｃとを覆う第２層間絶縁膜１３ｂが形成される。第２層間絶縁膜１３ｂも例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第２容量電極３１ｂのうち第２中継電極３１ｄと接する部分に至るように第２層間絶縁膜１３ｂを貫通するコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。
【００５５】
このコンタクトホールＣＮＴ４を被覆すると共に第２層間絶縁膜１３ｂを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、配線８ａと、コンタクトホールＣＮＴ４を介して第２中継電極３１ｄに電気的に接続される第３中継電極８ｂとが形成される。配線８ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６及び蓄積容量３１と重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。
【００５６】
配線８ａと第３中継電極８ｂとを覆うように第３層間絶縁膜１４が形成される。第３層間絶縁膜１４も、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができる。第３層間絶縁膜１４を貫通して第３中継電極８ｂに至るコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。
【００５７】
このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆し、第３層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ５を介して第３中継電極８ｂに電気的に繋がる画素電極１５が形成される。
【００５８】
第３中継電極８ｂは、コンタクトホールＣＮＴ４、第２容量電極３１ｂ、第２中継電極３１ｄ、コンタクトホールＣＮＴ３、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ５を介して画素電極１５と電気的に接続している。
【００５９】
第１容量電極３１ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図３参照）における容量線７として機能している。第１容量電極３１ａには固定電位が与えられる。これにより、ＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極３１ａと第２容量電極３１ｂとの間において保持することができる。
【００６０】
このように素子基板１０の基材１０ｓ上には、複数の配線が形成されており、配線間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線層を表すこととする。すなわち、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを括って配線層１１と呼ぶ。配線層１１の代表的な配線は走査線３である。配線層１２の代表的な配線はデータ線６である。絶縁膜１３ａ、第２層間絶縁膜１３ｂを括って配線層１３と呼び、代表的な配線は第１容量電極３１ａつまり容量線７である。同じく、配線層１４の代表的な配線は、配線８ａ（シールド層）である。
【００６１】
画素電極１５を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の共通電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。前述したように、配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長させたカラム１８ａ，２４ａの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対してカラム１８ａ，２４ａの傾斜方向に３度〜５度のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical  Alignment）する。画素電極１５と共通電極２３との間に交流電圧（駆動信号）を印加して液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１５と共通電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。
【００６２】
＜周辺領域の遮光構造＞
次に、本実施形態の液晶装置１００（液晶パネル１１０）の周辺領域Ｅ２における遮光構造について、図５及び図６を参照して説明する。図５は図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の周辺領域における遮光構造を示す要部断面図、図６は液晶装置の周辺領域における透明導電膜の配置を示す概略平面図である。
【００６３】
本実施形態の液晶装置１００（液晶パネル１１０）は、対向基板２０側から入射した光が、表示領域Ｅ１以外の周辺領域Ｅ２において素子基板１０側から光漏れすることを防止するための構成を有している。
【００６４】
具体的には、図５に示すように、素子基板１０の配線層１４において、第３中継電極８ｂと同層に遮光性の導電膜８が設けられている。導電膜８は、例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物を用いて形成することができ、本実施形態では、光反射性を有するＡｌ膜に光吸収性を有するＴｉＮ膜を積層した遮光性の積層膜が用いられている。導電膜８は、その一部がシール領域Ｅ３に掛かると共に、周辺領域Ｅ２に亘って配置されている。また、表示領域Ｅ１において表示が行われるときに、導電膜８には、対向基板２０の共通電極２３に与えられる電位（ＬＣＣＯＭ電位）と同じ電位が与えられる。これにより、導電膜８と共通電極２３との間には、電位差つまり電界が生じないので、周辺領域Ｅ２における液晶分子ＬＣは略垂直配向状態となる。つまり周辺領域Ｅ２における液晶層５０はノーマリーブラック（黒表示）となる。
【００６５】
対向基板２０の周辺領域Ｅ２には、遮光膜としての見切り部２１が設けられている。平面視で素子基板１０の導電膜８と見切り部２１とは、液晶層５０を挟んで対向配置される。表示領域Ｅ１の外縁と見切り部２１が設けられた見切り領域Ｅ４の内縁との間、及びシール４０が設けられたシール領域Ｅ３の内縁と見切り領域Ｅ４の外縁との間には隙間がある。
【００６６】
このような、液晶パネル１１０において、対向基板２０側から見切り部２１に直接に入射する光はもちろんのこと、表示領域Ｅ１に対して斜め方向から入射して見切り部２１に向う光Ｌ１もまた見切り部２１によって遮光される。また、対向基板２０側から表示領域Ｅ１に対して斜め方向から入射して液晶層５０を透過し、導電膜８に向かう光Ｌ２は導電膜８によって遮光される。また、対向基板２０側から表示領域Ｅ１に対して斜め方向から入射して周辺領域Ｅ２の液晶層５０を透過しようとする光Ｌ３は、液晶層５０における液晶分子ＬＣが略垂直配向状態であることから液晶層５０を透過し難い。さらに、対向基板２０側からシール領域Ｅ３の内縁と見切り領域Ｅ４の外縁との隙間に入射した光Ｌ４は、やはり液晶層５０における液晶分子ＬＣが略垂直配向状態であることから液晶層５０を透過し難い。加えて、上記光Ｌ４が当該液晶層５０を透過したとしても導電膜８によって遮光される。
【００６７】
基材１０ｓ上において、導電膜８の下層、つまり周辺領域Ｅ２には、走査線駆動回路１０２が設けられている。したがって、走査線駆動回路１０２に対して電源電圧（直流電位）を供給するための電源配線（図５では図示省略）も周辺領域Ｅ２に設けられる。仮にＬＣＣＯＭ電位が供給される導電膜８が無い場合、上記電源配線と共通電極２３との間の電位差によって、液晶分子ＬＣの略垂直配向状態が乱されると共に、液晶層５０の電気分解が生じて液晶層５０が劣化するおそれがある。これに対して、ＬＣＣＯＭ電位が供給される導電膜８と共通電極２３との間では電位差が生じないため、液晶分子ＬＣの略垂直配向状態が維持されると共に、液晶層５０は劣化しない。なお、図５は、走査線駆動回路１０２が設けられた周辺領域Ｅ２の部分について図示しているが、このような導電膜８の配置は、走査線駆動回路１０２が設けられた周辺領域Ｅ２の部分に限らず、周辺領域Ｅ２において、検査回路１０３が設けられた領域や、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３が設けられていない領域においても同様である。
【００６８】
また、導電膜８が設けられた配線層１４上において、画素電極１５と同層に透明導電膜１６が設けられている。透明導電膜１６は、周辺領域Ｅ２に配置された第１透明導電膜１６ａと、シール領域Ｅ３に配置された第２透明導電膜１６ｂとを含むものである。透明導電膜１６は、画素電極１５と同じく例えばＩＴＯ膜が用いられている。第３層間絶縁膜１４上に成膜されたＩＴＯ膜をパターニングして分断することにより、画素電極１５、第１透明導電膜１６ａ、第２透明導電膜１６ｂが形成されている。
【００６９】
具体的には、図６に示すように、画素電極１５は、平面視で正方形であり、表示領域Ｅ１においてＸ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置されている。第１透明導電膜１６ａは、平面視で例えば正方形であり、周辺領域Ｅ２においてＸ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置されている。第１透明導電膜１６ａの大きさは、画素電極１５の大きさよりも小さい。また、Ｘ方向とＹ方向とに隣り合う第１透明導電膜１６ａの間隔ｄ２は、同じくＸ方向とＹ方向とに隣り合う画素電極１５の間隔ｄ１よりも大きい。したがって、周辺領域Ｅ２において、電気的に独立した第１透明導電膜１６ａをパターニングし易い。
【００７０】
第２透明導電膜１６ｂは、平面視で例えば正方形であり、シール領域Ｅ３においてＸ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置されている。第２透明導電膜１６ｂの大きさは、第１透明導電膜１６ａの大きさよりもさらに小さい。したがって、図５に示すように、素子基板１０において、シール領域Ｅ３の配向膜１８の表面は、他の部分に比べて細かな凹凸が生じた状態となるため、シール領域Ｅ３にシール４０を配置して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせたときに、シール４０と素子基板１０との密着性（接着性）が向上する。これにより、シール４０と素子基板１０との界面から水分などが液晶層５０に浸入し難くなる。
【００７１】
なお、平面視における第１透明導電膜１６ａ、及び第２透明導電膜１６ｂの形状は、正方形に限定されず、共に電気的にフローティング状態であればよく、例えばスジ状に形成してもよい。また、周辺領域Ｅ２に配置される第１透明導電膜１６ａは、ベタな形状であってもよいが、図６に示すようにＩＴＯ膜を分断してパターニングすることで第１透明導電膜１６ａを覆う配向膜１８の表面に凹凸が生ずる。これにより、表示領域Ｅ１において表示を行うことで、液晶層５０に含まれるイオン性の不純物などが周辺領域Ｅ２に掃き寄せられた場合、掃き寄せられた不純物を周辺領域Ｅ２に留め易くなる。換言すれば、周辺領域Ｅ２に掃き寄せられた不純物が再び表示領域Ｅ１に拡散し難くなり、不純物が表示に影響を及ぼし難くなる。
【００７２】
上記第１実施形態の液晶装置１００（液晶パネル１１０）によれば、以下の効果が得られる。
（１）対向基板２０側から表示領域Ｅ１に対して斜め方向から入射し、周辺領域Ｅ２に至る光Ｌ２，Ｌ３は、周辺領域Ｅ２の液晶層５０における液晶分子ＬＣが略垂直配向状態であることから液晶層５０を透過し難く、液晶層５０を透過したとしても配線層１４に設けられた遮光性の導電膜８によって遮光される。加えて、同じ理由からシール領域Ｅ３の内縁と見切り領域Ｅ４の外縁との隙間から入射した光Ｌ４も液晶層５０を透過し難く、液晶層５０を透過したとしても配線層１４に設けられた遮光性の導電膜８によって遮光される。つまり、対向基板２０側から入射した光は、周辺領域Ｅ２において、素子基板１０側から漏れることがない。ゆえに、光漏れが防止され、表示領域Ｅ１において高いコントラストで表示が可能な優れた表示品質を有する液晶装置１００を提供することができる。
【００７３】
（２）導電膜８は、画素電極１５の下層の配線層１４に設けられているため、導電膜８にＬＣＣＯＭ電位が与えられたとしても、画素電極１５との間に横電界が生じ難い。つまり、画素電極１５との横電界により、周辺領域Ｅ２における液晶分子ＬＣの配向状態が乱れ難いので、周辺領域Ｅ２における遮光性を維持できる。
【００７４】
（３）素子基板１０のシール領域Ｅ３には、複数の第２透明導電膜１６ｂが設けられている。これにより、複数の第２透明導電膜１６ｂを覆う配向膜１８の表面に細かな凹凸が生ずることから、シール４０と素子基板１０との密着性（接着性）が向上する。また、周辺領域Ｅ２には第１透明導電膜１６ａが配置されているので、水分などを吸着し易いシリコン系化合物からなる第３層間絶縁膜１４の表面の露出が抑えられる。ゆえに、シール４０と素子基板１０との界面から水分などが液晶層５０に浸入し難くなり、周辺領域Ｅ２の遮光性に加えて耐久品質が向上した液晶装置１００を提供できる。また、第１透明導電膜１６ａは、電気的にフローティング状態であることから、周辺領域Ｅ２における液晶分子ＬＣの略垂直配向状態すなわちノーマリーブラック（黒表示）を阻害しない。
【００７５】
（４）対向基板２０において、遮光膜としての見切り部２１は、平面視でシール４０（シール領域Ｅ３）と重ならないように配置されている。また、素子基板１０において、導電膜８は、平面視でシール４０（シール領域Ｅ３）と一部で重なって配置されている。したがって、光硬化型のシール４０を用いたとしても、素子基板１０側からまたは対向基板２０側から、あるいは双方から光を照射してシール４０を確実に硬化させることができる。つまり、導電膜８や見切り部２１は、光硬化型のシール４０における光硬化を阻害することなく、周辺領域Ｅ２における光漏れを防止することができる。
【００７６】
（第２実施形態）
次に、本実施形態の電子機器として、投射型表示装置を例に挙げて説明する。図７は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００７７】
図７に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００７８】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００７９】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８０】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８１】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８２】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶パネル１１０の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８３】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００が用いられているので、表示領域Ｅ１を囲む周辺領域Ｅ２における光漏れが改善され、優れた表示品質を有する投射型表示装置１０００を提供することができる。
【００８４】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置および該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８５】
（変形例１）周辺領域Ｅ２における光漏れを防止する導電膜８は、画素電極１５の下層の配線層１４に設けられることに限定されず、例えば、配線層１３と配線層１４とに分かれて配置されていてもよい。
【００８６】
（変形例２）複数の画素Ｐ（画素電極１５）が配置される表示領域Ｅ１には、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲んで配置された複数のダミー画素を含んでいてもよい。ダミー画素は、複数の画素Ｐにおいて表示が行われるときに、ノーマリーブラックの表示状態となるように、ダミー画素の画素電極１５に電位が与えられる。これによれば、表示領域Ｅ１の外縁と、見切り領域Ｅ４の内縁との隙間における光漏れをより低減可能である。
【００８７】
（変形例３）電気光学装置としての液晶装置１００が適用される電子機器は、上記第２実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００８８】
８…導電膜、１０…第１基板としての素子基板、１５…画素電極、１６…透明導電膜、２０…第２基板としての対向基板、２１…遮光膜としての見切り部、２３…対向電極としての共通電極、４０…シール、５０…液晶層、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ１…表示領域、Ｅ２…周辺領域、Ｅ３…シール領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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