(57)【要約】【課題】発光層から発せられる光の利用効率を向上させることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】本発明の表示装置は、画素電極と、前記画素電極が底に露出する開口が形成される画素分離絶縁膜と、前記開口の内側に形成される発光層と、を備え、前記画素分離絶縁膜は、前記発光層から発せされる光を受け、前記光と異なる方向に光を伝播させる粒子を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、
前記画素電極が底に露出する開口が形成される画素分離絶縁膜と、
前記開口の内側に形成される発光層と、
を備え、
前記画素分離絶縁膜は、前記発光層から発せされる光を受け、前記光と異なる方向に光を伝播させる粒子を含む、
表示装置。
【請求項２】
前記粒子は、前記発光層から発せされる光を受け、前記光と異なる方向に特定の波長の光を伝播させる、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光層の上方に配置されるカラーフィルタをさらに備え、
前記粒子は、前記発光層から発せされる光を受け、前記光と異なる方向に前記カラーフィルタの色に対応する色の光を伝播させる、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記画素分離絶縁膜は、前記開口から前記画素の境界までの範囲に前記カラーフィルタに覆われない部分を有する、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記発光層の上方に配置されるカラーフィルタであって、前記画素分離絶縁膜の前記開口から前記画素の境界までの範囲を覆うカラーフィルタをさらに備える、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記粒子は、前記発光層から発せされる光を受け、前記光と異なる方向に前記発光層から発せされる光の色に対応する色の光を伝播させる、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記画素分離絶縁膜に形成される前記開口は、隣り合う第１の開口と第２の開口とを備え、
前記画素分離絶縁膜の前記第１の開口と前記第２の開口との間の部分のうち、前記第１の開口に近い側に含まれる前記粒子と、前記第２の開口に近い側に含まれる前記粒子とは、互いに異なる波長の光を伝播させる、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記粒子は、量子ドット粒子を備える、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記粒子は、金属コロイド粒子を備える、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記粒子は、量子ドット粒子と金属コロイド粒子とを備える、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記発光層の上方に配置され、金属コロイド粒子を含むカラーフィルタをさらに備える、
請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置などの表示装置では、画素電極の上方に成膜された絶縁膜に、画素電極を露出させる開口が形成され、開口の内部に発光層が形成されることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−９３３１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の表示装置では、絶縁膜の開口の内部に形成された発光層から発せられる光が、絶縁膜の内部に入り込んでしまい、表示に利用できないおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、発光層から発せられる光の利用効率を向上させることが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の表示装置は、画素電極と、前記画素電極が底に露出する開口が形成される画素分離絶縁膜と、前記開口の内側に形成される発光層と、を備え、前記画素分離絶縁膜は、前記発光層から発せされる光を受け、前記光と異なる方向に光を伝播させる粒子を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】表示装置の外観斜視図である。
【図２】画素構造の第１の例を示す平面図である。
【図３】画素構造の第１の例を示す断面図である。
【図４】画素構造の第２の例を示す平面図である。
【図５】画素構造の第２の例を示す断面図である。
【図６】画素構造の第３の例を示す断面図である。
【図７】表示装置の製造工程を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１の外観斜視図である。表示装置１は、例えば有機発光素子（ＯＬＥＤ）を含む有機ＥＬ表示装置である。表示装置１は、アレイ基板２を備えており、中央部には、複数の画素がマトリクス状に配列した矩形状の表示領域２１が形成されている。以下、表示領域２１を構成する画素の画素構造について詳しく説明する。
【００１０】
［画素構造の第１の例］
図２と図３は、画素構造の第１の例を示す平面図と断面図である。図３は、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断したときの断面を模式的に示す図である。図３では、図を見易くするため、絶縁膜４１，４３，４５及び封止材４９のハッチングを省略している。以下の説明では、表示面ＤＳの方向を上方向とする。
【００１１】
本実施形態では、アレイ基板２がカラーフィルタ７Ｒ，７Ｇ，７Ｂを備えており、アレイ基板２に対向基板が貼り合わされていない。これに限られず、アレイ基板２にカラーフィルタを備える対向基板が貼り合わされてもよい。
【００１２】
図２に示されるように、１つの画素３は、複数の副画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ，３Ｗを備えている。本実施形態では、例えば赤、緑、青、白の４色の副画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ，３Ｗが１つの画素３を構成している。これに限られず、赤、緑、青の３色の副画素であってもよいし、シアン、マゼンタ、イエローの副画素を含んでもよい。
【００１３】
図３では、１つの画素３を構成する複数の副画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ，３Ｗのうちの、赤色の副画素３Ｒと緑色の副画素３Ｇの断面に着目して、要部を拡大して示している。
【００１４】
アレイ基板２は、例えばガラス、又はポリイミド等の可撓性がある樹脂からなる基材の上方に絶縁膜や導体層などが積層された積層体である。絶縁膜４１の上方には、各々の副画素に対応して下層電極５１が配置されている。下層電極５１は、例えば副画素を駆動する不図示のＴＦＴの一部又はＴＦＴに接続された電極である。絶縁膜４１は、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料からなる。下層電極５１は、例えばアルミニウム、銀、銅、ニッケル、チタンなどの導電性金属からなる。
【００１５】
絶縁膜４１と下層電極５１の上方は絶縁膜４３によって覆われており、絶縁膜４３の上方には各々の副画素に対応して画素電極５３が配置されている。絶縁膜４３には、画素電極５３を下層電極５１に接続するための開口４３ａが形成されている。絶縁膜４３は、例えばアクリル樹脂などの有機絶縁材料を主に含み、表面が平坦化されている。画素電極５３は、例えばアノードである。画素電極５３は、例えばアルミニウム、銀、銅、ニッケル、チタンなどの導電性金属からなり、反射面を有している。
【００１６】
絶縁膜４３と画素電極５３の上方は画素分離絶縁膜４５によって覆われており、画素分離絶縁膜４５には、画素電極５３が底に露出する開口４５ａが形成されている。画素分離絶縁膜４５は、バンク又はリブとも呼ばれる。開口４５ａは、平面視において画素電極５３に包含されるように形成されており、画素電極５３の周縁部を除くそれよりも内方の一部を露出させている。画素分離絶縁膜４５の開口４５ａを形成する内縁部は、画素電極５３の周縁部を覆っており、テーパー形状を有している。
【００１７】
画素分離絶縁膜４５は、例えばアクリル樹脂などの透明な有機材料を主に含んでいる。さらに、画素分離絶縁膜４５は、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９を含んでいる。すなわち、画素分離絶縁膜４５は、透明な母材の内部に量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９が分散された絶縁膜である。量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９についての詳細は後述する。
【００１８】
画素分離絶縁膜４５の開口４５ａの内側には、発光層を含む有機膜６が形成されている。有機膜６は、開口４５ａの底に露出した画素電極５３を覆っている。有機膜６は、例えば下から順に、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含んでいる。これに限られず、有機膜６は少なくとも発光層を含んでいればよい。有機膜６に含まれる発光層は、例えば白色の光を発する。有機膜６は、複数の副画素に亘って連続して形成されているが、これに限られず、各々の副画素に個別に形成されてもよい。また、隣接する画素が互いに異なる色の光を発するように形成されてもよい。
【００１９】
有機膜６の上方は、透明な対向電極５５によって覆われている。対向電極５５は、複数の副画素に亘って連続して形成されており、有機膜６の全体を覆っている。対向電極５５は、例えばカソードである。対向電極５５は、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電材料からなる。
【００２０】
有機膜６の上方には、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇが配置されている。カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇは、少なくとも画素分離絶縁膜４５の開口４５ａの上方に配置されている。開口４５ａの内側で画素電極５３を覆う有機膜６から上方向に発せられる白色光、及び下方向に発せられて画素電極５３により上方向に反射される白色光は、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇを透過し、それぞれの色の光として取り出される。
【００２１】
本例では、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇは、画素分離絶縁膜４５の開口４５ａの上方だけでなく、開口４５ａから隣り合う副画素３Ｒ，３Ｇの境界ＢＤまでの範囲を覆っている。言い換えると、本例では、隣り合う副画素３Ｒ，３Ｇの境界ＢＤは、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇの外縁によって定められている。
【００２２】
カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇの上方は、透明な封止材４９によって覆われている。封止材４９は、例えばエポキシ樹脂などの有機絶縁材料を主に含み、表面が平坦化されている。封止材４９の表面は、例えば表示面ＤＳとされる。カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇと封止材４９の間に、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料からなる絶縁膜が介在してもよい。なお、隣接する画素が互いに異なる色の光を発するように形成する場合は、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇは不要である。
【００２３】
以下、画素分離絶縁膜４５に含まれる量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９について説明する。
【００２４】
量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９は、有機膜６から発せされる光を受け、当該光と異なる方向に特定の波長の光を伝播させる粒子である。具体的には、開口４５ａの内側で画素電極５３を覆う有機膜６から面内方向に発せられる白色光は、画素分離絶縁膜４５の内部に進入する。量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９は、有機膜６から発せられ画素分離絶縁膜４５の内部に進入した白色光を受けると、特定の波長の光を種々の方向に伝播させ、その一部が表示面ＤＳの方向に向かう。
【００２５】
量子ドット粒子８は、例えばナノオーダーの半導体結晶であり、光を吸収して、特定の波長の蛍光を発する。量子ドット粒子８の蛍光波長は、粒子サイズに応じて変化する。量子ドット粒子８は、例えばカドミウムセレン（ＣｄＳｅ）を含んでいる。
【００２６】
金属コロイド粒子９は、金属ナノ粒子とも呼ばれ、例えばナノオーダーの金属であり、表面プラズモン共鳴により特定の波長の光を吸収し、他の波長の光を反射する。金属コロイド粒子９の吸収波長は、粒子サイズに応じて変化する。すなわち、金属コロイド粒子９の反射波長も、粒子サイズに応じて変化する。金属コロイド粒子９は、例えば金（Ａｕ）を含んでいる。
【００２７】
特に、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９の両方を含む場合、金属コロイド粒子９の表面プラズモン共鳴により量子ドット粒子８の蛍光が増強される効果が得られる。このため、画素分離絶縁膜４５は、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９の両方を含んでいることが好ましい。これに限られず、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９の一方であってもよい。
【００２８】
量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９は、有機膜６から発せられる白色光を受けると、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇの色に対応する色の光を伝播させる。ここで、カラーフィルタ７を透過する光の波長域と、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９が伝播させる光の波長域は、完全に同一でなくてよく、少なくとも一部が重複していればよい。
【００２９】
具体的には、赤色の副画素３Ｒに含まれる量子ドット粒子８Ｒと金属コロイド粒子９Ｒは、カラーフィルタ７Ｒと同じ赤色の光を伝播させるようにサイズを調整されており、有機膜６から発せられる白色光を受けると、赤色の光を種々の方向に伝播させ、その一部が上方向に向かい、カラーフィルタ７Ｒを透過して表示面ＤＳに至る。
【００３０】
同様に、緑色の副画素３Ｇに含まれる量子ドット粒子８Ｇと金属コロイド粒子９Ｇも、カラーフィルタ７Ｇと同じ緑色の光を伝播させるようにサイズを調整されており、有機膜６から発せられる白色光を受けると、緑色の光を種々の方向に伝播させ、その一部が上方向に向かい、カラーフィルタ７Ｇを透過して表示面ＤＳに至る。
【００３１】
画素分離絶縁膜４５のうち、隣り合う副画素３Ｒ，３Ｇの境界ＢＤの一方の側には赤色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｒと金属コロイド粒子９Ｒが含まれ、他方の側には緑色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｇと金属コロイド粒子９Ｇが含まれており、伝播させる光の波長が互いに異なっている。
【００３２】
言い換えると、本例では、隣り合う副画素３Ｒ，３Ｇの境界ＢＤは、赤色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｒと金属コロイド粒子９Ｒが含まれる範囲と、緑色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｇと金属コロイド粒子９Ｇが含まれる範囲とによっても定められている。
【００３３】
これに限られず、画素分離絶縁膜４５のうち、隣り合う副画素３Ｒ，３Ｇの境界ＢＤの近傍に、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９を含まない無色領域が設けられてもよい。逆に、画素分離絶縁膜４５の開口４５ａの近傍に、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９を含まない無色領域が設けられてもよい。
【００３４】
以上に説明した第１の例によると、画素分離絶縁膜４５に含まれる量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９が、開口４５ａの内側に形成された有機膜６から発せられる白色光を受けて特定の波長の光を種々の方向に伝播させるので、表示に寄与する光を増やすことが可能である。
【００３５】
特に、量子ドット粒子８は、白色光に含まれる短波長側の成分を吸収して蛍光を発するので、特定の波長の光の強度を増加させることが可能である。
【００３６】
また、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９は、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇの色に対応する色の光を伝播させるので、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇを透過しても光の強度の劣化が少ない。また、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９からの光がカラーフィルタ７Ｒ，７Ｇを透過するので、波長域が多少ずれていても、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇの色に揃えることが可能である。
【００３７】
なお、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９に代えて、例えば有機膜６から発せられる白色光を散乱する粒子を画素分離絶縁膜４５に含ませてもよい。散乱した白色光の一部はカラーフィルタ７Ｒ，７Ｇを透過して、それぞれの色の光として取り出される。
【００３８】
さらに、本実施形態では、画素分離絶縁膜４５のうち、赤色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｒと金属コロイド粒子９Ｒを含む部分と、緑色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｇと金属コロイド粒子９Ｇを含む部分とが、境界ＢＤを挟んで隣り合っている。これによると、隣り合う副画素３Ｒ，３Ｇの混色を抑制することが可能である。
【００３９】
画素分離絶縁膜４５が従来のように量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９を含まない場合、隣り合う副画素３Ｒ，３Ｇの一方で発せられた光が画素分離絶縁膜４５を透過して他方に至って、混色を生じるおそれがある。
【００４０】
これに対し、本実施形態では、赤色の副画素３Ｒで発せられた白色光は、量子ドット粒子８Ｒと金属コロイド粒子９Ｒを含む部分において赤色の光となるので、赤色の光は境界ＢＤを超えて、緑色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｇと金属コロイド粒子９Ｇを含む部分に入射しても消失してしまう。同様に、緑色の副画素３Ｇで発せられた白色光は、量子ドット粒子８Ｇと金属コロイド粒子９Ｇを含む部分において緑色の光となるので、緑色の光は境界ＢＤを超えて、赤色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｒと金属コロイド粒子９Ｒを含む部分に入射しても消失してしまう。このようにして、隣り合う副画素３Ｒ，３Ｇの混色を抑制することが可能である。
【００４１】
以上の説明では、赤色の副画素３Ｒと緑色の副画素３Ｇの断面に着目したが、青色の副画素３Ｂもこれらと同様の構成を有しており、同様の効果を得ることが可能である。なお、白色の副画素３Ｗには量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９が含まれない方が好ましい。また、以上の説明では、有機膜６が白色の光を発する場合について説明したが、隣接する画素が互いに異なる色の光を発する場合においても、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９の材料や粒径などの条件を適宜調整することで、同様の効果を得ることが可能である。
【００４２】
［画素構造の第２の例］
図４と図５は、画素構造の第２の例を示す平面図と断面図である。図５は、図４中のＶ−Ｖ線で切断したときの断面を模式的に示す図である。上記の例と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略することがある。
【００４３】
本例では、画素分離絶縁膜４５は、開口４５ａから境界ＢＤまでの範囲にカラーフィルタ７Ｒ，７Ｇに覆われない部分を有する。本例では、隣り合う副画素３Ｒ，３Ｇの境界ＢＤは、赤色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｒと金属コロイド粒子９Ｒが含まれる範囲と、緑色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｇと金属コロイド粒子９Ｇが含まれる範囲とによって定められている。
【００４４】
赤色の副画素３Ｒに含まれる量子ドット粒子８Ｒと金属コロイド粒子９Ｒは、有機膜６から発せられる白色光を受けると、赤色の光を種々の方向に伝播させ、その一部は上方向に向かい、カラーフィルタ７Ｒを透過せずに表示面ＤＳに至る。
【００４５】
緑色の副画素３Ｇに含まれる量子ドット粒子８Ｇと金属コロイド粒子９Ｇは、有機膜６から発せられる白色光を受けると、緑色の光を種々の方向に伝播させ、その一部が上方向に向かい、カラーフィルタ７Ｇを透過せずに表示面ＤＳに至る。
【００４６】
以上に説明した第２の例によると、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇを副画素３Ｒ，３Ｇの境界ＢＤまで広げなくても、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９が、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇの色に対応する色の光を表示面ＤＳに至らせている。
【００４７】
このように、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇが副画素３Ｒ，３Ｇの境界ＢＤまで広がっていないので、画素３をより高精細化することが容易である。また、以上の説明では、有機膜６が白色の光を発する場合について説明したが、隣接する画素が互いに異なる色の光を発する場合においても、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９の材料や粒径などの条件を適宜調整することで、同様の効果を得ることが可能である。
【００４８】
［画素構造の第３の例］
図６は、画素構造の第３の例を示す断面図である。上記の例と重複する構成については、同番号を付すことで詳細な説明を省略することがある。
【００４９】
本例では、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇが金属コロイド粒子９を含んでいる。カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇを透過する光は、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇによってそれぞれの色にされると共に、金属コロイド粒子９によってもカラーフィルタ７Ｒ，７Ｇの色に対応する色にされる。
【００５０】
具体的には、赤色のカラーフィルタ７Ｒに含まれる金属コロイド粒子９Ｒは、カラーフィルタ７Ｒと同じ赤色の光を伝播させるようにサイズを調整されており、赤色のカラーフィルタ７Ｒを透過する光は、カラーフィルタ７Ｒによって赤色にされると共に、金属コロイド粒子９Ｒによっても赤色にされる。
【００５１】
同様に、緑色のカラーフィルタ７Ｇに含まれる金属コロイド粒子９Ｇも、カラーフィルタ７Ｇと同じ緑色の光を伝播させるようにサイズを調整されており、緑色のカラーフィルタ７Ｇを透過する光は、カラーフィルタ７Ｇによって緑色にされると共に、金属コロイド粒子９Ｇによっても緑色にされる。
【００５２】
以上に説明した第３の例によると、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇが金属コロイド粒子９を含むことで、カラーフィルタ７Ｒ，７Ｇを透過する光の色を調整することが可能である。また、以上の説明では、有機膜６が白色の光を発する場合について説明したが、隣接する画素が互いに異なる色の光を発する場合においても、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９の材料や粒径などの条件を適宜調整することで、同様の効果を得ることが可能である。
【００５３】
［表示装置の製造工程］
図７は、表示装置１の製造工程を示す工程図である。以下の説明では、表示装置１の製造工程のうち、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９を含む画素分離絶縁膜４５を形成する部分について説明する。
【００５４】
（ａ）では、絶縁膜４３と画素電極５３の上方に、画素分離絶縁膜４５となる被覆膜４５ｐが成膜され、開口４５ａが形成される。被覆膜４５ｐの成膜は、例えばスピンコート等の塗布法により実現される。開口４５ａの形成は、レジスト１００を用いたフォトエッチングにより実現される。
【００５５】
ここで、レジスト１００は、互いに高さが異なる高背部１０１と低背部１０２を備えている。高背部１０１と低背部１０２は、副画素３Ｒ，３Ｇの範囲にそれぞれ形成される。例えば、高背部１０１は赤色の副画素３Ｒの範囲に形成され、低背部１０２は緑色の副画素３Ｇの範囲に形成される。
【００５６】
また、被覆膜４５ｐとレジスト１００の間には、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９を吸着するための吸着剤１０５が予め塗布されている。これに限られず、被覆膜４５ｐに吸着剤が予め混入されてもよい。
【００５７】
（ｂ）では、レジスト１００の厚さ方向の一部がハーフアッシングにより除去される。これにより、高背部１０１の範囲には、高背部１０１の一部が残存した残部１０３が形成され、低背部１０２の範囲には吸着剤１０５が露出する。
【００５８】
（ｃ）では、被覆膜４５ｐの表面の、低背部１０２が除去されて吸着剤１０５が露出した範囲に、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９が吸着される。例えば、緑色の副画素３Ｇの範囲に露出した吸着剤１０５に、緑色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｇと金属コロイド粒子９Ｇが吸着される。
【００５９】
（ｄ）では、レジスト１００の残部１０３がフルアッシングにより除去される。これにより、残部１０３の範囲に吸着剤１０５が露出する。
【００６０】
（ｅ）では、被覆膜４５ｐの表面の、残部１０３が除去されて吸着剤１０５が露出した範囲に、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９が吸着される。例えば、赤色の副画素３Ｒの範囲に露出した吸着剤１０５に、赤色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｒと金属コロイド粒子９Ｒが吸着される。
【００６１】
以上のようにして、量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９を表層部分に含む画素分離絶縁膜４５が形成される。なお、青色の副画素３Ｂの範囲にも量子ドット粒子８と金属コロイド粒子９を吸着させる場合には、レジスト１００を３段階でアッシングしてよい。
【００６２】
上記の方法に限られず、例えば、画素分離絶縁膜４５の、赤色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｒと金属コロイド粒子９Ｒを内部に含む部分と、緑色の光を伝播させる量子ドット粒子８Ｇと金属コロイド粒子９Ｇを内部に含む部分と、を個別に形成してもよい。
【００６３】
本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の自発光型表示装置に適用が可能であることは言うまでもない。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
【００６４】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６５】
１  表示装置、２  アレイ基板、２１  表示領域、３  画素、３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ，３Ｗ  副画素、４１  絶縁膜、４３  絶縁膜、４３ａ  開口、４５  画素分離絶縁膜、４５ａ  開口、４９  封止材、５１  下層電極、５３  画素電極、５５  対向電極、６  有機膜（発光層を含む）、７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ  カラーフィルタ、８Ｒ，８Ｇ  量子ドット粒子、９Ｒ，９Ｇ  金属コロイド粒子、ＢＤ  境界、１００  レジスト。
【図１】
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【図２】
2017174774.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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