(57)【要約】【課題】本発明の実施形態は、半導体パッケージの信頼性を向上させる。【解決手段】実施形態の半導体パッケージは、金属基体と前記金属基体の少なくとも一方の面に設けられた金属めっき層とを備える金属部品と、前記金属部品における少なくとも前記金属めっき層の表面に設けられた分子接合層と、前記分子接合層によって前記金属部品に接合された樹脂層と、を備え、前記分子接合層が、分子接合剤を含み、前記分子接合剤の少なくとも一部が、前記金属めっき層に含まれる金属と共有結合し、前記分子接合剤の少なくとも一部が、前記樹脂層に含まれる樹脂に共有結合している。【選択図】図１
2017174845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基体と前記金属基体の少なくとも一方の面に設けられた金属めっき層とを備える金
属部品と、
前記金属部品における少なくとも前記金属めっき層の表面に設けられた分子接合層と、
前記分子接合層によって前記金属部品に接合された樹脂層と、
を備え、
前記分子接合層が、分子接合剤を含み、
前記分子接合剤の少なくとも一部が、前記金属めっき層に含まれる金属と共有結合し、
前記分子接合剤の少なくとも一部が、前記樹脂層に含まれる樹脂に共有結合している半
導体パッケージ。
【請求項２】
前記分子接合層における前記金属部品に対する前記分子接合剤の被覆密度が、２０面積
％以上８０面積％以下である請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記分子接合層の少なくとも一部が、単分子膜状であり、
前記分子接合剤の少なくとも一部が、前記金属と前記樹脂の両方に共有結合している請
求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記金属基体が、銅又は銅合金を含有する請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記金属めっき層が、ニッケル又はニッケル合金を含有する請求項１に記載の半導体パ
ッケージ。
【請求項６】
前記樹脂層が、エポキシ樹脂を含むモールド樹脂である請求項１に記載の半導体パッケ
ージ。
【請求項７】
前記金属部品が、前記半導体パッケージの内部配線であるリードフレームである請求項
１に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記分子接合剤が、トリアジン誘導体である請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記トリアジン誘導体は、一般式（１）で表される化合物である請求項８に記載の半導
体パッケージ。
【化１】
2017174845.tif 000004
（式中、Ｒは、炭化水素基又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を
示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、
Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又は異種原子
もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ
２は１〜２までの整数である。）
【請求項１０】
金属基体と、前記金属基体の少なくとも一方の面に設けられた金属めっき層とを備える
金属部品における少なくとも前記金属めっき層の表面を、分子接合剤で被覆することで、
前記金属めっき層に含まれる金属に共有結合した前記分子接合剤を含む分子接合層を形成
し、
前記分子接合層の表面を樹脂で被覆することで、前記分子接合剤に共有結合した前記樹
脂を含む樹脂層を形成する、半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記金属めっき層の表面における前記分子接合層の少なくとも一部を単分子膜状に形成
することで、前記分子接合剤の少なくとも一部を前記金属と前記樹脂の両方に共有結合さ
せることを含む請求項１０に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記金属基体が、銅又は銅合金を含有することを含む請求項１０に記載の半導体パッケ
ージの製造方法。
【請求項１３】
前記金属めっき層が、ニッケル又はニッケル合金を含有することを含む請求項１０に記
載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記樹脂層が、エポキシ樹脂を含むモールド樹脂であることを含む請求項１０に記載の
半導体パッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記金属部品が、前記半導体パッケージの内部配線であるリードフレームであることを
含む請求項１０に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記分子接合剤が、トリアジン誘導体であることを含む請求項１０に記載の半導体パッ
ケージの製造方法。
【請求項１７】
前記トリアジン誘導体は、一般式（１）で表される化合物であることを含む請求項１６
に記載の半導体パッケージの製造方法。
【化２】
2017174845.tif 000005
（式中、Ｒは、炭化水素基又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を
示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、
Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又は異種原子
もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ
２は１〜２までの整数である。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属基体と金属めっき層を備える金属部品と、金属部品に設けられた樹脂層を備
えた半導体パッケージが知られている。このような半導体パッケージにおいては、金属部
品と樹脂層の間の密着性の向上が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２１１０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、半導体パッケージの信頼性を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体パッケージは、金属基体と前記金属基体の少なくとも一方の面に設け
られた金属めっき層とを備える金属部品と、前記金属部品における少なくとも前記金属め
っき層の表面に設けられた分子接合層と、前記分子接合層によって前記金属部品に接合さ
れた樹脂層と、を備え、前記分子接合層が、分子接合剤を含み、前記分子接合剤の少なく
とも一部が、前記金属めっき層に含まれる金属と共有結合し、前記分子接合剤の少なくと
も一部が、前記樹脂層に含まれる樹脂に共有結合している。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る半導体パッケージの一部断面図。
【図２】第１の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法の概略工程図。
【図３】第２の実施形態に係る半導体パッケージの一部断面図。
【図４】第３の実施形態に係る半導体パッケージの一部断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
【０００８】
本明細書では、いくつかの要素に複数の表現の例を付している。なおこれら表現の例は
あくまで例示であり、上記要素が他の表現で表現されることを否定するものではない。ま
た、複数の表現が付されていない要素についても、別の表現で表現されてもよい。
【０００９】
また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係や各層の厚みの比率などは
現実のものと異なることがある。また、図面相互間において互いの寸法の関係や比率が異
なる部分が含まれることもある。
【００１０】
（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態の半導体パッケージを、図１を参照して説明する。
【００１１】
図１の半導体パッケージ１００は、金属部品１０と、分子接合層２０と、樹脂層３０と
を備える。金属部品１０は、金属基体１１とこの金属基体１１の少なくとも一方の面に設
けられた金属めっき層１２とを備える。
【００１２】
金属基体１１は、例えば、半導体パッケージ１００の内部配線であるリードフレームで
ある。リードフレームを形成する金属としては、例えば、銅及び銅合金等が挙げられる。
【００１３】
金属基体１１の少なくとも一方の面には、金属めっき層１２が設けられている。金属め
っき層１２は、金属基体１１を酸化等の不具合から保護するための部材である。金属めっ
き層１２は、金属基体１１における樹脂層３０が設けられる側の表面に設けられることが
好ましい。これにより、金属基体１１における樹脂層３０が設けられる側の表面を酸化等
の不具合から保護することができる。また、金属基体１１の金属成分が樹脂層３０の樹脂
中に拡散することを防止することができる。
【００１４】
金属基体１１が銅で形成されている場合、金属基体１１が標準状態において空気又は湿
気に長期間曝されると、銅成分が酸化することがある。具体的には、銅又は銅合金が、樹
脂によって封止された状態でリードフレームとして長期間使用されると、樹脂と接触して
いる金属表面の銅成分が酸化することがある。また、銅成分が樹脂中に拡散することがあ
り、銅又は銅合金と樹脂との間の密着性が劣化することがある。このような現象は、１０
０℃以上の温度及び７５％以上の湿度を用いるプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）によ
って確認することができる。
【００１５】
このような不具合から金属基体１１を保護する上で、金属めっき層１２が有用である。
【００１６】
金属めっき層１２を形成する金属は、保護機能（バリア性）を有する金属であれば、特
に限定されない。金属基体１１を形成する金属として銅又は銅合金を用いる場合には、ニ
ッケル又はニッケル合金を用いることが好ましい。
【００１７】
金属めっき層１２の厚みは、０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。金
属めっき層１２の厚みが上記下限値以上であると、金属めっき層１２の保護機能を効果的
に発現することができる。分子接合層２０の厚みが上記上限値以下であると、金属めっき
層１２による半導体パッケージ１００の厚みの増加を抑えることができる。
【００１８】
第１の実施形態の半導体パッケージ１００においては、金属部品１０における少なくと
も金属めっき層１２の表面に、分子接合層２０が設けられている。分子接合層２０は、金
属部品１０と樹脂層３０を接合する機能を有する。分子接合層２０は、分子接合剤を含む
。分子接合剤は、樹脂及び金属と共有結合を形成し得る化合物である。分子接合剤として
は、例えば、トリアジン誘導体等の化合物が挙げられる。トリアジン誘導体としては、以
下の一般式（１）で表される化合物が挙げられる。
【化１】
2017174845.tif 000003
【００１９】
（式中、Ｒは、炭化水素基又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を
示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、
Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又は異種原子
もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ
２は１〜２までの整数である。）
【００２０】
上記一般式（１）において、Ｒは、好ましくは炭素数１〜７の炭化水素基、又はこれら
の主鎖に窒素原子が介在するものを示す。Ｘは、炭素数１〜３の炭化水素基を示す。Ｙは
、炭素数１〜３のアルコキシ基を示す。ｎ１は、好ましくは３である。ｎ２は、好ましく
は２である。Ｚは、好ましくは塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくは
アジド基、又はアルキル基を示す。塩を形成するカチオンの元素としては、アルカリ金属
が好ましく、中でもＬｉ、Ｎａ、Ｋ又はＣｓがさらに好ましい。なお、ｎ２が２である場
合は、少なくとも１つのＺは、塩を形成している、チオール基、アミノ基又はアジド基を
示すことが好ましい。
【００２１】
金属めっき層１２の表面に設けられた分子接合層２０によって、金属部品１０と樹脂層
３０が接合している。具体的には、分子接合層２０に含まれる分子接合剤の少なくとも一
部が、金属めっき層１２に含まれる金属と共有結合している。また、分子接合剤の少なく
とも一部が、樹脂層３０に含まれる樹脂と共有結合している。すなわち、金属めっき層１
２と樹脂層３０は、分子接合層２０との間に形成された共有結合を介して接合している。
そのため、金属部品１０と金属めっき層１２は、強固に密着している。特に、ニッケル又
はニッケル合金から形成された金属めっき層１２は、銅又は銅合金から形成された金属基
体１１に対して、優れた保護機能を発現するが、樹脂層３０に対しては、良好な密着性を
発現しない。このような場合であっても、金属部品１０及び樹脂層３０の間に分子接合層
２０を設けることにより、良好な密着性を確保することができる。
【００２２】
金属部品１０と樹脂層３０の間の密着強度は、５ＭＰａ以上であることが好ましく、１
０ＭＰａ以上であることがより好ましい。密着強度は、例えば、シェア試験によって測定
することができる。引張試験の具体例としては、ＳＥＭＩＧ６９−０９９６に規定された
方法が挙げられる。
【００２３】
なお、金属と共有結合している分子接合剤と、樹脂と共有結合している分子接合剤は、
同じであっても、異なっていてもよい。１分子の分子接合剤が樹脂と金属と樹脂の両方に
共有結合していれば、金属部品１０と樹脂層３０の密着性がより高まる。すなわち、分子
接合層２０は、金属及び樹脂と共有結合している分子接合剤を含むことが好ましい。
【００２４】
分子接合層２０の厚みは、０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましく、１ｎｍ
以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。分子接合層２０の厚みが上記下限値以上で
あると、金属部品１０と樹脂層３０の密着性をより高めることができる。分子接合層２０
の厚みが上記上限値以下であると、分子接合層２０に用いる分子接合剤の量を低減するこ
とができる。
【００２５】
金属めっき層１２の表面に設けられた分子接合層２０の少なくとも一部は単分子膜状で
あることが好ましい。具体的には、分子接合層２０の３０面積％以上１００面積％以下が
単分子膜状であることが好ましく、分子接合層２０の全部が単分子膜状であることが好ま
しい。分子接合層２０における単分子膜状に形成された領域においては、１分子の分子接
合剤が、第１の金属と樹脂の両方に共有結合している。よって、金属部品１０と樹脂層３
０の密着性がより高まるとともに、分子接合層２０に用いる分子接合剤の量を最小限に低
減することができる。
【００２６】
分子接合層２０における金属めっき層１２に対する分子接合剤の被覆密度は、２０面積
％以上であることが好ましく、３０面積％以上であることがより好ましく、５０面積％以
上であることがさらに好ましい。金属めっき層１２に対する分子接合剤の被覆密度が上記
下限値以上であると、金属部品１０と樹脂層３０の密着性をより高めることができる。金
属めっき層１２に対する分子接合剤の被覆密度は高いことが好ましいため、その上限値は
特に限定されない。ただし、現実的な実施を考慮すると、被覆密度の上限値として、例え
ば、７０面積％又は８０面積％を例示することができる。なお、分子接合剤の被覆密度が
１００面積％である場合、分子接合剤が被覆すべき対象物の表面に対して理論上最密に充
填されていると定義する。分子接合剤の被覆密度は、Ｘ線回折法による測定結果から求め
ることができる。
【００２７】
以下、第１の実施形態の半導体パッケージ１００における樹脂層３０を説明する。
【００２８】
樹脂層３０は、金属部品１０を外部からの圧力、湿気及び汚染物質等から保護するため
の部材であり、モールド樹脂とも呼ばれている。樹脂層３０は、分子接合層２０上に形成
されている。樹脂層３０を形成する樹脂としては、エポキシ樹脂等が挙げられる。また、
樹脂層３０を形成する樹脂には、添加剤として溶融球状シリカ等の応力緩和剤が添加され
ていてもよい。
【００２９】
以上説明した半導体パッケージ１００においては、金属基体１１の上に、金属めっき層
１２、分子接合層２０及び樹脂層３０が積層されている。特に、金属基体１１における樹
脂層３０側の表面には、金属めっき層１２が積層されているので、金属基体１１を酸化等
の不具合から効果的に保護することができる。また、金属めっき層１２と樹脂層３０の間
には、分子接合層２０が設けられているため、金属めっき層１２と樹脂層３０を、分子接
合層２０によって形成された共有結合を介して接合させることができる。その結果、金属
部品１０と金属めっき層３０は、強固に密着している。
【００３０】
第１の実施形態の半導体パッケージ１００の製造方法は、金属基体と、前記金属基体の
少なくとも一方の面に設けられた金属めっき層とを備える金属部品における少なくとも前
記金属めっき層の表面を、分子接合剤で被覆することで、前記金属めっき層に含まれる金
属に共有結合した前記分子接合剤を含む分子接合層を形成する。
【００３１】
また、第１の実施形態の半導体パッケージ１００の製造方法は、前記分子接合層の表面
を樹脂で被覆することで、前記分子接合剤に共有結合した前記樹脂を含む樹脂層を形成す
る。
【００３２】
以下、第１の実施形態の半導体パッケージ１００の製造方法を、図２Ａ〜図２Ｃを参照
して説明する。
【００３３】
先ず、金属部品１０における少なくとも金属めっき層１２の表面を、分子接合剤で被覆
する。
【００３４】
金属部品１０の製造方法としては、上述の金属基体１１に金属めっき層１２を形成する
金属を用いた金属めっき処理を施すことで、上述の金属めっき層１２を形成する方法が挙
げられる。この方法により、第１の実施形態における金属部品１０を製造することができ
る（図２Ａ参照）。
【００３５】
分子接合剤は、分子接合剤溶液の形態で用いることが好ましい。分子接合剤溶液は、上
述の分子接合剤を溶媒に溶解させることにより、調製可能である。
【００３６】
溶媒としては、例えば、水；メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレング
リコール、プロピレングリコール、セロソルブ及びカルビトール等のアルコール類；アセ
トン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノンなどのケトン類；ベンゼン、トルエン及
びキシレン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン及びオクタデカ
ン等の脂肪族炭化水素；酢酸エチル、プロピオン酸メチル及びフタル酸メチルなどのエス
テル類；並びにテトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル及びアニソールなどのエーテ
ル類が挙げられる。また、これらの溶媒を混合した混合溶媒を用いることもできる。
【００３７】
分子接合剤溶液の濃度は、０．００１質量％以上１質量％以下であることが好ましく、
０．０１質量％以上０．１質量％以下であることがより好ましい。分子接合剤溶液の濃度
が上記下限値以上であると、分子接合剤の被覆密度を高めることにより部材間の密着性を
より高めることができる。分子接合剤溶液の濃度が上記上限値以下であると、分子接合剤
を安定的に溶媒に溶解させることができる。
【００３８】
調製された分子接合剤溶液を、金属部品１０における少なくとも金属めっき層１２の表
面に塗布する。次いで、塗布された金属部品１０に外部からエネルギーを印加することに
より、金属めっき層１２の金属と分子接合剤の間で共有結合が形成されることを促進する
。外部エネルギーの印加方法としては、加熱及び紫外線の照射が挙げられる。加熱の温度
及び時間は、分子接合剤溶液の塗布量に応じて適宜決定される。また、照射する紫外線の
波長は２５０ｎｍ以下であることが好ましく、照射時間は、分子接合剤溶液の塗布量に応
じて適宜決定される。その後、洗浄液を用いて金属部品１０を洗浄し、乾燥させることに
より、金属めっき層１２の表面が分子接合剤で被覆された金属部品１０が得られる（図２
Ｂ参照）。洗浄液としては、分子接合剤溶液に用いられた溶媒と同様の溶媒が挙げられる
。
【００３９】
分子接合剤で被覆された金属めっき層１２の金属は、分子接合剤との間で共有結合を形
成している。すなわち、金属めっき層１２に含まれる金属に共有結合した分子接合剤を含
む分子接合層２０が、金属めっき層１２の表面に形成される。
【００４０】
分子接合層２０の厚みは、分子接合剤溶液の濃度及び塗布量、並びに洗浄の時間及び回
数等の条件によって、調節可能である。分子接合層２０の厚みは、０．５ｎｍ以上２０ｎ
ｍ以下であることが好ましく、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。分子
接合層２０の厚みが上記下限値以上であると、金属部品１０と樹脂層３０の密着性をより
高めることができる。分子接合層２０の厚みが上記上限値以下であると、分子接合層２０
に用いる分子接合剤の量を低減することができる。
【００４１】
金属めっき層１２の表面に設けられた分子接合層２０の少なくとも一部は、単分子膜状
に形成されることが好ましい。具体的には、分子接合層２０の３０面積％以上１００面積
％以下が単分子膜状に形成されることが好ましく、分子接合層２０の全部が単分子膜状に
形成されることがより好ましい。分子接合層２０における単分子膜状に形成された領域に
おいては、１分子の分子接合剤が、金属めっき層１２に含まれる金属と樹脂層３０に含ま
れる樹脂の両方に共有結合している。よって、金属部品１０と樹脂層３０の密着性がより
向上する。また、分子接合層２０に用いる分子接合剤の量を最小限に低減することができ
る。
【００４２】
分子接合層２０における金属めっき層１２に対する分子接合剤の被覆密度は、２０面積
％以上であることが好ましく、３０面積％以上であることがより好ましく、５０面積％以
上であることがさらに好ましい。金属めっき層１２に対する分子接合剤の被覆密度が上記
下限値以上であると、金属部品１０と樹脂層３０の密着性をより高めることができる。金
属めっき層１２に対する分子接合剤の被覆密度は高いことが好ましいため、その上限値は
特に限定されない。ただし、現実的な実施を考慮すると、被覆密度の上限値として、例え
ば、７０面積％又は８０面積％を例示することができる。
【００４３】
次に、分子接合層２０の表面に、上述の樹脂層３０を形成する樹脂を塗布して成膜する
。塗布方法は、特に限定されず、公知の方法が使用可能である。例えば、トランスファー
成形及びコンプレッション成形が挙げられる。
【００４４】
以上のような製膜処理を行うことにより、分子接合層２０によって金属部品１０と樹脂
層３０が接合している第１の実施形態の半導体装置１００を形成することができる。
【００４５】
以上説明した第１の実施形態の半導体パッケージ１００の製造方法においては、金属基
体１１の上に、金属めっき層１２、分子接合層２０及び樹脂層３０を積層する。特に、金
属基体１１における樹脂層３０側の表面に、金属めっき層１２を設けるので、金属基体１
１を酸化等の不具合から効果的に保護することができる。また、金属めっき層１２と樹脂
層３０の間には、分子接合層２０が設けられているため、金属めっき層１２と樹脂層３０
を、分子接合層２０によって形成された共有結合を介して接合させることができる。その
結果、金属部品１０と樹脂層３０は、強固に密着している。
【００４６】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態の半導体パッケージを、図３を参照して説明する。
【００４７】
図３の半導体パッケージ２００は、金属部品１０における樹脂層３０とは反対側の面に
樹脂層３０Ａが分子接合層２０Ａを介して接合している点で、半導体パッケージ１００と
異なる。半導体パッケージ２００のその他の構成は、半導体パッケージ１００と同一であ
るので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４８】
半導体パッケージ２００は、金属基体１１における金属めっき層１２とは反対側の面に
分子接合層２０Ａを介して接合された樹脂層３０Ａを有する。すなわち、金属部品１０の
一方の面が樹脂層３０によって被覆され、金属部品の他方の面が樹脂層３０Ａによって被
覆されている。また、分子接合層２０Ａによって金属部品１０と樹脂層３０Ａの間の密着
性が高められている。その結果、金属部品１０を外部からの圧力、湿気及び汚染物質等か
ら効果的に保護することができる。
【００４９】
第２の実施形態の半導体パッケージ２００の製造方法としては、第１の実施形態の半導
体パッケージ１００の製造方法を用いることができる。半導体パッケージ１００の製造方
法において、金属基体１１における金属めっき層１２と反対側の面に、分子接合剤溶液を
塗布し、分子接合層２０Ａを形成する。次いで、分子接合層２０Ａの表面に、樹脂層３０
Ａを形成する樹脂を塗布して成膜する。このようにして、第２の実施形態の半導体パッケ
ージ２００を製造することができる。
【００５０】
（第３の実施形態）
以下、第３の実施形態の半導体パッケージを、図４を参照して説明する。
【００５１】
図４の半導体パッケージ３００は、金属基体１１における金属めっき層１２とは反対側
の面に金属めっき層１２Ａ、分子接合層２０Ａ及び樹脂層３０Ａが積層されている点で、
半導体パッケージ１００と異なる。半導体パッケージ３００のその他の構成は、半導体パ
ッケージ１００と同一であるので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００５２】
半導体パッケージ３００の金属基体１１における金属めっき層１２とは反対側の面には
、金属めっき層１２Ａが設けられている。金属めっき層１２Ａの表面には分子接合層２０
Ａを介して樹脂層３０Ａが接合されている。すなわち、金属部品１０の一方の面が金属め
っき層１２及び樹脂層３０によって被覆され、金属部品１０の他方の面が金属めっき層１
２Ａ及び樹脂層３０Ａによって被覆されている。よって、金属部品１０の表面の広範囲に
渡って、金属めっき層１２、１２Ａに由来する保護機能と樹脂層３０、３０Ａに由来する
保護機能の両方を発現させることができる。
【００５３】
第３の実施形態の半導体パッケージ３００の製造方法としては、第１の実施形態の半導
体パッケージ１００の製造方法を用いることができる。半導体パッケージ１００の製造方
法において、先ず、金属基体１１と、金属基体１１の一方の面に設けられた金属めっき層
１２と、金属基体１１の他方の面に設けられた金属めっき層１２Ａとを備える金属部品１
０を用意する。金属基体１１の両面に金属めっき処理を施して金属部品１０を製造しても
よい。次いで、金属部品１０の金属めっき層１２Ａの表面に分子接合剤溶液を塗布し、分
子接合層２０Ａを形成する。次いで、分子接合層２０Ａの表面に、樹脂層３０Ａを形成す
る樹脂を塗布して成膜する。このようにして、第３の実施形態の半導体パッケージ３００
を製造することができる。
【００５４】
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり
、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態
で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え
、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれる
と同様に、請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５５】
１０：金属部品、１１：金属基体、１２：金属めっき層、２０：分子接合層、３０：樹脂
層、１００，２００，３００：半導体パッケージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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