(57)【要約】【課題】高い発光効率と低い外光反射率を両立させるという問題を解決する。【解決手段】第一基板上に形成された着色層と、着色層上に形成された第一屈折率を持つ透明絶縁層と、透明絶縁層上に形成された第一屈折率よりも大きな第二屈折率を持つ第一透明電極と、第一透明電極上に形成された発光層を有する有機層と、有機層上に形成された第二透明電極とを有する表示装置とする。外部からの光は着色層に吸収され、有機層からの発光は第一基板の法線となす角が所定以上のものは、透明絶縁層と第一透明電極にて反射されて外部に取り出される。【選択図】図６
2017174553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板上に形成された着色層と、
前記着色層上に形成された第一屈折率を持つ透明絶縁層と、
前記透明絶縁層上に形成された前記第一屈折率よりも大きな第二屈折率を持つ第一透明電極と、
前記第一透明電極上に形成された発光層を有する有機層と、
前記有機層上に形成された第二透明電極とを有する表示装置。
【請求項２】
行列状に配置され、それぞれが前記第一基板上に、前記着色層と、前記透明絶縁層と、前記第一透明電極と、前記有機層と、前記第二透明電極とを有する複数の画素をさらに有し、
前記複数の画素それぞれは、前記有機層と接触する領域にある前記第一透明電極と平面視において重なり合う、前記第一透明電極と、前記有機層と、前記第二透明電極とで構成された発光素子をさらに有し、
前記発光素子と平面視で重なり合うように、前記着色層と前記第一基板との間に薄膜トランジスタが配置されている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記着色層は、有機絶縁膜に黒色顔料を混ぜられた混合物であり、
前記透明絶縁層は、アクリルまたはエポキシを有する樹脂絶縁膜、又はシリコン酸化膜により構成される請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第一透明電極の端部を覆うように、前記有機層と前記第一透明電極との間には絶縁バンクが配置され、
前記絶縁バンクは、前記第一透明電極よりも屈折率が低く、
前記絶縁バンクと平面視にて重なる領域にブラックマトリクスが配置されており、
前記絶縁バンクは斜面と平坦部とを持ち、前記斜面と前記平坦部との交差部と前記ブラックマトリクスの端部とが平面視にて重なる位置にある請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第一透明電極の端部を覆うように、前記有機層と前記第一透明電極との間には第一絶縁バンクが配置され、
前記第一絶縁バンクは、前記第一透明電極よりも屈折率が低く、
前記第一絶縁バンクの内側には金属にて形成された反射膜が設けられており、
前記反射膜の内側には第二絶縁バンクが設けられており、
前記反射膜と平面視にて重なる領域にブラックマトリクスが配置されており、
前記反射膜は斜面と平坦部とを持ち、前記斜面と前記平坦部との交差部と前記ブラックマトリクスの端部とが平面視にて重なる位置にある請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数の画素を取り囲むように設けられ、前記第二透明電極と前記薄膜トランジスタが形成されている無機層とが接触し、前記着色層および前記透明絶縁層が存在しない水分遮断構造と、
前記水分遮断構造に沿って設けられ、前記第二透明電極と接続し、前記着色層上に設けられた導電層とを有し、
前記水分遮断構造上および前記導電層を少なくとも覆うブラックマトリクスをさらに有する請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
第一基板と、
前記第一基板上に形成された着色層と、
前記着色層上に形成され、第一屈折率を持つ複数の第一絶縁層と、前記第一屈折率よりも大きな第二屈折率を持つ複数の第二絶縁層とが互いに繰り返して積層された反射防止層と、
前記反射防止層上に形成された第一透明電極と、
前記第一透明電極上に形成された発光層を有する有機層と、
前記有機層上に形成された第二透明電極とを有する表示装置。
【請求項８】
行列状に配置され、それぞれが前記第一基板上に、前記反射防止層、前記第一透明電極と、前記有機層と、前記第二透明電極とを有する複数の画素をさらに有し、
前記複数の画素それぞれは、前記有機層と接触する領域にある前記第一透明電極と平面視において重なり合う、前記第一透明電極と、前記有機層と、前記第二透明電極とで構成された発光素子をさらに有し、
前記発光素子と平面視で重なり合うように、前記反射防止層と前記第一基板との間に薄膜トランジスタが配置されている請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第一絶縁層は、アクリルまたはエポキシを有する樹脂絶縁膜、又はシリコン酸化膜により構成され、
前記第二絶縁層は、シリコン窒化膜、酸化チタン膜、酸化ジルコニウム膜により構成される請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第一透明電極の端部を覆うように、前記有機層と前記第一透明電極との間には絶縁バンクが配置され、
前記絶縁バンクは、前記第一透明電極よりも屈折率が低く、
前記絶縁バンクと平面視にて重なる領域にブラックマトリクスが配置されており、
前記絶縁バンクは斜面と平坦部とを持ち、前記斜面と前記平坦部との交差部と前記ブラックマトリクスの端部とが平面視にて重なる位置にある請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第一透明電極の端部を覆うように、前記有機層と前記第一透明電極との間には第一絶縁バンクが配置され、
前記第一絶縁バンクは、前記第一透明電極よりも屈折率が低く、
前記第一絶縁バンクの内側には金属にて形成された反射膜が設けられており、
前記反射膜の内側には第二絶縁バンクが設けられており、
前記反射膜と平面視にて重なる領域にブラックマトリクスが配置されており、
前記反射膜は斜面と平坦部とを持ち、前記斜面と前記平坦部との交差部と前記ブラックマトリクスの端部とが平面視にて重なる位置にある請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記反射防止層と前記薄膜トランジスタが形成されている無機層との間に有機絶縁層と、
前記複数の画素を取り囲むように設けられ、前記第二透明電極と前記無機層とが接触し、前記反射防止層および前記有機絶縁層とが存在しない水分遮断構造と、
前記水分遮断構造に沿って設けられ、前記第二透明電極と接続し、前記反射防止層上に設けられた導電層とを有し、
前記水分遮断構造上および前記導電層を少なくとも覆うブラックマトリクスをさらに有する請求項８に記載の表示装置。
【請求項１３】
第一基板と、
前記第一基板上に形成された光学層と、
前記光学層上に形成された第一透明電極と、
前記第一透明電極上に形成された発光層を有する有機層と、
前記有機層上に形成された第二透明電極とを有し、
前記光学層は、外部からの光を吸収し、前記発光層から発せられた前記第一基板の法線となす角度が５０度よりも大きな立体角の光を反射するものである表示装置。
【請求項１４】
行列状に配置され、それぞれが前記第一基板上に、前記光学層、前記第一透明電極と、前記有機層と、前記第二透明電極とを有する複数の画素をさらに有し、
前記複数の画素それぞれは、前記有機層と接触する領域にある前記第一透明電極と平面視において重なり合う、前記第一透明電極と、前記有機層と、前記第二透明電極とで構成された発光素子をさらに有し、
前記発光素子と平面視で重なり合うように、反射防止層と前記第一基板との間に薄膜トランジスタが配置されている請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第一透明電極の端部を覆うように、前記有機層と前記第一透明電極との間には絶縁バンクが配置され、
前記絶縁バンクは、前記第一透明電極よりも屈折率が低く、
前記絶縁バンクと平面視にて重なる領域にブラックマトリクスが配置されており、
前記絶縁バンクは斜面と平坦部とを持ち、前記斜面と前記平坦部との交差部と前記ブラックマトリクスの端部とが平面視にて重なる位置にある請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第一透明電極の端部を覆うように、前記有機層と前記第一透明電極との間には第一絶縁バンクが配置され、
前記第一絶縁バンクは、前記第一透明電極よりも屈折率が低く、
前記第一絶縁バンクの内側には金属にて形成された反射膜が設けられており、
前記反射膜の内側には第二絶縁バンクが設けられており、
前記反射膜と平面視にて重なる領域にブラックマトリクスが配置されており、
前記反射膜は斜面と平坦部とを持ち、前記斜面と前記平坦部との交差部と前記ブラックマトリクスの端部とが平面視にて重なる位置にある請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記光学層は有機絶縁層を有し、
前記複数の画素を取り囲むように設けられ、前記第二透明電極と無機層とが接触し、前記光学層が存在しない水分遮断構造と、
前記水分遮断構造に沿って設けられ、前記第二透明電極と接続し、前記光学層上に設けられた導電層とをさらに有し、
前記水分遮断構造上および前記導電層を少なくとも覆うブラックマトリクスをさらに有する請求項１４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、特に有機ＥＬ（有機エレクトロルミネッセンス）素子を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子を用いた表示装置においては、高い発光効率と低い外光反射率を両立させる必要がある。原理的に外光反射をほぼ０とするには、円偏光板を出射側に設ければよいが、光取り出し効率が半分未満となってしまい、高い発光効率が得られない。これは有機Ｅｌ素子からの発光も半分以上円偏光板が吸収してしまうからである。
【０００３】
特許文献１には、複数のライン状の第一電極と、その上の発光層を含む有機物層と、その上の第一電極と交差するような複数のライン状の第二電極とが積層されることで、複数の発光部を持つ表示装置が開示されている。複数の第一電極の下に密着して存在する光吸収層が配置されることで、外光反射を抑制しつつ輝度の低下を防ぐ発明である。
【０００４】
特許文献２には、発光素子を有する表示装置において、発光素子に接するように、太陽電池、アモルファスシリコン基板、単結晶シリコン基板、粗面化シリコン基板、黒色絶縁シート等の光吸収層を設けることで、外光反射を抑制する発明が開示されている。
【０００５】
特許文献３には、有機ＥＬ素子の下に反射防止層を設けて外光反射を防止する表示装置が開示されている。有機ＥＬ素子と反射防止層との間には回路層や素子基板が配置される例も開示されている。
【０００６】
特許文献４には、一対の電極間に電気光学層を有する発光素子を持つ表示装置において、一方の電極が光吸収層の表面に形成されており、この光吸収層は一方の電極の形状に合わせてパターニングされている発明が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１７２６４号公報
【特許文献２】特開２００４−２７１９６３号公報
【特許文献３】特開２００３−２２３９９３号公報
【特許文献４】特開２００５−２２２７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１〜４の表示装置では、発光素子の電極に関する外光反射は光吸収層、又は反射防止層にて吸収されるためにかなり防ぐことができるが、有機ＥＬ素子や量子ドット発光素子の発光の半分は光吸収層又は反射防止層にて吸収されるために発光効率が低くなる問題がある。特許文献３では、有機ＥＬ素子と反射防止層との間に回路層や基板が設けられる例もあるが、回路層には各種配線や容量電極やＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、薄膜トランジスタ）等があり、これらに外光が当たった場合は反射されることでコントラストの低下につながり、ＴＦＴに外光が当たった場合はＴＦＴの誤動作の原因となる。基板のみを有機ＥＬ素子と反射防止層との間に設ける場合は有機ＥＬ素子を設ける領域を有効活用できずに表示装置の高精細化に問題がある。さらに基板と有機ＥＬ素子の下部電極との界面は荒れており、この界面による反射の表示の悪影響が懸念される。これは基板はガラスやポリイミド等で形成されるが、その表面の荒れや異物等の表面状態が回路層以上の層に比べて厳しく管理されていないことが原因である。
【０００９】
本発明は、高い発光効率と低い外光反射率を両立させる表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、第一基板と、第一基板上に形成された着色層と、着色層上に形成された第一屈折率を持つ透明絶縁層と、透明絶縁層上に形成された第一屈折率よりも大きな第二屈折率を持つ第一透明電極と、第一透明電極上に形成された発光層を有する有機層と、有機層上に形成された第二透明電極とを有する。
【００１１】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、第一基板と、第一基板上に形成された着色層と、着色層上に形成された第一屈折率を持つ複数の第一絶縁層と、第一屈折率よりも大きな第二屈折率を持つ複数の第二絶縁層とが互いに繰り返して積層された反射防止層と、反射防止層上に形成された第一透明電極と、第一透明電極上に形成された発光層を有する有機層と、有機層上に形成された第二透明電極とを有する。
【００１２】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、第一基板と、第一基板上に形成された光学層と、光学層上に形成された第一透明電極と、第一透明電極上に形成された発光層を有する有機層と、有機層上に形成された第二透明電極とを有する。光学層は、外部からの光を吸収し、発光層から発せられた第一基板の法線となす角度が５０度よりも大きな立体角の光を反射するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】表示装置の全体平面図である。
【図２】表示装置の全体断面図である。
【図３】表示装置の全体回路図である。
【図４】表示装置の画素回路図である。
【図５】表示装置の複数の画素の平面図である。
【図６】表示装置の画素の断面図である。
【図７】有機ＥＬ層の断面図である。
【図８】表示パネル内外と外光との関係を表す図である。
【図９】有機ＥＬ層の発光点からの発光の動向を表す比較例である。
【図１０】有機ＥＬ層の発光点からの発光の動向を表す図である。
【図１１】有機ＥＬ層の発光点からの発光の入射角の関係を表す図である。
【図１２】表示装置の画素の断面図である。
【図１３】表示装置の画素の断面図である。
【図１４】表示装置の画素の断面図である。
【図１５】表示装置の画素の断面図である。
【図１６】表示装置の画素の断面図である。
【図１７】表示装置の画素の断面図である。
【図１８】表示装置の表示パネルの平面図である。
【図１９】表示装置の表示パネルの端部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜実施形態１＞  実施形態１について説明する。図１は、表示装置ＤＤの全体平面図である。図２は表示装置ＤＤのＹ−Ｙ´の断面に対応する全体断面図である。図３は表示装置ＤＤの全体回路図である。図４は表示装置ＤＤの画素回路図である。図５は表示装置の複数の画素ＰＩＸの平面図である。図６は表示装置の画素ＰＩＸの模式的断面図である。図７は有機ＥＬ層ＯＬＥＤの断面図である。図８は表示パネルＰＮＬ内外と外光との関係を表す図である。図９は有機ＥＬ層ＯＬＥＤの発光点ＬＥＰからの発光ＥＬの動向を表す比較例である。図１０は有機ＥＬ層ＯＬＥＤの発光点ＬＥＰからの発光ＥＬの動向を表す図である。図１１は有機ＥＬ層ＯＬＥＤの発光点ＬＥＰからの発光ＥＬの入射角の関係を表す図である。
【００１５】
図１に示される表示装置ＤＤは、表示パネルＰＮＬと、半導体装置ＩＣと、フレキシブルプリント基板ＦＰＣとを備える。表示パネルＰＮＬはＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓと、ＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓの主面に主面が対向するように設けられた対向基板ＣＳとを備える。平面視でＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓが対向基板ＣＳから露出する領域があり、露出領域ＥＸＰと定義する。
【００１６】
露出領域ＥＸＰには、半導体装置ＩＣが図示しない接続端子を介してＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓに接続されるように配置されており、露出領域ＥＸＰの端部にはフレキシブルプリント基板ＦＰＣが、フレキシブル基板用端子ＦＰＣ−ＴＲを介してＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓに接続されている。フレキシブルプリント基板ＦＰＣは外部からの映像信号や制御信号が供給されて、表示パネルＰＮＬや半導体装置ＩＣに供給された映像信号や制御信号を供給する。半導体装置ＩＣはフレキシブルプリント基板ＦＰＣからの映像信号や制御信号に基づいて、表示パネルの表示制御を行う。半導体装置ＩＣはフレキシブルプリント基板ＦＰＣに実装されていてもよい。
【００１７】
表示パネルＰＮＬの対向基板ＣＳが配置される領域の大半の領域に当たる中央部には、表示領域ＤＰ−Ｒがある。この表示領域ＤＰ−Ｒにはマトリクス状（Ｘ方向とＹ方向に行列状に）に画素ＰＩＸが配置されている。この表示領域ＤＰ−Ｒには表示信号や制御信号に基づいて各画素ＰＩＸが制御されることで表示画像が表示される。画素ＰＩＸはＸＹ方向２×２にて１つの塊となって、それぞれ赤青緑白を表示し、この塊が表示画素となって画素表示を行う。表示画像もマトリクス状に配置されることとなる。１つの塊はＸＹ方向２×２である必要は必ずしもない。特にカラーフィルタを用いない方式であれば、画素ＰＩＸはＸ方向に３つの塊が赤青緑を表示し、この塊が表示画素となって画像表示を行っても良く、画素ＰＩＸはＹ方向の３つの塊が赤青緑を表示し、この塊が表示画素となって画像表示を行ってもよい。
【００１８】
表示パネルＰＮＬの対向基板ＣＳが配置される領域の大半の領域に当たる表示領域ＤＰ−Ｒの周辺にはそれぞれ周辺回路ＰＣが配置される。この周辺回路ＰＣは半導体装置ＩＣによって制御される。
【００１９】
図２の表示装置ＤＤの表示パネルＰＮＬは、ＰＥＴやポリカーボネート等の樹脂にて形成されるパッシベーション膜ＰＡＳＳ−Ｆと、パッシベーション膜ＰＡＳＳ−Ｆ上にパッシベーション膜よりも薄いガラス又はポリイミドにて形成されるＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓと、ＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓ上に複数の無機膜にて形成される無機層ＩＯＬと、無機層ＩＯＬ上に光学的機能を果たす光学層ＯＰＬと、光学層ＯＰＬ上に有機ＥＬ素子が複数形成される有機ＥＬ形成層ＯＬＥＤ−ＦＬと、有機ＥＬ形成層ＯＬＥＤ−ＦＬ上に表示領域ＤＰ−Ｒに配置されるように透光性の樹脂にて形成される充填層ＦＩＬと、有機ＥＬ形成層ＯＬＥＤ−ＦＬ上に充填層ＦＩＬを取り囲むように設けられ、熱や紫外線によって硬化された樹脂または粉末状のガラスが溶融することによって形成されるシールＤＡＭと、充填層ＦＩＬ上にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ層ＣＦ−ＦＬと、カラーフィルタ層Ｆ−ＦＬ上に透光性のガラス又は透光性のポリイミドにて形成される対向基板ＣＳと、対向基板ＣＳ上にＰＥＴやポリカーボネート等の透光性の樹脂、又は透光性の強度の高いガラスにて形成され対向基板ＣＳよりも厚いパッシベーション膜ＰＡＳＳ−ＣＦと、フレキシブル基板用端子ＦＰＣ−ＴＲとを有する。表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＰ−Ｒ内には画素ＰＩＸが複数配置される。パッシベーション膜ＰＡＳＳ−ＣＦ、対向基板ＣＳ、又はその両方に渡った領域にはタッチパネルが形成されていてもよい。尚、各実施形態において、ＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓから対向基板ＣＳに向かう方向を上、対向基板ＣＳからＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓに向かう方向を下とする。
【００２０】
表示装置ＤＤは、さらに、半導体装置ＩＣと、フレキシブル基板用端子ＦＰＣ−ＴＲに接続されるようなフレキシブルプリント基板ＦＰＣを備える。
【００２１】
図３の表示装置ＤＤの全体回路には、フレキシブルプリント基板ＦＰＣからの映像信号や制御信号に基づいて表示装置ＤＤを駆動表示制御するコントローラＣＴＲＬがあり、各周辺回路ＰＣを制御し、各種信号を互いにやり取りしている。このコントローラＣＴＲＬは半導体装置ＩＣ内に形成されている。コントローラＣＴＲＬはフレキシブルプリント基板ＦＰＣからの映像信号を表示信号に変換する。周辺回路ＰＣは、電源制御回路ＰＳＳ−Ｃと、表示信号制御回路ＤＩ−Ｃと、選択信号制御回路ＶＳ−Ｃとを持つ。
【００２２】
電源制御回路ＰＳＳ−Ｃには複数の電源ラインＰＷ−Ｌが接続されており、これら電源ラインＰＷ−Ｌに各種電源電圧をコントローラＣＴＲＬの制御に従って供給する。表示信号制御回路ＤＩ−Ｃには複数の信号ラインＳＩＧ−Ｌが接続されており、これら信号ラインＳＩＧ−Ｌに各種表示信号をコントローラＣＴＲＬからの表示信号と制御に基づいて供給する。選択信号制御回路ＶＳ−Ｃには複数の選択ラインＳＥＬ−Ｌが接続されており、これら選択ラインＳＥＬ−Ｌに選択信号をコントローラＣＴＲＬからの制御に基づいて供給する。
【００２３】
電源ラインＰＷ−ＬはＸ方向に複数配置されて互いに並列となっており、Ｙ方向に延びる形態である。信号ラインＳＩＧ−ＬはＸ方向に複数配置されて互いに並列となっており、Ｙ方向に延びる形態である。選択ラインＳＥＬ−ＬはＹ方向に複数配置されて互いに並列となっており、Ｘ方向に延びる形態である。電源ラインＰＷ−Ｌと選択ラインＳＥＬ−Ｌの交差部（信号ラインＳＩＧ−Ｌと選択ラインＳＥＬ−Ｌの交差部）にはそれぞれ画素ＰＩＸが設けられることにより、マトリクス状に画素ＰＩＸが配置される。
【００２４】
図４の画素ＰＩＸは、ＮＭＯＳにて形成された書き込みトランジスタＷ−ＴＦＴ、ＰＭＯＳにて形成された駆動トランジスタＤ−ＴＦＴと、容量素子ＣＡＰと、発光素子ＬＥＥとを有し、これらの構成要素にて画素回路が形成される。
【００２５】
書き込みトランジスタＷ−ＴＦＴの一方のソース、ドレイン端子は信号ラインＳＩＧ−Ｌに接続されており、他方のソース、ドレイン端子は駆動トランジスタＤ−ＴＦＴのゲート端子と接続されており、ゲート端子は選択ラインＳＥＬ−Ｌに接続されている。容量素子ＣＡＰの一方の電極は駆動トランジスタＤ−ＴＦＴのゲート端子に接続されており、他方の電極は駆動トランジスタＤ−ＴＦＴのソース端子に接続されている。駆動トランジスタＤ−ＴＦＴのソース端子は電源ラインＰＷ−Ｌに接続されており、ドレイン端子は発光素子ＬＥＥのアノードＡＤに接続されている。発光素子ＬＥＥのカソードＣＤは各画素ＰＩＸにて共通となるように設けられている。
【００２６】
図５は２×２の画素ＰＩＸの平面レイアウトが示されている。一点鎖線にて示された画素ＰＩＸにはそれぞれ、点線にて示される書き込みトランジスタＷ−ＴＦＴ、点線にて示される駆動トランジスタＤ−ＴＦＴ、点線にて示される容量素子ＣＡＰ、実線にて示される発光素子ＬＥＥ、点線にて示されるアノードＡＤ、点線にて示されるコンタクトＣＮＴ２が示されている。発光素子ＬＥＥの外側には絶縁バンクＢＡＮＫが配置されており、発光しない領域となっている。発光素子ＬＥＥの領域は絶縁バンクＢＡＮＫが配置されない開口領域ＯＰＮとなっている。アノードＡＤが配置される領域の内部に絶縁バンクＢＡＮＫの開口領域ＯＰＮが配置される形態となっている。コンタクトＣＮＴ２はアノードＡＤを下層の電極につなげるためのものである。コンタクトＣＮＴ２はアノードＡＤと平面視にて重なっており、絶縁バンクと平面視にて重なっている。アノードＡＤの周辺端部全てを絶縁バンクＢＡＮＫが覆うような形態となっている。書き込みトランジスタＷ−ＴＦＴの一部は選択ラインＳＥＬ−Ｌに重なるようになっており、アノードとは殆ど重ならないようになっており、開口領域ＯＰＮとは重ならないようになっている。駆動トランジスタＤ−ＴＦＴの大半は開口領域ＯＰＮと重なるようになっており、その大半は容量素子ＣＡＰと重なるようになっており、アノードＡＤと重なるようになっている。容量素子ＣＡＰの大半は開口領域ＯＰＮと重なるようになっており、その大半は駆動トランジスタＤ−ＴＦＴと重なるようになっており、アノードＡＤと重なるようになっている。アノードＡＤの端部の一部それぞれが、信号ラインＳＩＧ−Ｌ、電源ラインＰＷ−Ｌ、選択ラインＳＥＬ−Ｌに重なるようになっている。
【００２７】
図６には画素ＰＩＸの模式的断面図が示されており、その周辺の断面も示されている。パッシベーション膜ＰＡＳＳ−Ｆとパッシベーション膜ＰＡＳＳ−ＣＦが省略されている。ＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓ上の無機層ＩＯＬは、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層により構成されたベース層ＢＬと、ベース層ＢＬ上に配置されたポリシリコン、アモルファスシリコン、酸化物半導体のいずれかにて形成された半導体層ＳＬと、ベース層および半導体層ＳＬ上に配置されたゲート絶縁膜ＧＩと、半導体層ＳＬ上にゲート絶縁膜ＧＩを介して配置されたゲート電極ＧＥと、ゲート絶縁膜ＧＩ上に配置された信号ラインＳＩＧ−Ｌおよび電源ラインＰＷ−Ｌと、ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲート電極ＧＥ、信号ラインＳＩＧ−Ｌ、および電源ラインＰＷ−Ｌ上に配置された無機層間絶縁膜層ＩＩＬ１と、無機層間絶縁膜層ＩＩＬ１上に配置された無機層間絶縁膜層ＩＩＬ２と、無機層間絶縁膜層ＩＩＬ２上に配置された配線ＳＤと、半導体層ＳＬ上のゲート絶縁膜ＧＩ、無機層間絶縁膜層ＩＩＬ１、および無機層間絶縁膜層ＩＩＬ２に設けられた開口内に配置された配線ＳＤの材料で形成されたコンタクトＣＮＴ１とを有する。コンタクトＣＮＴ１の底部の半導体層ＳＬはそれぞれ、駆動トランジスタＤ−ＴＦＴのソース、ドレインとなる。無機層ＩＯＬは基本的に全て無機材料にて形成される。ゲート絶縁膜ＧＩ、無機層間絶縁膜層ＩＩＬ１、無機層間絶縁膜層ＩＩＬ２のいずれもシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン炭化膜、シリコン炭窒化膜、アルミ酸化膜、アルミ窒化膜のような絶縁膜にて形成されている。ゲート電極ＧＥと、信号ラインＳＩＧ−Ｌおよび電源ラインＰＷ−Ｌとは同じ材料である。信号ラインＳＩＧ−Ｌ、電源ラインＰＷ−Ｌ、ゲート電極ＧＥおよび配線ＳＤはアルミ、モリブデン、チタン、タングステンのいずれか又はその積層にて構成されている。
【００２８】
無機層ＩＯＬ上には光学層ＯＰＬが配置される。光学層ＯＰＬは、平坦化膜ＰＦと、平坦化膜ＰＦ上の光吸収層ＬＡＬと、光吸収層ＬＡＬ上の選択的反射層ＳＲＬとを有する。平坦化膜ＰＦはアクリルやエポキシ等の樹脂にて形成された有機層であり、無機層ＩＯＬの段差を低減する。光吸収層ＬＡＬはアクリルやエポキシ等の樹脂に着色顔料を混ぜて色づけされた層であり、着色顔料としては主に黒が用いられる。青等の視認性の低い材料でも構わない。さらに光吸収層ＬＡＬは樹脂に黒等の着色染料を混ぜて形成してもよく、樹脂にカーボンブラック、チタンブラック等の着色材料をまぜて形成してよい。他に光吸収層ＬＡＬとしてクロムを用いてもよいが、その場合は光吸収層ＬＡＬに接する電極との間で絶縁性を確保するために、絶縁層を挟む等が必要である。光吸収層ＬＡＬの厚みは０．１〜１．０μｍとされる。０．１μｍよりも薄いと光吸収を十分に行うことができず、１μｍよりも厚いと形成時間が長くなる。選択的反射層ＳＲＬは上下方向に光が透過可能に形成されており、アクリルやエポキシ等の樹脂、又はシリコン酸化膜にて形成された透明絶縁層であり、その屈折率は１．５程度、１．３〜１．６の範囲内となっている。選択的反射層ＳＲＬの厚みは１００ｎｍ〜１．０μｍとされる。１００ｎｍよりも薄いと光のしみだしにより十分に光の反射を行うことができず、１μｍよりも厚いと形成時間が長くなる。
【００２９】
光学層ＯＰＬの上には有機ＥＬ素子形成層ＯＬＥＤ−ＦＬが設けられる。有機ＥＬ素子形成層ＯＬＥＤ−ＦＬは、アノードＡＤと、アノードＡＤの周辺部を覆う絶縁バンクＢＡＮＫと、アノードＡＤおよび絶縁バンクＢＡＮＫを覆う有機ＥＬ層ＯＬＥＤと、有機ＥＬ層を覆うカソードＣＤと、カソードＣＤを覆う封止膜ＳＦと、配線ＳＤとアノードＡＤとを接続するコンタクトＣＮＴ２とを有する。アノードＡＤは上下方向に光が透過可能に形成されており、ＩＴＯやＩＺＯ等の金属酸化物の透明導電膜によって形成されている。アノードＡＤには光を通さないような厚みのＡｌ、Ａｇ、ＭｇＡｌ、Ｔｉ、Ｗ等の各種金属層は用いられない。アノードの厚みは１０ｎｍ〜１μｍとされる。１０ｎｍよりも薄いと抵抗値が上がることで発光表示に問題が発生し、１μｍよりも厚いと形成時間が長くなる。
【００３０】
後で詳しく後述するが、有機ＥＬ層ＯＬＥＤにて発生した光はアノードＡＤ内部を通り、一部はアノードＡＤと選択的反射層ＳＲＬとの界面にて反射されて外部に取り出され、一部はアノードＡＤおよび選択的反射層ＳＲＬを通って光吸収層ＬＡＬにて吸収される。アノードＡＤの屈折率は２．０程度であり、１．７〜２．５の範囲内となっており、選択的反射層ＳＲＬよりも屈折率が高いものである。絶縁バンクＢＡＮＫはアクリルやエポキシ等の樹脂により形成される絶縁膜である。有機ＥＬ層ＯＬＥＤは発光層ＥＭＬを含む有機層であり、その詳細な構造は後述する。有機ＥＬ層ＯＬＥＤの厚みは０．１〜０．５μｍであり、その層構造によって色々変化する。カソードＣＤは上下方向に光が透過可能に形成されており、Ａｇ、ＭｇＡｇ等の薄膜金属や、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明金属酸化物導電層にて形成されている。ＡｇやＭｇＡｇ等にて形成される場合はおおむね２０ｎｍ以下となっており、光を通すように十分に薄くなっている。アノードＡＤ、有機ＥＬ層ＯＬＥＤ、カソードＣＤは互いに同じ程度の屈折率を持ち、１．７〜２．５の間の屈折率となっている。
【００３１】
有機ＥＬ形成層ＯＬＥＤ−ＦＬ上には充填層ＦＩＬが形成されている。充填層ＦＩＬは透光性の高い材料となっており、樹脂等にて形成されている。充填層ＦＩＬ上にはカラーフィルタ層ＣＦ−ＦＬが形成されている。カラーフィルタ層ＣＦ−ＦＬは赤カラーフィルタＣＦ−Ｒと、緑カラーフィルタＣＦ−Ｇと、青カラーフィルタＣＦ−Ｂと、各色カラーフィルタ間に設けられたブラックマトリクスＢＭとを有する。赤カラーフィルタＣＦ−Ｒは樹脂の中に赤の顔料を混ぜたもので形成されている。同じく緑カラーフィルタＣＦ−Ｇは樹脂の中に緑の顔料を混ぜたもので形成されている。青カラーフィルタＣＦ−Ｂは樹脂の中に青の顔料を混ぜたもので形成されている。ブラックマトリクスＢＭは、アクリルやエポキシ等の樹脂に黒色顔料を混ぜて色づけされているか、クロム等の黒色金属材料にて形成された層である。カラーフィルタ層ＣＦ−ＦＬ上には対向基板ＣＳが形成されている。本実施形態における厚さ、大きさ等の数値は全て一例であるが、各部の大小関係を示す基準として用いることがある。
【００３２】
無機層ＩＯＬ内には点線にて示されるような駆動トランジスタＤ−ＴＦＴ等の各種トランジスタが形成されている。駆動トランジスタＤ−ＴＦＴは半導体層ＳＬと、ゲート電極ＧＥと、半導体層ＳＬとゲート電極ＧＥとで挟まれた領域に存在するゲート絶縁膜ＧＩとを有する。ゲート電極ＧＥ直下の半導体層ＳＬは駆動トランジスタＤ−ＴＦＴのチャネルとなり、２つのコンタクトＣＮＴ１直下の半導体層ＳＬは駆動トランジスタＤ−ＴＦＴのソース、ドレインとなる。有機ＥＬ形成層ＯＬＥＤ−ＦＬ内には点線にて示されるような発光素子ＬＥＥが形成されている。図５にあるように、平面視で絶縁バンクＢＡＮＫが形成されていない領域に形成されており、アノードＡＤと、アノードＡＤに接触している有機ＥＬ層ＯＬＥＤと、有機ＥＬ層ＯＬＥＤに接触しているカソードＣＤとで形成されている。この発光素子ＬＥＥの有機ＥＬ層ＯＬＥＤが発光する。画素ＰＩＸは図６に示された範囲であり、１種類のカラーフィルタを持つ。画素ＰＩＸ境界にはカラーフィルタの境界があり、この境界にはブラックマトリクスＢＭが配置される。
【００３３】
図７に示される有機ＥＬ層ＯＬＥＤは、アノードＡＤ上にあるホール注入層ＨＩＬと、ホール注入層ＨＩＬ上のホール輸送層ＨＴＬと、ホール輸送層ＨＴＬ上の発光層ＥＭＬと、発光層ＥＭＬ上の電子輸送層ＥＴＬと、電子輸送層ＥＴＬ上の電子注入層ＥＩＬとを有する。これら各層は既知の有機材料にて形成される。発光層ＥＭＬは有機発光材料であり、そのために、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するが、発光層ＥＭＬの代わりに量子ドットを用いる、又は発光層ＥＭＬの有機発光材料に加えて量子ドットを加える形態でも良く、その場合は、発光素子ＬＥＥはＱＬＥＤ（量子ドット発光電子ダイオード）、又はＱＬＥＤとＯＬＥＤ（有機発光電子ダイオード）との両方の性質を持つようになる。
【００３４】
図８に示されるように、外光ＯＬは空気ＡＩＲ中を通って、表示パネルＰＮＬに入ると、その屈折率差から入射角θ´は表示パネルＰＮＬ内では空気ＡＩＲ中よりも小さくなる。尚、以下に示す角は全て立体角である。ここで入射角θ´は外光ＯＬと表示装置ＤＤの表示面に対して垂直な直線である垂直線ＶＬとがなす角である。これは空気ＡＩＲの屈折率はほぼ１である一方、表示パネルＰＮＬの屈折率は１よりも大きく２程度であるからである。このことは外光ＯＬはほぼ全てが小さな入射角にて表示パネルＰＮＬ内部に侵入し反射されることを示している。
【００３５】
図９に示されるように、発光素子ＬＥＥの有機ＥＬ層ＯＬＥＤの発光点ＬＥＰは、球面ＳＰＨ的に等方的に発光ＥＬを行う。発光時においては発光素子ＬＥＥの有機ＥＬ層ＯＬＥＤは発光点ＬＥＰの集合体ともみなすことができる。図９にあるように、選択的反射層ＳＲＬが無く、アノードＡＤの下が光吸収層ＬＡＬであった場合は、発光点の光は球面ＳＰＨの半分よりも下側に当たる、吸収境界ＡＢよりも下側が全て吸収される。そのために、光の半分は利用できないこととなる。外光ＯＬは光吸収層ＬＡＬに吸収される。尚、有機ＥＬ層ＯＬＥＤとアノードＡＤとの境界では発光ＥＬの反射は基本的には起きない。これは、有機ＥＬ層ＯＬＥＤの屈折率よりもアノードＡＤの屈折率の方が一般的に大きく、アノードＡＤ内に発光ＥＬが入り込むためである。
【００３６】
図１０に示されるように、図９とは異なり、アノードＡＤと光吸収層ＬＡＬの間に選択的反射層ＳＲＬがある形態である。この場合、発光点ＬＥＰからの発光ＥＬは、球面ＳＰＨのうちの吸収領域ＡＡに対応するものだけが吸収され、それ以外は反射等により外部に取り出すことが可能となる。発光ＥＬのうちの一部はアノードＡＤと選択的反射層ＳＲＬとの界面にて反射され、外部に取り出されることとなる。垂直線ＶＬと吸収領域境界ＡＡ−Ｂとなす角をθとし、この角度範囲に対応する吸収領域ＡＡの光が光吸収層ＬＡＬに吸収される。
【００３７】
図１１に示されるように、アノードの屈折率をｎ１、選択的反射層ＳＲＬの屈折率をｎ２とした場合、反射条件を満たすθは（式１）のような関係となる。
【００３８】
球面ＳＰＨの面積は（式２）のような関係となり、吸収領域ＡＡに対応する球面ＳＰＨの球面部分の面積は（式３）のような関係となる。このことはθが５０°程度である場合は、光吸収層ＬＡＬに吸収される発光ＥＬは割合が少ないことを示し、５０°以下のθの値になるように、アノードＡＤと選択的反射層ＳＲＬの屈折率を定めれば十分に高効率に発光ＥＬを取り出すことが可能な表示装置ＤＤを作成することができることを示している。図１０に示された外光ＯＬはθ´のような角度で選択的反射層ＳＲＬに入射される。このθ´はほぼθよりも小さくなり、光吸収層ＬＡＬに吸収される。尚、このようなθの関係は、図６の説明にて行ったような、選択的反射層ＳＲＬの材料と、アノードＡＤの材料を選択すればほぼ全て満たすことが可能である。
【００３９】
本実施形態のようにアノードＡＤの下に選択的反射層ＳＲＬを設け、さらにその下に光吸収層ＬＡＬを設けた場合、発光素子ＬＥＥの発光ＥＬはかなりの割合を外部に取り出すことができる。さらに、光吸収層ＬＡＬがほぼすべての外光ＯＬを吸収するために、円偏光板を対向基板ＣＳ側に設けなくても十分に外光ＯＬの反射を防ぐことができるために、円偏光板が必要で無く、発光素子ＬＥＥの発光ＥＬが円偏光板にて半分以上カットされるようなことがない。さらに光吸収層ＬＡＬがあるために、その下に各種素子（ＴＦＴ、容量、各種配線）を配置してもこれら各種素子による外光反射は起きない。特にＴＦＴは外光を受けて誤作動をするような不具合も起きないこととなる。
【００４０】
＜実施形態２＞  以下の実施形態においては、上述した実施形態と違う箇所を説明する。同じ構成要素には上述の実施形態と同じ符号が付与されている。図１２は表示装置の画素ＰＩＸの模式的断面図である。カラーフィルタ層ＣＦ−ＦＬがなく、封止膜ＳＦと充填層ＦＩＬの間にそれぞれカラーフィルタが画素ＰＩＸごとに設けられており赤表示用の画素ＰＩＸには赤カラーフィルタＣＦ−Ｒ１が、緑表示用の画素ＰＩＸには緑カラーフィルタＣＦ−Ｇ１が、青表示用の画素ＰＩＸには青カラーフィルタＣＦ−Ｂ１がそれぞれ設けられている。各カラーフィルタの境界と充填層ＦＩＬとの間にはそれぞれブラックマトリクスＢＭ１が配置されている。このように発光素子ＬＥＥに近い場所にカラーフィルタやブラックマトリクスＢＭ１を設けることで、光学混色（隣接の発光層ＥＭＬの光がカラーフィルタを通って不所望な色の光が取り出される現象、たとえば赤カラーフィルタ直下の発光層の光が隣の緑カラーフィルタを通って不所望な色の光が取り出される現象）を確実に防ぐことができる。
【００４１】
ブラックマトリクスＢＭ１の端部は、端部ＢＭ−Ｅ１のように絶縁バンクＢＡＮＫの端部に合わせてもよく、端部ＢＭ−Ｅ２のように絶縁バンクＢＡＮＫの平坦部（頂部）と斜面の境界部に合わせても良い。端部ＢＭ―Ｅ１とすることで、光学混色をより確実に防ぐことができる。端部ＢＭ−Ｅ２にした場合は、絶縁バンクＢＡＮＫの形成材料と、有機ＥＬ層ＯＬＥＤの形成材料の違いに起因する材料の差から、発光点ＬＥＰの発光ＥＬが絶縁バンクＢＡＮＫの斜面で反射して外部に取り出されやすくなる。これは有機ＥＬ層ＯＬＥＤの屈折率に比べて絶縁バンクＢＡＮＫの屈折率が低いため、発光ＥＬが絶縁バンクＢＡＮＫ内部に入り込みにくく、有機ＥＬ層ＯＬＥＤとの界面にて反射されるためである。
【００４２】
＜実施形態３＞  図１３は表示装置の画素ＰＩＸの模式的断面図である。絶縁バンクが絶縁バンクＢＡＮＫ１と、その内側にある反射メタルＲＭと、その内側にある絶縁バンクＢＡＮＫ２に変更されている。ブラックマトリクスＢＭの端部は絶縁バンクＢＡＮＫ２の平坦部（頂部）と斜面の境界部に合わせている。このようにすることで、発光点ＬＥＰの発光ＥＬが絶縁バンクＢＡＮＫ１と有機ＥＬ層ＯＬＥＤとの境界で反射して外部に取り出されるもののみならず、反射メタルＲＭと絶縁バンクＢＡＮＫ１との境界で反射して外部に取り出されるものも有効活用できる。反射メタルＲＭを用いることで、確実に発光ＥＬを反射させることができ、より有効に光を取り出すことができる。実施形態２において有機ＥＬ層ＯＬＥＤと絶縁バンクＢＡＮＫとの境界による反射に関しては、発光ＥＬの入射角によっては絶縁バンクＢＡＮＫ内に入り込んでしまうので、有効に活用できないが本実施形態ではそのようなことはない。尚、反射メタルＲＭの下端部はアノードＡＤに触れないように何等かの絶縁物が挟まる形態となっている。これは、反射メタルＲＭとアノードＡＤが接触してしまうと、隣接アノードＡＤ間にて短絡が発生してしまうからである。反射メタルＲＭは隣接アノードＡＤが短絡しないようにすればいいので、下端部ではなく頂部に切れ込みを入れてもよい。実施形態２と３のような構造を用いることで、選択的反射層ＳＲＬにて反射された光を有効に絶縁バンクや反射メタルにて反射させることで外部に取り出すことが可能となる。
【００４３】
＜実施形態４＞  図１４は表示装置の画素ＰＩＸの模式的断面図である。カラーフィルタ層ＣＦ−ＦＬが存在しない。さらに、有機ＥＬ層が各画素ＰＩＸごとに、青発光を行う有機ＥＬ層ＯＬＥＤ−Ｂと、赤発光を行う有機ＥＬ層ＯＬＥＤ−Ｒと、緑発光を行う有機ＥＬ層ＯＬＥＤ−Ｇとで構成されている。ブラックマトリクスＢＭ２は絶縁バンクＢＡＮＫ直上の封止膜ＳＦと、充填層ＦＩＬとの間に配置されている。有機ＥＬ境界部ＯＬＥＤ−Ｄは絶縁バンクＢＡＮＫの上の有機ＥＬ層にあり、ここが各色ごとの有機ＥＬ層の境界となっている。この境界において、有機ＥＬ層の発光層ＥＭＬが少なくとも分断されており、各有機ＥＬ層ごとに異なる発光層ＥＭＬが用いられている。このように有機ＥＬ層が赤青緑にて塗り分けられているので、光学混色は原理的に存在しないので、ブラックマトリクスは無くても良いようにみえるかもしれないが、本実施形態においてはあった方がよい。それは、円偏光板を用いないようにし、さらにブラックマトリクスＢＭ２が無い場合には、コンタクトＣＮＴ２に当たった外光反射が懸念されるからである。コンタクトＣＮＴ２には光吸収層ＬＡＬが覆っていない上に、掘り込み形状であるために、ここに当たった光がどのように外部に反射されるのかわからない。このためブラックマトリクスＢＭ２が少なくともコンタクトＣＮＴ２を覆うような形態となるべきである。
【００４４】
＜実施形態５＞  図１５は表示装置の画素ＰＩＸの模式的断面図である。平坦化膜と光吸収層の代わりに、これらの機能を両方持つ光吸収平坦化層ＬＡ−ＰＬが設けられている。この光吸収平坦化層ＬＡ−ＰＬはアクリルやエポキシ等の樹脂に着色顔料を混ぜて色づけされた層であり、着色顔料としては主に黒が用いられる。青等の視認性の低い材料でも構わない。さらに光吸収平坦化層ＬＡ−ＰＬは樹脂に黒等の着色染料を混ぜて形成してもよく、樹脂にカーボンブラック、チタンブラック等の着色材料をまぜて形成してよい。他に光吸収平坦化層ＬＡ−ＰＬとしてクロムを用いてもよいが、その場合は光吸収層ＬＡＬに接する電極との間で絶縁性を確保するために、絶縁層を挟む等が必要である。光吸収平坦化層ＬＡ−ＰＬの厚みは３〜５μｍとされる。３μｍよりも薄いとそれより下層の構造物を覆って十分に平坦化することができず、５μｍよりも厚いと形成時間が長くなる。このようにして光学層ＯＰＬを形成することで、製造プロセスの簡素化が可能となる。
【００４５】
＜実施形態６＞  図１６は表示装置の画素ＰＩＸの模式的断面図である。選択的反射層ＳＲＬの代わりに、反射防止多層膜ＡＲＭＬが設けられている。アノードＡＤと選択的反射層ＳＲＬの界面では通常５％以下の外光ＯＬが反射し、外光反射の原因となっている。選択的反射層ＳＲＬの代わりに、反射防止多層膜ＡＲＭＬを成膜することで、外光反射をより効果的に抑制させられる。この反射防止多層膜ＡＲＭＬは、低屈折率膜ＬＮと高屈折率膜ＨＮが交互に積層されている形状である。低屈折率膜ＬＮの材料および屈折率は上述した選択的反射層ＳＲＬのものと同様である。高屈折率膜ＨＮの材料はシリコン窒化膜、酸化チタン膜、酸化ジルコニウム膜であり、その屈折率は１．７〜２．５である。低屈折率膜ＬＮと高屈折率膜ＨＮの界面で反射する光と、高屈折率膜ＨＮと低屈折率膜ＬＮの界面で反射する光とが光学的に打ち消し合うように、膜厚を１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲で設計することで反射率が減少する仕組みである。多層膜は、一組の低屈折率膜ＬＮと高屈折率膜ＨＮから効果が出るが、理想的には層数が多いほど好ましい。
【００４６】
＜実施形態７＞  図１７は表示装置の画素ＰＩＸの模式的断面図である。選択的反射層ＳＲＬと光吸収層ＬＡＬの間に、更に透明電極ＴＥが設けられている。この透明電極ＴＥは光を上下に通すものであり、その材料はアノードＡＤと同様のものである。この透明電極ＴＥと、アノードＡＤと、透明電極ＴＥとアノードＡＤとの間の選択的反射層ＳＲＬによって容量素子ＣＡＰが形成される。この容量素子ＣＡＰはアノードＡＤが設けられる面積において、コンタクトＣＮＴ２が設けられる近辺を除いた箇所に透明電極ＴＥを広げれば大きな面積となるが、選択的反射層ＳＲＬのような低屈折率材料を用いた場合は一般的に誘電率も低くなる。そのために容量素子ＣＡＰの容量値はそれほど大きくないこともある。そのために、更に容量値を大きくした容量素子ＣＡＰがほしい場合は、他の層にも容量素子を設けるか、透明電極ＴＥとアノードＡＤの間にさらにシリコン窒化膜等の誘電率の高い膜を挟んでも良い。このような透明電極ＴＥを用いることで、有効にアノードＡＤ下の領域を画素回路のために用いることができ、レイアウトの縮小につながる。
【００４７】
＜実施形態８＞  図１８は表示パネルＰＮＬの平面図である。図１９は表示パネルＰＮＬのＸ−Ｘ´の断面に対応する断面図である。表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＰ−Ｒを取り囲むように、水分遮断構造ＭＰＳが設けられている。水分遮断構造の外側には対向基板ＣＳの４辺に沿うような形でカソードコンタクトＣＤＣが設けられている。露出領域ＥＸＰに近い、対向基板ＣＳの２つの角部近傍にもカソードコンタクトＣＤＣが設けられている。
【００４８】
図１９に示すように、表示領域ＤＰ−Ｒには、複数の画素ＰＩＸが配置されている。そのＸ´側に、水分遮断領域ＭＰ−Ｒが配置されている。水分遮断領域ＭＰ−Ｒには、水分遮断構造ＭＰＳがあり、無機層ＩＯＬとカソードＣＤが接触する形態となっている。この間に他の無機層が入ってもよい。このように水分遮断構造ＭＰＳが設けられることで、表示領域ＤＰ−Ｒ側に外部から水分や酸素等、有機ＥＬ層ＯＬＥＤに悪影響を与える物質が侵入しないようになっている。この水分遮断構造ＭＰＳを設けるにあたって、光学層ＯＰＬが除去され、光吸収層ＬＡＬや選択的反射層ＳＲＬも除去される。この除去された開口部が水分遮断構造開口ＭＰＳ−ＯＰＮである。光吸収層ＬＡＬが無い状態で、外光ＯＬが入射され、無機層ＩＯＬに達した場合、無機層ＩＯＬ内の各種素子に光が当たり、外光反射やＴＦＴの誤動作の原因となる。そこで、少なくともこの水分遮断構造開口ＭＰＳ−ＯＰＮに対応する形にて封止膜ＳＦ上にブラックマトリクスＢＭ−ＭＰＳを設ける。このことで、上述したような外光反射やＴＦＴの誤動作を防ぐことができる。
【００４９】
水分遮断領域ＭＰ−ＲのＸ´側には、カソードコンタクト領域ＣＤＣ−Ｒがある。この箇所にあるカソードコンタクトＣＤＣは表示動作をさせた際におけるカソードＣＤの電圧上昇を避けるために、カソード抵抗を下げるための構造である。カソードコンタクトＣＤＣは所定の配線構造であり、選択的反射層ＳＲＬ上に設けられており、カソードＣＤと接続されている。このカソードコンタクトＣＤＣは、ゲート電極ＧＥと同様の材料で形成されている。そのためにここに外光ＯＬが入射された場合、反射が発生するので、それを防ぐためにブラックマトリクスＢＭ−ＣＤＣが設けられている。
【００５０】
カソードコンタクト領域ＣＤＣ−ＲのＸ´側には、シール領域ＥＳ−Ｒがある。シール領域ＥＳ−ＲのＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓ端部においては、光学層ＯＰＬや絶縁バンクＢＡＮＫ等が除去されており、封止膜ＳＦと無機層ＩＯＬが接触する形態となっていて外部から水分や酸素等が侵入しないようになっている。封止膜ＳＦの上にはシールＤＡＭがあり、シールＤＡＭ内部には対向基板ＣＳとＴＦＴ基板ＴＦＴ−Ｓとの間の距離を一定に保つためにビーズＢＺが複数設けられており、ビーズＢＺは封止膜ＳＦと対向基板ＣＳに接触するような形態となっている。本実施形態においては、ブラックマトリクスＢＭ−ＭＰＳとブラックマトリクスＢＭ−ＣＤＣを個別に必要な個所に設けたが、水分遮断領域ＭＰ−Ｒ、カソードコンタクト領域ＣＤＣ−Ｒ、およびシール領域ＥＳ−Ｒにまたがるようなブラックマトリクスを設けてもよい。
【００５１】
本明細書で開示される実施形態はすべての点で例示であって、制限的なものでは無いと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味では無く、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、各実施の形態に記載されている技術的特徴は、相互に組合せ可能であり、組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。例えば、実施形態１から５までのいずれかの技術的思想に、実施形態６から８までのいずれかの技術的思想を付加した形態も、本発明の技術的思想に含まれる。
【符号の説明】
【００５２】
ＤＤ・・・表示デバイス、ＰＮＬ・・・表示パネル、ＰＣ・・・周辺回路、ＰＩＸ・・・画素、ＤＰ−Ｒ・・・表示領域、ＴＦＴ−Ｓ・・・ＴＦＴ基板、ＣＳ・・・対向基板、ＦＰＣ・・・フレキシブルプリント基板、ＩＣ・・・半導体装置、ＰＡＳＳ−Ｆ・・・パッシベーション膜、ＩＯＬ・・・無機層、ＯＰＬ・・・光学層、ＯＬＥＤ−ＦＬ・・・有機ＥＬ形成層、ＤＡＭ・・・シール、ＦＩＬ・・・充填層、ＣＦ−ＦＬ・・・カラーフィルタ層、ＰＡＳＳ−ＣＦ・・・パッシベーション膜、ＣＴＲＬ・・・コントローラ、ＰＣ・・・周辺回路、ＰＷ−Ｌ・・・電源ライン、ＳＥＬ−Ｌ・・・選択ライン、ＳＩＧ−Ｌ・・・信号ライン、Ｗ−ＴＦＴ・・・書き込みトランジスタ、容量素子・・・ＣＡＰ、Ｄ−ＴＦＴ・・・駆動トランジスタ、ＬＥＥ・・・発光素子、ＡＤ・・・アノード、ＣＤ・・・カソード、ＢＬ・・・下地層、ＳＬ・・・半導体層、ＧＩ・・・ゲート絶縁膜、ＧＥ・・・ゲート電極、ＩＩＬ・・・無機層間絶縁膜層、ＩＩＬ２・・・無機層間絶縁膜層、ＣＮＴ１・・・コンタクト、ＰＦ・・・平坦化膜、ＣＮＴ２・・・コンタクト、ＣＮＴ２・・・コンタクト、ＬＡＬ・・・光吸収層、ＳＲＬ・・・選択的反射層、ＢＡＮＫ・・・絶縁バンク、ＯＬＥＤ・・・有機ＥＬ層、ＳＦ・・・封止膜、ＣＦ−Ｒ・・・赤カラーフィルタ、ＣＦ−Ｇ・・・緑カラーフィルタ、ＣＦ−Ｂ・・・青カラーフィルタ、ＢＭ・・・ブラックマトリクス、ＨＩＬ・・・ホール注入層、ＨＴＬ・・・ホール輸送層、ＥＭＬ・・・発光層、ＥＴＬ・・・電子輸送層、ＥＩＬ・・・電子注入層、ＯＬ・・・外光、ＬＥＰ・・・発光点、ＳＰＨ・・・球面、ＡＢ・・・吸収境界、ＡＡ・・・吸収領域、ＣＦ−Ｒ１・・・赤カラーフィルタ、ＣＦ−Ｇ１・・・緑カラーフィルタ、ＣＦ−Ｂ１・・・青カラーフィルタ、ＢＭ１・・・ブラックマトリクス、ＢＭ−Ｅ１・・・端部、ＢＭ−Ｅ２・・・端部、ＢＡＮＫ１・・・絶縁バンク、ＢＡＮＫ２・・・絶縁バンク、ＲＭ・・・反射金属、ＢＭ−Ｅ３・・・端部、ＯＬＥＤ―Ｒ・・・有機ＥＬ層、ＯＬＥＤ―Ｇ・・・有機ＥＬ層、ＯＬＥＤ―Ｂ・・・有機ＥＬ層、ＢＭ２・・・ブラックマトリクス、ＬＡ−ＰＬ・・・光吸収平坦化層、ＡＲＭＬ・・・反射防止多層膜、ＬＮ・・・低屈折率膜、ＨＮ・・・高屈折率膜、ＴＥ・・・透明電極、ＭＰＳ・・・水分遮断構造、ＣＤＣ・・・カソードコンタクト、ＭＰ−Ｒ・・・水分遮断領域、ＣＤＣ−Ｒ・・・カソードコンタクト領域、ＥＳ−Ｒ・・・シール領域、ＢＭ−ＭＰＳ・・・ブラックマトリクス、ＭＰＳ−ＯＰＮ・・・水分遮断構造開口、ＢＭ−ＣＤＣ・・・ブラックマトリクス、ＢＺ・・・ビーズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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