(57)【要約】      （修正有）【課題】ＥＳＤによる絶縁破壊が生じる恐れを低減する。【解決手段】記録素子基板は、基体と、基体に設けられ、圧力を発生するための圧力発生素子１０１と、圧力発生素子を被覆する導電層１３０と、圧力発生素子と導電層との間に設けられた絶縁層と、を備える基板と、圧力発生素子によって圧力を発生させるための圧力室２０２を形成する壁２０５であって、導電層に接する壁を備える圧力室形成部材と、を有する。さらに、記録素子基板は、前記圧力発生素子が設けられた基体の面に直交する方向から見て、壁と重なる位置において導電層と基体とを電気的に導通する導通部１８０を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、前記基体に設けられ、圧力を発生するための圧力発生素子と、前記圧力発生素子を被覆する導電層と、前記圧力発生素子と前記導電層との間に設けられた絶縁層と、を備える基板と、
前記圧力発生素子によって圧力を発生させるための圧力室を形成する壁であって、前記導電層に接する前記壁を備える圧力室形成部材と、
を有する記録素子基板において、
前記圧力発生素子が設けられた前記基体の面に直交する方向から見て、前記壁と重なる位置において前記導電層と前記基体とを電気的に導通する導通部を有することを特徴とする記録素子基板。
【請求項２】
前記直交する方向から見て前記導通部は前記壁に沿って設けられている、請求項１に記載の記録素子基板。
【請求項３】
前記直交する方向から見て、一つの前記圧力室を形成する複数の前記壁と重なる位置に前記導通部が設けられている、請求項１または請求項２に記載の記録素子基板。
【請求項４】
前記直交する方向から見て、前記圧力発生素子及び前記圧力発生素子に接続される電極と重ならない位置に前記導通部が設けられている、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項５】
前記導通部は、前記導電層を含む複数の導電層で構成されている、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項６】
前記基板は、前記導電層とは別の導電層、前記絶縁層、前記導電層をこの順に有しており、
前記導通部は、前記直交する方向から見て前記壁の両端に対応する位置にそれぞれ設けられ、前記絶縁層を貫通して前記導電層と前記別の導電層とを接続するコンタクト部を有する、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項７】
前記別の導電層は前記圧力発生素子に接続される電極と同じ材料で形成されている、請求項６に記載の記録素子基板。
【請求項８】
前記基板は、前記基体の表面に蓄熱層を有しており、
前記導通部は、前記直交する方向から見て前記壁の両端に対応する位置にそれぞれ設けられた前記コンタクト部の間に設けられ、前記蓄熱層を貫通する複数のコンタクト部を有する、請求項６または請求項７に記載の記録素子基板。
【請求項９】
前記直交する方向から見て、前記導通部は前記導電層と前記壁とが接する位置から前記圧力室の側にかかるように設けられている、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項１０】
前記基体はシリコン基板である、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項１１】
前記記録素子基板は、複数の前記圧力発生素子が配設される方向における長さが１インチ以上である、請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の記録素子基板を有し、前記記録素子基板から液体を吐出する液体吐出ヘッド。
【請求項１３】
請求項１２に記載の液体吐出ヘッドを有し、前記液体吐出ヘッドから液体を吐出して記録を行う記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録を行うための記録素子基板、液体吐出ヘッド、及び記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
所望の文字や画像等の情報を紙やフィルム等の記録媒体に記録する情報出力装置の１つとして液体を吐出して記録を行う記録装置がある。この記録装置は液体吐出ヘッドから吐出された液滴を記録媒体に着弾させることで記録を行う。液体吐出ヘッドの液体吐出には様々な方式がある。液体吐出方式の一つとしてサーマル方式が良く知られている。サーマル方式とはインク等の液体に接するヒータに数μｓ程度通電することで発生する熱エネルギーにより誘発される液体の発泡現象を液滴の吐出に利用する液体吐出方式である。一般的にサーマル方式で使用される液体吐出ヘッドにはヒータを有する記録素子基板が搭載される。
【０００３】
記録素子基板は、ヒータが形成された基板、圧力室形成部材、吐出口形成部材を有している。ヒータの構成としては、例えば基板に設けられたヒータ電極の一部が除去され、そのヒータ電極の間に位置するヒータ層をヒータとして機能させる構成がある。ヒータは、液体の発泡および消泡時における熱および物理的、化学的衝撃からヒータを保護するための耐キャビテーション層によって被覆されている。一般的に耐キャビテーション層は導電性材料で形成されており、以降、耐キャビテーション層のことを導電層とも称する。また、ヒータと耐キャビテーション層との間には絶縁層が設けられている。
【０００４】
次に、液体吐出ヘッドの製造工程について説明する。まず、ウエハ状態の基板にヒータ等を形成した後、基板にドライフイルムを貼り合わせ、レジストコーティング等を用いて圧力室形成部材、吐出口形成部材を形成する。次に、当該ウエハ状態の基板をダイシングテープに貼りつけて、基板をダイヤモンド・ソー等により切断する。個別の基板に切り出された記録素子基板はダイシングテープに貼りつけられたまま切削屑等を除去するために洗浄される。この後、記録素子基板はダイシングテープから剥がされて、液体吐出ヘッドに組み込まれる。
【０００５】
ところで、上述した記録素子基板の製造工程や液体吐出ヘッドの記録動作等において、静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ−Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ、以下ＥＳＤと表記）に起因して記録素子基板に不具合が発生することがある。特許文献１には、ヒータのＥＳＤによる絶縁破壊を防止するため、発熱抵抗素子と並列にダミーＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を設けることが記載されている。パッドから流入する電流をダミーＭＯＳに流すことで、発熱抵抗素子に大電流が流入することが防止される。
【０００６】
また、特許文献２には、耐キャビテーション層がゲート接地型ＭＯＳに接続された構成が記載されている。この構成によれば耐キャビテーション層に流れ込んだＥＳＤによる電流を基板に逃がすことができるため、耐キャビテーション層とヒータ電極の間の絶縁層の絶縁破壊を防止できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−０５０６３６号公報
【特許文献２】米国特許第７２６７４３０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＥＳＤは記録素子基板の様々な場所で発生する。このうち、吐出口形成部材の表面で発生したＥＳＤによる電流は、吐出口形成部材の表面に沿って進行する。この現象は沿面放電と呼ばれる。特許文献１に開示された構成では、例えばパッドよりも吐出口の近傍で発生したＥＳＤによる電流は、吐出口から素子基板の内部に沿面放電によって進入し、絶縁層の絶縁破壊などを引き起こす可能性がある。パッドは一般に素子基板の端部に設けられているため、ＥＳＤによる電流の多くは、パッドではなく素子基板の内部に進入する可能性がある。
【０００９】
特許文献２に開示された構成は、ゲート接地型ＭＯＳと発熱抵抗素子との距離が大きい場合、その間の絶縁層の絶縁性が低い部位で絶縁破壊が生じるおそれがある。特に、長尺化された記録素子基板では、ゲート接地型ＭＯＳと発熱抵抗素子との距離が大きくなりやすく、ＥＳＤによる絶縁破壊が生じやすい。
【００１０】
すなわち、特許文献１，２のいずれに開示された構成も、ＥＳＤがパッドやゲート接地型ＭＯＳなどの接地要素から離れたところで発生した場合、ＥＳＤによる絶縁破壊が生じやすい。また、ＥＳＤによる絶縁破壊の生じやすさは液体吐出ヘッドの内部構造にも依存する。
【００１１】
そこで、本発明は、ＥＳＤによる電流によって絶縁層に絶縁破壊が生じる恐れを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の記録素子基板は、基体と、前記基体に設けられ、圧力を発生するための圧力発生素子と、前記圧力発生素子を被覆する導電層と、前記圧力発生素子と前記導電層との間に設けられた絶縁層と、を備える基板と、前記圧力発生素子によって圧力を発生させるための圧力室を形成する壁であって、前記導電層に接する前記壁を備える圧力室形成部材と、を有する記録素子基板において、前記圧力発生素子が設けられた前記基体の面に直交する方向から見て、前記壁と重なる位置において前記導電層と前記基体とを電気的に導通する導通部を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、ＥＳＤによる電流が吐出口から圧力室を形成する壁を通り圧力室へ流入した場合においても、壁の下に位置する導電層から導通部を通り速やかにＥＳＤによる電流を基体に逃がすことができる。これにより、ＥＳＤによる絶縁破壊が生じる恐れを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態に係る記録素子基板のヒータ周辺構成を示す模式平面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線における模式断面図である。
【図３】（ａ）はＥＳＤ保護素子を示す模式平面図であり、（ｂ）はそのＣ−Ｃ線における模式断面図である。
【図４】図１のＡ−Ａ線における模式断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る記録素子基板のヒータ周辺構成を示す模式平面図である。
【図６】第３の実施形態に係る記録素子基板のヒータ周辺構成を示す模式平面図である。
【図７】第４の実施形態に係る記録素子基板のヒータ周辺構成を示す模式平面図である。
【図８】記録素子基板の一例を示す斜視図である。
【図９】（ａ）はＥＳＤ保護素子が設けられていない記録素子基板のヒータ周辺構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は図９（ａ）のＤ−Ｄ線における模式断面図である。
【図１０】記録ヘッドを示す斜視図である。
【図１１】記録装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１の実施形態）
図８は液体吐出ヘッドに搭載される記録素子基板１０００の一例を示す斜視図である。また、図１０は記録素子基板１０００を搭載した液体吐出ヘッドとしての記録ヘッド１０３の一例、図１１は記録ヘッド１０３を搭載した記録装置１０４の一例をそれぞれ示す斜視図である。
【００１６】
記録素子基板１０００が搭載される記録ヘッド１０３は、記録素子基板１０００から吐出される液体が収納された液体収納容器１０８を搭載するための筺体１０５を有している。また、記録ヘッド１０３は、外部との電気接続のための端子を備える電気配線基板１０７、電気配線基板１０７と記録素子基板１０００とを接続するための電気配線部材１０６などを有している。
【００１７】
また、記録装置１０４は、記録媒体Ｐを搬送するための搬送手段１０２や記録ヘッド１０３を搭載して走査するためのキャリッジ１０９などを有している。記録ヘッド１０３は走査されながら液滴を吐出して記録媒体Ｐの所望の位置に着弾させることで記録を行う。記録ヘッド１０３の走査終了後、記録媒体Ｐは搬送手段１０２によって記録ヘッド１０３の走査方向と垂直な方向に送られる。これらの動作を繰り返すことで記録媒体Ｐへの記録が完了する。
【００１８】
記録素子基板１０００は、圧力発生素子としてのヒータ１０１が設けられた基板１００、吐出口形成部材２００ａ、圧力室形成部材２００ｂを有する。なお、本実施形態の記録素子基板１０００は長さ１インチ以上と長尺化されたものを用いている。また、本実施形態では圧力発生素子がヒータである形態を説明するが、圧力発生素子はピエゾ素子などでもよく、特にヒータに限定されるものではない。
【００１９】
基板１００は記録素子基板１０００から吐出される液体を供給するための供給口１１０を有する。圧力室形成部材２００ｂは、内部にヒータ１０１が設けられる圧力室２０２、圧力室２０２に繋がる流路２０３、流路２０３と供給口１１０とを連通する液室２０４を形成する。吐出口形成部材２００ａはヒータ１０１に対応する吐出口２０１を形成する。なお、吐出口形成部材２００ａと圧力室形成部材２００ｂとが一体に形成された構成であってもよい。ヒータ１０１は複数配設されることでヒータ列を形成しており、吐出口２０１や圧力室２０２もヒータ１０１に対応して複数設けられている。また、基板１００は外部から基板１００に電圧や信号を供給するための端子１６０を備えている。
【００２０】
図１は、第１の実施形態の記録素子基板１０００のヒータ１０１や吐出口２０１の周辺を示す平面図である。図２は、図１のＢ−Ｂ線における断面図であり、記録素子基板１０００の層構成を説明するための図である。
【００２１】
図２に示すように、シリコン基板であるの基体１０の表面には熱酸化膜１２０、およびゲート酸化膜１２４が形成されている。熱酸化膜１２０の表面には第１の蓄熱層１２２が形成されている。第１の蓄熱層１２２の表面には第１のスイッチング素子電極１２３が形成されている。第１のスイッチング素子電極１２３は第１の蓄熱層１２２に設けられたビア１２５を介して基体１０に接続される。第１のスイッチング素子電極１２３の基体１０との接続領域には不純物拡散領域１２１が形成されている。
【００２２】
第１のスイッチング素子電極１２３の表面には第２の蓄熱層１３２が形成されている。第２の蓄熱層１３２の表面にはヒータ層１５１が形成されている。ヒータ層１５１の表面には共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂが形成されている（図１）。この共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂとの間に位置するヒータ層１５１の部分によってヒータ１０１が形成される。このヒータ１０１は第２の蓄熱層１３２に設けられたビア１５２を介して第１のスイッチング素子電極１２３に接続される。
【００２３】
ヒータ１０１、共通ヒータ電極１５０ａおよび個別ヒータ電極１５０ｂの表面には絶縁層１３１がＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＣＮなどで形成されている。絶縁層１３１の表面には導電層としての耐キャビテーション層１３０がＴａ，Ｉｒなどの材料で形成されている。この耐キャビテーション層１３０はヒータ１０１を被覆するように設けられている。耐キャビテーション層１３０とは液体の発泡および消泡時における熱および物理的、化学的衝撃からヒータ１０１を保護するための役割を有している。
【００２４】
基板１００の耐キャビテーション層１３０が設けられた面の側に、上述した圧力室形成部材２００ｂ、さらにその表面には吐出口形成部材２００ａが形成されている。なお、吐出口形成部材２００ａや圧力室形成部材２００ｂは絶縁材料であるエポキシ樹脂材料で形成されている。
【００２５】
次に、図９を参照してＥＳＤによる電流２０６が流れる経路について説明する。図９（ａ）は記録素子基板のヒータ１０１や吐出口２０１の周辺を示す平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＤ−Ｄ線における断面図である。なお、図９は後述するＥＳＤ保護素子１８０（図１）が設けられていないが、その他の構成は図１や図２に示す記録素子基板１０００と同様の構成である。
【００２６】
ＥＳＤによる電流２０６は沿面放電によって吐出口形成部材２００ａの表面、吐出口２０１、吐出口形成部材２００ａの裏面、圧力室２０２を形成する圧力室壁２０５を通り、導電体である耐キャビテーション層１３０に流れ込む。なお、沿面放電とは放電源と放電先との間に絶縁体が存在する系において絶縁体表面に沿って放電が生じる現象である。この電流２０６は耐キャビテーション層１３０に流れ込んだ後、絶縁層１３１の膜厚が小さい箇所において絶縁破壊を生じさせる可能性がある。
【００２７】
そこで、本発明ではＥＳＤ保護素子１８０を設けてＥＳＤによる電流を基体１０に逃がすための構成をとっている。図１〜図３を参照してこのＥＳＤ保護素子１８０の構成や配置について説明する。
【００２８】
図１に示すように、ヒータ１０１を囲うように設けられた圧力室壁２０５によって圧力室２０２が形成されており、１つのヒータ１０１に対応して１つの圧力室２０２が形成されている。なお、圧力室２０２は液体を吐出するための圧力を発生するための空間であり、記録素子がヒータ１０１の場合、圧力室２０２はヒータ１０１によって液体に生じさせる気泡を収めるための発泡室である。
【００２９】
本実施形態においては、基体１０のヒータ１０１が設けられる面に直交する方向から見て圧力室壁２０５と重なる位置に、耐キャビテーション層１３０と基体１０とを電気的に接続する導通部としてのＥＳＤ保護素子１８０が設けられている。ＥＳＤ保護素子１８０は、圧力室壁２０５にまたがって圧力室２０２の内側と外側の領域にかかるように位置している。本実施形態では１つの圧力室２０２において対向する二つの圧力室壁２０５の直下に圧力室壁２０５に沿ってＥＳＤ保護素子１８０がそれぞれ設けられている。このＥＳＤ保護素子１８０は、ヒータ１０１に接続された共通ヒータ電極１５０ａ及び個別ヒータ電極１５０ｂが設けられていない領域に設けられている。
【００３０】
図３（ａ）はＥＳＤ保護素子１８０の構成を詳細に示す平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。
【００３１】
基体１０の表面には、ヒータ１０１を駆動するためのスイッチング素子等が形成されたトランジスタ領域を隔てる素子分離領域１２６がＬＯＣＯＳ法によって形成されている。また、基体１０の表面には不純物拡散領域１２１が形成されている。本実施形態では、不純物拡散領域１２１はＰ型高濃度拡散領域である。基体１０の表面に設けられた第１の蓄熱層１２２にはこれを貫通する複数のスルーホールが形成されている。この複数のスルーホールによってこの基体１０に形成された不純物拡散領域１２１と第１の導電層１８３とを接続する第１のコンタクト部１８２が複数形成されている。
【００３２】
また、第１の導電層１８３の表面に設けられた第２の蓄熱層１３２にもこれを貫通する複数のスルーホールが形成されている。この複数のスルーホールによって第１の導電層と２の導電層１８４とを接続する第２のコンタクト部１８５が複数形成されている。
【００３３】
さらに、第２の導電層１８４の表面に設けられ絶縁層１３１にもこれを貫通する複数のスルーホールが形成されている。この複数のスルーホールによって第２の導電層１８４と耐キャビテーション層１３０とを接続する第３のコンタクト部１８６が複数形成されている。このように本実施形態では、導通部としてのＥＳＤ保護素子１８０は複数の導電層にわたって構成されている。なお、第１の導電層１８３（図３（ｂ））は、ヒータ１０１に繋がる第１のスイッチング素子電極１２３（図２）を構成する層と同じ製造工程で形成されており、それらは同じ材料で構成されていてもよい。また、第２の導電層１８４（図３（ｂ））は共通ヒータ電極１５０ａ及び個別ヒータ電極１５０ｂ（図２）を構成する層と同じ製造工程で形成されており、それらは同じ材料で構成されていてもよい。このように、ヒータ１０１に繋がる電極とＥＳＤ保護素子１８０とを同じ工程で設けることにより、ＥＳＤ保護素子１８０を有する記録素子基板を簡便に製造することができる。
【００３４】
なお、本実施形態では、複数の第１のコンタクト部１８２が形成された領域に対してその両側に第２のコンタクト部１８５及び第３のコンタクト部１８６がそれぞれ設けられている。すなわち、図３（ａ）に示すように、圧力室壁２０５の両端部に対応する位置に第２のコンタクト部１８５及び第３のコンタクト部１８６がそれぞれ設けられている。このようにＥＳＤ保護素子１８０の両端に最上層の第３のコンタクト部１８６を設けることで効果的にＥＳＤによる電流を逃がすことができる。なお、ＥＳＤ電流をより速やかに基体１０へ逃がすためには、これらの第１〜第３のコンタクト部を多く設けることが望ましいが、ヒータ１０１や圧力室２０２の配置の制約があるため、コンタクト部の個数は適宜変更可能である。
【００３５】
また、本実施形態では、ＥＳＤ保護素子１８０が圧力室壁２０５に沿って設けられている。なお、ＥＳＤ保護素子１８０が圧力室壁２０５に沿うとは、基体１０の面に直交する方向から見て上述した第１のコンタクト部１８２、第２のコンタクト部１８５、第３のコンタクト部１８６が、圧力室壁２０５に沿って設けられていることを意味する。
【００３６】
図４は、図１のＡ−Ａ線における断面図であり、圧力室壁２０５からＥＳＤ保護素子１８０を通って基体へ逃がすＥＳＤ電流の経路を示している。上述した通り、基体１０の表面にはＰ型高濃度拡散領域１２１が形成されており、基体１０のこの領域は上述した複数の第１のコンタクト部１８２と接しており、サブコンタクト領域として働く。吐出口２０１から圧力室２０２にＥＳＤによる電流２０６が流入した場合にも、この電流２０６は沿面放電によって圧力室壁２０５を伝わり、局所的に電気容量の大きいＥＳＤ保護素子１８０へ逃げる。
【００３７】
このように、圧力室壁２０５の直下に導通部としてのＥＳＤ保護素子１８０を設けることで、圧力室２０２に流入したＥＳＤによる電流２０６を基体１０に速やかに逃がすことができる。これにより、ＥＳＤによる電流によってヒータ１０１や共通ヒータ電極１５０ａ、個別ヒータ電極１５０ｂを覆う絶縁層１３１に絶縁破壊が生じる恐れを低減することができる。また、ＥＳＤ保護素子１８０をヒータ１０１に接続された共通ヒータ電極１５０ａ及び個別ヒータ電極１５０ｂが設けられていない領域に設けることで、ヒータ１０１に用いられる電極の空きスペースを利用してＥＳＤ保護素子１８０を設けることができる。
【００３８】
なお、本実施形態では、図４に示すように、ＥＳＤ保護素子１８０が圧力室壁２０５の直下から圧力室２０２の側にかかるように設けられている。これにより、より確実にＥＳＤによる電流２０６をＥＳＤ保護素子１８０の側に流して基体１０に逃がすことが可能となる。なお、図４に示した形態と異なり、ＥＳＤ保護素子１８０が圧力室壁２０５から突出しておらず、圧力室壁２０５と面一に設けられていてもよい。
【００３９】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態の記録素子基板１０００のヒータ１０１や吐出口２０１の周辺を示す平面図である。本実施形態は、上述の実施形態とはヒータ電極１５０、１５０ｂの延在する方向が異なっており、これに応じてＥＳＤ保護素子１８０を設ける位置も異なっている構成である。
【００４０】
本実施形態では、ヒータ１０１の配列される方向において共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂとが対向している。本実施形態においても上述の実施形態と同様に、共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂとが設けられていない圧力室壁２０５の直下にＥＳＤ保護素子１８０が設けられている。具体的には、圧力室２０２と液室２０４とを連通する流路２０３が繋がっている圧力室壁２０５ａと、流路２０３と反対側に位置する圧力室壁２０５ｂとの直下にＥＳＤ保護素子１８０がそれぞれ設けられている。ＥＳＤ保護素子１８０の構成は上述の実施形態の実施形態と同様であり、これによって圧力室２０２に流入したＥＳＤによる電流を基体１０に速やかに逃がすことができる。
【００４１】
（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態の記録素子基板１０００のヒータ１０１や吐出口２０１の周辺を示す平面図である。
【００４２】
本実施形態は、圧力室２０２に対して両側に流路２０３が連通しており、共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂとは２つの流路２０３の延在する方向に対向するように設けられている。また、本実施形態においても上述の実施形態と同様に、共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂとが設けられていない２つの圧力室壁２０５の直下にＥＳＤ保護素子１８０がそれぞれ設けられている。ＥＳＤ保護素子１８０の構成は上述の実施形態の実施形態と同様であり、これによって圧力室２０２に流入したＥＳＤによる電流を基体１０に速やかに逃がすことができる。
【００４３】
（第４の実施形態）
図７は、第４の実施形態の記録素子基板１０００のヒータ１０１や吐出口２０１の周辺を示す平面図である。本実施形態はヒータ１０１および吐出口２０１の配列密度を高めるために、ヒータ１０１に接続されるヒータ電極となる配線層をヒータ層１５１の下層に配置する構成である。
【００４４】
図７に示すように、ヒータ層１５１上には絶縁層（不図示）および耐キャビテーション層１３０が形成されており、上述の実施形態と同様にヒータ１０１は液体から保護されている。ヒータ１０１を形成するヒータ層１５１の基体１０側の面には蓄熱層（不図示）と、配線層（不図示）とが形成されており、蓄熱層を貫通するようにヒータ層１５１と配線層とを接続するためのプラグ１８７がヒータ１０１の両端に形成されている。配線層からプラグ１８７を経由して吐出に必要な電力がヒータ１０１に供給される。
【００４５】
本実施形態においては、圧力室壁２０５のうち、直下にヒータ１０１が位置していない２つの圧力室壁２０５の直下にＥＳＤ保護素子１８０がそれぞれ設けられている。ＥＳＤ保護素子１８０の構成は上述の実施形態の実施形態と同様であり、これによって圧力室２０２に流入したＥＳＤによる電流を基体１０に速やかに逃がすことができる。
【００４６】
なお、上述の実施形態では一つの圧力室２０２に対して複数のＥＳＤ保護素子１８０を設けているが、一つの圧力室２０２に対して少なくとも一つＥＳＤ保護素子１８０が設けられていればよい。
【００４７】
また、上述の実施形態のＥＳＤ保護素子１８０の構成は一例である。すなわち、耐キャビテーション層１３０と基体１０との導通部が圧力室壁２０５の下側に設けられており、この導通部とヒータ１０１との絶縁性が確保されていれば導通部の層構成は上述の構成に限定されない。
【符号の説明】
【００４８】
１０  基体
１００  基板
１０１  ヒータ（圧力発生素子）
１３０  耐キャビテーション層（導電層）
１３１  絶縁層
１８０  ＥＳＤ保護素子
２００ａ  吐出口形成部材
２００ｂ  圧力室形成部材
２０２  圧力室
２０５  圧力室壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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