(57)【要約】      （修正有）【課題】フォトマスク製造における電子線描画工程において、派生電子線入射による後方散乱やＦｏｇｇｉｎｇ現象によって起きる、設計パターンとの寸法ずれ、形状不良の発生を抑えた、マスクブランクス、およびフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、少なくとも金属性遮光膜２を含む積層膜を備えるフォトマスクブランクス１００−ａ、であって、積層膜の最上層が、密度が５．０ｇ／ｃｍ３以下の低電子収率層３であるマスクブランクスとし、低電子収率層３における後方散乱電子収率と２次電子収率の和が０．７５以下となる条件で電子線描画を行い、フォトマスクを製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも金属性遮光膜を含む積層膜を備えるフォトマスクブランクスであって、前記積層膜の最上層が、密度が５．０ｇ／ｃｍ３以下の低電子収率層であることを特徴とするフォトマスクブランクス。
【請求項２】
前記低電子収率層の上に、電子線レジスト層を備えることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスクブランクス。
【請求項３】
前記低電子収率層は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｙからなる一群から選ばれる元素を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする、請求項１、または２に記載のフォトマスクブランクス。
【請求項４】
前記低電子収率層は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｙ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏからなる一群から選ばれる元素を少なくとも１種類以上含むとともに、酸素、窒素、珪素からなる一群から選ばれる元素を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする、請求項１、または２に記載のフォトマスクブランクス。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のフォトマスクブランクスを用いて、前記低電子収率層における後方散乱電子収率と２次電子収率の和が０．７５以下となるような条件で電子線描画を行って製造することを特徴とする、フォトマスクの製造方法。
【請求項６】
前記低電子収率層を、フォトマスク作製工程の途中で剥離することを特徴とする、請求項５に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
請求項５、または６に記載のフォトマスクの製造方法を用いて製造したことを特徴とするフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体集積回路等の製造に用いられるフォトマスクブランクス、及びそれを用いたフォトマスクの製造方法、並びにフォトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路は、集積度の向上や電力消費量の低減のため、より微細化が進み、それに伴い製造難度も高くなってきている。それに伴い、半導体集積回路製造のために用いられるフォトマスクも高精度化が要求されている。特にフォトマスクのパターン寸法精度に関する要求は、年々厳しくなってきている。
【０００３】
フォトマスクの一般的な製造方法は、まず、基板上にＣｒやＭｏＳｉ（モリブデンシリサイド）などの金属性遮光膜（金属性遮光膜はその上層に、金属性遮光膜を選択比良くエッチングするためのハードマスク層や、反射防止層を備える場合がある）を形成し、さらにその上に電子に感度を有する電子線レジスト（以下、レジストと略記）を塗布する。尚、前記基板上に金属性遮光膜まで形成した段階、または、さらにレジストまで塗布した段階は通常フォトマスクブランクス（以下、ブランクスと略記）と呼ばれる。本発明では、特にことわらない限り、金属性遮光膜まで形成した段階をブランクスと呼ぶことにする。
【０００４】
次に、電子線描画機を用いて、ブランクス上に形成したレジストに電子線を入射し、半導体集積回路に基づくパターン（以下、マスクパターンと略記）の描画を行う。その後、現像処理を行ってレジストパターンを形成し、レジストパターンをエッチングマスクとして、金属性遮光膜のエッチング、続いてレジストパターンの剥離を行いフォトマスクが完成する（加熱工程、洗浄工程等はここでは説明を割愛する）。
【０００５】
ブランクス上に形成されたレジストにマスクパターンを描画して、現像し、レジストパターンを形成する上記工程において、レジストに入射した電子線が、レジストやブランクス内で原子核との弾性散乱や原子核の電子雲との非弾性散乱を受けて散乱電子となり、本来の設計パターン以外の領域に影響を与えることが知られている。すなわち、設計パターンの周辺で、前記の電子線の広がりと重なる部分では、オーバードーズ（設定値以上の電子線露光量）で描画したことと同等になり、設計パターンとの寸法ずれが生じる（この現象は一般に近接効果と呼ばれる）。
【０００６】
前記の散乱電子による広がりは２種類ある。１つは、電子線が入射してレジスト内を通過しつつ散乱し、半径数ｎｍ程度に広がる前方散乱であり、もう１つは、レジストを通過した電子が、レジストよりも密度の高いブランクス（金属性遮光膜及び基板）内で反射して散乱し、レジストに再入射して前方散乱よりも広い範囲に影響を及ぼす後方散乱である。前記２種の散乱のうち、近接効果の主な原因は後方散乱による電子線の広がりであり、この影響による設計パターンとの寸法ずれを軽減するために、様々な補正方法が考えられている（例えば特許文献１）。
【０００７】
また、前記ブランクス内で反射して散乱した電子のうち、特に高いエネルギーを持つ電子は、レジスト外にまで飛び出し、電子線描画機の対物レンズに当たり散乱し、再度レジスト内に入射し、数センチにもわたる範囲で影響を及ぼす。この現象をＦｏｇｇｉｎｇ現象と呼ぶ。Ｆｏｇｇｉｎｇ現象に対しても、設計パターンとの寸法ずれを軽減するために、補正を加える必要がある（例えば特許文献２）。
【０００８】
上記のように、近年の集積回路用微細パターンを設計通りにパターニングするためには、電子線の後方散乱、及びＦｏｇｇｉｎｇ現象を低減させるための様々な工夫が必要となる。低減手法の一つとして、描画条件としての電子線露光量や描画領域の補正があるが、パターンが微細化するに従い、それらの補正は細分化が必要となり、高精度が要求される。また補正の細分化による描画時間の長時間化が課題となる。また、後方散乱やＦｏｇｇｉｎｇ現象によりレジストコントラストが低下し、いくら補正しても正常にパターニングができない領域も出てくる。このように、後方散乱もしくはＦｏｇｇｉｎｇ現象を低減させるために、描画条件による補正だけでは厳しい状況が生まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１９５７８７号公報
【特許文献２】特開２０１０−２５０２８６号公報
【特許文献３】特開平７−１４５３７号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Jacques Cazaux, Journal of Applied Physics, 89, 8265 (2001)
【非特許文献２】顕微鏡  Ｖｏｌ．４３，Ｎｏ．３、ｐｐ１５７（２００８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
フォトマスク製造における電子線描画工程では、上記のように、電子線入射による後方散乱やＦｏｇｇｉｎｇ現象によって設計パターンとの寸法ずれやばらつき、形状不良が起きるため描画条件の補正が行われるが、パターンの微細化に伴い、露光量や描画領域の補正の細分化による補正演算の複雑化、描画時間の長時間化が課題となっている。本発明は該課題に対してなされたものであり、後方散乱やＦｏｇｇｉｎｇ現象を起こしにくいブランクス、及びそれを用いたフォトマスク、並びにフォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、基板上に、少なくとも金属性遮光膜を含む積層膜を備えるフォトマスクブランクスであって、前記積層膜の最上層が、密度が５．０ｇ／ｃｍ３以下の低電子収率層であることを特徴とするフォトマスクブランクスとしたものである。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、前記低電子収率層の上に、電子線レジスト層を備えることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスクブランクスとしたものである。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、前記低電子収率層は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｙからなる一群から選ばれる元素を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする、請求項１、または２に記載のフォトマスクブランクスとしたものである。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、前記低電子収率層は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｙ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏからなる一群から選ばれる元素を少なくとも１種類以上含むとともに、酸素、窒素、珪素からなる一群から選ばれる元素を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする、請求項１、または２に記載のフォトマスクブランクスとしたものである。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載のフォトマスクブランクスを用いて、前記低電子収率層における後方散乱電子収率と２次電子収率の和が０．７５以下となるような条件で電子線描画を行って製造することを特徴とする、フォトマスクの製造
方法としたものである。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、前記低電子収率層を、フォトマスク作製工程の途中で剥離することを特徴とする、請求項５に記載のフォトマスクの製造方法としたものである。
【００１８】
請求項７に記載の発明は、請求項５、または６に記載のフォトマスクの製造方法を用いて製造したことを特徴とするフォトマスクとしたものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のブランクスによれば、電子線描画時の後方散乱とＦｏｇｇｉｎｇ現象を低減するので、露光量や描画領域補正の細分化に伴う複雑な補正演算を必要とせずに、パターン寸法精度の高精度化とともに、パターン解像力を向上したフォトマスクとその製造方法を提供することができる。描画時間は低電子収率層の密度が低い分やや長くなるが、補正演算のためのマシンタイムや人的作業時間が不要になるため、描画のために要するトータルの時間としては、今後さらに複雑な描画補正が必要となるほど、従来構造のブランクスに比べて有利になる。また、補正演算ツールの除去による装置コストダウンを期待することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明のフォトマスクブランクスの基本的な構成を示す断面模式図である。図１−（ａ）はレジスト塗布前、図１−（ｂ）は塗布後の形態を示す。
【図２】本発明のフォトマスクブランクス（レジスト付き）に電子１個が入射したときの振る舞いを示す断面模式図である。
【図３】入射エネルギー［ｋｅＶ］を横軸として、最大脱出深さ［ｎｍ］を計算した例を示す特性図である。
【図４】材料の原子番号を横軸として、後方散乱電子収率と２次電子収率の値を計算している例を示す特性図である。
【図５】電子の入射エネルギーと２次電子収率の関係を示す特性図である。
【図６】Ｃ（炭素）にエネルギーの異なる電子を入射したときに発生する後方散乱電子の発生位置と収率を、散乱電子のエネルギー範囲ごとに計算している例を示す特性図である。
【図７】実施例で使用した描画パターンを説明するための図である。
【図８】従来構造のブランクス（レジスト付き）に電子１個が入射したときの振る舞いを示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る実施形態、及び請求項における数値限定について、適宜図面を用いて説明する。 
【００２２】
一般に、材料に電子が入射すると、既述のように、前方散乱や後方散乱による散乱電子が生じパターン精度に影響を及ぼすが、より詳細には、材料内の格子電子が入射電子や前記散乱電子によって励起され発生する２次電子も影響を及ぼす。
【００２３】
非特許文献１によると、入射電子が材料に侵入する最大侵入深さＲ［μｍ］は入射エネルギーＥ０［ｋｅＶ］を用いて、式（１）で表される。Ｃは材料によって異なり、密度ρ［ｇ／ｃｍ３］を用いて０．１１５／ρで近似できる。また、ｎの値は１．３５程度の値となる。
Ｒ＝ＣＥ０ｎ    ・・・（１）
【００２４】
さらに、材料中で発生した２次電子が、材料から脱出できる最大脱出深さＤは入射電子
の最大侵入深さＲのおおよそ２０分の１程度であることが知られている。
【００２５】
本発明者は、後方散乱やＦｏｇｇｉｎｇ現象を低減するためのブランクス材料について鋭意研究した結果、レジスト直下、すなわちブランクスの最上層の膜として、バルクの密度が５．０ｇ／ｃｍ３以下の低電子収率層を用いることが有効であることを見出した。
【００２６】
バルクの密度が５．０ｇ／ｃｍ３以下の材料としては、ブランクス材料として好適な金属性（アルカリ、アルカリ土類を除く）及び半導体性の単体元素の中では、Ｙ（イットリウム）がもっとも原子番号（Ｚ）の大きい（Ｚ＝３９）材料である。
【００２７】
電子線描画について考えると、電子線描画機の加速電圧は５０ｋｅＶ程度である場合が多い。また、レジストの密度は小さいので、レジスト通過中のエネルギー損失は小さく、ブランクスに入射するときの電子の入射エネルギーはおおよそ４０ｋｅＶ程度と見積もられる。
【００２８】
そこでＥ０＝４０ｋｅＶとし、式（１）を用いて、反射型フォトマスクの金属性遮光膜の主材料として多く用いられているＴａ（タンタル）について、バルクの密度ρ＝１６．６５ｇ／ｃｍ３を用いて計算すると、最大侵入深さはＲ≒１．０μｍ、最大脱出深さはＤ≒５０ｎｍとなる。比較として、Ｓｉ（シリコン）について密度ρ＝２．３３ｇ／ｃｍ３を用いて計算すると、Ｒ≒７．２μｍ、Ｄ≒３６０ｎｍとなる。
【００２９】
図３は、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌについて、入射エネルギー［ｋｅＶ］を横軸として、式（１）を用いて、最大脱出深さ［ｎｍ］を最大侵入深さの２０分の１として計算した結果である。Ｃｒ、Ａｌのバルクの密度は、それぞれ７．１９、２．７０を用いている。これによると、フォトマスクの金属性遮光膜材料として一般的なＣｒ、Ｔａでは最大脱出深さが浅いことが分かる。
【００３０】
一般に、材料に入射する電子１個あたりの電子放出量を電子収率と呼ぶ。図４に示すように、非特許文献２中の図２には、入射エネルギーが１０ｋｅＶのときの、後方散乱電子収率と２次電子収率の値を、材料の原子番号を横軸として計算している。これによれば、後方散乱電子収率、２次電子収率ともに、概ね原子番号が大きくなるとともに上昇することが分かる。
【００３１】
また、例えば特許文献３によると、２次電子収率は、図５のように、入射電子のエネルギーによって変化することが知られている。これによれば、Ｅ１とＥ２のときは入射する電子と、放出される電子の数が等しくなる。具体的にはＥ１〜Ｅ２は０．５〜２ｋｅＶ程度であり、入射エネルギーがＥ２より大きくなると２次電子収率は緩やかに低下していくことが分かる。
【００３２】
図８は、従来構造のブランクス２００、例えばＴａを金属性遮光膜２０とする反射型フォトマスクのブランクス（レジスト４０付き）に電子１個が入射したときの振る舞いを示す断面模式図である。Ｔａは前述のように密度が大きいため、比較的浅い位置が最大侵入深さＲ、及び最大脱出深さＤとなる。しかも原子番号が大きいため、後方散乱電子収率と２次電子収率ともに大きい。
【００３３】
従って、レジストを通過してＴａに電子が入射すると、多くのエネルギーの高い後方散乱電子、及び２次電子がブランクスからレジストに再入射する。その結果、後方散乱電子、及び２次電子による影響が大きくなる。また、それらの電子の一部はレジスト表面を脱出し、描画機の対物レンズに達し、Ｆｏｇｇｉｎｇ現象を起こす。
【００３４】
図１は本発明のフォトマスクブランクス１００−ａ、１００−ｂの基本的な構成を示す断面模式図である。図１−（ａ）はレジスト塗布前、図１−（ｂ）は塗布後の形態を示している。１００−ａ、１００−ｂともに金属性遮光膜２と低電子収率層３の間に、ハードマスク層や、反射防止層を備えていてもよい。
【００３５】
図２は、本発明のブランクス１００−ｂ、例えばＴａからなる金属性遮光膜２の上に、さらに例えばＳｉからなる低電子収率層３を積層したブランクス（レジスト４付き）に電子１個が入射したときの振る舞いを示す断面模式図である。Ｓｉは前述のように密度が小さいため、比較的深い位置が最大侵入深さＲ、及び最大脱出深さＤとなる。しかも原子番号が小さいため、後方散乱電子収率と２次電子収率ともに小さい。
【００３６】
従って、レジストを通過してＳｉに電子が入射しても、レジストに再入射する散乱電子や２次電子は、数が少ない上に、エネルギーも低く、後方散乱電子、及び２次電子による影響が軽減される。また、レジスト表面を脱出する電子も少数となるため、Ｆｏｇｇｉｎｇ現象も抑えられる。
【００３７】
次に、後方散乱電子収率と２次電子収率の好適な上限について説明する。
【００３８】
図６に示すように、非特許文献２中の図４には、Ｃ（炭素）に５００ｅＶまたは１０ｋｅＶの電子を入射したときに発生する後方散乱電子の発生位置（表面からの深さ、ｎｍ）、収率（ｙｉｅｌｄ、任意単位）の関係が、散乱電子のエネルギー（ｅＶ）範囲ごとに計算されている。
【００３９】
非特許文献２中の図４（本明細書では図６）の結果によると、入射エネルギーが５００ｅＶから１０ｋｅＶに２０倍大きくなると、後方散乱電子収率は４割（０．４）程度小さくなる一方で、約２０倍大きいエネルギーを持つ後方散乱電子が表面に到達することがわかる。従って、後方散乱およびＦｏｇｇｉｎｇ現象対策として、高加速電圧化は必ずしも有利とはならないことが推察される。
【００４０】
上記の結果は、入射エネルギーに対してほぼ比例的に成り立つと考えられる。そこで、非特許文献２中の図２（本明細書では図４）の入射エネルギー１０ｋｅＶの結果が、４０ｋｅＶになるとどのようになるかを考える。まず入射エネルギーは４倍になるので、後方散乱電子のエネルギーも４倍程度大きくなると考えられる。一方、後方散乱電子収率は、非特許文献２中の図４（本明細書では図６）で入射エネルギーが２０倍大きくなると、後方散乱電子収率は４割（０．４）程度小さくなったので、
２０：０．４＝４：ｘ
の比例計算により、ｘ＝０．０８となり、１０ｋｅＶのときよりも０．０８小さくなり、０．９２倍程度になると推定することができる。
【００４１】
ここで、あらためて非特許文献２中の図２（本明細書では図４）の結果（入射エネルギー１０ｋｅＶ）を見ると、密度の観点から好適な材料の原子番号（Ｚ）の上限として既述したＹ（イットリウム、Ｚ＝３９）のとき、２次電子収率（δ）は約０．３２、後方散乱電子収率（η）は約０．５であり、足し合わせると、約０．８２である。そこで、入射エネルギーが４０ｋｅＶになったとすると、前記の後方散乱電子収率が０．９２倍という結果から、
０．８２ｘ０．９２≒０．７５
となる。
【００４２】
このようにして、後方散乱電子収率と２次電子収率の和の好適な上限として０．７５が導かれる。但し、既述のように、これらの電子収率は入射エネルギーの上昇とともに小さ
くなるので、本発明の請求項４のフォトマスクの製造方法では、低電子収率層における後方散乱電子収率と２次電子収率の和が０．７５以下となるような条件で電子線描画して作製することを特徴とする。
【００４３】
本発明のブランクスで用いる低電子収率層は、好適な密度（５．０ｇ／ｃｍ３以下）、及び後方散乱電子収率と２次電子収率の和（０．７５以下）であれば、単体材料に限らず、化合物であってもよい。
【００４４】
単体で好適な材料としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｙが挙げられる。単体でなくても酸化物、窒化物、珪化物にすれば、密度を小さくすることができるが、酸素、窒素の割合が大きくなると導電性が損なわれるので、酸素、窒素の含有量は化学量論比以下であることが望ましい。密度が５．０ｇ／ｃｍ３よりも大きいものは好ましくないが、比較的密度が小さいＶ、Ｚｒ、Ｎｂに酸素、窒素、珪素を化学量論比以下含有させた化合物は候補となりうる。
【００４５】
本発明のブランクスで用いる低電子収率層は、電子線描画時のチャージアップ防止の観点から、シート抵抗が５ｋΩ／□以下であることが好ましい。
【００４６】
本発明のブランクスで用いる低電子収率層は、電子線描画時の後方散乱やＦｏｇｇｉｎｇ現象を低減することが目的であるので、下層の金属性遮光膜をエッチング加工した後は、
レジストと同時、またはレジスト剥離の後に剥離することができる（むろんフォトマスクの特性に悪影響を与えなければそのまま残しておくことも可能である）。剥離することによって、低電子収率層自身の洗浄耐性の問題やヘイズ問題が起きる弊害は無くなる。
【００４７】
剥離する形態では、むしろ酸、アルカリなどの特定の薬品に対して耐性が低い材料であることが望ましい。例えば、Ａｌ窒素物、Ｖ酸化物などは酸、アルカリに対して、Ｓｃ酸化物、Ｙ酸化物、Ｚｒ酸化物、Ｚｒ窒化物などは酸に対して、Ｎｂ酸化物、Ｎｂ窒化物はアルカリに対して耐性が低いことを利用することができる。
【００４８】
また、Ｍｏはバルクの密度が１０．２２ｇ／ｃｍ３であるが、酸化物、窒化物の酸、アルカリ耐性が低いため、珪酸化物、珪窒素物として、密度を５．０ｇ／ｃｍ３以下とすることにより、本発明の低電子収率層として利用することができる。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明のブランクスを作製し、効果を確認した実施例を説明する。
基板１としてのＱＺ（石英）基板上に、金属性遮光膜２としてＭｏＳｉ膜を５０ｎｍ厚、さらにその上にハードマスク層（図示せず）としてＣｒ膜を５ｎｍ厚、さらにその上に低電子収率層３としてＡｌ膜（密度ρ＝２．７０ｇ／ｃｍ３）を１０ｎｍ厚、いずれもスパッタリング法により成膜して、図１に示す本発明のフォトマスクブランクスを作製した。
【００５０】
前記作製したブランクス上に、電子線レジスト４としてネガ型化学増幅レジスト（ＦＥＮ２７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ）を塗布し、プリベークを行った後、電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子）によって、各々全面に１１ｘ１１で均一に配列した３種類のパターンを描画した。図７にパターン密度を変化させた３種類のパターンを示す。図７（ａ）、（ｂ）はそれぞれＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅが（ａ）１μｍ／９μｍ、（ｂ）１μｍ／１μｍのパターンであり、（ｃ）は１μｍのＬｉｎｅの両隣に１μｍのスペースを作り、それらの隣には３０μｍのＬｉｎｅを配した。いずれも従来構造のブランクスでは１μｍのＬｉｎｅを形成するためには露光量補正を必要とするパターンであり、補正量を基準に、それぞれ後方散乱の影響が（ａ）１０％、（ｂ）５０％、（ｃ）９０％のパターンと呼ぶことにする。尚、（ｃ）の広いＬｉｎｅの幅が３０μｍであるのは、これ以上広い線幅であっても後方散乱の影響は９０％で変わらないためである。
【００５１】
今回の評価では、本発明のブランクスと従来構造のブランクスの露光量補正なしでの比較を行うために、露光量補正は行わずに描画を行った。描画後、１１０℃、１０分でポストベークを行い、その後現像し、レジストパターンを作製した。次に塩素系ガスによりＡｌ膜、引き続きＣｒ膜のドライエッチングを行った後、レジストを剥離し、フッ素系ガスによりＭｏＳｉ膜のドライエッチングを行い、その後塩素系ガスによりＡｌ膜、Ｃｒ膜をすべて剥膜して本発明のブランクスを用いたフォトマスクを作製した。洗浄、乾燥については従来通りの方法を採った。
【００５２】
＜比較例＞
図８の従来構造のブランクスとして、低電子収率層３を用いなかった以外は、上記実施例と同じ材料、膜厚のブランクスを作製した。描画時の電子線露光量は、レジスト直下がＣｒであるので、実施例のブランクスの８割とし、実施例と同じ設計パターンを描画した。電子線描画機による露光量補正は行わなかった。その後のプロセスは、Ａｌ膜のドライエッチングが不要である以外は、実施例と同じ条件で行い、従来構造のフォトマスクを作製した。
【００５３】
＜評価＞
上記のように作製した本発明、及び従来構造のフォトマスクパターンの仕上がり寸法を、ＣＤ−ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）装置を用いて測長した。
【００５４】
【表１】
2017009962.tif 000003
【００５５】
表1に評価結果をまとめて示す。寸法精度の指標を表わす面内均一性を３σで比較したところ、従来構造のブランクスを使用したフォトマスクでは２．５ｎｍであったが、本発明のブランクスを使用することにより１．２ｎｍになり、１．３ｎｍ均一性が向上したことを確認した。後方散乱による影響は、後方散乱補正を行っていないので、本来ならば、後方散乱の影響が１０％、５０％、９０％と大きくなるにつれて寸法が太くなってゆく。従来構造のブランクスは後方散乱の影響を受けた結果となったが、本発明のブランクスはパターン密度によらず全て寸法が均一に仕上がった。解像力限界も従来構造のブランクスよりも本発明のブランクスに優位性が認められた。
【符号の説明】
【００５６】
１、１０・・・基板
２、２０・・・金属性遮光膜
３・・・低電子収率層
４、４０・・・電子線レジスト
１００−ａ、１００−ｂ・・・本発明のフォトマスクブランク
２００・・・従来構造のフォトマスクブランク
【図１】
2017009962.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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