(57)【要約】【課題】導体パターンのプロービングポイントに対するプローブの接触状態を正確に判定する。【解決手段】導体パターンと電極２ａとの間の静電容量の値を測定する測定部４と、導体パターン上のプロービングポイントに対するプロービングが実行された際に測定された静電容量の値がしきい値Ｃｔ以上のときにプローブの接触状態を良好と判定しその状態において測定された静電容量の値と基準値とを比較して導体パターンの良否を検査する処理部６とを備え、処理部６は、一対のプロービングポイントにプローブ３１がそれぞれプロービングされている状態において各プローブ３１間の導通状態を判定する導通状態判定処理において導通状態が良好と判定したときに導体パターンと電極２ａとの間の静電容量の値を測定部４に測定させる処理を、基板に設けられているすべての導体パターンについて実行し、最も小さい静電容量の値を基に決定した値をしきい値Ｃｔに設定する。【選択図】図１
2017101947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられている導体パターン上に規定されたプロービングポイントに対するプローブのプロービングを実行するプロービング機構と、前記導体パターンと予め規定された位置に設けられた電極との間に前記プローブを介して第１の信号を供給して当該導体パターンと当該電極との間の静電容量の値を測定する測定部と、前記プロービングが実行された際に前記測定部によって測定された前記静電容量の値が予め設定されたしきい値以上のときに前記プロービングポイントに対する前記プローブの接触状態を良好と判定する接触状態判定処理を実行する判定部と、前記接触状態判定処理において前記接触状態が良好と判定されたときに前記測定部によって測定された前記静電容量の値と予め決められた基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する検査部とを備えた基板検査装置であって、
前記しきい値を設定する設定処理を実行する処理部を備え、
前記処理部は、前記設定処理において、前記導体パターンにおける一対の前記プロービングポイントに一対の前記プローブがそれぞれプロービングされている状態において当該各プローブ間に第２の信号を供給して当該各プローブ間の導通状態を判定する導通状態判定処理を実行すると共に、当該導通状態判定処理において当該導通状態が良好と判定したときに、その状態において当該導体パターンと前記電極との間の前記静電容量の値を前記測定部に対して測定させる処理を、前記基板に設けられているすべての前記導体パターンの少なくとも一部の導体パターンについて実行し、当該測定させた静電容量の値のうちの最も小さい静電容量の値を基に決定した値を前記しきい値に設定する基板検査装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記最も小さい静電容量の値に当該静電容量の測定誤差を補償するための１よりも大きい値を乗算した値を前記しきい値に設定する請求項１記載の基板検査装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記設定処理において前記測定部によって測定された前記静電容量の値を基に決定した値を前記基準値に設定する請求項１または２記載の基板検査装置。
【請求項４】
前記処理部は、前記導体パターンの前記各プロービングポイントにおける前記静電容量を前記測定部に測定させると共に、１つの前記導体パターンの前記各プロービングポイントにおける前記各静電容量の値の平均値、最大値および最小値のいずれかの値を基に決定した値を当該導体パターンにおける前記基準値に設定する請求項３記載の基板検査装置。
【請求項５】
基板に設けられている導体パターン上に規定されたプロービングポイントに対するプローブのプロービングを実行し、前記導体パターンと予め規定された位置に設けられた電極との間に前記プローブを介して第１の信号を供給して当該導体パターンと当該電極との間の静電容量の値を測定し、前記プロービングが実行された際に測定した前記静電容量の値が予め設定されたしきい値以上のときに前記プロービングポイントに対する前記プローブの接触状態を良好と判定する接触状態判定処理を実行し、前記接触状態判定処理において前記接触状態が良好と判定されたときに測定した前記静電容量の値と予め決められた基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する基板検査方法であって、
前記しきい値を設定する設定処理を実行し、
前記設定処理において、前記導体パターンにおける一対の前記プロービングポイントに一対の前記プローブがそれぞれプロービングされている状態において当該各プローブ間に第２の信号を供給して当該各プローブ間の導通状態を判定する導通状態判定処理を実行すると共に、当該導通状態判定処理において当該導通状態が良好と判定したときに、その状態において当該導体パターンと前記電極との間の前記静電容量の値を測定する処理を、前記基板に設けられているすべての前記導体パターンの少なくとも一部の導体パターンについて実行し、当該測定した静電容量の値のうちの最も小さい静電容量の値を基に決定した値を前記しきい値に設定する基板検査方法。
【請求項６】
前記最も小さい静電容量の値に当該静電容量の測定誤差を補償するための１よりも大きい値を乗算した値を前記しきい値に設定する請求項５記載の基板検査方法。
【請求項７】
前記設定処理において測定した前記静電容量の値を基に決定した値を前記基準値に設定する請求項５または６記載の基板検査方法。
【請求項８】
前記導体パターンの前記各プロービングポイントにおける前記静電容量を測定すると共に、１つの前記導体パターンの前記各プロービングポイントにおける前記各静電容量の値の平均値、最大値および最小値のいずれかの値を基に決定した値を当該導体パターンにおける前記基準値に設定する請求項７記載の基板検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の導体パターンの良否を検査する基板検査装置および基板検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板検査装置として、下記特許文献１において出願人が開示した基板検査装置が知られている。この基板検査装置は、固定台、移動機構、測定部および制御部等を備えて、複数の導体パターンが設けられている回路基板の良否を検査可能に構成されている。この基板検査装置では、固定台に配設された電極の上に載置された回路基板における導体パターン上のプロービングポイントに対して移動機構がプローブをプロービングさせ、測定部がプローブを介して導体パターンと電極の間に測定用信号を供給すると共にその際に生じる信号に基づいて導体パターンと電極との間の静電容量を測定する。また、制御部が、測定部によって測定される静電容量の測定値と予め決められた基準範囲とを比較して、回路基板の良否（導体パターンの短絡や断線）を検査する。
【０００３】
ここで、プローブをプロービングさせた際に、プロービングポイントにプローブが確実に接触していないときには静電容量を正確に測定することができず、検査結果が不正確となる。このため、出願人は、プロービングポイントに対するプローブの接触状態を判定し、接触状態を良好と判定したときに測定した静電容量の測定値と基準範囲とを比較して回路基板を検査する構成を採用している。この場合、プローブが回路基板上のどのプロービングポイントに接触したとしても測定されると考えられる静電容量の最小値を、回路基板の構成（導体パターンの数や回路基板の大きさ等）から経験則に基づいて予測し、その最小値をしきい値として設定し、プローブをプロービングさせたときに測定される静電容量の測定値としきい値とを比較して、測定値がしきい値以上のときにプロービングポイントに対するプローブの接触状態を良好と判定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１６４３０８号公報（第８頁、第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記の基板検査装置には、以下の問題点がある。すなわち、上記の基板検査装置では、経験則に基づいて予測したしきい値と、プローブをプロービングさせたときに測定される静電容量の測定値とを比較して、プロービングポイントに対するプローブの接触状態を判定している。しかしながら、経験則に基づいて予測したしきい値が適正ではないことがあるため、このようなしきい値を用いる従来の基板検査装置には、プロービングポイントに対するプローブの接触状態を正しく判定することが困難となるおそれがあるという課題が存在する。
【０００６】
本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、導体パターンのプロービングポイントに対するプローブの接触状態を正確に判定し得る基板検査装置および基板検査方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく請求項１記載の基板検査装置は、基板に設けられている導体パターン上に規定されたプロービングポイントに対するプローブのプロービングを実行するプロービング機構と、前記導体パターンと予め規定された位置に設けられた電極との間に前記プローブを介して第１の信号を供給して当該導体パターンと当該電極との間の静電容量の値を測定する測定部と、前記プロービングが実行された際に前記測定部によって測定された前記静電容量の値が予め設定されたしきい値以上のときに前記プロービングポイントに対する前記プローブの接触状態を良好と判定する接触状態判定処理を実行する判定部と、前記接触状態判定処理において前記接触状態が良好と判定されたときに前記測定部によって測定された前記静電容量の値と予め決められた基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する検査部とを備えた基板検査装置であって、前記しきい値を設定する設定処理を実行する処理部を備え、前記処理部は、前記設定処理において、前記導体パターンにおける一対の前記プロービングポイントに一対の前記プローブがそれぞれプロービングされている状態において当該各プローブ間に第２の信号を供給して当該各プローブ間の導通状態を判定する導通状態判定処理を実行すると共に、当該導通状態判定処理において当該導通状態が良好と判定したときに、その状態において当該導体パターンと前記電極との間の前記静電容量の値を前記測定部に対して測定させる処理を、前記基板に設けられているすべての前記導体パターンの少なくとも一部の導体パターンについて実行し、当該測定させた静電容量の値のうちの最も小さい静電容量の値を基に決定した値を前記しきい値に設定する。
【０００８】
また、請求項２記載の基板検査装置は、請求項１記載の基板検査装置において、前記処理部は、前記最も小さい静電容量の値に当該静電容量の測定誤差を補償するための１よりも大きい値を乗算した値を前記しきい値に設定する。
【０００９】
また、請求項３記載の基板検査装置は、請求項１または２記載の基板検査装置において、前記処理部は、前記設定処理において前記測定部によって測定された前記静電容量の値を基に決定した値を前記基準値に設定する。
【００１０】
また、請求項４記載の基板検査装置は、請求項３記載の基板検査装置において、前記処理部は、前記導体パターンの前記各プロービングポイントにおける前記静電容量を前記測定部に測定させると共に、１つの前記導体パターンの前記各プロービングポイントにおける前記各静電容量の値の平均値、最大値および最小値のいずれかの値を基に決定した値を当該導体パターンにおける前記基準値に設定する。
【００１１】
また、請求項５記載の基板検査方法は、基板に設けられている導体パターン上に規定されたプロービングポイントに対するプローブのプロービングを実行し、前記導体パターンと予め規定された位置に設けられた電極との間に前記プローブを介して第１の信号を供給して当該導体パターンと当該電極との間の静電容量の値を測定し、前記プロービングが実行された際に測定した前記静電容量の値が予め設定されたしきい値以上のときに前記プロービングポイントに対する前記プローブの接触状態を良好と判定する接触状態判定処理を実行し、前記接触状態判定処理において前記接触状態が良好と判定されたときに測定した前記静電容量の値と予め決められた基準値とを比較して前記導体パターンの良否を検査する基板検査方法であって、前記しきい値を設定する設定処理を実行し、前記設定処理において、前記導体パターンにおける一対の前記プロービングポイントに一対の前記プローブがそれぞれプロービングされている状態において当該各プローブ間に第２の信号を供給して当該各プローブ間の導通状態を判定する導通状態判定処理を実行すると共に、当該導通状態判定処理において当該導通状態が良好と判定したときに、その状態において当該導体パターンと前記電極との間の前記静電容量の値を測定する処理を、前記基板に設けられているすべての前記導体パターンの少なくとも一部の導体パターンについて実行し、当該測定した静電容量の値のうちの最も小さい静電容量の値を基に決定した値を前記しきい値に設定する。
【００１２】
また、請求項６記載の基板検査方法は、請求項５記載の基板検査方法において、前記最も小さい静電容量の値に当該静電容量の測定誤差を補償するための１よりも大きい値を乗算した値を前記しきい値に設定する。
【００１３】
また、請求項７記載の基板検査方法は、請求項５または６記載の基板検査方法において、前記設定処理において測定した前記静電容量の値を基に決定した値を前記基準値に設定する。
【００１４】
また、請求項８記載の基板検査方法は、請求項７記載の基板検査方法において、前記導体パターンの前記各プロービングポイントにおける前記静電容量を測定すると共に、１つの前記導体パターンの前記各プロービングポイントにおける前記各静電容量の値の平均値、最大値および最小値のいずれかの値を基に決定した値を当該導体パターンにおける前記基準値に設定する。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１記載の基板検査装置、および請求項５記載の基板検査方法によれば、導体パターンにおける一対のプロービングポイントにプロービングされている一対のプローブ間の導通状態が良好と判定したときに、導体パターンと電極との間の静電容量の値を測定する処理を、基板におけるすべての導体パターンの少なくとも一部について実行し、測定した静電容量の値のうちの最も小さい値を基に決定した値をしきい値に設定することにより、測定対象の基板の導体パターンについて実際に測定した静電容量の値から検査対象の基板に対応する適正なしきい値を設定することができる。このため、この基板検査装置および基板検査方法によれば、適正なしきい値を用いてプロービングポイントに対するプローブの接触状態を判定することができる結果、プローブの接触状態を正確に判定することができる。したがって、この基板検査装置および基板検査方法によれば、プロービングポイントに対するプローブの接触状態が良好なときに測定した導体パターンと電極との間の静電容量の測定値に基づいて導体パターンの良否を正確に検査することができる。
【００１６】
また、請求項２記載の基板検査装置、および請求項６記載の基板検査方法によれば、最も小さい静電容量の値に静電容量の測定誤差を補償するための１よりも大きい値を乗算した値をしきい値に設定することにより、しきい値の基となる静電容量を測定する際に測定誤差によって測定値が実際の値より小さく測定された場合においても、プローブの接触状態を正確に判定可能な適正なしきい値を設定することができる。
【００１７】
また、請求項３記載の基板検査装置、および請求項７記載の基板検査方法によれば、設定処理において測定した静電容量の値を基に決定した値を基準値に設定することにより、導体パターンの良否の検査に用いる基準値を設定処理とは別の処理で設定する構成および方法と比較して、検査効率を十分に向上させることができる。
【００１８】
また、請求項４記載の基板検査装置、および請求項８記載の基板検査方法によれば、導体パターンの各プロービングポイントにおける静電容量をそれぞれ測定すると共に、１つの導体パターンの各プロービングポイントにおける各静電容量の値の平均値、最大値および最小値のいずれかの値を基に決定した値を導体パターンにおける基準値に設定することにより、１つの導体パターンについて１つのプロービングポイントにおいて測定した静電容量の１つの値のみを基に決定した値を基準値に設定する構成および方法と比較して、より適正な基準値を設定することができるため、導体パターンの良否をより正確に検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】基板検査装置１の構成を示す構成図である。
【図２】基板１００の構成を示す構成図である。
【図３】設定処理５０のフローチャートである。
【図４】検査処理７０のフローチャートである。
【図５】設定処理５０を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、基板検査装置および基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００２１】
最初に、図１に示す基板検査装置１の構成について説明する。基板検査装置１は、基板検査装置の一例であって、基板１００に設けられている複数の導体パターン（例えば、図２に示す導体パターン１０１ａ〜１０１ｆ：以下、区別しないときには「導体パターン１０１」ともいう）の良否（断線や短絡）を検査可能に構成されている。具体的には、基板検査装置１は、図１に示すように、固定台２、プロービング機構３、測定部４、記憶部５および処理部６を備えて構成されている。
【００２２】
固定台２は、図１に示すように、上面に配設された板状の電極２ａ（基板１００の近傍に配置された電極であって、予め規定された位置に設けられた電極に相当する）を備えると共に、電極２ａの上に載置された基板１００を固定可能に構成されている。
【００２３】
プロービング機構３は、処理部６の制御に従い、固定台２の電極２ａ（固定台２に固定された基板１００）に平行な方向（ＸＹ方向）、および電極２ａに接離する方向（Ｚ方向）に複数（一例として２つ）のプローブ３１を移動させて、固定台２に固定されている基板１００の各導体パターン１０１上に規定されているプロービングポイントＰ１〜Ｐ１２（図２参照：以下、区別しないときには「プロービングポイントＰ」ともいう）にプローブ３１を接触させるプロービングを実行する。
【００２４】
測定部４は、処理部６の制御に従って電圧測定処理を実行する。この場合、測定部４は、電圧測定処理において、導体パターン１０１の一対のプロービングポイントＰにそれぞれプロービングされている一対のプローブ３１間に直流電流（第２の信号に相当する）を供給し、その際のプローブ３１間の電圧を測定する。また、測定部４は、処理部６の制御に従って静電容量測定処理を実行する。この場合、測定部４は、静電容量測定処理において、導体パターン１０１と電極２ａとの間にプローブ３１を介して交流電圧（第１の信号に相当する）を供給し、その際に導体パターン１０１と電極２ａとの間に流れる交流電流の電流値を検出すると共に、供給している交流電圧の電圧値、検出した電流値、並びに交流電圧および交流電流の位相差に基づいて導体パターン１０１と電極２ａとの間の静電容量を測定する（以下、静電容量の測定値を「測定値Ｃｍ」ともいう）。
【００２５】
記憶部５は、測定部４によって測定された測定値Ｃｍを記憶する。また、記憶部５は、処理部６によって実行される後述する設定処理５０において設定されるしきい値Ｃｔを記憶する。このしきい値Ｃｔは、処理部６によって実行される検査処理７０においてプローブ３１が導体パターン１０１に接触しているか否かを判定する接触状態判定処理の際に用いられる。また、記憶部５は、検査処理７０において導体パターン１０１の良否を検査（判定）する際に用いられる基準値Ｃｓを記憶する。さらに、記憶部５は、設定処理５０や検査処理７０を実行する際に用いられる基板データＤｂを記憶する。この場合、基板データＤｂには、一例として、基板１００における導体パターン１０１を特定する情報や、導体パターン１０１におけるプロービングポイントＰの位置を示す情報が含まれている。
【００２６】
処理部６は、図外の操作部に対する操作に応じて各種の処理を実行する。具体的には、処理部６は、検査部として機能し、導体パターン１０１の良否を検査する検査処理７０（図４参照）を実行する。また、処理部６は、判定部として機能し、検査処理７０において、接触状態判定処理を実行する。また、処理部６は、検査処理７０において接触状態判定処理を実行する際に用いるしきい値Ｃｔを設定すると共に、検査処理７０において導体パターン１０１の良否を検査（判定）する際に用いる基準値Ｃｓを設定する設定処理５０（図３参照）を実行する。
【００２７】
次に、基板検査装置１を用いて基板１００を検査する方法について、図面を参照して説明する。
【００２８】
検査対象の基板１００の検査に先立ち、検査処理７０において用いるしきい値Ｃｔおよび基準値Ｃｓを設定する。この際には、まず、固定台２における電極２ａの上に、検査対象の基板１００と同種類の基板１００（以下、この基板１００を「基板１００Ａ」ともいう）を載置し、次いで、基板１００Ａを固定台２に固定する。
【００２９】
続いて、図外の操作部を操作して、設定処理の実行を指示する。これに応じて、処理部６が、図３に示す設定処理５０を実行する。この設定処理５０では、処理部６は、記憶部５から基板データＤｂを読み出す（ステップ５１）。次いで、処理部６は、基板データＤｂに基づいて基板１００Ａに設けられている各導体パターン１０１を特定すると共に、各導体パターン１０１に規定されているプロービングポイントＰの位置を特定する（ステップ５２）。
【００３０】
続いて、処理部６は、特定した各導体パターン１０１のうちの１つとして、例えば、図２に示す導体パターン１０１ａを選択する（ステップ５３）。次いで、処理部６は、導体パターン１０１ａ上に規定されている２つ（複数の一例）のプロービングポイントＰ１，Ｐ２に対するプロービングの実行をプロービング機構３に指示し（ステップ５４）、これに応じて、プロービング機構３が、プロービングポイントＰ１，Ｐ２に対するプロービングを実行する。
【００３１】
続いて、処理部６は、電圧測定処理の実行を測定部４に指示し（ステップ５５）、これに応じて、測定部４が、電圧測定処理を実行する。この電圧測定処理では、測定部４は、導体パターン１０１ａのプロービングポイントＰ１，Ｐ２にそれぞれプロービングされている２つのプローブ３１間に直流電流を供給し、その際のプローブ３１間の電圧を測定する。
【００３２】
次いで、処理部６は、電圧測定処理において測定された電圧に基づいて各プローブ３１間の導通状態を判定する導通状態判定処理を実行する（ステップ５６）。この導通状態判定処理では、処理部６は、電圧測定処理において測定された電圧の値が予め規定された規定値以下のときには各プローブ３１間の導通状態が良好と判定し、測定された電圧の値が規定値を超えているときには各プローブ３１間の導通状態が不良と判定する。
【００３３】
この場合、処理部６は、導通状態が不良と判定したときには、プロービング機構３を制御して、プローブ３１を一旦上方に移動させた後にプロービング（ステップ５４）を再度実行させ、その後に電圧測定処理を実行させる（ステップ５５）と共に、導通状態判定処理を実行する（ステップ５６）。なお、この工程（ステップ５４〜５６）を複数回繰り返しても各プローブ３１間の導通状態が良好と判定しないときには、導体パターン１０１ａが断線している可能性がある。このため、このときには、処理部６は、その旨を報知（例えば、図外の表示部に表示）して、設定処理５０を終了する。この際には、基板１００Ａを他の基板１００Ａに交換して、設定処理５０を再実行させる。
【００３４】
一方、導通状態判定処理（ステップ５６）において導通状態が良好と判定したときには、導体パターン１０１ａが断線しておらず、かつ各プローブ３１がプロービングポイントＰ１，Ｐ２（導体パターン１０１ａ）に接触していると考えられ、このときには、処理部６は、静電容量測定処理の実行を測定部４に指示し（ステップ５７）、これに応じて、測定部４が、静電容量測定処理を実行する。
【００３５】
この静電容量測定処理では、測定部４は、プロービングポイントＰ１にプロービングされているプローブ３１を介して第１の信号としての交流電圧を導体パターン１０１ａと電極２ａとの間に供給し、その際に導体パターン１０１ａと電極２ａとの間に流れる交流電流の電流値を検出する。
【００３６】
また、測定部４は、供給している交流電圧の電圧値、検出した電流値、並びに交流電圧および交流電流の位相差に基づいて導体パターン１０１ａと電極２ａとの間の静電容量を測定する。続いて、測定部４は、プロービングポイントＰ２にプロービングされているプローブ３１を介して交流電圧を供給して、導体パターン１０１ａと電極２ａとの間の静電容量を測定する。
【００３７】
次いで、処理部６は、測定部４によって測定された導体パターン１０１ａについての静電容量の２つの測定値Ｃｍ（例えば、２９．７ｐＦおよび３０．２ｐＦ：図５参照）を記憶部５に記憶させる（ステップ５８）。続いて、処理部６は、基板１００Ａにおけるすべての導体パターン１０１についての静電容量の測定が終了したか否かを判別する（ステップ５９）。
【００３８】
この場合、この時点では、すべての導体パターン１０１についての静電容量の測定が終了していないため、処理部６は、ステップ５９においてその旨を判別し、上記したステップ５３を実行して、次の導体パターン１０１として、図２に示す導体パターン１０１ｂを選択し、次いで、導体パターン１０１ｂ上に規定されている２つのプロービングポイントＰ３，Ｐ４に対するプロービングの実行をプロービング機構３に指示する（ステップ５４）。続いて、処理部６は、上記したステップ５５〜５８を実行して、導体パターン１０１ｂについての静電容量の２つの測定値Ｃｍ（例えば、４９．９ｐＦおよび５０．８ｐＦ：図５参照）を記憶部５に記憶させ、次いで上記したステップ５９を実行する。
【００３９】
続いて、処理部６は、基板１００Ａにおけるすべての導体パターン１０１についての静電容量の測定が終了するまで上記したステップ５３〜５９を繰り返して実行する。これにより、図５に示すように、導体パターン１０１ｃ〜１０１ｆについての静電容量の測定値Ｃｍが測定される。次いで、処理部６は、ステップ５９において基板１００Ａにおけるすべての導体パターン１０１についての静電容量の測定が終了したと判別したときには、記憶部５に記憶されている測定値Ｃｍのうちの最小の測定値Ｃｍを特定する（ステップ６０）。この場合、図５に示すように、プロービングポイントＰ５において測定された測定値ｍである１０．０ｐＦが最小値であるため、１０．０ｐＦを最小の測定値Ｃｍとして特定する。
【００４０】
続いて、処理部６は、特定した最小の測定値Ｃｍを基に決定した値をしきい値Ｃｔに設定して、しきい値Ｃｔを記憶部５に記憶させる（ステップ６１）。この場合、処理部６は、一例として、静電容量の測定誤差を補償するための１よりも大きい値の一例である値１．２を測定値Ｃｍにを乗算した値（１０．０ｐＦ×１．２＝１２．０ｐＦ）をしきい値Ｃｔに設定する。
【００４１】
次いで、処理部６は、記憶部５に記憶されている各導体パターン１０１についての静電容量の測定値Ｃｍを基に決定した値を基準値Ｃｓに設定して、基準値Ｃｓを記憶部５に記憶させて（ステップ６２）、設定処理５０を終了する。この例では、図５に示すように、１つの導体パターン１０１について複数の測定値Ｃｍ（複数のプロービングポイントＰにおける各測定値Ｃｍ）が測定されているため、処理部６は、導体パターン１０１毎に各測定値Ｃｍの平均値Ｃｍａを算出し、この平均値Ｃｍａを中心値とする上下限値で規定される静電容量の範囲を基準値Ｃｓとして設定する。この場合、処理部６は、一例として、平均値Ｃｍａに値０．９を乗算した値を下限値とし、平均値Ｃｍａに値１．１を乗算した値を上限値とする静電容量の範囲を基準値Ｃｓとして設定する。以上により、しきい値Ｃｔおよび基準値Ｃｓの設定が完了する。
【００４２】
次に、検査対象の基板１００の検査を行う。まず、基板１００Ａを固定台２から取り外して、次いで、電極２ａの上に検査対象の基板１００を載置し、続いて、基板１００を固定台２に固定する。次いで、図外の操作部を操作して、検査処理の実行を指示する。これに応じて、処理部６が、図４に示す検査処理７０を実行する。この検査処理７０では、処理部６は、記憶部５から基板データＤｂ、しきい値Ｃｔおよび基準値Ｃｓを読み出す（ステップ７１）。続いて、処理部６は、基板データＤｂに基づいて基板１００に設けられている各導体パターン１０１、および各導体パターン１０１に規定されているプロービングポイントＰの位置を特定する（ステップ７２）。
【００４３】
次いで、処理部６は、特定した各導体パターン１０１のうちの１つとして、例えば、図２に示す導体パターン１０１ａを選択する（ステップ７３）。続いて、処理部６は、導体パターン１０１ａ上に規定されている２つ（複数の一例）のプロービングポイントＰ１，Ｐ２に対するプロービングの実行をプロービング機構３に指示し（ステップ７４）、これに応じて、プロービング機構３が、プロービングポイントＰ１，Ｐ２に対するプロービングを実行する。
【００４４】
次いで、処理部６は、静電容量測定処理の実行を測定部４に指示し（ステップ７５）、これに応じて、測定部４が、静電容量測定処理を実行する。この静電容量測定処理では、測定部４は、プロービングポイントＰ１にプロービングされているプローブ３１を介して導体パターン１０１ａと電極２ａとの間に交流電圧を供給して導体パターン１０１ａと電極２ａとの間の静電容量を測定し、続いて、プロービングポイントＰ２にプロービングされているプローブ３１を介して導体パターン１０１ａと電極２ａとの間に交流電圧を供給して導体パターン１０１ａと電極２ａとの間の静電容量を測定する。
【００４５】
次いで、処理部６は、接触状態判定処理を実行する（ステップ７６）。この接触状態判定処理では、処理部６は、静電容量測定処理（ステップ７５）において測定された各プロービングポイントＰ１，Ｐ２における静電容量の各測定値Ｃｍの最小値Ｃｍｂとしきい値Ｃｔとを比較し、各測定値Ｃｍの最小値Ｃｍｂがしきい値Ｃｔ以上のときには、導体パターン１０１の各プロービングポイントＰに対する各プローブ３１の接触状態が良好（各プローブ３１が各プロービングポイントＰに確実に接触している）と判定し、各測定値Ｃｍの最小値Ｃｍｂがしきい値Ｃｔ未満のときには、各プロービングポイントＰに対する各プローブ３１の接触状態が不良と判定する。
【００４６】
この場合、処理部６は、接触状態判定処理（ステップ７６）において、接触状態が良好と判定したときには、各プローブ３１がプロービングポイントＰ１，Ｐ２に確実に接触した状態で静電容量が測定された（測定値Ｃｍが正確である）と考えられる。このときには、処理部６は、良否判定処理を実行する（ステップ７７）。この良否判定処理では、処理部６は、各プロービングポイントＰ１，Ｐ２における静電容量の各測定値Ｃｍの平均値Ｃｍａと基準値Ｃｓとを比較し、平均値Ｃｍａが基準値Ｃｓ（上下限値）の範囲内であるときには、導体パターン１０１ａを良好（短絡や断線がない）と判定し、平均値Ｃｍａが基準値Ｃｓの範囲外であるときには、導体パターン１０１ａを不良（短絡または断線が存在する）と判定する。続いて、処理部６は、判定結果（検査結果）を記憶部５に記憶させる（ステップ７８）。
【００４７】
一方、処理部６は、接触状態判定処理（ステップ７６）において、接触状態が不良と判定したときには、プロービング機構３を制御して、プローブ３１を一旦上方に移動させた後にプロービング（ステップ７４）を再度実行させ、その後に静電容量測定処理を実行させる（ステップ７５）と共に、接触状態判定処理を実行する（ステップ７６）。なお、この工程（ステップ７４〜７６）を複数回繰り返しても接触状態が良好と判定しないとき（各測定値Ｃｍの最小値Ｃｍｂがしきい値Ｃｔ未満のとき）には、実際には接触状態が良好で、測定値Ｃｍが正確であるにもかかわらず、導体パターン１０１ａが断線している（不良である）ために、最小値Ｃｍｂがしきい値Ｃｔ未満となる可能性がある。このため、このときには、処理部６は、上記したステップ７７を実行して導体パターン１０１ａを不良と判定する。
【００４８】
この場合、この基板検査装置１および基板検査方法では、上記したように、基板１００Ａの導体パターン１０１における一対のプロービングポイントＰにプロービングされている一対のプローブ３１間の導通状態が良好と判定したときに測定した静電容量の測定値Ｃｍを、基板１００Ａにおけるすべての導体パターン１０１について特定し、各測定値Ｃｍのうちの最も小さい測定値Ｃｍを基に決定した値をしきい値Ｃｔに設定している。つまり、測定対象の基板１００と同種類の基板１００Ａの導体パターン１０１について実際に測定した静電容量の測定値Ｃｍから検査対象の基板１００に対応する適正なしきい値Ｃｔを設定している。このため、この基板検査装置１および基板検査方法では、適正なしきい値Ｃｔを用いてプロービングポイントＰに対するプローブ３１の接触状態を判定することができる結果、経験則に基づいて予測したしきい値Ｃｔを用いてプローブ３１の接触状態を判定する従来の基板検査装置および基板検査方法と比較して、プローブ３１の接触状態を正確に判定することができる。したがって、この基板検査装置１および基板検査方法では、プロービングポイントＰに対するプローブ３１の接触状態が良好なときに測定した導体パターン１０１と電極２ａとの間の静電容量の測定値Ｃｍに基づいて導体パターン１０１の良否を正確に検査することが可能となっている。
【００４９】
次いで、処理部６は、基板１００におけるすべての導体パターン１０１についての良否判定処理が終了したか否かを判別する（ステップ７９）。この場合、この時点では、すべての導体パターン１０１についての良否判定処理が終了していないため、処理部６は、ステップ７９においてその旨を判別し、上記したステップ７３を実行して、次の導体パターン１０１として、図２に示す導体パターン１０１ｂを選択し、続いて、導体パターン１０１ｂ上に規定されている２つのプロービングポイントＰ３，Ｐ４に対するプロービングの実行をプロービング機構３に指示する（ステップ７４）。次いで、処理部６は、上記したステップ７５〜７８を実行して、導体パターン１０１ｂの良否を判定して、判定結果を記憶部５に記憶させ、続いて上記したステップ７９を実行する。
【００５０】
次いで、処理部６は、基板１００におけるすべての導体パターン１０１についての良否判定処理が終了するまで上記したステップ７３〜７９を繰り返して実行する。続いて、処理部６は、ステップ７９において基板１００におけるすべての導体パターン１０１についての良否判定処理が終了したと判別したときには、検査処理７０を終了する。
【００５１】
このように、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、導体パターン１０１の一対のプロービングポイントＰにプロービングされている一対のプローブ３１間の導通状態が良好と判定したときに、導体パターン１０１と電極２ａとの間の静電容量の値を測定する処理を、基板１００におけるすべての導体パターン１０１について実行し、静電容量の各測定値Ｃｍのうちの最も小さい測定値Ｃｍを基に決定した値をしきい値Ｃｔに設定することにより、測定対象の基板１００の導体パターン１０１について実際に測定した静電容量の測定値Ｃｍから検査対象の基板１００に対応する適正なしきい値Ｃｔを設定することができる。このため、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、適正なしきい値Ｃｔを用いてプロービングポイントＰに対するプローブ３１の接触状態を判定することができる結果、プローブ３１の接触状態を正確に判定することができる。したがって、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、プロービングポイントＰに対するプローブ３１の接触状態が良好なときに測定した導体パターン１０１と電極２ａとの間の静電容量の測定値Ｃｍに基づいて導体パターン１０１の良否を正確に検査することができる。
【００５２】
また、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、最も小さい静電容量の測定値Ｃｍに静電容量の測定誤差を補償するための１よりも大きい値（値１．２）を乗算した値をしきい値Ｃｔに設定することにより、しきい値Ｃｔの基となる静電容量を測定する際に測定誤差によって測定値Ｃｍが実際の値より小さく測定された場合においても、プローブ３１の接触状態を正確に判定可能な適正なしきい値Ｃｔを設定することができる。
【００５３】
また、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、設定処理５０において測定した静電容量の測定値Ｃｍを基に決定した値を基準値Ｃｓに設定することにより、導体パターン１０１の良否の検査に用いる基準値Ｃｓを設定処理５０とは別の処理で設定する構成および方法と比較して、検査効率を十分に向上させることができる。
【００５４】
また、この基板検査装置１および基板検査方法によれば、導体パターン１０１の各プロービングポイントＰにおける静電容量をそれぞれ測定すると共に、１つの導体パターン１０１の各プロービングポイントＰにおける各静電容量の測定値Ｃｍの平均値Ｃｍａを基に決定した値をその導体パターン１０１の基準値Ｃｓに設定することにより、１つの導体パターン１０１について１つのプロービングポイントＰにおいて測定した静電容量の１つの測定値Ｃｍのみを基に決定した値を基準値Ｃｓに設定する構成および方法と比較して、より適正な基準値Ｃｓを設定することができるため、導体パターン１０１の良否をより正確に検査することができる。
【００５５】
なお、基板検査装置および基板検査方法は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、設定処理５０において、しきい値Ｃｔおよび基準値Ｃｓの双方を設定する例について上記したが、設定処理５０において、しきい値Ｃｔだけを設定し、基準値Ｃｓについては別の設定処理（基準値Ｃｓだけを設定する処理）で設定する構成および方法を採用することもできる。この構成および方法では、設定処理５０において、各導体パターン１０１の各プロービングポイントＰにおける静電容量を順次測定する過程において、最も小さい測定値Ｃｍを記憶部５に上書きして記憶させ、最終的に、最小の測定値Ｃｍだけを記憶部５に記憶させることもできる。
【００５６】
また、固定台２の上面に配設された（基板１００の近傍に配置された）電極２ａと導体パターン１０１との間の静電容量の値を測定する例について上記したが、電極２ａに代えて、基板１００の裏面や基板１００の内層に設けられた例えばグランド用の導体パターン（ベタパターン）と導体パターン１０１との間の静電容量の値を測定する構成および方法を採用することもできる。
【００５７】
また、設定処理５０において、導通状態が良好と判定したときの各プロービングポイントＰにおける各測定値Ｃｍの平均値Ｃｍａを基に決定した値を基準値Ｃｓに設定する例について上記したが、各測定値Ｃｍの最小値Ｃｍｂや各測定値Ｃｍの最大値を基に決定した値を基準値Ｃｓに設定する構成および方法を採用することもできる。
【００５８】
また、１つの導体パターン１０１に一対のプロービングポイントＰが規定されている例について上記したが、１つの導体パターン１０１に３つ以上のプロービングポイントＰが規定されている場合においても適用することができる。この構成および方法では、設定処理５０において、３つ以上のプロービングポイントＰのうちの２つのプロービングポイントＰに一対のプローブ３１をプロービングさせて導通状態判定処理を実行すると共に、導通状態が良好と判定したときに静電容量測定処理の実行する工程を、２つのプロービングポイントＰの組み合わせを変更しつつ行う。また、この構成および方法では、３つ以上のプロービングポイントＰについて測定した静電容量の３つ以上の測定値Ｃｍの平均値Ｃｍａ、最小値Ｃｍｂおよび最大値のいずれかを基に決定した値を基準値Ｃｓに設定することができる。
【００５９】
また、基板１００（基板１００Ａ）に形成されているすべての導体パターン１０１について静電容量を測定し、その測定値Ｃｍのうちの最も小さい測定値Ｃｍを基に決定した値をしきい値Ｃｔに設定する例について上記したが、すべての導体パターン１０１の一部である複数の導体パターン１０１について静電容量を測定し、そのうちの最も小さい測定値Ｃｍに基づいてしきい値Ｃｔを設定する構成および方法を採用することもできる。
【符号の説明】
【００６０】
１  基板検査装置
２ａ  電極
３  プロービング機構
４  測定部
６  処理部
３１  プローブ
１００，１００Ａ  基板
１０１ａ〜１０１ｆ  導体パターン
Ｐ１〜Ｐ１５  プロービングポイント
Ｃｍ  測定値
Ｃｍａ  平均値
Ｃｓ  基準値
Ｃｔ  しきい値
【図１】
2017101947.tif 000003
【図２】
2017101947.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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