(57)【要約】【課題】ピクセルサイズを減少させるイベント基盤センサ及びイベント基盤センサのピクセルを提供する。【解決手段】本発明のイベント基盤センサは、複数のピクセルを含むピクセルアレイと、複数のピクセルのうちの一部を選択する選択モジュールと、選択されたピクセルの一部の出力信号に基づいて、選択されたピクセルのうちのイベントを検出した活性ピクセルを示すイベント信号を生成するイベントモジュールと、イベント信号に基づいて、活性ピクセルを示す情報を出力する出力モジュールと、を備える。【選択図】図１
2017050853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のピクセルを含むピクセルアレイと、
前記複数のピクセルのうちの一部を選択する選択モジュールと、
前記選択されたピクセルの一部の出力信号に基づいて、前記選択されたピクセルのうちのイベントを検出した活性ピクセルを示すイベント信号を生成するイベントモジュールと、
前記イベント信号に基づいて、前記活性ピクセルを示す情報を出力する出力モジュールと、を備えることを特徴とするイベント基盤センサ。
【請求項２】
前記イベントは、光の強度が変化するイベントを含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
【請求項３】
前記イベント信号は、前記活性ピクセルのアドレスを含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
【請求項４】
前記複数のピクセルのそれぞれは、前記選択モジュールの選択信号に反応して光の強度の変化量を示す出力信号を出力することを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
【請求項５】
前記イベント信号に基づいて、前記活性ピクセルをリセットするリセットモジュールを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
【請求項６】
前記リセットモジュールは、前記イベント信号に反応して前記活性ピクセルにリセット信号を印加することを特徴とする請求項５に記載のイベント基盤センサ。
【請求項７】
前記ピクセルアレイは、２次元行列の構造を有し、
前記選択モジュールは、予め設定された周期に応じて前記２次元行列の構造に含まれる複数の行を順次選択することを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
【請求項８】
前記イベントモジュールは
前記イベント信号を生成するために前記出力信号のうちの１つの出力信号と基準信号とを比較する比較器と、
前記出力信号の大きさを測定するアナログ・デジタルコンバータと、を含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
【請求項９】
前記イベントモジュールは、
前記イベント信号を生成するために複数の基準信号と前記出力信号のうちの１つの出力信号とを比較する低解像度アナログ・デジタルコンバータと、
前記出力信号の大きさを測定する高解像度アナログ・デジタルコンバータと、を含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
【請求項１０】
前記ピクセルアレイは、２次元行列の構造を有し、
前記イベントモジュールは、前記２次元行列の構造に含まれる複数の列に対応する複数のサブイベントモジュールを含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
【請求項１１】
前記出力モジュールは、複数のサブ出力モジュールを含み、
前記複数のサブ出力モジュールのそれぞれは、前記複数のサブイベントモジュールに対応するそれぞれのサブイベントモジュールに接続されることを特徴とする請求項１０に記載のイベント基盤センサ。
【請求項１２】
前記イベントモジュールは、
前記活性ピクセルが光の強度が増加する第１類型のイベントを検出した場合、第１イベント信号を生成し、
前記活性ピクセルが光の強度が減少する第２類型のイベントを検出した場合、第２イベント信号を生成することを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
【請求項１３】
前記複数のピクセルのそれぞれは、
光の強度を検出して前記検出された光の強度を示す第１電圧を生成する検出回路と、
前記第１電圧に基づいて、前記光の強度の変化量を示す第２電圧を生成する時変回路と、
前記複数のピクセルのうちの１つに対応するピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号に反応して前記第２電圧の大きさと同一の大きさの第３電圧を出力するバッファ回路と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
【請求項１４】
前記検出回路は、
前記複数のピクセルのうちの１つに対応して入射される光の強度を検出するフォトダイオードと、
前記第１電圧の大きさが前記検出された光の強度に線形に比例するように前記フォトダイオードの出力を増幅する増幅器と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載のイベント基盤センサ。
【請求項１５】
前記時変回路は、前記検出回路に直列に接続されたキャパシタを含むことを特徴とする請求項１３に記載のイベント基盤センサ。
【請求項１６】
前記時変回路は、前記第１電圧の変化によって前記キャパシタに充電された電荷量を予め設定された比率で増幅する第２増幅器を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載のイベント基盤センサ。
【請求項１７】
前記時変回路は、前記複数のピクセルのうちの１つに対応するピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号と前記イベント信号に反応して生成されたリセット信号とに基づいて、前記キャパシタに充電された電荷量をリセットするスイッチを更に含むことを特徴とする請求項１５に記載のイベント基盤センサ。
【請求項１８】
前記バッファ回路は、
前記第２電圧に基づいて前記第３電圧を生成するソースフォロアーと、
前記複数のピクセルのうちの１つに対応するピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号に反応して前記第３電圧を出力するトランジスタと、を含むことを特徴とする請求項１３に記載のイベント基盤センサ。
【請求項１９】
電圧降下を補償した基準信号を前記イベントモジュールに提供する基準信号提供モジュールを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のイベント基盤センサ。
【請求項２０】
前記ピクセルアレイは、２次元行列の構造を有し、
前記基準信号提供モジュールは、前記２次元行列の構造に含まれる複数の行に対応する複数の複製ピクセルを含み、
前記複数の複製ピクセルのそれぞれは、前記複数の複製ピクセルのうちの１つに対応する複製ピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号に反応して基準信号を出力することを特徴とする請求項１９に記載のイベント基盤センサ。
【請求項２１】
前記基準信号提供モジュールは、
光の強度が増加する第１類型のイベントのための第１基準信号を出力する第１複製ピクセルと、
光の強度が減少する第２類型のイベントのための第２基準信号を出力する第２複製ピクセルと、
を含むことを特徴とする請求項１９に記載のイベント基盤センサ。
【請求項２２】
光の強度を検出して前記検出された光の強度を示す第１信号を生成する検出回路と、
前記第１信号に基づいて、前記光の強度の変化量を示す第２信号を生成する時変回路と、
選択信号に反応して前記第２信号の強度と同一の強度の第３信号を出力するバッファ回路と、
前記選択信号及びリセット信号の組合せに反応して前記時変回路をリセットするリセット回路と、を備えることを特徴とするイベント基盤センサのピクセル。
【請求項２３】
前記検出回路は、
前記ピクセルに入射される光の強度を検出するフォトダイオードと、
前記第１信号の強度が前記検出された光の強度に線形に比例するように前記フォトダイオードの出力を増幅する第１増幅器と、を含むことを特徴とする請求項２２に記載のイベント基盤センサのピクセル。
【請求項２４】
前記時変回路は、前記検出回路に直列に接続されたキャパシタを含むことを特徴とする請求項２２に記載のイベント基盤センサのピクセル。
【請求項２５】
前記時変回路は、前記第１信号の変化によって前記キャパシタに充電された電荷量を予め設定された比率で増幅する第２増幅器を更に含むことを特徴とする請求項２４に記載のイベント基盤センサのピクセル。
【請求項２６】
前記リセット回路は、前記選択信号及び前記リセット信号の論理積を演算する論理積素子を含み、
前記時変回路は、バイアス電圧及び前記論理積素子の出力に基づいて、前記キャパシタに充電された電荷量をリセットするスイッチを含むことを特徴とする請求項２４に記載のイベント基盤センサのピクセル。
【請求項２７】
前記バッファ回路は、
前記第２信号に基づいて前記第３信号を生成するソースフォロアーと、
前記選択信号に反応して前記第３信号を出力するトランジスタと、を含むことを特徴とする請求項２２に記載のイベント基盤センサのピクセル。
【請求項２８】
ピクセルを含むピクセルアレイと、
前記ピクセルの行のピクセルを選択するロードライバと、
前記選択されたピクセルのうちの１つに対応する入射光の強度の変化量を示す出力信号を生成する前記選択されたピクセルのそれぞれの出力信号に基づいて、前記選択されたピクセルのうちのイベントを検出した活性ピクセルを示すイベント信号を生成するイベント決定回路と、
前記イベント信号に基づいて、前記活性ピクセルを示す情報を出力するデータ出力ロジック回路と、を備えることを特徴とするイベント基盤センサ。
【請求項２９】
前記イベント信号に基づいて、前記活性ピクセルにリセット信号を印加する論理和素子を更に含むことを特徴とする請求項２８に記載のイベント基盤センサ。
【請求項３０】
前記イベント決定回路は、
前記出力信号が第１基準信号よりも大きいか否かを判断し、前記出力信号が前記第１基準信号よりも大きいと判断された場合、光の強度が増加する第１類型のイベントを示す第１イベント信号を生成する第１比較器と、
前記出力信号が第２基準信号よりも小さいか否かを判断し、前記出力信号が前記第２基準信号よりも小さいと判断された場合、光の強度が減少する第２類型のイベントを示す第２イベント信号を生成する第２比較器と、を含むことを特徴とする請求項２８に記載のイベント基盤センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イベント基盤センサ及びイベント基盤センサのピクセルに関する。
【背景技術】
【０００２】
人とコンピュータとの間の相互作用（Ｈｕｍａｎ−ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ：ＨＣＩ）はユーザインタフェースにより発現して作動する。ユーザ入力を認識する様々なユーザインタフェースは、人とコンピュータとの間の自然な相互作用を提供する。
【０００３】
ユーザ入力を認識するために様々なセンサが用いられる。自然な相互作用を提供するために、ユーザ入力に対する応答速度が速いセンサが好ましい。また、様々なモバイル機器の場合、ユーザインタフェースを通した様々なスマート機能を実行しながらも少ない電力を消耗する機器が好ましい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、動的視覚センサ（ＤＶＳ：Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｖｉｓｉｏｎ  Ｓｅｎｓｏｒ）を用いることでピクセルサイズを減少させるイベント基盤センサ及びイベント基盤センサのピクセルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるイベント基盤センサは、複数のピクセルを含むピクセルアレイと、前記複数のピクセルのうちの一部を選択する選択モジュールと、前記選択されたピクセルの一部の出力信号に基づいて、前記選択されたピクセルのうちのイベントを検出した活性ピクセルを示すイベント信号を生成するイベントモジュールと、前記イベント信号に基づいて、前記活性ピクセルを示す情報を出力する出力モジュールと、を備える。
【０００６】
前記イベントは、光の強度が変化するイベントを含み得る。
前記イベント信号は、前記活性ピクセルのアドレスを含み得る。
前記複数のピクセルのそれぞれは、前記選択モジュールの選択信号に反応して光の強度の変化量を示す出力信号を出力し得る。
イベント基盤センサは、前記イベント信号に基づいて、前記活性ピクセルをリセットするリセットモジュールを更に含むことができる。
前記リセットモジュールは、前記イベント信号に反応して前記活性ピクセルにリセット信号を印加し得る。
前記ピクセルアレイは、２次元行列の構造を有し、前記選択モジュールは、予め設定された周期に応じて前記２次元行列の構造に含まれる複数の行を順次選択し得る。
前記イベントモジュールは、前記イベント信号を生成するために前記出力信号のうちの１つの出力信号と基準信号とを比較する比較器と、前記出力信号の大きさを測定するアナログ・デジタルコンバータと、を含み得る。
前記イベントモジュールは、前記イベント信号を生成するために複数の基準信号と前記出力信号のうちの１つの出力信号とを比較する低解像度アナログ・デジタルコンバータと、前記出力信号の大きさを測定する高解像度アナログ・デジタルコンバータと、を含み得る。
前記ピクセルアレイは、２次元行列の構造を有し、前記イベントモジュールは、前記２次元行列の構造に含まれる複数の列に対応する複数のサブイベントモジュールを含み得る。
前記出力モジュールは、複数のサブ出力モジュールを含み、前記複数のサブ出力モジュールのそれぞれは、前記複数のサブイベントモジュールに対応するそれぞれのサブイベントモジュールに接続され得る。
前記イベントモジュールは、前記活性ピクセルが光の強度が増加する第１類型のイベントを検出した場合、第１イベント信号を生成し、前記活性ピクセルが光の強度が減少する第２類型のイベントを検出した場合、第２イベント信号を生成し得る。
前記複数のピクセルのそれぞれは、光の強度を検出して前記検出された光の強度を示す第１電圧を生成する検出回路と、前記第１電圧に基づいて、前記光の強度の変化量を示す第２電圧を生成する時変回路と、前記複数のピクセルのうちの１つに対応するピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号に反応して前記第２電圧の大きさと同一の大きさの第３電圧を出力するバッファ回路と、を含み得る。
前記検出回路は、前記複数のピクセルのうちの１つに対応して入射される光の強度を検出するフォトダイオードと、前記第１電圧の大きさが前記検出された光の強度に線形に比例するように前記フォトダイオードの出力を増幅する増幅器と、を含み得る。
前記時変回路は、前記検出回路に直列に接続されたキャパシタを含み得る。
前記時変回路は、前記第１電圧の変化によって前記キャパシタに充電された電荷量を予め設定された比率で増幅する第２増幅器を更に含み得る。
前記時変回路は、前記複数のピクセルのうちの１つに対応するピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号と、前記イベント信号に反応して生成されたリセット信号に基づいて、前記キャパシタに充電された電荷量をリセットするスイッチを更に含み得る。
前記バッファ回路は、前記第２電圧に基づいて前記第３電圧を生成するソースフォロアーと、前記複数のピクセルのうちの１つに対応するピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号に反応して前記第３電圧を出力するトランジスタと、を含み得る。
前記イベント基盤センサは、電圧降下を補償した基準信号を前記イベントモジュールに提供する基準信号提供モジュールを更に含むことができる。
前記ピクセルアレイは、２次元行列の構造を有し、前記基準信号提供モジュールは、前記２次元行列の構造に含まれる複数の行に対応する複数の複製ピクセルを含み、前記複数の複製ピクセルのそれぞれは、前記複数の複製ピクセルのうちの１つに対応する複製ピクセルを選択する前記選択モジュールの選択信号に反応して基準信号を出力し得る。
前記基準信号提供モジュールは、光の強度が増加する第１類型のイベントのための第１基準信号を出力する第１複製ピクセルと、光の強度が減少する第２類型のイベントのための第２基準信号を出力する第２複製ピクセルと、を含み得る。
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるイベント基盤センサのピクセルは、光の強度を検出して前記検出された光の強度を示す第１信号を生成する検出回路と、前記第１信号に基づいて、前記光の強度の変化量を示す第２信号を生成する時変回路と、選択信号に反応して前記第２信号の強度と同一の強度の第３信号を出力するバッファ回路と、前記選択信号及びリセット信号の組合せに反応して前記時変回路をリセットするリセット回路と、を備える。
【０００８】
前記検出回路は、前記ピクセルに入射される光の強度を検出するフォトダイオードと、前記第１信号の強度が前記検出された光の強度に線形に比例するように前記フォトダイオードの出力を増幅する第１増幅器と、を含み得る。
前記時変回路は、前記検出回路に直列に接続されたキャパシタを含み得る。
前記時変回路は、前記第１信号の変化によって前記キャパシタに充電された電荷量を予め設定された比率で増幅する第２増幅器を更に含み得る。
前記リセット回路は、前記選択信号及び前記リセット信号の論理積を演算する論理積素子を含み、前記時変回路は、バイアス電圧及び前記論理積素子の出力に基づいて、前記キャパシタに充電された電荷量をリセットするスイッチを含み得る。
前記バッファ回路は、前記第２信号に基づいて前記第３信号を生成するソースフォロアーと、前記選択信号に反応して前記第３信号を出力するトランジスタと、を含み得る。
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様によるイベント基盤センサは、ピクセルを含むピクセルアレイと、前記ピクセルの行のピクセルを選択するロードライバと、前記選択されたピクセルのうちの１つに対応する入射光の強度の変化量を示す出力信号を生成する前記選択されたピクセルのそれぞれの出力信号に基づいて、前記選択されたピクセルのうちのイベントを検出した活性ピクセルを示すイベント信号を生成するイベント決定回路と、前記イベント信号に基づいて、前記活性ピクセルを示す情報を出力するデータ出力ロジック回路と、を備える。
【００１０】
前記イベント基盤センサは、前記イベント信号に基づいて、前記活性ピクセルにリセット信号を印加する論理和素子を更に含むことができる。
前記イベント決定回路は、前記出力信号が第１基準信号よりも大きいか否かを判断し、前記出力信号が前記第１基準信号よりも大きいと判断された場合、光の強度が増加する第１類型のイベントを示す第１イベント信号を生成する第１比較器と、前記出力信号が第２基準信号よりも小さいか否かを判断し、前記出力信号が前記第２基準信号よりも小さいと判断された場合、光の強度が減少する第２類型のイベントを示す第２イベント信号を生成する第２比較器と、を含み得る。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、動的視覚センサ（ＤＶＳ）を用いることでピクセルサイズを減少させることができ、イベント決定回路をピクセルの外部に置くことで、イベント決定回路にアナログ・デジタルコンバータ（ＡＤＣ）を付加してもフォームファクターに大きい影響を与えることがない。
また、イベント決定回路にアナログ・デジタルコンバータを付加して工程過程で発生する各ピクセルの変化を容易に把握することができ、ピクセル毎の較正も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態によるイベント基盤センサのブロック図である。
【図２】一実施形態によるイベント基盤センサの構造を示すブロック図である。
【図３】一実施形態によるイベント基盤センサのピクセルの構造を示すブロック図である。
【図４】一実施形態によるイベント基盤センサのピクセルの回路図である。
【図５】他の実施形態による時変回路を含むピクセルの回路図である。
【図６】一実施形態によるイベントモジュールのブロック図である。
【図７】他の実施形態によるイベントモジュールのブロック図である。
【図８】他の実施形態によるイベント基盤センサの構造を示すブロック図である。
【図９】一実施形態による基準信号提供モジュールを含むイベント基盤センサの構造を示すブロック図である。
【図１０】一実施形態によるピクセルと基準信号提供モジュールに含まれる複製ピクセルとの間の動作を説明するための図である。
【図１１】一実施形態による複製ピクセルの構造を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。各図面に示す同一の参照符号は同一の部材を示す。
【００１４】
本実施形態で用いる用語は、単に特定の実施形態を説明するために用いるものであって、実施形態を限定しようとする意図はない。単数の表現は、文脈上、明白に異なる意味を持たない限り複数の表現を含む。本明細書において、「含む」又は「有する」等の用語は、明細書上に記載した特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを示すものであって、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものなどの存在又は付加の可能性を予め排除しないものとして理解しなければならない。
【００１５】
異なる定義がされない限り、技術的であるか又は科学的な用語を含むここで用いる全ての用語は、本実施形態が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。一般的に用いられる予め定義された用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有するものと解釈すべきであって、本明細書で明白に定義しない限り、理想的又は過度に形式的な意味として解釈されることはない。
【００１６】
また、図面を参照して説明する際に、図面符号に関係なく同一の構成要素には同一の参照符号を付与し、それに対する重複説明を省略する。本実施形態の説明において、関連する公知技術に対する具体的な説明が実施形態の要旨を不要に曖昧にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
【００１７】
図１は、一実施形態によるイベント基盤センサのブロック図である。図１を参照すると、本実施形態によるイベント基盤センサ１００は、ピクセルアレイ１１０、選択モジュール１２０、イベントモジュール１３０、及び出力モジュール１４０を含む。
【００１８】
ピクセルアレイ１１０は複数のピクセルを含む。複数のピクセルは、選択モジュール１２０の選択信号に反応して出力信号を出力する。一般的なセンサのピクセルが光の強度に対応する出力信号を出力する一方、ピクセルアレイ１１０に含まれるピクセルは、光の強度の変化量に対応する出力信号を出力する。ピクセルアレイ１１０は、例えば図２に示すピクセルアレイ２１０のように、２次元行列の構造を有する。ピクセルアレイ１１０に含まれる各ピクセルの構造は、図３〜図５を参照して後述する。
【００１９】
選択モジュール１２０は、ピクセルアレイ１１０に含まれる複数のピクセルのうちの一部を選択する。例えば、選択モジュール１２０は、ピクセルアレイ１１０に対応する２次元行列の構造に含まれる複数の行のうちのいずれか１つの行（ｒｏｗ）を選択する。選択モジュール１２０は、予め設定された周期に応じて複数の行を順次選択する。一例として、選択モジュール１２０は、図２に示すロードライバ（ｒｏｗ  ｄｒｉｖｅｒ）２２０である。ロードライバ２２０は、複数の行のうちのいずれか１つの行を選択する選択信号を生成する。
【００２０】
選択モジュール１２０は特定の行を選択し、選択された行の全てのピクセルの信号はイベントモジュール１３０から出力される。イベントモジュール１３０は、列に対してイベントが発生したか否かを判断する。
【００２１】
イベントモジュール１３０は、選択モジュール１２０によって選択されたピクセルの出力信号に基づいて、選択されたピクセルのうちのイベントを検出した活性ピクセルに対応するイベント信号を生成する。イベントは、光の強度が変化するイベントである。活性ピクセルは、出力信号に対応する光の強度の変化量が予め設定された閾値以上であるピクセルである。例えば、イベントモジュール１３０は、出力信号を基準信号と比較する。基準信号は、光の強度の変化量が予め設定された閾値以上であるか否かを判断する基準となる信号である。イベントモジュール１３０は、基準信号よりも大きい出力信号を出力する活性ピクセルを検出し、検出された活性ピクセルに対応するイベント信号を生成する。
【００２２】
イベントモジュール１３０は、ピクセルアレイ１１０に対応する２次元行列の構造に含まれる複数の列に対応する複数のサブイベントモジュールを含む。サブイベントモジュールのそれぞれは、該当する列に属するピクセルの出力信号を基準信号と比較することによって、該当する列に属するピクセルが活性ピクセルであるか否かを判断する。サブイベントモジュールのそれぞれは、該当する列に属するピクセルが活性ピクセルであるという判断に応じてイベント信号を出力する。イベントモジュール１３０の構造については図６〜図７を参照して後述する。
【００２３】
イベントモジュール１３０は、活性ピクセルによって検出されたイベントの類型に応じて異なるイベント信号を生成する。例えば、イベントモジュール１３０は、活性ピクセルによって検出されたイベントが光の強度が増加する第１類型のイベントである場合、第１イベント信号を生成する。イベントモジュール１３０は、活性ピクセルによって検出されたイベントが光の強度が減少する第２類型のイベントである場合、第２イベント信号を生成する。
【００２４】
出力モジュール１４０は、イベントモジュール１３０で生成されたイベント信号に基づいて、活性ピクセルを示す情報を出力する。例えば、活性ピクセルを示す情報は、ピクセルアレイ１１０に対応する２次元行列の構造内の活性ピクセルのアドレスを含む。活性ピクセルのアドレスは、例えば（列、行）座標の形態である。一例として、出力モジュール１４０は、選択モジュール１２０によって選択された行から行座標を取得し、イベントモジュール１３０によって検出された活性ピクセルの列から列座標を取得する。出力モジュール１４０は、例えば図２に示すデータ出力ロジック回路２４０である。
【００２５】
以下、説明の便宜のために、選択モジュール１２０はピクセルアレイ１１０に対応する２次元行列の構造に含まれるいずれか１つの行を選択し、イベントモジュール１３０は選択された行に含まれる複数の列を処理する実施形態を説明するが、実施形態は多様に変形され得る。例えば、選択モジュール１２０はピクセルアレイ１１０に対応する２次元行列の構造に含まれるいずれか１つの列を選択し、イベントモジュール１３０は選択された列に含まれる複数の行を処理する。また、ピクセルアレイ１１０が２次元行列の構造に対応しない場合にも、選択モジュール１２０はピクセルアレイ１１０に含まれる複数のピクセルのうちの一部のピクセルを選択し、イベントモジュール１３０は選択されたピクセルの出力信号を処理する。
【００２６】
一実施形態において、出力モジュール１４０は、複数のサブ出力モジュールを含む。ここで、複数のサブ出力モジュールのそれぞれは、複数のサブイベントモジュールの一部に接続される。出力モジュール１４０が複数のサブ出力モジュールを含む実施形態については図８を参照して後述する。
【００２７】
図示していないが、イベント基盤センサ１００は、リセットモジュールを更に含む。リセットモジュールは、イベントモジュール１３０によって生成されるイベント信号に基づいて活性ピクセルを初期化する。リセットモジュールは、イベント信号に反応して活性ピクセルにリセット信号を印加する。リセットモジュールは、例えば図２に示す第１イベント信号及び第２イベント信号の論理和素子２５１を含む。
【００２８】
イベントの発生を検出してイベント信号を生成及び出力する回路をピクセル毎にピクセル内に含む一般的なイベント基盤センサとは異なって、イベント基盤センサ１００は、イベントの発生を検出してイベント信号を生成及び出力する回路をピクセルの外部に含む。そのため、本実施形態は、イベント基盤センサ１００に含まれる個別のピクセルの大きさを減少させ、イベント基盤センサ１００の生産単価を減少させる技術を提供する。
【００２９】
また、本実施形態は、イベント発生の有無をピクセルの外部で判断することによって、ＰＶＴ（Ｐｒｏｃｅｓｓ、Ｖｏｌｔａｇｅ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）変化などによって発生するピクセル間の偏差、ピクセル内アナログ回路の利得（ｇａｉｎ）オフセット偏差などをピクセル単位に把握して調整する。そのため、本実施形態は、チップの収率を向上させ、生産単価を低下させることができる。
【００３０】
図２は、一実施形態によるイベント基盤センサの構造を示すブロック図である。図２を参照すると、本実施形態によるイベント基盤センサ２００は、ピクセルアレイ２１０、ロードライバ２２０、制御ロジック回路２２５、イベントモジュール２３０、データ出力ロジック回路２４０、及びリセットモジュール２５０を含む。
【００３１】
ピクセルアレイ２１０は、例えばＭ（ｂｉｔ）×Ｎ（ｂｉｔ）（Ｍ、Ｎは自然数）の大きさを有する。Ｍはピクセルアレイ２１０の横の長さに対応し、Ｎはピクセルアレイ２１０の縦の長さに対応する。例えば、Ｍはピクセルアレイ２１０に含まれる列の個数であり、Ｎはピクセルアレイ２１０に含まれる行の個数である。ピクセルアレイ２１０は、例えばイベント基盤センサ２００の解像度がＶＧＡ級である場合、６４０×４８０の大きさを有し、解像度がＨＤ級である場合、１２８０×７２０の大きさを有し、解像度がフルＨＤ（ｆｕｌｌ  ＨＤ）級の場合、１９２０×１０８０の大きさを有する。ピクセルアレイ２１０に含まれるピクセル２１３の構造は図３を参照して後述する。
【００３２】
ロードライバ２２０は、ピクセルアレイ２１０の各行に含まれるピクセルを選択する。ロードライバ２２０によって選択されたピクセルの出力信号ＶＯＵＴは、ピクセルアレイ２１０の外部から出力される。ロードライバ２２０は、予め設定された周期に応じて、ピクセルアレイ２１０の２次元行列の構造に含まれる複数の行を順次選択する。
【００３３】
制御ロジック回路２２５は、データ出力ロジック回路２４０を制御する。例えば、制御ロジック回路２２５は、ロードライバ２２０及びデータ出力ロジック回路２４０が同期して動作するためのクロック（ｃｌｏｃｋ）を供給する。制御ロジック回路２２５からクロックが供給されると、ロードライバ２２０は、選択信号ＳＥＬを用いてピクセルアレイ２１０の各行に含まれるピクセルを選択する。ここで、ピクセルアレイ２１０で選択された行に含まれるピクセルは、ロードライバ２２０の選択信号ＳＥＬに反応し、ピクセルに入射される光の強度の変化量に対応する出力信号ＶＯＵＴを出力する。
【００３４】
イベントモジュール２３０は、選択されたピクセルの出力信号ＶＯＵＴに基づいて、選択されたピクセルのうちのイベントを検出した活性ピクセルに対応するイベント信号を生成する。イベントモジュール２３０は、例えば活性ピクセルによって検出されたイベントが光の強度が増加するイベントである場合、オン（ＯＮ）イベント信号を生成し、活性ピクセルによって検出されたイベントが光の強度が減少するイベントである場合、オフ（ＯＦＦ）イベント信号を生成する。
【００３５】
また、イベントモジュール２３０は、２次元行列の構造に含まれる複数の列に対応する複数のサブイベントモジュールを含む。サブイベントモジュールは、例えばイベント決定回路（Ｅｖｅｎｔ  Ｄｅｃｉｓｉｏｎ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）２３１である。
【００３６】
イベント決定回路２３１は、該当する列に属するピクセルによって出力された出力信号ＶＯＵＴと基準信号ＶＲＥＦ＿ＯＮ及びＶＲＥＦ＿ＯＦＦとを比較し、比較結果に基づいてオンイベント信号又はオフイベント信号を出力する。ここで、基準信号ＶＲＥＦ＿ＯＮ及びＶＲＥＦ＿ＯＦＦは、外部から印加される。イベントモジュール２３０の構造及び動作については図６〜図７を参照して後述する。
【００３７】
データ出力ロジック回路２４０は、イベント決定回路によって生成されたイベント信号に基づいて、イベントを検出した活性ピクセルのアドレス（例えば、活性ピクセルの座標）をイベント基盤センサ２００の外部に出力する。データ出力ロジック回路２４０は、クロック信号によってデータを単方向に出力する。一例として、データ出力ロジック回路２４０は、アドレスイベント表現（ＡＥＲ：Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｅｖｅｎｔ  Ｒｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎ）信号を出力する。データ出力ロジック回路２４０は、ロードライバ２２０によって選択された行に属するピクセルのうちのイベントが発生した活性ピクセルのアドレスに該当するデータのみを選択的にＡＥＲ信号として出力する。データ出力ロジック回路２４０は、活性ピクセルのアドレス以外に検出されたイベントの類型、イベントが検出された時間などのデータを更に出力する。他の例として、データ出力ロジック回路２４０は、ロードライバ２２０によって選択された行に属するピクセルの出力に該当するデータを全て直列データ（ｓｅｒｉａｌ  ｄａｔａ）として出力する。
【００３８】
リセットモジュール２５０は、イベントモジュール２３０で出力されたイベント信号に反応して、活性ピクセルにリセット信号ＲＥＳＥＴを印加する。リセットモジュール２５０は、例えばピクセルアレイ２１０の各列に対応するＭ個の論理和素子２５１を含む。論理和素子２５１は、オンイベント信号及びオフイベント信号に対する論理和演算を行って活性ピクセルにリセット信号を印加する。
【００３９】
本実施形態によるイベント基盤センサ２００は、イベント決定回路２３１及びデータ出力ロジック回路２４０を個別のピクセルから分離して構成することにより、個別のピクセルの大きさを減らすことができる。また、イベント基盤センサ２００は、個別ピクセルを構成するアナログ回路の出力信号ＶＯＵＴそのものをピクセルアレイ２１０の外部に出力することによって、ピクセルアレイ２１０に含まれるピクセル間の偏差を測定して調整することができる。
【００４０】
図３は、一実施形態によるイベント基盤センサのピクセルの構造を示すブロック図である。図３を参照すると、本実施形態によるピクセル３００は、検出回路３１０、時変（ｔｉｍｅ−ｖａｒｙｉｎｇ）回路３３０、バッファ回路３５０、及びリセット回路３７０を含む。
【００４１】
検出回路３１０は、ピクセル３００で検出された光の強度を示す第１電圧を生成する。例えば、検出回路３１０は、フォトダイオード３１３及び増幅器３１６を含む。フォトダイオード３１３は、ピクセル３００に入射される光の強度を検出する。例えば、フォトダイオード３１３は、ピクセル３００で受信した光の強度変化に対応する電流を出力する。増幅器３１６は、フォトダイオード３１３から出力された電流を第１電圧に変換する。増幅器３１６は、第１電圧の大きさがピクセル３００で検出された光の強度に線形に比例するようにフォトダイオード３１３の出力を増幅する。例えば、フォトダイオード３１３から出力される電流の量は検出された光の強度に線形に比例しないことがある。この場合、増幅器３１６としてログ増幅器（ｌｏｇａｒｉｔｈｍｉｃ  ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）又はログトランスインピーダンス増幅器（ｌｏｇａｒｉｔｈｍｉｃ  ｔｒａｎｓｉｍｐｅｄａｎｃｅ  ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）を用いることによって、第１電圧の大きさを検出された光の強度に線形に比例させる。
【００４２】
時変回路３３０は、検出回路３１０で生成された第１電圧に基づいて、光の強度の変化量を示す第２電圧を生成する。例えば、時変回路３３０は、初期化時に第１電圧をキャパシタに格納し、格納された第１電圧を基準として第１電圧の変化量を第２電圧として出力する。時変回路３３０は、第１電圧の時変成分又はＡＣ成分を用いて第２電圧を生成する。時変回路３３０は、第１電圧の変化量を示す第２電圧を生成することから、差動回路又は微分回路と称される。
【００４３】
バッファ回路３５０は、時変回路３３０で生成された第２電圧の大きさと同一の大きさの第３電圧を生成する。例えば、バッファ回路３５０は、ソースフォロアー（ｓｏｕｒｃｅ  ｆｏｌｌｏｗｅｒ）を用いて第３電圧を生成する。時変回路３３０は、選択モジュール（図１に示す１２０参照）から送信された選択信号ＳＥＬに反応して第３電圧を出力する。選択信号ＳＥＬは、ピクセル３００のアナログ回路の出力電圧ＶＯＵＴを読み出すための信号であって、第３電圧はピクセル３００の出力電圧ＶＯＵＴである。
【００４４】
リセット回路３７０は、選択モジュール（図１に示す１２０参照）から送信された選択信号ＳＥＬ及びリセットモジュール（図２に示す２５０参照）から送信されたリセット信号ＲＥＳＥＴの組合せに反応して、例えば他の電圧を第１電圧に格納する方式で時変回路３３０を初期化する。例えば、リセット回路３７０は、ピクセル３００の外部で選択信号ＳＥＬ及びリセット信号ＲＥＳＥＴを共に受信した場合、時変回路３３０を初期化する。
【００４５】
図４は、一実施形態によるイベント基盤センサのピクセルの回路図である。図４を参照すると、本実施形態によるピクセル４００は、検出回路４１０、時変回路４３０、バッファ回路４５０、及びリセット回路４７０を含む。
【００４６】
検出回路４１０は、フォトダイオード４１１、トランジスタＭＬＯＧ４１３、及び第１増幅器４１５を含む。フォトダイオード４１１は、ピクセル４００に入射される光の強度を検出する。フォトダイオード４１１によって検出された光の強度に対応してトランジスタＭＬＯＧ４１３に電流が流れ、検出回路４１０から時変回路４３０に出力される第１電圧ＶＰＲが生成される。
【００４７】
ここで、トランジスタＭＬＯＧ４１３に流れる電流の量は、検出された光の強度に線形に比例しないことがある。第１増幅器４１５は、第１電圧ＶＰＲの大きさがフォトダイオード４１１によって検出された光の強度に線形に比例するようにフォトダイオード４１１の出力電圧ＶＰＤをログスケールに増幅する。例えば、第１増幅器４１５はログトランスインピーダンス増幅器である。
【００４８】
時変回路４３０は、検出回路４１０で生成された第１電圧ＶＰＲに基づいて、光の強度の変化量を示す第２電圧を生成する。時変回路４３０は、第１キャパシタＣ１４３１、第２増幅器４３３、第２キャパシタＣ２４３５、及びスイッチ４３７を含む。
【００４９】
第１キャパシタＣ１４３１は、第１増幅器４１５に直列に接続される。第１キャパシタＣ１４３１は、検出回路４１０によって生成された第１電圧が変化するにつれて電荷を充電する。第２増幅器４３３は、第１キャパシタＣ１４３１に充電された電荷によって発生する電圧を予め設定された比率で増幅する。第２増幅器４３３の増幅率は、第１キャパシタＣ１４３１の容量と第２増幅器４３３に並列に接続された第２キャパシタＣ２４３５の容量との比率で決定される。第２キャパシタＣ２４３５は、フィードバックキャパシタである。第１キャパシタＣ１４３１、第２キャパシタＣ２４３５、及び第２増幅器４３３は、第１増幅器４１５のトランスインピーダンスの利得に追加的な電圧利得を提供する。
【００５０】
スイッチ４３７は、第２増幅器４３３及び第２キャパシタＣ２４３５に並列に接続され、選択モジュールの選択信号ＳＥＬ及びリセットモジュール（図２に示す２５０参照）からリセット回路４７０を経て送信されたリセット信号に応答して、第１キャパシタＣ１４３１に充電された電荷をリセットする。スイッチ４３７は、例えばトランジスタスイッチである。
【００５１】
第１キャパシタＣ１４３１は、リセット動作時に第１増幅器４１５の出力電圧を基準としてリセットされる。例えば、リセット動作時にスイッチ４３７によって第２増幅器４３３の入力と出力がショート（ｓｈｏｒｔ）される。この場合、第１キャパシタＣ１４３１の一端には第１増幅器４１５の出力電圧が印加され、第１キャパシタＣ１４３１の他端には入力と出力がショートされた第２増幅器４３３の出力電圧が印加される。第１キャパシタＣ１４３１は、両端の電位差に該当する電圧を格納する。このように、リセット動作時、第１キャパシタＣ１４３１に格納される電圧は第１増幅器４１５の出力電圧に依存することから、以下ではリセット動作時に第１増幅器４１５の出力電圧をリセット基準電圧と称する。
【００５２】
バッファ回路４５０は、ソースフォロアーＭＯＵＴ４５１及びトランジスタＭＳＥＬ４５３を含む。ソースフォロアーＭＯＵＴ４５１は、時変回路４３０で生成された第２電圧に基づいて第２電圧と実質的に同じ電圧の第３電圧を生成する。例えば、ソースフォロアーＭＯＵＴ４５１のゲート端子に第２電圧が印加されると、ソースフォロアーＭＯＵＴ４５１のソース端子に第３電圧が生成される。トランジスタＭＳＥＬ４５３は、選択モジュールの選択信号ＳＥＬに反応して出力電圧ＶＯＵＴに第３電圧を出力する。一例として、第３電圧は、第２電圧からソースフォロアーＭＯＵＴ４５１のゲート−ソース電圧ＶＧＳを差し引いた電圧である。
【００５３】
リセット回路４７０は、選択信号ＳＥＬ及びリセット信号ＲＥＳＥＴの組合せに反応して時変回路４３０をリセットする。リセット回路４７０は、選択信号及びリセット信号の論理積（ＡＮＤ）演算する論理積素子を含む。時変回路４３０に含まれるスイッチ４３７は、論理積素子の出力により第２キャパシタＣ２４３５に充電された電荷量をリセットする。
【００５４】
図５は、他の実施形態による時変回路を含むピクセルの回路図である。図５を参照すると、本実施形態によるピクセル５００は、検出回路５１０、時変回路５３０、バッファ回路５５０、及びリセット回路５７０を含む。ここで、検出回路５１０、バッファ回路５５０、及びリセット回路５７０の動作は、図４に示した検出回路４１０、バッファ回路４５０、及びリセット回路４７０と同一であるため、詳細な説明を省略する。
【００５５】
時変回路５３０は、第１キャパシタＣ５３１及びスイッチ５３３を含む。第１キャパシタＣ５３１は、第１増幅器５１５に直列に接続される。スイッチ５３３は、リセット回路５７０により制御されて第１キャパシタＣ５３１をリセットする。リセット動作時、第１キャパシタＣ５３１は、リセット基準電圧（例えば、第１増幅器５１５の出力電圧）とバイアス電圧ＶＢＩＡＳとの間の電位差を格納する。
【００５６】
図５に示す実施形態によると、図４に示す時変回路４３０に含まれる第２増幅器４３３及び第２キャパシタＣ２４３５を除去することによってピクセルの大きさを更に減少させることができる。
【００５７】
図６は、一実施形態によるイベントモジュールのブロック図である。図６を参照すると、本実施形態によるイベントモジュール６００は、第１比較器６１０及び第２比較器６５０を含む。
【００５８】
第１比較器６１０は、活性ピクセルによって検出されたイベントがオンイベントであるか否かを決定するために、第１基準信号ＶＲＥＦ＿ＯＮとピクセルの出力信号ＶＯＵＴとを比較する。第１比較器６１０は、出力信号ＶＯＵＴが第１基準信号ＶＲＥＦ＿ＯＮよりも大きい場合、オンイベント信号を生成する。
【００５９】
第２比較器６５０は、活性ピクセルによって検出されたイベントがオフイベントであるか否かを決定するために、第２基準信号ＶＲＥＦ＿ＯＦＦと出力信号ＶＯＵＴとを比較する。第２比較器６５０は、出力信号ＶＯＵＴが第２基準信号ＶＲＥＦ＿ＯＦＦよりも小さい場合、オフイベント信号を生成する。
【００６０】
イベントモジュール６００は、アナログ・デジタルコンバータ（ＡＤＣ）６３０を更に含む。アナログ・デジタルコンバータ６３０は、校正（ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ）のためのデジタル出力信号ＤＯＵＴとして出力信号ＶＯＵＴの強度を測定する。アナログ・デジタルコンバータ６３０は、ｎ−ｂｉｔアナログ・デジタルコンバータである。ｎ−ｂｉｔアナログ・デジタルコンバータは、出力信号ＶＯＵＴの強度を２ｎ段階に測定する。例えば、アナログ・デジタルコンバータ６３０が２−ｂｉｔアナログ・デジタルコンバータである場合、出力信号ＶＯＵＴの強度は基準信号ＶＲＥＦＨとＶＲＥＦＬとのの間で「００」、「０１」、「１０」、「１１」の４段階に測定される。アナログ・デジタルコンバータ６３０は、出力信号ＶＯＵＴの強度を、例えば、基準信号ＶＲＥＦＬ未満、基準信号ＶＲＥＦＬから０まで、０から基準信号ＶＲＥＦＨまで、及び基準信号ＶＲＥＦＨ超過といった４段階に測定する。
【００６１】
本実施形態によると、アナログ・デジタルコンバータ６３０によって各ピクセルの出力値を正確に把握することができ、これによりピクセル毎の調整が可能になる。例えば、ピクセル間の偏差によってリセット動作時に各ピクセルのリセット基準電圧に変化が発生した場合、或いは各ピクセルの光電流（ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ）と出力信号ＶＯＵＴの電圧との間のトランスインピーダンスの利得に偏差が生じた場合、同じ照度変化を検出してもピクセル毎に出力信号ＶＯＵＴが変化する。このように変化した出力信号ＶＯＵＴは、イベントモジュール内の固定パターンのノイズを発生させることになる。
【００６２】
ピクセル間の偏差（ｖａｒｉａｔｉｏｎ）は、同じ照明変化にも拘わらず、ピクセルがそれぞれ異なる大きさの出力信号を出力するときに生成される偏差を示す。アナログ・デジタルコンバータ６３０は、ピクセルのそれぞれの出力信号の大きさとしてｎビット（例えば、デジタル出力信号ＤＯＵＴ）を出力する。イベント基盤センサ１００を用いるホストシステムは、アナログ・デジタルコンバータ６３０のデジタル出力信号ＤＯＵＴに基づいてピクセル間の偏差を校正する。例えば、ピクセル間の偏差に関する情報を取得するため、照明環境を制御して同じ照明変化が全てのピクセルによって検出されるようにする。
【００６３】
一実施形態において、ピクセル間の偏差によってピクセルが同じ照明変化を検出しても、それぞれ異なる大きさの信号が出力される。ホストシステムは、アナログ・デジタルコンバータ６３０を用いて、同じ照明変化に基づくピクセルのそれぞれの出力信号の大きさに関する情報を収集する。
【００６４】
ホストシステムは、収集された情報に基づいてピクセル間の偏差に関する情報を生成する。ホストシステムは、ピクセル間の偏差に関する情報に基づいて、実際の動作環境でピクセルのそれぞれの出力信号の大きさを校正する。
【００６５】
図７は、他の実施形態によるイベントモジュールのブロック図である。図７を参照すると、本実施形態によるイベントモジュール７００は、低解像度アナログ・デジタルコンバータ７１０及び低解像度アナログ・デジタルコンバータ７５０を含む。
【００６６】
イベントモジュール７００は、図６に示した１つの比較電圧ＶＲＥＦ＿ＯＮ（又はＶＲＥＦ＿ＯＦＦ）を用いる比較器６１０、６５０に代って、２つの基準電圧を用いる低解像度アナログ・デジタルコンバータ７１０及び低解像度アナログ・デジタルコンバータ７５０を用いる。
【００６７】
低解像度アナログ・デジタルコンバータ７１０及び低解像度アナログ・デジタルコンバータ７５０を用いる場合、図６に示した１つの比較電圧ＶＲＥＦ＿ＯＮ（又はＶＲＥＦ＿ＯＦＦ）を用いる比較器６１０、６５０から出力される１−ビットのオン（ＯＮ）（又はオフ（ＯＦＦ））イベント信号の代わりに、マルチ−ビットのオン（又はオフ）イベント信号が出力される。
【００６８】
低解像度アナログ・デジタルコンバータ７１０は、７７０に示すようにＶＲＥＦ＿ＯＮの電圧範囲７７３に該当する２つの基準電圧ＶＲＥＦＨ＿ＯＮ及びＶＲＥＦＬ＿ＯＮを用いる。また、低解像度アナログ・デジタルコンバータ７５０は、ＶＲＥＦ＿ＯＦＦの電圧範囲７７６に該当する２つの基準電圧ＶＲＥＦＨ＿ＯＦＦ及びＶＲＥＦＬ＿ＯＦＦを用いる。
【００６９】
イベントモジュール７００は、このように出力されたマルチ−ビットのオン（又はオフ）イベント信号を用いてバック・エンド（ｂａｃｋ−ｅｎｄ）で既に知っているピクセル間の変化情報に基づいて、ピクセルで発生したイベントがオンイベントであるか又は変化によるオフイベントであるかを判別する。
【００７０】
例えば、２つの基準電圧がアナログ・デジタルコンバータで用いられる場合、２つの基準電圧の間の間隔をｎビットに分割し、ｎビットを出力する。アナログ・デジタルコンバータの解像度（ＡＤＣ  ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）に応じて、２ビットの代わりに、例えば、
【００７１】
2017050853.tif 000003
のようにｎビットを出力する。
【００７２】
基準電圧ＶＲＥＦＨ及びＶＲＥＦＬ間の基準信号は、抵抗性／容量性電圧分配（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ／ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｄｉｖｉｄｉｎｇ）によって生成されるか、或いは容量性電荷分配（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｃｈａｒｇｅ  ｓｈａｒｉｎｇ）によって生成されるなど、他の様々な方法を用いてもよい。
【００７３】
基準信号を生成する方法は、設計仕様や、或いは設計される分野に応じて設計者によって決定される。また、アナログ・デジタルコンバータ（ＡＤＣ）の動作電圧は、基準電圧ＶＲＥＦＨよりも高いか、又は低いこともある。フラッシュアナログ・デジタルコンバータ（ＡＤＣ）の構造は、６ビット以下の低解像度で使用される。
【００７４】
図７に示すように、マルチ−ビットのオン（又はオフ）イベント信号が生成される場合、リセット信号は、マルチ−ビットのオン（又はオフ）イベント信号に基づいてバック・エンドで生成される。この場合、システム内のリセットモジュールは、リセット信号を直接生成する代わりに、バック・エンドで生成されたリセット信号を当該ピクセルに送信する役割を果たす。
【００７５】
イベントモジュール７００は、高解像度アナログ・デジタルコンバータ７３０を更に含む。高解像度アナログ・デジタルコンバータ７３０は、デジタル出力信号ＤＯＵＴとしてピクセルの出力信号ＶＯＵＴの強度を測定する。例えば、高解像度アナログ・デジタルコンバータ７３０がｎ−ｂｉｔアナログ・デジタルコンバータである場合、ｎ−ｂｉｔアナログ・デジタルコンバータは、出力信号ＶＯＵＴの強度を２ｎ段階で測定する。上述したように、高解像度アナログ・デジタルコンバータ７３０は、ピクセル毎の偏差を調整するために使用される。
【００７６】
図８は、他の実施形態によるイベント基盤センサの構造を示すブロック図である。図８を参照すると、本実施形態によるイベント基盤センサ８００は、ピクセルアレイ８１０、ロードライバ８２０、イベントモジュール８３０、データ出力ロジック回路８４０、リセットモジュール８５０、及び制御ロジック回路８２５を含む。
【００７７】
図２に示したイベント基盤センサ２００のデータ出力ロジック回路２４０とは異なって、図８に示すデータ出力ロジック回路８４０は、例えばピクセルアレイ８１０に含まれるＭ個の列に対応するＭ個のサブ出力モジュールを有する。複数のサブ出力モジュールのそれぞれは、複数のサブイベントモジュール及び論理和素子のうちの一部に接続される。
【００７８】
例えば、サブ出力モジュールが並列にＭ個ある場合、Ｍ個のサブ出力モジュールのうちの第１サブ出力モジュール８４１はピクセルアレイ８１０の最初の列８１１で出力された出力信号ＶＯＵＴ［０］を処理するイベント決定回路８３１及び最初の列８１１に含まれる活性ピクセルにリセット信号ＲＥＳＥＴ［０］を送信する論理和素子８５１に接続される。第１サブ出力モジュール８４１は、最初の列８１１を除いた残りのＭ−１個の列の動作を考慮しない。
【００７９】
サブ出力モジュールは、図２に示すデータ出力ロジック回路２４０に比べて更に少ないビットのＡＥＲ信号を出力する。例えば、サブ出力モジュールが４個である場合、各サブ出力モジュールはＡＥＲ信号の下位２ビットを除いて出力する。
【００８０】
ＡＥＲ信号を受信する外部装置は、どのサブ出力モジュールからＡＥＲ信号を受信したかに基づいて下位２ビットを復元する。例えば、第１サブ出力モジュールは００に該当し、第２サブ出力モジュールは０１に該当し、第３サブ出力モジュールは１０に該当し、第４サブ出力モジュールは１１に該当する。
【００８１】
その他の構成要素に対する説明は、図２に開示した構成要素の動作と同一であるため、詳細な説明を省略する。
【００８２】
図９は、一実施形態による基準信号提供モジュールを含むイベント基盤センサの構造を示すブロック図である。図９を参照すると、本実施形態によるイベント基盤センサ９００は、ピクセルアレイ９１０、ロードライバ９２０、制御ロジック回路９２５、イベントモジュール９３０、データ出力ロジック回路９４０、リセットモジュール９５０、及び基準信号提供モジュール９６０を含む。
【００８３】
ここで、ピクセルアレイ９１０、ロードライバ９２０、制御ロジック回路９２５、イベントモジュール９３０、データ出力ロジック回路９４０、及びリセットモジュール９５０の動作は、図２に示したピクセルアレイ２１０、ロードライバ２２０、制御ロジック回路２２５、イベントモジュール２３０、データ出力ロジック回路２４０、及びリセットモジュール２５０の動作と同一であるため、詳細な説明を省略する。
【００８４】
基準信号提供モジュール９６０は、電圧降下を補償した基準信号をイベントモジュール９３０に提供する。基準信号提供モジュール９６０は、ピクセルアレイ９１０の２次元行列の構造に含まれる複数の行に対応する複数の複製ピクセルを含む。例えば、複製ピクセル９６３、９６６は、ピクセルアレイ９１０の第１行に対応する。複製ピクセル９６３、９６６は、第１行を選択するＳＥＬ［０］信号に反応して基準信号を出力する。
【００８５】
制御ロジック回路９２５からクロックが供給されると、ロードライバ９２０は、選択信号ＳＥＬを用いてピクセルアレイ９１０の各行に含まれるピクセルを選択する。ここで、選択信号ＳＥＬは、ピクセルアレイ９１０の各行のみならず、基準信号提供モジュール９６０の各行にも同一に提供され、基準信号提供モジュール９６０に含まれる複製ピクセルは出力信号（即ち、基準信号）を出力する。
【００８６】
ピクセルアレイ９１０に含まれるピクセルがロードライバ９２０の選択信号に反応して、光の強度の変化量に対応する出力信号を出力することとは異なり、複製ピクセルは、予め設定された基準信号ＶＲＥＦ＿ＯＮ又はＶＲＥＦ＿ＯＦＦを出力する。
【００８７】
複製ピクセルによって出力された基準信号は、イベントモジュール９３０に供給され、ピクセルの出力信号ＶＯＵＴとの比較に使用される。ピクセルアレイ９１０に含まれるピクセルと基準信号提供モジュール９６０に含まれる複製ピクセルとの間の動作は図１０を参照して説明する。
【００８８】
図１０は、一実施形態によるピクセルと基準信号提供モジュールに含まれる複製ピクセルとの間の動作を説明するための図であり、ピクセルアレイに含まれるピクセル１０１０及び基準信号提供モジュールに含まれる複製ピクセル１０３０を示す。上述したように、ロードライバによってピクセル１０１０に選択信号が送信されると、ピクセル１０１０はロードライバの選択信号に反応し、当該ピクセルに入射される光の強度の変化量に対応する出力信号を出力する。
【００８９】
出力信号は、導線によってイベントモジュールに送信される。ここで、導線は内部抵抗を有するが、ピクセルが属する行の位置に応じて、当該ピクセルから出力される出力信号が有する電圧降下の量はそれぞれ異なる。
【００９０】
例えば、イベントモジュールに最も近い行のピクセル１０１３の出力信号は、１つの抵抗成分による電圧降下を有した後に直ちにイベントモジュールに送信される。一方、イベントモジュールに最も遠い行のピクセル１０１１の出力信号は、複数の抵抗成分による電圧降下を有した後にイベントモジュールに送信される。
【００９１】
このようにイベントモジュールに伝えられる出力信号は、電圧降下によって本来のピクセル１０１１で出力された信号と異なる値を有することがある。イベントモジュールが全てのピクセルの出力信号を同一の基準信号と比較した場合、ピクセルの位置による電圧降下によって誤差が発生する可能性がある。
【００９２】
本実施形態による基準信号提供モジュールは、このような電圧降下を考慮して、ピクセルの出力信号が送信過程で有する抵抗成分と同様に、基準信号ＶＲＥＦも同じ抵抗成分によって電圧降下を有するようにして、電圧降下を補償した基準信号ＢＵＦ＿ＶＲＥＦが出力されるようにする。
【００９３】
再び図９を参照すると、基準信号提供モジュール９６０は、光の強度が増加する第１類型のイベントのための第１基準信号ＢＵＦ＿ＶＲＥＦ＿ＯＮを出力する第１複製ピクセル９６３、及び光の強度が減少する第２類型のイベントのための第２基準信号ＢＵＦ＿ＶＲＥＦ＿ＯＦＦを出力する第２複製ピクセル９６６を含む。
【００９４】
基準信号提供モジュールに入力される基準信号ＶＲＥＦ＿ＯＮ、ＶＲＥＦ＿ＯＦＦは、イベントモジュールで受信したピクセルの出力信号が、光の強度が増加する第１類型のイベントであるか、又は光の強度が減少する第２類型のイベントであるかを判断する基準に該当する。本実施形態では、基準信号ＶＲＥＦ＿ＯＮ、ＶＲＥＦ＿ＯＦＦもピクセルの出力信号と同様の電圧降下を有するようにすることで、電圧降下による誤動作を防止する。
【００９５】
図１１は、一実施形態による複製ピクセルの構造を示すブロック図である。図１１を参照すると、本実施形態による複製ピクセル１１００はバッファ回路１１５０を含む。
【００９６】
バッファ回路１１５０は、選択モジュール（図１に示す１２０参照）から送信された選択信号ＳＥＬに反応して、バッファ回路３５０に入力された基準信号ＶＲＥＦと同一の大きさの電圧を有する出力信号ＶＯＵＴを出力する。バッファ回路３５０はソースフォロアーを含む。
【００９７】
複製ピクセル１１００は、フォトダイオード１１１３及び増幅器１１１６を含む検出回路１１１０、時変回路１１３０、及びリセット回路１１７０を更に含む。ここで、先に説明したピクセルの構造とは異なり、複製ピクセル１１００に含まれる時変回路１１３０の出力はバッファ回路１１５０に接続されない。また、リセット回路１１７０のリセット信号を受信する入力端にはグラウンドＧＮＤ信号が印加される。
【００９８】
複製ピクセルに含まれる検出回路１１１０、時変回路１１３０、及びリセット回路１１７０は図３に示した検出回路３１０、時変回路３３０、リセット回路３７０のそれぞれと同一に構成され、また、イベントを検出するためのものではないが、実際のチップの生産時に回路設計の複雑度を低くするために一般的なピクセルと同一に備えられる。
【００９９】
上述した装置は、ハードウェア構成要素、ソフトウェア構成要素、又はハードウェア構成要素及びソフトウェア構成要素の組合せで具現される。例えば、プロセッサ、コントローラ、ＡＬＵ（ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ  ｌｏｇｉｃ  ｕｎｉｔ）、デジタル信号プロセッサ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｉｇｎａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、マイクロコンピュータ、ＦＰＡ（ｆｉｅｌｄ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ａｒｒａｙ）、ＰＬＵ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｌｏｇｉｃ  ｕｎｉｔ）、マイクロプロセッサー、又は命令（ｉｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ）を実行して応答する異なる装置のように、１つ以上の汎用コンピュータ又は特殊目的のコンピュータを用いて具現される。処理装置は、オペレーティングシステム（ＯＳ）及びオペレーティングシステム上で実行される１つ以上のソフトウェアアプリケーションを実行する。また、処理装置は、ソフトウェアの実行に応答してデータをアクセス、格納、操作、処理、及び生成する。理解の便宜のために、処理装置が１つ使用されるものとして説明する場合もあるが、当該技術分野で通常の知識を有する者は、処理装置が複数の処理要素（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）及び／又は複数類型の処理要素を含むことが分かる。例えば、処理装置は、複数のプロセッサ又は１つのプロセッサ及び１つのコントローラを含む。また、並列プロセッサ（ｐａｒａｌｌｅｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）のような、他の処理構成も可能である。
【０１００】
ソフトウェアはコンピュータプログラム、コード、命令、又はこれらのうちの１つ以上の組合せを含み、希望通りに動作するように処理装置を構成するか又は独立的若しくは結合的に処理装置を構成して命令する。ソフトウェア及び／又はデータは、処理装置によって解釈されるか又は処理装置に命令若しくはデータを提供するためのあらゆる類型の機械、構成要素、物理的装置、仮想装置、コンピュータ記録媒体又は装置、送信される信号波によって永久的又は一時的に具現化される。ソフトウェアは、ネットワークに接続されたコンピュータシステム上に分散され、分散された方法で格納されるか又は実行される。ソフトウェア及びデータは１つ以上のコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納される。
【０１０１】
本実施形態による方法は、多様なコンピュータ手段を介して様々な処理を実行するプログラム命令の形態で具現され、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録される。コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、プログラム命令、データファイル、データ構造などのうちの１つ又はその組合せを含む。記録媒体に記録されるプログラム命令は、本発明の目的のために特別に設計されて構成されたものでもよく、コンピュータソフトウェア分野の技術を有する当業者にとって公知のものであり使用可能なものであってもよい。コンピュータ読み取り可能な記録媒体の例としては、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク及び磁気テープのような磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤのような光記録媒体、光ディスクのような光磁気媒体、及びＲＯＭ、ＲＡＭ、フラッシュメモリなどのようなプログラム命令を保存して実行するように特別に構成されたハードウェア装置が含まれる。プログラム命令の例には、コンパイラによって作られるような機械語コードだけでなく、インタープリタなどを用いてコンピュータによって実行される高級言語コードが含まれる。ハードウェア装置は、本発明の動作を実行するために１つ以上のソフトウェアモジュールとして動作するように構成されてもよく、その逆も同様である。
【０１０２】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施形態から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１０３】
１００、２００、８００、９００    イベント基盤センサ
１１０、２１０、５００、８１０    ピクセルアレイ
１２０    選択モジュール
１３０、２３０、６００、７００、８３０、９３０    イベントモジュール
１４０    出力モジュール
１５０、２５０、８５０、９５０    リセットモジュール
２１３、３００、４００、１０１０、１０１１、１０１３    ピクセル
２２０、８２０、９２０    ロードライバ
２２５、８２５、９２５    制御ロジック回路
２３１、８３１    イベント決定回路
２４０、８４０、９４０    データ出力ロジック回路
３１０、４１０、５１０、１１１０    検出回路
３１３、４１１、５１１、１１１３    フォトダイオード
３１６、５１５、１１１６    増幅器
３３０、４３０、５３０、１１３０    時変回路
３５０、４５０、５５０、１１５０    バッファ回路
３７０、４７０、５７０、１１７０    リセット回路
４１３、５１３    トランジスタＭＬＯＧ
４１５    第１増幅器
４３１    第１キャパシタＣ１
４３３    第２増幅器
４３５    第２キャパシタＣ２
４３７    リセット動作時スイッチ
４５１、５５１    ソースフォロアーＭＯＵＴ
４５３、５５３    トランジスタＭＳＥＬ
５３１    第１キャパシタＣ
５３３    スイッチ
６１０    第１比較器
６３０    アナログ・デジタルコンバータ（ＡＤＣ）
６５０    第２比較器
７１０、７５０    低解像度アナログ・デジタルコンバータ
７３０    高解像度アナログ・デジタルコンバータ
７７３    ＶＲＥＦ＿ＯＮの電圧範囲
７７６    ＶＲＥＦ＿ＯＦＦの電圧範囲
８１１    最初の列
８４１    第１サブ出力モジュール
８５１    論理和素子
９６０    基準信号提供モジュール
９６３、９６６、１０３０、１１００    複製ピクセル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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