(57)【要約】【課題】外部磁場の影響を低減することが可能なシールド材を有する半導体装置を得ることである。【解決手段】実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に設けられた金属板と、前記金属板の第１面上に設けられた半導体チップと、前記半導体チップと、前記基板を接続する配線と、前記金属板と直接接続する第１部材と、前記半導体チップの直上又は上方に設けられた第２部材とを有し、前記第1部材と前記第２部材とが一体である金属部材と、を有する。【選択図】図１
2017183629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた金属板と、
前記金属板の第１面上に設けられた半導体チップと、
前記半導体チップと、前記基板を接続する配線と、
前記金属板と直接接する第１部材と、前記半導体チップの直上又は上方に設けられた第２部材とを有し、前記第1部材と前記第２部材とが一体である金属部材と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記金属部材の幅は前記半導体チップ４の幅と同等又は同等以上である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属板及び前記金属部材は同種の材料である請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属板及び前記金属部材は、磁性材料を含む請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
同一基板上に、第１の金属板と前記第１の金属板と離間して設けられ第２の金属板を設ける工程と、
前記第１の金属板上に第１の半導体チップを設け、前記第２の金属板上に第２の半導体チップを設ける工程と、
端部に第１部と前記第１の部の反対側の端部に第２部を有し、前記第１部と前記第２の部の間に前記第１の半導体チップの幅と前記第の半導体チップの幅の和と同等又前記和より幅が広い第３部を有する金属部材の前記第１部を前記第１の金属板に固定し、前記第２部を前記第２の金属板に固定する工程と、
前記第３の面、前記基板をダイシングする工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第３の面の面積は、前記第１の半導体チップ４の面積と前記第２の半導体チップ４の面積の和よりも小さい請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップを設けた後、前記第１のシールド材と前記第２のシールド材とを前記金属板及び前記金属部材とで構成されるワイヤで接続する請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記金属板と前記金属部材は同種の材料であり、
前記金属部材を前記第１金属板及び前記第２の金属板に固定する固定する工程は、板超音波法により接続する工程を含む請求項５乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁場をシールドする場合、磁場の影響を受ける半導体チップは外部からの磁気ノイズから保護する必要がある。保護する為に高透磁率の磁性体をデバイス近傍に配置し、磁場を受け流す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１８２１２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
解決しようとする課題は、外部磁場の影響を低減することが可能なシールド材を有する半導体装置を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に設けられた金属板と、前記金属板の第１面上に設けられた半導体チップと、前記半導体チップと、前記基板を接続する配線と、前記金属板と直接接続する第１部材と、前記半導体チップの直上又は上方に設けられた第２部材とを有し、前記第1部材と前記第２部材とが一体である金属部材と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態の半導体装置を示す平面図。
【図２】第１の実施形態の半導体装置の示す断面図。
【図３】第１の実施形態の半導体装置の示す断面図。
【図４】第１の実施形態の変形例の半導体装置を示す平面図
【図５】第１の実施形態の変形例の半導体装置を示す断面図。
【図６】第１の実施形態の変形例の半導体装置を示す断面図。
【図７】第１の実施形態の変形例２の半導体装置を示す平面図。
【図８】第１の実施形態の変形例２の半導体装置を示す平面図。
【図９】第１の実施形態の変形例２の半導体装置を示す断面図。
【図１０】第１の実施形態の変形例２の半導体装置を示す断面図。
【図１１】第１の実施形態の変形例２の半導体装置を示す断面図。
【図１２】第２の実施形態の半導体装置を示す断面図。
【図１３】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャート図。
【図１４】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程の一部を示す断面図。
【図１５】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程の一部を示す断面図。
【図１６】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程の一部を示す断面図。
【図１７】第３の実施形態の半導体装置を示す平面図。
【図１８】第３の実施形態の半導体装置を示す断面図。
【図１９】第３の実施形態の半導体装置を示す断面図。
【図２０】第３の実施形態の変形例の半導体装置を示す平面図。
【図２１】第３の実施形態の変形例の半導体装置を示す断面図。
【図２２】第３の実施形態の変形例の半導体装置を示す断面図。
【図２３】比較例の半導体装置を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の半導体装置１００を示す平面図である。図２は、第１の実施形態の半導体装置の線Ａ−Ａ’における断面図である。図３は、第１の実施形態の半導体装置の線Ｂ−Ｂ’における断面図である。
【０００８】
図１−３に示すように、半導体装置１００は、基板１、半導体チップ４３、磁性体基板３（第１のシールド材）４、ワイヤ６及び第の２のワイヤ（シールドワイヤ）７を有する。
【０００９】
基板１上には、ボンディング材２を介して磁性体基板３及び半導体チップ４が設けられる。
【００１０】
基板１は、第１の方向を長手方向、第２の方向を幅方向とする長方形の形状を有する。セラミック、樹脂、表面が参加されたシリコン（（Ｓｉ）等の絶縁材を用いる。基板１の表面には、図示しない配線及びこの配線に接続されたコンタクト部が形成されている。各コンタクト部は、幅方向に所定のスペースを空けて形成されている。配線及びコンタクト部は、銅等の金属が用いて印刷、蒸着、その他の方法により形成されている。
【００１１】
磁性体基板３は、例えば、矩形状の形状である。磁性体基板に用いる材料は、透磁率の高い材料であり、例えば、ＰＣパーマロイ（Ｎｉ−Ｍｏ，Ｃｕ−Ｆｅ）等の鉄を含む磁性合金を用いる。なお、本実施形態の磁性体基板３の厚みは、５０μｍ〜１５０μｍ程度である。
【００１２】
半導体チップ４は接着フィルム２で磁性体基板３上に固定される。半導体チップ４は、集積回路を含んでおり、本実施形態においては例えば複数のデータを磁気によって記憶する記憶デバイスが搭載されている。この記憶デバイスは、例えば、スピンの注入によってデータの書き込みを行い、トンネル磁気抵抗効果による抵抗の変化によって書き込まれたデータの判別を行うものでもよい。ただし、半導体チップとして異なる記憶デバイスを搭載することも可能であるし、記憶デバイス以外の構成を搭載することも可能である。半導体チップ４は長手方向及び幅方向とで、磁性体基板３とほぼ同程度の幅かそれより狭い幅を有する。半導体チップ４の上面には、複数のワイヤボンディング６が設けられ、ボンディングワイヤ６の一端は半導体チップ４と接続している。
【００１３】
複数のボンディングワイヤ６は、例えば、幅方向に並んで設けられる。複数のボンディングワイヤ６は、一端に半導体チップ４の上面４ａと接続し、他端に基板上に設けられたコンタクト部（図示せず）と接する。コンタクト部は、磁性体基板３上に設けられ、半導体チップ４の第１側面４ｂ側及び第１側面４ｂと対向する側面である第２側面４ｃ側に設けられたコンタクト部と接する。
【００１４】
リボンワイヤ（磁性体、金属部材）５は、一体として第１部５ａ、第２部５ｂ及び側壁部５ｃとを有し、板状の部材を第１部５ａと第２部５ｂとの間、及び第２部５ｂと側壁部５ｃとの間でそれぞれ折り曲げた部材である。リボンワイヤ５は一枚の磁性体基板３を加工して折り曲げたものであるため、他の部材を必要とすることがない。また、リボンワイヤ５は、１枚の板状部材で形成されるため、部材同士が接合された面を有しない。このため、リボンワイヤ５に応力を加えても部材同士が離れることがなく、形状を保つことが容易である。
【００１５】
リボンワイヤ５は、半導体チップ４のａ−ａ’方向における幅と同じ幅ｄ又は同等以上の幅を有する。これにより、半導体チップ４は外部磁場から保護され、外部磁場の直接の影響を受けにくい。
【００１６】
半導体チップ４側の第２部５ｂの面と側壁部５ｃの面のなす角は、例えば９０度より大きいが９０度であってもよい。また、磁性体基板３に接する第１部５ａの面の向きと側壁部５ｃの面の向きがなす角は９０度より大きいが９０度であってもよい。
【００１７】
リボンワイヤ５の第１部５ａは、半導体基板４と直接接している部材であり、第１部５ａはリボンワイヤ５の両端に位置する。このため、リボンワイヤ５は２つの第１部５ａを有する。リボンワイヤ５の側壁部５ｃは、第一部５ａと接する部材であり、半導体チップ４の向かいあう２つ側面に面して設けられる。リボンワイヤ５の第２部は、半導体チップ４の直上又は上方に設けられており、２つの側壁部５ｂの間に位置する。
【００１８】
リボンワイヤ５は高い透磁率を有するため、外部磁場による磁束を吸収しやすい。また、リボンワイヤ５は、例えば磁性体基板３と同種の磁性材料を有するものである。このため、超音波法により磁性体基板３にリボンワイヤ５を容易に接続することができる。これにより、磁性体基板３とリボンワイヤ５を接続する際、シールド板の接着剤やメッキでの接続が不要である。また、超音波法を用いて磁性体基板３及びシールド材を接続することにより、安定した接続状態を得ることができる。この結果、接続部において高い透磁率を有する磁性体基板３及びリボンワイヤ５を得ることができる。
【００１９】
また、半導体チップ４のサイズ/厚さに応じてワイヤの本数/長さを増やすことによりシールド効果を得ることができるので設計が容易である（フレキシブル対応可能）。
【００２０】
ここで、比較例について説明する。
【００２１】
図２３は、比較例に係る半導体装置２００を示す断面図である。図２３において、半導体装置２００は、基板５１上にボンディング材５２を介してL字型の磁性体基板５３が設けられる。Ｌ字型の磁性体基板５３上には、樹脂５５を介して板状のリボンワイヤ(磁性体基板）５７が設けられる。言い換えると、L字型の磁性体基板５３と板状の磁性体基板５７は、樹脂５５により接続される。樹脂５５は磁性体からなる粉体５６を含む。この場合、L字型の磁性体基板５３と板状の磁性体基板５７の接続部分は、直接接続されていないため、外部磁場による磁束はＬ字型の磁性体基板５３及び板状の磁性体基板５７の両方に伝わりにくい。このため、Ｌ字型の磁性体基板５３及び板状の磁性体基板５３は外部磁場による磁束を十分に吸収することができないため、ノイズを低減する効果が得られにくい。
【００２２】
一方、本実施形態の半導体装置１００によれば、半導体チップ４の側壁側に位置する側壁部５ｃと、半導体チップ４の上方に位置する第２部５ｂとを一体として有するリボンワイヤ５を直接、磁性体基板３上に設けることにより、外部磁場による磁束が磁性体基板３及びリボンワイヤ５の全体に伝わりやすい。このため、磁性体基板３及びリボンワイヤ５は、より外部磁場による磁束を吸収しやすいため、外部磁場によるノイズの影響を低減することができる。また、比較例と比較して、樹脂を固める工程や、Ｌ字型のリボンワイヤ５３を加工する工程等が不要であるため、製造が容易である。
【００２３】
なお、本実施形態の半導体装置１００において、一枚のリボンワイヤ５及び磁性体基板３とで、１つの半導体チップ４を覆っていたが、一枚のリボンワイヤ５及び磁性体基板３とで複数の半導体チップ４を覆っていてもよい。
【００２４】
（変形例１）
次に、実施形態１の変形例の半導体装置１００を示す。図４は、第１の実施形態の変形例の半導体装置１００を示す平面図である。図４、５及び６に示すように、変形例の半導体装置１は、リボンワイヤ５のさらに直上又は上方に設けられたリボンワイヤ（磁性体、金属部材）１１、１２を有する。
【００２５】
リボンワイヤ１１、１２はリボンワイヤ５と同様の材料を有するものであり、リボンワイヤ５と同様の方法で一枚の磁性体基板が折り曲げられたものである。リボンワイヤ１１、１２のａ−ａ’方向（長さ方向）及びｂ−ｂ’方向（幅方向）における長さおよび幅は、例えば略同一である。
【００２６】
リボンワイヤ１１はａ−ａ’方向において、両端が磁性体基板３に固定されている。つまり、リボンワイヤ１１はリボンワイヤ５と交差する。リボンワイヤ１１の固定される部分を第１部１１ａとすると、２つの第１部１１ａの間には、半導体チップ４及びリボンワイヤ５が位置する。
【００２７】
リボンワイヤ１２はｂ−ｂ’方向（幅方向）にリボンワイヤ１１と並んで設けられる。リボンワイヤ１２はリボンワイヤ１１と同様の方法で磁性体基板３に固定される。リボンワイヤ１１とリボンワイヤ１２の間隔は、狭ければ狭いほど好ましい。これにより、外部磁場をシールドする効果を高めることができる。
【００２８】
本変形例によれば、リボンワイヤ１１、１２がリボンワイヤ５と交差するように設けられる。このため、リボンワイヤ５が外部磁場をシールドしきれない半導体チップ４の側面む部分もシールドすることができる。このため、より外部磁場にいよりノイズの影響を軽減することができる。
【００２９】
なお、本変形例において、リボンワイヤ５の直上又は上方にリボンワイヤ１１及び１２が設けられるが、リボンワイヤ１１又は１２のいずれか一方の直上又は上方にリボンワイヤ５が設けられても良い。リボンワイヤ５はリボンワイヤ１１及び１２の両方の直上又は上方に設けられても良い。
【００３０】
またリボンワイヤ１１、１２のほかに、さらにリボンワイヤをリボンワイヤ１１及び１２と交差するように重ねても良い。この場合、外部磁場をシールドする効果を高めることができる。
【００３１】
（変形例２）
次に変形例２の半導体装置を示す。図７、８は、変形例２の半導体装置１００を示す平面図である。図７において、半導体チップ４上に設けられるリボンワイヤは省略されている。図９は、第４の実施形態の半導体装置１００の線ａ−ａ’の断面を示す断面図である。図１０は、第４の実施形態の半導体装置１００の線ｂ−ｂ’の断面を示す断面図である。図１１は、第４の実施形態の半導体装置１００の線ｃ−ｃ’の断面を示す断面図である。図７乃至図１１に示すように、本実施形態の半導体装置１００は、２枚の磁性体基板１３、１４が設けられ、２枚の磁性体基板１３、１４の間に、半導体チップ４が設けられた磁性体基板３を有する。
【００３２】
磁性体基板１３、１４は、例えば磁性体基板３と同様の材料を有する。磁性体基板１３、１４の形状は、例えば、磁性体基板３と同様の形状を有するが、ｃ−ｃ’における半導体チップ４の幅と同等か又は半導体チップ４の幅よりも広ければよく、これに限らない。
【００３３】
磁性体基板３上には、複数のボンディングワイヤ６が設けられており、磁性体基板３と磁性体基板１３及び磁性体基板３と磁性体基板１４を電気的に接続する。
【００３４】
図８、９に示すように、断面ｃ−ｃ’において、磁性体基板３上に半導体チップ４を囲むように、リボンワイヤ５が設けられる。リボンワイヤ５は実施形態１と同様の方法で設けられる。
【００３５】
図８乃至１０に示すように、リボンワイヤ５と交差するようにリボンワイヤ１５、１６が設けられる。リボンワイヤ１５、１６は実施形態３と同様の方法で設けられる。
【００３６】
本実施形態によれば、電気的に接続され、a-a’方向に磁性体基板３、１３、１４を並べて、ボンディングワイヤ６で磁性体基板３と磁性体基板１３及び１４を接続するため、変形例１と比較して、基板１にワイヤボンディングを設けるために磁性体基板３を加工して穴を形成する必要がない。このため、容易に基板１と半導体チップ４を電気的に接続することができ、外部磁場をシールドするための磁性体基板３を容易に設けることができる。
【００３７】
外部磁場をシールドする効果は、変形例１と同様の効果が得られる。
【００３８】
なお、本実施形態では、半導体チップ４を囲むようにｃ−ｃ’方向にリボンワイヤ１３、１４を並べて設けるが、他の磁性体基板を磁性体基板３及び半導体チップ上でリボンワイヤ１３、１４と交差するように設けても良い。これにより半導体チップをシールドする効果をさらに高めることができる。
【００３９】
（第２の実施形態）
[構成]
図１２は、第２の実施形態の半導体装置１００を示す断面図である。第２の実施形態の半導体装置１００は、リボンワイヤ５の第１部５ａ及び側壁部５ｂが第２部５ｂの片側のみに設けられている点で第１の実施形態の半導体装置１００と異なる。他の構成は第１の実施形態の半導体装置１００と同様であるとする。
【００４０】
第２の実施形態の半導体装置１００によれば、第１の実施形態の半導体装置１００と同様に、外部磁場によるノイズの影響を低減することができる。
【００４１】
[第２実施形態に係る半導体装置の製造方法]
次に、第２の実施形態の半導体装置１００の製造方法を示す。図１３は、第２の実施形態の半導体装置１００の製造方法を示すフローチャートである。図１４乃至図１６は、第２の実施形態の半導体装置１００の製造方法を示す半導体装置の断面図である。以下、フローチャートの流れに従って説明する。
【００４２】
まず、図４に示すように、磁性体基板３上に２つの半導体チップ１７、１８を設ける（ステップＳ１）。ここで、磁性体基板３は、基板１上に設けられており、ボンディング材２ａ及び２ｂにより固定される。半導体チップ１７、１８は、例えば、第１の実施形態の半導体チップ４と同様の構成を有するものである。
【００４３】
本実施形態において、磁性体基板３は、半導体チップ１７、１８ごとに個別に設けられるが、少なくとも半導体チップ１７の幅及び半導体チップ１８の幅を有する１枚の磁性体基板が設けてられていてもよい。
【００４４】
次に、図１５に示すように、磁性体基板３上にリボンワイヤ（磁性体、金属部材）１９を設ける。具体的には、リボンワイヤ１９の両端に位置する２つの第１の部１８ａを超音波法により、それぞれ磁性体基板３ａ、３ｂに固定する（ステップＳ２）。超音波法は、例えば、第１の部材１９ａ及び１９ｂを磁性体基板３に押し当てて加圧した状態で、リボンワイヤ１９又は磁性体基板３のいずれか一方を超音波振動させる。この時、リボンワイヤ１９と磁性体基板３との接触部分に摩擦熱が生じる。これにより、リボンワイヤ１９と磁性体基板３間に原子の拡散が生じ、金属原子間で引力が生じる。この結果、リボンワイヤの第１の部材１９ａと磁性体基板３とが接合される。
【００４５】
リボンワイヤ１９は、一枚の磁性体基板を折り曲げたものである。リボンワイヤ１９は、両端に第１の部１９ａを有し、第１の部１９ａにそれぞれ隣接する側壁部１９ｂ及び、二つの側壁部１９ｂに隣接部の間に第２の部１９ｃを有する。図１５に示すように、リボンワイヤ１９の第１の部１９ａは磁性体基板３ａ、３ｂと接し、２つの側壁部１９ｃは、に半導体チップ１４及び半導体チップ１５の互いに最も遠い側面側にそれぞれ位置する。
【００４６】
第２の部１９ｃは、第２の部１９ｃの幅は、半導体チップ１４及び１５の幅の和と同じか又はその和よりも広い。第２の部１８ｃは、半導体チップ１７及び１８の直上又は上方に位置する。
【００４７】
リボンワイヤ１９は、磁性体基板３と同種の部材で構成するものとする。これにより、異種の部材同士を接合する場合と比較して、より強固に接合することができる。
【００４８】
次に、図１６に示すように、半導体チップ１７と半導体チップ１８間のリボンワイヤ１９及び磁性体基板３をダイシングして、それぞれ半導体チップ１７、１８を有する半導体装置に個片化する（ステップＳ３）。
【００４９】
以上、第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法によれば、半導体チップ４の幅ｄの１枚の加工前のリボンワイヤ(磁性体、金属部材、第２シールド材)１９をダイシングすることにより、一度に２つの半導体装置１００を作製することができる。このため、半導体チップごとにリボンワイヤを磁性体基板３に接合する必要がない。第２の実施形態の半導体装置１００は、第１の実施形態の半導体装置１００と比較してより少ない工程で半導体装置１００を作製することができる。また、第１の実施形態の半導体を製造する場合と比較してリボンワイヤ５を折り曲げる等の加工工程が少なく済む。
【００５０】
（第３の実施形態）
図１７は、第３の実施形態の半導体装置１００を示す平面図である。図１８は、第３の実施形態の半導体装置の線ｂ−ｂ’における断面図である。図１９は、第３の実施形態の半導体装置の線ａ−ａ’における断面図である。
【００５１】
図１７及び図１９に示すように、第３の実施形態の半導体装置１００において、磁性体基板２１は半導体チップ４上に設けられ、磁性体基板２１及び磁性体基板３がリボンワイヤ２２で接合される点で第１実施形態及び第２実施形態異なる。他の構成は、第１の実施形態の半導体装置１００と同様である。
【００５２】
図１７及び１８に示すように、磁性体基板２１は半導体チップ４と略同一形状を有し、半導体チップ４上に設けられる。磁性体基板２１と半導体チップ４の間には、ボンディング材２０が設けられ、磁性体基板２１は半導体チップ４に固定して設けられる。
【００５３】
リボンワイヤ（磁性体、金属部材）２２は、磁性体基板３に接する第１部２２ａと、第１部と接続する側壁部２２ｂと、側壁部２２ｂに接続する第２部２２ｃとを有する。第２部２２ｃは磁性体基板（金属板）２１に固定される。リボンワイヤ２２は、上述の超音波法を用いて磁性体基板３及び磁性体基板２１に固定される。
【００５４】
リボンワイヤ２２は、磁性体基板３と同種の材料で構成される。このため、超音波法を用いてリボンワイヤ２２と磁性体基板３とを強固に固定することが可能である。さらに、超音波法を用いることにより、磁性体基板３とリボンワイヤ２２とを固定するための他の部材を必要とすることがない。
【００５５】
なお、リボンワイヤ５は第１及び第２の実施形態と同様、半導体チップ４と同等の幅を有するが、これに限らない。リボンワイヤ５は、半導体チップ４の幅よりも狭いものを用いても良い。幅の狭いリボンワイヤ５を用いることにより、半導体装置１００に用いる材料がより少なく済む。
【００５６】
以上、本実施形態の半導体装置１００によれば、半導体チップ４上に磁性体基板２１を設け、磁性体基板３と磁性体基板２１をリボンワイヤ２２で接続することにより、第１及び第２の実施形態の半導体装置１００より少ない部材で同等の効果を得ることが可能である。
【００５７】
（変形例）
次に第３の実施形態の変形例の半導体装置を示す。図２０は、第３の実施形態の変形例の半導体装置１００を示す平面図である。図２１は、第３の実施形態の変形例の半導体装置１００を示す断面図である。図２０乃至２２に示すように、変形例の半導体装置１は、リボンワイヤ５のさらに直上又は上方に設けられたリボンワイヤ（磁性体、金属部材）２３、２４を有する。
【００５８】
リボンワイヤ２３、２４はリボンワイヤ５と同様の材料を有するものであり、リボンワイヤ５と同様の方法で一枚の磁性体基板が折り曲げられたものである。リボンワイヤ２３、２４のａ−ａ’方向（長さ方向）及びｂ−ｂ’方向（幅方向）における長さおよび幅は、例えば略同一である。
【００５９】
リボンワイヤ２３、２４はリボンワイヤ５と同様の材料を有するものであり、リボンワイヤ５と同様の方法で一枚の磁性体基板が折り曲げられたものである。リボンワイヤ２３、２４のａ−ａ’方向（長さ方向）及びｂ−ｂ’方向（幅方向）における長さおよび幅は、例えば略同一である。
【００６０】
リボンワイヤ２３はａ−ａ’方向において、両端が磁性体基板３に固定されている。つまり、リボンワイヤ２３はリボンワイヤ２６と交差する。リボンワイヤ２３の固定される部分を第１部２３ａとすると、２つの第１部２３ａの間には、半導体チップ４及びリボンワイヤ２６が位置する。
【００６１】
リボンワイヤ２３はｂ−ｂ’方向（幅方向）にリボンワイヤ２２と並んで設けられる。リボンワイヤ２３はリボンワイヤ２２と同様の方法で磁性体基板３に固定される。リボンワイヤ２２とリボンワイヤ２３の間隔は、狭ければ狭いほど好ましい。これにより、外部磁場をシールドする効果を高めることができる。
【００６２】
本変形例によれば、リボンワイヤ２２、２３がリボンワイヤ２６と交差するように設けられる。このため、リボンワイヤ５が外部磁場をシールドしきれない半導体チップ４の側面む部分もシールドすることができる。このため、より外部磁場にいよりノイズの影響を軽減することができる。
【００６３】
なお、本変形例において、リボンワイヤ２６の直上又は上方にリボンワイヤ２３及び２４が設けられるが、リボンワイヤ２３又は２４のいずれか一方の直上又は上方にリボンワイヤ２６が設けられても良い。リボンワイヤ２６はリボンワイヤ２３及び２４の両方の直上又は上方に設けられても良い。
【００６４】
またリボンワイヤ２３、２４のほかにさらにリボンワイヤを磁性体基板３、リボンワイヤ２３及び２４と交差するように重ねても良い。この場合、外部磁場をシールドする効果を高めることができる。
【００６５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６６】
１  基板
２a  ボンディング材
２ｂ  ボンディング材
３  磁性体基板（金属板）
４  半導体チップ
５  リボンワイヤ（磁性体、金属部材）
５ａ  第１部
５ｂ  第２部
５ｃ  側壁部
６  ボンディングワイヤ（配線）
１１  リボンワイヤ（磁性体、金属部材）
１２  リボンワイヤ（磁性体、金属部材）
１３  磁性体基板（金属板）
１４  磁性体基板（金属板）
１５  リボンワイヤ（磁性体、金属部材）
１６  リボンワイヤ（磁性体、金属部材）
１７  半導体チップ
１８  半導体チップ
１９  第２のリボンワイヤ（第２のシールド材、磁性体、金属部材）
２０  磁性体基板（金属板）
２１  リボンワイヤ（磁性体、金属部材）
２２  リボンワイヤ（磁性体、金属部材）
２３  リボンワイヤ（磁性体、金属部材）
２４  リボンワイヤ（磁性体、金属部材）
２６  リボンワイヤ（磁性体、金属部材）
１００  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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