(57)【要約】【課題】研磨パッド表面に作用する砥粒数を増やし、かつパッドドレッサーの外周部の砥粒に過度に圧力がかかるのを防止する。【解決手段】本発明のパッドドレッサー８は、円盤状の基台１０と、基台１０上に環状にダイヤモンド砥粒１２を配置した第１の領域１１と、第１の領域１１の外側にダイヤモンド砥粒１２の高さと略同一高さを有し、第１の領域１１を環状に取り囲む第２の領域１３とを有するため、基台１０の外周部におけるダイヤモンド砥粒１２が研磨パッド４に強く押し付けられるのを抑制することができる。そのため、研磨パッドに作用する砥粒数を増やして砥粒１つあたりの圧力を減じて研磨パッドの表面を均一に細かく荒らすことが可能となり、研磨パッドのドレスレートを低く抑えることができる。よって、パッドドレッサー８及び研磨パッド４の寿命が向上するとともに、被加工物の研磨レートも向上する。【選択図】図３
2017035751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を研磨する研磨パッドの表面をドレッシングするパッドドレッサーであって、
基台と、
該基台上に環状にダイヤモンド砥粒を配置した第１の領域と、
該第１の領域の外側に該ダイヤモンド砥粒の高さと略同一高さを有し、該第１の領域を環状に取り囲む第２の領域とを有するパッドドレッサー。
【請求項２】
前記ダイヤモンド砥粒は、前記基台上に周期的なパターンに配置される請求項１に記載のパッドドレッサー。
【請求項３】
前記第２の領域は、その表面がダイヤモンドコートまたはテフロン（登録商標）コートされている請求項１または２に記載のパッドドレッサー。
【請求項４】
前記第２の領域の材料は、前記第１の領域の位置に対応する基台の材料と比べて消耗の小さい部材からなる請求項１ないし３のいずれかに記載のパッドドレッサー。
【請求項５】
前記第１の領域が着脱自在である請求項１ないし４のいずれかに記載のパッドドレッサー。
【請求項６】
前記第１の領域におけるダイヤモンド砥粒の高さ位置と前記第２の領域の高さ位置とを調整する機構を有する請求項１ないし５のいずれかに記載のパッドドレッサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドレッシングに用いられる研磨用のパッドドレッサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスのデバイス製造工程において、優れた平坦性を有する表面を形成することができるＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）と呼ばれる化学的機械的研磨が数多く採用されている。ＣＭＰにおいては、例えば硬質発泡ウレタン製の研磨パッドの上にスラリーを流しつつ、研磨パッドが貼られた定盤を回転させ、そこにウエーハを保持した研磨ヘッドを回転させながら押し付けることにより、ウエーハの表面を研磨して平坦化することができる。
【０００３】
このとき、研磨パッドの表面は、研磨そのものによって表面状態が変化するため、研磨毎にドレッシングまたはコンディショニングと呼ばれる目立てが行われる。ドレッシングまたはコンディショニングには、ダイヤモンド砥粒を電着したパッドドレッサーまたはコンディショナーと呼ばれるディスクが用いられる。従来のパッドドレッサーとしては、例えば図７及び図８に示すパッドドレッサー２０がある。パッドドレッサー２０は、円盤状の基台２１の上に砥粒２３をリング状に分散配置させた砥粒配置領域２２を備えており、回転しながら砥粒２３を研磨パッドに押し付けることによりドレッシングを行うことができる。これにより、研磨パッドの表面が一定の粗さに回復し、被加工物の研磨レートを安定させることができる。また、下記の特許文献１においては、互いに種類の異なる砥石をドレッシングヘッドの外周に沿って交互に配置させたドレッサーも提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３４１０６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記のような従来のパッドドレッサー２０は、図９に示すように、基台２１の上に分散された砥粒２３をランダムに配置して固定しているため、パッドドレッサー２０で研磨パッドをドレッシングしても、研磨パッドの表面に作用する砥粒２３の砥粒数が安定せず、研磨性能にばらつきが生じていた。一方、基台２１において砥粒２３を格子状に電着することにより、研磨パッドに作用する砥粒２３の砥粒数が安定化することが考えられるが、この場合でも、各砥粒２３の高さがばらついているため、全ての砥粒２３が研磨パッドに接触することはなく、研磨パッドに対して作用する砥粒数は砥粒全体の数％に過ぎない。
【０００６】
また、図１０に示すように、パッドドレッサー２０で研磨パッド３０をドレッシングするとき、図８に示したパッドドレッサー２０の外周部の砥粒２３が、研磨パッド３０に強く押し付けられるため、その接触部分の砥粒２３の消耗が激しく、パッドドレッサー２０や研磨パッド３０の寿命が短くなるとともに、研磨レートにも悪影響を及ぼしていた。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、研磨パッド表面に作用する砥粒数を増やし、かつパッドドレッサーの外周部の砥粒に過度に圧力がかかるのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、被加工物を研磨する研磨パッドの表面をドレッシングするパッドドレッサーであって、基台と、該基台上に環状にダイヤモンド砥粒を配置した第１の領域と、該第１の領域の外側に該ダイヤモンド砥粒の高さと略同一高さを有し、該第１の領域を環状に取り囲む第２の領域とを有する。
【０００９】
上記ダイヤモンド砥粒は、上記基台上に周期的なパターンに配置されることが望ましい。
【００１０】
上記第２の領域は、その表面がダイヤモンドコートまたはテフロン（登録商標）コートされていることが望ましい。
【００１１】
上記第２の領域の材料は、上記第１の領域の位置に対応する基台の材料と比べて消耗の小さい部材からなることが望ましい。
【００１２】
上記第１の領域は、上記基台において着脱自在であることが望ましい。
【００１３】
上記第１の領域におけるダイヤモンド砥粒の高さ位置と上記第２の領域の高さ位置とを調整する機構を有することが望ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明にかかるパッドドレッサーは、基台上に環状にダイヤモンド砥粒を配置した第１の領域と、第１の領域の外側にダイヤモンド砥粒の高さと略同一の高さを有し第１の領域を環状に取り囲む第２の領域とを有するため、例えば研磨パッドに第１の領域を接触させてドレッシングするときに、第２の領域も研磨パッドに接触する。これにより、基台の外周部のダイヤモンド砥粒に過度に圧力がかかるのを抑制することができ、研磨パッドに作用する砥粒数を増やして砥粒１つあたりの圧力を減じて研磨パッドの表面を均一に細かく荒らすことができる。よって、研磨パッドのドレスレートを低く抑えることができ、パッドドレッサー及び研磨パッドの寿命が向上するとともに、ウエーハの研磨レートも向上する。
【００１５】
上記ダイヤモンド砥粒が、周期的なパターンに配置される場合は、例えば研磨パッドに作用するダイヤモンド砥粒の砥粒数が増えることから、各ダイヤモンド砥粒が満遍なく研磨パッドに作用してドレッシングが安定する。
【００１６】
上記第２の領域の表面がダイヤモンドコートまたはテフロン（登録商標）コートされている場合は、第２の領域が例えば研磨パッドに接触しても第２の領域が過度に消耗するのを防ぐことができる。
【００１７】
上記第２の領域の材料が、上記第１の領域の位置に対応する基台の材料と比べて消耗の小さい部材からなる場合は、第２の領域が消耗しにくくなり、パッドドレッサーの寿命がより向上する。
【００１８】
上記第１の領域が着脱自在の構成となっている場合は、ダイヤモンド砥粒が寿命を迎えた後、その部分のみを交換するだけで、それ以外の部分をリサイクル使用することができるため、コストを低減することができる。
【００１９】
上記第１の領域のダイヤモンド砥粒の高さ位置と上記第２の領域の高さ位置とを調整する機構を有する場合は、第１の領域のダイヤモンド砥粒の高さと第２の領域の高さとがずれていても、例えば研磨パッドのドレッシング時に、ダイヤモンド砥粒の高さと第２の領域の高さとが一致するように自動的に調整できるとともに、調整された高さを固定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】研磨装置の構成を示す斜視図である。
【図２】パッドドレッサーの構成を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ´線断面の一部拡大図である。
【図４】基台においてダイヤモンド砥粒が周期的なパターンに配置された一例を示す説明図である。
【図５】第１の領域を着脱可能なパッドドレッサーの構成を示す一部拡大断面図である。
【図６】第１の領域の高さと第２の領域の高さとを調整可能なパッドドレッサーの構成を示す一部拡大断面図である。
【図７】従来のパッドドレッサーの構成を示す平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ´線断面の一部拡大図である。
【図９】基台においてダイヤモンド砥粒がランダム配置された状態を示す説明図である。
【図１０】従来のパッドドレッサーで研磨パッドをドレッシングする状態を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１に示す研磨装置１は、被加工物に対してＣＭＰによる研磨加工を施す研磨装置の一例である。研磨装置１は、円盤状の研磨定盤２と、研磨定盤２を回転させる回転軸３と、研磨定盤２の上に貼られた円盤状の研磨パッド４と、ウエーハＷを保持し回転可能なウエーハ保持機構５と、研磨パッド４の表面を研磨する自転可能なパッドドレッサー８と、少なくとも回転軸３とウエーハ保持機構５とパッドドレッサー８とを制御する制御部７とを備える。
【００２２】
研磨パッド４の材質は、例えば、発泡ポリウレタン等の硬質ウレタン素材から構成されている。研磨パッド４の露出した表面が被加工物を研磨する研磨面となっている。ウエーハ保持機構５は、ウエーハＷを保持する研磨ヘッドを有しており、例えば、研磨ヘッドの下面にバッキング材を介してウエーハＷを貼り付ける構成でもよいし、研磨ヘッドの下面にワックスなどの接着材を介してウエーハＷを貼り付ける構成でもよい。また、研磨ヘッドの下面に水膜を形成して液体の表面張力によりウエーハＷを保持する構成でもよい。ウエーハ保持機構５には、鉛直方向の軸心を有するスピンドル６が連結されている。そして、スピンドル６が回転することにより、ウエーハ保持機構５を回転させることができる。
【００２３】
パッドドレッサー８には、アーム部９が装着されている。アーム部９は、研磨パッド４の中央と研磨パッド４の外周縁との間で径方向にパッドドレッサー８をスイングさせることができる。また、図示してないが、アーム部９には、昇降手段が接続されており、パッドドレッサー８を上下に移動させることができる。研磨及びドレッシング時には、研磨定盤２、ウエーハ保持機構５及びパッドドレッサー８は、同一の方向に回転する構成が好ましいが、この構成に限定されるものではない。
【００２４】
図２に示すように、パッドドレッサー８は、円盤状の基台１０と、基台１０上に環状にダイヤモンド砥粒１２が配置された第１の領域１１と、第１の領域１１の外側にダイヤモンド砥粒１２の高さと略同一高さを有し環状に取り囲む第２の領域１３とを有する。基台１０は、図３に示すように、複数のダイヤモンド砥粒１２を固着させる台座であり、例えばステンレスで構成されている。基台１０の直径は、例えば１００ｍｍに形成され、基台１０の厚みは、例えば５ｍｍに形成されている。
【００２５】
第１の領域１１は、基台１０の上に複数のダイヤモンド砥粒１２が固着された環状の領域であり、図１に示した研磨パッド４に対してドレッシングを行う領域である。本実施形態においては、図２に示すように、基台１０の中心Ｏから例えば周囲２０ｍｍの範囲は、何も形成されておらず基台１０が露出しており、第１の領域１１は、基台１０の中心Ｏから例えば２０ｍｍと中心Ｏから４０ｍｍとの間に、２０ｍｍの幅をもってリング状に形成されている。
【００２６】
図４に示すように、ダイヤモンド砥粒１２は、基台１０において周期的なパターンに配置されることが望ましい。例えば、基台１０において、＃１００（粒径は、約１５０μｍ）の各ダイヤモンド砥粒１２が、砥粒間のピッチＰを例えば５００μｍに均一に設定して格子状に配置される。これにより、研磨パッド４の表面に作用するダイヤモンド砥粒１２の砥粒数が増え、安定してドレッシングを実施することができる。周期的なパターンの他の例としては、各ダイヤモンド砥粒１２が基台１０において同心円上に複数配置されるようにしてもよい。
【００２７】
ここで、複数のダイヤモンド砥粒１２の基台１０への接着は、電着によって行われる。具体的には、複数のダイヤモンド砥粒１２を、基台１０の上に上記した周期的なパターンに配置して仮止めした後、基台１０を例えば電解メッキ液の液中で通電させて、基台１０の表面にニッケルメッキを施す。その結果、電着層が形成された基台１０に各ダイヤモンド砥粒１２が強固に固定される。なお、ロー付けによって複数のダイヤモンド砥粒１２を基台１０に固定してもよい。
【００２８】
第２の領域１３は、図２に示すように、基台１０に固定されたリング状の突起部１４からなり、図１に示した研磨パッド４のドレッシング時に研磨パッド４の表面に突起部１４が接触する構成となっている。第２の領域１３は、基台１０の中心Ｏから例えば４２ｍｍと中心Ｏから例えば４７ｍｍとの間に、５ｍｍの幅をもってリング状に形成され、第１の領域１１を取り囲んで配置されている。
【００２９】
第２の領域１３を構成する突起部１４の高さは、図３に示すように、第１の領域１１を構成するダイヤモンド砥粒１２の高さと一致している。すなわち、基台１０に固定されたダイヤモンド砥粒１２とこれを囲繞する突起部１４との高さ位置Ｈが同一の高さで構成されている。これにより、パッドドレッサー８で図１に示した研磨パッド４をドレッシングするときに、突起部１４が研磨パッド４に接触して基台１０の外周部に圧力負荷が集中しないため、基台１０の外周部のダイヤモンド砥粒１２が研磨パッド４に強く押し付けられるのを防止することができる。
【００３０】
第２の領域１３を構成する突起部１４の表面１４ａは、ダイヤモンドコートまたはテフロン（登録商標）コートされている。これにより、第２の領域１３の耐磨耗性が向上し、研磨パッド４のドレッシングの際に、突起部１４が研磨パッド４に接触しても過度に消耗することがない。
【００３１】
さらに、第２の領域１３を構成する突起部１４は、第１の領域１１に対応する位置の基台１０を構成する材料と比べて、消耗の小さい部材で構成されている。消耗の小さい部材としては、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂からなる硬質プラスチックやセラミックスなどが挙げられる。このように第２の領域１３を消耗しにくい構成とすることで、パッドドレッサー８の寿命が延びて効率よくドレッシングを行うことができる。
【００３２】
次に、研磨装置１を用いて、ウエーハＷの研磨と研磨パッド４のドレッシングとを同時に行う加工例について説明する。ウエーハＷは、被加工物の一例であって、例えばSiウエーハの上にＴＥＯＳ膜が成膜されたウエーハである。ＴＥＯＳ膜は、テトラエトキシシラン（Si（OC２H５）４）を成膜ガスとしてＣＶＤ成膜させたSiO２膜のことを意味する。例えば、下記の表１に示す加工条件を研磨装置１に設定して加工を実施する。
【００３３】
[表１]  加工条件
2017035751.tif 000003
【００３４】
まず、図１に示すように、制御部７の制御によって、回転軸３が回転し、研磨定盤２とともに研磨パッド４を９５ｒｐｍで例えば矢印Ａ方向に回転させる。制御部７がスピンドル６を回転させ、ウエーハＷを保持したウエーハ保持機構５を９０ｒｐｍで例えば矢印Ａ方向に回転させながら、研磨パッド４の表面に対して３５ｋｐａの圧力をかけて、ウエーハＷを押圧する。そして、所定の時間研磨パッド４とウエーハＷとを相対的に摺動させながら、所望の平坦面に至るまでウエーハＷを研磨する。ウエーハＷの研磨中は、図示していないが、研磨パッド４とウエーハＷとの間に所定のスラリーを供給する。
【００３５】
研磨と並行して、パッドドレッサー８で研磨パッド４の表面をドレッシングする。具体的には、制御部７の制御により、パッドドレッサー８を９０ｒｐｍで例えば矢印Ａ方向に回転させつつ、アーム部９が旋回し、研磨パッド４の中心から外周縁にむけてパッドドレッサー８を６秒間（片道のスキャン速度の時間）かけてスイングさせながら、研磨パッド４にパッドドレッサー８を５ｋｇの荷重で押し当ててドレッシングする。続いて、パッドドレッサー８を研磨パッド４の外周縁から中心にむけて６秒間かけてスイングさせながら、研磨パッド４をドレッシングする。
【００３６】
パッドドレッサー８で研磨パッド４の表面をドレッシングするとき、図３に示した突起部１４が研磨パッド４に接触することから、基台１０の外周部側におけるダイヤモンド砥粒１２が研磨パッド４に強く押し付けられることがない。そのため、研磨パッド４に作用するダイヤモンド砥粒１２の砥粒数が増えて研磨パッド４の表面を均一に細かく荒らすことができる。こうして、第１の領域１１におけるダイヤモンド砥粒１２が満遍なく研磨パッド４の表面に作用するため、ドレッシングが良好に行われる。
【００３７】
上記の加工例のほか、パッドドレッサー８を用い、ウエーハを研磨しないタイミングで研磨パッド４をドレッシングするインターバルドレスを実施してもよい。この場合、研磨対象となるウエーハとしては、例えばタングステン層を有するウエーハである。インターバルドレスを実施する場合は、上記した加工条件において、例えばドレス時間を１２秒に設定して実施する。なお、タングステン層を有するウエーハを研磨する場合においても、研磨パッド４を同時にドレッシングしてもよいが、ウエーハの研磨時に酸化性のスラリーが用いられるため、パッドドレッサーの腐食防止の観点からインターバルドレスを行うことが好ましい。
【００３８】
このように、本発明にかかるパッドドレッサー８は、基台１０上に環状にダイヤモンド砥粒１２を配置した第１の領域１１と、第１の領域１１の外側にダイヤモンド砥粒１２の高さと略同一の高さを有し第１の領域１１を環状に取り囲む第２の領域１３とを有し、研磨パッド４のドレッシング時に、第２の領域１３を構成する突起部１４が研磨パッド４に接触するように構成したため、基台１０の外周部におけるダイヤモンド砥粒１２が研磨パッド４に強く押し付けられるのを抑制することができる。よって、研磨パッド４のドレスレートを低く抑えることができ、パッドドレッサー８及び研磨パッド４の寿命が向上するとともに、ウエーハの研磨レートも向上する。
【００３９】
図５に示すパッドドレッサー８ａは、パッドドレッサーの他の例であって、第１の領域１１ａが基台１０ａに対して着脱可能な構成となっている。第１の領域１１ａは、ダイヤモンド砥粒１２が表面に固定された支持台１２０を有している。基台１０ａには、第１の領域１１ａに対応する位置に嵌合溝１００が形成されている。嵌合溝１００の下方には、第１の領域１１ａを固定するためのネジ１５を挿入させるネジ穴１６が形成されている。ネジ１５を用いずに、磁力によって基台１０ａに対して第１の領域１１ａを固定できるように構成してもよい。
【００４０】
第１の領域１１ａを基台１０ａに固定するためには、支持台１２０を嵌合溝１００に嵌めるとともに、ネジ１５をネジ穴１６から挿入し、支持台１２０に形成された雌ネジ１７でネジ１５を螺合させて、第１の領域１１ａを基台１０ａに固定する。パッドドレッサー８ａにおいても、パッドドレッサー８と同様に、第１の領域１１ａと第２の領域１３とが同じ高さとなっているため、基台１０ａの外周部におけるダイヤモンド砥粒１２が図１に示した研磨パッド４に強く押し付けられるのを抑制することができる。
【００４１】
図６に示すパッドドレッサー８ｂは、パッドドレッサーの他の例であって、第１の領域１１ｂのダイヤモンド砥粒１２の高さ位置と第２の領域１３の高さ位置とを調整する機構を有する。第１の領域１１ｂは、パッドドレッサー８ａと同様に、ダイヤモンド砥粒１２が表面に固定された支持台１２１を有している。この第１の領域１１ｂを基台１０ｂに固定するために、例えば粘着性を有するシリコンシート１８が用いられる。シリコンシート１８の厚みは、例えば２０〜５０μｍが好ましい。
【００４２】
第１の領域１１ｂを基台１０ｂに固定するためには、シリコンシート１８を基台１０ｂの嵌合溝１００に介在させ、支持台１２１の下部をシリコンシート１８で粘着固定する。パッドドレッサー８ｂでは、例えばダイヤモンド砥粒１２が第２の領域１３よりも上に突出している場合に特に有用である。すなわち、パッドドレッサー８ｂが研磨パッド４に接触するときに、シリコンシート１８の弾性力によって、第１の領域１１ｂの高さと第２の領域１３の高さとが一致するように自動的に高さ調整できるとともに、調整された高さを固定することができる。
【００４３】
なお、図示していないが、第１の領域１１ａ，１１ｂに対応する位置の基台１０ａ，１０ｂまたは第２の領域１３に対応する位置の基台１０ａ，１０ｂの内部にネジ穴を形成し、第１の領域１１ａ，１１ｂまたは第２の領域１３側からネジのねじ込む量を調整することにより、第１の領域１１ａ，１１ｂと第２の領域１３との高さを調整するようにしてもよい。
【００４４】
第１の領域１１，１１ａ，１１ｂを構成するダイヤモンド砥粒１２の粒度は、例えば＃４０〜＃８００の範囲内であればよいが、より好ましくは、＃１００が好適である。本発明にかかるパッドドレッサー８，８ａ，８ｂでは、比較的大きい砥粒を用いることができ、脱粒によるマクロスクラッチ発生のリスクを低減することができる。一方、小さい砥粒によると細かく荒らすことができるが、脱粒によって、研磨中のウエーハＷに対してマクロスクラッチが発生するリスクがある。
【実施例１】
【００４５】
本発明のパッドドレッサー８と、市販品のパッドドレッサーとをそれぞれ用いて研磨パッドをドレッシングして研磨パッドの厚さの変化を比較評価した。ドレス条件としては、下記の表２に示す。
【００４６】
「表２」  ドレス条件
2017035751.tif 000004
【００４７】
市販品のパッドドレッサーは、基台の外周部において＃１００の砥粒が例えば１０ｍｍの幅で電着された直径１００ｍｍのタイプのもので、パッドドレッサー８の第２の領域１３に相当する領域を有していない。研磨パッドの表面には、例えば深さ０．６ｍｍ幅３ｍｍの格子状の溝が形成されている。比較評価の仕方は、ドレス荷重を７ｋｇと１４ｋｇとに分けて、それぞれ１時間ずつ、本発明のパッドドレッサー８と市販品のパッドドレッサーとをそれぞれ用いて研磨パッドをドレッシングし、研磨パッドの溝の深さを測定して研磨パッドの厚さの変化を確認することによって行った。ドレスレートの評価が確認できる実験結果を表３に示す。
【００４８】
［表３］  ドレスレート評価
2017035751.tif 000005
【００４９】
上記の表３に示すように、ドレス荷重を７ｋｇに設定して、市販品のパッドドレッサーで１時間研磨パッドをドレッシングすると、ドレスレートは１．７２μｍ／ｍｉｎであるのに対し、本発明のパッドドレッサー８で１時間研磨パッドをドレッシングすると、ドレスレートは１．６２μｍ／ｍｉｎであった。そのため、ドレス荷重が７ｋｇの場合では、本発明のパッドドレッサー８と市販品のパッドドレッサーとのドレスレートには僅かな差しかでないことが確認された。
【００５０】
一方、ドレス荷重を１４ｋｇに設定して、市販品のパッドドレッサーで１時間研磨パッドをドレッシングすると、ドレスレートが４．７９μｍ／ｍｉｎとなり、ドレス荷重が７ｋｇのときと比較して２倍以上になったが、本発明のパッドドレッサー８で１時間研磨パッドをドレッシングすると、ドレスレートが２．８１μｍ／ｍｉｎとなり、ドレス荷重が７ｋｇのときと比較して１．７倍程度にとどまることが確認された。このように、本発明のパッドドレッサー８の方が、市販品のパッドドレッサーよりもドレスレートを低く抑えられることが確認された。これは、上記第２の領域１３の存在により、基台１０の外周部側への圧力集中が緩和された結果であるといえる。
【００５１】
次に、本発明にかかるパッドドレッサー８と、市販品のパッドドレッサーとをそれぞれ用いて、ドレス荷重を７ｋｇに設定して３０秒間研磨パッドをドレッシングした後、所定の研磨条件下でウエーハを研磨して研磨評価を行った。研磨条件は、下記の表４に示す。研磨対象となるウエーハは、３０ｍｍのSiウエーハの上にＴＥＯＳ膜が２μｍ成膜してあるものを用いた。
【００５２】
「表４」  研磨条件
2017035751.tif 000006
【００５３】
ドレス荷重を７ｋｇに設定して、本発明のパッドドレッサー８を用いて３０秒間研磨パッドをドレッシングした後、表４の研磨条件でウエーハを研磨した結果、研磨レートが３２０．３ｎｍ／ｍｉｎであった。一方、ドレス荷重を７ｋｇに設定して、市販品のパッドドレッサーを用いて３０秒間研磨パッドをドレッシングした後、表４の研磨条件でウエーハを研磨した結果、研磨レートが２８２．５ｎｍ／ｍｉｎであった。このように、本発明のパッドドレッサー８を用いて研磨パッドをドレッシングした方が、ウエーハの研磨レートが高くなることが確認された。
【符号の説明】
【００５４】
１：研磨装置  ２：研磨定盤  ３：回転軸  ４：研磨パッド
５：ウエーハ保持機構  ６：スピンドル  ７：制御部
８，８ａ，８ｂ：パッドドレッサー  ９：アーム部
１０，１０ａ，１０ｂ：基台  １１，１１ａ，１１ｂ：第１の領域
１２：ダイヤモンド砥粒  １２０，１２１：支持台  １３：第２の領域  １４：突起部
１４ａ：表面  １５：ネジ  １６：ネジ穴  １７：雌ネジ  １８：シリコンシート
２０：パッドドレッサー  ２１：基台  ２２：砥粒配置領域  ２３：砥粒
３０：研磨パッド
【図１】
2017035751.tif 000007
【図２】
2017035751.tif 000008
【図３】
2017035751.tif 000009
【図４】
2017035751.tif 000010
【図５】
2017035751.tif 000011
【図６】
2017035751.tif 000012
【図７】
2017035751.tif 000013
【図８】
2017035751.tif 000014
【図９】
2017035751.tif 000015
【図１０】
2017035751.tif 000016