(57)【要約】      （修正有）【課題】比較的低温で残存する有機分のない金属銅を形成する銅錯体の提供。【解決手段】カルバジン酸エステルを配位子とし７０〜１９０℃で熱分解して有機分の残存のない金属銅を生成する熱分解性銅錯体。具体的には、式（１）で示される熱分解性銅錯体。2017124986.tif 000006（Ｒ１〜Ｒ３はＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１〜Ｃ１６の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１６の分岐状アルキル基又はＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基；Ｒ１〜Ｒ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、アリール基、Ｃ６〜Ｃ９のアラルキル基又はＣ３〜Ｃ１６のアルケニル基；Ａは有機酸イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、過塩素酸イオン、炭酸イオン、重炭酸イオン、水酸化物イオン又はフッ化物アニオン；ｘ＝１〜４の整数、ｙ＝１又は２、ｚ＝０又は正の整数）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2017124986.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、互いに独立して、水素、フッ素、塩素、Ｃ１〜Ｃ１６の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１６の分岐状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、アリール基、Ｃ６〜Ｃ９のアラルキル基およびＣ３〜Ｃ１６のアルケニル基の内のいずれか一つを表し、Ａは、有機酸イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、過塩素酸イオン、炭酸イオン、重炭酸イオン、水酸化物イオンおよびフッ化物アニオンの内のいずれか一つを表し、ｘ＝１〜４、ｙ＝１または２、ｚ＝０または正の整数である。）
で表される、熱分解性銅錯体。
【請求項２】
前記一般式（１）のｘが２である、請求項１に記載の熱分解性銅錯体。
【請求項３】
前記一般式（１）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３は、互いに独立してＣ１〜Ｃ６の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ６の分岐状アルキル基およびＣ３〜Ｃ６の環状アルキル基の内のいずれか一つ、前記一般式（１）のＲ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基で残りがＣ１〜Ｃ６の直鎖状アルキル基およびＣ３〜Ｃ６の分岐状アルキル基の内のいずれか一つ、前記一般式（１）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３のいずれか１つが水素で残りが互いに独立してＣ１〜Ｃ１０の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の分岐状アルキル基およびＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基の内のいずれか一つ、または前記一般式（１）のＲ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基で残りが水素である、請求項１または２に記載の熱分解性銅錯体。
【請求項４】
熱分解温度が７０〜１９０℃である、請求項１から３のいずれかに記載の熱分解性銅錯体。
【請求項５】
熱分解によって金属銅を生成する、請求項１から４のいずれかに記載の熱分解性銅錯体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低温でクリーンな導電層を形成する技術に関し、具体的には、それに用いるための熱分解性銅錯体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、印刷技術を利用して電子回路、デバイス等を形成するプリンテッド・エレクトロニクスが注目され、銀ナノ粒子インクを用いた導電パターン形成技術が開発されている。しかしながら、銀はコストやエレクトロマイグレーションの問題があり、銀にかわって200℃未満の温度で導電パターンを形成可能な銅系インクの開発が期待されている。
【０００３】
そのような銅系インクとして、金属銅ナノ粒子分散液を用いたインク、有機酸銅塩（主にギ酸銅）とアルキルアミン類を含むインク組成物（特許文献１）、有機酸銅塩（主にギ酸銅）とアルカノールアミン類を含むインク組成物（特許文献２〜３）、還元力を有する有機酸の銅塩粒子とアミン類を含有するインク組成物（特許文献４）、ギ酸銅と重炭酸アンモニウムからなる銅錯体（非特許文献１）などの有機酸銅塩とアミン類を併用したインク、無機酸銅塩と特定の有機酸から得られる熱分解性銅錯体（特許文献５）などが提案されている。
【０００４】
有機酸銅塩とアミン類を併用したインクでは、有機酸銅塩のアミン類への溶解とともに有機酸の銅イオンからの解離とアミン類の銅イオンへの配位が起こっていると考えられている。そして、アミン類が銅イオンの実質的還元剤となっている。こうした還元剤であるアミンが直接銅イオンに配位結合している状態は、熱的に不安定であるため保存安定性に劣る。
【０００５】
また、アミン類は沸点の高くかつ絶縁性であるため、形成された導電膜の導電性を高めるためには高温に加熱して除く必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−１７８９８３号公報
【特許文献２】特開２０１３−１０８００５号公報
【特許文献３】特開２０１５−２５１５７号公報
【特許文献４】特開２０１５−１４７９２９号公報
【特許文献５】特開２００４−３０７３４５号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Bull. Korean Chem. Soc. 2014, Vol. 35, 147
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は前記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、低温でクリーンな導電層を形成し得る銅錯体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の熱分解性銅錯体は、下記一般式１で表される。
【化１】
2017124986.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、互いに独立して、水素、フッ素、塩素、Ｃ１〜Ｃ１６の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１６の分岐状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、アリール基、Ｃ６〜Ｃ９のアラルキル基およびＣ３〜Ｃ１６のアルケニル基の内のいずれか一つを表し、Ａは、有機酸イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、過塩素酸イオン、炭酸イオン、重炭酸イオン、水酸化物イオンおよびフッ化物アニオンの内のいずれか一つを表し、ｘ＝１〜４、ｙ＝１または２、ｚ＝０または正の整数である。）
で表される、熱分解性銅錯体。
【００１０】
好ましい実施態様においては、前記一般式（１）のｘが２である。
【００１１】
好ましい実施態様によれば、前記一般式（１）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３は、互いに独立してＣ１〜Ｃ６の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ６の分岐状アルキル基およびＣ３〜Ｃ６の環状アルキル基の内のいずれか一つ、前記一般式（１）のＲ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基で残りがＣ１〜Ｃ６の直鎖状アルキル基およびＣ３〜Ｃ６の分岐状アルキル基の内のいずれか一つ、前記一般式（１）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３のいずれか１つが水素で残りが互いに独立してＣ１〜Ｃ１０の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の分岐状アルキル基およびＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基の内のいずれか一つ、または前記一般式（１）のＲ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基で残りが水素である。
【００１２】
好ましい実施態様によれば、熱分解温度が７０〜１９０℃である。
【００１３】
好ましい実施態様によれば、熱分解によって金属銅を生成する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、比較的低温（２００℃未満）で残存する有機分のない金属銅を形成することができる銅錯体を提供する。それにより、高温加熱しなくてもクリーンな導電層を形成することができる。また、導電層の厚膜化にも優れた性能を発揮することができる。
さらに、本発明の熱分解性銅錯体は、常温で安定であり保存安定性に優れている。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。
【００１６】
本発明の銅錯体は、カルバジン酸エステルを配位子とした下記一般式（１）で表される。
【化１】
2017124986.tif 000003
【００１７】
配位子となるカルバジン酸エステルは下記一般式（２）で表される構造を有する。
【化２】
2017124986.tif 000004
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、互いに独立して、水素、フッ素、塩素、Ｃ１〜Ｃ１６の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１６の分岐状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、アリール基、Ｃ６〜Ｃ９のアラルキル基およびＣ３〜Ｃ１６のアルケニル基の内のいずれか一つを表す。なお、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基は１つ以上のベンゼン環と縮合環を形成していてもよい。
【００１８】
カルバジン酸エステル自身は熱分解することが知られている（例えばＲ１、Ｒ２、Ｒ３が全てメチル基であるｔ−ブチル基の場合１５０℃以上で分解（熱分析による））。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の少なくとも１つが水素になると分解温度は上昇し、熱分解温度にはＲ１、Ｒ２、Ｒ３が全て有機基（３級炭素）＜Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３のいずれか１つが水素（２級炭素）＜Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３のいずれか２つまたは全てが水素（１級炭素）のような構造依存性が見られる。
【００１９】
こうした熱分解性を持つカルバジン酸エステルであるが、銅イオンが共存すると、熱分解温度の構造依存性はそのままで熱分解温度だけが大きく低下することは全く知られていなかった。銅錯体の熱分解温度域は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３が全て有機基の場合７０〜１２０℃、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３のいずれか１つが水素である場合１００〜１５０℃、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３のいずれか２つまたは全てが水素である場合１４０℃〜１９０℃である。このように本発明の銅錯体の熱分解温度は、配位子の分子構造により調整可能である。
【００２０】
カルバジン酸エステルは熱分解によって、ヒドラジン、二酸化炭素およびアルケンまたはアルキンを生成する。この時、生成したヒドラジンが銅（ＩＩ）イオンを金属銅にまで還元する。ヒドラジンは反応後、窒素と水になる。よって、本発明の銅錯体の熱分解では、アルケンまたはアルキン以外の反応生成物は、全て熱分解温度で気化しやすくて残りにくいという特長がある。
【００２１】
本発明の銅錯体の上記特長を損なわないために、生成するアルケンまたはアルキンも銅錯体の熱分解温度前後で気化（昇華）することが望ましい。銅錯体の用途によって必要とされる分解温度は異なるので、必要な温度域で生成するアルケンまたはアルキンが気化しやすい（あるいは沸点を持つ）Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の組合せを選ぶことができる。
【００２２】
熱分解温度が１５０℃以下の場合、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の全てがＣ１〜Ｃ６の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ６の分岐状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ６の環状アルキル基またはＲ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基、あるいはＲ１、Ｒ２、Ｒ３のいずれか１つが水素で残りがＣ１〜Ｃ１０の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の分岐状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ１０の環状アルキル基またはＲ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ１０の環状アルキル基であることが好ましい。より好ましくは、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の全てがＣ１〜Ｃ３の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ６の分岐状アルキル基またはＲ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ６の環状アルキル基、あるいはＲ１、Ｒ２、Ｒ３のいずれか１つが水素で残りがＣ１〜Ｃ６の直鎖状アルキル基、Ｃ３〜Ｃ６の分岐状アルキル基またはＲ１、Ｒ２およびＲ３のうち２つが結合して環を形成したＣ３〜Ｃ６の環状アルキル基である。具体的には、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。
【００２３】
カルバジン酸エステルは、ヒドラジンと炭酸ジアルキル（M-Y. Yangら, Lett. Drug. Des. Discov., 2015, 12, 314、G-Y. Sunら, Phosphorus. Sulfur . 2014, 189, 1895）またはクロロ炭酸アルキル（E. Coltonら、J. Am. Chem. Soc. 1954, 76, 2572.、特開 2006-325061、特開2007-073137）を反応させる方法、モノクロル尿素ナトリウム塩にアルコールを反応させる方法（特開平7-41260）、ヒドラジン水溶液にアルコールと触媒（硫酸ナトリウム、ジメチルアミノピリジン、ジシクロカルボジイミド）を加え、ｐＨ５〜１１にした後二酸化炭素ガスを吹き込むことで合成する方法（CN  103980164）、アルコールにジシクロヘキシルカルボジイミドを作用させた後、ヒドラジンと反応させる方法（Y. Zhaonら, Chem. Eur. J．2011, 17, 3571. ）などで合成することができる。
【００２４】
カルバジン酸エステルが銅（II）イオンに配位する場合、カルバジン酸エステルの分子構造から２つの配位様式が考えられる。銅イオンに対して２分子が配位する場合（一般式（１）中、ｘ＝２）は窒素原子とカルボニル酸素（A.P.S. Fontesら、Transition Metal Chemistry, 2004, 29, 382-387）、４分子が配位する場合（一般式（１）中、ｘ＝４）は窒素原子だけで銅（II）イオンに配位結合しているものと推測される。中間状態として１分子が配位した状態、３分子が配位した状態もあり得る。配位構造の違いは可視紫外吸収スペクトルを測定することで推測することができる。カルバジン酸エステルは、銅イオンに対して２分子が配位すれば十分銅イオンを金属銅にまで還元できるので、ｘ＝２が好ましい。また、４分子が配位した場合、吸湿性が高くなって錯体の安定性が低下する。
【００２５】
一般式（１）において、Ａは有機酸イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、過塩素酸イオン、炭酸イオン、重炭酸イオン、水酸化物イオンまたはフッ化物アニオンである。本発明の銅錯体の熱分解では、反応生成物は熱分解温度で気化しやすくて残りにくいという特長がある。この特長を損なわないためには、一般式（１）のＡも熱分解温度前後で気化しやすいことが好ましい。よって、ギ酸、酢酸などの低分子有機酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、重炭酸イオン、水酸化物イオンが好ましく、より好ましくは硝酸イオン、炭酸イオン、重炭酸イオン、水酸化物イオンである。なお、一般式（１）のＡが１価イオンである場合、銅イオンは２価であるためｙ＝２となる。
【００２６】
本発明の銅錯体は、カルバジン酸エステルの分子構造、例えばＲ１、Ｒ２、Ｒ３が水素やメチル基のように小さい場合には銅イオンに水分子が配位する空間ができる場合、水和水を持っている場合もありえる。その場合、一般式（１）において、ｚは１〜３となる。
【００２７】
本発明の銅錯体は、原料となる銅塩とカルバジン酸エステルが溶解する溶媒中で混合した後、生成した銅錯体が溶けにくい溶媒を用いて再結晶あるいは銅錯体が溶解する溶媒で抽出後再結晶することで作製することができる。原料となる銅塩としては、ギ酸銅や酢酸銅のような有機酸銅塩、硝酸銅、過塩素酸銅、硫酸銅のような無機酸銅塩、塩基性炭酸銅、水酸化銅などを挙げることができる。銅塩とカルバジン酸エステルが溶解する溶媒としては、水、メタノール、エタノール、シクロヘキサノールなどのアルコール、アセトニトリル、ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒、Ｎ−メチルピロリドンなどを挙げることができる。銅塩が溶解する溶媒には、銅塩が錯体形成によってはじめて溶解する溶媒も含む。
【００２８】
銅塩とカルバジン酸エステルの錯体形成反応は、室温で銅塩１モルに対してカルバジン酸エステル２．０〜２．２モルを含む溶液に銅塩溶液を撹拌しながら添加することで遂行できる。
【００２９】
本発明の銅錯体は、７０〜１９０℃温度範囲内で熱分解させることによって金属銅を生成する。熱分解は、アルゴンや窒素などの不活性気体中、不活性気体と水素との混合ガスまたはギ酸ガスのような還元性雰囲気下において、固体状態または液状態で行うことができる。固体状態とは、銅錯体が微粒子状である状態、銅錯体溶液を基板上に塗布して乾燥した状態を指す。液状態は、銅錯体微粒子が液中に懸濁した状態、銅錯体の均一溶液を指す。ここで銅錯体の微粒子としては、５ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは７ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。１０μｍより大きいと安定な懸濁液となりにくい。銅錯体微粒子を懸濁する媒体としては、銅錯体の溶解度が１％未満の液体でかつ銅錯体の熱分解温度の上限より低い沸点をもつ液体なら特に限定されない。銅錯体の溶媒としては、銅錯体の溶解度が１重量％以上、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０％以上の液体でかつ銅錯体の熱分解温度の上限より低い沸点をもつ液体なら特に限定されない。例えば、水、エチレングリコール、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノール、これらの混合液等を挙げることができる。なお、水が存在すると熱分解は速くなるが、溶媒中の水含有量が７０ｗｔ％以上になると銅錯体の安定性が低下する。
【００３０】
本発明の銅錯体を熱分解する際に、酸化銅粒子、亜酸化銅粒子、水酸化銅粒子または塩基性炭酸銅粒子などの銅化合物粒子、金属銅粒子または銀粒子などの他の金属粒子を混合して熱分解してもよい。これらは複数種混合して用いることもできる。そうすることによって導電性の良い導電層を形成することができる。これら粒子の大きさとしては、１ｎｍ〜５０μｍ、好ましくは２ｎｍ〜１０μｍ、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍである。５０μｍより大きいと銅錯体を混合する効果が発揮されにくくなる。銅錯体との混合量は、銅化合物粒子の場合、銅錯体１モルに対して銅化合物中の銅イオン０．０１〜２モル、好ましくは０．０２〜１モル、より好ましくは０．０５〜０．５モルである。２モルより多いと銅化合物の還元が十分に進まない。金属粒子の場合、混合量は特に限定されない。
【００３１】
また、本発明の銅錯体を熱分解する際に生成する金属銅粒子の大きさを制御するために分散安定剤を併用することができる。分散安定剤としては、金属銅に親和性を持つ基、例えばアミノ基、水酸基、含窒素複素環基、カルボキシル基、メルカプト基等を持ち、かつ銅錯体の熱分解温度の上限より低い沸点をもつ化合物であれば特に限定されない。例えば、アルキルアミン、脂肪族カルボン酸等を挙げることができる。分散安定剤の使用量としては、金属銅粒子の大きさに応じて適正量が異なるので特に限定されないが、銅錯体から生成する金属銅１ｇに対して０．０１〜１００ｇ、好ましくは０．１〜５０ｇ、より好ましくは０．５〜１０ｇである。０．０１ｇより少ないと効果が発揮されにくい。１００ｇより多いと余分な分散剤が発生する。
【実施例】
【００３２】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例には限定されない。
【００３３】
［カルバジン酸イソプロピルの合成］
ガラス反応器にヒドラジン一水和物（ナカライテスク製）１．２３  ｇ（２４．５  モル）を量りとり、氷冷した。これにクロロギ酸イソプロピル（東京化成製）１．００ｇ（８．１６モル）をゆっくり滴下し、滴下後３０分氷冷撹拌した。その後、室温で１時間撹拌し、さらにトルエンを加えて撹拌を継続した。この反応混合液を分液し、トルエン層を硫酸ナトリウムで乾燥、ろ過、濃縮することで、粗生成物０．７３ｇを得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル＝１／１⇒１／３）により精製し、目的の化合物を得た。１Ｈ  ＮＭＲ（（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）１．２８（ｄｄ，６Ｈ）、３．７４（ｓ，２Ｈ）、４．９５（ｍ，１Ｈ）、５．９０（ｓ，１Ｈ）。
【００３４】
［銅錯体の合成１］
カルバジン酸イソプロピル０．２６４ｇをアセトニトリル７ｍｌに溶解させた。これにＣｕ（ＮＯ３）２・３Ｈ２Ｏ（ナカライテスク製）０．２４１ｇをアセトニトリル３ｍｌに溶解させた液を加えて室温で３０分撹拌した。アセトニトリルをエバポレーターで除去した後、テトラヒドロフラン２０ｍｌを加えて撹拌すると沈殿が生成した。この沈殿をテトラヒドロフラン５０ｍｌで洗浄した後、室温で減圧乾燥した。下記元素分析結果より、カルバジン酸イソプロピルが２配位した銅錯体が得られていると考えられる。
元素分析  Ｃ８Ｈ２０Ｎ６Ｏ１０Ｃｕ：Ｈ，  ４．７６；Ｃ，  ２２．６７；Ｎ，  １９．８３．  分析値：Ｈ，  ４．４９；Ｃ，  ２２．５９；Ｎ，  ２０．０３．
この錯体は、熱分析（窒素気流下）によると１１０〜１３９℃の間で熱分解した。熱分析後の残留物のＸ線回折を測定したところ、金属銅のパターンと一致した。
【００３５】
［銅錯体の合成２］
カルバジン酸ｔ−ブチル（東京化成製）０．２３８ｇをアセトニトリル７ｍｌに溶解させた。これにＣｕ（ＮＯ３）２・３Ｈ２Ｏ（ナカライテスク製）０．２４１ｇをアセトニトリル３ｍｌに溶解させた液を加えて室温で３０分撹拌した。アセトニトリルをエバポレーターで除去した後、テトラヒドロフラン２０ｍｌを加えて撹拌すると沈殿が生成した。この沈殿をテトラヒドロフラン５０ｍｌで洗浄した後、室温で減圧乾燥した。下記元素分析結果より、カルバジン酸ｔ−ブチルが２配位した銅錯体が得られていると考えられる。
元素分析  Ｃ１０Ｈ２４Ｎ６Ｏ１０Ｃｕ：Ｈ，  ５．３５；Ｃ，  ２６．５８；Ｎ，  １８．６０．  分析値：Ｈ，  ５．３０；Ｃ，  ２６．４１；Ｏ，  １８．７１．
この錯体は、熱分析（窒素気流下）によると７７〜１０３℃の間で熱分解した。熱分析後の残留物のＸ線回折を測定したところ、金属銅のパターンと一致した。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の銅錯体は、比較的低温（２００℃未満）で残存する有機分のない金属銅を形成することができる。それにより、プリンテッド・エレクトロニクス分野で低温でクリーンな導電層を形成するインクとして利用できる。また、本発明の銅錯体をインクとして用いることにより新しい銅配線パターンの作製技術が可能となる。