(57)【要約】【課題】寿命を向上することのできるラインセンサおよびラインセンサの使用方法を提供する。【解決手段】ラインセンサ４０は、互いに異なる領域に配列した複数の半導体素子４１により構成されたラインＬＮ１〜ＬＮ１１と、ラインセンサ４０に入射する可視光線ＶＬの一部を遮蔽するスリット４３と、移動部とを備える。移動部は、スリット４３が、ラインＬＮ６に入射する可視光線ＶＬを遮蔽せず、かつラインＬＮ１〜ＬＮ５およびＬＮ７〜ＬＮ１１に入射する可視光線ＶＬを遮蔽する第１の状態と、スリット４３が、ラインＬＮ７に入射する可視光線ＶＬを遮蔽せず、かつラインＬＮ１〜ＬＮ６およびＬＮ８〜ＬＮ１１に入射する可視光線ＶＬを遮蔽する第２の状態との間で、スリット４３の状態を切り替える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物の一次元の画像を撮影するラインセンサであって、
第１の領域に配列した複数の半導体素子により構成された第１の半導体素子群と、
前記第１の領域とは異なる第２の領域に配列した複数の半導体素子により構成された第２の半導体素子群と、
前記ラインセンサに入射する入射波の一部を遮蔽するスリットと、
前記スリットが、前記第１の半導体素子群に入射する前記入射波を遮蔽せず、かつ前記第２の半導体素子群に入射する前記入射波を遮蔽する第１の状態と、前記スリットが、前記第２の半導体素子群に入射する前記入射波を遮蔽せず、かつ前記第１の半導体素子群に入射する前記入射波を遮蔽する第２の状態との間で、前記スリットの状態を切り替える切替部とを備えた、ラインセンサ。
【請求項２】
前記第１の半導体素子群は、第１の方向に配列した複数の半導体素子により構成され、
前記第２の半導体素子群は、前記第１の方向に配列した複数の半導体素子により構成され、かつ前記第１の半導体素子群に対して前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される、請求項１に記載のラインセンサ。
【請求項３】
前記第１および第２の半導体素子群は同一平面内に配置され、
前記切替部は、前記第１および第２の半導体素子群に対して前記スリットを平行にかつ相対的に移動する、請求項１または２に記載のラインセンサ。
【請求項４】
前記入射波は可視光線である、請求項１〜３のいずれかに記載のラインセンサ。
【請求項５】
前記入射波はＸ線である、請求項１〜３のいずれかに記載のラインセンサ。
【請求項６】
対象物の一次元の画像を撮影するラインセンサの使用方法であって、
前記ラインセンサは、第１の領域に配列した複数の半導体素子により構成された第１の半導体素子群と、前記第１の領域とは異なる第２の領域に配列した複数の半導体素子により構成された第２の半導体素子群と、前記ラインセンサに入射する入射波の一部を遮蔽するスリットとを備え、
前記スリットが、前記第１の半導体素子群に入射する前記入射波を遮蔽せず、かつ前記第２の半導体素子群に入射する前記入射波を遮蔽する第１の状態で、前記対象物の画像を撮影する工程と、
前記スリットが、前記第２の半導体素子群に入射する前記入射波を遮蔽せず、かつ前記第１の半導体素子群に入射する前記入射波を遮蔽する第２の状態で、前記対象物の画像を撮影する工程と、
前記第１の状態と前記第２の状態との間で前記スリットの状態を切り替える工程とを備えた、ラインセンサの使用方法。
【請求項７】
前記第１の半導体素子群は、第１の方向に配列した複数の半導体素子により構成され、
前記第２の半導体素子群は、前記第１の方向に配列した複数の半導体素子により構成され、かつ前記第１の半導体素子群に対して前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される、請求項６に記載のラインセンサの使用方法。
【請求項８】
前記第１および第２の半導体素子群は同一平面内に配置され、
前記スリットの状態を切り替える工程において、前記第１および第２の半導体素子群に対して前記スリットを平行にかつ相対的に移動する、請求項６または７に記載のラインセンサの使用方法。
【請求項９】
前記入射波は可視光線である、請求項６〜８のいずれかに記載のラインセンサの使用方法。
【請求項１０】
前記入射波はＸ線である、請求項６〜８のいずれかに記載のラインセンサの使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラインセンサおよびラインセンサの使用方法に関する。より特定的には、本発明は、寿命を向上することのできるラインセンサおよびラインセンサの使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線検査装置は、被検査物を破壊せずに検査する装置として知られている。一般的に、Ｘ線検査装置は、被検査物を搬送するベルトコンベアなどの搬送部と、搬送路を挟むように配置されたＸ線発生装置およびＸ線受信装置とを備えている。Ｘ線発生装置はＸ線を発生し、搬送部によって搬送される被検査物に照射する。被検査物に照射されたＸ線は、被検査物を透過し、Ｘ線受信装置で撮影される。Ｘ線検査装置は、Ｘ線受信装置で撮影した画像に基づいて被検査物の内部を検査する。
【０００３】
Ｘ線受信装置は、一般的に、Ｘ線をラインセンサで受光することにより対象物（被検査物）対象物の一次元の画像を撮影する。従来のＸ線受信装置は、たとえば下記特許文献１などに開示されている。下記特許文献１には、複数のフォトダイオードを備えたＸ線センサモジュールが開示されている。このＸ線センサモジュールにおいて、複数のフォトダイオードは、コンベアの搬送方向に直交する第１方向に沿って並んでおり、透過Ｘ線の強度に応じた検出信号を出力する。フォトダイオードの第１方向に沿った長さである素子幅は、異物の大きさ以上である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−８５６２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
Ｘ線受信装置などに用いられるラインセンサは、Ｘ線や可視光線などの入射波を受信する複数の半導体素子により構成されている。半導体素子に入射波が長時間入射すると、半導体素子の劣化が生じ、感度の低下、暗電流の増大、または信号処理回路の誤作動などの原因となっていた。このため、従来のラインセンサには寿命が短いという問題があった。
【０００６】
また、ラインセンサが、高エネルギーのＸ線を入射波として受信する場合には、使用開始から短時間でラインセンサが寿命に達し、対象物の画像を撮影することが困難になっていた。
【０００７】
また、ラインセンサの中には、蛍光体を受光面の前に挿入することにより、Ｘ線を可視光線に変換してから、可視光線を入射波として受光する構成のものや、対象物で反射した可視光線を入射波として受光する構成も存在する。しかし、これらの構成の場合にも、可視光線による半導体素子の劣化は生じていた。特に、Ｘ線を可視光線に変換する構成では、可視光線に変換されなかったＸ線が可視光線とともにラインセンサに入射し、半導体素子の劣化を招いていた。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためのものであり、その目的は、寿命を向上することのできるラインセンサおよびラインセンサの使用方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一の局面に従うラインセンサは、対象物の一次元の画像を撮影するラインセンサであって、第１の領域に配列した複数の半導体素子により構成された第１の半導体素子群と、第１の領域とは異なる第２の領域に配列した複数の半導体素子により構成された第２の半導体素子群と、ラインセンサに入射する入射波の一部を遮蔽するスリットと、スリットが、第１の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽せず、かつ第２の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽する第１の状態と、スリットが、第２の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽せず、かつ第１の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽する第２の状態との間で、スリットの状態を切り替える切替部とを備える。
【００１０】
上記ラインセンサにおいて好ましくは、第１の半導体素子群は、第１の方向に配列した複数の半導体素子により構成され、第２の半導体素子群は、第１の方向に配列した複数の半導体素子により構成され、かつ第１の半導体素子群に対して第１の方向と直交する第２の方向に配置される。
【００１１】
上記ラインセンサにおいて好ましくは、第１および第２の半導体素子群は同一平面内に配置され、切替部は、第１および第２の半導体素子群に対してスリットを平行にかつ相対的に移動する。
【００１２】
上記ラインセンサにおいて好ましくは、入射波は可視光線である。
【００１３】
上記ラインセンサにおいて好ましくは、入射波はＸ線である。
【００１４】
本発明の他の局面に従うラインセンサの使用方法は、対象物の一次元の画像を撮影するラインセンサの使用方法であって、ラインセンサは、第１の領域に配列した複数の半導体素子により構成された第１の半導体素子群と、第１の領域とは異なる第２の領域に配列した複数の半導体素子により構成された第２の半導体素子群と、ラインセンサに入射する入射波の一部を遮蔽するスリットとを備え、スリットが、第１の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽せず、かつ第２の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽する第１の状態で、対象物の画像を撮影する工程と、スリットが、第２の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽せず、かつ第１の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽する第２の状態で、対象物の画像を撮影する工程と、第１の状態と第２の状態との間でスリットの状態を切り替える工程とを備える。
【００１５】
上記使用方法において好ましくは、第１の半導体素子群は、第１の方向に配列した複数の半導体素子により構成され、第２の半導体素子群は、第１の方向に配列した複数の半導体素子により構成され、かつ第１の半導体素子群に対して第１の方向と直交する第２の方向に配置される。
【００１６】
上記使用方法において好ましくは、第１および第２の半導体素子群は同一平面内に配置され、スリットの状態を切り替える工程において、第１および第２の半導体素子群に対してスリットを平行にかつ相対的に移動する。
【００１７】
上記使用方法において好ましくは、入射波は可視光線である。
【００１８】
上記使用方法において好ましくは、入射波はＸ線である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、寿命を向上することのできるラインセンサおよびラインセンサの使用方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態における検査装置１の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態における受信装置１０の構成を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態におけるラインセンサ４０の構成を模式的に示す斜視図である。
【図４】本発明の一実施の形態において、スリット４３が第２の状態にある場合のラインセンサ４０の構成を模式的に示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の変形例におけるラインセンサ４０の構成を模式的に示す斜視図である。
【図６】本発明の第２の変形例における検査装置１の構成を模式的に示す斜視図である。
【図７】本発明の第３の変形例における検査装置１の構成を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施の形態について、図面に基づいて説明する。
【００２２】
［検査装置の概略的な構成］
【００２３】
始めに、本発明の一実施の形態における検査装置の概略的な構成について説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施の形態における検査装置１の構成を模式的に示す断面図である。
【００２５】
図１を参照して、本実施の形態の検査装置１は、Ｘ線検査装置であり、照射位置Ｐ１を通過したワークＷＫ（対象物の一例）の部分にＸ線を照射し、照射位置Ｐ１を通過したワークＷＫの部分を透過したＸ線に基づいてワークＷＫを検査するものである。検査装置１は、受信装置１０と、搬送部６０と、Ｘ線照射装置７０と、制御部８０などを備えている。
【００２６】
Ｘ線照射装置７０は、その内部でＸ線を発生し、矢印ＡＲ２で示すように、発生したＸ線を照射位置Ｐ１を通過したワークＷＫの部分に対して照射する。Ｘ線照射装置７０は、ターゲット（Ｘ線発生源）で反射したＸ線を利用する反射型のものであってもよいし、ターゲットを透過したＸ線を利用する透過型のものであってもよい。
【００２７】
搬送部６０は、テーブル６１上に配置されたワークＷＫを、矢印ＡＲ１で示す方向に搬送する。搬送部６０は、たとえばベルトコンベアなどよりなっている。
【００２８】
受信装置１０は、Ｘ線受信装置であり、矢印ＡＲ３で示すように、ワークＷＫを透過したＸ線を受信し、受信したＸ線の強度を示す信号を制御部８０に送信する。
【００２９】
制御部８０は、受信装置１０、搬送部６０、およびＸ線照射装置７０の各々と電気的に接続されており、検査装置１全体の制御を行う。制御部８０は、Ｘ線発生制御部８１と、テーブル制御部８２と、画像生成部８３と、移動部８４を含んでいる。
【００３０】
Ｘ線発生制御部８１は、Ｘ線照射装置７０に印加する電圧や、Ｘ線照射装置７０の内部の真空度などを制御することにより、Ｘ線照射装置７０から発生するＸ線を制御する。
【００３１】
テーブル制御部８２は、搬送部６０によるテーブル６１の移動を制御する。
【００３２】
画像生成部８３は、受信装置１０から受信した信号に基づいて、ワークＷＫのＸ線画像を生成する。また画像生成部８３は、受信装置１０に印加する電圧を制御する。
【００３３】
移動部８４（切替部の一例）は、モータなどを駆動することで、後述するスリット４３を移動させる。
【００３４】
ワークＷＫの位置は、時間経過とともに矢印ＡＲ１で示す方向に移動するので、ワークＷＫにおけるＸ線が透過する位置もまた、時間経過とともに矢印ＡＲ１で示す方向に移動する。従って検査装置１は、時間経過とともに、ワークＷＫにおける矢印ＡＲ１に沿った異なる位置を検査することができる。
【００３５】
なお、本明細書では、テーブル６１の移動方向（矢印ＡＲ１で示す方向）をｘ軸の正の方向としている。受信装置１０で受光するＸ線の進行方向（矢印ＡＲ３で示す方向）をｚ軸の正の方向としている。ｘ軸とｚ軸とは互いに直交している。さらに、ｘ軸およびｚ軸の各々と直交する方向（紙面に対して垂直な方向）をｙ軸方向としている。
【００３６】
図２は、本発明の一実施の形態における受信装置１０の構成を模式的に示す断面図である。
【００３７】
図２を参照して、受信装置１０は、イメージインテンシファイア２０と、光学レンズ３０と、ラインセンサ４０とを含んでいる。イメージインテンシファイア２０、光学レンズ３０、およびラインセンサ４０の各々は、Ｘ線の進行方向に沿ってワークＷＫから離れる方向（矢印ＡＲ３で示すｚ軸の正の方向）に沿ってこの順序で配置されている。
【００３８】
イメージインテンシファイア２０は、ワークＷＫを透過したＸ線を可視光線に変換し、変換後の可視光線の強度を増倍させて出力する。イメージインテンシファイア２０は、入力蛍光面２１と、光電面２２と、集束電極２３と、陽極２４と、出力蛍光面２５と、筐体２６と、集束電源２７と、加速電源２８とを含んでいる。集束電極２３、陽極２４、集束電源２７、および加速電源２８は加速集束部を構成し、静電レンズ系として機能する。
【００３９】
筐体２６は、減圧された中空部を有している。筐体２６の内部には、入力蛍光面２１、光電面２２、集束電極２３、陽極２４、および出力蛍光面２５が配置されている。光電面２２は、入力蛍光面２１よりもワークＷＫから離れた側（ｚ軸の正方向の側）において、入力蛍光面２１と近接して配置されている。出力蛍光面２５は、光電面２２よりもワークＷＫから離れた側（ｚ軸の正方向の側）において、光電面２２と大きな間隔を空けて配置されている。入力蛍光面２１、光電面２２、および出力蛍光面２５の各々は、ｘ軸方向に延在している。集束電極２３は、たとえば円筒形状を有しており、ｚ軸方向に延在している。集束電極２３は、光電面２２と出力蛍光面２５との間に配置されている。陽極２４は、出力蛍光面２５の近傍に配置されている。陽極２４は、たとえば円筒形状を有しており、ｚ軸方向に延在している。出力蛍光面２５は、陽極２４の内部に配置されている。集束電源２７は、光電面２２と集束電極２３との間に電圧を印加する。加速電源２８は、光電面２２と陽極２４との間に電圧を印加する。
【００４０】
光学レンズ３０は、凸レンズであり、イメージインテンシファイア２０から出力された可視光線を集束させる。
【００４１】
ラインセンサ４０は、ワークＷＫの一次元の画像を撮影する。ラインセンサ４０は、光学レンズ３０で集束された可視光線を受光し、受光強度に応じた信号を制御部８０に送信する。
【００４２】
続いて、本発明の一実施の形態における受信装置１０の動作について説明する。
【００４３】
ワークＷＫを透過したＸ線は、矢印ＡＲ３で示すように、イメージインテンシファイア２０に入射する。イメージインテンシファイア２０に入射したＸ線は、入力蛍光面２１によって可視光線（蛍光）に変換される。入力蛍光面２１により変換された可視光線は、光電面２２によって光電子に変換される。光電面２２によって変換された光電子は、集束電極２３、陽極２４、集束電源２７、および加速電源２８によって加速および集束される。加速および集束された光電子は、出力蛍光面２５に衝突し、出力蛍光面２５によって可視光線ＶＬとしてイメージインテンシファイア２０の外部に放出（出力）される。イメージインテンシファイア２０から出力される可視光線は、イメージインテンシファイア２０に入射するＸ線の強度に対応した強度を有している。イメージインテンシファイア２０から出力された可視光線は、光学レンズ３０によって集束され、可視光線ＶＬ（入射波の一例）としてラインセンサ４０に入射する。可視光線ＶＬは、ラインセンサ４０に入射する入射波である。ラインセンサ４０は、可視光線ＶＬのうちｙ軸方向に沿った一次元の光強度分布を検出し、検出した光強度分布に応じた信号を制御部８０に送信する。
【００４４】
図３は、本発明の一実施の形態において、スリット４３が第１の状態にある場合のラインセンサ４０の構成を模式的に示す斜視図である。
【００４５】
図３を参照して、ラインセンサ４０は、半導体素子のラインＬＮ１〜ＬＮ１１と、基板４２と、スリット４３とを含んでいる。ラインＬＮ１〜ＬＮ１１の各々は、基板４２上において同一平面ＰＬ上に配置されている。ラインＬＮ１〜ＬＮ１１の各々は、基板４２上のそれぞれの領域において、ｙ軸方向に延在するように配列した複数（ここでは１４個）の半導体素子４１により構成されている。ラインＬＮ１〜ＬＮ１１の各々は、ｘ軸方向に配列している。
【００４６】
スリット４３は、基板４２よりもｚ軸の負の側（イメージインテンシファイア２０に近い側）に配置されている。スリット４３は、可視光線ＶＬを、ｙ軸方向に沿った一次元の可視光線に規制する。スリット４３は、可視光線ＶＬを遮光する遮光部４３ａと、可視光線ＶＬを透過する透過部４３ｂとを含んでいる。遮光部４３ａはｘ軸方向に十分に長い形状を有している。透過部４３ｂは、たとえば切り欠きであり、ｙ軸方向に沿って延在している。透過部４３ｂは、ラインＬＮ１〜ＬＮ１１のうちいずれか１つが配置されているエリアとｚ軸方向で重なる位置に設けられている。
【００４７】
スリット４３は、ラインＬＮ１〜ＬＮ１１に対して平行に移動可能であり、矢印ＡＲ１１およびＡＲ１２の各々で示す方向に移動可能である。スリット４３は、スリット４３自身の移動により、ラインＬＮ１〜ＬＮ１１のうち任意の１つのラインのみに可視光線ＶＬが入射し、それ以外のラインに可視光線ＶＬに入射する可視光線ＶＬを遮蔽する状態を採ることができる。
【００４８】
なお、スリット４３の移動は、ラインセンサ４０のユーザーの手動にて行われてもよいし、移動部８４の制御により行われてもよい。スリット４３の代わりに、ラインＬＮ１〜ＬＮ１１および基板４２が一体的に、スリット４３に対して平行に移動可能とされてもよい。
【００４９】
［ラインセンサの使用方法］
【００５０】
続いて、本実施の形態におけるラインセンサの使用方法について説明する。
【００５１】
ラインセンサ４０におけるラインＬＮ１〜ＬＮ１１および基板４２を抜き出して見た場合、この構成は可視光線の二次元の強度分布を検出可能であり、汎用のエリアセンサと同様の構成を有している。本実施の形態では、ラインＬＮ１〜ＬＮ１１および基板４２により構成されるエリアセンサをラインセンサとして使用する。
【００５２】
始めに、ラインセンサ４０のユーザーまたは制御部８０は、スリット４３を図３の状態にすることで、ラインＬＮ６（第１の半導体素子群の一例）を用いて（スキャン位置をラインＬＮ６として）ワークＷＫの画像を撮影する。
【００５３】
スリット４３が図３の状態にある場合、スリット４３を透過した可視光線ＶＬは、基板４２上の領域ＲＧ１に入射する。領域ＲＧ１はラインＬＮ６が配置された領域であるので、スリット４３を透過した可視光線ＶＬは、ラインＬＮ６のみで受光される。言い換えれば、スリット４３は、ラインＬＮ６に入射する可視光線ＶＬを遮蔽せず、その他のラインＬＮ１〜ＬＮ５およびＬＮ７〜ＬＮ１１に入射する可視光線ＶＬを遮蔽する。ラインセンサ４０は、ラインＬＮ６を構成する複数の半導体素子４１の各々からの信号に基づいて、ワークＷＫのｙ軸方向に沿った一次元の画像を撮影する。
【００５４】
図４は、本発明の一実施の形態において、スリット４３が第２の状態にある場合のラインセンサ４０の構成を模式的に示す斜視図である。
【００５５】
図４を参照して、ユーザーまたは制御部８０は、必要なタイミングで（たとえばラインＬＮ６を用いた撮影の時間が一定時間を経過したタイミングで）スリット４３を矢印ＡＲ１１で示す方向に移動し、図４に示す状態にする。これにより、撮影に使用するラインがラインＬＮ６からラインＬＮ７に切り替わる。
【００５６】
スリット４３の移動に伴い、スリット４３を透過した可視光線ＶＬの基板４２上の入射位置は、スリット４３の移動に同期して領域ＲＧ２に変化する。領域ＲＧ２はラインＬＮ７が配置された領域であるので、スリット４３を透過した可視光線ＶＬは、ラインＬＮ７のみで受光される。言い換えれば、スリット４３は、ラインＬＮ７に入射する可視光線ＶＬを遮蔽せず、その他のラインＬＮ１〜ＬＮ６およびＬＮ８〜ＬＮ１１に入射する可視光線ＶＬを遮蔽する。
【００５７】
次にユーザーまたは制御部８０は、ラインＬＮ７（第２の半導体素子群の一例）を用いて（スキャン位置をラインＬＮ７として）ワークＷＫの画像を撮影する。ラインセンサ４０は、ラインＬＮ７を構成する複数の半導体素子４１の各々からの信号に基づいて、ワークＷＫのｙ軸方向に沿った一次元の画像を撮影する。
【００５８】
なお、ユーザーまたは制御部８０は、必要なタイミングでスリット４３を矢印ＡＲ１１またはＡＲ１２で示す方向に移動することにより、撮影に使用するラインを任意のものに切り替えてもよい。
【００５９】
また、ユーザーまたは制御部８０は、たとえば矢印ＡＲ１３で示すように、ラインＬＮ１→ラインＬＮ２→ラインＬＮ３→・・・→ラインＬＮ１１→ラインＬＮ１０→ラインＬＮ９→・・・→ラインＬＮ１→ラインＬＮ２→ラインＬＮ３→・・・という順序で、使用するラインを周期的に切り替えてもよい。
【００６０】
［変形例］
【００６１】
図５は、本発明の第１の変形例におけるラインセンサ４０の構成を模式的に示す斜視図である。
【００６２】
図５を参照して、本変形例におけるラインセンサ４０は、ＴＤＩ（Ｔｉｍｅ  Ｄｅｌａｙ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）カメラである。スリット４３の透過部４３ｂの大きさは、上述の実施の形態の場合よりも大きくなっている。
【００６３】
スリット４３が図５の状態にある場合、スリット４３を透過した可視光線ＶＬは、基板４２上の領域ＲＧ３に入射する。領域ＲＧ３はラインＬＮ４〜ＬＮ６が配置された領域であるので、スリット４３を透過した可視光線ＶＬは、複数（ここでは３つ）のラインＬＮ４〜ＬＮ６のみで受光される。言い換えれば、スリット４３は、ラインＬＮ４〜ＬＮ６に入射する可視光線ＶＬを遮蔽せず、その他のラインＬＮ１〜ＬＮ３およびＬＮ７〜ＬＮ１１に入射する可視光線ＶＬを遮蔽する。
【００６４】
ラインセンサ４０は、ラインＬＮ４〜ＬＮ６を構成する複数の半導体素子４１の各々からの信号に基づいて、ワークＷＫのｙ軸方向に沿った一次元の画像を撮影する。すなわち、ｘ軸方向に配列した３つの半導体素子４１ａ、４１ｂ、および４１ｃの各々は、ワークＷＫにおける同一の部分から受光した可視光線を受光する。画像生成部８３は、３つの半導体素子４１ａ、４１ｂ、および４１ｃの各々からの信号を積算することにより、ワークＷＫにおける同一の部分の画像を撮影する。その結果、受光する可視光線の量を増加することができ、ラインセンサ４０の感度を向上することができる。
【００６５】
ユーザーまたは制御部８０は、ラインＬＮ４〜ＬＮ６を用いてワークＷＫの画像を撮影する。次にユーザーまたは制御部８０は、必要なタイミングでスリット４３を矢印ＡＲ１１で示す方向に移動する。これにより、スリット４３を透過した可視光線ＶＬの基板４２上の入射位置は、スリット４３の移動に同期して領域ＲＧ４に変化する。領域ＲＧ４はラインＬＮ５〜ＬＮ７が配置された領域であるので、スリット４３を透過した可視光線ＶＬは、ラインＬＮ５〜ＬＮ５のみで受光される。次にユーザーまたは制御部８０は、ラインＬＮ５〜ＬＮ７を用いてワークＷＫの画像を撮影する。
【００６６】
以降、ユーザーまたは制御部８０は、必要なタイミングで、矢印ＡＲ１１で示す方向にスリット４３を移動することにより、撮影に用いるラインを左方向に１つずつずらす。
【００６７】
図６は、本発明の第２の変形例における検査装置１の構成を模式的に示す斜視図である。
【００６８】
図６を参照して、本変形例の検査装置１において、受信装置１０は、イメージインテンシファイアおよび光学レンズを含んでおらず、ラインセンサ４０のみを含んでいる。ラインセンサ５０は、矢印ＡＲ３で示すワークＷＫを透過したＸ線を入射波として直接受信し、ワークＷＫの一次元の画像を撮影する。本変形例では、ラインセンサ５０に入射する入射波はＸ線となる。ラインセンサ４０は、ワークＷＫを透過したＸ線のうちｙ軸方向に沿った一次元のＸ線強度分布を検出し、検出したＸ線強度分布に応じた信号を制御部８０に送信する。
【００６９】
なお、ラインセンサ４０に入射する入射波がＸ線を含んでいる場合、ラインセンサ５０の遮光部４３ａは、たとえば鉛などのＸ線を遮蔽する材料よりなっている。
【００７０】
図７は、本発明の第３の変形例における検査装置１の構成を模式的に示す斜視図である。
【００７１】
図７を参照して、本変形例の検査装置１は、可視光線検査装置であり、Ｘ線照射装置の代わりに可視光線照射装置７１を備えている。受信装置１０は、可視光線受光装置であり、イメージインテンシファイアおよび光学レンズを含んでおらず、ラインセンサ４０のみを含んでいる。制御部８０は、Ｘ線発生制御部の代わりに可視光線制御部８５を含んでいる。可視光線制御部８５は、可視光線照射装置７１の位置や可視光線照射部装置７１が照射する可視光線の強度などを制御する。
【００７２】
可視光線照射装置７１は、矢印ＡＲ２１で示すように、照射位置Ｐ１を通過したワークＷＫの部分に対して可視光線を照射する。ラインセンサ５０は、矢印ＡＲ２２で示すワークＷＫで反射した可視光線を受光し、ワークＷＫの一次元の画像を撮影する。ラインセンサ４０は、ワークＷＫで反射した可視光線のうちｙ軸方向に沿った一次元の光強度分布を検出し、検出した光強度分布に応じた信号を制御部８０に送信する。
【００７３】
なお、本変形例におけるラインセンサ４０は、ワークＷＫを透過した可視光線に基づいて、対象物の一次元の画像を撮影するものであってもよい。
【００７４】
上述の第１〜第３の変形例における上述以外の構成およびラインセンサの使用方法は、上述の実施の形態の場合と同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００７５】
［実施の形態の効果］
【００７６】
上述の実施の形態および変形例によれば、入射波が入射する半導体素子群（ライン）を必要なタイミングで切り替えるので、入射波が入射する半導体素子が分散され、同一の半導体素子に対して長時間にわたって入射波が入射することを防止することができる。その結果、ラインセンサの寿命を向上することができる。
【００７７】
［その他］
【００７８】
上述の実施の形態および変形例は、互いに組み合わせることができる。
【００７９】
本発明は、スリットが第１の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽せず、かつ第２の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽する第１の状態と、スリットが第２の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽せず、かつ第１の半導体素子群に入射する入射波を遮蔽する第２の状態との間で、スリットの状態を切り替えるものであればよく、半導体素子群を構成する複数の半導体素子の数およびそれらの配列は任意である。
【００８０】
対象物からの入射波は、上述のように可視光線であってもよいし、Ｘ線であってもよいし、可視光線およびＸ線の両方であってもよい。さらに対象物からの入射波は、赤外線や紫外線などの上述以外の電磁波であってもよい。遮蔽部は、対象物からの入射波の一部を遮蔽するものであればよい。
【００８１】
スリットの状態の切り替えは、上述のようにスリットを相対的に移動する代わりに、異なる位置に透過部が設けられた新たなスリットに、使用中のスリットを置き換えることにより行われてもよい。この置き換えは、移動部８４によって行われてもよい。
【００８２】
上述の実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８３】
１  検査装置
１０  受信装置
２０  イメージインテンシファイア
２１  入力蛍光面
２２  光電面
２３  集束電極
２４  陽極
２５  出力蛍光面
２６  筐体
２７  集束電源
２８  加速電源
３０  光学レンズ
４０  ラインセンサ
４１，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ  半導体素子
４２  基板
４３  スリット
４３ａ  遮光部
４３ｂ  透過部
５０  ラインセンサ
６０  搬送部
６１  テーブル
７０  Ｘ線照射装置
７１  可視光線照射装置
８０  制御部
８１  Ｘ線発生制御部
８２  テーブル制御部
８３  画像生成部
８４  移動部
８５  可視光線制御部
ＬＮ１〜ＬＮ１１  半導体素子のライン
Ｐ１  照射位置
ＰＬ  ラインが配置される平面
ＲＧ１，ＲＧ２，ＲＧ３，ＲＧ４  可視光線が入射する基板上の領域
ＶＬ  可視光線
ＷＫ  ワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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