(57)【要約】【課題】            短時間で効率よくボンディングツールを冷却できるボンディングツール冷却装置およびこれを備えたボンディング装置ならびにボンディングツール冷却方法を提供すること。【解決手段】        半導体チップ部品を吸着保持するアタッチメントツールと、アタッチメントツールを加熱するヒータと、アタッチメントツールをヒータに吸着保持する吸着機構とを備えるボンディングツールを冷却するボンディングツール冷却装置であって、アタッチメントツール面に接触して冷却を行う冷却部材を備え、前記冷却部材が、半導体チップ部品を水平方向に搬送する搬送手段に設けられているボンディングツール冷却装置およびこれを備えたボンディング装置ならびにボンディングツール冷却方法を提供する。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ部品を吸着保持するアタッチメントツールと、アタッチメントツールを加熱するヒータと、アタッチメントツールをヒータに吸着保持する吸着機構とを備えるボンディングツールを冷却するボンディングツール冷却装置であって、
アタッチメントツール面に接触して冷却を行う冷却部材を備え、
前記冷却部材が、半導体チップ部品を水平方向に搬送する搬送手段に設けられているボンディングツール冷却装置。
【請求項２】
請求項１に記載のボンディングツール冷却装置であって、
前記冷却部材に吸着孔を設け、
前記吸着孔内を減圧することで、前記アタッチメントツールを吸着保持する機能を有するボンディングツール冷却装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のボンディングツール冷却装置であって、
前記搬送手段が、半導体チップ部品を画像認識する認識手段とボンディングツールの間の高さに半導体チップ部品を搬送するボンディングツール冷却装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載のボンディングツール冷却装置を備え、
前記ボンディングツールを用いて、半導体チップ部品を加熱および押圧して回路基板に実装するボンディング装置。
【請求項５】
請求項４に記載のボンディング装置であって、
複数のボンディングツールを備え、１つのボンディングツールが前記半導体チップ部品を前記回路基板に実装しているときに、前記ボンディングツール冷却装置が他のボンディングツールを冷却する機能を有するボンディング装置。
【請求項６】
半導体チップ部品を吸着保持するアタッチメントツールと、アタッチメントツールを加熱するヒータと、アタッチメントツールをヒータに吸着保持する吸着機構とを備えるボンディングツールを冷却するボンディングツール冷却方法であって、
アタッチメントツールが半導体チップ部品を回路基板にボンディングした後、上昇し半導体チップ部品の供給を待機している際に、
半導体チップ部品を搬送する搬送手段をアタッチメントツールの下方に移動させて、
搬送手段に設けられた冷却部材とアタッチメントツールを接触させ、
アタッチメントツール面を冷却するボンディングツール冷却方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体チップ部品を回路基板に加熱および押圧し実装するボンディング装置のボンディングツール冷却装置およびボンディングツール冷却方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ部品を回路基板に実装する方法として、熱圧着工法やはんだ工法などが用いられている。熱圧着工法ではボンディングツールに設けられたセラミック製のヒータを高速で昇温し半導体チップ部品と回路基板の間に充填された熱硬化性樹脂フィルム又は熱硬化性樹脂ペーストを加熱硬化させて熱圧着している。また、はんだ工法では、ボンディングツールをはんだ溶融温度まで昇温させて半導体チップ部品を回路基板に実装した後、固相温度以下まで冷却させて次の半導体チップ部品の実装を行うようにしている。
【０００３】
半導体チップ部品を回路基板に実装するボンディング装置は、図１３に示すような構造となっている。ボンディング装置１００には、半導体チップ部品４を吸着保持して回路基板２に押圧および加熱するボンディングツール１０と、回路基板２を吸着保持する基板ステージ２０から構成されている。ボンディング装置１と半導体チップ部品４の供給部との間は、半導体チップ部品４を水平搬送する搬送手段２５にチップスライダ２６が設けられている。チップスライダ２６で搬送された半導体チップ部品４は、ボンディングツール１０に受け渡されるようになっている。
【０００４】
ボンディングツール１０は、図１４に示すような構造となっている。ボンディングツール１０の先端にはホルダー部１１が設けられており、ホルダー部１１の下面にはヒータベース１２が取り付けボルトにより固定されている。ヒータベース１２の下面には断熱ブロック１３を介してヒータ１４が配置されており、ヒーター１４と断熱ブロック１３、断熱ブロック１３とヒーターベース１２はそれぞれ図示しないボルトにより固定されている。ヒータ１４の下面には半導体チップ部品４を吸着保持するアタッチメントツール１５が設けられている。断熱ブロック１３およびヒータ１４にはアタッチメント吸着用流路１７が形成されており、該流路を経由してアタッチメントツール１５が真空吸引される。断熱ブロック１３には冷却エアー流路１８が形成されており、図示していない圧空源より圧空が供給されヒータ１４上面にエアーを吹き付けて冷却するように構成されている。
【０００５】
ボンディングツール１０の冷却は、アタッチメントツール１５が半導体チップ部品４を受け取る際に、ヒータ１４が高温のまま受け取ると、半導体チップ部品４のバンプ５先端部のはんだが溶融または軟化して変形したりすることを防止するために行われている。半導体チップ部品４の回路面に樹脂フィルムがラミネートされている場合は、樹脂フィルムが高温のため反応して硬化が進んでしまうことを防止しするためボンディングツール１０の冷却が必要となっている。
【０００６】
はんだが溶融や軟化によって変形すると、半導体チップ部品４の回路基板２への接合の際にバンプ５が均等に接触せずに接続不良を起こす問題がある。また樹脂フィルムの硬化が促進すると半導体チップ部品４のバンプ５と回路基板２の電極３との間の樹脂が排除されなくて接続不良を起こす問題がある。そのため、ヒータ１４は接合性に影響の無い温度まで十分に冷却させる必要がある。しかしながら、図５のようにヒータ１４の裏面を冷却させるだけでは、アタッチメントツール１５の熱容量が大きいため冷却に時間がかかりタクトタイムが長くなると言う問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開番号ＷＯ２０１４／０８７７４０公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このようなタクトタイムの問題に対して、特許文献１ではヒータの冷却時間を早くする方法として、アタッチメントツールを直接放熱部材に当接させて、熱伝搬により冷却させる方法を開示している。しかしながら、特許文献１に記載の冷却方法では、ボンディング終了後にボンディングツールが上昇し、放熱部材ユニットに当接させる位置へ基板ステージが移動して、ボンディングツールを下降させて冷却するステップが必要となり、これらの余分なタクトタイムを要してしまい、生産効率を落としてしまう問題がある。
【０００９】
そこで、本発明の課題は短時間で効率よくボンディングツールを冷却できるボンディングツール冷却装置およびこれを備えたボンディング装置ならびにボンディングツール冷却方法を提供することとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
半導体チップ部品を吸着保持するアタッチメントツールと、アタッチメントツールを加熱するヒータと、アタッチメントツールをヒータに吸着保持する吸着機構とを備えるボンディングツールを冷却するボンディングツール冷却装置であって、
アタッチメントツール面に接触して冷却を行う冷却部材を備え、
前記冷却部材が、半導体チップ部品を水平方向に搬送する搬送手段に設けられているボンディングツール冷却装置である。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のボンディングツール冷却装置であって、
前記冷却部材に吸着孔を設け、前記吸着孔内を減圧することで、前記アタッチメントツールを吸着保持する機能を有するボンディングツール冷却装置である。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載のボンディングツール冷却装置であって、
前記搬送手段が、半導体チップ部品を画像認識する認識手段とボンディングツールの間の高さに半導体チップ部品を搬送するボンディングツール冷却装置である。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載のボンディングツール冷却装置を備え、
前記ボンディングツールを用いて、半導体チップ部品を加熱および押圧して回路基板に実装するボンディング装置である。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載のボンディング装置であって、
複数のボンディングツールを備え、１つのボンディングツールが前記半導体チップ部品を前記回路基板に実装しているときに、前記ボンディングツール冷却装置が他のボンディングツールを冷却する機能を有するボンディング装置である。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、
半導体チップ部品を吸着保持するアタッチメントツールと、アタッチメントツールを加熱するヒータと、アタッチメントツールをヒータに吸着保持する吸着機構とを備えるボンディングツールを冷却するボンディングツール冷却方法であって、
アタッチメントツールが半導体チップ部品を回路基板にボンディングした後、上昇し半導体チップ部品の供給を待機している際に、
半導体チップ部品を搬送する搬送手段をアタッチメントツールの下方に移動させて、
搬送手段に設けられた冷却部材とアタッチメントツールを接触させ、
アタッチメントツール面を冷却するボンディングツール冷却方法である。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１に記載の発明によれば、アタッチメントツール面に接触して冷却する冷却部材を備えたので、短時間に効率よくボンディングツールを冷却することが出来る。しかも、冷却部材が半導体チップ部品を搬送する搬送手段に設けられているので、ボンディングツールを冷却後すぐに、半導体チップ部品をアタッチメントツールに供給でき受け渡し時間が短縮される。
【００１７】
請求項２に記載の発明によれば、アタッチメントツールをボンディングツールによる吸着から解除して冷却部材側が吸着することでチップスライダーへの受け渡しが行える。これにより、ボンディングツールからアタッチメントツールが分離し、ボンディングツール側の熱容量減少、アタッチメントツール側の空冷面積増加などにより、冷却の高速化が図れる。
【００１８】
請求項３に記載の発明によれば、搬送手段が半導体チップ部品を画像認識する認識手段とボンディングツールの間の高さに半導体チップ部品を搬送するので、ボンディングツールへの半導体チップ部品の受け渡しを最短距離で行うことができ受け渡し時間を短縮できる。また、半導体チップの受け渡し動作中に、２視野の認識手段の基板側を認識する下視野の認識手段によって、基板に実装された半導体チップの位置ずれ量を測定することも出来る。
【００１９】
請求項４の発明によれば、効率よく冷却されたボンディングツールにより、半導体チップ部品をピックアップするので、接続不良のない実装を短いタクトタイムで行うことが出来る。
【００２０】
請求項５の発明によれば、１つのボンディングツールが半導体チップ部品を基板に実装するのと同時に、他のボンディングツールを冷却するので、冷却待ち時間のない連続的な実装が可能になる。
【００２１】
請求項６に記載の発明によれば、アタッチメントツールが半導体チップ部品を回路基板にボンディングした後、上昇し半導体チップ部品の供給を待機している際に、半導体チップ部品を搬送する搬送手段をアタッチメントツールの下方に移動させて、搬送手段に設けられた冷却部材とアタッチメントツールを接触させ、アタッチメントツール面を冷却するので、非接触で短時間に効率よくボンディングツールを冷却することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態に係るボンディング装置の概略側面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る搬送手段の斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る搬送手段の概略平面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る冷却部材の昇温防止策である、（ａ）冷却部材を気体で冷却する方法、（ｂ）冷却部材をヒートシンクに接続する方法、（ｃ）冷却部材の熱容量を増す方法、（ｄ）放熱フィンを設ける方法を説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態に係るボンディング装置の動作フローチャートである。
【図６】チップスライダから半導体チップ部品をピックアップする際の、（ａ）半導体チップ部品をボンディングツール直下に配置した状態、（ｂ）ボンディングツールを下降させた状態、（ｃ）ボンディングツールのアタッチメントツールが半導体チップ部品をピックアップした状態、を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る冷却部材を用いてボンディングツールを冷却する際の、（ａ）ボンディングツール直下に冷却部材が配置されるようチップスライダーを移動させる状態、（ｂ）ボンディングツール直下に冷却部材が配置された状態、（ｃ）ボンディングツールを下降させてアタッチメントツール表面を冷却部材で冷却している状態、を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る冷却部材が吸着孔を有している場合の、（ａ）ボンディングツール直下に冷却部材が配置された状態、（ｂ）ボンディングツールを下降させてアタッチメントツール表面に冷却部材を接触させた状態（ｃ）ボンディングツールを上昇させる際にアタッチメントツールの吸着を解除してアタッチメントツールをチップスライダに受け渡した状態、を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る冷却部材とボンディングツールの接近方法の変形であり、チップスライダーに設けた突出ピンにより、（ａ）冷却部材を下降させた状態、（ｂ）冷却部材を上昇させた状態、を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る冷却部材とボンディングツールの接近方法の変形例であり、チップスライダーに設けた蛇腹により、（ａ）冷却部材を下降させた状態、（ｂ）冷却部材を上昇させた状態、を示す図である。
【図１１】本発明の別の実施の形態に係るボンディング装置の概略側面図である。
【図１２】本発明の別の実施の形態に係るボンディング装置の動作フローチャートである。
【図１３】ボンディング装置の概略側面図である。
【図１４】ボンディングツールの構造を説明する概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図１において、ボンディング装置１に向かって左右方向をＸ軸、手前方向をＹ軸、Ｘ軸とＹ軸とで構成されるＸＹ平面に直交する軸をＺ軸、Ｚ軸を中心として回転する方向をθ方向とする。また、ボンディング装置１において、図１３のボンディング装置１００と共通する構成要素については同じ記号を用いる。
【００２４】
ボンディング装置１は、回路基板２に半導体チップ部品４（以後、チップ部品４と呼ぶ）を押圧および加熱するボンディングツール１０と、回路基板２を吸着保持する基板ステージ２０と、チップ部品４をボンディングツール１０に水平搬送する搬送手段２５と、チップ部品４に付されたアライメントマークを画像認識する上視野の認識手段と回路基板２に付されたアライメントマークを画像認識する下視野の認識手段を備えた２視野の認識手段３０と、ボンディング装置１の全体を制御する制御部５０とから構成されている。
【００２５】
ボンディングツール１０は、図１４に示すような構造で背景技術で説明した部材から構成されている。
【００２６】
搬送手段２５は、図２に示す例のように、チップ部品４をチップ供給部からアタッチメントツール１５の下方に水平搬送するチップスライダ２６と搬送レール２７とから構成されている。チップスライダ２６は、ボンディングツール１０と認識手段３０との間の高さに半導体チップ部品を搬送するようになっている。図３には、チップスライダ２６をＺ方向上側より参照した状態を示す。チップスライダ２６にはチップ部品４を吸着保持するチップ吸着部２８とアタッチメントツール１５に面接触することでボンディングツール１０を冷却する冷却部材２９が設けられている。
【００２７】
冷却部材２９としては熱伝導率が高く（５０W／ｍ・K以上）、熱変形しないものが好ましく、具体的な材料としては、伝熱性と耐熱性を備えたものとして、窒化アルミニウムやシリコンカーバイド等のセラミックスを用いることが出来るがこれに限定されるものではない。また、冷却部材２９を用いたボンディングヘッド冷却装置として、冷却部材２９がアッタチメントツール１５からの受熱により温度上昇することは好ましくない。このため、冷却部材２９の温度上昇防止手段を設けておくことが望ましい。その具体例の幾つかを図４に示す。図４（ａ）はノズル２９Ｎから気体を噴出して冷却部材２９を冷却するものであり、図４（ｂ）は低温のヒートシンク２９Ｓと冷却部材２９を伝熱部材で接続して冷却するものであり、図４（ｃ）は冷却部材２９の熱容量を増して温度上昇を和らげるものであり、図４（ｄ）は冷却部材２９に放熱ファン２９Ｆを設けて放熱を行うものであるが、これらを組合わせてもよいし、別の温度上昇防手段を儲けてもよい。
【００２８】
このような構成のボンディング装置１を用いてチップ部品４を回路基板２に実装する動作を図５に示すフローチャートを参照しながら説明する。
【００２９】
まず、搬送手段２５のチップスライダ２６が、ボンディングツール１０の下側に配置されるようチップ部品４をを搬送し（図６（ａ））、ボンディングツール１０が下降し（図６（ｂ））、チップスライダ２６からチップ部品４をピックアップ（図６（ｃ））する（ステップＳＴ０１）。チップスライダ２６はチップ部品供給部へ移動し、ボンディングツール１０は待機位置に上昇する。
【００３０】
同時に、２視野の認識手段３０を回路基板２とボンディングツール１０の間に挿入する。次に認識手段はチップ部品４と回路基板２に付されたアライメントマークを画像認識する（ステップＳＴ０２）。
【００３１】
次に、２視野の認識手段３０を待機位置に移動させ、前記で画像認識したデータを基に、ボンディングツール１０をθ方向、基板ステージ２０をＸＹ方向に位置合わせする（ステップＳＴ０３）。
【００３２】
次に、ボンディングツール１０を下降する（ステップＳＴ０４）。
【００３３】
次に、ボンディングツール１０のヒータ１４を昇温し、チップ部品４を回路基板２にボンディングする（ステップＳＴ０５）。
【００３４】
次に、ボンディングツール１０を待機位置まで上昇させる（ステップＳＴ０６）。
【００３５】
次に、ボンディングツール１０に設けられた冷却エアー流路１８に冷却エアーを供給しヒータ１４の内部冷却を開始する（ステップＳＴ０７）。
【００３６】
次に、図７（ａ）から図７（ｂ）に示すようにチップスライダ２６の冷却部材２９をボンディングツール１０の下側に移動させてから、ボンディングツールを下降させてアタッチメントツール１５を冷却部材２９に接触させ（図７（ｃ））、アタッチメントツール１５の表面冷却を開始する（ステップＳＴ０９）。なお、チップスライダ２６は次にボンディングするチップ部品４がチップ吸着部２８に吸着されている状態で移動する。
【００３７】
同時に、２視野の認識手段３０を回路基板２とボンディングツール１０の間に挿入する。
【００３８】
なお、図８（ａ）に示すような吸着孔２９Ｖを冷却部材２９に設けて、図示しない減圧機構と連通することにより、アタッチメントツール１５をチップスライダー２６に受け渡す機能も備えることができる。すなわち、アタッチメントツール１５を冷却部材２９に接触（図８（ｂ））させた後に、吸着孔２９Ｖ内を減圧するとともに、アタッチメント吸着用流路１７（図１４参照）を経由した（ボンディングツール１０による）アタッチメントツール１５の吸着保持を解除すれば、アタッチメントツール１５はヒータ１４から離れ、チップスライダ２６側で吸着保持することで受け渡しが完了する（図８（ｃ））。こうすることにより、ヒータ１４の熱容量が小さくなって高速な冷却ができる。また、アタッチメントツール１５が空気に触れる面積も増すので、冷却効率が上がって、冷却の高速化が図れる。
【００３９】
次に、ヒータ１４が適温に達したかどうかを確認する（ステップＳＴ１０）。はんだ工法の場合、ヒータ１４がはんだ溶融しない温度、例えば１５０℃以下が適温となり、樹脂を用いた熱圧着工法の場合、樹脂の硬化反応が始まらない温度、例えば８０℃以下が適温となる。
【００４０】
次に、適温に達したらヒータ１４の内部を冷却する冷却エアーの停止と、ボンディングツール１０の上昇（図７（ｂ）と同様な配置、チップスライダ２６の冷却部材２９とアタッチメントツール１５の接触を解除）してボンディングツール１０の冷却を終了する（ステップＳＴ１１）。
【００４１】
次に、チップスライダ２６を移動し、アタッチメントツール１５の下側にチップ部品４が位置する（図６（ａ）と同様な配置）ようにする（ステップＳＴ１２）。
【００４２】
次に、ボンディングツール１０が下降し、チップスライダ２６からチップ部品４がピックアップされる（ステップＳＴ１３）。
【００４３】
次に、ステップＳＴ０２に戻り、順次、チップ部品４のボンディングとボンディングツール１０の冷却が繰り返される。
【００４４】
このように、チップ部品４を水平搬送するチップスライダ２６にアタッチメントツール１５に接触して冷却を行う冷却部材２９を設けることで、効率よくボンディングツール１０の冷却が行えるとともに、ボンディングツール１０を冷却後すぐに、半導体チップ部品をアタッチメントツールに供給でき受け渡し時間を短縮することが出来る。
【００４５】
またステップＳＴ０７からステップＳＴ１３までの間の時間を利用して、２視野の認識手段３０の下視野の認識手段で、回路基板２に搭載されたチップ部品４の位置ずれ量の測定を行う事が出来る。
【００４６】
なお、ここまでは、冷却部材２９をアタッチメントツール１５に接触させるために、ボンディングツール１０を下降させる例について説明してきたが、冷却部材２９をチップスライダー２６上で上昇させて冷却部材２９をアタッチメントツール１５に接触させてもよい。そのような変形例を図９および図１０に示す。図９においては、シリンダ２９Ｓに沿って上下するピン２９Ｅによって、冷却部材２９を下降した状態（図９（ａ））と上昇させた状態（図９（ｂ））を示している。また図１０においては、蛇腹２９Ｂによって、冷却部材２９を下降した状態（図１０（ａ））と上昇させた状態（図１０（ｂ））を示している。このように冷却部材２９を上下させる場合においても、冷却部材の温度上昇を防ぐ手段を設けることが好ましく、図９の例におては冷却気体を噴出するノズル２６Ｎを設けている。
【００４７】
ところで、図１に示すボンディング装置１の搬送手段２５は、複数のボンディンツールを有するボンディング装置に用いてもよく、効率的な動作を行うことを可能にしている。その一例を、別の実施形態として図１１に示す。図１１のボンディング装置２００は、ボンディングツール１０Ａとボンディングツール１０Ｂの２つのボンディングツールを備えている。搬送手段２５は、１つのチップスライダ２６が両ボンディングツールにチップ部品４を供給する。ボンディングツール１０Ａとボンディングツール１０Ｂは、図１および図１４に示すボンディングツール１０と同じ構造を有するものである。
【００４８】
図２のような構造の搬送手段２５を有したボンディング装置２００において、一方のボンディングツールの直下にチップスライダ２６が存在するときは、他のボンディングツールの直下は空き空間となる。このため、例えば、チップスライダ２６の冷却部材２９によりボンディングツール１０Ａのアタッチメントツール１５Ａを冷却しているのと同時に、ボンディングツール１０Ｂはチップ部品４を回路基板２にボンディングすることが出来る。
【００４９】
図１２は、図１１のボンディング装置２００における、ボンディングツール１０Ａとボンディングツール１０Ｂの動作および各動作時におけるチップスライダ２６の位置を記したものである。図１２において、ボンディングツール１０Ａの動作ステップを表すＳＴＡ０１〜ＳＴＡ１２およびボンディングツール１０Ｂの動作ステップを表すＳＴＢ０１〜ＳＴＢ１２は、図５に示した（ボンディングツール１０）のＳＴ０１〜ＳＴ１２と同じ動作ステップである。図１２に示すように、ボンディング装置２００では、一方のボンディングツール１０Ａ（１０Ｂ）が冷却を行っている間に、他方のボンディングツール１０Ｂ（１０Ａ）がチップ部品４のピックアップから始まるボンディング動作をおこなっている。すなわち、常時、いずれか一方のボンディングツールがボンディングを行っており、冷却待ち時間のない連続的なボンディングを実現することが出来る。
【符号の説明】
【００５０】
１、１００、２００    ボンディング装置
２    回路基板
３    電極
４    半導体チップ部品（チップ部品）
５    バンプ
１０、１０Ａ、１０Ｂ    ボンディングツール
１１    ホルダー部
１２    ヒータベース
１３    断熱ブロック
１４    ヒータ
１５    アタッチメントツール
１６    チップ吸着用流路
１７    アタッチメント吸着用流路
１８    冷却エアー流路
２０    基板ステージ
２５    搬送手段
２６    チップスライダ
２７    搬送レール
２８    チップ吸着部
２９    冷却部材
３０    認識手段
５０    制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2017183616.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2017183616.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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