(57)【要約】【課題】第一電極と第二電極との間に短絡が生じることを抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１００では、透明電極２は、第一電極２１、第二電極２２、及び第一電極２１と第二電極２２との間の間隙５を備え、間隙５の底部では、透明基板１が露出していると共に、レーザーの照射で形成される少なくとも一本の線状痕６が形成されていて、間隙５の中心軸は、透明電極２の外縁に含まれる一点と、透明電極２の外縁に含まれる他点とを結ぶ直線状であり、線状痕６は中心軸に沿った直線状である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と接続される第一電極、前記対向電極と接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される少なくとも一本の線状痕が形成されていて、
前記間隙の中心軸は、前記透明電極の外縁に含まれる一点と、前記透明電極の外縁に含まれる他点とを結ぶ直線状であり、
前記線状痕は、前記中心軸に沿った直線状である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と接続される第一電極、前記対向電極と接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される少なくとも一本の線状痕が形成されていて、
前記間隙の中心軸は、前記透明電極の外縁に含まれる一点と、前記透明電極の外縁に含まれる他点とを結ぶ曲線状であり、
前記線状痕は、前記中心軸に沿った曲線状である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記透明導電層の外縁に含まれる一点と、前記透明導電層の外縁に含まれる他点とを結ぶ直線状の中心軸に沿った、直線状の間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記中心軸に沿って直線状に移動させる透明電極板の製造方法。
【請求項４】
透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記透明導電層の外縁に含まれる一点と、前記透明導電層の外縁に含まれる他点とを結ぶ曲線状の中心軸に沿った、曲線状の間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記中心軸に沿って曲線状に移動させる透明電極板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザーの照射によってパターニングされた透明電極板の製造方法と、この透明電極板を備える有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）、太陽電池等の光電変換素子における、透明電極の材料として、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、酸化亜鉛等の透明導電酸化物が使用される。
【０００３】
透明電極は透明基板上に設けられると共に、透明電極の上には有機層及び対向電極が積層される。また、透明電極は、有機層と電気的に接続される第一電極と、対向電極と電気的に接続される第二電極とを備える。第一電極と第二電極との間には間隙が存在し、この間隙によって第一電極と第二電極とが絶縁されている。第一電極と対向電極との間に電圧を印加することで、有機層から光が発せられる。
【０００４】
第一電極と第二電極との間の間隙は、透明導電酸化物製の透明導電層にパターニングを施すことで形成される。
【０００５】
パターニングの方法として、例えば、透明導電層に、ウェットエッチングを施す方法が挙げられる。しかし、ウェットエッチングは、酸廃液を処理するためのコストが大きいという問題があった。
【０００６】
ウェットエッチング以外の方法として、例えば、特許文献１には、透明フィルム表面に形成された透明導電膜に対し、ＵＶレーザーを走査してパターニングする方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２４３０５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１に記載の方法の場合、レーザー加工で形成された間隙の電気抵抗値が部分的に低くなることがあった。電気抵抗値が低い部分では、第一電極と第二電極との間が十分に電気的に絶縁されないため、第一電極と第二電極との間に短絡が生じることがあった。
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、透明導電層を備える透明電極板における、レーザー加工によるパターニングによって形成された第一電極と第二電極との間に短絡が生じることを抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子、及び透明電極板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と接続される第一電極、前記対向電極と接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される少なくとも一本の線状痕が形成されていて、
前記間隙の中心軸は、前記透明電極の外縁に含まれる一点と、前記透明電極の外縁に含まれる他点とを結ぶ直線状であり、
前記線状痕は、前記中心軸に沿った直線状である。
【００１１】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と接続される第一電極、前記対向電極と接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される少なくとも一本の線状痕が形成されていて、
前記間隙の中心軸は、前記透明電極の外縁に含まれる一点と、前記透明電極の外縁に含まれる他点とを結ぶ曲線状であり、
前記線状痕は、前記中心軸に沿った曲線状である。
【００１２】
本発明に係る透明電極板の製造方法は、透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記透明導電層の外縁に含まれる一点と、前記透明導電層の外縁に含まれる他点とを結ぶ直線状の中心軸に沿った、直線状の間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記中心軸に沿って直線状に移動させる。
【００１３】
本発明に係る透明電極板の製造方法は、透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記透明導電層の外縁に含まれる一点と、前記透明導電層の外縁に含まれる他点とを結ぶ曲線状の中心軸に沿った、曲線状の間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記中心軸に沿って曲線状に移動させる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、透明導電層を備える透明電極板における、レーザー加工によるパターニングによって形成された第一電極と第二電極との間に短絡が生じることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略の断面図である。
【図２】第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略の平面図である。
【図３】第一の実施形態の透明電極板の概略の平面図である。
【図４】第一の実施形態の透明電極の間隙の底部に形成された線状痕の概略の拡大図である。
【図５】図５Ａ、図５Ｂはレーザーの照射位置の移動速度を変化させて形成した線状痕を示す。図５Ａは、各移動速度の線状痕の拡大図であり、図５Ｂは各移動速度の線状痕の形状を接触式段差計で測定した結果を示している。
【図６】第二の実施形態に係る透明電極板の概略の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態を説明する。
【００１７】
第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００を図１、２に示し、第一の実施形態に係る透明電極板１０を図３に示す。
【００１８】
第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００では、透明基板１上に透明電極２を備える透明電極板１０の上に、有機層３、及び対向電極４が、この順に積層されている。透明電極２は、有機層３と接続される第一電極２１、対向電極４と接続される第二電極２２、及び第一電極２１と第二電極２２との間の間隙５を備える。間隙５の底部では、透明基板１が露出していると共に、レーザーの照射で形成される少なくとも一本の線状痕６が形成されている。間隙５の底部には、線状痕６が複数本形成されていてもよく、線状痕６が一本だけ形成されていてもよい。間隙５の中心軸は、透明電極２の外縁に含まれる一点と、透明電極２の外縁に含まれる他点とを結ぶ直線状である。線状痕６は中心軸に沿った直線状である。
【００１９】
第一の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法では、まず、透明基板１上に透明導電層２０を備える板の透明導電層２０の表面にレーザー加工を施すことで、透明導電層２０の外縁に含まれる一点と、透明導電層２０の外縁に含まれる他点とを結ぶ直線状の中心軸に沿った、直線状の間隙５を形成する。間隙５の形成にあたっては、透明導電層２０上でレーザーの照射する位置を中心軸に沿って直線状に移動させる。
【００２０】
第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００、及び透明電極板１０の製造方法では、間隙５における線状痕６が間隙５の中心軸に沿った直線状である。このため、間隙５の底部の電気抵抗値の低下が生じにくい。このため、第一電極２１と第二電極２２との間を十分に電気的に絶縁することができる。これにより、第一電極２１と第二電極２２との間に、短絡が生じることを防ぐことができる。
【００２１】
以下、第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００、及び透明電極板１０の製造方法について更に詳しく説明する。
【００２２】
まず、第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の構成について説明する。
【００２３】
有機ＥＬ素子１００は、図１に示すように、透明電極板１０、有機層３、及び対向電極４を備える。
【００２４】
透明電極板１０は、透明基板１と、透明電極２とを備える。
【００２５】
透明基板１は、光透過性を有する。透明基板１は、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラスなどのガラス、並びにポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂などのプラスチックからなる群から選択される一種以上の材料製である。
【００２６】
透明電極２は、透明基板１の上に設けられている。透明電極２の材料として、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料が挙げられる。このような材料としては、例えば、ＣｕＩ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯなどが挙げられる。透明電極２は、特にＩＴＯ製であることが好ましい。透明電極２は、第一電極２１、と第二電極２２とを備える。
【００２７】
有機層３は、透明電極板１０の上に設けられている。有機層３は、第一電極２１と重複しているが、第二電極２２とは重複していない（図１参照）。有機層３は、電圧が印加されると光を発する発光層を備える。発光層は、有機ＥＬ素子用の材料として公知の材料から形成され得る。発光層は、例えば、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、トリス（５−フェニル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−（ｐ−ターフェニル−４−イル）アミン、１−アリール−２，５−ジ（２−チエニル）ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、及び各種の蛍光色素等からなる群から選択される一種以上の材料から形成される。また、蛍光発光を生じる材料のみならず、燐光発光等のスピン多重項発光を生じる材料、スピン多重項発光を生じる部位を分子内の一部に有する化合物などが用いられてもよい。発光層は、蒸着法、転写法などの乾式プロセスによって形成されても、塗布法などの湿式プロセスによって形成されてもよい。
【００２８】
有機層３は、更に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層及び電子注入層から選択される一種以上の層を備えてもよい。これらの層は、公知の有機ＥＬ素子に適用されている適宜の材料から、公知の方法により形成され得る。
【００２９】
対向電極４は、有機層３の上に設けられている。対向電極４は、有機層３及び第一電極２１と重複している（図１ｄ参照）。対向電極４は引き出し電極４１によって第二電極２２と接続されている（図１、２参照）。対向電極４は、光反射性を有することが好ましい。対向電極４と引き出し電極４１は同一物質で形成されてもよく、同時に同一プロセスで形成されてもよいし、異なる物質で異なるプロセスで形成されてもかまわない。この場合、有機層３から第一電極２１及び透明基板１を介して、光が外部へ取り出される。対向電極４及び引き出し電極４１の材料としては、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物からなる電極材料が挙げられる。このような材料としては、例えば、ナトリウム、リチウム、マグネシウム、アルミニウムなどが挙げられる。
【００３０】
また、有機ＥＬ素子１００は、封止されていてもよい。例えば、有機層３及び対向電極４を囲む枠、及び透明電極板１０と対向する基板によって、有機ＥＬ素子１００が封止されていてもよい。
【００３１】
次に、第一の実施形態に係る透明電極板１０について、更に詳しく説明する。
【００３２】
透明電極板１０は、透明基板１と透明電極２とを備える（図１参照）。この透明電極２は、第一電極２１、第二電極２２、及び第一電極２１と第二電極２２との間の間隙５を備える。間隙５によって第一電極２１と第二電極２２とが隔てられている（図３参照）。
【００３３】
第二電極２２は、一つであってもよく、二つ以上であってもよい。第一の実施形態では、透明電極２は二つの第二電極２２を備える。第二電極２２は、第二電極２２１及び第二電極２２２を備える。第一の実施形態では、第一電極２１と第二電極２２１とが間隙５（５１）によって隔てられ、第一電極２１と第二電極２２２とが間隙５（５２）によって隔てられている（図３参照）。間隙５１は、透明電極２の外縁に含まれる点Ａ１と、透明電極２の外縁に含まれる点Ａ１とは異なる点Ｂ１とを結ぶ直線状の中心軸（以下、中心軸Ｘ１とする）に沿っている。また、間隙５２は、透明電極２の外縁に含まれる点Ａ２と、透明電極２の外縁に含まれる点Ａ２とは異なる点Ｂ２とを結ぶ直線状の中心軸（以下、中心軸Ｘ２とする）に沿っている。
【００３４】
第一電極２１の表面には発光領域７がある。発光領域７は、第一電極２１における、有機層３、及び対向電極４と重複する部分である。発光領域７の外周は、透明電極２の外周よりも内側にある。発光領域７の形状は、特に限定されないが、例えば、矩形、六角形、六角形以上の多角形、及び楕円形を挙げることができる。第一の実施形態の発光領域７は、例えば、矩形状である（図３参照）。
【００３５】
第一の実施形態では、間隙５は直線状である。間隙５の、中心軸と交差する方向の寸法は小さいことが好ましい。具体的には、間隙５１の中心軸Ｘ１と交差する方向の寸法Ｒ１、及び間隙５２の中心軸Ｘ２と交差する方向の寸法Ｒ２は、それぞれ２０〜５０００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００３６】
間隙５の底部では、透明基板１の表面が露出している。透明基板１の露出している部分には、線状痕６が形成されている。第一の実施形態では、線状痕６が複数本並んで形成されているが、これに限られず、例えば、線状痕６が一本だけ形成されていてもよい。この線状痕６は直線状である。線状痕６は、間隙５の中心軸に沿っている。第一の実施形態では、間隙５１の線状痕６は中心軸Ｘ１に沿っていて、間隙５２の線状痕６は中心軸Ｘ２に沿っている。線状痕６は、透明電極２の外周上の一端から、透明電極２の外周の他端まで連続している。すなわち、線状痕６は途中で途切れていない。
【００３７】
線状痕６は、図４に示すように、複数の単パルス加工痕６０から構成される。単パルス加工痕６０とは、発振周波数をもつレーザーの、１パルスの照射により形成される加工痕のことである。図４においては単パルス加工痕６０が円形である場合の例を示している。線状痕６を構成する単パルス加工痕６０は、重なりあいながら、直線状に並んでいる。また、線状痕６と交差する方向に隣り合う単パルス加工痕６０は、一部重なっている。光学系を利用することで、円形の加工痕、楕円形の加工痕、四角形の加工痕等を形成することができる。このため、単パルス加工痕６０は円形に限られず、円形、楕円形、四角形等のさまざまな形の加工痕であってもよい。
【００３８】
次に、第一の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法について説明する。
【００３９】
まず、透明基板１上に透明導電層２０を備える板を用意する。この透明導電層２０は、第一電極２１及び第二電極２２と同じ材料から作製される。
【００４０】
続いて、透明導電層２０の表面に、光電変換領域７０を規定する。光電変換領域７０は、図３に示すように、有機ＥＬ素子１００の発光領域７に相当する領域である。
【００４１】
次に、透明導電層２０の表面にレーザー加工を施す。具体的には、透明導電層２０に対してレーザーを照射して、透明導電層２０におけるレーザーが照射された部分を除去する。
【００４２】
第一の実施形態では、透明基板１上に透明導電層２０が積層されているが、この透明導電層２０にレーザーを照射しても、透明基板１は除去されない。これは、透明導電層２０及び透明基板１の材料に応じたレーザーの種類、及び周波数を有するレーザーを照射するためである。このため、第一の実施形態では、例えば透明基板１の材料が無アルカリガラスであって、透明導電層２０の材料が酸化インジウム錫である場合、透明導電層２０に照射するレーザーの波長は、５００〜２０００μｍであることが好ましい。また、レーザーの周波数は１〜１０００ｋＨｚの範囲内であることが好ましい。
【００４３】
透明導電層２０に照射するレーザーの照射位置を移動させることによって、透明導電層２０が線状に取り除かれると共に、線状に透明基板１が露出する。
【００４４】
透明導電層２０にレーザーを照射して透明導電層２０を取り除く際、熱が発生する。この熱影響により、露出した透明基板１の表面に痕が形成される。透明導電層２０に照射したレーザーがパルスレーザーである場合、露出した透明基板１の表面に、図４に示す単パルス加工痕６０が形成される。
【００４５】
レーザーの照射位置を移動させて透明導電層２０を線状に取り除き、線状に透明基板１を露出させると、この透明基板１の表面には、重なり合いながら線状に並んだ複数の単パルス加工痕６０が形成される。複数の単パルス加工痕６０が重なり合いながら線状に並んだものが、線状痕６である。例えば、図４に示す黒矢印に沿ってレーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０にレーザーを照射することにより、図４に示す線状痕６が形成される。
【００４６】
レーザー加工の性質として、先に照射されたレーザーによる加工は、後に照射されたレーザーによる影響を受けないことが挙げられる。これは、先に照射されたレーザーによって透明導電層２０が取り除かれると、その後レーザーを照射しても透明導電層２０が既に取り除かれているため、透明導電層２０を取り除く際の熱が発生せず、透明基板１に痕が形成されないためと考えられる。
【００４７】
このため、図４に示すように、先に照射されたレーザーの単パルス加工痕６０１は、レーザーの照射を受けた部分全てに加工痕が形成されている。それに対して、後に照射されたレーザーの単パルス加工痕６０２は、レーザーの照射を受けた部分における、先に照射されたレーザーの単パルス加工痕６０１と重なる部分には形成されていない。
【００４８】
また、透明導電層２０にパルスレーザーを照射して、線状痕６を形成した試験結果を以下に示す。
【００４９】
（試験）
異なるビームパワーを有するパルスレーザーを使用し、それぞれのレーザーについて、レーザーの照射位置の移動速度を変化させ、透明導電層にレーザーを照射することで形成される間隙の底部の電気抵抗値を測定した。
【００５０】
具体的には、４０ｍｍ×４０ｍｍの無アルカリガラス基板上のＩＴＯ層（厚９０ｎｍ）に対して、レーザーを照射した。レーザーの照射には、レーザーマーカー（ＬＰ−Ｆ１３Ｒ−ＨＺ  Ｙｂ：ファイバーレーザー、ＳＵＮＸ社製）を使用した。レーザーの照射位置が描く軌跡の端部は、基板の外縁の外にある。
【００５１】
そして、汎用ソースメータ（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ２４００、ケースレーインスツルメンツ製）を用いて、形成された間隙の両端に２１Ｖの電圧を印加し、間隙の底部の電気抵抗値を測定した。その結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
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【００５３】
表１より、ビームパワーの異なるレーザーにおいて、レーザーの照射位置の移動速度を遅くすることで、電気抵抗値が小さくなる傾向がある。
【００５４】
また、表１における、ビームパワーが１．３５Ｗである場合に形成された間隙について、光学顕微鏡で観察した結果を図５Ａに示し、各線状痕の深さを接触式段差系で測定した結果を図５Ｂに示す。
【００５５】
図５Ａによると、レーザーの照射位置の移動速度が速い場合、鮮明な単パルス加工痕が形成されている。一方、レーザーの照射位置の移動速度が遅い場合、不鮮明な単パルス加工痕が形成されている。
【００５６】
図５Ｂによると、レーザーの照射位置の移動速度が速い場合、明確な間隙が形成されると共に、間隙の深さはＩＴＯ層の厚みに略一致する。一方、レーザーの照射位置の移動速度が遅い場合、間隙は明確でなく、ＩＴＯ層が十分に除去されていない。
【００５７】
この試験結果から、線状痕６を形成する際にレーザーの照射位置の移動速度を遅くすると、透明電極板１０における、透明導電層２０の除去された部分の電気抵抗値が低くなる、といえる。これは、レーザーの照射位置の移動速度が遅い部分では、レーザーの照射によって生じる熱量が大きくなり、その結果、透明導電層２０を構成する物質と、透明基板１を構成する物質との反応生成物が生成して、残留してしまうためであると考えられる。このような、電気抵抗値が低い部分が形成されると、第一電極２１と第二電極２２との間に短絡が生じてしまう。
【００５８】
また、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部では、レーザーの照射位置の移動速度が０となる。このため、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部では、電気抵抗値が低くなりやすい。
【００５９】
これらのことから、本実施形態では、間隙５をレーザー加工で形成するにあたり、電気抵抗値が低い部分によって、第一電極２１と第二電極２２との間に短絡が生じることを抑制することを目的とする。
【００６０】
第一の実施形態では、レーザー加工によって、間隙５１と間隙５２とを形成する。間隙５１と間隙５２との、どちらを先に形成してもよい。第一の実施形態では、間隙５１を先に形成する。
【００６１】
具体的には、図３に示す点Ａ１と点Ｂ１とを結ぶ中心軸Ｘ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、中心軸Ｘ１に沿った線状痕６を形成する。続いて、レーザーの照射位置を中心軸Ｘ１と交差する方向にずらす。続いて、中心軸Ｘ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、中心軸Ｘ１に沿った線状痕６を形成する。この手順を複数回繰り返すことで、線状痕６が複数並んで形成され、これにより、間隙５１が形成される。
【００６２】
レーザーの照射位置をずらす距離は、単パルス加工痕６０の加工径の１／３〜１／２の範囲内であることが好ましい。
【００６３】
レーザーの照射位置が描く軌跡の両端部は、透明導電層２０の外縁の外にあることが好ましい。
【００６４】
線状痕６を形成する際、レーザーの照射位置が描く軌跡の一端から他端までの間で、レーザーの照射位置の移動が停止しないことが好ましい。第一の実施形態では、レーザーの照射位置の移動速度は、例えば、１０〜１００００ｍｍ／ｓの範囲内である。
【００６５】
尚、間隙５１の底部に形成されている線状痕６が一本である場合には、例えば、中心軸Ｘ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、中心軸Ｘ１に沿った線状痕６を一本形成することにより、間隙５１が形成される。
【００６６】
次に、間隙５２を形成する。間隙５２を形成する方法は、透明導電層２０に対するレーザーの照射位置を、図３に示す点Ａ２と点Ｂ２とを結ぶ中心軸Ｘ２に沿って、移動させること以外は、間隙５１を形成する方法と同じである。
【００６７】
上記のレーザー加工により、間隙５１と間隙５２とが形成される。これにより、図３に示す、第一電極２１と、第二電極２２１及び第二電極２２２とが形成される。
【００６８】
第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００及び透明電極板１０が上記の構成を備えることにより、以下の効果を奏する。
【００６９】
第一の実施形態では、透明導電層２０に対するレーザー加工で、直線状の間隙５１を形成することにより第二電極２２１が形成され、直線状の間隙５２を形成することにより第二電極２２２が形成される。すなわち、間隙５を一つ形成するだけで、第二電極２２を一つ形成することができる。このため、第一の実施形態では、容易且つ効率的に第二電極２２を形成することができる。
【００７０】
第一の実施形態では、間隙５を構成する線状痕６が、間隙５の中心軸に沿う直線状であるため、透明導電層２０に対するレーザーの照射位置の移動速度を遅くすることなく、線状痕６を形成することができる。このため、間隙５の底部の電気抵抗値が低下しにくい。これにより、第一電極２１と第二電極２２との間の短絡を抑制することができる。
【００７１】
第一の実施形態では、間隙５の線状痕６は、透明電極２の外周上の一端から、透明電極２の外周の他端まで連続していて、途中で途切れていない。間隙５の線状痕６が途中で途切れる、すなわち、間隙５内にレーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在すると、間隙５の底部の電気抵抗値が低くなり、第一電極２１と第二電極２２との間に短絡が生じやすくなる。しかしながら、第一の実施形態では、間隙５内にレーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在していない。このため、間隙５の底部の電気抵抗値が高い。これにより、第一電極２１と第二電極２２との間の短絡を抑制することができる。特に、発光領域７の面積を広くするために、間隙５の中心軸と交差する方向の寸法を小さくしている場合であっても、短絡を抑制することができる。
【００７２】
第一の実施形態では、間隙５の中心軸に沿ってレーザーの照射位置を移動させるため、効率よく、間隙５を形成することができる。特に、レーザーの照射位置が描く軌跡の両端部が、透明導電層２０の外縁の外にあれば、透明導電層２０が存在しない位置でレーザーの照射位置の移動速度が０になるので、電気抵抗値の低下は生じない。このため、第一電極２１と第二電極２２との短絡を更に抑制することができる。
【００７３】
以下、第二の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００、及び透明電極板１０の製造方法について詳しく説明する。
【００７４】
第二の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、透明基板１上に透明電極２を備える透明電極板１０の上に、有機層３、及び対向電極４が、この順に積層されている。透明電極２は、有機層３と接続される第一電極２１、対向電極４と接続されるの第二電極２２、及び第一電極２１と第二電極２２との間の間隙５を備える。間隙５の底部では、透明基板１が露出していると共に、レーザーの照射で形成される少なくとも一本の線状痕６が形成されている。間隙５の底部には、線状痕６が複数本形成されていてもよく、線状痕６が一本だけ形成されていてもよい。間隙５の中心軸は、透明電極２の外縁に含まれる一点と、透明電極の外縁に含まれる他点とを結ぶ曲線状である。線状痕６は中心軸に沿った曲線状である。
【００７５】
第二の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法では、まず、透明基板１上に透明導電層２０を備える板の透明導電層２０にレーザー加工を施すことで、透明導電層２０の外縁に含まれる一点と、透明導電層２０の外縁に含まれる他点とを結ぶ曲線状の中心軸に沿った曲線状の間隙５を形成する。間隙５の形成にあたっては、透明導電層２０上でレーザーの照射する位置を中心軸に沿って曲線状に移動させる。
【００７６】
第二の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００、及び透明電極板１０の製造方法では、間隙５を構成する線状痕６が曲線状である。このため、間隙５の底部の電気抵抗値の低下が生じにくい。このため、第一電極２１と第二電極２２との間を十分に電気的に絶縁することができる。これにより、第一電極２１と第二電極２２との間に、短絡が生じることを防ぐことができる。
【００７７】
以下、第二の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００、及び透明電極板１０の製造方法について更に詳しく説明する。
【００７８】
第二実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の、透明電極板１０以外の構成は、第一の実施形態の有機ＥＬ素子１００の構成と同じである。
【００７９】
続いて、第二の実施形態に係る透明電極板１０について、更に詳しく説明する。
【００８０】
透明電極板１０は、透明基板１と透明電極２とを備える（図１参照）。この透明電極２は、第一電極２１と第二電極２２と、第一電極２１と第二電極２２とを隔てる間隙５を備える。間隙５によって、第一電極２１と第二電極２２とが隔てられている（図６参照）。
【００８１】
第二電極２は、一つであってもよく、二つ以上であってもよい。第二電極２２１及び第二電極２２２を含む。第二の実施形態では、透明電極２は二つの第二電極２２を備える。第二の実施形態では、第一電極２１と第二電極２２１とが間隙５（５１）によって隔てられ、第一電極２１と第二電極２２２とが間隙５（５２）によって隔てられている（図６参照）。間隙５１は、透明電極２の外縁に含まれる点Ａ３と、透明電極２の外縁に含まれる点Ａ３とは異なる点Ｂ３とを結ぶ曲線状の中心軸（以下、中心軸Ｘ３とする）に沿っている。また、間隙５２は、透明電極２の外縁に含まれる点Ａ４と、透明電極２の外縁に含まれる点Ａ４とは異なる点Ｂ４とを結ぶ曲線状の中心軸（以下、中心軸Ｘ４とする）に沿っている（図６参照）。
【００８２】
第二の実施形態では、間隙５は曲線状である。間隙５の、中心軸と交差する方向の寸法は小さいことが好ましい。具体的には、間隙５１の中心軸Ｘ３と交差する方向の寸法Ｒ３、及び間隙５２の中心軸Ｘ４と交差する方向の寸法Ｒ４は、それぞれ２０〜５０００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００８３】
間隙５の底部では、透明基板１の表面が露出している。透明基板１の露出している部分には、線状痕６が複数並んで形成されている。第二の実施形態では、線状痕６が複数本並んで形成されているが、これに限られず、例えば、線状痕６が一本だけ形成されていてもよい。この線状痕６は曲線状である。間隙５の線状痕６の曲率半径は、線状痕６を構成する単パルス加工痕６０の半径よりも大きいことが好ましい。線状痕６は、間隙５の中心軸に沿っている。第二の実施形態では、間隙５１の線状痕６は中心軸Ｘ３に沿っていて、間隙５２の線状痕６は中心軸Ｘ４に沿っている。線状痕６は、透明電極２の外周上の一端から、透明電極２の外周上の他端まで連続している。すなわち、線状痕６は途中で途切れていない。
【００８４】
次に、第二の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法について説明する。
【００８５】
まず、透明基板１上に透明導電層２０を備える板を用意する。この透明導電層２０は、第一電極２１及び第二電極２２と同じ材料から作製される。
【００８６】
続いて、透明導電層２０の表面に、光電変換領域７０を規定する。光電変換領域７０は、有機ＥＬ素子１００の発光領域７に相当する領域である（図６参照）。
【００８７】
次に、透明導電層２０の表面にレーザー加工を施す。
【００８８】
第二の実施形態では、レーザー加工によって、間隙５１と間隙５２とを形成する。間隙５１と間隙５２との、どちらを先に形成してもよい。第二の実施形態では、間隙５１を先に形成する。
【００８９】
具体的には、図６に示す点Ａ１と点Ｂ１とを結ぶ中心軸Ｘ３に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、中心軸Ｘ３に沿った線状痕６を形成する。続いて、レーザーの照射位置を中心軸Ｘ３の接線と交差する方向にずらす。続いて、中心軸Ｘ３に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、中心軸Ｘ３に沿った線状痕６を形成する。この手順を複数回繰り返すことで、線状痕６が複数並んで形成され、これにより、間隙５１が形成される。
【００９０】
レーザーの照射位置をずらす距離は、単パルス加工痕６０の加工径の１／３〜１／２の範囲内であることが好ましい。
【００９１】
レーザーの照射位置が描く軌跡の両端部は、透明導電層２０の外縁の外にあることが好ましい。
【００９２】
線状痕６を形成する際、レーザーの照射位置が描く軌跡の一端から他端までの間で、レーザーの照射位置の移動が停止しないことが好ましい。第二の実施形態では、レーザーの照射位置の移動速度は、例えば、１０〜１００００ｍｍ／ｓの範囲内である。
【００９３】
尚、間隙５１の底部に形成されている線状痕６が一本である場合、例えば、中心軸Ｘ３に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、中心軸Ｘ３に沿った線状痕６を一本形成することにより、間隙５１が形成される。
【００９４】
次に、間隙５２を形成する。間隙５２を形成する方法は、透明導電層２０に対するレーザーの照射位置を、図６に示す点Ａ４と点Ｂ４とを結ぶ中心軸Ｘ４に沿って、移動させること以外は、間隙５１を形成する方法と同じである。
【００９５】
上記のレーザー加工により、間隙５１と間隙５２とが形成される。これにより、図６に示す、第一電極２１と、第二電極２２１及び第二電極２２２とが形成される。
【００９６】
第二の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００及び透明電極板１０が上記の構成を備えることにより、以下の効果を奏する。
【００９７】
第二の実施形態では、透明導電層２０に対するレーザー加工で、曲線状の間隙５１を形成することにより第二電極２２１が形成され、曲線状の間隙５２を形成することにより第二電極２２２が形成される。すなわち、間隙５を一つ形成するだけで、第二電極２２を一つ形成することができる。このため、第二の実施形態では、容易且つ効率的に第二電極２２を形成することができる。
【００９８】
第二の実施形態では、間隙５を構成する線状痕６が、中心軸に沿う曲線状であるため、透明導電層２０に対するレーザーの照射位置の移動速度を遅くすることなく、線状痕６を形成することができる。このため、間隙５の底部の電気抵抗値が低下しにくい。これにより、第一電極２１と第二電極２２との間の短絡を抑制することができる。
【００９９】
第二の実施形態では、間隙５の線状痕６は、透明電極２の外周上の一端から、透明電極２の外周の他端まで連続していて、途中で途切れていない。間隙５の線状痕６が途中で途切れる、すなわち、間隙５内にレーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在すると、間隙５の底部の電気抵抗値が低くなり、第一電極２１と第二電極２２との間に短絡が生じやすくなる。しかしながら、第一の実施形態では、間隙５内にレーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在していない。このため、間隙５の底部の電気抵抗値が高い。これにより、第一電極２１と第二電極２２との間の短絡を抑制することができる。特に、発光領域７の面積を広くするために、間隙５の中心軸と交差する方向の寸法を小さくしている場合であっても、短絡を抑制することができる。
【０１００】
第二の実施形態では、間隙５の中心軸に沿ってレーザーの照射位置を移動させるため、効率よく、間隙５を形成することができる。特に、レーザーの照射位置が描く軌跡の両端部が、透明導電層２０の外縁の外にあれば、透明導電層２０が存在しない位置でレーザーの照射位置の移動速度が０になるので、電気抵抗値の低下は生じない。このため、第一電極２１と第二電極２２との短絡を更に抑制することができる。
【０１０１】
更に、第一又は第二の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法によって製造された透明電極板１０は、有機ＥＬ素子だけでなく、光を電気に、或いは電気を光に変換する適宜の光電変換素子に適用することができる。例えば、透明電極板１０を太陽電池に適用することができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１    透明基板
１０  透明電極板
２    透明電極
２０  透明導電層
２１  第一電極
２２  第二電極
３    有機層
４    対向電極
５    間隙
６    線状痕
７    発光領域
７０  光電変換領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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