(57)【要約】【課題】切削加工におけるチッピングの発生及び切削砥石の消耗を抑制する。【解決手段】ダイヤモンド砥粒とホウ素化合物とを含む切削砥石６５において、ダイヤモンド砥粒の平均粒径は、５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内であり、ホウ素化合物の平均粒径は、ダイヤモンド砥粒の平均粒径の１／５より大きく１／２以下であるものとした。【選択図】図１
2017047502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンド砥粒とホウ素化合物とを含む切削砥石であって、
該ダイヤモンド砥粒の平均粒径は、５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内であり、
該ホウ素化合物の平均粒径は、該ダイヤモンド砥粒の平均粒径の１／５より大きく１／２以下である切削砥石。
【請求項２】
前記ダイヤモンド砥粒および前記ホウ素化合物は、レジンボンドまたはメタルボンドで固定される請求項１に記載の切削砥石。
【請求項３】
前記ホウ素化合物は、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）または立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）のいずれかである請求項１または２に記載の切削砥石。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の切削加工に用いられる切削砥石に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造に用いられる硬質脆性材料（石英、セラミックス等）からなる基板を切削するために、ホウ素化合物を添加した切削砥石が用いてよいことが記載されている（例えば、特許文献１参照）。ホウ素化合物は、優れた固体潤滑性を有する。そのため、ホウ素化合物を切削砥石に混入することで、切削砥石により被加工物を切削する場合における切削抵抗が低減されて加工点における加工熱の発生を抑えることができ、切削砥石が消耗することを抑制できる。
【０００３】
さらに、切削において発生する加工熱を被加工物から切削砥石側へと効率よく逃がすために、従来においては、高い熱伝導率を備えるＳｉＣやＧＣ（緑色炭化珪素質）をフィラーとして切削砥石に混入させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−０５６０１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、硬質脆性材料からなる被加工物を、ホウ素化合物を添加した切削砥石を用いて切削加工した場合であっても、被加工物の裏面における分割予定ラインのエッジに生じるチッピングを十分に小さくすることはできていない。また、加工品質を向上させつつ生産性を高める必要があることから、切削砥石の固体潤滑性を高く保ち切削加工時に発生する加工熱の発生をより抑えることで、切削砥石の消耗をより抑制する必要がある。
【０００６】
よって、ホウ素化合物を混入させた切削砥石を用いて例えば硬質脆性材料等からなる被加工物を切削する場合においては、被加工物における切削によるチッピングの発生をより抑制し、また、切削砥石の消耗もより抑制するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明は、ダイヤモンド砥粒とホウ素化合物とを含む切削砥石であって、該ダイヤモンド砥粒の平均粒径は、５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内であり、該ホウ素化合物の平均粒径は、該ダイヤモンド砥粒の平均粒径の１／５より大きく１／２以下である切削砥石である。
【０００８】
前記ダイヤモンド砥粒および前記ホウ素化合物は、レジンボンドまたはメタルボンドで固定されるとよい。
【０００９】
さらに、前記ホウ素化合物は、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）または立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）のいずれかであるとよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る切削砥石においては、ダイヤモンド砥粒の平均粒径に対するホウ素化合物の平均粒径（粒径比）を制御することで、被加工物を切削した場合に被加工物の裏面に発生するチッピングを抑制でき、かつ切削砥石の消耗量も抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】切削砥石を備えるスピンドルユニットの一例を示す分解斜視図である。
【図２】切削装置の一例を示す斜視図である。
【図３】実施例１の切削砥石及び従来の砥石を用いて被加工物を切削した場合の、切削送り速度と砥石消耗量との関係を示すグラフである。
【図４】実施例１の切削砥石及び従来の砥石を用いて被加工物を切削した場合の、切削送り速度と被加工物の裏面に発生したチッピングの大きさとの関係を示すグラフである。
【図５】実施例１の切削砥石及び従来の砥石を用いて被加工物を切削した場合の、切削送り速度と被加工物の裏面に発生したチッピング（顕微鏡写真）との関係を示す表である。
【図６】実施例１の切削砥石、比較例の切削砥石、実施例２及び実施例３の切削砥石を用いて被加工物を切削した場合の、各切削砥石のＢ４Ｃの平均粒径と被加工物の裏面に発生したチッピングの大きさとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１に示す切削砥石６５は、例えば、外形が環状のワッシャー型のレジンボンド砥石であり、ダイヤモンド砥粒と、ホウ素化合物であるＢ４Ｃとをフェノール樹脂等からなるレジンボンドで固定したものである。切削砥石６５においては、ダイヤモンド砥粒が主砥粒として作用し、Ｂ４Ｃが補助砥粒として作用する。
【００１３】
切削砥石６５の製造方法は、例えば以下のとおりである。まず、フェノール樹脂、エポキシ樹脂及びポリイミド樹脂等を主成分とするレジンボンドに対して、平均粒径４５μｍのダイヤモンド砥粒と平均粒径１５μｍのＢ４Ｃとをそれぞれ体積比で１０〜２０％混入し、攪拌して混在させる。次いで、この混合物をプレスし所定の厚み（実施例１においては、１５０μｍ厚）に成型し、外形も環状に成型する。その後、１８０℃から２００℃の焼結温度で７〜８時間焼結させることで、図１に示す装着孔６５０を備える切削砥石６５を製造する。なお、ホウ素化合物としてＢ４ＣではなくｃＢＮを用いてもよく、ホウ素化合物の平均粒径は、ダイヤモンド砥粒の平均粒径の１／５より大きく１／２以下となる範囲で適宜変更可能であり、１／５より大きく１／３以下であると好ましい。また、ダイヤモンド砥粒とホウ素化合物との体積比は、２：１から１：８の範囲内で適宜変更可能である。さらに、ダイヤモンド砥粒はニッケル等の金属によって一部がコーティングされたものを用いてもよい。そして、カーボンを導通材として、砥石中に数％添加してもよい。
【００１４】
切削砥石６５は、環状のワッシャー型のレジンボンド砥石に限定されるものではなく、例えば、アルミ合金鋳物等で作られた台金と切り刃とを一体成形したハブタイプの切削砥石としてもよい。この場合には、例えば切り刃が、レジンボンド、ダイヤモンド砥粒及びＢ４Ｃで構成される。
【００１５】
また、各砥粒を固定するボンドとして、レジンボンドではなく、メタルボンドを用いてもよい。例えば外形が環状のワッシャー型のメタルボンド砥石の製造方法は、以下のとおりである。まず、銅と錫との合金であり主成分となるブロンズにコバルト及びニッケル等を微量混入したメタルボンドに対して、平均粒径４５μｍのダイヤモンド砥粒と平均粒径１５μｍのＢ４Ｃとをそれぞれ体積比で１０〜２０％混入し、攪拌して混在させる。この混合物を混練してプレスし所定の厚みに成型し、外形も環状に成型する。その後、６００℃から７００℃の焼結温度で約１時間焼結させることで、環状のワッシャー型のメタルボンド砥石を製造できる。レジンボンド、メタルボンドのいずれを使用する場合でも、ダイヤモンド砥粒の突き出し量が小さくなりすぎて加工できなくなるのを防ぐために、ダイヤモンド砥粒の粒径を５［μｍ］以上とする。
【００１６】
図１に示すスピンドルユニット６Ａに備えるスピンドルハウジング６０は、スピンドル６１を回転可能に収容している。スピンドル６１の軸方向はＸ軸方向に対し水平方向に直交する方向（Ｙ軸方向）であり、スピンドル６１の先端部はスピンドルハウジング６０から−Ｙ方向に突出している。この突出部分に、切削砥石６５が装着される固定フランジ６２がナット６３により固定されている。固定フランジ６２は、径方向（スピンドル６１の軸方向と水平方向に直交する方向）外向きに延出されるフランジ部６２０と、フランジ部６２０から厚み方向（Ｙ軸方向）に突出して形成されその側面にネジ６２１ａが設けられたボス部６２１とを備える。
【００１７】
切削砥石６５の装着孔６５０にボス部６２１が挿入された状態で、ボス部６２１には環状の着脱フランジ６７が取り付けられる。着脱フランジ６７は、ボス部６２１に対応する係合孔６７ａを有している。ボス部６２１に着脱フランジ６７が取り付けられると、ネジ６２１ａと螺合するリング状の固定ナット６８がネジ６２１ａに締め込まれる。着脱フランジ６７により切削砥石６５がフランジ部６２０に押し付けられることで、切削砥石６５は、着脱フランジ６７と固定フランジ６２とによりＹ軸方向両側から挟まれてスピンドル６１に固定される。そして、図示しないモータによりスピンドル６１が回転駆動されることに伴って、切削砥石６５も高速回転する。
【００１８】
図２に示す切削装置１は、チャックテーブル３０に保持された被加工物Ｗに対して、例えば図１に示す切削砥石６５を備える切削手段６によって切削加工を施す装置である。図２に示す切削手段６は、図示しない割り出し送り手段によってＹ軸方向へ移動可能となっており、図示しない切り込み送り手段によってＺ軸方向に移動可能となっている。
【００１９】
切削装置１の前面側（−Ｙ方向側）には、Ｚ軸方向に往復移動する昇降機構１０上に設置されたカセット１１が備えられている。カセット１１は、ダイシングテープＴを介して環状フレームＦによって支持された被加工物Ｗを複数枚収容する。カセット１１の後方（＋Ｙ方向側）には、カセット１１から被加工物Ｗの搬出入を行う搬出入手段１２が配設されている。カセット１１と搬出入手段１２との間には、搬出入対象の被加工物Ｗが一時的に載置される仮置き領域１３が設けられており、仮置き領域１３には、被加工物Ｗを所定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２０】
仮置き領域１３の近傍には、チャックテーブル３０と仮置き領域１３との間で、被加工物Ｗを搬送する第一の搬送手段１５ａが配設されている。第一の搬送手段１５ａにより吸着された被加工物Ｗは、仮置き領域１３からチャックテーブル３０に搬送される。
【００２１】
第一の搬送手段１５ａの近傍には、切削加工後の被加工物Ｗを洗浄する洗浄手段１６が配設されている。また、洗浄手段１６の上方には、チャックテーブル３０から洗浄手段１６へと、切削加工後の被加工物Ｗを吸着し搬送する第二の搬送手段１５ｂが配設されている。
【００２２】
チャックテーブル３０は、例えば、その外形が円形状であり、被加工物Ｗを吸着する吸着部３００と、吸着部３００を支持する枠体３０１とを備える。吸着部３００は図示しない吸引源に連通し、吸着部３００の露出面である保持面３００ａ上で被加工物Ｗを吸引保持する。チャックテーブル３０は、カバー３１によって周囲から囲まれ、図示しない回転手段により回転可能となっている。また、チャックテーブル３０の周囲には、環状フレームＦを固定する固定手段３２が図示の例では２つ配設されている。
【００２３】
チャックテーブル３０は、被加工物Ｗの着脱が行われる領域である着脱領域Ａと、切削手段６による被加工物Ｗの切削が行われる領域である切削領域Ｂとの間を、カバー３１の下に配設された図示しない切削送り手段によりＸ軸方向に往復移動可能となっている。チャックテーブル３０の移動経路の上方には、被加工物Ｗの切削すべき分割予定ラインＳを検出するアライメント手段１７が配設されている。アライメント手段１７は、被加工物Ｗの表面Ｗａを撮像する撮像手段１７０を備えており、撮像手段１７０により取得した画像に基づき切削すべき分割予定ラインＳを検出することができる。撮像手段１７０によって取得された画像は、例えば、モニター等の表示手段１８に表示される。
【００２４】
アライメント手段１７の近傍には、切削領域Ｂ内で、チャックテーブル３０に保持された被加工物Ｗに対して切削加工を施す切削手段６が配設されている。切削手段６はアライメント手段１７と一体となって構成されており、両者は連動してＹ軸方向及びＺ軸方向へと移動する。切削手段６は、例えば、切削砥石６５を備えるスピンドルユニット６Ａと、切削砥石６５と被加工物Ｗとの接触部位に切削水を供給する切削水供給ノズル６９とを備える。
【００２５】
以下に、図２を用いて、図２に示す被加工物Ｗを例えば切削砥石６５により切削する場合の切削装置１の動作及び切削手段６の動作について説明する。
【００２６】
切削装置１によって切削される被加工物Ｗは、例えば、石英基板であり、被加工物Ｗの表面Ｗａ上は、分割予定ラインＳによって区画された格子状の領域に多数のデバイスＤが形成されている。そして、被加工物Ｗの裏面ＷｂがダイシングテープＴの貼着面に貼着され、ダイシングテープＴの外周部は環状フレームＦに貼着されることで、被加工物ＷはダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となる。なお、被加工物Ｗの種類は石英からなる基板に限定されるものではなく、ホウケイ酸ガラスからなる基板やアルミナ等のセラミックスからなる基板等も含まれる。
【００２７】
まず、搬出入手段１２により、被加工物Ｗが、ダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態で、カセット１２から仮置き領域１３に搬出される。そして、仮置き領域１３において、位置合わせ手段１４により被加工物Ｗが所定の位置に位置決めされた後、第一の搬送手段１５ａが被加工物Ｗを吸着して仮置き領域１３からチャックテーブル３０へと被加工物Ｗを移動させる。次いで、環状フレームＦが固定手段３２によって固定され、被加工物Ｗも保持面３００ａ上で吸引されることで、チャックテーブル３０により被加工物Ｗが保持される。
【００２８】
チャックテーブル３０により被加工物Ｗが保持された後、図示しない切削送り手段が、被加工物Ｗを保持するチャックテーブル３０を−Ｘ方向に送り、撮像手段１７０によって被加工物Ｗの表面Ｗａが撮像されて切削すべき分割予定ラインＳの位置が検出される。分割予定ラインＳが検出されるのに伴って、切削手段６が図示しない割り出し送り手段によってＹ軸方向に駆動され、切削すべき分割予定ラインＳと切削砥石６５とのＹ軸方向における位置合わせが行われる。
【００２９】
次いで、チャックテーブル３０がさらに−Ｘ方向に送られると共に、図示しない切込み送り手段が切削手段６を−Ｚ方向に降下させていき、高速回転する切削砥石６５が分割予定ラインＳを切削していく。
【００３０】
切削砥石６５が分割予定ラインＳを切削し終えるＸ軸方向の所定の位置まで被加工物Ｗが−Ｘ方向に送られると、被加工物Ｗの切削送りが一度停止され、図示しない切込み送り手段が切削砥石６５を被加工物Ｗから離間させ、チャックテーブル３０が＋Ｘ方向へ送り出されて元の位置に戻る。そして、隣り合う分割予定ラインＳの間隔ずつ切削砥石６５をＹ軸方向に割り出し送りしながら順次同様の切削を行うことにより、同方向の全ての分割予定ラインＳが切削される。
【００３１】
（実験例１）
実験例１においては、図１に示した切削砥石６５を用いて、被加工物Ｗ（石英基板）を切削送り速度５ｍｍ／秒または切削送り速度２０ｍｍ／秒でフルカットした。切削砥石６５は、レジンボンドに対して、平均粒径４５μｍのダイヤモンド砥粒と平均粒径１５μｍのＢ４Ｃとをそれぞれ体積比で１０〜２０％混入させて構成されている（以下では、この切削砥石６５を、「実施例１の切削砥石６５」という。）。また、比較例として、従来の砥石を用いて、被加工物Ｗ（石英基板）を切削送り速度５ｍｍ／秒と切削送り速度２０ｍｍ／秒とでフルカットした。従来の砥石は、砥粒としてダイヤモンド砥粒のみを含みホウ素化合物は含まない環状のワッシャー型のレジンボンド砥石である。なお、従来の砥石のダイヤモンド砥粒の平均粒径は４５μｍである。
ダイヤモンド及びｃＢＮは、＃３２５より大きな粒径を持つものは、ＪＩＳ  Ｂ４１３０で規定されているふるいわけ（篩分級）法によって粒径が定まる。本例では、ダイヤモンド砥粒については、このふるいわけ法により粒径４５［μｍ］（〜＃３２０）とされたものを平均粒径４５［μｍ］の砥粒として用いた。粒径が＃３２５よりも小さいものについては、レーザ回析散乱法等により決定される。
【００３２】
図３に示すグラフの通り、切削送り速度５ｍｍ／秒で被加工物Ｗを切削した場合における単位切削距離あたりの切削砥石の消耗量（グラフの縦軸）は、従来の砥石を用いた場合は約１．６μｍ／ｍ、実施例１の切削砥石６５を用いた場合は約０．４μｍ／ｍとなり、実施例１の切削砥石６５の方が、従来の砥石よりも消耗量が抑制されたことが確認された。また、切削送り速度を２０ｍｍ／秒とした場合における単位切削距離あたりの切削砥石の消耗量（グラフの縦軸）は、従来の砥石を用いた場合は約１１μｍ／ｍ、実施例１の切削砥石６５を用いた場合は約５．６μｍ／ｍとなり、この場合も、実施例１の切削砥石６５の方が、従来の砥石よりも消耗量が抑制されたことが確認された。すなわち、いずれの切削送り速度で切削した場合においても、実施例１の切削砥石６５は従来の砥石よりも砥石の消耗量が抑えられていることが確認された。
【００３３】
さらに、図４に示すグラフ（縦軸は、チッピングの大きさを示す）の通り、切削送り速度５ｍｍ／秒で被加工物Ｗを切削した場合において被加工物Ｗの裏面Ｗｂに発生したチッピングの大きさ（チッピングの幅）は、従来の砥石を用いた場合は約１００μｍから約２００μｍの範囲内であり、特に約１５５μｍから約１７５μｍの範囲内に集中している。一方、切削送り速度５ｍｍ／秒で実施例１の切削砥石６５を用いた場合は、被加工物Ｗの裏面Ｗｂに発生したチッピングの大きさは、約６０μｍから約１８０μｍの範囲内であり、約５５μｍから約１００μｍの範囲内に集中している。このように、切削送り速度５ｍｍ／秒で被加工物Ｗを切削した場合は、実施例１の切削砥石６５を用いた場合の方が、チッピングの大きさが小さいことが確認された。
また、切削送り速度が２０ｍｍ／秒である場合には、従来の砥石を用いた場合のチッピングの大きさは、約７５μｍから約１７０μｍの範囲内であり、約１００μｍから約１３５μｍの範囲内に集中している。一方、切削送り速度２０ｍｍ／秒で実施例１の切削砥石６５を用いた場合のチッピングの大きさは、約７０μｍから約１３５μｍの範囲内であり、約７０μｍから約９０μｍの範囲内に集中している。このように、切削送り速度２０ｍｍ／秒で被加工物Ｗを切削した場合も、実施例１の切削砥石６５を用いた場合の方が、チッピングの大きさが小さいことが確認された。すなわち、いずれの切削送り速度で切削した場合においても、実施例１の切削砥石６５は従来の砥石よりも被加工物Ｗの裏面Ｗｂに発生するチッピングを抑制できていることが確認できる。
【００３４】
この結果は、図５の表に示す被加工物Ｗの裏面Ｗｂを撮影した顕微鏡写真からも確認できる。すなわち、図５の表中に示す顕微鏡写真（Ａ）（従来の砥石により切削送り速度５ｍｍ／秒で切削した場合）と顕微鏡写真（Ｂ）（実施例１の切削砥石６５により切削送り速度５ｍｍ／秒で切削した場合）とを比較すると、顕微鏡写真（Ｂ）で確認できる分割予定ラインＳのエッジに生じたチッピングは、顕微鏡写真（Ａ）で確認できるチッピングよりも、その幅が小さいことが確認できる。同様に、図５の表中に示す顕微鏡写真（Ｃ）（従来の砥石により切削送り速度２０ｍｍ／秒で切削した場合）と顕微鏡写真（Ｄ）（実施例１の切削砥石６５により切削送り速度５ｍｍ／秒で切削した場合）とを比較すると、顕微鏡写真（Ｄ）で確認できる分割予定ラインＳのエッジに生じたチッピングは、顕微鏡写真（Ｃ）で確認できるチッピングよりも、その幅が小さいことが確認できる。
【００３５】
以上、実験例１においては、切削砥石にダイヤモンド砥粒のみならずホウ素化合物（Ｂ４Ｃ）を含むことで、切削砥石の消耗量を抑制し、かつ被加工物の裏面に生じるチッピングも抑制できることが確認できた。
【００３６】
（実験例２）
実験例２においては、図６に示すように、実施例１の切削砥石６５、比較例の切削砥石６５ａ、実施例２の切削砥石６５ｂ及び実施例３の切削砥石６５ｃを用いて、一定の切削送り速度で被加工物Ｗ（ホウケイ酸ガラス）をフルカットした。切削砥石６５ａ並びに実施例２の切削砥石６５ｂ及び実施例３の切削砥石６５ｃは、いずれも実施例１の切削砥石６５に含まれるＢ４Ｃの平均粒径のみを変更したものであり、その他の構成は実施例１の切削砥石６５と同一である。切削砥石６５ａは、含まれるＢ４Ｃの平均粒径が４．５μｍであり、ダイヤモンド砥粒の平均粒径４５μｍの約１／１０である。切削砥石６５ｂは、含まれるＢ４Ｃの平均粒径が９μｍであり、ダイヤモンド砥粒の平均粒径４５μｍの約１／５である。切削砥石６５ｃは、含まれるＢ４Ｃの平均粒径が２０μｍであり、ダイヤモンド砥粒の平均粒径４５μｍの約４／９（１／２以下）である。なお、各砥石に含まれるダイヤモンド砥粒の平均粒径は４５μｍであるが、５μｍ以上５０μｍ以下であればよい。例えば、切削砥石６５ｂに含まれるＢ４Ｃの平均粒径は、ダイヤモンド砥粒の平均粒径４５μｍの１／５よりも大きいものとなる。なお、ダイヤモンド及びｃＢＮは、＃３２５より大きな粒径を持つものは、ＪＩＳ  Ｂ４１３０で規定されているふるいわけ（篩分級）法によって粒径が定まる。本例では、ダイヤモンド砥粒については、このふるいわけ法により粒径４５［μｍ］（〜＃３２０）とされたものを平均粒径４５［μｍ］の砥粒として用いた。粒径が＃３２５よりも小さいものについては、レーザ回析散乱法等により決定される。
【００３７】
図６のグラフ（縦軸は、チッピングの大きさを示す）に示すように、被加工物Ｗの裏面Ｗｂに発生したチッピングの大きさは、切削砥石６５ａでは、約７０μｍから約１８０μｍの範囲内に広くばらついている。一方、実施例２の切削砥石６５ｂでは、チッピングの大きさが約８０μｍから約１６０μｍの範囲内にあるが、特に約１２５μｍから約１４０μｍの範囲内に集中している。また、実施例１の切削砥石６５では、チッピングの大きさが約７５μｍから約１６５μｍの範囲内にあり、特に約１２０μｍから約１２５μｍの範囲内に集中している。実施例３の切削砥石６５ｃでは、チッピングの大きさが約９０μｍから約１８０μｍの範囲内にあるが、特に約１２０μｍから約１６０μｍの範囲内に集中している。したがって、実施例１の切削砥石６５、実施例２の切削砥石６５ｂ及び実施例３の切削砥石６５ｃにおいては、比較例である切削砥石６５ａよりもチッピングのばらつきが抑えられており、かつチッピングの大きさも許容される範囲内に集中している。
【００３８】
また、図示はしていないが実施例１の切削砥石６５、実施例２の切削砥石６５ｂ及び実施例３の切削砥石６５ｃについては、単位切削距離あたりの切削砥石の消耗量を抑制できた。
【００３９】
以上実験例２においては、ダイヤモンド砥粒の平均粒径に対するホウ素化合物の平均粒径（粒径比）を制御することで、被加工物Ｗを切削した場合に被加工物Ｗの裏面Ｗｂに発生するチッピングを抑制でき、かつ切削砥石の消耗量も抑制することが確認できた。
【００４０】
一般に、ダイヤモンド砥粒の粒径を大きくすると、被加工物Ｗの加工送り速度を上げることができ、また、ダイヤモンド砥粒の粒径を大きくすると、切削砥石６５の消耗度も小さくなる。切削砥石６５の消耗度が大きくなると、切込み深さを一定とするための切削砥石６５の原点設定（セットアップ）を頻繁に行わなければならず、生産性が低下するため、切削砥石６５の消耗度は小さくする必要がある。しかし、ダイヤモンド砥粒の粒径を大きくして被加工物Ｗの加工送り速度を上げると、被加工物Ｗの裏面チッピングは大きくなる。よって、許容されるチッピングの大きさにより使用できる砥粒の粒径、加工送り速度が決定される。
従来は、同様の切削対象に対しダイヤモンド砥粒の粒径が３０〜４０μｍ程度の砥粒を用いて低速で切削してチッピングを小さくしていたものを、実験例１および実験例２においては、ダイヤモンド砥粒の粒径に対するホウ素化合物の粒径を所定範囲とすることで、高速で且つチッピングを小さく抑えて加工することができ、さらに切削砥石６５の消耗量を抑えることが可能となった。よって、例えば３０〜５０μｍの粒径を有するダイヤモンド砥粒を用い、ダイヤモンド砥粒の粒径（平均粒径）の１／５より大きく１／２以下の平均粒径を有するホウ素化合物を加えることで、加工速度の向上、消耗量の低減、裏面チッピングの抑制のうち少なくとも１つを達成することができる。
他の例として、板厚が１［ｍｍ］を超える基板を切削する際には、裏面チッピングの大きさを考慮すると、分割予定ラインＳの幅が２００〜２５０［μｍ］は必要となることが当業者の共通認識であるが、加工送り速度と切削砥石６５の消耗度との兼ね合いで、粒径が７０〜８０［μｍ］程度のダイヤモンド砥粒を主砥粒として含み、ダイヤモンド砥粒の粒径（平均粒径）の１／５より大きく１／２以下の粒径（平均）を有するホウ素化合物を混在させることにより潤滑性が向上し、加工速度を上げても裏面チッピングを抑制できるという効果を期待できる。
【００４１】
本例においても、Ｂ４ＣやｃＢＮといったホウ素化合物を切削砥石６５に混在させることによって潤滑性が向上するため、ダイヤモンド砥粒の粒径を最大７０〜８０［μｍ］としても、裏面チッピングの大きさを、従来と同レベル（粒径が５０〜６０［μｍ］程度の小さいダイヤモンド砥粒を用いた加工において生じる裏面チッピングの大きさ）に抑えることができる。さらに、従来よりも大きなダイヤモンド砥粒を用いるとともにホウ素化合物を混入させることにより、加工速度を向上させるとともに切削砥石の消耗も抑制することができる。
【符号の説明】
【００４２】
６５：切削砥石  ６５０：装着孔
６Ａ：スピンドルユニット
６０：スピンドルハウジング  ６１：スピンドル
６２：固定フランジ  ６２０：フランジ部  ６２１：ボス部  ６２１ａ：ネジ  
６３：ナット  
６７：着脱フランジ  ６７ａ：係合孔  ６８：固定ナット
１：切削装置  Ａ：着脱領域  Ｂ：切削領域  １０：昇降機構  １１：カセット  
１２：搬出入手段  １３：仮置き領域  １４：位置合わせ手段  
１５ａ：第一の搬送手段  １５ｂ：第二の搬送手段  １６：洗浄手段
１７：アライメント手段  １７０：撮像手段  １８：表示手段
３０：チャックテーブル  ３００：吸着部  ３００ａ：保持面  ３０１：枠体  
３１：カバー  ３２：固定手段
６：切削手段  ６９：切削水供給ノズル
Ｗ：被加工物  Ｗａ：被加工物の表面  Ｗｂ：被加工物の裏面  Ｓ：分割予定ライン  
Ｄ：デバイス  Ｆ：環状フレーム  Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
2017047502.tif 000003
【図２】
2017047502.tif 000004
【図３】
2017047502.tif 000005
【図４】
2017047502.tif 000006
【図５】
2017047502.tif 000007
【図６】
2017047502.tif 000008