(57)【要約】      （修正有）【課題】配線に対する検査を効率的に行い易くすることができる配線基板、配線基板巻回体及び配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板は、第１方向に長手方向を有し、ベース層の第１面側において第１方向に延びる、第１階層に位置する複数の第１配線Ｗと、第１方向と交差する第２方向に延びる、第２階層に位置する複数の第２配線Ｂと、を備える。配線基板２０は、ベース層の第１面側において第１階層とは異なる第３階層に位置するとともに、前記ベース層の法線方向に見て隣り合う第２配線の間に位置し、前記複数の第１配線に対応して設けられ且つ前記第２方向に延びる複数の第３配線Ｆと、複数の第３配線が位置する第２配線の間で第１階層から第３階層へ至るように延び、第１配線と、対応する第３配線と、を接続する複数の層間電極と、をさらに備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および第２面を含み、第１方向に長手方向を有する長尺状に形成されたベース層と、
前記ベース層の前記第１面側において第１階層に位置し、前記第１方向に延びる複数の第１配線と、
前記ベース層の前記第１面側において前記第１階層とは異なる第２階層に位置し、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第２配線と、
前記ベース層の前記第１面側において前記第１階層とは異なる第３階層、又は、前記ベース層の前記第１面よりも前記第２面側に位置する第３階層に位置するとともに、前記ベース層の法線方向に見て隣り合う前記第２配線の間に位置し、前記複数の第１配線に対応して設けられ且つ前記第２方向に延びる複数の第３配線と、
前記複数の第３配線が位置する前記第２配線の間で前記第１階層から前記第３階層へ至るように延び、前記第１配線と、対応する前記第３配線と、を接続する複数の層間電極と、を備えている、配線基板。
【請求項２】
前記第２階層と前記第３階層とが、同一の面上の階層である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記複数の第３配線及び前記複数の層間電極が、複数の位置で、前記第２配線の間に位置している、請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第３配線は、端子部が設けられる前記配線基板の前記第２方向における端部に至る、請求項１乃至３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の配線基板をその長手方向に巻回してなる配線基板巻回体。
【請求項６】
配線基板を形成する工程と、前記配線基板を検査する工程と、を備える配線基板の製造方法であって、
前記配線基板は、第１面および第２面を含み、第１方向に長手方向を有する長尺状に形成されたベース層と、前記ベース層の前記第１面側において第１階層に位置し、前記第１方向に延びる複数の第１配線と、前記ベース層の前記第１面側において前記第１階層とは異なる第２階層に位置し、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第２配線と、前記ベース層の前記第１面側において前記第１階層とは異なる第３階層、又は、前記ベース層の前記第１面よりも前記第２面側に位置する第３階層に位置するとともに、前記ベース層の法線方向に見て隣り合う前記第２配線の間に位置し、前記複数の第１配線に対応して設けられ且つ前記第２方向に延びる複数の第３配線と、前記複数の第３配線が位置する前記第２配線の間で前記第１階層から前記第３階層へ至るように延び、前記第１配線と、対応する前記第３配線と、を接続する複数の層間電極と、を備えており、
前記配線基板を検査する工程では、少なくとも一つの前記第２配線の前記第２方向における端部、及び、少なくとも一つの前記第３配線の前記第２方向における端部、のうちの一方の端部に、電圧が印加され、他方の端部から電流が測定されることにより、前記第１配線と前記第２配線との導通状態が検査される、配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記配線基板は、ロール・トゥ・トールで検査位置に供給され、前記検査位置で、前記配線基板を検査する工程が行われる、請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、配線基板、配線基板巻回体及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の一例として、トランジスタ回路を有するトランジスタ基板が挙げられる。トランジスタ基板上のトランジスタ回路は、有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）ディスプレイ装置の複数の発光素子を個々に駆動するための駆動回路としてや、圧力センサ装置の複数の位置におけるセンサ信号を各々検出するためのセンサ回路として利用される場合がある。
【０００３】
トランジスタ基板は一般に、基材と、基材に形成された複数のトランジスタ回路と、トランジスタ回路に接続された配線と、を備える。このようなトランジスタ基板において上述の配線は、互いに交差するように配置されるデータ線と走査線とを含み、トランジスタ回路は、データ線と走査線との各交点に対応して設けられている。
【０００４】
トランジスタ回路を駆動回路やセンサ回路として機能させる場合、上述のデータ線および走査線は、信号処理のための駆動装置に接続される。このような駆動装置とデータ線または走査線などの配線との接続態様としては、例えば、基材の表面の外周側において、配線の端部と駆動装置とを接続する構成などが知られている。また特許文献１には、基材の表面と裏面とに走査線が設けられ、表面側の走査線と裏面側の走査線とが、基材の外周側の領域に設けられた貫通電極を介して電気的に接続され、裏面側の走査線が駆動装置に接続される構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−４０９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、データ線及び走査線のような互いに交差する配線を備える配線基板では、第１方向に延びる走査線のような配線の端部と、第１方向に交差する第２方向に延びるデータ線のような配線の端部とにそれぞれ検査装置を接続して電圧を印加することで、第１方向に延びる配線と第２方向に延びる配線との短絡検査が行われる場合がある。しかしながら、配線基板が長尺状に形成され、これにより第１方向に延びる配線の端部と第２方向に延びる配線の端部とが大きく離れる場合には、このような検査が非常に煩雑となるという問題が生じ得る。
【０００７】
本開示の実施形態は上述の点を考慮してなされたものであり、基板形状が長尺状で、検査対象となる互いに向きが異なる配線の端部が長手方向に大きく離れる場合であっても、配線に対する検査を効率的に行い易くすることができる配線基板、配線基板巻回体及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一実施形態は、
第１面および第２面を含み、第１方向に長手方向を有する長尺状に形成されたベース層と、
前記ベース層の前記第１面側において第１階層に位置し、前記第１方向に延びる複数の第１配線と、
前記ベース層の前記第１面側において前記第１階層とは異なる第２階層に位置し、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第２配線と、
前記ベース層の前記第１面側において前記第１階層とは異なる第３階層、又は、前記ベース層の前記第１面よりも前記第２面側に位置する第３階層に位置するとともに、前記ベース層の法線方向に見て隣り合う前記第２配線の間に位置し、前記複数の第１配線に対応して設けられ且つ前記第２方向に延びる複数の第３配線と、
前記複数の第３配線が位置する前記第２配線の間で前記第１階層から前記第３階層へ至るように延び、前記第１配線と、対応する前記第３配線と、を接続する複数の層間電極と、を備えている、配線基板、である。
【０００９】
前記第２階層と前記第３階層とは、同一の面上の階層であってもよい。
【００１０】
前記複数の第３配線及び前記複数の層間電極は、複数の位置で、前記第２配線の間に位置していてもよい。
【００１１】
前記第３配線は、端子部が設けられる前記配線基板の前記第２方向における端部に至ってもよい。
【００１２】
また本開示の一実施形態は、前記の配線基板をその長手方向に巻回してなる配線基板巻回体、である。
【００１３】
また本開示の一実施形態は、
配線基板を形成する工程と、前記配線基板を検査する工程と、を備える配線基板の製造方法であって、
前記配線基板は、第１面および第２面を含み、第１方向に長手方向を有する長尺状に形成されたベース層と、前記ベース層の前記第１面側において第１階層に位置し、前記第１方向に延びる複数の第１配線と、前記ベース層の前記第１面側において前記第１階層とは異なる第２階層に位置し、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第２配線と、前記ベース層の前記第１面側において前記第１階層とは異なる第３階層、又は、前記ベース層の前記第１面よりも前記第２面側に位置する第３階層に位置するとともに、前記ベース層の法線方向に見て隣り合う前記第２配線の間に位置し、前記複数の第１配線に対応して設けられ且つ前記第２方向に延びる複数の第３配線と、前記複数の第３配線が位置する前記第２配線の間で前記第１階層から前記第３階層へ至るように延び、前記第１配線と、対応する前記第３配線と、を接続する複数の層間電極と、を備えており、
前記配線基板を検査する工程では、少なくとも一つの前記第２配線の前記第２方向における端部、及び、少なくとも一つの前記第３配線の前記第２方向における端部、のうちの一方の端部に、電圧が印加され、他方の端部から電流が測定されることにより、前記第１配線と前記第２配線との導通状態が検査される、配線基板の製造方法、である。
【００１４】
前記配線基板は、ロール・トゥ・トールで検査位置に供給され、前記検査位置で、前記配線基板を検査する工程が行われてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本開示の実施形態によれば、基板形状が長尺状で、検査対象となる互いに向きが異なる配線の端部が長手方向に大きく離れる場合であっても、配線に対する検査を効率的に行い易くすることができる配線基板、配線基板巻回体及び配線基板の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本開示の実施形態における圧力センサ装置を示す平面図。
【図２Ａ】図２Ａは、図１のＩＩで示す領域の拡大図。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図１の要部の拡大図。
【図３】図３は、図２ＡのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図。
【図４】図４は、図２ＡのＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図。
【図５】図５は、図１に示す圧力センサ装置のトランジスタ基板の製造システムの概略図。
【図６】図６は、実施形態におけるトランジスタ基板の製造方法の一工程を示す図。
【図７】図７は、実施形態におけるトランジスタ基板の製造方法の一工程を示す図。
【図８】図８は、実施形態におけるトランジスタ基板の製造方法の一工程を示す図。
【図９】図９は、実施形態におけるトランジスタ基板の製造方法の一工程を示す図。
【図１０】図１０は、実施形態におけるトランジスタ基板の製造方法の一工程を示す図。
【図１１】図１１は、実施形態におけるトランジスタ基板の製造方法の一工程を示す図。
【図１２】図１２は、実施形態におけるトランジスタ基板の製造方法の一工程を示す図。
【図１３】図１３は、実施形態におけるトランジスタ基板の製造方法の一工程を示す図。
【図１４】図１４は、実施形態におけるトランジスタ基板の製造方法の一工程を示す図。
【図１５】図１５は、実施形態におけるトランジスタ基板の製造方法の一工程を示す図であって、検査工程を示す図。
【図１６】図１６は、図１に示す実施形態の変形例１を示す図。
【図１７】図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図。
【図１８】図１８は、図１に示す実施形態の変形例２を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本開示の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示は以下の実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「層」、「シート」や「フィルム」などの用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、層やシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
【００１８】
（圧力センサ装置）
まず、図１乃至図４を参照して、本実施形態にかかるトランジスタ基板２０を備える圧力センサ装置１０全体について説明する。図１は、圧力センサ装置１０を示す平面図であり、図２Ａは、図１のＩＩで示す領域の拡大図であり、図２Ｂは、図１の要部の拡大図である。また図３は、図２ＡのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図であり、図４は、図２ＡのＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。圧力センサ装置１０は、感圧体３８を利用して圧力を測定するよう構成されたものである。図１乃至図４に示すように、圧力センサ装置１０は、複数のトランジスタ回路を含むトランジスタ基板２０と、トランジスタ基板２０の表面上に設けられた感圧体３８および第２電極３９と、を備えている。なお、図２Ａ，図２Ｂにおいては、説明の便宜上、感圧体３８および第２電極３９の図示が省略されている。
【００１９】
圧力センサ装置１０の用途は特には限られないが、例えば用途の１つとして、圧力センサ装置１０をベッドなどの人体の荷重を受ける器具に組み込んで使用することが考えられる。
【００２０】
（トランジスタ基板）
次に圧力センサ装置１０において用いられるトランジスタ基板２０について詳細に説明する。図１乃至図４に示すように、トランジスタ基板２０は、基材２１と、基材２１に設けられ、第１方向Ｄ１および第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に沿ってマトリクス状に配置された複数のトランジスタ回路Ｔと、基材２１の第１方向Ｄ１における一方の端部に設けられ第２方向Ｄ２に並ぶ複数の第１端子部Ｐ１と、基材２１の第２方向Ｄ２における一方の端部に設けられ第１方向Ｄ１に並ぶ複数の一方側第２端子部Ｐ２と、基材２１の第２方向Ｄ２における他方の端部に設けられ第１方向Ｄ１に並ぶ複数の他方側第２端子部Ｐ２’と、基材２１の第２方向Ｄ２における一方の端部に設けられ第１方向Ｄ１に並ぶ複数の第３端子部Ｐ３と、を有している。また基材２１には、第１端子部Ｐ１とトランジスタ回路Ｔとを接続するための複数の走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）が設けられるとともに、第２端子部Ｐ２，Ｐ２’とトランジスタ回路Ｔとを接続するための複数のデータ線Ｂ（１）〜Ｂ（９），Ｂ（１１）〜Ｂ（１９），Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）が設けられている。
【００２１】
走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）は、第１方向Ｄ１に延び、データ線Ｂ（１）〜Ｂ（９），Ｂ（１１）〜Ｂ（１９），Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）は、第２方向Ｄ２に延びている。これら複数の走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）と複数のデータ線Ｂ（１）〜Ｂ（９），Ｂ（１１）〜Ｂ（１９），Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）とは、平面視で、互いに交差するように設けられ、これら各線の交点に対応して、複数のトランジスタ回路Ｔが設けられている。また図１に示すように、基材２１には、複数の取出し線Ｆ（１）〜（９），Ｆ（１１）〜（１９）がさらに設けられている。複数の取出し線Ｆ（１）〜（９），Ｆ（１１）〜（１９）のそれぞれは、走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）に対応して設けられるとともに対応する走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）に接続されて、第２方向Ｄ２に延びている。
【００２２】
なお、以下の説明では、走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）に共通する事項を説明する際には、走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）を走査線Ｗと記す場合がある。同様に、データ線Ｂ（１）〜Ｂ（９），Ｂ（１１）〜Ｂ（１９），Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）を、データ線Ｂと記し、取出し線Ｆ（１）〜（９），Ｆ（１１）〜（１９）を取出し線Ｆと記す場合がある。
【００２３】
図１に示すように、基材２１は、第１方向Ｄ１に沿って延びる一対の第１辺２２ａと、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿って延びる一対の第２辺２２ｂと、を含む矩形状の外形を有している。第１辺２２ａは、第２辺２２ｂよりも長く設定され、図示の基材２１は、第１方向Ｄ１に長手方向を有する長尺状に形成されている。これにより、トランジスタ基板２０も、長尺状に形成されている。図３及び図４に示すように、基材２１には、表面側から順に、樹脂材料を含むベース層２３、第１絶縁層２４および第２絶縁層２５が含まれている。このうち、ベース層２３から第２絶縁層２５までの間に、トランジスタ回路Ｔなどが設けられている。ベース層２３は、互いに対向する第１面２３ａと第２面２３ｂとを有し、図示の例では、第１面２３ａに第１絶縁層２４が積層され、第２面２３ｂに感圧体３８が積層されている。なお、基材２１中の各層も、第１方向Ｄ１に長手方向を有する長尺状に形成されている。
【００２４】
図１に示すように、第１端子部Ｐ１は、基材２１における第１方向Ｄ１の一端側に位置する外周部分に設けられ、第２方向Ｄ２に沿って並べられ且つ基材２１の表面側、すなわち感圧体３８が配置される側に露出している。一方で、一方側第２端子部Ｐ２及び第３端子部Ｐ３は、基材２１における第２方向Ｄ２の一端側に位置する外周部分に設けられ、第１方向Ｄ１に沿って並べられ且つ基材２１の表面側、すなわち基材２１に対して感圧体３８が配置される側に露出している。ここで、図４には、第３端子部Ｐ３の一つが基材２１の表面側に露出した状態が示されている。また、他方側第２端子部Ｐ２’は、基材２１における第２方向Ｄ２の他端側に位置する外周部分に設けられ、第１方向Ｄ１に沿って並べられ且つ基材２１の表面側、すなわち基材２１に対して感圧体３８が配置される側に露出している。他方側第２端子部Ｐ２’は、図４に示した一方側第２端子部Ｐ２の露出態様と同様の態様で、基材２１の表面側に露出している。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態においては、図示例にて９つの複数の一方側第２端子部Ｐ２で構成される第２端子群が、基材２１において長手方向に互いに離間するように配置されている。一方で、本実施形態においては、図示例にて９つの複数の第３端子部Ｐ３で構成される第３端子群が、隣り合う第２端子群の間に位置している。したがって、複数の第３端子部Ｐ３は、隣り合う一方側第２端子部Ｐ２の間に位置する状態となっている。また、一つの第２端子群においては、一方側第２端子部Ｐ２が、一定ピッチで並んでおり、同様に、一つの第３端子群においては、第３端子部Ｐ３が、一定ピッチで並んでいる。なお、図示の例では、基材２１の長手方向に上述の第２端子群が３つ配置され、上述の第３端子群が２つ配置されているが、これらの数は、特に限られるものではない。また、端子群内の端子部の数も特に限られるものではない。また、複数の他方側第２端子部Ｐ２’は、複数の一方側第２端子部Ｐ２の配列に対応する配列にて並んでいる。
【００２６】
走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）は、複数の第１端子部Ｐ１の各々から第１方向Ｄ１に延びており、各データ線Ｂよりも長く延びている。これら走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）は、複数の第１端子部Ｐ１に接続される図示しない駆動装置と各トランジスタ回路Ｔとを接続し、各トランジスタ回路Ｔを順にオン状態にするための制御信号を駆動装置から各トランジスタ回路Ｔに伝達するために設けられている。
【００２７】
走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）はそれぞれ、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ複数のトランジスタ回路Ｔの後述するゲート電極３１に接続されている。例えば第１走査線Ｗ（１）は、図１の紙面において最も下側に位置付けられ、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ複数のトランジスタ回路Ｔのゲート電極３１に接続されている。また第１走査線Ｗ（１）に隣接して配置された第２走査線Ｗ(２)は、第１走査線Ｗ（１）に接続された複数のトランジスタ回路Ｔとは異なる複数のトランジスタ回路Ｔのゲート電極３１に接続されている。なお本明細書において、「接続」とは、端子同士、電極同士または端子と電極とが直接的に接触している状態だけでなく、導電性を有する部材を介して端子同士、電極同士または端子と電極とが電気的に接続されている状態をも含む概念である。
【００２８】
トランジスタ回路Ｔに含まれるトランジスタがＰ型である場合、後述するソース電極３３に対するゲート電極３１の電圧が負になるように第１走査線Ｗ（１）に電圧を印加することにより、第１走査線Ｗ（１）に接続された複数のトランジスタ回路Ｔを同時にオン状態にすることができる。第２走査線Ｗ(２)およびその他の走査線についても同様である。なお、本実施形態においては、上述の走査線Ｗが、第１配線に対応する。
【００２９】
データ線Ｂ（１）〜Ｂ（９），Ｂ（１１）〜Ｂ（１９），Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）はそれぞれ、対応する一方側第２端子部Ｐ２の各々から第２方向Ｄ２に延び、対応する他方側第２端子部Ｐ２’に接続されている。したがって、本実施形態では、上述の第２端子群の配列に対応して、データ線Ｂ（１）〜Ｂ（９）で構成される配線群と、データ線Ｂ（１１）〜Ｂ（１９）で構成される配線群と、データ線Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）で構成される配線群と、が、基材２１において長手方向に互いに離間するように配置されている。データ線Ｂは、複数の一方側第２端子部Ｐ２に接続される図示しない駆動装置と各トランジスタ回路Ｔとを接続し、感圧体３８の電気抵抗や静電容量に関する情報を含む検出信号を伝達するために設けられている。
【００３０】
複数のデータ線Ｂ（１）〜Ｂ（９），Ｂ（１１）〜Ｂ（１９），Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）はそれぞれ、第２方向Ｄ２に沿って並ぶ複数のトランジスタ回路Ｔの後述するソ−ス電極３３に電気的に接続されている。これにより、一方側第２端子部Ｐ２に接続される駆動装置と各トランジスタ回路Ｔとが、データ線Ｂを介して接続されることになる。
【００３１】
例えば、図１の紙面において最も左側に位置付けられた第１データ線Ｂ（１）は、図１の紙面において最も左側に位置付けられ、第２方向Ｄ２に沿って並ぶ複数のトランジスタ回路Ｔのソース電極３３に接続されている。この第１データ線Ｂ(１)に隣接して配置された第２データ線Ｂ(２)は、第１データ線Ｂ(１)に接続された複数のトランジスタ回路Ｔとは異なる複数のトランジスタ回路Ｔのソース電極３３に接続されている。第１データ線Ｂ(１)には、第１データ線Ｂ(１)に接続された複数のトランジスタ回路Ｔのうち、走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）からの制御信号によってオン状態になっている１つのトランジスタ回路Ｔから取り出された検出信号が伝達される。第２データ線Ｂ(２)およびその他のデータ線についても同様である。なお、本実施形態においては、上述のデータ線Ｂが、第２配線に対応する。
【００３２】
一方で、図１に示すように、取出し線Ｆ（１）〜（９），（１１）〜（１９）はそれぞれ、複数の第３端子部Ｐ３の各々から第２方向Ｄ２に延びている。すなわち、取出し線Ｆ（１）〜（９），（１１）〜（１９）は、第２方向Ｄ２に延び、複数の第３端子部Ｐ３が設けられるトランジスタ基板２０の第２方向Ｄ２における端部に至って、複数の第３端子部Ｐ３に接続されている。したがって、本実施形態では、取出し線Ｆ（１）〜（９）で構成される配線群および取出し線Ｆ（１１）〜（１９）で構成される配線群のそれぞれが、複数のデータ線Ｂで構成される配線群の間に位置している。これにより、複数の取出し線Ｆ（１）〜（９）及び複数の取出し線（１１）〜（１９）はそれぞれ、基材２１、すなわちベース層２３の法線方向に見て、互いに異なる位置で、隣り合うデータ線Ｂ、具体的にはデータ線Ｂ（９）とデータ線Ｂ（１１）との間及びデータ線Ｂ（１９）とデータ線Ｂ（２１）との間に位置する状態となっている。
【００３３】
本実施形態において、これら取出し線Ｆ（１）〜Ｆ（９），Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）はそれぞれ、対応する走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）に基材２１の法線方向に沿って延びる層間電極ＬＥを介して接続されている。図２Ｂには、取出し線Ｆ（１）〜Ｆ（９），Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）と走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）とが接続される領域が示され、取出し線Ｆ（１）〜Ｆ（９）に対応する層間電極ＬＥ（１）〜ＬＥ（９）と、取出し線Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）に対応する層間電極ＬＥ（１１）〜ＬＥ（１９）と、が示されている。図２Ｂに示すように、図示の例では、一つの走査線Ｗと、対応する取出し線Ｆ（１）〜Ｆ（９）のうちの一つ及び対応する取出し線Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）のうちの一つと、が接続されている。層間電極ＬＥ（１）〜ＬＥ（９），ＬＥ（１１）〜ＬＥ（１９）はそれぞれ、対応する取出し線Ｆから基材２１の法線方向に沿って延び、対応する走査線Ｗに至るように構成されている。層間電極ＬＥの詳細については、後述する。
【００３４】
本実施形態におけるトランジスタ基板２０では、走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）やデータ線Ｂ（１）〜Ｂ（９），Ｂ（１１）〜Ｂ（１９），Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）の本数がトランジスタ回路Ｔの数よりも少ない場合であっても、走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）およびデータ線Ｂ（１）〜Ｂ（９），Ｂ（１１）〜Ｂ（１９），Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）をマトリクス状に配置することにより、任意のトランジスタ回路Ｔからの検出信号を取り出すことができる。このため、基材２１に設けられるラインの本数を削減することができる。なお図示の例においては、例えば走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）が９本、データ線Ｂ（１）〜Ｂ（９）が９本である例が示されているが、このような配線の本数は特に限定されるものではない。またトランジスタ回路Ｔや端子部Ｐ１，Ｐ２などを適切に支持することができる限りにおいて、基材２１を構成する材料が特に限られることはない。例えば基材２１は、可撓性を有するフレキシブル基板であってもよく、可撓性を有しないリジット基板であってもよい。
【００３５】
（トランジスタ回路）
次に図３を参照して、トランジスタ基板２０のトランジスタ回路Ｔについて詳細に説明する。図３に示すように、各トランジスタ回路Ｔは、ベース層２３の第１面２３ａに第１方向Ｄ１に間隔を空けて設けられたソース電極３３およびドレイン電極３４と、隣り合うソース電極３３およびドレイン電極３４の間に位置するようにベース層２３の第１面２３ａに設けられた半導体層３５と、半導体層３５を覆うように設けられた第１絶縁層２４のベース層２３側とは反対側の面に設けられたゲート電極３１と、ベース層２３の第２面２３ｂに設けられ且つ感圧体３８によって覆われる第１電極３７と、第１電極３７およびドレイン電極３４を接続するベース貫通電極３６ａと、を有している。本実施形態におけるトランジスタ回路Ｔにおいて、ベース層２３には、ベース側貫通孔３６ｂが形成され、ベース貫通電極３６ａは、ベース側貫通孔３６ｂに配置されている。なお、ベース貫通電極３６ａは、ベース側貫通孔３６ｂの少なくとも内周面に配置されればよく、ベース側貫通孔３６ｂ内の全域に充填されていてもよい。
【００３６】
ゲート電極３１には、上述したように、対応する走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）が接続され、ソース電極３３には、対応するデータ線Ｂ（１）〜Ｂ（９），Ｂ（１１）〜Ｂ（１９），Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）が接続されている。図３においては、走査線Ｗ（９）と、データ線Ｂ（１９）とが破線で示されている。図３に示すように、走査線Ｗ（９）と、データ線Ｂ（１９）とは、互いに異なる階層に設けられている。
【００３７】
詳しくは、本実施形態では、走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）とゲート電極３１とが、第１階層Ｒ１に設けられ、データ線Ｂ（１）〜Ｂ（９），Ｂ（１１）〜Ｂ（１９），Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）とソース電極３３とドレイン電極３４とが、第１階層Ｒ１とは異なる第２階層Ｒ２に設けられている。図示の例では、第１階層Ｒ１が、第１絶縁層２４のベース層２３側とは反対側の面上の階層であり、第２階層Ｒ２は、ベース層２３の第１面２３ａ上の階層である。これら第１階層Ｒ１および第２階層Ｒ２はともに、ベース層２３の第１面２３ａ側に位置している。また図３においては、複数の取出し線Ｆのうちの取出し線Ｆ（１８）が示されており、取出し線Ｆ（１８）は、第１階層Ｒ１とは異なる第３階層Ｒ３に位置している。具体的に本実施の形態では、第２階層Ｒ２と第３階層Ｒ３とが、同一の面上の階層であり、これによりデータ線Ｂと取出し線Ｆとが同じ階層に位置している。したがって、層間電極ＬＥは、第１階層Ｒ１から第３階層Ｒ３に至るため、図示の例では、第１絶縁層２４を貫通している。図４には、複数の層間電極ＬＥのうちの層間電極ＬＥ（１８）が示され、層間電極ＬＥ（１８）は、第１絶縁層２４を貫通して、走査線Ｗ（８）と取出し線Ｆ（１８）とを接続している。なお、本実施形態において、第３階層Ｒ３は、ベース層２３の第１面２３ａ側において第２階層Ｒ２と同じ位置であるが、各階層の位置関係は、実施形態の態様に限定されるものではない。
【００３８】
また図３に戻り、第１電極３７は、ベース層２３に対してドレイン電極３４が位置する側とは反対側において、感圧体３８の第１面３８ａに接している。また第１面３８ａの反対側に位置する感圧体３８の第２面３８ｂ上には、導電性を有する第２電極３９が設けられている。第２電極３９上には、第２電極３９を被覆する被覆層４０が設けられていてもよい。被覆層４０を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂材料を用いることができる。
【００３９】
感圧体３８は、感圧体３８に加えられる圧力に応じて、圧力が加えられた方向における電気抵抗または静電容量が変化するよう構成されたものである。感圧体３８としては、例えば、感圧体に加えられる圧力に応じて、圧力が加えられた方向ここでは厚み方向における電気抵抗が変化するよう構成された、いわゆる感圧導電体が用いられ得る。感圧導電体は例えば、シリコーンゴムなどのゴムと、ゴムに添加されたカーボンなどの導電性を有する複数の粒子と、を含んでいる。
【００４０】
図１に示すように、上述の感圧体３８および第２電極３９は、複数のトランジスタ回路Ｔに跨って連続的に設けられていてもよい。図３に示す例において、ペンなどによって圧力が加えられると、圧力を加えられた部分において、感圧体３８が厚み方向において圧縮される。この結果、厚み方向において感圧体３８内の粒子が互いに接触し、厚み方向における感圧体３８の電気抵抗値が低くなる。このため、圧力が加えられた部分の感圧体３８に接続されたトランジスタ回路Ｔにおいては、ソース電極３３およびドレイン電極３４に流れる電流が増加する。従って、各トランジスタ回路Ｔに流れる電流値を検出することにより、圧力センサ装置１０に加えられている圧力の分布を算出することができる。
【００４１】
このようなトランジスタ回路Ｔにおいて、ゲート電極３１、ソース電極３３、ドレイン電極３４、第１電極３７などを構成する材料としては、トランジスタにおいて用いられる公知の材料が用いられる。例えば、特開２０１３−６８５６２号公報において開示されている材料を用いることができる。
【００４２】
半導体層３５を構成する材料としては、無機半導体材料または有機半導体材料のいずれが用いられてもよいが、好ましくは有機半導体材料が用いられる。有機半導体材料は一般に、無機半導体材料に比べて低い温度で基板上に形成され得る。このため、基板として、フレキシブルなプラスチック基板などを利用することができる。このことにより、機械的衝撃に対する安定性を有し、かつ軽量な半導体素子を提供することが可能となる。また、印刷法等の塗布プロセスを用いて有機半導体材料を基板上に形成することができるので、無機半導体材料が用いられる場合に比べて、多数の有機トランジスタを基板上に効率的に形成することが可能となる。このため、半導体素子の製造コストを低くすることができる可能性がある。
【００４３】
有機半導体材料としては、ペンタセン等の低分子系有機半導体材料や、ポリピロール類等の高分子有機半導体材料が用いられ得る。より具体的には、特開２０１３−２１１９０号公報において開示されている低分子系有機半導体材料や高分子有機半導体材料を用いることができる。ここで「低分子有機半導体材料」とは、例えば、分子量が１００００未満の有機半導体材料を意味している。また「高分子有機半導体材料」とは、例えば、分子量が１００００以上の有機半導体材料を意味している。
【００４４】
なお図３においては、トランジスタ回路Ｔがいわゆるボトムゲート型となっている例を示した。しかしながら、トランジスタ回路Ｔのタイプがボトムゲート型に限られることはない。例えば、トランジスタ回路Ｔは、いわゆるトップゲート型となっていてもよい。
【００４５】
（層間電極及び取出し線）
次に層間電極ＬＥ及び取出し線Ｆについて詳述する。本実施形態における複数の層間電極ＬＥは、複数の取出し線Ｆが位置する隣り合うデータ線Ｂの間で第１階層Ｒ１から第３階層Ｒ３へ至るように延び、そして走査線Ｗと対応する取出し線Ｆと、を接続する。具体的に本実施形態では、図１及び図２Ｂに示すように、層間電極ＬＥ（１）〜ＬＥ（９）が、複数の取出し線Ｆ（１）〜Ｆ（９）が位置するデータ線Ｂ（９）とデータ線Ｂ（１１）との間で、第３階層Ｒ３へ至るように延び、走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）と対応する取出し線Ｆ（１）〜Ｆ（９）とを接続している。また層間電極ＬＥ（１１）〜ＬＥ（１９）は、複数の取出し線Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）が位置するデータ線Ｂ（１９）とデータ線Ｂ（２１）との間で、第３階層Ｒ３へ至るように延び、走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）と対応する取出し線Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）とを接続している。
【００４６】
また図２Ｂに示すように、層間電極ＬＥ（１）〜ＬＥ（９），ＬＥ（１１）〜ＬＥ（１９）は、互いに第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２にずれて位置するように配置されている。詳しくは、本実施形態における層間電極ＬＥ（１）〜ＬＥ（９）は、対応する走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）に基材２１の法線方向で重なる位置に配置されており、第２方向Ｄ２においては、走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）において隣り合う走査線の間の間隔と同等の間隔を空けて配置されている。また図２Ｂに示すように、層間電極ＬＥ（１）〜ＬＥ（９）は、対応する取出し線Ｆ（１）〜Ｆ（９）に基材２１の法線方向で重なる位置に配置されており、第１方向Ｄ１においては、取出し線Ｆ（１）〜Ｆ（９）において隣り合う取出し線Ｆの間の間隔と同等の間隔を空けて配置されている。層間電極ＬＥ（１１）〜ＬＥ（１９）も、層間電極ＬＥ（１）〜ＬＥ（９）と同様に配置されている。これにより、取出し線Ｆ（１）〜Ｆ（９）に対応する層間電極ＬＥ（１）〜ＬＥ（９）は、対応する走査線（１）〜Ｗ（９）に各別に接続され、取出し線Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）に対応する層間電極ＬＥ（１１）〜ＬＥ（１９）は、対応する走査線（１）〜Ｗ（９）に各別に接続される。以上のような取出し線Ｆ及び層間電極ＬＥは、走査線Ｗおよび／またはデータ線Ｂの導通検査、短絡検査の際に用いられるようになっている。
【００４７】
（トランジスタ基板の製造方法）
次にトランジスタ基板２０の製造方法について図５乃至図１５を参照しつつ説明する。図５は、圧力センサ装置１０のトランジスタ基板２０の製造システムの概略図であり、図６乃至図１５は、トランジスタ基板２０の製造方法の一工程を示す図である。
【００４８】
図５に示すように、本実施形態では、一例として、ロール・トゥ・ロールでトランジスタ基板２０を構成するための部材を供給、換言すると搬送しつつ、トランジスタ基板２０が製造される。すなわち、トランジスタ基板２０を構成するためのベース層２３などの部材がロール１０１，１０２間の露光装置やエッチング装置などの装置に順次搬送されて処理が行われる。以下、この製造方法の各工程を詳述する。
【００４９】
まず、本実施形態では、図６に示すように、第１面２３ａから第２面２３ｂに貫通するベース側貫通孔３６ｂを有するベース層２３が、第２面２３ｂ側に剥離層６１を積層された状態で準備される。図示の例では、剥離層６１のベース層２３側とは反対側の面に、転写用基材６２がさらに積層されている。本実施形態では、ベース層２３が、その長手方向をロール１０１，１０２間の搬送方向に沿わせて搬送されるようになっている。またベース側貫通孔３６ｂは、マトリクス状に配置されることになるトランジスタ回路Ｔに対応して設けられるため、ベース層２３においてマトリクス状に形成されている。
【００５０】
次いで、図７に示すように、ベース層２３の第１面２３ａに、ベース貫通電極３６ａ、ソース電極３３、ドレイン電極３４、各データ線Ｂおよび各取出し線Ｆが形成される。ここでは、まず、ベース層２３の第１面２３ａ上に、銅やアルミなどの導電性材料を配置し、この導電性材料の一部によってベース側貫通孔３６ｂの少なくとも内周面に配置されるベース貫通電極３６ａを形成する工程が行われる。その後、上述の導電性材料上にレジストを配置し、このレジストをソース電極３３、ドレイン電極３４、各データ線Ｂおよび各取出し線Ｆに対応するパターンを有する配線電極用露光マスクで露光して、前記導電性材料上に配線電極用マスクパターンを形成する工程が行われる。そして、上述の配線電極用マスクパターンをマスクとして第１面２３ａ上の前記導電性材料をエッチングし、前記導電性材料からソース電極３３、ドレイン電極３４、各データ線Ｂ及び各取出し線Ｆを形成する工程が行われる。この際、ドレイン電極３４は、図７に示すように、ベース貫通電極３６ａ上に形成される。
【００５１】
次いで、図８に示すように、半導体層３５が、隣り合うソース電極３３およびドレイン電極３４の間に位置するようにベース層２３の第１面２３ａに設けられる。その後、図９に示すように、第１絶縁層２４が、ソース電極３３、ドレイン電極３４、各データ線Ｂ、各取出し線Ｆおよび半導体層３５を覆うように設けられる。
【００５２】
次いで、図１０に示すように、取出し線Ｆに接続される層間電極ＬＥが、第１絶縁層２４に貫通して形成される。図１０においては、層間電極ＬＥが破線で示されている。ここでは、まず、層間電極ＬＥが延在することになる第１階層Ｒ１と第３階層Ｒ３との間に介在する中間層に対応する第１絶縁層２４上にレジストを配置し、前記レジストを層間電極ＬＥに対応するパターンを有する層間電極用露光マスクで露光して、第１絶縁層２４上に層間電極用マスクパターンを形成する工程が行われる。その後、上述の層間電極用マスクパターンをマスクとして第１絶縁層２４をエッチングし、層間電極用貫通孔を形成する工程が行われる。その後、層間電極用貫通孔に導電性材料を配置することにより、層間電極ＬＥが形成される。
【００５３】
次いで、図１１に示すように、第１絶縁層２４のベース層２３側とは反対側の面に、ゲート電極３１および走査線Ｗが形成される。走査線Ｗは、対応する層間電極ＬＥ上に形成され、対応する層間電極ＬＥと導通された状態となる。ここでは、まず、第１絶縁層２４のベース層２３側とは反対側の面上に、銅やアルミなどの導電性材料を配置する工程が行われる。その後、上述の導電性材料上にレジストを配置し、このレジストをゲート電極３１および走査線Ｗに対応するパターンを有する配線電極用露光マスクで露光して、前記導電性材料上に配線電極用マスクパターンを形成する工程が行われる。そして、上述の配線電極用マスクパターンをマスクとして第１絶縁層２４のベース層２３側とは反対側の面上の前記導電性材料をエッチングし、前記導電性材料からゲート電極３１および走査線Ｗを形成する工程が行われる。次いで、図１２に示すように、第１絶縁層２４上に、第２絶縁層２５が積層され、第２絶縁層２５によって、ゲート電極３１および走査線Ｗが覆われる。
【００５４】
次いで、図１３に示すように、ベース層２３と第２絶縁層２５との間に複数の層を含む積層体が、反転される。一方、ベース層２３の第２面２３ｂ側に積層されていた剥離層６１および転写用基材６２が剥離される。ここで、剥離層６１が剥離されることで、ドレイン電極３４に接続されたベース貫通電極３６ａの端面が外部に露出する。このベース貫通電極３６ａの端面は、剥離層６１によって覆われていたことで、剥離層６１の面に沿った平坦状となり、高い平坦度を確保できる。これにより、図１４に示すように、ベース層２３の第２面２３ｂに第１電極３７が設けられた際に、第１電極３７とベース貫通電極３６ａとの良好な電気的な接続状態を確保できる。その後は、図１４に示すように、第１電極３７を覆うように、ベース層２３に感圧体３８が積層され、感圧体３８に、第２電極３９および被覆層４０が設けられる。なお、ベース貫通電極３６ａが第１電極３７として機能し、感圧体３８に直接的に接触する態様が採用されてもよく、第１電極３７は形成されなくてもよい。
【００５５】
以上のようにして、トランジスタ基板２０が作製された後、本例では、端子部Ｐ１，Ｐ２に駆動装置を接続する前に、走査線Ｗ及びデータ線Ｂの導通検査及び短絡検査が行われる。本実施形態における導通検査では、走査線Ｗの導通検査と、データ線Ｂの導通検査と、が行われる。走査線Ｗの導通検査は、走査線Ｗに接続された第１端子部Ｐ１と、この走査線Ｗに対応する取出し線Ｆに接続された第３端子部Ｐ３との間に電流が流れるか否かを確認することによって行うことができる。データ線Ｂの導通検査は、一方側第２端子部Ｐ２と、対応する他方側第２端子部Ｐ２’との間に電流が流れるか否かを確認することによって行うことができる。また短絡検査は、走査線Ｗとデータ線Ｂとが短絡していないかどうかを確認する検査である。この短絡検査では、少なくとも一つのデータ線Ｂの第２方向Ｄ２における端部、すなわち一方側第２端子部Ｐ２、及び、少なくとも一つの取出し線Ｆの第２方向Ｄ２における端部、すなわち第３端子部Ｐ３、のうちの一方の端子部に、電圧が印加され、他方の端子部から電流が測定されることにより、走査線Ｗとデータ線Ｂとの導通状態が検査される。ここで、走査線Ｗとデータ線Ｂとが導通すれば、短絡していると判断でき、導通しなければ、短絡していない判断できる。このような導通検査及び短絡検査の際には、トランジスタ基板２０は、ロール・トゥ・トールで検査位置に供給され、検査位置でこれらの検査が行われるようになっている。
【００５６】
例えば、図１５に示す検査工程の一例では、データ線Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）の一方側第２端子部Ｐ２に第１検査装置１１０が接続され、取出し線Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）の第３端子部Ｐ３に第２検査装置１２０が接続されている。第１検査装置１１０は、一方側第２端子部Ｐ２に各別に接続される複数の電極を有し、各電極からデータ線Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）に電圧を印加可能で且つデータ線Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）を流れた電流を検出可能となっている。第２検査装置１２０は、第３端子部Ｐ３に各別に接続される複数の電極を有し、各電極から取出し線Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）に電圧を印加可能で且つ取出し線Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）を流れた電流を検出可能となっている。このような状態では、データ線Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）と走査線Ｗ（１）〜Ｗ（９）との短絡検査を行うことができる。
【００５７】
ここで、本実施形態のような取出し線Ｆが設けられていない基板においては、上述のように検査を行う場合、データ線Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）の一方側第２端子部Ｐ２に第１検査装置１１０を接続する一方で、第２検査装置１２０を第１端子部Ｐ１に接続することにより、検査を行う必要がある。しかしながら、この場合、第１検査装置１１０と第２検査装置１２０とが長手方向に大きく離れてしまうため、作業及び走査等が煩雑となってしまう。これに対して、本実施形態では、図１５に示すように、第１検査装置１１０と第２検査装置１２０とが大きく離れることを抑制しつつ検査を行うことができ、これにより本実施の形態の構成によれば、検査を効率的に行うことが可能となる。
【００５８】
以上に説明した本実施形態におけるトランジスタ基板２０は、第１面２３ａおよび第２面２３ｂを含み、第１方向Ｄ１に長手方向を有する長尺状に形成されたベース層２３と、ベース層２３の第１面２３ａ側において第１階層Ｒ１に位置し、第１方向Ｄ１に延びる複数の走査線Ｗと、ベース層２３の第１面２３ａ側において第１階層Ｒ１とは異なる第２階層Ｒ２に位置し、第１方向Ｒ１に交差する第２方向Ｒ２に延びる複数のデータ線Ｂと、を備えている。さらにトランジスタ基板２０は、ベース層２３の第１面２３ａ側において第１階層Ｒ１とは異なる第３階層Ｒ３に位置するとともにベース層２３の法線方向に見て隣り合うデータ線Ｂの間に位置し、複数の走査線Ｗに対応して設けられ且つ第２方向Ｄ２に延びる複数の取出し線Ｆと、複数の取出し線Ｆが位置するデータ線Ｂの間で第１階層Ｒ１から第３階層Ｒ３へ至るように延び、走査線Ｗと、対応する取出し線Ｆと、を接続する複数の層間電極ＬＥと、を備えている。これにより、トランジスタ基板２０において長手方向で広範囲にデータ線Ｂが設けられた場合であっても、互いに大きく離間しない範囲で取出し線Ｆとデータ線Ｂとの間の導通状態の検査を行うことで、走査線Ｗとデータ線Ｂとの短絡検査を行うことが可能となる。これにより、基板形状が長尺状で、検査対象となる互いに向きが異なる走査線Ｗおよびデータ線Ｂの端部が長手方向に大きく離れる場合であっても、配線に対する検査、とりわけ短絡検査を効率的に行い易くすることができる。
【００５９】
また本実施の形態では、第２階層Ｒ２と第３階層Ｒ３とが、同一の面上の階層である。これにより、データ線Ｂと取出し線Ｆとを同時に形成することが可能となり、製造効率を向上できる。また、取出し線Ｆ（１）〜Ｆ（９）及び取出し線Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）のように、複数の取出し線Ｆ及び複数の層間電極ＬＥが、複数の位置で、データ線Ｂの間に位置している。これにより、検査の自由度が向上するために、検査の効率を高めることができる。
【００６０】
一方、本実施形態におけるトランジスタ基板２０の製造方法では、トランジスタ基板２０が、ロール・トゥ・トールで検査位置に供給され、この検査位置で、トランジスタ基板２０における導通の検査が行われる。これにより、製造プロセスにおいてスムーズに検査工程に移行できることで、検査を効率的に行うことができる。
【００６１】
なお、上述した実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
【００６２】
例えば、上述の実施形態では、複数の取出し線Ｆが、ベース層２３の第１面２３ａ側において第１階層Ｒ１とは異なる第３階層Ｒ３に位置し、しかも第３階層Ｒ３とデータ線Ｂが位置する第２階層Ｒ２とが同一の階層となっている。しかしながら、このような態様に代えて、第２階層Ｒ２と第３階層Ｒ３とが異なる階層となっていてもよい。また第３階層Ｒ３は、ベース層２３の第１面２３ａ側でなく、第１面２３ａよりも第２面２３ｂ側に設定されていてもよい。図１６は、変形例１にかかるトランジスタ基板２０を示し、図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。この変形例１では、第３階層Ｒ３がベース層２３の第２面２３ｂ上に設定され、図１７に示すように、第２面２３ｂ上に取出し線Ｆが形成されている。また層間電極ＬＥは、第１絶縁層２４とベース層２３とを貫通している。
【００６３】
また、上述の実施形態では、データ線Ｂ（１）〜Ｂ（９）で構成される配線群と、データ線Ｂ（１１）〜Ｂ（１９）で構成される配線群と、データ線Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）で構成される配線群と、が、基材２１において長手方向に互いに離間するように配置されている。しかしながら、このような配線群の数は、特に限られるものではない。図１８は、変形例２にかかるトランジスタ基板２０を示している。図１８に示す変形例２では、データ線Ｂで構成される４つ以上の配線群Ｂｇが、基材２１において長手方向に互いに離間するように配置されている。そして隣り合う配線群の間には、複数の取出し線Ｆの配線群Ｆｇが配置されている。本実施形態のような取出し線Ｆは、基板が長くなる程、検査において有益に機能する。
【００６４】
また上述の実施形態では、ロール・トゥ・ロールでトランジスタ基板２０を構成するための例えばベース層２３のような部材が供給され、順次各種の層が形成され、トランジスタ基板２０が製造される。したがって、トランジスタ基板２０は柔軟性を有している。ここで、トランジスタ基板２０は、このような柔軟性によって、その長手方向に巻回してなる配線基板巻回体とされることが好ましい。このような巻回体とすることは、半導体層３５を有機半導体層とすること等により実現することができる。トランジスタ基板２０を配線基板巻回体とした場合には、搬送等における取り扱い性を向上できる。
【００６５】
また、上述の実施形態では、ベース層２３上にトランジスタ回路２０が形成されているが、ベース層２３上に形成される素子は、トランジスタ回路２０に限られるものではない。また、互いに交差する配線の交点に対応する素子は設けられなくもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１０  圧力センサ装置
２０  トランジスタ基板
２１  基材
２２ａ  第１辺
２２ｂ  第２辺
２３  ベース層
２３ａ  第１面
２３ｂ  第２面
２４  第１絶縁層
２５  第２絶縁層
３１  ゲート電極
３３  ソース電極
３４  ドレイン電極
３５  半導体層
３９  第２電極
１０１，１０２  ロール
Ｔ  トランジスタ回路
Ｐ１  第１端子部
Ｐ２  一方側第２端子部
Ｐ３  第３端子部
Ｗ（１）〜Ｗ（９）  走査線
Ｂ（１）〜Ｂ（９），Ｂ（１１）〜Ｂ（１９），Ｂ（２１）〜Ｂ（２９）  データ線
Ｆ（１）〜Ｆ（９），Ｆ（１１）〜Ｆ（１９）  取出し線
ＬＥ（１）〜ＬＥ（９），ＬＥ（１１）〜ＬＥ（１９）  層間電極
【図１】
2017183637.tif 000003
【図２Ａ】
2017183637.tif 000004
【図２Ｂ】
2017183637.tif 000005
【図３】
2017183637.tif 000006
【図４】
2017183637.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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