(57)【要約】【課題】シンチレータと反射層との熱膨張率の差によって生じるシンチレータの損傷を抑制する新たな技術を提供する。【解決手段】光を電気信号に変換するセンサ部が配されたセンサ基板と、センサ基板の上に配され放射線を光に変換するシンチレータと、光をセンサ基板に反射するようにシンチレータの上に配された反射層と、シンチレータ及び反射層を覆うように配された保護層と、を含む放射線撮像装置であって、反射層は、センサ基板に対する正射影において、シンチレータと重なる第１の部分と、第１の部分の外縁の一部からシンチレータの外縁よりも外側まで延在し、センサ基板と接する第２の部分と、を含み、反射層のうち第１の部分は、シンチレータとの移動を許し、反射層のうち第２の部分が、センサ基板と結合している。【選択図】図１
2017036923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を電気信号に変換するセンサ部が配されたセンサ基板と、前記センサ基板の上に配され放射線を光に変換するシンチレータと、前記光を前記センサ基板に反射するように前記シンチレータの上に配された反射層と、前記シンチレータ及び前記反射層を覆うように配された保護層と、を含む放射線撮像装置であって、
前記反射層は、前記センサ基板に対する正射影において、
前記シンチレータと重なる第１の部分と、
前記第１の部分の外縁の一部から前記シンチレータの外縁よりも外側まで延在し、前記センサ基板と接する第２の部分と、を含み、
前記反射層のうち前記第１の部分は、前記シンチレータとの移動を許し、
前記反射層のうち前記第２の部分が、前記センサ基板と結合していることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記センサ基板の表面に対する正射影において、前記シンチレータは矩形であり、
前記第２の部分は、前記シンチレータの角部において、前記第１の部分から前記シンチレータの外縁よりも外側まで延在することを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記第２の部分は、前記シンチレータのすべての角部において、前記第１の部分から前記シンチレータの外縁よりも外側まで延在することを特徴とする請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記放射線撮像装置は、封止部を更に含み、
前記センサ基板の表面に対する正射影において、前記第２の部分の端部が前記保護層の外縁よりも外側に突出し、
前記封止部は、前記第２の部分のうち少なくとも前記保護層の外縁よりも外側に突出した部分を覆うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記第２の部分は、前記保護層の外縁よりも外側に突出した部分で前記センサ基板と結合していることを特徴とする請求項４に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記反射層と前記保護層とが結合していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記センサ基板の表面に対する正射影において、前記第２の部分のうち付け根部分の幅が、前記第２の部分の端部の側から前記付け根部分の側に向かい広くなることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記センサ基板の表面に対する正射影において、前記付け根部分の外縁が、滑らかであることを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記センサ基板の表面に対する正射影において、前記第２の部分のうち、付け根部分の幅よりも端部の幅の方が細いことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記センサ基板の表面に対する正射影において、前記第２の部分の幅が、前記付け根部分から離れるにつれて細くなることを特徴とする請求項９に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
前記反射層が、絶縁体であることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１２】
前記センサ基板の表面に対する正射影において、前記反射層のうち前記第１の部分の外縁が、前記シンチレータの外縁に沿っていることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１３】
前記センサ基板の表面に対する正射影において、前記反射層のうち前記第１の部分の外縁が、前記シンチレータの外縁よりも内側にあることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１４】
前記センサ部は、光を電気信号に変換するセンサが２次元マトリクス状に配置され、
前記シンチレータは、前記センサ基板の表面に対する正射影が前記センサ部を覆うように且つ、前記センサ基板の表面に対する正射影の外縁が前記センサ基板の外縁よりも内側となるように、配置されていることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４の何れか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理部と、を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮像装置及び放射線撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線を光に変換するシンチレータと、光を電気信号に変換するセンサ部が配されたセンサ基板とを有する放射線撮像装置において、センサ基板上にシンチレータと、シンチレータで発生した光をセンサ基板側に反射させる反射層とを積層した構成が知られている。このような放射線撮像装置の使用時に温度変化がある場合、シンチレータと反射層との熱膨張率の差に起因してシンチレータと反射層との界面で応力を受けたシンチレータが損傷する場合がある。特許文献１には、シンチレータと反射層とを別々の支持台によって支持し、シンチレータと反射層との接触面に摩擦を減らすための滑り部を設けることが示されている。滑り部によって、シンチレータと反射層とが互いに異なる熱膨張を起こした場合でも応力が生じ難く、シンチレータの損傷が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−５２８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の方法では、シンチレータと反射層とが別々の支持台によって支持されているため、それぞれの支持台の間隔を精度よく管理し配置する必要がある。
【０００５】
本発明は、シンチレータと反射層との熱膨張率の差によって生じるシンチレータの損傷を抑制する新たな技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題に鑑みて、本発明の一部の実施形態に係る放射線撮像装置は、光を電気信号に変換するセンサ部が配されたセンサ基板と、センサ基板の上に配され放射線を光に変換するシンチレータと、光をセンサ基板に反射するようにシンチレータの上に配された反射層と、シンチレータ及び反射層を覆うように配された保護層と、を含む放射線撮像装置であって、反射層は、センサ基板に対する正射影において、シンチレータと重なる第１の部分と、第１の部分の外縁の一部からシンチレータの外縁よりも外側まで延在し、センサ基板と接する第２の部分と、を含み、反射層のうち第１の部分は、シンチレータとの移動を許し、反射層のうち第２の部分が、センサ基板と結合していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
上記手段により、シンチレータと反射層との熱膨張率の差によって生じるシンチレータの損傷を抑制する新たな技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る放射線撮像装置の平面図及び断面図。
【図２】本発明の比較構造に係る放射線撮像装置の平面図。
【図３】図１の放射線撮像装置の変形例を示す平面図。
【図４】本発明に係る放射線撮像装置を用いた放射線撮像システムの構成例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明に係る放射線撮像装置の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下の説明及び図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。なお、本発明における放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども含みうる。
【００１０】
第１の実施形態
図１、２を参照して、本発明の実施形態による放射線撮像装置を説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態における放射線撮像装置１００の放射線の入射する面に対する平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’間の断面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）の破線で囲まれた部分１１０の拡大図である。放射線撮像装置１００には、センサ基板１０１上に光を電気信号に変換するセンサが２次元マトリクス状に配置されたセンサ部１０５、入射した放射線を光に変換するシンチレータ１０２、反射層１０３が積層される。反射層１０３は、シンチレータ１０２で変換されセンサ部１０５と反対の方向に向かう光を反射する。反射層１０３の上には、シンチレータを外気からの水分の侵入や衝撃による構造破壊から保護する保護層１０４が、例えば接着剤などを用いた結合層１０７を介してシンチレータ１０２及び反射層１０３を覆うように配される。シンチレータ１０２は、センサ基板１０１の表面に対する正射影がセンサ部１０５を覆うように且つ、センサ基板１０１の表面に対する正射影の外縁がセンサ基板１０１の外縁よりも内側となるように、配置される。また、センサ部１０５とシンチレータ１０２との間には、センサ部１０５を保護するセンサ保護層１０６が配される。
【００１１】
反射層１０３は、センサ基板１０１に対する正射影において、シンチレータ１０２と重なる部分に配された第１の部分１０３ａと、第１の部分１０３ａの外縁の一部から突出し、シンチレータ１０２の外縁よりも外側まで延在する第２の部分１０３ｂとを含む。反射層１０３のうち第１の部分１０３ａは、センサ基板１０１に対する正射影において、シンチレータ１０２と重なる部分のみに配される。反射層１０３のうち第２の部分１０３ｂは、シンチレータ１０２の外縁よりも外側でセンサ基板１０１と接する。また、第２の部分１０３ｂは、図１（ｂ）に示すように、例えば接着剤などを用いた結合層１０８によって、センサ基板１０１と結合する。第２の部分１０３ｂは、図１に示すように保護層１０４よりも外側まで突出してもよい。
【００１２】
本実施形態において、シンチレータ１０２は矩形である。第１の部分１０３ａは、図１（ｃ）に示すように、シンチレータ１０２の外縁に沿った実線と、実線の延長線である点線とで囲まれた矩形の部分とする。また、第１の部分１０３ａの外縁は、センサ基板１０１の表面に対する正射影において、シンチレータ１０２の外縁よりも内側であってよい。第１の部分１０３ａの大きさ及び位置は、センサ部１０５とシンチレータ１０２との大きさ及び位置の関係によって、適宜決定すればよい。第２の部分１０３ｂは、矩形のシンチレータ１０２の角部において、第１の部分１０３ａからシンチレータ１０２の外縁より外側まで延在する。第２の部分１０３ｂは、シンチレータ１０２の少なくとも１つの角部に配されてもよいし、図１（ａ）に示すように、シンチレータ１０２のすべての角部において、第１の部分１０３ａからシンチレータ１０２の外縁より外側まで延在してもよい。しかしながら、シンチレータ１０２、第１の部分１０３ａの形状はこれに限るものではなく、円形や多角形であってもよいし、シンチレータ１０２と第１の部分１０３ａとが、互いに異なる形状をしていてもよい。また、第２の部分１０３ｂが第１の部分１０３ａの外縁から突出する場所も、シンチレータ１０２の角部に限られるものではなく、シンチレータ１０２の辺部において、シンチレータ１０２の外縁よりも外側に延在してもよい。
【００１３】
保護層１０４は、結合層１０７を介してセンサ基板１０１と接合され、シンチレータ１０２への水分の侵入を抑制する。しかし、本実施形態において、第２の部分１０３ｂが保護層１０４よりも外側に延在する部分では、保護層１０４とセンサ基板１０１とを、結合層１０７を介して結合することができない。そこで、図１に示すように、第２の部分１０３ｂが保護層１０４よりも外側に延在する部分は、封止部１０９によって封止される。本実施形態において、保護層１０４及び封止部１０９によって、シンチレータ１０２への外気からの水分の侵入が抑制される。第２の部分１０３ｂ及び保護層１０４の配置は、これに限られるものではなく、例えば第２の部分１０３ｂの全体が、保護層１０４に覆われていてもよい。この場合、封止部１０９は配されなくてもよく、保護層１０４のみによって、シンチレータ１０２への外気からの水分の侵入が抑制されてもよい。
【００１４】
次に、放射線撮像装置１００の製造方法について説明する。センサ基板１０１は、ガラス基板やプラスティック基板などを用いてよい。このセンサ基板１０１上に、センサ部１０５を形成する。センサ部１０５には、フォトセンサとスイッチ素子とを含むセンサが例えば２次元アレイ状に配列されている。フォトセンサには、アモルファスシリコンなどによって形成されたＰＩＮ型フォトダイオードやＭＩＳ型フォトダイオードなどを用いてよい。また、スイッチ素子には、アモルファスシリコンやポリシリコンなどによって形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いてよい。センサ部１０５の形成後、例えばポリイミドをセンサ部１０５上に塗布し、センサ保護層１０６を形成する。センサ保護層１０６には、ポリイミド系の樹脂だけでなく、例えばシリコーン系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、パラキシリレンやアクリルなどの有機物質を含む樹脂を用いてもよい。センサ保護層１０６には、センサ部１０５を保護し、シンチレータ１０２で発せられる光をセンサ部１０５に透過する材料を用いるとよい。
【００１５】
次いで、センサ保護層１０６上にシンチレータ１０２を形成する。本実施形態において、シンチレータ１０２は、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法を用いて形成する。シンチレータ１０２は、センサ保護層１０６上に蒸着によって直接形成されるが、形成方法はこれに限られるものではない。例えば、センサ保護層１０６上に接着剤などを用いた結合層を介して、シート形状に加工したシンチレータを貼り合わせることによって形成してもよい。また、シンチレータ１０２の材料もＣｓＩ：Ｔｌに限らず、例えばテルビウムが微量添加された酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）などの材料を用いてもよい。
【００１６】
シンチレータ１０２の形成後、反射層１０３を形成する。反射層１０３は、バインダー樹脂に無機粒子を含ませた構成としてよい。無機粒子として、例えば二酸化チタン、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、二酸化ケイ素酸化チタン粒子などを用いてよい。反射層として、これらの無機粒子をバインダー樹脂に練り込み、シート形状に加工したものを用いてよい。例えば、シンチレータ１０２がＣｓＩ：Ｔｌで形成されている場合、ＣｓＩ：Ｔｌは波長５５０ｎｍ付近に発光のピークを有するため、５５０ｎｍ付近の波長の光を反射する無機粒子を用いて反射層１０３を形成するとよい。シンチレータ１０２に用いる材料の発光特性によって、反射層１０３の材料を適宜、選択すればよい。また、反射層１０３とシンチレータ１０２との間の電気化学的腐食を防止するために、反射層１０３は電気的に絶縁体であってよい。本実施形態において、反射層１０３として厚さ５０μｍの無機粒子の練り込まれた樹脂シートをシンチレータ１０２上に設置する。
【００１７】
また、上述したように反射層１０３は、シンチレータ１０２の上に配された第１の部分１０３ａと、第１の部分１０３ａの外縁から突出した第２の部分１０３ｂとを含む。本実施形態において、第２の部分１０３ｂは、第１の部分１０３ａの外縁から約１０ｍｍ突出する。また、第２の部分１０３ｂの幅は、約４ｍｍとなっている。反射層１０３となる樹脂シートをシンチレータ１０２の上に設置する際、センサ基板１０１に設けてあるアライメントマークに、第２の部分１０３ｂを合わせるように設置してもよい。シンチレータ１０２にアライメントマークを設けることは難しい。第１の部分１０３ａのみで構成されたシートを設置する場合と比較して、シンチレータ１０２よりも外側に延在する第２の部分１０３ｂによって、反射層１０３をシンチレータ１０２上の中央に設置しやすくなる。続いて、第２の部分１０３ｂの端部を、結合層１０８を介してセンサ基板１０１に結合する。例えば結合層１０８として接着剤などを用いて、端部から約５ｍｍの領域を固定する。図１（ｂ）に示すように第２の部分１０３ｂは、保護層１０４の外縁よりも外側に突出した部分でセンサ基板１０１と結合してよい。ここで反射層１０３は、センサ基板１０１と結合するが、シンチレータ１０２とは結合せず、互いの移動を許しうる。
【００１８】
次いで、保護層１０４を形成する。シンチレータ１０２を外気からの水分の侵入による劣化から守るために、保護層１０４は、例えば水分透過率の低いＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、などの導電性の金属箔またはシートに、フィルム状の樹脂を貼り合わせた積層構造を用いてもよい。保護層１０４の樹脂フィルムの材料として、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、アクリルなどを用いてもよい。この保護層１０４に、更に結合層１０７を積層してよい。結合層１０７には、例えば、ポリイミド系、エポキシ系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリウレタン系、ポリアミド系などのホットメルト樹脂を用いてよい。本実施形態において、保護層１０４としてＡｌとポリエチレンテレフタレートとの積層シート、結合層１０７としてホットメルト樹脂を、それぞれ用いる。この保護層１０４を、結合層１０７を介して反射層１０３及びシンチレータ１０２を覆うように配置する。このとき、反射層１０３の第２の部分１０３ｂは、保護層１０４よりも外側まで延在してもよい。例えば、第２の部分１０３ｂのうち、保護層１０４から突出する部分の長さ１５１は、５ｍｍ以上あってよい。保護層１０４から突出する長さ１５１は、大きければ大きいほど、接着材などの結合層１０８で固定する際の安定性、作業性が向上する。長さ１５１は、例えば、放射線撮像装置１００の各部材の配置や、後述の封止部１０９の材料の有する防湿性などによって、適宜決定すればよい。保護層１０４と結合層１０７とが積層した積層シートを反射層１０３上に配置した後、第２の部分１０３ｂの配されない各シンチレータ１０２の外縁に沿う辺の領域において、結合層１０７を熱圧着処理する。また、このとき反射層１０３と保護層１０４とが、結合層１０７を介して結合されうる。これによって保護層１０４が形成される。
【００１９】
保護層１０４形成の後、保護層１０４に覆われない第２の部分１０３ｂが突出した部分において、第２の部分１０３ｂとセンサ基板１０１との間から水分が侵入することを防ぐため、封止部１０９が形成される。封止部１０９は、第２の部分１０３ｂのうち少なくとも保護層１０４の外縁よりも外側に突出した部分を覆う。また、図１に示すように、第２の部分１０３ｂ、保護層１０４及び結合層１０７の積層された部分の一部までを覆いうる。封止部１０９は、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの有機材料を用いてよい。防湿性の観点から、例えばエポキシ樹脂を用いる。このとき、封止部１０９の厚さは、例えば１０〜１０００μｍの範囲であってよく、防湿性及び作業性を考慮すると、例えば１００〜６００μｍであってよい。しかしながら、封止部１０９の厚さはこれに限られるわけでなく、反射層１０３、保護層１０４及び結合層１０７を覆う厚さであればよい。本実施形態において、第２の部分１０３ｂが突出する部分の保護層１０４の外縁から内側に約４ｍｍ程度の位置から第２の部分１０３ｂの端部までを覆うようにエポキシ樹脂を塗布し、硬化させ封止部１０９を形成する。
【００２０】
最後に、センサ部１０５の外部配線接続部と外部配線との接続や、駆動回路や読出回路などの信号処理回路が配置されたボードとの接続などを行うことによって放射線撮像装置１００が完成する。
【００２１】
ここで、本実施形態の効果について説明する。図２（ａ）に、本実施形態の比較構造として、反射層１０３として第１の部分１０３ａのみで構成され、第１の部分１０３ａの外縁から突出する第２の部分１０３ｂを有さない放射線撮像装置２００の平面図を示す。また、図２（ｂ）に、放射線撮像装置２００に対して、ヒートサイクル試験を行った結果について示す。図２（ｂ）は、図２（ａ）の破線で囲まれた部分２１０におけるヒートサイクル試験実施前に撮影した画像と、ヒートサイクル試験実施後に撮影した画像との差分を示している。シンチレータ１０２の角部で、ヒートサイクル試験の実施前後で変化が著しいことが分かる。センサ基板１０１、シンチレータ１０２、反射層１０３及び保護層１０４の熱膨張率の差によって、シンチレータ１０２に対して反射層１０３が移動しうる。ヒートサイクル試験前後での角部の変化は、シンチレータ１０２に対して反射層１０３が移動する際に生じる応力によって、シンチレータ１０２が損傷を受けたことを示している。特に角部は、縦横二方向からの応力を受けやすく、このため、シンチレータ１０２が損傷しやすくなる。そこで本実施形態において、反射層１０３の第２の部分１０３ｂを、シンチレータ１０２の外側まで延在させ、センサ基板１０１に結合する。これによって、シンチレータ１０２に対して反射層１０３が移動することを抑制し、熱膨張率の差によって生じる応力を緩和することが可能となる。この結果、シンチレータ１０２の損傷を抑制することが可能となる。また、角部に第２の部分１０３ｂを配することによって、応力の掛かりやすい角部のシンチレータ１０２の損傷を抑制することが可能となる。シンチレータ１０２と反射層１０３との熱膨張率の差によって生じるシンチレータ１０２の損傷を抑制することによって、放射線撮像装置の信頼性を向上することができる。
【００２２】
第２の実施形態
図３（ａ）を参照して、本発明の第２の実施形態における放射線撮像装置３００を説明する。図３（ａ）は、放射線撮像装置３００のシンチレータ１０２の角部の拡大図を示す。放射線撮像装置３００は、放射線撮像装置１００と比較して、第２の部分１０３ｂの第１の部分１０３ａと接続する付け根部分が、センサ基板１０１の表面に対する正射影において、第２の部分１０３ｂの端部の側から付け根部分の側に向かい幅が広くなっている。これ以外の点は、放射線撮像装置１００と同じであってよい。シンチレータ１０２と反射層１０３との間の応力がシンチレータ１０２の角部にかかった場合、シンチレータ１０２の損傷だけでなく、第１の部分１０３ａと第２の部分１０３ｂとの接続部にも応力が集中し、反射層１０３が裂ける可能性がある。第１の部分１０３ａと接続する第２の部分１０３ｂの付け根部分の幅を広くすることによって、角部に応力が集中した場合でも、反射層１０３が裂けることを抑制できる。これによって、放射線撮像装置３００は放射線撮像装置１００よりも信頼性が向上しうる。ここで第２の部分１０３ｂの第１の部分１０３ａと接続する付け根部分が、直線状に広くなってもよいし、また曲線状に広くなってもよい。例えばセンサ基板１０１の表面に対する正射影において、第１の部分１０３ａと第２の部分１０３ｂとの接続する第２の部分１０３ｂの付け根部分が、半径１０ｍｍ程度の円弧形状を用いた滑らかな形状を有してもよい。
【００２３】
第３の実施形態
図３（ｂ）を参照して、本発明の第３の実施形態における放射線撮像装置３０１を説明する。図３（ｂ）は、放射線撮像装置３０１のシンチレータ１０２の角部の拡大図を示す。放射線撮像装置３０１では、放射線撮像装置１００と比較して、第２の部分１０３ｂの幅において、第１の部分１０３ａと接続する付け根部分よりも端部の方が細くなる。例えば、第２の部分１０３ｂの保護層１０４よりも外側に延在する端部のみが細くなってもよい。また、図３（ｂ）に示すように、放射線撮像装置３００と同様に第２の部分１０３ｂの付け根部分の幅が広く、且つ第１の部分１０３ａから離れるにつれて細くなってもよい。第２の部分１０３ｂは三角形状のように直線的に細くなってもよいし、曲線状に例えば半径２５ｍｍ程度の円弧形状を用いて細くなってもよい。これ以外の点は、放射線撮像装置１００と同じであってよい。第２の部分１０３ｂの端部を細くすることによって、封止部１０９を形成する前に、保護層１０４によって覆われない、第２の部分１０３ｂの突出する部分の面積を小さくすることができる。これによって、第２の部分１０３ｂとセンサ基板１０１との間から水分が侵入することを抑制できる。放射線撮像装置３０１は、放射線撮像装置１００、３００よりも、防湿性が向上しうる。
【００２４】
以上、本発明に係る実施形態を３形態示したが、上述した各実施形態は、適宜変更、組み合わせが可能である。
【００２５】
以下、図４を参照しながら本発明の放射線撮像装置１００、３００、３０１が組み込まれた放射線撮像システムを例示的に説明する。放射線源であるＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者又は被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、本発明の放射線撮像装置６０４０に入射する。放射線撮像装置６０４０は、上述の放射線撮像装置１００、３００、３０１の何れであってもよい。この入射したＸ線に患者又は被験者６０６１の体内部の情報が含まれる。放射線撮像装置６０４０において、Ｘ線６０６０の入射に対応してシンチレータが発光し、これが光電変換素子で光電変換され、電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換され信号処理部としてのイメージプロセッサ６０７０によって画像処理され、制御室の表示部としてのディスプレイ６０８０で観察できる。また、この情報は、電話、ＬＡＮ、インターネットなどのネットワーク６０９０などの伝送処理部によって遠隔地へ転送できる。これによって別の場所のドクタールームなどの表示部であるディスプレイ６０８１に表示し、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、この情報は、光ディスクなどの記録媒体に記録することができ、またフィルムプロセッサ６１００によって記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【符号の説明】
【００２６】
１００、３００、３０１：放射線撮像装置、１０２：シンチレータ、１０３：反射層、１０３ａ：第１の部分、１０３ｂ：第２の部分、１０４：保護層
【図１】
2017036923.tif 000003
【図２】
2017036923.tif 000004
【図３】
2017036923.tif 000005
【図４】
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