(57)【要約】【課題】絶縁層の平滑性を確保することにより、導体回路の微細化を図ることができるプリント配線板及びその製造方法を提供する。【解決手段】プリント配線板１は、交互に積層された導電層１１，１３と絶縁層１０，１２と、絶縁層１２を貫通する貫通孔１４と、貫通孔１４にめっきを充填することにより形成されたビア導体１５とを備えている。導電層１１，１３及びビア導体１５は、無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａ，１３ａと電解めっき層１１ｂ，１３ｂにより形成されている。ビア導体１５は、円錐台状を有するフィルドめっきビア導体であり、その直径は５〜３０μｍである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体回路及び絶縁層を積層してなる第１ビルドアップ層を少なくとも有するプリント配線板であって、
前記第１ビルドアップ層は、
第１導体パッドを含む第１導体回路と、
前記第１導体回路の上に積層され、感光性樹脂からなる第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に形成され、第２導体パッドを含む第２導体回路と、
前記第１絶縁層を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の内部に形成され、前記第１導体回路と前記第２導体回路とを電気的に接続するビア導体と、
を備え、
前記第１導体回路、前記第２導体回路及び前記ビア導体は、無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層と電解めっき層により形成され、
前記ビア導体は、円柱状又は円錐台状を有するフィルドめっきビア導体であり、その直径は５〜３０μｍである。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板において、
前記第１ビルドアップ層の下方に形成される第２ビルドアップ層を更に備え、
前記第２ビルドアップ層は、第３導体パッドを含む第３導体回路と、硬化性樹脂からなる第２絶縁層とを複数積層してなり、
前記第３導体回路は、無電解Ｃｕめっき層と電解めっき層により形成されている。
【請求項３】
請求項２に記載のプリント配線板において、
前記第２ビルドアップ層の前記第１ビルドアップ層とは反対側に形成される板状の支持部材を更に備え、
前記支持部材の少なくとも一方の主面には、前記第２ビルドアップ層が形成されている。
【請求項４】
請求項３に記載のプリント配線板において、
前記支持部材は、コア基板、金属板、又は銅箔付きプリプレグ材のいずれかである。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
前記無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層は、Ｃｕを９０〜９５ｗｔ％、Ｎｉを５〜１０ｗｔ％、Ｐを０．５〜３ｗｔ％含有する。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
前記無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層の厚みは、０．１〜１μｍである。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
前記第１絶縁層の表面及び前記貫通孔の内壁面には、紫外線照射により改質層が形成されている。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
前記第１絶縁層の厚みは５〜２５μｍである。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
前記フィルドめっきビア導体は、複数であり、少なくともその一部が前記第１絶縁層の積層方向に沿って直線状に積み重ねられてスタック構造をなしている。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
前記第１導体回路及び前記第２導体回路の幅は、それぞれ１０μｍ以下である。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のプリント配線板において、
前記第１導体回路及び前記第２導体回路は、それぞれ複数であり、
前記第１導体回路及び前記第２導体回路の間隔は、それぞれ１０μｍ以下である。
【請求項１２】
少なくとも第１ビルドアップ層を有するプリント配線板の製造方法であって、
前記第１ビルドアップ層の製造工程は、
感光性樹脂からなる第１絶縁層を形成するステップと、
前記第１絶縁層に露光現像処理を施し、該第１絶縁層を貫通する貫通孔を形成するステップと、
前記第１絶縁層の表面及び前記貫通孔の内壁面に無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層を形成するステップと、
前記無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層の上にレジスト層を塗布し、該レジスト層に露光現像処理を施すことによりレジストパターンを形成するステップと、
前記レジストパターンが形成されていない前記無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層の上に、電解めっき層を形成するステップと、
前記レジストパターンを除去し、更に該レジストパターンの除去により露出された前記無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層を除去するステップと、
を含み、
前記貫通孔を形成するステップでは、直径が５〜３０μｍである円柱状又は円錐台状の貫通孔を形成する。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層の形成前に、前記第１絶縁層の表面及び前記貫通孔の内壁面に紫外線を照射し、これらの面を改質させるステップを更に含む。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層を形成する際に、次亜リン酸を有するめっき液が用いられている。
【請求項１５】
請求項１２〜１４のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記第１ビルドアップ層の製造工程の前に、板状の支持部材を用意する工程と、
前記支持部材の少なくとも一方の主面上に、硬化性樹脂からなる第２絶縁層と、無電解めっき層と電気めっき層からなる導体回路とを複数積層し、第２ビルドアップ層を形成する工程と、を更に備え、
前記第１絶縁層を形成するステップでは、形成された前記第２ビルドアップ層の上に前記第１絶縁層を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、このような分野の技術として、例えば下記特許文献に記載されるものがある。特許文献１に記載のプリント配線板は、導体回路と絶縁層とを交互に積層してなる多層配線板であって、絶縁層には貫通孔が設けられ、該貫通孔の内部にはめっきを充填してなる導体ビアが形成されている。このような構成を有するプリント配線板は、セミアディティブ法（Semi Additive Process：SAP）で作製されている。具体的には、まず、樹脂材料からなる絶縁層に貫通孔を形成し、絶縁層とめっき層との密着性を高めるためにデスミア処理と粗化処理とを施し、その後に無電解Ｃｕめっき層を形成する。次に、無電解Ｃｕめっき層の上にレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成されない部分に更に電解めっきを施した後、レジストパターンの除去及びエッチング処理を行うことで、無電解Ｃｕめっき層と電解めっき層とからなる導体回路を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−５５０５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記のプリント配線板では、デスミア処理や粗化処理の時に過マンガン酸塩（例えば過マンガン酸カリウムなど）が用いられ、過マンガン酸塩が樹脂材料と反応し易いため、絶縁層が過剰にエッチングされてしまうと推察される。そして、絶縁層が過剰にエッチングされると、絶縁層の平滑性に影響を及ぼすので、絶縁層上に形成される導体回路の微細化を図り難くなると考えられる。
【０００５】
本発明は、絶縁層の平滑性を確保することにより、導体回路の微細化を図ることができるプリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決する本発明のプリント配線板は、複数の導体回路及び絶縁層を積層してなる第１ビルドアップ層を少なくとも有するプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ層は、第１導体パッドを含む第１導体回路と、前記第１導体回路の上に積層され、感光性樹脂からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成され、第２導体パッドを含む第２導体回路と、前記第１絶縁層を貫通する貫通孔と、前記貫通孔の内部に形成され、前記第１導体回路と前記第２導体回路とを電気的に接続するビア導体と、を備え、前記第１導体回路、前記第２導体回路及び前記ビア導体は、無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層と電解めっき層により形成され、前記ビア導体は、円柱状又は円錐台状を有するフィルドめっきビア導体であり、その直径は５〜３０μｍである。
【０００７】
また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、少なくとも第１ビルドアップ層を有するプリント配線板の製造方法であって、前記第１ビルドアップ層の製造工程は、感光性樹脂からなる第１絶縁層を形成するステップと、前記第１絶縁層に露光現像処理を施し、該第１絶縁層を貫通する貫通孔を形成するステップと、前記第１絶縁層の表面及び前記貫通孔の内壁面に無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層を形成するステップと、前記無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層の上にレジスト層を塗布し、該レジスト層に露光現像処理を施すことによりレジストパターンを形成するステップと、前記レジストパターンが形成されていない前記無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層の上に、電解めっき層を形成するステップと、前記レジストパターンを除去し、更に該レジストパターンの除去により露出された前記無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層を除去するステップと、を含み、前記貫通孔を形成するステップでは、直径が５〜３０μｍである円柱状又は円錐台状の貫通孔を形成する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、絶縁層の平滑性を確保することにより、導体回路の微細化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。
【図２Ａ】プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。
【図２Ｂ】プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。
【図２Ｃ】プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。
【図２Ｄ】プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。
【図２Ｅ】プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。
【図３Ａ】プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。
【図３Ｂ】プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。
【図３Ｃ】プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。
【図３Ｄ】プリント配線板の製造方法を説明する工程図である。
【図４Ａ】プリント配線板を用いたＰＯＰ構造の半導体パッケージを示す説明図である。
【図４Ｂ】プリント配線板を用いたＰＯＰ構造の半導体パッケージを示す説明図である。
【図５】第２実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。
【図６】第３実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。
【図７】プリント配線板を用いたＰＯＰ構造の半導体パッケージを示す説明図である。
【図８】プリント配線板を用いたＰＯＰ構造の半導体パッケージを示す説明図である。
【図９】第４実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。
【図１０】第５実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。
【図１１】第６実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。
【図１２】第７実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施形態について説明する。図面の説明において同一の要素には同一符号を付し、重複説明は省略する。
【００１１】
＜第１実施形態＞
図１は第１実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板１は、複数の導電層と絶縁層とを交互に積層してなる第１ビルドアップ層２７によって構成されている。すなわち、本実施形態では、プリント配線板１は第１ビルドアップ層２７である。このプリント配線板１は、２層の絶縁層１０，１２と２層の導電層１１，１３とを備えている。絶縁層１０及び絶縁層１２は、感光性樹脂によって形成され、それぞれの厚みは５〜２５μｍである。絶縁層１０はプリント配線板１の下部、絶縁層１２はプリント配線板１の上部にそれぞれ配置されている。
【００１２】
絶縁層１０の上には、導電層１１が積層されている。本発明の導電層は、導体回路を構成するものであり、その配置位置によって導体パッドと配線等を含む場合もあれば、導体パッドのみを含む場合もある。そして、導電層１１は、特許請求の範囲に記載の「第１導体回路」を構成するものであって、複数の導体パッド（第１導体パッド）１１０と、該導体パッド１１０の間に配置された配線１１１とを含むように形成されている。絶縁層１２は、特許請求の範囲に記載の「第１絶縁層」に相当するものであって、導電層１１の上に積層されている。
【００１３】
導電層１１（すなわち、導体パッド１１０及び配線１１１）は、それぞれ無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａと電解めっき層１１ｂにより形成されている。図１に示すように、無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａは、絶縁層１０に隣接側に配置され、その上には電解めっき層１１ｂが配置されている。また、絶縁層１０の内部には、絶縁層１０を貫通する貫通孔１６が複数形成されている。貫通孔１６は、円錐台状を呈し、その直径が絶縁層１０から絶縁層１２に向かう方向に拡がっている。
【００１４】
貫通孔１６の内部には、電極１７が形成されている。この電極１７は、導電層１１と同様に無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａと電解めっき層１１ｂにより形成され、絶縁層１０から絶縁層１２に向かって拡径されている。電極１７の上端は導体パッド１１０と電気的に接続し、他端は外部に露出している。そして、電極１７の外部に露出する表面１７ａは、絶縁層１０の下表面１０ａと同一平面に位置している。
【００１５】
絶縁層１２の上には、導電層１３が更に積層されている。導電層１３は、特許請求の範囲に記載の「第２導体回路」を構成するものであり、複数の導体パッド（第２導体パッド）１３０及び実装パッド１３２（第２導体パッド）、並びに配線１３１を含んでいる。導電層１３は、無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１３ａと電解めっき層１３ｂによって形成されている。
【００１６】
絶縁層１２の内部には、絶縁層１２を貫通する貫通孔１４が複数形成されている。貫通孔１４は、円錐台状を呈し、その直径が絶縁層１０から絶縁層１２に向かう方向に拡がっている。貫通孔１４の直径の範囲は５〜３０μｍであることが好ましい。なお、貫通孔１４及び上述の貫通孔１６は、必ずしも円錐台状に形成される必要がなく、円柱状に形成されても良い。そして、円柱状に形成された場合には、それぞれの直径の範囲も５〜３０μｍであることが好ましい。
【００１７】
貫通孔１４の内部には、導電層１１と導電層１３とを電気的に接続するためのビア導体１５が設けられている。ビア導体１５は、貫通孔１４の形状に対応しており、円錐台状を有するフィルドめっきビア導体である。ビア導体１５は、絶縁層１０から絶縁層１２に向って拡径され、その直径は５〜３０μｍである。なお、直径の上限値及び下限値は、以下のことを考慮して設定されたものである。すなわち、直径が５μｍ未満の場合は、通常の露光現像法では、大判プリント配線板における均一な小径形成が困難である。一方、直径が３０μｍを超えた場合には、ビア導体１５に接続するビアランド（ここでは、実装パッド１３２）のサイズも大きくなるにつれ、ビアランド間に形成される配線回路本数の低減で、配線層数が増え、配線設計自由度が制限される問題点が生じてしまう。
【００１８】
ビア導体１５の上端は導電層１３の実装パッド１３２と電気的に接続し、下端は導電層１１の導体パッド１１０と電気的に接続している。ビア導体１５は、導電層１３と同様に無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１３ａと電解めっき層１３ｂにより形成されている。そして、ビア導体１５を形成する無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１３ａは、貫通孔１４の内壁面と隣接して配置され、電解めっき層１３ｂは無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１３ａの内側に配置されている。図１に示すように、ビア導体１５と電極１７とは、絶縁層１０，１２の積層方向に沿って直線状に積み重ねられてスタック構造をなしている。
【００１９】
本実施形態では、導電層１１，１３、ビア導体１５及び電極１７を形成する無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａ,１３ａの厚みはそれぞれ０．１〜１μｍである。無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａ,１３ａは、Ｃｕを９０〜９５ｗｔ％、Ｎｉを５〜１０ｗｔ％、Ｐを０．３〜３ｗｔ％含有しており、シード層の役割を果たすものである。
【００２０】
以上の構造を有するプリント配線板１では、絶縁層１０，１２の上に無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａ，１３ａが形成されているので、この無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａ，１３ａを形成する際に、次亜リン酸を有するめっき液を用いることができる。そして、次亜リン酸を有するめっき液は、低アルカリ性のため、感光性樹脂からなる絶縁層１０，１２への影響が小さく、従来のように過マンガン酸塩による絶縁層への過剰エッチングが生じることなく、絶縁層１０，１２の平滑性を確保することができる。従って、絶縁層１０，１２に微細な配線や高密度の導体回路を容易に形成することができ、導体回路の微細化を図ることができる。このようにすることで、本実施形態では、導電層１１により構成された第１導体回路、及び導電層１３により構成された第２導体回路は、それぞれの幅が１０μｍ以下、それぞれの間隔が１０μｍ以下である。
【００２１】
また、絶縁層１０，１２は感光性樹脂によって形成されているので、絶縁層１０,１２に小径の貫通孔を容易に形成することができる。ビア導体に接続するビアランドのサイズも小さくなるにつれ、ビアランド間に形成される配線回路本数が増え、配線設計自由度が向上できると同時に配線層数が低減可能である。
【００２２】
以下、図２Ａ〜図３Ｄを参照し、プリント配線板１の製造方法について説明する。初めに、支持板２０を用意する。支持板２０は、例えば、低熱膨張率を有する表面の平坦なガラス板である。但し、支持板２０はこれに限定せず、例えば、Ｓｉ、金属板、銅箔付きプリプレグ材等でも良い。続いて、支持板２０の上に剥離層２１を形成する（図２Ａ参照）。
【００２３】
次に、剥離層２１の上に絶縁層１０を形成する。絶縁層１０は、例えば、感光性ポリイミド樹脂からなる絶縁材を塗布して加熱することにより形成されている。続いて、剥離層２１と絶縁層１０に加熱処理を施すことでこれらを接着させる。次に、絶縁層１０の所定の位置にマスクを用いて露光処理を行い、更に現像処理を行うことにより、絶縁層１０に円錐台状の貫通孔１６を複数形成する（図２Ｂ参照）。この際に、形成される貫通孔１６の直径は５〜３０μｍであることが好ましい。また、この場合には、円錐台状の貫通孔に代えて、直径が５〜３０μｍである円柱状の貫通孔を形成しても良い。
【００２４】
続いて、絶縁層１０の上表面及び貫通孔１６の内壁面にパラジウムなどの触媒を付与させ、次亜リン酸を有する無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、厚みが０．１〜１μｍの無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａを形成する（図２Ｃ参照）。形成される無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａは、シード層として役割を果たすものである。
【００２５】
次に、無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａの上にレジスト層を塗布し、該レジスト層にフォトマスクフィルムを載置して露光した後に、炭酸ナトリウムで現像処理し、所定のレジストパターン２２を形成する。続いて、無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａを給電層として、レジストパターン２２が形成されていない無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａの上に電解めっき層１１ｂを形成する（図２Ｄ参照）。このとき、貫通孔１６の内部には、電解めっき層１１ｂが充填される。
【００２６】
次に、モノエタノールアミンを含む溶液でレジストパターン２２を剥離して除去し、更に、除去によって露出された無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａをエッチング処理で除去する。そして、絶縁層１０に残された無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａ及び電解めっき層１１ｂは導電層１１を形成し、貫通孔１６の内部に残された無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａ及び電解めっき層１１ｂは電極１７を形成する（図２Ｅ参照）。
【００２７】
次に、導電層１１及び絶縁層１０上に、これらを覆うように絶縁層１２を形成する（図３Ａ参照）。絶縁層１２は、絶縁層１０と同様に、感光性ポリイミド樹脂からなる絶縁材を塗布して加熱することにより形成されている。続いて、絶縁層１２の所定の位置にマスクを用いて露光処理を行い、更に現像処理を行うことで、絶縁層１２に円錐台状の貫通孔１４を複数形成する（図３Ｂ参照）。なお、貫通孔１４は、上述の貫通孔１６と同様に、その直径が５〜３０μｍである。
【００２８】
次に、上述の方法で絶縁層１２の上表面及び貫通孔１４の内壁面に触媒を付与させ、更に絶縁層１２の上表面及び貫通孔１４の内壁面、並びに貫通孔１４によって露出された導電層１１の上に、次亜リン酸を有する無電解めっき液を用いて厚みが０．１〜１μｍの無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１３ａを形成する（図３Ｃ参照）。
【００２９】
続いて、上述の方法でレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成されていない無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１３ａの上に電解めっき層１３ｂを形成した後に、レジストパターンを除去し、更に該レジストパターンの除去により露出された無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１３ａをエッチングして除去する。従って、絶縁層１２には導電層１３、貫通孔１４の内部にビア導体１５がそれぞれ形成される。これによって、支持板２０の上に第１ビルドアップ層２７が形成されることになる（図３Ｄ参照）。
【００３０】
次に、支持板２０及び剥離層２１を加熱し、剥離層２１を軟化させて第１ビルドアップ層２７から支持板２０を取り外す。そして、支持板２０を取り外した後に、第１ビルドアップ層２７に残留した剥離層２１をきれいに除去すれば、図１に示すプリント配線板１を得られる。なお、電子部品等実装性が向上するため、必要に応じて支持板２０を剥離せずそのまま利用してもよい。
【００３１】
上記の製造方法では、絶縁層１０，１２の上に無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａ，１３ａを形成する際に、次亜リン酸を有するめっき液を用いる。次亜リン酸を有するめっき液は、低アルカリ性のため、感光性樹脂からなる絶縁層１０，１２への影響が小さく、従来のように過マンガン酸塩による絶縁層への過剰エッチングが生じることなく、絶縁層１０，１２の平滑性を確保することができる。これによって、絶縁層１０，１２に微細な配線や高密度の導体回路を容易に形成することができるので、導体回路の微細化を図ることができる。
【００３２】
また、絶縁層１０，１２に感光性樹脂を用いるので、これらの絶縁層１０，１２に小径の貫通孔１４，１６を容易に形成することができ、導体回路の微細化を図り易くなる。更に、ビア導体１５はフィルドめっきビア導体であり、その直径が５〜３０μｍであるので、ビア導体１５の配置密度を高めることができる。従って、限られるスペースに微細な配線を形成することが可能となり、導体回路の微細化を一層図り易くなる
【００３３】
また、絶縁層１０，１２に露光現像処理を施すことにより貫通孔１４，１６を形成するので、従来のようにレーザ照射で貫通孔を形成することと比べて、デスミア処理を省くことができる。更に、上述の製造方法では、従来の粗化処理も必要としない。このように従来のデスミア処理及び粗化処理を省くことにより、プリント配線板１の生産性を向上する効果も期待できる。
【００３４】
上述のように作製されたプリント配線板１は、単体として使用できるほか、他の基板などと組み合わせて使用することも可能である。図４Ａ及び図４Ｂは、プリント配線板１をＰＯＰ（パッケージオンパッケージ）構造の半導体パッケージに用いる例を示している。
【００３５】
図４Ａに示す半導体パッケージは、支持板２０と、プリント配線板１と、該プリント配線板１に実装される半導体チップ３及び他のプリント配線板４とを備えている。半導体チップ３と他のプリント配線板４は、上下方向（すなわち、絶縁層１０、１２の積層方向）に積み重ねるように配置されている。半導体チップ３の端子又は電極は、半田バンプ２３を介してプリント配線板１の実装パッド１３２の一部と電気的に接続されている。一方、図４Ｂに示す半導体パッケージは、図４Ａと比べて支持板２０を備えていない。すなわち、図４Ｂに示す半導体パッケージは、図４Ａに示す半導体パッケージに対し、更に支持板２０を剥離することで形成されたものである。このようなバリエーションを有することで、プリント配線板１を用いた半導体パッケージの応用性を高めることができる。
【００３６】
一方、他のプリント配線板４は、半導体チップ３を跨ぐように半導体チップ３の上方に配置され、半田バンプ２４を介してプリント配線板１の実装パッド１３２の他の一部と電気的に接続されている。なお、半導体チップ３と実装するための実装パッド１３２は、他のプリント配線板４と実装するための実装パッド１３２よりも、表面積及び配置ピッチが小さい。
【００３７】
＜第２実施形態＞
図５は第２実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板２と第１実施形態との相違点は、絶縁層１０に電極１７が形成されていないこと、改質層１０１，１２１を有することである。
【００３８】
図５に示すように、絶縁層１０の上表面には、紫外線照射により改質層１０１が形成されており、また、絶縁層１２の上表面及び貫通孔１４の内壁面にも紫外線照射により改質層１２１が形成されている。そして、無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａ，１３ａは、改質層１０１，１２１に接するようにその上に形成されている。
【００３９】
改質層１０１，１２１の形成仕組みとして、以下のように考えられる。すなわち、絶縁層１０，１２の材料である有機系の感光性樹脂に紫外線を照射すると、紫外線で発生したオゾンによって活性酸素が分離される。分離された活性酸素は、感光性樹脂の表面層の化学結合を切断し、更に切断した表面層の分子と反応して親水性の高い官能基（例えば−ＯＨ、−ＣＨＯ、−ＣＯＯＨ）を生成する。これによって、絶縁層１０，１２の表面が改質される。
【００４０】
本実施形態に係るプリント配線板２は、第１実施形態と同様な効果を得られるほか、改質層１０１，１２１が形成されるので、更に以下の効果を得られる。すなわち、改質層１０１,１２１で生成された親水性の高い官能基により、パラジウム等の触媒の付与量を増加させるので、絶縁層１０,１２と無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａ，１３ａとの密着性を高めることができる。
【００４１】
なお、プリント配線板２の製造方法は、上述の第１実施形態に記載の方法のほか、無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層１１ａ，１３ａの形成前に、絶縁層１０，１２の上表面及び貫通孔１４の内壁面に紫外線に照射し、これらの面を改質させることで改質層１０１，１２１を形成するステップを更に含む。
【００４２】
＜第３実施形態＞
図６は第３実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。本実施形態に係るプリント配線板５と第１実施形態との相違点は、絶縁層１０に電極１７が形成されていないことである。プリント配線板５は、第１実施形態と同様な効果を得られる。
【００４３】
このように構造を有するプリント配線板５をＰＯＰ構造の半導体パッケージに用いる際に、第１実施形態のように電極１７を設けていないので、外部と導通するための工夫が必要である。例えば、図７に示すように、絶縁層１０に導体パッド１１０を露出するための開口部２５を複数形成し、半田バンプを介して開口部２５に挿入された外部電子部品の端子や電極と電気的に接続すれば良い。あるいは、図８に示すように、開口部２５を形成した後に、セミアディティブ法で開口部２５の内部及び絶縁層１０の下表面１０ａに、無電解めっき層と電解めっき層からなる電極２６を更に形成し、該電極２６を介して外部電子部品の端子や電極と電気的に接続しても良い。
【００４４】
＜第４実施形態＞
図９は第４実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。第４実施形態に係るプリント配線板２８Ａは、第１ビルドアップ層１９Ａのほか、第１ビルドアップ層１９Ａの下方に配置されると共に、該第１ビルドアップ層１９Ａと一体的に形成される第２ビルドアップ層９を更に備えている。第１ビルドアップ層１９Ａは、上述したプリント配線板１（すなわち、第１ビルドアップ層２７）と同様な構造を有するものである。
【００４５】
第２ビルドアップ層９は、いわゆるコア基板を有しないコアレス基板であり、複数の導電層９１と絶縁層９２とを一方向に交互に積層することにより形成されている。導電層９１は、特許請求の範囲に記載の「第３導体回路」を構成するものであって、複数の導体パッド（第３導体パッド）９３と、該導体パッド９３の間に配置された配線９４とを含むように形成されている。絶縁層９２の内部には、絶縁層９２の積層方向に沿って隣接する導体パッド９３同士を電気的に接続するビア導体９５が複数形成されている。そして、導電層９１とビア導体９５とは、それぞれ無電解Ｃｕめっき層９１ａと電解めっき層９１ｂにより形成されている。なお、絶縁層９２は、硬化性樹脂によって形成されている。
【００４６】
図９に示すように、第１ビルドアップ層１９Ａは、第２ビルドアップ層９の最上層に位置する絶縁層９２の上に積層されている。第２ビルドアップ層９の最上層に位置する導体パッド９３は、第１ビルドアップ層１９Ａの絶縁層１０の内部に形成されたビア導体１８を介して、第１ビルドアップ層１９Ａの導体パッド１１０と電気的に接続されている。そして、積層方向において、第１ビルドアップ層１９Ａのビア導体１８及びビア導体１５と、第２ビルドアップ層９のビア導体９５とは、直線状に積み重ねられてスタック構造をなしている。図９に示す例では、これらのビア導体１５，１８，９５は、全てスタック構造をなしているが、応力集中を避けるために、例えば積層方向に沿って位置をずらしながら積み重ねてオフセット構造をなしても良く、あるいは一部がスタック構造、他の一部がオフセット構造をなしても良い。
【００４７】
このように構成されたプリント配線板２８Ａでは、第１ビルドアップ層１９Ａは、上述した第１ビルドアップ層２７と同様な構造を有するため、第１実施形態と同様な作用効果を得られる。また、本実施形態に係るプリント配線板２８Ａでは、第１ビルドアップ層１９Ａは、第２ビルドアップ層９よりも高密度の導体回路が形成されている。具体的には、第１ビルドアップ層１９Ａの導体回路の幅（Ｌ）及び間隔（Ｓ）は、第２ビルドアップ層９のＬ及びＳよりも小さい。好ましくは、第１ビルドアップ層１９Ａの導体回路のＬ／Ｓが１μｍ／１μｍ〜１０μｍ／１０μｍである。
【００４８】
このプリント配線板２８Ａの製造方法は、例えば板状の支持部材の上に上述のセミアディティブ法で第２ビルドアップ層９を先に作製し、プリント配線板１（すなわち、第１ビルドアップ層２７）と同じ方法で第２ビルドアップ層９の上に第１ビルドアップ層１９Ａを作製し、その後に板状の支持部材を剥離すると挙げられる。
【００４９】
＜第５実施形態＞
図１０は第５実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。第５実施形態に係るプリント配線板２８Ｂは、第４実施形態と比べて、改質層１０１，１２１を更に有する。すなわち、第１ビルドアップ層１９Ｂの絶縁層１０の上表面には紫外線照射により改質層１０１が形成され、この改質層１０１は、更に貫通孔の内壁面にも形成されている。また、絶縁層１２の上表面には紫外線照射により改質層１２１が形成され、改質層１２１は更に貫通孔の内壁面にも形成されている。
【００５０】
＜第６実施形態＞
図１１は第６実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。第６実施形態に係るプリント配線板８Ａは、第１ビルドアップ層７Ａのほか、第１ビルドアップ層７Ａの下方に配置されると共に該第１ビルドアップ層７Ａと一体的に形成される第２ビルドアップ層６と、第２ビルドアップ層６の下方に配置されるコア基板２９とを更に備えている。第１ビルドアップ層７Ａは、上述した第１ビルドアップ層２７と同様な構造を有する。
【００５１】
一方、第２ビルドアップ層６は、第４実施形態の第２ビルドアップ層９とほぼ同じ構造を有する。すなわち、第２ビルドアップ層６は、複数の導電層（第３導体回路）６１と絶縁層（第２絶縁層）６２とを一方向に交互に積層することにより形成されている。導電層６１は、無電解Ｃｕめっき層６１ａと電解めっき層６１ｂにより形成されている。絶縁層６２は、硬化性樹脂によって形成されている。
【００５２】
コア基板２９は、特許請求の範囲に記載の「支持部材」に相当するものであり、第２ビルドアップ層６の第１ビルドアップ層７Ａとは反対側に形成されている。図１１に示すように、コア基板２９は、互いに平行する主面Ｆ１，Ｆ２を有し、主面Ｆ１には導体パッド３１ａ、主面Ｆ２には導体パッド３１ｂがそれぞれ形成されている。これらの導体パッド３１ａ，３１ｂは、コア基板２９の内部に設けられたスルーホール導体３０を介して電気的に接続されている。
【００５３】
本実施形態において、コア基板２９の主面Ｆ１の上には第２ビルドアップ層６が形成され、第２ビルドアップ層６の上面には更に第１ビルドアップ層７Ａが形成されているが、コア基板２９の主面Ｆ２には第２ビルドアップ層６及び第１ビルドアップ層７Ａのいずれも形成されていない。必要に応じて、主面Ｆ２にも第２ビルドアップ層６及び第１ビルドアップ層７Ａを形成しても良い。
【００５４】
このように構成されたプリント配線板８Ａでは、第１ビルドアップ層７Ａは、上述した第１ビルドアップ層２７と同様な構造を有するため、第１実施形態と同様な作用効果を得られる。また、第１ビルドアップ層７Ａは、第２ビルドアップ層６よりも高密度の導体回路が形成されている。具体的には、第１ビルドアップ層７Ａの導体回路の幅（Ｌ）及び間隔（Ｓ）は、第２ビルドアップ層６のＬ及びＳよりも小さい。好ましくは、第１ビルドアップ層７ＡのＬ／Ｓが１μｍ／１μｍ〜１０μｍ／１０μｍである。
【００５５】
プリント配線板８Ａの製造方法は、まずコア基板２９を先に用意し、コア基板２９の主面Ｆ１の上に、上述のセミアディティブ法で絶縁層６２と導電層６１を積層することで第２ビルドアップ層６を形成する。次に、形成された第２ビルドアップ層６の上に絶縁層１０を形成し、その後に上述したプリント配線板１と同じ方法で第１ビルドアップ層７Ａを作製すると挙げられる。
【００５６】
＜第７実施形態＞
図１２は第７実施形態に係るプリント配線板を示す概略断面図である。第７実施形態に係るプリント配線板８Ｂは、第６実施形態と比べて、改質層１０１，１２１を更に有する。すなわち、第１ビルドアップ層７Ｂの絶縁層１０の上表面には紫外線照射により改質層１０１が形成され、この改質層１０１は、更に貫通孔の内壁面にも形成されている。また、絶縁層１２の上表面には紫外線照射により改質層１２１が形成され、改質層１２１は更に貫通孔の内壁面にも形成されている。
【００５７】
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。例えば、上述の第６、第７実施形態では、第２ビルドアップ層６の第１ビルドアップ層７Ａ，７Ｂとは反対側に形成されるコア基板２９を備えた例を説明したが、コア基板２９に代えて、金属板又は銅箔付きプリプレグ材などの支持部材を用いても良い。また、第１ビルドアップ層及び第２ビルドアップ層を形成する導電層及び絶縁層の数は上述した内容に制限されずに、必要に応じて導電層及び絶縁層の数を増減しても良い。
【符号の説明】
【００５８】
１，２，５，８Ａ，８Ｂ，２８Ａ，２８Ｂ    プリント配線板
６，９    第２ビルドアップ層
７Ａ，７Ｂ，１９Ａ，１９Ｂ，２７    第１ビルドアップ層
１０    絶縁層
１１    導電層（第１導体回路）
１１ａ，１３ａ    無電解Ｃｕ-Ｎｉ-Ｐ合金層
１１ｂ，１３ｂ    電解めっき層
１２    絶縁層（第１絶縁層）
１３    導電層（第２導体回路）
１４，１６    貫通孔
１５，１８    ビア導体
１７，２６    電極
２０    支持板
２１    剥離層
２２    レジストパターン
２５    開口部
２９    コア基板（支持部材）
６１，９１    導電層（第３導体回路）
６２，９２    絶縁層（第２絶縁層）
９３    導体パッド（第３導体パッド）
１０１，１２１    改質層
１１０    導体パッド（第１導体パッド）
１３０    導体パッド（第２導体パッド）
１３２    実装パッド（第２導体パッド）
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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