(57)【要約】【課題】半導体装置の信頼性の向上を図る。【解決手段】モールド工程における樹脂注入時に、平面視で、配線基板３１における複数のダイシング領域３１ｄのそれぞれの延長線上とは異なる位置にモールド金型１０の複数のゲート１０ｅを配置し、これら複数のゲート１０ｅから樹脂７を注入することにより、ダイシング領域３１ｄでのエアの巻き込みを低減してボイドの発生率を低下させることができる。これにより、封止体にボイドが形成される等の外観不良の発生やリフロー時に発生するクラックの起点の形成を抑制することができ、半導体装置（ＢＧＡ１）の信頼性の向上を図ることができる。【選択図】図１５
2017183511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）主面と、前記主面が有する第１辺と、前記主面が有する前記第１辺に対向する第２辺と、前記主面において、前記第１辺から前記第２辺に向かって延びる複数の第１領域と、前記主面において、前記複数の第１領域のそれぞれの間に設けられた複数の第２領域と、前記第１辺と前記複数の第２領域との間に設けられた複数の第３領域と、を有する基材を準備する工程、
（ｂ）（ａ）工程の後、前記基材の前記複数の第２領域のそれぞれに半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）（ｂ）工程の後、前記複数の第１領域と前記複数の第２領域とをモールド金型の１つのキャビティで覆い、前記複数の第３領域に複数のゲートが配置されるように、前記モールド金型に前記基材を配置する工程、
（ｄ）（ｃ）工程の後、前記複数のゲートから前記キャビティ内に樹脂を充填し、前記基材の前記主面に封止樹脂層を形成する工程、
を含み、
平面視において、前記複数の第１領域のそれぞれは、前記複数の第１領域に沿って形成された溝をそれぞれ有し、
平面視において、前記第１辺と前記第２辺とに垂直に交わる直線上に、前記複数の第２領域のうちの１つと前記複数の第３領域のうちの１つとが連なって配置され、
前記（ｄ）工程の際、前記第１辺から前記第２辺に向けて前記樹脂を注入する、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、平面視において、前記樹脂は、前記第２領域と前記第３領域とが連なる方向に沿った延長線上に配置された前記複数のゲートから前記キャビティ内に供給され、かつ前記樹脂の前記第２辺に向けて進行する先端の頂点は、前記半導体チップと前記第１領域との間の領域を通過する、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基材の前記第１辺に沿って配置された複数のゲートパターンと前記第２領域との間隔と、前記基材の前記第２辺に沿って配置されたエアベントパターンと前記第２領域との間隔との和は、前記第２領域の一辺の長さよりも長い、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
１つの前記第２領域に対して複数の前記複数のゲートが配置されている、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基材は、前記半導体チップが搭載される第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有する配線基板であり、
前記第１面に、配線部と、前記配線部を覆う絶縁膜とが形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１領域の前記溝は、前記配線部と前記絶縁膜とからなる壁部を有する凹状の段差である、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）主面と、前記主面が有する第１辺と、前記主面が有する前記第１辺に対向する第２辺と、前記主面において、前記第１辺から前記第２辺に向かって延びる複数の第１領域と、前記主面において、前記複数の第１領域のそれぞれの間に設けられた複数の第２領域と、前記第１辺と前記複数の第２領域との間に設けられた複数の第３領域と、を有する基材を準備する工程、
（ｂ）（ａ）工程の後、前記基材の前記複数の第２領域のそれぞれに半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）（ｂ）工程の後、前記複数の第１領域と前記複数の第２領域とをモールド金型の１つのキャビティで覆い、前記複数の第３領域に複数のゲートが配置されるように、前記モールド金型に前記基材を配置する工程、
（ｄ）（ｃ）工程の後、前記複数のゲートから前記キャビティ内に樹脂を充填し、前記基材の前記主面に封止樹脂層を形成する工程、
を含み、
前記複数の第１領域のそれぞれは、前記複数の第１領域に沿って形成された溝をそれぞれ有し、
平面視において、前記第１辺と前記第２辺とに垂直に交わる直線上に、前記複数の第２領域のうちの１つと前記複数の第３領域のうちの１つとが連なって配置され、
前記（ｄ）工程の際、前記第１辺から前記第２辺に向けて前記樹脂を注入し、平面視で、前記キャビティ内に供給される前記樹脂の最も速く前記第２辺に向けて進行する先端の頂点が、前記第２領域に位置するように前記樹脂を注入する、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、平面視において、前記樹脂は、前記第２領域と前記第３領域とが連なる方向に沿った延長線上に配置された前記複数のゲートから前記キャビティ内に供給され、かつ前記樹脂の前記第２辺に向けて進行する先端の頂点は、前記半導体チップと前記第１領域との間の領域を通過する、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基材の前記第１辺に沿って配置された複数のゲートパターンと前記第２領域との間隔と、前記基材の前記第２辺に沿って配置されたエアベントパターンと前記第２領域との間隔との和は、前記第２領域の一辺の長さよりも長い、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
１つの前記第２領域に対して複数の前記複数のゲートが配置されている、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基材は、前記半導体チップが搭載される第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有する配線基板であり、
前記第１面に、配線部と、前記配線部を覆う絶縁膜とが形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１領域の前記溝は、前記配線部と前記絶縁膜とからなる壁部を有する凹状の段差である、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えば、モールド・アレイ・プロセス（Mold Array Process。以下、ＭＡＰともいう）を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００２−２３１７４１号公報（特許文献１）には、上金型と下金型との双方のキャビティに封止樹脂を注入して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法が開示されている。
【０００３】
特開２００２−２６１１０７号公報（特許文献２）には、モールド基板におけるモールド領域を部分的に張り出させて樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法が開示されている。
【０００４】
特開２００３−２５８１５８号公報（特許文献３）には、多連配線基板においてその単位配線基板の境界線に沿って多数個の反り防止孔を設けた半導体装置の製造方法が開示されている。
【０００５】
特開２０１４−２０４０８２号公報（特許文献４）には、モールド金型の複数のゲートのうち、最端に位置するゲートから充填される封止樹脂の流動が分散されるように封止樹脂を充填する半導体装置の製造方法が開示されている。
【０００６】
特開２０１５−２６７１９号公報（特許文献５）には、ＭＡＰタイプの半導体装置の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２３１７４１号公報
【特許文献２】特開２００２−２６１１０７号公報
【特許文献３】特開２００３−２５８１５８号公報
【特許文献４】特開２０１４−２０４０８２号公報
【特許文献５】特開２０１５−２６７１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本願発明者は、ＭＡＰにおいて、ダイシング領域（切断領域）内にこのダイシング領域に沿って溝や段差が形成されているような基材（例えば、配線基板やリードフレーム等）を用いる場合、封止工程における一括モールド時に、樹脂が基材のダイシング領域を通過する際に、上記溝や段差に滞留するエアを巻き込み、その結果、封止樹脂層にボイドが形成されることを見出した。
【０００９】
これにより、半導体装置の信頼性が低下することが懸念される。
【００１０】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一実施の形態による半導体装置の製造方法は、主面において第１辺から第２辺に向かって延びる複数の第１領域と、上記主面において上記複数の第１領域のそれぞれの間に設けられた複数の第２領域と、上記第１辺と上記複数の第２領域との間に設けられた複数の第３領域と、を有する基材を準備する工程と、上記基材の上記複数の第２領域に半導体チップを搭載する工程とを含む。さらに、上記複数の第１領域と上記複数の第２領域とをモールド金型の１つのキャビティで覆い、上記複数の第３領域に複数のゲートが配置されるように、上記モールド金型に上記基材を配置する工程と、上記複数のゲートから上記キャビティ内に樹脂を充填し、上記基材の上記主面に封止樹脂層を形成する工程とを含む。そして、平面視において上記複数の第１領域のそれぞれは、上記複数の第１領域に沿って形成された溝をそれぞれ有し、平面視において上記第１辺と上記第２辺とに垂直に交わる直線上に、上記複数の第２領域のうちの１つと上記複数の第３領域のうちの１つとが連なって配置され、上記樹脂を注入する際、上記第１辺から上記第２辺に向けて上記樹脂を注入する。
【００１２】
また、一実施の形態による他の半導体装置の製造方法は、主面において第１辺から第２辺に向かって延びる複数の第１領域と、上記主面において上記複数の第１領域のそれぞれの間に設けられた複数の第２領域と、上記第１辺と上記複数の第２領域との間に設けられた複数の第３領域と、を有する基材を準備する工程と、上記基材の上記複数の第２領域に半導体チップを搭載する工程とを含む。さらに、上記複数の第１領域と上記複数の第２領域とをモールド金型の１つのキャビティで覆い、上記複数の第３領域に複数のゲートが配置されるように、上記モールド金型に上記基材を配置する工程と、上記複数のゲートから上記キャビティ内に樹脂を充填し、上記基材の上記主面に封止樹脂層を形成する工程とを含む。そして、上記複数の第１領域のそれぞれは、上記複数の第１領域に沿って形成された溝をそれぞれ有し、平面視において上記第１辺と上記第２辺とに垂直に交わる直線上に、上記複数の第２領域のうちの１つと上記複数の第３領域のうちの１つとが連なって配置され、上記第１辺から上記第２辺に向けて上記樹脂を注入する。さらに、上記樹脂を注入する際、平面視で上記キャビティ内に供給される上記樹脂の最も速く上記第２辺に向けて進行する先端の頂点が、上記第２領域に位置するように上記樹脂を注入する。
【発明の効果】
【００１３】
上記一実施の形態によれば、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。また、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１の半導体装置の構造の一例を示す裏面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図４】図１の半導体装置の組み立てで用いられる配線基板のチップ搭載面側の構造の一例を示す平面図である。
【図５】図４のＢ部を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図６】図５のＣ部を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図７】図６のＤ−Ｄ線に沿って切断した構造の一例を示す拡大断面図である。
【図８】図５の基板におけるエッチバック後の構造の一例を示す部分拡大平面図である。
【図９】図８のＣ部を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図１０】図９のＤ−Ｄ線に沿って切断した構造の一例を示す拡大断面図である。
【図１１】図１の半導体装置の組み立て手順の一例を示すフロー図である。
【図１２】図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンド後の構造の一例を示す平面図である。
【図１３】図１の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンド後の構造の一例を示す平面図である。
【図１４】図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における金型への基板配置状態の一例を示す平面図である。
【図１５】図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における樹脂充填時の構造の一例を示す平面図である。
【図１６】図１５のＥ−Ｅ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１７】図１５のＦ−Ｆ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１８】図１の半導体装置の組み立てにおけるモールド後の構造の一例を示す平面図である。
【図１９】図１の半導体装置の組み立てにおけるダイシング時の構造の一例を示す部分拡大平面図である。
【図２０】変形例１の半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２１】図２０に示す半導体装置の組み立てに用いられる基材の構造を示す部分拡大平面図である。
【図２２】図２１のＧ−Ｇ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１６】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１７】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１８】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１９】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００２１】
（実施の形態１）
＜半導体装置＞
図１は実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１の半導体装置の構造の一例を示す裏面図、図３は図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【００２２】
図１〜図３に示す本実施の形態１の半導体装置は、半導体チップ２が配線基板３に搭載（接合、接続、実装）された半導体装置（半導体パッケージ）であり、さらに半導体チップ２が封止樹脂によって封止された半導体装置である。
【００２３】
なお、本実施の形態１では、上記半導体装置の一例として、配線基板３の下面側に設けられた複数の外部端子が半田ボール６の場合を取り上げて説明する。すなわち、本実施の形態１では、上記半導体装置の一例として、ＢＧＡ（Ball Grid Array)１を取り上げて説明する。
【００２４】
また、本実施の形態のＢＧＡ１は、その組み立てにおいて、複数のデバイス領域を一括して樹脂モールドし、その後、ダイシングにより個片化されて組み立てられたものである。
【００２５】
ＢＧＡ１の構成について説明すると、半導体チップ２と、半導体チップ２を支持または搭載する配線基板３と、半導体チップ２の表面（主面）２ｂに露出する複数の電極（ボンディングパッド、パッド電極）２ａとこれらに対応する配線基板３の複数の接続端子（ボンディングリード）１５とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（以降、単にワイヤとも呼ぶ）４と、を備えている。
【００２６】
さらに、ＢＧＡ１は、半導体チップ２およびワイヤ４を含む配線基板３の上面（チップ支持面）３ａを覆う封止体５と、配線基板３の下面（実装面）３ｂに外部端子としてエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール６と、を有している。
【００２７】
半導体チップ２は、その厚さと交差する平面形状が正方形であり（長方形でもよい）、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）の主面に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ２に分離したものである。
【００２８】
また、半導体チップ２は、互いに対向する表面（半導体素子形成側の面、主面、上面）２ｂおよび裏面（半導体素子形成側の面とは逆側の面、実装面、下面）２ｃを有し、その表面２ｂが上方を向くように配線基板３の上面（チップ支持面）３ａ上に搭載（配置）され、半導体チップ２の裏面２ｃが配線基板３の上面３ａに接着材（ダイボンド材、接合材）８を介して接着され、かつ固定されている。
【００２９】
接着材８としては、例えば絶縁性または導電性のペースト材やフィルム状の接着材（ダイボンディングフィルム、ダイアタッチフィルム）などを用いることができる。半導体チップ２は、その表面２ｂ側に露出する複数の電極（ボンディングパッド、パッド電極）２ａを有しており、これら電極２ａは、半導体チップ２の内部または表層部分に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。
【００３０】
また、配線基板３は、一方の主面である上面３ａと、上面３ａの反対側の面である下面３ｂと、上面３ａに露出するように形成された複数の接続端子１５と、下面３ｂに露出するように形成された複数のランド（バンプランド、ランド部、電極、パッド、端子）１６とを有している。
【００３１】
配線基板３は、絶縁性の基材層（絶縁基板、コア材）１１と、基材層１１の上面側および下面側に形成された導体層（導体パターン、導体膜パターン、配線層）１２と、導体層１２を覆うように形成された絶縁層（絶縁体層、絶縁膜）としてのソルダレジスト層（絶縁膜、半田レジスト層）１４とを有している。他の形態として、配線基板３を、複数の絶縁層と複数の配線層とを積層した多層配線基板（例えば、４層の配線層を有した配線基板）により形成することもできる。
【００３２】
導体層１２はパターン化されており、配線基板３の端子、配線または配線層となる導体パターンである。また、導体層１２は、導電性材料からなり、例えばめっき法で形成された銅薄膜などにより形成することができる。
【００３３】
また、配線基板３の上面側には、ワイヤ４を電気的に接続するための接続端子（電極、ボンディングリード、パッド電極）１５が複数形成されている。一方、配線基板３の下面側には、半田ボール６を接続するための導電性のランド１６が複数形成されている。そして、基材層１１の上面側の複数の接続端子１５と、基材層１１の下面側の複数のランド１６とが電気的に接続されている。
【００３４】
したがって、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５と電気的に接続されており、さらに配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６と電気的に接続されている。
【００３５】
なお、ワイヤ４は、例えば金線などの金属細線からなる。
【００３６】
また、ソルダレジスト層１４は、導体層１２を保護する絶縁層（絶縁膜）としての機能を有しており、基材層１１の上面側および下面側において導体層１２を覆っている。そして、半導体チップ２は、配線基板３の上面３ａ側のソルダレジスト層１４上に、接着材８を介して搭載されている。
【００３７】
また、複数のランド１６は、配線基板３の下面３ｂに露出して形成され、かつアレイ状に配置されており、各ランド１６には半田ボール（ボール電極、突起電極、電極、外部端子、外部接続用端子）６が接続（形成）されている。このため、配線基板３の下面３ｂに複数の半田ボール６がアレイ状に配置されている。
【００３８】
また、半田ボール６は、ＢＧＡ１の外部端子（外部接続用端子）として機能することができる。このため、本実施の形態のＢＧＡ１は、配線基板３の下面３ｂの複数のランド１６上にそれぞれ形成された複数の外部接続用端子（ここでは半田ボール６）を有している。したがって、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、さらに配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６および複数のランド１６に接続された複数の半田ボール６に電気的に接続されている。
【００３９】
なお、外部接続用端子として半田ボールを接続しない導体ランドを外部接続端子とするＬＧＡ（Land Grid Array)構造の半導体装置の場合も同様である。
【００４０】
また、封止体（封止樹脂層、封止樹脂、封止樹脂部、封止部）５は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止体５を形成することもできる。封止体５は、配線基板３の上面３ａ上で半導体チップ２および複数のワイヤ４を覆っている。すなわち、封止体５は、配線基板３の上面３ａ上に形成され、半導体チップ２およびワイヤ４を封止し、保護している。
【００４１】
＜配線基板＞
図４は図１の半導体装置の組み立てで用いられる配線基板のチップ搭載面側の構造の一例を示す平面図、図５は図４のＢ部を拡大して示す部分拡大平面図、図６は図５のＣ部を拡大して示す部分拡大平面図、図７は図６のＤ−Ｄ線に沿って切断した構造の一例を示す拡大断面図である。また、図８は図５の基板におけるエッチバック後の構造の一例を示す部分拡大平面図、図９は図８のＣ部を拡大して示す部分拡大平面図、図１０は図９のＤ−Ｄ線に沿って切断した構造の一例を示す拡大断面図である。
【００４２】
次に、ＢＧＡ１の組み立てで用いられる配線基板（マトリクス基板）について説明する。ＢＧＡ１の組み立てで用いられる配線基板３１は、複数の配線基板３（図４に示す半導体装置領域３１ｂ）がマトリクス状に繋がって形成されたマトリクス基板である。
【００４３】
配線基板３１は、図３に示す配線基板３の母体であり、例えば、４層の配線層を備えた４層配線基板である。そして、後述する切断工程（個片化工程）で配線基板３１を切断し、各半導体装置領域（第２領域、デバイス領域、基板領域、単位基板領域）３１ｂに分離したものが上記半導体装置の配線基板３に対応している。つまり、配線基板３１は、そこから１つの半導体装置（ＢＧＡ１）が形成される領域である半導体装置領域３１ｂをマトリクス状に複数配列した構成を有している。
【００４４】
なお、本実施の形態１では、配線基板３１の詳細を説明する際に、マトリクス状に配列された複数の半導体装置領域３１ｂのうちの隣り合った２つの半導体装置領域３１ｂを代表として取り上げて説明する。
【００４５】
配線基板３１は、上面（第１面、主面、表面、チップ搭載面）３１ａと、上面３１ａとは反対側の後述する図１９に示す下面（第２面、裏面、実装面、ボール搭載面）３２ａとを備えている。さらに、図４に示すように、上面３１ａは、ゲート側に対応する第１辺３１ａａと、第１辺３１ａａと対向する（反対側の）第２辺３１ａｂと、短辺である第３辺３１ａｃと、第３辺３１ａｃと対向する（反対側の）第４辺３１ａｄと、を有している。そして、上面３１ａは、第１辺３１ａａから第２辺３１ａｂに向かって延びる複数のダイシング領域（第１領域）３１ｄと、複数のダイシング領域３１ｄのそれぞれの間に設けられた複数の半導体装置領域（第２領域、デバイス領域）３１ｂと、第１辺３１ａａと複数の半導体装置領域３１ｂとの間に設けられた複数のゲートパターン配置領域（第３領域）３１ｅ１と、を有している。なお、複数のダイシング領域３１ｄは、第３辺３１ａｃから第４辺３１ａｄに向かって延びる方向に沿っても設けられている。つまり、複数のダイシング領域３１ｄは、第１辺３１ａａから第２辺３１ａｂに向かって延びているものと、第３辺３１ａｃから第４辺３１ａｄに向かって延びるものと、の両方があり、両者が複数の箇所で直交している。そして、半導体装置領域３１ｂは、４本のダイシング領域３１ｄによって囲まれた四角形の領域である。
【００４６】
言い換えると、隣り合った２つの半導体装置領域３１ｂの間に、ダイシング領域（第１領域、スクライブ領域、切断領域）３１ｄが設けられている。ただし、最外周に配置された半導体装置領域３１ｂでは、その半導体装置領域３１ｂの外周部にダイシング領域３１ｄが形成されている。これにより、上面３１ａにおいて複数のダイシング領域３１ｄは、平面視で格子状に配置されている。さらに、配線基板３１は、図４に示すように、複数の半導体装置領域３１ｂおよびダイシング領域３１ｄを取り囲むように上面３１ａの周縁部に縁部領域３１ｅを有する。なお、この縁部領域３１ｅは、複数のゲートパターン３１ｅａがそれぞれ配置される複数のゲートパターン配置領域（第３領域）３１ｅ１と、複数のエアベントパターン３１ｆａがそれぞれ配置される複数のエアベントパターン配置領域３１ｅ２を有する。また、この複数のゲートパターン配置領域（第３領域）３１ｅ１とは、後のモールド工程において使用する金型の複数のゲートがそれぞれ配置される領域でもある。
【００４７】
また、図４に示すように、平面視において、第１辺３１ａａと第２辺３１ａｂとに垂直に交わる直線Ｌ上に、複数の半導体装置領域３１ｂのうちの１つと、複数のゲートパターン配置領域３１ｅ１のうちの１つとが連なって配置されている。
【００４８】
また、それぞれの半導体装置領域３１ｂには、複数の接続端子（ボンディングリード、電極）１５が半導体装置領域３１ｂの４つの辺のそれぞれに沿って設けられている。そして、上面３１ａ側には、図７に示すように、複数の接続端子１５が露出するようにソルダレジスト層１４が形成されている。
【００４９】
一方、下面３２ａ（図１９参照）側にも、複数のランド１６が露出するようにソルダレジスト層（図３参照）１４が形成されている。すなわち、下面３２ａには、マトリクス状（格子状）に設けられた複数のランド（バンプランド、電極）１６と、複数のランド１６を露出させるソルダレジスト層（絶縁膜）１４と、が設けられている。
【００５０】
ここで、ダイシング領域３１ｄは、後述する切断工程において、使用するダイシングブレード９（後述する図１９参照）により切断（除去）される予定の領域である。そのため、ダイシング領域３１ｄの幅は、ダイシングブレード９の幅に相当する。
【００５１】
ただし、配線基板３１の製造過程において生じる絶縁膜（ソルダレジスト層１４）の位置ずれや、使用するダイシングブレード９の緩みなどにより、予定していたダイシング領域３１ｄから若干ずれた位置で切断される場合もある。
【００５２】
また、配線基板３１の上面３１ａのゲート配置側の縁部領域３１ｅには、上述のように金属製の複数のゲートパターン３１ｅａが形成され、一方、上面３１ａの第２辺３１ａｂ（エアベント配置側）の縁部領域３１ｅには、金属製の複数のエアベントパターン３１ｆａが形成されている。これら複数のゲートパターン３１ｅａおよび複数のエアベントパターン３１ｆａは、樹脂モールド後に縁部領域３１ｅに形成された樹脂を剥離し易くするものである。
【００５３】
なお、図５および図６に示すように、配線基板３１のそれぞれのダイシング領域３１ｄ内には、電解メッキ用の給電線３１ｄａが形成されている。すなわち、各接続端子１５に電解メッキを施すための給電線３１ｄａがダイシング領域３１ｄ内に設けられている。そして、ダイシング領域３１ｄを挟んでその両側に配置された接続端子１５から引き出された給電線３１ｄａがダイシング領域３１ｄ内の給電線３１ｄａと繋がっている。また、半導体装置領域３１ｂの外周部に位置するダイシング領域３１ｄでは、このダイシング領域３１ｄの内側に配置された接続端子１５から引き出された給電線３１ｄａが、外周部に配置されたダイシング領域３１ｄ内の給電線３１ｄａと繋がっている。つまり、全ての接続端子１５は、何れかのダイシング領域３１ｄ内の給電線３１ｄａと繋がっている。なお、図７に示すように、複数の接続端子１５のそれぞれの一部は、絶縁膜であるソルダレジスト層１４から露出しているが、各給電線３１ｄａは、ソルダレジスト層１４によって覆われている。
【００５４】
そして、図８〜図１０に示すように、本実施の形態１で使用される配線基板３１は、そのダイシング領域３１ｄでは、電解メッキ用の給電線３１ｄａはエッチング等によって除去されているものである。つまり、ＢＧＡ１の組み立てを開始する際に用いられる配線基板３１では、ダイシング領域３１ｄ内に設けられていた電解メッキ用の給電線３１ｄａは、予めエッチング（エッチバックとも呼ぶ）等により除去されている。詳細には、ＢＧＡ１の組み立てに使用される配線基板３１のダイシング領域３１ｄでは、図１０に示すように、配線基板３１の上面３１ａ側に形成されたソルダレジスト層（絶縁膜、保護膜）１４の下層（内層）に位置する配線基板（基材）３１の表面が露出した状態となっている。
【００５５】
さらに詳しく説明すると、各ダイシング領域３１ｄには、エッチング等により溝３１ｄｂが形成されており、それぞれの溝３１ｄｂは、接続端子１５と繋がる配線部（給電線３１ｄａ）１７と、配線部１７を覆うソルダレジスト層（絶縁膜）１４とからなる壁部３１ｄｃを有する凹状の段差である。
【００５６】
＜半導体装置の製造方法＞
図１１は図１の半導体装置の組み立て手順の一例を示すフロー図である。
【００５７】
本実施の形態１の半導体装置の製造方法を、図１１のフロー図に沿って説明する。
【００５８】
１．配線基板準備工程
本実施の形態１では、複数の配線基板３（図４に示す半導体装置領域３１ｂ）がマトリクス状に繋がって形成された多数個取りの配線基板（マトリクス基板）３１を用いて、複数の半導体装置領域３１ｂを一括して樹脂モールドし、その後、個々の半導体装置（ＢＧＡ１）に切断して製造を行うＭＡＰ方式を採用した組み立てについて説明する。
【００５９】
まず、図１１に示す配線基板準備（ステップＳ１）において、図４に示す配線基板３１を準備する。配線基板３１は、図３に示す配線基板３の母体であり、後述する切断工程（個片化工程）で配線基板３１を切断し、各半導体装置領域（第２領域、デバイス領域、基板領域、単位基板領域）３１ｂに分離したものが上記半導体装置の配線基板３に対応する。すなわち、配線基板３１は、そこから１つの半導体装置（ＢＧＡ１）が形成される領域である半導体装置領域３１ｂがマトリクス状に複数配列した構成を有している。
【００６０】
なお、本実施の形態１の半導体装置の組み立てでは、詳細を説明する際に、マトリクス状に配列された複数の半導体装置領域３１ｂのうちの隣り合った２つの半導体装置領域３１ｂを代表として取り上げて説明する。
【００６１】
配線基板３１は、上面３１ａと、上面３１ａとは反対側の下面３２ａとを備えており、上面３１ａには、複数の半導体装置領域３１ｂと複数のダイシング領域３１ｄとが形成されている。詳細には、複数のダイシング領域３１ｄが、平面視で、格子状に配置されており、周囲を４本のダイシング領域３１ｄで囲まれた四角形の領域が半導体装置領域３１ｂとなっている。また、複数の半導体装置領域３１ｂのそれぞれには、複数の接続端子１５が設けられている。
【００６２】
そして、図７に示すようなメッキ用の給電線３１ｄａは、予めエッチング等によって除去されているため、複数のダイシング領域３１ｄのそれぞれの内部には、図１０に示すような、溝３１ｄｂがダイシング領域３１ｄに沿って形成されている。
【００６３】
一方、後述する図１９に示すように、下面３２ａ側においても、上面３１ａ側と同様に、複数の半導体装置領域３１ｂと、複数のダイシング領域３１ｄとが設けられており、複数の半導体装置領域３１ｂのそれぞれには、複数の外部端子接続用のランド（図３参照）１６が格子状に配置されている。そして、上面３１ａ側と同様に、メッキ用の上記給電線３１ｄａが予めエッチング等によって除去されているため、複数のダイシング領域３１ｄのそれぞれの内部には、溝３１ｄｂがダイシング領域３１ｄに沿って形成されている。
【００６４】
２．半導体チップ搭載工程
図１２は図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンド後の構造の一例を示す平面図である。
【００６５】
配線基板３１を準備した後、図１１に示す半導体チップ搭載（ステップＳ２）において、半導体チップ２の搭載（ダイボンディング）を行う。すなわち、図１２に示すように、配線基板３１の上面３１ａの半導体装置領域３１ｂのそれぞれに半導体チップ２を図３に示す接着材８を介して搭載する。なお、接着材８としては、ペースト状の接着材やフィルム状の接着材などを用いることができる。
【００６６】
３．ワイヤボンディング工程
図１３は図１の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンド後の構造の一例を示す平面図である。
【００６７】
半導体チップ搭載後、図１１に示すワイヤボンディング（ステップＳ３）を行って、半導体チップ２の各電極２ａと、これに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５とをワイヤ４を介して電気的に接続する。すなわち、図１３に示すように、配線基板３１の上面３１ａの半導体装置領域３１ｂの複数の接続端子１５と、その半導体装置領域３１ｂ上に接合された半導体チップ２の複数の電極２ａ（図３参照）とを複数のワイヤ４を介して電気的に接続する。
【００６８】
４．モールド工程
図１４は図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における金型への基板配置状態の一例を示す平面図である。また、図１５は図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における樹脂充填時の構造の一例を示す平面図、図１６は図１５のＥ−Ｅ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１７は図１５のＦ−Ｆ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１８は図１の半導体装置の組み立てにおけるモールド後の構造の一例を示す平面図である。
【００６９】
ワイヤボンディング後、図１１に示す封止樹脂形成（ステップＳ４）を行う。本モールド工程では、例えばトランスファモールドによる樹脂封止を行って、配線基板３１上に複数の半導体チップ２およびワイヤ４を覆うように図１８に示す一括封止体（封止樹脂層、封止樹脂、封止部、一括封止部）１３を形成する。
【００７０】
本モールド工程では、まず、図１６に示すように、複数のダイシング領域３１ｄと複数の半導体装置領域３１ｂとをモールド金型１０の上型１０ａの１つのキャビティ１０ｃで覆い、かつ図１４に示すように、縁部領域３１ｅに複数のゲート１０ｅが配置されるように、図１６のモールド金型１０の下型１０ｂ上に配線基板（基材）３１を配置する。
【００７１】
つまり、本実施の形態１のモールドでは、図１４に示すように、複数のゲート１０ｅのそれぞれが、半導体装置領域３１ｂと連なる縁部領域３１ｅ上のモールド領域３１ｇにかかる箇所に配置されており、かつダイシング領域３１ｄの延長線上には配置されていない状態で図１５に示す樹脂７を充填する。
【００７２】
詳細には、上面３１ａのダイシング領域３１ｄ内に溝３１ｄｂが形成された配線基板３１に対して樹脂モールドを行う際に、配線基板３１の第１辺３１ａａと第２辺３１ａｂとに垂直に交わる直線Ｌ（図４参照）と平行を成す配線基板３１のダイシング領域３１ｄの延長線上とは異なる位置にモールド金型１０の複数のゲート１０ｅのそれぞれを配置し、この状態で、樹脂７を注入する。
【００７３】
なお、図１４に示す本実施の形態１の例では、１つのカル１０ｄに２つずつのゲート１０ｅが設けられており、さらに、図１６および図１７に示すように、モールド金型１０のキャビティ１０ｃのゲート１０ｅと対向する側（図１４の第２辺３１ａｂ）にはエア排出用の複数のエアベント１０ｆが設けられている。
【００７４】
このようにモールド金型１０の下型１０ｂ上に配線基板３１を配置した状態で、図１５および図１６に示すように複数のゲート１０ｅのそれぞれからキャビティ１０ｃ内に樹脂７を注入し、さらに配線基板３１の第１辺３１ａａから第２辺３１ａｂに向けて樹脂７を進行させてキャビティ１０ｃ内に樹脂７を充填する。これにより、配線基板３１の上面３１ａに図１８に示す一括封止体（封止樹脂層）１３を形成する。
【００７５】
ここで、本願が解決しようとする課題について詳しく説明する。
【００７６】
配線基板３１等の基材（後述する図２１に示すリードフレーム１９等も含む）には、複数の半導体装置領域（デバイス領域）３１ｂと、これら複数のデバイス領域間に配置されたダイシング領域（切断領域）３１ｄと、が形成されている。そして、図７に示すように、ダイシング領域３１ｄには、配線基板３１の各電極である複数の接続端子１５のそれぞれに電解メッキを形成するための給電線３１ｄａが設けられており、各接続端子１５は、配線部１７等を介してダイシング領域３１ｄ内に形成された給電線３１ｄａと電気的に接続されている。
【００７７】
これにより、電解メッキ処理時には、給電線３１ｄａと配線部１７とを介して各接続端子１５に電圧を印加してメッキ処理を施している。
【００７８】
そして、メッキ処理完了後、基材には電気的検査が行われる。この時、各接続端子１５が給電線３１ｄａを介して電気的に接続されていると、電気的検査を行うことができないため、ダイシング領域３１ｄ内の給電線３１ｄａを除去して各接続端子１５が電気的に接続されていない基材構造を形成する必要がある。
【００７９】
そこで、基材が配線基板３１の場合には、ダイシング領域３１ｄ内をエッチングしてダイシング領域３１ｄ内に形成されている給電線３１ｄａを除去し、その結果、各接続端子１５が電気的に接続されていない構造を形成する。これにより、配線基板３１の電気的検査を実施することが可能になる。
【００８０】
給電線３１ｄａを除去するエッチングを行ったことで、図１０に示すように、ダイシング領域３１ｄには、このダイシング領域３１ｄに沿って延びる溝３１ｄｂまたは段差が形成される。
【００８１】
また、モールド工程で、樹脂注入時に、図１４に示すようにモールド金型１０の下型１０ｂに配線基板３１を配置した際、上方から見た時（平面視）、配線基板３１の第１辺３１ａａ側の縁部領域３１ｅ（図４参照）には、樹脂７を注入する複数のゲート１０ｅが配置され、配線基板３１の第２辺３１ａｂの縁部領域３１ｅには、エアを排出する複数のエアベント１０ｆ（図１４参照）が配置される。そして、図４に示すように配線基板３１の第１辺３１ａａ側の縁部領域３１ｅには、複数のゲート１０ｅがそれぞれ配置される複数のゲートパターン３１ｅａが形成され、配線基板３１の第２辺３１ａｂの縁部領域３１ｅには、複数のエアベント１０ｆが配置される複数のエアベントパターン３１ｆａとが形成されている。
【００８２】
そこで、樹脂注入の際に、配線基板３１の第１辺３１ａａと、この第１辺３１ａａに対向する配線基板３１の第２辺３１ａｂを垂直に結ぶ直線上に、ゲート１０ｅとダイシング領域３１ｄとが配置された状態で樹脂注入が行われると、ダイシング領域３１ｄの溝３１ｄｂからエアを巻き込みエアトラップが発生する。
【００８３】
言い換えると、複数のゲート１０ｅがそれぞれ配置される複数のゲートパターン配置領域３１ｅ１と、第１辺３１ａａから第２辺３１ａｂに延びる複数のダイシング領域３１ｄとがそれぞれ直線上に配置された状態で樹脂注入を行うと、ダイシング領域３１ｄの溝３１ｄｂまたは段差に樹脂７が流れ込んで溝３１ｄｂまたは段差に滞留していたエアを巻き込み、このエアの巻き込みによってエアトラップが発生する。
【００８４】
その結果、ダイシング領域３１ｄ上にボイドが形成され、ダイシング（個片化）後の半導体装置（ＢＧＡ１）の外観不良やリフロー時に発生するクラックの起点の形成を引き起こす。これにより、半導体装置（ＢＧＡ１）の信頼性の低下および歩留りの低下が生じる。
【００８５】
そこで、本実施の形態１では、図１４に示すように、平面視で、配線基板３１のダイシング領域３１ｄの延長線上とは異なる位置にモールド金型１０の複数のゲート１０ｅを配置し、これら複数のゲート１０ｅから樹脂７を注入する。これにより、ダイシング領域３１ｄでのエアの巻き込みを低減し、ボイドの発生率を低下させることができる。言い換えると、平面視で、複数の半導体装置領域３１ｂに連なる複数のゲートパターン配置領域３１ｅ１（半導体装置領域３１ｂにそれぞれ対応する領域）に複数のゲート１０ｅを配置して樹脂７を注入する。
【００８６】
複数のゲート１０ｅから樹脂７を注入すると、図１５〜図１７に示すように、樹脂７は、配線基板３１の第１辺３１ａａから第２辺３１ａｂに向けて進行する。その際、図１５に示すように、平面視で、キャビティ１０ｃ内に供給される樹脂７のうち最も速く第２辺３１ａｂに向けて進行する先端の頂点Ｐは、半導体装置領域３１ｂに位置する。
【００８７】
すなわち、複数のゲート１０ｅが配線基板３１の複数のダイシング領域３１ｄの延長線上にそれぞれ配置されていると、流れる樹脂７の頂点Ｐは複数のダイシング領域３１ｄ上に位置し、複数のダイシング領域３１ｄの溝３１ｄｂに滞留するエアを巻き込み易くなる。しかしながら、本実施の形態１のように、配線基板３１の複数のダイシング領域３１ｄの延長線上とは異なる位置に複数のゲート１０ｅをそれぞれ配置すると、樹脂７の流路が、複数のダイシング領域３１ｄの延長線上に複数のゲート１０ｅがそれぞれ配置されている場合とは異なり、第２辺３１ａｂに向かって流れていく樹脂７の頂点Ｐが半導体装置領域３１ｂに位置する。
【００８８】
これにより、複数のダイシング領域３１ｄでエアを巻き込みにくくなる。すなわち、樹脂７の流路には、複数のダイシング領域３１ｄ等の障害物は可能な限り存在しない方が好ましく、上述のように、流れていく樹脂７の頂点Ｐが半導体装置領域３１ｂに位置するように複数のゲート１０ｅをそれぞれ配置することにより、エアの巻き込みを低減することができる。
【００８９】
なお、本実施の形態１のモールド金型１０において複数のゲート１０ｅのそれぞれの設定位置への設置手段としては、入れ駒方式を採用してもよいし、もしくは複数のゲート１０ｅの位置を変更することが可能なゲート可変型の金型を採用してもよい。
【００９０】
また、図１０に示す配線基板３１の複数のダイシング領域３１ｄのそれぞれに形成された溝３１ｄｂの深さＴが幅Ｓより大きい（Ｔ＞Ｓ）場合、溝３１ｄｂにおいて樹脂７がエアをより巻き込み易くなるため、本実施の形態１のように、配線基板３１の複数のダイシング領域３１ｄの延長線上とは異なる位置に複数のゲート１０ｅをそれぞれ配置することで、溝３１ｄｂの深さが幅より大きくてもボイドの巻き込みを低減することができる。
【００９１】
以上のように樹脂７をゲート１０ｅから注入して、図１８に示すような一括封止体（封止樹脂層）１３を配線基板３１上に形成する。なお、配線基板３１上には一括封止体１３とともにゲートレジン２０やカルレジン２１が形成されている。また、一括封止体１３を形成する樹脂７は、例えば熱硬化性樹脂材料などであるが、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて一括封止体１３を形成してもよい。
【００９２】
５．半田ボール接続工程
モールド終了後、図１１に示す半田ボール接続（外部端子形成、ステップＳ５）を行う。本半田ボール接続工程では、例えば、配線基板３１の下面３２ａを上方に向け、配線基板３１の下面３２ａの複数のランド１６上にそれぞれ半田ボール６を配置（搭載）してフラックスなどで仮固定する。
【００９３】
そして、リフロー処理（半田リフロー処理、熱処理）を行って半田を溶融し、半田ボール６と配線基板３１のランド１６とを接続する。これにより、半導体装置の外部端子（外部接続用端子）としての半田ボール６が接続（形成）される。
【００９４】
６．ダイシング工程
図１９は図１の半導体装置の組み立てにおけるダイシング時の構造の一例を示す部分拡大平面図である。
【００９５】
半田ボール接続後、図１１に示すダイシング（ステップＳ６）を行う。本ダイシング工程では、図１９に示すように、ダイシングブレード（ダイシングソー、ブレード）９などを用い、配線基板３１の下面（第２面、裏面、実装面、ボール搭載面）３２ａ側から半導体装置領域３１ｂ間のダイシング領域（ダイシングライン、各半導体装置領域の境界部）３１ｄに沿ってダイシング（切断、切削）を行う。これにより、一括封止体１３と配線基板３１とを切断（分割）する。
【００９６】
すなわち、一括封止体１３と配線基板３１とがダイシング領域３１ｄに沿って切断されて、各半導体装置領域が個々の（個片化された）半導体装置（ＢＧＡ１）に切断分離（個片化）される。すなわち、一括封止体１３と配線基板３１が各半導体装置領域に切断かつ分割され、各半導体装置領域からＢＧＡ１が形成される。
【００９７】
以上のように、切断・個片化を行って、図１〜図３に示されるようなＢＧＡ１を製造することができる。
【００９８】
＜効果＞
本実施の形態１の半導体装置の製造方法によれば、平面視で、配線基板３１における複数のダイシング領域３１ｄのそれぞれの延長線上とは異なる位置にモールド金型１０の複数のゲート１０ｅを配置し、これら複数のゲート１０ｅから樹脂７を注入することにより、ダイシング領域３１ｄでのエアの巻き込みを低減してボイドの発生率を低下させることができる。
【００９９】
これにより、封止体５にボイドが形成される等の外観不良の発生やリフロー時に発生するクラックの起点の形成を抑制することができる。その結果、ＢＧＡ１の信頼性の向上を図ることができる。また、ＢＧＡ１の歩留りを向上させることができる。
【０１００】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、モールド工程におけるモールド金型１０への樹脂注入時の樹脂７の流れの頂点Ｐの進行位置について説明する。
【０１０１】
図１４および図１５に示す平面視において、配線基板３１の複数の半導体装置領域３１ｂと複数のゲートパターン配置領域３１ｅ１とが連なる方向に沿った延長線上に複数のゲート１０ｅをそれぞれ配置し、この複数のゲート１０ｅから樹脂７をキャビティ１０ｃ内に供給する。これにより、図１５に示す平面視で、樹脂７の第２辺３１ａｂに向けて進行する先端の頂点Ｐが、半導体チップ２とダイシング領域３１ｄとの間の領域を通過する。
【０１０２】
これは、樹脂７の流路として見た時、平面視における半導体チップ２とダイシング領域３１ｄとの間の領域は、障害物が最も少ない。つまり、障害物が最も少ない領域に樹脂７の頂点Ｐを進行させることにより、エアの巻き込みを抑制しつつ、樹脂７を半導体装置領域３１ｂ全体に均等に行き渡せることができる。その結果、封止体５におけるボイドの形成を低減することができる。
【０１０３】
なお、図１６は、半導体チップ２の横の領域（半導体チップ２が無い領域であり、半導体チップ２とダイシング領域３１ｄとの間の領域）での樹脂７の流れ方の一例を示しており、一方、図１７は、半導体チップ２上における樹脂７の流れ方の一例を示している。
【０１０４】
すなわち、モールド金型１０内に注入された樹脂７は、半導体チップ２が厚みを有しているため、半導体チップ２の左右に樹脂７の一部が振り分けられ、これにより、樹脂７の流れる速度が、半導体チップ２上と半導体チップ２の横の領域とで異なっている。具体的には、１つの半導体装置領域３１ｂ内において、半導体チップ２上を流れる樹脂７の速度は、半導体チップ２の横の領域を流れる樹脂７の速度より遅い。
【０１０５】
したがって、樹脂７の流路に対して可能な限り障害物が少なくなるような位置、例えば、半導体チップ２とダイシング領域３１ｄとの間の領域に対応した位置にそれぞれ、複数のゲート１０ｅを配置することで、平面視において、樹脂７の進行する先端の頂点Ｐを、半導体チップ２とダイシング領域３１ｄとの間の領域に通過させることができ、これにより、ボイドの巻き込みを抑制することができる。
【０１０６】
その結果、ＢＧＡ１の信頼性の向上を図ることができる。また、ＢＧＡ１の歩留りの向上を図ることができる。
【０１０７】
（実施の形態３）
本実施の形態３では、配線基板３１における半導体装置領域３１ｂとその外周部との大きさの関係について説明する。
【０１０８】
図４に示す配線基板３１において、その第１辺３１ａａに沿って配置された複数のゲートパターン３１ｅａと半導体装置領域３１ｂとの間隔Ｌ１と、配線基板３１の第２辺３１ａｂに沿って配置された複数のエアベントパターン３１ｆａと半導体装置領域３１ｂとの間隔Ｌ２との和が、半導体装置領域３１ｂの一辺の長さＬ３よりも長くなるようにしてもよい。すなわち、Ｌ１＋Ｌ２＞Ｌ３としてもよい。
【０１０９】
上記Ｌ１＋Ｌ２＞Ｌ３について説明すると、１枚の配線基板３１において、半導体装置の取得数は可能な限り増やしたいため、Ｌ１とＬ２はなるべく小さくしたい（半導体装置を形成する領域を大きくしたい）。しかしながら  Ｌ１やＬ２を小さくすると、Ｌ１側で複数のゲート１０ｅと半導体装置領域３１ｂとの距離が近くなって樹脂注入時の樹脂圧が高くなる。その場合、Ｌ１側でのボイドの巻き込みが増加する。したがって、Ｌ１はボイドの巻き込みが増えない程度に大きく確保する必要がある。
【０１１０】
一方で、Ｌ２が短くなると、エアベント１０ｆの流路が確保できなくなるため、Ｌ２もエアベント１０ｆの流路を確保可能な程度に距離を取る必要がある。
【０１１１】
つまり、半導体装置領域３１ｂと複数のゲート１０ｅとの間、および半導体装置領域３１ｂとエアベント１０ｆとの間の距離をそれぞれ大きくする（Ｌ１＋Ｌ２＞Ｌ３とする）ことは、半導体装置領域３１ｂを増やすことを排除してまで、Ｌ１とＬ２を大きくすることを意味している。したがって、上記Ｌ１＋Ｌ２＞Ｌ３とすることにより、複数のゲート１０ｅ側（第１辺３１ａａ）での樹脂７の注入圧を抑制しつつ、エアベント１０ｆ側（第２辺３１ａｂ）でより多くのエアを排出することができる。
【０１１２】
言い換えると、上記Ｌ１＋Ｌ２＞Ｌ３とすることにより、フローキャビティ内の圧力を低減することができる（キャビティ１０ｃ内からより多くのエアを排出してボイドの形成を抑制することができる）。
【０１１３】
また、図１４に示すように、１つの半導体装置領域３１ｂに対して複数（本実施の形態１〜３では２つ）のゲート１０ｅが配置されている。例えば、１つの半導体装置領域３１ｂに対応する縁部領域３１ｅにおいて、半導体チップ２の両側にゲート１０ｅを配置する。
【０１１４】
これにより、樹脂７の流れにおいて、流路が増えるため、樹脂７の流れを均等にすることができ、その結果、ボイドの発生を抑制することができる。したがって、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。また、半導体装置の歩留りの向上を図ることができる。
【０１１５】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１１６】
（変形例１）
図２０は変形例１の半導体装置の構造を示す断面図、図２１は図２０に示す半導体装置の組み立てに用いられる基材の構造を示す部分拡大平面図、図２２は図２１のＧ−Ｇ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。
【０１１７】
本変形例１の半導体装置は、リードフレーム１９を用いて組み立てられるＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) １８であり、本変形例１では、リードフレーム１９が有する複数の半導体装置領域（第２領域、デバイス領域）１９ｅを一括して樹脂モールドするＭＡＰ−ＱＦＮの場合を説明する。したがって、リードフレーム１９は、複数の半導体装置領域１９ｅを有するマトリクスフレームである。
【０１１８】
図２０に示すＱＦＮ１８の構造について説明すると、ダイパッド１９ｂ上に接着材８を介して半導体チップ２が搭載され、半導体チップ２が備える複数の電極２ａのそれぞれは、ダイパッド１９ｂの周囲に設けられた複数のリード部１９ａのそれぞれとワイヤ４を介して電気的に接続されている。そして、半導体チップ２と複数のワイヤ４とが封止体（封止樹脂層）５によって樹脂封止されている。
【０１１９】
封止体５の裏面側には、複数のリード部１９ａそれぞれの一部が露出しており、これら封止体５の裏面に露出した複数のリード部１９ａそれぞれの一部がＱＦＮ１８の外部端子となっている。さらに、封止体５の裏面側には、ダイパッド１９ｂの一部も露出している。なお、ダイパッド１９ｂは、例えば４本の吊りリード１９ｃによって角部で支持されている。
【０１２０】
図２１は、ＱＦＮ１８を組み立てる際に用いられるリードフレーム１９の一部の構造を示すものであり、隣り合う２つの半導体装置領域１９ｅを示している。それぞれの半導体装置領域１９ｅを囲む枠部１９ｄには、切断領域であるダイシング領域（第１領域）１９ｆが形成され、ダイシング領域１９ｆのそれぞれには、図２２に示すような溝（または段差）１９ｇが形成されている。
【０１２１】
上記溝１９ｇは、図２１に示すように、ダイシング領域１９ｆ内に、このダイシング領域１９ｆに沿って形成されており、リードフレーム１９の切断領域における切断部分の厚さを減らしておくことで、ダイシング（個片化）時にダイシングブレード９に掛かる負荷を低減して切断を容易にするためのものである。ただし、この溝１９ｇが形成されていることで、モールド工程における樹脂注入時に、溝１９ｇに滞留しているエアを巻き込み易く、その結果、ボイドの発生に至る。
【０１２２】
そこで、本変形例１では、実施の形態１〜３と同様に、モールド工程の樹脂注入時に、平面視で、リードフレーム１９における複数のダイシング領域１９ｆのそれぞれの延長線上とは異なる位置にモールド金型１０の複数のゲート１０ｅを配置し、これら複数のゲート１０ｅから樹脂７を注入することにより、ダイシング領域１９ｆでのエアの巻き込みを低減してボイドの発生率を低下させることができる。
【０１２３】
これにより、封止体５にボイドが形成される等の外観不良の発生やリフロー時に発生するクラックの起点の形成を抑制することができる。その結果、ＱＦＮ１８の信頼性の向上を図ることができる。また、ＱＦＮ１８の歩留りを向上させることができる。
【０１２４】
なお、本変形例１のその他の手段と効果については、実施の形態１〜３のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１２５】
（変形例２）
上記実施の形態１〜３では、半導体装置がＢＧＡ１の場合を一例として説明したが、上記半導体装置は、ＢＧＡ１に限らず、ランド１６の表面に導電性部材が形成されたＬＧＡ（Land Grid Array)であってもよい。
【０１２６】
（変形例３）
さらに、上記実施の形態で説明した技術思想の要旨を逸脱しない範囲内において、変形例同士を組み合わせて適用することができる。
【符号の説明】
【０１２７】
１  ＢＧＡ（半導体装置、半導体パッケージ）
２  半導体チップ
２ａ  電極（ボンディングパッド、パッド電極）
３  配線基板
４  ワイヤ
５  封止体（封止樹脂、樹脂体、封止部、封止樹脂部）
６  半田ボール（外部端子）
７  樹脂
１０  モールド金型
１０ｅ  ゲート
１０ｆ  エアベント
１４  ソルダレジスト層（絶縁層、絶縁膜、半田レジスト層）
１５  接続端子（ボンディングリード、電極）
１６  ランド（バンプランド、ランド部、電極）
３１  配線基板（基材、マトリクス基板）
３１ｂ  半導体装置領域（第２領域、デバイス領域）
３１ｄ  ダイシング領域（第１領域、スクライブ領域、切断領域）
３１ｄａ  給電線
３１ｄｂ  溝（段差）
３１ｅ  縁部領域
３１ｅ１  ゲートパターン配置領域（第３領域）
３１ｅ２  エアベントパターン配置領域
【図１】
2017183511.tif 000003
【図２】
2017183511.tif 000004
【図３】
2017183511.tif 000005
【図４】
2017183511.tif 000006
【図５】
2017183511.tif 000007
【図６】
2017183511.tif 000008
【図７】
2017183511.tif 000009
【図８】
2017183511.tif 000010
【図９】
2017183511.tif 000011
【図１０】
2017183511.tif 000012
【図１１】
2017183511.tif 000013
【図１２】
2017183511.tif 000014
【図１３】
2017183511.tif 000015
【図１４】
2017183511.tif 000016
【図１５】
2017183511.tif 000017
【図１６】
2017183511.tif 000018
【図１７】
2017183511.tif 000019
【図１８】
2017183511.tif 000020
【図１９】
2017183511.tif 000021
【図２０】
2017183511.tif 000022
【図２１】
2017183511.tif 000023
【図２２】
2017183511.tif 000024