(57)【要約】【課題】多層プリント配線基板に内蔵された場合に、層間絶縁層と剥離しにくい電子部品を提供することにある。【解決手段】外部電極１３，１４の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部1５ａが複数設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長さ方向及び長さ方向に直交する幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向と、長さ方向及び幅方向に直交する積層方向と、に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び積層方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有する電子部品本体と、
前記電子部品本体内に配されており、前記電子部品本体の表面に露出した内部電極と、
前記電子部品本体の表面の上に設けられており、前記内部電極と電気的に接続された外部電極と、
を備え、
前記外部電極の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部が複数設けられている、電子部品。
【請求項２】
前記外部電極の最外層が、Ｃｕを含み、当該最外層に前記凹部が設けられている、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記最外層が、めっき膜により構成されている、請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
幅方向の中央において、長さ方向及び積層方向のそれぞれに沿った断面において、外部電極の長さ方向に沿った長さをＬ１とし、前記凹部のうち、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分の長さ方向に沿った最短距離をＬ２とし、前記複数の凹部のＬ２の合計をＳＵＭ（Ｌ２）としたときに、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１が５％以上２２％以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記外部電極が、前記第１の主面の上に設けられており、前記外部電極の前記第１の主面の上に設けられた部分において、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１が５％以上２２％以下である、請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品と、
前記電子部品が内蔵されており、樹脂を含む多層プリント配線基板と、
を備える電子部品内蔵型基板であって、
前記樹脂が、前記電子部品の前記凹部内に入り込んでいる、電子部品内蔵型基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及び電子部品内蔵型基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤーなどの情報端末機器の小型化及び薄型化が進んでいる。それに伴い、コンデンサなどの電子機器に搭載される基板や基板に搭載される電子部品においても、小型化及び薄型化が進んでいる。基板の小型化及び薄型化を図るために、基板に電子部品を内蔵する試みがなされている（例えば、特許文献１を参照。）。特許文献１には、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂を含む多層プリント配線基板に電子部品（チップコンデンサ）が内蔵されたチップコンデンサ内蔵基板が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０６−３２６４７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の基板のように、電子部品が内蔵された電子部品内蔵型基板の上に、ＩＣ等の他の素子をリフロー実装する場合等においては、電子部品内蔵型基板が高温にさらされることがある。通常、電子部品と層間絶縁層とでは熱膨張率が異なるため、電子部品内蔵型基板が高温になると、電子部品と層間絶縁層とが剥離する場合がある。
【０００５】
本発明の主な目的は、多層プリント配線基板に内蔵された場合に、層間絶縁層と剥離しにくい電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電子部品は、電子部品本体と、内部電極と、外部電極とを備える。電子部品本体は、第１及び第２の主面と、第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する。第１及び第２の主面は、長さ方向及び長さ方向に直交する幅方向に沿って延びている。第１及び第２の側面は、長さ方向と、長さ方向及び幅方向に直交する積層方向と、に沿って延びる。第１及び第２の端面は、幅方向及び積層方向に沿って延びている。内部電極は、電子部品本体内に配されている。内部電極は、電子部品本体の表面に露出している。外部電極は、電子部品本体の表面の上に設けられている。外部電極は、内部電極と電気的に接続されている。外部電極の表面に、凹部が複数設けられている。凹部は、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する。
【０００７】
本発明に係る電子部品は、外部電極の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部が複数設けられている。このため、例えば、多層プリント配線基板に内蔵された場合に、多層プリント配線基板の樹脂層に含まれる樹脂が、凹部に入り込む。従って、アンカー効果により、電子部品内蔵型基板が高温にさらされても、電子部品と樹脂層とが剥離しにくい。
【０００８】
本発明に係る電子部品では、外部電極の最外層が、Ｃｕを含み、当該最外層に凹部が設けられていることが好ましい。
【０００９】
本発明に係る電子部品では、最外層が、めっき膜により構成されていることが好ましい。
【００１０】
本発明に係る電子部品では、幅方向の中央において、長さ方向及び積層方向のそれぞれに沿った断面において、外部電極の長さ方向に沿った長さをＬ１とし、凹部のうち、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分の長さ方向に沿った最短距離をＬ２とし、複数の凹部のＬ２の合計をＳＵＭ（Ｌ２）としたときに、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１が５％以上２２％以下であることが好ましい。
【００１１】
本発明に係る電子部品では、外部電極が、第１の主面の上に設けられており、外部電極の第１の主面の上に設けられた部分において、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１が５％以上２２％以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明に係る電子部品内蔵型基板は、本発明に係る電子部品と、多層プリント配線基板と、を備える。多層プリント配線基板には、電子部品が内蔵されている。多層プリント配線基板は、樹脂を含む。樹脂が、電子部品の凹部内に入り込んでいる。
【００１３】
本発明に係る電子部品型内蔵型基板では、樹脂が、電子部品の凹部内に入り込んでいる。このため、電子部品内蔵型が高温にさらされても、アンカー効果により、樹脂が凹部から抜けにくい。よって、電子部品と樹脂層とが剥離しにくい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、多層プリント配線基板に内蔵された場合に、層間絶縁層と剥離しにくい電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る電子部品の模式的断面図である。
【図３】外部電極の最外層の一部を拡大した模式的断面図である。
【図４】第１の実施形態における電子部品内蔵型基板の模式的断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１７】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１８】
（第１の実施形態）
本実施形態では、図１及び図２に示す電子部品１が、積層セラミックコンデンサである例について説明する。但し、本発明に係る電子部品は、コンデンサに限定されない。本発明に係る電子部品は、例えば、圧電部品、サーミスタ、インダクタ等であってもよい。
【００１９】
図１及び図２に示されるように、電子部品１は、電子部品本体１０を備えている。本実施形態においては、電子部品１が積層セラミックコンデンサであるため、電子部品本体１０は、例えば、誘電体セラミック材料により形成することができる。誘電体セラミック材料の具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。電子部品本体１０には、所望する電子部品１の特性に応じて、上記セラミック材料を主成分として、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。
【００２０】
なお、本発明に係る電子部品が圧電部品である場合は、電子部品本体を圧電セラミックスにより形成することができる。圧電セラミックスの具体例としては、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックスなどが挙げられる。
【００２１】
本発明に係る電子部品がサーミスタである場合は、電子部品本体を半導体セラミックスにより形成することができる。半導体セラミックスの具体例としては、例えばスピネル系セラミックなどが挙げられる。
【００２２】
本発明に係る電子部品がインダクタである場合は、電子部品本体を磁性体セラミックスにより形成することができる。磁性体セラミックスの具体例としては、例えばフェライトセラミックなどが挙げられる。
【００２３】
図１に示すように、本実施形態において、電子部品本体１０は、直方体状に設けられている。ここで、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。
【００２４】
電子部品本体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆ（図２を参照。）とを有する。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。幅方向Ｗは、長さ方向Ｌと直交している。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。厚み方向Ｔは、幅方向Ｗ及び長さ方向Ｌのそれぞれと直交している。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、それぞれ、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。
【００２５】
電子部品本体１０の厚み寸法をＤＴ、長さ寸法をＤＬ、幅寸法をＤＷとしたときに、ＤＴ＜ＤＷ＜ＤＬ、（１／７）ＤＷ≦ＤＴ≦（１／３）ＤＷ、または、ＤＴ＜０．２５ｍｍが満たされることが好ましい。具体的には、０．０５ｍｍ≦ＤＴ＜０．３ｍｍ、０．４ｍｍ≦ＤＬ≦１ｍｍ、０．３ｍｍ≦ＤＷ≦０．５ｍｍであることが好ましい。０．０８ｍｍ≦ＤＴ＜０．２５ｍｍ、０．８ｍｍ≦ＤＬ≦１．１ｍｍ、０．４ｍｍ≦ＤＷ≦０．５ｍｍであることがより好ましい。
【００２６】
図２に示すように、電子部品１は、電子部品本体１０内に配されており、電子部品本体１０の表面に露出した内部電極１１，１２を備えている。すなわち、内部電極１１，１２は、電子部品本体１０の表面に引き出されている。
【００２７】
なお、本実施形態では、電子部品１が２種の内部電極１１，１２を備える例について説明するが、本発明は、この構成に限定されない。本発明に係る電子部品は、例えば、１種の内部電極のみを有していてもよいし、一つの内部電極のみを有していてもよい。
【００２８】
具体的には、電子部品本体１０の内部には、略矩形状の複数の第１及び第２の内部電極１１，１２が配されている。第１及び第２の内部電極１１，１２は、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに引き出されており、第２の端面１０ｆ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには露出していない。一方、第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに引き出されており、第１の端面１０ｅ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには露出していない。第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、厚み方向Ｔに沿って相互に間隔をおいて交互に設けられている。第１の内部電極１１と第２の内部電極１２との間に設けられたセラミック部１０ｇの厚みは、例えば、０．５μｍ以上１０μｍ以下程度とすることができる。第１及び第２の内部電極１１，１２の厚みは、例えば、０．２μｍ以上２μｍ以下程度とすることができる。
【００２９】
第１及び第２の内部電極１１，１２は、それぞれ、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極１１，１２は、それぞれ、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む例えばＡｇ−Ｐｄ合金などの合金により構成することができる。
【００３０】
内部電極の端面１０ｅ、１０ｆにおける露出部にガラス層を形成してもよい。内部電極１１，１２の露出部にガラス層を形成しておくことにより、外部電極１３，１４の緻密性が低くても耐湿性・耐めっき性を確保することができ、電子部品本体１０への外部からの水分の浸入を抑制し、耐湿性・耐めっき性を向上させることができる。
【００３１】
図１及び図２に示すように、電子部品１は、電子部品本体１０の表面の上に設けられており、内部電極と電気的に接続された外部電極を備えている。具体的には、電子部品１は、第１の内部電極１１に電気的に接続された第１の外部電極１３と、第２の内部電極１２に電気的に接続された第２の外部電極１４とを備えている。もっとも、本発明において、電子部品は、ひとつの外部電極のみを有していてもよい。
【００３２】
具体的には、第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅにおいて、第１の内部電極１１と接続されている。第１の外部電極１３は、少なくとも、第１の主面１０ａの上に設けられていることが好ましい。本実施形態では、第１の外部電極１３は、第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅと、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂに跨がって設けられている。
【００３３】
第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆにおいて、第２の内部電極１２と接続されている。第２の外部電極１４は、第１の内部電極１１と接続されている。第２の外部電極１４は、少なくとも、第１の主面１０ａの上に設けられていることが好ましい。本実施形態では、第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆと、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂとに跨がって設けられている。
【００３４】
第１の内部電極１１の金属が、第１の外部電極１３に拡散していることが好ましい。第１の内部電極１１の金属が第１の外部電極１３に拡散している場合、第１の外部電極１３の体積が膨張し、第１の外部電極１３中に微小な空間が生じにくくなる。従って、第１の外部電極１３のシール性を向上することができる。よって、電子部品本体１０内に水分等が浸入することを抑制することができる。なお、第１の外部電極１３のうち、第１の内部電極１１の金属が拡散している部分の厚みは、４μｍ以上であることが好ましい。
【００３５】
第２の内部電極１２の金属が、第２の外部電極１４に拡散していることが好ましい。第２の内部電極１２の金属が第２の外部電極１４に拡散している場合、第２の外部電極１４の体積が膨張し、第２の外部電極１４中に微小な空間が生じにくくなる。従って、第２の外部電極１４のシール性を向上することができる。よって、電子部品本体１０内に水分等が浸入することを抑制することができる。なお、第２の外部電極１４のうち、第２の内部電極１２の金属が拡散している部分の厚みは、４μｍ以上であることが好ましい。
【００３６】
第１及び第２の外部電極１３，１４は、それぞれ、適宜の導電材料によって形成することができる。本実施形態では、第１及び第２の外部電極１３，１４は、それぞれ、電子部品本体１０の上に設けられた下地電極層と、下地電極層の上に設けられた金属層との積層体により構成されている。なお、金属層は、めっき層により構成されていることが好ましい。本実施形態では、金属層がめっき層により構成されている例について説明する。
【００３７】
下地電極層は、金属粉とガラス粉とを含んでいることが好ましい。下地電極層の金属粉は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ合金などの適宜の金属により構成することができる。下地電極層は、内部電極と同時焼成したものでもよく、内部電極を焼成した後に焼き付けたものであってもよい。また、下地電極層は、めっき層により構成されていてもよいし、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を硬化させた導電性樹脂層により構成されていてもよい。下地電極層の厚みは、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【００３８】
めっき層は、外部電極１３，１４の最外層１５（図３を参照。）を構成している。めっき層は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどにより構成することができる。めっき層は、複数のめっき層の積層体により構成されていてもよい。めっき層の最外層１５は、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、及びＡｌからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金により構成することができる。なかでも、めっき層の最外層１５、すなわち、外部電極１３，１４の最外層１５は、Ｃｕ又はＣｕ合金により構成されていることが好ましい。すなわち、外部電極１３，１４の最外層１５は、Ｃｕを含むことが好ましく、Ｃｕ又はＣｕ合金からなるめっき膜により構成されていることが好ましい。
【００３９】
めっき層の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００４０】
例えば、電子部品内蔵型基板（電子部品樹脂内蔵基板）内に電子部品１を内蔵する場合、電子部品内蔵型基板に形成された配線と電子部品１とを電気的に接続するために、外部電極１３，１４に臨むビアホール電極を設けることがある。ビアホール電極を形成するためのビアホールは、例えば、外部電極１３，１４に対してＣＯ２レーザーなどのレーザーを照射することにより形成することができる。Ｃｕを含むめっき膜は、レーザーの反射率が高いため、外部電極１３，１４の最外層１５をＣｕを含むめっき膜により構成することにより、電子部品本体１０がレーザー光により損傷することを効果的に抑制することができる。
【００４１】
なお、最外層１５を構成しているめっき層の表面は、酸化されていてもよい。最外層１５を構成しているめっき層のうち、外部電極１３，１４の稜線部を構成している部分の表面が酸化されていることが好ましい。この場合、めっき層の酸化している部分と電子部品内蔵型基板の樹脂に含まれる酸素とが結合し、電子部品１と電子部品内蔵型基板との密着性を向上させることができる。電子部品１と電子部品内蔵型基板との密着性をさらに向上させる観点からは、最外層１５を構成しているめっき膜の表面の全体に酸化膜が形成されていることが好ましい。
【００４２】
なお、図示はしないが、第１及び第２の外部電極の少なくとも一部、例えば、下地電極層の一部が、電子部品本体１０の内部に埋め込まれていてもよい。この場合、主面上に位置する外部電極１３，１４の中央部の厚みをｔ０とし、外部電極１３，１４の一部が電子部品本体１０に埋め込まれている部分の最大の厚みをｔ１とすると、（１／１０）ｔ０≦ｔ１≦（２／５）ｔ０とされていることが好ましい。ｔ１が（１／１０）ｔ０未満であると、外部電極１３，１４と電子部品本体１０との密着性が低くなりすぎ、外部電極の剥離が生じやすくなり、信頼性が低くなる場合がある。また、ｔ１が（１／１０）ｔ０未満であると、外部電極１３，１４の埋め込まれていない部分の厚みが大きくなりすぎ、電子部品１の薄型化を十分に図れない場合がある。
【００４３】
他方、ｔ１が（２／５）ｔ０よりも大きい場合は、電子部品１の信頼性が低下してしまう場合がある。より具体的には、外部電極１３，１４が電子部品本体１０の主面１０ａ、１０ｂに埋め込まれる際に、内部電極１１，１２に大きな応力が付与され、内部電極１１，１２が損傷してしまい、所望の容量が得られなかったり、短絡が生じてしまったりする場合がある。
【００４４】
外部電極１３，１４の電子部品本体１０に埋没している部分の厚みは、電子部品１の側面１０ｃを電子部品１の幅寸法が１／２となるまで研磨し、露出した断面を光学顕微鏡等を用いて観察することにより、外部電極１３，１４の第１の主面１０ａ上に位置する部分の長さ方向Ｌにおける中央部において、第１の主面１０ａと、外部電極１３，１４の下面との距離を測定することにより求めることができる。
【００４５】
第１及び第２の外部電極１３，１４の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に位置する部分の先端部の端辺の形状は、直線状であることが好ましい。この場合、外部電極１３，１４に対してレーザーを照射する際に、レーザーの照射位置がずれた場合であってもレーザーが外部電極１３，１４に照射されやすく、電子部品本体１０に照射され難い。従って、ビアホール電極と外部電極１３，１４との電気的接続を確実に図ることができると共に、電子部品本体１０の損傷を抑制することができる。
【００４６】
ここで、「直線状」とは、主面１０ａ、１０ｂ上に形成されている外部電極１３，１４の幅方向Ｗにおける両端を結んだ線を基準線として、外部電極１３，１４の縁端の幅方向Ｗにおける中央部が、長さ方向Ｌにおいて基準線±３０μｍの領域内に位置していることをいう。
【００４７】
電子部品１の製造方法は、特に限定されない。電子部品１は、例えば、以下の要領で製造することができる。
【００４８】
まず、電子部品本体１０を構成するためのセラミックグリーンシートを用意する。次に、そのセラミックグリーンシートの上に、導電性ペーストを塗布することにより、導電性ペースト層を形成する。導電性ペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷法などの各種印刷法によって行うことができる。導電性ペーストは、導電性微粒子の他に、バインダーや溶剤を含んでいてもよい。
【００４９】
次に、導電性ペースト層が形成されていない複数枚のセラミックグリーンシートと、第１または第２の内部電極に対応した形状の導電性ペースト層が形成されているセラミックグリーンシートと、導電性ペースト層が形成されていない複数枚のセラミックグリーンシートとをこの順番で積層し、積層方向にプレスすることによって、マザー積層体を作製する。
【００５０】
次に、マザー積層体の上の仮想のカットラインに沿ってマザー積層体をカッティングすることによって、マザー積層体から複数の生のセラミック積層体を作製する。なお、マザー積層体のカッティングは、ダイシングや押切によって行うことができる。生のセラミック積層体に対しては、バレル研磨などを施し、稜線部や角部を丸めてもよい。
【００５１】
次に、生のセラミック積層体の焼成を行う。この焼成工程において、第１および第２の内部電極が焼成される。焼成温度は、使用するセラミック材料や導電性ペーストの種類により適宜設定することができる。焼成温度は、例えば、９００℃以上１３００℃以下程度とすることができる。
【００５２】
次に、ディッピングなどの方法によって、焼成後のセラミック積層体（電子部品本体）の両端部に導電性ペーストを塗布する。導電性ペーストは、導電性微粒子等に加え、樹脂等の消失剤を含む。次に、セラミック積層体に塗布した導電性ペーストを乾燥する。その後、乾燥した導電性ペーストを焼き付けて焼成電極層を形成する。なお、焼付け温度は、例えば、７００℃以上９００℃以下とすることが好ましい。
【００５３】
なお、生の電子部品本体の上に導電性ペースト層を形成しておき、電子部品本体及び内部電極と同時に焼成電極層を焼成してもよい。
【００５４】
その後、焼成電極層の上に、１又は複数のめっき層を形成することにより電子部品１を完成させることができる。めっき層は、電解めっき法により形成してもよいし、無電解めっき法により形成してもよいが、電解めっき法を用いてめっき層を形成することがより好ましい。めっき法として、バレルめっき法を採用してもよい。
【００５５】
なお、下地電極層を形成せずに、１又は複数のめっき層のみにより外部電極１３，１４を構成してもよい。
【００５６】
図４は、本実施形態における電子部品内蔵型基板２の模式的断面図である。
【００５７】
図４に示すように、電子部品内蔵型基板２は、樹脂を含む多層プリント配線基板３１と、電子部品１とを備えている。具体的には、電子部品内蔵型基板２は、樹脂又は樹脂組成物（例えば、ガラスエポキシ）により構成された樹脂層３２と、積層方向において隣り合う樹脂層３２間に形成された配線３３と、配線３３同士や、配線３３と外部電極１３，１４とを接続しているビアホール電極３４とを有する。電子部品１は、多層プリント配線基板３１内に内蔵されており、ビアホール電極３４を介して配線３３と接続されている。
【００５８】
電子部品内蔵型基板２では、電子部品１の外部電極１３，１４の最外層１５に形成された、後に詳述する凹部１５ａ（図３を参照。）内に、樹脂層３２の樹脂が入り込んでいる。
【００５９】
ところで、例えば、電子部品が多層プリント配線基板に内蔵された電子部品内蔵型基板の上に、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の他の素子をリフロー実装する場合等に、電子部品内蔵型基板が高温にさらされることがある。その他、電子部品内蔵型基板に対して各種処理を行う場合においても、電子部品内蔵型基板が高温にさらされることがある。電子部品と樹脂層とでは熱膨張率が異なるため、電子部品が内蔵された電子部品内蔵型基板では、電子部品内蔵型基板の温度が変化した際に、電子部品と樹脂層との間に応力が負荷し、電子部品と樹脂層とが剥離する場合がある。
【００６０】
図３に示すように、電子部品１では、外部電極１３，１４の表面に複数の凹部１５ａが設けられている。具体的には、外部電極１３，１４の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部１５ａが複数設けられている。このため、電子部品１が多層プリント内蔵型基板に内蔵された場合（図４を参照。）に、樹脂層３２に含まれる樹脂が、凹部１５ａに入り込む。従って、電子部品内蔵型基板２が高温にさらされることにより電子部品と樹脂層との間に応力が加わった場合でも、アンカー効果により、樹脂が凹部1５ａから抜けにくい。従って、電子部品１と樹脂層３２とが剥離しにくい。
【００６１】
外部電極１３，１４の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部１５ａを形成する方法は、特に限定されない。例えば、外部電極１３，１４を有機酸系処理液と接触させることにより凹部１５ａを形成することができる。
【００６２】
なお、本実施形態では、外部電極１３，１４の最表層がＣｕを含む。このため、例えば、外部電極１３，１４に接続するビアホール電極を形成するためのビアホールを形成するためにレーザーを外部電極１３，１４に対して照射した場合に、レーザーが外部電極１３，１４により高い反射率で反射される。従って、レーザーにより電子部品本体１０が損傷することが効果的に抑制されている。
【００６３】
電子部品１と樹脂層３２との剥離をより効果的に抑制する観点からは、電子部品１の幅方向Ｗの中央において、長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔのそれぞれに沿った断面において、外部電極１３，１４の長さ方向Ｌに沿った長さをＬ１とし、凹部１５ａのうち、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分の長さ方向Ｌに沿った最短距離をＬ２とし、複数の凹部１５ａのＬ２の合計をＳＵＭ（Ｌ２）としたときに、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１が５％以上２２％以下であることが好ましい。具体的には、外部電極１３，１４が、第１の主面１０ａの上に設けられており、外部電極１３，１４の第１の主面１０ａの上に設けられた部分において、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１が５％以上２２％以下であることが好ましい。この場合、アンカー効果を発動させる凹部１５ａが多く存在するため、電子部品１と樹脂層３２との剥離をより効果的に抑制することができる。但し、凹部１５ａが多すぎると、外部電極電極１３，１４の最外層の強度が低下し、最外層が破壊されることにより、電子部品１と樹脂層３２とが剥離しやすくなる場合がある。従って、凹部１５ａの量は、上記範囲内であることが好ましい。
【００６４】
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００６５】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。第１の実施形態では、第１の外部電極１３が、第１の端面１０ｅと、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂに跨がって設けられており、第２の外部電極１４が、第２の端面１０ｆと、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂとに跨がって設けられている例について説明した。しかし、本発明はこれに限定されない。図５に示すように、第１の外部電極１３が第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの上にさらに設けられており、第２の外部電極１４が、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの上にさらに設けられていてもよい。この場合であっても、電子部品１の外部電極１３，１４と、樹脂層３２との剥離をさらに抑制することができる。
【００６６】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【００６７】
（実施例１）
（積層セラミックコンデンサの作製）
上記第１の実施形態において説明した製造方法を用いて、積層セラミックコンデンサを作製した。実施例１では、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１の狙い値は２％として積層セラミックコンデンサを作製した。
【００６８】
作製した積層セラミックコンデンサの仕様は、以下の通りである。
【００６９】
設計寸法：Ｌ×Ｗ×Ｔ＝１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．１５ｍｍ
セラミック材料：ＢａＴｉＯ３
コンデンサ容量：０．２２μＦ
定格電圧：６．３Ｖ
外部電極
下地電極：
下地電極層：Ｎｉを含む焼成電極層
下地電極層の厚み：２．５μｍ
金属層：
第１の金属層：Ｃｕめっき
第１の金属層の厚み：８μｍ
【００７０】
次に、作製した積層セラミックコンデンサについて、粗化処理を行った。
【００７１】
まず、前処理を行った。具体的には、網カゴに入れたコンデンサ（サンプル）１０００個を３．５質量％の硫酸中へ浸漬し、６０秒間網カゴを揺動することにより塩酸中においてコンデンサを攪拌した。次に、この１０００個のサンプルに対して、洗瓶を用いて純水を吹きかけることにより３０秒間洗浄し、さらに、純水の流水に６０秒間曝すことによりコンデンサを洗浄した。
【００７２】
次に、エッチング処理工程を行った．具体的には、上記方法で前処理した１０００個のサンプルを有機酸系粗化処理液へ浸漬し、４５秒間（エッチング時間）網カゴを揺動してコンデンサを攪拌した。次に、この１０００個のサンプルに対して、洗瓶を用いて純水を吹きかけることにより３０秒間洗浄し、さらに、純水の流水に６０秒間曝すことによりコンデンサを洗浄した。
【００７３】
次に、塩酸による洗浄を行った。具体的には、エッチング処理を行った１０００個のサンプルを、３．５質量％の塩酸中へ浸漬し、６０秒間網カゴを揺動してコンデンサを攪拌した。次に、この１０００個のサンプルに対して、洗瓶を用いて純水を吹きかけることにより３０秒間洗浄し、さらに、純水の流水に６０秒間曝すことによりコンデンサを洗浄した。
【００７４】
次に、１０００個のサンプルを６０℃で１５分加熱することにより乾燥させた。
【００７５】
（実施例２）
エッチング処理工程において、積層セラミックコンデンサのエッチング時間を６０秒としたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例２では、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１の狙い値は５％として積層セラミックコンデンサを作製した。
【００７６】
（実施例３）
エッチング処理工程において、積層セラミックコンデンサのエッチング時間を９０秒としたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例３では、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１の狙い値は１０％として積層セラミックコンデンサを作製した。
【００７７】
（実施例４）
エッチング処理工程において、積層セラミックコンデンサのエッチング時間を１２０秒としたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例４では、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１の狙い値は２２％として積層セラミックコンデンサを作製した。
【００７８】
（実施例５）
エッチング処理工程において、積層セラミックコンデンサのエッチング時間を１８０秒としたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例５では、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１の狙い値は３０％として積層セラミックコンデンサを作製した。
【００７９】
（比較例１）
積層セラミックコンデンサの粗化処理を行わなかったこと以外は、実施例１と同様の方法でサンプルを作製した。
【００８０】
（比較例２）
エッチング処理工程において、積層セラミックコンデンサのエッチング時間を３０秒としたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。
【００８１】
（外部電極表層の凹部形状の評価）
各実施例及び比較例において積層セラミックコンデンサについて、外部電極の凹部の形状を評価した。
【００８２】
まず、積層セラミックコンデンサの幅寸法が１／２となるまで、積層セラミックコンデンサの側面を研磨し、断面を露出させた。この断面を光学顕微鏡を用いて観察した結果、実施例１〜４においては、外部電極の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部が形成されていることが確認できた。一方、比較例１，２においては、外部電極の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部が形成されていることが確認できなかった。
【００８３】
（密着性の評価）
上記方法で作成した積層セラミックコンデンサと、樹脂との密着性の評価を行った。
【００８４】
まず、ガラスエポキシ基板の表面上に、積層セラミックコンデンサを配置した。次に、積層セラミックコンデンサが配置されたガラスエポキシ基板を、エポキシ樹脂からなるシートによりラミネートし、１６０℃以上２００℃以下で加熱することにより、積層セラミックコンデンサを樹脂に内蔵させた基板を作製した。
【００８５】
次に、積層セラミックコンデンサが内蔵された基板を、１２０℃以上１３０℃以下の温度で２４時間予熱を行い、リフロー処理を５回行った。そのリフロー処理においては、最高温度を２６０℃とした。次に、基板を１２０秒間、冷却した。
【００８６】
上記の処理を行った基板を、基板に内蔵された積層セラミックコンデンサの幅が寸法が１／２となるまで、積層セラミックコンデンサの幅方向と平行に基板を研磨し、断面を露出させた。この断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、２０００倍の倍率で観察し、積層セラミックコンデンサと樹脂との剥離の有無を確認した。表１に、その結果を示す。
【００８７】
（ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１の測定）
各実施例及び比較例のそれぞれにおいて作製した５つの積層セラミックコンデンサの積層セラミックコンデンサの幅寸法が（１／２）・Ｗ＋１００μｍとなるまで、積層セラミックコンデンサの側面を研磨し、断面を露出させた。その断面において、第１及び第２の外部電極のそれぞれにおいて、電子顯微鏡を用いてＬ１，Ｌ２を測定し、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１を算出した。
【００８８】
次に、積層セラミックコンデンサの幅寸法Ｗが（１／２）・Ｗ＋５０μｍとなるまで、積層セラミックコンデンサの側面をさらに研磨し、断面を露出させた。その断面において、第１及び第２の外部電極のそれぞれにおいて、電子顯微鏡を用いてＬ１，Ｌ２を測定し、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１を測定し平均値を算出した。
【００８９】
次に、各実施例及び比較例のそれぞれにおいて作製した積層セラミックコンデンサの積層セラミックコンデンサの幅寸法Ｗが（１／２）・Ｗとなるまで、積層セラミックコンデンサの側面をさらに研磨し、断面を露出させた。その断面において、第１及び第２の外部電極のそれぞれにおいて、電子顯微鏡を用いてＬ１，Ｌ２を測定し、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１を算出した。
【００９０】
次に、各実施例及び比較例のそれぞれにおいて作製した積層セラミックコンデンサの積層セラミックコンデンサの幅寸法Ｗが（１／２）・Ｗ−５０μｍとなるまで、積層セラミックコンデンサの側面を研磨し、断面を露出させた。その断面において、第１及び第２の外部電極のそれぞれにおいて、電子顯微鏡を用いてＬ１，Ｌ２を測定し、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１を算出した。
【００９１】
次に、各実施例及び比較例のそれぞれにおいて作製した積層セラミックコンデンサの積層セラミックコンデンサの幅寸法Ｗが（１／２）・Ｗ−１００μｍとなるまで、積層セラミックコンデンサの側面を研磨し、断面を露出させた。その断面において、第１及び第２の外部電極のそれぞれにおいて、電子顯微鏡を用いてＬ１，Ｌ２を測定し、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１を算出した。
【００９２】
上記算出したＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１から、狙いのＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１の値となっている積層セラミックコンデンサを５つ抽出した。その結果を表１に示す。
【００９３】
【表１】
2017183574.tif 000003
【００９４】
表１の結果から、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１が０％でない場合、すなわち、外部電極の表面に、開口側に向かって開口の径が狭くなっている部分を有する凹部が複数設けられている場合に積層セラミックコンデンサと樹脂とが剥離し難いことが分かった。また、ＳＵＭ（Ｌ２）／Ｌ１が５％以上２２％以下である場合に、積層セラミックコンデンサと樹脂とがより剥離し難いことが分かった。
【符号の説明】
【００９５】
１  電子部品
２  電子部品内蔵型基板
１０  電子部品本体
１０ａ  第１の主面
１０ｂ  第２の主面
１０ｃ  第１の側面
１０ｄ  第２の側面
１０ｅ  第１の端面
１０ｆ  第２の端面
１０ｇ  セラミック部
１１  第１の内部電極
１２  第２の内部電極
１３  第１の外部電極
１４  第２の外部電極
１５  最外層
１５ａ  凹部
３１  多層プリント配線基板
３２  樹脂層
３３  配線
３４  ビアホール電極
【図１】
2017183574.tif 000004
【図２】
2017183574.tif 000005
【図３】
2017183574.tif 000006
【図４】
2017183574.tif 000007
【図５】
2017183574.tif 000008