(57)【要約】【課題】ウェーハなどの基板の表面から粒子を高効率で除去することができる装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗが保持される基板保持面２１ａを有する基板ホルダ５と、基板ホルダ５を内部に配置することができるクリーニング槽３２と、基板ホルダに保持された基板Ｗの表面を正に帯電させる第１の動作、および基板ホルダに保持された基板Ｗの表面を負に帯電させる第２の動作を実行することができる帯電装置３５と、クリーニング槽３２内に配置された流体供給ノズル３８とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が保持される基板保持面を有する基板ホルダと、
前記基板ホルダを内部に配置することができるクリーニング槽と、
前記基板ホルダに保持された基板の表面を正に帯電させる第１の動作、および前記基板ホルダに保持された基板の表面を負に帯電させる第２の動作を実行することができる帯電装置と、
前記クリーニング槽内に配置された流体供給ノズルとを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記帯電装置に、前記第１の動作または前記第２の動作のいずれかを選択的に実行させるコントローラをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記基板の表面から除去すべき粒子の推定ゼータ電位を予め記憶しており、
前記粒子の推定ゼータ電位が正である場合には、前記コントローラは、前記帯電装置に前記第１の動作を実行させ、前記粒子の推定ゼータ電位が負である場合には、前記コントローラは、前記帯電装置に前記第２の動作を実行させることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板の表面から除去すべき粒子のゼータ電位を測定する電位測定器をさらに備え、
前記電位測定器は、前記ゼータ電位の測定値を前記コントローラに送信するように構成されており、
前記コントローラは、前記ゼータ電位の測定値を前記推定ゼータ電位として記憶することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板ホルダは、前記基板保持面を有する絶縁体を備えており、
前記帯電装置は、前記絶縁体に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板ホルダに保持された基板を処理液を用いて処理する湿式処理ユニットをさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記湿式処理ユニットは、前記基板ホルダに保持された基板をめっきするめっきユニットであることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板を保持した基板ホルダをクリーニング槽内に配置し、
前記基板の表面から除去すべき粒子の推定ゼータ電位が正である場合には、前記基板の表面を正に帯電させ、
前記推定ゼータ電位が負である場合には、前記基板の表面を負に帯電させ、
前記基板の表面が正または負に帯電されている間、流体の噴流を前記基板の表面に接触させることを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
前記基板の表面を正または負に帯電させる前に、前記基板の表面から除去すべき粒子のゼータ電位を測定する工程をさらに含み、
前記ゼータ電位の測定値は前記推定ゼータ電位として使用されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記基板ホルダをクリーニング槽内に配置する前に、前記基板ホルダで保持された基板を処理液を用いて湿式処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８または９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記基板を湿式処理する工程は、前記基板ホルダで保持された基板をめっきする工程であることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハなどの基板を処理する装置および方法に関し、特に基板の表面から粒子を除去するための装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程には、めっき、エッチング、研磨などの様々な処理が含まれる。これらの処理が実行される過程において、ウェーハの表面には粒子が付着することがある。ウェーハの表面上の粒子は、配線の短絡などのデバイス欠陥の原因となりうる。そこで、粒子をウェーハ表面から除去するために、ウェーハの処理が行われた後に、液体または気体などの流体の噴流をウェーハの表面に接触させてウェーハを洗浄することが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００４−５１５９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、流体の噴流のみで粒子を短時間でウェーハから除去することは難しい。ウェーハをスクラブ洗浄することで、粒子の除去率を上げることは可能であるが、スクラブ洗浄を行うことができる洗浄機は構造が複雑であり、処理システム全体のコストも高くなる。
【０００５】
そこで、本発明は、ウェーハなどの基板の表面から粒子を高効率で除去することができる装置および方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、基板が保持される基板保持面を有する基板ホルダと、前記基板ホルダを内部に配置することができるクリーニング槽と、前記基板ホルダに保持された基板の表面を正に帯電させる第１の動作、および前記基板ホルダに保持された基板の表面を負に帯電させる第２の動作を実行することができる帯電装置と、前記クリーニング槽内に配置された流体供給ノズルとを備えたことを特徴とする基板処理装置である。
【０００７】
本発明の好ましい態様は、前記帯電装置に、前記第１の動作または前記第２の動作のいずれかを選択的に実行させるコントローラをさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記コントローラは、前記基板の表面から除去すべき粒子の推定ゼータ電位を予め記憶しており、前記粒子の推定ゼータ電位が正である場合には、前記コントローラは、前記帯電装置に前記第１の動作を実行させ、前記粒子の推定ゼータ電位が負である場合には、前記コントローラは、前記帯電装置に前記第２の動作を実行させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板の表面から除去すべき粒子のゼータ電位を測定する電位測定器をさらに備え、前記電位測定器は、前記ゼータ電位の測定値を前記コントローラに送信するように構成されており、前記コントローラは、前記ゼータ電位の測定値を前記推定ゼータ電位として記憶することを特徴とする。
【０００８】
本発明の好ましい態様は、前記基板ホルダは、前記基板保持面を有する絶縁体を備えており、前記帯電装置は、前記絶縁体に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板ホルダに保持された基板を処理液を用いて処理する湿式処理ユニットをさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記湿式処理ユニットは、前記基板ホルダに保持された基板をめっきするめっきユニットであることを特徴とする。
【０００９】
本発明の一態様は、基板を保持した基板ホルダをクリーニング槽内に配置し、前記基板の表面から除去すべき粒子の推定ゼータ電位が正である場合には、前記基板の表面を正に帯電させ、前記推定ゼータ電位が負である場合には、前記基板の表面を負に帯電させ、前記基板の表面が正または負に帯電されている間、流体の噴流を前記基板の表面に接触させることを特徴とする基板処理方法である。
【００１０】
本発明の好ましい態様は、前記基板の表面を正または負に帯電させる前に、前記基板の表面から除去すべき粒子のゼータ電位を測定する工程をさらに含み、前記ゼータ電位の測定値は前記推定ゼータ電位として使用されることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板ホルダをクリーニング槽内に配置する前に、前記基板ホルダで保持された基板を処理液を用いて湿式処理する工程をさらに含むことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板を湿式処理する工程は、前記基板ホルダで保持された基板をめっきする工程であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ウェーハなどの基板の表面と、その上に付着している粒子との間には、斥力が発生する。この斥力は粒子を基板の表面から引き離す作用を奏するので、流体供給ノズルから供給される流体の噴流は、粒子を基板の表面から容易に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】基板処理装置の一実施形態を示す模式図である。
【図２】基板ホルダの断面図である。
【図３】クリーニングユニットを示す図である。
【図４】基板ホルダの絶縁体が電源の負極に接続されているときの帯電状態を示す模式図である。
【図５】基板ホルダが電源の正極に接続されている模式図である。
【図６】基板ホルダの絶縁体が電源の正極に接続されているときの帯電状態を示す模式図である。
【図７】正に帯電した粒子と、正に帯電した基板の表面との間に斥力が発生している状態を示す模式図である。
【図８】負に帯電した粒子と、負に帯電した基板の表面との間に斥力が発生している状態を示す模式図である。
【図９】クリーニングユニットの一実施形態を模式的に示す平面図である。
【図１０】クリーニングユニットの他の実施形態を模式的に示す平面図である。
【図１１】クリーニングユニットの他の実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、基板処理装置の一実施形態を示す模式図である。本実施形態に係る基板処理装置は、ウェーハなどの基板をめっきし、さらに基板を洗浄することができる基板処理システムである。
【００１４】
図１に示す基板処理装置は、基板Ｗを着脱可能に保持する基板ホルダ５と、基板Ｗをめっきするめっきユニット１１と、めっきされた基板Ｗを洗浄するクリーニングユニット２０と、めっきユニット１１に使用されためっき液中に含まれる粒子のゼータ電位を測定するためのゼータ電位測定器１４と、洗浄された基板Ｗを乾燥させる乾燥ユニット１６とを備えている。ゼータ電位測定器１４は、クリーニングユニット２０に接続されている。本実施形態では、基板Ｗを処理するための処理液としてめっき液が使用され、処理液を使用して基板Ｗを処理する湿式処理ユニットとしてめっきユニット１１が使用されている。めっきの種類としては、銅めっき、錫銀めっき、ニッケルめっき、金めっきなどが挙げられる。めっきユニット１１は、電解めっきユニットでもよいし、または無電解めっきユニットでもよい。さらに、湿式処理ユニットは、めっき以外の処理を実行する装置であってもよい。
【００１５】
めっきユニット１１、クリーニングユニット２０、および乾燥ユニット１６は、直列に配置されている。基板処理装置は、めっきユニット１１、クリーニングユニット２０、および乾燥ユニット１６の間で基板ホルダ５を搬送する搬送装置１８をさらに備えている。
【００１６】
図２は、基板ホルダ５の断面図である。図２に示すように、基板ホルダ５は、基板保持面２１ａを有する絶縁体２１と、基板保持面２１ａ上の基板Ｗの表面（被処理面）の周縁部に接触する環状シール２４とを備えている。基板Ｗを保持するための基板保持面２１ａは、絶縁体２１の表面から構成されている。基板ホルダ５の内部には電線２６が配置されている。電線２６の一端は絶縁体２１に接続され、電線２６の他端はホルダ側端子２８に接続されている。
【００１７】
図３は、クリーニングユニット２０を示す図である。基板洗浄装置であるクリーニングユニット２０は、基板ホルダ５を内部に配置することができるクリーニング槽３２と、基板ホルダ５に保持された基板Ｗの表面を帯電させる帯電装置３５と、この帯電装置３５の動作を制御するコントローラ３７を備えている。本実施形態では、基板Ｗを保持した基板ホルダ５は、クリーニング槽３２内に鉛直に配置される。
【００１８】
さらに、クリーニングユニット２０は、クリーニング槽３２内に配置された流体供給ノズル３８と、クリーニング槽３２に隣接するオーバーフロー槽４０と、クリーニング槽３２の底部に接続された流体注入導管４１および第１ドレイン４３と、オーバーフロー槽４０の底部に接続された第２ドレイン４４とを備えている。
【００１９】
流体注入導管４１、第１ドレイン４３、および第２ドレイン４４には、開閉弁４７，４８，４９がそれぞれ取り付けられている。流体は、流体注入導管４１を通じてクリーニング槽３２内に供給され、さらに第１ドレイン４３および第２ドレイン４４を通じてクリーニング槽３２およびオーバーフロー槽４０からそれぞれ排出される。本実施形態では、クリーニング槽３２に供給される流体として、純水などの洗浄液が使用されている。好ましくは、純水が使用される。
【００２０】
流体供給ノズル３８は、クリーニング槽３２内の基板ホルダ５に保持された基板Ｗの表面を向いている。流体供給ノズル３８は、開閉弁５２が設けられた流体移送ライン５５に接続されている。開閉弁５２を開くと、流体は流体移送ライン５５を通って流体供給ノズル３８に流れ、流体供給ノズル３８は、基板Ｗの表面に向かう流体の噴流を形成する。開閉弁５２に代えて、流体供給ノズル３８に移送される流体の流量を制御できる流量調整弁を設けてもよい。本実施形態では、流体供給ノズル３８に供給される流体として、純水などの洗浄液が使用されている。好ましくは、純水が使用される。
【００２１】
帯電装置３５は、電源５７を有している。電源５７の一方の電極は接地されており、電源５７の他方の電極は電線６１を介して電源側端子６４に接続されている。基板ホルダ５がクリーニング槽３２内に配置されたとき、基板ホルダ５のホルダ側端子２８が電源側端子６４に接触し、これにより基板ホルダ５は帯電装置３５に電気的に接続される。帯電装置３５は、その電源５７の極性を反転させることができるように構成されている。図３では、基板ホルダ５は電源５７の負極に電気的に接続されている。
【００２２】
図４は、基板ホルダ５の絶縁体２１が電源５７の負極に接続されているときの帯電状態を示す模式図である。帯電装置３５によって絶縁体２１に負の電圧が印加されているとき、絶縁体２１の基板保持面２１ａは負に帯電する。基板Ｗは、負に帯電している基板保持面２１ａに誘導されて正に帯電する。よって、負に帯電した基板保持面２１ａと、正に帯電した基板Ｗとの間に引力（クーロン力）が働き、基板Ｗは基板保持面２１ａに引き寄せられる。
【００２３】
図５は、基板ホルダ５が電源５７の正極に電気的に接続されている模式図であり、図６は、基板ホルダ５の絶縁体２１が電源５７の正極に接続されているときの帯電状態を示す模式図である。絶縁体２１に正の電圧が印加されているとき、絶縁体２１の基板保持面２１ａは正に帯電する。基板Ｗは、正に帯電している基板保持面２１ａに誘導されて負に帯電する。よって、正に帯電した基板保持面２１ａと、負に帯電した基板Ｗとの間に引力（クーロン力）が働き、基板Ｗは基板保持面２１ａに引き寄せられる。
【００２４】
このように、帯電装置３５は、基板ホルダ５に保持された基板Ｗの表面を正に帯電させる第１の動作と、基板ホルダ５に保持された基板Ｗの表面を負に帯電させる第２の動作を実行することができる。帯電装置３５の動作は、コントローラ３７によって制御される。より具体的には、コントローラ３７は、帯電装置３５に第１の動作または第２の動作のいずれかを選択的に実行させる。
【００２５】
図９は、クリーニングユニット２０の一実施形態を模式的に示す平面図である。この実施形態では、洗浄効果を確保するため、クリーニングユニット２０は、めっきユニット１１のめっき槽１１ａから出された基板を洗浄液で洗浄するための前洗浄槽３１を有している。めっきされた基板は、前洗浄槽３１にて洗浄液で前洗浄され、その後、洗浄された基板は、上述した搬送装置１８（図１参照）によってクリーニング槽３２に搬送され、ここで基板がさらに洗浄される。ゼータ電位測定器１４は、前洗浄槽３１に接続されている。前洗浄槽３１内の洗浄液の一部はゼータ電位測定器１４に送られ、ここで洗浄液中に含まれる粒子（すなわち、めっき液中に含まれる粒子）のゼータ電位が測定される。
【００２６】
図１０は、クリーニングユニット２０の他の実施形態を模式的に示す平面図である。この実施形態では、前洗浄槽３１は設けられていなく、上述したクリーニング槽３２のみが設けられている。本実施形態では、初期の洗浄段階（いわゆるプレクリーン工程）におけるクリーニング槽３２内の洗浄液の一部はゼータ電位測定器１４に送られ、ここで洗浄液中に含まれる粒子（すなわち、めっき液中に含まれる粒子）のゼータ電位が測定される。
【００２７】
ゼータ電位測定器１４には、市販の電位測定器を使用することができる。一例では、ゼータ電位測定器１４は、洗浄液に直流電圧を印加し、粒子の電気泳動を画像処理により自動追尾し、粒子の移動度（モビリティ）を測定することによってゼータ電位を求めることができる。
【００２８】
図９に示す前洗浄槽３１および図１０に示すクリーニング槽３２で基板洗浄に使用された洗浄液中には、異物である粒子が含まれている。この粒子は、めっき処理が終わり次の半導体製造装置において行われる次工程において欠陥を生じさせることがある。クリーニングユニット２０は、めっき液を基板Ｗから除去するのみならず、基板Ｗの表面に付着した粒子を除去することができる基板クリーナーである。クリーニングユニット２０は、粒子を基板Ｗの表面から高効率で除去するために、以下に説明するように、粒子と基板Ｗとの間に斥力を生じさせる。
【００２９】
ゼータ電位測定器１４は、ゼータ電位の測定値をコントローラ３７に送り、コントローラ３７はゼータ電位の測定値をその内部に記憶する。コントローラ３７は、ゼータ電位の測定値を、クリーニングユニット２０で洗浄される基板Ｗの表面に付着している粒子の推定ゼータ電位として使用する。そして、コントローラ３７は、記憶されているゼータ電位の測定値、すなわち推定ゼータ電位に基づいて、帯電装置３５に、上記第１の動作または上記第２の動作のいずれかを選択的に実行させる。
【００３０】
推定ゼータ電位が正である場合は、コントローラ３７は、帯電装置３５に第１の動作を実行させる。すなわち、図７に示すように、帯電装置３５は、負の電圧を基板ホルダ５の絶縁体２１に印加し、基板Ｗの表面を正に帯電させる。結果として、正に帯電した粒子７０と、正に帯電した基板Ｗの表面との間に斥力が発生し、粒子７０は基板Ｗの表面から離れやすくなる。
【００３１】
推定ゼータ電位が負である場合は、コントローラ３７は、帯電装置３５に第２の動作を実行させ、基板Ｗの表面を負に帯電させる。すなわち、図８に示すように、帯電装置３５は、正の電圧を基板ホルダ５の絶縁体２１に印加し、基板Ｗの表面を負に帯電させる。結果として、負に帯電した粒子７０と、負に帯電した基板Ｗの表面との間に斥力が発生し、粒子７０は基板Ｗの表面から離れやすくなる。
【００３２】
粒子のゼータ電位は、その存在環境に依存することが知られている。また、ゼータ電位の測定にあたって、測定誤差が生じうることもある。そこで、めっき液の状態が経時的に変化することが予想される場合や、測定誤差の影響を排除したい場合、めっき液の状態をできるだけ経時的に監視することができるように、例えば、基板を処理するたびに、粒子のゼータ電位を測定するのが望ましい。具体的には、複数の基板を連続的にめっき処理するにあたり、先行する基板の洗浄処理の際に得たゼータ電位の測定値をコントローラ３７に記憶させておき、次の基板をクリーニングする際に、このゼータ電位の測定値に基づいて帯電装置３５から基板に印加する電圧をコントローラ３７が制御し、このようなゼータ電位の測定と、ゼータ電位の測定値に基づいた電圧制御とを基板の洗浄のたびに繰り返してもよい。
【００３３】
一実施形態では、図９に示す前洗浄槽３１で基板を洗浄している間に、該基板の洗浄に使用された洗浄液中の粒子のゼータ電位を測定し、そのゼータ電位の測定値をもとに、帯電装置３５から当該基板に印加する電圧をコントローラ３７がリアルタイムに制御するようにしてもよい。
【００３４】
一実施形態では、めっき液の経時的な変化を考慮せずとも、めっき液の種類からその後のめっき槽内の環境が一義的に決まることが判明している場合には、予め、クリーニングユニット２０で使用した洗浄液中の粒子のゼータ電位を複数回測定して得られた測定値の平均値をコントローラ３７に記憶させておき、続く複数の基板の処理にあたっては、上記測定値の平均値に基づいて、帯電装置３５からこれら複数の基板に印加する電圧をコントローラ３７が制御するようにすることもできる。
【００３５】
次に、上述のように構成されたクリーニングユニット２０を備えた基板処理装置の動作について説明する。処理すべき基板Ｗを保持した基板ホルダ５は、搬送装置１８によってめっきユニット１１に搬送される。めっきユニット１１のめっき槽１１ａには、処理液としてのめっき液が保持されている。基板ホルダ５に保持された基板Ｗは、搬送装置１８によってめっき液中に浸漬される。めっき液が基板Ｗに接触している状態で、基板Ｗのめっきが行われる。基板Ｗのめっきが終了すると、搬送装置１８により基板ホルダ５がめっき槽１１ａから引き上げられる。
【００３６】
基板ホルダ５は、搬送装置１８によってクリーニングユニット２０に搬送され、クリーニングユニット２０にて基板Ｗの表面が洗浄される。プレクリーンで使用された洗浄液の一部はゼータ電位測定器１４に送られ、ここで洗浄液に含まれる（すなわち、めっき液中に含まれる）粒子のゼータ電位が測定される。ゼータ電位の測定値はコントローラ３７に送られる。なお、上述したように、都度ゼータ電位を測定しなくてもよい。
【００３７】
以下に説明する実施形態では、クリーニングユニット２０の流体として純水が使用される。開閉弁４８が閉じられた状態で、開閉弁４７が開かれると、純水は、流体注入導管４１を通じてクリーニング槽３２内に供給され、やがてクリーニング槽３２は純水で満たされる。純水はクリーニング槽３２の側壁を越流し、オーバーフロー槽４０内に流入する。開閉弁４９が開かれると、オーバーフロー槽４０内に集められた純水は第２ドレイン４４を通じて排出される。
【００３８】
めっきされた基板Ｗを保持する基板ホルダ５は、搬送装置１８によってクリーニング槽３２内に配置される。基板Ｗはクリーニング槽３２内の純水に浸漬される。環状シール２４は、基板Ｗの表面の周縁部に押し付けられているので、純水は基板ホルダ５内に浸入しない。基板ホルダ５がクリーニング槽３２内に配置されたとき、ホルダ側端子２８が電源側端子６４に接触し、これにより基板ホルダ５は帯電装置３５に電気的に接続される。
【００３９】
コントローラ３７は、その内部に記憶されている粒子の推定ゼータ電位に基づいて、帯電装置３５の動作を決定する。すなわち、推定ゼータ電位が正であれば、コントローラ３７は、帯電装置３５に指令を発して、基板ホルダ５に保持された基板Ｗの表面を正に帯電させる（図７参照）。一方、推定ゼータ電位が負であれば、コントローラ３７は、帯電装置３５に指令を発して、基板ホルダ５に保持された基板Ｗの表面を負に帯電させる（図８参照）。
【００４０】
基板Ｗの表面に付着した粒子と、基板Ｗの表面との間に斥力が作用している状態で（つまり、基板Ｗの表面が正または負に帯電している状態で）、開閉弁５２を開き、流体供給ノズル３８から基板Ｗの表面に向かう純水の噴流を形成する。純水の噴流は基板Ｗの表面に接触し、粒子を基板Ｗの表面から除去する。斥力の作用により、純水の噴流は、短時間でかつ高効率で粒子を除去することができる。流体として純水を使用するクリーニングユニット２０は、処理液であるめっき液を基板Ｗおよび基板ホルダ５から除去するリンスユニットとしての機能を有する。
【００４１】
予め設定された時間が経過すると、開閉弁５２が閉じられ、流体供給ノズル３８からの純水の供給が停止される。基板Ｗを保持した基板ホルダ５は、搬送装置１８によってクリーニング槽３２から引き上げられ、乾燥ユニット１６に搬送される。乾燥ユニット１６は、乾燥空気または不活性ガスを基板Ｗの表面に吹き付け、基板Ｗから純水を除去する。乾燥された基板Ｗを保持する基板ホルダ５は、搬送装置１８によって乾燥ユニット１６から引き上げられ、乾燥ユニット１６の外部に搬送される。乾燥ユニット１６は省略してもよい。
【００４２】
上述したクリーニングユニット２０は、流体として純水などの液体を使用するが、流体として不活性ガスなどの気体を使用してもよい。図１１は、クリーニングユニット２０の他の実施形態を示す図である。特に説明しないクリーニングユニット２０の構成は、上述した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。
【００４３】
本実施形態では、流体として窒素ガスが使用されている。開閉弁５２を開くと、窒素ガスは流体移送ライン５５を通じて流体供給ノズル３８に供給され、流体供給ノズル３８は、基板Ｗの表面に向かう窒素ガスの噴流を形成する。クリーニング槽３２の底部には、排気管７５が接続されている。
【００４４】
クリーニングユニット２０は、オーバーフロー槽４０を備えていなく、代わりに、クリーニング槽３２の上部を覆う密閉蓋７７を備えている。密閉蓋７７は、開閉自在に構成されている。密閉蓋７７が開かれた状態で、基板ホルダ５がクリーニング槽３２内に鉛直に配置され、基板ホルダ５がクリーニング槽３２内に配置された後に密閉蓋７７が閉じられる。基板ホルダ５に保持された基板Ｗに窒素ガスを吹き付けている間、密閉蓋７７は閉じられたままである。流体供給ノズル３８からクリーニング槽３２内に供給された窒素ガスは、排気管７５を通じて排出される。
【００４５】
次に、本実施形態のクリーニングユニット２０の動作を説明する。密閉蓋７７が開かれた状態で、めっきされた基板Ｗを保持する基板ホルダ５は、搬送装置１８によってクリーニング槽３２内に配置される。基板ホルダ５がクリーニング槽３２内に配置されると、ホルダ側端子２８が電源側端子６４に接触し、これにより基板ホルダ５は帯電装置３５に電気的に接続される。その後、密閉蓋７７が閉じられる。
【００４６】
最初に、開閉弁５２を開き、流体供給ノズル３８から基板Ｗの表面に向かう窒素ガスの噴流を形成し、予め設定された時間の間、基板Ｗに対して窒素ガスを吹き付けることで、基板表面を乾燥させ、開閉弁５２を閉じる。次いで、コントローラ３７は、その内部に記憶されている粒子の推定ゼータ電位に基づいて、帯電装置３５の動作を決定する。すなわち、推定ゼータ電位が正であれば、コントローラ３７は、帯電装置３５に指令を発して、基板ホルダ５に保持された基板Ｗの表面を正に帯電させる（図７参照）。一方、推定ゼータ電位が負であれば、コントローラ３７は、帯電装置３５に指令を発して、基板ホルダ５に保持された基板Ｗの表面を負に帯電させる（図８参照）。
【００４７】
基板Ｗの表面を帯電させた後、基板Ｗの表面に付着した粒子と、基板Ｗの表面との間に斥力が作用している状態で、再び、開閉弁５２を開き、流体供給ノズル３８から基板Ｗの表面に向かう窒素ガスの噴流を形成する。窒素ガスの噴流は基板Ｗの表面に接触し、粒子を基板Ｗの表面から除去する。斥力の作用により、窒素ガスの噴流は、短時間でかつ高効率で粒子を除去することができる。基板Ｗのクリーニング中、密閉蓋７７は閉じられた状態に維持されるので、粒子がクリーニング槽３２の外部に飛散することがない。クリーニング槽３２内の粒子を含んだ雰囲気を、ポンプ等で排気管７５から強制排気することで、短時間でかつ高効率で粒子を除去することができる。
【００４８】
予め設定された時間が経過すると、開閉弁５２が閉じられ、流体供給ノズル３８からの窒素ガスの供給が停止される。その後、密閉蓋７７が開かれ、基板Ｗを保持した基板ホルダ５は、搬送装置１８によってクリーニング槽３２から引き上げられる。
【００４９】
流体として窒素ガスを使用する本実施形態のクリーニングユニット２０は、乾燥ユニットとしての機能を有する。したがって、図１に示す乾燥ユニット１６を省略してもよい。めっきユニット１１で使用されためっき液を基板Ｗおよび基板ホルダ５から除去するために、図９に示すように前洗浄槽３１を設けることが好ましい。上述したように、前洗浄槽３１内の洗浄液の一部はゼータ電位測定器１４に送られ、ここで洗浄液中に含まれる粒子（すなわち、めっき液中に含まれる粒子）のゼータ電位が測定される。ゼータ電位の測定値はコントローラ３７に送られる。基板Ｗは、前洗浄槽３１で洗浄液にて洗浄された後、図１１に示すクリーニング槽３２に搬送される。
【００５０】
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
【符号の説明】
【００５１】
５      基板ホルダ
１１      めっきユニット
１１ａ    めっき槽
１４      ゼータ電位測定器
１６      乾燥ユニット
１８      搬送装置
２０      クリーニングユニット
２１      絶縁体
２１ａ    基板保持面
２４      環状シール
２６      電線
２８      ホルダ側端子
３１      前洗浄槽
３２      クリーニング槽
３５      帯電装置
３７      コントローラ
３８      流体供給ノズル
４０      オーバーフロー槽
４１      流体注入導管
４３      第１ドレイン
４４      第２ドレイン
４７，４８，４９    開閉弁
５２      開閉弁
５５      流体移送ライン
５７      電源
６１      電線
６４      電源側端子
７０      粒子
７５      排気管
７７      密閉蓋
Ｗ        基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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