(57)【要約】【課題】本発明の目的は、軽量化・薄型化を図るとともに、高周波帯域の電磁波まで吸収により遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板を提供すること。【解決手段】本発明の電磁波シールド用フィルム１０は、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子を含有する第１の層３１と、前記金属系粒子を含有しない第２の層３２とを含む電磁波遮断層３を備え、この電磁波遮断層３は、第２の層３２を、基板上に搭載された電子部品側にして、電子部品を被覆するものであり、第１の層３１と前記電子部品との間に、第２の層３２が介在することで、第１の層３１と前記電子部品との離間距離が１０μｍ以上２００μｍ以下となるように構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子を含有する第１の層と、前記金属系粒子を含有しない第２の層とを含む電磁波遮断層を備え、
前記電磁波遮断層は、前記第２の層を、基板上に搭載された電子部品側にして、前記電子部品を被覆するものであり、
前記第１の層と前記電子部品との間に、前記第２の層が介在することで、前記第１の層と前記電子部品との離間距離が１０μｍ以上２００μｍ以下となるように構成されていることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
【請求項２】
前記電磁波遮断層は、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が３ｄＢ以下である請求項１に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項３】
前記電磁波遮断層は、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上である請求項１または２に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項４】
前記第２の層は、導電性高分子およびバインダー樹脂のうちの少なくとも１種を含むものである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項５】
前記導電性高分子は、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリピロールおよびポリチオフェンのうちの少なくとも１種である請求項４に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項６】
前記金属系粒子は、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、または、これらを含む合金のうちの少なくとも１種である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項７】
前記第１の層は、さらにバインダー樹脂を含み、前記第１の層における、前記金属系粒子の含有量は、６０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項８】
前記第１の層は、その平均層厚みが１０μｍ以上１０００μｍ以下である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項９】
前記第２の層は、その平均層厚みが１０μｍ以上２００μｍ以下である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項１０】
当該電磁波シールド用フィルムは、さらに、前記電磁波遮断層の前記第１の層側に積層された保護シートを含む請求項１ないし９のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項１１】
当該電磁波シールド用フィルムは、波長３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上３０％以下である請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項１２】
基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および前記電子部品を被覆する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子を含有する第１の層と、前記金属系粒子を含有しない第２の層とを含み、前記第１の層と前記電子部品との間に、前記第２の層が介在することで、前記第１の層と前記電子部品との離間距離が１０μｍ以上２００μｍ以下となるように構成されていることを特徴する電子部品搭載基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサ、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、その表面に電磁波シールド用フィルムが貼付されてきた。
【０００３】
このような電磁波シールド用フィルムとしては、例えば、絶縁性材料からなる保護層（基材層）と、保護層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが開発されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のように、電磁波シールド用フィルムを、金属層を有する構成とした場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。
【０００５】
また、上述の通り、電磁波シールド用フィルムを貼付する電子機器が多様化し、これに応じて、遮断すべきノイズである電磁波の周波数も多様化しているが、このような電磁波を遮断する機能を発揮する電磁波遮断層としては、例えば、反射層と、吸収層とがある。
【０００６】
ここで、反射層では、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断（遮蔽）し、吸収層では、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで、電磁波を消滅させて遮断する。これらのうち反射層では、反射した電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼすという欠点を有する。そのため、近年、吸収層で構成された電磁波遮断層について研究がなされ、特に、高周波帯域のものまで効果的に吸収により遮断し得る電磁波遮断層（吸収層）を備える電磁波シールド用フィルムの開発がなされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１５６９４６公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、軽量化・薄型化を図るとともに、高周波帯域の電磁波まで吸収により遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記（１）〜（１２）に記載の本発明により達成される。
（１）  金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子を含有する第１の層と、前記金属系粒子を含有しない第２の層とを含む電磁波遮断層を備え、
前記電磁波遮断層は、前記第２の層を、基板上に搭載された電子部品側にして、前記電子部品を被覆するものであり、
前記第１の層と前記電子部品との間に、前記第２の層が介在することで、前記第１の層と前記電子部品との離間距離が１０μｍ以上２００μｍ以下となるように構成されていることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
【００１０】
（２）  前記電磁波遮断層は、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が３ｄＢ以下である上記（１）に記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１１】
（３）  前記電磁波遮断層は、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上である上記（１）または（２）に記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１２】
（４）  前記第２の層は、導電性高分子およびバインダー樹脂のうちの少なくとも１種を含むものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１３】
（５）  前記導電性高分子は、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリピロールおよびポリチオフェンのうちの少なくとも１種である上記（４）に記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１４】
（６）  前記金属系粒子は、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、または、これらを含む合金のうちの少なくとも１種である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１５】
（７）  前記第１の層は、さらにバインダー樹脂を含み、前記第１の層における、前記金属系粒子の含有量は、６０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１６】
（８）  前記第１の層は、その平均層厚みが１０μｍ以上１０００μｍ以下である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１７】
（９）  前記第２の層は、その平均層厚みが１０μｍ以上２００μｍ以下である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１８】
（１０）  当該電磁波シールド用フィルムは、さらに、前記電磁波遮断層の前記第１の層側に積層された保護シートを含む上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１９】
（１１）  当該電磁波シールド用フィルムは、波長３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上３０％以下である上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
【００２０】
（１２）  基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および前記電子部品を被覆する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子を含有する第１の層と、前記金属系粒子を含有しない第２の層とを含み、前記第１の層と前記電子部品との間に、前記第２の層が介在することで、前記第１の層と前記電子部品との離間距離が１０μｍ以上２００μｍ以下となるように構成されていることを特徴する電子部品搭載基板。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、電磁波シールド用フィルムを、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子を含有する第１の層と、前記金属系粒子を含有しない第２の層とを含む電磁波遮断層を備え、該電磁波遮断層を、前記第２の層を、基板上に搭載された電子部品側にして、前記電子部品を被覆するものとし、これにより、前記第１の層と前記電子部品との間に、前記第２の層が介在して、前記第１の層と前記電子部品との離間距離を１０μｍ以上２００μｍ以下となるよう構成している。
【００２２】
かかる構成の本発明によれば、電磁波シールド用フィルムを、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が３ｄＢ以下であり、さらに、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上であるものとすることができる。したがって、電磁波シールド用フィルムは、軽量化・薄膜化が図られているとともに、電磁波遮断層により電磁波を吸収により効果的に遮断しているものと言うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の電磁波シールド用フィルムの実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第１の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【図３】図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第２の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【図４】図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第３の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【図５】マイクロストリップライン法を用いて測定した際の電磁波の周波数と不整合損との関係を示すグラフである。
【図６】KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波の周波数とシールド効果との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。
【００２５】
本発明の電磁波シールド用フィルム１０は、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子を含有する第１の層３１と、前記金属系粒子を含有しない第２の層３２とを含む電磁波遮断層３を備え、この電磁波遮断層３は、第２の層３２を、基板５上に搭載された電子部品４側にして、この電子部品４を被覆するものであり、第１の層３１と電子部品４との間に、第２の層３２が介在することで、第１の層３１と前記電子部品との離間距離が１０μｍ以上２００μｍ以下となるように構成されていることを特徴とする。
【００２６】
かかる構成の電磁波シールド用フィルム１０によれば、電磁波シールド用フィルムを、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が３ｄＢ以下であり、さらに、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上であるものとすることができる。すなわち、電磁波シールド用フィルム１０は、軽量化・薄膜化が図られているとともに、電磁波遮断層３により電磁波を吸収により効果的に遮断し得るものであると言うことができる。
【００２７】
以下、この電磁波シールド用フィルムについて説明する。
＜電磁波シールド用フィルム＞
図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２８】
電磁波シールド用フィルム１０は、基板５上の凹凸６を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムである。
【００２９】
図１に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム１０は、保護層（保護シート）１と、第１の層３１および第２の層３２を備える電磁波遮断層３とを含んで構成され、電磁波遮断層３は、保護層１の下面（一方の面）に、第１の層３１を保護層１側にして、接触して積層されている。
【００３０】
なお、以下では、基板５上に電子部品４が搭載（載置）され、この電子部品４の搭載により基板５上に凸部６５と凹部６６とからなる凹凸６が形成されており、この凹凸６を電磁波シールド用フィルム１０で被覆する場合について説明する。すなわち、基板５上に搭載された電子部品４を電磁波シールド用フィルム１０で被覆する場合について説明する。なお、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ）上に搭載されているＬＣＤドライバーＩＣ、タッチパネル周辺のＩＣ＋コンデンサまたは電子回路基板（マザーボード）が挙げられる。
【００３１】
以下、電磁波シールド用フィルム１０が備える各層１、３について説明する。
＜保護層１＞
まず、保護層１について説明する。
【００３２】
保護層（保護シート）１は、電磁波遮断層３の酸化による劣化を防止する機能を有する。さらに、保護層１は、可撓性を備え、後述する電子部品の被覆方法の貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１０を用いて、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する場合に、押し込まれた電磁波遮断層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能するものである。
【００３３】
この保護層１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、無軸延伸ポリプロピレンおよび二軸延伸ポリプロピレン等のポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン、スチレンエラストマー樹脂、スチレンブタジエンゴムのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、無軸延伸ポリプロピレンを用いることが好ましい。これにより、保護層１の電磁波遮断層３に対する保護性、さらには耐熱性を向上させることができる。
【００３４】
また、保護層１の常温（２５℃）における貯蔵弾性率は、２．０Ｅ＋０２〜５．０Ｅ＋１０Ｐａであるのが好ましく、２．０Ｅ＋０３〜５．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがより好ましく、２．０Ｅ＋０４〜３．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがさらに好ましい。このように、保護層１の常温（２５℃）における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、保護層１は可撓性を有するものであると言うことができ、電磁波シールド用フィルム１０を用いて、基板５上の凹凸６を被覆する際に、電磁波遮断層３に破断を生じさせることなく電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態で押し込むことができる。その結果、この凹凸６が設けられた基板５が、破断の発生が防止された電磁波遮断層３をもって、凹凸６の形状に追従した状態で被覆されるようになるため、この電磁波遮断層３による凹凸６が設けられた基板５に対する電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。
【００３５】
保護層１の厚みは、特に限定されないが、３μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上、１５μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは７μｍ以上、１２μｍ以下である。保護層１の厚みが前記下限値未満である場合、保護層１ひいては電磁波遮断層３が破断し、その電磁波シールド性が低下するおそれがある。また、保護層１の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム１０を用いて被覆する基板５の設計によっては、基板５を電磁波シールド用フィルム１０で被覆した積層体の軽量化・薄型化が実現されないおそれがある。
【００３６】
さらに、保護層１は、その電磁波遮断層３側の面に、粘着剤層を備えるものであってもよい。すなわち、電磁波遮断層３は、粘着剤層を介して保護層１に接合されたものであってもよい。これにより、保護層１と電磁波遮断層３との粘着性（密着性）の向上が図られる。
【００３７】
この粘着剤層は、例えば、主として、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤およびゴム系粘着剤等のうちの少なくとも１種からなる粘着剤で構成される。
【００３８】
アクリル系粘着剤としては、例えば、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合したものが挙げられる。
【００３９】
また、これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、粘着層が粘着する電磁波遮断層３との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００４０】
この場合、粘着剤層には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーが含まれていてもよい。
【００４１】
また、ゴム系粘着剤としては、例えば、天然ゴム系、イソプレンゴム系、スチレン−ブタジエン系、再生ゴム系、ポリイソブチレン系のものや、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン等のゴムを含むブロック共重合体を主とするもの等が挙げられる。
【００４２】
さらに、シリコーン系粘着剤としては、例えば、ジメチルシロキサン系、ジフェニルシロキサン系のもの等が挙げられる。
【００４３】
なお、粘着剤層に含まれる粘着剤は、硬化型および非硬化型のいずれであってもよいが、硬化型の場合、粘着剤層には、架橋剤が添加されていてもよい。この架橋剤としては、例えば、エポキシ系化合物、イソシアナート系化合物、金属キレート化合物、金属アルコキシド、金属塩、アミン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド系化合物等が挙げられる。
【００４４】
また、硬化型の場合、粘着剤層には、粘着剤層を紫外線等の光の照射により硬化させる光重合開始剤が添加されていてもよい。この光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等が挙げられる。
【００４５】
さらに、粘着剤層には、その接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等が添加されていてもよい。
【００４６】
また、粘着剤層には、例えば、可塑剤、粘着付与剤、増粘剤、充填剤、老化防止剤、防腐剤、防カビ剤、染料、顔料等の各種添加剤が必要に応じ添加されていてもよい。
【００４７】
＜電磁波遮断層３＞
次に、電磁波遮断層（遮断層）３について説明する。
【００４８】
電磁波遮断層３は、基板５上に設けられた電子部品４と、この電磁波遮断層３を介して、基板５（電子部品４）と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有し、特に、電子部品４から生じる電磁波をより効果的に遮断する機能を有する。
【００４９】
ここで、電磁波を遮断する機能を発揮するには、前述のとおり、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断（遮蔽）する反射層と、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが知られている。
【００５０】
このような反射層と吸収層とでは、これらが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有していると仮定した場合、吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断して、この吸収により電磁波を消滅させる。そのため、反射層のように反射した電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができるという観点から、電磁波遮断層を吸収層で構成するのが好ましい。
【００５１】
このような特性が求められる電磁波遮断層の一例として、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子を含有する構成のものがある。しかしながら、かかる構成の電磁波遮断層は、一般的に、優れた遮断性を備えるものの、電磁波を反射することにより遮断する反射層としての性質が優位であることが知られている。そこで、本発明者は、このような電磁波遮断層が、優れた遮断性を備えつつ、電磁波を吸収することにより遮断する吸収層としての性質を優位に発揮する構成について検討を行った。その結果、前記金属系粒子を含有する構成の電磁波遮断層では、電磁波を発生する電子部品との離間距離が、電磁波の反射または吸収に関係することが判ってきた。
【００５２】
そして、本発明者は、この電磁波遮断層と電子部品との離間距離と、電磁波の吸収との関係について、さらに鋭意検討を行った結果、電磁波遮断層と電子部品との離間距離を大きくすること、具体的には、前記離間距離を１０μｍ以上に設定することにより、反射ではなく吸収により優位に電磁波を遮断する吸収層とし得ることを見出した。また、電磁波遮断層（電磁波シールド用フィルム）の軽量化・薄型化を図るという観点からは、前記離間距離を２００μｍ以下に設定することで、実現し得ることを見出した。
【００５３】
したがって、電磁波遮断層３を、図１に示すように、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子を含有する第１の層３１と、前記金属系粒子を含有しない第２の層３２とが積層され、第２の層３２を、電子部品４側にしてこの電子部品４を被覆するものとし、第２の層３２が、第１の層３１と電子部品４との間に介在することで、第１の層３１と電子部品４との離間距離を１０μｍ以上２００μｍ以下となるように構成することで、電磁波遮断層３（電磁波シールド用フィルム）の軽量化・薄型化を図りつつ、電磁波遮断層３に吸収層としての機能を優位に発揮させ得ることから、本発明を完成するに至った。
【００５４】
ところで、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断しているのか、または、電磁波を吸収することにより遮断しているのかを評価する方法として、マイクロストリップライン法（ＭＳＬ法）が知られている。
【００５５】
このＭＳＬ法を用いた測定は、例えば、ＩＥＣ規格６２３３３−２に準拠して、５０Ωのインピーダンスを有するマイクロストリップラインと、ネットワークアナライザーとを用いて、反射成分Ｓ１１と透過成分Ｓ２１を測定することにより行われる。
【００５６】
これらのうち反射成分Ｓ１１は、入射波に対する反射波の電圧（振幅）強度をｄＢで表したものとして測定される。そして、この反射成分Ｓ１１を用いて、下記式（１）から、入射波に対する反射成分以外の電力強度をｄＢで表した不整合損を求めることができる。
不整合損  ＝  −１０・ｌｏｇ｛１−１０＾（２Ｓ１１／１０）｝［ｄＢ］（１）
【００５７】
不整合損における、反射成分以外の成分としては、吸収成分および透過成分が挙げられる。そのため、不整合損の値が大きくなると反射成分が大きく、不整合損の値が小さくなると吸収成分および透過成分が大きくなっていると言うことができる。
【００５８】
したがって、透過成分が小さいと仮定した場合、不整合損の値が小さくなっていれば、吸収成分が大きくなっていると言うことができる。なお、反射成分が小さくなるのは、電磁波遮断層により回路上のインピーダンス変化が小さくなり、これにより、回路内での反射を抑制しているものと推察される。
【００５９】
そこで、本発明では、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が３ｄＢ以下であることが好ましく、２ｄＢ以下であるのがより好ましい。このような電磁波遮断層であれば、高周波帯域の電磁波における不整合損の値が小さくなっていると言うことができ、透過成分が小さくなっていれば、吸収成分が大きくなっており、この電磁波遮断層３が吸収層で構成されているものであると言うことができる。
【００６０】
さらに、電磁波遮断層に入射した電磁波の遮断を評価する方法として、上述したＭＳＬ法の他に、関西電子工業振興センターで開発されたKEC法が知られている。
【００６１】
ここで、KEC法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収成分）と電磁波を反射することにより遮断する反射性（反射成分）とが加算された値として測定される。
【００６２】
すなわち、このKEC法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなす電磁波遮断層３（測定試料）を介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるKEC法では、受信アンテナにおいて、電磁波遮断層３を通過（透過）した電磁波が測定されるすなわち、送信された電磁波（信号）が電磁波遮断層３により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定されることから、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性は、電磁波を反射する反射成分と電磁波を吸収する吸収成分との双方を合算した状態で求められる。
【００６３】
よって、電磁波遮断層３は、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上であるものであることが好ましく、４０ｄＢ以上８０ｄＢ以下であるものであることがより好ましい。このような電磁波遮断層３であれば、高周波帯域の電磁波を高精度に遮断していると言うことができ、この電磁波遮断層を、吸収成分および反射成分を遮断する遮断層であると言える。
【００６４】
したがって、電磁波遮断層が、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が３ｄＢ以下である際に、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上であることを満足すれば、すなわち、電磁波遮断層３において、ＭＳＬ法を用いて測定された不整合損の値が小さく、かつ、KEC法（電界）を用いて測定された電磁波シールド性（吸収成分＋反射成分）が大きくなっていれば、電磁波遮断層３を、反射成分および透過成分を小さくした状態で、吸収成分により電磁波を優位に遮断している吸収層であると言うことができる。
【００６５】
このような電磁波遮断層３は、前述のとおり、本発明では、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子を含有する第１の層３１と、前記金属系粒子を含有しない第２の層３２とが積層され、第２の層３２を、電子部品４側にしてこの電子部品４を被覆するものである。そして、第２の層３２が、第１の層３１と電子部品４との間に介在することで、第１の層３１と電子部品４との離間距離が１０μｍ以上２００μｍ以下となるように構成されている。
【００６６】
以下、電磁波遮断層３を構成する、これら第１の層３１および第２の層３２について説明する。
【００６７】
（第１の層）
第１の層３１は、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子を含有し、これにより、電磁波遮断層３に電磁波を遮断する遮断層としての機能を発揮させるためのものである。
【００６８】
金属系粒子としては、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、またはこれらを含む合金のような金属、および、ＡＦｅ２Ｏ４（式中、Ａは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕまたはＺｎである）で表されるフェライト、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＦＴＯのような金属酸化物等を含むものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６９】
また、金属系粒子の平均粒径は、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であるのが好ましく、４．５μｍ以上７．５μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、金属系粒子を第１の層３１中に均一に分散させることができる。そのため、第１の層３１を、このものとしての特性を均質に発揮するものとできる。
【００７０】
さらに、第１の層３１は、その構成材料として、金属系粒子の他に、バインダー樹脂を含有するものであることが好ましい。これにより、金属系粒子を第１の層３１中により均一に分散させることができるため、第１の層３１を、第１の層３１としての特性を均質に発揮するものとできる。また、導電性材料を、それぞれ、容易に目的とする含有量に設定することができるようになるため、第１の層３１としての機能を確実に発揮させることができる。
【００７１】
また、バインダー樹脂としては、各種樹脂材料を用いることができ特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、熱硬化性エラストマー等の熱硬化性樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマーのような熱可塑性エラストマー等の熱可塑性樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７２】
また、第１の層３１における金属系粒子の含有量は、６０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下であることが好ましく、６５ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下であることがより好ましい。これにより、第１の層３１に電磁波遮断層としての機能を確実に発揮させつつ、第１の層３１と電子部品４との間に第２の層３２を介在させて、第１の層３１と電子部品４との離間距離を１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内に設定した際に、電磁波を吸収により優位に遮断する吸収層としての機能を電磁波遮断層３に確実に発揮させることができる。
【００７３】
さらに、第１の層３１の平均層厚みＴ１は、特に限定されないが、１０μｍ以上、１０００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上、５００μｍ以下であることがより好ましい。第１の層３１の厚みが前記下限値未満である場合、第１の層３１の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、第１の層３１の厚みが前記上限値を超える場合、第１の層３１の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴ１としても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、第１の層３１の厚みＴ１の薄膜化を実現すること、ひいては、基板５上において電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。
【００７４】
（第２の層）
第２の層３２は、前記金属系粒子を含有しておらず、電子部品４を被覆したときに、第１の層３１と電子部品４との間に介在し、これにより、第１の層３１と電子部品４との離間距離を１０μｍ以上２００μｍ以下とするためのスペーサとしての機能を発揮するものである。このような第２の層３２が介在することで、第１の層３１と電子部品４との間の離間距離が適切な範囲内に設定されるため、電磁波シールド用フィルム１０の軽量化・薄膜化を図りつつ、第１の層３１に電磁波を吸収により遮断する吸収層としての起用を優位に発揮さることができる。
【００７５】
このような第２の層３２は、前記金属系粒子を含有しておらず、金属および金属酸化物を含有しないものであれば、如何なる構成のものであってもよく、例えば、導電性高分子およびバインダー樹脂のうちの少なくとも１種を含むものが挙げられる。ここで、電磁波遮断層３により被覆される電子部品４自体により絶縁性が確保されている場合、第２の層３２は、導電性高分子およびバインダー樹脂の双方を含有するものであることが好ましい。導電性高分子を含む電磁波遮断層は、一般的に、吸収により電磁波を遮断する吸収層としての機能を発揮するものとして知られていることから、第２の層３２を、かかる構成のものとすることにより、第２の層３２に、スペーサとしての機能ばかりでなく、吸収層としての機能をも発揮させることができる。また、電子部品４自体により絶縁性が確保されていない場合、第２の層３２は、バインダー樹脂で構成されるものであることが好ましい。すなわち、樹脂材料により単独で構成されるものであることが好ましい。第２の層３２を、かかる構成のものとすることにより、基板５上に複数の電子部品４が搭載される際には、第２の層３２により電子部品４同士を確実に絶縁することができる。したがって、第２の層３２に、スペーサとしての機能ばかりでなく、絶縁層としての機能をも確実に発揮させることができる。
【００７６】
また、第２の層３２が、導電性高分子とバインダー樹脂とを含有するものである場合、第２の層３２における導電性高分子の含有量は、２０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることがより好ましい。これにより、第２の層３２に吸収層としての機能を確実に発揮させることができる。
【００７７】
導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリピロールおよびポリチオフェンであるのが好ましい。これらによれば、前述した導電性高分子を用いることにより得られる効果をより顕著に発揮させることができる。
【００７８】
また、バインダー樹脂としては、第１の層３１において説明したのと同様のものを用いることができる。
【００７９】
なお、第１の層３１と電子部品４との離間距離は、１０μｍ以上２００μｍ以下であればよいが、２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上７０μｍ以下であることがより好ましい。これにより前述した効果をより顕著に発揮させることができる。
【００８０】
また、第２の層３２の平均層厚みＴ２は、第２の層３２がスペーサとしての機能を発揮し、第１の層３１と電子部品４との離間距離が前記範囲内に設定されるように、設定すべき前記離間距離と同様の大きさに設定され、１０μｍ以上２００μｍ以下であればよいが、２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上７０μｍ以下であることがより好ましい。
【００８１】
なお、電磁波遮断層３は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１０の加熱の後、保護層１からの押圧力により、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、前記保護層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。
【００８２】
電磁波シールド用フィルム１０を、上記のような構成の保護層１および電磁波遮断層３を備えるものとすることにより、電磁波シールド用フィルム１０の軽量化・薄型化を図ることができる。
【００８３】
また、電磁波シールド用フィルム１０は、波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上、３０％以下であることが好ましく、０．０１％以上、１０％以下であることがより好ましい。これにより、光を吸収、遮断し電磁波遮断層３で被覆している内部すなわち電子部品４を見えなくすることができるため、例えば、電磁波遮断層３で被覆された電子部品搭載基板の流通時における電子部品４の秘匿性を担保することができるという利点が得られる。
なお、前記光線透過率は、例えば、紫外可視分光光度計により求めることができる。
【００８４】
＜電子部品の被覆方法＞
（第１の被覆方法）
以上のような構成の電磁波シールド用フィルム１０を用いて、例えば、以下のようにして、基板５上に搭載された電子部品４が被覆される。
【００８５】
図２は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第１の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【００８６】
以下の電子部品の第１の被覆方法は、基板５上に、電磁波シールド用フィルム１０を電磁波遮断層３が備える第２の層３２と電子部品４とが接着するように貼付する貼付工程を有する。
【００８７】
（貼付工程）
前記貼付工程とは、図２（ａ）に示すように、本実施形態では、基板５上に電子部品４を搭載することで設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従するように貼付する工程である。
【００８８】
凹凸６に追従して貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、以下のような方法が挙げられる。
【００８９】
すなわち、まず、基板５の凹凸６が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム１０の第２の層３２側の面とが対向するように、基板５と電磁波シールド用フィルム１０とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを常温下において、電磁波シールド用フィルム１０側から均一に電磁波シールド用フィルム１０と基板５とが互いに接近するように、加圧することにより実施される。
【００９０】
このように電磁波シールド用フィルム１０側から均一に加圧することで、保護層１が凹凸６の形状に追従し、さらに、これに併せて、保護層１よりも基板５側に位置する、電磁波遮断層３も凹凸６の形状に追従する。これにより、凹凸６の形状に保護層１および電磁波遮断層３が追従した状態で、保護層１および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。
【００９１】
このような貼付工程において、貼付する温度は、常温であり、具体的には、５℃以上、３５℃以下であることが好ましく、２０℃以上、３０℃以下であることがより好ましく、２５℃であることがさらに好ましい。
【００９２】
また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．０５ＭＰａ以上、０．５ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１ＭＰａ以上、０．３ＭＰａ以下である。
【００９３】
さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、１秒以上、６０秒以下であることが好ましく、より好ましくは５秒以上、３０秒以下である。
【００９４】
貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１０側からの加圧による電子部品４の破損を招くことなく、基板５上の凹凸６に対して電磁波遮断層３が追従した状態で、電磁波遮断層３により凹凸６を確実に被覆することができる。
【００９５】
以上のような工程を経ることにより、保護層１および電磁波遮断層３により凹凸６を追従するように被覆することができる。なお、本実施形態のように、被覆した凹凸６に保護層１が残存する被覆方法では、基板５の反対側に位置する他の部材（電子部品等）と電磁波遮断層３とを絶縁する絶縁層としての機能を保護層１が発揮する。
【００９６】
（第２の被覆方法）
また、電子部品４の被覆は、電磁波シールド用フィルム１０で凹凸６に追従して被覆する上述した方法の他、凹凸６に追従することなく、電子部品４を被覆するように行ってもよい。
【００９７】
図３は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第２の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【００９８】
以下の電子部品の第２の被覆方法は、第１の被覆方法と同様に、基板５上に、電磁波シールド用フィルム１０を第２の層３２と電子部品４が接着するように貼付する貼付工程を有する。
【００９９】
（貼付工程）
この貼付工程では、図３（ａ）に示すように、本実施形態では、基板５上に電子部品４を搭載することで設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従することなく貼付する。
【０１００】
凹凸６に追従することなく貼付するには、例えば、前記第１の被覆方法で説明した貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１０と基板５とが互いに接近するように、電磁波シールド用フィルム１０側から均一に加圧する際に、この加圧条件を設定することにより実現できる。すなわち、前記加圧条件を、凹凸６に追従させる際の圧力よりも低く設定すること、および、凹凸６に追従させる際の時間よりも短く設定することにより、凹凸６に追従することなく電磁波シールド用フィルム１０を貼付することができる。
【０１０１】
このような被覆方法により、凹凸６の形状に保護層１および電磁波遮断層３が追従していない状態で、保護層１および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。
【０１０２】
なお、このように、電磁波シールド用フィルム１０を凹凸６の形状に追従させない場合、電磁波遮断層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能する保護層１の形成を省略することもできる。
【０１０３】
（第３の被覆方法）
さらに、電子部品４の被覆は、電磁波シールド用フィルム１０で被覆する方法、すなわち、保護層１および電磁波遮断層３で被覆する上述した第１の被覆方法の他、電磁波シールド用フィルム１０から保護層１を剥離して、電磁波遮断層３により、電子部品４を被覆するようにしてもよい。
【０１０４】
図４は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第３の被覆方法を説明するための縦断面図である。
【０１０５】
以下の電子部品の第３の被覆方法は、基板５上に、電磁波シールド用フィルム１０を第２の層３２と電子部品４が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、保護層１を剥離する剥離工程とを有する。
【０１０６】
（貼付工程）
貼付工程では、図２で説明した電子部品の被覆方法（第１の被覆方法）と同様に、図４（ａ）に示すように、基板５上に電子部品４を搭載することで設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従するように貼付する。
【０１０７】
（剥離工程）
剥離工程では、例えば、図４（ｂ）に示すように、前記貼付工程の後、保護層１を電磁波シールド用フィルム１０から剥離する。
【０１０８】
この剥離工程により、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１０における保護層１と電磁波遮断層３（第１の層３１）との界面において、剥離が生じ、その結果、電磁波遮断層３から保護層１が剥離される。これにより、電磁波遮断層３から保護層１を剥離した状態で、電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。
【０１０９】
なお、保護層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、例えば、手作業による剥離が挙げられる。
【０１１０】
この手作業による剥離では、まず、保護層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から保護層１を電磁波遮断層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次保護層１を引き剥がすことにより、電磁波遮断層３から保護層１が剥離される。
【０１１１】
以上のような工程を経ることにより、電磁波遮断層３から保護層１を剥離した状態で、電磁波遮断層３により凹凸６を被覆することができる。かかる被覆方法によれば、電磁波遮断層３で電磁波を遮断する際のさらなる軽量化・薄型化を図ることができる。
【０１１２】
また、第２の被覆方法と第３の被覆方法とを組み合わせるようにしてもよい。すなわち、凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従させることなく貼付した後に、電磁波シールド用フィルム１０から保護層１を剥離して、凹凸６に追従していない電磁波遮断層３により、電子部品４を被覆するようにしてもよい。
【０１１３】
なお、前記実施形態では、図１に示したように、電磁波シールド用フィルム１０が備える保護層１が１層で構成される場合について説明したが、かかる構成のものに限定されず、例えば、保護層１は、第１の層、第２の層がこの順で積層された２層の積層体であってもよいし、第１の層、第２の層、第３の層がこの順で積層された３層の積層体であってもよい。
【０１１４】
２層の積層体の構成とする場合、第１の層としては、前記実施形態で説明した、保護層１と同様の構成のものを用いることができる。
【０１１５】
第２の層は、第１の層と電磁波遮断層３との間に位置して、電磁波シールド用フィルムの製造方法の第１の工程において、電磁波遮断層３に保護層（保護シート）１を貼付する際に、第１の層を電磁波遮断層３に粘着（貼付）させる粘着層として機能するものである。
【０１１６】
この第２の層は、特に限定されないが、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ポリイミド系接着剤およびシアネート系接着剤等の各種接着剤を用いて形成される。
【０１１７】
第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上、８μｍ以下であることがより好ましい。第２の層の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層の構成材料の種類によっては、第２の層による粘着性が十分に発揮されないおそれがある。また、第２の層の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム１０を用いて被覆する基板５の設計によっては、基板５を電磁波シールド用フィルム１０で被覆した積層体の軽量化・薄型化が実現されないおそれがある。
【０１１８】
さらに、３層の積層体の構成とする場合、第１の層および第３の層としては、前記実施形態で説明した、保護層１と同様の構成のものを用いることができる。
【０１１９】
第２の層は、電子部品の被覆方法の貼付工程において、保護層１を押し込み用の保護として用いて基板５上の凹凸６に対して電磁波遮断層３を押し込む際に、第３の層を、凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を有するものである。また、第２の層は、この押し込む力を、第３の層、さらには、この第３の層を介して電磁波遮断層３に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、電磁波遮断層３と凹凸６との間にボイドを発生させることなく、電磁波遮断層３を凹凸６に対して優れた密閉性をもって押し込むことができる。
【０１２０】
この第２の層（クッション層）の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第３の層の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第２の層に、第３の層を凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を確実に付与することができる。
【０１２１】
第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは３０μｍ以上、６０μｍ以下である。第２の層の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸６への追従性が不足するというおそれがある。また、第２の層の厚みが前記上限値を超える場合、熱圧着工程において、第２の層からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。
【０１２２】
また、第２の層の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５００以上［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１０００以上［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第２の層の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１０の加熱時において、第２の層を、第３の層と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。そのため、第２の層、さらには電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。
【０１２３】
また、前記実施形態では、基板への電子部品の搭載により、基板上に凹凸が形成されており、この凹凸を電磁波シールド用フィルムで被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルムによる被覆は、このような凹凸に対する被覆に限定されず、例えば、筐体等が備える平坦（フラット）な領域に対して施すようにしてもよい。
【０１２４】
以上、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１２５】
例えば、本発明の電磁波シールド用フィルムおよび本発明の電子部品搭載基板には、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。
【実施例】
【０１２６】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１２７】
（実施例１）
＜電磁波シールド性評価用フィルムの製造＞
まず、電磁波遮断層が備える第１の層を形成するための樹脂系材料として、導電性高分子としてのポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）と、金属系粒子としての銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で１０％：７０％：２０％含むものを準備し、また、第２の層を形成するための材料としてスチレン系エラストマー（東亞合成(株)社製、品番：ＰＰＥＴ−１５０１ＳＧ３０）を準備した。
【０１２８】
次いで、ポリエチレンテレフタラートフィルム（帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）を用意し、第１の層を形成するための前記樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、第１の層を形成した。
【０１２９】
さらに、ポリエチレンテレフタラートフィルム（帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、前記スチレン系エラストマー（東亞合成(株)社製、品番ＰＰＥＴ−１５０１ＳＧ３０）を１０μｍコーティングした後、加熱・乾燥させて、第２の層を形成した。
【０１３０】
次いで、前記第１の層と第２の層とをラミネートし、ポリエチレンテレフタラートフィルムを剥離することで電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。
【０１３１】
なお、実施例１の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、第２の層の厚みは１０μｍであった。
【０１３２】
（実施例２）
第２の層として、スチレン系エラストマー（東亞合成(株)社製、品番ＰＰＥＴ−１５０１ＳＧ３０）を３０μｍコーティングしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、実施例２の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。
【０１３３】
（実施例３）
第２の層として、スチレン系エラストマー（東亞合成(株)社製、品番ＰＰＥＴ−１５０１ＳＧ３０）を４３μｍコーティングしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、実施例３の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。
【０１３４】
（実施例４）
第２の層として、スチレン系エラストマー（東亞合成(株)社製、品番ＰＰＥＴ−１５０１ＳＧ３０）を６３μｍコーティングしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、実施例４の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。
【０１３５】
（実施例５）
まず、電磁波遮断層が備える第１の層を形成するための樹脂系材料として、導電性高分子としてのポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）と、金属系粒子としての銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で１０％：７０％：２０％含むものを準備した。
【０１３６】
次いで、ポリエチレンテレフタラートフィルム（帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）を用意し、第１の層を形成するための前記樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、第１の層を形成した。
【０１３７】
さらに、第１の層にPET芯片面アクリル樹脂（日栄化工(株)製、GL-5B）をラミネートした後に、ポリエチレンテレフタラートフィルムを剥離することで、第１の層上に、５μｍのアクリル樹脂層を形成した。その後、このアクリル樹脂層上に、厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタラートフィルム（パナック社製、ルミラ−１２５Ｓ１０）を積層することで、厚さ１３０μｍの第２の層を備える実施例５の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。
【０１３８】
（参考例１）
まず、電磁波遮断層が備える第１の層を形成するための樹脂系材料として、導電性高分子としてのポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）と、金属系粒子としての銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で１０％：７０％：２０％含むものを準備した。
【０１３９】
次いで、ポリエチレンテレフタラートフィルム（帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）を用意し、第１の層を形成するための前記樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、第１の層を形成した。
【０１４０】
さらに、第１の層にPET芯片面アクリル樹脂（日栄化工(株)製、GL-5B）をラミネートした後に、ポリエチレンテレフタラートフィルムを剥離することで、第１の層上に、５μｍのアクリル樹脂層を形成した。その後、このアクリル樹脂層上に、厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタラートフィルム（パナック社製、ルミラ−１２５Ｓ１０）を２枚重ねて積層することで、厚さ２５５μｍの第２の層を備える参考例１の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。
【０１４１】
（比較例１）
ポリエチレンテレフタラートフィルム（帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、第１の層を形成するための前記樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、厚さ３０μｍの第１の層を形成したものを、比較例１の電磁波シールド性評価用フィルム、すなわち、第２の層の形成が省略された第１の層で構成された電磁波遮断層からなる電磁波シールド性評価用フィルムとして作製した。
【０１４２】
（比較例２）
まず、電磁波遮断層が備える第１の層を形成するための樹脂系材料として、導電性高分子としてのポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）と、金属系粒子としての銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で１０％：７０％：２０％含むものを準備した。
【０１４３】
次いで、ポリエチレンテレフタラートフィルム（帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）を用意し、第１の層を形成するための前記樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、第１の層を形成した。
【０１４４】
さらに、第１の層にPET芯片面アクリル樹脂（日栄化工(株)製、GL-5B）をラミネートした後に、ポリエチレンテレフタラートフィルムを剥離することで、第２の層として５μｍのアクリル樹脂層を備える比較例２の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。
【０１４５】
＜評価試験＞
＜＜不整合損＞＞
各実施例（参考例）および各比較例で作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したマイクロストリップライン法を用いて、周波数０．１〜１０ＧＨｚの範囲内における不整合損の値を測定し、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の範囲内における不整合損の最大値を求めた。
【０１４６】
＜＜電磁波シールド性＞＞
各実施例（参考例）および各比較例で使用した電磁波遮断層が備える第１の層について、前述したKEC法（電界）を用いて、周波数０．００１〜１ＧＨｚの範囲内における電磁波シールド効果の値を測定し、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の範囲内における電磁波シールド効果の最小値を求めた。
【０１４７】
以上の各実施例（参考例）および各比較例の評価試験の結果を表１および図５、６に示す。
【０１４８】
【表１】
2017050427.tif 000003
【０１４９】
表１に示した通り、第２の層の膜厚を規定して、電磁波シールド用フィルムで電磁波を遮断すべき電子部品と第１の層との間の離間距離を適切な範囲内に適宜設定することにより、各実施例のように、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損を３ｄＢ以下に設定することができた。また、第１の層を、金属系粒子を含有するものとすることで、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果を３０ｄＢ以上に設定することができた。これらのことから、電磁波遮断層を、基盤回路内部での反射成分を小さくした状態で、吸収成分および反射成分により電磁波を遮断しているものとできることが判った。
【符号の説明】
【０１５０】
１０    電磁波シールド用フィルム
１        保護層
３        電磁波遮断層
３１      第１の層
３２      第２の層
４        電子部品
５        基板
６        凹凸
６５      凸部
６６      凹部
【図１】
2017050427.tif 000004
【図２】
2017050427.tif 000005
【図３】
2017050427.tif 000006
【図４】
2017050427.tif 000007
【図５】
2017050427.tif 000008
【図６】
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