(57)【要約】【課題】−５５℃〜２００℃の範囲において比誘電率のばらつきの小さい強誘電体セラミックスの提供。【解決手段】Ｎｂを有するタングステンブロンズ型酸化物、及び酸化物助剤を含む、強誘電体セラミックス。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｂを有するタングステンブロンズ型酸化物、及び酸化物助剤を含む、強誘電体セラミックス。
【請求項２】
前記タングステンブロンズ型酸化物は、ＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５又はＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５である、請求項１記載の強誘電体セラミックス。
【請求項３】
前記酸化物助剤は、ＺｒＯ２又はＴａ２Ｏ５あるいはそれらの混合物である、請求項１又は２に記載の強誘電体セラミックス。
【請求項４】
前記タングステンブロンズ型酸化物は、１２．４６超１２．５４未満の格子定数ａを有するＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の強誘電体セラミックス。
【請求項５】
前記タングステンブロンズ型酸化物は、１２．３０以上１２．３５未満の格子定数ａを有するＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５である、請求項１〜３のいずれか１に記載の強誘電体セラミックス。
【請求項６】
−５５℃〜２００℃の範囲において、５０００未満の比誘電率を有し、かつ、誘電率の極大値が２つ以上存在する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の強誘電体セラミックス。
【請求項７】
キュリー温度が８０℃以上１９０℃以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の強誘電体セラミックス。
【請求項８】
−５５℃〜２００℃の範囲における比誘電率の最大値εｍａｘと最小値εｍｉｎは、（εｍａｘ−εｍｉｎ）／（εｍａｘ＋εｍｉｎ）≦０．４の関係を満たす、請求項１〜７のいずれか１項に記載の強誘電体セラミックス。
【請求項９】
−５５℃〜２００℃の範囲における比誘電率の最大値εｍａｘと最小値εｍｉｎは、（εｍａｘ＋εｍｉｎ）／２≧１０００の関係を満たす、請求項１〜８のいずれか１項に記載の強誘電体セラミックス。
【請求項１０】
タングステンブロンズ型酸化物またはその原料又はその前駆体に、酸化物助剤の成分を添加した後に焼結する工程を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の強誘電体セラミックスの製造方法。
【請求項１１】
前記焼結は、少なくとも１回の仮焼と、その後の、該仮焼の温度より高い温度での焼結を含む、請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、車載用や航空宇宙用等、広い温度範囲で利用されるキャパシタに用いることが可能な、強誘電体セラミックス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、車載用や航空宇宙用等、広い温度範囲で利用されるキャパシタに用いることが可能な強誘電体セラミックスの候補として、非特許文献１には、タングステンブロンズ化合物であるＫ２Ｓｒ４Ｎｂ９．７８Ｏ２９．４５に、少量のＺｒＯ２やＴａ２Ｏ５を添加・焼成したものが、Ｋ２Ｓｒ４Ｎｂ９．７８Ｏ２９．４５に対し、キュリー温度以下で比誘電率が増加したり、温度依存性が小さくなったりすることが報告されている。
【０００３】
しかしながら、上記Ｋ２Ｓｒ４Ｎｂ９．７８Ｏ２９．４５に、少量のＺｒＯ２やＴａ２Ｏ５を添加・焼成したものは、比誘電率変化の温度依存性が大きく、例えば、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性、すなわち、−５５℃〜１２５℃の温度範囲において比誘電率のばらつきが土１５％以内である特性を達成できていなかった。
かかる状況下、−５５℃〜１５０℃の温度範囲において比誘電率のばらつきが土１５％以内であるＸ８Ｒ特性や、−５５℃〜２００℃の温度範囲において比誘電率のばらつきが土１５％以内であるＸ９Ｒ特性を達成する強誘電体セラミックスの開発が望まれている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｔｒｉｂｏｔｔｅ, Ｂ., ｅｔ ａｌ. Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ １９（６―７） （１９９９）: １１０５―１１０９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
かかる状況下、本発明が解決しようとする課題は、−５５℃〜２００℃の範囲における比誘電率のばらつきの小さい強誘電体セラミックスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討し実験を重ねた結果、以下の構成により課題を解決することに至ったものである。
すなわち、本発明は以下のとおりのものである。
［１］Ｎｂを有するタングステンブロンズ型酸化物、及び酸化物助剤を含む、強誘電体セラミックス。
［２］前記タングステンブロンズ型酸化物は、ＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５（以下、「ＫＳＮ」ともいう。）又はＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５（以下、「ＮＳＮ」ともいう。）である、前記［１］に記載の強誘電体セラミックス。
［３］前記酸化物助剤は、ＺｒＯ２又はＴａ２Ｏ５あるいはそれらの混合物である、前記［１］又は［２］に記載の強誘電体セラミックス。
［４］前記タングステンブロンズ型酸化物は、１２．４６超１２．５４未満の格子定数ａを有するＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５である、前記［１］〜［３］いずれかに記載の強誘電体セラミックス。
［５］前記タングステンブロンズ型酸化物は、１２．３０以上１２．３５未満の格子定数ａを有するＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５である、前記［１］〜［３］のいずれかに記載の強誘電体セラミックス。
［６］−５５℃〜２００℃の範囲において、５０００未満の比誘電率を有し、かつ、比誘電率の極大値が２つ以上存在する、前［１］〜［５］のいずれかに記載の強誘電体セラミックス。
［７］キュリー温度が８０℃以上１９０℃以下である、前記［１］〜［６］のいずれかに記載の強誘電体セラミックス。
［８］−５５℃〜２００℃の範囲における比誘電率の最大値εｍａｘと最小値εｍｉｎは、（εｍａｘ−εｍｉｎ）／（εｍａｘ＋εｍｉｎ）≦０．４の関係を満たす、前記［１］〜［７］のいずれかに記載の強誘電体セラミックス。
［９］−５５℃〜２００℃の範囲における比誘電率の最大値εｍａｘと最小値εｍｉｎは、（εｍａｘ＋εｍｉｎ）／２≧１０００の関係を満たす、前記［１］〜［８］のいずれかに記載の強誘電体セラミックス。
［１０］タングステンブロンズ型酸化物、またはその原料又はその前駆体に、酸化物助剤の成分を添加した後に焼結する工程を含む、前記［１］〜［９］のいずれかに記載の強誘電体セラミックスの製造方法。
［１１］前記焼結は、少なくとも１回の仮焼と、その後の、該仮焼の温度より高い温度での焼結を含む、前記［１０］に記載の方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の強誘電体セラミックスは、タングステンブロンズ型酸化物と酸化物助剤を含み、−５５℃〜２００℃の範囲において比誘電率のばらつきが小さいため、例えば、車載用や航空宇宙用等、広い温度範囲で利用されるキャパシタに用いることが可能である。尚、上記発明の効果は、以下の実施形態や本発明に関する全ての利点を記載したものではない。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。尚、本発明はこれらの実施形態に限定されない。
本実施形態の強誘電体セラミックスは、Ｎｂを有するタングステンブロンズ型酸化物、及び酸化物助剤を含む。以下、各成分を詳細に説明する。
<<Ｎｂを有するタングステンブロンズ型酸化物>>
タングステンブロンズ型酸化物は、下記組成式（１）：
ＡｘＢＯ３＋α      ・・・（１）
｛式中、Ａは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、及びＥｒからなる群から選択される少なくとも一つの元素を表し、Ｂは、少なくともＮｂを含むが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、及びＷからなる群から選択される元素をさらに含んでいてもよく、ｘは、Ｂ元素の合計に対するＡ元素の合計の比を表し、０＜ｘ≦１であり、（３＋α）は、Ｂ元素の合計に対する酸素原子の組成比を表し、−１≦α≦１である。｝で表される。
【０００９】
Ａは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、及びＥｒからなる群の中から２つ以上の元素が含まれていてもよい。
Ｂは、少なくともＮｂを含むが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｗからなる群から選択される元素２種類以上をさらに含んでいてもよい。Ｂ元素の合計は、組成式（１）で１となる。
ｘは、Ｂ元素の合計に対するＡ元素の合計の比率であり、０＜ｘ≦１であり、好ましくは０．１≦ｘ＜１であり、より好ましくは０．２≦ｘ≦０．８であり、さらに好ましくは０．３≦ｘ≦０．７である。
αは、−１≦α≦１であり、結晶構造の安定性の観点から、好ましくは−０．５≦α≦０．５であり、調製の容易さの観点から、より好ましくは−０．４≦α≦０．４である。
【００１０】
本実施形態のタングステンブロンズ型酸化物がＮｂを含むことは、蛍光Ｘ線分析による組成分析により確認することができる。
組成式（１）のタングステンブロンズ型酸化物は、具体的には、ＳＢＮ（ニオブ酸ストロンチウムバリウム）、Ｂａ２ＫＮｂ５Ｏ１５、Ｂａ２ＬｉＮｂ５Ｏ１５、Ｂａ２ＡｇＮｂ５Ｏ１５、Ｂａ２ＲｂＮｂ５Ｏ１５、ＳｒＮｂ２Ｏ６、Ｓｒ２ＮａＮｂ５Ｏ１５、Ｓｒ２ＬｉＮｂ５Ｏ１５、Ｓｒ２ＫＮｂ５Ｏ１５、Ｓｒ２ＲｂＮｂ５Ｏ１５、Ｂａ３Ｎｂ１０Ｏ２８、Ｋ３Ｌｉ２Ｎｂ５Ｏ１５、Ｋ２ＲＮｂ５Ｏ１５（Ｒ：Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ）、Ｋ２ＢｉＮｂ５Ｏ１５、Ｂａ２ＮａＮｂ５Ｏ１５、Ｂａ２ＫＮｂ５Ｏ１５ＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５、ＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５等のタングステンブロンズ型酸化物、これらの固溶体等が挙げられる。
【００１１】
本実施形態のタングステンブロンズ型酸化物は、ＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５又はＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５であることが特に好ましい。
【００１２】
本実施形態の強誘電体セラミックスがタングステンブロンズ型酸化物を有することは、強誘電体セラミックスをＣｕＫα線をＸ線源とするＸ線回折（以下、単に「ＸＲＤ」ともいう）測定し、タングステンブロンズ型酸化物に帰属されるピークを有することにより、確認することができる。例えば、強誘電体セラミックスをＸＲＤ測定し、ＰＤＦカード番号００−３４―０１０８に記載の面間隔のピークを有する場合、ＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５が含まれることが確認でき、ＰＤＦカード番号００−３４―０４２９に記載の面間隔のピークを有する場合は、ＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を含むことが確認できる。
誘電体セラミックスがＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を含む場合、その格子定数ａは、１２．４６超１２．５４未満であると、−５５℃〜２００℃の温度範囲での比誘電率のばらつきが小さくなるため、好ましい。ＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５単体の格子定数ａは１２．４６であるが、酸化物助剤の種類と質量濃度、及び成形焼成条件を調整して調製した、格子定数ａが１２．４６超１２．５４未満となったＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を含む強誘電体セラミックスは、驚くべきことに−５５℃〜２００℃の温度範囲での比誘電率のばらつきが小さくなること、さらに驚くべきことに、格子定数ａが１２．５４以上となると、−５５℃から２００℃の温度範囲での比誘電率のばらつきが再び大きくなることを、発明者らは予想外に発見した。格子定数ａは、より好ましくは１２．４７以上１２．５３以下であり、さらに好ましくは１２．４８以上１２．５２以下である。格子定数ａが１２．４６超１２．５４未満であることは、ＸＲＤを測定し、（４００）面のピークが２θ＝２８．４４７４°超２８．６３３９°未満に現れることから、確認することができる。
ＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を含む強誘電体セラミックスを調製する場合、比較的低温で焼成することで、格子定数ａを１２．４６超１２．５４未満としながら、相対密度８０%以上まで焼結することができる。比較的低温で焼成するためには、成形圧力は高めとし、焼成時の雰囲気は酸素濃度を高めることが好ましい。例えば、酸化物助剤としてＺｒＯ２またはＴａ２Ｏ５またはその両方を選択して、質量濃度を０．５％以上１０％以下の範囲とした場合、焼成温度は１３００℃未満、成形圧力を１５０ＭＰａ以上とし、酸素濃度は５０％以上とすることが好ましい。例えば、成形圧力を２００ＭＰａ、焼成時の酸素濃度を１００％（純酸素雰囲気）とした場合、１２５０℃で８時間焼成すると、格子定数ａを１２．４６超１２．５４未満としながら、相対密度８０%以上まで焼結することができる。
【００１３】
本実施形態の強誘電体セラミックスがＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を含む場合、その格子定数ａは、１２．３０以上１２．３５未満であると、−５５℃〜２００℃の温度範囲での比誘電率のばらつきが小さくなるため、好ましい。ＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５単体の格子定数ａは１２．３５であるが、酸化物助剤の種類と添加量、及び成形焼成条件を調整して調製した、格子定数ａが１２．３０以上１２．３５未満となったＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を含む強誘電体セラミックスは、驚くべきことに−５５℃〜２００℃の温度範囲での比誘電率のばらつきが小さくなること、さらに驚くべきことに、格子定数ａが１２．３０未満となると、−５５℃〜２００℃の温度範囲での比誘電率のばらつきが再び大きくなることを、発明者らは予想外に発見した。格子定数ａは、より好ましくは１２．３１以上１２．３４以下であり、さらに好ましくは１２．３２以上１２．３４以下である。格子定数ａが１２．３０以上１２．３５未満であることは、ＸＲＤを測定し、（４００）面のピークが２θ＝２８．８９４５°超２９．０１４５°以下に現れることから、確認することができる。
ＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を含む強誘電体セラミックスを調製する場合、比較的低温で焼成することで、格子定数ａを１２．３０以上１２．３５未満としながら、相対密度８０%以上まで焼結することができる。比較的低温で焼成するためには、成形圧力は高めとし、焼成時の雰囲気は酸素濃度を高めることが好ましい。例えば、酸化物助剤としてＺｒＯ２またはＴａ２Ｏ５またはその両方を選択して、質量濃度を０．５％以上１０％以下の範囲とした場合、焼成温度は１４００℃未満、成形圧力を１５０ＭＰａ以上とし、酸素濃度は５０％以上とすることが好ましい。例えば、成形圧力を２００ＭＰａ、焼成時の酸素濃度を１００％（純酸素雰囲気）とした場合、１３００℃で８時間焼成すると、格子定数ａを１２．３０以上１２．３５未満としながら、相対密度８０%以上まで焼結することができる。
【００１４】
<<酸化物助剤>>
本実施形態の酸化物助剤としては、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ｚｒ、又はＴａの酸化物が挙げられる。各々の元素の代表的な酸化物としては、Ｂ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｐ２Ｏ５、ＧｅＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５が知られているが、酸化物助剤としては、例えば、ＳｉＯ等の部分酸化物であっても構わない。また、結晶質であっても、非晶質であっても構わない。
本実施形態の酸化物助剤は、好ましくはＢ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５であり、より好ましくはＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５である。強誘電体セラミックスは、酸化物助剤として２種類以上が含まれていてもよい。
酸化物助剤の含有量は、質量濃度（％）として０．０１％以上５０％未満が好ましく、より好ましくは、０．１％以上４０％以下であり、さらに好ましくは０．３％以上３０％以下であり、最も好ましくは０．５％以上２０％以下である。
酸化物助剤の含有量（質量濃度）は、後述する組成分析法で示すように、Ｘ線蛍光分析によりバルクの酸化物として、測定することができる。本実施形態において、酸化物助剤は、酸化物として単独で存在していてもよいし、タングステンブロンズ型酸化物の構成元素を置換していてもよいし、タングステンブロンズ型酸化物と固溶していてもよいし、タングステンブロンズ型酸化物の構成元素と新たな複合酸化物を形成していてもよい。
【００１５】
<<強誘電体セラミックス>>
本明細書中、強誘電体セラミックスとは、強誘電性を有するセラミックスのことをいい、強誘電性とは、外部に電場がなくても電気双極子が整列しており、かつ、双極子の方向が電場によって変化できる性質のことを指す。
【００１６】
本明細書中、セラミックスとは、無機物を焼結したセラミックスのことを指す。
本実施形態における強誘電体セラミックスは、前記タングステンブロンズ型酸化物またはその原料又はその前駆体と、前記酸化物助剤の成分とを混合し、成形・焼成することにより得られる。非特許文献１にも開示されている通り、Ｎｂを有するタングステンブロンズ型酸化物を含むセラミックスは、強誘電体セラミックスとなることが知られている。
【００１７】
<<比誘電率>>
本明細書中、「比誘電率」とは、測定試料の両側に電極を作製してコンデンサを形成し，ＬＣＲメーターを用いて、周波数１ｋＨｚにおいて測定して、複素数として求まる比誘電率の実部のことを指す。
−５５℃から２００℃の範囲における比誘電率の最大値εｍａｘと最小値εｍｉｎは、（εｍａｘ−εｍｉｎ）／（εｍａｘ＋εｍｉｎ）≦０．４の関係を満たすことがと好ましく、より好ましくは、（εｍａｘ−εｍｉｎ）／（εｍａｘ＋εｍｉｎ）≦０．３、さらに好ましくは（εｍａｘ−εｍｉｎ）／（εｍａｘ＋εｍｉｎ）≦０．２の関係を満たす。
【００１８】
本実施形態の強誘電体セラミックスは、−５５℃から２００℃の温度範囲内での比誘電率のばらつきを小さくする観点から、−５５℃〜２００℃の範囲において、比誘電率の最大値εｍａｘが５０００未満であることが好ましい。より好ましくは、εｍａｘは４０００以下であり、さらに好ましくはεｍａｘは３０００以下である。
【００１９】
本実施形態の強誘電体セラミックスは、広い温度範囲で比誘電率の分布を小さくする観点から、Ｘ軸を温度、Ｙ軸を比誘電率としたグラフのＸが−５５℃〜２００℃の範囲において、比誘電率が極大値を２つ以上有することが好ましい。
【００２０】
本実施形態の強誘電体セラミックスは、広い温度範囲で比誘電率の分布を小さくする観点から、キュリー温度が８０℃以上１９０℃以下であることが好ましい。キュリー温度とは、３０℃から２００℃の範囲にみられる比誘電率のピークが極大値を示す温度、又は比誘電率が極大値を有さないショルダーピークを有する場合は、ショルダーピークを分離し得られるピークの頂点の温度のことを指す。
【００２１】
本実施形態の強誘電体セラミックスのキュリー温度はより好ましくは１００℃以上１８０℃以下であり、さらに好ましくは１２０℃以上１７０℃以下である。
【００２２】
本実施形態の強誘電体セラミックスは、比誘電率が高いほうが好ましい。具体的には、（εｍａｘ＋εｍｉｎ）／２≧１０００が好ましく、より好ましくは（εｍａｘ＋εｍｉｎ）／２≧１４００であり、さらに好ましくは（εｍａｘ＋εｍｉｎ）／２≧１８００である。
【００２３】
<<タングステンブロンズ型酸化物の製造方法>>
タングステンブロンズ型酸化物は、固相反応により製造することが可能である。固相反応におけるタングステンブロンズ型酸化物の原料としては、元素Ａ（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、及びＥｒからなる群から選択される少なくとも一つ又は２つ以上の元素）、及び元素Ｂ（少なくともＮｂを含むが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、及びＷからなる群から選択される元素をさらに１つ又は２つ以上含んでいてもよい）の酸化物、水酸化物、塩化物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、硫酸塩、アンモニウム塩、アルコキシド等を用いることができる。
【００２４】
上記原料を、例えば、ボールミル、遊星ボールミルなど等で粉砕混合した後、焼成することにより、タングステンブロンズ型酸化物を得ることができる。混合効率の観点から、各種原料を溶媒に溶解させた後に混合し、混合液を蒸発乾固した後、焼成する方法が好ましい。溶媒としては、アルコール等の有機溶媒も使用可能であるが、水でもよい。各種原料を混合した際、反応により沈殿を生じてもよい。また、各種原料を混合した際、酸や塩基を加えることで、加水分解反応や重合反応を行ってもよく、その結果沈殿を生じてもよい。酸や塩基は、焼成により除去が可能な観点から、有機酸、有機アミン、塩酸や硝酸、アンモニア水などを用いることが好ましい。蒸発乾固は、エバポレーターを使用するなどして、減圧下で行ってもよい。また、混合後沈殿の無い均一溶液を用いて、噴霧乾燥法により蒸発乾固し、得られた蒸発乾固体を焼成して、タングステンブロンズ型酸化物を調製してもよい。噴霧乾燥法による蒸発乾固温度は、１００℃〜３００℃で行うことが好ましい。噴霧乾燥は、簡易的には、１００℃〜３００℃に加熱した鉄板などのプレート上に、原料調合液を噴霧して行うことができる。
【００２５】
水溶媒への溶解性の低い元素は、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸等有機配位子を配位させた錯体溶液を原料溶液としてもよい。例えば、Ｎｂは、シュウ酸錯体水溶液を原料溶液として用いることが好ましい。シュウ酸／ニオブのモル比は、１以上１０以下であり、好ましくは２以上４以下である。
水溶媒中での原料の溶解性、分散性を向上するために、過酸化水素水を添加してもよい。例えば、過酸化水素水／ニオブのモル比は、好ましくは０．５以上１０以下、より好ましくは２以上６以下である。
【００２６】
水溶媒を使用して原材料を混合する際には、溶解度と熱分解性の観点から、用いる原料は、シュウ酸溶液や酢酸塩等の有機金属錯体や、有機塩、硝酸塩、塩化物が好ましい。
タングステンブロンズ型酸化物は、原料混合後、一度６００℃以上１１５０℃以下の温度で仮焼してタングステンブロンズ型酸化物の前駆体を得て、その前駆体を粉砕混合し、仮焼温度よりも高い温度で焼成して製造すると、副結晶が生成しにくく、好ましい。仮焼は、異なる温度で２回以上行ってもよい。特に、分解温度の異なる複数の成分からタングステンブロンズ型酸化物を製造する場合、各原料が分解する温度ごとに仮焼を行うことが好ましい。タングステンブロンズ型酸化物前駆体は、結晶性の低いタングステンブロンズ型酸化物であってもよいし、焼成によりタングステンブロンズ型酸化物に転移する中間体であってもよい。
【００２７】
焼成時間は、原料の分解や、タングステンブロンズ型酸化物生成の反応の進行度合いに応じて、適宜選択されるが、一焼成温度条件での焼成時間で３０分以上２０時間以内が好ましく、より好ましくは１時間以上１０時間以内である。
【００２８】
焼成時の雰囲気は、空気でもよいが、αを所望の値とするために、純酸素、窒素、アルゴン等の雰囲気で焼成してもよい。また、シュウ酸等有機物を添加して焼成することで、還元的に焼成し、α＜０とすることができる。
【００２９】
<<酸化物助剤の添加方法>>
酸化物助剤は、本実施形態の強誘電体セラミックス中で、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔａの酸化物の形態として存在してもよいし、タングステンブロンズ型酸化物の構成元素を置換していてもよいし、タングステンブロンズ型酸化物と固溶していてもよいし、タングステンブロンズ型酸化物の構成元素と新たな複合酸化物を形成していてもよい。強誘電体セラミックスは、タングステンブロンズ型酸化物又はその原料又はその前駆体に、酸化物助剤の成分が添加された後、成形焼成されて製造される。
このため、タングステンブロンズ型酸化物またはその原料又はその前駆体に添加される、酸化物助剤の成分（原料）としては、焼成により酸化物を形成するのであれば、どのような形態でも構わない。すなわち、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔａの酸化物、水酸化物、塩化物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、硫酸塩、アンモニウム塩、アルコキシド等を用いることができる。
【００３０】
酸化物助剤の成分を、タングステンブロンズ型酸化物またはその原料又はその前駆体に混合する際には、例えば、ボールミル、遊星ボールミルなど等で粉砕混合することができる。
混合効率の観点から、酸化物助剤の成分を溶媒に溶解させて溶液とした後に、タングステンブロンズ型酸化物またはその原料又はその前駆体をその溶液に混合し、混合液を蒸発乾固した後、焼成してもよい。溶媒としては、アルコール等の有機溶媒も使用可能であるが、水でもよい。混合の際、反応により沈殿を生じてもよい。また、原料を混合した際、酸や塩基を加えることで、加水分解反応や重合反応を行ってもよく、その結果沈殿を生じてもよい。酸や塩基は、焼成により除去が可能な観点から、有機酸、有機アミン、塩酸や硝酸、アンモニア水などを用いることが好ましい。蒸発乾固は、エバポレーターを使用するなどして、減圧下で行ってもよい。また、不溶性のタングステンブロンズ型酸化物またはその原料又はその前駆体に、酸化物原料を混合時沈殿させる場合には、蒸発乾固の代わりに濾過により溶媒を除去し、その後焼成してもよい。
【００３１】
また、タングステンブロンズ型酸化物またはその原料又はその前駆体と、酸化物助剤の成分を混合し、沈殿の無い均一分散液が得られるのであれば、その均一分散液を用いて、噴霧乾燥法により蒸発乾固し、得られた蒸発乾固体を仮焼し成形焼成して、強誘電体セラミックスを形成してもよい。噴霧乾燥法による蒸発乾固温度は、１００℃〜３００℃で行うことが好ましい。噴霧乾燥は、簡易的には、１００℃〜３００℃に加熱した鉄板などのプレート上に、原料調合液を噴霧して行うことができる。
水溶媒への溶解性の低い元素は、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸等有機配位子を配位させた錯体溶液を原料溶液としてもよい。例えば、Ｔａは、シュウ酸錯体水溶液を原料溶液として用いることが好ましい。シュウ酸／タンタルのモル比は、１以上１０以下であり、好ましくは２以上４以下である。
水溶媒中での原料の溶解性、分散性を向上するために、過酸化水素水を添加してもよい。例えば、過酸化水素水／タンタルのモル比は、好ましくは０．５以上１０以下、より好ましくは２以上６以下である。
【００３２】
水溶媒を使用して材料を混合する際には、溶解度と熱分解性の観点から、用いる原料は、シュウ酸溶液や酢酸塩等の有機金属錯体や、有機塩、硝酸塩、塩化物が好ましい。
タングステンブロンズ型酸化物またはその原料又はその前駆体に、酸化物助剤の成分を添加後、一度６００℃以上１１５０℃以下の温度で仮焼し、その仮焼した粉体を粉砕混合し、成形焼成して強誘電体セラミックスを製造すると、副結晶が生成しにくく、好ましい。
酸化物助剤の成分添加後の仮焼の焼成時間は、酸化物助剤の成分の分解や、反応の進行度合いに応じて、適宜選択されるが、一焼成温度条件での焼成時間で３０分以上２０時間以内が好ましく、より好ましくは１時間以上１０時間以内である。
酸化物助剤の成分添加後の仮焼の焼成時の雰囲気は、空気でもよいが、酸化物助剤を還元するために、純酸素、窒素、アルゴン等の雰囲気で焼成してもよい。また、シュウ酸等有機物を添加して焼成することで、酸化物助剤を還元することができる。
【００３３】
緻密な強誘電体セラミックスを得る観点から、酸化物助剤の成分は、タングステンブロンズ型酸化物の原料に添加するよりも、タングステンブロンズ型酸化物の粉体またはその前駆体（仮焼粉体）に添加することが好ましい。タングステンブロンズ型酸化物の前駆体（仮焼粉体）に、酸化物助剤の成分を添加することが、より好ましい。
【００３４】
<<強誘電体セラミックスの製造方法>>
本実施形態の強誘電体セラミックスは、タングステンブロンズ型酸化物またはその前駆体またはその原料に、酸化物助剤の成分が添加された粉体を、金型プレス成形、ＣＩＰ成形等を行い、成形体とした後、焼成して製造される。成形する際には、金型プレス成形、ＣＩＰ成形、キャスト成形、射出成形、押し出し成形、グリーンシート成形等の成形方法を用いることが可能である。成形の際には、ポリビニルアルコール等、有機系の各種成形助剤を添加してもよい。
【００３５】
成形圧力は、１０ＭＰａ以上４００ＭＰａ以下であることが好ましい。成形圧力が１０ＭＰａ未満では、成形体の強度が不足し、４００ＭＰａ超では、加圧工程の所要時間が長くなり、生産性の観点から好ましくない。成形圧力は、より好ましくは１００ＭＰａ以上３５０ＭＰａ以下であり、さらに好ましくは１５０ＭＰａ以上３００ＭＰａ以下である。
【００３６】
成形体の相対密度は、３０％以上７０％以下であることが好ましい。３０％未満では成形体の強度が不足し、７０％超とするためには、高い成形圧力が必要となり、加圧工程の所要時間が長くなるため、生産性の観点から好ましくない。成形体を焼成し得られる強誘電体セラミックスの相対密度は、８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは９０％以上である。相対密度が８０％以下では、強誘電体セラミックスの比誘電率が低くなり、好ましくない。本実施形態の強誘電体セラミックスの成形体の相対密度は、タングステンブロンズ型酸化物となる単体化合物のバルク密度を１００％としたときの密度の測定値の相対的な大きさから求めた。
【００３７】
成形体の焼成温度は、９００℃以上１４００℃以下が好ましい。９００℃未満であると、成形体の焼結が進まず、強誘電体セラミックスの相対密度が低くなり、比誘電率が低くなり好ましくない。１４００℃超であると、タングステンブロンズ型酸化物が得られなかったり、焼成中の粘度低下のため、成形体と著しく異なる形状の強誘電体セラミックスしか得られないため、好ましくない。
【００３８】
酸化物助剤の成分添加後の仮焼の焼成時間は、成形体の焼結の進行度合いにより、適宜選択されるが、一焼成温度条件での焼成時間で３０分以上２０時間以内が好ましく、より好ましくは１時間以上１０時間以内である。焼成時の雰囲気は、空気でもよいが、上記組成式（１）：ＡｘＢＯ３＋α中のαを所望の値とするために、純酸素、窒素、アルゴン等の雰囲気で焼成してもよい。特に、純酸素雰囲気で焼成すると、相対密度の高い強誘電体セラミックスが得られるため、好ましい。
【実施例】
【００３９】
以下の実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれにより限定されるものではない。
［ペレットの調製法］
成形用粉体０．５ｇを直径１０ｍｍの錠剤成形機を使用して、成形圧力２００ＭＰａにて成形し、直径１０ｍｍ、厚み約２ｍｍのペレットを調製した。
【００４０】
[相対密度の測定法]
ペレットの厚みは中心部をマイクロメーターで測定して求め、ペレットの直径は直交する向きで２箇所ノギスで測定した測定値の平均値とし、（ペレットの直径（ｃｍ））２×３．１４／４×（ペレットの厚み（ｃｍ））からペレットの体積（ｃｍ３）を求めた。
電子天秤により、ペレットの重量（ｇ）を求め、ペレットの重量をペレットの体積で除して、ペレットの密度（ｇ／ｃｍ３）を求めた。
ＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を含む強誘電体セラミックスの場合は、相対密度（％）＝（ペレットの密度）／４．９８×１００として、相対密度を求めた。
ＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を含む強誘電体セラミックスの場合は、相対密度（％）＝（ペレットの密度）／５．０４×１００として、相対密度を求めた。
【００４１】
［比誘電率の測定法］
強誘電体セラミックスペレットの両面に、銀ペーストを使用して直径８ｍｍの電極を作製し、白金線を接続し、ヒューレットパッカード社製ＬＣＲメーター（品番４２８４Ａ）を使用し、２端子法にて比誘電率を測定した。測定周波数は１ｋＨｚとした。
試料はヒーター付きセルに設置し、液体窒素で−１９５．８℃まで冷却後、徐々に２００℃まで加熱し、各温度での比誘電率を測定した。
比誘電率測定時の強誘電体セラミックスペレットの温度は、ネツシン社製白金抵抗体ＵＮＲ−１４１−１００Ｓを用いて、アドバンテスト社製温度計（品番ＴＲ２１１４）により測定した。
−５５℃〜２００℃の範囲で、比誘電率の最大値εｍａｘと最小値εｍｉｎを求め、（εｍａｘ−εｍｉｎ）／（εｍａｘ＋εｍｉｎ）を求めた。
また、３０℃〜２００℃の範囲にみられる比誘電率のピークが極大値を示す温度、又は比誘電率が極大値を有さないショルダーピークを有する場合は、ショルダーピークを分離し得られるピークの頂点の温度をもとめ、キュリー温度とした。
−５５℃〜２００℃の範囲で、比誘電率が極大値を２つ以上有ししていた場合、以下の表１の「比誘電率２山」の行に「○」を、極大値を１つだけ有していた場合、「×」を記入した。
【００４２】
［組成分析法］
実施例および比較例の強誘電体セラミックスを粉砕し得られた粉体を、内径２５ｍｍ、厚さ５ｍｍ、幅３ｍｍの塩化ビニル製のリング内に充填し、プレス機により加圧成形して厚さ３ｍｍ程度のペレットとし、蛍光Ｘ線分析の測定試料とした。走査型蛍光Ｘ線分析装置ＺＳＸ  ＰｒｉｍｕｓＩＩ（商品名、株式会社リガク製）により、測定試料を全定性分析した後、試料モデルはバルク、成分形態は酸化物を選択し、ＳＱＸ計算を実施して、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、ＳｒＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５の質量濃度を測定した。
【００４３】
［Ｘ線回折（ＸＲＤ）の測定法、格子定数ａの計算方法］
ブルカー・エイエックスエス（株）製Ｄ８  ＡＤＶＡＮＣＥ型Ｘ線回折装置を使用して、Ｘ線回折（ＸＲＤ）の測定を行った。強誘電体セラミックスを、メノウ乳鉢で粉砕後、ＸＲＤ測定用セルに載せ、表面を平らにして測定した。Ｘ線源はＣｕＫα１＋ＣｕＫα２、管電圧は４０ｋＶ、管電流は４０ｍＡ、発散スリット（ＤＳ）：０．３°、Ｓｔｅｐ幅：０．０２°／ｓｔｅｐ、計数Ｔｉｍｅ：０．５ｓｅｃ、測定範囲：２θ＝５°〜９０°とした。
タングステンブロンズ型酸化物の格子定数ａは、（４００）面に相当するピークの２θを求め、そのθから、ａ＝１．５４０５９／２／ｓｉｎθ×４として求めた。（４００）面に相当するピークは、強誘電体セラミックスがＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を含む場合、ＰＤＦカード番号００−３４―０１０８記載の２θ値と強度を参照し、強誘電体セラミックスがＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を含む場合、ＰＤＦカード番号００−３４−０４２９記載の２θ値と強度を参照し同定した。
【００４４】
[実施例１]
Ｋ２ＣＯ３粉体６．９１ｇ、ＳｒＣＯ３粉体２９．５ｇ、Ｎｂ２Ｏ５粉体６６．５ｇを、イソプロパノール溶媒、直径１０ｍｍのプラスチックポリアミド製ボールとともに、５００ｍＬのプラスチックポリアミド製ボールミル容器に充填し、フリッチュ社製遊星型ボールミル装置Ｐ−５を使用し、２００ｒｐｍにて２０時間混合した。
混合後、エバポレーターによりイソプロパノール溶媒を留去し、混合粉体を得た。
この混合粉体９２．６ｇに、２００ｍＬのイソプロパノール溶媒を添加し、その後、撹拌しながらジルコニウムテトラプロポキシド（Ｚｒ（Ｃ３Ｈ７Ｏ）４）７０％１−プロパノール溶液を使用して、ジルコニウムテトラプロポキシドとして２．９５ｇを添加し、さらに４０ｍＬのイソプロパノール溶媒で希釈した１０ｍＬの１ｍｏｌ／Ｌの酢酸水溶液を添加し、２５℃で２４時間撹拌後、静置した。
その後、エバポレーターにより溶媒を留去し、得られた粉体を６００℃、８時間焼成し、仮焼粉体を得た。
仮焼粉体を成形用粉体としてペレットを作製し、純酸素雰囲気で１２５０℃、８時間焼成し、タングステンブロンズ型酸化物としてＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を、酸化物助剤としてＺｒＯ２を含む実施例１の強誘電体セラミックスを得た。
実施例１の強誘電体セラミックスの相対密度測定結果、組成分析結果、誘電率測定結果、ＸＲＤ測定結果を、以下の表１に示す。
【００４５】
[実施例２]
Ｋ２ＣＯ３粉体６．９１ｇ、ＳｒＣＯ３粉体２９．５ｇ、Ｎｂ２Ｏ５粉体６６．５ｇを、実施例１と同様に混合して、混合粉体を得た。
この混合粉体９２．６ｇに、２００ｍＬのイソプロパノール溶媒を添加し、その後、撹拌しながらタンタルペンタエトキシド（Ｔａ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）５）１１．０ｇと、４０ｍＬのイソプロパノール溶媒で希釈した１０ｍＬの１ｍｏｌ／Ｌの酢酸水溶液を添加し、２５℃で２４時間撹拌後、静置した。
その後、エバポレーターにより溶媒を留去し、得られた粉体を６００℃、８時間焼成し、仮焼粉体を得た。
仮焼粉体を成形用粉体としてペレットを作製し、純酸素雰囲気で１２５０℃、８時間焼成し、タングステンブロンズ型酸化物としてＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を、酸化物助剤としてＴａ２Ｏ５を含む実施例２の強誘電体セラミックスを得た。
実施例２の強誘電体セラミックスの相対密度測定結果、組成分析結果、誘電率測定結果、ＸＲＤ測定結果を、以下の表１に示す。
【００４６】
[実施例３]
Ｎａ２ＣＯ３粉体５．３０ｇ、ＳｒＣＯ３粉体２９．５ｇ、Ｎｂ２Ｏ５粉体６６．５ｇを、実施例１と同様の方法で混合し、混合粉体を得た。
混合粉体を１１５０℃８時間焼成し、仮焼粉体を得た。
仮焼粉体８１．３ｇに、ＺｒＯ２粉体１．１１ｇを添加し、イソプロパノール溶媒、直径３ｍｍのジルコニア製ボールとともに、５００ｍＬのジルコニア製ボールミル容器に充填し、フリッチュ社製遊星型ボールミル装置Ｐ−５を使用し、２００ｒｐｍにて１時間混合した。
その後、エバポレーターにより溶媒を留去し、成形用粉体を得た。
成形用粉体からペレットを作製し、純酸素雰囲気で１３００℃、８時間焼成し、タングステンブロンズ型酸化物としてＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を、酸化物助剤としてＺｒＯ２を含む実施例３の強誘電体セラミックスを得た。
実施例３の強誘電体セラミックスの相対密度測定結果、組成分析結果、誘電率測定結果、ＸＲＤ測定結果を、以下の表１に示す。
【００４７】
[実施例４]
Ｎａ２ＣＯ３粉体５．３０ｇ、ＳｒＣＯ３粉体２９．５ｇ、Ｎｂ２Ｏ５粉体６６．５ｇを、実施例１と同様の方法で混合し、混合粉体を得た。
この混合粉体９１．２ｇに、２００ｍＬのイソプロパノール溶媒を添加し、その後、撹拌しながらタンタルペンタエトキシド（Ｔａ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）５）３．６６ｇと、４０ｍＬのイソプロパノール溶媒で希釈した１０ｍＬの１ｍｏｌ／Ｌの酢酸水溶液を添加し、２５℃で２４時間撹拌後、静置した。
その後、エバポレーターにより溶媒を留去し、得られた粉体を６００℃、８時間焼成し、仮焼粉体を得た。
仮焼粉体を成形用粉体としてペレットを作製し、純酸素雰囲気で１３００℃、８時間焼成し、タングステンブロンズ型酸化物としてＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を、酸化物助剤としてＴａ２Ｏ５を含む実施例４の強誘電体セラミックスを得た。
実施例４の強誘電体セラミックスの相対密度測定結果、組成分析結果、誘電率測定結果、ＸＲＤ測定結果を、以下の表１に示す。
【００４８】
[実施例５]
Ｋ２ＣＯ３粉体６．９１ｇ、ＳｒＣＯ３粉体２９．５ｇ、Ｎｂ２Ｏ５粉体６６．５ｇを、実施例１と同様に混合して、混合粉体を得た。
混合粉体を１１５０℃８時間焼成し、仮焼粉体を得た。
仮焼粉体８２．７ｇに、ＺｒＯ２粉体０．１１１ｇ、Ｔａ２Ｏ５粉末３．９８ｇを添加し、イソプロパノール溶媒、直径３ｍｍのジルコニア製ボールとともに、５００ｍＬのジルコニア製ボールミル容器に充填し、フリッチュ社製遊星型ボールミル装置Ｐ−５を使用し、２００ｒｐｍにて１時間混合した。
その後、エバポレーターにより溶媒を留去し、成形用粉体を得た。
成形用粉体からペレットを作製し、純酸素雰囲気で１２５０℃、８時間焼成し、タングステンブロンズ型酸化物としてＫＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を、酸化物助剤としてＺｒＯ２とＴａ２Ｏ５を含む実施例５の強誘電体セラミックスを得た。
実施例５の強誘電体セラミックスの相対密度測定結果、組成分析結果、誘電率測定結果、ＸＲＤ測定結果を、以下の表１に示す。
【００４９】
[実施例６]
Ｎａ２ＣＯ３粉体５．３０ｇ、ＳｒＣＯ３粉体２９．５ｇ、Ｎｂ２Ｏ５粉体６６．５ｇを、実施例１と同様の方法で混合し、混合粉体を得た。
混合粉体を１１５０℃８時間焼成し、仮焼粉体を得た。
仮焼粉体８１．３ｇに、ＺｒＯ２粉体０．１１１ｇとＴａ２Ｏ５粉末１．９９ｇを添加し、イソプロパノール溶媒、直径３ｍｍのジルコニア製ボールとともに、５００ｍＬのジルコニア製ボールミル容器に充填し、フリッチュ社製遊星型ボールミル装置Ｐ−５を使用し、２００ｒｐｍにて１時間混合した。
その後、エバポレーターにより溶媒を留去し、成形用粉体を得た。
成形用粉体からペレットを作製し、純酸素雰囲気で１３００℃８時間焼成し、タングステンブロンズ型酸化物としてＮａＳｒ２Ｎｂ５Ｏ１５を、酸化物助剤としてＺｒＯ２とＴａ２Ｏ５を含む実施例６の強誘電体セラミックスを得た。
実施例６の強誘電体セラミックスの相対密度測定結果、組成分析結果、誘電率測定結果、ＸＲＤ測定結果を、以下の表１に示す。
【００５０】
[比較例１]
Ｋ２ＣＯ３粉体６．９１ｇ、ＳｒＣＯ３粉体２９．５ｇ、Ｎｂ２Ｏ５粉体６６．５ｇを、実施例１と同様に混合して、混合粉体を得た。
混合粉体を１２００℃４時間焼成し、仮焼粉体を得た。
仮焼粉体８２．７ｇに、１．２６ｇ（仮焼粉体の１．５２重量％）のＺｒＯ２粉末を添加し、イソプロパノール溶媒、直径３ｍｍのジルコニア製ボールとともに、５００ｍＬのジルコニア製ボールミル容器に充填し、フリッチュ社製遊星型ボールミル装置Ｐ−５を使用し、２００ｒｐｍにて１時間混合した。
その後、エバポレーターにより溶媒を留去し、成形用粉体を得た。
成形用粉体を、錠剤成形機を用いて１００ＭＰａで成形し、得られたペレットを空気中で１３００℃２時間焼成し、比較例１の強誘電体セラミックスを得た。
比較例１の強誘電体セラミックスの相対密度測定結果、組成分析結果、誘電率測定結果、ＸＲＤ測定結果を、以下の表１に示す。
【００５１】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の強誘電体セラミックスは、タングステンブロンズ型酸化物と酸化物助剤を含み、−５５℃〜２００℃の範囲において比誘電率のばらつきが小さいため、例えば、車載用や航空宇宙用等、広い温度範囲で利用されるキャパシタに用いることが可能である。