(57)【要約】      （修正有）【課題】生産負荷を低減し、かつ、封止樹脂との密着性が高いリードフレームの製造方法を提供する。【解決手段】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板１にＣｕストライクめっき層２を形成する工程と、Ｃｕストライクめっき層２上にＡｇめっき層３を形成する工程と、Ａｇめっき層３上の所定の領域に貴金属部分めっき層４を形成する工程と、貴金属部分めっき層４が形成されていない箇所の前記Ａｇめっき層３を剥離してＣｕストライクめっき層２を露出させる工程と、Ｃｕストライクめっき層２を露出させる工程により露出された全領域に粗化面を形成する工程と、粗化面を形成する工程後に前記貴金属部分めっき層４の余剰金属を除去する工程と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板にＣｕストライクめっき層を形成する工程と、
前記Ｃｕストライクめっき層上にＡｇめっき層を形成する工程と、
前記Ａｇめっき層上の所定の領域に貴金属部分めっき層を形成する工程と、
前記貴金属部分めっき層が形成されていない箇所の前記Ａｇめっき層を剥離して前記Ｃｕストライクめっき層を露出させる工程と、
前記Ｃｕストライクめっき層を露出させる工程により露出された全領域に粗化面を形成する工程と、
前記粗化面を形成する工程後に前記貴金属部分めっき層の余剰金属を除去する工程と、
を備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項２】
前記Ａｇめっき層は置換Ａｇめっき層であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項３】
前記貴金属部分めっきはＡｇめっきであることを特徴とする請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項４】
プレス又はエッチングによる加工を施したＣｕ又はＣｕ合金からなる金属板を用いたリードフレームの製造方法であって、前記金属板に局所的なＡｇめっき層を施す工程と、前記Ａｇめっき層を施す工程の後に前記金属板のＣｕ面に対して粗化処理を施す工程と、前記粗化処理を施す工程の後に前記Ａｇめっきのモレ部の剥離工程を備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の位置に半導体素子を載置した後に樹脂封止を行い、半導体パッケージを製造するためのリードフレームの製造方法、特に、封止樹脂と接触する領域に粗化面を形成するリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を用いた半導体パッケージの大多数は、モールドされたプラスチックパッケージを外郭としている。これは、プラスチックパッケージが小型、軽量であり、低コストで大量生産することができるためである。
【０００３】
そのような半導体パッケージの製造方法としては、Ｃｕ等の金属板から形成されるリードフレームの所定の位置にＩＣやＬＳＩといった半導体素子を載置し、その半導体素子とリードフレームの端子とをワイヤボンディングによって電気的に接続し、熱硬化性樹脂等によって樹脂封止を行う方法が知られている。
【０００４】
そして、そのような半導体パッケージの製造に用いられるリードフレームとしては、例えば特許文献１として示す特開２００７−１８０２４７号公報に開示されているように、半導体パッケージ製造後に行われるリフローはんだ等の際にリードフレームと封止樹脂との界面に剥がれが生じないように、リードフレームの封止樹脂と接触する領域に粗化面が形成されたものが知られている。
【０００５】
しかし、上記特許文献１に記載されている製造方法においては、粗化面を形成する際のマスキング部材として使用したＡｇめっき層を一度すべて除去する工程を経た後に、半導体素子の載置やワイヤボンディングのための下地処理として改めて貴金属部分めっき層を形成し、その後さらに余剰金属の除去処理を行っているため、工程が煩雑になるとともに、剥離や除去に用いる電力や薬液のコストが増加してしまい生産性が低下してしまうという問題、生産負荷が増大するという問題があった。
【０００６】
そこで、上記問題点に鑑みて本願出願人は特許文献２として示す特開２０１４−１１０３０２号公報に記載の、生産性が高く、めっき層や封止樹脂との密着性が高いリードフレームの製造方法を開発した。
【０００７】
以下に、図４及び図５を用いて、特許文献２のリードフレームの製造方法及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージの製造方法について説明する。 図４はリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図であり、図５は図４に示した製造方法のめっき表面の説明図である。 また、図中の符号のうち、１は金属板、２はＣｕストライクめっき層、３’はＡｇストライクめっき層、４は貴金属部分めっき層、６は半導体素子、７はボンディングワイヤ、８は封止樹脂、Ｊは治具を示している。
【０００８】
まず、図４（ａ）に示すように、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板１に対して切断や打ち抜き（プレス）、エッチング等の加工を行う。
【０００９】
次に、図４（ｂ）に示すように、金属板１の上面、下面及び側面の全領域に、電解めっきによって、１層からなるＣｕストライクめっき層２を形成する。
【００１０】
次に、図４（ｃ）に示すように、Ｃｕストライクめっき層２の上に、電解めっきによって、１層からなるＡｇストライクめっき層３’を形成する（図５の（ａ））。
【００１１】
次に、図４（ｄ）に示すように、Ａｇストライクめっき層３’上の所定の領域に、電解めっきによって、１層からなるＡｇ等による貴金属部分めっき層４を形成する（図５の（ｂ））。
【００１２】
次に、図４（ｅ）に示すように、治具Ｊにより、貴金属部分めっき層４が形成されている領域及び粗化面を形成しない領域がマスキングされるように、金属板１を上下から挟み込んで保持する。そして、図４（ｆ）に示すように、マスキングされていない領域のＡｇストライクめっき層３’を、電解剥離法によって剥離してＣｕストライクめっき層２を露出させる（図５の（ｃ））。そして、図４（ｇ）に示すように、金属板１を治具Ｊからはずす。
【００１３】
次に、図４（ｈ）に示すように、剥離せずに残したＡｇストライクめっき層３’及び貴金属部分めっき層４をマスキング部材として、金属板１のＡｇストライクめっき層３’がない領域のＣｕストライクめっき層２を除去するとともに、その領域に粗化面を形成する（図５の（ｄ））。
【００１４】
次に、図４（ｉ）に示すように、金属板１の全領域に対し、貴金属部分めっき層４を形成する際に付着した余剰金属（例えば、貴金属部分めっき層４を形成した際の側面モレ等）と貴金属部分めっき層４の形成されていない領域のＡｇストライクめっき層３’を除去するための剥離処理を行ってＣｕストライクめっき層２を露出させ（図５の（ｅ））、リードフレームを形成する。
【００１５】
その後、図４（ｊ）に示すように、リードフレームの貴金属部分めっき層４が形成されている領域の一つに半導体素子６を載置するとともに、その他の領域に形成された貴金属部分めっき層４と半導体素子６の端子とをボンディングワイヤ７を用いてワイヤボンディングして電気的に接続する。そして、図４（ｋ）に示すように、封止樹脂８を用いて樹脂封止を行い、半導体パッケージを形成する。
【００１６】
このような製造方法により、特許文献１に示される製造方法に比べて、めっきに用いる金属素材や剥離のための薬剤を削減でき、また電力の削減も可能となって、生産性を向上させることができた。
【００１７】
一方、リードフレームの生産性の観点からは、パターン形成から粗化処理までのプロセスにおいてはリールｔｏリールに代表される連続処理が望ましく、例えば特許文献３として示す特開昭６２−１６３３５３号公報に開示されているようにパターン形成後のリードフレーム材に対する部分Ａｇめっき形成については、スポットめっき法が広く用いられている。また、部分Ａｇめっきなどの表面処理を施したリール状のリードフレーム材については、最終的にダウンセット等を施す後加工工程にて短冊状へと形成される。
【００１８】
ところで、上記特許文献３や特許文献４として示す特開平８−１６７６８３号公報に記載されているように、リードフレームに局所的にＡｇめっきを施す際にマスク開口部以外のところにもＡｇめっき液が浸入し、本来めっきを施すべきでない箇所にもめっきが形成されてしまうことが避け難い（以下、本願ではこのような経緯で形成されるめっき箇所を「めっきモレ部」または「側面めっきモレ部」と称する。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】特開２００７−１８０２４７号公報
【特許文献２】特開２０１４−１１０３０２号公報
【特許文献３】特開昭６２−１６３３５３号公報
【特許文献４】特開平８-１６７６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
特許文献２記載の製造方法は、特許文献１に記載されている製造方法に比べ生産負荷の低減に関しかなりの効果があることは確認されたが、部分的なＣｕ粗化エリアを形成するためにマスキング形成・除去の工程(図４(ｅ)〜（ｇ）)が必要なため、未だ製造工程が複雑であり、また、Ａｇストライクめっき層をＣｕ粗化液のマスキングとしてする必要性から、Ａｇストライクめっき層は剥離を前提としながらもある程度の膜厚が必要であり、未だ生産負荷の低減に関して不十分なものとなっている。
【００２１】
さらに、リードフレームの製造工程の最終段階で、側面めっきモレ部のＡｇ剥離・除去とともにマスキング用に残してあったＡｇストライクめっき層を除去（図５の(ｅ)）するようにしているため、Ａｇストライクめっきによるめっき層と貴金属部分めっきによるめっき層という二つの異なった厚さのめっき層を同時に剥離・除去しなければならないため、全てのＡｇめっき部分を均一に除去することが難しく、後述する特許文献３の場合と同様にＡｇめっきがバリとして残存してしまうおそれがある。
【００２２】
また、特許文献３に記載されているスポットめっき法による部分Ａｇめっき形成は、リードフレーム側面に対し、薄いＡｇめっき層、すなわち側面めっきモレ部が形成されてしまう。この側面めっきモレ部の下地Ｃｕ面は粗化処理のエッチング効果により、Ａｇめっきが下地Ｃｕ面から浮き上がることで剥れ易い状態となる。このような浮き上がったＡｇめっき部は、加工時の応力が加わることにより、バリ状に形成される。
【００２３】
このようにして発生したバリについては、最悪の場合、隣接するリード部などと接触することによってショートに至り、素子の信号が正確に伝送されず動作不良を引き起こしてしまう。
【００２４】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは生産負荷を低減し、かつ封止樹脂との密着性が高いリードフレームの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記の目的を達成するために、本発明のリードフレームの製造方法は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板にＣｕストライクめっき層を形成する工程と、前記Ｃｕストライクめっき層上にＡｇめっき層を形成する工程と、前記Ａｇめっき層上の所定の領域に貴金属部分めっき層を形成する工程と、前記貴金属部分めっき層が形成されていない箇所の前記Ａｇめっき層を剥離して前記Ｃｕストライクめっき層を露出させる工程と、前記Ｃｕストライクめっき層を露出させる工程により露出された全領域に粗化面を形成する工程と、前記粗化面を形成する工程後に前記貴金属部分めっき層の余剰金属を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２６】
また、本発明のリードフレームの製造方法は、前記Ａｇめっき層は置換Ａｇめっき層であることが好ましい。
【００２７】
また、本発明のリードフレームの製造方法は、前記貴金属部分めっきはＡｇめっきであることが好ましい。
【００２８】
また、本発明のリードフレームの製造方法は、プレス又はエッチングによる加工を施したＣｕ又はＣｕ合金からなる金属板を用いたリードフレームの製造方法であって、前記金属板に局所的なＡｇめっき層を施す工程と、前記Ａｇめっき層を施す工程の後に前記金属板のＣｕ面に対して粗化処理を施す工程と、前記粗化処理を施す工程の後に前記Ａｇめっきのモレ部の剥離工程を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、生産負荷を低減し、かつ封止樹脂との密着性が高いリードフレームの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施例に係るリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図２】図１に示した製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図１に示した製造方法のめっき表面の説明図である。
【図４】従来のリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図５】図４に示した従来の製造方法のめっき表面の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下に、本発明のリードフレームの製造方法及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージの製造方法の実施例について図面を参照しながら説明する。なお、各工程の説明及び図面は単純化したものである。また、使用する材料や薬液、めっきの厚さ等は、あくまでも本発明の態様の一例に過ぎず、本発明は例示される態様に限定されるものではない。
【実施例】
【００３２】
以下に、図１〜図３を用いて、実施例に係るリードフレームの製造方法及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージの製造方法について説明する。 図１は、この実施例に係るリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。図２は、図１に示した製造方法を示すフローチャートである。図３は、図１に示した製造方法のめっき表面の説明図である。 また、図中の符号のうち、１は金属板、２はＣｕストライクめっき層、３は置換Ａｇめっき層、４は貴金属部分めっき層、５は側面めっきモレ部、６は半導体素子、７はボンディングワイヤ、８は封止樹脂を示している。
【００３３】
まず、図１（ａ）に示すようにプレスまたはエッチングによる加工を施した（図２のステップＳ１１）Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板１の上面、下面及び側面の全領域に、脱脂・酸洗浄などの前処理を施す（図２のステップＳ１２）。
【００３４】
その後、図１（ｂ）に示すようにＣｕ又Ｃｕ合金からなる金属板１に対して電解Ｃｕめっきによって、１層からなるＣｕストライクめっき層２（めっき厚約０.０１〜１.００μm）を上面、下面及び側面の全領域に形成する（図２のステップＳ１３）。
【００３５】
なお、Ｃｕストライクめっき層２を形成する際に使用するＣｕストライクめっき浴としては、シアン化第一銅（ＣｕＣＮ）とシアン化カリウム（ＫＣＮ）を主成分として構成されるものが好ましい。
【００３６】
次に、図１（ｃ）に示すように、Ｃｕストライクめっき層２の上に、置換めっきによって、１層からなる置換Ａｇめっき層３（めっき厚約０.０５〜０.５μｍ）を形成する（図２のステップＳ１４、図３の（ａ））。
【００３７】
なお、置換Ａｇめっき層３を形成する際に使用する置換Ａｇめっき浴としては、シアン化銀カリウム（ＫＡｇ（ＣＮ）２）などのＡｇ塩によって構成されるものが好ましく、直後に置換防止工程による処理を施すことが必要である。
【００３８】
また、置換Ａｇめっき層３の代わりに、電解めっきによる薄Ａｇめっき層を形成しても良い。その場合に使用するめっき浴としては、Ａｇストライクめっき浴が好ましく、直後の置換防止工程は不要である。なお、この場合の浴構成としてはシアン化銀（ＡｇＣＮ）とシアン化カリウム（ＫＣＮ）を主成分とするものが好ましい。
【００３９】
次に、図１（ｄ）に示すように、置換Ａｇめっき層３上の所定の領域に、電解めっきによって、１層からなるＡｇ等による貴金属部分めっき層４（めっき厚約１.００〜１０.００μｍ）を形成する（図２のステップＳ１５、図３の（ｂ））。
【００４０】
なお、貴金属部分めっき層４を形成する際に使用する貴金属部分めっき浴としては、シアン化銀カリウム（ＫＡｇ（ＣＮ）２）とシアン化カリウム（ＫＣＮ）を主成分として構成されるものが好ましい。
【００４１】
また、この所定の領域に電解めっきにより貴金属部分めっき層４を形成するためには、例えば特許文献４として示す特開平８-１６７６８３号公報に開示されているように、プレスまたはエッチングによる加工を施した金属板１に対して、マスク用治具とプレスブロック部を押し当てると共に、金属板１に給電しつつ、めっき液を金属板１の所定箇所へ噴射させることによって、局所的なめっき層を形成する。
【００４２】
ここで、プレスブロック部においては、マスキング材として弾力性のあるゴムを使用することが知られている。マスキング材としてゴムを使用することは、プレスによる押し当ての力を加えることにより金属板１における加工部間（例えばリードフレームのリード間）などの隙間に食い込むことが可能となり、側面部へのめっき液の付着を制限することが出来ることから、側面めっきモレに対して効果的な手法と言える。
【００４３】
しかしながら、リード間の隙間が異なるパターンが形成されている金属板１に対しては、ゴムの食い込み不足により図１（ｄ）に示すような側面めっきモレ部５の発生と、食い込み過剰によるめっき欠けの問題が同時に発生してしまうことがある。また、使用回数を重ねることでマスキングゴムが劣化することにより、食い込み不足による側面めっきモレ部５が生じてしまう。
【００４４】
したがって、現行のめっき法では、図１（ｄ）に示すように貴金属部分めっき層４を形成するとそれと同時に側面めっきモレ部５が生じてしまう。そのため、側面めっきモレ部５を取り除く工程が新たに必要となり、その工程としては後述する図２のステップＳ１８が必要となる。
【００４５】
次に、図１(ｅ)に示すように、貴金属部分めっき層４を形成した後、貴金属部分めっき層４が形成されていない金属板１の全領域に対し置換Ａｇめっき層３を除去するための剥離処理を行い、Ｃｕストライクめっき層２を露出させる（図２のステップＳ１６、図３の（ｃ））。
【００４６】
なお、この剥離処理は、その後の粗化処理の阻害物質である貴金属部分めっき層４の形成されていない領域の置換Ａｇめっき層３が全て除去されるまで、金属板１を電解剥離液に接触させることによって行う。このような処理を行えば、置換Ａｇめっき層３と貴金属部分めっき層４の膜厚差によって、貴金属部分めっき層４とその下に形成されている置換Ａｇめっき層３のみを、金属板１に残すことができる。ただし、モレ部５は貴金属部分めっきが施されているため、この剥離処理では完全には剥離されずその下に形成されている置換Ａｇめっき層３も残っている。
【００４７】
また、剥離液としては、電解または浸漬処理のどちらでも使用することが可能だが、電流条件による剥離量の調整が可能であり、生産性の向上を見込めることからこの電解剥離液の方が好ましく、Ａｇのみを優先的及び支配的に剥離するもの、例えば、ヒダントインを主成分とする電解剥離液であればなお良い。
【００４８】
次に、図１（ｆ）に示すように、金属板１の置換Ａｇめっき層３がない全領域のＣｕストライクめっき層２を除去するとともに、その領域に粗化面を形成する（図２のステップＳ１７、図３の（ｄ））。
【００４９】
なお、粗化面は、金属板１に粗化液を接触させて形成する。その粗化液としては、金属板１を形成する金属系素材と反応してエッチングを抑制する有機化合物（例えば、銅と反応するベンゾトリアゾール等）を含むものが好ましい。本実施例においては、ベンゾトリアゾール、過酸化水素及び硫酸を粗化液の主成分としている。そのような有機化合物を含む粗化液であれば、その有機化合物が金属板１を形成する金属系素材と反応することによってエッチングが抑制されるため、金属板１の粗化液と接触した領域に微細な凹凸形状、すなわち、粗化面を容易に形成することができるからである。また、この際に形成する粗化面の表面粗さは、算術平均粗さＲａ＝０.２００〜０.６００μｍ程度となるようにすることが好ましい。なお、現在実際に市販されているリードフレーム用の金属板１の表面粗さは、ほとんどが算術平均粗さＲａ＝０.１２５〜０.１５０μｍ程度あるいはそれ以下である。
【００５０】
次に、図１（ｇ）に示すように、金属板１の全領域に対し、特に貴金属部分めっき層４を形成する際に付着した余剰金属（貴金属部分めっき層４を形成した際の側面めっきモレ部５）を主に除去するための剥離処理を行い（図２のステップＳ１８、図３の（ｅ））、また同時に側面めっきモレ部５の下に施されている置換Ａｇめっき層も剥離し、リードフレームを形成する。
【００５１】
なお、この剥離処理において、剥離量が少ない場合には側面めっきモレ部５が除去しきれないことで、その後の加工によるＡｇバリ発生の懸念は残存してしまう。また、剥離量が過剰であった場合には、貴金属部分めっき層に欠けが生じてしまう。
このことから、剥離液としては図１（ｅ）（図２のステップＳ１６）と同様に、電流条件による剥離量の調整が可能なことから電解剥離液の方が好ましい。また、Ａｇのみを優先的及び支配的に剥離するもの、例えば、ヒダントインを主成分とする電解剥離液であればなお良い。
【００５２】
その後、金属板１の中和処理、洗浄および乾燥等の後処理を行うことにより、金属板１への表面処理は完結する（図２のステップＳ１９）。
【００５３】
その後、ダウンセット等の後加工工程を施すことで、金属板１は短冊状のリードフレームを形成することが出来る（図２のステップＳ２０）。
【００５４】
その後、図１（ｈ）に示すように、リードフレームの貴金属部分めっき層４が形成されている領域の一つに半導体素子６を載置するとともに、その他の領域に形成された貴金属部分めっき層４と半導体素子６の端子とをボンディングワイヤ７を用いてワイヤボンディングして電気的に接続する。そして、図１（ｉ）に示すように、封止樹脂８を用いて樹脂封止を行い（図２のステップＳ２１）、半導体パッケージを形成する。このとき、形成した粗化面は封止樹脂８の内側になる。
【００５５】
上記のように、本実施例の製造方法においては、粗化面を形成した後に、主に側面めっきモレ部のような余剰金属を対象とした剥離処理を実施することで、後加工工程後のリードフレームにおける側面めっきモレ部由来のバリ発生は解消できる。また、本実施例の製造方法によって製造されたリードフレームは、従来の製造方法によって製造されたリードフレームよりも、Ａｇのバリが除去されているため粗化Ｃｕ面の樹脂密着性が向上している。
【００５６】
なお、上記各実施例では、貴金属Ａｇめっき後の剥離処理は浸漬処理にて行っているが、側面めっきモレ部の剥離を目的とした治具使用による噴射型電解剥離処理を浸漬処理の前工程として追加してもよい。ただし、粗化処理後の剥離処理については、形成されたＣｕ粗化粉が後工程へ持ち込まれることで製品取扱い不良の懸念があるため、剥離工程（図２のステップＳ１８）は必要である。
【００５７】
次に、本願発明を上記した特許文献２記載の製造方法と比較すると次の通りである。
本願発明は図３の（ｃ）に示す通り、貴金属部分めっきが施されていない箇所については、全て置換Ａｇめっきが除去されＣｕストライクめっき層が露出している。
これに対し、特許文献２に記載のものは図５の（ｃ）に示す通り、Ａｇストライクめっきは部分的に除去され、このＡｇストライクめっきが除去されている箇所のみＣｕストライクめっき層が露出している。
【００５８】
そして、本願発明は図３の（ｄ）に示す通り、Ｃｕストライクめっき層が露出している箇所、すなわち貴金属部分めっきが施されていない箇所全ての領域が粗化処理されている。
これに対し、特許文献２に記載のものは図５の（ｄ）に示す通り、Ｃｕストライクめっき層が露出している箇所のみ粗化処理が施され、図から明らかなように、貴金属部分めっきとＡｇストライクめっきと粗化Ｃｕが混在している。
【００５９】
そして、本願発明は図３の（ｅ）に示す通り、Ｃｕ粗化処理後に貴金属部分めっきにより形成されてしまった側面めっきモレ部を剥離除去する。
これに対し、特許文献２に記載のものは図５の（ｅ）に示す通り、Ｃｕ粗化処理後に貴金属部分めっきを施した際に形成されてしまった側面めっきモレ部を剥離除去するとともに、マスキング用に残してあったＡｇストライクめっき層を除去しＣｕストライクめっき層を露出させる。
【００６０】
上記製造方法の違いにより、本願発明は特許文献２に記載の製造方法に比べ次のような特徴を有している。
【００６１】
本願発明は貴金属部分めっき層が形成されていない箇所の置換Ａｇめっき層は全て除去(図３の（ｃ）)するため、そのためのマスキング形成・除去は不要である。一方、特許文献２に記載のものはＡｇストライクめっき層を部分的に除去（図５の（ｃ））し、最終段階でマスキング用に残しておいたＡｇストライクめっき層を除去（図５の(ｅ)）している。したがって、特許文献２に記載のものは、Ａｇストライクめっき層を部分的に残すためのマスキング形成・除去工程(図４(ｅ)〜（ｇ）)が必要となる。
【００６２】
また、本願発明はＣｕ粗化処理（図３の（ｄ））後に、側面めっきモレ部を対象にＡｇ剥離・除去(図３の(ｅ))を行っているため、Ｃｕ粗化工程で発生が想定されるＡｇの浮き上がりによるバリを完全に除去することが可能となる。一方、特許文献２に記載のものはＣｕ粗化処理後に側面めっきモレ部のＡｇ剥離・除去とともにマスキング用に残してあったＡｇストライクめっき層を除去（図５の(ｅ)）するようにしているため、Ａｇストライクめっきによるめっき層と貴金属部分めっきによるめっき層という二つの異なった厚さのめっき層を同時に剥離・除去しなければならず、全てのＡｇめっき部分を均一に除去することが難しく、場合によってはＡｇめっきがバリとして残存してしまうおそれがある。
【００６３】
なお、上記実施例は貴金属部分めっき層としてＡｇめっきの場合について説明したが、貴金属部分めっき層はＡｇめっきに限るものではなく、例えばＮｉめっきであってもよい。貴金属部分めっき層をＮｉめっきとする場合は、その下に施す置換めっきもＮｉめっきとする。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、リードフレーム及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージの生産性や品質の向上に極めて有用である。
【符号の説明】
【００６５】
１            金属板
２            Ｃｕストライクめっき層
３            置換Ａｇめっき層
３’          Ａｇストライクめっき層
４            貴金属部分めっき層
５            側面めっきモレ部
６            半導体素子
７            ボンディングワイヤ
８            封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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