(57)【要約】      （修正有）【課題】電子写真感光体等に使用する電荷輸送能を示す新規な化合物の提供。【解決手段】一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物。2017178795.tif 000026（Ｒａ１〜Ｒａ３、Ｒａ４１〜Ｒａ４５及びＲａ５〜Ｒａ１１は、夫々独立にＨ、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、シアノ基又はハロゲン原子、又はこれらの基が２つ以上組合せられてなる基、或いは一部は環を形成しても良い）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物。
【化１】
2017178795.tif 000024
（一般式（Ｃ１）中、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４１、Ｒａ４２、Ｒａ４３、Ｒａ４４、Ｒａ４５、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９、Ｒａ１０、及びＲａ１１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、シアノ基、ハロゲン原子、又はこれらの基が２つ以上組合せられてなる基を表す。ただし、Ｒａ１及びＲａ２、Ｒａ４１及びＲａ４２、Ｒａ４２及びＲａ４３、Ｒａ４３及びＲａ４４、Ｒａ４４及びＲａ４５、Ｒａ５及びＲａ６、Ｒａ８及びＲａ９、並びにＲａ１０及びＲａ１１は、それぞれ独立に、環を形成してもよい。）
【請求項２】
下記一般式（Ｃ２）で表される構造を有する請求項１に記載の化合物。
【化２】
2017178795.tif 000025
（一般式（Ｃ２）中、Ｒｂ１、Ｒｂ２、Ｒｂ３、Ｒｂ４１、Ｒｂ４２、Ｒｂ４３、Ｒｂ４４、Ｒｂ４５、Ｒｂ５、Ｒｂ６、Ｒｂ７、Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｃ３、Ｒｃ４１、Ｒｃ４２、Ｒｃ４３、Ｒｃ４４、Ｒｃ４５、Ｒｃ５、Ｒｃ６、及びＲｃ７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、シアノ基、ハロゲン原子、又はこれらの基が２つ以上組合せられてなる基を表す。ただし、Ｒｂ１及びＲｂ２、Ｒｂ４１及びＲｂ４２、Ｒｂ４２及びＲｂ４３、Ｒｂ４３及びＲｂ４４、Ｒｂ４４及びＲｂ４５、Ｒｂ５及びＲｂ６、Ｒｃ１及びＲｃ２、Ｒｃ４１及びＲｃ４２、Ｒｃ４２及びＲｃ４３、Ｒｃ４３及びＲｃ４４、Ｒｃ４４及びＲｃ４５、並びにＲｃ５及びＲｃ６は、それぞれ独立に、環を形成してもよい。）
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の化合物を含有する膜を備える光電変換デバイス。
【請求項４】
導電性基体と、
前記導電性基体上に、請求項１又は請求項２に記載の化合物を含有する感光層と、
を備える電子写真感光体。
【請求項５】
前記感光層が、結着樹脂と、電荷発生材料と、正孔輸送材料と、を含む請求項４に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
導電性基体と、
前記導電性基体上に、請求項１又は請求項２に記載の化合物を含有する下引層と、
前記下引層上に、感光層と、
を備える電子写真感光体。
【請求項７】
請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【請求項８】
請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物、光電変換デバイス、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子写真感光体等に用いられる電荷輸送材料としては、種々のものが知られている。
【０００３】
例えば特許文献１には、電荷発生物質、有機正孔移動物質及び有機アクセプター性化合物が結着剤中に分散され、かつ有機アクセプター化合物として特定構造の化合物を用いた感光層を有する単層型電子写真用感光体が開示されている。
また特許文献２には、支持基体と支持基体上の単層とを含む光導電性撮像部材であって、前記単層が、光発生成分、電荷輸送成分、電子輸送成分、及びバインダーの混合物を含み、前記電子輸送成分が、特定の構造の（４−カルボニル−９−フルオレニリデン）マロノニトリルの２−エチルヘキサノール誘導体を含む光導電性撮像部材が開示されている。
【０００４】
また特許文献３には、特定構造を有するトリフェニルアミン誘導体を用いた電荷輸送材料及び電子写真感光体が開示されている。
また特許文献４には、導電性のベルト状基体上に、電荷輸送層塗膜を用いてベルト状電子写真感光体を製造する製造方法が開示されている。
【０００５】
また特許文献５には、少なくとも電荷発生顔料、正孔輸送剤及び電子輸送剤を結着樹脂中に分散させた感光層を導電性支持体上に設けてなる単層型電子写真感光体において、有効吸収厚み比（Ｒ）が特定範囲にある負帯電単層型電子写真感光体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−１２３９８１号公報
【特許文献２】特開２００５−２１５６７７号公報
【特許文献３】特開平８−２９５６５５号公報
【特許文献４】特開２００８−１５２０８号公報
【特許文献５】特開２０００−０１９７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、電荷輸送能を示す新規な化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は、以下の手段により解決される。
即ち、請求項１に係る発明は、
下記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物。
【０００９】
【化１】
2017178795.tif 000002
【００１０】
（一般式（Ｃ１）中、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４１、Ｒａ４２、Ｒａ４３、Ｒａ４４、Ｒａ４５、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９、Ｒａ１０、及びＲａ１１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、シアノ基、ハロゲン原子、又はこれらの基が２つ以上組合せられてなる基を表す。ただし、Ｒａ１及びＲａ２、Ｒａ４１及びＲａ４２、Ｒａ４２及びＲａ４３、Ｒａ４３及びＲａ４４、Ｒａ４４及びＲａ４５、Ｒａ５及びＲａ６、Ｒａ８及びＲａ９、並びにＲａ１０及びＲａ１１は、それぞれ独立に、環を形成してもよい。）
【００１１】
請求項２に係る発明は、
下記一般式（Ｃ２）で表される構造を有する請求項１に記載の化合物。
【００１２】
【化２】
2017178795.tif 000003
【００１３】
（一般式（Ｃ２）中、Ｒｂ１、Ｒｂ２、Ｒｂ３、Ｒｂ４１、Ｒｂ４２、Ｒｂ４３、Ｒｂ４４、Ｒｂ４５、Ｒｂ５、Ｒｂ６、Ｒｂ７、Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｃ３、Ｒｃ４１、Ｒｃ４２、Ｒｃ４３、Ｒｃ４４、Ｒｃ４５、Ｒｃ５、Ｒｃ６、及びＲｃ７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、シアノ基、ハロゲン原子、又はこれらの基が２つ以上組合せられてなる基を表す。ただし、Ｒｂ１及びＲｂ２、Ｒｂ４１及びＲｂ４２、Ｒｂ４２及びＲｂ４３、Ｒｂ４３及びＲｂ４４、Ｒｂ４４及びＲｂ４５、Ｒｂ５及びＲｂ６、Ｒｃ１及びＲｃ２、Ｒｃ４１及びＲｃ４２、Ｒｃ４２及びＲｃ４３、Ｒｃ４３及びＲｃ４４、Ｒｃ４４及びＲｃ４５、並びにＲｃ５及びＲｃ６は、それぞれ独立に、環を形成してもよい。）
【００１４】
請求項３に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の化合物を含有する膜を備える光電変換デバイス。
【００１５】
請求項４に係る発明は、
導電性基体と、
前記導電性基体上に、請求項１又は請求項２に記載の化合物を含有する感光層と、
を備える電子写真感光体。
【００１６】
請求項５に係る発明は、
前記感光層が、結着樹脂と、電荷発生材料と、正孔輸送材料と、を含む請求項４に記載の電子写真感光体。
【００１７】
請求項６に係る発明は、
導電性基体と、
前記導電性基体上に、請求項１又は請求項２に記載の化合物を含有する下引層と、
前記下引層上に、感光層と、
を備える電子写真感光体。
【００１８】
請求項７に係る発明は、
請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【００１９】
請求項８に係る発明は、
請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１、又は２に係る発明によれば、電荷輸送能を示す新規な化合物が提供される。
【００２１】
請求項３に係る発明によれば、電子輸送材料として後述の例示化合物（ＥＴ−５）で示される化合物のみを用いる場合に比べ、電気特性に優れた光電変換デバイスが提供される。
【００２２】
請求項４、５又は６に係る発明によれば、電子輸送材料として後述の例示化合物（ＥＴ−５）で示される化合物のみを用いる場合に比べ、帯電性能に優れた電子写真感光体が提供される。
【００２３】
請求項７、又は８に係る発明によれば、電子輸送材料として後述の例示化合物（ＥＴ−５）で示される化合物のみを用いた電子写真感光体のみを備える場合に比べ、画質欠陥の発生が抑制されたプロセスカートリッジ、又は画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。
【図２】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。
【図３】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。
【図４】本実施形態に係るプロセスカートリッジを備えた画像形成装置の概略断面図である。
【図５】本実施形態に係るタンデム型画像形成装置の概略断面図である。
【図６】本実施形態の有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略部分断面図である。
【図７】本実施形態の有機電界発光素子の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。
【図８】本実施形態の有機電界発光素子の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。
【図９】実施例にて合成した化合物４のＩＲスペクトルを示すグラフである。
【図１０】実施例にて合成した化合物１７のＩＲスペクトルを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２６】
＜化合物＞
本実施形態に係る化合物は、下記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する。
【００２７】
【化３】
2017178795.tif 000004
【００２８】
（一般式（Ｃ１）中、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４１、Ｒａ４２、Ｒａ４３、Ｒａ４４、Ｒａ４５、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９、Ｒａ１０、及びＲａ１１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、シアノ基、ハロゲン原子、又はこれらの基が２つ以上組合せられてなる基を表す。ただし、Ｒａ１及びＲａ２、Ｒａ４１及びＲａ４２、Ｒａ４２及びＲａ４３、Ｒａ４３及びＲａ４４、Ｒａ４４及びＲａ４５、Ｒａ５及びＲａ６、Ｒａ８及びＲａ９、並びにＲａ１０及びＲａ１１は、それぞれ独立に、環を形成してもよい。）
【００２９】
本実施形態は、電荷輸送能を示す新規な化合物を提供するものである。
なお、前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物は、優れた電荷輸送能（電子輸送能及び正孔輸送能の少なくとも一方）を示す。また、樹脂との相溶性にも優れる。
【００３０】
・用途
本実施形態に係る化合物は、例えば電荷輸送性が求められる用途に適する。例えば、光電変換デバイス（有機ＥＬデバイス、電子写真感光体等）における膜の形成や、太陽電池、有機トランジスター、に用いられる。
【００３１】
中でも、電子写真感光体において電荷輸送性が求められる膜（層）に適しており、特に単層型感光層（電荷発生能及び電荷輸送能を備える感光層）や、積層感光体の下引層に好適に用いられる。
【００３２】
ここで、通常の単層型感光層は、構成成分として結着樹脂、電荷発生材料、正孔輸送材料、及び電子輸送材料が全て含有された層であり、各成分同士の相溶性能によっては分離が生じることがあった。
なお、一般的に用いられる正孔輸送材料は極性が低く結着樹脂との相溶性に優れる一方で、電子輸送材料は正孔輸送材料に比べて極性が高く分離が生じることがあり、その結果電子輸送材料の分散性が低下して帯電性能に劣ることがあった。
【００３３】
これに対し、単層型感光層における電子輸送材料として本実施形態に係る化合物を用いることで帯電性能に優れた電子写真感光体が得られる。
これは、前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物が極性が低く結着樹脂との相溶性に優れるため、単層型感光層中での分散性に優れるためであると考えられる。またこれに加え、前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物が、優れた電子輸送能を示すためと考えられる。
【００３４】
次いで、本実施形態に係る化合物の構造について、詳細に説明する。
本実施形態に係る化合物は、前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する。なお、一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物の中でも、下記一般式（Ｃ２）で表される構造を有する化合物がより好ましい。
【００３５】
・一般式（Ｃ１）で表される構造
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４１、Ｒａ４２、Ｒａ４３、Ｒａ４４、Ｒａ４５、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９、Ｒａ１０、及びＲａ１１で表される各基について説明する。
アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。アルキル基が直鎖状又は分岐鎖状である場合の炭素数は１以上２０以下が好ましく、１以上１０以下がより好ましい。環状である場合の炭素数は３以上１０以下が好ましく、４以上８以下がより好ましい。またアルキル基には置換アルキル基及び無置換のアルキル基を含み、この置換基として後述のものが挙げられる。
直鎖状アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
分岐鎖状アルキル基の例としては、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、２−ペンチル基、３−ペンチル基、２−ヘキシル基等が挙げられる。
環状アルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基等が挙げられる。
置換アルキル基の例としては、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、モノフルオロエチル基、ジフルオロエチル基、トリフルオロエチル基、クロロメチル基、クロロエチル基、ジクロロエチル基、及びその各異性体等の基等のハロゲノ置換アルキル基；ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基等の水酸基で置換された基；アミノメチル基、２−アミノエチル基等のアミノ基で置換された基等が挙げられる。
【００３６】
アルキル基の好ましいものとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、及びシクロヘキシル基が挙げられる。
【００３７】
アルケニル基は、直鎖状、分岐鎖状のいずれであってもよい。またアルケニル基には置換アルケニル基及び無置換のアルケニル基を含み、この置換基として後述のものが挙げられる。
アルケニル基の例としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、へキセニル基、ヘプテニル基、ブタジエニル基、ヘキサトリエニル基、及びその各異性体等の基等が挙げられる。
【００３８】
アルキニル基は、直鎖状、分岐鎖状のいずれであってもよい。またアルキニル基には置換アルキニル基及び無置換のアルキニル基を含み、この置換基として後述のものが挙げられる。
アルキニル基とは、炭素数２以上６以下の直鎖又は分岐鎖状のアルキニル基が好ましく、その例としては、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、及びその各異性体等の基等が挙げられる。
【００３９】
アルコキシ基におけるアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。またアルコキシ基には置換アルコキシ基及び無置換のアルコキシ基を含み、この置換基として後述のものが挙げられる。好ましい炭素数は前記アルキル基の説明と同じであり、好ましい基の例も前記アルキル基の説明と同じである。
【００４０】
アリール基は、単環式（芳香族環を１つのみ有する基）、複環式（２つ以上の芳香族環が結合された基）、縮合環式（２つ以上の芳香族環が辺を共有する構造の基）のいずれであってもよい。また、複素環（芳香族環内に炭素以外の元素（ヘテロ元素）を有する基）であってもよい。炭素数（複素環の場合には芳香族環内のヘテロ元素も含む）は５以上２０以下が好ましく、５以上１０以下がより好ましい。またアリール基には置換アリール基及び無置換のアリール基を含み、この置換基として後述のものが挙げられる。
単環式アリール基の例としては、フェニル基、置換フェニル基、ピリジン環、チアゾール環、チオフェン環等のヘテロ原子を含むもの等が挙げられる。
複環式アリール基の例としては、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。
縮合環式アリール基の例としては、ナフチル基、インデニル基、アントリル基等が挙げられる。
置換アリール基の例としては、トリル基、キシリル基、インデニル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基等が挙げられる。
【００４１】
アリール基の好ましいものとしては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、及びトリル基が挙げられる。
【００４２】
アラルキル基におけるアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。またアラルキル基には置換アラルキル基及び無置換のアラルキル基を含み、この置換基として後述のものが挙げられる。好ましい炭素数は前記アルキル基の説明と同じであり、好ましい基の例も前記アルキル基の説明と同じである。
また、アラルキル基におけるアリール基としては、単環式、複環式、縮合環式、複素環のいずれであってもよい。また置換基を有していてもよく、この置換基として後述のものが挙げられる。好ましい炭素数（ヘテロ元素も含む）は前記アリール基の説明と同じであり、好ましい基の例も前記アリール基の説明と同じである。
【００４３】
なお、前述の通り、前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物の中でも、後述の一般式（Ｃ２）で表される構造を有する化合物がより好ましい。すなわち、アラルキル基の中でも、一般式（Ｃ１）においてＲａ１０で表される基については、下記基Ｒａ１０１であることがより好ましい。
【００４４】
【化４】
2017178795.tif 000005
【００４５】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００４６】
また、Ｒａ１及びＲａ２、Ｒａ４１及びＲａ４２、Ｒａ４２及びＲａ４３、Ｒａ４３及びＲａ４４、Ｒａ４４及びＲａ４５、Ｒａ５及びＲａ６、Ｒａ８及びＲａ９、並びにＲａ１０及びＲａ１１は、それぞれ独立に、環を形成してもよい。
前記環としては、環状アルキル基、アリール基が挙げられ、その例としては前記アルキル基の説明で挙げたもの、及び前記アリール基の説明で挙げたものが挙げられる。
前記環としては、フェニル基、置換フェニル基、シクロヘキシル基が好ましい。
【００４７】
ここで、各基に置換し得る前記置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、シアノ基、又はハロゲン原子が挙げられる。
【００４８】
また、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４１、Ｒａ４２、Ｒａ４３、Ｒａ４４、Ｒａ４５、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９、Ｒａ１０、及びＲａ１１で表される各基は、これらの基が２つ以上組合せられてなる基であってもよい。つまりアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、シアノ基、及びハロゲン原子からなる群より選択される２つ以上の基が組合せられてなる基であってもよい。
【００４９】
Ｒａ１及びＲａ２としては、水素原子、メチル基、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、シアノ基、臭素原子、又は塩素原子が好ましい。
【００５０】
Ｒａ３としては、水素原子、メチル基、又はフェニル基が好ましい。
【００５１】
Ｒａ４１乃至Ｒａ４５としては、水素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、又はＲａ４１乃至Ｒａ４５のうちの２つによって形成される環（例えばフェニル基）が好ましい。
【００５２】
Ｒａ５としては、化合物の安定性（分解の抑制）の観点から水素原子以外の基であることが好ましい。例えば、メチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、シクロヘキシル基等の環状のアルキル基、あるいはＲａ６との間で形成される環（例えばフェニル基等の芳香環）が好ましい。
【００５３】
Ｒａ６としては、水素原子、アルキル基、又はＲａ５との間で形成される環（例えばフェニル基）が好ましい。
【００５４】
Ｒａ７としては、水素原子、又はアルキル基が好ましい。
【００５５】
Ｒａ８及びＲａ１１としては、水素原子、メチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、シクロヘキシル基等の環状のアルキル基、あるいはＲａ９又はＲａ１０との間で形成される環（例えばフェニル基）が好ましい。
【００５６】
Ｒａ９及びＲａ１０としては、化合物の安定性（分解の抑制）、特性の観点から水素原子以外の基であることが好ましい。例えば、メチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、シクロヘキシル基等の環状のアルキル基、あるいはＲａ８又はＲａ１１との間で形成される環（例えばフェニル基）が好ましい。
【００５７】
・一般式（Ｃ２）で表される構造
一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物の中でも、下記一般式（Ｃ２）で表される構造を有する化合物が好ましい。
【００５８】
【化５】
2017178795.tif 000006
【００５９】
（一般式（Ｃ２）中、Ｒｂ１、Ｒｂ２、Ｒｂ３、Ｒｂ４１、Ｒｂ４２、Ｒｂ４３、Ｒｂ４４、Ｒｂ４５、Ｒｂ５、Ｒｂ６、Ｒｂ７、Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｃ３、Ｒｃ４１、Ｒｃ４２、Ｒｃ４３、Ｒｃ４４、Ｒｃ４５、Ｒｃ５、Ｒｃ６、及びＲｃ７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、シアノ基、又はハロゲン原子、又はこれらの基が２つ以上組合せられてなる基を表す。ただし、Ｒｂ１及びＲｂ２、Ｒｂ４１及びＲｂ４２、Ｒｂ４２及びＲｂ４３、Ｒｂ４３及びＲｂ４４、Ｒｂ４４及びＲｂ４５、Ｒｂ５及びＲｂ６、Ｒｃ１及びＲｃ２、Ｒｃ４１及びＲｃ４２、Ｒｃ４２及びＲｃ４３、Ｒｃ４３及びＲｃ４４、Ｒｃ４４及びＲｃ４５、並びにＲｃ５及びＲｃ６は、それぞれ独立に、環を形成してもよい。）
【００６０】
なお、一般式（Ｃ２）におけるＲｂ１とＲｃ１、Ｒｂ２とＲｃ２、Ｒｂ３とＲｃ３、Ｒｂ４１とＲｃ４１、Ｒｂ４２とＲｃ４２、Ｒｂ４３とＲｃ４３、Ｒｂ４４とＲｃ４４、Ｒｂ４５とＲｃ４５、Ｒｂ５とＲｃ５、Ｒｂ６とＲｃ６、及びＲｂ７とＲｃ７の組合せは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。ただし、全ての組合せが同じ基であることがより好ましい。
【００６１】
一般式（Ｃ２）においてＲｂ１、Ｒｂ２、Ｒｂ３、Ｒｂ４１、Ｒｂ４２、Ｒｂ４３、Ｒｂ４４、Ｒｂ４５、Ｒｂ５、Ｒｂ６、Ｒｂ７、Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｃ３、Ｒｃ４１、Ｒｃ４２、Ｒｃ４３、Ｒｃ４４、Ｒｃ４５、Ｒｃ５、Ｒｃ６、及びＲｃ７で表される各基（水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、シアノ基、ハロゲン原子、又はこれらの基が２つ以上組合せられてなる基）の好ましい態様は、それぞれ、前記一般式（Ｃ１）においてＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４１、Ｒａ４２、Ｒａ４３、Ｒａ４４、Ｒａ４５、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７、Ｒａ８、Ｒａ９、Ｒａ１０、及びＲａ１１で表される各基についての説明と同じである。
【００６２】
一般式（Ｃ２）におけるＲｂ１及びＲｃ１の好ましい基としては、前記一般式（Ｃ１）におけるＲａ１と同じである。また、一般式（Ｃ２）におけるＲｂ２とＲｃ２、Ｒｂ３とＲｃ３、Ｒｂ４１とＲｃ４１、Ｒｂ４２とＲｃ４２、Ｒｂ４３とＲｃ４３、Ｒｂ４４とＲｃ４４、Ｒｂ４５とＲｃ４５、Ｒｂ５とＲｃ５、Ｒｂ６とＲｃ６、及びＲｂ７とＲｃ７の好ましい基についても、それぞれ、前記一般式（Ｃ１）におけるＲａ２、Ｒａ３、Ｒａ４１、Ｒａ４２、Ｒａ４３、Ｒａ４４、Ｒａ４５、Ｒａ５、Ｒａ６、及びＲａ７と同じである。
【００６３】
ここで、一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物の具体例を示す。
なお、以下に示す具体例における表示の意味は下記の通りである。
「Ｐｈ」フェニル基、「ｔ−Ｂｕ」ターシャルブチル基、「ｃ−Ｈｅｘ」シクロヘキシル基、「１−Ｎｆｔ」１−ナフチル基、「４−ＭｅＰｈ」４−メチルフェニル基。
また、二つの欄にまたがって記載されている部分は、該二つの基が結合して環を形成していることを示す。
【００６４】
まず、一般式（Ｃ２）で表される構造を有し、かつＲｂ１とＲｃ１、Ｒｂ２とＲｃ２、Ｒｂ３とＲｃ３、Ｒｂ４１とＲｃ４１、Ｒｂ４２とＲｃ４２、Ｒｂ４３とＲｃ４３、Ｒｂ４４とＲｃ４４、Ｒｂ４５とＲｃ４５、Ｒｂ５とＲｃ５、Ｒｂ６とＲｃ６、及びＲｂ７とＲｃ７がいずれも同じ基である具体例（化合物１〜４０）を、以下に示す。
【００６５】
【化６】
2017178795.tif 000007
【００６６】
【化７】
2017178795.tif 000008
【００６７】
次いで、一般式（Ｃ２）で表される構造を有し、かつＲｂ１とＲｃ１、Ｒｂ２とＲｃ２、Ｒｂ３とＲｃ３、Ｒｂ４１とＲｃ４１、Ｒｂ４２とＲｃ４２、Ｒｂ４３とＲｃ４３、Ｒｂ４４とＲｃ４４、Ｒｂ４５とＲｃ４５、Ｒｂ５とＲｃ５、Ｒｂ６とＲｃ６、及びＲｂ７とＲｃ７のうち少なくとも一部が異なる基である具体例（化合物１０１〜１１０）を、以下に示す。
【００６８】
【化８】
2017178795.tif 000009
【００６９】
さらに、一般式（Ｃ２）には相当せず、一般式（Ｃ１）で表される構造を有する具体例（化合物２０１〜２１０）を、以下に示す。
【００７０】
【化９】
2017178795.tif 000010
【００７１】
・合成方法
ここで、前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物の合成方法について、スキームを示して説明する。
【００７２】
(1)スキーム１
まず、一般式（Ｃ２）で表される構造を有し、かつＲｂ１とＲｃ１、Ｒｂ２とＲｃ２、Ｒｂ３とＲｃ３、Ｒｂ４１とＲｃ４１、Ｒｂ４２とＲｃ４２、Ｒｂ４３とＲｃ４３、Ｒｂ４４とＲｃ４４、Ｒｂ４５とＲｃ４５、Ｒｂ５とＲｃ５、Ｒｂ６とＲｃ６、及びＲｂ７とＲｃ７がいずれも同じ基である化合物の合成方法について説明する。
【００７３】
なお、以下に示すスキームでは、便宜上、Ｒｂ１、Ｒｂ２、Ｒｂ３、Ｒｂ４１、Ｒｂ４２、Ｒｂ４３、Ｒｂ４４、Ｒｂ４５、Ｒｂ５、Ｒｂ６、Ｒｂ７、Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｃ３、Ｒｃ４１、Ｒｃ４２、Ｒｃ４３、Ｒｃ４４、Ｒｃ４５、Ｒｃ５、Ｒｃ６、及びＲｃ７を全て「ＲＡ」と表記する。
【００７４】
【化１０】
2017178795.tif 000011
【００７５】
原料ａ１に相当する化合物（例えばスチレン）と原料ａ２に相当する化合物（例えば１−ナフトール）とを、触媒（例えばＡｌ（ＯｉＰｒ）３）の存在下で反応させ、中間物質ａ３を得る。
次いで、酸素を与えながら（例えば液中に酸素をバブリングさせながら）、中間物質ａ３同士を反応させることで、化合物Ａが合成される。
【００７６】
ここで、原料ａ１に相当する化合物としては、例えば下記に示す原料ａ１−１〜ａ１−２１が挙げられる。また、原料ａ２に相当する化合物としては、例えば下記に示す原料ａ２−１〜ａ２−５が挙げられる。
【００７７】
【化１１】
2017178795.tif 000012
【００７８】
【化１２】
2017178795.tif 000013
【００７９】
【化１３】
2017178795.tif 000014
【００８０】
(2)スキーム２
次に、一般式（Ｃ２）で表される構造を有し、かつＲｂ１とＲｃ１、Ｒｂ２とＲｃ２、Ｒｂ３とＲｃ３、Ｒｂ４１とＲｃ４１、Ｒｂ４２とＲｃ４２、Ｒｂ４３とＲｃ４３、Ｒｂ４４とＲｃ４４、Ｒｂ４５とＲｃ４５、Ｒｂ５とＲｃ５、Ｒｂ６とＲｃ６、及びＲｂ７とＲｃ７のうち少なくとも一部が異なる基である化合物の合成方法について説明する。
【００８１】
なお、以下に示すスキームでは、便宜上、Ｒｂ１、Ｒｂ２、Ｒｂ３、Ｒｂ４１、Ｒｂ４２、Ｒｂ４３、Ｒｂ４４、Ｒｂ４５、Ｒｂ５、Ｒｂ６、Ｒｂ７を全て「ＲＡ」と表記し、Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｃ３、Ｒｃ４１、Ｒｃ４２、Ｒｃ４３、Ｒｃ４４、Ｒｃ４５、Ｒｃ５、Ｒｃ６、及びＲｃ７を全て「ＲＢ」と表記する。
【００８２】
【化１４】
2017178795.tif 000015
【００８３】
前記スキーム１に示す方法と同様にして、中間物質ａ３及び中間物質ｂ３を別々に得る。次いで、この中間物質ａ３と中間物質ｂ３との混合物に、酸素を与えながら（例えば液中に酸素をバブリングさせながら）反応させることで、化合物ＡＢ、化合物ＡＡ、及び化合物ＢＢの混合物が合成される。
その後精製を行ってもよく、こうして化合物ＡＢが得られる。
【００８４】
(3)スキーム３
次に、一般式（Ｃ２）には相当せず、一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物の合成方法について説明する。
【００８５】
なお、以下に示すスキームでは、便宜上、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４１、Ｒａ４２、Ｒａ４３、Ｒａ４４、Ｒａ４５、Ｒａ５、Ｒａ６、Ｒａ７を全て「ＲＡ」と表記し、Ｒａ８、Ｒａ９、Ｒａ１０、及びＲａ１１を全て「ＲＣ」と表記する。
【００８６】
【化１５】
2017178795.tif 000016
【００８７】
前記スキーム１に示す方法と同様にして、中間物質ａ３を得る。次いで、この中間物質ａ３に中間物質ｃを添加した混合物を準備し、酸素を与えながら（例えば液中に酸素をバブリングさせながら）反応させることで、化合物ＡＣ、化合物ＡＡ、及び化合物ＣＣの混合物が合成される。
その後精製を行ってもよく、こうして化合物ＡＣが得られる。
【００８８】
本実施形態に係る化合物は、例えば、光電変換デバイス（有機ＥＬデバイス、電子写真感光体等）における膜の形成や、太陽電池、有機トランジスター等の形成に用いられる。
【００８９】
＜光電変換デバイス＞
次いで、本実施形態に係る化合物を用いた光電変換デバイスについて説明する。
まず、光電変換デバイスの一例である電子写真感光体について説明する。
【００９０】
〔電子写真感光体〕
本実施形にかかる電子写真感光体は、導電性基体上に、前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物を含有する感光層を有する。
【００９１】
以下、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図面中、同一または相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。
【００９２】
図１は、本実施形態に係る電子写真用感光体の好適な一例を示す模式断面図である。図２乃至図３はそれぞれ他の実施形態に係る電子写真感光体を示す模式断面図である。
【００９３】
図１に示す電子写真感光体７Ａは、いわゆる機能分離型感光体（または積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、および保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２および電荷輸送層３により感光層が構成され、例えば下引層１に前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物が含有される。
【００９４】
図２に示す電子写真感光体７Ｂは、図１に示す電子写真感光体７Ａのごとく、電荷発生層２と電荷輸送層３とに機能が分離された機能分離型感光体である。
図２に示す電子写真感光体７Ｂにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、電荷輸送層３、電荷発生層２、および保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ｂにおいては、電荷輸送層３および電荷発生層２により感光層が構成され、例えば下引層１に前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物が含有される。
【００９５】
図３に示す電子写真感光体７Ｃは、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の層（単層型感光層６）に含有するものである。図３に示す電子写真感光体７Ｃにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に単層型感光層６が形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ｃにおいては、例えば単層型感光層６に前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物が含有される。
【００９６】
尚、図１、図２および図３に示す電子写真感光体において、下引層１、保護層５等は設けてもよいし、設けなくてもよい。
【００９７】
以下、本実施形態に係る電子写真感光体の各層について、代表例として図３に示す単層型感光層を備える電子写真感光体を例にして説明する。なお、符号は省略して説明する。
【００９８】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００９９】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【０１００】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて支持体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【０１０１】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【０１０２】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【０１０３】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【０１０４】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【０１０５】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【０１０６】
（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【０１０７】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【０１０８】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【０１０９】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【０１１０】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【０１１１】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【０１１２】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１３】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１４】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【０１１５】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【０１１６】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【０１１７】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【０１１８】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【０１１９】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【０１２０】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【０１２１】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【０１２２】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【０１２３】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【０１２４】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【０１２５】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【０１２６】
下引層には電子輸送材料を含んでいてもよい。電子輸送材料としては、本実施形態に係る化合物、つまり前述の一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物を用いることが好ましい。
【０１２７】
また、他の電子輸送材料を併用してもよく、例えば、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送材料が挙げられる。
具体的には、後述の（単層型の感光層）の項において説明する、ＥＴ−１〜ＥＴ−９の電子輸送材料が挙げられる。
【０１２８】
電子輸送材料の含有量は、例えば、全固形分に対して１質量％以上７０質量％以下がよく、好ましくは５質量％以上４０質量％以下、より好ましくは１０質量％以上３０質量％以下である。
【０１２９】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【０１３０】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１３１】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【０１３２】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１３３】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【０１３４】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１３５】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【０１３６】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【０１３７】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【０１３８】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【０１３９】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１４０】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１４１】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１４２】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【０１４３】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【０１４４】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【０１４５】
（単層型の感光層）
単層型の感光層は、例えば、結着樹脂（ａ）、電荷発生材料（ｂ）、正孔輸送材料（ｃ）、及び電子輸送材料（ｄ）を含んで構成され、さらにその他添加剤を含んでもよい。
【０１４６】
［結着樹脂（ａ）］
単層型の感光層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
【０１４７】
［電荷発生材料（ｂ）］
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【０１４８】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。
【０１４９】
中でも、電荷発生材料としてヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料からなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。
【０１５０】
・ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、特に制限はないが、Ｖ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がよい。
特に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、例えば、６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおいて、８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより優れた分散性が得られる観点から好ましい。電子写真感光体の材料として用いた場合に、優れた分散性と、十分な感度、帯電性及び暗減衰特性とが得られ易くなる。
【０１５１】
また、上記の８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が特定の範囲であることが好ましい。具体的には、平均粒径が０．２０μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であることがより好ましく、一方、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍ２／ｇ以上であることがより好ましく、５５ｍ２／ｇ以上１２０ｍ２／ｇ以下であることが特に好ましい。
平均粒径は、体積平均粒径（ｄ５０平均粒径）でレーザ回折散乱式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００、堀場製作所社製）にて測定した値である。また、ＢＥＴ式比表面積測定器（島津製作所製：フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。
ここで、平均粒径が０．２０μｍ以下であること、及び比表面積値が４５ｍ２／ｇ以上であることにより、顔料粒子の粗大化が抑制され、また顔料粒子の凝集体の形成が抑制され、分散性や、感度、帯電性及び暗減衰特性といった特性が向上し、それにより画質欠陥の発生が抑制される。
【０１５２】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の最大粒径（一次粒子径の最大値）は、１．２μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下であることがより好ましく、より好ましくは０．３μｍ以下である。かかる最大粒径が上記範囲以下であると、黒点の発生が抑制される。
【０１５３】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、感光体が蛍光灯などに暴露されたことに起因する濃度ムラを抑制する観点から、平均粒径が０．２μｍ以下、最大粒径が１．２μｍ以下であり、且つ、比表面積値が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。
【０１５４】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜に回折ピークを有するＶ型であることが好ましい。
【０１５５】
・クロロガリウムフタロシアニン顔料
クロロガリウムフタロシアニン顔料としては、特に制限はないが、電子写真感光体材料として優れた感度が得られる、ブラッグ角度（２θ±０．２°）７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°に回折ピークを有するものであることが好ましい。
クロロガリウムフタロシアニン顔料の好適な分光吸収スペクトルの最大ピーク波長、平均粒径、最大粒径、及び比表面積値は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と同様である。
【０１５６】
上記２種の電荷発生材料の総含有率は、感光層に対して０．８質量％以上１．５質量％以下であることが好ましい。総含有率が上記上限値以下であることで、感光層中での電荷発生層の凝集が抑制され、一方上記下限値以上であることで、感光体に求められる電荷発生能が発揮され易い。
尚、上限値としては、更に１．４質量％以下が好ましく、１．２５質量％以下がより好ましく、１．２質量％以下が更に好ましい。また、下限値としては、更に１．０５質量％以上が好ましく、１．１５質量％以上がより好ましい。
【０１５７】
また、感光層中にヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料を併用する場合、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料の含有比率は、２：８乃至８：２であることが好ましく、更に４：６乃至７：３の範囲がより好ましく、５：５乃至６：４の範囲が更に好ましい。
含有比率が上記範囲内であることで、感光層中での電荷発生層の凝集が抑制される。
【０１５８】
［正孔輸送材料（ｃ）］
正孔輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送材料が挙げられる。
また、本実施形態に係る化合物、つまり前述の一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物を正孔輸送材料として用いてもよい。
これらの正孔輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【０１５９】
正孔輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（Ｂ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（Ｂ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【０１６０】
【化１６】
2017178795.tif 000017
【０１６１】
（構造式（Ｂ−１）中、ＲＢ１は、水素原子又はメチル基を示す。ｎ１１は１又は２を示す。ＡｒＢ１及びＡｒＢ２は、それぞれ独立に、置換若しくは未置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＢ３）＝Ｃ（ＲＢ４）（ＲＢ５）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ６）（ＲＢ７）を示し、ＲＢ３乃至ＲＢ７は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、又は置換若しくは未置換のアリール基を表す。）
【０１６２】
なお、上記置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、又は炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基が挙げられる。
【０１６３】
【化１７】
2017178795.tif 000018
【０１６４】
（構造式（Ｂ−２）中、ＲＢ８及びＲＢ８’は、同一でも異なってもよく、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＢ９、ＲＢ９’、ＲＢ１０及びＲＢ１０’は、同一でも異なってもよく、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは未置換のアリール基、−Ｃ（ＲＢ１１）＝Ｃ（ＲＢ１２）（ＲＢ１３）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ１４）（ＲＢ１５）を示し、ＲＢ１１乃至ＲＢ１５は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、又は置換若しくは未置換のアリール基を表す。ｍ１２、ｍ１３、ｎ１２及びｎ１３は、それぞれ独立に、０以上２以下の整数を示す。）
【０１６５】
ここで、構造式（Ｂ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び構造式（Ｂ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ６）（ＲＢ７）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＢ１４）（ＲＢ１５）」を有するベンジジン誘導体が望ましい。
【０１６６】
一般式（Ｂ−１）で表されるトリアリールアミン誘導体及び一般式（Ｂ−２）で表されるベンジジン誘導体を含め、本実施形態において感光層に用いられる正孔輸送材料の具体例としては、例えば下記の化合物が挙げられる。
【０１６７】
【化１８】
2017178795.tif 000019
【０１６８】
【化１９】
2017178795.tif 000020
【０１６９】
正孔輸送材料の含有量は、例えば、単層型の感光層の全固形分に対して１０質量％以上５０質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上４０質量％以下である。
【０１７０】
［電子輸送材料（ｄ）］
電子輸送材料としては、本実施形態に係る化合物、つまり前述の一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物を用いることが好ましい。
【０１７１】
また、他の電子輸送材料を併用してもよく、例えば、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送材料が挙げられる。
具体的には、下記ＥＴ−１〜ＥＴ−９の電子輸送材料が挙げられる。
【０１７２】
【化２０】
2017178795.tif 000021
【０１７３】
電子輸送材料の含有量は、単層型の感光層の全固形分に対し、５質量％以上４０質量％以下がよく、好ましくは１０質量％以上３０質量％以下である。単層型感光体の全固形分に対する電子輸送材料の含有量が前記範囲であることにより、前記範囲よりも少ない場合に比べて感光体の電気特性が良好となり、前記範囲よりも多い場合に比べて電気特性の低下が抑制され、形成された画像のかぶり及び黒点の発生が抑制される。
なお、電子輸送材料全体に対する、一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物の総量が、５質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましい。
【０１７４】
−正孔輸送材料と電子輸送材料との比率−
正孔輸送材料と電子輸送材料との比率は、質量比（正孔輸送材料：電子輸送材料）で、５０：５０以上９０：１０以下が好ましく、より好ましくは６０：４０以上８０：２０以下である。
【０１７５】
また、正孔輸送材料として前記構造式（Ｂ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体及び下記構造式（Ｂ−２）で示されるベンジジン誘導体の少なくとも一方を用い、かつ電子輸送材料として本実施形態に係る化合物（前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物）を用いることが好ましい。
【０１７６】
［その他添加剤］
単層型の感光層には、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の周知のその他添加剤を含んでいてもよい。また、単層型の感光層が表面層となる場合、フッ素樹脂粒子、シリコーンオイル等を含んでいてもよい。
【０１７７】
−単層型の感光層の形成−
単層型の感光層は、上記成分を溶剤に加えた感光層形成用塗布液を用いて形成される。
溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状若しくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は単独又は２種以上混合して用いる。
【０１７８】
感光層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
【０１７９】
感光層形成用塗布液を下引層上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
【０１８０】
単層型の感光層の膜厚は、好ましくは５μｍ以上６０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲に設定される。
【０１８１】
（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
【０１８２】
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
【０１８３】
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲＱ１３−Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。
【０１８４】
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
【０１８５】
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
【０１８６】
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
【０１８７】
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１８８】
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
【０１８９】
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
【０１９０】
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１９１】
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１９２】
［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
【０１９３】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【０１９４】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【０１９５】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【０１９６】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【０１９７】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【０１９８】
図４は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図４に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
【０１９９】
図４におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【０２００】
なお、図４には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【０２０１】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【０２０２】
−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【０２０３】
−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０２０４】
−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【０２０５】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【０２０６】
−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【０２０７】
−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０２０８】
−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【０２０９】
図５は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図５に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【０２１０】
〔有機ＥＬデバイス〕
次いで、光電変換デバイスの一例である有機ＥＬデバイスについて説明する。
【０２１１】
本実施形態にかかる有機ＥＬデバイスは、前記一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物（本実施形態に係る化合物）を含有する膜を有する。
【０２１２】
有機ＥＬデバイスや、太陽電池として用いる場合には、単層、あるいは積層のいずれの形態でも良く、いずれの層に用いてもよい。
【０２１３】
有機ＥＬデバイスの例として、有機電界発光素子について図を用いて詳述する。
図６乃至図８は、本実施形態の有機電界発光素子の実施の形態を示す模式的な断面図であり、２１は基板、２２は陽極、２３は正孔注入層、２４は正孔輸送層、２５は発光層、２６は電子輸送層、２７は陰極をそれぞれ表わすが、素子構成はこれに限るものではない。
【０２１４】
基板２１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。
合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。このため、合成樹脂基板のどちらか片側もしくは両側に緻密なシリコン酸化膜等を設ける方法も好ましい方法の一つである。
【０２１５】
基板２１上には陽極２２が設けられる。陽極２２は正孔注入層２３への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極２２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム、およびスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック等により構成される。陽極２２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われる。また、銀などの金属粒子、ヨウ化銅などの粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物粒子等を適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板２１上に塗布することにより陽極２２を形成してもよい。陽極２２は異なる物質で積層して形成してもよい。
陽極２２の厚みは、求められる透明性により異なるが、一般には透明性が高いほど好ましいため、可視光の透過率を通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましく、この場合厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下がより好ましい。
【０２１６】
端面からのレーザー発振等の目的および両電極間で反射させるなどの目的で、金属蒸着膜等を設ける場合など不透明でよい場合は陽極２２には、基板２１に用いたものを用いてもよい。また、上記の陽極２２の上に異なる導電材料を積層してもよい。
【０２１７】
本実施形態の代表例として挙げた図６乃至図８の素子構造においては、陽極２２の上に正孔注入層２３が設けられる。
【０２１８】
この正孔注入層２３に用いられる材料に要求される条件としては、陽極２２からの正孔注入効率が高く、かつ注入された正孔を効率よく輸送する材料であることが挙げられる。そのため、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいものが好ましい。
【０２１９】
正孔注入層２３には、例えば正孔輸送材料、バインダー樹脂が含まれ、さらに塗布性改良剤、連鎖重合性モノマー、オリゴマーなどを加えてもよい。末端にアルコキシシリル基を有する電荷輸送材を用いることも好ましく、種々の目的で他のシランカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、チタネートカップリング剤などを添加してもよい。また、本実施形態に係る化合物、つまり前述の一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物を正孔輸送材料として用いてもよい。
これらを溶解した塗布溶液を調製し、スピン塗布法やディップ塗布法などの方法により陽極２２上に塗布し、乾燥して正孔注入層２３を形成する。
正孔注入層２３の膜厚は、通常５ｎｍ以上３０００ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下がより好ましい。
【０２２０】
正孔注入層２３の上には発光層２５が設けられる。発光層２５は、電界を与えられた電極間において陰極２７から注入された電子と正孔注入層２３から輸送された正孔を効率よく再結合し、かつ、再結合により効率よく発光する材料から形成される。この条件を満たす材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体（特開平６−３２２３６２号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８４号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平２−２４７２７８号公報）、（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの金属錯体（特開平８−３１５９８３号公報）、シロール誘導体等が挙げられる。
【０２２１】
これらの発光層材料は、例えば真空蒸着法や塗布法により正孔注入層２３上に積層形成される。塗布法を用いる場合、正孔注入層２３を実質的に溶解しない溶剤を用いることが好ましい。
【０２２２】
素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープすること（J．Appl．Phys．，６５巻，３６１０頁，１９８９年）等を行ってもよい。例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体をホスト材料として、ルブレンに代表されるナフタセン誘導体（特開平４−３３５０８７号公報）、キナクリドン誘導体（特開平５−７０７７３号公報）、ペリレン等の縮合多環芳香族環（特開平５−１９８３７７号公報）を、ホスト材料に対して０．１質量％以上１０質量％以下ドープする。発光層のホスト材料に上記ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、ペリレン等の蛍光色素をドープする方法としては、共蒸着による方法と蒸着源を予め定められた濃度で混合しておく方法がある。
高分子系の発光層材料としては、先に挙げたポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ（３−アルキルチオフェン）等の高分子材料や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に発光材料と電子移動材料を混合した系等が挙げられる。
【０２２３】
これらの材料は正孔注入層のごとくスピン塗布法やディップ塗布法等の方法により正孔注入層２３上に塗布して薄膜形成され、塗布法を用いる場合、正孔注入層２３を実質的に溶解しない溶剤を用いることが好ましい。
発光層２５の膜厚は、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下がより好ましい。
【０２２４】
図７に示すごとく、正孔輸送層２４を正孔注入層２３と発光層２５との間に設けたり、さらには、図８に示すごとく電子輸送層２６を発光層２５と陰極２７との間に設けるなど機能分離型としてもよい。図７および図８の機能分離型素子において、正孔輸送層２４の材料としては、正孔注入層２３からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送し得る材料であることが望まれる。この正孔輸送材料として、本実施形態に係る化合物、つまり前述の一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物を用いてもよい。
また、その他の正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン等の３級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物（特開昭５９−１９４３９３号公報）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン（特開平５−２３４６８１号公報）、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン（米国特許第４，９２３，７７４号）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族ジアミン（米国特許第４，７６４，６２５号）、分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体（特開平４−１２９２７１号公報）、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物（特開平４−１７５３９５号公報）、エチレン基で３級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン（特開平４−２６４１８９号公報）、スチリル構造を有する芳香族ジアミン（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェン基で芳香族３級アミンユニットを連結したもの（特開平４−３０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）、ベンジルフェニル化合物（特開平４−３６４１５３号公報）、フルオレン基で３級アミンを連結したもの（特開平５−２５４７３号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２３９４５５号公報）、ビスジピリジルアミノビフェニル（特開平５−３２０６３４号公報）、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリフェニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特開平７−１３８５６２号公報）、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体（特開平７−２５２４７４号公報）、シラザン化合物（米国特許第４，９５０，９５０号公報）、シラナミン誘導体（特開平６−４９０７９号公報）、ホスファミン誘導体（特開平６−２５６５９号公報）等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
上記の化合物以外に、正孔輸送層２４の材料としては、ポリビニルカルバゾールやポリシラン、ポリフォスファゼン（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリアミド（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、トリフェニルアミン骨格を有する高分子（特開平４−１３３０６５号公報）、芳香族アミンを含有するポリメタクリレート等の高分子材料が挙げられる。
【０２２５】
正孔輸送層２４は、例えば上記の正孔輸送材料を塗布法あるいは真空蒸着法により前記正孔注入層２３上に積層することにより形成される。塗布法の場合は、正孔輸送材料の１種または２種以上に、例えば正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピン塗布法などの方法により正孔注入層２３上に塗布し、乾燥して正孔輸送層２４を形成する。塗布法を用いる場合、正孔注入層２３を実質的に溶解しない溶剤を用いることが好ましい。
【０２２６】
ここで、バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂の添加量は、５０質量％以下が好ましい。
【０２２７】
真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合って置かれた、陽極２２および正孔注入層２３が形成された基板２１上に正孔輸送層２４を形成する。
正孔輸送層２４の膜厚は、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下がより好ましい。
一般には、上記の真空蒸着法がよく用いられる。
【０２２８】
また、この電子輸送層２６に用いられる化合物としては、陰極２７からの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいこと好ましい。この電子輸送材料として、本実施形態に係る化合物、つまり前述の一般式（Ｃ１）で表される構造を有する化合物を用いてもよい。
また、その他の電子輸送材料としては、既に発光層材料において挙げた８−ヒドロキシキノリンのアルミ錯体、オキサジアゾール誘導体（Appl．Phys．Lett．，５５巻，１４８９頁，１９８９年）やそれらをポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等の樹脂に分散した系、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛等が挙げられる。
電子輸送層２６の膜厚は、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下がより好ましい。
【０２２９】
陰極２７は、発光層２５に電子を注入する役割を果たす。陰極２７として用いられる材料は、前記陽極２２に使用される材料が用いられるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
陰極２７の膜厚は通常、陽極２２の説明において記載した範囲が挙げられる。
【０２３０】
低仕事関数金属から成る陰極２７を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することも有効である。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。さらに、陰極２７と発光層２５または電子輸送層２６の界面にＬｉＦ、ＭｇＦ２、Ｌｉ２Ｏ等の極薄絶縁膜（０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下）を挿入することも有効な方法である（Appl．Phys．Lett．，７０巻，１５２頁，１９９７年；特開平１０−７４５８６号公報；IEEETrans．Electron．Devices，４４巻，１２４５頁，１９９７年）。
【０２３１】
図６乃至図８は、本実施形態で採用される素子構造の一例であって、本実施形態は何ら図示のものに限定されるものではない。例えば、図６とは逆の構造、即ち、基板２１上に陰極２７、発光層２５、正孔注入層２３、陽極２２の順に積層してもよく、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本実施形態の有機電界発光素子を設けてもよい。また、図７および図８に示したものについても、前記各構成層を逆の構造に積層してもよい。さらに樹脂あるいは金属等の材料で封じ、大気や水より保護する封止層を形成することや、素子自体を真空系中で動作させる構造とすることも効果的である。
【実施例】
【０２３２】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
なお、以下に示す「部」は特に断りのない限り質量基準である。
【０２３３】
［合成例１：化合物４］
窒素置換した三口フラスコに１−ナフトール５．０ｇ、及びＡｌ（ＯｉＰｒ）３：０．３５ｇをとり、チッソ気流下温度を１２０℃まで上げ、２時間撹拌した。その後、スチレン３．６ｇを１５分かけて滴下した後、３時間撹拌した。冷却後トルエン１００ｍｌ、蒸留水１００ｍｌを加え洗浄分液を行い、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧下溶剤を留去した。
【０２３４】
メタノール２０ｍｌ、ＣｕＣｌ０．１ｇ、及びテトラメチレンジアミン０．２３ｇを加え、液中に酸素をバブリングさせた状態で１６時間撹拌した。トルエン１００ｍｌ、蒸留水１００ｍｌを加え洗浄分液を行い、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、シリカゲル１０ｇを加え、１０分撹拌した後、シリカゲルをろ過し、減圧下溶剤を留去した。その後、トルエン１０ｍｌ、メタノール１５ｍｌから再結晶し５ｇの化合物４を得た。
得られた化合物４のＩＲスペクトルを図９に示す。
【０２３５】
［合成例２：化合物１７］
窒素置換した三口フラスコにオルト−ｔ−ブチルフェノール３．０ｇ、及びＡｌ（ＯｉＰｒ）３：０．２ｇをとり、チッソ気流下温度を１２０℃まで上げ、１時間撹拌した。その後スチレン２．１ｇを１０分かけて滴下した後、６時間撹拌した。冷却後トルエン５０ｍｌ、蒸留水５０ｍｌを加え洗浄分液を行い、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧下溶剤を留去した。
【０２３６】
メタノール１０ｍｌ、ＣｕＣｌ０．０６ｇ、及びテトラメチレンジアミン０．１４ｇを加え、液中に酸素をバブリングさせた状態で１６時間撹拌した。トルエン５０ｍｌ、蒸留水５０ｍｌを加え洗浄分液を行い、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、シリカゲル５ｇを加え、１０分撹拌した後、シリカゲルをろ過し、減圧下溶剤を留去した。その後、トルエン５ｍｌ、メタノール１０ｍｌから再結晶し０．８ｇの化合物１７を得た。
得られた化合物１７のＩＲスペクトルを図１０に示す。
【０２３７】
〔実施例１〕
＜感光体１の作製＞
電荷発生材料としてＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（ＨＯＧａＰＣ）、及びＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．４゜，１６．６゜，２５．５゜，２８．３゜の位置に回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン顔料（ＣｌＧａＰＣ）１．２部（ＨＯＧａＰＣ：ＣｌＧａＰＣ＝５：５（質量比））と、結着樹脂としてビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（ＰＣＺ、粘度平均分子量：５万）４６．８部と、前記合成例１で得た化合物４（電子輸送材料）１５部と、前記例示化合物（ＨＴ−７）で示される正孔輸送材料３７部と、溶剤としてテトラヒドロフラン２５０部と、からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散し、感光層形成用塗布液を得た。
この感光層形成用塗布液を浸漬塗布法にて、直径３０ｍｍ、長さ２４４．５ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１４０℃、３０分の乾燥を行い、厚さ３０μｍの単層型の感光層を形成した。
以上の工程を経て、実施例１における電子写真感光体（感光体Ａ１）を作製した。
【０２３８】
＜相溶性確認サンプル＞
上記感光層形成用塗布液の調製工程において、電荷発生材料（ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料）を添加しない以外は同様な操作を行い、相溶性確認サンプルを作製した。
【０２３９】
〔実施例２〜１２〕
実施例１において、用いた電子輸送材料、正孔輸送材料、電荷発生材料及び結着樹脂を下記表１に記載の材料種に変更した以外は、同様にして感光体を作製した。  また、相溶性確認サンプルについても、用いた用いた電子輸送材料、正孔輸送材料及び結着樹脂を下記表１に記載の材料種に変更した以外は、実施例１と同様にしてを作製した。
【０２４０】
〔比較例１〕
実施例１において、用いた電子輸送材料を前記例示化合物（ＥＴ−５）で示される化合物に変更した以外は、実施例１と同様にして比較用感光体Ｂ１を作製した。
また、相溶性確認サンプルについても、用いた電子輸送材料を前記例示化合物（ＥＴ−５）で示される化合物に変更した以外は、実施例１と同様にしてを作製した。
【０２４１】
〔比較例２〕
実施例１において、用いた電子輸送材料を前記例示化合物（ＥＴ−６）で示される化合物に変更した以外は、実施例１と同様にして比較用感光体Ｂ２を作製した。
また、相溶性確認サンプルについても、用いた電子輸送材料を前記例示化合物（ＥＴ−６）で示される化合物に変更した以外は、実施例１と同様にしてを作製した。
【０２４２】
【表１】
2017178795.tif 000022
【０２４３】
＜評価＞
前述のようにして得られた電子写真感光体について、以下の評価を行った。
【０２４４】
−残留電位、帯電性−
以下の方法により、残留電位、帯電性について評価を行った。
得られた感光体を画像形成装置（Ｂｒｏｔｈｅｒ社製、ＨＬ−２２４０Ｄ）に搭載し、電位測定用に改造した。具体的には、現像装置の代わりに感光体と正対するように表面電位測定プローブ（トレック社、Ｍｏｄｅｌ  ５５５Ｐ−１）を設置し、表面電位計（トレック社製、トレック３３４）と接続して電位測定を行った。
次に、室温３０℃、湿度９０％の環境下で、ベタ濃度出力時の感光体表面電位（露光装置によってベタ濃度の潜像が形成された感光体の表面電位）を測定し、これを露光後電位ＶＬ−ｂとした。また、非露光状態の感光体表面電位（露光装置をＯＦＦとした時の感光体の表面電位）を測定し、これを露光後電位ＶＨ−ｂとした。
次に、室温３０℃、湿度９０％の環境下で、画像濃度５％のＡ４画像１万枚を形成し、前記と同様な測定を行い、露光後電位ＶＬ−ａ及び露光後電位ＶＨ−ａとした。
【０２４５】
残留電位の判定は画像形成前後での変化量、すなわち｜ＶＬ−ａ｜−｜ＶＬ−ｂ｜の値を用いて評価を行い、以下の基準で判断した。
・評価基準
Ａ（◎）：５Ｖ未満
Ｂ（○）：５Ｖ以上１０Ｖ未満
Ｃ（△）：１０Ｖ以上１５Ｖ未満
Ｄ（×）：１５Ｖ以上
【０２４６】
また、帯電性の判定は画像形成前後での変化量、すなわち｜ＶＨ−ａ｜−｜ＶＨ−ｂ｜の値を用いて評価を行い、以下の基準で判断した。
・評価基準
Ａ（◎）：１０Ｖ未満
Ｂ（○）：１０Ｖ以上１５Ｖ未満
Ｃ（△）：１５Ｖ以上２０Ｖ未満
Ｄ（×）：２０Ｖ以上
【０２４７】
−画質−
以下の方法により、画質について評価を行った。
前記残留電位、帯電性の評価後、室温３２℃、湿度９０％の環境下で、画像濃度０％のＡ４画像をプリントし、用紙上にプリントされた黒点の数で評価を行った。評価基準を以下に示す。
・評価基準
Ａ（◎）：黒点の発生は確認されず
Ｂ（○）：１０倍の拡大鏡にてわずかに黒点が確認できる（実使用上問題無し）
Ｃ（△）：１０倍の拡大鏡にて黒点が確認できる（ＳＰＥＣの厳しいカラー機では問題になる可能性がある）
Ｄ（×）：目視にて黒点が確認できる（実使用上問題あり）
【０２４８】
−相溶性（感光層均一性）−
以下の方法により、画質について評価を行った。
相溶性確認サンプル、及び該相溶性確認サンプルを０．４５μｍのフィルターに通したものを準備し、評価を行った。評価基準を以下に示す。
・評価基準
Ａ（◎）：フィルタリングの有無によらず透明で両者問題無し。
Ｂ（○）：フィルタリングの有無で違いはあるが両者問題ないレベル。
Ｃ（△）：フィルタリング無のサンプルにおいて濁りが観察される。
Ｄ（×）：フィルタリング無のサンプルにおいて濁りが観察され、かつフィルタリング時には目詰まりが生じる。
【０２４９】
【表２】
2017178795.tif 000023
【符号の説明】
【０２５０】
１  下引層、２  電荷発生層、３  電荷輸送層、４  導電性基体、５  保護層、６  単層型感光層、７，７Ａ，７Ｂ，７Ｃ  電子写真感光体、８  帯電装置、９  露光装置、１１  現像装置、１３  クリーニング装置、１４  潤滑材、２１  基板、２２  陽極、２３  正孔注入層、２４  正孔輸送層、２５  発光層、２６  電子輸送層、２７  陰極、４０  転写装置、５０  中間転写体、１００  画像形成装置、１２０  画像形成装置、１３１  クリーニングブレード、１３２  繊維状部材（ロール状）、１３３  繊維状部材（平ブラシ状）、３００  プロセスカートリッジ
【図１】
2017178795.tif 000027
【図２】
2017178795.tif 000028
【図３】
2017178795.tif 000029
【図４】
2017178795.tif 000030
【図５】
2017178795.tif 000031
【図６】
2017178795.tif 000032
【図７】
2017178795.tif 000033
【図８】
2017178795.tif 000034
【図９】
2017178795.tif 000035
【図１０】
2017178795.tif 000036