(57)【要約】【課題】半導体装置における信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の電極パッド１ｃのそれぞれを露出させる開口部１ｆが形成された絶縁膜１ｅを有する半導体基板１０を準備し、複数の電極パッド１ｃのそれぞれに導電性粒子８を有するフラックス材７を配置する。配置後、フラックス材７を介して複数の電極パッド１ｃのそれぞれの上に半田ボール３を配置し、さらに、フラックス材７を介して半田ボール３を加熱して半田ボール３を複数の電極パッド１ｃのそれぞれに接合する。その際、絶縁膜１ｅにおける開口部１ｆの幅Ｄ１は、半田ボール３の幅（直径Ｄ２）より小さい。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、半導体装置の製造方法：
（ａ）電極パッド、および前記電極パッドを露出させる開口部が形成された絶縁膜を有する半導体基板を準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記開口部から露出する前記電極パッドの表面に、導電性部材を有するフラックス材を配置する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記フラックス材を介して前記電極パッド上に半田ボールを配置する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記フラックス材に含まれる導電性部材を介して前記電極パッドから前記半田ボールに熱を伝えることで前記半田ボールを溶融させ、前記電極パッドに前記半田ボールを接合する工程；
ここで、
断面視において、前記絶縁膜の前記開口部の幅は、前記半田ボールの幅より小さい。
【請求項２】
請求項１において、
前記導電性部材は、３種類以上の元素の導電性粒子を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記導電性部材の融点は、前記半田ボールを形成する半田材の融点と同じか、もしくは前記半田材の融点より低い、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記（ｄ）工程では、熱源を有するステージ上に前記半導体基板を配置して前記熱源によって前記半田ボールを加熱する、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記（ｄ）工程では、前記半導体基板をリフロー炉に通して前記半田ボールを加熱する、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１において、
前記絶縁膜の複数の前記電極パッドのそれぞれの周縁部を覆う部分の厚さは、複数の前記電極パッドのそれぞれの厚さより厚い、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
複数の前記電極パッドのそれぞれの周縁部を覆う部分の前記絶縁膜の厚さは、複数の前記電極パッドのそれぞれの上部における前記絶縁膜の前記開口部の幅より大きい、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
複数の前記電極パッドのそれぞれの表面にメッキが形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１において、
前記（ｄ）工程で、前記フラックス材上で前記半田ボールを回転させる、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
複数の前記電極パッドのそれぞれに配線部が接続され、前記配線部上に前記半田ボールを搭載する、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記配線部の上層に形成される絶縁膜の厚さは、前記半田ボールが供給される電極パッドの厚さより厚い、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体チップに半田ボールが形成される半導体装置の製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップに半田ボールが形成される半導体装置の製造方法については、例えば特開２００５−４４９８６号公報（特許文献１）に記載があり、この特許文献１には、ウエハ上の接続用電極端子の個々の端子上に、金属の微細粒子を含むフラックスを塗布し、そのフラックス上に半田ボールを固着する技術が開示されている。
【０００３】
また、半導体ウェハの複数の電極パッドのそれぞれの表面にフラックスを塗布した後、フラックス上に半田ボールを搭載し、さらに加熱溶融することで複数の外部端子を形成する半導体装置の製造技術が、例えば特開２００５−２６８６６１号公報（特許文献２）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−４４９８６号公報
【特許文献２】特開２００５−２６８６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体チップの小型化もしくは高機能化による半導体チップの電極パッド数の増加に伴い、半導体チップの電極パッドの表面（半田ボールが接合される面）を露出する絶縁膜（保護膜）の開口部の大きさ（開口幅）は、小さくなる。
【０００６】
その結果、電極パッド上に配置された半田ボールの接合不良が発生する恐れがある。
【０００７】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施の形態による半導体装置の製造方法は、電極パッド、および上記電極パッドを露出させる開口部が形成された絶縁膜を有する半導体基板を準備する工程、上記電極パッドの表面に導電性部材を有するフラックス材を配置する工程、上記フラックス材を介して上記電極パッド上に半田ボールを配置する工程、上記フラックス材に含まれる導電性部材を介して上記電極パッドから上記半田ボールに熱を伝えることで上記半田ボールを溶融させ、上記電極パッドに上記半田ボールを接合する工程、を含む。さらに、上記絶縁膜における上記開口部の幅は、上記半田ボールの幅より小さい。
【発明の効果】
【０００９】
上記一実施の形態によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の裏面側の構造の一例を示す裏面図である。
【図３】図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置に搭載される半導体チップの主面側の構造の一例を示す平面図である。
【図５】図４に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図６】図５に示すＣ部の構造を示す拡大部分断面図である。
【図７】図６に示す電極パッドの構造の一例を示す平面図である。
【図８】図４に示す半導体チップの製造におけるフラックス材配置状態の一例を示す部分拡大断面図である。
【図９】図４に示す半導体チップの製造における半田ボール配置状態の一例を示す部分拡大断面図である。
【図１０】図４に示す半導体チップの製造におけるリフロー状態の一例を示す部分拡大断面図である。
【図１１】図４に示す半導体チップの製造におけるフラックス洗浄状態の一例を示す部分拡大断面図である。
【図１２】実施の形態の変形例１の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図１３】図１２に示すＤ部の構造を示す拡大部分断面図である。
【図１４】図１２に示す半導体装置の組立て手順の一例を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１２】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１３】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１４】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１５】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａから成る」、「Ａより成る」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００１７】
＜半導体装置＞
図１は実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の裏面側の構造の一例を示す裏面図、図３は図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【００１８】
図１〜図３を用いて本実施の形態の半導体装置の構造について説明する。
【００１９】
本実施の形態の半導体装置は、図１に示すように、半導体チップ１と配線基板２とを有している。そして、図３に示すように、配線基板２上に半導体チップ１がフリップチップ実装されたものである。すなわち、半導体チップ１は、その主面１ａが配線基板２の上面（チップ搭載面）２ａと対向するように、複数の半田ボール３を介して配線基板２の上面２ａ上に搭載されている。
【００２０】
一方、配線基板２の下面２ｂには、半導体装置の複数の外部端子５が設けられている。本実施の形態の半導体装置では、外部端子５は、例えば半田ボール（半田材）であり、図２の平面視に示すように、複数の外部端子５が格子状に配列されている。したがって、本実施の形態では、上記半導体装置の一例として、ＢＧＡ（Ball Grid Array)６を取り上げて説明する。
【００２１】
本実施の形態のＢＧＡ６では、図３に示すように、半導体チップ１の主面１ａに露出する複数の電極パッド１ｃと、配線基板２の上面２ａに露出する複数の端子（ボンディングリード）２ａａとが、それぞれ半田ボール３を介して電気的に接続されている。また、配線基板２の下面２ｂ側においては、下面２ｂに露出する複数の端子（ランド）２ｂａのそれぞれに外部端子５が設けられている。これにより、半導体チップ１の電極パッド１ｃと、これに対応する外部端子５とが、端子２ａａ、半田ボール３、端子２ｂａおよび配線基板２の配線やビアもしくはスルーホール配線等を介して電気的に接続されている。
【００２２】
また、ＢＧＡ６では、配線基板２の上面２ａ側において、半導体チップ１と配線基板２の間に形成される隙間に、封止用樹脂からなる封止材（アンダーフィル樹脂）４が充填されている。この封止材４は、例えばエポキシ系樹脂であり、半導体チップ１と配線基板２との接続信頼性を確保するために充填されている。
【００２３】
さらに、封止材４は、半導体チップ１の側面の一部も覆っている。これにより、フリップチップ接続部（半田ボール３と端子２ａａとの接続部）を保護することができる。また、半導体チップ１の周辺から上記フリップチップ接続部への水分の進入も抑制することができる。ただし、図１および図３に示すように、半導体チップ１の裏面１ｂは、ＢＧＡ６の上方を向いた状態で露出している。
【００２４】
＜半導体チップ＞
図４は図１に示す半導体装置に搭載される半導体チップの主面側の構造の一例を示す平面図、図５は図４に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す断面図、図６は図５に示すＣ部の構造を示す拡大部分断面図、図７は図６に示す電極パッドの構造の一例を示す平面図である。
【００２５】
本実施の形態のＢＧＡ６に搭載される半導体チップ１について説明する。
【００２６】
図４〜図７に示すように、半導体チップ１は、半導体基板１０と、半導体基板１０の上面１０ａに形成された電極パッド１ｃと、電極パッド１ｃの周辺部を覆い、かつ上面１０ａを覆う絶縁膜１ｄ、１ｅとを有している。なお、半導体基板１０を個片化することで取得する半導体チップ１の主面１ａ（例えば図３を参照）は、この絶縁膜１ｅの表面に相当する面である。また、半導体基板１０は、図示しない素子形成面に形成されたＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）などから成る複数の半導体素子、この複数の半導体素子のそれぞれと電極パッド１ｃを互いに、かつ、電気的に接続する複数の配線層（多層配線層）、さらには、この複数の配線層のうちの互いに隣り合う配線層同士の間にそれぞれ位置する複数の絶縁層を有しており、半導体基板１０の上面１０ａとは、複数の絶縁層のうちの最上層の絶縁層の表面に相当する面である。そして、複数の電極パッド１ｃのそれぞれは、半導体チップ１の主面１ａの各辺に沿って並んでおり、図４および図６に示すように、各電極パッド１ｃには、半田材からなる半田ボール３が接続されている。なお、これらの半田ボール３は、半導体チップ１と配線基板２とを電気的に接続する突起電極である。
【００２７】
半導体チップ１が有する複数の電極パッド１ｃのそれぞれは、一例として、３層構造であるが、電極パッド１ｃの構造は３層構造に限定されるものではない。図６に示す電極パッド１ｃの構造では、一例として、最下層１ｃａがチタン層であり、中間層１ｃｂがアルミニウム層であり、最上層１ｃｃがチタン層である。
【００２８】
また、複数の電極パッド１ｃのそれぞれの表面は、周縁部が絶縁膜（保護膜、無機材）１ｄによって覆われており、さらに絶縁膜１ｄの上層は、絶縁膜（保護膜、有機材）１ｅによって覆われている。絶縁膜１ｄは、例えば、ＳｉＮ膜やＳｉＯ2 膜であり、絶縁膜１ｅは、例えば、ポリイミド膜である。そして、絶縁膜１ｄおよび絶縁膜１ｅには、半田ボール３を搭載するための開口部１ｆが形成されており、この開口部１ｆにおいて、各半田ボール３は、それぞれの電極パッド１ｃと電気的に接続されている。なお、開口部１ｆの平面視の形状は、一例として、図７に示すように正方形である。
【００２９】
そして、本実施の形態の半導体チップ１においては、絶縁膜１ｅにおける開口部１ｆの幅が、半田ボール３の直径より小さくなっている。具体的には、図６の断面図に示すように、平面視が正方形を成す開口部１ｆの幅Ｄ１は、半田ボール３の幅（直径）Ｄ２より小さい（Ｄ１＜Ｄ２）。
【００３０】
したがって、本実施の形態の半導体チップ１では、複数の電極パッド１ｃのそれぞれの上部において、絶縁膜１ｅの開口部１ｆをそれぞれの半田ボール３が覆った（塞いだ）構造となっている。
【００３１】
＜半導体装置の製造方法＞
１．各部材（配線基板および半導体チップ）準備
１−１．配線基板について
配線基板２は、図３に示すように、上面２ａと、この上面２ａと反対側の実装面または裏面である下面２ｂとを有している。そして、配線基板２の上面２ａには、フリップチップ接続用の複数の端子（ボンディングリード）２ａａが設けられている。すなわち、配線基板２の上面２ａの複数の端子２ａａは、半導体チップ１の電極パッド１ｃの配置に合わせて配置され、これにより、フリップチップ接続が可能となっている。
【００３２】
一方、配線基板２の下面２ｂには、それぞれに外部端子５が形成される複数の端子（ランド）２ｂａが設けられている。複数の端子２ｂａは、例えば、格子状に配置されている。
【００３３】
また、配線基板２の上面２ａおよび下面２ｂそれぞれの表面には、絶縁膜である図示しないソルダレジスト膜が形成されており、上面２ａ側では、上記ソルダレジスト膜の複数の開口部のそれぞれに端子２ａａが配置され、一方、下面２ｂ側においても、上記ソルダレジスト膜の複数の開口部のそれぞれに端子２ｂａが配置されている。
【００３４】
これにより、配線基板２では、上面２ａ側の複数の端子２ａａと、これら複数の端子２ａａに対応する下面２ｂ側の複数の端子２ｂａとが、図示しない内部配線やスルーホール配線等を介して電気的に接続されている。
【００３５】
１−２．半導体チップについて
図８は図４に示す半導体チップの製造におけるフラックス材配置状態の一例を示す部分拡大断面図、図９は図４に示す半導体チップの製造における半田ボール配置状態の一例を示す部分拡大断面図、図１０は図４に示す半導体チップの製造におけるリフロー状態の一例を示す部分拡大断面図、図１１は図４に示す半導体チップの製造におけるフラックス洗浄状態の一例を示す部分拡大断面図である。
【００３６】
１−２−１．半導体基板（半導体ウエハ）準備
複数のチップ形成領域（図示せず）を有し、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなる図８に示す半導体基板（半導体ウエハ）１０を準備する。半導体基板１０の上記複数のチップ形成領域のそれぞれには、複数の電極パッド１ｃが形成されている。さらに、半導体基板１０の上面１０ａには、上記複数の電極パッド１ｃのそれぞれを露出させる開口部１ｆが形成された絶縁膜１ｅが設けられている。詳細には、半導体基板１０の上面１０ａには、複数の電極パッド１ｃのそれぞれの上部の周縁部を覆う無機性の絶縁膜１ｄが形成され、さらに、絶縁膜１ｄの上層に、有機性の絶縁膜１ｅが形成されており、これら絶縁膜１ｄおよび絶縁膜１ｅに電極パッド１ｃの中央部を露出させる開口部１ｆが形成されている。
【００３７】
１−２−２．フラックス材配置
半導体基板準備後、図８に示すフラックス材７を配置する。フラックス材７を配置する工程では、半導体基板１０の複数の電極パッド１ｃのそれぞれに、導電性部材を有するフラックス材７を塗布する。つまり、絶縁膜１ｄ、１ｅの開口部１ｆから露出する電極パッド１ｃの表面に上記導電性部材を有するフラックス材７を配置する。なお、本実施の形態のフラックス材７は、上記導電性部材を含んでいる。上記導電性部材は、導電性粒子８であり、導電性粒子８であれば特に材料は限定されないが、一例としては、錫（Ｓｎ）である。
【００３８】
ここで、半導体基板１０の電極パッド１ｃと半田ボール３とが接触しづらくなり、その結果、半田ボール３の接合不良に至るメカニズムについて説明する。
【００３９】
図５、図６に示すように、半導体チップ１は、半導体基板１０の上面１０ａに形成された絶縁膜１ｅを有しており、絶縁膜１ｅには電極パッド１ｃの一部を露出させる開口部１ｆが形成されている。近年、この開口部１ｆは、半導体チップ１の小型化や多ピン化（狭ピッチ化）によって開口の大きさ（幅）が小さくなってきている。
【００４０】
電極パッド１ｃを露出させる開口部１ｆの幅が小さくなると、半田ボール３を電極パッド１ｃ上に配置した際に、半田ボール３が絶縁膜１ｅの開口部１ｆのエッジに当たって十分に下降できず、半田ボール３と電極パッド１ｃの表面との距離が大きくなって接合不良が発生する。すなわち、電極パッド１ｃ上に配置する半田ボール３が直接電極パッド１ｃに接触しないのは、電極パッド１ｃ上に形成される絶縁膜１ｅの厚さが影響している。
【００４１】
また、開口部１ｆの小型化に伴って半田ボール３の直径を小さくすることも考えられるが、半田ボール３の直径を小さくすると、半田ボール３の高さが十分に確保できず、半導体チップ１と配線基板２との間の隙間（高さ）を十分に確保することができない。その結果、半導体チップ１と配線基板２との隙間にアンダーフィル用の封止材４を十分に充填することができなくなる。
【００４２】
以上により、半田ボール３の直径を小さくすることもできないため、その結果、半田ボール３の接合不良に至る。
【００４３】
そこで、本実施の形態では、電極パッド１ｃ上に塗布されるフラックス材７に導電性部材を含有させており、これにより、後述するリフロー工程でフラックス材７および半田ボール３を加熱した際に、電極パッド１ｃの表面に形成されたメッキ（例えば、Ｎｉ−Ａｕメッキ膜）と半田ボール３の半田材との間で形成される合金層を成長し易くすることができる。
【００４４】
その結果、電極パッド１ｃと半田ボール３との接合強度を高めることができ、これにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００４５】
また、フラックス材７に導電性部材が含まれていることにより、加熱時の半田ボール３への熱伝導を良くすることができる。これにより、上記メッキと半田ボール３の半田材との反応が促進され、電極パッド１ｃと半田ボール３との界面に合金層を形成することができ、その結果、電極パッド１ｃと半田ボール３との接合強度を高めることができる。これにより、半導体装置（ＢＧＡ６）の信頼性を向上させることができる。
【００４６】
なお、導電性部材は、半田ボール３が錫（Ｓｎ）系の半田材を用いている場合が多いため、好ましくは錫（Ｓｎ）の導電性粒子８である。
【００４７】
ただし、フラックス材７に含まれる導電性粒子８は、錫（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）や、錫（Ｓｎ）と銅（Ｃｕ）等のように２種類の元素のものであってもよい。さらに、フラックス材７に含まれる導電性粒子８は、３種類の元素の導電性粒子８を含んでいることがより好ましい。この場合、３種類の元素は、例えば、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）である。あるいは、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等にさらにパラジウム（Ｐｄ）等を添加してもよい。つまり、フラックス材７に含有する導電性粒子８の元素の種類は、少なくとも１種類であればよいが、２種類であってもよく、あるいは３種類以上であってもよい。
【００４８】
また、フラックス材７に含まれる導電性部材の元素は、半田ボール３で使用している元素のうちの少なくとも１つであることが好ましく、その一例が錫であるが、導電性部材の元素は錫以外のものであってもよい。
【００４９】
なお、導電性粒子８の直径は、一例として、１０μｍ以下であるが、１０μｍより大きくてもよい。
【００５０】
また、上記導電性部材（導電性粒子８）の融点は、後述する半田ボール３を形成する半田材の融点と同じか、もしくは上記半田材の融点より低い方が好ましい。すなわち、融点が低い方が上記導電性部材（導電性粒子８）も速く溶けるため、半田ボール３への熱伝導を向上させることができる。
【００５１】
１−２−３．ボール配置
フラックス材７を配置した後、図９に示すように、半田ボール（略球体状の導電性部材）３を配置する。ボール配置工程では、フラックス材７を介して複数の電極パッド１ｃのそれぞれの上に半田ボール３を配置（供給）する。このとき、電極パッド１ｃ上に配置された半田ボール３は、フラックス材７により固定（仮止め）された状態である。
【００５２】
なお、半田ボール３は、例えば３種類の元素により構成された合金からなる。３種類の元素は、一例として、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）である。ただし、半田ボール３は、２種類の元素からなる２元型のものであってもよく、その場合、例えば、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ等である。
【００５３】
半田ボール３としては、ボールそのものの強度、耐熱性および寿命の点で、２種類の元素からなる合金に比べて３種類の元素からなる合金を用いた方が優れており、より好ましい。また、含有する元素の種類が多いほど合金の融点が低くなるため熱伝導効率が高くなり、かつ電極パッド１ｃとの接合強度も高くなる。したがって、半田ボール３としては、３種類以上の元素からなる合金を用いることが好ましい。
【００５４】
ここで、半田ボール３は、ボール供給法によって配置することが好ましい。すなわち、予めボール状に形成された半田材（半田ボール３）を、例えば、吸着治具により吸着して電極パッド１ｃ上に搬送し、電極パッド１ｃ上で吸着を開放することで各電極パッド１ｃに半田ボール３を配置する。
【００５５】
なお、半田材のボール配置としては、半田ボール３を、半導体基板１０上に配置したマスク（図示せず）上で転がして所定の電極パッド１ｃに配置する方法を採用してもよい。すなわち、複数の電極パッド１ｃのそれぞれの位置に対応して複数の貫通孔が形成されたマスク上において、端から複数の半田ボール３を転がして複数の貫通孔に配置することで各電極パッド１ｃに半田ボール３を配置する方法を用いてもよい。
【００５６】
また、各電極パッド１ｃへの半田材のボール配置の代わりとして、印刷法によって半田材を各電極パッド１ｃに供給（塗布）してもよい。その場合にも、半田材には、３種類以上の元素からなる合金を用いることが好ましい。
【００５７】
なお、本実施の形態においては、絶縁膜１ｅにおける開口部１ｆの幅が、半田ボール３の直径より小さくなっている。具体的には、図９に示すように、平面視が正方形（図７参照）を成す開口部１ｆの幅Ｄ１は、半田ボール３の直径Ｄ２より小さい（Ｄ１＜Ｄ２）。すなわち、本実施の形態では、絶縁膜１ｅの開口部１ｆの幅Ｄ１より直径Ｄ２が大きな半田ボール３を使用する。
【００５８】
１−２−４．リフロー
半田ボール３を配置した後、半田ボール３を加熱して電極パッド１ｃに接合する。本リフロー工程では、一例として、図１０に示すように、熱源を有するステージ１２上に半導体基板１０を配置し、この状態で半田ボール３を加熱する場合を取り上げて説明する。なお、加熱前の段階では、半田ボール３は、フラックス材７上に配置されており、半田ボール３は電極パッド１ｃとは接触していない。言い換えると、半田ボール３は電極パッド１ｃ上にフラックス材７を介して配置されている。
【００５９】
本リフロー工程では、まず、熱源を有するステージ１２上に半導体基板１０を配置し、上記熱源によってフラックス材７を介して半田ボール３を加熱する。すなわち、電極パッド１ｃからフラックス材７を介して半田ボール３に熱を伝える。より具体的には、電極パッド１ｃの下方側からのみ上記熱源によってフラックス材７を介して半田ボール３を加熱し、複数の半田ボール３を溶融させる。そして、変形した半田ボール３の一部が電極パッド１ｃに接触し、半田ボール３を構成する金属と電極パッド１ｃを構成する金属とが互いに結合することで、半田ボール３と電極パッド１ｃとの界面に合金層が形成される。これにより、複数の半田ボール３は、複数の電極パッド１ｃに、それぞれ接合する。
【００６０】
詳細には、上記熱源による熱がステージ１２を介して半導体基板１０、図示しない多層配線層、および半導体基板１０の表面に形成された電極パッド１ｃに伝わった後、フラックス材７に含まれる導電性粒子（例えば、錫（Ｓｎ））８を介して半田ボール３に伝わる。これにより、半田ボール３が溶融・変形し、フラックス材７が熱で揮発する。そして、熱で揮発したことによってフラックス材７から発生したガス９が絶縁膜（最終保護膜、有機絶縁膜）１ｅと半田ボール３との間から抜ける。この時、フラックス材７上で半田ボール３は回転し、これによって、半田ボール３は、その表面がフラックス材７によって覆われる。半田ボール３は、フラックス材７によって覆われることにより、表面に形成された酸化膜が除去される。
【００６１】
ここで、本実施の形態では、半導体チップ１と半田ボール３とにおいて、図９に示すように、平面視が正方形（図７参照）を成す絶縁膜１ｅの開口部１ｆの幅Ｄ１は、半田ボール３の直径Ｄ２（または断面視における半田ボール３の幅）より小さくなっている（Ｄ１＜Ｄ２）。したがって、電極パッド１ｃ上に半田ボール３を配置した際には、図１０に示すように、半田ボール３と電極パッド１ｃとは直接接触していない。さらに、加熱前の段階では、複数の電極パッド１ｃのそれぞれの上部において、絶縁膜１ｅの開口部１ｆをそれぞれの半田ボール３が塞いだ状態となっている。また、ステージ１２上では、半田ボール３は、フラックス材７を介して電極パッド１ｃの下方側からの熱のみによって加熱される。
【００６２】
このような状況で電極パッド１ｃの下方側からのみ熱を付与して半田ボール３を溶融しても、半田ボール３が電極パッド１ｃに接触していない状況では、電極パッド１ｃの表面に形成されたメッキ（例えば、Ｎｉ−Ａｕメッキ膜）と半田ボール３との間で合金層の成長が起こりにくい。したがって、半田ボール３の接合強度を十分に得ることはできず、半田ボール３の剥がれを引き起こし易い。
【００６３】
さらに、上述のように電極パッド１ｃの上部において、絶縁膜１ｅの開口部１ｆを半田ボール３が塞いだ状態となっているため、フラックス材７から発生したガス９が抜けにくい。ガス９が抜けきれないと、半田ボール３の下部において、滞留したガス９が半田ボール３と導電性粒子８の接触を妨げるため、半田ボール３に熱が伝わりにくい。その結果、半田ボール３が溶融しにくく、半田ボール３の接合不良に至る。
【００６４】
しかしながら、本実施の形態のフラックス材７には、導電性粒子（例えば、錫（Ｓｎ））８が含まれているため、半田ボール３と上記メッキとの界面において合金層（例えば、Ｓｎ−ＡｇとＮｉの合金層）を成長し易くすることができる。
【００６５】
その結果、半田ボール３と電極パッド１ｃとの接合強度を高めることができる。
【００６６】
さらに、フラックス材７に導電性粒子８が含まれているため、半田ボール３に対する熱伝導を向上させることもできる。すなわち、ステージ１２の熱源から発生した熱を、半導体基板１０（半導体チップ１）、電極パッド１ｃおよびフラックス材７に含まれる導電性粒子８を介して、フラックス材７を介して電極パッド１ｃ上に配置された半田ボール３、すなわち、電極パッド１ｃと直接接触していない半田ボール３に上記の熱を伝達させることができる。これにより、上記メッキと半田ボール３との反応が促進され、上記合金層の成長をより促進させることができ、その結果、前記同様、半田ボール３と電極パッド１ｃとの接合強度を高めることができる。
【００６７】
なお、半田ボール３の加熱方法としては、半田ボール３が搭載された半導体基板１０を加熱炉（リフロー炉）内に搬送する方法を用いてもよい。この場合、電極パッド１ｃと半田ボール３を下方と上方の両側から加熱することになるが、半田ボール３と電極パッド１ｃとが直接接触しておらず、かつ絶縁膜１ｅの開口部１ｆを半田ボール３が塞いだ状態となっているため、フラックス材７は抜けきれない。
【００６８】
そこで、本実施の形態のフラックス材７では、導電性粒子８が含まれているため、半田ボール３と上記メッキとの界面において合金層を成長し易くすることができる。さらに、半田ボール３に対する熱伝導を向上させることもできる。その結果、半田ボール３と電極パッド１ｃとの接合強度を高めることができる。
【００６９】
なお、半田ボール３の加熱方法の変形例として、リフロー工程の回数を複数回行ってもよい。これにより、半田ボール３と上記メッキとの界面における上記合金層の成長を促進させることができ、半田ボール３と電極パッド１ｃとの接合強度を高めることができる。また、リフロー工程におけるリフローの時間を長くしてもよく、これにより、前記同様、半田ボール３と上記メッキとの界面における上記合金層の成長を促進させることができ、半田ボール３と電極パッド１ｃとの接合強度を高めることができる。
【００７０】
以上により、図１１に示すように、電極パッド１ｃと半田ボール３とをその接合強度を高めて接合することができる。
【００７１】
１−２−５．洗浄
リフロー完了後、洗浄を行う。本洗浄工程では、図１１に示す半田ボール３を接合した半導体基板１０の半田ボール３とその接合部をフラックス洗浄する。
【００７２】
１−２−６．個片化
フラックス洗浄後、複数の半田ボール３が設けられた半導体基板１０を、例えばダイシングによって各半導体チップ１に個片化する。これにより、複数の半導体チップ１を取得する。
【００７３】
２．ダイボンド
半導体チップ取得後、図３に示すように、配線基板２上に半導体チップ１を搭載する。本ダイボンド工程では、フリップチップ実装によって半導体チップ１を搭載する。まず、半導体チップ１を配線基板２の上面２ａ上に配置する。この時、半導体チップ１の複数の電極パッド１ｃと、配線基板２の複数の端子（ボンディングリード）２ａａとの位置を合わせる。すなわち、複数の半田ボール３が各電極パッド１ｃに形成された半導体チップ１を、この半導体チップ１の主面１ａが配線基板２の上面２ａと対向するように、複数の半田ボール３を介して配線基板２の上面２ａ上に配置する。
【００７４】
その後、チップ圧着を行う。この時、半導体チップ１の裏面１ｂに、下方に向けた荷重と熱を加えることで、半田ボール３を配線基板２の端子２ａａに接触させるとともに半田ボール３を溶融させ、半田ボール３と端子２ａａとを電気的に接続する。すなわち、フリップチップ実装を行う。
【００７５】
３．封止
ダイボンド後、封止を行う。本封止工程では、例えば、配線基板２の下面２ｂを上方に向け、配線基板２の下面２ｂ側（上方）から配線基板２に形成された貫通孔を介して封止材（アンダーフィル樹脂）４を、半導体チップ１と配線基板２との間に供給（注入）する。これにより、半導体チップ１と配線基板２との間に封止材４を充填する。
【００７６】
なお、封止材４の半導体チップ１と配線基板２との間の隙間への供給は、半導体チップ１の上方から半導体チップ１の周囲に滴下して半導体チップ１と配線基板２との間の隙間に封止材４を充填してもよい。
【００７７】
４．外部端子形成
封止後、外部端子５の形成を行う。本外部端子形成工程では、配線基板２の下面２ｂの複数の端子（ランド）２ｂａに複数の外部端子（半田材（半田ボール））５をそれぞれ形成する。
【００７８】
なお、複数の端子２ｂａに接続する外部端子５は、ボール状の半田材に限らず、半田材を端子２ｂａの表面にコーティングしたもの、あるいはメッキ膜（メッキ層）を端子２ｂａの表面に形成したものであってもよく、その場合、半導体装置は、ＬＧＡ（Land Grid Array)である。
【００７９】
以上により、図１〜図３に示すＢＧＡ（半導体装置）６の組み立て完了となる。
【００８０】
５．効果
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、電極パッド１ｃに塗布されるフラックス材７に導電性部材が含まれているため、半田ボール３と電極パッド１ｃの表面に形成されたメッキとの界面に形成される合金層を成長し易くすることができる。さらに、フラックス材７に導電性部材が含まれたことで、電極パッド１ｃの下方側において発生した熱を、この電極パッド１ｃ上に配置（供給）されたフラックス材７を介して半田ボール３に伝達させることができる。その結果、半田ボール３と電極パッド１ｃとの接合強度を高めることができる。
【００８１】
これにより、半導体装置（ＢＧＡ６）の信頼性を向上させることができる。
【００８２】
なお、フラックス材７に含まれる導電性部材は、導電性粒子８であり、例えば、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の３種類の元素の導電性粒子８を含んでいることが好ましい。あるいは、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等にさらにパラジウム（Ｐｄ）等を添加してもよく、含有する元素の種類が多いほど合金の融点も低くなるため熱伝導効率をより高めることができる。さらに、半田ボール３と電極パッド１ｃとの接合強度もより高めることができる。
【００８３】
その結果、半導体装置（ＢＧＡ６）の信頼性をさらに向上させることができる。
【００８４】
また、本実施の形態の半導体チップ１では、図９に示すように、絶縁膜１ｅの電極パッド１ｃの周縁部を覆う（周縁部と重なる）部分の厚さＴ１が、電極パッド１ｃの厚さＴ２に比べて厚くなっている。そして、絶縁膜１ｅの厚さＴ１が厚いと、絶縁膜１ｅの開口部１ｆにおける電極パッド１ｃとの段差量（すなわち、アスペクト比）も大きくなる。
【００８５】
このような電極パッド１ｃにおける絶縁膜１ｅとの段差量が大きな構造の半導体チップ１では、電極パッド１ｃ上に半田ボール３を配置した際に、電極パッド１ｃに対して半田ボール３が接触しづらいため、半田ボール３の電極パッド１ｃへの接合不良が発生し易い。
【００８６】
しかしながら、本実施の形態の半導体装置の製造方法のように、フラックス材７に導電性部材（導電性粒子８）が含まれていることで、電極パッド１ｃの絶縁膜１ｅとの段差量が大きくても、半田ボール３と電極パッド１ｃとの界面に形成される合金層を成長し易くすることができる。これにより、半田ボール３と電極パッド１ｃとの接合強度を高めて半導体装置（ＢＧＡ６）の信頼性を向上させることができる。
【００８７】
＜変形例＞
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８８】
（変形例１）
図１２は実施の形態の変形例１の半導体装置の構造の一例を示す断面図、図１３は図１２に示すＤ部の構造を示す拡大部分断面図、図１４は図１２に示す半導体装置の組立て手順の一例を示すフロー図である。
【００８９】
図１２および図１３に示す半導体装置は、ウエハプロセスパッケージ（Wafer Process Package)１１と呼ばれるチップサイズと略同等の小型の半導体パッケージである。
【００９０】
ウエハプロセスパッケージ１１は、半導体回路および上記半導体回路と電気的に接続された複数の電極パッド１ｃを備える半導体チップ１と、複数の電極パッド１ｃのそれぞれに接続された再配置配線（配線部）１ｇと、再配置配線１ｇの一部（絶縁膜１ｊから露出する部分）１ｇａに形成された導電層１ｈ、１ｉと、この導電層１ｈ、１ｉを介して再配置配線１ｇの一部１ｇａ上に搭載された半田ボール３と、を有している。なお、本変形例１では、再配置配線１ｇの一部１ｇａと導電層１ｈ、１ｉを合わせて電極パッド（再配置パッド）１ｍとして説明する。また、再配置配線１ｇは、複数の電極パッド１ｃのそれぞれの位置を異なる位置に配置換え（再配置）するものであり、再配線とも呼ばれている。ここでは、複数の電極パッド１ｃのそれぞれから再配置配線１ｇが引き出されている。
【００９１】
なお、再配置配線１ｇは、一例として、３層構造であり、下層側から上層側に向かって順に、クロム（Ｃｒ）層、銅（Ｃｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層等から構成されている。また、半田ボール３が接合される電極パッド１ｍを構成する材料のうち、最上層に位置する導電層１ｉは、例えば、金（Ａｕ）メッキ１ｉである、そして、再配置配線１ｇの一部１ｇａと導電層１ｈ、１ｉから成る電極パッド１ｍ上には、ウエハプロセスパッケージ１１の外部端子として半田ボール３が搭載されている。
【００９２】
また、再配置配線１ｇそれぞれの上層にはポリイミド膜等からなる絶縁膜１ｊが形成されており、この絶縁膜１ｊの開口部１ｋから露出する再配置配線１ｇの一部１ｇａの表面に、導電層１ｈ、１ｉが形成され、さらに、最上層に位置する導電層１ｉの表面に半田ボール３が接合されている。
【００９３】
次に、図１４に示すフロー図に沿って、図１３に示すウエハプロセスパッケージ１１の製造方法について説明する。
【００９４】
まず、ポリイミド層パターニングにより、電極パッド１ｃ上を開口させた絶縁膜１ｅを形成する。絶縁膜形成後、シード層スパッタにより、電極パッド１ｃおよび絶縁膜１ｅ上にクロム（Ｃｒ）層等からなるシード層を形成する。シード層形成後、レジストパターニングにより、絶縁膜１ｅ上にレジスト膜を形成する。
【００９５】
レジスト膜形成後、配線−Ｃｕ／Ｎｉ電解メッキ形成により、電極パッド１ｃに接続して形成された上記シード層上に、銅（Ｃｕ）層と、バリア層であるニッケル（Ｎｉ）層とを電解メッキによって形成する。これにより、電極パッド１ｃに接続する再配置配線（配線部）１ｇが形成される。
【００９６】
再配置配線１ｇを形成した後、レジスト除去（ウエットエッチ）により、レジスト膜を除去する。レジスト膜除去後、ポリイミド層パターニングにより、再配置配線１ｇ上に開口部１ｋを有したポリイミド層等からなる絶縁膜１ｊを形成する。この時、開口部１ｋには再配置配線１ｇの一部を露出させる。
【００９７】
絶縁膜形成後、少なくとも開口部１ｋ内に導電層１ｈ、１ｉを形成し、再配置配線１ｇと電気的に接続させる。これにより、電極パッド１ｃが再配置配線１ｇを介して電極パッド１ｍの形成箇所に再配置された構造となる。なお、導電層１ｈ、１ｉは、例えば、無電解金（Ａｕ）メッキ形成により形成する。そして、導電層１ｉを形成した後、半田ボール３を導電層１ｉ上に配置し、熱で溶融させることにより、再配置配線１ｇの一部１ｇａ上に半田ボール（外部端子）３を形成する。
【００９８】
半田ボール形成後、ダイシングが行われて個々のウエハプロセスパッケージ１１の完成となる。
【００９９】
ここで、ウエハプロセスパッケージ１１の製造工程のうちの半田ボール形成工程では、上記実施の形態のＢＧＡ６の組み立てにおける図８のフラックス材配置工程〜図１０のリフロー工程と同様の処理を行い、これによって電極パッド（再配置パッド）１ｍ上に半田ボール３を搭載する。
【０１００】
これにより、ウエハプロセスパッケージ１１の製造において、半田ボール３を搭載する際のフラックス材７に導電性部材が含まれているため、半田ボール３と電極パッド１ｍの表面に形成されたメッキ（金メッキ１ｉ）との界面に形成される合金層を成長し易くすることができる。さらに、フラックス材７に導電性部材が含まれたことで、半田ボール３に対する熱伝導を向上させることもできる。その結果、半田ボール３と電極パッド１ｍとの接合強度を高めることができる。
【０１０１】
したがって、半導体装置（ウエハプロセスパッケージ１１）の信頼性を向上させることができる。
【０１０２】
また、ウエハプロセスパッケージ１１の半導体チップ１では、再配置配線１ｇ上に形成される絶縁膜１ｊの厚さは、半田ボール３が接合される電極パッド１ｍの厚さに比べて厚い。したがって、絶縁膜１ｊの開口部１ｋにおける電極パッド１ｍとの段差量も大きくなる。
【０１０３】
このような電極パッド１ｍとの段差量が大きな構造の半導体チップ１では、電極パッド１ｍと半田ボール３とは導電層１ｉの一部（小さい面積）でしか接触しない状態となる。これにより、上記実施の形態で説明した電極パッド１ｃの構造（例えば、図６）に比べると、半導体基板１０の下方に位置するステージ１２から発生した熱は、電極パッド（再配置パッド）１ｍ側から半田ボール３に伝わり易い状態にあるものの、半田ボール３を確実に溶融させ、電極パッド（再配置パッド）１ｍに接合させるという点では不十分であり、半田ボール３の接合不良が発生し易い。
【０１０４】
そこで、本変形例１のように、フラックス材７に導電性部材（導電性粒子８）が含まれていることで、導電性部材（導電性粒子８）を介して電極パッド１ｍから半田ボール３に熱が伝わるため、半田ボール３に対して熱を伝え易くすることができる。これにより、電極パッド１ｍの絶縁膜１ｊとの段差量が大きくても、半田ボール３と電極パッド１ｍとの接合強度を高めて半導体装置（ウエハプロセスパッケージ１１）の信頼性を向上させることができる。
【０１０５】
なお、ウエハプロセスパッケージ１１において、その再配置配線１ｇにバリア層としてニッケル（Ｎｉ）層が形成されている場合、上記ＢＧＡ６の組み立ての半田ボール３の加熱方法の変形例として述べた、「リフロー工程の回数を複数回行う」ことについては、半田ボール３を構成する錫（Ｓｎ）が、このバリア層に拡散してバリア層の厚さが薄くなるため、効果の度合いが少ない。つまり、錫（Ｓｎ）が、バリア層に拡散してバリア層の厚さが薄くなると、パッド強度の低下およびパッド信頼性の低下を招くため、Ｎｉバリア層を有したウエハプロセスパッケージ１１の場合には、「リフロー工程の回数を複数回行う」ことは、効果の度合いが少ない。
【０１０６】
（変形例２）
本変形例２では、ウエハプロセスパッケージ１１が再配置配線によって電極パッド１ｃの位置を異なる位置に再配置し直さない構造の場合を説明する。すなわち、再配置配線を形成する方法を用いて電極パッド１ｃの直上に電極パッド１ｈを形成した構造のウエハプロセスパッケージ１１の場合である。
【０１０７】
このように電極パッド１ｃの直上に電極パッド１ｍが形成されたウエハプロセスパッケージ１１の製造工程においても、その半田ボール形成工程で、上記実施の形態のＢＧＡ６の組み立てにおける図８のフラックス材配置工程〜図１０のリフロー工程と同様の処理を行い、これによって電極パッド１ｍ上に半田ボール３を搭載する。
【０１０８】
これにより、電極パッド１ｃの直上に電極パッド１ｍが形成されたウエハプロセスパッケージ１１の製造においても、半田ボール３を搭載する際のフラックス材７に導電性部材が含まれているため、半田ボール３と電極パッド１ｍの表面に形成されたメッキ（金メッキ１ｉ）との界面に形成される合金層を成長し易くすることができる。さらに、フラックス材７に導電性部材が含まれたことで、半田ボール３に対する熱伝導を向上させることもできる。これにより、半田ボール３と電極パッド１ｍとの接合強度を高めることができる。その結果、半導体装置（電極パッド１ｃの直上に電極パッド１ｈが形成されたウエハプロセスパッケージ１１）の信頼性を向上させることができる。
【０１０９】
なお、電極パッド１ｃの直上に電極パッド１ｍが形成されたウエハプロセスパッケージ１１において、その電極パッド１ｈにバリア層としてニッケル（Ｎｉ）層が形成されている場合、上記半田ボール３の加熱方法の変形例として述べた、「リフロー工程の回数を複数回行う」ことについては、半田ボール３を構成する錫（Ｓｎ）が、バリア層に拡散してバリア層の厚さが薄くなる。これにより、効果の度合いが少ない。つまり、錫（Ｓｎ）が、バリア層に拡散してバリア層の厚さが薄くなると、パッド強度の低下やパッド信頼性の低下を招くため、Ｎｉバリア層を有したウエハプロセスパッケージ１１の場合には、「リフロー工程の回数を複数回行う」ことは、効果の度合いが少ない。
【０１１０】
（変形例３）
上記実施の形態では、その封止工程をフリップチップ実装後に行う場合について説明した。つまり、封止材（アンダーフィル樹脂）４をフリップチップ実装後に半導体チップ１と配線基板２との間に充填する場合を説明した。
【０１１１】
しかしながら、封止については、フリップチップ実装を行う前に、予め、フィルム状の樹脂シート材等の封止材４を配線基板２上に配置しておき、フリップチップ実装の際に、樹脂シート材上に半導体チップ１を配置した後、半導体チップ１を介して上記樹脂シート材に熱を付与し、これによって樹脂シート材を硬化させて半導体チップ１と配線基板２との間の封止を行ってもよい。すなわち、樹脂先塗布による封止を行ってもよい。
【０１１２】
（変形例４）
上記実施の形態では、フラックス材７に含まれる導電性部材が、一例として錫（Ｓｎ）の場合を説明したが、フラックス材７に含まれる導電性部材（導電性粒子８）は、錫（Ｓｎ）に限らず、半田ボール３の融点より低い導電性部材（導電性粒子８）であれば、半田ボール３より先に溶融するため、錫（Ｓｎ）以外の他の元素や複数の元素による導電性部材（導電性粒子８）を使用してもよい。
【０１１３】
（変形例５）
上記実施の形態で説明した図６に示す電極パッド１ｃ上の構造において、絶縁膜（保護膜、有機材料（例えば、ポリイミド膜））１ｅの開口部１ｆの断面形状で、そのアスペクト比が、絶縁膜１ｅの開口部１ｆの幅Ｄ１＜絶縁膜１ｅの厚み（深さ）Ｔ１となる場合（開口部１ｆの幅Ｄ１より深さＴ１の方が大きい場合）には、フラックス材７に導電性部材が含まれていることは、さらに有効である。すなわち、絶縁膜１ｅの開口部１ｆの断面形状において、複数の電極パッド１ｃのそれぞれの周縁部を覆う部分の絶縁膜１ｅの厚さＴ１が、複数の電極パッド１ｃのそれぞれの上部における絶縁膜１ｅの開口部１ｆの幅Ｄ１より大きい場合には、絶縁膜１ｅの開口部１ｆの深さＴ１が、開口幅に比べてより深い構造である。
【０１１４】
このようなパッド構造では、半田ボール３が電極パッド１ｃの表面にさらに接触しづらくなるため、上記実施の形態のようにフラックス材７に導電性部材が含まれていることで、半田ボール３と電極パッド１ｃとの界面に形成される合金層を成長し易くすることができる。その結果、半田ボール３と電極パッド１ｃとの接合強度を高めて半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【０１１５】
なお、絶縁膜１ｅの開口部１ｆの断面形状における上記アスペクト比を考慮するのであれば、半田ボール３の接合不良への対策として、絶縁膜１ｅ、特に電極パッド１ｃの周縁部を覆う部分の厚さＴ１を薄くすることも考えられる。しかしながら、絶縁膜１ｅの厚さＴ１を薄くし過ぎる（例えば、電極パッド１ｃの厚さＴ２より薄くする）と、保護膜としての機能（例えば、電極パッド１ｃを押さえ込む力）が低下する恐れがあるため、絶縁膜１ｅの厚さＴ１を薄くすることは有効ではない。
【０１１６】
また、上記実施の形態で述べたように、ポリイミド膜等からなる絶縁膜１ｅのうち、電極パッド１ｃの周縁部を覆う（周縁部と重なる）部分の厚さＴ１が、電極パッド１ｃの厚さＴ２よりも大きい場合にも、上記実施の形態のようにフラックス材７に導電性部材が含まれていることで、半田ボール３と電極パッド１ｃとの界面に形成される合金層を成長し易くすることができる。その結果、半田ボール３と電極パッド１ｃとの接合強度を高めて半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【０１１７】
（変形例６）
上記実施の形態では、絶縁膜１ｅにおける電極パッド１ｃ上の開口部１ｆの平面視の形状が、図７に示すような正方形の場合を説明したが、開口部１ｆの平面視の形状は、正方形以外の長方形や正八角形等であってもよい。なお、開口部１ｆの平面視の形状が長方形の場合には、その短辺に沿った方向の開口幅を半田ボール３の直径との比較の対照とする。
【０１１８】
（変形例７）
さらに、上記実施の形態で説明した技術思想の要旨を逸脱しない範囲内において、変形例同士を組み合わせて適用することができる。
【符号の説明】
【０１１９】
１  半導体チップ
１ｃ  電極パッド
１ｄ，１ｅ  絶縁膜
１ｆ  開口部
１ｇ  再配置配線（配線部）
１ｈ  導電層
１ｉ  導電層
２  配線基板
３  半田ボール
４  封止材（アンダーフィル樹脂）
６  ＢＧＡ（半導体装置）
７  フラックス材
８  導電性粒子（導電性部材）
１０  半導体基板
１１  ウエハプロセスパッケージ（半導体装置）
【図１】
2017183571.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2017183571.tif 000013
【図１２】
2017183571.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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