(57)【要約】【課題】  発電効率の高い金属シリサイド層を有する太陽光発電モジュールを提供する。【解決手段】  実施の形態の太陽光発電モジュールは、発電層として多結晶金属シリサイド層を具備する太陽光発電モジュールにおいて、多結晶金属シリサイド層の上面または下面に設けられた電極層の一部または全部がＧＺＯ電極からなることを特徴とするものである。また、多結晶金属シリサイド層の平均結晶粒径Ａ（μｍ）と膜厚Ｂ（μｍ）の関係がＡ≧Ｂを満たすことが好ましい。【選択図】  図１
2017037876.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電層として多結晶金属シリサイド層を具備する太陽光発電モジュールにおいて、多結
晶金属シリサイド層の上面または下面に設けられた電極層の一部または全部がＧＺＯ電極
からなることを特徴とする太陽光発電モジュール。
【請求項２】
多結晶金属シリサイド層の上面または下面の少なくとも一方の全面にＧＺＯ電極層を設
けたことを特徴とする請求項１記載の太陽光発電モジュール。
【請求項３】
多結晶金属シリサイド層の平均結晶粒径Ａ（μｍ）と膜厚Ｂ（μｍ）の関係がＡ≧Ｂを
満たすことを特徴とする請求項１ないし請求項２のいずれか１項に記載の太陽光発電モジ
ュール。
【請求項４】
多結晶金属シリサイド層の平均結晶粒径Ａ（μｍ）が０．０１μｍ以上であることを特徴
とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の太陽光発電モジュール。
【請求項５】
多結晶金属シリサイド層の膜厚Ｂ（μｍ）が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１
ないし請求項４のいずれか１項に記載の太陽光発電モジュール。
【請求項６】
金属シリサイドはβ−鉄シリサイドまたはバリウムシリサイドの１種であることを特徴と
する請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の太陽光発電モジュール。
【請求項７】
β−鉄シリサイド層はβ−ＦｅＳｉ２層であることを特徴とする請求項６記載の太陽光発
電モジュール。
【請求項８】
バリウムシリサイドがＢａＳｉ２層であることを特徴とする請求項６に記載の太陽光発電
モジュール。
【請求項９】
ショットキー型であることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の
太陽光発電モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
後述する実施形態は、概ね、太陽光発電モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光を利用した太陽電池はクリーンな電気エネルギーとして注目を集めている。太陽
電池としては、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板を使ったものが発電効率が優れ
ていることから主に使われている。また、コストダウンのためにシリコン基板を薄膜化し
た薄膜状アモルファスシリコンを使うことも検討されている。また、これらシリコン系以
外の太陽電池としては、ガリウム、砒素、リン、ゲルマニウム、インジウムなどを使った
化合物半導体系の太陽電池も知られている。これまでの太陽電池は、太陽光を受けるシリ
コン基板の大型化や、化合物の合成プロセスの煩雑さから、コストが高く、思うように普
及が進まないといった問題があった。
近年、金属シリサイドを半導体層とした太陽電池が研究されている。例えば、特開２０
１１−１９８９４１号公報（特許文献１）には、β−ＦｅＳｉ２層を半導体層とした太陽
電池が開示されている。鉄シリサイドなどの金属シリサイドは、単結晶体や多結晶体のど
ちらも製造可能であり、シリコン系太陽電池よりも低コスト化の期待がある。また、金属
シリサイド系太陽電池は、シリコン系太陽電池では使用されない赤外線を感受して発電す
ることからシリコン系太陽電池よりも高効率化への期待もある。
しかしながら、金属シリサイド層を使った太陽電池に関して現状では商品化されておら
ず、研究段階である。これは安定した発電効率が得られないためである。また、金属シリ
サイド層を使った太陽電池は、受光した光の強度により出力変動するため、単独電源とし
ての使用には不安があった。
これを改善するために国際公開番号第２０１４／１７１１４６号公報（特許文献２）
では、金属シリサイド層の膜厚と平均結晶粒径の関係を制御することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１９８９４１号公報
【特許文献２】国際公開番号第２０１４／１７１１４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献２に示したように、金属シリサイド層の膜厚よりも平均結晶粒径を大きくする
ことにより発電効率が改善される。一方で発電効率は２％前後である。そのため、更なる
発電効率の改善が求められている。
本発明が解決しようとする課題は、発電効率のよい金属シリサイド層を使った太陽光発
電モジュールを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態にかかる太陽光発電モジュールは、発電層として多結晶金属シリサイド層を具
備する太陽光発電モジュールにおいて、多結晶金属シリサイド層の上面または下面に設け
られた電極層の一部または全部がＧＺＯ電極からなることを特徴とするものである。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】太陽光発電モジュールを例示するための模式図である。
【図２】他の太陽光発電モジュールを例示するための模式図である。
【図３】多結晶金属シリサイド層を例示するための模式図である。
【図４】ｐｎ接合型多結晶金属シリサイド層を例示するための模式図である。
【図５】ショットキー型多結晶金属シリサイド層を例示するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示する。なお、各図面中、同様の構成
要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、実施形態に係る太陽光発電モジュールを例示するための模式図である。
図中、１は実施形態に係る太陽光発電モジュール、２は多結晶金属シリサイド層、３は
下面電極層、４は上面電極層、５は基板、である。
多結晶金属シリサイド層２の表面側（太陽光受光面側）に上面電極層４、裏面側（太陽
光受光面とは反対側）に下面電極層３が設けられている。多結晶金属シリサイド層は太陽
光を受光して発電する機能を有し、上面電極層４および下面電極層３を使って多結晶金属
シリサイド層で発電した電気を外部に取り出すことができる。そのため、多結晶金属シリ
サイド層が発電層となっている。
【０００８】
実施形態に係る太陽光発電モジュールは、多結晶金属シリサイド層の上面または下面に
設けられた電極層の一部または全部がＧＺＯ電極からなることを特徴とするものである。
これは、下面電極層３または上面電極層４の一部または全部がＧＺＯ電極からなることを
示すものである。
ＧＺＯとはＧａ（ガリウム）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）のことである。また、Ｇ
ＺＯ電極は透明電極の一種である。透明電極であるため光が透過する。そのため、上面電
極層、下面電極層のどちらにも使用することができる。
また、ＧＺＯ電極は、金属シリサイド層と反応し難い材料である。透明電極としてはＩ
ＴＯ、ＡＺＯがある。また、金属シリサイドとしては後述するようにＦｅＳｉ２やＢａＳ
ｉ２が挙げられる。これら金属シリサイドは酸化されやすい。金属シリサイドの酸化によ
り発電効率が低下する。金属シリサイド層上にＩＴＯ電極を設けた場合、ＩＴＯ電極中の
酸素と金属シリサイドが反応し、金属シリサイドが酸化する現象が起きることが分かった
。金属シリサイド層が酸化されることにより、発電効率がそれ以上、向上しなくなる。Ａ
ＺＯ電極に関しても、同様の酸化現象が起きていた。
【０００９】
それに対し、ＧＺＯ電極は酸化現象が抑制される。そのため、多結晶金属シリサイド層
が酸化され難くなるため発電効率が向上する。多結晶金属シリサイド層の結晶粒界に酸素
が入り込むと、粒界トラップ現象が増大する。そのため、多結晶金属シリコン層を用いた
ものにはＧＺＯ電極が有効である。
図２に他の太陽光発電モジュールを例示した。図中の番号は図１と同じである。図２は
、金属シリサイド層２の全面に上面電極層４を設けた構造である。このため、金属シリサ
イド層２の上面全面に上面電極層４、下面全面に下面電極層３を設けた構造となる。この
とき、上面電極層４または下面電極層３の少なくとも一方をＧＺＯ電極とすることにより
、金属シリサイド層２が酸化により劣化することを防ぐことができる。また、上面電極層
４および下面電極層３の両方をＧＺＯ電極とすることが好ましい。また、金属シリサイド
層２の上面下面を電極層で覆うことにより、金属シリサイド層２が外気に触れて酸化され
るのを防ぐことができる。
【００１０】
また、太陽光発電モジュールは、多結晶金属シリサイド層の平均結晶粒径Ａ（μｍ）と
膜厚Ｂ（μｍ）の関係がＡ≧Ｂを満たすことが好ましい。つまり、多結晶金属シリサイド
層の平均結晶粒径が膜厚以上に大きいことを特徴とするものである。多結晶金属シリサイ
ドは、個々の結晶粒子が発電に寄与する。金属シリサイド結晶粒子で発電した電気は前述
のように上面電極層４および下面電極層３を伝って外部に取り出すことになる。つまり、
金属シリサイド層の厚み方向に電気が流れていくことになる。金属シリサイド層２の中を
電気が流れる際に、金属シリサイド結晶粒子同士の粒界がトラップサイトとなる。粒界ト
ラップサイトはキャリアの伝導を阻害する内部抵抗となり、金属シリサイド層で発電した
電気を効率よく取り出すことができなくなり、結果として発電効率が低下する。そのため
、平均結晶粒径Ａ（μｍ）≧膜厚Ｂ（μｍ）とすることにより、金属シリサイド層の厚み
方向に対して粒界の個数を減らす（ゼロ含む）ことができる。このため、金属シリサイド
層の厚み方向に対して金属シリサイド結晶粒子同士の粒界が存在しない状態が最も好まし
い。なお、金属シリサイド層の平均結晶粒径Ａ（μｍ）、膜厚Ｂ（μｍ）の測定方法は、
まず、金属シリサイド層の厚み方向の任意の断面の拡大写真を測定する。そこに写る個々
の結晶粒子の最大径を粒径とし、任意の３０粒の平均値を平均結晶粒径Ａ（μｍ）とする
。また、膜厚に関しては、同様に断面の拡大写真を撮り、任意の１０か所の厚さを測定し
、その平均値を膜厚Ｂ（μｍ）とする。また、拡大写真は結晶粒子同士の粒界が分かる程
度に拡大されているものとする。また、一枚の写真（一視野）に３０粒すべてが入らない
場合いは連続した複数の拡大写真を使うものとする。
【００１１】
図３に多結晶金属シリサイド層の模式図を示した。図中、２は多結晶金属シリサイド層
である。また、Ｂは金属シリサイド層の膜厚である。図３では５粒の結晶粒子が並んだ状
態を模式したものである。結晶粒子同士の粒界は、直線状、曲線状など特に限定されるも
のではない。また、図３に示したように金属シリサイド結晶粒子の個々の粒径は、そこに
写る結晶粒子の最大径を粒径とするので、それぞれＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５が粒径
となる。この作業を３０粒行い、その平均値を求めるものである。
【００１２】
また、多結晶金属シリサイド層の平均結晶粒径Ａ（μｍ）が０．０１μｍ以上（１０ｎ
ｍ以上）であることが好ましい。平均結晶粒径が１０ｎｍ未満では結晶サイズが小さすぎ
てＡ≧Ｂに制御するのが困難となるおそれがある。また、平均結晶粒径の上限は特に限定
されるものではないが、３μｍ以下が好ましい。平均結晶粒径が３μｍを超えて大きいと
均一な結晶を作製するのが困難となるおそれがある。なお、好ましくは平均結晶粒径０．
０５〜１．２μｍ（５０〜１２００ｎｍ）である。
また、多結晶金属シリサイド層の膜厚Ｂ（μｍ）が１μｍ以下であることが好ましい。
また、膜厚が１μｍを超えて厚いと均質な結晶を作製するのが困難となるおそれがある。
また、１μｍを超えて厚くても、それ以上の発電効率が得られないおそれがある。
【００１３】
また、金属シリサイドはβ−鉄シリサイド、バリウムシリサイド、マグネシウムシリサ
イド、クロムシリサイドまたはレニウムシリサイドの１種であることが好ましい。また、
β−鉄シリサイド層はβ−ＦｅＳｉ２層であることが好ましい。また、バリウムシリサイ
ドがＢａＳｉ２層であることが好ましい。
鉄シリサイドとしては、ＦｅＳｉ２以外にもＦｅＳｉ、Ｆｅ３Ｓｉ、Ｆｅ５Ｓｉ３など
が挙げられるが、ＦｅＳｉ２が最も発電効率がよい。なお、化学量論としてＦｅＳｉ２に
近似していれば多少ずれていても使用できる（小数点一桁目を四捨五入してＦｅとＳｉの
原子比が１：２になる範囲）。また、マグネシウムシリサイドはＭｇ２Ｓｉ、クロムシリ
サイドはＣｒＳｉ２、レニウムシリサイドはＲｅＳｉ２が好ましい。また、ＢａＳｉ２、
Ｍｇ２Ｓｉ、ＣｒＳｉ２、ＲｅＳｉ２についても小数点一桁目を四捨五入して原子比がこ
の範囲になるものであればよい。
【００１４】
また、ｐ型β−鉄シリサイド層とｎ型β−鉄シリサイド層を接触構造としたｐｎ接合型
構造、またはショットキー型構造、ＭＩＳ（ｍｅｔａｌ−ｔｈｉｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ
−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)型構造、ＭＯＳ（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒ)型構造のいずれでもよい。また、必要に応じ、不純物などをドープし
てもよい。
また、ｐ型β−ＦｅＳｉ２はキャリア密度が１×１０１４〜１×１０２１ｃｍ−３、ｎ
型β−ＦｅＳｉ２はキャリア密度が１×１０１４〜１×１０２１ｃｍ−３、ショットキー
型β−ＦｅＳｉ２はキャリア密度が１×１０１４〜１×１０１８ｃｍ−３であることが好
ましい。いずれのβ−ＦｅＳｉ２であってもキャリア密度は１×１０１６ｃｍ−３以下で
あることが好ましい。キャリア密度を小さくすることにより発電効率が向上する。言い換
えると、発電効率が向上しているということはキャリア密度が１×１０１６ｃｍ−３以下
となっていることを示す。なお、キャリア密度１×１０１６ｃｍ−３以下とは、１×１０
１４ｃｍ−３のように乗数が小さくなっている数値を示すものとする。
【００１５】
また、バリウムシリサイド層は、ＢａＳｉ２層であることが好ましい。バリウムシリサ
イドとしてはＢａＳｉ２以外にも、ＢａＳｉなどが挙げられるが、ＢａＳｉ２が最も発電
効率がよい。なお、化学量論としてＢａＳｉ２に近似していれば多少ずれていても使用で
きる。また、ｐ型バリウムシリサイド層とｎ型バリウムシリサイド層を接触構造としたｐ
ｎ接合型構造、またはショットキー型構造、ＭＩＳ（ｍｅｔａｌ−ｔｈｉｎ  ｉｎｓｕｌ
ａｔｏｒ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)型構造、ＭＯＳ（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓ
ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)型構造のいずれでもよい。また、必要に応じ、不純物などを
ドープしてもよい。
また、ｐ型ＢａＳｉ２はキャリア密度が１×１０１４〜１×１０２１ｃｍ−３、ｎ型Ｂ
ａＳｉ２はキャリア密度が１×１０１４〜１×１０２１ｃｍ−３、ショットキー型ＢａＳ
ｉ２はキャリア密度が１×１０１４〜１×１０１８ｃｍ−３であることが好ましい。いず
れのＢａＳｉ２であってもキャリア密度は１×１０１７ｃｍ−３以下であることが好まし
い。キャリア密度を小さくすることにより発電効率が向上する。言い換えると、発電効率
が向上しているということはキャリア密度が１×１０１７ｃｍ−３以下となっていること
を示す。これは、他の金属シリサイド（Ｍｇ２Ｓｉ、ＣｒＳｉ２、ＲｅＳｉ２）であって
も同様にキャリア密度が１×１０１７ｃｍ−３以下となっていることが好ましい。なお、
キャリア密度１×１０１７ｃｍ−３以下とは、１×１０１５ｃｍ−３のように乗数が小さ
くなっている数値を示すものとする。
【００１６】
β−ＦｅＳｉ２はバンドギャップＥｇが０．８５ｅＶ程度であり、直接遷移型であるこ
とから波長１５００ｎｍ以下に対し高い吸収効率を有している。また、ＢａＳｉ２はバン
ドギャップＥｇが１．４ｅＶ程度と高く、間接遷移型であることから波長９５０ｎｍ以下
に対し高い吸収効率を有している。１５００ｎｍ以下または９５０ｎｍ以下の赤外線を発
電に利用できることから一日単位でみても長い時間発電することが可能である。また、β
−ＦｅＳｉ２、ＢａＳｉ２は吸収係数がＳｉの１００〜１０００倍と高いことから、同じ
効率としたとき膜厚をＳｉ太陽電池層の１／１００〜１／１０００程度に薄くすることも
可能である。
【００１７】
なお、ｐｎ接合型とショットキー型ではショットキー型であることが好ましい。ショッ
トキー型であれば、ｐｎ接合型のようにｐ型およびｎ型の２種類の金属シリサイドを調製
する必要がないため、低コスト化が図れる。
図４にｐｎ接合型多結晶金属シリサイド層、図５にショットキー型多結晶金属シリサイ
ド層を有する太陽光発電モジュールの模式図を示した。図中、２は多結晶金属シリサイド
層、２−１はｐ型多結晶金属シリサイド層、２−２はｎ型多結晶金属シリサイド層、２−
３は空乏層、３は下面電極層、４は上面電極層、である。
図４はｐｎ接合型多結晶金属シリサイド層を有する太陽光発電モジュールの模式図であ
る。図４では上面電極層側にｐ型、下面電極層側にｎ型を設けた構造を例示したが、ｐ型
とｎ型を逆にしてもよい。また、図４に示したように、ｐｎ接合型構造に電荷を印可する
とｐ型層２−１とｎ型層２−２の間に空乏層２−３が形成される。空乏層の存在により電
気二重層となり電気の取出しが可能となる。
【００１８】
図５はショットキー型多結晶金属シリサイド層を有する太陽光発電モジュールの模式図
である。図５の多結晶金属シリサイド層２はｐ型層２−１またはｎ型層２−２のどちらで
もよい。また、ショットキー型は、金属と半導体の間で整流作用を示す接合のことである
。また、金属と半導体の接触で空乏層が形成される。今回の場合、金属は上面電極層４ま
たは下面電極層３である。また、半導体は多結晶金属シリサイド層である。
また、ｐｎ接合型は主に少数キャリアを使って電流を流すのに対し、ショットキー型は
主に多数キャリアを使って電流を流す構造である。そのため、ショットキー型の方が高速
動作に優れた太陽光発電モジュールを作製することができる。なお、ｐ型の作製は、周期
律表３Ｂ族から選ばれる１種をドープする方法を例示することができる。また、周期律表
３Ｂ族はＢ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、Ｔｌ（タリウム）である。また、ｎ型の作製は、周期律表５Ｂ族から選ばれる１種をド
ープする方法を例示することができる。また、周期律表５Ｂ族は、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン
）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）である。
【００１９】
また、上面電極層４は波長１５００ｎｍ以下の光が透過する電極材料であることが好ま
しい。このような材料としては、ＧＺＯ、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯなどの透明電極材料が
挙げられる。また、表面電極層４は多結晶金属シリサイド層２上に１か所以上形成されて
いればよい。
また、多結晶金属シリサイド層２上に窒化膜を設けた後、その上に透明電極材料を形成
しても良い。窒化膜は多結晶金属シリサイド層２の酸化や吸湿を防止する保護膜の効果が
ある。また、窒化膜としては、シリコン窒化膜が好ましい。また、シリコン窒化膜として
は、ＳｉｘＮｙ、ＳｉｘＮｙＯｚ、ＳｉｘＮｙＯｚＨα、ＳｉｘＮｙＨαから選ばれる１
種が好ましい。なお、ｘ、ｙ、ｚ、αは原子比であり、０＜ｘ≦３．０、０＜ｙ≦４．０
、０≦ｚ≦１．０、０≦α≦０．１であることが好ましい。また、窒化膜の膜厚は１０ｎ
ｍ以下、さらには５ｎｍ以下が好ましい。窒化膜は絶縁性（導電性が低い）ものが多い。
膜厚が１０ｎｍを超えると電気が流れなくなるおそれがある。１０ｎｍ以下、さらには５
ｎｍ以下の薄い膜にすることにより、トンネル効果が得られるので導通に影響はなくなる
。なお、窒化膜の膜厚の最小値は保護膜として機能するのであれば特に限定されるもので
はないが、２ｎｍ以上が好ましい。
また、窒化膜は、スパッタ法、ＣＶＤ法、直接窒化法（金属シリサイドを窒化する方法
）などの成膜方法が挙げられる。また、各成膜方法を行う場合、成膜中の雰囲気に酸素や
水素を含有させることにより、ＳｉｘＮｙＯｚ、ＳｉｘＮｙＯｚＨα、ＳｉｘＮｙＨαを
形成することができる。
また、必要に応じ、上面電極層４および多結晶金属シリサイド層２の上に反射防止膜や
ガラス基板を設けてもよいものとする。
【００２０】
また、多結晶金属シリサイド層２の裏面側には下面電極層３および基板５が形成されて
いる。下面電極層３は、導電性を有する材料であればよく、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕなど
の金属材料（合金含む）、ＬａＢ６、ＴｉＮなどの導電性窒化物やニッケルシリサイド（
ＮｉＳｉ２）やコバルトシリサイド（ＣｏＳｉ）などの金属シリサイドが挙げられる。β
−ＦｅＳｉ２を使用する場合はＮｉＳｉ２を用いることが好ましい。ＮｉＳｉ２はβ−Ｆ
ｅＳｉ２の結晶配向性を制御するテンプレートとしても機能する電極材料である。
また、下面電極層３として合金を使用する場合、Ａｌ合金が挙げられる。また、Ａｌ合
金としては、ＡｌＮｄ合金といったＡｌ−希土類合金が挙げられる。また、Ａｌ−希土類
合金中の希土類含有量は１０ａｔ％以下が好ましい。
また、下面電極層３は耐熱性のある材料であることが好ましい。後述するように多結
晶金属シリサイド層２を作製する際に熱処理を施すことが好ましい。このため、下面電極
層３は耐熱性を有する材料であることが好ましい。耐熱性のある材料としては、ＮｉＳｉ
２、ＡｌＮｄ合金、ＬａＢ６、ＴｉＮが挙げられる。耐熱性のある電極材料を使うことに
より電極層の形成歩留りが向上する。特に、下面電極層３に透光性が不要な場合は、これ
ら耐熱性のよい材料が好ましい。
また、電極層３としては、多結晶金属シリサイド層の仕事関数のマッチングを行うこと
が好ましい。具体的には、ｐ型多結晶金属シリサイド層の電極層は、ｐ型多結晶金属シリ
サイド層の仕事関数より低いものであることが好ましい。また、ｎ型多結晶金属シリサイ
ド層の電極層は、ｎ型多結晶金属シリサイド層の仕事関数より高いものであることが好ま
しい。このようなマッチングを行うことにより、多結晶金属シリサイド層と電極層との間
に整流特性を付与することができる。整流特性とは一定方向に電流が流れやすくなる特性
である。整流特性を付与することにより、発電効率が向上する。
また、金属シリサイド層２と電極層３の間には、必要に応じ、部分的に絶縁層を設けて
もよい。
また、基板５は、ガラス基板、絶縁性セラミックス基板や金属基板などが挙げられる。
なお、金属基板の場合は絶縁層を設けて外部との絶縁性を確保するものとする。
以上のような太陽光発電モジュールであれば、発電効率のよい太陽光発電モジュールを
提供することができる。
【００２１】
ここで、太陽光発電モジュールの製造方法について説明する。本実施形態に関しては上
記構成を有していれば製造方法は特に限定されるものではないが、効率よく得るための方
法として次の方法が挙げられる。
まず、基板５を用意する。必要に応じ、基板５の表面を洗浄する。洗浄した場合は、十
分に乾燥工程を行うものとする。
次に、下面電極層３を形成する。下面電極層３は、電極層を構成する成分をスパッタリ
ング法などの成膜法を使って形成する。下面電極層３の厚さは、任意であるが、１０ｎｍ
以上であることが好ましい。
また、ＮｉＳｉ２などの金属シリサイドを下面電極層３として用いる場合は、ＮｉＳｉ
２ターゲットを用いる方法、Ｎｉターゲット（金属ターゲット）およびＳｉターゲットの
両方を用いる方法が挙げられる。ＮｉターゲットおよびＳｉターゲットの両方を用いる方
法の場合、ＮｉターゲットとＳｉターゲットを同時スパッタまたは交互スパッタのどちら
でもよい。また、スパッタ後、熱処理を行いＮｉＳｉ２に反応させることが好ましい。熱
処理条件としては窒素などの不活性雰囲気中、３００〜７００℃、３０秒〜５分が好まし
い。７００℃を超えた高温または５分を超えた長時間の熱処理を行うと基板５などの歪み
を生じるおそれがある。なお、ＮｉＳｉ２の純度は９９．９ｗｔ％以上、さらには９９．
９９９ｗｔ％以上であることが好ましい。また、ＮｉＳｉ２は多結晶膜または単結晶膜の
どちらでもよい。なお、多結晶膜の場合は平均結晶粒径が大きいものがよい。ＮｉＳｉ２
などの下地層の平均結晶粒径を大きくすることにより、その上に形成される多結晶金属シ
リサイド層２の平均結晶粒径を大きくすることができる。下地層を単結晶膜にしても同様
の効果が得られる。
【００２２】
次に、下面電極層３に対し、必要に応じ、パターニング処理を行う。パターニング処理
は、パターン（配線）として残したい箇所にエッチングレジストを塗布またはマスク材を
配置し、エッチング処理を行う方法が挙げられる。
次に、金属シリサイド層を設ける工程を行う。金属シリサイド層を設ける場合、スパッ
タリング法などの成膜法を使って形成する。また、金属シリサイド層の厚さは０．０１μ
ｍ（１０ｎｍ）以上であることが好ましい。
また、β−ＦｅＳｉ２層を形成する場合、ＦｅＳｉ２ターゲットをスパッタする方法、
ＦｅターゲットおよびＳｉターゲットの両方を用いる方法が挙げられる。Ｆｅターゲット
およびＳｉターゲットの両方を用いる方法の場合、ＦｅターゲットとＳｉターゲットを同
時スパッタまたは交互スパッタのどちらでもよい。また、スパッタ後、熱処理を行いＦｅ
Ｓｉ２に反応させることが好ましい。熱処理条件としては不活性雰囲気中または還元性雰
囲気中、３００〜９００℃、３０秒〜１時間が好ましい。不活性雰囲気としては窒素ガス
、アルゴンガスなどが挙げられる。また、還元性雰囲気としては、水素を含有した窒素ガ
スなどが挙げられる。また、９００℃を超えた高温または１時間を超えた長時間の熱処理
を行うと基板５などの歪みを生じるおそれがある。なお、下面電極層３として金属シリサ
イド（ＮｉＳｉ２またはＣｏＳｉ）を使った場合、熱処理温度を５００℃以下とすること
ができる。これは金属シリサイドがβ−ＦｅＳｉ２層を形成するためのテンプレートの役
割を果たすためである。また、β−ＦｅＳｉ２層を形成するための熱処理温度が５００℃
以下にできれば、基板、特にガラス基板へのダメージを低減することができるため望まし
い。また、スパッタ後の熱処理によって、β−ＦｅＳｉ２層の平均結晶粒径の制御ができ
る。
【００２３】
また、均質なβ−ＦｅＳｉ２層を得るには、ＦｅターゲットとＳｉターゲットを交互に
スパッタした後、熱処理を行う方法が好ましい。Ｆｅ膜を０．５〜５ｎｍ、Ｓｉ膜を１〜
１０ｎｍの範囲とし、Ｆｅ膜／Ｓｉ膜を１セットとし、目的とする膜厚になるまで交互に
積層膜を形成し、熱処理を施す。熱処理により、Ｆｅ膜とＳｉ膜が反応し、多結晶のβ−
ＦｅＳｉ２層となる。また、Ｆｅ膜とＳｉ膜を交互に積層する場合、ＳｉとＦｅの原子比
がＦｅ：Ｓｉ＝１：１．５〜２．５、さらには原子比Ｆｅ：Ｓｉ＝１：２．０〜２．５で
あることが好ましい。ＦｅとＳｉの原子比を１：２．０〜２．５とすることにより均質な
β−ＦｅＳｉ２層を形成され易くなる。均質なβ−ＦｅＳｉ２層となると抵抗率が４×１
０４Ωｃｍ以上となる。特にＦｅ：Ｓｉ＝１：２．１〜２．４の範囲とすることにより、
抵抗率を１×１０５Ωｃｍ以上とすることができる。シート抵抗値が高いということは、
抵抗値の低い金属Ｆｅや金属Ｓｉとなっている部分が少なく、均質なβ−ＦｅＳｉ２層が
得られていることを示す。
【００２４】
また、ＦｅＳｉ２ターゲットをスパッタする方法、ＦｅターゲットおよびＳｉターゲッ
トの両方を用いる方法のいずれの方法であっても、使用するスパッタリングターゲットの
純度は９９．９ｗｔ％以上、さらには９９．９９９ｗｔ％以上の高純度のものであること
が好ましい。
また、スパッタリング工程では真空中または不活性雰囲気中で行うことが好ましい。真
空中または不活性雰囲気中で行うことにより、スパッタ工程中の不純物の混入を防ぐこと
ができる。また、真空中は１×１０−３Ｐａ以下、不活性雰囲気中はアルゴンガスが好ま
しい。また、スパッタ工程中に、加熱雰囲気としてもよい。
なお、シート抵抗値の測定は、β−ＦｅＳｉ２層表面を４探針法により行うものとする
。また、均質なβ−ＦｅＳｉ２層の形成はＸＲＤ法でも確認することができる。出来上が
ったβ−ＦｅＳｉ２層をＸＲＤ分析（２θ）したとき、β−ＦｅＳｉ２に特有の（２０２
）／（２２０）面のピークが２８〜３０°、（００４）／（０４０）面のピーク、（４２
２）面のピークおよび（１３３）面のピークが４２〜５８°の間に検出される。また、（
２０２）／（２２０）面のピークが最強ピークになることが好ましい。また、均質なβ−
ＦｅＳｉ２となっているとＸＲＤ分析を行ったとき金属Ｆｅや金属Ｓｉのピークは検出さ
れないものとなる。
【００２５】
また、熱処理を施して、均質なβ−ＦｅＳｉ２層を得ると赤外線吸収特性として６３０
０〜６５００ｃｍ−１に吸収端（ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｅｄｇｅ）を設けることができ
る。また、上記のようなＦｅ膜とＳｉ膜を交互にスパッタして熱処理によりβ−ＦｅＳｉ
２層を形成したものは、シート抵抗の温度依存性が良い。シート抵抗温度依存性をアレニ
ウスプロット（Ａｒｒｈｅｎｉｏｓ  ｐｌｏｔ）したとき、２９８Ｋ（２５℃）で「抵抗
率が８×１０４Ωｃｍ、Ｅａ＝０．１４２ｅＶ」であるものが、２００Ｋ（−７３℃）で
「抵抗率３．６×１０５Ωｃｍ、Ｅａ＝０．１２３ｅＶ」、９０Ｋ（−１８３℃）で「抵
抗率３．６×１０６Ωｃｍ、Ｅａ＝０．０９２６ｅＶ」、５０Ｋ（−２２３℃）で「抵抗
率２×１０７Ωｃｍ、Ｅａ＝０．０３９５ｅＶ」となる。低温領域でも優れた抵抗率を示
すということはキャリア密度が１×１０１８ｃｍ−３以下になっていることを示している
。
このため、Ｆｅ膜とＳｉ膜を交互に積層して熱処理によりβ−ＦｅＳｉ２に反応させる
方法は、均質なβ−ＦｅＳｉ２層が得られる。また、熱処理条件を調製することにより、
多結晶金属シリサイド層の平均結晶粒径Ａ（μｍ）と膜厚Ｂ（μｍ）の関係がＡ≧Ｂを満
たすこともできる。
【００２６】
また、ＢａＳｉ２層を形成する場合は、バリウムシリサイドターゲットをスパッタする
方法が挙げられる。バリウムシリサイドターゲットとしては、ＢａＳｉ２，ＢａＳｉなど
が挙げられる。なお、ＢａＳｉ２層形成後、窒化膜（保護膜）を連続成膜することで大気
開放後の酸化や吸湿を防止することができる。また、スパッタリング工程を真空中または
不活性雰囲気中で行うことにより酸化を抑制しながら成膜することができる。真空雰囲気
としては、１×１０−３Ｐａ以下であることが好ましい。また、不活性雰囲気は、窒素、
アルゴンなどが好ましい。また、スパッタ工程中に、加熱雰囲気としてもよい。
また、スパッタリング工程は、ＢａＳｉ２ターゲットを用いて成膜した後、熱処理を行
う方法を用いても良い。また、スパッタリング工程は、ＢａＳｉ２，ＢａＳｉなどのよう
にＢａとＳｉの組成比を変えたスパッタリングターゲットを用意し、交互に積層スパッタ
して、スパッタ後、熱処理を行いＢａＳｉ２に反応させる方法を用いても良い。熱処理条
件としては真空下、不活性雰囲気中または還元性雰囲気中、３００〜９００℃、３０秒〜
１時間が好ましい。９００℃を超えた高温または１時間を超えた長時間の熱処理を行うと
基板５などの歪みを生じるおそれがある。また、真空中で熱処理する場合、真空雰囲気は
１×１０−３Ｐａ以下であることが好ましい。また、不活性雰囲気は、窒素、アルゴンな
どが好ましい。また、還元性雰囲気は、水素を含有した窒素雰囲気などが挙げられる。
【００２７】
また、ＢａＳｉ２層を形成する場合は、真空蒸着法により、バリウムとシリコンを共蒸
着する方法も挙げられる。真空蒸着法では、純度の高い蒸着源が使用可能なため、ＢａＳ
ｉ２層の不純物を低減できる。バリウムとシリコンの蒸着源の純度は、それぞれ、９９ｗ
ｔ％以上が好ましい。さらには９９．９ｗｔ％以上と高純度のものが望ましい。なお、Ｂ
ａＳｉ２層形成後、窒化膜（保護膜）を連続成膜することで大気開放後の酸化や吸湿を、
さらに防止することができる。また、共蒸着工程を真空中で行うことにより酸化を抑制し
ながら成膜することができる。真空雰囲気としては、１×１０−４Ｐａ以下であることが
好ましい。共蒸着工程中に、加熱雰囲気としてもよい。
また、共蒸着工程は、バリウムとシリコンの蒸着源を用いてＢａＳｉ２を成膜した後、
熱処理を行う方法を用いても良い。また、共蒸着工程は、バリウムとシリコンの蒸着源を
交互に積層蒸着して、蒸着後、熱処理を行いＢａＳｉ２に反応させる方法を用いても良い
。熱処理条件としては真空下、不活性雰囲気中または還元性雰囲気中、３００〜９００℃
、３０秒〜１時間が好ましい。９００℃を超えた高温または１時間を超えた長時間の熱処
理を行うと基板５などの歪みを生じるおそれがある。また、真空中で熱処理する場合、真
空雰囲気は１×１０−３Ｐａ以下であることが好ましい。また、不活性雰囲気は、窒素、
アルゴンなどが好ましい。また、還元性雰囲気は、水素を含有した窒素雰囲気などが挙げ
られる。
なお、下面電極層３として金属シリサイド（ＮｉＳｉ２またはＣｏＳｉ）を使った場合
、熱処理温度を５００℃以下とすることができる。これは金属シリサイドがＢａＳｉ２層
を形成するためのテンプレートの役割を果たすためである。また、ＢａＳｉ２層を形成す
るための熱処理温度が５００℃以下にできれば、基板、特にガラス基板へのダメージを低
減することができるため望ましい。また、スパッタ後の熱処理によって、ＢａＳｉ２層の
平均結晶粒径の制御ができる。
また、電極層３として金属シリサイド（ＮｉＳｉ２またはＣｏＳｉ）を使う場合、金属
シリサイド電極層は多結晶体または単結晶体のどちらでもよい。
【００２８】
また、多結晶体にする場合、その平均結晶粒径はできるだけ大きな方が望ましい。平均
結晶粒径の大きな金属シリサイド電極層３上に多結晶金属シリサイド層２を設けると、平
均結晶粒径Ａ（μｍ）と膜厚Ｂ（μｍ）の関係がＡ≧Ｂを満たし易くなる。
また、金属シリサイドを下面電極層３として使用する場合は、金属シリサイド電極層３
を下地層とし、その下に金属電極などを設けた多層電極構造にしてもよい。
また、前述のように下面電極層３のパターニング処理を行った場合、下面電極層３の設
けられていない個所にレジストまたはマスク材を配置してから行うものとする。
また、ｐｎ接合型のように積層構造とする場合は、それぞれ不純物をドーピングする工
程を行うものとする。
【００２９】
前述のようにスパッタリング法と熱処理を組合せることにより多結晶金属シリサイド層
となる。多結晶金属シリサイド層の平均結晶粒径Ａ（μｍ）と膜厚Ｂ（μｍ）の関係がＡ
≧Ｂを満たすようにするには、多結晶金属シリサイド層に熱処理を加えて粒成長させるこ
とが有効である。この熱処理は３００〜９００℃、３０秒〜１時間が好ましい。また、こ
の熱処理はＦｅターゲットとＳｉターゲットを同時スパッタまたは交互スパッタした後の
熱処理と併せて行ってもよい。
また、ショットキー型構造であれば、熱処理温度を５００℃以下にできるので基板５へ
のダメージを低減できる。
【００３０】
次に、上面電極層４を設ける工程を行う。上面電極層は、ＧＺＯ、ＩＴＯやＡＴＯなど
の透明電極を用いる場合には、ＧＺＯターゲット、ＩＴＯターゲットまたはＡＴＯターゲ
ットを用いたスパッタリング法により形成することが好ましい。
また、図１に示したように、金属シリサイド層２上に部分的に上面電極部４を設ける場
合は、レジストまたはマスク材を配置してスパッタリングを行うものとする。また、図２
に示したように、金属シリサイド層２上の全面に上面電極層４を設ける場合は、金属シリ
サイド層２の周囲にレジストまたはマスク材を配置してスパッタリングを行うものとする
。
また、上面電極層４は、少なくとも１部または全部をＧＺＯ電極とすることが好ましい
。ＧＺＯ電極は、金属シリサイド層との反応し難い材料であるため好ましい。
また、上面電極層４を形成した後は、必要に応じ、反射防止膜を形成したり、ガラス基
板などの透明基板と張り合わせてもよい。また、上面電極層６を予め設けた透明基板と張
り合わせてもよい。
【００３１】
また、金属シリサイド層２が酸化されないように、金属シリサイド層２の側面に酸化防
止膜を設けることが好ましい。
【００３２】
（実施例）
（実施例１〜２、比較例１）
ガラス基板上に下面電極層としてＮｉＳｉ２層（厚さ２０ｎｍ）を設けた。なお、ＮｉＳ
ｉ２層の形成は、ＮｉターゲットとＳｉターゲットを交互スパッタし、Ｎｉ／Ｓｉが交互
に多数積層した積層膜を形成した。その後、窒素雰囲気中、５００℃×１分間熱処理して
ＮｉＳｉ２層に反応させた。なお、ＮｉターゲットまたはＳｉターゲットは純度９９．９
ｗｔ％のものを用いた。
次に、ＮｉＳｉ２層上にβ−ＦｅＳｉ２層（厚さ３００ｎｍ）を形成した。β−ＦｅＳ
ｉ２層の形成は、ＦｅターゲットとＳｉターゲットを交互にスパッタし、Ｆｅ膜／Ｓｉ膜
が交互に多数積層した積層膜を形成した。実施例１および実施例２はＦｅ膜の膜厚を１〜
３ｎｍ、Ｓｉ膜の膜厚を５〜１０ｎｍの範囲で交互に積層した。また、実施例１は原子比
をＦｅ：Ｓｉ＝１：２．１、実施例２は原子比をＦｅ：Ｓｉ＝１：２．３にしたものであ
る。なお、ＦｅターゲットとＳｉターゲットは純度９９．９ｗｔ％のものを用いた。その
後、表１に示した条件で熱処理することにより、平均結晶粒径と膜厚の関係を制御した。
【００３３】
また、β−ＦｅＳｉ２層上に、ＧＺＯからなる表面電極層を設けた。なお、ＧＺＯ表面
電極層はＧＺＯターゲットをスパッタリングして形成した。また、比較例１は、実施例１
の上面電極層をＩＴＯ電極に変えたものである。
また、実施例１はβ−ＦｅＳｉ２層の上面の半分にＧＺＯ電極を設けた。実施例２は、
β−ＦｅＳｉ２層の上面全面にＧＺＯ電極を設けた。
このような方法により、ショットキー型構造を有する太陽光発電モジュールを作製した
。得られた太陽光発電モジュールに対し、β−ＦｅＳｉ２層の平均結晶粒径を求めた。平
均結晶粒径の測定は、β−ＦｅＳｉ２層を厚み方向に切断し、その断面の拡大写真を撮り
、個々の結晶粒子の最大径の３０粒の平均値から求めた。また、β−ＦｅＳｉ２層をＸＲ
Ｄ分析した結果、β−ＦｅＳｉ２結晶のピークのみ検出され、金属Ｆｅおよび金属Ｓｉの
ピークは検出されなかった。
【００３４】
【表１】
2017037876.tif 000003
【００３５】
実施例１〜２および比較例１に係る太陽光発電モジュールに関し、発電効率を求めた。
発電効率の測定方法は、発光強度３０Ｗ／ｍ２、色温度５７００Ｋの太陽光スペクトル（
昼１２時の発光スペクトルに近似）を具備するＬＥＤ照明光を照射して発電効率を求めた
。その結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】
2017037876.tif 000004
【００３７】
表から分かる通り、実施例に係る太陽光発電モジュールは効率が良かった。これは、Ｇ
ＺＯ電極が金属シリサイド層と反応し難いためである。また、平均結晶粒径Ａ≧膜厚Ｂと
なっているため粒界トラップサイドが低減したためである。
【００３８】
（実施例３〜４、比較例２）
ＳｉＯ２基板上にＡｌＮｄ合金電極層（厚さ５０ｎｍ）を設けた。なお、ＡｌＮｄ合金
はＡｌ−１ａｔ％Ｎｄ合金を用いた。
次にＡｌＮｄ電極層上にＢａＳｉ２層（厚さ３００ｎｍ）を形成した。ＢａＳｉ２層の
形成は、ＢａＳｉ２ターゲットをスパッタし、その後、シリコン窒化膜層(厚さ３ｎｍ)を
連続成膜した。なお、スパッタ工程は、０．２ＰａのＡｒ雰囲気中、３００℃の加熱雰囲
気で行った。また、ＢａＳｉ２ターゲットは純度９９ｗｔ％のものを用いた。
その後、表３に示した条件で熱処理することにより、平均結晶粒径と膜厚の関係を制御
した。
また、ＢａＳｉ２層上に、ＧＺＯからなる上面電極層を設けた。なお、ＧＺＯ上面電極
層はＧＺＯターゲットをスパッタリングして形成した。
また、比較例２は、実施例３の上面電極層をＡＺＯ電極に変えたものである。
また、実施例３はＢａＳｉ２層の上面の半分にＧＺＯ電極を設けた。実施例４は、Ｂａ
Ｓｉ２層の上面全面にＧＺＯ電極を設けた。
このような方法により、ショットキー型構造を有する太陽光発電モジュールを作製した
。得られた太陽光発電モジュールに対し、ＢａＳｉ２層の平均結晶粒径を求めた。平均結
晶粒径の測定は、ＢａＳｉ２層を厚み方向に切断し、その断面の拡大写真を撮り、個々の
結晶粒子の最大径の３０粒の平均値から求めた。
【００３９】
【表３】
2017037876.tif 000005
【００４０】
実施例３〜４および比較例２に係る太陽光発電モジュールに関し、発電効率を求めた。
発電効率の測定方法は、実施例１と同様の方法である。その結果を表４に示す。
【００４１】
【表４】
2017037876.tif 000006
【００４２】
表から分かる通り、実施例に係る太陽光発電モジュールは効率が良かった。これは、Ｇ
ＺＯ電極が金属シリサイド層と反応し難いためである。また、平均結晶粒径Ａ≧膜厚Ｂと
なっているため粒界トラップサイドが低減したためである。
【００４３】
（実施例５〜６、比較例３）
ガラス基板上に下面電極層としてＮｉＳｉ２層（厚さ２０ｎｍ）を設けた。なお、Ｎｉ
Ｓｉ２層の形成は、ＮｉターゲットとＳｉターゲットを交互スパッタし、Ｎｉ／Ｓｉが交
互に多数積層した積層膜を形成した。その後、窒素雰囲気中、５００℃×１分間熱処理し
てＮｉＳｉ２層に反応させた。また、ＮｉターゲットおよびＳｉターゲットは純度９９．
９９ｗｔ％のものを用いた。
ＮｉＳｉ２層上に、ｎ型β−ＦｅＳｉ２層、さらにその上にｐ型β−ＦｅＳｉ２層を設
けた。ｎ型およびｐ型のβ−ＦｅＳｉ２層の形成は、ＦｅターゲットとＳｉターゲットを
交互にスパッタし、Ｆｅ膜／Ｓｉ膜が交互に多数積層した積層膜を形成した。実施例５〜
６はＦｅ膜の膜厚を１〜３ｎｍ、Ｓｉ膜の膜厚を５〜１０ｎｍの範囲で交互に積層した。
また、実施例５〜６は原子比をＦｅ：Ｓｉ＝１：２．２５にしたものである。なお、Ｆｅ
ターゲットおよびＳｉターゲットは純度９９．９９ｗｔ％のものを用いた。また、スパッ
タ工程は１×１０−３Ｐａ以下の真空中で行った。その後、表５に示した条件で熱処理す
ることにより、平均結晶粒径と膜厚の関係を制御した。なお、ｎ型、ｐ型の作製は不純物
ドープにより行った。
また、β−ＦｅＳｉ２層上に、ＧＺＯからなる上面電極層を設けた。なお、ＧＺＯ下面
電極層はＧＺＯターゲットをスパッタリングして形成した。また、比較例３は、実施例５
の上面電極層をＩＴＯ電極に変えたものである。
また、実施例５はβ−ＦｅＳｉ２層の上面の半分にＧＺＯ電極を設けた。実施例６は、
β−ＦｅＳｉ２層の上面全面にＧＺＯ電極を設けた。これにより、ｐｎ接合型多結晶β−
ＦｅＳｉ２太陽光発電モジュールを作製した。
【００４４】
【表５】
2017037876.tif 000007
【００４５】
実施例５〜６、比較例３に係る太陽光発電モジュールに関し、発電効率を求めた。発電
効率の測定方法は、実施例１と同様の方法である。その結果を表６に示す。
【００４６】
【表６】
2017037876.tif 000008
【００４７】
表から分かる通り、実施例に係る太陽光発電モジュールは効率が良かった。これはＧＺ
Ｏ電極が金属シリサイド層との反応が抑制されているためである。また、平均結晶粒径Ａ
≧膜厚Ｂとなっているため粒界トラップサイドが低減したためである。このようにｐｎ接
合型に関しても有効であることが判明した。
【００４８】
（実施例７〜８、比較例４）
ＳｉＯ２基板上に、下面電極層としてＬａＢ６電極層（厚さ５０ｎｍ）を設けた。次に
ＬａＢ６電極層上にｎ型ＢａＳｉ２層、その上にｐ型ＢａＳｉ２層を形成した。なお、ス
パッタ工程は、０．２ＰａのＡｒ雰囲気中、３００℃の加熱雰囲気で行った。また、Ｂａ
Ｓｉ２ターゲットは純度９９ｗｔ％のものを用いた。
その後、表７に示した条件で熱処理することにより、平均結晶粒径と膜厚の関係を制御
した。
また、ＢａＳｉ２層上に、ＧＺＯからなる上面電極層を設けた。なお、ＧＺＯ上面電極
層はＧＺＯターゲットをスパッタリングして形成した。
また、比較例４は、実施例７の上面電極層をＡＺＯ電極に変えたものである。
また、実施例７はＢａＳｉ２層の上面の半分にＧＺＯ電極を設けた。実施例８は、Ｂａ
Ｓｉ２層の上面全面にＧＺＯ電極を設けた。このような方法により、ｐｎ接合型構造を有
する太陽光発電モジュールを作製した。
【００４９】
【表７】
2017037876.tif 000009
【００５０】
実施例７〜８、比較例４に係る太陽光発電モジュールに関し、発電効率を求めた。発電
効率の測定方法は、実施例１と同様の方法である。その結果を表８に示す。
【００５１】
【表８】
2017037876.tif 000010
【００５２】
表から分かる通り、実施例に係る太陽光発電モジュールは効率が良かった。これはＧＺ
Ｏ電極が金属シリサイド層との反応が抑制されているためである。また、平均結晶粒径Ａ
≧膜厚Ｂとなっているため粒界トラップサイドが低減したためである。このようにｐｎ接
合型に関しても有効であることが判明した。
【００５３】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示
したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は
、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、
種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、
発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範
囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１…実施形態に係る太陽光発電モジュール
２…多結晶金属シリサイド層
２−１…ｐ型多結晶金属シリサイド層
２−２…ｎ型多結晶金属シリサイド層
２−３…空乏層
３…上面電極層
４…下面電極層
５…基板
【図１】
2017037876.tif 000011
【図２】
2017037876.tif 000012
【図３】
2017037876.tif 000013
【図４】
2017037876.tif 000014
【図５】
2017037876.tif 000015