(57)【要約】【課題】信頼性の向上が図れるパターンの製造方法を提供する。【解決手段】パターンの製造方法は、可撓性を有する支持基板３上に配置され且つ支持基板３に対して剥離性を有するマスクＭを用いて、支持基板３上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、マスクＭを支持基板３から剥離する剥離工程と、マスクＭを剥離したときに生じたダストを除去する除去工程と、を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する支持基板上に配置され且つ前記支持基板に対して剥離性を有するマスクを用いて、前記支持基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記マスクを前記支持基板から剥離する剥離工程と、
前記マスクを剥離したときに生じたダストを除去する除去工程と、を含む、パターンの製造方法。
【請求項２】
前記剥離工程及び前記除去工程は、巻出しロールに巻き取られた前記支持基板から連続的に送り出された前記支持基板を、巻取りロールに巻き取る過程中に行われる、請求項１に記載のパターンの製造方法。
【請求項３】
前記除去工程では、前記ダストを吸引機構により吸引する、請求項１又は２に記載のパターンの製造方法。
【請求項４】
前記剥離工程では、前記支持基板に対して帯電防止処理を行う、請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターンの製造方法。
【請求項５】
前記剥離工程の後に、前記薄膜が形成された前記支持基板にガスを吹き付ける、請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターンの製造方法。
【請求項６】
前記剥離工程では、前記支持基板に対して前記薄膜が下方に位置する状態で前記マスクを剥離する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のパターンの製造方法。
【請求項７】
前記剥離工程では、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で前記マスクを剥離する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のパターンの製造方法。
【請求項８】
前記薄膜形成工程では、真空成膜法によって前記薄膜を形成する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のパターンの製造方法。
【請求項９】
前記薄膜形成工程は、
前記支持基板上に第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、
前記第１電極層上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記有機機能層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、の少なくとも一つを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載のパターンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のパターンの製造方法として、例えば、特許文献１に記載された方法が知られている。特許文献１に記載のパターンの製造方法は、送りロールと巻取りロールとの間に配されるパターン形成用マスクを介して支持体にパターンを形成し、パターンを形成した後にパターン形成用マスクを支持体から剥離する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１８３５００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の方法のように、支持体に貼付されたマスクを支持体から剥離する方法では、マスクを剥離したときに、パターンを形成する物質が剥離し、ダストが発生し得る。発生したダストがパターンにより形成される素子上に付着すると、その後の封止工程等においてダストが付着した状態で加圧されるため、素子不良が発生するおそれがある。
【０００５】
本発明は、信頼性の向上が図れるパターンの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係るパターンの製造方法は、可撓性を有する支持基板上に配置され且つ支持基板に対して剥離性を有するマスクを用いて、支持基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、マスクを支持基板から剥離する剥離工程と、マスクを剥離したときに生じたダストを除去する除去工程と、を含む。
【０００７】
このパターンの製造方法では、マスクを剥離したときに生じたダストを除去する工程を含む。これにより、マスクの剥離によって生じたダストを除去できる。そのため、ダストが付着した状態でその後の工程が実施されないため、薄膜によって形成される素子に不良が生じることを抑制できる。その結果、信頼性の向上が図れる。
【０００８】
一実施形態においては、剥離工程及び除去工程は、巻出しロールに巻き取られた支持基板から連続的に送り出された支持基板を、巻取りロールに巻き取る過程中に行われてもよい。この場合、いわゆるロールツーロール方式で各工程が実施されることになる。したがって、各工程を効率良く行うことができ、生産性の向上が図れる。
【０００９】
一実施形態においては、除去工程では、ダストを吸引機構により吸引してもよい。これにより、ダストを確実に除去できる。
【００１０】
一実施形態においては、剥離工程では、支持基板に対して帯電防止処理を行ってもよい。これにより、支持基板の帯電が防止されるため、静電気によって支持基板にダストが付着することを抑制できる。したがって、支持基板からのダストの除去が容易になると共に、ダストが支持基板に再付着することを抑制できる。
【００１１】
一実施形態においては、剥離工程の後に、薄膜が形成された支持基板にガスを吹き付けてもよい。これにより、支持基板に付着したダストを効果的に除去できる。
【００１２】
一実施形態においては、剥離工程では、支持基板に対して薄膜が下方に位置する状態でマスクを剥離してもよい。これにより、マスクの剥離によって生じたダストが下方に落下するため、ダストが支持基板に再付着することを抑制できる。
【００１３】
一実施形態においては、剥離工程では、水分濃度が１００ｐｐｍ以下（重量基準であり、本明細書において同様である。）の環境下でマスクを剥離してもよい。水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下では、支持基板が帯電し易く、支持基板へのダストの付着が促進されてしまう。そのため、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下でマスクを剥離する場合には、除去工程を含むパターンの製造方法が特に有効である。
【００１４】
一実施形態においては、薄膜形成工程では、真空成膜法によって薄膜を形成してもよい。真空蒸着法、スパッタリング法、又は化学気相成長法のいずれかの真空成膜法によって薄膜を形成する場合には、マスクを剥離したときに、マスクとの境界の部分が剥がれることがある。そのため、真空成膜法により薄膜を形成する場合には、除去工程を含むパターンの製造方法が特に有効である。
【００１５】
一実施形態においては、薄膜形成工程は、支持基板上に第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、第１電極層上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、有機機能層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、の少なくとも一つを含んでいてもよい。このように、有機デバイスのパターンを製造する工程においてダストの除去を行うことにより、有機デバイスの信頼の向上が図れる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】一実施形態に係るパターンの製造方法を含む有機ＥＬ素子の製造方法により製造された有機ＥＬ素子の断面図である。
【図２】ロールツーロール方式による有機ＥＬ素子の製造方法を模式的に示す図である。
【図３】マスク剥離工程を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１９】
図１に示されるように、本実施形態のパターンの製造方法を含む有機ＥＬ素子の製造方法によって製造される有機ＥＬ素子１は、支持基板３と、陽極層（第１電極層）５と、発光層（有機機能層）７と、陰極層（第２電極層）９と、封止層１１と、を備えている。
【００２０】
［支持基板］
支持基板３は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板３は、フィルム状の基板（フレキシブル基板、可撓性を有する基板）である。支持基板３の厚さは、例えば、３０μｍ以上５００μｍ以下である。
【００２１】
支持基板３は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板３の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂を含む。
【００２２】
支持基板３の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、ポリエチレンナフタレートが特に好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２３】
支持基板３の一方の主面３ａ上には、水分バリア層（バリア層）が配置されていてもよい。支持基板３の他方の主面３ｂは、発光面である。なお、支持基板３は、薄膜ガラスであってもよい。
【００２４】
［陽極層］
陽極層５は、支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。陽極層５には、光透過性を示す電極層が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、及び銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。
【００２５】
陽極層５として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。
【００２６】
陽極層５の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極層５の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００２７】
陽極層５の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法及び塗布法等を挙げることができる。
【００２８】
［発光層］
発光層７は、陽極層５及び支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。発光層７は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、或いは該有機物とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。なお、有機物は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。発光層７を構成する発光材料としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料、発光層用ドーパント材料を挙げることができる。
【００２９】
（色素材料）
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。
【００３０】
（金属錯体材料）
金属錯体材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。
【００３１】
（高分子材料）
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。
【００３２】
（発光層用ドーパント材料）
発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。
【００３３】
発光層７の厚さは、通常約２ｎｍ〜２００ｎｍである。発光層７は、例えば、上記のような発光材料を含む塗布液（例えばインク）を用いる塗布法により形成される。発光材料を含む塗布液の溶媒としては、発光材料を溶解するものであれば、限定されない。
【００３４】
［陰極層］
陰極層９は、発光層７及び支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。陰極層９は、引出電極９ａに電気的に接続されている。引出電極９ａは、支持基板３の一方の主面３ａに配置されている。引出電極９ａは、陽極層５と所定の間隔をあけて配置されている。引出電極９ａの厚さは、陽極層５の厚さと同等である。引出電極９ａの材料は、陽極層５の材料と同様である。
【００３５】
陰極層９の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第１３族金属等を用いることができる。陰極層９の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。
【００３６】
また、陰極層９としては、例えば、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いることができる。
【００３７】
具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、及びＩＺＯを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を挙げることができる。なお、陰極層９は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、電子注入層が陰極層９として用いられる場合もある。
【００３８】
陰極層９の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して設定される。陰極層９の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００３９】
陰極層９の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法及び塗布法等を挙げることができる。
【００４０】
［封止層］
封止層１１は、有機ＥＬ素子１において最上部に配置されている。封止層１１は、粘接着層（図示しない）により接合されている。封止層１１は、金属箔は、透明なプラスチックフィルムの表面若しくは裏面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキシブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属積層させたフィルム等からなり、ガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。金属箔としては、バリア性の観点から、銅、アルミニウム、ステンレスが好ましい。金属箔の厚さとしては、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると１５μｍ〜５０μｍが好ましい。
【００４１】
［有機ＥＬ素子の製造方法］
続いて、上記構成を有する有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。
【００４２】
支持基板３が可撓性基板である形態では、図２に概念的に示されるように、ロールツーロール方式が採用され得る。ロールツーロール方式で有機ＥＬ素子１を製造する場合、巻出しロール３０Ａと巻取りロール３０Ｂとの間に張り渡された長尺の可撓性の支持基板３を連続的に搬送ローラ３１で搬送しながら、各層を支持基板３側から順に形成する。
【００４３】
有機ＥＬ素子１を製造する場合、最初に、支持基板３を加熱し、乾燥させる（基板乾燥工程Ｓ０１）。次に、乾燥された支持基板３（一方の主面３ａ）上に、陽極層５及び引出電極９ａを形成する（陽極層形成工程（第１電極層形成工程）Ｓ０２）。陽極層５及び引出電極９ａの組は、例えば、支持基板３の長手方向において所定の間隔をあけて複数形成されると共に、支持基板３の幅方向において所定の間隔をあけて複数形成される。陽極層５（引出電極９ａ）は、陽極層５の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。
【００４４】
続いて、陽極層５上に発光層７を形成する（発光層形成工程（有機機能層形成工程）Ｓ０３）。発光層７は、発光層７の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。
【００４５】
続いて、マスクＭ（図３参照）を形成する（マスク形成工程Ｓ０４）。マスクＭは、粘接着性を有していると共に、支持基板３に対して剥離性を有している。マスクＭは、陰極層９の形状に応じた開口を有するものであってもよいし、マスキングテープであってもよい。
【００４６】
続いて、発光層７上に陰極層９を形成する（陰極層形成工程（第２電極層形成工程、薄膜形成工程）Ｓ０５）。陰極層９は、発光層７を覆うように形成される。具体的には、陰極層９は、真空蒸着法によって形成される。これにより、陰極層９は、マスクＭが設けられていない部分に形成される。陰極層９は、陰極層９の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。
【００４７】
続いて、図３に示されるように、マスクＭを剥離する（マスク剥離工程Ｓ０６）。マスクＭが支持基板３から剥離されると、支持基板３上に複数のパターンが形成される。マスク剥離工程Ｓ０６では、陰極層９を支持基板３に対して下方に位置させ、マスクＭを剥離する。剥離したマスクＭは、ロールＲに巻き取る。マスク剥離工程Ｓ０６は、当該工程が実施されるチャンバー（図示しない）内の水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で実施される。マスクＭが支持基板３から剥離される部分の下方には、帯電防止装置２０が配置されている。帯電防止装置２０は、支持基板３に対して帯電防止処理を行う。帯電防止装置２０としては、例えば、イオンにより静電気を除去するイオナイザ（静電気除去器）であってもよいし、電気力線を用いるものであってもよい。
【００４８】
続いて、マスクＭの剥離によって生じたダストを除去する（ダスト除去工程Ｓ０７）。ダスト除去工程Ｓ０７では、図３に示されるように、吸引機構２２によってダストを吸引する。具体的には、吸引機構２２の吸引口は、支持基板３の幅方向に沿って延在している。吸引機構２２の吸引口は、支持基板３からマスクＭが剥離される部分の近傍に配置されている。また、吸引機構２２の下流側には、ガス噴射装置２４と、帯電防止装置２６と、吸引機構２８と、が設けられている。ガス噴射装置２４、帯電防止装置２６及び吸引機構２８は、支持基板３の搬送方向において、上流側からこの順番で配置されている。
【００４９】
ガス噴射装置２４は、吸引機構２２によってダストが除去（吸引）された支持基板３に対してガスを噴射する。ガス噴射装置２４は、例えば、支持基板３の上流側から下流側に向かってガスを噴射する。ガスとしては、例えば、不活性ガス、クリーンドライエア等を用いることができる。帯電防止装置２６は、帯電防止装置２０と同様の構成を有している。吸引機構２８は、ガス噴射装置２４から噴射されたガスを含んで吸引する。
【００５０】
最後に、封止層１１を貼り合わせて、発光層７及び陰極層９を封止する（封止工程Ｓ０８）。以上により、有機ＥＬ素子１が形成される。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、マスクＭを剥離したときに生じたダストを除去する工程を含む。これにより、マスクＭの剥離によって生じたダストを除去できる。そのため、ダストが付着した状態でその後の工程が実施されないため、陰極層９を含んで形成される素子に不良が生じることを抑制できる。その結果、信頼性の向上が図れる。
【００５２】
本実施形態では、薄膜形成成工程（陽極層形成工程Ｓ０２、発光層形成工程Ｓ０３、陰極層形成工程０５）、マスク剥離工程Ｓ０６及びダスト除去工程Ｓ０７は、巻出しロール３０Ａに巻き取られた支持基板３から連続的に送り出された支持基板３を、巻取りロール３０Ｂに巻き取る過程中に行われる。この場合、いわゆるロールツーロール方式で各工程が実施されることになる。したがって、各工程を効率良く行うことができ、生産性の向上が図れる。
【００５３】
本実施形態では、ダスト除去工程Ｓ０７では、ダストを吸引機構２２により吸引する。これにより、ダストを確実に除去できる。
【００５４】
本実施形態では、マスク剥離工程Ｓ０６では、支持基板３に対して帯電防止処理を行う。これにより、支持基板３の帯電が防止されるため、静電気によって支持基板３にダストが付着することを抑制できる。したがって、支持基板３からのダストの除去が容易になると共に、ダストが支持基板３に再付着することを抑制できる。
【００５５】
本実施形態では、マスク剥離工程Ｓ０６の後に、陰極層９が形成された支持基板３にガスを吹き付ける。これにより、支持基板３に付着したダストを効果的に除去できる。
【００５６】
本実施形態では、マスク剥離工程Ｓ０６では、支持基板３に対して陰極層９が下方に位置する状態でマスクＭを剥離する。これにより、マスクＭの剥離によって生じたダストが下方に落下するため、ダストが支持基板３に再付着することを抑制できる。
【００５７】
本実施形態では、マスク剥離工程Ｓ０６では、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下でマスクＭを剥離する。水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下では、支持基板３が帯電し易く、支持基板へのダストの付着が促進されてしまう。そのため、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下でマスクＭを剥離する場合には、ダスト除去工程Ｓ０７を含むパターンの製造方法が特に有効である。
【００５８】
本実施形態では、陰極層形成工程Ｓ０５では、真空成膜法によって陰極層９を形成する。真空成膜法によって陰極層９を形成する場合、マスクＭを剥離したときに、マスクＭとの境界の部分が剥がれることがある。そのため、真空成膜法により陰極層９を形成する場合には、ダスト除去工程Ｓ０７を含む製造方法が特に有効である。
【００５９】
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、陽極層５と陰極層９との間に発光層７が配置された有機ＥＬ素子１を例示した。しかし、有機機能層の構成はこれに限定されない。有機機能層は、以下の構成を有していてもよい。
（ａ）陽極層／発光層／陰極層
（ｂ）陽極層／正孔注入層／発光層／陰極層
（ｃ）陽極層／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極層
（ｄ）陽極層／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極層
（ｅ）陽極層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極層
（ｆ）陽極層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極層
（ｇ）陽極層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極層
（ｈ）陽極層／発光層／電子注入層／陰極層
（ｉ）陽極層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極層
ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記（ａ）に示す構成は、上記実施形態における有機ＥＬ素子１の構成を示している。
【００６０】
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれの材料は、公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれは、例えば、発光層７と同様に塗布法により形成できる。
【００６１】
有機ＥＬ素子１は、単層の発光層７を有していてもよいし、２層以上の発光層７を有していてもよい。上記（ａ）〜（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極層５と陰極層９との間に配置された積層構造を「構造単位Ａ」とすると、２層の発光層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、下記（ｊ）に示す層構成を挙げることができる。２個ある（構造単位Ａ）の層構成は互いに同じであっても、異なっていてもよい。
（ｊ）陽極層／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極層
【００６２】
ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。
【００６３】
また「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、以下の（ｋ）に示す層構成を挙げることができる。
（ｋ）陽極層／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極層
【００６４】
記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「（構造単位Ｂ）ｘ」は、（構造単位Ｂ）がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。
【００６５】
電荷発生層を設けずに、複数の発光層７を直接的に積層させて有機ＥＬ素子を構成してもよい。
【００６６】
上記実施形態では、封止層１１を形成する工程までを含めた有機ＥＬ素子１の製造方法を一例説明したが、例えば、陰極層９を形成する工程までの実施であってもよい。本発明は、支持基板２上にマスクＭを用いてパターンを形成するものであればよい。
【００６７】
上記実施形態では、マスク剥離工程Ｓ０６において帯電防止装置２０により支持基板３に対して帯電防止処理を実施する形態を一例に説明したが、帯電防止装置２０は設けられなくてもよい。また、ガス噴射装置２４、帯電防止装置２６及び吸引機構２８は、設けられなくてもよい。
【００６８】
上記実施形態では、ダスト除去工程Ｓ０７において吸引機構２２によってダストを吸引して除去する形態を一例に説明したが、ダストの除去方法は他の方法であってもよい。
【００６９】
上記実施形態では、マスクＭを用いて陰極層９を形成する形態を一例に説明したが、マスクＭを用いて形成される薄膜は陰極層９に限定されない。陽極層５及び／又は発光層７がマスクＭを用いて形成されてもよい。要は、マスクＭを剥離したときに生じたダストを除去する工程が実施されればよい。
【００７０】
上記実施形態では、有機デバイスとして、有機ＥＬ素子を一例に説明した。有機デバイスは、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池等であってもよい。
【符号の説明】
【００７１】
３…支持基板、５…陽極層（第１電極層）、７…発光層（有機機能層）、９…陰極層（薄膜、第２電極層）、Ｍ…マスク、Ｓ０２…陽極層形成工程（第１電極層形成工程）、Ｓ０３…発光層形成工程（有機機能層形成工程）、Ｓ０５…陰極層形成工程（第２電極層形成工程）、Ｓ０６…マスク剥離工程、Ｓ０７…ダスト除去工程。
【図１】
2017082273.tif 000003
【図２】
2017082273.tif 000004
【図３】
2017082273.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月11日(2016.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する支持基板上に配置され且つ前記支持基板に対して剥離性を有するマスクを用いて、前記支持基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記マスクを前記支持基板から剥離する剥離工程と、
前記マスクを剥離したときに生じたダストを除去する第１及び第２の除去工程と、を含み、
前記剥離工程及び前記除去工程は、巻出しロールに巻き取られた前記支持基板から連続的に送り出された前記支持基板を、巻取りロールに巻き取る過程中に行われ、
前記剥離工程では、前記支持基板に対して帯電防止処理を行い、
前記第１の除去工程では、前記支持基板から前記マスクが剥離される部分の近傍に配置された第１の吸引機構により前記ダストを吸引し、
前記第２の除去工程では、前記支持基板の搬送方向において前記第１の吸引機構の下流側に配置され且つ前記搬送方向の上流側からガス噴射装置、帯電防止装置及び第２の吸引機構の順番で配置された各装置を用い、前記第１の吸引機構により前記ダストが除去され且つ前記帯電防止装置により帯電防止処理が行われた前記支持基板に対して前記ガス噴射装置によって前記上流側から前記下流側に向かってガスを吹き付けると共に、前記第２の吸引機構により前記ガスを吸引する、パターンの製造方法。
【請求項２】
前記剥離工程では、前記支持基板に対して前記薄膜が下方に位置する状態で前記マスクを剥離する、請求項１に記載のパターンの製造方法。
【請求項３】
前記剥離工程では、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で前記マスクを剥離する、請求項１又は２に記載のパターンの製造方法。
【請求項４】
前記薄膜形成工程では、真空成膜法によって前記薄膜を形成する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターンの製造方法。
【請求項５】
前記薄膜形成工程は、
前記支持基板上に第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、
前記第１電極層上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記有機機能層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、の少なくとも一つを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターンの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
続いて、マスクＭの剥離によって生じたダストを除去する（ダスト除去工程Ｓ０７）。ダスト除去工程Ｓ０７では、図３に示されるように、吸引機構（第１の吸引機構）２２によってダストを吸引する（第１の除去工程）。具体的には、吸引機構２２の吸引口は、支持基板３の幅方向に沿って延在している。吸引機構２２の吸引口は、支持基板３からマスクＭが剥離される部分の近傍に配置されている。また、吸引機構２２の下流側には、ガス噴射装置２４と、帯電防止装置２６と、吸引機構（第２の吸引機構）２８と、が設けられている。ガス噴射装置２４、帯電防止装置２６及び吸引機構２８は、支持基板３の搬送方向において、上流側からこの順番で配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
ガス噴射装置２４は、吸引機構２２によってダストが除去（吸引）された支持基板３に対してガスを噴射する。ガス噴射装置２４は、例えば、支持基板３の上流側から下流側に向かってガスを噴射する。ガスとしては、例えば、不活性ガス、クリーンドライエア等を用いることができる。帯電防止装置２６は、帯電防止装置２０と同様の構成を有している。吸引機構２８は、ガス噴射装置２４から噴射されたガスを含んで吸引する（第２の除去工程）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月16日(2017.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する支持基板上に配置され且つ前記支持基板に対して剥離性を有するマスクを用いて、前記支持基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記マスクを前記支持基板から剥離する剥離工程と、
前記マスクを剥離したときに生じたダストを除去する第１及び第２の除去工程と、を含み、
前記剥離工程及び前記除去工程は、巻出しロールに巻き取られた前記支持基板から連続的に送り出された前記支持基板を、巻取りロールに巻き取る過程中に行われ、
前記剥離工程では、前記支持基板に対して第１の帯電防止装置により帯電防止処理を行い、
前記第１の除去工程では、前記支持基板から前記マスクが剥離される部分の近傍に配置された第１の吸引機構により前記ダストを吸引し、
前記第２の除去工程では、前記支持基板の搬送方向において前記第１の吸引機構の下流側に配置され且つ前記搬送方向の上流側からガス噴射装置、第２の帯電防止装置及び第２の吸引機構の順番で配置された各装置を用い、前記第１の吸引機構により前記ダストが除去され且つ前記第２の帯電防止装置により帯電防止処理が行われた前記支持基板に対して前記ガス噴射装置によって前記上流側から前記下流側に向かってガスを吹き付けると共に、前記第２の吸引機構により前記ガスを吸引する、パターンの製造方法。
【請求項２】
前記剥離工程では、前記支持基板に対して前記薄膜が下方に位置する状態で前記マスクを剥離する、請求項１に記載のパターンの製造方法。
【請求項３】
前記剥離工程では、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で前記マスクを剥離する、請求項１又は２に記載のパターンの製造方法。
【請求項４】
前記薄膜形成工程では、真空成膜法によって前記薄膜を形成する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターンの製造方法。
【請求項５】
前記薄膜形成工程は、
前記支持基板上に第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、
前記第１電極層上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記有機機能層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、の少なくとも一つを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターンの製造方法。