(57)【要約】【課題】半導体装置に発生する応力を低減すること。また、樹脂ケースの放熱部からの剥離を抑制すること。【解決手段】半導体装置１０の樹脂ケース１２は互いに対向する２つの区画壁１８ａ及び区画壁１８ｂを有している。区画壁１８ａの上面にはスリット２１ａが設けられている。区画壁１８ｂの上面にはスリット２１ｂが設けられている。区画壁１８ａの上面から樹脂１５の露出面となる上面までのＺ方向の距離は、スリット２１ａの上端から下端までのＺ方向の距離よりも短い。区画壁１８ｂの上面から樹脂１５の露出面となる上面までのＺ方向の距離は、スリット２１ｂの上端から下端までのＺ方向の距離よりも短い。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の放熱部と、
前記放熱部の上面に固定された枠状の樹脂ケースと、
前記樹脂ケースの枠内に載置され、前記放熱部の上面に接合された金属層と、
前記樹脂ケースの枠内に載置され、前記金属層の上面に接合された絶縁層と、
前記樹脂ケースの枠内に載置され、前記絶縁層の上面に接合された配線層と、
前記樹脂ケースの枠内に載置され、前記配線層に接合された半導体素子と、
前記金属層、前記絶縁層、前記配線層及び前記半導体素子を前記樹脂ケースの枠内で封止する樹脂と、
を有する半導体装置であって、
前記樹脂ケースには、枠内で互いに対向する複数の側壁と、前記側壁のうち一方の側壁の一部から他方の側壁の一部に向かって延設された延設部とが設けられ、
前記延設部には、前記樹脂から露出する上面と、前記延設部の上面において開口する開口部とが設けられ、
前記延設部の上面から前記樹脂の露出面までの上下方向の距離は、前記開口部の上端から下端までの上下方向の距離よりも短い、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記延設部の下面と前記放熱部の上面とは接触しておらず、
前記延設部の下面と前記放熱部の上面との間には前記樹脂が介在する、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記延設部の下面は前記放熱部の上面に固定されている、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記開口部は貫通孔であり、前記貫通孔は前記延設部の上面から前記放熱部の上面まで貫通する、ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には半導体装置用の外装樹脂ケースが開示されている。当該外装樹脂ケースは略長方形の３つの枠体を備えている。３つの枠体は一方向に並んで配置されており、一体的に形成されている。そして、各枠体内には半導体素子を搭載した基板や、当該半導体素子から発生する熱を放熱するための放熱板などが収納される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４１１８７８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体装置の高出力化により、半導体素子の面積が拡大し、半導体装置の体格拡大に繋がっている。半導体装置の体格拡大に伴い、放熱板の線膨張係数に対する樹脂ケースの線膨張係数の違い及び放熱板の線膨張係数に対する樹脂の線膨張係数の違いにより、半導体素子駆動時に発生する半導体装置の歪量が増加する。このため、半導体装置に発生する応力が増加する虞がある。また、樹脂ケースが放熱板から剥離する虞がある。
【０００５】
本発明の目的は、上述した事情を鑑みてなされたものであり、半導体装置に発生する応力を低減することができる半導体装置を提供することにある。また、樹脂ケースが放熱部から剥離することを抑制することができる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成する半導体装置は、金属製の放熱部と、前記放熱部の上面に固定された枠状の樹脂ケースと、前記樹脂ケースの枠内に載置され、前記放熱部の上面に接合された金属層と、前記樹脂ケースの枠内に載置され、前記金属層の上面に接合された絶縁層と、前記樹脂ケースの枠内に載置され、前記絶縁層の上面に接合された配線層と、前記樹脂ケースの枠内に載置され、前記配線層に接合された半導体素子と、前記金属層、前記絶縁層、前記配線層及び前記半導体素子を前記樹脂ケースの枠内で封止する樹脂と、を有する半導体装置であって、前記樹脂ケースには、枠内で互いに対向する複数の側壁と、前記側壁のうち一方の側壁の一部から他方の側壁の一部に向かって延設された延設部とが設けられ、前記延設部には、前記樹脂から露出する上面と、前記延設部の上面において開口する開口部とが設けられ、前記延設部の上面から前記樹脂の露出面までの上下方向の距離は、前記開口部の上端から下端までの上下方向の距離よりも短いことを要旨とする。
【０００７】
かかる構成によれば、開口部によって半導体装置に発生する応力を低減することができる。また、開口部によって樹脂ケースが放熱板から剥離することを抑制できる。
上記半導体装置について、前記延設部の下面と前記放熱部の上面とは接触しておらず、前記延設部の下面と前記放熱部の上面との間には前記樹脂が介在してもよい。かかる構成によれば、樹脂ケース内において、延設部を挟んで設けられたそれぞれの樹脂の高さを同一とすることができる。したがって、放熱部の上面を基準とした放熱部の上面から、延設部を挟んで設けられたそれぞれの樹脂までの高さを揃えることができる。
【０００８】
上記半導体装置について、前記延設部の下面は前記放熱部の上面に固定されていてもよい。かかる構成によれば、樹脂ケース内は複数の領域に分割される。従って、樹脂の歪みを低減できる。
【０００９】
上記半導体装置について、前記開口部は貫通孔であり、前記貫通孔の底は前記放熱部の上面であってもよい。かかる構成によれば、半導体装置に発生する応力をより低減することができる。また、樹脂ケースが放熱板から剥離することをより抑制できる。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、半導体装置に発生する応力を低減することができる。また、樹脂ケースの放熱部からの剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態の半導体装置の斜視図。
【図２】第１の実施形態の半導体装置の平面図。
【図３】図２の矢視３−３における半導体装置の断面図。
【図４】第２の実施形態の半導体装置を示す平面図。
【図５】図４の矢視５−５における半導体装置の断面図。
【図６】第３の実施形態の半導体装置を示す平面図。
【図７】図６の矢視７−７における半導体装置の断面図。
【図８】別例の半導体装置を示す平面図。
【図９】別例の半導体装置を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１の実施形態）
以下、半導体装置を具体化した第１の実施形態を図１〜３に従って説明する。なお、図１〜７において、水平方向を、互いに直交するＸ方向及びＹ方向で規定するとともに、上下方向をＸ方向及びＹ方向に対して直交するＺ方向で規定している。
【００１３】
図１に示すように、半導体装置１０は、放熱部としての放熱板１１と、樹脂ケース１２と、絶縁層としてのセラミック基板１３ａ〜１３ｃと、半導体素子１４と、樹脂１５を備えている。
【００１４】
放熱板１１は上面視において長辺と短辺とを有する略長方形状をしており、放熱板１１の上面に枠状の樹脂ケース１２が固定されている。樹脂ケース１２は放熱板１１の上面に接着材で接着されることで固定されている。放熱板１１はアルミ等の金属からなる板状の部材である。なお、放熱部は例えばアルミ等の金属からなり内部に冷媒が流れる流路を備える冷却器でもよい。
【００１５】
図２及び図３に示すように、放熱板１１の上面には、絶縁層としての複数（本実施形態では３つ）のセラミック基板１３ａ〜１３ｃがＸ方向に等間隔に載置されている。セラミック基板１３ａ〜１３ｃの下面には金属層１６が接合されているとともに、セラミック基板１３ａ〜１３ｃの上面には配線層１７が接合されている。金属層１６は放熱板１１の上面に例えばロウ付け等により接合されている。セラミック基板１３ａ〜１３ｃはＡｌＮ基板よりなり、金属層１６はアルミ板よりなり、配線層１７はアルミ板とその表面のＮｉめっき層よりなる。
【００１６】
半導体素子１４は、例えば、ＩＧＢＴやダイオード等のパワー素子である。配線層１７の上面のパッドには、半導体素子１４が、はんだ等により接合（ベアチップ実装）されている。これにより、放熱板１１の上面に対して金属層１６、セラミック基板１３ａ〜１３ｃ及び配線層１７を介して半導体素子１４が固定され、半導体素子１４は放熱板１１と熱的に結合する。半導体素子１４は、図示しない上面電極を有し、この上面電極に対して図示しないバスバー等の配線を通じて電気的に結合し、３相インバータの回路を構成する。
【００１７】
図２に示すように、樹脂ケース１２は、Ｙ方向に延設されている対向する２つの側壁１２ａ及び側壁１２ｂと、Ｘ方向に延設されている対向する２つの側壁１２ｃ及び側壁１２ｄとを有している。側壁１２ａの内面と、側壁１２ｂの内面とは、枠内で互いに対向している。側壁１２ｃの内面と、側壁１２ｄの内面とは、枠内で互いに対向している。
【００１８】
また、樹脂ケース１２はＹ方向に延設され、Ｘ方向において互いに対向する２つの区画壁１８ａ及び区画壁１８ｂを有している。樹脂ケース１２は、例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の熱可塑性樹脂で形成されている。側壁１２ａ〜１２ｄ、区画壁１８ａ及び区画壁１８ｂは一体成型されている。セラミック基板１３ａとセラミック基板１３ｂとの間に、延設部としての区画壁１８ａが載置されている。また、セラミック基板１３ｂとセラミック基板１３ｃとの間に、延設部としての区画壁１８ｂが載置されている。区画壁１８ａの載置面及び区画壁１８ｂの載置面は放熱板１１と接触している。金属層１６、セラミック基板１３ａ〜１３ｃ、配線層１７及び半導体素子１４は、各側壁１２ａ〜１２ｄと各区画壁１８ａ，１８ｂによって区画された枠内に載置されている。
【００１９】
次に、区画壁１８ａの上面に設けられる開口部及び区画壁１８ｂの上面に設けられる開口部について説明する。図２に示すように、区画壁１８ａの上面にはＹ方向に所定の長さを有している開口部としてのスリット２１ａが設けられている。また、区画壁１８ｂの上面にはＹ方向に所定の長さを有している開口部としてのスリット２１ｂが設けられている。
【００２０】
スリット２１ａは区画壁１８ａの上面からＺ方向に延びている。スリット２１ａのＺ方向の寸法は、区画壁１８ａのＺ方向の寸法よりも短く、スリット２１ａは区画壁１８ａをＺ方向に貫通していない。また、スリット２１ｂは区画壁１８ｂの上面からＺ方向に延びている。スリット２１ｂのＺ方向の寸法は、区画壁１８ｂのＺ方向の寸法よりも短く、スリット２１ｂは区画壁１８ｂをＺ方向に貫通していない。
【００２１】
スリット２１ａ及びスリット２１ｂは、樹脂１５の上面よりも放熱板１１の上面に向かって開口している。したがって、スリット２１ａ及びスリット２１ｂは樹脂１５の上面に対してＺ方向に凹んだ形状となっている。
【００２２】
区画壁１８ａの上面から樹脂１５の露出面となる上面までのＺ方向の距離は、スリット２１ａの上端から下端までのＺ方向の距離よりも短い。区画壁１８ｂの上面から樹脂１５の露出面となる上面までのＺ方向の距離は、スリット２１ｂの上端から下端までのＺ方向の距離よりも短い。
【００２３】
スリット２１ａはＹ方向においてセラミック基板１３ａ及びセラミック基板１３ｂと同じ長さであり且つＸ方向に幅が一定の第１のスリット２１ａａを有している。また、スリット２１ａはＹ方向に対して第１のスリット２１ａａの端部に連続し、第１のスリット２１ａａの端部から側壁１２ｃまたは側壁１２ｄに向かうにつれてＸ方向の幅が徐々に狭くなる第２のスリット２１ａｂを有している。
【００２４】
スリット２１ｂはＹ方向においてセラミック基板１３ｂ及びセラミック基板１３ｃと同じ長さであり且つＸ方向に幅が一定の第３のスリット２１ｂａを有している。また、スリット２１ｂはＹ方向に対して第３のスリット２１ｂａの端部に連続し、第３のスリット２１ｂａの端部から側壁１２ｃまたは側壁１２ｄに向かうにつれてＸ方向の幅が徐々に狭くなる第４のスリット２１ｂｂを有している。
【００２５】
図３に示すように、スリット２１ａの底面２２ａ及びスリット２１ｂの底面２２ｂはＸ方向において放熱板１１の上面と平行に設けられている。また、スリット２１ａの底面２２ａとスリット２１ｂの底面２２ｂは、Ｚ方向において同一の高さに位置している。
【００２６】
放熱板１１の上面を基準とした底面２２ａの高さ及び底面２２ｂの高さは、金属層１６、セラミック基板１３ａ〜１３ｃ、配線層１７及び半導体素子１４を封止する樹脂１５における放熱板１１の上面を基準とした高さよりも低く設けられている。なお、底面２２ａ及び底面２２ｂはＸ方向において放熱板１１の上面と平行に設けられていなくてもよい。この場合、放熱板１１の上面を基準とした底面２２ａ及び底面２２ｂの最も低い部分の高さが、放熱板１１の上面を基準とした樹脂１５の高さよりも低ければよい。
樹脂１５は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。上面視における樹脂ケース１２の内側において、樹脂１５は金属層１６、セラミック基板１３ａ〜１３ｃ、配線層１７及び半導体素子１４を封止しており、かつ樹脂１５は放熱板１１の上面と接触している。なお、金属層１６、セラミック基板１３ａ〜１３ｃ、配線層１７及び半導体素子１４を樹脂１５で封止する際には、液状にした樹脂１５を金属層１６、セラミック基板１３ａ〜１３ｃ、配線層１７及び半導体素子１４が収納されている樹脂ケース１２の内側の部分に流し込む。その後、樹脂１５が硬化する。その結果、金属層１６、セラミック基板１３ａ〜１３ｃ、配線層１７及び半導体素子１４が樹脂１５によって封止される。
【００２７】
次に、本実施形態の作用を説明する。
半導体装置１０の駆動時に半導体素子１４が発熱する。この熱は配線層１７、セラミック基板１３ａ〜１３ｃ及び金属層１６を介して放熱板１１に伝わる。
【００２８】
一般的に、放熱板１１の線膨張係数に対して樹脂ケース１２の線膨張係数が異なる場合、放熱板１１の熱膨張量と樹脂ケース１２の熱膨張量との間に差が生じてしまうことにより、半導体装置１０に応力がかかる虞がある。また、樹脂ケース１２と放熱板１１との接触面に歪が発生して樹脂ケース１２が放熱板１１から剥離する虞がある。また、放熱板１１の線膨張係数に対して樹脂１５の線膨張係数が異なる場合、放熱板１１の熱膨張量と樹脂１５の熱膨張量との間に差が生じてしまうことにより、半導体装置１０に応力がかかる虞がある。また、樹脂１５と放熱板１１との接触面に歪が発生して樹脂１５が放熱板１１から剥離する虞がある。なお、樹脂１５の線膨張係数に対して樹脂ケース１２の線膨張係数は多少異なったとしても、その影響は少ないものとする。
しかし、半導体装置１０は、スリット２１ａ及びスリット２１ｂによって、半導体装置１０の歪量の増加を抑制できるため、半導体装置１０に応力がかかることを抑制できる。また、スリット２１ａ及びスリット２１ｂによって、樹脂ケース１２が放熱板１１から剥離することを抑制できる。
【００２９】
上記実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）半導体装置１０において、樹脂ケース１２はＹ方向に延設され、互いに対向する２つの区画壁１８ａ及び区画壁１８ｂを有している。区画壁１８ａの上面にはスリット２１ａがＹ方向に連続して設けられている。区画壁１８ｂの上面にはスリット２１ｂがＹ方向に連続して設けられている。スリット２１ａ及びスリット２１ｂは、樹脂１５の上面よりも放熱板１１の上面に向かって開口している。このため、半導体装置１０の歪量の増加を抑制できるため、半導体装置１０に応力がかかることを抑制できる。また、樹脂ケース１２が放熱板１１から剥離することを抑制できる。
【００３０】
（２）区画壁１８ａ及び区画壁１８ｂはそれぞれ放熱板１１と接触している。このため、樹脂１５は側壁１２ａ〜１２ｄ、区画壁１８ａ及び区画壁１８ｂによって３つに分割される。従って、樹脂１５の歪みを低減できる。
【００３１】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態を図４及び図５に従って説明する。この実施形態は、区画壁２８ａが放熱板１１と対向するとともに、区画壁２８ａの底面２８ａｂが放熱板１１に接触しない点が、第１の実施形態と異なっている。また、区画壁２８ｂが放熱板１１と対向するとともに、区画壁２８ｂの底面２８ｂｂが放熱板１１に接触しない点が、第１の実施形態と異なっている。なお、第１の実施形態と重複する構成は、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３２】
図４に示すように、枠状の樹脂ケース１２は、Ｙ方向に延設されている対向する２つの側壁１２ａ及び側壁１２ｂと、Ｘ方向に延設されている対向する２つの側壁１２ｃ及び側壁１２ｄとを有している。また、Ｙ方向に延設し、Ｘ方向において互いに対向する２つの区画壁２８ａ及び区画壁２８ｂとを有している。
【００３３】
図５に示すように、区画壁２８ａの底面２８ａｂは放熱板１１の上面に接触しておらず、互いに平行である。すなわち、封止前には、底面２８ａｂと放熱板１１との間に空隙２５が形成されている。また、区画壁２８ｂの底面２８ｂｂは放熱板１１の上面に接触しておらず、互いに平行である。すなわち、封止前には、底面２８ｂｂと放熱板１１との間に空隙２５が形成されている。スリット２１ａは区画壁２８ａを貫通していない。また、スリット２１ｂは区画壁２８ｂを貫通していない。樹脂ケース１２は、例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の熱可塑性樹脂で形成されている。側壁１２ａ〜１２ｄ、区画壁２８ａ及び区画壁２８ｂは一体成型されている。放熱板１１の上面にはＸ方向に対して等間隔にセラミック基板１３ａ〜１３ｃが配置されている。セラミック基板１３ａとセラミック基板１３ｂとの間に延設部としての区画壁２８ａが載置されている。また、セラミック基板１３ｂとセラミック基板１３ｃとの間に、延設部としての区画壁２８ｂが載置されている。
【００３４】
次に、区画壁２８ａの上面に設けられる開口部及び区画壁２８ｂの上面に設けられる開口部について説明する。図４に示すように、区画壁２８ａの上面にはＹ方向に所定の長さを有している開口部としてのスリット２１ａが設けられている。区画壁２８ｂの上面にはＹ方向に所定の長さを有している開口部としてのスリット２１ｂが設けられている。
【００３５】
スリット２１ａはＹ方向においてセラミック基板１３ａ〜１３ｃと同じ長さであり且つＸ方向に幅が一定の第５のスリット２１ａｃを有している。また、スリット２１ａはＹ方向に対して第５のスリット２１ａｃの端部に連続し、第５のスリット２１ａｃの端部から側壁１２ｃまたは側壁１２ｄに向かうにつれてＸ方向の幅が徐々に狭くなる第６のスリット２１ａｄを有している。スリット２１ｂはＹ方向においてセラミック基板１３ａ〜１３ｃと同じ長さであり且つＸ方向に幅が一定の第７のスリット２１ｂｃを有している。また、スリット２１ａはＹ方向に対して第７のスリット２１ｂｃの端部に連続し、第７のスリット２１ｂｃの端部から側壁１２ｃまたは側壁１２ｄに向かうにつれてＸ方向の幅が徐々に狭くなる第８のスリット２１ｂｄを有している。
樹脂１５は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。樹脂ケース１２の内側において、樹脂１５は金属層１６、セラミック基板１３ａ〜１３ｃ、配線層１７及び半導体素子１４を封止しており、かつ樹脂１５は放熱板１１の上面と接触している。また、この実施形態では、空隙２５にも樹脂１５が充填されている。
なお、金属層１６、セラミック基板１３ａ〜１３ｃ、配線層１７及び半導体素子１４を樹脂１５で封止する際には、液状にした樹脂１５を金属層１６とセラミック基板１３ａ〜１３ｃと配線層１７と半導体素子１４とが収納されている樹脂ケース１２の内側の部分に流し込む。この際、液状にした樹脂１５は底面２８ａｂと放熱板１１との間の空隙２５にも流れ込み、空隙２５は樹脂１５で満たされる。また、液状にした樹脂１５は底面２８ｂｂと放熱板１１との間の空隙２５にも流れ込み、空隙２５は樹脂１５で満たされる。その後、樹脂１５が硬化する。その結果、金属層１６とセラミック基板１３ａ〜１３ｃと配線層１７と半導体素子１４とが樹脂１５によって封止される。
【００３６】
上記実施形態によれば、上記（１）、（２）の効果に加えて以下のような効果を得ることができる。
（３）底面２８ａｂと放熱板１１の上面との間には空隙２５が形成されている。また、底面２８ｂｂと放熱板１１の上面との間には空隙２５が形成されている。このため、空隙２５にも樹脂１５を充填させることが可能となり、樹脂ケース１２における側壁１２ａ、側壁１２ｃ、側壁１２ｄ及び区画壁１８ａで囲まれる部分に対する樹脂１５の放熱板１１の上面からの高さと、側壁１２ｃ、側壁１２ｄ、区画壁１８ａ及び区画壁１８ｂで囲まれる部分に対する樹脂１５の放熱板１１の上面からの高さと、側壁１２ｂ、側壁１２ｃ、側壁１２ｄ及び区画壁１８ｂで囲まれる部分に対する樹脂１５の放熱板１１の上面からの高さとを揃えることができる。これによって、樹脂１５の厚みのばらつきによって生じる樹脂１５の厚みの薄い部分における樹脂１５の割れを抑制することができる。
【００３７】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態を図６及び図７に従って説明する。この実施形態は、スリット２１ａ及びスリット２１ｂに換えて区画壁３８ａをＺ方向に貫通する貫通孔２４ａ及び区画壁３８ｂをＺ方向に貫通する貫通孔２４ｂが設けられている点が、第１の実施形態と異なっている。なお、第１の実施形態と重複する構成は、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３８】
図６に示すように、枠状の樹脂ケース１２は、Ｙ方向に延設されている対向する２つの側壁１２ａ及び側壁１２ｂと、Ｘ方向に延設されている対向する２つの側壁１２ｃ及び側壁１２ｄとを有している。また、Ｙ方向に延設され互いにＸ方向に対して対向する２つの区画壁３８ａ及び区画壁３８ｂとを有している。図７に示すように、区画壁３８ａ及び区画壁３８ｂは放熱板１１に接触する底面１９を備えている。また、区画壁３８ａはＺ方向に貫通する貫通孔２４ａを有している。区画壁３８ｂはＺ方向に貫通する貫通孔２４ｂを有している。
樹脂ケース１２は、例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の熱可塑性樹脂で形成されている。側壁１２ａ〜１２ｄ、区画壁３８ａ及び区画壁３８ｂは一体成型されている。放熱板１１の上面にはＸ方向に対して等間隔にセラミック基板１３ａ〜１３ｃが配置されている。セラミック基板１３ａとセラミック基板１３ｂとの間に延設部としての区画壁３８ａが載置されている。また、セラミック基板１３ｂとセラミック基板１３ｃとの間に、延設部としての区画壁３８ｂが載置されている。
【００３９】
次に、区画壁３８ａに設けられる開口部及び区画壁３８ｂに設けられる開口部について説明する。図６に示すように、区画壁３８ａにはＹ方向に所定の長さを有している開口部としての貫通孔２４ａが設けられている。区画壁３８ｂにはＹ方向に所定の長さを有している開口部としての貫通孔２４ｂが設けられている。
【００４０】
貫通孔２４ａは、区画壁３８ａをＺ方向に貫通している。これにより、貫通孔２４ａは、区画壁３８ａの上面から放熱板１１の上面まで貫通している。貫通孔２４ｂは、区画壁３８ｂをＺ方向に貫通している。これにより、貫通孔２４ｂは、区画壁３８ｂの上面から放熱板１１の上面まで貫通している。
【００４１】
区画壁３８ａの上面から樹脂１５の露出面となる上面までのＺ方向の距離は、貫通孔２４ａの上端から下端までのＺ方向の距離よりも短い。区画壁３８ｂの上面から樹脂１５の露出面となる上面までのＺ方向の距離は、貫通孔２４ｂの上端から下端までのＺ方向の距離よりも短い。
【００４２】
貫通孔２４ａはＹ方向にセラミック基板１３ａ及びセラミック基板１３ｃと同じ長さであり且つＸ方向に幅が一定の第１の貫通孔２４ａａを有している。また、貫通孔２４ａはＹ方向に対して第１の貫通孔２４ａａの端部に連続し、第１の貫通孔２４ａａの端部から側壁１２ｃまたは側壁１２ｄに向かうにつれてＸ方向の幅が徐々に狭くなる第２の貫通孔２４ａｂを有している。また、貫通孔２４ｂはＹ方向にセラミック基板１３ｂ及びセラミック基板１３ｃと同じ長さであり且つＸ方向に幅が一定の第３の貫通孔２４ｂａを有している。また、貫通孔２４ｂはＹ方向に対して第３の貫通孔２４ｂａの端部に連続し、第３の貫通孔２４ｂａの端部から側壁１２ｃまたは側壁１２ｄに向かうにつれてＸ方向の幅が徐々に狭くなる第４の貫通孔２４ｂｂを有している。なお、このように開口部を貫通孔２４ａ，２４ｂとした場合、区画壁３８ａ，３８ｂは放熱板１１の上面に載置され、放熱板１１の上面によって貫通孔２４ａ，２４ｂの放熱板１１側の開口縁が閉塞される。そして、樹脂ケース１２と放熱板１１とが固定された状態で、貫通孔２４ａ，２４ｂを閉塞する放熱板１１の上面が貫通孔２４ａ，２４ｂの底２４ａｃ，２４ｂｃとなる。
【００４３】
放熱板１１の上面を基準とした貫通孔２４ａの底２４ａｃまでの高さは、放熱板１１の上面を基準とした樹脂１５の高さよりも低い。また、放熱板１１の上面を基準とした貫通孔２４ｂの底２４ｂｃまでの高さは、放熱板１１の上面を基準とした樹脂１５の高さよりも低い。
【００４４】
上記実施形態によれば、上記（１）、（２）の効果に加えて以下のような効果を得ることができる。
（４）区画壁３８ａは貫通孔２４ａを有している。また、区画壁３８ｂは貫通孔２４ｂを有している。このため、半導体装置１０に応力がかかることをより抑制できる。また、樹脂ケース１２が放熱板１１から剥離することをより抑制できる。
【００４５】
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○第２のスリット２１ａｂの形状及び第４のスリット２１ｂｂの形状は問わない。また、第２の貫通孔２４ａｂの形状及び第４の貫通孔２４ｂｂの形状は問わない。同様に、貫通孔２４ａ，２４ｂの形状は問わない。
【００４６】
○スリット２１ａ及びスリット２１ｂは樹脂ケース１２の成型時に同時に成型されてもよく、樹脂ケース１２の成型後に機械加工により成型されてもよい。
○スリット２１ａ及びスリット２１ｂにゲルのような柔らかい材料を嵌合してもよい。同様に、貫通孔２４ａ，２４ｂにゲルのような柔らかい材料を嵌合してもよい。
【００４７】
○区画壁の数は問わない。すなわち、区画壁１８ａ及び区画壁１８ｂのうち、一方はなくてもよいし、他の区画壁を新たに追加してもよい。例えば、図８に示すように、樹脂ケース１２のＹ方向に延設されている一方の側壁１２ａから対向する他方の側壁１２ｂへとＸ方向に延びる区画壁１８ｃを追加してもよい。この場合、区画壁１８ｃの上面にはＸ方向に所定の幅を有しているスリット２１ｃが設けられていてもよい。
【００４８】
○図８において、区画壁１８ｃを側壁１２ａから区画壁１８ｂまでＸ方向に延設してもよい。また、図８において、区画壁１８ｃを側壁１２ｂから区画壁１８ｂまでＸ方向に延設してもよい。
【００４９】
○図８において、樹脂ケース１２は放熱板１１に接合した後にスリット２１ａ〜２１ｃの底部を排除してもよい。
○スリット２１ａはＹ方向で分断されて複数のスリットで構成されてもよい。また、スリット２１ｂはＹ方向で分断されて複数のスリットで構成されてもよい。例えば、図９に示すように、スリット２１ａは区画壁１８ａの中央で接していなくてもよい。また、例えば、図９に示すようにスリット２１ｂは区画壁１８ｂの中央で接していなくてもよい。
【００５０】
○開口部の形状は問わない。例えば、開口部は上面視で略円形状の溝でもよい。この場合、略円形状の溝はＹ方向に複数設けられてもよい。
○樹脂ケースの形状は問わない。例えば、多角形に限らず二つの平行な面を円弧状の面で繋いだ形状でもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１０…半導体装置、１１…放熱板、１２…樹脂ケース、１２ｃ，１２ｄ…側壁、１３ａ〜１３ｃ…セラミック基板、１４…半導体素子、１５…樹脂、１８ａ〜１８ｂ…区画壁、２１ａ〜２１ｂ…スリット、２２ａ，２２ｂ…底面、２４ａ，２４ｂ…貫通孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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