(57)【要約】【課題】光取出し効率が向上した表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に設けられ複数の画素の境界部に少なくとも位置する上面と、前記複数の画素の各々に位置する開口領域と、前記開口領域の端部に位置する側壁とを有する絶縁層と、前記開口領域と前記側壁とを覆う画素電極と、前記開口領域の一部と前記側壁と前記上面とを覆い、且つ前記開口領域に位置する前記画素電極の一部を露出するバンクと、前記画素電極の前記基板と反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と接する発光層と、前記発光層の前記画素電極とは反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と対向する共通電極とを備え、前記バンクには光散乱体が含まれている表示装置である。【選択図】図２
2017037825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
複数の画素と、
前記第１基板上に設けられ、前記複数の画素の境界部に少なくとも位置する上面と、前記複数の画素の各々に位置する開口領域と、前記開口領域の端部に位置する側壁とを有する絶縁層と、
前記開口領域と前記側壁とを覆う画素電極と、
前記開口領域の一部と前記側壁と前記上面とを覆い、且つ前記開口領域に位置する前記画素電極の一部を露出するバンクと、
前記画素電極の前記第１基板と反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と接する発光層と、
前記発光層の前記画素電極とは反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と対向する共通電極とを備え、
前記バンクには光散乱体が含まれていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記画素電極は、光反射性の材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光層と前記共通電極とは、前記複数の画素に跨って配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記光散乱体は、金属酸化物粒子、蛍光体粒子、高誘電率超微粒子のいずれか、またはこれらの複数の組み合わせであることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記光散乱体は、色素を有する光散乱体であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記色素を有する光散乱体は、蛍光シリカ粒子又は顔料微粒子であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の画素は、第１の色を出射する第１の画素と、前記第１の画素に隣接し前記第１の色とは異なる第２の色を出射する第２の画素とを含み、
前記バンクは、前記第１の画素と前記第２の画素との境界部に位置する前記絶縁層の前記上面と重畳する位置で、前記第１の画素の側に位置する第１の領域と、前記２の画素の側に位置する第２の領域とに分断されており、
前記第１の領域には、前記第１の色の色素を有する前記光散乱体が含まれ、
前記第２の領域には、前記第２の色の色素を有する前記光散乱体が含まれることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記絶縁層は無機材料からなり、前記バンクは有機材料からなることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記絶縁層の前記上面と対向する位置における前記バンクの厚さは、前記絶縁層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１から請求項８の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記複数の画素の各々は、
前記開口領域と対向し、前記共通電極の前記発光層とは反対側に位置する光反射層と、
前記光反射層と接し、前記光反射層の前記共通電極とは反対側に位置する光吸収層とを有することを特徴とする請求項１から請求項９の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１基板と対向する第２基板を有し、
前記光反射層と前記光吸収層とは、前記第２基板に配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記側壁と対向する領域の前記画素電極は、前記バンクと対向する側の表面に複数の粒状の膜が配置されていることを特徴とする請求項１から請求項１１の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記側壁は凹凸形状を有し、
前記側壁の前記凹凸形状と対向する領域の前記画素電極は、凹凸形状を有していることを特徴とする請求項１から請求項１１の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
アレイ基板上に行列状に配列された画素形成領域の各々に開口領域を有する絶縁層を形成し、
前記開口領域に、前記絶縁層の側壁を覆い、光反射性の材料を含む画素電極を形成し、
前記絶縁層の開口端部を覆い、光散乱体を含むバンクを形成し、
前記画素電極上に発光層を形成し、
前記発光層上に透光性を有する共通電極を形成することを含む表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記光散乱体は、金属酸化物粒子、蛍光体粒子、高誘電率超微粒子のいずれかであることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記光散乱体は、色素を有する光散乱体であることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
対向基板上の前記開口領域に対向する位置に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に光反射層を形成し、
前記アレイ基板と前記対向基板とを貼り合わせることを更に含む請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記画素電極を形成する前に、前記絶縁層の表面に凹凸パターンを形成することを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記画素電極を形成した後に、
前記画素電極表面の、前記絶縁層を覆う周縁部に凹凸パターンを形成することを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の構成及びその製造方法に関する。特に、表示装置の画素の構成及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード、他方をカソードとして区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。発光層に、カソードから電子が注入され、アノードから正孔が注入されると、電子と正孔が再結合する。これにより放出される余剰なエネルギーによって発光層中の発光分子が励起し、その後脱励起することによって発光する。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の各々のアノードは画素毎に画素電極として設けられ、カソードは複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられる構造が主流である。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
【０００４】
発光層中の発光分子はランダムに配向しているため、発光分子を中心に等方的に光が出射される。そのため、発光層内から発光層の面へ低角度で入射する光が存在し、当該光は発光層の面から出射されずに発光層内を伝搬してしまい、表示面から表示装置の外部に取出されずに損失してしまうという課題があった。また、発光層の面から発光層の外へ出射した光の一部は、表示面の方向へは出射されずに例えば画素を区分するバンク層の側面に当たり、表示装置の外部に取出されずに損失してしまうという課題もあった。
【０００５】
このような課題に対し、例えば特許文献１には、基板上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられた光反射面を有する第１の電極と、第１の電極の周縁領域を覆うバンク層と、第１の電極上に設けられたエレクトロルミネセンス層と、エレクトロルミネセンス層上に設けられた光透過性の第２の電極とを有し、絶縁層は、前記第１の電極の周縁領域において第２の電極側に向けて屈曲した傾斜面を含む段差部を有し、第１の電極の周縁領域は段差部の傾斜面に沿って設けられていることを特徴とするエレクトロルミネセンス装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−０５００１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような構成では、絶縁層の傾斜面上の反射電極で反射する光を表示面方向に効率良く取り出すためには、絶縁層の傾斜面の傾斜をなだらかにする必要がある。しかし、当該傾斜をなだらかにすると、絶縁層の占める面積が大きくなり、開口率が小さくなってしまうという課題がある。一方、当該傾斜が垂直に近くなると、基板に対して平行に出射された光を取り出すことが困難になる。
【０００８】
本発明は、光取出し効率が向上した表示装置及びその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による表示装置の一態様は、基板上に設けられ複数の画素の境界部に少なくとも位置する上面と、前記複数の画素の各々に位置する開口領域と、前記開口領域の端部に位置する側壁とを有する絶縁層と、前記開口領域と前記側壁とを覆う画素電極と、前記開口領域の一部と前記側壁と前記上面とを覆い、且つ前記開口領域に位置する前記画素電極の一部を露出するバンクと、前記画素電極の前記基板と反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と接する発光層と、前記発光層の前記画素電極とは反対側に位置し、少なくとも前記画素電極の前記一部と対向する共通電極とを備え、前記バンクには光散乱体が含まれている。
【００１０】
本発明による表示装置の製造方法の一態様は、アレイ基板上に行列状に配列された画素形成領域の各々に開口領域を有する絶縁層を形成し、開口領域に、絶縁層の側壁を覆い、光反射面を有する画素電極を形成し、絶縁層の開口端部を覆い、光散乱体を含むバンクを形成し、画素電極上に発光層を形成し、発光層上に透光性を有する共通電極を形成することを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置のプロセスフローを説明する図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する上面図及び断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１３】
＜第１実施形態＞
［構成］
本実施形態に係る表示装置１００の構成を、図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す斜視図である。本実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２と、第２基板１０４と、複数の画素１０８と、シール材１１０と、端子領域１１４と、接続端子１１６とを有している。
【００１４】
第１基板１０２には、表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には第１基板１０２と対向する第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は表示領域１０６を囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された表示領域１０６は、第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素１０８に設けられる発光素子の劣化を抑制している。
【００１５】
第１基板１０２には、一端部に端子領域１１４が設けられている。端子領域１１４は第２基板１０４の外側に配置されている。端子領域１１４は、複数の接続端子１１６によって構成されている。接続端子１１６には、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネル（図１では表示装置１００）とを接続する配線基板が配置される。配線基板と接続する接続端子１１６の接点は、外部に露出している。第１基板１０２には接続端子１１６から入力された映像信号を表示領域１０６に出力するドライバＩＣ１１２が設けられている。
【００１６】
図２を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の構成について詳細に説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す断面図である。
【００１７】
本実施形態に係る表示装置１００は、行列状に配列された複数の画素１０８を備える。複数の画素１０８の各々は、少なくとも、絶縁層１１８と、画素電極１２０と、バンク１２２と、発光層１２４と、共通電極１２６とを有している。
【００１８】
絶縁層１１８は、第１基板１０２（以下では、アレイ基板とも呼ぶことがある。）上に設けられ、開口領域１１８ａを有している。開口領域１１８ａは、一つの画素１０８を構成する複数の副画素毎に設けられている。開口領域１１８ａにおける絶縁層１１８の側壁１１８ｂは、第１基板１０２に対して垂直であってもよく、傾斜を有していてもよい。傾斜を有する場合、第１基板１０２と側壁１１８ｂとの成す角のうち、絶縁層１１８側の角は鋭角とする。尚、絶縁層１１８は、第１基板１０２の直上に設けられる必要は無く、下地層となる他の絶縁層等を介して設けられてもよい。また、絶縁層１１８と第１基板１０２との間には、複数の画素１０８の各々の発光を制御するための、トランジスタや配線等を含む図示しない駆動回路や、トランジスタや配線等を覆う図示しない絶縁膜が設けられている。
【００１９】
絶縁層１１８の材料としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。
【００２０】
絶縁層１１８として無機絶縁層を使用する場合、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮｘＯｙ）等の膜を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いることができる。
【００２１】
絶縁層１１８として有機絶縁層を使用する場合、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂等の膜を使用することができる。また、これらの材料を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としては蒸着法や蒸着重合法を用いることができる。
【００２２】
画素電極１２０は、開口領域１１８ａに設けられ、少なくとも絶縁層１１８の側壁１１８ｂを覆っている。画素電極１２０は、その周縁部が、絶縁層１１８の第１基板１０２と対向する面の表面の一部を覆うように延在してもよい。換言すると、画素電極１２０は、第１基板１０２上に設けられ、画素電極１２０の周縁部は、平面視において絶縁層１１８の開口領域１１８ａの開口縁を囲むように延伸している。また、画素電極１２０は、光反射性の材料を含んでいる。これによって、発光層１２４で発生した光は第１基板１０２側へ伝搬せず、表示面の側である第２基板１０４側へ伝搬する。
【００２３】
バンク１２２は、その端部が画素電極１２０の周縁部を覆うように設けられている。これによって、バンク１２２は、絶縁層１１８の開口端部、側壁１１８ｂを覆うように設けられることになる。
【００２４】
バンク１２２は、画素電極１２０の端部で発光層１２４が十分に被覆されず、共通電極１２６と短絡するのを防ぎ、隣接する副画素間を絶縁するものであるので、絶縁材料で形成されることが好ましい。例えば、バンク１２２を形成するには、ポリイミドやアクリル等の有機材料、若しくは酸化シリコン等の無機材料を用いることが好ましい。バンク１２２の膜厚は１μｍから５μｍの厚さが好適である。
【００２５】
また、バンク１２２は、光散乱体１２８を含有している。光散乱体１２８としては、例えば、金属酸化物粒子、蛍光体粒子、高誘電率超微粒子等の微粒子を用いることができる。また、これらから選択された複数の組み合わせであってもよい。即ち、バンク１２２は単一の粒径を有する複数の光散乱体１２８を含有してもよいし、粒径の異なる複数の光散乱体１２８、材質の異なる複数の光散乱体１２８を含有してもよい。光散乱体１２８の粒径は、バンク１２２の膜厚よりも小さければ、光散乱体１２８の材質に応じて適宜定めることができる。例えば３００ｎｍから３μｍの粒径が好適である。但し、この粒径に限定されるものではなく、例えば数ｎｍの粒径の高誘電率超微粒子を光散乱体１２８に用いる場合も有る。
【００２６】
金属酸化物粒子としては、例えば、ジルコニア（ＺｒＯ２）、チタニア（ＴｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。
【００２７】
蛍光体粒子としては、例えば、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｍｎ，Ｃｌ等を用いることができる。
【００２８】
高誘電率超微粒子としては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）等を用いることができる。
【００２９】
発光層１２４は、少なくとも画素電極１２０上に設けられている。この例では、発光層１２４は、複数の画素１０８に共通して設けられ、画素電極１２０及び画素１０８間のバンク１２２を覆うように設けられている。
【００３０】
発光層１２４が、例えば有機ＥＬ層から成る場合、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１２４は、発光性の有機材料を含む発光層１２４に加え、当該発光層１２４を挟むように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。本実施形態においては、発光層１２４は、白色発光を呈するものを用い、カラーフィルタによってフルカラー発光を実現している。
【００３１】
共通電極１２６は、発光層１２４上に設けられている。また、共通電極１２６は、発光層１２４で発光した光を透過させるため、透光性を有している。共通電極１２６の材料としては、透光性を有し且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通電極１２６として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。
【００３２】
以上のような構成を有することによって、本実施形態に係る表示装置１００は、発光層１２４で生成された光の一部が光散乱体１２８によって乱反射し、表示装置１００の外部に、特に図１に示す矢印の方向に、取出され易くなるため、光取出し効率、光利用効率が向上する。特に、発光層１２４で生成された光のうち、発光層１２４の面に対して平行な方向に出射した光であっても、光散乱体１２８によって進行方向を変えることが可能であため、表示装置１００の外部に取出され易くなる。光取出し効率、光利用効率が向上すると、一定輝度を出力する際の電力を削減することができるため、低消費電力化に繋がる。
【００３３】
従来の光散乱体１２８を設けない表示装置の場合、発光層１２４で生成された光のうち、発光層１２４の面に対して平行な方向に出射した光を表示装置の外部に取出すためには、例えば、絶縁層１１８の開口領域１１８ａにおける側壁の傾斜をなだらかにする等の対策が考えられる。このようにすれば、当該側壁に延伸し、光反射面を有する画素電極１２０によって、進行方向を表示面側に変えることができる。しかしながら、この構成では、絶縁層１１８の占める面積が大きくなり、開口率が小さくなってしまうという課題がある。一方、当該傾斜が垂直に近くなると、基板に対して平行に出射された光を取り出すことが困難になる。
【００３４】
本実施形態に係る表示装置１００は、上述の作用によって、発光層１２４で生成された光のうち、発光層１２４の面に対して平行な方向に出射した光であっても、光散乱体１２８によって進行方向を変えることが可能であため、絶縁層１１８の開口領域１１８ａにおける側壁の傾斜をほぼ垂直としても、表示装置１００の外部に取出すことができる。よって、絶縁層１１８の占める面積を小さく設計することができ、開口率の低下を抑制することができる。
【００３５】
尚、絶縁層１１８を無機材料で形成し、バンク１２２を有機材料で形成することが望ましい。更に絶縁層１１８よりもバンク１２２を厚く形成することが望ましい。絶縁層１１８の位置に無機材料が配置されることにより、外部から発光層１２４の側へ水分が侵入することを防ぐ効果が得られる。
【００３６】
また、上述の光取出し効率向上の効果を有するためには、光散乱体１２８が含有されているバンク１２２はある程度厚く形成することが好適である。しかし、ある程度厚いバンク１２２を無機材料で形成すると、クラックが入りやすくなる。特に、第１基板１０２が樹脂基板（例えばポリイミド）であり、湾曲可能な表示面を有するシートディスプレイ、フレキシブルディスプレイにおいては、よりクラックが入りやすくなる。従って、ある程度厚いバンク１２２を有機材料で形成することで、クラックの発生を抑制することができる。バンク１２２が厚い分、無機材料で形成された絶縁層１１８は薄く形成することができ、絶縁層１１８のクラック発生も抑制することができる。
【００３７】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の構造について説明した。本実施形態によれば、光取出し効率が向上した表示装置１００を提供することができる。
【００３８】
［製造方法］
本実施形態に係る表示装置１００の製造法について、図３を参照して説明する。図３は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明するためのプロセスフローである。
【００３９】
先ず、第１基板１０２上に、行列状に配列された画素形成領域の各々に開口領域１１８ａを有する絶縁層１１８を形成する（Ｓ１０１）。絶縁層１１８の材料としては、上述の通り無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。
【００４０】
開口領域１１８ａは、絶縁層１１８を成膜した後、フォトリソグラフィー法によって副画素毎に形成される。
【００４１】
次いで、開口領域１１８ａに、絶縁層１１８の側壁を覆い、光反射面を有する画素電極１２０を形成する（Ｓ１０２）。画素電極１２０は、発光層１２４で発生した光を共通電極１２６側に反射させるため、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましい。或いは、画素電極１２０を金属膜と透明導電膜との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。画素電極１２０は、副画素毎に形成される。
【００４２】
次いで、絶縁層１１８の開口端部を覆い、光散乱体１２８を含むバンク１２２を形成する（Ｓ１０３）。尚、バンク１２２に光散乱体１２８を包含させることは発光層１２４を形成する前に行うことが望ましい。これにより、バンク１２２に光散乱体１２８を包含させる際に、発光層１２４に損傷を与えることは無い。
【００４３】
次いで、画素電極１２０上に発光層１２４を形成する（Ｓ１０４）。発光層１２４は、例えば有機ＥＬ層から成る。発光層１２４は、複数の画素に共通して形成される。
【００４４】
次いで、発光層１２４上に透光性を有する共通電極１２６を形成する（Ｓ１０５）。共通電極１２６は、複数の画素に共通して形成される。
【００４５】
次いで、対向基板の形成及び、アレイ基板と対向基板の貼り合わせといった工程が続くが、ここではそれらの詳細な説明は省略する。
【００４６】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明した。本実施形態に係る表示装置１００の製造方法によれば、光取出し効率の向上した表示装置１００を提供することができる。
【００４７】
＜第２実施形態＞
図４を参照し、本実施形態に係る表示装置２００の構成について詳細に説明する。図４は、本実施形態に係る表示装置２００の構成を示す上面図及び断面図である。上面図に示すように、複数の画素１０８の各々が、２行２列に配置された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の４つの副画素１０８Ｒ、１０８Ｇ、１０８Ｂ、１０８Ｗを有している。断面図では、行方向に青（Ｂ）、赤（Ｒ）、青（Ｂ）、赤（Ｒ）の順で並んだ副画素の断面を例示している。
【００４８】
本実施形態に係る表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比較すると、光散乱体１２８は、色素を有する光散乱体１２８であることを特徴としている。つまり、各々の色の副画素において、各々に配置されたバンク１２２は、当該各々の色に対応した光散乱体１２８を含有する。具体的には、赤の副画素内に配置されたバンク１２２には、発光層で生成された光を赤色に変換する光散乱体１２８Ｒを含有する。緑の副画素内に配置されたバンク１２２には、発光層で生成された光を緑色に変換する光散乱体１２８Ｇを含有する。青の副画素内に配置されたバンク１２２には、発光層で生成された光を青色に変換する光散乱体１２８Ｂを含有する。白の副画素内に配置されたバンク１２２には、第１実施形態で説明した材料から成る光散乱体１２８を含有してもよい。
【００４９】
また、図４に示すように、本実施形態に係る表示装置２００は、バンク１２２の開口領域と対向する位置にカラーフィルタ１３０が配置されている。カラーフィルタ１３０は、第１基板１０２に形成されても、第１基板１０２と対向する第２基板１０４に形成されてもよい。図４においては、赤の副画素１０８Ｒにはカラーフィルタ１３０Ｒが、青の副画素１０８Ｂにはカラーフィルタ１３０Ｂが配置されている。図示しないが、白の副画素にはカラーフィルタを配置しない構造でもよいし、透光性の例えばほぼ無色の樹脂層を配置しても良い。副画素の境界部には遮光層１３２が配置されている。
【００５０】
このような構成を有することによって、バンク１２２に光散乱機能のみならず、色変換機能を持たせることができる。発光層１２４で生成された光（例えば白色光）が色変換機能を備えた光散乱体１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂの各々で色変換されるので色変換機能を備えた光散乱体を備えない構造に比べ、、本実施形態においては、カラーフィルタ１３０を透過することによる色変換量は少なくて済む。即ち、カラーフィルタ１３０を従来よりも薄く設計することができる。従って、カラーフィルタ１３０をの材料を削減することができる。更に、カラーフィルタ１３０を薄くすることができると、カラーフィルタ１３０を透過する際の輝度低下も小さくなるので、発光効率が向上する。発光効率が向上すると、一定輝度を出力する際の電力を削減することができるため、表示装置２００の低消費電力化に繋がる。
【００５１】
尚、光散乱体１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂによって画像表示に必要な色変換が十分に得られる場合は、カラーフィルタ１３０を配置しない構造にすることも可能である。
【００５２】
更に、図２の例において、赤（Ｒ）の副画素において、発光層１２４で生成された光がバンク１２２で赤色に変換された場合、その光が隣接する青（Ｂ）の副画素に伝搬したとしても、青（Ｂ）のカラーフィルタ１３０Ｂに吸収されて外部に取出されることは無いため、光学的な混色を低減することができる。
【００５３】
色素を有する光散乱体１２８としては、例えば、蛍光シリカ粒子又は顔料微粒子等を用いることができる。蛍光シリカ粒子としては、シリカ（ＳｉＯ２）の微粒子に蛍光色素を付与することによって色変換機能を有する光散乱体を得ることができる。赤色に変換する蛍光色素としては、例えばローダミンＢ誘導体等、緑色に変換する蛍光色素としては、例えばＦＩＴＣ（Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｉｎ  ｉｓｏｔｈｉｏｃｙａｎａｔｅ）等、青色に変換する蛍光色素としては、例えばＤＡＰＩ（４´，６−ｄｉａｍｉｄｉｎｏ−２−ｐｈｅｎｙｌｉｎｄｏｌｅ）等を用いることができる。
【００５４】
以上、本実施形態に係る表示装置２００について説明した。本実施形態係る表示装置２００によれば、色素を有する光散乱体１２８を用いることによって、バンク１２２に光散乱機能のみならず、色変換機能を持たせることができる。これによって、カラーフィルタを通常よりも薄く設計することができ、カラーフィルタの材料を削減し、発光効率、光取出し効率の向上した表示装置２００を提供することができる。
【００５５】
＜第３実施形態＞
図５を参照し、本実施形態に係る表示装置３００の構成について詳細に説明する。図５は、本実施形態に係る表示装置３００の構成を示す断面図である。
【００５６】
本実施形態に係る表示装置３００は、第２実施形態に係る表示装置２００と比較すると、複数の画素１０８の各々は、開口領域１１８ａの、共通電極１２６と対向する位置に設けられた光反射層１３４と、光反射層１３４上に設けられた光吸収層１３６とを更に有している。
【００５７】
このような構成を有することによって、発光層１２４で生成された光のほぼ全てが光散乱体１２８Ｒを経由することによって色変換される。従って、図４に示すカラーフィルタ１３０Ｒを省略することができる。カラーフィルタを省略することができると、発光効率が向上する。発光効率が向上すると、一定輝度を出力する際の電力を削減することができるため、表示装置３００の低消費電力化に繋がる。更に、カラーフィルタを省略することができると、工程が簡略化されることのみならず、特に対向基板側にカラーフィルタ１３０を設ける表示装置に比べて、アレイ基板と対向基板との高精度な位置合わせが要求されず、両基板の貼り合わせが容易になる。尚、カラーフィルタを形成する構造にしてもよい。
【００５８】
更に、光吸収層１３６を設けることによって、表示面に入射する外光の反射を抑制することができるため、視認される光のうち発光成分の割合が増大し、高画質化する。
【００５９】
以上、本実施形態に係る表示装置３００について説明した。本実施形態係る表示装置３００によれば、色素を有する光散乱体１２８を用いることによって、バンク１２２に光散乱機能のみならず、色変換機能を持たせることができる。更に、発光層１２４で生成された光のほぼ全てが光散乱体１２８によって色変換されるため、カラーフィルタを省略することができる。よって、発光効率の向上した表示装置３００を提供することができる。
【００６０】
＜第４実施形態＞
図６を参照し、本実施形態に係る表示装置４００の構成について詳細に説明する。図６は、本実施形態に係る表示装置４００の構成を示す断面図である。
【００６１】
本実施形態に係る表示装置４００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比較すると、画素電極１２０は、絶縁層１１８を覆う領域に凹凸形状を有することを特徴としている。この例では、画素電極１２０の形成後に、画素電極１２０上に複数の粒状の膜からなる凹凸部１３８が形成されている。
【００６２】
このような構成を有することによって、発光層１２４から基板に対して平行な方向に出射した光も効率的に外部へ取出すことができ発光効率が向上する。発光効率が向上すると、一定輝度を出力する際の電力を削減することができるため、表示装置４００の低消費電力化に繋がる。
【００６３】
凹凸形状を形成する幾つかの方法としては、例えば、微粒子を画素電極１２０の表面に塗布し、当該塗布膜をエッチングすること等によって凹凸を形成することができる。
【００６４】
＜第５実施形態＞
図７を参照し、本実施形態に係る表示装置５００の構成について詳細に説明する。図７は、本実施形態に係る表示装置５００の構成を示す断面図である。
【００６５】
本実施形態に係る表示装置５００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比較すると、画素電極１２０は、絶縁層１１８を覆う領域に凹凸形状を有することを特徴としている。この例では、画素電極１２０の形成前に、絶縁層１１８上に凹凸部１３８が形成され、画素電極１２０も凹凸部１３８に倣って凹凸形状を備えている。
【００６６】
このような構成を有することによって、発光層１２４から基板に対して平行な方向に出射した光も効率的に外部へ取出すことができ発光効率が向上する。発光効率が向上すると、一定輝度を出力する際の電力を削減することができるため、低消費電力化に繋がる。
【００６７】
凹凸形状を形成する幾つかの方法の一つとしては、絶縁層１１８を、アクリル樹脂等を主材料として形成し、絶縁層１１８内に酸化珪素（ＳｉＯ２）、珪素（Ｓｉ）等の微粒子を分散させることによって、表面に凹凸形状を有する絶縁層１１８を形成することができる。
【００６８】
他の例として、絶縁層１１８の表面に微細パターンを転写することによって表面に凹凸形状を有する絶縁層１１８を形成することができる。
【００６９】
更に他の例として、結晶性ポリマーを有機溶媒に溶解して得られた溶液を絶縁層１１８の表面に塗布し、当該溶媒を蒸発させることによって、表面に微細な凹凸形状を有する絶縁層１１８を形成することができる。
【００７０】
以上、本発明の好ましい実施形態による表示装置１００乃至５００について説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲において請求されている本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【符号の説明】
【００７１】
１００、２００、３００、４００、５００：表示装置
１０２：第１基板
１０４：第２基板
１０６：表示領域
１０８：画素
１１０：シール材
１１２：ドライバＩＣ
１１４：端子領域
１１６：接続端子
１１８：絶縁層
１１８ａ：開口領域
１１８ｂ：側壁
１２０：画素電極
１２２：バンク
１２４：発光層
１２６：共通電極
１２８、１２８Ｒ、１２８Ｂ：光散乱体
１３０、１３０Ｒ、１３０Ｂ：カラーフィルタ（ＣＦ）
１３２：遮光層
１３４：光反射層
１３６：光吸収層
１３８：凹凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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