(57)【要約】【課題】発光素子を長期間、使用したとき、仮固定のための樹脂が剥離するといった問題が発生することの無い発光素子組立体を提供する。【解決手段】発光素子組立体は、発光層、第１電極３１及び第２電極３２を備えた発光素子１１、並びに、基体４０上に設けられた第１接続部４１及び第２接続部４２から構成されており、第１接続部４１と第２接続部４２とは、基体４０が露出した分離部４３によって離間されており、分離部４３の第１接続部側には拡幅部４４が設けられており、第１電極３１は第１の部分３１Ａ及び第２の部分３１Ｂから構成されており、第１電極の第２の部分３１Ｂは第１接続部４１に接続されており、第１電極の第１の部分３１Ａは第１電極の第２の部分３１Ｂから延在しており、第１電極の第１の部分３１Ａの基体４０に対する正射影像と分離部４３の拡幅部４４とは、少なくとも一部で重なり合っている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
分離部の第１接続部側には拡幅部が設けられており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第１の部分の基体に対する正射影像と分離部の拡幅部とは、少なくとも一部で重なり合っている発光素子組立体。
【請求項２】
第１接続部は、拡幅部によって２つの領域に分割されている請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項３】
分離部及び拡幅部、全体の平面形状は「Ｔ」字状であり、
「Ｔ」字の横棒によって、第１接続部と第２接続部とを離間する分離部が構成されており、
「Ｔ」字の縦棒によって、第１接続部を２つの領域に分離する拡幅部が構成されている請求項２に記載の発光素子組立体。
【請求項４】
第１電極の第２の部分は、第１の部分から延び、第１接続部に向かって突出した状態で第１の部分を取り囲んでいる請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項５】
第１電極及び第２電極は、発光層を基準として、同じ側に設けられている請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項６】
第２電極が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第２電極が外部と連通する連通部が設けられている請求項５に記載の発光素子組立体。
【請求項７】
第１電極の第２の部分と基体との間の隙間の最短距離をＬ11、第２電極と基体との間の隙間の最短距離をＬ12としたとき、Ｌ11＜Ｌ12を満足する請求項５に記載の発光素子組立体。
【請求項８】
第１電極の第２の部分と第１接続部とは、第１導電部を介して接続されており、
第２電極と第２接続部とは、第２導電部を介して接続されている請求項５に記載の発光素子組立体。
【請求項９】
第２電極は、発光層を基準として、第１電極とは反対側に設けられており、
第２電極と第２接続部とは、導体層を介して接続されている請求項１に記載の発光素子組立体。
【請求項１０】
発光素子と重なり合っていない導体層の部分の第２接続部に対する正射影像は、第２接続部に含まれる請求項９に記載の発光素子組立体。
【請求項１１】
発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第２の部分が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第１電極の第２の部分が外部と連通する連通部が設けられている発光素子組立体。
【請求項１２】
少なくとも第１電極の一部分と対向する基体の部分には第１接続部が設けられていない請求項１１に記載の発光素子組立体。
【請求項１３】
第１電極及び第２電極は、発光層を基準として、同じ側に設けられている請求項１１に記載の発光素子組立体。
【請求項１４】
第２電極が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第２電極が外部と連通する第２連通部が設けられている請求項１３に記載の発光素子組立体。
【請求項１５】
第１電極の第２の部分と第１接続部とは、第１導電部を介して接続されており、
第２電極と第２接続部とは、第２導電部を介して接続されている請求項１３に記載の発光素子組立体。
【請求項１６】
第２電極は、発光層を基準として、第１電極とは反対側に設けられており、
第２電極と第２接続部とは、導体層を介して接続されている請求項１１に記載の発光素子組立体。
【請求項１７】
発光素子と重なり合っていない導体層の部分の第２接続部に対する正射影像は、第２接続部に含まれる請求項１６に記載の発光素子組立体。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか１項に記載の発光素子組立体が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置。
【請求項１９】
発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
分離部の第１接続部側には拡幅部が設けられており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第１の部分の基体に対する正射影像と分離部の拡幅部とは、少なくとも一部で重なり合っている発光素子組立体の製造方法であって、
基体に対する第１電極の第１の部分の正射影像と分離部の拡幅部とが少なくとも一部で重なり合い、第１電極の第２の部分が第１接続部と対向し、且つ、発光素子が分離部を覆うように、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層を介して発光素子を基体に対して配置し、その後、
基体の発光素子が配置された側とは反対側から基体に対してエネルギー線を照射し、第１接続部及び第２接続部によって遮蔽されていない接着剤層の部分を硬化させた後、未硬化又は半硬化の接着剤層の部分を除去し、次いで、
第１電極の第２の部分と第１接続部とを接続した後、
分離部を介して、硬化した接着剤層を除去する、
工程を少なくとも有する発光素子組立体の製造方法。
【請求項２０】
発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第２の部分が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第１電極の第２の部分が外部と連通する連通部が設けられている発光素子組立体の製造方法であって、
第１電極の第２の部分が第１接続部と対向し、且つ、発光素子が分離部を覆うように、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層を介して発光素子を基体に対して配置し、その後、
基体の発光素子が配置された側とは反対側から基体に対してエネルギー線を照射し、第１接続部及び第２接続部によって遮蔽されていない接着剤層の部分を硬化させた後、未硬化又は半硬化の接着剤層の部分を除去し、次いで、
第１電極の第２の部分と第１接続部とを接続した後、
分離部を介して、硬化した接着剤層を除去する、
工程を少なくとも有する発光素子組立体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光素子組立体及びその製造方法、並びに、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多数の微細な電子部品を実装用基板に実装するための方法が、種々、開発されているが、その内の１つに所謂転写法を挙げることができる（例えば、特開２０１１−２３３７３３を参照）。この特許公開公報に開示された転写法においては、配線基板にシードメタルを形成し、発光素子の電極パッドがシードメタルと電気的に非接続でシードメタルの上方に位置するように、発光素子を配線基板に仮固定し、シードメタルを給電層として電解メッキを行い、電解メッキで成長するメッキ層によって電極パッドをシードメタルに接合させて発光素子を固定する。ここで、発光素子の配線基板に対する仮固定には樹脂を用いる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２３３７３３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の特許公開公報に開示された技術は優れた実装技術であるが、発光素子を配線基板に仮固定する樹脂が残っているため、発光素子を長期間、使用したとき、仮固定のための樹脂が剥離する虞がある。
【０００５】
従って、本開示の目的は、発光素子を長期間、使用したとき、仮固定のための樹脂が剥離するといった問題が発生することの無い構成、構造の発光素子組立体及びその製造方法、並びに、係る発光素子組立体を備えた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る発光素子組立体は、
発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
分離部の第１接続部側には拡幅部が設けられており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第１の部分の基体に対する正射影像と分離部の拡幅部とは、少なくとも一部で重なり合っている。
【０００７】
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る発光素子組立体は、
発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第２の部分が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第１電極の第２の部分が外部と連通する連通部（便宜上、『第１連通部』と呼ぶ場合がある）が設けられている。
【０００８】
上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る発光素子組立体が２次元マトリクス状に配列されて成る。
【０００９】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る発光素子組立体の製造方法は、
発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
分離部の第１接続部側には拡幅部が設けられており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第１の部分の基体に対する正射影像と分離部の拡幅部とは、少なくとも一部で重なり合っている発光素子組立体の製造方法であって、
基体に対する第１電極の第１の部分の正射影像と分離部の拡幅部とが少なくとも一部で重なり合い、第１電極の第２の部分が第１接続部と対向し、且つ、発光素子が分離部を覆うように、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層を介して発光素子を基体に対して配置し、その後、
基体の発光素子が配置された側とは反対側から基体に対してエネルギー線を照射し、第１接続部及び第２接続部によって遮蔽されていない接着剤層の部分を硬化させた後、未硬化又は半硬化の接着剤層の部分を除去し、次いで、
第１電極の第２の部分と第１接続部とを接続した後、
分離部を介して、硬化した接着剤層を除去する、
工程を少なくとも有する。
【００１０】
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る発光素子組立体の製造方法は、  発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第２の部分が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第１電極の第２の部分が外部と連通する連通部（第１連通部）が設けられている発光素子組立体の製造方法であって、
第１電極の第２の部分が第１接続部と対向し、且つ、発光素子が分離部を覆うように、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層を介して発光素子を基体に対して配置し、その後、
基体の発光素子が配置された側とは反対側から基体に対してエネルギー線を照射し、第１接続部及び第２接続部によって遮蔽されていない接着剤層の部分を硬化させた後、未硬化又は半硬化の接着剤層の部分を除去し、次いで、
第１電極の第２の部分と第１接続部とを接続した後、
分離部を介して、硬化した接着剤層を除去する、
工程を少なくとも有する。
【発明の効果】
【００１１】
本開示の第１の態様〜第２の態様に係る発光素子組立体、あるいは、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る発光素子組立体を備えた本開示の表示装置にあっては、第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されている。即ち、分離部には仮固定のための樹脂が残されていない。それ故、発光素子を長期間、使用したとき、仮固定のための樹脂が剥離するといった問題が発生することが無い。本開示の第１の態様〜第２の態様に係る発光素子組立体の製造方法にあっては、最終的に、分離部を介して硬化した接着剤層（仮固定のための樹脂に相当する）の部分を除去するので、やはり、発光素子を長期間、使用したとき、仮固定のための樹脂が剥離するといった問題が発生することが無い。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１Ａは、実施例１の発光素子組立体の模式的な部分的平面図であり、図１Ｂは、実施例１の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な平面図である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ、図１Ａの矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１の発光素子組立体の模式的な一部端面図である。
【図３】図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃは、図１Ｂの矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ及び矢印Ｃ−Ｃに沿った実施例１の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な一部端面図である。
【図４】図４は、実施例１の発光素子組立体の変形例の模式的な部分的平面図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、図４の矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１の発光素子組立体の変形例の模式的な一部端面図である。
【図６】図６Ａは、実施例２の発光素子組立体の模式的な部分的平面図であり、図６Ｂは、実施例２の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な平面図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ、図６Ａの矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例２の発光素子組立体の模式的な一部端面図である。
【図８】図８Ａ、図８Ｂ及び図８Ｃは、図６Ｂの矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ及び矢印Ｃ−Ｃに沿った実施例２の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な一部端面図である。
【図９】図９は、実施例２の発光素子組立体の変形例の模式的な部分的平面図である。
【図１０】図１０は、実施例３の発光素子組立体の模式的な部分的平面図である。
【図１１】図１１Ａは、図１０の矢印Ａ−Ａに沿った実施例３の発光素子組立体の模式的な一部端面図であり、図１１Ｂは、図１０の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例３の発光素子組立体の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２は、実施例３の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な平面図である。
【図１３】図１３Ａ及び図１３Ｂは、図１２の矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例３の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な一部端面図である。
【図１４】図１４は、実施例３の発光素子組立体の変形例の模式的な部分的平面図である。
【図１５】図１５Ａは、図１４の矢印Ａ−Ａに沿った実施例３の発光素子組立体の変形例の模式的な一部端面図であり、図１５Ｂは、図１４の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例３の発光素子組立体の変形例の模式的な一部端面図である。
【図１６】図１６は、実施例３の発光素子組立体の別の変形例の模式的な部分的平面図である。
【図１７】図１７Ａは、図１６の矢印Ａ−Ａに沿った実施例３の発光素子組立体の別の変形例の模式的な一部端面図であり、図１７Ｂは、図１６の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例３の発光素子組立体の別の変形例の模式的な一部端面図である。
【図１８】図１８は、実施例４の発光素子組立体の模式的な部分的平面図である。
【図１９】図１９Ａは、図１８の矢印Ａ−Ａに沿った実施例４の発光素子組立体の模式的な一部端面図であり、図１９Ｂは、図１８Ａの矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例４の発光素子組立体の模式的な一部端面図である。
【図２０】図２０は、実施例４の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な平面図である。
【図２１】図２１Ａ及び図２１Ｂは、図２０の矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例４の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な一部端面図である。
【図２２】図２２Ａ及び図２２Ｂは、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図２３】図２３Ａ及び図２３Ｂは、図２２Ａ及び図２２Ｂに引き続き、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図２４】図２４Ａ及び図２４Ｂは、図２３Ａ及び図２３Ｂに引き続き、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図２５】図２５Ａ及び図２５Ｂは、図２４Ａ及び図２４Ｂに引き続き、実施例１の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図２６】図２６Ａ及び図２６Ｂは、実施例２の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図２７】図２７Ａ及び図２７Ｂは、図２６Ａ及び図２６Ｂに引き続き、実施例２の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図２８】図２８Ａ及び図２８Ｂは、図２７Ａ及び図２７Ｂに引き続き、実施例２の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図２９】図２９Ａ及び図２９Ｂは、図２８Ａ及び図２８Ｂに引き続き、実施例２の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図３０】図３０Ａ及び図３０Ｂは、実施例３の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図３１】図３１Ａ及び図３１Ｂは、図３０Ａ及び図３０Ｂに引き続き、実施例３の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図３２】図３２Ａ及び図３２Ｂは、図３１Ａ及び図３１Ｂに引き続き、実施例３の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図３３】図３３Ａ及び図３３Ｂは、図３２Ａ及び図３２Ｂに引き続き、実施例３の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図３４】図３４Ａ及び図３４Ｂは、実施例４の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図３５】図３５Ａ及び図３５Ｂは、図３４Ａ及び図３４Ｂに引き続き、実施例４の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図３６】図３６Ａ及び図３６Ｂは、図３５Ａ及び図３５Ｂに引き続き、実施例４の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図３７】図３７Ａ及び図３７Ｂは、図３６Ａ及び図３６Ｂに引き続き、実施例４の発光素子組立体の製造方法を説明するための発光素子等の模式的な一部端面図である。
【図３８】図３８Ａは、実施例１の発光素子組立体を構成する発光素子の変形例の模式的な一部端面図であり、図３８Ｂは、実施例２の発光素子組立体を構成する発光素子の変形例の模式的な一部端面図であり、遮光膜が形成された発光素子を示す。
【図３９】図３９は、実施例１の発光素子組立体の別の変形例の模式的な部分的平面図である。
【図４０】図４０は、実施例１の発光素子組立体の更に別の変形例の模式的な部分的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様〜第２の態様に係る発光素子組立体及びその製造方法、並びに、本開示の表示装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る発光素子組立体及びその製造方法、並びに、本開示の表示装置）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（本開示の第２の態様に係る発光素子組立体及びその製造方法）
５．実施例４（実施例３の変形）
６．実施例５（実施例１〜実施例４の変形、発光素子を実装する方法）
７．その他
【００１４】
〈本開示の第１の態様〜第２の態様に係る発光素子組立体及びその製造方法、並びに、本開示の表示装置、全般に関する説明〉
本開示の第１の態様に係る発光素子組立体、本開示の第１の態様に係る発光素子組立体の製造方法によって製造された発光素子組立体、本開示の表示装置に備えられた本開示の第１の態様に係る発光素子組立体を総称して、以下、『本開示の第１の態様に係る発光素子組立体等』と呼ぶ。また、本開示の第２の態様に係る発光素子組立体、本開示の第２の態様に係る発光素子組立体の製造方法によって製造された発光素子組立体、本開示の表示装置に備えられた本開示の第２の態様に係る発光素子組立体を総称して、以下、『本開示の第２の態様に係る発光素子組立体等』と呼ぶ。
【００１５】
本開示の第１の態様に係る発光素子組立体等において、第１接続部は、拡幅部によって２つの領域に分割されている形態とすることができる。そして、この場合、
分離部及び拡幅部、全体の平面形状は「Ｔ」字状であり、
「Ｔ」字の横棒によって、第１接続部と第２接続部とを離間する分離部が構成されており、
「Ｔ」字の縦棒によって、第１接続部を２つの領域に分離する拡幅部が構成されている形態とすることができる。尚、分離部の幅は、拡幅部の幅よりも広くてもよいし、同じ幅でもよいし、狭くてもよい。即ち、「Ｔ」字の横棒の太さは、「Ｔ」字の縦棒の太さよりも太くてもよいし、同じでもよいし、細くてもよい。
【００１６】
上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子組立体等において、第１電極の第２の部分は、第１の部分から延び、第１接続部に向かって突出した状態で第１の部分を取り囲んでいる形態とすることができる。
【００１７】
更には、上記の各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子組立体等において、第１電極及び第２電極は、発光層を基準として、同じ側に設けられている構成とすることができる。そして、この場合、第２電極が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第２電極が外部と連通する連通部（『第２連通部』と呼ぶ場合がある）が設けられている構成とすることができ、あるいは又、
第１電極の第２の部分と基体との間の隙間の最短距離をＬ11、第２電極と基体との間の隙間の最短距離をＬ12としたとき、Ｌ11＜Ｌ12を満足する構成とすることができる。そして、更には、これらの構成にあっては、
第１電極の第２の部分と第１接続部とは、第１導電部を介して接続されており、
第２電極と第２接続部とは、第２導電部を介して接続されている構成とすることができる。
【００１８】
あるいは又、上記の各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子組立体等において、
第２電極は、発光層を基準として、第１電極とは反対側に設けられており、
第２電極と第２接続部とは、導体層を介して接続されている構成とすることができる。そして、この場合、
発光素子と重なり合っていない導体層の部分の第２接続部に対する正射影像は、第２接続部に含まれる構成とすることができ、あるいは又、
分離部の第２接続部側には、拡幅部と対向した第２拡幅部が設けられており、
第２接続部は、第２拡幅部によって少なくとも２つの領域に分割されている構成とすることができる。発光素子と重なり合っていない導体層の部分の第２接続部に対する正射影像が第２接続部に含まれることで、発光素子から出射された光が導体層によって反射されても、この反射光が基体に到達することが無く、発光素子から出射された光に起因した基体の劣化を防ぐことができる。
【００１９】
本開示の第２の態様に係る発光素子組立体等において、少なくとも第１電極の一部分と対向する基体の部分には第１接続部が設けられていない形態とすることができる。
【００２０】
そして、上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る発光素子組立体等において、第１電極及び第２電極は、発光層を基準として、同じ側に設けられている構成とすることができる。そして、この場合、第２電極が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第２電極が外部と連通する第２連通部が設けられている構成とすることができ、更には、これらの場合、
第１電極の第２の部分と第１接続部とは、第１導電部を介して接続されており、
第２電極と第２接続部とは、第２導電部を介して接続されている構成とすることができる。
【００２１】
あるいは又、上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る発光素子組立体等において、
第２電極は、発光層を基準として、第１電極とは反対側に設けられており、
第２電極と第２接続部とは、導体層を介して接続されている構成とすることができ、この場合、発光素子と重なり合っていない導体層の部分の第２接続部に対する正射影像は、第２接続部に含まれる構成とすることができる。このような構成を採用することで、発光素子から出射された光が導体層によって反射されても、この反射光が基体に到達することが無く、発光素子から出射された光に起因した基体の劣化を防ぐことができる。
【００２２】
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第２の態様に係る発光素子組立体等（以下、これらを総称して、『本開示の発光素子組立体等』と呼ぶ場合がある）において、第２電極は、第２接続部に電気的に接続されているが、前述したとおり、第２電極と第２接続部とは第２導電部を介して接続されている構成とすることができるし、また、第２電極と第２接続部とは導体層を介して接続されている構成とすることもできる。第１電極の第２の部分と第１接続部とを接続する第１導電部、及び、第２電極と第２接続部とを接続する第２導電部は、メッキ層から構成することができるが、これに限定するものではなく、その他、例えば、ハンダ・ボールあるいはハンダ・バンプから構成することもできる。即ち、第１電極の第２の部分と第１接続部との接続方法としてメッキ法を挙げることができるが、これに限定するものではなく、その他、ハンダ・ボールあるいはハンダ・バンプを用いる方法を採用することもできる。導体層は、メッキ層から構成することができるが、これに限定するものではなく、その他、例えば、所謂ワイヤボンディングから構成することもできる。即ち、導体層の形成方法として、メッキ法を挙げることができるが、これに限定するものではなく、その他、所謂ワイヤボンディングを用いた方法を採用することもできる。導体層は、第２電極以外の発光素子の部分とは接していない。エネルギー線硬化型の接着剤層を構成する接着剤（樹脂）材料として、周知の紫外線硬化型の接着剤（樹脂）を挙げることができるし、エネルギー線として、使用する接着剤の硬化に適した紫外線を挙げることができるが、これに限定するものではない。未硬化又は半硬化の接着剤層の除去や分離部等における硬化接着剤層の除去には、使用する接着剤に依存して、例えば、適切な溶剤を選択し、溶剤に溶解させればよい。尚、半硬化とは、完全には硬化していない状態を意味する。
【００２３】
本開示の発光素子組立体等において、発光素子は発光ダイオード（ＬＥＤ）から成る構成とすることができるが、これに限定するものではなく、その他、半導体レーザ素子等から構成することもできる。発光ダイオードや半導体レーザ素子から発光素子を構成する場合、発光素子の大きさ（例えばチップサイズ）は特に制限されないが、典型的には微小なものであり、具体的には、例えば１ｍｍ以下、あるいは、例えば０．３ｍｍ以下、あるいは、例えば０．１ｍｍ以下、より具体的には０．０３ｍｍ以下の大きさのものである。赤色を発光する赤色発光素子、緑色を発光する緑色発光素子及び青色を発光する青色発光素子の発光層を構成する材料として、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いるものを挙げることができ、また、赤色発光素子の発光層を構成する材料として、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用いるものを挙げることもできる。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体として、例えば、ＧａＮ系化合物半導体（ＡｌＧａＮ混晶あるいはＡｌＧａＩｎＮ混晶、ＧａＩｎＮ混晶を含む）、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体（ＧａＩｎＡｓ混晶あるいはＧａＮＡｓ混晶を含む）、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体、ＩｎＮ系化合物半導体、ＡｌＮ系化合物半導体を例示することができる。
【００２４】
発光層は、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層の積層構造を有する。尚、第１導電型をｎ型とする場合、第２導電型はｐ型であるし、第１導電型をｐ型とする場合、第２導電型はｎ型である。化合物半導体層に添加されるｎ型不純物として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）を挙げることができるし、ｐ型不純物として、亜鉛（Ｚｎ）や、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、酸素（Ｏ）を挙げることができる。活性層は、単一の化合物半導体層から構成されていてもよいし、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）あるいは多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有していてもよい。活性層を含む各種化合物半導体層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法）や有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）、プラズマアシステッド物理的気相成長法（ＰＰＤ法）、アトミック・レイヤー・デポジション法（ＡＬＤ法、原子層堆積法）、マイグレーション・エンハンスト・エピタキシー法（Migration-Enhanced. Epitaxy、ＭＥＥ法）を挙げることができる。赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子を製造するためには、上記の化合物半導体やその組成を、適宜、選択すればよい。
【００２５】
第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とする場合、第１電極はｎ側電極であり、第２電極はｐ側電極となる。一方、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型とする場合、第１電極はｐ側電極であり、第２電極はｎ側電極となる。ここで、ｐ側電極として、Ａｕ／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ｔｉ／Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｇｅを挙げることができる。また、ｎ側電極として、Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅ／Ｐｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ｔｉを挙げることができる。尚、「／」の前の層ほど、活性層から電気的に離れたところに位置する。あるいは又、第２電極を、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｂといった透明導電材料から構成することもできる。透明導電材料から成る層を電流拡散層として用いて、第２電極をｎ側電極とする場合、第２電極をｐ側電極とする場合に挙げた金属積層構造とを組み合わせてもよい。第１電極の第２の部分をパッド部（第１パッド部）から構成してもよいし、第２電極の上（表面）に第２パッド部を形成してもよいし、第１電極の第２の部分の上（表面）に第３パッド部を形成してもよい。これらの場合、第３パッド部は第１電極の第２の部分に包含され、第２パッド部は第２電極に包含される。パッド部は、Ｔｉ（チタン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましい。あるいは又、これらのパッド部を、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ａｕの多層構成に例示される多層構成とすることもできる。
【００２６】
発光素子を製造するための発光素子製造用基板として、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、ＡｌＮ基板、ＡｌＰ基板、ＩｎＮ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＰ基板、ＧａＩｎＰ基板、ＺｎＳ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、ＺｎＯ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ2基板、ＭｇＡｌ2Ｏ4基板、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。尚、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子を製造するためには、これらの基板から、適宜、選択すればよい。
【００２７】
発光素子には、発光素子から出射される光が不所望の領域を照射しないように、発光素子の所望の領域に遮光膜を形成してもよい。遮光膜を構成する材料として、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＭｏＳｉ2、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等の光を遮光することができる材料や等可視光を反射する材料を挙げることができる。
【００２８】
後述する絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層を構成する材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、窒化シリコン（ＳｉＮY）、酸窒化シリコン（ＳｉＯXＮY）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化クロム（ＣｒＯx）、酸化バナジウム（ＶＯx）、窒化タンタル（ＴａＮ）、誘電体多層膜（例えば、ＳｉＯ2等の低屈折率薄膜とＴｉＯ2やＴａ2Ｏ5等の高屈折率薄膜とを交互に積層した構造を有する誘電体多層膜）、又は、ＳｉＯ2層／Ｓｉ層の積層構造（ＳｉＯ2層が下層であり、Ｓｉ層が上層）を例示することができる。絶縁層の形成は、使用する材料に依存して、各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）にて行うことができる。また、パターニングは、リソグラフィ技術及びエッチング技術の組合せに基づき行うことができる。
【００２９】
表示装置の用途や機能、表示装置に要求される仕様等に応じて、表示装置を構成する発光素子組立体（具体的には、発光素子）の数、種類、実装（配置）、間隔等が決められる。赤色発光素子（赤色発光副画素）、緑色発光素子（緑色発光副画素）及び青色発光素子（青色発光副画素）から表示装置を構成すれば、カラー表示の表示装置を得ることができる。カラー表示の表示装置から表示装置を構成する場合、表示装置における１画素（１ピクセル）は、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子の組（発光ユニット）から構成されている。また、各発光素子によって副画素が構成される。そして、複数の発光素子組立体（複数の画素）が、第１の方向、及び、第１の方向と直交する第２の方向に２次元マトリクス状に配列されている。発光ユニットを構成する赤色発光素子の数をＮR、発光ユニットを構成する緑色発光素子の数をＮG、発光ユニットを構成する青色発光素子の数をＮBとしたとき、ＮRとして１又は２以上の整数を挙げることができるし、ＮGとして１又は２以上の整数を挙げることができるし、ＮBとして１又は２以上の整数を挙げることができる。ＮRとＮGとＮBの値は、等しくともよいし、異なっていてもよい。ＮR，ＮG，ＮBの値が２以上の整数である場合、１つの発光ユニット内において、発光素子組立体は直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。（ＮR，ＮG，ＮB）の値の組合せとして、限定するものではないが、（１，１，１）、（１，２，１）、（２，２，２）、（２，４，２）を例示することができる。３種類の副画素によって１画素を構成する場合、３種類の副画素の配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。そして、発光素子を、ＰＷＭ駆動法に基づき、しかも、定電流駆動すればよい。あるいは又、３つのパネルを準備し、第１のパネルを赤色発光素子から成る発光部から構成し、第２のパネルを緑色発光素子から成る発光部から構成し、第３のパネルを青色発光素子から成る発光部から構成し、これらの３つのパネルからの光を、例えば、ダイクロイック・プリズムを用いて纏めるプロジェクタへ適用することもできる。
【００３０】
基体として、銅箔あるいは銅メッキ層から成る第１接続部及び第２接続部が表面に形成されたガラス基板や石英基板、シリコン基板を挙げることができるし、銅箔あるいは銅メッキ層から成る第１接続部及び第２接続部が表面に形成されたリジッドプリント配線板やフレキシブルプリント配線板を挙げることができる。尚、リジッドプリント配線板やフレキシブルプリント配線板には、エネルギー線を照射して接着剤層の部分を硬化させるために、エネルギー線を通過させるための領域（エネルギー線に対して透明な領域）を設けておけばよい。基体の製造方法は従来の方法とすればよい。基体は、実装用基板に相当する。リジッドプリント基板を構成する基材の構成は、本質的には任意であり、例えば、紙／フェノール樹脂、紙／エポキシ樹脂、ガラス布／エポキシ樹脂、ガラス不織布／エポキシ樹脂、ガラス布／ガラス不織布／エポキシ樹脂、合成繊維／エポキシ樹脂、ガラス布／ポリイミド樹脂、ガラス布／変性ポリイミド樹脂、ガラス布／エポキシ変性ポリイミド樹脂、ガラス布／ビスマレイミド／トリアジン／エポキシ樹脂、ガラス布／フッ素系樹脂、ガラス布／ＰＰＯ（ポリフェニレンオキサイド）樹脂、ガラス布／ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂の組合せを例示することができる。
【００３１】
表示装置において、第１接続部は第１の配線に接続されており、第２接続部は第２の配線に接続されている。複数の第１の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向に延びており、複数の第２の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、第１の方向と直交する方向）に延びている。尚、全体として帯状である配線は、帯状に延びる幹配線、及び、幹配線から延びる複数の枝配線から構成されていてもよい。あるいは又、第１の配線は、共通の配線（コモン電極）から成り、第２の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として一方向に延びている構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として一方向に延びており、第２の配線は、共通の配線（コモン電極）から成る構成とすることができる。
【００３２】
第１の配線、第２の配線を構成する材料として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）錫（Ｓｎ）等の金属を含む各種金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えば、ＴｉＷ；ＴｉＮやＷＮ等の窒化物；ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；これらの金属から成る導電性粒子；これらの金属を含む合金の導電性粒子；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］といった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。第１の配線、第２の配線の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザ・アブレーション法を含む各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；ＭＯＣＶＤ法を含む各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）；スピンコート法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、メタルマスク印刷法、グラビア印刷法といった各種印刷法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スタンプ法；リフト・オフ法；シャドウマスク法；電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法；及び、スプレー法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。第１の配線を構成する材料と、第２の配線を構成する材料は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた第１の配線、第２の配線を形成することも可能である。
【実施例１】
【００３３】
実施例１は、本開示の第１の態様に係る発光素子組立体及びその製造方法、並びに、本開示の表示装置に関する。実施例１の発光素子組立体の模式的な部分的平面図を図１Ａに示し、実施例１の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な平面図を図１Ｂに示す。また、図１Ａの矢印Ａ−Ａに沿った実施例１の発光素子組立体の模式的な一部端面図を図２Ａに示し、図１Ａの矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１の発光素子組立体の模式的な一部端面図を図２Ｂに示す。更には、図１Ｂの矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ及び矢印Ｃ−Ｃに沿った実施例１の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な一部端面図を図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃに示す。
【００３４】
尚、図面において、発光素子によって隠された第１接続部、第２接続部の部分の縁部を一点鎖線で示し、発光素子等によって隠された第１電極、第２電極の部分を点線で示す。また、発光素子の模式的な端面図によっては、発光素子の構成要素の詳細あるいは一部の図示を省略している。
【００３５】
実施例１の発光素子組立体は、
発光層２０、第１電極３１、及び、発光層２０に電気的に接続された第２電極３２を備えた発光素子（具体的には、発光ダイオード）１１、並びに、
基体４０上に設けられた第１接続部４１及び第２接続部４２、
から構成されており、
第１接続部４１と第２接続部４２とは、基体４０が露出した分離部４３によって離間されており、
分離部４３の第１接続部側には拡幅部４４が設けられており、
第１電極３１は、発光層２０と接した第１の部分３１Ａ、及び、第２の部分３１Ｂから構成されており、
第１電極３１の第２の部分３１Ｂは第１接続部４１に接続されており、第１電極３１の第１の部分３１Ａは第１電極３１の第２の部分３１Ｂから延在している。
【００３６】
実施例１の表示装置は、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例４において説明する発光素子組立体が２次元マトリクス状に配列されて成る。発光素子は、例えば、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子の３種類の発光素子から構成されている。表示装置を構成する１画素は、例えば、１つの赤色発光素子、１つの緑色発光素子及び１つの青色発光素子から構成されている。即ち、ＮR＝ＮG＝ＮB＝１である。
【００３７】
そして、第１電極３１の第１の部分３１Ａの基体４０に対する正射影像と分離部４３の拡幅部４４とは、少なくとも一部で重なり合っている。図示した例では、第１電極３１の第１の部分３１Ａの基体４０に対する正射影像は、分離部４３の拡幅部４４に含まれるが、分離部４３の拡幅部４４が、第１電極３１の第１の部分３１Ａの基体４０に対する正射影像に含まれていてもよい。また、第１接続部４１は、拡幅部４４によって２つの領域４１Ａ，４１Ｂに分割されている。ここで、分離部４３及び拡幅部４４、全体の平面形状は「Ｔ」字状であり、「Ｔ」字の横棒によって、第１接続部４１と第２接続部４２とを離間する分離部４３が構成されており、「Ｔ」字の縦棒によって、第１接続部４１を２つの領域４１Ａ，４１Ｂに分離する拡幅部４４が構成されている。分離部４３の幅は、拡幅部４４の幅よりも広くてもよいし、同じ幅でもよいし、狭くてもよい。即ち、「Ｔ」字の横棒の太さは、「Ｔ」字の縦棒の太さよりも太くてもよいし、同じでもよいし、細くてもよい。図示した例では、分離部４３の幅は、拡幅部４４の幅よりも狭い。即ち、「Ｔ」字の横棒の太さは、「Ｔ」字の縦棒の太さよりも細い。分離部４３及び拡幅部４４は外部に連通している。更には、実施例１にあっては、第１電極３１の第２の部分３１Ｂは、第１の部分３１Ａから延び、第１接続部４１に向かって突出した状態で第１の部分３１Ａを取り囲んでいる。第１の部分３１Ａは発光層２０と接している。また、第２の部分３１Ｂは第１パッド部に相当する。図示した例では、第１の部分３１Ａ及び第２の部分３１Ｂの平面形状を円形としたが、これに限定するものではなく、正方形、長方形、丸みを帯びた正方形、丸みを帯びた長方形、楕円形等とすることもできる。
【００３８】
実施例１において、第１電極３１及び第２電極３２は、発光層２０を基準として、同じ側に設けられている。そして、第２電極３２が設けられた発光素子１１の部分及びその近傍には、第２電極３２が外部と連通する連通部（第２連通部２７）が設けられている。あるいは又、
第１電極３１の第２の部分３１Ｂと基体４０との間の隙間の最短距離をＬ11、第２電極３２と基体４０との間の隙間の最短距離をＬ12としたとき、Ｌ11＜Ｌ12を満足する（図２Ａ参照）。そして、更には、
第１電極３１の第２の部分３１Ｂと第１接続部４１とは、第１導電部４５Ａを介して接続されており、
第２電極３２と第２接続部４２とは、第２導電部４５Ｂを介して接続されている。第２連通部２７は、図示した例では、発光素子１１の１つの辺１１Ａに設けられ、平面形状は、例えば、半長円形状（２本の線分と半円とが組み合わされた形状）である。Ｌ11及びＬ12の値として、具体的には、
Ｌ11＝０．５μｍ
Ｌ12＝２μｍ
を例示することができるが、これらの値に限定するものではない。また、発光素子の大きさとして、例えば、５μｍ以上、１ｍｍ以下を例示することができる。
【００３９】
発光層２０は、第１導電型（具体的にはｐ型あるいはｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第１導電型とは異なる第２導電型（具体的にはｎ型あるいはｐ型）を有する第２化合物半導体層２２の積層構造を有する。活性層２３において発光した光は、第２化合物半導体層２２を介して外部に出射される。第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２化合物半導体層２２の一部には、第２連通部２７が形成されており、第２連通部２７において露出した第２化合物半導体層２２の部分に第２電極３２が形成されている。第２電極３２は、第１の部分３２Ａ及び第２の部分３２Ｂから構成されている。そして、第２電極３２の第２の部分３２Ｂは第２接続部４２に接続されており、第２電極３２の第１の部分３２Ａは第２電極３２の第２の部分３２Ｂから延在している。第２電極３２の第２の部分３２Ｂは、第２接続部４２に向かって突出した状態で第２の部分３２Ｂを取り囲んでいる。第２電極３２の第１の部分３２Ａは発光層２０（具体的には、第２化合物半導体層２２）と接する。第２電極３２の第２の部分３２Ｂは第２パッド部に相当する。第２連通部２７は、第２電極３２の第２の部分３２Ｂが第１の部分３２Ａと接する部分に位置する発光素子の部分及びその近傍に設けられている。
【００４０】
第２化合物半導体層２２の光出射面２２’を除き、発光層２０は絶縁層２４によって覆われている。第１電極３１の第１の部分３１Ａの縁部の上に絶縁層２４が延在している。第１電極の第１の部分３１Ａの上及び絶縁層２４の一部の上には、第１電極３１の第２の部分３１Ｂが形成されている。絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯX）や窒化シリコン（ＳｉＮY）から成る。
【００４１】
発光素子は、赤色発光素子、緑色発光素子あるいは青色発光素子から構成されている。赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子の具体的な構成は、例えば、以下の表１及び表２のとおりである。
【００４２】
即ち、赤色発光素子において、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層２２、活性層２３、及び、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層２１から成る発光層（積層構造体）２０は、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る。赤色発光素子を製造するための発光素子製造用基板（図示せず）としてｎ−ＧａＡｓ基板を用いた。第２化合物半導体層２２が発光素子製造用基板の上に形成される。活性層２３は、ＧａＩｎＰ層若しくはＡｌＧａＩｎＰ層から成る井戸層と、組成の異なるＡｌＧａＩｎＰ層から成る障壁層とが積層された多重量子井戸構造を有しており、具体的には、障壁層を４層、井戸層を３層とした。尚、第２化合物半導体層２２の導電型をｎ型、第１化合物半導体層２１の導電型をｐ型とすることもできる。
【００４３】
〈表１〉赤色発光素子
第１化合物半導体層
第１クラッド層          ｎ−ＡｌＩｎＰ：Ｓｉドープ
第１ガイド層            ＡｌＧａＩｎＰ
活性層
井戸層／障壁層          ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ
第２化合物半導体層
第２ガイド層            ＡｌＧａＩｎＰ
第２クラッド層          ｐ−ＡｌＩｎＰ：Ｚｎドープ
コンタクト層            p−ＧａＡｓ：Ｚｎドープ
【００４４】
緑色発光素子及び青色発光素子において、ｎ型の導電型を有する第２化合物半導体層２２、活性層２３、及び、ｐ型の導電型を有する第１化合物半導体層２１から成る発光層（積層構造体）２０は、ＧａＩｎＮ系化合物半導体から成る。緑色発光素子及び青色発光素子を製造するための発光素子製造用基板としてｎ−ＧａＮ基板を用いた。第２化合物半導体層２２が発光素子製造用基板の上に形成される。活性層２３は、ＡｌＩｎＧａＮ層から成る井戸層と、Ｉｎ組成の異なるＡｌＩｎＧａＮ層から成る障壁層とが積層された量子井戸構造を有し、あるいは又、ＩｎＧａＮ層から成る井戸層と、ＧａＮ層から成る障壁層とが積層された量子井戸構造を有する。尚、第２化合物半導体層２２の導電型をｐ型、第１化合物半導体層２１の導電型をｎ型とすることもできる。
【００４５】
〈表２〉緑色発光素子／青色発光素子
第１化合物半導体層
コンタクト層            ｐ−ＧａＮ：Ｍｇドープ
第２クラッド層          ｐ−ＡｌＧａＮ：Ｍｇドープ
第２ガイド層            ＩｎＧａＮ
活性層
井戸層／障壁層          ＩｎＧａＮ／ＧａＮ
第２化合物半導体層
第１ガイド層            ＩｎＧａＮ
第１クラッド層          ｎ−ＡｌＩｎＧａＮ：Ｓｉドープ
【００４６】
基体４０は、例えば、銅箔あるいは銅メッキ層から成る第１接続部４１及び第２接続部４２が表面に形成されたガラス基板から構成されている。第１接続部４１は第１の配線に接続されており、第２接続部４２は第２の配線に接続されている。複数の第１の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向に延びており、複数の第２の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、第１の方向と直交する方向）に延びている。第１の配線及び第２の配線の図示は省略した。基体４０の形成方法は、周知の方法とすることができる。
【００４７】
以下、実施例１の発光素子組立体の製造方法を、発光素子等の模式的な一部端面図である図２２Ａ、図２２Ｂ、図２３Ａ、図２３Ｂ、図２４Ａ、図２４Ｂ、図２５Ａ、図２５Ｂを参照して説明するが、図２２Ａ、図２３Ａ、図２４Ａ、図２５Ａは、図１Ａの矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図であり、図２２Ｂ、図２３Ｂ、図２４Ｂ、図２５Ｂは、図１Ａの矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。尚、発光素子１１は周知の製造方法に基づき製造することができる。
【００４８】
［工程−１００］
図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃに模式的な一部端面図を示す構造を有する実施例１の発光素子１１を準備する。また、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層４７が表面に形成された（塗布された）基体４０を準備する。第１接続部４１及び第２接続部４２、並びに、これらの第１接続部４１及び第２接続部４２が形成されていない基体４０の表面は、接着剤層４７によって覆われている。
【００４９】
［工程−１１０］
先ず、基体４０に対する第１電極３１の第１の部分３１Ａの正射影像と分離部４３の拡幅部４４とが少なくとも一部で重なり合い、第１電極３１の第２の部分３１Ｂが第１接続部４１と対向し、且つ、発光素子１１が分離部４３を覆うように、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層の部分４７Ｂを介して発光素子１１を基体４０に対して配置する。この状態を、図２２Ａ及び図２２Ｂに示す。未硬化又は半硬化の接着剤層の部分４７Ｂは、毛細管現象によって、発光素子１１の基体側の面を埋め尽くす。
【００５０】
［工程−１２０］
次に、基体４０の発光素子１１が配置された側とは反対側から基体４０に対してエネルギー線（具体的には、紫外線）を照射し、第１接続部４１及び第２接続部４２によって遮蔽されていない接着剤層の部分を硬化させる。接着剤層の硬化部分を参照番号４７Ａで示す。この状態を、図２３Ａ及び図２３Ｂに示す。その後、溶剤を用いて、未硬化又は半硬化の接着剤層の部分４７Ｂを除去する。この状態を、図２４Ａ及び図２４Ｂに示す。接着剤層４７の硬化部分４７Ａは、分離部４３及び拡幅部４４上に残される。発光素子１１は、接着剤層４７の硬化部分４７Ａによって、基体４０の上に仮固定された状態となる。第２電極３２の近傍に位置する未硬化又は半硬化の接着剤層の部分４７Ｂは、第２連通部２７を介して、容易に、且つ、確実に除去される。
【００５１】
［工程−１３０］
そして、メッキ法（具体的には、電解メッキ法による銅メッキ）に基づき、第１電極３１の第２の部分３１Ｂと第１接続部４１とを接続し、第２電極３２の第２の部分３２Ｂと第２接続部４２とを接続する。第１接続部４１及び第２接続部４２は、銅層から構成されている。この状態を、図２５Ａ及び図２５Ｂに示す。メッキ層を形成すべきでない領域には、必要に応じて、予めレジストマスク層を形成しておけばよい。こうして、第１電極３１の第２の部分３１Ｂと第１接続部４１とは、第１導電部４５Ａを介して接続され、第２電極３２と第２接続部４２とは、第２導電部４５Ｂを介して接続される。発光素子１１は、第１導電部４５Ａ及び第２導電部４５Ｂによって、第１接続部４１及び第２接続部４２に固定された状態となる。
【００５２】
［工程−１４０］
その後、分離部４３を介して（具体的には、実施例１にあっては、分離部４３及び拡幅部４４を介して）、溶剤を使用して、接着剤層の硬化部分４７Ａを除去する。分離部４３及び拡幅部４４が形成されているが故に、接着剤層の硬化部分４７Ａを容易に、且つ、確実に除去することができる。こうして、図２Ａ及び図２Ｂに示した構造を得ることができる。
【００５３】
実施例１の発光素子組立体において、第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されている。即ち、分離部には仮固定のための樹脂が残されていない。それ故、発光素子を長期間、使用したとき、仮固定のための樹脂剤層が剥離するといった問題が発生することが無い。実施例１の発光素子組立体の製造方法にあっては、最終的に、硬化した接着剤層の部分を分離部を介して除去するので、やはり、発光素子を長期間、使用したとき、仮固定のための樹脂剤層が剥離するといった問題が発生することが無い。
【００５４】
図４、図５Ａ、図５Ｂに、実施例１の発光素子組立体の変形例を示す。尚、図４は、実施例１の発光素子組立体の変形例の模式的な部分的平面図であり、図５Ａは、図４の矢印Ａ−Ａに沿った実施例１の発光素子組立体の変形例の模式的な一部端面図であり、図５Ｂは、図４の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１の発光素子組立体の変形例の模式的な一部端面図である。図４、図５Ａ、図５Ｂに示す実施例１の発光素子組立体の変形例において、拡幅部４４は外部に連通していない。即ち、第１接続部４１は、拡幅部４４によって２つの領域に分割されてはいない。
【実施例２】
【００５５】
実施例２は、実施例１の変形である。実施例２の発光素子組立体の模式的な部分的平面図を図６Ａに示し、実施例２の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な平面図を図６Ｂに示す。また、図６Ａの矢印Ａ−Ａに沿った実施例２の発光素子組立体の模式的な一部端面図を図７Ａに示し、図６Ａの矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例２の発光素子組立体の模式的な一部端面図を図７Ｂに示す。更には、図６Ｂの矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ及び矢印Ｃ−Ｃに沿った実施例２の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な一部端面図を図８Ａ、図８Ｂ及び図８Ｃに示す。
【００５６】
実施例２の発光素子組立体において、第２電極３４は、発光層２０を基準として、第１電極３１とは反対側に設けられており、第２電極３４と第２接続部４２とは、導体層４６を介して接続されている。そして、発光素子（発光ダイオード）１２と重なり合っていない導体層４６の部分４６Ａの第２接続部４２に対する正射影像は、第２接続部４２に含まれる。第２電極３４は、第２化合物半導体層２２の光出射面２２’上に設けられた第２電極３４の第１の部分部３４Ａ、及び、第２電極３４の第１の部分３４Ａの上に設けられた第２電極３４の第２の部分３４Ｂ（第２パッド部に相当する）から構成されている。
【００５７】
以下、実施例２の発光素子組立体の製造方法を、発光素子等の模式的な一部端面図である図２６Ａ、図２６Ｂ、図２７Ａ、図２７Ｂ、図２８Ａ、図２８Ｂ、図２９Ａ、図２９Ｂを参照して説明するが、図２６Ａ、図２７Ａ、図２８Ａ、図２９Ａは、図６Ａの矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図であり、図２６Ｂ、図２７Ｂ、図２８Ｂ、図２９Ｂは、図６Ａの矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。尚、発光素子１２は周知の製造方法に基づき製造することができる。
【００５８】
［工程−２００］
図８Ａ、図８Ｂ及び図８Ｃに模式的な一部端面図を示す構造を有する実施例２の発光素子１２を準備する。また、実施例１と同様に、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層４７が表面に形成された基体４０を準備する。
【００５９】
［工程−２１０］
先ず、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、基体４０に対する第１電極３１の第１の部分３１Ａの正射影像と分離部４３の拡幅部４４とが少なくとも一部で重なり合い、第１電極３１の第２の部分３１Ｂが第１接続部４１と対向し、且つ、発光素子１２が分離部４３を覆うように、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層の部分４７Ｂを介して発光素子１２を基体４０に対して配置する。この状態を、図２６Ａ及び図２６Ｂに示す。
【００６０】
［工程−２２０］
次に、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、基体４０の発光素子１２が配置された側とは反対側から基体４０に対してエネルギー線（具体的には、紫外線）を照射し、第１接続部４１及び第２接続部４２によって遮蔽されていない接着剤層の部分を硬化させる。この状態を、図２７Ａ及び図２７Ｂに示す。その後、溶剤を用いて、未硬化又は半硬化の接着剤層の部分４７Ｂを除去する。この状態を、図２８Ａ及び図２８Ｂに示す。接着剤層４７の硬化部分４７Ａは、分離部４３及び拡幅部４４上に残される。また、発光素子１２は、接着剤層４７の硬化部分４７Ａによって、基体４０の上に仮固定された状態となる。
【００６１】
［工程−２３０］
そして、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、メッキ法に基づき、第１電極３１の第２の部分３１Ｂと第１接続部４１とを接続する。この状態を、図２９Ａ及び図２９Ｂに示す。尚、第２接続部４２の上にはメッキ層４５Ｂ’が形成される。
【００６２】
［工程−２４０］
次に、導体層４６を形成するために、周知の方法に基づき、全面にメッキレジスト層を形成する。そして、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、メッキ法に基づき、第２電極３４の第２の部分３４Ｂと第２接続部４２とを接続する導体層４６を形成した後、メッキレジスト層を除去する。以上によって、第１電極３１の第２の部分３１Ｂと第１接続部４１とは第１導電部４５Ａを介して接続され、第２電極３４と第２接続部４２とは導体層４６を介して接続される。発光素子１２は、第１導電部４５Ａ及び導体層４６によって、第１接続部４１及び第２接続部４２に固定された状態となる。
【００６３】
［工程−２５０］
その後、分離部４３を介して（具体的には、実施例２にあっては、分離部４３及び拡幅部４４を介して）、溶剤を使用して、硬化した接着剤層４７Ａを除去する。分離部４３及び拡幅部４４が形成されているが故に、接着剤層の硬化部分４７Ａを容易に、且つ、確実に除去することができる。こうして、図７Ａ及び図７Ｂに示した構造を得ることができる。
【００６４】
実施例２の発光素子組立体の変形例の模式的な部分的平面図を図９に示す。この変形例にあっては、分離部４３の第２接続部側には、拡幅部４４と対向した第２拡幅部４４’が設けられており、第２接続部４２は、第２拡幅部４４’によって少なくとも２つの領域（図示した例では、具体的には、領域４２，４２Ａ，４２Ｂ）に分割されている。このような構造を採用することで、接着剤層の硬化部分４７Ａを一層確実に除去することができる。
【実施例３】
【００６５】
実施例３は、本開示の第２の態様に係る発光素子組立体及びその製造方法に関する。実施例３の発光素子組立体の模式的な部分的平面図を図１０に示し、図１０の矢印Ａ−Ａに沿った実施例３の発光素子組立体の模式的な一部端面図を図１１Ａに示し、図１０の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例３の発光素子組立体の模式的な一部端面図を図１１Ｂに示す。更には、実施例３の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な平面図を図１２に示し、図１２の矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例３の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な一部端面図を図１３Ａ及び図１３Ｂに示す。
【００６６】
実施例３の発光素子組立体は、
発光層２０、第１電極５１、及び、発光層２０に電気的に接続された第２電極５２を備えた発光素子（具体的には、発光ダイオード）１３、並びに、
基体４０上に設けられた第１接続部４１及び第２接続部４２、
から構成されており、
第１接続部４１と第２接続部４２とは、基体４０が露出した分離部４３によって離間されており、
第１電極５１は、発光層２０と接した第１の部分５１Ａ、及び、第２の部分５１Ｂから構成されており、
第１電極５１の第２の部分５１Ｂは第１接続部４１に接続されており、第１電極５１の第１の部分５１Ａは第１電極５１の第２の部分５１Ｂから延在しており、
第１電極５１の第２の部分５１Ｂが設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第１電極５１の第２の部分５１Ｂが外部と連通する連通部（第１連通部）２８が設けられている。
【００６７】
また、実施例３の発光素子組立体において、第１電極５１及び第２電極５２は、発光層２０を基準として、同じ側に設けられている。そして、第２電極５２が設けられた発光素子１３の部分及びその近傍には、第２電極５２が外部と連通する第２連通部２７が設けられている。第１電極５１の第２の部分５１Ｂと第１接続部４１とは、第１導電部４５Ａを介して接続されており、第２電極５２と第２接続部４２とは、第２導電部４５Ｂを介して接続されている。第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２化合物半導体層２２の一部には、第１連通部２８が形成されている。
【００６８】
発光層２０の構成は、実施例１と同様とすることができる。第２化合物半導体層２２の光出射面２２’を除き、発光層２０は絶縁層２４によって覆われている。第１電極５１の第１の部分５１Ａ及び絶縁層２４の上には、第２絶縁層２５が形成されている。発光層２０と接した第１電極５１の第１の部分５１Ａは、絶縁層２４上を、第１連通部２８まで延びている。第１化合物半導体層２１の頂面の上方に位置する第１電極５１の第１の部分５１Ａ上に形成された第２絶縁層２５の部分２５ａは、円形の凹部となっている。但し、第２絶縁層２５の部分２５ａの形状は、これに限定するものではなく、正方形、長方形、丸みを帯びた正方形、丸みを帯びた長方形、楕円形等とすることもできる。第１連通部２８における第１電極５１の第１の部分５１Ａの上方に位置する第２絶縁層２５の部分は除去されており、露出した第１電極５１の第１の部分５１Ａ上から第２絶縁層２５上に亙り、第１電極５１の第２の部分５１Ｂが形成されている。第１電極５２の第２の部分５１Ｂは、第１接続部４１に向かって突出した状態で第１の部分５１Ａを取り囲んでいる。第１電極５１の第１の部分５１Ｂは第１パッド部に相当する。第１連通部２８は、第１電極５１の第１の部分５１Ｂが第１の部分５１Ａと接する部分に位置する発光素子の部分及びその近傍に設けられている。
【００６９】
実施例１と同様に、第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２化合物半導体層２２の一部には、第２連通部２７が形成されており、第２連通部２７において露出した第２化合物半導体層２２の部分に第２電極５２が形成されている。第２電極５２は、第１の部分５２Ａ及び第２の部分５２Ｂから構成されている。そして、第２電極５２の第２の部分５２Ｂは第２接続部４２に接続されており、第２電極５２の第１の部分５２Ａは第２電極５２の第２の部分５２Ｂから延在している。第２電極５２の第２の部分５２Ｂは、第２接続部４２に向かって突出した状態で第１の部分５２Ａを取り囲んでいる。また、第２電極５２の第１の部分５２Ａは発光層２０（具体的には、第２化合物半導体層２２）と接する。第２電極５２の第２の部分５２Ｂは第２パッド部に相当する。
【００７０】
第２連通部２７は、図示した例では、発光素子１３の１つの辺１３Ａに設けられ、平面形状は、例えば、半長円形状（２本の線分と半円とが組み合わされた形状）である。また、第１連通部２８は、図示した例では、発光素子１３の１つの辺１３Ａと対向する他の辺１３Ｂに設けられ、平面形状は、例えば、半長円形状（２本の線分と半円とが組み合わされた形状）である。
【００７１】
基体４０は、拡幅部が形成されていないことを除き、実質的に、実施例１と同様の構成、構造とすることができる。
【００７２】
以下、実施例３の発光素子組立体の製造方法を、発光素子等の模式的な一部端面図である図３０Ａ、図３０Ｂ、図３１Ａ、図３１Ｂ、図３２Ａ、図３２Ｂ、図３３Ａ、図３３Ｂを参照して説明するが、図３０Ａ、図３１Ａ、図３２Ａ、図３３Ａは、図１０の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図であり、図３０Ｂ、図３１Ｂ、図３２Ｂ、図３３Ｂは、図１０の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。尚、発光素子１３は周知の製造方法に基づき製造することができる。
【００７３】
［工程−３００］
図１３Ａ及び図１３Ｂに模式的な一部端面図を示す構造を有する実施例３の発光素子１３を準備する。また、実施例１と同様に、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層４７が表面に形成された基体４０を準備する。
【００７４】
［工程−３１０］
先ず、第１電極５１の第２の部分５１Ｂが第１接続部４１と対向し、且つ、発光素子１３が分離部４３を覆うように、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層の部分４７Ｂを介して発光素子１３を基体４０に対して配置する。この状態を、図３０Ａ及び図３０Ｂに示す。未硬化又は半硬化の接着剤層の部分４７Ｂは、毛細管現象によって、発光素子１３の基体側の面を埋め尽くす。
【００７５】
［工程−３２０］
次に、基体４０の発光素子１３が配置された側とは反対側から基体４０に対してエネルギー線（具体的には、紫外線）を照射し、第１接続部４１及び第２接続部４２によって遮蔽されていない接着剤層の部分を硬化させる。この状態を、図３１Ａ及び図３１Ｂに示す。その後、溶剤を用いて、未硬化又は半硬化の接着剤層の部分４７Ｂを除去する。この状態を、図３２Ａ及び図３２Ｂに示す。接着剤層４７の硬化部分４７Ａは、分離部４３上に残される。また、発光素子１３は、接着剤層４７の硬化部分４７Ａによって、基体４０の上に仮固定された状態となる。第１電極５１及び第２電極５２の近傍に位置する未硬化又は半硬化の接着剤層の部分４７Ｂは、第１連通部２８及び第２連通部２７を介して、容易に、且つ、確実に除去される。
【００７６】
［工程−３３０］
そして、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、メッキ法に基づき、第１電極５１の第２の部分５１Ｂと第１接続部４１とを接続する。同時に、第２電極５２の第２の部分５２Ｂと第２接続部４２とを接続する。この状態を、図３３Ａ及び図３３Ｂに示す。第１電極５１の第２の部分５１Ｂと第１接続部４１とは、第１導電部４５Ａを介して接続され、第２電極５２と第２接続部４２とは、第２導電部４５Ｂを介して接続される。発光素子１３は、第１導電部４５Ａ及び第２導電部４５Ｂによって、第１接続部４１及び第２接続部４２に固定された状態となる。
【００７７】
［工程−３４０］
その後、分離部４３を介して、溶剤を使用して、接着剤層の硬化部分４７Ａを除去する。分離部４３が形成されているが故に、接着剤層の硬化部分４７Ａを容易に、且つ、確実に除去することができる。こうして、図１１Ａ及び図１１Ｂに示した構造を得ることができる。
【００７８】
実施例３の発光素子組立体にあっても、第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されている。即ち、分離部には仮固定のための樹脂が残されていない。それ故、発光素子を長期間、使用したとき、仮固定のための樹脂剤層が剥離するといった問題が発生することが無い。実施例３の発光素子組立体の製造方法にあっても、最終的に、硬化した接着剤層の部分を分離部を介して除去するので、やはり、発光素子を長期間、使用したとき、仮固定のための樹脂剤層が剥離するといった問題が発生することが無い。
【００７９】
実施例３の発光素子組立体の変形例の模式的な部分的平面図を図１４に示し、図１４の矢印Ａ−Ａに沿った実施例３の発光素子組立体の変形例の模式的な一部端面図を図１５Ａに示し、図１４の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例３の発光素子組立体の変形例の模式的な一部端面図を図１５Ｂに示す。更には、実施例３の発光素子組立体の別の変形例の模式的な部分的平面図を図１６に示し、図１６の矢印Ａ−Ａに沿った実施例３の発光素子組立体の別の変形例の模式的な一部端面図を図１７Ａに示し、図１６の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例３の発光素子組立体の別の変形例の模式的な一部端面図を図１７Ｂに示す。尚、図１４及び図１６においては、第１電極及び第２電極に関して、第１電極５１の第２の部分５１Ｂ、第２電極５２の第２の部分５２Ｂのみを図示する。これらの変形例においては、少なくとも第１電極５１の一部分と対向する基体４０の部分４１Ｃには第１接続部４１が設けられていない。このような構造を採用することで、第１電極５１の第２の部分５１Ｂの近傍の未硬化又は半硬化の接着剤層の部分４７Ｂを、一層容易に、且つ、確実に除去することができる。また、別の変形例においては、少なくとも第２電極５２の一部分と対向する基体４０の部分４２Ｃには第２接続部４２が設けられていない。このような構造を採用することで、第２電極の近傍の未硬化又は半硬化の接着剤層の部分４７Ｂを、一層容易に、且つ、確実に除去することができる。尚、このような、少なくとも第２電極の一部分と対向する基体４０の部分４２Ｃには第２接続部４２が設けられていない構造を、他の実施例に適用することができる。
【実施例４】
【００８０】
実施例４は、実施例３の変形である。実施例４の発光素子組立体の模式的な部分的平面図を図１８に示し、図１８の矢印Ａ−Ａに沿った実施例４の発光素子組立体の模式的な一部端面図を図１９Ａに示し、図１８の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例４の発光素子組立体の模式的な一部端面図を図１９Ｂに示す。更には、実施例４の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な平面図を図２０に示し、図２０の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ及び矢印Ｃ−Ｃに沿った実施例４の発光素子組立体を構成する発光素子の模式的な一部端面図を図２１Ａ及び図２１Ｂに示す。
【００８１】
実施例４の発光素子組立体において、第２電極５４は、発光層２０を基準として、第１電極５１とは反対側に設けられており、第２電極５４と第２接続部４２とは、導体層４６を介して接続されている。そして、発光素子（発光ダイオード）１４と重なり合っていない導体層４６の部分４６Ａの第２接続部４２に対する正射影像は、第２接続部４２に含まれる。第２電極５４は、第２化合物半導体層２２の光出射面２２’上に設けられた第２電極５４の１部分５４Ａ、及び、第２電極５４の第１の部分５４Ａ上に設けられた第２電極５４の第２の部分５４Ｂ（第２パッド部として機能する）から構成されている。
【００８２】
以下、実施例４の発光素子組立体の製造方法を、発光素子等の模式的な一部端面図である図３４Ａ、図３４Ｂ、図３５Ａ、図３５Ｂ、図３６Ａ、図３６Ｂ、図３７Ａ、図３７Ｂを参照して説明するが、図３４Ａ、図３５Ａ、図３６Ａ、図３７Ａは、図１８の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図であり、図３４Ｂ、図３５Ｂ、図３６Ｂ、図３７Ｂは、図１８の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。尚、発光素子１４は周知の製造方法に基づき製造することができる。
【００８３】
［工程−４００］
図２１Ａ及び図２１Ｂに模式的な一部端面図を示す構造を有する実施例４の発光素子１４を準備する。また、実施例１と同様に、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層４７が表面に形成された基体４０を準備する。
【００８４】
［工程−４１０］
先ず、実施例３の［工程−３１０］と同様にして、第１電極５１の第２の部分５１Ｂが第１接続部４１と対向し、且つ、発光素子１４が分離部４３を覆うように、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層の部分４７Ｂを介して発光素子１４を基体４０に対して配置する。この状態を、図３４Ａ及び図３４Ｂに示す。
【００８５】
［工程−４２０］
次に、実施例３の［工程−３２０］と同様にして、基体４０の発光素子１３が配置された側とは反対側から基体４０に対してエネルギー線（具体的には、紫外線）を照射し、第１接続部４１及び第２接続部４２によって遮蔽されていない接着剤層の部分を硬化させる。この状態を、図３５Ａ及び図３５Ｂに示す。その後、溶剤を用いて、未硬化又は半硬化の接着剤層の部分４７Ｂを除去する。この状態を、図３６Ａ及び図３６Ｂに示す。接着剤層４７の硬化部分４７Ａは、分離部４３上に残される。また、発光素子１４は、接着剤層４７の硬化部分４７Ａによって、基体４０の上に仮固定された状態となる。第１電極５１の近傍に位置する未硬化又は半硬化の接着剤層の部分４７Ｂは、第１連通部２８を介して、容易に、且つ、確実に除去される。
【００８６】
［工程−４３０］
そして、実施例３の［工程−３３０］と同様にして、メッキ法に基づき、第１電極５１の第２の部分５１Ｂと第１接続部４１とを接続する。この状態を、図３７Ａ及び図３７Ｂに示す。尚、第２接続部４２の上にはメッキ層４５Ｂ’が形成される。
【００８７】
［工程−４４０］
次に、導体層４６を形成するために、実施例２の［工程−２４０］と同様にして、周知の方法に基づき、全面にメッキレジスト層を形成する。そして、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、メッキ法に基づき、第２電極５４の第２の部分５４Ｂと第２接続部４２とを接続する導体層４６を形成した後、メッキレジスト層を除去する。以上によって、第１電極５１の第２の部分５１Ｂと第１接続部４１とは第１導電部４５Ａを介して接続され、第２電極５４と第２接続部４２とは導体層４６を介して接続される。発光素子１４は、第１導電部４５Ａ及び導体層４６によって、第１接続部４１及び第２接続部４２に固定された状態となる。
【００８８】
［工程−４５０］
その後、分離部４３を介して、溶剤を使用して、接着剤層の硬化部分４７Ａを除去する。分離部４３が形成されているが故に、接着剤層の硬化部分４７Ａを容易に、且つ、確実に除去することができる。こうして、図１９Ａ及び図１９Ｂに示した構造を得ることができる。
【００８９】
実施例４の発光素子組立体にあっても、図９に示したと同様に、分離部４３の第２接続部側には、拡幅部４４と対向した第２拡幅部４４’が設けられており、第２接続部４２は、第２拡幅部４４’によって少なくとも２つの領域（例えば、領域４２，４２Ａ，４２Ｂに分割された構成とすることもでき、このような構造を採用することで、接着剤層の硬化部分４７Ａを一層確実に除去することができる。
【００９０】
以上、好ましい実施例に基づき本開示の発光素子組立体及びその製造方法並びに表示装置を説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した発光素子の構成、構造は例示であるし、これらを構成する部材、材料等も例示であり、適宜、変更することができる。例えば、発光素子における化合物半導体層の積層の順序は、逆であってもよい。即ち、実施例においては、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としたが、これとは逆に、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としてもよい。
【００９１】
また、実施例においては、第１電極が第１パッド部を有する構成、構造としたが、代替的に、第２絶縁層を更に第４絶縁層で覆い、この第４絶縁層の第１電極に至る開口部を形成し、係る開口部から第４絶縁層上に亙りコンタクトホール部を形成してもよい。この場合、コンタクトホール部が第１電極の第２の部分に該当する。
【００９２】
更には、図３８Ａに実施例１の発光素子の変形例を示し、図３８Ｂに実施例２の発光素子の変形例を示すように、発光素子１１，１２には、発光素子から出射される光が不所望の領域を照射しないように、発光素子１１，１２の所望の領域（図示した例では、発光素子１１，１２の外面に近い領域）に遮光膜２９を形成してもよい。遮光膜を構成する材料として、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＭｏＳｉ2等の光を遮光することができる材料を挙げることができる。遮光膜２９は絶縁層２４の一部の上に形成されている。そして、遮光膜２９及び絶縁層２４は第３絶縁層２６によって覆われており、第１電極３１の第１の部分３１Ａの上から第３絶縁層２６の一部分の上に亙り、第１電極３１の第２の部分３１Ｂが形成されている。遮光膜２９を、実施例３〜実施例４の発光素子にも適用することができる。場合によっては、第１電極が遮光膜を兼用する構造としてもよい。
【００９３】
また、図１Ａに示した例では、第１電極３１の第１の部分３１Ａの基体４０に対する正射影像は、分離部４３の拡幅部４４に含まれている。但し、第１電極３１の第１の部分３１Ａの基体４０に対する正射影像と分離部４３の拡幅部４４との位置関係は、これに限定するものではなく、例えば、図３９に示すように、第１電極３１の第１の部分３１Ａの基体４０に対する正射影像の幅が、分離部４３の拡幅部４４の幅と同じであってもよいし、図４０に示すように、第１電極３１の第１の部分３１Ａの基体４０に対する正射影像は、分離部４３の拡幅部４４からはみ出していてもよい。
【００９４】
発光素子組立体（発光ユニット）を構成する発光素子として、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子に、更に、第４発光素子、第５発光素子・・・を加えてもよい。このような例として、例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた発光ユニットを挙げることができる。
【００９５】
表示装置（発光素子表示装置）は、テレビジョン受像機やコンピュータ端末に代表されるカラー表示の平面型・直視型の画像表示装置だけでなく、人の網膜に画像を投影する形式の画像表示装置、プロジェクション型の画像表示装置とすることもできる。尚、これらの画像表示装置においては、限定するものではないが、例えば、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子のそれぞれの発光／非発光状態を時分割制御することで画像を表示する、フィールドシーケンシャル方式の駆動方式を採用すればよい。
【００９６】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子組立体：第１の態様》
発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
分離部の第１接続部側には拡幅部が設けられており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第１の部分の基体に対する正射影像と分離部の拡幅部とは、少なくとも一部で重なり合っている発光素子組立体。
［Ａ０２］第１接続部は、拡幅部によって２つの領域に分割されている［Ａ０１］に記載の発光素子組立体。
［Ａ０３］分離部及び拡幅部、全体の平面形状は「Ｔ」字状であり、
「Ｔ」字の横棒によって、第１接続部と第２接続部とを離間する分離部が構成されており、
「Ｔ」字の縦棒によって、第１接続部を２つの領域に分離する拡幅部が構成されている［Ａ０２］に記載の発光素子組立体。
［Ａ０４］第１電極の第２の部分は、第１の部分から延び、第１接続部に向かって突出した状態で第１の部分を取り囲んでいる［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ａ０５］第１電極及び第２電極は、発光層を基準として、同じ側に設けられている［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ａ０６］第２電極が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第２電極が外部と連通する連通部が設けられている［Ａ０５］に記載の発光素子組立体。
［Ａ０７］第１電極の第２の部分と基体との間の隙間の最短距離をＬ11、第２電極と基体との間の隙間の最短距離をＬ12としたとき、Ｌ11＜Ｌ12を満足する［Ａ０５］に記載の発光素子組立体。
［Ａ０８］第１電極の第２の部分と第１接続部とは、第１導電部を介して接続されており、
第２電極と第２接続部とは、第２導電部を介して接続されている［Ａ０５］乃至［Ａ０７］いずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ａ０９］第２電極は、発光層を基準として、第１電極とは反対側に設けられており、
第２電極と第２接続部とは、導体層を介して接続されている［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ａ１０］発光素子と重なり合っていない導体層の部分の第２接続部に対する正射影像は、第２接続部に含まれる［Ａ０９］に記載の発光素子組立体。
［Ａ１１］発光素子には遮光膜が形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ｂ０１］《発光素子組立体：第２の態様》
発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第２の部分が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第１電極の第２の部分が外部と連通する連通部が設けられている発光素子組立体。
［Ｂ０２］少なくとも第１電極の一部分と対向する基体の部分には第１接続部が設けられていない［Ｂ０１］に記載の発光素子組立体。
［Ｂ０３］第１電極及び第２電極は、発光層を基準として、同じ側に設けられている［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子組立体。
［Ｂ０４］第２電極が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第２電極が外部と連通する第２連通部が設けられている［Ｂ０３］に記載の発光素子組立体。
［Ｂ０５］第１電極の第２の部分と第１接続部とは、第１導電部を介して接続されており、
第２電極と第２接続部とは、第２導電部を介して接続されている［Ｂ０３］又は［Ｂ０４］に記載の発光素子組立体。
［Ｂ０６］第２電極は、発光層を基準として、第１電極とは反対側に設けられており、
第２電極と第２接続部とは、導体層を介して接続されている［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子組立体。
［Ｂ０７］発光素子と重なり合っていない導体層の部分の第２接続部に対する正射影像は、第２接続部に含まれる［Ｂ０６］に記載の発光素子組立体。
［Ｂ０８］発光素子には遮光膜が形成されている［Ｂ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の発光素子組立体。
［Ｃ０１］《表示装置》
［Ａ０１］乃［Ｂ０８］のいずれか１項に記載の発光素子組立体が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置。
［Ｄ０１］《発光素子組立体の製造方法：第１の態様》
発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
分離部の第１接続部側には拡幅部が設けられており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第１の部分の基体に対する正射影像と分離部の拡幅部とは、少なくとも一部で重なり合っている発光素子組立体の製造方法であって、
基体に対する第１電極の第１の部分の正射影像と分離部の拡幅部とが少なくとも一部で重なり合い、第１電極の第２の部分が第１接続部と対向し、且つ、発光素子が分離部を覆うように、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層を介して発光素子を基体に対して配置し、その後、
基体の発光素子が配置された側とは反対側から基体に対してエネルギー線を照射し、第１接続部及び第２接続部によって遮蔽されていない接着剤層の部分を硬化させた後、未硬化又は半硬化の接着剤層の部分を除去し、次いで、
第１電極の第２の部分と第１接続部とを接続した後、
分離部を介して、硬化した接着剤層を除去する、
工程を少なくとも有する発光素子組立体の製造方法。
［Ｄ０２］《発光素子組立体の製造方法：第２の態様》
発光層、第１電極、及び、発光層に電気的に接続された第２電極を備えた発光素子、並びに、
基体上に設けられた第１接続部及び第２接続部、
から構成された発光素子組立体であって、
第１接続部と第２接続部とは、基体が露出した分離部によって離間されており、
第１電極は、発光層と接した第１の部分、及び、第２の部分から構成されており、
第１電極の第２の部分は第１接続部に接続されており、第１電極の第１の部分は第１電極の第２の部分から延在しており、
第１電極の第２の部分が設けられた発光素子の部分及びその近傍には、第１電極の第２の部分が外部と連通する連通部が設けられている発光素子組立体の製造方法であって、
第１電極の第２の部分が第１接続部と対向し、且つ、発光素子が分離部を覆うように、未硬化又は半硬化のエネルギー線硬化型の接着剤層を介して発光素子を基体に対して配置し、その後、
基体の発光素子が配置された側とは反対側から基体に対してエネルギー線を照射し、第１接続部及び第２接続部によって遮蔽されていない接着剤層の部分を硬化させた後、未硬化又は半硬化の接着剤層の部分を除去し、次いで、
第１電極の第２の部分と第１接続部とを接続した後、
分離部を介して、硬化した接着剤層を除去する、
工程を少なくとも有する発光素子組立体の製造方法。
【符号の説明】
【００９７】
１１，１２，１３，１４・・・発光素子、１１Ａ，１３Ａ，１３Ｂ・・・発光素子の辺、２０・・・発光層、２１・・・第１化合物半導体層、２２・・・第２化合物半導体層、２２’・・・第２化合物半導体層の光出射面、２３・・・活性層、２４・・・絶縁層、２５・・・第２絶縁層、２５ａ・・・第２絶縁層の凹部、２６・・・第３絶縁層、２７・・・連通部（第２連通部）、２８・・・連通部（第１連通部）、２９・・・遮光膜、３１，５１・・・第１電極、３１Ａ，５１Ａ・・・第１電極の第２の部分、３１Ｂ，５１Ｂ・・・第１電極の第２の部分、３２，３４，５２，５４・・・第２電極、３２Ａ，３４Ａ，５２Ａ，５４Ａ・・・第２電極の第１の部分、３２Ｂ，３４Ｂ，５２Ｂ，５４Ｂ・・・第２電極の第２の部分、４０・・・基体、４１・・・第１接続部、４１Ａ，４１Ｂ・・・第１接続部の領域、４１Ｃ・・・第１接続部が設けられていない基体の部分、４２，４２Ａ，４２Ｂ・・・第２接続部、４２Ｃ・・・第２接続部が設けられていない基体の部分、４３・・・分離部、４４・・・拡幅部、４４’・・・第２拡幅部、４５Ａ・・・第１導電部、４５Ｂ・・・第２導電部、４５Ｂ’・・・メッキ層、４６・・・導体層、４６Ａ・・・発光素子と重なり合っていない導体層の部分、４７・・・接着剤層、４７Ａ・・・接着剤層の硬化した部分（硬化部分）、４７Ｂ・・・接着剤層の未硬化又は半硬化の部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2017183458.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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