(57)【要約】【課題】信頼性の高い配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板は、電子部品が実装される第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有する絶縁層と、前記第２面に配設される導電層と、前記絶縁層の前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔の内部に設けられるビアと、前記第１面に配設され、前記ビアに接続される電極と、前記第１面に配設され、前記電極を表出させる孔部を有するガラス板とを含む。【選択図】図１
2017183337.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装される第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有する絶縁層と、
前記第２面に配設される導電層と、
前記絶縁層の前記第１面と前記第２面との間を貫通する第１貫通孔の内部に設けられるビアと、
前記第１面に配設され、前記ビアに接続される電極と、
前記第１面に配設され、前記電極を表出させる第２貫通孔を有するガラス板と
を含む、配線基板。
【請求項２】
前記電極は、平面視で、前記第２貫通孔の開口よりも小さい、請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２貫通孔は、前記第１面における第１開口と前記第２面における第２開口との間で、前記第１開口及び前記第２開口よりも開口径が小さくなるように、開口に沿って開口の内側にテーパ状に突出する環状の凸部を有する、請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２貫通孔は、前記第１面と前記第２面との間で、前記第１面における第１開口が前記第２面における第２開口よりも大きい、又は、前記第１面における第１開口が前記第２面における第２開口よりも小さい、円錐台状の形状を有する、請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項５】
配線基板と、
前記配線基板に実装される電子部品と
を含む電子装置であって、
前記配線基板が、
電子部品が実装される第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有する絶縁層と、
前記第２面に配設される導電層と、
前記絶縁層の前記第１面と前記第２面との間を貫通する第１貫通孔の内部に設けられるビアと、
前記第１面に配設され、前記ビアに接続される電極と、
前記第１面に配設され、前記電極を表出させる第２貫通孔を有するガラス板と
を有する、電子装置。
【請求項６】
電子部品が実装される第１面と前記第１面の反対側の第２面とを有する絶縁層に、前記第１面と前記第２面との間を貫通する第１貫通孔の内部に設けられるビアと、前記第１面に配設されて前記ビアに接続される電極とを形成する工程と、
ガラス板に前記電極に対応する第２貫通孔を形成する工程と、
前記絶縁層の前記第１面に、前記第２貫通孔から前記電極が表出するように位置を合わせて、前記ガラス板を重ねる工程と、
前記絶縁層の前記第２面に、導電層を重ねる工程と、
前記絶縁層、前記ガラス板、及び前記導電層を加熱及び加圧して融着させる工程と
を含む、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、各々絶縁層と配線パターンよりなる複数のビルドアップ層を積層した樹脂積層体と、前記樹脂積層体の上面および下面に形成された第１および第２のソルダレジスト層と、よりなり、前記第１および第２のソルダレジスト層は、ガラスクロスを含むことを特徴とする多層配線基板がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２６６１３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、配線基板を補強するためにソルダレジスト層にガラスクロスを含ませると、ガラスクロスのある部分とない部分とでソルダレジスト層の表面に凹凸が生じ、配線基板の電極（パッド）と、配線基板の上に実装する電子部品の端子とを接続することが困難になるおそれがある。
【０００５】
このような場合には、配線基板と電子部品とを電気的に接続することができず、信頼性が低下する。
【０００６】
そこで、信頼性の高い配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施の形態の配線基板は、電子部品が実装される第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有する絶縁層と、前記第２面に配設される導電層と、前記絶縁層の前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔の内部に設けられるビアと、前記第１面に配設され、前記ビアに接続される電極と、前記第１面に配設され、前記電極を表出させる孔部を有するガラス板とを含む。
【発明の効果】
【０００８】
信頼性の高い配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態の配線基板１００の断面構造を示す図である。
【図２】配線基板１００にＩＣチップ１９０を実装した状態を示す図である。
【図３】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図４】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図５】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図６】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図７】配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図８】はんだボール１８０を実装した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法を適用した実施の形態について説明する。
【００１１】
＜実施の形態＞
図１は、実施の形態の配線基板１００の断面構造を示す図である。
【００１２】
配線基板１００は、絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、配線層１２１、１３１、１４１、１５１、ランド１２１Ａ、１３１Ａ、１４１Ａ、１５１Ａ、ビア１１２、１２２、１３２、１４２、１５２、パッド１６０Ａ、１６０Ｂ、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂを含む。
【００１３】
配線基板１００は、複数の層を含む多層基板であり、パッド１６０ＡのレベルをＬ１層、配線層１３１のレベルをＬ２層、配線層１２１のレベルをＬ３層、配線層１４１のレベルをＬ４層、配線層１５１のレベルをＬ５層、パッド１６０ＢのレベルをＬ６層と称す。すなわち、配線基板１００は、６層基板である。
【００１４】
以下では、説明の便宜上、図１における上下関係を用いて、上、又は、下と称す。ただし、これは普遍的な上下関係を示すものではない。また、各構成要素の厚さは、図１における上下方向の厚さを表す。また、平面視とは、図１に断面構造を示す配線基板１００を真上、又は、真下から見ることをいう。また、配線基板１００の厚さ方向における位置を表す場合に、レベルという文言を用いる。
【００１５】
絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０は、例えば、絶縁層１３０がコアで、絶縁層１１０、１２０、１４０、１５０がプリプレグである。コアは、絶縁層の一例であり、例えば、ガラス布基材をエポキシ樹脂に含浸させ、両面に銅箔（配線層１２１、１４１）を貼り付けたものである。
【００１６】
プリプレグは、絶縁層の一例であり、接着層の一例である。プリプレグとしては、例えば、所謂Ｂ−ステージ（半硬化状態）のものが使用される。プリプレグは、例えば、ガラス繊維や炭素繊維等の織布や不織布に、エポキシやポリイミド等の絶縁性樹脂を含浸させたものである。絶縁性樹脂は、熱硬化性樹脂が好適である。
【００１７】
配線層１２１、１３１、１４１、１５１は、ここでは一例として、Ｌ３層、Ｌ２層、Ｌ４層、Ｌ５層の銅箔を所望の配線等の形状にパターニングしたものである。図１に示すように、配線層１２１、１３１、１４１、１５１は、絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０と交互に重ね合わされて、熱圧着される。配線層１２１、１３１、１４１、１５１は、導電層の一例である。
【００１８】
ランド１２１Ａ、１３１Ａ、１４１Ａ、１５１Ａは、それぞれ、配線層１２１、１３１、１４１、１５１と同じレベルに位置する。ランド１２１Ａ、１３１Ａ、１４１Ａ、１５１Ａは、それぞれ、配線層１２１、１３１、１４１、１５１と同様に、Ｌ３層、Ｌ２層、Ｌ４層、Ｌ５層の銅箔を円環状にパターニングしたものである。
【００１９】
ランド１２１Ａ、１３１Ａ、１４１Ａ、１５１Ａは、ビア１１２、１２２、１３２、１４２、１５２の上又は下に位置し、平面視で、ビア１１２、１２２、１３２、１４２、１５２を囲むように配置される。
【００２０】
なお、ここでは一例として、配線層１２１、１３１、１４１、１５１とランド１２１Ａ、１３１Ａ、１４１Ａ、１５１Ａが銅箔である形態について説明するが、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、金（Au）、銀（Ag）、ビスマス（Bi）のいずれかを含む金属であればよい。
【００２１】
ビア１１２、１２２、１３２、１４２、１５２は、それぞれ、絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０を厚さ方向に貫通する貫通孔（ビアホール）の内部に形成される円柱状の接続部である。絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０を厚さ方向に貫通する貫通孔（ビアホール）は、第１貫通孔の一例である。
【００２２】
ビアホールは、例えば、レーザ加工によって形成すればよく、ビア１１２、１２２、１３２、１４２、１５２は、めっき処理で形成すればよい。めっき処理で形成する金属（ビア１１２、１２２、１３２、１４２、１５２）は、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、金（Au）等の金属を用いることができる。
【００２３】
パッド１６０Ａ、１６０Ｂは、それぞれ、ビア１３２の上端、ビア１５２の下端に接続するように配設される。パッド１６０Ａ、１６０Ｂは、平面視で円形である。パッド１６０Ａ、１６０Ｂは、配線基板１００の上に、ＩＣ(Integrated Circuit)チップのような電子部品を実装する際に、はんだボール等を介して、ＩＣチップの下面の端子に接続される。
【００２４】
パッド１６０Ａ、１６０Ｂは、電極の一例である。パッド１６０Ａ、１６０Ｂの直径は、一例として、１６０μｍである。パッド１６０Ａ、１６０Ｂのサイズ（直径）は、プレス機で加熱圧着する際の温度（一例として、２００℃）における金属の熱膨張でガラス板１７０Ａ、１７０Ｂと接することがないサイズに設定する。
【００２５】
パッド１６０Ａ、１６０Ｂは、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、金（Au）、銀（Ag）、アルミニウム（Al）、チタン（Ti）、錫（Sn）、ビスマス（Bi）のうち1種類以上を含む金属製であればよい。
【００２６】
ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂは、それぞれ、配線基板１００の上側の表面、下側の表面に配置される。ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂは、それぞれ、絶縁層１３０、１５０に熱圧着されており、従来の配線基板におけるソルダーレジストの代わりに設けられている。このため、配線基板１００は、ソルダーレジストを含まない。
【００２７】
ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂは、それぞれ、貫通孔１７１Ａ、１７１Ｂを有する。貫通孔１７１Ａ、１７１Ｂは、平面視で、パッド１６０Ａ、１６０Ｂの位置に合わせて設けられている。貫通孔１７１Ａ、１７１Ｂは、第２貫通孔の一例である。
【００２８】
なお、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂは、酸化アルミニウム（Al2O3）又は二酸化珪素（SiO2）のいずれかを含む材料を用いることが望ましい。また、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂの厚さは、一例として、１０μｍ以上で１００μｍ以下であり、ここでは、５０μｍであることとする。
【００２９】
貫通孔１７１Ａは、平面視で円形状に開口されている。貫通孔１７１Ａに面するガラス板１７０Ａの内壁は、断面視で、上端１７１Ａ１及び下端１７１Ａ２に比べて、上端１７１Ａ１と下端１７１Ａ２の間で貫通孔１７１Ａの内側に突出している。
【００３０】
このように貫通孔１７１Ａの内側に突出する部分は、凸部１７０Ａ３を構築する。すなわち、貫通孔１７１Ａは、凸部１７０Ａ３を有する。
【００３１】
凸部１７０Ａ３は、貫通孔１７１Ａの内側にテーパ状に突出しており、平面視で円環状に形成されている。凸部１７０Ａ３は、貫通孔１７１Ａの内側にテーパ状に突出する円環状のテーパ部である。
【００３２】
凸部１７１Ａ３を有する貫通孔１７１Ａは、例えば、ガラス板１７０Ａを絶縁層１３０に重ねる前に、ガラス板１７０Ａの上側及び下側からレーザを照射することによって、形成することができる。
【００３３】
貫通孔１７１Ａの凸部１７１Ａ３の部分における開口径は、パッド１６０Ａの直径以上である。ここでは、一例として、上端１７１Ａ１及び下端１７１Ａ２における貫通孔１７１Ａの開口径が１８０μｍであり、凸部１７１Ａ３における貫通孔１７１Ａの開口径が１６０μｍである。
【００３４】
上端１７１Ａ１及び下端１７１Ａ２における貫通孔１７１Ａの開口径と、凸部１７１Ａ３における貫通孔１７１Ａの開口径との差は、０μｍより大きく、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂの厚さ（ここでは５０μｍ）以下に設定することが望ましい。
【００３５】
貫通孔１７１Ａの凸部１７１Ａ３の部分における開口径は、パッド１６０Ａの直径以上に設定する。このような凸部１７１Ａ３を設ける理由については後述する。
【００３６】
貫通孔１７１Ｂは、貫通孔１７１Ａと同様の構成を有する。すなわち、貫通孔１７１Ｂは、平面視で円形状に開口されている。貫通孔１７１Ｂに面するガラス板１７０Ｂの内壁には、断面視で、上端１７１Ｂ１及び下端１７１Ｂ２よりも貫通孔１７１Ｂの内側に突出する凸部１７１Ｂ３が設けられている。
【００３７】
凸部１７０Ｂ３は、貫通孔１７１Ｂの内側にテーパ状に突出しており、平面視で円環状に形成されている。凸部１７０Ｂ３は、貫通孔１７１Ｂの内側にテーパ状に突出する円環状のテーパ部である。
【００３８】
凸部１７１Ｂ３を有する貫通孔１７１Ｂは、例えば、ガラス板１７０Ｂを絶縁層１３０に重ねる前に、ガラス板１７０Ｂの上側及び下側からレーザを照射することによって、形成することができる。
【００３９】
貫通孔１７１Ｂの凸部１７１Ｂ３の部分における開口径は、パッド１６０Ｂの直径以上である。ここでは、一例として、上端１７１Ｂ１及び下端１７１Ｂ２における貫通孔１７１Ｂの開口径が１８０μｍであり、凸部１７１Ｂ３における貫通孔１７１Ｂの開口径が１６０μｍである。
【００４０】
上端１７１Ｂ１及び下端１７１Ｂ２における貫通孔１７１Ｂの開口径と、凸部１７１Ｂ３における貫通孔１７１Ｂの開口径との差は、０μｍより大きく、ガラス板１７０Ｂ、１７０Ｂの厚さ（ここでは５０μｍ）以下に設定することが望ましい。
【００４１】
貫通孔１７１Ｂの凸部１７１Ｂ３の部分における開口径は、パッド１６０Ｂの直径以上に設定する。このような凸部１７１Ｂ３を設ける理由については後述する。
【００４２】
図２は、配線基板１００にＩＣチップ１９０を実装した状態を示す図である。図２には、６個のパッド１６０Ａと、２個のパッド１６０Ｂとが存在する範囲を示す。このため、説明の便宜上、図１に示す配線基板１００の配線層１２１、１３１、１４１、１５１等の構成を少し変更してあり、配線基板１００のＬ６層には、配線層１６１が設けられている。
【００４３】
パッド１６０Ａには、はんだボール１８０を介して、ＩＣチップ１９０の端子が接続されている。ＩＣチップ１９０は、所謂フリップチップボンディングの方式で、配線基板１００に実装されている。このようなＩＣチップ１９０の実装は、パッド１６０Ａの上に配置したはんだボール１８０を、所謂リフロー工程によって溶融させて、ＩＣチップ１９０の端子と接続させることによって実現される。
【００４４】
はんだボール１８０は、例えば、銅製のコアボールの周りに、ニッケル、錫等のめっき層を形成したものである。また、ここでは電子部品の一例としてＩＣチップ１９０を実装する形態について説明するが、ＩＣチップ１９０の代わりに、メモリチップ、又は、キャパシタ等の電子部品であってもよい。
【００４５】
次に、図３乃至図７を用いて、配線基板１００の製造方法について説明する。
【００４６】
図３乃至図７は、配線基板１００の製造工程を示す図である。
【００４７】
まず、図３に示すように、熱融着を行っていない状態の絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、配線層１２１、１３１、１４１、１５１を重ねた構造体１００Ａを準備する。構造体１００Ａでは、ランド１２１Ａ、１３１Ａ、１４１Ａ、１５１Ａ、ビア１１２、１２２、１３２、１４２、１５２、パッド１６０Ａ、１６０Ｂが形成されている。
【００４８】
次に、厚さ５０μｍのガラス板１７０Ａの上面にレーザ加工を行い、それぞれ、貫通孔１７１Ｃを形成する。例えば、ＣＯ２レーザを用いて加工すると、円錐台状の孔部を形成することができる。この工程では、一例として、上側の端部１７１Ｃ１の開口径が１８０μｍ、下側の端部１７１Ｃ２の開口径が１２０μｍの円錐台状の貫通孔１７１Ｃを形成する。
【００４９】
このようにすると、図４に示すように、端部１７１Ｃ１よりも端部１７１Ｃ２の方が開口径が小さい貫通孔１７１Ｃを形成することができる。図４で下側に位置する端部１７１Ｃ２は、ガラス板１７０Ａの下面に僅かな開口（ここでは１２０μｍの開口）が生じる程度でよい。
【００５０】
貫通孔１７１Ｃの円錐台のサイズを端部１７１Ｃ１の開口径が１８０μｍで、端部１７１Ｃ２の開口径が１２０μｍになるように設定するのは、次の工程（図５）において、パッド１６０Ａとガラス板１７０Ａとが接触しないサイズにするためである。
【００５１】
なお、ガラス板１７０Ｂについても同様の加工を行う。また、ＣＯ２レーザの代わりに、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＵＶレーザ、エッチングプロセスを用いてもよい。
【００５２】
次に、図４に示すガラス板１７０Ａを上下を反転させて（天地を逆にして）、図５に示すように、構造体１００Ａの上に重ねる。また、ガラス板１７０Ａの貫通孔１７１Ｃと同様の貫通孔１７１Ｄを形成したガラス板１７０Ｂを構造体１００Ａの下に重ね合わせる。
【００５３】
このとき、貫通孔１７１Ｃ、１７１Ｄは、開口が大きい端部１７１Ｃ１、１７１Ｄ１側がパッド１６０Ａ、１６０Ｂに近い側に位置しており、かつ、貫通孔１７１Ｃ、１７１Ｄのサイズは、パッド１６０Ａ、１６０Ｂとガラス板１７０Ａ、１７０Ｂが接触しないように設定されている。このため、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂが破損することはない。
【００５４】
次に、図５に示すように重ね合わせた状態のガラス板１７０Ａ、構造体１００Ａ、ガラス板１７０Ｂを、図６に示すように、プレス機２００に設置して、加熱しながら圧力を掛けることにより、熱融着させる。一例として、加熱温度は２００℃、加熱時間は９０分である。
【００５５】
この工程により、絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、配線層１２１、１３１、１４１、１５１、ランド１２１Ａ、１３１Ａ、１４１Ａ、１５１Ａが熱融着されるとともに、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂがそれぞれ絶縁層１３０、１５０と熱融着される。
【００５６】
次に、熱融着させた構造体１００Ｂをプレス機２００から取り出し、貫通孔１７１Ｃの上側からレーザ加工を行い、さらに、貫通孔１７１Ｄの下側からレーザ加工を行う。なお、貫通孔１７１Ｄの下側からレーザ加工を行う場合には、構造体１００Ｂの天地を逆にすればよい。
【００５７】
レーザ加工は、図４に示すレーザ加工と同様の深さまで行えばよく、このようにすることによって、凸部１７１Ａ３、１７１Ｂ３が内側に突出する貫通孔１７１Ａ、１７１Ｂを形成することができ、図７に示すように、配線基板１００を得ることができる。
【００５８】
以上、実施の形態によれば、絶縁層１３０の上面と、絶縁層１５０の下面とに、それぞれ、ガラス板１７０Ａと１７０Ｂとを設けた配線基板１００が得られる。
【００５９】
ＩＣチップ１９０はシリコン等で形成されるのに対して、絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０は、コア又はプリプレグであり、ＩＣチップ１９０よりも絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０の方が熱膨張率が大きい。
【００６０】
配線基板１００は、ＩＣチップ１９０が動作して発熱したときのＩＣチップ１９０と絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０との熱膨張率の違いを考慮して、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂを設けている。ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂの熱膨張率は、ＩＣチップ１９０の熱膨張率にかなり近い値である。
【００６１】
このため、ＩＣチップ１９０が動作して発熱しても、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂで絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０の歪みを抑えることができ、はんだボール１８０を介して接続されるＩＣチップ１９０の端子とパッド１６０Ａ、１６０Ｂとの接続状態を安定的に保持することができる。
【００６２】
従って、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂで絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０等を補強することにより、信頼性の高い配線基板１００を提供することができる。
【００６３】
また、ガラス板１７０Ａは表面が平坦であるため、複数のパッド１６０Ａと、ＩＣチップ１９０の下面の複数の端子との間隔を略一定にすることができる。このため、複数のパッド１６０Ａと、ＩＣチップ１９０の下面の複数の端子とをはんだボール１８０で確実に接続することができ、はんだボール１８０の接続不良が生じることを抑制できる。
【００６４】
従来の配線基板は、ソルダレジスト層にガラスクロスが混入されているため、ソルダレジスト層の表面に凹凸が生じ、配線基板の複数のパッドと、電子部品の下面の複数の端子とのうち、いずれかのパッドと端子とをはんだボールで接続できなくなるおそれがある。
【００６５】
これに対して、配線基板１００は、このような事態が生じることを抑制できるので、信頼性を向上させることができる。
【００６６】
また、配線基板１００を製造する工程では、図５に示すように、貫通孔１７１Ｃ、１７１Ｄの開口が大きい端部１７１Ｃ１、１７１Ｄ１をパッド１６０Ａ、１６０Ｂに近い側に位置させて、構造体１００Ａとガラス板１７０Ａと１７０Ｂをプレス機２００で熱圧着させる。
【００６７】
貫通孔１７１Ｃ、１７１Ｄのサイズは、パッド１６０Ａ、１６０Ｂとガラス板１７０Ａ、１７０Ｂが接触しないように設定されているため、図６に示すようにプレス機２００で加熱圧着を行っても、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂが破損することはない。
【００６８】
このため、製造工程において、パッド１６０Ａ、１６０Ｂがガラス板１７０Ａ、１７０Ｂに干渉することを抑制でき、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂが割れる、あるいは、欠ける等の破損を抑制することができる。
【００６９】
また、このように熱圧着させる際に、貫通孔１７１Ｃ、１７１Ｄの開口が小さい端部１７１Ｃ２、１７１Ｄ２がパッド１６０Ａ、１６０Ｂから遠い側に位置するので、半生状態で固まる前の絶縁層１３０、１５０（プリプレグ）が端部１７１Ｃ２、１７１Ｄ２から貫通孔１７１Ｃ、１７１Ｄの外に漏れ出ることを抑制することができる。
【００７０】
なお、この工程で、貫通孔１７１Ｃ、１７１Ｄの内部に絶縁層１３０、１５０のプリプレグが入り込み、パッド１６０Ａ、１６０Ｂの表面を覆ったとしても、貫通孔１７１Ｃの上側と貫通孔１７１Ｄの下側とをレーザ加工して貫通孔１７１Ａ、１７１Ｂを形成する際にプリプレグを除去できるので、パッド１６０Ａ、１６０Ｂの表面にプリプレグが残ることはない。
【００７１】
絶縁層１３０、１５０（プリプレグ）が貫通孔１７１Ｃ、１７１Ｄの外に漏れ出ることが抑制されるので、ガラス板１７０Ａの上面とガラス板１７０Ｂの下面とが平坦な状態に保たれ、はんだボール１８０の接続不良を抑制でき、信頼性の高い配線基板１００を提供することができる。
【００７２】
また、配線基板１００は、Ｌ１層のパッド１６０Ａを避けるように形成される貫通孔１７１Ａを有する。貫通孔１７１Ａの直径は、最も小さい凸部１７１Ａ３の部分においても、パッド１６０Ａの直径以上になるように設定されている。
【００７３】
このため、凸部１７１Ａ３の開口径と、パッド１６０Ａの直径と、ガラス板１７０Ａの厚さ方向における凸部１７１Ａ３とパッド１６０Ａとの位置関係を最適化することにより、パッド１６０Ａの上に、適切なサイズのはんだボール１８０を設置するような空間を確保することができる。
【００７４】
図８は、はんだボール１８０を実装した状態を示す図である。はんだボール１８０のサイズを最適化することは、パッド１６０ＡとＩＣチップ１９０の端子との接続を確実なものにする上で、非常に重要である。
【００７５】
例えば、図８に示すように、パッド１６０Ａにはんだボール１８０の底部が接した状態で、凸部１７１Ａ３と上端１７１Ａ１との間のガラス板１７０Ａの面（貫通孔１７１Ａの凹部１７１Ａ３よりも上側の面）ではんだボール１８０が保持されるようにしてもよい。
【００７６】
なお、絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０は、ガラス製であってもよい。
【００７７】
また、配線基板１００は、図７を用いて説明したレーザ加工を行わずに、円錐台状の貫通孔１７１Ｃ、１７１Ｄを含む形態であってもよい。
【００７８】
また、配線基板１００は、ガラス板１７０Ａだけで必要な強度が得られる場合には、ガラス板１７０Ｂを含まない形態であってもよい。この場合には、ガラス板１７０Ｂの代わりに、絶縁層１５０の下面にソルダーレジストを塗布すればよい。
【００７９】
また、絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、配線層１２１、１３１、１４１、１５１、ランド１２１Ａ、１３１Ａ、１４１Ａ、１５１Ａを熱融着した構造体を作製してから、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂをそれぞれ絶縁層１３０、１５０に接着してもよい。
【００８０】
また、以上では、配線基板１００が、絶縁層１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、配線層１２１、１３１、１４１、１５１、パッド１６０Ａ、１６０Ｂ、ガラス板１７０Ａ、１７０Ｂ等を含み、Ｌ１層からＬ６層を含む形態について説明した。
【００８１】
しかしながら、配線基板１００は、絶縁層１３０、配線層１３１、ランド１３１Ａ、ビア１３２、パッド１６０Ａ、ガラス板１７０Ａを含む形態であってもよい。また、絶縁層１３０はガラス板と樹脂層で構成してもよい。より具体的には、絶縁層１３０の代わりにガラス板を用い、ガラス板同士の間で配線層１２１、１３１、１４１、１５１を覆うように樹脂層を設けてもよい。
【００８２】
以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
電子部品が実装される第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有する絶縁層と、
前記第２面に配設される導電層と、
前記絶縁層の前記第１面と前記第２面との間を貫通する第１貫通孔の内部に設けられるビアと、
前記第１面に配設され、前記ビアに接続される電極と、
前記第１面に配設され、前記電極を表出させる第２貫通孔を有するガラス板と
を含む、配線基板。
（付記２）
前記電極は、平面視で、前記第２貫通孔の開口よりも小さい、付記１記載の配線基板。
（付記３）
前記第２貫通孔は、前記第１面における第１開口と前記第２面における第２開口との間で、前記第１開口及び前記第２開口よりも開口径が小さくなるように、開口に沿って開口の内側にテーパ状に突出する環状の凸部を有する、付記１又は２記載の配線基板。
（付記４）
前記第２貫通孔は、前記第１面と前記第２面との間で、前記第１面における第１開口が前記第２面における第２開口よりも大きい、又は、前記第１面における第１開口が前記第２面における第２開口よりも小さい、円錐台状の形状を有する、付記１又は２記載の配線基板。
（付記５）
前記絶縁層は、一部にガラス板を用いた、付記１乃至４のいずれか一項記載の配線基板。
（付記６）
配線基板と、
前記配線基板に実装される電子部品と
を含む電子装置であって、
前記配線基板が、
電子部品が実装される第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有する絶縁層と、
前記第２面に配設される導電層と、
前記絶縁層の前記第１面と前記第２面との間を貫通する第１貫通孔の内部に設けられるビアと、
前記第１面に配設され、前記ビアに接続される電極と、
前記第１面に配設され、前記電極を表出させる第２貫通孔を有するガラス板と
を有する、電子装置。
（付記７）
電子部品が実装される第１面と前記第１面の反対側の第２面とを有する絶縁層に、前記第１面と前記第２面との間を貫通する第１貫通孔の内部に設けられるビアと、前記第１面に配設されて前記ビアに接続される電極とを形成する工程と、
ガラス板に前記電極に対応する第２貫通孔を形成する工程と、
前記絶縁層の前記第１面に、前記第２貫通孔から前記電極が表出するように位置を合わせて、前記ガラス板を重ねる工程と、
前記絶縁層の前記第２面に、導電層を重ねる工程と、
前記絶縁層、前記ガラス板、及び前記導電層を加熱及び加圧して融着させる工程と
を含む、配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００８３】
１００  配線基板
１１０、１２０、１３０、１４０、１５０  絶縁層
１２１、１３１、１４１、１５１  配線層
１２１Ａ、１３１Ａ、１４１Ａ、１５１Ａ  ランド
１１２、１２２、１３２、１４２、１５２  ビア
１６０Ａ、１６０Ｂ  パッド
１７０Ａ、１７０Ｂ  ガラス板
１７１Ａ、１７１Ｂ  貫通孔
１８０  はんだボール
１９０  ＩＣチップ
２００  プレス機
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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