(57)【要約】【課題】リードと実装基板との接合部にクラックが入りにくい半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ２と、半導体チップ２の周囲に配置された複数のリード４と、リード４の下面および半導体チップ２とは反対側の外側端面が露出するように、半導体チップ２およびリード４を封止する平面視矩形状の封止樹脂５とを含む。複数のリード４は、平面視において、封止樹脂５の４つの辺に対応した４つの側縁部のうちの少なくとも１つの側縁部に、その辺の長さ方向に間隔をおいて配置された複数のリード４〜４Ｄを含む。側縁部に配置された複数のリード４〜４Ｄにおいて、両端に配置されたリード４Ｄの下面露出部の面積が、中央部に配置されたリード４の下面露出部の面積よりも大きい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップの周囲に配置された複数のリードと、
前記リードの下面および前記半導体チップとは反対側の外側端面が露出するように、前記半導体チップおよび前記リードを封止する平面視矩形状の封止樹脂とを含み、
前記複数のリードは、平面視において、前記封止樹脂の４つの辺に対応した４つの側縁部のうちの少なくとも１つの側縁部に、その辺の長さ方向に間隔をおいて配置された複数のリードを含み、前記側縁部に配置された複数のリードにおいて、両端に配置されたリードの下面露出部の面積が、中央部に配置されたリードの下面露出部の面積よりも大きい、半導体装置。
【請求項２】
前記側縁部に配置された前記複数のリードは、平面視において、当該側縁部に対応する前記封止樹脂の１辺と直交する方向に長い矩形状に形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記両端に配置されたリードの下面露出部の幅は、前記中央部に配置されたリードの下面露出部の幅と等しく、前記両端に配置されたリードの下面露出部の長さが、前記中央部に配置されたリードの下面露出部の長さよりも大きい、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記両端に配置されたリードの下面露出部の長さは、前記中央部に配置されたリードの下面露出部長さと等しく、前記両端に配置されたリードの下面露出部の幅は、前記中央部に配置されたリードの下面露出部の幅よりも大きい、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記両端に配置されたリードの下面露出部の幅および長さは、前記中央部に配置されたリードの下面露出部の幅および長さよりも大きい、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記側縁部に配置された複数のリードにおいて、前記中央部に配置されたリードに対して外側に配置されているリードほど、その下面露出部の面積が大きい、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記側縁部に配置された複数のリードにおいて、前記両端に配置されたリード以外のリードの下面露出部の面積が同じであり、前記両端に配置されたリードの下面露出部の面積が、前記両端に配置されたリード以外のリードの下面露出部の面積よりも大きい、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記側縁部に配置された複数のリードにおいて、前記中央部に配置されたリード以外のリードの下面露出部の面積が同じであり、前記中央部に配置されたリード以外のリードの下面露出部の面積が、前記中央部に配置されたリードの下面露出部の面積よりも大きい、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体装置は、ＱＦＮ（Qud Flt Non-leded Pckge）が適用された半導体装置である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体装置は、ＳＯＮ（Smll Outlined Non-leded Pckge）が適用された半導体装置である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上面および下面を有し、当該上面に前記半導体チップがダイボンディングされていて、当該下面が前記封止樹脂の下面に露出するように前記封止樹脂で封止されたダイパッドさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化に伴い、ＱＦＮ（Qud Flt Non-leded Pckge）やＳＯＮ（Smll Outlined Non-leded Pckge）が適用された半導体装置の需要が高まっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２３９７４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＱＦＮが適用された半導体装置の実装基板（配線基板）への実装は次のように行われる。まず、実装基板上に形成された複数のランド上にクリーム状の半田を塗布した後、複数のランド上に半導体装置のダイパッドおよびリードを載せる。そして、加熱してクリーム状の半田を溶かした後、冷却する。これにより、半導体装置のダイパッドおよびリードが実装基板の複数のランドにそれぞれ半田接合される。
【０００５】
実装基板は温度変化によって撓む。実装基板が撓むと、半導体装置のリードとランドとを接合している半田に応力が加わる。リードの一部が封止樹脂から突出しているタイプの半導体装置であれば、リードの突出部分が弾性を有しているため、半田に加えられた応力はリードによって吸収される。このため、リードとランドとの接合部にクラックが入りにくい。
【０００６】
一方、ＱＦＮが適用された半導体装置のように、リードの一部が封止樹脂から突出していないタイプの半導体装置では、半田に加えられた応力はリードによって吸収されにくいため、リードとランドとの接合部にクラックが入りやすい。
この発明の目的は、リードと実装基板との接合部にクラックが入りにくい半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明による半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップの周囲に配置された複数のリードと、前記リードの下面および前記半導体チップとは反対側の外側端面が露出するように、前記半導体チップおよび前記リードを封止する平面視矩形状の封止樹脂とを含み、前記複数のリードは、平面視において、前記封止樹脂の４つの辺に対応した４つの側縁部のうちの少なくとも１つの側縁部に、その辺の長さ方向に間隔をおいて配置された複数のリードを含み、前記側縁部に配置された複数のリードにおいて、両端に配置されたリードの下面露出部の面積が、中央部に配置されたリードの下面露出部の面積よりも大きい。
【０００８】
半導体装置が実装された実装基板が撓むと、半導体装置のリードと実装基板とを接合している半田（導電性接合材）に応力が加わる。半田に応力が加わると、封止樹脂のコーナの近くにあるリードと半田との接合部にクラックが入りやすい。この理由は、実装基板が撓んだときに、封止樹脂のコーナに近い箇所ほど大きな応力が作用するからである。
この構成では、側縁部に配置された複数のリードにおいて、両端に配置されたリードの下面露出部の面積が、中央部に配置されたリードの下面露出部の面積よりも大きい。これにより、封止樹脂の側縁部に配置された複数のリードにおいて、封止樹脂のコーナ部に近いリードの下面露出部の面積を、中央部に配置されたリードの下面露出部の面積よりも大きくすることができる。これにより、大きな応力が作用すると考えられる封止樹脂のコーナ近くにあるリードと半田との接合部にクラックが入るのを抑制することができる。この結果、リードと実装基板との接合部にクラックが入りにくい半導体装置が得られる。
【０００９】
この発明の一実施形態では、前記側縁部に配置された前記複数のリードは、平面視において、当該側縁部に対応する前記封止樹脂の１辺と直交する方向に長い矩形状に形成されている。
この発明の一実施形態では、前記両端に配置されたリードの下面露出部の幅は、前記中央部に配置されたリードの下面露出部の幅と等しく、前記両端に配置されたリードの下面露出部の長さが、前記中央部に配置されたリードの下面露出部の長さよりも大きい（長い）。
【００１０】
この発明の一実施形態では、前記両端に配置されたリードの下面露出部の長さは、前記中央部に配置されたリードの下面露出部長さと等しく、前記両端に配置されたリードの下面露出部の幅は、前記中央部に配置されたリードの下面露出部の幅よりも大きい（広い）。
この発明の一実施形態では、前記両端に配置されたリードの下面露出部の幅および長さは、前記中央部に配置されたリードの下面露出部の幅および長さよりも大きい。
【００１１】
この発明の一実施形態では、前記側縁部に配置された複数のリードにおいて、前記中央部に配置されたリードに対して外側に配置されているリードほど、その下面露出部の面積が大きい。
この発明の一実施形態では、前記側縁部に配置された複数のリードにおいて、前記両端に配置されたリード以外のリードの下面露出部の面積が同じであり、前記両端に配置されたリードの下面露出部の面積が、前記両端に配置されたリード以外のリードの下面露出部の面積よりも大きい。
【００１２】
この発明の一実施形態では、前記側縁部に配置された複数のリードにおいて、前記中央部に配置されたリード以外のリードの下面露出部の面積が同じであり、前記中央部に配置されたリード以外のリードの下面露出部の面積が、前記中央部に配置されたリードの下面露出部の面積よりも大きい。
この発明の一実施形態では、前記半導体装置は、ＱＦＮ（Qud Flt Non-leded Pckge）が適用された半導体装置である。
【００１３】
この発明の一実施形態では、前記半導体装置は、ＳＯＮ（Smll Outlined Non-leded Pckge）が適用された半導体装置である。
この発明の一実施形態では、上面および下面を有し、当該上面に前記半導体チップがダイボンディングされていて、当該下面が前記封止樹脂の下面に露出するように前記封止樹脂で封止されたダイパッドさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置の図解的な斜視図である。
【図２】図２は、図１の図解的な底面図である。
【図３】図３は、図２のIII−III線に沿う図解的な断面図である。
【図４】図４は、図１の半導体装置の製造に用いられるリードフレームの一部を示す底面図である。
【図５】図５は、図１の半導体装置の製造工程を示す図解的な断面図である。
【図６】図６は、図５の次の工程を示す図解的な断面図である。
【図７】図７は、図６の次の工程を示す図解的な断面図である。
【図８】図８は、図７の次の工程を示す図解的な断面図である。
【図９】図９は、図８の次の工程を示す図解的な断面図である。
【図１０】図１０は、図１に示す半導体装置の実装状態を示す図解的な断面図である。
【図１１】図１１は、リードの形態が異なる他の実施形態を示す図解的な底面図である。
【図１２】図１２は、リードの形態が異なるさらに他の実施形態を示す図解的な底面図である。
【図１３】図１３は、リードの形態が異なるさらに他の実施形態を示す図解的な底面図である。
【図１４】図１４は、リードの形態が異なるさらに他の実施形態を示す図解的な底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置を斜め上方から見た図解的な斜視図である。図２は、図１の図解的な底面図である。図３は、図２のIII−III線に沿う図解的な断面図である。
半導体装置１は、ＱＦＮが適用された半導体装置である。この半導体装置１は、半導体チップ２と、ダイパッド３と、複数のリード４と、封止樹脂５とを備えている。ダイパッド３は、半導体チップ２を支持するためのものである。複数のリード４は、半導体チップ２と電気的に接続されている。封止樹脂５は、半導体チップ２、ダイパッド３および複数のリード４を封止している。
【００１６】
半導体チップ２は、機能素子が形成されている側の表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態で、ダイパッド３上にダイボンディングされている。また、半導体チップ２の表面には、複数個のパッド（図示せず）が形成されている。パッドは、半導体チップ２の最表面に形成された表面保護膜から配線層の一部を露出させることによって形成されている。各パッドは、ボンディングワイヤ６によってリード４に接続されている。
【００１７】
封止樹脂５は、たとえば、エポキシ樹脂からなる。封止樹脂５は、図１に示すように、例えば、上下方向に扁平な略直方体形状に形成されている。上下方向は、半導体装置１の厚さ方向と同義である。略直方体状の封止樹脂５は、底面をなす下面５ａと、天面をなす上面５ｂと、下面５ａおよび上面５ｂに対して略垂直な方向に延びる側面５ｃとを有している。下面５ａおよび上面５ｂは、いずれも平坦面である。
【００１８】
下面５ａおよび上面５ｂは、平面視において、たとえば略矩形状に形成されている。側面５ｃは、下面５ａおよび上面５ｂに連なっている。詳しくは、側面５ｃは、半導体装置１において、下面５ａおよび上面５ｂを除いた全周に形成されている。換言すれば、半導体装置１は、下面５ａおよび上面５ｂのそれぞれの４辺に連なる４つの側面５ｃを有している。
【００１９】
ダイパッド３およびリード４は、後述するように、銅または銅を含む合金からなる金属薄板から形成される。
ダイパッド３は、平面視矩形状の本体部７と、本体部７の周囲を取り囲む平面視矩形枠状の抜け止め部８とを一体的に備えている。本体部７は、その下面７ａが封止樹脂５の下面５ａから露出している。底面視において、本体部７は封止樹脂５の中央部において、本体部７の４辺が封止樹脂５の４辺とほぼ平行となる姿勢で配置されている。封止樹脂５の下面５ａから露出する本体部７の下面７ａには、半田濡れ性を高めるための半田めっき層（図示略）が形成されている。
【００２０】
抜け止め部８は、本体部７よりも薄く形成されている。抜け止め部８の上面は、本体部７の上面と面一をなしている。半導体チップ２とともにダイパッド３を樹脂封止した状態では、抜け止め部８の下方に封止樹脂５が回り込むので、ダイパッド３の封止樹脂５からの抜け防止が図られる。
複数のリード４は、ダイパッド３の各側面と直交する各方向における両側に、それぞれ同数ずつ設けられている。ダイパッド３の各側面に対向するリード４は、その対向する側面と平行な方向に間隔（この例では等間隔）をおいて配置されている。言い換えれば、平面視（底面視）において、封止樹脂５の４つの辺（側面）に対応した４つの側縁部それぞれに、複数のリード４がその辺の長さ方向に間隔（この例では等間隔）をおいて配置されている。この実施形態では、封止樹脂５の各側縁部に７個ずつリード４が配置されている。
【００２１】
各リード４は、ダイパッド３の側面と直交する方向（ダイパッド３との対向方向）に長尺な平面視矩形状に形成されている。言い換えれば、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４は、その側縁部に対応した封止樹脂５の側面５ｃと直交する方向に長尺な平面視矩形状に形成されている。各リード４は、本体部９と、ダイパッド３側の端部に下面側から潰し加工を施すことによって形成された抜け止め部１０とを一体的に備えている。
【００２２】
本体部９は、その下面９ａ（接続面）が封止樹脂５の下面５ａから露出し、長手方向の外側端面９ｂが封止樹脂５の側面５ｃから露出している。また、本体部９の下面９ａと外側端面９ｂとが交差して形成された角部も封止樹脂５から露出している。抜け止め部１０は、本体部９よりも薄く形成されている。抜け止め部１０の上面は、本体部９の上面と面一をなしている。半導体チップ２とともにリード４を樹脂封止した状態では、抜け止め部１０の下方に封止樹脂５が回り込むから、リード４の封止樹脂５からの抜け防止が図られる。
【００２３】
図２に示すように、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４のうち、中央部に配置されたリード４をリード４といい、そのリード４の両側のリード４をリード４Ｂといい、そのリード４Ｂの両側にあるリード４をリード４Ｃといい、そのリード４Ｃの両側にある最も外側のリード４をリード４Ｄという場合がある。
封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４は、最も外側のリード４Ｄの下面露出部の面積（本体部９の下面９ａの面積）が、中央部のリード４の下面露出部の面積（本体部９の下面９ａの面積）よりも大きくなるように形成されている。この実施形態では、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４は、中央部のリード４の下面露出部の面積が最も小さく、その両側のリード４Ｂの下面露出部の面積が２番に小さく（３番目に大きく）、その両側のリード４Ｃの下面露出部の面積が３番に小さく（２番目に大きく）、最も外側のリード４Ｄの下面露出部の面積が最も大きくなるように形成されている。つまり、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４において、中央部に対して外側に配置されているリード４ほど、その下面露出部の面積が大きくされている。
【００２４】
具体的には、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４の本体部９の幅および厚さは同じであるが、これらの本体部９の長さは同じではない。つまり、中央部のリード４の本体部９の長さが最も短い。中央部のリード４の両側のリード４Ｂの本体部９の長さが２番に短い（３番目に長い）。リード４Ｂの両側のリード４Ｃの本体部９の長さが３番に短い（２番目に長い）。そして、最も外側のリード４Ｄの本体部９の長さが最も長い。
【００２５】
封止樹脂５の下面５ａから露出する本体部９の下面９ａには、半田濡れ性を高めるための半田めっき層（図示略）が形成されており、この下面９ａは、実装基板（配線基板）上のランドに半田接合される外部端子として機能する。一方、本体部９の上面は、封止樹脂５内に封止されている。この本体部９の上面は、インナーリードとしての役割を担い、ボンディングワイヤ６が接続されている。
【００２６】
図４は、半導体装置１の製造に用いられるリードフレームの一部を示す底面図である。
半導体装置１は、後述するように、リードフレーム２０を用いたＭＰ方式により製造される。リードフレーム２０は、銅を含む金属（たとえば、銅を主成分として、この銅に対して、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎなどの元素を、１０分の数％〜数％添加して得られる銅合金）の薄板を加工することにより形成される。
【００２７】
リードフレーム２０は、格子状の支持部２１と、支持部２１に取り囲まれる各矩形領域内に配置されるダイパッド３と、ダイパッド３の周囲に配置される複数のリード（リード構成部材）４とを一体的に備えている。
ダイパッド３は、その各角部と支持部２１との間に架設される吊りリード２２によって支持部２１に支持されている。各リード４は、ダイパッド３側と反対側の端部が支持部２１に接続されている。互いに隣り合うダイパッド３の間において、一方のダイパッド３の周囲に配置される各リード４と他方のダイパッド３の周囲に配置される各リード４とは、リード４の長手方向に支持部２１を挟んで対向し、一直線状に延びている。
【００２８】
図５〜図９は、半導体装置１の製造方法を示す図解的な断面図である。
半導体装置１の製造方法について説明する。まず、図５に示すように、リードフレーム２０が用意される。なお、図５〜図９において、リードフレーム２０は、その切断面のみが示されている。
次に、図６に示すように、リードフレーム２０のダイパッド３上に、たとえば、高融点はんだ（融点が２６０℃以上のはんだ）、銀ペーストなどからなる接合材（図示せず）を介して、半導体チップ２がダイボンディングされる。次に、半導体チップ２のパッドとリード４の上面とが、たとえば、金、銅またはアルミニウムの細線からなるボンディングワイヤ６で接続される（ボンディング工程）。
【００２９】
その後、リードフレーム２０が封止用の金型に入れられ、図７に示すように、ダイパッド３の本体部７の下面７ａ、リード４の本体部９の下面９ａおよび支持部２１の下面が露出するように、リードフレーム２０および半導体チップ２が封止樹脂３１によって封止される（樹脂封止工程）。封止樹脂３１は、たとえば、エポキシ樹脂からなる。
封止樹脂３１による封止方法としては、たとえば、トランスファーモールド法などの方法が採用される。トランスファーモールド法では、封止樹脂３１を形成するためのキャビティを有する一対の金型が用いられ、この一対の金型間にリードフレーム２０を挟み込む。そして、キャビティ内に、溶融した樹脂を充填し、この樹脂を冷却・固化することによって封止することができる。
【００３０】
樹脂封止工程が終了すると、半製品４０が完成する。半製品４０は、リードフレーム２０と、半導体チップ２と、これらを封止した封止樹脂３１とを含んでいる。封止樹脂３１は、リードフレーム２０を覆う板状をなしている。封止樹脂３１は、その底面をなす下面３１ａと、その天面をなす上面３１ｂとを含んでいる。封止樹脂３１の下面３１ａから、ダイパッド３の本体部７の下面７ａ、リード４の本体部９の下面９ａおよび支持部２１の下面が露出される。ダイパッド３の本体部７の下面７ａおよびリード４の本体部９の下面９ａは、封止樹脂３１の下面３１ａと面一になっている。
【００３１】
その後、半製品４０を切断して半導体装置１を個別に切り出す工程が行われる。この工程が完了すると、封止樹脂３１は、個々の半導体装置１の封止樹脂５となる（図９参照）。
具体的には、まず、封止樹脂３１から露出する、ダイパッド３の本体部７の下面７ａおよびリード４の本体部９の下面９ａに、半田めっき層（図示略）が形成される（めっき工程）。
【００３２】
次に、図８に示すように、リードフレーム２０の支持部２１上に設定されたダイシングライン（図示略）に沿って、ダイシングブレード３４を移動させる。ダイシングブレード３４は、その円盤形状の中心軸線まわりに回転しながら、ダイシングライン上を移動する。その際、ダイシングブレード３４は、支持部２１の下面側（封止樹脂３１の下面３１ａ側）から入れられる。これにより、支持部２１と、支持部２１上の封止樹脂３１と、支持部２１の両側の所定幅の領域に存在するリード４の基端部と、リード４の基端部上の封止樹脂３１が除去される（ダイシング工程）。
【００３３】
これにより、図９に示すように、各リード４が支持部２１から切り離されるとともに、封止樹脂３１が切り分けられて封止樹脂５となる。こうして、リード４の本体部９の下面９ａおよび外側端面９ｂと、リード４の本体部９の下面９ａと外側端面９ｂとが交差して形成される角部とが封止樹脂５から露出し、図１に示す構造の半導体装置１の個片が得られる。
【００３４】
図１０は、図１に示す半導体装置の実装状態を示す図解的な断面図である。
上記のように得られた半導体装置１は、実装基板（配線基板）５１の表面５２、つまりランド５３が形成されている面に対して、リード４の本体部９の下面９ａを対向させて表面実装される。
ランド５３上には、クリーム半田５４が塗られている。この半導体装置１を実装基板５１に表面実装する際には、そのクリーム半田５４およびリード４の本体部９の下面９ａに形成された半田めっき層（図示略）を介して、リード４の本体部９の下面９ａがランド５３に対して接合される。
【００３５】
このとき、リード４の本体部９の下面９ａがランド５３上のクリーム半田５４に接合されると、クリーム半田５４がリード４の本体部９の外側端面９ｂに這い上がるように密着する。
実装基板５１は温度変化によって撓む。実装基板５１が撓むと、半導体装置１のリード４とランド５３とを接合している半田５４に応力が加わる。この半導体装置１ではリード４の一部が封止樹脂５から突出していないので、半田５４に加えられた応力はリード４によって吸収されにくい。このため、リードの一部が封止樹脂から突出しているタイプの半導体装置に比べて、リード４と半田５４との接合部にクラックが入りやすい。
【００３６】
特に、平面視において封止樹脂５のコーナ近くにあるリード４（前述の最も外側のリード４Ｄ）と半田との接合部にクラックが入りやすい。この理由は、実装基板５１が撓んだときに、封止樹脂５のコーナに近い箇所ほど大きな応力が作用するからである。前述の実施形態では、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４において、中央部に対して外側に配置されているリード４ほど、その下面露出部の面積（本体部９の下面９ａの面積）が大きくされている。これにより、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４において、封止樹脂５のコーナに近いものほど、半田との接合面積を大きくすることができる。これにより、大きな応力が作用すると考えられる封止樹脂５のコーナ近くにあるリード４（前述の最も外側のリード４Ｄ）と半田との接合部にクラックが入るのを抑制することができる。この結果、リード４と実装基板５１との接合部にクラックが入りにくい半導体装置が得られる。
【００３７】
前述の実施形態では、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４は、リード４の本体部９の長さを異ならせることにより、中央部に対して外側に配置されているリード４ほど、その下面露出部の面積（本体部９の下面９ａの面積）が大きくなるように形成されている。しかし、図１１に示すように、各リード４の本体部９の長さは同じとし、リード４の本体部９の幅を中央部に対して外側に配置されているリード４ほど大きくすることにより、中央部に対して外側に配置されているリード４ほど、その下面露出部の面積（本体部９の下面９ａの面積）が大きくなるようにしてもよい。また、図１２に示すように、リード４の本体部９の長さおよび幅の両方を中央部に対して外側に配置されているリード４ほど大きくすることにより、中央部に対して外側に配置されているリード４ほど、その下面露出部の面積（本体部９の下面９ａの面積）が大きくなるようにしてもよい。
【００３８】
また、前述の実施形態では、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４において、中央部に対して外側に配置されているリード４ほど、その下面露出部の面積（本体部９の下面９ａの面積）が大きくされている。しかし、図１３に示すように、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４において、最も外側のリード４Ｄ以外のリード４，４Ｂ，４Ｃの下面露出部の面積（本体部９の下面９ａの面積）を同じとし、最も外側のリード４Ｄの下面露出部の面積（本体部９の下面９ａの面積）を、他のリード４，４Ｂ，４Ｃの下面露出部の面積よりも大きくするようにしてもよい。この場合、最も外側のリード４Ｄの本体部９の長さおよび幅の一方または両方を、他のリード４，４Ｂ，４Ｃの本体部９のそれよりも大きくすればよい。
【００３９】
また、図１４に示すように、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４において、中央部のリード４以外のリード４Ｂ，４Ｃ，４Ｄの下面露出部の面積（本体部９の下面９ａの面積）を同じとし、それらのリード４Ｂ，４Ｃ，４Ｄの下面露出部の面積を、中央部のリード４Ｄの下面露出部の面積（本体部９の下面９ａの面積）よりも大きくするようにしてもよい。この場合、中央部のリード４以外のリード４Ｂ，４Ｃ，４Ｄの本体部９の長さおよび幅の一方または両方を、中央部のリード４の本体部９のそれよりも大きくすればよい。
【００４０】
つまり、封止樹脂５の各側縁部に配置された複数のリード４において、最も外側のリード４の下面露出部の面積が、中央のリード４の下面露出部の面積よりも大きければよい。
前述の実施形態では、平面視（底面視）において、封止樹脂５の４つの辺（側面）に対応した４つの側縁部それぞれに、複数のリード４がその辺の長さ方向に間隔をおいて配置されている。しかし、平面視（底面視）において、封止樹脂の４つの辺（側面）に対応した４つの側縁部のうちの少なくとも１つに、複数のリード４がその辺の長さ方向に間隔をおいて配置されている半導体装置にも、この発明を適用することができる。
【００４１】
前述の実施形態では、ＱＦＮが適用された半導体装置を取り上げたが、本発明は、ＳＯＮ（Smll Outlined Non-leded Pckge）など、他の種類のノンリードパッケージが適用された半導体装置に適用することもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００４２】
１  半導体装置
２  半導体チップ
３  ダイパッド
４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ  リード
５  封止樹脂
５ａ  下面
５ｂ  上面
５ｃ  側面
６  ボンディングワイヤ
７  本体部（ダイパッド）
７ａ  下面
８  抜け止め部（ダイパッド）
９  本体部（リード）
９ａ  下面
９ｂ  外側端面
１０  抜け止め部（リード）
２０  リードフレーム
２１  支持部
２２  吊りリード
３１  封止樹脂
３１ａ  下面
３１ｂ  上面
３４  ダイシングブレード
４０  半製品
５１  実装基板
５２  表面
５３  ランド
【図１】
2017183417.tif 000003
【図２】
2017183417.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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