(57)【要約】【課題】半導体装置の製造方法において、作業性を向上する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数枚の半導体ウエハ間に保護シートＰＳを介在させて積層された半導体ウエハ積層体が格納されたケースを密封した防湿袋に入れた梱包体を空輸する工程を有する。そして、梱包体を開梱後に、半導体ウエハから保護シートＰＳから分離しやすくするために、保護シートＰＳは、複数の凸部ＣＶおよび複数の凹部ＣＣと、凸部ＣＶと凹部ＣＣ間の平坦部ＦＬとを有し、凸部ＣＶには、保護シートＰＳを貫通する穴Ｈが形成されており、穴Ｈの中心は、凸部ＣＶの頂点ＴＰ１から離れている。【選択図】図８
2017183448.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板の主面に行列状に配置された複数のチップ領域と、前記チップ領域間に配置された格子状のスクライブ領域とを有する半導体ウエハを複数枚準備する工程、
（ｂ）前記複数枚の半導体ウエハ間に夫々保護シートを介在させて積層された半導体ウエハ積層体を、防湿袋内に密封する梱包工程、
（ｃ）梱包された前記半導体ウエハ積層体を、空輸する工程、
（ｄ）前記半導体ウエハ積層体を前記防湿袋から取り出した後、前記半導体ウエハ積層体中の第１半導体ウエハを、第１吸着ユニットで吸着してステージ上に移動させ、前記第１半導体ウエハの裏面にテープを貼り付ける工程、
（ｅ）前記第１半導体ウエハを、前記スクライブ領域に沿って切断することにより、複数の半導体チップを形成する工程、
を有し、
前記保護シートは、第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面は、平担部と、前記平坦部に対して前記第１面側に突出した複数の凸部と、前記平坦部に対して前記第２面側に突出した複数の凹部と、を有しており、
前記凸部には、前記保護シートを貫通する第１穴が形成されており、
平面視にて、前記第１穴の中心は、前記凸部の頂点から離れている、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１穴は、前記頂点と前記平坦部の間である傾斜部に設けられ、前記第１穴は、前記頂点には達していない、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１穴は、平面視にて、楕円形状である、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１穴は、平面視にて、スリット形状である、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１穴は、平面視にて、円形である、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部には、前記保護シートを貫通する第２穴が形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハ積層体は、前記保護シートを挟むように配置された前記第１半導体ウエハと、第２半導体ウエハとを有し、前記保護シートは、前記第１半導体ウエハの前記主面側であって、前記第２半導体ウエハの前記裏面側に位置している、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程は、
（ｄ−１）前記第１半導体ウエハを移動させた後、第２吸着ユニットで、前記保護シートを除去し、前記第２半導体ウエハの裏面を露出させる工程、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハの前記主面には、樹脂膜が形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
（ａ）半導体基板の主面に行列状に配置された複数のチップ領域と、前記チップ領域間に配置された格子状のスクライブ領域とを有する第１半導体ウエハおよび第２半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）前記第１半導体ウエハの前記主面側に第１テープを、前記第２半導体ウエハの前記主面側に第２テープを貼り付けた後、前記第１半導体ウエハおよび前記第２半導体ウエハの裏面を研磨する工程、
（ｃ）前記第１半導体ウエハの前記主面の前記第１テープと、前記第２半導体ウエハの前記裏面との間に保護シートを介在させた半導体ウエハ積層体を、防湿袋内に投入し、前記防湿袋内に密封する梱包工程、
（ｄ）梱包された前記半導体ウエハ積層体を、空輸する工程、
（ｅ）前記半導体ウエハ積層体を前記防湿袋から取り出した後、前記第１半導体ウエハの前記裏面を、第１吸着ユニットで吸着して、前記第１半導体ウエハおよび前記第１テープをステージ上に移動させ、前記第１半導体ウエハの裏面に第３テープを貼り付ける工程、
（ｆ）前記第１半導体ウエハから前記第１テープを剥がし、前記第１半導体ウエハの前記主面を露出する工程、
（ｇ）前記第１半導体ウエハを、前記スクライブ領域に沿って切断することにより、複数の半導体チップを形成する工程、
を有し、
前記保護シートは、第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面は、平担部と、前記平坦部に対して前記第１面側に突出した複数の凸部と、前記平坦部に対して前記第２面側に突出した複数の凹部と、を有しており、
前記凸部には、前記保護シートを貫通する第１穴が形成されており、
平面視にて、前記第１穴の中心は、前記凸部の頂点よりも前記凸部の周縁部に近い、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１穴は、前記頂点と前記平坦部の間である傾斜部に設けられ、前記第１穴は、前記頂点には達していない、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部には、前記保護シートを貫通する第２穴が形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程は、
（ｅ−１）前記第１半導体ウエハおよび前記第１テープを移動させた後、第２吸着ユニットで、前記保護シートを除去し、前記第２半導体ウエハの裏面を露出させる工程、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）半導体基板の主面に行列状に配置された複数のチップ領域と、前記チップ領域間に配置された格子状のスクライブ領域とを有する半導体ウエハを複数枚準備する工程、
（ｂ）前記複数枚の半導体ウエハ間に夫々保護シートを介在させて積層された半導体ウエハ積層体を、防湿袋内に密封する梱包工程、
（ｃ）梱包された前記半導体ウエハ積層体を、空輸する工程、
（ｄ）前記半導体ウエハ積層体を前記防湿袋から取り出した後、前記半導体ウエハ積層体中の第１半導体ウエハを、第１吸着ユニットで吸着してステージ上に移動させ、前記第１半導体ウエハの裏面にテープを貼り付ける工程、
（ｅ）前記第１半導体ウエハを、前記スクライブ領域に沿って切断することにより、複数の半導体チップを形成する工程、
を有し、
前記保護シートは、第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面は、平担部と、前記平坦部に対して前記第１面側に突出した複数の凸部と、前記平坦部に対して前記第２面側に突出した複数の凹部と、を有しており、
前記凸部には、前記凸部の頂点と前記平坦部との間に、前記保護シートを貫通する第１穴が形成されている、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体ウエハを積み重ねて収納した容器を輸送する工程をともなう半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
国際公開第２００４／０８９７８４号（特許文献１）は、半導体ウエハを積み重ねて容器に収納する際に、半導体ウエハを保護する為に、半導体ウエハ間に挿入するウエハ保護シートに関する。そして、複数枚の半導体ウエハを容器に入れ、蓋をした状態で輸送する際に、合成樹脂シートの表裏面に凸部および凹部を数多く設けた保護シートをウエハ間に介在させることで、輸送に伴う振動から半導体ウエハを保護することが開示されている。
【０００３】
特開平０８−３３０４０７号公報（特許文献２）には、多孔質樹脂シートからなる半導体ウエハ輸送用クッション材が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００４／０８９７８４号
【特許文献２】特開平０８−３３０４０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置の製造は、例えば、シリコン単結晶からなる薄い円板状の半導体ウエハ（半導体基板）に集積回路を構成する半導体素子および配線を形成する工程（「前工程」と呼ばれる）と、半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化し、個々の半導体チップをパッケージングする工程（「後工程」と呼ばれる）とからなる。近年、半導体装置の製造において、グローバル化および分業化が進み、前工程と後工程とが異なる生産拠点で行われる場合が多発している。つまり、前工程が完了した半導体ウエハを、後工程の生産拠点まで空輸して、後工程を実施することにより半導体装置を完成させることが頻繁に行われている。
【０００６】
本願発明者が検討している半導体装置は、複数枚の半導体ウエハ間に、保護シートを挿入した半導体ウエハ積層体を、蓋付の収納容器（「ケース」と呼ぶ）に入れ、そのケースを防湿袋内に収納して輸送（空輸）する工程を有している。そして、特許文献１と同様に、保護シートには、その両面に複数の凸部および凹部が形成されている。さらに、半導体ウエハの移動および振動を防止するために、半導体ウエハ積層体とケースとの間にクッション材を介在させている。従って、半導体ウエハおよび保護シートは、クッション材を介して、ケースにより押圧されている。また、半導体ウエハの吸湿を防止するために、半導体ウエハ積層体を収納したケースは、乾燥剤とともに、密封された防湿袋に入れられており、さらに、防湿袋内は、密封する前に真空引きされている。
【０００７】
しかしながら、本願発明者の検討により、以下の課題が明確になった。
【０００８】
輸送された半導体ウエハを防湿袋から取り出し、例えば、マウント装置等の真空吸着ユニットで半導体ウエハを真空吸着して搬送する際に、保護シートも半導体ウエハに吸着した状態で搬送されてしまい、その後の半導体ウエハ処理工程に支障をきたす事例が判明した。つまり、半導体ウエハを真空吸着して搬送する際に、保護シートを残したまま、半導体ウエハのみを吸着、搬送するのが困難であり、半導体装置の製造工程において、その作業性が低下するという問題が判明した。
【０００９】
本願発明者は、保護シートの表裏面の凸部が、例えば、高さの１／３〜１／２程度潰れることで、保護シートが半導体ウエハに強固に吸着していることが原因と考えている。半導体ウエハ積層体が、ケースから押圧を受けていること、および、真空引きされた防湿袋内に収納されていることで、合成樹脂からなる保護シートが半導体ウエハに吸着しやすくなっている。特に、半導体ウエハ裏面は、裏面研磨工程で鏡面加工されているため、保護シートが吸着しやすい。さらに、空輸の場合、上空で機内が低気圧（約８１０ｈｐａ）となるため、密封された防湿袋内の気体が膨張し、その応力が半導体ウエハにかかるため、より一層、保護シートが半導体ウエハに密着しやすくなっている。保護シートの表裏面には、凸部および凹部が高密度に配置されているが、それらが高さの１／３〜１／２程度潰れるため、半導体ウエハと保護シートとの間の空間が極端に狭くなっている。その為、半導体ウエハ積層体を大気内に開放しても、半導体ウエハの中央領域に空気が侵入できず、保護シートが半導体ウエハから剥離しないものと考えられる。
【００１０】
つまり、半導体装置の製造方法において、作業性の向上が求められている。
【００１１】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、半導体基板の主面に行列状に配置された複数のチップ領域と、チップ領域間に配置された格子状のスクライブ領域とを有する半導体ウエハを複数枚準備する工程、複数枚の半導体ウエハ間に夫々保護シートを介在させて積層された半導体ウエハ積層体を、防湿袋内に投入し、防湿袋内を脱気した後に防湿袋を密封する梱包工程、を含む。また、半導体装置の製造方法は、梱包された半導体ウエハ積層体を、空輸する工程、半導体ウエハ積層体を防湿袋から取り出した後、半導体ウエハ積層体中の第１半導体ウエハを、第１吸着ユニットで吸着してステージ上に移動させ、第１半導体ウエハの裏面にテープを貼り付ける工程、を有する。さらに、半導体装置の製造方法は、第１半導体ウエハを、スクライブ領域に沿って切断することにより、複数の半導体チップを形成する工程、を含む。そして、保護シートは、第１面と第１面に対向する第２面とを有し、第１面は、平担部と、平坦部に対して第１面側に突出した複数の凸部と、平坦部に対して第２面側に突出した複数の凹部と、を有しており、凸部には、保護シートを貫通する穴が形成されており、穴の中心は、凸部の頂点から離れている。
【発明の効果】
【００１３】
一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法において、作業性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】一実施の形態における半導体装置の製造工程の一部を示すプロセスフローである。
【図２】一実施の形態における半導体ウエハの平面図である。
【図３】一実施の形態における半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４】図３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５】一実施の形態におけるケースの外観斜視図である。
【図６】一実施の形態における防湿袋内に密封梱包されたケースの透視図である。
【図７】一実施の形態における保護シートの平面図である。
【図８】図７のＸ−Ｘ´における断面図である。
【図９】図７の保護シートにおける凸部の拡大平面図である。
【図１０】一実施の形態における半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１１】一実施の形態における半導体装置の製造工程で使用するマウント装置の構成を示す平面図である。
【図１２】図１１のマウント装置の一部を説明する断面図である。
【図１３】図１１のマウント装置の一部を説明する断面図である。
【図１４】一実施の形態における半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１５】図１４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１６】図１５に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１７】図１６に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１８】図９の変形例１である凸部の拡大平面図である。
【図１９】図９の変形例２である凸部の拡大平面図である。
【図２０】図９の変形例３である凸部の拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１６】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１７】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１８】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１９】
また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００２０】
（実施の形態）
本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。
【００２１】
＜半導体装置の製造方法＞
図１は、実施の形態における半導体装置の製造工程の一部を示すプロセスフローである。図２は、本実施の形態における半導体ウエハの平面図である。図３は、本実施の形態における半導体装置の製造工程中の断面図である。図４は、図３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。図５は一実施の形態におけるケースの外観斜視図である。図６は一実施の形態における防湿袋内に密封されたケースの透視図である。図７は、本実施の形態における保護シートの平面図である。図８は、図７のＸ−Ｘ´における断面図である。図９は、図７の保護シートにおける凸部の拡大平面図である。図１０は、本実施の形態における半導体装置の製造工程中の断面図である。図１１は、本実施の形態における半導体装置の製造工程で使用するマウント装置の構成を示す平面図である。図１２および図１３は、図１１のマウント装置の一部を説明する断面図である。図１４〜図１７は、本実施の形態における半導体装置の製造工程中の断面図である。
【００２２】
本実施の形態の半導体装置は、図１に示す工程を経て製造される。
【００２３】
まず、図１のプロセスフローに示す「半導体ウエハ準備」工程（ステップＳ１）を実施する。つまり、図２および図３に示す構造を有する半導体ウエハを準備する。図２は、半導体ウエハ１の平面図を示している。半導体ウエハ１は、主面と裏面とを有しており、図２は、半導体ウエハの主面側を示している。半導体ウエハ１の主面には、複数の半導体チップ（半導体チップ領域）１Ａとスクライブ領域ＳＲが配置されている。
【００２４】
複数の半導体チップ１Ａは、半導体ウエハ１Ａの主面に行列状に配置されており、隣り合う半導体チップ１Ａ間には、スクライブ領域ＳＲが配置されている。スクライブ領域ＳＲは、半導体ウエハ１を複数の半導体チップ１Ａに個片化する際の切り代であり、格子縞を有しており、格子縞の内側に半導体チップ１Ａが配置されている。各半導体チップ１Ａは、矩形の平面形状を有しており、半導体チップ１Ａの各辺に沿って、半導体チップ１Ａの周囲には、複数のボンディングパッドＢＰが配置されている。
【００２５】
図３は、図２のＡ部の拡大断面図である。図３には、隣り合う２つの半導体チップ１Ａと、その間のスクライブ領域ＳＲを示している。半導体チップ１Ａは、半導体基板３１の表面に形成された複数の半導体素子Ｑを有しており、平面視にて、半導体素子Ｑは、その周囲を酸化シリコン膜からなる素子分離膜３２で覆われている。半導体素子Ｑは、例えば、ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）であり、ＭＩＳＦＥＴは、ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域を有している。半導体素子Ｑ上には、複数層の金属配線Ｍ１、Ｍ２およびＭ３が配置され、金属配線Ｍ１、Ｍ２およびＭ３は、夫々、絶縁膜３３，３４および３５上に形成されている。金属配線Ｍ３は、絶縁膜３６で覆われているが、絶縁膜３６に形成された開口ＯＰ１を介して絶縁膜３６から露出している。そして、金属配線Ｍ３の絶縁膜３６から露出した領域がボンディングパッドＢＰである。図３に示すように、金属配線Ｍ３の一部に形成されたボンディングパッドＢＰは、金属配線Ｍ２およびＭ１を介して半導体素子Ｑに接続されている。なお、金属配線Ｍ１、Ｍ２およびＭ３は、アルミニウム膜を主とする金属層で構成されるが、金属配線Ｍ１およびＭ２は、銅膜を主とする金属膜で構成しても良い。絶縁膜３６上には、有機保護膜（有機樹脂膜）ＰＩが形成されており、有機保護膜ＰＩは、ボンディングパッドＢＰを露出する開口ＯＰ２を有している。開口ＯＰ２は、開口ＯＰ１よりも幅広であり、ボンディングパッドＢＰの全域は、開口ＯＰ２から露出している。また、有機保護膜ＰＩは、スクライブ領域ＳＲに対応する領域にスリットＳＬを有している。図示していないが、図３において、左側の半導体チップ１Ａにも、右側の半導体チップ１Ａと同様に、半導体素子Ｑおよび金属配線Ｍ１およびＭ２が形成されている。
【００２６】
次に、図１のプロセスフローに示す「裏面研磨」工程（ステップＳ２）を実施する。図４に示すように、半導体ウエハ１の主面上にポリエチレン（ＰＥ）またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等からなる表面保護テープＢＧＴを貼り付けた後、半導体ウエハ１の裏面を砥石で研磨し、半導体ウエハ１の膜厚を１／３〜１／２程度に低減する。ここでは、半導体ウエハ１の半導体基板３１が研磨されて薄くなる。
【００２７】
次に、図１のプロセスフローに示す「ウエハ梱包」工程（ステップＳ３）を実施する。図５に示すように、裏面研磨された複数枚の半導体ウエハ１を、その間に保護シートＰＳを介在させて、その裏面が上側を向くように積層し、半導体ウエハ積層体を形成する。半導体ウエハ１には、その主面に表面保護テープＢＧＴが貼り付けられた状態となっている。保護シートＰＳには、表裏面の区別はない。保護シートＰＳは、その一面側で、下側に位置する半導体ウエハ１の裏面と接触し、その他面側で、上側に位置する半導体ウエハ１の主面に貼り付けられて表面保護テープＢＧＴに接触している。なお、図５では、表面保護テープＢＧＴを省略している。半導体ウエハ積層体は、その上下にクッション５３を介在させてケースＣＳに収納される。ケースＣＳは、ベース５１およびカバー５２を有し、例えば、ベース５１とカバー５２は、互いに嵌合できる構成となっており、嵌合された状態では、複数の半導体ウエハ１は、クッション５３を介してベース５１およびカバー５２で押圧されている。つまり、上下方向に隣り合う２枚の半導体ウエハ１間の保護シートＰＳは、その２枚の半導体ウエハ１で押圧されている。こうして、半導体ウエハ１の搬送時における、半導体ウエハ１の振動、ズレを防止している。ケースＣＳは、密閉状態ではなく、外気と連通している。
【００２８】
図６に示すように、半導体ウエハ積層体を収納したケースは、シリカゲル等の乾燥剤６１と一緒に、防湿袋６２内に収納され、防湿袋６２内を脱気（真空引き）した後に、防湿袋６２は密封される。防湿袋６２は、例えば、熱溶着によるシール部６３で密封される。つまり、半導体ウエハ積層体を収納したケースが、防湿袋内に密封梱包された梱包体が形成される。脱気は、防湿袋６２内の水分密度を大気中よりも低減させることで、半導体ウエハ１の吸湿による品質低下を防止するために実施しており、例えば、ボンディングパッドＢＰ等の腐食を防止、低減させている。防湿袋６２は、例えば、透湿度２．０ｇ／ｍ２・２４ｈｒｓ以下のポリエステルをベースとした透明袋よりなる。また、アルミニウム薄をポリエステル層で挟んだラミネート袋であっても良い。
【００２９】
図７は、図５に示した半導体ウエハ１間に介在させる保護シートＰＳの平面図を、図８は、図７のＸ−Ｘ´線に沿う断面図を、そして、図９は、凸部ＣＶの拡大平面図を示している。図７および図８に示すように、保護シートＰＳは、一面側および他面側のそれぞれに、複数の凸部ＣＶおよび複数の凹部ＣＣが交互に配置されており、凸部ＣＶと凹部ＣＣの間には、平坦部ＦＬが配置されている。一面側の凸部ＣＶは、他面側の凹部ＣＣに対応しており、他面側の凸部ＣＶは、一面側の凹部ＣＣに対応している。図８に示すように、凸部ＣＶおよび凹部ＣＣは、その断面が半球状をなし、凸部ＣＶの中心（頂点）ＴＰ１と平坦部ＦＬとの間を傾斜部ＳＰと呼ぶ。そして、各凸部ＣＶの傾斜部ＳＰには、保護シートＰＳを貫通する円形の穴Ｈが設けられている。言い換えると、保護シートＰＳは、一面側から他面側へ、又は、他面側から一面側へ貫通する円形の穴Ｈを有している。なお、「円形」とは、「円」の縁が欠けたような「真円」でないものも含む。図９に示すように、穴Ｈは、傾斜部ＳＰに閉じて設けられ、中心（頂点）ＴＰ１および平坦部ＦＬには達していない。なお、凸部ＣＶは、楕円形の平面形状としても良い。
【００３０】
次に、図１のプロセスフローに示す「搬送（空輸）」工程（ステップＳ４）を実施する。つまり、上記梱包体を、前工程工場から後工程工場へ輸送（空輸）する。ここで、半導体ウエハ１間の保護シートＰＳに設けられた凸部ＣＶは、高さの１／３から１／２程度潰れるが、凸部ＣＶの傾斜部ＳＰに設けた穴Ｈは、潰れていない。
【００３１】
次に、図１のプロセスフローに示す「開梱」工程（ステップＳ５）を実施する。つまり、防湿袋６２を開封した後、ケースＣＳのカバー５２をベース５１から外し、さらに、カバー５２側のクッション５３を外す。すると、図１０に示すように、ケースＣＳ内および半導体ウエハ積層体の半導体ウエハ１間に大気ＡＲ１が侵入し、凸部ＣＶの潰れが回復することで、保護シートＰＳが半導体ウエハ１からはがれやすくなる。本実施の形態では、凸部ＣＶの傾斜部ＳＰに保護シートＰＳを貫通する穴Ｈが設けられているため、半導体ウエハ１間に侵入する大気ＡＲ１は、穴Ｈを通って保護シートＰＳの上側から下側へ、および、下側から上側に移動しながら半導体ウエハ１の中央部まで侵入するため、保護シートＰＳが半導体ウエハ１からはがれやすくなる。つまり、図９に示すように、穴Ｈの中心ＴＰ２が保護シートＰＳの凸部ＣＶの中心（頂点）ＴＰ１に対してズレている（離れている）。言い換えると、穴Ｈの中心ＴＰ２が、凸部ＣＶの中心（頂点）ＴＰ１よりも凸部ＣＶの周縁部（凸部ＣＶと平坦部ＦＬの境界部）側に位置する。その為、仮に保護シートＰＳの凸部ＣＶが半導体ウエハ１やクッション５３によって潰れるようなことがあっても、穴Ｈは、半導体ウエハ１やクッション５３によって完全に塞がれることなく大気ＡＲ１を通す。
【００３２】
次に、保護シートＰＳの凸部ＣＶに穴Ｈが存在しない場合について、保護シートＰＳと、保護シートＰＳを挟む上側の半導体ウエハ１および下側の半導体ウエハ１を用いて説明する。保護シートＰＳの凸部ＣＶに穴Ｈが存在しない場合、「開梱」工程前に、例えば、保護シートＰＳの周囲が、ほぼ全周囲にわたって、上側の半導体ウエハ１に吸着していた場合、「開梱」工程後に、保護シートＰＳと上側の半導体ウエハ１間には大気が侵入しないので、上側の半導体ウエハ１から保護シートＰＳが剥がれない。特に、半導体ウエハ１の主面側には、表面保護テープＢＧＴが張り付けてあるため、保護シートＰＳが吸着しやすい状態にある。また、表面保護テープＢＧＴが無い場合でも、半導体ウエハ１の主面には、有機保護膜ＰＩが形成されているため、保護シートＰＳが吸着しやすい状態にある。なお、有機保護膜ＰＩおよび表面保護テープＢＧＴの両方が無い場合であっても、保護シートＰＳが上側の半導体ウエハ１から剥がれ難いことは言うまでもない。
【００３３】
本実施の形態では、保護シートＰＳの凸部ＣＶの傾斜部ＳＰに穴Ｈが設けられているため、「開梱」工程後に、保護シートＰＳと下側の半導体ウエハ１間に侵入した大気が、穴Ｈを通って、保護シートＰＳと上側の半導体ウエハ１間にも侵入し、半導体ウエハ１の中央部まで達するため、保護シートＰＳが上側の半導体ウエハ１からも剥がれ易くなる。
【００３４】
次に、図１のプロセスフローに示す「マウント」工程（ステップＳ６）を実施する。図１１は、マウント装置ＭＴの構成を示す平面図である。マウント装置ＭＴは、「開梱」工程後の半導体ウエハ１にダイシングテープ１１６ａを貼り付けるための装置である。
【００３５】
図１１に示すように、マウント装置ＭＴは、ケース搭載部１１０と、ウエハ吸着搬送ユニット１１１と、ウエハマウント部１１２と、保護シート回収部１１３と、保護シート吸着搬送ユニット１１４と、リングフレーム供給部１１５と、テープ貼付部１１６と、反転載置部１１７と、表面保護テープ除去部１１８と、カセット収納部１１９とを有する。
【００３６】
「開梱」工程後の半導体ウエハ積層体が収納されたケースＣＳが、ケース搭載部１１０に載置される。次に、半導体ウエハ積層体の最上部の１枚の半導体ウエハ１をウエハ吸着搬送ユニット１１１で真空吸着してウエハマウント部１１２へ移送し、半導体ウエハ１の裏面が露出する（見える）ようにウエハマウント部１１２に載置する。ウエハマウント部１１２の図示しないステージ上に、その主面が下になるように半導体ウエハ１を載置するが、その主面は表面保護テープＢＧＴで保護されているので、半導体ウエハ１の主面が損傷することはない。
【００３７】
その後、半導体ウエハ積層体の上部に露出した保護シートＰＳは、保護シート吸着搬送ユニット１１４で真空吸着され、保護シート回収部１１３へ回収される。
【００３８】
次に、リングフレーム供給部１１５に準備されているリングフレーム１１５ａが、テープ貼付部１１６に移送される。そして、テープ貼付部１１６で、リングフレーム１１５ａの上面に、粘着面を下にしてダイシングテープ１１６ａを貼付け、貼付けたダイシングテープ１１６ａをリングフレーム１１５ａの周囲に沿ってカットする。
【００３９】
次に、ウエハマウント部１１２に吸引保持されている半導体ウエハ１の裏面に、リングフレーム１１５ａに貼り付けられたダイシングテープ１１６ａを貼付ける。
【００４０】
次に、半導体ウエハ１の貼付いたリングフレーム１１５ａをウエハマウント部１１２から反転した状態で、反転載置部１１７が受け取る。つまり、反転搭載部１１７では、半導体ウエハ１の主面側が露出している。正確には、半導体ウエハ１の主面に貼り付けられた表面保護テープＢＧＴが露出している。
【００４１】
次に、表面保護テープ除去部１１８で、半導体ウエハ１の主面に貼り付いている表面保護テープＢＧＴを剥がした後、ダイシングテープ１１６ａに貼り付けられて、リングフレーム１１５ａと一体となった半導体ウエハ１をカセットＣＳＴに収納する。以下、同様の工程を繰り返して、ケースＣＳ内の半導体ウエハ１にダイシングテープ１１６ａを貼り付け、カセットＣＳＴに収納する。
【００４２】
なお、図１２は、図１１のマウント装置ＭＴのウエハ吸着搬送ユニット１１１を示す断面図であり。図１３は、図１１のマウント装置ＭＴの保護シート吸着搬送ユニット１１４を示す断面図である。
【００４３】
図１２に示すように、半導体ウエハ１は、ウエハ吸着搬送ユニット１１１から半導体ウエハ１の裏面に沿ってエアーを吹き付けることで、非接触で保持されている。いわゆるベルヌーイチャックにより、吸着されている。
【００４４】
図１３に示すように、保護シート吸着搬送ユニット１１４は、開口ＯＰ３を介して、ゴム製のパッドＰＤの窪み部を吸引することで、保護シートＰＳを吸着している。なお、保護シート吸着搬送ユニット１１４は、複数のパッドＰＤを有しており、穴Ｈからの空気洩れが起きても保護シートＰＳの吸着を維持できる。
【００４５】
本実施の形態によれば、その凸部ＣＶに穴を有する保護シートＰＳを半導体ウエハ１間に介在させているため、「開梱」工程後には、半導体ウエハ１と保護シートＰＳとが剥がれやすい状態となっている。従って、半導体ウエハ１を、ウエハ吸着搬送ユニット１１１で吸着して移送する際に、半導体ウエハ１に保護シートＰＳが吸着した状態で移送されるのを防止することができる。また、保護シートＰＳを、保護シート吸着搬送ユニット１１４で吸着して移送する際に、半導体ウエハ１も一緒に移送されるのを防止することができる。
【００４６】
次に、図１のプロセスフローに示す「ダイシング」工程（ステップＳ７）を実施する。図示しないが、ダイシングテープ１１６ａに貼り付けられて、リングフレーム１１５ａと一体となった半導体ウエハ１を、ダイシング装置のステージ上に載置し、図２に示したスクライブ領域ＳＲに沿ってダイシングブレードを走査する。こうして、半導体ウエハ１から複数の半導体チップ１Ａを取得する。
【００４７】
次に、図１のプロセスフローに示す「ダイボンディング」工程（ステップＳ８）を実施する。図１４に示すように、複数のリード部１４２とダイパッド部１４２を有するリードフレームＬＦを準備し、半導体チップ１Ａをダイパッド部１４２上に接着剤１４３を介して搭載する。リードフレームＬＦは、例えば、銅板をパターニングしたものである。
【００４８】
次に、図１のプロセスフローに示す「ワイヤボンディング」工程（ステップＳ９）を実施する。図１５に示すように、半導体チップ１Ａの主面のボンディングパッドＢＰとリード部１４２を、金または銅を主成分とするワイヤ１５１で接続する。
【００４９】
次に、図１のプロセスフローに示す「モールド」工程（ステップＳ１０）を実施する。図１６に示すように、半導体チップ１Ａ、リード部１４２の一部、ダイパッド部１４１の一部、ワイヤ１５１を、例えば、エポキシ樹脂で封止し、封止体１６１を形成する。
【００５０】
次に、図１のプロセスフローに示す「成形」工程（ステップＳ１１）を実施する。図１７に示すように、封止体１６１の外側で、リード部１４２をガルウイング形状に成形し、半導体装置ＳＤが完成する。
【００５１】
（変形例）
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５２】
＜変形例１＞
図１８は、図９の変形例１である凸部の拡大平面図である。
【００５３】
変形例１では、保護シートＰＳの凸部ＣＶに設けられた円形の穴Ｈ１が、凸部ＣＶの傾斜部ＳＰに設けられ、中心（頂点）ＴＰ１に達する例を示している。穴Ｈ１の中心ＴＰ３が凸部ＣＶの中心（頂点）ＴＰ１からズレていることが肝要である。穴Ｈ１の範囲が平坦部ＦＬに達していても良い。さらに、図１８に示す穴Ｈ１の大きさが、図９に示す穴Ｈの大きさと同じであっても良い。また、円形とは、その縁が一部欠けたものも含む。
【００５４】
しかし、実施の形態と比較すると、保護シートＰＳの凸部ＣＶの中心（頂点）ＴＰ１と穴Ｈ１の中心ＴＰ３が近いので、仮に保護シートＰＳの凸部ＣＶが半導体ウエハ１やクッション５３によって潰れるようなことがあった場合、穴Ｈ１は、半導体ウエハ１やクッション５３によって塞がれる面積が実施の形態のそれに比べ大きくなり大気ＡＲ１を通し難くなってしまう。そのため、大気ＡＲ１を確実に通すことを考慮すると、図９に示すように、保護シートＰＳの凸部ＣＶの中心（頂点）ＴＰ１と穴Ｈ１の中心ＴＰ３を離す方が好ましい。
【００５５】
＜変形例２＞
図１９は、図９の変形例２である凸部の拡大平面図である。
【００５６】
変形例２では、保護シートＰＳの凸部ＣＶに設けられた穴Ｈ２が、楕円形状である。楕円の長辺、短辺の長さは自由に設定できる。穴Ｈ２は、凸部ＣＶの傾斜部ＣＰに設けられているが、楕円の長辺、短辺の交点である穴Ｈ２の中心ＴＰ４は、凸部ＣＶの中心（頂点）ＴＰ１からズレていることが肝要であり、平坦部ＦＬに達していても良い。なお、楕円とは、その縁が一部欠けたものも含む。
【００５７】
＜変形例３＞
図２０は、図９の変形例３である凸部の拡大平面図である。
【００５８】
変形例３では、保護シートＰＳの凸部ＣＶに設けられた穴Ｈ３が、長方形のスリット形状である。長方形の長辺、短辺の長さは自由に設定できる。ただし、穴Ｈ３は、凸部ＣＶの傾斜部ＣＰに設けられているが、長方形の対角線の交点である穴Ｈ３の中心ＴＰ５は、凸部ＣＶの中心（頂点）ＴＰ１からズレていることが肝要であり、平坦部ＦＬに達していても良い。なお、長方形を多角形とすることも可能であるが、その場合にも、多角形の中心は、凸部ＣＶの中心（頂点）ＴＰ１からズレていることが肝要である。
【００５９】
その他、上記実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。
【００６０】
［付記１］
第１面と、前記第１面に対向する第２面を有する平坦部と、
前記平坦部に対して前記第１面側に突出した複数の凸部と、
前記平坦部に対して前記第２面側に突出した複数の凹部と、
を有し、
前記凸部には、前記凸部の頂点と前記平坦部との間に、前記保護シートを貫通する第１穴が形成されている、ウエハ保護シート。
【００６１】
［付記２］
付記１に記載のウエハ保護シートにおいて、
前記第１穴は、前記頂点と前記平坦部の間である傾斜部に設けられ、前記第１穴は、前記頂点には達していない、ウエハ保護シート。
【００６２】
［付記３］
付記２に記載のウエハ保護シートにおいて、
前記第１穴は、平面視にて、楕円形状である、ウエハ保護シート。
【００６３】
［付記４］
付記２に記載のウエハ保護シートにおいて、
前記第１穴は、平面視にて、スリット形状である、ウエハ保護シート。
【００６４】
［付記５］
付記１に記載のウエハ保護シートにおいて、
前記第１穴は、平面視にて、円形である、ウエハ保護シート。
【００６５】
［付記６］
付記５に記載のウエハ保護シートにおいて、
平面視にて、前記凸部は円形であり、前記円形の第１穴の中心は、前記円形の凸部の中心からずれている、ウエハ保護シート。
【００６６】
［付記７］
付記１に記載のウエハ保護シートにおいて、
前記凹部には、前記保護シートを貫通する第２穴が形成されている、ウエハ保護シート。
【符号の説明】
【００６７】
ＡＲ１、ＡＲ２  大気
ＢＰ  ボンディングパッド
ＢＧＴ  表面保護テープ
ＣＣ  凹部
ＣＳ  ケース
ＣＳＴ  カセット
ＣＶ  凸部
ＦＬ  平坦部
Ｈ、Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３  穴
ＬＦ  リードフレーム
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３  金属配線
ＭＴ  マウント装置
ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３  開口
ＰＤ  パッド
ＰＩ  有機保護膜
ＰＳ  保護シート
Ｑ  半導体素子
ＳＤ  半導体装置
ＳＬ  スリット
ＳＲ  スクライブ領域
ＳＰ  傾斜部（斜面）
ＴＰ１  中心（頂点）
ＴＰ２、ＴＰ３、ＴＰ４、ＴＰ５  中心
１  半導体ウエハ
１Ａ  半導体チップ（半導体チップ領域）
３１  半導体基板
３２  素子分離膜
３３、３４、３５、３６  絶縁膜
５１  ベース
５２  カバー
５３  クッション
６１  乾燥剤
６２  防湿袋
６３  シール部
１１０  ケース搭載部
１１１  ウエハ吸着搬送ユニット
１１２  ウエハマウント部
１１３  保護シート回収部
１１４  保護シート吸着搬送ユニット
１１５  リングフレーム供給部
１１５ａ  リングフレーム
１１６  テープ貼付部
１１６ａ  ダイシングテープ
１１７  反転載置部
１１８  表面保護テープ除去部
１１９  カセット収納部
１４１  ダイパッド部
１４２  リード部
１４３  接着剤
１５１  ワイヤ
１６１  封止体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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