(57)【要約】【課題】圧空成形や真空成形を利用したインサート成形やインモールド成形により製造可能であり、金属層の破断が抑制され、且つ、シールド材と筐体の接合強度に優れた電磁波シールド筐体を提供することを課題の一つとする。【解決手段】樹脂製筐体本体と、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面を接合被覆する電磁波シールド材とを備えた電磁波シールド筐体であって、電磁波シールド材は少なくとも一枚の金属箔及び少なくとも一枚の樹脂フィルムが密着積層した多層構造を有しており、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面との接合面を形成する電磁波シールド材の層は樹脂フィルムで構成されている電磁波シールド筐体。【選択図】図１−１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製筐体本体と、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面を接合被覆する電磁波シールド材とを備えた電磁波シールド筐体であって、電磁波シールド材は少なくとも一枚の金属箔及び少なくとも一枚の樹脂フィルムが密着積層した多層構造を有しており、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面との接合面を形成する電磁波シールド材の層は樹脂フィルムで構成されている電磁波シールド筐体。
【請求項２】
電磁波シールド材を構成する金属箔及び樹脂フィルムは熱圧着によって密着積層されている請求項１に記載の電磁波シールド筐体。
【請求項３】
樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面との接合面を形成する電磁波シールド材の層は、樹脂製筐体本体と同一種類の樹脂材料からなる樹脂フィルムで構成されている請求項１又は２に記載の電磁波シールド筐体。
【請求項４】
樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面との接合面を形成する電磁波シールド材の層である樹脂フィルムを構成する樹脂の融点は、樹脂製筐体本体を構成する樹脂の融点に対して±５℃以内である請求項１〜３の何れか一項に記載の電磁波シールド筐体。
【請求項５】
電磁波シールド材を構成する金属箔及び樹脂フィルムの破断箇所が存在しない請求項１〜４の何れか一項に記載の電磁波シールド筐体。
【請求項６】
電磁波シールド材は、少なくとも二枚の金属箔が樹脂フィルムを介して積層された構造を有する請求項１〜５の何れか一項に記載の電磁波シールド筐体。
【請求項７】
電磁波シールド材を構成する金属箔と樹脂フィルムのすべての組み合わせが、σM×ｄM×ｄR≧３×１０-3を満たす請求項１〜６の何れか一項に記載の電磁波シールド筐体。
但し、式中の記号は以下を示す。
σM：金属箔の２０℃における導電率（Ｓ／ｍ）
ｄM：金属箔の厚み（ｍ）
ｄR：樹脂フィルムの厚み（ｍ）
【請求項８】
電磁波シールド材を構成する各金属箔の２０℃における導電率が１．０×１０6Ｓ／ｍ以上である請求項１〜７の何れか一項に記載の電磁波シールド筐体。
【請求項９】
電磁波シールド材を構成する各金属箔の厚みが４〜５０μｍである請求項１〜８の何れか一項に記載の電磁波シールド筐体。
【請求項１０】
電磁波シールド材を構成する各樹脂フィルムの２０℃における比誘電率が２．０〜１０．０である請求項１〜９の何れか一項に記載の電磁波シールド筐体。
【請求項１１】
電磁波シールド材を構成する各樹脂フィルムの厚みが４〜５００μｍである請求項１〜１０の何れか一項に記載の電磁波シールド筐体。
【請求項１２】
樹脂製筐体本体の最も薄い箇所の厚みが０．５ｍｍ以上である請求項１〜１１の何れか一項に記載の電磁波シールド筐体。
【請求項１３】
樹脂製筐体本体と、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面を接合被覆する電磁波シールド材とを備えた電磁波シールド筐体の製造方法であって、
少なくとも一枚の金属箔及び少なくとも一枚の樹脂フィルムが積層された多層構造を有し、少なくとも一方の最外層が樹脂フィルムであるフィルム状の電磁波シールド材をプレフォーム用金型にセットして、圧空成形又は真空成形することにより、立体形状にプレフォームされた電磁波シールド材を得る工程と、
プレフォームされた電磁波シールド材を、該電磁波シールド材の立体形状に合致したキャビティ面を有する射出成形用金型に、最外層を形成する樹脂フィルムがキャビティ内で露出するように嵌め込んだ状態で、射出成形用金型のキャビティに筐体用の溶融樹脂を射出し、冷却固化することにより、プレフォームされた電磁波シールド材と筐体を一体化する工程と、
を含む製造方法。
【請求項１４】
最外層を形成し、キャビティ内で露出する樹脂フィルムが樹脂製筐体本体と同一種類の樹脂材料からなる請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
電磁波シールド筐体が請求項１〜１２の何れか一項に記載の電磁波シールド筐体である請求項１３又は１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
立体形状にプレフォームされた電磁波シールド材を得る工程においては、電磁波シールド材を構成するすべての樹脂フィルムについて、樹脂フィルムの熱変形温度を２０℃下回る温度以上に加熱した状態で圧空成形、真空成形又はプレス成形する請求項１３〜１５の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項１７】
プレフォームされた電磁波シールド材と筐体を一体化する工程においては、射出される樹脂の融点を５℃超える温度以上、且つ、射出される樹脂の融点を１００℃超える温度以下の溶融樹脂を射出する請求項１３〜１６の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項１８】
圧空成形又は真空成形においては、電磁波シールド材の減肉率を１６％以上として行う請求項１３〜１７の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項１９】
樹脂製筐体本体と、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面を接合被覆する電磁波シールド材とを備えた電磁波シールド筐体の製造方法であって、
少なくとも一枚の金属箔及び少なくとも一枚の樹脂フィルムが積層された多層構造を有し、少なくとも一方の最外層が樹脂フィルムであるフィルム状の電磁波シールド材を、電磁波シールド材の立体形状を画定するための凹凸を有する第一金型と射出口を有する第二金型とを備えた射出成形用金型に、最外層を形成する樹脂フィルムが第二金型に設置された溶融樹脂の射出口と向き合うようにセットする工程と、
両金型を射出成形時の位置まで移動させることにより予備成形された電磁波シールド材を得る工程と、
第二金型に設けられた射出口から筐体用の溶融樹脂を射出し、射出圧力により電磁波シールド材を第一金型の凹凸に追従させて本成形した後、冷却固化することにより、本成形された電磁波シールド材と筐体を一体化する工程と、
を含む製造方法。
【請求項２０】
最外層を形成し、射出口と向き合う樹脂フィルムが樹脂製筐体本体と同一種類の樹脂材料からなる請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２１】
電磁波シールド筐体が請求項１〜１２の何れか一項に記載の電磁波シールド筐体である請求項１９又は２０に記載の製造方法。
【請求項２２】
予備成形及び本成形における電磁波シールド材の合計の減肉率を１６％以上として行う請求項１９〜２１の何れか一項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電磁波シールド筐体に関する。より詳細には、本発明は電気・電子機器を内部に収容して電気・電子機器から放射される電磁波を遮断するための筐体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、地球環境問題に対する関心が全世界的に高まっており、電気自動車やハイブリッド自動車といった二次電池を搭載した環境配慮型自動車の普及が進展している。これらの自動車においては、搭載した二次電池から発生する直流電流をインバータを介して交流電流に変換した後、必要な電力を交流モータに供給し、駆動力を得る方式を採用するものが多い。インバータのスイッチング動作等に起因して電磁波が発生する。電磁波は車載の音響機器や無線機器等の受信障害となることから、インバータ或いはインバータと共にバッテリーやモータ等を金属製ケース内に収容して、電磁波シールドするという対策が行われてきた（特開２００３−２８５００２号公報）。
【０００３】
また、自動車に限らず、通信機器、ディスプレイ及び医療機器を含め多くの電気・電子機器から電磁波が放射される。電磁波は精密機器の誤作動を引き起こす可能性があり、更には、人体に対する影響も懸念される。このため、電磁波シールド材を用いて電磁波の影響を軽減する各種の技術が開発されてきた。例えば、銅箔と樹脂フィルムとを積層してなる銅箔複合体が電磁波シールド材として用いられている（特開平７−２９０４４９号公報）。銅箔は電磁波シールド性を有し、樹脂フィルムは銅箔の補強のために積層される。また、絶縁材料からなる中間層の内側と外側にそれぞれ金属層を積層した電磁波シールド構造も知られている（特許第４６０２６８０号公報）。
【０００４】
一方、樹脂材料と金属製シールド材料を一体成形する方法としては、フィルムインサート成形やインモールド成形が知られている。特開平４−１３５８１５号公報ではフィルムインサート成形により、シールド材と樹脂を一体成形している。シールド材としては金属箔のほか、金属箔の表面に高分子フィルムをラミネートしたものが記載されている。特開平６−２９６６９号公報ではインモールド成形によりアルミニウム等の基体と合成樹脂を一体成形して電子機器用筐体を製造することが記載されている。そして、特開平６−２９６６９号公報では筐体の薄肉化について考察しており、合成樹脂部品が成形可能な厚みは０．８ｍｍ以上であり、基体の肉厚は強度計算上０．３ｍｍ以上必要であることが記載されている。何れの公報においても、シールド材をプレス加工して一次成形した後に、樹脂と一体化する二次成形を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２８５００２号公報
【特許文献２】特開平７−２９０４４９号公報
【特許文献３】特許第４６０２６８０号公報
【特許文献４】特開平４−１３５８１５号公報
【特許文献５】特開平６−２９６６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
優れた電磁波シールドの効果と成形加工性を両立させるためにはシールド材を構成する金属層の厚みを大きくすればよいが、金属層の強度が高くなり、インサート成形やインモールド成形の前段のプレフォーム成形する段階で、圧空成形や真空成形を採用することができず、プレス成形が必要となる。特開平４−１３５８１５号公報及び特開平６−２９６６９号公報においてもプレス成形を採用している。しかしながら、上型または下型のみで成形できる圧空成形や真空成形と異なり、プレス成形は上下の金型が必要であり、上下の金型のクリアランスも重要となるため、精度も必要なため高コストである。したがって多品種の製造には適さず、短いスパンで設計変更されるような製品には対応できないという点で不都合がある。
【０００７】
一方、自動車においては燃費向上の観点から軽量化が大きな課題となっており、金属材料から樹脂材料や炭素繊維材料への転換も検討が進んでいる。しかしながら、樹脂材料や炭素繊維材料には電磁波シールド効果は期待できない。かといって金属層の厚みを小さくし過ぎると優れたシールド効果（例えば、１ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚにおいて、３６ｄＢ以上）が得られないし、薄い金属層には延性がないため成形に耐えることができずに破断してしまう。
【０００８】
この点、特開平７−２９０４４９号公報及び特許第４６０２６８０号公報の記載の技術は絶縁層と金属層の複合体でシールド効果を狙ったものであり、ある程度の軽量化を図ることはできるものの、これらの公報には絶縁層と金属層の複合体からなるシールド材と筐体の接合に関する考察が不足している。特に、圧空成形や真空成形を利用したインサート成形やインモールド成形によってシールド材と筐体を優れた接合強度で接合し、しかも成形時に金属層の破断が抑制された電磁波シールド筐体を如何にして製造するかという点に関しては記載も示唆もされていない。筐体から電磁波シールド材が剥離するとシールド特性に悪影響を及ぼすおそれがあり、また、美観を害する。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みて創作されたものであり、圧空成形や真空成形を利用したインサート成形やインモールド成形により製造可能であり、金属層の破断が抑制され、且つ、シールド材と筐体の接合強度に優れた電磁波シールド筐体を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねたところ、金属箔と樹脂フィルムを密着積層させると、金属箔が樹脂フィルムに追随して一律に延伸しやすくなるため、成形時の破断が抑制されることを見出した。また、金属箔及び樹脂フィルムの多層構造を有する電磁波シールド材の少なくとも一方の最外層を樹脂フィルムで構成し、当該樹脂フィルムを樹脂製筐体と接合することにより、筐体との接合強度が高まることを見出した。本発明は当該知見に基づいて完成したものである。
【００１１】
本発明は第一の側面において、樹脂製筐体本体と、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面を接合被覆する電磁波シールド材とを備えた電磁波シールド筐体であって、電磁波シールド材は少なくとも一枚の金属箔及び少なくとも一枚の樹脂フィルムが密着積層した多層構造を有しており、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面との接合面を形成する電磁波シールド材の層は樹脂フィルムで構成されている電磁波シールド筐体である。
【００１２】
本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体は一実施形態において、電磁波シールド材を構成する金属箔及び樹脂フィルムは熱圧着によって密着積層されている。
【００１３】
本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体は別の一実施形態において、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面との接合面を形成する電磁波シールド材の層は、樹脂製筐体本体と同一種類の樹脂材料からなる樹脂フィルムで構成されている。
【００１４】
本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体は更に別の一実施形態において、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面との接合面を形成する電磁波シールド材の層である樹脂フィルムを構成する樹脂の融点は、樹脂製筐体本体を構成する樹脂の融点に対して±５℃以内である。
【００１５】
本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体は更に別の一実施形態において、電磁波シールド材を構成する金属箔及び樹脂フィルムの破断箇所が存在しない。
【００１６】
本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体は更に別の一実施形態において、電磁波シールド材は、少なくとも二枚の金属箔が樹脂フィルムを介して積層された構造を有する。
【００１７】
本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体は更に別の一実施形態において、電磁波シールド材を構成する金属箔と樹脂フィルムのすべての組み合わせが、σM×ｄM×ｄR≧３×１０-3を満たす。
但し、式中の記号は以下を示す。
σM：金属箔の２０℃における導電率（Ｓ／ｍ）
ｄM：金属箔の厚み（ｍ）
ｄR：樹脂フィルムの厚み（ｍ）
【００１８】
本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体は更に別の一実施形態において、電磁波シールド材を構成する各金属箔の２０℃における導電率が１．０×１０6Ｓ／ｍ以上である。
【００１９】
本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体は更に別の一実施形態において、電磁波シールド材を構成する各金属箔の厚みが４〜５０μｍである。
【００２０】
本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体は更に別の一実施形態において、電磁波シールド材を構成する各樹脂フィルムの２０℃における比誘電率が２．０〜１０．０である。
【００２１】
本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体は更に別の一実施形態において、電磁波シールド材を構成する各樹脂フィルムの厚みが４〜５００μｍである。
【００２２】
本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体は更に別の一実施形態において、樹脂製筐体本体の最も薄い箇所の厚みが０．５ｍｍ以上である。
【００２３】
本発明は第二の側面において、樹脂製筐体本体と、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面を接合被覆する電磁波シールド材とを備えた電磁波シールド筐体の製造方法であって、
少なくとも一枚の金属箔及び少なくとも一枚の樹脂フィルムが積層された多層構造を有し、少なくとも一方の最外層が樹脂フィルムであるフィルム状の電磁波シールド材をプレフォーム用金型にセットして、圧空成形又は真空成形することにより、立体形状にプレフォームされた電磁波シールド材を得る工程と、
プレフォームされた電磁波シールド材を、該電磁波シールド材の立体形状に合致したキャビティ面を有する射出成形用金型に、最外層を形成する樹脂フィルムがキャビティ内で露出するように嵌め込んだ状態で、射出成形用金型のキャビティに筐体用の溶融樹脂を射出し、冷却固化することにより、プレフォームされた電磁波シールド材と筐体を一体化する工程と、
を含む製造方法である。
【００２４】
本発明の第二の側面に係る電磁波シールド筐体の製造方法は一実施形態において、最外層を形成し、キャビティ内で露出する樹脂フィルムが樹脂製筐体本体と同一種類の樹脂材料からなる。
【００２５】
本発明の第二の側面に係る電磁波シールド筐体の製造方法は別の一実施形態において、電磁波シールド筐体が本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体である。
【００２６】
本発明の第二の側面に係る電磁波シールド筐体の製造方法は更に別の一実施形態において、立体形状にプレフォームされた電磁波シールド材を得る工程においては、電磁波シールド材を構成するすべての樹脂フィルムについて、樹脂フィルムの熱変形温度を２０℃下回る温度以上に加熱した状態で圧空成形、真空成形又はプレス成形する。
【００２７】
本発明の第二の側面に係る電磁波シールド筐体の製造方法は更に別の一実施形態において、プレフォームされた電磁波シールド材と筐体を一体化する工程においては、射出される樹脂の融点を５℃超える温度以上、且つ、射出される樹脂の融点を１００℃超える温度以下の溶融樹脂を射出する。
【００２８】
本発明の第二の側面に係る電磁波シールド筐体の製造方法は更に別の一実施形態において、圧空成形又は真空成形においては、電磁波シールド材の減肉率を１６％以上として行う。
【００２９】
本発明は第三の側面において、樹脂製筐体本体と、樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面を接合被覆する電磁波シールド材とを備えた電磁波シールド筐体の製造方法であって、
少なくとも一枚の金属箔及び少なくとも一枚の樹脂フィルムが積層された多層構造を有し、少なくとも一方の最外層が樹脂フィルムであるフィルム状の電磁波シールド材を、電磁波シールド材の立体形状を画定するための凹凸を有する第一金型と射出口を有する第二金型とを備えた射出成形用金型に、最外層を形成する樹脂フィルムが第二金型に設置された溶融樹脂の射出口と向き合うようにセットする工程と、
両金型を射出成形時の位置まで移動させることにより予備成形された電磁波シールド材を得る工程と、
第二金型に設けられた射出口から筐体用の溶融樹脂を射出し、射出圧力により電磁波シールド材を第一金型の凹凸に追従させて本成形した後、冷却固化することにより、本成形された電磁波シールド材と筐体を一体化する工程と、
を含む製造方法である。
【００３０】
本発明の第三の側面に係る電磁波シールド筐体の製造方法は一実施形態において、最外層を形成し、射出口と向き合う樹脂フィルムが樹脂製筐体本体と同一種類の樹脂材料からなる。
【００３１】
本発明の第三の側面に係る電磁波シールド筐体の製造方法は別の一実施形態において、電磁波シールド筐体が本発明の第一の側面に係る電磁波シールド筐体である。
【００３２】
本発明の第三の側面に係る電磁波シールド筐体の製造方法は更に別の一実施形態において、予備成形及び本成形における電磁波シールド材の合計の減肉率を１６％以上として行う。
【発明の効果】
【００３３】
本発明に係る電磁波シールド筐体で使用する電磁波シールド材は、金属箔に樹脂フィルムを密着積層した構成を有する。当該電磁波シールド材では金属箔という薄い素材を使用していることに加えて、金属箔は樹脂フィルムと密着しているために延伸しやすい。このため、本発明に係る電磁波シールド筐体は圧空成形や真空成形を利用したインサート成形やインモールド成形により製造可能である。そして、金属箔が延伸しやすくなったことで成形時に金属箔の破断が抑制されるので、破断箇所で生じ得る電磁波漏洩も抑制される。更に、樹脂フィルムを介して複数の金属箔を積層することにより軽量性と優れた電磁波シールド性を両立することも可能となる。
【００３４】
また、本発明に係る電磁波シールド筐体では、電磁波シールド材と樹脂製筐体本体の接合界面が樹脂で構成されているので、電磁波シールド材と樹脂製筐体本体の間の高い接合強度を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１−１】フィルムインサート成形を利用した本発明に係る電磁波シールド筐体の製造手順の例を模式的に示す。
【図１−２】インモールド成形を利用した本発明に係る電磁波シールド筐体の製造手順の例を模式的に示す。
【図２】試験例２における磁界シールド効果評価試験の結果を示す。
【図３】試験例３における磁界シールド効果評価試験に使用した電磁波シールド材（ａ）〜（ｄ）の積層構造を示す。
【図４】試験例３における磁界シールド効果評価試験に使用した電磁波シールド材（ｅ）〜（ｉ）の積層構造を示す。
【図５】試験例３における磁界シールド効果評価試験に使用した電磁波シールド材（ｊ）〜（ｍ）の積層構造を示す。
【図６】試験例３における磁界シールド効果評価試験の結果を示す（（ａ）〜（ｄ））。
【図７】試験例３における磁界シールド効果評価試験の結果を示す（（ｅ）〜（ｉ））。
【図８】試験例３における磁界シールド効果評価試験の結果を示す（（ａ）、（ｂ）、（ｅ）、（ｆ）の比較）。
【図９】試験例３における磁界シールド効果評価試験の結果を示す（（ｊ）〜（ｍ））。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
（金属箔）
本発明に係る電磁波シールド筐体のシールド材に使用する金属箔の材料としては特に制限はないが、交流磁界や交流電界に対するシールド特性を高める観点からは、導電性に優れた金属材料とすることが好ましい。具体的には、導電率が１．０×１０6Ｓ／ｍ（２０℃の値。以下同じ。）以上の金属によって形成することが好ましく、金属の導電率が１０．０×１０6Ｓ／ｍ以上であるとより好ましく、３０．０×１０6Ｓ／ｍ以上であると更により好ましく、５０．０×１０6Ｓ／ｍ以上であると最も好ましい。このような金属としては、導電率が約９．９×１０6Ｓ／ｍの鉄、導電率が約１４．５×１０6Ｓ／ｍのニッケル、導電率が約３９．６×１０6Ｓ／ｍのアルミニウム、導電率が約５８．０×１０6Ｓ／ｍの銅、及び導電率が約６１．４×１０6Ｓ／ｍの銀が挙げられる。導電率とコストの双方を考慮すると、アルミニウム又は銅を採用することが実用性上好ましい。本発明に係るシールド材に使用する金属箔はすべて同一の金属であってもよいし、層毎に異なる金属を使用してもよい。また、上述した金属の合金を使用することもできる。金属箔表面には接着促進、耐環境性、耐熱及び防錆などを目的とした各種の表面処理層が形成されていてもよい。
【００３７】
例えば、金属面が最外層となる場合に必要とされる耐環境性、耐熱性を高めることを目的として、Ａｕめっき、Ａｇめっき、Ｓｎめっき、Ｎｉめっき、Ｚｎめっき、Ｓｎ合金めっき（Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｎｉ、Ｓｎ−Ｃｕなど）、クロメート処理などを施すことができる。これらの処理を組み合わせてもよい。コストの観点からＳｎめっきあるいはＳｎ合金めっきが好ましい。
【００３８】
また、金属箔と樹脂フィルムとの密着性を高めることを目的として、クロメート処理、粗化処理、Ｎｉめっきなどを施すことができる。これらの処理を組み合わせてもよい。粗化処理が密着性を得られやすく好ましい。
【００３９】
また、直流磁界に対するシールド効果を高めることを目的として、比透磁率の高い金属層を設けることができる。比透磁率の高い金属層としてはＦｅ−Ｎｉ合金めっき、Ｎｉめっきなどが挙げられる。
【００４０】
銅箔を使用する場合、シールド性能が向上することから、純度が高いものが好ましく、純度は好ましくは９９．５質量％以上、より好ましくは９９．８質量％以上である。銅箔としては、圧延銅箔、電解銅箔、メタライズによる銅箔等を用いることができるが、屈曲性及び成形加工性に優れた圧延銅箔が好ましい。銅箔中に合金元素を添加して銅合金箔とする場合、これらの元素と不可避的不純物との合計含有量が０．５質量％未満であればよい。特に、銅箔中に、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｓｉ、及びＡｇの群から選ばれる少なくとも１種以上を合計で２００〜２０００質量ｐｐｍ含有すると、同じ厚みの純銅箔より伸びが向上するので好ましい。
【００４１】
本発明に係るシールド材に使用する金属箔の厚みは、一枚当たり４μｍ以上であることが好ましい。４μｍ未満だと金属箔の延性が著しく低下し、シールド材の成形加工性が不十分となる場合がある。また、一枚当たりの箔の厚みが４μｍ未満だと優れた電磁波シールド効果を得るために多数の金属箔を積層する必要が出てくるため、製造コストが上昇するという問題も生じる。このような観点から、金属箔の厚みは一枚当たり１０μｍ以上であることがより好ましく、１５μｍ以上であることが更により好ましく、２０μｍ以上であることが更により好ましく、２５μｍ以上であることが更により好ましく、３０μｍ以上であることが更により好ましい。一方で、一枚当たりの金属箔の厚みが１００μｍを超えても成形加工性を悪化させることから、金属箔の厚みは一枚当たり１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、４５μｍ以下であることが更により好ましく、４０μｍ以下であることが更により好ましい。
【００４２】
シールド性能を高める観点からは、シールド材を構成する金属箔を樹脂フィルムを介して複数枚積層することが好ましい。但し、金属箔の層が二枚だと、周波数が１ＭＨｚ程度の低周波領域において２５ｄＢ以上の磁界シールド特性を得るために必要な金属箔の合計厚みが大きくなってしまうし、一枚当たりの金属箔の厚みも大きくなるので成形加工性にも悪影響が出る。このため、金属箔の合計厚みを薄くしながらも優れた電磁波シールド特性を確保する観点からは、金属箔を３枚以上積層することがより好ましい。金属箔を３枚以上積層することで、金属箔の合計厚みが同じだとしても金属箔が単層の場合や２枚積層する場合に比べて、シールド効果が顕著に向上する。一方、金属箔の積層枚数は多い方が電磁波シールド特性は向上するものの、積層枚数を多くすると積層工程が増えるので製造コストの増大を招き、また、シールド向上効果も飽和する傾向にあるため、シールド材を構成する金属箔は５枚以下であるのが好ましく、４枚以下であるのがより好ましい。
【００４３】
従って、本発明に係るシールド材の一実施形態においては、金属箔の合計厚みを１５〜１５０μｍとすることができ、１００μｍ以下とすることもでき、８０μｍ以下とすることもでき、６０μｍ以下とすることもできる。
【００４４】
（樹脂フィルム）
複数枚の金属箔を樹脂フィルムを介して密着積層することにより、電磁波シールド効果を顕著に向上させることが可能となると共に、金属箔の破断が抑制されるため成形加工性が有意に向上するので、圧空成形や真空成形を利用して軽量性と優れた電磁波シールド性を兼ね備えた立体形状のシールド材を製造することが可能である。金属箔同士を直接重ねても、金属箔の合計厚みが増えることでシールド効果が向上するものの、顕著な向上効果は得られない。これは、金属箔間に樹脂フィルムが存在することで電磁波の反射回数が増えて、電磁波が減衰されることによると考えられる。また、金属箔同士を直接重ねても成形加工性の向上効果を得ることはできない。
【００４５】
樹脂フィルムとしては、金属箔とのインピーダンスの差が大きいものの方が、優れた電磁波シールド効果を得る上では好ましい。大きなインピーダンスの差を生じさせるには、樹脂フィルムの比誘電率が小さいことが必要であり、具体的には１０（２０℃の値。以下同じ。）以下であることが好ましく、５．０以下であることがより好ましく、３．５以下であることが更により好ましい。比誘電率は原理的には１．０より小さくなることはない。一般的に手に入る材料では低くても２．０程度であり、これ以上低くして１．０に近づけてもシールド効果の上昇は限られている一方、材料自体が特殊なものになり高価となる。コストと効果の兼ね合いを考えると、比誘電率は２．０以上であることが好ましく、２．２以上であることがより好ましい。
【００４６】
樹脂フィルムを構成する材料としては加工性の観点から合成樹脂が好ましい。樹脂フィルムには炭素繊維、ガラス繊維及びアラミド繊維などの繊維強化材を混入させることも可能である。合成樹脂としては、入手のしやすさや加工性の観点から、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）及びＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等のポリエステル、ポリエチレン及びポリプロピレン等のオレフィン系樹脂、ポリアミド、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリアセタール、フッ素樹脂、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリビニルアルコール、尿素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、スチレンブタジエンゴム等が挙げられ、これらの中でも加工性、コストの理由によりＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリアミド、ポリイミドが好ましい。合成樹脂はウレタンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム、スチレン系、オレフィン系、塩ビ系、ウレタン系、アミド系などのエラストマーとすることもできる。これらの中では、射出成形によく用いられ、一体化が容易なポリアミド、ポリカーボネート、ポリスチレンなどを好適に用いることができる。
【００４７】
樹脂フィルムの厚みは特に制限されないが、一枚当たりの厚みが４μｍより薄いとシールド材の（伸び）破断歪が低下する傾向にあることから、樹脂フィルムの一枚当たりの厚みは４μｍ以上であることが好ましく、７μｍ以上であることがより好ましく、１０μｍ以上であることが更により好ましく、２０μｍ以上であることが更により好ましく、４０μｍ以上であることが更により好ましく、８０μｍ以上であることが更により好ましく、１００μｍ以上であることが更により好ましい。一方、一枚当たりの厚みが６００μｍを超えてもシールド材の（伸び）破断歪が低下する傾向にある。そこで、樹脂フィルムの一枚当たりの厚みは６００μｍ以下であることが好ましく、５００μｍ以下であることがより好ましい。
【００４８】
樹脂フィルムと金属箔を密着積層する方法としては、熱圧着、超音波接合、接着剤による接合、金属箔上に溶融した樹脂を塗布、硬化させてフィルムを形成する方法等が挙げられる。これらの中では、成形加工温度領域における接着強度の安定性から、熱圧着が好ましい。熱圧着は樹脂フィルムの融点以下に加熱した上で圧力を加えて金属箔及び樹脂フィルムを密着させ、塑性変形を起こさせて接合させる方法である。超音波振動を加えながら熱圧着させるサーモニックボンディングを採用することも好適である。接着剤を介して密着積層することも可能であるが、接着剤を使用する場合、筐体を射出成形する時の熱によって軟化し、金属箔と樹脂フィルムの密着強度を低下させる可能性がある。このため、熱圧着が好ましい。熱圧着の際、樹脂フィルムと金属箔の密着性を高める観点から、電磁波シールド材を構成するすべての樹脂フィルムについて、樹脂フィルムの融点を３０℃下回る温度以上に加熱することが好ましく、融点を２０℃下回る温度以上に加熱することがより好ましく、融点を１０℃下回る温度以上に加熱することが更により好ましい。但し、必要以上に加熱すると樹脂フィルムが溶融して圧力で押し出されて厚さ均一性や物性が損なわれることから、熱圧着の際の加熱は電磁波シールド材を構成するすべての樹脂フィルムについて、樹脂フィルムの融点を２０℃上回る温度以下とすることが好ましく、樹脂フィルムの融点を１０℃上回る温度以下とすることがより好ましく、樹脂フィルムの融点以下とすることが更により好ましい。また、熱圧着の際の圧力は、樹脂フィルムと金属箔の密着性を高める観点から、０．０５ＭＰａ以上とすることが好ましく、０．１ＭＰａ以上とすることがより好ましく、０．１５ＭＰａ以上とすることが更により好ましい。但し、必要以上に加圧しても密着力は向上しないだけでなく、樹脂フィルムが変形して厚さ均一性が損なわれることから、熱圧着の際の圧力は６０ＭＰａ以下とすることが好ましく、４５ＭＰａ以下とすることがより好ましく、３０ＭＰａ以下とすることが更により好ましい。
【００４９】
（電磁波シールド材）
電磁波シールド材（単に「シールド材」ともいう。）は好ましくは二枚以上、より好ましくは三枚以上の金属箔が樹脂フィルムを介して積層された構造を有する成形体で構成することができる。また、シールド材は樹脂製筐体本体の内面及び／又は外面と接合するために、筐体との接合面を形成する層が樹脂フィルムで構成される必要がある。これらの要件を具備する電磁波シールド材の積層構造の例としては、以下が挙げられる。
（１）金属箔／樹脂フィルム／金属箔／筐体と接合する樹脂フィルム
（２）樹脂フィルム／金属箔／樹脂フィルム／金属箔／筐体と接合する樹脂フィルム
（３）金属箔／樹脂フィルム／金属箔／樹脂フィルム／金属箔／筐体と接合する樹脂フィルム
（４）樹脂フィルム／金属箔／樹脂フィルム／金属箔／樹脂フィルム／金属箔／筐体と接合する樹脂フィルム
【００５０】
（１）〜（４）においては、一つの「金属箔」は樹脂フィルムを介することなく複数の金属箔を積層して構成することができ、一つの「樹脂フィルム」も金属箔を介することなく複数の樹脂フィルムを積層して構成することができる。つまり、樹脂フィルムを介することなく積層された複数の金属箔は一枚の金属箔として捉えることができ、金属箔を介することなく積層された複数の樹脂フィルムは一枚の樹脂フィルムとして捉えることができる。また、樹脂フィルムや金属箔以外の層を設けることもできる。
【００５１】
但し、成形加工性の観点からは、電磁波シールド材を構成する各金属箔は樹脂フィルムに両面が挟まれていることが好ましい。各金属箔の両面が樹脂フィルムで挟まれていることにより、成形加工時の破断防止効果を高くすることができる。つまり、金属箔が電磁波シールド材の最外層を形成する態様や、電磁波シールド材の内層で複数の金属箔が樹脂フィルムを介することなく積層された箇所がある態様よりも、積層体の両最外層が樹脂フィルムで構成され、樹脂フィルムと金属箔が交互に一枚ずつ積層された構成が好ましい。
【００５２】
本発明に係る電磁波シールド材は一実施形態において、減肉率が１６％以上である加工でも破断なく成形することができ、好ましくは減肉率が２０％以上である加工でも破断なく成形することができ、より好ましくは減肉率が２５％以上の加工でも破断なく成形することができ、例えば減肉率が１６〜４０％、典型的には２０〜３０％の加工を行うことができる。本発明において、金属箔と樹脂フィルムの両方の破断状態はＸ線ＣＴ観察装置により成形加工後の電磁波シールド材を観察することによって評価する。
【００５３】
また、電磁波シールド材を構成する金属箔と樹脂フィルムのすべての組み合わせが、σM×ｄM×ｄR≧３×１０-3を満たすように、金属箔と樹脂フィルムを選択することが、電磁波シールド効果を顕著に高める観点から好ましい。
【００５４】
本明細書で使用する各種記号は、上記のσM、ｄM、ｄRを含めて以下のように定義される。
σM：金属箔の２０℃における導電率（Ｓ／ｍ）
ｄM：金属箔の厚み（ｍ）
ＺR：樹脂フィルムのインピーダンス（Ω）＝Ｚ0×√（１／εR）
εR：樹脂フィルムの２０℃における比誘電率
γR：伝搬定数＝ｊ×２π√（εR／λ）；ｊは虚数単位
λ：波長（ｍ）：１ＭＨｚでは３００ｍ
ｄR：樹脂フィルムの厚み（ｍ）
Ｚ0：真空のインピーダンス＝３７７Ω
【００５５】
シールド特性は、入射波の電界をＥxi、磁界をＨxiとし、透過波の電界をＥxt、磁界をＨxtとすると、四端子行列を用いて以下の関係で表すことができる。
【数１】
2017183675.tif 000003
【００５６】
この場合、シールド効果（ＳＥ）は、シェルクノフの式を用いると次式で表現することができる。
【数２】
2017183675.tif 000004
【００５７】
金属箔をシールド材の構成要素として用いたときは、ａ＝１、ｂ＝０、ｃ＝σM×ｄM、ｄ＝１とすることができる。これを式１に代入すると次式のようになる。
【数３】
2017183675.tif 000005
【００５８】
樹脂フィルムをシールド材の構成要素として用いたときは、ａ＝１、ｂ＝ＺR×γR×ｄR、ｃ＝γR×ｄR／ＺR、ｄ＝１とすることができる。これを式１に代入すると次式のようになる。
【数４】
2017183675.tif 000006
【００５９】
更に、樹脂フィルム及び金属箔を積層したときのシールド特性は各層に対応する四端子行列の積で理論的には求められる。例えば、金属（Ｍ１）／樹脂（Ｒ１）／金属（Ｍ２）の積層構造でシールド材を構成したときの入射波と透過波は以下の式で表すことができる。
【数５】
2017183675.tif 000007
【００６０】
また、金属（Ｍ１）／樹脂（Ｒ１）／金属（Ｍ２）／樹脂（Ｒ２）／金属（Ｍ３）の積層構造でシールド材を構成したときの入射波と透過波は以下の式で表すことができる。
【数６】
2017183675.tif 000008
【００６１】
これを展開すると、次式が得られる。
【数７】
2017183675.tif 000009
ここで、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは以下である。
Ａ＝１＋ＺR1γR1ｄR1σM2ｄM2＋ＺR2γR2ｄR2σM3ｄM3＋ＺR1γR1ｄR1σM3ｄM3＋ＺR1γR1ｄR1ＺR2γR2ｄR2σM2ｄM2σM3ｄM3
Ｂ＝ＺR2γR2ｄR2＋ＺR1γR1ｄR1ＺR2γR2ｄR2σM2ｄM2＋ＺR1γR1ｄR1
Ｃ＝σM1ｄM1＋σM2ｄM2＋σM3ｄM3＋γR1ｄR1／ＺR1＋γR2ｄR2／ＺR2＋ＺR1γR1ｄR1σM1ｄM1＋ＺR1γR1ｄR1σM1ｄM1σM3ｄM3＋ＺR1γR1ｄR1ＺR2γR2ｄR2σM1ｄM1σM2ｄM2σM3ｄM3＋ＺR2γR2ｄR2σM2ｄM2σM3ｄM3＋ＺR2γR2ｄR2σM3ｄM3γR1ｄR1／ＺR1
Ｄ＝ＺR2γR2ｄR2σM1ｄM1＋ＺR2γR2ｄR2σM1ｄM1σM2ｄM2＋ＺR2γR2ｄR2σM2ｄM2＋ＺR1γR1ｄR1σM1ｄM1＋ＺR2γR2ｄR2γR1ｄR1／ＺR1
【００６２】
以上の例示から、金属箔と樹脂フィルムの積層体におけるシールド効果は、使用する金属箔と樹脂フィルムのすべての組み合わせについてのσM×ｄM×ＺR×γR×ｄRを大きくすることで、向上可能であることが理論的に理解できる。しかしながら、例えば“畠山賢一著、「初めて学ぶ電磁遮へい講座」科学情報出版（２０１３年）、５６頁”に記載されているように、従来は（ＺR×γR×ｄR）は低周波領域では極めて小さく０に近似されるとしていたため、この考え方に従えばσM×ｄM×ＺR×γR×ｄRも０として近似されるパラメータであった。これに対して本発明者は、適切な金属箔と樹脂フィルムを組み合わせｄR、σM及びｄMを調整することでσM×ｄM×ＺR×γR×ｄRは０には近似できない程度の大きな値となり、低周波領域においても有意な影響を与えることが分かった。
【００６３】
本発明者は金属箔と樹脂フィルムの積層体におけるシールド効果の実験を繰り返す中で、１ＭＨｚ程度の低周波領域であってもσM×ｄM×ｄRが有意な影響を与えていることを見出し、電磁波シールド材を構成する金属箔と樹脂フィルムのすべての組み合わせが、σM×ｄM×ｄR≧３×１０-3を満たすように、金属箔と樹脂フィルムを選択することがシールド効果を高める上で極めて効果的であることを見出した。電磁波シールド材を構成する金属箔と樹脂フィルムのすべての組み合わせが、σM×ｄM×ｄR≧１×１０-2であることが好ましく、σM×ｄM×ｄR≧４×１０-2であることがより好ましく、σM×ｄM×ｄR≧８×１０-2であることが更により好ましく、σM×ｄM×ｄR≧１×１０-1であることが更により好ましい。
【００６４】
σM×ｄM×ｄRには特段の上限は設定されないが、厚みや使用する材料との兼ね合いから、電磁波シールド材を構成する金属箔と樹脂フィルムのすべての組み合わせについて、通常はσM×ｄM×ｄR≦１０であり、典型的にはσM×ｄM×ｄR≦１である。
【００６５】
本発明に係る電磁波シールド材の一実施形態においては、電磁波シールド材の全体厚みを５０〜１５００μｍとすることができ、１０００μｍ以下とすることもでき、６００μｍ以下とすることもでき、４００μｍ以下とすることもでき、３００μｍ以下とすることもでき、２５０μｍ以下とすることもできる。
【００６６】
本発明に係る電磁波シールド材の一実施形態によれば、１ＭＨｚにおいて２５ｄＢ以上の磁界シールド特性（受信側でどれだけ信号が減衰したか）をもつことができ、好ましくは３０ｄＢ以上の磁界シールド特性をもつことができ、より好ましくは４０ｄＢ以上の磁界シールド特性をもつことができ、更により好ましくは５０ｄＢ以上の磁界シールド特性をもつことができ、更により好ましくは６０ｄＢ以上の磁界シールド特性をもつことができ、例えば３６〜９０ｄＢの磁界シールド特性をもつことができる。本発明においては、磁界シールド特性はＫＥＣ法によって測定することとする。ＫＥＣ法とは、関西電子工業振興センターにおける「電磁波シールド特性測定法」を指す。
【００６７】
（電磁波シールド筐体）
本発明に係る電磁波シールド筐体はフィルムインサート成形やインモールド成形によって製造可能である。本発明においては、軽量化の観点から筐体本体を構成する材料を樹脂材料で構成しており、筐体本体に電磁波シールド材を接合する必要がある。筐体本体に使用する樹脂は、強度確保の観点から、相当の厚みが必要であり、圧空成形や真空成形することは困難である。
【００６８】
筐体本体を構成する樹脂は、筐体本体と電磁波シールド材の界面における接合強度を確保する観点から、電磁波シールド材の筐体本体との接合面を形成する樹脂フィルムと同一種類の樹脂、つまりモノマー同士を結合する部分の化学構造が共通する樹脂とすることが望ましい。例えば、筐体本体との接合面を形成する電磁波シールド材の樹脂フィルムがエステル結合によってモノマー同士を結合するポリエステル製であれば、筐体本体もポリエステル製が望ましく、筐体本体との接合面を形成する電磁波シールド材の樹脂フィルムがイミド結合によってモノマー同士を結合するポリイミド製であれば、筐体本体もポリイミド製が望ましいということであり、筐体本体との接合面を形成する電磁波シールド材の樹脂フィルムがアミド結合によってモノマー同士を結合するポリアミド製であれば、筐体本体もポリアミド製が望ましいということである。但し、炭素繊維、ガラス繊維及びアラミド繊維などの繊維強化材の異同や他の添加剤の異同は問わない。
【００６９】
更に、筐体本体を構成する材料は、電磁波シールド材の筐体との接合面を形成する樹脂フィルムと共通のモノマー単位を有するのがより好ましい。例えば、筐体本体との接合面を形成する電磁波シールド材の樹脂フィルムがＰＥＴ製であれば、筐体本体もＰＥＴ製が望ましいということである。
【００７０】
また、接合強度の観点からは、筐体本体との接合面を形成する電磁波シールド材の樹脂フィルムの融点は、筐体本体を構成する樹脂の融点に対して±２０℃以内であることが好ましく、±１０℃以内であることがより好ましく、±５℃以内であることが更により好ましい。筐体本体との接合面を形成する電磁波シールド材の樹脂フィルムの融点は、筐体本体を構成する樹脂の融点が近いことで、射出成型時に一体化しやすいという利点が得られる。
【００７１】
樹脂の融点は、示差走査熱量計によりＤＳＣ曲線を作成したときの融解による吸熱ピークを示す温度として定義する。樹脂がポリマーアロイで構成されているなど複数の吸熱ピークを示すときは熱ピークを示す温度のうち最も低温側の温度として定義する。
【００７２】
筐体本体を構成する樹脂の厚みは、筐体としての強度を確保する観点から、最も薄い箇所でも０．５ｍｍ以上であることが好ましく、０．８ｍｍ以上であることがより好ましく、１ｍｍ以上であることが更により好ましい。筐体本体を構成する樹脂の厚みの上限には特に制限はないが、軽量化、小型化の観点からは、２００ｍｍ以下であることが好ましく、１５０ｍｍ以下であることがより好ましく、１００ｍｍ以下であることが更により好ましい。
【００７３】
フィルムインサート成形を利用した本発明に係る電磁波シールド筐体の具体的な製造手順の例を図１−１を参照しながら以下に説明する。
（１．プレフォームの成形）
まず、少なくとも一枚の金属箔及び少なくとも一枚の樹脂フィルムが積層された多層構造を有し、少なくとも一方の最外層が樹脂製筐体本体と同一種類の樹脂材料からなる樹脂フィルムであるフィルム状の電磁波シールド材１１をプレフォーム用金型１２にセットして（ステップ（ａ））、圧空成形又は真空成形することにより（ステップ（ｂ））、立体形状にプレフォームされた電磁波シールド材１３を得る（ステップ（ｃ））。
【００７４】
圧空成形又は真空成形は、電磁波シールド材を変形しやすくし、金型への追従性を良好にするために電磁波シールド材を構成するすべての樹脂フィルムについて、樹脂フィルムの熱変形温度を２０℃下回る温度以上の温度に加熱した状態で実施することが好ましく、樹脂フィルムの熱変形温度を１０℃下回る温度以上に加熱した状態で実施することがより好ましく、樹脂フィルムの熱変形温度以上に加熱した状態で実施することが更により好ましい。一方、温度が高すぎると樹脂フィルムの強度が低下しすぎて金属箔を保持しにくくなり、金属箔が破断しやすくなるため、電磁波シールド材を構成するすべての樹脂フィルムについて、樹脂フィルムの融点を１０℃下回る温度以下に加熱した状態で実施することが好ましく、樹脂フィルムの融点を１５℃下回る温度以下に加熱した状態で実施することがより好ましく、樹脂フィルムの融点を２０℃下回る温度以下に加熱した状態で実施することが更により好ましい。
【００７５】
ここで、樹脂の熱変形温度（荷重たわみ温度）はＪＩＳ  Ｋ７１９１−２００７によって規定された温度である。ヒートディストーションテスターにより支点間距離６４ｍｍの試料台に８０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ４ｍｍの試料を配置し、１８．６ｋｇ／ｃｍ2の曲げ荷重を加え、２℃／ｍｉｎで昇温したとき、樹脂フィルムのたわみが０．３４ｍｍとなったときの温度として定義する。
【００７６】
（２．射出成形）
次いで、プレフォームされた電磁波シールド材１３を、該電磁波シールド材１３の立体形状に合致したキャビティ面を有する射出成形用金型１４に導入し（ステップ（ｄ））、樹脂製筐体本体と同一種類の樹脂材料からなる前記樹脂フィルムがキャビティ内で露出するように嵌め込んだ状態で、射出成形用金型のキャビティに筐体用の溶融樹脂を射出し、冷却固化することにより、プレフォームされた電磁波シールド材と筐体を一体化し（ステップ（ｅ））、一体成形品を金型から取り出す（ステップ（ｆ））。
【００７７】
溶融樹脂を射出する際は、溶融樹脂の流動性を向上させるために、射出される樹脂の温度を当該樹脂の融点以上とすることが好ましく、融点を５℃超える温度以上とすることがより好ましく、融点を１０℃超える温度以上とすることが更により好ましい。また、溶融樹脂を射出する際は、当該樹脂の熱による変質を防ぎ、品質を安定化させるため、射出される樹脂の温度をその融点を３００℃超える温度以下とすることが好ましく、融点を２５０℃超える温度以下とすることがより好ましく、融点を２００℃超える温度以下とすることが更により好ましい。
【００７８】
溶融樹脂を射出する際は、ボイド等の内部欠陥を防止するために、射出圧力を２０ＭＰａ以上とすることが好ましく、２５ＭＰａ以上とすることがより好ましく、３０ＭＰａ以上とすることが更により好ましい。圧力を高くしすぎるとバリが発生しやすくなるため、射出圧力は４００ＭＰａ以下とすることが好ましく、３５０ＭＰａ以下とすることがより好ましく、３００ＭＰａ以下とすることが更により好ましい。なお、射出圧力は金型内に射出された樹脂にかかる圧力を指す。
【００７９】
次にインモールド成形を利用した本発明に係る電磁波シールド筐体の具体的な製造手順の例を図１−２を参照しながら以下に説明する。
（１．予備成形）
まず、少なくとも一枚の金属箔及び少なくとも一枚の樹脂フィルムが積層された多層構造を有し、少なくとも一方の最外層が樹脂製筐体本体と同一種類の樹脂材料からなる樹脂フィルムであるフィルム状の電磁波シールド材２１を射出成形用金型２２の第一金型２２ａと第二金型２２ｂの間にセットする（ステップ（ａ’））。この際、樹脂製筐体本体と同一種類の樹脂材料からなる前記樹脂フィルムが第二金型２２ｂに設置された溶融樹脂の射出口２３と向き合うように、電磁波シールド材２１をセットする。次いで、両金型を射出成形時の位置まで移動させる（ステップ（ｂ’））。第一金型２２ａは電磁波シールド材２１の立体形状を画定するための凹凸を有しており、ステップ（ｂ’）により電磁波シールド材２１は、第一金型２２ａの細かな凹凸には追従しないものの、大まかに射出成形品の第一金型２２ａに沿って予備成形される。
【００８０】
（２．本成形）
次に、第二金型２２ｂに設けられた射出口２３から筐体用の溶融樹脂を射出し、その射出圧力により電磁波シールド材２１を第一金型２２ａの細かな凹凸に追従させて本成形する。溶融樹脂を金型２２内で冷却固化することにより、本成形された電磁波シールド材と筐体を一体化する（ステップ（ｃ’））。その後、一体成形品２５を射出成形用金型２２から取り出す（ステップ（ｄ’））。
【００８１】
溶融樹脂を射出する際は、溶融樹脂の流動性を向上させるために、射出される樹脂の温度を当該樹脂の融点以上とすることが好ましく、融点を５℃超える温度以上とすることがより好ましく、融点を１０℃超える温度以上とすることが更により好ましい。また、溶融樹脂を射出する際は、当該樹脂の熱による変質を防ぎ、品質を安定化させるため、射出される樹脂の温度をその融点を３００℃超える温度以下とすることが好ましく、融点を２５０℃超える温度以下とすることがより好ましく、融点を２００℃超える温度以下とすることが更により好ましい。
【００８２】
溶融樹脂を射出する際は、ボイド等の内部欠陥を防止するために、射出圧力を２０ＭＰａ以上とすることが好ましく、２５ＭＰａ以上とすることがより好ましく、３０ＭＰａ以上とすることが更により好ましい。圧力を高くしすぎるとバリが発生しやすくなるため、射出圧力は４００ＭＰａ以下とすることが好ましく、３５０ＭＰａ以下とすることがより好ましく、３００ＭＰａ以下とすることが更により好ましい。なお、射出圧力は金型内に射出された樹脂にかかる圧力を指す。
【００８３】
フィルムインサート成形又はインモールド成形によって得られた一体成形品は電磁波シールド筐体の一部、例えば下半部を構成することができる。必要に応じて、残部、例えば上半部を構成する一体成形品を同様の手順により成形し、両者を連結することにより電磁波シールド筐体を作製することができる。
【００８４】
本発明に係る電磁波シールド筐体は、特に電気・電子機器（例えば、インバータ、通信機、共振器、電子管・放電ランプ、電気加熱機器、電動機、発電機、電子部品、印刷回路、医療機器等）を収容することができ、電気・電子機器から放出される電磁波を遮断する用途に適用可能である。
【実施例】
【００８５】
以下に本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらは本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
【００８６】
＜試験例１：フィルムインサート成形の適用可能性評価＞
（実施例１−１〜１−４＞
金属箔及び樹脂フィルムとして以下の材料を準備した。
Ｃｕ：圧延銅箔（２０℃での導電率：５８．０×１０6Ｓ／ｍ、厚み：表１参照）
Ａｌ：アルミ箔（２０℃での導電率：３９．６×１０6Ｓ／ｍ、厚み：表１参照）
ＰＡ：ポリアミドフィルム（ナイロン６、２０℃での比誘電率：３．７、熱変形温度：７５℃、融点：３００℃、厚み：表１参照）
これらの金属箔及び樹脂フィルムを表１に記載の積層順に重ねた上で、接着剤を使用することなく、圧力６ＭＰａで２９５℃×３０分の熱圧着を行い、金属箔及び樹脂フィルムが密着積層してなる電磁波シールド材を得た。
＜比較例１−１〜１−３＞
また、比較用に以下の電磁波シールド材を準備した。
銅板：２０℃での導電率：５８．０×１０6Ｓ／ｍ、厚み：表１参照
アルミ板：２０℃での導電率：３９．６×１０6Ｓ／ｍ、厚み：表１参照
なお、導電率はＪＩＳ  Ｃ２５２５：１９９９のダブルブリッジ法で測定した。比誘電率はＪＩＳ  Ｃ  ２１５１：２００６に記載のＢ法により測定した。樹脂フィルムの融点は示差走査熱量計（ＮＥＴＺＳＣＨ社製ＤＳＣ−３１００ＳＡ）により先述した基準で測定した。樹脂フィルムの熱変形温度はヒートディストーションテスター（東洋精機製作所製３Ｍ−２）により先述した基準で測定した。
【００８７】
（磁界シールド効果）
上記の電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、２５℃の条件下で、ＫＥＣ法により２００ｋＨｚにおける磁界シールド効果を評価した。結果を表１に示す。磁界シールド効果が２５ｄＢ以上であった場合を◎、２３ｄＢ以上２５ｄＢ未満であった場合を○、２３ｄＢ未満であった場合を×とした。
【００８８】
（成形試験）
圧空成形試験機（北口精機社製、特注品）により、半径３０ｍｍの半球を作る金型にて、金型温度１５０℃、圧力１ＭＰａの条件で９０ｍｍ×９０ｍｍに切り出した各電磁波シールド材に対して成形試験を行った。成形品は、実施例１−１〜１−４では半球の外周面側が厚み５０μｍのポリアミドフィルム（表１中の最も右側のＰＡ）となるように作製した。成形試験の途中で電磁波シールド材が割れてしまう場合を×、割れない場合を○とした。成形試験後の樹脂フィルム及び金属箔の厚みを断面観察よって測定した。割れの有無は最外層を構成する両面の樹脂フィルムのみならず、Ｘ線ＣＴ（東芝ＩＴコントロールシステム製マイクロＣＴスキャナ、ＴＯＳＣＡＮＥＲ３２２５１μｈｄ、管電流１２０μＡ、管電圧８０ｋＶ）で電磁波シールド材内部の樹脂フィルム及び金属箔を観察することにより確認した。また、上記試験により得られた成形品の深さが４０ｍｍ以上であった場合を○、４０ｍｍ未満であった場合を×とした。優れた柔軟性及び延性を有していれば、上記の圧力で４０ｍｍ以上の深さの成形品が成形可能である。結果を表１に示す。
【００８９】
（接合試験）
電磁波シールド材と、樹脂製筐体本体の接合強度を評価するための試験を以下の手順で実施した。上記の成形試験にて得られた半球状成形品の外周面に厚み５ｍｍのポリアミド製樹脂（ナイロン６、２０℃での比誘電率：３．７、融点：３００℃熱変形温度：７５℃）を射出成形（射出温度３２０℃、射出圧力１２０ＭＰａ）し、半球状成形品とポリアミド樹脂の一体成形品を得た。得られた一体成形品に対してＪＩＳ  Ｚ０２３７−２００９に規定された１８０度剥離試験を実施することにより、半球状成形品とポリアミド樹脂の間の接合強度を測定した。接合強度は２０Ｎ／２５ｍｍ以上の場合を○、１Ｎ／２５ｍｍ以上２０Ｎ／２５ｍｍ未満の場合を△、１Ｎ／２５ｍｍ未満の場合を×とした。但し、実施例１−４については、ＡＢＳ樹脂（２０℃での比誘電率：３．０、融点：１１０℃）を射出成形（射出温度２５０℃、射出圧力１００ＭＰａ）し、半球状成形品とＡＢＳ樹脂の一体成形品を得た。結果を表１に示す。
【００９０】
【表１】
2017183675.tif 000010
【００９１】
＜試験例２：単層での磁界シールド効果の調査＞
種々の金属について、単層での磁界シールド効果を調査した。使用した金属材料は下記の通りである。
（１）圧延銅箔（厚み：２８０μｍ）
（２）圧延銅箔（厚み：１５０μｍ）
（３）Ｚｎめっき鋼鈑（厚み：２７０μｍ）
（４）ケイ素鋼鈑（厚み：３３０μｍ）
（５）ＳＵＳ３０４（厚み：３３０μｍ）
（６）ＳＵＳ４３０（厚み：１５０μｍ）
（７）アルミニウム（厚み：３００μｍ）
用意した金属材料を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、室温（２５℃）条件下で、ＫＥＣ法により磁界シールド効果を評価した。この際、周波数を０．１ＭＨｚから１０００ＭＨｚまで変化させて、周波数の変化に対する磁界シールド効果の推移を調査した。
【００９２】
結果を図２に示す。同じ厚みであれば鉄系材料よりも導電性の高い銅が高いシールド効果を与えることが分かる。また、同一材料であれば厚みが大きい方がシールド効果が高まることが分かる。これらの材料のうちで、１ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの全領域において３６ｄＢ以上の磁界シールド特性を達成することができたのは厚みが２８０μｍの圧延銅箔と厚みが３００μｍのアルミニウムのみであった。これらの結果から分かるように、金属材料単独で優れた磁界シールド効果を得るには厚みをかなり大きくする必要がある。このように厚い金属箔では成形加工性が劣り、重量も重くなるため、実用性が高いとは言えない。
【００９３】
＜試験例３：金属箔の積層枚数と磁界シールド効果との関係＞
樹脂フィルムとして厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（２５℃で比誘電率：３．２）を用い、金属箔として厚み１７μｍ、３３μｍ又は６８μｍの圧延銅箔（２０℃で導電率：５８．０×１０6Ω・ｍ）、及び、厚み３０μｍ又は６０μｍのアルミ箔（２０℃で導電率：３９．６×１０6Ω・ｍ）を用い、図３〜５の（ａ）〜（ｍ）に示す積層構造をもつ電磁波シールド材をそれぞれ作製した。導電率は銅箔、アルミ箔ともにＪＩＳ  Ｃ２５２５：１９９９のダブルブリッジ法で測定した。金属箔とＰＥＴフィルムの積層を接着剤を介して行った界面については、図３〜図５中、“接着剤”と表示してある。接着剤はロックペイント社製アドロックＲＵ−８０／Ｈ−５のウレタン系接着剤を使用し、厚みを３μｍ程度とした。接着剤との表記がない界面については銅箔とＰＥＴフィルムが単に積層されているだけである。各電磁波シールド材に対して、磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例２と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【００９４】
結果を図６〜９に示す。金属箔を重ねると、ＰＥＴフィルムが金属箔間に積層されるか否かにかかわらず、磁界シールド効果は向上することが分かる。そして、ＰＥＴフィルムが金属箔間に積層されることで磁界シールド効果は顕著に向上することが分かる。また、図７で（ｇ）と（ｆ）を比較することにより、ＰＥＴフィルムを介して積層する場合には銅箔の合計厚みが小さくても、磁界シールド効果が高くなることが分かる。また、図８で（ｂ）と（ｆ）を比較すると、（ｂ）は銅箔３枚の積層構造（銅箔の合計厚み５１μｍ）であるのに対して、（ｆ）は銅箔２枚の積層構造（銅箔の合計厚みは６６μｍ）であるため、銅箔の合計厚みは（ｆ）の方が大きいにもかかわらず、（ｂ）の方が優れた磁界シールド効果を示した。また、図８で（ｂ）と（ｅ）を比較すると、両者は共に銅箔３枚の積層構造であるが、高周波領域においてはほとんど同じシールド効果を示す一方で、低周波領域においては各銅箔の厚みが大きい（ｅ）の磁界シールド効果が優れていた。図９から、アルミ箔においても同様にＰＥＴフィルムを介して３枚以上積層することによる磁界シールド効果が確認できる。
【００９５】
（ａ）〜（ｍ）の試験例について１ＭＨｚにおける磁界シールド特性を表２に示す。試験例３において、１ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの全領域において３６ｄＢ以上の磁界シールド特性を達成することができたのは（ａ）、（ｂ）、（ｅ）、（ｉ）、（ｊ）、及び（ｋ）であった。そして、（ａ）は銅箔の合計厚みがわずか６８μｍであり、試験例２で当該特性を達成した２８０μｍの銅箔の１／４程度の厚みしかない。（ｊ）はアルミ箔の合計厚みがわずか９０μｍであり、試験例２で当該特性を達成した３００μｍのアルミ箔の３／１０しかない。ＰＥＴの重量を考慮しても、大幅な軽量化が可能となることが分かる。（ｉ）及び（ｋ）でも目標とする特性を達成できているが、金属箔の一枚当たりの厚みが大きすぎて加工性が確保できない。
【００９６】
【表２】
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【００９７】
＜試験例４：σM×ｄM×ｄRが磁界シールド効果に与える影響の検証＞
表３に記載の各金属箔及び絶縁フィルムを準備して、試験例４−１〜４−２４の電磁波シールド材を作製した。表３に記載の各記号は以下を示す。
Ｃｕ：圧延銅箔（２０℃での導電率：５８．０×１０6Ｓ／ｍ）
Ａｌ：アルミ箔（２０℃での導電率：３９．６×１０6Ｓ／ｍ）
電解Ｃｕ：電解銅箔（２０℃での導電率：５６．０×１０6Ｓ／ｍ）
Ｎｉ：ニッケル箔（２０℃での導電率：１４．５×１０6Ｓ／ｍ）
Ｆｅ：軟鉄箔（２０℃での導電率：９．９×１０6Ｓ／ｍ）
ｓｕｓ：ステンレス箔（２０℃での導電率：１．４×１０6Ｓ／ｍ）
ＰＩ：ポリイミドフィルム（２０℃での比誘電率：３．５）
ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレートフィルム（２０℃での比誘電率：３．０）
ＰＴＦＥ：ポリテトラフルオロエチレンフィルム（２０℃での比誘電率：２．１）
ＰＡ：ポリアミドフィルム（２０℃での比誘電率：６．０）
空隙：金属箔同士を空気で隔てた（２０℃での比誘電率：１．０）
【００９８】
（試験例４−１〜４−２：金属箔一枚の磁界シールド効果）
圧延銅箔（厚み：１５０μｍ）及びアルミ箔（厚み：３００μｍ）について、単層での磁界シールド効果を調査した。用意した金属材料を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、周波数を１ＭＨｚとし、２０℃の条件下で、ＫＥＣ法により磁界シールド効果を評価した。
【００９９】
（試験例４−３：金属箔３枚を積層したときの磁界シールド効果）
圧延銅箔（厚み：３３μｍ）を３枚用意し、これを接着剤を介することなく単純に積層し、磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１００】
（試験例４−４：金属箔２枚を樹脂フィルムを介して積層したときの磁界シールド効果）
樹脂フィルムとして厚さ２５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み７μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１０１】
（試験例４−５：金属箔２枚を樹脂フィルムを介して積層したときの磁界シールド効果）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み８μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１０２】
（試験例４−６：金属箔２枚を空気層を介して設置したときの磁界シールド効果）
樹脂フィルムとして空気を用い、金属箔として厚み６μｍ及び３０μｍのアルミ箔を用い、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この例において、２枚のアルミ箔は中央部に正方形状の大きな開口部を有する銅板を挟んで空気中で５０μｍの間隔で平行に配置した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１０３】
（試験例４−７：金属箔３枚を樹脂フィルムを介して積層したときの磁界シールド効果：σM×ｄM×ｄR＜３×１０-3）
樹脂フィルムとして厚さ９μｍのポリイミド（ＰＩ）フィルムを用い、金属箔として厚み６μｍのアルミ箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１０４】
（試験例４−８）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリイミド（ＰＩ）フィルムを用い、金属箔として厚み１７μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１０５】
（試験例４−９）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み２０μｍのアルミ箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１０６】
（試験例４−１０）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み３０μｍの電解銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１０７】
（試験例４−１１）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み５０μｍのニッケル箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１０８】
（試験例４−１２）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み５０μｍの軟鉄箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１０９】
（試験例４−１３）
樹脂フィルムとして厚さ５００μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルムを用い、金属箔として厚み５０μｍのステンレス箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１１０】
（試験例４−１４）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み６μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１１１】
（試験例４−１５）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み１７μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１１２】
（試験例４−１６）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み３３μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１１３】
（試験例４−１７）
樹脂フィルムとして厚さ９μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み７μｍ及び３３μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１１４】
（試験例４−１８）
樹脂フィルムとして厚さ５００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み１７μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１１５】
（試験例４−１９）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルムを用い、金属箔として厚み１７μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１１６】
（試験例４−２０）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリアミド（ＰＡ）フィルムを用い、金属箔として厚み１７μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１１７】
（試験例４−２１）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み３３μｍの圧延銅箔と厚み３０μｍのニッケル箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１１８】
（試験例４−２２）
樹脂フィルムとして厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み１２μｍの圧延銅箔と厚み１７μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１１９】
（試験例４−２３）
樹脂フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み１２μｍの圧延銅箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１２０】
（試験例４−２４）
樹脂フィルムとして厚さ９μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、金属箔として厚み２０μｍのアルミ箔を用い、接着剤を使用せずに単に積層することで、表３に記載の積層構造をもつ電磁波シールド材を作製した。この電磁波シールド材を磁界シールド効果評価装置（テクノサイエンスジャパン社  型式ＴＳＥＳ−ＫＥＣ）に設置して、試験例４−１と同様の方法で磁界シールド効果を評価した。
【０１２１】
なお、上記の評価において、金属箔の導電率はＪＩＳ  Ｃ２５２５：１９９９のダブルブリッチ法で測定した。比誘電率はＪＩＳ  Ｃ  ２１５１：２００６に記載のＢ法により測定した。
【０１２２】
結果を表３に示す。表３中の「最小σMｄMｄR」は、各試験例において、使用した金属箔と樹脂フィルムのすべての組み合わせのうち、σM×ｄM×ｄRが最も小さくなる金属箔と樹脂フィルムの組み合わせについての値である。試験例４−１及び４−２の結果から理解できるように、金属箔一枚では１００μｍを超える厚みに設定しても、シールド効果が３１〜３３ｄＢ程度しか得られない。試験例４−３の結果から理解できるように、金属箔のみを積層してもシールド効果の有意な向上は認められない。試験例４−４〜４−６の結果から理解できるように、金属箔２枚を樹脂フィルムを介して積層しても同様である。また、試験例４−７の結果から金属箔３枚を樹脂フィルムを介して積層した場合でも、σM×ｄM×ｄRが不十分だとシールド効果の向上は限定的であることが分かる。
【０１２３】
一方、金属箔３枚を樹脂フィルムを介して積層し、且つ、金属箔と樹脂フィルムのすべての組み合わせについてσM×ｄM×ｄRが３×１０-3以上である試験例４−８〜４−２４においては、シールド効果が顕著に優れていることが理解できる。例えば、銅箔一枚では３１．１ｄＢのシールド効果を得るのに１５０μｍもの厚みが必要であった試験例４−１に対して、試験例４−８ではその約１／３の厚みの銅箔しか用いていないにもかかわらず、約２６ｄＢもシールド効果が向上している。また、アルミ箔一枚では３３．１ｄＢのシールド効果を得るのに３００μｍもの厚みが必要であった試験例４−２に対して、試験例４−９ではその１／５の厚みのアルミ箔しか用いていないにもかかわらず、約１９ｄＢもシールド効果が向上している。
【０１２４】
また、金属箔と樹脂フィルムの組み合わせにおける最小σMｄMｄRが高いほうが、金属箔の総厚みを小さくしながら高いシールド効果が得られることも理解できる。例えば、試験例４−１８〜４−２０はすべて銅箔の総厚みが５１μｍであるが、最小σMｄMｄRの違いによってシールド効果に大きな差が生じていることが分かる。
【０１２５】
【表３】
2017183675.tif 000012
【符号の説明】
【０１２６】
１１    電磁波シールド材
１２    プレフォーム用金型
１３    電磁波シールド材
１４    射出成形用金型
１５    一体成形品
２１    電磁波シールド材
２２    射出成形用金型
２２ａ  第一金型（上金型）
２２ｂ  第二金型（下金型）
２３    射出口
２５    一体成形品
【図１−１】
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【図１−２】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2017183675.tif 000018
【図６】
2017183675.tif 000019
【図７】
2017183675.tif 000020
【図８】
2017183675.tif 000021
【図９】
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