(57)【要約】【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタや、ポリシリコン膜を用いたトランジスタや、アモルファスシリコン膜などを用いたトランジスタや、有機半導体膜を用いたトランジスタや、発光素子や受動素子を光や熱を用いてガラス基板から剥離する技術を開示する。【解決手段】透光性を有する基板上に酸化物層を形成し、酸化物層上に金属層を選択的に形成し、金属層上に樹脂層を形成し、樹脂層上に素子層を形成し、素子層上に可撓性フィルムを固定し、透光性を有する基板を通過させて樹脂層及び金属層に光を照射し、透光性を有する基板を分離させて、金属層の下面を露出させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に金属層を選択的に形成し、
前記金属層上に樹脂層を形成し、
前記樹脂層上に素子層を形成し、
前記素子層上に可撓性フィルムを固定し、
前記透光性を有する基板を通過させて前記樹脂層及び前記金属層に光を照射し、
前記透光性を有する基板を分離させて、前記金属層の下面を露出させる半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記光はレーザー光源からの光である半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記素子層に含まれる少なくとも１つの電極は、前記樹脂層に形成された開口を介して前記金属層の上面と電気的に接続する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記金属層は、タングステン、モリブデン、クロム、銅、銀、金、ニッケルのいずれか一を含む半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記酸化物層は、シリコンを含む半導体装置の作製方法。
【請求項６】
透光性を有する基板上に樹脂層を形成し、
前記樹脂層上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層上にフィルムを貼りつけ、
基板の側面処理または基板の切断処理を行った後、光を照射し、
前記基板の側面処理または前記基板の切断処理を行った基板の側面から剥離を生じさせて基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記光は、レーザー光源からの光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、前記透光性を有する基板と前記樹脂層との間に金属層と、前記金属層に接する酸化物層を有する半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第１の部材と第２の部材で構成される加工部材を分離する機能を有する剥離装置であって、
支持体供給ユニットと、
支持体保持ユニットと、
方向転換機構と、
基板の側面処理ユニットと、
光照射ユニットと、
基板分離ユニットと、を有し、
前記基板分離ユニットは、前記加工部材を前記第１の部材と前記第２の部材とに分離する機能を有し、
前記方向転換機構は、前記支持体の送り方向を変える機能を有する剥離装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記光照射ユニットはレーザー光源を有する剥離装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、前記光照射ユニットはフラッシュランプ光源を有する剥離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置及びその作製方法に関する。また、本発明の一態様は、剥離装置及び積層体の作製装置に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【０００３】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。そのため、より具体的に本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサなど）、出力装置、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００４】
近年、頭部に装着する表示装置（ヘッドマウントディスプレイや、眼鏡型）など人体に装着して使用される表示装置が提案され、ウェアラブルディスプレイと呼ばれている。また、時計型（リストバンド型とも呼ぶ）のウェアラブル機器もあり、タブレット端末と対応させて使用されている。
【０００５】
また、ノート型のパーソナルコンピュータにはキーボードやマウスなどの入力装置が接続されている。ノート型のパーソナルコンピュータよりも携帯に適しているため、タブレット端末が普及してきている。タッチ入力ができるタブレット端末においては、タッチパネルと表示部が重ねられ、表示部の画面上に重なるタッチパネルの一部を触れることで入力操作などが行えるようになっている。
【０００６】
表示装置は様々なものが試作されているが、特に携帯機器への利用が注目されている。近年、ガラス基板や石英基板が多く使用されているが、割れやすく、重いという欠点がある。また、大量生産を行う上で、ガラス基板や石英基板は大型化が困難であり、不向きである。そのため、可撓性を有する基板、代表的にはフレキシブルなプラスチックフィルムの上にトランジスタを形成することが試みられている。プラスチックフィルムの上にトランジスタを形成する場合、プラスチックフィルムの耐熱温度以上の加熱ができないプロセスに限定される。
【０００７】
そこで、ガラス基板上に形成した素子を基板から剥離し、他の基材、例えばプラスチックフィルムなどに転写する技術が提案されている。
【０００８】
特許文献１には、金属層を用いた剥離および転写技術が提案されている。特許文献１には、基板に金属層（Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ）を形成し、その上に酸化物層を積層形成する際、該金属層の酸化金属層を金属層と酸化物層との界面に形成し、この酸化金属層を利用して後の工程で剥離を行う技術が記載されている。
【０００９】
また、基板周縁の金属層を選択的にエッチングし、残った金属層にレーザー光を照射し、酸化金属層を形成することで剥離を行う技術が特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】国際公開番号ＷＯ２００４／０４０６４８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
プラスチックフィルムのような可撓性フィルムを用いた装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板などの作製基板上に薄膜トランジスタや有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）素子などの機能素子を作製したのち、可撓性フィルムに該機能素子を転置する技術が開発されている。この方法では、作製基板から機能素子を含む被剥離層を剥離する工程（剥離工程とも記す）が必要である。
【００１２】
本発明は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタや、ポリシリコン膜を用いたトランジスタや、アモルファスシリコン膜などを用いたトランジスタや、有機半導体膜を用いたトランジスタや、発光素子や受動素子（センサ素子、アンテナ、抵抗素子、容量素子など）を光や熱を用いてガラス基板から剥離する技術を開示する。
【００１３】
本発明の一態様は、素子を有する可撓性表示装置、およびその作製方法に関する。
【００１４】
また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタや、アモルファスシリコン膜などを用いたトランジスタや、有機半導体膜を用いたトランジスタは、プラスチックフィルム上に直接形成することも可能であるが、ガラス基板に比べてプラスチックフィルムは柔らかいため、取り扱う製造装置も専用の製造装置とする必要がある。大量生産を行う場合、プラスチックフィルムはロールトゥロール方式で供給される製造装置となる。
【００１５】
また、従来の製造装置を用いる場合、プラスチックフィルムを仮基板、例えばガラス基板に固定して、従来の製造装置を用い、プラスチックフィルム上に半導体素子を形成した後、ガラス基板を剥離してプラスチックフィルム上に半導体素子を設ける場合もある。このように、搬送のためにガラス基板を用い、最終的にはガラス基板を分離することでフレキシブルなデバイスを得るプロセスもありうる。
【００１６】
本発明の一態様は、大面積基板の剥離が容易な剥離装置を提供することを課題の一とする。
【００１７】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一態様は、半導体素子を有する可撓性表示装置、およびその作製方法に関する。
【００１９】
本発明の一態様は、透光性を有する基板上に酸化物層を形成し、酸化物層上に金属層を選択的に形成し、金属層上に樹脂層を形成し、樹脂層上に素子層を形成し、素子層上に可撓性フィルムを固定し、透光性を有する基板を通過させて樹脂層及び金属層に光を照射し、透光性を有する基板を分離させて、金属層の下面を露出させる半導体装置の作製方法である。
【００２０】
上記作製方法において、透光性を有する基板は、後に照射する光を透過する材料であれば特に限定されず、例えばガラス基板や石英基板を用いる。また、透光性を有する基板は、後の工程で分離するため、再利用も可能である。
【００２１】
上記作製方法において酸化物層は、シリコンを含む絶縁層、例えば、酸化シリコン膜や、酸化窒化シリコン膜を用いることができる。また、酸化物層として酸化物半導体膜、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物膜（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）、例えばＩＧＺＯ膜（Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む金属酸化膜）を用いることもできる。Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む金属酸化膜はウエットエッチングにより除去することが容易であるため、ガラス基板の分離後に除去することができる。また、露出される金属層の表面保護層として搬送時に用い、外部端子との接続などを行う直前に除去する構成としてもよい。
【００２２】
上記作製方法において金属層は、タングステン、モリブデン、クロム、銅、銀、金、ニッケル、またはそれらの合金（例えば窒化タングステン）などを用いればよく、ＣＶＤ法やスパッタ法で成膜すればよい。金属層は露出させて外部端子と接続させるため、酸化しにくい材料または酸化しても導通のとれる材料が好ましい。
【００２３】
上記作製方法において光は、レーザー光源からの光を用いる。レーザー光源としては、ＸｅＣｌエキシマレーザー（λ＝３０８ｎｍ）や、紫外レーザー（λ＝３５５ｎｍ）を用いることができる。レーザー光を用いる場合、レーザー光源を複数用い、レンズを含む光学系により照射領域を矩形または線状として大面積の基板に照射することが工程時間短縮のため好ましい。レーザー光に代えてフラッシュランプ光を用いてもよく、ランプを用いる場合には大面積の基板の広い領域への光の照射が短時間で可能であるため有用である。
【００２４】
上記作製方法によって、素子層の電極と電気的に接続された金属層を露出させた薄膜デバイスが提供できる。この金属層は、ＦＰＣなどの外部端子と接続する端子電極として用いることができる。
【００２５】
従来の剥離方法においては、分離された露出面に電極を露出させる方法がほとんどなかったため、外部端子を接続させる部分において不都合が多かった。例えば、ガラス基板上に剥離層を形成し、剥離層上に素子を形成し、端子電極を形成した後にガラス基板を剥離しようとすると、固定するフィルム基板を端子電極上にも貼ったのちに剥離することとなり、端子電極を露出させるためにフィルム基板を部分的に除去するため、工程が複雑であり、歩留まりの低下を招く恐れがあった。また、先に端子電極にＦＰＣを接続してからガラス基板を剥離しようとするとＦＰＣの接続不良が生じる恐れがあった。
【００２６】
本発明の一態様である剥離方法は、薄膜デバイスの素子形成面を上面とした場合に、下面に端子電極となる金属層を露出することができるため、ガラス基板を剥離した後にＦＰＣなどの外部端子を接続することができる。また、薄膜デバイスの素子形成面を上面とした場合に、下面に端子電極となる金属層を露出することができ、互いに重なる位置にも配置できる。具体的には駆動回路と重なる領域に端子電極を設けることができるため、トータル面積を縮小でき、薄膜デバイスの小型化を実現できる。
【００２７】
また、上記作製方法において樹脂層は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、またはポリアミドイミド樹脂から選ばれた材料を用いればよい。また、樹脂層の形成は、印刷法、液滴吐出法、コーター装置を用いた塗布法などを用いる。また、この樹脂層は、基材とみなすこともでき、素子層上に設けた可撓性フィルムに対向する第２の可撓性フィルムとみなすこともできる。
【００２８】
樹脂層を第２の可撓性フィルムとする場合には、素子への水分などの不純物の侵入をブロックするためのバリア層として無機絶縁膜と積層構造とすることが好ましい。
【００２９】
また、樹脂層の形成において形成装置によっては基板の側面に形成される恐れがある。また、側面に加えて基板の下面にまで付着される恐れもある。このような場合、基板周縁部において光照射が十分に行われず、基板周縁部が樹脂層によって固定され、剥離が困難になる恐れがある。
【００３０】
そこで、基板の分離を行う処理の前であり、且つレーザー光照射前に基板の側面処理または基板の切断処理を行って基板側面または下面に形成された樹脂層を除去することが好ましい。
【００３１】
また、基板の側面処理または基板の切断処理は、レーザー光照射後に、基板の分離を行う処理前に行って基板側面または下面に形成された樹脂層を除去してもよい。
【００３２】
本発明の一態様は、透光性を有する基板上に樹脂層を形成し、樹脂層上にバリア層を形成し、バリア層上に素子を含む層を形成し、素子を含む層上にフィルムを貼りつけ、基板の側面処理または基板の切断処理を行った後、光を照射し、基板の側面処理または基板の切断処理を行った基板の側面から剥離を生じさせて基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００３３】
また、上記作製方法を実現するための剥離装置も本発明の一態様であり、第１の部材と第２の部材で構成される加工部材を分離する機能を有する剥離装置であって、支持体供給ユニットと、支持体保持ユニットと、方向転換機構と、基板側面処理ユニットと、光照射ユニットと、基板分離ユニットと、を有し、基板分離ユニットは、加工部材を第１の部材と第２の部材とに分離する機能を有し、方向転換機構は、支持体の送り方向を変える機能を有する剥離装置である。
【００３４】
上記剥離装置において第１の部材は、ガラス基板及び酸化物層であり、第２の部材は、金属層及び樹脂層及び素子を含む層である。
【００３５】
また、上記剥離装置は、固定機構を有することが好ましい。固定機構は、第１の部材と少なくとも一部が分離した第２の部材を固定する機能を有する。
【００３６】
また、上記剥離装置は、液体供給機構を有することが好ましい。液体供給機構は、第１の部材と第２の部材の間（又は分離面）に液体（例えば水、有機溶媒など）を供給する機能を有する。
【００３７】
また、上記剥離装置は、リールを有することが好ましい。リールは、支持体供給ユニットと支持体保持ユニットの間に位置する。支持体は、一方の面にテープが貼り合わされており、リールは、テープを巻き取る機能を有する。
【００３８】
また、上記剥離装置は、複数の搬送ローラの間から光の照射を行うことで効率的な構成とすることが好ましい。この場合には、レーザー光の照射領域の幅を基板の幅に近い長さとする。
【発明の効果】
【００３９】
本明細書で開示する剥離方法は、剥離された面に端子電極を露出することができるため、表示面とは反対側に端子電極を設けることができる。本明細書で開示する剥離方法は、剥離された面に端子電極を露出することができるため、パネルの表示面をどちらの基板側から取り出すか、の自由度が上がる。また、用いる発光素子（上方射出型、或いは下方射出型）や液晶素子（透過型、或いは反射型）や電子インクや、電気泳動素子などの選択肢も増える。
【００４０】
また、本明細書で開示する剥離装置は、効率よくガラス基板を剥離してプラスチックフィルム上に半導体素子を設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一態様を示す作製工程断面図である。
【図２】本発明の一態様を示す表示モジュールの斜視図である。
【図３】本発明の一態様を示す剥離装置の斜視図である。
【図４】本発明の一態様を示す断面模式図である。
【図５】本発明の一態様を示す剥離装置の断面模式図である。
【図６】本発明の一態様を示す剥離装置の一部を示す斜視図である。
【図７】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図８】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図９】実施の形態に係る画素回路を説明する回路図。
【図１０】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図１１】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する図。
【図１２】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する図。
【図１３】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する図。
【図１４】実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する図。
【図１５】実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図。
【図１６】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。
【図１７】実施の形態に係る表示部の構成を説明するブロック図および回路図。
【図１８】実施の形態に係る電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４３】
（実施の形態１）
本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図１及び図２を用いて説明する。なお、図１は、図２中、Ａ１−Ａ２の一点鎖線で示す周辺回路１３２の断面、またはＡ３−Ａ４の一点鎖線で示す表示領域１３１の断面に相当する。
【００４４】
まず、透光性を有する基板１００（「素子形成基板」ともいう。）上に酸化物層１０１を形成する。
【００４５】
基板１００としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板などを用いることができる。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、又はソーダライムガラス基板などがある。
【００４６】
酸化物層１０１は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ガリウム、酸化チタンなどを用いる。また、これらの材料を単層又は積層して形成することができる。また、酸化物層１０１は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物膜（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）、例えばＩＧＺＯ膜（Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む金属酸化膜）を用いることもできる。後にレーザー光を照射するため、レーザー光に対して透光性を有する膜を用いることが好ましい。酸化物層１０１の膜厚は、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下で選択すればよい。
【００４７】
次いで、酸化物層１０１上に金属層１０２ａ、１０２ｂを選択的に形成する。金属膜を形成した後、金属膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、金属膜を選択的に除去して金属層１０２ａ、１０２ｂを選択的に形成する。レジストマスクの形成は、リソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
【００４８】
金属層１０２ａ、１０２ｂは、タングステン、モリブデン、クロム、銅、銀、金、ニッケルまたはそれらの合金（例えば窒化タングステン）などを用いればよく、ＣＶＤ法やスパッタ法で成膜すればよい。金属層１０２ａは露出させて外部端子と接続させるため、酸化しにくい材料または酸化しても導通のとれる材料が好ましい。本実施の形態ではタングステンを用いる。金属層１０２ａ、１０２ｂの膜厚は、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下で選択すればよい。
【００４９】
次いで、金属層１０２ａ、１０２ｂ上に樹脂層１０３を形成する。
【００５０】
樹脂層１０３は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、アラミド樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。また、これらの材料を混合または積層して用いてもよい。
【００５１】
次いで、樹脂層１０３上にバリア層１０４を形成する（図１（Ａ）参照。）。
【００５２】
バリア層１０４は、外部からの不純物元素の拡散を防止または低減することができる。バリア層１０４は、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等を、単層または多層で形成するのが好ましい。また、バリア層１０４は、樹脂層１０３からの不純物元素の拡散を防止または低減することができる。また、後の工程でトランジスタの半導体層にレーザー光を照射する場合に、下方の樹脂層１０３へ照射され、樹脂層１０３とバリア層１０４との界面で剥離が生じることを防ぐ遮光層としても機能させることができる。
【００５３】
次いで、バリア層１０４上にトランジスタ１０５、電極１０９などを含む被剥離層を形成する。トランジスタ１０５の作製方法は、公知の工程を用いればよく、特に限定されない。本実施の形態では、アモルファスシリコン膜を成膜した後、レーザー光を照射して多結晶シリコン膜を形成し、その多結晶シリコン膜を半導体層として用いる。本実施の形態ではレーザー光を用いて多結晶シリコン膜を形成する例を示したが、特に限定されず、樹脂層が耐えうる温度での加熱処理によって形成してもよい。
【００５４】
また、トランジスタ１０５の作製工程において４１０℃以上の加熱処理を行う場合、金属層１０２ａと酸化物層１０１の界面に剥離が生じやすい酸化金属層（図示しない）が新たに形成される場合がある。本実施の形態において金属層１０２ａと酸化物層１０１の界面に酸化タングステンを含む酸化金属層が形成されると、後にレーザー光を照射しなくとも剥離ができるため、後の工程で金属層１０２ａへのレーザー光照射を省略することもできる。
【００５５】
また、電極１０７は、絶縁層１０６及びバリア層１０４及び樹脂層１０３を選択的にエッチングして形成された開口を介して金属層１０２ａと電気的に接続する。
【００５６】
また、電極１０９は、発光素子の一方の電極１１０と電気的に接続している。また、電極１０９は表示領域のトランジスタの半導体層と電気的に接続するドレイン電極とも呼べる。
【００５７】
また、絶縁層１０６上に各発光素子を隔離するための隔壁１１１を形成する。
【００５８】
次いで、ＥＬ層１１２と、発光素子のもう一方の電極１１３を形成し、発光素子となる。この発光素子は、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）を利用した発光素子である。なお、発光素子の一方の電極１１０の材料と、もう一方の電極１１３の材料を適宜選択することで、トップエミッション構造（上面射出構造）の表示装置、ボトムエミッション構造（下面射出構造）、またはデュアルエミッション構造（両面射出構造）の表示装置とすることも可能である。
【００５９】
また、ＥＬ層１１２は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わせて用いることができる。
【００６０】
発光素子は、ＥＬ層１１２に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光色を得ることができ、例えば赤色、緑色、青色の発光色がそれぞれ得られる発光素子を用いてフルカラー表示を実現できる。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。白色発光が得られる発光素子とカラーフィルタとを組み合わせればフルカラー表示を実現できる。
【００６１】
次いで、接着層１１４を用いて可撓性フィルム１１５を電極１１３上に貼り付ける（図１（Ｂ）参照。）。可撓性フィルム１１５は光学フィルム（着色層を含むカラーフィルタ、偏光フィルムなど）を含む積層フィルムであってもよい。
【００６２】
接着層１１４は、光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を用いることができる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
【００６３】
次いで、基板１００を通過させて光２１０を樹脂層１０３に照射する（図１（Ｃ）参照。）。光２１０としては、ハロゲンランプや、高圧水銀ランプなどから放射される赤外光、可視光、紫外光を用いることができる。光２１０の波長は、４００ｎｍ以上１．２μｍ以下が好ましく、５００ｎｍ以上９００ｎｍ以下がより好ましく、５００ｎｍ以上７００ｎｍ以下がさらに好ましい。本実施の形態では、ＸｅＣｌエキシマレーザー（λ＝３０８ｎｍ）の光源を用いる。レーザー光を用いる場合、レーザー光源を複数用い、レンズを含む光学系により照射領域を矩形または線状として大面積の基板に照射することが工程時間短縮のため好ましい。レーザー光に代えてフラッシュランプ光を用いてもよく、フラッシュランプ光源を用いる場合には大面積基板の広い領域への光の照射が短時間で可能であるため有用である。また、フラッシュランプ光源とレーザー光源を用いて同時またはそれぞれ照射してもよい。
【００６４】
光の照射により、樹脂層１０３と酸化物層１０１の界面で分離界面が形成される。また、金属層１０２ａ、１０２ｂと酸化物層１０１との界面に酸化金属層（図示しない）が生じ、後の分離を助長する。
【００６５】
レーザー光を照射する前に予め４１０℃以上の加熱を行っている場合には既に酸化金属層が形成されるため、金属層１０２ａ、１０２ｂが形成されている領域にレーザー光照射を行わなくてもよい。
【００６６】
タングステン層と酸化物層を形成する場合、その部分にレーザー光を照射しなくとも条件によっては剥離させることができる。従って、タングステン層を選択的に形成する面積を増やせば、レーザー光の照射面積を縮小することもできる。また、タングステン層は遮光膜としても機能させることができるため、レーザー光の照射を避けたい場合には素子と重なる部分に設ける構成としてもよい。本実施の形態では、トランジスタ１０５の半導体層と金属層１０２ａとが重なる位置に設けられ、半導体層１０８と金属層１０２ｂが重なる位置に設けられ、レーザー光源からの光を遮断している。金属層１０２ｂはフローティング状態としてもよいし、固定電位としてもよいし、重なっているトランジスタのゲートと同電位としてもよい。なお、樹脂層１０３にポリイミド樹脂を用いる場合にはレーザー光のほとんどが樹脂層に吸収されるため、樹脂層の膜厚が厚い場合には素子にレーザー光がほとんど達しない。樹脂層の膜厚が薄く、レーザー光が素子まで達する恐れがある場合には、タングステンを遮光膜として用いることが有効である。
【００６７】
レーザー光を全面照射する場合には、基板サイズが大面積になればなるほどレーザー光を走査させる時間が増加する欠点がある。タングステンを遮光膜とすることでレーザー光処理による時間を短縮することができるため、本明細書で開示する剥離方法は顕著な効果を奏する。
【００６８】
次いで、基板１００を樹脂層１０３と酸化物層１０１の界面、及び金属層１０２ａ、１０２ｂと酸化物層１０１との界面にて分離させる（図１（Ｄ）参照。）。分離させる方法としては、機械的な力を加えること（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラを回転させながら分離する処理、超音波等）を用いて行えばよい。
【００６９】
図３（Ａ）には、分離させるための装置の一例を示す。図３（Ａ）では、固定ステージ２３０上に基板１００を最上部になるように設置し、基板１００を複数の吸着治具２４１で固定する。吸着治具２４１は上下機構および吸着部を有する。
【００７０】
また、固定ステージ２３０の上面に接して可撓性フィルム１１５を固定する。固定ステージ２３０には、例えば真空吸着ステージや静電吸着ステージを用いることができる。または、ネジ止め用治具などを用いてステージに可撓性フィルム１１５を固定してもよい。このとき、可撓性フィルム１１５は所定の位置にアライメントされて固定される。
【００７１】
また、図４は吸着治具を用いる剥離工程の前処理及び剥離工程時の断面を示す模式図の一例である。
【００７２】
図３に示す分離させるための装置に設置する前に、加工部材の側面１９８に剥離の起点が形成されていることが好ましい。この剥離の起点は、切断処理や、研磨処理や、レーザー光処理や、プラズマ処理、薬液（有機溶媒やエッチャントなど）などを用いた部分エッチング処理などを行って形成すればよい。プラズマ処理としては大気圧近傍の圧力でプラズマ発生手段を有するプラズマ処理装置を用いればよい。
【００７３】
図４（Ａ）には、加工部材として基板１００、酸化物層１０１、樹脂層１０３、素子を含む層１９９、可撓性フィルム１１５の積層体を用い、側面１９８に側面処理を行った状態を示している。なお、剥離工程の前処理は必ず行わなくてはならないわけではなく、歩留まり向上のために行うものである。
【００７４】
側面処理を行った後、吸着治具２４１を基板１００に接触させて固定する。また、固定ステージ２３０に接して可撓性フィルム１１５を固定する。この状態を図４（Ｂ）に示す。加工部材を設置した状態を示す斜視図が図３（Ａ）に相当する。
【００７５】
そして、側面処理を行った箇所に一番近い吸着治具２４１から上に持ち上げて剥離を行う。また、剥離を行っている途中の様子を示す斜視図が図３（Ｂ）に相当する。矢印２９２の方向に剥離を生じさせた後、基板１００の面を傾けるようにして、図３（Ｃ）に示す矢印２９３の方向に剥離を生じさせる。
【００７６】
そして、剥離が終了した状態を図４（Ｃ）に示す。
【００７７】
また、分離を行う前、または光照射前に、基板の周縁部の樹脂層を除去するために、基板の周縁部を切削してもよい。基板の周縁部は樹脂層が基板側面および基板下面にまで付着されている場合がある。切削した場合にはその切削部分から分離を開始するとスムーズに分離を行うことができる。
【００７８】
また、本実施の形態に示したように、金属層としてタングステンを用いる場合、膜厚を１５０ｎｍ以上とすれば、酸化物層１０１と金属層との間で分離を行うことができる。金属層としてタングステンを用いる場合、膜厚を１５０ｎｍ未満とすると金属層と酸化物層１０１が分離しにくく、金属層の上面側から分離が生じる恐れがある。
【００７９】
次いで、異方性導電接続層１３８を形成し、異方性導電接続層１３８上に、表示装置に電力や信号を入力するための外部電極１２４を形成する（図１（Ｅ）参照）。異方性導電接続層１３８を介して外部電極１２４と金属層１０２ａを電気的に接続する。このようにして、表示装置に電力や信号を入力することが可能となる。なお、外部電極１２４として、ＦＰＣを用いることができる。また、外部電極１２４として金属線を用いることもできる。該金属線と金属層１０２ａの接続は、異方性導電接続層１３８を用いてもよいが、異方性導電接続層１３８を用いずに、ワイヤーボンディング法により行うことができる。また、該金属線と金属層１０２ａの接続をハンダ付けで行ってもよい。
【００８０】
異方性導電接続層１３８は、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いて形成することができる。
【００８１】
異方性導電接続層１３８は、熱硬化性、又は熱硬化性及び光硬化性の樹脂に導電性粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を硬化させたものである。異方性導電接続層１３８は、光照射や熱圧着によって異方性の導電性を示す材料となる。異方性導電接続層１３８に用いられる導電性粒子としては、例えば球状の有機樹脂をＡｕやＮｉ、Ｃｏ等の薄膜状の金属で被覆した粒子を用いることができる。
【００８２】
また、図１（Ｅ）では金属層１０２ｂが露出した状態を示しているが、特に限定されず、接着層を用いて保護フィルムを貼りつけ、金属層１０２ｂを静電気などから保護する構成としてもよい。また、金属層１０２ｂはフローティング状態である場合、レーザー光照射の遮光の役目が終われば、不要であるため、剥離時にガラス基板とともに分離されてもよい。その場合には樹脂層に凹部が形成されるが、特に問題ない。一方、金属層１０２ａは樹脂層の開口を介して上層配線と接続されているため、樹脂層に十分に固定されているが、より固定する場合には樹脂層の開口箇所の増加、または開口面積を大きくして上層配線との接触面積を増やすことが好ましい。
【００８３】
上記作製工程により得られた表示モジュールの斜視図を図２に示す。
【００８４】
図２は、樹脂層１０３と可撓性フィルム１１５で挟まれた表示モジュールである。本実施の形態では、トップエミッション構造とするため、可撓性フィルム１１５が設けられている面が表示面に相当する。表示モジュールは、表示領域１３１と周辺回路１３２を有し、表示領域１３１は、複数の画素１７０を有する。一つの画素１７０は、少なくとも一つの発光素子を有する。発光素子は、表示領域１３１中に複数形成されている。また、各発光素子には、発光素子の発光量を制御するトランジスタが接続されている。
【００８５】
周辺回路１３２は、複数のトランジスタ１０５により構成されている。周辺回路１３２は、外部電極１２４から供給された信号を、表示領域１３１中のどの発光素子に供給するかを決定する機能を有する。
【００８６】
周辺回路１３２と一部重なる領域に金属層１０２ａが設けられ、外部電極１２４と電気的に接続される構成となっているため、額縁部分となる面積を小さくすることができる。
【００８７】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【００８８】
（実施の形態２）
本発明の一態様の剥離装置について、図５、及び図６を用いて説明する。
【００８９】
本実施の形態では、加工部材７０から第１の部材７２を剥離することで、第１の部材７２と第２の部材７１を分離する例を示す。なお、加工部材７０から第２の部材７１を剥離することで、第１の部材７２と第２の部材７１を分離してもよい。
【００９０】
加工部材７０は、シート状であり、シート状の第１の部材７２及びシート状の第２の部材７１からなる。第１の部材７２及び第２の部材７１は、それぞれ、単層であっても積層であってもよい。本実施の形態では、第１の部材７２はガラス基板とその表面に形成された酸化物層である。また、第２の部材７１はトランジスタを含む剥離層及び可撓性フィルムである。
【００９１】
加工部材７０は、搬送ローラに載せる前に、側面処理または切断処理を行うことで剥離の起点が形成されていることが好ましい。切断処理とはカッターやダイサーなどにより、加工部材７０、主にガラス基板の一部を切削、または剥離装置に合わせて加工をしやすいサイズに分断することを指している。側面処理とは、基板側面処理ユニットにより加工部材の側面への研磨、炭酸ガスレーザー（中心波長約１０．６μｍ）を用いた光照射、フェムト秒レーザー（中心波長約８００ｎｍ）を用いた光照射、超音波照射、プラズマ照射などにより加工部材側面の樹脂層などを脆化または除去する。これにより、第１の部材７２と第２の部材７１の界面で剥離をすることが容易となる。第２の部材７１は、例えば機能回路、機能素子、及び機能膜等のうち、少なくとも一つを含む。例えば、表示装置の画素回路、画素の駆動回路、表示素子、カラーフィルタ又は防湿膜等の少なくとも一つを含む構成を適用できる。
【００９２】
図５に示す剥離装置は、複数の搬送ローラ（搬送ローラ６４３、６４４、６４５等）、複数の搬送ローラの間からレーザー光６５１を照射する機構（光照射ユニット）、テープリール６０２、第１の巻き取りリール６０３、方向転換ローラ６０４、及び押圧ローラ６０６を有する。
【００９３】
複数の搬送ローラの間からレーザー光６５１を照射する機構は、加工部材７０の搬送方向６５０がレーザー光の走査方向となるため、搬送ローラの回転速度の調節により搬送速度を調節することが好ましい。なお、レーザー光６５１を照射する機構は、図６に一例を示す。図６に示す斜視図は、レーザー光源６５５から複数の搬送ローラの間からレーザー光６５１を加工部材７０に照射する様子を示している。第１の部材７２と第２の部材７１の界面にレーザービームの焦点を合わせ、その界面でレーザー光の照射領域は線状または矩形状または楕円形状となるようにレンズ６５２、ミラー６５３、光学系６５４が設置されている。本実施の形態ではレーザー光の照射領域の長さは２０ｃｍ以上１ｍ以下とする。搬送ローラ６４３による走査速度に合わせて間欠的または連続的にレーザー光の照射を行い、第１の部材７２と第２の部材７１の界面にアブレーションを生じさせて剥離のきっかけを形成する。
【００９４】
また、図６に示すようにレーザー光６５１を照射する機構は、加工部材７０の側面に照射している。従って、レーザー光６５１により上述した側面処理も同時に行うことができ、基板側面処理ユニットとも呼べる。
【００９５】
また、図６では１台のレーザー光源６５５を用いる例を示したが、加工部材７０の面積、具体的にはガラス基板のサイズに合わせて複数台設けて、複数のレーザー光照射領域を並列に並べてもよい。ガラス基板のサイズとしては、第５世代（１０００ｍｍ×１２００ｍｍまたは１３００ｍｍ×１５００ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２５００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２８８０ｍｍ×３１３０ｍｍ）などがある。大型ガラス基板を用いる場合、半導体装置の作製工程における加熱処理などで生じる基板の縮みによって、微細な加工が困難になる場合ある。そのため、前述したような大型ガラス基板を基板として用いる場合、縮みの少ないものを用いることが好ましい。例えば、基板として、好ましくは４５０℃、好ましくは５００℃の温度で１時間加熱処理を行った後の縮み量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５ｐｐｍ以下である大型ガラス基板を用いればよい。また、第１０世代のような大型ガラスは、レーザー光照射前に予め分断してから図６に示すようにレーザー光６５１を照射する機構に搬送することが好ましい。
【００９６】
テープリール６０２は、支持体供給ユニットの一例である。テープリール６０２は、ロールシート状の支持体６０１を繰り出すことができる。支持体６０１を繰り出す速度は可変であることが好ましい。例えば、該速度を比較的遅くすることで、加工部材の剥離不良や、剥離した部材におけるクラックの発生を抑制できる。
【００９７】
支持体供給ユニットは、支持体６０１を連続的に繰り出してもよい。工程中に支持体６０１の繰り出しを休止する必要がない場合は、支持体６０１を連続的に繰り出すことができる。なお、支持体６０１を連続的に繰り出すと、均一な速度、均一な力で剥離を行うことができるため、好ましい。なお、剥離工程においては、剥離の進行が途中で停止することなく連続することが好ましく、等速で剥離を進行させることがより好ましい。剥離の進行を途中で停止し再び当該領域から剥離を始めると、剥離の進行が連続した場合とは異なり、当該領域に歪等がかかる。そのため、当該領域の微細構造の変化や、当該領域にある電子デバイス等の特性変化が起こり、例えば表示装置などでは、その影響が表示に現れることがある。
【００９８】
支持体供給ユニットは、支持体６０１を間欠的に繰り出してもよい。工程中に支持体６０１の繰り出しを休止する必要がある場合は、支持体６０１を間欠的に繰り出してもよい。なお、少なくとも剥離を行っている間は、剥離の歩留まりを高めるため、支持体６０１を連続的に繰り出すことが好ましい。
【００９９】
支持体６０１として、有機樹脂、金属、合金、又はガラス等を用いたシート状のフィルムを用いることができる。
【０１００】
支持体６０１は、キャリアテープなど、作製する装置（例えばフレキシブルデバイス）を構成しない部材であってもよい。フレキシブルデバイスとは、フレキシブルなフィルム基板を用いたデバイスを指し、一部が曲げられる部分を有するデバイスや、一部が曲げられた状態で固定されたデバイスを指している。また、支持体６０１は、可撓性基板など、作製する装置を第２の部材７１とともに構成する部材であってもよい。
【０１０１】
支持体保持ユニットは、支持体６０１を巻き取る構成、支持体６０１及び第２の部材７１を巻き取る構成、又は支持体６０１の端部を保持する構成等とすることができる。第１の巻き取りリール６０３は、支持体保持ユニットの一例である。第１の巻き取りリール６０３は、支持体６０１を巻き取ることができる。
【０１０２】
テープリール６０２は、一対の張力付与機構の一方を有する。第１の巻き取りリール６０３は、一対の張力付与機構の他方を有する。一対の張力付与機構は、支持体６０１に張力を加えることができる。
【０１０３】
複数の搬送ローラは、搬送機構の一例である。複数の搬送ローラは、加工部材７０を搬送することができる。加工部材７０を搬送する機構は、搬送ローラに限られず、ベルトコンベア、又は搬送ロボット等の、他の搬送機構を用いてもよい。また、搬送機構上のステージに、加工部材７０を配置してもよい。
【０１０４】
搬送ローラ６４３、搬送ローラ６４４、又は搬送ローラ６４５は、複数に並べられた搬送ローラの１つであり、所定の間隔で設けられ、加工部材７０（又は第２の部材７１）の送出方向（実線矢印で示す右回転する方向）に回転駆動される。複数に並べられた搬送ローラは、それぞれ図示しない駆動部（モータ等）により回転駆動される。
【０１０５】
方向転換ローラ６０４は、方向転換機構の一例である。方向転換ローラ６０４によって、支持体６０１の送り方向を変えることができる。
【０１０６】
支持体６０１は、押圧ローラ６０６及び搬送ローラ６４５によって、第２の部材７１に貼り付けられる。
【０１０７】
図５では、方向転換ローラ６０４の下端が押圧ローラ６０６の下端よりも高い位置にある。ここで、加工部材７０の少なくとも一部が、方向転換ローラ６０４と押圧ローラ６０６の間に位置するとき、第２の部材７１の表面を含む面を第１の面とする。この第１の面を用いて説明すると、第１の面と方向転換ローラ６０４との最短距離は、第１の面と押圧ローラ６０６との最短距離よりも長い。
【０１０８】
このような構成とすることで、支持体６０１が、押圧ローラ６０６に届く手前で、第２の部材７１と接触することを抑制できる。そのため、支持体６０１と加工部材７０の間に気泡が混入することを抑制できる。
【０１０９】
押圧ローラ６０６は、凸面を有する第１の構造体の一例である。押圧ローラ６０６は、図示しない駆動部（モータ等）により回転駆動される。
【０１１０】
押圧ローラ６０６が回転することで、加工部材７０に第１の部材７２を引き剥がす力がかかり、第１の部材７２が剥がれる。このとき、加工部材７０はレーザー光６５１が照射されて剥離の起点が形成されているため、スムーズに剥離が行われる。第１の部材７２は、剥離の起点、即ち加工部材７０の側面から剥がれ始める。そして、加工部材７０は、第１の部材７２と第２の部材７１に分離される。
【０１１１】
加工部材７０から第１の部材７２を引き剥がす機構は、押圧ローラ６０６に限られず、凸面（凸曲面、凸状の曲面ともいえる）を有する構造体であればよい。例えば、円筒状（円柱状、直円柱状、楕円柱状、放物柱状、なども含む）、球状等の構造物であればよい。例えば、ドラム状のローラ等のローラを用いることができる。構造体の形状の一例として、底面が曲線で構成される柱体（底面が正円である円柱や、底面が楕円である楕円柱など）や、底面が直線及び曲線で構成される柱体（底面が半円、半楕円である柱体など）が挙げられる。構造体の形状がこれらの柱体のいずれかであるとき、凸面は、該柱体の曲面の部分にあたる。
【０１１２】
第１の構造体の材質としては、金属、合金、有機樹脂、ゴム等が挙げられる。第１の構造体は内部に空間や空洞を有してもよい。ゴムとしては、天然ゴム、ウレタンゴム、ニトリルゴム、ネオプレンゴム等が挙げられる。ゴムを用いる場合には、摩擦や剥離による帯電が生じにくい材料を用いる、又は静電気を防止する対策を行うことが好ましい。例えば、図５に示す押圧ローラ６０６は、ゴム又は有機樹脂を用いた中空の円筒６０６ａと、円筒６０６ａの内側に位置する、金属又は合金を用いた円柱６０６ｂと、を有する。
【０１１３】
第１の構造体が有する凸面の曲率半径は、例えば、０．５ｍｍ以上３０００ｍｍ以下とすることができる。例えば、フィルムを剥離する場合、凸面の曲率半径を０．５ｍｍ以上１０００ｍｍ以下としてもよく、具体例としては、１５０ｍｍ、２２５ｍｍ、又は３００ｍｍ等が挙げられる。このような凸面を有する構造体としては、例えば、直径３００ｍｍ、４５０ｍｍ、又は６００ｍｍのローラ等が挙げられる。なお、加工部材の厚さや大きさによって、凸面の曲率半径の好ましい範囲は変化する。
【０１１４】
また、凸面の曲率半径が小さすぎると、凸面で引き剥がされた第２の部材７１に含まれる素子が壊れる場合がある。したがって、凸面の曲率半径は０．５ｍｍ以上であることが好ましい。
【０１１５】
また、凸面の曲率半径が大きいと、ガラス、サファイア、石英等の可撓性が低く、剛性が高い基板を凸面で引き剥がすことができる。したがって、凸面の曲率半径は、例えば、３００ｍｍ以上であることが好ましい。
【０１１６】
また、凸面の曲率半径が大きいと、剥離装置が大型化してしまい、設置場所などに制限がかかる場合がある。したがって、凸面の曲率半径は、例えば、３０００ｍｍ以下であることが好ましく、１０００ｍｍ以下であることがより好ましく、５００ｍｍ以下であることがさらに好ましい。
【０１１７】
また、凸面の曲率半径が大きいほど、押圧ローラ６０６が支持体６０１を折り返す角度αを大きくしやすくなり好ましい。したがって、凸面の曲率半径は、例えば、３００ｍｍ以上であることが好ましい。
【０１１８】
また、押圧ローラ６０６の回転速度は可変であることが好ましい。押圧ローラ６０６の回転速度を制御することで、剥離の歩留まりをより高めることができる。
【０１１９】
押圧ローラ６０６や複数の搬送ローラは、少なくとも一方向（例えば、上下、左右、又は前後等）に移動可能であってもよい。押圧ローラ６０６の凸面と搬送ローラの支持面の間の距離が可変であると、様々な厚みの加工部材の剥離が行えるため好ましい。
【０１２０】
図５では、押圧ローラ６０６が支持体６０１を折り返す角度αが鈍角である例を示す。
【０１２１】
ローラ６１７は、凸面を有する第２の構造体の一例である。ローラ６１７が有する凸面の曲率半径は、例えば、押圧ローラ６０６が有する凸面の曲率半径以下、より好ましくは当該凸面の曲率半径未満とすればよい。ローラ６１７は、凸面に沿って、支持体６０１を押圧ローラ６０６から第１の巻き取りリール６０３に送ることができる。
【０１２２】
ローラ６１７の軸が移動することで、ローラ６１７は、支持体６０１に張力を加えることができる。つまり、ローラ６１７は、テンションローラということができる。具体的には、支持体６０１を、押圧ローラ６０６によって変えられた送り方向に引っ張ることができる。
【０１２３】
また、ローラ６１７の軸が移動することで、ローラ６１７は、押圧ローラ６０６が支持体６０１を折り返す角度αを制御することができる。
【０１２４】
なお、ローラ６１７は、図５に示すように、一方向にのみ移動可能な構成であってもよい。また、ローラ６１７は、設けなくてもよい。
【０１２５】
また、ローラ６１７は、支持体６０１を折り返し、支持体６０１の送り方向を変えることができる。例えば、支持体６０１の送り方向を水平方向に変えてもよい。または、ローラ６１７が、支持体６０１を折り返し、支持体６０１の送り方向を変えた後、ローラ６１７と第１の巻き取りリール６０３の間に位置する方向転換ローラ６０７（図５）によって、さらに支持体６０１の送り方向を変え、支持体６０１の送り方向を水平方向にしてもよい。
【０１２６】
方向転換ローラ６０４及びローラ６１７の直径は、それぞれ限定は無く、例えば、第１の押圧ローラ６０６より小さくてもよい。方向転換ローラ６０４及びローラ６１７には、それぞれ、押圧ローラ６０６に用いることができる材料を適用できる。
【０１２７】
剥離装置は、支持体６０１を第１の巻き取りリール６０３まで案内するガイドローラを有していてもよい。ガイドローラは単数であっても複数であってもよい。また、図５に示すガイドローラ６３２のように、ガイドローラは、支持体６０１に張力を加えることができてもよい。
【０１２８】
支持体６０１の少なくとも一方の面に分離テープ６００（セパレートフィルムともよぶ）が貼り合わされていてもよい。このとき、剥離装置は、支持体６０１の一方の面に貼り合わされた分離テープ６００を巻き取ることができるリールを有していることが好ましい。リールは、支持体供給ユニットと支持体保持ユニットの間に位置していればよい。さらに、剥離装置は、ガイドローラ６３４を有していてもよい。ガイドローラ６３４は、分離テープ６００を第２の巻き取りリール６１３まで案内することができる。
【０１２９】
剥離装置は、乾燥機構６１４を有していてもよい。第２の部材７１に含まれる機能素子（例えば、トランジスタや薄膜集積回路）は静電気に弱いため、剥離を行う前に第１の部材７２と第２の部材７１の界面に液体（例えば水、有機溶媒など）を供給するか、当該界面に液体を供給しながら剥離を行うことが好ましい。第２の部材７１に付着したまま液体が揮発するとウォーターマークが形成されることがあるため、剥離直後に液体を除去することが好ましい。したがって、第１の部材７２からの剥離が終わった直後に機能素子を含む第２の部材７１に対してブローを行い、第２の部材７１上に残った液滴を除去することが好ましい。これにより、ウォーターマークの発生を抑えることができる。また、支持体６０１の撓みを防止するためにキャリアプレート６０９を有していてもよい。
【０１３０】
また、支持体６０１の搬送方向は、水平面に対して垂直とすることもできるが、水平面に対して斜め方向である方が、搬送中の支持体６０１が安定となり、振動を抑制できる。
【０１３１】
また、工程中、静電気が発生する恐れのある位置では、剥離装置が有する静電気除去器を用いることが好ましい。静電気除去器としては、特に限定はないが、例えば、コロナ放電方式、軟Ｘ線方式、紫外線方式等のイオナイザを用いることができる。
【０１３２】
例えば、剥離装置にイオナイザを設け、イオナイザからエア又は窒素ガス等を、第２の部材７１に吹き付けて除電処理を行い、静電気による機能素子への影響を低減することが好ましい。特に、２つの部材を貼り合わせる工程や、１つの部材を分離する工程では、イオナイザを用いることが好ましい。図５に示す剥離装置は、イオナイザ６３９、６２０、６２１、６２２を有する。
【０１３３】
例えば、イオナイザ６３９を用いて、第１の部材７２と第２の部材７１の界面近傍にイオンを照射し、静電気を取り除きながら、加工部材７０を第１の部材７２と第２の部材７１に分離することが好ましい。
【０１３４】
剥離装置は、基板ロードカセットや基板アンロードカセットを有していてもよい。例えば、加工部材７０を基板ロードカセットに供給することができる。基板ロードカセットは、加工部材７０を搬送機構等に供給することができる。また、第２の部材７１を基板アンロードカセットに供給することができる。
【０１３５】
剥離装置が有する搬送機構によって、基板ロードカセットからガイドローラ上に加工部材７０が搬送されてもよい。また、搬送機構によって、ガイドローラ上から基板アンロードカセットに第２の部材７１が搬送されてもよい。また、剥離装置が他の装置と接続している場合、搬送機構によって、他の装置からガイドローラ上に加工部材７０が搬送されてもよい。つまり、剥離装置が基板ロードカセットを有していなくてもよい。また、搬送機構によって、ガイドローラ上から他の装置に第２の部材７１が搬送されてもよい。つまり、剥離装置が基板アンロードカセットを有していなくてもよい。
【０１３６】
本発明の一態様の剥離装置において、電動モータなどにより回転駆動する駆動ローラは、搬送ローラ６４３、搬送ローラ６４４、及び搬送ローラ６４５などの搬送ローラ、押圧ローラ６０６等である。また、テープリール６０２及び第１の巻き取りリール６０３もモータで回転速度を制御している。これらの駆動ローラ、テープリール６０２、及び第１の巻き取りリール６０３によって支持体６０１の走行速度や張力を調整している。また、従動ローラは、複数のガイドローラ６３１、６３２、６３３、６３４、６３５、６３６、方向転換ローラ６０４、及びテンションローラ６０８等である。なお、本発明の一態様において、各ローラが駆動ローラであるか、従動ローラであるか、は上記に限られず、適宜決定することができる。また、ローラ６１７は、駆動ローラであってもよいし、従動ローラであってもよい。また、本発明の一態様の剥離装置が有する各種ローラの数は、それぞれ、特に限定されない。
【０１３７】
前述のように、本発明の一態様の剥離装置では、加工部材に支持体を貼り付け、支持体を引っ張ることで第１の部材を第２の部材から剥離する。支持体を用いて、加工部材を自動的に分離することができ、作業時間の短縮及び製品の製造歩留まりを向上させることができる。
【０１３８】
例えば、加工部材は、作製基板及び機能層がこの順で積層された構成である。第２の部材は機能層に相当し、第１の部材は作製基板に相当する。このとき、支持体を機能層の支持体として用いてもよい。つまり、支持体と第２の部材を分離しなくてもよい。作製基板と剥離され露出した機能層に、接着剤を用いて可撓性基板を貼り合わせることで、支持体、機能層、及び可撓性基板がこの順で積層されたフレキシブルデバイスを作製することができる。
【０１３９】
または、例えば、加工部材は、作製基板、機能層、及び可撓性基板がこの順で積層された構成である。第２の部材は、機能層と、可撓性基板と、に相当し、第１の部材は、作製基板に相当する。剥離後、可撓性基板に貼り付けられた支持体は不要となるため、第２の部材から支持体を引き剥がす。作製基板と剥離され露出した機能層に、接着剤を用いて可撓性基板を貼り合わせることで、可撓性基板、機能層、及び可撓性基板がこの順で積層されたフレキシブルデバイスを作製することができる。
【０１４０】
ここで、支持体を引き剥がすために、支持体に力が加わる際にも、支持体を送り出す速度や方向などによって、剥離不良や、第２の部材でのクラックが生じる恐れがある。
【０１４１】
本発明の一態様の剥離装置は、以下の構成をさらに有することで、支持体と第１の部材を自動的に分離することができ、作業時間の短縮及び製品の製造歩留まりをより向上させることができる。
【０１４２】
図５に示す剥離装置は、テンションローラ６０８及びガイドローラ６３５を有する。
【０１４３】
ガイドローラ６３５は、支持体６０１を第１の巻き取りリール６０３まで案内するガイドローラである。
【０１４４】
テンションローラ６０８は、ローラ６１７と第１の巻き取りリール６０３の間に位置する。テンションローラ６０８は、支持体６０１を折り返す方向に張力をかけることができる。
【０１４５】
支持体６０１を第１の巻き取りリール６０３まで案内するローラとしては、ガイドローラ６３５、又はテンションローラ６０８の少なくとも一つを有することが好ましい。
【０１４６】
第１の楔状部材６１１は、ガイドローラ６３５、又はテンションローラ６０８により支持体６０１が折り返される位置に設けられることが好ましい。第１の楔状部材６１１は、キャリアプレート６１０に固定されていてもよい。第１の楔状部材６１１は、テーパ部を有する。キャリアプレート６１０の平面と、第１の楔状部材６１１のテーパ部がなす角度によって、支持体６０１を折り返す方向が決定される。
【０１４７】
支持体６０１を折り返す方向の角度に限定はないが、第１の部材７２を支持体６０１から剥離しやすくするためには、鋭角とすることが好ましい。
【０１４８】
第２の楔状部材６１２はテーブル６３７に固定されている。第１の巻き取りリール６０３は、第１の楔状部材６１１と第２の楔状部材６１２の間を通過した支持体６０１を巻き取ることができる。
【０１４９】
テーブル６３７は平面を有する。該平面に、支持体６０１から剥離された第２の部材７１が載置される。
【０１５０】
キャリアプレート６１０が有する平面は、テーブル６３７が有する平面よりも高い位置であることが好ましい。即ち、キャリアプレート６１０が有する平面は、断面方向から見た場合、テーブル６３７が有する平面と同一平面ではなく、段差を有している。段差を有しているのであれば、上面方向から見た場合に、第１の楔状部材６１１と第２の楔状部材６１２は重なっていても、重なっていなくともよい。第１の楔状部材６１１と第２の楔状部材６１２が重なる場合には、第２の楔状部材６１２の先端が第１の楔状部材６１１の下方に位置することとなる。
【０１５１】
以上のように、本発明の一態様の剥離装置を用いることで、加工部材を歩留まりよく第１の部材と第２の部材とに分離することができる。本発明の一態様の剥離装置は、複雑な構成を有さず、幅広い大きさの加工部材の剥離に対応できる。
【０１５２】
作業者が手作業で剥離を行うこともできるが、素早く歩留まりよく剥離するには熟練を要するため、本発明の一態様の剥離装置を用いて自動化することが重要である。本発明の一態様の剥離装置を用いて加工部材の剥離を自動化することで、一定の速度での加工部材の搬送や剥離、及び、均一な力での剥離を行うことができ、剥離不良や、剥離した部材におけるクラックの発生を抑えることができる。
【０１５３】
なお、本発明の一態様は、剥離装置に限られず、転写装置又は貼り合わせ装置に適用することもできる。
【０１５４】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１５５】
（実施の形態３）
実施の形態１では多結晶シリコンを用いた例を示したが、本実施の形態では、酸化物半導体を用いたトランジスタを用い、表示装置を作製する例を示す。酸化物半導体を用いるトランジスタの場合、アモルファスシリコン膜を用いたトランジスタよりも高い電界効果移動度を実現できるため、周辺回路が構成できる。また、多結晶シリコン膜よりもプロセス温度を低く作製することができ、製造コストが低減できる。
【０１５６】
図７は本発明の一態様の表示パネル７００の構成を説明する図である。図７は本発明の一態様の表示パネル７００の下面図である。
【０１５７】
図８は本発明の一態様の表示パネル７００の構成を説明する図である。図８は図７の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４、Ｘ５−Ｘ６、Ｘ７−Ｘ８、Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。
【０１５８】
図９は本発明の一態様の表示パネル７００の構成を説明する図である。図９は本発明の一態様の表示パネル７００が備える画素回路に用いることができる画素回路５３０（ｉ，ｊ）および画素回路５３０（ｉ，ｊ＋１）の回路図である。
【０１５９】
図１０は本発明の一態様の表示パネル７００の構成を説明する図である。図１０（Ａ）は本発明の一態様の表示パネル７００に用いることができる画素および配線等の配置を説明するブロック図である。図１０（Ｂ−１）および図１０（Ｂ−２）は本発明の一態様の表示パネル７００に用いることができる開口部７５１Ｈの配置を説明する模式図である。
【０１６０】
本実施の形態で説明する表示パネルは、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、表示領域７１０と、を有する（図７および図１０（Ａ）参照）。また、表示領域７１０は画素７０２（ｉ，ｊ）を有する。画素７０２（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。なお、図７では表示領域７１０が矩形の表示パネル７００を示しているが、表示パネル７００の表示領域７１０は円形であってもよい。また、本発明の一態様の表示パネル７００の基板はフレキシブルなフィルム基板であり、駆動回路と表示領域との間で折り曲げることができ、狭額縁化を図ることができる。駆動回路と表示領域との間で折り曲げる構成は、特に表示領域が小さいデバイスに有効である。
【０１６１】
画素７０２（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜５０１Ｃと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図８および図９参照）。
【０１６２】
第１の導電膜は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図８参照）。例えば、第１の導電膜を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【０１６３】
第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。例えば、第２の導電膜を、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂに用いることができる。
【０１６４】
絶縁膜５０１Ｃは、第２の導電膜と第１の導電膜の間に挟まれる領域を備える。
【０１６５】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第２の導電膜と電気的に接続される。例えば、第２の導電膜をソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂに用いたトランジスタを、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いることができる（図８および図９参照）。
【０１６６】
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０１６７】
絶縁膜５０１Ｃは、開口部５９１Ａを備える（図８参照）。
【０１６８】
第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜５１２Ｂは、第１の導電膜を兼ねる第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０１６９】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図９参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図８および図９参照）。
【０１７０】
また、本実施の形態で説明する表示パネルの画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１を備える。スイッチＳＷ１はトランジスタを含み、トランジスタは、酸化物半導体を含む。
【０１７１】
また、本実施の形態で説明する表示パネルの第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向と同一の方向に表示をする機能を備える。例えば、外光を反射する強度を制御して第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向を、矢印７６２で図中に示す。また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向を、矢印７６３で図中に示す（図８参照）。
【０１７２】
また、本実施の形態で説明する表示パネルの第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする領域に囲まれた領域に表示をする機能を備える（図１０（Ｂ−１）または図１０（Ｂ−２）参照）。なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域に表示をし、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、開口部７５１Ｈと重なる領域に表示をする。
【０１７３】
また、本実施の形態で説明する表示パネルの第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、入射する光を反射する機能を備える反射膜と、反射する光の強さを制御する機能と、を有する。そして、反射膜は、開口部７５１Ｈを備える。例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の反射膜に、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を用いることができる。
【０１７４】
また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、開口部７５１Ｈに向けて光を射出する機能を有する。
【０１７５】
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、画素７０２（ｉ，ｊ）と、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する（図１０（Ａ）参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【０１７６】
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、配線ＡＮＯと、を有する。
【０１７７】
一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒで示す方向）に配設される。
【０１７８】
また、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃで示す方向）に配設される。
【０１７９】
走査線Ｇ１（ｉ）は、行方向に配設される一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。
【０１８０】
列方向に配設される他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。
【０１８１】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）の行方向に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、画素７０２（ｉ，ｊ）に対する開口部７５１Ｈの配置と異なるように画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に配置される開口部を備える（図１０（Ｂ−１）参照）。
【０１８２】
例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）の列方向に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）に対する開口部７５１Ｈの配置と異なるように画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に配置される開口部を備える（図１０（Ｂ−２）参照）。なお、例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を反射膜に用いることができる。
【０１８３】
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂと、導電膜５１１Ｂと、を有する（図８参照）。
【０１８４】
絶縁膜５０１Ｃは、端子５１９Ｂおよび導電膜５１１Ｂの間に挟まれる領域を備える。また、絶縁膜５０１Ｃは、開口部５９１Ｂを備える。
【０１８５】
端子５１９Ｂは、開口部５９１Ｂにおいて導電膜５１１Ｂと電気的に接続される。また、導電膜５１１Ｂは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または第１の導電膜を反射膜に用いる場合、端子５１９Ｂの接点として機能する面は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に入射する光に向いている面と同じ方向を向いている。
【０１８６】
これにより、端子を介して電力または信号を、画素回路に供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【０１８７】
また、本実施の形態で説明する表示パネルの第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、液晶材料を含む層７５３と、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５２と、を備える。なお、第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される。
【０１８８】
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟むように配設される。
【０１８９】
また、本実施の形態で説明する表示パネルの第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ）と、を備える。
【０１９０】
第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１および第４の電極５５２の間に配設される。そして、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０１９１】
また、本実施の形態で説明する表示パネルの画素７０２（ｉ，ｊ）は、着色膜ＣＦ１と、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、を有する。
【０１９２】
着色膜ＣＦ１は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【０１９３】
絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に配設される。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。
【０１９４】
機能膜７７０Ｐは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｐは、機能膜７７０Ｐと第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）で基板７７０を挟むように配設される。
【０１９５】
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基板５７０と、基板７７０と、機能層５２０と、を有する。
【０１９６】
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。機能層５２０は、基板５７０および基板７７０の間に配設される。
【０１９７】
機能層５２０は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、絶縁膜５２１と、絶縁膜５２８と、を含む。
【０１９８】
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に配設される。
【０１９９】
絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に配設され、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。第３の電極５５１の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１および第４の電極５５２の短絡を防止することができる。
【０２００】
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。
【０２０１】
接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に配設され、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。
【０２０２】
封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に配設され、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。
【０２０３】
構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板５７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【０２０４】
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｃと、導電膜５１１Ｃと、導電体ＣＰと、を有する。
【０２０５】
絶縁膜５０１Ｃは、端子５１９Ｃおよび導電膜５１１Ｃの間に挟まれる領域を備える。また、絶縁膜５０１Ｃは、開口部５９１Ｃを備える。
【０２０６】
端子５１９Ｃは、開口部５９１Ｃにおいて導電膜５１１Ｃと電気的に接続される。また、導電膜５１１Ｃは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【０２０７】
導電体ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する。例えば、導電性の粒子を導電体ＣＰに用いることができる。
【０２０８】
駆動回路ＧＤは、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続される。駆動回路ＧＤは、例えばトランジスタＭＤを備える。トランジスタＭＤは、酸化物半導体を半導体膜５０８に用いる例を示している。半導体膜５０８としては、Ｉｎ−Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆを表す）酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を用いることができる。半導体膜５０８がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、スパッタリングターゲットとしては、多結晶のＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を含むターゲットを用いると好ましい。多結晶のＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を含むターゲットを用いることで、結晶性を有する半導体膜５０８を形成しやすくなる。なお、成膜される半導体膜５０８の原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。例えば、スパッタリングターゲットとして、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１を用いる場合、成膜される半導体膜５０８の原子数比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３近傍となる場合がある。また、半導体膜５０８は、２層以上の積層構造とすることができる。半導体膜５０８を例えば２層構造とする場合、第１の酸化物半導体膜及び第２の酸化物半導体膜の厚さは、それぞれ３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。
【０２０９】
具体的には、画素回路５３０（ｉ，ｊ）に含まれるトランジスタと同じ工程で形成することができる半導体膜を含むトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図８参照）。
【０２１０】
駆動回路ＳＤは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。駆動回路ＳＤは、例えば端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同一の工程で形成することができる端子に導電材料を用いて電気的に接続される。
【０２１１】
図１１乃至図１４は作製工程中の本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１１乃至図１４は図７の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４、Ｘ５−Ｘ６、Ｘ７−Ｘ８、Ｘ９−Ｘ１０における断面図である。
【０２１２】
＜表示パネルの作製方法＞
本実施の形態で説明する表示パネルの作製方法は、以下のステップを有する。
【０２１３】
まず、酸化物層が形成された工程用基板５１０を用意し、酸化物層上に金属膜を形成した後、金属膜を選択的にエッチングする。
【０２１４】
工程用基板としては、後の工程でレーザー光を透過できるガラス基板、石英基板、サファイア基板、プラスチック基板を用いることができる。酸化物層５１０Ｗは、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ガリウム、酸化チタンなどを用いる。また、これらの材料を単層又は積層して形成することができる。また、酸化物層５１０Ｗは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物膜（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）、例えばＩＧＺＯ膜（Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む金属酸化膜）を用いることもできる。本実施の形態では、ガラス基板上に接して形成する酸化物層としてＩＧＺＯ膜（なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ（１＋ｘ０）Ｇａ（１−ｘ０）Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。）を用いる。酸化物層上に形成する金属膜としては、タングステン、モリブデン、クロム、銅、銀、金、ニッケル、またはそれらの合金（例えば窒化タングステン）などを用いればよく、本実施の形態ではモリブデンを用いる。
【０２１５】
上記エッチングにより形成された金属膜は、第１の導電膜として機能できる第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および、同じ層で形成される他の配線または電極を形成する。また、酸化物層に用いる材料によっては金属膜のエッチング条件により、露出した酸化物層も除去される場合がある。本実施の形態では、金属膜のエッチング時に、露出した酸化物層も除去する。
【０２１６】
次いで、樹脂層７５４を形成する。樹脂層７５４は、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の有機材料を用いてもよい。本実施の形態では樹脂層７５４として、ポリイミドを用いる。なお、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いているモリブデンは剥離しやすく、樹脂層７５４で覆うことにより工程時のピーリングを防いでいる。
【０２１７】
次いで、樹脂層７５４上にバリア層として機能する絶縁膜５０１Ｃを形成する（図１１参照。）。
【０２１８】
絶縁膜５０１Ｃは、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム及び酸化タンタルなどの酸化物材料や、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物材料などを、単層または多層で形成することができる。例えば、絶縁膜５０１Ｃを、酸化シリコンと窒化シリコンを積層した２層構造としてもよいし、上記材料を組み合わせた５層構造としてもよい。絶縁膜５０１Ｃは、スパッタリング法やＣＶＤ法、熱酸化法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能である。
【０２１９】
絶縁膜５０１Ｃにより、外部からの不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。また、絶縁膜５０１Ｃは、透水性の低い絶縁膜を用いて形成することが好ましい。例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、より好ましくは１×１０−７ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、さらに好ましくは１×１０−８ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である。
【０２２０】
本実施の形態では、絶縁膜５０１Ｃとして、厚さ２００ｎｍ程度の酸化窒化シリコン膜を用いる。
【０２２１】
次いで、絶縁膜５０１Ｃ及び樹脂層７５４を選択的にエッチングして開口部５９１Ａ、開口部５９１Ｂおよび開口部５９１Ｃを形成する。
【０２２２】
次いで、開口部５９１Ａと重なる第２の導電膜（第２の導電膜と同じ層で形成される他の配線または電極を含む。）および画素回路を形成する（図１１、および図１２（Ａ）参照。）。
【０２２３】
図１２（Ｂ）はトランジスタＭＤおよびトランジスタＭの拡大図であり、図１２（Ｃ）はスイッチＳＷ１の拡大図である。例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタの導電膜５１２Ｂを第２の導電膜として用いることができる（図１２（Ｃ）参照。）。
【０２２４】
また、開口部５９１Ａに重なる領域を備える他の導電膜を用いて、第１の導電膜（第１の電極７５１（ｉ，ｊ））および第２の導電膜（導電膜５１２Ｂ）を電気的に接続することができる。例えば、導電膜５０４と同一の工程で形成することができる導電膜を、他の導電膜に用いることができる。
【０２２５】
画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を形成する。
【０２２６】
次いで、接合層５０５を介して基板５７０を設ける（図１３参照。）。トランジスタＭＤ、トランジスタＭ、スイッチＳＷ１、および表示素子５５０などは、基板５１０と基板５７０に挟持される。
【０２２７】
本実施の形態では、基板５７０として可撓性フィルムを用いる。
【０２２８】
次いで、工程用基板（基板５１０）を分離する（図１４参照。）。
【０２２９】
具体的には、レーザー光等を用いる方法（具体的にはレーザーアブレーション法）等を用いてレーザー光を照射後または照射しながら分離を行う。分離を行う際には、実施の形態１または実施の形態２に示した剥離装置を用いる。図１４では、酸化物層が形成された基板５１０と、樹脂層が分離している様子を示している。実際には、第１の導電膜が形成されていなかった領域の樹脂層の部分が凸部となるが、酸化物層が薄いため、特に強調して図示していない。
【０２３０】
次いで、導電膜７５１ａおよび絶縁膜５０１Ｃと隣接して配向膜ＡＦ１を形成する。
【０２３１】
例えば、印刷法を用いて、配向膜ＡＦ１に用いる可溶性のポリイミドを含む膜を形成する。可溶性のポリイミドを含む膜を用いることにより、配向膜ＡＦ１を形成する際に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に加わる温度を、ポリアミック酸等のポリイミド前駆体を用いる方法に比べて低温化することができる。その結果、表示パネルの生産性を向上することができる。また、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルの作製方法を提供することができる。
【０２３２】
次いで、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を形成する（図８参照。）。本実施の形態では、基板７７０として樹脂材料を用いた基板を用いる。また、基板７７０として樹脂材料を用いた基板を用いると、外部からの衝撃に強く、破損しにくい表示パネルを実現することができる。また、基板７７０の一部を折り曲げることで、デバイスの小型化を図ることができる。
【０２３３】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２３４】
（実施の形態４）本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１５を参照しながら説明する。
【０２３５】
図１５は、入出力装置８００の構成を説明する分解図である。
【０２３６】
入出力装置８００は、表示パネル８０６および表示パネル８０６と重なる領域を備えるタッチセンサ８０４を有する。なお、入出力装置８００は、タッチパネルとして機能できる。
【０２３７】
入出力装置８００は、タッチセンサ８０４および表示パネル８０６を駆動する駆動回路８１０と、駆動回路８１０に電力を供給するバッテリ８１１と、タッチセンサ８０４、表示パネル８０６、駆動回路８１０およびバッテリ８１１を収納する筐体部を有する。
【０２３８】
《タッチセンサ８０４》タッチセンサ８０４は、表示パネル８０６と重なる領域を備える。なお、ＦＰＣ８０３はタッチセンサ８０４に電気的に接続される。
【０２３９】
例えば、抵抗膜方式、静電容量方式または光電変換素子を用いる方式等をタッチセンサ８０４に用いることができる。
【０２４０】
なお、タッチセンサ８０４を表示パネル８０６の一部に用いてもよい。例えば、同一基板上にタッチセンサのトランジスタと、表示素子に接続するトランジスタを形成してもよい。
【０２４１】
《表示パネル８０６》例えば、実施の形態１に示した表示パネルを表示パネル８０６に用いることができる。基板にプラスチックフィルムを用いており、プラスチックフィルムの一部を折り曲げて小型化することができる。なお、ＦＰＣ８０５等は、表示パネル８０６に電気的に接続される。
【０２４２】
《駆動回路８１０》例えば、電源回路または信号処理回路等を駆動回路８１０に用いることができる。なお、バッテリまたは外部の商用電源から供給する電力を利用してもよい。
【０２４３】
信号処理回路は、ビデオ信号及びクロック信号等を出力する機能を備える。
【０２４４】
電源回路は、所定の電力を供給する機能を備える。
【０２４５】
《筐体部》例えば、上部カバー８０１と、上部カバー８０１と嵌めあわせられる下部カバー８０２と、上部カバー８０１および下部カバー８０２で囲まれる領域に収納されるフレーム８０９と、を筐体部に用いることができる。
【０２４６】
フレーム８０９は、表示パネル８０６を保護する機能、駆動回路８１０の動作に伴い発生する電磁波を遮断する機能または放熱板としての機能を有する。
【０２４７】
金属、樹脂またはエラストマー等を、上部カバー８０１、下部カバー８０２またはフレーム８０９に用いることができる。
【０２４８】
《バッテリ８１１》バッテリ８１１は、電力を供給する機能を備える。
【０２４９】
なお、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの機能性部材を入出力装置８００に用いることができる。
【０２５０】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２５１】
（実施の形態５）本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１６及び図１７を参照しながら説明する。
【０２５２】
図１６（Ａ）は、情報処理装置４００の構成を説明するブロック図である。図１６（Ｂ）および図１６（Ｃ）は、情報処理装置４００の外観の一例を説明する投影図である。
【０２５３】
図１７（Ａ）は、表示部４３０の構成を説明するブロック図である。図１７（Ｂ）は、表示部４３０Ｂの構成を説明するブロック図である。図１７（Ｃ）は、画素４３２（ｉ，ｊ）の構成を説明する回路図である。
【０２５４】
＜情報処理装置の構成例＞本実施の形態で説明する情報処理装置４００は、演算装置４１０と入出力装置４２０と、を有する（図１６（Ａ）参照）。
【０２５５】
そして、演算装置４１０は、位置情報Ｐ１を供給され、画像情報Ｖおよび制御情報を供給する機能を備える。
【０２５６】
入出力装置４２０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備え、画像情報Ｖおよび制御情報を供給される。
【０２５７】
入出力装置４２０は、画像情報Ｖを表示する表示部４３０および位置情報Ｐ１を供給する入力部４４０を備える。
【０２５８】
また、表示部４３０は、第１の表示素子および第１の表示素子と重なる第２の表示素子を備える。また、第１の表示素子を駆動する第１の画素回路および第２の表示素子を駆動する第２の画素回路を備える。
【０２５９】
入力部４４０は、ポインタの位置を検知して、位置に基づいて決定された位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。
【０２６０】
演算装置４１０は、位置情報Ｐ１に基づいてポインタの移動速度を決定する機能を備える。
【０２６１】
演算装置４１０は、画像情報Ｖのコントラストまたは明るさを移動速度に基づいて決定する機能を備える。
【０２６２】
本実施の形態で説明する情報処理装置４００は、位置情報Ｐ１を供給し、画像情報Ｖを供給される入出力装置４２０と、位置情報Ｐ１を供給され画像情報Ｖを供給する演算装置４１０と、を含んで構成され、演算装置４１０は、位置情報Ｐ１の移動速度に基づいて画像情報Ｖのコントラストまたは明るさを決定する機能を備える。
【０２６３】
これにより、画像情報の表示位置を移動する際に、使用者の目に与える負担を軽減することができ、使用者の目にやさしい表示をすることができる。また、消費電力を低減し、直射日光下等の明るい場所においても優れた視認性を提供できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【０２６４】
本発明の一態様は、演算装置４１０または入出力装置４２０を備える。
【０２６５】
演算装置４１０は、演算部４１１および記憶部４１２を備える。また、伝送路４１４および入出力インターフェース４１５を備える（図１６（Ａ）参照）。
【０２６６】
演算部４１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
【０２６７】
記憶部４１２は、例えば演算部４１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
【０２６８】
具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
【０２６９】
入出力インターフェース４１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路４１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置４２０と電気的に接続することができる。
【０２７０】
伝送路４１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース４１５と電気的に接続することができる。また、演算部４１１、記憶部４１２または入出力インターフェース４１５と電気的に接続することができる。
【０２７１】
入出力装置４２０は、表示部４３０、入力部４４０、検知部４５０または通信部４９０を備える。
【０２７２】
表示部４３０は、表示領域４３１と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、を有する（図１７（Ａ）参照）。例えば、実施の形態１に示した表示パネルを用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。
【０２７３】
表示領域４３１は、行方向に配設される複数の画素４３２（ｉ，１）乃至４３２（ｉ，ｎ）と、列方向に配設される複数の画素４３２（１，ｊ）乃至４３２（ｍ，ｊ）と、複数の画素４３２（ｉ，１）乃至４３２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）と、複数の画素４３２（１，ｊ）乃至４３２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）と、を備える。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。
【０２７４】
なお、画素４３２（ｉ，ｊ）は、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、信号線Ｓ１（ｊ）信号線Ｓ２（ｊ）、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線ＶＣＯＭ１および配線ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図１７（Ｃ）参照）。
【０２７５】
また、表示部は、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示部４３０Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有することができる（図１７（Ｂ）参照）。
【０２７６】
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【０２７７】
一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【０２７８】
例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
【０２７９】
また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度を、異ならせることができる。具体的には、動画像を滑らかに表示する領域に、静止画像をフリッカーが抑制された状態で表示する領域より高い頻度で選択信号を供給することができる。
【０２８０】
駆動回路ＳＤは、画像情報Ｖに基づいて画像信号を供給する機能を有する。
【０２８１】
画素４３２（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子４３５ＬＣおよび第１の表示素子４３５ＬＣと重なる第２の表示素子４３５ＥＬを備える。また、第１の表示素子４３５ＬＣおよび第２の表示素子４３５ＥＬを駆動する画素回路を備える（図１７（Ｃ）参照）。
【０２８２】
《第１の表示素子４３５ＬＣ》例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子４３５ＬＣに用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子４３５ＬＣに用いることができる。
【０２８３】
第１の表示素子４３５ＬＣは、第１電極と、第２電極と、液晶層と、を有する。液晶層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶層の厚さ方向（縦方向ともいう）、横方向または斜め方向の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
【０２８４】
《第２の表示素子４３５ＥＬ》例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第２の表示素子４３５ＥＬに用いることができる。具体的には、有機ＥＬ素子を用いることができる。
【０２８５】
具体的には、白色の光を射出する機能を備える有機ＥＬ素子を第２の表示素子４３５ＥＬに用いることができる。または、青色の光、緑色の光または赤色の光を射出する有機ＥＬ素子を第２の表示素子４３５ＥＬに用いることができる。
【０２８６】
《画素回路》第１の表示素子４３５ＬＣまたは第２の表示素子４３５ＥＬを駆動する機能を備える回路を画素回路に用いることができる。
【０２８７】
スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路に用いることができる。
【０２８８】
例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
【０２８９】
《トランジスタ》例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
【０２９０】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタ、またはトップゲート型のトランジスタなどを用いることができる。
【０２９１】
ところで、例えば、アモルファスシリコン膜を半導体膜に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコン膜を半導体膜に用いるトップゲート型の製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。
【０２９２】
例えば、１４族の元素を含む半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン膜、微結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜などを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【０２９３】
なお、半導体膜にポリシリコン膜を用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体膜に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。
【０２９４】
また、ポリシリコン膜を半導体膜に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコン膜を半導体膜に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【０２９５】
また、ポリシリコン膜を半導体膜に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコン膜を半導体膜に用いるトランジスタに比べて優れる。
【０２９６】
例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【０２９７】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコン膜を用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、半導体膜に酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることができる。
【０２９８】
これにより、画素回路が画像信号を保持することができる時間を、アモルファスシリコン膜を半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路が保持することができる時間より長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【０２９９】
《入力部４４０》さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部４４０に用いることができる（図１６（Ａ）参照）。
【０３００】
例えば、キーボード、ポインティングデバイス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部４４０に用いることができる。なお、表示部４３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。表示部４３０と表示部４３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルということができる。
【０３０１】
例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。
【０３０２】
例えば、演算装置４１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
【０３０３】
一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。
【０３０４】
《検知部４５０》検知部４５０は、周囲の状態を検知して情報Ｐ２を取得する機能を備える。
【０３０５】
例えば、カメラ、加速度センサ、方位センサ、圧力センサ、温度センサ、湿度センサ、照度センサまたはＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路等を、検知部４５０に用いることができる。
【０３０６】
例えば、検知部４５０の照度センサが検知した周囲の明るさを、演算装置４１０が、所定の照度と比較して十分に明るいと判断した場合、画像情報を第１の表示素子４３５ＬＣを使用して表示する。または、照度センサが検知した周囲の明るさを薄暗いと判断した場合、画像情報を第１の表示素子４３５ＬＣおよび第２の表示素子４３５ＥＬを使用して表示する。または、照度センサが検知した周囲の明るさを暗いと判断した場合、画像情報を第２の表示素子４３５ＥＬを使用して表示する。
【０３０７】
具体的には、反射型の液晶素子または／および有機ＥＬ素子を用いて、周囲の明るさに基づいて画像を表示する。
【０３０８】
これにより、例えば、外光の強い環境において反射型の表示素子を用い、薄暗い環境において自発光型の表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、消費電力が低減された、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【０３０９】
例えば、環境光の色度を検出する機能を備えるセンサを検知部４５０に用いることができる。具体的には、ＣＣＤカメラ等を用いることができる。これにより、例えば、検知部４５０が検出した環境光の色度に基づいて、ホワイトバランスの偏りを補うことができる。
【０３１０】
具体的には、第１のステップにおいて、環境光のホワイトバランスの偏りを検知する。
【０３１１】
第２のステップにおいて、第１の表示素子を用いて環境光を反射して表示する画像に不足する色の光の強さを予測する。
【０３１２】
第３のステップにおいて、第１の表示素子を用いて環境光を反射し、第２の表示素子を用いて不足する色の光を補うように光を射出して、画像を表示する。
【０３１３】
これにより、第１の表示素子が反射する光と、第２の表示素子が射出する光を用いて、ホワイトバランスの偏りが補正された表示をすることができる。その結果、消費電力が低減された、またはホワイトバランスが整えられた画像を表示することができる、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【０３１４】
《通信部４９０》通信部４９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
【０３１５】
ところで、検知部４５０を用いて情報処理装置の使用環境を検知して、検知された情報に基づいて、画像情報を生成してもよい。例えば、環境の明るさ等を検知して、画像情報の背景に使用者の嗜好に合わせた色を用いることができる（図１６（Ｂ）参照）。
【０３１６】
ところで、通信部４９０を用いて特定の空間に配信された情報を受信して、受信した情報に基づいて、画像情報を生成してもよい。例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して表示して、教科書に用いることができる。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して表示することができる（図１６（Ｃ）参照）。
【０３１７】
（実施の形態６）本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルを有する表示モジュール及び電子機器について、図１８を用いて説明を行う。
【０３１８】
図１８（Ａ）乃至図１８（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。
【０３１９】
図１８（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図１８（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１８（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３、等を有することができる。図１８（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１８（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図１８（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１８（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。
【０３２０】
図１８（Ａ）乃至図１８（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１８（Ａ）乃至図１８（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０３２１】
図１８（Ｈ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。表示パネル７３０４に用いる基板はフレキシブルなフィルム基板であり、ガラス基板に比べて割れにくく、軽量である。
【０３２２】
ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。なお、表示パネル７３０４としては、矩形状の表示領域としてもよい。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。
【０３２３】
なお、図１８（Ｈ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。
【０３２４】
また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、実施の形態１または実施の形態３に示した表示モジュールをその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。
【０３２５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０３２６】
１００：基板
１０１    酸化物層
１０２ａ    金属層
１０２ｂ    金属層
１０３    樹脂層
１０４    バリア層
１０５    トランジスタ
１０６    絶縁層
１０８    半導体層
１０９    電極
１１０    電極
１１１    隔壁
１１２    ＥＬ層
１１３    電極
１１４    接着層
１１５    可撓性フィルム
【図１】
2017183717.tif 000003
【図２】
2017183717.tif 000004
【図３】
2017183717.tif 000005
【図４】
2017183717.tif 000006
【図５】
2017183717.tif 000007
【図６】
2017183717.tif 000008
【図７】
2017183717.tif 000009
【図８】
2017183717.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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