(57)【要約】      （修正有）【課題】スパッタリングガス中の、酸素と、窒素との２種類のガスについて組成を高精度に管理する必要がなく、ニッケル、タングステン、酸素、及び窒素を含有し、安定した光学特性を有する黒化層を容易に成膜することができるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】酸化ニッケルを主成分とし、さらに酸化タングステンを５〜３０質量％含有し、電気抵抗率が２．２×１０-４〜３．０×１０-２Ωｃｍであるスパッタリングターゲット。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化ニッケルを主成分とし、
さらに酸化タングステンを５質量％以上３０質量％以下含有し、
電気抵抗率が２．２×１０-４Ωｃｍ以上３．０×１０-２Ωｃｍ以下であるスパッタリングターゲット。
【請求項２】
表面の色調がＣＩＥ１９７６空間での測定において、
明度（Ｌ＊）が４８．８以上６８．１以下、
彩度（Ｃ*）が４．０以上８．５以下である請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
酸化ニッケルを主成分とし、さらに酸化タングステンを５質量％以上３０質量％以下含有する原料粉末を含むスラリーを調製するスラリー調製工程と、
前記スラリーを噴霧、乾燥して造粒し、造粒粉末を作製する造粒工程と、
前記造粒粉末を成型し、大気圧下で焼結する焼結工程と、
前記焼結工程後、真空雰囲気下で、１０００℃以上の温度で熱処理を行う真空熱処理工程と、を有するスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示されているように、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。
【０００３】
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
【０００４】
このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、配線層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
【０００５】
そこで、銅等の金属箔により構成される配線層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。
【０００６】
本発明の発明者らの検討によると、ニッケル、タングステン、酸素、及び窒素を含有する黒化層は、銅等の金属箔により構成される配線層表面での光の反射を特に抑制することができる。また、係る黒化層は、エッチング液に対して銅と同等の反応性を示すことができる。
【０００７】
係るニッケル、タングステン、酸素、及び窒素を含有する黒化層は、Ｎｉ−Ｗ合金ターゲットを用い、スパッタリングガスとして、アルゴン等の不活性ガスと、酸素と、窒素との混合ガスを用い、反応性スパッタリングにより、成膜することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１５１３５８号公報
【特許文献２】特開２０１１−０１８１９４号公報
【特許文献３】特開２０１３−０６９２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、Ｎｉ−Ｗ合金ターゲットを使用し、スパッタリングガスとして不活性ガスと、酸素と、窒素との混合ガスを用いて黒化層を成膜する場合、黒化層の組成は、スパッタリングガス中の酸素と、窒素との組成に大きく影響を受ける。そして、黒化層の組成は、黒化層を含む導電性基板の光学特性に影響を及ぼす。このため、安定した光学特性を有する導電性基板を作製するためにはスパッタリングガス中の、酸素と、窒素との２種類のガスについて組成を高精度に管理する必要があり、所望の組成の黒化層を成膜することが困難であった。
【００１０】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面ではニッケル、タングステン、酸素、及び窒素を含有する黒化層を容易に成膜することができるスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため本発明の一態様は、
酸化ニッケルを主成分とし、
さらに酸化タングステンを５質量％以上３０質量％以下含有し、
電気抵抗率が２．２×１０-４Ωｃｍ以上３．０×１０-２Ωｃｍ以下であるスパッタリングターゲットを提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様によれば、ニッケル、タングステン、酸素、及び窒素を含有する黒化層を容易に成膜することができるスパッタリングターゲットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図３】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。
【図４】図３のＡ−Ａ´線における断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明のスパッタリングターゲットおよびスパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態について説明する。
（スパッタリングターゲット）
本実施形態のスパッタリングターゲットは酸化ニッケルを主成分とし、さらに酸化タングステンを５質量％以上３０質量％以下含有することができる。そして、電気抵抗率を２．２×１０-４Ωｃｍ以上３．０×１０-２Ωｃｍ以下とすることができる。
【００１５】
本実施形態のスパッタリングターゲットは、酸化ニッケルと酸化タングステンとの混合物を含有することができる。
【００１６】
そして、本実施形態のスパッタリングターゲットは、酸化ニッケルを主成分として含有することができる。ここでいう主成分とは、本実施形態のスパッタリングターゲット中に質量比で最も多く含まれていることを意味し、特に５０質量％以上含まれていることが好ましい。
【００１７】
また、本実施形態のスパッタリングターゲットは例えば、酸化ニッケルと酸化タングステンとの混合物と、バインダー等のスパッタリングターゲットを作製するにあたっての不可避成分とから構成することができる。このため、酸化ニッケルは、酸化タングステンとバインダー等の不可避成分を除いた残部とすることもできる。
【００１８】
そして、本実施形態のスパッタリングターゲットは、酸化タングステンを５質量％以上３０質量％以下含有することができる。
【００１９】
本実施形態のスパッタリングターゲットは、酸化ニッケルと、酸化タングステンとの混合物を焼結することで作製することができるが、スパッタリングターゲット中の酸化タングステンの含有量が３０質量％を超えるとターゲットの焼結性が低下する場合がある。このため、スパッタリングターゲット中の酸化タングステンの含有量が３０質量％を超えると、ターゲットの焼結後に割れ等が発生する場合があり、ターゲットを安定して生産することができず、歩留まりが低下する恐れがある。また、安定して黒化層の成膜の用に供することができない場合がある。
【００２０】
これに対して、酸化タングステンの含有量が３０質量％以下の場合、焼結性が十分に高く、ターゲットを安定して生産することができ、また安定して黒化層の成膜の用に供することができる。このため、本実施形態のスパッタリングターゲットの酸化タングステンの含有量は３０質量％以下であることが好ましく、２５質量％以下であることがより好ましい。
【００２１】
また、酸化タングステンの添加量を５質量％以上とすることで、黒化層を成膜した時の、透明基材と黒化層との密着性を高めることができる。このため、本実施形態のスパッタリングターゲットの酸化タングステンの含有量は５質量％以上であることが好ましく、１５質量％以上であることがより好ましい。
【００２２】
スパッタリングターゲットの電気抵抗率は、スパッタリング時の黒化層の生産性やスパッタリング膜である黒化層の品質に影響を与える。
【００２３】
例えばスパッタリングターゲットの電気抵抗率が小さい程、低電流でスパッタリングをすることが可能になる。また、スパッタリング時に異常放電が起きず、均一なスパッタリング膜である黒化層を形成できる。このため、スパッタリングターゲットの電気抵抗率は極力小さい方が良い。
【００２４】
本実施形態のスパッタリングターゲットは、電気抵抗率が２．２×１０−４Ωｃｍ以上３．０×１０−２Ωｃｍ以下の範囲であることが好ましい。これは、スパッタリングターゲットの電気抵抗率が３．０×１０−２Ωｃｍを超えると、スパッタリング時に異常放電の発生が多発する傾向にあり、成膜した黒化層の均一性や再現性が低下する場合があるためである。
【００２５】
また、電気抵抗率が２．２×１０−４Ωｃｍ未満のスパッタリングターゲットは安定して製造することが困難であり、生産性の観点から好ましくないからである。
【００２６】
本実施形態のスパッタリングターゲットは、酸化ニッケルと、酸化タングステンとの混合物を焼結することで作製することができる。酸化ニッケル、及び酸化タングステンはともに絶縁体であり、通常焼結しても電気抵抗率は大きい。そこで、本実施形態のスパッタリングターゲットの電気抵抗率を上述の範囲とする場合、後述するように真空雰囲気下で熱処理を行い電気抵抗率を選択することが好ましい。
【００２７】
また、本実施形態のスパッタリングターゲットの表面の色調は、ＣＩＥ１９７６空間での測定において、明度（Ｌ＊）が４８．８以上６８．１以下、かつ彩度（Ｃ*）が４．０以上８．５以下であることが好ましい。
【００２８】
前述のように、スパッタリングターゲットにおいて電気抵抗率は重要な特性である。しかし、工程内の途中で個別に測定することは難しい。そこで、本発明の発明者らは、試行錯誤を行った結果、電気抵抗率と色調が負の相関があることを見出した。色調は、非接触で簡単に測定することが可能であり、工程内、個別製品毎に個別に測定でき、品質管理には有効である。
【００２９】
そして、本発明の発明者らの検討によると、スパッタリングターゲットの明度（Ｌ＊）が４８．８以上６８．１以下、かつ彩度（Ｃ*）が４．０以上８．５以下の場合に、電気抵抗率が上述の所定の範囲内にあることを見出した。このため、明度、及び彩度が上記範囲を満たすスパッタリングターゲットを用いて黒化層を成膜すると、異常放電の発生を抑制できる。また、成膜した黒化層の膜の均一性や再現性を向上させることができる。
【００３０】
本実施形態のスパッタリングターゲットの焼結体相対密度は特に限定されるものではないが、本実施形態のスパッタリングターゲットの焼結体相対密度が７５％未満の場合、ターゲットを作製中もしくは、スパッタリング中に割れが発生する場合がある。このため、スパッタリングターゲットの生産の歩留まりが低下したり、黒化層の成膜中にスパッタリングターゲットが割れる等して生産性が低下する恐れがある。
【００３１】
従って、本実施形態のスパッタリングターゲットの焼結体相対密度は７５％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
（スパッタリングターゲットの製造方法）
次に、本実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。
【００３２】
本実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法は、以下の工程を有することができる。
【００３３】
酸化ニッケルを主成分とし、さらに酸化タングステンを５質量％以上３０質量％以下含有する原料粉末を含むスラリーを調製するスラリー調製工程。  
スラリーを噴霧、乾燥して造粒し、造粒粉末を作製する造粒工程。  
造粒粉末を成型し、大気圧下で焼結する焼結工程。  
焼結工程後、真空雰囲気下で、１０００℃以上の温度で熱処理を行う真空熱処理工程。  
以下、各工程について説明する。
（１）スラリー調製工程
スラリー調製工程では、原料粉末を含むスラリーを調製することができる。
【００３４】
原料粉末は、酸化ニッケル粉末と、酸化タングステン粉末とを含むことができ、作製するスパッタリングターゲットの組成にあわせて酸化ニッケルを主成分として含み、酸化タングステンを５質量％以上３０質量％以下含むことが好ましい。
【００３５】
原料粉末が酸化ニッケルを主成分として含むとは、原料粉末中に酸化ニッケルが質量比で最も多く含まれていることを意味する。酸化ニッケルは原料粉末中に特に５０質量％以上含まれていることが好ましい。
【００３６】
また、本実施形態のスパッタリングターゲットは既述のように、例えば酸化ニッケルと酸化タングステンとの混合物と、バインダー等のスパッタリングターゲットを作製するにあたっての不可避成分とから構成することができる。このため、作製するスパッタリングターゲットにあわせて、原料粉末中の酸化ニッケルは、酸化タングステンを除いた残部とすることもできる。
【００３７】
酸化タングステンは、原料粉末中に５質量％以上３０質量％以下含まれていることが好ましく、１５質量％以上２５質量％以下含まれていることが好ましい。
【００３８】
原料粉末は、上述の様に酸化ニッケル粉末と、酸化タングステン粉末との混合粉末を用いることができる。各粉末の粒径は特に限定されるものではないが、両粉末の混合が十分に進み、造粒工程で造粒しやすいように、酸化ニッケル粉末の平均粒径は０．６μｍ以上１．２μｍ以下であることが好ましい。また、酸化タングステン粉末についても平均粒径が０．６μｍ以上１．２μｍ以下であることが好ましい。
【００３９】
なお、平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。本明細書の他の部分でも平均粒径は同様の意味を有する。
【００４０】
スラリー調製工程では、ここまで説明した原料粉末からスラリーを調製することができる。具体的には例えば、原料粉末に溶媒と、水溶性バインダーとを配合し、湿式混合、粉砕することでスラリーを調製できる。
【００４１】
溶媒としては、例えば純水等を好ましく用いることができる。また、水溶性バインダーとしては例えばポリビニルアルコール等を好ましく用いることができる。
【００４２】
原料粉末、溶媒、および水溶性バインダーの混合割合は特に限定されるものではない。例えば調製したスラリー中の粉末濃度、すなわちスラリー中の原料粉末の割合は、３０質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、３５質量％以上４５質量％以下であることがより好ましい。
【００４３】
これは、スラリー中の粉末濃度が３０質量％未満の場合、後述する造粒工程で乾燥するために多くのエネルギーを要し好ましくないためである。また、スラリー中の粉末濃度が５０質量％を超えるとスラリーの粘性が高くなり、解砕効率が低下し、スラリー中での原料粉末の分散の程度が悪くなる恐れがあるからである。
【００４４】
原料粉末に溶媒と水溶性バインダーを配合した後の混合、粉砕手段は特に限定されるものではなく、例えば、湿式のボールミルや振動ミル等を用いることができる。特に凝集体の解砕効率が高く、添加物の分散状態も良好なものとすることができることから、湿式のボールミルを好ましく用いることができる。
【００４５】
また、混合、粉砕条件は特に限定されるものではなく、用いる混合、粉砕手段や、そのスケール等に応じて任意に選択することができる。例えば十分に混合、粉砕が進むように、１２時間以上２４時間以下混合、粉砕手段により混合、粉砕を行うことが好ましい。これは、混合、粉砕時間が１２時間未満の場合、均一で微細な結晶粒および添加物の良好な分散状態を得ることができない場合があるからである。また、２４時間を超える場合には、スラリーへの不純物の混入量が増加する恐れがあるからである。
【００４６】
例えば、スラリー中の混合粉末の平均粒径が０．５μｍ以下になるまで、混合、粉砕を実施することが好ましい。
（２）造粒工程
造粒工程では、スラリー調製工程で調製したスラリーを噴霧、乾燥して造粒し、造粒粉末を作製することができる。
【００４７】
スラリーから造粒粉末を作製する具体的な方法は特に限定されるものではないが、例えば、スラリーをスプレードライヤーなどの乾燥、造粒設備を用いて造粒することができる。
【００４８】
造粒工程で形成する造粒粉末の平均粒径は特に限定されるものではないが、例えば造粒粉末の平均粒径が５μｍ以上となるように造粒することが好ましい。
【００４９】
造粒工程で得られた造粒粉末は流動性が高く、型への充填が容易となる。なお、造粒粉末を作製する際に、造粒粉末に含まれる水分量を調整し、造粒粉末が硬くなりすぎないようにすることが望ましい。
（３）焼結工程
焼結工程では、造粒粉末を成型し、大気圧下で焼結することができる。
【００５０】
まず、造粒粉末を成型する方法について説明する。
【００５１】
造粒粉末は、例えば型に詰め、または冷間プレスにより所望の形状にした後、さらに冷間静圧プレスを行い成型することができる。
【００５２】
冷間静圧プレスを用いる場合の圧力は特に限定されるものではないが、例えば２９４ＭＰａ（３ｔｏｎ／ｃｍ２）以上であることが好ましい。これは、２９４ＭＰａ以上の圧力で冷間静圧プレスを行うことで、造粒粉末間に存在する空孔を除去することができ、焼結体の密度を十分に高めることができるからである。また、成型体強度も高くすることができるので、安定して製造することが可能になる。
【００５３】
次に成型体を焼結する方法について説明する。
【００５４】
得られた成型体は、大気圧下で加熱し、焼結することができる。
【００５５】
焼結する際の雰囲気は特に限定されないが、例えば大気雰囲気下、または酸素雰囲気下で加熱し、焼結することが好ましい。なお、酸素雰囲気とは、純酸素雰囲気または高濃度酸素雰囲気を意味する。
【００５６】
焼結する際に加熱する温度である焼結温度は特に限定されないが、例えば１２００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。特に焼結温度は１２５０℃以上１３５０℃以下であることがより好ましい。
【００５７】
これは、焼結温度が１２００℃未満の場合、得られる焼結体の焼結体相対密度が７５％未満となる場合があるからである。既述のように、本実施形態のスパッタリングターゲットの焼結体相対密度が７５％未満の場合、ターゲットを作製中もしくは、スパッタリング中に割れが発生する場合がある。このため、スパッタリングターゲットの生産の歩留まりが低下したり、黒化層の成膜中にスパッタリングターゲットが割れる等して生産性が低下する恐れがある。
【００５８】
また、焼結温度が１４００℃を超えた場合、ターゲット中に存在する酸化タングステンの揮発を促進するため、最終的に所望の組成比の焼結体が得られない可能性があるからである。
【００５９】
焼結時間は特に限定されるものではないが、例えば上記焼結温度で３時間以上２０時間以下保持することが好ましい。
（４）真空熱処理工程
真空熱処理工程では、焼結工程後、真空雰囲気下で、１０００℃以上の温度で熱処理を行うことができる。
【００６０】
真空熱処理工程における真空雰囲気の程度は特に限定されるものではないが、例えば、真空度が１．２×１０−１Ｐａ以下であることが好ましい。
【００６１】
また、真空熱処理工程における熱処理温度の最高温度は１０００℃以上とすることができる。特に真空熱処理工程における熱処理温度の最高温度は１０００℃以上１３００℃未満であることが好ましく、１１００℃以上１２００℃以下であることがより好ましい。
【００６２】
真空熱処理工程を実施することで、スパッタリングターゲットの導電性を高めることができる。しかしながら、熱処理温度の最高温度が１０００℃未満の場合には、真空熱処理後に、ターゲット内に導電性のない部分が残存し、ターゲット内に導電性のある部分とない部分とが混在する場合がある。このため、スパッタリングターゲットとして用いた場合に、アーキングやチャージアップを引き起こす恐れがあるためである。
【００６３】
また、熱処理温度の最高温度が１３００℃以上となると、焼結体中の酸化ニッケル及び酸化タングステンが分解する場合があるためである。
【００６４】
以上に本実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法の一構成例について説明したが、上述の工程以外にも任意の工程を有することができる。
【００６５】
例えば、加工工程を有することができる。加工工程では、スパッタリングターゲットの形状を整えるための加工を行うことができる。
【００６６】
加工工程では、平面研削盤やＮＣ工作機などの加工機械などを用いて加工を行うことができる。なお、加工工程において、加工後は超音波洗浄機などで洗浄を行い、循環式乾燥器などで乾燥を行うことが好ましい。これは、洗浄と乾燥とを行うことで、加工時にスパッタリングターゲット中に含まれた研削液の有機分や水分を除去するためである。加工工程を行うタイミングは特に限定されないが、例えば、焼結工程後、真空熱処理工程前に実施することが好ましい。
【００６７】
以上に説明した本実施形態のスパッタリングターゲット、及びスパッタリングターゲットの製造方法により得られるスパッタリングターゲットによれば、ニッケル、タングステン、酸素、及び窒素を含有する黒化層を容易に成膜することができる。
【００６８】
これは、本実施形態のスパッタリングターゲットは酸素を含んでおり、ニッケル、タングステン、酸素、及び窒素を含有する黒化層を成膜する際、供給するスパッタリングガス中の窒素を制御することで所望の組成の黒化層を成膜できるからである。そして、本実施形態のスパッタリングターゲットを用いることで、均一で、反射率と、エッチング性とに優れた黒化層を作製することができる。
【００６９】
このため、Ｎｉ−Ｗ合金ターゲットを用いて、スパッタリングガス中の酸素と、窒素との２種類のガスについて組成を高精度に管理する必要があった従来技術と比較して、より容易に安定した組成の黒化層を成膜することが可能になる。
（導電性基板）
ここで、本実施形態のスパッタリングターゲットを用いて作製される導電性基板の一構成例について説明する。
【００７０】
なお、本実施形態における導電性基板とは、銅層等をパターニングする前の透明基材の表面に銅層や黒化層を有する基板と銅層等をパターニングして配線の形状にした基板、すなわち配線基板とを含む。
【００７１】
ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
【００７２】
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
【００７３】
可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えばポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等を好ましく用いることができる。
【００７４】
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。
【００７５】
次に銅層について説明する。銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または銅層と、ニッケル、タングステン、酸素、及び窒素を含有する層（以下、単に「黒化層」とも記載する）との間に接着剤を配置しないことが望ましい。すなわち銅層は他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００７６】
例えば透明基材または黒化層上に乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を銅層とすることができる。これにより、透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。
【００７７】
また、銅層の膜厚が厚い場合には、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することにより、銅薄膜層と銅めっき層とを有する銅層とすることもできる。すなわち、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有していても良い。銅層が銅薄膜層と銅めっき層とを有することにより、この場合も透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。
【００７８】
銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に十分に電流を供給できるように銅層は１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。
【００７９】
銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じやすくなる。このため、銅層の厚さは３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００８０】
なお、銅層が上述のように銅薄膜層と銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【００８１】
次に、黒化層について説明する。銅層は金属光沢を有するため、透明基材に銅層をエッチングした配線を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。
【００８２】
そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきたが、黒化層がエッチング液に対する反応性を十分に有していない場合があり、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングすることは困難であった。そこで本発明の発明者らが検討を行ったところ、ニッケル、タングステン、酸素、及び窒素を含有する層は黒色であるため黒化層に使用でき、さらにエッチング液に対して十分な反応性を示すため、銅層と同時にエッチング処理を行えることを見出したものである。
【００８３】
ニッケル、タングステン、酸素、及び窒素を含有する層である黒化層は、本実施形態のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により成膜することができる。
【００８４】
黒化層をスパッタリング法により成膜する際、チャンバー内には反応性ガスとして窒素のみ、または酸素と窒素とを供給しながら成膜することができる。チャンバー内に供給するガス中の酸素と窒素の供給割合は特に限定されるものではないが、酸素を０体積以上２０体積％以下、窒素を３０体積％以上７０体積％以下の割合で含有するガスをチャンバー内へ供給しながらスパッタリング法により成膜することが好ましい。
【００８５】
これは、チャンバー内へ供給するガス中の酸素の供給割合を２０体積％以下とすることにより、黒化層のエッチング液に対する反応性を特に高めることができ、銅層と共にエッチングを行う際、銅層と黒化層とをより容易に所望のパターンにすることができ好ましいからである。なお、上述のように黒化層を成膜する際のターゲットには酸素が含まれているため、黒化層を成膜する際のチャンバー内へ供給するガス中の酸素の供給割合は、０体積％以上１０体積％以下とすることがより好ましい。
【００８６】
黒化層を成膜する際にチャンバー内に窒素を供給することにより、成膜した黒化層をエッチングしやすくなるが、供給割合が多くなりすぎると黒化層の黒色が薄くなり、黒化層としての性能が低下する恐れがある。また、窒素の供給割合が多くなりすぎると、ターゲットからのスパッタ速度が遅くなる恐れがある。このためスパッタリングの際にチャンバー内に供給するガス中の窒素の供給割合は３０体積％以上７０体積％以下とすることが好ましく、３５体積％以上４０体積％以下とすることがより好ましい。
【００８７】
チャンバー内に供給するガス中の窒素の供給割合を３０体積％以上とすることで、成膜した黒化層をよりエッチングし易くなり好ましい。
【００８８】
また、チャンバー内に供給するガス中の窒素の供給割合を７０体積％以下とすることにより酸化ニッケルと酸化タングステンとの混合物からなるターゲットのスパッタ速度を確保でき、成膜した黒化層について、光の反射を十分に抑制できる色にできるため好ましい。さらにチャンバー内に供給するガス中の窒素の供給割合が４０体積％以下になるように供給した場合、スパッタ速度が特に向上するため、より好ましい。
【００８９】
なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素と窒素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素と窒素以外の残部については例えばアルゴンまたはヘリウムを供給することができる。
【００９０】
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、２０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上とすることがより好ましい。これは、黒化層が薄い場合には光の反射を十分に抑制することができない場合があるためである。これに対して黒化層の厚さを上記範囲とすることにより、銅層表面での光の反射をより確実に抑制できるため好ましい。
【００９１】
黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは５０ｎｍ以下とすることが好ましく、４５ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００９２】
次に、本実施形態の導電性基板の構成例について説明する。
【００９３】
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、銅層と、黒化層と、を備えている。この際、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。
【００９４】
具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１、図２は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
【００９５】
例えば、図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１（ａ）、（ｂ）の例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。
【００９６】
このように透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。透明基材１１と銅層１２との間に黒化層１３を配置した場合、黒化層１３により透明基材１１と銅層１２との密着性を高めることができるため好ましい。なお、例えば後述する図２（ａ）に示した構造を有する場合についても、同様の理由から第１の黒化層１３１は透明基材１１と銅層１２との密着性を高めることができる。
【００９７】
また、例えば黒化層を透明基材１１の１つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２（ａ）に示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、銅層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。
【００９８】
この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。
【００９９】
なお、図１（ｂ）、図２（ｂ）において、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ａ）の構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
【０１００】
ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅層と、銅層表面での光の反射を抑制できる黒化層と、を設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。
【０１０１】
本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば本実施形態の導電性基板は、波長５５０ｎｍの光の反射率は４０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることが特に好ましい。これは波長５５０ｎｍの光の反射率が４０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。
【０１０２】
反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、導電性基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化層側から測定を行うことができる。
【０１０３】
具体的には例えば図１（ａ）のように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、図中Ａで示した表面側から測定できる。
【０１０４】
また、図１（ａ）の場合と銅層１２と黒化層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１３、銅層１２の順に積層した場合、透明基材１１を除いて黒化層１３が最表面に位置する側である、透明基材１１の面１１ｂ側から反射率を測定できる。
【０１０５】
なお、後述のように導電性基板は銅層及び黒化層をエッチングすることにより配線を形成できるが、上記反射率は導電性基板のうち透明基材を除いた場合に最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における反射率を示している。このため、エッチング処理前、または、エッチング処理を行った後であれば、黒化層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。
【０１０６】
本実施形態の導電性基板は例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板にはメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
【０１０７】
メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。
【０１０８】
例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を銅層、黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の配線３１ＡとＹ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは銅層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。
【０１０９】
透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４（ａ）、（ｂ）に示す。図４（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
【０１１０】
まず、図４（ａ）に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、この場合、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置される。
【０１１１】
また、図４（ｂ）に示したように、１組の透明基材１１Ａ、１１Ｂを用い、一方の透明基材１１Ａを挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１Ａ、１１Ｂ間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、銅層との配置は限定されるものではない。このため、図４（ａ）、（ｂ）いずれの場合でも黒化層３２Ａ、３２Ｂと配線３１Ａ、３１Ｂの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化層を複数層設けることもできる。
【０１１２】
図３及び図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた導電性基板から形成することができる。
【０１１３】
図１（ｂ）の導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１（ｂ）中Ｘ軸方向に平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。図１（ｂ）中のＸ軸方向とは、図１（ｂ）中の各層の幅方向と平行な方向を意味している。
【０１１４】
そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１（ｂ）中Ｙ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１（ｂ）中のＹ軸方向は、紙面と垂直な方向を意味している。
【０１１５】
以上の操作により図３、図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。
【０１１６】
また、黒化層は銅層と同様のエッチング液への反応性を示すことから、上述の様に銅層と黒化層のエッチングを行う際に用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と、塩酸と、の混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と、塩酸との含有量は特に限定されるものではないが例えば、塩化第二鉄を５重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１０重量％以上３０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１重量％以上２０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。
【０１１７】
エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温していること好ましく、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることが好ましい。
【０１１８】
図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１（ａ）の導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図１（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではなく、図４（ｂ）のように銅層１２等が積層された図１（ａ）における面Ａと、銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂとを貼り合せてもよい。また、例えば透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４（ａ）に示した構造となるように貼り合せてもよい。
【０１１９】
なお、図３、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。
【０１２０】
また、図３、図４においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【０１２１】
このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
【実施例】
【０１２２】
以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
【０１２３】
まず、後述する各実施例、比較例において作製した試料の評価方法について説明する。
（評価方法）
（１）電気抵抗率
各実施例、比較例で作製したスパッタリングターゲットについて、電気抵抗率計（三菱化学アナリテック社製  ロレスタＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６１０型）を用いて、四探針法により電気抵抗率を測定した。なお、測定範囲を超え、電気抵抗率を測定できなかった試料についてはＯＶ．ＬＤとして示しており、この場合３．０×１０-２Ωｃｍを超えていることとなる。
（２）色調
各実施例、比較例で作製したスパッタリングターゲットについて、分光測色計（株式会社東洋精機製作所製ＢＹＫガードナー・スペクトロ-ガイド４５／０）を用いて、明度（Ｌ＊）及び彩度（Ｃ＊）を測定した。
（３）焼結体相対密度
焼結工程終了後、得られた焼結体についてアルキメデス法により密度の測定を行った。なお、測定に当たっては比重測定装置（株式会社島津製作所製  型番：ＵＷ−２２００Ｈ）を用いた。次に、各原料の密度の荷重平均密度（論理密度）を算出し、この荷重平均密度を１００％として、相対密度を算出した。
（４）反射率
実施例１６では、作製したスパッタリングターゲットを用いて導電性基板の作製を行った。そして、作製した導電性基板について反射率の測定を行った。
【０１２４】
反射率の測定は、紫外可視光分光光度計（株式会社島津製作所製  型番：ＵＶ−２５５０）に反射率測定ユニットを設置して行った。
【０１２５】
以下の実施例１６では断面形状が、銅層１２と、黒化層１３との積層順を逆にした点以外は、図１（ａ）と同様の構造を有する導電性基板を作製した。すなわち、透明基材１１側から、黒化層１３、銅層１２の順に積層した導電性基板を作製した。そこで、作製した導電性基板のうち、透明基材１１を除いて黒化層１３が最表面側に位置する透明基材１１側から、黒化層１３に対して入射角５°、受光角５°として、波長５５０ｎｍの光を照射した際の反射率を測定した。
（５）溶解試験
実施例１６のスパッタリングターゲットを用いて作製した導電性基板をエッチング液に浸漬して銅層及び黒化層の溶解試験を行った。エッチング液としては塩化第二鉄１０重量％と塩酸１０重量％と、残部が水からなる水溶液を用い、エッチング液の温度は室温（２５℃）とした。
【０１２６】
上記エッチング液に１分間浸漬後、導電性基板をエッチング液から取り出し、銅層および、黒化層が完全に溶解し、透明基材のみとなっていた場合に○と評価した。エッチング液から取り出した際に、銅層または黒化層が残存していた場合には、同じエッチング液にさらに１分間浸漬し、エッチング液から取り出した際に銅層及び黒化層が完全に溶解し、透明基材のみとなっていた場合には△と評価した。２回目のエッチング液への浸漬後においても銅層または黒化層が残存していた場合には×と評価した。
（試料の作製条件）
以下に各実施例、比較例におけるスパッタリングターゲットの製造条件を示す。
［実施例１］
以下の手順によりスパッタリングターゲットの作製を行った。
（１）スラリー調製工程
酸化タングステン粉末を１０質量％となるように含有し、残部が酸化ニッケル粉末からなる原料粉末を用意した。なお、用いた酸化タングステン粉末の平均粒径は１．０μｍであった。また、用いた酸化ニッケル粉末の平均粒径は１．０μｍであった。
【０１２７】
次いで、スラリー中の原料粉末の割合が４０質量％となるように、原料粉末に対して、純水と、水溶性バインダーとしてポリビニルアルコールと、を添加した。その後、原料粉末と、純水と、水溶性バインダーとの混合物を樹脂製ポットに入れ、硬質ＺｒＯ２ボールを用いて、湿式ボールミルにより２２時間混合、粉砕を行い、スラリーを調製した。
（２）造粒工程
次に、スラリー調製工程で得られたスラリーを噴霧、乾燥して造粒して造粒粉末を作製した。具体的には、スラリー調製工程で得られたスラリーを供給速度１４０ｍｌ／ｍｉｎ、熱風温度１８０℃の条件でスプレードライヤーを用いて乾燥造粒した。
（３）焼結工程
まず、造粒工程で得られた造粒粉末を型に入れて円盤状に成型した後、冷間静水圧プレスにて２９４ＭＰａ（３ｔｏｎ／ｃｍ２）の圧力を加え、直径１１０ｍｍ、厚さ９ｍｍの円盤状の成型体を得た。
【０１２８】
次に、この成型体を大気圧下、大気雰囲気下にて焼結した。焼結を行う際の焼結温度は１２００℃とし、焼結温度で２０時間保持して焼結を行った。得られた焼結体の密度を測定したところ、相対密度は７８％であることが確認できた。
（４）加工工程
平面研削盤などの加工機械を用いて、焼結体の形状を整えた。
（５）真空加熱工程
加工工程で形状を整えた焼結体を真空度が１．２×１０−１Ｐａ以下の真空雰囲気下で、熱処理温度の最高温度を１０００℃とし、最高温度での保持時間を３時間として熱処理を実施した。
【０１２９】
以上の工程により得られたスパッタリングターゲットについて、電気抵抗率、色調の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１３０】
【表１】
2017002329.tif 000002
[実施例２、３]
表１に示すように、原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を２０または３０質量％とし、残部を酸化ニッケルとした点以外は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
[実施例４、５、６]
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を表１に示した値とし、残部を酸化ニッケルとした点と、焼結工程における焼結温度を１３００℃とした点以外は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
[実施例７、８、９]
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を表１に示した値とし、残部を酸化ニッケルとした点と、焼結工程における焼結温度を１４００℃とした点以外は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
[実施例１０、１１、１２]
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を表１に示した値とし、残部を酸化ニッケルとした点と、真空加熱工程における熱処理温度の最高温度を１１００℃とした点以外は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
[実施例１３、１４、１５]
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を表１に示した値とし、残部を酸化ニッケルとした点と、焼結工程における焼結温度を１３００℃とした点以外は実施例１０〜１２と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
[実施例１６、１７、１８]
（スパッタリングターゲット）
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を表１に示した値とし、残部を酸化ニッケルとした点と、焼結工程における焼結温度を１４００℃とした点以外は実施例１０〜１２と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
（導電性基板）
（１）試料１
また、実施例１６で作製したスパッタリングターゲットを用いて導電性基板を作製した。この点について以下に説明する。
【０１３１】
銅層１２と、黒化層１３との積層順を逆にした点以外は、図１（ａ）に示した構造と同等の構造を有する導電性基板を作製した。すなわち、各層の積層順は透明基材１１側から黒化層１３、銅層１２の順となっている。
【０１３２】
以下に具体的な導電性基板の作製手順を説明する。
【０１３３】
まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０２ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を準備した（透明基材準備工程）。
【０１３４】
透明基材の一方の面上に、実施例１６で作製したターゲットを用いて、酸素および窒素を含有する雰囲気中で黒化層を形成した（黒化層形成工程）。
【０１３５】
黒化層形成工程はスパッタリング装置（芝浦メカトロニクス株式会社製  型式：ＣＦＳ−４ＥＳ−２）を用いて行った。
【０１３６】
まず、チャンバー内に透明基材を、ターゲットと対向し、ターゲットと、透明基材との間距離が８５ｍｍになるように設置した。
【０１３７】
次いで、チャンバー内に透明基材を設置後、チャンバー内を真空引きした。なお、スパッタリング前のチャンバーの到達真空度は１×１０−３Ｐａとした。
【０１３８】
そして、透明基材を１５ｒｐｍで回転させながらスパッタリングを行った。
【０１３９】
スパッタリングの間、チャンバー内には窒素とアルゴンとを合計で１５ｓｃｃｍになるように供給しながら行った。なお、チャンバーには窒素３０体積％、酸素２０体積％、残部がアルゴンになるように各ガスを供給し、スパッタリングを行った。また、スパッタリングにより黒化層の成膜を行う際、ＤＣ電源によってターゲットに電流０．４２Ａ、電圧４７６Ｖ（電力値約２００Ｗ）を印加した。
【０１４０】
以上の手順、条件により厚さ３０ｎｍの黒化層を成膜した。
【０１４１】
次に、透明基材の一方の面上、ここでは黒化層の上面に銅層を形成した（銅層形成工程）。
【０１４２】
銅層は、銅ターゲットを用いて、上記黒化層を成膜した基材に銅薄膜層の膜厚が２００ｎｍとなるようにスパッタリング法により成膜した。なお、銅薄膜層を成膜する際、チャンバーにはアルゴンを１００体積％供給し、基板回転速度を１５ｒｐｍとし、ＤＣ電源によりスパッタリングを行った。
【０１４３】
以上の工程により得られた導電性基板（試料１）について反射率と溶解試験を実施した。結果を表２に示す。
（２）試料２
黒化層を成膜する際、チャンバー内に窒素５０体積％、残部がアルゴンになるように各ガスを供給した点以外は試料１の導電性基板を作製した場合と同様にして試料２の導電性基板を作製した。なお、チャンバー内にはガスを合計で１５ｓｃｃｍになるように供給しながら行っている。
【０１４４】
結果を表２に示す。
【０１４５】
【表２】
2017002329.tif 000003
表２に示した結果によると、試料１、２については共に、波長５５０ｎｍの光の反射率は４０％以下であることが確認できた。また、溶解試験において評価が○または△となっており、銅層及び黒化層が同時に溶解することを確認できた。
[実施例１９、２０、２１]
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を表１に示した値とし、残部を酸化ニッケルとした点と、真空加熱工程における熱処理温度の最高温度を１２００℃とした点以外は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
[実施例２２、２３、２４]
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を表１に示した値とし、残部を酸化ニッケルとした点と、焼結工程における焼結温度を１３００℃とした点以外は実施例１９〜２１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
[実施例２５、２６、２７]
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を表１に示した値とし、残部を酸化ニッケルとした点と、焼結工程における焼結温度を１４００℃とした点以外は実施例１９〜２１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
[比較例１、２、３]
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を表１に示した値とし、残部を酸化ニッケルとした点と、焼結工程における焼結温度を１３００℃とした点と、真空加熱工程における熱処理温度の最高温度を９５０℃とした点以外は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
［比較例４］
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を４０質量％とし、残部を酸化ニッケルとした点と、焼結工程における焼結温度を１１００℃とした点と、真空加熱工程における熱処理温度の最高温度を１３００℃とした点以外は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
［比較例５］
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を４０質量％とし、残部を酸化ニッケルとした点と、焼結工程における焼結温度を１２００℃とした点と、真空加熱工程における熱処理温度の最高温度を１３００℃とした点以外は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
［比較例６］
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を４０質量％とし、残部を酸化ニッケルとした点と、焼結工程における焼結温度を１３００℃とした点と、真空加熱工程における熱処理温度の最高温度を１２００℃とした点以外は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
［比較例７］
原料粉末中の酸化タングステン粉末の含有量を４０質量％とし、残部を酸化ニッケルとした点と、焼結工程における焼結温度を１４００℃とした点と、真空加熱工程における熱処理温度の最高温度を１２００℃とした点以外は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
【０１４６】
実施例１〜実施例２７においては、酸化ニッケルを主成分とし、さらに酸化タングステンを５質量％以上３０質量％以下含有するスパッタリングターゲットを作製することが確認できた。さらに、実施例１〜実施例２７で作製したスパッタリングターゲットは、電気抵抗率が２．２×１０−４Ωｃｍ以上３．０×１０−２Ωｃｍ以下の範囲であることが確認できた。このため、スパッタリング時に異常放電の発生を抑制し、均一性の高い黒化層を再現性良く成膜できるスパッタリングターゲットが得られていることを確認できた。
【０１４７】
なお、色調についても、明度（Ｌ＊）が４８．８〜６８．１、彩度（Ｃ*）が４．０〜８．５の範囲内であることが確認できた。
【０１４８】
そして、実施例１６において作製したスパッタリングターゲットを用いて導電性基板を作製したところ、導電性基板の反射率は１４．７％、２０．２％と十分に低くなっていることが確認できた。従って、成膜した黒化層が銅層表面での光の反射を抑制できていることを確認できた。
【０１４９】
特に試料２については酸素を供給することなく黒化層の成膜を行ったにも関わらず、反射率が十分に低くなっていた。このことから、実施例１６で作製したスパッタリングターゲットによれば、少なくとも酸素ガスについては高い精度で制御していなくてもニッケル、タングステン、酸素、及び窒素を含有する黒化層を成膜でき、銅層表面での光の反射を抑制できることを確認できた。
【０１５０】
なお、他の実施例１〜１５、１７〜２７についても実施例１６と同様に、酸化ニッケル、及び酸化タングステンを含有し、電気抵抗率が十分に低いスパッタリングターゲットとなっているから、同様にして黒化層を成膜することができる。このため、実施例１〜２７のスパッタリングターゲットによれば、少なくとも酸素については高い精度での制御は要求されず、容易に黒化層を成膜できるものといえる。
【０１５１】
これに対して、比較例１〜３、６、７については電気抵抗率が測定範囲を超えて高くなっており、すなわち３．０×１０-２Ωｃｍを超えている。このため、スパッタリングの用に供した場合には、異常放電が発生する場合があり好ましくないことが確認できた。
【０１５２】
また、比較例４、５については、焼結体の相対密度が低く割れが生じ易かった。これは真空加熱工程における熱処理温度の最高温度が１３００℃と高く、焼結体の一部が分解したためと考えられる。比較例４、５については焼結体の相対密度が低いため、スパッタリングの用に供した場合には、黒化層を成膜している最中に割れる恐れがあり、好ましくないことが確認できた。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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