(57)【要約】【課題】取り外し時の破壊や剥離を防ぐ光偏向素子の提供。【解決手段】光Ｌを反射する反射面２２ａが設けられた可動部２２と、可動部２２を支持するための基板部２０と、可動部２２と基板部２０とを連結する梁部３０ａ、３０ｂと、を有し、梁部３０ａ、３０ｂは、電圧を印加される圧電部材３６ａと、圧電部材３６ａの光Ｌの入射方向＋Ｚ側の面に設けられた上部電極３４ａと、圧電部材３６ａを挟んで上部電極３４ａと反対側の−Ｚ面に設けられた下部電極３５ａと、を備え、反射面２２ａを含む当該光偏向素子１０２２の入射方向＋Ｚ側の面の最上層に設けられた第１の撥水膜７３を有する光偏向素子１０２２。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を反射する反射面が設けられた可動部と、
前記可動部を支持するための基板部と、
前記可動部と前記基板部とを連結する梁部と、を有し、
前記梁部は、電圧を印加される圧電部材と、前記圧電部材の前記光の入射方向側の面に設けられた上部電極と、前記圧電部材を挟んで前記上部電極と反対側の面に設けられた下部電極と、を備え、
前記反射面を含む当該光偏向素子の前記入射方向側の面の最上層に設けられた第１の撥水膜を有する光偏向素子。
【請求項２】
請求項１に記載の光偏向素子であって、
前記第１の撥水膜よりも下層側に、前記反射面を除き当該光偏向素子の前記入射方向側の面を覆うように設けられた第２の撥水膜を有することを特徴とする光偏向素子。
【請求項３】
請求項２に記載の光偏向素子であって、
前記反射面は、前記第１の撥水膜と前記第２の撥水膜とに挟まれた領域に形成されることを特徴とする光偏向素子。
【請求項４】
請求項３に記載の光偏向素子であって、
前記反射面よりも外側の領域において、前記第１の撥水膜と前記第２の撥水膜とが重なって配置されることを特徴とする光偏向素子。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１つに記載の光偏向素子を有し、
当該光偏向素子を用いて入射した前記光を所定の速度で走査面上に投射することを特徴とする光走査装置。
【請求項６】
請求項５に記載の光走査装置を有する画像形成装置。
【請求項７】
請求項５に記載の光走査装置を有する画像投影装置。
【請求項８】
当該光偏向素子の基板部を形成する基板形成工程と、
前記基板部を形成した後に光を反射するための反射面を形成する反射面形成工程と、
前記光偏向素子の最表面に、第１の撥水膜を形成するための撥水膜形成工程と、
形成された光偏向素子を単位素子ごとに切り出すためのダイシング工程と、
ダイシング工程において切り出された前記単位素子を、前記光偏向素子の最表面に吸着面を当接し、吸着によって当該単位素子を取り出すピックアップ工程と、
を有する光偏向素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光偏向素子、光走査装置、画像形成装置、画像投影装置及び光偏向素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｓｉウェハに微細加工を施すＭＥＭＳ技術を用い、Ｓｉ基板の一部によって形成されたトーションバーと、トーションバーによってＳｉ基板本体に支持され電磁気力などにより高速駆動する光偏向素子と、を有する光偏向装置が知られている。（例えば特許文献１、２等参照）
かかる光偏向素子を製造する工程においては、ＳｉウェハをＵＶテープで固定した上で切り離すダイシング技術を用いたダイシング工程と、ダイシング工程後にＵＶテープの粘着力を低下させて取り外して光偏向素子を取り出す工程とを含む場合がある。
この取り出し工程においては、ＵＶテープと光偏向素子との間の粘着力が大きいと素子の破壊や剥離などを招くという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、光偏向素子の取り外し時の破壊や剥離を防止または抑止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上述した課題を解決するため、本発明の光偏向素子は、光を反射する反射面が設けられた可動部と、前記可動部を支持するための基板部と、前記可動部と前記基板部とを連結する梁部と、を有する光偏向素子であって、前記梁部は、電圧を印加されて駆動する圧電部材と、前記圧電部材の前記光の入射方向側の面に設けられた上部電極と、前記圧電部材を挟んで前記上部電極と反対側の面に設けられた下部電極と、を備え、前記反射面を含む当該光偏向素子の前記入射方向側の面の最上層に設けられた第１の撥水膜を有する。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の光偏向素子によれば、光偏向素子の取り外し時の破壊や剥離が防止または抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態にかかる画像形成装置の構成の一例を示す図である。
【図２】図１に示した光走査装置の構成の一例を示す斜視図である。
【図３】図１に示した光偏向器の構成の一例を示す模式図である。
【図４】図３に示した光偏向素子の構造の一例を示す斜視図である。
【図５】図４に示した光偏向素子の層構造の一例を示す平面図及び断面図である。
【図６】光偏向素子を形成する製造工程の一例を示す模式図である。
【図７】光偏向素子を形成する製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図８】ＵＶ照射工程における粘着性の低下の一例を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態にかかる画像投影装置の構成の一例を示す図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態にかかる画像読取装置の構成の一例を示す図である。
【図１１】光偏向素子を形成する製造工程の従来例の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明の第１の実施形態の例として、図１に光走査装置１０１を用いた画像形成装置１００を示す。
画像形成装置１００は、トナー画像を形成するための像担持体としての感光体１０２と、感光体１０２上に形成された画像をシートたる用紙Ｐ上に転写するための転写手段たる転写部１０６と、用紙Ｐを転写部１０６へ搬送する搬送手段１０７と、を有している。
画像形成装置１００は、感光体１０２の表面を帯電させる帯電手段１０４と、感光体１０２に静電潜像を書き込むための光走査装置１０１と、該静電潜像にトナーを付着させて顕像化する現像手段１０５と、を有している。
画像形成装置１００は、転写部１０６よりも感光体１０２の回転方向Ａの下流側にあって残留トナーを除去するクリーニング部１０９と、用紙Ｐ上に形成されたトナー像を熱と圧力により定着する定着手段１０８と、を有している。
【０００８】
画像形成装置１００を用いて用紙Ｐ上に画像を形成するときには、まず感光体１０２の表面を帯電手段１０４によって一様に帯電する。
帯電した感光体１０２の表面を光走査装置１０１によって走査するとともに、感光体１０２が回転することで、感光体１０２の表面には静電潜像が形成される。このとき感光体１０２の表面は、光走査装置１０１によってレーザー光Ｌが所定の速度で走査される走査面である。
現像手段１０５は、内蔵のトナーを感光体１０２表面に付着させることで静電潜像を顕像化する。
転写部１０６は、感光体１０２との間でニップ部Ｎを形成し、用紙Ｐがニップ部Ｎを通過することで、用紙Ｐにトナー像が転写される。
【０００９】
搬送手段１０７は、用紙Ｐを搬送する搬送ベルトであり、搬送手段１０７の経路上に設けられたレジストローラによって、感光体１０２上に形成されたトナー像と用紙Ｐの画像形成領域とが一致するように、タイミングを合わせて用紙Ｐをニップ部Ｎに搬送する。
定着手段１０８は、定着ニップＮ２を形成し、用紙Ｐが定着ニップＮ２を通過するときに、トナーに熱と圧力とを加えて溶融させることで用紙Ｐ上のトナー像を画像として定着させる。
ニップ部Ｎを通過した感光体１０２の表面部分は、クリーニング部１０９において残留トナーを除去される。
【００１０】
なお、ここでは像担持体が円柱状の感光体１０２であるが、ベルト状の回転体であっても良い。
また、画像形成装置１００は、トナー像を感光体から用紙Ｐ以外の転写ベルトなどの転写媒体に一次転写し、転写媒体から用紙Ｐへと二次転写する構成としても良い。
また、本実施形態ではモノクロの画像形成装置１００について述べたが、画像形成装置１００は、カラー方式の画像形成装置であってもよい。
【００１１】
光走査装置１０１は、記録信号によって変調された少なくとも１本のレーザー光Ｌを発振する光源たる光源部１０２０と、レーザー光Ｌを変調する光源駆動手段１５００と、レーザー光Ｌを偏向する光偏向素子１０２２と、を有している。
光走査装置１０１は図２に示すように、光偏向素子１０２２の反射面たるミラー部２２にレーザー光Ｌを結像させる結像光学系１０２１と、ミラー部２２に反射されたレーザー光Ｌを感光体１０２の表面に結像させる手段である走査光学系１０２３とを有している。
【００１２】
光走査装置１０１は、図３に示すように、駆動のための集積回路たるミラー駆動手段１０２４と、制御部たる回路基板１０２５と、を有している。ミラー駆動手段１０２４は、光偏向素子１０２２に電圧を印加することで、ミラー部２２を回転駆動させる。
【００１３】
光偏向素子１０２２は、図４に示すように、レーザー光Ｌを反射するミラー部２２と、ミラー部２２を支持するための第１梁部３０ａ、３０ｂと、可動部たる可動枠部２１と、可動枠部２１を支持するための不動部たる基板部２０と、を有している。
光偏向素子１０２２は、ミラー部２２に第１梁部３０ａ、３０ｂによって連結された可動枠部２１と、可動枠部２１と基板部２０とを連結する第２梁部３１ａ、３１ｂを有している。
【００１４】
ミラー部２２は、＋Ｚ方向側の面に鏡面加工された反射面となるミラー面２２ａを有するミラーであり、後述するように第１梁部３０ａ、３０ｂと、第２梁部３１ａ、３１ｂとに電圧を印加することで回転駆動が可能な態様で基板部２０に支持されている。
ミラー面２２ａは、シリコン基板の表面にアルミニウムや金の金属薄膜を形成された反射部としての機能を有している。
ミラー部２２は、第１梁部３０ａ、３０ｂと接続される端部に、トーションバースプリング２０ａ、２０ｂをそれぞれ有している。
光偏向素子１０２２は、後述するようにミラー面２２ａを含む光偏向素子１０２２の＋Ｚ方向側の面の最上層に設けられた第１の撥水膜たる第１撥水層７３と、第１撥水層７３よりも−Ｚ方向側に設けられた第２の撥水膜たる第２撥水層７２と、を有している。
すなわち本実施形態においてミラー面２２ａは、図５に示すように第１撥水層７３と第２撥水層７２とに挟まれた領域に形成される。
【００１５】
第１撥水層７３は、撥水性を示す例えばオプツール（登録商標）膜を真空蒸着したものであっても良いし、その他のフッ素系撥水膜であっても良い。
第２撥水層７２は、第１撥水層７３で挙げた材料の他、例えばＳｉＮ層のような不動体形成層であっても良い。
【００１６】
ミラー面２２ａは、Ｘ軸に平行な回転軸Ｏ方向について長径、Ｙ軸に平行な回転軸Ｏ’について短径の楕円形状の面である。かかるミラー面２２ａが回転軸Ｏを中心に回動することで、入射したレーザー光Ｌが主走査方向である感光体１０２の長手方向に沿って偏向される。また、ミラー面２２ａが回転軸Ｏ’を中心に回動することで、入射したレーザー光Ｌは副走査方向である感光体１０２の周方向に沿って偏向される。
【００１７】
このように、比較的高速に動作させる回転軸Ｏ方向に対して直交する方向をなるべく短くすることにより、ミラー部２２の回転駆動時の回転慣性モーメント（イナーシャ）が低減される。
また、ミラー面２２ａの形状は、正方形や長方形など、様々な形状であって良いが、ミラー部２２の重量の軽減並びに入射するレーザー光Ｌの光量の確保を考えると、円形もしくは楕円形が望ましい。
【００１８】
第１梁部３０ａ、３０ｂは、直方体状の梁部であり、一方の端部たる−Ｙ方向側の端部を可動枠部２１に連結され、他方の端部たる＋Ｙ方向側の端部がミラー部２２に連結されている。
第１梁部３０ａ、３０ｂは、互いに対称に配置され、その構成も共通であるので、ここでは特に第１梁部３０ａの構成について説明し、第１梁部３０ｂについては省略する。
【００１９】
第１梁部３０ａは、基部となる駆動梁３２ａと、チタンで形成された接着層３３ａと、白金で形成された下部電極３５ａ及び上部電極３４ａと、上部電極３４ａと下部電極３５ａとに挟持されたチタン酸化ジルコン（ＰＺＴ）製の圧電部３６ａと、を有している。
第１梁部３０ａは、上部電極３４ａと下部電極３５ａと圧電部３６ａと、を覆うように形成された第２撥水層７２と、第２撥水層７２よりも＋Ｚ方向側の最表層に形成された第１撥水層７３と、を有している。
このように第１撥水層７３と第２撥水層７２とは、ミラー面２２ａの外側の領域においては重なって形成される。
【００２０】
第１梁部３０ａは、上部電極３４ａと下部電極３５ａとの間に電圧を印加することで、圧電部３６ａが電歪特性により長手方向に伸縮して曲げ変形する。
このとき、第１梁部３０ａ、３０ｂに同相の電圧を印加すると、対称に配置された第１梁部３０ａ、３０ｂが同一方向に伸縮して、Ｘ軸に平行な軸を中心に±Ｚ方向にミラー部２２が駆動される。
【００２１】
第２梁部３１ａ、３１ｂは、直方体状の梁部であり、一方の端部たる＋Ｘ方向側の端部を基板部２０に連結され、他方の端部たる−Ｘ方向側の端部が可動枠部２１に連結されている。
第２梁部３１ａ、３１ｂの構成については、既に述べた第１梁部３０ａ、３０ｂの構成と同様であるため説明を省略する。
第２梁部３１ａ、３１ｂも同様に、上部電極３４ａと下部電極３５ａとの間に電圧を印加することで、Ｙ軸に平行な軸を中心に±Ｚ方向に可動枠部２１が駆動される。
【００２２】
すなわち、第１梁部３０ａ、３０ｂと、第２梁部３１ａ、３１ｂとにそれぞれ独立した電圧を印加することで、ミラー部２２が回転軸Ｏまたは回転軸Ｏ’を中心に任意に回転駆動する。
【００２３】
なお、ここでは圧電部３６ａの形成方法についてはスパッタリングによるチタン酸化ジルコンの成膜により行うこととしたが、バルク材料を所定のサイズに切断・接合したものでも良いし、エアロゾルデポジション（ＡＤ）法を用いて形成してもよい。
また、本実施形態では、第１梁部３０ａが圧電部３６ａを１つ備える、所謂ユニモルフ構造について述べたが、圧電部３６ａが駆動梁３２ａの両面を挟むように形成されるバイモルフ構造でも良い。
また、上部電極３４ａと下部電極３５ａとの間に印加される電圧は、パルス波や正弦波や矩形波であっても良く、波形を限定するものではない。
【００２４】
既に述べたように、第１梁部３０ａ、３０ｂとミラー部２２との間には、トーションバースプリング２０ａ、２０ｂがそれぞれ設けられている。
トーションバースプリング２０ａ、２０ｂは、長手方向がそれぞれＸ軸に平行に配置される。すなわち、トーションバースプリング２０ａ、２０ｂの長手方向と、第１梁部３０ａ、３０ｂの長手方向と、は互いに直交するように配置されている。言い換えると第１梁部３０ａ、３０ｂの±Ｚ方向への上下振動がトーションバースプリング２０ａ、２０ｂの捻り中心軸に垂直である。
従って、トーションバースプリング２０ａ、２０ｂによって第１梁部３０ａ、３０ｂの曲げ振動が捻り振動に効率よく変換されてミラー部２２の回転角を大きくすることができる。
かかる構成により、第１梁部３０ａ、３０ｂの長さによって決まるミラー部２２の回転角をさらに大きくできるので、光偏向素子の小型化に寄与する。
【００２５】
本実施形態では第１梁部３０ａ、３０ｂとミラー部２２との間にトーションバースプリング２０ａ、２０ｂを設けたが、第１梁部３０ａ、３０ｂとミラー部２２とを直接連結しても良い。
【００２６】
このような光偏向素子１０２２を製造するときには、図６に示すように、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板７０を基材として、微細加工技術によりアクチュエータ面とリブ面との加工を行う。
該ＳＯＩ基板７０は活性層側のシリコンと埋め込み酸化膜層（一般的にＢＯＸ層と称される）と基材層側のシリコンにより構成される。
ＳＯＩ基板７０の表面にはシリコン酸化膜が成膜され、その後、下部電極３５ａの材料である白金、圧電部３６ａの材料であるＰＺＴ、上部電極３４ａの材料である白金が順に成膜される。成膜された下部電極３５ａ、圧電部３６ａの材料であるＰＺＴ、上部電極３４ａは、それぞれ異なるパターンに基づいてエッチング処理などによりパターン化される。かかる工程は、光偏向素子１０２２の基板部を形成する基板形成工程（図７のステップＳ１０１）である。
なお、上部電極３４ａの＋Ｚ方向側には、絶縁膜や配線パターンが成膜されるが、本実施形態の説明では簡単のため、また図面の可読性を考慮して省略する。
【００２７】
ところで、圧電部３６ａ、上部電極３４ａ、下部電極３５ａは、その表面が大気に触れると、吸湿によって電流パスが形成されるなどして、長期的に見ると性能の劣化を生じることが知られている。
そこで、本実施形態では、吸湿対策として、パッシベーション膜としての第２撥水膜７２を形成する保護膜形成工程を有している（ステップＳ１０２）。
【００２８】
また、保護膜７２が形成されたあとに、レーザー光Ｌを反射するためのミラー面２２ａを形成する反射面形成工程（ステップＳ１０３）を有している。
反射面形成工程において、ミラー部２２の＋Ｚ方向側の表面には、アルミニウムや金の金属薄膜が形成される。
本実施形態では、後述するように、反射面形成工程よりも後に、ミラー面２２ａを含む光偏向素子１０２２の最上層に第１の撥水膜として機能する第１撥水層７３を形成する撥水膜形成工程（ステップＳ１０４）を有している。
言い換えると、撥水膜形成工程において、光偏向素子１０２２は、後述するダイシング工程においてブレード８０が挿入される側と反対側の最表面に、第１撥水層７３を形成する。
なお、ここでは＋Ｚ方向側の面についてのみ述べたが、第１撥水層７３がリブ面側すなわち−Ｚ方向側の面をも覆うように形成されるとしても良い。
【００２９】
形成された半導体ウェハから光偏向素子１０２２を個片化する方法はいくつかあるが、ダイシングテープにより固定したチップを、ブレードを用いて分割するダイシング工程と、ダイシングテープにＵＶを照射して分離するピックアップ工程と、を説明する。
【００３０】
図６に示すように、半導体ウェハの＋Ｚ方向側のダイシング面（本実施形態ではリブ面）からブレード８０を挿入する場合には、ダイシング面とは反対側の−Ｚ方向側の面たるリブ面側にダイシングテープ７５を貼り付ける。
ダイシングテープ７５は、ブレード８０の挿入時にＳＯＩ基板７０を不動の基層９０に対して固定する。すなわち、ダイシングテープ７５は、ＸＹ平面において非常に大きな摩擦力を有する粘着層として機能する。
このように固定された状態でブレード８０が挿入されると、半導体ウェハから光偏向素子１０２２が単位素子ごとに分割して切り出されるダイシング工程が行われる（ステップＳ１０５）。
次に、ダイシングテープ７５にＵＶ光を照射して、ダイシングテープ７５の粘着力を低下させるＵＶ照射工程を行う（ステップＳ１０６）。
ＵＶ照射工程において、ダイシングテープ７５は図８に示すように、ダイシング工程時の２．５Ｎ／ｍｍ程度の粘着力から、０．２Ｎ／ｍｍ程度まで大きく粘着力が低減されるので、光偏向素子１０２２は、基層９０から分離しやすい状態となる。
【００３１】
ＵＶ照射工程の後にダイシングテープ７５から光偏向素子１０２２を単位素子ごとに取り出すピックアップ工程を行う（ステップＳ１０７）。
ピックアップ工程において、ピッカーと呼ばれる真空吸着器７８によって光偏向素子１０２２の基板部２０が吸着されて、基板部２０とつながった光偏向素子１０２２全体が吸着されて取り外される。
【００３２】
ピックアップ工程についての従来例として、光偏向素子１０２２から第１撥水層７３を除いた光偏向器２０２２を取り出す場合について図１１を用いて説明する。なお、光偏向器２０２２について、既に説明した光偏向素子１０２２と同様の構成については、同一の番号を付して説明を省略する。
図１１に示すように、光偏向器２０２２は、ミラー面２２ａ以外の最表層に形成された第２撥水層７２を有している。
通常、光偏向器２０２２のミラー部２２は、トーションバースプリング２０ａ等を形成された微細構造体であるため、真空吸着器７８を用いて真空吸着によって吸着すると、かかる構造が破損するおそれがある。
一方、基板部２０のみを吸着する場合には、ピックアップ時に基板部２０が−Ｚ方向に引っ張られるものの、ＵＶ照射工程を経てもダイシングテープ７５に残留した粘着力によって、ミラー面２２ａを含むミラー部２２等は＋Ｚ方向に固定された状態である。
このように、基板部２０とミラー部２２とが互いに反対の方向に引っ張られることによって、光偏向器２０２２の破損や、歩留まりの悪化を生じるという問題があった。
【００３３】
このような問題を解決するために、例えば離型剤を光偏向器２０２２の表面に塗布して摩擦力を低減するような構成も考えられる。
しかしながら、単にダイシングテープ７５とミラー面２２ａとの摩擦力を単に低減するのみでは、ダイシング工程においてＸＹ方向に光偏向器２０２２を固定するという本来の目的が達成されない。
【００３４】
ところで、このようなダイシングテープ７５の粘着力は、粘着剤の凝集力＞被着体への粘着力であって、＋Ｚ方向に引っ張られる場合にはダイシングテープ７５の粘着面７５ａと、ミラー面２２ａとの間の界面特性によって定まる。具体的には、粘着面７５ａの濡れ性によって接触角が小さくなると粘着力が強く、接触角が大きいと粘着力が弱くなるものと考えられる。
そこで、本実施形態では、ミラー面２２ａを含む光偏向素子１０２２の＋Ｚ方向側の最表面に、第１撥水層７３を形成している。
かかる構成により、ＸＹ方向については摩擦力を維持してダイシング工程における固定を行いながらも、＋Ｚ方向に対する粘着力は低減して、光偏向素子１０２２の取り外し時の破壊や剥離が防止ないし抑制される。
【００３５】
また、本実施形態では、第１撥水層７３よりも下層側に、ミラー面２２ａを除き光偏向素子１０２２の＋Ｚ方向側の面を覆うように設けられた第２撥水層７２を有している。
かかる構成により、第２撥水層７２の撥水性によって圧電部３６ａ、上部電極３４ａ、下部電極３５ａの吸湿による性能の劣化を低減する。
また、第２撥水層７２によって十分な防湿性能を与えられるので、第１撥水層７３の膜厚を薄く抑えられて、ミラー面２２ａに入射するレーザー光Ｌの強度等への第１撥水層７３の影響を抑える。
【００３６】
また、本実施形態では、ミラー面２２ａは、第１撥水層７３と第２撥水層７２とに挟まれた領域に形成される。
かかる構成により、ミラー面２２ａの最表面においてもダイシングテープ７５との粘着力が低減されるから、光偏向素子１０２２の取り外し時の破壊や剥離が防止ないし抑制される。
【００３７】
また、本実施形態では、ミラー面２２ａよりも外側の領域において、第１撥水層７３と第２撥水層７２とが重なって配置される。
かかる構成により、第２撥水層７２によって十分な防湿性能を与えるとともに、光偏向素子１０２２の取り外し時の破壊や剥離を防ぐ。
【００３８】
本実施形態では、光偏向素子１０２２の基板部を形成する基板形成工程Ｓ１０１と、基板部を形成した後にレーザー光Ｌを反射するミラー面２２ａを形成する反射面形成工程Ｓ１０３と、第１撥水層７３を形成するための撥水膜形成工程Ｓ１０４と、を有している。
また、形成された光偏向素子１０２２を単位素子ごとに切り出すためのダイシング工程Ｓ１０６と、光偏向素子１０２２の最表面に吸着面を当接し、吸着によって光偏向素子１０２２を取り出すピックアップ工程Ｓ１０７と、を有している。
かかる構成により、ＸＹ方向については摩擦力を維持してダイシング工程における固定を行いながらも、＋Ｚ方向に対する粘着力は低減して、光偏向素子１０２２の取り外し時の破壊や剥離が防止ないし抑制される。
【００３９】
かかる光偏向素子１０２２の異なる実施例として、光偏向素子１０２２を画像投影装置に用いた例について説明する。
図９に示すように、画像投影装置２０００は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の異なる３波長のレーザー光源２００１と、各レーザー光源２００１からの出射光たるレーザー光Ｌを平行にする集光光学系としてレンズ２００２と、を有している。
また、画像投影装置２０００は、画像投影装置２０００の筐体に対して固定されたミラー２００３と、ハーフミラー２００４と、合成プリズム２００５と、を有している。
また、画像投影装置２０００は、第１の実施形態においてすでに述べた光偏向素子１０２２と、光偏向素子１０２２を備えた光走査装置１０１と、を有している。
【００４０】
かかる画像投影装置２０００において、画像を投射面であるスクリーン２００７に投影することを考える。
レーザー光源２００ｌから射出されたレーザー光Ｌは、ミラー２００３とハーフミラー２００４とによって偏向されて合成プリズム２００５へと入射する。
合成プリズム２００５は、入射した３つの波長のレーザー光Ｌを合成して、単一のレーザー光束Ｌ’として光走査装置１０１へと入射する。
レーザー光束Ｌ’は、光偏向素子１０２２の反射面としての機能を備えたミラー面２２ａによって反射され、スクリーン２００７上へと投射される。
【００４１】
かかる光偏向素子１０２２の異なる実施例として、光偏向素子１０２２をバーコードリーダー用の走査装置として用いた画像読取装置３０００を例として説明する。
図１０に示すように、画像読取装置３０００は、読取光としての機能を有するレーザー光Ｌを出射するレーザー光源３００１と、レーザー光源３００１の先端に取り付けられたコリメータ３００２と、光走査装置１０１と、を有している。
画像読取装置３０００はまた、レーザー光Ｌが走査光として投射される対象である走査面たる被走査面３００７に向けてレーザー光Ｌを偏向するためのハーフミラー３００４と、ミラー３００５と、を有している。
かかる構成により、被走査面３００７上をレーザー光Ｌが走査することで、被走査面３００７上に形成された被走査部３００７ａの位置を読み取り、かかる被走査部３００７ａの位置に従って情報を読み取る。
【００４２】
以上本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、上述の説明で特に限定していない限り、特許請求の範囲に記載された本発明の趣旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００４３】
例えば、上記実施形態において、画像投影装置は、レーザーレーダーなどの光走査を行う投影装置であっても良い。また、光走査装置をバーコードリーダー用の走査装置として用いた画像読取装置としても良い。
また、上記の実施形態では、何れも反射面が２軸について回転自在に支持された２軸回転可能な光偏向器についてのみ述べたが、１軸のみについて回転可能な光偏向器としても良い。また、画像形成装置は、シート状の用紙を記録媒体として用いるものの他、フィルム、記録紙、布、プリント基板などを記録媒体としても良い。
【００４４】
また、上記実施形態では、一般的なダイサーを用いたダイシング工程について述べたがステルスダイシング技術（登録商標）を適用して半導体を切り分ける工程を用いても良い。
【００４５】
本発明の実施の形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、本発明の実施の形態に記載されたものに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４６】
２２        可動部（ミラー部）
２２ａ      反射面（ミラー面）
２１        可動部（可動枠）
２０        基板部
３０ａ、３０ｂ  梁部（第１梁部）
３１ａ、３１ｂ  梁部（第２梁部）
３６ａ      圧電部材（圧電部）
３４ａ      上部電極
３５ａ      下部電極
７３        第１撥水膜（第１撥水層）
７２        第２撥水膜（第２撥水層）
７５        吸着面
１００      画像形成装置
１０１      光走査装置
１０２２    光偏向素子
２０００    画像投影装置
３０００    画像読取装置
３００７    走査面（被走査面）
Ｓ１０１    基板形成工程
Ｓ１０３    反射面形成工程
Ｓ１０４    撥水膜形成工程
Ｓ１０５    ダイシング工程
Ｓ１０６    ピックアップ工程
＋Ｚ        入射方向側
【先行技術文献】
【特許文献】
【００４７】
【特許文献１】特許第５１１８４９７号公報
【特許文献２】特開２００９−０８６０５０号公報
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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