(57)【要約】【課題】砥粒や研磨屑などのパーティクルや、梱包容器などから発生する異物の強固な付着を長期的に防ぎ、後の洗浄工程で基板上の異物の残留を著しく減少させることが可能となる電子材料用表面処理剤を提供する。【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物（ａ１）、下記一般式（２）で表される化合物（ａ２）及び下記一般式（３）で表される化合物（ａ３）からなる群から選ばれる１種以上の化合物（Ａ）を含有する電子材料用表面処理剤であって、さらに水を必須成分として含有する電子材料用表面処理剤（Ｂ）。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物（ａ１）、下記一般式（２）で表される化合物（ａ２）及び下記一般式（３）で表される化合物（ａ３）からなる群から選ばれる１種以上の化合物（Ａ）を含有する電子材料用表面処理剤であって、さらに水を必須成分として含有する電子材料用表面処理剤（Ｂ）。
【化１】
2017199448.tif 000012
［式中、Ｒ１は、炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表し、Ａ１は炭素数２〜８のアルキレン基を表し、Ｒ２は炭素数１〜５の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を表し、Ｍ＋は水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンを表す。ｍはＡ１Ｏの付加モル数を表し、１〜１００の整数であり、ｍが２以上の場合のＡ１は同一でも異なっていてもよい。］
【化２】
2017199448.tif 000013
［式中、Ｒ３は、炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表し、Ａ２は炭素数２〜８のアルキレン基を表し、Ｘ＋は水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンを表し、ｔは１又は２の整数を表す。ｔが１の場合、［Ｒ３Ｏ（Ａ２Ｏ）ｋ］は同一でも異なっていてもよい。ｋはＡ２Ｏの付加モル数を表し、１〜１００の整数であり、ｋが２以上の場合のＡ２は同一でも異なっていてもよい。］
【化３】
2017199448.tif 000014
［式中、Ｒ４は、炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表し、Ｑは、−（ＣＨ２）ｐ−ＣＯＯ−Ｚ＋又は水素原子を表す。Ｙ＋は、水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンを表す。Ｚ＋は、水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンを表す。ｒは１〜８の整数であり、ｐは１〜８の整数であり、ｕは０〜８の整数である。］
【請求項２】
電子材料用表面処理剤（Ｂ）が、さらに下記一般式（４）で表される化合物（ａ４）を含有する請求項１に記載の電子材料用表面処理剤。
【化４】
2017199448.tif 000015
［式中、Ｌ１はｓ個の活性水素を持つアミンからｓ個の活性水素を除いた残基を表し、Ａ３は炭素数２〜８のアルキレン基を表す。ｎはＡ３Ｏの付加モル数を表し、１〜１００の整数であり、ｎが２以上の場合のＡ３は同一でも異なっていてもよい。ｓは１〜４０の整数である。ｓが２以上の場合、［（Ａ３Ｏ）ｎＨ］は同一でも異なっていてもよい。］
【請求項３】
電子材料用表面処理剤（Ｂ）が添加剤（Ｃ）を構成成分として含む表面処理剤であって、前記添加剤（Ｃ）が、キレート剤（Ｄ）、化合物（Ａ）以外の界面活性剤、ｐＨ調整剤、ハイドロトロープ剤及び防腐剤からなる群から選ばれる１種以上の添加剤である請求項１または２に記載の電子材料用表面処理剤。
【請求項４】
該電子材料が磁気ディスク基板である請求項１〜３のいずれかに記載の電子材料用表面処理剤。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の電子材料用表面処理剤（Ｂ）を用いて電子材料中間体表面に対する水の接触角が２５℃で３５°以上とする工程を有する電子材料の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の製造方法であって、（Ｂ）を用いて電子材料中間体表面に対する水の接触角が２５℃で３５°以上とする工程以降に、洗浄剤（Ｅ）を用いて電子材料中間体表面に対する水の接触角が２５℃で３０°以下にする洗浄工程を有する電子材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子材料用表面処理剤及び電子材料の製造方法に関する。さらに詳しくは、電子材料中間体を研磨する研磨工程を有する電子材料の製造方法において、研磨砥粒、研磨屑パーティクルなどの異物が電子材料表面に強固に付着することを防止することができる表面処理剤及びこの表面処理剤を使用した電子材料の製造方法に関する。また、電子材料中間体を乾燥する乾燥工程を有する電子材料の製造方法において、大気中のパーティクルなどの異物が電子材料表面に強固に付着することを防止することができる表面処理剤及びこの表面処理剤を使用した電子材料の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子材料、とりわけ磁気ディスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどっており、磁気ヘッドと磁気ディスク基板間の距離がますます小さくなってきている。
そのため、磁気ディスク基板の製造での研磨工程直後の洗浄工程で、研磨に使用した砥粒や発生した研磨屑等のパーティクルの残留が極力残存しない基板が求められている。また、表面粗さ、微少うねりの低減、及びスクラッチ、ピット等の表面欠陥の低減も求められている。
【０００３】
磁気ディスク製造工程には、（１）平坦化した基板を作成する工程であるサブストレート工程と、（２）磁性層を基板に形成する工程であるメディア工程を含む。
これらのうち、サブストレート工程では、基板の平坦化のためにアルミナ、酸化セリウム、コロイダルシリカ等の砥粒を含むスラリーによる研磨を行い、洗浄工程で基板表面の砥粒や研磨屑等のパーティクルを除去した後、乾燥工程を経て、所定の容器に梱包され輸送される。
【０００４】
ここでサブストレート工程中の研磨工程と洗浄工程はそれぞれの設備、装置が全く別個であるため、洗浄設備、装置の稼動状況によって、研磨工程後の基板をすぐに洗浄工程に移行できず、５時間〜１０時間程度待機せざるを得ない場合がある。研磨工程後の基板は、空気中で放置して乾燥させてしまうと、基板上に残留したパーティクルが基板に強固に付着し、洗浄工程で容易に除去できなくなるため、このように待機せざるを得ない場合、基板が乾燥しないように純水中に基板を浸漬させた状態で保管することがおこなわれている。しかし、純水に浸漬してもなお、時間の経過とともにパーティクルが基板表面に強固に付着する問題がある。
【０００５】
また、サブストレート工程からメディア工程に基板を搬送する際に、基板を乾燥状態で保管しなければならない期間があり、この保管期間において、空気中の塵、埃やサブストレート工程で除去できなかったパーティクルなどの異物が基板に強く付着する問題がある。このパーティクルなどの異物も上記同様、洗浄で一層除去しづらくなる。
このように、基板上に強固に異物が付着した基板は、一度の洗浄では十分に満足する清浄度を得ることができず、洗浄工程を再度行われ、それでも目標とする清浄度が満足できない場合は廃棄されるなど、著しく生産効率を落とすため、問題になっている。
そのため、これらの固着しやすい異物の除去性を高めるために、各洗浄工程で用いる洗
浄剤の高性能化や洗浄時間の長時間化が検討されている（特許文献１）。
また、パーティクルや塵、埃等の異物が基板表面に強固に付着する前に、基板表面に吸着し、これらの異物の強固な付着を防ぐ表面保護剤の使用により、後の洗浄工程での基板上の異物残留を減少させる検討がされている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２８０８０２号公報
【特許文献２】特開２０１２−２５２７７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１において、基板を繰り返し洗浄することや長時間洗浄は、生産性を落とすだけでなく、基板の表面荒さやピットの発生など、新たな欠陥が発生するといった問題がある。また、洗浄剤の高性能化は前記と同様に基板の表面荒さやピットの発生などの問題がある。
また、特許文献２では、表面保護剤の使用により基板表面に対するパーティクルなどの異物の付着が抑制されているが、表面保護剤を基板表面により緻密に吸着させることでさらなる基板品質改善の余地がある。表面保護剤が基板表面に緻密に吸着していない場合、基板を長期保管した時の異物付着抑制効果が低下し、磁気ディスクの容量低下を引き起こすといった問題がある。
そこで、とりわけ異物が基板表面に強固に付着する前に、基板表面に緻密に吸着し、これらのパーティクルなどの異物の強固な付着を長期的に防ぎ、後の洗浄工程で基板上の異物の残留を著しく減少させることが可能となる電子材料用表面処理剤、及び電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表される化合物（ａ１）、下記一般式（２）で表される化合物（ａ２）及び下記一般式（３）で表される化合物（ａ３）からなる群から選ばれる１種以上の化合物（Ａ）を含有する電子材料用表面処理剤であって、さらに水を必須成分として含有する電子材料用表面処理剤；及びこの表面処理剤を用いた電子材料の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の電子材料用表面処理剤は、砥粒や研磨屑などのパーティクルや、梱包容器などから発生する異物が電子材料基板上に強固に固着することを防ぎ、電子材料の製造方法高記録密度化で要求される清浄度の高い電子材料を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明における電子材料とは、製造工程中に研磨工程とそれに続く洗浄工程を含む電子材料であれば特に限定するものではない。
例えば、（１）磁気ディスク用ガラス基板及び表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板等の磁気ディスク用基板、（２）半導体素子及びシリコンウェハ等用の半導体基板、（３）ＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板、ＡｌＧａＡｓ基板等の化合物半導体基板及び（４）ＬＥＤ等用のサファイヤ基板等が挙げられる。
【００１１】
これらのうち、生産効率向上の観点で好ましくは磁気ディスク用基板であり、具体的に磁気ディスク用ガラス基板及び表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板である。
【００１２】
本発明における電子材料中間体とは、製造工程中の電子材料を表し、具体的には、研磨された後のガラス基板、研磨された後のＮｉ−Ｐメッキされたアルミ基板等、もしくは、乾燥前のガラスサブストレート基板、乾燥前のアルミサブストレート基板のことを指す。
【００１３】
本発明の電子材料用表面処理剤（Ｂ）は、下記一般式（１）で表される化合物（ａ１）、下記一般式（２）で表される化合物（ａ２）及び下記一般式（３）で表される化合物（ａ３）からなる群から選ばれる１種以上の化合物を含有する電子材料用表面処理剤であって、さらに水を必須成分として含有する。
【化１】
2017199448.tif 000002
［式中、Ｒ１は、炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表し、Ａ１は炭素数２〜８のアルキレン基を表し、Ｒ２は炭素数１〜５の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を表し、Ｍ＋は水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンを表す。ｍはＡ１Ｏの付加モル数を表し、１〜１００の整数であり、ｍが２以上の場合のＡ１は同一でも異なっていてもよい。］
【化２】
2017199448.tif 000003
［式中、Ｒ３は、炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表し、Ａ２は炭素数２〜８のアルキレン基を表し、Ｘ＋は水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンを表し、ｔは１又は２の整数を表す。ｔが１の場合、［Ｒ３Ｏ（Ａ２Ｏ）ｋ］は同一でも異なっていてもよい。ｋはＡ２Ｏの付加モル数を表し、１〜１００の整数であり、ｋが２以上の場合のＡ２は同一でも異なっていてもよい。］
【化３】
2017199448.tif 000004
［式中、Ｒ４は、炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表し、Ｑは、−（ＣＨ２）ｐ−ＣＯＯ−Ｚ＋又は水素原子を表す。Ｙ＋は、水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンを表す。Ｚ＋は、水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンを表す。ｒは１〜８の整数であり、ｐは１〜８の整数であり、ｕは０〜８の整数である。］
【００１４】
一般式（１）中のＲ１は、炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表す。異物の固着防止性の観点から好ましくは炭素数８〜２０であり、更に好ましくは１０〜１８である。炭素数６〜２４の範囲にない場合、パーティクルなどの異物の固着防止性が悪化する。
【００１５】
炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基の具体例としては、ラウリル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基、ウンデシル基、ｎ−トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、オレイル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基、トリコシル基、テトラコシル基、オクタデセニル基及びオクタデカジエニル基等が挙げられる。
【００１６】
一般式（１）中のＡ１で示される炭素数２〜８のアルキレン基としては、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，４−ブチレン基及び１−フェニル−１，２−エチレン基等が挙げられる。
これらのうち、溶媒への溶解性の観点から、好ましくはエチレン基及び１，２−プロピレン基である。
【００１７】
一般式（１）におけるｍは、Ａ１Ｏの付加モル数を表し、１〜１００の数であり、好ましくは１〜５０の数であり、より好ましくは１〜３０の数である。ｍが１００を超えると粘度が高くなり、取扱いが困難になる場合もある。ｍが２以上の場合のＡ１は同一でも異なっていてもよく、（Ａ１Ｏ）ｍ部分はランダム結合でもブロック結合でもよい。
【００１８】
一般式（１）中のＲ２は、炭素数１〜５の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を表す。
炭素数１〜５の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、２−メチルプロピレン基、２，２−ジメチルプロピレン基、ブチレン基及び２−メチルブチレン基等が挙げられる。
これらのうち、溶媒への溶解性の観点から、メチレン基、エチレン基及び１，２−プロピレン基が好ましい。
【００１９】
Ｍ＋は水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンである。また、各カチオンは１種又は２種以上を併用してもよい。
【００２０】
アルカリ金属イオンとしては、ナトリウムイオン及びカリウムイオン等が挙げられる。
有機カチオンとしては、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）；２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）；３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等｝；アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記する）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝、アンモニウム及び第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）が挙げられるメチルアンモニウム、イソプロピルアンモニウム、ブチルアンモニウム、ジプロピルアンモニウム、ジイソプロピルアンモニウム、トリメチルアンモニウム、トリエチルアンモニウム、ジメチルエチルアンモニウム等が挙げられる。
これらのうち、Ｍ＋としては、溶解性の観点から、ナトリウムイオン、カリウムイオン、１級アミン、２級アミン、３級アミン、アンモニウム及び第４級アンモニウムが好ましい。
【００２１】
化合物（ａ１）の具体例としては、（２−ラウリルオキシエトキシ）酢酸、［２−（２−ラウリルオキシエトキシ）エトキシ］酢酸、［２−（２−（２−ラウリルオキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ］酢酸、［２−（２−（２−（２−ラウリルオキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ］酢酸、（２−テトラデシルオキシエトキシ）酢酸、（２−オクタデシルオキシエトキシ）酢酸、（２−イコシルオキシエトキシ）酢酸及び［２−（２−ラウリルオキシエトキシ）エトキシ］プロピオン酸、［２−（２−（２−（２−ヘキシルオキシプロポキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ］酢酸、［２−（２−（２−（２−オレイルオキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ］酢酸、［（２−ラウリルオキシ）−２−トリアコンタエトキシ］酢酸、［２−（２−（２−（２−ラウリルオキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ］プロピオン酸；及びこれらの塩等が挙げられる。これらのうち２種以上を組み合わせてもよい。
【００２２】
これらのうち、化合物（ａ１）としては、溶媒への溶解性及び異物の固着防止性の観点から、［２−（２−ラウリルオキシエトキシ）エトキシ］酢酸、［２−（２−（２−ラウリルオキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ］酢酸、［（２−ラウリルオキシ）−２−トリアコンタエトキシ］酢酸、［２−（２−（２−（２−ラウリルオキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ］プロピオン酸及び［２−（２−（２−（２−ラウリルオキシエトキシ）−エトキシ）−エトキシ）−エトキシ］酢酸が好ましい。
【００２３】
化合物（ａ１）の含有量はハンドリング性の観点から、電子材料用表面処理剤の重量に基づいて、好ましくは０．１〜３０重量％、さらに好ましくは０．５〜２５重量％、特に好ましくは０．５〜２０重量％である。
【００２４】
化合物（ａ１）は、触媒存在下、モノヒドロキシル化合物とモノハロゲン低級カルボン酸塩とを縮合反応させることによって製造される。触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ触媒、三フッ化硼素や四塩化錫等のルイス酸触媒等が挙げられる。これらの中で好ましくはアルカリ触媒であり、より好ましくは水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムである。
【００２５】
化合物（ａ１）の製造方法としては任意の製造方法で良い。例えば、反応系を３０℃〜２００℃で乾燥させ、触媒を投入し、系中を脱水（好ましくは水分５００ｐｐｍ以下）までしたのち、モノヒドロキシル化合物とモノハロゲン低級カルボン酸塩を好ましくは３０〜１００℃、より好ましくは４０〜７０℃で反応させることができる。反応時間は好ましくは４〜４８時間、さらに好ましくは６〜４０時間である。反応の終点は液体クロマトグラフィーによって管理することができる。
【００２６】
一般式（２）中のＡ２は、炭素数２〜８のアルキレン基を表す。炭素数２〜８のアルキレン基の具体例としてはエチレン基、１，２−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，４−ブチレン基及び１−フェニル−１，２−エチレン基等が挙げられる。
これらのうち、溶媒への溶解性の観点から、好ましくはエチレン基及び１，２−プロピレン基である。
【００２７】
一般式（２）中のｋは、Ａ２Ｏの付加モル数を表し、１〜１００の数であり、好ましくは１〜５０の数であり、より好ましくは１〜３０の数である。ｋが１００を超えると粘度が高くなり、取扱いが困難になる場合もある。ｋが２以上の場合のＡ２は同一でも異なっていてもよく、（Ａ２Ｏ）ｋ部分はランダム結合でもブロック結合でもよい。
【００２８】
一般式（２）中のｔは１又は２の整数である。ｔが１のとき、［Ｒ３Ｏ（Ａ２Ｏ）ｋ］部分は同じでも異なっていても良い。
【００２９】
一般式（２）中のＲ３は、炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表す。異物の固着防止性の観点から好ましくは炭素数８〜２０であり、更に好ましくは１０〜１８である。炭素数６〜２４の範囲にない場合、パーティクルなどの異物の固着防止性が悪化する。
【００３０】
炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基の具体例としては、ラウリル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基、ウンデシル基、ｎ−トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、オレイル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基、トリコシル基、テトラコシル基、オクタデセニル基及びオクタデカジエニル基等が挙げられる。
【００３１】
Ｘ＋は水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンである。また、各カチオンは１種又は２種以上を併用してもよい。
【００３２】
アルカリ金属イオンとしては、ナトリウムイオン及びカリウムイオン等が挙げられる。
有機カチオンとしては、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）；２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）；３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等｝；アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記する）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝、アンモニウム及び第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）が挙げられるメチルアンモニウム、イソプロピルアンモニウム、ブチルアンモニウム、ジプロピルアンモニウム、ジイソプロピルアンモニウム、トリメチルアンモニウム、トリエチルアンモニウム及びジメチルエチルアンモニウム等が挙げられる。
これらのうち、Ｘ＋としては、溶解性の観点から、ナトリウムイオン、カリウムイオン、１級アミン、２級アミン、３級アミン、アンモニウム及び第４級アンモニウムが好ましい。
【００３３】
化合物（ａ２）の具体例としては、オクチルアルコールのＥＯ２モル付加物リン酸エステルカリウム塩、デシルアルコールのＥＯ２．５モル付加物のリン酸エステルナトリウム塩、ラウリルアルコールのＥＯ３モル付加物のリン酸エステルカリウム塩、トリデシルアルコールのＥＯ５モル付加物のリン酸エステルカリウム塩、イソトリデシルアルコールのＥＯ３モル付加物のリン酸エステルカリウム塩、ラウリルアルコールＥＯ３モル付加物のリン酸エステル、ラウリルアルコールＥＯ２モル付加物のリン酸エステルトリエチルアンモニウム塩及びペンタデシルラウリルアルコールＥＯ５モル付加物のリン酸エステルカリウム塩等が挙げられる。これらのうち２種以上を組み合わせてもよい。
【００３４】
これらのうち、溶媒への溶解性及び異物の固着防止性の観点から、デシルアルコールのＥＯ２．５モル付加物のリン酸エステルナトリウム塩、ラウリルアルコールＥＯ３モル付加物のリン酸エステル、ラウリルアルコールＥＯ２モル付加物のリン酸エステルトリエチルアンモニウム塩及びラウリルアルコールのＥＯ３モル付加物のリン酸エステルカリウム塩が好ましい。
【００３５】
化合物（ａ２）の含有量はハンドリング性の観点から、電子材料用表面処理剤の重量に基づいて、好ましくは０．１〜３０重量％、さらに好ましくは０．５〜２５重量％、特に好ましくは０．５〜２０重量％である。
【００３６】
化合物（ａ２）の製造方法としては任意の製造方法で良い。例えば、化合物（ａ２）は、無機リン酸（例えば、五酸化リンなど）に対して、アルコールを反応させて得られる。
この反応は、合成条件（反応温度、原料のモル比等）を調整することにより、一般式（２）におけるｔが２であるモノ体とｔが１であるジ体のモル比が任意である有機リン酸エステル化合物を得ることができるが、一般的には、モノ体とジ体の混合物が得られる。
【００３７】
＜ジ体／モノ体のモル比率の測定方法＞
化合物（ａ２）０．５ｇを１００ｍｌビーカーに精秤し、変性アルコール・キシレン（容量比で２／１）混合溶液５０ｍｌを加え、溶解する。この溶解液を攪拌しながら、電位差滴定測定装置にかけ、０．１Ｎ水酸化カリウム・メチルアルコール滴定液で滴定し、次式でモノ体とジ体のモル比率を計算する。
ジ体／モノ体の比率＝  （Ｘ−Ｙ）／Ｙ
但し、Ｘは第一変曲点までに要した０．１Ｎ水酸化カリウム・メチルアルコール滴定液の滴定ｍｌ数、Ｙは第一変曲点から第二変曲点までに要した０．１Ｎ水酸化カリウム・メチルアルコール滴定液の滴定ｍｌ数を表す。
【００３８】
一般式（３）中のＲ４は、炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表す。炭素数６〜２４の範囲にない場合、パーティクルなどの異物の固着防止性が悪化する。
【００３９】
炭素数６〜２４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基の具体例としては、ラウリル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基、ウンデシル基、ｎ−トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、オレイル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基、トリコシル基、テトラコシル基、オクタデセニル基及びオクタデカジエニル基等が挙げられる。
【００４０】
Ｑは、−（ＣＨ２）ｐ−ＣＯＯ−Ｚ＋又は水素原子を表す。
【００４１】
Ｙ＋は水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンである。また、各カチオンは１種又は２種以上を併用してもよい。アルカリ金属イオン又は有機カチオンは、一般式（１）のＭ＋と同様の化合物が挙げられる。
これらのうち、溶解性の観点から、ナトリウムイオン、カリウムイオン、１級アミン、２級アミン、３級アミン、アンモニウム及び第４級アンモニウムが好ましい。
【００４２】
Ｚ＋は水素イオン、アルカリ金属イオン又は有機カチオンである。また、各カチオンは１種又は２種以上を併用してもよい。アルカリ金属イオン又は有機カチオンは、一般式（１）のＭ＋と同様の化合物が挙げられる。
これらのうち、溶解性の観点から、ナトリウムイオン、カリウムイオン、１級アミン、２級アミン、３級アミン、アンモニウム及び第４級アンモニウムが好ましい。
【００４３】
一般式（３）におけるｒは１〜８の整数であり、溶解性の観点から、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは１〜３の整数である。
【００４４】
一般式（３）におけるｐは１〜８の整数であり、溶解性の観点から、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは１〜３の整数である。
【００４５】
一般式（３）におけるｕは０〜８の整数であり、溶解性及びハンドリング性の観点から、好ましくは０〜５の整数であり、より好ましくは０〜３の整数である。
【００４６】
化合物（ａ３）の具体例としては、１−（ヘキシルアミノ）酢酸、１−（オクチルアミノ）ジプロピオン酸二カリウム塩、１−（ラウリルアミノ）プロピオン酸ナトリウム塩、１−（ミリスチルアミノ）プロピオン酸ナトリウム塩、１−（オレイルアミノ）プロピオン酸ナトリウム塩、ラウリルアミノエチルアミノエチルグリシンナトリウム塩及びテトラデシルアミノエチルアミノエチルグリシンナトリウム塩、１−（ヘキシルアミノ）プロピオン酸カリウム塩、１−（ラウリルアミノ）ジプロピオン酸二カリウム塩、１−（ラウリルアミノ）プロピオン酸テトラエチルアンモニウム塩、［ラウリルアミノエチル−ジ（アミノエチル）］グリシンナトリウム塩等が挙げられる。これらのうち２種以上を組み合わせてもよい。
【００４７】
これらのうち、化合物（ａ３）としては、溶媒への溶解性及び異物の固着防止性の観点から、１−（ラウリルアミノ）プロピオン酸ナトリウム塩、１−（オレイルアミノ）プロピオン酸ナトリウム塩、１−（ラウリルアミノ）プロピオン酸テトラエチルアンモニウム塩及びドデシルアミノエチルアミノエチルグリシンナトリウム塩が好ましい。
【００４８】
化合物（ａ３）の含有量はハンドリング性の観点から、電子材料用表面処理剤の重量に基づいて、好ましくは０．１〜３０重量％、さらに好ましくは０．５〜２５重量％、特に好ましくは０．５〜２０重量％である。
【００４９】
一般式（３）で示される化合物（ａ３）はモノカルボン酸化合物及びジカルボン酸化合物から成り、モノカルボン酸化合物とジカルボン酸化合物との重量比はパーティクルなどの異物の固着防止性の観点から、好ましくは１００／０〜１０／９０であり、更に好ましくは１００／０〜２０／８０である。
【００５０】
化合物（ａ３）の製造方法としては任意の製造方法で良い。例えば、一般式（３）で表わされる化合物（ａ３）は、アルキルアミン又はアルケニルアミンをアクリル酸もしくはその塩又はアクリル酸エステルなどとマイケル付加反応させ、必要により得られた反応物を加水分解することにより製造することができる。このマイケル付加反応温度は好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは２０〜９０℃である。０℃以下では冷却にコストがかかり、１００℃を越える場合、着色が著しくなる場合もある。このマイケル付加反応の際使用するアクリル酸エステルとしては、コスト面からメチルエステル又はエチルエステルが好ましい。マイケル付加反応において使用するアクリル酸又はその塩又はアクリル酸エステルの使用量は、アルキルアミン又はアルケニルアミンに対して好ましくは１．０〜５．０倍モルであり、更に好ましくは１．０５〜２．１倍モルである。１．０倍未満の場合、未反応のアルキルアミン又はアルケニルアミンが残る。未反応のアクリル酸又はアクリル酸エステルは、減圧下除去することができる。減圧度は好ましくは０〜４００ｍｍＨｇであり、温度は好ましくは４０〜１５０℃である。加水分解においては塩酸、硫酸などを用いる酸加水分解；金属ナトリウム、液体メチラート、ＮａＯＨ、ＫＯＨなどを用いるアルカリ加水分解；水だけでの加水分解などいずれも使用可能である。加水分解温度は好ましくは５０〜１５０℃、更に好ましくは７０〜１１０℃である。５０℃以下では時間がかかり、１５０℃を越える場合、着色が著しくなる場合もある。
【００５１】
本発明の電子材料用表面処理剤（Ｂ）は化合物（ａ１）、化合物（ａ２）及び化合物（ａ３）からなる群から選ばれる１種以上の化合物（Ａ）並びに水以外に、さらに下記一般式（４）で表される化合物（ａ４）を含有してもよい。化合物（ａ４）と化合物（ａ１）、（ａ２）及び（ａ３）からなる群から選ばれる１種以上の化合物（Ａ）とを併用することで、化合物（ａ４）に含まれるアミノ基と、化合物（Ａ）に含まれるカルボキシル基が静電的に相互作用することにより、表面処理剤の電子材料中間体表面に対する緻密な吸着を促進するため、長期的な異物付着抑制効果を高く出来ると推定される。
【００５２】
【化４】
2017199448.tif 000005
［式中、Ｌ１はｓ個の活性水素を持つアミンから活性水素を除いた残基を表し、Ａ３は炭素数２〜８のアルキレン基を表す。ｎはＡ３Ｏの付加モル数を表し、１〜１００の整数であり、ｎが２以上の場合のＡ３は同一でも異なっていてもよい。ｓは１〜４０の整数である。ｓが２以上の場合、［（Ａ３Ｏ）ｎＨ］は同一でも異なっていてもよい。］
【００５３】
一般式（４）中のＡ３で示される炭素数２〜８のアルキレン基としては、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，４−ブチレン基及び１−フェニル−１，２−エチレン基等が挙げられる。
これらのうち、溶媒への溶解性の観点から、好ましくはエチレン基及び１，２−プロピレン基である。
【００５４】
一般式（４）におけるｎは、Ａ３Ｏの付加モル数を表し、好ましくは１〜１００の数であり、さらに好ましくは１〜５０の数であり、特に好ましくは１〜３０の数である。ｎが１００を超えると粘度が高くなり、取扱いが困難になる場合もある。ｎが２以上の場合のＡ１は同一でも異なっていてもよく、（Ａ３Ｏ）ｎ部分はランダム結合でもブロック結合でもよい。
【００５５】
ｓは１〜４０の整数である。好ましくは１〜６であり、更に好ましくは１〜２である。ｓが４０を超えると粘度が高くなり、取扱いが困難になる場合もある。ｓが２以上の場合は［（Ａ３Ｏ）ｎＨ］は同一でも異なっていてもよい。
【００５６】
一般式（４）において、Ｌ１はｓ個の活性水素を持つアミンから活性水素を除いた残基を表すことができる。アミンは、分子中にアミノ基に由来する活性水素を有する化合物であれば特に限定されないが、好ましくは分子中にアミノ基に由来する活性水素を１〜６個有する化合物であり、より好ましくは１〜２個有する化合物である。
【００５７】
該アミンの具体例としては、例えば以下の（１）〜（４）が挙げられる。
（１）脂肪族アミン化合物
（ｉ）脂肪族モノアミン（好ましくは炭素数６〜４８、官能基数１）；
ラウリルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ｎ−トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン、ノナデシルアミン、イコシルアミン、ヘンイコシルアミン、ドコシルアミン、トリコシルアミン、テトラコシルアミン、オクタデセニルアミン及びオクタデカジエニルアミンや、これらの混合物である牛脂アミン、硬化牛脂アミン、ヤシ油アミン、パーム油アミン及び大豆油アミン等動植物油由来の脂肪族第１アミン等；ジオクチルアミン、ジブチルアミン、ジヘキシルアミン、ジデシルアミン、ジウンデシルアミン、ジドデシルアミン、ジトリデシルアミン、ジテトラデシルアミン、ジペンタデシルアミン、ジヘキサデシルアミン、ジヘプタデシルアミン及びジオクタデシルアミン等の２級アミン等；
（ｉｉ）脂肪族ポリアミン（好ましくは炭素数２〜１８、官能基数２〜７）；
エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２〜６のアルキレンジアミン；ジエチレントリアミン、イミノビスプロピルアミン、ビス（ヘキサメチレン）トリアミン，トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン等のポリアルキレン（炭素数２〜６）ポリアミン等；
（ｉｉｉ）（ｉｉ）のアルキル（炭素数１〜４）又はヒドロキシアルキル（炭素数２〜４）置換体；
ジアルキル（炭素数１〜３）アミノプロピルアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、アミノエチルエタノールアミン、２，５−ジメチル−２，５−ヘキサメチレンジアミン、メチルイミノビスプロピルアミン等；
（ｉｖ）脂環又は複素環含有脂肪族ポリアミン；
３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン等；
（ｖ）芳香環含有脂肪族アミン化合物（炭素数８〜１５）
キシリレンジアミン等；
【００５８】
（２）脂環式アミン化合物
（ｉ）脂環式モノアミン（好ましくは炭素数６〜４８、官能基数１）；
シクロヘキシルアミン等；
（ｉｉ）脂環式ポリアミン（炭素数６〜１５、官能基数２〜３）；
１，３−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジアミン、メンセンジアミン、４，４´−メチレンジシクロヘキサンジアミン（水添メチレンジアニリン）等；
（３）複素環式アミン化合物（好ましくは炭素数４〜１５、官能基数１〜３）；
ピペラジン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、１，４−ジアミノエチルピペラジン、１，４ビス（２−アミノ−２−メチルプロピル）ピペラジン等；
（４）芳香族アミン化合物（好ましくは炭素数６〜２０、官能基数１〜３）；
（ｉ）非置換芳香族アミン
アニリン等のモノアミン；１，２−、１，３−又は１，４−フェニレンジアミン、２，４´−及び４，４´−ジフェニルメタンジアミン、クルードジフェニルメタンジアミン（ポリフェニルポリメチレンポリアミン）、ジアミノジフェニルスルホン、ベンジジン、チオジアニリン、ビス（３，４−ジアミノフェニル）スルホン、２，６−ジアミノピリジン、ｍ−アミノベンジルアミン、トリフェニルメタン−４，４´，４”−トリアミン、ナフチレンジアミン等のポリアミン等；
【００５９】
（ｉｉ）核置換基〔メチル，エチル，ｎ−又はｉ−プロピル、ブチル等の炭素数Ｃ１〜Ｃ４アルキル基；メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基；ニトロ基等〕を有する芳香族アミン；
２，４−及び２，６−トリレンジアミン、ジエチルトリレンジアミン、４，４´−ジアミノ−３，３´−ジメチルジフェニルメタン、４，４´−ビス（ｏ−トルイジン）、ジアニシジン、１，３−ジメチル−２，４−ジアミノベンゼン、１，４−ジブチル−２，５−ジアミノベンゼン、２，３−ジメチル−１，４−ジアミノナフタレン、３，３´−ジエチル−２，２´−ジアミノジフェニルメタン、３，３´，５，５´−テトラエチル−４，４´−ジアミノジフェニルエーテル等、５−ニトロ−１，３−フェニレンジアミン、ビス（４−アミノ−３−メトキシフェニル）ジスルフイド、及びこれらの異性体の種々の割合の混合物等；
【００６０】
（ｉｉｉ）２級アミノ基を有する芳香族ポリアミン〔上記（ｉ）〜（ｉｉ）の芳香族アミンの−ＮＨ２の一部又は全部が−ＮＨ−Ｒ´（Ｒ´はアルキル基例えばメチル、エチル等の低級アルキル基）で置き換ったもの〕；
４，４´−ジ（メチルアミノ）ジフェニルメタン、１−メチル−２−メチルアミノ−４−アミノベンゼン等；
並びにこれらの２種以上の混合物が挙げられる。これらの中で好ましいのは（１）の脂肪族アミン化合物及び脂環式アミン化合物であり、より好ましくは脂肪族モノアミン及び脂環式モノアミンである。特に好ましいのは、炭素数６〜３６の脂肪族モノアミンである。炭素数６〜３６では基板への吸着性が優れるため、パーティクルなどの異物の固着防止性の観点から好ましい。また、炭化水素基部分は直鎖状でも分岐状でもよく、飽和又は不飽和結合をもっていてもよい。
【００６１】
化合物（ａ４）は、無触媒もしくは触媒存在下、アミンにアルキレンオキシド［エチレンオキシド（以下、エチレンオキシドをＥＯと略称する。）、１，２−プロピレンオキシド（以下、１，２−プロピレンオキシドをＰＯと略称する。）、１，２−ブチレンオキシド（以下、１，２−ブチレンオキシドをＢＯと略称する。）、１，４−ブチレンオキシド、１−フェニル−１，２−エチレンオキシド又はそれらの混合物等］を付加反応させることによって製造される。触媒を使用する場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、金属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ触媒、三フッ化硼素や四塩化錫等のルイス酸触媒等が挙げられる。これらの中で好ましくはアルカリ触媒であり、より好ましくは水酸化カリウムである。
【００６２】
反応系を６０℃〜２００℃で乾燥させ、触媒を投入し、系中を脱水（好ましくは水分５００ｐｐｍ以下）までしたのち、アルキレンオキシドを好ましくは８０〜２００℃、より好ましくは１００〜１８０℃で反応させることができる。反応時間は好ましくは４〜４８時間である。反応の終点は全アミン価で管理することができる。
【００６３】
（全アミン価測定方法）
全アミン価とは１ｇ中のアミンを中和するのに要する過塩素酸と等量の水酸化カリウムのｍｇ数であり、サンプル中に含まれるアミンの含有量を表わす。測定方法は次の通りである。
ガラス瓶にサンプルを精秤する。サンプリング量は、予想全アミン価が０．５未満のときは７ｇ、０．５以上２未満のときは４．５ｇ、２以上のときは、２ｇ又はそれ以下である。サンプリング後、酢酸５０ｍＬを加えて試料を溶解する。Ｎ／１００過塩素酸標準溶液にて電位差滴定を行う。同時に空試験も行う。
全アミン価＝（Ｋ’−Ｂ’）×Ｙ’×０．５６１１／Ｚ
Ｋ’：本試験に要したＮ／１００過塩素酸標準溶液の滴定ｍｌ数
Ｂ’：空試験に要したＮＮ／１００過塩素酸標準溶液の滴定ｍｌ数
Ｙ’：Ｎ／１００過塩素酸標準溶液の力価
Ｚ：試料採取量（ｇ）
【００６４】
一般式（４）におけるアルキレンオキシドの平均付加モル数ｎは、一般式（４）で表される化合物（ａ４）の全アミン価を測定することで求めることができる。
【００６５】
化合物（ａ４）の具体例としては、ラウリルアミンＥＯ８モル付加物、ヘキシルアミンＥＯ８モル付加物、シクロヘキシルアミンＥＯ８モル付加物、オクチルアミンＥＯ８モル付加物、デシルアミンＥＯ８モル付加物、ウンデシルアミンＥＯ８モル付加物、ｎ−トリデシルアミンＥＯ８モル付加物、テトラデシルアミンＥＯ８モル付加物、ペンタデシルアミンＥＯ８モル付加物、ヘキサデシルアミンＥＯ８モル付加物、ヘプタデシルアミンＥＯ８モル付加物、オクタデシルアミンＥＯ８モル付加物、ノナデシルアミンＥＯ８モル付加物、イコシルアミンＥＯ８モル付加物、ヘンイコシルアミンＥＯ８モル付加物、ドコシルアミンＥＯ８モル付加物、トリコシルアミンＥＯ８モル付加物、テトラコシルアミンＥＯ８モル付加物、オクタデセニルアミンＥＯ８モル付加物、オクタデカジエニルアミンＥＯ８モル付加物、牛脂アミンＥＯ８モル付加物、硬化牛脂アミンＥＯ８モル付加物、ヤシ油アミンＥＯ１モル付加物、ヤシ油アミンＥＯ８モル付加物、パーム油アミンＥＯ８モル付加物、大豆油アミンＥＯ８モル付加物、ヘキサデシルアミンＥＯ２５モルＰＯ５モルランダム付加物、ココアミンＥＯ８モル付加物、ココアミンＥＯ３０モル付加物等動植物油由来の脂肪族第１アミンＥＯ８モル付加物、ジオクチルアミンＥＯ１２モル付加物、ジブチルアミンＥＯ１２モル付加物、ジヘキシルアミンＥＯ１２モル付加物、ジデシルアミンＥＯ１２モル付加物、ジウンデシルアミンＥＯ１２モル付加物、ジドデシルアミンＥＯ１２モル付加物、ジトリデシルアミンＥＯ１２モル付加物、ジテトラデシルアミンＥＯ１２モル付加物、ジペンタデシルアミンＥＯ１２モル付加物、ジヘキサデシルアミンＥＯ１２モル付加物、ジヘプタデシルアミンＥＯ１２モル付加物及びジオクタデシルアミンＥＯ１２モル付加物等が挙げられる。
これらのうち２種以上を組み合わせてもよい。また、アミンのＰＯとＥＯ、ＢＯとＥＯ、ＢＯとＰＯ、又はＰＯとＥＯとＢＯ等の混合物のアルキレンオキシド付加物であってもよい。
【００６６】
これらのうち、化合物（ａ４）としては、溶媒への溶解性及び異物の固着防止性の観点から、好ましくはテトラデシルアミンＥＯ８モル付加物、ヤシ油アミンＥＯ８モル付加物、オクチルアミンＥＯ８モル付加物、ヤシ油アミンＥＯ１モル付加物、ココアミンＥＯ８モル付加物及びヤシ油アミンＥＯ８モル付加物である。
【００６７】
化合物（ａ４）の含有量はハンドリング性の観点から、電子材料用表面処理剤の重量に基づいて、好ましくは０．１〜３０重量％含有し、さらに好ましくは０．５〜２５重量％、特に好ましくは０．５〜２０重量％である。
【００６８】
化合物（ａ４）の２重量％水溶液における曇点は、ハンドリング性の観点から、好ましくは１０℃以上であり、更に好ましくは３０℃以上である。
【００６９】
実使用時における表面処理剤（Ｂ）中に含まれる化合物（Ａ）及び化合物（ａ４）の合計濃度は、０．００１〜１０重量％である。
【００７０】
電子材料用表面処理剤（Ｂ）の水は、清浄度の観点から電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍ以上の純水、イオン交換水、逆浸透水（ＲＯ水）、蒸留水などが挙げられる。これらのうち、好ましくは電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍ以上の純水である。
【００７１】
電子材料用表面処理剤（Ｂ）には化合物（Ａ）及び水以外に、パーティクルなどの異物付着防止の観点で、さらに添加剤（Ｃ）を構成成分として含んでもよい。
前記添加剤（Ｃ）としては、キレート剤（Ｄ）、化合物（Ａ）及び化合物（ａ４）以外の界面活性剤、ｐＨ調整剤（水酸化カリウム等の無機アルカリ、イソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、２−アミノエチルアミノエタノール、エチレンジアミンテトラエタノール等の有機アルカリ）、ハイドロトロープ剤（ｐ−トルエンスルホン酸塩及び安息香酸塩等）及び防腐剤等が挙げられる。
【００７２】
キレート剤（Ｄ）としては、ホスホン酸系キレート剤（ホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有するキレート剤）（Ｄ１）、カルボン酸系キレート剤（カルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤）（Ｄ２）、及びその他のキレート剤（Ｄ３）が挙げられる。ホスホン酸（塩）とは、ホスホン酸及び／又はホスホン酸塩をいう。他の酸についても同様である。
ホスホン酸系キレート剤（Ｄ１）としては、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）（ＨＥＤＰ）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（塩）（ＮＴＭＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）、メタリン酸（塩）、ピロリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）等が挙げられる。
【００７３】
カルボン酸系キレート剤（Ｄ２）としては、水酸基を有するヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩（Ｄ２１）と水酸基を有しないカルボン酸及び／又はその塩（Ｄ２２）がある。ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩（Ｄ２１）としては、クエン酸（塩）、乳酸（塩）、没食子酸（塩）等が挙げられる。水酸基を有しないカルボン酸及び／又はその塩（Ｄ２２）としては、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、ヒドロキシエチル−イミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）（塩）、１，２−ジアミノシクロヘキサンテトラ酢酸（ＤＣＴＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）、シクロペンタンテトラカルボン酸（塩）等、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、マレイン酸誘導体、シュウ酸（塩）、マロン酸（塩）、コハク酸（塩）、グルタル酸（塩）及びアジピン酸（塩）等が挙げられる。
【００７４】
その他のキレート剤（Ｄ３）としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミン及びＮ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，４−ブタンジアミン等が挙げられる。
【００７５】
実使用時におけるキレート剤（Ｄ）の濃度は、電子材料用処理剤の重量に基づいて、好ましくは０．００１〜２重量％である。
また、化合物（Ａ）及び化合物（ａ４）の合計重量に対する（Ｄ）の重量比（Ｄ）／｛（Ａ）＋（ａ４）｝は好ましくは０．０１〜１０である。
【００７６】
本発明の電子材料用処理剤は、異物の固着防止性の観点から、磁気ディスク基板であることが好ましい。
【００７７】
本発明の電子材料の製造方法は、電子材料用表面処理剤（Ｂ）を用いて電子材料中間体表面に対する水の接触角が２５℃で３５°以上とする工程、及び該工程以降に電子材料中間体表面に対する水の接触角が２５℃で３０°以下にする洗浄工程を含むことができる。
電子材料中間体表面に対する水の接触角が２５℃で３５°以上である電子材料中間体は、表面処理され、電子材料中間体表面に直接的にパーティクルなどの異物の強固な付着を防ぐことができ、洗浄工程により保護層を除去することで、最終的に得られる電子材料の清浄度を向上できると推定される。
洗浄工程前の電子材料中間体は、パーティクルなどの異物の固着防止性の観点から、電子材料中間体表面に対する水の接触角が好ましくは２５℃で３５°以上であり、さらに好ましくは３５°〜１８０°であり、より好ましくは５０°〜１８０°、特に好ましくは６０°〜１８０°である。
洗浄工程において、電子材料中間体は、電子材料の清浄度向上の観点から、電子材料中間体表面に対する水の接触角が好ましくは２５℃で３０°以下であり、さらに好ましくは０°〜３０°であり、より好ましくは０°〜２０°であり、特に好ましくは０°〜１０°である。
なお、電子材料中間体表面に対する水の接触角は、全自動接触角計（協和界面科学製、「全自動接触角計ＤＭ７００」）で２５℃において測定した値である。
【００７８】
電子材料中間体表面に対する水の接触角が２５℃で３５°以上である電子材料中間体を、洗浄剤（Ｅ）を使用して表面処理を施した電子材料中間体を洗浄して電子材料中間体表面に対する水の接触角を２５℃で３０°以下とする洗浄工程により、電子材料の清浄度がより向上した電子材料を製造することが可能となる。
【００７９】
洗浄剤（Ｅ）は、水と添加剤（Ｆ）を構成成分として含む洗浄剤であることが好ましい。洗浄工程において、水だけで洗浄した場合と比較して、添加剤（Ｆ）を含有することで表面処理を施すために使用した薬剤の残留を著しく減少させることが可能となる。
【００８０】
添加剤（Ｆ）としては、キレート剤（Ｆ１）、界面活性剤（Ｆ２）、有機アルカリ（Ｆ３）、安定化剤（Ｆ４）、ｐＨ調整剤（Ｆ５）及び防腐剤（Ｆ６）等が挙げられる。これらのうち２種以上を組み合わせてもよい。
【００８１】
キレート剤（Ｆ１）はキレート剤（Ｄ）と同様のキレート剤が挙げられ、洗浄性向上の観点から、好ましくはカルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤（Ｆ１１）及びホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有するキレート剤（Ｆ１２）であり、更に好ましくは、クエン酸（塩）、ＥＤＴＡ（塩）、ＤＴＰＡ（塩）、ＨＩＤＡ（塩）、ＮＴＡ（塩）、ＮＴＭＰ（塩）、ＨＥＤＰ（塩）、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（塩）、ピロリン酸（塩）等である。特に好ましくは、ＨＥＤＰ（塩）、ＮＴＭＰ（塩）、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（塩）、クエン酸（塩）、ＤＴＰＡ（塩）、及びＨＩＤＡ（塩）である。
【００８２】
界面活性剤（Ｆ２）としては、ノニオン性界面活性剤及び化合物（Ａ）以外のアニオン性界面活性剤等が挙げられる。
【００８３】
ノニオン性界面活性剤としては、アルキレンオキサイド付加型ノニオン性界面活性剤及び多価アルコール型ノニオン界面活性剤等が挙げられる。
アルキレンオキサイド付加型ノニオン性界面活性剤としては、炭素数８〜１８のアルコールアルキレンオキサイド１〜３０モル付加物、炭素数１〜１２のアルキルフェノールエチレンオキサイド１〜３０モル付加物、炭素数８〜１８の脂肪酸エチレンオキサイド１〜３０モル付加物及びポリプロピレングリコール（分子量２００〜４０００）エチレンオキサイド付加物等が挙げられる。
多価アルコール型ノニオン界面活性剤としては、グリセリンの脂肪酸エステル、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル、ラウリン酸モノエタノールアミド及びラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。具体例としては、炭素数１２のアルコールエチレンオキサイド９モル付加物、グリセリンモノオレート及びポリプロピレングリコールエチレンオキサイド３０モル付加物等が挙げられる。
【００８４】
アニオン性界面活性剤としては、スルホン酸系界面活性剤（炭素数８のアルコールのスルホコハク酸ジエステル（塩）、ドデシルベンゼンスルホン酸（塩）等）、硫酸エステル系界面活性剤（炭素数１４のアルコールエチレンオキサイド３モル付加物硫酸エステル（塩）、炭素数８のアルコールエチレンオキサイド２モル付加物硫酸エステル（塩）、炭素数１２〜１３のアルコールの硫酸エステル（塩）等）、脂肪酸系界面活性剤（炭素数１０の脂肪酸（塩）等）、リン酸エステル系界面活性剤（炭素数８のアルコールのリン酸モノエステル（塩）等）、高分子型アニオン性界面活性剤（ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物等並びにこれらの塩、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物並びにこれらの塩、ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等）が挙げられる。
アニオン性界面活性剤のうち好ましくは、パーティクルの再付着防止の観点から高分子型アニオン性界面活性剤である。高分子型アニオン性界面活性剤を使用する場合は、必要によりさらにスルホン酸系界面活性剤、硫酸エステル系界面活性剤、脂肪酸系界面活性剤及びリン酸エステル系界面活性剤から選ばれる１種以上を併用してもよい。
【００８５】
界面活性剤（Ｆ２）としては、その他にカチオン性界面活性剤が挙げられる。
【００８６】
有機アルカリ（Ｆ３）としては、例えば、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）；２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）；３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等｝；アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記する）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝、多価アミン（２−アミノエチルアミノエタノール、エチレンジアミンテトラエタノール等）、アンモニウム及び第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）が挙げられる。
前記キレート剤（Ｆ１）又は前記アニオン性界面活性剤が塩を形成している場合の塩として、基板への金属汚染防止の観点から好ましくは、１級アミン、２級アミン、３級アミン、多価アミン、アンモニウム及び第４級アンモニウムであり、特に好ましくは１級アミン、２級アミン、多価アミン、アミジン及びアンモニウム、最も好ましくはジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、２−アミノエチルアミノエタノール、エチレンジアミンテトラエタノール、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７及び１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５である。
【００８７】
安定化剤（Ｆ４）として、パラトルエンスルホン酸塩及び安息香酸塩等が挙げられる。
【００８８】
ｐＨ調整剤（Ｆ５）として、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等が挙げられる。
【００８９】
防腐剤（Ｆ６）として、市販の防腐剤を使用することができる。
【００９０】
実使用時における洗浄剤（Ｅ）の重量に基づいて添加剤（Ｆ）の濃度は、０．００１〜２重量％である。
【００９１】
電子材料中間体表面に対する水の接触角が２５℃で３５°以上である電子材料中間体は、表面処理剤（Ｂ）で表面処理されてなる電子材料中間体であることがパーティクルなどの異物の固着防止性の観点から好ましい。電子材料中間体表面に対する接触角が２５℃で３５°以上とする方法としては、表面処理剤（Ｂ）に電子材料中間体を浸漬する方法及び表面処理剤（Ｂ）を電子材料中間体に噴霧する方法等が挙げられる。又は、表面処理剤（Ｂ）を用いて電子材料中間体を洗浄（浸漬（ディップ）洗浄、ポリビニルアルコール等を主成分とするスポンジを用いたスクラブ洗浄等）する方法でもよい。電子材料中間体に対して表面処理剤（Ｂ）を用いて前記方法による処理をした後、さらに水で電子材料中間体を洗ってもよく、水洗浄後に電子材料中間体を乾燥させてもよい。また、電子材料中間体に対して表面処理剤（Ｂ）を用いて前記方法による処理をした後に、電子材料中間体を乾燥させてもよい。
好ましくは、表面処理剤（Ｂ）に電子材料中間体を浸漬又は表面処理剤（Ｂ）を電子材料中間体に噴霧した後、さらに水で電子材料中間体を洗う方法である。
【００９２】
洗浄工程において、電子材料中間体表面に対する水の接触角が２５℃で３５°以下にする電子材料中間体を洗浄する方法としては、電子材料中間体を、浸漬（ディップ）洗浄、超音波用いたディップ洗浄、洗浄用テープを用いたテープ洗浄及びポリビニルアルコール等を主成分とするスポンジを用いたスクラブ洗浄等の方法が挙げられる。
パーティクルなどの異物の固着防止性の観点から、好ましくは表面処理剤（Ｂ）に電子材料中間体を浸漬又は表面処理剤（Ｂ）を電子材料中間体に噴霧した後、さらに水で電子材料中間体を洗う方法である。表面処理を施すために使用した薬剤の除去性の観点から、好ましくは浸漬（ディップ）洗浄及び超音波用いたディップ洗浄である。
【００９３】
本発明の別の実施態様は、電子材料中間体を研磨する研磨工程を有する電子材料の製造方法において、上記の表面処理剤（Ｂ）を使用して表面処理を施して電子材料中間体表面に対する水の接触角を２５℃で３５°以上とする工程を含む電子材料の製造方法である。研磨工程直後に、例えば表面処理剤（Ｂ）に電子材料中間体を浸漬又は表面処理剤（Ｂ）を電子材料中間体に噴霧することで、研磨粒子等の異物の付着を防止することができるため、その後工程において発生するスクラッチやピットなどの表面欠陥を低減した電子材料を製造することが可能となる。
さらに、表面処理を施した電子材料中間体を洗浄して電子材料中間体表面に対する水の接触角を２５℃で３０°以下とする洗浄工程により、電子材料中間体の清浄度がより向上した電子材料を製造することが可能となる。
【００９４】
本発明の製造方法を用いた表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板の製造工程（一部）の一例を以下に示す。
（１）サブストレート工程において、砥粒としてコロイダルシリカを用いてアルミ基板を研磨する。
（２）研磨後のアルミ基板を純水で軽くリンスした後、表面処理剤（Ｂ）にアルミ基板を浸漬する。
（３）アルミ基板を引き上げ、純水で軽くリンスした後、洗浄剤（Ｅ）を仕込んだ洗浄機にセットしてスクラブ洗浄又は超音波を用いたディップ洗浄をおこなう。
（４）洗浄後、純水でリンスし、スピン乾燥で乾燥させる。
（５）アルミ基板を容器に梱包し、メディア工程に搬送する。
【００９５】
上記製造工程（２）における浸漬温度は好ましくは５〜１００℃であり、さらに好ましくは１０〜９０℃であり、特に好ましくは２０〜８０℃である。
【００９６】
上記製造工程（２）における浸漬時間は好ましくは３秒〜２０時間であり、さらに好ましくは５分〜１５時間であり、特に好ましくは１０分〜１０時間である。
【００９７】
上記製造工程（３）における洗浄温度は好ましくは５〜１００℃であり、さらに好ましくは１０〜９０℃であり、特に好ましくは２０〜８０℃である。
【００９８】
上記製造工程（３）における洗浄時間は好ましくは１分〜２０時間であり、さらに好ましくは５分〜１５時間であり、特に好ましくは１０分〜１０時間である。
【００９９】
本発明のもう一つの実施態様は、電子材料中間体を乾燥する乾燥工程を有する製造方法において、上記の表面処理剤（Ｂ）を使用して表面処理を施して電子材料中間体表面に対する水の接触角が２５℃で３５°以上とする工程を含む電子材料の製造方法である。乾燥工程の前に、例えば表面処理剤（Ｂ）に電子材料中間体を浸漬する、表面処理剤（Ｂ）を電子材料中間体に噴霧する又は表面処理剤（Ｂ）を用いて電子材料中間体を洗浄することで、乾燥後の異物の付着を防止することができるため、清浄度の高い電子材料を製造することが可能となる。
さらに、表面処理を施した電子材料中間体を洗浄して電子材料中間体表面に対する水の接触角が２５℃で３０°以下とする洗浄工程により、基板の清浄度がより向上した電子材料を製造することが可能となる。
【０１００】
本発明の製造方法を用いた表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板の製造工程（一部）の一例を以下に示す。
（ａ）サブストレート工程において、砥粒としてコロイダルシリカを用いてアルミ基板を研磨する。
（ｂ）研磨後のアルミ基板を引き上げ、純水で軽くリンスした後、洗浄機にセットしてスクラブ洗浄又は超音波を用いたディップ洗浄をおこなう。
（ｃ）洗浄後、純水でリンスした後、表面処理剤（Ｂ）にアルミ基板を浸漬する。
（ｄ）浸漬したアルミ基板を引き上げ、純粋でリンスした後、スピン乾燥で乾燥させる。
（ｅ）アルミ基板を容器に梱包し、メディア工程に搬送する。
（ｆ）搬送後、洗浄剤（Ｅ）を用いて超音波を用いたディップ洗浄等で受け入れ洗浄をおこなう。
【０１０１】
上記（ｃ）における浸漬温度は、好ましくは５〜１００℃であり、さらに好ましくは１０〜９０℃であり、特に好ましくは２０〜８０℃である。
【０１０２】
上記（ｃ）における浸漬時間は、好ましくは３秒〜２０時間であり、さらに好ましくは５分〜１５時間であり、特に好ましくは１０分〜１０時間である。
【０１０３】
上記（ｄ）における回転数は、好ましくは１０００〜６０００ｒｐｍであり、さらに好ましくは２０００〜５０００ｒｐｍである。上記（ｄ）におけるスピン乾燥時間は、好ましくは１〜１０分である。
【０１０４】
上記（ｆ）における洗浄温度は、好ましくは５〜１００℃であり、さらに好ましくは１０〜９０℃であり、特に好ましくは２０〜８０℃である。
【０１０５】
上記（ｆ）における洗浄時間は、好ましくは１分〜２０時間であり、さらに好ましくは５分〜１５時間、特に好ましくは１０分〜１０時間である。
【０１０６】
本発明の電子材料の製造方法で製造される電子材料は、前述したように、製造工程中に研磨工程とそれに続く洗浄工程を含む電子材料であれば特に限定するものではなく、例えば、磁気ディスク基板、シリコン半導体基板、化合物半導体基板及びサファイヤ基板等が挙げられる。
これらのうち、生産効率向上の観点から、好ましくは磁気ディスク用基板であり、具体的には磁気ディスク用ガラス基板及び表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされた磁気ディスク用アルミ基板である。
【実施例】
【０１０７】
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１０８】
実施例１〜２８、及び比較例１〜７
表１〜３に記載の組成となるように、各成分を配合し、２５℃、マグネチックスターラーで４０ｒｐｍ、２０分間攪拌して、本発明の表面処理剤（Ｂ−１）〜（Ｂ−２８）、比較用の表面処理剤（Ｂ−２９）〜（Ｂ−３４）及び純水並びに洗浄工程で使用する洗浄剤（Ｅ）を得た。
なお、ブランクとして電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍの純水を比較例５とした。
【０１０９】
【表１】
2017199448.tif 000006
【０１１０】
【表２】
2017199448.tif 000007
【０１１１】
【表３】
2017199448.tif 000008
【０１１２】
性能評価試験は下記の方法で行った。
なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
電子材料中間体として２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板又は磁気ディスク用のＮｉ−Ｐメッキされたアルミ基板を用い、試験基板を表面処理した後の基板表面に対する水の接触角を測定した。パーティクルなどの異物の付着防止性については、試験基板上の異物数をカウントすることで行った。さらに、試験基板を洗浄した後の基板表面に対する水の接触角を測定した。洗浄工程後の基板の清浄度については、洗浄後基板上の２８００〜３２００ｃｍ−１の範囲に現れるＣ−Ｈ伸縮振動に由来するピークの有無を確認することで評価した。
【０１１３】
＜表面処理後の接触角の測定＞
（１）実施例１〜２８（Ｂ−１）〜（Ｂ−２８）及び比較例１〜６の水溶液（Ｂ−２９）〜（Ｂ−３４）を５０倍希釈し、表面処理力評価用の試験液を得た。比較例７は純水をそのまま試験液とした。
（２）２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板又は磁気ディスク用のＮｉ−Ｐメッキされたアルミ基板を、上記試験液が１０００ｍＬ入ったビーカーに縦方向に浸漬し、１０分間静置した。
（３）１０分経過後、ガラス基板及びアルミ基板を引き上げ、純水の流水で１０秒間軽く濯ぎ流し、窒素で乾燥し試験用基板を作成した。
（４）各基板に対するイオン交換水の接触角を全自動接触角計（協和界面科学製、「全自動接触角計ＤＭ７００」）で測定した。結果を表４〜６に示す。
【０１１４】
＜付着防止性の評価１（浸漬して一時保管する場合）＞
（１）市販のコロイダルシリカスラリー（フジミインコーポレイテッド製「ＣＯＭＰＯＬ８０」粒径約８０ｎｍ）（約３０重量％）１００ｍＬを純水で１０倍に希釈し、試験用のスラリー液を１０００ｍＬ準備した。
（２）試験用のスラリー液が１０００ｍＬ入ったビーカーに上記の試験用基板を作成した直後に縦方向に浸漬し、６時間静置した。
（３）６時間経過後、試験用基板を引き上げ、純水の流水で１０秒間軽く濯ぎ流した後、窒素で乾燥させ表面保護性能評価用基板を作成した。
（４）表面検査装置（ビジョンサイテック社製、ＭｉｃｒｏＭａｘ  ＶＭＸ−６１００ＳＫ）で基板表面を観察し、基板上のパーティクル数を数えた。
なお、ブランクの比較例７のガラス基板上パーティクル数は５００個、ブランクの比較例５のアルミ基板上パーティクル数は３００個であった。
【０１１５】
それぞれの基板上のパーティクル数をブランクの（比較例７）の基板上パーティクル数と比較し、下記の判断基準に従い、パーティクルが基板に付着することを抑える付着防止性効果を評価し、判定した。
結果を表４〜６に示す。
５：ブランクの１０％未満
４：ブランクの１０％〜４０％未満
３：ブランクの４０％〜６０％未満
２：ブランクの６０％〜８０％未満
１：ブランクの８０％以上
【０１１６】
＜付着防止性の評価２（乾燥状態の場合）＞
（１）市販の粉末シリカ（粒径約３μｍ）を作成した直後の試験用基板上に１ｇ散布し、１週間静置した。
（２）１週間経過後、試験用基板を純水の流水で１０秒間軽く濯ぎ流した後、窒素で乾燥させ表面保護性能評価用基板を作成した。
（３）表面検査装置（ビジョンサイテック社製、ＭｉｃｒｏＭａｘ  ＶＭＸ−６１００ＳＫ）で基板表面を観察し、基板上のパーティクル数を数えた。
なお、ガラス基板の場合、ブランクの比較例５の基板上パーティクル数は１００個、アルミ基板の場合、ブランクの比較例５の基板上パーティクル数は７０個であった。
【０１１７】
それぞれの基板上のパーティクルなどの異物数をブランクの（比較例７）の基板上異物数と比較し、下記の判断基準に従い、パーティクルなどの異物が基板に付着することを抑える付着防止性効果を評価し、判定した。
結果を表４〜６に示す。
５：ブランクの１０％未満
４：１０％〜４０％未満
３：４０％〜６０％未満
２：６０％〜８０％未満
１：８０％以上
【０１１８】
＜長期付着防止性の評価１（浸漬して一時保管する場合）＞
（１）市販のコロイダルシリカスラリー（フジミインコーポレイテッド製「ＣＯＭＰＯＬ８０」粒径約８０ｎｍ）（約３０重量％）１００ｍＬを純水で１０倍に希釈し、試験用のスラリー液を１０００ｍＬ準備した。
（２）試験用のスラリー液が１０００ｍＬ入ったビーカーに上記の試験用基板をクリーンルーム内で１週間放置した後に縦方向に浸漬し、６時間静置した。
（３）６時間経過後、試験用基板を引き上げ、純水の流水で１０秒間軽く濯ぎ流した後、窒素で乾燥させ表面保護性能評価用基板を作成した。
（４）表面検査装置（ビジョンサイテック社製、ＭｉｃｒｏＭａｘ  ＶＭＸ−６１００ＳＫ）で基板表面を観察し、基板上のパーティクル数を数えた。
なお、ブランクの比較例５のガラス基板上パーティクル数は５００個、ブランクの比較例５のアルミ基板上パーティクル数は３００個であった。
【０１１９】
それぞれの基板上のパーティクル数をブランクの（比較例７）の基板上パーティクル数と比較し、下記の判断基準に従い、パーティクルが基板に付着することを抑える付着防止性効果を評価し、判定した。
結果を表４〜６に示す。
５：ブランクの１０％未満
４：ブランクの１０％〜４０％未満
３：ブランクの４０％〜６０％未満
２：ブランクの６０％〜８０％未満
１：ブランクの８０％以上
【０１２０】
＜長期付着防止性の評価２（乾燥状態の場合）＞
（１）市販の粉末シリカ（粒径約３μｍ）をクリーンルーム内で１週間放置した後の試験用基板上に１ｇ散布し、１週間静置した。
（２）１週間経過後、試験用基板を純水の流水で１０秒間軽く濯ぎ流した後、窒素で乾燥させ表面保護性能評価用基板を作成した。
（３）表面検査装置（ビジョンサイテック社製、ＭｉｃｒｏＭａｘ  ＶＭＸ−６１００ＳＫ）で基板表面を観察し、基板上のパーティクル数を数えた。
なお、ガラス基板の場合、ブランクの比較例５の基板上パーティクル数は１００個、アルミ基板の場合、ブランクの比較例５の基板上パーティクル数は７０個であった。
【０１２１】
それぞれの基板上のパーティクルなどの異物数をブランクの（比較例７）の基板上異物数と比較し、下記の判断基準に従い、パーティクルなどの異物が基板に付着することを抑える付着防止性効果を評価し、判定した。
結果を表４〜６に示す。
５：ブランクの１０％未満
４：１０％〜４０％未満
３：４０％〜６０％未満
２：６０％〜８０％未満
１：８０％以上
【０１２２】
＜洗浄後の接触角の測定＞
（１）実施例１〜２８（Ｃ−１）〜（Ｃ−２８）及び比較例５〜６の洗浄剤（Ｃ−２９）〜（Ｃ−３０）を５０倍希釈し、表面処理に使用した薬剤の除去性評価用の試験液を得た。比較例１〜４及び７は純水をそのまま試験液とした。
（２）試験用基板を上記試験液が１０００ｍＬ入ったビーカーに縦方向に浸漬し、１０分間静置した。
（３）１０分経過後、試験用基板を引き上げ、純水の流水で１０秒間軽く濯ぎ流し、窒素で乾燥し除去性評価用基板を作成した。
（４）各基板に対するイオン交換水の接触角を全自動接触角計（協和界面科学製、「全自動接触角計ＤＭ７００」）で測定した。結果を表４〜６に示す。
【０１２３】
＜洗浄後の基板の清浄度の評価＞
除去性評価用基板に対して、フーリエ変換赤外分光光度計（サーモエレクトロン株式会社製、Ｎｉｃｏｌｅｔ  ６７００）を用いて、２８００〜３２００ｃｍ−１の範囲に現れるＣ−Ｈ伸縮振動に由来するピークを測定した。
○：ピークは観察されず。
×：ピークが観察された。
【０１２４】
【表４】
2017199448.tif 000009
【０１２５】
【表５】
2017199448.tif 000010
【０１２６】
【表６】
2017199448.tif 000011
【０１２７】
表４〜６より、実施例１〜２８のガラス基板及びアルミ基板は、比較例１〜７のそれらと比較して、パーティクルなどの異物の付着を長期的に防ぐことができ、かつ洗浄後の基板の清浄度が高いことがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１２８】
本発明の表面処理剤及び電子材料の製造方法は、砥粒や研磨屑のパーティクルなどの異物が基板表面に強固に付着することを抑制し、さらに基板表面の清浄度を従来の表面処理剤及び製造方法と比較して大幅に向上できる。そのため、製造工程中に研磨を必要とする電子材料、特にハードディスク等の磁気ディスク基板製造工程における基板の表面処理剤及び製造方法として使用することができる。