(57)【要約】【課題】プリント配線基板において、導体層とソルダーレジスト（ＳＲ）層、及び、導体層と層間絶縁層とを密着させて層間剥離を抑制する。【解決手段】本発明のプリント配線基板１Ａ、１Ｂは、複数の導体層１２、２３、２６と層間絶縁層２１、２４とを含む積層基材２とＳＲ層３０とを有し、層間絶縁層２１、２４と導体層１２、２３との間に内部接合層６０が介在しており、内部接合層６０の、層間絶縁層２１、２４と接する面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ以上、３００ｎｍ以下であり、表面導体層２６の、ＳＲ層３０の側の面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ未満である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２層以上の導体層と、前記導体層間に配置された絶縁層である層間絶縁層とを含む積層基材と、
前記積層基材の表面の少なくとも一方に積層された絶縁層であるソルダーレジスト層と
を有し、
前記積層基材は、前記導体層のうち少なくとも一部として、前記ソルダーレジスト層が積層される表面に表面導体層を備えるプリント配線基板であって、
前記層間絶縁層と、前記層間絶縁層を挟む一対の導体層のうち少なくとも一方との間に、少なくとも部分的に、内部接合層が介在しており、
前記内部接合層の、前記層間絶縁層と接する面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ以上、３００ｎｍ以下であり、
前記表面導体層の、前記ソルダーレジスト層の側の面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ未満である。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線基板において、
前記導体層は銅を含む層であり、
前記内部接合層は、銅の結晶を含む層である。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプリント配線基板において、
前記導体層は銅を含む層であり、
前記表面導体層と前記ソルダーレジスト層との間に、少なくとも部分的に、表面接合層が介在しており、
前記表面接合層は、銅と窒素とを含む、厚さ２０〜２００ｎｍの層である。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント配線基板において、
前記層間絶縁層が、アクリロイル基又はメタクリロイル基、或いは、アクリロイル基又はメタクリロイル基に由来する官能基を有さない樹脂を含む層であり、
前記ソルダーレジスト層が、アクリロイル基又はメタクリロイル基、或いは、アクリロイル基又はメタクリロイル基に由来する官能基を有する樹脂を含む層である。
【請求項５】
２層以上の導体層と、前記導体層間に配置された絶縁層である層間絶縁層とを含む積層基材と、
前記積層基材の表面の少なくとも一方に積層された絶縁層であるソルダーレジスト層と
を有し、
前記積層基材は、前記導体層のうち少なくとも一部として、前記ソルダーレジスト層が積層される表面に表面導体層を備えるプリント配線基板の製造方法であって、
前記導体層と前記層間絶縁層とを交互に積層して前記積層基材を形成する積層基材形成工程と、
前記積層基材形成工程により得られた前記積層基材の、前記表面導体層上にソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と
を含み、
前記積層基材形成工程が、
算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ未満の面を有する導体層上に、外側の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ以上、３００ｎｍ以下となるように内部接合層を形成する、内部接合層形成工程と、
前記内部接合層が形成された前記導体層上に、層間絶縁層を形成する、層間絶縁層形成工程と、
前記層間絶縁層上に更なる導体層を形成する導体層形成工程と
を含み、
前記ソルダーレジスト層形成工程において、前記表面導体層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ未満である。
【請求項６】
請求項５に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記導体層は銅を含む層であり、
前記内部接合層は、銅の結晶を含む層である。
【請求項７】
請求項５又は６に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記導体層は銅を含む層であり、
前記ソルダーレジスト層形成工程が、前記表面導体層の表面に、銅と窒素とを含む厚さ２０〜２００ｎｍの表面接合層を形成した後、前記積層基材の、前記表面導体層が形成された表面に前記ソルダーレジスト層を形成する工程である。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１項に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記層間絶縁層形成工程が、アクリロイル基又はメタクリロイル基、或いは、アクリロイル基又はメタクリロイル基に由来する官能基を有さない樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物を、前記内部接合層形成工程において前記内部接合層が形成された前記導体層上に積層し、熱硬化させて、前記層間絶縁層を形成する工程であり、
前記ソルダーレジスト層形成工程が、アクリロイル基又はメタクリロイル基、或いは、アクリロイル基又はメタクリロイル基に由来する官能基を有する樹脂を含む感光性樹脂組成物を、前記積層基材の、前記表面導体層が形成された表面に積層し、光硬化させて、前記ソルダーレジスト層を形成する工程である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線基板において、表面導体層とソルダーレジスト層との間の密着性を高めるために、表面導体層を表面処理する技術が開発されている。例えば特許文献１では、導体回路を形成した配線基板に対し、その表面にソルダーレジスト層を設けたプリント配線板において、導体回路の表面を粗化層とすることが開示されている。特許文献１では前記粗化層として、導体回路表面をエッチング処理、研磨処理、酸化処理あるいは酸化還元処理により形成される銅の粗化面、もしくは、導体回路表面をめっき処理して形成される被膜の粗化面が望ましいと開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１５０２５０公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電解めっき銅を含む導体層と、該導体層と接する層間絶縁層及びソルダーレジスト層とを備えるプリント配線基板では、導体層と層間絶縁層及びソルダーレジスト層とで熱膨張率に差があるため、プリント配線基板が熱変化に曝されると導体層と、層間絶縁層又はソルダーレジスト層とが層間剥離（ハロイング）を生じる可能性があると本発明者らは推察した。ハロイングを生じると、導体層の隣接する部分間での短絡につながる可能性がある。
【０００５】
一方、高周波領域の電流が導体層に流れるとき導体層の表面近傍のみに電流が流れる表皮効果が生じることが知られているが、特許文献１のように導体層の表面を粗化する場合、表皮効果が生じる際の抵抗が大きくなり電気的損失が生じると本発明者らは推察した。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、一実施形態として、
２層以上の導体層と、前記導体層間に配置された絶縁層である層間絶縁層とを含む積層基材と、
前記積層基材の表面の少なくとも一方に積層された絶縁層であるソルダーレジスト層と
を有し、
前記積層基材は、前記導体層のうち少なくとも一部として、前記ソルダーレジスト層が積層される表面に表面導体層を備えるプリント配線基板であって、
前記層間絶縁層と、前記層間絶縁層を挟む一対の導体層のうち少なくとも一方との間に、少なくとも部分的に、内部接合層が介在しており、
前記内部接合層の、前記層間絶縁層と接する面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ以上、３００ｎｍ以下であり、
前記表面導体層の、前記ソルダーレジスト層の側の面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ未満であるプリント配線基板を提供する。
【０００７】
本発明は、他の実施形態として、
２層以上の導体層と、前記導体層間に配置された絶縁層である層間絶縁層とを含む積層基材と、
前記積層基材の表面の少なくとも一方に積層された絶縁層であるソルダーレジスト層と
を有し、
前記積層基材は、前記導体層のうち少なくとも一部として、前記ソルダーレジスト層が積層される表面に表面導体層を備えるプリント配線基板の製造方法であって、
前記導体層と前記層間絶縁層とを交互に積層して前記積層基材を形成する積層基材形成工程と、
前記積層基材形成工程により得られた前記積層基材の、前記表面導体層上にソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と
を含み、
前記積層基材形成工程が、
算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ未満の面を有する導体層上に、外側の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ以上、３００ｎｍ以下となるように内部接合層を形成する、内部接合層形成工程と、
前記内部接合層が形成された前記導体層上に、層間絶縁層を形成する、層間絶縁層形成工程と、
前記層間絶縁層上に更なる導体層を形成する導体層形成工程と
を含み、
前記ソルダーレジスト層形成工程において、前記表面導体層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ未満であるプリント配線基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のプリント配線基板の特定の実施形態によれば、導体層と層間絶縁層、及び、導体層とソルダーレジスト層とをそれぞれ密着させることができ、各層間の層間剥離（ハロイング）を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの概略断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（１）である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（２）である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（３）である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（４）である。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（５）である。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（６）である。
【図２Ｇ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（７）である。
【図２Ｈ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（８）である。
【図２Ｉ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（９）である。
【図２Ｊ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（１０）である。
【図２Ｋ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（１１）である。
【図２Ｌ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（１２）である。
【図２Ｍ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの製造工程を説明するための概略断面図（１３）である。
【図３】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの図１に示す概略断面図における、Ｘで示す領域の拡大図である。本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ｂの図４に示す概略断面図における、Ｘで示す領域の拡大図も同様である。
【図４】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ｂ（コアレス構造）の概略断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ｂの製造工程を説明するための概略断面図（１）である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ｂの製造工程を説明するための概略断面図（２）である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ｂの製造工程を説明するための概略断面図（３）である。
【図６】実際に製造した本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａの表面接合層５０近傍の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察像の写真である。
【図７】図６に示した各点における元素のＸＰＳによる分析結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を具体化した実施の形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜１．本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａ＞
本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１Ａは、図１の概略断面図に示すように構成されている。
プリント配線基板１Ａは、積層された導体層と絶縁層とをそれぞれ１以上含む。具体的にはプリント配線基板１Ａはコア層１０と、ビルドアップ層２０と、ソルダーレジスト層３０とを備えている。このプリント配線基板１Ａは、ＩＣチップ等の半導体素子をフリップチップ接続にて実装可能なパッケージ基板であり、且つ、半導体素子の実装後にマザーボード等の他のプリント配線基板に実装可能である。本実施形態のプリント配線基板１Ａは多層積層プリント配線基板であり、全体としては板状又はフィルム状の形状を有する。
【００１１】
本実施形態に係るプリント配線基板１Ａは、コア絶縁層１１の中心軸ＣＬを挟んで上下対称の構造である。このため以下の説明では中心軸ＣＬから片側のみを説明する。なお本実施形態ではプリント配線基板１Ａは中心軸ＣＬを挟んで上下対称の構造を有するが、目的とする回路の構成に合わせて非対称の構造であってもよく、その構造は限定されるものではない。
【００１２】
コア層１０は、コア絶縁層１１と、コア絶縁層１１の両主面の各々に形成された第１導体層１２とを備えている。またコア層１０には、コア絶縁層１１の両主面に形成された第１導体層１２の間を導通する充填スルーホール１３が設けられている。
【００１３】
第１導体層１２は、第１導体パッド１２Ｐと、第１導体配線１２Ｌとを含むパターンである。
【００１４】
ビルドアップ層２０は、コア層１０の両面に積層されている。各ビルドアップ層２０は、導体層と絶縁層とが交互に積層されて形成されており具体的には以下の構造が例示できる。
【００１５】
第１絶縁層２１は、コア層１０の第１導体層１２を被覆する。第１絶縁層２１の、第１導体層１２が配置されていない側の表面には第２導体層２３が形成されている。第１絶縁層２１の内部には、第１絶縁層２１を貫通し、第１導体層１２と第２導体層２３とを電気的に接続する第１導体ビア２２が形成されている。第２導体層２３は、第２導体パッド２３Ｐと、第２導体配線２３Ｌとを含むパターンである。第２導体層２３は第２絶縁層２４で更に覆われている。
【００１６】
第２絶縁層２４の、第２導体層２３が配置されていない側の表面には表面導体層（第３導体層）２６が形成されている。表面導体層（第３導体層）２６は、表面導体パッド（第３導体パッド）２６Ｐと、表面導体配線（第３導体配線）２６Ｌとを含むパターンである。第２絶縁層２４の内部には、第２絶縁層２４を貫通し、第２導体層２３と表面導体層２６とを電気的に接続する第２導体ビア２５が形成されている。
【００１７】
表面導体層２６は、導体層のうち最外層に位置する導体層であり、基板実装部品（図示せず）に接続される複数の第３導体パッド２６Ｐを少なくとも含んでおり、図示するように、更に他の第３導体配線２６Ｌを含んでいてもよい。なお、ビルドアップ層２０は、更なる絶縁層及び／又は導体層を含んでいてもよく、導体層は更なる導体ビアにより接続されていてもよい。
【００１８】
ソルダーレジスト層３０は、プリント配線基板１Ａの最外層であり、ビルドアップ層２０の表面導体層２６を覆うように設けられている。ソルダーレジスト層３０は、プリント配線基板１に含まれる絶縁層のうち最外層に位置する絶縁層である。ソルダーレジスト層３０には、複数の開口３１が設けられている。各開口３１内には、表面導体層２６の第３導体パッド２６Ｐが露出するように位置している。
【００１９】
第３導体パッド２６Ｐは、開口３１の縁辺（具体的には開口３１の積層基材近傍部分３１ａ）に食い込むように配置されている。このように配置された第３導体パッド２６ＰをＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）パッドと称する。一方、図示しないが、開口３１内において、第３導体パッド２６Ｐと開口３１の縁辺（具体的には開口３１の積層基材近傍部分３１ａ）との間に隙間が形成されるように配置された導体パッドをＮＳＭＤ（Ｎｏｎ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）パッドと称する。本明細書では、ＳＭＤパッドとＮＳＭＤパッドとを区別する必要がある場合には、第３導体パッド２６ＰをＳＭＤパッド２６Ｐ、開口３１をＳＭＤ開口３１等と表現する場合がある。
各開口３１内の第３導体パッド２６Ｐ上には、それぞれ、はんだバンプＳ１が設けられている。
【００２０】
プリント配線基板１Ａのうちソルダーレジスト層３０を除く部分、すなわち、コア層１０とコア層１０の両面に配置されたビルドアップ層２０とを含む部分を積層基材２と称する。更に、積層基材２のうち、最外層である表面導体層２６を除く部分を積層部本体３と称する。プリント配線基板１Ａに含まれる絶縁層のうち積層基材２に含まれる絶縁層（第１絶縁層２１、第２絶縁層２４）を「層間絶縁層」、ソルダーレジスト層３０を「保護絶縁層」と称する場合もある。層間絶縁層である第１絶縁層２１は、第１導体層１２と第２導体層２３とに挟まれており、第２絶縁層２４は第２導体層２３と表面導体層（第３導体層）２６とに挟まれている。
【００２１】
各層間絶縁層は熱硬化性樹脂組成物、感光性樹脂組成物等の絶縁性樹脂組成物により形成することができる。
各導体層（第１導体層１２、第２導体層２３、表面導体層２６、充填スルーホール１３、第１導体ビア２２、第２導体ビア２５）は、図１に示すように、複数の導体層を積層して形成されたものであってもよい。例えば図２Ａ〜図２Ｍに符号を示す通り、第１導体層１２は第１シード層１２ａと第１電解めっき層１２ｂとの積層構造により構成することができ、第２導体層２３は第２シード層２３ａと第２電解めっき層２３ｂとの積層構造により構成することができ、表面導体層（第３導体層）２６は第３シード層２６ａと第３電解めっき層２６ｂとの積層構造により構成することができる。また、充填スルーホール１３が有するシード層は第１シード層１２ａと一体のものとすることができる。同様に第１導体ビア２２が有するシード層は第２シード層２３ａと、第２導体ビア２５が有するシード層は第３シード層２６ａと一体のものとすることができる。各シード層は、層間絶縁層２１、２４及びコア絶縁層１１の表面に電解めっき層を形成するための下地となる層であり、具体的には、無電解めっき層、スパッタリングにより形成された金属層等である。各導体層を構成する導体としては銅が例示できる。特に、表面導体層（第３導体層）２６のうち第３電解めっき層２６ｂは電解めっき銅の層であることが好ましい。
【００２２】
ソルダーレジスト層３０は絶縁性樹脂組成物からなる層である。ソルダーレジスト層３０を構成する絶縁性樹脂組成物の組成は特に限定されない。
更に、開口３１に囲われた第３導体パッド２６Ｐに、はんだバンプＳ１が設置される。この場合、はんだバンプＳ１を設置する前に、第３導体パッド２６Ｐの表面に、酸化を防止するための表面処理層（図示せず）を設けてもよい。第３導体パッド２６Ｐの表面に表面処理層を設けることで、はんだバンプ形成前の第３導体パッド２６Ｐの酸化を防止し、第３導体パッド２６Ｐへのはんだの乗りを良くすることができる。表面処理層としてはニッケル−金めっき、ニッケル−パラジウム−金めっき、スズめっき等のめっき皮膜や、ＯＳＰ（ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）皮膜（プリフラックス皮膜）等が例示できる。
【００２３】
本実施形態のプリント配線基板１Ａでは、層間絶縁層である第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１を挟むように配置された一対の導体層である第１導体層１２と第２導体層２３のうち少なくとも第１導体層１２との間に、内部接合層６０が介在している。また同様に、層間絶縁層である第２絶縁層２４と、第１絶縁層２４を挟むように配置された一対の導体層である第２導体層２３と表面導体層２６のうち少なくとも第２導体層２３との間に、内部接合層６０が介在している。更に、第３電解めっき層２６ｂを含む表面導体層２６とソルダーレジスト層３０との間に表面接合層５０が介在している。
【００２４】
そこで、本実施形態のプリント配線基板１Ａにおいて、表面導体層２６以外の導体層（以下「内部導体層」ということがある）である第１導体層１２及び第２導体層２３、表面導体層２６、層間絶縁層（第１絶縁層２１、第２絶縁層２４）、ソルダーレジスト層３０、内部接合層６０、表面接合層５０の特徴についてそれぞれ説明する。
【００２５】
＜１．１．内部導体層１２、２３＞
内部導体層である第１導体層１２及び第２導体層２３は、好ましくは、銅を含む導体層であり、より好ましくは、図示するように、電解めっき銅により構成される第１電解めっき層１２ｂ及び第２電解めっき層２３ｂを含む層である。
【００２６】
第１導体層１２及び第２導体層２３の表面、好ましくは少なくとも内部接合層６０が形成されることとなる第１電解めっき層１２ｂ及び第２電解めっき層２３ｂの表面、より好ましくは第１導体層１２及び第２導体層２３の表面の全体は、内部接合層６０を形成する前の状態において、算術平均粗さ（Ｒａ）が好ましくは１００ｎｍ未満である。本明細書において、算術平均粗さ（Ｒａ）は、いずれもＪＩＳで規定された算術平均粗さ（Ｒａ）を意味する。本実施形態では、内部接合層６０を形成する前の状態において、表面のＲａが小さい第１導体層１２及び第２導体層２３を用いることで、表皮効果により導体層の表面近傍での電流密度が高くなる場合であっても、これらの導体層の抵抗は比較的低く抑えられるため、電気的損失を低減することができ有利である。
【００２７】
＜１．２．表面導体層２６＞
表面導体層２６は、好ましくは、銅を含む導体層であり、より好ましくは、図示するように、電解めっき銅により構成される第３電解めっき層２６を含む層である。
表面導体層２６の表面、好ましくは少なくともソルダーレジスト層３０が積層されることとなる第３電解めっき層２６ｂの表面、より好ましくは表面導体層２６の表面の全体は、算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ未満である。本実施形態では、表面のＲａが小さい表面導体層２６を用いることで、表皮効果により導体層の表面近傍での電流密度が高くなる場合であっても、表面導体層２６の抵抗は比較的低く抑えられるため、電気的損失を低減することができ有利である。また、後述する通りソルダーレジスト層３０を、積層基材２の表面導体層２６を含む面上に感光性樹脂組成物を積層し光硬化させて形成する好適な一実施形態では、表面導体層２６のＲａが上記範囲である場合、光硬化のための照射光が表面導体層２６表面で反射することができるため光硬化の効率が良いと期待される。
【００２８】
＜１．３．層間絶縁層２１、２４＞
上記の通り、層間絶縁層２１、２４は熱硬化性樹脂組成物、感光性樹脂組成物等の絶縁性樹脂組成物を硬化して形成された絶縁層であり、好ましくは、熱硬化性樹脂組成物を硬化して形成された絶縁層である。これらの絶縁性樹脂組成物は補強材として無機フィラーを含有することが好ましく、その含有量は例えば３０〜８０質量％である。
【００２９】
前記熱硬化性樹脂組成物は、少なくとも熱硬化性樹脂を含む組成物であればよい。前記熱硬化性樹脂の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が例示できる。二種以上の熱硬化性樹脂が併用されてもよい。前記熱硬化性樹脂としては特にエポキシ樹脂が好ましい。
【００３０】
前記エポキシ樹脂としてはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型（クレゾールノボラック型等）等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリジジルイソシアヌレート等が例示できる。二種以上のエポキシ樹脂が併用されてもよい。
層間絶縁層２１、２４は、導体層間容量を低減させるために低誘電率であることが好ましい。
【００３１】
低誘電率の層間絶縁層２１、２４とするためには、絶縁性樹脂組成物に含まれる樹脂が、極性基が少ない樹脂であることが好ましい。極性基が少ない樹脂としては、アクリロイル基又はメタクリロイル基、或いは、アクリロイル基又はメタクリロイル基に由来する官能基を有さない樹脂が挙げられる。アクリロイル基又はメタクリロイル基、或いは、アクリロイル基又はメタクリロイル基に由来する官能基を有さない樹脂としては特に上記のようなエポキシ樹脂又はフェノール樹脂が好ましく、特にエポキシ樹脂が好ましい。
【００３２】
層間絶縁層２１、２４を形成するための前記熱硬化性樹脂組成物は、ガラス繊維等の繊維からなる芯材に含浸されたものであってもよいし、芯材を含まないものであってもよいが、芯材を含まないものが特に好ましい。
【００３３】
前記熱硬化性樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂フィルムとして別途調製されたものを使用することが好ましい。例えば、熱硬化性樹脂フィルムとして、市販のビルドアップ基板用絶縁フィルムを使用することができる。
前記熱硬化性樹脂組成物は、適当な溶媒を含む流動体（液状またはペースト状）の形態で使用されてもよい。
【００３４】
＜１．４．ソルダーレジスト層３０＞
上記の通り、ソルダーレジスト層３０は絶縁性樹脂組成物からなる層である。ソルダーレジスト層３０を構成する絶縁性樹脂組成物の組成は特に限定されないが、典型的には、ソルダーレジスト層３０は、少なくとも感光性樹脂と光重合開始剤とを含む感光性樹脂組成物を光硬化して形成された絶縁性樹脂組成物層であることができる。
【００３５】
ここで感光性樹脂は感光性高分子、フォトポリマー等とも呼ばれる。感光性樹脂は光化学反応の結果として物性が変化する高分子化合物であり、典型的には光重合開始剤の存在下での光照射により硬化する高分子化合物である。感光性樹脂の代表例としてラジカル重合性の二重結合を有する高分子化合物が挙げられる。感光性樹脂は、例えば、アクリル酸及びメタクリル酸から選択される少なくとも１種（「（メタ）アクリル酸」と表現する）に由来する（メタ）アクリロイル基を側鎖に含む高分子化合物であり、具体的には、熱硬化基を有する熱硬化性樹脂の前記熱硬化基を（メタ）アクリレート化した感光性樹脂が挙げられる。前記の、熱硬化基を有する熱硬化性樹脂としては、熱硬化基であるエポキシ基を有するエポキシ樹脂が例示できる。エポキシ樹脂としてはフェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型（クレゾールノボラック型等）等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられ、特にノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートとしては特に、１分子中に、２個以上のエポキシ基が残存する、熱硬化性と感光性を併せ持つものが好ましい。二種以上の感光性樹脂が併用されてもよい。
【００３６】
光重合開始剤は、光エネルギーを吸収してラジカル活性種を供給可能な化合物であり、代表例として芳香族ケトン類が挙げられる。芳香族ケトン類の光重合開始剤としては、アルキルフェノン誘導体や、ベンゾフェノン誘導体が例示できる。二種以上の光重合開始剤が併用されてもよい。
【００３７】
前記感光性樹脂組成物には更に他の成分を含んでいてもよい。前記感光性樹脂組成物が含むことができる他の成分としては光増感剤、熱硬化性樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、無機フィラー等が例示できる。
【００３８】
光増感剤は照射する光の波長、光重合開始剤等に応じて適宜選択することができる。光増感剤としてはミヒラーケトン、チオキサントン系光増感剤等が例示できる。二種以上の光増感剤が併用されてもよい。
【００３９】
熱硬化性樹脂の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が例示できる。二種以上の熱硬化性樹脂が併用されてもよい。
【００４０】
前記エポキシ樹脂としてはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型（クレゾールノボラック型等）等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリジジルイソシアヌレート等が例示できる。二種以上のエポキシ樹脂が併用されてもよい。
【００４１】
エポキシ樹脂硬化剤は、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合に併用される、エポキシ樹脂硬化剤はエポキシ基間の架橋形成に関与する。エポキシ樹脂硬化剤としてはイミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、ポリメルカプタン系硬化剤等が例示でき、イミダゾール系硬化剤が特に好ましい。二種以上のエポキシ樹脂硬化剤が併用されてもよい。
無機フィラーとしてはシリカ、硫酸バリウム、タルク等が例示できる。
【００４２】
前記感光性樹脂組成物は、適当な溶媒を含む流動体（液状またはペースト状）の形態で使用されてもよい。前記溶媒としては特に限定されないが、例えばグリコールエーテル類である。グリコールエーテル類としてはジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等が例示できる。二種以上の溶媒が併用されてもよい。
【００４３】
前記感光性樹脂組成物としては、感光性ドライフィルムとして別途調製されたものを使用してもよい。
前記感光性樹脂組成物は独自に調製されてもよいし、市販されているソルダーレジスト形成用組成物であってもよいし、市販されているソルダーレジスト形成用組成物に改変を加えたものであってもよい。
【００４４】
本実施形態では、ソルダーレジスト層３０は、アクリロイル基又はメタクリロイル基、或いは、アクリロイル基又はメタクリロイル基に由来する官能基を有する樹脂を含む感光性樹脂組成物を光硬化して形成された層であり、アクリロイル基又はメタクリロイル基、或いは、アクリロイル基又はメタクリロイル基に由来する官能基を有する樹脂を含む。ここで「アクリロイル基又はメタクリロイル基に由来する官能基」とは、例えば、アクリロイル基又はメタクリロイル基が相互にラジカル重合した結果形成される官能基である。アクリロイル基又はメタクリロイル基、或いは、アクリロイル基又はメタクリロイル基に由来する官能基を有する樹脂を含む感光性樹脂組成物の具体例は既述の通りである。アクリロイル基又はメタクリロイル基、或いは、アクリロイル基又はメタクリロイル基に由来する官能基は極性基であるため、これらの基を有する樹脂を含むソルダーレジスト層３０は、下記に詳述する、銅と窒素とを含む表面接合層５０との親和性が高いため、銅と窒素とを含む表面接合層５０を介して表面導体層２６に強固に接合することができる。
【００４５】
＜１．５．内部接合層６０＞
内部接合層６０は、層間絶縁層である第１絶縁層２１、第２絶縁層２４を、第１導体層１２、第２導体層２３にそれぞれ接合させるために配置される。
内部接合層６０は、第１絶縁層２１、第２絶縁層２４と接する面に微細な凹凸を有し、該面の算術平均粗さは算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である。このような微細な凹凸表面を有する内部接合層６０はアンカー効果により第１絶縁層２１、第２絶縁層２４を強固に接合することができる。
【００４６】
上記の通り、層間絶縁層である第１絶縁層２１、第２絶縁層２４は低誘電性とするために、極性基が少ない樹脂により構成される層であることが好ましいが、このような樹脂により構成される層間絶縁層と導体層とを、例えば後述する表面接合層５０のような化学的な作用により接合することは容易でないことを本発明者らは見出した。微細な凹凸表面を有する内部接合層６０は物理的な作用によるため、樹脂の極性に関わりなく層間絶縁層と結合することができるため好ましい。
【００４７】
より好ましい実施形態では、内部接合層６０が形成される第１導体層１２、第２導体層２３はそれぞれ銅を含む層であり、内部接合層６０は銅の結晶を含む層である。第１導体層１２、第２導体層２３はより好ましくは無電解めっき銅又は電解めっき銅の層を含む。前記結晶は、好ましくは、銅の針状結晶である。銅の結晶は、銅と親和性が高いため、銅の結晶を含む内部接合層６０は第１導体層１２、第２導体層２３に十分な強度で結合することができる。
【００４８】
銅の結晶を含む内部接合層６０を形成する前の、銅を含む導体層１２、２３（＝第１導体層１２、第２導体層２３）の算術平均粗さ（Ｒａ）は、上記の通り、好ましくは１００ｎｍ未満である。このような表面のＲａが小さい第１導体層１２及び第２導体層２３上に銅の結晶を含む内部接合層６０を形成することにより、電気的損失が抑制されたプリント配線基板１Ａを得ることができる。
【００４９】
銅の結晶を含む内部接合層６０を、銅を含む導体層１２、２３上に形成する方法としては例えば次の方法が挙げられる。まず、銅を含む導体層１２、２３の表面に、亜塩素酸ナトリウムを含む液を接触させて、酸化銅の針状結晶を生成させる。その後、ジメチルアミンボランなどの還元剤で酸化銅を銅に還元する。
銅の結晶を含む内部接合層６０は、市販の試薬を用いて形成することもできる。
【００５０】
＜１．６．表面接合層５０＞
表面接合層５０の好適な実施形態を以下に説明する。
図３に、図１における領域Ｘを拡大した模式図を示す。領域Ｘは、表面導体層２６のうち第３導体パッド２６Ｐと、はんだバンプＳ１と、表面接合層５０と、ソルダーレジスト層３０とが近接する部分である。
【００５１】
本実施形態において表面接合層５０の厚さＴは２０〜２００ｎｍであることが好ましい。厚さＴがこの範囲のときに、表面導体層２６（第３導体パッド２６Ｐ）とソルダーレジスト層３０とを強固に接合するという、表面接合層５０の機能を奏するうえで好ましい。
【００５２】
本実施形態では、表面導体層２６は銅を含む層であり、且つ、表面接合層５０は銅と窒素とを含む。図６に、実際に作製した、電解めっき銅からなる表面導体層２６と表面接合層５０とソルダーレジスト層３０とを積層したプリント配線基板１Ａの断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察像の写真を示す。図６の右下の空隙は、ソルダーレジスト層３０の開口３１に相当する。表面導体層２６の開口３１に面する部分には、ニッケルを含む表面処理層を設けている。開口３１内にはんだバンプは設けていない。図６においてスケールバーは５０ｎｍを示す。Ｘ線を照射し生じる光電子エネルギーを測定して元素構成を分析するＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて、図６に示す各点における元素組成を評価した。表面導体層２６の表面を点ｅとする。
【００５３】
ＸＰＳの結果を図７に示す。横軸の数値は各元素の質量比を示す。図７に示す元素以外に炭素が含まれるが、炭素の相対量は他の元素より顕著に多いため図７では示さない。点ｆから点ｉまでの各点では窒素（Ｎ）及び銅（Ｃｕ）が存在する。点ｉは、電解めっき銅からなる表面導体層２６の表面の点ｅから約１１５ｎｍ離れている。点ｆに含まれるニッケル（Ｎｉ）は、表面導体層２６の開口３１に面する部分に設けた前記表面処理層に由来するものと考えられる。点ｊ、点ｋは点ｅからそれぞれ約１４５ｎｍ、約２１０ｎｍ離れており、これらの点では窒素（Ｎ）及び銅（Ｃｕ）はほぼ含まれない。電解めっき銅からなる表面導体層２６に積層された約１２０ｎｍの部分（点ｆ、ｇ、ｈ、ｉを含む）が表面接合層５０に相当し、その上がソルダーレジスト層３０に相当する。
【００５４】
表面接合層５０は、表面導体層２６（第３導体パッド２６Ｐ）とソルダーレジスト層３０との界面に介在し、両者を接合する機能を有する。特に、図１及び図３に示すように第３導体パッド２６ＰがＳＭＤパッドである場合に仮に表面接合層５０が存在しないとすれば、開口３１へはんだバンプＳ１を導入する際に、第３導体パッド２６Ｐ（表面導体層２６）と、それに乗り上げたソルダーレジスト層３０との界面が、開口３１の積層基材近傍部分３１ａを起点に剥離し易いと考えられる。一方、本実施形態によれば、ＳＭＤパッドである第３導体パッド２６Ｐと、それに乗り上げたソルダーレジスト層３０とが表面接合層５０を介して接合されているため、第３導体パッド２６Ｐとソルダーレジスト層３０との剥離が生じ難い。
【００５５】
表面接合層５０は、好ましくは、１つの芳香族環中に窒素を２つ以上有するアゾール化合物と、液状媒体とを含む液状組成物を、電解めっき銅を含む表面導体層２６の表面に接触させ、乾燥させることで形成される。前記乾燥を酸化条件、例えば空気雰囲気中で、比較的高温度、例えば２０〜１３０℃、より好ましくは４５〜１００℃、において行うことが好ましい。この条件での乾燥により、表面導体層２６の表面の銅が酸化されて銅（ＩＩ）イオンとなり、前記アゾール化合物を含む被膜中に拡散すると考えられる。前記アゾール化合物は、窒素原子上の非共有電子対によって銅（ＩＩ）イオンに配位すると考えられ、１つの銅（ＩＩ）イオンには複数の窒素原子が配位できると考えられる。しかも、前記アゾール化合物は１つの環に２つ以上の窒素原子を有しており、各窒素原子が銅（ＩＩ）イオンに配位することができると考えられる。このため、前記アゾール化合物を含む被膜中では、拡散した銅（ＩＩ）イオンと前記アゾール化合物とが交互に結合して重合体を形成していると考えられる。このような被膜である表面接合層５０は、銅を含む表面導体層２６と樹脂を含むソルダーレジスト層３０との両方に対して親和性を有しており、表面導体層２６とソルダーレジスト層３０とを接合することができると考えられる。
【００５６】
１つの芳香族環中に窒素を２つ以上有するアゾール化合物は、１つの芳香族環中に窒素を２つ以上有するアゾール環を有していればよく環上に置換基を有していてよい。前記アゾール化合物としては、前記アゾール環の部分がジアゾール（１，２−ジアゾール又は１，３−ジアゾール）であるジアゾール化合物、前記アゾール環の部分がトリアゾール（１，２，３−トリアゾール又は１，２，４−トリアゾール）であるトリアゾール化合物、前記アゾール環の部分が１Ｈ−テトラゾールであるテトラゾール化合物等が挙げられる。
【００５７】
前記アゾール化合物を含む前記液状組成物の調製に用いる液状媒体としては水又は有機溶媒を用いることができる。
水としてはイオン交換水や蒸留水等の純水が使用できる。
有機溶媒としてはメタノール、エタノール、プロパノール等が挙げられる。
前記液状媒体のうち２種以上の混合物も用いることができる。
【００５８】
本実施形態においては、前記液状組成物中における前記アゾール化合物の濃度は、０．００１〜１０質量％であることが好ましく、０．０１〜５質量％であることがより好ましい。前記アゾール化合物の濃度がこの範囲であるとき、表面導体層２６とソルダーレジスト層３０との接合効果が十分であり、且つ、経済的であると考えられる。
【００５９】
前記液状組成物を、表面導体層２６の表面に接触させる方法としては、特に制限はなく、浸漬、塗布、噴霧等の手段を用いることができる。
前記液状組成物と表面導体層２６の表面とを接触させる時間（処理時間）は特に限定されないが、１秒〜１０分間とすることができ、５秒〜３分間とすることがより好ましい。処理時間が前記範囲のときに、表面導体層２６の表面に十分な厚さの前記液状組成物の被膜を形成することが容易である。前記液状組成物と表面導体層２６の表面とを接触させる際の前記液状組成物の温度については５〜５０℃とすることが好ましいが、前記の処理時間との関係において適宜設定することができる。
【００６０】
前記液状組成物と表面導体層２６の表面とを接触させた後は、水洗してから乾燥してもよいし、水洗せずに乾燥させてもよい。乾燥温度は既述の通りである。
【００６１】
水洗に使用する水としては、イオン交換水や蒸留水等の純水が好ましいが、水洗の方法や時間には特に制限なく、例えば、浸漬や噴霧等の手段によって適宜の時間洗浄すればよい。
【００６２】
前記液状組成物と表面導体層２６の表面に接触させる前に、前記表面に、酸洗処理、耐熱処理、防錆処理または化成処理からなる群から選択される少なくとも１つの前処理を行ってもよい。
【００６３】
前記の酸洗処理とは、表面導体層２６の表面に付着した油脂成分を除去する為と、銅の表面の酸化皮膜を除去する為に行うものである。この酸洗処理には、塩酸系溶液、硫酸系溶液、硝酸系溶液、硫酸−過酸化水素系溶液、有機酸系溶液、無機酸−有機溶媒系溶液、有機酸−有機溶媒系溶液等の溶液を用いることができる。
【００６４】
前記の耐熱処理は、電解めっき銅を含む表面導体層２６の表面に、ニッケル、ニッケル−リン、亜鉛、亜鉛−ニッケル、銅−亜鉛、銅−ニッケル、銅−ニッケル−コバルトまたはニッケル−コバルトから選択される少なくとも１種の被膜を形成する処理である。この被膜の形成は公知の電解めっきによる方法を採用して行うことができるが、電解めっきに限定されるものではなく、蒸着その他の手段を使用しても何ら差し支えない。
【００６５】
前記の防錆処理とは、電解めっき銅を含む表面導体層２６の表面が酸化腐食することを防止するために行うものであり、銅の表面に、亜鉛または亜鉛合金組成のメッキ被膜や、電解クロメートのメッキ被膜を形成する方法を採用することができる。
【００６６】
前記の化成処理においては、電解めっき銅を含む表面導体層２６の表面にスズの不動態被膜を形成する方法や、酸化銅の不動態被膜を形成する方法を採用することができる。
【００６７】
前記液状組成物を表面導体層２６の表面に接触させる前に、銅イオンを含む水溶液を当該表面に接触させてもよい。この銅イオンを含む水溶液は、表面導体層２６の表面に形成される表面接合層５０の厚みを均一にさせる機能を有する。銅イオン源としては、水に溶解する銅塩であれば特に限定されず、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅、ギ酸銅、酢酸銅等の銅塩を挙げることができる。銅塩を水に可溶化するために、アンモニアや塩酸等を添加してもよい。
【００６８】
前記液状組成物を表面導体層２６の表面に接触させた後に、酸性水溶液またはアルカリ性水溶液を前記表面に接触させてもよい。この酸性水溶液またはアルカリ性水溶液も、前記の銅イオンを含む水溶液と同様に、表面導体層２６の表面に形成される表面接合層５０の厚みを均一にさせる機能を有する。酸性水溶液またはアルカリ性水溶液は、特に限定されないが、酸性水溶液としては、硫酸、硝酸、塩酸等の鉱酸や、ギ酸、酢酸、乳酸、グリコール酸、アミノ酸等の有機酸を含む水溶液等を挙げることができる。アルカリ性水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物や、アンモニア、エタノールアミン、モノプロパノールアミン等のアミン類を含む水溶液を挙げることができる。
【００６９】
＜２．プリント配線基板１Ａの製造方法＞
次に、本実施形態のプリント配線基板１Ａの製造方法の一例を図２Ａ〜Ｍを参照して説明する。
プリント配線基板１Ａの製造方法の一実施形態は、
導体層１２、２３、２６と層間絶縁層２１、２４を交互に積層して積層基材２を形成する積層基材形成工程と、
前記積層基材形成工程により得られた積層基材２の、表面導体層２６上にソルダーレジスト層３０を形成するソルダーレジスト層形成工程と
を少なくとも含む。
【００７０】
＜２．１．積層基材形成工程＞
本実施形態では、積層基材２を形成するための出発材として、図２Ａに示すコア層１０を用いることができる。コア層１０の詳細は図１を参照して上記で説明した通りである。コア層１０を形成する方法は特に限定されない。
【００７１】
コア層１０上にビルドアップ層２０を形成して積層基材２とする方法は特に限定されないが、その一例を図２Ｂ〜２Ｊを参照して説明する。
【００７２】
まず図２Ｂに示すように、コア層１０が有する第１導体層１２上に、外側の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ以上、３００ｎｍ以下となるように内部接合層６０を形成する。内部接合層６０の形成方法は既述の通りである。
【００７３】
次に、図２Ｃに示すように、層間絶縁層である第１絶縁層２１を積層する。第１絶縁層２１は、内部接合層６０が形成されたコア層１０の表面に絶縁性樹脂組成物の層を形成し硬化させて形成することができる。第１絶縁層２１を形成するための絶縁性樹脂組成物の具体例は既述の通りである。絶縁性樹脂組成物として熱硬化性組成物を用いる場合、加熱処理することで絶縁性樹脂組成物の層を硬化して第１絶縁層２１を形成すればよい。
【００７４】
第１絶縁層２１は図示するのは単層であるが、複数の層が積層された層であってもよい。
第１絶縁層２１の厚さは特に限定されないが、例えば５〜１００μｍとすることができる。
【００７５】
次に、図２Ｄに示すように、第１導体層１２のうち第１導体パッド１２Ｐの表面が露出するように、第１絶縁層２１に部分的にビアホール（孔部）１２１を形成する。ビアホール１２１の形成方法は特に限定されないが、例えば、ＣＯ２レーザを用いた処理により第１絶縁層２１に形成することができる。このとき、ビアホール１２１内における内部接合層６０も除去して第１導体パッド１２Ｐの表面を露出させることが好ましい。ビアホール１２１内に露出した第１導体パッド１２Ｐの内部接合層６０はエッチングにより除去することができる。
【００７６】
次に、図２Ｅに示すように、第１絶縁層２１の表面を、ビアホール１２１内に露出した第１導体パッド１２Ｐの表面とともに、無電解めっき又はスパッタリングにより第２シード層２３ａにより被覆する。
【００７７】
次に、図２Ｆに示すように、第１導体ビア２２と第２電解めっき層２３ｂとを形成する。具体的には、図示しないが、第２シード層２３ａの上にレジストを塗布し、所定のパターンのレジスト層を形成する。続いて、レジスト層で被覆されていない部分に銅による第２電解めっき層２３ｂを形成し、レジスト層の除去、および除去により露出した第２シード層２３ａをエッチング処理で除去する。これにより、ビアホール１２１内に第１導体ビア２２を形成するとともに、第１絶縁層２１の表面に、第２シード層２３ａと第２電解めっき層２３ｂとからなる第２導体層２３を形成することができる。
【００７８】
更に、図２Ｇに示すように、第２導体層２３上に、外側の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ以上、３００ｎｍ以下となるように更に内部接合層６０を形成する。内部接合層６０の形成方法は既述の通りである。
【００７９】
次に、図２Ｈに示すように、層間絶縁層である第２絶縁層２４を積層する。第２絶縁層２４には、第２導体層２３のうち第２導体パッド２３Ｐの表面が露出されるようにビアホール１２４を形成する。第２絶縁層２４の形成方法は第１絶縁層２１と同様である。第２絶縁層２４におけるビアホール１２４の形成方法は第１絶縁層２１におけるビアホール１２１の形成方法と同様である。
【００８０】
第２絶縁層２４は図示するのは単層であるが、複数の層が積層された層であってもよい。
第２絶縁層２４の厚さは特に限定されないが、例えば５〜１００μｍとすることができる。
【００８１】
次に、図２Ｉに示すように、第２絶縁層２４の表面を、ビアホール１２４内に露出した第２導体パッド２３Ｐの表面とともに、無電解めっき又はスパッタリングにより第３シード層２６ａにより被覆する。
【００８２】
次に、図２Ｊに示すように、第２導体ビア２５と第３電解めっき層２６ｂとを形成する。具体的には、図示しないが、第３シード層２６ａの上にレジストを塗布し、所定のパターンのレジスト層を形成する。続いて、レジスト層で被覆されていない部分に銅による第３電解めっき層２６ｂを形成し、レジスト層の除去、および除去により露出した第３シード層２６ａをエッチング処理で除去する。これにより、ビアホール１２４内に第２導体ビア２５を形成するとともに、第２絶縁層２４の表面に、第３シード層２６ａと第３電解めっき層２６ｂとからなる表面導体層（第３導体層）２６を形成することができる。表面導体層２６表面導体パッド（第３導体パッド）２６Ｐと、表面導体配線（第３導体配線）２６Ｌとを含むパターンとすることができる。
【００８３】
ここで表面導体層（第３導体層）２６の表面は、後述するソルダーレジスト層形成工程の直前において、算術平均粗さ（Ｒａ）が１００ｎｍ未満の表面であることが好ましい。このような表面を有する表面導体層（第３導体層）２６は、電解めっきにより形成することができる。
以上の処理により積層基材２を形成することができる。
【００８４】
＜２．２．ソルダーレジスト層形成工程＞
ソルダーレジスト層３０を形成する前に、図２Ｋに示すように、表面導体層２６の表面に表面接合層５０を形成することが好ましい。
表面接合層５０の形成方法は既述の通りであり、好ましくは、前記アゾール化合物と、液状媒体とを含む液状組成物を、電解めっき銅を含む表面導体層２６の表面に接触させ、乾燥させることで表面接合層５０が形成される。表面接合層５０の形成方法のより具体的な態様は既述の通りである。
【００８５】
次に、図２Ｌに示すように、積層基材２における表面導体層２６が形成されている表面２ａに、硬化することでソルダーレジスト層３０を形成することができる樹脂組成物からなるソルダーレジスト前駆層４０を形成する。
ソルダーレジスト前駆層４０は図示するのは単層であるが、複数の層が積層された層であってもよい。
【００８６】
ソルダーレジスト層３０を形成することができる樹脂組成物としては、既述の、感光性樹脂と光重合開始剤とを含む感光性樹脂組成物が挙げられる。このとき、前記樹脂組成物を既述のような溶媒を含む流動体とし、該流動体を積層基材２に塗布させて塗膜を形成し、次いで前記塗膜から前記溶媒を揮発により除去（すなわち乾燥）させることでソルダーレジスト前駆層４０を形成することができる。別の方法としては、別途ドライフィルムとして調製した、前記樹脂組成物からなるソルダーレジスト前駆層４０を積層基材２に積層させる方法が挙げられる。
【００８７】
本実施形態において、ソルダーレジスト前駆層４０の厚さは特に限定されないが、一般的には５〜５０μｍである。
ソルダーレジスト前駆層４０として、光照射により硬化する感光性樹脂組成物の層を用いる実施形態では、下記の露光工程を行う。露光工程の好ましい実施形態は、ソルダーレジスト前駆層４０の、開口３１（図２Ｍ参照）に対応する領域以外の領域に対して光照射して硬化する工程である。露光工程は、典型的には、開口３１に対応する領域を選択的に遮蔽する遮光マスクをソルダーレジスト前駆層４０の表面に配置した状態で、ソルダーレジスト前駆層４０に光照射することで実施可能である。
【００８８】
露光工程において照射する光の波長、光照度、照射時間等の条件は、ソルダーレジスト前駆層４０を構成する樹脂組成物に応じて適宜決定することができる。一般的には照射する光は紫外線である。
【００８９】
上記の露光工程の後に現像工程を行う。現像工程は、露光工程後に現像液を用いて現像して開口３１が形成されたソルダーレジスト層３０を形成する工程である（図２Ｍ参照）。
【００９０】
現像液としては、ソルダーレジスト前駆層４０のうち未硬化の部分が可溶であり、且つ、ソルダーレジスト前駆層４０のうち光硬化された部分が不溶である溶媒を用いることができる。このような溶媒としては、前記流動体を形成する際に使用したのと同様の溶媒が例示できる。
【００９１】
現像工程で得られたソルダーレジスト層３０が、更に光硬化し得るものである場合には、現像工程後に、更に光照射を行い光硬化を完結させる光硬化完結工程が行われることが好ましい。
【００９２】
また、現像工程で得られたソルダーレジスト層３０が熱硬化性樹脂を含むものである場合には、現像工程後に、ソルダーレジスト層３０を熱硬化させる熱硬化工程が行われることが好ましい。
【００９３】
＜２．３．はんだバンプ形成工程＞
更に、開口３１内の第３導体パッド２６Ｐ上に、はんだバンプＳ１を設置するはんだバンプ形成工程を行う。本実施形態では更に、はんだバンプＳ１を設置する前に、表面接合層５０のうち、開口３１内に露出した部分をエッチングにより除去することが好ましい。本実施形態では更にまた、表面接合層５０の前記部分を除去することで露出した第３導体パッド２６Ｐの表面に、酸化を防止するための表面処理層（図示せず）を設けてからはんだバンプ形成工程を行うことが好ましい。表面処理層の具体例は既述の通りである。
【００９４】
＜３．本発明の他の実施形態に係るプリント配線基板１Ｂ＞
本発明の他の実施形態に係るプリント配線基板１Ｂは、図４の概略断面図に示すように構成されている。
【００９５】
図４に示すプリント配線基板１Ｂは、コア層１０を含んでいないコアレス型プリント配線基板の一例である。
図４に示すプリント配線基板１Ｂは、第１導体層１２と、第１絶縁層２１と、第２導体層２３と、第２絶縁層２４と、表面導体層（第３導体層）２６とが交互に積層されて形成された積層基材２と、積層基材２の、表面導体層２６が形成された表面２a上に積層されたソルダーレジスト層３０とを少なくとも備える。各開口３１内の第３導体パッド２６Ｐ上には、それぞれ、はんだバンプＳ１が設けられている。また、第１導体層１２の外側の面上には、はんだバンプＳ２が設けられている。第１絶縁層２１の内部には、第１絶縁層２１を貫通し、第１導体層１２と第２導体層２３とを電気的に接続する第１導体ビア２２が形成されている。第２絶縁層２４の内部には、第２絶縁層２４を貫通し、第２導体層２３と表面導体層２６とを電気的に接続する第２導体ビア２５が形成されている。
【００９６】
プリント配線基板１Ｂにおける各符号で示す構成要素は、プリント配線基板１Ａにおいて同じ符号で示す構成要素と同様の特徴を有するため説明を省略する。
コアレス型のプリント配線基板１Ｂでは、第１導体層１２が、図１に示すようなコア層１０の一部を構成しておらず、積層基材２の最外層に位置する。第１導体層１２は、電解めっき銅により構成することができる。
【００９７】
コアレス型のプリント配線基板１Ｂの製造方法は、特に限定されず、一般的なコアレス型プリント配線基板の製造方法に、プリント配線基板１Ａについての上記の製造方法を組み合わせて製造することが可能である。
コアレス型のプリント配線基板１Ｂの製造方法の一例の概略を、図５Ａ〜Ｃを参照して説明する。
【００９８】
まず図５Ａに示すように、接着層１０２を介して銅箔１０３が積層されたキャリア１０１を用意する。接着層１０２は、キャリア１０１から銅箔１０３が剥離可能な状態でキャリア１０１と銅箔１０３とを接着している。
【００９９】
次に、銅箔１０３の上に所定のパターンのレジスト層（図示せず）を形成し、電解めっき処理により、銅箔１０３の表面のレジスト層非形成部分に、第１導体パッド１２Ｐを含むパターンである第１導体層１２を形成し、レジスト層を除去する（図５Ｂ参照）。
【０１００】
その後は、第１導体層１２を含む銅箔１０１の表面に、プリント配線基板１Ａに関して図２Ａ〜２Ｍに基づいて説明したのと同様の手順で、積層基材２、表面接合層５０及びソルダーレジスト層３０を形成して、図５Ｃに示すような中間品Ｍを得る。
【０１０１】
その後、図５Ｃに示す中間品Ｍからキャリア１０１及び接着層１０２を取り除き、更に、銅箔１０３をエッチングにより除去する。最後に、ソルダーレジスト層３０の各開口３１内の第３導体パッド２６Ｐ上にそれぞれはんだバンプＳ１を設け、第１導体層１２の表面にそれぞれはんだバンプＳ２を設けて、図４に示すコアレス型のプリント配線基板１Ｂを得ることができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１Ａ，１Ｂ：プリント配線基板、２：積層基材、１２，２３，２６：導体層、２１，２４：層間絶縁層、２６：表面導体層、３０：ソルダーレジスト層、３１：開口、６０：内部接合層、５０：表面接合層
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図２Ｊ】
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【図２Ｋ】
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【図２Ｌ】
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【図２Ｍ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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