(57)【要約】【課題】性能低下を抑制できるＭＥＭＳデバイスを提供すること。【解決手段】ＭＥＭＳデバイスは、基板１００と、基板１００上に固定された第１の電極１１１と、第１の電極１１１上に設けられたキャパシタ絶縁膜１１３と、基板１００上に設けられ、第１の電極１１１の周辺部に配置された絶縁膜１１４と、第１の電極１１１の上方に配置され、上下方向に可動である第２の電極１１２とを備える。第１の電極１１１は一端部および他端部を含み、第２の電極１１２は第１の電極の一端部および他端部に対応する一端部および他端部を含む。第２の電極１１２の一端部は、第１の電極１１１の一端部よりも外側にはみ出し、かつ、下側に湾曲している第１の湾曲部Ａを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に固定された第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜と、
前記基板上に設けられ、前記第１の電極の周辺部に配置された絶縁膜と、
前記第１の電極の上方に配置され、上下方向に可動である第２の電極とを具備してなり、
前記第１の電極は一端部および他端部を含み、前記第２の電極は前記第１の電極の前記一端部および前記他端部に対応する一端部および他端部を含み、
前記第２の電極の前記一端部は、前記第１の電極の前記一端部よりも外側にはみ出し、かつ、下側に湾曲している第１の湾曲部を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
前記第２の電極を下方に移動させた場合、前記第２の電極の前記第１の湾曲部は、前記キャパシタ絶縁膜に接触せずに、前記絶縁膜の上面に接触することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
前記絶縁膜は、凸部を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
前記第１の湾曲部上に設けられた部材をさらに具備してなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
前記第２の電極の前記他端部上に接続されたばね部をさらに具備してなり、前記部材の材料と前記ばね部の材料とは同じであることを特徴とする請求項４に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項６】
前記第２の電極はスリットを含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項７】
前記第２の電極の前記一端部は、前記スリットで規定される前記第２の電極の長辺側の部分であることを特徴とする請求項６に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項８】
前記スリットと交差するように架け渡されたブリッジ部をさらに具備してなることを特徴とする請求項６または７に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項９】
前記第２の電極の前記他端部は、前記第１の電極の前記他端部よりも外側にはみ出し、かつ、下側に湾曲している第２の湾曲部を含むことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１０】
前記基板上に設けられた電気的に浮いている第３の電極をさらに具備してなり、前記第３の電極の上面の上方に前記第２の電極の前記第１の湾曲部のエッジがあることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記記載のＭＥＭＳデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳデバイスは、基板と、基板上に形成された固定電極（下部電極）と、固定電極の上方に形成された可動電極（上部電極）とを備えている。下部電極と上部電極との間に電位差を与えることにより発生する静電引力により、上部電極と下部電極との間のギャップを変えることで、静電容量を変えることができる。ＭＥＭＳデバイスは、上部電極と下部電極とが接触したまま離れなくなるという不良（スティクション不良）や、上部電極が下部電極側に下がった状態（ダウンステート）で静電容量が小さくなるなどの問題（性能低下）がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１８０７３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、性能低下を抑制できるＭＥＭＳデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態のＭＥＭＳデバイスは、基板と、前記基板上に固定された第１の電極と、前記基板上に設けられ、前記第１の電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜と、前記第１の電極の周辺部に配置された絶縁膜と、前記第１の電極の上方に配置され、上下方向に可動である第２の電極とを含む。前記第１の電極は一端部および他端部を含み、前記第２の電極は前記第１の電極の前記一端部および前記他端部に対応する一端部および他端部を含む。前記第２の電極の前記一端部は、前記第１の電極の前記一端部よりも外側にはみ出し、かつ、下側に湾曲している第１の湾曲部を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す平面図である。
【図２】図２は、図１の一点鎖線２−２に沿った断面図である。
【図３】図３は、実施形態に係るＭＥＭＳデバイスの固定電極、可動電極およびダミーばね部を模式的に示す斜視図である。
【図４Ａ】図４Ａは、プルイン時における実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、ダウンステート状態における実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図である。
【図５】図５は、第１の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスの変形例を示す断面図である。
【図６】図６は、図５のＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図７は、図６に続くＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図８は、図７に続くＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】図９は、図８に続くＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】図１０は、図９に続くＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１１は、図１０に続くＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１２は、図１１に続くＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１３は、第１の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法の変形例を説明するための断面図である。
【図１４】図１４は、第１の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法の変形例により得られるＭＥＭＳデバイスを示す断面図である。
【図１５】図１５は、第１の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法の変形例を示す平面図である。
【図１６】図１６は、第２の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図である。
【図１７】図１７は、第２の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】図１８は、図１７に続くＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図１９】図１９は、図１８に続くＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図２０】図２０は、図１９に続くＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図２１】図２１は、図２０に続くＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図２２】図２２は、第３の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図である。
【図２３】図２３は、第３の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図２４】図２４は、図２３に続くＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【図２５】図２５は、第３の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスの変形例を示す断面図である。
【図２６】図２６は、他の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す平面図である。
【図２７】図２７は、図２６の一点鎖線に沿った矢視２７−２７方向における断面図である。
【図２８Ａ】図２８Ａは、プルイン時における他の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図である。
【図２８Ｂ】図２８Ｂは、ダウンステート状態における他の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図面は、模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率等は、必ずしも現実のものと同一であるとは限らない。また、図面において、同一符号は同一または相当部分を付してあり、重複した説明は必要に応じて行う。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す平面図である。図２は、図１の一点鎖線２−２に沿った断面図である。より詳細には、図２は、アップステート状態における実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図である。アップステート状態は、ダウンステート状態から可動電極１１２を固定電極１１１側から上方へ引き上げた状態のことである。
【０００９】
基板１００上には固定電極１１１が固定されている。基板１００は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に設けられた絶縁膜１０２とを備えている。固定電極１１１は絶縁膜１０２上に固定されている。半導体基板１０１は、例えば、シリコン基板である。シリコン基板の代わりに、ＳＯＩ基板などの半導体基板を用いても構わない。絶縁膜１０２は、例えば、シリコン酸化膜である。
【００１０】
固定電極１１１の上方には上下方向に可動である可動電極１１２が配置されている。可動電極１１２はスリット（開口部）１０を含む。スリット１０は可動電極１１２の中央部に設けられている。可動電極１１２はスリット１０で規定される一端部および他端部を含む。スリット１０で規定される可動電極１１２の長辺側が一端部（第１の湾曲部Ａ）であり、それに対向する側が他端部（第２の湾曲部Ｂ）である。すなわち、可動電極１１２は固定電極１１１の一端部および他端部に対応する一端部および他端部を含む。
【００１１】
可動電極１１２の一端部は、基板１００側（下側）に湾曲している湾曲部（第１の湾曲部）Ａを含む。可動電極１１２の湾曲部Ａは、固定電極１１１の一端部よりも外に延在する。これは、プルイン時およびダウンステート状態において、可動電極１１２の湾曲部Ａが固定電極１１１の上面上のキャパシタ絶縁膜に接触することを防止するためである。
【００１２】
可動電極１１２の湾曲部Ａ上にはダミーばね部２００が設けられている。ダミーばね部２００は可動電極１１２に対してバネの役割は果たさない。ダミーばね部２００の一部は湾曲部Ａの外側に延在している。ダミーばね部２００下に位置する部分には固定電極１１１は形成されておらず、図１に示すように、ダミーばね部２００下に位置する部分の固定電極１１１の形状は凹部状となっている。また、その形状を図３の斜視図に示す。図３において、湾曲部Ａは省略してある。
【００１３】
一方、可動電極１１２の他端部はばね部１３０はアンカー部１２０に接続され、アンカー部１２０は基板１００上に設けられた配線１１０に接続される。図１および図２に示すように、固定電極１１１とばね部１３０とはオーバーラップしない。
【００１４】
固定電極１１１の上面および側面の上にはキャパシタ絶縁膜１１３が設けられている。キャパシタ絶縁膜１１３は絶縁膜１０２上に設けられている。隣り合う固定電極１１１間には埋込み絶縁膜１１４が設けられている。配線１１０と固定電極１１１との間にも埋込み絶縁膜１１４は設けられている。本実施形態では、埋込み絶縁膜１１４の上面は固定電極１１１の上面よりも低い。埋込み絶縁膜１１４の上面は固定電極１１１の上面よりも高くても構わない。
【００１５】
図４Ａはプルイン時における実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図であり、図４Ｂはダウンステート状態における実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図である。
【００１６】
図４Ａに示すように、プルイン時においては、可動電極１１２の湾曲部Ａは埋込み絶縁膜１１４に接触する。しかし、湾曲部Ａが埋込み絶縁膜１１４に接触する前に、可動電極１１２の湾曲部Ａ以外の部分（本体部）は、キャパシタ絶縁膜１３および埋込み絶縁膜１１４には接触しない。すなわち、プルイン時において、可動電極１１２の湾曲部Ａのエッジが固定電極１１１の上面上のキャパシタ絶縁膜１１３に接触することは抑制される。さらに、プルイン時において、固定電極１１１の上部エッジＥ上のキャパシタ絶縁膜１１３が可動電極１１２の本体部に接触することも抑制される。
【００１７】
可動電極１１２のエッジが固定電極１１１の上面上のキャパシタ絶縁膜１１３に接触すると、可動電極１１２のエッジで電界が集中する。その結果、可動電極１１２のエッジとその下の固定電極１１１との間には電荷が蓄積されやすい。このような電荷の蓄積はスティクションの原因になる。本実施形態の場合、可動電極１１２のエッジは湾曲部Ａのエッジであり、湾曲部Ａのエッジは固定電極１１１の上面上のキャパシタ絶縁膜１１３には接触しない。また、プルイン時において、固定電極１１１の上部エッジＥ上のキャパシタ絶縁膜１１３が可動電極１１２の本体部に接触することでも電荷の蓄積は起こりやすいが、本実施形態ではこのような接触は上述したように抑制される。したがって、本実施形態では、スティクションの発生は抑制される。
【００１８】
また、プルイン時およびダウンステート状態において、可動電極１１２の一端部または他端部のエッジ（鋭角部）がキャパシタ絶縁膜１１３に衝突することは、異物が発生する原因となる。上記異物は、可動電極１１２の材料およびキャパシタ絶縁膜１１３の材料の少なくとも一方を含む。固定電極１１１の上面上のキャパシタ絶縁膜１１３上に異物が堆積すると、ダウンステート状態において、固定電極１１１と可動電極１１２との間に異物が存在する状態が生じうる。このような異物が存在する状態はキャパシタ容量の低下を招く可能性がある。
【００１９】
しかし、本実施形態の場合、プルイン時およびダウンステート状態の両方において、可動電極１１２の一端部および他端部のエッジはキャパシタ絶縁膜１１３に衝突しないので、上述した異物は発生しない。したがって、固定電極１１１の上面上のキャパシタ絶縁膜１１３上に異物が存在することによるキャパシタ容量の低下は抑制される。
【００２０】
したがって、本実施形態によれば、性能低下を抑制できるＭＥＭＳデバイスを提供できるようになる。
【００２１】
図５は、第１の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスの変形例を示す断面図である。この変形例では、可動電極１１２の他端部も湾曲部Ｂとなっており、さらに、湾曲部Ｂに隣接するアンカー部１２０の端部も湾曲部となっている。
【００２２】
図６−図１４は、図５のＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【００２３】
［図６］
半導体基板１０１上に絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜１０２上に導電膜を形成し、そして、フォトリソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスを用いて上記導電膜を加工することにより、配線１１０、固定電極１１１を形成する。
【００２４】
［図７］
絶縁膜１０２、配線１１０および固定電極１１１の露出表面上にキャパシタ絶縁膜１１３を形成する。次に、キャパシタ絶縁膜１１３上に絶縁膜を形成し、そして、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）プロセスを用いて上記絶縁膜を研磨することにより、隣り合う固定電極１１１間、ならびに、配線１１０と固定電極１１１との間に埋込み絶縁膜１１４を形成する。
【００２５】
［図８］
キャパシタ絶縁膜１１３および埋込み絶縁膜１１４の上に第１の犠牲膜４０１を形成し、そして、フォトリソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスを用いて、配線１１０上の一部のキャパシタ絶縁膜１１３および第１の犠牲膜４０１を除去する。第１の犠牲膜４０１は、例えば、ポリイミド等の有機物を材料とする絶縁膜である。
【００２６】
［図９］
配線１１０および第１の犠牲膜４０１の上に導電膜を形成し、そして、フォトリソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスを用いて上記導電膜を加工することにより、可動電極１１２、アンカー部１２０を形成する。
【００２７】
［図１０］
可動電極１１２およびアンカー部１２０を含む領域上に絶縁膜を形成し、そして、フォトリソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスを用いて、上記絶縁膜を加工することにより、ばね部１３０およびダミーばね部２００を形成する。
【００２８】
上記絶縁膜は、例えば、シリコン窒化膜である。また、上記絶縁膜は、可動電極１１２とアンカー部１２０との間の隙間、ならびに、可動電極１１２間の隙間を埋めないように形成する。
【００２９】
［図１１］
可動電極１１２、ばね部１３０、ダミーばね部２００の上に第２の犠牲膜４０２を形成する。第２の犠牲膜４０２は、例えば、ポリイミド等の有機物を材料とする絶縁膜である。
【００３０】
［図１２］
犠牲膜４０１，４０２をキュアする。キュアは例えば加熱処理により行う。このとき、上記キャアにより犠牲膜４０２が収縮することにより、可動電極１１２とダミーばね部２００との積層部、および、アンカー部１２０とばね部１３０との積層部には変形が生じ、可動電極１１２およびアンカー部１２０の端部には湾曲部が形成される。
【００３１】
その後、犠牲膜４０１，４０２を除去することにより、図５に示されたＭＥＭＳデバイスが得られる。
【００３２】
なお、図１０に示される二つのダミーばね部２００を、図１３に示される一つのダミーばね部２００とすることで、図１４に示すように隣接する二つの可動電極１１２の一端部同志をダミーばね部２００ａで繋げることができる。すなわち、図１５に示すように、ダミーばね部２００ａはスリット１０と交差するように架け渡されたブリッジ部として利用でき、これにより、プルイン電圧を調整することができる。
【００３３】
（第２の実施形態）
図１６は第２の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図であり、第１の実施形態の図１の一点鎖線２−２に沿った断面図である図２に対応する。
【００３４】
本実施形態のＭＥＭＳデバイスが第１の実施例のＭＥＭＳデバイスと異なる点は、埋込み絶縁膜１１４ａは凸部を有し、そして、プルイン時およびダウンステート状態においては、可動電極１１２の湾曲部Ａが埋込み絶縁膜１１４ａの凸部に接触することにある。
【００３５】
本実施形態によれば、埋込み絶縁膜１１４の凸部の高さを調整することにより、可動電極１１２の湾曲部Ａの曲がりの程度が小さくても、可動電極１１２の湾曲部Ａと埋込み絶縁膜１１４とを容易に接触させることが可能となる。
【００３６】
図１７−図２１は、本実施形態のＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明するための断面図である。
【００３７】
［図１７］
図６の工程後、キャパシタ絶縁膜１１３を形成する。次に、キャパシタ絶縁膜１１３上にバッファ絶縁膜５０１、ストッパ絶縁膜５０２を順次形成する。本実施形態では、キャパシタ絶縁膜１１３、バッファ絶縁膜５０１およびストッパ絶縁膜５０２が、それぞれ、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の場合について説明する。
【００３８】
［図１８］
ストッパ絶縁膜５０２上にシリコン酸化膜を形成し、その後、ストッパ絶縁膜５０２をストッパに用いてＣＭＰプロセスにより上記シリコン酸化膜を研磨することにより、埋込み絶縁膜（ここでは、シリコン酸化膜）１１４を形成する。
【００３９】
［図１９］
ダウンフローエッチングプロセスにより、露出しているストッパ絶縁膜５０２を除去する。このとき、埋込み絶縁膜１１４とバッファ絶縁膜５０１との間のストッパ絶縁膜５０２の上部がエッチングにより除去される。
【００４０】
［図２０］
固定電極１１１間の埋込み絶縁膜１１４上にレジストパターン６０１を形成する。レジストパターン６０１は、埋込み絶縁膜１１４ａの凸部となる領域に対応する領域上に形成される。
【００４１】
［図２１］
レジストパターン６０１をマスクにして、埋込み絶縁膜１１４をウエットエッチングする。エッチング溶液として、シリコン窒化膜に対するシリコン酸化のエッチング選択比が大きくなる溶液、膜例えば、弗酸を含む溶液が用いられる。
【００４２】
上記ウエットエッチングの結果、固定電極１１１間のレジストパターン６０１で覆われていない部分の埋込み絶縁膜１１４はエッチングされ、その高さは低くなる。さらに、レジストパターン６０１の外周部下の埋込み絶縁膜１１４の高さも低くなる。同様に、配線１１０と固定電極１１１との間の埋込み絶縁膜１１４の高さも低くなる。また、図２０において、配線１１０、固定電極１１１の上面側に配置された埋込み絶縁膜１１４は相対的に薄いので除去され、一方、配線１１０および固定電極１１１の側面側に配置された埋込み絶縁膜１１４は相対的に厚いので、その上部側は除去されるが下部側は残る。
【００４３】
その後、レジストパターン６０１が除去される。レジストパターン６０１が除去された構造は図７の構造に対応するので、図８−図１３に準じるプロセスをさらに行うことで、図１６に示されたＭＥＭデバイスが得られる。
【００４４】
本実施形態のＭＥＭＳデバイスも、第１の実施形態の図５、図１４、図１５に示された変形例に対応する変形例を含む。
【００４５】
（第３の実施形態）
図２２は、第３の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスを示す断面図であり、第１の実施形態の図１の一点鎖線２−２に沿った断面図である図２に対応する。
【００４６】
本実施形態のＭＥＭＳデバイスが第１の実施例のＭＥＭＳデバイスと異なる点は、隣り合う固定電極１１１間にダミー固定電極１１１ａが設けられていることであり、そして、プルイン時およびダウンステート状態においては、可動電極１１２の湾曲部Ａが本体部よりも先にダミー固定電極１１１ａに接触することにある。ダミー固定電極１１１ａは電気的に浮いている。
【００４７】
本実施形態のＭＥＭＳデバイスを製造するためには、例えば、第１の実施形態の図６の工程において、図２３に示すように、ダミー固定電極１１１ａを形成し、次に、図２４に示すように、全面上にキャパシタ絶縁膜１１３を形成し、その後、ダミー固定電極１１１ａの上面上の一部の領域（可動電極の湾曲部Ａがコンタクトする箇所を含む領域）上のキャパシタ絶縁膜１１３を除去する。図２４の構造は第１の実施形態の図７の構造に対応するので、図８−図１３に準じるプロセスをさらに行うことで、図２２に示されたＭＥＭデバイスが得られる。
【００４８】
なお、図２５に示すように、ダミー固定電極１１１ａの上面の全体にキャパシタ絶縁膜があっても構わない。
【００４９】
本実施形態においても、第１の実施形態の図５、図１４、図１５に示された変形例が可能である。
【００５０】
また、第１−第３の実施形態のいずれにおいても、可動電極の短辺側の端部が湾曲部を含んでいても構わない。例えば、第１の実施形態の場合、図２６および図２７に示すように、可動電極１１２の短辺側の両端部が湾曲部Ａ’を含んでいても構わない。湾曲部Ａ’はスリット１０で規定される可動電極１１２の短辺側の端部に対応する。なお、図２６および図２７はそれぞれ第１の実施形態の図１および図２に対応する。
【００５１】
湾曲部Ａ’を含む場合、図２８Ａおよび図２８Ｂに示すように、プルイン時およびダウンステート状態の両方において、可動電極１１２の短辺側の湾曲部Ａ’のエッジはキャパシタ絶縁膜１１３に衝突しないので、湾曲部Ａを含む場合と同様の作用効果が得られる。なお、図２８Ａおよび図２８Ｂはそれぞれ第１の実施形態の図４Ａおよび図４Ｂに対応する。
【００５２】
また、可動電極１１２の長辺側の端部が湾曲部を含まずに、可動電極１１２の短辺側の端部が湾曲部を含んでいても構わない。
【００５３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００５４】
以上述べた実施形態のＭＥＭＳデバイスの上位概念、中位概念および下位概念の一部または全ては、例えば以下のような付記１−２１で表現できる。
【００５５】
［付記１］
基板と、
前記基板上に固定された第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜と、
前記基板上に設けられ、前記第１の電極の周辺部に配置された絶縁膜と、
前記第１の電極の上方に配置され、上下方向に可動である第２の電極とを具備してなり、
前記第１の電極は一端部および他端部を含み、前記第２の電極は前記第１の電極の前記一端部および前記他端部に対応する一端部および他端部を含み、
前記第２の電極の前記一端部は、前記第１の電極の前記一端部よりも外側にはみ出し、かつ、下側に湾曲している第１の湾曲部を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【００５６】
［付記２］
前記第２の電極を下方に移動させた場合、前記第２の電極の前記第１の湾曲部は、前記キャパシタ絶縁膜に接触せずに、前記絶縁膜の上面に接触することを特徴とする付記１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【００５７】
［付記３］
前記絶縁膜は、前記第１の電極の前記周辺部に埋め込まれた埋込み絶縁膜であることを特徴とする付記１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【００５８】
［付記４］
前記絶縁膜は、凸部を含むことを特徴とする付記１または２に記載のＭＥＭＳデバイス。
【００５９】
［付記５］
前記第１の電極は凹部を有し、前記凹部の上方に前記第１の湾曲部は配置されていることを特徴する付記１ないし４のいずれか一つに記載のＭＥＭＳデバイス。
【００６０】
［付記６］
前記第１の湾曲部上に設けられた部材をさらに具備してなることを特徴とする付記１ないし５のいずれか一つに記載のＭＥＭＳデバイス。
【００６１】
［付記７］
前記第２の電極の前記他端部上に接続されたばね部をさらに具備してなり、前記部材の材料と前記ばね部の材料とは同じであることを特徴とする付記６に記載のＭＥＭＳデバイス。
【００６２】
［付記８］
前記基板上に設けられ、前記ばね部を介して前記第２の電極の前記他端部に繋がれるアンカー部をさらに具備してなるとを特徴とする付記７に記載のＭＥＭＳデバイス。
【００６３】
［付記９］
前記第２の電極はスリットを含むことを特徴とする付記１ないし８のいずれか一つに記載のＭＥＭＳデバイス。
【００６４】
［付記１０］
前記第２の電極の前記一端部は、前記スリットで規定される前記第２の電極の長辺側の部分であることを特徴とする付記９に記載のＭＥＭＳデバイス。
【００６５】
［付記１１］
前記スリットと交差するように架け渡されたブリッジ部をさらに具備してなることを特徴とする付記９または１０に記載のＭＥＭＳデバイス。
【００６６】
［付記１２］
前記スリットと交差するように架け渡されたブリッジ部をさらに具備してなり、前記ブリッジ部の材料と前記部材の材料は同じであることを特徴とする付記６に記載のＭＥＭＳデバイス。
【００６７】
［付記１３］
前記第２の電極の前記他端部は、前記第１の電極の前記他端部よりも外側にはみ出していることを特徴とする付記１ないし１２のいずれか一つに記載のＭＥＭＳデバイス。
【００６８】
［付記１４］
前記第２の電極を下方に移動させた場合、前記第２の電極の前記他端部は前記キャパシタ絶縁膜に接触しないことを特徴とする付記１３に記載のＭＥＭＳデバイス。
【００６９】
［付記１５］
前記第２の電極の前記他端部は、前記第１の電極の前記他端部よりも外側にはみ出し、かつ、下側に湾曲している第２の湾曲部を含むことを特徴とする付記１ないし１２のいずれか一つに記載のＭＥＭＳデバイス。
【００７０】
［付記１６］
前記基板上に設けられた第３の電極をさらに具備してなり、前記第３の電極の上面の上方に前記第２の電極の前記第１の湾曲部のエッジがあることを特徴とする付記１ないし１５のいずれか一つに記記載のＭＥＭＳデバイス。
【００７１】
［付記１７］
前記第３の電極は電気的に浮いていることを特徴とする付記１６に記載のＭＥＭＳデバイス。
【００７２】
［付記１８］
前記第３の電極の材料と前記第１の電極の材料は同じであることを特徴とする付記１６または１７に記載のＭＥＭＳデバイス。
【００７３】
［付記１９］
前記第３の電極の上面と前記第１の電極の上面は同じ高さであることを特徴とする付記１６ないし１８いずれか一つに記載のＭＥＭＳデバイス。
【００７４】
［付記２０］
前記キャパシタ絶縁膜は、さらに前記第３の電極上に設けられていることを特徴とする付記１６ないし１９のいずれかに一つに記載のＭＥＭＳデバイス。
【００７５】
［付記２１］
前記第２の電極の前記一端部は、前記スリットで規定される前記第２の電極の短辺側の部分であることを特徴とする付記９に記載のＭＥＭＳデバイス。
【符号の説明】
【００７６】
１０…スリット、１００…基板、１０１…半導体基板、１０２…絶縁膜、１１０…配線、１１１…固定電極（第１の電極）、１１１ａ…ダミー固定電極（第３の電極）、１１２…可動電極（第２の電極）、１１３…キャパシタ絶縁膜、１１４…埋込み絶縁膜、１２０…アンカー部、１３０…ばね部、２００…ダミーばね部、４０１…第１の犠牲膜、４０２…第２の犠牲膜、５０１…バッファ絶縁膜、５０２…ストッパ絶縁膜、６０１…レジストパターン、Ａ…第１の湾曲部、Ｂ…第２の湾曲部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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