(57)【要約】【課題】ガラスフィルムと支持ガラスとのそれぞれの接合面における表面粗さを適切なものとして、密着性と剥離性との両特性を好適に兼ね備えるようにする。【解決手段】ガラスフィルム５及び支持ガラス６のそれぞれの接合面５ａ、６ａが直接接触した状態で積層され且つガラスフィルム５に対する加熱を伴う電子デバイス製造関連処理が未処理の状態にある電子デバイス製造用ガラス積層体７であって、ガラスフィルム５と支持ガラス６とのうちの一方の接合面６ａ（５ａ）は、算術平均粗さＲａが０．２５ｎｍ以上で２．０ｎｍ以下及び最大高さ粗さＲｚが５ｎｍ以下とされ、他方の接合面５ａ（６ａ）は、算術平均粗さＲａが一方の接合面６ａ（５ａ）の算術平均粗さＲａ以下とされる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスフィルム及び支持ガラスのそれぞれの接合面を直接接触させてガラス積層体を得る積層工程と、前記ガラス積層体のガラスフィルムに加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を施す加熱処理工程と、前記ガラス積層体の支持ガラスから前記電子デバイス製造関連処理が施されたガラスフィルムを剥離させる剥離工程とを有する電子デバイスの製造方法であって、
前記積層工程の実行前に、前記ガラスフィルムと前記支持ガラスとのうちの一方の接合面が、算術平均粗さＲａが０．２５ｎｍ以上で２．０ｎｍ以下及び最大高さ粗さＲｚが５ｎｍ以下とされ、他方の接合面が、算術平均粗さＲａが前記一方の接合面の算術平均粗さＲａ以下とされていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記積層工程の実行前に、前記一方の接合面の算術平均粗さＲａが０．２５ｎｍ以上で５ｎｍ以下とされている請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記積層工程の実行前に、前記一方の接合面の算術平均粗さＲａが０．２５ｎｍ以上で０．３５ｎｍ以下とされている請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記積層工程の実行前に、前記一方の接合面の最大高さ粗さＲｚが０．３ｎｍ以上で５ｎｍ以下とされている請求項１〜３の何れかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記積層工程の実行前に、前記一方の接合面の最大高さ粗さＲｚが０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下とされている請求項１〜３の何れかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記積層工程の実行前に、前記他方の接合面の最大高さ粗さＲｚが前記一方の接合面の最大高さ粗さＲｚ未満とされている請求項１〜４の何れかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記積層工程の実行前に、オーバーフローダウンドロー法で成形された支持ガラスの表面にエッチングガスによる処理を施した面が、前記一方の接合面であると共に、オーバーフローダウンドロー法で成形されたガラスフィルムの表面の未処理面が、前記他方の接合面である請求項１〜６の何れかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記積層工程の実行前に、オーバーフローダウンドロー法で成形された支持ガラスの表面に有機層を形成した状態で、前記支持ガラスの表面にエッチングガスによる処理を施し、且つ前記有機層を除去した前記支持ガラスの表面が、前記一方の接合面である請求項７に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記ガラスフィルムの厚みが、３００μｍ以下である請求項１〜８の何れかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
ガラスフィルム及び支持ガラスのそれぞれの接合面が直接接触した状態で積層され且つガラスフィルムに対する加熱を伴う電子デバイス製造関連処理が未処理の状態にある電子デバイス製造用ガラス積層体であって、
前記ガラスフィルムと前記支持ガラスとのうちの一方の接合面は、算術平均粗さＲａが０．２５ｎｍ以上で２．０ｎｍ以下及び最大高さ粗さＲｚが５ｎｍ以下とされ、他方の接合面は、算術平均粗さＲａが前記一方の接合面の算術平均粗さＲａ以下とされていることを特徴とする電子デバイス製造用ガラス積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスフィルムと支持ガラスとをそれぞれの接合面同士を直接接触させて積層した状態で、ガラスフィルムに加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を施すようにした電子デバイスの製造方法及び電子デバイス製造用ガラス積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等の薄型表示機器やセンサの基板、あるいは固体撮像素子やレーザーダイオード等の半導体パッケージ用カバー、さらには薄膜化合物太陽電池の基板等には、フィルム状に薄板化されたガラスフィルムが使用されている。
【０００３】
このガラスフィルムの表面には、透明電極の成膜処理や封止処理等のように加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を施す場合がある。このような処理時には、ガラスフィルムが可撓性に富むこと等に起因して、ガラスフィルムの取り扱いが困難になり得る。そこで、ガラスフィルムと支持ガラスとをそれぞれの接合面同士を直接接触させて積層したガラス積層体の形態として、ガラスフィルムを取り扱うことが行われている。
【０００４】
このようなガラス積層体として、例えば特許文献１には、ガラスフィルムと支持ガラスとの両者の接合面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａを、２．０ｎｍ以下とすることが開示されている。また、例えば特許文献２には、ガラスフィルムと支持ガラスとの両者の接合面の最大高さＲｍａｘを、１．０ｎｍ以下とすることが開示されている。
【０００５】
このように規定された接合面を有するガラスフィルムと支持ガラスとからガラス積層体が作製されていれば、両者の密着性が向上して、接着剤等を使用しなくても両者が安定して固定されることが期待できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１８３７９２号公報
【特許文献２】特開２０１０−２１５４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、この種のガラス積層体を製作した後に、ガラスフィルムに加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を施した場合には、ガラスフィルムと支持ガラスとの密着力が増加して、支持ガラスからガラスフィルムを剥離させることが困難となる。したがって、この種のガラス積層体は、密着性と剥離性との両特性を兼ね備えることが好ましい。
【０００８】
しかしながら、特許文献１、２に開示のように、ガラスフィルムと支持ガラスとのそれぞれの接合面を両者共に、算術平均粗さＲａのみ、或いは最大高さＲｍａｘのみで規定したのでは、密着性と剥離性との両特性を兼ね備えることは困難である。すなわち、算術平均粗さＲａのみ、或いは最大高さＲｍａｘのみがそれぞれ上記の数値範囲内にあるというだけでは、密着性と剥離性との両特性を好適に兼ね備えるに至るには、不十分である。
【０００９】
以上の観点から、本発明は、ガラスフィルムと支持ガラスとのそれぞれの接合面における表面粗さを適切なものとして、密着性と剥離性との両特性を好適に兼ね備えるようにすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は鋭意研究を重ねた結果、ガラスフィルムと支持ガラスとのそれぞれの接合面の算術平均粗さＲａ（以下、単にＲａともいう）が両者共に２．０ｎｍ以下であっても、一方の接合面のＲａが０．２５ｎｍ未満であれば、加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を施した後、剥離性が悪化して、両者を剥がすことが困難或いは不可能になる場合があるという知見を得た。これに関連して、本発明者は、上述の二つの接合面のＲａが両者共に２．０ｎｍ以下であっても、一方の接合面のＲａを０．２５ｎｍ以上とした場合には、密着性が悪化して、ガラスフィルムを正面から視た場合に干渉縞が現われる場合があるという知見も得た。さらに、この干渉縞が現われるのは、前記一方の接合面の一部に１０〜３０ｎｍ程度の高さを有する突起が形成され、この突起が両接合面の部分的な未接合部を生じさせることに由来することの知見も得た。そこで、本発明者は、剥離性を良好にした上で、干渉縞が現われることを阻止するには、接合面のＲａのみを考慮するだけでは無理があることを見出し、接合面のＲａと最大高さ粗さＲｚ（以下、単にＲｚともいう）との兼ね合いを考慮するのが好ましいことを知見するに至った。
【００１１】
以上の知見に基づいてなされた本発明に係る方法は、ガラスフィルム及び支持ガラスのそれぞれの接合面を直接接触させてガラス積層体を得る積層工程と、ガラス積層体のガラスフィルムに加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を施す加熱処理工程と、ガラス積層体の支持ガラスから電子デバイス製造関連処理が施されたガラスフィルムを剥離させる剥離工程とを有する電子デバイスの製造方法であって、積層工程の実行前に、ガラスフィルムと支持ガラスとのうちの一方の接合面が、算術平均粗さＲａが０．２５ｎｍ以上で２．０ｎｍ以下及び最大高さ粗さＲｚが５ｎｍ以下とされ、他方の接合面が、算術平均粗さＲａが前記一方の接合面の算術平均粗さＲａ以下とされていることに特徴づけられる。ここで、算術平均粗さＲａと最大高さ粗さＲｚは、何れも、ＪＩＳ  Ｒ  １６８３：２００７に準拠している（以下、同様）。また、上記の「加熱」とは、ガラスフィルムの温度を１００〜３５０℃に加熱することをいう（以下、同様）。  
【００１２】
この構成によれば、ガラスフィルムと支持ガラスとのそれぞれの接合面のＲａが両者共に２．０ｎｍ以下であっても、一方の接合面のＲａが０．２５ｎｍ以上とされているため、加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を施した後に、剥離性が悪化する事態を抑制することができる。しかも、前記一方の接合面のＲｚが５ｎｍ以下とされているため、密着性が向上し、これに伴って干渉縞が生じる事態も抑制することができる。したがって、接合面の表面粗さは、ＲａとＲｚとの兼ね合いを考慮して調整されていることになり、ＲａとＲｚとの適切な組み合わせによって、剥離性と密着性との両特性を好適に兼ね備えることができる。以上の事項を勘案すれば、Ｒａに下限値を設けたのは、剥離性を良くするためであり、Ｒｚに上限値を設けたのは、密着性を良くするためである。
【００１３】
以上の構成において、積層工程の実行前に、前記一方の接合面の算術平均粗さＲａが、０．２５ｎｍ以上で０．５ｎｍ以下とされていることが好ましく、０．２５ｎｍ以上で０．３５ｎｍ以下とされていることがより好ましい。
【００１４】
このようにすれば、Ｒａの上限値が小さくなるために密着性のさらなる向上が図られると共に、Ｒａの下限値が０．２５ｎｍに維持されるために剥離性が損なわれない。
【００１５】
以上の構成において、積層工程の実行前に、前記一方の接合面の最大高さ粗さＲｚが、０．３ｎｍ以上で５ｎｍ以下とされていることが好ましく、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下とされていることがより好ましい。
【００１６】
このようにすれば、Ｒｚに下限値が設けられるために剥離性が損なわれることをより確実に抑止できると共に、Ｒｚの上限値が５ｎｍに維持されるために密着性が損なわれない。
【００１７】
以上の構成において、積層工程の実行前に、前記他方の接合面の最大高さ粗さＲｚが前記一方の接合面の最大高さ粗さＲｚ未満とされていることが好ましい。
【００１８】
このようにすれば、密着性の向上が確実化されると共に、前記一方の接合面の表面粗さが既述の状態にある限り剥離性が損なわれることもない。
【００１９】
以上の構成において、積層工程の実行前に、オーバーフローダウンドロー法で成形された支持ガラスの表面にエッチングガスによる表面処理を施した面が、前記一方の接合面であると共に、オーバーフローダウンドロー法で成形されたガラスフィルムの表面の未処理面が、前記他方の接合面であることが好ましい。
【００２０】
このようにすれば、前記一方の接合面及び前記他方の接合面のＲａ、Ｒｚを、既述の数値範囲とする上で有利となる。
【００２１】
この場合の構成において、積層工程の実行前に、オーバーフローダウンドロー法で成形された支持ガラスの表面に有機層を形成した状態で、支持ガラスの表面にエッチングガスによる表面処理を施し、且つ有機層を除去した支持ガラスの表面が、前記一方の接合面であることが好ましい。ここで、上記の「有機層」は、具体的には、ポリエチレングリコールや界面活性剤、アルコール類等の層であることが好ましい。また、有機層の厚みは、１ｎｍ以上で５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
このようにすれば、支持ガラスの表面にエッチングガスによる表面処理を施す際には、支持ガラスの表面に有機層（有機膜）が形成されているため、エッチングガスによる反応が弱められる。その後、洗浄等により有機層が除去された前記一方の面には、１０〜３０ｎｍ程度の高さを有する突起が形成され難くなる。したがって、密着性の低下に起因する干渉縞が生じ難くなる。
【００２３】
以上の構成において、ガラスフィルムの厚みが、３００μｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
このようにすれば、可撓性に富むガラスフィルムを支持ガラスに接着剤等を使用せずに積層させることで、本来的な利点であるガラスフィルムの取り扱い性の向上が図られる。
【００２５】
また、既述の知見に基づいてなされた本発明に係る物は、ガラスフィルム及び支持ガラスのそれぞれの接合面が直接接触した状態で積層され且つガラスフィルムに対する加熱を伴う電子デバイス製造関連処理が未処理の状態にある電子デバイス製造用ガラス積層体であって、ガラスフィルムと支持ガラスとのうちの一方の接合面は、算術平均粗さＲａが０．２５ｎｍ以上で２．０ｎｍ以下及び最大高さ粗さＲｚが５ｎｍ以下とされ、他方の接合面は、算術平均粗さＲａが前記一方の接合面の算術平均粗さＲａ以下とされていることに特徴づけられる。
【００２６】
この構成によっても、既述の方法の場合と同様の理由によって、剥離性と密着性との両特性を好適に兼ね備えることができるという利点を有する。
【発明の効果】
【００２７】
以上のように本発明によれば、ガラスフィルムと支持ガラスとのそれぞれの接合面における表面粗さが適切なものとなるため、密着性と剥離性との両特性を好適に兼ね備えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法における各工程の流れを示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法で使用される支持ガラス及びガラスフィルムを示す概略斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法における積層工程の実施状況及び本発明の実施形態に係る電子デバイス製造用ガラス積層体を示す概略斜視図である。
【図４】本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法における加熱処理工程の実施状況を示す概略斜視図である。
【図５】本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法における剥離工程の実施状況を示す概略斜視図である。
【図６】本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法で使用される支持ガラス（ガラスフィルム）の接合面について、改良前の表面粗さ特性を示すグラフである。
【図７】本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法における積層工程の実行前において支持ガラス（ガラスフィルム）の接合面を形成するための処理を行っている状態を示す概略縦断正面図である。
【図８】本発明の実施例で使用する試験装置の構成を示す概略縦断正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法及び電子デバイス製造用ガラス積層体について添付図面を参照して説明する。
【００３０】
図１は、本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法における各工程の流れを示す概略構成図である。同図に示すように、この製造方法は大別すると、予備工程１と、積層工程２と、加熱処理工程３と、剥離工程４とを有する。以下、これらの工程１〜４について概略を説明する。
【００３１】
予備工程１では、図２に示すガラスフィルム５及び支持ガラス６を所定のサイズに加工する処理と、ガラスフィルム５の接合面５ａ及び支持ガラス６の接合面６ａを所望の表面粗さにする処理と、それら接合面５ａ、６ａを洗浄する処理等とが行われる。
【００３２】
積層工程２では、図３に示すように、ガラスフィルム５の接合面５ａと支持ガラス６の接合面６ａとを直接接触させることで、ガラスフィルム５が支持ガラス６上に密着保持された電子デバイス製造用ガラス積層体７が製作される。
【００３３】
加熱処理工程３では、図４に示すように、ガラス積層体７のガラスフィルム５に、透明電極の成膜処理や封止処理等のように加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を施すことで、ガラスフィルム５にデバイス部８が作り込まれた電子デバイス９が、支持ガラス６上に密着力が増大して積層された状態となる。電子デバイス製造関連処理の処理時には、ガラスフィルム５が１００〜３５０℃（本実施形態では２００℃）に加熱される。
【００３４】
剥離工程４では、図５に示すように、電子デバイス製造処理が施されたガラスフィルム５すなわち電子デバイス９が、支持ガラス６から剥離することで、単体の電子デバイス９が製品等として製造される。
【００３５】
次に、予備工程１を実行して得られる支持ガラス６及びガラスフィルム５について詳述する。
【００３６】
支持ガラス６の接合面６ａは、Ｒａが０．２５ｎｍ以上で２．０ｎｍ以下とされ且つＲｚが５ｎｍ以下とされている。一方、ガラスフィルム５の接合面５ａは、Ｒａが支持ガラス６のＲａ以下とされている。なお、ガラスフィルム５の接合面５ａは、Ｒａの上限値が２．０ｎｍとされている。したがって、積層工程２では、このような支持ガラス６及びガラスフィルム５を用いて、電子デバイス製造関連処理が未処理の状態にある電子デバイス製造用ガラス積層体７が作製される。
【００３７】
このようにしておけば、支持ガラス６の接合面６ａのＲａが０．２５ｎｍ以上とされているため、すなわち接合面６ａのＲａについて下限値が規定されているため、単にガラスフィルム５及び支持ガラス６の接合面５ａ、６ａのＲａを両者共に２．０ｎｍ以下と規定した場合と比較して、加熱処理工程３の実行後における剥離工程４で、支持ガラス６とガラスフィルム５（電子デバイス９）との剥離性を確実に向上させることができる。
【００３８】
しかも、支持ガラス６の接合面６ａのＲｚが５ｎｍ以下とされているため、積層工程２での支持ガラス６とガラスフィルム５との密着性が向上する。詳述すると、従前においては、図６に示す粗さ曲線Ｘのように、支持ガラス６の接合面６ａに、１０〜３０ｎｍ程度の高さを有する突起ｘ１が局部的に存在していた。これは、支持ガラスの接合面が、フッ化水素（ガス）等との接触による直接的なエッチングによって粗面化されていたことに由来する。そのため、ガラスフィルム５及び支持ガラス６の接合面５ａ、６ａのＲａを両者共に２．０ｎｍ以下と規定していても、この突起ｘ１の周辺に支持ガラス６とガラスフィルム５との未接合部が生じ、干渉縞が発生していた。しかしながら、支持ガラス６の接合面６ａのＲｚが５ｎｍ以下であれば、そのような突起ｘ１が存在しなくなるため、干渉縞が消え失せて密着性の向上が図られる。
【００３９】
以上のように、支持ガラス６の接合面６ａの表面粗さについては、ＲａとＲｚとの双方を評価要素としているため、ガラスフィルム５及び支持ガラス６の両接合面５ａ、６ａが、Ｒａのみ或いはＲｚのみを評価要素としている場合と比較して、剥離性及び密着性の両特性を確実に向上させることができる。
【００４０】
このような観点から、支持ガラス６の接合面６ａのＲａは、０．２５ｎｍ以上で０．５ｎｍ以下とされていることが好ましい。このようにすれば、支持ガラス６の接合面６ａは、Ｒａの上限値が２．０ｎｍよりも小さくなるため、密着性がさらに向上し得るが、Ｒａの下限値が０．２５ｎｍであることによって剥離性は阻害されない。
【００４１】
また、支持ガラス６の接合面６ａのＲａは、０．２５ｎｍ以上で０．３５ｎｍ以下とされていることがより好ましい。このようにすれば、支持ガラス６の接合面６ａは、Ｒａの上限値が２．０ｎｍよりも遥かに小さくなるため、密着性が大幅に向上し得るが、Ｒａの下限値が０．２５ｎｍに維持されるために剥離性は阻害されない。
【００４２】
一方、支持ガラス６の接合面６ａのＲｚは、０．３ｎｍ以上で５ｎｍ以下とされていることが好ましい。このようにすれば、支持ガラス６の接合面６ａは、Ｒｚに下限値が設けられているため、剥離性の阻害をより確実に抑止することができ、且つ、Ｒｚの上限値が５ｎｍに維持されるために密着性が損なわれない。
【００４３】
また、支持ガラス６の接合面６ａのＲｚは、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下とされていることが好ましい。このようにすれば、支持ガラス６の接合面６ａは、Ｒｚの下限値が大きくなるため、剥離性の阻害をより一層確実に抑止することができ、且つ、Ｒｚの上限値が５ｎｍに維持されるために密着性が損なわれない。
【００４４】
さらに、ガラスフィルム５の接合面５ａのＲｚは、支持ガラス６の接合面６ａのＲｚよりも小さくされていることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルム５の接合面５ａは、既述のようにＲａが小さくされているだけでなく、Ｒｚも適切に小さくされていることになるため、支持ガラス６との密着性の向上が確実化されると共に、支持ガラス６の接合面６ａの表面粗さが既述の状態にある限り剥離性が損なわれることもない。
【００４５】
加えて、支持ガラス６の接合面６ａは、オーバーフローダウンドロー法で成形された支持ガラスの表面にエッチングガスによる表面処理を施した面であることが好ましく、ガラスフィルム５の接合面５ａは、オーバーフローダウンドロー法で成形されたガラスフィルムの表面の未処理面であることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルム５及び支持ガラス６の両接合面５ａ、６ａのＲａ、Ｒｚを、既述の数値範囲とする上で有利となる。
【００４６】
この場合、支持ガラス６の接合面６ａは、図７に示すように、オーバーフローダウンドロー法で成形された支持ガラス６の表面（下面）に有機層１０を形成した状態で、有機層１０を介して支持ガラス６の表面にフッ化水素（ガス）Ｇによるエッチング処理を施し、洗浄により有機層１０を除去した支持ガラス６の表面であることが好ましい。ここで、有機層１０としては、具体的には、ポリエチレングリコール、界面活性剤、アルコール類等の層を挙げることができる。また、有機層１０の厚みは、１ｎｍ以上で５ｎｍ以下であることが好ましい。このようにすれば、支持ガラス６の表面にエッチングガスによる表面処理を施す際には、支持ガラス６の表面に有機層１０が形成されているため、エッチングガスＧによる反応が弱められる。そのため、支持ガラス６の接合面６ａには、１０〜３０ｎｍ程度の高さを有する突起が形成され難くなる。したがって、支持ガラス６とガラスフィルム５との接合部には、部分的な非接合部が存在しなくなって干渉縞が生じ難くなる。また、支持ガラス６に有機層１０を形成する手法としては、支持ガラス６を、有機樹脂による緩衝材（ポリエチレンの発泡樹脂やポリエチレンテレフタレートフィルム等）を使用して保管しておき、緩衝材から発生する有機物を支持ガラス６の表面に付着させるエイジングを使用することもできる。
【００４７】
なお、ガラスフィルム５の厚みは、３００μｍ以下であることが好ましく、２００μｍ以下または１００μｍ以下であることがより好ましい。このようにすれば、可撓性に富むガラスフィルム５を支持ガラス６に接着剤等を使用せずに積層させることで、本来的な利点であるガラスフィルム５の取り扱い性の向上が図られる。
【００４８】
なお、上記実施形態で説明した支持ガラス６の接合面６ａについてのＲａ、Ｒｚを、ガラスフィルム５の接合面５ａについてのＲａ、Ｒｚとし、且つ、ガラスフィルム５の接合面５ａについてのＲａ、Ｒｚを、支持ガラス６の接合面６ａについてのＲａ、Ｒｚとしてもよい。
【実施例１】
【００４９】
以下、本発明に係る電子デバイスの製造方法及び電子デバイス製造用ガラス積層体を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５０】
支持ガラスとしては、直径が１５０ｍｍ、厚みが５００μｍの円板状の厚肉ガラス板を使用した。また、ガラスフィルムとしては、直径が１２０ｍｍ、厚みが１００μｍの円板状の薄肉ガラス板を使用した。支持ガラス及びガラスフィルムは何れも、日本電気硝子株式会社製の無アルカリガラス（製品名：ОＡ−１０Ｇ）を使用した。支持ガラスの接合面は、オーバーフローダウンドロー法で成形した支持ガラスの表面に、厚み５ｎｍのポリエチレングリコールの膜を形成した状態で、その膜を介して支持ガラスの表面にフッ化水素ガスでエッチング処理を施し、その後に洗浄によって前記膜を除去することで得た。この場合の洗浄は、第１番目に、硫酸と過酸化水素水とを６：１の比で混合した薬液による洗浄を行い、第２番目に、７５℃の温水による洗浄を行い、第３番目に、超純水と窒素ガスとを同時に供給する２流体洗浄及びメガソニック洗浄を行い、第４番目に、すすぎとスピン乾燥とを行った。また、ガラスフィルムの接合面は、オーバーフローダウンドロー法で成形したガラスフィルムの表面を未研磨のままとして形成したものと、その表面に上記と同様のエッチング処理（エッチングの量は上記と異なる）及び洗浄処理を施して形成したものとを使用した。
【００５１】
支持ガラス及びガラスフィルムの密着性と剥離性との試験は、次のようにして行った。図８に示すように、ヒーター付き下部板材１１の上に、接合面６ａが上面となるように支持ガラス６を載置すると共に、支持ガラス６の上に、スペーサ１２を介在させて、接合面５ａが下面となるようにガラスフィルム５を載置し、ガラスフィルム５の上に、隙間を介在させてヒーター付き上部板材１３を配設した。このような状態で、支持ガラス６及びガラスフィルム５を２００℃で１０分間保持して仮加熱を行った後、スペーサ１２を抜き取って、０．０１Ｐａの真空雰囲気中でヒーター付き上部板材１３を下降させ、支持ガラス６及びガラスフィルム５を２００℃で１０分間に亘って加圧した。その後、支持ガラス６及びガラスフィルム５を冷却して取り出し、常温にした後に、密着性と剥離性との判定を行った。剥離性については、物理的な剥離方法、具体的には支持ガラス６とガラスフィルム５との境界にブレードを押し込む方法によって判定した。その判定結果を、下記の表１〜表４に示す。なお、下記の表１〜表４の中で、密着性の欄において、○印は、良好に密着することを意味し、○印の数が多くなるに連れてより一層良好に密着することを意味し、△印は、２〜８％程度の数パーセントの確率で密着することを意味し、×印は、干渉縞が現われることを意味し、××印は、全く密着しないことを意味する。また、剥離性の欄で、○印は、良好に剥離することを意味し、○印の数が多くなるに連れてより一層良好に剥離することを意味し、△印は、２〜８％程度の数パーセントの確率で剥離することを意味し、×印は、全く剥離しないことを意味する。
【００５２】
【表１】
2017214275.tif 000003
【００５３】
【表２】
2017214275.tif 000004
【００５４】
【表３】
2017214275.tif 000005
【００５５】
【表４】
2017214275.tif 000006
【００５６】
上記の表１及び表２における実施例１〜４、６〜１２は、支持ガラスの接合面のＲａが０．２５ｎｍ以上で且つ２．０ｎｍ以下であって、Ｒｚが０．５ｎｍ以上で且つ５．０ｎｍ以下であるため、密着性及び剥離性の両特性が良好である。また、同表における実施例５、１３は、支持ガラスの接合面のＲａが０．２５ｎｍ以上で且つ２．０ｎｍ以下であるものの、Ｒｚが０．５ｎｍ未満であるため、剥離性がやや劣っている。なお、同表における実施例１〜１３は、ガラスフィルムの接合面のＲａ、Ｒｚの双方が、支持ガラスの接合面のＲａ、Ｒｚよりも小さい。また、密着性及び剥離性の両特性が良好な実施例１〜４、６〜１２におけるガラスフィルムの接合面は、Ｒａが０．１６ｎｍ以上で０．２０ｎｍ以下であって、Ｒｚが０．３ｎｍ以上で４．０ｎｍ以下である。
【００５７】
上記の表３における実施例１４〜２２は、支持ガラスの接合面のＲａが２．０ｎｍ以下であって、Ｒｚが５．０ｎｍ以下であるものの、Ｒａが０．３５ｎｍ超であるため、密着性がやや劣っている。なお、同表における実施例１４〜２１は、ガラスフィルムの接合面のＲａ、Ｒｚの双方が、支持ガラスの接合面のＲａ、Ｒｚよりも小さく、実施例２２は、ガラスフィルムの接合面のＲａが、支持ガラスの接合面のＲａと同一であって、ガラスフィルムの接合面のＲｚが、支持ガラスの接合面のＲｚよりも小さい。
【００５８】
上記の表４における比較例１〜４は、支持ガラスの接合面のＲａが０．２５ｎｍ未満であるため、全く剥離しない。なお、この比較例１〜４におけるガラスフィルムの接合面のＲａも０．２５ｎｍ未満である。また、同表における比較例５〜８は、支持ガラスの接合面におけるＲｚが５．０ｎｍ超であるため、干渉縞が現われる。なお、この比較例５〜８におけるガラスフィルムの接合面のＲｚは、支持ガラスの接合面のＲｚよりも遥かに小さい。さらに、同表における比較例９、１０は、支持ガラスの接合面のＲａが２．０ｎｍ超であるため、全く密着しない。なお、この比較例５〜８における支持ガラスの接合面のＲｚは５ｎｍ以下であって、ガラスフィルムの接合面のＲａ、Ｒｚはいずれも、支持ガラスの接合面のＲａ、Ｒｚよりも遥かに小さい。
【符号の説明】
【００５９】
２    積層工程
３    加熱処理工程
４    剥離工程
５    ガラスフィルム
５ａ  ガラスフィルムの接合面
６    支持ガラス
６ａ  支持ガラスの接合面
７    電子デバイス製造用ガラス積層体
８    デバイス部
９    電子デバイス
１０  有機層
Ｇ    エッチングガス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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