(57)【要約】【課題】安定稼働が可能な半導体製造装置を提供する。【解決手段】ウエハを処理する処理室と、前記処理室に連結され、前記処理室を真空排気する真空ポンプと、前記真空ポンプの駆動状態を測定するモニタと、前記真空ポンプの排気側に設けられた排気補助装置と、を備え、前記モニタは、前記真空ポンプと前記排気補助装置を駆動させた状態で前記真空ポンプの駆動状態を測定する半導体製造装置。【選択図】図２
2016134585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを処理する処理室と、
前記処理室に連結され、前記処理室を真空排気する真空ポンプと、
前記真空ポンプの駆動状態を測定するモニタと、
前記真空ポンプの排気側に設けられた排気補助装置と、を備え、
前記モニタは、前記真空ポンプと前記排気補助装置を駆動させた状態で前記真空ポンプの駆動状態を測定する半導体製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体製造装置であって、
前記モニタは、前記真空ポンプ駆動用モータの電流値、電力値、モータ温度、前記真空ポンプの吸気圧力、及び、排気圧力のうち、少なくとも１つ以上のパラメータを測定する半導体製造装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体製造装置であって、
前記排気補助装置は、小型ポンプ、排気インジェクタ、バキュームジェネレータ、または、前記真空ポンプとは異なる別の真空ポンプのいずれかである半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体製造装置であって、
前記モニタは、測定した真空ポンプの駆動状態が予め設定された値を越えた場合、外部にアラーム信号を出力する半導体製造装置。
【請求項５】
ウエハを処理する処理室と、
前記処理室に連結され、前記処理室を真空排気する真空ポンプと、
前記真空ポンプの駆動状態を測定するモニタと、
前記真空ポンプの排気側に設けられた排気負荷装置と、を備え、
前記真空ポンプと前記排気負荷装置を駆動させた状態で前記真空ポンプの駆動状態を測定する半導体製造装置の診断システム。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体製造装置であって、
前記モニタは、前記真空ポンプ駆動用モータの電流値、電力値、モータ温度、前記真空ポンプの吸気圧力、排気圧力のうち、少なくとも１つ以上のパラメータを測定する半導体製造装置の診断システム。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体製造装置であって、
前記排気負荷装置は、前記真空ポンプの排気側に窒素ガスを導入する窒素ガス導入装置である半導体製造装置の診断システム。
【請求項８】
請求項５に記載の半導体製造装置であって、
前記モニタは、測定した真空ポンプの駆動状態が予め設定された値を越えた場合、外部にアラーム信号を出力する半導体製造装置の診断システム。
【請求項９】
ウエハを処理する処理室と、
前記処理室に連結され、前記処理室を真空排気する真空ポンプと、
前記真空ポンプの駆動状態を測定するモニタと、
前記真空ポンプの排気側に設けられた排気補助装置と、を備える半導体製造装置を用いて行われる半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記処理室に前記ウエハを搬入する工程、
（ｂ）前記処理室に連結された真空ポンプで当該処理室を真空排気する工程、
（ｃ）前記真空ポンプで前記処理室を真空排気しながら当該処理室内において前記ウエハに処理を施す工程、
（ｄ）前記（ｂ）工程、及び、前記（ｃ）工程のうち、少なくとも一方の工程において、前記排気補助装置を駆動させた状態で前記真空ポンプの駆動状態を測定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程において、前記真空ポンプ駆動用モータの電流値、電力値、モータ温度、前記真空ポンプの吸気圧力、排気圧力のうち、少なくとも１つ以上のパラメータを測定する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記排気補助装置は、小型ポンプ、排気インジェクタ、バキュームジェネレータ、前記真空ポンプとは異なる別の真空ポンプのいずれかである半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
測定した真空ポンプの駆動状態が予め設定された値を越えた場合、外部にアラーム信号を出力する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）半導体基板上にMOSトランジスタを形成する工程、
（ｃ２）前記MOSトランジスタ上に層間絶縁膜を形成する工程、
（ｃ３）前記層間絶縁膜に、前記MOSトランジスタのソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する工程、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体製造装置はＣＶＤ装置であり、
前記（ｄ）工程は、前記（ｃ２）工程中に行われる半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体製造装置はドライエッチング装置であり、
前記（ｄ）工程は、前記（ｃ３）工程中に行われる半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体製造装置の診断に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイコンやメモリ、システムＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ−Ｓｃａｌｅ−Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ−ｃｉｒｃｕｉｔ）などの半導体装置は、シリコンなどの半導体基板（ウエハ）の表面に各種表面処理を複数回繰り返すことにより集積回路を形成し、製造される。
【０００３】
各種表面処理のうち、半導体基板上に薄膜を形成するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程や不要な膜を除去するドライエッチング工程では、ウエハを搬入した処理室を真空ポンプで真空排気した後、真空中でウエハが処理される。
【０００４】
真空ポンプは突発的に故障することが多く、故障時には処理中のウエハはスクラップとなってしまう。
【０００５】
そこで、半導体製造装置に真空ポンプの状態を監視するシステムを設け、真空ポンプの電流値や電力値、真空ポンプの温度、圧力などを定常監視し、変動が生じた場合にその変動を検知して、事前に真空ポンプの異常としてアラームを発生させようという試みがある。
【０００６】
本技術分野の背景技術として、例えば、特許文献１のような技術がある。特許文献１には、「半導体製造装置の真空排気系に使用する真空ポンプのケーシング内部に析出する生成物によって発生する詰まり故障を予知するシステムであって、真空ポンプの発生するＡＥ（アコースティックエミッション）を検出するＡＥセンサを少なくとも備えたセンサ部と、センサ部からの信号を解析診断する診断部とを各真空ポンプ毎に設け、各真空ポンプの状態や診断結果を一括表示する表示部をＬＡＮ上に接続することによって構成したことを特徴とする真空ポンプの故障予知システム」が開示されている。
【０００７】
上記真空ポンプの故障予知システムによれば、半導体製造装置の真空排気系で使用される真空ポンプのケーシング内に析出する生成物によって発生する詰まり故障を事前に予知し、ポンプの交換を喚起することによって、ポンプの突発故障による製品不良の回避、製品の歩留り向上、ポンプのメンテナンスコスト削減を図ることができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−６２８４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、真空ポンプの異常を検知することは難しい。通常、真空ポンプは高い負荷をかけた状態で使用するため、その電流値、電力値または圧力は常に微弱な変動を繰り返している。従って、そのような微弱な変動を故障の兆候と判断することは困難である。また、急激な変動が見られるのは故障数分前である場合が多く、事前に変動を検知しアラームを発生しても製品着工停止が間に合わないことが多い。
【００１０】
上記特許文献１の真空ポンプの故障予知システムは、真空ポンプにＡＥセンサを設け、真空ポンプに発生するＡＥ（アコースティックエミッション）を検出することで故障予知を行うものであるが、真空ポンプのケーシング内部に析出する生成物の堆積状況によりセンサの検出感度は異なるため、上記のような突発的な真空ポンプの故障予知は困難である。
【００１１】
本願の課題は、ウエハに処理を施す半導体製造装置の稼働を安定させることにある。また、このような装置を利用することで、半導体装置の生産性を高めることにある。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
一実施の形態によれば、ウエハに処理を施す半導体製造装置において、処理室に連結された真空ポンプと当該真空ポンプの排気側に設けられた排気補助装置の両方を駆動させた状態で当該真空ポンプの駆動状態を測定する。
【発明の効果】
【００１３】
前記一実施の形態によれば、ウエハに処理を施す半導体製造装置の安定稼働が可能になる。また、半導体装置の生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来の代表的な半導体製造装置の全体概要を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の全体概要を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る真空ポンプの概要を説明する一部断面図である。
【図４】経過時間と真空ポンプ電流値の関係を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の全体概要を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の全体概要を示す図である。
【図７】半導体装置の製造工程の概要を示すフローチャートである。
【図８】半導体装置の製造工程の前工程の概要を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。なお、各図面において、同一の構成については同一の符号を付し、重複する部分についてその詳細な説明は省略する。
【実施例１】
【００１６】
先ず、図１を用いて、従来の代表的な半導体製造装置について説明する。図１はＣＶＤ装置やドライエッチング装置など、真空中でウエハを処理する半導体製造装置の全体概要を示している。
【００１７】
図１に示すように、半導体製造装置１は、シリコン基板などの半導体基板であるウエハを搬入し、真空中でウエハに表面処理を行う処理チャンバ２を備えている。処理チャンバ２には、排気配管５を介して真空ポンプ６が連結されている。この真空ポンプ６により、処理チャンバ２の真空排気が可能となっている。
【００１８】
処理チャンバ２と真空ポンプ６の間には圧力制御弁３および遮断弁４が設けられている。圧力制御弁３は、内部の開度を変更可能な可変バルブである。圧力制御弁３の開度を変えることにより、真空ポンプ６による処理チャンバ２の排気速度、すなわち処理チャンバ２の圧力を制御することができる。
【００１９】
遮断弁４は、開閉バルブである。遮断弁４を開にすることにより、真空ポンプ６による処理チャンバ６の排気が可能になり、遮断弁４を閉にすることにより、真空ポンプ６による処理チャンバ２の排気を停止することができる。
【００２０】
真空ポンプ６の後段側、すなわち排気側には排気配管７が連結されている。真空ポンプ６から排出された排ガスは、真空ポンプからの排気系統８を介して、図示しない除害装置や排ガス処理装置、或いは工場の排ガス処理施設へ排出される。
【００２１】
真空ポンプ６には、情報伝達系統１１および１２が連結されている。真空ポンプ６の真空ポンプ駆動用モータの電流値や電力値は、情報伝達系統１１を介してポンプ状態モニタ１０に出力される。また、真空ポンプ内部の温度や真空ポンプ駆動用モータの温度、真空ポンプの吸気圧力、排気圧力などのアナログデータは、情報伝達系統１２を介してポンプ状態モニタ１０に出力される。
【００２２】
次に、図２を用いて、本実施例における半導体製造装置について説明する。図２は図１と同様に、ＣＶＤ装置やドライエッチング装置など、真空中でウエハを処理する半導体製造装置の全体概要を示している。
【００２３】
図２に示す半導体製造装置１は、処理チャンバ２に排気配管５を介して真空ポンプ６が連結されている点において、図１の半導体製造装置１と同様である。また、真空ポンプより上段の排気系統１４、すなわち処理チャンバ２と真空ポンプ６の間の排気系統に、圧力制御弁３および遮断弁４が設けられている点も図１と同様である。
【００２４】
図２の半導体製造装置１は、真空ポンプ６の後段側、すなわち排気側の排気配管７の一部に排気補助装置１３が設けられている点において、図１の半導体製造装置１とは異なっている。この排気補助装置１３には、例えば、小型ポンプや排気インジェクタ、バキュームジェネレータ、真空ポンプ６とは異なる別の真空ポンプなどを用いる。
【００２５】
図３に、図１および図２で説明した半導体製造装置１における真空ポンプ６の一部断面構造を示す。この真空ポンプ６は、排気経路にオイル成分を用いないドライ真空ポンプである。
【００２６】
真空ポンプ６の構造は、大別すると、ポンプモータ部１７、軸受部１８、ポンプ排気圧縮部１９、軸受部２０の４つの部分から構成されている。真空ポンプ６の吸気口から吸入されたポンプ吸気１６はポンプ排気圧縮部１９で圧縮され、排気配管２１を介して真空ポンプ６の排気側へポンプ排気１５として排出される。真空ポンプ６の排気配管２１には消音のためのサイレンサ２２が設けられている。
【００２７】
真空ポンプ６に供給された電力は、ポンプモータ部１７の駆動用モータの駆動に使用される。ポンプモータ部１７にはモータの電流値や電力値、モータの温度を測定するセンサが設置されている。このモータの温度を測定するセンサは、モータ以外の場所で真空ポンプの温度を管理するのに適した別の場所に設けられる場合もある。
【００２８】
真空ポンプ６の吸気側には、吸気圧力を測定する圧力センサが設けられている。また、真空ポンプ６の排気側には、排気圧力を測定する圧力センサが設けられている。
【００２９】
ここで、例えば、処理チャンバ２から排気された排ガスや反応生成物がポンプ排気圧縮部１９内部に堆積したり、排気圧縮部１９内の構造物の経時劣化により排気圧縮部１９に噛み込みが生じる場合がある。その場合、排気圧縮部１９は負荷大となり、ポンプモータ部１７のモータ電力も増加する。
【００３０】
本実施例における半導体製造装置１は、図２に示すように、真空ポンプ６の後段側、すなわち排気側の排気配管７に排気補助装置１３が設けられており、真空ポンプ６の排気負荷を軽減することができる。その結果、真空ポンプ駆動用モータの電流値、真空ポンプ駆動用モータの電力値、真空ポンプや駆動用モータの内部温度、真空ポンプの吸気圧力、真空ポンプの排気圧力を低減することが可能となる。
【００３１】
図４を用いて、本実施例における半導体製造装置による真空ポンプの故障予知メカニズムについて説明する。図中における破線のグラフは図１に示す従来の半導体製造装置を示しており、実践のグラフは図２に示す本実施例の半導体製造装置を示している。
【００３２】
図１に示す半導体製造装置１のように真空ポンプ６の排気側に排気補助装置１３を設けていない場合、ポンプモータ部１７の電流値、すなわち真空ポンプ電流は８Ａ程度で推移する。なお、この真空ポンプ電流は、真空ポンプ６の種類や排気容量により異なるため、ここでの数値は例示である。
【００３３】
排気補助装置１３を設けていない場合、真空ポンプ６はその排気能力の最大限に近い状態で稼働するため、排気圧縮部１９に負荷が増加し始めた状態であっても、真空ポンプ電流の変動は微小であり、その変動を検知するのは困難である。上記のように、排気圧縮部１９に噛み込みが生じ、真空ポンプ６が突発的に停止する直前、或いは、停止して初めて、異常が発生したと検知できる真空ポンプ電流値になる。
【００３４】
一方、図２に示す半導体製造装置１のように真空ポンプ６の排気側に排気補助装置１３を設けた場合、ポンプモータ部１７の電流値、すなわち真空ポンプ電流は４Ａ程度で推移する。なお、この真空ポンプ電流値も、真空ポンプ６の種類や排気容量により異なるため、例示である。
【００３５】
上述したように、排気補助装置１３を設けた場合、真空ポンプ６の負荷が軽減されるため、真空ポンプ駆動用モータの電流値、真空ポンプ駆動用モータの電力値、真空ポンプや駆動用モータの内部温度、真空ポンプの吸気圧力、真空ポンプの排気圧力が低減する。図４に示すように、真空ポンプ電流が８Ａから４Ａに低減することにより、真空ポンプ電流の変動が大きくなり、真空ポンプ電流の変動の検知が容易になる。
【００３６】
つまり、従来は高負荷状態で真空ポンプ６を使用しているため、真空ポンプ駆動用モータの電流値や電力値の変動が埋もれて確認できなかったが、真空ポンプ６の排気側に排気補助装置１３を設けることにより、真空ポンプ６自体の負荷増大分が真空ポンプ駆動用モータの電流値や電力値の増加として見えるようになる。
【００３７】
その結果、真空ポンプ６の真空ポンプ駆動用モータの電流値や電力値の微小な変化量が確認できるようになる。
【００３８】
真空ポンプ６の排気側に排気補助装置１３を設けることで微小な変化を確認できるようになった真空ポンプ６の真空ポンプ駆動用モータの電流値、真空ポンプ駆動用モータの電力値、真空ポンプや駆動用モータの内部温度、真空ポンプの吸気圧力、真空ポンプの排気圧力を、情報伝達系統１１および１２を介してポンプ状態モニタ１０へ伝達し、真空ポンプ６の駆動状態を監視する。
【００３９】
ポンプ状態モニタ１０へ伝達された真空ポンプ６の駆動状態の情報は、ポンプ状態モニタ１０に予め設定された各データの設置値を越えた場合、或いは、予め設定された各データの範囲を外れた場合、アラーム信号として外部へ出力される。
【００４０】
真空ポンプ６の駆動状態は、図４に示した真空ポンプ電流以外にも、真空ポンプ駆動用モータの電力値、真空ポンプや駆動用モータの内部温度、真空ポンプの吸気圧力、真空ポンプの排気圧力でも同様の確認をすることができ、同様の結果を得ることができる。
【００４１】
これにより、真空ポンプ６の劣化やポンプ排気圧縮部１９の噛み込みなどの故障の予知が可能になり、半導体製造装置１の安定稼働が可能になる。
【００４２】
また、真空ポンプ６の突発的な故障を事前に予知することで、処理チャンバ２で処理中のウエハがスクラップになるのを防止することができるようになり、半導体装置の製造工程における工程歩留りを向上することができる。
【００４３】
また、真空ポンプ６の排気側の排気配管の一部に排気補助装置１３を設けているため、真空ポンプ６の負荷を低減することができ、半導体製造装置１全体として省エネルギが可能になる。
【００４４】
なお、図１および図２において、１台の真空ポンプ６の駆動状態を１台のポンプ状態モニタ１０で監視する例を示したが、工場内の複数台の真空ポンプ６を１台のポンプ状態モニタ１０で一括して監視するようにしてもよい。
【００４５】
また、真空ポンプ６の駆動状態の監視を、ポンプ状態モニタ１０による監視に替えて、例えば、半導体製造装置全体の監視システムにポンプ状態監視機能を組み込んで監視することも可能である。
【００４６】
なお、排気補助装置１３を真空ポンプ６の後段側に設置することで、真空ポンプより上段の排気系統１４の真空リークの有無も検知可能になる。
【００４７】
本来であれば、排気補助装置１３による真空ポンプ６の負荷軽減で電流値や電力値に変化現れるはずが、変化がない場合、真空ポンプ６より上段側に負荷が増大している可能性が高い。その場合、真空リークである可能性を指摘できることになる。
【００４８】
つまり、排気補助装置１３で真空ポンプ６の排気を軽減しているにもかかわらず、真空ポンプ駆動用モータの電流値や電力値が高い値のままである場合、真空ポンプ６より上段側に負荷が増大している可能性が高い。そのため排気補助装置１３で軽減された真空ポンプ６の負荷を上回る負荷が真空ポンプ６より上段側に生じていることになる。
【００４９】
その場合、真空リークである可能性が高い。状態監視中で真空ポンプ駆動用モータの電流値や電力値が高い値のまま継続しており、真空ポンプ６自体にエラーを発生していない場合は、真空ポンプ６より上段側でリークしている可能性が高いことになる。すなわち、半導体製造装置１の真空ポンプ６より上段の排気系統の真空リークの有無を診断することが可能となる。
【００５０】
本実施例によれば、上記のような効果を利用して、半導体製造装置１の稼働を安定させることができる。
【実施例２】
【００５１】
図５を用いて、実施例２における半導体製造装置について説明する。図５は、複数台の半導体製造装置１の各々の処理チャンバ２に個別に真空ポンプ２がそれぞれ連結され、各真空ポンプ６の排気側の排気配管を１系統に統合した例を示している。
【００５２】
図５に示すように、複数台の半導体製造装置１の各々の真空ポンプ６の排気系統を１系統に統合した後の排気系統に排気補助装置１３を設けている。
【００５３】
実施例１において説明したように、排気補助装置１３に例えば、真空ポンプ６と同程度の排気性能を有する別の真空ポンプを採用した場合、排気補助装置１３の排気性能が過剰になり、半導体製造装置全体としての省エネルギ効果が得られなくなる恐れがある。
【００５４】
そこで、実施例２における半導体製造装置では、複数台の半導体製造装置１に各々連結される真空ポンプ６の排気側の排気配管を１系統に統合した後、その統合した排気系統に排気補助装置１３を１台設けることにより、すなわち１台の排気補助装置１３を複数台の真空ポンプ６で共用することにより、各真空ポンプ６の負荷を低減しつつ、複数台の半導体製造装置群全体としての省エネルギ効果を維持することができる。
【００５５】
また、実施例２では、各真空ポンプ６の駆動状態を真空ポンプ６毎に情報伝達系統１１および１２を介して個別に設けられたポンプ状態モニタ１０へ伝達し、それらの複数台の真空ポンプ６の駆動状態を工場の集中監視システムへ伝達することで、一括して監視している。
【００５６】
これにより、複数台の半導体製造装置１の各々連結された真空ポンプ６を一括して監視できるようになり、複数台の半導体製造装置を安定稼働させることが可能になる。
【００５７】
実施例２の半導体製造装置によれば、実施例１と同様に、真空ポンプ６の劣化やポンプ排気圧縮部１９の噛み込みなどの故障の予知が可能になり、複数台の半導体製造装置の安定稼働が可能になる。
【００５８】
また、真空ポンプ６の突発的な故障を事前に予知することで、処理チャンバ２で処理中のウエハがスクラップになるのを防止することができるようになり、半導体装置の製造工程における工程歩留りを向上することができる。
【００５９】
また、複数台の真空ポンプ６の排気側の排気配管を１系統に統合した後、その統合した排気配管の一部に排気補助装置１３を設けているため、複数台の真空ポンプ６の負荷を同時に低減することができ、半導体製造装置群全体として省エネルギが可能になる。
【実施例３】
【００６０】
図６を用いて、実施例３における半導体製造装置について説明する。図６は図２と同様に、ＣＶＤ装置やドライエッチング装置など、真空中でウエハを処理する半導体製造装置の全体概要を示している。
【００６１】
図６に示す半導体製造装置１は、処理チャンバ２に排気配管５を介して真空ポンプ６が連結されている点において、図２の半導体製造装置１と同様である。また、真空ポンプより上段の排気系統１４、すなわち処理チャンバ２と真空ポンプ６の間の排気系統に、圧力制御弁３および遮断弁４が設けられている点も図２と同様である。
【００６２】
図６の半導体製造装置１は、真空ポンプ６の後段側、すなわち排気側の排気配管７の一部に排気負荷装置２３が設けられている点において、図２の半導体製造装置１とは異なっている。この排気負荷装置２３には、例えば、真空ポンプ６の排気側に窒素ガスを導入する窒素ガス導入装置などを用いる。
【００６３】
図６に示すように、真空ポンプ６の後段側の排気配管７の一部に排気負荷装置２３を設置し、真空ポンプ６を過負荷にした状態において、ポンプ状態モニタ１０で真空ポンプ６の駆動状態を監視する。
【００６４】
真空ポンプ６の駆動状態は、実施例１或いは実施例２と同様に、真空ポンプ駆動用モータの電流値、真空ポンプ駆動用モータの電力値、真空ポンプや駆動用モータの内部温度、真空ポンプの吸気圧力、真空ポンプの排気圧力をモニタする。
【００６５】
これにより、一時的に真空ポンプ６の排気能力を低下させて過負荷時の真空ポンプ６能力を測定し真空ポンプ６の状態を診断することができる。
【実施例４】
【００６６】
図７および図８を用いて、実施例１或いは実施例２で説明した半導体製造装置によるマイコンやメモリなどの半導体装置の製造方法について説明する。図７は、半導体装置の製造工程の概要を示すフローチャートである。また、図８は、半導体装置の製造工程の前工程の概要を示すフローチャートである。
【００６７】
マイコンやメモリなどの半導体装置の製造工程は、図７に示すように、大別すると３工程に分けられる。
【００６８】
先ず、半導体回路を設計し、その回路設計に基づき、マスクを作成する。
【００６９】
次に、前工程と呼ばれるウエハ処理工程で、シリコンなどの半導体基板（ウエハ）の表面に各種表面処理を複数回繰り返すことにより集積回路を形成する。この前工程は、大きく分けると、図７に示すように、素子分離層形成を行う工程、MOSトランジスタ等の素子を形成する工程、各素子上に層間絶縁膜や配線を形成する配線形成工程、完成したウエハを検査する工程などがある。
【００７０】
さらに、後工程において、表面に集積回路が形成されたウエハを個別に分離し、半導体装置として組み立て、検査を行う。
【００７１】
ウエハ処理工程である前工程においては、図８に示す複数の表面処理ａ工程からｊ工程が複数回繰り返される。
【００７２】
先ず、MOSトランジスタ等の素子が形成された半導体基板であるウエハの表面を洗浄し、ウエハ表面に付着した異物や不純物を除去する。（工程ａ）
次に、ＣＶＤ装置などを用いて、ウエハ表面に薄膜を成膜する。この薄膜は、シリコン酸化膜のような層間絶縁膜やアルミニウム膜のような配線を形成するための膜などである。（工程ｂ）
ウエハ表面に薄膜を成膜した後、表面に付着した異物や不純物を再度洗浄により除去する。（工程ｃ）
層間絶縁膜や配線を形成するための膜が表面に成膜されたウエハ上に、感光性材料などからなるレジスト材料を塗布する。（工程ｄ）
所望の回路パターンが形成されたマスクを用いて、露光装置により回路パターンをレジストに転写する。（工程ｅ）
現像処理にて、不要な部分のレジストを除去し、ウエハ上のレジストに所望の回路パターンを形成する。（工程ｆ）
所望の回路パターンが形成されたレジストをエッチングマスクとして、ドライエッチング装置により、ウエハ上に成膜された薄膜の不要な部分をエッチングにより除去し、薄膜に所望の回路パターンを形成する。（工程ｇ）
この後、必要に応じて、イオン打ち込み装置でウエハ表面に不純物注入を行う。（工程ｈ）
ウエハ上に形成したレジストをアッシング処理や洗浄により剥離（除去）する。（工程ｉ）
最後に、ウエハ上の異物の有無や薄膜に所望の回路パターンが正確に形成されていることを異物検査装置や外観検査装置で検査する。（工程ｊ）
なお、上記のａ工程からｊ工程の間において、必要に応じてウエハの洗浄や乾燥などの処理が行われる。
【００７３】
本実施例における半導体装置の製造方法では、上記の工程ｂの成膜工程、或いは、工程ｇのエッチング工程において、実施例１或いは実施例２で説明したような半導体製造装置を用いて処理を行う。
【００７４】
つまり、工程ｂの成膜工程において、ＣＶＤ装置などの成膜装置の処理チャンバに連結された真空ポンプの排気側の排気配管の一部に排気補助装置を設け、真空ポンプの駆動状態をモニタしながら成膜処理を行う。
【００７５】
また、工程ｇのエッチング工程において、ドライエッチング装置などのエッチング装置の処理チャンバに連結された真空ポンプの排気側の排気配管の一部に排気補助装置を設け、真空ポンプの駆動状態をモニタしながらエッチング処理を行う。
【００７６】
工程ｂの成膜工程、或いは、工程ｇのエッチング工程において、従来に比べて精度よく真空ポンプの駆動状態を監視することにより、真空ポンプの駆動状態の異常を検知した場合、事前にポンプの交換やメンテナンスが可能になる。真空ポンプが突発的に故障するのを防止することにより、薄膜の成膜中やエッチング中に真空ポンプの故障によるウエハのスクラップを低減することができる。
【００７７】
また、例えば、工程ｂの成膜工程では、MOSトランジスタ等を覆うようにシリコン酸化膜等の層間絶縁膜を成膜する。そして、工程ｇのエッチング工程では、層間絶縁膜に、MOSトランジスタのソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する。この時、工程ｇのエッチング工程の途中で真空ポンプの停止によりエッチングが途中でストップしてしまう場合がある。
【００７８】
このようなトラブルの場合、一旦中断したコンタクトホール形成のためのエッチング処理を再度行っても、所望のコンタクトホールを形成するのは難しくなる。その結果、エッチングの途中で処理がストップしたウエハはスクラップになるか、再度エッチング処理を行っても所望のコンタクトホールが得られずに製品不良になる可能性が高い。
【００７９】
上記で説明したように、本実施例の半導体装置の製造方法によれば、工程ｇのエッチング工程で排気補助装置を設けたドライエッチング装置を用いることにより、コンタクトホール形成時のエッチング中のトラブルを事前に防止することができ、ウエハのスクラップや製品不良を低減することが可能になる。
【００８０】
工程ｂ（成膜工程）或いは工程ｇ（エッチング工程）において、ＣＶＤ装置或いはドライエッチング装置の真空ポンプの駆動状態の測定は、成膜処理中或いはエッチング処理中に限定するものではない。例えば、処理チャンバにウエハを搬入し、真空ポンプにより処理チャンバを真空排気する際に、排気補助装置を駆動させた状態で真空ポンプの駆動状態を測定してもよい。成膜処理或いはエッチング処理が開始する前に真空ポンプの異常が検知できれば、より確実にウエハのスクラップや製品不良を防止することができる。従って、半導体装置の生産性を高めることができる。
【００８１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００８２】
１…半導体製造装置、２…処理チャンバ、３…圧力制御弁、４…遮断弁、５，７，２１…排気配管、６…真空ポンプ、８…真空ポンプからの排気系統、９…開閉バルブ、１０…ポンプ状態モニタ、１１，１２…情報伝達系統、１３…排気補助装置、１４…真空ポンプより上段の排気系統、１５…ポンプ排気、１６…ポンプ吸気、１７…ポンプモータ部、１８，２０…軸受部、１９…ポンプ排気圧縮部、２２…サイレンサ、２３…排気負荷装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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