(57)【要約】【課題】触媒ＣＶＤ法により基板に形成される堆積膜の膜質の低下を抑制する技術を提供する。【解決手段】触媒ＣＶＤ装置１は、原料ガスが供給される反応室１０と、反応室１０内に設置されて加熱され、原料ガスを分解して分解種を生成する触媒体４０と、反応室１０内に設置され、分解種を堆積させる基板２００を保持する保持体１００と、を備える。保持体１００は、ベース部１１０と、ベース部１１０に設けられ、基板２００の端部を保持する基板保持部１３０とを有する。ベース部１１０は、触媒体４０側を向く面から反対側の面まで貫通する開口部１１２を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスが供給される反応室と、
前記反応室内に設置されて加熱され、前記原料ガスを分解して分解種を生成する触媒体と、
前記反応室内に設置され、前記分解種を堆積させる基板を保持する保持体と、
を備え、
前記保持体は、ベース部と、前記ベース部に設けられ、前記基板の端部を保持する基板保持部とを有し、
前記ベース部は、前記触媒体側を向く面から反対側の面まで貫通する開口部を有することを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記ベース部は、前記触媒体と前記保持体とが並ぶ方向から見て、前記保持体に前記基板が保持された場合に前記基板と重なる領域に、前記開口部を有する請求項１に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記基板保持部は、複数の前記基板を保持可能であり、
前記ベース部は、複数の前記基板の少なくとも一部に対応する複数の前記開口部を有し、
複数の前記開口部のうちいずれか１つの第１の開口部と、前記第１の開口部よりも前記反応室の外寄りに位置する第２の開口部とにおいて、前記第２の開口部は、前記第１の開口部よりも開口面積が小さい請求項１又は２に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記触媒体は、互いに平行に延在する複数の触媒線であり、
前記基板保持部は、複数の前記基板を保持可能であり、
前記ベース部は、複数の前記基板の少なくとも一部に対応する複数の前記開口部を有し、
複数の前記開口部のうちいずれか１つの第３の開口部と、複数の前記触媒線が並ぶ方向で前記第３の開口部よりも前記反応室の外寄りに位置する第４の開口部とにおいて、前記第４の開口部は、前記第３の開口部よりも開口面積が小さい請求項１乃至３のいずれか１項に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記ベース部は、前記触媒体とは反対側を向く面に突起部を有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記ベース部は、前記開口部を覆う多孔部材を有する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項７】
前記開口部は、前記ベース部の前記触媒体側を向く面から反対側の面まで貫通する複数の貫通孔の集合体である請求項１乃至６のいずれか１項に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項８】
前記ベース部は、前記触媒体と前記保持体とが並ぶ方向から見て、前記保持体に前記基板が保持された場合に複数の前記基板が共通の前記開口部と重なるように、前記開口部を有する請求項１に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項９】
反応室内に原料ガスを供給し、加熱した触媒体で原料ガスを分解して分解種を生成し、生成される分解種を基板に堆積させて成膜する触媒ＣＶＤ装置に用いられる基板の保持体であって、
ベース部と、
前記ベース部に設けられ、前記基板の端部を保持する基板保持部と、を備え、
前記ベース部は、前記触媒体側を向く面から反対側の面まで貫通する開口部を有することを特徴とする基板の保持体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、触媒ＣＶＤ装置と、触媒ＣＶＤ装置に用いられる基板の保持体とに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽電池等の各種半導体デバイス等を製造する際に、基板上に所定の堆積膜を形成する方法として、ＣＶＤ法（化学気相成長法）が知られている。また、ＣＶＤ法の一種として、触媒化学気相成長（Catalytic Chemical Vapor Deposition）を利用した触媒ＣＶＤ法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際特許出願パンフレットＷＯ２０１２／１１７８８８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
触媒ＣＶＤ法では、反応室内に供給される原料ガスが加熱した触媒体により分解され、分解種が生成される。そして、この分解種が保持体に保持された基板上に堆積して、堆積膜が形成される。加熱された触媒体は、赤外線等の輻射線を放出する。基板は、この輻射線を吸収して温度が上昇する。
【０００５】
基板は、基板を通過し保持体によって反射された輻射線も吸収する場合がある。保持体によって反射された輻射線も基板が吸収してしまうと、基板の温度は、良質な膜の形成に適した温度を超えてしまうおそれがある。過熱状態にある基板上に分解種が堆積すると、堆積膜の膜質が低下するおそれがある。
【０００６】
本発明はこうした状況に鑑みなされたものであり、その目的は、触媒ＣＶＤ法により基板に形成される堆積膜の膜質の低下を抑制する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある態様は触媒ＣＶＤ装置である。当該触媒ＣＶＤ装置は、原料ガスが供給される反応室と、反応室内に設置されて加熱され、原料ガスを分解して分解種を生成する触媒体と、反応室内に設置され、分解種を堆積させる基板を保持する保持体と、を備える。保持体は、ベース部と、ベース部に設けられ、基板の端部を保持する基板保持部とを有する。ベース部は、触媒体側を向く面から反対側の面まで貫通する開口部を有する。
【０００８】
本発明の他の態様は、基板の保持体である。当該基板の保持体は、反応室内に原料ガスを供給し、加熱した触媒体で原料ガスを分解して分解種を生成し、生成される分解種を基板に堆積させて成膜する触媒ＣＶＤ装置に用いられる基板の保持体であって、ベース部と、ベース部に設けられ、基板の端部を保持する基板保持部と、を備える。ベース部は、触媒体側を向く面から反対側の面まで貫通する開口部を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、触媒ＣＶＤ法により基板に形成される堆積膜の膜質の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る触媒ＣＶＤ装置の概略構造を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】実施の形態１に係るベース部の概略構造を示す正面図である。
【図４】実施の形態２に係るベース部の概略構造を示す正面図である。
【図５】図５（Ａ）は、実施の形態３に係る触媒ＣＶＤ装置１の概略構造を示す断面図である。図５（Ｂ）は、実施の形態３に係るベース部１１０の概略構造を示す背面図である。
【図６】実施の形態４に係るベース部の概略構造を示す正面図である。
【図７】図７（Ａ）は、実施の形態５に係る触媒ＣＶＤ装置１の概略構造を示す断面図である。図７（Ｂ）は、実施の形態５に係るベース部１１０の概略構造を示す正面図である。
【図８】変形例に係るベース部の概略構造を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
【００１２】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係る触媒ＣＶＤ装置の概略構造を示す断面図である。触媒ＣＶＤ装置１は、反応室内に原料ガスを供給し、加熱した触媒体で原料ガスを分解して分解種を生成し、生成される分解種を保持体に保持された基板に堆積させて成膜する装置である。触媒ＣＶＤ装置１は、反応室１０、ガス供給管２０、ガス排出管３０、触媒体４０及び保持体１００を備える。
【００１３】
反応室１０には、ガス供給管２０及びガス排出管３０が接続される。ガス供給管２０は、反応室１０内へ供給される原料ガスの流路である。ガス排出管３０は、反応室１０内から排出される原料ガスの流路である。反応室１０は、内部の気体がガス排出管３０から排気、すなわち真空引きされて真空状態とされる。そして、ガス供給管２０から反応室１０内に原料ガスが供給される。原料ガスは、例えばシラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）の混合ガスである。
【００１４】
触媒体４０は、反応室１０内に設置される。本実施の形態では、触媒体４０は、互いに平行に延在する複数の触媒線４２で構成される。触媒線４２は、反応室１０内で一対の触媒体固定部１２に固定される。具体的には、ガス供給管２０側に一方の触媒体固定部１２が配置され、ガス排出管３０側に他方の触媒体固定部１２が配置される。そして、複数の触媒線４２が均等に並べられ、各触媒線４２の一方の端部が一方の触媒体固定部１２に固定され、触媒線４２の他方の端部が他方の触媒体固定部１２に固定される。触媒線４２は、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等で構成される。また、触媒線４２は、表面に異種層を有してよい。このような触媒線４２としては、表面にホウ化物層が形成されたタンタル線等が挙げられる。触媒線４２の直径は、例えば０．３ｍｍ〜２．０ｍｍ、好ましくは０．５ｍｍ〜１．０ｍｍである。
【００１５】
触媒体固定部１２は、導電性を有する材料で構成される。触媒体固定部１２には、端子１４が電気的に接続される。端子１４は、図示しない電源に接続される。電源としては、定電流電源、定電圧電源、又は定電流制御と定電圧制御の両方が可能な定電流定電圧電源を用いることができる。電源からの給電により、触媒体４０は加熱される。加熱された触媒体４０は、原料ガスを分解して分解種を生成する。触媒体４０の加熱温度は、例えば１６００℃〜２０００℃である。
【００１６】
保持体１００は、反応室１０内に設置される。保持体１００は、分解種を堆積させる基板２００を保持する部材である。保持体１００は、保持する基板２００が触媒体４０側を向くように配置される。処理する基板２００の数を増やすべく、反応室１０内に複数枚の保持体１００が配置されてもよい。本実施の形態では、反応室１０内に２枚の保持体１００が配置される。２枚の保持体１００は、触媒体４０を挟んで配置される。なお、図１では一方の保持体１００の図示を省略している。触媒体４０と、基板２００の被成膜面との距離は、適宜設定することができるが、例えば１００ｍｍ〜１４０ｍｍ程度である。保持体１００は、ベース部１１０と、基板保持部１３０とを有する。基板２００は、基板保持部１３０に係止される。基板保持部１３０は、複数の基板２００を保持可能である。本実施の形態では、基板保持部１３０は１６枚の基板２００を保持することができる。
【００１７】
ガス供給管２０から反応室１０に供給される原料ガスは、触媒体４０によって分解される。これにより生成される分解種は、基板２００の触媒体４０側を向く主表面に堆積する。この結果、半導体膜やＳｉＮ膜等の堆積膜が基板２００に形成される。
【００１８】
続いて、保持体１００の形状について詳細に説明する。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図３は、実施の形態１に係るベース部１１０の概略構造を示す正面図である。図３では、触媒体４０側から見たベース部１１０を図示している。保持体１００のベース部１１０は、平板状の部材である。ベース部１１０は、例えば、アルミニウムやステンレス等の熱伝導の良好な金属材料を用いて形成される。基板保持部１３０は、ベース部１１０に設けられ、基板２００の端部を保持する。本実施の形態では、基板保持部１３０は、保持体１００の触媒体４０側を向く面（便宜上、以下ではこの面を表面１１０ａと称する）に設けられる。基板２００は、基板保持部１３０によって表面１１０ａ上に保持される。２枚の保持体１００は、それぞれが保持する基板２００を触媒体４０側に向けた状態で、触媒体４０を挟んで互いに対向するように配置される。
【００１９】
ベース部１１０は、表面１１０ａから反対側の面（便宜上、以下ではこの面を裏面１１０ｂと称する）まで貫通する開口部１１２を有する。開口部１１２は、触媒体４０と保持体１００とが並ぶ方向（図２中で矢印Ｂで示す方向）から見て、保持体１００に基板２００が保持された場合に基板２００と重なる領域に配置される。すなわち、開口部１１２は、基板２００の堆積膜形成面とは反対側の面と対向するように配置される。また、ベース部１１０は、複数の基板２００のそれぞれに対応する複数の開口部１１２を有する。本実施の形態では、開口部１１２は、矢印Ｂ方向から見て、基板２００の面積と同程度の開口面積を有する。また、本実施の形態では、矢印Ｂ方向から見て、開口部１１２と基板２００とが重なる面積は、例えば基板２００の面積の５０％以上１００％以下である。
【００２０】
以上説明したように、本実施の形態に係る触媒ＣＶＤ装置１において、保持体１００のベース部１１０は、表面１１０ａから裏面１１０ｂまで貫通する開口部１１２を有する。触媒体４０から放出され基板２００を透過した輻射線は、開口部１１２を通過して保持体１００の裏面側に進行する。したがって、保持体１００から基板２００側への輻射線の反射を抑制することができる。このため、輻射線による基板２００の過熱が抑制され、基板２００の温度を成膜に適した温度に維持することが容易になる。
【００２１】
以上より、本実施の形態によれば、触媒ＣＶＤ法により基板に形成される堆積膜の膜質が低下することを抑制することができる。また、複数の基板２００のそれぞれの温度を均一にすることが容易になるため、各基板２００に形成される堆積膜の膜質の均一化を図ることができる。
【００２２】
また、本実施の形態では、ベース部１１０に開口部１１２を設けることで輻射線の反射を抑制している。このため、ベース部１１０の表面に凹凸を設けて輻射線の反射を抑制する構造に比べて、反応室１０の真空引きに要する時間を短縮することができる。具体的には、ベース部１１０に開口部１１２を設けることで、ベース部１１０の表面積を減らすことができる。このため、ベース部１１０の表面に付着する水分等のガスを減らすことができる。反応室１０の真空引きでは、反応室１０内のガスとともにベース部１１０の表面に付着するガスも排出するように真空引きが行われる。よって、ベース部１１０の表面に付着するガスを減らすことで、反応室１０の真空引きに要する時間を短縮することができる。
【００２３】
また、本実施の形態に係る触媒ＣＶＤ装置１では、触媒体４０と保持体１００とが並ぶ方向から見て、ベース部１１０は基板２００の延在領域と重なるように開口部１１２を有する。これにより、基板２００を透過した輻射線の保持体１００による反射をより確実に抑制することができる。２枚の保持体１００の間に触媒体４０が配置される構成では、２枚の保持体１００に挟まれる領域に、輻射線による熱が滞留しやすい。このため、基板２００が加熱されやすい。これに対し、本実施の形態を採用することで、一度に処理する基板２００の数を増やすべく保持体１００を２枚にする場合であっても、基板２００の温度を成膜に適した温度に維持することが容易となる。
【００２４】
本実施の形態の概要は、次の通りである。本実施の形態に係る触媒ＣＶＤ装置１は、原料ガスが供給される反応室１０と、反応室１０内に設置されて加熱され、原料ガスを分解して分解種を生成する触媒体４０と、反応室１０内に設置され、分解種を堆積させる基板２００を保持する保持体１００と、を備える。保持体１００は、ベース部１１０と、ベース部１１０に設けられ、基板２００の端部を保持する基板保持部１３０とを有する。ベース部１１０は、触媒体４０側を向く面から反対側の面まで貫通する開口部１１２を有する。
【００２５】
ベース部１１０は、触媒体４０と保持体１００とが並ぶ方向から見て、保持体１００に基板２００が保持された場合に基板２００と重なる領域に、開口部１１２を有してもよい。
【００２６】
本実施の形態に係る基板２００の保持体１００は、反応室１０内に原料ガスを供給し、加熱した触媒体４０で原料ガスを分解して分解種を生成し、生成される分解種を基板２００に堆積させて成膜する触媒ＣＶＤ装置１に用いられる保持体１００であって、ベース部１１０と、ベース部１１０に設けられ、基板２００の端部を保持する基板保持部１３０と、を備える。ベース部１１０は、触媒体４０側を向く面から反対側の面まで貫通する開口部１１２を有する。
【００２７】
（実施の形態２）
実施の形態２に係る触媒ＣＶＤ装置１の構成は、ベース部１１０の構造が異なる点を除き、実施の形態１に係る触媒ＣＶＤ装置１の構成と共通する。以下、実施の形態２に係る触媒ＣＶＤ装置１について、実施の形態１と異なる構成を中心に説明し、共通する構成については説明を省略する。
【００２８】
図４は、実施の形態２に係るベース部１１０の概略構造を示す正面図である。本実施の形態に係る触媒ＣＶＤ装置１が備える保持体１００のベース部１１０は、複数の基板２００に対応する複数の開口部１１２を有する。また、複数の開口部１１２のうちいずれか１つの第１の開口部と、第１の開口部１１２よりも反応室１０の外寄りに位置する第２の開口部１１２とにおいて、第２の開口部１１２は、第１の開口部１１２よりも開口面積が小さい。
【００２９】
例えば、保持体１００は、４行４列のマトリクス状に配列した状態で基板２００を保持することができる（図１参照）。このため、開口部１１２は、基板２００に対応して４行４列のマトリクス状に配列される。開口部１１２は、開口面積の異なる３種の開口部１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃに別けられる。開口部１１２ａは、最も大きい開口面積を有し、中央側２列（すなわち２及び３列目）の位置にある基板２００に対応して配置される。開口部１１２ｂは、開口部１１２ａよりも小さい開口面積を有し、両外側２列（すなわち１及び４列目）で且つ中央側２行（すなわち２及び３行目）の位置にある基板２００に対応して配置される。開口部１１２ｃは、開口部１１２ｂよりも小さい開口面積を有し、両外側２列（すなわち１及び４列目）で且つ両外側２行（すなわち１及び４行目）の位置にある基板２００に対応して配置される。したがって、開口部１１２ｃは、ベース部１１０の４つの角部に配置される。
【００３０】
ここで、例えば１行２列目の位置にある開口部１１２ａと、この開口部１１２ａよりも反応室１０の外寄りに位置する、１行１列目にある開口部１１２ｃとを比べると、反応室１０の外寄りに位置する開口部１１２ｃは、反応室１０の内寄りに位置する開口部１１２ａよりも小さい開口面積を有する。この場合、開口部１１２ａが第１の開口部１１２に相当し、開口部１１２ｃが第２の開口部１１２に相当する。
【００３１】
同様に、２行２列目の位置にある開口部１１２ａと、この開口部１１２ａよりも反応室１０の外寄りに位置する、２行１列目にある開口部１１２ｂとを比べると、反応室１０の外寄りに位置する開口部１１２ｂは、反応室１０の内寄りに位置する開口部１１２ａよりも小さい開口面積を有する。この場合、開口部１１２ａが第１の開口部１１２に相当し、開口部１１２ｂが第２の開口部１１２に相当する。
【００３２】
同様に、２行１列目の位置にある開口部１１２ｂと、この開口部１１２ｂよりも反応室１０の外寄りに位置する、１行１列目の位置にある開口部１１２ｃとを比べると、反応室１０の外寄りに位置する開口部１１２ｃは、反応室１０の内寄りに位置する開口部１１２ｂよりも小さい開口面積を有する。この場合、開口部１１２ｂが第１の開口部１１２に相当し、開口部１１２ｃが第２の開口部１１２に相当する。
【００３３】
また、本実施の形態のベース部１１０では、複数の開口部１１２のうちいずれか１つの第３の開口部と、複数の触媒線４２が並ぶ方向（図１及び４中の矢印Ｃで示す方向）で第３の開口部よりも反応室１０の外寄りに位置する第４の開口部とにおいて、第４の開口部は、第３の開口部よりも開口面積が小さい。例えば、１行２列目の位置にある開口部１１２ａと、この開口部１１２ａよりも矢印Ｃ方向で反応室１０の外寄りに位置する、１行１列目にある開口部１１２ｃとを比べると、反応室１０の外寄りに位置する開口部１１２ｃは、反応室１０の内寄りに位置する開口部１１２ａよりも小さい開口面積を有する。この場合、開口部１１２ａが第３の開口部１１２に相当し、開口部１１２ｃが第４の開口部１１２に相当する。
【００３４】
同様に、２行２列目の位置にある開口部１１２ａと、この開口部１１２ａよりも矢印Ｃ方向で反応室１０の外寄りに位置する、２行１列目にある開口部１１２ｂとを比べると、反応室１０の外寄りに位置する開口部１１２ｂは、反応室１０の内寄りに位置する開口部１１２ａよりも小さい開口面積を有する。この場合、開口部１１２ａが第３の開口部１１２に相当し、開口部１１２ｂが第４の開口部１１２に相当する。
【００３５】
以上説明したように、本実施の形態に係る触媒ＣＶＤ装置１において、ベース部１１０は複数の開口部１１２を有する。そして、複数の開口部１１２のうちいずれか１つの第１の開口部と、第１の開口部よりも反応室の外寄りに位置する第２の開口部とにおいて、第２の開口部は、第１の開口部よりも開口面積が小さい。反応室１０は、中央部よりも周縁部の方が温度が低下し易い。したがって、保持体１００に保持される基板２００も、反応室１０の外寄りに配置される基板２００の方が中央寄りに配置される基板２００よりも温度が上昇し難い。
【００３６】
これに対し、反応室１０の外寄りに配置される開口部１１２の開口面積を、反応室１０の内寄りに配置される開口部１１２の開口面積よりも小さくすることで、反応室１０の外寄りに位置する基板２００に反射される輻射線の量を、反応室１０の内寄りに位置する基板２００に反射される輻射線の量よりも多くすることができる。これにより、複数の基板２００のそれぞれの温度をより均一にすることができる。この結果、各基板２００に形成される堆積膜の膜質をより均一にすることができる。
【００３７】
また、本実施の形態では、複数の開口部１１２のうちいずれか１つの第３の開口部と、複数の触媒線４２が並ぶ方向で第３の開口部よりも反応室１０の外寄りに位置する第４の開口部とにおいて、第４の開口部は、第３の開口部よりも開口面積が小さい。触媒線４２は、保持体１００よりも反応室１０の外寄りに位置する触媒体固定部１２に両端部が固定される。よって、複数の触媒線４２の延在方向（図１及び４中の矢印Ｄで示す方向）における保持体１００の両端部領域は、触媒線４２の並ぶ方向における保持体１００の両端部領域に比べて、触媒線４２までの距離が近い。したがって、反応室１０の内寄りと外寄りとでの基板２００の温度変化は、触媒線４２の延在方向では小さく、触媒線４２の並ぶ方向では大きい。
【００３８】
これに対し、複数の触媒線４２の並ぶ方向で反応室１０の外寄りに配置される開口部１１２の開口面積を、複数の触媒線４２の並ぶ方向で反応室１０の内寄りに配置される開口部１１２の開口面積よりも小さくすることで、複数の基板２００のそれぞれの温度をより均一にすることができる。この結果、各基板２００に形成される堆積膜の膜質をより均一にすることができる。
【００３９】
本実施の形態の概要は、次の通りである。基板保持部１３０は、複数の基板２００を保持可能であり、ベース部１１０は、複数の基板２００の少なくとも一部に対応する複数の開口部１１２を有し、複数の開口部１１２のうちいずれか１つの第１の開口部と、第１の開口部１１２よりも反応室１０の外寄りに位置する第２の開口部１１２とにおいて、第２の開口部１１２は、第１の開口部１１２よりも開口面積が小さくてもよい。
【００４０】
触媒体４０は、互いに平行に延在する複数の触媒線４２であり、基板保持部１３０は、複数の基板２００を保持可能であり、ベース部１１０は、複数の基板２００の少なくとも一部に対応する複数の開口部１１２を有し、複数の開口部１１２のうちいずれか１つの第３の開口部と、複数の触媒線４２が並ぶ方向で第３の開口部１１２よりも反応室１０の外寄りに位置する第４の開口部１１２とにおいて、第４の開口部１１２は、第３の開口部１１２よりも開口面積が小さくてもよい。
【００４１】
（実施の形態３）
実施の形態３に係る触媒ＣＶＤ装置１の構成は、ベース部１１０の構造が異なる点を除き、実施の形態１に係る触媒ＣＶＤ装置１の構成と共通する。以下、実施の形態３に係る触媒ＣＶＤ装置１について、実施の形態１と異なる構成を中心に説明し、共通する構成については説明を省略する。
【００４２】
図５（Ａ）は、実施の形態３に係る触媒ＣＶＤ装置１の概略構造を示す断面図である。図５（Ｂ）は、実施の形態３に係るベース部１１０の概略構造を示す背面図である。図５（Ｂ）では、触媒体４０とは反対側から見たベース部１１０を図示している。なお、図５（Ａ）では保持体１００は１枚のみであるが、実施の形態１と同様に複数枚であってもよい。本実施の形態に係る触媒ＣＶＤ装置１が備える保持体１００のベース部１１０は、触媒体４０とは反対側を向く裏面１１０ｂに突起部１１４を有する。突起部１１４は、ベース部１１０の裏面１１０ｂから触媒体４０とは反対側に突出する。突起部１１４は、好ましくは隣り合う開口部１１２の間に、開口部１１２に沿って配置される。例えば、図５（Ｂ）に示すように、突起部１１４は井桁状（ｄｏｕｂｌｅ  ｃｒｏｓｓ  ｆｏｒｍａｔｉｏｎ）に配置される。突起部１１４は、ベース部１１０と一体成形することができる。
【００４３】
例えば、触媒ＣＶＤ装置１での成膜処理中に一部の基板２００が破損した場合、破損した基板２００に向けて進行する分解種は、基板２００の破損部と、当該基板２００に対応する開口部１１２とを通過して、保持体１００の裏面側に至るおそれがある。保持体１００の裏面側に到達した分解種は、隣接する基板２００の裏面側に堆積する可能性がある。
【００４４】
これに対し、本実施の形態では、ベース部１１０が裏面１１２０ｂに突起部１１４を有する。一部の基板２００が破損した場合、破損した基板２００を通過した分解種は、隣接する基板２００側に進行すると突起部１１４に付着する。すなわち、突起部１１４は、分解種のトラップとして機能する。これにより、隣接する基板２００側に分解種が回り込むことを阻害することができる。この結果、一部の基板２００が破損した場合であっても、隣接する基板２００の裏面に分解種が堆積することを抑制することができる。よって、本実施の形態に係る触媒ＣＶＤ装置１によれば、堆積膜の膜質の低下を抑制するとともに、基板２００の裏面側への分解種の堆積を抑制することができる。
【００４５】
本実施の形態の概要は、次の通りである。ベース部１１０は、触媒体４０とは反対側を向く面に突起部１１４を有してもよい。
【００４６】
（実施の形態４）
実施の形態４に係る触媒ＣＶＤ装置１の構成は、ベース部１１０の構造が異なる点を除き、実施の形態１に係る触媒ＣＶＤ装置１の構成と共通する。以下、実施の形態４に係る触媒ＣＶＤ装置１について、実施の形態１と異なる構成を中心に説明し、共通する構成については説明を省略する。
【００４７】
図６は、実施の形態４に係るベース部１１０の概略構造を示す正面図である。図６では、触媒体４０側から見たベース部１１０を図示している。本実施の形態に係る触媒ＣＶＤ装置１が備える保持体１００のベース部１１０は、開口部１１２を覆う多孔部材１１６を有する。多孔部材１１６としては、メッシュ材やパンチングメタル等の、多数の孔を有するシートや板状体を例示することができる。多孔部材１１６は、ベース部１１０の裏面１１０ｂに固定されて開口部１１２を被覆する。多孔部材１１６の孔の大きさは、開口部１１２の大きさよりも小さい。多孔部材１１６の厚さは、特に限定されない。ベース部１１０の厚さと比べて十分薄い多孔部材１１６が用いられてもよいし、ベース部１１０と同程度の厚さを有する多孔部材１１６を用いられてもよい。多孔部材１１６には、ベース部１１０と同じ材料を用いることができる。
【００４８】
多孔部材１１６は、実施の形態４の突起部１１４と同様に、分解種のトラップとして機能する。すなわち、一部の基板２００が破損した場合、破損した基板２００を通過した分解種は、開口部１１２の出口において多孔部材１１６に付着する。これにより、分解種が隣接する基板２００側に回り込むことを阻害することができる。その結果、一部の基板２００が破損した場合であっても、隣接する基板２００の裏面に分解種が堆積することを抑制することができる。よって、本実施の形態に係る触媒ＣＶＤ装置１によれば、堆積膜の膜質の低下を抑制するとともに、基板２００の裏面側への分解種の堆積を抑制することができる。
【００４９】
本実施の形態の概要は、次の通りである。ベース部１１０は、開口部１１２を覆う多孔部材１１６を有してもよい。
【００５０】
（実施の形態５）
実施の形態５に係る触媒ＣＶＤ装置１の構成は、ベース部１１０の構造が異なる点を除き、実施の形態１に係る触媒ＣＶＤ装置１の構成と共通する。以下、実施の形態５に係る触媒ＣＶＤ装置１について、実施の形態１と異なる構成を中心に説明し、共通する構成については説明を省略する。
【００５１】
図７（Ａ）は、実施の形態５に係る触媒ＣＶＤ装置１の概略構造を示す断面図である。図７（Ｂ）は、実施の形態５に係るベース部１１０の概略構造を示す正面図である。図７（Ｂ）では、触媒体４０側から見たベース部１１０を図示している。なお、図７（Ａ）では保持体１００は１枚のみであるが、実施の形態１と同様に複数枚であってもよい。本実施の形態に係る触媒ＣＶＤ装置１において、ベース部１１０が有する開口部１１２は、ベース部１１０の触媒体４０側を向く表面１１０ａから反対側の裏面１１０ｂまで貫通する複数の微細な貫通孔１１８の集合体である。すなわち、開口部１１２は、開口内が隔壁により複数に区画されている。
【００５２】
開口部１１２を構成する貫通孔１１８は、実施の形態４の突起部１１４や実施の形態５の多孔部材１１６と同様に、分解種のトラップとして機能する。すなわち、一部の基板２００が破損した場合、破損した基板２００を通過した分解種は、貫通孔１１８に進入する。貫通孔１１８に進入した分解種は、貫通孔１１８の内壁面に付着する。開口部１１２を複数の微細な貫通孔１１８の集合体とすることで、開口部１１２を１つの大きな貫通孔で形成する場合に比べて、貫通孔の内壁面に付着する分解種の量を増やすことができる。これにより、分解種が隣接する基板２００側に回り込むことを阻害することができる。その結果、一部の基板２００が破損した場合であっても、隣接する基板２００の裏面に分解種が堆積することを抑制することができる。よって、本実施の形態に係る触媒ＣＶＤ装置１によれば、堆積膜の膜質の低下を抑制するとともに、基板２００の裏面側への分解種の堆積を抑制することができる。
【００５３】
本実施の形態の概要は、次の通りである。開口部１１２は、ベース部１１０の触媒体４０側を向く面から反対側の面まで貫通する複数の貫通孔１１８の集合体であってもよい。
【００５４】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
【００５５】
実施の形態１，２，５のそれぞれの開口部１１２と、実施の形態３の突起部１１４と、実施の形態５の多孔部材１１６とは、適宜組み合わせることができる。また、保持体１００が保持することができる基板２００の枚数は限定されず、１枚以上であればよい。また、実施の形態１〜５では、全ての基板２００に対して開口部１１２が設けられている。しかしながら、この構成に限定されず、少なくとも一部に対応する開口部１１２が設けられていれば、輻射線の反射抑制効果を得ることができる。例えば、反応室１０の最も外寄りに位置する基板２００には、対応する開口部１１２が設けられなくてもよい。
【００５６】
また、実施の形態１〜５において、開口部１１２の開口形状は矩形状である。しかしながら、開口部１１２の開口形状は限定されず、丸形等であってもよい。また、開口部１１２の開口形状は、基板２００の形状に合わせて適宜変更してもよい。
【００５７】
実施の形態１〜５において、各開口部１１２はそれぞれ１つの基板２００と重なっているが、１つの開口部１１２が複数の基板２００と重なってもよい。すなわち、ベース部１１０は、触媒体４０と保持体１００とが並ぶ方向から見て、保持体１００に基板２００が保持された場合に複数の基板２００が共通の開口部１１２と重なるように、開口部１１２を有してもよい。例えば、図８に示すように、１つの開口部１１２が、隣接する２枚の基板２００と重なってもよい。開口部１１２を複数の基板２００と重ねることで、開口部１１２の面積を増加させることができる。これにより、反応室１０の真空引きに要する時間を更に短縮することができる。
【００５８】
実施の形態１〜５の触媒ＣＶＤ装置１及び保持体１００は、非晶質Ｓｉ膜等の半導体膜やＳｉＮ膜等の半導体膜以外の膜の形成に用いることができる。さらに、触媒ＣＶＤ装置１及び保持体１００は、半導体膜及び半導体以外の膜の少なくとも一方を備える、太陽電池等の半導体デバイスの製造に用いることができる。また、実施の形態１〜５の触媒ＣＶＤ装置１は、反応室１０を１つのみ備える。しかしながら、この構成に限定されず、触媒ＣＶＤ装置１は複数の反応室１０を備えてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１  触媒ＣＶＤ装置、  １０  反応室、  ４０  触媒体、  ４２  触媒線、  １００  保持体、  １１０  ベース部、  １１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ  開口部、  １１４  突起部、  １１６  多孔部材、  １１８  貫通孔、  １３０  基板保持部、  ２００  基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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