(57)【要約】【課題】電気光学層を適正な厚さにすることができるともに、シール材を介しての水分の侵入を抑制することができる電気光学装置、電気光学装置を備えた電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００は、複数の画素電極９ａを一方面１０ｓに備えた素子基板１０と、素子基板１０の一方面１０ｓと電気光学層５０を介して対向する対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるシール材８０とを有している。シール材８０は、素子基板１０と対向基板２０との基板間隔を制御するギャップ材８１を含んでいる。対向基板２０には、シール材８０より囲まれた領域内に、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１をシール材８０と重なる領域２０ｅにおける基板間隔Ｇ２より広くする凹部２８がエッチングにより形成されている。【選択図】図３
2017191154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極を一方面に備えた素子基板と、
前記素子基板の前記一方面と電気光学層を介して対向する対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との基板間隔を制御するギャップ材を含んで前記素子基板
と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、
を有し、
前記素子基板および前記対向基板のうちの一方には、前記シール材より囲まれた領域内
に、表示領域における前記基板間隔を前記シール材と重なる領域における前記基板間隔よ
り広くする凹部が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記素子基板と前記対向基板との間には、前記シール材より外側に、導電粒子と接着剤
部分とを含んだ基板間導通材が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記凹部は、前記対向基板に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記凹部は、前記対向基板の基板本体に形成された有底の穴によって構成されているこ
とを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記対向基板は、基板本体と、前記基板本体の前記素子基板側に面に設けられた透光膜
と、を有し、
前記凹部は、前記透光膜に形成された穴によって構成されていることを特徴とする電気
光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置において、
前記透光膜は、第１透光膜と、前記第１透光膜に対して前記素子基板側に設けられた第
２透光膜と、を備え、
前記穴は、前記第２透光膜を貫通し、
前記穴の外側では、前記第１透光膜と前記第２透光膜との間にエッチングストッパー層
が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記シール材は、全周で繋がっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記電気光学層は、液晶層であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子
機器。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子機器において、
前記電気光学装置に光を供給する光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光
を投射する投射光学系と、を有していることを特徴とする請求項９に記載の電子機器。
【請求項１１】
複数の画素電極を一方面に備えた素子基板と、
前記素子基板の前記一方面と電気光学層を介して対向する対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との基板間隔を制御するギャップ材を含んで前記素子基板
と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、
を有する電気光学装置の製造方法において、
前記素子基板および前記対向基板のうちの一方には、前記シール材より囲まれる領域内
に、前記シール材より囲まれる領域内の表示領域における前記基板間隔を前記シール材と
重なる領域における前記基板間隔より広くする凹部をエッチングにより形成することを特
徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記凹部を形成するにあたっては、
基板本体に第１透光膜、エッチングストッパー層、および第２透光膜を順に積層した後
、前記第２透光膜の表面にエッチングマスクを形成した状態で前記エッチングストッパー
層に到達するまで前記第２透光膜をエッチングして前記凹部を形成し、
しかる後に、前記凹部の底部から前記エッチングストッパー層を除去することを特徴と
する電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板と対向基板とがシール材により貼り合わされた電気光学装置、電気
光学装置を備えた電子機器、および電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
代表的な電気光学装置である液晶装置は、図１２に模式的に示すように、複数の画素電
極９ａを一方面１０ｓに備えた素子基板１０と、素子基板１０の一方面１０ｓと電気光学
層５０を介して対向する対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる
シール材８０とを有しており、対向基板２０には共通電極２１が形成されている。シール
材８０は、接着剤部分８２と、接着剤部分８２に分散したビーズ状あるいはファイバー状
のギャップ材８１とからなる。このため、素子基板１０と対向基板２０との基板間隔Ｇ０
は、ギャップ材８１によって制御され、かかる基板間隔Ｇ０によって電気光学層５０の厚
さが制御される。
【０００３】
一方、電気光学層５０の厚さを適正な厚さとする技術として、図１３に示すように、シ
ール材８０と重なる領域における基板間隔Ｇ２をシール材８０により囲まれた領域におけ
る基板間隔Ｇ１より広くする段差部２０ｈ（凹部）を対向基板２０に設けた構造が提案さ
れている。かかる技術によれば、ギャップ材８１の外径を縮小せずに、電気光学層５０の
厚さを薄くすることができる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２０３２８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図１３に示すような構成の場合、シール材８０の厚さが厚くなるため、
水分が外部からシール材８０を介して内部に侵入しやすくなる。その結果、電気光学層５
０の劣化や、画素電極９ａおよび共通電極２１の劣化が発生しやすいという問題点がある
。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電気光学層を適正な厚さにすることができる
ともに、シール材を介しての水分の侵入を抑制することができる電気光学装置、電気光学
装置を備えた電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、複数の画素電極を
一方面に備えた素子基板と、前記素子基板の前記一方面と電気光学層を介して対向する対
向基板と、前記素子基板と前記対向基板との基板間隔を制御するギャップ材を含んで前記
素子基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、を有し、前記素子基板および前記
対向基板のうちの一方には、前記シール材より囲まれた領域内に、表示領域における前記
基板間隔を前記シール材と重なる領域における前記基板間隔より広くする凹部が形成され
ていることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る電気光学装置では、素子基板および対向基板の一方には、表示領域におけ
る基板間隔をシール材と重なる領域における基板間隔より広くする凹部が形成されている
ため、凹部の深さによって、表示領域における基板間隔（電気光学層の厚さ）を適正化す
ることができる。また、表示領域における基板間隔を適正化し場合でも、シール材と重な
る領域における基板間隔が変わらないので、シール材を変更する必要がない。また、表示
領域における基板間隔を適正化し場合でも、シール材と重なる領域における基板間隔が狭
いので、シール材が薄い。このため、シール材を介しての水分の侵入を抑制することがで
きる。
【０００９】
本発明において、前記素子基板と前記対向基板との間には、前記シール材より外側に、
導電粒子と接着剤部分とを含んだ基板間導通材が設けられている態様を採用ことができる
。かかる構成によれば、基板間導通材の導電粒子のサイズを変更する必要がないという利
点がある。
【００１０】
本発明において、前記凹部は、前記対向基板に設けられている態様を採用することがで
きる。かかる構成によれば、素子基板に凹部を設けた場合と違って、素子基板に設けた配
線等が凹部に起因する段差で断線する等の不具合が発生しにくい。
【００１１】
本発明において、前記凹部は、前記対向基板の基板本体に形成された有底の穴によって
構成されている態様を採用することができる。
【００１２】
本発明において、前記対向基板は、基板本体と、前記基板本体の前記素子基板側に面に
設けられた透光膜と、を有し、前記凹部は、前記透光膜に形成された穴によって構成され
ている態様を採用してもよい。
【００１３】
この場合、前記透光膜は、第１透光膜と、前記第１透光膜に対して前記素子基板側に設
けられた第２透光膜と、を備え、前記穴は、前記第２透光膜を貫通し、前記穴の外側では
、前記第１透光膜と前記第２透光膜との間にエッチングストッパー層が設けられている態
様を採用することができる。
【００１４】
本発明において、前記シール材は、全周で繋がっている態様を採用することができる。
【００１５】
本発明において、前記電気光学層は、液晶層である態様を採用することができる。
【００１６】
本発明は、複数の画素電極を一方面に備えた素子基板と、前記素子基板の前記一方面と
電気光学層を介して対向する対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との基板間隔を制
御するギャップ材を含んで前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、を
有する電気光学装置の製造方法において、前記素子基板および前記対向基板のうちの一方
には、前記シール材より囲まれる領域内に、前記シール材より囲まれる領域内の表示領域
における前記基板間隔を前記シール材と重なる領域における前記基板間隔より広くする凹
部をエッチングにより形成することを特徴とする。
【００１７】
本発明において、前記凹部を形成するにあたっては、基板本体に第１透光膜、エッチン
グストッパー層、および第２透光膜を順に積層した後、前記第２透光膜の表面にエッチン
グマスクを形成した状態で前記エッチングストッパー層に到達するまで前記第２透光膜を
エッチングして前記凹部を形成し、しかる後に、前記凹部の底部から前記エッチングスト
ッパー層を除去する態様を採用することができる。かかる態様によれば、第２透光膜およ
びエッチングストッパー層の厚さによって凹部の深さを制御することができる。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置は各種電子機器に用いることができる。ここで、電子機器と
して投射型表示装置を構成する場合、投射型表示装置は、本発明に係る電気光学装置と、
該電気光学装置に光を供給する光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投
射する投射光学系と、を有している。また、本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話
機やモバイルコンピューター等の電子機器において表示部を構成するのに用いることもで
きる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の一態様の平面図である。
【図２】図１に示す電気光学装置のＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】図１に示す電気光学装置の断面を模式的に拡大して示す説明図である。
【図４】図１に示す電気光学装置において電気光学層の厚さを変えた場合の断面を模式的に拡大して示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】電気光学装置におけるシール材の厚さと高温高湿試験結果との関係を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の断面を模式的に拡大して示す説明図である。
【図８】図７に示す電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の断面を模式的に拡大して示す説明図である。
【図１０】図９に示す電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。
【図１２】本発明の比較例に係る電気光学装置の説明図である。
【図１３】本発明の別の比較例に係る電気光学装置の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては
、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を
異ならしめてある。また、以下の説明では、図１２および図１３を参照して説明した構成
との対応が分りやすいように、対応する部材には同一の符号を付して説明する。
【００２１】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の一態様の平面図であり、各
構成要素と共に対向基板２０の側から見た様子を示してある。図２は、図１に示す電気光
学装置１００のＨ−Ｈ′断面図である。図３は、図１に示す電気光学装置１００の断面を
模式的に拡大して示す説明図であり、図１に示すＪ−Ｊ′線に沿って電気光学装置１００
を切断したときの断面図に相当する。なお、図３において、素子基板１０では画素電極９
ａ、基板間導通用電極１０９、およびシール材８０と重なる領域に存在する層間絶縁膜４
３等の膜のみを示し、対向基板２０では共通電極２１のみを示してある。また、図２およ
び図３では、シール材８０に含まれるギャップ材８１を１つのみ表してあるが、ギャップ
材８１は、シール材８０の幅方向において複数、存在する。
【００２２】
図１および図２に示すように、電気光学装置１００は、液晶パネル１００ｐを有してい
る。液晶パネル１００ｐは、複数の画素電極９ａを一方面１０ｓに備えた素子基板１０と
、素子基板１０の一方面１０ｓと電気光学層５０を介して対向する対向基板２０と、素子
基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるシール材８０とを有している。素子基板１０に
おいて、画素電極９ａの上層側（対向基板２０側）には、ポリイミド等の樹脂膜、あるい
はシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる配向膜１６が形成されている。対向基板２０に
は共通電極２１が形成され、共通電極２１の上層側（素子基板１０側）には、ポリイミド
等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる配向膜２６が形成されてい
る。
【００２３】
シール材８０は対向基板２０の外周縁に沿うように環状に配置されている。シール材８
０は、ビーズ状あるいはファイバー状のギャップ材８１を含む接着剤部分８２からなり、
ギャップ材８１は、接着剤部分８２中に分散し、素子基板１０と対向基板２０との基板間
隔を制御している。
【００２４】
電気光学装置１００において、素子基板１０と対向基板２０との間では、シール材８０
で囲まれた領域内に液晶層からなる電気光学層５０が保持されている。本形態では、電気
光学層５０を設けるにあたって、液晶滴下注入法（ＯＤＦ（ＯｎｅＤｒｏｐ  Ｆｉｌｌ）
法）が用いられている。かかる方法では、例えば、素子基板１０の側にシール材８０を設
けた後、シール材８０の内側に液状の電気光学材料を滴下し、その後、素子基板１０と対
向基板２０と貼り合わせる。このため、シール材８０は全周で繋がっている。なお、シー
ル材８０の一部が途切れた状態で素子基板１０を対向基板２０と貼り合わせ、その後、シ
ール材８０の途切れ部分から液状の電気光学材料を真空注入してもよい。この場合、シー
ル材８０の途切れ部分を封止材によって塞ぐことになる。
【００２５】
素子基板１０に用いた基板本体１０ｄは、例えば、石英基板やガラス基板であり、対向
基板２０に用いた基板本体２０ｄも、基板本体１０ｄと同様、石英基板やガラス基板であ
る。なお、電気光学装置１００を反射型として構成する場合、基板本体１０ｄおよび基板
本体２０ｄのうち、外光が入射する側の基板本体には透光性であることが求められるが、
他方の基板本体については透光性である必要はない。これに対して、電気光学装置１００
を透過型として構成する場合、基板本体１０ｄおよび基板本体２０ｄの双方が透光性を有
していることが求められる。
【００２６】
対向基板２０において、基板本体２０ｄの一方面には、シール材８０の内縁に沿うよう
に延在する遮光性の見切り１０８が形成され、見切り１０８の内側が表示領域１０ａとさ
れている。なお、見切り１０８を構成する遮光性材料は、ブラックマトリクスとして、隣
り合う画素電極９ａの間と対向する位置に設けられることもある。素子基板１０において
、表示領域１０ａの外側領域では、基板本体１０ｄの一方面に、素子基板１０の一辺に沿
ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接
する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、基板本体１０ｄの一
方面には、画素電極９ａに加えて、画素電極９ａに電気的に接続された画素トランジスタ
ーや配線等が形成されている。また、基板本体２０ｄの一方面には共通電極２１が形成さ
れている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、シール材８
０より外側で素子基板１０の基板間導通用電極１０９と、対向基板２０の共通電極２１と
の間で電気的導通をとるための基板間導通材８６が形成されている。
【００２７】
本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極９ａおよび
共通電極２１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の
液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、対向基板２０から入射した光が素子基板
１０から出射される間に光変調されて画像を表示する。また、電気光学装置１００が反射
型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により
形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる
反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、対向基板２０から入射した光が素子基板
１０で反射して出射される間に光変調されて画像を表示する。
【００２８】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカ
ラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０側には、カラーフィルタ
ー（図示せず）や保護膜が形成される。また、電気光学装置１００は、後述する投射型表
示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることがで
きる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイク
ロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるの
で、カラーフィルターは形成されない。
【００２９】
（電気光学層５０の厚さの制御）
図４は、図１に示す電気光学装置１００において電気光学層５０の厚さを変えた場合の
断面を模式的に拡大して示す説明図であり、図３に対応する。図２および図３において、
電気光学装置１００では、リタデーション等の最適化等を目的に、電気光学層５０の厚さ
を適正化する必要がある。かかる要求に対応するにあたって、本形態では、シール材８０
の種類（ギャップ材８１のサイズ）を変えずに、素子基板１０および対向基板２０のうち
の一方に対して、シール材８０より囲まれた領域内に、シール材８０より囲まれた領域内
の表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１をシール材８０と重なる領域２０ｅにおける基板
間隔Ｇ２より広くする凹部２８が形成されている。
【００３０】
本形態では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０に凹部２８が形成
されており、凹部２８の底部は平面である。凹部２８は、一定厚の基板本体２０ｄの一部
をウエットエッチングやドライエッチング等によって掘り込んだ有底の穴２２によって構
成されている。このため、基板本体２０ｄにおいて、穴２２が形成されている領域は肉薄
部になっている。
【００３１】
また、対向基板２０において、共通電極２１は、対向基板２０の全体に形成されている
。このため、共通電極２１は、凹部２８の内側（底部）から凹部２８の外側まで連続的に
形成されている。また、対向基板２０において、見切り１０８は、凹部２８の外側の領域
に形成されている。但し、見切り１０８については、凹部２８の内側（底部）に見切り１
０８を形成してもよい。また、凹部２８の側面についてはテーパー面とすることが好まし
く、かかる構成によれば、共通電極２１に段差切れが発生することを抑制することができ
る。
【００３２】
また、素子基板１０と対向基板２０との間には、シール材８０より外側に基板間導通材
８６が設けられている。かかる基板間導通材８６は、プラスチックビーズ等の表面に金あ
るいは銀等の金属層を設けた導電粒子８７と、接着剤部分８８とからなり、素子基板１０
に形成された基板間導通用電極１０９と対向基板２０の共通電極２１とを導通させている
。このため、基板間導通用電極１０９は、基板間導通材８６を介して共通電極２１に共通
電位を供給可能である。
【００３３】
なお、図３に示す形態において、凹部２８の深さは、ｄ１である。このため、表示領域
１０ａにおける基板間隔Ｇ１（電気光学層５０の厚さ）は、凹部２８の深さｄ１と、シー
ル材８０と重なる領域２０ｅにおける基板間隔Ｇ２との和である。これに対して、図４に
示すように、凹部２８の深さをｄ２（ｄ１＞ｄ２）すれば、表示領域１０ａにおける基板
間隔Ｇ１（電気光学層５０の厚さ）は、凹部２８の深さｄ２と、シール材８０と重なる領
域２０ｅにおける基板間隔Ｇ２との和となる。従って、表示領域１０ａにおける基板間隔
Ｇ１（電気光学層５０の厚さ）を最適な値とする際には、シール材８０と重なる領域２０
ｅにおける基板間隔Ｇ２を変えずに、凹部２８の深さを変えればよい。
【００３４】
（製造方法）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図
であり、電気光学装置１００の製造工程のうち、対向基板２０に凹部２８を形成する工程
を示してある。本形態では、まず、図５に示す工程ＳＴ１１において、対向基板２０の基
板本体１０ｄに対して、表示領域１０ａを含む領域が開口部４１１になったエッチングマ
スク４１０を形成する。次に、図５に示す工程ＳＴ１２において、開口部４１１から基板
本体１０ｄにエッチングを行って穴２２を形成した後、そのエッチングマスク４１０を除
去する。次に、図５に示す工程ＳＴ１３において、対向基板２０に見切り１０８を形成し
た後、図５に示す工程ＳＴ１４において、共通電極２１を形成する。その結果、共通電極
２１には、穴２２が反映された凹部２８が形成される。なお、見切り１０８については、
基板本体１０ｄにおいて凹部２８の外側の領域、および凹部２８の内側（底部）のいずれ
に形成してもよい。また、図５に示す工程ＳＴ１４においては、シリコン酸化膜等の保護
膜（図示せず）を形成した後、共通電極２１を形成してもよい。
【００３５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００の対向基板２０には、表示領域１０
ａにおける基板間隔Ｇ１をシール材８０と重なる領域２０ｅにおける基板間隔Ｇ２より広
くする凹部２８が形成されているため、凹部２８の深さによって、表示領域１０ａにおけ
る基板間隔Ｇ１（電気光学層５０の厚さ）を適正化することができる。
【００３６】
また、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１を適正化した場合でも、シール材８０と重
なる領域２０ｅにおける基板間隔Ｇ２が変わらないので、シール材８０を変更する必要が
ない。また、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１を適正化し場合でも、シール材８０と
重なる領域における基板間隔Ｇ２が狭いので、シール材８０が薄い。このため、シール材
８０を介しての水分の侵入を抑制することができる。
【００３７】
図６は、電気光学装置１００におけるシール材８０の厚さと高温高湿試験結果との関係
を示す説明図である。シール材８０の厚さとシール材８０を介しての水分の侵入との関係
を検討するために、シール材８０と重なる領域における基板間隔Ｇ２を変化させた液晶パ
ネル１００ｐを制作し、かかる液晶パネル１００ｐを温度が８５°、湿度が８５％の条件
で７２時間放置した後のＩＴＯ膜の比抵抗を調査した。その結果を図６に示す。図６から
わかるように、シール材８０と重なる領域における基板間隔Ｇ２が狭い程、ＩＴＯ膜の劣
化（吸湿による比抵抗抵抗）が小さい傾向にある。すなわち、シール材８０と重なる領域
における基板間隔Ｇ２が狭い程、シール材８０が薄いため、シール材８０を介しての水分
の侵入が少ないといえる。
【００３８】
また、本形態では。素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材８０より外側
に、導電粒子８７と接着剤部分８８とを含んだ基板間導通材８６が設けられている。この
ため、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１を適正化した場合でも、基板間導通材８６の
導電粒子８７のサイズを変更する必要がないという利点がある。
【００３９】
また、本形態では、凹部２８が対向基板２０に設けられている。このため、素子基板１
０に凹部を設けた場合と違って、素子基板１０に設けた配線等が凹部に起因する段差で断
線する等の不具合が発生しにくい。
【００４０】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の断面を模式的に拡大して示
す説明図であり、図３に対応する。図８は、図７に示す電気光学装置１００の製造方法を
示す工程断面図であり、電気光学装置１００の製造工程のうち、対向基板２０に凹部２８
を形成する工程を示してある。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であ
るため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００４１】
図７に示すように、本形態の電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、対向基板
２０には、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１をシール材８０と重なる領域２０ｅにお
ける基板間隔Ｇ２より広くする凹部２８が形成されている。ここで、対向基板２０では、
基板本体１０ｄの素子基板１０側の面にシリコン酸化膜等からなる透光膜２３が形成され
ており、凹部２８は、透光膜２３に形成された穴２３０によって構成されている。本形態
において、穴２３０は、透光膜２３を貫通している。このため、対向基板２０には、透光
膜２３の厚さに相当する深さの凹部２８が形成されている。
【００４２】
本形態でも、共通電極２１は、凹部２８の内側（底部）から凹部２８の外側まで連続的
に形成されている。また、対向基板２０において、見切り１０８は、基板本体１０ｄにお
いて凹部２８の外側の領域において、基板本体２０ｄと透光膜２３との間に形成されてい
る。また、素子基板１０と対向基板２０との間には、シール材８０より外側に基板間導通
材８６が設けられている。なお、見切り１０８については、透光膜２３に対して基板本体
２０ｄとは反対側の面（透光膜２３と共通電極２１との間）に形成してもよい。
【００４３】
本形態において、対向基板２０に凹部２８を形成するには、図８に示す工程ＳＴ２１に
おいて、対向基板２０の基板本体１０ｄに対して見切り１０８を形成した後、シリコン酸
化膜等からなる透光膜２３を形成する。次に、図８に示す工程ＳＴ２２において、表示領
域１０ａを含む領域が開口部４２１になったエッチングマスク４２０を形成する。次に、
図８に示す工程ＳＴ２３において、開口部４２１から透光膜２３にエッチングを行って穴
２３０を形成した後、エッチングマスク４２０を除去する。次に、図８に示す工程ＳＴ２
４において、共通電極２１を形成する。なお、図８に示す工程ＳＴ２４においては、シリ
コン酸化膜等の保護膜（図示せず）を形成した後、共通電極２１を形成してもよい。
【００４４】
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００の対向基板２０にも、実施の形態１
と同様、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１をシール材８０と重なる領域２０ｅにおけ
る基板間隔Ｇ２より広くする凹部２８が形成されているため、凹部２８の深さによって、
表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１（電気光学層５０の厚さ）を適正化することができ
る。また、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１を適正化し場合でも、シール材８０と重
なる領域２０ｅにおける基板間隔Ｇ２が変わらないので、シール材８０を変更する必要が
ない。また、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１を適正化し場合でも、シール材８０と
重なる領域における基板間隔Ｇ２が狭いので、シール材８０が薄い。このため、シール材
８０を介しての水分の侵入を抑制することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。また、本形態では、透光膜２３を貫通する穴２３０によって凹部２３を構成したため
、透光膜２３の厚さによって凹部２８の深さを制御することができるため、凹部２８の深
さを制御しやすい。また、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１（電気光学層５０の厚さ
）を変更するには、透光膜２３の厚さを変更すればよい。また、本形態では、シール材８
０と重なる領域に透光膜２３が、この層は透光性であるため、シール材８０を光硬化させ
る際の妨げになりにくい。
【００４５】
なお、本形態では、穴２３０が透光膜２３を貫通していたが、穴２３０を透光膜２３の
厚さ方向の途中位置まで形成してもよい。
【００４６】
［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の断面を模式的に拡大して示
す説明図であり、図３に対応する。図１０は、図９に示す電気光学装置１００の製造方法
を示す工程断面図であり、電気光学装置１００の製造工程のうち、対向基板２０に凹部２
８を形成する工程を示してある。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様で
あるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００４７】
図９に示すように、本形態の電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、対向基板
２０には、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１をシール材８０と重なる領域２０ｅにお
ける基板間隔Ｇ２より広くする凹部２８が形成されている。本形態でも、実施の形態２と
同様、対向基板２０では、基板本体１０ｄの素子基板１０側の面にシリコン酸化膜等から
なる透光膜２３が形成されており、凹部２８は、透光膜２３に形成された穴によって構成
されている。
【００４８】
本形態において、透光膜２３は、第１透光膜２４と、第１透光膜２４に対して素子基板
１０側に設けられた第２透光膜２５とを備えており、第２透光膜２５には、第２透光膜２
５を貫通する穴２５０が形成されている。このため、凹部２８は、第２透光膜２５に形成
された穴２５０によって構成されている。また、穴２５０の外側では、第１透光膜２４と
第２透光膜２５との間にシリコン膜等からなるエッチングストッパー層２７が設けられて
いる。
【００４９】
本形態でも、共通電極２１は、凹部２８の内側（底部）から凹部２８の外側まで連続的
に形成されている。また、対向基板２０において、見切り１０８は、基板本体１０ｄにお
いて凹部２８の外側の領域において、基板本体２０ｄと第１透光膜２４との間に形成され
ている。
【００５０】
本形態において、対向基板２０に凹部２８を形成するには、図１０に示す工程ＳＴ３１
において、対向基板２０の基板本体１０ｄに対して見切り１０８を形成した後、シリコン
酸化膜等からなる第１透光膜２４を形成する。次に、図１０に示す工程ＳＴ３２において
、第１透光膜２４の上層にＩＴＯ膜等の透光性のエッチングストッパー層２７を形成する
。次に、図１０に示す工程ＳＴ３３において、エッチングストッパー層２７の上層にシリ
コン酸化膜等からなる第２透光膜２５を形成する。
【００５１】
次に、図１０に示す工程ＳＴ３４において、表示領域１０ａを含む領域が開口部４３１
になったエッチングマスク４３０を形成する。次に、図１０に示す工程ＳＴ３５において
、開口部４３１から第２透光膜２５にウエットエッチングを行って穴２５０（凹部２８）
を形成した後、エッチングマスク４３０を除去する。次に、図１０に示す工程ＳＴ３６に
おいて、穴２５０の底部（凹部２８の底部）から露出するエッチングストッパー層２７を
ウエットエッチングにより除去する。
【００５２】
次に、図１０に示す工程ＳＴ３７において、共通電極２１を形成する。なお、図１０に
示す工程ＳＴ３７においては、シリコン酸化膜等の保護膜（図示せず）を形成した後、共
通電極２１を形成してもよい。
【００５３】
かかる製造方法によれば、第２透光膜２５およびエッチングストッパー層２７を成膜し
たときの厚さによって凹部２８の深さが規定される。それ故、凹部２８の深さを精度よく
制御することができる。また、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１（電気光学層５０の
厚さ）を変更するには、第２透光膜２５の厚さを変更すればよい。
【００５４】
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００の対向基板２０にも、実施の形態１
と同様、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１をシール材８０と重なる領域２０ｅにおけ
る基板間隔Ｇ２より広くする凹部２８が形成されているため、凹部２８の深さによって、
表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１（電気光学層５０の厚さ）を適正化することができ
る。また、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１を適正化し場合でも、シール材８０と重
なる領域２０ｅにおける基板間隔Ｇ２が変わらないので、シール材８０を変更する必要が
ない。また、表示領域１０ａにおける基板間隔Ｇ１を適正化し場合でも、シール材８０と
重なる領域における基板間隔Ｇ２が狭いので、シール材８０が薄い。このため、シール材
８０を介しての水分の侵入を抑制することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。また、本形態では、シール材８０と重なる領域に第１透光膜２４、エッチングストッ
パー層２７および第２透光膜２５が残るが、これらの層はいずれも透光性であるため、シ
ール材８０を光硬化させる際の妨げになりにくい。
【００５５】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、対向基板２０に凹部２８を形成したが、素子基板１０に凹部２８
を形成してもよい。
【００５６】
上記実施の形態では、電気光学装置１００として液晶装置を例示したが、電気泳動表示
装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等、他の電気光学装置に本発明を適用してもよ
い。
【００５７】
［電子機器への搭載例］
図１１は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）
の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数
の電気光学装置１００が用いられているが、いずれの電気光学装置１００にも、本発明を
適用した電気光学装置１００が用いられている。
【００５８】
図１１に示す投射型表示装置１１０は、透過型の電気光学装置１００を用いた液晶プロ
ジェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材１１１に光を照射し、画像を表示す
る。投射型表示装置１１０は、装置光軸Ｌ０に沿って、照明装置１６０と、照明装置１６
０から出射された光が供給される複数の電気光学装置１００（液晶ライトバルブ１１５〜
１１７）と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイ
クロイックプリズム１１９（光合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１１９に
より合成された光を投射する投射光学系１１８とを有している。また、投射型表示装置１
１０は、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０を備えている。投
射型表示装置１１０において、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム
１１９は、光学ユニット１５０を構成している。
【００５９】
照明装置１６０では、装置光軸Ｌ０に沿って、光源部１６１、フライアイレンズ等のレ
ンズアレイからなる第１インテグレーターレンズ１６２、フライアイレンズ等のレンズア
レイからなる第２インテグレーターレンズ１６３、偏光変換素子１６４、およびコンデン
サーレンズ１６５が順に配置されている。光源部１６１は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青
色光Ｂを含む白色光を出射する光源１６８と、リフレクター１６９とを備えている。光源
１６８は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター１６９は、放物線状の
断面を有している。第１インテグレーターレンズ１６２および第２インテグレーターレン
ズ１６３は、光源部１６１から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子１６
４は、光源部１６１から出射された光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する
偏光にする。
【００６０】
ダイクロイックミラー１１３は、照明装置１６０から出射された光に含まれる赤色光Ｒ
を透過させるともに、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１１４
は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち、青色光Ｂ
を透過させるともに緑色光Ｇを反射する。このように、ダイクロイックミラー１１３、１
１４は、照明装置１６０から出射された光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分離す
る色分離光学系を構成している。
【００６１】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３
で反射した赤色光Ｒを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。液
晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置
１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここ
で、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過
しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００６２】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光
板である。電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に
応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっ
ている。第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従
って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光
Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。λ／２位相差板１１５ａお
よび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態
で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪
むのを回避することができる。
【００６３】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイッ
クミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１
００である。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板
１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）、および第２偏光板１１
６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラ
ー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を
遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１
００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は
楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏
光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑
色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射
する。
【００６４】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミ
ラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透
過型の電気光学装置１００である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５
、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００
（青色用電気光学装置１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。液晶ライト
バルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイ
ックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂ
で反射することから、ｓ偏光となっている。
【００６５】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光
板である。電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に
応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっ
ている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従
って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光
Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。なお、λ／２位相差板１１
７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００６６】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂ
とを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる
光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラ
ー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。リレーレンズ１２４ｂは、反射
ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイッ
クミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１
２４ｂに向けて反射する。反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青
色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射する。
【００６７】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂ
をＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反
射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑
色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライ
トバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成
し、投射光学系１１８に向けて出射する。
【００６８】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１
１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム１１
９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一
般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため
、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光
とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投
射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム
１１９で合成された光をスクリーン等の被投射部材１１１に投射する。
【００６９】
［他の投射型表示装置］
上記投射型表示装置において、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い
、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の電気光学装置に供給するように構成
してもよい。
【００７０】
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、投射型の
ＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）
、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓ
ｔａｎｔｓ）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話等に
用いてもよい。
【符号の説明】
【００７１】
９ａ…画素電極、１０…素子基板、１０ａ…表示領域、１０ｄ、２０ｄ…基板本体、１０
ｓ…一方面、１６、２６…配向膜、２０…対向基板、２０ｅ…領域、２２、２３０、２５
０…穴、２８…凹部、２１…共通電極、２３…透光膜、２４…第１透光膜、２５…第２透
光膜、２７…エッチングストッパー層、５０…電気光学層、８０…シール材、８１…ギャ
ップ材、８２、８８…接着剤部分、８６…基板間導通材、８７…導電粒子、１００…電気
光学装置、１００ｐ…液晶パネル、１０８…見切り、１０９…基板間導通用電極。
【図１】
2017191154.tif 000003
【図２】
2017191154.tif 000004
【図３】
2017191154.tif 000005
【図４】
2017191154.tif 000006
【図５】
2017191154.tif 000007
【図６】
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【図７】
2017191154.tif 000009
【図８】
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【図９】
2017191154.tif 000011
【図１０】
2017191154.tif 000012
【図１１】
2017191154.tif 000013
【図１２】
2017191154.tif 000014
【図１３】
2017191154.tif 000015