(57)【要約】【課題】個体識別情報を有する半導体チップについて、従来に比べて低コスト化を図ることができる半導体チップ及び該半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】個体識別情報が付される半導体チップ５０は、当該半導体チップにおける電極の一つと電気的に接続しかつ当該半導体チップに重なり配置された状態にある通電電極１を有し、この通電電極は、当該通電電極における形状及び光反射率の少なくとも一方が異なる、個体識別情報を表した複数のドット２０を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
個体識別情報が付される半導体チップであって、
当該半導体チップにおける電極の一つと電気的に接続しかつ当該半導体チップに重なり配置された状態にある通電電極を備え、
上記通電電極は、当該通電電極における形状及び光反射率の少なくとも一方が異なる、上記個体識別情報を表した複数のドットを有する、
ことを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
上記ドットは、凹状形状であり、その大きさが２００μｍ〜１ｍｍである、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項３】
上記ドットは、凹状形状であり、その深さが０を超え１μｍ以下である、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項４】
上記ドットは、凹状形状であり、上記通電電極におけるドット部分の結晶粒径が非ドット領域の結晶粒径に対して同等もしくは５０％以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体チップ。
【請求項５】
個体識別情報が付される半導体チップの製造方法であって、
当該半導体チップにおける電極の一つと電気的に接続して当該半導体チップに重ねて通電電極を形成し、
当該半導体チップの電気特性測定用のプローブピンを上記通電電極に接触させた複数のコンタクト痕にて上記個体識別情報を上記通電電極に形成する、
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項６】
上記個体識別情報は、上記コンタクト痕の大きさの相違で表示され、この大きさの相違は、電気特性測定時における上記プローブピンへの通電電流値を変化させて制御する、請求項５に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項７】
上記個体識別情報は、上記通電電極における上記コンタクト痕の光反射率の相違で表示され、この光反射率の相違は、電気特性測定時における上記プローブピンへの電流遮断方法を変化させて制御する、請求項５又は６に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個体識別情報が付される半導体チップ、及び該半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体チップには、その表面に、当該半導体チップに対する通電及び電気特性測定を行うための入出力パッドに加えて、当該半導体チップの良否結果さらには個体識別情報をマーキングするための識別用パッドを設けたものが存在する。このような半導体チップに対するプローバ装置では、入出力パッドに電気的に接続する検査用プローブピンと、識別用パッドに接触する識別用プローブピンとを有し、検査用プローブピンで得られた情報が識別用プローブピンを用いて識別用パッドに機械的にマーキングされる。このようにして半導体チップの個体識別情報が当該半導体チップへ付与されている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３５１９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えばパワー（電力用）半導体チップ等に対して、入出力パッドに加えて、上述の個体識別マーキングを施すための識別用パッドを適用する場合には、所望の電流容量に対応して必要となるチップ面積以上に、パワー半導体チップサイズが大型化してしまう。その結果、半導体ウエハ１枚あたりに製造できる理論チップ数が減少し、低コスト化が図れないあるいは資源の無駄が発生するという問題点があった。
【０００５】
また、特許文献１に開示されるようなプローバ装置では、検査用プローブピンと、識別用プローブピンとをそれぞれ有するため、検査用動作と識別用動作との２回のコンタクト動作が必要である。よって、半導体装置の製造において、時間的な製造コストが増加するという問題点もあった。
【０００６】
本発明は、上述したような問題点を解決するためになされたものであり、個体識別情報を付加する半導体チップについて、従来に比べて低コスト化を図ることができる半導体チップ及び該半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の第１態様における半導体チップは、個体識別情報が付される半導体チップであって、当該半導体チップにおける電極の一つと電気的に接続しかつ当該半導体チップに重なり配置された状態にある通電電極を備え、上記通電電極は、当該通電電極における形状及び光反射率の少なくとも一方が異なる、上記個体識別情報を表した複数のドットを有する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の第１態様における半導体チップによれば、半導体チップは通電電極を備え、この通電電極は半導体チップの個体識別情報を有する。よって、半導体チップに個体識別情報用のパッドを別途設ける必要はなく、半導体チップの有効面積内に個体識別情報を付与することが可能になる。その結果、チップサイズの抑制が可能であり、従来に比べて低コスト化と省資源化を図る効果が得られる。
【０００９】
また、通電電極への個体識別情報の付加は、半導体チップにおける電気特性測定時のコンタクト動作によって行うことができる。よって、半導体チップの電気特性測定と、個体識別情報のマーキングとを同じコンタクト動作にて行うことができ、処理時間の短縮をも図ることが可能になる。この点からも従来に比べて低コスト化を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１における半導体チップの平面図であり、通電電極に形成されるドットを示した平面図である。
【図２】実施の形態１における半導体チップの平面図であり、通電電極においてドットを用いて表した個体識別情報の一例を示す平面図である。
【図３】実施の形態２における半導体チップの平面図であり、通電電極に形成されるドットの場所を説明するための平面図である。
【図４】実施の形態２における半導体チップの平面図であり、通電電極においてドットを用いて表した個体識別情報の一例を示す平面図である。
【図５】図４に示すドット形態と１０進数値との関係を示す図である。
【図６】実施の形態１、２における半導体チップの通電電極に測定プローブピンでドットを形成する状態を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施形態である半導体チップ及びこの半導体チップの製造方法について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。また、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け当業者の理解を容易にするため、既によく知られた事項の詳細説明及び実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。また、以下の説明及び添付図面の内容は、特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。
【００１２】
実施形態における半導体チップについて概略を説明すると、当該半導体チップは、その表面に例えばＡｌあるいはＡｌＳｉからなる通電電極を備え、この通電電極に、サイズ及び光反射率の少なくとも一方が異なるドットにより構成される個体識別情報を有する半導体チップである。この個体識別情報を構成するドットは、当該半導体チップの電気測定工程における測定プローブピンと通電電極との接触によるコンタクト痕によって形成される。このような半導体チップ及びその製造方法について、より具体的に詳しく以下に説明する。尚、以下の実施の形態では、通電電極はＡｌＳｉで形成される場合を例に採る。
【００１３】
実施の形態１．
本実施の形態では、半導体チップの一例としてパワー半導体素子であるＩＧＢＴを例に採り、図１にはＩＧＢＴ５０を表面から見た平面図が示されている。ＩＧＢＴ５０は、エミッタ電極及びゲート電極を有し、このエミッタ電極及びゲート電極の表面には、ＡｌＳｉをスパッタリングすることによって形成される通電電極１が形成されている。また通電電極１には、ＩＧＢＴ５０の外部からゲート電極を駆動するためのゲート配線をボンディングするためのゲートパッド２が通電電極１と電気的絶縁を図って設けられる。また通電電極１には、必要な耐圧を保持するための終端領域３が通電電極１の外周部に設けられている。
【００１４】
さらに通電電極１は、当該半導体チップの、ここではＩＧＢＴ５０の、個体識別情報を表すための表示部として形成された複数種類のドット４〜７（総称してドット２０と記す）を有する。図１では、大きさが異なる３種類の小ドット４、中ドット５、大ドット６と、色の異なる黒ドット７とを示している。
しかしながら、通電電極１が有するドット２０の種類及び数は、図１に示す形態に限定するものではなく、通電電極１が複数のドット２０を有すればよく、この複数のドット２０間において、大きさ及び色の少なくとも一方が異なっていればよい。
また、このような観点から通電電極１は、半導体チップにおける電極の一つと電気的に接続して当該半導体チップに重なり配置される、例えば個体識別情報付加膜と表現することもできる。
【００１５】
また図１では、理解を容易にするためドット２０のサイズを誇張して表示している。実際には、ドット４〜６は、直径が２００μｍ〜１ｍｍの範囲にあり、小ドット４は一例として約２００μｍ〜２５０μｍ程度の範囲であり、中ドット５は一例として約５００μｍ〜５５０μｍ程度の範囲であり、大ドット６は一例として８００μｍ〜８５０μｍ程度の範囲である。また、ドット４〜６の深さは、ともに０を超え１μｍ以下の範囲にあり、ドット４〜６は、一例として０．５μｍ程度の深さを有する下に向かって凸形状である。また、ドット４〜６の光反射率は、通電電極１においてドット２０を形成していない非ドット領域１ｂでの光反射率に対して８０〜９０％程度である。
【００１６】
このようにドット２０においてサイズを分類することにより、小ドット４、中ドット５、大ドット６の区別が容易になる。また、その大きさを２００μｍ〜１ｍｍのサイズにしたことから、後段の組立て工程におけるワイヤボンディングにて、ドット２０を避ける際にも邪魔にならず、かつ、目視でドットサイズを分類することも可能となる。
【００１７】
黒ドット７は、その直径が２００μｍ〜１ｍｍの範囲にあり、一例として約８５０μｍ〜約９００μｍの範囲であり、大ドット６と略同程度の大きさにある。しかしながら、黒ドット７の光反射率は、非ドット領域１ｂに対して約３０〜４０％程度である。よって裸眼目視では、通電電極１が略白色であるのに対して、黒ドット７は、灰色から略黒色である。その結果、黒ドット７は、視認性が良く、サイズ的に近い大ドット６に対して識別が容易である。また、黒ドット７の深さは、０を超え１μｍ以下であり、一例として０．５μｍ程度である。
【００１８】
上述した、ドット２０における大きさ及び色は、図６に示す測定プローブピン８０及びドット制御装置８５を用いて、通電電極１に接触する測定プローブピン８０のコンタクト痕を変化させることで得ることができる。これについては、後述の半導体チップ製造方法における説明で詳しく述べる。
【００１９】
本実施の形態１を含めて以下に説明する実施の形態では、通電電極１におけるドット２０の有無によって情報のビットを形成するのではなく、ドット２０のサイズ、及び、ドット２０の光反射率の相違に起因する色によって、半導体チップに対して、当該半導体チップの個体識別情報を付与している。よって本実施の形態１では、１つのドット２０につき４ビットの個体識別情報を付与することが可能になる。ドット２０の深さは、どの種類のドット２０でも全て１μｍ以下であるため、通電電極１下に存在する半導体基板が露出することは無く、また、一例として０．５μｍの深さを有するため、通電電極１の上面から見てもドット２０の有無を容易に検知することが可能になる。
【００２０】
次に、上述のように構成されるドット２０を用いて表された個体識別情報の一例について、図２を参照して説明する。
一般的に、使用される半導体チップの半導体ウエハ面内での位置情報は、写真製版工程にて各半導体チップにシリアル番号にて転写されているが、用いた半導体ウエハを特定するウエハ番号までは付加されていない。
図２は、ドット２０を用いてウエハ番号を半導体チップ（ＩＧＢＴ５０）に付加した例を示している。尚、以下の、ウエハ番号の表現方法は一例であり、下記に限定する意図ではない。
【００２１】
ウエハ番号は、ここでは上述の小ドット４、大ドット６、黒ドット７の３つのドットを用い、その組み合わせによって表すことができる。またウエハ番号は、１〜２５までの連番であり、図２に示すように、１つのドット２０ａで十の位を表し、２つのドット２０ｂ、２０ｃを用いて一の位を表す。
ここで、十の位は、小ドット４が「１」を表し、中ドット５が「２」を表す。
一の位は、左側のドット２０ｂが小ドット４で、かつ右側のドット２０ｃが小ドット４の場合に「０」を表し、左側のドット２０ｂが小ドット４で、かつ右側のドット２０ｃが中ドット５の場合に「１」を表し、左側のドット２０ｂが小ドット４で、かつ右側のドット２０ｃが大ドット６の場合に「２」を表し、左側のドット２０ｂが小ドット４で、かつ右側のドット２０ｃが黒ドット７の場合に「３」を表し、左側のドット２０ｂが中ドット５で、かつ右側のドット２０ｃが小ドット４の場合に「４」を表し、左側のドット２０ｂが中ドット５で、かつ右側のドット２０ｃが中ドット５の場合に「５」を表し、左側のドット２０ｂが中ドット５で、かつ右側のドット２０ｃが大ドット６の場合に「６」を表し、左側のドット２０ｂが中ドット５で、かつ右側のドット２０ｃが黒ドット７の場合に「７」を表し、左側のドット２０ｂが大ドット６で、かつ右側のドット２０ｃが小ドット４の場合に「８」を表し、左側のドット２０ｂが大ドット６で、かつ右側のドット２０ｃが中ドット５の場合に「９」を表す。
【００２２】
例えば図２に示す例では、十の位が小ドット４で、一の位が中ドット５及び黒ドット７であることから、ドット２０は、ウエハ番号の「１７」を表している。ここで、ドット配列内の読取領域は、予め設定されている。よって、読取領域外に配置されているドット２０は、全て例えば小ドット４で表現して、ウエハ番号の読取時には無視することができる。
【００２３】
次に、個体識別情報を表す上述のドット２０の形成方法を含めて、半導体チップの製造方法について以下に説明する。
本実施の形態では、個体識別情報を構成するドット２０を、半導体チップ個片に対して行うチップテストにて形成する。チップテストでは、図６に示すように、検査装置９０における測定プローブピン８０を半導体チップの電極に、本実施の形態では通電電極１に、接触させて既定項目の電気特性が測定される。またこのときには、測定プローブピン８０を介して半導体チップに大電流を流すことが可能である。
【００２４】
既定の電気特性測定及び半導体チップの良否判定の実施後には、全ての測定プローブピン８０直下の通電電極１表面には、通電電極１と測定プローブピン８０との接触点であるコンタクト痕として、図１に示す小ドット４が形成された状態である。
【００２５】
次に、上記良否判定後、測定プローブピン８０を通電電極１に接触させたまま、各測定プローブピン８０の電気的なオンオフがドット制御装置８５によって切り替えられる。
例えば図２に示す例では、まず、一の位に相当する左側ドット２０ｂに位置する測定プローブピン８０に対して電気的接続をオンとし、その他の測定プローブピン８０は接続をオフにする。そして、ドット２０ｂに位置する測定プローブピン８０に対して本実施の形態では２Ａの電流を流して、ＡｌＳｉの通電電極１の表面を溶融させ、コンタクト痕の直径を増大させる。
【００２６】
その後さらに、ドット２０ｂに位置する測定プローブピン８０に流す電流値を、ドット制御装置８５にて例えば２Ａ→１．５Ａ→１Ａ→０．５Ａ→０．１Ａ→０Ａと段階的に変化させて電気的接続をオフにする。このように段階的に電気的接続を切ることで、ドット２０ｂのサイズは増大するが、通電電極１のＡｌＳｉにおける結晶粒径は変化しない、あるいは同等である。
【００２７】
次に、一の位に相当する右側ドット２０ｃに位置する測定プローブピン８０に対して、例えば８Ａの電流を流す。これにより通電電極１の内部まで溶融させてドット２０ｃの直径を増大させる。
【００２８】
さらに、ドット２０ｃに位置する測定プローブピン８０に流す電流値を、ドット制御装置８５にて８Ａ→０Ａに瞬間的に遮断する。これにより、通電電極１におけるドット２０ｃに対応する部分は急冷され、この部分におけるＡｌＳｉの結晶粒径は、通電電極１の非ドット領域１ｂにおける結晶粒径に対して５０％以下で０％を超える範囲まで、例えば２０％程度まで縮小される。結晶粒径を５０％以下にすることにより、この部分の光反射率は、通電電極１における非ドット領域１ｂにおける光反射率の３０％程度まで低下する。したがって、急冷を行わない大ドット６と容易に識別することが可能な黒ドット７を形成するができる。
【００２９】
以上説明したように、半導体チップに通電電極１を設け、この通電電極１にドット２０によって個体識別情報を付するように構成することで、半導体チップの有効面積内に個体識別情報を付与することが可能になる。その結果、チップサイズの抑制が可能であり、低コスト化及び省資源化を図るという効果が得られる。
【００３０】
また、上述のように、個体識別情報を表すドット２０について、サイズ、深さ、色を規定値に制御することで、裸眼目視で識別可能なサイズの個体識別情報を半導体チップ表面に付与することが可能となるとともに、サイズ、及び、色味つまり光反射率の少なくとも一つをドット２０間で異ならせる表現が可能となる。したがって、少ないドット数で多くの個体識別情報を表現することが可能になる。
【００３１】
また、上述の構成により、通電電極１と測定プローブピン８０との１回のコンタクト動作、つまり同一のコンタクト動作の中で、半導体チップの電気特性測定及び良否判定に加えて、当該半導体チップの個体識別情報を付加することが可能になる。例えば上述の場合では、当該半導体チップの半導体ウエハ面内における位置情報と共に、半導体チップの通電電極１に目視可能なウエハ番号を形成して、両者を当該半導体チップの個体識別情報として付与することが可能となる。したがって、半導体チップの製造工程の時間短縮を図ることが可能なる。
【００３２】
また、電気特性測定に用いる測定プローブピン８０への通電電流値を制御することによってドット２０の大きさを変更するようにしたことで、測定プローブピン８０のサイズを変更することなく、ドット２０のサイズを変更することが可能になる。ドット２０のサイズ変更が可能なことで、上述のように、ドット２０が表現できる情報量を大きくすることができる。
【００３３】
また、測定プローブピン８０への通電電流値及び通電電流の遮断方法を制御することでドット２０の光反射率を変更するようにしたことで、測定プローブピン８０の材料あるいは製造プロセスを変更することなく、ドット２０の色味つまり光反射率を変更することが可能になる。よって、ドット２０が表現する情報量を大きくすることができる。
【００３４】
尚、上述の説明では、ドット２０について目視により識別可能と記載したが、ドットサイズ又はドットの反射率が異なるため、自動設備における画像認識装置を用いてドット２０を、例えばウエハ番号を、読み取ることも可能である。
【００３５】
また、一般的に、検査装置９０における測定プローブピン８０は円柱形状である。よって、本実施の形態において通電電極１に形成されるドット２０も測定プローブピン８０に対応して円形である。したがって、ドット２０の形状は、円形に限定するものではなく測定プローブピン８０の形状に応じて変化させることができる。
【００３６】
実施の形態２．
実施の形態１ではＩＧＢＴを例に個体識別情報の付加について説明したが、実施の形態２では、半導体チップとして、パワー半導体であるダイオードを例に採り説明を行う。
本実施の形態２では、使用される半導体チップの半導体ウエハ面内での位置情報が、ウエハ製造工程において各半導体チップ内に形成されておらず、ウエハ番号及び位置情報からなる個体識別情報を半導体チップ表面の通電電極１に形成する例について述べる。
尚、本実施の形態２におけるダイオードは、半導体ウエハ面内のＸ方向に最大１５チップ、Ｙ方向に最大２５チップが配置され、１ロットに対してウエハ番号が１〜２５まで存在する。
本実施の形態２においても、実施の形態１の場合と同様に、個体識別情報を構成するドット２０を、半導体チップ個片に対して行うチップテストにおいて、測定プローブピン８０を用いて形成する。
【００３７】
図３は、ダイオード６０のチップテストにおいて、通電電極１に測定プローブピン８０が接触するポイントを示しており、この接触ポイントは、図３において横方向の１−１’行、２−２’行、３−３’行と、縦方向のＡ−Ａ’列、Ｂ−Ｂ列’、Ｃ−Ｃ列’、Ｄ−Ｄ列’とのそれぞれの交点３０（１２点）である。ここで、Ａ−Ａ’列に形成されるコンタクト痕にてウエハ番号を表し、Ｂ−Ｂ’列に形成される３点のコンタクト痕にて、使用されている半導体チップの半導体ウエハ面でのＸ座標を表し、Ｃ−Ｃ’列に形成される３点のコンタクト痕にて、使用されている半導体チップの半導体ウエハ面でのＹ座標を表す。またダイオード６０は、ＩＧＢＴあるいはＭＯＳＦＥＴと異なり、半導体チップの向きの識別マークとして扱うことができるゲートパッド２が無いため、各交点３０に形成されるコンタクト痕の向きが不明となる。そこで、本実施の形態２では、Ｄ−Ｄ’列に形成される３点のコンタクト痕をダイオード６０の向きを識別する識別マークとして利用する。具体的には以下に説明するように、Ａ−Ａ’列、Ｂ−Ｂ’列、Ｃ−Ｃ’列に形成されるコンタクト痕の組み合せによっては形成され得ない組み合せのドットをＤ−Ｄ’列に形成する。これにより半導体チップの向きを表すものである。
【００３８】
この、Ｄ−Ｄ’列に形成する半導体チップの向きを表す情報について図５を参照して説明する。
図５は、交点３０でのコンタクト痕として小ドット４、中ドット５、大ドット６、及び黒ドット７を設定した場合において、縦方向におけるＡ−Ａ’列、Ｂ−Ｂ’列、Ｃ−Ｃ’列、Ｄ−Ｄ’列のそれぞれにおける、横方向の各１−１’行、２−２’行、３−３’行との３点の交点でのコンタクト痕の組み合わせと、この組み合わせに対応した、１０進数での数値との関係を示している。ドット２０の組み合せは、ウエハ番号の最大値２５、Ｘ座標の最大値１５、Ｙ座標の最大値２５を網羅するように準備している。
図５において、例えば、１−１’行とのコンタクト痕が大ドット６、２−２’行とのコンタクト痕が大ドット６、３−３’行とのコンタクト痕が大ドット６である組み合わせ、あるいは、１−１’行とのコンタクト痕が黒ドット７、２−２’行とのコンタクト痕が黒ドット７、３−３’行とのコンタクト痕が黒ドット７である組み合せは、存在していない。
よって、例えば、１−１’行とのコンタクト痕が黒ドット７、２−２’行とのコンタクト痕が黒ドット７、３−３’行とのコンタクト痕が黒ドット７という組み合せを、Ｄ−Ｄ’列に形成することで、容易に当該半導体チップの向きを特定することが可能になる。つまり、３点が黒ドット７で表現されたコンタクト痕を、当該半導体チップに向かって右側に見た場合には、左端列の３点がＡ−Ａ’列のコンタクト痕であると認識でき、例えばウエハ番号を示すドットに設定可能であり、それより１列右側の３点はＢ−Ｂ’列のコンタクト痕であると認識でき、例えば半導体チップのウエハ面内におけるＸ座標を示すドットに設定可能であり、さらに１列右側の３点がＣ−Ｃ’列のコンタクト痕であると認識でき、例えば半導体チップのウエハ面内におけるＹ座標を示すドットに設定可能となる。
【００３９】
例えば、ウエハ番号が「２３」で、ウエハ面内におけるＸ座標が「１」で、Ｙ座標が「１２」であるダイオード６０の半導体チップに対して、その通電電極１にドット２０によって個体識別情報を付与する場合を例に採り、以下に説明する。
ウエハ番号を示す「２３」は、図５から、１−１’行とのコンタクト痕が中ドット５、２−２’行とのコンタクト痕が中ドット５、３−３’行とのコンタクト痕が大ドット６として、表現できる。また、Ｘ座標を示す「１」は、図５から、１−１’行とのコンタクト痕が小ドット４、２−２’行とのコンタクト痕が小ドット４、３−３’行とのコンタクト痕が小ドット４として、表現できる。また、Ｙ座標を示す「１２」は、図５から、１−１’行とのコンタクト痕が小ドット４、２−２’行とのコンタクト痕が大ドット６、３−３’行とのコンタクト痕が黒ドット７として、表現できる。
【００４０】
これらを反映して、個体識別情報がダイオード６０の通電電極１にドット２０によって付与された状態を図４に示す。図４では、上述した例示のように、右端列に黒ドット７が縦方向に３点形成されていることから、Ａ−Ａ’列、Ｂ−Ｂ’列、Ｃ−Ｃ’列、並びに、１−１’行、２−２’行、３−３’行をそれぞれ容易に特定することができる。よって、Ａ−Ａ’列には、ウエハ番号「２３」を表現するように、１−１’行、２−２’行、３−３’行に対応して、中ドット５、中ドット５、大ドット６を形成しており、Ｂ−Ｂ’列には、Ｘ座標「１」を表現するように、１−１’行、２−２’行、３−３’行に対応して各小ドット４を形成しており、Ｃ−Ｃ’列には、Ｙ座標「１２」を表現するように、１−１’行、２−２’行、３−３’行に対応して、小ドット４、大ドット６、黒ドット７を形成している。
【００４１】
以上説明したように、本実施の形態２においても、実施の形態１の場合と同様に、通電電極１と測定プローブピン８０との１回のコンタクト動作の中で、半導体チップの電気特性測定及び良否判定に加えて、当該半導体チップの個体識別情報を付加することが可能になる。
【００４２】
個体識別情報を表す上述のドット２０の形成方法を含む半導体チップの製造方法は、本実施の形態２の場合も、上述の実施の形態１の場合と基本的に同じである。よって、以下では、ダイオード６０において特記すべき点を中心に簡単に説明する。尚、各測定プローブピン８０における電流値の制御は、ドット制御装置８５によって行う。
ダイオード６０に対する既定の電気特性測定及び良否判定の実施後には、ダイオード６０の通電電極１には、全ての測定プローブピン８０のコンタクト痕として、小ドット４が形成されている。本実施の形態２におけるダイオード６０の場合、１つのプローブピンに２．５Ａの電流を流した後、段階的に電流を遮断していくことにより中ドット５が得られ、１つのプローブピンに８Ａの電流を流した後に段階的に電流を遮断していくことにより大ドット６が得られ、１つのプローブピンに１０Ａの電流を流した後、瞬間的に電流を遮断することにより黒ドット７が得られることが実験的に判明している。ここで、電流の段階的な、あるいは瞬間的な遮断は、実施の形態１で説明した内容に対応する。
【００４３】
ダイオード６０に対して、電気特性測定後に個体識別情報用のドット２０を形成する際の生産性を向上させるため、以下のような方法でドット形成処理を行う。ここでは、個体識別情報として図４に示すドット形態を形成する場合を例に採る。
まず、Ａ−Ａ’列と１−１’行との交点に対応する測定プローブピン８０と、Ａ−Ａ’列と２−２’行との交点に対応する測定プローブピン８０との２本について、通電電極１との電気的接続をオンとし、その他の測定プローブピン８０は、電気的接続をオフにする。そして、２つの中ドット５を形成するため、上述の２本の測定プローブピン８０にそれぞれ２．５Ａの電流を流し、既に形成されている小ドット４を中ドット５に変化させる。
【００４４】
次に、全ての測定プローブピン８０は通電電極１に接触させたまま、Ａ−Ａ’列と３−３’行との交点、及びＣ−Ｃ’列と２−２’行との交点に対応する２本の測定プローブピン８０に対してそれぞれ８Ａの電流を流し、各交点にてコンタクト痕として既に形成されている小ドット４を、それぞれ大ドット６へ変化させる。このとき、上記２本以外の測定プローブピン８０については電気的接続をオフにする。
【００４５】
次に、全ての測定プローブピン８０は通電電極１に接触させたまま、Ｃ−Ｃ’列と３−３’行との交点に、並びに、Ｄ−Ｄ’列と１−１’行、２−２’行、及び３−３’行との各交点にそれぞれ対応する４本の測定プローブピン８０に対してそれぞれ１０Ａの電流を流し、４つの交点にてコンタクト痕として既に形成されている小ドット４を、それぞれ黒ドット７へ変化させる。このとき、上記４本以外の測定プローブピン８０については電気的接続をオフにする。
【００４６】
以上説明したように本実施の形態２によれば、小ドット４は、通常の測定プローブピン８０のコンタクト動作あるいは電気特性測定にて形成され、その他の中ドット５、大ドット６、黒ドット７についても、１ドット毎ではなく複数のドット２０を、通電電流の大きさを変えることにより一括で形成することが可能である。よって、生産性良く低コストにて、半導体チップに個体識別情報を付与することができる。 
【００４７】
また、以上説明した本実施の形態２における半導体チップ及びこの半導体チップの製造方法においても、実施の形態１の半導体チップ及び半導体チップ製造方法が奏する上述した効果を得ることができる。
【００４８】
尚、上述した各実施の形態を組み合わせた構成を採ることも可能であり、また、異なる実施の形態に示される構成部分同士を組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１  通電電極、４  小ドット、５  中ドット、６  大ドット、７  黒ドット、
２０  ドット、５０  ＩＧＢＴ、６０  ダイオード、８０  測定プローブピン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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