(57)【要約】【課題】高額な設備投資を必要とせず、簡便で効率的な高特性の表面弾性波デバイス用複合基板の製造方法を提供する。【解決手段】圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合せて複合基板を作製する際に、少なくとも片方の基板の接着面が０．０１μｍ以上１．０μｍ以下の範囲の平均表面粗さ（Ｒａ）を有する基板とすることにより、有機接着層を０．１μｍ以上１．０μｍ以下の厚さにすることができ、かつ有機接着層中の気泡の発生を抑えることができ、薄く均一な有機接着層を形成することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と支持基板とを、厚さが０．１μｍ以上１．０μｍ以下の有機接着層を介して貼合せられた複合基板の製造方法であって、以下の工程［Ａ］、工程［Ｂ］、を有することを特徴とする複合基板の製造方法。
工程［Ａ］タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶の群から選択される圧電基板と、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、水晶の群から選択される支持基板を出発材料として準備し、前記圧電基板と前記支持基板を有機接着剤を用いて貼り合せる基板の接着面の平均表面粗さ（Ｒａ）において、少なくとも一方の基板の接着面の平均表面粗さ（Ｒａ）は０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である、圧電基板と支持基板を準備する工程。
工程［Ｂ］前記圧電基板と前記支持基板との接着面にエポキシ系接着剤を塗布し、圧力をかけて貼り合わせ、０．１μｍ以上１．０μｍ以下の厚さの有機接着層を形成する、圧電基板と支持基板とを貼り合わせる工程。
【請求項２】
工程［Ｃ］として、貼り合せた圧電基板の厚さを支持基板の厚さの１／５以下に研磨する加工工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の複合基板の製造方法。
【請求項３】
前記エポキシ系接着剤が常温硬化型二液混合型エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の複合基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合基板の製造方法に関し、さらに詳しくは表面弾性波デバイス用に使用する圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合せることにより得られる複合基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合基板に、電極を設けて表面弾性波デバイスを作製することが知られている。ここで、表面弾性波デバイスは、例えば、携帯電話などの通信機器におけるバンドパスフィルタとして使用されている。また、圧電基板と支持基板との複合基板は、圧電基板としてはニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムが用いられ、支持基板としてはシリコンや石英などが用いられている。ここで、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムは、温度が上がると膨張し、櫛形電極間の拡大と圧電基板自体の音速低下により、バンドバスフィルタが、低周波側にずれてしまうことが問題となるが、熱膨張係数の小さいシリコンや石英基板と接合することにより周波数低下を改善できることが特許文献１に記載されている。
【０００３】
このように、圧電基板と支持基板とを貼り合せた複合基板が検討されているが、この貼り合せ方法として、例えば、真空中で接合面に不活性ガスのイオンビーム、または中性ビーム、あるいはプラズマを照射し、活性化させた後に接合する方法が特許文献２に開示されている。
【０００４】
一方、圧電基板と支持基板とを貼り合せた複合基板の比較的簡便な製造方法として、有機系接着剤を用いて接合する方法も検討されている。支持基板上にエポキシ系接着剤をスピンコートで塗布し、圧電基板と支持基板とを貼り合せて１８０℃で加熱硬化することにより、有機接着層の厚さを０．１〜１．０μｍと薄くかつ均一な層となるようにして温度特性に優れた複合基板が得られるという複合基板の製造方法が特許文献３や特許文献４に開示されている。
【０００５】
このように、有機接着層を介して圧電基板と支持基板とを貼り合せた複合基板が比較的簡便な方法で得られるため、その温度特性の優れた複合基板の製造方法が検討されている。
【０００６】
例えば、特許文献５では、気泡を巻き込まない基板の貼り合せ方法として、２枚の基板を凸球面状に変形させてから、互いの中心付近から外周部に向かって漸次接触させ、接触スピードが中心付近と外周部でほぼ同じに、又は外周部で遅くなるようにして、前記２枚の基板を 貼り合せる半導体基板の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−３１９６７９号公報
【特許文献２】特開２００４−３４３３５９号公報
【特許文献３】特開２０１０−１５３９６１号公報
【特許文献４】特開２０１０−１７１９５５号公報
【特許文献５】特開２０００−３４８９９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２の方法では、装置が大掛かりになるだけでなく、活性化した接合面を接合するまで維持するためには高真空が要求されるため、高真空にするまでに時間がかかるなど、生産性が悪いという問題がある。また、装置が大掛かりになり、設備投資コストが大きくなってしまうという問題もある。
【０００９】
一方、特許文献３や特許文献４に開示されている有機系接着剤を用いて接合する方法では、接着剤の層が厚い場合、接着剤の熱膨張により周波数の低下を抑制できなくなるため、接着層を１．０μm以下に薄くする必要がある。しかしながら、エポキシ樹脂など構造接着剤として使用できるものは、表面張力が高く、接着層を薄く均一に塗布することは難しい。
【００１０】
また、特許文献５に開示されている基板の貼り合せ方法によれば、基板を凸球面状に反らせてから２枚の基板を貼り合せるが、その際に基板が破損するおそれがある。
【００１１】
さらに、一般的な基板を貼り合わせる方法として、通常雰囲気下で圧電基板または支持基板の中心に接着剤を塗布し、圧電基板と支持基板を貼り合わせて中心から加圧することによって、気泡を追い出しながら接着層の厚みを薄くすることが考えられる。しかしながら、特許文献５にも記載されている通り、接着剤が基板の間に入る前に基板同士が接触すると、基板同士が弱く結合し、その間に接着剤が入り込まなくなり、その部分のみ接着されなくなる。また、加圧によっても基板間の接着剤が押し出されて基板同士が接触してしまうことがあり、同様にその部分が接着されなくなるなど、種々の問題が生じ、簡便で効率的な表面弾性波デバイス用複合基板の製造方法が望まれていた。
【００１２】
本発明は、これらの課題に鑑みてなされたものであり、高額な設備投資を必要とせず、簡便で効率的な高特性の表面弾性波デバイス用複合基板の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、上述の目的を達成するために鋭意検討した結果、圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合せて複合基板を作製する際に、少なくとも片方の基板の接着面が特定の範囲の平均表面粗さ（Ｒａ）を有する基板とすることにより、有機接着層を０．１μｍ以上１．０μｍ以下の厚さにすることができ、かつ有機接着層中の気泡の発生を抑えることができ、薄く均一な有機接着層を形成することができることを見出し、本発明を完成した。
【００１４】
すなわち、本発明の第１の発明は、
圧電基板と支持基板とを、厚さが０．１μｍ以上１．０μｍ以下の有機接着層を介して貼り合せられた複合基板の製造方法であって、以下の工程［Ａ］、工程［Ｂ］を有することを特徴とする複合基板の製造方法である。
工程［Ａ］タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶の群から選択される圧電基板と、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、水晶の群から選択される支持基板を出発材料として準備し、前記圧電基板と前記支持基板を有機接着剤を用いて貼り合せる基板の接着面の平均表面粗さ（Ｒａ）において、少なくとも一方の基板の接着面の平均表面粗さ（Ｒａ）は０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である、圧電基板と支持基板を準備する工程。
工程［Ｂ］前記圧電基板と前記支持基板との接着面にエポキシ樹脂系接着剤を塗布し、圧力をかけて貼り合わせ、０．１μｍ以上１．０μｍ以下の厚さの有機接着層を形成する、圧電基板と支持基板とを貼り合わせる工程。
【００１５】
また、本発明では、工程［Ｂ］において、有機接着剤が常温硬化型二液混合型エポキシ樹脂であることが好ましい。また、工程［Ｃ］貼り合せた圧電基板の厚さを支持基板の厚さの１／５以下に研磨する加工工程をさらに含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の複合基板の製造方法によれば、少なくとも圧電基板及び支持基板のいずれかの基板の接合面の平均表面粗さ（Ｒａ）が０．０１μｍ以上１．０μｍ以下とすることで圧電基板と支持基板が直接密着することなく均一な有機接着層が形成され、かつ気泡の発生を抑え、未接着部分の無い良好な常温での接合が行われるため、温度変化による周波数特性の変動を抑えることができ、温度特性に優れた表面弾性波デバイス用の基板として使用することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の具体的な実施形態について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲で適宜変更することができる。また、本明細書において、「x〜ｙ」（x、ｙは任意の数値）との表記は、特に断らない限り「x以上ｙ以下」の意味である。
【００１８】
＜１．複合基板＞
本実施の形態に係る複合基板は、圧電基板と支持基板と、両者を貼り合せる有機接着層とからなる構成の複合基板である。
【００１９】
ここで、圧電基板としては、弾性波（特に、弾性表面波）を伝搬可能な基板が挙げられ、この圧電基板の材質としては、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶などが挙げられる。
【００２０】
また、支持基板の材質としては、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、水晶など圧電基板よりも熱膨張係数が小さい材料が挙げられる。
【００２１】
圧電基板は、上記材質の基板であれば、特に限定するものではないが、この圧電基板の大きさは、例えば、直径が５０ 〜 １５０ ｍｍ 、厚さが１５０ 〜 ５００μｍの基板を好適に使用することができる。
【００２２】
支持基板は、上記材質の基板であれば、特に限定するものではないが、この支持基板の大きさは、例えば、直径が５０ 〜 １５０ ｍｍ 、厚さが１５０ 〜 ５００μｍの基板を好適に使用することができる。半導体デバイス用に最も実用化されているシリコン基板は、コスト的にも、品質安定性の面からも、最も好ましい。
【００２３】
これらの圧電基板、支持基板は、いずれも基板表面を研磨して、所望の平均表面粗さ（Ｒａ）に制御している。通常、研磨加工を繰り返すことで数μｍから０．０００ｎμｍまでコントロールすることができる。
【００２４】
また、圧電基板は、最初に準備した基板を支持基板に有機接着層を介して貼り合せた後にさらに研磨加工され、最終的な複合基板としての圧電基板の厚さは、支持基板の厚さの１／５以下の厚さとすることが好ましく、１／１０以下の厚さであることがさらに好ましい。具体的には、圧電基板の厚さは、５〜１００μｍとすることが好ましい。また、５〜３０μｍとすることがより好ましい。５μｍより薄いと、研磨加工するときにクラックが生じる恐れがあり、１００μｍより厚いと、複合基板が加熱されたときに割れる恐れがあるため好ましくない。
【００２５】
有機接着層を形成する有機接着剤としては、基板との接着性に優れるエポキシ樹脂が好ましく、中でも常温で接着できる常温硬化型ニ液混合型エポキシ樹脂が特に好ましい。
【００２６】
＜２．複合基板の製造方法＞
次に、本実施の形態に係る複合基板の製造方法について説明する。本実施の形態に係る複合基板の製造方法は、少なくとも［Ａ］圧電基板と支持基板とを準備する工程と、［Ｂ］圧電基板と支持基板とを有機接着剤を用いて貼り合わせる工程と、を有し、さらに［Ｃ］貼り合せた圧電基板の厚さを所望の厚さに研磨する加工工程を有するのが好ましい。
【００２７】
すなわち、本発明の実施に係る複合基板の製造方法は、
圧電基板と支持基板とを、厚さが０．１μｍ以上１．０μｍ以下の有機接着層を介して貼り合せられた複合基板の製造方法であって、少なくとも工程［Ａ］、工程［Ｂ］を有することを特徴とする複合基板の製造方法である。
工程［Ａ］：タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶の群から選択される圧電基板と、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、水晶の群から選択される支持基板を出発材料として準備し、前記圧電基板と前記支持基板を有機接着剤を用いて貼り合せる基板の接着面の平均表面粗さ（Ｒａ）において、少なくとも一方の基板の接着面の平均表面粗さ（Ｒａ）は０．０１μｍ以上１．０μｍ以下である、圧電基板と支持基板を準備する工程。
工程［Ｂ］：前記圧電基板と前記支持基板との接着面にエポキシ樹脂系接着剤を塗布し、圧力をかけて貼り合わせ、０．１μｍ以上１．０μｍ以下の厚さの有機接着層を形成する、圧電基板と支持基板とを貼り合わせる工程。
さらに、工程［Ｃ］：貼り合せた圧電基板の厚さを支持基板の厚さの１／５以下に研磨する加工工程を含むことが好ましい。
【００２８】
以下に、各工程について詳細に説明する。
＜［Ａ］圧電基板と支持基板を準備する工程＞
工程［Ａ］においては、圧電基板と支持基板を準備する。
【００２９】
本発明に係る圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶の群から選択することができる。
【００３０】
本発明に係る支持基板は、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、水晶の群から選択することができる。
【００３１】
ここで、前述したとおり、上記材料の基板であれば特に制限されないが、次の工程［Ｂ］で有機接着剤を用いて貼り合せる接着面の平均表面粗さ（Ｒａ）を所定の範囲とすることが重要である。すなわち、圧電基板と支持基板の内、少なくとも一方の基板の接着面の平均表面粗さ（Ｒａ）は０．０１μｍ以上１．０μｍ以下とする。
【００３２】
通常市販されている基板は、鏡面研磨されている場合は、基板表面の平均表面粗さ（Ｒａ）は数ｎｍレベルである。従って、本実施における所定の接着面の平均表面粗さ（Ｒａ）でなければ、粗面化処理などにより所定の平均表面粗さ（Ｒａ）は０．０１μｍ以上１．０μｍ以下とする必要がある。粗面化処理は、機械加工やブラスト加工など公知の方法により行うことができる。
【００３３】
＜［Ｂ］圧電基板と支持基板とを有機接着剤を用いて貼り合わせる工程＞
次の工程［Ｂ］では、工程［Ａ］で準備した圧電基板と支持基板とをエポキシ系接着剤を用いて貼り合わせる。有機接着層の厚さを０．１〜１．０μｍと薄くしなければ、表面弾性波デバイス用に使用する場合、温度変化による周波数特性の変動を抑えることは難しい。有機接着層の厚さが０．１μｍ未満では接着強度が不足し、１．０μｍを超えると圧電基板と支持基板との熱膨張係数の差がこの有機接着層に吸収され、支持基板で圧電基板の熱膨張を抑える効果がなくなってしまう。従って、有機接着層の厚さを０．１〜０．０μｍの範囲とすることが重要である。
【００３４】
貼り合せに使用する有機接着剤としては、基板との接着性に優れるエポキシ系接着剤が好ましく、中でも常温で接着できる常温硬化型ニ液混合型エポキシ樹脂が特に好ましい。
【００３５】
有機接着層を、この所定の厚さに薄くするにはプレスすることが有効であり、１．２５MＰａ程度の圧力をかけることで、０．１μｍ以上１．０μｍ以下の層厚にすることができる。この圧力で圧電基板と支持基板とを貼り合わせる場合に、接着面の平均表面粗さ（Ｒａ）が、０．０１μｍより小さくなると、圧電基板と支持基板が直接接触し、その間に接着剤が入らなくなり、接着されない部分が多くなり、接着強度不足となり、歩留りが低下して好ましくない。また、接着面の平均表面粗さが１．０μｍを越えると、有機接着層の厚さを１．０μｍ以下に抑えることが難しくなり、温度変化による周波数特性の変動を抑える効果が不十分となる。
【００３６】
このように、適度な表面粗さを有する基板の接着面とすることにより、有機接着層の厚さを０．１μｍ以上１．０μｍ以下の薄さで均一な層厚を形成することができ、温度変化による圧電基板の周波数特性の変動を抑えることができ、表面弾性波デバイス用基板として好適に使用することができる。
【００３７】
なお、貼り合せる基板のいずれかの接着面のみ所定の平均表面粗さ（Ｒａ）とすることで、この効果を得ることができるが、両面とも所定の平均表面粗さ（Ｒａ）としてもよい。準備する基板の表面粗さにより適宜選択することができる。
【００３８】
具体的な圧電基板と支持基板の接着方法は、以下の通りである。まず、圧電基板または支持基板の中心にエポキシ系接着剤を塗布し、両者を重ね合わせた状態で１．２５MＰａ程度の圧力でプレスし、エポキシ系接着剤を硬化させることにより貼り合わせ基板を作製する。中心より外側に押し広げることによって、気泡を含まずに接着することができる。ここで、好ましいエポキシ系接着剤の滴下方法としては、ディスペンサー等が挙げられる。また常温で接着できる常温硬化型ニ液混合型エポキシ樹脂を使用することで、加熱などの処理が不要で常温のまま硬化できるのでより好ましい。
【００３９】
＜［Ｃ］貼り合せた圧電基板の厚さを所望の厚さに研磨する加工工程＞
最後に、貼り合せた圧電基板の厚さを所望の厚さに研磨する加工工程について説明する。温度特性に優れた表面弾性波デバイス用に適した基板として使用することから、支持基板との強固な接着により圧電基板の膨張を抑制するためには、圧電基板の厚さが支持基板の厚さより薄くすることが好ましい。最終的な複合基板としての圧電基板の厚さは、支持基板の厚さの１／５以下の厚さとすることが好ましく、１／１０以下の厚さであることがさらに好ましい。具体的には、圧電基板の厚さは、５〜１００μｍとすることが好まし、５〜３０μｍとすることがより好ましい。圧電基板の厚さが５μｍより薄いと、研磨加工するときにクラックが生じる恐れがあり、１００μｍより厚いと、複合基板が加熱されたときに割れる恐れがあるため好ましくない。
【００４０】
当初から、所定の厚さの薄い圧電基板を準備することができれば、研磨加工は不要であるが、貼り合わせる際に、薄いため破損する恐れがある場合は、厚い圧電基板を貼り合わせた後、圧電基板を研磨加工することにより所望の厚さとすることができる。
【００４１】
このようにして得られた複合基板は、圧電基板が強固に支持基板に接合しており、温度変化による圧電基板の周波数特性の変動を抑え、温度特性に優れた表面弾性波デバイス用に適した基板として使用することができる。
【実施例】
【００４２】
以下に、本発明の実施例を示してさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４３】
［実施例１］
まず、支持基板として、オリエンテーションフラット部（ＯＦ部）を有し、直径が１００ｍｍ（４インチ）、厚さが３５０μｍのシリコン基板を用意した。また、圧電基板として、ＯＦ部を有し、直径が１００ｍｍ、厚さが３５０μｍのタンタル酸リチウム基板を用意した。ここで、シリコン基板は、接合面の平均表面粗さ（Ｒａ）が、０．１５μmであり、タンタル酸リチウム基板は接合面の平均表面粗さ（Ｒａ）が０．２μmである基板を準備した。接着の前に濡れ性を改善する目的で、低圧水銀ランプにより紫外光５ｍＷを５分間照射した。
【００４４】
その後、シリコン基板の接合面に二液性エポキシ樹脂（東亜合成社製  ＡＰ−２０９）を５０ｍｇ塗布し、その上からタンタル酸リチウム基板を重ねてプレス圧１．２５ＭＰａでプレスし、その状態で１２時間放置し、エポキシ樹脂を常温で硬化させて複合基板を得た。エポキシ樹脂層の厚さは、およそ１．０μｍであり、接着剤の厚みはほぼ均一であった。
【００４５】
さらに、タンタル酸リチウム基板のみをポリッシュ研磨により３０μｍとしたが、接着層の剥がれや基板の破損などは起こらなかった。
【００４６】
［実施例２］
接合面の平均表面粗さ（Ｒａ）が０．０００２μｍ（０．２ｎm）である圧電基板としてのタンタル酸リチウム基板を準備した以外は実施例１と同様にして複合基板を得た。その結果、接着剤は圧電基板と支持基板の間に気泡が入らず、基板全面に行きわたっているのが確認された。さらに、タンタル酸リチウム基板のみをポリッシュ研磨により３０μｍとしたが、接着層の剥がれや破損などは起こらなかった。
【００４７】
［実施例３］
接合面の平均表面粗さ（Ｒａ）が、０．０００２μｍ（０．２ｎm）である支持基板としてのシリコン基板を準備した以外は実施例１と同様にして複合基板を得た。その結果、接着剤は圧電基板と支持基板の間に気泡が入らず、基板全面に行きわたっているのが確認された。さらに、タンタル酸リチウム基板のみをポリッシュ研磨により３０μｍとしたが、接着層の剥がれや破損などは起こらなかった。
【００４８】
［比較例１］
接合面の平均表面粗さ（Ｒａ）が０．０００２μｍ（０．２ｎm）である支持基板としてのシリコン基板と、接合面の平均表面粗さ（Ｒａ）が０．０００２μｍ（０．２ｎm）である圧電基板としてのタンタル酸リチウム基板を準備した以外は実施例１同様にして複合基板を得た。圧電基板と支持基板が直接接触した部分には、接着剤が回り込まなかった。また、貼り合わせ後、基板の反りによって圧電基板と支持基板が離れ、空気が入った部分が確認された。従って、タンタル酸リチウム基板のポリッシュ研磨は行わなかった。