(57)【要約】【課題】遮光帯の形成をマスクブランク段階で行う事により、パーティクル起因の欠陥によるマスク品質低下を防ぎ、且つ吸収層へのダメージや光学的性質の変化のない、また遮光性の高い遮光帯を有する反射型マスクブランク及びその製造方法とその反射型マスクブランクを使用して製造した反射型マスクを提供することを課題とする。【解決手段】基板上にＥＵＶ光の多層反射層２１と吸収層５１をこの順に備えてなる反射型マスクブランク１００において、少なくとも前記吸収層をエッチング除去することによって形成した回路パターン形成領域の外側に、前記吸収層よりＥＵＶ光の反射率が低い枠状の遮光帯領域（多層反射層除去部２１ａ）が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＥＵＶ光の多層反射層と吸収層をこの順に備えてなる反射型マスクブランクにおいて、
前記多層反射層以外をエッチング除去することによって形成した回路パターン形成領域の外側にその領域を取り囲む枠状の遮光帯領域が形成されており、その遮光帯領域のＥＵＶ光に対する反射率は、前記吸収層のそれより低いことを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項２】
前記遮光帯領域は、前記基板が露出した領域であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
請求項１または２に記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、
基板上の前記遮光帯領域となる部位にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された基板上に、少なくとも前記多層反射層と前記吸収層をこの順に形成する工程と、
前記レジストパターン上の前記吸収層と前記多層反射層を除去して前記レジストパターンを露出させる工程と、
露出された前記レジストパターンを除去する工程と、を備えていることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記吸収層と前記多層反射層を除去して前記レジストパターンを露出させる工程が、ＣＭＰ処理技術またはリフトオフ処理技術を使用した工程であることを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の反射型マスクブランクを使用して製造したことを特徴とする反射型マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法および反射型マスクに関する。特に、極端紫外線（ＥＵＶ；Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用される、反射型マスクブランクおよび反射型マスクブランクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
（ＥＵＶリソグラフィの説明）
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍や、波長６ｎｍ〜７ｎｍ付近のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。またＥＵＶ光の波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値である。このため、ＥＵＶリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクと呼ぶ）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。
（ＥＵＶマスクとブランク構造の説明）
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板の上に露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層が順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、前記多層反射層と、吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つＥＵＶマスクもある。反射型マスクブランクから反射型マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術により吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合はこれも同じく除去し、吸収部と反射部からなる回路パターンを形成する。このように作製された前記反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。（ＥＵＶマスクの吸収層の膜厚と反射率の説明）
反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角（通常６°）で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンのエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。この現象はシャドーイングと呼ばれ、反射型マスクの原理的課題の一つである。
【０００３】
このようなパターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれを防ぐためには、吸収層の膜厚は小さくし、パターンの高さを低くすることが有効であるが、吸収層の膜厚が小さくなると、吸収層における遮光性が低下し、転写コントラストが低下し、転写パターンの精度低下となる。つまり吸収層を薄くし過ぎると転写パターンの精度を保つための必要なコントラストが得られなくなってしまう。つまり、吸収層の膜厚は薄すぎても厚すぎても問題になる為、現在は概ね５０〜９０ｎｍの間になっており、ＥＵＶ光の吸収層での反射率は０．５〜２％程度である。
（隣接するチップの多重露光の説明）
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウェハ１枚あたりに取れるチップを出来るだけ増やしたいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためで
ある。この場合、この領域については複数回（最大で４回）に渡り露光（多重露光）されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。しかしながら、上述したように吸収層上でのＥＵＶ光の反射率は、０．５〜２％程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。このため、マスク上のチップ外周部は通常の吸収層よりもＥＵＶ光の遮光性の高い領域（以下、遮光帯と呼ぶ）である必要性が出てきた。
【０００４】
このような問題を解決するために、反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することや、回路パターン領域の吸収層の膜厚よりも厚い膜を形成することや、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで多層反射層の反射率を低下させることにより、露光光源波長に対する遮光性の高い遮光帯を設けた反射型マスクが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、マスクパターン作製後の多層反射層の掘り込みはＳｉとＭｏの合計８０層を加工する必要があるため、加工面からのパーティクル発生は避けられず、欠陥面でのマスク品質の低下を招いてしまう。さらにこの方法では、上層の吸収層を除去した後に、多層反射層を除去することから、多層反射層がわずか数層残ってしまった場合は、逆に反射率を高くしてしまう懸念がある。
【０００６】
また、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで遮光帯を形成する場合、多層反射層以外によるレーザ光もしくはイオンの損失があるため、この損失分を考慮してレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。また多層反射層以外の膜にはレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収層の露光光源波長の吸収率が低下してしまうことが懸念される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２１２２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで本発明は、遮光帯の形成をマスクブランク段階で行う事により、パーティクル起因の欠陥によるマスク品質低下を防ぎ、且つ吸収層へのダメージや光学的性質の変化のない、また遮光性の高い遮光帯を有する反射型マスクブランク及びその製造方法とその反射型マスクブランクを使用して製造した反射型マスクを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決する手段として、請求項１に記載の発明は、基板上にＥＵＶ光の多層反射層と吸収層をこの順に備えてなる反射型マスクブランクにおいて、
前記多層反射層以外をエッチング除去することによって形成した回路パターン形成領域の外側にその領域を取り囲む枠状の遮光帯領域が形成されており、その遮光帯領域のＥＵＶ光に対する反射率は、前記吸収層のそれより低いことを特徴とする反射型マスクブランクである。
【００１０】
また請求項２に記載の発明は、前記遮光帯領域は、前記基板が露出した領域であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランクである。
【００１１】
また請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、
基板上の前記遮光帯領域となる部位にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された基板上に、少なくとも前記多層反射層と前記吸収層をこの順に形成する工程と、
前記レジストパターン上の前記吸収層と前記多層反射層を除去して前記レジストパターンを露出させる工程と、
露出された前記レジストパターンを除去する工程と、を備えていることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。
【００１２】
また請求項４に記載の発明は、前記吸収層と前記多層反射層を除去して前記レジストパターンを露出させる工程が、ＣＭＰ処理技術またはリフトオフ処理技術を使用した工程であることを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
【００１３】
また請求項５に記載の発明は、請求項１または２に記載の反射型マスクブランクを使用して製造したことを特徴とする反射型マスクである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、マスクの回路パターニング前段階において、多層反射層を除去し、遮光帯を形成する事から、回路パターンにパーティクルが付着する事は原理的に無い。その為、マスク欠陥数を抑えることが可能である。また、多層反射層の形成前に十分な膜厚のレジストを塗布してリフトオフする事で、多層反射層が数層残ってしまう懸念が無く、反射層から発生する反射光の強度を抑制し、遮光性の高い遮光帯を形成することができる。これらの事から、本発明の反射型マスクを用いることで、高い精度で転写パターンを形成できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の反射型マスクブランクの構造の例を示す概略断面図。
【図２】本発明の反射型マスクブランクの構造の例を示す概略平面図。
【図３】図１の本発明の反射型マスクブランクを使用して作製した反射型マスクの例を示す概略断面図であって、それぞれ図３（ａ）は図１（ａ）、図３（ｂ）は図１（ｂ）、図３（ｃ）は図１（ｃ）、図３（ｄ）は図１（ｄ）に対応した反射型マスクの概略断面図。
【図４】本発明の反射型マスクの例を示す概略平面図。
【図５】実施例１の反射型マスクブランクの製造工程の各工程における反射型マスクブランクの概略断面図を示すものであり、（ａ）は使用した基板、（ｂ）は基板の上に多層反射層除去部が形成される位置にレジストパターンを形成した状態、（ｃ）はその上に多層反射層を形成した状態、（ｄ）はその上から吸収層を形成した状態、（ｅ）は（ｄ）に対してＣＭＰ処理を実施した事により、本発明の反射型マスクブランクが作製された状態、をそれぞれ示している。
【図６】実施例３の反射型マスクの製造工程の各工程における反射型マスクの概略断面図を示すものであり、（ａ）は本発明の反射型マスクブランク、（ｂ）はその上にレジスト層を形成した状態、（ｃ）はそのレジスト層をパターニングした状態、（ｄ）はそのレジストパターンをエッチングマスクとして吸収層と多層反射層をパターン化することにより、本発明の反射フォトマスク型が製造された状態、をそれぞれ示している。
【図７】実施例２において測定された反射型マスクブランクのＥＵＶ光反射率の測定結果。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（反射型マスクブランクの構成について）
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
まず、本発明の反射型マスクブランクの構成について説明する。
【００１８】
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の反射型マスクブランク１００、２００、３００、４００の断面を示している。即ち、本発明のブランクの構成は、１００、２００、３００、４００のいずれを用いてもよい。図２は、図１（ａ）〜（ｄ）の本発明の反射型マスクブランク１００、２００、３００、４００を上面から見た図である。
【００１９】
図１（ａ）に示す反射型マスクブランク１００は、基板１１の表面に、多層反射層２１、吸収層５１が順次形成されており、反射型マスクブランク１００の周縁部に、多層反射層２１が除去された多層反射層除去部２１ａが形成されている。
【００２０】
図１（ｂ）に示す反射型マスクブランク２００は、図１（ａ）と同等の構成であるが、基板１１の裏面に導電膜７１が形成された構造となっている。つまり、図１（ｂ）の反射型マスクブランク２００は、図１（ａ）の反射型マスクブランク１００の基板１１の裏面に導電膜７１が形成されている。
【００２１】
図１（ｃ）の反射型マスクブランク３００は、図１（ａ）と同等の構成であるが、基板１１の表面に多層反射層２１と吸収層５１の間に緩衝層４１が挿入されている。
【００２２】
図１（ｄ）の反射型マスクブランク４００は、図１（ｃ）の反射型マスクブランク３００の基板１１の裏面に導電膜７１が形成された構造となっている。
【００２３】
図１（ａ）〜（ｄ）の基板１１の周縁部には、基板１１の周縁端（基板１１の各辺）に沿った枠状に多層反射層２１が除去された多層反射層除去部２１ａを有する。図１（ａ）〜（ｄ）の本発明の反射型マスクブランク１００、２００、３００、４００を上面から見ると、図２に示すように、吸収層領域８０と遮光帯領域９０が形成されている。
（本発明の多層反射層２１および吸収層５１に多層反射層除去部２１ａを形成する方法）
次に、本発明の多層反射層除去部２１ａを形成する方法について説明する。多層反射層除去部２１ａの形成には、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｌｉｓｈｉｎｇ：化学機械研磨）処理技術、またはリフトオフ処理技術を用いる。
【００２４】
ＣＭＰ処理技術によって、多層反射層除去部２１ａを形成する方法は、多層反射層２１形成前に基板１１上において、描画および現像を実施して、遮光帯領域９０と同じ形状をした長方形の枠状にレジストパターンを形成し、その上から多層反射層および吸収層のスパッタリングを行い、その後、ＣＭＰ処理技術により研磨する事で、多層反射層除去部２１ａを形成する。ＣＭＰ処理実施後にレジスト剥離液に浸漬し、レジスト除去が可能となる。以上の処理によって、多層反射層除去部２１ａは、基板１１が露出した領域となる。
【００２５】
また、リフトオフ処理技術によって、多層反射層除去部２１ａを形成する方法は、同様に吸収層のスパッタリングを実施した後、レジスト剥離液に浸漬することにより、リフトオフを実施することができる。以上の処理によって、多層反射層除去部２１ａは、基板１１が露出した領域となる。その際用いるレジスト剥離液としては、有機酸系、有機アミン、極性溶剤、硫酸等を挙げることができる。
（多層反射層について）
図１（ａ）、（ｂ）の多層反射層２１は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデン（Ｍｏ）：３ｎｍとシリコン（Ｓｉ）：４ｎｍが交互に４０ペア積層した積層膜厚２８０ｎｍで、さらに最上層はルテニウム（Ｒｕ）：２．５ｎｍで構成されている。Ｒｕ層の下に隣接する層はＳｉ層である。ＭｏやＳｉが使われている理由は、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＭｏとＳｉのＥＵＶ光での屈折率差が大きいために、ＳｉとＭｏの界面での反射率を高く出来るためである。多層反射層２１の最上層のＲｕ層は、吸収層５１の加工におけるストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。
【００２６】
図１（ｃ）、（ｄ）の多層反射層２１は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、Ｍｏ：３ｎｍとＳｉ：４ｎｍが交互に４０ペア積層した積層膜２８０ｎｍで、最上層はＳｉ：４．２ｎｍで構成されている。こ
の場合の多層反射層２１の最上層のＳｉも、上述したＲｕ層と同様の役割を果たす。
（緩衝層について）
図１（ｃ）、（ｄ）の緩衝層４１は、吸収層５１のエッチングやパターン修正時に、緩衝層４１の下に隣接する多層反射層２１の最上層であるＳｉ層を保護するために設けられており、クロム（Ｃｒ）の窒素化合物（ＣｒＮ）：１０ｎｍで構成されている。
（吸収層について）
図１（ａ）〜（ｄ）の吸収層５１は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶに対して吸収率の高いタンタル（Ｔａ）の窒素化合物（ＴａＮ）で構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルシリコン（ＴａＳｉ）、タンタル（Ｔａ）や、それらの酸化物（ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉＯ、ＴａＯ）でも良い。
【００２７】
図１（ａ）〜（ｄ）の吸収層５１は、上層に波長１９０〜２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた２層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。
（裏面導電膜について）
図１（ｂ）及び図１（ｄ）の導電膜７１は、一般にはＣｒＮで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料やその他の導電性材料からなるものであれば良い。
（反射型マスクについて）
本発明の反射型マスクの構成を説明する。
【００２８】
図１（ａ）の反射型マスクブランク１００から作製した反射型マスク１０１を図３（ａ）に示す。また、図１（ｂ）の反射型マスクブランク２００から作製した反射型マスク２０１を図３（ｂ）に示す。また、図１（ｃ）の反射型マスクブランク３００から作製した反射型マスク３０１を図３（ｃ）に示す。また、前記図１（ｄ）の反射型マスクブランク４００から作製した反射型マスク４０１を図３（ｄ）に示す。
【００２９】
いずれも、反射型マスクブランクの遮光帯領域９０の内側の多層反射層２１（図４参照）の上部の吸収層５１を、また緩衝層４１がある場合は緩衝層４１までを、エッチングにより掘り込むことによって、回路パターン領域８５を有する反射型マスク１０１、２０１、３０１、４０１が形成される。
【００３０】
また、図４は、図３（ａ）〜（ｄ）の本発明の反射型マスク１０１、２０１、３０１、４０１を上面からみた図である。本発明の反射型マスク１０１、２０１、３０１、４０１は、吸収層領域８０と遮光帯領域９０と回路パターン領域８５から構成されている。
【００３１】
このようにして、ＥＵＶ光に対する反射率が吸収層領域８０および吸収層５１よりも充分に小さい遮光帯領域９０を有する反射型マスクブランクを得ることができる。
（反射型マスクの製造方法）
次に、反射型マスク及び反射型マスクの製造方法について説明する。
【００３２】
図１に示す反射型マスクブランク１００もしくは２００を用意し、電子線リソグラフィにより、それらの膜面上にレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマを使用したドライエッチングにより吸収層５１をエッチングし、続いてレジスト剥離および洗浄を実施することで、吸収層５１に回路パターン領域８５が形成された反射型マスク１０１、２０１（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）を得ることができる。
【００３３】
あるいは、図１に示す反射型マスクブランク３００もしくは４００を用意し、電子線リソグラフィにより、その膜面上にレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマ
もしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマを使用したドライエッチングにより吸収層５１をエッチングし、次いで塩素プラズマにより緩衝層４１をエッチングし、レジスト剥離および洗浄を実施することで、吸収層５１および緩衝層４１に回路パターン領域８５が形成された反射型マスク３０１、４０１（図３（ｃ）、図３（ｄ）参照）を得ることができる。
【００３４】
このようにして、ＥＵＶ光に対する反射率が吸収層領域よりも充分に小さい遮光帯領域を有する反射型マスクを得る。
【実施例】
【００３５】
＜実施例１＞
以下、図５を用いて本発明の反射型マスクブランクの製造方法を説明する。
【００３６】
図５は断面図であり、図５（ａ）に本実施例で用意した低熱膨張ガラス基板１１１を示す。その一方の面上にｉ線用のポジ型レジストＡＲ８０レジスト（東京応化工業（株）製）をスピンコーターにて、多層反射層（Ｍｏ／Ｓｉ）の膜厚２８０ｎｍと吸収層の膜厚７０ｎｍの合計３５０ｎｍよりも厚い４００ｎｍの乾燥膜厚になるように塗布した。その後、レーザー描画機ＡＬＴＡ−３０００（アプライド  マテリアルズ  社製）にて遮光帯の枠幅となる縦幅３ｍｍ、横幅２ｍｍ以外の領域を描画する。非描画領域が遮光帯形成部分となり、本実施例ではマスク中心を原点とすると、遮光帯の内枠Ｘ＝−５２ｍｍ、Ｙ＝−６６ｍｍからＸ：５２ｍｍ、Ｙ：６６ｍｍ、枠幅は縦幅３ｍｍ、横幅２ｍｍの縦長の長方形とした。描画後、現像液として濃度２．３８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）液を使用して現像することにより、図５（ｂ）のようにレジストパターン１１５を形成した。その上に波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６４％程度となるように設計されたＭｏ膜とＳｉ膜を交互に４０ペア積層した多層反射層１２１を図５（ｃ）のように成膜した。その後、保護膜（不図示）としてＲｕを２．５ｎｍの厚さでスパッタリング法を用いて成膜した。続いて、図５（ｄ）のように窒化チタン（ＴａＮ）を主材料とした吸収層１５１をスパッタリング法にて成膜した。その後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学機械研磨）処理を行うことにより、図５（ｅ）に示したように、遮光帯領域である多層反射層除去部２１ａ上の吸収層１５１および多層反射層１２１を除去した。以上の工程により図３で説明した多層反射層除去部２１ａの部分においてレジストパターン１５１が露出する。最後に硫酸系の洗浄液にて、多層反射層除去部２１ａに形成されていたレジストパターン１１５を除去した。以上によりマスクブランクス１０２が完成した。マスクブランクス１０２は、図１（ａ）のマスクブランクス１００と同じ構成のマスクブランクである。
【００３７】
なお、後述する回路パターン領域の形成工程において、レジストパターン１８４（図６参照）を電子線描画で形成する場合は電子のチャージアップが懸念される場合がある。この場合はレジスト層１６１をコートする前に、低温膨張ガラス基板１１１上へ、導電性を備えた材料として金属酸化物系の材料であるＩＴＯ：酸化インジウムスズ、または、その他の材料（ＳｉＣ：炭化ケイ素、ＤＬＣ：ダイアモンドライクカーボンなど）を成膜しても良い。
【００３８】
以上のようにして、回路パターンとなる領域の外周部に多層反射層除去部２１ａを有する本発明の反射型マスクブランク１０２を作製することができる。
＜実施例２＞
実施例１にて作製した反射型マスクブランク１０２から反射型マスク１０１を作製し、露光テストを実施した。図６にその作製工程を示す。図６（ａ）に示した反射型マスクブランク１０２と同一構成の反射型マスクブランク１００に、図６（ｂ）において、レジスト層１６１（ポジ型化学増幅レジストであるＦＥＰ１７１（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ製））を３００ｎｍの膜厚で塗布し、図６（ｃ）において、電子線描画機ＪＢＸ９０００（日本電子（株）製）によってドーズ量１５μＣ／ｃｍ２にて描画後、Ｔ
ＭＡＨ２．３８％現像液を用いた現像処理によりレジストパターン１８４を形成した。次いで、図６（ｄ）において、ドライエッチング装置を用いて、Ｃ１２ガスを主とした混合ガスを用いた誘導結合型プラズマ装置を使用し、吸収層１５１をエッチングし、レジスト剥離および洗浄を実施することで、吸収層１５１に回路パターン領域１８５を形成し、本発明の反射型マスク１０１を作製した。
＜実施例３＞
実施例１にて作製した反射型マスクブランク１０２の吸収層１５１のＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）の反射率を測定した。表１および図７に示す通り、遮光帯領域である多層反射層除去部１２１ａ以外の領域での最大反射率が１．２８％であるのに対し、遮光帯領域の反射率は０．００％であった。
【００３９】
【表１】
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【００４０】
＜実施例４＞
図５（ｄ）から図５（ｅ）を作製する手段として、ＣＭＰではなくリフトオフを用いた方法を実施した。図５（ｄ）のマスクブランクを５０℃に加熱したレジスト剥離液であるＮＭＰ（Ｎ−メチルピロドリン）溶液に所定の時間、浸漬する。これによりアルカリ系薬液であるレジスト剥離液ＮＭＰが、レジストパターン１１５の側壁部を不完全に被覆して薄くなっているか、または亀裂などが生じている部分を通ることにより、レジストパターン１１５をレジスト剥離液ＮＭＰが侵食して基板１１１から剥離や溶解することで、レジストパターン１１５と共にレジストパターン１１５の上部に積層された反射層１２１と吸収層１５１をリフトオフすることができた。以上のようにして図５（ｅ）の遮光帯付きマスクブランクを得た。レジスト剥離液としてＮＭＰを使用したが、その他にプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチルセロソルブアセテート、シクロペンタン、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、エチルエチルケトン、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、エチレンカーボネート（炭酸エチレン）などを選択しても良い。
【符号の説明】
【００４１】
１１・・・基板
２１、１２１・・・多層反射層
２１ａ、１２１ａ・・・多層反射層除去部
４１・・・緩衝層
５１、１５１・・・吸収層
７１・・・導電膜
８０・・・吸収層領域
８５、１８５・・・回路パターン領域
９０・・・遮光帯領域
１００、１０２、２００、３００、４００・・・反射型マスクブランク
１０１、２０１、３０１、４０１・・・反射型マスク
１１１・・・低熱膨張基板
１１５、１８４・・・レジストパターン
１６１・・・レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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