(57)【要約】【課題】基板の中央部より周辺部でシールリング上のメッキ膜が厚くなるのを抑制【解決手段】多数個取り基板１（以下、基板１という）は、基板本体２と配線基板領域３と耳部４とシールリング（以下、ＳＲという）３４を備える。基板本体２は、表面２１と裏面２２を有しセラミックからなる。配線基板領域３は、基板本体２の中央側に位置し、複数の配線基板が縦横の平面方向に沿って配置される。耳部４は配線基板領域３の周囲を囲む。ＳＲ３４は金属製の枠体で各配線基板の表面２１の各辺に沿って形成される。基板１は、さらに枠体５と補助電極６を備える。枠体５は、耳部４の表面の各辺に沿って形成され、セラミックからなる。補助電極６は、枠体５の上に配置され、かつ、基板１に電解メッキを施すために形成されたメッキ用電極と電気的に接続される。基板１では、補助電極６の表面は、ＳＲ３４の表面より高い、または、ＳＲ３４の表面と同じ高さである。【選択図】図３
2017002342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面を有し、セラミックからなる基板本体と、
前記基板本体の中央側に位置し、平面視が矩形の表面および裏面を有する複数の配線基板が縦横の平面方向に沿って配置される配線基板領域と、
前記基板本体の周辺側に位置し、前記配線基板領域の周囲を囲む耳部と、
金属製の枠体で、前記各配線基板の表面の各辺に沿って形成され、平面視が枠状の表面および裏面を有するシールリングと、
を備える多数個取り基板であって、
前記耳部の表面の各辺に沿って形成される、セラミックからなる枠体と、
前記枠体の上に配置され、かつ、前記多数個取り基板に電解メッキを施すために前記基板本体に形成されたメッキ用電極と電気的に接続される、補助電極と、を備え、
前記補助電極の表面は、前記シールリングの表面より高いこと、または、前記シールリングの表面と同じ高さであること、
を特徴とする多数個取り基板。
【請求項２】
互いに隣接する前記シールリングと前記枠体との間隔は、互いに隣接する複数の前記シールリングの間隔に等しい、または、互いに隣接する複数の前記シールリングの間隔よりも大きく、かつ、前記配線基板の各辺の長さの半分より小さい、
ことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り基板。
【請求項３】
前記配線基板の表面および裏面に形成された複数の金属層と、前記シールリングと、を被覆するメッキ層を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多数個取り基板。
【請求項４】
表面および裏面を有し、セラミックからなる基板本体と、
前記基板本体の中央側に位置、平面視が矩形の表面および裏面を有する複数の配線基板が縦横の平面方向に沿って配置される配線基板領域と、
前記基板本体の周辺側に位置し、前記配線基板領域の周囲を囲む耳部と、
金属製の枠体で、前記各配線基板の表面の各辺に沿って形成され、平面視が枠状の表面および裏面を有するシールリングと、
を備える多数個取り基板の製造方法であって、
焼成後に基板本体となるグリーンシートを準備する工程と、
前記グリーンシートと、焼成後に枠体となる、平面視が矩形枠で且つ内側に貫通孔を有するグリーンシート枠体と、を積層する工程と、
前記グリーンシート枠体上に配置され、かつ、前記多数個取り基板に電解メッキを施すために前記グリーンシートに形成された未焼成メッキ用電極と電気的に接続される、未焼成の補助電極を形成する工程と、を備え、
前記補助電極の表面が、前記シールリングの表面より高くなるように、または、前記シールリングの表面と同じ高さであるように形成する
ことを特徴とする多数個取り基板の製造方法。
【請求項５】
表面および裏面を有し、セラミックからなる基板本体と、
前記基板本体の中央側に位置、平面視が矩形の表面および裏面を有する複数の配線基板が縦横の平面方向に沿って配置される配線基板領域と、
前記基板本体の周辺側に位置し、前記配線基板領域の周囲を囲む耳部と、
金属製の枠体で、前記各配線基板の表面の各辺に沿って形成され、平面視が枠状の表面および裏面を有するシールリングと、
を備える多数個取り基板の製造方法であって、
前記多数個取り基板に電解メッキを施すために、前記耳部の表面の各辺に沿って金属製の第１プレートを配置する工程を含み、
前記第１プレートの表面は、前記シールリングの表面より高いこと、または、前記シールリングの表面と同じ高さである、
ことを特徴とする多数個取り基板の製造方法。
【請求項６】
表面および裏面を有し、セラミックからなる基板本体と、
前記基板本体の中央側に位置、平面視が矩形の表面および裏面を有する複数の配線基板が縦横の平面方向に沿って配置される配線基板領域と、
前記基板本体の周辺側に位置し、前記配線基板領域の周囲を囲む耳部と、
金属製の枠体で、前記各配線基板の表面の各辺に沿って形成され、平面視が枠状の表面および裏面を有するシールリングと、
を備える多数個取り基板の製造方法であって、
前記多数個取り基板に電解メッキを施すために、前記耳部の表面の各辺に沿って金属製の第２プレートを配置する工程を含み、
前記第２プレートが、前記耳部と、前記耳部の付近に配置されている前記配線基板とを覆うように配置され、
かつ、前記第２プレートの表面は、前記シールリングの表面より高いこと、または、前記シールリングの表面と同じ高さである、
ことを特徴とする多数個取り基板の製造方法。
【請求項７】
表面および裏面を有し、セラミックからなる基板本体と、
前記基板本体の中央側に位置、平面視が矩形の表面および裏面を有する複数の配線基板が縦横の平面方向に沿って配置される配線基板領域と、
前記基板本体の周辺側に位置し、前記配線基板領域の周囲を囲む耳部と、
金属製の枠体で、前記各配線基板の表面の各辺に沿って形成され、平面視が枠状の表面および裏面を有するシールリングと、
を備える多数個取り基板の製造方法であって、
前記多数個取り基板に電解メッキを施すために、前記耳部の表面の各辺に沿って金属製の第３プレートを配置する工程を含み、
前記第３プレートは前記耳部と非接触で前記耳部の上方に位置するように配置され、
かつ、前記第３プレートの表面は、前記シールリングの表面より高いこと、または、前記シールリングの表面と同じ高さである、
ことを特徴とする多数個取り基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に複数の配線基板が形成される多数個取り基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、配線基板を製造する場合には、１枚の大版の基板上に複数の配線基板を形成したいわゆる多数個取り基板が用いられる。この種の多数個取り基板は、複数の配線基板が縦横に配置された配線基板領域と、配線基板領域の周囲を囲むように形成された耳部とから構成されている。
【０００３】
このような多数個取り基板に電解メッキを施すことで多数個取り基板の中央部より周辺部でメッキ膜が厚くなるのを抑制するために、耳部にダミー電極を形成する技術が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３４９１９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そして、水晶振動子またはＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタなどの電子部品を収納するパッケージが上記の配線基板として形成される多数個取り基板に電解メッキを施すと、パッケージにロウ付けされた金属製のシールリング上に形成されるメッキ膜の厚さがばらついてしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものであり、多数個取り基板の中央部より周辺部でシールリング上のメッキ膜が厚くなるのを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた第１発明は、基板本体と、配線基板領域と、耳部と、シールリングと、を備える多数個取り基板である。基板本体は、表面および裏面を有し、セラミックからなる。配線基板領域は、基板本体の中央側に位置し、平面視が矩形の表面および裏面を有する複数の配線基板が縦横の平面方向に沿って配置される。耳部は、基板本体の周辺側に位置し、配線基板領域の周囲を囲む。シールリングは、金属製の枠体で、各配線基板の表面の各辺に沿って形成され、平面視が枠状の表面および裏面を有する。
【０００８】
第１発明の多数個取り基板は、さらに、枠体と、補助電極と、を備える。枠体は、耳部の表面の各辺に沿って形成され、セラミックからなる。補助電極は、枠体の上に配置され、かつ、多数個取り基板に電解メッキを施すために基板本体に形成されたメッキ用電極と電気的に接続される。
【０００９】
そして、第１発明の多数個取り基板では、補助電極の表面は、シールリングの表面より高い、または、シールリングの表面と同じ高さである。
このように構成された第１発明の多数個取り基板は、多数個取り基板に電解メッキを施す場合に、耳部の付近におけるメッキ液の還流を上記枠体と上記補助電極によって変え、耳部の付近に配置されているシールリングへ向かって泳動するカチオンを、耳部側へ向けて強制的に泳動させることができる。
【００１０】
これにより、第１発明の多数個取り基板は、電解メッキを施すことで多数個取り基板の中央部より周辺部でメッキ膜が厚くなるのを抑制することができる。
また、第１発明の多数個取り基板において、中央部より周辺部でメッキ膜が厚くなるのを抑制するためには、互いに隣接するシールリングと枠体との間隔は、互いに隣接する複数のシールリングの間隔に等しい、または、互いに隣接する複数のシールリングの間隔よりも大きく、かつ、配線基板の各辺の長さの半分より小さいようにしてもよい。
【００１１】
また、第１発明の多数個取り基板において、配線基板の表面および裏面に形成された複数の金属層と、シールリングと、を被覆するメッキ層を有するようにしてもよい。
このように構成された第１発明の多数個取り基板は、シールリング上のメッキ膜だけではなく、配線基板の表面および裏面に形成された複数の金属層上のメッキ膜についても、多数個取り基板の中央部より周辺部でメッキ膜が厚くなるのを抑制することができる。
【００１２】
また、上記目的を達成するためになされた第２発明は、基板本体と、配線基板領域と、耳部と、シールリングと、を備える多数個取り基板の製造方法である。
第２発明の多数個取り基板の製造方法は、焼成後に基板本体となるグリーンシートを準備する工程と、グリーンシートと、焼成後に枠体となる、平面視が矩形枠で且つ内側に貫通孔を有するグリーンシート枠体と、を積層する工程とを備える。
【００１３】
第２発明の多数個取り基板の製造方法は、さらに、グリーンシート枠体上に配置され、かつ、多数個取り基板に電解メッキを施すためにグリーンシートに形成された未焼成メッキ用電極と電気的に接続される、未焼成の補助電極を形成する工程と、を備える。
【００１４】
そして、第２発明の多数個取り基板の製造方法では、補助電極の表面が、シールリングの表面より高くなるように、または、シールリングの表面と同じ高さであるように形成する。
【００１５】
この製造方法は、第１発明の多層配線基板を製造する方法であり、当該方法を実行することで、第１発明の多層配線基板と同様の効果を得ることができる。
また、上記目的を達成するためになされた第３発明は、基板本体と、配線基板領域と、耳部と、シールリングと、を備える多数個取り基板の製造方法である。
【００１６】
第３発明の多数個取り基板の製造方法は、多数個取り基板に電解メッキを施すために、耳部の表面の各辺に沿って金属製の第１プレートを配置する工程を含む。
そして、第３発明の多数個取り基板の製造方法では、第１プレートの表面は、シールリングの表面より高いこと、または、シールリングの表面と同じ高さである。
【００１７】
このように構成された第３発明の多数個取り基板の製造方法は、多数個取り基板に電解メッキを施す場合に、耳部の付近におけるメッキ液の還流を上記第１プレートによって変え、耳部の付近に配置されているシールリングへ向かって泳動するカチオンを、耳部側へ向けて強制的に泳動させることができる。
【００１８】
これにより、第３発明の多数個取り基板の製造方法は、電解メッキを施すことで多数個取り基板の中央部より周辺部でメッキ膜が厚くなるのを抑制することができる。
また、上記目的を達成するためになされた第４発明は、基板本体と、配線基板領域と、耳部と、シールリングと、を備える多数個取り基板の製造方法である。
【００１９】
第４発明の多数個取り基板の製造方法は、多数個取り基板に電解メッキを施すために、耳部の表面の各辺に沿って金属製の第２プレートを配置する工程を含む。
そして、第４発明の多数個取り基板の製造方法では、第２プレートが、耳部と、耳部の付近に配置されている配線基板とを覆うように配置され、かつ、第２プレートの表面は、シールリングの表面より高いこと、または、シールリングの表面と同じ高さである。
【００２０】
このように構成された第４発明の多数個取り基板の製造方法は、多数個取り基板に電解メッキを施す場合に、耳部の付近におけるメッキ液の還流を上記第２プレートによって変え、耳部の付近に配置されているシールリングへ向かって泳動するカチオンを、耳部側へ向けて強制的に泳動させることができる。
【００２１】
これにより、第４発明の多数個取り基板の製造方法は、電解メッキを施すことで多数個取り基板の中央部より周辺部でメッキ膜が厚くなるのを抑制することができる。
また、上記目的を達成するためになされた第５発明は、基板本体と、配線基板領域と、耳部と、シールリングと、を備える多数個取り基板の製造方法である。
【００２２】
第５発明の多数個取り基板の製造方法は、多数個取り基板に電解メッキを施すために、耳部の表面の各辺に沿って金属製の第３プレートを配置する工程を含む。
そして、第５発明の多数個取り基板の製造方法では、第３プレートは耳部と非接触で耳部の上方に位置するように配置され、かつ、第３プレートの表面は、シールリングの表面より高いこと、または、シールリングの表面と同じ高さである。
【００２３】
このように構成された第５発明の多数個取り基板の製造方法は、多数個取り基板に電解メッキを施す場合に、耳部の付近におけるメッキ液の還流を上記第３プレートによって変え、耳部の付近に配置されているシールリングへ向かって泳動するカチオンを、耳部側へ向けて強制的に泳動させることができる。
【００２４】
これにより、第５発明の多数個取り基板の製造方法は、電解メッキを施すことで多数個取り基板の中央部より周辺部でメッキ膜が厚くなるのを抑制することができる。
また、第５発明の多数個取り基板の製造方法は、第３プレートが耳部と接触しないように配置されるため、電解メッキの工程が終了して多数個取り基板がメッキラックから取り出されたときに耳部上にメッキ液が残るのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】多数個取り基板１の平面図である。
【図２】配線基板３０の断面図である。
【図３】多数個取り基板１の断面図である。
【図４】接続導体６１の配置を示す断面図である。
【図５】メッキ液中のカチオンの泳動を示す枠体５付近の断面図である。
【図６】多数個取り基板１０１の平面図である。
【図７】第２実施形態の電解メッキ工程を示す断面図である。
【図８】ダミープレート１２０の平面図である。
【図９】Ｎｉメッキ膜とＡｕメッキ膜の厚さのバラツキを示すヒストグラムと、配線基板領域３内における分布を示す等高線グラフである。
【図１０】メッキ液中のカチオンの泳動を示す耳部４付近の断面図である。
【図１１】第３実施形態の電解メッキ工程を示す断面図である。
【図１２】第４実施形態の電解メッキ工程を示す断面図である。
【図１３】接続導体６２の配置を示す断面図である。
【図１４】ビア６４の配置を示す断面図である。
【図１５】別の実施形態のダミープレート１２０の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
（第１実施形態）
以下に本発明の第１実施形態を図面とともに説明する。
本発明が適用された実施形態の多数個取り基板１は、図１に示すように、基板本体２を備える。基板本体２は、例えばアルミナなどのセラミックを材料として、平面視が矩形となるように成形された板状の基板であり、表面２１（図３を参照）および裏面２２（図３を参照）を有する。
【００２７】
基板本体２は、基板本体２の中央部に形成された配線基板領域３と、配線基板領域３の全周を囲むように形成された矩形状の耳部４とからなる。
配線基板領域３には、平面視が矩形の表面２１（図２を参照）および裏面２２（図２を参照）を有する複数の配線基板３０が、平面方向に沿って格子状に配置されている。
【００２８】
配線基板３０は、水晶振動子またはＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタなどの電子部品を収納するためのパッケージであり、図２に示すように、表面側パッド３１、裏面側パッド３２、ビア３３および金属製のシールリング３４を備える。
【００２９】
表面側パッド３１は、表面２１に形成される金属層であり、表面２１上に搭載された電子部品と電気的に接続させるための電極である。
裏面側パッド３２は、裏面２２に形成される金属層であり、配線基板３０をその外部（例えば、回路基板）と電気的に接続させるための電極である。
【００３０】
ビア３３は、基板本体２を貫通して形成される導体であり、表面側パッド３１と裏面側パッド３２とを電気的に接続する。
シールリング３４は、平面視が矩形である配線基板３０の四辺に沿って枠状に形成されて表面３６および裏面３７を有する金属部材であり、表面２１上にロウ付けされる。シールリング３４は、各配線基板３０の表面２１に各配線基板３０の略中央ごとに各枠体の中央が重なるように配置される。枠状のシールリング３４により形成される開口部３５内に、電子部品が収納される。
【００３１】
表面側パッド３１、裏面側パッド３２およびビア３３は、例えばタングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）により形成される。そして、表面側パッド３１および裏面側パッド３２の表面には、ニッケル（Ｎｉ）メッキ膜３８と金（Ａｕ）メッキ膜３９が被覆されている。
【００３２】
シールリング３４は、例えばコバールにより形成される。そして、シールリング３４の表面および側面には、ニッケル（Ｎｉ）メッキ膜３８と金（Ａｕ）メッキ膜３９が被覆されている。シールリング３４は、シールリング３４の開口部３５内に収納された電子部品を蓋体（不図示）で封止するために用いられるものである。
【００３３】
耳部４は、図１に示すように、その外周縁に形成された１つまたは複数（本実施形態では４個）の凹部４１を備える。凹部４１は、半円状に形成されており、多数個取り基板１に電解メッキを施すためのメッキ用電極４２（図４を参照）が設けられる。
【００３４】
多数個取り基板１は、図１と図３に示すように、枠体５と補助電極６を備える。枠体５は、例えばアルミナなどのセラミックを材料として、平面視が矩形である耳部４の四辺に沿って枠状に形成された部材であり、耳部４における表面２１上に配置されている。補助電極６は、例えばタングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）により、平面視が矩形である枠体５の四辺に沿って枠状に形成された金属層であり、枠体５の表面５１上に配置されている。
【００３５】
図３に示すように、枠体５および補助電極６は、基板本体２の裏面２２から補助電極６の表面までの高さＨｐが、基板本体２の裏面２２からシールリング３４の表面までの高さＨｓよりも大きくなるように形成されている。但し、枠体５および補助電極６は、高さＨｐと高さＨｓとが同じになるように形成されていてもよい。
【００３６】
また枠体５は、隣接するシールリング３４との間隔Ｐｆが、互いに隣接するシールリング３４の間隔Ｐｓよりも大きく、且つ、配線基板３０の辺の長さＬｓの半分よりも小さくなるように配置される。
【００３７】
また補助電極６は、図４に示すように、枠体５の内側側面５２に形成された接続導体６１により、メッキ用電極４２と電気的に接続される。
次に、多数個取り基板１の製造方法を説明する。
【００３８】
（１）スラリーの調製
まず、アルミナ粉末の粒子と、樹脂バインダと、可塑剤と、溶剤などからなる原料を混合して、グリーンシート用スラリーを調製した。
【００３９】
（２）セラミックグリーンシートの形成
調製したグリーンシート用スラリーを、ドクターブレード法などの汎用の方法により、平面視が矩形である基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートと、平面視が矩形枠状である枠体５用の未焼成セラミックグリーンシートとを得た。また、基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートと枠体５用の未焼成セラミックグリーンシートの外周縁に、切り欠き加工によって、半円状の凹部４１を形成した。
【００４０】
（３）未焼成ビアの形成
基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートにおける複数の配線基板３０の形成箇所に、打ち抜き加工により穿孔し、ビアホールを形成した。そして、Ｗ粉末またはＭｏ粉末を含む導電性ペーストをビアホール内に充填し、未焼成ビアを形成した。
【００４１】
（４）基板本体２用の未焼成表面側パッドの形成
導電性ペーストを用いた印刷によって、基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートの表面に未焼成表面側パッドおよび未焼成表面側配線層を形成する。また、基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートにおける凹部４１の内壁に導電性ペーストを印刷して、未焼成メッキ用電極を形成した。
【００４２】
（５）セラミックグリーンシートの積層
上記（４）で得られた基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートと、枠体５用の未焼成セラミックグリーンシートとを積層した後に圧着して、グリーンシート積層体を得た。
【００４３】
（６）枠体５用の未焼成電極の形成
上記（５）で得られたグリーンシート積層体における基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートの裏面に未焼成裏面側パッドおよび未焼成裏面側配線層を形成した。また、導電性ペーストを用いた印刷によって、グリーンシート積層体における枠体５用の未焼成セラミックグリーンシートの表面５１に未焼成補助電極を形成するとともに、内側側面５２に未焼成接続導体を形成した。
【００４４】
（７）焼成
上記（６）で得られたグリーンシート積層体を、所定の温度で焼成することにより、焼成積層体を得た。
【００４５】
（８）シールリングの形成
上記（７）で得られた焼成積層体における複数の配線基板３０に、シールリング３４をロウ付けした。
【００４６】
（９）電解メッキ
上記（８）で得られた焼成積層体の凹部４１の部分に、メッキ端子を接触させてＮｉ電解メッキおよびＡｕ電解メッキを行い、表面側パッド３１、裏面側パッド３２およびシールリング３４の表面および側面にＮｉメッキ膜３８およびＡｕメッキ膜３９を被覆した。これにより、多数個取り基板１を得た。
【００４７】
このように構成された多数個取り基板１は、基板本体２と、配線基板領域３と、耳部４と、シールリング３４とを備える。基板本体２は、表面２１および裏面２２を有し、セラミックからなる。配線基板領域３は、基板本体２の中央側に位置し、平面視が矩形の表面２１および裏面２２を有する複数の配線基板３０が縦横の平面方向に沿って配置される。耳部４は、基板本体２の周辺側に位置し、配線基板領域３の周囲を囲む。シールリング３４は、金属製の枠体で、各配線基板３０の表面２１の各辺に沿って形成され、平面視が枠状の表面３６および裏面３７を有する。
【００４８】
多数個取り基板１は、さらに、枠体５と、補助電極６とを備える。枠体５は、耳部４の表面の各辺に沿って形成され、セラミックからなる。補助電極６は、枠体５の上に配置され、かつ、多数個取り基板１に電解メッキを施すために基板本体２に形成されたメッキ用電極４２と電気的に接続される。
【００４９】
そして多数個取り基板１では、補助電極６の表面は、シールリング３４の表面より高い、言い換えると、突出しているか、または、シールリング３４の表面と同じ高さである。
このように構成された多数個取り基板１は、多数個取り基板１に電解メッキを施す場合に、耳部４の付近におけるメッキ液の還流を枠体５と補助電極６によって変え、耳部４の付近に配置されているシールリング３４へ向かって泳動するカチオンを、耳部４側へ向けて強制的に泳動させることができる（図５の矢印ＣＴ１，ＣＴ２を参照）。
【００５０】
これにより、多数個取り基板１は、電解メッキを施すことで多数個取り基板１の中央部より周辺部でメッキ膜３８，３９が厚くなるのを抑制することができる。
また多数個取り基板１は、配線基板３０の表面２１および裏面２２に形成された複数の表面側パッド３１および裏面側パッド３２と、シールリング３４とを被覆するＮｉメッキ膜３８およびＡｕメッキ膜３９を有する。
【００５１】
このように構成された多数個取り基板１は、シールリング３４上のメッキ膜３８，３９だけではなく、配線基板３０の表面２１および裏面２２に形成された複数の表面側パッド３１および裏面側パッド３２上のメッキ膜３８，３９についても、多数個取り基板１の中央部より周辺部でメッキ膜３８，３９が厚くなるのを抑制することができる。
【００５２】
以上説明した実施形態において、表面側パッド３１および裏面側パッド３２は本発明における金属層、メッキ膜３８，３９は本発明におけるメッキ層である。
また、基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートは本発明における焼成後に基板本体となるグリーンシート、枠体５用の未焼成セラミックグリーンシートは本発明におけるグリーンシート枠体、未焼成補助電極は本発明における未焼成の補助電極である。
【００５３】
（第２実施形態）
以下に本発明の第２実施形態を図面とともに説明する。
第２実施形態の多数個取り基板１０１は、図６に示すように、第１実施形態と同様に、基板本体２を備える。
【００５４】
基板本体２は、第１実施形態と同様に、配線基板領域３と、耳部４とからなる。
配線基板領域３には、第１実施形態と同様に、複数の配線基板３０が、平面方向に沿って格子状に配置されている。
【００５５】
配線基板３０は、第１実施形態と同様に、表面側パッド３１、裏面側パッド３２、ビア３３およびシールリング３４を備える（図２を参照）。
耳部４は、第１実施形態と同様に、その外周縁に形成された複数の凹部４１を備える。凹部４１には、第１実施形態と同様に、多数個取り基板１０１に電解メッキを施すためのメッキ用電極４２（図４を参照）が設けられる。
【００５６】
次に、多数個取り基板１０１の製造方法を説明する。
（１）スラリーの調製
まず、アルミナ粉末の粒子と、樹脂バインダと、可塑剤と、溶剤などからなる原料を混合して、グリーンシート用スラリーを調製した。
【００５７】
（２）セラミックグリーンシートの形成
調製したグリーンシート用スラリーを、ドクターブレード法などの汎用の方法により、平面視が矩形である基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートを得た。また、基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートの外周縁に、切り欠き加工によって、半円状の凹部４１を形成した。
【００５８】
（３）未焼成ビアの形成
基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートにおける複数の配線基板３０の形成箇所に、打ち抜き加工により穿孔し、ビアホールを形成した。そして、Ｗ粉末またはＭｏ粉末を含む導電性ペーストをビアホール内に充填し、未焼成ビアを形成した。
【００５９】
（４）未焼成パッドの形成
導電性ペーストを用いた印刷によって、基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートの表面に未焼成表面側パッドおよび未焼成表面側配線層を形成するとともに、基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートの裏面に未焼成裏面側パッドおよび未焼成裏面側配線層を形成した。また、基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートにおける凹部４１の内壁に導電性ペーストを印刷して、未焼成メッキ用電極を形成した。
【００６０】
（５）焼成
上記（４）で得られた基板本体２用の未焼成セラミックグリーンシートを、所定の温度で焼成することにより、焼成済み基板を得た。
【００６１】
（６）シールリングの形成
上記（５）で得られた焼成済み基板における複数の配線基板３０に、シールリング３４をロウ付けする。
【００６２】
（７）電解メッキ
図７に示すように、上記（６）で得られた焼成済み基板１１０と、ダミープレート１２０をメッキラック１３０内に取り付けて、Ｎｉ電解メッキおよびＡｕ電解メッキを行い、表面側パッド３１、裏面側パッド３２およびシールリング３４の表面にＮｉメッキ膜３８およびＡｕメッキ膜３９を被覆した。これにより、多数個取り基板１０１を得た。
【００６３】
ダミープレート１２０は、図８に示すように、例えば４２アロイまたはアルミなどの金属を材料として枠状に成形された部材であり、平面視が矩形である耳部４の四辺に沿って配置することができる大きさを有する。そして、ダミープレート１２０は、図７に示すように、ダミープレート１２０の裏面と耳部４とが接触するように、且つ、ダミープレート１２０の表面がシールリング３４の表面より上方に突出するようにメッキラック１３０内に取り付けられる。但し、ダミープレート１２０の表面がシールリング３４の表面と同じ高さになるようにしてもよい。
【００６４】
次に、ダミープレート１２０を用いて製造された多数個取り基板１０１のＮｉメッキ膜３８とＡｕメッキ膜３９の厚さのバラツキと分布を図９に示す。
図９は、縦方向に沿って５個または６個毎に且つ横方向に沿って５個毎に配線基板３０を抽出して（図６においてハッチングが施された配線基板３０を参照）、抽出された２５個の配線基板３０についてＮｉメッキ膜３８とＡｕメッキ膜３９の厚さを測定した結果を示す。
【００６５】
ヒストグラムＨ１およびヒストグラムＨ２はそれぞれ、ダミープレート１２０を用いずに製造された多数個取り基板１０１のシールリング３４の表面および側面に形成されたＮｉメッキ膜３８およびＡｕメッキ膜３９の厚さのバラツキを示す。
【００６６】
等高線グラフＧ１および等高線グラフＧ２はそれぞれ、ダミープレート１２０を用いずに製造された多数個取り基板１０１のシールリング３４の表面および側面に形成されたＮｉメッキ膜３８およびＡｕメッキ膜３９の厚さの配線基板領域３内における分布を示す。
【００６７】
ヒストグラムＨ３およびヒストグラムＨ４はそれぞれ、ダミープレート１２０を用いて製造された多数個取り基板１０１のシールリング３４の表面および側面に形成されたＮｉメッキ膜３８およびＡｕメッキ膜３９の厚さのバラツキを示す。
【００６８】
等高線グラフＧ３および等高線グラフＧ４はそれぞれ、ダミープレート１２０を用いて製造された多数個取り基板１０１のシールリング３４上に形成されたＮｉメッキ膜３８およびＡｕメッキ膜３９の厚さの配線基板領域３内における分布を示す。
【００６９】
ダミープレート１２０を用いずに製造された多数個取り基板１０１では、ヒストグラムＨ１に示すように、Ｎｉメッキ膜３８の厚さのバラツキが大きく、等高線グラフＧ１に示すように、配線基板領域３の中央部より周辺部でＮｉメッキ膜３８が厚くなる。また、ヒストグラムＨ２に示すように、Ａｕメッキ膜３９の厚さのバラツキは、Ｎｉメッキ膜３８よりも小さい。しかし、等高線グラフＧ２に示すように、配線基板領域３の中央部より周辺部でＡｕメッキ膜３９が厚くなる。
【００７０】
これに対し、ダミープレート１２０を用いて製造された多数個取り基板１０１では、ヒストグラムＨ３と等高線グラフＧ３に示すように、Ｎｉメッキ膜３８の厚さのバラツキが小さい。また、ヒストグラムＨ４と等高線グラフＧ４に示すように、Ａｕメッキ膜３９の厚さのバラツキが小さい。
【００７１】
このように構成された多数個取り基板１０１の製造方法は、多数個取り基板１に電解メッキを施すために、耳部４の表面の各辺に沿って金属製のダミープレート１２０を配置する工程を含む。
【００７２】
そして、多数個取り基板１０１の製造方法では、ダミープレート１２０の表面は、シールリング３４の表面より高いこと、または、シールリング３４の表面と同じ高さである。
このように構成された多数個取り基板１０１の製造方法は、多数個取り基板１０１に電解メッキを施す場合に、耳部４の付近におけるメッキ液の還流をダミープレート１２０によって変え、耳部４の付近に配置されているシールリング３４へ向かって泳動するカチオンを、耳部４側へ向けて強制的に泳動させることができる（図１０の矢印ＣＴ１１，ＣＴ１２，ＣＴ１３を参照）。
【００７３】
これにより、多数個取り基板１０１の製造方法は、電解メッキを施すことで多数個取り基板１０１の中央部より周辺部でメッキ膜３８，３９が厚くなるのを抑制することができる。
【００７４】
以上説明した実施形態において、ダミープレート１２０は本発明における第１プレートである。
（第３実施形態）
以下に本発明の第３実施形態を図面とともに説明する。なお第３実施形態では、第２実施形態と異なる部分を説明する。
【００７５】
第３実施形態の多数個取り基板１０１は、その製造方法において電解メッキを行う工程が第２実施形態と異なる。
すなわち、図１１に示すように、焼成済み基板１１０と、ダミープレート１４０をメッキラック１３０内に取り付けて、Ｎｉ電解メッキおよびＡｕ電解メッキを行い、表面側パッド３１、裏面側パッド３２およびシールリング３４の表面および側面にＮｉメッキ膜３８およびＡｕメッキ膜３９を被覆した。
【００７６】
ダミープレート１４０は、第２実施形態のダミープレート１２０と同様に、例えば４２アロイまたはアルミなどの金属を材料として枠状に成形された部材であり、平面視が矩形である耳部４の四辺に沿って配置することができる大きさを有する。
【００７７】
爪１４１を耳部４とダミープレート１４０との間に設置することによりダミープレート１４０を浮かせ、ダミープレート１４０は、耳部４と、耳部４の付近に配置されている配線基板３０とを覆うようにメッキラック１３０内に取り付けられる。
【００７８】
次に、ダミープレート１４０を用いて製造された多数個取り基板１０１のＮｉメッキ膜３８とＡｕメッキ膜３９の厚さのバラツキと分布を図９に示す。なお図９では、ダミープレート１４０が、耳部４の付近に配置されている３列分の配線基板３０を覆うようにメッキラック１３０内に取り付けられた場合の結果を示す。
【００７９】
ヒストグラムＨ５およびヒストグラムＨ６はそれぞれ、ダミープレート１４０を用いて製造された多数個取り基板１０１のシールリング３４の表面および側面に形成されたＮｉメッキ膜３８およびＡｕメッキ膜３９の厚さのバラツキを示す。
【００８０】
等高線グラフＧ５および等高線グラフＧ６はそれぞれ、ダミープレート１４０を用いて製造された多数個取り基板１０１のシールリング３４の表面および側面に形成されたＮｉメッキ膜３８およびＡｕメッキ膜３９の厚さの配線基板領域３内における分布を示す。
【００８１】
ダミープレート１４０を用いて製造された多数個取り基板１０１では、ヒストグラムＨ５と等高線グラフＧ５に示すように、Ｎｉメッキ膜３８の厚さのバラツキが小さい。また、ヒストグラムＨ６と等高線グラフＧ６に示すように、Ａｕメッキ膜３９の厚さのバラツキが小さい。
【００８２】
このように構成された多数個取り基板１０１の製造方法は、多数個取り基板１に電解メッキを施すために、耳部４の表面の各辺に沿って金属製のダミープレート１４０を配置する工程を含む。
【００８３】
そして、多数個取り基板１０１の製造方法では、ダミープレート１４０が、耳部４と、耳部４の付近に配置されている配線基板３０とを覆うように配置され、かつ、ダミープレート１４０の表面は、シールリング３４の表面より高い。
【００８４】
このように構成された多数個取り基板１０１の製造方法は、多数個取り基板１０１に電解メッキを施す場合に、耳部４の付近におけるメッキ液の還流をダミープレート１４０によって変え、耳部４の付近に配置されているシールリング３４へ向かって泳動するカチオンを、耳部４側へ向けて強制的に泳動させることができる。
【００８５】
これにより、多数個取り基板１０１の製造方法は、電解メッキを施すことで多数個取り基板１０１の中央部より周辺部でメッキ膜３８，３９が厚くなるのを抑制することができる。
【００８６】
以上説明した実施形態において、ダミープレート１４０は本発明における第２プレートである。
（第４実施形態）
以下に本発明の第４実施形態を図面とともに説明する。なお第４実施形態では、第２実施形態と異なる部分を説明する。
【００８７】
第４実施形態の多数個取り基板１０１は、その製造方法において電解メッキを行う工程が第２実施形態と異なる。
すなわち、ダミープレート１２０は、図１２に示すように、ダミープレート１２０の裏面と耳部４とが接触しないように、且つ、ダミープレート１２０の表面がシールリング３４の表面より上方に突出するようにメッキラック１３０内に取り付けられる。但し、ダミープレート１２０の表面がシールリング３４の表面と同じ高さになるようにしてもよい。
【００８８】
このように構成された多数個取り基板１０１の製造方法は、多数個取り基板１に電解メッキを施すために、耳部４の表面の各辺に沿って金属製のダミープレート１２０を配置する工程を含む。
【００８９】
そして、多数個取り基板１０１の製造方法では、ダミープレート１２０が、耳部４と非接触で耳部４の上方に位置するように配置され、かつ、ダミープレート１２０は、シールリング３４の表面より高いこと、または、シールリング３４の表面と同じ高さである。
【００９０】
このように構成された多数個取り基板１０１の製造方法は、多数個取り基板１０１に電解メッキを施す場合に、耳部４の付近におけるメッキ液の還流をダミープレート１２０によって変え、耳部４の付近に配置されているシールリング３４へ向かって泳動するカチオンを、耳部４側へ向けて強制的に泳動させることができる。
【００９１】
これにより、多数個取り基板１０１の製造方法は、電解メッキを施すことで多数個取り基板１０１の中央部より周辺部でメッキ膜３８，３９が厚くなるのを抑制することができる。
【００９２】
また、多数個取り基板１０１の製造方法は、ダミープレート１２０が耳部４と接触しないように配置されるため、電解メッキの工程が終了して多数個取り基板１０１がメッキラック１３０から取り出されたときに耳部４上にメッキ液が残るのを抑制することができる。
【００９３】
以上説明した実施形態において、ダミープレート１２０は本発明における第３プレートである。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採ることができる。
【００９４】
例えば上記第１実施形態では、枠体５の内側側面５２に接続導体６１を形成することにより補助電極６とメッキ用電極４２と電気的に接続するものを示した。しかし、図１３に示すように、枠体５の外側側面５３に接続導体６２を形成することにより補助電極６とメッキ用電極４２と電気的に接続するようにしてもよい。また、図１４に示すように、枠体５を貫通するビア６４を形成することにより補助電極６とメッキ用電極４２と電気的に接続するようにしてもよい。
【００９５】
また上記第２，３，４実施形態では、枠状に成形されたダミープレート１２０，１４０を示したが、図１５に示すように、ダミープレート１２０，１４０に多数の貫通孔を形成し、網目状にしてもよい。
【００９６】
また上記第３実施形態では、ダミープレート１４０の表面がシールリング３４の表面より高いものを示したが、ダミープレート１４０の表面がシールリング３４の表面と同じ高さになるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９７】
１，１０１…多数個取り基板、２…基板本体、３…配線基板領域、４…耳部、５…枠体、６…補助電極、３０…配線基板、３１…表面側パッド、３２…裏面側パッド、３３…ビア、３４…シールリング、３８…Ｎｉメッキ膜、３９…Ａｕメッキ膜、４１…凹部、４２…メッキ用電極、６１…接続導体、６２…接続導体、６４…ビア、１２０，１４０…ダミープレート、１３０…メッキラック
【図１】
2017002342.tif 000003
【図２】
2017002342.tif 000004
【図３】
2017002342.tif 000005
【図４】
2017002342.tif 000006
【図５】
2017002342.tif 000007
【図６】
2017002342.tif 000008
【図７】
2017002342.tif 000009
【図８】
2017002342.tif 000010
【図９】
2017002342.tif 000011
【図１０】
2017002342.tif 000012
【図１１】
2017002342.tif 000013
【図１２】
2017002342.tif 000014
【図１３】
2017002342.tif 000015
【図１４】
2017002342.tif 000016
【図１５】
2017002342.tif 000017