(57)【要約】【課題】基板を静止した状態で成膜する場合でも、基板の面内方向における膜厚のばらつきを抑制することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】第１成膜工程ＳＴ１では、マザー基板１００を静止した状態でマザー基板１００に第１膜９１を形成した後、マザー基板１００の向きを変え、第２成膜工程ＳＴ２において、マザー基板１００を静止した状態で第１膜９１と同一材料からなる第２膜９２を成膜する。第１成膜工程ＳＴ１および第２成膜工程ＳＴ２では、マザー記基板１００とターゲット３０とを対向させるとともに、ターゲット３０に対して基板１００と反対側で第１方向Ｙの長さがマザー基板１００より長いマグネット４０を第２方向Ｘに走査させながらスパッタリングを行う。この場合、第１成膜工程ＳＴ１と第２成膜工程ＳＴ２とでは、マザー基板１００の向きを９０°切り換える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を静止した状態で前記基板に第１膜を形成する第１成膜工程と、
前記第１成膜工程の後、前記基板の向きを変え、前記基板を静止した状態で前記第１膜と同一材料からなる第２膜を前記第１膜に積層する第２成膜工程と、
を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１成膜工程および前記第２成膜工程は、前記基板とターゲットとを対向させるとともに、前記ターゲットに対して前記基板と反対側で第１方向の長さが前記基板より長いマグネットを前記第１方向に直交する第２方向に走査させながらスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング工程であり、
前記第１成膜工程と前記第２成膜工程とでは、前記基板の向きを９０°切り換えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１膜の膜厚と前記第２膜の膜厚とが等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１膜および前記第２膜は、金属酸化膜であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１膜および前記第２膜は、電気光学層を駆動する電極を形成するためのＩＴＯ膜であることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板は、複数の電気光学装置用基板に分割されるマザー基板であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜工程を有する電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置の製造工程では、例えば、画素電極等を形成する際、基板に対してＩＴＯ膜等の成膜工程が行われる。かかる成膜工程では、基板の全体に均一な厚さでＩＴＯ膜を形成する必要があるが、例えば、ＩＴＯ膜をマグネトロンスパッタリング法に成膜する際には、マグネットの向き等の影響で、基板の第１方向の端部での膜厚と、基板の第１方向と交差する第２方向の端部での膜厚が大きくばらつくという事態が発生することがある。
【０００３】
一方、基板に対してターゲットを斜めに配置した状態でのスパッタリング法において、基板を回転させながら成膜する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１０８１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板を静止した状態で成膜していた工程を、特許文献１に記載の方法のように、基板を回転させながら成膜する工程に変更するには、新たな成膜装置が必要となり、コストが増大するという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板を静止した状態で成膜する場合でも、基板の面内方向における膜厚のばらつきを抑制することのできる電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板を静止した状態で前記基板に第１膜を形成する第１成膜工程と、前記第１成膜工程の後、前記基板の向きを変え、前記基板を静止した状態で前記第１膜と同一材料からなる第２膜を前記第１膜に積層する第２成膜工程と、を行うことを特徴とする。
【０００８】
本発明では、基板に膜を形成する際、第１成膜工程において、静止した状態で基板に第１膜を形成した後、第２成膜工程では、基板の向きを変えて、基板を静止した状態で第１膜と同一材料からなる第２膜を第１膜に積層する。このため、基板の向きによって第１膜および第２膜に面内方向における膜厚のばらつきが発生しても、第１成膜工程で発生した第１膜の面内方向における膜厚のばらつきを、第２成膜工程で形成した第２膜の面内方向における膜厚のばらつきによって圧縮することができる。従って、基板を静止した状態で成膜する場合でも、面内方向における膜厚のばらつきを抑制することができる。
【０００９】
本発明において、前記第１成膜工程および前記第２成膜工程は、前記基板とターゲットとを対向させるとともに、前記ターゲットに対して前記基板と反対側で第１方向の長さが前記基板より長いマグネットを前記第１方向に直交する第２方向に走査させながらスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング工程であり、前記第１成膜工程と前記第２成膜工程とでは、前記基板の向きを９０°切り換える態様を採用することができる。かかる態様によれば、成膜時に、基板の第１方向に位置していた両端部で膜厚が薄いという事態が発生しても、第１成膜工程と第２成膜工程とでは、基板の向きが異なるため、第１成膜工程で発生した第１膜の面内方向における膜厚のばらつきを、第２成膜工程で形成した第２膜の面内方向における膜厚のばらつきによって圧縮することができる。従って、基板を静止した状態で成膜する場合でも、面内方向における膜厚のばらつきを抑制することができる。
【００１０】
本発明において、前記第１膜の膜厚と前記第２膜の膜厚とが等しいことが好ましい。かかる構成によれば、第１成膜工程で発生した第１膜の面内方向における膜厚のばらつきを、第２成膜工程で形成した第２膜の面内方向における膜厚のばらつきによって適正に圧縮することができる。
【００１１】
本発明において、前記第１膜および前記第２膜は、金属酸化膜である態様を採用することができる。かかる態様によれば、第１成膜工程の後、第２成膜を行う前に第１１膜が空気と接触することがあっても、第１膜が酸化等の影響を受けにくい。
【００１２】
本発明において、前記第１膜および前記第２膜は、電気光学層を駆動する電極を形成するためのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜である態様を採用することができる。かかる構成の場合、ＩＴＯの膜厚ばらつきは、電気特性のばらつきに加えて、光学特性のばらつきの原因となるが、本発明によれば、電気特性のばらつき、および光学特性のばらつきを抑制することができる。
【００１３】
本発明において、前記基板は、複数の電気光学装置用基板に分割されるマザー基板である態様を採用することができる。かかる構成の場合、ＩＴＯの膜厚ばらつきは、電気光学装置毎の電気特性のばらつきに加えて、電気光学装置毎の光学特性のばらつきの原因となるが、本発明によれば、電気光学装置毎の電気特性のばらつき、および電気光学装置毎の光学特性のばらつきを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の平面図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置のＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置の製造方法を示す説明図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置の製造工程で用いるマザー基板の説明図である。
【図５】マグネトロンスパッタリング法による成膜方法の説明図である。
【図６】本発明に係る電気光学装置の製造方法で採用した成膜工程の説明図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置の製造方法で採用した成膜工程後のＩＴＯ膜の膜厚分布等を示す説明図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置の製造方法で採用した成膜工程後のＩＴＯ膜の表面を拡大して示す説明図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置の製造方法で採用した成膜工程を行うための成膜装置の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１６】
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の平面図であり、電気光学装置を構成要素と共に第２基板の側から見た平面図である。図２は、本発明を適用した電気光学装置のＨ−Ｈ′断面図である。
【００１７】
図１および図２に示すように、電気光学装置１は、第１基板１０（素子基板／電気光学装置用基板）と第２基板２０（対向基板／電気光学装置用基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされた液晶パネル３を有している。第１基板１０および第２基板２０の少なくとも一方は透光性基板からなる。液晶パネル３において、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間においてシール材１０７により囲まれた領域内に液晶層からなる電気光学層５０が保持されている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール材１０７は、例えば、途切れ部分からなる液晶注入口１０７ａを有しており、液晶注入口１０７ａは封止材１０６によって塞がれている。かかる構成の液晶パネル３は、後述するように、第１基板１０と第２基板２０とをシール材１０７で貼り合わせて液晶注入口１０７ａを備えた空セル３ｅを形成した後、液晶材料５０ａを注入し、しかる後に、液晶注入口１０７ａを封止材１０６によって塞ぐことにより製造される。
【００１８】
本形態において、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、第１基板１０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部１０ａ、１０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部１０ｃ、１０ｄとを備えている。第２基板２０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部２０ａ、２０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部２０ｃ、２０ｄとを備えている。液晶パネル３の略中央には、表示領域１ａ（画像表示領域）が四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１ｂが額縁状に設けられている。第１基板１０の一方側の基板面において、表示領域１ａには、画素トランジスター（図示せず）や画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。また、第１基板１０の一方面側において、周辺領域１ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００１９】
第１基板１０は、第２基板２０の端部２０ａから一方側（Ｙ方向）に張り出した張出領域１０５を備えており、張出領域１０５には、第１基板１０の一方側の端部１０ａに沿って複数の端子１０２が形成されている。張出領域１０５では、端子１０２が配列されている領域に対して端部１０ａが位置する側とは反対側にデータ線駆動回路１０１が形成されている。また、第１基板１０には、Ｘ方向で対向する端部１０ｃ、１０ｄに沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２０】
第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は第２基板２０の全面に形成されている。第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、表示領域１ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。第２基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる位置にブラックマトリクスとして形成されることもある。
【００２１】
このように構成した液晶パネル３において、第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる位置に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。
【００２２】
かかる構成の電気光学装置１において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。この場合、第１基板１０および第２基板２０の双方が透光性基板からなる。これに対して、共通電極２１をＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成し、画素電極９ａを反射性電極として構成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。この場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、少なくとも第２基板２０が透光性基板からなる。電気光学装置１は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、電気光学装置１は、投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２３】
このように構成した電気光学装置１において、電気光学層５０に誘電率異方性が負の液晶材料５０ａが用いられており、電気光学装置１は、電圧がかかっていないときを遮光状態とするノーマリーブラックモードとして用いられる。
【００２４】
（電気光学装置１の製造方法の概要）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１の製造方法を示す説明図である。図１および図２を参照して説明した電気光学装置１（液晶パネル３）を製造するには、図３に示すように、第１基板１０に対して画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１を行った後、斜方蒸着法等により配向膜１６を形成する配向膜形成工程Ｓ２を行う。一方、第２基板２０に対しては、共通電極２１等の形成工程Ｓ１１を行った後、斜方蒸着法等により配向膜２６を形成する配向膜形成工程Ｓ１２を行う。
【００２５】
次に、空セル形成工程Ｓ２０では、第１基板１０と第２基板２０とをシール材１０７で貼り合わせて液晶注入口１０７ａを備えた液晶パネル３用の空セル３ｅを形成する。より具体的には、まず、第１基板１０に対してシール材１０７を塗布するシール印刷工程Ｓ２１を行う。かかるシール材１０７の塗布は、ノズルからシール材１０７を吐出しながら、ノズルと第１基板１０とを相対移動させて、シール材１０７を矩形枠状に描画する。次に、シール材１０７によって第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせる貼り合わせ工程Ｓ２５を行う。貼り合わせ工程Ｓ２５では、まず、重ね合わせ工程Ｓ２２において、シール材１０７を間に挟んで第１基板１０と第２基板２０とを重ね合わせ、その後に、シール硬化工程Ｓ２３においてシール材１０７を硬化させ、空セル３ｅを構成する。シール硬化工程Ｓ２３では、例えば、第２基板２０側からＵＶ光等を照射してシール材１０７を硬化させる。
【００２６】
次に、液晶封入工程Ｓ３０では、真空注入法により、液晶注入口１０７ａから空セル３ｅ内に液晶材料５０ａを注入した後、封止工程Ｓ３４において、液晶注入口１０７ａに光硬化性樹脂からなる封止材１０６を塗布し、その後、封止材１０６を光硬化させて液晶注入口１０７ａを封止材１０６で塞ぐ。
【００２７】
（電気光学装置１の製造方法の詳細説明）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１の製造工程で用いるマザー基板の説明図である。図３を参照して説明した工程により電気光学装置１を製造するにあたって、少なくとも配向膜形成工程Ｓ２までは、第１基板１０として、図４を示すマザー基板１００を用い、その後、マザー基板１００を単品サイズの第１基板１０に切断する。マザー基板１００は、実線Ｌ１１で示す第１基板１０を多数取りできるマザー基板であり、シリコンウェーハと同様、円板状である。マザー基板１００において、複数の第１基板１０が切り出される領域（一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域）が有効領域１００ｙであり、それ以外の領域は、図３に示す切断工程Ｓ４０で除去される無効領域１００ｚ（除材領域／一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域の外側）である。なお、マザー基板１００には、成膜時にマザー基板１００の向きを合わせるためのノッチ１１０（切欠き）や、オリエンテーション・フラットと呼ばれる直線部が形成されている。
【００２８】
本形態では、少なくとも配向膜形成工程Ｓ１２までは、第２基板２０として、図４を示すマザー基板１００と同様なマザー基板２００を用い、その後、マザー基板２００を単品サイズの第２基板２０に切断する。
【００２９】
（ＩＴＯ膜の成膜方法）
図５は、マグネトロンスパッタリング法による成膜方法の説明図であり、図５には、成膜室内におけるマザー基板１００、ターゲット３０およびマグネット４０のレイアウトを示す平面図、第１方向Ｙからみた正面図、第２方向Ｘからみた側面図、およびマザー基板１００でのＩＴＯ膜の膜厚分布を示してある。図６は、本発明に係る電気光学装置１の製造方法で採用した成膜工程の説明図である。図７は、本発明に係る電気光学装置１の製造方法で採用した成膜工程後のＩＴＯ膜の膜厚分布等を示す説明図である。図８は、本発明に係る電気光学装置１の製造方法で採用した成膜工程後のＩＴＯ膜の表面を拡大して示す説明図である。
【００３０】
なお、図５および図７では、マザー基板１００に形成されたＩＴＯ膜の膜厚の等しい点を結んだ等層厚線を示すとともに、膜厚の水準において、膜厚が最も薄い領域、膜厚が２番目に薄い領域、膜厚が３番目に薄い領域、および膜厚が４番目に薄い領域に右上がりの斜線を付してある。
【００３１】
本形態では、画素電極９ａを形成する際には、マザー基板１００の状態でＩＴＯ膜の成膜を行った後、ＩＴＯ膜のパターニングを行う。また、共通電極２１を形成する際にも、マザー基板２００の状態でＩＴＯ膜の成膜を行うが、これらの成膜工程は略同一の構成である。従って、以下の説明では、第１基板１０（電気光学装置用基板）を形成するためのマザー基板１００にＩＴＯ膜を成膜する場合を中心に説明する。
【００３２】
図５において、マザー基板１００にマグネトロンスパッタリング法によりＩＴＯ膜を成膜するマグネトロンスパッタリング工程では、マザー基板１００とターゲット３０とを平行に対向させるとともに、ターゲット３０に対してマザー基板１００と反対側にマグネット４０を配置する。マグネット４０は、第１方向Ｙの長さがマザー基板１００より長い棒状であり、成膜時には、マザー基板１００およびターゲット３０を静止した状態のまま、矢印Ｘ０で示すように、マグネット４０を第１方向Ｙと直交する第２方向Ｘに往復移動させる。従って、成膜の際、マグネット４０によってターゲット３０の表面に強力な磁場を形成することができる。このため、ターゲット３０の表面では電子密度が高くなるので、ターゲット３０の表面のアルゴンイオンが増大する。それ故、スパッタリング効率が向上するので、成膜効率を向上することができる。
【００３３】
但し、マザー基板１００において第１方向Ｙの両端部は、マグネット４０の端部に相当する部分であるため、他の部分より、マグネット４０により形成される磁場が小さい。このため、マザー基板１００において第１方向Ｙの両端部で成膜速度が遅いので、マザー基板１００において第１方向Ｙの両端部では、他の部分より、ＩＴＯ膜の膜厚が薄くなってしまう。例えば、第２方向Ｘにノッチを向けてマザー基板１００を配置した場合、ノッチに対して９０°の角度方向に位置する端部では、ＩＴＯ膜の膜厚が薄くなってしまう。
【００３４】
そこで、本形態では、図６を参照して以下に説明するように、マグネトロンスパッタリング工程（成膜工程）を２回の成膜工程（第１成膜工程ＳＴ１および第２成膜工程ＳＴ２）に分けて行い、第１成膜工程ＳＴ１と第２成膜工程ＳＴ２とにおいてマザー基板１００の向きを変える。すなわち、第１成膜工程ＳＴ１では、マザー基板１００を静止した状態でマザー基板１００にＩＴＯ膜からなる第１膜９１を形成した後、第２成膜工程ＳＴ２では、マザー基板１００の向きを９０°変え、マザー基板１００を静止した状態で第１膜９１と同一材料（ＩＴＯ）からなる第２膜９２を第１膜９１に積層する。
【００３５】
例えば、第１成膜工程ＳＴ１では、第２方向Ｘにノッチ１１０を向けてマザー基板１００を配置した状態でＩＴＯ膜（第１膜９１）を形成する。第２成膜工程ＳＴ２では、マザー基板１００の角度方向を９０°変えて、第１方向Ｙにノッチ１１０を向けてマザー基板１００を配置した状態でＩＴＯ膜（第２膜９２）を形成する。
【００３６】
本形態では、第１成膜工程ＳＴ１で形成する第１膜９１の膜厚と、第２成膜工程ＳＴ２で形成する第２膜９２の膜厚とが等しい。すなわち、最終的に形成すべきＩＴＯ膜の膜厚をｔとしたとき、第１成膜工程ＳＴ１では、厚さがｔ／２の第１膜９１を形成し、第２成膜工程ＳＴ２では、厚さがｔ／２の第２膜９２を形成する。
【００３７】
このような成膜方法によれば、図７に示すように、マザー基板１００においてノッチ１１０が形成されている端部１００ａを起点に対して等角度間隔に９０°ずつ離間した位置を各々、端部１００ｂ、１００ｃ、１００ｄとしたとき、第１成膜工程ＳＴ１では、マザー基板１００の第１方向Ｙに位置していた両端部１００ｂ、１００ｄで第１膜９１の膜厚が薄くなる。これに対して、第２成膜工程ＳＴ２では、マザー基板１００の第１方向Ｙに位置していた両端部１００ａ、１００ｃで第２膜９２の膜厚が薄くなる。このため、第１膜９１と第２膜９２との積層膜からなるＩＴＯ膜９０では、第１成膜工程ＳＴ１で発生した第１膜９１の厚さばらつきが、第２成膜工程ＳＴ２で形成した第２膜９２の厚さばらつきによって圧縮される。従って、マザー基板１００を静止した状態で成膜する場合でも、ＩＴＯ膜９０の面内方向における膜厚のばらつきを抑制することができる。
【００３８】
ここで、第１膜９１および第２膜９２は、いずれも金属酸化膜（ＩＴＯ膜）であるため、第１成膜工程ＳＴ１から第２成膜工程ＳＴ２に移行する際、第１成膜工程ＳＴ１で成膜した第１膜９１の表面が空気に触れても、酸化等が発生しにくい。それ故、図８に第１膜９１および第２膜９２の表面を電子顕微鏡で拡大して撮影した写真を示すように、第１膜９１および第２膜９２では、グレインの大きさ等、表面状態に差が発生しない。また、第１膜９１および第２膜９２では、シート抵抗や透過率にも差はみられなかった。それ故、本形態によれば、第１基板１００を静止した状態で成膜する場合でも、ＩＴＯ膜９０の結晶構造等を変化させることなく、ＩＴＯ膜９０の面内方向における膜厚のばらつきを圧縮することができる。
【００３９】
（成膜装置の構成例）
図９は、本発明に係る電気光学装置１の製造方法で採用した成膜工程を行うための成膜装置の一例を示す説明図である。
【００４０】
図９に示す成膜装置１０００は、マザー基板１００の出し入れを行う複数のロードポート１１００と、複数のロードポート１１００に接続するバッファステーション１２００とを有しており、バッファステーション１２００には、ノッチ１１０の位置を合わせるノッチアライナー１２１０が設けられている。
【００４１】
バッファステーション１２００は、予備加熱用ロードロック１３００および冷却用ロードロック１４００を介して真空搬送部１５００が接続している。真空搬送部１５００には搬送ロボット（図示せず）が設けられており、マザー基板１００は、搬送ロボットによって、各チャンバーへの搬送が行われる。真空搬送部１５００には、ヒートチャンバー１６００、第１成膜チャンバー１７１０、および第２成膜チャンバー１７２０が接続しており、第１成膜チャンバー１７１０、および第２成膜チャンバー１７２０の内部には、図５を参照して説明したターゲット３０およびマグネット４０が配置されている。
【００４２】
このように構成した成膜装置１０００では、ロードポート１１００を介してバッファステーション１２００に投入されたマザー基板１００は、ノッチアライナー１２１０によって向きが合わせられた後、予備加熱用ロードロック１３００を介して真空搬送部１５００に搬送される。次に、マザー基板１００は、ヒートチャンバー１６００で加熱された後、第１成膜チャンバー１７１０に搬送される。第１成膜チャンバー１７１０では、図６を参照して説明した第１成膜工程ＳＴ１が行われる。
【００４３】
次に、第１成膜工程ＳＴ１が行われたマザー基板１００は、第１成膜チャンバー１７１０から真空搬送部１５００を介して第２成膜チャンバー１７２０に搬送され、第２成膜チャンバー１７２０において、図６を参照して説明した第２成膜工程ＳＴ２が行われる。
【００４４】
次に、第２成膜工程ＳＴ２が行われたマザー基板１００は、第２成膜チャンバー１７２０から真空搬送部１５００および冷却用ロードロック１４００を介してバッファステーション１２００に搬送され、ロードポート１１００から排出される。その間、別のマザー基板１００に対する成膜が行われる。
【００４５】
なお、上記の成膜装置１０００では、第１成膜チャンバー１７１０において第１成膜工程ＳＴ１を行い、第２成膜チャンバー１７２０において第２成膜工程ＳＴ２を行ったが、成膜装置に１つの成膜チャンバーのみが設けられている場合、１つの成膜チャンバーにおいて第１成膜工程ＳＴ１および第２成膜工程ＳＴ２を順次行ってもよい。
【００４６】
（他の実施の形態）
上記実施の形態では、電気光学装置１の第１基板１０を得るためのマザー基板１００にＩＴＯ膜を形成する場合を中心に説明したが、第２基板２０を得るためのマザー基板２００にＩＴＯ膜を形成する場合も同様である。
【００４７】
上記実施の形態では、液晶装置（電気光学装置１）に用いる基板にＩＴＯ膜を形成する場合を説明したが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置や電気泳動表示装置等の電気光学装置に用いる基板にＩＴＯ膜を形成する場合に本発明を適用してもよい。
【００４８】
また、上記実施の形態では、電気光学装置１に用いる基板にＩＴＯ膜を形成する場合を説明したが、容量素子を形成するための誘電体膜等、ＩＴＯ膜以外の金属酸化膜を形成する場合に本発明を適用してもよい。
【００４９】
また、上記実施の形態では、マグネトロンスパッタリング法により成膜する場合に本発明を適用したが、蒸着法やＣＶＤ法等、他の成膜方法を行う場合に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１…電気光学装置、１ａ…表示領域、９ａ…画素電極、１０…第１基板（電気光学装置用基板）、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ…端部、２０…第２基板（電気光学装置用基板）、２１…共通電極、３０…ターゲット、４０…マグネット、５０…電気光学層、９０…ＩＴＯ膜（金属酸化膜）、９１…第１膜、９２…第２膜、１００、２００…マザー基板（基板）、１１０…ノッチ、１０００…成膜装置、１１００…ロードポート、１２００…バッファステーション、１２１０…ノッチアライナー、１３００…予備加熱用ロードロック、１４００…冷却用ロードロック、１５００…真空搬送部、１６００…ヒートチャンバー、１７１０…第１成膜チャンバー、１７２０…第２成膜チャンバー、ＳＴ１…第１成膜工程、ＳＴ２…第２成膜工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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