(57)【要約】【課題】高い放熱性を有することができる発光装置を提供する。【解決手段】本発明に係る発光装置は、活性層、第１クラッド層および第２クラッド層と、を含み、前記第２クラッド層は、前記第２クラッド層に設けられた第１溝部と第２溝部との間に、リッジ部を有し、前記活性層は、積層方向からみて、前記リッジ部と重なる領域に、光を導波させる光導波路を構成し、前記光導波路は、光を出射する第１光出射面および第２光出射面を有し、前記第１溝部および前記第２溝部は、前記積層方向からみて、前記光導波路に沿って延在し、前記積層方向からみて、前記第１溝部の幅および第２溝部の幅は、前記第１光出射面および前記第２光出射面までの距離が等しい中心位置において、最も広く、前記第１溝部および前記第２溝部には、前記光導波路で発生した熱を放出する放熱部が設けられ、前記放熱部の材質は、前記第２クラッド層の材質よりも、熱伝導率が高い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
を含み、
前記第２クラッド層は、前記第２クラッド層に設けられた第１溝部と第２溝部との間に、リッジ部を有し、
前記活性層は、前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記リッジ部と重なる領域に、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、光を出射する第１光出射面および第２光出射面を有し、
前記第１溝部および前記第２溝部は、前記積層方向からみて、前記光導波路に沿って延在し、
前記積層方向からみて、前記第１溝部の幅および前記第２溝部の幅は、前記第１光出射面および前記第２光出射面までの距離が等しい中心位置において、最も広く、
前記第１溝部および前記第２溝部には、前記光導波路で発生した熱を放出する放熱部が設けられ、
前記放熱部の材質は、前記第２クラッド層の材質よりも、熱伝導率が高い、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
前記第１クラッド層、前記活性層、および前記第２クラッド層を有する積層体と、
を含み、
前記積層体は、前記第２電極と接続されている接続領域を有し、
前記積層方向からみて、前記接続領域の幅は、前記中心位置から前記第１光出射面側に向かうにつれて広くなり、かつ、前記中心位置から前記第２光出射面側に向かうにつれて広くなる、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記積層方向からみて、前記リッジ部の幅は、前記中心位置から前記第１光出射面側に向かうにつれて広くなり、かつ、前記中心位置から前記第２光出射面側に向かうにつれて広くなる、ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記積層方向からみて、前記第１溝部の幅および前記第２溝部の幅は、前記中心位置から前記第１光出射面側に向かうにつれて狭くなり、かつ、前記中心位置から前記第２光出射面側に向かうにつれて狭くなる、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記積層方向からみて、前記第１溝部、前記第２溝部、および前記光導波路を合わせた形状は、前記中心位置に関して対称である、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１光出射面および前記第２光出射面には、反射防止膜が設けられている、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記光導波路は、前記第１光出射面の法線および前記第２光出射面の法線に対して傾いた方向に延在している、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
を含み、
前記第２クラッド層は、前記第２クラッド層に設けられた第１溝部と第２溝部との間に、リッジ部を有し、
前記活性層は、前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記リッジ部と重なる領域に、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、光を射出する光出射面と、光を反射させる光反射面と、を有し、
前記第１溝部および前記第２溝部は、前記積層方向からみて、前記光導波路に沿って延在し、
前記積層方向からみて、前記第１溝部の幅および前記第２溝部の幅は、前記光反射面が設けられている位置において、最も広く、
前記第１溝部および前記第２溝部には、前記光導波路で発生した熱を放出する放熱部が設けられ、
前記放熱部の材質は、前記第２クラッド層の材質よりも、熱伝導率が高い、ことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
前記第１クラッド層、前記活性層、および前記第２クラッド層を有する積層体と、
を含み、
前記積層体は、前記第２電極と接続されている接続領域を有し、
前記積層方向からみて、前記接続領域の幅は、前記光反射面側から前記光出射面側に向かうにつれて広くなる、ことを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記積層方向からみて、前記リッジ部の幅は、前記光反射面側から前記光出射面側に向かうにつれて広くなる、ことを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記積層方向からみて、前記第１溝部の幅および前記第２溝部の幅は、前記光反射面側から前記光出射面側に向かうにつれて狭くなる、ことを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記光出射面には、反射防止膜が設けられ、
前記光反射面には、反射膜が設けられている、ことを特徴とする請求項８ないし１１のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記光導波路は、複数配列されている、ことを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記活性層と、前記第１クラッド層と、前記第２クラッド層と、前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、を有する発光素子と、
前記発光素子が実装されている実装基板と、
を含み、
前記発光素子は、前記放熱部によって前記実装基板に接続されている、ことを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の発光装置と、
前記発光装置から出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置およびプロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザーやスーパールミネッセントダイオード（Ｓｕｐｅｒ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ、以下「ＳＬＤ」ともいう）などの半導体発光装置は、例えば、プロジェクターの光源として用いられる。ＳＬＤは、通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザー同様に単一の素子で数百ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体発光装置である。
【０００３】
例えば特許文献１には、２本の溝の間にｐ型の尾根状クラッド層とｐ型のコンタクト層との積層が画定され、尾根状クラッド層とコンタクト層とで構成される尾根状部分が、多重量子井戸層に沿った導波路を画定するＳＬＤが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−７６４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようなＳＬＤの光導波路では、光を射出する光出射面に向かって光が指数関数的に増幅されるため、光に変換されるキャリアの量が不足する部分と、光に変換されずにキャリアが余る部分と、が生じる。光に変換されなかったキャリアは熱に変わるため、余ったキャリアの量が多い部分では、発熱量が大きくなることがある。この発熱量は、特に、ｐ型の半導体層側を実装基板に向けて、半導体素子を実装基板に実装する場合（ジャンクションダウンの場合）に、問題となる。
【０００６】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、高い放熱性を有することができる発光装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記発光装置を含むプロジェクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る発光装置は、
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
を含み、
前記第２クラッド層は、前記第２クラッド層に設けられた第１溝部と第２溝部との間に、リッジ部を有し、
前記活性層は、前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記リッジ部と重なる領域に、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、光を出射する第１光出射面および第２光出射面を有し、
前記第１溝部および前記第２溝部は、前記積層方向からみて、前記光導波路に沿って延在し、
前記積層方向からみて、前記第１溝部の幅および前記第２溝部の幅は、前記第１光出射面および前記第２光出射面までの距離が等しい中心位置において、最も広く、
前記第１溝部および前記第２溝部には、前記光導波路で発生した熱を放出する放熱部が
設けられ、
前記放熱部の材質は、前記第２クラッド層の材質よりも、熱伝導率が高い。
【０００８】
このような発光装置では、キャリアが余る中心位置において、熱を放出することができ、高い放熱性を有することができる。
【０００９】
本発明に係る発光装置において、
前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
前記第１クラッド層、前記活性層、および前記第２クラッド層を有する積層体と、
を含み、
前記積層体は、前記第２電極と接続されている接続領域を有し、
前記積層方向からみて、前記接続領域の幅は、前記中心位置から前記第１光出射面側に向かうにつれて広くなり、かつ、前記中心位置から前記第２光出射面側に向かうにつれて広くなってもよい。
【００１０】
このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【００１１】
本発明に係る発光装置において、
前記積層方向からみて、前記リッジ部の幅は、前記中心位置から前記第１光出射面側に向かうにつれて広くなり、かつ、前記中心位置から前記第２光出射面側に向かうにつれて広くなってもよい。
【００１２】
このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【００１３】
本発明に係る発光装置において、
前記積層方向からみて、前記第１溝部の幅および前記第２溝部の幅は、前記中心位置から前記第１光出射面側に向かうにつれて狭くなり、かつ、前記中心位置から前記第２光出射面側に向かうにつれて狭くなってもよい。
【００１４】
このような発光装置では、光導波路の延在方向に沿って徐々に放熱性を変化させることができ、例えば光導波路に発生する熱の分布に合わせて、放熱性を変化させることができる。
【００１５】
本発明に係る発光装置において、
前記積層方向からみて、前記第１溝部、前記第２溝部、および前記光導波路を合わせた形状は、前記中心位置に関して対称であってもよい。
【００１６】
このような発光装置では、第１光出射面から出射される光の強度と、第２光出射面から出射される光の強度と、の差を小さくすることができる。
【００１７】
本発明に係る発光装置において、
前記第１光出射面および前記第２光出射面には、反射防止膜が設けられていてもよい。
【００１８】
このような発光装置では、第１光出射面および第２光出射面における光の反射を抑制することができ、効率よく第１光出射面および第２光出射面から光を出射することができる。
【００１９】
本発明に係る発光装置において、
前記光導波路は、前記第１光出射面の法線および前記第２光出射面の法線に対して傾いた方向に延在していてもよい。
【００２０】
このような発光装置では、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路にて発生する光のレーザー発振を抑制することができる。その結果、このような発光装置は、スペックルノイズを低減することができる。
【００２１】
本発明に係る発光装置は、
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
を含み、
前記第２クラッド層は、前記第２クラッド層に設けられた第１溝部と第２溝部との間に、リッジ部を有し、
前記活性層は、前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記リッジ部と重なる領域に、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、光を射出する光出射面と、光を反射させる光反射面と、を有し、
前記第１溝部および前記第２溝部は、前記積層方向からみて、前記光導波路に沿って延在し、
前記積層方向からみて、前記第１溝部の幅および前記第２溝部の幅は、前記光反射面が設けられている位置において、最も広く、
前記第１溝部および前記第２溝部には、前記光導波路で発生した熱を放出する放熱部が設けられ、
前記放熱部の材質は、前記第２クラッド層の材質よりも、熱伝導率が高い。
【００２２】
このような発光装置では、キャリアが余る光反射面が設けられている位置において、熱を放出することができ、高い放熱性を有することができる。
【００２３】
本発明に係る発光装置において、
前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
前記第１クラッド層、前記活性層、および前記第２クラッド層を有する積層体と、
を含み、
前記積層体は、前記第２電極と接続されている接続領域を有し、
前記積層方向からみて、前記接続領域の幅は、前記光反射面側から前記光出射面側に向かうにつれて広くなってもよい。
【００２４】
このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【００２５】
本発明に係る発光装置において、
前記積層方向からみて、前記リッジ部の幅は、前記光反射面側から前記光出射面側に向かうにつれて広くなってもよい。
【００２６】
このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【００２７】
本発明に係る発光装置において、
前記積層方向からみて、前記第１溝部の幅および前記第２溝部の幅は、前記光反射面側から前記光出射面側に向かうにつれて狭くなってもよい。
【００２８】
このような発光装置では、光導波路の延在方向に沿って徐々に放熱性を変化させることができ、例えば光導波路に発生する熱の分布に合わせて、放熱性を変化させることができる。
【００２９】
本発明に係る発光装置において、
前記光出射面には、反射防止膜が設けられ、
前記光反射面には、反射膜が設けられていてもよい。
【００３０】
このような発光装置では、光出射面における光の反射を抑制することができ、効率よく光出射面から光を出射することができる。さらに、このような発光装置では、光反射面における光の透過を抑制することができ、効率よく光反射面において光を反射させることができる。
【００３１】
本発明に係る発光装置において、
前記光導波路は、複数配列されていてもよい。
【００３２】
このような発光装置では、高出力化を図ることができる。
【００３３】
本発明に係る発光装置において、
前記活性層と、前記第１クラッド層と、前記第２クラッド層と、前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、を有する発光素子と、
前記発光素子が実装されている実装基板と、
を含み、
前記発光素子は、前記放熱部によって前記実装基板に接続されていてもよい。
【００３４】
このような発光装置では、放熱部を、発光素子を実装する際の接合部材として用いることができる。
【００３５】
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から出射された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
【００３６】
このようなプロジェクターでは、放熱性の高い発光装置を含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す図。
【図２】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図３】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図４】光導波路の延在方向の位置と、光強度と、の関係を説明するための図。
【図５】光導波路の延在方向の位置と、キャリア量と、の関係を説明するための図。
【図６】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】第１実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す図。
【図１０】第１実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１１】第１実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す図。
【図１２】第１実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す図。
【図１３】光導波路の延在方向の位置と、光強度と、の関係を説明するための図。
【図１４】第１実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す図。
【図１５】第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す図。
【図１６】第２実施形態の変形例に係る発光装置を模式的に示す図。
【図１７】第３実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３９】
１．  第１実施形態
１．１．  発光装置
まず、第１実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【００４０】
発光装置１００は、図１〜図３に示すように、発光素子２と、実装基板４と、放熱部６と、を含む。発光素子２は、積層体１０１と、絶縁層１１２と、第１電極１２０と、第２電極１２２と、反射防止膜１４０と、を有している。積層体１０１は、基板１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、コンタクト層１１０と、を有している。なお、図１は、発光装置１００の発光素子２を第２電極１２２側からみた図であって、第２電極１２２を省略した図である。
【００４１】
基板１０２は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板である。
【００４２】
第１クラッド層１０４は、基板１０２下に設けられている。第１クラッド層１０４は、例えば、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層である。なお、図示はしないが、基板１０２と第１クラッド層１０４との間に、バッファー層が形成されていてもよい。バッファー層は、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などである。バッファー層は、その下方に形成される層の結晶品質を向上させることができる。
【００４３】
活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に設けられている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。
【００４４】
活性層１０６は、図１に示すように、第１側面１０６ａと、第２側面１０６ｂと、第３側面１０６ｃと、第４側面１０６ｄと、を有している。側面１０６ａ，１０６ｂは、互いに反対方向を向く面（図示の例では平行な面）である。側面１０６ｃ，１０６ｄは、互いに反対方向を向く面（図示の例では平行な面）であり、側面１０６ａ，１０６ｂに接続された面である。側面１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄは、クラッド層１０４，１０８に面状に接していない面である。側面１０６ａ，１０６ｂは、劈開によって形成された劈開面であってもよい。
【００４５】
活性層１０６は、電流が注入されて光を発生させることが可能な層である。活性層１０６は、光を導波させる光導波路１６０を構成している。光導波路１６０を導波する光は、光導波路１６０において利得を受けることができる。
【００４６】
光導波路１６０は、活性層１０６および第１クラッド層１０４の積層方向からみて（「平面視において」ともいう）、帯状の形状を有し、第１側面１０６ａから第２側面１０６ｂまで延在している。図示の例では、平面視において、光導波路１６０の第１側面１０６ａと平行な方向の大きさは、第１側面１０６ａから第２側面１０６ｂまで一定である。光導波路１６０の平面形状（平面視における形状）は、例えば、平行四辺形である。
【００４７】
光導波路１６０は、光を射出する第１光出射面１７０および第２光出射面１７２を有している。第１光出射面１７０は、光導波路１６０の第１側面１０６ａとの接続部である。第２光出射面１７２は、光導波路１６０の第２側面１０６ｂとの接続部である。光導波路１６０は、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面１７２の法線Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。図示の例では、光導波路１６０の中心線αは、法線Ｐ１，Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。中心線αは、第１光出射面１７０の中心と第２光出射面１７２の中心とを通る仮想直線である。
【００４８】
光導波路１６０は、第１光出射面１７０および第２光出射面１７２までの距離が等しい中心位置Ｃを有している。図１に示す例では、中心位置Ｃとは、光出射面１７０，１７２までの距離が等しく、中心線α上の点である。
【００４９】
第２クラッド層１０８は、活性層１０６下に設けられている。第２クラッド層１０８は、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＩｎＧａＡｌＰ層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６よりもバンドギャップが大きく、屈折率が小さい層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光の漏れを抑制する機能を有している。
【００５０】
発光装置１００では、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光装置１００では、電極１２０，１２２間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、光導波路１６０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、光導波路１６０で光の強度が増幅される。光導波路１６０は、光を導波させる活性層１０６と、光の漏れを抑制するクラッド層１０４，１０８と、によって構成されている。
【００５１】
第２クラッド層１０８には、第１溝部１５０および第２溝部１５２が設けられている。第２クラッド層１０８は、活性層１０６の第１側面１０６ａと連続する第５側面１０８ａと、活性層１０６の第２側面１０６ｂと連続する第６側面１０８ｂと、を有している。溝部１５０，１５２は、第５側面１０８ａから第６側面１０８ｂまで延在している。
【００５２】
第１溝部１５０および第２溝部１５２は、平面視において、光導波路１６０に沿って延在している。具体的は、第１溝部１５０の第５側面１０８ａとの接続部の中心と、第１溝部１５０の第６側面１０８ｂとの接続部の中心と、の中心を通る仮想直線（図示せず）は、中心線αと平行である。同様に、第２溝部１５２の第５側面１０８ａとの接続部の中心と、第２溝部１５２の第６側面１０８ｂとの接続部の中心と、の中心を通る仮想直線（図示せず）は、中心線αと平行である。図示の例では、第３側面１０６ｃ側に第１溝部１５０が設けられ、第４側面１０６ｄ側に第２溝部１５２が設けられている。平面視において、第１溝部１５０、第２溝部１５２、および光導波路１６０を合わせた形状は、例えば、中心位置Ｃに関して対称（点対称）である。
【００５３】
第１溝部１５０の幅Ｗ１および第２溝部１５２の幅Ｗ２は、平面視において、中心位置Ｃにおいて、最も広い。具体的には、溝部１５０，１５２の幅Ｗ１，Ｗ２は、平面視において、中心位置Ｃを通り中心線αに対して直交する仮想直線βにおいて、最も広い。ここで、溝部１５０，１５２の幅（光導波路１６０の延在方向のある位置における幅）Ｗ１，Ｗ２は、平面視において、溝部１５０，１５２の中心線αと直交する方向の大きさである。
【００５４】
第１溝部１５０は、例えば、中心位置Ｃに位置する第１部分１５０ａと、第１部分１５
０ａよりも第５側面１０８ａ側に位置する第２部分１５０ｂと、第１部分１５０ａよりも第６側面１０８ｂ側に位置する第３部分１５０ｃと、を有している。第２溝部１５２は、例えば、中心位置Ｃに位置する第４部分１５２ａと、第４部分１５２ａよりも第５側面１０８ａ側に位置する第５部分１５２ｂと、第４部分１５２ａよりも第６側面１０８ｂ側に位置する第６部分１５２ｃと、を有している。部分１５０ａ，１５０ｂ，１５０ｃにおいて幅Ｗ１は、一定であり、部分１５２ａ，１５２ｂ，１５２ｃにおいて幅Ｗ２は、一定である。第１部分１５０ａの幅Ｗ１と第４部分１５２ａの幅Ｗ２とは、同じ大きさである。部分１５０ｂ，１５０ｃの幅Ｗ１と部分１５２ｂ，１５２ｃの幅Ｗ２とは、同じ大きさである。部分１５０ａ，１５２ａの幅Ｗ１，Ｗ２は、部分１５０ｂ，１５０ｃ，１５２ｂ，１５２ｃの幅Ｗ１，Ｗ２よりも広い。
【００５５】
第２クラッド層１０８は、第１溝部１５０と第２溝部１５２との間に、リッジ部１２８を有している。リッジ部１２８は、第５側面１０８ａから第６側面１０８ｂまで延在している。リッジ部１２８の平面形状は、例えば、光導波路１６０の平面形状と同じである。活性層１０６は、平面視において、リッジ部１２８と重なる領域に、光導波路１６０を構成する。
【００５６】
コンタクト層１１０は、図２および図３に示すように、第２クラッド層１０８下に設けられている。コンタクト層１１０は、リッジ部１２８と第２電極１２２との間に設けられている。コンタクト層１１０は、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層である。コンタクト層１１０は、第２電極１２２と接続（具体的にはオーミックコンタクト）されている。コンタクト層１１０は、クラッド層１０４，１０８よりも導電性の高い層である。
【００５７】
コンタクト層１１０とリッジ部１２８とは、柱状部１１１を構成している。発光装置１００は、屈折率導波型のＳＬＤである。平面視において、光導波路１６０の平面形状は、例えば、柱状部１１１の平面形状と同じである。
【００５８】
コンタクト層１１０、第２クラッド層１０８、活性層１０６、第１クラッド層１０４、および基板１０２によって構成されている積層体１０１は、第２電極１２２と接続されている接続領域１３０を有している。図示の例では、コンタクト層１１０は、接続領域１３０において、第２電極１２２と接続されている。接続領域１３０は、コンタクト層１１０と第２電極１２２との接触面であり、コンタクト層１１０が接続領域１３０を有している。
【００５９】
絶縁層１１２は、第２クラッド層１０８下であって、柱状部１１１の側方（平面視における柱状部１１１の周囲）および柱状部１１１下の一部に設けられている。例えば、柱状部１１１上に設けられた絶縁層１１２の開口の平面形状によって、接続領域１３０の平面形状が決定される。図示の例では、絶縁層１１２は、溝部１５０，１５２にも設けられている。絶縁層１１２は、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層である。絶縁層１１２として上記の材料を用いた場合、電極１２０，１２２間の電流は、絶縁層１１２を避けて、絶縁層１１２に挟まれた柱状部１１１を流れる。絶縁層１１２は、例えば、第２クラッド層１０８の屈折率よりも小さい屈折率を有している。
【００６０】
第１電極１２０は、基板１０２上に設けられている。第１電極１２０は、第１電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）の上面に設けられている。第１電極１２０は、発光装置１００を駆動する（活性層１０６に電流を注入する）ための一方の電極である。第１電極１２０としては、例えば、第１クラッド層１０４側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。
【００６１】
第２電極１２２は、リッジ部１２８の下方に設けられている。具体的には、第２電極１
２２は、コンタクト層１１０下および絶縁層１１２下に設けられている。図示の例では、第２電極１２２は、溝部１５０，１５２にも設けられている。第２電極１２２は、発光装置１００を駆動する（活性層１０６に電流を注入する）ための他方の電極である。第２電極１２２としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。
【００６２】
反射防止（ＡＲ：Ａｎｔｉ?Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）膜１４０は、光出射面１７０，１７２に設けられている。図示の例では、反射防止膜１４０は、側面１０６ａ，１０６ｂに設けられている。反射防止膜１４０は、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜である。
【００６３】
実装基板４は、積層体１０１、絶縁層１１２、第１電極１２０、第２電極１２２、および反射防止膜１４０を含む発光素子２が実装されている基板である。実装基板４の材質は、例えば、セラミックスや金属であり、発光素子２が実装されることができれば、特に限定されない。発光素子２は、第２電極１２２側を実装基板４に向けて、実装基板４に実装されている（ジャンクションダウン）。発光素子２は、例えば、放熱部６によって実装基板４に接続されている。
【００６４】
放熱部６は、第２電極１２２下に設けられている。放熱部６は、溝部１５０，１５２に設けられている。放熱部６は、例えば、溝部１５０，１５２を充填するように設けられている。放熱部６の材質は、第２クラッド層１０８の材質よりも、熱伝導率が高い。放熱部６は、銀ペーストであってもよく、めっき法により形成された金層と該金層下に設けられた銀ペーストとの積層体であってもよい。放熱部６は、光導波路１６０で発生した熱を放出することができる。
【００６５】
なお、上記では、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光装置１００について説明したが、本発明に係る発光装置、光導波路が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
【００６６】
発光装置１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。
【００６７】
発光装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００６８】
発光装置１００では、平面視において、第１溝部１５０の幅Ｗ１および第２溝部１５２の幅Ｗ２は、中心位置Ｃにおいて最も広く、溝部１５０，１５２には、光導波路１６０で発生した熱を放出する放熱部６が設けられている。そのため、発光装置１００では、キャリアが余る中心位置Ｃにおいて、熱を放出することができ、高い放熱性を有することができる。その結果、発光装置１００は、例えば、高い信頼性を有することができる。
【００６９】
ここで、図４は、光導波路の延在方向の位置と、光強度と、の関係を説明するための図である。図５は、光導波路の延在方向の位置と、キャリア量と、の関係を説明するための図である。図４および図５の横軸の光導波路の延在方向の位置は、第１光出射面（光導波路の一方の端）と第２光出射面（光導波路の他方の端）との間における、光導波路の延在方向の位置を示している。図４では、第１光出射面から第２光出射面に向かう光の強度Ｉ１と、第２光出射面から第１光出射面に向かう光の強度Ｉ２と、強度Ｉ１と強度Ｉ２との合計強度ＩＴＯＴＡＬと、を示している。なお、図４の縦軸の光強度とは、光導波路の延在方向のある位置において、単位時間当たり、光導波路の延在方向に対して垂直な断面を
通過する光子の数のことである。
【００７０】
一般的にＳＬＤでは、光出射面（反射率が小さい側）に向かって光が指数関数的に増幅される。そのため、図４に示すように、光強度は、光導波路の延在方向において不均一な分布を持つ。強度ＩＴＯＴＡＬの分布は、光導波路の延在方向の位置において、消費される消費キャリア量の分布とほぼ同じとなる。これにより、図５に示すように、光導波路の延在方向において単位長さ当たりの電流量が一定の場合、光出射面近傍では、キャリア消費量が多く、光に対して（光子に対して）キャリアが相対的に足りなくなる。すなわち、光が増幅されようとしたとき、光に変換されるキャリアが足りなくなる（キャリアの過不足が生じる）。その結果、光強度の大きい光出射面側では、利得の飽和が発生し、その分、光出力が低下する。なお、便宜上、図４では、利得の飽和による光出力の低下を図示していない）。また、単位長さ当たりの電流量とは、光導波路の延在方向のある位置において、その部分を積層方向（例えば活性層１０６および第１クラッド層１０４の積層方向）に流れる電流量のことである。
【００７１】
一方、光導波路の中心位置Ｃでは、光出射面近傍に比べてキャリアが多い状態であり、キャリアが十分に光に変換されておらず、キャリアが余っている（余剰キャリアが生じる）。したがって、中心位置Ｃでは、余剰キャリアによる発熱が大きくなる。
【００７２】
発光装置１００では、上記のように、溝部１５０，１５２の幅Ｗ１，Ｗ２は、中心位置Ｃにおいて最も広く、溝部１５０，１５２には放熱部６が設けられているため、中心位置Ｃにおける多量な余剰キャリアによる熱を、放熱部６によって放出させることができる。したがって、発光装置１００では、高い放熱性を有することができる。なお、図２および図３に示す矢印は、光導波路１６０において発生した熱の流れを示している。
【００７３】
さらに、発光装置１００では、余剰キャリアが少ない光出射面１７０，１７２近傍では、溝部１５０，１５２の幅Ｗ１，Ｗ２は狭い。したがって、発光装置１００では、光出射面１７０，１７２近傍の位置における溝部１５０，１５２の幅Ｗ１，Ｗ２が中心位置Ｃにおける幅Ｗ１，Ｗ２と同じ場合に比べて、実装時の応力が柱状部１１１に集中して信頼性が低下することを抑制することができる。
【００７４】
発光装置１００では、平面視において、第１溝部１５０、第２溝部１５２、および光導波路１６０を合わせた形状は、中心位置Ｃに関して対称である。したがって、発光装置１００では、光導波路１６０の、中心位置Ｃよりも（仮想直線βよりも）第１光出射面１７０側の部分と、中心位置Ｃよりも第２光出射面１７２側の部分と、の放熱性の差を小さくすることができる。そのため、発光装置１００では、第１光出射面１７０から出射される光の強度と、第２光出射面１７２から出射される光の強度と、の差を小さくすることができる。
【００７５】
発光装置１００では、光出射面１７０，１７２には、反射防止膜１４０が設けられている。そのため、発光装置１００では、光出射面１７０，１７２における光の反射を抑制することができ、効率よく光出射面１７０，１７２から光を出射することができる。
【００７６】
発光装置１００では、光導波路１６０は、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面１７２の法線Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。そのため、発光装置１００では、光導波路１６０にて発生する光を、光出射面１７０，１７２間で直接的に多重反射させることを抑制することができる。これにより、発光装置１００では、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路１６０にて発生する光のレーザー発振を抑制することができる。その結果、発光装置１００は、スペックルノイズを低減することができる。発光装置１００は、ＳＬＤである。
【００７７】
発光装置１００では、発光素子２は、放熱部６によって実装基板４に接続されている。したがって、発光装置１００では、放熱部６を、発光素子２を実装する際の接合部材として用いることができる。
【００７８】
１．２．  発光装置の製造方法
次に、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６〜図８は、第１実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【００７９】
図６に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。これにより、積層体１０１を形成することができる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法が挙げられる。
【００８０】
図７に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８をパターニングして、柱状部１１１を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。なお、コンタクト層１１０と第２クラッド層１０８とのエッチングは、同時に行ってもよいし、別々に行ってもよい。本工程により、溝部１５０，１５２およびリッジ部１２８を形成することができる。
【００８１】
図８に示すように、柱状部１１１の側面を覆うように、第２クラッド層１０８上およびコンタクト層１１０上に絶縁層１１２を形成する。具体的には、絶縁層１１２は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（より具体的にプラズマＣＶＤ法）や塗布法などにより絶縁部材（図示せず）を成膜し、該絶縁部材をパターニングすることにより形成される。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
【００８２】
次に、コンタクト層１１０上に第２電極１２２を形成する。次に、基板１０２下に第１電極１２０を形成する。電極１２０，１２２は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などにより形成される。なお、電極１２０，１２２の形成順序は、特に限定されない。
【００８３】
図１に示すように、光出射面１７０，１７２に、反射防止膜１４０を形成する。反射防止膜１４０は、例えば、ＣＶＤ法やスパッタ法などにより形成される。なお、反射防止膜１４０は、電極１２０，１２２を形成する前に、形成されてもよい。
【００８４】
以上の工程により、発光素子２を形成することができる。
【００８５】
図２に示すように、第２電極１２２側を実装基板４に向けて、発光素子２を実装基板４に実装する。発光素子２は、放熱部６によって実装基板４に接続される。
【００８６】
以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。
【００８７】
１．３．  発光装置の変形例
１．３．１．  第１変形例
次に、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図９は、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す図である。図１０は、第１実施形態の第２変形例に係る発光装置２００を模式的に示す図９のＸ−Ｘ
線断面図である。なお、図１０は、発光装置２００の発光素子２を第２電極１２２側からみた図であって、第２電極１２２を省略した図である。
【００８８】
以下、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置２００において、第１実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。このことは、以下に示す第１実施形態の第２変形例に係る発光装置についても同様である。
【００８９】
発光装置２００では、図９に示すように、平面視において、リッジ部１２８の形状および接続領域１３０の形状が図１に示す発光装置１００と異なる。
【００９０】
発光装置２００では、リッジ部１２８は、第３側面１０６ｃ側の境界線２８ａ（例えばリッジ部１２８と絶縁層１１２との境界線）と、第４側面１０６ｄ側の境界線２８ｂ（例えばリッジ部１２８と絶縁層１１２との境界線）と、を有している。
【００９１】
ここで、図１１は、第１光出射面１７０近傍を模式的に示す図１の拡大図である。図１２は、第２光出射面１７２近傍を模式的に示す図１の拡大図である。なお、便宜上、図１１および図１２では、反射防止膜１４０および溝部１５０，１５２を省略している。
【００９２】
図１１および図１２に示すように、境界線２８ａと側面１０６ａ，１０６ｂとの交点をそれぞれＱ１，Ｒ１とする。境界線２８ｂと側面１０６ａ，１０６ｂとの交点をそれぞれＳ１，Ｔ１とする。交点Ｑ１を通り中心線αと直交する仮想直線Ｌ１と、境界線２８ｂとの交点をＵ１とする。交点Ｔ１を通り中心線αと直交する仮想直線Ｌ２と、境界線２８ａとの交点をＶ１とする。
【００９３】
リッジ部１２８は、平面視において、第１領域１２８ａと、第２領域１２８ｂと、第３領域１２８ｃと、を有している。第１領域１２８ａは、境界線２８ａの交点Ｑ１から交点Ｖ１までの部分と、境界線２８ｂの交点Ｕ１から交点Ｔ１までの部分と、線分Ｑ１Ｕ１と、線分Ｔ１Ｖ１と、によって囲まれている領域である。第２領域１２８ｂは、線分Ｑ１Ｕ１と、線分Ｓ１Ｕ１と、線分Ｑ１Ｓ１と、によって囲まれている領域である。第３領域１２８ｃは、線分Ｔ１Ｖ１と、線分Ｒ１Ｖ１と、線分Ｒ１Ｔ１と、によって囲まれている領域である。第１領域１２８ａの平面形状は、例えば、２つの台形の上辺同士を接続させた形状である。第２領域１２８ｂおよび第３領域１２８ｃの平面形状は、例えば、三角形である。
【００９４】
リッジ部１２８の幅Ｗ３は、平面視において、中心位置Ｃから第１光出射面１７０側に向かうにつれて広くなり、かつ、中心位置Ｃから第２光出射面１７２側に向かうにつれて広くなる。
【００９５】
ここで、リッジ部１２８の幅（光導波路１６０の延在方向のある位置における幅）Ｗ３は、例えば、第１領域１２８ａのように、境界線２８ａ，２８ｂを通り、かつ、中心線αと直交する直線（直交直線）を引ける場合は、該直交直線の境界線２８ａ，２８ｂ間の長さである。一方、第２領域１２８ｂおよび第３領域１２８ｃのように、境界線２８ａ，２８ｂを通り、かつ、中心線αと直交する直交直線が引けない場合は、幅Ｗ３は、第２領域１２８ｂでは、交点Ｑ１から境界線２８ｂまで引いた直線（線分）の長さ、第３領域１２８ｃでは、交点Ｔ１から境界線２８ａまで引いた直線（線分）の長さである。
【００９６】
リッジ部１２８の幅Ｗ３は、中心位置Ｃにおいて、最も狭くなる。幅Ｗ３は、例えば、光出射面１７０，１７２の位置において、最も広くなる。リッジ部１２８は、中心位置Ｃから第１光出射面１７０側に向かうにつれて広くなるテーパー部と、中心位置Ｃから第２
光出射面１７２側に向かうにつれて広くなるテーパー部と、を有している。
【００９７】
接続領域１３０は、第３側面１０６ｃ側の境界線３０ａ（例えばコンタクト層１１０と絶縁層１１２との境界線）と、第４側面１０６ｄ側の境界線３０ｂ（例えばコンタクト層１１０と絶縁層１１２との境界線）と、を有している。図１１および図１２に示すように、境界線３０ａと第１側面１０６ａとの交点をＱ２とする。境界線３０ｂと第２側面１０６ｂとの交点をＴ２とする。
【００９８】
接続領域１３０は、平面視において、幅Ｗ４が、中心位置Ｃから第１光出射面１７０に向かうにつれて広くなり、かつ、中心位置Ｃから第２光出射面１７２に向かうにつれて広くなる。
【００９９】
ここで、接続領域１３０の幅（光導波路１６０の延在方向のある位置における幅）Ｗ４は、上述したリッジ部１２８の幅と同様に、境界線３０ａ，３０ｂを通り、かつ、中心線αと直交する直線（直交直線）を引ける場合は、該直交直線の境界線３０ａ，３０ｂ間の長さである。一方、境界線３０ａ，３０ｂを通り、かつ、中心線αと直交する直交直線が引けない場合は、幅Ｗ４は、交点Ｑ２から境界線３０ｂまで引いた直線（線分）の長さ、または、交点Ｔ２から境界線３０ａまで引いた直線（線分）の長さである。
【０１００】
接続領域１３０の幅Ｗ４は、中心位置Ｃにおいて、最も狭くなる。幅Ｗ４は、例えば、光出射面１７０，１７２の位置において、最も広くなる。接続領域１３０は、中心位置Ｃから第１光出射面１７０側に向かうにつれて広くなるテーパー部と、中心位置Ｃから第２光出射面１７２側に向かうにつれて広くなるテーパー部と、を有している。
【０１０１】
第１溝部１５０の幅Ｗ１および第２溝部１５０の幅Ｗ２は、平面視において、中心位置Ｃから第１光出射面１７０側に（第１側面１０６ａ側に）向かうについて狭くなり、かつ、中心位置Ｃから第２光出射面１７２側に（第２側面１０６ｂ側に）向かうにつれて狭くなる。
【０１０２】
発光装置２００では、発光装置１００と同様に、高い放熱性を有することができる。
【０１０３】
さらに、発光装置２００では、平面視において、接続領域１３０の幅Ｗ４は、中心位置Ｃから第１光出射面１７０側に向かうにつれて広くなり、かつ、中心位置Ｃから第２光出射面１７２側に向かうにつれて広くなる。そのため、発光装置２００では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。以下、その理由について説明する。
【０１０４】
図１３は、光導波路の延在方向の位置と、光強度と、の関係を説明するための図ある。図１３の横軸は、線分Ｑ１Ｕ１の位置と線分Ｔ１Ｖ１の位置との間における光導波路の延在方向の位置を示している。
【０１０５】
上述のように、光強度の大きい光出射面近傍（線分Ｑ１Ｕ１側、線分Ｔ１Ｖ１側）では、光に変換されるキャリアが足りなくなるため、利得の飽和が発生し、その分、光出力が低下する（図１３の破線参照）。一方、光強度が小さい部分（例えば中心位置Ｃ）は、光出射面側に比べてキャリアが多い状態であり、キャリアが十分に光に変換されておらず、キャリアが余っている。そのため、このような余剰キャリアを生成する電流を、キャリアが不足している光出射面側に注入することで、高出力かつ高効率の駆動を行うことができる。すなわち、単位長さ当たりの電流量を変化させることにより、光導波路全体の注入電流量を一定に保ちつつ、利得の飽和を低減し、最終的な光出力を大きくすることができる。
【０１０６】
発光装置２００では、上記のように、接続領域１３０の幅Ｗ４は、中心位置Ｃから第１光出射面１７０側に向かうにつれて広くなり、かつ、中心位置Ｃから第２光出射面１７２側に向かうにつれて広くなる。そのため、平面視において、線分Ｑ１Ｕ１の位置と線分Ｔ１Ｖ１の位置との間の光導波路１６０の延在方向において、光導波路１６０の単位長さ当たりの電流量を、中心位置Ｃから光出射面１７０，１７２側に向かうにつれて、多くすることができる。そのため、発光装置２００では、光導波路１６０全体に注入する電流量を増やすことなく、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制することができる。すなわち、発光装置２００では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【０１０７】
発光装置２００では、平面視において、リッジ部１２８の幅Ｗ３は、中心位置Ｃから第１光出射面１７０側に向かうにつれて広くなり、かつ、中心位置Ｃから第２光出射面１７２側に向かうにつれて広くなる。そのため、発光装置２００では、例えば平面視においてリッジ部１２８の幅Ｗ３が線分Ｑ１Ｕ１から線分Ｔ１Ｖ１まで一定の場合に比べて、リッジ部１２８の平面形状と接続領域１３０の平面形状とを近づけることができる。そのため、発光装置２００では、効率よく注入電流を光に変換することができ、より効果的に利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【０１０８】
発光装置２００では、平面視において、溝部１５０，１５２の幅Ｗ１，Ｗ２は、中心位置Ｃから第１光出射面１７０側に向かうにつれて狭くなり、かつ、中心位置Ｃから第２光出射面１７２側に向かうにつれて狭くなる。そのため、発光装置２００では、光導波路１６０の延在方向に沿って徐々に放熱性を変化させることができ、例えば光導波路１６０に発生する熱の分布に合わせて、放熱性を変化させることができる。
【０１０９】
なお、図示はしないが、上述した発光装置１００において、平面視において、溝部１５０，１５２の幅Ｗ１，Ｗ２は、中心位置Ｃから第１光出射面１７０側に向かうにつれて狭くなり、かつ、中心位置Ｃから第２光出射面１７２側に向かうにつれて狭くなっていてもよい。
【０１１０】
１．３．２．  第２変形例
次に、第１実施形態の第２変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１４は、第１実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す図である。なお、図１４は、発光装置３００の発光素子２を第２電極１２２側からみた図であって、第２電極１２２を省略した図である。
【０１１１】
上述した発光装置１００は、図１に示すように、１つの光導波路１６０を有していた。これに対し、発光装置３００は、図１４に示すように、複数の光導波路１６０を有している。図示の例では、発光装置２００は、３つの光導波路１６０を有している。複数の光導波路１６０は、平面視において、活性層１０６の第３側面１０６ｃから第４側面１０６ｄに向かう方向に沿って配列されている。
【０１１２】
発光装置３００では、発光装置１００と同様に、高い放熱性を有することができる。さらに、発光装置３００では、光導波路１６０は、複数配列されているため、より高出力化を図ることができる。なお、図示はしないが、発光装置２００の光導波路１６０は、発光装置３００のように、複数配列されていてもよい。
【０１１３】
２．  第２実施形態
２．１．  発光装置
次に、第２実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１５は、第２実施形態に係る発光装置４００を模式的に示す図である。なお、図１５は、発光装置３００の発光素子２を第２電極１２２側からみた図であって、第２電極１２２を省略し
た図である。
【０１１４】
以下、第２実施形態に係る発光装置４００において、第１実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１５】
発光装置１００では、図１に示すように、活性層１０６の第１側面１０６ａに第１光出射面１７０が設けられ、第１側面１０６ｂに第２光出射面１７２が設けられていた。
【０１１６】
これに対し、発光装置４００では、第１側面１０６ａに光を出射する光出射面１７０が設けられ、第２側面１０６ｂに光を反射させる光反射面１７４が設けられている。光導波路１６０は、光出射面１７０と、光反射面１７４と、を有している。光出射面１７０には反射防止膜１４０が設けられている。光反射面１７４には、反射膜（高反射（Ｈｉｇｈ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）膜）１４２が設けられている。図示の例では、反射膜１４２は、第２側面１０６ｂに設けられている。反射膜１４２は、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜である。
【０１１７】
図示の例では、光導波路１６０は、光出射面１７０の法線Ｐ１および光反射面の法線Ｐ３の方向に延在している。すなわち、光導波路１６０の中心線αは、法線Ｐ１，Ｐ３と平行である。光導波路１６０の平面形状は、例えば、長方形である。平面視において、リッジ部１２８の幅Ｗ３および接続領域１３０の幅Ｗ４は、光出射面１７０から光反射面１７４まで一定である。なお、図示はしないが、光導波路１６０は、光出射面１７０の法線Ｐ１および光反射面の法線Ｐ３に対して傾いた方向に延在していてもよい。
【０１１８】
第１溝部１５０の幅Ｗ１および第２溝部１５２の幅Ｗ２は、光反射面１７４が設けられている位置において（第２側面１０６ｂにおいて）、最も広い。図示の例では、第１溝部１５０は、第２側面１０６ｂ側に位置する第７部分１５０ｄと、第１側面１０６ａ側に位置する第８部分１５０ｅと、を有している。第２溝部１５２は、第２側面１０６ｂ側に位置する第９部分１５２ｄと、第１側面１０６ａ側に位置する第１０部分１５２ｅと、を有している。部分１５０ｄ，１５０ｅにおいて幅Ｗ１は、一定であり、部分１５２ｄ，１５２ｅにおいて幅Ｗ２は、一定である。第７部分１５０ｄの幅Ｗ１と第９部分１５２ｄの幅Ｗ２とは、同じ大きさである。第８部分１５０ｅの幅Ｗ１と第１０部分１５２ｅの幅Ｗ２とは、同じ大きさである。部分１５０ｄ，１５２ｄの幅Ｗ１，Ｗ２は、部分１５０ｅ，１５２ｅの幅Ｗ１，Ｗ２よりも広い。
【０１１９】
発光装置４００では、光導波路１６０は、光出射面１７０および光反射面１７４を有しており、光反射面１７４において、キャリアが十分に光に変換されておらず、余剰キャリアが多い。そのため、光反射面１７４において、余剰キャリアによる発熱が大きくなる。
【０１２０】
発光装置４００では、溝部１５０，１５２の幅Ｗ１，Ｗ２は、光反射面１７４が設けられている位置において最も広く、溝部１５０，１５２には放熱部６が設けられているため、光反射面１７４の位置における多量な余剰キャリアによる熱を放熱部６によって放出させることができる。したがって、発光装置４００では、発光装置１００と同様に、高い放熱性を有することができる。
【０１２１】
発光装置４００では、光出射面１７０には、反射防止膜１４０が設けられ、光反射面１７４には、反射膜１４２が設けられている。そのため、発光装置４００では、光出射面１７０における光の反射を抑制することができ、効率よく光出射面１７０から光を出射することができる。さらに、発光装置４００では、光反射面１７４における光の透過を抑制す
ることができ、効率よく光反射面１７４において光を反射させることができる。
【０１２２】
２．２．  発光装置の製造方法
次に、第２実施形態に係る発光装置４００の製造方法について、説明する。第２実施形態に係る発光装置４００の製造方法は、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法と、基本的に同様である。したがって、その詳細な説明を省略する。
【０１２３】
２．３．  発光装置の変形例
次に、第２実施形態の変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１６は、第２実施形態の変形例に係る発光装置５００を模式的に示す図である。なお、図１６は、発光装置５００の発光素子２を第２電極１２２側からみた図であって、第２電極１２２を省略した図である。
【０１２４】
以下、第２実施形態の変形例に係る発光装置５００において、第１実施形態に係る発光装置１００、第２実施形態に係る発光装置４００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２５】
上述した発光装置４００では、図１５に示すように、平面視において、リッジ部１２８の幅Ｗ３および接続領域１３０の幅Ｗ４は、光出射面１７０から光反射面１７４まで一定であった。
【０１２６】
これに対し、発光装置５００では、図１６に示すように、平面視において、リッジ部１２８の幅Ｗ３および接続領域１３０の幅Ｗ４は、光反射面１７４側から光出射面１７０側に向かうにつれて広くなる。平面視において、第１溝部１５０の幅Ｗ１および第２溝部１５２の幅Ｗ２は、光反射面１７４側から光出射面１７０側に向かうにつれて狭くなる。
【０１２７】
発光装置５００では、発光装置４００と同様に、高い放熱性を有することができる。
【０１２８】
さらに、発光装置５００では、接続領域１３０の幅Ｗ４は、光反射面１７４側から光出射面１７０側に向かうにつれて広くなる。そのため、発光装置５００では、発光装置２００と同様に、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【０１２９】
発光装置５００では、接続領域１３０の幅Ｗ４は、光反射面１７４側から光出射面１７０側に向かうにつれて広くなる。そのため、発光装置５００では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【０１３０】
発光装置５００では、第１溝部１５０の幅Ｗ１および第２溝部１５２の幅Ｗ２は、光反射面１７４側から光出射面１７０側に向かうにつれて狭くなる。そのため、発光装置５００では、発光装置２００と同様に、光導波路１６０の延在方向に沿って徐々に放熱性を変化させることができ、例えば光導波路１６０に発生する熱の分布に合わせて、放熱性を変化させることができる。
【０１３１】
なお、図示はしないが、発光装置５００の光導波路１６０は、発光装置３００のように、複数配列されていてもよい。
【０１３２】
３．  第３実施形態
次に、第３実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図１７は、第３実施形態に係るプロジェクター９００を模式的に示す図である。
【０１３３】
プロジェクター９００は、図１７に示すように、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤
色光源３００Ｒ、緑色光源３００Ｇ、青色光源３００Ｂを含む。赤色光源３００Ｒ、緑色光源３００Ｇ、青色光源３００Ｂは、本発明に係る発光装置である。以下では、本発明に係る発光装置として発光装置３００を用いた例について説明する。なお、便宜上、図１７０では、プロジェクター９００を構成する筐体を省略し、さらに光源３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂを簡略化している。
【０１３４】
プロジェクター９００は、さらに、レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂと、投射レンズ（投射装置）９０８と、を含む。
【０１３５】
光源３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂから出射された光は、各レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂに入射する。レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、光源３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂ側に、第１光出射面１７０から出射される光が入射する入射面９０１を有している。入射面９０１は、例えば、平坦な面である。入射面９０１は、複数の第１光出射面１７０に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。入射面９０１の法線（図示せず）は、第１側面１０６ａに対して傾斜している。入射面９０１によって、第１光出射面１７０から出射される光の光軸を、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂの照射面９０５に対して、直交させることができる。
【０１３６】
レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂ側に、出射面９０３を有している。出射面９０３は、例えば、凸状の面である。出射面９０３は、複数の入射面９０１に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。入射面９０１において光軸が変換された光は、出射面９０３によって、集光される、または拡散角を小さくされることにより、重畳（一部重畳）されることができる。これにより、均一性よく液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂを照射することができる。
【０１３７】
以上のように、レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、第１光出射面１７０から出射される光の光軸を制御して、該光を集光させることができる。
【０１３８】
各レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂによって集光された光は、各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂに入射する。各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂは、入射した光をそれぞれ画像情報に応じて変調する。そして、投射レンズ９０８は、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂによって形成された像（画像）を拡大してスクリーン（表示面）９１０に投射する。
【０１３９】
また、プロジェクター９００は、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂから出射された光を合成して投射レンズ９０８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）９０６を、含むことができる。
【０１４０】
各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム９０６に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射光学系である投射レンズ９０８によりスクリーン９１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
【０１４１】
なお、図１７に示す例では、第２側面１０６ｂに設けられた第２光出射面１７２から出射される光については図示していないが、該光は、図示せぬ反射部およびレンズアレイに
入射した後、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂに入射してもよい。
【０１４２】
プロジェクター９００では、高い放熱性を有する発光装置３００を含むことができる。
【０１４３】
プロジェクター９００は、発光装置２００を液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂの直下に配置し、９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂを用いて集光と均一照明とを同時に行う方式（バックライト方式）である。そのため、プロジェクター９００では、光学系の損失低減と部品点数の削減とを図ることができる。
【０１４４】
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【０１４５】
また、光源３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂを、光源３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂからの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の光源装置にも適用することが可能である。
【０１４６】
本発明は、本願に記載の特徴や効果を有する範囲で一部の構成を省略したり、各実施形態や変形例を組み合わせたりしてもよい。
【０１４７】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１４８】
２…発光素子、４…実装基板、６…放熱部、２８ａ，２８ｂ，３０ａ，３０ｂ…境界線、１００…発光装置、１０１…積層体、１０２…基板、１０４…第１クラッド層、１０６…活性層、１０６ａ…第１側面、１０６ｂ…第２側面、１０６ｃ…第３側面、１０６ｄ…第４側面、１０８…第２クラッド層、１０８ａ…第５側面、１０８ｂ…第６側面、１１０…コンタクト層、１１１…柱状部、１１２…絶縁層、１２０…第１電極、１２２…第２電極、１２８…リッジ部、１２８ａ…第１領域、１２８ｂ…第２領域、１２８ｃ…第３領域、１３０…接続領域、１４０…反射防止膜、１４２…反射膜、１５０…第１溝部、１５０ａ…第１部分、１５０ｂ…第２部分、１５０ｃ…第３部分、１５０ｄ…第７部分、１５０ｅ…第８部分、１５２…第２溝部、１５２ａ…第４部分、１５２ｂ…第５部分、１５２ｃ…第６部分、１５２ｄ…第９部分、１５２ｅ…第１０部分、１６０…光導波路、１７０…第１光出射面、１７２…第２光出射面、１７４…光反射面、２００，３００，４００，５００…発光装置、９００…プロジェクター、９０１…入射面、９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂ…レンズアレイ、９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂ…液晶ライトバルブ、９０５…照射面、９０６…クロスダイクロイックプリズム、９０８…投射レンズ、９１０…スクリーン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図５】
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