(57)【要約】【課題】箔厚を薄くした場合でも、強度および伸びが高く、導電性も確保可能なアルミニウム合金箔を提供する。【解決手段】アルミニウム合金箔は、化学成分が、質量％で、Ｆｅ：１．０％以上２．０％以下、Ｃｕ：０．１％以上０．５％以下、Ｍｎ：０．０５％以下を含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなる。アルミニウム合金箔は、箔面における結晶方位の面積割合の比Ａ｛１１２｝＜１１１＞／Ａ｛１０１｝＜１２１＞が３．０以上、導電率が５６．０％ＩＡＣＳ以上である。但し、Ａ｛１１２｝＜１１１＞は、電子線後方散乱回折法による箔面の方位マッピング像において、結晶方位が｛１１２｝＜１１１＞から１５°以内の範囲にある結晶粒の面積の総面積に対する割合、Ａ｛１０１｝＜１２１＞は、上記方位マッピング像において、結晶方位が｛１０１｝＜１２１＞から１５°以内の範囲にある結晶粒の面積の総面積に対する割合である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学成分が、質量％で、Ｆｅ：１．０％以上２．０％以下、Ｃｕ：０．１％以上０．５％以下、Ｍｎ：０．０５％以下を含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなり、
箔面における結晶方位の面積割合の比Ａ｛１１２｝＜１１１＞／Ａ｛１０１｝＜１２１＞が３．０以上であり、
導電率が５６．０％ＩＡＣＳ以上である、アルミニウム合金箔。
但し、上記Ａ｛１１２｝＜１１１＞は、電子線後方散乱回折法による箔面の方位マッピング像において、結晶方位が｛１１２｝＜１１１＞から１５°以内の範囲にある結晶粒の面積の総面積に対する割合であり、上記Ａ｛１０１｝＜１２１＞は、上記方位マッピング像において、結晶方位が｛１０１｝＜１２１＞から１５°以内の範囲にある結晶粒の面積の総面積に対する割合である。
【請求項２】
上記化学成分が、質量％で、Ｓｉ：０．０１％以上０．６％以下をさらに含有する、請求項１に記載のアルミニウム合金箔。
【請求項３】
集電体用である、請求項１または２に記載のアルミニウム合金箔。
【請求項４】
アルミニウム合金鋳塊を熱間圧延した後、冷間圧延することにより箔状とするアルミニウム合金箔の製造方法であって、
上記アルミニウム合金鋳塊は、化学成分が、質量％で、Ｆｅ：１．０％以上２．０％以下、Ｃｕ：０．１％以上０．５％以下、Ｍｎ：０．０５％以下を含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなり、
上記熱間圧延時の温度は３５０℃以下であり、
途中で焼鈍を行うことなく上記冷間圧延を行い、箔厚を２０μｍ以下とする、アルミニウム合金箔の製造方法。
【請求項５】
上記化学成分が、質量％で、Ｓｉ：０．０１％以上０．６％以下をさらに含有する、請求項４に記載のアルミニウム合金箔の製造方法。
【請求項６】
上記アルミニウム合金箔は、集電体用である、請求項４または５に記載のアルミニウム合金箔の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウム合金箔およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、二次電池、電気二重層キャパシター、リチウムイオンキャパシター等の蓄電デバイスにおける電極の集電体などとして、アルミニウム合金箔が使用されている。例えば、リチウムイオン二次電池では、通常、集電体としてのアルミニウム合金箔の表面に、電極活物質を含む合材スラリーを塗布し、乾燥させ、プレス機にて圧縮加工を施すことにより正極が製造される。製造された正極は、一般に、セパレータ、負極と積層された状態、または、積層状態のまま巻回された状態とされてケースに収容される。
【０００３】
近年、電池容量の向上等を目的として、集電体に用いられるアルミニウム合金箔の薄肉化が求められている。薄肉化されたアルミニウム合金箔では、電極製造工程での抗張力の低下によるアルミニウム合金箔の破断が起こらないように、アルミニウム合金箔の高強度化が求められる。
【０００４】
先行する特許文献１には、Ｍｎ：０．１０〜１．５０質量％、Ｆｅ：０．２０〜１．５０質量％を含有し、ＭｎとＦｅの合計が１．３０〜２．１０質量％で残部がＡｌおよび不可避不純物からなる鋳塊に均質化処理を施した後、熱間圧延、冷間圧延、中間焼鈍、冷間圧延を施し、中間焼鈍後の圧下率を９５％以上とした厚さ５〜２５μｍのアルミニウム合金箔素材を、７０〜２００℃で１０分以上熱処理して得られる、アルミニウム合金箔が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、Ｆｅ：１．４〜１．７質量％、Ｃｕ：０．１〜０．５質量％を含有し、Ｓｉ：０．４質量％以下に抑制し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなり、サブグレインのサイズが厚み方向で０．８μｍ以下、圧延方向で４５μｍ以下である、アルミニウム合金箔が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−４０６５９号公報
【特許文献２】特開２０１４−４７３６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来技術は、以下の点で問題がある。すなわち、アルミニウム合金箔は、一般に、強度の上昇や箔厚の減少に伴って伸びが低下する。そのため、薄肉化されたアルミニウム合金箔は、通常、伸びの低下が顕著となる。伸びの低いアルミニウム合金箔は、強度が高くても破断しやすい。そのため、伸びの低いアルミニウム合金箔を、例えば、リチウムイオン二次電池における正極の集電体等に用いた場合には、充放電に伴う活物質の膨張収縮による変形にアルミニウム合金箔が追従することができず、アルミニウム合金箔の破断が生じやすい。また、伸びの低いアルミニウム合金箔は、電極製造工程でも、破断が生じやすい。また、伸びの高いアルミニウム合金箔でも、導電率が低いために、集電体用途として不適当な場合があった。
【０００８】
なお、特許文献２では、中間焼鈍時の結晶粒数と固溶状態とを制御し、サブグレインのサイズを微細化することにより、アルミニウム合金箔の伸びの向上を図っている。しかしながら、このアルミニウム合金箔は、箔厚１２μｍにおける引張強さ２８０ＭＰａ前後での伸びが３．４％以下であり、十分に高い伸びを有しているとはいえない。
【０００９】
本発明は、上記背景に鑑みてなされたものであり、箔厚を薄くした場合でも、強度および伸びが高く、導電性も確保可能なアルミニウム合金箔を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、化学成分が、質量％で、Ｆｅ：１．０％以上２．０％以下、Ｃｕ：０．１％以上０．５％以下、Ｍｎ：０．０５％以下を含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなり、
箔面における結晶方位の面積割合の比Ａ｛１１２｝＜１１１＞／Ａ｛１０１｝＜１２１＞が３．０以上であり、
導電率が５６．０％ＩＡＣＳ以上である、アルミニウム合金箔にある。
但し、上記Ａ｛１１２｝＜１１１＞は、電子線後方散乱回折法による箔面の方位マッピング像において、結晶方位が｛１１２｝＜１１１＞から１５°以内の範囲にある結晶粒の面積の総面積に対する割合であり、上記Ａ｛１０１｝＜１２１＞は、上記方位マッピング像において、結晶方位が｛１０１｝＜１２１＞から１５°以内の範囲にある結晶粒の面積の総面積に対する割合である。
【００１１】
本発明の他の態様は、アルミニウム合金鋳塊を熱間圧延した後、冷間圧延することにより箔状とするアルミニウム合金箔の製造方法であって、
上記アルミニウム合金鋳塊は、化学成分が、質量％で、Ｆｅ：１．０％以上２．０％以下、Ｃｕ：０．１％以上０．５％以下、Ｍｎ：０．０５％以下を含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなり、
上記熱間圧延時の温度は３５０℃以下であり、
途中で焼鈍を行うことなく上記冷間圧延を行い、箔厚を２０μｍ以下とする、アルミニウム合金箔の製造方法にある。
【発明の効果】
【００１２】
上記アルミニウム合金箔は、上記特定の化学成分を有しており、箔面における結晶方位の面積割合の比が上記特定範囲にある。そのため、上記アルミニウム合金箔は、箔厚を薄くした場合でも、強度および伸びが高く、５６．０％ＩＡＣＳ以上の導電率を確保することができる。したがって、上記アルミニウム合金箔を、例えば、蓄電デバイスにおける電極の集電体として用いた場合には、箔厚が薄くても、電極製造工程や電池の充放電が繰り返された際などでも、アルミニウム合金箔の破断が起こり難くなる。また、上記アルミニウム合金箔は、導電性を確保しやすいため、エネルギー効率のよい蓄電デバイスの実現に有利である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
上記アルミニウム合金箔およびその製造方法について説明する。
【００１４】
上記アルミニウム合金箔における化学成分（単位は質量％、以下の化学成分の説明では単に「％」と略記）の意義および限定理由は以下の通りである。
【００１５】
Ｆｅ：１．０％以上２．０％以下
Ｆｅは、アルミニウム合金箔の強度を向上させるとともに、アルミニウム合金箔の回復を促進させるＡｌ−Ｆｅ系化合物の形成のために必要な元素である。これらの機能は、Ｆｅの固溶量と析出状態の双方を制御し、アルミニウム合金箔製造時の加工ひずみの導入量を制御することによって得ることができる。
【００１６】
アルミニウム合金箔中に固溶しているＦｅは、転位の移動を抑制し、アルミニウム合金箔の強度が低下し過ぎることを防ぐ。一方、Ａｌ−Ｆｅ系化合物として析出した化合物は、Ａｌ素地（マトリックス）と整合性を持たない化合物として全体に多数分散することにより、冷間圧延時に加工組織の回復促進に寄与する。冷間圧延時には加工ひずみが導入されるが、同時に、加工組織の回復もわずかながら進行する。詳細な機構は不明であるが、Ａｌ−Ｆｅ系化合物の存在によって回復が促進されることで絶えず加工ひずみを導入できる余地が生まれ、その結果、箔厚を薄くした場合にも、高い伸びが維持されるものと考えられる。
【００１７】
Ｆｅ含有量が１．０％未満になると、Ａｌ素地（マトリックス）と整合性を持たないＡｌ−Ｆｅ系微細化合物の分散が不十分となり、アルミニウム合金箔の回復促進効果が不十分となって高い伸びが得られなくなる。一方、Ｆｅ含有量が２．０％を超えると、鋳造時に数百μｍを越える粗大なＡｌ−Ｆｅ系化合物が形成され、箔圧延時にピンホール（穴あき）生成の原因となり、健全な箔材の製造が困難となる。また、Ｆｅ固溶量が多過ぎる場合には導電率の低下に繋がる。上記の観点から、Ｆｅ含有量は、好ましくは、１．１％以上、より好ましくは、１．２％以上とすることができる。また、Ｆｅ含有量は、好ましくは、１．９％以下、より好ましくは、１．８％以下、さらに好ましくは、１．７％以下とすることができる。
【００１８】
Ｃｕ：０．１％以上０．５％以下
Ｃｕは、アルミニウム合金箔の強度向上に寄与する元素である。Ｃｕ添加による導電率の減少の影響は元々低い。Ｃｕは、Ａｌ−Ｆｅ系化合物にも一部固溶する性質があり、上述のようにＦｅ含有量の比較的多い系では、含有量に対する導電率の減少はさらに抑えられる。Ｃｕ含有量は、添加による強度向上効果を得る観点から、０．１％以上とする。なお、Ｃｕ含有量が０．１％未満になると、十分な強度向上効果が得られなくなる。一方、Ｃｕ含有量が０．５％を超えると、強度が高くなり過ぎて圧延が困難になる。上記の観点から、Ｃｕ含有量は、好ましくは、０．１２％以上、より好ましくは、０．１４％以上とすることができる。また、Ｃｕ含有量は、箔製造時の圧延安定性の観点から、好ましくは、０．４５％以下、より好ましくは、０．４％以下、さらに好ましくは、０．３５％以下、さらにより好ましくは、０．３％以下とすることができる。
【００１９】
Ｍｎ：０．０５％以下
Ｍｎは、アルミニウム合金箔の強度向上に寄与する元素であるが、一方で導電率を大きく減少させる。そのため、電極の集電体として用いた場合に、エネルギー効率が低下するため好ましくない。よって、Ｍｎ含有量を０．０５％以下とする。Ｍｎ含有量は、好ましくは、０．０３％以下、より好ましくは、０．０１％以下であるとよい。なお、通常使用されるＡｌ地金には不純物としてＭｎが含まれていることが多い。そのため、Ｍｎ含有量を０．００１％未満に規制するためには、高純度地金を使用することになる。したがって、Ｍｎ含有量は、経済性などの観点から、好ましくは、０．００１％以上とすることができる。
【００２０】
上記化学成分は、質量％で、Ｓｉ：０．０１％以上０．６％以下をさらに含有することができる。この場合の意義および限定理由は以下の通りである。
【００２１】
Ｓｉ：０．０１以上０．６％以下
Ｓｉは、アルミニウム合金箔の強度向上に寄与する元素である。Ｓｉ含有量は、添加による強度向上効果を得る観点から、０．０１％以上とすることができる。なお、通常使用されるＡｌ地金には不純物としてＳｉが含まれていることが多い。そのため、０．０１％未満のＳｉは、不可避的不純物として含まれていてもよい。もっとも、Ｓｉ含有量を０．０１％未満に規制するためには高純度の地金を使用することになる。したがって、経済性の観点から、Ｓｉ含有量は、好ましくは、０．０１％以上、より好ましくは、０．０２％以上、さらに好ましくは、０．０３％以上、さらにより好ましくは、０．０５％以上、さらにより一層好ましくは、０．１％以上とすることができる。一方、Ｓｉ含有量が０．６％以下であると、粗大なＳｉ単相粒子が形成され難くなり、２０μｍ以下の箔厚ではピンホールや箔切れの問題が生じ難くなる。また、Ｓｉ固溶量が多過ぎる場合には導電率の低下に繋がる。そのため、Ｓｉ含有量は、好ましくは、０．６％以下、より好ましくは、０．５％以下、さらに好ましくは、０．４％以下とすることができる。
【００２２】
上記化学成分は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｂ、Ｖ、Ｚｒ等の元素が不可避的不純物として含まれていてもよい。なお、これら元素は、アルミニウム合金箔の熱処理後の伸びを劣化させるおそれがある。そのため、これら元素は、それぞれ０．０２％以下、これら元素の総量は、０．０７％以下に規制することが好ましい。
【００２３】
上記アルミニウム合金箔は、箔面における結晶方位の面積割合の比Ａ｛１１２｝＜１１１＞／Ａ｛１０１｝＜１２１＞が３．０以上である。なお、箔面とは、箔の厚み方向と垂直な箔表面である。
【００２４】
箔面における結晶方位の面積割合の比は、箔面の方位マッピング像を利用して求められる。すなわち、測定試料のアルミニウム合金箔の箔面を電解研磨により平滑化する。そして、その平滑化された箔面について、ＳＥＭにて、観察倍率を２０００倍とし、電子線後方散乱回折法（ＥＢＳＤ：Electron Back Scatter Diffraction）による解析を行い、方位マッピング像を得る。Ａ｛１１２｝＜１１１＞は、上記方位マッピング像において、結晶方位が｛１１２｝＜１１１＞から１５°以内の範囲にある結晶粒の面積の総面積に対する割合である。Ａ｛１０１｝＜１２１＞は、上記方位マッピング像において、結晶方位が｛１０１｝＜１２１＞から１５°以内の範囲にある結晶粒の面積の総面積に対する割合である。但し、上記測定は、１つの測定試料につき５視野行い、Ａ｛１１２｝＜１１１＞、Ａ｛１０１｝＜１２１＞は、いずれも５視野の各値の平均値とする。
【００２５】
Ａ｛１１２｝＜１１１＞／Ａ｛１０１｝＜１２１＞は、アルミニウム合金箔の加工の程度によって変化する。Ａ｛１１２｝＜１１１＞／Ａ｛１０１｝＜１２１＞が３．０を下回る場合には、加工硬化に依存するひずみの蓄積が不十分で、回復が十分に促進されず、アルミニウム合金箔の伸びが低下する。加工に伴うひずみの蓄積は、途中焼鈍を施すような一般的なアルミニウム合金箔の製造方法であれば、途中焼鈍以降の冷間圧延条件のみが大きく影響する。しかしながら、比較的低温で熱間圧延が行われ、途中焼鈍が実施されることなくアルミニウム合金箔が製造される場合には、冷間圧延だけでなく、低温での熱間圧延時のひずみの蓄積も重要な要素となる。Ａ｛１１２｝＜１１１＞／Ａ｛１０１｝＜１２１＞は、アルミニウム合金箔の強度向上などの観点から、好ましくは３．５以上、より好ましくは４．０以上とすることができる。
【００２６】
上記アルミニウム合金箔において、導電率は５６．０％ＩＡＣＳ以上である。導電率は、主に、アルミニウム合金箔に含まれる元素の固溶量と相関がある物性値であり、強度を向上させるために固溶量を増加させると低下する。上記アルミニウム合金箔は、強度を向上させるための元素として、主に、Ｃｕを用いることで高い導電率を維持している。それ故、上記アルミニウム合金箔を蓄電デバイスの集電体に用いた場合には、高電流で充放電した際に、エネルギー効率が低下する等の問題が起こり難い。導電率が５６．０％ＩＡＣＳ未満になると、導電性低下により、エネルギー効率のよい蓄電デバイスの実現に不利である。
【００２７】
導電率は、エネルギー効率のよい蓄電デバイスを実現しやすくなるなどの観点から、好ましくは、５６．１％ＩＡＣＳ以上、より好ましくは、５６．２％ＩＡＣＳ以上、さらに好ましくは、５６．３％ＩＡＣＳ以上とすることができる。なお、導電率は高いほど好ましい。したがって、導電率の上限は、特に限定されない。導電率は、ＪＩＳ  Ｈ０５０５に準拠し、ダブルブリッジ法により測定される最終冷間圧延後のアルミニウム合金箔の比抵抗を求め、以下の式１を用いて求めることができる。なお、上記比抵抗の測定は、雰囲気温度の影響を除去するため、液体窒素中で行う。
導電率（％ＩＡＣＳ）＝１００×１．７２４１（μΩ・ｃｍ）／（比抵抗（μΩ・ｃｍ）＋２．５）・・・式１
【００２８】
上記アルミニウム合金箔は、箔厚を２０μｍ以下とすることができる。箔厚が２０μｍを超えると、近年要求されている箔の薄肉化（箔厚ゲージダウン）に対応することが難しくなる。上記アルミニウム合金箔の箔厚が２０μｍ以下である場合には、例えば、箔の薄肉化の要求が大きい蓄電デバイスの電極の集電体用途に特に好適である。
【００２９】
上記アルミニウム合金箔は、例えば、集電体として使用した際に、電池容量を増やす目的で電池全体の体積に占める活物質の割合をより多くするなどの観点から、箔厚を、好ましくは、１８μｍ以下、より好ましくは、１５μｍ以下とすることができる。なお、箔厚の下限は特に限定されないが、集電体としての使用に適するなどの観点から、箔厚は、８μｍ以上とすることができる。
【００３０】
上記アルミニウム合金箔は、破断防止効果を確実なものとするなどの観点から、引張強さが、２５０ＭＰａ以上であるとよい。引張強さは、好ましくは、２６０ＭＰａ以上、より好ましくは、２７０ＭＰａ以上、さらに好ましくは、２８０ＭＰａ以上とすることができる。なお、引張強さは、最終冷間圧延後のアルミニウム合金箔について、ＪＩＳ  Ｚ２２４１に準拠して測定される値である。
【００３１】
上記アルミニウム合金箔は、破断防止効果を確実なものとするなどの観点から、伸びが、３．５％以上であるとよい。伸びは、好ましくは、４．０％以上とすることができる。なお、伸びは、最終冷間圧延後のアルミニウム合金箔について、ＪＩＳ  Ｚ２２４１に準拠して測定される値である。なお、箔厚が１２μｍ超２０μｍ以下の場合には、伸びは、好ましくは、４．５％以上とすることができる。また、箔厚が１２μｍ以下の場合には、伸びは、好ましくは、４．０％以上とすることができる。
【００３２】
上記アルミニウム合金箔は、例えば、リチウムイオン二次電池等の二次電池、電気二重層キャパシター、リチウムイオンキャパシターなどにおける集電体として好適に用いることができる。より具体的には、例えば、上記アルミニウム合金箔をリチウムイオン二次電池の集電体として用いる場合、集電体としてのアルミニウム合金箔の表面には、主に電極活物質を含む合材が付けられる。具体的には、アルミニウム合金箔の表面に、電極活物質を含む合材スラリーが塗工され、乾燥後、合材層の圧密化および集電体との密着性の向上を目的としてプレス処理される。上記アルミニウム合金箔は、箔厚を薄くした場合でも、高い伸びと強度とを両立させることができ、電極製造工程や電池の充放電が繰り返された際などでも、アルミニウム合金箔の破断が起こり難くなる。また、上記アルミニウム合金箔は、導電率が高いことから、エネルギー効率のよい蓄電デバイスを実現するのに有用である。
【００３３】
上記アルミニウム合金箔は、例えば、次のようにして製造することができる。すなわち、上記アルミニウム合金箔は、上記特定の化学成分からなるアルミニウム合金鋳塊を、均質化処理を実施または実施せずに熱間圧延した後、箔圧延を含む冷間圧延を行うことにより得ることができる。均質化処理は、具体的には、４００℃以上６２０℃以下で１〜２０時間程度加熱することで実施することができる。
【００３４】
上記アルミニウム合金箔の製造方法において、熱間圧延は３５０℃以下の温度で実施することができる。なお、熱間圧延時の温度は、温度測定が容易な熱間圧延の開始時と終了時における温度が３５０℃以下とされる。熱間圧延を３５０℃以下の温度で実施することにより、再結晶が起こるのを防ぎ、熱間圧延時の加工ひずみを蓄積させることができる。冷間圧延時の回復を促進させる要素としては、Ａｌ−Ｆｅ系化合物の存在の他に、加工ひずみの蓄積の程度も関与している。加工ひずみが蓄積されるほど、転位が動きやすくなり、回復が促進される。熱間圧延時の温度の下限値は、特に限定されるものではないが、変形抵抗増大による圧延機への負荷増加を抑制するなどの観点から、１５０℃とすることができる。
【００３５】
また、熱間圧延の開始温度に到達してからの保持時間は、特に限定されるものではないが、Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系化合物の析出を抑制しやすくなるなどの観点から、１２時間以内とすることができる。なお、熱間圧延は、一回で行ってもよいし、粗圧延後に仕上圧延を行う等、複数回に分けて行ってもよい。
【００３６】
上記アルミニウム合金箔の製造方法では、熱間圧延後、冷間圧延することによりアルミニウム合金箔を得る。この際、冷間圧延の途中には焼鈍を行わない。途中焼鈍を行うことで加工ひずみが解放され、冷間圧延時に回復が起こり難くなり、最終箔厚でのアルミニウム合金箔の伸びの低下に繋がるからである。なお、冷間圧延終了後に最終焼鈍を実施すると、加工ひずみが解放され、アルミニウム合金箔の強度が低下する。そのため、冷間圧延終了後に、最終焼鈍は実施しないことが好ましい。
【００３７】
冷間圧延後の箔厚は、例えば、アルミニウム合金箔を集電体として使用した際に、電池容量を増やす目的で電池全体の体積に占める活物質の割合をより多くする観点から、２０μｍ以下とすることができる。箔厚は、好ましくは、１８μｍ以下、より好ましくは、１５μｍ以下とすることができる。なお、箔厚の下限は特に限定されないが、集電体としての使用に適するなどの観点から、箔厚は、８μｍ以上とすることができる。なお、冷間圧延は、一回または複数回以上行うことができる。冷間圧延における最終圧延率は、結晶粒の微細化を促進させる観点から、好ましくは、９８％以上、より好ましくは、９９％以上であるとよい。なお、上記最終圧延率は、１００×（冷間圧延前の熱間圧延板の板厚−最終の冷間圧延後のアルミニウム合金箔の箔厚）／（冷間圧延前の熱間圧延板の板厚）から算出される値である。
【００３８】
なお、上述した各構成は、上述した各作用効果等を得るなどのために必要に応じて任意に組み合わせることができる。
【実施例】
【００３９】
実施例のアルミニウム合金箔およびその製造方法について以下に説明する。
【００４０】
（実施例１）
表１に示す化学成分のアルミニウム合金を半連続鋳造法にて造塊し、面削することにより厚さ４８０ｍｍのアルミニウム合金鋳塊を準備した。なお、表１に示す化学成分のアルミニウム合金のうち、合金Ａ〜Ｌが実施例に適する化学成分のアルミニウム合金であり、合金Ｍ〜Ｒが比較例としての化学成分のアルミニウム合金である。
【００４１】
【表１】
2017186636.tif 000002
【００４２】
上記準備したアルミニウム合金鋳塊を、均質化処理を施すことなく熱間圧延し、厚さ５．０ｍｍの熱間圧延板を得た。この際、熱間圧延は、粗圧延と仕上圧延を連続して行った。また、上記熱間圧延において、粗圧延に供する前のアルミニウム合金鋳塊は、３５０℃に加熱して６時間保持することによって粗圧延の開始温度（熱間圧延の開始温度）を３５０℃とした。また、粗圧延の終了温度（熱間圧延の途中温度）は３２０℃、仕上圧延の終了温度（熱間圧延の終了温度）は１８０℃とした。このように本例では、上記熱間圧延の開始温度および終了温度だけでなく、熱間圧延の途中温度である粗圧延の終了温度、つまり、仕上圧延の開始温度も３５０℃以下とした。
【００４３】
次いで、途中で焼鈍を行うことなく冷間圧延を繰り返し行い、箔厚が８〜２０μｍのアルミニウム合金箔を得た。なお、上記冷間圧延における最終圧延率は、１００×（冷間圧延前の熱間圧延板の板厚５．０ｍｍ−最終の冷間圧延後のアルミニウム合金箔の箔厚（ｍｍ））／（冷間圧延前の熱間圧延板の板厚５．０ｍｍ）より求められる。
【００４４】
次に、得られたアルミニウム合金箔を試験材として、結晶方位の面積割合、導電率、引張強さおよび伸びを測定した。また、箔圧延状況について調査するため、試験材の背面から照明を当て、光のもれの有無によりピンホールの発生状況もあわせて調査した。
【００４５】
結晶方位の面積割合は、以下のようにして求めた。先ず、１５ｍｍ×８０ｍｍのサイズに切断したアルミニウム合金箔を−７℃の過塩素酸エタノール水溶液（６０質量％過塩素酸６０ｍｌ＋エタノール５００ｍｌ）中、１０Ｖ×１ｍｉｎの条件で電解研磨することにより、測定する箔面を調整した。なお、箔面は、圧延面と平行である。そして、調整した面に対して、ＳＥＭにて、観察倍率を２０００倍とし、電子線後方散乱回折法（ＥＢＳＤ：Electron Back Scatter Diffraction）による解析を行い、方位マッピング像を得た。得られた方位マッピング像において、結晶方位が｛１１２｝＜１１１＞から１５°以内の範囲にある結晶粒の面積の総面積に対する割合をＡ｛１１２｝＜１１１＞、結晶方位が｛１０１｝＜１２１＞から１５°以内の範囲にある結晶粒の面積の総面積に対する割合をＡ｛１０１｝＜１２１＞として求め、Ａ｛１１２｝＜１１１＞／Ａ｛１０１｝＜１２１＞を算出した。但し、上記測定は、１つのアルミニウム合金箔試料につき５視野行い、Ａ｛１１２｝＜１１１＞、Ａ｛１０１｝＜１２１＞は、いずれも５視野の各値の平均値を採用した。
【００４６】
また、導電率を、上述した方法によって測定した。
【００４７】
また、試験材からＪＩＳ５号試験片を採取し、引張強さおよび伸びを、上述した方法によって測定した。引張強さが２５０ＭＰａ以上のものを合格とし、それ未満のものを不合格とした。また、箔厚が１２μｍより厚い場合には、伸びが４．５％以上のものを合格とし、箔厚が１２μｍ以下の場合には、伸びが４．０％以上のものを合格とした。
【００４８】
なお、試験材Ｅ１〜Ｅ１２が実施例であり、試験材Ｃ１〜Ｃ６が比較例である。また、試験材Ｃ５は、Ｃｕ含有量が０．５％を超える合金Ｑを用いたため、強度が高くなり過ぎて箔厚２０μｍ以下で評価可能なアルミニウム合金箔を得ることができなかった。そのため、結晶方位の面積割合、導電率、引張強さおよび伸びの測定は実施できなかった。これらの結果をまとめて表２に示す。
【００４９】
【表２】
2017186636.tif 000003
【００５０】
表２に示されるように、試験材Ｃ１は、Ｓｉ含有量が０．６％を超える合金Ｍを用いたため、粗大なＳｉ単相粒子が形成され、これによるピンホールが発生した。また、試験材Ｃ１は、Ｓｉ固溶量の増加により、導電率が５６．０％ＩＡＣＳを下回った。
【００５１】
試験材Ｃ２は、Ｆｅ含有量が１．０％を下回る合金Ｎを用いたため、分散するＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物が少なくなって軟化し難くなり、伸びが不合格となった。また、試験材Ｃ２は、Ｆｅ含有量が少なかったため、Ｃｕ添加による導電率低下を抑制することができなかった。
【００５２】
試験材Ｃ３は、Ｆｅ含有量が２．０％を超える合金Ｏを用いたため、鋳造時に粗大化合物が形成され、箔圧延時にピンホールが発生した。また、試験材Ｃ３は、Ｆｅ固溶量の増加により、導電率が５６．０％ＩＡＣＳを下回った。
【００５３】
試験材Ｃ４は、Ｃｕ含有量が０．１％を下回る合金Ｐを用いたため、引張強さが２５０ＭＰａを下回った。
【００５４】
試験材Ｃ６は、Ｍｎ含有量が０．０５％を超える合金Ｒを用いたため、導電率が５６．０％を大きく下回った。
【００５５】
これらに対し、試験材Ｅ１〜Ｅ１２は、いずれも、上述した特定の構成を有している。そのため、試験材Ｅ１〜Ｅ１２によれば、箔厚を、例えば、２０μｍ以下と薄くした場合でも、強度および伸びが高く、導電性も確保可能であることが確認された。
【００５６】
（実施例２）
本例は、熱間圧延時の温度条件や均質化処理の有無、冷間圧延時における途中焼鈍の影響などを主に調査したものである。
【００５７】
表１に示される化学成分のアルミニウム合金Ａを半連続鋳造法にて造塊し面削することにより、厚さ４８０ｍｍのアルミニウム合金鋳塊を準備した。
【００５８】
アルミニウム合金鋳塊Ａを用いて、表３に示される製造条件にて箔厚１２μｍのアルミニウム合金箔を製造した。得られたアルミニウム合金箔について、実施例１と同様にして、結晶方位の面積割合、導電率、引張強さおよび伸び、箔圧延状況（ピンポール発生の有無）を調査した。これらの結果をまとめて表４に示す。なお、試験材Ｅ１３〜Ｅ１６が実施例であり、試験材Ｃ７〜Ｃ９が比較例である。
【００５９】
【表３】
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【００６０】
【表４】
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【００６１】
表４に示されるように、試験材Ｃ７およびＣ８は、熱間圧延時における熱間圧延の開始温度が３５０℃を超えていた。そのため、試験材Ｃ７およびＣ８は、Ａ｛１１２｝＜１１１＞／Ａ｛１０１｝＜１２１＞が３．０を超える程度の加工がなされず、伸びが不合格となった。
【００６２】
試験材Ｃ９は、熱間圧延時の温度は３５０℃以下であったが、冷間圧延の途中、板厚１ｍｍのときに３５０℃を超える３８０℃という高温で途中焼鈍を行って作製されたものである。途中焼鈍を行ったことによって加工ひずみが解放された結果、ひずみの蓄積が不十分となり、伸びが不合格となった。
【００６３】
これらに対して、特定の条件に基づいて作製された試験材Ｅ１４〜Ｅ１６によれば、は、箔厚を、例えば、２０μｍ以下と薄くした場合でも、強度および伸びが高く、導電性も確保可能であるアルミニウム合金箔が得られることが確認された。
【００６４】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を損なわない範囲内で種々の変更が可能である。