(57)【要約】【課題】シンチレータ層の角部の下方にある光電変換部において入射する光の輝度低下を抑制する仕組みを提供する。【解決手段】入射した光を電気信号に変換する光電変換部１１２を含むセンサパネルを形成する工程と、センサパネルの表面上に光電変換部１１２の上方を覆うように、放射線を光に変換するシンチレータ層１２１を形成する工程とを有し、センサパネルを形成する工程は、センサパネルの表面のうち、少なくともシンチレータ層の角部と接触する第１の領域に、当該第１の領域を除く第２の領域よりも表面エネルギーが高い高表面エネルギー部１１４を形成する工程を含む。【選択図】図７−１
2017090340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した放射線を検出する放射線検出装置であって、
入射した光を電気信号に変換する光電変換部を含むセンサパネルと、
前記センサパネルの表面上に前記光電変換部の上方を覆うように形成され、前記放射線を前記光に変換するシンチレータ層と、
を有し、
前記センサパネルの前記表面には、少なくとも前記シンチレータ層の角部と接触する第１の領域に、当該第１の領域を除く第２の領域よりも表面エネルギーが高い高表面エネルギー部が設けられていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
前記高表面エネルギー部は、前記第１の領域が表面処理されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記高表面エネルギー部は、前記第２の領域よりも表面エネルギーが高い材料からなる層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
前記シンチレータ層は、前記放射線を前記光に変換する複数のシンチレータ粒子と、前記複数のシンチレータ粒子を前記センサパネルの前記表面上に固定するためのバインダーとを含み構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記シンチレータ層の上方に形成され、当該シンチレータ層で変換された光のうち、前記光電変換部とは反対側に進行した光を前記光電変換部に向けて反射する反射層を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置で検出する放射線を発生させる放射線発生装置と、
を有することを特徴とする放射線検出システム。
【請求項７】
入射した放射線を検出する放射線検出装置の製造方法であって、
入射した光を電気信号に変換する光電変換部を含むセンサパネルを形成する工程と、
前記センサパネルの表面上に前記光電変換部の上方を覆うように、前記放射線を前記光に変換するシンチレータ層を形成する工程と、
を含み、
前記センサパネルを形成する工程は、前記センサパネルの前記表面のうち、少なくとも前記シンチレータ層の角部と接触する第１の領域に、当該第１の領域を除く第２の領域よりも表面エネルギーが高い高表面エネルギー部を形成する工程を含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
【請求項８】
前記高表面エネルギー部を形成する工程は、前記第１の領域に表面処理を施すことにより、前記高表面エネルギー部を形成することを特徴とする請求項７に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項９】
前記高表面エネルギー部を形成する工程は、前記第１の領域に、前記第２の領域よりも表面エネルギーが高い材料からなる層を形成することにより、前記高表面エネルギー部を形成することを特徴とする請求項７に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１０】
前記高表面エネルギー部を形成する工程は、前記センサパネルの前記表面に層を形成する際の乾燥処理において、前記第１の領域における乾燥性を前記第２の領域よりも低くすることにより、前記高表面エネルギー部を形成することを特徴とする請求項７に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１１】
前記シンチレータ層は、前記放射線を前記光に変換する複数のシンチレータ粒子と、前記複数のシンチレータ粒子を前記センサパネルの前記表面上に固定するためのバインダーとを含み構成されていることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１２】
前記シンチレータ層を形成する工程は、前記センサパネルの表面上に前記光電変換部の上方を覆うように、前記シンチレータ粒子と前記バインダーとを混合させたペーストを塗布し、その後、当該ペーストを熱風およびホットプレートを用いて乾燥させることにより、前記シンチレータ層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１３】
前記シンチレータ層の上方に、当該シンチレータ層で変換された光のうち、前記光電変換部とは反対側に進行した光を前記光電変換部に向けて反射する反射層を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項７乃至１２のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シンチレータ層を具備する放射線検出装置及びその製造方法、並びに、当該放射線検出装置を含む放射線検出システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、放射線を光に変換するシンチレータ層と、シンチレータ層によって変換された光を電気信号として検出する複数の光電変換素子が配置されたセンサパネルと、を備える放射線検出装置が知られている。特許文献１には、有機バインダー中に蛍光体の微粒子を分散させた材料を光電変換層の表面上に塗布し乾燥させることによってシンチレータ層を形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２２１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されている、蛍光体の微粒子を分散させた材料を光電変換層の表面上に塗布し乾燥させることによってシンチレータ層を形成する方法は、生産性が高い点で優れている。しかしながら、このような方法のうち、ナイフコートやドクターブレード等の方法では塗布精度が悪く、また、スクリーン印刷による方法では求める厚膜を成膜することが難しい。
【０００５】
そこで、塗布精度も高く簡易的に成膜する方法として、スリットコート法による塗布方法が知られている。しかしながら、このスリットコート法を用いてシンチレータ層を形成する場合、シンチレータ層の角部を直角に形成することが難しく、このため、シンチレータ層の角部の下方にある光電変換部（端部画素領域）において入射する光の輝度の低下が生じてしまう。
【０００６】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、シンチレータ層の角部の下方にある光電変換部において入射する光の輝度低下を抑制する仕組みを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の放射線検出装置は、入射した放射線を検出する放射線検出装置であって、入射した光を電気信号に変換する光電変換部を含むセンサパネルと、前記センサパネルの表面上に前記光電変換部の上方を覆うように形成され、前記放射線を前記光に変換するシンチレータ層と、を有し、前記センサパネルの前記表面には、少なくとも前記シンチレータ層の角部と接触する第１の領域に、当該第１の領域を除く第２の領域よりも表面エネルギーが高い高表面エネルギー部が設けられている。また、本発明の放射線検出装置の製造方法は、入射した放射線を検出する放射線検出装置の製造方法であって、入射した光を電気信号に変換する光電変換部を含むセンサパネルを形成する工程と、前記センサパネルの表面上に前記光電変換部の上方を覆うように、前記放射線を前記光に変換するシンチレータ層を形成する工程と、を含み、前記センサパネルを形成する工程は、前記センサパネルの前記表面のうち、少なくとも前記シンチレータ層の角部と接触する第１の領域に、当該第１の領域を除く第２の領域よりも表面エネルギーが高い高表面エネルギー部を形成する工程を含む。また、本発明は、上述した放射線検出装置を含む放射線検出システムを含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、シンチレータ層の角部の下方にある光電変換部において入射する光の輝度低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る放射線検出装置に含まれる放射線検出パネルの一例を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る放射線検出装置の断面の一例を示す模式図である。
【図３】図１（ｂ）に示す放射線検出パネルの表面の一部分（周辺部）を上から見た平面図である。
【図４】図１（ｂ）に示す放射線検出パネルの表面の一部分（周辺部）を上から見た平面図である。
【図５】図１（ｂ）に示す放射線検出パネルの表面の一部分（周辺部）を上から見た平面図である。
【図６】図１（ｂ）に示す放射線検出パネルの表面の一部分（周辺部）を上から見た平面図である。
【図７−１】本発明の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７−２】図７−１に引き続き、本発明の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図８】図７−１の工程（ｃ）を説明するための図である。
【図９】本発明の実施形態に係る放射線検出装置を含む放射線検出システムの概略構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（実施形態）について説明する。
【００１１】
図１は、本発明の実施形態に係る放射線検出装置に含まれる放射線検出パネル１００の一例を示す模式図である。この図１において、図１（ａ）は放射線検出パネル１００を上から見た平面図の一例であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面における放射線検出パネル１００の断面図の一例である。
【００１２】
図２は、本発明の実施形態に係る放射線検出装置２００の断面の一例を示す模式図である。この図２に示す放射線検出装置２００には、図１に示す放射線検出パネル１００が組み込まれて構成されている。この図２において、図１に示す構成と同様の構成については同じ符号を付している。
【００１３】
図３〜図６は、図１（ｂ）に示す放射線検出パネル１００の表面の一部分（周辺部）を上から見た平面図である。
【００１４】
以下、図１〜図６を参照して、入射した放射線を検出する放射線検出装置２００の構成について説明する。
【００１５】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、放射線検出パネル１００は、センサパネル１１０と、波長変換部１２０と、パッド１３１と、接続部１３２とを有して構成されている。
【００１６】
センサパネル１１０は、入射した光を電気信号に変換する光電変換部１１２を含み構成されている。具体的に、センサパネル１１０は、図１（ｂ）に示すように、センサ基板１１１と、当該センサ基板１１１の表面の所定領域に形成された光電変換部１１２と、当該光電変換部１１２の表面上に形成されたセンサ保護層１１３を有して構成されている。さらに、センサパネル１１０の表面には、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、高表面エネルギー部１１４が設けられている。ここで、図１（ｂ）に示す各層等の各構成部において、上側に位置する面を「表面」とし、下側の面を「裏面」とする。
【００１７】
波長変換部１２０は、図１（ｂ）に示すように、センサパネル１１０の表面上に、シンチレータ層１２１、第１の接着層１２２、反射層１２３、第２の接着層１２４及び反射層保護層１２５が順次形成されて構成されている。
【００１８】
パッド１３１は、センサ基板１１１の表面上の端部領域に形成されている。接続部１３２は、パッド１３１の表面上に形成されており、センサパネル１１０と図２に示す実装基板２３０とを接続するためのフレキシブルケーブル等である。
【００１９】
以下、放射線検出パネル１００の各構成部について詳しく説明する。
【００２０】
シンチレータ層１２１は、センサパネル１１０の表面上に光電変換部１１２の上方を覆うように形成され、入射した放射線を光に変換する。ここで、放射線としては、典型的にはＸ線であるが、本実施形態においては、このＸ線に限らず、α線やβ線、γ線等であってもよい。
【００２１】
光電変換部１１２は、シンチレータ層１２１によって変換された光を電気信号に変換する。この光電変換部１１２は、複数の画素が配置（例えば行列状に配置）されて構成されている。光電変換部１１２の各画素は、例えば、入射した光を電荷に変換する光電変換素子と、当該光電変換素子で発生した電荷に応じた電気信号を読み出すためのスイッチング素子とを含み構成されている。そして、光電変換部１１２の各画素から出力された電気信号に基づき、放射線画像が生成される。
【００２２】
センサ基板１１１は、例えば、ガラス基板等の絶縁性基板、または、半導体基板である。例えば、センサ基板１１１がガラス基板等の絶縁性基板である場合、光電変換部１１２の光電変換素子は、センサ基板１１１の表面上に形成される。また、例えば、センサ基板１１１が半導体基板である場合、光電変換部１１２の光電変換素子は、センサ基板１１１の中に形成される。
【００２３】
センサ保護層１１３は、光電変換部１１２の表面上に光電変換部１１２を覆うように形成されている。このセンサ保護層１１３は、例えば、ＳｉＮ、ＴｉＯ2、ＬｉＦ、Ａｌ2Ｏ3またはＭｇＯで構成されうる。また、センサ保護層１１３は、例えば、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂またはポリアリレート樹脂等で構成されてもよい。さらに、センサ保護層１１３は、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等で構成されてもよい。ただし、センサ保護層１１３は、シンチレータ層１２１によって変換された光を通過させることができるように、シンチレータ層１２１で変換された光の波長に対して高い透過率を有する材料で構成される必要がある。
【００２４】
また、本実施形態においては、センサ保護層１１３を設けずにセンサパネル１１０を形成する態様も適用可能である。この場合、シンチレータ層１２１は、センサ保護層１１３を介さずに直接、センサ基板１１１及び光電変換部１１２の表面上に形成されることになる。この場合、図３に示すように、高表面エネルギー部１１４は、センサ基板１１１及び光電変換部１１２の表面上に直接設けられる。
【００２５】
ここで、図３〜図６を用いて高表面エネルギー部１１４について説明する。図３〜図６は、上述したように、放射線検出パネル１００の表面の一部分（周辺部）を上から見た平面図である。
【００２６】
まず、図３の説明を行う。図３は、センサ保護層１１３を設けずに、センサ基板１１１及び光電変換部１１２からなるセンサパネル１１０の表面に、シンチレータ層１２１を形成する場合を想定したものである。本実施形態では、図３等に示すように、センサパネル１１０の表面のうち、少なくともシンチレータ層１２１の角部と接触する第１の領域３１０に、当該第１の領域３１０を除く第２の領域３２０よりも表面エネルギーが高い高表面エネルギー部１１４を設ける。
【００２７】
高表面エネルギー部１１４は、図３（ａ）に示すように、光電変換部１１２における画素端を直角の頂点とする二等辺三角形の形状で形成することが望ましいが、本実施形態においては、この態様に限定されるものではない。例えば、所定の条件を満たせば、高表面エネルギー部１１４は、図３（ｂ）や、図３（ｃ）、図３（ｄ）に示すように、光電変換部１１２における画素外や画素内へ広げて形成することも可能である。
【００２８】
次いで、図４の説明を行う。図４は、センサパネル１１０の表面にセンサ保護層１１３を設ける場合を想定したものである。この場合、センサパネル１１０の表面に形成されたセンサ保護層１１３等の表面上にシンチレータ層１２１を形成することになる。この図４に示す場合、高表面エネルギー部１１４は、例えば、センサ保護層１１３の表面上の第１の領域３１０に形成される。
【００２９】
次いで、図５の説明を行う。高表面エネルギー部１１４は、図５（ａ）のように第１の領域３１０のみセンサ保護層１１３を除去することや、図５（ｂ）のように第１の領域３１０に第２の領域よりも表面エネルギーが高い材料からなる層で形成することにより、高表面エネルギー部１１４を設けるようにしてもよい。また、図５（ｃ）のように、センサ保護層１１３を形成する際の乾燥処理において、第１の領域３１０における乾燥性を第２の領域３２０における乾燥性に対して異ならせる（例えば第１の領域３１０における乾燥性を低くする）ことにより、高表面エネルギー部１１４を形成するようにしてもよい。
【００３０】
次いで、図６の説明を行う。高表面エネルギー部１１４は、図６に示すように、高表面エネルギー部１１４における画素端の交点と、画素角からの距離ＸP及びＹPが、それぞれ、０．９５ｍｍ以上の範囲に存在していることが好ましい。また、シンチレータ層１２１の塗工エリア端のダレを防ぐため、高表面エネルギー部１１４におけるシンチレータ層１２１との交点ＸS及びＹSは、画素角からの距離が２．００ｍｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
本実施形態においては、第１の領域３１０にプラズマやＵＶ照射等の表面処理を施すことにより、高表面エネルギー部１１４を形成するようにしてもよい。本実施形態においては、センサパネル１１０の表面に層（図５（ｃ）の例ではセンサ保護層１１３）を形成する際の乾燥処理において、第１の領域３１０における乾燥性を第２の領域３２０よりも低くすることにより、高表面エネルギー部１１４を形成するようにしてもよい。また、本実施形態においては、第１の領域３１０に、第２の領域３２０よりも表面エネルギーが高い材料からなる層を形成することにより、高表面エネルギー部１１４を形成するようにしてもよい。
【００３２】
ここで、再び、図１及び図２の説明に戻る。シンチレータ層１２１は、放射線を光に変換する複数のシンチレータ粒子と、当該複数のシンチレータ粒子をセンサパネル１１０の表面上に固定するためのバインダーとを含み構成されている。この際、バインダーは、例えば樹脂で構成される。
【００３３】
シンチレータ層１２１を構成するシンチレータ粒子は、例えば、微量のテルビウム（Ｔｂ）が添加された硫酸化ガドリニウム（ＧＯＳ：Ｔｂ）で構成される。また、シンチレータ粒子は、耐湿性や、発光効率、熱プロセス耐性、残光性の観点で、一般式Ｍｅ2Ｏ2Ｓ：Ｒｅで示される金属酸硫化物で構成されることが好ましい。ここで、例えば、Ｍｅは、Ｌａ，Ｙ，Ｇｄのうちのいずれか１つであり、Ｒｅは、Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｔｍのうちの少なくとも１つである。
【００３４】
シンチレータ層１２１を構成するバインダーは、有機溶剤に溶解するものであり、かつチクソトロピックな特性を有するものが好ましい。具体的には、バインダーは、エチルセルロース、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂、ポリメチルメタアクリレート等のアクリル系、ポリビニルブチラール溶剤系グレード等のポリビニルアセタール系樹脂で構成されることが好ましい。バインダーは、これらの樹脂の２種類以上の組み合わせで構成されてもよい。
【００３５】
このシンチレータ層１２１を構成するシンチレータ粒子及びバインダーは、バインダーを溶解する有機溶剤に添加される。これによって、シンチレータ粒子とバインダーとを混合させたペーストが形成され、このペーストがセンサパネル１１０の上に塗布され、その後、乾燥工程を経てシンチレータ層１２１が形成される。この際、乾燥工程では、例えば、塗布されたペーストを熱風及びホットプレートを用いて乾燥させて、シンチレータ層１２１を形成するようにしてもよい。また、有機溶剤は、バインダーを溶解し、チクソトロピックな特性を有するものが好ましい。さらに、有機溶剤は、塗工性の観点において、飽和蒸気圧の低いものが好ましい。
【００３６】
図１（ｂ）及び図２に示す第１の接着層１２２は、シンチレータ層１２１と反射層１２３とを結合する。この第１の接着層１２２は、シンチレータ層１２１によって変換された光が通過することができるように、当該光の波長について高い透過率を有する材料で構成されている。
【００３７】
反射層１２３は、シンチレータ層１２１の上方に形成され、当該シンチレータ層１２１で変換された光のうち、光電変換部１１２とは反対側に進行した光を光電変換部１１２に向けて反射するものである。この反射層１２３による光の反射により、光電変換部１１２の感度を向上させることができる。また、反射層１２３は、シンチレータ層１２１が発生させた光以外の光（外部光）が光電変換部１１２に入射することを防止する機能も備えている。この反射層１２３の構成材料としては、例えば、拡散反射する機能を有する白ＰＥＴが好ましい。また、この反射層１２３の厚さは、１０μｍ以上かつ２００μｍ以下であることが好ましい。これは、反射層１２３の厚さが１０μｍより薄いと、シンチレータ層１２１から進行してきた光の一部を反射できずに透過してしまい、光利用効率が低下してしまうという不具合が生じるためである。一方、反射層１２３の厚さが２００μｍを超えると、熱―冷却プロセス時の伸縮力が強く、剥がれの原因や、シンチレータ層１２１の破壊につながりうるという不具合が生じるためである。
【００３８】
第２の接着層１２４は、反射層１２３と反射層保護層１２５とを結合する。反射層保護層１２５は、シンチレータ層１２１を保護する他、電磁シールドとして機能しうるものである。この反射層保護層１２５は、例えば、金属箔または金属薄膜で構成されうる。この反射層保護層１２５の厚さは、１μｍ以上かつ１００μｍ以下であることが好ましい。これは、反射層保護層１２５の厚さが１μｍより薄いと、反射層保護層１２５の形成時にピンホール欠陥が発生しやすく、また遮光性が劣るという不具合が生じるためである。一方、反射層保護層１２５の厚さが１００μｍを超えると、放射線の吸収量が大きくなり過ぎ、また、反射層保護層１２５によって形成される段差が大きくなり過ぎるという不具合が生じるためである。この反射層保護層１２５の材料としては、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、アルミ合金等の金属材料を挙げることができる。これらの中で、特に、放射線透過性の高い材料であるアルミニウムが好ましい。
【００３９】
次いで、図２に記載の構成のうち、図１（ｂ）に記載されていない構成を中心に、以下に説明する。
【００４０】
図２に示す放射線検出装置２００は、放射線検出パネル１００と、ダンパー材２１０と、サポートパネル２２０と、実装基板２３０と、筐体２４０を含み構成されている。
【００４１】
ダンパー材２１０は、センサパネル１１０とサポートパネル２２０との間に配置されている。サポートパネル２２０は、実装基板２３０を保持し保護するものである。実装基板２３０は、センサパネル１１０を制御したりセンサパネル１１０からの信号を処理したりする回路を有し、接続部１３２を介してセンサパネル１１０と接続されている。筐体２４０は、放射線検出パネル１００、ダンパー材２１０、サポートパネル２２０及び実装基板２３０を収容するものである。
【００４２】
図７−１〜図７−２及び図８を参照しながら、本発明の実施形態に係る放射線検出装置２００の製造方法における具体的な実施例１〜実施例４、及び、比較例について説明する。
【００４３】
（実施例１）
まず、図７−１の工程（ａ）では、光電変換部１１２が表面に形成されたセンサ基板１１１の表面上に光電変換部１１２を覆うように、例えばポリイミドからなる保護層材料を塗布し、これを温度２００℃程度で約２時間硬化させてセンサ保護層１１３を形成した。
【００４４】
続いて、図７−１の工程（ｂ）では、センサ保護層１１３の表面上に、光電変換部１１２の端部における上方領域を露出させるマスクを形成した。その後、この状態で、プラズマ処理（表面処理）を行い、プラズマ処理が施されたセンサ保護層１１３の部分（第１の領域）に高表面エネルギー部１１４を形成した。この高表面エネルギー部１１４は、マスクで覆われたセンサ保護層１１３の部分（第２の領域）よりも表面エネルギーが高くなっている。その後、マスクを除去した。以上により、センサパネル１１０が形成された。
【００４５】
続いて、図７−１の工程（ｃ）では、センサ保護層１１３の表面上に光電変換部１１２の上方を覆うように、シンチレータ層１２１を形成した。具体的には、まず、溶媒（ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート）にバインダー（ポリビニルブチラール）を溶かしたものに、Ｇｄ2Ｏ2Ｓからなるシンチレータ粒子を混合させてペーストを作製した。その後、作製したペーストをスリットコーターによってセンサパネル１１０の表面上に塗工した。プラズマ処理（表面処理）を施すことにより形成された高表面エネルギー部１１４上に塗工されたペーストは、プラズマ処理を施していない領域（第２の領域）よりもペーストがだれることで、光電変換部１１２の端部画素の上方領域まで当該ペーストで覆うことができた。その後、温度１１０℃程度で３０分間の乾燥を行った。
【００４６】
図８は、図７−１の工程（ｃ）を説明するための図である。具体的に、図８（ａ）は、図７−１の工程（ｃ）で作製された各構成部の表面の一部分（周辺部）を上から見た平面図である。また、図８（ｂ−１）及び図８（ｂ−２）は、図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図を示しており、図８（ｃ）は、図８（ａ）のＣ−Ｃ断面図を示している。具体的に、図８（ｂ−１）は、図７−１の工程（ｂ）における表面処理を行わずに高表面エネルギー部１１４を形成しなかった場合のシンチレータ層１２１の様子の一例を示している。また、図８（ｂ−２）は、図７−１の工程（ｂ）における表面処理を行って高表面エネルギー部１１４を形成した場合のシンチレータ層１２１の様子の一例を示している。この図８（ｂ−１）と図８（ｂ−２）を比較すると、高表面エネルギー部１１４を形成することにより、光電変換部１１２の端部画素の上方領域までシンチレータ層１２１で覆うことができる。
【００４７】
ここで、再び、図７−１の説明に戻る。続いて、図７−１の工程（ｄ）では、ＰＥＴからなる層にＡｌからなる反射層が積層されたフィルム状シートの反射層保護層１２５を用意した。次いで、この反射層保護層１２５に、拡散反射性を有しＰＥＴからなる反射層１２３を、第２の接着層１２４を介して接着した。そして、反射層１２３の裏面に第１の接着層１２２を接着した。これによって積層構造のシートを作製した。
【００４８】
続いて、図７−１の工程（ｅ）では、シンチレータ層１２１を覆うように、図７−１の工程（ｄ）で作製した積層構造のシートを第１の接着層１２２によって接着した。
【００４９】
続いて、図７−２の工程（ａ）では、センサ基板１１１にパッド１３１を形成し、パッド１３１に接続部１３２を熱圧着した。これにより、放射線検出パネル１００が形成された。
【００５０】
続いて、図７−２の工程（ｂ）では、放射線検出パネル１００を、ダンパー材２１０を介して、サポートパネル２２０に接着した。
【００５１】
続いて、図７−２の工程（ｃ）では、接続部１３２を実装基板２３０に接続し、放射線検出パネル１００、ダンパー材２１０及びサポートパネル２２０を含む構造体を筐体２４０で覆った。以上の製造方法により、実施例１に係る放射線検出装置２００が形成された。
【００５２】
＜感度の評価＞
次に、実施例１に係る放射線検出装置２００の感度の評価を以下の方法により行った。この放射線検出装置２００を評価装置にセットし、放射線検出装置２００と放射線発生装置（具体的にはＸ線発生装置）との間に軟Ｘ線除去用の２０ｍｍＡｌフィルターをセットした。次いで、放射線検出装置２００と放射線発生装置との距離を１３０ｃｍに調整し、放射線検出装置２００を電気駆動系に接続した。この状態で、放射線発生装置の管電圧を８０ｋＶ、管電流を２５０ｍＡ、時間５０ｍｓでＸ線パルスを３回爆射した。この方法により測定した実施例１に係る放射線検出装置２００における光電変換部１１２の有効画素端の感度は、全体平均の６５％であった。
【００５３】
（実施例２）
上述した実施例１におけるセンサ保護層１１３の作製の際に、センサ基板１１１の表面上の塗工エリアの角部にマスク処理を行った上で、ポリイミドからなる保護層材料を塗布した。その後、角部のマスクを除去し、温度２００℃で約２時間の乾燥処理を行った。以上の製造方法により、図５（ａ）に模式的に示すような、角部のみセンサ保護層１１３が形成されていないセンサパネル１１０が得られた。このセンサ保護層１１３が形成されていないセンサパネル１１０の角部の領域は、例えば高表面エネルギー部１１４として機能する。
【００５４】
続いて、実施例１と同様に、ＧＯＳからなるペーストをスリットコーターによってセンサパネル１１０の表面上に塗工した。センサ保護層１１３が形成されていないセンサパネル１１０の角部の領域（表面エネルギー：センサ保護層１１３＜センサ基板１１１）上に塗工されたペーストは、他の領域よりもペーストがだれることで、光電変換部１１２の端部画素の上方領域まで当該ペーストで覆うことができた。その後、温度１１０℃程度で３０分間の乾燥を行った。また、他の工程は、実施例１と同じ工程を行った。以上の製造方法により、実施例２に係る放射線検出装置２００が形成された。
【００５５】
次に、実施例１と同様に、実施例２に係る放射線検出装置２００の感度の評価を行った結果、光電変換部１１２の有効画素端の感度は、全体平均の７０％であった。
【００５６】
（実施例３）
上述した実施例２におけるセンサ保護層１１３の作製の後に、センサ保護層１１３が形成されていない角部の領域（図５（ｂ）の第１の領域３１０）にエポキシ系樹脂を主成分とするペーストをスクリーン印刷にて形成した。その後、温度１２０℃で３０分間硬化させて、図５（ｂ）に示す高表面エネルギー部１１４を形成した。また、他の工程は、実施例１と同じ工程を行った。以上の製造方法により、実施例３に係る放射線検出装置２００が形成された。
【００５７】
次に、実施例１と同様に、実施例３に係る放射線検出装置２００の感度の評価を行った結果、光電変換部１１２の有効画素端の感度は、全体平均の６０％であった。
【００５８】
（実施例４）
上述した実施例１におけるセンサ保護層１１３の作製の際に、センサ基板１１１の表面上にポリイミドからなる保護層材料を塗布した後、図５（ｃ）に示す第１の領域３１０と対向するセンサ基板の裏面側領域に吸熱材を接触させて、温度２００℃で２時間の乾燥処理を行った。このようにして、図５（ｃ）に模式的に示すように、第１の領域３１０における乾燥性を第２の領域３２０における乾燥性に対して異ならせる（例えば第１の領域３１０における乾燥性を低くする）ことにより、高表面エネルギー部１１４を形成した。また、他の工程は、実施例１と同じ工程を行った。以上の製造方法により、実施例４に係る放射線検出装置２００が形成された。
【００５９】
次に、実施例１と同様に、実施例４に係る放射線検出装置２００の感度の評価を行った結果、光電変換部１１２の有効画素端の感度は、全体平均の６５％であった。
【００６０】
（比較例）
特許文献１に記載されているように、シンチレータ層の形成方法として、スリットコーター等でペーストを塗布し、それを熱風乾燥により乾燥処理を行った。これを実施例１と同様に、感度の評価を行った結果、光電変換部の有効画素端の感度は、全体平均の５０％であった。
【００６１】
この比較例における有効画素端の感度の結果と、上述した実施例１〜４における有効画素端の感度の結果とを比較すると、比較例の場合よりも、上述した実施例１〜４の場合の方が、光電変換部の有効画素端の感度が高くなることが分かった。
【００６２】
（放射線検出システムへの適用例）
上述した本発明の実施形態に係る放射線検出装置２００は、放射線検査装置等に代表される放射線検出システムに適用することが可能である。この放射線検出システムは、例えば、放射線検出装置２００を含む撮像装置と、イメージプロセッサ等を含む信号処理装置と、ディスプレイ等を含む表示装置と、放射線を発生させるための放射線発生装置とを含み構成される。
【００６３】
図９は、本発明の実施形態に係る放射線検出装置２００を含む放射線検出システムの概略構成の一例を示す図である。
【００６４】
図９において、放射線発生装置であるＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者等の被検者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線検出装置２００を含む撮像装置６０４０に入射する。入射したＸ線６０６０には被検者６０６１の体内部の情報が含まれている。撮像装置６０４０では、入射したＸ線６０６０に応じた電気的情報が得られる。その後、この情報はデジタル変換され、イメージプロセッサ６０７０（信号処理装置）により画像処理され、コントロールルーム（制御室）のディスプレイ６０８０（表示装置）により検査結果として表示されうる。また、この情報は、電話、ＬＡＮ、インターネット等のネットワーク６０９０（伝送処理手段）により遠隔地へ転送されうる。これにより、この情報をドクタールーム等の別の場所におけるディスプレイ６０８１に検査結果として表示し、遠隔地の医師が診断することが可能である。また、この情報および検査結果を、例えば、光ディスク等に保存することもできるし、フィルムプロセッサ６１００によってフィルム６１１０等の記録媒体に記録することもできる。
【００６５】
本発明の実施形態では、センサパネル１１０の表面のうち、少なくともシンチレータ層１２１の角部と接触する第１の領域３１０に、当該第１の領域３１０を除く第２の領域３２０よりも表面エネルギーが高い高表面エネルギー部１１４を設けるようにしている。
かかる構成によれば、シンチレータ層１２１の角部の下方にある光電変換部１１２において入射する光の輝度低下を抑制することができる。
【００６６】
なお、上述した本発明の実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。即ち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【符号の説明】
【００６７】
１００  放射線検出パネル、１１０  センサパネル、１１１  センサ基板、１１２  光電変換部、１１３  センサ保護層、１１４  高表面エネルギー部、１２０  波長変換部、１２１  シンチレータ層、１２２  第１の接着層、１２３  反射層、１２４  第２の接着層、１２５  反射層保護層、１３１  パッド、１３２  接続部、２００  放射線検出装置、２１０  ダンパー材、２２０  サポートパネル、２３０  実装基板、２４０  筐体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７−１】
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【図７−２】
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【図８】
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【図９】
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