(57)【要約】【課題】センサ間の間隔を縮小する少なくとも１つの特徴を含むことによって、より高いデータ密度要件およびデータトラックに対するヘッドスキューによって生じる課題に対処するマルチセンサ読取器を提供する。【解決手段】マルチセンサ読取器（３５０）は、外部磁界に応じて変化する磁性を有するフリー層（ＦＬ）（３１０）を含むセンサ積層体を有する第１のセンサを含む。第１のセンサは、センサ積層体の上に位置決めされる遮蔽構造（３１４）も含む。マルチセンサ読取器は第１のセンサ上に積層される第２のセンサも含む。第２のセンサは、外部磁界に応じて変化する磁性を有するＦＬ（３１０）を含むセンサ積層体を含む。マルチセンサ読取器はさらに、第１のセンサと第２のセンサとの間に分離層（３２４）を含む。分離層（３２４）および遮蔽構造のうち少なくとも１つの中にＦＬ−ＦＬ間隔縮小特徴が含まれる。【選択図】図３Ｂ
2017037699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチセンサ読取器であって、
第１のセンサを備え、前記第１のセンサは、
外部磁界に応じて変化する磁性を有するフリー層（ＦＬ）を有するセンサ積層体と、
前記センサ積層体の上に位置決めされる遮蔽構造とを備え、前記遮蔽構造は、遮蔽要素と前記遮蔽要素のための安定化機構とを備え、さらにマルチセンサ読取器は、
前記第１のセンサ上に積層される第２のセンサを備え、前記第２のセンサは、前記外部磁界に応じて変化する磁性を有するＦＬを有するセンサ積層体を備え、さらにマルチセンサ読取器は、
前記第１のセンサと前記第２のセンサとの間の分離層と、
前記遮蔽構造と前記分離層とのうち少なくとも１つに含まれるＦＬ−ＦＬ間隔縮小特徴とを備え、前記ＦＬ−ＦＬ間隔縮小特徴は、
誘電率値がアルミナよりも低い材料からなる、前記分離層を形成する相対的に薄い層と、
前記遮蔽要素内に組入れられる前記安定化機構と、
前記遮蔽要素とは隔離された、前記マルチセンサ読取器の担持面から窪んだ少なくとも１つの安定化特徴を備える前記安定化機構と、
磁気モーメント値が前記遮蔽要素の少なくとも一部を形成するＮｉＦｅ以上である材料からなる少なくとも１つの相対的に薄い層と、のうち少なくとも１つを備える、マルチセンサ読取器。
【請求項２】
前記分離層を形成する前記相対的に薄い層はＳｉＯ2を含む、請求項１に記載のマルチセンサ読取器。
【請求項３】
前記遮蔽要素内に組入れられる前記安定化機構は、前記遮蔽要素を自己ピン止めするように構成される前記遮蔽要素の形状異方性を備える、請求項１に記載のマルチセンサ読取器。
【請求項４】
磁気モーメント値が前記遮蔽要素の前記少なくとも一部を形成するＮｉＦｅ以上である材料からなる前記少なくとも１つの相対的に薄い層は、合成反強磁性（ＳＡＦ）構造の相対的に薄いピンド層を備え、前記ＳＡＦ構造はさらに、磁気モーメント値がＮｉＦｅ以上である材料から形成される参照層を備える、請求項１に記載のマルチセンサ。
【請求項５】
磁気モーメント値が前記遮蔽要素の前記少なくとも一部を形成するＮｉＦｅ以上である材料からなる前記少なくとも１つの相対的に薄い層は単一のピンド層を備え、前記遮蔽要素は前記単一のピンド層のみから形成される、請求項１に記載のマルチセンサ読取器。
【請求項６】
前記遮蔽要素とは隔離された、前記マルチセンサ読取器の前記担持面から窪んだ前記少なくとも１つの安定化特徴は永久磁石（ＰＭ）タブまたは反強磁性（ＡＦＭ）タブを備える、請求項１に記載のマルチセンサ読取器。
【請求項７】
読取器であって、
少なくとも１つのセンサを備え、前記少なくとも１つのセンサは、
外部磁界に応じて変化する磁性を有するフリー層を有するセンサ積層体と、
前記センサ積層体の上に位置決めされる遮蔽構造とを備え、前記遮蔽構造は、
磁気モーメント値がＮｉＦｅ以上である材料からなる少なくとも１つの相対的に薄い層を備える遮蔽要素と、
前記遮蔽要素のための安定化機構とを備える、読取器。
【請求項８】
前記読取器の少なくとも１つの他のセンサから前記少なくとも１つのセンサを隔離する分離層をさらに備え、前記分離層は誘電率値がアルミナより低い材料から形成される、請求項７に記載の読取器。
【請求項９】
前記安定化機構は前記遮蔽要素とは隔離された少なくとも１つの安定化特徴を備え、前記安定化機構は、前記安定化特徴が前記読取器の厚みに実質的に付加的に寄与しない前記読取器内の位置に位置する、請求項７に記載の読取器。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのセンサはさらに、前記センサ積層体の第１の側の第１の側方バイアス磁石と、前記センサ積層体の第２の側の第２の側方バイアス磁石とを備え、前記第１の側方バイアス磁石および前記第２の側方バイアス磁石の各々は、少なくとも１つの硬磁性層を備え、前記少なくとも１つの硬磁性層の一部は、前記遮蔽要素の側に位置決めされかつ前記遮蔽要素のための前記安定化機構を備える、請求項７に記載の読取器。
【請求項１１】
前記安定化機構は前記遮蔽要素とは隔離されたかつ前記読取器の担持面から窪んだ少なくとも１つの安定化特徴を備える、請求項７に記載の読取器。
【請求項１２】
前記遮蔽要素とは隔離されたかつ前記読取器の前記担持面から窪んだ前記少なくとも１つの安定化特徴は、永久磁石（ＰＭ）タブまたは反強磁性（ＡＦＭ）タブを備える、請求項７に記載の読取器。
【請求項１３】
磁気モーメント値がＮｉＦｅ以上である材料からなる前記少なくとも１つの相対的に薄い層は単一のピンド層を備え、前記遮蔽要素は前記単一のピンド層のみを備えるか、または
磁気モーメント値がＮｉＦｅ以上である材料からなる前記少なくとも１つの相対的に薄い層は、合成反強磁性（ＳＡＦ）構造の相対的に薄いピンド層を備え、前記ＳＡＦ構造はさらに、磁気モーメント値がＮｉＦｅ以上である材料から形成される参照層を備える、請求項７に記載の読取器。
【請求項１４】
マルチセンサ読取器を形成する方法であって、
外部磁界に応じて変化する磁性を有するフリー層を有するセンサ積層体を形成することと、前記センサ積層体の上に材料の少なくとも１つの相対的に薄い層を備える遮蔽要素を堆積することによって前記センサ積層体の上に遮蔽構造を形成することとによって第１のセンサを形成するステップと、
前記第１のセンサの上に誘電率値がアルミナより低い材料からなる分離層を形成するステップと、
前記分離層の上に第２のセンサを形成するステップとを備える、方法。
【請求項１５】
前記遮蔽要素のための前記安定化特徴を堆積することは、前記マルチセンサ読取器の担持面から窪んだ前記マルチセンサ読取器の領域に前記安定化特徴を堆積することを備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記安定化特徴を堆積することは、永久磁石（ＰＭ）タブまたは反強磁性（ＡＦＭ）タブを形成することを備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
材料の前記少なくとも１つの相対的に薄い層を備える前記遮蔽要素を堆積することは、単一のピンド層のみを形成することを備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記遮蔽要素を堆積することは、
前記センサ積層体の上に材料の前記少なくとも１つの相対的に薄い層を堆積して合成反強磁性（ＳＡＦ）構造のピンド層を形成することと、
前記ピンド層の上に前記ＳＡＦ構造の参照層を堆積することとを備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記センサ積層体の第１の側に第１の側方バイアス磁石を形成するステップと、
前記センサ積層体の第２の側に第２の側方バイアス磁石を形成するステップとをさらに備え、
前記第１の側方バイアス磁石および前記第２の側方バイアス磁石の各々を形成するステップは、少なくとも１つの硬磁性層の一部が前記遮蔽要素の側に位置決めされるように少なくとも１つの硬磁性層を形成して前記遮蔽要素のための前記安定化特徴を設けるステップを備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記読取器の積層体の層に平行でかつ前記マルチセンサ読取器の担持面に垂直な平面において還流磁区を設けるように前記遮蔽構造を形作るステップと、
前記還流磁区を設ける複数の磁区のうち選択された１つに前記安定化特徴を装着するステップと、
前記担持面に実質的に垂直な軸に沿った磁界の存在下で単一のアニールステップにおいて前記センサ積層体および前記安定化特徴の両方をアニールして、前記単一のアニールステップにおいて前記安定化特徴とセンサ積層体ＡＦＭ  ＳＡＦ層との両方の磁化方向を設定し、これにより前記センサ積層体および前記安定化特徴のための別個の磁化方向設定アニールステップを回避するステップとをさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
背景
データ記憶装置は一般的に、データ記憶媒体から情報を読取る読取トランスデューサと、データ記憶媒体に情報を書込む書込トランスデューサとを含む記録ヘッドを有する。
【０００２】
ディスクドライブなどの磁気データ記憶装置では、磁気媒体から磁気信号を読取る読取トランスデューサとして、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサまたはトンネル接合磁気抵抗（ＴＭＲ）センサなどの磁気抵抗（ＭＲ）センサを用いることがある。ＭＲセンサは外部磁界に応答して変化する電気抵抗を有する。隣接する磁気媒体から磁気データを読取るために、この電気抵抗の変化を処理回路構成によって検出することができる。
【０００３】
高くなり続けるディスクドライブ中の記録密度のレベルおよびより速いデータ転送速度に対する必要性とともに、読取トランスデューサは対応してより高いデータ再生能力を有する必要がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
要約
本開示は、センサ同士の間の間隔を縮小する少なくとも１つの特徴を含むことによって、より高いデータ密度要件とデータトラックに対するヘッドスキューとによって提起される課題に対処するマルチセンサ読取器に関する。マルチセンサ読取器は、外部磁界に応じて変化する磁性を有するフリー層（ＦＬ）を含むセンサ積層体を有する第１のセンサを含む。第１のセンサは、センサ積層体の上に位置決めされる遮蔽構造も含む。マルチセンサ読取器は、第１のセンサ上に積層される第２のセンサも含む。第２のセンサは、外部磁界に応じて変化する磁性を有するＦＬを含むセンサ積層体を含む。マルチセンサ読取器はさらに、第１のセンサと第２のセンサとの間の分離層を含む。分離層および遮蔽構造の少なくとも１つの中に、ＦＬ−ＦＬ間隔縮小特徴が含まれる。
【０００５】
開示の実施形態を特徴付ける他の特徴および利点は、以下の詳細な説明を読みかつ関連の図面を検討することから明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】データ記憶媒体と、データ記憶媒体からデータを読取るおよび／またはデータ記憶媒体にデータを書込むためのヘッドとを含むデータ記憶システムの概略図である。
【図２】記憶媒体から読取りかつ記憶媒体に書込む記録ヘッドの１つの実施形態の断面の概略図である。
【図３Ａ】単一の読取センサを有する磁気再生装置の担持面（bearing surface）の図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示される種類の複数のセンサを有する磁気再生装置の担持面の図である。
【図４】合成反強磁性（ＳＡＦ）遮蔽要素に高いモーメントの材料を用いる実施形態に従う複数センサ再生装置の担持面の図である。
【図５Ａ】ＳＡＦ遮蔽要素が自己ピン止めされる（self-pinned）実施形態に従う複数センサ再生装置の担持面の図である。
【図５Ｂ】図５Ａの再生装置のＳＡＦ遮蔽要素の上面図である。
【図６Ａ】ＳＡＦシールド反強磁性（ＡＦＭ）層が担持面から窪んでいる実施形態に従う複数センサ再生装置の担持面の図である。
【図６Ｂ】図６Ａの複数センサ再生装置の断面図である。
【図７Ａ】あるＳＡＦシールド層を排除した実施形態に従う２センサ再生装置の担持面の図である。
【図７Ｂ】図７Ａに示される種類の読取器、ならびに図３Ａまたは図３Ｂに示される種類の読取器を用いて得られた結果のプロットの図である。
【図７Ｃ】図７Ａに示される種類の読取器、ならびに図３Ａまたは図３Ｂに示される種類の読取器を用いて得られた結果のプロットの図である。
【図７Ｄ】図７Ａに示される種類の読取器、ならびに図３Ａまたは図３Ｂに示される種類の読取器を用いて得られた結果のプロットの図である。
【図７Ｅ】あるＳＡＦシールド層を排除した実施形態に従う複数センサ再生装置の担持面の図である。
【図８Ａ】あるＳＡＦシールド層を排除しかつＳＡＦシールドＡＦＭ層が担持面から窪んでいる実施形態に従う複数センサ再生装置の担持面の図である。
【図８Ｂ】図８Ａの複数センサ再生装置の断面図である。
【図９】あるＳＡＦシールド層を排除しかつ硬磁性層がシールド中の軟磁性層をバイアスするのに用いられる実施形態に従う複数センサ再生装置の担持面の図である。
【図１０Ａ】還流磁区を設けるようにＳＡＦ遮蔽構造の形状を設計したマルチセンサ読取器をまとめて示す概略図である。
【図１０Ｂ】還流磁区を設けるようにＳＡＦ遮蔽構造の形状を設計したマルチセンサ読取器をまとめて示す概略図である。
【図１０Ｃ】還流磁区を設けるようにＳＡＦ遮蔽構造の形状を設計したマルチセンサ読取器をまとめて示す概略図である。
【図１０Ｄ】還流磁区を設けるようにＳＡＦ遮蔽構造の形状を設計したマルチセンサ読取器をまとめて示す概略図である。
【図１０Ｅ】還流磁区を設けるようにＳＡＦ遮蔽構造の形状を設計したマルチセンサ読取器をまとめて示す概略図である。
【図１１Ａ】他の実施形態の特徴を組合せる実施形態に従う複数センサ読取器をまとめて示す概略図である。
【図１１Ｂ】他の実施形態の特徴を組合せる実施形態に従う複数センサ読取器をまとめて示す概略図である。
【図１１Ｃ】他の実施形態の特徴を組合せる実施形態に従う複数センサ読取器をまとめて示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
例示的な実施形態の詳細な説明
以下に記載する磁気再生装置実施形態は、センサ同士の間の間隔を縮小する少なくとも１つの特徴を含むマルチセンサ読取器に関する。しかしながら、異なる実施形態に関する付加的な詳細を与える前に、例示的な動作環境の説明を以下に提供する。
【０００８】
図１は、本明細書中に開示されるある具体的な実施形態を組入れ得る例示的な動作環境を示す。図１に示される動作環境は例示の目的のためのみのものである。本開示の実施形態は図１に示される動作環境などの一切の特定の動作環境に限定されない。本開示の実施形態は任意の数の異なる種類の動作環境内で例示的に実践される。同じ参照番号が同じまたは類似の要素について異なる図中で用いられることに留意すべきである。
【０００９】
図１は、データ記憶媒体と、データ記憶媒体からデータを読取るおよび／またはデータ記憶媒体にデータを書込むためのヘッドとを含むデータ記憶装置１００の概略図である。データ記憶装置１００では、ヘッド１０２が記憶媒体１０４の上に位置決めされてデータ記憶媒体１０４からデータを読取るおよび／またはデータ記憶媒体１０４にデータを書込む。示される実施形態では、データ記憶媒体１０４は、１つの磁気記憶層または複数の磁気記憶層を含む回転可能なディスクまたは他の磁気記憶媒体である。読取および書込動作のため、（概略的に図示される）スピンドルモータ１０６は、矢印１０７で示されるように媒体１０４を回転させ、アクチュエータ機構１１０は、内径１０８と外径１０９との間の、回転する媒体１０４上のデータトラック１１４に対してヘッド１０２を位置決めする。スピンドルモータ１０６およびアクチュエータ機構１１０の両方ともが（概略的に示される）駆動回路構成１１２に接続されかつこれによって動作される。ヘッド１０２は、たとえばスエージ加工接続を通して機構１１０のアクチュエータアーム１２２に接続されるロードビーム１２０を含む懸架アセンブリを通してアクチュエータ機構１１０に結合される。図１は単一のロードビームがアクチュエータ機構１１０に結合されているのを示すが、付加的なロードビーム１２０およびヘッド１０２をアクチュエータ機構１１０に結合してディスク積層体の複数のディスクからデータを読取ったりそこにデータを書込んだりすることができる。アクチュエータ機構１１０は、軸受１２４を通してフレームまたはデッキ（図示せず）に回転するように結合されて軸１２６の周りを回転する。アクチュエータ機構１１０の回転は、矢印１３０で示されるように、トラック横断方向にヘッド１０２を移動させる。
【００１０】
ヘッド１０２は、屈曲回路１３４を通してヘッド回路構成１３２に結合される（図１には示さない）１つ以上のトランスデューサ要素を含む。１０２などのヘッドの要素に関する詳細は、図２に関連して以下に与えられる。
【００１１】
図２は、記録ヘッド２００の担持面（たとえば、空気担持面（ＡＢＳ））２０２の平面に対して実質的に法線方向の平面に沿った、記録ヘッド２００およびデータ記憶媒体２５０の一部の断面図を示す概略図である。図２に示される記録ヘッド要素は例示的には、図１の記録ヘッド１０２などの記録ヘッド中に含まれる。媒体２５０は例示的には図１の媒体１０４などのデータ記憶媒体である。当業者は、記録ヘッドおよび記録媒体が一般的に他の構成要素を含むことを認識するであろう。本開示の実施形態は一切の特定の記録ヘッドまたは媒体に限定されない。本開示の実施形態を異なる種類の記録ヘッドおよび媒体において実践してもよい。
【００１２】
記録ヘッド２００は、書込極２０５、磁化コイル２１０、帰還極２１５、頂部シールド２１８、読取トランスデューサ２２０、底部シールド２２２、およびウェハ保護膜２２４を含む。記憶媒体２５０は、記録層２５５および下地層２６０を含む。記憶媒体２５０は矢印２６５で示される方向に回転する。矢印２６５は例示的に図１の矢印１０７などの回転の方向である。
【００１３】
ある実施形態では、電流がコイル２１０を通過して磁界を生成する。磁界は、書込極２０５から記録層２５５を通って下地層２６０の中に入り、次に横断して帰還極２１５へと通っていく。磁界は例示的には、記録層２５５中の磁化パターン２７０を記録する。読取トランスデューサ２２０は、記録層２５５中の磁化パターンを検知または検出し、先に層２５５に記録された情報を取出すのに用いられる。
【００１４】
より高いデータ密度要件およびより速いデータ転送速度によって提起される課題に対処するため、読取トランスデューサ２２０は複数のセンサ２２６および２２８を含む。簡略のため、図２に示されるのはセンサ２２６および２２８の２つのみであることに留意すべきである。しかしながら、異なるマルチセンサ読取器実施形態では、任意の好適な数のセンサが用いられることがある。異なるマルチセンサ読取器実施形態では、磁気センサは、トラック方向（すなわち、図２のｚ方向）またはトラック方向に垂直なトラック幅方向（すなわち、図２のｘ方向であるトラック横断方向）に沿って積層されてもよい。そして図２のｙ方向は、ストライプ高さ方向である、同時にｘおよびｚに垂直な方向として定義される。図２に示される実施形態では、センサ２２６および２２８はトラック方向に沿って積層される。そのような実施形態では、高いデータ記憶密度を達成するために、またデータトラックに対するヘッドスキューにより、隣接するセンサ２２６および２２８の主な検知構成要素同士の間の間隔を小さくすることが望ましい。ヘッドスキューは回転アクチュエータの当然の結果であるが、これは、完全に径方向にトラックを横切るようにヘッドを移動させず、大抵はディスクの内径および外径の近くで顕著である（図１を参照）。図２の実施形態では、読取トランスデューサ２２０は少なくとも１つの厚み／間隔縮小特徴２３０を含む。個々のセンサの実施形態の異なる層を図３Ａに示し、図３Ｂは、図３Ａに示される種類のセンサを２つ含むマルチセンサ読取器を示す。マルチセンサ読取器中のセンサ間の間隔縮小に関する詳細は、図４−図１１に関連して以下にさらに与えられる。
【００１５】
図３Ａは、単一の磁気抵抗センサ３０２を含む例示的な読取ヘッド３００を示す概略ブロック図である。磁気抵抗センサ３０２は、頂部シールド２１８と底部シールド２２２との間に位置決めされる。高い透磁性を有する材料から作られ得る頂部および底部シールド２１８および２２２は、たとえばデータディスク上の隣接するビットからの磁界などの外部磁界が磁気抵抗センサ３０２に影響を与えるのを低減するかまたは実質的にブロックして、こうして磁気抵抗センサ３０２の性能を向上させる。１つの実現例では、頂部および底部シールド２１８および２２２は、磁気抵抗センサ３０２の直下のビットからの磁界が磁気抵抗センサ３０２に影響を及ぼして読取られるようにする。
【００１６】
磁気抵抗センサ３０２は、センサ反強磁性（ＡＦＭ）層３０４、センサ積層合成反強磁性（ＳＡＦ）構造３０６、スペーサ層３０８、フリー層または検知層３１０、積層キャップ３１２、およびＳＡＦ遮蔽構造３１４を含む複数の層を含む。
【００１７】
図３Ａに示される実施形態では、センサＳＡＦ構造３０６は、ピンド層３１６、ある実施形態ではルテニウム（Ｒｕ）などの金属を備え得る薄い隔離層３１８、および参照層３２０を含む。ピンド層３１６および参照層３２０の各々の磁気モーメントは、対象の範囲中の磁界（たとえば、データディスク上に記憶されるデータのビットによって生成される磁界）の下で回転することを許容されない。参照層３２０およびピンド層３１６の磁気モーメントは一般的に、図３Ａの平面（すなわちｙ方向）に対して法線方向にかつ互いに逆平行に向けられる。
【００１８】
１つの実現例では、フリー層３１０はたとえば反強磁性体に交換結合されない。その結果、フリー層３１０の磁気モーメントは、対象の範囲中の印加される磁界の影響下で自由に回転する。読取ヘッド３００はさらに、側方バイアス磁石または側方シールド３２２を含み、これらは紙面に平行でありかつほぼ水平に向けられる磁気モーメントでフリー層３１０をバイアスする磁界を発生する。このバイアスは、読取ヘッド３００によって検知されるデータの中にノイズを導入することがあるたとえば熱エネルギによってフリー層３１０の磁気モーメントがドリフトするのを防止する。バイアスは十分に小さいが、フリー層３１０の磁気モーメントは、データディスク上に記憶されるデータビットの磁界などの印加磁界に応答して変化する可能性がある。ある実施形態では、側方バイアス磁石または側方シールド３２２は、軟磁性材料（すなわち、相対的に低い磁界で容易に磁化されかつ消磁されることができる材料）から形成される。軟磁性材料は、ＮｉおよびＦｅを備える合金であり得る。磁気抵抗センサ３０２は、たとえば絶縁材料を含む分離層３２４によって側方バイアス磁石３２２から隔離されかつ電気的に分離される。図３Ａに示されるように、分離層３２４はヘッド３００の他の領域にも存在してもよい。
【００１９】
図３Ａに示される実施形態では、ＳＡＦ遮蔽構造は、ＳＡＦシールド参照層３２６、ある実施形態ではＲｕなどの金属を備え得る薄いＳＡＦシールド隔離層３２８、ＳＡＦシールドピンド層３３０、およびＳＡＦシールドＡＦＭ層３３２を含む。センサ３００は軟磁性側方シールド３２２を利用するので、側方シールド３２２の磁化を安定化させるのを助けるには、ＳＡＦシールド参照層３２６は、相対的に固定された磁性を有する必要がある。このように、ＡＦＭ層３３２は担持面に実質的に平行な層ＳＡＦシールドピンド層３３０の磁化をピン止めする必要があり、この結果、ＳＡＦシールド隔離層３２８を横切る反強磁性結合によるＳＡＦシールド参照層３２６の相対的に固定された磁化、およびしたがって担持面に実質的に平行な側方シールド３２２の磁化の安定も生じさせる。ＳＡＦシールド参照層３２６およびＳＡＦシールドピンド層３３０は軟磁性材料（たとえば、ＮｉおよびＦｅを備える合金）から形成されてもよい。ある実施形態では、ＳＡＦシールドＡＦＭ３３２と頂部シールド２１８との間、およびセンサＡＦＭ３０４と底部シールド２２２との間に非磁性金属インサート（図示せず）が存在してもよいことに留意すべきである。
【００２０】
ある実施形態では、センサ３０２は、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）または巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果を利用してもよい。ＴＭＲ効果を利用する実施形態では、スペーサ層３０８は、ＳＡＦ構造３０６をフリー層３１０から隔離するトンネルバリア層である。トンネルバリア層３０８は十分に薄いので、ＳＡＦ構造３０６中の参照層３２０とフリー層３１０との間に量子力学的電子トンネリングが起こる。電子トンネリングは電子スピンに依存し、磁気抵抗センサ３０２の磁気応答をＳＡＦ構造３０６およびフリー層３１０の相対的な向きおよびスピン偏極の関数にする。電子トンネリングの最も高い可能性は、ＳＡＦ構造３０６とフリー層３１０との磁気モーメントが平行であるときに起こり、電子トンネリングの最も低い可能性は、ＳＡＦ構造３０６とフリー層３１０との磁気モーメントが逆平行であるときに起こる。したがって、磁気抵抗センサ３０２の電気抵抗は、印加される磁界に応答して変化する。ディスクドライブ中のデータディスク上のデータビットは、図３Ａの紙面に対して法線方向に、紙面の中または紙面から外のいずれかへ磁化され得る。このように、磁気抵抗センサ３０２がデータビットの上を通過すると、フリー層３１０の磁気モーメントは図３Ａの紙面の中へまたは図３Ａの紙面から外へ回転されて、磁気抵抗センサ３０２の電気抵抗を変化させる。したがって、磁気抵抗センサ３０２によって検知されるビットの値（たとえば、１または０）は、第１の電極（図示せず）から磁気抵抗センサ３０２に接続される第２の電極（図示せず）に流れる電流に基づいて決まり得る。
【００２１】
図３Ｂは、トラック方向（すなわち図３Ｂのｚ方向）に沿って積層される複数の磁気抵抗センサ（たとえば、３０２Ａおよび３０２Ｂ）を含む例示的な読取ヘッド３５０を示す概略ブロック図である。センサ３０２Ａおよび３０２Ｂの各々は図３Ａのセンサ３０２と実質的に同様であり、したがって、個々のセンサ３０２Ａおよび３０２Ｂの説明は図３Ｂに関連しては与えられない。データ記憶媒体の回転の方向およびヘッドの設計に依存して、頂部シールド２１８および底部シールド２２２の一方は、３５０などの読取ヘッド全体の先頭のシールドであり、頂部シールド２１８および底部シールド２２２の他方は、３５０などの読取ヘッド全体の後尾のシールドであることに留意すべきである。センサ３０２Ｂ自身の底部シールドは参照番号３０５で示される。ある実施形態では、センサ３５０中のセンサ３０２Ａおよび３０２Ｂは、図３Ｂのセンサ３０２Ａと３０２Ｂとの間の領域に存在する分離層３２４によって互いから分離されることがある。他の実施形態では、個々のセンサ同士の間に分離層を用いないことがある。
【００２２】
以上で示したように、マルチセンサ構成では、臨界パラメータは（図３Ｂ中の）ＦＬ−ＦＬ間隔であるｄspacingであり、センサと遮蔽構造とセンサ同士の間の絶縁体との加算した厚みによって設定される。さらに、以上で注記したように、ｄspacingを小さくすることにより、より高い線密度のドライブにおいてマルチセンサ読取器を実現できるようになり、かつマルチセンサ読取器がスキュー下で好適に働けるようになる。マルチセンサ読取器中のＦＬ−ＦＬ間隔を小さくするためのいくつかの技術を図４−図１１に関連して以下に説明する。異なる技術は、遮蔽構造３１４および／または分離層３２４に対する変更例に係る。変形例は、遮蔽構造３１４および／または分離層３２４の１つ以上の層を、遮蔽構造３１４および／または分離層３２４の１つ以上の層の厚みの低減を可能にするように選択される材料で形成することを含み得る。変形例は、遮蔽構造３１４に対する構造的設計変更（すなわち、遮蔽要素３１５および／または遮蔽要素３１５を安定化させる３３２などの要素に対する変更）も含み得る。
【００２３】
図４は、ｄspacingを小さくするためにＳＡＦ遮蔽要素４０２に高モーメント材料を用いる、（参照番号４００で示される）複数センサ読取器の担持面の図である。他の点では、複数センサ読取器４００は図３Ｂのマルチセンサ読取器３５０と実質的に同様であり、同様の要素の説明を繰返さない。
【００２４】
読取器４００において、遮蔽要素４０２は、図３Ｂに示されるＳＡＦ遮蔽要素３１５と実質的に同様の構造を有する。しかしながら、（図３Ｂのマルチセンサ読取器３５０の場合のように）ＳＡＦシールド参照層３２６およびＳＡＦシールドピンド層３３０の磁気材料として相対的に低モーメントの材料（たとえば、ＮｉＦｅ）を用いる代わりに、ＳＡＦ遮蔽要素４０２の磁性層（ＳＡＦシールド参照層４０４およびＳＡＦシールドピンド層４０６）は、図３Ｂの層３２６および３３０に用いられるものよりもモーメントが高い材料から形成される。ある厚み範囲（たとえば、５ナノメートル（ｎｍ）から５０ｎｍ）では、４０２などのＳＡＦ要素の遮蔽効果は、４０２などのＳＡＦ遮蔽要素の厚みとＳＡＦ遮蔽要素４０２中の磁性層のモーメントとの両方の関数である。したがって、ＳＡＦシールド参照層４０４およびＳＡＦシールドピンド層４０６のために相対的にモーメントが高い磁性層を用いることによって、（図３の）相対的に厚い遮蔽要素３１５の遮蔽効果と比較して、ＳＡＦ要素４０２の遮蔽効果の対応の低下がないこれらの層の厚みの低減が可能になる。ある実施形態では、ＳＡＦ遮蔽要素４０２の磁性層（ＳＡＦシールド参照層４０４およびＳＡＦシールドピンド層４０６）の相対的に高い磁気モーメントの値はＮｉＦｅの磁気モーメントの値よりも大きい。他の実施形態では、ＳＡＦ遮蔽要素４０２の磁性層（ＳＡＦシールド参照層４０４およびＳＡＦシールドピンド層４０６）の相対的に高い磁気モーメントの値は約１．５テスラよりも大きい。そのような実施形態で、磁性層４０４および４０６に利用することができる相対的に高いモーメントの材料の例は、ＣｏＦｅおよびＣｏＮｉＦｅである。当然ながら、ｄspacingの低減を得るのに他の高モーメントの磁気材料も好適であり得る。
【００２５】
図５Ａは、図３Ａおよび図３Ｂの３３２などのＳＡＦシールドＡＦＭ層を排除してｄspacingを小さくした（参照番号５００で示される）複数センサ読取器の担持面の図である。ＳＡＦシールドＡＦＭ層を排除できるようにするためには、異なる技術を用いて、ＳＡＦシールドＡＦＭ層によって与えられるピン止めまたは安定化機能性を達成する／提供する必要がある。１つの実施形態では、ＳＡＦ遮蔽構造５０２は、形状（たとえば、ＳＡＦ５０２の異なる幅および高さ寸法）によって誘導される一軸異方性によって安定化される。図５Ｂは、１つの実施形態に従うＳＡＦ遮蔽構造５０２の上面図を示す。図５Ｂの実施形態では、一軸異方性は、ｙ方向に沿ったＳＡＦ遮蔽構造５０２の（参照番号５０６で示される）高さｈよりも実質的に大きい、ｘ方向に沿ったＳＡＦ遮蔽構造５０２の（参照番号５０４で示される）幅ｗを用いることによってＳＡＦ遮蔽構造５０２に与えられる。特定の実施形態では、ＳＡＦ遮蔽構造５０２の幅ｗは、ＳＡＦ遮蔽構造５０２の高さｈの少なくとも２倍である。形状異方性以外の技術を利用して５０２などのＳＡＦ遮蔽構造における安定化（すなわち自己ピン止め）を与えてもよいことに留意すべきである。当該技術は、好適な整列マグネットよる膜の成長および／または制御された入射角での膜の堆積、好適な熱アニールプロセスなどを含む。
【００２６】
図６Ａは、ｄspacingを小さくするために、図３Ａおよび図３Ｂの３３２などのＳＡＦシールドＡＦＭ層が担持面から窪んだ（参照番号６００で示される）複数センサ読取器の担持面の図である。図６Ｂは、（図６Ａに示される線Ａ−Ａ′に沿った）センサ積層体の層および担持面に直交する平面を通る、図６Ａのマルチセンサ読取器６００の断面図である。図６Ｂで、窪んだＳＡＦシールドＡＦＭ層は参照番号６０２で示される。窪んだＳＡＦシールドＡＦＭ層６０２はｄspacingに加わるように寄与しないので、センサ６００で得られるｄspacingの低減は（図５Ａの）センサ５００において得られるｄspacingの低減と実質的に同様である。センサ６００において、ＳＡＦシールドＡＦＭ６０２による一方向異方性は、ＳＡＦの極性（すなわち、外部ゼロ磁界におけるＳＡＦシールド参照層３２６およびＳＡＦシールドピンド層３３０の磁性の向き）が好適に維持されるのを確実にするのを助ける。窪んだＳＡＦシールドＡＦＭ層６０２は、任意の好適な堆積技術を用いて形成されてもよい。異なる実施形態では、ＳＡＦシールドＡＦＭ層６０２は、ＳＡＦシールドＡＦＭ層６０２がＳＡＦシールド要素３１５に対する磁気的結合を提供することができる限り、図６Ｂに示される以外の場所にあってもよいことに留意すべきである。ＡＦＭに隣接するＳＡＦ磁性層をピンド層（ＰＬ）と称し、かつＡＦＭに接していないＳＡＦ磁性層を参照層（ＲＬ）と称することを一般的に取り決めている。図６Ｂで、ＳＡＦシールドＡＦＭ層６０２は層３２６の下にありかつ層３２６に接しているので、層３２６はＰＬであり、層３３０はＲＬである。ＳＡＦシールドＡＦＭ層６０２は、センサのうち１つ（たとえば、センサ３０２Ａ）のみの中で窪んでいてもよく、他のセンサのＳＡＦシールドＡＦＭ層は、図３Ｂの読取器３５０中のセンサ３０２ＢのＳＡＦシールドＡＦＭ層３３２と同じ場所に位置決めされていてもよいことにも留意すべきである。
【００２７】
図７Ａは、図３Ａおよび図３ＢのＳＡＦシールド参照層３２６およびＳＡＦシールドスペーサ層３２８を排除してｄspacingを小さくする複数センサ読取器７００の担持面の図である。換言すると、（参照番号７０２で示される）強磁性材料からなる単一の層のみがＳＡＦシールドＡＦＭ３３２によってピン止めされる。層３２６および３２８を排除することにより、各々の遮蔽構造３１４のｚ方向の厚みが小さくなり得、この結果、センサ全体のｄspacingが小さくなり、かつｚ方向の厚みが小さくなる。ある実施形態では、ピンド層７０２はＮｉＦｅから形成される。他の実施形態では、ピンド層７０２は、ＮｉＦｅよりもモーメント値が高い材料から形成されてもよい。相対的に高いモーメントの材料を用いてピンド層７０２を形成する場合、ピンド層７０２の厚みは、遮蔽効果の対応する低減なく、ＮｉＦｅピンド層に対して低減され得る。
【００２８】
先に示したように、データ記憶媒体あたりのより大きな容量を達成するには、高い線密度を達成することが必須である。パルス幅またはそのピーク振幅の５０％での読取パルスの幅であるＰＷ５０は潜在的な最大線密度の尺度となる。より広い遷移はより大きなＰＷ５０をもたらす。このように、より高い線密度にはより低いＰＷ５０が有利である。複数センサ読取器７００では、層３２６、３２８、および３３０を含むＳＡＦ構造の代わりにピンド層７０２のみを利用する結果、図７Ｂに示されるようにＰＷ５０が向上し得る。図７Ｂは、ＳＡＦ遮蔽構造を有する読取器（たとえば、（図３Ａの）読取器３００および（図３Ｂの）３５０）とピンド層（ＰＬ）のみ実施形態とのＰＷ５０値の比較を示すグラフである。図７Ｂで、縦軸７０４はＰＷ５０をｎｍで表わし、横軸７０６は厚み（すなわち、ピンド層の厚みおよびＳＡＦ構造の厚み）をｎｍで表わす。プロット７０８および７１０（実線）は複数センサ読取器７００などのＰＬのみ実施形態のプロットである。プロット７０８は、ＰＬ７０２が約１テスラ（Ｔ）のモーメント値を有する読取器についてのものであり、プロット７１０は、ＰＬ７０２が約１．８Ｔのモーメント値を有する読取器についてのものである。プロット７１２および７１４（破線）は、ＳＡＦ遮蔽構造を有する読取器（たとえば、（図３Ａの）読取器３００および（図３Ｂの）３５０）についてのプロットである。プロット７１２は、ＳＡＦが約１テスラ（Ｔ）のモーメント値を有する読取器についてのものであり、プロット７１４は、ＳＡＦが約１．８Ｔのモーメント値を有する読取器についてのものである。
【００２９】
図７Ｂに見られるように、特定の合計厚みのＳＡＦシールド要素３１５を含む（図３Ａの）３００または（図３Ｂの）３５０などの読取器の実施形態と比較して、ＳＡＦシールド要素３１５の合計厚みと同じ厚みのＰＬのみ構造７０２を有する７００などの読取器は、発生するＰＷ５０が約３ｎｍだけより小さい。このように、マルチセンサ読取器では、層３２６、３２８、および３３０を含むＳＡＦの代わりにＰＬのみ構造７０２を用いることにより、厚みの低減、およびしたがって、ｄspacingの対応の低減をＰＷ５０の劣化なしに得ることができる。たとえば、１０ｎｍのＰＬのみ構造７０２が生じるＰＷ５０は、３２６などの１６ｎｍ厚のＳＡＦシールド参照層と３３０などの１６ｎｍ厚のＳＡＦシールドピン止め層とを有するＳＡＦシールド要素が生じるＰＷ５０と同じである。この例では、ＳＡＦシールドをＰＬのみ構造７０２と置き換える結果、ＰＷ５０を劣化させずにｄspacingの２２ｎｍの縮小が得られる。相対的に高いモーメントの材料を利用して構造７０２を形成する結果、ＰＷ５０を劣化させずにｄspacingの付加的な縮小（たとえば、約５ｎｍの縮小）を得られる。
【００３０】
図７Ｃは、ＳＡＦ遮蔽要素３１５を含む（図３Ａの）３００または（図３Ｂの）３５０などの読取器中のトラック横断磁界伝達曲線７１４および７１６を示す。図７Ｄは、７０２などのＰＬのみ構造を含む７００などの読取器の実施形態中のトラック横断磁界伝達曲線７２２および７２４を示す。図７Ｃで、縦軸７１８は、３２６などのＳＡＦシールド参照層の正規化された磁性（Ｍｘ）を表わし、横軸７２０は、印加される磁界（Ｈｘ）をエルステッド（Ｏｅ）で表わす。図７Ｄで、縦軸および横軸は図７Ｃの軸と同様であるが、図７Ｄの縦軸は、７０２などのＰＬのみ構造の正規化された磁性を表わす。図７Ｃで、プロット７１４は、Ｈｘが負の値から正の値に増大するにつれてＳＡＦシールド参照層について得られるＭｘの値を示す。プロット７１６は、Ｈｘが正の値から負の値に逆転することから得られるＭｘの値を示す。プロット７２２および７２４はそれぞれプロット７１４および７１６と同様であるが、７０２などのＰＬのみ構造についてのＨｘの値の変動に応答したＭｘの値の変動を示す。図７Ｃと図７Ｄとを比較すると、図７Ｃ中のゼロＭｘ点７２６と７２８との間の距離が図７Ｄの対応のゼロＭｘ点７３０と７３２との間の距離よりも実質的に小さいことが示される。このように、ゼロＭｘ点同士の間の距離の半分である保磁力の幅（または保磁力磁界（Ｈ＿coercivity））は、図７Ｃよりも図７Ｄでより大きい。さらに、Ｈｘがほぼゼロでは、点７２６と７２８との間の（参照番号７３４で示される）平均点は、点７３０と７３２との間の（参照番号７３６で示される）平均点と比較して、左にずれている。このように、平均点でのＨｘの絶対値（すなわち、ピン止め磁界（Ｈ＿pinning））は、３１５などのＳＡＦシールド要素よりも、７０２などのＰＬのみ構造についてより低い。ＰＬのみのシールド設計はＳＡＦ遮蔽要素と比較してＨ＿pinningがより低いが、Ｈ＿coercivityがより高く、かつ双方の設計はゼロ磁界で２つの状態を有するので、ＰＬのみの設計は、トラック横断磁界が−７００Ｏｅを下回らない限り、ＳＡＦシールド設計と同様の安定性を有する。
【００３１】
図７Ａに示される２センサ読取器７００または図７Ｅに示されるような２つよりも多くのセンサ（３０２Ａ、３０２Ｂ、および３０２Ｃ）を有する読取器７５０にＰＬのみの読取器設計を用いることができる。そのような読取器は、読取器の安定性を保持しながら、ＰＷ５０、ＭＴ１０（信号の強度がその最大の１０％に低下するデータ記憶媒体上の２つの位置同士の間の距離）／ＭＴ５０（信号強度がその最大から５０％低下するデータ記憶媒体上の２つの位置同士の間の距離）、およびダウントラックｄspacingの向上を与えることができる。ヘッドの設計の必要性に依存して、ＰＷ５０とｄspacingとは互いに対して背反となる可能性がある。
【００３２】
図８Ａは、図３Ａおよび図３Ｂの３２６などのＳＡＦシールド参照層および３２８などのＳＡＦシールドスペーサ層を排除して、図７Ａ−図７Ｅに関連して上述した態様でｄspacingの縮小が得られる、（参照番号８００で示される）複数センサ読取器の担持面の図である。加えて、ｄspacingのさらなる縮小を得るために、図７Ａの３３２などのＳＡＦシールドＡＦＭ層が担持面から窪んでいる。図８Ｂは、（図８Ａに示される線Ｂ−Ｂ′に沿った）担持面およびセンサ積層体の層に直交する平面を通る、図８Ａのマルチセンサ読取器８００の断面図である。図８Ｂで、窪んだＳＡＦシールドＡＦＭ層は参照番号８０２で示される。センサ８００において、ＳＡＦシールドＡＦＭ８０２による一方向異方性は、ＰＬ７０２の極性（すなわち、外部ゼロ磁界でのＰＬ７０２の磁化方向）が好適に維持されるのを確実にするのを助ける。窪んだＳＡＦシールドＡＦＭ層８０２は、任意の好適な堆積技術を用いて形成されてもよい。異なる実施形態では、ＳＡＦシールドＡＦＭ層８０２は、ＳＡＦシールドＡＦＭ層８０２がＰＬ７０２への磁気的結合を提供することができる限り、図８Ｂに示されるもの以外の場所にあってもよいことに留意すべきである。ＳＡＦシールドＡＦＭ層８０２は、センサのうち１つ（たとえば、センサ３０２Ａ）のみの中で窪んでいてもよく、他のセンサのＳＡＦシールドＡＦＭ層は、図７Ａの読取器７００中のセンサ３０２ＢのＳＡＦシールドＡＦＭ層３３２と同じ場所に位置決めされてもよいことにも留意すべきである。
【００３３】
図９は、図３Ａおよび図３Ｂの３２６などのＳＡＦシールド参照層および３２８などのＳＡＦシールドスペーサ層を排除して、たとえば図７Ａに関連して上述した態様でｄspacingの縮小が得られる、複数センサ読取器９００の担持面の図である。加えて、図７Ａで用いるＡＦＭシールド層３３２の代わりに、バイアス硬磁石９０２が強磁性層９０４に当接して、強磁性層９０４の両側から強磁性層９０４のための必要な安定化を与える。さらに、図９に示される実施形態では、バイアス硬磁石９０２と軟磁性層９０６とが側方シールド９０８の各々で横並びの構成にある。図９のセンサ３０２Ａおよび３０２Ｂの各々において、軟磁性層９０６は、バイアス硬磁石９０２に静磁的に結合されるかまたは交換結合され、読取られているビットに隣接するビットからの磁束を逸らすように働く。
【００３４】
図１０Ａ−図１０Ｅは、図３Ｂのマルチセンサ読取器３５０のｄspacingに対してｄspacingが縮小された、（図１０Ｄおよび図１０Ｅで参照番号１０００で示される）マルチセンサ読取器の実施形態をまとめて示す概略図である。図１０Ａ−図１０Ｅの実施形態では、ｘ−ｙ平面（すなわち、マルチセンサ読取器の担持面に対して垂直でありかつ読取器の積層体の層に平行な平面）でのＳＡＦ遮蔽構造３１４の形状は、還流磁区を設けるように設計されている。図１０Ａ、図１０Ｂ、および図１０Ｃは、４つの主な磁区（Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤ）が形成された例示的な設計の上面図を示す。図１０Ａ、図１０Ｂ、および図１０Ｃに示される頂部は、参照番号１００２で示される軟磁性層を含む。永久磁石（ＰＭ）またはＡＦＭタブ１００４を磁区の１つに結合して、磁区構造のキラル性を制御する。磁区Ｃは担持面にある。ＰＭタブまたはＡＦＭタブ１００４は、磁区Ａ、Ｂ、またはＤに付けられて、ｄspacingを増大させることなくキラル性を確実にし得る。ＰＭタブまたはＡＦＭタブ１００４は軟磁性層１００２の下に位置決めされて担持面から窪んでいてもよいことに留意すべきである。したがって、ＰＭまたはＡＦＭタブ１００４は、図１０Ｄのセンサ１０００の担持面の図には見えない。しかしながら、ＰＭまたはＡＦＭタブ１００４は、（図１０Ｄに示される線Ｃ−Ｃ′に沿った）担持面およびセンサ積層体の層に直交する平面を通る、図１０Ｄのマルチセンサ読取器１０００の断面図である図１０Ｅに示される。ＰＭ／ＡＦＭタブ１００４をＢまたはＤに付けることの追加の利点は、このタブの向きを（図１０Ｅの参照番号１００３で示される）（ｙ方向磁界を有する磁気積層アニールによって設定可能であり、付加的なアニールが必要ないことである。換言すると、ＰＭ／ＡＦＭタブ１００４が磁区ＢまたはＤに付けられる読取器１０００の製造の際、センサ積層体３０２Ａ、３０２Ｂおよび安定化特徴（たとえば、ＰＭ／ＡＦＭタブ１００４）の両方のアニールを、担持面に実質的に垂直な軸（たとえばｙ軸）に沿って１００３などの磁界の存在下で単一のアニールステップで行なって、安定化特徴（たとえば、ＰＭ／ＡＦＭタブ１００４）とセンサ積層体ＡＦＭ  ＳＡＦ層との両方の磁化方向を単一のアニールステップで設定し、これによりセンサ積層体３０２Ａ、３０２Ｂおよび安定化特徴（たとえば、ＰＭ／ＡＭＦタブ１００４）のための別個の磁化方向設定アニールステップを回避し得る。
【００３５】
また別の実施形態では、上述の実施形態の任意のものの中のセンサ３０２Ａとセンサ３０２Ｂとの間の絶縁スペーサ層３２４をアルミナの誘電率値よりも低い誘電率（εr）値（すなわち、約９よりも低いεr値）を有する材料で形成してもよい。厚みが低減された絶縁スペーサ層を形成するのに好適な、εrの値が相対的に低い材料の一例がＳｉＯ2であり、これは、約４のεrの値を有する。当然ながら、異なる実施形態では、εrの値が相対的に低い他の誘電材料が好適であってもよい。ＳｉＯ2のようにεrの値が相対的に低い／小さい場合、たとえば、相対的に厚いアルミナ絶縁スペーサ層のキャパシタンスと比較したキャパシタンスの低下なしに、絶縁スペーサ層３２４についてより小さな厚みを達成することができる。このように、絶縁スペーサ層３２４のためにたとえばＳｉＯ2を用いる結果、ｄspacingを縮小し得る。
【００３６】
図１１Ａ、図１１Ｂ、および図１１Ｃは、上述の異なるｄspacing縮小特徴の組合せを含むマルチ読取器センサ１１００の実施形態をまとめて示す。センサ１１００において、（遮蔽構造３１４と同様の）遮蔽構造１１０２は、（構造３１５および７０２と同様の）遮蔽要素１１０４と、遮蔽要素のための（層またはタブ３２２、６０２、８０２、９０２、および１００４と同様の）安定化機構１１０６とを一般的に備えて示される。この実施形態では、絶縁スペーサ層３２４は、ＳｉＯ2などのεrが相対的に低い材料で形成される。遮蔽要素１１０４は、ＮｉＦｅよりも磁気モーメントの値が大きい材料で形成される少なくとも１つの強磁性層を含む。安定化機構１１０６は、マルチセンサ読取器内の、安定化特徴がｄspacingに実質的に付加的に寄与しない位置に位置する遮蔽要素１１０４とは離れた少なくとも１つの安定化特徴（ＡＦＭまたはＰＭタブ）を含んでもよい（すなわち、少なくとも１つの安定化特徴は、図１１Ｂ（図１１Ａの線Ｄ−Ｄ′に沿った断面図）に示されるように担持面から窪んでいても、または図９に示されるように強磁性層および側方バイアス軟磁性層の側に位置決めされてもよい）。さらに、安定化機構１１０６の少なくとも一部は、図１１Ｃに示され、かつ図５Ａおよび図５Ｂに関連して上述されたように、形状異方性などのたとえば自己ピン止め技術を用いることによって遮蔽構造１１０２に組入れられてもよい。先に注記したように、好適であり得る他の自己ピン止め技術は、整列磁石を用いた膜成長および／または制御された入射角での膜の堆積、好適な熱アニールプロセスなどを含む。
【００３７】
異なる図は、底部および頂部センサ３０２Ａおよび３０２Ｂがｚ方向に整列されているのを示すが、さまざまな実施形態では、異なるセンサは互いからオフセットされてもよいことに留意すべきである。遮蔽構造の厚みを低減するための技術を単一センサ読取器においても用いて、頂部シールド２１８と底部シールド２２２との間の間隔を小さくしてもよいことにも留意すべきである。
【００３８】
複数センサ磁気再生装置内のセンサ間の間隔縮小特徴のさまざまな例を出願中に開示するが、実施形態は、出願中に開示される特定の適用例または用例に限定されない。開示のさまざまな実施形態の構造および機能の詳細とともに開示のさまざまな実施形態の数多くの特性および利点を以上の説明で述べたとしても、この開示は例示のみのためのものであり、添付の請求項が表わす用語の広い一般的意味によって示される全範囲までの本開示の原則の範囲内で、特に部品の構造および配置という事項において詳細に変更がなされてもよいことを理解すべきである。たとえば、本開示の範囲および精神から逸脱することなく実質的に同じ機能性を維持しつつセンサ間間隔縮小特徴を有する複数センサ磁気再生装置のための特定の適用例に依存して、特定の要素は異なり得る。さらに、本明細書中に記載の実施形態は、特定のデータ記憶システムで利用される特定の種類の複数センサ磁気再生装置に向けられるが、本開示の範囲および精神から逸脱することなく、本開示の教示を他のデータ記憶装置に適用可能であることが当業者によって認められるであろう。
【符号の説明】
【００３９】
２１８  頂部シールド、２２２  底部シールド、３００  読取ヘッド、３０２Ａ，３０２Ｂ  センサ、３０４  センサ反強磁性（ＡＦＭ）層、３０５  底部シールド、３０６  合成反強磁性（ＳＡＦ）構造、３０８  スペーサ層、３１０  フリー層、３１２  積層キャップ、３１４  遮蔽構造、３１５  遮蔽要素、３２２，９０６  側方バイアス、３２４  分離層、３５０  マルチセンサ読取器、４００，５００，６００，７００，７５０，８００，９００，１０００，１１００  センサ読取器、７０２  ピンド層、８０２  ＳＡＦシールドＡＦＭ層、９０２  硬磁石、１００２  軟磁性層、１００４  永久磁石またはＡＦＭタブ
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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