(57)【要約】【課題】シャッタ体の動作不具合が生じにくい、光シャッタ基板の製造方法を提案する。【手段】アクティブマトリクス層とその上層に配された光シャッタ機構とを有する光シャッタ基板の製造方法であって、前記アクティブマトリクス層上に犠牲膜を形成する第１工程と、前記犠牲膜上に、前記光シャッタ機構の一部となる遮光性金属膜を成膜する第２工程（Ｓ１０３）と、遮光性金属膜上にマスクを形成する第３工程（Ｓ１０４）と、上記遮光性金属膜をウェットエッチングする第４工程（Ｓ１０５）とを含む。【選択図】図３
2017191206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス層とその上層に配された光シャッタ機構とを備える光シャッタ基板であって、
前記光シャッタ機構は、導電膜および保護膜が積層されてなる第１基材を被膜が覆っているビームと、導電膜、遮光性金属膜および保護膜がこの順に積層されてなる第２基材を被膜が覆っているシャッタ体とを含み、
前記シャッタ体では、前記遮光性金属膜の端面が前記保護膜に覆われていることを特徴とする光シャッタ基板。
【請求項２】
前記導電膜および保護膜それぞれが、アモルファスシリコンで構成されていることを特徴とする請求項１記載の光シャッタ基板。
【請求項３】
前記導電膜がアモルファスシリコンで構成され、前記保護膜が無機絶縁膜であることを特徴とする請求項１に記載の光シャッタ基板。
【請求項４】
前記ビームが、アモルファスシリコン膜と無機絶縁膜と被膜とで形成されていることを特徴とする請求項３記載の光シャッタ基板。
【請求項５】
前記遮光性金属膜は被膜に接しないことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光シャッタ基板。
【請求項６】
アクティブマトリクス層とその上層に配された光シャッタ機構とを備える光シャッタ基板であって、
前記光シャッタ機構は、導電膜からなる第１基材を被膜が覆っているビームと、導電膜、遮光性金属膜および保護膜がこの順に積層されてなる第１基材を被膜が覆っているシャッタ体とを含み、
前記シャッタ体では、前記導電膜の端面が、前記遮光性金属膜および保護膜それぞれの端面よりも外側に形成され、前記導電膜の端部が、前記遮光性金属膜および保護膜と重畳せず、前記被膜と重畳することを特徴とする光シャッタ基板。
【請求項７】
トランジスタを含むアクティブマトリクス層とその上層に配された光シャッタ機構とを有する光シャッタ基板の製造方法であって、
アクティブマトリクス層上に犠牲膜を形成する第１工程と、前記犠牲膜上に、前記光シャッタ機構の一部となる遮光性金属膜を成膜する第２工程と、遮光性金属膜上にマスクを形成する第３工程と、上記遮光性金属膜をウェットエッチングする第４工程とを含むことを特徴とする光シャッタ基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程および第４工程との間にドライエッチング工程を含まないことを特徴とする請求項７記載の光シャッタ基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１および第２工程の間に、光シャッタ機構の一部となる導電膜を成膜する工程を含むことを特徴とする請求項７または８記載の光シャッタ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第４工程の後に、前記マスクの除去によって露出した遮光性金属膜と前記導電膜とを覆う保護膜を成膜する第５工程を含むことを特徴とする請求項９記載の光シャッタ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第５工程の後に、保護膜上に別のマスクを形成して前記保護膜をドライエッチングする第６工程を含むことを特徴とする請求項１０記載の光シャッタ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記導電膜および保護膜はアモルファスシリコンで形成され、前記第６工程では、前記導電膜もドライエッチングされることを特徴とする請求項１１記載の光シャッタ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第６工程の後に、前記犠牲膜を除去し、導電膜および保護膜が積層されてなる第１基材と、導電膜、遮光性金属膜および保護膜がこの順に積層されてなる第２基材とを形成する第７工程と、前記第１基材を被膜で覆って光シャッタ機構のビームとし、前記第２基材を被膜で覆って光シャッタ機構のシャッタ体とする第８工程とを含むことを特徴とする請求項１１または１２に記載の光シャッタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳを用いた光シャッタ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、表示装置の画素に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を用いた従来技術が開示されている。
【０００３】
この従来技術は、画素ごとに、シャッタ体および駆動ビームを含む光シャッタ機構と、駆動ビームに接続するトランジスタ（ＴＦＴ）とを設けて光シャッタ機構に光を照射し、シャッタ体の機械的な動作によって光を遮断あるいは通過させるものである。
【０００４】
具体的には、光シャッタ機構を通過した光が通る光透過経路を設けるとともに、シャッタ体に繋がるシャッタビーム（バネ）と対向するように駆動ビームを配置し、シャッタビームと駆動ビームとの間の静電気力によってシャッタビームを変形させ、シャッタ体をスライドさせることで、光透過経路からの出射光量を画素ごとに制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２５２２０５号公報（２０１２年１２月１０日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＭＥＭＳを用いた光シャッタ基板は、複数の薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクス層と、このアクティブマトリクス層の光源側に配され、光シャッタ機構を含むメカニカル層とを備える。メカニカル層の形成過程では、犠牲膜の上層に光シャッタ機構の構成材料を成膜し、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程を行うが、このエッチング工程に起因してシャッタ体の動作に不具合がでることを発明者は見出した。
【０００７】
本発明の目的の１つは、シャッタ体の動作不具合が生じにくい、光シャッタ基板の製造方法を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る光シャッタ基板の製造方法は、トランジスタを含むアクティブマトリクス層とその上層に配された光シャッタ機構とを有する光シャッタ基板の製造方法であって、アクティブマトリクス層上に犠牲膜を形成する第１工程と、前記光シャッタ機構の一部となる遮光性金属膜を成膜する第２工程と、遮光性金属膜上にマスクを形成する第３工程と、上記遮光性金属膜をウェットエッチングする第４工程とを含むことを特徴とする。なお、前記光シャッタ基板については、光源からの光が入射する側の面を上面、その反対側で、光が出ていく側の面を下面とする。
【発明の効果】
【０００９】
上記光シャッタ基板の製造方法によれば、光シャッタ機構のパーツ表面に生じ、その動作を阻害する金属酸化物の発生を抑えることができる。これにより、シャッタ体の動作不具合が生じにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態１にかかる表示装置の構成を示す模式図ある。
【図２】実施形態１にかかる光シャッタ基板の構成を示す断面図である。
【図３】実施形態１にかかる光シャッタ機構の製造方法を示すフローチャートおよびその対応断面図である。
【図４】実施形態２にかかる光シャッタ機構の製造方法を示すフローチャートおよびその対応断面図である。
【図５】実施形態３にかかる光シャッタ機構の製造方法を示すフローチャートおよびその対応断面図である。
【図６】参考形態にかかる光シャッタ機構の製造方法を示すフローチャートおよびその対応断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
〔実施形態１〕
図１は実施形態１にかかる表示装置の構成を示す模式図であり、図２は実施形態１の光シャッタ装置の構成を示す断面図である。図１に示すように、実施形態１にかかる表示装置ＤＰは、光シャッタ基板１および光シャッタ基板１に対向する対向基板６０を含む光シャッタ装置ＳＤと、対向基板６０を介して光シャッタ基板１にＬＥＤ（発光ダイオード）光あるいはレーザ光を照射するバックライトＢＬとを備える。
【００１２】
図１・２に示すように、光シャッタ基板１は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むアクティブマトリクス層１９と、このアクティブマトリクス層のバックライト側に配され、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）である光シャッタ機構２１を含むメカニカル層２０とを備え、画素ごとに、光シャッタ機構２１と、光シャッタ機構２１を通過した光が通る光透過経路とが設けられている。
【００１３】
光シャッタ機構２１は、図１・２に示すように、シャッタ体２８と、シャッタ体２８の一側端に接続するシャッタビーム２３ｘと、他の側端に接続するシャッタビーム２３ｙと、シャッタビーム２３ｘと向かい合う駆動ビーム２２ｘと、シャッタビーム２３ｙと向かい合う駆動ビーム２２ｙとを含む。
【００１４】
シャッタビーム２３ｘはシャッタアンカー２３ｂを介してアクティブマトリクス層のシャッタ線に接続され、シャッタビーム２３ｙはシャッタアンカー２３ｄを介してアクティブマトリクス層のシャッタ線に接続され、駆動ビーム２２ｘは駆動アンカー２２ｂを介してアクティブマトリクス層のＴＦＴに接続され、駆動ビーム２２ｙは駆動アンカー２２ｄを介してアクティブマトリクス層の別のＴＦＴに接続されており、駆動ビーム２２ｘ・２２ｙの電位制御によってバネ状のシャッタビーム２３ｘ・２３ｙが変形し、シャッタ体２８が基板面に平行な方向にスライドすることで、光シャッタ機構２１および光透過経路を通って視認者５０側へ出射する光の量が制御される。
【００１５】
ここでは、例えばフィールドシーケンシャル方式を用い、赤色光、緑色光、および青色光をバックライトから順次照射し、赤色光の光量、緑色光の光量、および青色光の光量それぞれを調整することで画素の階調表現が可能となる。
【００１６】
以下、光シャッタ基板１については、バックライト光が入射する側の面を上面（上側の面）、その反対側で、光が出ていく側の面を下面（下側の面）として説明する。
【００１７】
図２に示すように、光シャッタ基板１のアクティブマトリクス層１９には、ガラス基板２と、ガラス基板２の上層に形成された下層金属膜５ｘ・５ｙと、下層金属膜５ｘ・５ｙの上層に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６の上層に形成された、半導体膜７ｘ・７ｙ（例えば、酸化物半導体膜）と、半導体膜７ｘ・７ｙの上層に形成されたエッチングストッパ膜８と、エッチングストッパ膜８の上層に形成された中層金属膜９ａ〜９ｄと、中層金属膜９ａ〜９ｄの上層に形成されたパッシベーション膜１０と、パッシベーション膜１０の上層に形成された平坦化膜１１（例えば、中層金属膜よりも厚く塗布することが可能な樹脂膜）と、平坦化膜１１の上層に形成された透光性金属膜１８と、透光性金属膜１８の上層に形成された上層金属膜１２ｃ・１２ｄとが含まれている。
【００１８】
なお、半導体膜７ｘは、中層金属膜９ａ・９ｂそれぞれと接触しており、中層金属膜９ｂは、パッシベーション膜１０および平坦化膜１１を貫通するコンタクトホールによって上層金属膜１２ｃに接続されている。すなわち、下層金属膜５ｘと、ゲート絶縁膜６と、半導体膜７ｘと、中層金属膜９ａ・９ｂとでＴＦＴが構成される。
【００１９】
また、半導体膜７ｙは、中層金属膜９ｃ・９ｄそれぞれと接触しており、中層金属膜９ｄは、パッシベーション膜１０および平坦化膜１１を貫通するコンタクトホールによって上層金属膜１２ｄに接続されている。すなわち、下層金属膜５ｙと、ゲート絶縁膜６と、半導体膜７ｙと、中層金属膜９ｃ・９ｄとでＴＦＴが構成される。
【００２０】
図１〜図３に示すように、光シャッタ基板１のメカニカル層２０には、シャッタ体２８、シャッタビーム２３ｘ・２３ｙ、および駆動ビーム２２ｘ・２２ｙを含む光シャッタ機構２１が設けられる。
【００２１】
図３は、光シャッタ機構の構成を示す斜視図である。図２および図３に示すように、シャッタ体２８は、アクティブマトリクス層１９に向けて突出し、光源ＢＬ側からみるとアクティブマトリクス層側に窪んだ凹部であるリブ形状部２８ｒと、開口２８ｋとを含む。リブ形状部２８ｒは、遮光性であり、シャッタ体２８の強度を高めるための折板構造を有する。なお、シャッタ体２８の両側にシャッタビーム２３ｘ・２３ｙが接続され、駆動ビーム２２ｙは、駆動アンカ２２ｄおよび上層金属膜１２ｄを介して中層金属膜９ｄ（ＴＦＴの導通電極）に接続されている。
【００２２】
光シャッタ機構２１では、図１および図２（ａ）のように、駆動ビーム２２ｘ・２２ｙの電位制御によってシャッタ体２８が駆動ビーム２２ｙ側に引き寄せられると、開（オープン）状態となり、図１および図２（ｂ）のように、駆動ビーム２２ｘ・２２ｙの電位制御によってシャッタ体２８が駆動ビーム２２ｘ側に引き寄せられると、閉（クローズ）状態となる。
【００２３】
図１・２に示す光シャッタ装置ＳＤでは、光シャッタ基板１とバックライトＢＬとの間に、ガラス基板６１上に金属等の対向遮光膜６２を形成してなる対向基板６０が設けられ、対向遮光膜６２に形成されたスリット６２ｓから、基板面に垂直な方向に向かって光シャッタ基板の下面に至る光透過経路ＬＷが形成されている。
【００２４】
そして、図２（ａ）のようにシャッタ体２８の開口２８ｋが光透過経路ＬＷと重なる（光シャッタ機構がオープン状態の）ときにバックライト光は光シャッタ機構および光透過経路ＬＷを通って視認者５０側に出射し、図２（ｂ）のようにシャッタ体２８の開口以外の部分が光透過経路ＬＷと重なる（光シャッタ機構がクローズ状態の）ときにバックライト光は遮断される。
【００２５】
実施形態１では、メカニカル層２０の光シャッタ機構を図３のように形成する。すなわち、ステップＳ１０１（第１工程）で、アクティブマトリクス層１９上に、第１犠牲膜２４および第２犠牲膜２５を順次形成する。ステップＳ１０２で、第１および第２犠牲層２４・２５上に導電膜２６を成膜し、ステップＳ１０３（第２工程）で、導電膜２６上に遮光性金属膜２７（例えば、窒化モリブデン膜）を成膜する（図３（ｂ））。
【００２６】
なお、導電膜２６には、例えば、ヒ素やリン等の不純物が高濃度にドープされた不純物半導体膜（例えば、ｎ＋アモルファスシリコン膜）を用いることができ、遮光性金属膜２７には、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＭｏＮ等の金属膜あるいはそれらの合金膜、または、これらの積層膜を用いることができる。
【００２７】
続くステップＳ１０４（第３工程）では、フォトリソグラフィ工程によってレジスト２９を形成する（図３（ｃ））。ステップＳ１０５（第４工程）では、レジスト２９をマスクとして遮光性金属膜２７をウェットエッチングする（図３（ｄ））。このとき、遮光性金属膜２７は、そのエッジがレジスト２９の内側に至るまでエッチングされる。
【００２８】
続くステップＳ１０６では、レジスト２９を除去して窒化モリブデン膜２７を露出させ、ステップＳ１０７（第５工程）で、導電膜２６および遮光性金属膜２７を覆うように、保護膜３１を成膜する（図３（ｅ））。保護膜３１は、導電膜２６と同一条件でエッチングできることが望ましい（Ｓ１０９参照）。例えば、導電膜２６および保護膜３１それぞれに、高濃度にドープされたアモルファスシリコン（ｎ＋アモルファスシリコン）膜を用いてもよいし、導電膜２６にｎ＋アモルファスシリコン膜を用い、保護膜３１に真正のアモルファスシリコン膜を用いてもよい。
【００２９】
続くステップＳ１０８では、フォトリソグラフィ工程によって保護膜３１上にレジスト３０を形成する（図３（ｆ））。ここでは、遮光性金属膜２７のエッジがレジスト３０の内側にくるようにレジスト３０を形成する。
【００３０】
続くステップＳ１０９（第６工程）では、レジスト３０をマスクとして、導電膜２６および保護膜３１を連続してドライエッチングする（図３（ｇ））。ここでは、導電膜２６および保護膜３１を、同一条件でドライエッチングできる材料で構成しているため、それぞれを同一工程でドライエッチングすることができる。
【００３１】
そして、ステップＳ１１０で第１および第２犠牲膜２４・２５とレジスト３０とを除去し（リリース）、導電膜２６および保護膜３１が積層されてなるビーム基材（第１基材）と、導電膜２６、遮光性金属膜２７、保護膜３１がこの順に積層されてなり、遮光性金属膜２７の端面が保護膜３１に覆われているシャッタ基材（第２基材）とを形成する。
【００３２】
そして、ステップＳ１１１（第７工程）では、ビーム基材２３ｊ全体を覆うように被膜９９（例えば、窒化シリコン膜）を形成してシャッタビーム２３とするとともに、シャッタ基材２８ｊ全体を覆うように被膜９９（例えば、窒化シリコン膜）を形成してシャッタ体２８とする（図３（ｈ））。
【００３３】
ここで、図６の参考形態について説明する。まずステップＳ４０１で、第１および第２犠牲膜５４・５５それぞれを順次形成する。ステップＳ４０２で、第１および２犠牲膜５４・５５上に導電膜膜５６を成膜し、ステップＳ４０３で、導電膜５６上に遮光性金属膜５７（図６では、２つのＴｉ膜でＡｌ膜をサンドした積層膜）を成膜し、ステップＳ４０４で、保護膜５８を成膜する。
【００３４】
続くステップＳ４０５では、フォトリソグラフィ工程によって保護膜５８上にレジスト５９を形成する（図６（ｂ））。ステップＳ４０６では、レジスト５９をマスクとして、保護膜５８をドライエッチングする（図６（ｃ））。
【００３５】
ステップＳ４０７では、遮光性金属膜５７をドライエッチングし、続くステップＳ４０８で遮光性金属膜５７をライトアッシングする（図６（ｄ））。
【００３６】
ステップＳ４０９では、遮光性金属膜５７の縦部分（側壁部分）をウェットエッチングし（図６（ｅ））、続くステップＳ４１０で導電膜５６をドライエッチングする。そして、ステップＳ４１１で犠牲膜２４・２５とレジスト５９とを除去し、ステップＳ４１２で膜Ｈを形成する。
【００３７】
ここで、遮光性金属膜５７の縦部分では、成膜不良が起こり易く、ステップＳ４０７〜Ｓ４０８のドライエッチングおよびライトアッシングで遮光性金属膜５７が酸化されて（図６のように遮光性金属膜５７をＴｉＡｌＴｉで形成した場合は、Ａｌが酸化されて）導電膜５６上に付着することがある。導電膜５６上の金属酸化物（図６ではＡｌＯｘ）は、ステップＳ４０９のウェットエッチングで除去できないため、突起状異物５７ｚとして導電膜５６上に残留する（図６（ｅ）参照）。このため、ステップＳ４１２の被膜形成によって導電膜５６の縦部分がバネであるシャッタビームＳＢになると、図６（ｆ）のように、シャッタビーム表面の突起Ｓｐがシャッタ体の動作を阻害する。
【００３８】
この点、図２の本実施形態１では、遮光性金属膜２７のエッチング（Ｓ１０５）に、ドライエッチングではなく、ウェットエッチングを用いている。したがって、図６の参考形態のような突起状異物（金属酸化物）がシャッタビーム２３の表面に生じるような問題は起きず、シャッタ体２８の動作不具合は生じにくい。
【００３９】
なお、実施形態１では、遮光性金属膜２７のエッチングにウェットエッチングを用いているため、遮光性金属膜２７にアルミ合金（ＡｌＴｉＡｌ等）を用いることも可能である。
【００４０】
また、実施形態１で形成されるシャッタ体２８では、遮光性金属膜２７の端面が保護膜３１によって覆われているため（図３（ｈ）参照）、ステップＳ１１０のリリース（犠牲膜等の除去）時に遮光性金属膜２７（例えば、窒化モリブデン膜）がダメージを受けるといった問題も起きず、シャッタ体２８の動作不具合が生じにくい。
【００４１】
また、実施形態１では、導電膜２６と同条件でエッチングできる保護膜３１を用いているため、ステップＳ１０９のドライエッチングで導電膜２６および保護膜３１を連続してエッチングすることができ、工程数を少なくすることができる。
【００４２】
〔実施形態２〕
実施形態２では、メカニカル層２０の光シャッタ機構を図４のように形成する。ステップＳ２０１〜Ｓ２０６は、図３のステップＳ１０１〜Ｓ１０６と同様であり、ステップＳ２０７で、導電膜２６および遮光性金属膜２７を覆うように、保護膜３２（例えば、窒化シリコン膜）を成膜する（図４（ｅ））。
【００４３】
続くステップＳ２０８では、フォトリソグラフィ工程によって保護膜３２上にレジスト３０を形成する（図４（ｆ））。ここでは、遮光性金属膜２７のエッジがレジスト３０の内側にくるようにレジスト３０を形成する。
【００４４】
続くステップＳ２０９では、レジスト３０をマスクとして保護膜３２（例えば、窒化シリコン膜）をドライエッチングし、続くステップＳ２１０で導電膜２６（例えば、ｎ＋アモルファスシリコン膜）をドライエッチングする（図４（ｇ））。
【００４５】
そして、ステップＳ２１１で第１および第２犠牲膜２４・２５とレジスト３０とを除去し（リリース）、導電膜２６および保護膜３２が積層されてなるビーム基材（第１基材）と、導電膜２６、遮光性金属膜２７、保護膜３２がこの順に積層されてなり、遮光性金属膜２７の端面が保護膜３２に覆われているシャッタ基材（第２基材）とを形成する。
【００４６】
そして、ステップＳ２１２では、ビーム基材２３ｊ全体を覆うように被膜９９（例えば、窒化シリコン膜）を形成してシャッタビーム２３とするとともに、シャッタ基材２８ｊ全体を覆うように被膜９９（例えば、窒化シリコン膜）を形成してシャッタ体２８とする（図４（ｈ））。
【００４７】
実施形態２でも、遮光性金属膜２７のエッチング（Ｓ２０５）に、ドライエッチングではなく、ウェットエッチングを用いている。したがって、図６の参考形態のような突起状異物（金属酸化物）がシャッタビーム２３の表面に生じるような問題は起きず、シャッタ体２８の動作不具合は生じにくい。
【００４８】
実施形態２では、遮光性金属膜２７として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＭｏＮ等の金属膜あるいはそれらの合金膜、または、これらの積層膜を用いることができる。また、保護膜については、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ等の無機絶縁膜を用いることができる。
【００４９】
また、実施形態２で形成されるシャッタ体２８では、遮光性金属膜２７の端面が保護膜３２によって覆われているため（図４（ｈ）参照）、ステップＳ１１０のリリース（犠牲膜の除去）時に遮光性金属膜２７（例えば、窒化モリブデン膜）がダメージを受けるといった問題も起きず、シャッタ体２８の動作不具合が生じにくい。
【００５０】
〔実施形態３〕
実施形態３では、メカニカル層２０の光シャッタ機構を図５のように形成する。ステップＳ３０１〜Ｓ３０２は、図３のステップＳ１０１〜Ｓ１０２と同様であり、ステップＳ３０３で、遮光性金属膜２７（例えば、ＴｉＡｌＴｉ膜）を成膜し、ステップＳ３０４で、保護膜３２（例えば、窒化シリコン膜）を成膜する。
【００５１】
続くステップＳ３０５では、フォトリソグラフィ工程によって保護膜３２上にレジスト２９を形成する（図５（ｂ））。
【００５２】
ステップＳ３０６では、レジスト２９をマスクとして、保護膜３２をウェットエッチングし（図５（ｃ））、ステップＳ３０７では、遮光性金属膜２７をウェットエッチングする（図５（ｄ））。ここでは、保護膜３２および遮光性金属膜２７それぞれがレジスト２９のエッジの内側位置までエッチングされる。
【００５３】
ステップＳ３０８では導電膜２６（例えば、ｎ＋アモルファスシリコン膜）をドライエッチングする（図５（ｅ））。ここでは、導電膜２６がレジスト２９のほぼエッジ位置までエッチングされる。
【００５４】
ステップＳ３０９では、第１および第２犠牲膜２４・２５とレジスト２９とを除去し（リリース）、導電膜２６からなるビーム基材２３ｊ（第１基材）と、導電膜２６、遮光性金属膜２７、保護膜３２がこの順に積層されてなり、導電膜２６の端面が、遮光性金属膜２７および保護膜３２それぞれの端面よりも外側に形成されるシャッタ基材２８ｊ（第２基材）とを形成する。導電膜２６の端面の位置が、遮光性金属膜２７および保護膜３２の端面の位置よりも外側になるのは、導電膜２６をドライエッチング、遮光性金属膜２７および保護膜３２をウェットエッチングしているからである。
【００５５】
ステップＳ３１０では、ビーム基材２３ｊ全体を覆うように被膜９９（例えば、窒化シリコン膜）を形成してシャッタビーム２３とするとともに、シャッタ基材２８ｊ全体を覆うように被膜９９（例えば、窒化シリコン膜）を形成してシャッタ体２８とする（図５（ｆ））。このシャッタ体２８では、導電膜２６の端部が、遮光性金属膜２７および保護膜３２と重畳せず、被膜９９とだけ重畳する。
【００５６】
実施形態３でも、遮光性金属膜２７のエッチング（ステップＳ３０７）に、ドライエッチングではなく、ウェットエッチングを用いている。したがって、図６の参考形態のような突起Ｓｐ（図６（ｆ））がシャッタビームの表面に生じるような問題は起きず、シャッタ体２８の動作不具合は生じにくい。
【００５７】
実施形態３では、遮光性金属膜２７として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＭｏＮ等の金属膜あるいはそれらの合金膜、または、これらの積層膜を用いることができる。保護膜には、真正アモルファスシリコン、高濃度にドープされたアモルファスシリコン、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮなどの無機絶縁膜を用いることができる。
【００５８】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る光シャッタ基板は、アクティブマトリクス層とその上層に配された光シャッタ機構とを備える光シャッタ基板であって、前記光シャッタ機構は、導電膜および保護膜が積層されてなる第１基材を被膜が覆っているビームと、導電膜、遮光性金属膜および保護膜がこの順に積層されてなる第２基材を被膜が覆っているシャッタ体とを含み、前記シャッタ体では、前記遮光性金属膜の端面が前記保護膜に覆われていることを特徴とする。
【００５９】
本発明の態様２に係る光シャッタ基板は、前記態様１において、前記導電膜および保護膜それぞれが、アモルファスシリコンで構成されている構成である。
【００６０】
本発明の態様３に係る光シャッタ基板は、前記態様１において、前記導電膜がアモルファスシリコンで構成され、前記保護膜が無機絶縁膜である構成である。
【００６１】
本発明の態様４に係る光シャッタ基板は、前記態様３において、前記ビームが、アモルファスシリコン膜と無機絶縁膜と被膜とで形成されている構成である。
【００６２】
本発明の態様５に係る光シャッタ基板は、前記態様１〜４のいずれか１つにおいて、前記遮光性金属膜は被膜に接しない構成である。
【００６３】
本発明の態様６に係る光シャッタ基板は、アクティブマトリクス層とその上層に配された光シャッタ機構とを備える光シャッタ基板であって、前記光シャッタ機構は、導電膜からなる第１基材を被膜が覆っているビームと、導電膜、遮光性金属膜および保護膜がこの順に積層されてなる第１基材を被膜が覆っているシャッタ体とを含み、前記シャッタ体では、前記導電膜の端面が、前記遮光性金属膜および保護膜それぞれの端面よりも外側に形成され、前記導電膜の端部が、前記遮光性金属膜および保護膜と重畳せず、前記被膜と重畳することを特徴とする。
【００６４】
本発明の態様７に係る光シャッタ基板の製造方法は、トランジスタを含むアクティブマトリクス層とその上層に配された光シャッタ機構とを有する光シャッタ基板の製造方法であって、アクティブマトリクス層上に犠牲膜を形成する第１工程と、前記犠牲膜上に、前記光シャッタ機構の一部となる遮光性金属膜を成膜する第２工程と、遮光性金属膜上にマスクを形成する第３工程と、上記遮光性金属膜をウェットエッチングする第４工程とを含むことを特徴とする。
【００６５】
本発明の態様８に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様７において、前記第２工程および第４工程との間にドライエッチング工程を含まない手法である。
【００６６】
本発明の態様９に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様７または８において、前記第１および第２工程の間に、光シャッタ機構の一部となる導電膜を成膜する工程を含む手法である。
【００６７】
本発明の態様１０に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様９において、前記第４工程の後に、前記マスクの除去によって露出した遮光性金属膜と前記導電膜とを覆う保護膜を成膜する第５工程を含む手法である。
【００６８】
本発明の態様１１に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１０において、前記第５工程の後に、保護膜上に別のマスクを形成して前記保護膜をドライエッチングする第６工程を含む手法である。
【００６９】
本発明の態様１２に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１１において、前記導電膜および保護膜はアモルファスシリコンで形成され、前記第６工程では、前記導電膜もドライエッチングされる手法である。
【００７０】
本発明の態様１３に係る光シャッタ基板の製造方法は、前記態様１１または１２において、前記第６工程の後に、前記犠牲膜を除去して、導電膜および保護膜が積層されてなる第１基材と、導電膜、遮光性金属膜および保護膜がこの順に積層されてなる第２基材とを形成する第７工程と、前記第１基材を被膜で覆って光シャッタ機構のビームとし、前記第２基材を被膜で覆って光シャッタ機構のシャッタ体とする第８工程とを含む手法である。
【００７１】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【００７２】
１  光シャッタ基板
１９  アクティブマトリクス層
２０  メカニカル層
２１  光シャッタ機構
２２ｘ・２２ｙ  駆動ビーム
２３ｘ・２３ｙ  シャッタビーム
２３ｊ  ビーム基材
２４  第１犠牲膜
２５  第２犠牲膜
２６  導電膜
２７  遮光性金属膜
２８  シャッタ体
２８ｊ  シャッタ基材
２９  レジスト
３０  レジスト
３１  保護膜
３２  保護膜
６０  対向基板
６２  対向遮光膜
９９  被膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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