(57)【要約】【課題】検査装置を用いてウエーハの内部に形成されたクラックを検出する場合において、異なる２つの波長の検査光を使用せずとも、ウエーハ内部に形成されたクラックを撮像し検出できるようにする。【解決手段】ウエーハＷの内部のクラックＣを検査する検査装置３を、ウエーハＷが載置される保持テーブル３０と、保持テーブル３０に載置されたウエーハＷの上方に位置しウエーハに対して透過性を有する波長の検査光ＬをウエーハＷの上面Ｗａに垂直な方向より傾斜させた角度からウエーハＷに向けて照射するリング照明３１と、リング照明３１の内周側に配置されウエーハＷの上面Ｗａに対して垂直な光軸を有しウエーハＷで反射した検査光Ｌを受光してウエーハＷを撮像するカメラ３２とを備えるものとした。【選択図】図２
2017090080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハの内部のクラックを検査する検査装置であって、
ウエーハが載置される保持テーブルと、
該保持テーブルに載置されたウエーハの上方に位置しウエーハに対して透過性を有する波長の検査光をウエーハの上面に垂直な方向より傾斜させた角度からウエーハに向けて照射するリング照明と、
該リング照明の内周側に配置されウエーハの上面に対して垂直な光軸を有しウエーハで反射した検査光を受光してウエーハを撮像するカメラと、を備える検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの内部に形成されたクラックを検査する検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造において用いられるウエーハは、例えば、切削装置等により分割されて個々のデバイス等となり、各種電子機器等に利用されている。そして、半導体製造プロセスにおいてウエーハに施される加工により、ウエーハの内部には微小欠陥としてのクラックが形成される場合がある。特に、圧電単結晶媒質でありＳＡＷフィルタ等に用いられるリチウムタンタレート（LiTaO3）又はリチウムナイオベート（LiNbO3）からなるウエーハは、粘りがあるが脆い機械特性を備えるため、ウエーハ内部に微小なクラックが生じやすい。そこで、このウエーハ内部に形成されたクラックを非破壊で検出することができる検出装置がある（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１６９８７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、上記特許文献１に開示されている検出装置においては、ウエーハの上面からウエーハに対して透過性を有する波長の検査光を照射する。そして、ウエーハで反射した検査光を捉える光学系及び捉えた反射光に対応した電気信号を出力する撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されたカメラによりウエーハを撮像することで、ウエーハ内部のクラックを検出している。
【０００５】
すなわち、ウエーハに対して透過性を有する検査光を照射することにより、ウエーハの上面で反射した反射光と、ウエーハの内部で反射した反射光とをカメラのレンズで集光し、撮像素子に受光・結像させている。ここで、ウエーハの内部にクラックが形成されている場合においては、ウエーハ内部で反射してカメラに到達すべき反射光は、このクラックにより遮られて反射し散乱することで減少する。よって、クラックにより遮られて散乱した反射光についてはカメラで受光できないため、カメラにより撮像された画像中においてウエーハ内部におけるクラックは、固有の色情報を持つ画素として表示されることにより、ウエーハ内部のクラックが検出できる。
【０００６】
そして、上記特許文献１に開示されている検出装置は、検査光を照射する光源として、第１の波長の検査光（例えば、ウエーハの上面で反射させるための検査光）を照射する第１の光源と、第１の波長とは異なる第２の波長の検査光（例えば、ウエーハの下面で反射させるための検査光）を照射する第２の光源とを備えるものとし、第１の波長の検査光をウエーハの上面で反射させカメラで受光し、また、第２の波長の検査光をウエーハの下面で反射させカメラで受光することで、ウエーハ内部のクラックを、検査光の波長間演算等を行うことにより検出している。
【０００７】
しかし、異なる波長の検査光を照射するために種類の異なる二つの光源を検査装置に備えると、検査装置が高価なものになるという問題がある。よって、検査装置を用いてウエーハの内部に形成されたクラックを検出する場合においては、異なる２つの波長の検査光を使用せずとも、ウエーハ内部に形成されたクラックを撮像し検出できるようにするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための本発明は、ウエーハの内部のクラックを検査する検査装置であって、ウエーハが載置される保持テーブルと、該保持テーブルに載置されたウエーハの上方に位置しウエーハに対して透過性を有する波長の検査光をウエーハの上面に垂直な方向より傾斜させた角度からウエーハに向けて照射するリング照明と、該リング照明の内周側に配置されウエーハの上面に対して垂直な光軸を有しウエーハで反射した検査光を受光してウエーハを撮像するカメラと、を備える検査装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る検査装置は、ウエーハが載置される保持テーブルと、保持テーブルに載置されたウエーハの上方に位置しウエーハに対して透過性を有する波長の検査光をウエーハの上面に垂直な方向より傾斜させた角度からウエーハ内部に向かって照射するリング照明と、リング照明の内周側に配置されウエーハの上面に対して垂直な光軸を有しウエーハで反射した検査光を受光してウエーハを撮像するカメラとを備えている。そのため、ウエーハのうちクラックが生じている部分に衝突した検査光が反射・散乱し、その反射・散乱した光がカメラのレンズに集光され、反射・散乱した光が撮像画中に明るい撮像画となって表示されることになる。つまり、クラックの部分が白く表示される。よって、異なる２つの波長の検査光を使用せずとも、ウエーハ内部に形成されたクラックを撮像し検出できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】検査装置を備える加工装置の一例を示す斜視図である。
【図２】カメラと、リング照明と、保持テーブルに保持されたウエーハとの位置関係を示す模式的な断面図である。
【図３】リング照明から照射された検査光の進行方向を模式的に示す断面図である。
【図４】ウエーハをレーザー加工手段により分割して作製されたチップの側面図である。
【００１１】
図１に示す加工装置１は、保持テーブル３０に保持されたウエーハＷにレーザー加工手段４によってレーザー光を照射して加工を行うことができ、また、本発明に係る検査装置３によりウエーハＷの内部のクラックを検査することができる装置である。検査装置３は、例えば、ウエーハが載置される保持テーブル３０と、保持テーブル３０に載置されたウエーハＷの上方に位置しウエーハＷに対して透過性を有する波長の検査光をウエーハＷの上面Ｗａに垂直な方向より傾斜させた角度からウエーハＷに向けて照射するリング照明３１と、リング照明３１の内周側に配置されウエーハＷの上面Ｗａに対して垂直な光軸を有しウエーハＷで反射した検査光を受光してウエーハＷを撮像するカメラ３２とを備える。なお、本発明に係る検査装置３は、本実施形態のように加工装置等に組み込んで使用する以外に、単独で用いることもできる。また、加工装置１には、レーザー加工手段４の代わりに、回転可能な切削ブレードによりウエーハＷを切削することができる切削手段、又は、回転する砥石をウエーハＷに当接させて研削を行うことができる研削手段を備えてもよい。
【００１２】
図１に示すウエーハＷは、例えば、ＳＡＷフィルタ等に用いられる圧電単結晶媒質であるリチウムタンタレート（LiTaO3）又はリチウムナイオベート（LiNbO3）を円形状に形成したものである。ウエーハＷの下面Ｗｂ（ウエーハＷの裏面）には図示しない電極等が形成されており、樹脂部材Ｂが貼り付けられている。例えば、ウエーハＷは、ウエーハＷの下面Ｗｂ側に粘着テープＴが貼着され、この粘着テープＴが環状フレームＦの開口部を塞ぐようにして環状フレームＦに貼着されることで、粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持されウエーハの上面Ｗａが上側を向いた状態となり、この状態で保持テーブル３０に保持されて検査される。
【００１３】
加工装置１の基台１０上には、Ｘ軸方向に保持テーブル３０を往復移動させる加工送り手段１１が備えられている。加工送り手段１１は、Ｘ軸方向の軸心を有するボールネジ１１０と、ボールネジ１１０と平行に配設された一対のガイドレール１１１と、ボールネジ１１０を回動させるモータ１１２と、内部のナットがボールネジ１１０に螺合し底部がガイドレール１１１に摺接する可動板１１３とから構成される。そして、モータ１１２がボールネジ１１０を回動させると、これに伴い可動板１１３がガイドレール１１１にガイドされてＸ軸方向に移動し、可動板１１３上に配設された保持テーブル３０が可動板１１３の移動に伴いＸ軸方向に移動することで、保持テーブル３０で保持されたウエーハＷが加工送りされる。
【００１４】
保持テーブル３０は、例えば、その外形が円形状であり、ウエーハＷを吸着する吸着部３００と、吸着部３００を支持する枠体３０１とを備える。吸着部３００は図示しない吸引源に連通し、吸着部３００の露出面である保持面３００ａ上でウエーハＷを吸引保持する。保持テーブル３０は、保持テーブル３０の底面側に配設された回転手段３０３により駆動されて回転可能となっている。また、保持テーブル３０の周囲には、環状フレームＦを固定する固定クランプ３０４が図示の例では４つ配設されている。
【００１５】
保持テーブル３０は、加工送り手段１１によりＸ軸方向に往復移動が可能であるとともに、回転手段３０３を介して保持テーブル３０の下方に配設された割り出し送り手段１２により、Ｙ軸方向にも移動が可能となっている。割り出し送り手段１２は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ１２０と、ボールネジ１２０と平行に配設された一対のガイドレール１２１と、ボールネジ１２０を回動させるモータ１２２と、内部のナットがボールネジ１２０に螺合し底部がガイドレール１２１に摺接する可動板１２３とから構成される。そして、モータ１２２がボールネジ１２０を回動させると、これに伴い可動板１２３がガイドレール１２１にガイドされてＹ軸方向に移動し、可動板１２３上に配設された保持テーブル３０が可動板１２３の移動に伴いＹ軸方向に移動する。
【００１６】
基台１０上の後方（＋Ｘ方向側）にはコラム１３が立設されており、コラム１３の−Ｘ方向側の側面には、Ｚ軸方向にレーザー加工手段４を往復移動させる第１のＺ軸方向移動手段１４が備えられている。また、コラム１３の−Ｘ方向側の側面には、Ｚ軸方向にリング照明３１及びカメラ３２を往復移動させる第２のＺ軸方向移動手段１５が、第１のＺ軸方向移動手段１４に並列に配設されている。
【００１７】
第１のＺ軸方向移動手段１４は、Ｚ方向の軸心を有するボールネジ１４０と、ボールネジ１４０と平行に配設された一対のガイドレール１４１と、ボールネジ１４０を回動させるモータ１４２と、内部のナットがボールネジ１４０に螺合し側部がガイドレール１４１に摺接する昇降板１４３とから構成される。そして、モータ１４２がボールネジ１４０を回動させると、これに伴い昇降板１４３がガイドレール１４１にガイドされてＺ軸方向に移動し、昇降板１４３に配設されたレーザー加工手段４が昇降板１４３の移動に伴いＺ軸方向に移動する。
【００１８】
第２のＺ軸方向移動手段１５は、Ｚ方向の軸心を有するボールネジ１５０と、ボールネジ１５０と平行に配設された一対のガイドレール１５１と、ボールネジ１５０を回動させるモータ１５２と、内部のナットがボールネジ１５０に螺合し側部がガイドレール１５１に摺接する昇降板１５３とから構成される。そして、モータ１５２がボールネジ１５０を回動させると、これに伴い昇降板１５３がガイドレール１５１にガイドされてＺ軸方向に移動し、昇降板１５３に配設されたリング照明３１及びカメラ３２が昇降板１５３の移動に伴いＺ軸方向に移動する。
【００１９】
レーザー加工手段４は、例えば、昇降板１４３によって支持され基台１０に対して水平に配設された直方体状のハウジング４０を備えている。そして、ハウジング４０内には、図示しないレーザー発振器が配設され、ハウジング４０の先端部には、レーザー発振器から発振されたレーザー光を集光するための集光器４１が装着されている。集光器４１は、レーザー発振器から発振したレーザー光を、集光器４１の内部に備えたミラーにおいて反射させ、集光レンズ４１ａに入光させることで、レーザー光をウエーハＷの被加工面に沿う任意の方向に走査できる。
【００２０】
図１に示す昇降板１５３には、検査装置３を構成するハウジング３３が配設されている。ハウジング３３の先端部側面には、カメラ３２を支持する支持部３３０が突設されており、支持部３３０の側面にはカメラ３２が配設されており、支持部３３０の下面には、リング照明３１が接続されている。カメラ３２は、昇降板１５３の移動に伴いリング照明３１と一体となってＺ軸方向に移動可能であるとともに、リング照明３１とのＺ軸方向における相対距離を変更可能となっている。よって、カメラ３２の撮像領域は、第２のＺ軸方向移動手段１５によって拡大又は縮小できる。
【００２１】
カメラ３２は、保持テーブル３０に保持されたウエーハＷがカメラ３２の直下に位置した場合に、ウエーハＷの上面Ｗａに対して垂直な光軸を有しており、例えば、本体部３２２（図示の例においては、外形が円柱形状となっている）と、本体部３２２の下部側に配設されウエーハＷで反射された検査光を集光し撮像素子３２１（ＣＣＤ等）に結像させるためのレンズ３２０と、本体部３２２の上部側に配設されレンズ３２０で集光された検査光に対応する画像を電気的に捉え出力する撮像素子３２１とを備えている。カメラ３２により取得された撮像画像は、ハウジング３３の内部に備える図示しない画像処理部に電気信号として送信され、画像処理部によってデジタル処理等が施された後、ハウジング３３の上面に配設されたモニター等の表示手段１８に表示される。
【００２２】
図１に示すリング照明３１は、外形がリング状に形成されたケーシング３１０を備えており、例えば、ケーシング３１０の開口部３１０ａの中心を通る直線上、すなわちリング照明３１の内周側にカメラ３２が位置している。例えば、ウエーハＷの検査時においては、カメラ３２とリング照明３１とは、図示しない筒状の遮光チャンバに収容されることで、リング照明３１より照射される検査光以外の余計な光が外部から入射しないようにすることが望ましい。
【００２３】
図２に示すように、例えば、ケーシング３１０は、その厚さ方向（Ｚ軸方向）の中間部から下面にかけて開口部３１０ａの内径が漸次拡径するように形成されている。すなわち、ケーシング３１０の内周側側面は中間部から下面にかけて所定の角度で傾斜した面（内周側側面下部３１０ｂ）となっている。ケーシング３１０の開口部３１０ａの下面の直径は、例えば、ウエーハＷの直径より大径となっており、リング照明３１をＺ軸方向に下降させた際に、内周側側面下部３１０ｂの内周側にウエーハＷ全体を位置させることが可能となっている。
【００２４】
ケーシング３１０の内周側側面下部３１０ｂには、周方向に離間して複数の発光体３１１が配設されている。各発光体３１１は、例えばＬＥＤやキセノンランプ等であり、ケーシング３１０内を通る配線３１２を介して電源３１３に接続されている。電源３１３には制御装置が組み込まれており、各発光体３１１の中から選択的に複数又は単一の発光体３１１に対して所定の電圧を印加することができる。電源３１３から所定の電圧が印加されることで、各発光体３１１は、ウエーハＷに対して透過性を有する波長の検査光Ｌを発する。このように、リング照明３１は、検査光を、ウエーハＷの上面Ｗａに対して垂直な方向よりも傾斜させた角度からウエーハＷの内部に向けて照射できる。
【００２５】
発光体３１１から発せられる検査光Ｌの波長は、本実施形態におけるように、例えば、ウエーハＷがリチウムタンタレート系材質又はリチウムナイオベート系材質から形成されたものであれば、約６３５ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲にあると好ましく、ウエーハＷがＳｉ基板又はＧａＡｓ基板等である場合には、約１２００ｎｍ〜約１５５０ｎｍの範囲にあると好ましい。
【００２６】
なお、リング照明３１の構成は上記のものに限定されず、例えば、内周側側面下部３１０ｂに円周方向に等間隔で配列させた図示しない複数の孔を形成し、この孔から光ファイバーの一端を露出させ、この各光ファイバーのもう一端を、ウエーハＷに対して透過性を有する波長の検査光を出射可能な光源（ＬＥＤ又はキセノンランプ等）にビームスプリッタを介して接続するように構成してもよい。この場合においては、光源から出射された検査光は、光ファイバー内を伝搬し、ビームスプリッタにより分岐されて、ケーシング３１０の内周側側面下部３１０ｂにおいて各発光体３１１として露出する各光ファイバーの一端からウエーハＷに対して照射される。
【００２７】
以下に、図１〜３を用いて、図１に示す検査装置３により、保持テーブル３０に載置されたウエーハＷの内部に形成されたクラックを検査する場合の、検査装置３の動作及び検査方法について説明する。
【００２８】
まず、粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持されたウエーハＷを、保持テーブル３０上に載置する。そして、保持テーブル３０に接続された図示しない吸引手段が作動してウエーハＷを保持テーブル３０上に吸引保持するとともに、環状フレームＦを固定クランプ３０４により固定する。さらに、加工送り手段１１により、保持テーブル３０に保持されたウエーハＷが＋Ｘ方向に送られ、カメラ３２に対するＸ軸方向における位置合わせが行われる。
【００２９】
次いで、割り出し送り手段１２により、保持テーブル３０に保持されたウエーハＷが＋Ｙ方向に送られ、カメラ３２に対するＹ軸方向における位置合わせが行われ、カメラ３２の直下にウエーハＷが位置付けられる。この位置付けは、例えば、リング照明３１の開口部３１０ａの中心軸がウエーハＷの上面Ｗａ中心と略合致するように行われる。
【００３０】
図２に示すように、第２のＺ軸方向移動手段１５が、リング照明３１がＺ軸方向の所定の位置Ｚ１に至るまで、リング照明３１及びカメラ３２を−Ｚ方向に降下させていく。ここで位置Ｚ１とは、例えば、リング照明３１の下面端のＺ軸方向における位置を基準として設定され、保持テーブル３０に保持されたウエーハＷの上面ＷａのＺ軸方向における位置Ｚ２から、Ｚ軸方向に距離Ｈ（本実施形態においては、Ｈ＝約１ｍｍである）だけ上方にある位置であり、予め認識しているウエーハＷの材質等により定まる検査光の屈折率及び検査光の波長によって適宜変更可能となる位置である。例えば、距離Ｌは、約５ｎｍ〜約５ｍｍの範囲内の数値となり、より短距離となると好ましい。
【００３１】
ここで、図２に示すように、例えば、ウエーハＷの内部（図示の例においては、ウエーハＷの下面Ｗｂ側に近い位置）には、微小なクラックＣが形成されている。半導体製造における後工程においては、ウエーハの厚み方向に機械的負荷が掛かる加工が多く行われること等から、一般的に、クラックＣは、例えば、ウエーハＷの厚み方向（Ｚ軸方向）に延びるように筋状に形成されている。
【００３２】
図３に示すように、各発光体３１１から照射される検査光ＬのウエーハＷの上面Ｗａに対する入射角θは、例えば、少なくとも６０度以上９０度未満とすることが好ましく、ウエーハＷの上面Ｗａの平行線Ｗｆ方向により近づけた角度であるとさらに好ましい。入射角θを平行線Ｗｆ方向により近づけた角度とすることで、ウエーハＷの厚み方向に延びるクラックＣの長手方向に対して交差する方向に光が入射するため、クラックＣを確実に検出することが可能となる。なお、図３においては、検査装置３の各構成を模式的に示している。
【００３３】
さらに、図２に示すように、例えば、レンズ３２０の焦点距離と撮像素子３２１の大きさにより定まるカメラ３２の撮像領域に、ウエーハＷの全形が収まるように、カメラ３２を支持部３３０の側面においてＺ軸方向にスライド移動させて所定の高さ位置に位置付ける。
【００３４】
検査装置３全体のウエーハＷに対する位置付けが完了した後、電源３１３から発光体３１１に所定の電圧を印加して、各発光体３１１からウエーハＷに対して透過性を有する波長（本実施形態においては、例えば、約７００ｎｍ）の検査光Ｌを発する。
【００３５】
図３に示す発光体３１１から照射された検査光Ｌ１は、ウエーハＷの上面ＷａからウエーハＷの内部に入射する際に屈折し、その後ウエーハＷの内部を直進し、ウエーハＷの下面Ｗｂに貼り付けられた樹脂Ｂによって反射する。樹脂Ｂによって反射した検査光Ｌ１が、リング照明３１の図２に示す開口部３１０ａを通って、レンズ３２０により集光され、撮像素子３２１に像が結ばれることで、カメラ３２によってウエーハＷの画像が撮像される。
【００３６】
ここで、ウエーハＷにクラックＣが無ければレンズ３２０で集光できるはずの検査光Ｌ２は、ウエーハＷの上面Ｗａに対して垂直な方向からではなく、当該上面Ｗａに垂直な方向よりも傾斜し平行線Ｗｆ方向により近づけた入射角θから照射されていることから、Ｚ軸方向に向かって筋状に延びるクラックＣにより散乱・反射することがある。すなわち、図３に示す検査光Ｌ２は、ウエーハＷの上面ＷａからウエーハＷの内部に入射する際に屈折し、その後ウエーハＷの内部を直進し、クラックＣにより散乱する。このときには、このクラックＣが形成されたウエーハＷの内部の領域は、周囲に比べ散乱で検査光Ｌ２分だけレンズ３２０に集光される検査光Ｌが強まるため、例えば、カメラ３２により撮像された画像中においては明るい白色の画像として表示される。
【００３７】
このように、検査装置３においては、ウエーハＷが載置される保持テーブル３０と、保持テーブル３０に載置されたウエーハＷの上方に位置し透過性を有する波長の検査光ＬをウエーハＷの上面Ｗａに垂直な方向より傾斜させた角度からウエーハＷに向けて照射するリング照明３１と、リング照明３１の内周側に配置されウエーハＷの上面Ｗａに対して垂直な光軸を有しウエーハＷで反射した検査光Ｌを受光しウエーハＷを撮像するカメラ３２とを備えている。そのため、ウエーハＷの検査において、ウエーハＷに対して透過性を有する波長の検査光ＬをウエーハＷの上面Ｗａに垂直な方向より傾斜させた角度からウエーハＷ内部に照射し、ウエーハＷの上面Ｗａに対して垂直な方向からカメラ３２でウエーハＷを撮像することができる。ここで、ウエーハＷの内部において、ウエーハＷのうちクラックＣが生じていない部分においては、検査光Ｌ１は直進しウエーハＷの下面Ｗｂにおいて反射する以外は反射又は散乱をすることがなく、最終的にカメラ３２のレンズ３２０に集光されることになる。これに対して、クラックＣに衝突した検査光Ｌ２は、クラックＣにより反射・散乱して検査光Ｌ２がカメラのレンズ３２０に集光され、撮像画中に例えば白色となって表示されることになる。よって、異なる２つの波長の検査光を使用せずとも、ウエーハＷ内部に形成されたクラックＣを撮像し検出できる。
【００３８】
検査装置３によるウエーハＷ内部のクラックＣの検出を完了させた後、図１に示す第２のＺ軸方向移動手段１５により、カメラ３２及びリング照明３１を＋Ｚ方向に上昇させウエーハＷから離間させる。次いで、割り出し送り手段１２により保持テーブル３０を−Ｙ方向に送り、レーザー加工手段４によるウエーハＷの加工を行う。
【００３９】
なお、本発明に係る検査装置３は上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されている各構成の大きさや形状等についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。例えば、本実施形態においては、検査装置３によるウエーハＷの検査を行った後に、レーザー加工手段４によるウエーハＷに対する加工を行っているが、レーザー加工手段４による加工がウエーハＷの検査前に行われていてもよい。そして、検査対象となるウエーハＷは、分割前のウエーハＷ以外にもウエーハＷが分割されて作製された図４に示すチップＷ１も含まれる。
【００４０】
例えば、レーザー加工手段４によりウエーハＷに対して直線状に間欠的にレーザーを照射することでウエーハＷを分割する加工（「フィラメント加工」と称する。）により作製したチップＷ１についても、検査装置３による検査の対象となり得る。フィラメント加工により作製された図４に示すチップＷ１は、レーザー光線のポイント照射により、その側面Ｗ１ｄ（切断面）に厚み方向（Ｚ軸方向）に延びるトレンチ状の加工痕Ｍが形成される。なお、レーザー加工手段４の代わりに切削ブレードを用いてウエーハＷを分割した場合にも、加工痕Ｍとは形が異なるもののチップＷ１の側面Ｗ１ｄには、凹凸形状の加工痕が形成され得る。
【００４１】
検査装置３は、フィラメント加工により作製されたチップＷ１の内部に形成されたクラックを検査する場合においても有用となる。すなわち、従来の検査装置では、チップＷ１は側面Ｗ１ｄに形成された加工痕Ｍにより、検査光が側面Ｗ１ｄから正確に入射せず、レンズによる正確な集光が阻害され、カメラによるチップＷ１内部のクラックの撮像が困難であった。これに対して、本発明に係る検査装置３においては、チップＷ１に対して透過性を有する波長の検査光をチップＷ１の上面Ｗ１ａに垂直な方向より傾斜させた角度からチップＷ１内部に照射し、チップＷ１の上面Ｗ１ａに対して垂直な方向の光軸を有するカメラ３２でチップＷ１を撮像するため、加工痕Ｍの存在によるカメラ３２による撮像が阻害されずに、チップＷ１内部に形成されたクラックを撮像できる。
【符号の説明】
【００４２】
１：加工装置  １０：基台  １３：コラム  １８：表示手段
１１：加工送り手段  １１０：ボールネジ  １１１：ガイドレール  １１２：モータ  
１１３：可動板
１２：割り出し送り手段  １２０：ボールネジ  １２１：ガイドレール  １２２：モータ  
１２３：可動板
１４：第１のＺ軸方向移動手段  １４０：ボールネジ  １４１：ガイドレール  
１４２：モータ  １４３：昇降板
１５：第２のＺ軸方向移動手段  １５０：ボールネジ  １５１：ガイドレール  
１５２：モータ  １５３：昇降板
４：レーザー加工手段  ４０：ハウジング  ４１：集光器  ４１ａ：集光レンズ
３：検査装置
３０：保持テーブル  ３００：吸着部  ３００ａ：保持面  ３０１：枠体  
３０３：回転手段  ３０４：固定クランプ
３１：リング照明  ３１０：ケーシング  ３１０ａ：開口部  
３１０ｂ：内周側側面下部  ３１１：発光体  ３１２：配線  ３１３：電源
３２：カメラ  ３２０：レンズ  ３２１：撮像素子  ３２２：本体部
３３：ハウジング  ３３０：支持部  
Ｗ：ウエーハ  Ｗａ：ウエーハの上面  Ｗｂ：ウエーハの下面  Ｔ：粘着テープ  
Ｆ：環状フレーム  Ｂ：樹脂部材  Ｃ：クラック  Ｗｆ：ウエーハの上面の平行線  
Ｌ：検査光
【図１】
2017090080.tif 000003
【図２】
2017090080.tif 000004
【図３】
2017090080.tif 000005
【図４】
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