(57)【要約】      （修正有）【課題】仮固定材を介して支持体上に基材を仮固定した状態で基材の加工・移動処理を行う方法において、基材の反りを低減でき、それにより支持体から基材を良好に分離することができる、基材の処理方法を提供する。【解決手段】支持体１０と仮固定材２０と基材３０とを有する積層体１であって、前記仮固定材が、前記基材における支持体側の面と接し、且つ、水添共役ジエン重合体を含有する仮固定材層（Ｉ）２１と、前記仮固定材層（Ｉ）における支持体側の面上に形成され、且つ、光吸収剤を含有する仮固定材層（II）２２とを有する仮固定材である積層体を形成する工程と、前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程と、前記仮固定材層（II）に光を照射する工程ならびに前記支持体から前記基材を分離する工程とを有する。【選択図】図１
2017079274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）支持体と仮固定材と基材とを有する積層体であって、前記仮固定材が、前記基材における支持体側の面と接し、且つ水添共役ジエン重合体を含有する仮固定材層（Ｉ）と、前記層（Ｉ）における支持体側の面上に形成され、且つ光吸収剤を含有する仮固定材層（II）とを有する仮固定材である積層体を形成する工程；
（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程；
（３）前記仮固定材層（II）に光を照射する工程；ならびに
（４）前記支持体から前記基材を分離する工程；
を有する基材の処理方法。
【請求項２】
前記水添共役ジエン重合体が、共役ジエン化合物に由来する構造単位（ａ１）と、重合性二重結合含有芳香族化合物に由来する構造単位（ａ２）とを有する重合体（ａ）の水素添加体である、請求項１に記載の基材の処理方法。
【請求項３】
前記重合体（ａ）中に含まれる、前記構造単位（ａ１）の含有割合が６０〜９９質量％であり、前記構造単位（ａ２）の含有割合が１〜４０質量％である請求項２に記載の基材の処理方法。
【請求項４】
前記重合体（ａ）は、重合性二重結合を有するモノマー由来の構造単位が、前記構造単位（ａ１）および前記構造単位（ａ２）のみからなる共重合体である請求項２または３のいずれかに記載の基材の処理方法。
【請求項５】
前記水添共役ジエン重合体が、ブロック共重合体である請求項１〜４のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
【請求項６】
前記仮固定材層（Ｉ）が、水添共役ジエン重合体以外の熱可塑性樹脂をさらに含有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
【請求項７】
前記仮固定材層（II）が、熱分解性樹脂をさらに含有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
【請求項８】
前記工程（３）において、前記仮固定材層（II）に照射される光が、紫外線である請求項１〜７のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
【請求項９】
前記紫外線が、波長３００〜４００ｎｍの紫外線である請求項８に記載の基材の処理方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の基材の処理方法により基材を加工して、半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の製造方法によって得られる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の処理方法、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基材をガラス基板等の支持体上に仮固定材を介して接合した状態で、基材に対して、裏面研削およびフォトファブリケーション等の加工処理を行う方法が提案されている。この仮固定材には、加工処理中において支持体上に基材を仮固定することができ、加工処理後には支持体から基材を容易に分離できることが必要である。
【０００３】
上記分離処理において、紫外線および赤外線等の放射エネルギーを、支持体と仮固定材と基材とを有する積層体中の前記仮固定材に照射することによって、仮固定材の接着力を低減させて、続いて支持体から基材を分離する方法が提案されている。
【０００４】
例えば特許文献１では、透明な支持体と半導体ウエハとが、剥離層および接合層を含む仮固定材により仮固定された積層体が開示されており、透明な支持体の側からレーザーをスキャンしながら剥離層に照射することで、剥離層の接着力を低減させて、続いて支持体から基材を剥離する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国公開特許第２０１４／０１０６４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の、支持体から基材を剥離する方法では、透明な支持体の側からレーザーを剥離層に照射するため、剥離層でレーザー照射による高熱が発生することがある。また、基材の加工処理中にも、仮固定材に熱負荷がかかる工程がある。これらの熱により、仮固定材が収縮し、基材に反りが発生するため、剥離層へのレーザー照射を均質に行えず、よって剥離層の接着力を充分に低減できず、支持体から基材を良好に分離できないことがある。
【０００７】
本発明は、仮固定材を介して支持体上に基材を仮固定した状態で基材の加工・移動処理を行う方法において、基材の反りを低減でき、よって支持体から基材を良好に分離することができる、基材の処理方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する基材の処理方法により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、例えば以下の［１］〜［１１］に関する。
【０００９】
［１］（１）支持体と仮固定材と基材とを有する積層体であって、前記仮固定材が、前記基材における支持体側の面と接し、且つ水添共役ジエン重合体を含有する仮固定材層（Ｉ）と、前記層（Ｉ）における支持体側の面上に形成され、且つ光吸収剤を含有する仮固定材層（II）とを有する仮固定材である積層体を形成する工程；（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程；（３）前記仮固定材層（II）に光を照射する工程；ならびに（４）前記支持体から前記基材を分離する工程；を有する基材の処理方法。
【００１０】
［２］前記水添共役ジエン重合体が、共役ジエン化合物に由来する構造単位（ａ１）と、重合性二重結合含有芳香族化合物に由来する構造単位（ａ２）とを有する重合体（ａ）の水素添加体である、前記［１］に記載の基材の処理方法。
【００１１】
［３］前記重合体（ａ）中に含まれる、前記構造単位（ａ１）の含有割合が６０〜９９質量％であり、前記構造単位（ａ２）の含有割合が１〜４０質量％である前記［２］に記載の基材の処理方法。
【００１２】
［４］前記重合体（ａ）は、重合性二重結合を有するモノマー由来の構造単位が、前記構造単位（ａ１）および前記構造単位（ａ２）のみからなる共重合体である前記［２］または［３］のいずれかに記載の基材の処理方法。
【００１３】
［５］前記水添共役ジエン重合体が、ブロック共重合体である前記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
【００１４】
［６］前記仮固定材層（Ｉ）が、水添共役ジエン重合体以外の熱可塑性樹脂をさらに含有する前記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
【００１５】
［７］前記仮固定材層（II）が、熱分解性樹脂をさらに含有する前記［１］〜［６］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
【００１６】
［８］前記工程（３）において、前記仮固定材層（II）に照射される光が、紫外線である前記［１］〜［７］のいずれか１項に記載の基材の処理方法。
【００１７】
［９］前記紫外線が、波長３００〜４００ｎｍの紫外線である前記［８］に記載の基材の処理方法。
【００１８】
［１０］前記［１］〜［９］のいずれか１項に記載の基材の処理方法により基材を加工して、半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法。
【００１９】
［１１］前記［１０］に記載の製造方法によって得られる半導体装置。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、仮固定材を介して支持体上に基材を仮固定した状態で基材の加工・移動処理を行う方法において、基材の反りを低減でき、よって支持体から基材を良好に分離することができる、基材の処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明における積層体に係る実施形態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明で形成される積層体、および前記積層体を構成する仮固定材の原料組成物である仮固定用組成物について説明した後、基材の処理方法、半導体装置およびその製造方法について説明する。
【００２３】
本発明において仮固定材とは、基材を加工および／または移動するに際して、支持体から基材がずれて動かないように支持体上に基材を仮固定するために用いられる材料のことである。
【００２４】
１．積層体
本発明で形成される積層体において、加工または移動対象である基材が、仮固定材を介して、支持体上に仮固定されている。前記仮固定材は、一実施態様において、基材および支持体により挟持されている。前記仮固定材は、前記基材における支持体側の面と接する仮固定材層（Ｉ）と、前記層（Ｉ）における支持体側の面上に形成された仮固定材層（II）とを有する。
【００２５】
仮固定材層（Ｉ）は、水添共役ジエン重合体を含有し、熱可塑性樹脂をさらに含有してもよい。基材に接する層（Ｉ）は、水添共役ジエン重合体を含有することから、耐熱性に優れる。支持体と基材との分離処理の際に層（II）に対する光照射で発生する熱や、基材の加工処理中に仮固定材にかかる熱負荷に対して、層（Ｉ）は高い耐性を有することから、本発明での各工程を行う際に、基材に発生する反りを低減することができる。
【００２６】
仮固定材層（II）は、光吸収剤を含有し、好ましくは熱分解性樹脂をさらに含有する。層（II）に対して光を照射すると、層（II）の含有成分である光吸収剤が光を吸収し、層（II）において構成成分の分解・変質等が発生し、仮固定材層（II）の強度および接着力が低下する。また、基材、したがって層（II）の反りが小さいことから、層（II）に対する光照射を均質に行うことができる。積層体に外力を加えることにより、層（II）内で凝集破壊が起こり、または層（II）と当該層に接する層との間で界面破壊が起こる。このため、光照射処理後の積層体に外力を加えることにより、加熱処理を特に必要とすることなく、支持体から基材を容易に分離することができる。
【００２７】
仮固定材は、層（Ｉ）と、この層（Ｉ）に直接接してまたは他の層を挟んで形成された層（II）とを有する。このように２層以上の層を有する仮固定材は、基材が有する回路面の保護、基材と支持体との接着性、支持体からの基材の分離性、および加工処理時・光照射処理時における耐熱性等の機能をバランス良く有することができる。
【００２８】
上記積層体の例を図１に示す。この積層体１は、支持体１０と、支持体１０上に形成された仮固定材２０と、仮固定材２０によって支持体１０に仮固定された基材３０とを有する。仮固定材２０は、基材３０に接した仮固定材層（Ｉ）２１と、前記層（Ｉ）２１上に形成され、支持体１０に接した仮固定材層（II）２２とを有する。
【００２９】
上記積層体において、仮固定材は、層（Ｉ）および層（II）の他に、任意の他の層を有していてもよい。例えば層（Ｉ）と層（II）との間に中間層を設けてもよく、また層（II）と支持体との間に他の層を設けてもよい。特に、層（Ｉ）および層（II）からなる２層の仮固定材が好ましい。
【００３０】
上記仮固定材の全厚さは、基材の仮固定面のサイズ、加工処理および光照射処理で要求される耐熱性、ならびに基材と支持体との密着性の程度に応じて、任意に選択することができる。上記仮固定材の全厚さは、通常は０．２〜１０００μｍ、好ましくは２〜５００μｍ、より好ましくは２〜３００μｍである。また、層（Ｉ）および層（II）の各層の厚さは、それぞれ独立に、通常は０．１〜５００μｍ、好ましくは１〜２５０μｍ、より好ましくは１〜１５０μｍである。これらの厚さが前記範囲にあると、仮固定材が基材を仮固定するための充分な保持力を有し、加工処理または移動処理中に仮固定面から基材が脱落することもない。
【００３１】
上記仮固定材は、現代の経済活動の場面で要求される様々な加工処理、例えば各種材料表面の微細化加工処理、各種表面実装、半導体ウエハおよび半導体チップの運搬等の際に、基材の仮止め材として好適に用いられる。
【００３２】
〔仮固定材層（Ｉ）〕
仮固定材層（Ｉ）は、例えば、水添共役ジエン重合体を含有する仮固定用組成物（Ｉ）を用いて形成することができる。組成物（Ｉ）は、水添共役ジエン重合体以外の熱可塑性樹脂をさらに含有してもよい。組成物（Ｉ）は、溶剤を含有してもよい。
【００３３】
〈水添共役ジエン重合体〉
水添共役ジエン重合体は、例えば、少なくとも共役ジエン化合物を重合して得られる重合体の水素添加体であり、すなわち前記重合体を水素添加（本明細書において「水添」ともいう）して得られる重合体である。
【００３４】
水添共役ジエン重合体は、共役ジエン化合物に由来する構造単位（ａ１）と、重合性二重結合含有芳香族化合物に由来する構造単位（ａ２）とを有する重合体（ａ）の水素添加体であることが好ましい。なお、「化合物に由来する構造単位」とは、通常、当該化合物の重合性二重結合部分の反応に基づく構造単位を意味する。
【００３５】
構造単位（ａ１）は、例えば、式（ａ１−１）で表される構造単位および式（ａ１−２）で表される構造単位から選ばれる少なくとも１種であり、構造単位（ａ２）は、例えば、式（ａ２−１）で表される構造単位である。
【００３６】
【化１】
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式（ａ１−１）、（ａ１−２）および（ａ２−１）中、Ｒ1はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基であり、Ｒ2は水素原子またはアルキル基であり、Ｒ3は直接結合またはアルキレン基であり、Ａｒは置換基を有してもよい芳香族基である。アルキル基およびアルキレン基の炭素数は、通常は１〜８、好ましくは１〜４である。芳香族基の炭素数は、通常は６〜１８、好ましくは６〜１０であり、例えば、フェニル基等の芳香族炭化水素基、ピリジニル基等の芳香族複素環式基が挙げられ、芳香族基における置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アミノ基が挙げられる。
【００３７】
共役ジエン化合物としては、例えば、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン（イソプレン）、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、１，３−オクタジエン、３−ブチル−１，３−オクタジエン、４，５−ジエチル−１，３−オクタジエンが挙げられる。これらの中でも、１，３−ブタジエン、イソプレンが好ましい。
【００３８】
重合体（ａ）中のビニル結合含量は、基材の反りの低減の観点から、好ましくは３０〜９５モル％、より好ましくは５０〜９０モル％である。ビニル結合含量とは、水添前の重合体（ａ）中に１，２−結合、３，４−結合および１，４−結合の結合様式で組み込まれている共役ジエン化合物の構造単位のうち、１，２−結合および３，４−結合で組み込まれている構造単位の合計割合（モル％基準）である。ビニル結合含量は、赤外吸収スペクトル法（モレロ法）によって求めることができる。
【００３９】
重合性二重結合含有芳香族化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｏ，ｍまたはｐ−メチルスチレン、ｔ−ブチルスチレン、ジビニルベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−アミノスチレン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−アミノスチレン、ビニルピリジンが挙げられる。これらの中でも、入手性および重合容易性の観点から、スチレン、α−メチルスチレンが好ましい。
【００４０】
重合体（ａ）において、構造単位（ａ１）の含有割合は、好ましくは６０〜９９質量％、より好ましくは７０〜９７質量％、さらに好ましくは８０〜９５質量％であり；構造単位（ａ２）の含有割合は、好ましくは１〜４０質量％、より好ましくは３〜３０質量％、さらに好ましくは５〜２０質量％である。このような態様は、基材の反りを低減できる点で好ましい。これらの含有割合は、ＮＭＲにより測定することができる。
【００４１】
重合体（ａ）は、基材の反りの低減の観点から、重合性二重結合を有するモノマー由来の構造単位が、構造単位（ａ１）および構造単位（ａ２）のみからなる共重合体であることが好ましい。
【００４２】
水添共役ジエン重合体における共役ジエン化合物に由来する二重結合の水素添加率は、９０モル％以上であることが好ましく、９５モル％以上であることがより好ましい。水素添加率が前記範囲にある重合体は、耐熱性に優れる。水素添加率は、ＮＭＲや赤外線分光により測定することができる。
【００４３】
水添共役ジエン重合体は、ブロック共重合体であることが好ましく、共役ジエン化合物に由来する構造単位（ａ１）からなる重合体ブロック（Ａ１）と、重合性二重結合含有芳香族化合物に由来する構造単位（ａ２）からなる重合体ブロック（Ａ２）とを有するブロック共重合体（ａａ）の水素添加体であることがより好ましい。
【００４４】
ブロック共重合体の構造としては、重合体ブロック（Ａ１）の水添物および重合体ブロック（Ａ２）をそれぞれ単に「Ａ１」および「Ａ２」と表し、ビニル結合含量の大きい重合体ブロック（Ａ１）の水添物を「Ａ１１」と表し、ビニル結合含量の小さい重合体ブロック（Ａ１）の水添物を「Ａ１２」と表すと、以下の式で示される構造が挙げられる。
［Ａ１−Ａ２］          …（１）
［Ａ２−Ａ１−Ａ２］    …（２）
［Ａ２−Ａ１１−Ａ１２］      …（３）
［Ａ１２−Ａ１１−Ａ１２］    …（４）
［Ａ１−Ａ２］ｎ        …（５）
【００４５】
上記式中、ｎは２以上の整数である。上記ブロック共重合体中、重合体ブロック（Ａ１）および（Ａ２）の少なくともいずれかが２以上存在する場合、それぞれの重合体ブロックは、同一であってもよく、異なっていてもよい。これらの中でも、式（２）のトリブロック体が、基材の反りの低減の観点から、好ましい。
【００４６】
ブロック共重合体は、カップリング剤の残基を介して結合していてもよい。カップリング剤としては、２官能以上のカップリング剤を用いることができる。例えば、特開２０１４−０９５０２３号公報、特開２０１０−１１６５７０号公報、特開２０１０−００１３７１号公報、および特開２０１０−２５４９８３号公報に記載されたカップリング剤が挙げられる。カップリング剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４７】
水添共役ジエン重合体の具体例としては、水添ポリブタジエン、水添ポリイソプレン；重合性二重結合含有芳香族化合物系エラストマー、例えば、スチレン−エチレン/ブチレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン/プロピレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン/ブチレンブロック共重合体（ＳＥＢ）、スチレン−エチレン/プロピレンブロック共重合体（ＳＥＰ）等の、共役ジエン化合物および重合性二重結合含有芳香族化合物のブロック共重合体の水素添加物；水添共役ジエン系エラストマー、例えば、スチレン−エチレン/ブチレン−オレフィン結晶ブロック共重合体（ＳＥＢＣ）等の重合性二重結合含有芳香族化合物−オレフィン結晶系ブロック共重合体、オレフィン結晶−エチレン/ブチレン−オレフィン結晶ブロック共重合体（ＣＥＢＣ）等のオレフィン結晶系ブロック共重合体が挙げられる。
【００４８】
水添共役ジエン重合体の、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は１０，０００〜３００，０００である。Ｍｗが前記範囲にある水添共役ジエン重合体は、基材の反りの低減の点で好ましい。
【００４９】
水添共役ジエン重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、東ソー（株）製のＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ  ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ  １本、Ｇ４０００ＨＸＬ  １本）を使用し、ポリスチレン換算で、測定装置「ＨＬＣ−８２２０−ＧＰＣ」（東ソー（株）製）を用いて測定することができる。
【００５０】
水添共役ジエン重合体の製造方法としては公知の方法を採用することができ、各構造単位に対応するモノマーを、有機溶媒中で有機アルカリ金属化合物を重合開始剤としてリビングアニオン重合し、得られた重合体を水添することにより、水添共役ジエン重合体を得ることができる。例えば、特開２０１４−９５０２３号公報、特開２０１０−２５４９８３号公報、特開２０１０−１１６５７０号公報、特開２０１０−１３７１号公報に記載された方法が挙げられる。
【００５１】
少なくとも共役ジエン化合物を重合して得られる重合体の水素添加方法および反応条件については特に限定はなく、通常は、２０〜１５０℃、０．１〜１０ＭＰａの水素加圧下、水添触媒の存在下で行われる。この場合、水素添加率は、水添触媒の量、水添反応時の水素圧力、反応時間等を変えることにより，任意に選定することができる。
【００５２】
水添触媒としては、例えば、特開平１−２７５６０５号公報、特開平５−２７１３２６号公報、特開平５−２７１３２５号公報、特開平５−２２２１１５号公報、特開平１１−２９２９２４号公報、特開２０００−３７６３２号公報、特開平７−９００１７号公報に記載された水添触媒が挙げられる。水添触媒は１種のみ用いてもよく、２種以上を併用することもできる。
【００５３】
水添共役ジエン重合体は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
仮固定用組成物（Ｉ）の固形分１００質量％中、水添共役ジエン重合体の含有量は、通常は３０質量％以上である。ここで「固形分」とは、溶剤以外の全成分をいう。水添共役ジエン重合体の含有量が前記範囲にあると、仮固定材の接着性、剥離性および耐熱性の点で好ましい。
【００５４】
〈熱可塑性樹脂〉
仮固定用組成物（Ｉ）は、水添共役ジエン重合体以外の熱可塑性樹脂をさらに含有してもよい。前記熱可塑性樹脂としては、例えば、シクロオレフィン系樹脂、テルペン系樹脂、石油樹脂、ノボラック樹脂が挙げられる。前記樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５５】
仮固定用組成物（Ｉ）において、熱可塑性樹脂の含有量は、水添共役ジエン重合体１００質量部に対して、好ましくは２００質量部以下、より好ましくは１００質量部以下、さらに好ましくは５０質量部以下、特に好ましくは３０質量部以下である。前記樹脂の含有量が前記範囲にあると、支持体上に基材を仮固定する際の温度を低温化する点や、基材を加工および移動するに際して、支持体から基材がずれて動かないようにする点、また、耐熱性および基材の反りの低減の点で好ましい。
【００５６】
シクロオレフィン系樹脂としては、例えば、環状オレフィン系化合物と非環状オレフィン系化合物との付加共重合体、１種または２種以上の環状オレフィン系化合物の開環メタセシス重合体、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体が挙げられる。
【００５７】
環状オレフィン系化合物としては、例えば、ノルボルネン系オレフィン、テトラシクロドデセン系オレフィン、ジシクロペンタジエン系オレフィン、およびこれらの誘導体が挙げられる。前記誘導体としては、例えば、アルキル基、アルキリデン基、アラルキル基、シクロアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アセチル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、芳香環、エーテル結合、およびエステル結合から選ばれる１種または２種以上を有する置換誘導体が挙げられる。
【００５８】
非環状オレフィン系化合物としては、例えば、炭素数２〜２０、好ましくは２〜１０の直鎖状または分岐鎖状のオレフィンが挙げられ、より好ましくはエチレン、プロピレン、ブテンであり、特に好ましくはエチレンである。
【００５９】
シクロオレフィン系樹脂の、ＧＰＣ法によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は１０，０００〜１００，０００、好ましくは３０，０００〜１００，０００である。
【００６０】
テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、芳香族変性テルペン樹脂、芳香族変性水添テルペン樹脂が挙げられる。テルペン系樹脂の、ＧＰＣ法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は５０，０００以下、好ましくは５００〜１０，０００である。
【００６１】
石油樹脂としては、例えば、Ｃ５系石油樹脂、Ｃ９系石油樹脂、Ｃ５系／Ｃ９系混合石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、オレフィンとビニル置換芳香族化合物との共重合体、シクロペンタジエン系化合物とビニル置換芳香族化合物との共重合体、これらの水素添加物、およびこれらから選ばれる２種以上の混合物が挙げられる。石油樹脂の、ＧＰＣ法によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は２０，０００以下、好ましくは１００〜２０，０００、さらに好ましくは２００〜１０，０００、特に好ましくは３００〜５，０００である。
【００６２】
ノボラック樹脂は、例えば、フェノール化合物とアルデヒド化合物とを、シュウ酸等の酸性触媒の存在下で縮合させることにより得ることができる。ノボラック樹脂の好ましい具体例としては、フェノール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール−ナフトール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂が挙げられる。ノボラック樹脂の、ＧＰＣ法によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常は２，０００以上、好ましくは２，０００〜２０，０００である。
【００６３】
上記熱可塑性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、東ソー（株）製のＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ  ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ  １本、Ｇ４０００ＨＸＬ  １本）を使用し、ポリスチレン換算で、測定装置「ＨＬＣ−８２２０−ＧＰＣ」（東ソー（株）製）を用いて測定することができる。
【００６４】
〈その他の成分〉
仮固定用組成物（Ｉ）は、必要に応じて、酸化防止剤、重合禁止剤、密着助剤、ポリスチレン架橋粒子、ならびに酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンおよび酸化ケイ素等の金属酸化物粒子から選ばれる１種または２種以上を含有してもよい。
【００６５】
〔仮固定材層（II）〕
仮固定材層（II）は、例えば、光吸収剤を含有する仮固定用組成物（II）から形成することができる。組成物（II）は、熱分解性樹脂を更に含有することが好ましい。組成物（II）は、溶剤を含有してもよい。
【００６６】
〈光吸収剤〉
光吸収剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール系光吸収剤、ヒドロキシフェニルトリアジン系光吸収剤、ベンゾフェノン系光吸収剤、サリチル酸系光吸収剤、感放射線性ラジカル重合開始剤、および光感応性酸発生剤等の有機系光吸収剤；フェノールノボラック、およびナフトールノボラック等のノボラック樹脂；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック７、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック３１、Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック３２、およびＣ．Ｉ．ピグメントブラック３５等の黒色顔料（例えばカーボンブラック）；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：３、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：４、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：６、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン３６、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン５８、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１３９、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２４２、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２４５、およびＣ．Ｉ．ピグメントレッド２５４等の非黒色顔料；Ｃ．Ｉ．バットブルー４、Ｃ．Ｉ．アシッドブルー４０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトグリーン２８、Ｃ．Ｉ．ダイレクトグリーン５９、Ｃ．Ｉ．アシッドイエロー１１、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー１２、Ｃ．Ｉ．リアクティブイエロー２、Ｃ．Ｉ．アシッドレッド３７、Ｃ．Ｉ．アシッドレッド１８０、Ｃ．Ｉ．アシッドブルー２９、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド２８、およびＣ．Ｉ．ダイレクトレッド８３等の染料；が挙げられる。
【００６７】
なお、上記ノボラック樹脂は、後述する熱分解性樹脂としても機能しうる。このような樹脂については、光吸収剤にも熱分解性樹脂にも該当するものとして、後述する含有量を計算するものとする。
【００６８】
これらの中でも、支持体からの基材の分離性が向上することから、黒色顔料が好ましい。本発明では、黒色顔料として、カーボンブラック単体の他、ＭＨＩブラック＃２０１、＃２０９、＃２２０、＃２７３（以上、御国色素（株）製）等のカーボンブラック分散体を用いることができる。
【００６９】
光吸収剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
仮固定用組成物（II）の固形分１００質量％中、光吸収剤の含有量は、通常は１〜６０質量％、好ましくは１０〜５０質量％、より好ましくは２０〜４０質量％である。ここで「固形分」とは、溶剤以外の全成分をいう。光吸収剤の含有量が前記範囲にあると、支持体からの基材の分離性の観点から好ましい。
【００７０】
〈熱分解性樹脂〉
仮固定用組成物（II）は、熱分解性樹脂をさらに含有することが好ましい。熱分解性樹脂が光照射で発生した熱により分解または変質することで、支持体からの基材の分離性がより向上すると考えられる。
【００７１】
本明細書において「熱分解性樹脂」とは、５％重量減少温度が３００℃以下の樹脂をいう。熱分解性樹脂の５％重量減少温度は、好ましくは２５０℃〜１５０℃である。前記樹脂の５％重量減少温度は、熱重量分析法（ＴＧＡ）により、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分にて測定することができる。
【００７２】
熱分解性樹脂としては、例えば、シクロオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、テルペン系樹脂、石油樹脂、ノボラック樹脂およびエラストマーが挙げられる。これらの中でも、シクロオレフィン系樹脂、テルペン系樹脂、石油樹脂およびエラストマーが好ましい。
【００７３】
シクロオレフィン系樹脂、テルペン系樹脂、石油樹脂およびノボラック樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂として例示した上記樹脂が挙げられる。エラストマーとしては、例えば、常温（２５℃）で液体状態の、液状ブタジエンゴム、液状イソプレンゴム、液状スチレンブタジエンゴム、液状スチレンイソプレンゴム等の共役ジエン重合体ゴムが挙げられる。
【００７４】
熱分解性樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
シクロオレフィン系樹脂、テルペン系樹脂、石油樹脂およびエラストマーから選ばれる少なくとも１種を含有する層は、フォトファブリケーションで用いられる薬液、例えば極性の高い有機溶剤または水系の薬液、に対して高い耐性を有する。このため、基材を加工および／または移動するに際して、薬液により仮固定材層（II）が劣化して、支持体から基材がずれて動くトラブルを防ぐことができる。
【００７５】
仮固定用組成物（II）の固形分１００質量％中、熱分解性樹脂の含有量は、通常は１０〜９５質量％、好ましくは３０〜９０質量％、より好ましくは５０〜８０質量％である。ここで「固形分」とは、溶剤以外の全成分をいう。前記樹脂の含有量が前記範囲にあると、支持体上に基材を仮固定する際の温度を低温化する点や、基材を加工および移動するに際して、支持体から基材がずれて動かないようにする点で好ましい。
【００７６】
〈その他の成分〉
仮固定用組成物（II）は、必要に応じて、酸化防止剤、重合禁止剤、密着助剤、界面活性剤、ポリスチレン架橋粒子、ならびに酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンおよび酸化ケイ素等の金属酸化物粒子から選ばれる１種または２種以上を含有してもよい。
【００７７】
〔仮固定用組成物（Ｉ）および（II）の製造〕
仮固定用組成物（Ｉ）および（II）は、必要に応じて樹脂組成物の加工に用いる公知の装置、例えば、二軸押出機、単軸押出機、連続ニーダー、ロール混練機、加圧ニーダー、バンバリーミキサーを用いて、各成分を混合することにより製造することができる。また、不純物を除く目的で、適宜、濾過を行うこともできる。
【００７８】
仮固定用組成物（Ｉ）および（II）の製造には、当該組成物の粘度を塗布に適した範囲に設定する点で、溶剤を用いてもよい。溶剤としては、例えば、キシレン、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素溶剤；アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル溶剤；炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン溶剤；シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン溶剤；Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム溶剤が挙げられる。
【００７９】
溶剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
仮固定用組成物（Ｉ）および（II）が溶剤を含有することにより、これら仮固定用組成物の粘度を調整することが容易となり、したがって基材または支持体上に仮固定材を形成することが容易となる。例えば、溶剤は、仮固定用組成物（Ｉ）および（II）の固形分濃度が、通常は５〜７０質量％、より好ましくは１５〜５０質量％となる範囲で用いることができる。ここで「固形分濃度」とは、溶剤以外の全成分の合計濃度である。
【００８０】
２．基材の処理方法
本発明の基材の処理方法は、（１）上記積層体を形成する工程と、（２）前記基材を加工し、および／または前記積層体を移動する工程と、（３）前記仮固定材層（II）に光を照射する工程と、（４）前記支持体から前記基材を分離する工程とを有し、さらに（５）前記分離後に前記基材上に残存した仮固定材がある場合は、当該仮固定材を前記基材から除去する工程を有してもよい。
以下、上記各工程をそれぞれ、工程（１）〜工程（５）ともいう。
【００８１】
〈２−１．工程（１）〉
工程（１）では、例えば、（1-1）支持体および／または基材の表面に、上記仮固定材を形成し、前記仮固定材を介して基材と支持体とを貼り合せることにより、基材を支持体上に仮固定することができる。また、（1-2）支持体の表面に、上記仮固定材を形成し、前記仮固定材上に樹脂塗膜等の基材を形成することにより、基材を支持体上に仮固定することもできる。基材は、必要に応じて表面処理されていてもよい。
【００８２】
上述の仮固定材の形成方法としては、例えば、（α）仮固定材が有する各層を、支持体上および／または基材上に直接形成する方法、（β）離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム等のフィルム上に仮固定用組成物を用いて一定膜厚で成膜した後、各層を支持体および／または基材へラミネート方式により転写する方法が挙げられる。膜厚均一性の点から、前記（α）の方法が好ましい。
【００８３】
仮固定材が有する各層を形成する仮固定用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、インクジェット法が挙げられる。
仮固定用組成物を塗布して塗膜を形成した後は、例えば、ホットプレート、オーブン等の加熱機器で加熱して、溶剤を蒸発させることにより、仮固定材層を形成する。加熱の条件は、溶剤の沸点に応じて適宜決定され、例えば、加熱温度が通常は１００〜３５０℃であり、加熱時間が通常は１〜６０分である。
【００８４】
上記（α）の方法において、基材と支持体とを貼り合せる方法としては、例えば、基材面上に層（Ｉ）を形成し、支持体面上に層（II）を形成し、これらを層（Ｉ）および層（II）が接するようにして貼り合わせる方法１；基材面上に層（Ｉ）および層（II）を順次形成し、層（II）上に支持体を貼り合わせる方法２；支持体面上に層（II）および層（Ｉ）を順次形成し、層（Ｉ）上に基材を貼り合わせる方法３が挙げられる。この際の温度は、仮固定用組成物の含有成分、塗布方法等に応じて適宜選択される。これらの中でも、各層の形成中に層（Ｉ）および層（II）が混和することを避ける観点から、前記方法１が好ましい。
【００８５】
基材と支持体との圧着条件は、例えば、好ましくは室温以上４００℃以下、より好ましくは１５０〜４００℃で１〜２０分間、０．０１〜１００ＭＰａの圧力を各層の積層方向に付加することにより行えばよい。圧着後、さらに１５０〜３００℃で１０分〜３時間加熱処理してもよい。このようにして、基材が支持体上に仮固定材を介して強固に保持される。
【００８６】
仮固定材層（II）中、光吸収剤の含有量は、通常は１〜６０質量％、好ましくは１０〜５０質量％、より好ましくは２０〜４０質量％である。光吸収剤の含有量が前記範囲にあると、支持体からの基材の分離性の観点から好ましい。仮固定材層（II）中、熱分解性樹脂の含有量は、通常は１０〜９５質量％、好ましくは３０〜９０質量％、より好ましくは５０〜８０質量％である。
【００８７】
加工（移動）対象物である前記基材としては、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔、研磨パッド、樹脂塗膜が挙げられる。半導体ウエハおよび半導体チップには、バンプ、配線、絶縁膜および各種の素子から選ばれる少なくとも１種が形成されていてもよい。前記基板には、各種の素子が形成または搭載されていてもよい。樹脂塗膜としては、例えば、有機成分を主成分として含有する層が挙げられ；具体的には、感光性材料から形成される感光性樹脂層、絶縁性材料から形成される絶縁性樹脂層、感光性絶縁樹脂材料から形成される感光性絶縁樹脂層が挙げられる。
【００８８】
支持体としては、工程（３）で支持体側から光照射をして仮固定材層（II）を変質させる場合、光照射で用いられる光に対して透明な基板が好ましく、例えば、ガラス基板、石英基板および透明樹脂製基板が挙げられる。
【００８９】
層（Ｉ）を基材上に形成するに際して、仮固定材の面内への広がりを均一にするため、基材面（例えば回路面）を予め表面処理することもできる。表面処理の方法としては、例えば、基材面に予め表面処理剤を塗布する方法が挙げられる。上記表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤等のカップリング剤が挙げられる。
【００９０】
〈２−２．工程（２）〉
工程（２）は、支持体上に仮固定された基材を加工し、および／または得られた積層体を移動する工程である。移動工程は、半導体ウエハ等の基材を、ある装置から別の装置へ支持体とともに移動する工程である。支持体上に仮固定された基材の加工処理としては、例えば、ダイシング、裏面研削等の基材の薄膜化、フォトファブリケーション、半導体チップの積層、各種素子の搭載が挙げられる。フォトファブリケーションは、例えば、レジストパターンの形成、エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびメッキリフロー処理から選ばれる１つ以上の処理を含む。エッチング加工およびスパッタ膜の形成は、例えば、２５〜３００℃程度の温度範囲で行われ、メッキ処理およびメッキリフロー処理は、例えば、２２５〜３００℃程度の温度範囲で行われる。基材の加工処理は、仮固定材の保持力が失われない温度で行えば特に限定されない。
【００９１】
〈２−３．工程（３）〉
基材の加工処理または積層体の移動後は、仮固定材が有する仮固定材層（II）に、例えば支持体側から、光を照射する。光照射により、仮固定材層（II）の含有成分である光吸収剤が光を吸収し、仮固定材層（II）の強度または接着力が低下する。したがって、仮固定材層（II）に対する光照射の後であれば、仮固定材の加熱処理を特に必要とすることなく、支持体から基材を容易に分離することができる。
【００９２】
光照射には紫外線を用いることが好ましく、例えば波長１０〜４００ｎｍの紫外線が採用され、波長３００〜４００ｎｍの紫外線が特に好ましい。照射光の光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、レーザーが挙げられる。
【００９３】
これらの中でも、レーザーが好ましい。支持体側から、レーザーを走査させながら仮固定材層（II）の全面に照射することが好ましく、レーザーを仮固定材層（II）に焦点を絞って照射することがより好ましい。上述したように、基材の加工処理中に仮固定材にかかる熱負荷およびレーザー照射で発生する熱に対して、層（Ｉ）は高い耐性を有することから、基材に発生する反りは小さく、層（II）に発生する反りも小さい。このため、層（II）に対するレーザーの焦点深度を一定に合わせることができ、レーザー照射により層（II）の接着力を充分に低減することができる。したがって、支持体から基材を良好に分離することができる。
【００９４】
レーザーの走査方法としては特に限定されず、例えば、仮固定材層（II）のＸＹ平面において、Ｘ軸方向にレーザーを線状に照射し、Ｙ軸方向に照射部を順次移動させて全面を照射する方法や、レーザーを角周状に照射し、中心部から周縁部へ外側に又は周縁部から中心部へ内側に照射部を順次移動させて全面を照射する方法が挙げられる。
【００９５】
レーザーとしては、例えば、固体レーザー（例：光励起半導体レーザーを用いた全固体レーザー、ＹＡＧレーザー）、液体レーザー（例：色素レーザー）、ガスレーザー（例：エキシマレーザー）が挙げられる。これらの中でも、光励起半導体レーザーを用いた全固体レーザー（波長：３５５ｎｍ）、ＹＡＧレーザー（波長：３５５ｎｍ）およびエキシマレーザーが好ましい。
【００９６】
エキシマレーザーとしては、例えば、Ｆ2エキシマレーザー（波長：１５７ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（同１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（同２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザー（同３０８ｎｍ）、ＸｅＦエキシマレーザー（同３５１ｎｍ）が挙げられる。
光照射の条件は光源等の種類によって異なるが、光励起半導体レーザーを用いた全固体レーザー、およびＹＡＧレーザーの場合、通常は１ｍＷ〜１００Ｗである。
【００９７】
〈２−４．工程（４）〉
工程（４）では、基材および／または支持体に力を付加することで、前記支持体から前記基材を剥離するなどして、両者を分離する。なお、工程（３）の光照射を終えた後に、工程（４）の分離を行うことが好ましいが、工程（３）の光照射を行いながら、工程（４）の分離を行ってもよい。
【００９８】
例えば、基材面に対して平行方向に基材または支持体に力を付加して両者を分離する方法；基材または支持体の一方を固定し、他方を基材面に対して平行方向から一定の角度を付けて持ち上げることで両者を分離する方法が挙げられる。「基材面」とは、基材および支持体の積層方向に対して垂直な方の面を指す。
【００９９】
前者の方法では、基材を支持体の表面に対して水平方向にスライドさせると同時に、支持体を固定する、または前記基材に付加される力に拮抗する力を支持体に付加することによって、基材を支持体から分離する方法が挙げられる。
【０１００】
後者の方法では、基材面に対して略垂直方向に力を付加して、支持体から基材を分離することが好ましい。「基材面に対して略垂直方向に力を付加する」とは、基材面に対して垂直な軸であるｚ軸に対して、通常は０°〜６０°の範囲、好ましくは０°〜４５°の範囲、より好ましくは０°〜３０°の範囲、さらに好ましくは０°〜５°の範囲、特に好ましくは０°、すなわち基材面に対して垂直の方向に力を付加することを意味する。
【０１０１】
分離方式としては、例えば、基材または支持体の周縁を持ち上げ、基材面に対して略垂直方向に力を加えながら、基材または支持体の周縁から中心に向けて順に剥離する方法（フックプル方式）で行うことができる。
【０１０２】
上記分離は、通常は５〜１００℃、好ましくは１０〜４５℃、さらに好ましくは１５〜３０℃で行うことができる。ここでの温度は、支持体の温度を意味する。また、分離をする際、基材の破損を防ぐため、基材における支持体との仮止め面と反対側の面に補強テープ、例えば市販のダイシングテープを貼付してもよい。
【０１０３】
本発明では、上述したように、仮固定材が層（Ｉ）および層（II）を有し、基材が層（Ｉ）により保護され、主に層（II）において基材と支持体との分離が起こる。基材がバンプを有する場合、分離工程時にバンプの破損を防止することができる。
【０１０４】
〈２−５．工程（５）〉
支持体から分離後の基材上に仮固定材が残存している場合、特に上述の仮固定材層（Ｉ）が残存している場合は、剥離および溶剤洗浄などの簡単な手法により、仮固定材を基材から除去することができる。
【０１０５】
剥離処理としては、例えば、基材から仮固定材層（Ｉ）を基材面に対して略垂直方向に剥離する方法が挙げられ、具体的には、基材面に対して略垂直方向に力を加えながら、基材の周縁から中心に向けて順に仮固定材層（Ｉ）を剥離する方法（フックプル方式）が挙げられる。略垂直方向の意味は、工程（４）の欄で説明したとおりである。
【０１０６】
溶剤を用いた洗浄処理としては、例えば、基材を溶剤に浸漬する方法、基材に溶剤をスプレーする方法、基材を溶剤に浸漬しながら超音波を加える方法が挙げられる。溶剤の温度は特に限定されないが、好ましくは１０〜８０℃、より好ましくは２０〜５０℃である。溶剤としては、仮固定用組成物（Ｉ）および（II）の製造の欄で説明した溶剤を例示することができる。
これらの中でも、剥離処理がバンプの破損を防止することができることから好ましい。
以上のようにして、支持体から基材を分離することができる。
【０１０７】
３．半導体装置およびその製造方法
本発明の半導体装置は、本発明の基材の処理方法により基材を加工することにより、製造することができる。本発明では、基材を加工して得られた半導体装置（例：半導体素子）を、基材の反りが小さいことから支持体から良好に分離することができ、したがって各種性能が良好な半導体装置を製造することができる。
【実施例】
【０１０８】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、特に言及しない限り、「部」は「質量部」の意味で用いる。
【０１０９】
１．仮固定用組成物の製造
［製造例１〜４］仮固定用組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）の製造
表１に示す成分を、表１に示す配合量で混合し、仮固定用組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）を製造した。表１中の各成分の詳細は、以下に記載する通りである。
成分１：スチレン−ブタジエン−スチレンからなるトリブロック水添共役ジエン重合体
（水素添加率＝９９モル％以上、スチレン単位含有割合＝１０質量％）
成分２：シクロオレフィン系樹脂
（商品名「ＡＲＴＯＮ  ＲＸ４５００」、ＪＳＲ（株）製）
成分３：水添テルペン樹脂
（商品名「ＣＬＥＡＲＯＮ  Ｐ１５０」、ヤスハラケミカル（株）製）
成分４：ヒンダードフェノール系酸化防止剤
（商品名「ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０」、ＢＡＳＦ社製）
成分５：メシチレン
【０１１０】
［製造例５］仮固定用組成物（II−１）の製造
８０部のシクロオレフィン系樹脂（商品名「ＡＲＴＯＮ  ＲＸ４５００」、ＪＳＲ（株）製）と、２０部の水添テルペン樹脂（商品名「ＣＬＥＡＲＯＮ  Ｐ１５０」、ヤスハラケミカル（株）製）と、２０部の液状スチレンブタジエンゴム（商品名「Ｌ−ＳＢＲ−８２０」、クラレ（株）製）と、３部のヒンダードフェノール系酸化防止剤（商品名「ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０」、ＢＡＳＦ社製）と、１２５部のカーボンブラック分散液（商品名「ＭＨＩブラック＃２０９」、御国色素（株）製、固形分３５質量％）と、３６７部のメシチレンとを混合することにより、仮固定用組成物（II−１）を製造した。
【０１１１】
２．評価
［実施例１］
４インチのシリコンウエハ（基板１）に仮固定用組成物（Ｉ−１）をスピンコートし、その後、ホットプレートを用いて、１６０℃で５分間、次いで２００℃で５分間加熱し、厚さ４０μｍの均一な仮固定材層（Ｉ−１）を有する基板１を得た。仮固定材層（Ｉ−１）の厚さは、触針式膜厚計により測定した。その他の仮固定材層の厚さについても、以下同様である。ここでは、基板１を加工および／または移動対象の基材とする。
【０１１２】
仮固定材層（Ｉ−１）を有する基板１を、３００℃で１０分間加熱し、加熱後のシリコンウエハの内部応力を、応力測定装置（装置名「ＦＬＸ−２３２０−ｓ」、ＴＯＨＯテクノロジー社製）にて測定した。内部応力は０ＭＰａであり、したがって基板１の反りは小さいと考えられる。
【０１１３】
また、４インチのガラスウエハ（基板２）に仮固定用組成物（II−１）をスピンコートし、その後、ホットプレートを用いて、１６０℃で５分間加熱後、さらに２００℃で１０分間加熱し、厚さ１μｍの均一な仮固定材層（II−１）を有する基板２を作製した。ここでは、基板２を支持体とする。
【０１１４】
上述の基板１および基板２を縦１ｃｍ、横１ｃｍに切断した後、仮固定材層（Ｉ−１）と（II−１）とが接するように貼り合わせ、ダイボンダー装置を用いて２３０℃で１５Ｎの力を５分間加え、基板１と２とが仮固定材層を介して積層された試験用積層体を得た。
【０１１５】
得られた試験用積層体に、全固体高出力レーザー装置（商品名「Ｇｅｎｅｓｉｓ ＣＸ３５５ ＳＴＭ Ｃｏｍｐａｃｔ」、コヒレント・ジャパン（株）製）にて、出力１００ｍＷで基板２側からＵＶレーザー（波長３５５ｎｍ）を照射した。光照射後の試験用積層体に対して、万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、フックプル方式で、基板１面に対して垂直な軸（ｚ軸）方向に力（５００μｍ／秒の速度、２３℃）を付加し、仮固定材層（Ｉ−１）と仮固定材層（II−１）との界面での剥離を行い、基板１と基板２を分離した。この剥離の際の剥離強度を測定したところ、７Ｎ／ｍ2であった。
【０１１６】
［実施例２〜３、比較例１］
実施例１において、仮固定用組成物（Ｉ−１）の代わりに仮固定用組成物（Ｉ−２）〜（Ｉ−４）を用いて仮固定材層（Ｉ−２）〜（Ｉ−４）を形成した以外は、実施例１と同様の方法にて、内部応力を測定するとともに、試験用積層体を製造し、仮固定材層（Ｉ−２）〜（Ｉ−４）と仮固定材層（II−１）との界面で剥離する際の剥離強度を測定した。
【０１１７】
【表１】
2017079274.tif 000004
【符号の説明】
【０１１８】
１・・・積層体
１０・・・支持体
２０・・・仮固定材
２１・・・仮固定材層（Ｉ）
２２・・・仮固定材層（II）
３０・・・基材
【図１】
2017079274.tif 000005