(57)【要約】【課題】電解めっき銅の表面導体層を含む積層基板とソルダーレジスト層（ＳＲ層）とを備えるプリント配線基板において、表面導体層とＳＲ層とを密着させて層間剥離を抑制する。【解決手段】積層基材２とＳＲ層３０とを有し、積層基材２は電解めっき銅の表面導体層２６を最外面に含み、ＳＲ層３０と表面導体層２６との間には接合層５０が介在しており、接合層５０は、銅と窒素とを含む厚さ２０〜２００ｎｍの層である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と絶縁層とをそれぞれ１層以上含む積層基材と、前記積層基材の表面の少なくとも一方に積層されたソルダーレジスト層とを有し、
前記積層基材は、前記導体層の少なくとも一部として、前記ソルダーレジスト層と接する表面に表面導体層を含む、プリント配線基板であって、
前記表面導体層は電解めっき銅を含み、
前記表面導体層と前記ソルダーレジスト層との間に接合層が介在しており、
前記接合層は、銅と窒素とを含む、厚さ２０〜２００ｎｍの層である。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線基板において、
前記表面導体層は、導体パッドを含むパターンを有し、
前記ソルダーレジスト層には開口が設けられており、
前記開口内に前記導体パッドが位置し、
前記導体パッドは、前記ソルダーレジスト層の前記開口の縁辺の下部に食い込むように配置されたＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）パッドであり、
前記開口内の前記導体パッド上には、はんだバンプが設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、積層基材本体の表層に表面導体層のパターンを設け、該導体層をソルダーレジスト層（絶縁保護層）で被覆し、ソルダーレジスト層の一部に開口を形成して、導体層の一部を、半導体素子を実装するための実装パッドとして露出させたプリント配線基板が知られている。
【０００３】
特許文献１では、金属と樹脂材料との接着方法において、所定構造のアゾールシラン化合物を含有する表面処理液を、銅などの金属の表面に接触させて化成皮膜を形成し、該化成皮膜を介して金属と樹脂材料とを接着することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１４３３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、電解めっき銅を含む表面導体層とソルダーレジスト層との密着のために、所定構造のアゾールシラン化合物を含有する表面処理液から構成される化成皮膜を用いることは開示されていない。
【０００６】
本発明者らは、電解めっき銅を含む表面導体層とソルダーレジスト層とを密着させる技術として十分に満足できる技術はこれまでに提供されておらず、依然として開発の必要性が高いと考えた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は以下の発明を包含する。
本発明は、
導体層と絶縁層とをそれぞれ１層以上含む積層基材と、前記積層基材の表面の少なくとも一方に積層されたソルダーレジスト層とを有し、
前記積層基材は、前記導体層の少なくとも一部として、前記ソルダーレジスト層と接する表面に表面導体層を含む、プリント配線基板であって、
前記表面導体層は電解めっき銅を含み、
前記表面導体層と前記ソルダーレジスト層との間に接合層が介在しており、
前記接合層は、銅と窒素とを含む、厚さ２０〜２００ｎｍの層である
プリント配線基板に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のプリント配線基板の一実施形態によれば、電解めっき銅を含む表面導体層と前記ソルダーレジスト層とが銅と窒素とを含む接合層を介して密着することができ、表面導体層とソルダーレジスト層との間の層間剥離（ハロイング）が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１の概略断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１の製造工程を説明するための概略断面図（１）である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１の製造工程を説明するための概略断面図（２）である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１の製造工程を説明するための概略断面図（３）である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１の製造工程を説明するための概略断面図（４）である。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１の製造工程を説明するための概略断面図（５）である。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１の製造工程を説明するための概略断面図（６）である。
【図３】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１の図１に示す概略断面図における、Ｘで示す領域の拡大図である。
【図４】実際に製造した本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１の接合層５０近傍の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察像の写真である。
【図５】図４に示した各点における元素のＸＰＳによる分析結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を具体化した実施の形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１は、図１の概略断面図に示すように構成されている。
プリント配線基板１は、積層された導体層と絶縁層とをそれぞれ１以上含む。具体的にはプリント配線基板１はコア層１０と、ビルドアップ層２０と、ソルダーレジスト層３０とを備えている。このプリント配線基板１は、ＩＣチップ等の半導体素子をフリップチップ接続にて実装可能なパッケージ基板であり、且つ、半導体素子の実装後にマザーボード等の他のプリント配線基板に実装可能である。本実施形態のプリント配線基板１は多層積層プリント配線基板であり、全体としては板状又はフィルム状の形状を有する。また、図示しないが、本実施形態は、コア層１０を含んでいないコアレス型プリント配線基板においても適用可能であることは当然である。
【００１１】
本実施形態ではプリント配線基板１は、コア絶縁層１１の中心軸ＣＬを挟んで上下対称の構造である。このため以下の説明では中心軸ＣＬから片側のみを説明する。なお本実施形態ではプリント配線基板１は中心軸ＣＬを挟んで上下対称の構造を有するが、目的とする回路の構成に合わせて非対称の構造であってもよく、その構造は限定されるものではない。
【００１２】
コア層１０は、コア絶縁層１１と、コア絶縁層１１の両主面の各々に形成された第１導体層１２とを備えている。またコア層１０には、コア絶縁層１１の両主面に形成された第１導体層１２の間を導通する充填スルーホール１３が設けられている。
【００１３】
ビルドアップ層２０は、コア層１０の両面に積層されている。各ビルドアップ層２０は、１以上の導体層と１以上の絶縁層とが積層されて形成されており、具体的には以下の構造が例示できる。
【００１４】
第１絶縁層２１は、コア層１０の第１導体層１２を被覆する。第１絶縁層２１の、第１導体層１２が配置されていない側の表面には第２導体層２３が形成されている。第１絶縁層２１の内部には、第１絶縁層２１を貫通し、第１導体層１２と第２導体層２３とを電気的に接続する第１導体ビア２２が形成されている。第２導体層２３は第２絶縁層２４で更に覆われている。
【００１５】
第２絶縁層２４の、第２導体層２３が配置されていない側の表面には表面導体層（第３導体層）２６が形成されている。第２絶縁層２４の内部には、第２絶縁層２４を貫通し、第２導体層２３と表面導体層２６とを電気的に接続する第２導体ビア２５が形成されている。
【００１６】
表面導体層２６は、導体層のうち最外層に位置する導体層であり、基板実装部品（図示せず）に接続される複数の導体パッド２７を少なくとも含んでおり、図示しないが、更に他の配線パターンを含んでいてもよい。表面導体層２６は、複数の導体パッド２７を含むパターンを有することから「パッド導体層」ということができる。なお、ビルドアップ層２０は、更なる絶縁層及び／又は導体層を含んでいてもよく、導体層は更なる導体ビアにより接続されていてもよい。
【００１７】
ソルダーレジスト層３０は，プリント配線基板１の最外層であり、ビルドアップ層２０の表面導体層２６を覆うように設けられている。ソルダーレジスト層３０は、プリント配線基板１に含まれる絶縁層のうち最外層に位置する絶縁層である。ソルダーレジスト層３０には、複数の開口３１が設けられている。各開口３１内には，表面導体層２６の導体パッド２７が露出するように位置している。
【００１８】
導体パッド２７は、開口３１の縁辺（具体的には開口３１の積層基材近傍部分３１ａ）に食い込むように配置されている。このように配置された導体パッド２７をＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）パッドと称する。一方、図示しないが、開口３１内において、導体パッドと開口３１の縁辺（具体的には開口３１の積層基材近傍部分３１ａ）との間に隙間が形成されるように配置された導体パッドをＮＳＭＤ（Ｎｏｎ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）パッドと称する。本明細書では、ＳＭＤパッドとＮＳＭＤパッドとを区別する必要がある場合には、導体パッド２７をＳＭＤパッド２７、開口３１をＳＭＤ開口３１等と表現する場合がある。
【００１９】
各開口３１内の導体パッド２７上にははんだバンプＳが設けられている。
プリント配線基板１のうちソルダーレジスト層３０を除く部分、すなわち、コア層１０とコア層１０の両面に配置されたビルドアップ層２０とを含む部分を積層基材２と称する。更に、積層基材２のうち、最外層である表面導体層２６を除く部分を積層部本体３と称する。積層部本体３は、積層された導体層と絶縁層とを含む。積層基材２は、積層部本体３と、積層部本体３の主面のうち少なくとも一方に配置された、１つ以上のパッド２７を含む導体層（表面導体層２６）を備える。プリント配線基板１に含まれる絶縁層のうち積層部本体３に含まれる絶縁層（第１絶縁層２１、第２絶縁層２４）を「層間絶縁層」、ソルダーレジスト層３０を「保護絶縁層」と称する場合もある。
【００２０】
各層間絶縁層は熱硬化性樹脂組成物、感光性樹脂組成物等の絶縁性組成物により形成することができる。これらの絶縁性組成物は無機フィラーを含有していてもよく、その含有量は例えば３０〜８０質量％である。
【００２１】
各導体層（第１導体層１２、第２導体層２３、表面導体層２６、充填スルーホール１３、第１導体ビア２２、第２導体ビア２５）は、図１に示すように、複数の導体層を積層して形成されたものであってもよい。例えば図２Ａ〜図２Ｆに符号を示す通り、第２導体層２３は第２シード層２３ａと第２電解めっき層２３ｂとの積層構造により構成することができる。また、図２Ｂ〜図２Ｆに符号を示す通り、表面導体層２６は第３シード層２６ａと第３電解めっき層２６ｂとの積層構造により構成することができる。符号を示さないが、第１導体層１２も同様に第１シード層と第１電解めっき層との積層構造により構成することができる。また、充填スルーホール１３が有するシード層は第１シード層と一体のものとすることができる。同様に第１導体ビア２２が有するシード層は第２シード層２３ａと、第２導体ビア２５が有するシード層は第３シード層２６ａと一体のものとすることができる。各シード層は、層間絶縁層２１、２４及びコア絶縁層１１の表面に電解めっき層を形成するための下地となる層であり、具体的には、無電解めっき層、スパッタリングにより形成された金属層等である。各導体層を構成する導体としては銅が例示できる。特に、表面導体層（第３導体層）２６のうち第３電解めっき層２６ｂは電解めっき銅の層であることが好ましい。
【００２２】
ソルダーレジスト層３０は絶縁性樹脂組成物からなる層である。ソルダーレジスト層３０を構成する絶縁性樹脂組成物の組成は特に限定されない。例えば、ソルダーレジスト層３０は、少なくとも感光性樹脂と光重合開始剤とを含む感光性樹脂組成物を光硬化して形成された絶縁性樹脂組成物層であることができる。
【００２３】
ここで感光性樹脂は感光性高分子、フォトポリマー等とも呼ばれる。感光性樹脂は光化学反応の結果として物性が変化する高分子化合物であり、典型的には光重合開始剤の存在下での光照射により硬化する高分子化合物である。感光性樹脂の代表例としてラジカル重合性の二重結合を有する高分子化合物が挙げられる。感光性樹脂は、例えば、アクリル酸及びメタクリル酸から選択される少なくとも１種（「（メタ）アクリル酸」と表現する）に由来する（メタ）アクリロイル基を側鎖に含む高分子化合物であり、具体的には、熱硬化基を有する熱硬化性樹脂の前記熱硬化基を（メタ）アクリレート化した感光性樹脂が挙げられる。前記の、熱硬化基を有する熱硬化性樹脂としては、熱硬化基であるエポキシ基を有するエポキシ樹脂が例示できる。エポキシ樹脂としてはフェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型（クレゾールノボラック型等）等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられ、特にノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートとしては特に、１分子中に、２個以上のエポキシ基が残存する、熱硬化性と感光性を併せ持つものが好ましい。二種以上の感光性樹脂が併用されてもよい。
【００２４】
光重合開始剤は、光エネルギーを吸収してラジカル活性種を供給可能な化合物であり、代表例として芳香族ケトン類が挙げられる。芳香族ケトン類の光重合開始剤としては、アルキルフェノン誘導体や、ベンゾフェノン誘導体が例示できる。二種以上の光重合開始剤が併用されてもよい。
【００２５】
前記感光性樹脂組成物には更に他の成分を含んでいてもよい。前記感光性樹脂組成物が含むことができる他の成分としては光増感剤、熱硬化性樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、無機フィラー等が例示できる。
【００２６】
光増感剤は照射する光の波長、光重合開始剤等に応じて適宜選択することができる。光増感剤としてはミヒラーケトン、チオキサントン系光増感剤等が例示できる。二種以上の光増感剤が併用されてもよい。
【００２７】
熱硬化性樹脂の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が例示できる。二種以上の熱硬化性樹脂が併用されてもよい。
【００２８】
前記エポキシ樹脂としてはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型（クレゾールノボラック型等）等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリジジルイソシアヌレート等が例示できる。二種以上のエポキシ樹脂が併用されてもよい。
【００２９】
エポキシ樹脂硬化剤は、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合に併用される、エポキシ樹脂硬化剤はエポキシ基間の架橋形成に関与する。エポキシ樹脂硬化剤としてはイミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、ポリメルカプタン系硬化剤等が例示でき、イミダゾール系硬化剤が特に好ましい。二種以上のエポキシ樹脂硬化剤が併用されてもよい。
【００３０】
無機フィラーとしてはシリカ、硫酸バリウム、タルク等が例示できる。
前記感光性樹脂組成物は、適当な溶媒を含む流動体（液状またはペースト状）の形態で使用されてもよい。前記溶媒としては特に限定されないが、例えばグリコールエーテル類である。グリコールエーテル類としてはジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等が例示できる。二種以上の溶媒が併用されてもよい。
【００３１】
前記感光性樹脂組成物としては、感光性ドライフィルムとして別途調製されたものを使用してもよい。
前記感光性樹脂組成物は独自に調製されてもよいし、市販されているソルダーレジスト形成用組成物であってもよいし、市販されているソルダーレジスト形成用組成物に改変を加えたものであってもよい。
【００３２】
更に、開口３１に囲われた導体パッド２７に、はんだバンプＳが設置される。この場合、はんだバンプＳを設置する前に、導体パッド２７の表面に、酸化を防止するための表面処理層（図示せず）を設けてもよい。導体パッド２７の表面に表面処理層を設けることで、はんだバンプ形成前の導体パッド２７の酸化を防止し、導体パッド２７へのはんだの乗りを良くすることができる。表面処理層としてはニッケル−金めっき、ニッケル−パラジウム−金めっき、スズめっき等のめっき皮膜や、ＯＳＰ（ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）皮膜（プリフラックス皮膜）等が例示できる。
【００３３】
本実施形態のプリント配線基板１では、第３電解めっき層２６ｂを含む表面導体層２６とソルダーレジスト層３０との間に接合層５０が介在している。接合層５０は表面導体層２６とソルダーレジスト層３０とを接合する役割を果たすと考えられる。
【００３４】
以下、接合層５０の特徴について説明する。
図３に、図１における領域Ｘを拡大した模式図を示す。領域Ｘは表面導体層２６（導体パッド２７）と、はんだバンプＳと、接合層５０と、ソルダーレジスト層３０とが近接する部分である。
本実施形態において接合層５０の厚さＴは厚さ２０〜２００ｎｍであることが好ましい。厚さＴがこの範囲のときに、表面導体層２６（導体パッド２７）とソルダーレジスト層３０とを強固に接合するという、接合層５０の機能を奏するうえで好ましい。
【００３５】
接合層５０は銅と窒素とを含む。図４に、実際に作製した、電解めっき銅からなる表面導体層２６と接合層５０とソルダーレジスト層３０とを積層したプリント配線基板１の断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察像の写真を示す。図４の右下の空隙は、ソルダーレジスト層３０の開口３１に相当する。表面導体層２６の開口３１に面する部分には、ニッケルを含む表面処理層を設けている。開口３１内にはんだバンプは設けていない。図４においてスケールバーは５０ｎｍを示す。Ｘ線を照射し生じる光電子エネルギーを測定して元素構成を分析するＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて、図４に示す各点における元素組成を評価した。表面導体層２６の表面を点ｅとする。
【００３６】
ＸＰＳの結果を図５に示す。横軸の数値は各元素の質量比を示す。図５に示す元素以外に炭素が含まれるが、炭素の相対量は他の元素より顕著に多いため図５では示さない。点ｆから点ｉまでの各点では窒素（Ｎ）及び銅（Ｃｕ）が存在する。点ｉは、電解めっき銅からなる表面導体層２６の表面の点ｅから約１１５ｎｍ離れている。点ｆに含まれるニッケル（Ｎｉ）は、表面導体層２６の開口３１に面する部分に設けた前記表面処理層に由来するものと考えられる。点ｊ、点ｋは点ｅからそれぞれ約１４５ｎｍ、約２１０ｎｍ離れており、これらの点では窒素（Ｎ）及び銅（Ｃｕ）はほぼ含まれない。電解めっき銅からなる表面導体層２６に積層された約１２０ｎｍの部分（点ｆ、ｇ、ｈ、ｉを含む）が接合層５０に相当し、その上がソルダーレジスト層３０に相当する。
【００３７】
接合層５０は、表面導体層２６（導体パッド２７）とソルダーレジスト層３０との界面に介在し、両者を接合する機能を有する。特に、図１及び図３に示すように導体パッド２７がＳＭＤパッドである場合に仮に接合層５０が存在しないとすれば、開口３１へはんだバンプＳを導入する際に、導体パッド２７（表面導体層２６）と、それに乗り上げたソルダーレジスト層３０との界面が、開口３１の積層基材近傍部分３１ａを起点に剥離し易いと考えられる。一方、本実施形態によれば、ＳＭＤパッドである導体パッド２７と、それに乗り上げたソルダーレジスト層３０とが接合層５０を介して接合されているため、導体パッド２７とソルダーレジスト層３０との剥離が生じ難い。
【００３８】
接合層５０は、好ましくは、１つの芳香族環中に窒素を２つ以上有するアゾール化合物と、液状媒体とを含む液状組成物を、電解めっき銅を含む表面導体層２６の表面に接触させ、乾燥させることで形成される。前記乾燥を酸化条件、例えば空気雰囲気中で、比較的高温度、例えば２０〜１３０℃、より好ましくは４５〜１００℃、において行うことが好ましい。この条件での乾燥により、表面導体層２６の表面の銅が酸化されて銅（ＩＩ）イオンとなり、前記アゾール化合物を含む被膜中に拡散すると考えられる。前記アゾール化合物は、窒素原子上の非共有電子対によって銅（ＩＩ）イオンに配位すると考えられ、１つの銅（ＩＩ）イオンには複数の窒素原子が配位できると考えられる。しかも、前記アゾール化合物は１つの環に２つ以上の窒素原子を有しており、各窒素原子が銅（ＩＩ）イオンに配位することができると考えられる。このため、前記アゾール化合物を含む被膜中では、拡散した銅（ＩＩ）イオンと前記アゾール化合物とが交互に結合して重合体を形成していると考えられる。このような被膜である接合層５０は、電解めっき銅を含む表面導体層２６と樹脂を含むソルダーレジスト層３０との両方に対して親和性を有しており、表面導体層２６とソルダーレジスト層３０とを接合することができると考えられる。
【００３９】
１つの芳香族環中に窒素を２つ以上有するアゾール化合物は、１つの芳香族環中に窒素を２つ以上有するアゾール環を有していればよく環上に置換基を有していてよい。前記アゾール化合物としては、前記アゾール環の部分がジアゾール（１，２−ジアゾール又は１，３−ジアゾール）であるジアゾール化合物、前記アゾール環の部分がトリアゾール（１，２，３−トリアゾール又は１，２，４−トリアゾール）であるトリアゾール化合物、前記アゾール環の部分が１Ｈ−テトラゾールであるテトラゾール化合物等が挙げられる。
【００４０】
前記アゾール化合物を含む前記液状組成物の調製に用いる液状媒体としては水又は有機溶媒を用いることができる。
水としてはイオン交換水や蒸留水等の純水が使用できる。
有機溶媒としてはメタノール、エタノール、プロパノール等が挙げられる。
前記液状媒体のうち２種以上の混合物も用いることができる。
【００４１】
本実施形態においては、前記液状組成物中における前記アゾール化合物の濃度は、０．００１〜１０質量％であることが好ましく、０．０１〜５質量％であることがより好ましい。前記アゾール化合物の濃度がこの範囲であるとき、表面導体層２６とソルダーレジスト層３０との接合効果が十分であり、且つ、経済的であると考えられる。
【００４２】
前記液状組成物を、表面導体層２６の表面に接触させる方法としては、特に制限はなく、浸漬、塗布、噴霧等の手段を用いることができる。
前記液状組成物と表面導体層２６の表面とを接触させる時間（処理時間）は特に限定されないが、１秒〜１０分間とすることができ、５秒〜３分間とすることがより好ましい。処理時間が前記範囲のときに、表面導体層２６の表面に十分な厚さの前記液状組成物の被膜を形成することが容易である。前記液状組成物と表面導体層２６の表面とを接触させる際の前記液状組成物の温度については５〜５０℃とすることが好ましいが、前記の処理時間との関係において適宜設定することができる。
【００４３】
前記液状組成物と表面導体層２６の表面とを接触させた後は、水洗してから乾燥してもよいし、水洗せずに乾燥させてもよい。乾燥温度は既述の通りである。
水洗に使用する水としては、イオン交換水や蒸留水等の純水が好ましいが、水洗の方法や時間には特に制限なく、例えば、浸漬や噴霧等の手段によって適宜の時間洗浄すればよい。
【００４４】
前記液状組成物と表面導体層２６の表面に接触させる前に、前記表面に、酸洗処理、粗化処理、耐熱処理、防錆処理または化成処理からなる群から選択される少なくとも１つの前処理を行ってもよい。
【００４５】
前記の酸洗処理とは、表面導体層２６の表面に付着した油脂成分を除去する為と、銅の表面の酸化皮膜を除去する為に行うものである。この酸洗処理には、塩酸系溶液、硫酸系溶液、硝酸系溶液、硫酸−過酸化水素系溶液、有機酸系溶液、無機酸−有機溶媒系溶液、有機酸−有機溶媒系溶液等の溶液を用いることができる。
【００４６】
前記の粗化処理とは、アンカー効果による銅と樹脂の接着性を高めるために行うものであり、銅の表面に凸凹形状が付与され、銅と樹脂材料との密着性を高めることができる。この粗化処理においては、マイクロエッチング法、電解めっき法、無電解めっき法、酸化法（ブラックオキサイド、ブラウンオキサイド）、酸化・還元法、ブラシ研磨法、ジェットスクラブ法等の方法を採用することができる。
【００４７】
前記のマイクロエッチング法においては、例えば、有機酸・第二銅イオン系、硫酸・過酸化水素系、過硫酸塩系、塩化銅系や塩化鉄系の各エッチング剤を使用することができる。
前記の電解めっき法においては、銅の表面に微細な銅粒子を析出させることにより、銅の表面に凸凹を形成させる。
【００４８】
前記の耐熱処理は、電解めっき銅を含む表面導体層２６の表面に、ニッケル、ニッケル−リン、亜鉛、亜鉛−ニッケル、銅−亜鉛、銅−ニッケル、銅−ニッケル−コバルトまたはニッケル−コバルトから選択される少なくとも１種の被膜を形成する処理である。この被膜の形成は公知の電解めっきによる方法を採用して行うことができるが、電界めっきに限定されるものではなく、蒸着その他の手段を使用しても何ら差し支えない。
【００４９】
前記の防錆処理とは、電解めっき銅を含む表面導体層２６の表面が酸化腐食することを防止するために行うものであり、銅の表面に、亜鉛または亜鉛合金組成のメッキ被膜や、電解クロメートのメッキ被膜を形成する方法を採用することができる。
【００５０】
前記の化成処理においては、電解めっき銅を含む表面導体層２６の表面にスズの不動態被膜を形成する方法や、酸化銅の不動態被膜を形成する方法を採用することができる。
【００５１】
前記液状組成物を表面導体層２６の表面に接触させる前に、銅イオンを含む水溶液を当該表面に接触させてもよい。この銅イオンを含む水溶液は、表面導体層２６の表面に形成される接合層５０の厚みを均一にさせる機能を有する。銅イオン源としては、水に溶解する銅塩であれば特に限定されず、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅、ギ酸銅、酢酸銅等の銅塩を挙げることができる。銅塩を水に可溶化するために、アンモニアや塩酸等を添加してもよい。
【００５２】
前記液状組成物を表面導体層２６の表面に接触させた後に、酸性水溶液またはアルカリ性水溶液を前記表面に接触させてもよい。この酸性水溶液またはアルカリ性水溶液も、前記の銅イオンを含む水溶液と同様に、表面導体層２６の表面に形成される接合層５０の厚みを均一にさせる機能を有する。酸性水溶液またはアルカリ性水溶液は、特に限定されないが、酸性水溶液としては、硫酸、硝酸、塩酸等の鉱酸や、ギ酸、酢酸、乳酸、グリコール酸、アミノ酸等の有機酸を含む水溶液等を挙げることができる。アルカリ性水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物や、アンモニア、エタノールアミン、モノプロパノールアミン等のアミン類を含む水溶液を挙げることができる。
【００５３】
＜プリント配線基板の製造方法＞
次に、本実施形態のプリント配線基板１の製造方法の一例を図２Ａ〜Ｆを参照して説明する。
（１．準備工程（図２Ａ〜２Ｃ））
本実施形態では出発材として図２Ｃに示す積層基材２を用いることができる。積層基材２の詳細は図１を参照して上記で説明した通りである。積層基材２を形成する方法は特に限定されない。
【００５４】
図２Ｃに示す積層基材２において、第２導体ビア２５及び表面導体層２６を形成する方法は特に限定されないが、その一例を図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明する。
図２Ａには、図１に示す本実施形態のプリント配線基板１のうち第２絶縁層２４まで完成された中間品の表層近傍を示す。第２絶縁層２４にはビアホール（孔部）６０が形成されている。前記中間品を形成する方法は特に限定されない。
【００５５】
次に、図２Ｂに示すように、前記中間品において、第２絶縁層２４の表面に、ビアホール（孔部）６０内に露出した第２電解めっき層２３ｂの表面とともに、無電解めっき又はスパッタリングにより第３シード層２６ａを形成する。
【００５６】
次に、図２Ｃに示すようにして、第２導体ビア２５と第３電解めっき層２６ｂとを形成する。具体的には、図示しないが、第３シード層２６ａの上にレジストを塗布し、所定のパターンのレジスト層を形成する。続いて、レジスト層で被覆されていない部分に銅による第３電解めっき層２６ｂを形成し、レジスト層の除去、および除去により露出した第３シード層２６ａをエッチング処理で除去する。これにより、ビアホール６０内に第２導体ビア２５を形成するとともに、第２絶縁層２４の表面に、第３シード層２６ａと第３電解めっき層２６ｂとからなる表面導体層（第３導体層）２６を形成することができる（図２Ｃ参照）。
【００５７】
（２．接合層形成工程（図２Ｄ））
次に、図２Ｄに示すように、表面導体層２６の表面に接合層５０を形成する。
接合層５０の形成方法は既述の通りであり、好ましくは、前記アゾール化合物と、液状媒体とを含む液状組成物を、電解めっき銅を含む表面導体層２６の表面に接触させ、乾燥させることで接合層５０が形成される。接合層５０の形成方法のより具体的な態様は既述の通りである。
【００５８】
（３．ソルダーレジスト前駆層形成工程（図２Ｅ））
次に、図２Ｅに示すように、積層基材２における表面導体層２６が形成されている表面２ａに、硬化することでソルダーレジスト層３０を形成することができる樹脂組成物からなるソルダーレジスト前駆層４０を形成するソルダーレジスト前駆層形成工程を行う。
【００５９】
ソルダーレジスト前駆層４０は図示するのは単層であるが、複数の層が積層された層であってもよい。
ソルダーレジスト層３０を形成することができる樹脂組成物としては、既述の、感光性樹脂と光重合開始剤とを含む感光性樹脂組成物が挙げられる。
【００６０】
ソルダーレジスト前駆層形成工程では、図２Ｅに示すように、積層基材２の表面２ａに前記樹脂組成物からなるソルダーレジスト前駆層４０を形成する。このとき、前記樹脂組成物を既述のような溶媒を含む流動体とし、該流動体を積層基材２に塗布させて塗膜を形成し、次いで前記塗膜から前記溶媒を揮発により除去（すなわち乾燥）させることでソルダーレジスト前駆層４０を形成することができる。また、ソルダーレジスト前駆層形成工程は、別途ドライフィルムとして調製した、前記樹脂組成物からなるソルダーレジスト前駆層４０を積層基材２に積層させる工程であってもよい。
本実施形態において、ソルダーレジスト前駆層４０の厚さは特に限定されないが、一般的には１０〜７０μｍである。
【００６１】
（４．露光工程）
続いて下記の露光工程を行う。露光工程の好ましい実施形態は、ソルダーレジスト前駆層形成工程により形成されたソルダーレジスト前駆層４０の、開口３１に対応する領域以外の領域に対して光照射して硬化する工程である。露光工程は、典型的には、開口３１に対応する領域を選択的に遮蔽する遮光マスクをソルダーレジスト前駆層４０の表面に配置した状態で、ソルダーレジスト前駆層４０に光照射することで実施可能である。
【００６２】
露光工程において照射する光の波長、光照度、照射時間等の条件は、ソルダーレジスト前駆層４０を構成する樹脂組成物に応じて適宜決定することができる。一般的には照射する光は紫外線である。
【００６３】
（５．現像工程（図２Ｆ））
露光工程の後に現像工程を行う。現像工程は、露光工程後に現像液を用いて現像して開口３１が形成されたソルダーレジスト層３０を形成する工程である（図２Ｆ参照）。
【００６４】
現像液としては、ソルダーレジスト前駆層４０のうち未硬化の部分が可溶であり、且つ、ソルダーレジスト前駆層４０のうち光硬化された部分が不溶である溶媒を用いることができる。このような溶媒としては、前記流動体を形成する際に使用したのと同様の溶媒が例示できる。
【００６５】
現像工程で得られたソルダーレジスト層３０が、更に光硬化し得るものである場合には、現像工程後に、更に光照射を行い光硬化を完結させる光硬化完結工程が行われることが好ましい。
【００６６】
また、現像工程で得られたソルダーレジスト層３０が熱硬化性樹脂を含むものである場合には、現像工程後に、ソルダーレジスト層３０を熱硬化させる熱硬化工程が行われることが好ましい。
【００６７】
（６．はんだバンプ形成工程）
更に、開口３１内の導体パッド２７上に、はんだバンプＳを設置するはんだバンプ形成工程を行う。本実施形態では更に、はんだバンプＳを設置する前に、接合層５０のうち、開口３１内に露出した部分をエッチングにより除去することが好ましい。本実施形態では更にまた、接合層５０の前記部分を除去することで露出した導体パッド２７の表面に、酸化を防止するための表面処理層（図示せず）を設けてからはんだバンプ形成工程を行うことが好ましい。表面処理層の具体例は既述の通りである。
【符号の説明】
【００６８】
１：プリント配線基板、２：積層基材、１２，２３，２６：導体層、１１，２１，２４：絶縁層、２６：表面導体層、２７：導体パッド（ＳＭＤパッド）、３０：ソルダーレジスト層、３１：開口（ＳＭＤ開口）、５０：接合層、Ｓ：はんだバンプ
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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