(57)【要約】【課題】本発明は、キャリア付き銅箔とキャリアとの間にある剥離が困難という点を克服することにある。【解決手段】本発明は、基板と、無機コンポジット膜と、金属電気メッキ層と、を包含する、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔及びその作成方法を提供し、前記無機コンポジット膜をスパッタリング方式で前記基板上に形成し、更に電気メッキ方式を利用して前記基板から遠離する前記無機コンポジット膜の一方に前記金属電気メッキ層を形成し、最後に前記無機コンポジット膜と前記金属電気メッキ層との結晶格子が異なるという特性により、前記金属電気メッキ層を破損させない状況下において、前記金属電気メッキ層を前記無機コンポジット膜から剥離し、且つ前記無機コンポジット膜は、高温の作成工程においてもその特性を維持することができ、前記金属電気メッキ層との低結合強度を保持し、剥離を行う際、前記金属電気メッキ層を破損することがない。【選択図】図２
2017193730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に無機コンポジット膜をスパッタリングするステップ１と、
電気メッキ方式を利用し、前記基板から遠離する前記無機コンポジット膜の一方に設置する金属電気メッキ層を形成するステップ２と、
前記無機コンポジット膜と前記金属電気メッキ層との結晶格子が異なるという特性を利用し、前記金属電気メッキ層を前記無機コンポジット膜から剥離するステップ３と、
を包含することを特徴とする、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法。
【請求項２】
ステップ２において、
スパッタリング方式を利用し、前記基板から遠離する前記無機コンポジット膜の一方に下地金属スパッタリング層を形成するステップ２Ａと、
前記下地金属スパッタリング層を電気メッキ基材とし、前記基板から遠離する前記下地金属スパッタリング層の一方に前記金属電気メッキ層を電気メッキにより形成するステップ２Ｂと、
を更に包含することを特徴とする請求項１に記載の、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法。
【請求項３】
ステップ１において、前記無機コンポジット膜の材料は、酸化インジウムスズ、酸化シリコン、酸化スズ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化クロム、酸化アルミニウム及びこれ等の組合せから成る群のいずれかとし、前記基板の材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ガラス及びこれ等の組合せから成る群のいずれかとし、ステップ２において、前記金属電気メッキ層の材料は、銅とし、ステップ２Ａにおいて、前記下地金属スパッタリング層の材料は、スズ、銀、タングステンを含有する銅合金とすることを特徴とする請求項２に記載の、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法。
【請求項４】
ステップ１において、前記無機コンポジット膜の厚さは５０ナノメートルから１０００ナノメートルの間を介し、ステップ２において、前記金属電気メッキ層の厚さは、０．５マイクロメートルから２０マイクロメートルの間に介し、ステップ２Ａにおいて、前記下地金属スパッタリング層の厚さは、２０ナノメートルから２０００ナノメートルの間に介することを特徴とする請求項２に記載の、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法。
【請求項５】
ステップ３において、
前記金属電気メッキ層に対してエッチングを行うことで、前記金属電気メッキ層が隙間エリアを有するステップ３Ａと、
離型剤を前記隙間エリア内に充填し、前記無機コンポジット膜上に剥離層を形成し、更に樹脂を前記隙間エリアに充填することで、前記樹脂が前記金属電気メッキ層を粘着して固定し、回路パターン層を形成するステップ３Ｂと、
前記回路パターン層を前記無機コンポジット膜から剥離するステップ３Ｃと、
を更に包含することを特徴とする請求項１に記載の、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリア付き銅箔であって、特にスパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔及び作成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
技術の進歩及び市場の需要に伴い、コンパクト化や早い応答、情報を多く転送するといった方向に向かって電子技術を発展しているため、現在の集積回路は、すべて三次元実装の技術を利用して複数のチップ或いはシステム等を同一の整合型基板内に整合しており、各チップ或いはシステムを接続する導線間の距離もまた、小型化する必要があるため、キャリア付き銅箔の技術に発展していった。
【０００３】
周知技術は、図１に開示しているように、先に基盤１上に粘着層２を形成し、前記粘着層２上に銅層３を形成し、最後に前記粘着層２の粘着特性を利用し、前記銅層３を剥離しているが、前記粘着層２は、通常、温度変化に対応可能な粘着剤を使用し、一定の範囲内の温度を許容することができるもの、これ等に関する作業工程を行う時の操作温度が許容範囲を超え、変質を起こし易いことから、前記銅層３をスムーズに剥離することができない。
【０００４】
また、特許文献１のように、キャリアの一方に、拡散防止層、剥離層、銅層を順次形成し、前記キャリアから遠離する前記銅層の一面は粗面であって、前記粗面を基板と接触し且つ熱圧を利用して結合し、最後に、前記銅層と前記剥離層とを剥離している。そのうち、前記剥離層は、材質をクロムとし、湿式メッキ方式によって前記キャリア上に形成しているが、湿式メッキ方式を利用すると、その過程において副産物が発生し易く、前記剥離層の緻密性に影響を与え、更には前記剥離層と前記銅層との間の付着力に影響し、前記銅層が前記剥離層から剥離しづらくなり、前記銅層の損傷が発生し易いため、改善する余地がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】アメリカ特許公告第ＵＳ７１７５９２０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の主要な目的は、キャリア付き銅箔とキャリアとの間にある剥離が困難という点を克服することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の問題を解決するため、本発明は、基板と、前記基板に設置する無機コンポジット膜と、前記基板から遠離する前記無機コンポジット膜の一方に設置する金属電気メッキ層と、を包含する、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔を提供している。
【０００８】
その他に、本発明は、
基板上に無機コンポジット膜をスパッタリングするステップ１と、
電気メッキ方式を利用し、前記基板から遠離する前記無機コンポジット膜の一方に金属電気メッキ層を形成するステップ２と、
前記無機コンポジット膜と前記金属電気メッキ層との結晶格子が異なるという特性を利用し、前記金属電気メッキ層を前記無機コンポジット膜から剥離するステップ３と、
を包含する、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法をさらに提供している。
【発明の効果】
【０００９】
以上のことから、本発明は以下のような特徴を有している。
１．スパッタリング方式により、前記無機コンポジット膜を形成するため、前記無機コンポジット膜の緻密性と結晶性を向上ことができ、更には、前記無機コンポジット膜と前記金属電気メッキ層との結晶格子が異なるという特性を利用し、前記金属電気メッキ層を前記無機コンポジット膜から容易に剥離することができる。
２．前記金属電気メッキ層の電気めっき時間と電流量を制御することで、その厚さと結晶の大きさを制御することができ、且つ電気めっきを利用して形成した結晶の大きさは、均一で、その後の作業を行う時、より微細化した回路に達することができる。
３．前記無機コンポジット膜は、高温の環境下においても、前記金属電気メッキ層との低結合強度を保つことができ、容易に剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】周知技術の構成を示す断面図である。
【図２】本発明に係る好ましい実施例の構成を示す断面図である。
【図３】本発明に係る好ましい実施例を示すフローチャートである。
【図４】本発明に係る好ましい実施例の一連の作成工程を示す模式図である。
【図５】本発明に係る好ましい実施例の一連の作成工程を示す模式図である。
【図６】本発明に係る好ましい実施例の一連の作成工程を示す模式図である。
【図７】本発明に係る好ましい実施例の一連の作成工程を示す模式図である。
【図８】本発明に係る好ましい実施例の一連の作成工程を示す模式図である。
【図９】本発明に係る好ましい実施例の一連の作成工程を示す模式図である。
【図１０】本発明に係る好ましい実施例の一連の作成工程を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に本発明に係る技術内容を図に合わせて説明する。
図２を参照すると、本発明は、基板１０と、無機コンポジット膜２０と、金属電気メッキ層３０とを包含し、前記無機コンポジット膜２０は、前記基板１０上に設置され、前記金属電気メッキ層３０は、前記基板１０から遠離する前記無機コンポジット膜２０の一方に設置している。そのうち、前記無機コンポジット膜２０は、スパッタリング方式により形成され、前記金属電気メッキ層３０は、電気メッキ方式により形成され、前記無機コンポジット膜２０はスパッタリング方式を利用して形成していることから、緻密性と結晶性とが好ましく、且つ、前記無機コンポジット膜２０と前記金属電気メッキ層３０との互いの結晶が異なるため、前記金属電気メッキ層３０を前記無機コンポジット膜２０から容易に剥離することができる。
【００１２】
また、前記基板１０の材料は、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ，ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ，ＰＥＮ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ＰＩ）、ガラス等とすることができ、前記無機コンポジット膜２０は、セラミック材料であって、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化タングステン（ＷＯｘ）、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）或いはそれらの組み合わせ等とすることができ、且つ、前記無機コンポジット膜２０が高温の環境下においても、低結合強度を保つことで、その後の作業工程を円滑に進行させることができ、前記金属電気メッキ層３０の材質は、銅としている。
【００１３】
本実施例では、前記無機コンポジット膜２０と前記金属電気メッキ層３０との間に下地金属スパッタリング層４０を更に包含し、前記下地金属スパッタリング層４０をスパッタリングすることにより導電性を向上することができ、且つ前記下地金属スパッタリング層４０を電気メッキ基材とすることで、前記下地金属スパッタリング層４０上に前記金属電気メッキ層３０を容易に電気メッキすることができる。また、スパッタリング方式を利用することで、大量の薄膜応力が前記下地金属スパッタリング層４０上に発生し、付着力が低減し、容易に剥離を行うことができる。
【００１４】
また、前記下地金属スパッタリング層４０は、材質を銅、或いはスズ、銀、タングステン等を含む銅合金等とすることができ、且つ新たに加える金属がその後行われる極細回路のエッチングに有利か否かを考慮しなければならない。
【００１５】
前記無機コンポジット膜２０の厚さは、５０ナノメートルから１０００ナノメートルの間に介し、前記下地金属スパッタリング層４０の厚さは、２０ナノメートルから２０００ナノメートルの間に介し、前記金属電気メッキ層３０の厚さは、０．５マイクロメートルから２０マイクロメートルの間に介している。そのうち、前記下地金属スパッタリング層４０の厚さは、厚ければ厚いほど、薄膜応力が容易に蓄積して残留することで、前記下地金属スパッタリング層４０と、前記金属電気メッキ層３０とが前記無機コンポジット膜２０から容易に剥離することができる。
【００１６】
また、前記金属電気メッキ層３０は、エッチングを介して形成する隙間エリア３１（図７を参照）を更に包含し、樹脂５０を前記隙間エリア３１に充填することで、前記樹脂５０は、前記金属電気メッキ層３０を粘着して固定し、回路パターン層７０を形成し、これにより、前記金属電気メッキ層３０を剥離する際に破損することを防ぐことができ、本実施例では、前記下地金属スパッタリング層４０を更に有していることから、前記下地金属スパッタリング層４０と前記金属電気メッキ層３０とは、同時にエッチングされている。
【００１７】
これ以外に、前記樹脂５０と前記無機コンポジット膜２０との間に、剥離層６０を更に設けることができ、前記剥離層６０は、前記樹脂５０が前記無機コンポジット膜２０に粘着し、容易に剥離することができないという問題を防ぐことができ、前記剥離層６０は、離型剤であって、シリコンオイル系、フッ素系或いはポリエーテルポリオール系とすることができ、そのうち、シリコンオイル系は、シロキサン化合物、シリコンオイル、シリコンメチル鎖状シリコンオイル、メチルシリコンオイル、乳化メチルシリコンオイル、メチルハイドロジェンシリコンオイル、シリコングリス、シリコン樹脂、シリコンゴム、シリコンゴムトルエン溶液等とすることができ、フッ素系は、ポリテトラフルオロエチレン、フッ素樹脂粉末、フッ素樹脂塗料等とすることができ、ポリエーテルポリオール系は、ポリエーテルポリオール及びグリスの混合物とすることができる。
【００１８】
次に、図３及び図４乃至図１０を参照すると、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法であって、以下のようなステップを包含している。
【００１９】
基板１０上に無機コンポジット膜２０をスパッタリングするステップ１は、図４のように、スパッタリングを利用し、前記基板１０上に前記無機コンポジット膜２０を形成し、そのうち、前記基板１０は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ガラス或いはこれ等の組合せ等とすることができ、前記無機コンポジット膜２０は、セラミック材料であって、酸化インジウムスズ、酸化シリコン、酸化スズ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化クロム、酸化アルミニウム或いはこれらの組合せ等とすることができ、その厚さは５０ナノメートルから１０００ナノメートルの間に介している。
【００２０】
金属電気メッキ層３０を形成するステップ２は、電気メッキ方式を利用し、前記基板１０から遠離する前記無機コンポジット膜２０の一方に前記金属電気メッキ層３０を形成し、電気メッキの時間と電流量を制御することで、前記金属電気メッキ層３０の厚さと結晶の大きさを制御することができ、また、電気メッキを利用して形成する結晶の大きさは均一で、その後エッチングする際、より微細化した回路に達することができる。本実施例では、以下のようなステップを更に包含している。
【００２１】
下地金属スパッタリング層４０を形成するステップ２Ａは、図５のように、前記無機コンポジット膜２０の材料の導電性が好ましくない場合、前記金属電気メッキ層３０の電気メッキ効果を向上させるため、本実施例では、まずスパッタリング方式により前記基板１０から遠離する前記無機コンポジット膜２０の一方に下地金属スパッタリング層４０を形成し、前記下地金属スパッタリング層４０の材料は、銅、或いはスズ、銀、タングステンを含有する銅合金等とすることができ、且つその厚さは２０ナノメートルから２０００ナノメートルの間を介している。
【００２２】
ステップ２Ｂは、図６のように、さらに、前記下地金属スパッタリング層４０を電気メッキ基材とし、前記基板１０から遠離する前記下地金属スパッタリング層４０の一方に前記金属電気メッキ層３０を電気メッキにより形成し、前記金属電気メッキ層３０の材料は本実施例において銅とし、且つその厚さは０．５マイクロメートルから２０マイクロメートルの間を介している。
【００２３】
剥離を行うステップ３は、前記無機コンポジット膜２０と前記金属電気メッキ層３０との結晶格子が異なるという特性を利用し、前記金属電気メッキ層３０を前記無機コンポジット膜２０から容易に剥離することができ、剥離された前記金属電気メッキ層３０は、直接その後の作業工程を行うことができるが、本実施例では、前記下地金属スパッタリング層４０を更に具備することから、剥離する際、前記下地金属スパッタリング層４０と前記金属電気メッキ層３０とを一緒に前記無機コンポジット膜２０上から剥離し、且つ、前記下地金属スパッタリング層４０と前記無機コンポジット膜２０ともまた、結晶格子が異なるという特性を有することから、容易に剥離することができる。また、本実施例において、以下のようなステップを更に包含することができる。
【００２４】
前記金属電気メッキ層３０と前記下地金属スパッタリング層４０とに対してエッチングを行うステップ３Ａは、図７のように、前記金属電気メッキ層３０と前記下地金属スパッタリング層４０とに対してエッチングを行うことで、前記金属電気メッキ層３０と前記下地金属スパッタリング層４０とにエッチングにより発生する隙間エリア３１を有し、且つ前記金属電気メッキ層３０と前記下地金属スパッタリング層４０とをその後の回路設計のニーズに基づき、対応するパターンを形成している。
【００２５】
回路パターン層７０を形成するステップ３Ｂは、図８乃至図９のように、前記隙間エリア３１に離型剤を充填し、前記無機コンポジット膜２０上に剥離層６０を形成し、更に、前記隙間エリア３１に樹脂５０を充填し、且つ加熱或いは紫外線照射等の方式を利用して前記樹脂５０を硬化させ、前記金属電気メッキ層３０、前記下地金属スパッタリング層４０及び前記剥離層６０とを粘着させて固定し、回路パターン層７０を形成し、そのうち、前記剥離層６０の効果は、前記樹脂５０が前記無機コンポジット膜２０と粘着し、前記回路パターン層７０が前記無機コンポジット膜２０から容易に剥離しないことと、前記回路パターン層７０が破損することとを防止することにある。
【００２６】
最後の、前記回路パターン層７０を剥離するステップ３Ｃは、図１０のように、前記回路パターン層７０を前記無機コンポジット膜２０上から剥離してその後の作業工程を行い、高密度で極めて細い回路のプリント基板、多層プリント基板、ＣＯＦ及び軟性ハイエンド電子パッケージ等に応用することができる。
【００２７】
また、ステップ３Ｂにおいて、前記離型剤を加えなくても良く、これにより、作成工程の複雑度を低減することができ、且つ、低粘度の前記樹脂５０を使用することで、前記樹脂５０が前記無機コンポジット膜２０を粘着し、剥離する際、前記回路パターン層７０が破損するという問題を防ぐことができる。
【００２８】
また、剥離完了後、前記回路パターン層７０上に前記無機コンポジット膜２０が残留した場合、前記回路パターン層７０を傷つけることなく、選択型エッチングによってエッチングすることができる。
【００２９】
さらにまた、本発明は、先にエッチングを行わず、まず前記基板１０と前記金属電気メッキ層３０との剥離を行った後（作成行程に前記下地金属スパッタリング層４０が包含している場合、前記下地金属スパッタリング層４０も一緒に剥離する）、前記金属電気メッキ層３０をフェノール紙基材等といった絶縁基材（図示されていない）に貼り付け、更にフォトリソグラフィ等の作成工程を行うことで、その後の応用を行っている。
【００３０】
以上のことより、本発明は以下のような特徴を有している。
第一に、スパッタリング方式を利用して形成する前記無機コンポジット膜は、緻密性と結晶性が好ましく、且つ前記無機コンポジット膜と前記金属電気メッキ層との結晶格子が異なることから、容易に前記金属電気メッキ層と前記無機コンポジット膜とを剥離することができる。
第二に、スパッタリング方式を利用して形成する前記下地金属スパッタリング層は、大量の薄膜応力が前記下地金属スパッタリング層に残留し、付着力が好ましくないことから、前記基板との間の剥離を容易にしている。
第三に、前記下地金属スパッタリング層をスパッタリングしたことにより、比較的導電性が好ましくない前記無機コンポジット膜に代わって電気メッキの基材とすることができ、且つ前記金属電気メッキ層を更に容易に前記下地金属スパッタリング層に電気メッキすることができる。
第四に、先に前記下地金属スパッタリング層を利用して電気メッキの基材を形成し、続いて堆積速度が比較的速い金属メッキ方式を利用して前記金属電気メッキ層を形成することから、金属結晶格子の成形の安定性とメッキ速度とを同時に考慮することで、量産に必要なコスト収益を符合している。
第五に、前記樹脂を前記隙間エリアの充填することによって、前記樹脂が前記金属電気メッキ層を粘着し、前記金属電気メッキ層を剥離する際の破損を防ぐことができる。
第六に、前記剥離層を設置することによって、前記樹脂が前記無機コンポジット膜と粘着し、容易に剥離することができないという問題を防ぐことができる。
第七に、前記無機コンポジット膜は、高温の環境下においても、前記金属電気メッキ層及び前記下地金属スパッタリング層との低結合強度を保持することができ、容易に剥離することができる。
第八に、前記金属電気メッキ層は、電気メッキの時間と電流量を制御することで、その厚さと結晶の大きさとを制御し、且つ電気メッキを利用して形成した結晶の大きさは均一で、その後エッチングを行う際、より微細化した回路に達成することができる。
【符号の説明】
【００３１】
１      基板
２      粘着層
３      銅層
１０    基板
２０    無機コンポジット膜
３０    金属電気メッキ層
３１    隙間エリア
４０    下地金属スパッタリング層
５０    樹脂
６０    剥離層
７０    回路パターン層
【図１】
2017193730.tif 000003
【図２】
2017193730.tif 000004
【図３】
2017193730.tif 000005
【図４】
2017193730.tif 000006
【図５】
2017193730.tif 000007
【図６】
2017193730.tif 000008
【図７】
2017193730.tif 000009
【図８】
2017193730.tif 000010
【図９】
2017193730.tif 000011
【図１０】
2017193730.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月12日(2017.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、材質が酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化タングステン或いはこれらの組合せから成る群のいずれかである無機コンポジット膜をスパッタリングするステップ１と、
電気メッキ方式を利用し、前記基板から遠離する前記無機コンポジット膜の一方に設置する金属電気メッキ層を形成するステップ２と、
前記無機コンポジット膜と前記金属電気メッキ層との結晶格子が異なるという特性を利用し、前記金属電気メッキ層を前記無機コンポジット膜から剥離するステップ３と、
を包含することを特徴とする、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法。
【請求項２】
ステップ２において、
スパッタリング方式を利用し、前記基板から遠離する前記無機コンポジット膜の一方に下地金属スパッタリング層を形成するステップ２Ａと、
前記下地金属スパッタリング層を電気メッキ基材とし、前記基板から遠離する前記下地金属スパッタリング層の一方に前記金属電気メッキ層を電気メッキにより形成するステップ２Ｂと、
を更に包含することを特徴とする請求項１に記載の、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法。
【請求項３】
ステップ１において、前記基板の材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ガラス及びこれ等の組合せから成る群のいずれかとし、ステップ２において、前記金属電気メッキ層の材料は、銅とし、ステップ２Ａにおいて、前記下地金属スパッタリング層の材料は、銅スズ合金、銅銀合金、銅タングステン合金、銅スズ銀合金、銅銀タングステン合金、銅スズタングステン合金或いは銅スズ銀タングステン合金のいずれかの合金とすることを特徴とする請求項２に記載の、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法。
【請求項４】
ステップ１において、前記無機コンポジット膜の厚さは５０ナノメートルから１０００ナノメートルの間を介し、ステップ２において、前記金属電気メッキ層の厚さは、０．５マイクロメートルから２０マイクロメートルの間に介し、ステップ２Ａにおいて、前記下地金属スパッタリング層の厚さは、２０ナノメートルから２０００ナノメートルの間に介することを特徴とする請求項２に記載の、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法。
【請求項５】
ステップ３において、
前記金属電気メッキ層に対してエッチングを行うことで、前記金属電気メッキ層が隙間エリアを有するステップ３Ａと、
離型剤を前記隙間エリア内に充填し、前記無機コンポジット膜上に剥離層を形成し、更に樹脂を前記隙間エリアに充填することで、前記樹脂が前記金属電気メッキ層を粘着して固定し、回路パターン層を形成するステップ３Ｂと、
前記回路パターン層を前記無機コンポジット膜から剥離するステップ３Ｃと、
を更に包含することを特徴とする請求項１に記載の、スパッタリング式無機コンポジット膜を具備するキャリア付き銅箔の作成方法。