(57)【要約】【課題】信頼性を向上させることができる半導体モジュール、半導体装置、及び電気光学装置を提供する。【解決手段】複数の外部接続端子２０２が複数列に並んで配置された半導体モジュール２００であって、複数の外部接続端子２０２のうち同じ電源線と繋がる外部接続端子２０２は、複数列のうち半導体モジュール２００の外周側の列に配置されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の端子が複数列に並んで配置された半導体モジュールであって、
前記複数の端子のうち同じ電源線と繋がる端子は、前記複数列のうち少なくとも前記半導体モジュールの外周側の列に配置されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体モジュールであって、
前記同じ電源線と繋がる端子は、前記半導体モジュールの内側から外側に向かうように連続して並んで配置されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体モジュールであって、
前記複数の端子は、デジタル信号が供給されるデジタル信号端子と、アナログ信号が供給されるアナログ信号端子と、を有し、
前記同じ電源線と繋がる端子は、前記デジタル信号端子が配置される第１領域と、前記アナログ信号端子が配置される第２領域との間に、配置されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の半導体モジュールであって、
前記同じ電源線と繋がる端子は、最短経路で並ぶように配置されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体モジュールと、
前記半導体モジュールの前記複数の端子と電気的に接続される回路基板と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュール、半導体装置、及び電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記半導体装置を備えたものとして、例えば、基板上に素子基板と対向基板との間に液晶層が挟持された構造の液晶装置が挙げられる。液晶装置は、例えば、プロジェクターのライトバルブなどに用いられる。
【０００３】
半導体装置を構成するものとして、例えば、特許文献１に記載のように、実装用の端子がマトリクス状に配置されたパッケージを有するものが知られている。このような多列状の端子が配列された半導体装置は、例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）やＨＭＴ（Hybrid Manufacturing Technologies Package）（登録商標）などの半導体モジュールと、半導体モジュールが載置される複数枚の基板が積層されて構成された回路基板と、を有する。
【０００４】
この積層された回路基板は、かかるコストを抑えるために、多列状の端子のうち内周側に、回路基板を貫通する貫通ビア（スルーホールビア）を用いて、電源線と接続された電源層（ＧＮＤ層）などと電気的な接続を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２５０６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、回路基板における多列状の端子のうち内側に多く貫通孔が形成されることから、半導体モジュールと回路基板との間の抵抗が増え、半導体装置の動作が不安定になるという課題がある。また、抵抗が増えると熱が発生しやすくなり、半導体モジュールの許容の熱量を超えると、半導体モジュールが破壊する恐れがあるという課題がある。更に、繋がった電源線を経路とした放熱効果が低下するという課題がある。
【０００７】
また、このような半導体装置は、例えば、上記プロジェクターにおいて各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）それぞれに設けられている場合もあるが、小型化に伴って、１つの半導体装置で駆動させることが多くなってきている。よって、多列状に配列された端子数が多くなり、これら多くの貫通孔や端子を避けて外側に引き出し、回路基板の電源線と接続された配線パターンと電気的に接続できないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る半導体モジュールは、複数の端子が複数列に並んで配置された半導体モジュールであって、前記複数の端子のうち同じ電源線と繋がる端子は、前記複数列のうち少なくとも前記半導体モジュールの外周側の列に配置されていることを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、同じ電源線（ＧＮＤを含む）と繋がる端子が、半導体モジュールの外側の列に配置されているので、例えば、半導体モジュールが載置される回路基板に形成された、同じ電源線と繋がる配線パターンに電気的に接続させやすくすることができる。言い換えれば、同じ電源線と繋がる配線を半導体モジュールの外側に容易に引き出すことができる。また、半導体モジュールの端子の数が増えた場合でも、半導体モジュールの外側に電源線を容易に引き出すことができる。加えて、同じ電源線と確実に繋げることが可能となるので、電源線を経路とした放熱効果を高めることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る半導体モジュールにおいて、前記同じ電源線と繋がる端子は、前記半導体モジュールの内側から外側に向かうように連続して並んで配置されていることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、同じ電源線（ＧＮＤを含む）と繋がる端子を半導体モジュールの内側から外側に向かうように隣り合って（連続して）配置するので、半導体モジュールの電源線を容易に、半導体モジュールの外側に引き出すことができる。また、電源線と繋がる端子を連続的に配置するので、例えば、半導体モジュールが載置される回路基板に貫通孔を形成する必要がなく、半導体モジュールと回路基板との間の電気抵抗を小さくすることが可能となる。よって、電気抵抗に起因に起因して、半導体モジュールの動作が不安定になることを抑えることができる。更に、電気抵抗によって加熱されることに起因する、半導体モジュールが破壊することを防ぐことができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る半導体モジュールにおいて、前記複数の端子は、デジタル信号が供給されるデジタル信号端子と、アナログ信号が供給されるアナログ信号端子と、を有し、前記同じ電源線と繋がる端子は、前記デジタル信号端子が配置される第１領域と、前記アナログ信号端子が配置される第２領域との間に、配置されていることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、デジタル信号端子が集まる第１領域と、アナログ信号端子が集まる第２領域と、の間に電源線（ＧＮＤを含む）と繋がる端子を配置するので、境界の電位を安定させることが可能となり、ノイズが発生することを抑えることができる。特に、ノイズに弱いアナログ信号端子にノイズが発生することを抑えることができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係る半導体モジュールにおいて、前記同じ電源線と繋がる端子は、最短経路で並ぶように配置されていることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、最短経路になるように並んでいるので、長く引き回すように配置する方法と比較して、電気抵抗を小さくすることができる。よって、電気抵抗に起因して、半導体モジュールの動作が不安定になることを抑えることができる。更に、電気抵抗によって加熱されることに起因する、半導体モジュールが破壊することを防ぐことができる。
【００１７】
［適用例５］本適用例に係る半導体装置は、上記半導体モジュールと、前記半導体モジュールの前記複数の端子と電気的に接続される回路基板と、を有することを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、上記半導体モジュールと回路基板とを有するので、回路基板に貫通孔を形成することなく、半導体モジュールの電源線と繋がる端子と、回路基板に形成された同じ電源線と繋がる、例えば、配線パターンとを電気的に接続させることができる。よって、回路基板に貫通孔が形成されることによる、半導体モジュールと回路基板との間の電気抵抗を小さくすることが可能となる。これにより、電気抵抗に起因に起因して、半導体モジュールの動作が不安定になることを抑えることができる。更に、電気抵抗によって加熱されることに起因する、半導体モジュールが破壊することを防ぐことができる。
【００１９】
［適用例６］本適用例に係る電気光学装置は、上記半導体装置を備えることを特徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、上記半導体装置を備えているので、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】半導体装置の構成を示す概略斜視図。
【図２】半導体装置を構成する半導体モジュールの構成を示す概略斜視図。
【図３】（ａ）は図２に示す半導体モジュールを上方からみた概略平面図、（ｂ）は（ａ）の半導体モジュールのＡ−Ａ’線に沿う概略断面図。
【図４】半導体装置を構成する回路基板の構成を示す模式図であり、（ａ）は回路基板を上方からみた概略平面図、（ｂ）は（ａ）に示す回路基板のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図。
【図５】回路基板の構成の具体例を示す模式図であり、（ａ）は回路基板の構造を示す模式断面図、（ｂ）〜（ｅ）は各層の基板を分解して示す概略平面図。
【図６】第１実施形態の半導体装置の構成の具体例を示す概略図であり、（ａ）は半導体装置の構成を上方から見た概略平面図、（ｂ）は（ａ）に示す半導体装置のＣ−Ｃ’線に沿う概略断面図。
【図７】半導体モジュールの構造の具体例を示す概略平面図。
【図８】回路基板の構造の具体例を示す概略平面図。
【図９】電気光学装置としてのプロジェクターの構成を示す概略図。
【図１０】第２実施形態の半導体装置の構造の具体例を示す模式図であり、（ａ）は半導体装置を構成する半導体モジュールの構造を示す概略平面図、（ｂ）は半導体装置を構成する回路基板の構造を示す概略平面図。
【図１１】半導体装置の変形例の構造を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２３】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２４】
（第１実施形態）
＜半導体装置の基本構成＞
図１は、半導体装置の構成を示す概略斜視図である。以下、半導体装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、図１は、半導体装置を構成する半導体モジュールの一部分の内部構造を図示している。
【００２５】
図１に示すように、半導体装置１００は、半導体モジュール２００と、半導体モジュール２００と電気的に接続される回路基板３００と、を有している。
【００２６】
半導体モジュール２００の内部には、半導体素子２０１が配置されている。半導体素子２０１の周辺には、複数の外部接続端子２０２がアレイ状に配置されている。
【００２７】
回路基板３００には、半導体モジュール２００を載置する載置部３０１が設けられている。回路基板３００は、載置部３０１の領域から複数の配線３０２が周囲に延在している。つまり、回路基板３００を介して、半導体モジュール２００を構成する半導体素子２０１によって処理された信号を、外部の装置との間で送受することができる。
【００２８】
＜半導体モジュールの基本構成＞
図２は、半導体装置を構成する半導体モジュールの構成を示す概略斜視図である。図３（ａ）は図２に示す半導体モジュールを上方からみた概略平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の半導体モジュールのＡ−Ａ’線に沿う概略断面図である。以下、半導体モジュールの構成を、図２及び図３を参照しながら説明する。なお、図２に示す半導体モジュールは、上記したように、一部内部の構造を図示している。
【００２９】
図２及び図３に示すように、半導体モジュール２００は、半導体素子２０１と、半導体素子２０１の下面側に配置された放熱板２０３と、放熱板２０３の周囲に多列状に配置された複数の外部接続端子２０２と、半導体素子２０１、放熱板２０３、及び複数の外部接続端子２０２の一部を覆うように配置された封止樹脂２０４と、を備えている。半導体素子２０１と外部接続端子２０２とは、ボンディングワイヤ２０５を介して電気的に接続されている。
【００３０】
放熱板２０３は、半導体素子２０１に蓄積された熱を放熱させるために広い面積を有している。また、放熱板２０３は、全面ＧＮＤに接続されている。
【００３１】
＜回路基板の基本構成＞
図４は、半導体装置を構成する回路基板の構成を示す模式図であり、（ａ）は回路基板を上方からみた概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す回路基板のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図である。図５は、回路基板の配線の接続方法を示す模式図であり、（ａ）は回路基板の構造を示す模式断面図であり、（ｂ）〜（ｅ）は各層の基板を分解して示す概略平面図である。以下、回路基板の構成を、図４及び図５を参照しながら説明する。
【００３２】
図４（ａ）に示すように、回路基板３００は、上記した半導体モジュール２００と電気的に接続される部分である載置部３０１と、載置部３０１に形成された外部接続パッド３０３と、外部接続パッド３０３から回路基板３００の各領域まで延在して形成された配線３０２と、を有している。
【００３３】
載置部３０１には、半導体モジュール２００の放熱板２０３と接触する放熱パッド３０４が形成されている。このように、放熱板２０３と放熱パッド３０４とが、広い面積（半導体モジュールの平面的な面積に対して放熱板２０３の平面的な面積の割合が大きい）で接触していることにより、半導体素子２０１に蓄積された熱を放熱させることができる。
【００３４】
また、載置部３０１には、半導体モジュール２００の外部接続端子２０２と電気的に接続される外部接続パッド３０３が、外部接続端子２０２の配置位置に対応して形成されている。
【００３５】
また、回路基板３００は、図４（ｂ）に示すように、４つの基板（３１１，３１２，３１３，３１４）が積層されて構成されている。具体的には、回路基板３００は、上層（半導体モジュール２００側）から第１基板３１１、第２基板３１２、第３基板３１３、及び最下層の第４基板３１４が積層されている。
【００３６】
第１基板３１１は、上記したように、半導体モジュール２００が載置される基板である。第２基板３１２〜第４基板３１４は、例えば、第１基板３１１で配線の接続ができないような場合、コンタクトホールや配線を介して迂回して接続するために用いられる。
【００３７】
例えば、図４（ｂ）に示す断面図では、放熱パッド３０４に近い外部接続パッド３０３ａの下層（第１基板３１１〜第４基板３１４）に貫通孔（コンタクトホール３３１，３３２）を設け、第４基板３１４の裏面側３１４ａの配線に電気的に接続される例を示している。
【００３８】
ここで、図５（ｂ）に示すように、最上層の第１基板３１１において、第１配線３２１によって互いに分離された、第２配線３２２から第３配線３２３に電気的に接続する方法を、図５を参照しながら説明する。
【００３９】
図５（ａ）に示すように、回路基板３００は、４つの基板（３１１〜３１４）が積層されて構成されている。図５（ｂ）は、最上層の第１基板３１１の構成を示す概略平面図である。図５（ｃ）は、２層目の第２基板３１２の構成を示す概略平面図である。図５（ｄ）は、３層目の第３基板３１３の構成を示す概略平面図である。図５（ｅ）は、最下層である４層目の第４基板３１４の構成を示す概略平面図である。なお、第３基板３１３には、電源線（ＧＮＤ）と接続された電源／ＧＮＤ層３４０が形成されている。
【００４０】
この電源／ＧＮＤ層３４０にコンタクトホール３３１，３３２などの貫通孔が形成されていると、インピーダンス（抵抗）が高くなる。同じ電源線に繋がる電源／ＧＮＤ層３４０の抵抗が高くなると、熱を逃がす経路としての抵抗も高くなり、放熱しにくくなる。なお、本実施形態では、電源線にＧＮＤも含まれているものとする。
【００４１】
図５（ａ）に示すように、第１基板３１１に形成された第２配線３２２は、第１基板３１１〜第４基板３１４を貫通する第１コンタクトホール３３１と電気的に接続されている。第１コンタクトホール３３１は、例えば、かかるコストを抑えるために、第１基板３１１〜第４基板３１４まで貫通して形成されている。
【００４２】
一方、第３配線３２３は、第１基板３１１〜第４基板３１４を貫通する第２コンタクトホール３３２と電気的に接続されている。第１コンタクトホール３３１と第２コンタクトホール３３２とは、第２基板３１２に形成された第４配線３２４によって、電気的に接続されている。
【００４３】
これにより、第２配線３２２と第３配線３２３との間に、異なる電源線と接続された第１配線３２１が形成されている場合でも、第２配線３２２と第３配線３２３とを電気的に接続させることができる。
【００４４】
なお、第１コンタクトホール３３１及び第２コンタクトホール３３２を形成することにより、電源／ＧＮＤ層３４０が形成された第３基板３１３に貫通孔３３１ａ，３３２ａが形成される。これにより、電源／ＧＮＤ層３４０の抵抗が高くなる。このように、貫通孔を設けることにより、半導体装置１００に影響を及ぼすことがある。
【００４５】
＜第１実施形態の半導体装置の構成の具体例＞
図６は、半導体装置の構成の具体例を示す概略図であり、（ａ）は半導体装置の構成を上方から見た概略平面図、（ｂ）は（ａ）に示す半導体装置のＣ−Ｃ’線に沿う概略断面図である。図７は、半導体装置を構成する半導体モジュールの構造の具体例を示す概略平面図である。図８は、半導体装置を構成する回路基板の構造の具体例を示す概略平面図である。以下、半導体装置の構成を、図６〜図８を参照しながら説明する。
【００４６】
図６に示すように、半導体装置１００は、上記したように、半導体モジュール２００と、半導体モジュール２００と電気的に接続される回路基板３００と、を有している。
【００４７】
図６（ａ）及び図７に示すように、半導体モジュール２００を構成する外部接続端子２０２のうち、同じ電源線（ＧＮＤ）と電気的に接続される外部接続端子２０２は、放熱板２０３に近い側から外側に向かって順に、外部接続端子２０２ｘ、外部接続端子２０２ｙ、外部接続端子２０２ｚが隣り合うように配置されている。
【００４８】
更に、同じ電源線と接続される外部接続端子２０２ｘ，２０２ｙ，２０２ｚは、放熱板２０３側から外側に向かって、最短距離で引き出せるように配置されている。なお、本実施形態では、半導体モジュール２００のうちの３か所の部分と、それぞれ異なる電源線とが電気的に接続される場合を示している。
【００４９】
一方、図６（ａ）及び図８に示すように、回路基板３００は、半導体モジュール２００が配置される載置部３０１にある外部接続パッド３０３の一部から、載置部３０１の外側に引き出された第１電源配線３５１が形成されている。
【００５０】
なお、回路基板３００には、例えば、第１電源線と異なる第２電源線と接続された第２電源配線３５２、第１電源線及び第２電源線と異なる第３電源線と接続された第３電源配線３５３が形成されている。
【００５１】
このように形成された半導体モジュール２００と回路基板３００とを貼り合わせると、図６に示すように、回路基板３００に形成された、例えば第１電源配線３５１と半導体モジュール２００に設けられた外部接続端子２０２ｘ，２０２ｙ，２０２ｚまで、最短距離で接続することができる。
【００５２】
なお、第１電源配線３５１には、半導体モジュールの外部接続端子２０２ｘ，２０２ｙ，２０２ｚの配置に対応して、外部接続パッド３０３が形成されている。
【００５３】
更に、外部接続端子２０２ｘ，２０２ｙ，２０２ｚが放熱板２０３側から外側に向かうように、隣り合って連続的に配置されているので、回路基板３００の第３基板３１３に形成された電源／ＧＮＤ層３４０（図５（ｄ）参照）に孔を空けることなく、各電源配線３５１，３５２，３５３を電気的に接続することができる。よって、電源／ＧＮＤ層３４０の抵抗を小さくすることが可能となり、その結果、半導体モジュール２００が加熱することを抑えることができる。
【００５４】
また、複数の外部接続端子２０２のうちデジタル信号が供給される外部接続端子２０２（デジタル信号端子）の領域（Ｄ）と、アナログ信号が供給される外部接続端子２０２（アナログ信号端子）の領域（Ａ）との間に、同じ電源線と接続される外部接続端子２０２ｘ，２０２ｙ，２０２ｚが配置されることが好ましい。
【００５５】
これによれば、デジタル信号が供給される領域（第１領域）と、アナログ信号が供給される領域（第２領域）と、の境界の電位を安定させることが可能となり、ノイズが発生することを抑えることができる。特に、ノイズに弱いアナログ信号が供給される領域にノイズが発生することを抑えることができる。
【００５６】
＜電気光学装置としてのプロジェクターの構成＞
図９は、電気光学装置としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。以下、プロジェクターの構成を、図９を参照しながら説明する。
【００５７】
図９に示すように、本実施形態のプロジェクター１００１は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。
【００５８】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００５９】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００６０】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００６１】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００６２】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００６３】
液晶ライトバルブ１２１０は、例えば、液晶パネルを備えた液晶装置が適用されたものである。液晶装置は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００６４】
上記半導体装置１００は、外部の装置と液晶装置との間で信号を送受するために、液晶装置の近傍に配置されている。また、本実施形態の半導体装置１００は、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用の液晶装置にそれぞれ設けられている形態ではなく、１つの半導体装置１００で、それぞれの液晶装置と処理された信号の送受を行っている。
【００６５】
このようなプロジェクター１００１によれば、上記半導体装置１００を備えているので、信頼性の高いプロジェクター１００１を提供することができる。
【００６６】
なお、半導体装置１００が搭載される電気光学装置としては、プロジェクター１００１の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００６７】
以上詳述したように、第１実施形態の半導体モジュール２００、半導体装置１００、及びプロジェクター１００１によれば、以下に示す効果が得られる。
【００６８】
（１）第１実施形態の半導体モジュール２００によれば、同じ電源線（ＧＮＤを含む）と繋がる外部接続端子２０２ｘ，２０２ｙ，２０２ｚを半導体モジュール２００の内側から外側に向かうように隣り合って（連続的に）配置するので、半導体モジュール２００の電源線を容易に、半導体モジュール２００の外側に引き出すことができる。また、電源線と繋がる端子を連続的に配置するので、例えば、半導体モジュール２００が載置される回路基板３００に貫通孔を形成する必要がなく、半導体モジュール２００と回路基板３００との間の電気抵抗を小さくすることが可能となる。よって、電気抵抗に起因に起因して、半導体モジュール２００の動作が不安定になることを抑えることができる。更に、電気抵抗によって加熱されることに起因する、半導体モジュール２００が破壊することを防ぐことができる。
【００６９】
（２）第１実施形態の半導体モジュール２００によれば、外部接続端子２０２ｘ，２０２ｙ，２０２ｚが最短経路になるように並んでいるので、長く引き回すように配置する方法と比較して、電気抵抗を小さくすることができる。よって、電気抵抗に起因に起因して、半導体モジュールの動作が不安定になることを抑えることができる。更に、電気抵抗によって加熱されることに起因する、半導体モジュールが破壊することを防ぐことができる。
【００７０】
（３）第１実施形態の半導体モジュール２００によれば、デジタル信号端子が集まる領域と、アナログ信号端子が集まる領域と、の間に電源線（ＧＮＤを含む）と繋がる外部接続端子２０２ｘ，２０２ｙ，２０２ｚを配置するので、境界の電位を安定させることが可能となり、ノイズが発生することを抑えることができる。特に、ノイズに弱いアナログ信号の外部接続端子２０２にノイズが発生することを抑えることができる。
【００７１】
（４）第１実施形態の半導体装置１００によれば、上記半導体モジュールと回路基板とを有するので、回路基板に貫通孔を形成することなく、半導体モジュールの電源線と繋がる端子と、回路基板に形成された同じ電源線と繋がる、例えば、電源配線３５１，３５２，３５３とを電気的に接続させることができる。よって、回路基板に貫通孔が形成されることによる、半導体モジュールと回路基板との間の電気抵抗を小さくすることが可能となる。これにより、電気抵抗に起因して、半導体モジュールの動作が不安定になることを抑えることができる。更に、電気抵抗によって加熱されることに起因する、半導体モジュールが破壊することを防ぐことができる。
【００７２】
（５）第１実施形態のプロジェクター１００１によれば、上記の半導体装置１００を備えているので、信頼性の高いプロジェクター１００１を提供することができる。
【００７３】
（第２実施形態）
＜半導体装置の構造の具体例＞
図１０は、第２実施形態の半導体装置の構造の具体例を示す模式図であり、（ａ）は半導体装置を構成する半導体モジュールの構造を示す概略平面図、（ｂ）は半導体装置を構成する回路基板の構造を示す概略平面図である。以下、半導体装置の構造を、図１０を参照しながら説明する。
【００７４】
第２実施形態の半導体装置５００は、上述の第１実施形態の半導体装置１００と比べて、電源線と繋がる外部接続端子６０２ａ，６０２ｂ，６０２ｃの配置位置が半導体モジュール６００の外周部の一部に配置されている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００７５】
図１０に示すように、半導体モジュール６００は、外部接続端子６０２のうち外周部の外部接続端子６０２ａ，６０２ｂ，６０２ｃを電源線と繋がる端子としている。
【００７６】
本実施形態では、例えば、半導体モジュール６００の四隅のうち３か所を電源線と繋がる外部接続端子６０２ａ，６０２ｂ，６０２ｃとしている。なお、四隅に電源線と繋がる外部接続端子６０２ａ，６０２ｂ，６０２ｃを設定することに限定されず、図１１に示す半導体装置８００のように、半導体モジュールの各辺８１１に近い部分を電源線と繋がる外部接続端子８１２とするようにしてもよい。
【００７７】
以上詳述したように、第２実施形態の半導体モジュール６００、及び半導体装置５００によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７８】
（６）第２実施形態の半導体モジュール６００、及び半導体装置５００によれば、各電源線（ＧＮＤを含む）と繋がる外部接続端子６０２ａ，６０２ｂ，６０２ｃが、半導体モジュール６００の外側（外周部）の列に配置されているので、例えば、半導体モジュール６００が載置される回路基板７００に形成された、電源線と繋がる電源配線３５１，３５２，３５３に電気的に接続させやすくすることができる。言い換えれば、電源線を半導体モジュール６００の外側に容易に引き出すことができる。また、半導体モジュール６００の端子の数が増えた場合でも、半導体モジュール６００の外側に電源線を容易に引き出すことができる。加えて、電源線と繋げることが可能となるので、電源線を経路とした放熱効果を高めることができる。また、回路基板７００の外部接続パッドの中央側に貫通孔がある場合でも、貫通孔に影響を受けることなく電源線を外側に引き出すことができる。
【００７９】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００８０】
（変形例１）
上記した第１実施形態のように、半導体モジュール２００のコーナーに向かって電源線と繋がる外部接続端子２０２ｘ，２０２ｙ，２０２ｚを配置することに限定されず、迂回することなく最短距離で引き出せればよく、半導体モジュール２００の外周の辺に向かって外部接続端子２０２を連続的に配置するようにしてもよい。
【００８１】
（変形例２）
上記した第２実施形態のように、最外周の列に、電源線と繋がる外部接続端子６０２を配置することに限定されず、例えば、外周側から２列目に電源線と繋がる外部接続端子６０２を配置するようにしてもよい。
【００８２】
（変形例３）
上記したように、回路基板３００を構成する基板の枚数は、４枚（第１基板３１１〜第４基板３１４）であることに限定されず、４枚より少ない枚数でもよいし、４枚より多い枚数であってもよい。
【符号の説明】
【００８３】
１００…半導体装置、２００…半導体モジュール、２０１…半導体素子、２０２…外部接続端子、２０２ｘ，２０２ｙ，２０２ｚ…外部接続端子、２０３…放熱板、２０４…封止樹脂、２０５…ボンディングワイヤ、３００…回路基板、３０１…載置部、３０２…配線、３０３，３０３ａ…外部接続パッド、３０４…放熱パッド、３１１…第１基板、３１２…第２基板、３１３…第３基板、３１４…第４基板、３１４ａ…裏面側、３２１…第１配線、３２２…第２配線、３２３…第３配線、３２４…第４配線、３３１…第１コンタクトホール、３３１ａ…貫通孔、３３２…第２コンタクトホール、３４０…電源／ＧＮＤ層、３５１…第１電源配線、３５２…第２電源配線、３５３…第３電源配線、５００…半導体装置、６００…半導体モジュール、６０２，６０２ａ…外部接続端子、７００…回路基板、８００…半導体装置、８１１…半導体モジュールの各辺、８１２…外部接続端子、１００１…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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