(57)【要約】【課題】信頼性の向上が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】基材と、表面に凹凸構造を有し凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である凹凸層と、基材と凹凸層との間に設けられた下地層と、凹凸層上に設けられた第１電極と、第１電極上に設けられた発光ユニットと、発光ユニット上に設けられた第２電極とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
表面に凹凸構造を有し、凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である凹凸層と、
前記基材と前記凹凸層との間に設けられた下地層と、を有し、
前記下地層に直に接して前記凹凸層が設けられている
光学部材。
【請求項２】
前記凹凸層の凸部のピッチが１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である請求項１に記載の光学部材。
【請求項３】
前記凹凸層の凸部の高さが１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である請求項１に記載の光学部材。
【請求項４】
前記凹凸層が、樹脂材料を含む請求項１に記載の光学部材。
【請求項５】
前記下地層が、ケイ素含有化合物を含む請求項１に記載の光学部材。
【請求項６】
前記ケイ素含有化合物が、パーヒドロポリシラザンが改質された酸窒化珪素化合物である請求項５に記載の光学部材。
【請求項７】
基材と、
表面に凹凸構造を有し、凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である凹凸層と、
前記基材と前記凹凸層との間に設けられた下地層と、
前記凹凸層上に設けられた導電膜と、を有し、
前記下地層に直に接して前記凹凸層が設けられている
導電部材。
【請求項８】
基材と、
表面に凹凸構造を有し、凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である凹凸層と、
前記基材と前記凹凸層との間に設けられた下地層と、
前記凹凸層上に設けられた導電膜と、を有し、
前記下地層に直に接して前記凹凸層が設けられている
電子デバイス。
【請求項９】
基材と、
表面に凹凸構造を有し、凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である凹凸層と、
前記基材と前記凹凸層との間に設けられた下地層と、
前記凹凸層上に設けられた第１電極と、
前記第１電極上に設けられた発光ユニットと、
前記発光ユニット上に設けられた第２電極と、を備え、
前記下地層と直に接する前記凹凸層が設けられている
有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記第１電極が、金属酸化物を含む請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記第２電極が、銀を主成分とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
基材上に、下地層を形成する工程と、
前記下地層上に直に凹凸層形成材料を含む塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜に、母型の凹凸構造を転写し、凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の凹凸層を形成する工程と、を有する
光学部材の製造方法。
【請求項１３】
凸部のピッチが１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の表面形状を有する母型を用いる請求項１１に記載の光学部材の製造方法。
【請求項１４】
凸部の高さが１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の表面形状を有する前記母型を用いる請求項１１に記載の光学部材の製造方法。
【請求項１５】
含む前記凹凸層形成材料として樹脂材料を含む塗布膜を形成する請求項１１に記載の光学部材の製造方法。
【請求項１６】
前記凹凸層を形成する工程において、前記母型を前記塗布膜に押し当てた状態で、前記凹凸層形成材料を硬化する請求項１１に記載の光学部材の製造方法。
【請求項１７】
パーヒドロポリシラザンを含む液を塗布した後、前記パーヒドロポリシラザンを改質して前記下地層を形成する請求項１１に記載の光学部材の製造方法。
【請求項１８】
基材上に、下地層を形成する工程と、
前記下地層上に直に凹凸層形成材料を含む塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜に、母型の凹凸構造を転写し、凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の凹凸層を形成する工程と、
前記凹凸層上に導電膜を形成する工程と、を有する
導電部材の製造方法。
【請求項１９】
基材上に、下地層を形成する工程と、
前記下地層上に直に凹凸層形成材料を含む塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜に、母型の凹凸構造を転写し、凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の凹凸層を形成する工程と、
前記凹凸層上に導電膜を形成する工程と、を有する
電子デバイスの製造方法。
【請求項２０】
基材上に、下地層を形成する工程と、
前記下地層上に直に凹凸層形成材料を含む塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜に、母型の凹凸構造を転写し、凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の凹凸層を形成する工程と、
前記凹凸層上に、第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に発光ユニットを形成する工程と、
前記発光ユニット上に第２電極を形成する工程と、を有する、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹凸層を備える光学部材、この光学部材を備える導電部材、導電部材を有する電子デバイス、光学部材を備える有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、これらの製造方法に係わる。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）においては、発光効率の向上が求められている。この要求に対し、有機ＥＬ素子の発光層から放出される光を有機ＥＬ素子の外部に取出すために、基材の表面に凹凸形状が形成された凹凸層からなる光学部材を備える構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
光学部材における凹凸層の製造方法としては、凹凸層を効率よく製造できることから、主にナノインプリント技術が用いられている。ナノインプリント技術とは、モールド（母型）を被転写材料の樹脂に押しつけ、ナノメートルオーダーで、モールド上に形成されたパターンを、樹脂に転写する技術である。光学部材においては、例えば、基材上に凹凸層を形成するための樹脂等を含む材料（凹凸層形成材料）を塗布し、この凹凸層形成材料に凹凸層形成用の母型を押し付けたまま凹凸層形成材料を硬化させ、硬化後に母型を取り外すことで凹凸層を製造する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１０９９３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ナノインプリント技術を用いて凹凸層を作製する際に、凹凸層の厚さを基板と母型とが直に当接する程度まで薄くすると、凹凸層の形状不良が発生しやすく、光学部材の製造不良が発生しやすい。また、凹凸層の形状不良を防ぐために凹凸層を厚く形成すると、凹凸層を構成する材料から発生するアウトガスの量が多くなり、有機ＥＬ素子の不良が発生する可能性が高まる。従って、ナノインプリント技術を用いて凹凸層を作製する光学部材や導電部材、有機ＥＬ素子では、凹凸層の形状安定性の向上や、アウトガスによる信頼性の低下を抑制することが求められている。
【０００６】
上述した問題の解決のため、本発明においては、ナノインプリント技術を用いて作製した凹凸層を有し、凹凸層の形状安定性の向上が可能な光学部材、及び、導電部材、並びに、信頼性の向上が可能な電子デバイス、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光学部材は、基材と、表面に凹凸構造を有し凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である凹凸層と、基材と凹凸層との間に設けられた下地層とを有し、下地層に直に接して凹凸層が設けられている。
本発明の導電部材は、上記光学部材の凹凸層上に設けられた導電膜を備える。
本発明の電子デバイスは、上記導電部材を備える。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記光学部材の凹凸層上に設けられた第１電極と、第１電極上に設けられた発光ユニットと、発光ユニット上に設けられた第２電極とを備える。
【０００８】
また、本発明の光学部材の製造方法は、基材上に下地層を形成する工程と、下地層上に直に凹凸層形成材料を含む塗布膜を形成する工程と、塗布膜に母型の凹凸構造を転写し、凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の凹凸層を形成する工程とを有する。
本発明の導電部材の製造方法は、上記光学部材を形成する工程と、光学部材の凹凸層上に導電膜を形成する工程を有する。
本発明の電子デバイスの製造方法は、上記導電部材を製造する工程を有する。
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、上記光学部材を形成する工程と、光学部材の凹凸層上に、第１電極を形成する工程と、第１電極上に発光ユニットを形成する工程と、発光ユニット上に第２電極を形成する工程とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ナノインプリント技術を用いて作製した凹凸層を有し、凹凸層の形状安定性の向上が可能な光学部材、及び、導電部材、並びに、信頼性の向上が可能な電子デバイス、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】光学部材の概略構成を示す図である。
【図２】導電部材の概略構成を示す図である。
【図３】有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。
【図４】凹凸層を形成するための工程図である。
【図５】凹凸層を形成するための工程図である。
【図６】凹凸層を形成するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．光学部材の実施形態
２．導電部材の実施形態
３．電子デバイス（有機エレクトロルミネッセンス素子）の実施形態
４．光学部材、導電部材、及び、電子デバイス（有機ＥＬ素子）の製造方法の実施形態
【００１２】
〈１．光学部材の実施形態〉
以下、光学部材の具体的な実施の形態について説明する。図１に光学部材の概略構成図（断面図）を示す。
【００１３】
図１に示す光学部材１０は、基材１１に、下地層１２、及び、凹凸構造を有する凹凸層１３を有する。光学部材１０において、凹凸層１３は、下地層１２に直に接するように形成されている。以下、光学部材１０の各構成について説明する。なお、以下の説明は、実施形態の光学部材を構成する一例であり、光学部材による作用効果を得ることができれば、他の構成を適用することも可能である。
【００１４】
［凹凸層］
凹凸層１３は、表面に凹凸構造が形成された層であり、回折や散乱により光取り出し効率の向上させる機能を有する。光学部材１０において、凹凸層１３は、凹部における厚さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である。また、凹部における厚さが、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。また、凹凸層１３は、凸部のピッチが１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
凹凸層１３の凸部の高さ、凸部における厚さ、及び、凹部における厚さについて、図１を用いて説明する。図１に示すように、凹凸層１３において、底面から凹凸構造の凸部の最も高い位置までの厚さを、凹凸層１３の凸部における厚さＣとする。また、凹凸層１３の底面から凹部の最も低い位置までの厚さを、凹凸層１３の凹部における厚さＢとする。また、凹凸層１３の凸部における厚さＣと凹部における厚さＢとの差を、凸部の高さＡとする。
【００１６】
ナノインプリント技術を用いて凹凸層１３の凹凸構造を形成するためには、凹凸層１３を作製するための層に母型を押し当てて、母型の凹凸構造を転写する。このとき、上述の凹部における厚さＢが小さすぎると、母型の形状を転写する際に、母型を押し当てる圧力分布等によっては、母型を転写する際に、凸部に対して十分な量の材料が供給されず、凸部の形状が部分的に不均一となりやすい。この場合には、凹凸層１３において凸部の形状の均一性が低下し、光学的な特性が悪化して光取り出し効率が低下してしまう。
【００１７】
また、上述の凹部における厚さＢが無いと、母型が基材１１側に当接してしまうため、基材１１や下地層１２等に傷、損傷、ダメージが発生する。この場合には、母型と基材１１側とが当接することにより、母型自体にもダメージが入る。この場合には、母型の表面が損傷し、凹凸構造に変形等が発生する。この場合にも、母型の凹凸構造が転写された、凹凸層１３の凹凸構造が設計からずれるため、光学的な特性が悪化し、光取り出し効率が低下してしまう。
【００１８】
さらに、ナノインプリント技術を用いる場合には、母型を転写する前の凹凸層１３を形成するための層の膜厚の均一性を高める必要がある。母型を転写する前において、層の膜厚の均一性が低いと、母型の転写によって形成する凸部の形状が不均一となりやすい。膜厚の均一性を高めるためには、層にある程度の厚さを持たせる必要があり、層に十分な厚さがないと凹凸層１３の形状の均一性が低下しやすい。そして、形成前の層にある程度の厚さがあると、母型の凹凸構造を転写した後に、凹凸層１３の凹部にも、ある程度の厚さが残存する。従って、凹凸層１３の凹部における厚さＢを、膜厚の均一性を高めることができる厚に設計ですることで、凹凸層１３の光学特性の悪化による光取り出し効率の低下を抑制することができる。
【００１９】
従って、ナノインプリント技術を用いて、光学的な特性が良好である凹凸層１３を、生産性よく作製するためには、凹凸層１３の凹部における厚さＢに、ある程度の厚さが必要となる。凹凸層１３の凹部における厚さＢが大きいほど、母型と基材１１側との当接の可能性が低くなり、凹凸層１３の凸部の形状安定性も高くなる。
【００２０】
しかし、凹凸層１３において厚さＢが大きくなると、凹凸層１３の全体の厚さＣが大きくなる。すなわち、凹凸層１３を構成する材料の総量が増える。凹凸層１３を構成する材料の総量が増えると、凹凸層１３からのアウトガスの発生量が大きくなり、光学部材１０上に形成した電子デバイス、例えば有機ＥＬ素子の信頼性に影響を与える可能性がある。このため、凹凸層１３の体積が大きくなるほど、光学部材１０上に形成する電子デバイスの信頼性が低下する可能性が高くなる。
【００２１】
このように、光学部材１０上に形成する電子デバイスの信頼性を考慮すると、凹凸層１３を構成する材料の総量を小さくする必要がある。ただし、凹凸層１３において、凸部の高さＡや凸部のピッチ等は、光学的な設計によって決められるため、設計自由度が低い。従って、凹凸層１３を構成する材料の総量を小さくするために、光学特性に強い影響を与える凸部の形状を変更することは難しい。すなわち、凹凸層１３から発生するアウトガスの量を減らすためには、光学的な影響が大きい凸部以外の部分の量を減らす必要がある。
【００２２】
従って、光学部材１０上に形成する電子デバイスの信頼性の観点からは、凹凸層１３の厚さＢを可能な限り小さくすることが好ましい。凹凸層１３の厚さＢが十分に小さく、又は、凹凸層１３が厚さＢを有さない場合には、凹凸層１３からのアウトガスの発生量を十分に小さくすることができ、光学部材１０上に形成する電子デバイスの信頼性の低下を抑制することができる。
【００２３】
上述の観点から、ナノインプリント技術を用いて作製した凹凸層１３を有する光学部材１０においては、光取り出し効率を低下させることなく、アウトガスによる電子デバイスの信頼性の低下を抑制するために、凹凸層１３の凹部の厚さＢを最適化する必要がある。以下、凹凸層１３の凹部の厚さＢを最適化するための設計手法について説明する。
【００２４】
凹凸層１３は、凹部における厚さＢを１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下とすることにより、凹凸層１３から発生するアウトガスの量を、光学部材１０上に形成する電子デバイスの信頼性の低下が十分に小さい範囲に抑えることができる。
【００２５】
凹凸層１３から発生するアウトガスの観点からは、凹凸層１３の凹部における厚さＢを１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下とする。凹部における厚さＢを１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下とすることにより、凸部までを含めた凹凸層１３を構成する材料の総量が多くなりすぎず、アウトガスによる光学部材１０上に形成する電子デバイスの信頼性の低下を抑制することができる。
【００２６】
また、凹凸層１３は、凸部の高さＡが１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。凹凸層１３の凸部の高さは、主に光学的な設計から要求される値であるが、凸部の厚さＡを上記の範囲内とすることにより、光学的な要求とアウトガスの発生量の抑制という課題との両立が可能となる。
【００２７】
一方、ナノインプリント技術による凹凸層１３の作製では、凸部の高さＡと凹部における厚さＢとの関係が、凸部の形状安定性や凹凸層１３全体の形状安定性に大きく関与する。例えば、凸部の高さが大きいほど、凹部における厚さＢを大きくすることが好ましい。凸部の高さが大きい場合には、凸部を形成する材料の総量が大きくなるため、これに合わせて凹部における厚さＢの部分の材料の総量を大きくすることにより、母型を転写させた際の凸部への材料の供給が容易となる。このため、凹凸層１３に安定して凸部を形成することができる。すなわち、凹凸層１３の光学的特性を良好に保つために、凸部の高さＡに応じて、凹凸層１３の凹部における厚さＢの最低限の値が要求される。
【００２８】
また、母型の当接を避けて生産性を良好に保つために、最低限要求される凹凸層１３の凹部における厚さＢは、母型の表面形状や、凹凸層１３を形成する面積に依存する。具体的には、母型の凸部の高さが大きいほど、凹部における厚さＢを大きくするこが好ましい。また、形成する凹凸層１３の面積が大きいほど、凹部における厚さＢを大きくすることが好ましい。但し、凹凸層１３の面積が大きくても、母型の凸部の高さが小さい場合には、凹部における厚さＢが小さくてもよい。或いは、形成する凹凸層１３の面積が小さくても、母型の凸部の高さが大きい場合には、凹部における厚さＢを大きくする必要がある。従って、生産性の観点からも、母型の凸部の高さによって、最低限要求される凹凸層１３の凹部における厚さＢを規定することが好ましい。なお、母型の凸部の高さは、転写された凹凸層１３の凸部の高さＡと同じとなる。従って、生産性を良好に保つ観点においても、凸部の高さＡに応じて、凹凸層１３の凹部における厚さＢの最低限の値が要求される。
【００２９】
光学部材１０において、凹凸層１３の形状安定性と生産性との低下を抑制するためには、凹部における厚さＢを１０ｎｍ以上とする必要がある。形状安定性と生産性とを高めるためには、凹凸層１３の凹部における厚さＢを凸部の高さＡの少なくとも１倍以上必要とすることが好ましい。凹凸層１３の凹部における厚さＢが、凸部の高さＡと同程度以上の大きさを有していれば、母型を転写する際の凸部への材料の供給が十分に、且つ、安定的に行なわれる。さらに、凹凸層１３の凹部における厚さＢを凸部の高さＡと同程度有していれば、転写の際の母型と基材との当接を十分に防ぐことができる。上述のように、凸部の高さＡは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましいため、凹凸層１３の凹部における厚さＢを１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下とすることにより、光学特性の安定化や生産性を確保することができる。
【００３０】
また、凹凸層１３の凸部における厚さＣは、１０００ｎｍを超えると、凹凸層１３を構成する材料の総量が多くなりすぎるため、アウトガスによって光学部材１０上に形成する電子デバイスの信頼性が低下する可能性がある。また、凹凸層１３に必要な光学的な特性を満たすように凸部の高さＡを規定し、この凸部の高さＡに合わせて凹部における厚さＢを規定すると、凹凸層１３の凸部における厚さＣは、少なくとも２０ｎｍ程度となる。このため、凸部における厚さＣを２０ｎｍ以上とすることにより、凹凸層１３の光学的な特性と、生産性の安定化をと両立することができる。
【００３１】
なお、凹凸層１３において、凸部の高さＡ、凹部における厚さＢ、凸部における厚さＣは、光学部材１０における凹凸層１３の断面を観察することで求める。具体的には、凹凸層１３を任意の位置で、厚さ方向にクロスセクションポリッシャー、ファインカッター、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）等を用いて切断する。次に、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）やＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）を用いて凹凸層１３の断面プロファイルを撮影する。撮影後、任意の位置の凸部の高さＡ、凹部における厚さＢ、凸部における厚さＣを１００点以上測定し、その平均値を求める。
【００３２】
また、凸部のピッチが１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。凸部のピッチを１００ｎｍ以上とすることにより、可視光の波長域において必要な回折や散乱が生じやすくなり、光学部材１０の光取り出し効率が向上する。また、凸部のピッチが２０００ｎｍを超えると、凹凸層１３での光の回折角が小さくなり過ぎるため、凹凸層１３による光の取りだしが困難になりやすい。
【００３３】
なお、凸部のピッチとは、凹凸層１３の表面において隣り合う凸部同士の間隔を測定した場合の平均値をいう。また、このような凸部のピッチは、上述の解析条件で走査型プローブ顕微鏡（例えば、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製の製品名「Ｅ−ｓｗｅｅｐ」等）を用いて表面の凹凸を解析して凹凸解析画像を測定した後、かかる凹凸解析画像中における、任意の隣り合う凸部同士又は隣り合う凹部同士の間隔を１００点以上測定し、その平均を求めることにより算出できる値である。
【００３４】
（材料）
凹凸層１３を形成するための材料としては、ナノインプリント技術に適用可能な従来公知の材料を用いることができ、有機材料、無機材料、樹脂材料等のいずれも適用することができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、架橋型液晶樹脂等の樹脂材料等が挙げられる。また、透明無機層形成材料として、例えばゾルゲル法によって透明な無機層を形成する場合には、金属アルコキシド等の金属材料を含むゾル溶液が挙げられる。このように、凹凸層１３は、上記樹脂材料が硬化された硬化樹脂層であっても、透明無機材料を利用して形成された無機層であってもよい。ナノインプリント技術による生産性に好適なことから、樹脂材料を用いることが好ましい。
【００３５】
なお、凹凸層１３は、ストライプ状の凹凸が一様に配置された一次元格子、錐形状や柱形状の凹凸が配置された２次元格子、及び、その他の凹凸構造を有する形状であれば、特に限定されない。例えば、凹凸層の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。凹凸層１３としては、光取り出し効率の向上が可能な凹凸構造を有する構成であれば、光学部材１０への適用が可能である。例えば、一般的な回折格子の構造を適用することができる。
【００３６】
凹凸層１３は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元凹凸層では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。一方、しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【００３７】
［基材］
基材１１を構成する基板材料としては、例えば、ガラス、石英、樹脂基板を挙げることができる。特に好ましい基材１１としては、光学部材１０にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂基板である。樹脂基板は、必要に応じてガスバリア層を有する構成であってもよい。
【００３８】
基材１１として使用できる樹脂としては特に制限はなく、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリスチレン樹脂、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリサルホン（ＰＳＦ）樹脂、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）樹脂等が挙げられる。これらの樹脂を単独で使用してもよいし、複数を併用してもよい。また、基材１１は、未延伸フィルムでもよいし、延伸フィルムでもよい。
【００３９】
基材１１は透明性が高いと、光学部材１０側からの光取り出し効率が向上しやすいため好ましい。透明とは、ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１：１９９７（プラスチック−透明材料の全光線透過率の試験方法）に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率が５０％以上であることをいい、８０％以上であるとより好ましい。
【００４０】
［下地層］
下地層１２は、基材１１と凹凸層１３との間に配置され、凹凸層１３が下地層１２上に直に接して設けられている。ナノインプリント技術を用いて凹凸層１３の凹凸構造を作製するためには、構造を形成する膜厚を極力均一にしなければならない。また、凹凸層１３からのアウトガスの発生量を極力少なくするためには、凹凸層１３を形成するための層を薄くすることが好ましい。
【００４１】
従って、凹凸層１３を形成するための層を薄く形成しても膜厚の均一性を高めることが可能なように、凹凸層１３を形成するための層の下地として、凹凸層１３を形成する材料と親和性の高い層を設けることが好ましい。
【００４２】
下地層１２を構成する材料としては、凹凸層１３を形成する材料と親和性の高い層を形成できれば、特に限定はない。例えば、凹凸層１３を形成するための層を塗布法で作製する場合には、塗布液に対して親和性の高いケイ素含有化合物を含む組成の材料を用いることが好ましい。
【００４３】
下地層１２に適用可能なケイ素含有化合物としては、組成や構造に制限はない。また、ケイ素含有化合物を用いた下地層１２の形成方法にも、特に制限はない。例えば、シリカ等の無機化合物による層を真空蒸着やＣＶＤ法により形成する方法や、以下に示すケイ素含有ポリマー改質層を形成する方法が適用できる。特に、塗布液との親和性や生産性の観点から、ケイ素含有ポリマー改質層を形成する方法が好ましい。
【００４４】
（ケイ素含有ポリマー改質層）
下地層１２に適用されるケイ素含有ポリマー改質層は、繰り返し構造中にケイ素と酸素（Ｓｉ−Ｏ）、ケイ素と窒素（Ｓｉ−Ｎ）等の結合を有するケイ素含有ポリマーを改質処理することによって形成される。なお、改質処理によりケイ素含有ポリマーをシリカ等に転化させるが、ケイ素含有ポリマーの全てを改質する必要はなく、少なくとも一部、例えば紫外線照射面側が改質されていればよい。
【００４５】
ケイ素含有ポリマー改質層の厚さは、目的に応じて適宜設定することができるが、一般的には、１０ｎｍ〜１０μｍの範囲内とすることができる。
【００４６】
ケイ素含有ポリマーの具体例としては、繰り返し構造中に、Ｓｉ−Ｏ結合を有するポリシロキサン（ポリシルセスキオキサンを含む）、Ｓｉ−Ｎ結合を有するポリシラザン、Ｓｉ−Ｏ結合とＳｉ−Ｎ結合の両方を含むポリシロキサザン等が挙げられる。これらは２種以上を混合して使用することができる。また、異なる種類のケイ素含有ポリマーの層を積層することもできる。
【００４７】
ポリシロキサンは、繰り返し構造中に、［−ＲａＳｉＯ１／２−］、［−ＲｂＳｉＯ−］、［−ＲｃＳｉＯ３／２−］、［−ＳｉＯ２−］等を含む。Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立に、水素原子、１〜２０の炭素原子を含むアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等）、アリール基（例えばフェニル基、不飽和アルキル基）等の置換基を表す。
ポリシルセスキオキサンは、上記ポリシロキサンのなかでもシルセスキオキサンと同じ構造を繰り返し構造中に含む化合物である。シルセスキオキサンは、上記［−ＲｃＳｉＯ３／２−］で表される構造を有する化合物である。
【００４８】
ポリシラザンの構造は、下記一般式（Ａ）で表すことができる。
［−Ｓｉ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｎ（Ｒ３）−］  ・・・一般式（Ａ）
上記一般式（Ａ）において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基を表す。
【００４９】
上記一般式（Ａ）中のＲ１、Ｒ２及びＲ３の全てが水素原子であるポリシラザンが、パーヒドロポリシラザンである。パーヒドロポリシラザンは、緻密な膜が得られる点で好ましい。
パーヒドロポリシラザンは、直鎖構造と、６員環及び８員環を中心とする環構造が存在した構造と推定されている。その分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）で約６００〜２０００程度（ポリスチレン換算）で、液体又は固体の物質があり、その状態は分子量により異なる。
【００５０】
一方、上記一般式（Ａ）において、Ｓｉと結合する水素原子の一部がアルキル基等で置換されたポリシランがオルガノポリシラザンである。オルガノポリシラザンは、メチル基等のアルキル基によって下層の基材１１との密着性が向上し、かつ硬くて脆い特性を有するポリシラザンに靭性を付与することができるため、膜を厚くした場合でもクラックの発生が抑えられるという利点がある。したがって、用途に応じて適宜、パーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択するか、又は両者を混合して使用する。
【００５１】
ポリシロキサザンは、繰り返し構造中に、［−（ＳｉＨ２）ｎ（ＮＨ）ｒ−］と［−（ＳｉＨ２）ｍＯ−］で表される構造を含む。ｎ、ｍ及びｒは、それぞれ独立に、１〜３を表す。
【００５２】
低温でセラミック化するポリシラザンの他の例としては、上記一般式（Ａ）で表される単位からなる主骨格を有するポリシラザンに、ケイ素アルコキシドを反応させて得られるケイ素アルコキシド付加ポリシラザン（例えば、特開平５−２３８８２７号公報参照）、グリシドールを反応させて得られるグリシドール付加ポリシラザン（例えば、特開平６−１２２８５２号公報参照）、アルコールを反応させて得られるアルコール付加ポリシラザン（例えば、特開平６−２４０２０８号公報参照）、金属カルボン酸塩を反応させて得られる金属カルボン酸塩付加ポリシラザン（例えば、特開平６−２９９１１８号公報参照）、金属を含むアセチルアセトナート錯体を反応させて得られるアセチルアセトナート錯体付加ポリシラザン（例えば、特開平６−３０６３２９号公報参照）、金属微粒子を添加して得られる金属微粒子添加ポリシラザン（例えば、特開平７−１９６９８６号公報参照）等が挙げられる。
【００５３】
ケイ素含有ポリマー改質層は、上述したケイ素含有ポリマーを含有する塗布液を用いて塗膜を形成し、当該塗膜に改質処理を施すことにより形成することができる。
塗膜の形成方法としては、ロールコート法、フローコート法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、バーコート法、流延成膜法、インクジェット法、グラビア印刷法等が挙げられる。
【００５４】
塗布液の調製には、ポリシラザンと容易に反応するアルコール系有機溶媒又は水分を含む有機溶媒の使用を避けることが好ましい。したがって、塗布液の調製に使用できる有機溶媒としては、例えば脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類等が挙げられる。具体的には、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン等の炭化水素類、塩化メチレン、トリクロロエタン等のハロゲン炭化水素類、ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げられる。これらの有機溶媒は、ポリシラザンの溶解度や有機溶媒の蒸発速度等の特性に合わせて選択し、複数の有機溶媒を混合してもよい。
【００５５】
塗布液としては、ポリシラザンを有機溶媒中に溶解させた市販品を使用することができる。使用できる市販品としては、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製のアクアミカ ＮＡＸ１２０−２０、ＮＮ１１０、ＮＮ３１０、ＮＮ３２０、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０、ＳＰ１４０等が挙げられる。
【００５６】
塗布液は、改質処理を促進する観点から、触媒を含有することもできる。
触媒としては、塩基性触媒が好ましく、例えばＮ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、３−モルホリノプロピルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン等のアミン触媒、Ｐｔアセチルアセトナート等のＰｔ化合物、プロピオン酸Ｐｄ等のＰｄ化合物、Ｒｈアセチルアセトナート等のＲｈ化合物等の金属触媒、Ｎ−複素環式化合物等が挙げられる。
【００５７】
塗布液におけるケイ素含有ポリマーの含有量は、形成するケイ素含有ポリマー改質層の厚さや塗布液のポットライフによっても異なるが、０．２〜３５．０質量％の範囲内であることが好ましい。
【００５８】
形成した塗膜には、塗膜中の有機溶媒を除去する観点から、加熱による乾燥処理を施すことができる。
加熱時の温度は、５０〜２００℃の範囲内とすることができる。加熱時間は、基材１１の変形等を防ぐため、短時間に設定することが好ましい。例えば、ガラス転移温度が７０℃のポリエチレンテレフタレートを基材１１に用いる場合、乾燥処理時の温度は樹脂フィルムの変形を防止するため、１５０℃以下に設定することができる。
【００５９】
また、形成した塗膜に、塗膜中の水分を取り除く観点から、低湿度環境に維持して除湿する乾燥処理を施すこともできる。
低湿度環境における湿度は温度により変化するので、温度と湿度の関係は露点温度の規定により決定することができる。好ましい露点温度は４℃以下（温度２５℃／湿度２５％）で、より好ましい露点温度は−８℃（温度２５℃／湿度１０％）以下、さらに好ましい露点温度は−３１℃（温度２５℃／湿度１％）以下である。水分を取り除きやすくするため、減圧乾燥してもよい。減圧乾燥における圧力は常圧〜０．１ＭＰａの範囲内で選ぶことができる。
【００６０】
塗膜の改質処理の方法としては、基材１１へのダメージが少ない公知の方法を使用することができ、低温処理が可能なプラズマ処理、オゾン処理、紫外線又は真空紫外線の照射処理等を用いることができる。なかでも、真空紫外線の照射処理は、ケイ素含有ポリマー改質層を形成してから遷移金属酸化物層を形成するまでの間の環境の影響によってガスバリア性が低下しにくいことから、好ましい。
【００６１】
真空紫外線照射処理は、ケイ素含有ポリマーを構成する原子間結合力より大きい１００〜２００ｎｍの波長範囲にある真空紫外光の光エネルギーを用い、原子間の結合を光量子プロセスと呼ばれる、光子のみによる作用により直に接して切断するとともに、活性酸素やオゾンによる酸化反応を進行させることで、約２００℃以下の比較的低温の環境下でシリカ等に転化させる処理である。
【００６２】
真空紫外光の光源としては、１００〜２００ｎｍの波長の光を発生させるものであればよく、照射波長が、約１７２ｎｍの希ガスエキシマランプ（例えば、エム・ディ・コム社製のＸｅエキシマランプ  ＭＯＤＥＬ：ＭＥＣＬ−Ｍ−１−２００）、約１８５ｎｍの低圧水銀蒸気ランプ、２００ｎｍ以下の中圧及び高圧水銀蒸気ランプ等が挙げられる。
【００６３】
エキシマランプの特徴としては、単一波長の光を放射し、発光効率が極めて高いこと、放射する光が短波長で照射対象の温度を低温状態に保てること、瞬時の点灯及び点滅が可能であること等が挙げられ、熱の影響を受けやすい基材１１にも適用しやすい光源である。
特に、Ｘｅエキシマランプが放射する１７２ｎｍという短い単一波長の真空紫外光は、酸素の吸収係数が大きく、微量な酸素から高濃度の活性酸素又はオゾンを発生させ、有機物の結合の解離能力が高いことから、短時間での改質処理を可能とする。
【００６４】
真空紫外線の照射条件は、ケイ素含有ポリマー改質層より下の基材１１等を劣化させない範囲内で設定すればよい。
例えば、紫外線の照射時間は、基材１１や塗布液の組成、濃度等にもよるが、一般に０．１秒〜１０分の範囲内であり、０．５秒〜３分の範囲内であることが好ましい。なお、均一に紫外線を照射する観点から、光源からの紫外線を反射板で反射させた反射光をケイ素含有ポリマー改質層の塗膜に照射することが好ましい。
【００６５】
真空紫外線の照度は、１ｍＷ／ｃｍ２〜１０Ｗ／ｃｍ２の範囲内とすることができる。１ｍＷ／ｃｍ２以上であれば、改質効率が向上し、１０Ｗ／ｃｍ２以下であれば、塗膜に生じ得るアブレーション、基材１１のダメージ等を低減することができる。
真空紫外線の照射エネルギー量（照射量）は、０．１〜１０．０Ｊ／ｃｍ２での範囲内にすることができる。この範囲であれば、過剰な改質によるクラックの発生、基材１１の熱変形等を防止することができ、生産性も向上する。
【００６６】
真空紫外線照射処理は、バッチ処理でも連続処理でもよい。バッチ処理の場合、真空紫外線の光源を備える紫外線焼成炉（例えば、アイグラフィクス社製の紫外線焼成炉）において処理することができる。連続処理の場合、基材１１を搬送して真空紫外線の光源を備えるゾーン内で連続的に紫外線を照射すればよい。
【００６７】
真空紫外線照射時の反応には酸素が必要であるが、真空紫外線は酸素による吸収があり、改質効率が低下しやすいことから、できる限り酸素濃度及び水蒸気濃度の低い雰囲気内で真空紫外線の照射を行うことが好ましい。例えば、真空紫外線照射時の酸素濃度は、１０〜２００００体積ｐｐｍ（０．００１〜２体積％）の範囲内とすることができる。水蒸気濃度は、好ましくは１０００〜４０００体積ｐｐｍの範囲内である。
上記雰囲気の調整には、乾燥不活性ガス、特にコストの観点から乾燥窒素ガスを用いることが好ましい。酸素濃度の調整は、室内に導入する酸素ガス及び不活性ガスの流量比を調整することにより、行うことができる。
【００６８】
（ケイ素化合物層）
下地層１２としては、上述のケイ素含有ポリマー改質層以外にも、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、炭化ケイ素等のケイ素化合物を含有するケイ素化合物層を設けてもよい。
【００６９】
ケイ素化合物層は、酸化ケイ素を原料とする真空蒸着法、ケイ素を含むターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法、イオンプレーティング法の他、ポリシラザン等のケイ素含有ポリマー改質層に用いられるケイ素含有ポリマー（例えば、ヘキサメチルジシロキサン、パーヒドロポリシラザン等）や二酸化ケイ素等を原料としてプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により形成することができる。
【００７０】
なお、後述するトップエミッション型や両面発光型の有機ＥＬ素子のように、凹凸層１３の表面に形成される凹凸形状による影響が、この光学部材１０上に形成された他の構成にも影響を与え、この影響を受けた他の構成によって光学的な作用が発生する。このため、光学部材１０を構成する基材１１、下地層１２、及び、凹凸層１３が不透明な材料で構成されていても、この光学部材１０上に形成された電子デバイス等に光学的な作用を発生させることができる。従って、光学部材１０において、各構成は透明な構成に限定されず、必要に応じて不透明な構成が適用されていてもよい。
【００７１】
〈２．導電部材の実施形態〉
次に、導電部材の具体的な実施の形態について説明する。図２に導電部材の概略構成図（断面図）を示す。なお、図２に示す導電部材２０において、導電膜１４を除く構成は、上述の第１実施形態の光学部材１０と同様の構成である。このため、第１実施形態と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【００７２】
図２に示す導電部材２０は、上述の図１に示す第１実施形態の光学部材１０の凹凸層１３上に、導電膜１４を備える。凹凸層１３上に形成される導電膜１４は、凹凸層１３の表面に形成された凹凸構造を追随するように、層の表面に凹凸層１３と同様の凹凸構造が形成されている。
【００７３】
［導電膜］
導電膜１４は、体積抵抗率が１０−５Ωｃｍ以上１×１０−３Ω・ｃｍ以下の導電性の高い金属酸化物を用いて形成される。体積抵抗率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４−１９９４の導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法に準拠して測定されたシート抵抗と、膜厚を測定して求めることができる。膜厚は接触式表面形状測定器（例えばＤＥＣＴＡＫ）や光干渉表面形状測定器（例えばＷＹＫＯ）を用いて測定できる。
【００７４】
導電膜１４は、金や銀、アルミニウム等の薄膜金属や、光透過性を有する金属酸化物を用いて形成することができる。好ましくは、光透過性の高い金属酸化物を用いることが好ましい。
【００７５】
導電膜１４に使用できる金属酸化物としては、導電性に優れる材料であれば、特に限定されない。導電膜１４に使用できる金属酸化物としては、例えば、ＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＺＴＯ（亜鉛錫複合酸化物）、ＩＧＯ（ガリウムドープ酸化インジウム）、ＩＷＺＯ（酸化インジウム・酸化スズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＧＺＯ（Ｇａドープ酸化亜鉛）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、ＳｎＯ、及び、ＳｎＯ２等が挙げられる。導電膜１４に使用できる金属酸化物としては、ＩＺＯ、ＩＧＯ、ＩＷＺＯが好ましく、特に、ＩＺＯが好ましい。
【００７６】
ＩＺＯとしては、重量比Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝８０〜９５：５〜２０で表される組成が好ましい。ＩＧＯとしては、重量比Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３＝７０〜９５：５〜３０で表される組成が好ましい。ＩＷＺＯとしては、重量比Ｉｎ２Ｏ３：ＷＯ３：ＺｎＯ＝９５〜９９．８：０．１〜２．５：０．１〜２．５で表される組成が好ましい。ＺＴＯとしては、重量比ＺｎＯ：ＳｎＯ＝５０〜９０：５０〜１０で表される組成が好ましい。ＳｎＯとＳｎＯ２の複合酸化物としては重量比ＳｎＯ：ＳｎＯ２＝１０〜５０：９０〜５０で表される組成が好ましい。また、ＳｎＯとＳｎＯ２の複合酸化物では、ドープ材として、Ｓｂ２Ｏ３を用いることが好ましく、ＳｎＯ/ＳｎＯ２に対して重量比で０．５〜５．０質量％含まれることが好ましい。
【００７７】
なお、上述の光学部材１０と同様に、導電部材２０においても、後述するトップエミッション型や両面発光型の有機ＥＬ素子のように、凹凸層１３の表面に形成される凹凸形状による影響が、この導電部材２０上に形成された他の構成にも影響を与え、この影響を受けた他の構成によって光学的な作用が発生する。このため、導電部材２０を構成する基材１１、下地層１２、凹凸層１３、及び、導電膜１４が不透明な材料で構成されていても、この導電部材２０上に形成された電子デバイス等に光学的な作用を発生させることができる。従って、導電部材２０においても各構成は透明な構成に限定されず、必要に応じて不透明な構成が適用されていてもよい。
【００７８】
〈３．電子デバイス（有機エレクトロルミネッセンス素子）の実施形態〉
次に、上述の光学部材、及び、導電部材を用いた電子デバイスの実施形態について説明する。上述の光学部材や導電部材は、各種電子デバイスに用いることができる。電子デバイスの例としては、有機電界発光素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、液晶素子、太陽電池、タッチパネル等が挙げられ、これらの電子デバイスにおいて光学特性を向上させるために光学部材を用いることができる。また、光透過性を必要とされる電極部材として、上述の導電部材を用いることができる。
【００７９】
図３に電子デバイスの一例として、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の概略構成図（断面図）を示す。なお、図３に示す有機ＥＬ素子３０において、基材１１から導電膜１４までの構成は、上述の第１実施形態の光学部材１０、及び、第２実施形態の導電部材２０と同様の構成である。このため、第１実施形態、及び、第２実施形態と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【００８０】
図３に示す有機ＥＬ素子３０は、上述の図２に示す第２実施形態の導電部材２０の導電膜１４を第１電極とし、この導電膜１４上に、発光ユニット１５、第２電極１６、粘着剤層１７、及び、封止基材１８を備える。なお、図３に示す有機ＥＬ素子３０は、発光ユニット１５から放出される光を、基材１１側から取出すボトムエミッション型の素子である。このため、導電膜１４、凹凸層１３、下地層１２、及び、基材１１が透明材料で構成され、第２電極１６が反射率の高い金属膜等からなる導電層で構成されている。
【００８１】
有機ＥＬ素子３０において、凹凸層１３は、下地層１２に直に接するように形成されている。凹凸層１３上に形成される導電膜１４、発光ユニット１５、及び、第２電極１６は、凹凸層１３の表面に形成された凹凸構造を追随するように、各層の表面に凹凸層１３と同様の凹凸構造が形成されている。また、粘着剤層１７は、第２電極１６側の表面に凹凸層１３と同様の凹凸構造が形成され、第２電極１６と逆側の表面が平坦化されている。そして、この粘着剤層１７上の平坦面に封止基材１８が貼り合わされている。
【００８２】
また、有機ＥＬ素子としては、上記ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子以外にも、トップエミッション型の有機ＥＬ素子や両面発光型の有機ＥＬ素子を例示することもできる。トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合には、図３に示す有機ＥＬ素子３０において、封止基材１８、粘着剤層１７、及び、第２電極１６が透明材料で構成され、導電膜１４が反射率の高い金属膜等からなる導電層で構成される。また、両面発光型の有機ＥＬ素子の場合には、各層が透明材料で構成される。
【００８３】
トップエミッション型の有機ＥＬ素子においても、凹凸層１３の表面に形成される凹凸形状が第２電極１６と、粘着剤層１７との界面まで影響を与えているため、封止基材１８側から取出される光も、凹凸層１３の表面に形成される凹凸形状による影響を受ける。このため、光学部材１０の凹凸層１３により、封止基材１８側から取出される光の取り出し効率が向上する。従って、有機ＥＬ素子３０がトップエミッション型であっても、有機ＥＬ素子３０の発光効率を光学部材１０によって向上させることができる。同様に、有機ＥＬ素子３０が両面発光型であっても、有機ＥＬ素子３０の発光効率を光学部材１０によって向上させることができる。
【００８４】
以下、電子デバイスの一例としてボトムエミッション型の有機ＥＬ素子３０の各構成について説明する。なお、以下の説明は、実施形態の有機ＥＬ素子を構成する一例であり、有機ＥＬ素子による作用効果を得ることができれば、他の構成を適用することも可能である。また、トップエミッション型や両面発光型の有機ＥＬ素子の場合には、後述の構成要素から、必要に応じて透明性の高い光性や反射率の高い構成を適用すればよい。
【００８５】
［第２電極］
有機ＥＬ素子３０において導電膜１４と第２電極１６とは、いずれか一方が有機ＥＬ素子３０の陽極となり、他方が陰極となる。また、図３に示す有機ＥＬ素子３０では、導電膜１４が透明導電材料により構成され、第２電極１６が高反射材料により構成されている。なお、有機ＥＬ素子３０がトップエミッション型の場合や両面発光型の場合には、導電膜１４と第２電極１６とが、それぞれ高反射材料又は透明導電材料により構成される。
【００８６】
有機ＥＬ素子３０において、第２電極１６としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ等の金属、ＣｕＩ、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で導電部材を作製可能な材料を用いてもよい。特に、第２電極１６としては、反射率の高い材料を用いることが好ましく、Ａｇ又はＡｇを主成分として含む合金を用いることが好ましい。
【００８７】
また、第２電極１６としては、例えば、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等を用いることもできる。
【００８８】
［発光ユニット］
発光ユニット１５は、少なくとも有機化合物を含む発光層を有して構成される発光体である。また、発光ユニット１５は、発光層とともに、正孔輸送層、電子輸送層等の有機機能層を主体として構成される。発光ユニット１５は、導電膜１４と第２電極１６とからなる一対の電極の間に挟持され、各電極から供給される正孔（ホール）と電子とが発光層内で再結合することで発光する。なお、有機ＥＬ素子は、所望の発光色に応じて、当該発光ユニットを複数備えていてもよい。
【００８９】
有機ＥＬ素子３０において、発光ユニット１５の層構造が限定されることはなく、一般的な層構造であってよい。例えば、導電膜１４がアノード（陽極）として機能し、第２電極１６がカソード（陰極）として機能する場合、発光ユニット１５は、導電膜１４側から順に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層を積層した構成が例示される。正孔注入層及び正孔輸送層は、正孔輸送注入層として設けられてもよい。電子輸送層及び電子注入層は、電子輸送注入層として設けられてもよい。また、これらの発光ユニット１５のうち、例えば、電子注入層は無機材料で構成されていてもよい。
【００９０】
発光ユニット１５は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてもよい。さらに、発光層は、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の補助層を介して積層させた構造としてもよい。補助層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能してもよい。さらに、カソードである第２電極１６も、必要に応じた積層構造であってもよい。
【００９１】
また、有機ＥＬ素子３０は、少なくとも１層の発光層を含む発光ユニット１５を複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であってもよい。タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば、以下の構成を挙げることができる。
陽極／第１発光ユニット／中間コネクタ層／第２発光ユニット／中間コネクタ層／第３発光ユニット／陰極
【００９２】
ここで、上記第１発光ユニット、第２発光ユニット、及び、第３発光ユニットは全て同じであっても、異なっていてもよい。また、二つの発光ユニットが同じであり、残る一つが異なっていてもよい。複数の発光ユニット１５は、直に接して積層されていても、中間コネクタ層を介して積層されていてもよい。
【００９３】
中間コネクタ層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。
【００９４】
タンデム型有機ＥＬ素子の具体例としては、例えば、米国特許第６３３７４９２号明細書、米国特許第７４２０２０３号明細書、米国特許第７４７３９２３号明細書、米国特許第６８７２４７２号明細書、米国特許第６１０７７３４号明細書、米国特許第６３３７４９２号明細書、国際公開第２００５／００９０８７号、特開２００６−２２８７１２号公報、特開２００６−２４７９１号公報、特開２００６−４９３９３号公報、特開２００６−４９３９４号公報、特開２００６−４９３９６号公報、特開２０１１−９６６７９号公報、特開２００５−３４０１８７号公報、特許第４７１１４２４号公報、特許第３４９６６８１号公報、特許第３８８４５６４号公報、特許第４２１３１６９号公報、特開２０１０−１９２７１９号公報、特開２００９−０７６９２９号公報、特開２００８−０７８４１４号公報、特開２００７−０５９８４８号公報、特開２００３−２７２８６０号公報、特開２００３−０４５６７６号公報、国際公開第２００５／０９４１３０号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられる。
【００９５】
［粘着剤層］
粘着剤層１７は、封止基材１８を基材１１や第２電極１６に固定するとともに、発光ユニット１５を封止するためのシール剤として用いられる。粘着剤層１７としては、従来公知の有機ＥＬ素子の封止に用いられる樹脂を適用することができる。例えば、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を用いることができる。また、粘着剤層１７としては、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を用いることができることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを用いることができることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を用いることができることができる。
【００９６】
粘着剤層１７の塗布は、市販のディスペンサーを用いてスクリーン印刷のように封止基材１８に印刷してもよい。なお、発光ユニット１５を構成する有機化合物は、熱処理により劣化する場合がある。このため、粘着剤層１７は、室温（２５℃）から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、粘着剤層１７中に乾燥剤を分散させておいてもよい。
【００９７】
［封止基材］
封止基材１８は、有機ＥＬ素子３０を封止するために粘着剤層１７の上面を覆う板状の部材であって、粘着剤層１７によって基材１１側に固定されている。また、封止基材１８は、板状に限られるフィルム状等の形態であってもよい。
【００９８】
封止基材１８としては、従来公知の有機ＥＬ素子の封止に用いられる基材を適用することができる。例えば、ガラス基板、ポリマー基板、金属基板等が挙げられる。また、これらの材料を薄型化して、フィルム状の封止基材１８を用いてもよい。ガラス基板としては、特に、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルホン等が挙げられる。金属基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルから選ばれる１種以上の金属、又は、これらの金属を含む合金が挙げられる。特に、素子を薄膜化できるということから、封止基材１８としてポリマー基板や金属基板を薄型のフィルム状にして使用することが好ましい。また、封止基材１８を凹板状に加工して用いてもよい。この場合、上述した封止基材１８の材料に対して、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工を施し、封止基材１８に凹状の構造を形成する。
【００９９】
さらに、封止基材１８は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であることが好ましい。
【０１００】
〈４．光学部材、導電部材、及び、電子デバイスの製造方法の実施形態〉
次に、上述の図１に示す光学部材１０、図２に示す導電部材２０、及び、電子デバイスの製造方法について説明する。なお、電子デバイスの製造方法としては、上述の図３に示す有機ＥＬ素子３０の製造方法を例示する。
【０１０１】
光学部材１０の製造方法は、基材１１上に下地層１２を形成する工程、下地層１２上に凹凸層形成材料を含む凹凸層形成材料を含む塗布膜を形成する工程、凹凸層形成材料を含む塗布膜に母型の凹凸構造を転写して凹凸層１３を形成する工程を含む。また、導電部材２０の製造方法は、上記光学部材１０の製造方法の各工程と、凹凸層１３上に導電膜１４を形成する工程を含む。さらに、有機ＥＬ素子３０の製造方法は、上記導電部材２０の製造方法の各工程と、導電膜１４上に発光ユニット１５を形成する工程、及び、発光ユニット１５上に第２電極１６を形成する工程を含む。さらに、第２電極１６上に粘着剤層１７を介して封止基材１８を貼り合せる封止工程を含む。
以下、光学部材１０、導電部材２０、及び、有機ＥＬ素子３０を製造するための各工程について説明する。
【０１０２】
［下地層を形成する工程］
まず、基材１１上に、下地層１２を形成する。下地層１２として、例えば、上述の方法で、ケイ素含有ポリマー改質層を基材１１上に形成する。例えば、下記の方法により、パーヒドロポリシラザンを含む液を塗布した後、パーヒドロポリシラザンを改質して下地層を形成する。
【０１０３】
まず、ケイ素含有化合物として、パーヒドロポリシラザンを含む溶液を調製する。そして、調製した溶液を、ロールコート法、フローコート法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、バーコート法、流延成膜法、インクジェット法、グラビア印刷法等を用いて、基材１１上に塗布する。塗膜形成後、塗膜中の有機溶媒を除去するために、形成した塗膜を５０〜２００℃に加熱して乾燥処理を行なう。
【０１０４】
さらに、乾燥後の塗膜に対し、例えば、真空紫外線照射処理を行い、塗膜の改質処理を行なう。真空紫外線照射処理は、例えば、Ｘｅエキシマランプを用いて、１ｍＷ／ｃｍ２〜１０Ｗ／ｃｍ２の照度、０．１〜１０．０Ｊ／ｃｍ２の照射エネルギー量で、０．１秒〜１０分間、真空紫外線の照射を行なう。
【０１０５】
［母型の作製］
母型には、凸部の高さが１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下となる表面形状を形成することが好ましい。また、母型には、凸部のピッチが１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の表面形状を形成することが好ましい。微細凹凸構造を有する母型は、例えば、レジストに光描画（マスク露光、縮小投影露光、干渉露光等）、電子線描画、Ｘ線描画等の手法を用いてで潜像を形成した後、現像により凹凸パターンを形成することで作製することができる。特に、大面積の凹凸構造を有する母型を生産性よく作製する方法としては、２光束干渉露光等の光描画手法が優れている。母型の凹凸構造は、レジストで形成した凹凸構造から電鋳技術で形成してもよく、レジストをマスクとしてエッチングしてシリコン、石英ガラス、金属等に形状を転写して形成してもよい。また、母型には、離型剤が塗布されていてもよい。
【０１０６】
（具体的な母型作製方法：レーザー干渉露光方式）
紫外線レーザー（波長２６６ｎｍ）を使用して、法線方向に対する傾き３５度で液浸２光束干渉露光を行い、レジストに干渉縞を形成する。レーザー光源としては「コヒーレント社製ＭＢＤ２６６」を用いることができる。レジスト材料としては、露光部分にレジストが残存するネガ型レジスト、例えば、「東京応化製ＴＤＵＲ−００９Ｐ」を使用することができる。液浸露光光学系としては、ビーム直径８０ｍｍ、露光エリア以外をマスクして未露光部とする。
【０１０７】
次に、レジストを現像した後、ドライエッチングで石英ガラス（７０ｍｍ角、厚み１．２ｍｍ）に描画サイズ５０ｍｍ角の微細な凹凸構造を形成する。そして、１０００ｍｍ角の樹脂基板（アクリル樹脂、厚み１ｍｍ）の全面に、ナノインプリント（熱インプリント）技術を用いて、石英ガラスの凹凸構造をステップ＆リピートで転写する。樹脂基板をＮｉ電鋳することで、母型（ニッケルモールド、１０００ｍｍ角、厚み１ｍｍ）を作製することができる。
【０１０８】
（フィルム状の母型）
また、母型として後述するロールツーロール方式による凹凸層１３の製造方法を適用可能な、フィルム状の母型や、このフィルム状の母型がロールの外面に取付けられたインプリントロールを作製してもよい。
【０１０９】
フィルム状の母型は、例えば、長尺で可撓性のあるシリコーン樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアリレート等のフィルムを用いて、このフィルムの表面に凹凸構造を形成する。凹凸構造は、フィルムに直に接して形成してもよく、フィルム上に設けられた光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の被覆材料に形成してもよい。
【０１１０】
具体的には、例えば、ロールに巻き付けられているフィルムを下流側に繰り出し、ダイコータ等を用いてフィルム上にー被覆材料を塗布する。そして、フィルム上に塗布した被覆材料に、所定の凹凸構造が表面に形成された転写ロールの外周面を押し付け、転写ロールの外周面の凹凸パターンを塗膜に転写する。このとき、紫外線等のエネルギー線や、加熱等を行なうことにより、凹凸パターンが転写された被覆材料を硬化する。最後に、硬化した凹凸構造を有する被覆材料から転写ロールを引き離し、巻き取りロールでフィルムを巻き取ることにより、フィルム状の母型を作製することができる。また、必要に応じてフィルム状の母型の凹凸面にめっきを施してもよい。めっきとしては、無電解めっき法又は電解めっき法が適用できる。
【０１１１】
［凹凸層形成材料を含む塗布膜を形成する工程］
凹凸層１３を作製する方法は特に限定されず、例えば、国際公開２０１１／００７８７８号、特開平１１−２８３７５１号公報、特開２０１３−１０９９３２号公報、特開２０１３−１５７３４０号公報、特開２００８−２９０３３０号公報、特開２０１３−２１９３３４号公報等に記載の方法を適用できる。特に、可撓性フィルムを用いた有機ＥＬ素子３０の製造において、生産性が向上することから、特開２００８−２９０３３０号公報、特開２０１３−２１９３３４号公報等に記載された、ロールツーロール方式による凹凸層１３の製造方法を適用することが好ましい。
【０１１２】
図４〜図６に、凹凸層１３を形成するための工程図の一例を示す。凹凸層１３を製造するための方法は、基材１１上に、凹凸層１３（凹凸層）を形成するための材料（凹凸層形成材料）を塗布する工程、凹凸層形成用の母型を押し付けつつ、凹凸層形成材料を硬化させる工程、及び、母型を離型する工程とを有する。
【０１１３】
（液状組成物の調整）
まず、上述の凹凸層形成材料を、溶媒に溶解又は分散させて、凹凸層形成材料を含む液状組成物を調製する。凹凸層形成材料としては、上述の樹脂材料や透明無機材料を使用することができる。また、溶媒としては、炭素数１〜４程度の低級アルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、トルエン、キシレンなどの炭化水素類などを選択することができる。
【０１１４】
（凹凸層形成材料の塗布）
次に、図４に示すように、基材１１上に、凹凸層形成材料を含む液状組成物を塗布し、凹凸層形成材料を含む塗布膜１３Ａを形成する。このとき、凹凸層形成材料を含む塗布膜１３Ａは、少なくとも、作製した母型１９の凸部の厚さ以上で形成する。より具体的には、母型の凹凸構造を考慮して、凹凸層１３の凸部の高さＡ、凹部における厚さＢ、及び、凸部における厚さＣを満たす厚さに形成する。
【０１１５】
液状組成物を塗布する方法としては、スピンコート方、バーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法等の塗布方法を用いることができる。凹凸層形成材料の液状組成物は、凹凸寸法に応じて粘度、分子量、作製した母型１９に対する濡れ性、等の条件を適切に選ぶ必要がある。凹凸構造が微細な場合には、粘度が低く、分子量も低い方が凹凸構造に液が入りやすく望ましい。また、母型１９との濡れ性も良い方が望ましい。
【０１１６】
また、インクジェット方式を用いて母型１９上に塗布する場合には、液状組成物をインクジェットヘッドに充填し、ノズルから吐出して母型１９表面の必要な部分に塗布する。インクジェット方式には、圧電体素子を用いたピエゾ型インクジェット方式、又は、気泡ジェット方式等を用いることができ、特にピエゾ型インクジェット方式を用いると数ｍＰａ・ｓ〜１００ｍＰａ・ｓ程度までの幅広い粘度の塗布液を吐出できるので好ましい。
【０１１７】
（母型との貼合）
次に、図５に示すように、塗布した凹凸層形成材料が固化する前に、未硬化の状態の凹凸層形成材料を含む塗布膜１３Ａに、母型１９を貼合押し当てる。そして、母型１９と塗布膜１３Ａとが貼合された状態で凹凸層形成材料を硬化する。これにより、母型１９の凹凸構造が転写された凹凸層１３を基材１１上に形成する。
【０１１８】
凹凸層形成材料の硬化には、凹凸層形成材料の加熱、又は、凹凸層形成材料への紫外線や電子線等の活性線の照射を行なう。このとき、塗布液柱の溶媒の揮発や乾燥処理等は室温で行ってもよい。また、乾燥固化を加速する為に、ある一定温度の環境下で温風に曝す。ただし、ある一定温度以上に昇温すると、基材１１及び凹凸層形成材料を含む塗布膜１３Ａの変形や、乾燥過程での気泡の発生等の不都合が生じる。
【０１１９】
（離型）
次に、図６に示すように、形成した凹凸層１３から母型１９を離型する。母型１９の離型は、凹凸層形成材料が自らの形状を保てるよう硬化した段階で行なう。離型が速すぎると離型時に成形した凹凸層形成材料の凹凸構造が崩れて転写性能が落ちる。また、形状が崩れない程度の硬化状態になった後、速やかに離型することが好ましい。
【０１２０】
（ロールツーロール方式）
上述のフィルム状の母型を用いて、ロールツーロール方式で凹凸層１３を形成する場合には、上述の凹凸層形成材料の塗布、母型１９との貼合、及び、離型を、一連のロールツーロール装置内で行なう。例えば、ロールから基材１１を繰り出し、この基材１１上又は下地層１２上に、凹凸層形成材料を含む液状組成物を塗布する。液状組成物の塗布方法としては、上述の塗布法からロールツーロールに適用可能な方法を選択することができる。
【０１２１】
そして、凹凸層形成材料を含む塗布膜１３Ａに、フィルム状の母型１９、又は、母型１９を有するインプリントロールを押し当てて、凹凸構造を転写する。例えば、押圧ロールと基材１１との間に、フィルム状の母型１９を送り込み、押圧ロールによって母型１９を塗布膜１３Ａに押し当てた状態で、基材１１とフィルム状の母型１９とを同時に搬送する。或いは、基材１１を、塗布膜１３Ａにインプリントロールを押し当てた状態のまま、インプリントロールの表面に沿って一定の距離で搬送する。
【０１２２】
さらに、塗布膜１３Ａに母型１９を押し当てた状態で、エネルギー線の照射や加熱を行い、凹凸層形成材料を硬化する。熱硬化樹脂やゾルゲル法等の加熱によって凹凸層形成材料を硬化させる場合には、加熱ロールを用いて凹凸層形成材料を加熱してもよい。その後、基材１１を搬送することで硬化した凹凸層形成材料から母型１９を剥離し、凹凸層１３を作製することができる。
【０１２３】
なお、搬送速度は、０．０５〜４０ｍ／分程度とすることが好ましく、１〜２０ｍ／分であることがより好ましい。移送速度が０．０５ｍ／分以上であれば、充分な生産性を確保できる。一方、移送速度が４０ｍ／分以下であれば、フィルム状の母型やインプリントロールによる転写時間を充分に確保でき、凹凸層形成材料の表面を充分に塑性変形できる。
以上の工程により、光学部材１０を作製することができる。
【０１２４】
［導電膜を形成する工程］
光学部材１０の凹凸層１３上に導電膜１４を形成する方法は、特に限定されない。例えば、上述の金属酸化物や、金属薄膜を形成する場合には、上述の材料を用いて真空蒸着法又はスパッタ法により形成することができる。真空蒸着法又はスパッタ法であれば、高温環境に基材１１を曝すことなく、平面性の高い導電膜１４を、極めて早く形成することができる。
【０１２５】
適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。
【０１２６】
スパッタ法には、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、ＤＣスパッタ法、ＤＣパルススパッタ法、ＲＦ（高周波）スパッタ法、デュアルマグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、イオンビームスパッタ法、バイアススパッタ法、及び対向ターゲットスパッタ法などの、公知のスパッタ法を適宜用いることができる。具体的な市販のスパッタ装置としては、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置、ウルバック社の各種スパッタ装置（例えば、マルチチャンバ型スパッタリング装置ＥＮＴＲＯＮＴＭ−ＥＸ  Ｗ３００）やアネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置等を用いることができる。
【０１２７】
真空蒸着法又はスパッタ法であれば、平面性の高い導電膜１４を極めて速い形成速度で形成することができる。また、凹凸層１３上に導電膜１４を成膜する際、金属酸化物を用いて導電膜１４を形成する場合には、形成速度が０．３ｎｍ／秒以上であることが好ましい。導電膜１４の形成速度は、０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。また、成膜時の温度は、−２５〜２５℃の範囲内であることが好ましい。成膜開始前の到達真空度は、３×１０−３Ｐａ以下が好ましく、７×１０−４Ｐａ以下がより好ましい。
以上の工程により、導電部材２０を作製することができる。
【０１２８】
［発光ユニットを形成する工程］
次に、導電部材２０の導電膜（第１電極）１４上に、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に成膜し、発光ユニット１５を形成する。これらの各層の成膜方法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。さらに、層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。これらの各層の成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１×１０−６〜１×１０−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、層厚０．１〜５μｍの範囲内で、各条件を適宜選択することが好ましい。
【０１２９】
［第２電極を形成する工程］
次に、発光ユニット１５上に第２電極１６を、蒸着法やスパッタ法などの適宜の成膜法によって形成する。この際、第２電極１６は、発光ユニット１５によって導電膜１４に対して絶縁状態を保ちつつ、発光ユニット１５の上方から基材１１の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。
【０１３０】
［封止工程］
次に、基材１１上において、導電膜１４の取り出し電極及び第２電極１６の端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光ユニット１５を覆うように、粘着剤層１７及び封止基材１８で封止する。まず、封止基材１８の一方の面に、粘着剤層１７を形成するための樹脂層を設け、樹脂付き封止基材を準備する。そして、樹脂付き封止基材の樹脂層側が基材１１、導電膜１４、発光ユニット１５、及び、第２電極１６の側面と上面とを覆うように、樹脂付き封止基材を貼り合せる。貼り合せた後、加熱等によって樹脂層を硬化する。
以上の工程により、粘着剤層１７及び封止基材１８で封止した有機ＥＬ素子３０を作製することができる。
【実施例】
【０１３１】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。
【０１３２】
〈試料１０１の有機ＥＬ素子の作製〉
［基材］
（基材準備）
基材としてガラス基板、無アルカリガラス  ＥＡＧＬＥ  ＸＧ（０．７ｍｍ×５０ｍｍ×５０ｍｍ）を準備した。
【０１３３】
［第１電極の作製］
上記ガラス基板（５０ｍｍ×５０ｍｍ）を、ＩＺＯターゲットを装着した市販の平行平板スパッタリング装置に移し、スパッタリング装置のチャンバー内を５×１０−３Ｐａまで減圧した後、窒素ガスと酸素ガスを流しながら、ＤＣ出力５００Ｗで放電し、成膜速度１０ｎｍ／秒で膜厚１５０ｎｍのＩＺＯの第１電極を形成した。
【０１３４】
［有機機能層の作製］
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼに、有機機能層の各層の構成材料をそれぞれ有機ＥＬ素子の作製に最適の量で充填した。蒸着用るつぼは、モリブデン、タングステン等の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
【０１３５】
有機機能層の各層の構成材料としては、下記化合物α−ＮＰＤ、ＢＤ−１、ＧＤ−１、ＲＤ−１、Ｈ−１、Ｈ−２及びＥ−１を用いた。
【０１３６】
【化１】
2017191725.tif 000003
【０１３７】
最初に、真空度１×１０−４Ｐａまで減圧し、化合物α−ＮＰＤが充填された蒸着用るつぼを通電して加熱し、０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で第１電極上に蒸着させ、層厚４０ｎｍの正孔注入輸送層を形成した。
【０１３８】
同様にして、化合物ＢＤ−１及びＨ−１を、化合物ＢＤ−１の濃度が５％になるように０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で共蒸着させ、層厚１５ｎｍの青色を呈する蛍光発光層を形成した。
次に、化合物ＧＤ−１、ＲＤ−１及びＨ−２を、化合物ＧＤ−１の濃度が１７％、化合物ＲＤ−１の濃度が０．８％になるように、０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で共蒸着させ、層厚１５ｎｍの黄色を呈するリン光発光層を形成した。
【０１３９】
その後、化合物Ｅ−１を０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着させ、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０１４０】
［第２電極の作製］
さらに、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を層厚１．５ｎｍにて形成し、アルミニウム１１０ｎｍを蒸着して第２電極（陰極）を形成した。第２電極は、正孔注入層から電子注入層までの有機機能層によって絶縁された状態で、基板の周縁に端子部分が引き出された形状で形成した。
【０１４１】
なお、各層の形成には蒸着マスクを使用し、５ｃｍ×５ｃｍの基板のうち、中央に位置する４．５ｃｍ×４．５ｃｍの領域を発光領域とし、発光領域の全周に幅０．２５ｃｍの非発光領域を設けた。
【０１４２】
［封止］
（粘着剤組成物の調製）
ポリイソブチレン系樹脂としてオパノールＢ５０（ＢＡＳＦ製、Ｍｗ：３４万）１００質量部、ポリブテン樹脂として日石ポリブテン  グレードＨＶ−１９００（新日本石油社製、Ｍｗ：１９００）３０質量部、ヒンダードアミン系光安定剤としてＴＩＮＵＶＩＮ７６５（チバ・ジャパン製、３級のヒンダードアミン基を有する）０．５質量部、ヒンダードフェノール系酸化防止剤としてＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（チバ・ジャパン製、ヒンダードフェノール基のβ位が二つともターシャリーブチル基を有する）０．５質量部、及び環状オレフィン系重合体としてＥａｓｔｏｔａｃ  Ｈ−１００Ｌ Ｒｅｓｉｎ（イーストマンケミカル．Ｃｏ．製）５０質量部をトルエンに溶解し、固形分濃度約２５質量％の粘着剤組成物を調製した。
【０１４３】
（封止用粘着シートの作製）
ガスバリア層として、アルミニウム（Ａｌ）が蒸着されたポリエチレンテレフタレートフィルム  アルペット１２／３４（アジアアルミ（株）社製）を用い、調製した上記粘着剤組成物の溶液を乾燥後に形成される粘着剤層の層厚が２０μｍとなるようにアルミニウム側（ガスバリア層側）に塗工し、１２０℃で２分間乾燥させて粘着剤層を形成した。次に、形成した粘着剤層面に対して、剥離シートとして、厚さ３８μｍの剥離処理をしたポリエチレンテレフタレートフィルムの剥離処理面を貼付して、封止用粘着シートを作製した。
【０１４４】
（封止）
上述の方法で作製した封止用粘着シートを、窒素雰囲気下において、剥離シートを除去し、１２０℃に加熱したホットプレート上で１０分間乾燥した後、室温（２５℃）まで低下するのを確認してから、陰極を完全に覆う形でラミネートし、９０℃で１０分加熱した。このようにして試料１０１の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４５】
〈試料１０２の有機ＥＬ素子の作製〉
ガラス基材上に下記の方法で厚さ１０００ｎｍの有機層を作製し、この有機層上に第１電極を作製した以外は、上述の試料１０１の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１０２の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４６】
［有機層の作製］
ガラス基材上に、フッ素系ＵＶ硬化性樹脂（旭硝子株式会社製の商品名「ＮＩＦ」）を乾燥膜厚が１０００ｎｍとなるように塗布した。次に、フッ素系ＵＶ硬化性樹脂の塗膜に、紫外線を６００ｍＪ／ｃｍ２の条件で照射することにより、フッ素系ＵＶ硬化性樹脂を硬化させた。
【０１４７】
〈試料１０３の有機ＥＬ素子の作製〉
ガラス基材上に形成する有機層の厚さを２０００ｎｍのとした以外は、上述の試料１０２の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１０３の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４８】
〈試料１０４の有機ＥＬ素子の作製〉
ガラス基材上に形成する有機層の厚さを３０００ｎｍのとした以外は、上述の試料１０２の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１０４の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４９】
〈試料１０５の有機ＥＬ素子の作製〉
ガラス基材上に下記の方法で凹凸層を作製し、この凹凸層上に第１電極を作製した以外は、上述の試料１０１の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１０２の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１５０】
［凹凸層］
ガラス基材上に、フッ素系ＵＶ硬化性樹脂（旭硝子株式会社製の商品名「ＮＩＦ」）を所定の乾燥膜厚となるように塗布した。次に、フッ素系ＵＶ硬化性樹脂の塗膜の表面に、凹部の深さが５０ｎｍの凹凸構造を有する母型を押し付けながら、紫外線を６００ｍＪ／ｃｍ２の条件で照射して、フッ素系ＵＶ硬化性樹脂を硬化させた。これにより、凸部の高さＡが５０ｎｍ、凹部における厚さＢが１０００ｎｍ、凸部における厚さＣが１０５０ｎｍの凹凸層を作製した。
【０１５１】
〈試料１０６の有機ＥＬ素子の作製〉
凹凸層の凸部の高さＡを５０ｎｍ、凹部における厚さＢを２０００ｎｍ、凸部における厚さＣを２０５０ｎｍとした以外は、上述の試料１０５の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１０６の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１５２】
〈試料１０７の有機ＥＬ素子の作製〉
凹凸層の凸部の高さＡを５０ｎｍ、凹部における厚さＢを３０００ｎｍ、凸部における厚さＣを３０５０ｎｍとした以外は、上述の試料１０５の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１０７の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１５３】
〈試料１０８の有機ＥＬ素子の作製〉
基材として下記の可撓性フィルムを準備し、この可撓性フィルム上に下記の方法で下地層を形成した後に第１電極を作製した以外は、上述の試料１０１の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１０８の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１５４】
［基材］
基材として、両面にクリアハードコート層を有する透明の樹脂基材、きもと社製のクリアハードコート層（ＣＨＣ）付ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（クリアハードコート層はアクリル樹脂を主成分としたＵＶ硬化樹脂より構成され、ＰＥＴの厚さが１２５μｍ）を準備した。
【０１５５】
［下地層］
パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）（アクアミカ  ＮＮ１２０−１０、無触媒タイプ、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製）の１０質量％ジブチルエーテル溶液に、アミン触媒としてＮ，Ｎ−ジエチルエタノールアミンを添加して塗布液とした。添加量は塗布液に対して１．０質量％とした。
上記塗布液を、ワイヤーバーにて、乾燥後の（平均）層厚が３００ｎｍとなるように塗布し、温度８５℃、湿度５５％ＲＨの雰囲気下で１分間処理して乾燥させ、更に温度２５℃、湿度１０％ＲＨ（露点温度−８℃）の雰囲気下に１０分間保持し、除湿処理を行って、ポリシラザン層を形成した。
次に、上記形成したポリシラザン層に対し、下記紫外線照射装置を用いて、大気圧下でシリカ転化処理を実施し、酸窒化ケイ素化合物膜を得た。
【０１５６】
（紫外線照射装置）
装置：株式会社  エム・ディ・コム製エキシマ照射装置ＭＯＤＥＬ  ＭＥＣＬ−Ｍ−１−２００
照射波長：１７２ｎｍ
ランプ封入ガス：Ｘｅ
【０１５７】
（改質処理条件）
稼動ステージ上に固定したポリシラザン層を形成した基板に対し、以下の条件で改質処理を行って、第２ガスバリア層を形成した。
エキシマランプ光強度：１３０ｍＷ／ｃｍ２（１７２ｎｍ）
試料と光源の距離：１ｍｍ
ステージ加熱温度：７０℃
照射装置内の酸素濃度：１．０％
エキシマランプ照射時間：５秒
【０１５８】
〈試料１０９の有機ＥＬ素子の作製〉
基材として上記可撓性フィルムを準備し、この可撓性フィルム上に第１電極を作製した以外は、上述の試料１０２の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１０９の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１５９】
〈試料１１０の有機ＥＬ素子の作製〉
下地層上に、厚さ２０００ｎｍの有機層を作製し、この有機層上に第１電極を作製した以外は、試料１０８と同様の方法で、試料１１０の有機ＥＬ素子を作製した。なお、有機層の作製は、上述の試料１０２と同様の方法で行なった。
【０１６０】
〈試料１１１の有機ＥＬ素子の作製〉
有機層の厚さを３０００ｎｍのとした以外は、上述の試料１１０の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１１１の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１６１】
〈試料１１２の有機ＥＬ素子の作製〉
下地層上に、凸部の高さＡが５０ｎｍ、凹部における厚さＢが１０００ｎｍ、凸部における厚さＣが１０５０ｎｍの凹凸層を作製し、この凹凸層上に第１電極を形成した以外は、上述の試料１０８の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１１２の有機ＥＬ素子を作製した。なお、凹凸層の作製は、上述の試料１０５と同様の方法で行なった。
【０１６２】
〈試料１１３の有機ＥＬ素子の作製〉
凹凸層の凸部の高さＡを５０ｎｍ、凹部における厚さＢを２０００ｎｍ、凸部における厚さＣを２０５０ｎｍとした以外は、上述の試料１１２の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１１３の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１６３】
〈試料１１４の有機ＥＬ素子の作製〉
凹凸層の凸部の高さＡを５０ｎｍ、凹部における厚さＢを３０００ｎｍ、凸部における厚さＣを３０５０ｎｍとした以外は、上述の試料１１２の有機ＥＬ素子と同様の方法で、試料１１４の有機ＥＬ素子を作製した。
【０１６４】
［光取り出し効率］
作製した各試料に対し、室温（２５℃）で、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度条件下による点灯を行い、分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ社製）を用いて、各実施例の発光輝度を測定し、当該電流値における光取り出し効率（電力効率）を求めた。
なお、発光効率は、試料１０１の有機ＥＬ素子の光取り出し効率を基準とし、試料１０１の光取り出し効率を１とする相対値で表す。
【０１６５】
［保存性］
８５℃（ｄｒｙ）の恒温槽に各試料を投入し、一定時間ごとに上記光取り出し効率の評価と同様の定電流密度における保存前と保存後との電圧上昇率を評価した。評価開始時より電圧上昇が１．０Ｖを超えた素子、又は、０．５ｍｍ以上のダークスポットが発生した素子を不可とし、不可となる時間が１０００時間を超えた試料をＡ、５００時間以上１０００時間未満の試料をＢとし、５００時間未満の試料をＣとした。
【０１６６】
表１に、各試料の有機ＥＬ素子について、基材、下地層の有無、凹凸層の有無、凹凸層の設計値、及び、第１電極の構成と、各試料の光取り出し効率、及び、保存性の評価結果とを示す。なお、表１では、ＰＥＴフィルムからなる樹脂基材を「ＰＥＴ」、パーヒドロポリシラザンの改質層からなる下地層を「ＳｉＯＮ」と表記している。
【０１６７】
【表１】
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【０１６８】
表１に示すように、凹凸層を有する試料１０５〜１０７、及び、試料１１２〜１１４の有機ＥＬ素子は、凹凸層を有していない試料１０１〜１０４、及び、試料１１２〜１１４の有機ＥＬ素子に比べ、光取り出し効率が向上している。従って、試料１０５〜１０７、及び、試料１１２〜１１４の有機ＥＬ素子に作製した凹凸層が、光取り出し効率を向上する機能を有している。
【０１６９】
また、凹凸層の凹部における厚さＢが１０００ｎｍ（１μｍ）である試料１０５及び試料１１２は、凹凸層の凹部における厚さＢが３０００ｎｍ（３μｍ）である試料１０７及び試料１１４に比べて、保存性が良好である。そして、凹凸層の凹部における厚さＢが２０００ｎｍ（２μｍ）である試料１０６及び試料１１３は、試料１０５及び試料１１２よりも保存性が低下するものの、試料１０７及び試料１１４に比べて、保存性が良好である。
【０１７０】
一方、凸部における厚さＣが２０００ｎｍを超える試料１０６、試料１０７、試料１１３及び試料１１４の有機ＥＬ素子は、凹凸層の凸部における厚さＣが１０５０ｎｍの試料１０５及び試料１１２の有機ＥＬ素子に比べて、保存性が低下している。さらに、凹凸層の凸部における厚さＣが３０００ｎｍを超える試料１０７及び試料１１４の有機ＥＬ素子では、他の試料に比べて保存性が低下している。
【０１７１】
同様に、凹凸層と同じ材料を用いて有機層を作製した試料１０２〜１０４、及び、試料１０９〜１１１の有機ＥＬ素子においても、有機層の厚さが大きくなるに従い、保存性が低下する結果が得られている。この試料１０２〜１０４、及び、試料１０９〜１１１の有機ＥＬ素子は、有機層の厚さは表面に凹凸層が形成されていない状態の厚さであるため、例えば、試料１０３及び試料１１０の有機ＥＬ素子のような、厚さ３００ｎｍの有機層にナノインプリント技術を用いて凹凸構造を形成すると、有機層の凸部における厚さが３００ｎｍを超える。
【０１７２】
以上の結果から、凹凸層の厚さが大きくなることにより、有機ＥＬ素子の保存性が低下することが分かる。これは、凹凸層の厚さが大きくなることにより、凹凸層を構成する材料の総量が大きくなるため、凹凸層から発生するアウトガスの量が多くなることに起因すると考えられる。
【０１７３】
しかし、凹凸層の凹部における厚さＢが２０００ｎｍ（２μｍ）以下の有機ＥＬ素子では、他の試料の有機ＥＬ素子に比べて、保存性の低下が抑制されている。従って、凹凸層の凹部における厚さＢを、２０００ｎｍ（２μｍ）とすることにより、光取り出し効率を向上させることが可能であるとともに、有機ＥＬ素子の保存性の低下を抑制することができる。
【０１７４】
特に、凹凸層の凹部における厚さＢが１０００ｎｍ（１μｍ）であり、且つ、凹凸層の凸部における厚さＣが２０００ｎｍ（２μｍ）未満の試料では、有機層を設けていない試料１０１及び試料１０８と同程度の保存性が得られている。この結果は、凹凸層の凸部における厚さＣを２０００ｎｍ（２μｍ）未満とすることにより、凹凸層を構成する有機材料の総量を抑え、アウトガスの発生量が、有機ＥＬ素子の保存性に影響を与えない程度まで十分に小さくなることを示している。従って、有機ＥＬ素子の保存性の低下を抑制するためには、凹凸層の凹部における厚さＢを１０００ｎｍ（１μｍ）以下とし、さらに凹凸層の凸部における厚さが２０００ｎｍ（２μｍ）未満とすることが好ましい。
【０１７５】
なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【０１７６】
１０  光学部材、１１  基材、１２  下地層、１３  凹凸層、１３Ａ  塗布膜、１４  導電層（第１電極）、１５  発光ユニット、１６  第２電極、１７  粘着剤層、１８  封止基材、１９  母型、２０  導電部材、３０  有機ＥＬ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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