(57)【要約】    【課題】  プリント配線板や電子部品を有する応用例の反りの低減    【解決手段】  実施形態の半導体素子搭載用のプリント配線板は第１面と第１面と反対側の第２面とを有する絶縁基板と絶縁基板の第１面上に形成されている導体層を有する。プリント配線板は半導体素子直下の第１エリアと第１エリア以外の第２エリアで形成されている。そして、第１エリア内に形成されている第１面上の導体層の厚みは、第２エリア内に形成されている第１面上の導体層の厚みより厚い。【選択図】  図４
2016134410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する絶縁基板と、
前記第１面上に形成されている導体層と、
前記第２面上に形成されている導体層とからなる半導体素子搭載用のプリント配線板であって、
前記半導体素子は前記第１面上に搭載され、前記プリント配線板は前記半導体素子直下の第１エリアと前記第１エリア外の第２エリアで形成され、前記第１面上に形成されている前記導体層は前記第１エリア内に形成されている第１エリア内導体層と前記第２エリアに形成されている第２エリア内導体層で形成されていて、前記第１エリア内導体層の厚みは前記第２エリア内導体層の厚みより厚い。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第２面上に形成されている前記導体層は前記第１エリア内に形成されている第１エリア内導体層と第２エリアに形成されている第２エリア内導体層で形成されていて、前記第２面上の導体層は以下の関係１を満足する。
関係１：前記第１エリア内導体層の厚みは前記第２エリア内導体層の厚みより薄い。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第２面上に形成されている前記導体層は前記第１エリア内に形成されている第１エリア内導体層と第２エリアに形成されている第２エリア内導体層で形成されていて、前記第２面上の導体層は以下の関係２を満足する。
関係２：前記第１エリア内導体層の厚みは前記第２エリア内導体層の厚みより厚い。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
特許文献１は、各導体層の厚みなどを調整することで、リフロー時の熱により発生する反りを防止する回路基板を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】特開２００２−２６１４０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１は電気部品を搭載するための回路基板を開示している。特許文献１の回路基板は、絶縁基板と絶縁基板の一面に形成されている第１の導電パターンと絶縁基板の他面に形成されている第２の導電パターンとを有し、第１の導電パターン上に電気部品が実装されている。そして、絶縁基板の反りを小さくするため、第１の導電パターン全体の面積と第２の導電パターン全体の面積がほぼ同じである。特許文献１の回路基板に電気部品が実装されると、回路基板の物性と電気部品の物性は異なると考えられる。物性の例は熱膨張係数やヤング率である。電気部品直下に位置するエリアは第１エリアと称される。物性が異なると、ヒートサイクルで第１エリアの回路基板と第２エリアの回路基板は異なる挙動を示すと考えられる。従って、特許文献１の回路基板に電気部品が実装されると、うねりなどの複雑な変形が発生すると予想される。なお、回路基板は第１エリアと第２エリアに分割される。
【０００４】
一つの目的は、小さな反りや小さなうねりを有する一実施形態のプリント配線板を提供することである。別の目的は、プリント配線板とプリント配線板上に実装されている半導体素子とからなる一実施形態の半導体装置の反りやうねりを小さくすることである。その他の目的は、実施形態のプリント配線板や実施形態の半導体装置の変形量を小さくすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る半導体素子搭載用のプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する絶縁基板と、前記第１面上に形成されている導体層と、前記第２面上に形成されている導体層とからなる。そして、前記半導体素子は前記第１面上に搭載され、前記プリント配線板は前記半導体素子直下の第１エリアと前記第１エリア外の第２エリアで形成され、前記第１面上に形成されている前記導体層は前記第１エリア内に形成されている第１エリア内導体層と前記第２エリアに形成されている第２エリア内導体層で形成されていて、前記第１エリア内導体層の厚みは前記第２エリア内導体層の厚みより厚い。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】図４（Ａ）は実施形態のプリント配線板の断面図であり、図４（Ｂ）は第１応用例の断面図である。
【図５】図５（Ａ）は応用例の参考例の模式図であり、図５（Ｂ）は改変例１の略図であり、図５（Ｃ）は第１応用例の平面図である。
【図６】図６（Ａ）は第５応用例の断面図であり、図６（Ｂ）は凹の反りを示し、図６（Ｃ）は凸の反りを示す。図６（Ｄ）は応用例の参考例の平面図である。
【図７】図７（Ａ）、（Ｂ）はレジストとレジストから露出する導体層を示す図である。
【図８】図８（Ａ）、（Ｂ）は導体層の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
[実施形態]
[実施形態のプリント配線板と第１応用例]
本発明の実施形態に係るプリント配線板１０が図４（Ａ）や図３（Ｂ）に示されている。実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０を有する。コア基板３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０ｚと絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓと第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓを接続し絶縁基板を貫通するスルーホール導体３６とを有する。第１導体層３４Ｆはスルーホール導体のランド３６ＦＲを含み、第２導体層３４Ｓはスルーホール導体のランド３６ＳＲを含む。第１導体層や第２導体層はベタパターン（Solid pattern）及び複数の導体回路も含む。スルーホール導体のランドはスルーホール導体上とスルーホール導体の周りに形成されているめっき膜などの導体で形成されている。スルーホール導体上のランドは絶縁基板から突出している導体である。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。
【０００８】
コア基板３０の第１面Ｆ上に層間樹脂絶縁層（上側の層間樹脂絶縁層）５０Ｆが形成されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層（上側の導体層）５８Ｆが形成されている。導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆやスルーホール導体３６は、層間樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体（上側のビア導体）６０Ｆで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆ上に層間樹脂絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）１５０Ｆが形成されている。層間樹脂絶縁層１５０Ｆ上に導体層（最上の導体層）１５８Ｆが形成されている。最上の導体層１５８Ｆと上側の導体層５８Ｆは、層間樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通するビア導体（最上のビア導体）１６０Ｆで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆとビア導体６０Ｆと層間樹脂絶縁層１５０Ｆと導体層１５８Ｆとビア導体１６０Ｆで上側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。実施形態では、上側のビルドアップ層は２層で形成されている。
【０００９】
コア基板３０の第２面Ｓ上に層間樹脂絶縁層（下側の層間樹脂絶縁層）５０Ｓが形成されている。層間樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体層（下側の導体層）５８Ｓが形成されている。導体層５８Ｓと第２導体層３４Ｓやスルーホール導体３６は、層間樹脂絶縁層５０Ｓを貫通するビア導体（下側のビア導体）６０Ｓで接続されている。下側の層間樹脂絶縁層５０Ｓと下側の導体層５８Ｓ上に、層間樹脂絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）１５０Ｓが形成されている。層間樹脂絶縁層１５０Ｓ上に導体層（最下の導体層）１５８Ｓが形成されている。最下の導体層１５８Ｓと下側の導体層５８Ｓは、層間樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通するビア導体（最下のビア導体）１６０Ｓで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｓと導体層５８Ｓとビア導体６０Ｓと層間樹脂絶縁層１５０Ｓと導体層１５８Ｓとビア導体１６０Ｓで下側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。実施形態では、下側のビルドアップ層は２層で形成されている。
【００１０】
上側のビルドアップ層５５Ｆ上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。図４（Ａ）に示されるように、上側のソルダーレジスト層の上面はプリント配線板１０の最上面ＳＦである。下側のビルドアップ層５５Ｓ上に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。図４（Ａ）に示されるように、下側のソルダーレジスト層の上面はプリント配線板１０の最下面ＳＳである。ソルダーレジスト層７０Ｆは、導体層１５８Ｆやビア導体１６０Ｆの上面を露出する開口７１Ｆを有する。ソルダーレジスト層７０Ｓは、導体層１５８Ｓやビア導体１６０Ｓの上面を露出する開口７１Ｓを有する。上側のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから露出している上側のパッド７３Ｆに半田バンプ（Ｃ４バンプ）７６Ｆが形成されている。下側のソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓから露出している下側のパッド７３Ｓに半田バンプ（ＢＧＡバンプ）７６Ｓが形成されている。
【００１１】
絶縁基板２０ｚと層間樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ、１５０Ｆ、１５０Ｓ、ソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓの中で絶縁基板２０ｚの厚みは最も厚い。
【００１２】
プリント配線板１０は図４（Ａ）に示されるように平面Ｚで分割される。平面Ｚは第１面Ｆと第２面Ｓの中間に位置し、平面Ｚと第１面Ｆとの間の距離と平面Ｚと第２面Ｓとの間の距離は等しい。平面Ｚと最上面ＳＦとの間のプリント配線板は上側のプリント配線板１０Ｕであり、平面Ｚと最下面ＳＳとの間のプリント配線板は下側のプリント配線板１０Ｂである。
【００１３】
図４（Ｂ）はプリント配線板１０の第１応用例１１０の断面図を示す。第１応用例１１０はプリント配線板１０とプリント配線板１０に実装されている半導体素子９０を有する。第１応用例は、さらに、図４（Ｂ）に示されるモールド樹脂９４を有してもよい。半導体素子９０は上側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｆを介して実装されている。図５（Ｃ）は第１応用例１１０の平面図を示す。図５（Ｃ）は、図４（Ｂ）の第１応用例１１０を半導体素子９０上の位置から観察することで得られる。図５（Ｃ）は、半導体素子９０の上面と半導体素子９０から露出するプリント配線板１０の上面を示している。点線は半導体素子９０の外周を示し、実線はプリント配線板１０の外周を示す。半導体素子直下に位置するエリアは第１エリアＥ１である。点線内のエリアは第１エリアＥ１である。点線内に位置しているプリント配線板は第１エリア内のプリント配線板と称される。第１エリア外のエリアは第２エリアＥ２である。図５（Ｃ）では点線と実線の間のエリアが第２エリアＥ２である。点線と実線との間に位置しているプリント配線板は第２エリア内のプリント配線板と称される。
【００１４】
各上側のパッド７３Ｆの中心または重心を結ぶことで得られる面は実装面と称される。実装面の平坦度が高いと半導体素子等の電子部品９０とプリント配線板１０との間の接続信頼性が高い。実装の歩留まりが高い。
【００１５】
図４（Ｂ）に示されるように、実施形態のプリント配線板１０は半導体素子などの電子部品を搭載するためのプリント配線板である。半導体素子９０の物性とプリント配線板１０の物性が異なる。物性の例は熱膨張係数やヤング率である。半導体素子９０がプリント配線板１０に実装されるとき、プリント配線板１０と半導体素子９０は加熱される。半導体素子９０とプリント配線板１０をしっかり接着するため、第１エリア内のプリント配線板の平坦度は高いことが望ましい。平坦度が高いと、プリント配線板の各パッドと電子部品の各電極間の接合強度のバラツキが小さくなる。その結果、電子部品とプリント配線板間の接続信頼性が高くなる。
プリント配線板１０の構成材料の内、導体層は金属で形成されている。金属の剛性は高い。また、金属は融点が高いので、プリント配線板に電子部品が実装されるとき、金属の剛性は保たれる。従って、プリント配線板に半導体素子が実装されるとき、導体層は第１エリアを強化することができる。そのため、第１エリア内の導体の体積は大きいことが好ましい。第１エリア内の導体の体積の比率（比率１）は高いことが好ましい。第１エリア内の導体の体積の比率は、第１エリアに形成されている導体層の導体の体積を第１エリアの面積で割ることで得られる。第１導体層３４Ｆと上側のビルドアップ層５５Ｆに属する導体層５８Ｆ、１５８Ｆは実装面に近い。そのため、絶縁基板の第１面上に形成されている導体層３４Ｆ、５８Ｆ、１５８Ｆは、第１エリア内のプリント配線板の平坦度に大きな影響を与える。第１エリア内に形成されている第１導体層３４Ｆの導体の体積や第１エリア内に形成されている第１導体層３４Ｆの導体の体積の比率は大きいことが好ましい。第１エリア内に形成されている導体層５８Ｆ、１５８Ｆの導体の体積や第１エリア内に形成されている導体層５８Ｆ、１５８Ｆの導体の体積の比率は大きいことが好ましい。特に、第１導体層３４Ｆは絶縁基板上に形成されているので、第１エリア内のプリント配線板の平坦度に影響を与える。導体層５８Ｆ、１５８Ｆは上側のビルドアップ層に属する導体層である。
【００１６】
第１応用例１１０は第１エリア上に半導体素子を有する。そのため、第１エリア内のプリント配線板は半導体素子の影響を大きく受ける。それに対し、第２エリア内のプリント配線板は半導体素子の影響をあまり受けない。そして、導体層を形成している銅などの金属の熱膨張係数は半導体素子９０の熱膨張係数より大きい。また、導体層を形成している金属の熱膨張係数は絶縁基板の熱膨張係数より大きい。ここで、絶縁基板の熱膨張係数は第１面Ｆに平行な方向の値である。第１応用例１１０の温度が上昇すると、第１エリアのプリント配線板は半導体素子で伸びが抑制される。それに対し、第２エリア内に形成されている導体層により、第２エリア内のプリント配線板の伸びは大きい。そのため、第１応用例１１０では、第１エリア内のプリント配線板の変形量と第２エリア内のプリント配線板の変形量の差が大きくなりやすい。第１応用例１１０はヒートサイクルで歪みやすい。
それらを防止するため、実施形態のプリント配線板１０では、第２エリア内に形成されている第１面Ｆ上の各導体層３４Ｆ、５８Ｆ、１５８Ｆの導体の体積は小さい。絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている各導体層３４Ｆ、５８Ｆ、１５８Ｆでは、第２エリア内の導体の体積は第１エリア内の導体の体積より小さい。第２エリア内に形成されている第１面Ｆ上の各導体層３４Ｆ、５８Ｆ、１５８Ｆの導体の体積の比率は低い。絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている各導体層３４Ｆ、５８Ｆ、１５８Ｆでは、第２エリア内の導体の体積の比率は第１エリア内の導体の体積の比率より小さい。第２エリア内の導体の体積の比率（比率２）は、第２エリア内に形成されている導体層の導体の体積を第２エリアの面積で割ることで得られる。絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている各導体層３４Ｆ、５８Ｆ、１５８Ｆでは、比率１を比率２で割ることで得られる値は１．２以上５以下である。歪みが効果的に抑えられる。
実施形態のプリント配線板によれば、電子部品を実装しやすいプリン配線板を提供することができる。
第１応用例１１０の反りや歪み、うねりが減少する。そのため、第１応用例がヒートサイクルを受けても、第１応用例は長期間安定している。
【００１７】
[第１実施形態のプリント配線板の改変例１と第２応用例]
第１実施形態のプリント配線板１０では、第２導体層３４や下側のビルドアップ層に属する導体層５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積や導体の体積の比率は自由である。それに対し、改変例１では、それらが制御されている。第２導体層３４や下側のビルドアップ層に属する導体層５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積や導体の体積の比率が以下に述べられる。改変例１では、第２エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積は第１エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積より大きい。第２エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積の比率は第１エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積の比率より大きい。第２エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積の比率を第１エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積の比率で割ることで得られる値は１．２以上５以下である。改変例１のプリント配線板に半導体素子などの電子部品９０が実装される。第２応用例が完成する。
第１応用例の温度が上がると、第１実施形態のプリント配線板は伸びようとする。しかしながら、第１実施形態のプリント配線板では、半導体素子９０で第１エリア内の第１面Ｆ側のコア基板３０の伸びが抑えられる。逆に、第１応用例の温度が下がると、プリント配線板は縮もうとする。しかしながら、第１実施形態のプリント配線板では、半導体素子９０で第１エリア内の第１面Ｆ側のコア基板３０の縮みが抑えられる。このように、ヒートサイクルで第１エリア内の第１面Ｆ側のコア基板３０にストレスが貯まる。ヒートサイクルで第１応用例のコア基板の劣化のリスクが存在する。
しかしながら、改変例１では、第１エリア内の下側のビルドアップ層５５Ｓに属する各導体層の導体の体積は、第２エリア内の下側のビルドアップ層５５Ｓに属する各導体層の導体の体積より小さい。第１エリア内の下側のビルドアップ層５５Ｓに属する各導体層の導体の体積の比率は、第２エリア内の下側のビルドアップ層５５Ｓに属する各導体層の導体の体積の比率より小さい。第１エリア内の第２導体層３４Ｓの導体の体積は、第２エリア内の第２導体層３４Ｓの導体の体積より小さい。第１エリア内の第２導体層３４Ｓの導体の体積の比率は、第２エリア内の第２導体層３４Ｓの導体の体積の比率より小さい。そのため、第２応用例では、第１エリア内の第２面Ｓ側のコア基板３０の熱膨張係数は第１エリア内の第１面Ｆ側のコア基板３０の熱膨張係数より小さい。従って、第２応用例がヒートサイクルを受けても、第２応用例の第２面Ｓ側のコア基板の伸縮は小さい。また、第２面Ｓと半導体素子９０との間の距離は、第１面Ｆと半導体素子９０との間の距離より長い。半導体素子９０は、第２面Ｓ側のコア基板に大きな影響を与えない。そのため、第２応用例では、第２面Ｓ側のコア基板に働くストレスが小さくなる。第２応用例によれば、第１エリア内のコア基板に働くストレスが小さくなる。第２応用例がヒートサイクルを受けても、第２応用例のコア基板が劣化しがたい。第２応用例が、長期間、使用されても誤動作が発生しがたい。
【００１８】
[第１実施形態のプリント配線板の改変例２と第３応用例]
第１実施形態のプリント配線板１０では、第２導体層３４や下側のビルドアップ層に属する導体層５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積や導体の体積の比率は自由である。それに対し、改変例２では、それらが制御されている。第２導体層３４や下側のビルドアップ層に属する導体層５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積や導体の体積の比率が以下に述べられる。改変例２では、第２エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積は第１エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積より小さい。第２エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積の比率は第１エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積の比率より小さい。第１エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積の比率を第２エリア内に形成されている各導体層（絶縁基板の第２面Ｓ上の導体層）３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積の比率で割ることで得られる値は１．２以上５以下である。改変例２のプリント配線板に半導体素子などの電子部品９０が実装される。第３応用例が完成する。
第３応用例はマザーボードと接続するための面（接続面）ＭＳを有する。接続面ＭＳは全ての下側のパッド７３Ｓの中心または重心を含む面である。下側のパッド７３Ｓはプリント配線板のほぼ全面に形成されている。接続面ＭＳの平坦度が高いと、第３応用例とマザーボード間の接続信頼性が高い。
第３応用例はリフローなどでマザーボードに搭載される。その時、第３応用例は加熱される。ＩＣ直下のエリア（第１エリア）は半導体素子で補強されている。そのため、第１エリアの接続面の平坦度は高い。しかしながら、第２エリアの接続面は半導体素子で補強されていないので、接続面の平坦度が低くなりやすい。そのような不具合を低減するため、改変例２では、第１エリア内の下側のビルドアップ層５５Ｓに属する各導体層５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積は、第２エリア内の下側のビルドアップ層５５Ｓに属する各導体層５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積より大きい。第１エリア内の下側のビルドアップ層５５に属する各導体層５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積の比率は第２エリア内の下側のビルドアップ層５５に属する各導体層５８Ｓ、１５８Ｓの導体の体積の比率より大きい。第１エリア内の第２導体層３４Ｓの導体の体積は、第２エリア内の第２導体層３４Ｓの導体の体積より大きい。第１エリア内の第２導体層３４Ｓの導体の体積の比率は第２エリア内の第２導体層３４Ｓの導体の体積の比率より大きい。そのため、第２エリア内の下側のビルドアップ層５５Ｓや第２エリア内の第２面Ｓ側のコア基板３０の重さが軽くなる。重力で第３応用例が反り難い。
第２エリア内の上側のビルドアップ層５５Ｆに属する各導体層５８Ｆ、１５８Ｆの導体の体積は第１エリア内の上側のビルドアップ層５５Ｆに属する各導体層５８Ｆ、１５８Ｆの導体の体積より小さい。第２エリア内の上側のビルドアップ層５５Ｆに属する各導体層５８Ｆ、１５８Ｆの導体の体積の比率は第１エリア内の上側のビルドアップ層５５Ｆに属する各導体層５８Ｆ、１５８Ｆの導体の体積の比率より小さい。第２エリア内の第１導体層３４Ｆの導体の体積は第１エリア内の第１導体層３４Ｆの導体の体積より小さい。第２エリア内の第１導体層３４Ｆの導体の体積の比率は第１エリア内の第１導体層３４Ｆの導体の体積の比率より小さい。重力で第３応用例が反り難い。
従って、マザーボードと第３応用例が確実に接続される。マザーボードと第３応用例間の接続信頼性が高い。
【００１９】
[応用例の参考例]
応用例の参考例１１００の断面図と平面図が図５（Ａ）と図６（Ｄ）に示されている。図６（Ｄ）のＸ２とＸ２との間の参考例１１００の断面が図５（Ａ）に示されている。応用例の参考例１１００の略図が図５（Ａ）に示される。図５（Ａ）は参考例１１００の断面図である。図６（Ｄ）は、半導体素子９００と半導体素子９００から露出するモールド樹脂９４０を示す。図６（Ｄ）に示されるように、半導体素子９００はプリント配線板１００の略中央に実装されている。図５（Ａ）に示される参考例１１００は、プリント配線板１００と半導体素子９００とモールド樹脂９４０とからなる。半導体素子９００は、図４（Ｂ）と同様に、上側のパッド上の半田バンプを介してプリント配線板１００に実装されている。そして、図４（Ｂ）と同様に、半導体素子９００はモールド樹脂９４０で封止されている。モールド樹脂９４０は、図４（Ｂ）と同様に、プリント配線板１００と半導体素子９００間と上側のソルダーレジスト層７０Ｆ上に形成されている。モールド樹脂９４０は第１エリアのプリント配線板上と第２エリアのプリント配線板上に形成されている。プリント配線板１００では、第１エリア内の各導体層の導体の体積と第２エリア内の各導体層の導体の体積は同じである。あるいは、プリント配線板１００では、第１エリア内の各導体層の導体の体積の比率と第２エリア内の各導体層の導体の体積の比率は同じである。
【００２０】
図５（Ａ）の略図は、高温時での参考例１１００の形状を模式的に示している。高温は１８０度以上、３００度以下である。また、図５（Ａ）に、高温時での参考例の各部分の伸び量が矢印の大きさで示されている。伸び量は矢印の大きさで相対的に示されている。矢印９４ＳＴＬと矢印９４ＳＴＲはモールド樹脂９４０の伸び量を示している。矢印９０ＳＴは半導体素子９００の伸び量を示している。矢印１０ＳＴＬと矢印１０ＳＴＣと矢印１０ＳＴＲはプリント配線板１００の伸び量を示している。参考例１１００では、モールド樹脂９４０の熱膨張係数は、プリント配線板１００の熱膨張係数と半導体素子９００の熱膨張係数より大きい。プリント配線板１００の熱膨張係数は半導体素子９００の熱膨張係数より大きい。
参考例１１００をマザーボードに搭載するため、参考例１１００が加熱されると、熱膨張係数の差により、参考例１１００の各部分で伸び量が異なる。各部分の伸び量は図５（Ａ）に矢印の大きさで示されている。
参考例１１００では、半導体素子９００の伸び量９０ＳＴは第１エリア内のプリント配線板の伸び量１０ＳＴＣより小さい。そのため、第１エリア内の参考例１１００は、図５（Ａ）に示されるように、凹の反りを有する。第２エリアでは、モールド樹脂の伸び量９４ＳＴＬ、９４ＳＴＲはプリント配線板の伸び量１０ＳＴＬ、１０ＳＴＲより大きい。そのため、第２エリアの参考例１１００は、図５（Ａ）に示されるように、凸の反りを有する。参考例１１００の温度が上がると、参考例１１００は図５（Ａ）に示される大きなうねりを有する。そして、参考例１１００の温度が下がると、参考例１１００は図５（Ａ）に示されているうねりと逆の大きなうねりを有する。ヒートサイクルで参考例１１００は、異なる形状のうねりを繰り返す。ヒートサイクルで参考例１１００の信頼性が低下する。
矢印の長さは伸び量の大きさを示している。矢印の長さで伸びの大きさが相対的に比較される。
プリント配線板１０、１００が平面５００と向かい合うように、応用例１１０、１１００が平面５００上に置かれる。そして、応用例１１０、１１００の外周が平面から浮くと、応用例１１０、１１００は凹の反りを有する（図６（Ｂ））。応用例１１０、１１００の中央部分が平面から浮くと、応用例１１０、１１００は凸の反りを有する（図６（Ｃ））。
【００２１】
[第４応用例]
参考例１１００の不具合を小さくするための例が第４応用例である。第４応用例のプリント配線板に改変例１のプリント配線板１０が用いられる。図５（Ｂ）に改変例１のプリント配線板の略図と伸び量を表す矢印が示されている。図５（Ｂ）の矢印の大きさは高温時の相対的な伸び量を示している。
図５（Ｂ）のプリント配線板１０の上に上側のプリント配線板１０Ｕの伸び量を表す矢印１０ＳＴＬＦ、１０ＳＴＣＦ、１０ＳＴＲＦが示されている。矢印１０ＳＴＬＦ、１０ＳＴＣＦ、１０ＳＴＲＦの大きさで伸び量が相対的に描かれている。矢印１０ＳＴＬＦ、１０ＳＴＲＦは、第２エリア内の上側のプリント配線板１０Ｕの伸び量を表す。矢印１０ＳＴＣＦは、第１エリア内の上側のプリント配線板１０Ｕの伸び量を表す。
図５（Ｂ）のプリント配線板１０の下に下側のプリント配線板１０Ｂの伸び量を表す矢印１０ＳＴＬＳ、１０ＳＴＣＳ、１０ＳＴＲＳが示されている。矢印１０ＳＴＬＳ、１０ＳＴＣＳ、１０ＳＴＲＳの長さで伸び量が相対的に描かれている。矢印１０ＳＴＬＳ、１０ＳＴＲＳは、第２エリア内の下側のプリント配線板１０Ｂの伸び量を表す。矢印１０ＳＴＣＳは、第１エリア内の下側のプリント配線板１０Ｂの伸び量を表す。
上側のプリント配線板１０Ｕの伸び量を表す矢印１０ＳＴＬＦ、１０ＳＴＣＦ、１０ＳＴＲＦの上にモールド樹脂の伸び量を表す矢印９４ＳＴＬ、９４ＳＴＲと半導体素子の伸び量を表す矢印９０ＳＴが示されている。これらの矢印９４ＳＴＬ、９４ＳＴＲ、９０ＳＴの長さで伸び量が相対的に描かれている。矢印９４ＳＴＬ、９４ＳＴＲは第２エリアのモールド樹脂の伸び量を示す。半導体素子は第１エリアに形成されている。
第２エリアでは、矢印１０ＳＴＬＦは矢印９４ＳＴＬと矢印１０ＳＴＬＳで挟まれている。矢印１０ＳＴＲＦは矢印９４ＳＴＲと矢印１０ＳＴＲＳで挟まれている。矢印９４ＳＴＬ、９４ＳＴＲと矢印１０ＳＴＬＦ、１０ＳＴＲＦによれば、上側が伸び、下側が縮むので、凸の反りが得られる。矢印１０ＳＴＬＳ、１０ＳＴＲＳと矢印１０ＳＴＬＦ、１０ＳＴＲＦによれば、上側が縮み、下側が伸びるので、凹の反りが得られる。このように、第２エリアでは、小さな伸びが大きな伸びで挟まれる。そのため、上側に位置する応用例の反りの形状と下側に位置する応用例の反りの形状が逆である。反りが相殺されるので、第４応用例の第２エリアの反りは小さくなる。
第１エリアでは、矢印１０ＳＴＣＦは矢印９０ＳＴと矢印１０ＳＴＣＳで挟まれている。矢印９０ＳＴと矢印１０ＳＴＣＦによれば、上側が縮み、下側が伸びるので、凹の反りが得られる。矢印１０ＳＴＣＦと矢印１０ＳＴＣＳによれば、上側が伸び、下側が縮むので、凸の反りが得られる。このように、第１エリアでは、大きな伸びが小さな伸びで挟まれる。そのため、上側に位置する応用例の反りの形状と下側に位置する応用例の反りの形状が逆である。反りが相殺されるので、第４応用例の第１エリアの反りは小さくなる。
温度が下がると、第４応用例は、高温時の反りに対し逆の反りの傾向を有する。但し、図５（Ｂ）と同様に、反りが相殺される。
このように、第４応用例によれば、ヒートサイクルで反りやうねり、ゆがみが小さくなる。信頼性が高くなる。第４応用例とマザーボード間の接続信頼性が向上する。第４応用例をマザーボードに搭載する歩留まりが高くなる。
【００２２】
[導体層内で導体の体積や導体の体積の比率を調整するための例]
図８（Ａ）と図８（Ｂ）に導体層５８０Ｆ、５８０Ｓの例が示されている。これらは、断面図である。図８（Ａ）は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚ上に形成されている導体層５８０Ｆを示している。図８（Ａ）では、導体層５８０Ｆは絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ、または、第２面Ｓ上に形成されている。図８（Ａ）の導体層５８０Ｆは上側と下側のビルドアップ層５５Ｆ、５５Ｓに属する層間樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ、１５０Ｆ、１５０Ｓ上に形成されてもよい。図８（Ｂ）は絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの第２面Ｓ上に形成されている導体層５８０Ｓを示している。図８（Ｂ）の導体層５８０Ｓは下側のビルドアップ層５５Ｓに属する層間樹脂絶縁層５０Ｓ、１５０Ｓ上に形成されてもよい。図８（Ａ）と図８（Ｂ）に点線ＬＲ、ＬＬが描かれている。点線ＬＲ、ＬＬが延長されると、点線ＬＲ、ＬＬと電子部品の側壁は重なる。点線ＬＲと点線ＬＬとの間のエリアは第１エリアＥ１であり、電子部品９０直下のエリアでる。プリント配線板１０の外周と点線ＬＲ、ＬＬとの間のエリアが第２エリアＥ２である。第２エリアＥ２は電子部品から露出する。図８（Ａ）と図８（Ｂ）で、第１エリア内に形成されている導体層は第１エリア内導体層５８０Ｆ１、５８０Ｓ１であり、第２エリア内に形成されている導体層は第２エリア内導体層５８０Ｆ２、５８０Ｓ２である。
図８（Ａ）の導体層では、第１エリア内導体層５８０Ｆ１の導体の体積は第２エリア内導体層５８０Ｆ２の導体の体積より大きい。
図８（Ａ）の導体層では、第１エリア内導体層５８０Ｆ１の導体の体積の比率は第２エリア内導体層５８０Ｆ２の導体の体積の比率より大きい。
図８（Ｂ）の導体層では、第２エリア内導体層５８０Ｓ２の導体の体積は第１エリア内導体層５８０Ｓ１の導体の体積より大きい。
図８（Ｂ）の導体層では、第２エリア内導体層５８０Ｓ２の導体の体積の比率は第１エリア内導体層５８０Ｓ１の導体の体積の比率より大きい。
図８（Ａ）の例では、第１エリア内導体層５８０Ｆ１の厚みＶ１は厚い。図８（Ａ）の例では、第２エリア内導体層５８０Ｆ２の厚みＶ２は薄い。図８（Ａ）の例では、厚みＶ１は厚みＶ２より大きい。厚みＶ１と厚みＶ２の比（Ｖ１／Ｖ２）は１．２以上であって、２．５以下である。プリント配線板１０の面積とプリント配線板１０に搭載される電子部品９０の面積から第１エリアの面積Ｅ１Ａと第２エリアの面積Ｅ２Ａは算出される。面積Ｅ１Ａと面積Ｅ２Ａが分れば、厚みＶ１と厚みＶ２を調整することで、第１エリア内導体層５８０Ｆ１の導体の体積を第２エリア内導体層５８０Ｆ２の導体の体積より大きくすることができる。第１エリア内導体層５８０Ｆ１の導体の体積の比率を第２エリア内導体層５８０Ｆ２の導体の体積の比率より大きくすることができる。
図８（Ｂ）の例では、第１エリア内導体層５８０Ｓ１の厚みＶ３は薄い。図８（Ｂ）の例では、第２エリア内導体層５８０Ｓ２の厚みＶ４は厚い。図８（Ａ）の例では、厚みＶ４は厚みＶ３より大きい。厚みＶ４と厚みＶ３の比（Ｖ４／Ｖ３）は１．２以上であって、２．５以下である。プリント配線板１０の面積とプリント配線板１０に搭載される電子部品９０の面積から第１エリアの面積Ｅ１Ａと第２エリアの面積Ｅ２Ａは算出される。面積Ｅ１Ａと面積Ｅ２Ａが分れば、厚みＶ３と厚みＶ４を調整することで、第２エリア内導体層５８０Ｓ２の導体の体積を第１エリア内導体層５８０Ｓ１の導体の体積より大きくすることができる。第２エリア内導体層５８０Ｓ２の導体の体積の比率を第１エリア内導体層５８０Ｓ１の導体の体積の比率より大きくすることができる。
【００２３】
厚みＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４やプリント配線板１０の面積、電子部品９０の面積などの例が以下に示される。プリント配線板１０と電子部品９０の形状は正方形である。プリント配線板の１辺の長さは５ｍｍであって、電子部品の１辺の長さは３ｍｍである。これらより、面積Ｅ１Ａは９ｍｍ２であって、面積Ｅ２Ａは１６ｍｍ２である。また、第１エリア内導体層５８０Ｆ１、５８０Ｓ１は第１エリアの８０％を覆っている。第２エリア内導体層５８０Ｆ２、５８０Ｓ２は第２エリアの８０％を覆っている。ここで、導体で覆われる面積は導体層のデザインより予想される。あるいは、導体で覆われる面積は導体層を形成するためのレジストのパターンで制御される。
厚みＶ１は１５μｍであり、厚みＶ２は７．５μｍである。これらより、第１エリア内導体層５８０Ｆ１の体積は０．１０８ｍｍ３であり、第２エリア内導体層５８０Ｆ２の体積は０．０９６ｍｍ３である。図８（Ａ）の例では、第１エリア内導体層５８０Ｆ１の導体の体積は第２エリア内導体層５８０Ｆ２の導体の体積より大きい。第１エリア内導体層５８０Ｆ１の導体の体積の比率（第１エリア内導体層５８０Ｆ１の導体の体積／第１エリアの面積）は０．０１２であり、第２エリア内導体層５８０Ｆ２の導体の体積の比率（第２エリア内導体層５８０Ｆ２の導体の体積／第２エリアの面積）は０．００６である。図８（Ａ）の例では、第１エリア内導体層５８０Ｆ１の導体の体積の比率は第２エリア内導体層５８０Ｆ２の導体の体積の比率より大きい。第１導体層３４Ｆや上側のビルドアップ層に属する導体層５８Ｆ、１５８Ｆや第２導体層３４Ｓや下側のビルドアップ層に属する導体層５８Ｓ、１５８Ｓは、図８（Ａ）に示される導体層５８０Ｆと同様な導体層で形成される。
厚みＶ３は１０μｍであり、厚みＶ４は１５μｍである。これらより、第１エリア内導体層５８０Ｓ１の体積は００７２ｍｍ３であり、第２エリア内導体層５８０Ｓ２の体積は０．１９２ｍｍ３である。図８（Ｂ）の例では、第２エリア内導体層５８０Ｓ２の導体の体積は第１エリア内導体層５８０Ｓ１の導体の体積より大きい。第１エリア内導体層５８０Ｓ１の導体の体積の比率（第１エリア内導体層５８０Ｓ１の導体の体積／第１エリアの面積）は０．００８であり、第２エリア内導体層５８０Ｓ２の導体の体積の比率（第２エリア内導体層５８０Ｓ２の導体の体積／第２エリアの面積）は０．０１２である。図８（Ｂ）の例では、第２エリア内導体層５８０Ｓ２の導体の体積の比率は第１エリア内導体層５８０Ｓ１の導体の体積の比率より大きい。第２導体層３４Ｓや下側のビルドアップ層に属する導体層５８Ｓ、１５８Ｓは、図８（Ｂ）に示される導体層５８０Ｓと同様な導体層で形成される。
【００２４】
[実施形態のプリント配線板の製造方法]
図１〜図３にプリント配線板１０の製造方法が示されている。
第１面Ｆと第２面Ｓとを有する絶縁基板（コア材）２０ｚが準備される。出発基板は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２Ｆ、２２Ｓで形成されている（図１（Ａ））。補強材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維等である。樹脂は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などである。
【００２５】
第１面Ｆ上の銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ側にスルーホール導体用の貫通孔を形成するための第１開口部２８Ｆが絶縁基板２０ｚに形成される。更に、第２面Ｓ上の銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｆに繋がる第２開口部２８Ｓが形成される。図１（Ｂ）に示されるように、第１開口部の軸線ＬＬ１と第２開口部の軸線ＬＬ２が一致するようにレーザが照射される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図１（Ｂ））。第１開口部２８Ｆは第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている。第２開口部２８Ｓは第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。
【００２６】
銅箔２２Ｆ、２２Ｓと貫通孔２８の側壁上に無電解めっき膜が形成される。その後、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。貫通孔内に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるめっき膜２４が形成される。同時に、絶縁基板の第１面と第２面上にめっき膜２４が形成される。電解めっき膜で貫通孔２８が充填される。めっき膜２４上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出するめっき膜２４と銅箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される。エッチングレジストが除去される。絶縁基板の第１面に導体層３４０Ｆが形成される。絶縁基板の第２面に導体層３４０Ｓが形成される。貫通孔２８に導体層３４０Ｆと導体層３４０Ｓを接続するスルーホール導体３６が形成される。導体層３４０Ｆの厚みｆ１１と導体層３４０Ｓの厚みｓ１１は２５μｍである（図１（Ｃ））。
【００２７】
図１（Ｄ）と図７（Ａ）に示されるように、第１エリアＥ１内の導体層３４０Ｆがレジスト４２Ｃで覆われる。レジスト４２Ｃの平面図が図７（Ａ）に示される。第２エリアＥ２内の導体層３４０Ｆがレジスト４２Ｃから露出する。図１（Ｄ）と図７（Ｂ）に示されるように、第２エリアＥ２内の導体層３４０Ｓがレジスト４２Ｅで覆われる。第１エリア内の導体層３４０Ｓがレジスト４２Ｅから露出する。
【００２８】
エッチングによりレジスト４２Ｃから露出する第２エリア内の導体層３４０Ｆの厚みが薄くなる。エッチングによりレジスト４２Ｅから露出する第１エリア内の導体層３４０Ｓの厚みが薄くなる。レジスト４２Ｃ、４２Ｅが除去される。貫通孔２８を有する絶縁基板と貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６と絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓとを有するコア基板３０が得られる（図１（Ｅ））。第１エリアＥ１内の第１導体層３４Ｆの厚みｆ１ｃは２５μｍであり、第２エリアＥ２内の第１導体層３４Ｆの厚みｆ１ｅは１５μｍである。第１エリアＥ１内の第２導体層３４Ｓの厚みｓ１ｃは１５μｍであり、第２エリアＥ２内の第２導体層３４Ｓの厚みｓ１ｅは２５μｍである。
【００２９】
コア基板３０の第１面Ｆ上及び第２面Ｓ上に、ガラスクロスとシリカなどの無機粒子とエポキシ等の熱硬化性樹脂を含むプリプレグが積層される。プリプレグ上に銅箔２２０Ｆ、２２０Ｓが積層される。その後、加熱プレスでプリプレグから層間樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓが形成される（図２（Ａ））。層間樹脂絶縁層として、無機粒子と樹脂のみを含む層間樹脂絶縁層用フィルムを用いることもできる。
【００３０】
次に、ＣＯ２ガスレーザで層間樹脂絶縁層５０Ｆにビア導体用の開口５１Ｆが形成され、層間樹脂絶縁層５０Ｓにビア導体用の開口５１Ｓが形成される。開口５１Ｆは第１導体層３４Ｆに至り、開口５１Ｓは第２導体層３４Ｓに至る。層間樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ上と開口５１Ｆ、５１Ｓの内壁に無電解銅めっき層５２が形成される。無電解銅めっき層５２上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する無電解銅めっき層５２上に、電解銅めっき層５６が形成される。めっきレジストが除去される。電解銅めっき層５６から露出する無電解銅めっき層５２と銅箔２２０Ｆ、２２０Ｓがエッチングで除去される。層間樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層５８０Ｆが形成され、層間樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体層５８０Ｓが形成される。同時に、層間樹脂絶縁層５０Ｆを貫通し第１導体層３４Ｆに至るビア導体６０Ｆが形成され、層間樹脂絶縁層５０Ｓを貫通し第２導体層３４Ｓに至るビア導体６０Ｓが形成される（図２（Ｂ））。導体層５８０Ｆの厚みｆ２２は２５μｍであり、導体層５８０Ｓの厚みｓ２２は２５μｍである。
【００３１】
図２（Ｃ）に示されるように、第１エリアＥ１内の導体層５８０Ｆがレジスト４４Ｃで覆われる。図２（Ｃ）に示されるように、第２エリアＥ２内の導体層５８０Ｓがレジスト４４Ｅで覆われる。レジスト４４Ｃの平面図は図７（Ａ）の図と同様である。レジスト４４Ｅの平面図は図７（Ｂ）の図と同様である。
【００３２】
エッチングによりレジスト４４Ｃから露出する第２エリア内の導体層５８０Ｆの厚みが薄くなる。エッチングによりレジスト４４Ｅから露出する第１エリア内の導体層５８０Ｓの厚みが薄くなる。レジスト４４Ｃ、４４Ｅが除去される。層間樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層５８Ｆが形成される。層間樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体層５８Ｓが形成される（図２（Ｄ））。第１エリアＥ１内の導体層５８Ｆの厚みｆ２ｃは２５μｍであり、第２エリアＥ２内の導体層５８Ｆの厚みｆ２ｅは１５μｍである。第１エリアＥ１内の導体層５８Ｓの厚みｓ２ｃは１５μｍであり、第２エリアＥ２内の導体層５８Ｓの厚みｓ２ｅは２５μｍである。
【００３３】
図２に示される工程が繰り返される。上側の層間樹脂絶縁層５０Ｆと上側の導体層５８Ｆ上に最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆが形成される。最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第１エリアＥ１内の最上の導体層と第２エリアＥ２内の最上の導体層とからなる最上の導体層１５８Ｆが形成される。最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆに上側の導体層５８Ｆと最上の導体層１５８Ｆを繋ぐ最上のビア導体１６０Ｆが形成される。第１エリア内の導体層１５８Ｆの厚みｆ３ｃは２５μｍであり、第２エリア内の導体層１５８Ｆの厚みｆ３ｅは１５μｍである。
下側の層間樹脂絶縁層５０Ｓと下側の導体層５８Ｓ上に最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓが形成される。最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第１エリアＥ１内の最下の導体層と第２エリアＥ２内の最下の導体層とからなる最下の導体層１５８Ｓが形成される。第１エリア内の導体層１５８Ｓの厚みｓ３ｃは１５μｍであり、第２エリア内の導体層１５８Ｓの厚みｓ３ｅは２５μｍである。最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓに下側の導体層５８Ｓと最下の導体層１５８Ｓを繋ぐ最下のビア導体１６０Ｓが形成される。
上側のビルドアップ層５５Ｆと下側のビルドアップ層５５Ｓが完成する（図３（Ａ））。
【００３４】
上側のビルドアップ層上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図３（Ｂ））。上側のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから露出する導体層やビア導体の上面はＣ４パッド（上側のパッド）７３Ｆとして機能する。一方、下側のソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓから露出する導体層やビア導体の上面はＢＧＡパッド（下側のパッド）７３Ｓとして機能する。
【００３５】
Ｃ４パッド７３ＦとＢＧＡパッド７３Ｓ上に保護膜７２を形成することができる（図３（Ｃ））。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやＯＳＰ（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。
【００３６】
Ｃ４パッド７３ＦとＢＧＡパッド７３Ｓ上に半田バンプ７６Ｆ、７６Ｓが形成される。プリント配線板１０が完成する（図４（Ａ））。
【００３７】
プリント配線板１０上にＣ４バンプ７６Ｆを介してＩＣチップ９０が搭載される。ＩＣチップとプリント配線板との間、及び、プリント配線板上にモールド樹脂９４が形成される。プリント配線板の第１応用例１１０が完成する（図４（Ｂ））。
【００３８】
[プリント配線板の第５応用例]
図６（Ａ）は、プリント配線板１０の第５応用例２００を示している。
第５応用例は、図４（Ｂ）に示される第１応用例１１０と第１応用例１１０上に搭載されている回路基板２００とからなる。第１応用例１１０と回路基板２００はプリント配線板の外周に形成されている半田バンプ７６ＦＯを介して接続されている。
【００３９】
第１エリアの面積と第１エリアの第１面Ｆの面積と第１エリアの第２面Ｓの面積は略等しい。第２エリアの面積と第２エリアの第１面Ｆの面積と第２エリアの第２面Ｓの面積は略等しい。
【００４０】
例えば、第１エリアの面積と第２エリアの面積が大きく異なると、第１エリア内の導体の体積の比率は第２エリア内の導体の体積の比率より大きく、第１エリア内の導体の体積は第２エリア内の導体の体積より小さいかもしれない。その場合、導体の体積の比率が優先される。導体の体積の比率でプリント配線板や応用例の反りが調整される。
【符号の説明】
【００４１】
１０  プリント配線板
３０  コア基板
３４Ｆ  第１導体層
３４Ｓ  第２導体層
３６  スルーホール導体
５０Ｆ、５０Ｓ  層間樹脂絶縁層
５８Ｆ、５８Ｓ  導体層
６０Ｆ、６０Ｓ  ビア導体
７０Ｆ、７０Ｓ  ソルダーレジスト層
９０  電子部品
９４  モールド樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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