(57)【要約】【課題】液晶内のイオンによる液晶の体積抵抗の減少に起因する黒シミの発生を防止する。【解決手段】ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が周辺においてシール材１１０によって接着し、前記ＴＦＴ基板１００と前記対向基板２００の間に液晶３０が封止され、表示領域を５０有する液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板１００の前記表示領域５０の外側には、第２の壁２０が形成され、前記第２の壁２０の上に第２の電極２１が形成され、前記第２の壁２０と前記表示領域５０の間に第１の壁１０が形成され、前記第１の壁１０の上に第１の電極１１が形成されており、前記第１の壁１０と前記対向基板２００との間には隙間が存在していることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴ基板と対向基板が周辺においてシール材によって接着し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が封止され、表示領域を有する液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板の前記表示領域の外側には、第２の壁が形成され、前記第２の壁の上に第２の電極が形成され、前記第２の壁と前記表示領域の間に第１の壁が形成され、前記第１の壁の上に第１の電極が形成されており、前記第１の壁と前記対向基板との間には隙間が存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記表示領域における液晶層の厚さをｇとした場合、前記第１の壁の高さｈ１は、ｇ／３≦ｈ１≦２ｇ／３であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記表示領域における液晶層の厚さをｇとした場合、前記第２の壁の高さｈ２は、ｇ／３≦ｈ２≦２ｇ／３であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２の壁は前記シール材の中に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の壁は前記表示領域を囲んで全周に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１の壁は前記表示領域を囲むように、かつ、間隔をおいて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１の壁は前記表示領域のコーナー部に対応する部分のみに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１の壁は前記表示領域の複数のコーナー部のうちの一部のコーナー部に対応する部分のみに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記液晶表示領域は、前記表示領域において、第１の電極の上に絶縁膜を介して第２の電極が形成され、前記第１の電極と前記第２の電極の間に電圧を印加することによって前記液晶を駆動するＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、
前記第１の電極は、前記第１の電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記液晶表示装置は、前記表示領域において、第１の電極の上に絶縁膜を介して第２の電極が形成され、前記第１の電極と前記第２の電極の間に電圧を印加することによって前記液晶を駆動するＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、
前記第１の電極は、前記第２の電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記液晶表示装置は、ＴＦＴ基板側に画素電極が形成され、対向基板側にコモン電極が形成された、ＴＮ方式またはＶＡ方式の液晶表示装置であって、
前記第１の電極は、前記画素電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
ＴＦＴ基板と対向基板が周辺においてシール材によって接着し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が封止され、表示領域を有する液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板の前記表示領域の外側には第２の電極が形成され、前記第２の電極と前記表示領域の間に第１の壁が形成され、前記第１の壁の上に第１の電極が形成されており、前記第１の壁と前記対向基板との間には隙間が存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
前記表示領域における液晶層の厚さをｇとした場合、前記第１の壁の高さｈ１は、ｇ／３≦ｈ１≦２ｇ／３であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
ＴＦＴ基板と対向基板が周辺においてシール材によって接着し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が封止され、表示領域を有する液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板には有機パッシベーション膜が形成され、前記有機パッシベーション膜には前記表示領域を囲むように溝が形成され、
前記溝の表示領域側の側壁には第１の電極が形成され、前記溝の前記表示領域と反対側の側壁には第２の電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
前記溝の深さをｈとし、前記表示領域における液晶層の厚さをｇとした場合、前記溝の深さは、ｇ／３≦ｈ≦２ｇ／３であることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記溝の前記表示領域と反対側の側壁は前記シール材によって覆われていることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特にイオン集積に起因する表示むらを対策した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶中には不純物が存在するがこの不純物はイオン化しやすい。イオンは表示領域中を特定方向に移動し、表示領域周辺に局在化しやすい。イオンが局在化すると、液晶の抵抗が低下し、画像を表示した場合、その部分において黒シミが生ずる。
【０００４】
特許文献１には、表示領域外に形成されるダミー電極に所定の電圧を印加してイオンを表示領域外に集める構成が記載されている。特許文献２には、表示領域の周辺に形成された走査線引き出し線からの走査電圧が表示領域に影響を及ぼすことを防止するために、ＴＦＴ基板側の表示領域外にシールド電極を形成する構成が記載されている。特許文献３には、走査線駆動回路を液晶表示パネル中に内蔵する場合、走査線駆動回路からの直流電圧が液晶に及ぶことを防止するために、走査線駆動回路を覆ってシールド電極を形成する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−２０６６２２号公報
【特許文献２】特開２００９−１１６９８１号公報
【特許文献３】特開平８−３２８０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶表示パネルは、外形の大きさを抑えて表示領域を出来るだけ小さくしたいという要求が強くなっている。この場合、表示領域端部から液晶表示パネルの端部までの幅、いわゆる額縁の幅が小さくなる。そうすると、表示領域外に集めたはずのイオンが表示領域周辺にはみ出てきて黒シミの原因を作りやすくなる。
【０００７】
また、額縁の幅が小さくなると、額縁領域に形成されたイオントラップ電極に印加した電圧が表示領域に影響を及ぼし、画像の品質を低下させる現象が生ずる。
【０００８】
本発明の課題は、以上の問題を解決するものである。つまり、表示領域外にトラップされたイオンが再び、表示領域に漏れだすのを抑制するとともに、表示領域外に形成されたイオントラップ電極に印加された電圧が表示領域に影響を及ぼすことを防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。
【００１０】
（１）ＴＦＴ基板と対向基板が周辺においてシール材によって接着し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が封止され、表示領域を有する液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板の前記表示領域の外側には、第２の壁が形成され、前記第２の壁の上に第２の電極が形成され、前記第２の壁と前記表示領域の間に第１の壁が形成され、前記第１の壁の上に第１の電極が形成されており、前記第１の壁と前記対向基板との間には隙間が存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１１】
（２）前記表示領域における液晶層の厚さをｇとした場合、前記第１の壁の高さｈ１は、ｇ／３≦ｈ１≦２ｇ／３であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１２】
（３）前記表示領域における液晶層の厚さをｇとした場合、前記第２の壁の高さｈ２は、ｇ／３≦ｈ２≦２ｇ／３であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１３】
（４）ＴＦＴ基板と対向基板が周辺においてシール材によって接着し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が封止され、表示領域を有する液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板の前記表示領域の外側には第２の電極が形成され、前記第２の電極と前記表示領域の間に第１の壁が形成され、前記第１の壁の上に第１の電極が形成されており、前記第１の壁と前記対向基板との間には隙間が存在していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１４】
（５）前記表示領域における液晶層の厚さをｇとした場合、前記第１の壁の高さｈ１は、ｇ／３≦ｈ１≦２ｇ／３であることを特徴とする（４）に記載の液晶表示装置。
【００１５】
（６）ＴＦＴ基板と対向基板が周辺においてシール材によって接着し、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が封止され、表示領域を有する液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板には有機パッシベーション膜が形成され、前記有機パッシベーション膜には前記表示領域を囲むように溝が形成され、前記溝の表示領域側の側壁には第１の電極が形成され、前記溝の前記表示領域と反対側の側壁には第２の電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１６】
（７）前記溝の深さをｈとし、前記表示領域における液晶層の厚さをｇとした場合、前記溝の深さは、ｇ／３≦ｈ≦２ｇ／３であることを特徴とする（６）に記載の液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１の拡大平面図である。
【図４】寸法例を示す図１のＡ−Ａ断面図である。
【図５】本発明の他の形態を示すシール部断面図である。
【図６】本発明のさらに他の形態を示すシール部断面図である。
【図７】本発明のさらに他の形態を示すシール部断面図である。
【図８】本発明のさらに他の形態を示すシール部断面図である。
【図９】本発明の他の形態を示す液晶表示装置の平面図である。
【図１０】本発明のさらに他形態を示す液晶表示装置の平面図である。
【図１１】本発明のさらに他形態を示す液晶表示装置の平面図である。
【図１２】本発明のさらに他の形態を示すシール部断面図である。
【図１３】従来の液晶表示装置の問題点を示す平面模式図である。
【図１４】従来の液晶表示装置の問題点を示す平面模式図である。
【図１５】従来の液晶表示装置の問題点を示す平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の具体的な実施例を説明する前に、液晶中に溶け込んだイオンの挙動について説明する。液晶中のイオンは、プラスに帯電する場合が多い。液晶は、画素電極とコモン電極の間に印加される電圧によって駆動されるが、画素電極の形状等の影響によって、液晶中のイオンは特定の方向に集積される。
【００１９】
図１３はこの様子を示す平面模式図である。図１３において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。図１３は、イオンが、画面の左上方向に集められることを示している。イオンは画素電極の形状等の影響によって、画面の特定方向に集められる傾向がある。図１３において、シール材１１０の内側には、遮光膜２０１が形成され、遮光膜２０１の下側にイオンが集積している。図１４は、動作時間が経過して、液晶が画面の周辺にさらに集積された状態を示している。図１４では、イオンは、まだ。表示領域５０の外、すなわち、遮光膜２０１の下に存在しているので、画像には影響しない。
【００２０】
図１５は、さらに動作時間が経過して、表示領域５０の左上周辺に集められたイオンが遮光膜２０１の下だけにとどまらず、表示領域５０内にはみ出してきた状態を示している。図１５では、表示領域５０の左上にイオンがはみだし、この部分において黒シミが発生していることを示している。
【００２１】
このような表示領域周辺におけるイオンのはみだしの現象は、額縁の幅がせまいほど生じやすくなる。本発明の課題は、このような黒シミの発生を防止することである。以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２２】
図１は本発明を適用した例としての、携帯電話等に使用される液晶表示パネルの平面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が周辺においてシール材１１０によって接着し、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が１枚になっている部分は端子部１５０となっている。端子部１５０には、ドライバＩＣ４０が配置され、また、液晶表示パネルに外部から電源や信号を供給するための、フレキシブル配線基板が接続される。
【００２３】
図１において、シール材１１０の下には、イオンをトラップするために第２の壁２０およびその上に第２の電極が形成されている。図１において、表示領域５０とシール材１１０の間に、第１の壁１０が形成され、第１の壁１０の上には第１の電極が形成されている。本発明は、第１の壁１０とシール材１１０の間にイオンを集積させ、集積したイオンが表示領域５０に漏れ出すことを抑制している。
【００２４】
近年、表示領域の端部から液晶表示パネルの端部までの距離、いわゆる額縁の幅は小さくなってきており、例えば、図１に示す長辺側の額縁ｗｆａは０．５ｍｍ以下程度になっている。また、シール材１１０の端部から表示領域５０の端部までの距離ｗｆｃは、０．１ｍｍ程度になる場合もある。額縁の幅は、液晶表示パネルの長辺側と短辺側では、異なる場合もあり、例えば、図１に示す短辺側の額縁幅ｗｆｂは０．０９ｍｍ以下程度と、長辺側の額縁よりも大きくなる場合もある。また、短辺側でも、端子部側と端子部と対向する側とで異なる場合もある。
【００２５】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である、シール部の断面図である。図２の層構造は、いわゆるＩＰＳ方式の液晶表示装置の断面図である。液晶表示装置は視野角特性が問題であるが、ＩＰＳ方式は、液晶分子を基板と平行方向の電界によって駆動するものであり、優れた視野角特性を有している。ＩＰＳ方式は、画素電極とコモン電極がＴＦＴ基板側に形成されているということが特徴である。すなわち、平面状に形成されたＩＴＯ等の透明電極による第１の電極と、容量絶縁膜を挟んで、ＩＴＯ等の透明電極による第２の電極の間に信号電圧を印加して、液晶分子を回転させることによって画素毎に透過率を制御して画像を形成する。第１の電極は画素電極のこともあるし、コモン電極のこともある。また、第２の電極は画素電極のこともあるし、コモン電極のこともある。
【００２６】
図２において、ＴＦＴ基板１００には下地膜１０１が形成されている。下地膜１０１は、ガラス基板からの不純物が、表示領域に形成されている半導体を汚染することを防止するものである。下地膜は、ＳｉＯ２あるいはＳｉＮ等で形成される。また、下地膜は、ＳｉＯ２膜およびＳｉＮ膜の２層構造の場合もある。
【００２７】
下地膜１０１の上にはゲート絶縁膜１０２が形成され、その上に層間絶縁膜１０３が形成される。層間絶縁膜１０３は、表示領域において、走査線と映像信号線を絶縁するものである。層間絶縁膜１０３の上には、表示領域における走査線あるいは映像信号線と、端子部に形成されたＩＣドライバを接続するための引出し線１０４が形成されている。
【００２８】
引出し線１０４および層間絶縁膜１０３を覆って有機パッシベーション膜１０５が形成されている。有機パッシベーション膜１０５は平坦化膜を兼ねているので、２〜３μｍと厚く形成される。有機パッシベーション膜１０５の上には、第１の壁１０および第２の壁２０が形成されている。第１の壁１０の上には、第１の電極１１が形成されている。第２の壁２０の上には、第２の電極２１が形成されている。
【００２９】
なお、第１の壁１０あるいは第２の壁２０は、有機パッシベーション膜１０５と同時に形成しても良いし、有機パッシベーション膜１０５とは別プロセスで形成してもよい。第１の壁１０あるいは第２の壁２０を有機パッシベーション膜１０５と同時に形成する場合は、有機パッシベーション膜１０５を厚く形成し、ハーフ露光方法を用いたフォトリソグラフィによって形成することになる。
【００３０】
図２において、第１の壁１０の上には第１の電極１１、第２の壁２０の上には第２の電極２１が形成されている。有機パッシベーション膜１０５、第１の壁１０、第２の壁２０等の上には、表示領域５０において、第１電極と第２電極を絶縁する容量絶縁膜１０６が形成されている。容量絶縁膜１０６は表示領域５０においては、画素電極とコモン電極との間の画素容量のための絶縁膜を構成しているので、容量絶縁膜と呼ばれる。表示領域５０においては、容量絶縁膜１０６の上に、ＩＴＯで形成された第２電極が形成されているが、図２のシール部においては、これは存在していない。容量絶縁膜１０６を覆って配向膜１０７が形成されている。配向膜１０７は、表示領域５０において、液晶分子の初期配向の方向を規定するものである。
【００３１】
図２において、シール材１１０を介してＴＦＴ基板１００と対向基板２００が対向して配置されている。対向基板２００の上にはブラックマトリクス２０１が形成されている。また、表示領域５０側にはカラーフィルタ２０２が形成されている。ブラックマトリクス２０１は表示領域５０においては、カラーフィルタ２０２とカラーフィルタ２０２の間に形成されて画面のコントラストを向上させる。図２のシール部においては、ブラックマトリクス２０１は遮光膜としての役割を有している。ブラックマトリクス２０１およびカラーフィルタ２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３の上には配向膜１０７が形成されている。
【００３２】
図２において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００を接着するシール材１１０の内部のＴＦＴ基板１００側に第２の壁２０が形成され、第２の壁２０の上に第２の電極２１が形成されている。第２の電極２１は、表示領域における、ＩＴＯで形成された第１電極と同時に形成することが出来る。第２の電極２１には、負の電圧が印加され、プラスイオンをシール材１１０側にトラップする。負の電圧としては、走査線と同じ電位を印加することが出来る。すなわち、走査線はＯＮになった時のみ、大きなプラス電位が印加されるが、ＯＦＦの時は、コモン電圧よりも小さな電圧（負電圧）が印加されている。したがって、走査線と同じ電位とすることによって、走査線がＯＮになる期間以外、すなわち、殆どの時間において、第２の電極には負電圧が印加されることになる。一般には、この負電位は−５Ｖ〜−７Ｖである。
【００３３】
第２の電極２１に負電圧が印加されると、液晶中のプラスイオンが第２の電極２１に引き寄せられて、表示領域５０におけるプラスイオンによる悪影響を防止することが出来る。しかし、プラスイオンが多く集積されると、第２の電極２１によるトラップ効果が十分でなくなり、プラスイオンが表示領域５０中に漏れ出し、黒シミの原因となる。
【００３４】
第２の電極２１の他の問題は、特に、額縁領域が小さくなった場合、第２の電極２１の電位の影響が表示領域５０に及び、これが、液晶の動作に影響して、画面周辺における画像の形成に影響を及ぼすことである。最近は額縁領域が小さくなり、特に、シール材１１０の内端と表示領域５０の端部の距離ｗｆｃが１００μｍ程度しかない品種も存在するので、以上で述べた問題は深刻になる。
【００３５】
本発明は、図２に示すように、第２の壁２０と表示領域５０との間に第１の壁１０を形成し、その上に第１の電極１１を形成することによって上記の問題を解決している。第１の電極１１は、表示領域５０における、ＩＴＯで形成された第１電極と同時に形成することが出来る。第１の電極１１にはコモン電圧が印加される。図２において、第１の電極１１から第２の電極２１に向かう矢印は電気力線を示している。図２に示すように、本発明においては、第２の電極２１によって集積されたイオンは、第１の壁１０とシール材１１０との間に閉じ込められ、表示領域５０には容易に漏れ出さない。また、第１の電極１１は第１の壁１０の上に形成されており、第２の電極２１からの電気力線は表示領域５０には及びづらいために、第２の電極２１の影響が表示領域５０の画像に影響を及ぼすことを防止することが出来る。
【００３６】
図３は図１のシール部の一部拡大平面図である。図３において、表示領域５０の外側が額縁領域になっており、額縁領域の外側の領域にはシール材１１０が形成されている。シール材１１０の内部には、第２の壁２０と第２の壁２０の内側半分を覆う第２の電極２１が形成されている。第２の壁２０と表示領域５０との間には、第１の壁１０が形成され、第１の壁１０を覆って第１の電極１１が形成されている。
【００３７】
図４は、図２に示すシール部の寸法例を示す断面図である。図４において、表示領域５０の外側が額縁領域となっており、幅ｗｆａは０．４ｍｍである。また、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００はシール材１１０によって接着しているが、シール材１１０の幅ｗｆｓは０．３ｍｍである。シール材１１０の内端と表示領域５０の端部は１００μｍ程度と、非常に小さい。表示領域５０におけるＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔、すなわち、液晶層厚ｇは例えば３μｍである。
【００３８】
図４において、シール材１１０の内部に第２の壁２０が形成さており、第２の壁２０の高さｈ２は１〜２μｍが妥当である。すなわち、表示領域５０における液晶３０の層厚の２／３以下である。つまり、第２の壁２０の上にもシール材１１０を残すことによってシール部の接着の信頼性を確保している。また、第２の壁２０の幅ｗ２は、第２の壁２０の根本で定義され、１０μｍ〜２０μｍである。第２の壁２０を覆って第２の電極２１が形成されている。第２の電極２１は、第２の壁２０の全面を覆っても良いが、必ずしも第２の壁２０の全面を覆う必要はなく、表示領域５０側を覆えば第２の電極２１としての役割を発揮できる。
【００３９】
第２の壁２０と表示領域５０の間に、第１の壁１０が形成されているが、第１の壁１０の高さｈ１は１〜２μｍが妥当である。すなわち、表示領域５０における液晶３０の層厚の１／３〜２／３である。第１の壁１０の高さｈ１が大きすぎると液晶３０がシール材１１０側に到達する時間が長くなり、低すぎると第１の壁としての効果が小さくなる。第１の壁１０の幅ｗ１は、第１の壁１０の根本で定義され、１０μｍ〜２０μｍである。
【００４０】
第１の壁１０とシール材１１０の間にプラスイオンを閉じ込めるので、この間隔ｄ１は１０μｍから２０μｍ程度確保することが望ましい。ｄ１は、第１の壁１０の根本とシール材１１０の間の間隔をいう。
【００４１】
第１の壁１０を覆って第１の電極１１が形成されている。第１の電極１１は、プラスイオンを閉じ込める役割の他に、引出し線４０に印加される電圧をシールドする役割も有しているので、第１の壁１０の上のみでなく、出来るだけ広く形成するのが良い。第１の壁１０の根本から第１の電極１１のシール材１１０側端部までの距離ｄ２は、第１の壁１０と第２の壁２０の間隔ｄ３の半分以上、すなわち、ｄ２≧ｄ３／２とすることが望ましい。一方、第１の電極１１の表示領域５０側の端部と表示領域５０の端部の距離ｄ４は、加工が可能な範囲で出来るだけ小さいのが良く、３μｍから４μｍである。
【００４２】
このように、本発明によれば、液晶中のプラスイオンを第２の電極２１によって集積し、かつ、集積したプラスイオンが再び表示領域５０に漏れ出すことを防止することが出来る。また、第２の電極２１の電位の影響が表示領域５０におよぶことを防止することが出来る。その結果、黒シミを防止し、かつ、周辺における第２の電極２１による画像の劣化を防止することが出来る。
【００４３】
図５は本発明のシール部の断面図の変形例である。図５が図３と異なる点は、シール材１１０が第２の壁２０を全て覆うのでなく、第２の壁２０の半分程度を覆っていることである。図５のような構成であれば、第２の電極２１が液晶層により近くなるので、第２の電極２１の影響をより強く及ぼすことが出来、イオンのトラップ効果を向上させることが出来る。一方、第１の壁１０と第１の電極１１の存在によってトラップ電位の影響が表示領域におよぶことを防止することが出来る。図５のその他の構成は図３で説明したのと同様であるから、説明を省略する。
【００４４】
図６は、本発明のさらに他の形態を示すシール部の断面図である。図６以後は、層構造の詳細は省略されている。図６の特徴は、第１の壁１０を形成する代わりに、有機パッシベーション膜１０５に溝状の凹部を形成することによって、プラスイオンの閉じ込め効果を得るものである。図６における、表示領域５０の外側おいて、有機パッシベーション膜１０５の厚さが小さくなっており、この厚さが小さくなった部分において、イオンを閉じ込めるための凹部が形成されている。この凹部は、第２の壁２０との間に溝状に形成され、表示領域５０を囲んでいる。
【００４５】
図６において、シール材１１０の内部に第２の壁２０および第２の電極２１が形成されていることは図３と同様である。図６において、有機パッシベーション膜１０５の凹部の側壁およびそれに連続する両側の平面を覆って、第１の電極１１が形成されている。図６に示すように、有機パッシベーション膜１０５の凹部にプラスイオンが閉じ込められている。また、第２の電極２１からの電気力線は、凹部の側壁およびその付近に形成された第１の電極１１によって終端され、表示領域５０に影響が及ぶことを防止することが出来る。
【００４６】
図６において、凹部の深さｈ１は、図４における第１の壁の高さｈ１と同じである。すなわち、表示領域５０における液晶の層厚ｇの１／３以上、２／３であることが望ましい。また、シール材１１０から有機パッシベーション膜１０５の側壁の根本までの距離ｄ１は、図４におけるｄ１と同じである。また、凹部の幅、すなわち、溝の底部の幅ｄ３と側壁の底部から第１の電極の端部までの距離ｄ２は、図４と同様、ｄ２／ｄ３≧１／２であることが望ましい。
【００４７】
なお、図６の構成は、有機パッシベーション膜１０５に表示領域５０を囲むような深さｈ１の溝が形成され、この溝の内側の側壁には、第１の電極１１が形成され、この溝の外側の側壁には第２の電極２１が形成されていると、言い換えることが出来る。そして、この溝の中にプラスイオンが閉じ込められることになる。
【００４８】
このように、表示領域５０の周辺において、有機パッシベーション膜１０５に溝状の凹部を形成することによっても、プラスイオンが表示領域５０に漏れることによる黒シミの発生、第２の電極２１による画像への影響を防止することが出来る。また、本実施形態では、シール材１１０の量を図２等の場合に比較して多くすることが出来るので、シール部の接着の信頼性を向上させることが出来る。
【００４９】
図７は、本発明のさらに他の形態を示すシール部の断面図である。図７も層構造の詳細は省略されている。図７の特徴は、第１の電極１１を第１の壁１０の上でかつ容量絶縁膜１０６の上に形成し、第２の電極２１を第２の壁２０の上でかつ容量絶縁膜１０６の上に形成している点である。このように、第１の電極１１および第２の電極２１を容量絶縁膜１０６の上に形成することによって、液晶３０中のイオンに対する第２の電極２１および第１の電極１１の影響をより強くすることが出来る。
【００５０】
図７における第２の電極２１および第１の電極１１は、表示領域５０において、ＩＴＯで形成された第２電極と同時に形成することが出来る。図７のおける第２の壁の高さｈ２、第１の壁の高さｈ１、液晶層厚ｇ、第１の壁１０とシール材１１０の間隔ｄ１、第１の電極１１の形成範囲を規定するｄ２〜ｄ４等は、図４で説明したのと同様である。
【００５１】
図７は、第２の電極２１も第１の電極１１も容量絶縁膜１０６の上に形成しているが、これに限らず、第２の電極２１のみを容量絶縁膜１０６の上に形成し、第１の電極１１を容量絶縁膜１０６の下に形成する構成としてもよい。また、第１の電極１１のみを容量絶縁膜１０６の上に形成し、第２の電極２１を容量絶縁膜１０６の下に形成する構成としてもよい。
【００５２】
図８は、本発明のさらに他の形態を示すシール部の断面図である。図８も層構造の詳細は省略されている。図８の特徴は、第２の壁２０を形成せず、第２の電極２１を容量絶縁膜１０６の上に平面状に形成していることである。図８の構成は、第１の電極１１の影響をより大きくして、第２の電極２１の影響が表示領域５０におよぶことをより効果的に防止できる。
【００５３】
また、本実施形態では、第２の壁２０が無い分、シール材１１０の量を図２等の場合に比較して多くすることが出来るので、シール部の接着の信頼性を向上させることが出来る。図８のその他の構成は、図２、４等と同様なので説明を省略する。
【実施例２】
【００５４】
本実施例は、液晶表示パネルを平面で視た場合の第１の壁１０の形成領域を示すものである。実施例１の図１の構成では、表示領域５０を囲んで全周に第１の壁１０が形成されている。一方、イオンが集積する領域は、必ずしも全周ではなく、一部の額縁領域に集中する場合が多い。また、第１の壁１０が形成されると、その部分で第１の壁１０と対向基板２００との間隔が小さくなり、第１の壁１０とシール材１１０との間に液晶を充填するための時間が長くなる。本実施例は、このような問題点を対策するものである。
【００５５】
図９は第１の壁１０を離散的に形成した例である。図１５において、第１の壁１０は表示領域５０を囲んでいるが、部分的に第１の壁１０が無い部分１５が存在している。液晶は、この部分からシール材１１０側に充填されることが出来、液晶の充填時間を短縮することが出来る。
【００５６】
なお、第１の壁１０が無い部分であっても、第１の電極１１は存在していることが望ましい。第１の壁１０が無い部分では、第１の電極１１は、絶縁膜上に平面状に形成される。第１の壁１０が無い部分は、イオンが集積しない位置に形成すればよいので、黒シミに対する効果は実質変化しない。
【００５７】
イオンは、コーナー部に集積される場合が多い。したがって、コーナー部のみに第１の壁１０を形成することによって、本発明の効果を維持するとともに、液晶の充填時間への影響等を小さくすることが出来る。この場合も、第１の壁１０が無い部分にも、第１の電極１１は形成しておいたほうが良い。
【００５８】
また、イオンは、図１３〜図１５に示すように、特定のコーナー部のみに集積される場合が多い。この位置は、画素電極の形状によって決められる場合が多い。したがって、イオンが集積されるコーナー部のみに第１の壁１０を形成することによって液晶の充填時間への影響等を最小限に抑えることが出来る。この場合も、第１の壁１０が無い部分にも、第１の電極１１は形成しておいたほうが良い。
【実施例３】
【００５９】
実施例１および２では、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を前提に説明をした。しかし、本発明は、ＩＰＳ方式に限らず、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）方式、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｇｉｎｍｅｎｎｔ）方式等の液晶表示装置にも適用することが出来る。ＩＰＳとＴＮ、あるいはＶＡとの大きな差は、ＴＮ、あるいはＶＡ（以後ＶＡ等という）ではコモン電極が対向基板に形成されていることである。したがって、ＴＦＴ基板側には画素電極のみが形成される。
【００６０】
そして、この画素電極は、絶縁膜の上で、かつ、配向膜の下に配向膜と接して形成される。ＶＡ等では、ＴＦＴ基板側には透明電極は画素電極しかないので、第２の壁の上に形成される第２の電極、第１の壁の上に形成される第１の電極は、画素電極と同時に形成される構成のみとなる。また、ＶＡ等では、容量絶縁膜は不要である。
【００６１】
図１２は、このようなＶＡ方式等の液晶表示装置に本発明を適用した場合のシール部の断面図である。図１２において、シール材１１０の中に第２の壁２０が形成され、第２の壁２０の上に第２の電極２１が形成されており、第２の壁２０と表示領域５０との間に第１の壁１０が形成され、第１の壁１０の上に第１の電極１１が形成されていることは実施例１と同様である。
【００６２】
図１２が実施例１の図２、４等と異なる点は、第２の電極２１および第１の電極１１の上には容量絶縁膜１０６は存在せず、第２の電極２１、第１の電極１１は直接配向膜によって覆われている点である。その他の点は、図２、４等と同じである。したがって、ＶＡ方式等においても本発明は、ＩＰＳ方式の場合と同様な効果を得ることが出来る。
【００６３】
以上の説明では、液晶内のイオンはプラスイオンであるとして説明したが、液晶内のイオンがマイナスイオンである場合についても本発明を適用することが出来る。イオンがマイナスの場合は、第２の電極に印加する電圧はコモン電極に対してプラス電位になる。
【００６４】
液晶の充填方法は、注入孔から真空注入する方法と、ＴＦＴ基板と対向基板を組み合わせる前に、いずれかの基板に液晶を滴下する方法とがある。本発明は、液晶を滴下方式によって充填する場合に特に効果がある。
【符号の説明】
【００６５】
１０…第１の壁、  １１…第１の電極、  １５…第１の壁が無い部分、  ２０…第２の壁、  ２１…第２の電極、  ３０…液晶、  ４０…ＩＣドライバ、  ５０…表示領域、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…下地膜、  １０２…ゲート絶縁膜、  １０３…層間絶縁膜、  １０４…引出し線（映像信号線層）、  １０５…有機パッシベーション膜、  １０６…容量絶縁膜、  １０７…配向膜、  １１０…シール材、  １５０…端子部、  ２００…対向基板、  ２０１…ブラックマトリクス、  ２０２…カラーフィルタ、  ２０３…オーバーコート膜、  １０５１…有機パッシベーション膜凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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