(57)【要約】【課題】本発明は、有機発光表示装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、表示領域および非表示領域を含む第１基板と、前記第１基板の前記非表示領域に位置し、互いに重なる第１ダミー金属層および第２ダミー金属層を含むダミー金属層と、前記第１ダミー金属層と前記第２ダミー金属層との間に位置する絶縁層と、前記第１基板を覆う第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、前記ダミー金属層と重なるシーラントとを含み、前記第１ダミー金属層と前記第２ダミー金属層とは、電気的に接続されており、前記シーラントは、前記第２ダミー金属層と接触する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域および非表示領域を含む第１基板と、
前記第１基板の前記非表示領域に位置し、互いに重なる第１ダミー金属層および第２ダミー金属層を含むダミー金属層と、
前記第１ダミー金属層と前記第２ダミー金属層との間に位置する絶縁層と、
前記第１基板を覆う第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、前記ダミー金属層と重なるシーラントとを含み、
前記第１ダミー金属層と前記第２ダミー金属層とは、電気的に接続されており、前記シーラントは、前記第２ダミー金属層と接触する有機発光表示装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記第１ダミー金属層の少なくとも一部と重なる第１コンタクトホールを有し、
前記第２ダミー金属層は、前記絶縁層上に位置し、前記第１コンタクトホールを介して前記第１ダミー金属層に接続されている、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第２ダミー金属層の比抵抗は、前記第１ダミー金属層の比抵抗より小さい、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１基板の前記表示領域に位置する半導体と、
前記半導体上に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート配線と、
前記ゲート配線上に位置する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に位置するデータ配線とをさらに含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１ダミー金属層および前記第２ダミー金属層は、平面図にて、前記第１基板の周縁と並行して延びる棒の形状を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
表示領域および非表示領域を含む第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板の表示領域に位置する画素と、
前記第１基板の非表示領域に位置するダミー金属層とを含み、
前記画素は、
ストレージキャパシタと、
アノードおよびカソードを含む有機発光ダイオードと、
第１ゲート電極を含む駆動トランジスタと、
第２ゲート電極を含むスイッチングトランジスタとを含み、
前記ダミー金属層は、第１ダミー金属層と第２ダミー金属層とを含み、前記第１ダミー金属層と前記第２ダミー金属層とは、互いに重なり、
断面上で、絶縁層が、前記第１ダミー金属層と前記第２ダミー金属層との間にあって、前記第１基板の非表示領域に位置し、
前記第１基板と前記第２基板との間にて、前記第１基板の非表示領域に、前記ダミー金属層と重なるようにシーラントが位置し、
前記第１ダミー金属層、前記第１ゲート電極、および前記第２ゲート電極は、同一材料からなる有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１ゲート電極は、前記ストレージキャパシタの第１端部に接続されており、
前記ストレージキャパシタの第２端部は、駆動電圧線に接続されており、
前記第２ゲート電極は、スキャン線に接続されており、
前記アノードは、前記駆動トランジスタのドレイン電極に接続されており、
前記カソードは、前記共通電圧線に接続されている、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、前記第１ダミー金属層の少なくとも一部と重なる第１コンタクトホールを含み、
前記第２ダミー金属層は、前記絶縁層上に位置し、前記第１コンタクトホールを介して前記第１ダミー金属層に接続されている、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第２ダミー金属層の比抵抗は、前記第１ダミー金属層の比抵抗より小さい、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１ダミー金属層は、モリブデンからなり、
前記第２ダミー金属層は、アルミニウムからなる、請求項９に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳細には、シーラント（シール材）が基板から剥離されるのを防止することができる有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）は、自ら発光する特性を有する表示装置であり、液晶表示装置とは異なり別の光源を必要としないため、厚さと重量を低減することができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度および高い反応速度などの高品位特性を示すため、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
【０００３】
一般に、有機発光表示装置は、薄膜トランジスタおよび有機発光素子が形成されている第１基板と、第１基板を覆う第２基板と、第１基板と第２基板とを互いに結合させるシーラント（ｓｅａｌａｎｔ）とを含む。ここで、シーラントは、第１基板および第２基板の周縁に沿って塗布され、第１基板と第２基板との間の空間を密封させる役割を果たす。
【０００４】
基板は、画面を表示する表示領域と、表示領域を駆動する駆動部が位置する非表示領域とを含み、シーラントは、非表示領域に位置する。シーラントと基板との接着力向上のために、非表示領域にダミー金属層を形成することができる。最近、非表示領域の面積を減少させる傾向に伴って、ダミー金属層の面積も、併せて減少しており、これによってダミー金属層の抵抗が大きくなる。したがって、静電気の発生時、ダミー金属層に電荷が蓄積されて熱が発生することによって、シーラントが基板から剥離されるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2012-23038（韓国特許KR10-1193198B）号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであって、シーラントが基板から剥離されるのを防止することができる有機発光表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的による本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、表示領域および非表示領域を含む第１基板と、前記第１基板の前記非表示領域に位置し、互いに重なる第１ダミー金属層および第２ダミー金属層を含むダミー金属層と、前記第１ダミー金属層と前記第２ダミー金属層との間に位置する絶縁層と、前記第１基板を覆う第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、前記ダミー金属層と重なるシーラントとを含み、前記第１ダミー金属層と前記第２ダミー金属層とは、電気的に接続されており、前記シーラントは、前記第２ダミー金属層と接触する。
【０００８】
前記絶縁層は、前記第１ダミー金属層の少なくとも一部と重なる第１コンタクトホールを有し、前記第２ダミー金属層は、前記絶縁層上に位置し、前記第１コンタクトホールを介して前記第１ダミー金属層に接続されるというのであってよい。
【０００９】
前記第２ダミー金属層の比抵抗は、前記第１ダミー金属層の比抵抗より小さくてよい。
【００１０】
前記第１ダミー金属層は、モリブデンからなり、前記第２ダミー金属層は、アルミニウムからなるのでありうる。
【００１１】
本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、前記第１基板の前記表示領域に位置する半導体と、前記半導体上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート配線と、前記ゲート配線上に位置する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に位置するデータ配線とをさらに含んでよい。
【００１２】
前記第１ダミー金属層は、前記ゲート配線と同一材料からなり、同一層に位置するのであってよい。
【００１３】
前記ゲート絶縁膜は、第１ゲート絶縁膜と第２ゲート絶縁膜とを含み、前記ゲート配線は、前記第１ゲート絶縁膜と前記第２ゲート絶縁膜との間に位置する第１ゲート配線と、前記第２ゲート絶縁膜上に位置する第２ゲート配線とを含んでよい。
【００１４】
前記第１ダミー金属層は、前記第１ゲート配線または前記第２ゲート配線と同一材料からなり、同一層に位置してよい。
【００１５】
前記第２ダミー金属層は、前記データ配線と同一材料からなり、同一層に位置するのであってよい。
【００１６】
前記第１ダミー金属層および前記第２ダミー金属層は、平面図にて、前記第１基板の周縁と並行して延びる棒の形状を有してよい。
【００１７】
前記第２ダミー金属層の幅は、前記第１ダミー金属層の幅より狭くてよい。
【００１８】
前記第２ダミー金属層の第１周縁は、平面図にて、凹凸形状を有してよい。
【００１９】
前記第２ダミー金属層の第１周縁は、前記第１基板の周縁に隣接していてよい。
【００２０】
前記第１周縁の反対側に位置する第２周縁は、平面図にて、凹凸形状を有してよい。
【００２１】
前記第１ダミー金属層にはホールパターンが形成されており、前記絶縁層には第２コンタクトホールが形成されており、前記第２コンタクトホールは、前記ホールパターン内に位置するというのであってよい。
【００２２】
前記シーラントは、前記第２コンタクトホール内に位置してよい。
【００２３】
前記第２コンタクトホールを介して、前記シーラントは、前記第１基板と接触してよい。
【００２４】
前記ホールパターン内には複数の第２コンタクトホールが位置してよい。
【００２５】
前記第１ダミー金属層には、複数のホールパターンがマトリクス状に配列されうる。
【００２６】
前記第２ダミー金属層は、前記ホールパターンと重ならなくてよい。
【００２７】
前記第２ダミー金属層における、前記第１基板の周縁に隣接する第１周縁、および前記第１周縁の反対側に位置する第２周縁は、凹凸形状を有してよい。
【００２８】
前記絶縁層は、前記第１ダミー金属層の少なくとも一部と重なる第１コンタクトホールおよび第３コンタクトホールを有し、前記第２ダミー金属層は、前記第１コンタクトホールを介して前記第１ダミー金属層に接続されており、前記シーラントは、前記第３コンタクトホールを介して前記第１ダミー金属層と接触するというのであってよい。
【００２９】
本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、表示領域および非表示領域を含む第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板の表示領域に位置する画素と、前記第１基板の非表示領域に位置するダミー金属層とを含み、前記画素は、ストレージキャパシタと、アノードおよびカソードを含む有機発光ダイオードと、第１ゲート電極を含む駆動トランジスタと、第２ゲート電極を含むスイッチングトランジスタとを含み、前記ダミー金属層は、第１ダミー金属層と第２ダミー金属層とを含み、前記第１ダミー金属層と前記第２ダミー金属層とは、互いに重なり、断面上で、絶縁層が、前記第１ダミー金属層と前記第２ダミー金属層との間にて、前記第１基板の非表示領域に位置し、前記第１基板と前記第２基板との間の前記第１基板の非表示領域に、前記ダミー金属層と重なるようにシーラントが位置し、前記第１ダミー金属、前記第１ゲート電極、および前記第２ゲート電極は、同一材料からなる。
【００３０】
前記第１ゲート電極は、前記ストレージキャパシタの第１端部に接続されており、前記ストレージキャパシタの第２端部は、駆動電圧線に接続されており、前記第２ゲート電極は、スキャン線に接続されており、前記アノードは、前記駆動トランジスタのドレイン電極に接続されており、前記カソードは、前記共通電圧線に接続されるというのであってよい。
【００３１】
前記絶縁層は、前記第１ダミー金属層の少なくとも一部と重なる第１コンタクトホールを含み、前記第２ダミー金属層は、前記絶縁層上に位置し、前記第１コンタクトホールを介して前記第１ダミー金属層に接続されるというのであってよい。
【００３２】
前記第２ダミー金属層の比抵抗は、前記第１ダミー金属層の比抵抗より小さくてよい。
【００３３】
前記第１ダミー金属層は、モリブデンからなり、前記第２ダミー金属層は、アルミニウムからなるのでありうる。
【発明の効果】
【００３４】
上記のような本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は次の効果がある。
【００３５】
本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、ダミー金属層が複数の層からなり、これらが互いに電気的に接続されているので、抵抗を低下させることができ、これによって静電気によるシーラントの剥離不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施形態(1)に係る有機発光表示装置を示す平面図である。
【図２】図１のＡ部分を拡大して示す、本発明の一実施形態(1)に係る有機発光表示装置の平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って示す、本発明の一実施形態(1)に係る有機発光表示装置の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態(1)に係る有機発光表示装置における１画素の等価回路図である。
【図５】本発明の一実施形態(1)に係る有機発光表示装置における複数のトランジスタおよびキャパシタについての概略的な配置構成図である。
【図６】図５の配置構成をより具体的に示す配置構成図である。
【図７】図６の有機発光表示装置についてのVII-VII線に沿った断面図である。
【図８】図６の有機発光表示装置についてのVIII-VIII線に沿った断面図である。
【図９】本発明の一実施形態(2)に係る有機発光表示装置の断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態(3)に係る有機発光表示装置の平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態(4)に係る有機発光表示装置の平面図である。
【図１２】図１１のXII-XII線に沿って示す、本発明の一実施形態(4)に係る有機発光表示装置の断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態(5)に係る有機発光表示装置の断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態(6)に係る有機発光表示装置の平面図である。
【図１５】本発明の一実施形態(7)に係る有機発光表示装置の平面図である。
【図１６】図１５のXVI-XVI線に沿って示す、本発明の一実施形態(7)に係る有機発光表示装置の断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態(8)に係る有機発光表示装置の断面図である。
【図１８】本発明の一実施形態(9)に係る有機発光表示装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００３８】
図面において、様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一の図面符号を付した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとする時、これは、他の部分の「直上」にある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上」にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。
【００３９】
まず、図１を参照して、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置について説明する。
【００４０】
図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置を示す平面図である。
【００４１】
図１に示されているように、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、第１基板１１０と、第２基板２１０と、第１基板１１０と第２基板２１０との間に位置するシーラント６５０とを含む。
【００４２】
第１基板１１０と第２基板２１０は、ガラス、石英、セラミック、プラスチックなどといった絶縁性物質からなる。
【００４３】
第１基板１１０は、全体が、実質上、画像を表示する領域である表示領域ＤＡと、この表示領域ＤＡを駆動する駆動部が位置する非表示領域ＮＡとを含む。非表示領域ＮＡは、表示領域ＤＡを取り囲む形態を有する。つまり、表示領域ＤＡは、第１基板１１０の中心部に位置し、非表示領域ＮＡは、第１基板１１０の周縁部に位置する。表示領域ＤＡには、薄膜トランジスタ、有機発光素子などが位置し、各画素にて有機発光素子が発光することで画像を表示することができる。非表示領域ＮＡには、表示領域ＤＡを駆動するための、所定の信号を伝達するゲート駆動部、データ駆動部などが位置する。
【００４４】
第１基板１１０の非表示領域ＮＡには、ダミー金属層５００が位置する。ダミー金属層５００は、第１基板１１０の全周の一部に沿って延びることで、表示領域ＤＡを三方または二方から取り囲む形態を有する。第１基板１１０は、略長方形からなり、図示の例で、長方形をなす４つの辺のうち、３つの辺に沿ってダミー金属層５００が形成される。残りの１つの辺にはファンアウト部１２９が形成される。ダミー金属層５００は、ファンアウト部１２９と同一の金属材料でもって、積層構造中、同一の層に形成される。したがって、ダミー金属層５００がファンアウト部１２９と短絡しないように、互いに異なる位置に形成される。
【００４５】
第２基板２１０は、第１基板１１０と貼り合わされ、第１基板１１０と第２基板２１０との間の空間内に水分などが侵入するのを防止する封止基板の役割を果たす。第２基板２１０は、第１基板１１０と類似の形状からなり、第１基板１１０より小さい大きさを有してもよい。したがって、第１基板１１０の一部は、第２基板２１０によって覆われなくてもよいのであり、例えば、ファンアウト部１２９の一部が配置されるところの、第１基板１１０の一部は、第２基板２１０によって覆われていない部分であってもよい。
【００４６】
ダミー金属層５００は、ファンアウト部１２９の周辺から第１基板１１０の端部まで延びることができる。つまり、第１基板１１０が第２基板２１０によって覆われていない部分において、ダミー金属層５００は、第１基板１１０の端部まで、延長形成されている。
【００４７】
シーラント６５０は、第１基板１１０の非表示領域ＮＡに位置し、ダミー金属層５００と重なる。シーラント６５０は、第１基板１１０の全周に沿って延びることで、表示領域ＤＡを取り囲む形態を有する。つまり、第１基板１１０が長方形からなる場合、長方形をなす４つの辺の全てに沿ってシーラント６５０が形成される。
【００４８】
シーラント６５０は、フリットからなる。ガラス材料を高い温度に加熱し、温度を急激に低下させると、ガラス粉末状のフリットが生成される。粉末状のフリットに、金属酸化物または非金属無機酸化物の粉末を添加して含ませ、これに有機物（バインダー）を添加すると、ゲル状態のペーストが生成される。このペーストを第２基板２１０の周縁部に塗布した後、所定の温度で焼成すると、有機物は廃ガスなどとなって空気中に消滅し、ゲル状態のペーストは硬化して、固体状態のフリットからなるシーラント６５０が第２基板２１０に貼り付いた状態となる。第２基板２１０におけるシーラント６５０の貼り付いた面を第１基板１１０と接するように位置させた後、レーザまたは赤外線を照射すると、シーラント６５０が第１基板１１０に溶融接着されることで、第１基板１１０と第２基板２１０とが貼り合わされる。このように、シーラント６５０によって第１基板１１０と第２基板２１０とが貼り合わされると、酸素、水分などが、第１基板１１０と第２基板２１０との間の空間内に侵入するのを防止することができる。したがって、第１基板１１０の表示領域ＤＡに位置する有機発光素子などが、酸素、水分などにさらされて損傷するのを防止することができる。
【００４９】
以下、図２および図３を参照して、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置における非表示領域の構造についてさらに説明する。
【００５０】
図２は、図１のＡ部分を拡大して示す、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の平面図であり、図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って示す、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の断面図である。図１におけるＡ部分は、非表示領域ＮＡの一部に相当する。
【００５１】
図２および図３に示されているように、第１基板１１０上にはバッファ層１２０が位置し、バッファ層１２０上にはゲート絶縁膜１４０が位置してもよい。
【００５２】
バッファ層１２０は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸化物（ＳｉＯ２）などといった無機絶縁材料からなる。バッファ層１２０は、単一層または多重層からなるものであってよい。バッファ層１２０は、不純物または水分といった不必要な成分の侵入を防止するとともに、表面を平坦化する役割を果たす。バッファ層１２０は、第１基板１１０の非表示領域ＮＡだけでなく、表示領域ＤＡにも形成されうる。つまり、バッファ層１２０は、第１基板１１０上の全面に形成されうる。
【００５３】
ゲート絶縁膜１４０は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸化物（ＳｉＯ２）などといった無機絶縁材料からなる。ゲート絶縁膜１４０は、単一層または多重層からなるものであってよい。例えば、ゲート絶縁膜１４０は、第１ゲート絶縁膜１４１と、第１ゲート絶縁膜１４１上に位置する第２ゲート絶縁膜１４２とを含むものであってよい。ゲート絶縁膜１４０は、第１基板１１０の非表示領域ＮＡだけでなく、表示領域ＤＡにも形成されうる。つまり、ゲート絶縁膜１４０は、第１基板１１０上の全面に形成されうる。
【００５４】
上記でバッファ層１２０およびゲート絶縁膜１４０が、第１基板１１０上の全面に形成されるものとして説明したが、本発明はこれに限定されない。バッファ層１２０およびゲート絶縁膜１４０が、第１基板１１０の非表示領域ＮＡには形成されなくてもよい。
【００５５】
ゲート絶縁膜１４０上にはダミー金属層５００が位置する。ダミー金属層５００は、第２ゲート絶縁膜１４２上に位置してよい。ダミー金属層５００は、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とを含んでよい。この時、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とは、互いに重なってよい。第１ダミー金属層５１０と、第２ダミー金属層５２０との間には、層間絶縁膜１６０が位置してよい。
【００５６】
層間絶縁膜１６０は、無機絶縁材料または有機絶縁材料からなってよい。層間絶縁膜１６０は、単一層または多重層からなってよい。層間絶縁膜１６０は、有機絶縁材料からなる層と、無機絶縁材料からなる層とが積層された形態からなるものであってもよい。層間絶縁膜１６０は、第１基板１１０の非表示領域ＮＡだけでなく、表示領域ＤＡにも形成されうる。つまり、層間絶縁膜１６０は、第１基板１１０上の全面に形成されうる。
【００５７】
第１ダミー金属層５１０が第２ゲート絶縁膜１４２の真上に位置してよく、第１ダミー金属層５１０上に層間絶縁膜１６０が位置してよい。層間絶縁膜１６０には、第１ダミー金属層５１０の少なくとも一部と重なる第１コンタクトホール１６１が形成されている。第１コンタクトホール１６１は、平面上で横方向および縦方向に沿ってマトリクス状に配置される。例えば、４＊４のマトリクス状に配置されている第１コンタクトホール１６１が、１６個で１つのセットをなし、このような第１コンタクトホール１６１のセットが列方向に沿って所定の間隔をもって配置されるのであってよい。ただし、このような第１コンタクトホール１６１の形態は例示に過ぎず、様々な形態に変形が可能である。
【００５８】
層間絶縁膜１６０上には、第２ダミー金属層５２０が位置してよい。第２ダミー金属層５２０は、第１コンタクトホール１６１内にも位置し、第１コンタクトホール１６１を介して第１ダミー金属層５１０に接続される。したがって、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とは、電気的に接続される。第２ダミー金属層５２０の比抵抗は、第１ダミー金属層５１０の比抵抗より小さくてよい。例えば、第１ダミー金属層５１０は、モリブデンを含み、第２ダミー金属層５２０は、チタンまたはアルミニウムを含むのであってよい。第１ダミー金属層５１０は、モリブデンの単一層からなってよい。第２ダミー金属層５２０は、チタン／アルミニウム／チタンの三重層からなってよい。
【００５９】
第２ダミー金属層５２０上にはシーラント６５０が位置し、第２ダミー金属層５２０は、シーラント６５０と接触している。シーラント６５０に静電気が印加される場合、シーラント６５０は、金属材料からなるダミー金属層５００と接触しているため、電荷の大部分はダミー金属層５００へと分散できる。ダミー金属層５００は、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とからなり、これらは互いに電気的に接続されているため、ダミー金属層５００が単一層からなる場合に比べて抵抗が低くなり得る。特に、ダミー金属層５００が、比抵抗の相対的に大きい第１ダミー金属層５１０のみからなる場合に比べて、比抵抗の相対的に小さい第２ダミー金属層５２０をさらに含むことによって、抵抗がより低くなり得る。このように、シーラント６５０と接しているダミー金属層５００の抵抗を低下させることによって、電荷の分散効果はさらに大きくなるので、静電気によってシーラント６５０が第１基板１１０から分離されるのを防止することができる。
【００６０】
シーラント６５０上には第２基板２１０が位置している。第１基板１１０と第２基板２１０との間にて、これらの周縁に沿って、シーラント６５０が形成されているため、第１基板１１０と第２基板２１０との間の空間内に、水分などが侵入するのを防止することができる。
【００６１】
第１ダミー金属層５１０および第２ダミー金属層５２０は、平面図にて、第１基板１１０の周縁と並行して延びる棒(ロッド)の形状を有しうる。ここで、第２ダミー金属層５２０の幅は、第１ダミー金属層５１０の幅より狭くなり得る。第２ダミー金属層５２０の全体は、第１ダミー金属層５１０の一部と重なる。ここで、第２ダミー金属層５２０は、第１ダミー金属層５１０の周縁部と重なってよい。特に、第２ダミー金属層５２０は、第１基板１１０の周縁に隣接した、第１ダミー金属層５１０の周縁部と重なってよい。シーラント６５０の外側の縁部を介して静電気が伝達されうるのであり、この際、第２ダミー金属層５２０が、第１基板１１０の周縁と最も隣接した位置に配置されるということが、静電気の分散に効果的である。
【００６２】
上記において、第２ダミー金属層５２０の幅は、第１ダミー金属層５１０の幅より狭く、第２ダミー金属層５２０が第１ダミー金属層５１０の一部と重なる場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。第２ダミー金属層５２０の幅が、第１ダミー金属層５１０の幅と実質的に同一になり、第２ダミー金属層５２０が第１ダミー金属層５１０の全体と重なり合うのであってもよい。
【００６３】
次に、図４〜図８を参照して、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置について説明する。
【００６４】
図４は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置における１画素の等価回路図である。
【００６５】
図４に示されているように、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、複数の信号線１５１、１５２、１５３、１７１、１７２、１９２と、これら複数の信号線に接続されるとともに略行列（ｍａｔｒｉｘ）状に配列された、複数の画素ＰＸとを含む。
【００６６】
各画素ＰＸは、複数の信号線１５１、１５２、１５３、１７１、１７２、１９２に接続されている複数のトランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６と、ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔと、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）ＯＬＤとを含む。
【００６７】
トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６は、駆動トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔ１と、スイッチングトランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔ２と、補償トランジスタ（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔ３と、初期化トランジスタ（ｉｎｉｔｉａｌｉｚａｔｉｏｎ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔ４と、動作制御トランジスタ（ｏｐｅｒａｔｉｏｎ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔ５と、発光制御トランジスタ（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔ６とを含む。信号線１５１、１５２、１５３、１７１、１７２、１９２は、スキャン信号Ｓｎを伝達するスキャン線１５１と、初期化トランジスタＴ４に前段スキャン信号Ｓｎ−１を伝達する前段スキャン線１５２と、動作制御トランジスタＴ５および発光制御トランジスタＴ６に発光制御信号ＥＭを伝達する発光制御線１５３と、スキャン線１５１と交差しデータ信号Ｄｍを伝達するデータ線１７１と、駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達しデータ線１７１とほぼ平行に形成されている駆動電圧線１７２と、駆動トランジスタＴ１を初期化する初期化電圧Ｖｉｎｔを伝達する初期化電圧線１９２とを含む。
【００６８】
駆動トランジスタＴ１のゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの一端Ｃｓｔ１に接続されており、駆動トランジスタＴ１のソース電極Ｓ１は、動作制御トランジスタＴ５を経由して駆動電圧線１７２に接続されており、駆動トランジスタＴ１のドレイン電極Ｄ１は、発光制御トランジスタＴ６を経由して有機発光ダイオードＯＬＤのアノード（ａｎｏｄｅ）と電気的に接続されている。駆動トランジスタＴ１は、スイッチングトランジスタＴ２のスイッチング動作に応じてデータ信号Ｄｍが伝達され、有機発光ダイオードＯＬＤに駆動電流Ｉｄを供給する。
【００６９】
スイッチングトランジスタＴ２のゲート電極Ｇ２は、スキャン線１５１に接続されており、スイッチングトランジスタＴ２のソース電極Ｓ２は、データ線１７１に接続されており、スイッチングトランジスタＴ２のドレイン電極Ｄ２は、駆動トランジスタＴ１のソース電極Ｓ１に接続されており、かつ、動作制御トランジスタＴ５を経由して駆動電圧線１７２に接続されている。このようなスイッチングトランジスタＴ２は、スキャン線１５１を介して伝達されたスキャン信号Ｓｎに応じてターンオンされ、データ線１７１に伝達されたデータ信号Ｄｍを駆動トランジスタＴ１のソース電極Ｓ１に伝達するスイッチング動作を行う。
【００７０】
補償トランジスタＴ３のゲート電極Ｇ３は、スキャン線１５１に接続されており、補償トランジスタＴ３のソース電極Ｓ３は、駆動トランジスタＴ１のドレイン電極Ｄ１に接続されており、かつ、発光制御トランジスタＴ６を経由して有機発光ダイオードＯＬＤのアノード（ａｎｏｄｅ）に接続されており、補償トランジスタＴ３のドレイン電極Ｄ３は、初期化トランジスタＴ４のドレイン電極Ｄ４、ストレージキャパシタＣｓｔの一端Ｃｓｔ１および駆動トランジスタＴ１のゲート電極Ｇ１に共に接続されている。このような補償トランジスタＴ３は、スキャン線１５１を介して伝達されたスキャン信号Ｓｎに応じてターンオンされ、駆動トランジスタＴ１のゲート電極Ｇ１とドレイン電極Ｄ１とを互いに接続して駆動トランジスタＴ１をダイオード接続させる。
【００７１】
初期化トランジスタＴ４のゲート電極Ｇ４は、前段スキャン線１５２に接続されており、初期化トランジスタＴ４のソース電極Ｓ４は、初期化電圧線１９２に接続されており、初期化トランジスタＴ４のドレイン電極Ｄ４は、補償トランジスタＴ３のドレイン電極Ｄ３を経てストレージキャパシタＣｓｔの一端Ｃｓｔ１および駆動トランジスタＴ１のゲート電極Ｇ１に共に接続されている。このような初期化トランジスタＴ４は、前段スキャン線１５２を介して伝達された前段スキャン信号Ｓｎ−１に応じてターンオンされ、初期化電圧Ｖｉｎｔを駆動トランジスタＴ１のゲート電極Ｇ１に伝達して駆動トランジスタＴ１のゲート電極Ｇ１のゲート電圧Ｖｇを初期化させる初期化動作を行う。
【００７２】
動作制御トランジスタＴ５のゲート電極Ｇ５は、発光制御線１５３に接続されており、動作制御トランジスタＴ５のソース電極Ｓ５は、駆動電圧線１７２に接続されており、動作制御トランジスタＴ５のドレイン電極Ｄ５は、駆動トランジスタＴ１のソース電極Ｓ１およびスイッチングトランジスタＴ２のドレイン電極Ｄ２に接続されている。
【００７３】
発光制御トランジスタＴ６のゲート電極Ｇ６は、発光制御線１５３に接続されており、発光制御トランジスタＴ６のソース電極Ｓ６は、駆動トランジスタＴ１のドレイン電極Ｄ１および補償トランジスタＴ３のソース電極Ｓ３に接続されており、発光制御トランジスタＴ６のドレイン電極Ｄ６は、有機発光ダイオードＯＬＤのアノード（ａｎｏｄｅ）と電気的に接続されている。このような動作制御トランジスタＴ５および発光制御トランジスタＴ６は、発光制御線１５３を介して伝達された発光制御信号ＥＭに応じて同時にターンオンされ、これにより、駆動電圧ＥＬＶＤＤがダイオード接続された駆動トランジスタＴ１を介して補償されて有機発光ダイオードＯＬＤに伝達される。
【００７４】
ストレージキャパシタＣｓｔの他端Ｃｓｔ２は、駆動電圧線１７２に接続されており、有機発光ダイオードＯＬＤのカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）は、共通電圧ＥＬＶＳＳを伝達する共通電圧線７４１に接続されている。
【００７５】
それでは、図４に示された本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の詳細構造について、図５、図６、図７および図８を図４と共に参照してさらに説明する。
【００７６】
図５は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の複数のトランジスタおよびキャパシタの概略的な配置構成図であり、図６は、図５の配置構成をより具体的に示す配置構成図であり、図７は、図６の有機発光表示装置におけるVII-VII線に沿った断面図であり、図８は、図６の有機発光表示装置におけるVIII-VIII線に沿った断面図である。
【００７７】
以下、図５および図６を参照して、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の具体的な平面上の構造について先に説明し、図７および図８を参照して、具体的な断面上の構造についてさらに説明する。
【００７８】
本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、スキャン信号Ｓｎ、前段スキャン信号Ｓｎ−１、および発光制御信号ＥＭをそれぞれ印加し行方向に沿って形成されているスキャン線１５１、前段スキャン線１５２、および発光制御線１５３を含む。そして、スキャン線１５１、前段スキャン線１５２、および発光制御線１５３と交差しており、画素ＰＸにデータ信号Ｄｍおよび駆動電圧ＥＬＶＤＤをそれぞれ印加するデータ線１７１および駆動電圧線１７２を含む。初期化電圧Ｖｉｎｔは、初期化電圧線１９２で初期化トランジスタＴ４を経由して補償トランジスタＴ３に伝達される。初期化電圧線１９２は、直線部と斜線部とを交互に有して形成されている。
【００７９】
また、各画素ＰＸには、駆動トランジスタＴ１、スイッチングトランジスタＴ２、補償トランジスタＴ３、初期化トランジスタＴ４、動作制御トランジスタＴ５、発光制御トランジスタＴ６、ストレージキャパシタＣｓｔ、そして有機発光ダイオードＯＬＤが形成されている。
【００８０】
有機発光ダイオードＯＬＤは、画素電極１９１と、有機発光層３７０と、共通電極２７０とからなる。
【００８１】
駆動トランジスタＴ１、スイッチングトランジスタＴ２、補償トランジスタＴ３、初期化トランジスタＴ４、動作制御トランジスタＴ５、および発光制御トランジスタＴ６のそれぞれのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、接続されている１つの半導体１３０の内部に形成されており、半導体１３０は、多様な形状に屈曲して形成される。このような半導体１３０は、多結晶シリコンまたは酸化物半導体からなってもよい。
【００８２】
チャネル１３１は、駆動トランジスタＴ１に形成される駆動チャネル１３１ａと、スイッチングトランジスタＴ２に形成されるスイッチングチャネル１３１ｂと、補償トランジスタＴ３に形成される補償チャネル１３１ｃと、初期化トランジスタＴ４に形成される初期化チャネル１３１ｄと、動作制御トランジスタＴ５に形成される動作制御チャネル１３１ｅと、発光制御トランジスタＴ６に形成される発光制御チャネル１３１ｆとを含む。
駆動トランジスタＴ１は、駆動チャネル１３１ａと、駆動ゲート電極１５５ａと、駆動ソース電極１３６ａと、駆動ドレイン電極１３７ａとを含む。駆動ゲート電極１５５ａは、駆動チャネル１３１ａと重なっており、駆動ソース電極１３６ａおよび駆動ドレイン電極１３７ａは、駆動チャネル１３１ａの両側に隣接してそれぞれ形成されている。駆動ゲート電極１５５ａは、コンタクトホール６１を介して第１データ接続部材１７４に接続されている。
【００８３】
スイッチングトランジスタＴ２は、スイッチングチャネル１３１ｂと、スイッチングゲート電極１５５ｂと、スイッチングソース電極１３６ｂと、スイッチングドレイン電極１３７ｂとを含む。スキャン線１５１から下方に拡張された一部のスイッチングゲート電極１５５ｂは、スイッチングチャネル１３１ｂと重なっており、スイッチングソース電極１３６ｂおよびスイッチングドレイン電極１３７ｂは、スイッチングチャネル１３１ｂの両側に隣接してそれぞれ形成されている。スイッチングソース電極１３６ｂは、コンタクトホール６２を介してデータ線１７１に接続されている。
【００８４】
補償トランジスタＴ３は、補償チャネル１３１ｃと、補償ゲート電極１５５ｃと、補償ソース電極１３６ｃと、補償ドレイン電極１３７ｃとを含む。スキャン線１５１の一部である補償ゲート電極１５５ｃは、補償チャネル１３１ｃと重なっている。補償ソース電極１３６ｃおよび補償ドレイン電極１３７ｃは、補償チャネル１３１ｃの両側に隣接してそれぞれ形成されている。補償ドレイン電極１３７ｃは、コンタクトホール６３を介して第１データ接続部材１７４に接続されている。
【００８５】
初期化トランジスタＴ４は、初期化チャネル１３１ｄと、初期化ゲート電極１５５ｄと、初期化ソース電極１３６ｄと、初期化ドレイン電極１３７ｄとを含む。前段スキャン線１５２の一部である初期化ゲート電極１５５ｄは、リーク電流防止のために２つが形成されており、初期化チャネル１３１ｄと重なっている。初期化ソース電極１３６ｄおよび初期化ドレイン電極１３７ｄは、初期化チャネル１３１ｄの両側に隣接してそれぞれ形成されている。初期化ソース電極１３６ｄは、コンタクトホール６４を介して第２データ接続部材１７５に接続されている。
【００８６】
動作制御トランジスタＴ５は、動作制御チャネル１３１ｅと、動作制御ゲート電極１５５ｅと、動作制御ソース電極１３６ｅと、動作制御ドレイン電極１３７ｅとを含む。発光制御線１５３の一部である動作制御ゲート電極１５５ｅは、動作制御チャネル１３１ｅと重なっており、動作制御ソース電極１３６ｅおよび動作制御ドレイン電極１３７ｅは、動作制御チャネル１３１ｅの両側に隣接してそれぞれ形成されている。動作制御ソース電極１３６ｅは、コンタクトホール６５を介して駆動電圧線１７２から拡張された一部に接続されている。
【００８７】
発光制御トランジスタＴ６は、発光制御チャネル１３１ｆと、発光制御ゲート電極１５５ｆと、発光制御ソース電極１３６ｆと、発光制御ドレイン電極１３７ｆとを含む。発光制御線１５３の一部である発光制御ゲート電極１５５ｆは、発光制御チャネル１３１ｆと重なっており、発光制御ソース電極１３６ｆおよび発光制御ドレイン電極１３７ｆは、発光制御チャネル１３１ｆの両側に隣接してそれぞれ形成されている。発光制御ドレイン電極１３７ｆは、コンタクトホール６６を介して第３データ接続部材１７９に接続されている。
【００８８】
駆動トランジスタＴ１の駆動チャネル１３１ａの一端は、スイッチングドレイン電極１３７ｂおよび動作制御ドレイン電極１３７ｅに接続されており、駆動チャネル１３１ａの他端は、補償ソース電極１３６ｃおよび発光制御ソース電極１３６ｆに接続されている。
ストレージキャパシタＣｓｔは、第２ゲート絶縁膜１４２を挟んで配置される第１ストレージ電極１５５ａおよび第２ストレージ電極１５６を含む。第１ストレージ電極１５５ａは、駆動ゲート電極１５５ａに相当し、第２ストレージ電極１５６は、ストレージ線１５７から拡張された部分であって、駆動ゲート電極１５５ａより広い面積を占め、駆動ゲート電極１５５ａを全て覆っている。
【００８９】
ここで、第２ゲート絶縁膜１４２は、誘電体となり、ストレージキャパシタＣｓｔで蓄電された電荷と両ストレージ電極１５５ａ、１５６間の電圧によってストレージキャパシタンス（Ｓｔｏｒａｇｅ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が決定される。このように、駆動ゲート電極１５５ａを第１ストレージ電極１５５ａとして用いることによって、画素内で大きな面積を占める駆動チャネル１３１ａによって狭くなった空間でストレージキャパシタを形成可能な空間を確保することができる。
【００９０】
駆動ゲート電極１５５ａの第１ストレージ電極１５５ａは、コンタクトホール６１およびストレージ開口部５１を介して第１データ接続部材１７４の一端に接続されている。ストレージ開口部５１は、第２ストレージ電極１５６に形成された開口部である。したがって、ストレージ開口部５１の内部に第１データ接続部材１７４の一端と駆動ゲート電極１５５ａとを接続するコンタクトホール６１が形成されている。第１データ接続部材１７４は、データ線１７１とほぼ平行に同一層に形成されており、第１データ接続部材１７４の他端は、コンタクトホール６３を介して補償トランジスタＴ３の補償ドレイン電極１３７ｃおよび初期化トランジスタＴ４の初期化ドレイン電極１３７ｄに接続されている。したがって、第１データ接続部材１７４は、駆動ゲート電極１５５ａと補償トランジスタＴ３の補償ドレイン電極１３７ｃおよび初期化トランジスタＴ４の初期化ドレイン電極１３７ｄを互いに接続している。
【００９１】
したがって、ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動電圧線１７２を介して第２ストレージ電極１５６に伝達された駆動電圧ＥＬＶＤＤと駆動ゲート電極１５５ａの駆動ゲート電圧Ｖｇとの間の差に対応するストレージキャパシタンスを格納する。
第３データ接続部材１７９は、コンタクトホール８１を介して画素電極１９１に接続されており、第２データ接続部材１７５は、コンタクトホール８２を介して初期化電圧線１９２に接続されている。
【００９２】
以下、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の断面上の構造について積層順序に従って具体的に説明する。
【００９３】
基板１１０上にはバッファ層１２０が形成されている。
【００９４】
バッファ層１２０上には、駆動チャネル１３１ａと、スイッチングチャネル１３１ｂと、補償チャネル１３１ｃと、初期化チャネル１３１ｄと、動作制御チャネル１３１ｅと、発光制御チャネル１３１ｆとを含むチャネル１３１を含む半導体１３０が形成されている。半導体１３０のうち、駆動チャネル１３１ａの両側には駆動ソース電極１３６ａおよび駆動ドレイン電極１３７ａが形成されており、スイッチングチャネル１３１ｂの両側にはスイッチングソース電極１３６ｂおよびスイッチングドレイン電極１３７ｂが形成されている。そして、補償チャネル１３１ｃの両側には補償ソース電極１３６ｃおよび補償ドレイン電極１３７ｃが形成されており、初期化チャネル１３１ｄの両側には初期化ソース電極１３６ｄおよび初期化ドレイン電極１３７ｄが形成されている。そして、動作制御チャネル１３１ｅの両側には動作制御ソース電極１３６ｅおよび動作制御ドレイン電極１３７ｅが形成されており、発光制御チャネル１３１ｆの両側には発光制御ソース電極１３６ｆおよび発光制御ドレイン電極１３７ｆが形成されている。
【００９５】
半導体１３０上には、これを覆う第１ゲート絶縁膜１４１が形成されている。第１ゲート絶縁膜１４１上には、スイッチングゲート電極１５５ｂ、補償ゲート電極１５５ｃを含むスキャン線１５１、初期化ゲート電極１５５ｄを含む前段スキャン線１５２、動作制御ゲート電極１５５ｅおよび発光制御ゲート電極１５５ｆを含む発光制御線１５３、そして駆動ゲート電極（第１ストレージ電極）１５５ａを含む第１ゲート配線１５１、１５２、１５３、１５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５５ｄ、１５５ｅ、１５５ｆが形成されている。
【００９６】
第１ゲート配線１５１、１５２、１５３、１５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５５ｄ、１５５ｅ、１５５ｆおよび第１ゲート絶縁膜１４１の上には、これを覆う第２ゲート絶縁膜１４２が形成されている。
【００９７】
第２ゲート絶縁膜１４２上には、スキャン線１５１と平行に配置されているストレージ線１５７、ストレージ線１５７から拡張された部分の第２ストレージ電極１５６を含む第２ゲート配線１５７、１５６が形成されている。非表示領域ＮＡに位置する第１ダミー金属層５１０は、表示領域ＤＡに位置する第２ゲート配線１５７、１５６と同一物質からなり、同一層に位置してもよい。第２ゲート絶縁膜１４２上に金属材料を蒸着し、これをパターニングすることで、第２ゲート配線１５７、１５６および第１ダミー金属層５１０を、同時に形成することができる。
【００９８】
第２ゲート絶縁膜１４２および第２ゲート配線１５７、１５６の上には層間絶縁膜１６０が形成されている。
【００９９】
層間絶縁膜１６０には、半導体１３０の上部面の少なくとも一部を露出するコンタクトホール６１、６２、６３、６４、６５、６６が形成されている。
【０１００】
層間絶縁膜１６０上には、データ線１７１、駆動電圧線１７２、第１データ接続部材１７４、第２データ接続部材１７５、そして第３データ接続部材１７９を含むデータ配線１７１、１７２、１７４、１７５、１７９が形成されている。非表示領域ＮＡに位置する第２ダミー金属層５２０は、表示領域ＤＡに位置するデータ配線１７１、１７２、１７４、１７５、１７９と同一材料からなり、同一層に位置するというのであっててよい。層間絶縁膜１６０上に金属材料を蒸着し、これをパターニングすることで、データ配線１７１、１７２、１７４、１７５、１７９と第２ダミー金属層５２０を、同時に形成することができる。
【０１０１】
データ線１７１は、コンタクトホール６２を介してスイッチングソース電極１３６ｂに接続されている。第１データ接続部材１７４の一端は、コンタクトホール６１を介して第１ストレージ電極１５５ａに接続されており、第１データ接続部材１７４の他端は、コンタクトホール６３を介して補償ドレイン電極１３７ｃおよび初期化ドレイン電極１３７ｄに接続されている。データ線１７１と平行に延びている第２データ接続部材１７５は、コンタクトホール６４を介して初期化ソース電極１３６ｄに接続されている。第３データ接続部材１７９は、コンタクトホール６６を介して発光制御ドレイン電極１３７ｆに接続されている。
【０１０２】
データ配線１７１、１７２、１７４、１７５、１７９および層間絶縁膜１６０の上には、これを覆う保護膜１８０が形成されている。
【０１０３】
保護膜１８０上には画素電極１９１および初期化電圧線１９２が形成されている。第３データ接続部材１７９は、保護膜１８０に形成されたコンタクトホール８１を介して画素電極１９１に接続されており、第２データ接続部材１７５は、保護膜１８０に形成されたコンタクトホール８２を介して初期化電圧線１９２に接続されている。
【０１０４】
保護膜１８０、初期化電圧線１９２および画素電極１９１の周縁上には、これを覆う画素定義膜（Ｐｉｘｅｌ  Ｄｅｆｉｎｅｄ  Ｌａｙｅｒ、ＰＤＬ）３５０が形成されており、画素定義膜３５０は、画素電極１９１を露出する画素開口部３５１を有する。
【０１０５】
画素開口部３５１によって露出した画素電極１９１上には有機発光層３７０が形成され、有機発光層３７０上には共通電極２７０が形成される。共通電極２７０は、画素定義膜３５０上にも形成され、複数の画素ＰＸにわたって形成される。このように、画素電極１９１と、有機発光層３７０と、共通電極２７０とを含む有機発光ダイオードＯＬＤが形成される。
【０１０６】
次に、図９を参照して、本発明の一実施形態(2)に係る有機発光表示装置について説明する。
【０１０７】
図９に示された本発明の一実施形態(2)に係る有機発光表示装置は、図１〜図８に示された本発明の一実施形態(1)に係る有機発光表示装置と、下記に説明する点を除き同一であるので、同一の部分にに関する説明は省略する。本実施形態では、第１ダミー金属層の形成位置が先の実施形態と異なるのであり、以下にさらに説明する。
【０１０８】
図９は、本発明の一実施形態(2)に係る有機発光表示装置の断面図である。図９は、図３と同様に、図１の非表示領域ＮＡ中のＡ部分を示している。
【０１０９】
先の実施形態(1)における第１ダミー金属層５１０は、第２ゲート絶縁膜１４２上に位置するのに対し、本実施形態(2)では、第１ダミー金属層５１０が第２ゲート絶縁膜１４２の下に位置しうる。特に、第１ダミー金属層５１０は、第１ゲート絶縁膜１４１と第２ゲート絶縁膜１４２との間に位置しうる。
【０１１０】
非表示領域ＮＡに位置する第１ダミー金属層５１０は、表示領域ＤＡに位置する第１ゲート配線（図５〜図８の１５１、１５２、１５３、１５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５５ｄ、１５５ｅ、１５５ｆ）と同一材料からなり、同一層に位置するのであってよい。第１ゲート絶縁膜１４１上に金属材料を蒸着し、これをパターニングすることで、第１ゲート配線（図５〜図８の１５１、１５２、１５３、１５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５５ｄ、１５５ｅ、１５５ｆ）および第１ダミー金属層５１０を、同時に形成することができる。
【０１１１】
次に、図１０を参照して、本発明の一実施形態(3)に係る有機発光表示装置について説明する。
【０１１２】
図１０に示された本発明の一実施形態(3)に係る有機発光表示装置は、図１〜図８に示された本発明の一実施形態(1)に係る有機発光表示装置と、下記に説明する点を除き同一であるので、同一の部分に関する説明は省略する。本実施形態では、第２ダミー金属層のパターン形状、すなわち、その周縁の形状が先の実施形態と異なるのであり、以下にさらに説明する。
【０１１３】
図１０は、本発明の一実施形態(3)に係る有機発光表示装置の平面図である。図１０は、図２と同様に、図１の非表示領域ＮＡ中のＡ部分を示している。
【０１１４】
図１０に示されているように、本発明の一実施形態(3)に係る有機発光表示装置は、第１基板１１０と、第１基板１１０上に位置するダミー金属層５００と、第１基板１１０を覆う第２基板２１０と、第１基板１１０と第２基板２１０とを接合させるシーラント６５０とを含む点で、先の各実施形態と同様である。
【０１１５】
ダミー金属層５００は、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とを含む。先の各実施形態において、第２ダミー金属層５２０は、平面図にて、第１基板１１０の周縁と並行して延びる棒の形状を有し、第２ダミー金属層５２０の縁（平面図におけるパターンの縁）は、直線の形態に形成されている。本実施形態において、第２ダミー金属層５２０は、平面図にて、全体として、第１基板１１０の周縁と並行して延びる棒の形状を有するものの、第２ダミー金属層５２０のパターンの縁は、凹凸状に形成されている。
【０１１６】
第２ダミー金属層５２０は、第１基板１１０の周縁に隣接する第１周縁、および第１周縁の反対側に位置する第２周縁が、いずれも、凹凸状に形成されている。つまり、第１基板１１０の周縁と並行する方向での、第２ダミー金属層５２０の両縁が、いずれも、凹凸状に形成されている。これにより、第２ダミー金属層５２０のパターンの縁の全長が、先の各実施形態における第２ダミー金属層のパターンの縁の全長よりも長くなる。したがって、外部から酸素、水分などの侵入経路が増加するため、この侵入をより効果的に防止することができ、静電気分散効果の面でも有利である。
【０１１７】
上記で第２ダミー金属層５２０の両縁のいずれもが凹凸状に形成される場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、第２ダミー金属層５２０の一方の縁が凹凸状に形成され、反対側の縁は直線の形態に形成されてもよい。
【０１１８】
次に、図１１および図１２を参照して、本発明の一実施形態(4)に係る有機発光表示装置について説明する。
【０１１９】
図１１および図１２に示された本発明の一実施形態(4)に係る有機発光表示装置は、図１〜図８に示された本発明の一実施形態(1)に係る有機発光表示装置と、下記に説明する点を除き同一であるので、同一の部分に関する説明は省略する。本実施形態では、第１ダミー金属層にホールパターンが形成される点で先の実施形態と異なるのであり、以下にさらに説明する。
【０１２０】
図１１は、本発明の一実施形態(4)に係る有機発光表示装置の平面図であり、図１２は、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿って示す、本発明の一実施形態(4)に係る有機発光表示装置の断面図である。図１１および図１２も、図１の非表示領域ＮＡ中のＡ部分を示している。
【０１２１】
図１１および図１２に示されているように、本発明の一実施形態(4)に係る有機発光表示装置は、第１基板１１０と、第１基板１１０上に位置するダミー金属層５００と、第１基板１１０を覆う第２基板２１０と、第１基板１１０と第２基板２１０とを接合させるシーラント６５０とを含む点で、先の各実施形態と同様である。
【０１２２】
ダミー金属層５００は、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とを含む。先の各実施形態において、第１ダミー金属層５１０は、平面図にて、第１基板１１０の周縁と並行して延びる棒の形状を有し、棒形状の内部に別のパターンは形成されていない。本実施形態において、第１ダミー金属層５１０は、平面図にて、全体として、第１基板１１０の周縁と並行して延びる棒の形状を有しており、第１ダミー金属層５１０の内側（第１基板１１０の周縁とは反対の側）にはホールパターン５１２が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上に金属材料を蒸着し、これをパターニングして第１ダミー金属層５１０を形成する工程で、ホールパターン５１２を同時に形成することができる。ホールパターン５１２は、略四角形からなるものと示されているが、本発明はこれに限定されず、ホールパターン５１２の形状は多様に変更が可能である。
【０１２３】
ホールパターン５１２は、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とが互いに重ならない位置に形成される。したがって、ホールパターン５１２は、第２ダミー金属層５２０と重なることはない。
【０１２４】
互いに重なる第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０との間には、層間絶縁膜１６０が位置している。層間絶縁膜１６０には、第１ダミー金属層５１０の少なくとも一部と重なる第１コンタクトホール１６１が形成されている。また、層間絶縁膜１６０には第２コンタクトホール１６２がさらに形成されている。第２コンタクトホール１６２は、ホールパターン５１２内に位置する。第２コンタクトホール１６２は、平面上で横方向および縦方向に沿ってマトリクス状に配置されうる。例えば、４＊４のマトリクス状に配置されている第２コンタクトホール１６２が、１６個で１つのセットをなし、第２コンタクトホール１６２が１つのセット（１６個のセット）が、対応する１つのホールパターン５１２内に位置するというのであってよい。複数のホールパターン５１２は、マトリクス状に配置されうる。したがって、第２コンタクトホール１６２のセットがマトリクス状に配置される。ただし、このような第２コンタクトホール１６２およびホールパターン５１２の配置形態は例示に過ぎず、様々な形態に変形が可能である。
【０１２５】
第２コンタクトホール１６２は、層間絶縁膜１６０の下に位置するゲート絶縁膜１４０およびバッファ層１２０にも形成されている。したがって、第２コンタクトホール１６２を介してシーラント６５０が第１基板１１０と接触できる。ただし、本発明はこれに限定されず、第２コンタクトホール１６２が層間絶縁膜１６０にのみ形成されてもよい。また、第２コンタクトホール１６２が層間絶縁膜１６０およびその下に位置するゲート絶縁膜１４０にのみ形成されてもよい。
【０１２６】
次に、図１３を参照して、本発明の一実施形態(5)に係る有機発光表示装置について説明する。
【０１２７】
図１３に示された本発明の一実施形態(5)に係る有機発光表示装置は、図１１および図１２に示された本発明の一実施形態(4)に係る有機発光表示装置と、下記に説明する点を除き同一であるので、同一の部分に関する説明は省略する。本実施形態では、第１ダミー金属層の形成位置が先の実施形態と異なるのであり、以下にさらに説明する。
【０１２８】
図１３は、本発明の一実施形態(5)に係る有機発光表示装置の断面図である。図１３は、図１２と同様に、図１の非表示領域ＮＡ中のＡ部分を示している。
【０１２９】
先のいくつかの実施形態では、第１ダミー金属層５１０は第２ゲート絶縁膜１４２上に位置するのに対し、本実施形態では、第１ダミー金属層５１０が第２ゲート絶縁膜１４２の下に位置してよい。第１ダミー金属層５１０は、第１ゲート絶縁膜１４１と第２ゲート絶縁膜１４２との間に位置してよい。
【０１３０】
非表示領域ＮＡに位置する第１ダミー金属層５１０は、表示領域ＤＡに位置する第１ゲート配線（図５〜図８の１５１、１５２、１５３、１５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５５ｄ、１５５ｅ、１５５ｆ）と同一材料からなり、積層構造中、同一の層に位置してよい。第１ゲート絶縁膜１４１上に金属材料を蒸着し、これをパターニングすることで、第１ゲート配線（図５〜図８の１５１、１５２、１５３、１５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５５ｄ、１５５ｅ、１５５ｆ）および第１ダミー金属層５１０を、同時に形成することができる。
【０１３１】
次に、図１４を参照して、本発明の一実施形態(6)に係る有機発光表示装置について説明する。
【０１３２】
図１４に示された本発明の一実施形態(6)に係る有機発光表示装置は、図１１および図１２に示された本発明の一実施形態(4)に係る有機発光表示装置と、下記に説明する点を除き同一であるので、同一の部分に関する説明は省略する。本実施形態(6)では、第２ダミー金属層の縁の形状が先の実施形態と異なるのであり、以下にさらに説明する。
【０１３３】
図１４は、本発明の一実施形態(6)に係る有機発光表示装置の平面図である。図１４も、図１の非表示領域ＮＡ中のＡ部分を示している。
【０１３４】
図１４に示されているように、本発明の一実施形態(6)に係る有機発光表示装置は、第１基板１１０と、第１基板１１０上に位置するダミー金属層５００と、第１基板１１０を覆う第２基板２１０と、第１基板１１０と第２基板２１０とを接合させるシーラント６５０とを含む点で、先の各実施形態と同様である。また、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０との間に位置する層間絶縁膜１６０に第１コンタクトホール１６１および第２コンタクトホール１６２が形成され、第２コンタクトホール１６２は、第１ダミー金属層５１０のホールパターン５１２に位置する点で、先の実施形態(4)〜(5)と同様である。
【０１３５】
先の実施形態(4)〜(5)において、第２ダミー金属層５２０は、平面図にて、第１基板１１０の周縁と並行して延びる棒の形状を有し、第２ダミー金属層５２０の縁（平面図におけるパターンの縁）は、直線の形態に形成されている。本実施形態において、第２ダミー金属層５２０は、平面図にて、全体として、第１基板１１０の周縁と並行して延びる棒の形状を有するものの、第２ダミー金属層５２０のパターンの縁は、凹凸状に形成されている。
【０１３６】
第２ダミー金属層５２０は、第１基板１１０の周縁に隣接する第１周縁、および第１周縁の反対側に位置する第２周縁が、いずれも、凹凸状に形成されている。つまり、第１基板１１０の周縁と並行する方向での、第２ダミー金属層５２０の両縁が、いずれも、凹凸状に形成されている。これにより、第２ダミー金属層５２０のパターンの縁の全長が、先のいくつかの実施形態における第２ダミー金属層のパターンの縁の長さよりも長くなる。したがって、外部から酸素、水分などの侵入経路が増加するため、この侵入をより効果的に防止することができ、静電気分散効果の面でも有利である。
【０１３７】
上記で第２ダミー金属層５２０の両縁のいずれもが凹凸状に形成される場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、第２ダミー金属層５２０の一方の縁が凹凸状に形成され、反対側の縁は直線の形態に形成されてもよい。
【０１３８】
次に、図１５および図１６を参照して、本発明の一実施形態(7)に係る有機発光表示装置について説明する。
【０１３９】
図１５および図１６に示された本発明の一実施形態(7)に係る有機発光表示装置は、図１〜図８に示された本発明の一実施形態(1)に係る有機発光表示装置と、下記に説明する点を除き同一であるので、同一の部分に関する説明は省略する。本実施形態では、層間絶縁膜に第３コンタクトホールがさらに形成されている点で、先の実施形態と異なるのであり、以下にさらに説明する。
【０１４０】
図１５は、本発明の一実施形態(7)に係る有機発光表示装置の平面図であり、図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿って示す本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の断面図である。図１５および図１６は、図１の非表示領域ＮＡ中のＡ部分を示している。
【０１４１】
図１５および図１６に示されているように、本発明の一実施形態(7)に係る有機発光表示装置は、第１基板１１０と、第１基板１１０上に位置するダミー金属層５００と、第１基板１１０を覆う第２基板２１０と、第１基板１１０と第２基板２１０とを接合させるシーラント６５０とを含む点で、先の各実施形態と同様である。
【０１４２】
ダミー金属層５００は、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とを含む。第１ダミー金属層５１０上には層間絶縁膜１６０が位置する。層間絶縁膜１６０には、第１ダミー金属層５１０の少なくとも一部と重なる第１コンタクトホール１６１および第３コンタクトホール１６３が形成されている。第１コンタクトホール１６１は、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とが互いに重なる部分に位置する。第１コンタクトホール１６１を介して第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とが互いに接続されている。第３コンタクトホール１６３は、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とが重ならない部分に位置する。第３コンタクトホール１６３を介して第１ダミー金属層５１０とシーラント６５０とが接触している。
【０１４３】
第３コンタクトホール１６３は、第１コンタクトホール１６１と同様に、平面上で横方向および縦方向に沿ってマトリクス状に配置される。例えば、４＊４のマトリクス状に配置されている第３コンタクトホール１６３が、１６個で１つのセットをなすのであってよい。第３コンタクトホール１６３による、これら複数のセットは、マトリクス状に配置される。
【０１４４】
次に、図１７を参照して、本発明の一実施形態(8)に係る有機発光表示装置について説明する。
【０１４５】
図１７に示された本発明の一実施形態(8)に係る有機発光表示装置は、図１５および図１６に示された本発明の一実施形態(7)に係る有機発光表示装置と、下記に説明する点を除き同一であるので、同一の部分に関する説明は省略する。本実施形態では、第１ダミー金属層の形成位置が先の実施形態と異なるのであり、以下にさらに説明する。
【０１４６】
図１７は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の断面図である。図１７は、図１６と同様に、図１の非表示領域ＮＡ中のＡ部分を示している。
【０１４７】
先のいくつかの実施形態では、第１ダミー金属層５１０は第２ゲート絶縁膜１４２上に位置するのに対し、本実施形態では、第１ダミー金属層５１０が第２ゲート絶縁膜１４２の下に位置してよい。第１ダミー金属層５１０は、第１ゲート絶縁膜１４１と第２ゲート絶縁膜１４２との間に位置してよい。
【０１４８】
非表示領域ＮＡに位置する第１ダミー金属層５１０は、表示領域ＤＡに位置する第１ゲート配線（図５〜図８の１５１、１５２、１５３、１５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５５ｄ、１５５ｅ、１５５ｆ）と同一材料からなり、積層構造中、同一の層に位置してもよい。第１ゲート絶縁膜１４１上に金属材料を蒸着し、これをパターニングすることで、第１ゲート配線（図５〜図８の１５１、１５２、１５３、１５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５５ｄ、１５５ｅ、１５５ｆ）および第１ダミー金属層５１０を、同時に形成することができる。
【０１４９】
次に、図１８を参照して、本発明の一実施形態(9)に係る有機発光表示装置について説明する。
【０１５０】
図１８に示された本発明の一実施形態(9)に係る有機発光表示装置は、図１５および図１６に示された本発明の一実施形態(7)に係る有機発光表示装置と、下記に説明する点を除き同一であるので、同一の部分に関する説明は省略する。本実施形態では、第２ダミー金属層の周縁の形状が先の実施形態と異なるのであり、以下にさらに説明する。
【０１５１】
図１８は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の平面図である。図１８は、図１５と同様に、図１の非表示領域ＮＡ中のＡ部分を示している。
【０１５２】
図１８に示されているように、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、第１基板１１０と、第１基板１１０上に位置するダミー金属層５００と、第１基板１１０を覆う第２基板２１０と、第１基板１１０と第２基板２１０とを接合させるシーラント６５０とを含む点で、先の各実施形態と同様である。
【０１５３】
ダミー金属層５００は、第１ダミー金属層５１０と第２ダミー金属層５２０とを含む。先のいくつかの実施形態において、第２ダミー金属層５２０は、平面図にて、第１基板１１０の周縁と並行して延びる棒の形状を有し、第２ダミー金属層５２０の縁は、直線の形態に形成されている。本実施形態において、第２ダミー金属層５２０は、平面図にて、全体として、第１基板１１０の周縁と並行して延びる棒の形状を有するものの、第２ダミー金属層５２０のパターンの縁は、凹凸状に形成されている。
【０１５４】
第２ダミー金属層５２０は、第１基板１１０の周縁に隣接する第１周縁、および第１周縁の反対側に位置する第２周縁が、いずれも、凹凸状に形成されている。つまり、第１基板１１０の周縁と並行する方向での、第２ダミー金属層５２０の両縁が、いずれも、凹凸状に形成されている。これにより、第２ダミー金属層５２０のパターンの縁の全長が、先のいくつかの実施形態における第２ダミー金属層のパターンの縁の全長よりも長くなる。したがって、外部から酸素、水分などの侵入経路が増加するため、この侵入をより効果的に防止することができ、静電気分散効果の面でも有利である。
【０１５５】
上記で第２ダミー金属層５２０の両縁のいずれもが凹凸状に形成される場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、第２ダミー金属層５２０の一方の縁が凹凸状に形成され、反対側の縁は直線の形態に形成されてもよい。
【０１５６】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、以下の請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【０１５７】
１１０：第１基板
１３６ａ：駆動ソース電極
１３６ｂ：スイッチングソース電極
１３７ａ：駆動ドレイン電極
１３７ｂ：スイッチングドレイン電極
１５５ａ：駆動ゲート電極
１５５ｂ：スイッチングゲート電極
１６０：層間絶縁膜
１６１：第１コンタクトホール
１６２：第２コンタクトホール
３７０：有機発光層
５００：ダミー金属層
５１０：第１ダミー金属層
５１２：ホールパターン
５２０：第２ダミー金属層
６５０：シーラント
【図１】
2017191779.tif 000003
【図２】
2017191779.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2017191779.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2017191779.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2017191779.tif 000018
【図１７】
2017191779.tif 000019
【図１８】
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