(57)【要約】【課題】  位置合せ精度が低下することを抑制するインプリント装置を提供することを目的とする。【解決手段】  基板上のインプリント材と型とを接触させて前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置は、基板を保持する保持部と、型を保持して移動する移動部と、制御部と、を有し、前記制御部は、前記保持部に前記基板が接触していない位置に関する情報に基づいて、前記基板上の複数のショット領域から、前記保持部と前記基板とを接触させるために前記型を押し付けるショット領域を選択し、前記移動部を移動させることにより前記選択したショット領域に前記型を押し付ける。【選択図】  図２
2017079270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材と型とを接触させて前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
基板を保持する保持部と、
型を保持して移動する移動部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、前記保持部に前記基板が接触していない位置に関する情報に基づいて、前記基板上の複数のショット領域から、前記保持部と前記基板とを接触させるために前記型を押し付けるショット領域を選択し、前記移動部を移動させることにより前記選択したショット領域に前記型を押し付ける
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記保持部は、前記基板を吸着するための、複数の基板吸着部を有し、
前記制御部は、前記複数の基板吸着部のそれぞれの吸着力を示す値と予め定めた閾値とを比較することにより前記保持部に前記基板が接触していない位置に関する情報を得る
ことを特徴とする、請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記インプリント装置は、基板の高さを計測する高さ計測部を有し、
前記制御部は、前記高さ計測部によって計測された前記基板の複数箇所の高さと予め定めた閾値とを比較することにより、あるいは、前記複数箇所の高さから求めた平坦度と予め定めた比較することにより、前記保持部に前記基板が接触していない位置に関する情報を得る
ことを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記基板の外周にかかる複数のショット領域から、前記保持部と前記基板を接触させるために前記型を押し付けるショット領域を選択する
ことを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記保持部に前記基板が接触していない位置から前記基板上の複数のショット領域のそれぞれまでの距離に基づいて、前記保持部と前記基板を接触させるために前記型を押し付けるショット領域を選択する
ことを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記複数のショット領域のそれぞれまでの前記距離と、予め定めた閾値とを比較して、前記閾値より前記距離が短い、少なくとも一つのショット領域を、前記保持部と前記基板を接触させるために前記型を押し付けるショット領域として選択する
ことを特徴とする、請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記複数のショット領域のそれぞれまでの前記距離を互いに比較して、前記複数のショット領域の内で他のショット領域よりも前記距離が短い、少なくとも一つのショット領域を、前記保持部と前記基板を接触させるために前記型を押し付けるショット領域として選択する
ことを特徴とする、請求項５又は請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記移動部は、前記型のパターン非形成部を前記ショット領域に押し付ける
ことを特徴とする、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記インプリント装置は、塗布部を有し、
前記塗布部は、前記保持部と前記基板を接触させるために前記型を前記ショット領域に押し付ける前に、前記基板にインプリント材を塗布する
ことを特徴とする、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
基板上のインプリント材と型とを接触させて前記インプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板を保持部により保持する工程と、
前記保持部に前記基板が接触していない位置に関する情報に基づいて、前記基板上の複数のショット領域から、前記保持部と前記基板を接触させるために前記型を押し付けるショット領域を選択する工程と、
前記保持部に前記基板が接触するように、前記選択されたショット領域に前記型を押し付ける工程と、を有する
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて、パターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、を有する
ことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等の基板上の未硬化樹脂を型で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。
【０００３】
特許文献１では、インプリント技術を用いたリソグラフィ装置（インプリント装置）において、デバイスの製造の点で有利なステップアンドフラッシュ式インプリントリソグラフィを応用した装置が開示されている。
【０００４】
このようなインプリント装置では、まず、基板上のインプリント領域であるショット領域に光硬化性樹脂を塗布する。次に、型のパターン領域と前記ショット領域の位置合せを行いながら、前記パターン領域を前記樹脂に接触（押印）させ、前記樹脂を前記パターン領域に充填させる。そして、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させたうえで引き離すことにより、前記樹脂のパターンが基板上に形成される。
【０００５】
前記インプリント装置によるナノメートルオーダーの微細パターンの形成を量産工程へ適用するには、前記パターン領域と前記ショット領域との位置合せ精度の向上が重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４１８５９４１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体デバイス等の高集積化に伴い、配線の微細化や多層化が進んでいる。配線の多層化により、半導体製造工程の後工程になるに従い、成膜中に発生した膜歪みが蓄積し基板全体に反りを生じさせる現象が見られる。このような反った基板を吸着により保持する基板チャックに搭載する際に、基板の一部が基板チャックに接触せず、基板の全面を吸着して保持することができないことがある。この状態で、基板チャックに接触していない付近にある、基板上のショット領域に対して前記パターン領域を押印すると、基板が下方に変位するとともに、基板の平面内においてショット領域も変位する。そのため、押印時にショット領域とパターン領域との位置ずれが発生して、位置合せ精度が低下するという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は、位置合せ精度が低下することを抑制するインプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材と型とを接触させて前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、基板を保持する保持部と、型を保持して移動する移動部と、制御部と、を有し、前記制御部は、前記保持部に前記基板が接触していない位置に関する情報に基づいて、前記基板上の複数のショット領域から、前記保持部と前記基板とを接触させるために前記型を押し付けるショット領域を選択し、前記移動部を移動させることにより前記選択したショット領域に前記型を押し付けることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、位置合せ精度が低下することを抑制するインプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】インプリント装置の代表的な装置構成を例示する図である。
【図２】インプリト処理のフローチャートを例示する図である。
【図３】インプリト処理時のインプリント装置を例示する図である。
【図４】基板上のショット領域についてインプリント処理を行う順番を例示する図である。
【図５】基板ステージと基板チャックを例示する図である。
【図６】先行してモールドを押し付ける対象ショット領域を例示する図である。
【図７】外周ショット領域に対してモールドを押し付ける時のインプリント装置を例示する図である。
【図８】内部ショット領域に対してモールドを押し付ける時のインプリント装置を例示する図である。
【図９】先行してモールドを押し付ける対象ショット領域を例示する図である。
【図１０】従来技術のインプリント処理を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【実施例１】
【００１３】
実施例１に係るインプリント装置について説明する。図１は、インプリント装置の代表的な装置構成を例示する図である。インプリント装置１００は、基板１上のショット領域上に樹脂（インプリント材）のパターンを形成するインプリト処理を行う。例えば、インプリント装置１００は、モールド８（型）のパターン領域を基板１上の樹脂に接触させた状態で樹脂を硬化させる。そして、インプリント装置１００は、モールド８と基板１との間隔を広げ、硬化した樹脂からモールド８を剥離（離型）することによって基板１上に樹脂のパターンを形成することができる。なお、本実施例では、ＵＶ光（紫外光）の照射によって樹脂を硬化させるＵＶ光硬化型インプリント装置に本発明を適用した例を説明する。しかし、本実施例に係るインプリント装置は、他の波長域の光の照射によって未硬化樹脂を硬化させるインプリント装置や、他のエネルギー（例えば、熱）によって未硬化樹脂を硬化させるインプリント装置に適用することも可能である。
【００１４】
インプリント装置１００は、基板ステージ２３（保持部）、ベースフレーム４、駆動装置５（移動部）、照射部６、樹脂塗布部７（塗布部）、移動機構１０、アライメントスコープ１１、ギャップセンサ１２、定盤１３、制御部１４を有する。
【００１５】
基板ステージ２３は、ステージ２、およびステージ３から構成される。ステージ２はステージ３に搭載され、基板１はステージ２に搭載される。基板１は、モールド８に形成された凹凸状のパターンを反転したパターンが形成される基板である。ステージ２、およびステージ３は、互いに直交する方向に移動することにより、基板１を移動させる。ステージ３はベースフレーム４に搭載され、ステージ２、およびステージ３の保持位置決めをする。
【００１６】
駆動装置５は、例えば、モールド８を保持する型チャック５ａと、型チャック５ａを駆動することによってモールド８を駆動する型駆動機構５ｂと、形状補正機構５ｃとを含みうる。型駆動機構５ｂは、モールド８の位置を６軸に関して制御する位置決め機構と、および、モールド８を基板１またはその上の樹脂に押し付けたり、硬化した樹脂からモールド８を分離したりする機構とを含みうる。ここで、６軸は、ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸およびそれらの各軸回りの回転である。形状補正機構５ｃは型チャック５ａに搭載されうる。形状補正機構５ｃは、例えば、空気や油等の流体で作動するシリンダ、または圧電素子を用いてモールド８を外周方向から加圧することによってモールド８の形状を補正することができる。
【００１７】
照射部６は、モールド８を介して未硬化樹脂に紫外光を照射して、未硬化樹脂を硬化させる。また、照射部６は、例えばｉ線、ｇ線などの紫外光を発生するハロゲンランプ等の光源と、光源が発生した光を集光成形する機能を持つ光学系とを含む。
【００１８】
樹脂塗布部７は、基板上に所定量の樹脂を塗布する。樹脂塗布部７は、未硬化樹脂を液滴化して吐出するディスペンサ７ａと、未硬化樹脂を保管するタンク７ｃと、タンク７ｃに保管された未硬化樹脂をディスペンサ７ａに供給するための配管７ｂとを含む。移動機構１０は、ディスペンサ７ａを吐出位置と退避位置（メンテナンス位置）の間で移動させる。ディスペンサ７ａは吐出動作時は吐出位置に位置決めされ、メンテナンスする際には退避位置に移動され、ディスペンサ７ａのクリーニングおよび交換を行う。
【００１９】
アライメントスコープ１１は、樹脂を基板上に塗布した後、基板１とモールド８との位置合せの際に用いられる。アライメントスコープ１１は、基板１に設けられたアライメントマークと、モールド８に設けられたアライメントマークと、を検出して、かかるアライメントマークの相互の位置ずれを計測する。この計測結果に応じて、基板ステージ２３が基板１を搭載して移動させることで、基板１とモールド８の位置合せを行う。
【００２０】
ギャップセンサ１２（高さ計測部）は、ステージ２に搭載された基板１上の高さ方向（Ｚ方向）の位置（基板の高さ）を計測する。また、ギャップセンサ１２により、基板１上の複数箇所の高さ方向の位置を計測することで、基板１の平坦度を求めることができる。ここで、平坦度とは、最も高い位置と最も低い位置との差としても良いし、複数の計測値の標準偏差としても良い。また、平坦度は基板１全面で求めても良いし、ショット領域毎に求めても良い。また、ギャップセンサ１２として、例えば、対象物との間の静電容量を検出し、該対象物との距離を計測する静電容量センサを用いることができる。また、ギャップセンサ１２として、光学式センサ、超音波式センサ等の距離を計測するセンサを用いても良い。
【００２１】
定盤１３は、照射部６、ディスペンサ７ａ、タンク７ｃ、移動機構１０、アライメントスコープ１１、ギャップセンサ１２等を支持して固定する定盤である。
【００２２】
制御部１４は、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータで構成され、メモリに格納されたプログラムに従ってインプリント装置１００の全体を制御する。制御部１４は、インプリント装置１００の各部の動作および調整などを制御することで基板上にパターンを形成する処理等を制御する。制御部１４は、インプリント装置１００の他の部分と共通の筐体内に構成しても良いし、インプリント装置１００の他の部分とは別の筐体内に構成しても良い。また、制御部１４は、複数のコンピュータからなる構成としても良い。
【００２３】
ここで、図２、図３を用いて、インプリト処理について説明する。図２は、インプリト処理のフローチャートを例示する図である。図３は、インプリト処理時のインプリント装置を例示する図である。まず、Ｓ０１で、基板１を基板ステージ２３に搭載する。また、図３（Ａ）は、基板１を基板ステージ２３に搭載する時のインプリント装置を表している。基板１は基板ステージ２３を構成するステージ２に設けられている基板チャック２ａにより吸着され、保持される。なお、基板チャック２ａについては後述する。
【００２４】
Ｓ０２で、基板１が正常に基板ステージ２３に搭載されているか否かを検出する。なお、詳細な検出方法については後述する。Ｓ０３では、検出結果から、基板１が正常に搭載されているか否かを判断する。
【００２５】
Ｓ０３で正常に搭載されていると判断した場合、Ｓ０４で基板上のショット領域に対してインプリト処理を行う。インプリト処理が開始されると、基板１を搭載した基板ステージ２３がディスペンサ７ａの方向に移動する。図３（Ｂ）では、基板１のショット領域がディスペンサ７ａの吐出位置の下に位置するように基板ステージ２３が移動する。また、ディスペンサ７ａから未硬化の樹脂を吐出させながら、基板ステージ２３を移動させることで、基板１上のショット領域に所定量の樹脂が供給（塗布）される。その後、前記ショット領域がモールド８の下（押印位置）に位置するように、基板ステージ２３が移動する。
【００２６】
図３（Ｃ）は、１つのショット領域についての押印から離型までの処理を表している。まず、モールド８を保持した駆動装置５が降下する。この時、アライメントスコープ１１が、基板１のアライメントマークと、モールド８のアライメントマークの位置ずれを計測して、基板ステージ２３が移動することで、前記ショット領域とモールド８のパターン領域の位置合せを行う。そして、モールド８を保持した駆動装置５がさらに降下して、モールド８のパターンを基板１上の樹脂に接触させ、押し付ける。これにより、基板１上の樹脂にモールド８のパターンが転写される。また、モールド８と基板上の樹脂とを接触させた状態でも同様に、前記ショット領域と前記パターン領域の位置合せを行う。次に、モールド８と基板１上の樹脂とを接触させた状態において、照射部６が、モールド８を介して、基板１上の樹脂に、光Ｌを照射する。これにより、基板１上の樹脂が硬化する。最後に、駆動装置５がモールド８を上昇させて、基板１上の硬化した樹脂からモールド８を引き離すことで、基板１上のショット領域にパターンが形成される。
【００２７】
Ｓ０５で基板１上の全ショット領域についてインプリント処理が終了したか否かを判断する。全ショット領域についてインプリント処理が終了した場合は、基板１に対するインプリント処理を終了する。基板１上の全ショット領域についてインプリント処理が終了していない場合は、Ｓ０４に戻り、次のショット領域についてインプリント処理を行う。
【００２８】
図４は、基板上のショット領域についてインプリント処理を行う順番を例示する図である。基板１上の格子形状がショット領域を表しており、ショット領域内の番号が、インプリト処理を行う順番を表している。図３で説明したインプリント処理を、基板１上のショット領域毎に、ショット領域内の番号の順番に行い、基板上の全ショット領域のインプリント処理を行う。
【００２９】
ここで、図２のＳ０２において、基板１が正常にステージ２に搭載されているか否かを検出する方法について説明する。図５は、基板ステージと基板チャックを例示する図である。ステージ２には基板チャック２ａが設けられており、搭載された基板１を保持する。基板チャック２ａには基板吸着パッド（基板吸着部）２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅが設けられている。基板吸着パッド２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅは、には上面に凹形状の空間が設けられている。基板吸着パッド２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅの上面と基板１とが接触した状態で、前記空間の圧力を下げることにより、吸着力が発生して基板１を吸着する。また、基板吸着パッド２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅのそれぞれに、真空配管２ｆが接続されており、それぞれの真空配管２ｆに圧力センサ２ｇが設けられている。真空配管２ｆは真空ポンプ等の真空発生装置（不図示）に接続して、基板吸着パッド２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅのそれぞれの前記空間の圧力を個別に制御することができる。これらの構成により、基板チャック２ａは、基板１と基板吸着パッド２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅとが接触した状態で吸着をして、基板１を保持することができる。また、圧力センサ２ｇにより、前記空間の圧力値を計測することができる。前記圧力値は、基板吸着パッド２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅのそれぞれに発生している吸着力の大きさを表している。前記圧力値が十分に小さい場合には、基板を保持するのに十分な吸着力が発生している。また、前記圧力値が大きく、前記空間が大気圧に近い圧力になっている場合には、基板を保持するのに十分な吸着力が発生していない。
【００３０】
図５（Ａ）は、基板１が基板チャック２ａに正常に搭載された状態を表す。この状態は、前記空間の圧力値が一定の閾値以下の圧力値となり、基板１が正常に吸着された状態である。ここで、前記圧力値の閾値は基板１を吸着するのに十分な吸着力が発生する圧力値を基準に予め定められる。
【００３１】
図５（Ｂ）は、基板１が基板チャック２ａに正常に搭載されていない状態を表す。つまり、基板端部１ａ、１ｂ付近の基板１の下面が基板チャック２ａに接触していない状態である。この状態は、基板吸着パッド２ｂ、２ｅのそれぞれの前記圧力値が前記圧力値の閾値より大きい圧力値となり、基板１を吸着するのに十分な吸着力が発生しておらず、基板１が正常に吸着されていない状態である。Ｓ０２で、圧力値が規定値より大きい圧力値となっている基板吸着パッド２ｂ、２ｅの位置から、基板チャック２ａに接触していない基板１上の位置に関する情報を得ることができる。
【００３２】
また、基板１の高さに基づいて、基板１が正常にステージ２に搭載されているか否かを検出することもできる。図２のＳ０１で基板１を基板ステージ２３に搭載した後に、基板１上の複数箇所をギャップセンサ１２で計測して、前記高さを求める。Ｓ０２で、前記高さが閾値以下の範囲内に収まっていない位置から、基板チャック２ａに接触していない基板１上の位置に関する情報を得ることができる。図５（Ａ）では、前記高さは、一定の閾値以下の範囲内に収まり正常に吸着された状態を示す。ここで、前記高さの閾値は基板１が正常に吸着されている場合の基板の高さを基準に予め定められる。また、この状態は、前記高さから求められる平坦度についても、同様に予め定められる閾値以下となっている状態である。一方、図５（Ｂ）では、基板端部１ａ、１ｂ付近の基板１の高さは、前記高さの閾値以下の範囲内に収まらず、正常に吸着されていない状態である。または、前記高さからショット領域毎に平坦度を求め、閾値以上の平坦度のショット領域の位置から、基板チャック２ａに接触していない基板１上の位置に関する情報を得ることもできる。
【００３３】
また、基板チャック２ａに接触していない基板上の位置に関する情報を得る方法は、前述の基板吸着パッドに基づいて前記情報を得る方法と、基板の高さに基づいて前記情報を得る方法を組合せても良い。例えば、前記複数の方法で求めた位置の中間点を前記位置としても良いし、それぞれの方法により求めた位置の精度の違いにより、前記複数の方法で求めた位置に重み付けをして求めた位置を前記位置としても良い。
【００３４】
なお、基板吸着パッド２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅは、前述したような真空吸着による吸着方式を利用したものに限られず、静電吸着など、その他の吸着方式を利用しても良い。
【００３５】
ここで、図２に戻り、Ｓ０３で基板１が正常に搭載されていないと判断した場合について説明する。Ｓ０３で基板１が正常に搭載されてないと判断した場合、Ｓ０６では、基板チャック２ａに接触していない基板１上の位置から、先行してモールドを押し付けるショット領域を選択する。前記ショット領域は、前記位置からの距離が最も短いショット領域を選択する。また、前記距離が予め定めた閾値より短い複数のショット領域を選択しても良い。Ｓ０７では、選択した前記ショット領域にモールド８を押し付ける。これにより、基板チャック２ａに接触していない基板１上の位置において、基板１が基板チャック２ａに吸着され、モールド８を引き離した後、正常に搭載されている状態になる。なお、モールド８を押し付ける前に、前記ショット領域に樹脂９を塗布しておき、樹脂９に紫外光を照射して硬化させてから、モールド８を引き離しても良いし、樹脂９を塗布しないでモールド８を押し付け、引き離しても良い。そして、Ｓ０４に進み、基板１上のショット領域に対してインプリト処理を行う。
【００３６】
ここで、図６から図９を用いて、先行してモールドを押し付ける処理を説明する。図６は、先行してモールドを押し付ける対象ショット領域を例示する図である。図６では、図４に例示した基板１上のショット領域に対して、基板１の外周にかかるショット領域である外周ショット領域を追加して示してある。対象ショット領域Ｓ１は、基板１が基板チャック２ａに正常に保持されていない状態において、先行してモールド８を押し付ける処理を行うショット領域である。対象ショット領域Ｓ１は、Ｓ０２において検出された、基板チャック２ａに接触していない位置の付近にあるショット領域である。また、対象ショット領域Ｓ１は基板１の外周にかかる外周ショット領域であり、図４に示す例ではインプリト処理を行わないショット領域である。また、制御部１４は、基板チャック２ａに接触していない位置からの距離が、他のショット領域と比較して短いショット領域を、対象ショット領域Ｓ１として選択する。または、前記距離が予め定めた閾値より短い、複数のショット領域の内から、少なくとも１つの外周ショット領域を対象ショット領域Ｓ１として選択しても良い。また、図６では、先行してモールドを押し付けるショット領域として、４つの対象ショット領域Ｓ１があることを表している。なお、基板チャック２ａに接触していない位置に対して、複数の対象ショット領域Ｓ１を選択しても良いし、１つの対象ショット領域Ｓ１を選択しても良い。
【００３７】
図７は、外周ショット領域に対してモールドを押し付ける時のインプリント装置を例示する図である。なお、駆動装置５は、形状補正機構５ｃのみ図示してあり、型チャック５ａと型駆動機構５ｂは図示を省略している。図７（Ａ）では、インプリト処理に先行して、駆動装置５がモールド８を降下させて、対象ショット領域Ｓ１にモールド８を押し付ける。ここで、モールド８を押し付ける前に、対象ショット領域Ｓ１に樹脂９を塗布しておき、モールド８を押し付けた後、樹脂９に紫外光を照射して硬化させる。図７（Ｂ）では、基板１の形状が矯正され、基板１が基板吸着パッド２ｂ、２ｅに吸着された状態、または基板１の平坦度が改善された状態となる。この状態で、例えば、図４に記載されているショット領域のインプリト処理を行えば、押印時に基板１が変位することを抑制することができる。
【００３８】
また、図７では、対象ショット領域Ｓ１に対して、通常のインプリト処理と同様に樹脂９を塗布して、モールド８を押し付けているが、樹脂９を塗布しないで、モールド８を押し付けても良い。
【００３９】
また、確実に基板１を基板チャック２ａに接触させるために、モールド８を押し付ける力は、通常のインプリント処理における押印時の力よりも大きくしても良い。
【００４０】
また、先行してモールド８を押し付ける際に使用するモールドは、凹凸状のパターンが形成された部分（パターン形成部）を有するモールドを使用して、前記部分を押し付ける場合、前記パターンが破損する可能性がある。そこで、パターンが形成されていない部分（パターン非形成部）を有するモールドを使用して、前記部分を押し付けても良い。また、１つのモールドにパターン非形成部と、パターン形成部とを設け、それぞれ先行してモールド８を押し付ける処理と通常のインプリト処理とで、パターン非形成部とパターン形成部とを使い分けても良い。
【００４１】
したがって、実施例１に係るインプリント装置によれば、位置合せ精度が低下することを抑制することができる。また、後述の残膜厚が不均一になることを抑制することができる。
【００４２】
〔比較例〕
図１０は、従来技術のインプリト処理を例示する図である。なお、駆動装置５は、形状補正機構５ｃのみ図示してあり、型チャック５ａと型駆動機構５ｂは図示を省略している。図１０（Ａ）は、基板１が基板チャック２ａに正常に保持されていない状態を表す。つまり、基板１の基板端部１ａおよび１ｂ付近の基板１の下面が基板チャック２ａに接触していない状態である。この状態で、駆動装置５がモールド８を降下させて、基板端部１ｂ付近にあるショット領域に塗布された樹脂９に、モールド８を接触させ、押し付ける。このとき、基板端部１ｂ付近の基板１の下面が基板チャック２ａに接触していないため、前記ショット領域は下方および基板の面内方向に変位する。そのため、図１０（Ｂ）において、前記ショット領域とモールド８の位置ずれが発生して、位置合せ精度が低下する。また、基板上の樹脂９にモールド８を押し付ける圧力が均等にならないため、残膜厚が不均一となる。ここで残膜厚とは、硬化した樹脂で形成される凹凸パターンの凹部の表面（底面）と、基板の表面との間の樹脂の厚みである。前記パターンが形成される際には、前記パターンの残膜厚を基板の面内で均一化させることが望ましい。これは、例えば半導体デバイス製造工程の中で、インプリント装置によるパターン形成工程以外の工程、例えばエッチング工程にてドライエッチング処理を実施した際に、パターンの線幅の面内ばらつきの発生を抑えるためである。
【実施例２】
【００４３】
実施例２に係るインプリント装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例１に従い得る。本実施例では、基板１の中心付近の下面が、基板チャック２ａに接触していない場合に、先行してモールドを押し付ける処理を行うインプリント装置について説明する。
【００４４】
図８は、内部ショット領域に対してモールドを押し付ける時のインプリント装置を例示する図である。なお、駆動装置５は、形状補正機構５ｃのみ図示してあり、型チャック５ａと型駆動機構５ｂは図示を省略している。図８（Ａ）において、基板１の下面が基板チャック２ａに接触していない位置が、基板１の内部１ｃの付近にある。
【００４５】
図９は、先行してモールドを押し付ける対象ショット領域を例示する図である。図９に示すように、対象ショット領域Ｓ２は内部１ｃの付近にあるショット領域である。対象ショット領域Ｓ２は、外周ショット領域の内側に位置するショット領域であり、通常、インプリト処理を行うショット領域である。なお、図９の例に限られず、対象ショット領域Ｓ２は、外周ショット領域の内側であれば任意の位置にあっても良く、複数のショット領域であっても良い。このような対象ショット領域Ｓ２について先行してモールドを押し付ける処理を行う。
【００４６】
図８（Ｂ）では、内部１ｃの付近における基板１の形状が矯正され、基板１が基板吸着パッド２ｃ、２ｄに吸着された状態、または基板１の平坦度が改善された状態となる。この状態で、例えば、図４に記載されているショット領域の内、対象ショット領域Ｓ２を除いたショット領域のインプリト処理を行えば、押印時に基板１が変位することを抑制することができる。
【００４７】
したがって、実施例２に係るインプリント装置によれば、位置合せ精度が低下することを抑制することができる。また、残膜厚が不均一になることを抑制することができる。
【００４８】
（物品の製造方法）
物品として、例えば、デバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）、カラーフィルター、またはハードディスク等の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。該処理ステップは、該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性および生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。また、実施例１、実施例２に係るインプリント装置は、単独で実施するだけでなく、実施例１、実施例２の組合せで実施することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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