(57)【要約】【課題】ＨＥＭＴ構造層とＨＢＴ構造層間のストッパー層を薄くした場合であっても、十分なエッチング選択比を得ることを可能とする。【解決手段】単結晶基板１１と、単結晶基板１１上に形成され、最上層にＧａＡｓからなるショットキー層１８が形成された高電子移動度トランジスタ構造層２と、高電子移動度トランジスタ構造層２上に形成されたヘテロバイポーラトランジスタ構造層３と、高電子移動度トランジスタ構造層２とヘテロバイポーラトランジスタ構造層３との間に形成された第１ストッパー層１９と、を備え、ヘテロバイポーラトランジスタ構造層３のベース層２４よりも高電子移動度トランジスタ構造層２側に、ヘテロバイポーラトランジスタ構造層３をエッチングするエッチング液に対して、ＧａＡｓよりもエッチング選択比が高い、もしくはエッチングされない第２ストッパー層２２を形成したものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板と、
前記単結晶基板上に形成され、最上層にＧａＡｓからなるショットキー層が形成された高電子移動度トランジスタ構造層と、
前記高電子移動度トランジスタ構造層上に形成されたヘテロバイポーラトランジスタ構造層と、
前記高電子移動度トランジスタ構造層とヘテロバイポーラトランジスタ構造層との間に形成され、前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層をエッチングする際にエッチングを停止させるための第１ストッパー層と、
を備えたIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、
前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層のベース層よりも前記高電子移動度トランジスタ構造層側に、前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層をエッチングするエッチング液に対して、ＧａＡｓよりもエッチング選択比が高い、もしくはエッチングされない第２ストッパー層を形成した
ことを特徴とするIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項２】
前記エッチング液がアンモニア過水の水溶液であり、
前記第２ストッパー層として、アンモニア過水の水溶液に対して、ＧａＡｓよりもエッチング選択比が高い、もしくはエッチングされないものを用いた
請求項１記載のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項３】
前記第２ストッパー層が、ＩｎＧａＰまたはＡｌＡｓからなり、
前記第２ストッパー層の厚さが２ｎｍ以上である
請求項１または２記載のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項４】
前記第２ストッパー層の厚さが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
請求項３記載のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項５】
前記第２ストッパー層が、ＩｎＧａＰからなり、
前記第２ストッパー層のＡｓ濃度が２×１０20ｃｍ-3以下である
請求項１〜４いずれかに記載のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項６】
前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層の表面粗さ（ＲＭＳ）が１ｎｍ以下である
請求項１〜５いずれかに記載のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項７】
前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層の表面粗さ（ＲＭＳ）が０．４ｎｍ以下である
請求項６記載のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項８】
前記第２ストッパー層のキャリア濃度は、前記第２ストッパー層の直上に形成されるエピタキシャル層のキャリア濃度以下である
請求項１〜７いずれかに記載のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項９】
前記第２ストッパー層の前記エッチング液に対するエッチング選択比が、ＧａＡｓの５倍以上である
請求項１〜８いずれかに記載のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項１０】
単結晶基板と、
前記単結晶基板上に形成され、最上層にＧａＡｓからなるショットキー層が形成された高電子移動度トランジスタ構造層と、
前記高電子移動度トランジスタ構造層上に形成されたヘテロバイポーラトランジスタ構造層と、
前記高電子移動度トランジスタ構造層とヘテロバイポーラトランジスタ構造層との間に形成され、前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層をエッチングする際にエッチングを停止させるための第１ストッパー層と、
を備えたIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、
前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層のベース層よりも前記高電子移動度トランジスタ構造層側に形成されたサブコレクタ層上に、前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層をエッチングするエッチング液に対して、ＧａＡｓよりもエッチング選択比が高い、もしくはエッチングされない第２ストッパー層を形成し、
前記第２ストッパー層を、前記サブコレクタ層の成長温度以下で形成する
ことを特徴とするIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶基板上に高電子移動度トランジスタ構造層とヘテロバイポーラトランジスタ構造層を順次積層したIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
消費電力を削減するために、ＧａＡｓ単結晶基板上に高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor；以下、ＨＥＭＴという）構造層とヘテロバイポーラトランジスタ（Hetero Bipolar Transistor；以下、ＨＢＴという）構造層を順次積層したＢｉＦＥＴ構造のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハが知られている。
【０００３】
ＢｉＦＥＴ構造のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハを用いて作成されたトランジスタ素子は、スイッチ機能を有するＨＥＭＴと、パワーアンプ機能を有するＨＢＴとを組み合わせたものとなり、例えば、携帯端末の送受信用のパワー増幅器モジュール等に用いることができる。
【０００４】
ところで、ＢｉＦＥＴ構造のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハでは、ＨＥＭＴ構造層とＨＢＴ構造層とを分離するために、ＨＢＴ構造層の一部をウェットエッチングにより除去してＨＥＭＴ構造層を露出させる必要がある。このとき、エッチングによりＨＢＴ構造層のみを除去できるように、ＨＥＭＴ構造層とＨＢＴ構造層との間には、エッチングを停止させるためのストッパー層が設けられている。
【０００５】
ストッパー層としては、ＨＢＴ構造層をエッチングするエッチング液に対して、ＧａＡｓよりもエッチング選択比（単に選択比ともいう）が高いものが用いられる。具体的には、ＩｎＧａＰやＡｌＡｓからなるストッパー層が一般に用いられている。
【０００６】
ストッパー層を備えることで、ＨＢＴ構造層をエッチングする際にＨＥＭＴ構造層上のストッパー層でエッチングを停止させることが可能となり、その後、ストッパー層のみをエッチングするエッチング液でストッパー層を除去すれば、ＨＥＭＴ構造層を露出させることができる。
【０００７】
しかしながら、ストッパー層の性能（エッチングを停止させる性能）が十分でないと、エッチングが停止されない場合がある。
【０００８】
ストッパー層の性能を向上する方法として、ストッパー層の純度を高くする（高V/III比にする）方法や、ストッパー層の膜厚を厚くする方法、あるいは、ストッパー層前後のインターバルシーケンスを最適化する方法等が従来より提案されている。
【０００９】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、特許文献１がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１１−１９２７３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述のようなストッパー層の性能を向上させる方法では、ストッパー層自体の除去が困難となってしまう場合がある。
【００１２】
特に、ストッパー層を厚くした場合には、ストッパー層が抵抗層となって問題が生じる場合がある。さらに、ストッパー層としてＩｎＧａＰを用いた場合、ストッパー層を厚くすると、ストッパー層界面にて界面チャージが発生して界面付近も抵抗層となってしまい問題である。さらにまた、ストッパー層を厚くした場合、異物が発生し易くなり、この異物も抵抗成分となってしまう。よって、ストッパー層は薄い方が好ましい。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、ＨＥＭＴ構造層とＨＢＴ構造層間のストッパー層を薄くした場合であっても、十分なエッチング選択比を得ることが可能なIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、単結晶基板と、前記単結晶基板上に形成され、最上層にＧａＡｓからなるショットキー層が形成された高電子移動度トランジスタ構造層と、前記高電子移動度トランジスタ構造層上に形成されたヘテロバイポーラトランジスタ構造層と、前記高電子移動度トランジスタ構造層とヘテロバイポーラトランジスタ構造層との間に形成され、前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層をエッチングする際にエッチングを停止させるための第１ストッパー層と、を備えたIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層のベース層よりも前記高電子移動度トランジスタ構造層側に、前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層をエッチングするエッチング液に対して、ＧａＡｓよりもエッチング選択比が高い、もしくはエッチングされない第２ストッパー層を形成したIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハである。
【００１５】
前記エッチング液がアンモニア過水の水溶液であり、前記第２ストッパー層として、アンモニア過水の水溶液に対して、ＧａＡｓよりもエッチング選択比が高い、もしくはエッチングされないものを用いてもよい。
【００１６】
前記第２ストッパー層が、ＩｎＧａＰまたはＡｌＡｓからなり、前記第２ストッパー層の厚さが２ｎｍ以上であってもよい。
【００１７】
前記第２ストッパー層の厚さが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。
【００１８】
前記第２ストッパー層が、ＩｎＧａＰからなり、前記第２ストッパー層のＡｓ濃度が２×１０20ｃｍ-3以下であってもよい。
【００１９】
前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層の表面粗さ（ＲＭＳ）が１ｎｍ以下であってもよい。
【００２０】
前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層の表面粗さ（ＲＭＳ）が０．４ｎｍ以下であってもよい。
【００２１】
前記第２ストッパー層のキャリア濃度は、前記第２ストッパー層の直上に形成されるエピタキシャル層のキャリア濃度以下であってもよい。
【００２２】
前記第２ストッパー層の前記エッチング液に対するエッチング選択比が、ＧａＡｓの５倍以上であってもよい。
【００２３】
また、本発明は、単結晶基板と、前記単結晶基板上に形成され、最上層にＧａＡｓからなるショットキー層が形成された高電子移動度トランジスタ構造層と、前記高電子移動度トランジスタ構造層上に形成されたヘテロバイポーラトランジスタ構造層と、前記高電子移動度トランジスタ構造層とヘテロバイポーラトランジスタ構造層との間に形成され、前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層をエッチングする際にエッチングを停止させるための第１ストッパー層と、を備えたIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層のベース層よりも前記高電子移動度トランジスタ構造層側に形成されたサブコレクタ層上に、前記ヘテロバイポーラトランジスタ構造層をエッチングするエッチング液に対して、ＧａＡｓよりもエッチング選択比が高い、もしくはエッチングされない第２ストッパー層を形成し、前記第２ストッパー層を、前記サブコレクタ層の成長温度以下で形成するIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、ＨＥＭＴ構造層とＨＢＴ構造層間のストッパー層を薄くした場合であっても、十分なエッチング選択比を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係るIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハの積層構造図である。
【図２】本発明の実施例において、エッチング選択比とエッチング後の抵抗値の規格値との関係を示すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態を添付図面にしたがって説明する。
【００２７】
図１は、本実施形態に係るIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハの積層構造図である。
【００２８】
図１に示すように、III-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ（以下、単にウェハという）１は、半絶縁性ＧａＡｓからなる単結晶基板１１と、単結晶基板１１上に形成された高電子移動度トランジスタ構造層（以下、ＨＥＭＴ構造層という）２と、ＨＥＭＴ構造層上に形成されたヘテロバイポーラトランジスタ構造層（以下、ＨＢＴ構造層という）３と、を備えたＢｉＦＥＴ構造のウェハである。
【００２９】
ＨＥＭＴ構造層２は、単結晶基板１１上に、バッファー層１２、供給層１３、スペーサー層１４、チャネル層１５、スペーサー層１６、供給層１７、ショットキー層１８を順次積層して形成される。
【００３０】
バッファー層１２は例えばアンドープＡｌＧａＡｓ層からなり、供給層１３は例えばｎ型ＡｌＧａＡｓ層、スペーサー層１４は例えばアンドープＡｌＧａＡｓ層、チャネル層１５は例えばＩｎＧａＡｓ層、スペーサー層１６は例えばアンドープＡｌＧａＡｓ層、供給層１７は例えばｎ型ＩｎＧａＰ層、ショットキー層１８は例えばアンドープＧａＡｓ層からなる。
【００３１】
供給層１３，１７は、例えば、Ｓｉのδドープ層からなる。δドープ層とは局所的にドーパント（ここではＳｉ）が高濃度に含まれた領域であり、図１に示すような縮尺の層として存在していない。つまり、図１では、便宜上各層の縮尺を変更し、ウェハ１の積層構造を概略的に示している。
【００３２】
ＨＥＭＴ構造層２上（ＨＥＭＴ構造層２とＨＢＴ構造層３との間）には、ＨＢＴ構造層３をエッチングする際にエッチングを停止させるための第１ストッパー層１９と、キャップ層２０が順次積層される。
【００３３】
本実施形態では、ＩｎＧａＰからなる第１ストッパー層１９を形成した。詳細は後述するが、本実施形態では第２ストッパー層２２を形成するため、第１ストッパー層１９の厚さは５ｎｍ以下と薄くすることができる。
【００３４】
第１ストッパー層１９を形成する際には、第１ストッパー層１９成長時の熱によるＨＥＭＴ構造層２の特性劣化を抑制するため、ＨＥＭＴ構造層２の成長温度以下の成長温度とすることが望ましい。なお、本明細書において成長温度とは、成長時の単結晶基板１１の基板温度を意味する。
【００３５】
ＨＢＴ構造層３は、基本的に、キャップ層２０上に、サブコレクタ層２１、コレクタ層２３、ベース層２４、エミッタ層２５、エミッタコンタクト層２６、ノンアロイ層２７を順次積層して形成される。
【００３６】
サブコレクタ層２１は例えばｎ型ＧａＡｓ層からなり、コレクタ層２３は例えばｎ型ＧａＡｓ層、ベース層２４は例えばｐ型ＧａＡｓ層、エミッタ層２５は例えばｎ型ＩｎＧａＰ層、エミッタコンタクト層２６は例えばｎ型ＧａＡｓ層、ノンアロイ層２７は例えばｎ型ＩｎＧａＡｓ層からなる。
【００３７】
ウェハ１では、各層１２〜２７は、気相成長法（ＭＯＶＰＥ（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy）法）により形成される。
【００３８】
さて、本実施形態に係るウェハ１では、ＨＢＴ構造層３のベース層２４よりもＨＥＭＴ構造層２側に、ＨＢＴ構造層３をエッチングするエッチング液に対して、ＧａＡｓよりもエッチング選択比が高い、もしくはエッチングされない第２ストッパー層２２を形成している。
【００３９】
本実施形態では、ＨＢＴ構造層３をエッチングするエッチング液としてアンモニア過水の水溶液を用いるため、第２ストッパー層２２として、アンモニア過水の水溶液に対して、ＧａＡｓよりもエッチング選択比が高い、もしくはエッチングされないものを用いた。
【００４０】
具体的には、第２ストッパー層２２としては、ＩｎＧａＰまたはＡｌＡｓからなるものを用いるとよい。本実施形態では、第２ストッパー層２２としてＩｎＧａＰからなるものを用いた。
【００４１】
また、本実施形態では、サブコレクタ層２１上、すなわちサブコレクタ層２１とコレクタ層２３との間に第２ストッパー層２２を形成した。ただし、これに限らず、サブコレクタ層２１の下層、すなわちキャップ層２０とサブコレクタ層２１との間に第２ストッパー層２２を形成してもよい。また、コレクタ層２３をＩｎＧａＰで形成し、第２ストッパー層２２としての役割を兼ねるようにしてもよい。
【００４２】
第２ストッパー層２２の厚さは、２ｎｍ以上であるとよい。これは、第２ストッパー層２２の厚さが２ｎｍ未満であると、エッチングを停止させる効果が十分に得られなくなるためである。第２ストッパー層２２が厚いほどエッチングを停止させやすくなるが、厚くしすぎると抵抗成分となる異物が発生しやすくなるため、第２ストッパー層２２の厚さは２００ｎｍ以下とすることが望ましい。より好ましくは、第２ストッパー層２２の厚さは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるとよい。
【００４３】
ＩｎＧａＰからなる第２ストッパー層２２を用いる場合、第２ストッパー層２２のＡｓ濃度は、２×１０20ｃｍ-3以下であるとよい。第２ストッパー層２２は、ＨＢＴ構造層３をエッチングした後に、塩酸系のエッチング液で除去されるが、ＩｎＧａＰ中のＡｓ濃度が高くなると、塩酸系のエッチング液で第２ストッパー層２２をエッチングし難くなり、エッチング後に表面が非常にあれた状態となってしまうためである。本発明者らが検討したところ、Ａｓ濃度が２×１０20ｃｍ-3以下であれば、塩酸：水＝１：１としたエッチング液を用いて容易にエッチングできることが確認された。
【００４４】
また、第２ストッパー層２２のキャリア濃度は、第２ストッパー層２２の直上に形成されるエピタキシャル層（ここではコレクタ層２３）のキャリア濃度以下であることが望ましい。ここでは、第２ストッパー層２２をアンドープ（ドーピングなし）で形成した。
【００４５】
また、第２ストッパー層２２のＨＢＴ構造層３をエッチングするエッチング液に対する選択比は、ＧａＡｓの５倍以上であるとよい。本発明者らが検討したところ、第１ストッパー層１９のみを５ｎｍ形成した場合、選択比は５未満であった。全体として選択比を１０以上とすることが望ましく、本実施形態では、第２ストッパー層２２の選択比をＧａＡｓの５倍以上とした。
【００４６】
ところで、本実施形態のようにストッパー層１９，２２が薄い場合、表面粗さが１ｎｍ以上あると、薄くなっている部分でエッチングが抜けてしまい、エッチングが停止されない場合が考えられる。そのため、ウェハ面内で均一にエッチングを停止させるために、表面粗さは小さいほど好ましいといえる。
【００４７】
そのため、ウェハ１の表面粗さ（ＲＭＳ）、すなわちＨＢＴ構造層３の表面粗さ（ＲＭＳ）は、１ｎｍ以下であるとよく、より好ましくは、０．４ｎｍ以下であるとよい。本発明者らが十分なエッチング停止の効果が得られたウェハ１の表面粗さ（ＲＭＳ）を測定したところ０．１〜０．４ｎｍであったため、ＨＢＴ構造層３の表面粗さ（ＲＭＳ）を０．４ｎｍ以下とすることで、確実にウェハ面内で均一にエッチングを停止させることが可能であると考えられる。
【００４８】
本実施形態では、サブコレクタ層２１上に第２ストッパー層２２を形成しているため、第２ストッパー層２２を形成する際には、サブコレクタ層２１と同じ成長温度として温度変更インターバルが発生しないようにするか、あるいは、サブコレクタ層成長温度より低い温度で成長することで、ＨＥＭＴ構造層２の特性劣化を抑制することが望ましい。つまり、第２ストッパー層２２は、サブコレクタ層２１の成長温度以下で形成することが望ましい。
【００４９】
ＩｎＧａＰからなる第２ストッパー層２２を用いる場合、第２ストッパー層２２を形成する際の成長温度をサブコレクタ層２１の成長温度よりも低くするほど、第２ストッパー層２２のバンドギャップが高くなる。第２ストッパー層２２のバンドギャップが１．８９ｅＶ程度になるまで成長温度を下げると、温度変更インターバルが長くなってＨＥＭＴ構造層２への熱負荷が大きくなり、ＨＥＭＴ構造層２の移動度が低下するなど特性劣化のおそれがある。よって、第２ストッパー層２２の成長温度は、第２ストッパー層２２のバンドギャップが１．８９ｅＶ以下、より好ましくは１．８４〜１．８９ｅＶとなる成長温度とすることが望ましい。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態に係るウェハ１では、ＨＢＴ構造層３のベース層２４よりもＨＥＭＴ構造層２側に、ＨＢＴ構造層３をエッチングするエッチング液に対して、ＧａＡｓよりもエッチング選択比が高い、もしくはエッチングされない第２ストッパー層２２を形成している。
【００５１】
第２ストッパー層２２を形成することで、第１ストッパー層１９を例えば厚さ５ｎｍ以下と薄くした場合であっても、ストッパー層１９，２２全体として大きい選択比を確保し、ＨＢＴ構造層３をエッチングする際にストッパー層１９，２２にてエッチングを十分に停止させることが可能になる。
【００５２】
本実施形態では、各ストッパー層１９，２２を薄くすることが可能になるため、ストッパー層１９，２２が抵抗層となって問題が生じることを抑制でき、ストッパー層１９，２２にＩｎＧａＰを用いた場合であっても、界面チャージの発生による抵抗層の発生を抑制できる。また、ストッパー層１９，２２を薄くすることにより、抵抗成分となる異物の発生も抑制でき、ストッパー層１９，２２の除去も容易になる。
【００５３】
また、本実施形態では、第２ストッパー層２２をサブコレクタ層２１の成長温度以下で形成しているため、第２ストッパー層２２を成長させる際のＨＥＭＴ構造層２への熱負荷の増大を抑制でき、ＨＥＭＴ構造層２の特性劣化を抑制できる。
【００５４】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加え得ることは勿論である。
【実施例】
【００５５】
図１において、アンドープＩｎＧａＰからなる厚さ２０ｎｍの第２ストッパー層２２を形成した実施例１のウェハ１を作成した。第１ストッパー層１９にはＩｎＧａＰを用い、厚さは５ｎｍとした。
【００５６】
また、図１において、アンドープＩｎＧａＰからなる厚さ１００ｎｍの第２ストッパー層２２を形成した実施例２のウェハ１を作成した。第１ストッパー層１９にはＩｎＧａＰを用い、厚さは５ｎｍとした。
【００５７】
また、図１において、アンドープＡｌＡｓからなる厚さ２ｎｍの第２ストッパー層２２を形成した実施例３のウェハ１を作成した。第１ストッパー層１９にはＩｎＧａＰを用い、厚さは５ｎｍとした。
【００５８】
さらに、比較のため、第２ストッパー層２２を省略した以外は実施例１〜３と同じ構造の従来例のウェハを作成した。
【００５９】
作成した実施例１〜３および従来例のウェハを用いて、アンモニア過水の水溶液によりエッチングをした際のエッチング選択比とエッチング後の抵抗値の規格値との関係を実験により求めた。結果を図２に示す。なお、図２における縦軸の値は、エッチング後の抵抗値を、第１ストッパー層１９が露出された時点での抵抗値で割った規格値であり、この値が１より高くなるほど、第１ストッパー層１９におけるエッチング停止効果が失われ、ショットキー層１８以下のＨＥＭＴ構造層２がエッチングされてしまっていることを表している。
【００６０】
図２に示すように、従来例のウェハでは、第１ストッパー層１９でエッチングを停止させることが困難であり、選択比は５未満であった。
【００６１】
これに対して、実施例１，２のウェハ１では、選択比は２０以上となり、第１ストッパー層１９でエッチングを停止させる効果が十分に得られていることが分かる。実施例３のウェハ１では、縦軸の規格値が１を若干超えているものの、従来例と比較して、エッチングを停止させる効果が十分に得られていることが分かる。
【００６２】
以上の結果より、第２ストッパー層２２を形成することで、選択比を向上させ、第１ストッパー層１９でエッチングを停止させる効果を向上できることが確認できた。
【符号の説明】
【００６３】
１  III-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ（ウェハ）
２  高電子移動度トランジスタ構造層（ＨＥＭＴ構造層）
３  ヘテロバイポーラトランジスタ構造層（ＨＢＴ構造層）
１８  ショットキー層
１９  第１ストッパー層
２２  第２ストッパー層
２４  ベース層
【図１】
2016134394.tif 000003
【図２】
2016134394.tif 000004