(57)【要約】【課題】積層チップが有するチップに対する電力供給における電圧降下を低減する。【解決手段】積層チップは、第１チップと、前記第１チップに形成された第１配線層と、第２チップと、前記第２チップに形成された第２配線層と、前記第１配線層と前記第２配線層との間に配置された層と、を備え、前記層は、前記第１配線層と前記第２配線層とを接着する接着剤と、前記第１配線層に接続された複数の第１バンプと、前記第２配線層に接続された複数の第２バンプと、複数の前記第１バンプ及び複数の前記第２バンプに接続されたハンダと、を有する。【選択図】図１
2016134481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１チップと、
前記第１チップに形成された第１配線層と、
第２チップと、
前記第２チップに形成された第２配線層と、
前記第１配線層と前記第２配線層との間に配置された層と、
を備え、
前記層は、
前記第１配線層と前記第２配線層とを接着する接着剤と、
前記第１配線層に接続された複数の第１バンプと、
前記第２配線層に接続された複数の第２バンプと、
複数の前記第１バンプ及び複数の前記第２バンプに接続されたハンダと、
を有することを特徴とする積層チップ。
【請求項２】
前記ハンダは、隣接する前記第１バンプの間に埋め込まれ、かつ、隣接する前記第２バンプの間に埋め込まれることを特徴とする請求項１に記載の積層チップ。
【請求項３】
第１チップに第１配線層を形成する工程と、
前記第１配線層に複数の第１バンプを接続する工程と、
前記第１配線層に第１接着剤を形成する工程と、
前記第１接着剤から露出した複数の前記第１バンプに第１ハンダを形成する工程と、
第２チップに第２配線層を形成する工程と
前記第２配線層に複数の第２バンプを接続する工程と、
前記第２配線層に第２接着剤を形成する工程と、
前記第２接着剤から露出した複数の前記第２バンプに第２ハンダを形成する工程と、
前記第１接着剤と前記第２接着剤とを接着する工程と、
前記第１ハンダと前記第２ハンダとを接合する工程と、
を備えることを特徴とする積層チップの製造方法。
【請求項４】
隣接する前記第１バンプの間の前記第１接着剤を除去する工程と、
隣接する前記第２バンプの間の前記第２接着剤を除去する工程と、
を備え、
前記第１ハンダを形成する工程は、前記隣接する前記第１バンプの間に前記第１ハンダを埋め込む工程を含み、
前記第２ハンダを形成する工程は、前記隣接する前記第２バンプの間に前記第２ハンダを埋め込む工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の積層チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層チップ及び積層チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体チップが積層された積層チップ（積層型の半導体装置）が知られている。積層チップは、立体構造を採用することにより、実装面積を拡大せずに実装密度を向上することができる。また、積層チップにおいて、半導体チップを貫通するＴＳＶ（Through Silicon Via）を用いて、半導体チップ相互間を電気的に接続する手法がある。ＴＳＶを
用いることで半導体チップ相互間の接続配線を短くすることが可能となり、積層チップの高速化を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１８２０８７号公報
【特許文献２】特開２０１４−６８０１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１３は、積層チップ１０１の断面図である。図１３に示すように、積層チップ１０１は、半導体チップ１１１及び１２１を有しており、半導体チップ１１１及び１２１が積層されて、配線基板１０２の上に搭載されている。半導体チップ１１１及び１２１は、半導体チップ１１１と半導体チップ１２１との間に配置された接着剤１０３によって接着されている。半導体チップ１１１には、基板１１２を貫通するＴＳＶ１１３が回路１１４の周囲に形成されている。半導体チップ１１１は、回路１１４が形成されている面（回路面）を下方に向けて配線基板１０２の上に設置されている。半導体チップ１１１の回路面に半田ボール１１５Ａ及び１１５Ｂが形成されている。半導体チップ１１１の回路１１４に、半田ボール１１５Ａを介して、配線基板１０２から電力が供給される。したがって、下段の半導体チップ１１１では、縦方向の給電経路によって、配線基板１０２から半導体チップ１１１に電力が供給される。基板１１２の回路面の反対面に配線層１１６が形成されている。
【０００５】
半導体チップ１２１は、基板１２２及び回路１２３を有する。基板１２２の回路１２３が形成されている面（回路面）を下方に向けて半導体チップ１１１の上に半導体チップ１２１が設置されている。基板１２２の回路面に配線層１２４が形成されている。半田ボール１１５Ｂ、ＴＳＶ１１３、配線層１１６、接続部１０４及び配線層１２４を介して、配線基板１０２から半導体チップ１２１の回路１２３に電力が供給される。したがって、上段の半導体チップ１２１では、縦方向及び横方向の給電経路によって、配線基板１０２から半導体チップ１２１に電力が供給される。配線層１１６及び１２４は薄くなっており、配線層１１６及び１２４の内部の配線は数μｍの厚みを有する銅箔で形成されている。そのため、配線層１１６及び１２４の内部の配線の抵抗値が大きい。したがって、半導体チップ１２１に対する電力供給では、横方向の給電経路における電圧降下（電源ドロップ）が大きい。
【０００６】
本願は、積層チップが有するチップに対する電力供給における電圧降下を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願の一観点による積層チップは、第１チップと、前記第１チップに形成された第１配線層と、第２チップと、前記第２チップに形成された第２配線層と、前記第１配線層と前記第２配線層との間に配置された層と、を備え、前記層は、前記第１配線層と前記第２配線層とを接着する接着剤と、前記第１配線層に接続された複数の第１バンプと、前記第２配線層に接続された複数の第２バンプと、複数の前記第１バンプ及び複数の前記第２バンプに接続されたハンダと、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本願によれば、積層チップが有するチップに対する電力供給における電圧降下を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１実施形態に係る積層チップの断面図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る積層チップの拡大断面図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る積層チップの拡大断面図である。
【図４】図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、第１実施形態に係る積層チップの製造工程図である。
【図５】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、第１実施形態に係る積層チップの製造工程図である。
【図６】図６は、第１実施形態に係る積層チップの製造工程図である。
【図７】図７は、第１実施形態に係る積層チップの製造工程図である。
【図８】図８は、第２実施形態に係る積層チップの拡大断面図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、第２実施形態に係る積層チップの製造工程図である。
【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、第２実施形態に係る積層チップの製造工程図である。
【図１１】図１１は、第２実施形態に係る積層チップの製造工程図である。
【図１２】図１２は、第２実施形態に係る積層チップの製造工程図である。
【図１３】図１３は、積層チップの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、実施形態に係る積層チップ及び積層チップの製造方法について説明する。以下に示す積層チップ及び積層チップの製造方法の構成は例示であり、実施形態に係る積層チップ及び積層チップの製造方法の構成は、以下に示す構成に限定されない。
【００１１】
〈第１実施形態〉
第１実施形態に係る積層チップ１について説明する。図１は、第１実施形態に係る積層チップ１の断面図である。積層チップ１は、半導体チップ１１、２１及び中間層３１を有する。半導体チップ１１及び２１が積層されて、配線基板（プリント基板）２の上に搭載されている。半導体チップ１１及び２１は、例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integration
）等のロジックチップである。半導体チップ１１は、第１チップの一例である。半導体チップ２１は、第２チップの一例である。半導体チップ１１と半導体チップ２１との間には、中間層３１が配置されている。中間層３１は、層の一例である。中間層３１は、接着剤３２及び接続部３３を有する。
【００１２】
半導体チップ１１は、半導体基板１２、回路１３、ＴＳＶ１４及び配線層（再配線層）１５を有する。半導体基板１２は、例えば、シリコン基板である。回路１３は、半導体基板１２の第１面に形成されている。したがって、半導体基板１２の第１面は、半導体基板１２の回路１３が形成されている面（回路面）である。回路１３は、半導体基板１２の第
１面の中央部分に形成されている。ＴＳＶ１４は、半導体基板１２を貫通している。例えば、エッチングにより半導体基板１２に孔を形成し、孔の側面に銅めっきを形成することにより、半導体基板１２にＴＳＶ１４が形成される。ＴＳＶ１４は、回路１３の周囲であって、半導体基板１２の外周部分に形成されている。ＴＳＶ１４の一方の端部は、半導体基板１２の第１面から露出し、ＴＳＶ１４の他方の端部は、半導体基板１２の第２面から露出している。半導体基板１２の第２面は、半導体基板１２の第１面の反対面である。半導体基板１２の第２面に配線層１５が形成されている。配線層１５は、第１配線層の一例である。
【００１３】
半導体チップ１１は、半導体基板１２の第１面を下方に向けて配線基板２の上に設置されている。半導体基板１２の第１面に複数の半田ボール１６Ａ及び１６Ｂが形成されている。半田ボール１６Ａを介して、配線基板２から半導体チップ１１の回路１３に電力が供給される。したがって、下段の半導体チップ１１では、縦方向（厚さ方向）の給電経路（導電路）によって、配線基板２から半導体チップ１１に電力が供給される。半導体チップ１１と配線基板２との間にはアンダーフィル樹脂１９が形成されている。
【００１４】
半導体チップ２１は、半導体基板２２、回路２３及び配線層（再配線層）２４を有する。半導体基板２２は、例えば、シリコン基板である。回路２３及び配線層２４は、半導体基板２２の第１面に形成されている。したがって、半導体基板２２の第１面は、半導体基板２２の回路２３が形成されている面（回路面）である。回路２３は、半導体基板２２の第１面の中央部分に形成されている。半導体基板２２の第１面を下方に向けて半導体チップ１１の上に半導体チップ２１が設置されている。配線層２４は、第２配線層の一例である。
【００１５】
半田ボール１６Ｂ、ＴＳＶ１４、配線層１５、接続部３３及び配線層２４を介して、配線基板２から半導体チップ２１の回路２３に電力が供給される。したがって、下段の半導体チップ２１では、縦方向（厚さ方向）及び横方向（平面方向）の給電経路によって、配線基板２から半導体チップ２１に電力が供給される。
【００１６】
図２は、第１実施形態に係る積層チップ１の拡大断面図であり、中間層３１の詳細を示している。中間層３１は、接着剤３２及び接続部３３を有する。接着剤３２は、半導体チップ１１と半導体チップ２１とを接着する。また、接着剤３２は、配線層１５と配線層２４とを接着する。接続部３３は、複数のマイクロバンプ３４、接合ハンダ３５及び複数のマイクロバンプ３６を有する。マイクロバンプ３４は、配線層１５に接続されており、マイクロバンプ３６は、配線層２４に接続されている。マイクロバンプ３４は、第１バンプの一例である。接合ハンダ３５は、ハンダの一例である。マイクロバンプ３６は、第２バンプの一例である。
【００１７】
接合ハンダ３５は、マイクロバンプ３４の上面と接触するとともに、マイクロバンプ３６の上面と接触している。これにより、対向するようにして配置されたマイクロバンプ３４とマイクロバンプ３６とが接合ハンダ３５によって接合される。マイクロバンプ３４の上面は、配線層１５と接触している面（下面）の反対面である。マイクロバンプ３６の上面は、配線層２４と接触している面（下面）の反対面である。マイクロバンプ３４、３６の材料は、例えば、Ｃｕ（銅）である。接合ハンダ３５の材料は、例えば、Ｓｎ（錫）である。
【００１８】
配線層１５は、樹脂１７及び配線１８を有する。樹脂１７は、配線１８を覆っている。配線１８の材料は、例えば、Ｃｕである。ＴＳＶ１４は、配線１８を介してマイクロバンプ３４と電気的に接続されている。配線層２４は、樹脂２５及び配線２６を有する。樹脂２５は、配線２６を覆っている。回路２３は、配線２６を介して、マイクロバンプ３６と
電気的に接続されている。
【００１９】
接合ハンダ３５は、複数のマイクロバンプ３４及び複数のマイクロバンプ３６と接続（接合）されている。接合ハンダ３５は、複数のマイクロバンプ３４と複数のマイクロバンプ３６とを電気的に接続する。すなわち、接合ハンダ３５は、対向するようにして配置されたマイクロバンプ３４とマイクロバンプ３６とを電気的に接続する。また、接合ハンダ３５は、隣接するマイクロバンプ３４を電気的に接続する。更に、接合ハンダ３５は、隣接するマイクロバンプ３６を電気的に接続する。
【００２０】
半田ボール１６Ｂ、ＴＳＶ１４、配線１８、マイクロバンプ３４、接合ハンダ３５、マイクロバンプ３６及び配線２６を介して、配線基板２から回路２３に電力が供給される。Ｃｕの抵抗値は、１．７×１０−８（Ωｍ）であり、Ｓｎの抵抗値は１．１×１０−７（Ωｍ）である。そのため、接合ハンダ３５の厚みは、配線１８、２６の厚みの約６．７倍以上であることが好ましい。例えば、配線１８、２６の厚みが１．５μｍである場合、接合ハンダ３５の厚みは、１０μｍ以上であることが好ましい。接合ハンダ３５の厚みは、対向するようにして配置されたマイクロバンプ３４とマイクロバンプ３６との間の距離である。
【００２１】
図２に示す積層チップ１の構造例では、一つのマイクロバンプ３６の上に配線２６が配置されている。図２に示す積層チップ１の構造例に限らず、図３に示す積層チップ１の構造例のように、複数のマイクロバンプ３６の上に配線２６が配置されてもよい。この場合、配線２６は、隣接するマイクロバンプ３６を電気的に接続する。
【００２２】
第１実施形態に係る積層チップ１によれば、接合ハンダ３５を介して、マイクロバンプ３４とマイクロバンプ３６とが電気的に接続され、隣接するマイクロバンプ３４が電気的に接続され、隣接するマイクロバンプ３６が電気的に接続される。これにより、配線基板２から半導体チップ２１への電力供給において、横方向の給電経路の電圧降下が抑制され、半導体チップ２１に対する電力供給における電圧降下が低減される。
【００２３】
《製造方法》
第１実施形態に係る積層チップ１の製造方法について説明する。図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、第１実施形態に係る積層チップ１の製造工程図である。図４の（Ａ）は、半導体チップ１１の部分断面図であり、図４の（Ｂ）は、半導体チップ１１の部分上面図である。まず、半導体チップ１１を用意する。次に、半導体基板１２の第２面に配線層１５を形成することにより、半導体チップ１１に配線層１５を形成する。次いで、配線層１５の上に複数のマイクロバンプ３４を配置し、配線１８と複数のマイクロバンプ３４とを接合することにより、配線層１５に複数のマイクロバンプ３４を接続する。次に、配線層１５に接着剤３２Ａを形成する。
【００２４】
図４の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、接着剤３２Ａからマイクロバンプ３４が露出するようにして、配線層１５に接着剤３２Ａを形成する。接着剤３２Ａが熱硬化性絶縁フィルムである場合、接着剤３２Ａを加熱するとともに、配線層１５の上に接着剤３２Ａを貼り付ける。
【００２５】
図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、第１実施形態に係る積層チップ１の製造工程図である。図５の（Ａ）は、半導体チップ１１の断面図であり、図５の（Ｂ）は、半導体チップ１１の上面図である。図５の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ディスペンサ４１から接合ハンダ３５Ａを供給し、接着剤３２Ａ及び複数のマイクロバンプ３４に接合ハンダ３５Ａを形成する。この場合、隣接するマイクロバンプ３４の間の接着剤３２Ａに対して接合ハンダ３５Ａが形成され、接着剤３２Ａから露出した複数のマイクロバンプ３４に対して接合ハン
ダ３５Ａが形成される。したがって、所定方向に並んだ複数のマイクロバンプ３４に対して接合ハンダ３５Ａが形成される。所定方向は、例えば、半導体チップ１１（又は半導体基板１２）の外周部分から中央部分に向かう方向である。
【００２６】
図６は、第１実施形態に係る積層チップ１の製造工程図である。図６に示すように、半導体チップ１１、２１の位置合わせを行う。この場合、複数のマイクロバンプ３４と複数のマイクロバンプ３６とが対向するように、半導体チップ１１、２１が配置される。半導体チップ２１には、半導体チップ１１と同様の加工が施されている。すなわち、半導体チップ２１に配線層２４を形成する。次いで、配線層２４に複数のマイクロバンプ３６を接続する。次に、配線層２４に接着剤３２Ｂを形成する。次いで、接着剤３２Ｂ及び複数のマイクロバンプ３６に接合ハンダ３５Ｂを形成する。この場合、隣接するマイクロバンプ３６の間の接着剤３２Ｂに対して接合ハンダ３５Ｂが形成され、接着剤３２Ｂから露出した複数のマイクロバンプ３６に対して接合ハンダ３５Ｂが形成される。これにより、所定方向に並んだ複数のマイクロバンプ３６に対して接合ハンダ３５Ｂが形成される。所定方向は、例えば、半導体チップ２１（又は半導体基板２２）の外周部分から中央部分に向かう方向である。
【００２７】
図７は、第１実施形態に係る積層チップ１の製造工程図である。図７に示すように、半導体チップ１１側に形成された接着剤３２Ａと半導体チップ２１側に形成された接着剤３２Ｂとを接触させ、半導体チップ１１側に形成された接合ハンダ３５Ａと半導体チップ２１側に形成された接合ハンダ３５Ｂとを接触させる。次に、加熱処理を行うことにより、半導体チップ１１側に形成された接着剤３２Ａと半導体チップ２１側に形成された接着剤３２Ｂとを接着し、半導体チップ１１側に形成された接合ハンダ３５Ａと半導体チップ２１側に形成された接合ハンダ３５Ｂとを接合する。また、加熱処理を行うとともに、加圧処理を行ってもよい。加圧処理は、半導体チップ１１を半導体チップ２１に押し付ける処理、又は半導体チップ２１を半導体チップ１１に押し付ける処理である。
【００２８】
半導体チップ１１側に形成された接着剤３２Ａと半導体チップ２１側に形成された接着剤３２Ｂとを接着することにより、配線層１５と配線層２４との間に一体化された接着剤３２が形成される。これにより、配線層１５と配線層２４とを接着する接着剤３２が形成される。半導体チップ１１側に形成された接合ハンダ３５Ａと半導体チップ２１側に形成された接合ハンダ３５Ｂとを接合することにより、複数のマイクロバンプ３４と複数のマイクロバンプ３６との間に一体化された接合ハンダ３５が形成される。
【００２９】
〈第２実施形態〉
第２実施形態に係る積層チップ１について説明する。第１実施形態と同一の構成要素については、第１実施形態と同一の符号を付し、その説明を省略する。図８は、第２実施形態に係る積層チップ１の拡大断面図であり、中間層３１の詳細を示している。接合ハンダ３５が、マイクロバンプ３４、３６を覆っている。隣接するマイクロバンプ３４の間に接合ハンダ３５が埋め込まれ、隣接するマイクロバンプ３６の間に接合ハンダ３５が埋め込まれている。接合ハンダ３５が、マイクロバンプ３４の上面及び側面の全部を覆ってもよいし、マイクロバンプ３４の上面及び側面の一部を覆ってもよい。接合ハンダ３５が、マイクロバンプ３６の上面及び側面の全部を覆ってもよいし、マイクロバンプ３６の上面及び側面の一部を覆ってもよい。第１実施形態と同様に、複数のマイクロバンプ３４の上に配線２６が配置されてもよい。この場合、配線２６は、隣接するマイクロバンプ３６を電気的に接続する。
【００３０】
接合ハンダ３５は、第１の厚みと第２の厚みとを有する。接合ハンダ３５の第１の厚みは、対向するようにして配置されたマイクロバンプ３４とマイクロバンプ３６との間の距離である。接合ハンダ３５の第２の厚みは、配線層１５と配線層２４との間の距離である
。第２実施形態に係る積層チップ１は、隣接するマイクロバンプ３４の間に接合ハンダ３５が埋め込まれ、隣接するマイクロバンプ３６の間に接合ハンダ３５が埋め込まれている。接合ハンダ３５の第２の厚みの値は、接合ハンダ３５の第１の厚みの値よりも大きいため、接合ハンダ３５の抵抗値が小さくなる。また、マイクロバンプ３４、３６が、配線基板２から半導体チップ２１への電力供給における横方向の給電経路の一部として用いられる。これにより、配線基板２から半導体チップ２１への電力供給において、横方向の給電経路の電圧降下が更に抑制され、半導体チップ２１に対する電力供給における電圧降下が更に低減される。例えば、接合ハンダ３５の第２の厚みの値が３０μｍ程度である場合、接合ハンダ３５の第２の厚みの部分は、４．５μｍ程度のＣｕ配線に相当する。
【００３１】
《製造方法》
第２実施形態に係る積層チップ１の製造方法について説明する。図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、第２実施形態に係る積層チップ１の製造工程図である。図９の（Ａ）は、半導体チップ１１の部分断面図であり、図９の（Ｂ）は、半導体チップ１１の部分上面図である。第２実施形態では、第１実施形態における接着剤３２Ａ及びマイクロバンプ３４を形成する工程（図４の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と同様の工程を行う。接着剤３２Ａ及びマイクロバンプ３４を形成する工程を行った後、図９の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、レーザーにより、接着剤３２Ａを部分的に除去する。この場合、所定方向に並んだ複数のマイクロバンプ３４について、隣接するマイクロバンプ３４の間の接着剤３２Ａが除去される。所定方向は、例えば、半導体チップ１１（又は半導体基板１２）の外周部分から中央部分に向かう方向である。
【００３２】
図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、第２実施形態に係る積層チップ１の製造工程図である。図１０の（Ａ）は、半導体チップ１１の断面図であり、図１０の（Ｂ）は、半導体チップ１１の上面図である。図１０の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ディスペンサ４１から接合ハンダ３５Ａを供給し、複数のマイクロバンプ３４に接合ハンダ３５Ａを形成する。この場合、接着剤３２Ａから露出した複数のマイクロバンプ３４に対して接合ハンダ３５Ａが形成され、隣接するマイクロバンプ３４の間に接合ハンダ３５Ａが埋め込まれる。したがって、所定方向に並んだ複数のマイクロバンプ３４に対して接合ハンダ３５Ａが形成される。所定方向は、例えば、半導体チップ１１（又は半導体基板１２）の外周部分から中央部分に向かう方向である。
【００３３】
図１１は、第２実施形態に係る積層チップ１の製造工程図である。図１１に示すように、半導体チップ１１、２１の位置合わせを行う。この場合、複数のマイクロバンプ３４と複数のマイクロバンプ３６とが対向するように、半導体チップ１１、２１が配置される。半導体チップ２１には、半導体チップ１１と同様の加工が施されている。すなわち、半導体チップ２１に配線層２４を形成する。次いで、配線層２４に複数のマイクロバンプ３６を接続する。次に、配線層２４に接着剤３２Ｂを形成する。次いで、隣接するマイクロバンプ３６の間の接着剤３２Ｂを除去する。次に、接着剤３２Ｂから露出した複数のマイクロバンプ３６に対して接合ハンダ３５Ｂを形成し、隣接するマイクロバンプ３６の間に接合ハンダ３５Ｂを埋め込む。これにより、所定方向に並んだ複数のマイクロバンプ３６に対して接合ハンダ３５Ｂが形成される。所定方向は、例えば、半導体チップ２１（又は半導体基板２２）の外周部分から中央部分に向かう方向である。
【００３４】
図１２は、第２実施形態に係る積層チップ１の製造工程図である。図１２に示すように、半導体チップ１１側に形成された接着剤３２Ａと半導体チップ２１側に形成された接着剤３２Ｂとを接触させ、半導体チップ１１側に形成された接合ハンダ３５Ａと半導体チップ２１側に形成された接合ハンダ３５Ｂとを接触させる。次に、加熱処理を行うことにより、半導体チップ１１側に形成された接着剤３２Ａと半導体チップ２１側に形成された接着剤３２Ｂとを接着し、半導体チップ１１側に形成された接合ハンダ３５Ａと半導体チッ
プ２１側に形成された接合ハンダ３５Ｂとを接合する。また、加熱処理を行うとともに、加圧処理を行ってもよい。加圧処理は、半導体チップ１１を半導体チップ２１に押し付ける処理、又は半導体チップ２１を半導体チップ１１に押し付ける処理である。
【００３５】
半導体チップ１１側に形成された接着剤３２Ａと半導体チップ２１側に形成された接着剤３２Ｂとを接着することにより、配線層１５と配線層２４との間に一体化された接着剤３２が形成される。これにより、配線層１５と配線層２４とを接着する接着剤３２が形成される。半導体チップ１１側に形成された接合ハンダ３５Ａと半導体チップ２１側に形成された接合ハンダ３５Ｂとを接合することにより、複数のマイクロバンプ３４と複数のマイクロバンプ３６との間に一体化された接合ハンダ３５が形成される。
【００３６】
第１、第２実施形態に係る積層チップ１によれば、高価な再配線層や別途のインターポーザなどを使用せずに、半導体チップ２１に対する電力供給における電圧降下を低減することができる。そのため、積層チップ１の製造コストの増加を抑制しつつ、積層チップ１の大電流を供給することが可能となる。例えば、半導体チップ１１と半導体チップ２１との間にインターポーザを配置する場合、半導体チップ１１から半導体チップ２１への熱伝達が低下する。第１、第２実施形態に係る積層チップ１によれば、半導体チップ１１と半導体チップ２１との間にインターポーザを配置しないため、積層チップ１の冷却効果を維持したまま、半導体チップ２１に対する電力供給における電圧降下を低減することができる。また、第１、第２実施形態に係る積層チップ１によれば、複数のマイクロバンプ３４と複数のマイクロバンプ３６とが接合ハンダ３５によって接合されているため、半導体チップ１１から半導体チップ２１への熱伝達が向上する。
【符号の説明】
【００３７】
１    積層チップ
２    配線基板
１１、２１  半導体チップ
１２、２２  半導体基板
１３、２３  回路
１４  ＴＳＶ
１５、２４  配線層
１６Ａ、１６Ｂ  半田ボール
１７、２５  樹脂
１８、２６  配線
１９  アンダーフィル樹脂
３１  中間層
３２、３２Ａ、３２Ｂ  接着剤
３３  接続部
３４、３６  マイクロバンプ
３５、３５Ａ、３５Ｂ  接合ハンダ
４１  ディスペンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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