(57)【要約】【課題】プラズマ耐性を維持しつつ、密着性及び追従性の高いプラズマ処理装置用の部品を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置に使用される部品であって、前記部品は、表面がＳｉＣで被覆された黒鉛材により形成され、前記部品が前記プラズマ処理装置に配置されたときに前記プラズマ処理装置の内部で生成されるプラズマに対向する面のＳｉＣの厚みは、該プラズマに対向する面以外の面のＳｉＣよりも厚く形成され、前記プラズマに対向する面以外の面のＳｉＣの厚みは、２０μｍ以上である、部品が提供される。【選択図】図５
2017191751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置に使用される部品であって、
前記部品は、表面がＳｉＣで被覆された黒鉛材により形成され、
前記部品が前記プラズマ処理装置に配置されたときに前記プラズマ処理装置の内部で生成されるプラズマに対向する面のＳｉＣの厚みは、該プラズマに対向する面以外の面のＳｉＣよりも厚く形成され、
前記プラズマに対向する面以外の面のＳｉＣの厚みは、２０μｍ以上である、部品。
【請求項２】
前記部品は、前記プラズマ処理装置の内部の載置台の外縁部に配置されるフォーカスリングである、
請求項１に記載の部品。
【請求項３】
前記ＳｉＣのプラズマに対向する面は、前記フォーカスリングの上面であり、
前記フォーカスリングの上面以外の面のＳｉＣの厚みは、該上面のＳｉＣの厚みの１／４以下である、
請求項２に記載の部品。
【請求項４】
前記フォーカスリングは、前記載置台に設けられた静電チャックに静電吸着される機構を有する、
請求項２又は３に記載の部品。
【請求項５】
内部にて生成されたプラズマにより基板にプラズマ処理が行われる処理容器と、
前記処理容器の内部に配置され、基板を載置する載置台と、
前記載置台の外縁部に配置されるフォーカスリングとを有し、
前記フォーカスリングは、表面がＳｉＣで被覆された黒鉛材により形成され、
前記フォーカスリングの上面のＳｉＣの厚みは、該上面以外の面のＳｉＣよりも厚く形成され、
前記上面以外の面のＳｉＣの厚みは、２０μｍ以上である、
プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、部品及びプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、表面がＳｉＣ（炭化ケイ素）の膜により被覆された黒鉛材を、プラズマ処理装置の載置台内部に埋設されるヒータ等の部材に使用する技術が知られている（例えば、特許文献１、２を参照）。かかる構成の部材は、表面がＳｉＣ膜により被覆されているため、プラズマ耐性に優れる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−７５４９３号公報
【特許文献２】特開平２−１６４７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１、２では、黒鉛材の表面に被覆されたＳｉＣが硬い材質であるため、ＳｉＣの形状や厚みによっては、プラズマ処理装置に配置されたときの、装置側の部材に対する黒鉛材の密着性及び追従性が悪くなる場合がある。特に、プロセス中、プラズマの入熱により処理容器の内部が高温になると、黒鉛材と黒鉛材に接触する装置側の部材との間の接触面の状態が変化し、装置側の部材に対する黒鉛材の密着性及び追従性が悪くなることがある。
【０００５】
上記課題に対して、一側面では、本発明は、プラズマ耐性を維持しつつ、密着性及び追従性の高いプラズマ処理装置用の部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、プラズマ処理装置に使用される部品であって、前記部品は、表面がＳｉＣで被覆された黒鉛材により形成され、前記部品が前記プラズマ処理装置に配置されたときに前記プラズマ処理装置の内部で生成されるプラズマに対向する面のＳｉＣの厚みは、該プラズマに対向する面以外の面のＳｉＣよりも厚く形成され、前記プラズマに対向する面以外の面のＳｉＣの厚みは、２０μｍ以上である、部品が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
一の側面によれば、プラズマ耐性を維持しつつ、密着性及び追従性の高いプラズマ処理装置用の部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面の一例を示す図。
【図２】一実施形態に係るフォーカスリングの断面の一例を示す図。
【図３】一実施形態に係るフォーカスリングの変位量のシミュレーションについて説明するための図。
【図４】一実施形態に係るフォーカスリングの変位量のシミュレーション結果の一例を示す図。
【図５】一実施形態に係るＳｉＣ膜の厚みと変位量のシミュレーション結果の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１０】
［プラズマ処理装置］
まず、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置１の構成の一例について、図１のプラズマ処理装置１の縦断面を参照しながら説明する。本実施形態では、プラズマ処理装置１の一例として容量結合型プラズマ処理装置を挙げて説明する。本実施形態にかかるプラズマ処理装置１にて実行されるプラズマ処理は、特に限定されないが、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）に対するエッチング処理やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法による成膜処理を含んでもよい。後述されるフォーカスリングの製造において、黒鉛材にＳｉＣ膜を被覆する場合、プラズマ処理装置１を使用してＣＶＤ法により黒鉛材の基材にＳｉＣ膜を成膜することができる。
【００１１】
プラズマ処理装置１は、例えばアルミニウム等の導電性材料からなる処理容器１０を有する。処理容器１０は電気的に接地されている。処理容器１０の内部には載置台１１が配置されている。載置台１１のステージ１２は、支持体１３により支持され、その上部位置には、ウェハＷを静電吸着するための静電チャック１４が設けられている。静電チャック１４は、絶縁体１４ｂの間にチャック電極１４ａを挟み込んだ構造となっている。チャック電極１４ａには直流電源３２が接続されている。直流電源３２からチャック電極１４ａに直流が供給されると、クーロン力が発生し、ウェハＷが静電チャック１４に静電吸着される。これにより、ウェハＷが載置台１１に保持される。直流電源３２から供給される電流のオン・オフは、スイッチ３１により制御される。
【００１２】
静電チャック１４の外縁部には、エッチングの面内均一性を高めるために、リング状のフォーカスリング１５が配置されている。フォーカスリング１５は、ＳｉＣ膜により被覆された黒鉛材から形成されている。
【００１３】
載置台１１には、整合器３５を介して高周波電源３４が接続されている。載置台１１には、高周波電源３４から例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波が印加される。かかる構成により、載置台１１は、下部電極としても機能する。整合器３５は、高周波電源３４の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させる。これにより、処理容器１０内にプラズマが生成されているとき、高周波電源３４についての内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致する。
【００１４】
処理容器１０の天井面には、周縁部を被覆するシールドリング２２を介してガスシャワーヘッド２１が設けられている。ガスシャワーヘッド２１には、拡散室２４及び多数のガス流路２５が形成されている。ガス供給源３３から出力されたガスは、ガス導入口２３を介して拡散室２４へと導入される。拡散室２４にて拡散されたガスは、多数のガス流路２５を介してガス穴２６から処理容器１０の内部に導入される。これにより、ガスシャワーヘッド２１は、ガスをシャワー状に処理容器１０に導入する。また、ガスシャワーヘッド２１は、載置台１１に対向して平行に配置されており、載置台１１の下部電極の機能に対する上部電極の機能を有する。
【００１５】
処理容器１０の底面には排気口２８が形成されており、排気口２８に接続された排気装置３６によって処理容器１０の内部が排気される。これによって、処理容器１０の内部は所定の真空度に制御される。
【００１６】
処理容器１０の側壁には、ゲートバルブ２７が設けられている。ゲートバルブ２７は、処理容器１０へのウェハＷの搬入及び処理容器１０からのウェハＷの搬出を行う際に開閉する。
【００１７】
かかる構成のプラズマ処理装置１においてエッチング等のプラズマ処理を行う際には、まず、ウェハＷが、搬送アーム上に保持された状態で、開口されたゲートバルブ２７から処理容器１０内に搬入される。ゲートバルブ２７は、ウェハＷを搬入後に閉じられる。処理容器１０内の圧力は、排気装置３６により設定値に減圧される。
【００１８】
ウェハＷは、静電チャック１４の上方でプッシャーピンにより保持され、プッシャーピンが降下することにより静電チャック１４上に載置される。静電チャック１４のチャック電極１４ａに直流電源３２から所望の電流が供給され、これにより、ウェハＷは、静電チャック１４上に静電吸着される。
【００１９】
また、所望のエッチングガスが、ガスシャワーヘッド２１から処理容器１０内に導入され、高周波電源３４から、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力が載置台１１に印加される。導入されたエッチングガスは、高周波電力により解離及び電離され、これにより、プラズマが生成される。生成されたプラズマの作用によりウェハＷに所望のプラズマ処理が行われる。エッチング終了後、ウェハＷは、搬送アーム上に保持され、開かれたゲートバルブ２７から処理容器１０の外部に搬出される。
【００２０】
［フォーカスリングの構造］
次に、本実施形態に係るフォーカスリング１５の構造について、図２を参照しながら説明する。図２は、本実施形態に係るフォーカスリング１５の断面の一例を示す。フォーカスリング１５は、リング状であり、そのリングの一方の断面が図２に示されている。
【００２１】
本実施形態に係るフォーカスリング１５は、表面がＳｉＣ膜１５ｂで被覆された黒鉛材１５ａにより形成されている。ＳｉＣ膜１５ｂは、基材となる黒鉛材１５ａの表面全体に成膜される。本実施形態では、ＳｉＣ膜１５ｂは、ＣＶＤ法により成膜される。
【００２２】
ＳｉＣはプラズマ耐性及びラジカル耐性が高い。例えば、ＳｉＣは、Ｓｉよりもプラズマ耐性が高い。これに対して、黒鉛はプラズマ耐性及びラジカル耐性が低い。このため、フォーカスリング１５の基材となる黒鉛材１５ａの表面は、プラズマ耐性に優れたＳｉＣによりコーティングされることが好ましい。
【００２３】
また、黒鉛の内部には、多数の気泡が存在する。よって、黒鉛材１５ａの表面全体をＳｉＣ膜１５ｂにより被覆する必要がある。これにより、ＳｉＣ膜１５ｂで覆われていない部分の黒鉛材１５ａからアウトガスが放出されることを防止できる。これにより、処理容器１０の内部の圧力が変動することによるプロセスへの影響や、黒鉛材１５ａからのアウトガス自体によるプロセスへの影響を回避することができる。
【００２４】
ＳｉＣは硬い材質である。このため、フォーカスリング１５がＳｉＣのみで形成されている場合、プロセス中のプラズマの入熱により処理容器１０の内部が高温になると、ＳｉＣと装置側の部材との間の接触面（図２では、静電チャック１４の上面１４ｃ）の密着性及び追従性が悪くなることがある。また、ＳｉＣの形状によっては、硬いＳｉＣの機械加工は難しく、加工に時間がかかる。
【００２５】
このため、本実施形態に係るフォーカスリング１５は、内部に黒鉛材１５ａの基材を有し、その表面全体にＳｉＣ膜１５ｂを被覆した二重構造とすることで、プラズマ耐性と密着性及び追従性とを両立させた構造になっている。つまり、フォーカスリング１５の表面は、ＳｉＣ膜によりコーティングされている。このため、プラズマ耐性が高い。一方、フォーカスリング１５の内部は、柔らかい黒鉛材から形成されている。このため、プロセス中、プラズマからの入熱によりフォーカスリング１５が高温になったとき、フォーカスリング１５は、柔かい黒鉛材１５ａによって吸着面１４ｃへ密着し易く、静電チャック１４から受ける静電吸着力に追従し易い。これにより、静電チャック１４の上面（吸着面）１４ｃに対する追従性、つまり、静電チャック１４への吸着性を高めることができる。
【００２６】
更に、本実施形態に係るフォーカスリング１５の製造時、柔軟性を有する黒鉛材は機械加工しやすい。よって、黒鉛材１５ａの内周側の上部を削り、黒鉛材１５ａの外周側に対する内周側の厚さを薄く加工した後に、その表面にＳｉＣ膜１５ｂをコーティングすることは、ＳｉＣを機械加工するよりも製造が容易になる。これにより、フォーカスリング１５の機械加工の時間を短縮できる。また、本実施形態に係るフォーカスリング１５は、ＣＶＤ法によるＳｉＣ膜１５ｂの成膜時にそもそも基材として使用していた黒鉛材をそのまま残留させることで製造できる。
【００２７】
フォーカスリング１５の黒鉛材１５ａをコーティングしているＳｉＣ膜１５ｂのうち、上面１５ｂ１のＳｉＣ膜１５ｂは、プラズマ処理装置１の内部で生成されるプラズマに対向する面である。このため、上面１５ｂ１のＳｉＣ膜１５ｂは、プロセス中、プラズマに曝露され、上面以外の面（下面１５ｂ２及び側面１５ｂ３）と比較して、プラズマ中のイオン等のアタックにより消耗する。このため、上面１５ｂ１のＳｉＣ膜１５ｂの厚みは、上面１５ｂ１以外の面のＳｉＣ膜１５ｂよりも厚く形成され、十分な厚みが必要がある。例えば、上面１５ｂ１のＳｉＣ膜１５ｂの厚みＴｐは、１ｍｍ程度であってもよい。
【００２８】
このように、上面１５ｂ１のＳｉＣ膜１５ｂを下面１５ｂ２及び側面１５ｂ３のＳｉＣ膜１５ｂよりも厚くすることでプラズマ耐性を高めることができる。また、下面１５ｂ２のＳｉＣ膜１５ｂを上面１５ｂ１のＳｉＣ膜１５ｂよりも薄く形成することで、静電チャック１４の上面１４ｃへの密着性を高めることができる。これにより、フォーカスリング１５の静電チャック１４への追従性（吸着性）を高めることができる。例えば、フォーカスリング１５の下面１５ｂ２及び側面１５ｂ３におけるＳｉＣ膜１５ｂの厚みＴｎｐは、０．１ｍｍ程度であってもよい。
【００２９】
フォーカスリング１５の下面１５ｂ２及び側面１５ｂ３のＳｉＣ膜１５ｂの厚みは２０μｍ以上にする必要がある。その理由について説明する。機械加工後の黒鉛材１５ａの表面粗さＲａは２〜５μｍ程度であり、また、ＳｉＣ膜１５ｂを黒鉛材１５ａの表面にコーティングした後の表面粗さＲａも同じく２〜５μｍ程度である。このため、黒鉛材１５ａの表面に成膜されるＳｉＣ膜１５ｂによって、黒鉛材１５ａとＳｉＣ膜１５ｂのそれぞれの表面上に生じた凹凸が完全に埋まり、かつ、その後の加工においてＳｉＣ膜１５ｂが充分に残存し、黒鉛材１５ａを露出させないためには、最小限２０μｍの厚みが必要になる。よって、下面１５ｂ２及び側面１５ｂ３の厚みの下限値は２０μｍになる。
【００３０】
［フォーカスリングの変位量］
以下では、フォーカスリングの変位量のシミュレーション結果について、図３及び図４を参照しながら説明する。まず、本シミュレーションの条件を図３を参照しながら説明する。フォーカスリング１５は、内周側の下端部Ａを完全に固定した状態で、フォーカスリング１５の下面１５ｂ２の静電チャック１４と接触し、静電チャック１４に吸着される部分を５０Ｔｏｒｒ（６６６６Ｐａ）相当の力で下に引っ張る。このときのフォーカスリング１５の下面１５ｂ２の中央部Ｂの変位を、フォーカスリング１５の変位量として計算する。
【００３１】
なお、本シミュレーションでは、図３に示す本実施形態に係る黒鉛材１５ａをＳｉＣ膜１５ｂでコーティングしたフォーカスリング１５の上面１５ｂ１の厚みは、１ｍｍであり、下面１５ｂ２及び側面１５ｂ３の厚みは、０．１ｍｍである。本シミュレーションでは、上記本実施形態に係る黒鉛材１５ａとＳｉＣ膜１５ｂとの二重構造のフォーカスリング１５と、本実施形態と同一形状であって、Ｓｉにより一体的に形成されたフォーカスリングと、ＳｉＣにより一体的に形成されたフォーカスリングとの変位量を比較する。
【００３２】
なお、本シミュレーションでは、図４（ａ）に示すＳｉ（シリコン）、ＳｉＣ、黒鉛の各物質のヤング率及びポアソン比の物性値を使用した。その結果、図４（ｂ）に示すように、本シミュレーションでは、黒鉛材１５ａをＳｉＣ膜１５ｂでコーティングしたフォーカスリング１５の変位量は、１．５３×１０−６（ｍ）であった。また、ＳｉＣのフォーカスリングの変位量は、３．４０×１０−７（ｍ）であり、Ｓｉのフォーカスリングの変位量は、１．０７×１０−６（ｍ）であった。
【００３３】
これにより、同一の力でフォーカスリングを下へ向けて引っ張ったときに最も変位量が大きいのは、黒鉛材１５ａをＳｉＣ膜１５ｂでコーティングした、本実施形態に係るフォーカスリング１５であることがわかった。なお、ＳｉＣとＳｉとを比較すると、ＳｉＣのフォーカスリングは、Ｓｉのフォーカスリングよりも固く、変位量が小さい。
【００３４】
以上から、黒鉛材１５ａをＳｉＣ膜１５ｂでコーティングしたフォーカスリング１５は、Ｓｉのフォーカスリング及びＳｉＣのフォーカスリングよりも変形しやすく、静電チャック１４への密着性及び追従性が良いことがわかった。この結果、かかる構成のフォーカスリング１５では、静電チャック１４への吸着性が高くなることがわかった。
【００３５】
［フォーカスリングの変位量］
次に、本実施形態に係るフォーカスリング１５の上面１５ｂ１のＳｉＣ膜１５ｂの厚みＴｐに対する、下面１５ｂ２（及び側面１５ｂ３）のＳｉＣ膜１５ｂの厚みＴｎｐの比（＝Ｔｎｐ/Ｔｐ）を変化させたときのフォーカスリング１５の変位量のシミュレーション結果について説明する。図５は、本実施形態に係るＳｉＣ膜の厚みと変位量のシミュレーション結果の一例を示す。
【００３６】
図５に示すグラフの横軸は、Ｔｎｐ/Ｔｐであり、縦軸は、図３に示した、本実施形態に係るフォーカスリング１５の下面１５ｂ２の中央部Ｂの変位量を示す。Ｔｎｐ/Ｔｐ＝１００％＝１／１の場合、上面１５ｂ１のＳｉＣ膜１５ｂの厚みＴｐと、下面１５ｂ２（及び側面１５ｂ３）の厚みＴｎｐとは同一である。Ｔｎｐ/Ｔｐ＝１０％＝１／１０の場合、上面１５ｂ１のＳｉＣ膜１５ｂの厚みＴｐに対して、下面１５ｂ２（及び側面１５ｂ３）の厚みＴｎｐは１／１０である。
【００３７】
図５のＴｎｐ/Ｔｐを変化させたときのフォーカスリング１５の変位量のシミュレーション結果によれば、Ｔｎｐ/Ｔｐの値が小さくなる程、フォーカスリング１５の変位量が大きくなることがわかる。つまり、上面１５ｂ１のＳｉＣ膜１５ｂの厚みＴｐに対する下面１５ｂ２（及び側面１５ｂ３）の厚みＴｎｐが小さくなる程、フォーカスリング１５の変位量が大きくなることがわかる。
【００３８】
また、図５のＳｉにより一体的に形成されたフォーカスリングの変位量と、ＳｉＣにより形成されたフォーカスリングの変位量と比較すると、本実施形態に係るフォーカスリング１５のＴｎｐ/Ｔｐの値は、ＳｉＣにより一体的に形成されたフォーカスリングよりも変形しやすいことを示す１００％以下が好ましい。
【００３９】
また、本実施形態に係るフォーカスリング１５のＴｎｐ/Ｔｐの値は、Ｓｉにより形成されたフォーカスリングよりも変形しやすいことを示す２５％以下がより好ましい。
【００４０】
以上に説明したように、本実施形態に係るフォーカスリング１５は、内部に黒鉛材１５ａを有し、外側をＳｉＣ膜１５ｂにより被覆した二重構造を有する。これにより、ＳｉＣ又はＳｉのみで形成されたフォーカスリングよりも変形しやすいフォーカスリング１５を形成できる。これにより、本実施形態に係るフォーカスリング１５によれば、静電チャック１４の吸着面への密着性及び追従性を向上させることができる。
【００４１】
加えて、本実施形態に係るフォーカスリング１５によれば、外側をプラズマ耐性があり、消耗され難いＳｉＣ膜１５ｂにより被覆することで、フォーカスリング１５の寿命を長くすることができる。
【００４２】
また、本実施形態に係るフォーカスリング１５では、プラズマに晒されるフォーカスリング１５の上面１５ｂ１のＳｉＣ膜１５ｂの厚みをそれ以外の面の厚みよりも厚くすることで、プラズマ耐性を高めることができる。
【００４３】
さらに、本実施形態に係るフォーカスリング１５では、上面１５ｂ１以外のＳｉＣ膜１５ｂの厚みは、黒鉛材１５ａとＳｉＣ膜１５ｂのそれぞれの表面上に生じた凹凸が完全に埋まり、かつ、その後の加工でも充分にＳｉＣ膜１５ｂが残存するために、最低２０μｍの厚みを持つ。これにより、ＳｉＣ膜１５ｂのクラック等により黒鉛材１５ａが露出し、黒鉛材１５ａからアウトガスが発生することを抑制できる。
【００４４】
上記実施形態では、内部に黒鉛材１５ａを有し、黒鉛材１５ａの表面全体をＳｉＣ膜１５ｂにより被覆した二重構造のフォーカスリング１５について説明した。しかしながら、内部に黒鉛材を有し、黒鉛材の表面全体をＳｉＣ膜により被覆した二重構造の部品は、フォーカスリング１５に限らず、プラズマ処理装置の内部に配置される部品に適用できる。すなわち、フォーカスリング１５の上面１５ｂ１は、プラズマに対向する面の一例であり、部品の配置位置によってプラズマに対向する面が決定される。また、本実施形態では、フォーカスリング１５の上面１５ｂ１以外の面として示したフォーカスリング１５の下面１５ｂ２及び側面１５ｂ３は、プラズマに対向する面以外の面の一例であり、部品の配置位置によってプラズマに対向する面以外の面が決定される。
【００４５】
上記二重構造のプラズマ処理装置用の部品によれば、プラズマ耐性を維持しつつ、部品がプラズマ処理装置に配置される際の配置位置の部材と部品との接触面の密着性及び追従性を高めることができる。
【００４６】
以上、プラズマ処理装置に使用される部品及びプラズマ処理装置を上記実施形態により説明したが、本発明にかかるプラズマ処理装置に使用される部品及びプラズマ処理装置は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００４７】
例えば、本発明に係るフォーカスリング１５は、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:Capacitively Coupled Plasma)装置だけでなく、その他のプラズマ処理装置に適用可能である。その他のプラズマ処理装置としては、誘導結合型プラズマ(ＩＣＰ:Inductively Coupled Plasma)処理装置、ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマ処理装置、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon Wave Plasma）装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Ｒesonance Plasma）装置等であってもよい。
【００４８】
本明細書では、プラズマ処理の対象として半導体ウェハＷについて説明したが、これに限らず、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、ＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いられる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。
【符号の説明】
【００４９】
１      プラズマ処理装置
１０    処理容器
１１    載置台（下部電極）
１４    静電チャック
１４ａ  チャック電極
１５    フォーカスリング
１５ａ  黒鉛材
１５ｂ  ＳｉＣ膜
２１    ガスシャワーヘッド（上部電極）
２２    シールドリング
２３    ガス導入口
２４    拡散室
２５    ガス流路
２６    ガス穴
２７    ゲートバルブ
２８    排気口
３２    直流電源
３３    ガス供給源
３４    高周波電源
３５    整合器
３６    排気装置
【図１】
2017191751.tif 000003
【図２】
2017191751.tif 000004
【図３】
2017191751.tif 000005
【図４】
2017191751.tif 000006
【図５】
2017191751.tif 000007