(57)【要約】【課題】  光電変換装置の光電変換効率を向上させる。【解決手段】  基板１の主面に、バンドギャップエネルギーに相当する第１波長が７５０ｎｍ以上の第１の半導体層３および第１の半導体層３にヘテロ接合した第１の半導体層３よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２の半導体層４を含む光電変換体Ｘを設ける工程と、光電変換体Ｘを封止樹脂１１で封止する工程と、第１の半導体層３の光励起が可能な第１光Ｌを光電変換体Ｘに対して照射する工程とを含む光電変換装置１１の製造方法であって、第１光Ｌとして、第２の半導体層４のバンドギャップエネルギーに相当する第２波長と７５０ｎｍとの間の波長領域の光を含み、第２波長以下の波長領域における光強度および７５０ｎｍ以上の波長領域における光強度が第２波長と７５０ｎｍとの間における最大の光強度の１０％以下であるものを用いる。【選択図】  図２
2016134471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に、バンドギャップエネルギーに相当する第１波長が７５０ｎｍ以上の第１の半導体層および該第１の半導体層にヘテロ接合した該第１の半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２の半導体層を含む光電変換体を設ける工程と、
該光電変換体を封止樹脂で封止する工程と、
前記第１の半導体層の光励起が可能な第１光を前記光電変換体に対して照射する工程とを含む光電変換装置の製造方法であって、
前記第１光として、前記第２の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当する第２波長と７５０ｎｍとの間の波長領域の光を含み、前記第２波長以下の波長領域における光強度および７５０ｎｍ以上の波長領域における光強度が前記第２波長と７５０ｎｍとの間における最大の光強度の１０％以下であるものを用いる光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１光として前記第２波長と７５０ｎｍとの間の波長領域に最大ピーク波長を有するものを用いる、請求項１記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の半導体層としてＩ−III−VI族化合物またはＩ−II−IV−VI族化合物を含む
もの用い、前記第２の半導体層としてＺｎＳまたはＩｎ２Ｓ３を含むものを用いる、請求項１または２に記載の光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘテロ接合した複数の半導体層を具備する光電変換装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光発電などに使用される光電変換装置として、ＣＩＧＳなどの光吸収層（第１の半導体層）と、イオウを含んだ亜鉛混晶化合物やＺｎＳｅ等のバッファ層（第２の半導体層）とをヘテロ接合させたものがある。この第２の半導体層の形成過程において、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に欠陥が生じやすく、この欠陥によって光電変換効率が低下する傾向がある。この欠陥を低減させる方法として、光電変換装置に予め、太陽光に相当する人工光（疑似太陽光）を照射することによって、キャリアを発生させて欠陥の数を減少させることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−３６４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光電変換装置は常に光電変換効率の向上が求められている。特許文献１のような疑似太陽光を照射する方法では、ある程度光電変換装置の光電変換効率が向上するものの限界がある。
【０００５】
よって、本発明の一つの目的は光電変換装置の光電変換効率をさらに向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、基板の主面に、バンドギャップエネルギーに相当する第１波長が７５０ｎｍ以上の第１の半導体層および該第１の半導体層にヘテロ接合した該第１の半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２の半導体層を含む光電変換体を設ける工程と、該光電変換体を封止樹脂で封止する工程と、前記第１の半導体層の光励起が可能な第１光を前記光電変換体に対して照射する工程とを含む光電変換装置の製造方法であって、前記第１光として、前記第２の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当する第２波長と７５０ｎｍとの間の波長領域の光を含み、前記第２波長以下の波長領域における光強度および７５０ｎｍ以上の波長領域における光強度が前記第２波長と７５０ｎｍとの間における最大の光強度の１０％以下であるものを用いる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、光電変換装置における光電変換効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】光電変換装置の実施の形態の一例を示す要部斜視図である。
【図２】図１の光電変換装置の要部断面図である。
【図３】光電変換装置の製造途中の様子を示す要部断面図である。
【図４】光電変換装置の製造途中の様子を示す要部断面図である。
【図５】光電変換装置の製造途中の様子を示す要部断面図である。
【図６】光電変換装置の光照射による効果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】
＜光電変換装置の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置の一例を示す要部斜視図であり、図２はその要部断面図である。なお、図１においては、光電変換セル１０の構成をわかりやすくするため、封止樹脂１１およびカバー部材１２を省略している。光電変換装置１００は、基板１上に複数の光電変換セル１０が並べられて互いに電気的に接続されている。なお、図１においては図示の都合上、２つの光電変換セル１０のみを示しているが、実際の光電変換装置１００においては、図面左右方向、あるいはさらにこれに垂直な方向に、多数の光電変換セル１０が平面的に（二次元的に）配設されていてもよい。
【００１１】
図１、図２において、基板１上に複数の下部電極層２が平面配置されている。隣接する下部電極層２のうち、一方の下部電極層２ａ上から他方の下部電極層２ｂ上にかけて、第１の半導体層３、第２の半導体層４および透明導電膜５が設けられている。そして、下部電極層２ｂ上において、接続導体７が下部電極層２ｂと透明導電膜５とを電気的に接続するように設けられている。これら、下部電極層２、第１の半導体層３、第２の半導体層４、透明導電膜５および接続導体７によって、１つの光電変換セル１０を構成している。そして、隣接する光電変換セル１０同士を下部電極層２ｂが接続しており、このような構成によって、隣接する光電変換セル１０同士が直列接続された光電変換装置１００となる。
【００１２】
なお、本実施形態における光電変換装置１００は、第１の半導体層３に対して第２の半導体層４側から光が入射されるものを想定しているが、これに限定されず、基板１側から光が入射されるものであってもよい。また、光吸収層としての第１の半導体層３と、第２の半導体層４とは逆の構成であってもよく、基板１上に第２の半導体層４および第１の半導体層３が順に積層されていてもよい。
【００１３】
基板１は、光電変換セル１０を支持するためのものである。基板１に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。基板１としては、例えば、厚さ１〜３ｍｍ程度の青板ガラス（ソーダライムガラス）を用いることができる。
【００１４】
下部電極層２（下部電極層２ａ、２ｂ）は、基板１上に設けられた、Ｍｏ、Ａｌ、ＴｉまたはＡｕ等の導電体である。下部電極層２は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、０．２μｍ〜１μｍ程度の厚みに形成される。
【００１５】
第１の半導体層３は第１導電型の半導体層である。第１の半導体層３は、光吸収層として機能し、例えば１μｍ〜３μｍ程度の厚みを有する。第１の半導体層３は、バンドギャップエネルギーに相当する第１波長が７５０ｎｍ以上のものが用いられる。このようにバンドギャップエネルギーに相当する第１波長が７５０ｎｍ以上であれば、より長波長側の光でも光電変換が可能となり、特に光電変換装置１００を太陽電池として用いた場合に、光電変換効率をより高めることができる。このような第１の半導体層３としては、例えば、II−VI族化合物、Ｉ−III−VI族化合物およびＩ−II−IV−VI族化合物等が挙げられる
。
【００１６】
II−VI族化合物とは、II−Ｂ族（１２族元素ともいう）とVI−Ｂ族元素（１６族元素と
もいう）との化合物半導体であり、例えば、ＣｄＴｅ等が挙げられる。
【００１７】
Ｉ−III−VI族化合物とは、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素ともいう）とIII−Ｂ族元素（１３族元素ともいう）とVI-Ｂ族元素（１６族元素ともいう）との化合物であり、カルコパ
イライト系を有するものが好適に用いられ得る。Ｉ−III−VI族化合物としては、例えば
、ＣｕＩｎＳｅ２（二セレン化銅インジウム、ＣＩＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（二セレン化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２（二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳＳともいう）が挙げられる。あるいは、第１の半導体層３は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。
【００１８】
Ｉ−II−IV−VI族化合物とは、Ｉ−Ｂ族元素とII−Ｂ族元素とIV−Ｂ族元素（１４族元素ともいう）とVI−Ｂ族元素との化合物である。Ｉ−II−IV−VI族化合物としては、例えば、Ｃｕ２ＺｎＳｎＳ４（ＣＺＴＳともいう）、Ｃｕ２ＺｎＳｎ（Ｓ，Ｓｅ）４（ＣＺＴＳＳｅともいう）、およびＣｕ２ＺｎＳｎＳｅ４（ＣＺＴＳｅともいう）が挙げられる。
【００１９】
第１の半導体層３は、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって形成可能であるほか、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスは、第１の半導体層３の構成元素の錯体溶液を下部電極層２の上に塗布し、その後、乾燥・熱処理を行うプロセスである。
【００２０】
第２の半導体層４は、第１の半導体層３にヘテロ接合された、第１の半導体層３よりもバンドギャップエネルギーの大きい半導体層である。第１の半導体層３と第２の半導体層４とで光電変換体Ｘを構成している。第２の半導体層４は第１の半導体層３に対するバッファ層として用いられてもよく、第１の半導体層３とは異なる第２の導電型を有することによって第１の半導体層３とｐｎ接合を形成するために用いられてもよい。例えば、第１の半導体層３がｐ型であれば、第２の半導体層４はｎ型であってもよく、第１の半導体層３がｎ型で、第２の半導体層４がｐ型であってもよい。
【００２１】
第２の半導体層４は、例えば、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、セレン化インジウム（Ｉｎ２Ｓｅ３）、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）、および（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等のII−VI族化合物やIII−VI族化合物を含む半導体によって構成されている。そして、電流の損
失が低減される観点から言えば、第２の半導体層４は、１Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有するものとすることができる。なお、第２の半導体層４は、例えばケミカルバスデポジション（ＣＢＤ）法等で１０〜２００ｎｍの厚みで形成される。
【００２２】
図１、図２のように、第２の半導体層４上にさらに上部電極層５が設けられていてもよい。上部電極層５は、第２の半導体層４よりも抵抗率の低い層であり、第１の半導体層３および第２の半導体層４で生じた電荷を良好に取り出すことが可能となる。光電変換効率をより高めるという観点からは、上部電極層５の抵抗率が１Ω・ｃｍ未満でシート抵抗が５０Ω／□以下であってもよい。上部電極層５には、いわゆる窓層と呼ばれるものも含まれ、この窓層に加えて更に透明導電膜が設けられる場合には、これらが一体の上部電極層５とみなされても良い。
【００２３】
上部電極層５は、例えばＩＴＯ、ＺｎＯ等の０．０５〜３μｍの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、上部電極層５は第２の半導体層４と同じ導電型の半導体で構成されてもよい。上部電極層５は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長
（ＣＶＤ）法等で形成され得る。
【００２４】
また、図１、図２に示すように、上部電極層５上にさらに集電電極８が形成されていてもよい。集電電極８は、第１の半導体層３および第２の半導体層４で生じた電荷をさらに良好に取り出すためのものである。集電電極８は、例えば、図１に示すように、光電変換セル１０の一端から接続導体７にかけて線状に形成されている。これにより、第１の半導体層３および第４の半導体層４で生じた電流が上部電極層５を介して集電電極８に集電され、接続導体７を介して隣接する光電変換セル１０に良好に導電される。
【００２５】
集電電極８は、第１の半導体層３への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、５０〜４００μｍの幅を有していてもよい。また、集電電極８は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。
【００２６】
集電電極８は、例えば、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。
【００２７】
図１、図２において、接続導体７は、第１の半導体層３、第２の半導体層４および第２の電極層５を分断する溝内に設けられた導体である。接続導体７は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図１、図２においては、集電電極８を延伸して接続導体７が形成されているが、これに限定されない。例えば、上部電極層５が延伸したものであってもよい。
【００２８】
封止樹脂１１は、図２に示すように、基板１の一主面の全面を覆うように設けられており、封止樹脂１１によって複数の光電変換セル１０が封止されている。封止樹脂１１を通して光電変換セル１０へ光を入射させる場合は、封止樹脂１１は光電変換部セル１０で光電変換可能な波長の光が透過し得る樹脂が用いられる。このような封止樹脂１１としては、例えば共重合したエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）を主成分とする樹脂やポリビニルブチラール（ＰＶＢ）を主成分とする樹脂等が挙げられる。
【００２９】
また、封止樹脂１１に加えてさらにカバー部材１２を設けてもよい。カバー部材１２は、図２に示すように、封止樹脂１１を覆うように設けられており、光電変換セル１０をさらに保護する機能を有する。カバー部材１２としてはガラス等が用いられ得る。
【００３０】
＜光電変換装置の製造方法＞
次に、光電変換装置１００の製造プロセスについて説明する。図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）および図５（ａ）〜（ｂ）は、光電変換装置１００の製造途中の様子を示す要部断面図である。なお、図３〜図５で示される要部断面図は、図２で示される断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。
【００３１】
まず、図３（ａ）で示されるように、洗浄された基板１の略全面に、スパッタリング法などを用いて、Ｍｏなどからなる下部電極層２を成膜する。そして、下部電極層２の一部に第１溝部Ｐ１を形成する。第１溝部Ｐ１は、ＹＡＧレーザーその他のレーザー光を走査しつつ形成対象位置に照射することで溝加工を行う、レーザースクライブ加工によって形成してもよい。図３（ａ）は、第１溝部Ｐ１を形成した後の状態を示す図である。
【００３２】
第１溝部Ｐ１を形成した後、下部電極層２の上に、第１の半導体層３を形成する。第１の半導体層３は、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって形成可能であるほか、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスは、第１の半導体層３の構成元素の錯体溶液等を下部電極層２の上に塗布し、その後、乾燥・熱処理を行うプロセスである。図３（ｂ）は、第１の半導体層３を形成した後の状態を示す図である。
【００３３】
第１の半導体層層３を形成した後、第１の半導体層３の上に、第２の半導体層４および上部電極層５を、ＣＢＤ法やスパッタリング法等で順次形成する。図３（ｃ）は、第２の半導体層４および上部電極層５を形成した後の状態を示す図である。
【００３４】
第２の半導体層４および上部電極層５を形成した後、上部電極層５の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層２の上面に至る領域に、第１溝部Ｐ１に沿って直線状に延在する第２溝部Ｐ２を形成する。図４（ａ）は、第２溝部Ｐ２を形成した後の状態を示す図である。第２溝部Ｐ２は、スクライブ針を用いたメカニカルスクライブ加工等によって形成できる。
【００３５】
第２溝部Ｐ２を形成した後、上部電極層５上および第２溝部Ｐ２内に、例えば、Ａｇなどの金属粉を樹脂バインダーなどに分散させた導電ペーストをパターン状に印刷し、これを加熱硬化することで、集電電極８および接続導体７を形成する。図４（ｂ）は、集電電極８および接続導体７を形成した後の状態を示す図である。
【００３６】
集電電極８および接続導体７を形成した後、第２溝部Ｐ２からずれた位置で、第１の半導体層３〜集電電極８をメカニカルスクライブ加工により除去することで第３溝部Ｐ３を形成し、複数の光電変換セル１０を形成する。図４（ｃ）は、複数の光電変換セル１０を形成した後の状態を示す図である。
【００３７】
複数の光電変換セル１０を形成した後、基板１の主面に封止樹脂１１を介してカバー部材１２を接合することによって、封止樹脂１１およびカバー部材１２で複数の光電変換セル１０を封止する。図５（ａ）は封止樹脂１１およびカバー部材１２を接合された後の状態を示す図である。
【００３８】
封止樹脂１１およびカバー部材１２を接合した後、図５（ｂ）に示すように、各光電変換セル１０の光電変換体Ｘに対して、上部電極層５側から第１光Ｌを照射する。第１光Ｌは、第１の半導体層３の光励起が可能な光であり、第２の半導体層４のバンドギャップエネルギーに相当する第２波長と７５０ｎｍとの間の波長領域の光を含んでいる。さらに第１光Ｌは、上記第２波長以下の波長領域における光強度が、第２波長と７５０ｎｍとの間における最大の光強度の１０％以下であるとともに、７５０ｎｍ以上の波長領域における光強度も、第２波長と７５０ｎｍとの間における最大の光強度の１０％以下である。
【００３９】
このような工程を行なうことによって、これにより、従来のような疑似太陽光を照射した場合に比べて光電変換装置１００の光電変換効率がより高くすることができる。これは以下の理由による。
【００４０】
まず、第１光Ｌは、第１の半導体層３の光励起が可能な光であり、第２の半導体層４のバンドギャップエネルギーに相当する第２波長と７５０ｎｍとの間の波長領域の光を含んでおり、さらに、上記第２波長以下の波長領域における光強度が、第２波長と７５０ｎｍとの間における最大の光強度の１０％以下であることによって、第２の半導体層４におけるキャリアの発生率が低減し、第１の半導体層３におけるキャリアの発生率が高まる。その結果、第１の半導体層３の第２の半導体層４側の表面に存在するドナー型欠陥によって捕獲されていた電子が放出されやすくなり、より多くの欠陥が修復されると考えられる。
【００４１】
さらに、光電変換セル１０を封止樹脂１１で封止した後に第１光Ｌの照射を行なうことによって、上記欠陥の修復効果を良好に維持して光電変換効率をより高めることができる。つまり、封止樹脂１１で封止する前に第１光の照射を行なった場合、封止樹脂１１の封止を行なっている間に上記欠陥の修復効果が低減する傾向があるが、本実施形態のように
封止後に第１光Ｌの照射を行なうことによって、欠陥の収縮効果が低くなることを低減できる。
【００４２】
さらに、第１光Ｌは、７５０ｎｍ以上の波長領域における光強度も、第２波長と７５０ｎｍとの間における最大の光強度の１０％以下であることによって、赤外領域の光による発熱を低減できる。よって、第１光Ｌの照射中に封止樹脂１１が軟化するのを低減でき、光電変換セル１０と封止樹脂１１との界面に気泡が発生したり、封止樹脂１１が剥離したりするのを低減できる。その結果、上記気泡や剥離の発生部における光電変換セル１０の表面の欠陥修復効果が低くなることを低減できる。
【００４３】
第１の半導体層３におけるキャリアの発生率をより高めるという観点から、上記第１光Ｌとして、第２波長と７５０ｎｍとの間の波長領域に最大ピーク波長を有するものを用いてもよい。つまり、最大ピーク波長の光は、第２の半導体層４を励起し難く、第１の半導体層３を良好に励起できるため、ドナー型欠陥がより低減され易くなる。
【００４４】
第１光Ｌは、例えば、ハロゲンランプ、ＬＤ、ＬＥＤ、キセノンランプまたはソーラーシミュレーター等の光源と波長カットフィルターとを用いることによって所望の波長光とすることができる。
【００４５】
例えば、第１の半導体層３としてＩ−III−VI族化合物またはＩ−II−IV−VI族化合物
を含むもの用い、第２の半導体層４としてＺｎＳまたはＩｎ２Ｓ３を含むものを用いる場合、Ｉ−III−VI族化合物に対する第１波長は７７５〜１１９０ｎｍ、Ｉ−II−IV−VI族
化合物に対する第１波長は７７５〜８５５ｎｍとなる。また、ＺｎＳに対する第２波長は３１５〜３７０ｎｍ、Ｉｎ２Ｓ３に対する第２波長は３３０〜４８５ｎｍとなる。
【実施例】
【００４６】
図６は、第１の半導体層３としてＣＩＧＳ（第１波長は１０５０ｎｍ）を用い、第２の半導体層４として硫化インジウム（第２波長は４５０ｎｍ）を用いた光電変換セル１０をＥＶＡで封止した光電変換装置１００において、種々の波長のＬＥＤ光で光照射を行なったもの、およびＡＭ１．５のソーラーシミュレーターの疑似太陽光（以下、白色光という）で光照射を行なったものの各光電変換装置１００の光電変換効率の変化を示すグラフである。
【００４７】
図６の結果より、白色光よりも、第２波長と７５０ｎｍとの間の波長領域の光である、５００ｎｍ、５７０ｎｍ、７００ｎｍの波長の光照射を行なった方が、光電変換効率が高くなっていることがわかる。一方、第２波長よりも短波長の４２０ｎｍの光照射を行なった場合は、白色光よりも光電変換効率が低くなっていることがわかる。
【００４８】
また、照射強度が１Ｗ・ｍ２・ｎｍ−１の５００ｎｍの光に対して、照射強度が０．０５Ｗ・ｍ２・ｎｍ−１（５００ｎｍの照射強度の５％）の４２０ｎｍの光を混合させて光照射した場合は、５００ｎｍの光のみを照射した場合よりも光電変換効率がわずかに減少していることがわかる。さらに０．１Ｗ・ｍ２・ｎｍ−１（５００ｎｍの照射強度の１０％）まで４２０ｎｍの光の比率を高めて光照射した場合は、５００ｎｍの光のみを照射した場合よりも光電変換効率がさらに減少しているものの、白色光を照射した場合よりも光電変換効率が高くなっていることがわかる。さらに０．２Ｗ・ｍ２・ｎｍ−１（５００ｎｍの照射強度の２０％）まで４２０ｎｍの光の比率を高めて光照射した場合は、５００ｎｍの光のみを照射した場合よりも光電変換効率が大きく減少し、白色光よりも光電変換効率が低くなっていることがわかる。
【００４９】
これらの結果より、第２波長よりも短波長側の光は、１０％以下にカットするのが良い
ことが分かる。また、７５０ｎｍ以上の波長の光を照射した場合は、光電変換装置の温度上昇が高くなり、ＥＶＡから成る封止樹脂１１と光電変換セル１０との界面に気泡が発生し、封止樹脂１１と光電変換セル１０との密着性が低下する可能性があることがわかった。
【符号の説明】
【００５０】
１：基板
２、２ａ、２ｂ：下部電極層
３：第１の半導体層
４：第２の半導体層
５：上部電極層
７：接続導体
８：集電電極
１０：光電変換セル
１００：光電変換装置
Ｌ：第１光
Ｘ：光電変換体
【図１】
2016134471.tif 000003
【図２】
2016134471.tif 000004
【図３】
2016134471.tif 000005
【図４】
2016134471.tif 000006
【図５】
2016134471.tif 000007
【図６】
2016134471.tif 000008