(57)【要約】【課題】サージ電圧の発生を抑制することができる複合コンデンサを提供することを課題とする。【解決手段】複合コンデンサ１００は、座板１と、電解コンデンサ２と、セラミックコンデンサ３とを備える。電解コンデンサ２は、リード線２３Ａ及び２３Ｂを有し、座板１の上面に載置される。座板１において、座板１を上下方向に貫通する貫通孔１１が形成され、セラミックコンデンサ３が貫通孔１１に収納される。セラミックコンデンサ３は、貫通孔１１の中においてリード線２３Ａ及び２３Ｂと接続される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有する座板と、
前記第１の面に載置され、第１リード線と第２リード線とが接続される電解コンデンサと、
セラミックコンデンサと、
を備え、
前記座板は、
前記セラミックコンデンサを収容するとともに前記第１リード線及び前記第２リード線が配置される空間、
を有し、
前記空間は、前記座板の前記第１の面及び前記第２の面の各々に向かって開口し、
前記第１リード線と前記第２リード線とは、前記開口を通過し、
前記セラミックコンデンサは、前記空間内において前記第１リード線及び前記第２リード線と接続される複合コンデンサ。
【請求項２】
請求項１に記載の複合コンデンサであって、
前記セラミックコンデンサは、前記複合コンデンサを回路素子に接続するために用いられるはんだよりも融点の高い導電性樹脂又ははんだにより、前記第１リード線及び前記第２リード線と接続される複合コンデンサ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の複合コンデンサであって、
前記セラミックコンデンサの厚さは、前記座板の厚さよりも小さい複合コンデンサ。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の複合コンデンサであって、
前記第１のリード線は、
前記セラミックコンデンサと接続される接続ポイントの上又は下の少なくとも一方に形成され、前記第２リード線に向かって延びる突起部、
を備える複合コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電解コンデンサとセラミックコンデンサとを備える複合コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
インバータ回路は、直流電流から三相交流を生成する。インバータ回路において、電解コンデンサが、インバータ回路に設けられる２つの入力端子の間に接続される。電解コンデンサは、２つの入力端子に入力される直流電流に含まれる変動成分を除去する。
【０００３】
電解コンデンサは、その構造に起因するインダクタンス成分を有する。電解コンデンサなどの回路素子が有するインダクタンス成分は、直列等価インダクタンス（ＥＳＬ）と呼ばれる。電解コンデンサのＥＳＬは、インバータ回路において、スイッチング素子がオンオフを切り替える際に発生するサージ電圧の原因となる。
【０００４】
例えば、スイッチング素子が電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である場合、ＭＯＳＦＥＴがオンオフを切り替えた際に、高周波電流が、ＭＯＳＦＥＴのドレインとソースとの間に発生する。高周波電流は、時間的に変動する電流であるため、ＭＯＳＦＥＴと電解コンデンサとにより形成される閉回路において、電解コンデンサのＥＳＬに起因する電圧（サージ電圧）が発生する。サージ電圧は、インバータ回路以外の電気機器に対する電磁妨害（ＥＭＩ：Electro-Magnetic Interference）の発生、スイッチング素子や電解コンデンサの耐圧不良の発生を引き起こす原因となる。
【０００５】
サージ電圧の発生を抑制するために、高周波特性の良いセラミックコンデンサをスイッチング素子と電解コンデンサに対して並列に接続する対策が取られている。セラミックコンデンサがＭＯＳＦＥＴで発生する高周波電流を吸収することにより、電解コンデンサのＥＳＬに起因するサージ電圧の発生を抑制することができる。特許文献１及び特許文献２は、インバータ回路などの電源回路に使用可能な複合コンデンサを開示している。複合コンデンサは、並列に接続された電解コンデンサとセラミックコンデンサとを備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１−９１４１１号公報
【特許文献２】特開２００３−２３４２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
インバータ回路を回路基板上に実装する場合、電解コンデンサは、回路基板上に配置される。電解コンデンサは、回路基板上に形成された配線により、スイッチング素子と電気的に接続される。配線は、例えば、銅などの金属により形成され、電解コンデンサと同様にＥＳＬを有している。配線のＥＳＬは、電解コンデンサのＥＳＬと同様に、サージ電圧の原因となる。
【０００８】
配線のＥＳＬの大きさは、配線の長さに比例する。回路基板上に形成される配線の長さを短くすることにより、配線のＥＳＬに起因するサージ電圧を抑制することができる。従って、電解コンデンサは、スイッチング素子の近傍に設置されることが望ましい。しかし、セラミックコンデンサが高周波電流を吸収するようにするために、セラミックコンデンサを電解コンデンサよりも電気的に近い位置に設ける必要がある。つまり、電解コンデンサは、セラミックコンデンサよりもスイッチング素子から離れた位置に設置される。この結果、電解コンデンサからスイッチング素子までの配線を短くすることができず、配線のＥＳＬに起因するサージ電圧を抑制することが困難であった。
【０００９】
本発明の目的は、サージ電圧の発生を抑制することができる複合コンデンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施の形態に係る複合コンデンサは、第１の面と第１の面と反対側の第２の面とを有する座板と、第１の面に載置され、第１リード線と第２リード線とが接続される電解コンデンサと、セラミックコンデンサと、を備える。座板は、セラミックコンデンサを収容するとともに第１リード線及び第２リード線が配置される空間、を有する。空間は、座板の第１の面及び第２の面の各々に向かって開口する。第１リード線と第２リード線とは、開口を通過する。セラミックコンデンサは、空間内において第１リード線及び第２リード線と接続される。
【００１１】
好ましくは、複合コンデンサにおいて、セラミックコンデンサは、複合コンデンサを回路素子に接続するために用いられるはんだよりも融点の高い導電性樹脂又ははんだにより、第１リード線及び第２リード線と接続される。
【００１２】
好ましくは、複合コンデンサにおいて、セラミックコンデンサの厚さは、座板の厚さよりも小さい。
【００１３】
好ましくは、複合コンデンサにおいて、第１のリード線は、セラミックコンデンサと接続される接続ポイントの上又は下の少なくとも一方に形成され、第２リード線に向かって延びる突起部、を備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る複合コンデンサによれば、電解コンデンサの接続に要する配線の距離を短縮することができるため、サージ電圧の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態に係る複合コンデンサの側面断面図である。
【図２】図１に示す複合コンデンサの部分拡大図である。
【図３】図１に示す座板の底面図である。
【図４】電解コンデンサ及びセラミックコンデンサが接続されたインバータ回路の位置例を示す回路図である。
【図５】図１に示す電解コンデンサの変形例を示す図である。
【図６】図１に示す座板の変形例を示す側面断面図である。
【図７】図１に示す座板の別の変形例を示す側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００１７】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る複合コンデンサ１００の側面断面図である。図１に示す複合コンデンサ１００は、回路基板４００の上面に取り付けられている。図１に示すように、図１における横方向をｘ軸、図１における縦方向をｚ軸、図１において紙面奥行方向をｚ軸と定義する。なお、説明の便宜上、ｚ軸方向を上下方向と呼び、複合コンデンサ１００から見て回路基板４００の位置する方向を下方向と呼ぶ。
【００１８】
複合コンデンサ１００は、座板１と、電解コンデンサ２と、セラミックコンデンサ３とを備える。
【００１９】
図１に示すように、電解コンデンサ２は、筒状の形状であり、座板１の上面に固定される。電解コンデンサ２は、例えば、アルミ電解コンデンサ、タンタル電解コンデンサなどであり、その種類は特に限定されない。電解コンデンサ２は、金属ケース２１と、アルミリード２２Ａ及び２２Ｂと、リード線２３Ａ及び２３Ｂと、封口ゴム２４とを備える。
【００２０】
金属ケース２１は、電解コンデンサ２が備える陽極、陰極及びセパレータ（いずれも図示省略）を収納するための筐体であり、例えば、アルミニウムにより形成される。封口ゴム２４は、金属ケース２１の下部に充填される。封口ゴム２４は、電解コンデンサ２の陽極及び陰極を、リード線２３Ａ及び２３Ｂ以外の導体と絶縁する。
【００２１】
金属ケース２１において、封口ゴム２４より上の内部空間には、陽極、陰極及びセパレータが配置される。陽極及び陰極は、例えば、アルミ箔である。セパレータは、陽極と陰極とを絶縁する誘電体であり、具体的には、電解コンデンサ２の種類に応じた電解液を含む紙である。陽極、陰極及びセパレータは、積層された上でロール状に巻かれる。ロール状に巻かれた陽極、陰極及びセパレータが、金属ケース２１に収納される。
【００２２】
アルミリード２２Ａは、ロール状に巻かれた陽極とリード線２３Ａとを接続する。アルミリード２２Ｂは、ロール状に巻かれた陰極と、リード線２３Ｂとを接続する。
【００２３】
リード線２３Ａ及び２３Ｂは、電解コンデンサ２を他の回路素子と接続するための配線である。リード線２３Ａ及び２３Ｂの一端は、アルミリード２２Ａ及び２２Ｂにそれぞれ接続される。リード線２３Ａ及び２３Ｂの他端は、複合コンデンサ１００が回路基板４００上に固定される際に、回路基板４００の上面に形成される配線４０Ａ及び４０Ｂにそれぞれ接続される。
【００２４】
リード線２３Ａ及び２３Ｂは、電解コンデンサ２の底面から下方向に延びる。リード線２３Ａ及び２３Ｂは、座板１に形成された貫通孔１１を通過することにより、座板１を上下方向に貫通する。図１に示すように、リード線２３Ａ及び２３Ｂのうち、座板１の底面から突出した部分は、垂直に折り曲げられることにより、座板１の底面に沿って延びる。
【００２５】
図２は、図１に示す複合コンデンサ１００における領域Ａの拡大図である。図２に示すように、突起部２４Ａ及び２５Ａがリード線２３Ａに形成され、突起部２４Ｂ及び２５Ｂがリード線２３Ｂに形成される。突起部２４Ａ、２５Ａ、２４Ｂ及び２５Ｂの詳細については、後述する。
【００２６】
次に、セラミックコンデンサ３について説明する。図２に示すように、セラミックコンデンサ３は、筒状の形状であり、電解コンデンサ２よりも小さいサイズを有する。セラミックコンデンサ３は、座板１に形成された貫通孔１１の中に収納される。つまり、複合コンデンサ１００が回路基板４００上に配置された場合、セラミックコンデンサ３は、電解コンデンサ２と回路基板４００との間に位置する。
【００２７】
セラミックコンデンサ３は、端子３１Ａ及び３１Ｂを有する。端子３１Ａは、セラミックコンデンサ３の筒状部分の一端に形成され、貫通孔１１の中において、リード線２３Ａと接続される。端子３１Ｂは、セラミックコンデンサ３の筒状部分の他端に形成され、貫通孔１１の中において、リード線２３Ｂと接続される。これにより、セラミックコンデンサ３は、電解コンデンサ２と並列に接続される。
【００２８】
座板１について説明する。図１に示すように、座板１は、平板状の形状であり、耐熱性の樹脂によって形成される。座板１は、電解コンデンサ２の筐体である金属ケース２１と、回路基板４００上に形成された配線４０Ａ及び４０Ｂとを絶縁する。図２に示すように、座板１には、座板１の上下方向に貫通する貫通孔１１が形成される。電解コンデンサ２のリード線２３Ａ及び２３Ｂが、貫通孔１１を通って、座板１を上下方向に貫通する。セラミックコンデンサ３が、貫通孔１１の中に収納される。つまり、貫通孔１１は、セラミックコンデンサ３を収納するための収納空間であり、また、リード線２３Ａ及び２３Ｂが座板１を上下方向に貫通するための孔である。
【００２９】
図３は、座板１の底面図である。図３に示すように、貫通孔１１は、電解コンデンサ２が座板１の上に固定された場合に、リード線２３Ａ及び２３Ｂが下方向に向かって延びることができる位置に形成される。
【００３０】
図３において、リード線２３Ａ及び２３Ｂを結ぶ直線の方向がｘ軸方向であり、この直線に垂直な方向がｙ軸方向である。この場合、貫通孔１１のｘ軸方向のサイズは、リード線２３Ａとリード線２３Ｂとの間隔と、リード線２３Ａ及び２３Ｂの直径とを合計した長さよりも大きい。図３に示すように、リード線２３Ａとリード線２３Ｂとの間隔をａ、リード線２３Ａ及び２３Ｂの各々の直径をｂ、貫通孔１１のｘ軸方向のサイズをｃとした場合、ｃ＞ａ＋２ｂであればよい。
【００３１】
貫通孔１１のｙ軸方向のサイズは、リード線２３Ａの直径ｂよりも大きい。貫通孔１１のｙ軸方向のサイズは、リード線２３ｂの直径ｂよりも大きい。貫通孔１１のｙ軸方向のサイズは、セラミックコンデンサ３のｙ軸方向のサイズよりも大きい。図２に示すように、座板１の上下方向のサイズ（厚さ）は、セラミックコンデンサ３の厚さよりも大きい。また、セラミックコンデンサ３のｘ軸方向のサイズは、リード線２３Ａとリード線２３Ｂとの間隔ａよりも小さい。
【００３２】
この結果、座板１は、セラミックコンデンサ３を座板１の外へ突出させることなく、セラミックコンデンサ３を貫通孔１１が形成された空間に収納することができる。
【００３３】
また、図３に示すように、座板１の底面には、貫通孔１１から図３に示すｘ軸方向に延びる溝１２及び１３が形成される。溝１２及び１３の側面の断面形状（ｘ軸に垂直な平面で切断した断面の形状）は、例えば、半円形である。溝１２及び１３は、電解コンデンサ２のリード線２３Ａ及び２３Ｂのうち、座板１の底面から下方向に突出した部分を垂直に折り曲げた部分を収納する。溝１２及び１３の各々の深さ及び幅は、リード線２３Ａ及び２３Ｂの直径よりも大きい。これにより、複合コンデンサ１００を回路基板４００上に安定的に固定できる。
【００３４】
このように、複合コンデンサ１００において、セラミックコンデンサ３が、座板１に形成された貫通孔１１に収納され、セラミックコンデンサ３が電解コンデンサ２と並列に接続される。複合コンデンサ３を含むインバータ回路を回路基板４００上に実装した場合、セラミックコンデンサ３とともに電解コンデンサ２をスイッチング素子の近傍に配置することができる。
【００３５】
セラミックコンデンサ３が座板１に形成された貫通孔１１に収納されるため、回路基板４００上にセラミックコンデンサ３を配置するスペースを設けなくてもよい。複合コンデンサ１００を使用することにより、回路基板４００に形成される回路を小型化することが可能となる。
【００３６】
また、インバータ回路が回路基板４００に実装される場合、複合コンデンサ１００は、サージ電圧を抑制することができる。以下、図４を参照しながら説明する。図４は、複合コンデンサ１００をインバータ回路５００に適用した場合における回路の一例を示す図である。図４に示すインバータ回路５００において、ＭＯＳＦＥＴ５１Ａ及び５１Ｂは、Ｕ相の生成に用いられる。ＭＯＳＦＥＴ５２Ａ及び５２Ｂは、Ｖ相の生成に用いられる。ＭＯＳＦＥＴ５３Ａ及び５３Ｂは、Ｗ相の生成に用いられる。
【００３７】
複合コンデンサ１００において、セラミックコンデンサ３は、リード線２３Ａ及び２３Ｂに接続される。このため、点Ｓａは、セラミックコンデンサ３の端子３１Ａがリード線２３Ａに接続される箇所に対応し、点Ｓｂは、セラミックコンデンサ３の３１Ｂがリード線２３Ｂに接続される箇所に対応する。点Ｓａから電解コンデンサ２を経由して点Ｓｂまでの区間を、区間Ｓ１と定義する。区間Ｓ１は、セラミックコンデンサ３により吸収することのできないサージ電圧が発生する配線である。複合コンデンサ１００において、セラミックコンデンサ３が電解コンデンサ２のリード線２３Ａ及び２３Ｂに直接接続されるため、区間Ｓ１の長さを短縮することができる。
【００３８】
一方、電解コンデンサ２とセラミックコンデンサ３とを個別に回路基板４００上に実装する場合、電解コンデンサ２とセラミックコンデンサ３との並列回路を回路基板４００上に作成しなければならない。また、セラミックコンデンサ３が高周波電流を吸収できるようにするために、電解コンデンサ２は、セラミックコンデンサ３よりもＭＯＳＦＥＴ５１Ａ〜５３Ａ及び５１Ｂ〜５３Ｂから離れた位置に配置される必要がある。この結果、電解コンデンサ２とセラミックコンデンサ３との並列回路を回路基板４００上に作成する場合、点Ｓａから電解コンデンサ２のリード線２３Ａまでの配線を別途設け、電解コンデンサ２のリード線２３Ｂから点Ｓｂまでの配線を別途設けなければならない。
【００３９】
複合コンデンサ１００を回路基板４００上に実装する場合、電解コンデンサ２とセラミックコンデンサ３とを回路基板４００上に実装する場合に別途設けられる配線を用いなくても良い。従って、複合コンデンサ１００を回路基板４００上に実装する場合、電解コンデンサ２とセラミックコンデンサ３とを回路基板４００上に実装する場合に比べて、区間Ｓ１の長さを短くすることができる。複合コンデンサ１００をインバータ回路５００に適用した場合、区間Ｓ１を形成する配線のＥＳＬを減少させることができるため、サージ電圧を削減することができる。
【００４０】
次に、セラミックコンデンサ３とリード線２３Ａ及び２３Ｂとの接合について説明する。電解コンデンサ２を座板１の上面に固定した場合、リード線２３Ａ及び２３Ｂは、上述のように、座板１に形成された貫通孔１１を上から下に貫通する。突起部２４Ａ及び２５Ａは、リード線２３Ａのうち貫通孔１１を通過する部分に形成される。突起部２４Ｂ及び２５Ｂは、リード線２３Ｂのうち貫通孔１１を通過する部分に形成される。
【００４１】
突起部２４Ａ、２５Ａ、２４Ｂ及び２５Ｂとは、図２及び図３に示すように、貫通孔１１の中心方向に向かって突出する。なお、図３においては、複合コンデンサ１００を下方から見ているため、突起部２４Ａ及び２４Ｂは、突起部２５Ａ及び２５Ｂに隠れて見えていない。
【００４２】
突起部２４Ａは、座板１の上面側に形成され、突起部２５Ａは、座板１の底面側に形成される。セラミックコンデンサ３の端子３１Ａは、リード線２３Ａのうち、突起部２４Ａと突起部２５Ａとの間の部分と接合される。
【００４３】
突起部２４Ｂ及び２５Ｂは、リード線２３Ｂのうち貫通孔１１を通過する部分に形成される。突起部２４Ｂは、座板１の上面側に形成され、突起部２５Ｂは、座板１の底面側に形成される。セラミックコンデンサ３の端子３１Ｂは、リード線２３Ｂのうち、突起部２４Ｂと突起部２５Ｂとの間の部分と接合される。
【００４４】
セラミックコンデンサ３の端子３１Ａ及び３１Ｂは、導電性樹脂により、リード線２３Ａ及び２３Ｂと接合される。以下、その理由を説明する。
【００４５】
図１に示す複合コンデンサ１００は、回路基板４００に形成された配線４０Ａ及び４０Ｂと接続される際、はんだ付けされる。はんだ付けの際に、はんだ付けの熱が、リード線２３Ａ及び２３Ｂを伝わって、突起部２４Ａ、２５Ａ、２４Ｂ及び２５Ｂまで達することがある。セラミックコンデンサ３とリード線２３Ａ及び２３Ｂとの接合にはんだ付けを用いていた場合、リード線２３Ａ及び２３Ｂを伝わる熱によって、接合が外れてしまうおそれがある。しかし、導電性樹脂の融点は、一般的なはんだの融点（２００℃〜２５０℃）よりも高い。このため、複合コンデンサ１００を配線４０Ａ及び４０Ｂにはんだ付けする際に伝わる熱によって、セラミックコンデンサ３とリード線２３Ａ及び２３Ｂの接合が外れることを防ぐことができる。
【００４６】
なお、セラミックコンデンサ３をリード線２３Ａ及び２３Ｂと接合する際に、導電性樹脂ではなく、いわゆる高融点はんだを用いてもよい。高融点はんだは、一般的なはんだの融点（２００℃〜２５０℃）よりも高い融点（２５０℃以上）を有する。従って、セラミックコンデンサ３のリード線２３Ａ及び２３Ｂとの接合に高融点はんだを用いることにより、複合コンデンサ１００を回路基板４００にはんだ付けする際に、セラミックコンデンサ３の接合が外れることを防ぐことができる。
【００４７】
次に、突起部２４Ａ、２５Ａ、２４Ｂ及び２５Ｂの機能について説明する。突起部２４Ａ、２５Ａ、２４Ｂ及び２５Ｂは、セラミックコンデンサ３とリード線２３Ａ及び２３Ｂとの接合が外れたとしても、セラミックコンデンサ３とリード線２３Ａ及び２３Ｂとの電気的な接続を維持する機能を有する。例えば、インバータ回路が回路基板４００に形成され、このインバータ回路が、自動車におけるパワーステアリングの制御機器に搭載された場合を考える。この場合、エンジンの振動や、走行時の振動などにより、導電性樹脂によるセラミックコンデンサ３の接合が外れる可能性がある。
【００４８】
セラミックコンデンサ３の接合が外れた場合であっても、突起部２５Ａ及び２５Ｂがセラミックコンデンサ３の端子３１Ａ及び３１Ｂを支えるため、また、突起部２５Ａは、セラミックコンデンサ３の端子３１Ａがリード線２３Ａに接触した状態を維持することができ、突起部２５Ｂは、端子３１Ｂがリード線２３Ｂに接触した状態を維持することができる。つまり、セラミックコンデンサ３の接合が外れた場合であっても、セラミックコンデンサ３が回路基板４００の上面に落下することを防ぐことができ、セラミックコンデンサ３とリード線２３Ａ及び２３Ｂの電気的な接続を保つことができる。
【００４９】
また、セラミックコンデンサ３の接合が外れた場合において、上記の振動により、セラミックコンデンサ３が上方向に移動する可能性がある。しかし、突起部２４Ａ及び２４Ｂが、セラミックコンデンサ３の上方向への移動を制限する。
【００５０】
このように、突起部２４Ａ、２５Ａ、２４Ｂ及び２５Ｂは、セラミックコンデンサ３とリード線２３Ａ及び２３Ｂとの接合が外れた場合であっても、セラミックコンデンサ３の移動を制限し、セラミックコンデンサ３とリード線２３Ａ及び２３Ｂとの電気的な接続を維持することができる。
【００５１】
また、座板１の上面における貫通孔１１の開口の形状によっては、貫通孔の開口の一部が、電解コンデンサ２によって覆われていない場合が想定される。この場合、突起部２４２Ａ及び２４Ｂは、リード線２３Ａ及び２３Ｂとの接合が外れたセラミックコンデンサ３が貫通孔１１の外へ移動することを抑制することができる。
【００５２】
このように、本実施の形態に係る複合コンデンサ１００は、座板１に形成された貫通孔１１にセラミックコンデンサ３を収納し、貫通孔１１の内部において、セラミックコンデンサを電解コンデンサ２のリード線２３Ａ及び２３Ｂと接合する。これにより、セラミックコンデンサ３とともに電解コンデンサ２をスイッチング素子の近傍に配置することができる。配線のＥＳＬを減少させることができるため、サージ電圧の発生を抑制することができる。
【００５３】
なお、上記実施の形態において、セラミックコンデンサ３が、座板１に形成された貫通孔１１に収納される例を説明したが、これに限られない。貫通孔１１に代えて、座板１の上面又は底面のいずれか一方が開口した凹部を形成し、この凹部にセラミックコンデンサ３を収納してもよい。つまり、セラミックコンデンサ３を収納するための収納空間を座板１に形成すればよい。この場合、リード線２３Ａ及び２３Ｂが座板１を上下方向に貫通するための２つの貫通孔が、座板１に形成される。この２つの貫通孔は、凹部の底面と座板１の上面又は底面とを上下方向に貫通するように形成される。
【００５４】
また、上記実施の形態において、リード線２３Ａ及び２３Ｂを屈曲させることにより、突起部２４Ａ、２５Ａ、２４Ｂ及び２５Ｂを作成してもよい。図５は、リード線２３Ａ及び２３Ｂを屈曲することにより生成された突起部２６Ａ、２７Ａ、２６Ｂ及び２７Ｂを示す図である。図５に示すように,リード線２３Ａを屈曲させることにより、リード線２３Ｂの方向に突出した屈曲部分が２箇所形成される。この２箇所の屈曲部分を、突起部２６Ａ及び２７Ａとして使用してもよい。リード線２５Ｂにおける突起部２６Ｂ及び２７Ｂについても、同様に形成することができる。突起部２６Ａ、２７Ａ、２６Ｂ及び２７Ｂは、図２に示す突起部２４Ａ、２５Ａ、２４Ｂ及び２５Ｂと同様の役割を有する。
【００５５】
つまり、セラミックコンデンサ３の端子３１Ａが、リード線２３Ａのうち、突起部２６Ａと突起部２７Ａとの間の部分に接続され、セラミックコンデンサ３の端子３１Ｂが、リード線２３Ｂのうち、突起部２６Ｂと突起部２７Ｂとの間の部分に接続される。端子３１Ａとリード線２３Ａとの接続、あるいは，端子３１Ｂとリード線２３Ｂとの接続が外れた場合であっても、セラミックコンデンサ３の移動を制限することができ、電解コンデンサ２とセラミックコンデンサ３との電気的な接続を保つことができる。
【００５６】
また、上記実施の形態において、リード線２３Ａが突起部２４Ａ及び２５Ａを有し、リード線２３Ｂが突起部２４Ｂ及び２５Ｂを有する例を説明したが、これに限られない。リード線２３Ａ及び２３Ｂは、それぞれ、突起部２５Ａ及び２５Ｂのみを有していてもよい。この場合であっても、セラミックコンデンサ３の下方向への移動を制限することができる。
【００５７】
あるいは、リード線２３Ａ及び２３Ｂは、それぞれ、突起部２４Ａ及び２４Ｂのみを有してもよい。この場合、セラミックコンデンサ３の上方向への移動を制限することができる。また、リード線２３Ａ及び２３Ｂは、突起部を備えていなくてもよい。この場合であっても、複合コンデンサ３は、上述したように、セラミックコンデンサ３が貫通孔１１に収納された状態で、電解コンデンサ２と並列に接続された構造を有している。従って、複合コンデンサ１００は、ＭＯＳＦＥＴ５１Ａ〜５３Ａ及び５１Ｂ〜５３Ｂなどのスイッチング素子で発生するサージ電圧の発生を抑制することができる。
【００５８】
また、上記実施の形態において、リード線２３Ａ及び２３Ｂが座板１に形成された貫通孔１１に配置され、セラミックコンデンサ３が貫通孔１１に収納される例を説明したが、これに限られない。例えば、図６に示す空間１６又は図７に示す空間１７を座板１に形成してもよい。なお、図６及び図７では、拡大した座板1を示している。
【００５９】
図６は、座板１の変形例を示す側面断面図である。図６に示す空間１６には、セラミックコンデンサ３が収容されるとともにリード線２３Ａ及び２３Ｂが配置される。空間１６は、収納空間１６１と、貫通孔１６２及び１６３とにより形成される。収納空間１６１は、座板１の上面が開口した凹部であり、セラミックコンデンサ３を収納する。貫通孔１６２及び１６３の各々が収納空間１６１の底と座板１の底面とを貫通することにより、空間１６は、座板１の底面に向かって開口する。リード線２３Ａ及び２３Ｂは、空間１６における座板１の下面側の開口及び座板１の上面側の開口を通過する。セラミックコンデンサ３は、収納空間１６１において、リード線２３Ａ及び２３Ｂと接続される。
【００６０】
図７は、座板１の別の変形例を示す側面断面図である。図７に示す空間１７には、セラミックコンデンサ３が収容されるとともにリード線２３Ａ及び２３Ｂが配置される。空間１７は、収納空間１７１と、貫通孔１７２及び１７３とにより形成される。収納空間１７１は、座板１の底面が開口した凹部であり、セラミックコンデンサ３を収納する。貫通孔１７２及び１７３の各々が収納空間１７１の上面と座板１の上面とを貫通することにより、空間１７は、座板１の上面に向かって開口する。リード線２３Ａ及び２３Ｂは、空間１７における座板１の下面側の開口及び座板１の上面側の開口を通過する。セラミックコンデンサ３は、収納空間１７１において、リード線２３Ａ及び２３Ｂと接続される。
【００６１】
図１に示す貫通孔１１は、セラミックコンデンサ３が収納され、かつ、リード線２３Ａ及び２３Ｂが配置される空間である。また、貫通孔１１は、リード線２３Ａ及び２３Ｂを座板１の上面及び下面に案内するための開口を形成する。
【００６２】
すなわち、座板１は、セラミックコンデンサ３が収納されるとともにリード線２３Ａ及び２３Ｂが配置される空間を有していればよい。この空間は、少なくともリード線２３Ａ及び２３Ｂを座板１における上面（本発明における第１の面）と、下面（本発明における第１の面と反対側の第２の面）とに案内するための開口を有していればよい。また、セラミックコンデンサ３は、この空間においてリード線２３Ａ及び２３Ｂと接続される。
【００６３】
なお、上記実施の形態において、複合コンデンサ１００が回路基板４００の上に実装され例を説明したが、これに限られない。複合コンデンサ１００が取り付けれた回路基板１００は、図１と上下方向が逆であってもよく、図１に示す回路基板４００の上面が横方向を向いていてもよい。
【００６４】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１００  複合コンデンサ
４００  回路基板
１  座板
２  電解コンデンサ
３  セラミックコンデンサ
１１，１６２，１６３，１７２，１７３  貫通孔
２３Ａ，２３Ｂ  リード線
２４Ａ〜２７Ａ，２４Ｂ〜２７Ｂ  突起部
３１Ａ，３１Ｂ  端子
１６，１７  空間
１６１，１７１  収納空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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