(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置において、処理容器内において表面の被膜が劣化したり、腐食が発生している部材を特定する。【解決手段】プラズマ処理装置の処理容器内でプラズマに曝される、処理容器の天板部を構成するマイクロ波透過板３１を支持する支持部材３４の表面の被膜Ｃ１と、支持部材３４から続く側壁２ｃ表面の被膜Ｃ２とは、いずれも異なった材料でコーティングして形成されている。ダミーウェハＤＷ上のパーティクルを分析した結果、その成分が被膜Ｃ１に由来する場合には支持部材３４を交換し、被膜Ｃ２に由来する場合には側壁２ｃが腐食、劣化していると判断して該当する部材を交換する。【選択図】図２
2016122772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記基板を気密に収容する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、前記基板を載置する載置台と、
を有し、
前記処理容器内でプラズマに曝される、処理容器の天板部を支持する支持部材の表面と、
前記処理容器内でプラズマに曝される、前記支持部材から続く他の部材の表面とは、いずれも異なった材料でコーティングされていることを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記処理容器内にガスを供給するガス供給口を有し、当該ガス供給口のプラズマに曝される表面は、前記各表面とはいずれも相互に異なった材料でコーティングされていることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記載置台における、基板載置時に基板外周部から露出してプラズマに曝される表面は、前記各表面とはいずれも相互に異なった材料でコーティングされていることを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理容器内にバッフル板を有し、当該バッフル板におけるプラズマに曝される表面は、前記各表面とはいずれも相互に異なった材料でコーティングされていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置の部材の交換を行うための判断手法であって、
模擬基板を前記載置台に載置して、処理容器内に所定のガスを供給するか、又は処理容器内で所定のガスをプラズマ化し、
その後パーティクルカウンターによって模擬基板上のパーティクル数を測定し、
測定の結果、パーティクル数が所定の値を超えている場合には、さらに模擬基板上のパーティクルの成分の分析を行い、
当該分析の結果、最もパーティクル数が多い成分を有するコーティング材料によってコーティングされた部材を、交換すべき部材と判断することを特徴とする、プラズマ処理装置の部材の交換判断方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置の部材の交換を行うための判断手法であって、
模擬基板を前記載置台に載置して、所定のガスを供給するか、又は所定のガスをプラズマ化し、
その後パーティクルカウンターによって模擬基板上のパーティクル数を測定し、
測定の結果、パーティクル数が所定の値を超えている場合には、さらに模擬基板上のパーティクルの成分の分析を行い、
当該分析の結果、パーティクル数が所定のしきい値を超えている成分を有するコーティング材料によってコーティングされた部材を、交換すべき部材と判断することを特徴とする、プラズマ処理装置の部材の交換判断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の部材の交換判断方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、例えばプラズマ処理装置などの基板処理装置の処理容器内で、絶縁膜をはじめとする各種成膜処理や、これら絶縁膜等のエッチング処理などが行われる。このような処理容器内でプラズマに曝される部材、たとえば石英板、シャワープレート、上部電極などのいわゆる天板を支持する側壁部材、あるいは前記天板を直接支持して側壁部材との間に配置される支持部材の表面は、処理時に生成されるプラズマによるスパッタリングによってダメージを受ける。またプラズマ処理の際の反応性ガスによる反応生成物が付着するので、当該反応生成物を除去するための、たとえばフッ素ガスなどのクリーニングガスやプラズマ（塩素ガスプラズマ）を用いたクリーニングによっても、これらの部材はダメージを受ける。
【０００３】
そのためこれらの部材の処理容器内に面する前記した各部材の表面は、従来から、プラズマ耐性にすぐれた材料、例えばＹ２Ｏ３によってあらかじめ被膜がコーティングされていた（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２６４１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながらプラズマ耐性に優れた被膜であっても、プラズマ中のイオンやラジカルの照射を長い時間受けることによって腐食や劣化が発生し、当該腐食、劣化部分からゴミ（パーティクル）が発生する。そうすると、腐食、劣化が発生した被膜によってコーティングされている部材は交換する必要があるが、従来は各部材ともすべて同一の材料の被膜によってコーティングされているため、腐食、劣化が発生した部材を特定しようとしても、これを特定することができなかった。
【０００６】
そのため従来は、処理容器内の部材を順次取り換えて、再度パーティクルを検出し、順次かかる作業を行なって発生個所を特定して交換するか、あるいはすべての部材を交換するようにしていた。したがって前者によれば、装置を再稼働させるまでには多大な時間を要し、一方後者によれば、必要のない部材まで交換するので、コストがかさんでいた。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、これまでのように処理容器内に面している部材表面の被膜が劣化したり、腐食した場合に、それが発生している部材の特定を容易にして、部材交換に伴う前記した問題の解決を図ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板を処理するプラズマ処理装置であって、前記基板を気密に収容する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、前記基板を載置する載置台と、を有し、前記処理容器内でプラズマに曝される、処理容器の天板部を支持する支持部材の表面と、前記処理容器内でプラズマに曝される、前記支持部材から続く他の部材の表面とは、いずれも異なった材料でコーティングされていることを特徴としている。
【０００９】
本発明によれば、処理容器内でプラズマに曝される、処理容器の天板部を支持する支持部材の表面と、前記支持部材から続く他の部材の表面とは、いずれも異なった材料でコーティングされているので、処理容器内に発生したパーティクルを分析することにより、その成分の種類から天板部を支持する支持部材か、あるいは当該支持部材から続く他の部材から当該パーティクルが発生していることが判明し、それによって被膜が劣化、腐食している部材がいずれかを特定することができる。この種のプラズマ処理装置の処理容器は、天板部近傍がプラズマ密度は高く、それゆえ天板部を支持する支持部材と当該支持部材から続く他の部材の劣化、腐食が最も顕著であるから、前記特定によってその特定が容易になり、交換必要な部材のみを交換することができ、装置の再稼働までに要していた時間を従来よりも短縮したり、無駄なコストを省くことができる。
【００１０】
なおここでいう、処理容器の天板部とは、処理容器内の上部に配置されている上部電極、シャワープレート、石英板、各種誘電体板、ガス整流板をいう。また天板部を支持する支持部材から続く他の部材とは、たとえば側壁も含むものである。
【００１１】
前記処理容器内にガスを供給するガス供給口を有し、当該ガス供給口のプラズマに曝される表面は、前記各表面とはいずれも相互に異なった材料でコーティングされていてもよい。
【００１２】
さらに前記載置台における、基板載置時に基板外周部から露出してプラズマに曝される表面は、前記各表面、すなわち天板部を支持する支持部材と当該支持部材から続く他の部材、ガス供給口表面の各表面とはいずれも相互に異なった材料でコーティングされていてもよい。
【００１３】
さらにまた前記処理容器内にバッフル板を有する場合、当該バッフル板におけるプラズマに曝される表面を、前記各表面とはいずれも相互に異なった材料でコーティングするようにしてもよい。
【００１４】
また別な観点による本発明は、前記した各プラズマ処理装置の部材の交換を行うための判断手法であって、処理容器内に所定のガスを供給するか、又は処理容器内で所定のガスをプラズマ化し、その後パーティクルカウンターによって模擬基板上のパーティクル数を測定し、測定の結果、パーティクル数が所定の値を超えている場合には、さらに模擬基板上のパーティクルの成分の分析を行い、当該分析の結果、最もパーティクル数が多い成分を有するコーティング材料によってコーティングされた部材を、交換すべき部材と判断することを特徴としている。
【００１５】
この場合、当該分析の結果、パーティクル数が所定のしきい値を超えている成分を有するコーティング材料によってコーティングされた部材を、交換すべき部材と判断するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、プラズマ処理装置において、処理容器内において表面の被膜が劣化したり、腐食が発生している部材を特定することが容易であり、したがって従来よりも短時間で、かつ無駄なコストをかけずに当該部材を交換することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施の形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置内における天板部近傍の部材の拡大縦断面図である。
【図３】プラズマ処理装置、パーティクルカウンター、分析装置の処理フローを説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるプラズマ処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。なお、本実施の形態のプラズマ処理装置１では、基板としてのウェハＷの表面に対してプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｏｔｉｏｎ）処理を行い、当該ウェハＷの表面にＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）を形成する場合を一例にして説明する。また、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
プラズマ処理装置１は、内部を気密に保持する処理容器２と、プラズマ生成用のマイクロ波を処理容器２内に供給するラジアルラインスロットアンテナ（ｒａｄｉａｌ  ｌｉｎｅ  ｓｌｏｔ  ａｎｔｅｎｎａ）３を有している。処理容器２は上面が開口した略円筒状の本体部２ａと、本体部２ａの開口を気密に塞ぐ略円盤状の蓋体２ｂを有している。本体部２ａ及び蓋体２ｂは、例えばアルミニウム等の金属から形成されている。
【００２０】
処理容器２の本体部２ａ底面には、ウェハＷを載置するサセプタ１０が設けられている。サセプタ１０は、例えば円盤形状を有し、アルミニウム等の金属から形成されている。サセプタ１０には、電極１１が内蔵され、電極１１にはウェハＷを吸着保持するための電圧を印加する電源１２が接続されている。また、電源１２は、電極１１に例えば±１ｋＶの高電圧を交互に印加可能に構成されている。そのため、電源１２により高電圧を断続的に印加し、処理容器２内に電磁応力を発生させることで、処理容器２内に付着するパーティクルを飛散させることができる可能性がある。また、サセプタ１０には、図示しない整合器を介してバイアス用の高周波電源（図示せず）が接続されている。高周波電源は、ウェハＷに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を出力する。なお、図示していないが、サセプタ１０の内部にはヒータ（図示せず）が設けられ、ウェハＷを所定の温度に加熱することができる。
【００２１】
なおサセプタ１０の下方には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは、サセプタ１０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、サセプタ１０の上面から突出可能になっている。
【００２２】
サセプタ１０の上面には、ウェハＷを囲むように環状のフォーカスリング１３が設けられている。フォーカスリング１３には例えばセラミックスあるいは石英などの絶縁性材料が用いられる。
【００２３】
処理容器２の本体部２ａの底部には、例えば本体部２ａの側方に突出している排気室２０が形成されている。排気室２０の底面には、処理容器２内を排気する排気機構２１が、排気管２２を介して接続されている。排気管２２には、排気機構２１による排気量を調整する調整弁２３が設けられている。
【００２４】
排気室２０の上方には、処理容器２内を均一に排気するための円環状のバッフル板２４が、サセプタ１０の外側面と本体部２ａの側壁２ｃとの間に設けられている。バッフル板２４には、当該バッフル板２４を厚み方向に貫通する開口が全周にわたって形成されている。
【００２５】
処理容器２の本体部２ａの側壁２ｃにおけるバッフル板２４の上方には、ウェハＷの搬入出口２５が形成されている。搬入出口２５には、開閉自在に構成されたゲートバルブ２６が設けられ、ゲートバルブ２６を閉止することで、処理容器２の内部は気密に閉鎖される。
【００２６】
処理容器２の天井面開口部には、処理容器２内にプラズマ生成用のマイクロ波を供給する、ラジアルラインスロットアンテナ３が設けられている。ラジアルラインスロットアンテナ３は、マイクロ波透過板３１、スロット板３２、遅波板３３を有している。マイクロ波透過板３１、スロット板３２、遅波板３３は、この順に下から積層して設けられ、マイクロ波透過板３１は、処理容器２の本体部２ａの開口部近傍から内側に突出して設けられた円環状の支持部材３４により支持されている。マイクロ波透過板３１と支持部材３４との間は、例えばＯリング等のシール材（図示せず）により気密に保たれている。マイクロ波透過板３１には誘電体、例えば石英、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ等が用いられ、マイクロ波を透過させる機能を有する。遅波板３３の上面は、蓋体２ｂによって覆われている。
【００２７】
マイクロ波透過板３１の上面に設けられたスロット板３２には複数のスロットが形成され、スロット板３２はアンテナとして機能する。スロット板３２には、導電性を有する材料、たとえば銅、アルミニウム、ニッケル等が用いられる。
【００２８】
スロット板３２の上面に設けられた遅波板３３は、低損失誘電体材料、例えば石英、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ等により構成されており、マイクロ波の波長を短縮する機能を有する。
【００２９】
遅波板３３の上面を覆う蓋体２ｂは、その内部に例えば冷却媒体を流通させる円環状の流路３５が複数設けられている。流路３５を流れる冷却媒体によって、蓋体２ｂ、マイクロ波透過板３１、スロット板３２及び遅波板３３が所定の温度に調節される。
【００３０】
蓋体２ｂの中央部には同軸導波管４０が接続されている。同軸導波管４０の上端部には、矩形導波管４１およびモード変換器４２を介して、マイクロ波発生源４３が接続されている。マイクロ波発生源４３は、処理容器２の外部に設置されており、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させることができる。
【００３１】
同軸導波管４０は、内部導体４４と外管４５を有している。内部導体４４は、スロット板３２と接続されている。内部導体４４のスロット板３２側は円錐形に形成されて、スロット板３２に対してマイクロ波を効率よく伝播するようになっている。
【００３２】
かかる構成により、マイクロ波発生源４３から発生したマイクロ波は、矩形導波管４１、モード変換器４２、同軸導波管４０内を順次伝播し、遅波板３３で圧縮され短波長化される。そして、スロット板３２から円偏波状のマイクロ波が、マイクロ波透過板３１を透過して処理容器２内に照射される。このマイクロ波により処理容器２内では処理ガスがプラズマ化し、このプラズマによりウェハＷのプラズマ処理が行われる。
【００３３】
処理容器２の天井面中央部、すなわちラジアルラインスロットアンテナ３の中央部には、第１のガス供給管５０が設けられている。第１のガス供給管５０はラジアルラインスロットアンテナ３を上下方向に貫通し、当該第１のガス供給管５０の一端部はマイクロ波透過板３１の下面において開口している。また、第１のガス供給管５０は同軸導波管４０の内部導体４４の内部を貫通し、さらにモード変換器４２内を挿通している。当該第１のガス供給管５０の他端部は第１のガス供給源５１に接続されている。
【００３４】
第１のガス供給源５１の内部には、処理ガス、パージガス及びクリーニングガスがそれぞれ個別に貯留されている。処理ガスとしては、例えばＴＳＡ（トリシリルアミン）、Ｎ２ガス、Ｈ２ガス、Ａｒガスがそれぞれ個別に貯留されている。このうち、ＴＳＡ、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスはＳｉＮ膜の成膜用の原料ガスであり、Ａｒガスはプラズマ励起用ガスである。クリーニングガスとしては、例えばＣＦ４ガスが貯留されている。
【００３５】
第１のガス供給管５０には、当該第１のガス供給管５０内のガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群５２が設けられている。第１のガス供給源５１から供給された処理ガスまたはクリーニングガスは、第１のガス供給管５０を介して処理容器２内に供給され、サセプタ１０に載置されたウェハＷに向かって鉛直下方に流れる。
【００３６】
また、図１に示すように、処理容器２の上部の内周面には、第２のガス供給管６０が設けられている。第２のガス供給管６０は、処理容器２の内周面に沿って等間隔に複数設けられている。第２のガス供給管６０には、第２のガス供給源６１が接続されている。第２のガス供給源６１の内部には、処理ガスとして、例えばＴＳＡ（トリシリルアミン）、Ｎ２ガス、Ｈ２ガス、Ａｒガスがそれぞれ個別に貯留されている。パージガスとしては、例えば窒素ガスが貯留されている。クリーニングガスとしては、例えばＣｌ、ＣＦ４ガスが貯留されている。
【００３７】
第２のガス供給管６０には、当該第２のガス供給管６０内のガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群６２が設けられている。第２のガス供給源６１から供給された処理ガスまたはクリーニングガスは、第２のガス供給管６０を介して処理容器２内に供給され、サセプタ１０に載置されたウェハＷの外周部に向かって流れる。このように、第１のガス供給管５０からのガスはウェハＷの中心部に向けて供給され、第２のガス供給管６０からのガスはウェハＷの外周部に向けて供給される。
【００３８】
そして本実施の形態の形態においては、図２に示したように、天板部のマイクロ波透過板３１を直接支持する支持部材３４の表面、すなわちプラズマに曝される表面には、プラズマ耐性に優れた材料によってコーティングされてなる被膜Ｃ１が形成されている。本実施の形態の形態では、被膜Ｃ１の材料には耐プラズマ性の高いイットリア（酸化イットリウム：Ｙ２Ｏ３）が採用されている。一方、支持部材３４から続く本体部２ａの側壁２ｃの表面、すなわちプラズマに曝される表面には、プラズマ耐性に優れた材料によってコーティングされてなる被膜Ｃ２が形成されている。本実施の形態の形態では、被膜Ｃ２の材料には耐プラズマ性の高いＡｌ２Ｏ３が採用されている。このように本実施の形態においては、天板部を支持する支持部材３４と支持部材３４から続く側壁２ｃの表面には、各々異なった材料であるＹ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３とによってコーティングされている。
【００３９】
以上のプラズマ処理装置１には、図１に示すように制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、上述の超音波振動発生機構７０やマイクロ波発生源４３、各ガス供給源５１、６１といった機器の動作を制御して、プラズマ処理装置１における後述のプラズマ処理やクリーニング方法を実現させるためのプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。
【００４０】
本実施の形態にかかるプラズマ処理装置１は以上のように構成されている。次に、本実施の形態にかかるプラズマ処理装置１の部材の交換判断方法について説明する。
【００４１】
まず製品ウェハＷに対する通常のプラズマ処理を行う。たとえば成膜処理を行う場合、処理容器２内に第１の処理ガス、第２の処理ガスを供給すると共に、マイクロ波発生源４３を作動させ、当該マイクロ波発生源４３において、例えば２．４５ＧＨｚの周波数で所定の電力のマイクロ波を発生させる。マイクロ波は、矩形導波管４１、モード変換器４２、同軸導波管４０、ラジアルラインスロットアンテナ３を介して、処理容器２内に照射される。このマイクロ波によって処理容器２内では処理ガスがプラズマ化し、プラズマ中で処理ガスの解離が進み、その際に発生したラジカル（活性種）によってウェハＷの表面に所定の膜が形成される。
【００４２】
なお、ウェハＷにプラズマ処理を行っている間、図示しない高周波電源により例えば１３．５６ＭＨｚの周波数で所定の電力の高周波がサセプタ１０に印加される。適切な範囲でのＲＦバイアスの印加により、プラズマ中のイオンをウェハＷへ引き込むように作用させることができる。
【００４３】
このようなプラズマ処理が繰り返し行われると、処理容器２内に徐々に反応生成物の膜が付着する。そのため、例えば所定枚数のウェハＷ処理が完了する毎に、処理容器２内に第１のクリーニングガス及び第２のクリーニングガスを供給して、クリーニングを実施する。
【００４４】
そしてそのような定期的なクリーニング作業を行った際、例えば処理枚数が、あらかじめ定めていた所定の枚数（例えば数千枚）、あるいは所定のロット数に達していた場合には、以下に説明する交換判断作業を行う。
【００４５】
まず模擬基板であるダミーウェハＤＷを処理容器２内にサセプタ１０上に載置し、通常の製品ウェハＷの処理の場合と同様、所定のガスを処理容器２内に導入し、また一方所定のパワーによってプラズマを生成する。そして通常の製品ウェハＷの処理と同じ時間、プラズマ処理を実施する。
【００４６】
次いでダミーウェハＤＷを処理容器２から搬出し、図２に示したようにパーティクルカウンター７１に搬送し、ダミーウェハＤＷ表面のパーティクル数を計測する。計測の結果、パーティクル数が、あらかじめ定めていたしきい値Ｎに達していない場合には、処理容器２内の各部材の交換は不要と判断する。
【００４７】
一方、計測の結果、パーティクル数が、あらかじめ定めていたしきい値Ｎ以上の場合には、ダミーウェハＤＷをパーティクルカウンター７１から搬出して、成分分析装置８１に搬送し、ダミーウェハＤＷ表面のパーティクルの成分を分析する。そして分析の結果、最も多いパーティクル数をもたらしているパーティクルの成分が処理容器２内のどの部材の被膜に由来するかを特定する。本実施の形態では、前記したように、支持部材３４の表面の被膜Ｃ１はＹ２Ｏ３からなっており、一方支持部材３４から続く側壁２ｃの表面の被膜Ｃ２には、Ａｌ２Ｏ３からなっているので、たとえば分析した結果、最も多いパーティクルの成分がＹ２Ｏ３の場合には、支持部材３４の表面が劣化、腐食していると判断し、最も多いパーティクルの成分がＡｌ２Ｏ３の場合には、側壁２ｃの表面が劣化、腐食していると判断する。これによって、前者の場合には、支持部材３４を交換すべき部材と判断し、後者の場合には、側壁２ｃが交換すべき部材と判断できるのである。
【００４８】
これによって、劣化、腐食が発生している部材を特定し、交換すべき部材のみを交換することができる。したがって従来よりも短時間で、かつ無駄なコストをかけずに当該部材を交換して、プラズマ処理装置1を再稼働させることができる。
【００４９】
なお成分分析装置８１としては、たとえば電子顕微鏡と併用されるエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）を用いることができる。
【００５０】
なお前記した実施の形態では、支持部材３４と側壁２ｃの表面の被膜Ｃ１、Ｃ２を異なった材料を用いてコーティングで形成した例であったが、それはこの２つの部材が、この種のプラズマ処理装置の処理容器内でプラズマ密度が高い領域に位置する部材であり、最も腐食、劣化が進む部材であったからである。しかしながら本発明は、もちろんこれに限らず、処理容器２の他の部材に対して適用することができ、その場合、当該他の部材の表面には、被膜Ｃ１、Ｃ２の材料とは異なった他の材料でコーティングして形成された被膜を形成すればよい。
【００５１】
そのような他の材料の被膜を形成する部材としては、処理容器２内へのガス供給口となる第２のガス供給管６０の処理容器２内でプラズマに曝される部材、サセプタ１０周辺部に位置し、ウェハＷ載置時の基板外周部に露出する、すなわちプラズマに曝されるフォーカスリング１３、バッフル板２４などが挙げられる。かかる場合、コーティングの材料は、前記したＹ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３とはそれぞれかつ相互に異なった材料を用いる必要があり、たとえばＡｌＮ、ＹＦ、ＰｒＯなどを使用することができる。もちろんこれらは一例であって、支持部材３４と側壁２ｃの表面の被膜Ｃ１、Ｃ２の材料は、Ｙ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３に限られず、支持部材３４と側壁２ｃの表面の被膜Ｃ１、Ｃ２、フォーカスリング１３、バッフル板２４の各コーティング材料は相互に異なっていれば、使用するコーティング材料の種類は各々任意のものを使用できる。
【００５２】
なお前記実施の形態では、ダミーウェハＤＷに対して、通常の製品ウェハＷの処理の場合と同様のプラズマ処理を行っていたが、それに限らず、不活性ガス（たとえばＡｒ、Ｈｅ、Ｎ２など）を処理容器２内に導入してプラズマを生成し、その後前記した実施の形態と同様に、パーティクルカウンター７１に搬送し、以後同様な手順を行って、しきい値Ｎに基づく判断、さらにその結果による成分分析装置８１への搬送、成分分析に基づく判断を行うようにしてもよい。こうすることで、通常の製品ウェハＷの処理の場合と同様のプラズマ処理を行う場合よりも、処理容器２内での時間を短縮することができ、判断に至るまでの時間を短くすることができる。
【００５３】
さらにまたプラズマを生成せず、処理容器２内に不活性ガス（たとえばＡｒ、Ｈｅ、Ｎ２など）を供給することに留め、以後、前記した実施の形態と同様に、パーティクルカウンター７１への搬送、しきい値Ｎに基づく判断、さらにその結果による成分分析装置８１への搬送、成分分析に基づく判断を行うようにしてもよい。こうすることで、さらに判断に至るまでの時間を短くすることができる。このようにガスの供給のみでも、部材表面からコーティング材料が剥げ落ちる場合もあり、かかる場合には、ガスの供給のみで以後の必要な判断を行なえることがある。
【００５４】
なおダミーウェハＤＷに対して上記したように、通常の製品ウェハＷと同様なプラズマ処理を行うか、処理容器２内に単にプラズマを生成するか、あるいはガスのみを供給して夫々以後の判断を行うかは、任意に選択することができ、コーティング材料の種類、積算処理枚数、積算処理時間、プラズマ処理の種類などによって、適切なものを選択すればよい。ただし、通常の製品ウェハＷと同様なプラズマ処理を行う場合、単にプラズマを生成するだけの場合、そしてガスのみを供給する場合では、各々パーティクルの発生量が異なっているので、しきい値Ｎも、後述のしきい値Ｍについては各々の場合に応じて、個別に適切なものを設定しておくとよい。
【００５５】
さらにまた前記した実施の形態においては、成分分析装置８１での分析の結果、最も多いパーティクル数をもたらしているパーティクルの成分が処理容器２内のどの部材の被膜に由来するかを特定するようにしていたが、これに限らず、パーティクル数が所定のしきい値Ｍを超えている成分を有するコーティング材料によってコーティングされた部材を、すべて交換すべき部材と判断するようにしてもよい。これによって、たとえばパーティクル数が最も多くはないものの、実態は交換すべき状態にある部材も特定することができる。すなわち１の部材だけではなく、複数の部材の交換の判断を同時に行うことができる。
【００５６】
以上の実施の形態では、マイクロ波によってプラズマを生成する成膜装置を例として挙げたが、もちろん成膜装置に限らず、エッチング装置、スパッタリング装置であってもよく、またマイクロ波に限らず、平行平板プラズマや、ＩＣＰプラズマ等、他の手段によりプラズマを生成するプラズマ処理装置であってもよい。また基板もウェハに限らず、ガラス基板、有機ＥＬ基板、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用の基板等であってもよい。
【００５７】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、例えば基板に対してプラズマ処理を行う装置に対して有用である。
【符号の説明】
【００５９】
１    プラズマ処理装置
２    処理容器
２ｃ  側壁
３    ラジアルラインスロットアンテナ
１０  サセプタ
１１  電極
１２  電源
１３  フォーカスリング
２０  排気室
２１  排気機構
２２  排気管
２３  調整弁
２４  バッフル板
２５  搬入出口
３１  マイクロ波透過板
３２  スロット板
３３  遅波板
３４  支持部材
４０  同軸導波管
７１  パーティクルカウンター
８１  成分分析装置
１００  制御部
Ｃ１、Ｃ２  被膜
ＤＷ  ダミーウェハ
Ｗ  ウェハ
【図１】
2016122772.tif 000003
【図２】
2016122772.tif 000004
【図３】
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