(57)【要約】【課題】製造コストの低減化を図りながら、所望する外形形状の表示パネル用基板を製造すること。【解決手段】遮光部を有する表示パネル用基板の製造方法であって、基板２０Ａ上に遮光性を有するネガ型のレジスト膜ＲＦ１を形成するレジスト膜形成工程と、レジスト膜形成工程の後に、少なくとも遮光部のパターンに応じたパターンを有するフォトマスクを介してレジスト膜ＲＦ１の一部を選択的に露光する第１露光工程と、レジスト膜形成工程の後に、表示パネル用基板の外形形状に沿ってレジスト膜ＲＦ１に光を走査させつつ照射することで、レジスト膜ＲＦ１の一部を選択的に露光する第２露光工程と、第１露光工程及び第２露光工程の後に、レジスト膜ＲＦ１を現像することで、レジスト膜ＲＦ１のうち第１露光工程及び第２露光工程で露光されなかった部分を除去して基板２０Ａ上にレジスト膜ＲＦ１からなる遮光部のパターンを形成する現像工程と、を備える。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネル面内の一部に遮光部を有する表示パネル用基板の製造方法であって、
基板上に遮光性を有するネガ型のレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜形成工程の後に、少なくとも前記遮光部のパターンに応じたパターンを有するフォトマスクを介して前記レジスト膜の一部を選択的に露光する第１露光工程と、
前記レジスト膜形成工程の後に、前記表示パネル用基板の外形形状に沿って前記レジスト膜に光を走査させつつ照射することで、該レジスト膜の一部を選択的に露光する第２露光工程と、
前記第１露光工程及び前記第２露光工程の後に、前記レジスト膜を現像することで、該レジスト膜のうち前記第１露光工程及び前記第２露光工程で露光されなかった部分を除去して前記基板上に前記レジスト膜からなる前記遮光部のパターンを形成する現像工程と、
を備える表示パネル用基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２露光工程では、前記基板の両板面のうち前記レジスト膜形成工程で前記レジスト膜を形成した板面とは反対側の板面を露光する、請求項１に記載の表示パネル用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示される技術は、パネル面内の一部に遮光部を有する表示パネル用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置を構成する表示パネルの製造過程では、基板上に遮光部や着色部が形成されたカラーフィルタ基板等の表示パネル用基板が用いられることがある。上記遮光部を構成する微細なパターンは、パターンを有するフォトマスクを用いて露光及び現像を行うフォトリソグラフィー法によって、基板上に遮光性を有する、例えば黒色のレジスト膜をパターニングすることで形成される。例えば下記特許文献１には、基板上に黒色感光性樹脂組成物を塗布し、所定のパターンを有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法によって、基板上に所定のパターンを有するブラックマトリクス（遮光部）を形成するブラックマトリクス基板の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−４４８４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、表示装置を構成する表示パネル用基板は、平面視における外形形状が長方形状や正方形状であるものが一般的であるが、近年では、表示パネルの端縁部の大部分を加工することが可能となり、平面視における外形形状が半円形状や台形形状のもの等、様々な外形形状をなすものが製造されている。
【０００５】
このように表示パネル用基板の外形形状が異なると、表示パネル用基板の製造過程において、その外形形状に応じた形でレジスト膜等をパターニングするために、異なる外形形状毎にフォトマスクを用意する必要がある。しかしながら、フォトマスクは非常に高価であるため、表示パネル用基板の外形形状が異なる毎にフォトマスクを別途用意すると、表示パネル用基板の製造コストが増大する。
【０００６】
本明細書で開示される技術は、上記の課題に鑑みて創作されたものであって、製造コストの低減化を図りながら、所望する外形形状の表示パネル用基板を製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書で開示される技術は、パネル面内の一部に遮光部を有する表示パネル用基板の製造方法であって、基板上に遮光性を有するネガ型のレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜形成工程の後に、少なくとも前記遮光部のパターンに応じたパターンを有するフォトマスクを介して前記レジスト膜の一部を選択的に露光する第１露光工程と、前記レジスト膜形成工程の後に、前記表示パネル用基板の外形形状に沿って前記レジスト膜に光を走査させつつ照射することで、該レジスト膜の一部を選択的に露光する第２露光工程と、前記第１露光工程及び前記第２露光工程の後に、前記レジスト膜を現像することで、該レジスト膜のうち前記第１露光工程及び前記第２露光工程で露光されなかった部分を除去して前記基板上に前記レジスト膜からなる前記遮光部のパターンを形成する現像工程と、を備える表示パネル用基板の製造方法に関する。
【０００８】
上記の表示パネル用基板の製造方法では、第１露光工程でフォトマスクを介してレジスト膜の一部を露光することで、レジスト膜のうち遮光部の微細なパターンに応じた部分について、高い精度で露光させることができる。そして、第２露光工程で表示パネル用基板の外形形状に沿ってレジスト膜に光を走査させつつ照射することで、レジスト膜のうち表示パネル用基板の外形形状に沿った部分について、フォトマスクを使用することなく露光させることができる。その後、現像工程でレジスト膜のうち第１露光工程及び第２露光工程で露光されなかった部分を除去することで、外形部分が表示パネル用基板の外形形状に応じた形の遮光部を基板上に形成することができる。このようにして形成された遮光部を有する表示パネル用基板は、遮光部が形成されていない領域にさらに着色部等を形成することで、例えば液晶パネルを構成するカラーフィルタ基板として用いることができる。その後、表示パネル用基板の外形形状に沿って基板を切断することで、所望する外形形状の表示パネル用基板を製造することができる。
【０００９】
このように上記の製造方法では、遮光部のパターンの外形部分について、フォトマスクを使用することなく、表示パネル用基板の外形形状に応じた形にパターニングできるため、フォトマスクを１枚使用するのみで、所望する表示パネル用基板の外形形状に応じたパターンの遮光部を基板上に形成することができる。つまり、外形形状が異なる表示パネルを製造しようとした場合に、目的とする表示パネル用基板の外形形状に沿って第２露光工程を施せば、その外形形状に沿った部分に遮光部が形成された基板を製造することができ、この外形形状に沿って基板を切断すれば、外側部分に遮光部が形成されていない領域が露出することのない表示パネル用基板を製造することができる。このため、異なる外形形状の表示パネル用基板を製造する場合であっても、用意すべきフォトマスクの数が嵩むことなく所望する外形形状の表示パネル用基板を製造することができ、製造コストの低減化を図ることができる。
【００１０】
上記の表示パネル用基板の製造方法において、前記第２露光工程では、前記基板の両板面のうち前記レジスト膜形成工程で前記レジスト膜を形成した板面とは反対側の板面を露光してもよい。
【００１１】
基板の両板面のうち第２露光工程で露光する板面がレジスト膜形成工程でレジスト膜を形成した板面側である場合、第１露光工程で露光されず第２露光工程で露光された領域では、現像工程後に残存するレジスト膜が、基板に近い側の部分よりも基板から遠い側の部分の方が基板の板面方向に突出した状態、いわゆるオーバーハング状態となることがある。このようにオーバーハング状態に残存したレジスト膜では、基板の板面方向に突出した部分が剥離し易く、表示パネルの製造後に表示不良の要因となり得る。上記の製造方法によると、第１露光工程で露光されず第２露光工程で露光された領域では、レジスト膜のうち基板側に位置する部分が最も強く光が当たることとなる。その結果、第２露光工程で露光された領域では、現像工程後に残存するレジスト膜が、基板から遠い側の部分よりも基板に近い側の部分の方が基板の板面方向に突出した状態となるので、当該突出した部分が基板と密着して剥離し難く、上記のように表示不良の要因となることを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本明細書で開示される技術によれば、製造コストの低減化を図りながら、所望する外形形状の表示パネル用基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態１に係る液晶パネルの概略平面図
【図２】図１におけるII−II断面の断面構成であって、液晶パネルの概略断面図
【図３】液晶パネルを構成するアレイ基板において、表示領域と額縁領域との境界部近傍の平面構成を示す平面図
【図４】第２露光領域と表示領域との境界部近傍において、液晶パネルをカラーフィルタ基板側から視た平面図
【図５】図４におけるV−V断面の断面構成であって、液晶パネルの概略断面図
【図６】カラーフィルタ基板の製造手順を説明するためのフロー図
【図７】カラーフィルタ基板の製造工程（１）を示す平面図
【図８】カラーフィルタ基板の製造工程（２）を示す平面図
【図９】カラーフィルタ基板の製造工程（３）を示す平面図
【図１０】カラーフィルタ基板の製造工程（４）を示す平面図
【図１１】カラーフィルタ基板の製造工程（５）を示す平面図
【図１２】実施形態２に係る液晶パネルの概略平面図
【図１３】実施形態２に係るカラーフィルタ基板の製造工程を示す平面図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜実施形態１＞
図１から図１１を参照して実施形態１を説明する。本実施形態では、液晶表示装置を構成する液晶パネル１０の製造方法について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で共通した方向となるように描かれている。また、図２及び図３では、図の上側を液晶パネル１０の上側（表側）とする。
【００１５】
まず、液晶パネル１０の構成について説明する。本実施形態で例示する液晶パネル１０は、平面視における外形形状が一般的な長方形状、正方形状ではなく、不等角の六角形状となっている。詳しくは、液晶パネル１０は、図１に示すように、図１において下側に位置する２つの角の角度が略９０°となっており、残りの４つの角の角度がそれぞれ略１３５°となっている。そして、液晶パネル１０の外形形状をなす輪郭線のうち２つの辺の延びる方向がＸ軸方向と一致しており、他の２つの辺の延びる方向がＹ軸方向と一致しており、他の２つの辺がＸ軸方向及びＹ軸方向に対して斜め方向に延びている。以下では、この斜め方向に延びる２つの辺をそれぞれ斜辺１１と称する。
【００１６】
液晶パネル１０では、その大部分に画像を表示可能な表示領域Ａ１が配され、表示領域Ａ１外の領域が、画像が表示されない非表示領域Ａ２とされている。非表示領域Ａ２のうち、表示領域Ａ１を囲む枠状の部分は、液晶パネル１０の額縁領域Ａ３とされる。また、額縁領域Ａ３のうち、後述する液晶パネル１０の製造過程における第２露光工程で露光される領域（額縁領域Ａ３のうち液晶パネル１０の外形形状の斜辺１１をなす部分）は第２露光領域Ａ４とされる。非表示領域Ａ２の一部であって、液晶パネル１０のＹ軸方向における一方の端部側（図１に示す下側）に偏った位置には、ＩＣチップ１２及びフレキシブル基板１４が実装されている。ＩＣチップ１２は、液晶パネル１０を駆動するための電子部品であり、フレキシブル基板１４は、ＩＣチップ１２に各種入力信号を外部から供給するコントロール基板１６を当該液晶パネル１０と接続するための基板である。
【００１７】
液晶パネル１０は、図１及び図２に示すように、透光性に優れた一対のガラス製の基板２０、３０と、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層１８と、を備えている。液晶パネル１０を構成する両基板２０，３０は、液晶層１８の厚さ分のセルギャップを維持した状態でシール剤４０によって貼り合わされている。両基板２０，３０のうち、表側（正面側）の基板２０がカラーフィルタ基板（表示パネル用基板の一例）２０とされ、裏側（背面側）の基板３０がアレイ基板３０とされる。両基板２０，３０の内面側には、液晶層１８に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜１０Ａ，１０Ｂがそれぞれ形成されている。両基板２０，３０を構成するガラス基板２０Ａ，３０Ａの外面側には、それぞれ偏光板１０Ｃ，１０Ｄが貼り付けられている。
【００１８】
アレイ基板３０を構成するガラス基板（基板の一例）３０Ａは、その主要部分にカラーフィルタ基板２０及び偏光板１０Ｄが貼り合わされており、ＩＣチップ１２及びフレキシブル基板１４の実装領域が確保された部分がカラーフィルタ基板２０及び偏光板１０Ｄと非重畳とされている。液晶パネル１０を構成する両基板２０，３０を貼り合わせるためのシール剤４０は、両基板２０，３０が重なり合う部分において、表示領域Ａ１を囲むように、カラーフィルタ基板２０の外形に沿って額縁領域Ａ３内（シール剤４０の一部は第２露光領域Ａ４内）に配されている。
【００１９】
カラーフィルタ基板２０を構成するガラス基板２０Ａは、その主要部分にアレイ基板３０及び偏光板１０Ｃが貼り合わされている。カラーフィルタ基板２０は、図１に示すように、Ｘ軸方向の寸法がアレイ基板３０とほぼ同等であるものの、Ｙ軸方向の寸法がアレイ基板３０よりも小さく、アレイ基板３０に対してＹ軸方向についての一方の端部（図１に示す上側、輪郭線が曲線状とされた側）を揃えた状態で貼り合わされている。従って、アレイ基板３０のうちＹ軸方向についての他方の端部（図１に示す下側）は、所定範囲に亘ってカラーフィルタ基板２０が重なり合うことがなく、表裏両板面が外部に露出した状態とされており、ここにＩＣチップ１２及びフレキシブル基板１４の実装領域が確保されている。
【００２０】
続いてアレイ基板３０における表示領域Ａ１内の構成について説明する。本実施形態に係る液晶パネル１０は、動作方式がＦＦＳ（Fringe Field Swiching）方式のノーマリホワイト型であり、図２に示すように、一対の基板２０，３０のうちアレイ基板３０側に画素電極３４及び共通電極３５が共に形成されている。共通電極３５はアレイ基板３０を構成するガラス基板３０Ａとの間に第１絶縁膜３９Ａを挟んで配されており、画素電極３４は共通電極３５との間に第２絶縁膜３９Ｂを挟んで共通電極３５とは異なる層に配されている。画素電極３４及び共通電極３５はいずれも、透明電極材料からなる透明電極膜とされる。本実施形態では、画素電極３４及び共通電極３５のうち、画素電極３４が相対的に上側に配置され、共通電極３５が相対的に下側に配置された構成とされている。
【００２１】
液晶パネル１０の表示領域Ａ１では、アレイ基板３０を構成するガラス基板３０Ａの内面側（液晶層１８側）に、積層された複数の薄膜パターンが形成されている。具体的には、アレイ基板３０を構成するガラス基板３０Ａの内面側には、図３に示すように、ゲート電極３２Ｇ、ソース電極３２Ｓ、及びドレイン電極３２Ｄを有するスイッチング素子であるＴＦＴ３２と、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなり、後述するＴＦＴ３２のドレイン電極３２Ｄに接続された画素電極３４と、が多数個ずつマトリクス状に並んで設けられている。一方、液晶パネル１０の非表示領域Ａ２では、アレイ基板３０に図示しない共通電極配線が配設されており、この共通電極配線が図示しないコンタクトホールを介して共通電極３５と接続されている。
【００２２】
アレイ基板３０におけるＴＦＴ３２及び画素電極３４の周りには、図３に示すように、格子状をなすゲート配線３６Ｇ及びソース配線３６Ｓが取り囲むようにして配設されている。ゲート配線３６ＧはＸ軸方向に沿って伸びているのに対し、ソース配線３６ＳはＹ軸方向に沿って伸びており、両配線３６Ｇ，３６Ｓは直交するものとされる。ゲート配線３６Ｇは、その一部がソース配線３６Ｓと交差する部位の近傍からソース配線３６Ｓと平行に伸びる形で分岐している。ソース配線３６Ｓもまた、その一部がゲート配線３６Ｇと交差する部位の近傍からゲート配線３６Ｇと平行に伸びる形で分岐している。そして、ゲート配線３６Ｇが分岐して伸びる先端部とソース配線３６Ｓが分岐して伸びる先端部とが平面視において重畳しており、その重畳する部位にＴＦＴ３２が設けられている。ゲート配線３６Ｇのうち平面視においてＴＦＴ３２と重畳する部位は、ＴＦＴ３２のゲート電極３２Ｇを構成しており、ソース配線３６Ｓのうち平面視においてゲート電極３２Ｇと重畳する部位は、ＴＦＴ３２のソース電極３２Ｓを構成している。また、ＴＦＴ３２は、ソース電極３２Ｓとの間にＸ軸方向について所定の間隔を空けつつ対向状に配されることで島状をなすドレイン電極３２Ｄを有している。
【００２３】
画素電極３４は、図３に示すように、ゲート配線３６Ｇとソース配線３６Ｓとに囲まれた領域の略全域に設けられ、平面視において縦長の長方形状をなしている。一方、共通電極３５は、画素電極３４よりも下層側において複数の画素電極３４に跨る形でベタ状のパターンとして形成されている。また、アレイ基板３０には、ゲート配線３６Ｇに並行するとともに画素電極３４に対して平面に視て重畳する容量配線（不図示）が設けられている。この容量配線は、Ｙ軸方向についてゲート配線３６Ｇと交互に配されている。ゲート配線３６ＧがＹ軸方向に隣り合う画素電極３４の間に配されているのに対し、容量配線は、各画素電極３４におけるＹ軸方向のほぼ中央部を横切る位置に配されている。このアレイ基板３０の端部には、ゲート配線３６Ｇ及び容量配線から引き回された端子部及びソース配線３６Ｓから引き回された端子部が設けられている。これらの各端子部には、図１に示すコントロール基板１６から各信号または基準電位が入力されるようになっており、それによりＴＦＴ３２の駆動が制御される。
【００２４】
ＴＦＴ３２では、ゲート電極３２Ｇの上層側に、ソース電極３２Ｓとドレイン電極３２Ｄとの間を架け渡す形で図示しない半導体膜が形成されている。ここでＴＦＴ３２では、ソース電極３２Ｓ及びドレイン電極３２Ｄが所定の間隔を挟んで対向状に配されており、相互が直接的には電気的に接続されていない。しかし、ソース電極３２Ｓ及びドレイン電極３２Ｄは、その下層側の半導体膜を介して間接的に電気的に接続されており、この半導体膜における両電極３２Ｓ，３２Ｄ間のブリッジ部分が、ドレイン電流が流れるチャネル領域として機能する。
【００２５】
ＴＦＴ３２の近傍では、第１絶縁膜３９Ａ及び第２絶縁膜３９Ｂのうち、平面視においてドレイン電極３２Ｄの一部と重畳する位置に、コンタクトホールＣＨ１が上下に貫通する形で形成されており、コンタクトホールＣＨ１の開口内にドレイン電極３２Ｄが露出している。画素電極３４は、このコンタクトホールＣＨ１を跨ぐ形で形成されており、コンタクトホールＣＨ１を通して画素電極３４がドレイン電極３２Ｄに接続されている。画素電極３４がドレイン電極３２Ｄに接続されることで、ＴＦＴ３２のゲート電極３２Ｇが通電すると（ＴＦＴ３２がオンされると）、チャネル領域を介してソース電極３２Ｓとドレイン電極３２Ｄとの間に電流が流されるとともに、画素電極３４に所定の電圧が印加されるようになっている。ここで、画素電極３４のうちゲート配線３６Ｇ及びソース配線３６Ｓによって囲まれた部位には、図３に示すように、わずかに屈曲した縦長のスリット状の開口（以下、「スリット開口部３４Ａ」と称する）が３本形成されている。３本のスリット開口部３４Ａは、所定の間隔を空けてソース配線３６Ｓに沿う形で、画素毎にそれぞれ形成されている。
【００２６】
共通電極３５には、共通電極配線から基準電位が印加されるようになっており、ＴＦＴ３２によって画素電極３４に印加する電位を制御することで、画素電極３４と共通電極３５との間に所定の電位差を生じさせることができる。画素電極３４と共通電極３５との間に電位差が生じると、液晶層１８には、画素電極３４のスリット開口部３４Ａによってアレイ基板３０の板面に沿う成分に加え、アレイ基板３０の板面と直交する方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が印加される。これにより、液晶層１８に含まれる液晶分子のうち、スリット開口部３４Ａ上に存在するものに加えて、共通電極３５上に存在するものもその配向状態を適切にスイッチングすることができる。このため、液晶パネル１０の開口率が高くなり、十分な透過光量が得られるとともに、高い視野角性能を得ることができる。
【００２７】
なお、ＴＦＴ３２を構成する上記半導体膜は、酸化物半導体からなっており、半導体膜をなす具体的な酸化物半導体としては、例えばインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含む透明なIn−Ga−Zn−O系半導体（酸化インジウムガリウム亜鉛）が用いられる。ここで、In−Ga−Zn−O系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等を含む。半導体膜をなす酸化物半導体（In−Ga−Zn−O系半導体）は、アモルファスでもよいが、好ましくは結晶質部分を含む結晶性を有するものとされる。結晶性を有する酸化物半導体としては、例えば、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質In−Ga−Zn−O系半導体が好ましい。このような酸化物半導体（In−Ga−Zn−O系半導体）の結晶構造は、例えば、特開２０１２−１３４４７５号公報に開示されている。参考のために、特開２０１２−１３４４７５号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。
【００２８】
また、半導体膜は、電子移動度がアモルファスシリコン薄膜等に比べると、例えば２０倍〜５０倍程度高くなっているので、ＴＦＴ３２を容易に小型化して画素電極３４の透過光量を極大化することができる。このため液晶パネル１０の高精細化及びこの液晶パネル１０に光を供給するバックライト装置の低消費電力化を図る上で好適とされる。しかもＴＦＴ３２のチャネル領域の材料を酸化物半導体とすることで、仮にチャネル領域の材料としてアモルファスシリコンを用いた場合に比べると、ＴＦＴ３２のオフ特性が高く、オフリーク電流が例えば１００分の１程度と極めて少なくなるので、画素電極３４の電圧保持率が高くなり、液晶パネル１０の低消費電力化を図る上で好適とされる。このようなチャネル領域を有するＴＦＴ３２は、ゲート電極３２Ｇが最下層に配され、その上層側にゲート絶縁膜３８を介してチャネル領域が積層されてなる、いわゆる逆スタガ型とされており、一般的なアモルファスシリコン薄膜を有するＴＦＴと同様の積層構造とされる。
【００２９】
続いてカラーフィルタ基板２０における表示領域Ａ１内の構成について説明する。表示領域Ａ１内において、カラーフィルタ基板２０を構成するガラス基板２０Ａの内面側（液晶層１８側）には、図２に示すように、アレイ基板３０の各画素電極３４と平面に視て重畳する位置に多数個ずつマトリクス状に並列して配置されたカラーフィルタ２２が並んで設けられている。カラーフィルタ２２は、Ｒ（赤色）の着色部，Ｇ（緑色）の着色部，Ｂ（青色）の着色部から構成されている。カラーフィルタ２２を構成する各着色部の間には、混色を防ぐための略格子状の遮光部（ブラックマトリクス）２３が形成されている。遮光部２３は、アレイ基板３０に設けられたゲート配線３６Ｇ、ソース配線３６Ｓ、及び容量配線に対して平面に視て重畳する配置とされる。遮光部２３は遮光性を有する黒色の感光性樹脂（レジスト膜）からなっており、カラーフィルタ２２を構成する各着色部は各色に着色された感光性樹脂（レジスト膜）からなっている。
【００３０】
ここで、図４以降の平面図では、カラーフィルタ２２を構成する各着色部のうち、赤色の着色部を縦線の模様を施した領域で表すとともに符号２２Ｒで示し、緑色の着色部を斜線の模様を施した領域で表すとともに符号２２Ｇで示し、青色の着色部を横線の模様を施した領域で表すとともに符号２２Ｂで示す。図４に示すように、カラーフィルタ基板２０では、行方向（Ｘ軸方向）に沿って赤色の着色部２２Ｒ，緑色の着色部２２Ｇ，青色の着色部２２Ｂの組み合わせが繰り返し配置されており、列方向（Ｙ軸方向）に沿って同色の着色部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂが並んで配置されている（図４参照）。
【００３１】
液晶パネル１０では、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色の着色部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ及びそれらと対向する３つの画素電極３４の組み合わせ毎に表示単位である１つの表示画素が構成されている。表示画素は、Ｒの着色部２２Ｒを有する赤色画素と、Ｇの着色部２２Ｇを有する緑色画素と、Ｂの着色部２２Ｂを有する青色画素とからなる。これら各色の画素は、液晶パネル１０の板面において行方向（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し並べて配されることで、画素群を構成しており、この画素群が列方向（Ｙ軸方向）に沿って多数並んで配されている。
【００３２】
続いて液晶パネル１０における第２露光領域Ａ４内及びその近傍の構成について説明する。液晶パネル１０における第２露光領域Ａ４内及びその近傍では、図４及び図５に示すように、カラーフィルタ基板２０を構成するガラス基板２０Ａの内面側（液晶層１８側）の大部分に遮光部２３が形成されており、残部に各着色部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂが形成されている。なお、図４に示す第２露光領域Ａ４内において２つの一点鎖線で挟まれる領域は、シール剤４０が配される領域を示している。第２露光領域Ａ４では、図３に示すように、ガラス基板２０Ａと配向膜１０Ａとの間において、ガラス基板２０Ａ寄りの部分の全域に遮光部２３が形成されており、配向膜１０Ａ寄り（液晶層１８寄り）の一部にカラーフィルタ２２が形成されている。また、第２露光領域Ａ４では、図３に示すように、遮光部２３の端部が断面視においてテーパ状となっている（以下、このテーパ状となった部分を「テーパ部２３Ｔ」と称する）。
【００３３】
次に、本実施形態の液晶パネル１０の製造方法について説明する。以下では、カラーフィルタ基板２０の製造方法について特に詳しく説明するものとし、先にカラーフィルタ基板２０の製造方法について説明する。カラーフィルタ基板２０の製造方法は、図６に示すように、レジスト膜形成工程と、第１露光工程と、第２露光工程と、現像工程と、着色部形成工程と、を備えており、この順に各工程が行われる。なお本実施形態の製造方法では、後述する工程において１枚のガラス基板２０Ａを分断することで、１枚のガラス基板２０Ａから２つの液晶パネル１０を製造する。即ち、ガラス基板２０Ａ上の２箇所（以下、「上記２箇所」と称する）にそれぞれカラーフィルタ基板２０を構成する遮光部２３のパターン及びカラーフィルタ２２のパターンを形成する。
【００３４】
本実施形態のカラーフィルタ基板２０の製造工程では、まず、図７に示すように、ガラス基板２０Ａ上の全域に亘って遮光部２３を構成する遮光性を有するネガ型の黒色のレジスト膜ＲＦ１を形成する（レジスト膜形成工程）。次に、図８に示すように、次に、形成する平面視略格子状の遮光部２３のパターンＲＰ１（図１０参照）と対応する部分が開口されたパターンを有するフォトマスクを用意し、そのフォトマスクを介してレジスト膜ＲＦ１の一部を選択的に露光する（第１露光工程）。この第１露光工程では、ガラス基板２０Ａの両板面のうちレジスト膜ＲＦ１を形成した側の板面を露光する。その結果、レジスト膜ＲＦ１に当該フォトマスクのパターンが転写される。即ち、図８に示すように、レジスト膜ＲＦ１のうち形成する遮光部２３のパターンＲＰ１と対応する部分が露光される。なお、図９において、薄く示す部分はレジスト膜ＲＦ１のうちフォトマスクを介して露光された部分であり、濃く示す部分（ガラス基板２０Ａ上の外縁を囲む枠状の部分及びマトリクス状に並ぶ複数の矩形状の部分）はレジスト膜ＲＦ１のうち露光されなかった部分である。
【００３５】
次に、レジスト膜ＲＦ１上の上記２箇所に対して、第１露光工程で露光した範囲内において、カラーフィルタ基板２０の外形形状に沿ってそれぞれ光を走査させつつ照射することで、レジスト膜ＰＦ１の一部を選択的に露光する（第２露光工程）。具体的には、製造する液晶パネル１０の外形形状のうち第１露光工程で用いたフォトマスクのパターンと異なる部分、即ち製造する液晶パネル１０の外形形状のうち斜辺１１をなす部分に沿ってそれぞれ光を走査させつつ照射する。この第２露光工程では、フォトマスクを使用することなく、ガラス基板２０Ａの両板面のうちレジスト膜を形成した板面とは反対側の板面に対して紫外レーザを照射する。紫外レーザの照射幅は、０．５ｍｍ〜１０ｍｍであり、好ましくは１ｍｍ〜５ｍｍである。第２露光工程では、紫外レーザを上記照射幅でレジスト膜ＲＦ１上に１回走査させることで、レジスト膜ＲＦ１の一部を選択的に露光する。なお、図９において、第１露光工程で露光されなかった部分（マトリクス状に並ぶ複数の矩形状の部分）の一部を斜め方向に跨るように薄く示す部分が、第２露光工程で光が照射された部分である。
【００３６】
次に、ガラス基板３０ＡをＴＭＡＨ（Tetra Methyl Ammonium Hydroxide）水溶液等の現像液に浸し、レジスト膜ＲＦ１を現像する（現像工程）。その結果、図１０に示すように、レジスト膜ＲＦ１のうち第１露光工程及び第２露光工程で露光されなかった部分（図８において濃く示されたマトリクス状に並ぶ複数の矩形状の部分）が除去されるとともに露光された部分が残存し、ガラス基板２０Ａ上の上記２箇所にそれぞれ略格子状をなす遮光部２３のパターンＰ１が形成される。遮光部２３のパターンＰ１によって囲まれる各領域（図１１において符号Ａ５で示す部分）には、後述する着色部形成工程において各着色部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂが形成される。
【００３７】
なお、現像工程の後に、超純水等の洗浄液を用いてガラス基板３０Ａを洗浄する洗浄工程を行ってもよい。これにより、レジスト膜ＲＦ１のうち第１露光工程及び第２露光工程で露光されなかった部分を高い精度で除去することができる。また、上記洗浄工程の後に、ガラス基板２０Ａを加熱するポストベーク工程を行ってもよい。これにより、上記洗浄工程でガラス基板２０Ａ上及び遮光部２３のパターンＰ１上に付着した洗浄液を除去できるとともに、ガラス基板２０Ａと遮光部２３との間の密着性を向上させることができる。
【００３８】
次に、既知のフォトリソグラフィー法を用いて、遮光部２３のパターンＰ１によって囲まれる各領域（図１０に示す領域Ａ５）に、カラーフィルタ２２を構成する着色されたレジスト膜からなる各着色部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを形成する（着色部形成工程）。着色部形成工程では、図１１に示すように、製造するカラーフィルタ基板２０における各着色部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの配列に従って、遮光部２３のパターンＰ１に囲まれる領域毎に異なる色で３つの色からなる各着色部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを形成する、次に、ガラス基板２０Ａ上に形成された遮光部２３のパターンＰ１及び各着色部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを覆う形で保護膜としての透明な絶縁膜（不図示）を形成し、その絶縁膜の表面に配向膜１０Ａを形成する。以上の手順により、１枚のガラス基板２０Ａ上に２つのカラーフィルタ基板２０が完成する。
【００３９】
ここで、アレイ基板３０の製造方法について簡単に説明する。なお、アレイ基板３０についてもカラーフィルタ基板２０と同様に、後述する工程において１枚のガラス基板３０Ａ上に２つのアレイ基板３０を形成する。アレイ基板３０の製造過程では、まず、ガラス基板３０Ａ上の全域に亘ってゲート配線３６Ｇ及びゲート電極３２Ｇを構成する金属積層膜を形成し、既知のフォトリソグラフィー法を用いてガラス基板３０Ａ上にゲート配線３６Ｇ及びゲート電極３２Ｇの薄膜パターンを形成する。その後、同様の手順を繰り返して行うことで、アレイ基板３０を構成するガラス基板３０Ａ上に積層される複数の薄膜パターンを形成する。その後、アレイ基板３０を構成する全ての薄膜パターンの表面に配向膜１０Ｂを形成する。以上の手順により、１枚のガラス基板３０Ａ上に２つのアレイ基板３０が完成する。
【００４０】
次に、アレイ基板３０の外形形状に沿って、アレイ基板３０を構成するガラス基板３０Ａ上にアレイ基板３０の外形形状に沿ってそれぞれシール剤４０を塗布し、シール剤４０を介してカラーフィルタ基板２０が形成されたガラス基板２０Ａとアレイ基板３０が形成されたガラス基板３０Ａとを貼り合わせることで、貼り合わせ基板を形成する。両ガラス基板を貼り合わせることにより、図４に示す第２露光領域Ａ４内において２つの一点鎖線で挟まれる領域に、シール剤４０が配された状態となる。つまり、製造する液晶パネル１０の外形形状に沿ってシール剤４０が配され、表示領域Ａ１を構成する遮光部２３及び各着色部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂがシール剤４０の内側に配された状態となる。
【００４１】
次に、上記貼り合わせ基板の上記２箇所に対応する部分の境界部分を切断して貼り合わせ基板を２つに分断し、その後、２つに分断された各貼り合わせ基板を、製造する液晶パネル１０の外形形状に沿って細かく分断する。貼り合わせ基板を上記境界部分に沿って切断する際には、隣り合うシール剤４０の間が切断される。次に、２つに分断された各貼り合わせ基板について、アレイ基板３０とカラーフィルタ基板２０の間に液晶層１８を注入し、両基板２０，３０の間に液晶層１８を充填させる。その後、各貼り合わせ基板について、両基板２０，３０の外面側にそれぞれ偏光板１０Ｃ、１０Ｄを貼り付けることで、２つの液晶パネル１０が完成する。
【００４２】
以上説明したように本実施形態のカラーフィルタ基板２０の製造方法では、第１露光工程でフォトマスクを介してレジスト膜ＲＦ１の一部を露光することで、レジスト膜ＲＦ１のうち平面視略格子状をなす遮光部２３の微細なパターンに応じた部分について、高い精度で露光させることができる。そして、第２露光工程でカラーフィルタ基板２０の外形形状に沿ってレジスト膜ＲＦ１に光を走査させつつ照射することで、レジスト膜ＲＦ１のうちカラーフィルタ基板２０の外形形状に沿った部分について、フォトマスクを使用することなく露光させることができる。その後、現像工程でレジスト膜ＲＦ１のうち第１露光工程及び第２露光工程で露光されなかった部分を除去することで、外形部分が表示パネル用基板の外形形状に応じた形の遮光部２３をガラス基板２０Ａ上に形成することができる。そして、遮光部２３のパターンＰ１によって囲まれる各領域に各着色部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを形成することで、液晶パネルを構成するカラーフィルタ基板が完成する。その後、カラーフィルタ基板２０の外形形状に沿ってガラス基板２０Ａを切断することで、所望する外形形状のカラーフィルタ基板２０を製造することができる。
【００４３】
このように本実施形態のカラーフィルタ基板２０の製造方法では、遮光部２３のパターンＰ１の外形部分について、フォトマスクを使用することなく、カラーフィルタ基板２０の外形形状に応じた形にパターニングできるため、フォトマスクを１枚使用するのみで、所望するカラーフィルタ基板２０の外形形状に応じたパターンの遮光部２３をガラス基板２０Ａ上に形成することができる。つまり、外形形状が異なる液晶パネル１０を製造しようとした場合に、目的とするカラーフィルタ基板２０の外形形状に沿って第２露光工程を施せば、その外形形状に沿った部分に遮光部２３が形成されたガラス基板２０Ａを製造することができ、この外形形状に沿ってガラス基板２０Ａを切断すれば、外側部分に遮光部２３が形成されていない領域が露出することのないカラーフィルタ基板２０を製造することができる。このため、異なる外形形状のカラーフィルタ基板２０を製造する場合であっても、用意すべきフォトマスクの数が嵩むことなく所望する外形形状のカラーフィルタ基板２０を製造することができ、製造コストの低減化を図ることができる。
【００４４】
ここで、仮にガラス基板の両板面のうち第２露光工程で露光する板面がレジスト膜形成工程でレジスト膜を形成した板面側である場合、第１露光工程で露光されず第２露光工程で露光された領域では、現像工程後に残存するレジスト膜が、ガラス基板に近い側の部分よりもガラス基板から遠い側の部分の方が基板の板面方向に突出した状態、いわゆるオーバーハング状態となることがある。このようにオーバーハング状態に残存したレジスト膜では、ガラス基板の板面方向に突出した部分が剥離し易く、液晶パネルの製造後に表示不良の要因となり得る。
【００４５】
これに対し本実施形態の製造方法では、第２露光工程において、ガラス基板２０Ａの両板面のうちレジスト膜を形成した板面とは反対側の板面が露光されるため、第１露光工程で露光されず第２露光工程で露光された領域では、レジスト膜ＲＦ１のうちガラス基板２０Ａ側に位置する部分が最も強く紫外光が当たることとなる。その結果、第２露光工程で露光された領域では、現像工程後に残存するレジスト膜ＲＦ１（遮光部２３）が、ガラス基板２０Ａから遠い側の部分よりもガラス基板２０Ａに近い側の部分の方がガラス基板２０Ａの板面方向（Ｘ−Ｙ平面方向）に突出した状態となり、上述したように遮光部２３の端部にテーパ部２３Ｔ（図５参照）が形成される。このため、当該突出した部分（レジスト膜ＲＦ１のうちガラス基板２０Ａに近い側の部分）がガラス基板２０Ａと密着して剥離し難く、表示不良の要因となることを抑制することができる。
【００４６】
＜実施形態２＞
図１２及び図１３を参照して実施形態２を説明する。実施形態２では、図１２に示すように、平面視における外形形状が略楕円形状とされた液晶パネル２１０を例示する。本実施形態では、液晶パネル２１０の外形形状をなす輪郭線のうち、一般的な長方形状、正方形状のものと異なる部分、即ち曲線部分を符号２１１で示す（図１２参照）。このような形状とされた液晶パネル２１０は、その製造過程における第２露光工程において、製造する液晶パネル１０の外形形状のうち曲線部分２１１をなす部分に沿ってそれぞれ光を走査させつつ照射する。その結果、図１３に示すように、現像工程後に、第２露光工程で露光された部分に遮光部２３が形成される。
【００４７】
以上説明したように、実施形態２に係る製造方法では、液晶パネル２１０の外形形状が実施形態１のものと異なるのにも拘わらず、カラーフィルタ基板２０を構成するガラス基板２０Ａ上に遮光部２３を形成するために行う第２露光工程においてフォトマスクを使用せず、第１露光工程において遮光部２３のパターンと対応するフォトマスクを１枚使用するのみで、液晶パネル２１０の外形形状に応じたパターンの遮光部２３をガラス基板２０Ａ上に形成することができる。そして、遮光部２３を構成するレジスト膜のうち第１露光工程で選択的に露光される部分は実施形態１のものと同様であるから、液晶パネル２１０の外形形状が異なっていても、実施形態１と同じフォトマスクの数で液晶パネル２１０を製造することができる。このため、フォトマスクの数が嵩むことを抑制することができ、製造コストの低減化を図ることができる。
【００４８】
上記の各実施形態の変形例を以下に列挙する。
（１）上記の各実施形態では、第２露光工程で照射する光の具体的態様として紫外レーザを例示したが、これに限定されない。例えば第２露光工程で紫外線ＬＥＤを照射してもよいし、水銀ランプを集光させて照射してもよい。
【００４９】
（２）上記の各実施形態では、第２露光工程で紫外レーザを所定の照射幅でレジスト膜上に１回走査させる例を示したが、例えば紫外レーザを小さい照射幅で複数回走査させてもよい。
【００５０】
（３）上記の各実施形態では、ＴＦＴを構成する半導体膜がIn−Ga−Zn−O系半導体とされた構成を例示したが、これに限定されない。例えばＴＦＴを構成する半導体膜がポリシリコン（Poly-Silicon）とされた構成であってもよいし、ＣＧシリコン（Continuous Grain Silicon）とされた構成であってもよい。
【００５１】
（４）上記の各実施形態では、駆動方式がＦＦＳ（Fringe Field Swiching）型の液晶パネルの製造方法を例示したが、これに限定されない。例えば駆動方式がＩＰＳ（In-Plane Swiching）型、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）型、ＴＮ（Twisted Nematic）型とされた液晶パネルの製造過程において本発明を適用してもよい。
【００５２】
（５）上記の各実施形態では、液晶パネルを構成するカラーフィルタ基板の製造方法について例示したが、これに限定されず、本発明は、液晶パネルを構成するカラーフィルタ基板以外にも適用可能である。例えば、有機ＥＬ表示装置を構成する基板の製造過程において本発明を適用してもよい。この場合、第２露光領域の近傍に形成された各着色部のうち表示画素を構成しない着色部と重畳する発光素子を発光させないように有機ＥＬ表示パネルを駆動することで、上記表示画素を構成しない着色部を常に黒表示とすることができ、有機ＥＬ表示装置の表示品位を高めることができる。
【００５３】
（６）上記の各実施形態では、カラーフィルタ基板の製造過程において、第１露光工程を第２露光工程よりも先に行う例を示したが、第２露光工程を第１露光工程よりも先に行ってもよい。
【００５４】
（７）上記の各実施形態では、液晶パネルの製造過程における着色部形成工程において、フォトリソグラフィー法を用いて各着色部を形成する例を示したが、これに限定されない。例えばインクジェット法を用いて各着色部を形成してもよい。
【００５５】
以上、本発明の各実施形態について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
１０，１１０，２１０：液晶パネル、１１：斜辺、２０：カラーフィルタ基板、２０Ａ，３０Ａ：ガラス基板、２２：カラーフィルタ、２２Ｒ：赤色の着色部、２２Ｇ：緑色の着色部、２２Ｂ：青色の着色部、２３：遮光部、２３Ｔ：テーパ部、３０：アレイ基板、３２：ＴＦＴ、３２Ｇ：ゲート電極、３２Ｓ：ソース電極、３２Ｄ：ドレイン電極、３４：画素電極、３５：共通電極、３６Ｇ：ゲート配線、３６Ｓ：ソース配線、２１１：曲線部分、Ａ１：表示領域、Ａ２：非表示領域、Ａ３：額縁領域、Ａ４：第２露光領域、Ａ５：遮光部のパターンによって囲まれる領域、ＣＨ１：コンタクトホール、ＲＦ１：レジスト膜、Ｐ１：（遮光部の）パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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