(57)【要約】      （修正有）【課題】ベンディングによるクラック発生を減らすことができるフレキシブル表示装置を提供する。【解決手段】フレキシブル表示装置はフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板及び導電パターンＣＰを含む。フレキシブル基板はベンディングが発生するベンディング部を含む。導電パターンＣＰは少なくとも一部がベンディング部上に提供され、複数のグレインＧＲ（ｇｒａｉｎ）を有する。グレインＧＲは１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を有する。【選択図】図２Ａ
2016224439.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベンディング部を含むフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板と、
少なくとも一部が前記ベンディング部上に提供され、複数のグレイン（ｇｒａｉｎ）を有する導電パターンと、を含み、
前記グレインは、
１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を有するフレキシブル表示装置。
【請求項２】
前記導電パターンは、
１平方マイクロメータ（μｍ２）の単位面積内で、
２００乃至１２００個のグレインを含む請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項３】
前記導電パターンは、
金属、前記金属の合金及び透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項４】
前記金属は、
Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含む請求項３に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項５】
前記透明導電性酸化物は、
ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む請求項３に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項６】
前記導電パターンは、
各々が１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する複数の導電パターン層を含む請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項７】
前記導電パターン層の各々は、
１０ｎｍ乃至１５０ｎｍの厚さを有する請求項６に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項８】
前記導電パターン層の各々は、
互いに同一の物質で構成される請求項６に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項９】
前記導電パターンは、
第１導電パターン層と、
前記第１導電パターン層上に提供される第１空気層と、
前記第１空気層上に提供される第２導電パターン層と、
前記第２導電パターン層上に提供される第２空気層と、
前記第２空気層上に提供される第３導電パターン層と、を含む請求項６に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１０】
前記第１導電パターン層及び前記第３導電パターン層の各々は１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さを有し、
前記第２導電パターン層は５ｎｍ以上１０ｎｍ未満の厚さを有する請求項９に記載のフレキシブル表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフレキシブル表示装置及びその製造方法に関し、より詳細にはベンディングによるクラック発生を減らすことができるフレキシブル表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は表示画面に多様なイメージを表示して使用者に情報を提供する。最近、ベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）可能である表示装置が開発されている。フレキシブル表示装置は平板表示装置と異なりに、紙のように折ったり、巻いたり、曲げることができる。形状が多様に変更されることができるフレキシブル表示装置は携帯が容易であり、使用者の便宜性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】韓国特許第１０−１４９８３７６号公報
【特許文献２】韓国公開特許第２０１５−００２０８９４号公報
【特許文献３】韓国公開特許第２０１５−００１４１０６号公報
【特許文献４】韓国特許第１０−０６７１４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的はベンディングによるクラック発生を減らすことができるフレキシブル表示装置を提供することにある。
【０００５】
本発明の他の目的はベンディングによるクラック発生を減らすことができるフレキシブル表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置はフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板及び導電パターンを含む。前記フレキシブル基板はベンディング部を含む。前記導電パターンは少なくとも一部が前記ベンディング部上に提供され、複数のグレイン（ｇｒａｉｎ）を有する。前記グレインは１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を有する。
【０００７】
前記導電パターンは１平方マイクロメータ（μｍ２）の単位面積内に２００乃至１２００個のグレインを含むことができる。
【０００８】
前記導電パターンは金属、前記金属の合金及び透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含むことができる。
【０００９】
前記金属はＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含むことができる。
【００１０】
前記透明導電性酸化物はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含むことができる。
【００１１】
前記導電パターンの各々が１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する複数の導電パターン層を含むことができる。
【００１２】
前記導電パターン層の各々は１０ｎｍ乃至１５０ｎｍの厚さを有することができる。
【００１３】
前記導電パターン層の各々は互いに同一の物質で構成されることができる。
【００１４】
前記導電パターンは第１導電パターン層、前記第１導電パターン層上に提供される第１空気層、前記第１空気層上に提供される第２導電パターン層、前記第２導電パターン層上に提供される第２空気層及び前記第２空気層上に提供される第３導電パターン層を含むことができる。
【００１５】
前記第１導電パターン層及び前記第３導電パターン層の各々は１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さを有し、前記第２導電パターン層は５ｎｍ以上１０ｎｍ未満の厚さを有することができる。
【００１６】
前記導電パターンはＡｌを含む第１導電パターン層、前記第１導電パターン層上に提供され、Ｔｉを含む第２導電パターン層及び前記第２導電パターン層上に提供され、Ａｌを含む第３導電パターン層を含むことができる。
【００１７】
前記導電パターンはＡｌを含む第１導電パターン層、前記第１導電パターン層上に提供され、Ｃｕを含む第２導電パターン層及び前記第２導電パターン層上に提供され、Ａｌを含む第３導電パターン層を含むことができる。
【００１８】
前記導電パターンはＴｉを含む第１導電パターン層、前記第１導電パターン層上に提供され、Ｃｕを含む第２導電パターン層及び前記第２導電パターン層上に提供され、Ａｌを含む第３導電パターン層を含むことができる。
【００１９】
前記導電パターンは１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する配線及び前記配線と電気的に連結され、１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する電極を含むことができる。
【００２０】
前記配線の各々が１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する複数の配線層を含むことができる。
【００２１】
前記配線層の各々は１０ｎｍ乃至１５０ｎｍの厚さを有することができる。
【００２２】
前記電極の各々が１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する複数の電極層を含むことができる。
【００２３】
前記電極層の各々は１０ｎｍ乃至１５０ｎｍの厚さを有することができる。
【００２４】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置は絶縁層をさらに含むことができる。前記配線は前記フレキシブル基板及び前記絶縁層の間に提供される第１配線及び前記絶縁層上に提供される第２配線を含むことができる。
【００２５】
前記第１配線の各々が１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する複数の第１配線層を含むことができる。前記第２配線の各々が１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する複数の第２配線層を含むことができる。
【００２６】
前記第１配線層及び前記第２配線層の各々は１０ｎｍ乃至１５０ｎｍの厚さを有することができる。
【００２７】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置は第１モード又は第２モードに動作することができる。前記第１モードで前記フレキシブル基板及び前記導電パターンの少なくとも一部がベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）される。前記第２モードで前記ベンディングが広げられる。
【００２８】
前記第１モードはベンディング軸を基準にいずれか一方向にベンディングされる第１ベンディングモード及び前記ベンディング軸を基準に前記いずれか一方向と反対方向にベンディングされる第２ベンディングモードを含むことができる。
【００２９】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置はフレキシブル表示パネル及びタッチスクリーンパネルを含む。前記フレキシブル表示パネルはパネルベンディング部を含む。前記タッチスクリーンパネルはタッチベンディング部を含み、前記フレキシブル表示パネル上に提供される。前記フレキシブル表示パネル及び前記タッチスクリーンパネルの中で少なくとも１つの各々が１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を有する複数の導電パターン層を含む導電パターンを含む前記導電パターンはパネルベンディング部及びタッチベンディング部の中で少なくとも１つに含まれる。
【００３０】
前記導電パターンは金属、前記金属の合金及び透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含むことができる。
【００３１】
前記導電パターン層の各々は１０ｎｍ乃至１５０ｎｍの厚さを有することができる。
【００３２】
前記フレキシブル表示パネルは複数のゲート配線、前記ゲート配線と電気的に連結される複数のデータ配線及び各々が前記ゲート配線の中で少なくとも１つ及び前記データ配線の中で少なくとも１つと連結される複数の画素を含む。前記ゲート配線及び前記データ配線の中で少なくとも１つは前記導電パターンであってもよい。
【００３３】
前記複数の画素は半導体パターン、前記半導体パターンと電気的に連結されるソース電極及び前記ソース電極と離隔されるドレーン電極を含む薄膜トランジスタを含む。前記半導体パターン、前記ソース電極及び前記ドレーン電極の中で少なくとも１つは前記導電パターンであってもよい。
【００３４】
前記タッチスクリーンパネルは感知電極、前記感知電極と電気的に連結されるパッド部、前記感知電極と連結される連結配線及び前記連結配線と前記パッド部を連結ファンアウト配線を含む。前記感知電極、前記パッド部、前記連結配線及び前記ファンアウト配線の中で少なくとも１つは前記導電パターンであってもよい。
【００３５】
前記感知電極はメッシュ（ｍｅｓｈ）形状を有することができる。
【００３６】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置は第１モード又は第２モードに動作することができる。前記第１モードで前記導電パターンの少なくとも一部がベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）される。前記第２モードで前記ベンディングが広げられる。
【００３７】
前記第１モードはベンディング軸を基準にいずれか一方向にベンディングされる第１ベンディングモード及び前記ベンディング軸を基準に前記いずれか一方向と反対方向にベンディングされる第２ベンディングモードを含むことができる。
【００３８】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置はフレキシブル表示パネル及びタッチスクリーンパネルを含む。前記タッチスクリーンパネルはタッチベンディング部を含む。前記タッチベンディング部はメッシュ形状を有する感知電極を含む。前記感知電極は前記複数の感知電極層を含む。前記感知電極層は互いに同一の物質で構成されることができる。
【００３９】
前記物質はＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で１つであってもよい。
【００４０】
前記感知電極層の各々は１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有することができる。
【００４１】
前記感知電極層の各々は１０ｎｍ乃至１５０ｎｍの厚さを有することができる。
【００４２】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置は第１モード又は第２モードに動作することができる。前記第１モードで前記導電パターンの少なくとも一部がベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）される。前記第２モードで前記ベンディングが広げられる。
【００４３】
前記第１モードはベンディング軸を基準にいずれか一方向にベンディングされる第１ベンディングモード及び前記ベンディング軸を基準に前記いずれか一方向と反対方向にベンディングされる第２ベンディングモードを含むことができる。
【００４４】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法はフレキシブル基板を準備する段階及び前記フレキシブル基板上に１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する導電パターンを提供する段階を含むことができる。
【００４５】
前記導電パターンを提供する段階は金属、前記金属の合金及び透明導電性酸化物の中で少なくとも１つをスパッタリングして遂行されることができる。
【００４６】
前記導電パターンを提供する段階は１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する複数の導電パターン層を形成する段階を含むことができる。
【００４７】
前記導電パターンを提供する段階は金属、前記金属の合金及び透明導電性酸化物の中で少なくとも１つをスパッタリングして第１導電層を形成する段階、前記第１導電層上に直接的に、金属、前記金属の合金及び透明導電性酸化物の中で少なくとも１つをスパッタリングして第２導電層を形成する段階及び前記第１導電層及び前記第２導電層の一部をマスキングし、蝕刻して前記導電パターンを形成する段階を含むことができる。
【発明の効果】
【００４８】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置によると、ベンディングによるクラック発生を減らすことができる。
【００４９】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法によると、ベンディングによるクラック発生を減らすことができるフレキシブル表示装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１Ａ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。
【図２Ａ】図１ＢのＩ−Ｉ’線に対応する概略的な断面図である。
【図２Ｂ】図１ＢのＩ−Ｉ’線に対応する概略的な断面図である。
【図２Ｃ】図１ＢのＩ−Ｉ’線に対応する概略的な断面図である。
【図２Ｄ】図１ＢのＩ−Ｉ’線に対応する概略的な断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる配線の概略的な断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる電極の概略的な断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。
【図４Ｂ】図４ＡのＩＩ−ＩＩ’線に対応する概略的な断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる第１配線の概略的な断面図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる第２配線の概略的な断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示パネルに含まれる画素の中で１つの回路図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示パネルに含まれる画素の中で１つを示した平面図である。
【図６Ｃ】図６ＢのＩＩＩ−ＩＩＩ’線に対応して概略的に示した断面図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な断面図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれるタッチスクリーンパネルを概略的に示した平面図である。
【図８Ａ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な断面図である。
【図８Ｂ】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれるタッチスクリーンパネルを概略的に示した平面図である。
【図９Ａ】本発明の一実施形態によるタッチスクリーンパネルに含まれる感知電極の概略的な断面図である。
【図９Ｂ】本発明の一実施形態によるタッチスクリーンパネルに含まれる配線の概略的な断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法を概略的に示したフローチャートである。
【図１１Ａ】実施例１乃至４、比較例１及び２のＳＥＭ写真である。
【図１１Ｂ】実施例１乃至４、比較例１及び２のＳＥＭ写真である。
【図１２】実施例３及び４、比較例１及び２の断面写真である。
【図１３】比較例１及び３の内側ベンディング、外側ベンディングによる断線可否を撮影した写真である。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
以上の本発明の目的、他の目的、特徴、及び長所は、添付された図面に関連された以下の望ましい実施形態を通じて容易に理解できる。しかし、本発明は、ここで説明される実施形態に限定されなく、他の形態に具体化されてもよい。むしろ、ここで紹介される実施形態は開示された内容が徹底であり、完全になることができるように、そして通常の技術者に本発明の思想が十分に伝達され得るようにするために提供される。
【００５２】
各図面を説明しながら、類似な参照符号を類似な構成要素に対して使用した。添付された図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して図示したことである。第１、第２等の用語は、多様な構成要素を説明するために使用されるが、前記構成要素は、前記用語によって限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素部から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないで第１構成要素は第２構成要素と称されることができ、類似に第２構成要素も第１構成要素と称されてもよい。単数の表現は、文脈の上に明確に異なりに意味しない限り、複数の表現を含む。
【００５３】
本明細書で、“含む”又は“有する”等の用語は、明細書の上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組合したことが存在することを指定しようとすることであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品又はそれらを組合したことの存在又は付加可能性を予め排除しないことして理解しなければならない。また、層、領域、板等の部分が他の部分の“上に”あるとする場合、これは、他の部分の“直ちに上に”ある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。反対に層、膜、領域、板等の部分が他の部分の“下に”あるとする場合、これは、他の部分の“直ちに下に”ある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。
【００５４】
以下では本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置について説明する。
【００５５】
図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。
【００５６】
図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃを参照すれば、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１０はフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板ＦＢ、及び導電パターンＣＰを含む。導電パターンＣＰはフレキシブル表示基板ＦＢ上に第１方向ＤＲ１に積層される。フレキシブルとは曲がることができる特性を意味し、完全に折る構造から数ｎｍのレベルで曲がることができる構造まで全てを含む。フレキシブル基板ＦＢは通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、プラスチック、有機高分子等を含む。フレキシブル基板ＦＢをなす有機高分子としてはＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン等を挙げる。フレキシブル基板ＦＢは機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性、防水性等を考慮して選択される。フレキシブル基板ＦＢは透明である。
【００５７】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１０は第１モード又は第２モードに動作する。フレキシブル基板ＦＢはベンディング部ＢＦ及び非ベンディング部ＮＢＦを含む。ベンディング部ＢＦは第１モードから第２方向ＤＲ２に延長されるベンディング軸ＢＸを基準にベンディングが発生し、第２モードでベンディングが広げられる。ベンディング部ＮＢＦは非ベンディング部ＮＢＦと連結される。非ベンディング部ＮＢＦは第１モード及び第２モードの各々でベンディングが発生しない。導電パターンＣＰの少なくとも一部はベンディング部ＢＦ上に提供される。ベンディングということは外力によってフレキシブル基板ＦＢ等が特定形態に曲がることを意味する。
【００５８】
図１Ａ及び図１Ｃを参照すれば、第１モードでフレキシブル基板ＦＢ、及び導電パターンＣＰの少なくとも一部がベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）される。図１Ｂを参照すれば、第２モードでベンディング部ＢＦのベンディングが広げられる。
【００５９】
第１モードは第１ベンディングモード及び第２ベンディングモードを含む。図１Ａを参照すれば、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１０は第１ベンディングモードで、ベンディング軸ＢＸを基準にいずれか一方向にベンディングされる。フレキシブル表示装置１０は第１ベンディングモードで内側ベンディングされる。以下では、ベンディング軸ＢＸを基準にフレキシブル表示装置１０がベンディングされた時、ベンディングされて互いに対向する導電パターンＣＰの間の距離がベンディングされて互いに対向するフレキシブル表示基板ＦＢの間の距離より短い場合を内側ベンディング（ｉｎｎｅｒ  ｂｅｎｄｉｎｇ）として定義する。内側ベンディングの時に、ベンディング部ＢＦの一面は第１曲率半径Ｒ１を有する。第１曲率半径Ｒ１は例えば、約１ミリメートル（ｍｍ）乃至約１０ミリメートル（ｍｍ）である。
【００６０】
図１Ｃを参照すれば、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１０は第２ベンディングモードで、ベンディング軸ＢＸを基準に図１Ａでベンディングされた方向と反対方向にベンディングされる。フレキシブル表示装置１０は第２ベンディングモードで外側ベンディングされる。以下では、ベンディング軸ＢＸを基準にフレキシブル表示装置１０がベンディングされた時、ベンディングされて互いに対向するフレキシブル表示基板ＦＢの間の距離がベンディングされて互いに対向する導電パターンＣＰの間の距離より短い場合を外側ベンディング（ｏｕｔｅｒ  ｂｅｎｄｉｎｇ）として定義する。外側ベンディング時にベンディング部ＢＦの一面は第２曲率半径Ｒ２を有する。第２曲率半径Ｒ２は第１曲率半径Ｒ１と同一であるか、或いは異なる。第２曲率半径Ｒ２は例えば、約１ｍｍ乃至約１０ｍｍである。
【００６１】
図１Ａ及び図１Ｃではベンディング軸ＢＸを基準にフレキシブル表示装置１０がベンディングされた時、ベンディングされて互いに対向するフレキシブル表示基板ＦＢの間の距離が一定であることを例として図示したが、これに限定されることではなく、ベンディングされて互いに対向するフレキシブル表示基板ＦＢの間の距離は一定ではなくともよい。また、図１Ａ及び図１Ｃではベンディング軸ＢＸを基準にフレキシブル表示装置１０がベンディングされた時、ベンディングされて互いに対向するフレキシブル表示基板ＦＢの面積が互いに同一であることを例として図示したが、これに限定されることではなく、ベンディングされて互いに対向するフレキシブル表示基板ＦＢの面積は互いに異なってもよい。
【００６２】
図２Ａ乃至図２Ｄは図１ＢのＩ−Ｉ’線に対応する概略的な断面図である。
【００６３】
図１Ａ乃至図１Ｃ、及び図２Ａを参照すれば、導電パターンＣＰは少なくとも一部がベンディング部上に提供される。導電パターンＣＰは複数のグレイン（ｇｒａｉｎ）を有する。グレイン（ｇｒａｉｎ）は成分原子等が規則的に配列して作られた結晶粒として定義される。グレインＧＲは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を有する。
【００６４】
以下、後述するグレインサイズと関連して、グレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）はグレインの粒径の平均、最大粒径などを意味する。また、グレインＧＲの各々のグレインサイズが約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍであり、グレインＧＲのグレインサイズの平均が約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍでもあり、代表値が約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍである。
【００６５】
導電パターンＣＰのグレインサイズが約１０ｎｍ未満であれば、導電パターンＣＰの抵抗が増加し、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。導電パターンＣＰのグレインサイズが約１００ｎｍを超過すれば、グレインサイズが大きいので、ベンディングによる柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【００６６】
一般的に導電パターンＣＰのグレインサイズが小さくなると、導電パターンＣＰの抵抗が増加して、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加することができるが、柔軟性が確保されて向上されたフレキシブル特性を有することができる。また、反対に導電パターンＣＰのグレインサイズが大きくなると、抵抗は減少されることができるが、ベンディングによる柔軟性をすることが難しく、クラック又は断線が発生することができる。
【００６７】
本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置１０の導電パターンＣＰは約１０ｎｍ以上約９０ｎｍ以下のグレインサイズを有する。このため、導電パターンＣＰは適正駆動特性を確保することができる大きさの抵抗を有しながら、同時に向上された柔軟性を有する。このため本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置１０の信頼性を向上させることができる。
【００６８】
導電パターンＣＰは１平方マイクロメータ（μｍ２）の単位面積内に約２００乃至約１２００個のグレインＧＲを含む。“１平方マイクロメータ（μｍ２）の単位面積内で”ということは例えば、導電パターンＣＰの平面上で任意領域に定義される。平面上で、１平方マイクロメータ（μｍ２）の単位面積内にグレインＧＲが約２００個未満である場合、ベンディングによる柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。また、平面上で、１平方マイクロメータ（μｍ２）の単位面積内でグレインＧＲが約１２００個を超過する場合、導電パターンＣＰの抵抗が増加し、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。
【００６９】
導電パターンＣＰは通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、金属、金属の合金、及び透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。グレインＧＲは金属のグレイン、合金のグレイン、及び透明導電性酸化物のグレインの中で少なくとも１つである。
【００７０】
金属は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含む。
【００７１】
透明導電性酸化物は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【００７２】
図１Ａ乃至図１Ｃ、図２Ａ乃至図２Ｃを参照すれば、導電パターンＣＰは複数の導電パターン層ＣＰＬを含む。導電パターンＣＰは例えば、２個、３個、４個、５個、６個の導電パターン層ＣＰＬを含む。但し、これに限定されることではなく、導電パターンＣＰは７個以上の導電パターン層ＣＰＬを含んでもよい。互いに異なる導電パターン層ＣＰＬでグレインは互いに連結されない。即ち、グレインは導電パターン層ＣＰＬの各々に含む。
【００７３】
導電パターン層ＣＰＬの各々は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。導電パターン層ＣＰＬのグレインサイズが約１０ｎｍ未満であれば、導電パターン層ＣＰＬの抵抗が増加し、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。導電パターン層ＣＰＬのグレインサイズが約１００ｎｍを超過すれば、グレインサイズが大きいので、ベンディングによる導電パターン層ＣＰＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【００７４】
導電パターン層ＣＰＬの各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さｔ１を有する。導電パターン層ＣＰＬの各々の厚さｔ１が約１０ｎｍ未満であれば、同一の厚さの導電パターンＣＰ内で、導電パターン層ＣＰＬの間の界面の個数が増加して抵抗が増加する。このため、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。また、導電パターン層ＣＰＬの各々を製造する過程又は提供する過程で信頼性に問題が生じる。導電パターン層ＣＰＬの各々の厚さｔ１が約１５０ｎｍを超過すれば、ベンディングによる導電パターン層ＣＰＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【００７５】
導電パターン層ＣＰＬの各々は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、金属、金属の合金及び透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【００７６】
金属は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含む。
【００７７】
透明導電性酸化物は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【００７８】
導電パターン層ＣＰＬの各々は互いに同一の物質で構成される。例えば、導電パターン層ＣＰＬの各々はＡｌで構成される。但し、これに限定されることではなく、導電パターン層ＣＰＬの各々はＣｕ、ＩＴＯ等で構成されてもよい。
【００７９】
導電パターン層ＣＰＬの各々は互いに異なる物質で構成される。例えば、導電パターンＣＰが２個の導電パターン層ＣＰＬを有する時、１つの導電パターン層はＡｌで構成されることができ、他の１つの導電パターン層はＣｕで構成される。また、導電パターンＣＰが４個の導電パターン層ＣＰＬを有する時、導電パターンＣＰは順次的にＡｌで構成された導電パターン層、Ｃｕで構成された導電パターン層、Ａｌで構成された導電パターン層、及びＣｕで構成された導電パターン層が積層されて形成される。また、導電パターンＣＰが４個の導電パターン層ＣＰＬを有する時、導電パターンＣＰは順次的にＡｌで構成された導電パターン層、Ａｇで構成された導電パターン層、Ａｌで構成された導電パターン層、及びＡｇで構成された導電パターン層が積層されて形成される。
【００８０】
図２Ｃを参照すれば、導電パターンＣＰは第１導電パターン層ＣＰＬ１、第２導電パターン層ＣＰＬ２、及び第３導電パターン層ＣＰＬ３を含む。第２導電パターン層ＣＰＬ２は第１導電パターン層ＣＰＬ１上に提供される。第３導電パターン層ＣＰＬ３は第２導電パターン層ＣＰＬ２上に提供される。
【００８１】
第１導電パターン層ＣＰＬ１、第２導電パターン層ＣＰＬ２、及び第３導電パターン層ＣＰＬ３の各々は互いに同一の物質で構成される。例えば、導電パターン層ＣＰＬの各々はＡｌで構成される。但し、これに限定されることではなく、導電パターン層ＣＰＬの各々はＣｕで構成されてもよい。第１導電パターン層ＣＰＬ１、第２導電パターン層ＣＰＬ２、及び第３導電パターン層ＣＰＬ３の各々の厚さは互いに同一であるか、或いは第１導電パターン層ＣＰＬ１、第２導電パターン層ＣＰＬ２、及び第３導電パターン層ＣＰＬ３の厚さの中で少なくとも１つは他の導電パターン層の厚さと異なる。
【００８２】
例えば、導電パターンＣＰはＡｌを含む第１導電パターン層ＣＰＬ１、第１導電パターン層ＣＰＬ１上に提供され、Ｃｕを含む第２導電パターン層ＣＰＬ２及び第２導電パターン層ＣＰＬ２上に提供され、Ａｌを含む第３導電パターン層ＣＰＬ３を含む。この場合、第１導電パターン層ＣＰＬ１、第２導電パターン層ＣＰＬ２、及び第３導電パターン層ＣＰＬ３の各々の厚さは例えば、１００ｎｍ、１００ｎｍ、１００ｎｍである。例えば、導電パターンＣＰはＴｉを含む第１導電パターン層ＣＰＬ１、第１導電パターン層ＣＰＬ１上に提供され、Ｃｕを含む第２導電パターン層ＣＰＬ２及び第２導電パターン層ＣＰＬ２上に提供され、Ａｌを含む第３導電パターン層ＣＰＬ３を含む。この場合、第１導電パターン層ＣＰＬ１、第２導電パターン層ＣＰＬ２、及び第３導電パターン層ＣＰＬ３の各々の厚さは例えば、２００ｎｍ、１５０ｎｍ、１５０ｎｍである。
【００８３】
図２Ｄを参照すれば、導電パターンＣＰは第１導電パターン層ＣＰＬ１、第１空気層ＡＩＬ１、第２導電パターン層ＣＰＬ２、第２空気層ＡＩＬ２、及び第３導電パターン層ＣＰＬ３を含む。
【００８４】
第１空気層ＡＩＬ１は第１導電パターン層ＣＰＬ１上に提供される。第２導電パターン層ＣＰＬ２は第１空気層ＡＩＬ１上に提供される。第２空気層ＡＩＬ２は第２導電パターン層ＣＰＬ２上に提供される。第３導電パターン層ＣＰＬ３は第２空気層ＡＩＬ２上に提供される。
【００８５】
第１導電パターン層ＣＰＬ１及び第３導電パターン層ＣＰＬ３の各々は１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さを有し、第２導電パターン層ＣＰＬ２は５ｎｍ以上１０ｎｍ未満の厚さを有する。
【００８６】
第１導電パターン層ＣＰＬ１で、第１空気層ＡＩＬ１に隣接する領域は酸化される。第２導電パターン層ＣＰＬ２で、第１空気層ＡＩＬ１と隣接する領域及び第２空気層ＡＩＬ２と隣接する領域の各々は酸化される。第３導電パターン層ＣＰＬ３で、第２空気層ＡＩＬ２と隣接する領域は酸化される。
【００８７】
例えば、導電パターンＣＰはＡｌを含む第１導電パターン層ＣＰＬ１、第１導電パターン層ＣＰＬ１上に提供され、Ｔｉを含む第２導電パターン層ＣＰＬ２及び第２導電パターン層ＣＰＬ２上に提供され、Ａｌを含む第３導電パターン層ＣＰＬ３を含む。この場合、第１導電パターン層ＣＰＬ１、第２導電パターン層ＣＰＬ２、及び第３導電パターン層ＣＰＬ３の各々の厚さは例えば、１５０ｎｍ、５ｎｍ、１５０ｎｍである。
【００８８】
第１導電パターン層ＣＰＬ１で、第１空気層ＡＩＬ１に隣接する領域は酸化されて酸化アルミニウム形態に存在し、第２導電パターン層ＣＰＬ２で、第１空気層ＡＩＬ１と隣接する領域及び第２空気層ＡＩＬ２と隣接する領域の各々は酸化され、酸化チタニウム形態に存在し、第３導電パターン層ＣＰＬ３で、第２空気層ＡＩＬ２と隣接する領域は酸化されて酸化アルミニウム形態に存在する。
【００８９】
図３Ａは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。図３Ｂは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる配線の概略的な断面図である。図３Ｃは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる電極の概略的な断面図である。
【００９０】
図１Ａ乃至図１Ｃ、及び図３Ａを参照すれば、導電パターンＣＰは配線ＷＩ及び電極ＥＬを含む。配線ＷＩは例えば、タッチスクリーンパネルＴＳＰ（図５Ａ）、フレキシブル表示パネルＤＰ（図５Ａ）等に含む。
【００９１】
配線ＷＩはフレキシブル基板ＦＢ上に提供される。配線ＷＩの少なくとも一部はベンディング部ＢＦ上に提供される。例えば、配線ＷＩはベンディング部ＢＦ上に提供され、非ベンディング部ＮＢＦには提供されない。例えば、配線ＷＩはベンディング部ＢＦ及び非ベンディング部ＮＢＦ上に提供される。
【００９２】
配線ＷＩは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。配線ＷＩのグレインサイズが約１０ｎｍ未満であれば、配線ＷＩの抵抗が増加し、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。配線ＷＩのグレインサイズが約１００ｎｍを超過すれば、グレインサイズが大きいので、ベンディングによる配線ＷＩの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【００９３】
図１Ａ乃至図１Ｃ、図３Ａ、及び図３Ｂを参照すれば、配線ＷＩは複数の配線層ＷＩＬを含む。配線ＷＩは例えば、２個、３個、４個、５個、６個の配線層ＷＩＬを含む。但し、これに限定されることではなく、配線ＷＩは７個以上の配線層ＷＩＬを含んでもよい。互いに異なる配線層ＷＩＬでグレインは互いに連結されない。即ち、グレインは配線層ＷＩＬの各々に含む。
【００９４】
配線層ＷＩＬの各々は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。配線層ＷＩＬのグレインサイズが約１０ｎｍ未満であれば、配線層ＷＩＬの抵抗が増加し、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。配線層ＷＩＬのグレインサイズが約１００ｎｍを超過すれば、グレインサイズが大きいので、ベンディングによる配線層ＷＩＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【００９５】
配線層ＷＩＬの各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。配線層ＷＩＬの各々の厚さが約１０ｎｍ未満であれば、同一の厚さの配線ＷＩ内で、配線層ＷＩＬの間の界面の個数が増加して抵抗が増加する。このため、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。また、配線層ＷＩＬの各々を製造する過程又は提供する過程で信頼性に問題が生じる。配線層ＷＩＬの各々の厚さが約１５０ｎｍを超過すれば、ベンディングによる配線層ＷＩＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【００９６】
配線層ＷＩＬの各々は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、金属、金属の合金及び透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【００９７】
金属は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含む。
【００９８】
透明導電性酸化物は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【００９９】
図１Ａ乃至図１Ｃ、図３Ａ、及び図３Ｃを参照すれば、電極ＥＬはフレキシブル基板ＦＢ上に提供される。電極ＥＬの少なくとも一部はベンディング部ＢＦ上に提供される。例えば、電極ＥＬはベンディング部ＢＦ上に提供され、非ベンディング部ＮＢＦには提供されない。例えば、電極ＥＬはベンディング部ＢＦ及び非ベンディング部ＮＢＦ上に提供されてもよい。
【０１００】
電極ＥＬは配線ＷＩと電気的に連結される。電極ＥＬは配線ＷＩと離隔される。但し、これに限定されることではなく、電極ＥＬは配線ＷＩと連結されて一体形に形成されてもよい。
【０１０１】
電極ＥＬと配線ＷＩとは同一の層上に提供される。但し、これに限定されることではなく、電極ＥＬと配線ＷＩとは互いに異なる層上に提供されてもよい。図示してないが、例えば、配線ＷＩ及び電極ＥＬの間に中間層が提供される。
【０１０２】
電極ＥＬは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。電極ＥＬのグレインサイズが約１０ｎｍ未満であれば、電極ＥＬの抵抗が増加し、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。電極ＥＬのグレインサイズが約１００ｎｍを超過すれば、グレインサイズが大きいので、ベンディングによる電極ＥＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０１０３】
電極ＥＬは複数の電極層ＥＬＬを含む。電極ＥＬは例えば、２個、３個、４個、５個、６個の電極層ＥＬＬを含む。但し、これに限定されることではなく、電極ＥＬは７個以上の電極層ＥＬＬを含んでもよい。互いに異なる電極層ＥＬＬでグレインは互いに連結されない。即ち、グレインは電極層ＥＬＬの各々に含む。
【０１０４】
電極層ＥＬＬの各々は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。電極層ＥＬＬのグレインサイズが約１０ｎｍ未満であれば、電極層ＥＬＬの抵抗が増加し、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。電極層ＥＬＬのグレインサイズが約１００ｎｍを超過すれば、グレインサイズが大きいので、ベンディングによる電極層ＥＬＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０１０５】
電極層ＥＬＬの各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。電極層ＥＬＬの各々の厚さが約１０ｎｍ未満であれば、同一の厚さの電極ＥＬ内で、電極層ＥＬＬの間の界面の個数が増加して抵抗が増加する。このため、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。また、電極層ＥＬＬの各々を製造する過程又は提供する過程で信頼性に問題が生じる。電極層ＥＬＬの各々の厚さが約１５０ｎｍを超過すれば、ベンディングによる電極層ＥＬＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０１０６】
電極層ＥＬＬの各々は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、金属、金属の合金及び透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【０１０７】
金属は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含む。
【０１０８】
透明導電性酸化物は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【０１０９】
図４Ａは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。図４Ｂは図４ＡのＩＩ−ＩＩ’線に対応する概略的な断面図である。図４Ｃは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる第１配線の概略的な断面図である。図４Ｄは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる第２配線の概略的な断面図である。
【０１１０】
図１Ａ乃至図１Ｃ、図４Ａ、及び図４Ｂを参照すれば、配線ＷＩは第１配線ＷＩ１及び第２配線ＷＩ２を含む。第１配線ＷＩ１及び第２配線ＷＩ２の間には絶縁層ＩＬが提供される。第１配線ＷＩ１はフレキシブル基板及び絶縁層ＩＬの間に提供されることができ、第２配線ＷＩ２は絶縁層ＩＬ上に提供される。絶縁層ＩＬは通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、有機絶縁物又は無機絶縁物からなされてもよい。
【０１１１】
図４Ｃを参照すれば、第１配線ＷＩ１は複数の第１配線層ＷＩＬ１を含む。第１配線ＷＩ１は例えば、２個、３個、４個、５個、６個の第１配線層ＷＩＬ１を含む。但し、これに限定されることではなく、第１配線ＷＩ１は７個以上の第１配線層ＷＩＬ１を含んでもよい。図４Ｄを参照すれば、第２配線ＷＩ２は複数の第２配線層ＷＩＬ２を含む。第２配線ＷＩ２は例えば、２個、３個、４個、５個、６個の第２配線層ＷＩＬ２を含む。但し、これに限定されることではなく、第２配線ＷＩ２は７個以上の第２配線層ＷＩＬ２を含んでもよい。
【０１１２】
図１Ａ乃至図１Ｃ、及び図４Ａ乃至図４Ｄを参照すれば、第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２の各々は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２のグレインサイズが約１０ｎｍ未満であれば、第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２の抵抗が増加し、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２のグレインサイズが約１００ｎｍを超過すれば、グレインサイズが大きいので、ベンディングによる第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２の柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０１１３】
第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２の各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２の各々の厚さが約１０ｎｍ未満であれば、同一の厚さの第１配線ＷＩ１内で、第１配線層ＷＩＬ１の間の界面の個数、同一の厚さの第２配線ＷＩ２内で、第２配線層ＷＩＬ２の間の界面の個数の各々が増加して抵抗が増加する。このため、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。また、第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２の各々を製造する過程又は提供する過程で信頼性に問題が生じる。第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２の各々の厚さが約１５０ｎｍを超過すれば、ベンディングによる第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２の柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０１１４】
第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２の各々は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、金属、金属の合金及び透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【０１１５】
金属は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含む。
【０１１６】
透明導電性酸化物は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【０１１７】
図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な斜視図である。
【０１１８】
図５Ａ乃至図５Ｃを参照すれば、先に言及したことのように、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１０は第１モード又は第２モードに動作する。本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１０はタッチスクリーンパネルＴＳＰ及びフレキシブル表示パネルＤＰを含む。タッチスクリーンパネルＴＳＰはフレキシブル表示パネルＤＰ上に第１方向ＤＲ１に積層される。
【０１１９】
タッチスクリーンパネルＴＳＰはタッチベンディング部ＢＦ２及びタッチ非ベンディング部ＮＢＦ２を含む。タッチベンディング部ＢＦ２は第１モードから第２方向ＤＲ２に延長されるベンディング軸ＢＸ１を基準にベンディングが発生し、第２モードでベンディングが広げられる。タッチベンディング部ＢＦ２はタッチ非ベンディング部ＮＢＦ２と連結される。タッチ非ベンディング部ＮＢＦ２は第１モード及び第２モードの各々でベンディングが発生しない。
【０１２０】
フレキシブル表示パネルＤＰはパネルベンディング部ＢＦ１及びパネル非ベンディング部ＮＢＦ１を含む。パネルベンディング部ＢＦ１は第１モードから第２方向ＤＲ２に延長されるベンディング軸ＢＸ１を基準にベンディングが発生し、第２モードでベンディングが広げられる。パネルベンディング部ＢＦ１はパネル非ベンディング部ＮＢＦ１と連結される。パネル非ベンディング部ＮＢＦ１は第１モード及び第２モードの各々でベンディングが発生しない。
【０１２１】
図５Ａ及び図５Ｃを参照すれば、第１モードでタッチスクリーンパネルＴＳＰ及びフレキシブル表示パネルＤＰの少なくとも一部がベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）される。図５Ｂを参照すれば、第２モードでタッチスクリーンパネルＴＳＰのタッチベンディング部ＢＦ２及びフレキシブル表示パネルＤＰのパネルベンディング部ＢＦ１のベンディングが広げられる。
【０１２２】
第１モードは第１ベンディングモード及び第２ベンディングモードを含む。図５Ａを参照すれば、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１０は第１ベンディングモードで、ベンディング軸ＢＸ１を基準にいずれか一方向にベンディングされる。フレキシブル表示装置１０は第１ベンディングモードで内側ベンディングされる。内側ベンディングされれば、フレキシブル表示装置１０がベンディングされた時、ベンディングされて互いに対向するタッチスクリーンパネルＴＳＰの間の距離がベンディングされて互いに対向するフレキシブル表示パネルＤＰの間の距離より短い。内側ベンディング時にタッチスクリーンパネルＴＳＰのタッチベンディング部ＢＦ２の一面は第３曲率半径Ｒ３を有する。第３曲率半径Ｒ３は例えば、約１ｎｍ乃至約１０ｎｍである。
【０１２３】
図５Ｃを参照すれば、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１０は第２ベンディングモードで、ベンディング軸ＢＸ１を基準に図５Ａでベンディングされた方向と反対方向にベンディングされる。フレキシブル表示装置１０は第２ベンディングモードで外側ベンディングされる。外側ベンディングされれば、フレキシブル表示装置１０がベンディングされた時、ベンディングされて互いに対向するフレキシブル表示パネルＤＰの間の距離がベンディングされて互いに対向するタッチスクリーンパネルＴＳＰの間の距離より短い。外側ベンディング時にフレキシブル表示パネルＤＰのパネルベンディング部ＢＦ１の一面は第４曲率半径Ｒ４を有する。第４曲率半径Ｒ４は例えば、約１ｎｍ乃至約１０ｎｍである。
【０１２４】
図１Ａ乃至図１Ｃ、及び図５Ａ乃至図５Ｃを参照すれば、フレキシブル表示パネルＤＰ及び前記タッチスクリーンパネルＴＳＰの中で少なくとも１つは１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を有する導電パターンＣＰを含む。導電パターンＣＰはパネルベンディング部ＢＦ１及びタッチベンディング部ＢＦ２少なくとも１つに含む。導電パターンＣＰは１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を有する複数の導電パターン層ＣＰＬ（図２Ｂ）を含む。
【０１２５】
図６Ａは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示パネルに含まれる画素の中で１つの回路図である。図６Ｂは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示パネルに含まれる画素の中で１つを示した平面図である。図６Ｃは図６ＢのＩＩＩ−ＩＩＩ’線に対応して概略的に示した断面図である。
【０１２６】
以下ではフレキシブル表示パネルＤＰが有機発光表示パネルであることを例として説明したが、これに限定されることではなく、フレキシブル表示パネルは液晶表示パネル（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、プラズマ表示パネル（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、電気泳動表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、ＭＥＭＳ表示パネル（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）及びエレクトロ・ウェッティング表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｗｅｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）等であってもよい。
【０１２７】
図１Ａ乃至図１Ｃ、図５Ａ乃至図５Ｃ、及び図６Ａ及び図６Ｂを参照すれば、フレキシブル表示パネルＤＰはフレキシブル基板ＦＢ、及びフレキシブル基板ＦＢ上に提供される導電パターンＣＰを含む。導電パターンＣＰの少なくとも一部はパネルベンディング部ＢＦ１に含む。導電パターンＣＰはパネルベンディング部ＢＦ１に含まれて、パネル非ベンディング部ＮＢＦ１に含まない。導電パターンＣＰはパネルベンディング部ＢＦ１及びパネル非ベンディング部ＮＢＦ１の各々に含む。導電パターンＣＰは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を有する。導電パターンＣＰは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を有する複数の導電パターン層ＣＰＬ（図２Ｂ）を含む。
【０１２８】
導電パターンＣＰは後述するゲート配線ＧＬ、データ配線ＤＬ、駆動電圧配線ＤＶＬ、スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２、キャパシターＣｓｔ、第１半導体パターンＳＭ１、第２半導体パターンＳＭ２、及び第１電極ＥＬ１、及び第２電極ＥＬ２を含む。スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１は第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１、及び第１ドレーン電極ＤＥ１を含む。駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２は第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２、及び第２ドレーン電極ＤＥ２を含む。キャパシターＣｓｔは第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２を含む。
【０１２９】
図６Ａ及び図６Ｂを参照すれば、画素ＰＸの各々はゲート配線ＧＬ、データ配線ＤＬ及び駆動電圧配線ＤＶＬからなされた配線部と連結される。画素ＰＸの各々は配線部に連結された薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２に連結された有機発光素子ＯＥＬ及びキャパシターＣｓｔを含む。
【０１３０】
本発明の一実施例では１つの画素が１つのゲート配線、１つのデータ配線及び１つの駆動電圧配線と連結されることを例として図示したが、これに限定されることではなく、複数個の画素ＰＸが１つのゲート配線、１つのデータ配線及び１つの駆動電圧配線と連結されてもよい。また、１つの画素は少なくとも１つのゲート配線、少なくとも１つのゲート配線及び少なくとも１つの駆動電圧配線と連結される。
【０１３１】
ゲート配線ＧＬは第３方向ＤＲ３に延長される。データ配線ＤＬはゲート配線ＧＬと交差する第４方向ＤＲ４に延長される。駆動電圧配線ＤＶＬはデータ配線ＤＬと実質的に同一の方向、即ち第４方向ＤＲ４に延長される。ゲート配線ＧＬは薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２に走査信号を伝達し、データ配線ＤＬは薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２にデータ信号を伝達し、駆動電圧配線ＤＶＬは薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２に駆動電圧を提供する。
【０１３２】
ゲート配線ＧＬ、データ配線ＤＬ、及び駆動電圧配線ＤＶＬの中で少なくとも１つは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。ゲート配線ＧＬ、データ配線ＤＬ、及び駆動電圧配線ＤＶＬの中で少なくとも１つは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する複数層を含む。ゲート配線ＧＬ、データ配線ＤＬ、及び駆動電圧配線ＤＶＬの中で少なくとも１つに含まれる複数層の各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。
【０１３３】
画素ＰＸの各々は特定カラーの光、例えば、赤色光、緑色光、青色光の中で１つを出射する。カラー光の種類は前述したことに限定されることはなく、例えば、白色光、シアン光、マゼンタ光、イエロー光等が追加されてもよい。
【０１３４】
薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２は有機発光素子ＯＥＬを制御するための駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２と駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２をスイッチングするスイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１とを含む。本発明の一実施例では画素ＰＸの各々が２個の薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２を含むことを説明するが、これに限定されることではなく、画素ＰＸの各々が１つの薄膜トランジスタとキャパシターとを含んでもよく、画素ＰＸの各々が三つ以上の薄膜トランジスタと二つ以上のキャパシターとを具備してもよい。
【０１３５】
スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２及びキャパシターＣｓｔの中で少なくとも１つは１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２及びキャパシターＣｓｔの中で少なくとも１つは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する複数層を含む。スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２及びキャパシターＣｓｔの中で少なくとも１つに含まれる複数層の各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。
【０１３６】
スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１は第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレーン電極ＤＥ１を含む。第１ゲート電極ＧＥ１はゲート配線ＧＬに連結され、第１ソース電極ＳＥ１はデータ配線ＤＬに連結される。第１ドレーン電極ＤＥ１は第５コンタクトホールＣＨ５によって第１共通電極ＣＥ１と連結される。スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１はゲート配線ＧＬに印加される走査信号によってデータ配線ＤＬに印加されるデータ信号を駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２に伝達する。
【０１３７】
第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１、及び第１ドレーン電極ＤＥ１の中で少なくとも１つは１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１、及び第１ドレーン電極ＤＥ１の中で少なくとも１つは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する複数層を含む。第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１、及び第１ドレーン電極ＤＥ１の中で少なくとも１つに含まれる複数層の各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。
【０１３８】
駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２は第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２、及び第２ドレーン電極ＤＥ２を含む。第２ゲート電極ＧＥ２は第１共通電極ＣＥ１に連結される。第２ソース電極ＳＥ２は駆動電圧配線ＤＶＬに連結される。第２ドレーン電極ＤＥ２は第３コンタクトホールＣＨ３によって第１電極ＥＬ１と連結される。
【０１３９】
第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２及び第２ドレーン電極ＤＥ２の中で少なくとも１つは１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２、及び第２ドレーン電極ＤＥ２の中で少なくとも１つは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する複数層を含む。第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２及び第２ドレーン電極ＤＥ２の中で少なくとも１つに含まれる複数層の各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。
【０１４０】
第１電極ＥＬ１は駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の第２ドレーン電極ＤＥ２と連結される。第２電極ＥＬ２には共通電圧が印加され、発光層ＥＭＬは駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の出力信号によってブルー光を出射することにより映像を表示する。第１電極ＥＬ１及び第２電極ＥＬ２に対してはより具体的に後述する。
【０１４１】
キャパシターＣｓｔは駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２と第２ソース電極ＳＥ２との間に連結され、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２に入力されるデータ信号を充電し、維持する。キャパシターＣｓｔは第１ドレーン電極ＤＥ１と第６コンタクトホールＣＨ６によって連結される第１共通電極ＣＥ１及び駆動電圧配線ＤＶＬと連結される第２共通電極ＣＥ２とを含む。
【０１４２】
第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２の中で少なくとも１つは１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２の中で少なくとも１つは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する複数層を含む。第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２の中で少なくとも１つに含まれる複数層の各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。
【０１４３】
図６Ａ乃至図６Ｃを参照すれば、第１フレキシブル基板ＦＢ１は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、プラスチック、有機高分子等を含む。第１フレキシブル基板ＦＢ１をなす有機高分子にはＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン等を挙げる。第１フレキシブル基板ＦＢ１は機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性、防水性等を考慮して選択される。第１フレキシブル基板ＦＢ１は透明である。
【０１４４】
第１フレキシブル基板ＦＢ１上には基板バッファ層（未図示）が提供される。基板バッファ層（未図示）はスイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１及び駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２に不純物が拡散されることを防ぐ。基板バッファ層（未図示）は窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒酸化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）等に形成されることができ、第１フレキシブル基板ＦＢ１の材料及び工程条件によって省略される。
【０１４５】
第１フレキシブル基板ＦＢ１上には第１半導体パターンＳＭ１と第２半導体パターンＳＭ２とが提供される。第１半導体パターンＳＭ１と第２半導体パターンＳＭ２とは半導体素材に形成され、の各々のスイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１と駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の活性層に動作する。第１半導体パターンＳＭ１と第２半導体パターンＳＭ２の各々とはソース部ＳＡ、ドレーン部ＤＡ及びソース部ＳＡとドレーン部ＤＡの間に提供されたチャンネル部ＣＡを含む。第１半導体パターンＳＭ１と第２半導体パターンＳＭ２の各々は無機半導体又は有機半導体から選択されて形成される。ソース部ＳＡ及びドレーン部ＤＡはｎ形不純物又はｐ形不純物がドーピングされる。
【０１４６】
第１半導体パターンＳＭ１及び第２半導体パターンＳＭ２の中で少なくとも１つは１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。第１半導体パターンＳＭ１及び第２半導体パターンＳＭ２の中で少なくとも１つは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する複数層を含む。第１半導体パターンＳＭ１及び第２半導体パターンＳＭ２の中で少なくとも１つに含まれる複数層の各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。
【０１４７】
第１半導体パターンＳＭ１及び第２半導体パターンＳＭ２上にはゲート絶縁層ＧＩが提供される。ゲート絶縁層ＧＩは第１半導体パターンＳＭ１及び第２半導体パターンＳＭ２をカバーする。ゲート絶縁層ＧＩは有機絶縁物又は無機絶縁物からなされる。
【０１４８】
ゲート絶縁層ＧＩ上には第１ゲート電極ＧＥ１と第２ゲート電極ＧＥ２とが提供される。第１ゲート電極ＧＥ１と第２ゲート電極ＧＥ２との各々は第１半導体パターンＳＭ１と第２半導体パターンＳＭ２のドレーン部ＤＡに対応される領域とをカバーするように形成される。
【０１４９】
第１ゲート電極ＧＥ１及び第２ゲート電極ＧＥ２上には第１絶縁層ＩＬ１が提供される。第１絶縁層ＩＬ１は第１ゲート電極ＧＥ１及び第２ゲート電極ＧＥ２をカバーする。第１絶縁層ＩＬ１は有機絶縁物又は無機絶縁物からなされる。
【０１５０】
第１絶縁層ＩＬ１の上には第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレーン電極ＤＥ１、第２ソース電極ＳＥ２と第２ドレーン電極ＤＥ２が提供される。第２ドレーン電極ＤＥ２はゲート絶縁層ＧＩ及び第１絶縁層ＩＬ１に形成された第１コンタクトホールＣＨ１によって第２半導体パターンＳＭ２のドレーン部ＤＡと接触し、第２ソース電極ＳＥ２はゲート絶縁層ＧＩ及び第１絶縁層ＩＬ１に形成された第２コンタクトホールＣＨ２によって第２半導体パターンＳＭ２のソース部ＳＡと接触する。第１ソース電極ＳＥ１はゲート絶縁層ＧＩ及び第１絶縁層ＩＬ１に形成された第４コンタクトホールＣＨ４によって第１半導体パターンＳＭ１のソース部（未図示）と接触し、第１ドレーン電極ＤＥ１はゲート絶縁層ＧＩ及び第１絶縁層ＩＬ１に形成された第５コンタクトホールＣＨ５によって第１半導体パターンＳＭ１のドレーン部（未図示）と接触する。
【０１５１】
第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレーン電極ＤＥ１、第２ソース電極ＳＥ２と第２ドレーン電極ＤＥ２上にはパッシベーション層ＰＬが提供される。パッシベーション層ＰＬはスイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１及び駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２を保護する保護膜の役割をすることができ、その上面を平坦化させる平坦化膜の役割をする。
【０１５２】
パッシベーション層ＰＬ上には第１電極ＥＬ１が提供される。第１電極ＥＬ１は例えば、陽極である。第１電極ＥＬ１はパッシベーション層ＰＬに形成される第３コンタクトホールＣＨ３を通じて駆動薄膜トランジスタＴＲ２の第２ドレーン電極ＤＥ２に連結される。
【０１５３】
パッシベーション層ＰＬ上には画素ＰＸの各々に対応するように発光層ＥＭＬを区画する画素定義膜ＰＤＬが提供される。画素定義膜ＰＤＬは第１電極ＥＬ１の上面を露出し、第１フレキシブル基板ＦＢ１から突出される。画素定義膜ＰＤＬはこれに限定されることではなく、金属−弗素イオン化合物を含んでもよい。例えば、画素定義膜ＰＤＬはＬｉＦ、ＢａＦ２、及びＣｓＦの中でいずれか１つの金属−弗素イオン化合物で構成される。金属−弗素イオン化合物は所定の厚さを有する場合、絶縁特性を有する。画素定義膜ＰＤＬの厚さは例えば、１０ｎｍ乃至１００ｎｍである。画素定義膜ＰＤＬに対してはより具体的に後述する。
【０１５４】
画素定義膜ＰＤＬによって囲まれた領域には有機発光素子ＯＥＬが提供される。有機発光素子ＯＥＬは第１電極ＥＬ１、正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ、電子輸送領域ＥＴＲ、及び第２電極ＥＬ２を含む。
【０１５５】
第１電極ＥＬ１は導電性を有する。第１電極ＥＬ１は画素電極又は陽極である。第１電極ＥＬ１は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。第１電極ＥＬ１は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する複数層を含む。第１電極ＥＬ１に含まれる複数層の各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。
【０１５６】
第１電極ＥＬ１は透過型電極、半透過型電極、又は反射形電極である。第１電極ＥＬ１が透過型電極である場合、第１電極ＥＬ１は透明金属酸化物、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等からなされる。第１電極ＥＬ１が半透過型電極又は反射形電極である場合、第１電極ＥＬ１はＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含む。
【０１５７】
第１電極ＥＬ１上には有機層が配置される。有機層は発光層ＥＭＬを含む。有機層は正孔輸送領域ＨＴＲ及び電子輸送領域ＥＴＲをさらに含む。
【０１５８】
正孔輸送領域ＨＴＲは第１電極ＥＬ１上に提供される。正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層、正孔輸送層、バッファ層及び電子阻止層の中で少なくとも１つを含む。
【０１５９】
正孔輸送領域ＨＴＲは単一物質からなされた単一層、複数の互いに他の物質からなされた単一層又は複数の互いに他の物質からなされた複数層を有する多層構造を有する。
【０１６０】
例えば、正孔輸送領域ＨＴＲは、複数の互いに他の物質からなされた単一層の構造を有するか、或いは第１電極ＥＬ１から順に積層された正孔注入層／正孔輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／バッファ層、正孔注入層／バッファ層、正孔輸送層／バッファ層又は正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層の構造を有するが、これに限定されることではない。
【０１６１】
正孔輸送領域ＨＴＲは、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェット印刷法、レーザープリンティング法、レーザー熱転写法（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）等のような多様な方法を利用して形成される。
【０１６２】
正孔輸送領域ＨＴＲが正孔注入層を含む場合、正孔輸送領域ＨＴＲは銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）等のフタロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）化合物；ＤＮＴＰＤ（Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ、Ｎ’−ｂｉｓ−［４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｍ−ｔｏｌｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｐｈｅｎｙｌ］−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４、４’−ｄｉａｍｉｎｅ）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’、４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＤＡＴＡ（４、４’４”−Ｔｒｉｓ（Ｎ、Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、２ＴＮＡＴＡ（４、４’、４”−ｔｒｉｓ｛Ｎ、−（２−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ｝−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３、４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、ＰＡＮＩ／ＤＢＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、ＰＡＮＩ／ＣＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｃａｍｐｈｏｒ  ｓｕｌｆｏｎｉｃａｃｉｄ）、ＰＡＮＩ／ＰＳＳ（（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）等を含むことができるが、これに限定されることではない。
【０１６３】
正孔輸送領域ＨＴＲが正孔輸送層を含む場合、正孔輸送領域ＨＴＲはＮ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系誘導体、フルオリン（ｆｌｕｏｒｉｎｅ）系誘導体、ＴＰＤ（Ｎ、Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１、１−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４、４’−ｄｉａｍｉｎｅ）、ＴＣＴＡ（４、４’、４”−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）等のようなトリフェニルアミン系誘導体、ＮＰＢ（Ｎ、Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、ＴＡＰＣ（４、４′−Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｉｄｅｎｅ  ｂｉｓ［Ｎ、Ｎ−ｂｉｓ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅ］）等を含むことができるが、これに限定されることではない。
【０１６４】
正孔輸送領域ＨＴＲは先に言及した物質以外に、導電性向上のために電荷生成物質をさらに含む。電荷生成物質は正孔輸送領域ＨＴＲ内に均一に又は不均一に分散されている。電荷生成物質は例えば、ｐ−ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）である。Ｐ−ドーパントはキノン（ｑｕｉｎｏｎｅ）誘導体、金属酸化物、及びシアノ（ｃｙａｎｏ）機含有化合物の中で１つであってもよいが、これに限定されることではない。例えば、ｐ−ドーパントの非制限的な例としては、ＴＣＮＱ（Ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）及びＦ４−ＴＣＮＱ（２、３、５、６−ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ−ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）等のようなキノン誘導体、タングステン酸化物及びモリブデン酸化物等のような金属酸化物等を挙げることができるが、これに限定されることではない。
【０１６５】
発光層ＥＭＬは正孔輸送領域ＨＴＲ上に提供される。発光層ＥＭＬは単一物質からなされた単一層、複数の互いに他の物質からなされた単一層又は複数の互いに他の物質からなされた複数層を有する多層構造を有する。
【０１６６】
発光層ＥＭＬは通常的に使用する物質であれば、特別に限定されないが、例えば、赤色、緑色、及び青色を発光物質からなされることができ、蛍光物質又はりん光物質を含む。また、発光層ＥＭＬはホスト及びドーパントを含む。
【０１６７】
ホストは通常的に使用する物質であれば、特別に限定しないが、例えば、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＣＢＰ（４、４’−ｂｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−１、１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＰＶＫ（ｐｏｌｙ（ｎ−ｖｉｎｙｌｃａｂａｚｏｌｅ）、ＡＤＮ（９、１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＴＣＴＡ（４、４’、４”−Ｔｒｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＰＢｉ（１、３、５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＴＢＡＤＮ（３−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−９、１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）、ＣＤＢＰ（４、４′−ｂｉｓ（９−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−２、２′−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＭＡＤＮ（２−Ｍｅｔｈｙｌ−９、１０−ｂｉｓ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）等が使用される。
【０１６８】
発光層ＥＭＬが赤色を発光する時、発光層ＥＭＬは例えば、ＰＢＤ：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）（ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｏｙｌｍｅｔｈａｎａｔｏ）ｐｈｅｎａｎｔｈｏｒｏｌｉｎｅ  ｅｕｒｏｐｉｕｍ）又はペリレン（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ）を含む蛍光物質を含む。発光層ＥＭＬが赤色を発光する時、発光層ＥＭＬに含まれるドーパントは例えば、ＰＩＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ  ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ  ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ｔｒｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）、及びＰｔＯＥＰ（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｐｏｒｐｈｙｒｉｎ  ｐｌａｔｉｎｕｍ）のような金属着化合物（ｍｅｔａｌ  ｃｏｍｐｌｅｘ）又は有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  ｃｏｍｐｌｅｘ）から選択する。
【０１６９】
発光層ＥＭＬが緑色を発光する時、発光層ＥＭＬは例えば、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）を含む蛍光物質を含む。発光層ＥＭＬが緑色を発光する時、発光層ＥＭＬに含まれるドーパントは例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｆａｃ−ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）のような金属着化合物（ｍｅｔａｌ  ｃｏｍｐｌｅｘ）又は有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  ｃｏｍｐｌｅｘ）から選択する。
【０１７０】
発光層ＥＭＬが青色を発光する時、発光層ＥＭＬは例えば、スピロ−ＤＰＶＢｉ（ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ）、スピロ−６Ｐ（ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、ＤＳＢ（ｄｉｓｔｙｒｙｌ−ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌ−ａｒｙｌｅｎｅ）、ＰＦＯ（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系高分子及びＰＰＶ（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｖｉｎｙｌｅｎｅ）系高分子からなされた群から選択されたいずれか１つを含む蛍光物質を含む。発光層ＥＭＬが青色を発光する時、発光層ＥＭＬに含まれるドーパントは例えば、（４、６−Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒｐｉｃのような金属着化合物（ｍｅｔａｌ  ｃｏｍｐｌｅｘ）又は有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  ｃｏｍｐｌｅｘ）から選択する。発光層ＥＭＬに対してはより具体的に後述するようにする。
【０１７１】
電子輸送領域ＥＴＲは発光層ＥＭＬ上に提供される。電子輸送領域は、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層の中で少なくとも１つを含むことができるが、これに限定されることではない。
【０１７２】
電子輸送領域が電子輸送層を含む場合、電子輸送領域はＡｌｑ３（Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＴＰＢｉ（１、３、５−Ｔｒｉ（１−ｐｈｅｎｙｌ−１Ｈ−ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）、ＢＣＰ（２、９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４、７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、Ｂｐｈｅｎ（４、７−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、ＴＡＺ（３−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−４−ｐｈｅｎｙｌ−５−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ−１、２、４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ＮＴＡＺ（４−（Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）−３、５−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−４Ｈ−１、２、４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ｔＢｕ−ＰＢＤ（２−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１、３、４−ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−Ｎ１、Ｏ８）−（１、１’−Ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｂｅｂｑ２（ｂｅｒｙｌｌｉｕｍｂｉｓ（ｂｅｎｚｏｑｕｉｎｏｌｉｎ−１０−ｏｌａｔｅ）、ＡＤＮ（９、１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）及びこれらの混合物を含むことができるが、これに限定されることではない。電子輸送層の厚さは約１００Å乃至約１０００Å、例えば、約１５０Å乃至約５００Åである。電子輸送層の厚さが前述したことのような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧上昇無しでも満足できる程度の電子輸送特性を得ることができる。
【０１７３】
電子輸送領域が電子注入層を含む場合、電子輸送領域はＬｉＦ、ＬｉＱ（Ｌｉｔｈｉｕｍ  ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｙｂのようなランタノイド金属、又はＲｂＣｌ、ＲｂＩのようなハロゲン化金属等が使用されることができるが、これに限定されることではない。電子注入層はまた電子輸送物質と絶縁性の有機金属塩（ｏｒｇａｎｏ  ｍｅｔａｌ  ｓａｌｔ）とが混合された物質からなされる。有機金属塩はエネルギーバンドギャップ（ｅｎｅｒｇｙ  ｂａｎｄ  ｇａｐ）が約４ｅＶ以上の物質になる。具体的に例えば、有機金属塩は金属アセテート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、金属ベンゾエート（ｍｅｔａｌ  ｂｅｎｚｏａｔｅ）、金属アセトアセテート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔｏａｃｅｔａｔｅ）、金属アセチルアセトネート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、又は金属ステアレート（ｓｔｅａｒａｔｅ）を含む。電子注入層の厚さは約１Å乃至約１００Å、約３Å乃至約９０Åである。電子注入層の厚さが前述したような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧上昇無しでも満足できる程度の電子輸送特性を得ることができる。
【０１７４】
電子輸送領域は先に言及したことのように、正孔阻止層を含む。正孔阻止層は例えば、ＢＣＰ（２、９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４、７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）及びＢｐｈｅｎ（４、７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）の中で少なくとも１つを含むことができるが、これに限定されることではない。
【０１７５】
第２電極ＥＬ２は電子輸送領域ＥＴＲ上に提供される。第２電極ＥＬ２は共通電極又は陰極である。第２電極ＥＬ２は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。第２電極ＥＬ２は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する複数層を含む。第２電極ＥＬ２に含まれる複数層の各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。
【０１７６】
第２電極ＥＬ２は透過型電極、半透過型電極、又は反射形電極である。第２電極ＥＬ２が透過型電極である場合、第２電極ＥＬ２はＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、ＢａＦ、Ｂａ、Ａｇ、又はこれらの化合物や混合物（例えば、ＡｇとＭｇの混合物）を含む。
【０１７７】
第２電極ＥＬ２は補助電極を含む。補助電極は物質発光層ＥＭＬに向かうように蒸着して形成された膜、及び前記膜上に透明金属酸化物、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、Ｍｏ、Ｔｉ等を含む。
【０１７８】
第２電極ＥＬ２が半透過型電極又は反射形電極である場合、第２電極ＥＬ２はＡｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、又はこれらの化合物や混合物（例えば、ＡｇとＭｇの混合物）を含む。又は前記物質で形成された反射膜や半透過膜及びＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等に形成された透明導電膜を含む複数の層構造である。
【０１７９】
有機発光素子ＯＥＬが前面発光形である場合、第１電極ＥＬ１は反射形電極であり、第２電極ＥＬ２は透過型電極又は半透過型電極である。有機発光素子が背面発光形である場合、第１電極ＥＬ１は透過型電極又は半透過型電極であり、第２電極ＥＬ２は反射形電極である。
【０１８０】
有機発光素子ＯＥＬで、第１電極ＥＬ１と第２電極ＥＬ２の各々とに電圧が印加されることによって、第１電極ＥＬ１から注入された正孔（ｈｏｌｅ）は正孔輸送領域ＨＴＲを経て発光層ＥＭＬに移動され、第２電極ＥＬ２から注入された電子が電子輸送領域ＥＴＲを経て発光層ＥＭＬに移動される。電子と正孔は発光層ＥＭＬで再結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成し、励起子が励起状態から底状態に落ちながら、発光する。
【０１８１】
第２電極ＥＬ２上には封止層ＳＬが提供される。封止層ＳＬは第２電極ＥＬ２をカバーする。封止層ＳＬは有機層及び無機層の中で少なくとも１つの層を含む。封止層ＳＬは例えば、薄膜封止層である。封止層ＳＬは有機発光素子ＯＥＬを保護する。
【０１８２】
図７Ａは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な断面図である。図７Ｂは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれるタッチスクリーンパネルを概略的に示した平面図である。
【０１８３】
図８Ａは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の概略的な断面図である。図８Ｂは本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれるタッチスクリーンパネルを概略的に示した平面図である。
【０１８４】
図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、及び図８Ｂを参照すれば、タッチスクリーンパネルＴＳＰはフレキシブル表示パネルＤＰ上に提供される。タッチスクリーンパネルＴＳＰは封止層ＳＬ（図６Ｃ）上に提供される。タッチスクリーンパネルＴＳＰは使用者の直接タッチ、使用者の間接タッチ、物体の直接タッチ、又は物体の間接タッチを認識する。間接タッチとは使用者又は物体がタッチスクリーンパネルＴＳＰを直接的に接触しなくとも、タッチスクリーンパネルＴＳＰが使用者又は物体がタッチすることとして認識することができる距離にあり、タッチスクリーンパネルＴＳＰがタッチを認識することを意味する。
【０１８５】
直接タッチ又は間接タッチが発生されれば、例えば、感知電極ＴＥに含まれる第１感知電極Ｔｘ及び第２感知電極Ｒｘの間に靜電容量の変化が発生される。靜電容量の変化によって第１感知電極Ｔｘに印加される感知信号はディレイされて第２感知電極Ｒｘに提供される。タッチスクリーンパネルＴＳＰは感知信号のディレイ値からタッチ座標をセンシングする。
【０１８６】
本発明の一実施形態による表示装置１０ではタッチスクリーンパネルＴＳＰが靜電容量方式に駆動されることを例として説明したが、これに限定されることではなく、タッチスクリーンパネルＴＳＰは抵抗膜方式に駆動されてもよい。また、タッチスクリーンパネルＴＳＰはセルフキャップ（Ｓｅｌｆ  ｃａｐ）方式又はミューチュアルキャップ（Ｍｕｔｕａｌ  ｃａｐ）方式の中でいずれか１つの方式に駆動される。
【０１８７】
図１Ａ乃至図１Ｃ、図５Ａ乃至図５Ｃ、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、及び図８Ｂを参照すれば、タッチスクリーンパネルＴＳＰは導電パターンＣＰの少なくとも一部はタッチベンディング部ＢＦ２に含む。導電パターンＣＰはタッチベンディング部ＢＦ２に含まれ、タッチ非ベンディング部ＮＢＦ２に含まない。導電パターンＣＰはタッチベンディング部ＢＦ２及びタッチ非ベンディング部ＮＢＦ２の各々に含む。導電パターンＣＰは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を有する。導電パターンＣＰは約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を有する複数の導電パターン層ＣＰＬ（図２Ｂ）を含む。
【０１８８】
導電パターンＣＰは後述する感知電極ＴＥ、第１連結配線ＴＬ１、第２連結配線ＴＬ２、第１ファンアウト配線ＰＯ１、第２ファンアウト配線ＰＯ２、第１ブリッジＢＤ１、第２ブリッジＢＤ２を含む。
【０１８９】
感知電極ＴＥは封止層ＳＬ上に提供される。図示してないが、感知電極ＴＥ及び封止層ＳＬの間には別のフレキシブル基板が提供されてもよい。感知電極ＴＥは１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する。
【０１９０】
感知電極ＴＥは第１感知電極Ｔｘ及び第２感知電極Ｒｘを含む。第１感知電極Ｔｘ及び第２感知電極Ｒｘの各々は互いに電気的に絶縁される。第１感知電極Ｔｘ及び第２感知電極Ｒｘの各々は大略的に斜方形、正方形、長方形、円形、または定型化されていない模様（例えば、デンドライト（ｄｅｎｄｒｉｔｅ）の構造のように木の枝が絡み合っている模様）等の多様な形状を有する。第１感知電極Ｔｘ及び第２感知電極Ｒｘの各々はメッシュ形状を有する。
【０１９１】
図７Ａ及び図７Ｂを参照すれば、第１感知電極Ｔｘ及び第２感知電極Ｒｘは互いに異なる層上に提供される。例えば、第１感知電極Ｔｘは封止層ＳＬ上に提供され、第１感知電極Ｔｘ上には絶縁層ＩＬ２が提供される。第２感知電極Ｒｘは第１感知電極Ｔｘ上に提供される。
【０１９２】
第１感知電極Ｔｘは例えば、第５方向ＤＲ５に延長され、第６方向ＤＲ６に互いに離隔される。第２感知電極Ｒｘは例えば、第６方向ＤＲ６に延長され、第５方向ＤＲ５に互いに離隔される。
【０１９３】
図８Ａ及び図８Ｂを参照すれば、第１感知電極Ｔｘ及び第２感知電極Ｒｘは互いに同一の層上に提供される。第１感知電極Ｔｘ及び第２感知電極Ｒｘの各々は封止層ＳＬ上に提供される。第１感知電極Ｔｘは第５方向ＤＲ５及び第６方向ＤＲ６に離隔されて提供される。
【０１９４】
第５方向ＤＲ５に離隔された第１感知電極Ｔｘは第１ブリッジＢＤ１によって連結される。第２感知電極Ｒｘは第５方向ＤＲ５及び第６方向ＤＲ６に離隔されて提供される。第６方向ＤＲ６に離隔された第２感知電極Ｒｘは第２ブリッジＢＤ２によって連結される。第２ブリッジＢＤ２は第１ブリッジＢＤ１上に提供される。図示してないが、第２ブリッジＢＤ２及び第１ブリッジＢＤ１の間には絶縁層が提供される。
【０１９５】
第１ブリッジＢＤ１及び第２ブリッジＢＤ２の各々は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。第１ブリッジＢＤ１及び第２ブリッジＢＤ２の各々は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する複数層で構成される。第１ブリッジＢＤ１及び第２ブリッジＢＤ２の各々に含まれる複数層の各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。
【０１９６】
連結配線ＴＬ１、ＴＬ２は感知電極ＴＥと電気的に連結される。連結配線ＴＬ１、ＴＬ２は１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する。
【０１９７】
連結配線ＴＬ１、ＴＬ２は第１連結配線ＴＬ１及び第２連結配線ＴＬ２を含む。第１連結配線ＴＬ１は第１感知電極Ｔｘ及び第１ファンアウト配線ＰＯ１と連結される。第２連結配線ＴＬ２は第２感知電極Ｒｘ及び第２ファンアウト配線ＰＯ２と連結される。
【０１９８】
ファンアウト配線ＰＯ１、ＰＯ２は連結配線ＴＬ１、ＴＬ２及びパッド部ＰＤ１、ＰＤ２と連結される。ファンアウト配線ＰＯ１、ＰＯ２は第１ファンアウト配線ＰＯ１及び第２ファンアウト配線ＰＯ２を含む。第１ファンアウト配線ＰＯ１は第１連結配線ＴＬ１及び第１パッド部ＰＤ１と連結される。第２ファンアウト配線ＰＯ２は第２連結配線ＴＬ２及び第２パッド部ＰＤ２と連結される。
【０１９９】
パッド部ＰＤ１、ＰＤ２は感知電極ＴＥと電気的に連結される。パッド部ＰＤ１、ＰＤ２は１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する。パッド部ＰＤ１、ＰＤ２は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する複数の層を含む。パッド部ＰＤ１、ＰＤ２に含まれる複数の層の各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。
【０２００】
パッド部ＰＤ１、ＰＤ２は第１パッド部ＰＤ１及び第２パッド部ＰＤ２を含む。第１パッド部ＰＤ１は第１ファンアウト配線ＰＯ１と連結される。第１パッド部ＰＤ１は第１感知電極Ｔｘと電気的に連結される。第２パッド部ＰＤ２は第２ファンアウト配線ＰＯ２と連結される。第２パッド部ＰＤ２は第２感知電極Ｒｘと電気的に連結される。
【０２０１】
図９Ａは本発明の一実施形態によるタッチスクリーンパネルに含まれる感知電極の概略的な断面図である。
【０２０２】
図９Ａを参照すれば、感知電極ＴＥは複数の感知電極層ＴＥＬを含む。感知電極ＴＥは例えば、２個、３個、４個、５個、６個の感知電極層ＴＥＬを含む。但し、これに限定されることではなく、感知電極ＴＥは７個以上感知電極層ＴＥＬを含んでもよい。感知電極層ＴＥＬの間には空気層が提供される。
【０２０３】
感知電極層ＴＥＬの各々は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。感知電極層ＴＥＬのグレインサイズが約１０ｎｍ未満であれば、感知電極層ＴＥＬの抵抗が増加し、フレキシブル表示装置１０（図５Ａ）の駆動のための消費電力が増加する。感知電極層ＴＥＬのグレインサイズが約１００ｎｍを超過すれば、グレインサイズが大きいので、ベンディングによる感知電極層ＴＥＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０２０４】
感知電極層ＴＥＬの各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。感知電極層ＴＥＬの各々の厚さが約１０ｎｍ未満であれば、同一の厚さの感知電極ＴＥ内で、感知電極層ＴＥＬの間の界面の個数が増加して抵抗が増加する。このため、フレキシブル表示装置１０（図５Ａ）の駆動のための消費電力が増加する。また、感知電極層ＴＥＬの各々を製造する過程又は提供する過程で信頼性に問題が生じる。感知電極層ＴＥＬの各々の厚さが約１５０ｎｍを超過すれば、ベンディングによる感知電極層ＴＥＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０２０５】
感知電極層ＴＥＬの各々は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、金属、金属の合金及び透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【０２０６】
金属は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含む。
【０２０７】
透明導電性酸化物は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【０２０８】
図９Ｂは本発明の一実施形態によるタッチスクリーンパネルに含まれる配線の概略的な断面図である。
【０２０９】
図９Ｂを参照すれば、配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＰＯ１、ＰＯ２は複数の配線層ＴＬＬを含む。配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＰＯ１、ＰＯ２は例えば、２個、３個、４個、５個、６個の配線層ＴＬＬを含む。但し、これに限定されることではなく、配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＰＯ１、ＰＯ２は７個以上の配線層ＴＬＬを含んでもよい。配線層ＴＬＬの間には空気層が提供される。
【０２１０】
配線層ＴＬＬの各々は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍのグレインサイズを有する。配線層ＴＬＬのグレインサイズが約１０ｎｍ未満であれば、配線層ＴＬＬの抵抗が増加し、フレキシブル表示装置１０（図５Ａ）の駆動のための消費電力が増加する。配線層ＴＬＬのグレインサイズが約１００ｎｍを超過すれば、グレインサイズが大きいので、ベンディングによる配線層ＴＬＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０２１１】
配線層ＴＬＬの各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さを有する。配線層ＴＬＬの各々の厚さが約１０ｎｍ未満であれば、同一の厚さの配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＰＯ１、ＰＯ２内で、配線層ＴＬＬの間の界面の個数が増加して抵抗が増加する。このため、フレキシブル表示装置１０（図５Ａ）の駆動のための消費電力が増加する。また、配線層ＴＬＬの各々を製造する過程又は提供する過程で信頼性に問題が生じる。配線層ＴＬＬの各々の厚さが約１５０ｎｍを超過すれば、ベンディングによる配線層ＴＬＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０２１２】
配線層ＴＬＬの各々は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、金属、金属の合金及び透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【０２１３】
金属は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含む。
【０２１４】
透明導電性酸化物は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【０２１５】
従来のフレキシブル表示装置に含まれる導電パターンは本発明の一実施形態による導電パターンより大きいグレインサイズを有し、ベンディングによる柔軟性を確保することが難しかった。このため、フレキシブル表示装置にベンディングが反復されれば、導電パターンにクラック又は断線が発生してフレキシブル表示装置の信頼性が低下する問題があった。
【０２１６】
また、ベンディングによる柔軟性を確保することが難しく、いずれか一方向にベンディング及び前記いずれか一方向と反対方向にベンディングが反復的に発生する場合、導電パターンにクラック又は断線が発生する場合が多かった。
【０２１７】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる導電パターンは先に言及した範囲のグレインサイズを有するか、或いは先に言及した範囲のグレインサイズを有する複数の導電パターン層を含み、導電パターンの抵抗を大きく増加させることなく、ベンディングによる柔軟性を確保する。したがって、フレキシブル表示装置にベンディングが反復されても、導電パターンにクラック又は断線の発生頻度が従来フレキシブル表示装置でのクラック又は断線の発生頻度より顕著に低い。このため、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の信頼性を確保する。
【０２１８】
また、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置はベンディングによる柔軟性が確保され、いずれか一方向にベンディング及び前記いずれか一方向と反対方向にベンディングが反復的に発生する場合にも、導電パターンにクラック又は断線が発生頻度を顕著に下げる。
【０２１９】
以下では本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法について説明する。以下では先に説明した本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置との差異点を中心に具体的に説明し、説明されない部分は先に説明した本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に従う。
【０２２０】
図１０は本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法を概略的に示したフローチャートである。
【０２２１】
図１Ａ乃至図１Ｃ、図２Ａ、図２Ｂ、及び図１０を参照すれば、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１０の製造方法はフレキシブル基板ＦＢを準備する段階（Ｓ１００）及びフレキシブル基板ＦＢ上に１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する導電パターンＣＰを提供する段階（Ｓ２００）を含む。
【０２２２】
フレキシブル基板ＦＢは通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、プラスチック、有機高分子等を含む。フレキシブル基板ＦＢをなす有機高分子にはＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン等を挙げる。フレキシブル基板ＦＢは機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性、防水性等を考慮して選択されることができる。フレキシブル基板ＦＢは透明である。
【０２２３】
フレキシブル基板ＦＢ上に導電パターンＣＰを提供する。導電パターンＣＰを提供する段階（Ｓ２００）は金属、金属の合金及び透明導電性酸化物の中で少なくとも１つをスパッタリングして遂行される。例えば、導電パターンＣＰは常温で約１分乃至約３分の間にスパッタリングして形成される。例えば、導電パターンＣＰは約５０℃乃至６０℃で約１分乃至約３分の間にスパッタリングして形成される。
【０２２４】
金属は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含む。
【０２２５】
透明導電性酸化物は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【０２２６】
導電パターンＣＰを提供する段階（Ｓ２００）で、導電パターンＣＰのグレインサイズが約１０ｎｍ未満であれば、導電パターンＣＰの抵抗が増加して、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。導電パターンＣＰのグレインサイズが約１００ｎｍを超過すれば、グレインサイズが大きいので、ベンディングによる柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０２２７】
導電パターンＣＰを提供する段階（Ｓ２００）は１０ｎｍ乃至１００ｎｍのグレインサイズを有する複数の導電パターン層ＣＰＬを形成する段階を含む。導電パターンＣＰを提供する段階（Ｓ２００）は金属、金属の合金、及び透明導電性酸化物の中で少なくとも１つをスパッタリングして第１導電層を形成する段階、第１導電層上に直接的に、金属、金属の合金及び透明導電性酸化物の中で少なくとも１つをスパッタリングして第２導電層を形成する段階及び第１導電層及び第２導電層の一部をマスキングし、蝕刻して導電パターンを形成する段階を含む。
【０２２８】
導電パターン層ＣＰＬのグレインサイズが約１０ｎｍ未満であれば、導電パターン層ＣＰＬの抵抗が増加し、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。導電パターン層ＣＰＬのグレインサイズが約１００ｎｍを超過すれば、グレインサイズが大きいので、ベンディングによる導電パターン層ＣＰＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０２２９】
導電パターン層ＣＰＬの各々は約１０ｎｍ乃至約１５０ｎｍの厚さｔ１を有する。導電パターン層ＣＰＬの各々の厚さｔ１が約１０ｎｍ未満であれば、同一の厚さｔ１の導電パターンＣＰ内で、導電パターン層ＣＰＬの間の界面の個数が増加して抵抗が増加する。このため、フレキシブル表示装置１０の駆動のための消費電力が増加する。また、導電パターン層ＣＰＬの各々を製造する過程又は提供する過程で信頼性に問題が生じる。導電パターン層ＣＰＬの各々の厚さｔ１が約１５０ｎｍを超過すれば、ベンディングによる導電パターン層ＣＰＬの柔軟性を確保することが難しく、このためクラック又は断線が発生して信頼性に問題が生じる。
【０２３０】
導電パターン層ＣＰＬの各々は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、金属、金属の合金及び透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【０２３１】
金属は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒの中で少なくとも１つを含む。
【０２３２】
透明導電性酸化物は通常的に使用するものであれば、特別に限定しないが、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、及びＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の中で少なくとも１つを含む。
【０２３３】
従来フレキシブル表示装置の製造方法によって製造されたフレキシブル表示装置に含まれる導電パターンは本発明の一実施形態による導電パターンより大きいグレインサイズを有し、ベンディングによる柔軟性を確保することが難しかった。このため、フレキシブル表示装置にベンディングが反復されれば、導電パターンにクラック又は断線が発生してフレキシブル表示装置の信頼性が低下する問題があった。
【０２３４】
また、ベンディングによる柔軟性を確保することが難しく、いずれか一方向にベンディング及び前記いずれか一方向と反対方向にベンディングが反復的に発生する場合、導電パターンにクラック又は断線が発生する場合が多かった。
【０２３５】
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法によって製造されたフレキシブル表示装置に含まれる導電パターンは先に言及した範囲のグレインサイズを有するか、或いは先に言及した範囲のグレインサイズを有する複数の導電パターン層を含んで、導電パターンの抵抗を大きく増加させなく、ベンディングによる柔軟性を確保する。したがって、フレキシブル表示装置にベンディングが反復されても、導電パターンにクラック又は断線の発生頻度が従来フレキシブル表示装置でのクラック又は断線の発生頻度より顕著に低い。このため、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の信頼性を確保する。
【０２３６】
また、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法によって製造されたフレキシブル表示装置はベンディングによる柔軟性が確保され、いずれか一方向にベンディング及び前記いずれか一方向と反対方向にベンディングが反復的に発生する場合にも、導電パターンにクラック又は断線が発生頻度を顕著に下げる。
【０２３７】
以下、具体的な実施形態を通じて本発明をより具体的に説明する。下記の実施例は、本発明の理解を助けるための例示に過ぎなく、本発明の範囲がこれに限定されることではない。
【０２３８】
(実施例)
(実施例１)
ＰＣ（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ）基板上にＡｌを約５０ｎｍ厚さにスパッタリングして導電パターンを形成した。導電パターン上に絶縁層を形成した。
【０２３９】
(実施例２)
Ａｌを約１００ｎｍ厚さにして導電パターンを形成することを除ければ、実施例１と同様に遂行した。
【０２４０】
(実施例３)
ＰＣ（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ）基板上にＡｌを約６０℃で約２分の間にスパッタリングして５０ｎｍ厚さの導電パターン層を形成する工程を６回遂行して、導電パターン層を６個含む導電パターンを形成した。
【０２４１】
(実施例４)
実施例３で約６０℃ではなく約２０℃でスパッタリングを遂行したことを除ければ、実施例３と同様に遂行した。
【０２４２】
(実施例５)
ＰＣ（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ）基板上にＣｕをスパッタリングして５０ｎｍ厚さの導電パターン層を形成する工程を６回遂行して、導電パターン層を６個含む導電パターンを形成した。
【０２４３】
(実施例６)
ＰＣ（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ）基板上にＡｌをスパッタリングして１５０ｎｍ厚さの第１Ａｌ導電パターン層を形成し、第１Ａｌ導電パターン層上にＴｉをスパッタリングして５ｎｍ厚さのＴｉ導電パターン層を形成し、Ｔｉ導電パターン層上にＡｌをスパッタリングして１５０ｎｍ厚さの第２Ａｌ導電パターン層を形成した。
【０２４４】
(実施例７)
ＰＣ（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ）基板上にＡｌをスパッタリングして１００ｎｍ厚さの第１Ａｌ導電パターン層を形成し、第１Ａｌ導電パターン層上にＣｕをスパッタリングして１００ｎｍ厚さのＣｕ導電パターン層を形成し、Ｃｕ導電パターン層上にＡｌをスパッタリングして１００ｎｍ厚さの第２Ａｌ導電パターン層を形成した。
【０２４５】
(実施例８)
ＰＣ（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ）基板上にＴｉをスパッタリングして２０ｎｍ厚さのＴｉ導電パターン層を形成し、Ｔｉ導電パターン層上にＣｕをスパッタリングして１５０ｎｍ厚さのＣｕ導電パターン層を形成し、Ｃｕ導電パターン層上にＡｌをスパッタリングして１５０ｎｍ厚さのＡｌ導電パターン層を形成した。
【０２４６】
(比較例１)
ＰＣ（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ）基板上にＡｌを約６０℃で約２分の間にスパッタリングして３００ｎｍ厚さに導電パターンを形成することを除ければ、実施例１と同様に遂行した。
【０２４７】
(比較例２)
比較例１で約６０℃ではなく約２０℃でスパッタリングを遂行したことを除ければ、比較例１と同様に遂行した。
【０２４８】
(比較例３)
ＰＣ（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ）基板上にＡｌを２００ｎｍ厚さにして導電パターンを形成することを除ければ、実施例１と同様に遂行した。
【０２４９】
１．測定
１）グレインサイズ測定
実施例１乃至３、実施例５乃至８、比較例１及び２の各々の導電パターンの断面をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）に撮影して、グレインサイズを測定した。ＳＥＭ写真はＦＥＩ社のＨｅｌｉｏｓ４５０を使用して撮影した。測定されたＳＥＭイメージを図１１Ａ、図１１Ｂに図示し、グレインサイズを下記の表１に示した。また、実施例３及び４、比較例１及び２の断面を撮影して図１２に示した。
【０２５０】
【表１】
2016224439.tif 000003
【０２５１】
２）グレイン数測定
実施例１及び２、比較例１及び２の各々の導電パターンの断面をＳＥＭで撮影し、１平方マイクロメータ（μｍ２）の単位面積内にグレイン数を測定した。グレイン数を下記の表２に示した。
【０２５２】
【表２】
2016224439.tif 000004
【０２５３】
３）内側ベンディング及び外側ベンディングによる断線可否の確認
実施例１乃至８、比較例１及び３の各々の内側ベンディングによる断線可否、外側ベンディングによる断線の可否を確認した。比較例１及び３の各々の内側ベンディングによる断線の可否を図１３に示した。
【０２５４】
４）内側ベンディング及び外側ベンディングによる抵抗変化率測定
実施例１、２及び５、比較例１及び３の各々の内側ベンディングによる抵抗変化率、外側ベンディングによる抵抗変化率を測定した。内側ベンディングによる抵抗変化率を表３に示し、外側ベンディングによる抵抗変化率を表４に示した。
【０２５５】
【表３】
2016224439.tif 000005
【０２５６】
【表４】
2016224439.tif 000006
【０２５７】
２．測定結果
１）グレインサイズ測定
図１１Ａ、図１１Ｂ、及び図１２と表１を参照すると、実施例１乃至８の各々のグレインサイズが、比較例１及び２のグレインサイズより小さいことを確認した。
【０２５８】
２）グレイン数測定
表２で確認することができるように実施例１及び２のグレイン数が比較例１及び３のグレイン数より多いことを確認した。
【０２５９】
３）内側ベンディング及び外側ベンディングによる断線可否の確認
実施例１乃至８では内側ベンディング、外側ベンディングによる断線が発生しなかったが、比較例１及び３では図１３で確認することができるように内側ベンディング、外側ベンディングで全て断線が発生した。
【０２６０】
４）内側ベンディング及び外側ベンディングによる抵抗変化率測定
表３及び表４を参照すると、実施例１、２及び５では内側ベンディングによる抵抗変化率、外側ベンディングによる抵抗変化率が概ね発生しなかったが、比較例１及び３では内側ベンディングによる抵抗変化率、外側ベンディングによる抵抗変化率が大きいことを確認した。
【０２６１】
以上、添付された図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須的な特徴を変形しなく、他の具体的な形態に実施できることが理解できる。したがって、以上で記述した実施形態は、すべての面で例示的なことであり、限定的なことではないと理解しなければならない。
【符号の説明】
【０２６２】
１０             フレキシブル表示装置
ＦＢ             フレキシブル基板
ＣＰ             導電パターン
ＤＰ             表示パネル
ＴＳＰ     タッチスクリーンパネル
【図１Ａ】
2016224439.tif 000007
【図１Ｂ】
2016224439.tif 000008
【図１Ｃ】
2016224439.tif 000009
【図２Ａ】
2016224439.tif 000010
【図２Ｂ】
2016224439.tif 000011
【図２Ｃ】
2016224439.tif 000012
【図２Ｄ】
2016224439.tif 000013
【図３Ａ】
2016224439.tif 000014
【図３Ｂ】
2016224439.tif 000015
【図３Ｃ】
2016224439.tif 000016
【図４Ａ】
2016224439.tif 000017
【図４Ｂ】
2016224439.tif 000018
【図４Ｃ】
2016224439.tif 000019
【図４Ｄ】
2016224439.tif 000020
【図５Ａ】
2016224439.tif 000021
【図５Ｂ】
2016224439.tif 000022
【図５Ｃ】
2016224439.tif 000023
【図６Ａ】
2016224439.tif 000024
【図６Ｂ】
2016224439.tif 000025
【図６Ｃ】
2016224439.tif 000026
【図７Ａ】
2016224439.tif 000027
【図７Ｂ】
2016224439.tif 000028
【図８Ａ】
2016224439.tif 000029
【図８Ｂ】
2016224439.tif 000030
【図９Ａ】
2016224439.tif 000031
【図９Ｂ】
2016224439.tif 000032
【図１０】
2016224439.tif 000033
【図１１Ａ】
2016224439.tif 000034
【図１１Ｂ】
2016224439.tif 000035
【図１２】
2016224439.tif 000036
【図１３】
2016224439.tif 000037