(57)【要約】【課題】表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】画像を表示する表示領域の周辺に位置する非表示領域においてその一端側に配置された実装部と、表示領域と実装部との間に形成され第１方向に延在する第１金属層と、非表示領域の他端側に形成され、第１金属層より表示領域から離れた位置に配置され、第１方向に延在する第２金属層と、第１及び第２金属層を覆い、非表示領域における膜厚が表示領域における膜厚より薄い層間絶縁膜と、表示領域において第１方向と交差する第２方向に延在し第１方向に並ぶカラム配線と、層間絶縁膜を介して第１金属層と対向し、第１金属層及びカラム配線と電気的に接続された第１ブリッジ配線と、層間絶縁膜を介して第２金属層と対向し、第２金属層及びカラム配線と電気的に接続された第２ブリッジ配線と、を備え、第１及び第２ブリッジ配線の少なくとも一方は、第１方向に沿って不連続に形成された、表示装置。【選択図】      図６
2016122122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示領域の周辺に位置する非表示領域において、その一端側に配置された実装部と、
前記表示領域と前記実装部との間に形成され第１方向に延在する第１金属層と、
前記非表示領域の他端側に形成され、前記第１金属層より前記表示領域から離れた位置に配置され、前記第１方向に延在する第２金属層と、
前記第１及び第２金属層を覆い、前記非表示領域における膜厚が前記表示領域における膜厚より薄い層間絶縁膜と、
前記表示領域において前記第１方向と交差する第２方向に延在し前記第１方向に並ぶカラム配線と、
前記層間絶縁膜を介して前記第１金属層と対向し、前記第１金属層及び前記カラム配線と電気的に接続された第１ブリッジ配線と、
前記層間絶縁膜を介して前記第２金属層と対向し、前記第２金属層及び前記カラム配線と電気的に接続された第２ブリッジ配線と、を備え、
前記第１及び第２ブリッジ配線の少なくとも一方は、前記第１方向に沿って不連続に形成された、表示装置。
【請求項２】
前記層間絶縁膜は、前記表示領域において第１膜厚を有し、前記非表示領域のうち、前記表示領域と前記第１及び第２金属層の間の領域において前記第１膜厚より薄い第２膜厚を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記層間絶縁膜は、前記表示領域において第１膜厚を有し、前記非表示領域のうち、前記第１及び第２金属層と対向する領域において前記第１膜厚より薄い第３膜厚を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記層間絶縁膜は、前記表示領域において第１膜厚を有し、前記非表示領域のうち、前記表示領域と前記第１及び第２金属層との間の領域において前記第１膜厚より薄い第２膜厚を有し、前記第１及び第２金属層と対向する領域において前記第２膜厚より薄い第３膜厚を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１及び第２ブリッジ配線は、ブリッジ部を備えている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ブリッジ部は非矩形状である、請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶層中の液晶分子を初期配向させるため、対向する基板の液晶層に接する面に形成された配向膜を備えている。配向膜の下層に位置する平坦化膜の表面に段差が存在すると、配向膜に成膜不良が生じる恐れがある。一例として、平坦化膜のパターン端部において、平坦化膜が膜厚の薄い薄膜部を備えることにより、大きな段差が生じることを回避する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５５４４３３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、  
画像を表示する表示領域の周辺に位置する非表示領域において、その一端側に配置された実装部と、前記表示領域と前記実装部との間に形成され第１方向に延在する第１金属層と、前記非表示領域の他端側に形成され、前記第１金属層より前記表示領域から離れた位置に配置され、前記第１方向に延在する第２金属層と、前記第１及び第２金属層を覆い、前記非表示領域における膜厚が前記表示領域における膜厚より薄い層間絶縁膜と、前記表示領域において前記第１方向と交差する第２方向に延在し前記第１方向に並ぶカラム配線と、前記層間絶縁膜を介して前記第１金属層と対向し、前記第１金属層及び前記カラム配線と電気的に接続された第１ブリッジ配線と、前記層間絶縁膜を介して前記第２金属層と対向し、前記第２金属層及び前記カラム配線と電気的に接続された第２ブリッジ配線と、を備え、前記第１及び第２ブリッジ配線の少なくとも一方は、前記第１方向に沿って不連続に形成された、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態に係る表示装置の概略を示す斜視図である。
【図２】図２は、画素の構成を示す図である。
【図３】図３は、表示装置の断面を示す図である。
【図４】図４は、第１基板におけるセンサ電極を示す図である。
【図５】図５は、センサ電極の構造を示す平面図である。
【図６】図６は、第１の実施形態における、図５に図示したＶＩ−ＶＩ’の断面を示す図である。
【図７】図７は、第２の実施形態におけるブリッジ配線の形状、及びその変形例を示した図である。
【図８】図８は、第２の実施形態におけるブリッジ配線の変形例を示した図である。
【図９】図９は、第３の実施形態における第２絶縁膜１２の形状、及びその変形例を示した図である。
【図１０】図１０は、第３の実施形態における第２絶縁膜１２の変形例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
以下、図面を参照しながら説明する。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る表示装置の概略を示す斜視図である。なお、本実施形態においては、表示装置が液晶表示パネルを有する場合について説明するが、これに限らず、表示パネルとして有機エレクトロルミネッセンス等の自発光型表示パネル、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型表示パネル等、を用いたものであっても良い。
【００１０】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ、表示パネルＰＮＬを照明するバックライトユニットＢＬ、制御モジュールＣＭ、フレキシブル回路基板ＦＰＣ１、ＦＰＣ２などを備えている。なお、本実施形態において、第１方向Ｘは、例えば表示パネルＰＮＬの短辺方向である。第２方向Ｙは、第１方向Ｘに交差する方向であり、表示パネルＰＮＬの長辺方向である。また、第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに交差する方向である。
【００１１】
表示パネルＰＮＬは、第１基板１００と、第１基板１００に対向配置された第２基板２００と、第１基板１００と第２基板２００との間に挟持された液晶層（後述する液晶層ＬＱ）と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡの周辺に位置する額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡ内において第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に並んだ画素ＰＸを備えている。なお、表示領域ＤＡは、第２基板２００において枠状に形成された周辺遮光層ＢＭＡの内側の領域に相当する。表示パネルＰＮＬは、画像が表示される表示面ＰＤと、表示面ＰＤの反対側に位置する背面ＰＢとを有している。
【００１２】
バックライトユニットＢＬは、表示パネルＰＮＬの背面ＰＢ側に配置されている。このようなバックライトユニットＢＬとしては、種々の形態が適用可能であるが、詳細な構造については説明を省略する。
【００１３】
駆動ＩＣチップＩＣは、表示パネルＰＮＬの第１基板１００上に実装されている。フレキシブル回路基板ＦＰＣ１は、第１基板１００上に実装され、表示パネルＰＮＬと制御モジュールＣＭとを接続している。フレキシブル回路基板ＦＰＣ２は、バックライトユニットＢＬと制御モジュールＣＭとを接続している。
【００１４】
このような構成の表示装置ＤＳＰは、バックライトユニットＢＬから表示パネルＰＮＬに入射する光を各画素ＰＸで選択的に透過することによって画像を表示する、いわゆる透過型の液晶表示装置に相当する。但し、表示装置ＤＳＰは、外部から表示パネルＰＮＬに向かって入射する外光を各画素ＰＸで選択的に反射することによって画像を表示する反射型の液晶表示装置であっても良いし、透過型及び反射型の双方の機能を備えた半透過型の液晶表示装置であっても良い。
【００１５】
図２は、画素の構成を示す図である。
【００１６】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＰＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＱ等を備えている。スイッチング素子ＰＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で形成されている。スイッチング素子ＰＳＷは、ゲート線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。ゲート線Ｇは、例えば第１方向Ｘに延在している。信号線Ｓは、第２方向Ｙに延在している。なお、ゲート線Ｇ及び信号線Ｓは、直線状に形成されていてもよいし、それぞれの少なくとも一部が屈曲していてもよい。
【００１７】
画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＰＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＱを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００１８】
図３は、表示装置の断面を示す図である。なお、ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。
【００１９】
すなわち、表示装置ＤＳＰは、上述した表示パネルＰＮＬ及びバックライトユニットＢＬ等を備えている。なお、図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面に平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有しているが、特に制限される訳ではなく、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。
【００２０】
横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板１００に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板１００に画素電極ＰＥが備えられ、第２基板２００に共通電極ＣＥが備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、互いに直交する第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面と平行な面である。
【００２１】
表示パネルＰＮＬは、第１基板１００、第２基板２００、及び、液晶層ＬＱを備えている。第１基板１００と第２基板２００とは所定の間隙を形成した状態で貼り合わされている。液晶層ＬＱは、第１基板１００と第２基板２００との間に封入されている。
【００２２】
第１基板１００は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１基板１００は、第１絶縁基板１０の第２基板２００に対向する側に、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、電極層ＥＬ、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子ＰＳＷやゲート線Ｇ、これらの間に介在する各種絶縁膜の図示を省略している。
【００２３】
信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に形成されており、画素ＰＸが有するスイッチング素子ＰＳＷのソース電極と電気的に接続されている。スイッチング素子ＰＳＷのドレイン電極なども、第１絶縁膜１１の上に形成されている。
【００２４】
第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ及び第１絶縁膜１１の上に配置されている。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。共通電極ＣＥは、第１方向Ｘに間隔を空けて並んでいる。電極層ＥＬは、共通電極ＣＥの上に形成され、共通電極ＣＥと電気的に接続されている。このような電極層ＥＬは、例えば、信号線Ｓの直上に位置している。
【００２５】
第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ、電極層ＥＬ及び第２絶縁膜１２の上に配置されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。各画素ＰＸが有する画素電極ＰＥは、隣接する信号線Ｓの間にそれぞれ位置し、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、各画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。このような共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。
【００２６】
一方、第２基板２００は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。第２基板２００は、第２絶縁基板２０の第１基板１００に対向する側に、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００２７】
第２絶縁基板２０は、図１に示した表示面ＰＤ側に位置する第１主面２０ａと、第１基板１００と対向する側に位置する第２主面２０ｂとを有している。遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０の第２主面２０ｂに形成され、各画素ＰＸを区画している。
【００２８】
カラーフィルタＣＦは、それぞれ第２絶縁基板２０の第２主面２０ｂに形成され、それらの一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、例えば赤色に着色された樹脂材料によって形成された赤色カラーフィルタ、緑色に着色された樹脂材料によって形成された緑色カラーフィルタ、青色に着色された樹脂材料によって形成された青色カラーフィルタを含んでいる。さらに、カラーフィルタＣＦは、透明な樹脂材料あるいは薄く着色された樹脂材料によって形成された白色カラーフィルタを含んでいても良い。なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板１００に設けられても良い。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００２９】
第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０とバックライトユニットＢＬとの間に配置されている。第２光学素子ＯＤ２は、第２絶縁基板２０の第１主面２０ａ側に配置されている。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。第１光学素子ＯＤ１に含まれる偏光板及び第２光学素子ＯＤ２に含まれる偏光板は、例えば、それぞれの吸収軸が直交するクロスニコルの位置関係となるように配置される。
【００３０】
図４は、第１基板におけるセンサ電極を示す図である。
【００３１】
第１基板１００は、センサ電極ＳＥ、実装部ＭＴ、リード線Ｌ、及び第１配向膜ＡＬ１を備えている。なお、第１基板１００は、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを有し、非表示領域ＮＤＡにおいて、第２方向Ｙの一方の側に位置する一端１０１、及び、第２方向Ｙの他方の側に位置する他端１０２を備えている。
【００３２】
センサ電極ＳＥは、表示領域ＤＡ中を第２方向Ｙに帯状に形成され、非表示領域ＮＤＡの一端１０１側及び他端１０２側に延出している。また、センサ電極ＳＥは、第１方向Ｘに並んでおり、表示領域ＤＡの略全面に形成されている。
【００３３】
実装部ＭＴは、第１基板１００の非表示領域ＮＤＡにおいて、一端１０１側に配置されている。図示した例では、実装部ＭＴを備えた非表示領域ＮＤＡの一端１０１側の第２方向Ｙに沿った幅は、非表示領域ＮＤＡの他端１０２側の第２方向Ｙに沿った幅より長い。実装部ＭＴにおいて、第１基板１００は、駆動ＩＣチップＩＣを備える。リード線Ｌは、図示した例では、非表示領域ＮＤＡの一端１０１側に形成され、各センサ電極ＳＥから実装部ＭＴへ延在している。リード線Ｌは、それぞれのセンサ電極ＳＥと、駆動ＩＣチップＩＣと、を電気的に接続している。
【００３４】
第１配向膜ＡＬは、第１基板１００のセンサ電極ＳＥが形成されている側に材料を塗布し、硬化させることで形成される。硬化は、例えば光硬化や熱硬化といった化学反応によって実施される。第１配向膜ＡＬ１は、例えばポリイミドなどの樹脂材料によって形成される。第１配向膜ＡＬ１は、必要に応じて配向処理がなされてもよく、液晶の表示モードに合わせて水平配向性や垂直配向性などの好適な配向性を備えた材料で形成される。第１配向膜ＡＬ１は、表示領域ＤＡの全面に亘って配置されるとともに、その端部が非表示領域ＮＤＡまで延在しいている。非表示領域ＮＤＡにおいて、一端１０１側に向かって延在する第１配向膜ＡＬ１の第２方向Ｙに沿った幅Ｄ１１は、他端１０２側に向かって延在する第１配向膜ＡＬ１の第２方向Ｙに沿った幅Ｄ１２よりも長い。例えば、一端１０１側の非表示領域ＮＤＡにおいては、第１配向膜ＡＬ１は、センサ電極ＳＥの端部と対向し、さらに、実装部ＭＴに向かって延在している。なお、図示した例では、他端１０２側の非表示領域ＮＤＡにおいては、第１配向膜ＡＬ１は、センサ電極ＳＥの端部と対向する位置まで延在していない。
【００３５】
本実施形態において、例えば、センサ電極ＳＥは、静電容量方式のタッチパネルの電極として機能する。このような場合、センサ電極ＳＥには電圧が印加され、被検出物の接近による容量変化によって生じる電圧変化または電流変化が検出信号として検出回路へ送られる。なお、検出回路は、図１に示した駆動ＩＣチップＩＣ、制御モジュールＣＭ、フレキシブル回路基板ＦＰＣ１などに備えられていても良いし、本実施形態の表示装置ＤＳＰを搭載する電子機器に備えられていても良い。検出信号は、検出回路において解析される。検出回路は、検出信号を解析して、表示領域ＤＡに接近若しくは接触する被検出物の、表示領域ＤＡ内における位置を検出する。なお、上記のセンサ電極ＳＥと協働してタッチパネルを形成する場合、表示装置ＤＳＰは、第１方向Ｘに延在し且つ第２方向Ｙに並んだ電極を更に備えていることが望ましい。
【００３６】
本実施形態おいて、センサ電極ＳＥは、上記の共通電極ＣＥも含んでいる。すなわち、センサ電極ＳＥには、表示領域ＤＡに画像を表示する表示期間では、液晶層ＬＱに電界を発生させるための電圧が印加される。そして、表示期間とは異なるタイミングの検出期間では、センサ電極ＳＥには、被検出物の接近若しくは接触を検出するための電圧が印加される。
【００３７】
図５は、センサ電極の構造を示す平面図である。
【００３８】
センサ電極ＳＥは、透明導電膜ＴＣ、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２、カラム配線ＣＬ、第１ブリッジ配線ＢＲ１、及び第２ブリッジ配線ＢＲ２を備えている。
【００３９】
透明導電膜ＴＣは、図３を参照して説明した共通電極ＣＥに相当し、表示領域ＤＡ中を第２方向Ｙに帯状に形成されている。また、透明導電膜ＴＣは、非表示領域ＮＤＡの一端１０１側及び他端１０２側に延出している。
【００４０】
第１金属層ＭＬ１は、非表示領域ＮＤＡの一端１０１側に形成され、より具体的には、表示領域ＤＡと実装部ＭＴとの間に形成されている。第２金属層ＭＬ２は、非表示領域ＮＤＡの他端１０２側に形成されている。第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２は、それぞれ第１方向Ｘに延在している。複数の第１金属層ＭＬ１は、第１方向Ｘに並んでいる。これらの第１金属層ＭＬ１は、第１接続部ＣＮ１を介して、互いに電気的に接続されている。更に、このような第１接続部ＣＮ１は、リード線Ｌと電気的に接続されている。また、複数の第２金属層ＭＬ２は、第１方向Ｘに並んでいる。これらの第２金属層ＭＬ２は、第２接続部ＣＮ２を介して、互いに電気的に接続されている。第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２、第１接続部ＣＮ１、第２接続部ＣＮ２、及び、リード線Ｌは、例えば同一層に位置しており、同一の導電材料を用いて一括して形成可能である。
【００４１】
カラム配線ＣＬは、図３を参照して説明した電極層ＥＬに相当し、透明導電膜ＴＣに対向している。複数のカラム配線ＣＬは、それぞれ表示領域ＤＡ中を第２方向Ｙに延在し、第１方向Ｘに並んでいる。また、これらのカラム配線ＣＬは、非表示領域ＮＤＡの一端１０１側及び他端１０２側にそれぞれ延出している。これらのカラム配線ＣＬは、例えば第１方向Ｘに沿って等間隔で並んでいるが、カラム配線ＣＬ同士の間隔は一定でなくてもよい。図示した例では、カラム配線ＣＬは、第２方向Ｙに平行な直線状に形成されているが、カラム配線ＣＬの形状は、直線状に限定されるものではなく、屈曲していてもよい。
【００４２】
第１ブリッジ配線ＢＲ１は、非表示領域ＮＤＡの一端１０１側に形成され、第１金属層ＭＬ１と対向している。第１ブリッジ配線ＢＲ１は、第１コンタクト部ＣＴ１を介して第１金属層ＭＬ１と電気的に接続されている。第１ブリッジ配線ＢＲ１は、第１金属層ＭＬ１と同様に第１方向Ｘに延在しており、また、複数の第１コンタクト部ＣＴ１は第１方向Ｘに並んでいる。
【００４３】
第２ブリッジ配線ＢＲ２は、非表示領域ＮＤＡの他端１０２側に形成され、第２金属層ＭＬ２と対向している。第２ブリッジ配線ＢＲ２は、第２コンタクト部ＣＴ２を介して第２金属層ＭＬ２と電気的に接続されている。第２ブリッジ配線ＢＲ２は、第２金属層ＭＬ２と同様に第１方向Ｘに延在しており、また、複数の第２コンタクト部ＣＴ２は第１方向Ｘに並んでいる。
【００４４】
第１ブリッジ配線ＢＲ１及び第２ブリッジ配線ＢＲ２は、複数のカラム配線ＣＬと電気的に接続されている。カラム配線ＣＬ、第１ブリッジ配線ＢＲ１及び第２ブリッジ配線ＢＲ２は、例えば同一層に位置しており、同一の導電材料を用いて一体的に形成可能である。以上の通り、センサ電極ＳＥを構成する透明導電膜ＴＣ、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２、カラム配線ＣＬ、第１ブリッジ配線ＢＲ１、及び第２ブリッジ配線ＢＲ２は、互いに電気的に接続されている。
【００４５】
なお、リード線Ｌ、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２、カラム配線ＣＬ、第１ブリッジ配線ＢＲ１、及び第２ブリッジ配線ＢＲ２は、アルミニウム、金、銀、銅、クロム、モリブデン、タンタル、チタン、インジウム、イリジウム、ロジウム、タングステンなどの導電材料を用いて形成されている。
【００４６】
図６は、第１の実施形態における、図５に図示したＶＩ−ＶＩ’の断面を示す図である。なお、図６の説明において、「上」とは、第１の絶縁基板１０に対して第１配向膜ＡＬ１の位置する側を指すものとする。また、図６においては、表示領域ＤＡに位置する第３絶縁膜１３及び画素電極ＰＥの図示を省略している。
【００４７】
第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２は、一例では、第１絶縁膜１１の上に形成され、図３で図示した信号線Ｓと同一層に位置し、信号線Ｓと同じ材料で形成されている。
【００４８】
第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上に形成され、第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２を覆う層間絶縁膜に相当する。第１コンタクト部ＣＴ１は、第１金属層ＭＬ１に対向する位置に形成され、第２絶縁膜１２を貫通している。第２コンタクト部ＣＴ２は、第２金属層ＭＬ２に対向する位置に形成され、第２絶縁膜１２を貫通している。第２絶縁膜１２は、例えばアクリル樹脂などの有機材料で形成されており、無機材料で形成された第１絶縁膜１１より膜厚が厚く形成されている。但し、第２絶縁膜１２の上面は、必ずしも平坦になるとは限らない。図示した例では、第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２の直上に位置する第２絶縁膜１２の上面は、表示領域ＤＡに位置する第２絶縁膜１２の上面よりも第３方向Ｚに沿って上方に突出している。
【００４９】
透明導電膜ＴＣは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。透明導電膜ＴＣは、第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２に対向していてもいいし、対向していなくてもいい。図示した例では、透明導電膜ＴＣは、第１コンタクト部ＣＴ１及び第２コンタクト部ＣＴ２の内部には形成されていない。
【００５０】
カラム配線ＣＬは、透明導電膜ＴＣの上に形成されている。第１ブリッジ配線ＢＲ１及び第２ブリッジ配線ＢＲ２は、カラム配線ＣＬから連続的に形成されている。第１ブリッジ配線ＢＲ１は、第２絶縁膜１２の上に形成され、第１コンタクト部ＣＴ１の内部に形成されている。第１ブリッジ配線ＢＲ１は、第１コンタクト部ＣＴ１の内部において第１金属層ＭＬ１と接触し、電気的に接続されている。第２ブリッジ配線ＢＲ２は、第２絶縁膜１２の上に形成され、第２コンタクト部ＣＴ２の内部に形成されている。第２ブリッジ配線ＢＲ２は、第２コンタクト部ＣＴ２の内部において第２金属層ＭＬ２と接触し、電気的に接続されている。第１ブリッジ配線ＢＲ１及び第２ブリッジ配線ＢＲ２は、第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２、あるいは、第２絶縁膜１２の上面の段差の影響を受けて、カラム配線ＣＬよりも第３方向Ｚに沿って上方に突出した部分を含んでいる。
【００５１】
第１配向膜ＡＬ１は、表示領域ＤＡにおいて、カラム配線ＣＬよりも上方に形成されている。第１配向膜ＡＬ１は、非表示領域ＮＤＡの一端１０１側において、第１ブリッジ配線ＢＲ１を覆い、第２絶縁膜１２の上に形成されている。なお、図示した例では、第１配向膜ＡＬ１は、非表示領域ＮＤＡの他端１０２側において第２ブリッジ配線ＢＲ２を覆っていない。言い換えると、第１配向膜ＡＬ１は、第２金属層ＭＬ２の直上の位置には延在していない。
【００５２】
第１金属層ＭＬ１は、表示領域ＤＡの一端部ＤＡＡから、第２方向Ｙに第１距離Ｄ１だけ離れた位置に配置されている。第２金属層ＭＬ２は、表示領域ＤＡの他端部ＤＡＢから、第２方向Ｙに第２距離Ｄ２だけ離れた位置に配置されている。第２距離Ｄ２は、第１距離Ｄ１より大きい。すなわち、非表示領域ＮＤＡの他端１０２側に位置する第２金属層ＭＬ２は、非表示領域ＮＤＡの他端１０２側より広い一端１０１側に位置する第１金属層ＭＬ１より、表示領域ＤＡから離れた位置に配置されている。なお、第１ブリッジ配線ＢＲ１は第１金属層ＭＬ１と対向し、第２ブリッジ配線ＢＲ２は第２金属層ＭＬ２と対向しているため、第２ブリッジ配線ＢＲ２は第１ブリッジ配線ＢＲ１より表示領域ＤＡから離れた位置に配置されている。ここで、表示領域ＤＡの一端部ＤＡＡ及び他端部ＤＡＢとは、図１を参照して説明した周辺遮光層ＢＭＡの内縁の位置に相当する。
【００５３】
ところで、第１配向膜ＡＬ１を形成するための塗布工程において、第１配向膜ＡＬ１の液状材料は、第１絶縁基板１０を下にしてセンサ電極ＳＥを上にした状態で、第１基板１００の表面に塗布される。このとき、第１配向膜ＡＬ１は、表示領域ＤＡの全面に成膜される必要がある。しかしながら、液状材料が塗布される面に段差が形成されていた場合、液状材料の広がりが阻害されやすい。このため、液状材料の塗布量を増やし、表示領域ＤＡを含む広範囲に亘って液状材料を塗布することが検討された。
【００５４】
一方で、第１配向膜ＡＬ１が高い透湿性を有する材料によって形成される場合、第１配向膜ＡＬ１が第１基板１００の端部まで延在して外気と接することは望ましくない。このため、第１配向膜ＡＬ１は、第１基板１００の端部よりも内側に止まるように形成されることが望ましい。近年では、表示装置ＤＳＰの狭額縁化が望まれており、実装部ＭＴを除いて、各辺に沿った非表示領域ＮＤＡの幅が縮小する傾向にある。このため、液状材料は、表示領域ＤＡから実装部ＭＴに向かって比較的広範囲に塗布される一方で、実装部ＭＴを除く各辺に沿った非表示領域ＮＤＡに塗布される塗布量が制限される。
【００５５】
上記の通り、表示装置ＤＳＰは、第１金属層ＭＬ、第２金属層ＭＬ２、カラム配線ＣＬ、第１ブリッジ配線ＢＲ１、及び第２ブリッジ配線ＢＲ２を備えたセンサ電極ＳＥを備えている。第２ブリッジ配線ＢＲ２の直下には第２金属層ＭＬ２が存在するため、第２ブリッジ配線ＢＲ２の第１配向膜ＡＬ１に対向する側の面は、カラム配線ＣＬの第１配向膜ＡＬ１に対向する面に比べて、第３方向Ｚに沿って第１絶縁基板１０から離間する側に位置する場合がある。すなわち、第１絶縁基板１０を下にしてセンサ電極ＳＥを上にした状態では、第２ブリッジ配線ＢＲ２の表面がカラム配線ＣＬの表面よりも高い位置に配置され、第１配向膜ＡＬ１の下地に段差が生じる場合がある。
【００５６】
第１の実施形態によれば、第２金属層ＭＬ２は、第１金属層ＭＬ１よりも表示領域ＤＡから離れた位置に配置されている。このため、第２金属層ＭＬ２に対向する第２ブリッジ配線ＢＲ２の表面とカラム配線ＣＬの表面とで段差が生じたとしても、第２ブリッジ配線ＢＲ２の近傍の表示領域ＤＡにおいて第１配向膜ＡＬ１の液状材料の広がりが阻害されにくくなり、表示領域ＤＡの他端部ＤＡＢまで第１配向膜ＡＬ１を形成することが可能となる。一方、第１配向膜ＡＬ１の液状材料は、表示領域ＤＡから実装部ＭＴに向かって比較的広範囲に亘って塗布されるため、表示領域ＤＡの一端部ＤＡＡまで第１配向膜ＡＬ１を確実に形成することが可能となる。したがって、表示領域ＤＡの全体に亘り略均一の膜厚で第１配向膜ＡＬ１を形成することが可能となる。これにより、第１配向膜ＡＬ１の形成不良あるいは膜厚の不均一による表示品位の低下を抑制することが可能となる。
【００５７】
次に、第２の実施形態について説明する。
【００５８】
図７は、第２の実施形態におけるブリッジ配線の形状、及びその変形例を示した図である。また、図８は、第２の実施形態におけるブリッジ配線の変形例を示した図である。なお、図７の（ａ）が第２の実施形態における第３ブリッジ配線ＢＲ３の形状を示した図であり、図７の（ｂ）〜（ｄ）、及び、図８の（ｅ）〜（ｈ）はその変形例を示した図である。（ａ）乃至（ｈ）に図示された構造は、単独で実施されても良いし、組合わせて実施されても良い。
【００５９】
第３ブリッジ配線ＢＲ３は、第１方向Ｘに沿って不連続に形成されている。すなわち、図７の（ａ）に示した例では、第３ブリッジ配線ＢＲ３は、ブリッジ部ＢＲ３１、ブリッジ部ＢＲ３２、ブリッジ部ＢＲ３３、ブリッジ部ＢＲ３４、及びブリッジ部ＢＲ３５を備えている。ブリッジ部ＢＲ３１、ブリッジ部ＢＲ３２、ブリッジ部ＢＲ３３、ブリッジ部ＢＲ３４、及びブリッジ部ＢＲ３５は、この順に第１方向Ｘに並んでいる。図示した例では、ブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５は、第１方向Ｘに沿って同一直線上に並んでいる。第３ブリッジ配線ＢＲ３は、第３金属層ＭＬ３と対向している。ブリッジ部ＢＲ３１は、カラム配線ＣＬ３１と一体的に形成され、コンタクト部ＣＴ３１を介して第３金属層ＭＬ３と電気的に接続している。また、ブリッジ部ＢＲ３２は、カラム配線ＣＬ３２と一体的に形成され、コンタクト部ＣＴ３２を介して第３金属層ＭＬ３と電気的に接続している。また、ブリッジ部ＢＲ３３は、カラム配線ＣＬ３３と一体的に形成され、コンタクト部ＣＴ３３を介して第３金属層ＭＬ３と電気的に接続している。また、ブリッジ部ＢＲ３４は、カラム配線ＣＬ３４と一体的に形成され、コンタクト部ＣＴ３４を介して第３金属層ＭＬ３と電気的に接続している。また、ブリッジ部ＢＲ３５は、カラム配線ＣＬ３５と一体的に形成され、コンタクト部ＣＴ３５を介して第３金属層ＭＬ３と電気的に接続している。なお、第３ブリッジ配線ＢＲ３において、ブリッジ部の個数やカラム配線の本数は図示した例に限らない。
【００６０】
このような第３ブリッジ配線ＢＲ３は、上記の第１の実施形態における第１ブリッジ配線ＢＲ１及び第２ブリッジ配線ＢＲ２の少なくとも一方に適用可能である。第３金属層ＭＬ３は図５の第１金属層ＭＬ１または第２金属層ＭＬ２に対応し、コンタクト部ＣＴ３１乃至ＣＴ３５は図５の第１コンタクト部ＣＴ１または第２コンタクト部ＣＴ２に対応し、カラム配線ＣＬ３１乃至ＣＬ３５は図５のカラム配線ＣＬに対応する。
【００６１】
このような第２の実施形態によれば、第３ブリッジ配線ＢＲ３は、第１方向Ｘに沿って不連続に形成されている。このため、第３金属層ＭＬ３に対向する第３ブリッジ配線ＢＲ３の表面とカラム配線ＣＬの表面とで段差が生じたとしても、第３ブリッジ配線ＢＲ３のブリッジ部間の隙間が流路として機能し、塗布工程における液状材料の表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡへの広がりを促進することが可能となる。
【００６２】
この第２の実施形態においては、図６に示した第２距離Ｄ２が第１距離Ｄ１よりも大きい場合に限らず、第２距離Ｄ２が第１距離Ｄ１と同等以下であっても良い。すなわち、第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２の大小関係にかかわらず、第３ブリッジ配線ＢＲ３が表示領域ＤＡに近接している場合であっても、表示領域ＤＡの全体に亘り略均一の膜厚で第１配向膜ＡＬ１を形成することが可能となる。したがって、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６３】
図７の（ｂ）に図示した変形例の第３ブリッジ配線ＢＲ３と、上記の（ａ）に図示した第３ブリッジ配線ＢＲ３との相違点は、第１方向Ｘに並んだブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５のうち、ブリッジ部ＢＲ３３の位置がブリッジ部ＢＲ３２及びブリッジ部ＢＲ３４の位置より第２方向Ｙで表示領域ＤＡに近いことである。また、ブリッジ部ＢＲ３１は、ブリッジ部ＢＲ３２より第２方向Ｙで表示領域ＤＡから離れている。ブリッジ部ＢＲ３５は、ブリッジ部ＢＲ３４より第２方向Ｙで表示領域ＤＡから離れている。すなわち、第１方向Ｘに並ぶブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５において、中央に位置するブリッジ部ＢＲ３３がもっとも表示領域ＤＡに近く、中央から離れた位置に配置されたブリッジ部ほど表示領域ＤＡから離れている。
【００６４】
このような変形例においても、上記の第２の実施形態と同様の効果が得られる。特に、この変形例では、第３ブリッジ配線ＢＲ３の中央から離れた位置ほど液状材料の広がりを促進することが可能となる。
【００６５】
図７の（ｃ）に図示した変形例の第３ブリッジ配線ＢＲ３と、上記の（ａ）に図示した第３ブリッジ配線ＢＲ３との相違点は、第１方向Ｘに並んだブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５のうち、ブリッジ部ＢＲ３３の位置がブリッジ部ＢＲ３２及びブリッジ部ＢＲ３４の位置より第２方向Ｙで表示領域ＤＡから離れていることである。また、ブリッジ部ＢＲ３１は、ブリッジ部ＢＲ３２より第２方向Ｙで表示領域ＤＡに近い。ブリッジ部ＢＲ３５は、ブリッジ部ＢＲ３４より第２方向Ｙで表示領域ＤＡに近い。すなわち、第１方向Ｘに並ぶブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５において、中央に位置するブリッジ部ＢＲ３３がもっとも表示領域ＤＡから離れており、中央から離れた位置に配置されたブリッジ部ほど表示領域ＤＡに近い。
【００６６】
このような変形例においても、上記の第２の実施形態と同様の効果が得られる。特に、この変形例では、第３ブリッジ配線ＢＲ３の中央に近づく位置ほど液状材料の広がりを促進することが可能となる。
【００６７】
図７の（ｄ）に図示した変形例の第３ブリッジ配線ＢＲ３と、上記の（ａ）に図示した第３ブリッジ配線ＢＲ３との相違点は、第１方向Ｘに並んだブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５の形状である。すなわち、ブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５は、表示領域ＤＡに近い側の第１方向Ｘの長さが、表示領域ＤＡから遠い側の第１方向Ｘの長さより長い。
【００６８】
このような変形例においても、上記の第２の実施形態と同様の効果が得られる。特に、この変形例では、ブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５の隙間が表示領域ＤＡから離れるに従って拡張されているため、表示領域ＤＡから離れる側に向かって液状材料の流出を促進することが可能となる。
【００６９】
図８の（ｅ）に図示した変形例の第３ブリッジ配線ＢＲ３と、上記の（ａ）に図示した第３ブリッジ配線ＢＲ３との相違点は、第１方向Ｘに並んだブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５の形状である。すなわち、ブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５は、表示領域ＤＡに近い側の第１方向Ｘの長さが、表示領域ＤＡから遠い側の第１方向Ｘの長さより短い。
【００７０】
このような変形例においても、上記の第２の実施形態と同様の効果が得られる。特に、この変形例では、ブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５の隙間が表示領域ＤＡに近い側で拡張されているため、表示領域ＤＡから第３ブリッジ配線ＢＲ３に向かって広がる液状材料を受け入れる容量が確保される。このため、表示領域ＤＡから第３ブリッジ配線ＢＲ３に向かって液状材料の広がりを促進することが可能となる。
【００７１】
図８の（ｆ）に図示した変形例の第３ブリッジ配線ＢＲ３と、上記の（ａ）に図示した第３ブリッジ配線ＢＲ３との相違点は、第１方向Ｘに並んだブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５の形状である。すなわち、ブリッジ部ＢＲ３１は、第１方向Ｘに隣り合うブリッジ部ＢＲ３２と連続的に形成されている。ブリッジ部ＢＲ３４は、第１方向Ｘに隣り合うブリッジ部ＢＲ３５と連続的に形成されている。ブリッジ部ＢＲ３３は、第１方向Ｘに隣り合うブリッジ部ＢＲ３２及びＢＲ３４と不連続に形成されている。
【００７２】
このような変形例においても、ブリッジ部ＢＲ３２とブリッジ部ＢＲ３３との間、及び、ブリッジ部ＢＲ３４とブリッジ部ＢＲ３３との間に隙間が形成されているため、上記の第２の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７３】
図８の（ｇ）に図示した変形例の第３ブリッジ配線ＢＲ３と、上記の（ａ）に図示した第３ブリッジ配線ＢＲ３との相違点は、第１方向Ｘに並んだブリッジ部ＢＲ３１乃至ＢＲ３５の形状である。すなわち、ブリッジ部ＢＲ３１は、第１方向Ｘに隣り合うブリッジ部ＢＲ３２と不連続に形成されている。ブリッジ部ＢＲ３３は、第１方向Ｘに隣り合うブリッジ部ＢＲ３２及びＢＲ３４と連続的に形成されている。ブリッジ部ＢＲ３５は、第１方向Ｘに隣り合うブリッジ部ＢＲ３４と不連続に形成されている。
【００７４】
このような変形例においても、ブリッジ部ＢＲ３１とブリッジ部ＢＲ３２との間、及び、ブリッジ部ＢＲ３４とブリッジ部ＢＲ３５との間に隙間が形成されているため、上記の第２の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７５】
図８の（ｈ）に図示した変形例と、上記の（ａ）に図示した例との相違点は、第３金属層ＭＬ３の形状である。第３金属層ＭＬ３は、櫛歯状に形成されている。すなわち、第３金属層ＭＬ３は、第２方向Ｙに表示領域ＤＡから離れた位置において、第１方向Ｘに連続的に形成されている。第３金属層ＭＬ３は、ブリッジ部ＢＲ３１乃至ブリッジ部ＢＲ３５のそれぞれと対向している。この第３金属層ＭＬ３においては、ブリッジ部ＢＲ３１とブリッジ部ＢＲ３２との間、ブリッジ部ＢＲ３２とブリッジ部ＢＲ３３との間、ブリッジ部ＢＲ３３とブリッジ部ＢＲ３４との間、及びブリッジ部ＢＲ３４とブリッジ部ＢＲ３５との間の領域に切欠が形成されている。
【００７６】
このような変形例では、第３金属層ＭＬ３の直上では段差が形成される一方で、切欠の直上では段差が低減される。このため、表示領域ＤＡから第３ブリッジ配線ＢＲ３に向かって広がる液状材料を受け入れる容量が確保される。このため、表示領域ＤＡから第３ブリッジ配線ＢＲ３に向かって液状材料の広がりを促進することが可能となる。
【００７７】
次に、第３の実施形態について説明する。
【００７８】
図９は、第３の実施形態における第２絶縁膜１２の形状、及びその変形例を示した図である。また、図１０は、第３の実施形態における第２絶縁膜１２の変形例を示した図である。なお、図９の（ａ）が第３の実施形態における第２絶縁膜１２の形状を示した図であり、図９の（ｂ）、（ｃ）、及び、図１０の（ｄ）〜（ｆ）はその変形例を示した図である。また、図９及び図１０においては、表示領域ＤＡに位置する第３絶縁膜１３及び画素電極ＰＥの図示を省略している。
【００７９】
センサ電極ＳＥは、第４ブリッジ配線ＢＲ４、第４金属層ＭＬ４、コンタクト部ＣＴ４、及びカラム配線ＣＬ４を備えている。第４ブリッジ配線ＢＲ４は、第４金属層ＭＬ４を覆う第２絶縁膜１２を介して第４金属層ＭＬ４と対向している。第４ブリッジ配線ＢＲ４は、コンタクト部ＣＴ４を介して第４金属層ＭＬ４と電気的に接続している。第４ブリッジ配線ＢＲ４は、カラム配線ＣＬ４と一体的に形成されている。このような第４ブリッジ配線ＢＲ４は、上記の第１の実施形態における第１ブリッジ配線ＢＲ１及び第２ブリッジ配線ＢＲ２の少なくとも一方に適用可能である。第４金属層ＭＬ４は図５の第１金属層ＭＬ１または第２金属層ＭＬ２に対応し、コンタクト部ＣＴ４は図５の第１コンタクト部ＣＴ１または第２コンタクト部ＣＴ２に対応する。
【００８０】
この第３の実施形態においては、層間絶縁膜である第２絶縁膜１２は、非表示領域ＮＤＡにおける膜厚が表示領域ＤＡにおける膜厚よりも薄い。すなわち、図９の（ａ）に示した例では、第２絶縁膜１２は、表示領域ＤＡにおいて、第３方向Ｚに第１膜厚Ｗ１を有している。また、第２絶縁膜１２は、表示領域ＤＡと第４金属層ＭＬ４との間の領域において、第３方向Ｚに第２膜厚Ｗ２を有している。第２膜厚Ｗ２は、第１膜厚Ｗ１よりも薄い。また、第２絶縁膜１２は、第４金属層ＭＬ４に対向する領域において、第３方向Ｚに第３膜厚Ｗ３を有している。なお、第３膜厚Ｗ３は、第２膜厚Ｗ２と同等以下である。第３膜厚Ｗ３と第４金属層ＭＬ４の第３方向Ｚの厚みとの合計は、第４膜厚Ｗ４である。ここでは、第４膜厚Ｗ４が、第２膜厚Ｗ２より厚い。
【００８１】
このような第３の実施形態によれば、第１配向膜ＡＬ１の下層に位置する第２絶縁膜１２は、非表示領域ＮＤＡにおける膜厚が表示領域ＤＡにおける膜厚よりも薄い。このため、非表示領域ＮＤＡにおいて、表示領域ＤＡよりも突出するような段差の形成が抑制される。これにより、塗布工程における液状材料の表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡへの広がりを促進することが可能となる。
【００８２】
この第３の実施形態においては、図６に示した第２距離Ｄ２が第１距離Ｄ１よりも大きい場合に限らず、第２距離Ｄ２が第１距離Ｄ１と同等以下であっても良い。すなわち、第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２の大小関係にかかわらず、第４ブリッジ配線ＢＲ４が表示領域ＤＡに近接している場合であっても、表示領域ＤＡの全体に亘り略均一の膜厚で第１配向膜ＡＬ１を形成することが可能となる。したがって、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００８３】
図９の（ｂ）に図示した変形例では、第２膜厚Ｗ２は第１膜厚Ｗ１より薄く、第３膜厚Ｗ３は第２膜厚Ｗ２より薄い。ここでは、第４膜厚Ｗ４は、第２膜厚Ｗ２と略等しい。従って、第４ブリッジ配線ＢＲ４とカラム配線ＣＬ４との境界近傍において、カラム配線ＣＬ４と第４ブリッジ配線ＢＲ４との間で、第１配向膜ＡＬ１に対向する面に段差が生じない。
【００８４】
図９の（ｃ）に図示した変形例では、第２膜厚Ｗ２は第１膜厚Ｗ１より薄く、第３膜厚Ｗ３は第２膜厚Ｗ２より薄い。ここでは、第４膜厚Ｗ４は、第２膜厚Ｗ２より薄い。このため、第４ブリッジ配線ＢＲ４とカラム配線ＣＬ４との境界近傍において、第４ブリッジ配線ＢＲ４の第１配向膜ＡＬ１に対向する面は、カラム配線ＣＬ４の第１配向膜ＡＬ１に対向する面に比べて、第３方向Ｚで第１絶縁基板１０に対して近い。
【００８５】
図１０の（ｄ）に図示した変形例では、第２膜厚Ｗ２は第１膜厚Ｗ１と等しい。第３膜厚Ｗ３は第２膜厚Ｗ２より薄い。ここでは、第４膜厚Ｗ４は第２膜厚Ｗ２より厚い。
【００８６】
図１０の（ｅ）に図示した変形例では、第２膜厚Ｗ２は第１膜厚Ｗ１と等しい。第３膜厚Ｗ３は第２膜厚Ｗ２より薄い。ここでは、第４膜厚Ｗ４は第２膜厚Ｗ２と略等しい。従って、第４ブリッジ配線ＢＲ４とカラム配線ＣＬ４との境界近傍において、カラム配線ＣＬ４と第４ブリッジ配線ＢＲ４との間で、第１配向膜ＡＬ１に対向する面に段差が生じない。
【００８７】
図１０の（ｆ）に図示した変形例では、第２膜厚Ｗ２は第１膜厚Ｗ１と等しい。第３膜厚Ｗ３は第２膜厚Ｗ２より薄い。ここでは、第４膜厚Ｗ４は、第２膜厚Ｗ２より薄い。このため、第４ブリッジ配線ＢＲ４とカラム配線ＣＬ４との境界近傍において、第４ブリッジ配線ＢＲ４の第１配向膜ＡＬ１に対向する面は、カラム配線ＣＬ４の第１配向膜ＡＬ１に対向する面に比べて、第３方向Ｚで第１絶縁基板１０に対して近い。
【００８８】
このような（ｂ）乃至（ｆ）に図示した変形例においても、上記の第３の実施形態と同様の効果が得られる。
【００８９】
なお、第１の実施形態、第２の実施形態、第３の実施形態は、個別に実施してもよいし、同時に実施してもよい。同時に実施すると、より良好な効果が得られる。
【００９０】
なお本実施形態によれば、センサ電極ＳＥが形成されている面に塗布・硬化で成膜する膜ならば配向膜に限定されず、表示領域における成膜不良を抑制することが可能である。従って、このような膜が表示品位に影響を与える場合、本実施形態によって表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。
【００９１】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。
【００９２】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９３】
１００…第１基板  １０１…一端  １０２…他端  ＤＡ…表示領域  
ＮＤＡ…非表示領域  ＳＥ…センサ電極  ＡＬ１…第１配向膜  ＭＬ１…第１金属層  
ＭＬ２…第２金属層  ＢＲ１…第１ブリッジ配線  ＢＲ２…第２ブリッジ配線  
ＣＬ…カラム配線  ＣＴ１…第１コンタクト部  ＣＴ２…第２コンタクト部  
ＣＮ１…第１接続部  ＣＮ２…第２接続部  １０…第１絶縁基板  １１…第１絶縁膜  
１２…第２絶縁膜  Ｄ１…第１距離  Ｄ２…第２距離  ＭＬ３…第３金属層  
ＢＲ３…第３ブリッジ配線  ＭＬ４…第４金属層  ＢＲ４…第４ブリッジ配線  
Ｗ１…第１膜厚  Ｗ２…第２膜厚  Ｗ３…第３膜厚  Ｗ４…第４膜厚
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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