(57)【要約】【課題】対向基板側に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）電極、アレイ基板側にＩＴＯ以外の電極（ＡｌやＡｇの電極）を設けた場合、光照射下で最適Ｖｃｏｍがシフトしていくという問題がある。【解決手段】表示装置はアレイ基板と対向基板と液晶層とを備える。前記アレイ基板は反射電極と前記反射電極の上に設けられる第１の配向膜とを有する。前記対向基板は対向電極と前記対向電極の上に設けられる第２の配向膜とを有する。前記反射電極と前記対向電極とは異なる金属で構成される。前記第１の配向膜のＤＣ緩和特性と前記第２の配向膜のＤＣ緩和特性とは異なるようにされる。【選択図】図２
2016045317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置は、
アレイ基板と、
対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、
を備え、
前記アレイ基板は、
第１の電極と、
前記第１の電極の上に設けられる第１の配向膜と、
を有し、
前記対向基板は、
第２の電極と、
前記第２の電極の上に設けられる第２の配向膜と、
を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極とは異なる金属で構成され、
前記第１の配向膜のＤＣ緩和特性と前記第２の配向膜のＤＣ緩和特性とは異なるようにされる。
【請求項２】
請求項１の表示装置において、
前記第１の電極は反射電極であり、
前記第２の電極は対向電極である。
【請求項３】
請求項２の表示装置において、
前記第２の配向膜の抵抗率は、前記第１の配向膜の抵抗率よりも低くするようにされる。
【請求項４】
請求項３の表示装置において、
前記第２の配向膜の抵抗率が１×１０１３Ωｍ以下である。
【請求項５】
請求項４の表示装置において、
前記第１の配向膜の抵抗率が１×１０１４Ωｍ以上である。
【請求項６】
請求項４の表示装置において、
前記第２の配向膜の抵抗率が１×１０１２Ωｍ以下である。
【請求項７】
請求項３の表示装置において、
前記反射電極はアルミニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウムを主成分とした合金で構成され、
前記対向電極は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で構成される。
【請求項８】
請求項１の表示装置において、
前記第２の配向膜の抵抗率は、前記第１の配向膜の抵抗率よりも低くするようにされる。
【請求項９】
請求項８の表示装置において、
前記第１の電極はアルミニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウムを主成分とした合金で構成され、
前記第２の電極は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で構成される。
【請求項１０】
請求項２の表示装置において、
前記第２の配向膜の抵抗率は、前記第１の抵抗率よりも高い。
【請求項１１】
請求項１０の表示装置において、
前記第２の配向膜の抵抗率が１×１０１３Ωｍ以上である。
【請求項１２】
請求項１１の表示装置において、
前記第１の配向膜の抵抗率が１×１０１２Ωｍ以下である。
【請求項１３】
請求項１１の表示装置において、
前記第２の配向膜の抵抗率が１×１０１４Ωｍ以上である。
【請求項１４】
請求項１０の表示装置において、
前記反射電極が銀（Ａｇ）もしくは銀を主成分とした合金で構成され、
前記対向電極は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で構成される。
【請求項１５】
請求項１の表示装置において、
前記第２の配向膜の抵抗率は、前記第１の抵抗率よりも高い。
【請求項１６】
請求項１５の表示装置において、
前記反射電極が銀（Ａｇ）もしくは銀を主成分とした合金で構成され、
前記対向電極は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で構成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は表示装置に関し、例えば反射型の液晶表示装置に適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末情報機器用の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）には、低消費電力化・小型軽量化の要求から、バックライト光源やそのためのバッテリーを必要とする透過型のものよりも、それらを必要としない反射型のものが適している（特開平１０−２０６８８７号公報（特許文献１））。特許文献１に開示される反射型ＬＣＤパネルは、ガラス基板上にＡｌ（アルミニウム）等から成る反射電極を形成したアレイ基板と、ガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide、酸化インジウムスズ）等の共通電極を形成した対向基板と、アレイ基板と対向基板との間の液晶から構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２０６８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
対向基板側にＩＴＯの電極（共通電極）、アレイ基板側にＩＴＯ以外の電極（ＡｌやＡｇ（銀）の電極）を設けた場合、光照射下で最適Ｖｃｏｍがシフト（ドリフト）していくという問題がある。ここで、最適Ｖｃｏｍとは、輝度応答が概ね正負同レベル（≒フリッカ極小）になる共通電極の電圧をいう。
本開示の課題はフリッカドリフトを低減する表示装置を提供することである。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を備える。前記アレイ基板は第１の電極と前記第１の電極の上に設けられる第１の配向膜とを有する。前記対向基板は第２の電極と前記第２の電極の上に設けられる第２の配向膜とを有する。前記第１の電極と前記第２の電極とは異なる金属で構成される。前記第１の配向膜のＤＣ緩和特性と前記第２の配向膜のＤＣ緩和特性とは異なるようにされる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１Ａ】比較例１に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１Ｂ】比較例１に係る表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフトの発生の実験方法を説明する図である。
【図１Ｃ】比較例１に係る表示装置のＶｃｏｍ偏差を示すグラフである。
【図２】実施の形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図３Ａ】実施例および比較例に係る表示装置の構成を示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの表示装置の１画素領域を拡大して示した要部断面図である。
【図３Ｃ】実施例１に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図３Ｄ】実施例１に係る表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
【図４Ａ】比較例２に係る透過型の表示装置の構成を示す断面図である。
【図４Ｂ】比較例２に係る透過型の表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
【図５Ａ】比較例３に係る透過型の表示装置の構成を示す断面図である。
【図５Ｂ】比較例３に係る透過型の表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
【図６Ａ】比較例４に係る反射型の表示装置の構成を示す断面図である。
【図６Ｂ】比較例４に係る反射型の表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
【図７Ａ】実施例２に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図７Ｂ】実施例２に係る表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
【図８Ａ】比較例５に係る透過型の表示装置の構成を示す断面図である。
【図８Ｂ】比較例５に係る透過型の表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
【図９Ａ】実施例３に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図９Ｂ】実施例３に係る表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
【図１０Ａ】比較例６に係る透過型の表示装置の構成を示す断面図である。
【図１０Ｂ】比較例６に係る透過型の表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
【図１１Ａ】比較例７に係る反射型の表示装置の構成を示す断面図である。
【図１１Ｂ】比較例７に係る反射型の表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
【図１２Ａ】実施例４に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１２Ｂ】実施例４に係る表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
【図１３Ａ】比較例８に係る透過型の表示装置の構成を示す断面図である。
【図１３Ｂ】比較例８に係る透過型の表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、実施の形態、実施例および比較例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
まず、反射型表示装置において、対向基板側にＩＴＯの電極（共通電極）、アレイ基板側にＩＴＯ以外の電極（ＡｌやＡｇの反射電極）を設けた場合、光照射下で最適Ｖｃｏｍがシフト（ドリフト）していくという（非対称反射電極起因の光照射下のフリッカドリフト）について説明する。
図１Ａは比較例１に係る表示装置の断面図である。図１Ｂは比較例１に係る表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフトの発生の実験方法を説明する図である。図１Ｃは比較例１に係る表示装置のＶｃｏｍ偏差を示すグラフである。
図１Ａに示すように、比較例１に係る表示装置１０ｒ１において、アレイ基板１１ｒ１側には、透明基板１５の上に、平坦化膜１２、反射電極１３Ｒ、第１の配向膜１４Ｒが順に形成されている。反射電極１３Ｒはアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）で形成される。対向基板２１ｒ１側には、透明基板２５の上に、カラーフィルタ（ＣＦ）／オーバコート（ＯＣ）２２、対向電極（共通電極）２３Ｉ、第２の配向膜２４Ｒが順に形成されている。また、透明基板２５の反対側には偏光板２６が配置されている。対向電極２３ＩはＩＴＯで形成される。アレイ基板１１ｒ１と対向基板２１ｒ１の間に液晶ＬＣが挟持されている。第１の配向膜１４Ｒと第２の配向膜２４Ｒとは同じ特性である。
【０００９】
次に、実験方法および実験結果について図１Ｂおよび図１Ｃを参照して説明する。
図１Ｂに示すように、表示装置１０ｒ１の対向電極２３Iに基準電位（Ｖｃｏｍ＝ＧＮＤ）を印加し、反射電極（画素電極）１３Ｒに信号電圧（Ｖｓｉｇ）を印加する。ハロゲンランプ３１からの光を偏光板３２および鏡３３を介して表示装置１０ｒ１を入力し、表示装置１０ｒ１の映像を鏡３３および偏光板３４を介して観測する。鏡３３はハロゲンランプ３１からの光を反射し、表示装置１０ｒ１からの光は透過する。なお、表示装置１０ｒ１はノーマリホワイトの表示装置である。
テストセルを中間調表示状態（Ｖｓｉｇの振幅＝５Ｖ）とし、実験開始時に輝度応答が概ね正負同レベル（≒フリッカ極小）になるようオフセットをＶｓｉｇに印加をした状態で連続駆動する。連続駆動中、表示装置１０ｒ１の対向基板２１ｒ１側からハロゲンランプ光を照射する。ラップでＶｓｉｇのセンター電位を撮り、輝度応答が正負同レベルになる条件を探索する。このときのＶｓｉｇの値の符号を反転させたものが、最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）である。測定時もハロゲンランプ光を使用する。Ｖｉｇは１Ｈｚ／５Ｖの矩形波駆動である。反射電極１３ＲはＡｌとＡｇ、対向電極２３ＩはＩＴＯの場合について室温で測定を行っている。なお、後述の実施例および比較例の反射型表示装置においても同じ測定方法で最適Ｖｃｏｍの測定を行っている。比較例の透過型表示装置においては、光照射方法が異なるがそれ以外は同じ測定方法で最適Ｖｃｏｍの測定を行っている。
図１Ｃに示すように、電極構成がＡｌ／ＩＴＯとＡｇ／ＩＴＯ、光照射が７００ｌｘ、３万（３０Ｋ）ｌｘ、１６万（１６０Ｋ）ｌｘの場合について実験を行っている。ここで、Ａｌ／ＩＴＯとは、反射電極１３ＲがＡｌ、対向電極２３ＩがＩＴＯの構成をいう。Ａｇ／ＩＴＯとは、反射電極１３ＲがＡｇ、対向電極２３ＩがＩＴＯの構成をいう。光照射が大きいほど最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）のドリフト量が大きい。時間０から３６０ｍｉｎ（分）までは光照射期間Ａで、３６０から６００ｍｉｎまでは光照射なし期間Ｂである。光照射を止めるとＶｃｏｍＦのドリフト量は小さくなっていく。Ｖｓｉｇオフセット駆動において、太陽光相当（１０万ｌｘ以上）照射時の６時間（３６０ｍｉｎ）後のＶｃｏｍＦのドリフト量は、Ａｌ／ＩＴＯ構成で−３２５ｍＶ、Ａｇ／ＩＴＯ構成で＋２３９ｍＶである。反射電極１３ＲのＡｌとＡｇとでＶｃｏｍＦの正負およびドリフト方向が異なっている。
【００１０】
電圧無印加状態にて、第２の配向膜２４ＲとＩＴＯの対向電極２３Ｉ、第１の配向膜１４ＲとＡｌの反射電極１３Ｒ、第１の配向膜１４ＲとＡｇの反射電極１３Ｒのそれぞれの仕事関数差により電子が移動する。これにより、第１の配向膜１４Ｒおよび第２の配向膜２４Ｒがそれぞれ負に帯電し、異なった内部ＤＣが発生する。その結果、輝度応答の正負非対称によりフリッカが発生する。
なお、反射電極１３Ｒの上にＩＴＯ膜を形成することによって、非対称反射電極起因の光照射下のフリッカドリフトを回避することができる。ただし、反射率が低下する。
【００１１】
実施の形態に係る表示装置について図２を参照して説明する。
図２は実施の形態に係る表示装置の断面図である。
図２に示すように、実施の形態に係る表示装置１０において、アレイ基板１１側には、第１の電極１３、第１の配向膜１４が順に形成されている。対向基板２１側には、第２の電極２３、第２の配向膜２４が順に形成されている。アレイ基板１１と対向基板２１の間に液晶ＬＣが挟持されている。第１の電極１３は第１の配向膜１４に一番近い電極であり、第２の電極２３は第２の配向膜２４に一番近い電極である。第１の電極１３と第２の電極２３とは異なる金属で構成される。第１の配向膜１４と第２の配向膜２４とはＤＣ緩和特性が異なる。
光照射下、非対称電極起因で生じるフリッカドリフトを配向膜のＤＣズレを利用してキャンセルすることができる。
【００１２】
なお、本実施の形態に於ける表示装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モードあるいはＭＶＡ（Multi-domainVertical Alignment）モードで駆動するいわゆる縦電界方式の液晶表示装置に適用可能であるが、以下においてはＴＮモードの液晶表示装置に代表させて実施例の表示装置を説明する。また、実施例では反射型液晶表示装置を例に説明するが、透過型と反射型の両方の機能を有する液晶表示装置にも適用できる。
【実施例１】
【００１３】
実施例１に係る表示装置について図３Ａから図３Ｂを参照して説明する。
図３Ａは実施例および比較例に共通の表示装置の平面図である。図３Ｂは図３Ａの表示装置の１画素領域を拡大して示した要部断面図である。
図３Ａに示すように、表示装置１０ａはアレイ基板１１ａと対向基板２１ａとを備える。表示装置１０ａは、アレイ基板１１ａと対向基板２１ａとを貼り合せるシール材が塗布されるシール領域ＳＡと、シール領域ＳＡの内側のアクティブ領域ＡＡを備える。環状のシール領域（シール材）ＳＡによって液晶が封入される。シール領域ＳＡはいわゆる額縁領域に含まれる。なお、実施例１から実施例４および比較例１から比較例８においては、反射電極（画素電極）または配向膜の材料が異なるが、その他の構造は同じである。
【００１４】
アレイ基板１１ａには矩形状のガラス基板等からなる透明基板１５の表面に液晶駆動用の各種配線等が形成されるものである。アレイ基板１１ａは対向配置される対向基板２１ａよりもその長手方向の長さが長く、アレイ基板１１ａおよび対向基板２１ａを貼り合わせた際に外部に延在する延在部が形成されるようになっている。延在部には液晶駆動用の信号を出力するＩＣチップあるいはＬＳＩ等からなるドライバＤＲＶがＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。
アレイ基板１１ａの表示領域（アクティブ領域）ＡＡ内には、マトリクス状に複数本の走査線（不図示）および信号線ＳＬが形成されており、複数本の走査線および信号線ＳＬは、表示領域ＡＡの外まで延出され引回されてドライバＤＲＶに接続されている。さらに、アレイ基板１１ａの表示領域ＡＡ内には、複数本の走査線間に、走査線と平行に複数本の補助容量線（不図示）が設けられており、走査線、補助容量線、補助容量電極ＡＥおよび露出している透明基板１５を覆うようにゲート絶縁膜１８が設けられている。そして、ゲート絶縁膜１８の表面には、走査線と信号線ＳＬとの交差部近傍に半導体層１６が形成されており、さらに、信号線ＳＬ、信号線ＳＬに連なるソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄが形成されている。ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄの一部は平面視で半導体層１６と重畳しており、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄおよび半導体層１６によってスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）１７が形成されている。
ＴＦＴ１７、信号線ＳＬおよび露出しているゲート絶縁膜１８の表面を覆うように、無機絶縁材料からなるパッシベーション膜１９が成膜され、さらに、アレイ基板１１ａの表面を平坦化するための有機絶縁材料からなる層間膜（平坦化膜）１２が成膜されている。なお、平坦化膜１２の表面には、走査線および信号線ＳＬによって囲まれた１画素領域ＰＡごとに、Ａｌからなる反射電極１３Ｌが設けられ、ドレイン電極Ｄと電気的に接続するためのコンタクトホール２８が設けられている。そして、これらの表面には配向膜１４Ｈが設けられ、配向膜１４Ｈに対してラビング処理または光配向処理することによりアレイ基板１１ａが形成される。
【００１５】
一方、図３Ｂに示すように、対向基板２１ａは、ガラス基板等からなる透明基板２５の表面に、アレイ基板１１ａの走査線、信号線ＳＬおよびＴＦＴ１７に対応する位置を被覆するように遮光膜２２ＢＭが形成されている。さらに、遮光膜２２ＢＭで囲まれた透明基板２５の表面には、サブ画素毎に所定の色、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）等のカラーフィルタ層２２ＣＦが形成されている。また、遮光膜２２ＢＭおよびカラーフィルタ層２２ＣＦの表面を被覆するようにオーバコート層２２ＯＣが形成されている。オーバコート層２２ＯＣは絶縁性の透明な樹脂膜からなるものであり、対向基板２１ａの表面をできるだけ平坦にするためおよびカラーフィルタ層２２ＣＦから不純物が液晶ＬＣに溶出しないようにするために設けられているものである。
そして、これらのオーバコート層２２ＯＣを覆うようにＩＴＯからなる共通電極２３Ｉが設けられている。また、基板間のセルギャップを一定に保つために柱状のフォトスペーサ（柱状スペーサ）２９が設けられている。そして、対向電極２３Ｉの表面には配向膜２４Ｒが設けられ、配向膜２４Ｒに対してラビング処理または光配向処理することにより対向基板２１ａが形成される。
図３Ｃは実施例１に係る表示装置の構成を示す断面図である。図３Ｄは実施例１に係る表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
実施例１に係る表示装置１０ａは反射型の表示装置である。図３Ｃに示すように、アレイ基板１１ａ側には、透明基板１５の上に、平坦化膜１２、反射電極１３Ｌ、第１の配向膜１４Ｈが順に形成されている。反射電極１３ＬはＡｌで形成される。対向基板２１ａ側には、透明基板２５の上に、ＣＦ／ＯＣ２２、対向電極２３Ｉ、第２の配向膜２４Ｒが順に形成されている。また、透明基板２５の反対側には偏光板２６が配置されている。対向電極２３ＩはＩＴＯで形成される。アレイ基板１１ａと対向基板２１ａの間に液晶ＬＣが挟持されている。第１の配向膜１４Ｈの抵抗率は１×１０１４Ωｍ以上であるのが好ましい。第２の配向膜２４Ｒの抵抗率は１×１０１３Ωｍ以下であるのが好ましい。すなわち、第１の配向膜１４Ｈの抵抗率は第２の配向膜２４Ｒの抵抗率よりも大きい。言い換えると、第２の配向膜２４Ｒの抵抗率は第１の配向膜１４Ｈの抵抗率よりも小さい。
図３Ｄに示すように、実施例１に係る表示装置１０ａの最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）のドリフト量は２５０ｍＶである。
【００１６】
＜比較例２＞
図４Ａは比較例２に係る透過型の表示装置の構成を示す断面図である。図４Ｂは比較例２に係る透過型の表示装置の最適Ｖｃｏｍ電圧のドリフト量を示す図である。
比較例２に係る表示装置１０ｒ２は透過型の表示装置である。図４Ａに示すように、アレイ基板１１ｒ２側には、実施例１のアレイ基板１１ａの反射電極１３Ｌの替わりに画素電極１３Ｉが形成され、第１の配向膜１４Ｈの替わりに第２の配向膜２４Ｒが形成されている。画素電極１３ＩはＩＴＯで形成される。表示装置１０ｒ２の対向基板は実施例１の対向基板２１ａと同じである。
比較例２の表示装置１０ｒ２は、画素電極１３Ｉおよび対向電極２３ＩはいずれもＩＴＯで形成され、アレイ基板１１ｒ２側の配向膜と対向基板２１ａ側の配向膜は、共に第２の配向膜２４Ｒであるため、図４Ｂに示すように、最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）にドリフトは発生していない。
【００１７】
＜比較例３＞
図５Ａは比較例３に係る透過型の表示装置の構成を示す断面図である。図５Ｂは比較例３に係る透過型の表示装置の最適Ｖｃｏｍ電圧のドリフト量を示す図である。
比較例３に係る表示装置１０ｒ３は透過型の表示装置である。図５Ａに示すように、アレイ基板１１ｒ３側には、実施例１のアレイ基板１１ａの反射電極１３Ｌの替わりに画素電極１３Ｉが形成されている。表示装置１０ｒ３の対向基板は実施例１の対向基板２１ａと同じである。
比較例３に係る表示装置１０ｒ３は、画素電極１３Ｉおよび対向電極２３ＩはいずれもＩＴＯで形成されているが、アレイ基板１１ｒ３側の第１の配向膜１４Ｈの抵抗率は対向基板２１ａ側の第２の配向膜２４Ｒの抵抗率よりも大きいため、図５Ｂに示すように、最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）に５０ｍＶのドリフトが発生している。比較例３と比較例２のＶｃｏｍＦのドリフト量の差異は、第１の配向膜１４Ｈと第２の配向膜２４Ｒとの抵抗率の差異に基づくものである。
【００１８】
＜比較例４＞
図６Ａは比較例４に係る反射型の表示装置の構成を示す断面図である。図６Ｂは比較例３に係る反射型の表示装置の最適Ｖｃｏｍ電圧のドリフト量を示す図である。
比較例４に係る表示装置１０ｒ４は反射型の表示装置である。図６Ａに示すように、アレイ基板１１ｒ４側には、実施例１のアレイ基板１１ａの第１の配向膜１４Ｈの替わりに第２の配向膜２４Ｒが形成されている。表示装置１０ｒ４の対向基板は実施例１の対向基板２１ａと同じである。
比較例４に係る表示装置１０ｒ４は、実施例１の表示装置１０ａと同様に反射電極１３ＬはＡｌで形成され、対向電極２３ＩはＩＴＯで形成されているため、図６Ｂに示すように、最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）に３００ｍＶのドリフトが発生している。比較例４と比較例２のＶｃｏｍＦのドリフト量の差異は、反射電極１３Ｌと対向電極２３Ｉとの構成金属の差異に基づくものである。
【００１９】
上述したように、比較例３に係る表示装置１０ｒ３は、アレイ基板１１ｒ３側の第１の配向膜１４Ｈの抵抗率を対向基板２１ａ側の第２の配向膜２４Ｒの抵抗率よりも大きくすると、図５Ｂに示すように、ＶｃｏｍＦに５０ｍＶのドリフトが発生する。また、比較例４に係る表示装置１０ｒ４は、反射電極（画素電極）１３ＬがＡｌで形成され、対向電極２３ＩがＩＴＯで形成されることによって、図６Ｂに示すように、ＶｃｏｍＦに３００ｍＶのドリフトが発生する。したがって、実施例１の表示装置１０ａは、電極材料の相違によるＶｃｏｍＦのドリフト量を配向膜の抵抗率の差異によるＶｃｏｍＦのドリフト量によって減少させることができる。
【実施例２】
【００２０】
実施例２に係る表示装置について図７Ａから図７Ｂを参照して説明する。
図７Ａは実施例２に係る表示装置の構成を示す断面図である。図７Ｂは実施例２に係る表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
実施例２に係る表示装置１０ｂは反射型の表示装置である。図７Ａに示すように、表示装置１０ｂのアレイ基板は実施例１のアレイ基板１１ａと同じである。対向基板２１ｂ側には、実施例１の対向基板２１ａの配向膜２４Ｒの替わりに配向膜２４Ｌが形成されている。実施例１と同様に配向膜１４Ｈの抵抗率は１×１０１４Ωｍ以上であるのが好ましい。配向膜２４Ｌの抵抗率は１×１０１２Ωｍ以下であるのが好ましい。すなわち、アレイ基板１１ａ側の配向膜１４Ｈの抵抗率は対向基板２１ｂ側の配向膜２４Ｌの抵抗率よりも大きい。言い換えると、対向基板２１ｂ側の配向膜２４Ｌの抵抗率はアレイ基板１１ａ側の配向膜１４Ｈの抵抗率よりも小さい。
図７Ｂに示すように、実施例２に係る表示装置１０ｂの最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）のドリフト量は２００ｍＶであり、実施例１よりも５０ｍＶ少なくなっている。
【００２１】
＜比較例５＞
図８Ａは比較例５に係る透過型の表示装置の構成を示す断面図である。図８Ｂは比較例５に係る透過型の表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
比較例５に係る表示装置１０ｒ５は透過型の表示装置である。図８Ａに示すように、表示装置１０ｒ５のアレイ基板は比較例３のアレイ基板１１ｒ３と同じである。表示装置１０ｒ５の対向基板は実施例２の対向基板２１ｂと同じである。
図８Ｂに示すように、画素電極１３Ｉおよび対向電極２３ＩはいずれもＩＴＯで形成されているが、アレイ基板１１ｒ３側の配向膜１４Ｈの抵抗率は対向基板２１ｂ側の配向膜１４Ｌの抵抗率よりも大きいため、最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）に１００ｍＶのドリフトが発生している。比較例５（実施例２）の配向膜１４Ｈの抵抗率と配向膜２４Ｌの抵抗率の差は、比較例３（実施例１）の配向膜１４Ｈの抵抗率と配向膜２４Ｒの抵抗率の差よりも大きいため、比較例５のＶｃｏｍＦのドリフト量は比較例３のＶｃｏｍＦのドリフト量よりも大きくなっている。
【００２２】
上述したように、比較例５に係る表示装置１０ｒ５は、アレイ基板１１ｒ３側の配向膜１４Ｈの抵抗率を対向基板２１ｂ側の配向膜２４Ｌの抵抗率よりも大きくすると、図８Ｂに示すように、ＶｃｏｍＦに１００ｍＶのドリフトが発生する。また、比較例４に係る表示装置１０ｒ４は、反射電極（画素電極）１３ＬがＡｌで形成され、対向電極２３ＩがＩＴＯで形成されることによって、図６Ｂに示すように、ＶｃｏｍＦに３００ｍＶのドリフトが発生する。実施例１と同様に実施例２でも電極材料の相違によるＶｃｏｍＦのドリフト量を配向膜の抵抗率の差異によるＶｃｏｍＦのドリフト量によって減少させることができる。実施例２の配向膜の抵抗率の差異によるＶｃｏｍＦのドリフト量が実施例１の配向膜の抵抗率の差異によるＶｃｏｍＦのドリフト量よりも大きいため、実施例２の方が実施例１よりもＶｃｏｍＦのドリフト量が小さくなっている。
【実施例３】
【００２３】
実施例３に係る表示装置について図９Ａから図９Ｂを参照して説明する。
図９Ａは実施例３に係る表示装置の構成を示す断面図である。図９Ｂは実施例３に係る表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
実施例３に係る表示装置１０ｃは反射型の表示装置である。図９Ａに示すように、アレイ基板１１ｃ側には、実施例１のアレイ基板１１ａの反射電極１３Ｌの替わりに反射電極１３Ｇが形成され、配向膜１４Ｈの替わりに配向膜１４Ｌが形成されている。表示装置１０ｃの対向基板は実施例１の対向基板２１ａと同じである。反射電極１３ＧはＡｇで形成される。配向膜２４Ｒの抵抗率は１×１０１３Ωｍ以上であるのが好ましい。配向膜１４Ｌの抵抗率は１×１０１２Ωｍ以下であるのが好ましい。すなわち、アレイ基板１１ｃ側の配向膜１４Ｌの抵抗率は対向基板２１ａ側の配向膜１４Ｒの抵抗率よりも小さい。言い換えると、対向基板２１ａ側の配向膜２４Ｒの抵抗率はアレイ基板１１ｃ側の配向膜１４Ｌの抵抗率よりも大きい。
図９Ｂに示すように、実施例３に係る表示装置１０ｃの最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）のドリフト量は５０ｍＶであり、実施例１よりも２００ｍＶ少なくなっている。
【００２４】
＜比較例６＞
図１０Ａは比較例６に係る透過型の表示装置の構成を示す断面図である。図１０Ｂは比較例６に係る透過型の表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
比較例６に係る表示装置１０ｒ６は透過型の表示装置である。図１０Ａに示すように、アレイ基板１１ｒ６側には、実施例３のアレイ基板１１ｃの反射電極１３Ｇの替わりに画素電極１３Ｉが形成されている。表示装置１０ｒ６の対向基板は実施例１の対向基板２１ａと同じである。
図１０Ｂに示すように、画素電極１３Ｉおよび対向電極２３ＩはいずれもＩＴＯで形成されているが、アレイ基板１１ｒ６側の配向膜１４Ｌの抵抗率は対向基板２１ａ側の配向膜２４Ｒの抵抗率よりも小さいため、最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）に５０ｍＶのドリフトが発生している。なお、比較例３とは、アレイ基板側の配向膜の抵抗率と対向基板側の配向膜の抵抗率の大小関係が逆であるが、比較例６は比較例３と同じ量のＶｃｏｍＦのドリフトが発生している。
【００２５】
＜比較例７＞
図１１Ａは比較例７に係る反射型の表示装置の構成を示す断面図である。図１１Ｂは比較例７に係る反射型の表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
比較例７に係る表示装置１０ｒ７は反射型の表示装置である。図１１Ａに示すように、アレイ基板１１ｒ７側には、実施例３のアレイ基板１１ｃの配向膜１４Ｌの替わりに配向膜２４Ｒが形成されている。表示装置１０ｒ７の対向基板は実施例１の対向基板２１ａと同じである。
図１１Ｂに示すように、反射電極１３ＧはＡｇで形成され、対向電極２３ＩはＩＴＯで形成されているため、最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）に１００ｍＶのドリフトが発生する。比較例４とは反射電極が異なるので、図６Ｂおよび図１１Ｂに示すように、比較例６のＶｃｏｍＦのドリフト量の正負は反対になっている。
【００２６】
図１０Ｂに示すように、アレイ基板１１ｒ６側の配向膜１４Ｌの抵抗率を対向基板２１ａ側の配向膜２４Ｒの抵抗率よりも小さくすると、ＶｃｏｍＦに５０ｍＶのドリフトが発生する。また、図１１Ｂに示すように、反射電極１３ＧがＡｇで形成され、対向電極２３ＩがＩＴＯで形成されることによって、最ＶｃｏｍＦに１００ｍＶのドリフトが発生する。実施例３の表示装置１０ｃは、電極材料の相違によるＶｃｏｍＦのドリフト量を配向膜の抵抗率の差異によるＶｃｏｍＦのドリフト量によって減少させることができる。
【実施例４】
【００２７】
実施例４に係る表示装置について図１２Ａから図１２Ｂを参照して説明する。
図１２Ａは実施例４に係る表示装置の構成を示す断面図である。図１２Ｂは実施例４に係る表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
実施例４に係る表示装置１０ｄは反射型の表示装置である。図１２Ａに示すように、表示装置１０ｄのアレイ基板は実施例３のアレイ基板１１ｃ同じである。対向基板２１側には、実施例３の対向基板２１ｃの配向膜２４Ｒの替わりに配向膜２４Ｈが形成されている。配向膜２４Ｈの抵抗率は１×１０１４Ωｍ以上であるのが好ましい。配向膜１４Ｌの抵抗率は１×１０１２Ωｍ以下であるのが好ましい。すなわち、アレイ基板１１ｃ側の配向膜１４Ｌの抵抗率は対向基板２１ｄ側の配向膜２４Ｈの抵抗率よりも小さい。言い換えると、対向基板２１ｄ側の配向膜２４Ｈの抵抗率はアレイ基板１１ｃ側の配向膜１４Ｌの抵抗率よりも大きい。
図１２Ｂに示すように、実施例４に係る表示装置１０ｄの最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）にドリフトは発生していない。
【００２８】
＜比較例８＞
図１３Ａは比較例８に係る透過型の表示装置の構成を示す断面図である。図１３Ｂは比較例８に係る透過型の表示装置の最適Ｖｃｏｍのドリフト量を示す図である。
比較例８に係る表示装置１０ｒ８は透過型の表示装置である。図１３Ａに示すように、アレイ基板１１ｒ８側には、実施例４のアレイ基板１１ｄの反射電極１３Ｇの替わりに葉画素電極１３Ｉが形成されている。表示装置１０ｒ８の対向基板は実施例４の対向基板２１ｄと同じである。
図１３Ｂに示すように、画素電極１３Ｉおよび対向電極２３ＩはいずれもＩＴＯで形成されているが、アレイ基板１１ｒ８側の配向膜１４Ｌの抵抗率は対向基板２１ｄ側の配向膜２４Ｈの抵抗率よりも小さいため、最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）に１００ｍＶのドリフトが発生している。なお、比較例５とは、アレイ基板側の配向膜の抵抗率と対向基板側の配向膜の抵抗率の大小関係が逆であるが、比較例８は比較例５と同じ量のＶｃｏｍＦのドリフトが発生している。
【００２９】
また、上述したように、比較例７の表示装置１０ｒ７は、反射電極（画素電極）１３ＧがＡｇで形成され、対向電極２３ＩがＩＴＯで形成されることによって、図１１Ｂに示すように、ＶｃｏｍＦに１００ｍＶのドリフトが発生する。比較例８の表示装置１０ｒ８は、アレイ基板１１ｒ８側の配向膜１４Ｌの抵抗率は対向基板２１ｄ側の配向膜２４Ｈの抵抗率よりも小さいため、図１３Ｂに示すように、最適Ｖｃｏｍ（ＶｃｏｍＦ）に１００ｍＶのドリフトが発生している。実施例４の表示装置１０ｄは、電極材料の相違によるＶｃｏｍＦのドリフト量を配向膜の抵抗率の差異によるＶｃｏｍ電圧のドリフト量によって相殺することができる。
【符号の説明】
【００３０】
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｒ１、１０ｒ２、１０ｒ３、１０ｒ４、１０ｒ５、１０ｒ６、１０ｒ７、１０ｒ８・・・表示装置
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｒ１、１１ｒ２、１１ｒ３、１１ｒ４、１１ｒ６、１１ｒ７、１１ｒ８・・・アレイ基板
１２・・・平坦化膜
１３・・・第１の電極
１３Ｌ、１３Ｇ・・・反射電極
１３Ｉ・・・画素電極
１４、１４Ｈ、１４Ｌ、１４Ｒ・・・第１の配向膜
１５・・・透明基板
１６・・・半導体層
１７・・・薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１８・・・ゲート絶縁膜
１９・・・パッシベーション膜
２１、２１ａ、２１ｂ、２１ｄ、２１ｒ１・・・対向基板
２２・・・カラーフィルタ（ＣＦ）／オーバコート（ＯＣ）
２２ＢＭ・・・遮光層
２２ＣＦ・・・カラーフィルタ層
２２ＯＣ・・・オーバコート層
２３・・・第２の電極
２３Ｉ・・・対向電極（共通電極）
２４、２４Ｈ、２４Ｌ、２４Ｒ・・・第２の配向膜
２５・・・透明基板
２６・・・偏光板
２８・・・コンタクトホール
２９・・・柱状スペーサ
３１・・・ハロゲンランプ
３２、３４・・・偏光板
３３・・・鏡
ＡＡ・・・アクティブ領域（表示領域）
Ｄ・・・ドレイン電極
ＤＲＶ・・・駆動回路
Ｇ・・・ゲート電極
ＬＣ・・・液晶
Ｓ・・・ソース電極
ＳＥ・・・補助容量電極
ＳＡ・・・シール領域
【図１Ａ】
2016045317.tif 000003
【図１Ｂ】
2016045317.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2016045317.tif 000009
【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
2016045317.tif 000013
【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
2016045317.tif 000017
【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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