(57)【要約】【課題】電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる基板及びフレキシブルプリント配線板用基材を提供することを課題とする。【解決手段】本発明の一態様に係る基板は、マトリックスとこのマトリックス中に含まれる補強材とを含有し、上記マトリックスの主成分がフッ素樹脂である基板であって、−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．６以下、誘電正接が０．００４以下、比誘電率の変化幅が０．０００１以上０．０８以下、誘電正接の変化幅が０．００００１以上０．００２以下である基板である。本発明の一態様に係るフレキシブルプリント配線板用基材は、上記基板と、この基板の一方の面側に積層される導電層とを備えるフレキシブルプリント配線板用基材である。上記補強材としては、ガラスクロス又は樹脂クロスが好ましく、厚み方向の中間に積層されていることが好ましい。【選択図】図１
2016194044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックスとこのマトリックス中に含まれる補強材とを含有し、上記マトリックスの主成分がフッ素樹脂である基板であって、
−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．６以下、誘電正接が０．００４以下、比誘電率の変化幅が０．０００１以上０．０８以下、誘電正接の変化幅が０．００００１以上０．００２以下である基板。
【請求項２】
上記補強材が、ガラスクロス又は樹脂クロスであり、厚み方向の中間に積層されている請求項１に記載の基板。
【請求項３】
上記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）又はテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）を５０質量％以上含有する請求項１又は請求項２に記載の基板。
【請求項４】
上記補強材の含有量が１体積％以上５０体積％以下である請求項１、請求項２又は請求項３に記載の基板。
【請求項５】
一方の面にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板と、
この基板の一方の面側に積層される導電層と
を備えるフレキシブルプリント配線板用基材。
【請求項７】
上記導電層が銅箔である請求項６に記載のフレキシブルプリント配線板用基材。
【請求項８】
上記基板と上記導電層との剥離強度が１０Ｎ／ｃｍ以上である請求項６又は請求項７に記載のフレキシブルプリント配線板用基材。
【請求項９】
加熱変形性が０．５％以下である請求項６、請求項７又は請求項８に記載のフレキシブルプリント配線板用基材。
【請求項１０】
請求項６から請求項９のいずれか１項に記載のフレキシブルプリント配線板用基材を用いたフレキシブルプリント配線板。
【請求項１１】
ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる工程と、
上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する工程と
を備え、
得られる基板の−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．６以下、誘電正接が０．００４以下、比誘電率の変化幅が０．０００１以上０．０８以下、誘電正接の変化幅が０．００００１以上０．００２以下である基板の製造方法。
【請求項１２】
上記熱圧着の開始前から真空吸引を開始する請求項１１に記載の基板の製造方法。
【請求項１３】
ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる工程と、
含浸させた上記組成物を加熱する工程と
を備え、
得られる基板の−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．６以下、誘電正接が０．００４以下、比誘電率の変化幅が０．０００１以上０．０８以下、誘電正接の変化幅が０．００００１以上０．００２以下である基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、フレキシブルプリント配線板用基材、フレキシブルプリント配線板及び基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信量は増大する一方であり、これに応えるため、例えばＩＣカード、携帯電話端末等の機器においてマイクロ波、ミリ波といった高周波領域での通信が盛んになっている。
【０００３】
一般的なプリント配線板において、伝送速度Ｖ及び伝送損失αｄは、基板の比誘電率εｒ、周波数ｆ及び誘電正接ｔａｎδとそれぞれ以下の関係（式（１）及び式（２））を満たす。
【０００４】
【数１】
2016194044.tif 000003
【０００５】
【数２】
2016194044.tif 000004
【０００６】
つまり、伝送速度Ｖを大きくすると共に伝送損失αｄを小さくするためには、基板の比誘電率εｒを小さくすることが望まれる。このため、基板の材料として、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリフッ化ビリニデン（ＰＶｄＦ）等のフッ素樹脂を用いることが提案されている（例えば特開２００１−７４６６号公報、特許第４２９６２５０号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−７４６６号公報
【特許文献２】特許第４２９６２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記従来のフッ素樹脂を用いた基板は高周波通信に使用可能である点で要求に沿う基板であるといえる。しかし、基板で安定した電気特性を得るためには、比誘電率や誘電正接のばらつきを抑制することが必要とされるところ、上記従来の基板は、比誘電率及び誘電正接を十分に制御できるとはいえない。
【０００９】
さらに、高周波領域での通信において、車載用ミリ波レーダーや、携帯情報機器、携帯通信端末等の携帯機器でミリ波を使用する用途など、屋外での使用例や活用例が増えている。このため、電気特性の温度依存性が少ない基板が求められているが、上記従来のフッ素樹脂を用いた基板は、この点についても不十分である。
【００１０】
本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる基板、フレキシブルプリント配線板用基材及びフレキシブルプリント配線板、並びにそのような基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係る基板は、マトリックスとこのマトリックス中に含まれる補強材とを含有し、上記マトリックスの主成分がフッ素樹脂である基板であって、−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．６以下、誘電正接が０．００４以下、比誘電率の変化幅が０．０００１以上０．０８以下、誘電正接の変化幅が０．００００１以上０．００２以下である基板である。
【００１２】
上記課題を解決するためになされた別の本発明の一態様に係るフレキシブルプリント配線板用基材は、上記基板と、この基板の一方の面側に積層される導電層とを備えるフレキシブルプリント配線板用基材である。
【００１３】
上記課題を解決するためになされたさらに別の本発明の一態様に係るフレキシブルプリント配線板は、上記フレキシブルプリント配線板用基材をを用いたフレキシブルプリント配線板である。
【００１４】
上記課題を解決するためになされたさらに別の本発明の一態様に係る基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる工程と、上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する工程とを備え、得られる基板の−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．６以下、誘電正接が０．００４以下、比誘電率の変化幅が０．０００１以上０．０８以下、誘電正接の変化幅が０．００００１以上０．００２以下である基板の製造方法である。
【００１５】
上記課題を解決するためになされたさらに別の本発明の一態様に係る基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる工程と、含浸させた上記組成物を加熱する工程とを備え、得られる基板の−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．６以下、誘電正接が０．００４以下、比誘電率の変化幅が０．０００１以上０．０８以下、誘電正接の変化幅が０．００００１以上０．００２以下である基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の基板、フレキシブルプリント配線用基材及びフレキシブルプリント配線板は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。本発明の基板の製造方法は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる基板を容易に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態の基板を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の一実施形態のフレキシブルプリント配線板用基材を示す模式的断面図である。
【図３】実施例１、２及び比較例１、２の比誘電率の温度依存性を示すグラフである。
【図４】実施例１、２及び比較例１、２の誘電正接の温度依存性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
［本発明の実施形態の説明］
本発明の一態様に係る基板は、マトリックスとこのマトリックス中に含まれる補強材とを含有し、上記マトリックスの主成分がフッ素樹脂である基板であって、−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．６以下、誘電正接が０．００４以下、比誘電率の変化幅が０．０００１以上０．０８以下、誘電正接の変化幅が０．００００１以上０．００２以下である。
【００１９】
当該基板は、マトリックスの主成分がフッ素樹脂であるので、高周波領域に用いた際の伝送損失を抑制できる。また、当該基板は、マトリックス中に補強材を含有するので、強度及び寸法安定性を確保できる。さらに、当該基板は、−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率及び誘電正接が上記範囲であるので、伝送特性に優れる。また、当該基板は、−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率の変化幅及び誘電正接の変化幅が上記範囲であるので、電気特性の温度依存性が少ない。
【００２０】
ここで「主成分」とは、最も含有量が多い成分であり、例えば含有量が５０質量％以上、好ましくは９０質量％以上の成分を指す。また「比誘電率」及び「誘電正接」は、それぞれＪＩＳ−Ｃ−２１３８（２００７年）に準拠する空洞共振器摂道法により、相対湿度５０％の条件で測定される厚さ方向の値である。
【００２１】
上記補強材としては、ガラスクロス又は樹脂クロスが好ましく、厚み方向の中間に積層されていることが好ましい。このように、補強材がガラスクロス又は樹脂クロスであり、厚み方向の中間に積層されていると、強度及び寸法安定性をより向上でき、基板での反りの発生をより効果的に抑制できる。
【００２２】
上記フッ素樹脂は、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）又はテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）を５０質量％以上含有することが好ましい。当該基板がマトリックスとしてＦＥＰやＰＦＡを主体として含むと、より良好な電気特性を得つつ、電気特性の温度依存性をより少なくできる。これは、ＦＥＰ及びＰＦＡは、結晶化度が小さく、さらに結晶構造の変化に伴う電気特性の変化が小さいためと推測される。
【００２３】
上記補強材の含有量としては、１体積％以上５０体積％以下が好ましい。上記補強材の含有量を上記範囲とすることで、平面視で補強材が含まれる領域での電気特性に影響を与えることなく、電気特性の温度依存性をより少なくできる。ここで「補強材の含有量」とは、平面視で補強材が含まれる領域での含有量を意味する。
【００２４】
当該基板は、一方の面にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を有することが好ましい。このように上記改質層を一方の面に有することで、一方の面側に積層される導電層に対して伝送損失の抑制を阻害する粗化処理を施さなくても密着性を向上でき、導電層の剥離をより抑制できる。
【００２５】
本発明の別の態様に係るフレキシブルプリント配線板用基材は、上記基板と、この基板の一方の面側に積層される導電層とを備える。当該フレキシブルプリント配線板用基材は、上記基板を備えるので電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。
【００２６】
上記導電層としては、銅箔が好ましい。銅箔は、導電性及び可撓性に優れ、かつコスト面で有利である。導電層を銅箔とすることで優れた伝送特性を得つつ、より良好なフレキシブル性を得ることができる。
【００２７】
上記基板と上記導電層との剥離強度としては、１０Ｎ／ｃｍ以上が好ましい。上記剥離強度を上記下限以上とすることで、導電層の剥離をより抑制することができる。ここで、上記剥離強度は、ＪＩＳ−Ｋ−６８５４−２（１９９９年）の「接着剤−剥離接着強さ試験方法−２部：１８０度剥離」に準拠する試験方法により得られる剥離強度を指す。
【００２８】
上記フレキシブルプリント配線板用基材の加熱変形性としては、０．５％以下が好ましい。上記加熱変形性を上記上限以下とすることで、寸法安定性をより向上でき、電気特性の温度依存性をより少なくできる。上記加熱変形性は、ＪＩＳ−Ｃ−６４７１（１９９５年）の「寸法安定性」に準拠して、温度１５０℃、時間３０分の条件での加熱前後の銅箔の寸法変化率を測定することにより求められる値である。ここで、寸法変化率は、下記式より求められる。
寸法変化率（％）＝（加熱後の標点間距離と加熱前の標点間距離との差の絶対値）／（加熱前の標点間距離）×１００
【００２９】
本発明の別の態様に係るフレキシブルプリント配線板は、上記フレキシブルプリント配線板用基材を用いたフレキシブルプリント配線板である。当該フレキシブルプリント配線板は、上記フレキシブルプリント配線板用基材を用いるので、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。
【００３０】
本発明の別の態様に係る基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる工程と、上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する工程とを備え、得られる基板の−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．６以下、誘電正接が０．００４以下、比誘電率の変化幅が０．０００１以上０．０８以下、誘電正接の変化幅が０．００００１以上０．００２以下である。
【００３１】
当該基板の製造方法は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる基板を容易に製造できる。
【００３２】
上記熱圧着の開始前から真空吸引を開始することが好ましい。このように、上記熱圧着の開始前から真空吸引を開始すれば、ガラスクロス又は樹脂クロスと上記樹脂フィルムとがより一体化した基板を得ることができる。
【００３３】
本発明の別の態様に係る基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる工程と、含浸させた上記組成物を加熱する工程とを備え、得られる基板の−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率が２．６以下、誘電正接が０．００４以下、比誘電率の変化幅が０．０００１以上０．０８以下、誘電正接の変化幅が０．００００１以上０．００２以下である基板の製造方法である。
【００３４】
当該基板の製造方法は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる基板を容易に製造できる。
【００３５】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明に係る基板、フレキシブルプリント配線板用基材、フレキシブルプリント配線板及び基板の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。
【００３６】
＜基板＞
図１に示す基板１は、マトリックスとこのマトリックス中に含まれる補強材とを含有し、上記マトリックスの主成分がフッ素樹脂である。具体的には、基板１は、フッ素樹脂層２と、このフッ素樹脂層２の厚み方向の中間に積層される補強材層３と、フッ素樹脂層２の一方の面に積層される改質層４とを備える。
【００３７】
［フッ素樹脂層］
フッ素樹脂層２は、基板１のマトリックスの主成分であるフッ素樹脂を主成分とする。ここで、「フッ素樹脂」とは、高分子鎖の繰り返し単位を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１つが、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基（以下、「フッ素原子含有基」ともいう）で置換されたものをいう。フッ素原子含有基は、直鎖状又は分岐状の有機基中の水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換されたものであり、例えばフルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロポリエーテル基等が挙げられる。
【００３８】
上記「フルオロアルキル基」とは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を意味し、「パーフルオロアルキル基」等が例示できる。具体的なフルオロアルキル基としては、例えばアルキル基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルキル基の末端の１つの水素原子以外の水素原子がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。
【００３９】
上記「フルオロアルコキシ基」とは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルコキシ基を意味し、「パーフルオロアルコキシ基」等が例示できる。具体的なフルオロアルコキシ基としては、例えばアルコキシ基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルコキシ基の末端の１つの水素原子以外の水素原子がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。
【００４０】
上記「フルオロポリエーテル基」とは、繰り返し単位としてオキシアルキレン単位を有し、末端にアルキル基又は水素原子を有する１価の基であって、このアルキレンオキシド鎖又は末端のアルキル基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された１価の基を意味する。フルオロポリエーテル基としては、例えば繰り返し単位として複数のパーフルオロアルキレンオキシド鎖を有する「パーフルオロポリエーテル基」等が例示できる。
【００４１】
上記フッ素樹脂としては、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、並びにテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、ビニリデンフルオライドの３種類のモノマーにより形成される熱可塑性フッ素樹脂（ＴＨＶ）及びフルオロエラストマー等が挙げられる。また、これら化合物を含む混合物やコポリマーも上記フッ素樹脂として使用できる。
【００４２】
中でも、上記フッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）又はテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）が好ましく、フッ素樹脂がこれらの樹脂を５０質量％以上含有することが好ましい。これらのフッ素樹脂は比誘電率が比較的低い材料であり、かつ温度依存性が低いため、これらのフッ素樹脂を上記マトリックスの主成分とすることで、伝送損失をより抑制できる。
【００４３】
詳しく説明すると、ＰＴＦＥは１９℃及び３０℃において結晶構造が特異的に変化して、線膨張率や比重が変化し、電気特性も大きく変化する（例えば「ふっ素樹脂ハンドブック」（日刊工業新聞社、１９９０年発行）参照）。さらに、ＰＴＦＥの結晶化度は６０％以上８５％以下であり、ＰＦＡの結晶化度は５０％以上６０％以下であり、ＦＥＰの結晶化度は４０％以上５０％以下である。このように、ＦＥＰ及びＰＦＡの結晶化度はＰＴＦＥの結晶化度より小さい。ゆえに、ＰＦＡ及びＦＥＰは、結晶化度が小さく、仮に結晶構造の特異的な変化が起こったとしても電気特性等の変化への影響は少ないと推測される。このため、ＰＦＡ及びＦＥＰは、ＰＴＦＥと比べて、温度変化による電気特性の変動幅が小さく、電気特性が安定している。つまり、ＰＦＡ及びＦＥＰは、ＰＴＦＥと比べて、電気特性の温度依存性が良好である。
【００４４】
上記マトリックスには、上記フッ素樹脂以外の成分（任意成分）が含まれてもよい。この任意成分としては、例えば上記フッ素樹脂以外の樹脂、難燃剤、難燃助剤、顔料、酸化防止剤、反射付与剤、隠蔽剤、滑剤、加工安定剤、可塑剤、発泡剤等が挙げられる。この場合、上記マトリックス中の任意成分の含有量の上限としては、２０質量％が好ましく、１０質量％がより好ましい。
【００４５】
フッ素樹脂層２は、中空構造を有してもよい。中空構造を有すると比誘電率をより小さくできるため、伝送損失をより効果的に抑制できる。
【００４６】
フッ素樹脂層２の補強材以外の部分２ａ（基板１のマトリックス）の比誘電率の上限としては、２．７が好ましく、２．５がより好ましい。一方、上記比誘電率の下限としては、１．２が好ましく、１．４がより好ましい。上記比誘電率が上記上限を超える場合、誘電正接が大きくなりすぎ、伝送損失を十分に小さくできないおそれがあると共に、十分な伝送速度が得られないおそれがある。また、上記比誘電率が上記下限未満である場合、導電層を一方の面側に積層した基板１をパターン状にエッチングして回路を設ける際に回路幅を十分に小さくできないおそれや、強度が低下するおそれがある。
【００４７】
フッ素樹脂層２の補強材以外の部分２ａ（基板１のマトリックス）の線膨張率の上限としては、２×１０−５／℃が好ましい。一方、上記線膨張率の下限としては、１．２×１０−４／℃が好ましい。上記線膨張率が上記上限を超える場合、フッ素樹脂層２が温度変化により体積変化を生じ、反りの発生を効果的に抑制できないおそれがある。また、上記線膨張率が上記下限未満である場合、コスト面で問題を生じるおそれがある。
【００４８】
フッ素樹脂層２は補強材層３によって上下２層に分割されるが、この一対の層は略同じ厚みを有することが好ましい。一対の層において、厚みが大きく異なると、熱膨張によりフッ素樹脂層２で反りを生じるおそれがある。なお、「略同じ厚み」とは、一方の層の平均厚みに対する他方の層の平均厚みの比が０．９以上１．１以下である場合をいう。
【００４９】
フッ素樹脂層２の補強材層３によって分割される各層の平均厚みの上限としては、１ｍｍが好ましく、１００μｍがより好ましく、５０μｍがさらに好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、０．５μｍが好ましく、１μｍがより好ましく、１０μｍがさらに好ましい。上記平均厚みが上記上限を超える場合、可撓性が要求される電子機器への適用が困難となるおそれがある。また、上記平均厚みが上記下限未満の場合、基板１の誘電正接が大きくなり、伝送損失を十分に小さくできないおそれや十分な伝送速度が得られないおそれがある。
【００５０】
なお、本明細書において、「平均厚み」とは、対象物の厚み方向に切断した断面における測定長さ内の表面側の界面の平均線と、裏面側の界面の平均線との間の距離を指す。ここで、「平均線」とは、界面に沿って引かれる仮想直線であって、界面とこの仮想直線とによって区画される山の総面積（仮想直線よりも上側の総面積）と谷の総面積（仮想直線よりも下側の総面積）とが等しくなるような線を意味する。
【００５１】
（補強材層）
補強材層３は、フィルム状又はクロス状の補強材を含む層である。
【００５２】
上記補強材としては、フッ素樹脂層２の補強材以外の部分２ａよりも線膨張率が小さいものであれば特に限定されるものではないが、絶縁性と、フッ素樹脂の融点で溶融流動しない耐熱性と、フッ素樹脂と同等以上の引っ張り強さと、耐腐食性とを有することが望ましい。このような補強材としては、例えばガラスをクロス状に形成したガラスクロス、このようなガラスクロスにフッ素樹脂を含浸させたフッ素樹脂含有ガラスクロス、金属、セラミックス、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、アラミド等により形成された耐熱繊維を含む樹脂クロス、ポリテトラフルオロエチレン、液晶ポリマー、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、熱硬化樹脂、架橋樹脂等を主成分とする耐熱フィルムなどから構成することが可能である。なお、上記樹脂クロス及び耐熱フィルムとしては、後述する基板の製造方法で熱圧着する工程の温度以上の融点（又は熱変形温度）を有するものが好ましい。上記樹脂クロスの織り方としては、フッ素樹脂層２を薄くするためには平織りが好ましいが、フッ素樹脂層２を屈曲可能とするためには綾織り及びサテン織りが好ましい。この他、公知の織り方を適用することができる。
【００５３】
上記補強材が上記フッ素樹脂含有ガラスクロスである場合、ガラスクロスに含浸されるフッ素樹脂は基板１のマトリックスであってもよい。
【００５４】
中でも、上記補強材としては、強度及び寸法安定性をさらに向上させる観点より、上記ガラスクロス又は上記樹脂クロスが好ましい。
【００５５】
基板１における補強材の含有量の上限としては、基板１の全体積に対して、５０体積％が好ましく、４０体積％がより好ましく、３０体積％がさらに好ましい。一方、上記含有量の下限としては、１体積％が好ましく、５体積％がより好ましく、１０体積％がさらに好ましい。上記含有量が上記上限を超える場合、温度変化により電気特性の劣化を生じるおそれがある。また、上記含有量が上記下限未満の場合、温度変化により、強度の低下や寸法安定性の低下を生じるおそれがある。
【００５６】
上記ガラスクロスのガラス繊維の密度の上限としては、５ｇ／ｍ３が好ましく、３ｇ／ｍ３がより好ましい。一方、上記密度の下限としては、１ｇ／ｍ３が好ましく、２ｇ／ｍ３がより好ましい。
【００５７】
上記ガラスクロスのガラス繊維の引張強度の上限としては、１０ＧＰａが好ましく、５ＧＰａがより好ましい。一方、上記引張強度の下限としては、１ＧＰａが好ましく、２ＧＰａがより好ましい。
【００５８】
上記ガラスクロスのガラス繊維の引張弾性率の上限としては、２００ＧＰａが好ましく、１００ＧＰａがより好ましい。一方、上記引張弾性率の下限としては、１０ＧＰａが好ましく、５０ＧＰａがより好ましい。
【００５９】
上記ガラスクロスのガラス繊維の最大伸び率の上限としては、２０％が好ましく、１０％がより好ましい。一方、上記最大伸び率の下限としては、１％が好ましく、３％がより好ましい。
【００６０】
上記ガラスクロスのガラス繊維の軟化点の上限としては、１２００℃が好ましく、１０００℃がより好ましい。一方、上記軟化点の下限としては、７００℃が好ましく、８００℃がより好ましい。上記軟化点は、ＪＩＳ−Ｋ−７２３４（１９８６）に規定する環球法により測定した軟化点を意味する。
【００６１】
上記補強材の比誘電率の上限としては、１０が好ましく、６がより好ましく、５がさらに好ましい。一方、上記比誘電率の下限としては、１．２が好ましく、１．５がより好ましく、１．８がさらに好ましい。上記比誘電率が上記上限を超える場合、誘電正接が大きくなり伝送損失を十分に小さくできないおそれがあると共に、十分な伝送速度が得られないおそれがある。また、上記比誘電率が上記下限未満である場合、コストが高くなるおそれがある。
【００６２】
上記補強材の線膨張率の上限としては、５×１０−５／℃が好ましく、４．７×１０−５／℃がより好ましい。一方、上記線膨張率の下限としては、−１×１０−４／℃が好ましく、０／℃がより好ましい。上記線膨張率が上記上限を超える場合、温度変化による反りの発生を効果的に抑制できないおそれがある。また、上記線膨張率が上記下限未満の場合、コストが高くなるおそれがある。
【００６３】
フッ素樹脂層２の補強材以外の部分２ａの線膨張率に対する上記補強材の線膨張率の比の上限としては、０．９５が好ましく、０．１がより好ましい。一方、上記比の下限としては、０．００１が好ましく、０．００２がより好ましい。上記比が上記上限を超える場合、基板１での反りの発生を効果的に抑制できないおそれがある。また、上記比が上記下限未満の場合、補強材のコストが高くなるおそれがある。
【００６４】
補強材層３の平均厚みの上限としては、５０μｍが好ましく、４０μｍがより好ましく、３５μｍがさらに好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、１μｍが好ましく、３μｍがより好ましく、５μｍがさらに好ましい。上記平均厚みが上記上限を超える場合、十分な可撓性を得られないおそれがある。また、上記平均厚みが上記下限未満の場合、基板１の強度を十分に向上できないおそれや基板１での反りの発生を効果的に抑制できないおそれがある。
【００６５】
フッ素樹脂層２の補強材以外の部分２ａの平均厚みに対する上記補強材層３の平均厚みの比の上限としては、３０が好ましく、２がより好ましく、０．５がさらに好ましい。一方、上記比の下限としては、０．００１が好ましく、０．１がより好ましく、０．２がさらに好ましい。上記比が上記上限を超える場合、十分な可撓性が得られないおそれがある。上記比が上記下限未満である場合、基板１での反りの発生を効果的に抑制できないおそれがある。
【００６６】
（改質層）
基板１は、一方の面に改質層４を有する。改質層４は、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）及び親水性有機官能基を含む。そのため、基板１の改質層４側の表面は、反応性に富む。ここで、「反応性に富む」には、接着性などの物理的作用が大きいことを含む。つまり、改質層４の表面は表面活性である。また、改質層４は、シロキサン結合構造を有することで経時的に安定であるため、表面改質状態（表面活性である状態）が安定している。また、「親水性官能基」とは、電気陰性度の大きい原子から構成される官能基であって、親水性を有するものをいう。
【００６７】
改質層４は、フッ素樹脂層２のマトリックスが含む上記フッ素樹脂に、例えば親水性官能基を有し、かつシロキサン結合を生成する改質剤（シランカップリング剤）が結合して形成される。この場合、改質層４において、例えば親水性官能基がシロキサン結合を構成するＳｉ原子に結合している。ここで、フッ素樹脂と改質剤との間の結合は、共有結合だけで構成される場合、共有結合及び水素結合を含む場合等がある。
【００６８】
改質層４において、シロキサン結合を構成するＳｉ原子（以下、この原子を「シロキサン結合のＳｉ原子」ともいう）は、例えばＮ原子、Ｃ原子、Ｏ原子、及びＳ原子のいずれか少なくとも１つの原子を介して上記フッ素樹脂のＣ原子と共有結合する。具体的には、シロキサン結合のＳｉ原子は、例えば−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、−（ＣＨ２）ｎ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−（ｎ及びｍは１以上の整数である）等の原子団を介して上記フッ素樹脂のＣ原子と結合する。
【００６９】
上記親水性官能基としては、水酸基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、スルフィド基、スルホニル基、スルホ基、スルホニルジオキシ基、エポキシ基、メタクリル基、メルカプト基、及びこれらの組合せが好ましい。これらの中でもＮ原子を含む親水性官能基、及びＳ原子を含む親水性官能基がより好ましい。これらの親水性官能基は、表面の密着性や接着性をより向上させる。
【００７０】
また、改質層４は、これら親水性官能基の２種以上を含んでもよい。このように改質層４に異なる性質の親水性官能基を付与することによって、表面の反応性等を多様なものとすることができる。これらの親水性官能基は、シロキサン結合の構成要素であるＳｉ原子に直接、又は１つ若しくは複数のＣ原子を介して結合することができる。
【００７１】
上記の特徴を有する改質層４を形成するための改質剤としては、分子中に親水性官能基を有するシランカップリング剤が好ましく、中でも加水分解性ケイ素含有官能基を有するものがより好ましい。このようなシランカップリング剤は、フッ素樹脂層２のマトリックスが含む上記フッ素樹脂と化学結合する。シランカップリング剤と上記フッ素樹脂との間の化学結合は、共有結合だけで構成される場合、共有結合及び水素結合を含む場合等がある。ここで、「加水分解性ケイ素含有官能基」とは、加水分解によりシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）を形成し得る基をいう。
【００７２】
改質層４の表面の純水との接触角の上限としては、９０°が好ましく、８０°がより好ましく、７０°がさらに好ましい。改質層４の表面の純水との接触角が上記上限を超える場合、接着性や密着性を十分に得られないおそれがある。なお、改質層４の表面の純水との接触角の下限は特に限定されない。上記接触角は、例えば親水性官能基の種類や量を調整することにより制御できる。上記「純水との接触角」とは、ＪＩＳ−Ｒ−３２５７（１９９９年）の静滴法により測定される接触角の値である。
【００７３】
また、この改質層４は、以下に示すエッチング耐性を有することが好ましい。すなわち、塩化鉄を含み、比重が１．３３ｇ／ｃｍ３であって、遊離塩酸濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌであるエッチング液（温度４５℃）に、２分間の条件で浸漬するエッチング処理に対して、改質層４が除去されないことが好ましい。ここで、「改質層が除去されない」とは、親水性が失われないことを示し、改質層４が設けられた部分における純水との接触角が９０°を超えないことを示す。改質層４が上記エッチング耐性を有すると、基板と導電層とを備えるフレキシブルプリント配線板用基材の導電層をパターン状にエッチングする際に、導電層と基板との間にエッチング液が浸入することを抑制できるため、基板と導電層との間の密着性を良好に維持できる。上記エッチング耐性は、例えば上述する好ましいシランカップリング剤を用いることにより改質層４に付与することができる。なお、エッチング処理により、改質層４が形成されている領域において疎水性を示す微小部分が斑状に生じる場合もあるが、この領域全体として親水性を有する場合は、このような状態は親水性が維持されているものとする。
【００７４】
また、改質層４は、塩化銅を含有するエッチング液に対するエッチング耐性を有することが好ましい。なお、改質層４が上記塩化鉄含有エッチング液に対するエッチング耐性を有する場合は、この改質層４は、塩化銅を含有するエッチング液に対して上記と同様のエッチング耐性を有することが確認されている。
【００７５】
改質層４の平均厚みの上限としては、２００ｎｍが好ましく、５０ｎｍがより好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、３ｎｍが好ましく、５ｎｍがより好ましい。上記平均厚みが上記上限を超える場合、改質層４に起因する誘電損の影響により高周波特性が不十分となるおそれがある。また、上記平均厚みが上記下限未満である場合、表面活性効果が十分に得られず、接着性や密着性を十分に得られないおそれがある。よって、改質層４の平均厚みを調整することで、伝送損失の抑制機能と密着性の向上機能とをバランスよく発揮させることができる。なお、改質層４の平均厚みは、例えばＸ線分光等により測定できる。
【００７６】
基板１の平均厚みの上限としては、２．７ｍｍが好ましく、２．５ｍｍが好ましく、２．２ｍｍがさらに好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、１μｍが好ましく、１．５μｍがより好ましく、２μｍがさらに好ましい。上記平均厚みが上記上限を超える場合、十分な可撓性が得られないおそれがある。また、上記平均厚みが上記下限未満である場合、取り扱いが難しくなるおそれがある。
【００７７】
基板１の−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率の上限としては、２．６であり、２．５５が好ましく、２．５０がより好ましい。上記比誘電率が上記上限を超える場合、伝送損失を十分に小さくできないおそれや十分な伝送速度が得られないおそれがある。
【００７８】
基板１の−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける誘電正接の上限としては、０．００４であり、０．００３７が好ましく、０．００３５がより好ましい。上記誘電正接が上記上限を超える場合、伝送損失を十分に小さくできないおそれや十分な伝送速度が得られないおそれがある。
【００７９】
基板１の−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率の変化幅の上限としては、０．０８であり、０．０６５が好ましく、０．０５５がより好ましい。一方、上記比誘電率の変化幅の下限としては、０．０００１であり、０．０００５が好ましく、０．０１がより好ましい。上記比誘電率の変化幅が上記上限を超える場合、温度変化による電気特性の劣化を生じるおそれがある。また、上記比誘電率の変化幅が上記下限未満である場合、材料選択の幅が狭まるおそれがある。
【００８０】
基板１の−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける誘電正接の変化幅の上限としては、０．００２であり、０．００１８が好ましく、０．００１６がより好ましい。一方、上記誘電正接の変化幅の下限としては、０．００００１であり、０．００００５が好ましく、０．０００１がより好ましい。上記誘電正接の変化幅が上記上限を超える場合、温度変化による電気特性の劣化を生じるおそれがある。また、上記誘電正接の変化幅が上記下限未満である場合、材料選択の幅が狭まるおそれがある。
【００８１】
＜基板の製造方法＞
次に、ガラスクロス又は樹脂クロスを用いた場合の上述の基板の好ましい製造方法について説明する。この基板の製造方法としては、例えば以下の第１の基板の製造方法、第２の基板の製造方法が挙げられる。
【００８２】
第１の基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる工程と、含浸させた上記組成物を加熱する工程とを備える。
【００８３】
［含浸工程］
含浸工程では、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる。ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部に上記組成物を含浸させる方法としては、例えばガラスクロス又は樹脂クロスの表面に上記組成物を塗布する方法、上記組成物にガラスクロス又は樹脂クロスを浸漬する方法等が挙げられる。
【００８４】
［加熱工程］
加熱工程では、含浸させた上記組成物を加熱する。加熱工程は、含浸させた上記組成物が乾燥し硬化する焼き付け工程に相当する。加熱工程後には、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面にフッ素樹脂の層が形成される。
【００８５】
加熱工程の温度の下限としては、１５０℃が好ましく、２００℃がより好ましい。一方、加熱工程の温度の上限としては、６００℃が好ましく、５００℃がより好ましい。加熱工程の温度が上記下限未満である場合、含浸させた上記組成物の乾燥及び硬化が不十分となるおそれがある。また、加熱工程の温度が上記上限を超える場合、得られる基板が変形するおそれがある。
【００８６】
第１の基板の製造方法では、ガラスクロス又は樹脂クロスの一方の面にフッ素樹脂の層を形成した後、ガラスクロス又は樹脂クロスの他方の面にフッ素樹脂の層を形成してもよい。また、第１の基板の製造方法では、ガラスクロス又は樹脂クロスの両方の面に同時にフッ素樹脂の層を形成してもよい。
【００８７】
第１の基板の製造方法では、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる工程及び含浸させた上記組成物を加熱する工程を繰り返してもよい。例えば、上記組成物を塗布して加熱することを繰り返し行えば、所定の厚みを有するフッ素樹脂の層を容易に形成できる。
【００８８】
第１の基板の製造方法では、ガラスクロス又は樹脂クロスの表面及び内部にフッ素樹脂を主成分とする組成物を含浸させる。このため、第１の基板の製造方法では、全体としてより一体化した基板を得ることができる。
【００８９】
次に、第２の基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる工程と、上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する工程とを備える。
【００９０】
［重ね合わせ工程］
重ね合わせ工程では、ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる。
【００９１】
［熱圧着工程］
熱圧着工程では、上記重ね合わせ工程で得られた上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する。
【００９２】
上記熱圧着の温度の上限としては、６００℃が好ましく、５００℃がより好ましい。上記熱圧着の温度が上記上限を超える場合、得られる基板が変形するおそれがある。
【００９３】
上記熱圧着の温度の下限としては、上述のフッ素樹脂の融点が好ましく、上述のフッ素樹脂の分解開始温度がより好ましい。より詳しくは、上述のフッ素樹脂の融点よりも３０℃高い温度が好ましく、上述のフッ素樹脂の融点よりも５０℃高い温度がより好ましい。上記温度が上記下限未満である場合、ガラスクロス又は樹脂クロスに上記樹脂フィルムの樹脂を含浸させてより一体化した基板を得ることが難しくなるおそれがある。ここで、「分解開始温度」とは、フッ素樹脂が熱分解し始める温度をいい、「分解温度」とは、フッ素樹脂が熱分解によってその質量が１０％減少する温度をいう。
【００９４】
上記熱圧着の圧力としては、０．０１ＭＰａ以上１２００ＭＰａ以下が好ましい。また、上記熱圧着の加圧時間としては、５秒以上１０時間以下が好ましい。
【００９５】
上記真空吸引の際の真空度の上限としては、１０ＭＰａが好ましく、１ＭＰａがより好ましく、１０Ｐａがさらに好ましい。真空度を上記上限以下とすることにより、ガラスクロス又は樹脂クロスの空隙に上記樹脂フィルムの樹脂をより浸入させ、全体としてより一体化した基板を得ることができる。一方、真空度の下限については、特に限定されないが、例えば０．０１Ｐａ程度である。
【００９６】
第２の基板の製造方法では、ガラスクロス又は樹脂クロスに上記樹脂フィルムの樹脂を含浸させ、全体としてより一体化した基板を得る観点より、上記熱圧着の開始前から真空吸引を開始することが好ましい。
【００９７】
＜フレキシブルプリント配線板用基材＞
図２に、本発明の一実施形態に係るフレキシブルプリント配線板用基材１０の模式的断面図を示す。フレキシブルプリント配線板用基材１０は、基板１と、この基板１の一方の面側に積層される導電層５とを備える。この基板１は、補強材層３を厚み方向の中間に有するフッ素樹脂層２を含む。導電層５は、基板１に直接積層されてもよいし、基板１に他の層を介して積層されてもよい。図２において、図１と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００９８】
（導電層）
導電層５を構成する導電物質としては、例えば銅、銀、金、鉄（ステンレス）、アルミニウム、ニッケル、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属、樹脂と金属との混合物である導電性樹脂等が挙げられる。
【００９９】
中でも、上記導電物質としては、コスト、電気特性及び可撓性の観点より、銅が好ましい。すなわち、導電層５としては、銅箔が好ましい。
【０１００】
上記銅箔の十点平均粗さ（Ｒｚ）の上限としては、４μｍが好ましく、１μｍがより好ましく、０．６μｍがさらに好ましい。上記十点平均粗さ（Ｒｚ）が上記上限を超える場合、表皮効果により高周波信号が集中する部分の凹凸が大きくなり、電流が直線的に流れることが阻害され、意図しない伝送損失を生じるおそれがある。なお、上記銅箔の十点平均粗さ（Ｒｚ）の下限としては、特に限定されないが、０．０１μｍが好ましく、０．１μｍがより好ましい。十点平均粗さ（Ｒｚ）は、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１（１９９４）で規定される値である。
【０１０１】
導電層５の平均厚みの上限としては、３００μｍが好ましく、２００μｍがより好ましく、１５０μｍがさらに好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、１μｍが好ましく、５μｍがより好ましく、１０μｍがさらに好ましい。上記平均厚みが上記上限を超える場合、可撓性が要求される電子機器への適用が困難となるおそれがある。また、上記平均厚みが上記下限未満の場合、導電層５の抵抗が増大するおそれがある。
【０１０２】
当該フレキシブルプリント配線板用基材１０の基板１と導電層５との剥離強度の下限としては、１０Ｎ／ｃｍが好ましく、１２Ｎ／ｃｍがより好ましく、１５Ｎ／ｃｍがさらに好ましい。上記剥離強度が上記下限未満である場合、導電層５の基板１からの剥離を効果的に抑制できないおそれがある。
【０１０３】
当該フレキシブルプリント配線板用基材１０の加熱変形性の上限としては、０．５％が好ましく、０．３％がより好ましく、０．２％がさらに好ましい。上記加熱変形性が上記上限を超える場合、電気特性の温度依存性をより小さくすることや寸法安定性をより向上させることが難しくなるおそれがある。
【０１０４】
＜フレキシブルプリント配線板用基材の製造方法＞
当該フレキシブルプリント配線板用基材１０の好ましい製造方法の一例について、導電層５として銅箔を用い、基板として上述の基板１を用いた場合を挙げて説明する。まず、導電層５としての銅箔に、改質剤であるシランカップリング剤と、アルコールと、水とを含むプライマ材料を付着させる。次に、乾燥及び必要に応じて加熱することにより、上記銅箔に付着した上記プライマ材料中のアルコールを除去した後、このプライマ材料を挟むように上記銅箔のプライマ材料側面に基板１を積層して、得られた積層体をプレス機で熱圧着する。この熱圧着は、銅箔と基板１との間に気泡や空隙が形成されないようにするために、減圧下で行うことが好ましい。また、銅箔の酸化を抑制するため、低酸素条件下（例えば窒素雰囲気中）で行うことが好ましい。これにより、導電層５としての上記銅箔と基板１との間に改質層が形成され、上述したフレキシブルプリント配線板用基材が得られる。
【０１０５】
上記熱圧着の温度の上限としては、６００℃が好ましく、５００℃がより好ましい。一方、上記熱圧着の温度の下限としては、上述のフッ素樹脂の融点が好ましく、上述のフッ素樹脂の分解開始温度がより好ましい。より詳しくは、基板１のマトリックスの主成分であるフッ素樹脂の融点よりも３０℃高い温度が好ましく、上記フッ素樹脂の融点よりも５０℃高い温度がより好ましい。上記熱圧着の温度が上記上限を超える場合、製造途中で意図しない変形を生じるおそれがある。また、上記熱圧着の温度が上記下限未満である場合、銅箔と基板１との間で十分な密着性が得られないおそれがある。
【０１０６】
上記熱圧着の際、上記フッ素樹脂の融点以上の温度で熱圧着を行うことが好ましい理由は、融点未満の温度では上記フッ素樹脂が活性化しないためである。また、上記フッ素樹脂の分解開始温度以上に加熱することにより、上記フッ素樹脂のＣ原子がラジカル化するため、上記フッ素樹脂をさらに活性化させることができる。つまり、熱圧着の温度を上記フッ素樹脂の融点以上（より好ましくは分解開始温度以上）とすることにより、銅箔と基板１との間の密着をより促進できると考えられる。
【０１０７】
上記熱圧着の圧力としては、０．０１ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下が好ましい。また、上記熱圧着の加圧時間としては、５秒以上１０時間以下が好ましい。
【０１０８】
このような熱圧着により、上記フッ素樹脂中のラジカル化したＣ原子が、シランカップリング剤により形成されたシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）と他の原子又は原子団を介して化学結合すると考えられる。
【０１０９】
＜フレキシブルプリント配線板＞
本発明の一実施形態に係るフレキシブルプリント配線板は、上述のフレキシブル配線板用基材を用いたフレキシブルプリント配線板であり、パターンが形成された上記導電層を備える。当該フレキシブルプリント配線板の導電層は、パターン状にエッチングすることで形成される。
【０１１０】
上記エッチング方法は、特に制限されない。例えば、上記エッチング法としてサブトラクティブ法を適用する場合、上記導電層にパターンのマスキングを施してエッチングすることにより、配線が形成されたフレキシブルプリント配線板が得られる。他にも上記エッチング方法としてはセミアディティブ法等が挙げられる。
【０１１１】
［利点］
当該基板は、マトリックスの主成分がフッ素樹脂であるので、高周波領域に用いた際の伝送損失を抑制できる。また、当該基板は、マトリックス中に補強材を含有するので、強度及び寸法安定性を確保できる。さらに、当該基板は、−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率及び誘電正接が上記範囲であるので、伝送特性に優れる。また、当該基板は、−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率の変化幅及び誘電正接の変化幅が上記範囲であるので、電気特性の温度依存性が少ない。
【０１１２】
当該フレキシブルプリント配線板用基材は、当該基板を備えるので電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。
【０１１３】
当該フレキシブルプリント配線板は、当該フレキシブルプリント配線板用基材を備えるので、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。
【０１１４】
当該基板の製造方法は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる基板を容易に製造できる。
【０１１５】
［その他の実施形態］
上記開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【０１１６】
上記実施形態のフィルム状又はクロス状の補強材を含む当該基板は、補強材を含まない層とフィルム状又はクロス状の補強材を含む層との積層構造を有するが、この積層構造の層数は２であってもよいし、４以上であってもよい。また、当該基板は、補強材として、２以上のフィルム状又はクロス状の補強材を含んでもよい。例えば、当該基板は、１のフィルム状又はクロス状の補強材を含有することより補強材層と補強材を含まない層との２層構造を有する基板であってもよいし、２以上のフィルム状又はクロス状の補強材を含有することより３層以上の積層構造を有する基板であってもよい。
【０１１７】
当該基板は、フィルム状又はクロス状の補強材以外の補強材を含んでもよい。例えば当該基板は、無機粒子、有機粒子等の粒状物を補強材として含んでもよい。
【０１１８】
当該基板は、補強材を厚み方向に均一に含有してもよく、補強材を厚み方向に偏って含有してもよい。補強材を厚み方向に偏って含有する当該基板の補強材が存在する部分は、特に制限されない。補強材を厚み方向に偏って含有する当該基板は、例えば上記実施形態のように補強材を厚み方向の中間に含有してもよいし、補強材を表面付近に偏って含有してもよい。
【０１１９】
当該基板は、補強材を平面方向に均一に含有してもよく、補強材を平面方向に偏って含有してもよい。つまり、当該基板の平面視で補強材のある領域は、基板全体であってもよいし、基板の一部であってもよい。
【０１２０】
当該基板は、両方の面に改質層を有してもよい。また、当該基板は、改質層を有さなくてもよい。さらに、当該基板は、表面全体に改質層を有してもよく、表面の一部に改質層を有してもよい。
【０１２１】
また当該フレキシブルプリント配線板用基材は、基板の一方の面全体に導電層が積層されてもよく、基板の一方の面の一部に導電層が積層されてもよい。
【０１２２】
さらに当該基板の製造方法は、ガラスクロス又は樹脂クロスの両面にフッ素樹脂を主成分とする樹脂フィルムを重ね合わせる工程及び上記重ね合わせた物を真空吸引しつつ熱圧着する工程以外の工程を備えてもよい。
【実施例】
【０１２３】
以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１２４】
［実施例１］
（基板の作製）
以下の手順で実施例１の基板を作製した。まず、ガラスクロス（ＩＰＣ規格スタイル１０３０、平均厚み２７μｍ）の両面にＦＥＰフィルム（平均厚み５０μｍ）を重ね合わせ、積層物を得た。次に、この積層物を温度３００℃、圧力２０ＭＰａ、時間１２０分の条件で真空吸引しつつ熱圧着をし、基板を得た。なお、この基板は、ガラスクロス内部にＦＥＰが含浸していた。
【０１２５】
（フレキシブルプリント配線板用基材の作製）
以下の手順で実施例１のフレキシブルプリント配線板用基材を作製した。まず、浸漬法により、銅箔（無電解銅箔、平均厚み１８μｍ、十点平均粗さＲｚ０．６μｍ）にプライマ材料を付着させた後、乾燥し、１２０℃で加熱した。これにより、上記銅箔にプライマ材料層を形成した。そして、このプライマ材料層を挟むように上記銅箔のプライマ材料付着側面に上記基板を積層し、得られた積層体をプレス機で熱圧着することにより、上記銅箔と上記基板との間に平均厚み３０ｎｍの改質層を有するフレキシブルプリント配線板用基材を得た。上記熱圧着の条件は、温度３００℃、圧力２０ＭＰａ、時間１２０分とした。なお、上記プライマ材料としては、３−アミノプロピルトリメトキシシラン１質量％とエタノールとを含むものを用いた。なお、プライマ材料には水を添加していない。すなわち、水としては、空気中に存在する水分、及び上記エタノールに含まれる不純物としての水分を用いた。
【０１２６】
［実施例２］
（基板の作製）
以下の手順で実施例２の基板を作製した。まず、ガラスクロス（ＩＰＣ規格スタイル１０３０、平均厚み２７μｍ）にＰＦＡディスパージョン（ＰＦＡの微粒子を水に分散させた液体）を塗布し、ガラスクロスにＰＦＡディスパージョンを含浸させた。次に、このＰＦＡディスパージョンを塗布したガラスクロスを３３０℃に加熱し、ＰＦＡディスパージョンを乾燥し溶融させる焼き付けを行った。このようなガラスクロスにＰＦＡディスパージョンを塗布して焼き付けることを繰り返し、上記ガラスクロスの内部にＰＦＡが含浸し、かつ上記ガラスクロスの両面に平均厚みが３０μｍのＦＥＰの表面層を有する基板を得た。
【０１２７】
（フレキシブルプリント配線板用基材の作製）
上記基板を用いて、上記実施例１と同様の手順で、フレキシブルプリント配線板用基材を得た。
【０１２８】
［比較例１］
ＥＴＦＥ（旭硝子社の「ＥＡ−２０００」）より平均厚み１００μｍのフィルムを製造し、このフィルムを基板とした。なお、ガラスクロスは用いなかった。次に、この基板を用いて、上記実施例１と同様の手順で、フレキシブルプリント配線板用基材を得た。
【０１２９】
［比較例２］
フッ素樹脂含浸ガラスクロス（日本ポリマー社の「ＴＥＴＬＡＳ  Ｇ−１０３」、平均厚み８０μｍ、フッ素樹脂：ＰＴＦＥ）を基板として用いた。次に、この基板を用いて、上記実施例１と同様の手順で、フレキシブルプリント配線板用基材を得た。
【０１３０】
［評価］
実施例１、２及び比較例１、２の基板及びフレキシブルプリント配線板用基材について、下記項目の評価を行った。
【０１３１】
（−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率、及び−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける誘電正接）
実施例１、２及び比較例１、２の基板について、−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける比誘電率、及び−４０℃以上１２５℃以下かつ１０ＧＨｚにおける誘電正接を測定した。測定は、ＪＩＳ−Ｃ−２１３８（２００７年）に準拠する空洞共振器摂道法により、周波数１０ＧＨｚ、温度−４０℃から１２５℃、相対湿度５０％の条件で行った。なお、測定装置しては、円筒空洞共振器を用いた。比誘電率の測定結果を表１及び図３に示し、誘電正接の測定結果を表２及び図４に示す。
【０１３２】
（剥離強度）
実施例１、２及び比較例１、２のフレキシブルプリント配線板用基材について、ＪＩＳ−Ｋ−６８５４−２（１９９９年）の「接着剤−剥離接着強さ試験方法−２部：１８０度剥離」に準拠する試験方法により基板と銅箔との間の剥離強度（Ｎ／ｃｍ）を測定した。
【０１３３】
（加熱変形性）
実施例１、２及び比較例１、２のフレキシブルプリント配線板用基材について、ＪＩＳ−Ｃ−６４７１（１９９５年）の「寸法安定性」に準拠して、温度１５０℃、時間３０分の条件での加熱前後の銅箔の寸法変化率を測定することにより求めた。寸法変化率は、下記式より求めた。
寸法変化率（％）＝（加熱後の標点間距離と加熱前の標点間距離との差の絶対値）／（加熱前の標点間距離）×１００
【０１３４】
【表１】
2016194044.tif 000005
【０１３５】
【表２】
2016194044.tif 000006
【０１３６】
【表３】
2016194044.tif 000007
【０１３７】
表１〜３、及び図３〜４に示すように、実施例１及び２は、比誘電率及び誘電正接が安定して低く、比誘電率の変化幅及び誘電正接の変化幅も小さい。このため、実施例１及び２は、伝送特性に優れ、かつ電気特性の温度依存性が少ない。また、比較例１は、実施例１及び２と比べて誘電正接の変化幅が大きい。このため、比較例１は、実施例１及び２と比べて電気特性の温度依存性が劣る。さらに、比較例２は、比誘電率及び誘電正接が大きく、比誘電率の変化幅及び誘電正接の変化幅も大きい。このため、比較例２は、電気特性に劣り、かつ温度変化による電気特性の劣化が生じている。このような結果から、本発明によれば、伝送特性に優れ、かつ電気特性の温度依存性が少なくできることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
本発明の基板は、電気特性の温度依存性が少なく、かつ伝送特性に優れる。このため、例えば車載用ミリ波レーダーや、携帯情報機器、携帯通信端末等の携帯機器に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１３９】
１  基板
２  フッ素樹脂層
２ａ  フッ素樹脂層の補強材以外の部分
３  補強材層
４  改質層
５  導電層
１０  フレキシブルプリント配線板用基材
【図１】
2016194044.tif 000008
【図２】
2016194044.tif 000009
【図３】
2016194044.tif 000010
【図４】
2016194044.tif 000011