(57)【要約】【課題】各種電子機器の入力操作部用等に搭載される静電式センサに関し、電極部が視認され難く、電極部同士間の絶縁性も容易に確保できる構成のものを提供する。【解決手段】光透過性の基材部３２の第１面３２Ａに、所定形状に形成された透明導電膜製の電極部４０を配設し、その電極部４０を覆うように光透過性の絶縁レジスト層６０を第１面３２Ａ側に配した構成とする。その中で、絶縁レジスト層６０を、電極部４０を覆う第１部分６１と電極部４０が配設されていない箇所に配される第２部分６２とを有したものに形成して、電極部４０が配設されている箇所と電極部４０が配設されていない箇所とでの色差ΔＥを１．２９以下のものに構成した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１面と第２面とを有する光透過性の基材部と、
前記基材部の前記第１面側に配され、所定形状に形成された透明導電膜製の電極部と、
前記基材部の第１面側に配された光透過性の絶縁レジスト層とを備え、
前記絶縁レジスト層は、前記電極部を覆う第１部分と前記電極部が配設されていない箇所に配される第２部分とを有して形成されており、
前記電極部が配設されている箇所と前記電極部が配設されていない箇所とでの色差ΔＥを１．２９以下のものに構成したことを特徴とする静電式センサ。
【請求項２】
前記絶縁レジスト層として、前記電極部の透過ｂ*に対して±１．０の範囲内で着色した着色絶縁レジスト層を用いた請求項１記載の静電式センサ。
【請求項３】
前記絶縁レジスト層として、透明性を有した透明絶縁レジスト層を用いた請求項１記載の静電式センサ。
【請求項４】
前記着色絶縁レジスト層が、１５μｍ〜３０μｍの厚みで設けられた請求項２記載の静電式センサ。
【請求項５】
前記着色絶縁レジスト層は、少なくとも二層が重なって形成されている請求項４記載の静電式センサ。
【請求項６】
前記絶縁レジスト層は、その全光線透過率が、前記電極部の全光線透過率に対して±３．５％の範囲内であり、かつそのヘイズが、前記電極部のヘイズに対して±１．１％の範囲内のものである請求項１記載の静電式センサ。
【請求項７】
前記絶縁レジスト層は、さらに前記基材部と前記電極部との間に位置する第３部分を有して形成されており、
前記絶縁レジスト層の前記第１部分で前記電極部の一方の面を覆い、前記第３部分で前記電極部の一方の面に対向する他方の面を覆う構成とした請求項１記載の静電式センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器の入力操作部等に搭載される静電式センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子機器では、スマートフォン等の携帯機器を代表として、入力操作部に対して指などでのタッチ操作で入力操作をするものが増えている。
【０００３】
そして、その入力操作部に搭載する検出素子としては、静電式センサが多く用いられるようになっている。
【０００４】
静電式センサは、例えば特許文献１に示すものが知られており、以下に図面を用いて、その構成などについて説明する。
【０００５】
図８は従来の静電式センサの平面図、図９は図８のＡ−Ａ線での断面図である。
【０００６】
図８および図９に示すように、静電式センサ１０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム製で透明性を有した基材部２と、基材部２の表面上に積層形成された導電性高分子を含む透明導電膜１と、透明導電膜１の上に積層形成された透明性を有した絶縁レジスト層４とを備えて構成されている。
【０００７】
透明導電膜１に含まれる導電性高分子は、紫外線の照射によって電気抵抗値が上昇する性質のもの、例えばポリチオフェン系導電性高分子を含んでいる。
【０００８】
透明導電膜１は、基材部２のほぼ全面に形成されており、この単一の透明導電膜１の複数の第１領域１１の部分にマスクをした状態で、透明導電膜１に紫外線を照射することによって第２領域１２が形成されている。
【０００９】
すなわち、紫外線照射を受けていない複数の第１領域１１は導電性を保った電極部として維持され、紫外線照射を受けた箇所は、複数の第１領域１１を分かち、第１領域１１より電気抵抗値が高い第２領域１２になっている。
【００１０】
ここで、導電性高分子を含む透明導電膜１は薄い青色を呈しているが、紫外線を照射すると、その青色が少なくなる。このため、紫外線を照射する第２領域１２と、紫外線を照射しない第１領域１１とでは色差ΔＥが生じるが、第１領域１１の部分と第２領域１２の部分との色差ΔＥを２．６以下、好ましくは２．０以下に設定することによって、第１領域１１の部分と第２領域１２の部分との境界を見え難く構成していた。
【００１１】
そして、それぞれの第１領域１１には、導電インキで形成された電気配線３の一端が接続されている。それぞれの電気配線３は、第２領域１２の上に配されて基材部２のテール部１４まで引き回され、テール部１４に設けられた硬質の導電皮膜１３に接続されている。
【００１２】
そして、透明性を有した絶縁レジスト層４は、第１領域１１と第２領域１２、および第２領域１２の上に配された電気配線３を覆うように形成されて従来の静電式センサ１０は構成されていた。
【００１３】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２０１３−９７８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
従来の静電式センサ１０は、透明導電膜１に紫外線を照射することによって、単一の透明導電膜１を第１領域１１の部分と第２領域１２の部分に形成していた。
【００１６】
つまり、紫外線照射で第２領域１２の部分の抵抗値を高くして、電極部となる第１領域１１同士間での絶縁性が保たれるようにしなければならなかった。その反面、透明導電膜１は紫外線照射によりその青色が少なくなるため、紫外線を照射しない第１領域１１と紫外線を照射する第２領域１２との間での所定の色差ΔＥになるように、透明導電膜１の塗膜の厚さや、紫外線照射量、雰囲気温度等を管理して第１領域１１の部分と第２領域１２の部分との境界を見え難くしなければならなかった。
【００１７】
本発明は、このような従来の課題を解決するものであり、電極部が視認され難く、電極部同士間の絶縁性も容易に確保できる構成とした静電式センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために本発明による静電式センサは、光透過性の基材部の第１面に、所定形状に形成された透明導電膜製の電極部を配設して、その電極部を覆うように光透過性の絶縁レジスト層を第１面側に配した構成とする。その中で、絶縁レジスト層を、電極部を覆う第１部分と電極部が配設されていない箇所に配される第２部分とを有したものに形成して、電極部が配設されている箇所と電極部が配設されていない箇所とでの色差ΔＥを１．２９以下に構成したものとする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、電極部の形成パターンが視認され難くて、しかも電極部同士間の絶縁性も容易に確保された構成の静電式センサを得ることができるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態による静電式センサの断面図
【図２】同静電式センサを模式的に示した平面図
【図３】同静電式センサの構成検討時に用いた試料Ａの断面図
【図４】同静電式センサの構成検討時に用いた試料Ｂの断面図
【図５】同静電式センサの構成検討時に用いた試料Ｃの断面図
【図６】同静電式センサの構成検討時に用いた試料Ｄの断面図
【図７】同静電式センサの構成検討時に用いた試料Ｅの断面図
【図８】従来の静電式センサの平面図
【図９】図８のＡ−Ａ線での断面図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明による静電式センサについて、図面を用いて以下に説明する。
【００２２】
（実施の形態）
図１は本発明の実施形態による静電式センサの断面図、図２は同静電式センサを模式的に示した平面図である。そして、図３〜図７は同静電式センサの構成検討時に用いたそれぞれの試料の断面図である。
【００２３】
図１や図２に示すように、本発明の実施形態による静電式センサ３０は、対向する第１面３２Ａと第２面３２Ｂとを有した光透過性の基材部３２と、基材部３２の第１面３２Ａ側に形成された透明導電膜製の電極部４０と、基材部３２の第１面３２Ａ側に形成された光透過性を有する絶縁レジスト層６０とを有する。
【００２４】
基材部３２としては、ガラスの他、プラスチック製の樹脂フィルムを用いることができ、透明なものが好ましいが特に限定はされない。
【００２５】
その樹脂フィルムとしては、成膜工程および後工程において十分な強度があり、表面の平滑性が良好であれば、特に限定はされない。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリアリレートフィルム、環状ポリオレフィンフィルム、ポリイミドフィルム等があげられる。その厚さとしては、例えば１０〜２００μｍ程度のものが用いられる。そして、これらフィルム基材の表面に周知の種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、紫外線防止剤、可塑剤、滑剤、易接着剤などが使用されていてもよい。塗膜との密着性を改善するため、前処理としてコロナ処理、低温プラズマ処理、イオンボンバード処理、薬品処理などが施されていてもよい。
【００２６】
電極部４０は、図１に示したように、基材部３２の第１面３２Ａに積層して形成されている。電極部４０の平面視形状は特に限定はされないが、例えば図２に示すように、細長い略長方形の形状に設定されたものなどがあげられる。
【００２７】
電極部４０は、導電性高分子を含む材料からなる透明導電膜で形成されている。その導電性高分子としては、一般的にポリチオフェン系、ポリアセチレン系、ポリパラフェニレン系、ポリアニリン系、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリピロール系などの導電性高分子があげられる。特に、透明性のある導電性高分子としては、ポリスチレンスルホン酸（ＰＰＳ）、ポリビニルスルホン酸（ＰＶＳ）、あるいは、ｐ−トルエンスルホン酸（ＴｓＯ）をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、いわゆるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳやＰＥＤＯＴ／ＰＶＳ、ＰＥＤＯＴ／ＴｓＯなどが知られている。
【００２８】
なお、電極部４０は、六炭素環構造を有するカーボンを含む材料からなる透明導電膜であってもよい。六炭素環構造を有するカーボン材料としては、例えば、グラファイト、フラーレン、単層または複層のカーボンナノチューブを主成分とし、なかでも導電性に優れている材料としては単層のカーボンナノチューブが知られている。
【００２９】
そして、当該実施形態による静電式センサ３０では、図２に示したように、略長方形の同じ形状で形成された複数の電極部４０が、基材部３２の第１面３２Ａ上に平行関係で配設されている。その配置間隔は、等間隔で、電極部４０同士は互いに独立している。
【００３０】
電極部４０をポリチオフェン系の透明導電膜で形成した際には、電極部４０が薄い青色を呈するものとなる。このため、電極部４０は、厚みを２μｍ以下にして青色を抑えるようにするとよい。ただし、厚みが０．１μｍより薄いと導電性の確保が難しいため、電極部４０の厚みは、０．１μｍ〜２μｍが望ましい。
【００３１】
電極部４０が配置されていない箇所（例えば電極部４０同士の間や基材部３２の外縁位置）は、図１からも判るように、基材部３２の第１面３２Ａが露出している。言い換えると、基材部３２の第１面３２Ａに複数の電極部４０を形成した時点では、電極部４０が配設されていない箇所は空気層になっている。
【００３２】
電極部４０のそれぞれには、導電インキ等で形成された電気配線５０の一端が接続されている（図２参照）。電気配線５０は、基材部３２の第１面３２Ａ上に形成されて引き回されている。電気配線５０の他端は、例えば基材部３２の図示しないテール部に至っている。
【００３３】
絶縁レジスト層６０は、光透過性および絶縁性を有している。絶縁レジスト層６０は、電極部４０に被さって電極部４０の表面を覆っている第１部分６１と電極部４０が配設されていない箇所に配される第２部分６２とが一体で印刷形成されている。
【００３４】
ここで、絶縁レジスト層６０は、その全光線透過率が、電極部４０の全光線透過率に対して±３．５％の範囲内のもので、かつ、絶縁レジスト層６０のヘイズが、電極部４０のヘイズに対して±１．１％の範囲内になるもので形成したものとしている。光透過性を有する絶縁レジスト層６０は、透明性を有した透明なもの（以下、透明絶縁レジスト層７０と記載）であってもよいし、着色されたもの（以下、着色絶縁レジスト層８０と記載）であってもよい。
【００３５】
ここで、当該実施形態による静電式センサ３０で用いた絶縁レジスト層６０（透明絶縁レジスト層７０、着色絶縁レジスト層８０）の単体での光学特性を、電極部４０の単体での光学特性と共に（表１）にまとめて示す。
【００３６】
【表１】
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【００３７】
（表１）に示すように、電極部４０は、全光線透過率が８３．４％で、ヘイズが１２．６％のものである。そして、そのＬ*、ａ*、ｂ*値としては、透過ｂ*は３．４２、透過ａ*は−０．４５、透過Ｌ*は８８．４である。
【００３８】
透明絶縁レジスト層７０は、全光線透過率が８６．９％で、ヘイズが１１．５％のものである。そして、そのＬ*、ａ*、ｂ*値としては、透過ｂ*は３．１２、透過ａ*は０．３５、透過Ｌ*は９０．０である。
【００３９】
着色絶縁レジスト層８０は、全光線透過率が８４．２％で、ヘイズが１２．４％のものである。そして、そのＬ*、ａ*、ｂ*値としては、透過ｂ*は４．３２、透過ａ*は０．３７、透過Ｌ*は８８．４である。
【００４０】
ここに、光透過性を有する着色絶縁レジスト層８０は、例えば電極部４０が薄い青色を呈する場合には、所定の濃さの青色系に着色したものを用いるとよい。言い換えると、電極部４０の薄い青色が、電極部４０の配設されていない箇所の色に近づく色目のものを用いればよい。例えば、着色絶縁レジスト層８０としては、その透過ｂ*が、電極部４０の透過ｂ*に対して±１．０の範囲内であるとよい。透過ａ*と透過Ｌ*も±１．０の範囲内であるとさらによい。
【００４１】
上述したように、透明絶縁レジスト層７０、着色絶縁レジスト層８０は、いずれも、全光線透過率が、電極部４０の全光線透過率の±３．５％の範囲内で、かつヘイズは、電極部４０のヘイズに対して±１．１％の範囲内である。当該実施形態による静電式センサ３０は、透明絶縁レジスト層７０と着色絶縁レジスト層８０のいずれかの絶縁レジスト層６０を用いて構成したものとなっている。
【００４２】
絶縁レジスト層６０の厚み設定は、透明絶縁レジスト層７０を用いる場合では、静電式センサ３０に構成した状態での絶縁性の確保と許容されるヘイズの値とを考慮して設定すればよく、同様に着色絶縁レジスト層８０を用いる場合では、静電式センサ３０に構成した状態での絶縁性の確保と許容する全光線透過率の値とを考慮して設定すればよい。
【００４３】
そして、以上のように構成された当該実施形態による静電式センサ３０では、絶縁レジスト層６０の第１部分６１に応じた箇所（つまり電極部４０が配設された箇所）と第２部分６２に応じた箇所（つまり電極部４０が配設されていない箇所）との透過光の色差ΔＥが１．２９以下に収まった構成になっている。このため、当該実施形態による静電式センサ３０は、電極部４０の形成パターンが目視では殆ど視認されることがなく、見栄えに優れたものになっている。しかも、電極部４０が互いに独立して配設され、かつ電極部４０同士の間が絶縁レジスト層６０の第２部分６２で埋めた構成としているため、電極部４０同士間の絶縁性も高く確保されたものとなっている。
【００４４】
次に、当該実施形態による静電式センサ３０の搭載状態や動作について、簡単に説明する。
【００４５】
当該実施形態による静電式センサ３０は、例えばカバーレンズの一方の面に基材部３２の第２面３２Ｂ側を装着させ、その状態で、カバーレンズの他方の面を指でタッチ操作や近接操作が可能に搭載される。
【００４６】
カバーレンズの他方の面に対して指でタッチ操作等をすると、対応する位置の電極部４０に静電容量の変化が生じ、これを機器の制御部が検出して所定機能を作動させる。
【００４７】
次に、当該実施形態による静電式センサ３０を構成するにあたり、電極部４０の配設箇所と電極部４０の無い箇所とでの透過光の色差ΔＥが１．２９以下に収まるように検討した内容について説明する。
【００４８】
まず、図３に示したように、基材部３２の第１面３２Ａに、所定形状で独立した電極部４０のみを形成した試料Ａを製作した。試料Ａでは、電極部４０の周囲位置は第１面３２Ａが露出している。なお、基材部３２の第２面３２Ｂ側には何も設けていない。
【００４９】
その際に、基材部３２は厚みが７５μｍのＰＥＴフィルムを用いた。電極部４０は、ポリチオフェン系の導電性高分子を含む材料を用いて、厚みが１μｍ以下の透明導電膜で形成した。この電極部４０の単体での全光線透過率、ヘイズなどの値は（表１）に示したとおりである。以下の各試料も同じである。
【００５０】
さらに、試料Ａを用いるなどして試料Ｂ〜試料Ｅを製作した。
【００５１】
試料Ｂは、図４に示したように、試料Ａに対して基材部３２の第１面３２Ａ側に透明絶縁レジスト層７０を設けたものとした。透明絶縁レジスト層７０の単体での全光線透過率、ヘイズなどの値は（表１）に示したとおりである。
【００５２】
透明絶縁レジスト層７０は、電極部４０の表面に被さって電極部４０の表面側を覆う第１部分７１と、電極部４０周囲位置の露出した第１面３２Ａに直接重なっている第２部分７２とを有したものとした。なお、基材部３２の第２面３２Ｂ側には何も設けていない。
【００５３】
試料Ｃは、図５に示したように、試料Ａに対して基材部３２の第１面３２Ａ側に着色絶縁レジスト層８０を設けたものとした。着色絶縁レジスト層８０の単体での全光線透過率、ヘイズなどの値は（表１）に示したとおりである。
【００５４】
着色絶縁レジスト層８０は、試料Ｂの透明絶縁レジスト層７０と同様に、電極部４０の表面に被さって電極部４０の表面側を覆う第１部分８１と、電極部４０周囲位置の露出した第１面３２Ａに直接重なっている第２部分８２とを有したものとした。なお、基材部３２の第２面３２Ｂ側には何も設けていない。このように、試料Ｃは、試料Ｂの透明絶縁レジスト層７０の代わりに着色絶縁レジスト層８０を用いた構成にした点のみが異なる。
【００５５】
試料Ｄは、図６から判るように、試料Ｃの第１面３２Ａ側の着色絶縁レジスト層８０に重ねて同じ着色絶縁レジスト層８０を二層積層したものとした。これ以外は試料Ｃと同じである。なお、図６では、着色絶縁レジスト層８０の積層状態を判り易くするために、一層目と二層目でハッチング方向を変えて図示している。そして、以下では、この二層に重なっているものを着色絶縁レジスト層９０として説明する。ここで、着色絶縁レジスト層９０は、着色絶縁レジスト層が一層のみであるものと比較して、厚みを増加させるのが工程上容易にできる。着色絶縁レジスト層９０の厚みを１５μｍ〜３０μｍとすることで電極部４０が配設された箇所と電極部４０が配設されていない箇所との色差ΔＥをより抑制できる。
【００５６】
着色絶縁レジスト層９０は、試料Ｃの着色絶縁レジスト層８０と同様に、電極部４０の表面に被さって電極部４０の表面側を覆う第１部分９１と、電極部４０周囲位置の露出した第１面３２Ａに直接重なっている第２部分９２とを有している。この試料Ｄの第１部分９１、第２部分９２は、試料Ｃの第１部分８１、第２部分８２よりも厚い厚みで形成されたものとなっている。
【００５７】
試料Ｅは、試料Ｃや試料Ｄの変形構成とした。つまり、図７に示したように、試料Ｅは、試料Ｃや試料Ｄと同様に第１面３２Ａ側に着色絶縁レジスト層１００を設けていることは同じであるがその設け方が異なっている。なお、この着色絶縁レジスト層１００も（表１）に示したものを用いて設けている。
【００５８】
着色絶縁レジスト層１００は、電極部４０の表面に被さって電極部４０の表面側を覆う第１部分１０１と、電極部４０周囲位置に応じて配された第２部分１０２に加えて、基材部３２の第１面３２Ａと電極部４０の裏面との間に介在する第３部分１０３を有したものとした。第３部分１０３は第２部分１０２に一体的になっている。
【００５９】
言い換えると、着色絶縁レジスト層１００は、その中に電極部４０を埋設し、電極部４０の表裏面側を共に覆うように形成したものである。なお、基材部３２の第２面側に特に何も設けていないことは試料Ｃ等と同じである。
【００６０】
試料Ａ〜試料Ｅを製作した後、各試料に対して、電極部４０が配設されている箇所（以下、電極部４０の配設箇所と記載する）と、電極部４０が配設されていない箇所（以下、電極部４０の無い箇所と記載する）のそれぞれの全光線透過率やヘイズを、村上色彩技術研究所のヘイズメーター（型番ＨＭ−１５０）を用いて測定した。また、電極部４０の配設箇所と電極部４０の無い箇所のそれぞれのＬ*、ａ*、ｂ*値を日本電飾工業のスペクトロカラーメーター（型番ＳＱ２０００）を用いて測定し、互いの間の色差ΔＥを得た。
【００６１】
さらに、試料Ａ〜試料Ｅに対して、目視で、電極部４０の形成パターンの視認度合いを確認した。その評価としては、電極部４０の形成パターン見えがあり、使用時に見栄えの面で支障をきたす場合は×評価とし、電極部４０の形成パターン見えが若干あるものの使用時に見栄えの面で問題のない程度の場合には△評価とし、電極部４０の形成パターン見えが殆ど確認できず見栄えが良好の場合は○評価とした。
【００６２】
これらの結果などを（表２）にまとめて示す。
【００６３】
【表２】
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【００６４】
（表２）に示したように、試料Ａでは、電極部４０の配設箇所と電極部４０の無い箇所との間の色差ΔＥは１．４０であった。そして、試料Ａでは、目視で電極部４０の形成パターンが視認でき、目視での電極部４０の形成パターン見えの評価結果は×評価であった。
【００６５】
試料Ｂでは、目視で電極部４０の形成パターン見えは若干あるものの使用時に見栄えの面で問題のない△評価のものと、目視で電極部４０の形成パターン見えが殆ど確認できない○評価のものが混在していた。その△評価のものの電極部４０の配設箇所と電極部４０の無い箇所との間の色差ΔＥは１．２９であった。なお、試料Ｂでは、全光線透過率やヘイズの値が試料Ａに対して少し相違しているが、それぞれ使用上では問題とならない範囲の値であった。
【００６６】
ここで、試料Ｂは、試料Ａに対して電極部４０の表面側を覆う透明絶縁レジスト層７０（絶縁レジスト層６０）を付加しているのみの構成差である。
【００６７】
このため、試料Ｂによる色差ΔＥが試料Ａによる色差ΔＥから低下した値になったのは、透明絶縁レジスト層７０を付加したことに起因し、そして、試料Ｂでは、色差ΔＥが１．２９であるために、電極部４０の形成パターン見えに対する改善効果が得られたと推察できる。
【００６８】
次に、試料Ｃは、電極部４０の配設箇所と電極部４０の無い箇所との間の色差ΔＥが０．９７であり、試料Ａや試料Ｂによる色差ΔＥよりも、さらに小さい色差ΔＥのものになっており、目視で電極部４０の形成パターン見えが殆ど確認できない○評価のものばかりであった。なお、試料Ｃでの全光線透過率やヘイズの値は、使用上では問題のない範囲の値であったことは試料Ｂと同じである。
【００６９】
試料Ｃは、試料Ａに対する構成差が電極部４０の表面側を覆う着色絶縁レジスト層８０（絶縁レジスト層６０）を付加しているのみである。そして、試料Ｂとの構成差は絶縁レジスト層６０の種類が異なるのみである。
【００７０】
このため、試料Ｃによる色差ΔＥの値になったのは、着色絶縁レジスト層８０を設けたことに起因し、そして、その色差ΔＥが０．９７であるために、電極部４０の形成パターン見えに対する改善効果が得られたものと推察できる。
【００７１】
すなわち、絶縁レジスト層６０を設ける際には、透明絶縁レジスト層７０を用いて電極部４０の表面を覆ってもよいが、望ましくは着色絶縁レジスト層８０を用いた方がよいことが判った。
【００７２】
試料Ｄでは、電極部４０の配設箇所と電極部４０の無い箇所との間の色差ΔＥが０．９４であり、試料Ｃよりもやや色差ΔＥが低下するものになっていた。これは、試料Ｃの着色絶縁レジスト層８０の厚みに対し、試料Ｄの着色絶縁レジスト層９０の厚みが厚いことに起因するためと推察される。なお、試料Ｄは、着色絶縁レジスト層９０の厚みの関係で、その全光線透過率やヘイズは全体的に試料Ｃのそれぞれの値よりもやや下がった値になっていたが、この試料Ｄの全光線透過率やヘイズの値であっても、使用上では全く問題のない範囲の値であった。
【００７３】
そして、試料Ｄでは、試料Ｃよりもやや色差ΔＥが低下したものなっていたため、試料Ｃと同様に、目視で電極部４０の形成パターン見えが殆ど確認できない○評価のもののみであった。
【００７４】
試料Ｅでは、電極部４０の配設箇所と電極部４０の無い箇所との間の色差ΔＥが０．９２であった。このため、試料Ｅの構成でも、目視で電極部４０の形成パターン見えが殆ど確認できない○評価のものが得られ、全光線透過率やヘイズの値を含めて使用上で特に問題もなく、見栄えに優れたものが得られることが判った。
【００７５】
以上のように、（表１）に示した電極部４０や絶縁レジスト層６０（透明絶縁レジスト層７０、着色絶縁レジスト層８０）を用いて試料Ａ〜試料Ｅを製作し、それぞれの評価を行った結果、試料Ｂ〜試料Ｅの構成であれば、電極部４０の形成パターンが殆ど視認されない見栄えに優れるものにできた。なお、試料Ｂ〜試料Ｅでは、電極部４０同士の間に絶縁レジスト層６０が位置する構成でもあるため、電極部４０同士間での高い絶縁性が確保される。そして、電極部４０が絶縁レジスト層６０で保護され得るという付帯的な効果も得ることができる。
【００７６】
特に、試料Ｂや試料Ｃの構成の静電式センサ３０とすれば、電極部４０の形成パターンが視認され難く簡素に構成できるため好ましい。また試料Ｄの構成の静電式センサ３０は、着色絶縁レジスト層９０の厚みを厚くするのみのため、これも容易に構成することができ好ましい。
【００７７】
なお、試料Ｄや試料Ｅの構成にする際に透明絶縁レジスト層７０を用いたとしても、同様に電極部４０の形成パターンが視認され難く、電極部４０同士間での絶縁性が確保されたものとして構成することができる。
【００７８】
そして、試料Ｂ〜試料Ｅのいずれの構成にする場合においても色差ΔＥのさらなる改善が必要であれば、例えば基材部３２の第２面３２Ｂ側にも絶縁レジスト層６０を設けるなどとするとよい。さらに、この静電式センサ３０に拡散レジスト層をさらに追加した構成などとしてもよい。
【００７９】
このように、当該実施の形態による静電式センサ３０は、試料Ｂ〜試料Ｅのいずれの構成であってもよい。その際の絶縁レジスト層６０としては、（表１）に示した透明なものであっても着色されたものであっても、電極部４０同士間の絶縁性が確保され、かつ電極部４０の形成パターンが視認され難いものとして実現することができる。
【００８０】
なお、絶縁レジスト層６０として（表１）に示した以外のものであっても、その全光線透過率が、電極部４０の全光線透過率に対して±３．５％の範囲内のものであれば、同等の作用効果が得られ、電極部４０が配設されている箇所と電極部４０の無い箇所とでの色差ΔＥを１．２９以下のものに構成し得る。また、その際の絶縁レジスト層６０は、電極部４０のヘイズに対して±１．１％の範囲内であると望ましい。さらに、着色絶縁レジスト層８０を用いる場合には、その透過ｂ*が電極部４０の透過ｂ*に対して±１．０の範囲内であれば好ましく、さらに透過ａ*と透過Ｌ*も±１．０の範囲内であるとよい。
【００８１】
そして、以上に説明した静電式センサ３０は、携帯機器や家電、車載用などの各種電子機器の入力操作部に搭載可能である。そして、電子機器以外で合っても、入力操作を要する箇所であれば、この静電式センサ３０を搭載して使用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明による静電式センサは、電極部が視認され難く、電極部同士間の絶縁性も容易に確保された構成のものとして提供することができ、主に各種電子機器の入力操作部用等に有用である。
【符号の説明】
【００８３】
３０  静電式センサ
３２  基材部
３２Ａ  第１面
３２Ｂ  第２面
４０  電極部
５０  電気配線
６０  絶縁レジスト層
６１、７１、８１、９１、１０１  第１部分
６２、７２、８２、９２、１０２  第２部分
７０  透明絶縁レジスト層
８０、９０、１００  着色絶縁レジスト層
１０３  第３部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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