(57)【要約】【課題】湾曲耐性を向上させることが可能な可撓性デバイスおよび電子機器を提供する。【解決手段】本技術の第１の可撓性デバイスは、少なくとも一部に曲線領域を有する分岐部および開孔の少なくとも一方が設けられた機能層を備える。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部に曲線領域を有する分岐部および開孔の少なくとも一方が設けられた機能層を備えた可撓性デバイス。
【請求項２】
前記曲線領域は、１／４以上１／１６以下の円弧によって形成されている、請求項１に記載の可撓性デバイス。
【請求項３】
前記曲線領域は、第１の円弧の一部と、前記第１の円弧の内接円の第２の円弧とが組み合わされている、請求項１に記載の可撓性デバイス。
【請求項４】
前記機能層は、前記分岐部および前記開孔の少なくとも一部に曲線領域を有する第１層と、前記分岐部および前記開孔に対応する位置にスリットを有する第２層とを含む、請求項１に記載の可撓性デバイス。
【請求項５】
前記分岐部および前記開孔は少なくとも一部に補強部が積層されている、請求項１に記載の可撓性デバイス。
【請求項６】
前記機能層は、導電層，絶縁層および半導体層のうちのいずれかである、請求項１に記載の可撓性デバイス。
【請求項７】
分岐部および開孔の少なくとも一方を有する機能層と、
前記分岐部および前記開孔の少なくとも一部に積層された補強部と
を備えた可撓性デバイス。
【請求項８】
前記補強部は、前記機能層の上層または下層の少なくとも一方に直接積層されている、請求項７に記載の可撓性デバイス。
【請求項９】
前記補強部は、他の層を介して前記機能層の上層または下層に積層されている、請求項７に記載の可撓性デバイス。
【請求項１０】
前記補強部は、前記機能層を構成する材料よりもヤング率の高い材料によって形成されている、請求項７に記載の可撓性デバイス。
【請求項１１】
一方向に延伸する複数のスリットを有する機能層を備えた可撓性デバイス。
【請求項１２】
前記スリットは、前記機能層の湾曲方向に対して垂直に形成されている、請求項１１に記載の可撓性デバイス。
【請求項１３】
前記スリットは、前記機能層を２以上に分割している、請求項１１に記載の可撓性デバイス。
【請求項１４】
前記機能層は、前記スリットによる蛇行領域を有する、請求項１１に記載の可撓性デバイス。
【請求項１５】
前記機能層は、パターンを有する第１層および前記第１層に積層されると共にスリットが設けられた第２層を含み、
前記第２層に設けられた前記スリットは、前記第１層の少なくとも一部のパターンに対向する位置に設けられている、請求項１１に記載の可撓性デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、湾曲耐性を向上させた可撓性デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、樹脂基板等の柔らかい基板上に電子回路を実装した可撓性デバイスが提案されており、一例として、フレキシブルディスプレイやフレキシブルセンサが挙げられる。これらは湾曲した状態で使用することが提案されている。
【０００３】
一般的に、可撓性デバイスは、さまざまな形状にパターニングされた複数のレイヤが積層されている。これらのレイヤは、無機材料あるいは有機材料によって構成されており、材料力学的性質が大きく異なる材料がレイヤ間で接する場合が多い。また、レイヤのパターン密度はレイヤによって異なり、さらに、同一レイヤ内でもその機能に応じて異なる。このような可撓性デバイスを湾曲した場合、パターン内に応力が集中する箇所が生じ、その応力集中箇所が破壊されるという問題があった。
【０００４】
この問題を解決する方法として、例えば、特許文献１では、少なくとも１つの導電層にスリットや孔を形成したり、導電層を格子状にパターニングすることで、湾曲耐性を向上させた可撓性デバイスが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２８８０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のように複数のレイヤからなる可撓性デバイスは、各レイヤによって応力に対する耐性が異なるため、単純に導電層にスリット等を形成しただけでは、可撓性デバイスの湾曲耐性を十分に向上させることは難しかった。また、場合によってはスリット等を形成したことが逆効果となるという問題があった。
【０００７】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、湾曲耐性を向上させることが可能な可撓性デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術による第１の可撓性デバイスは、少なくとも一部に曲線領域を有する分岐部および開孔の少なくとも一方が設けられた機能層を備えたものである。
【０００９】
本技術の第１の可撓性デバイスでは、機能層が有する分岐部および開孔の少なくとも一部に曲線領域を設けることにより、湾曲時に分岐部および開孔に印加される応力集中領域をずらしたり、その範囲を広げて機能層のある一点に印加される応力を緩和することが可能となる。
【００１０】
本技術による第２の可撓性デバイスは、分岐部および開孔の少なくとも一方を有する機能層と、分岐部および開孔の少なくとも一部に積層された補強部とを備えたものである。
【００１１】
本技術の第２の可撓性デバイスでは、機能層が有する分岐部および開孔の少なくとも一部に補強部を積層することにより、湾曲時に応力が集中しやすい分岐部および開孔が補強される。
【００１２】
本技術による第３の可撓性デバイスは、一方向に延伸する複数のスリットを有する機能層を備えたものである。
【００１３】
本技術の第３の可撓性デバイスでは、機能層に一方向に延伸する複数のスリットを設けることにより、湾曲時に機能層に印加される応力が緩和される。ここで、一方向とは、機能層、即ち、可撓性デバイスを利用する際に想定される湾曲方向に対して略垂直な方向である。
【００１４】
本技術の第１〜第３の可撓性デバイスによれば、それぞれ、機能層の分岐部および開孔の少なくとも一部に曲線領域を（第１）、分岐部および開孔の少なくとも一部に補強部を（第２）あるいは、機能層に一方向（湾曲方向に対して略垂直方向）に延伸する複数のスリットを（第３）設けるようにした。これにより、湾曲時に機能層全体あるいは、機能層を有する分岐部および開孔に印加される応力を緩和したり、応力集中領域をずらすことが可能となる。あるいは、機能層の強度が向上する。よって、可撓性デバイスの湾曲耐性を向上させることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】本開示の第１の実施の形態に係る可撓性デバイスの一例の平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示した可撓性デバイスの断面図である。
【図２Ａ】図１に示した可撓性デバイスに対する比較例としての折れ曲がり部の応力集中を説明する平面図である。
【図２Ｂ】図１に示した可撓性デバイスの折れ曲がり部の応力集中を説明する平面図である。
【図３Ａ】本開示の第１の実施の形態に係る可撓性デバイスの折れ曲がり部の他の例の平面図である。
【図３Ｂ】本開示の第１の実施の形態に係る可撓性デバイスの折れ曲がり部の他の例の平面図である。
【図４Ａ】図１に示した可撓性デバイスの接続部の形状の一例を表す平面図である。
【図４Ｂ】図１に示した可撓性デバイスの接続部の形状の他の例を表す平面図である。
【図４Ｃ】図１に示した可撓性デバイスの接続部の形状の他の例を表す平面図である。
【図５Ａ】図１に示した可撓性デバイスの開孔の形状の一例を表す平面図である。
【図５Ｂ】図１に示した可撓性デバイスの開孔の形状の他の例を表す平面図である。
【図５Ｃ】図１に示した可撓性デバイスの開孔の形状の他の例を表す平面図である。
【図６】図１Ａおよび図１Ｂに示した可撓性デバイスを備えた表示装置の断面図である。
【図７Ａ】本開示の第２の実施の形態に係る可撓性デバイスの一例の平面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに示した可撓性デバイスの断面図である。
【図８Ａ】本開示の第２の実施の形態に係る可撓性デバイスの折れ曲がり部を拡大した平面図である。
【図８Ｂ】本開示の第２の実施の形態に係る可撓性デバイスの接続部を拡大した平面図である。
【図８Ｃ】本開示の第２の実施の形態に係る可撓性デバイスの開孔を拡大した平面図である。
【図９】本開示の第２の実施の形態に係る図７Ａに示した可撓性デバイスの他の例の断面図である。
【図１０Ａ】本開示の補強部の構造の一例を表す断面図である。
【図１０Ｂ】本開示の補強部の構造の他の例を表す断面図である。
【図１０Ｃ】本開示の補強部の構造の他の例を表す断面図である。
【図１１Ａ】本開示の第３の実施の形態に係る可撓性デバイスの一例の平面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａに示した可撓性デバイスの断面図である。
【図１２Ａ】本開示の第３の実施の形態に係る可撓性デバイスの他の例の平面図である。
【図１２Ｂ】本開示の第３の実施の形態に係る可撓性デバイスの他の例の平面図である。
【図１２Ｃ】本開示の第３の実施の形態に係る可撓性デバイスの他の例の平面図である。
【図１２Ｄ】本開示の第３の実施の形態に係る可撓性デバイスの他の例の平面図である。
【図１３Ａ】図６に示した表示装置の等価回路図の一例である。
【図１３Ｂ】図１３Ａに示した等価回路に本開示の可撓性デバイスを適用した一例としてのパターン図である。
【図１４Ａ】図１３Ａに示した等価回路に本開示の可撓性デバイスを適用した他の例としてのパターン図である。
【図１４Ｂ】図１３Ａに示した等価回路に本開示の可撓性デバイスを適用した他の例としてのパターン図である。
【図１５Ａ】本開示の変形例１に係る可撓性デバイスの接続部周辺の平面図である。
【図１５Ｂ】本開示の変形例１に係る可撓性デバイスの開孔周辺の平面図である。
【図１５Ｃ】本開示の変形例１に係る可撓性デバイスの折れ曲がり部周辺の平面図である。
【図１６Ａ】本開示の変形例２に係る可撓性デバイスの開孔周辺の一例としての平面図である。
【図１６Ｂ】本開示の変形例２に係る可撓性デバイスの接続部周辺の一例としての平面図である。
【図１６Ｃ】本開示の変形例２に係る可撓性デバイスの開孔周辺の他の例としての平面図である。
【図１７Ａ】本開示の変形例３に係る可撓性デバイスの一例の平面図である。
【図１７Ｂ】本開示の変形例３に係る可撓性デバイスの一例の平面図である。
【図１７Ｃ】本開示の変形例３に係る可撓性デバイスの一例の平面図である。
【図１８Ａ】本技術を図６に示した表示装置に適用した際の配線パターンの一例である。
【図１８Ｂ】本技術を図６に示した表示装置に適用した際の配線パターンの他の例である。
【図１８Ｃ】本技術を図６に示した表示装置に適用した際の配線パターンの他の例である。
【図１８Ｄ】本技術を図６に示した表示装置に適用した際の配線パターンの他の例である。
【図１８Ｅ】本技術を図６に示した表示装置に適用した際の配線パターンの他の例である。
【図１８Ｆ】本技術を図６に示した表示装置に適用した際の配線パターンの他の例である。
【図１９】本技術を図６に示した表示装置に適用した際の配線パターンの他の例を表す平面図および断面図である。
【図２０】本技術を図６に示した表示装置を構成する複数の画素に適用した例である。
【図２１】複数の表示面を有する表示装置の分解模式図である。
【図２２】本技術をタッチパネルに適用した際の配線パターンである。
【図２３Ａ】本開示の適用例に係る電子機器（電子ブック）の開いた状態を表す斜視図である。
【図２３Ｂ】図２３Ａに示した電子ブックの閉じた状態を表わす斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（分岐部および開孔を曲線形状とした例）
１−１．可撓性デバイスの構成
１−２．表示装置の構成
１−３．作用・効果
２．第２の実施の形態（分岐部および開孔に補強部を積層した例）
２−１．可撓性デバイスの構成
２−２．作用・効果
３．第３の実施の形態（スリットを設けた例）
３−１．可撓性デバイスの構成
３−２．作用・効果
４．変形例
４−１．変形例１（曲線形状の分岐部および開孔に補強部を積層した例）
４−２．変形例２（分岐部および開孔を曲線形状とすると共に、スリットを設けた例）
４−３．変形例３（曲線形状の分岐部および開孔に補強部を積層すると共に、スリットを設けた例）
５．適用例（電子機器：電子ブックおよびその配線パターン）
【００１７】
＜１．第１の実施の形態＞
図１Ａは、本開示の第１の実施の形態に係る可撓性デバイス（可撓性デバイス１）の平面構成を表したものであり、図１Ｂは、図１Ａに示したＩ−Ｉ線における可撓性デバイス１の断面構成を表したものである。可撓性デバイス１は、対向する一対の基板（支持基板１１および対向基板１５）の間に、例えば、機能層として絶縁層１２，導電層１３および絶縁層１４がこの順に積層されたものである。この可撓性デバイス１は、いわゆるフレキシブルディスプレイやフレキシブルセンサ等に用いられるものである。導電層１３は、例えば、分離されている導電層１３（導電層１３Ｎ，１３Ｍ）の間を接続する接続部１３Ａや折れ曲がり部１３Ｃ（例えば、図２Ｂ参照）等の分岐部や開孔１３Ｂ等のパターンを有する。本実施の形態では、これら接続部１３Ａ、開孔１３Ｂおよび折れ曲がり部１３Ｃが少なくとも一部に曲線領域を含む形状となっている。
【００１８】
（１−１．可撓性デバイスの構成）
可撓性デバイス１は、上記のように、対向配置された支持基板１１および対向基板１５の間に、例えば、分離された導電層１３Ｎと導電層１３Ｍとを接続する接続部１３Ａ、開孔１３Ｂおよび折れ曲がり部１３Ｃが設けられた導電層１３と、この導電層１３を挟持する絶縁層１２および絶縁層１４とが積層された機能層を有する。
【００１９】
支持基板１１および対向基板１５は、可撓性を有すると共に、絶縁層１２，１４および導電層１３を挟持するものである。支持基板１１および対向基板１５の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリエーテルスルホン，ポリエーテルイミド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリフェニレンスルフィド，ポリスルホン，ポリアリレート，ポリイミド，ポリアミド，ポリカーボネート，セルローストリアセテート，ポリオレフィン，ポリスチレン，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリメチルメタクリレート，アラミド，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ユリア樹脂，メラミン樹脂，シリコン樹脂またはアクリル樹脂等のプラスチック材料が挙げられる。なお、薄層ガラスあるいは薄層セラミックス等を、可撓性を示す程度まで薄くして使用することも可能である。
【００２０】
機能層は、例えば、後述する表示装置（表示装置２）を構成するＴＦＴ１０や各種配線等が形成された電子回路層（ＴＦＴ層２０）および有機層や封止層、あるいはカラーフィルタ等を含む表示層（表示層３０）等のデバイス用の機能を有する層である（図６参照）。
【００２１】
絶縁層１２，１４は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）、シリコン窒化物（ＳｉＮX）、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ2）等の絶縁性を有する無機材料によって形成されている。この他、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ），パリレン，ポリスチレン等の絶縁性を有する有機材料によって形成されていてもよい。
【００２２】
導電層１３は、例えば、白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），ルテニウム（Ｒｕ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），アルミニウム（Ａｌ）およびタンタル（Ｔａ）等の金属単体または合金あるいは、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等の透明導電材料によって形成されている。導電層１３はパターニングされており、層内に、分離して配置された導電層１３の間（例えば、導電層１３Ｎと導電層１３Ｍとの間）を接続する接続部１３Ａや開孔１３Ｂ、あるいは、例えば、Ｙ軸方向からＸ軸方向に折れ曲がる折れ曲がり部１３Ｃ等を有する。
【００２３】
本実施の形態では、上記のように、導電層１３の接続部１３Ａ、開孔１３Ｂおよび折れ曲がり部１３Ｃの内側に曲線領域を設けることで、可撓性デバイス１を湾曲した際に生じる応力の接続部１３Ａ、開孔１３Ｂおよび折れ曲がり部１３Ｃへの集中が緩和される。以下に、最も単純な形状の折れ曲がり部１３Ｃを例に説明する。
【００２４】
折れ曲がり部１３Ｃは、図２Ｂに示したように、例えば、Ｙ軸方向からＸ軸方向に折れ曲がる内側の角部１３ａの少なくとも一部に曲線領域を有することが好ましい。より好ましくは、角部１３ａは、円弧上に形成されたものである。折れ曲がり部１３Ｃの内側を形成する円弧の長さは、特に限定されないが、例えば、１／４〜１／１６円の円弧長であることが好ましく、より好ましくは、１／８〜１／１２円の円弧長である。このように、折れ曲がり部１３Ｃを円弧接続することによって得られる応力を緩和する効果は、ある程度大きな曲率半径の円弧を用いた方が高い。例えば、折れ曲がり部１３Ｃの角部１３ａを１／８円の円弧によって接続した場合、１／４円の円弧によって接続した場合と比べて一割程度、応力の集中が緩和される。なお、円弧形状は、導電層１３が湾曲時に変形する部分に適用することが好ましい。即ち、ＸＹ平面に設けられた導電層１３を、Ｙ軸を湾曲軸としてＺ軸方向に湾曲させる場合には、折れ曲がり部１３Ｃのうち、Ｘ軸方向に延伸する導電層１３Ｐに連続する円弧を形成することが好ましい。
【００２５】
図２Ａおよび図２Ｂは、比較例として折れ曲がり部１１３Ｃを含む導電層１１３の一部（図２Ａ）および本実施の形態の一例としての導電層１３の一部（折れ曲がり部１３Ｃ，図２Ｂ）を表したものである。Ｘ軸方向に延伸する導電層１１３ＰとＹ軸方向に延伸する導電層１１３Ｃとが交差した折れ曲がり部１１３Ｃを有する導電層１１３には、屈曲点を有する角部１１３ａが形成される。この角部１１３ａを有する導電層１１３を、例えば、Ｙ軸を湾曲軸としてＺ軸方向に湾曲させると、湾曲によって生じる応力は、図２Ａに示したように、角部１１３ａ近傍に集中する。具体的には、導電層１１３Ｐと導電層１１３Ｑとが交差した根元の導電層１３Ｐ側に集中する（応力集中領域１１３Ｘ）。これにより、導電層１１３を湾曲した際には、応力集中領域１１３Ｘおよびその周辺にクラックが生じやすくなる。これに対して、導電層１３Ｐと導電層１３Ｑとが交差した折れ曲がり部１３Ｃの角部１３ａを曲線形状とした導電層１３を、導電層１１３と同様に、Ｙ軸を湾曲軸としてＺ軸方向に湾曲させた場合には、応力集中領域１３Ｘは、図２Ｂに示したように、図２Ａに示した応力集中領域１１３Ｘよりも導電層１３ＰのＸ軸方向（ここでは、左方向）にシフトする。また、応力集中領域１３Ｘは、比較例における応力集中領域１１３Ｘよりも面積が広く、その分応力集中領域１３Ｘに印加される応力は分散され緩和される。
【００２６】
また、上記のように、折れ曲がり部１３Ｃを、Ｘ軸方向に延伸する導電層１３Ｐに円弧、例えば、１／８円の円弧（Ｃ２）が接するように形成した場合には、導電層１３における応力集中領域１３Ｘの大部分（１３ｘ１）は、図３Ａに示したように、さらにＸ軸方向に延伸する導電層１３側（左方向）にシフトする。
【００２７】
更に、折れ曲がり部１３Ｃは、円弧とその内接円とを組み合わせた構成としてもよい。図３Ｂに示したように、例えば、Ｘ軸方向に延伸すると共に、１／８円の円弧（Ｃ２）が適用された導電層１３Ｐと、Ｙ軸方向に延伸する導電層１３Ｑとが交差する角部１３ａを、１／８円の円弧（Ｃ２）の内接円（Ｃ３）の曲率とすることで、導電層１３Ｐと導電層１３Ｑとの連結部分が滑らかな連続した曲線となる。これにより、折れ曲がり部１３Ｃを１／８円の円弧（Ｃ２）によって形成した場合に、折れ曲がり部１３Ｃと導電層１３Ｎとの連結部分が不連続であるために生じていた、導電層１３Ｐと導電層１３Ｑとが連結した根元の応力集中（応力集中領域１３ｘ２）が緩和される。更に、折れ曲がり部１３Ｃを円弧とその内接円とによって形成した場合には、図３Ｂに示したように、応力集中領域１３Ｘはさらに拡大、即ち、導電層１３に印加される応力は分散され、一点に係る応力が緩和される。
【００２８】
この折れ曲がり部１３Ｃの曲線形状は、接続部１３Ａおよび開孔１３Ｂにも適用できる。
【００２９】
接続部１３Ａを構成する対向する一対の辺は、上記折れ曲がり部１３Ｃと同様に、少なくとも一部に曲線領域を有することが好ましい。具体的には、例えば、一対の辺のそれぞれの端部、例えば、接続部１３Ａと、Ｙ軸方向に延伸する導電層１３Ｎ，１３Ｍとの連結部近傍に曲線領域を有することが好ましい。例えば、図１Ａに示したように、接続部１３Ａを構成する対向する一対の辺は、それぞれ、導電層１３Ｎと導電層１３Ｍとの間に設けられた円Ｃ１，Ｃ１’の円弧とすることが好ましい。接続部１３Ａを形成する円弧の長さは、特に限定されないが、例えば、１／４〜１／１６円の円弧長であることが好ましく、より好ましくは、１／８〜１／１２円の円弧長である。円弧接続による応力の緩和効果は、ある程度大きな曲率半径の円弧を用いた方が高い。例えば、導電層１３Ｎと導電層１３Ｍとの間を１／８円の円弧によって接続した場合、１／４円の円弧によって接続した場合と比べて一割程度、応力の集中が緩和される。
【００３０】
図４Ａは、図１に示した接続部１３Ａおよびその周辺を拡大して表したものである。導電層１３Ｎおよび導電層１３Ｍを直線によって接続した場合、導電層１３Ｎと接続部１３Ａおよび導電層１３Ｍと接続部１３Ａとの交点には、図２Ａに示したように、屈曲点を有する角部が形成され、湾曲時には、この角部に応力が集中する。これに対して、導電層１３Ｎと接続部１３Ａとを、例えば、１／４円の円弧で接続した場合には、導電層１３を、Ｙ軸を湾曲軸としてＺ軸方向に湾曲させた際に生じる応力集中領域１３Ｘは、図４Ａに示したように、接続部１３Ａの中央方向にシフトし、角部に印加される応力が緩和される。
【００３１】
また、接続部１３Ａは、図４Ｂに示したように、導電層１３Ｎおよび導電層１３Ｍを接続する１／４円の円弧の間に直線領域１３ｌを追加してもよい。この直線領域１３１は、例えば、Ｒ／５の長さとすることが好ましい。これにより、図４Ａにおいて接続部１３Ａの中央にシフトした応力集中領域１３Ｘが横方向に広くなり、応力集中領域１３Ｘに集中する応力が緩和される。即ち、一点に印加される応力を低減することが可能となる。なお、直線領域１３１の長さの上限は特にないが、導電層１３内により多くのパターンを配置するためには、接続部１３Ａの幅はなるべく短くすることが好ましい。よって、直線領域１３１は、Ｒ／５の長さとすることが望ましい。
【００３２】
更に、接続部１３Ａの対向する一対の辺を、例えば、１／８円の円弧接続することで、図４Ｃに示したように、応力集中領域１３Ｘを広くして一点に係る応力を低減しつつ、導電層１３Ｎと導電層１３Ｍとの接続距離を短くすることができる。このように、接続部１３Ａへの応力集中を緩和させつつ、接続距離を短縮することが可能な円弧の長さは、上記折れ曲がり部１３Ｃにおける好ましい円弧長と同じく、１／４〜１／１６円の円弧長であることが好ましく、より好ましくは、１／８〜１／１２円の円弧長である。
【００３３】
更にまた、折れ曲がり部１３Ｃと同様に、接続部１３Ａと導電層１３Ｎおよび導電層１３Ｍとの連結部分を、接続部１３Ａの対向する一対の辺を形成する円弧の内接円の曲率としてもよい。これにより、接続部１３Ａと導電層１３Ｎ，１３Ｍとの連結部分が滑らかな連続した曲線となり、接続部１３Ａと導電層１３Ｎ，１３Ｍとの連結部分へ印加される応力の集中が緩和される。
【００３４】
開孔１３Ｂも、折れ曲がり部１３Ｃおよび接続部１３Ａと同様に、少なくとも一部に曲線領域を有することが好ましい。具体的には、例えば、開孔１３Ｂを図５Ａに示したように真円状に形成してもよい。また、図５Ｂに示したように、湾曲時に変形する円弧領域に直線領域を追加することにより、開孔１３Ｂに印加される応力を分散することができる。また、図５Ｃに示したように、湾曲時に変形する円弧領域を円弧形状とし、その他の領域を直線状に形成してもよい。更に、図示していないが、折れ曲がり部１３Ｃおよび接続部１３Ａと同様に、例えば、図５Ｃに示した円弧領域と直線領域との連結部に、円弧領域を形成する円弧の内接円を適用してもよい。
【００３５】
（１−２．表示装置の構成）
上述したように、本実施の形態の可撓性デバイス１は、例えば、図６に示した表示装置（表示装置２）のＴＦＴ層２０あるいは表示層３０を構成する各層に適用できる。
【００３６】
図６は、上記可撓性デバイス１を薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）１０に適用した表示装置２の断面構成を表したものである。この表示装置２は、対向する一対の基板である支持基板１１および対向基板１５との間に、例えば、ボトムゲート・トップコンタクト型のＴＦＴ１０が設けられたＴＦＴ層２０と、表示素子として、例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子３１が設けられた表示層３０とが設けられている。なお、表示層３０を構成する表示素子は、有機ＥＬ素子のほかに、液晶表示素子あるいは電気泳動素子等であってもよい。ＴＦＴ層２０は、例えば、支持基板１１上に、ゲート電極２１，ゲート絶縁膜２２，チャネル領域を形成する半導体層２４および一対のソース・ドレイン電極２６がこの順に設けられている。本実施の形態の曲線領域を有する接続部１３Ａ、開孔１３Ｂおよび折れ曲がり部１３Ｃは、上記ＴＦＴ層２０を構成するいずれの層に形成されていてもよい。
【００３７】
以下に、表示装置２を構成する各部材について説明する。なお、上記可撓性デバイス１と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００３８】
ゲート電極２１は、ＴＦＴ１０にゲート電圧を印加し、このゲート電圧により半導体層２４中のキャリア密度を制御する役割を有するものである。ゲート電極２１は基板１１上の選択的な領域に設けられ、例えば、白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），ルテニウム（Ｒｕ），モリブデン（Ｍｏ），Ｃｕ，タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），Ａｌおよびタンタル（Ｔａ）等の金属単体または合金により構成されている。また、これらのうちの２種以上を積層させて用いるようにしてもよい。
【００３９】
ゲート絶縁膜２２，２３は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）、シリコン窒化物（ＳｉＮX）、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ2）等のうちの１種よりなる単層膜、またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。ここでは、ゲート絶縁膜２２が例えばＳｉＯ2、ゲート絶縁膜２３が例えばＳｉ3Ｎ4によりそれぞれ構成されている。ゲート絶縁膜２２，２３の総膜厚は、例えば２００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００４０】
半導体層２４はゲート絶縁膜２２上に島状に設けられ、一対のソース・ドレイン電極２６の間のゲート電極２１に対向する位置にチャネル領域を有している。半導体層２４は、例えば、peri-Xanthenoxanthene(ＰＸＸ)誘導体等の有機半導体材料、あるいは、例えば、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），Ａｌ，Ｔｉのうちの少なくとも１種の酸化物を主成分として含む酸化物半導体によって形成されている。半導体層２４の厚みは例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００４１】
チャネル保護膜２５は、半導体層２４上に形成され、ソース・ドレイン電極２６を形成する際のチャネルの損傷を防止するものである。このチャネル保護膜２５は、例えばシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ2）とフッ素（Ｆ）とを含有する絶縁膜により構成され、厚みは例えば１０〜３００ｎｍである。
【００４２】
ソース・ドレイン電極２６は、ソースまたはドレインとして機能するものであり、例えばモリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン，ＩＴＯおよび酸化チタン（ＴｉＯ）等のうち１種よりなる単層膜またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。例えば、Ｍｏ，Ａｌ，Ｍｏの順に、５０ｎｍ，５００ｎｍ，５０ｎｍの膜厚で積層した３層膜や、ＩＴＯおよび酸化チタン等の酸素を含む金属化合物のような酸素との結びつきの弱い金属または金属化合物を用いることが望ましい。
【００４３】
パッシベーション膜２７および平坦化層２８は、例えば、ポリイミド、ノボラック等の有機材料により構成されている。この平坦化層２８の厚みは、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、好ましくは５０ｎｍ以下である。平坦化層２８上には、有機ＥＬ素子２の画素電極３２が形成されている。
【００４４】
なお、平坦化層２８にはコンタクトホールＨが設けられており、このコンタクトホールＨを通じてソース・ドレイン電極２６と、有機ＥＬ素子３１の各画素電極３２とが電気的に接続されている。画素電極３２は、隔壁３３によって画素毎に電気的に分離されており、画素電極３２上には、後述する各色発光層を含む有機層３４および対向電極３５が積層されている。
【００４５】
有機ＥＬ素子３１はそれぞれ、例えば、上面発光型（トップエミッション型）の素子構造を有している。但し、このような構成に限定されることはなく、例えば基板１１０側から光を取り出す透過型、即ち、下面発光型（ボトムエミッション型）であってもよい。
【００４６】
有機ＥＬ素子３１は、隔壁３３の開口部３３Ａに形成され、例えば、画素電極３２上に、有機層３４として、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層されている（いずれも図示せず）。有機層３４上には、複数の有機ＥＬ素子に共通の対向電極３５が設けられている。
【００４７】
画素電極３２は、例えばアノードとして機能し、表示装置１が上面発光型である場合には、例えばアルミニウム，チタン，クロム（Ｃｒ）等の高反射材料から構成されている。なお、下面発光型である場合には、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等の透明導電膜が用いられる。
【００４８】
隔壁３３は、上述したように、有機ＥＬ素子３１の各素子間を電気的に絶縁すると共に、各画素の発光領域を区画するものである。隔壁３３によって形成される複数の開口部３３Ａには有機ＥＬ素子３１のいずれかが形成されている。この隔壁３３は、例えばポリイミド、ノボラック樹脂あるいはアクリル樹脂等の有機材料により構成されている。あるいは、この隔壁３３は、有機材料と無機材料とが積層されて構成されていてもよい。無機材料としては、例えばＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＳｉＣ，ＳｉＮが挙げられる。
【００４９】
有機層３４は、上記のように、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層が積層された構成を有する。
【００５０】
正孔注入層は、発光層への正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１３Ｂの構成材料としては、電極等の隣接する層の材料との関係で適宜選択されればよいが、例えばポリアニリン，ポリチオフェン，ポリピロール，ポリフェニレンビニレン，ポリチエニレンビニレン，ポリキノリン，ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子，金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等），カーボン等が挙げられる。導電性高分子の具体例としては、オリゴアニリン，オリゴアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等のポリジオキシチオフェンが挙げられる。この他、エイチ・シー・スタルク製の商品名Nafion（商標）および商品名Liquion（商標）、日産化学製の商品名エルソース（商標）および綜研化学製の導電性ポリマーベラゾール等を用いてもよい。
【００５１】
正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１３Ａを構成する材料としては、有機溶媒に可溶な高分子材料、例えば、ポリビニルカルバゾール，ポリフルオレン，ポリアニリン，ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体，ポリチオフェンおよびその誘導体，ポリピロール，または４，４’−ビス（Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（α−ＮＰＤ）により構成されている。
【００５２】
発光層は、電界がかかることにより電子と正孔との再結合を生じ発光するものであり、例えば、各色画素に対応する色光を発する発光材料によって構成されている。発光層を構成する材料としては、それぞれの発光色に応じたものであればよく、高分子材料（分子量が例えば５０００以上）であってもよいし、低分子材料（分子量が例えば５０００以下）であってもよい。低分子材料の場合には、例えば、ホスト材料とドーパント材料の２種類以上の混合材料が用いられる。高分子材料の場合には、例えば有機溶媒に溶かしたインクの状態で使用される。また、これらの低分子材料および高分子材料の混合材料が用いられてもよい。
【００５３】
電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層の構成材料としては、例えば、キノリン，ペリレン，フェナントロリン，ビススチリル，ピラジン，トリアゾール，オキサゾール，フラーレン，オキサジアゾール，フルオレノンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ３），アントラセン，ナフタレン，フェナントレン，ピレン，アントラセン，ペリレン，ブタジエン，クマリン，Ｃ６０，アクリジン，スチルベン，１，１０−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。この他、優れた電子輸送性能を有する有機材料を用いることが好ましい。
【００５４】
電子注入層は、各色発光層への電子注入効率を高めるためのものである。電子注入層１５Ｂの構成材料としては、例えばアルカリ金属，アルカリ土類金属，希土類金属およびその酸化物，複合酸化物，フッ化物，炭酸塩等が挙げられる。
【００５５】
対向電極３５は、例えば、上面発光型（トップエミッション型）の場合には、光透過性を有する導電膜材料、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯ，ＩｎＳｎＺｎＯ，ＭｇＡｇ，Ａｇ等の単層膜あるいはこれらのうちの２種以上を含む積層膜からなる。下面発光型（ボトムエミッション型）の場合には、例えばアルミニウム，ＡｌＳｉＣ，チタン，クロム等の高反射率材料が用いられる。
【００５６】
封止層３６は、有機ＥＬ素子３１への水分の浸入を防止するためのものであり、透過性および透水性の低い材料により構成され、厚みは例えば２〜３μｍである。封止層３６は、絶縁性材料および導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx），アモルファスカーボン（α−Ｃ）等が挙げられる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００５７】
（１−３．作用・効果）
表示装置等の電子回路層の配線パターンは、分岐部や他のレイヤの配線パターンと電気的に接続するための開孔等が設けられている。一般的に、これら接続部は直線状に、開孔は、例えば、矩形状に形成されており、例えば、図２Ａに示したように、一般的な配線パターン（導電層１１３）では、接続部や開孔は屈曲した角部１１３Ａを有する。このように、層内に角部１１３Ａを有する導電層１１３を、例えば、Ｙ軸を湾曲軸としてＺ軸方向に湾曲させた場合、湾曲によって生じる応力は、図２Ａに示した応力集中領域１１３Ｘに集中しやすい。このため、分岐部や開孔の角部にはクラックが生じやすく、フレキシブルディスプレイやフレキシブルセンサ等の可撓性を有する電子機器の信頼性を低下させる原因の一つとなっていた。
【００５８】
これに対して、本実施の形態の可撓性デバイス１では、例えば、導電層１３等の機能層に設けられた接続部１３Ａや折れ曲がり部１３Ｃ等の分岐部および開孔１３Ｂの少なくとも一部に曲線領域を設けるようにした。機能層は、ＴＦＴを構成するゲート電極２１、半導体層２４およびソース・ドレイン電極２６、容量素子あるいは有機ＥＬ素子３１を構成する一対の電極（画素電極３２および対向電極３５）等の一対の可撓性を有する基板の間に設けられた導電性を有する層だけでなく、各層の間に設けられた絶縁性を有する層（ゲート絶縁膜２２，２３、チャネル保護膜２５、パッシベーション膜２７、平坦化膜２８、隔壁３３、封止層３６）あるいは有機層３４を含む。これら機能層に設けられている接続部１３Ａ、開孔１３Ｂおよび折れ曲がり部１３Ｃに曲線領域を設けることにより、可撓性デバイス１を湾曲させた際に、接続部１３Ａ、開孔１３Ｂおよび折れ曲がり部１３Ｃに印加される応力を分散させることが可能となる。また、接続部１３Ａの両端や、折れ曲がり部１３Ｃの内側等の応力が集中しやすい応力集中領域１３Ｘを任意の方向にシフトさせることが可能となる。
【００５９】
以上のように、本実施の形態の可撓性デバイス１によれば、機能層に設けられた接続部１３Ａや折れ曲がり部１３Ｃ等の分岐部および開孔１３Ｂの少なくとも一部に曲線領域を設けるようにした。これにより、可撓性デバイス１を湾曲させた際に、分岐部および開孔に応力が集中する応力集中領域（応力集中領域１３Ｘ）を広げて一点に印加される応力を緩和させたり、任意の方向にシフトさせることが可能となる。よって、可撓性デバイス１の湾曲耐性を向上させることが可能となる。
【００６０】
＜２．第２の実施の形態＞
図７Ａは、本開示の第２の実施の形態に係る可撓性デバイス（可撓性デバイス３）の平面構成を表したものであり、図７Ｂは、図７Ａに示したＩＩ−ＩＩ線における可撓性デバイス３の断面構成を表したものである。可撓性デバイス３は、対向する一対の基板（支持基板１１および対向基板１５）の間に、例えば、機能層として絶縁層１２，導電層１３および絶縁層１４がこの順に積層されたものである。この可撓性デバイス１は、いわゆるフレキシブルディスプレイやフレキシブルセンサ等に用いられるものである。導電層１３は例えば、分離した導電層４３間を接続する接続部４３Ａや折れ曲がり部４３Ｃ等の分岐部や開孔４３Ｂ等のパターンを有する。本実施の形態では、導電層４３の接続部４３Ａ、開孔４３Ｂおよび折れ曲がり部４３Ｃに補強部４６が積層された構成を有する。なお、本実施の形態の可撓性デバイス３は、上記第１の実施の形態と同様に、例えば、図６に示した表示装置（表示装置２）のＴＦＴ層２０あるいは表示層３０を構成する各層に適用できる。
【００６１】
（２−１．可撓性デバイスの構成）
可撓性デバイス３は、上記のように、対向配置された支持基板１１および対向基板１５の間に、例えば、分離された導電層１３を接続する接続部４３Ａ、開孔４３Ｂおよび折れ曲がり部４３Ｃが設けられた導電層１３と、この導電層１３を挟持する絶縁層１２および絶縁層１４とが積層された機能層を有する。
【００６２】
支持基板１１および対向基板１５は、可撓性を有すると共に、絶縁層１２，１４および導電層１３を挟持するものである。支持基板１１および対向基板１５の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリエーテルスルホン，ポリエーテルイミド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリフェニレンスルフィド，ポリスルホン，ポリアリレート，ポリイミド，ポリアミド，ポリカーボネート，セルローストリアセテート，ポリオレフィン，ポリスチレン，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリメチルメタクリレート，アラミド，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ユリア樹脂，メラミン樹脂，シリコン樹脂またはアクリル樹脂等のプラスチック材料が挙げられる。なお、薄層ガラスあるいは薄層セラミックス等を、可撓性を示す程度まで薄くして使用することも可能である。
【００６３】
機能層は、例えば、後述する表示装置（表示装置２）を構成するＴＦＴ１０や各種配線等が形成された電子回路層（ＴＦＴ層２０）および有機層や封止層、あるいはカラーフィルタ等を含む表示層（表示層３０）等のデバイス用の機能を有する層である（図６参照）。
【００６４】
絶縁層１２，１４は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）、シリコン窒化物（ＳｉＮX）、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ2）等の絶縁性を有する無機材料によって形成されている。この他、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ），パリレン，ポリスチレン等の絶縁性を有する有機材料によって形成されていてもよい。
【００６５】
導電層４３は、例えば、白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），ルテニウム（Ｒｕ），モリブデン（Ｍｏ），Ｃｕ，タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），Ａｌおよびタンタル（Ｔａ）等の金属単体または合金あるいは、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等の透明導電材料によって形成されている。導電層４３はパターニングされており、層内に、分岐部および例えば、他の層との接続部となる開孔４３Ｂを有する。分岐部は、例えば、分離して配置された導電層４３間（導電層４３Ｎと導電層４３Ｍとの間）を接続する接続部４３Ａや、例えば、Ｙ軸方向からＸ軸方向に折れ曲がる折れ曲がり部４３Ｃ等である。
【００６６】
本実施の形態では、上記のように、導電層４３に設けられている接続部４３Ａ、開孔４３Ｂおよび折れ曲がり部４３Ｃに対応する位置に補強部４６が設けられている。
【００６７】
補強部４６は、可撓性デバイス３を湾曲した際に生じる応力が集中しやすい接続部４３Ａ、開孔４３Ｂおよび折れ曲がり部４３Ｃを補強するためのものである。補強部４６は、これら接続部４３Ａ、開孔４３Ｂおよび折れ曲がり部４３Ｃの少なくとも一部に設けられていればよい。一般的に、可撓性デバイス３を、例えば、Ｙ軸を湾曲軸としてＺ軸方向に湾曲した際に生じる応力は、図８Ａ〜図８Ｃにおいて斜線で示した領域に集中する（応力集中領域４３Ｘ）。このため、補強部４６は、この応力集中領域４３Ｘが形成される折れ曲がり部４３Ｃ（図８Ａ）、接続部４３Ａ（図８Ｂ）および開孔４３Ｂ（図８Ｃ）の角部４３ａを覆うように設けることが好ましい。これにより、折れ曲がり部４３Ｃや接続部４３Ａ等の分岐部や開孔４３Ｂの角部４３ａに集中する応力が補強部４６に分散され、緩和される。また、折れ曲がり部４３Ｃ、接続部４３Ａおよび開孔４３Ｂを構造的にも補強することができる。
【００６８】
補強部４６の材料は、補強する機能層（ここでは、導電層４３）のヤング率の高い材料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、Ｍｏ，Ｔｉ，Ａｌ、Ｃｕ等が挙げられる。補強部３１の膜厚は、例えば、補強する機能層、即ち、導電層４３と同程度であればよく、具体的には、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００６９】
なお、補強部４６は、必ずしも補強する機能層（ここでは、導電層４３）上に設ける必要はなく、導電層４３の下層に設けてもよい。また、図９に示したように、他の層（ここでは、絶縁層１３）を介して折れ曲がり部４３Ｃや接続部４３Ａ等の分岐部や開孔４３Ｂの角部４３ａを間接的に覆うようにしてもよい。他の層を介して設けることにより、補強部４６を構成する材料の選択の自由度が向上する。
【００７０】
導電層４３および補強部４６の積層構造としては、例えば、導電層４３および補強部４６が同じ条件でエッチングされない場合（例えば、導電層４３をＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ，補強部４６をＳｉＮで形成した場合）には、図７Ｂに示した構造となる。例えば、絶縁層１４を介して補強部４６を形成する場合には、例えば、図１０Ａに示したように、絶縁層１４をパターニングする際に、導電層４３の接続部４３Ａや開孔４３Ｂ等の被補強部に対応する位置に開口１４Ａを設け、この開口１４Ａを介して導電層４３の被補強部を直接被覆するようにしてもよい。また、導電層４３および補強部４６が同じ条件でエッチングされる場合（例えば、導電層４３および補強部が共にＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ）には、図１０Ｂに示したように、導電層４３および補強部４６を一括でエッチングして端面を一致させるようにしてもよい。これにより、導電層４３のパターンをコンパクト化することができる。更に、補強部４６は、複数の層から構成してもよい。補強部４６は、厚く形成する方が補強効果は向上するが、設計が難しくなる。このため、図１０Ｃに示したように、２層あるいは３層以上で形成して補強部４６の膜厚を厚くすることで補強効果をより向上させることができる。
【００７１】
（２−３．作用・効果）
前述したように、表示装置等の配線パターンは、直線状の分岐部や矩形状の開孔等が設けられている。このような分岐部や開孔がフレキシブルディスプレイ等の可撓性を有する電子機器に設けられていた場合、この電子機器を湾曲させると、接続部や開孔の屈曲した角部に応力が集中し、クラックが生じやすくなる。これが、フレキシブルディスプレイやフレキシブルセンサ等の可撓性を有する電子機器の信頼性を低下させる原因の一つとなっていた。
【００７２】
これに対して、本実施の形態の可撓性デバイス３では、例えば、角部４３ａを有する導電層４３等の機能層に設けられた接続部４３Ａや折れ曲がり部４３Ｃ等の分岐部および開孔４３Ｂの少なくとも一部、具体的には、角部４３ａに対応する位置に補強部４６を積層するようにした。これにより、可撓性デバイス３を湾曲した際に接続部４３Ａ、開孔４３Ｂおよび折れ曲がり部４３Ｃ等の角部４３ａへ集中する応力が補強部４６に分散される。
【００７３】
以上のように、本実施の形態の可撓性デバイス３によれば、機能層に設けられた角部４３ａを有する接続部４３Ａや折れ曲がり部４３Ｃ等の分岐部および開孔４３Ｂの少なくとも一部に補強部４６を積層するようにした。これにより、可撓性デバイス３を湾曲した際に接続部４３Ａ、開孔４３Ｂおよび折れ曲がり部４３Ｃ等の角部４３ａへ集中する応力が補強部４６に分散され、角部４３ａ近傍の応力集中領域に印加される応力を緩和することが可能となる。よって、可撓性デバイス３の湾曲耐性を向上させることが可能となる。
【００７４】
＜３．第３の実施の形態＞
図１１Ａは、本開示の第３の実施の形態に係る可撓性デバイス（可撓性デバイス４）の平面構成を表したものであり、図１１Ｂは、図１１Ａに示したＩＩＩ−ＩＩＩ線における可撓性デバイス４の断面構成を表したものである。可撓性デバイス４は、対向する一対の基板（支持基板１１および対向基板１５）の間に、例えば、機能層として絶縁層１２，導電層５３および絶縁層１４がこの順に積層されたものである。この可撓性デバイス１は、いわゆるフレキシブルディスプレイやフレキシブルセンサ等に用いられるものである。本実施の形態では、導電層５３は、一方向に延伸するスリット５３Ｃが複数設けられた構成を有する。なお、本実施の形態の可撓性デバイス４は、上記第１の実施の形態と同様に、例えば、図６に示した表示装置（表示装置２）のＴＦＴ層２０あるいは表示層３０を構成する各層に適用できる。
【００７５】
（３−１．可撓性デバイスの構成）
可撓性デバイス４は、上記のように、対向配置された支持基板１１および対向基板１５の間に、複数のスリット５３Ｃが設けられた導電層５３と、この導電層１３を挟持する絶縁層１２および絶縁層１４とが積層された機能層を有する。
【００７６】
支持基板１１および対向基板１５は、可撓性を有すると共に、絶縁層１２，１４および導電層１３を挟持するものである。支持基板１１および対向基板１５の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリエーテルスルホン，ポリエーテルイミド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリフェニレンスルフィド，ポリスルホン，ポリアリレート，ポリイミド，ポリアミド，ポリカーボネート，セルローストリアセテート，ポリオレフィン，ポリスチレン，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリメチルメタクリレート，アラミド，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ユリア樹脂，メラミン樹脂，シリコン樹脂またはアクリル樹脂等のプラスチック材料が挙げられる。なお、薄層ガラスあるいは薄層セラミックス等を、可撓性を示す程度まで薄くして使用することも可能である。
【００７７】
機能層は、例えば、後述する表示装置（表示装置２）を構成するＴＦＴ１０や各種配線等が形成された電子回路層（ＴＦＴ層２０）および有機層や封止層、あるいはカラーフィルタ等を含む表示層（表示層３０）等のデバイス用の機能を有する層である（図６参照）。
【００７８】
絶縁層１２，１４は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）、シリコン窒化物（ＳｉＮX）、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ2）等の絶縁性を有する無機材料によって形成されている。この他、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ），パリレン，ポリスチレン等の絶縁性を有する有機材料によって形成されていてもよい。
【００７９】
導電層５３は、例えば、白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），ルテニウム（Ｒｕ），モリブデン（Ｍｏ），Ｃｕ，タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），Ａｌおよびタンタル（Ｔａ）等の金属単体または合金あるいは、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等の透明導電材料によって形成されている。
【００８０】
本実施の形態では、例えば、図１１Ａに示したように、導電層５３の対向する一対の辺Ｓ１，Ｓ２から一方向に交互に延伸するスリット５３Ｃが複数設けられている。このスリット５３Ｃの延伸方向は、例えば、後述する電子機器（電子ブック９）において想定される湾曲軸に対して略平行となるように設けられている。即ち、本実施の形態の可撓性デバイス４では、例えば、湾曲軸をＹ軸とし、このＹ軸に略平行に延伸する複数のスリット５３Ｃが導電層５３に設けられている。なお、ここで湾曲方向は、湾曲軸の周りの回転方向とする。複数のスリットは、対向する辺Ｓ１，Ｓ２に向かって、例えば、交互に設けられており、これにより、導電層５３の少なくとも一部の領域は、可撓性デバイス４の面内（ＸＹ平面内）において、例えば、Ｙ軸方向に蛇行した形状となっている（蛇行領域）。
【００８１】
なお、スリット５３Ｃは、必ずしも導電層５３の端から設けられている必要はなく、例えば、図１２Ａに示した可撓性デバイス４Ａのように、Ｙ軸方向に長辺を有する矩形状のスリット５３Ｃを辺Ｓ１および辺Ｓ２側に交互に配置するようにしてもよい。また、図１２Ｂに示した可撓性デバイス４Ｂのように、スリット５３Ｃが導電層５３を分割するようにしてもよい。なお、分割された導電層５３は、例えば、図１２Ｃに示した可撓性デバイス４Ｃのように、連結部５３Ｄでそれぞれ連結するようにしてもよい。また、図１１Ｂに示したように、機能層が複数の層（絶縁層１２，１４および導電層５４）から構成されている場合には、スリットは複数の層に設けるようにしてもよい。例えば、図１２Ｄに示した可撓性デバイス４Ｄのように、短冊状に互いを分割するスリット５３Ｃが設けられると共に、分割された導電層５３を互いに連結する連結部５３Ｄを有する導電層５３上の絶縁層１４の、例えば、連結部５３Ｄの間にスリット１４Ｂを設けるようにしてもよい。絶縁層１４にスリット１４Ｂを設けることにより、湾曲時に絶縁層１４に印加される応力が分散されると共に、下層に設けられている導電層５３に印加される応力も緩和することが可能となる。また、可撓性デバイス４Ｄがフレキシブルディスプレイ等に適用されていた場合、例えば、熱膨張率の異なる材料が積層された際に周辺環境の温度変化や駆動時の発熱等により生じる応力を緩和することも可能となる。
【００８２】
なお、スリット５３Ｃには、スリット５３Ｃが設られている層（導電層５３）よりも柔軟な材料、即ち、ヤング率が低い材料が充填されていることが好ましい。
【００８３】
（３−３．作用・効果）
前述したように、複数の層からなる可撓性デバイスの湾曲耐性を向上させるために、任意の層に単純にスリットを設けただけでは、各層によって応力に対する耐性が異なるため十分に湾曲耐性を向上させることは難しかった。また、場合によってはスリットを形成したことが逆効果となるという問題があった。
【００８４】
これに対して、本実施の形態の可撓性デバイス４では、例えば、導電層５３に、一方向、例えば、可撓性デバイス４を利用する際に想定される湾曲方向に対して略垂直方向、換言すると、湾曲軸方向（例えば、Ｙ軸方向）に対して略平行に延伸する複数のスリット５３Ｃを設けるようにした。これにより、湾曲時に導電層５３に印加される応力が緩和される。
【００８５】
以上のように、本実施の形態の可撓性デバイス４によれば、機能層、例えば、導電層５３に、一方向に延伸する複数のスリット５３Ｃを設けるようにした。具体的には、例えば、湾曲方向に対して略垂直方向に複数のスリット５３Ｃを設けるようにした。これにより、可撓性デバイス４を湾曲した際に機能層に印加される応力が緩和され、可撓性デバイス４の湾曲耐性を向上させることが可能となる。
【００８６】
なお、機能層が複数の層からなる場合には、一方向に延伸する複数のスリットは、そのうちの一層に設けてもよいし、複数の層に設けてもよい。複数の層にスリットを設けることにより、より可撓性デバイス４の湾曲耐性を向上させることが可能となる。また、例えば、図１２Ｄに示したように、例えば、導電層５３上の絶縁層１４に、導電層５３の配設パターンに対応する位置（例えば、複数に分割された導電層５３をそれぞれ連結する連結部５３Ｄの間）にスリットを設けることにより、湾曲時に絶縁層１４に印加される応力を緩和するだけでなく、下層の導電層５３に印加される応力も分散させることが可能となる。
【００８７】
また、本実施の形態の可撓性デバイス４を、例えば、図６に示した表示装置２に適用することができる。この表示装置２の各画素が、例えば、図１３Ａに示したような等価回路を有する場合には、図１３Ｂに示したように画素電極３２のゲート電極２１を構成するゲート線（２１）と重複する位置にスリットを設けることにより、フィードスルー電圧を低減させることが可能となる。一般的な各画素における配線レイアウトでは、ゲート電極と、ドレイン電極に接続されている画素電極との重複する面積が大きいためフィードスルー電圧（ΔＶｇ）が大きくなる。以下は、図１３Ｂに示したように画素電極３２のゲート線（２１）との重複領域にスリット５３Ｃを設けた場合と、設けなかった場合のフィードスルー電圧を試算したものである。
【００８８】
画素幅（Ｗ）を１００μｍ、ゲート電極２１とソース・ドレイン電極２６とが重複する長さ（Ｌ１）を１０μｍ，幅（Ｗ１）を１０μｍ、容量素子（Ｃｓ）の長さ（Ｌ２）を３０μｍ，幅（Ｗ２）を５０μｍ、スリット５３Ｃの長さ（Ｌ３）を７μｍ，幅（Ｗ３）を９０μｍ、スリット５３Ｃと重複するゲート配線の幅（Ｌ３’）を５μｍとし、画素の静電容量（Ｃepd）を見積もり、フィードスルー電圧を概算する。
ソース・ドレイン電極２６／ゲート電極２１の１μｍ2当たりの容量をＣ
画素電極３２／ゲート電極２１の１μｍ2当たりの容量をＣ／４
ゲート電極２１と、ソース・ドレイン電極２６との重複による寄生容量Ｃｇｄ＝１０*１０*Ｃ＝１００Ｃ
ゲート電極２１と、画素電極３２との重複領域で形成される寄生容量は、スリットを形成した場合には５*１０*Ｃ/４＝１２．５Ｃ、スリットを設けない場合には５＊１００＊Ｃ／４＝１２５Ｃとなる。
Ｃｓ＋Ｃepd＝３０*５０*Ｃ＋５００*Ｃ＝２０００Ｃ
これらを用いてスリットを形成した場合のフィードスルー電圧（実施例ΔＶｇ）、スリットを設けない場合のフィードスルー電圧（比較例ΔＶｇ）を概算すると、
実施例ΔＶｇ＝（（１００+１２．５）／（１００+１２．５+２０００））*（Ｖｇｈ-Ｖｇｌ）=０．０５３*（Ｖｇｈ-Ｖｇｌ）
比較例ΔＶｇ＝（（１００+１２５）／（１００+１２５+２０００））*（Ｖｇｈ-Ｖｇｌ）=０．１０１*（Ｖｇｈ-Ｖｇｌ）
となり、画素電極３２のゲート電極２１との重複領域にスリットを設けた場合には、設けなかった場合と比べてフィードスルー電圧が約半分に低減されることがわかる。
【００８９】
更に、図１４Ａに示したように、例えば、画素電極３２に例えば、メッシュ状のスリット（メッシュ３２Ａ）を設けることにより、画素電極３２と有機層３４あるいは平坦化層２８との密着性が向上する。一般的な表示装置の配線パターンでは、画素電極３２は、広い面積に設けられているが、金属材料や無機材料によって形成された画素電極３２と、有機材料が多く用いられている有機層３４との密着性は低く、剥離しやすかった。これに対して、画素電極３２に複数のメッシュ３２Ａを設けることで、有機層３４等との密着性が向上し、膜剥れの発生を低減することが可能となる。なお、メッシュ３２Ａの孔径は、画素電極３２の大きさ等によるが、例えば、５〜１５μｍとすることが好ましい。
【００９０】
更に、図１４Ｂに示したように、複数のメッシュ３２Ａが形成された画素電極３２に、表示装置２を使用する際に想定される湾曲方向に対して垂直なスリット３２Ｂを、例えば、ゲート電極２１を含むＧａｔｅ線（２１）と重複する位置にスリット３２Ｃを組み合わせて形成してもよい。これにより、表示装置２の湾曲耐性を向上させつつ、フィードスルー電圧の低減および層間の密着性の向上が可能となる。
【００９１】
＜４．変形例＞
以下、上記実施の形態の変形例（変形例１〜３）について説明する。以降の説明において上記第１〜第３の実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００９２】
（４−１．変形例１）
図１５Ａ〜図１５Ｃは、本変形例（変形例１）に係る可撓性デバイス５が有するパターニングされた導電層６３の接続部６３Ａ（図１５Ａ）、開孔６３Ｂ（図１５Ｂ）および折れ曲がり部６３Ｃ（図１５Ｃ）を拡大して表したものである。本変形例は、上記第１の実施の形態および第２の実施の形態を組み合わせたものであり、少なくともに一部に曲線を含む形状とした導電層６６が有する接続部６３Ａ、開孔６３Ｂおよび折れ曲がり部６３Ｃの少なくとも一部に補強部６６を設けたものである。
【００９３】
このように、機能層（例えば、導電層６３）が有する接続部６３Ａ、開孔６３Ｂおよび折れ曲がり部６３Ｃの少なくとも一部に曲線領域を設けると共に、これら接続部６３Ａ、開孔６３Ｂおよび折れ曲がり部６３Ｃの少なくとも一部に補強部６６を積層するようにした。これにより、可撓性デバイス５を湾曲させた際に、接続部６３Ａ、開孔６３Ｂおよび折れ曲がり部６３Ｃに集中する応力が分散されると共に、接続部６３Ａ、開孔６３Ｂおよび折れ曲がり部６３Ｃが物理的に補強される。よって、より湾曲耐性の高い可撓性デバイス５を提供することが可能となる。
【００９４】
（４−２．変形例２）
図１６Ａ〜図１６Ｃは、本変形例（変形例２）に係る可撓性デバイス６の接続部７３Ａ（図１６Ａ）、開孔７３Ｂ（図１６Ｂ）および折れ曲がり部７３Ｃ（図１６Ｃ）を拡大して表したものである。本変形例は、上記第１の実施の形態および第３の実施の形態を組み合わせたものであり、例えば、導電層７３の接続部７３Ａ、開孔７３Ｂおよび折れ曲がり部７３Ｃの少なくとも一部に曲線領域を設けると共に、例えば、導電層７３上の絶縁層１４に、一方向（例えば、湾曲軸（Ｙ軸）に対して平行）に複数のスリットを設けるようにしたものである。
【００９５】
このように、機能層（例えば、導電層７３）が有する接続部７３Ａ、開孔７３Ｂおよび折れ曲がり部７３Ｃの少なくとも一部に曲線領域を設けると共に、他の層（例えば、絶縁層１４）に、一方向（例えば、湾曲軸（Ｙ軸）に対して平行）に複数のスリット１４Ｂを設けるようにした。これにより、可撓性デバイス６を湾曲させた際に、導電層７３の接続部７３Ａ、開孔７３Ｂおよび折れ曲がり部７３Ｃに集中する応力を分散させると共に、スリットを設けた層（絶縁層１４）に印加される応力が低減される。よって、湾曲した際に可撓性デバイス６全体に印加される応力を低減することが可能となる。
【００９６】
更に、絶縁層１４に設けられたスリット１４Ｂの形成位置を、導電層７３の接続部７３Ａ、開孔７３Ｂおよび折れ曲がり部７３に対応する位置とすることによって、絶縁層１４に印加される応力を緩和させつつ、導電層７３の接続部７３Ａ、開孔７３Ｂおよび折れ曲がり部７３に印加される応力を分散させることが可能となる。ここで、「対応する位置」とは、例えば、可撓性デバイス６を、Ｙ軸を湾曲軸としてＺ軸方向に湾曲させる場合には、図１６Ａ，１６Ｂに示したように、導電層７３の開孔７３Ｂの両側（図１６Ａ）あるいは接続部７３Ａの両側（図１６Ｂ）のことである。また、例えば、図１６Ｃのように、導電層７３に略矩形状の開孔７３Ｂを複数設ける場合には、例えば、複数の開孔７３Ｂとの重複位置が挙げられる。
【００９７】
また、少なくとも一部に曲線領域を有する接続部７３Ａ、開孔７３Ｂおよび折れ曲がり部７３Ｃとスリット１４Ｂは必ずしも異なる層に設ける必要はなく、例えば、接続部７３Ａ、開孔７３Ｂおよび折れ曲がり部７３Ｃを有する導電層７３に適宜スリットを設けるようにしてもよい。
【００９８】
（４−３．変形例３）
図１７Ａ〜図１７Ｃは、本変形例（変形例３）に係る可撓性デバイス７が有するパターニングされた導電層８３の接続部８３Ａ（図１７Ａ）、開孔８３Ｂ（図１７Ｂ）および折れ曲がり部８３Ｃ（図１７Ｃ）を拡大して表したものである。本変形例は、上記第１の実施の形態、第２の実施の形態および第３の実施の形態を組み合わせたものである。具体的には、例えば、導電層８３の接続部８３Ａ（スリット８３Ａによって分割された導電層８３をそれぞれ連結する連結部）、開孔８３Ｂおよび折れ曲がり部８３Ｃの少なくとも一部に曲線領域を設けると共に、これら接続部８３Ａ、開孔８３Ｂおよび折れ曲がり部８３Ｃの少なくとも一部に補強部８６を積層し、例えば、導電層８３上の絶縁層１４に、一方向（例えば、湾曲軸（Ｙ軸）に対して平行）に複数のスリット１４Ｂを設けるようにしたものである。
【００９９】
このように、機能層（例えば、導電層８３）が有する接続部８３Ａ、開孔８３Ｂおよび折れ曲がり部８３Ｃの少なくとも一部に曲線領域を設けると共に、この開孔８３Ｂおよび折れ曲がり部８３Ｃの少なくとも一部に補強部８６を積層し、さらに、他の層（例えば、絶縁層１４）に適宜、一方向（例えば、湾曲軸（Ｙ軸）に対して平行）に複数のスリットを設けるようにした。これにより、可撓性デバイス７を湾曲させた際に、補強部８６によって導電層８３の接続部８３Ａ、開孔８３Ｂおよび折れ曲がり部８３Ｃの物理的な補強をしつつ、接続部８３Ａ、開孔８３Ｂおよび折れ曲がり部８３Ｃに集中する応力より効率よく分散させることが可能となる。よって、可撓性デバイス７の湾曲耐性をより向上させることが可能となり、より信頼性の高い可撓性を有する電子機器を提供することが可能となる。
【０１００】
以下に、上記第１〜第３の実施の形態に説明した可撓性デバイス１，３，４等を適用した具体的な配線パターンの例を挙げる。図１８Ａ〜図１８Ｆに示した配線パターンは、例えば、図６に示した表示装置２に対応するものである。
【０１０１】
一般的に、画素電極３２は、下地となる平坦化層２８の選択材料の制限や、表面状態を最適化することが難しいため、他の層と比較して強度が低下しやすい傾向がある。このため、画素電極３２は、図１８Ａに示したように、例えば、湾曲軸に対して平行、且つ、対向する一対の辺（辺Ｓ１および辺Ｓ２）から交互に延伸するスリット３２Ａを設けて蛇行状にパターニングすると共に、この蛇行パターンの折り返し位置の両脇の平坦化層２８にスリット２８Ａ１を設けることが好ましい。また、画素電極３２に設けられたスリット３２Ａと略平行となるスリット２８Ａ２を画素電極３２の両脇に設けるようにしてもよい。これにより、湾曲時における画素電極３２の湾曲耐性を向上させることができる。
【０１０２】
また、例えば、ゲート電極２１、ソース・ドレイン電極２６および画素電極３２が同程度の強度を有する場合には、図１８Ｂ〜図１８Ｄに示したように、各層に適宜スリットを形成し、各層に接する絶縁層（例えば、ゲート絶縁膜２２，２３やパッシベーション膜２７，平坦化膜２８）にも適宜スリットを形成することが好ましい。具体的には、例えば、図１８Ｂ〜図１８Ｄに示したように、複数に分割すると共に、その両端を連結部によってそれぞれ連結したゲート電極２１およびソース・ドレイン電極２６の各連結部の両脇および面内にスリット３２Ａを設けた画素電極３２のスリット３２Ａ間の絶縁層（例えば、ゲート絶縁膜２２，２３やパッシベーション膜２７，平坦化膜２８）にスリット（例えば、スリット２３Ａ，２８Ａ）を設けることが好ましい。
【０１０３】
あるいは、図１８Ｅ，図１８Ｆに示したように、画素電極３２とソース・ドレイン電極２６とを電気的に接続する開口Ｈを、複数に分割されたソース・ドレイン電極２６を連結する連結部上に設けることにより、画素電極３２がソース・ドレイン電極２６の補強部を兼ねるようにしてもよい。このように、各配線パターンのレイアウトを工夫することによって、補強部として層を追加することなく、任意の層を補強することが可能となる。
【０１０４】
また、表示装置２のＴＦＴ１０を無機ＴＦＴとして形成する場合には、例えば、平坦化層２８以外の層が無機材料によって形成される。一般的に、無機材料からなる層は、有機材料からなる層よりも硬く、このため、湾曲耐性が低下する虞がある。このような場合には、例えば、図１９（Ａ）に示したように、ゲート電極２１，ソース・ドレイン電極２６および画素電極３２それぞれを構成する層に、例えば、面内にスリットを形成、あるいは、複数に分割して連結部（例えば、連結部２６Ａ）によってそれぞれを連結したパターンを形成し、応力が集中しやすい連結部２６Ａ上に、例えば、パッシベーション膜２７をパターニングして補強部２７Ａとして形成する。また、接続用の配線（Ｇａｔｅ線、Ｓｉｇ線）を上下から取り出してそれぞれ連結する。このとき、Ｇａｔｅ線（２１）およびＳｉｇ線（２６）がクロスするクロス部と、ＴＦＴ部とはそれぞれ、図１９（Ｂ），（Ｃ）に示したような平面構成および断面構成となる。無機ＴＦＴにおいて唯一の有機材料からなる平坦化層２８は、ＴＦＴ層２０を構成する各配線パターンが設けられた支持基板１１上を覆うと共に、図１９（Ｂ），（Ｃ）に示したように、湾曲時に応力が集中しやすいクロス部およびＴＦＴ部の両脇にスリット２８Ａを設けることが好ましい。
【０１０５】
なお、上記第３の実施の形態等で説明した機能層に形成する一方向に延伸するスリットは、例えば、複数の画素からなる表示装置等の電子機器においては、全ての画素において同一方向に延伸する必要はない。例えば、図２０に示したように、例えば、Ｘ軸方向延伸するスリットを有する画素ＰｘおよびＹ方向に延伸するスリットを有する画素Ｐｙをマトリクス状に配置するようにしてもよい。これにより、全方位に対する湾曲耐性が向上した表示装置を提供することが可能となる。
【０１０６】
また、例えば、組み立てて箱状になるような表示装置では、例えば、図２１に示したように、面Ｓ３を有する表示パネル６Ｄと、中央の表示パネル６Ａとをつなぐ、Ｘ軸を湾曲軸とする辺にＸ軸方向に延伸するスリットが設けられた画素Ｐｘを配置することが好ましい。Ｙ軸を湾曲軸とする面Ｓ４を有する表示パネル６Ｃおよび面Ｓ５を有する表示パネル６Ｂと、中央の表示パネル６Ａとをそれぞれつなぐ辺にはＹ軸方向に延伸するスリットが設けられた画素Ｐｙを配置することが好ましい。これにより、一枚のディスプレイとして製造することが可能となり、コストを低減することができる。
【０１０７】
更に、本開示の可撓性デバイスは、表示装置以外の電子機器にも適用することができる。例えば、イメージセンサや発電デバイス等にも好適に適用することができる。例えば、タッチパネル８に適用する場合には、図２２に示したように、Ｘ座標およびＹ座標を求める各配線を、分割および連結部によって連結したレイアウトとすることで、押圧等に対する耐性を向上させることが可能となる。
【０１０８】
＜５．適用例＞
上記第１〜第３の実施の形態および変形例１〜３に示した可撓性デバイス１，３〜７は、例えば、以下に説明する電子機器に適用することができる。図２３Ａは、本開示の適用例１に係る電子機器（電子ブック９）の斜視構成を模式的に表したものである。図２３Ｂは、この電子ブック９の片側の一部を分解して表したものである。
【０１０９】
電子ブック９は、柔らかい素材をコンポーネント化して形成された薄型のフレキシブルディスプレイである。この電子ブック９では、複数枚の紙（頁）を綴じて作られる実際の本のように、装置全体を閉じたり（折り畳んだり）、あるいは開いたりすることができるようになっている。ユーザは実際に本を読んでいるかのような感覚で、電子ブック９に表示された内容（例えば書籍の頁等）を閲覧することが可能である。
【０１１０】
電子ブック９は、支持基板９０上に、表示部材を含む可撓性デバイス９１を備えたものであり、本における「背」の部分（背９Ａ）には、ヒンジ部９２を有している。この電子ブック９の下面（閉じたときに外側になる面）側にはカバー９３が設けられ、上面（閉じたときに内側になる面）側は、保護シート９４により覆われている。
【０１１１】
支持基板９０は、電子ブック９の基材として可撓性デバイス９１を支持すると共に、可撓性を有するものである。この支持基板９０は、上記実施の形態の表示装置１における支持部材２０を適用することができる。
【０１１２】
ヒンジ部９２は、支持基板９０の背９Ａに対応する部分に設けられ、例えば、支持基板９０（あるいは電子ブック９）の折り曲げ角度に拘わらず一定の曲率を維持可能な曲率規制ヒンジであることが望ましい。
【０１１３】
カバー９３は、電子ブック９の外装部材であり、柔らかい樹脂フィルムにより構成されている。
【０１１４】
保護シート９４は、表示部材４５を保護すると共に、電子ブック９の表示面を形成するものである。この保護シート９４は、支持基板９０にその全面を覆うように貼り合わせられており、柔らかく、かつ表示光に対して透明性を有する樹脂フィルムにより構成されている。
【０１１５】
この電子ブック９では、支持基板９０、可撓性デバイス９１、カバー９３および保護シート９４が柔らかい素材により構成され（可撓性を有し）、背９Ａにヒンジ部９２が設けられていることにより、ユーザは、実際の紙からなる本を扱うときと同じように、電子ブック９を開いたり、閉じたりすることができる。例えば、図７Ａに示した開いた状態において、表示部材４５に画像（例えば書籍の１ページを示す画像）が表示されると、ユーザは電子ブック９を両手または片手に持ちながら、あるいは台等の上に広げ（置き）ながら、そのページを読むことができる。
【０１１６】
以上、第１〜第３の実施の形態、変形例１〜３および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。また、例えば、上記実施の形態において表示装置１および電子ブック９の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。
【０１１７】
また、上記適用例では、支持基板９０の面形状が矩形状である場合を例示したが、支持基板９０の面形状はこれに限らず、他の形状、例えば正方形状や他の多角形状、円形状、楕円形状等様々な形状を取り得る。
【０１１８】
更に、上記適用例では、電子ブック９の背９Ａに対応する領域が、支持基板９０を２分するように延在形成されている場合を例示したが、電子ブック９の背９Ａはこれに限定されるものではない。例えば、電子ブック９の背９Ａが支持基板９０の右寄りまたは左寄りの領域に延在して形成されていてもよい。すなわち、折り畳み時において、支持基板の一方の側が他方の側から露出するような構成であってもよい。また、電子ブック９の背９Ａの数も１つに限らず複数であってもよい。
【０１１９】
更にまた、図示はしないが、上述したような折り畳み型あるいはタブレット型の表示装置または電子機器に、他の機器、例えばキーボード等を接続可能に構成してもよい。
【０１２０】
加えて、上記実施の形態等では、本開示の電子機器の一例として、電子ブックを例に挙げたが、本開示の表示装置または電子機器は、他にも、各種モバイル機器（ノート型ＰＣ（Personal computer），携帯オーディオプレーヤ，携帯電話，ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の電子機器に用いられてもよい。また、ブックリーダとしてだけでなく、音楽プレーヤ，動画プレーヤ，写真ビューア，地図アプリ，ウエブブラウザ等を閲覧可能な表示装置および電子機器全般に使用することができる。
【０１２１】
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【０１２２】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）少なくとも一部に曲線領域を有する分岐部および開孔の少なくとも一方が設けられた機能層を備えた可撓性デバイス。
（２）前記曲線領域は、１／４以上１／１６以下の円弧によって形成されている、前記（１）に記載の可撓性デバイス。
（３）前記曲線領域は、第１の円弧の一部と、前記第１の円弧の内接円の第２の円弧とが組み合わされている、前記（１）または（２）に記載の可撓性デバイス。
（４）前記機能層は、前記分岐部および前記開孔の少なくとも一部に曲線領域を有する第１層と、前記分岐部および前記開孔に対応する位置にスリットを有する第２層とを含む、前記（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の可撓性デバイス。
（５）前記分岐部および前記開孔は少なくとも一部に補強部が積層されている、前記（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の可撓性デバイス。
（６）前記機能層は、導電層，絶縁層および半導体層のうちのいずれかである、前記（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の可撓性デバイス。
（７）分岐部および開孔の少なくとも一方を有する機能層と、
前記分岐部および前記開孔の少なくとも一部に積層された補強部と
を備えた可撓性デバイス。
（８）前記補強部は、前記機能層の上層または下層の少なくとも一方に直接積層されている、前記（７）に記載の可撓性デバイス。
（９）前記補強部は、他の層を介して前記機能層の上層または下層に積層されている、前記（７）または（８）に記載の可撓性デバイス。
（１０）前記補強部は、前記機能層を構成する材料よりもヤング率の高い材料によって形成されている、前記（７）乃至（９）のいずれか１つに記載の可撓性デバイス。
（１１）一方向に延伸する複数のスリットを有する機能層を備えた可撓性デバイス。
（１２）前記スリットは、前記機能層の湾曲方向に対して垂直に形成されている、前記（１１）に記載の可撓性デバイス。
（１３）前記スリットは、前記機能層を２以上に分割している、前記（１１）または（１２）に記載の可撓性デバイス。
（１４）前記機能層は、前記スリットによる蛇行領域を有する、前記（１１）乃至（１３）のいずれか１つに記載の可撓性デバイス。
（１５）前記機能層は、パターンを有する第１層および前記第１層に積層されると共にスリットが設けられた第２層を含み、前記第２層に設けられた前記スリットは、前記第１層の少なくとも一部のパターンに対向する位置に設けられている、前記（１１）乃至（１４）のいずれか１つに記載の可撓性デバイス。
【符号の説明】
【０１２３】
１，３〜７…可撓性デバイス、２…表示装置、８…タッチパネル、９…電子ブック、１０…ＴＦＴ、１１…支持基板、１２，１４…絶縁層、１３，４３，５３，６３，７３，８３…導電層、１３Ａ，４３Ａ，６３Ａ…接続部、１３Ｂ，４３Ｂ，６３Ｂ…開孔、１３Ｃ，４３Ｃ，６３Ｃ…折れ曲がり部、５３Ｃ…スリット、１５…対向基板、２０…ＴＦＴ層、２１…ゲート電極、２２，２３…ゲート絶縁膜、２４…半導体層、２５…チャネル保護膜、２６…ソース・ドレイン電極、２７…平坦化層、３０…表示層、３１…有機ＥＬ素子、３２…画素電極、３３…隔壁、３４…有機層、３５…対向電極、３６…封止層。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
2016201439.tif 000036
【図１５Ｃ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１８Ｄ】
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【図１８Ｅ】
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【図１８Ｆ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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