(57)【要約】【課題】加工精度の低下を低減することのできるモニター素子および振動子の製造方法を提供する。【解決手段】モニター素子３００は、ウェハー基板１００と、ウェハー基板１００上に配置されたモニター犠牲層３２０と、モニター犠牲層３２０上に配置され、モニター犠牲層３２０をエッチングにより除去するための連通孔（エッチングリリース孔）３３０ａを有し、エッチングに対する耐性を有する天井層３３０と、を有している。また、天井層３３０は、ポリシリコンを含んでいる。【選択図】図２
2016122981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された犠牲層と、
前記犠牲層上に配置され、前記犠牲層をエッチングにより除去するためのエッチングリリース孔を有し、前記エッチングに対する耐性を有する天井層と、
を備えていることを特徴とするモニター素子。
【請求項２】
前記天井層は、ポリシリコンを含んでいる請求項１に記載のモニター素子。
【請求項３】
前記天井層に配置され、前記エッチングリリース孔と平面視で重なる開口を有するレジスト膜を備えている請求項１または２に記載のモニター素子。
【請求項４】
前記基板および前記天井層と共に前記犠牲層を囲む壁部を有している請求項１ないし３のいずれか１項に記載のモニター素子。
【請求項５】
前記天井層の厚さは、１００Å以上、５００００Å以下の範囲内である請求項１ないし４のいずれか１項に記載のモニター素子。
【請求項６】
前記天井層は、導電性を有し、
前記基板と前記犠牲層との間に配置されている電極層を有している請求項１ないし５のいずれか１項に記載のモニター素子。
【請求項７】
前記電極層と前記天井層との間の容量を検出する端子を有している請求項６に記載のモニター素子。
【請求項８】
前記基板と前記天井層との間に位置し、前記基板に前記天井層を支持する支持部を有している請求項１ないし７のいずれか１項に記載のモニター素子。
【請求項９】
前記基板は、凹部を有し、
前記凹部内に前記犠牲層が配置されている請求項１ないし８のいずれか１項に記載のモニター素子。
【請求項１０】
前記犠牲層がエッチングされて形成されたエッチング界面の位置を相対視することのできるゲージを有している請求項１ないし９のいずれか１項に記載のモニター素子。
【請求項１１】
モニター素子領域および振動子領域が形成された基板を準備する工程と、
前記モニター素子領域および前記振動子領域をエッチングする工程と、を含み、
前記準備する工程では、
前記モニター素子領域は、モニター犠牲層と、前記モニター犠牲層上に配置され、前記モニター犠牲層をエッチングにより除去するためのエッチングリリース孔を有し、前記エッチングに対する耐性を有するモニター天井層と、を備え、
前記振動子領域は、振動子犠牲層と、前記振動子犠牲層に埋設されている振動素子と、前記振動子犠牲層上に配置され、前記振動子犠牲層をエッチングにより除去するためのエッチングリリース孔を有し、前記エッチングに対する耐性を有する振動子天井層と、を備え、
前記エッチングする工程では、
前記モニター犠牲層および前記振動素子犠牲層をエッチングし、前記モニター犠牲層のエッチングの進行度合いを検知することを特徴とする振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モニター素子および振動子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、１つのウェハー基板にＭＥＭＳ振動子とモニター素子とを配列し、モニター素子によって犠牲層のエッチング振動度合を測定（観察）することのできる構成が開示されている。これにより、犠牲層エッチングが足りなかったり、反対に、過度に行われたりすることが無くなり、より精度よくＭＥＭＳ振動子を製造することができるようになる。
【０００３】
しかしながら、引用文献１のモニター素子では、引用文献１の図５（ｉ）に示すように、犠牲層のエッチングが終了した後に、リリースホールを封止する工程で、モニター素子の上面に大きな凹部が形成されてしまう。このような凹部が存在すると、例えば、ウェハー基板上にさらに成膜するために材料を供給する際や、膜状にレジストマスクを形成するためのレジストを供給する際に、凹部がこれら材料の液溜まりとなってしまう。そのため、膜厚が不均一になったり、膜厚が不足したりし、加工精度が低下するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１８８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、加工精度の低下を低減することのできるモニター素子および振動子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例のモニター素子は、基板と、
前記基板上に配置された犠牲層と、
前記犠牲層上に配置され、前記犠牲層をエッチングにより除去するためのエッチングリリース孔を有し、前記エッチングに対する耐性を有する天井層と、
を備えていることを特徴とする。
これにより、天井層を介して前記犠牲層のエッチング界面を観察することで、犠牲層のエッチング度合いを知ることができる。また、天井層を有しているため、モニター素子上に過度な凹部の形成が低減され、その後の加工精度を高く保つことができる。
【０００８】
［適用例２］
本適用例のモニター素子では、前記天井層は、ポリシリコンを含んでいることが好ましい。
これにより、ポリシリコンは、半導体プロセスに適した材料であるため、天井層の構成および形成が簡単となる。
【０００９】
［適用例３］
本適用例のモニター素子では、前記天井層に配置され、前記エッチングリリース孔と平面視で重なる開口を有するレジスト膜を備えていることが好ましい。
これにより、天井層のエッチングダメージを低減することができる。
【００１０】
［適用例４］
本適用例のモニター素子では、前記基板および前記天井層と共に前記犠牲層を囲む壁部を有していることが好ましい。
これにより、モニター素子の機械的強度を高めることができる。
【００１１】
［適用例５］
本適用例のモニター素子では、前記天井層の厚さは、１００Å以上、５００００Å以下の範囲内であることが好ましい。
これにより、例えば、光学式の顕微鏡等によって、天井層を介して、その下方の犠牲層を視認することができる。これにより、犠牲層のエッチング度合いを容易に確認することができる。
【００１２】
［適用例６］
本適用例のモニター素子では、前記天井層は、導電性を有し、
前記基板と前記犠牲層との間に配置されている電極層を有していることが好ましい。
これにより、天井層と電極層との間の容量変化から、犠牲層のエッチング度合いを検知することができる。
【００１３】
［適用例７］
本適用例のモニター素子では、前記電極層と前記天井層との間の容量を検出する端子を有していることが好ましい。
これにより、容量を簡単に検出することができる。
【００１４】
［適用例８］
本適用例のモニター素子では、前記基板と前記天井層との間に位置し、前記基板に前記天井層を支持する支持部を有していることが好ましい。
これにより、天井層の撓みを低減することができる。
【００１５】
［適用例９］
本適用例のモニター素子では、前記基板は、凹部を有し、
前記凹部内に前記犠牲層が配置されていることが好ましい。
これにより、モニター素子の低背化を図ることができる。
【００１６】
［適用例１０］
本適用例のモニター素子では、前記犠牲層がエッチングされて形成されたエッチング界面の位置を相対視することのできるゲージを有していることが好ましい。
これにより、犠牲層のエッチング度合いを簡単かつ正確に検知することができる。
【００１７】
［適用例１１］
本適用例の振動子の製造方法は、モニター素子領域および振動子領域が形成された基板を準備する工程と、
前記モニター素子領域および前記振動子領域をエッチングする工程と、を含み、
前記準備する工程では、
前記モニター素子領域は、モニター犠牲層と、前記モニター犠牲層上に配置され、前記モニター犠牲層をエッチングにより除去するためのエッチングリリース孔を有し、前記エッチングに対する耐性を有するモニター天井層と、を備え、
前記振動子領域は、振動子犠牲層と、前記振動子犠牲層に埋設されている振動素子と、前記振動子犠牲層上に配置され、前記振動子犠牲層をエッチングにより除去するためのエッチングリリース孔を有し、前記エッチングに対する耐性を有する振動子天井層と、を備え、
前記エッチングする工程では、
前記モニター犠牲層および前記振動素子犠牲層をエッチングし、前記モニター犠牲層のエッチングの進行度合いを検知することを特徴とする。
これにより、高い精度で振動子犠牲層をエッチングすることができるため、振動子の歩留まりが向上する。また、モニター素子領域に天井層が設けられているため、モニター素子領域上に過度な凹部の形成が低減され、その後の加工精度を高く保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るモニター素子が配置されたウェハー基板を示す平面図である。
【図２】犠牲層が残っている状態のＭＥＭＳ振動子およびモニター素子を示す断面図である。
【図３】犠牲層を除去した状態のＭＥＭＳ振動子およびモニター素子を示す断面図である。
【図４】ＭＥＭＳ振動子の振動素子およびその周囲を示す平面図である。
【図５】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図６】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図７】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図８】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図９】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係るモニター素子を示す断面図である。
【図１８】図１７に示すモニター素子の平面図である。
【図１９】本発明の第３実施形態に係るモニター素子を示す断面図である。
【図２０】図１９に示すモニター素子の犠牲層をエッチングした状態を示す断面図である。
【図２１】本発明の第４実施形態に係るモニター素子を示す平面図である。
【図２２】ＭＥＭＳ構造体を備えるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図２３】ＭＥＭＳ構造体を備える携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図２４】ＭＥＭＳ構造体を備えるデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。
【図２５】ＭＥＭＳ構造体を備える移動体を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明のモニター素子を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るモニター素子が配置されたウェハー基板を示す平面図である。図２は、犠牲層が残っている状態のＭＥＭＳ振動子およびモニター素子を示す断面図である。図３は、犠牲層を除去した状態のＭＥＭＳ振動子およびモニター素子を示す断面図である。図４は、ＭＥＭＳ振動子の振動素子およびその周囲を示す平面図である。図５ないし図１６は、それぞれ、ＭＥＭＳ振動素子およびモニター素子の製造方法を説明する断面図である。なお、図２は、図４中のＡ−Ａ線断面図であり、図４では、天井層および犠牲層の図示を省略している。また、以下では、説明の便宜上、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２０】
図１に示すように、ウェハー基板（基板）１００には、ＭＥＭＳ振動子２００が縦横に配列されており、モニター素子３００がＭＥＭＳ振動子２００の間に分散配置されている。なお、モニター素子３００の配置や数（配設密度）としては、特に限定されず、ＭＥＭＳ振動子２００を製造するプロセス中のウェハー基板１００における面内バラツキを考慮して適宜設定すればよい。
【００２１】
以下、図２ないし図４に基づいて、ＭＥＭＳ振動子２００およびモニター素子３００について詳細に説明する。なお、図２では、犠牲層を除去する前のＭＥＭＳ振動子２００およびモニター素子３００を図示し、図３では、犠牲層を除去した後のＭＥＭＳ振動子２００およびモニター素子３００を図示している。
【００２２】
≪ＭＥＭＳ振動子２００≫
ＭＥＭＳ振動子２００は、図２および図３に示すように、ウェハー基板１００と、振動素子２１０と、天井層（振動子天井層）２２０と、空洞部（収容空間）２３０を埋める犠牲層（振動子犠牲層）２５０と、半導体回路２４０と、保護層２７０と、レジスト層２８０と、を有している。
【００２３】
ウェハー基板１００は、ＭＥＭＳ振動子２００の形成領域（振動子領域）Ｓ１の縁部を除くようにして上面に開放する凹部１１１を有する半導体基板１１０と、凹部１１１の内面上に積層された第１絶縁膜１２０と、第１絶縁膜１２０上に積層された第２絶縁膜１３０と、を有している。半導体基板１１０は、例えば、シリコン基板で構成され、第１絶縁膜１２０は、例えば、シリコン酸化膜で構成され、第２絶縁膜１３０は、例えば、シリコン窒化膜で構成されている。ただし、半導体基板１１０としては、シリコン基板に限定されず、例えば、ＳＯＩ基板を用いてもよい。また、第１絶縁膜１２０および第２絶縁膜１３０としては、製造時に半導体基板１１０を保護し、また、各部の短絡等を防ぐことができれば特に限定されない。
【００２４】
また、半導体基板１１０の凹部１１１よりも外側の部分には、半導体回路２４０が作り込まれている。半導体回路２４０は、例えば、振動素子２１０を励振させるための発振回路を有しており、その他にも、位相同期回路（ＰＬＬ回路）や、発振回路からの出力周波数を整数倍にする逓倍回路や、信号を所定の出力形式に変換して出力する出力回路、等を有していてもよい。このような半導体回路２４０には、必要に応じて、ＭＯＳトランジスタ、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線等の回路要素が含まれている。なお、図２および図３では、説明の便宜上、半導体回路２４０としてＭＯＳトランジスタ２４１のみを図示している。
【００２５】
また、凹部１１１内には、壁部２６１と、柱状をなす複数（４本）の柱部２６２と、が設けられている。図４に示すように、壁部２６１は、枠状をなし、平面視で振動素子２１０の周囲を囲むように、凹部１１１の底面に立設されている。そして、壁部２６１の内側にあり、犠牲層２５０（図４では図示せず）で埋められている領域が、犠牲層２５０を除去することによって空洞部２３０となる。このような壁部２６１は、例えば、ポリシリコンで構成されている。また、壁部２６１の外周側（すなわち壁部２６１と凹部１１１の内側面との間）には壁部２６１を補強する補強部２６３が設けられている。これにより、ＭＥＭＳ振動子２００の機械的強度を高めることができる。このような補強部２６３は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で構成されている。
【００２６】
４つの柱部２６２は、壁部２６１の内側（すなわち空洞部２３０内）に設けられており、平面視で、振動素子２１０の周囲に沿って互いに離間して設けられている。これら４つの柱部２６２によって天井層２２０が支えられており、天井層２２０の下方への撓み変形が低減されている。また、柱部２６２の１つは、振動素子２１０が有する振動部電極２１１を外部へ引き出すための配線（電気経路）の一部として用いられ、他の１つは、振動素子２１０が有する基板電極２１８を外部へ引き出すための配線（電気経路）の一部として用いられている。このような柱部２６２は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したポリシリコンで構成されている。
【００２７】
天井層２２０は、図２および図３に示すように、ウェハー基板１００の上面側に設けられ、凹部１１１の開口を塞いでいる。これにより、ウェハー基板１００と天井層２２０の間に空洞部２３０（犠牲層２５０を除去することによって空洞部２３０となる領域）が形成される。
【００２８】
このような天井層２２０は、絶縁層２２１と、絶縁層２２１上に積層された導電層２２２と、を有している。また、天井層２２０は、空洞部２３０の内外を連通する複数の連通孔（エッチングリリース孔）２２０ａを有している。この連通孔２２０ａは、製造時に空洞部２３０内の犠牲層２５０をエッチングにより除去するためのリリースホールとして機能する。また、導電層２２２は、絶縁層２２１を貫通して設けられ、柱部２６２と電気的に接続されているコンタクト部２２２ａを有している。このようなコンタクト部２２２ａは、柱部２６２と同様に、振動素子２１０を半導体回路２４０に接続するための配線の一部として用いられる。絶縁層２２１は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）で構成されており、導電層２２２は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したポリシリコンで構成されている。
【００２９】
保護層２７０は、ウェハー基板１００の回路形成領域（凹部１１１の周囲にあり、ＭＯＳトランジスタ２４１等の回路要素が形成されている領域）を覆うように配置されている。これにより、回路要素を保護することができる。また、保護層２７０は、連通孔２２０ａを塞がないように配置されている。保護層２７０は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成されている。
【００３０】
さらに、本実施形態では、この保護層２７０を覆うようにレジスト層２８０が配置されている。このレジスト層２８０によって、犠牲層２５０をエッチング除去する際の保護層２７０のダメージを低減（防止）することができる。
【００３１】
振動素子２１０は、静電容量型（静電駆動型）の振動素子である。このような振動素子２１０は、図４に示すように、凹部１１１の底部に設けられた振動部電極２１１および基板電極２１８と、を有している。
【００３２】
振動部電極２１１は、凹部１１１の底面上に設けられた固定部２１２と、固定部２１２と空隙を隔てて対向配置された振動体２１３と、振動体２１３と固定部２１２とを連結し、振動体２１３を固定部２１２に支持する支持部２１４と、を有している。また、振動体２１３は、支持部２１４に支持されている基部２１３ａと、基部２１３ａに接続されている４つの振動部２１３ｂ、２１３ｃ、２１３ｄ、２１３ｅと、を有し、略略十字状をなしている。なお、振動部の数は、本実施形態の４つに限定されず、１〜３つであってもよいし、５つ以上であってもよい。
【００３３】
一方、基板電極２１８は、振動部２１３ｂに対向配置されている電極２１８ａと、振動部２１３ｄに対向配置されている電極２１８ｂと、を有している。なお、これら振動部電極２１１および基板電極２１８は、それぞれ、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したポリシリコンで構成されている。
【００３４】
また、振動部電極２１１および基板電極２１８は、後述する配線層４２０、４４０を介して、半導体回路２４０と電気的に接続され、犠牲層２５０を除去した状態（図３に示すリリース状態）において、半導体回路２４０から振動部電極２１１と基板電極２１８との間に所定周波数の交番電圧を印加すると、振動体２１３と基板電極２１８との間に発生する静電力によって、振動部２１３ｂ、２１３ｄと振動部２１３ｃ、２１３ｅとが逆相で振動する。そして、この振動に基づく信号（周波数信号）が基板電極２１８から出力され、出力された信号を半導体回路２４０で処理することで、所定周波数の信号を出力することができる。
【００３５】
犠牲層２５０は、図２に示すように、空洞部２３０を埋める様に配置されており、この犠牲層２５０を除去することによって、空洞部２３０が形成されると共に、振動素子２１０がリリースされる。このような犠牲層２５０は、第１犠牲層２５１と、第２犠牲層２５２と、の積層体で構成されている。第１、第２犠牲層２５１、２５２は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成されている。これにより、例えば、バッファードフッ酸等のエッチング液を用いる場合に、第１、第２犠牲層２５１、２５２と振動素子２１０とのエッチング選択比を十分に大きく確保することができ、犠牲層２５０を除去する際の振動素子２１０のダメージを低減することができる。なお、犠牲層２５０の構成としては、特に限定されず、単層であってもよいし、３層以上の積層体であってもよく、製造プロセスに適するように適宜決定すればよい。
【００３６】
≪モニター素子３００≫
モニター素子３００は、図２および図３に示すように、ウェハー基板（基板）１００と、空洞部３１０を埋める犠牲層（モニター犠牲層）３２０と、天井層（モニター天井層）３３０と、保護層３４０と、レジスト層３６０と、を有している。
【００３７】
ウェハー基板１００は、ＭＥＭＳ振動子２００と共有であり、モニター素子３００の形成領域（モニター素子領域）Ｓ２の縁部を除くようにして上面に開放する凹部１１２を有する半導体基板１１０と、凹部１１２の内面上に積層された第１絶縁膜１４０と、第１絶縁膜１４０上に積層された第２絶縁膜１５０と、を有している。第１、第２絶縁膜１４０、１５０の材料としては、製造時（犠牲層３２０のエッチング除去時）に半導体基板１１０を保護することができれば特に限定されないが、ＭＥＭＳ振動子２００の第１、第２絶縁膜１２０、１３０と同じ材料であることが好ましい。これにより、製造プロセスがより簡単なものとなる。
【００３８】
また、凹部１１２内には壁部３５１が設けられている。壁部３５１は、枠状をなし、凹部１１２の外周部に沿って底面に立設されている。そして、壁部３５１の内側が、犠牲層３２０が除去されることによって空洞部３１０となる領域である。このような壁部３５１を設けることで、モニター素子３００の機械的強度を高めることができる。なお、このような壁部３５１は、例えば、ポリシリコンで構成されている。また、壁部３５１の外周側（すなわち壁部３５１と凹部１１２の内側面との間）には壁部３５１を補強する補強部３５３が設けられている。これにより、モニター素子３００の機械的強度をさらに高めることができる。このような補強部３５３は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で構成されている。
【００３９】
また、壁部３５１によって囲まれ、犠牲層３２０の除去によって空洞部３１０となる領域は、空洞部２３０に対して十分に広く確保されている。具体的には、ＭＥＭＳ振動子２００の犠牲層２５０を除去するために設定されるリリースエッチング時間（例えば最大許容エッチング時間）と同じ時間で犠牲層３２０をエッチングした場合であっても、犠牲層３２０のエッチング界面Ｉが壁部３５１まで進行しないようになっている。
【００４０】
天井層３３０は、ウェハー基板１００の上面側に設けられ、凹部１１２の開口を塞いでいる。これにより、ウェハー基板１００と天井層３３０の間に空洞部３１０（犠牲層３２０を除去することで空洞部３１０となる領域）が形成される。
【００４１】
このような天井層３３０は、絶縁層３３１と、絶縁層３３１上に積層された導電層３３２と、を有している。ただし、絶縁層３３１は、省略してもよい。また、天井層３３０は、空洞部３１０の内外を連通する連通孔（リリースエッチング孔）３３０ａを有している。この連通孔３３０ａは、製造時に空洞部３１０内の犠牲層３２０をエッチングにより除去するためのリリースホールとして機能する。本実施形態では、連通孔３３０ａは１つであり、かつ、空洞部３１０のほぼ中心に位置している。ただし、連通孔３３０ａの数や配置は、これに限定されない。
【００４２】
絶縁層３３１は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）で構成され、導電層３３２は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したポリシリコンやアモルファスシリコン等で構成されている。これにより、簡単な構成で、犠牲層３２０のエッチングに用いるエッチング液に対する耐性を有する天井層３３０が得られる。また、絶縁層３３１および導電層３３２を、ＭＥＭＳ振動子２００の絶縁層２２１および導電層２２２と同じ工程で形成することができ、製造プロセスがより簡単となる。また、導電層３３２をポリシリコンで構成することにより、導電層３３２を薄くすることで、例えば、光学式の顕微鏡を用いることで、天井層３３０を介して、その下方の犠牲層３２０の状態を観察（視認）することができるようになる。
【００４３】
ここで、天井層３３０は、上述したように、光学式の顕微鏡等を用いることで、天井層３３０を介してその下方の犠牲層３２０の状態を観察することができる程度に十分に薄く形成されている。これにより、犠牲層３２０のエッチング界面Ｉを簡単かつ正確に観察することができる。なお、天井層３３０の厚さとしては、特に限定されないが、例えば、天井層３３０が上記材料で構成されている場合等には、１００Å以上、５００００Å以下の範囲内であることが好ましい。また、より具体的には、絶縁層３３１を１００Å以上、３０００Å以下の範囲内とし、導電層３３２を１００Å以上、６０００Å以下の範囲内とすることが好ましい。天井層３３０をこのような厚みとすることで、天井層３３０の機械的強度を保ちつつ、天井層３３０を十分に薄くすることができ、より確実に、光学式の顕微鏡等を用いて天井層３３０を介してその下方の犠牲層３２０の状態（エッチング界面Ｉの位置）を観察することができる。
【００４４】
保護層３４０は、凹部１１２の周囲を覆うように配置されている。これにより、ウェハー基板１００を保護することができる。また、保護層３４０は、天井層３３０の連通孔３３０ａを塞がないように配置されている。このような保護層３４０は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成されている。
【００４５】
さらに、本実施形態では、保護層３４０および天井層３３０を覆うようにレジスト層３６０が配置されている。これにより、レジスト層３６０によって、犠牲層３２０をエッチングする際の保護層３４０および天井層３３０のダメージを低減することができる。また、レジスト層３６０は、連通孔３３０ａと平面視で重なる開口３６１を有している。これにより、開口３６１を介して連通孔３３０ａからエッチング液を犠牲層３２０に供給することができる。なお、レジスト層３６０は、実質的に透明で、光透過性を有しており、天井層３３０を介した犠牲層３２０（エッチング界面Ｉ）の観察を阻害しないようになっていることが好ましい。
【００４６】
犠牲層３２０は、図２に示すように、空洞部３１０を埋める様に配置されている。連通孔３３０ａを介して犠牲層３２０にエッチング液を供給し、犠牲層３２０の一部をエッチングにより除去することで、図３に示すように、除去された部分に空洞部３１０が形成される。そして、天井層３３０を介して、犠牲層３２０の一部を除去することで形成されたエッチング界面Ｉ（すなわち、空洞部３１０と犠牲層３２０の界面）の位置を確認することで、同時に行われるＭＥＭＳ振動子２００の犠牲層２５０のエッチングの進行度合いを確認（推測）することができる。そのため、モニター素子３００を観察すれば、ＭＥＭＳ振動子２００のエッチングの進行度合いが適切か不適切かを簡単かつ正確に判断することができ、より確実に、所定の振動特性を有するＭＥＭＳ振動子２００を得ることができる。
【００４７】
このような犠牲層３２０は、第１犠牲層３２１と、第２犠牲層３２２と、の積層体で構成されている。また、第１、第２犠牲層３２１、３２２は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成されている。言い換えると、第１、第２犠牲層３２１、３２２は、ＭＥＭＳ振動子２００の犠牲層２５０と同じ材料で構成されている。これにより、犠牲層３２０と犠牲層２５０のエッチングレートを等しくすることができ、より正確に、犠牲層３２０のエッチングの進行度合いから犠牲層２５０のエッチングの進行度合いを確認することができる。
【００４８】
また、本実施形態のように、ウェハー基板１００に凹部１１２を形成し、この凹部１１２に犠牲層３２０を配置することで、モニター素子３００の低背化を図ることができると共に、モニター素子３００の構成を簡易化することができる。
【００４９】
≪製造方法≫
次に、ＭＥＭＳ振動子２００およびモニター素子３００の製造方法を説明しながら、モニター素子３００の構成や機能について説明する。なお、説明の便宜上、以下では、半導体回路２４０が有する回路要素の製造工程については、その説明を省略する。各回路要素は、下記に説明する工程と同じ工程や、下記に示す工程の合間の工程で、作り込むことができる。
【００５０】
まず、シリコン基板を用意し、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、ＭＥＭＳ振動子２００の形成領域Ｓ１に凹部１１１を形成すると共に、モニター素子３００の形成領域Ｓ２に凹部１１２を形成する。これにより、半導体基板１１０が得られる。次に、凹部１１１、１１２に、第１絶縁膜１２０、１４０と、第２絶縁膜１３０、１５０を成膜する。第１絶縁膜１２０、１４０および第２絶縁膜１３０、１５０は、例えば、半導体基板１１０の表面にシリコン酸化膜を熱酸化法で成膜した後、このシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成し、これら２層の膜をパターニングすることで得られる。以上によって、図５に示すように、ウェハー基板１００が得られる。
【００５１】
次に、図６に示すように、第２絶縁膜１３０上に基板電極２１８（図示せず）、固定部２１２、配線（図示せず）、柱部２６２の一部および壁部２６１の一部を形成すると共に、第２絶縁膜１５０上に壁部３５１の一部を形成する。具体的には、まず、第２絶縁膜１３０、１５０の上面にポリシリコンの膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成しつつ、同時に、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）等の不純物を注入することで、導電性のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングすればよい。ただし、これら各部の形成方法は、上述の方法に限定されず、例えば、各部のパターニングを終えてから、これら各部にリン、ボロン等の不純物をドープして導電性を付与してもよい。
【００５２】
次に、図７に示すように、ＣＶＤ法により、シリコン酸化膜からなる第１犠牲層２５１、３２１を形成し、第１犠牲層２５１には支持部２１４、柱部２６２および壁部２６１に対応する開口を形成し、第１犠牲層３２１には壁部３５１に対応する開口を形成する。ただし、第１犠牲層２５１、３２１は、ＣＶＤ法ではなく、熱酸化法、スパッタリング法等により形成してもよい。また、前記開口は、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いたパターニングにより形成する。
【００５３】
次に、第１犠牲層２５１、３２１上にポリシリコンの膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成しつつ、同時に、リン、ボロン等の不純物を注入することで、導電性のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングすることで、図８に示すように、凹部１１１内に、支持部２１４、振動体２１３、柱部２６２および壁部２６１を形成する共に、凹部１１２内に壁部３５１を形成する。次に、ＣＶＤ法により、図９に示すように、シリコン酸化膜からなる第２犠牲層２５２、３２２を形成し、さらに、第２犠牲層２５２、３２２に所定の開口を形成する。これにより、犠牲層２５０、３２０が得られる。
【００５４】
次に、図１０に示すように、第２犠牲層２５２、３２２上に、シリコン窒化膜を成膜し、このシリコン窒化膜をパターニングすることで絶縁層２２１、３３１を形成する。次に、絶縁層２２１、３３１上にポリシリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成しつつ、同時に、リン、ボロン等の不純物を注入することで、導電性のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングすることで、導電層２２２、３３２を形成する。次に、必要に応じて、導電層３３２の厚さを、光学式の顕微鏡等を用いることで、天井層３３０を介して犠牲層３２０を観察可能な厚さ（例えば、１００Å以上、５００００Å以下）まで薄くする。これにより、連通孔２２０ａ、３３０ａを有する天井層２２０、３３０が得られる。
【００５５】
次に、図１１に示すように、シリコン酸化膜を成膜し、このシリコン酸化膜をパターニングすることで保護層２７０、３４０を形成する。次に、保護層２７０、３４０を覆うようにレジスト膜を成膜し、このレジスト層をパターニングすることでレジスト層２８０、３６０を形成する。以上により、犠牲層２５０、３２０が除去されていない状態のＭＥＭＳ振動子２００およびモニター素子３００が得られる。
【００５６】
次に、図１２に示すように、犠牲層２５０、３２０のリリースエッチングを行なう。具体的には、ＭＥＭＳ振動子２００およびモニター素子３００が形成されたウェハー基板１００を例えばバッファードフッ酸等のエッチング液に晒す。これにより、ＭＥＭＳ振動子２００では、連通孔２２０ａを介して犠牲層２５０がリリースエッチングされ、ＭＥＭＳ振動子２００’が形成される。一方、モニター素子３００では、連通孔３３０ａを介して犠牲層３２０がエッチングされ、空洞部３１０が形成されると共に、エッチング界面Ｉが現れる。
【００５７】
この状態において、ＭＥＭＳ振動子２００の犠牲層２５０のエッチングの進行度合い（空洞部２３０の形成度合）は、空洞部２３０が天井層２２０で覆われているため、容易に視認することができない。一方、モニター素子３００では、光学式の顕微鏡等を用いることで天井層３３０を介して犠牲層３２０がエッチングされた様子（エッチング界面Ｉ）を観察することができる。そのため、犠牲層３２０のエッチングの進行度合い（エッチング界面Ｉの位置、形成された空洞部３１０の径）から、犠牲層２５０のエッチングの進行度合いを簡単かつ精度よく確認することができる。その結果、所定のＭＥＭＳ振動子２００’を形成するためのエッチング寸法精度の管理をより簡単に精度よく行なうことができ、所定の振動特性を有するＭＥＭＳ振動子２００’を形成することができる。なお、犠牲層３２０の観察は、例えば、レジスト層３６０が透明である場合には、レジスト層３６０を除去せずに行ってもよく、レジスト層３６０が透明でない場合等には、レジスト層３６０を除去してから行えればよい。また、犠牲層３２０のエッチングの進行度合いと犠牲層２５０のリリースエッチングの進行度合いとが１対１ではない場合、すなわちそれぞれのエッチングスピードが異なる場合には、予めそのスピード比率を評価しておくことで、相対的に正確なＭＥＭＳ振動子２００に対するリリースエッチングの進行度合いを求めることができる。
【００５８】
なお、仮に、犠牲層２５０のリリースエッチングが不足していると判断される場合には、再度、リリースエッチングを行えばよい。
【００５９】
ここから、さらに下記の工程を行うことで、ＭＥＭＳ振動子２００’を利用したＭＥＭＳ構造体２００”を得ることができる。
【００６０】
まず、レジスト層２８０、３６０を除去した後、図１３に示すように、天井層２２０上にアルミニウムからなる封止層２９０を形成して連通孔２２０ａを封止し、天井層３３０上にアルミニウムからなる封止層３７０を形成して連通孔３３０ａを封止する。また、封止層２９０は、コンタクト部２２２ａと重なる部分が、他の部分と分離して形成されている。これにより、短絡等の不具合を防止することができる。封止層２９０、３７０は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いてアルミニウム膜を成膜し、このアルミニウム膜をパターニングすることで形成することができる。
【００６１】
ここで、モニター素子３００では、犠牲層３２０をエッチングした後も天井層３３０が残るため、空洞部３１０が上面に露出せず、モニター素子３００に従来のような過度な深さの凹部（液溜まりとなり得る部分）が形成されることがない。そのため、例えば、前述したアルミニウム膜をパターニングする際のレジストマスクの原料となるレジストをウェハー基板１００上に塗布した際、レジストをウェハー基板１００上に決められた膜厚でほぼ均一に塗布することができる。そのため、均質で定められた膜厚のレジストマスクを得ることができ、アルミニウム膜のパターニング（すなわち、封止層２９０、３７０の形成）を精度よく行うことができる。
【００６２】
なお、封止層２９０によって封止された状態では、空洞部２３０は、減圧状態（好ましくは真空状態）であることが好ましい。これにより、振動素子２１０の振動特性が向上する。
【００６３】
次に、図１４に示すように、ＭＥＭＳ振動子２００’およびモニター素子３００上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１０を成膜し、層間絶縁膜４１０をＣＭＰ（化学機械研磨）等によって平坦化する。次に、図１５に示すように、層間絶縁膜４１０上に、配線層４２０、層間絶縁膜４３０、配線層４４０および表面保護層４５０を順に形成する。配線層４２０、４４０は、半導体回路２４０の配線として機能し、振動素子２１０および各回路要素同士を電気的に接続する機能を果たしている。また、配線層４４０の一部は、外部端子４４１となっており、この外部端子４４１を介して外部との接続が可能となっている。例えば、層間絶縁膜４３０は、シリコン酸化膜で形成され、配線層４２０、４４０は、アルミニウム膜で形成される。また、表面保護層４５０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜など、素子を水分、ゴミ、傷などから保護するための耐性を有するもので形成される。
【００６４】
最後に、ＭＥＭＳ振動子２００’を個片化することで、図１６に示すように、所定の振動特性を有するＭＥＭＳ構造体２００”が得られる。
【００６５】
＜第２実施形態＞
図１７は、本発明の第２実施形態に係るモニター素子を示す断面図である。図１８は、図１７に示すモニター素子の平面図である。ただし、図１８では、天井層および犠牲層の図示を省略している。
【００６６】
以下、本発明の第２実施形態に係るモニター素子について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００６７】
第２実施形態のモニター素子は、柱部を有すること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００６８】
図１７および図１８に示すように、本実施形態のモニター素子３００は、さらに、凹部１１２内に配置されている複数（４本）の支持部３５２を有している。４つの支持部３５２は、壁部３５１の内側に設けられている。これら４つの支持部３５２によって天井層３３０が支えられており、犠牲層３２０の一部が除去された状態での天井層３３０の下方への撓み変形や破損を低減することができる。なお、支持部３５２の数や配置は、本実施形態に限定されない。また、本実施形態では、支持部３５２が柱状をなしているが、支持部３５２の形状は、これに限定されず、例えば、枠状であってもよい。
【００６９】
このような支持部３５２は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したポリシリコンで構成されている。これにより、ＭＥＭＳ振動子２００の柱部２６２と同じ工程で支持部３５２を製造することができる。また、導電性を発揮することができるため、後述する第３実施形態のように、支持部３５２を配線として利用することができる。
【００７０】
以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７１】
＜第３実施形態＞
図１９は、本発明の第３実施形態に係るモニター素子を示す断面図である。図２０は、図１９に示すモニター素子の犠牲層をエッチングした状態を示す断面図である。
【００７２】
以下、本発明の第３実施形態に係るモニター素子について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００７３】
第３実施形態のモニター素子は、凹部の底部に電極層を有すること以外は、前述した第２実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７４】
図１９および図２０に示すように、本実施形態のモニター素子３００は、さらに、凹部１１２の底部に設けられている電極層３８０を有している。この電極層３８０は、犠牲層３２０を介して天井層３３０の導電層３３２と対向配置されている。また、電極層３８０は、支持部３５２と電気的に接続されている。一方、導電層３３２は、電極層３８０と犠牲層３２０を介して対向配置されている対向電極部３３２ａと、支持部３５２を介して電極層３８０と電気的に接続されているコンタクト部３３２ｂと、を有し、対向電極部３３２ａとコンタクト部３３２ｂは、互いに離間して電気的に絶縁されている。また、保護層３４０上には、対向電極部３３２ａと電気的に接続されている端子３９１とコンタクト部３３２ｂに電気的に接続されている端子３９２とが配置されており、これら端子３９１、３９２を用いて、対向電極部３３２ａと電極層３８０との間の静電容量Ｃを簡単に検知することができるようになっている。静電容量Ｃは、犠牲層３２０の除去量に応じて変化するため、静電容量Ｃを求めれば、犠牲層３２０のエッチングの進行度合いが分かり、さらには、犠牲層２５０のエッチングの進行度合いを確認することができる。
【００７５】
なお、本実施形態では、前述した実施形態のように、天井層３３０を介して犠牲層３２０を観察可能となっていなくてもよい。
【００７６】
以上のような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００７７】
＜第４実施形態＞
図２１は、本発明の第４実施形態に係るモニター素子を示す平面図である。ただし、図２１では、天井層の図示を省略している。
【００７８】
以下、本発明の第４実施形態に係るモニター素子について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００７９】
第４実施形態のモニター素子は、エッチング界面の位置を相対視することのできるゲージが設けられていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００８０】
図２１に示すように、本実施形態のモニター素子３００は、さらに、エッチング界面Ｉの位置を相対視することのできるゲージ３５４が設けられている。ゲージ３５４は、エッチング界面Ｉの位置を天井層３３０を介して相対視できる目盛りから成り、等間隔のピッチＬを有する目盛りパターンとして形成されている。なお、図２１では、円形に広がるエッチング界面Ｉの最大幅（直径Ｗｘ、Ｗｙ）が約５Ｌに達している様子を示している。このようなゲージ３５４は、壁部３５１によって形成されており、凹部１１２の外周部に枠状に形成されている。これにより、ゲージ３５４の形成が容易となると共に、ゲージ３５４がエッチング耐性を有するものとなる。
【００８１】
このようなゲージ３５４を有することで、エッチング界面Ｉとゲージ３５４とを相対視することで、犠牲層３２０のエッチング進行度合いを簡単かつ正確に確認することができる。
【００８２】
なお、ゲージ３５４の目盛りパターンは、本実施形態のようなパターンに限定されるものではなく、エッチング界面Ｉの位置が定量的に視認できるパターンであればよい。また、ゲージ３５４は、定量的に視認できなくても、例えば、許容上限、下限との比較ができるパターン、いわゆるコンパレータであってもよい。また、ゲージ３５４は、枠状に形成されていなくてもよい。
【００８３】
以上のような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８４】
以上、本発明のモニター素子および振動子の製造方法に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【００８５】
以下に、本発明の振動子の製造方法によって製造された振動子を用いた発振器、電子機器および移動体について説明する。
【００８６】
［電子機器］
図２２は、ＭＥＭＳ構造体を備えるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【００８７】
この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、発振器として機能するＭＥＭＳ構造体２００”が内蔵されている。そのため、パーソナルコンピューター１１００は、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
【００８８】
図２３は、ＭＥＭＳ構造体を備える携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【００８９】
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、発振器として機能するＭＥＭＳ構造体２００”が内蔵されている。そのため、携帯電話機１２００は、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
【００９０】
図２４は、ＭＥＭＳ構造体を備えるデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。
【００９１】
この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行なう構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００９２】
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１３３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１３４０が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１３３０や、パーソナルコンピューター１３４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、発振器として機能するＭＥＭＳ構造体２００”が内蔵されている。そのため、デジタルスチールカメラ１３００は、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
【００９３】
なお、ＭＥＭＳ構造体２００”を備える電子機器は、図２２のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図２３の携帯電話機、図２４のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【００９４】
［移動体］
図２５は、ＭＥＭＳ構造体を備える移動体を示す斜視図である。
【００９５】
自動車（移動体）１５００には、ＭＥＭＳ構造体２００”が搭載されている。ＭＥＭＳ構造体２００”は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。このように、自動車１５００は、ＭＥＭＳ構造体２００”を有しているため、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
【符号の説明】
【００９６】
１００……ウェハー基板
１１０……半導体基板
１１１……凹部
１１２……凹部
１２０……第１絶縁膜
１３０……第２絶縁膜
１４０……第１絶縁膜
１５０……第２絶縁膜
２００……ＭＥＭＳ振動子
２００’……ＭＥＭＳ振動子
２００”……ＭＥＭＳ構造体
２１０……振動素子
２１１……振動部電極
２１２……固定部
２１３……振動体
２１３ａ……基部
２１３ｂ、２１３ｃ、２１３ｄ、２１３ｅ……振動部
２１４……支持部
２１８……基板電極
２１８ａ、２１８ｂ……電極
２２０……天井層
２２０ａ……連通孔
２２１……絶縁層
２２２……導電層
２２２ａ……コンタクト部
２３０……空洞部
２４０……半導体回路
２４１……ＭＯＳトランジスタ
２５０……犠牲層
２５１……第１犠牲層
２５２……第２犠牲層
２６１……壁部
２６２……柱部
２６３……補強部
２７０……保護層
２８０……レジスト層
２９０……封止層
３００……モニター素子
３１０……空洞部
３２０……犠牲層
３２１……第１犠牲層
３２２……第２犠牲層
３３０……天井層
３３０ａ……連通孔
３３１……絶縁層
３３２……導電層
３３２ａ……対向電極部
３３２ｂ……コンタクト部
３４０……保護層
３５１……壁部
３５２……支持部
３５３……補強部
３５４……ゲージ
３６０……レジスト層
３６１……開口
３７０……封止層
３８０……電極層
３９１、３９２……端子
４１０……層間絶縁膜
４２０……配線層
４３０……層間絶縁膜
４４０……配線層
４４１……外部端子
４５０……表面保護層
１１００……パーソナルコンピューター
１１０２……キーボード
１１０４……本体部
１１０６……表示ユニット
１１０８……表示部
１２００……携帯電話機
１２０２……操作ボタン
１２０４……受話口
１２０６……送話口
１２０８……表示部
１３００……デジタルスチールカメラ
１３０２……ケース
１３０４……受光ユニット
１３０６……シャッターボタン
１３０８……メモリー
１３１０……表示部
１３１２……ビデオ信号出力端子
１３１４……入出力端子
１３３０……テレビモニター
１３４０……パーソナルコンピューター
１５００……自動車
Ｃ……静電容量
Ｉ……エッチング界面
Ｌ……ピッチ
Ｓ１、Ｓ２……形成領域
【図１】
2016122981.tif 000003
【図２】
2016122981.tif 000004
【図３】
2016122981.tif 000005
【図４】
2016122981.tif 000006
【図５】
2016122981.tif 000007
【図６】
2016122981.tif 000008
【図７】
2016122981.tif 000009
【図８】
2016122981.tif 000010
【図９】
2016122981.tif 000011
【図１０】
2016122981.tif 000012
【図１１】
2016122981.tif 000013
【図１２】
2016122981.tif 000014
【図１３】
2016122981.tif 000015
【図１４】
2016122981.tif 000016
【図１５】
2016122981.tif 000017
【図１６】
2016122981.tif 000018
【図１７】
2016122981.tif 000019
【図１８】
2016122981.tif 000020
【図１９】
2016122981.tif 000021
【図２０】
2016122981.tif 000022
【図２１】
2016122981.tif 000023
【図２２】
2016122981.tif 000024
【図２３】
2016122981.tif 000025
【図２４】
2016122981.tif 000026
【図２５】
2016122981.tif 000027