(57)【要約】【課題】本発明は、画素電極間の保持容量配線での反射光を抑制した表示装置を提供することを、目的の一つとする。【解決手段】画素電極と、画素電極と絶縁膜を介して対向する保持容量電極とを含む複数の画素を有し、保持容量電極は、隣接する画素電極間に開口部を設けることを特徴とする表示装置を提供する。複数の画素の間に配置されるバンク層と、画素電極及びバンク層上に配置されるＯＬＥＤ発光層と、記ＯＬＥＤ発光層上に配置される陰極と、陰極上に配置される封止膜と、封止膜上に配置される充填材とをさらに有してもよい。開口部は、隣接する画素電極間の間隔よりも広くてもよい。また、開口部は、左右に隣接する画素間に配置される第１開口を有してもよい。また、開口部は、上下に隣接する画素間に配置される第２開口を有してもよい。また、保持容量電極は、画素電極と画素回路とを電気的に接続するコンタクトホールが通過する第３開口を有し、第１開口及び第２開口は、第３開口付近には形成されなくてもよい。【選択図】図６
2016045304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、前記画素電極と絶縁膜を介して対向する保持容量電極とを含む複数の画素を有し、
前記保持容量電極は、隣接する前記画素電極間に開口部を設けることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素の間に配置されるバンク層と、
前記画素電極及び前記バンク層上に配置されるＯＬＥＤ発光層と、
前記ＯＬＥＤ発光層上に配置される陰極と、
前記陰極上に配置される封止膜と、
前記封止膜上に配置される充填材と
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記開口部は、隣接する前記画素電極間の間隔よりも広いことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記開口部は、左右に隣接する前記画素間に配置される第１開口を有することを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記開口部は、上下に隣接する前記画素間に配置される第２開口を有することを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記開口部は、左右に隣接する前記画素間に配置される第１開口と、上下に隣接する前記画素間に配置される第２開口とを有する
ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記保持容量電極は、前記画素電極と画素回路とを電気的に接続するコンタクトホールが通過する第３開口を有し、
前記第１開口及び前記第２開口は、前記第３開口付近には形成されない
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素はデルタ配列で配置され、
前記開口部はＬ字形に形成される
ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に画素回路の構造及び配置における技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル用途の発光表示装置において、高精細化や低消費電力化に対する要求が強くなってきている。モバイル用途の表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）や、有機ＥＬ表示装置等の自発光素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を利用した表示装置や、電子ペーパー等が採用されている。
【０００３】
その中でも、ディスプレイパネルの薄型化や高輝度化や高速化を目的として、有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。有機ＥＬ表示装置は、ＯＬＥＤから構成された画素を備えた表示装置であり、機械的な動作がないために反応速度が速く、各画素自体が発光するために高輝度表示が可能になるとともに、バックライト光源や偏光板が不要となるために薄型化が可能になるので、次世代の表示装置として期待されている。
【０００４】
ＯＬＥＤ素子の陽極として作用する画素電極の下側の層に、絶縁膜を介して金属からなる保持（補助）容量電極を配置して保持容量を構成し、隣接画素の保持容量電極を保持容量配線で接続した表示装置として、例えば特許文献１がある。図１１は、従来技術に係る表示装置の断面図であり、上述の保持容量電極を配置した表示装置の構造を示したものである。ここで、ＯＬＥＤ素子からの斜め方向へ出射される光９２の一部は、屈折率の異なる層の界面で反射した後に、画素電極間の保持容量配線で再び反射し、隣接画素へ進行する。隣接画素へ進行する光９５は、隣接画素で本来表示すべき光に重畳するため、光漏れや不要混色となり、表示特性に影響を及ぼす。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１０９５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、画素電極間の保持容量配線での反射光を抑制した表示装置を提供することを、目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態による表示装置は、画素電極と、画素電極と絶縁膜を介して対向する保持容量電極とを含む複数の画素を有し、保持容量電極は、隣接する画素電極間に開口部を設けることを特徴とする。
【０００８】
また、複数の画素の間に配置されるバンク層と、画素電極及びバンク層上に配置されるＯＬＥＤ発光層と、記ＯＬＥＤ発光層上に配置される陰極と、陰極上に配置される封止膜と、封止膜上に配置される充填材とをさらに有することを特徴としてもよい。
【０００９】
また、開口部は、隣接する画素電極間の間隔よりも広いことを特徴としてもよい。
【００１０】
また、開口部は、左右に隣接する画素間に配置される第１開口を有することを特徴としてもよい。
【００１１】
また、開口部は、上下に隣接する画素間に配置される第２開口を有することを特徴としてもよい。
【００１２】
また、開口部は、左右に隣接する画素間に配置される第１開口と、上下に隣接する画素間に配置される第２開口とを有することを特徴としてもよい。
【００１３】
また、保持容量電極は、画素電極と画素回路とを電気的に接続するコンタクトホールが通過する第３開口を有し、第１開口及び第２開口は、第３開口付近には形成されないことを特徴としてもよい。
【００１４】
また、複数の画素はデルタ配列で配置され、開口部はＬ字形に形成されることを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態における表示装置の斜視図を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態における表示装置の平面図を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態における表示装置の画素回路を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。
【図６】本発明の第１実施形態における表示装置の画素回路の断面図を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。
【図９】本発明の第５実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。
【図１０】本発明の第５実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。
【図１１】従来技術における表示装置の断面図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１７】
＜実施形態１＞
図１乃至６を用いて、実施形態１に係る表示装置の構成を説明する。
【００１８】
［表示装置の概要］
まず、図１及び２を用いて、実施形態に係る表示装置の概要を説明する。図１は、本発明の実施形態１における表示装置の斜視図を示す図である。また、図２は、本発明の実施形態１における表示装置の平面図を示す図である。
【００１９】
実施形態１における表示装置は、図１及び２に示すように、複数の画素のそれぞれに発光素子が設けられ、画素電極４０がマトリクス状に配置された表示領域２１０を有する基板２００、基板２００に対向する対向基板３００、対向基板３００が露出された領域に設けられたドライバＩＣ４００及びＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）５００を有する。基板２００は、表示領域２１０と、表示領域２１０の周辺に位置する周辺領域２２０とに分けられる。基板２００には、表示領域２１０に画素電極４０がマトリクス状に配列され、複数の画素電極４０のそれぞれに実施例で説明する画素回路が配置される。ＦＰＣ５００には、駆動回路を制御するコントローラ回路に接続される端子部６００が備えられている。
【００２０】
図２を参照すると、表示領域２１０には、横方向に走査信号線６１が、縦方向には映像信号線６２及び駆動電源線６３が、マトリクス状をなすよう配置される。画素電極４０は、走査信号線６１、映像信号線６２及び駆動電源線６３によって囲まれた領域に対応している。図２では、説明のため画素電極４０と、走査信号線６１、映像信号線６２及び駆動電源線６３で囲まれる領域とを重ねずに図示したが、画素領域とこれらの線は平面上で重なって配置されてもよい。
【００２１】
［画素の回路図］
次に、図３を用いて、実施形態の画素回路を説明する。
【００２２】
図３に示すように、実施形態１の画素回路１２は、制御ＴＦＴ７１、駆動ＴＦＴ７２及び蓄積容量７３によって構成される。例えば制御ＴＦＴ７１及び駆動ＴＦＴ７２にｎ型半導体を用いた場合、制御ＴＦＴ７１のゲートは走査信号線６１に接続され、ソースは映像信号線６２に接続され、ドレインは蓄積容量７３の一端及び駆動ＴＦＴ７２のゲートに接続される。駆動ＴＦＴ７２のソースは駆動電源線６３に接続され、ドレインは画素電極４０に接続される。画素電極４０は蓄積容量７３の他端、ＯＬＥＤ素子７４の陽極及び保持容量３６の一端に接続される。保持容量３６の他端は保持容量電極３０である。隣接する画素に対応する保持容量電極３０は、保持容量配線３５によってそれぞれ接続される。なお、図３では図示しないが、上下方向の保持容量電極３０も、保持容量配線３５によってそれぞれ接続される。
【００２３】
制御ＴＦＴ７１のゲートに所定の電圧が印加されると、制御ＴＦＴ７１は映像信号線６２に応じた電位を蓄積容量７３に与える。駆動ＴＦＴ７２のゲートは蓄積容量７３によって電位が保持されており、蓄積容量７３の電荷に対応した電流を駆動電源線６３からＯＬＥＤ素子７４の陽極に供給する。ＯＬＥＤ素子７４の陰極は、接地電極又は負電位の陰極１８に接続される。
【００２４】
［画素の構成］
次に、図４乃至６を用いて、実施形態１の保持容量電極の構造を説明する。
【００２５】
図４は、実施形態１における保持容量電極３０及び保持容量配線３５の平面図であり、保持容量電極３０が縦に３個、横に４個並んで配置された部分を拡大したものである。保持容量電極３０は矩形状に形成されており、右上部分に第１開口３１が形成されている。保持容量電極３０の形状に対応した形状の画素電極４０（図示せず）が容量絶縁膜１５（図示せず）を介して積層され、保持容量３６（図示せず）を構成する。
【００２６】
左右に隣り合う保持容量電極３０の間には、縦長の矩形状に第２開口３２が形成され、上下に隣り合う保持容量電極３０の間には、横長の矩形状に第３開口３３が形成される。第２開口３２の縦の長さと、第３開口３３の横の長さは、それぞれ対応する保持容量電極３０の辺の長さよりも短く形成される。２×２に配置された４つの保持容量電極３０を見ると、左上に配置された保持容量電極３０の右下の頂点、右上に配置された保持容量電極３０の左下の頂点、右下に配置された保持容量電極３０の左上の頂点及び左下に配置された保持容量電極３０の右上の頂点が、保持容量配線３５を介してそれぞれ接続されていることがわかる。
【００２７】
図５は、実施形態１における表示装置の画素回路の平面図であり、保持容量電極３０及び保持容量配線３５と、画素電極４０等との位置関係を示したものである。
【００２８】
画素電極４０は、保持容量電極３０の形状に対応するように、矩形状に形成され配置されている。ここで、図４もあわせて参照すると、画素電極４０は保持容量電極３０よりも一回り大きく形成されていることが分かる。別の視点から言うと、縦長の矩形状を有する第２開口３２の横幅は、左右に隣り合う画素電極４０の間隔よりも広く形成される。同様に、横長の矩形状を有する第３開口３３の縦幅は、上下に隣り合う画素電極４０の間隔よりも広く形成される。
【００２９】
画素電極４０の右上の破線３１’で囲まれた領域が、第１開口３１が配置される領域である。第１開口３１が形成される領域を除いた部分に、発光部４１がＬ字型に形成される。発光部４１は、画素電極４０とＯＬＥＤ発光層１７（図示せず）との間にバンク層１６（図示せず）が配置されていない領域であり、ＯＬＥＤ発光層１７（図示せず）が実際に発光する領域を意味する。
【００３０】
図６は、実施形態１における表示装置の画素回路において、図４のＡ−Ａ’線における断面図を示したものである。
【００３１】
下基板１１上に画素回路１２が配置され、下基板１１及び画素回路１２上に層間絶縁膜１３が配置される。ここで、下基板１１はガラス、樹脂等で形成され、層間絶縁膜１３は、下側に窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料で形成された層が複数積層されてもよく、走査信号線６１、映像信号線６２及び駆動電源線６３（いずれも図示せず）が適宜配置される。また、層間絶縁膜１３の上側には、アクリル、ポリイミド等の有機材料で形成される、平坦化のための層が形成されてもよい。
【００３２】
層間絶縁膜１３上に、保持容量電極３０が配置される。図６を参照すると、保持容量電極３０が配置されていない部分が三か所あり、図の左から第１開口３１、第２開口３２、第３開口３３である。第１開口３１には、画素電極４０と画素回路１２を電気的に接続するためのコンタクトホール１４が形成される。すなわち、第１開口３１は、保持容量電極３０がコンタクトホール１４に接しないために形成した開口である。
【００３３】
保持容量電極３０及び層間絶縁膜１３上に容量絶縁膜１５が形成され、容量絶縁膜１５上に画素電極４０が配置される。第１開口３１の上部の容量絶縁膜１５には、画素電極４０と画素回路１２を電気的に接続するためのコンタクトホール１４が形成される。保持容量電極３０は容量絶縁膜１５を介して画素電極４０と対向し、保持容量３６を構成する。上述のように、保持容量電極３０は画素電極４０の形状に対応して配置されるので、画素電極４０の配置されない領域と、第２開口３２及び第３開口３３が形成される位置は概ね一致する。図６を参照すると、画素電極４０の配置されない領域の幅と、これに対応する第２開口３２及び第３開口３３の幅とを比較すると、第２開口３２及び第３開口３３の幅の方が広く形成されていることがわかる。
【００３４】
第３開口３３に対応する画素電極４０の配置されない領域に、画素を区画するためのバンク層１６が形成される。また、第２開口３２に対応する画素電極４０の配置されない領域と、コンタクトホール１４が配置される領域にも、バンク層１６が形成される。バンク層１６は、アクリルやポリイミド等の透明な絶縁性の有機材料が用いられる。バンク層１６及び画素電極４０上に、ＯＬＥＤ発光層１７、陰極１８、封止膜１９が順次積層され、封止膜１９上には充填材２０が形成される。バンク層１６上に積層されたＯＬＥＤ発光層１７、陰極１８、封止膜１９は、バンク層１６の形状に沿って、丸みを帯びて形成される。充填材２０上には、カラーフィルタ２１、２２、２３が配置される。バンク層１６の上側には、ブラックマトリクス２４が形成される。カラーフィルタ２１、２２、２３及びブラックマトリクス２４上に、上基板２５が形成される。
【００３５】
画素電極４０と陰極１８との間に所定の電圧が印加されると、画素電極４０と陰極１８間のＯＬＥＤ発光層１７は発光し、ＯＬＥＤ発光層１７から出射される光は全方向に及ぶ。ＯＬＥＤ発光層１７から上方向へ出射される光９１は、陰極１８、封止膜１９、充填材２０を透過し、カラーフィルタ２２を通過して所望の色の光として発せられる。一方、ＯＬＥＤ発光層１７から斜め方向へ出射された光９２は、封止膜１９と充填材２０の界面である点Ｐに到達する。封止膜１９と充填材２０の屈折率は一般に異なっており、バンク層１６付近の封止膜１９と充填材２０の界面はバンク層１６の形状に沿って丸みを帯びているので、ＯＬＥＤ発光層１７から出射された光の角度と界面の角度によって、光の反射及び屈折が生じる。図６では、光９２と同方向に屈折した光９３と、点Ｐで反射してバンク層１６に向かう光９４が生じていることを示している。
【００３６】
光９３は、ブラックマトリクス２４に入射して減衰されるので、隣の画素のカラーフィルタ２１を通過して外部に出射されることはない。仮に、第１実施形態とは異なり、第３開口３３の形成される部分に保持容量配線３５が形成されていた場合、光９４は仮想点Ｑで反射する。光９５’は仮想点Ｑで反射されたと仮定された光であり、画素電極４０及びブラックマトリクス２４に入射しない場合、隣の画素であるカラーフィルタ２１を通過して外部に出射されてしまう。
【００３７】
第１実施形態では、隣接する画素間に相当する部分には保持容量電極３０（保持容量配線３５）は配置されず、第３開口３３が形成される。第３開口３３が形成されていることによって、点Ｐで反射した光９４はバンク層１６の配置された方向に出射される。光９４は、第３開口３３を通過して、下基板１１方向へ進行する。下基板１１方向へ進行した光９４は、画素回路１２又は下基板１１を保持する基板等に到達し、吸収ないし拡散される。このように、第１実施形態では、バンク層１６の下側に第３開口３３を形成することによって、第３開口３３に到達する光の反射を防ぐことができる。これによって、上下に隣接する画素への光漏れや不要混色を防ぎ、表示装置の表示特性を向上させることが可能となる。
【００３８】
以上説明した内容は、第２開口３２についても同様であり、左右に隣接する画素への光漏れや不要混色を防ぎ、表示装置の表示特性を向上させることが可能となる。
【００３９】
ここで、第２開口３２及び第３開口３３の幅と、隣接する画素電極４０の間隔との関係について説明する。保持容量電極３０（保持容量配線３５）が画素電極４０間に存在した場合の反射を無くす観点からは、第２開口３２及び第３開口３３の幅は、隣接する画素電極４０の間隔と同程度であることが好ましい。第２開口３２及び第３開口３３の幅が、隣接する画素電極４０の間隔よりも広ければ、より好ましい。
【００４０】
（変形例）
第２開口３２及び第３開口３３は、完全に開放された開口でなくてもよく、一部が開放されていなくても保持容量電極３０（保持容量配線３５）での反射を防ぐという本発明の目的の一つを実現することができる。例えば、保持容量配線３５の抵抗をなるべく小さくするという観点から、第２開口３２又は第３開口３３に、隣接する保持容量電極３０を接続する微小な線を複数形成してもよい。
【００４１】
＜実施形態２＞
次に、図７及び図８を用いて、実施形態２に係る表示装置の構成を説明する。なお、特に言及しない部分については、実施形態２と実施形態１とは共通するものとする。
【００４２】
図７は、実施形態２における保持容量電極３０及び保持容量配線３５の平面図である。実施形態２では、第１開口３１の付近に、第２開口３２及び第３開口３３が形成されていないことを特徴とする。
【００４３】
図８は、実施形態２における表示装置の画素回路の平面図であり、保持容量電極３０及び保持容量配線３５と、画素電極４０等との位置関係を示したものである。上下に隣接する画素電極４０ａと画素電極４０ｂとの間で、画素電極４０ｂの第１開口３１が形成される領域の付近には、第３開口３３は形成されておらず、保持容量配線３５が形成されている。また、左右に隣接する画素電極４０ｂと画素電極４０ｃとの間で、画素電極４０ｂの第１開口３１が形成される領域の付近には、第２開口３２は形成されておらず、保持容量配線３５が形成されている。
【００４４】
図７及び図８に示すように、矩形状の画素電極４０の頂点付近に第１開口３１が存在し、発光部４１がＬ字型を形成する。発光部４１ａと発光部４１ｂとの間に第１開口３１が存在する付近は、発光部４１ａと発光部４１ｂとの間隔は比較的広いので、封止膜１９と充填材２０との界面で反射した光が保持容量電極３０及び保持容量配線３５の形成された層へ到達して反射したとしても、ブラックマトリクス２４（図示せず）に入射する可能性が高く、隣の画素のカラーフィルタを透過して外部に出射する可能性は低い。また、第１開口３１にはコンタクトホール１４（図示せず）が存在し、封止膜１９と充填材２０との界面で反射した光の障害物と機能する。したがって、第１開口３１の付近には第２開口３２及び第３開口３３を形成しなくても、保持容量電極３０（保持容量配線３５）の反射を抑制することが可能となる。第１開口３１の付近に第２開口３２及び第３開口３３を形成しないことによって、保持容量配線３５の抵抗率を下げることが可能となる。
【００４５】
＜実施形態３＞
実施形態１及び実施形態２では、左右に隣接する画素の間に形成される第２開口３２と、上下に隣接する画素の間に形成される第３開口３３の、二種類の開口を設けたが、本発明の実施例はこれに限られない。一例として、隣接する画素が同じ色を発光する場合、混色等の影響は比較的小さいので、同じ色を発光する画素間には保持容量電極３０に開口を設けないようにすることも可能である。したがって、上下に同色の画素が隣接する場合には、上下に隣接する画素の間には開口を設けず、左右に同色の画素が隣接する場合には、左右に隣接する画素の間には開口を設けない。
【００４６】
また、画素の形状が長方形の形状を有する場合、混色の影響の比較的小さな画素の短辺部分には保持容量電極３０に開口を設けないようにすることも可能である。例えば、画素が縦長の長方形に形成される場合は、上下に隣接する画素の間には開口を設けない。
【００４７】
＜実施形態４＞
第１実施形態乃至第３実施形態では、各画素の形状は同じであることを前提とした。これらの構成とは異なり、例えば表示装置の発光色が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｇ）の三色を有する場合に、緑を発光させる画素のみ小さくするなど、発光色によって画素の大きさが異なる画素を配置することもある。このような場合においても、上下に隣接する画素間と左右に隣接する画素間に対応する部分において、保持容量電極３０（保持容量配線３５）に開口を設ければよい。
【００４８】
＜実施形態５＞
最後に、図９及び図１０を用いて、実施形態５の保持容量電極の構造を説明する。
【００４９】
図９は、実施形態５における保持容量電極３０及び保持容量配線３５の平面図である。図９を参照すると、画素電極４０は横に３列並んで配置されている。真ん中の列に配置された画素電極４０は、上下の列の画素電極４０の位置から、画素電極４０の横幅半分ほどずれて配置されている（デルタ配置）。画素電極４０は略正方形の形状を有し、右上部分に第１開口３１が形成されている。そして、左右に隣接する画素電極４０間で、第１開口３１の付近を除く部分から、上下に隣接する画素電極４０の、第１開口３１が存在しない側の部分にかけて、Ｌ字型（Ｌ字を左に９０度回転した形）に第４開口３４が形成される。
【００５０】
図１０は、実施形態５における表示装置の画素回路の平面図であり、保持容量電極３０及び保持容量配線３５と、画素電極４０等との位置関係を示したものである。
【００５１】
画素電極４０ｅは、周囲を画素電極４０ｆ、４０ｇ、４０ｈ、４０ｉ、４０ｊ及び４０ｋに囲まれている。画素電極４０ｅの上辺左側と画素電極４０ｆの下辺右側との間には、第４開口３４ａが形成される。画素電極４０ｅの右辺下側と画素電極４０ｈの左辺下側との間、及び、画素電極４０ｅの下辺右側と画素電極４０ｉの上辺左側との間には、第４開口３４ｂが形成される。画素電極４０ｅの左辺下側と画素電極４０ｋの右辺下側との間には、第４開口３４ｃが形成される。
【００５２】
一方、画素電極４０ｅの上辺右側と画素電極４０ｇの下辺左側、画素電極４０ｅの右辺上側と画素電極４０ｈの左辺上側、画素電極４０ｅの下辺左側と画素電極４０ｊの上辺右側、及び、画素電極４０ｅの左辺上側と画素電極４０ｋの右辺上側との間には、保持容量電極３０に開口が形成されず、保持容量配線３５が配置されている。しかし、実施例２で説明したように、上述の開口が形成されていない部分はいずれも第１開口３１の付近なので、保持容量配線３５での光の反射の影響は小さい。したがって、図９及び図１０で示す第４開口３４の形状及び配置によって、保持容量配線３５を形成しつつ、隣接する画素への光漏れや不要混色を防ぎ、表示装置の表示特性を向上させることが可能となる。
【００５３】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５４】
１１：下基板
１２：画素回路
１３：層間絶縁膜
１４：コンタクトホール
１５：容量絶縁膜
１６：バンク層
１７：ＯＬＥＤ発光層
１８：陰極
１９：封止膜
２０：充填材
２１、２２、２３：カラーフィルタ
２４：ブラックマトリクス
２５：上基板
３０：保持容量電極
３１：第１開口
３２：第２開口
３３：第３開口
３４、３４ａ、３４ｂ、３４ｃ：第４開口
３５：保持容量配線
３６：保持容量
４０、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｅ、４０ｆ、４０ｇ、４０ｈ、４０ｉ、４０ｊ、４０ｋ：画素電極
４１、４１ａ、４１ｂ：発光部
６１：走査信号線
６２：映像信号線
６３：駆動電源線
７１：制御ＴＦＴ
７２：駆動ＴＦＴ
７３：蓄積容量
７４：ＯＬＥＤ素子
９１、９２、９３、９４、９５、９５’：光
２００：基板
２１０：表示領域
２２０：周辺領域
３００：対向基板
４００：ドライバＩＣ
５００：ＦＰＣ
６００：端子部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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