(57)【要約】【課題】環境に悪影響を及ぼさないように専用の処理設備を用いることなく、ウエーハ等の被加工物の加工面にレジスト膜を被覆するとともに該レジスト膜における被加工物のエッチングすべき領域と対応する領域を露光する露光装置を提供する。【解決手段】被加工物の加工面にレジスト膜を被覆するとともにレジスト膜における被加工物のエッチングすべき領域と対応する領域を露光する露光装置であって、暗室と、暗室に配設され被加工物の加工面に水溶性レジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段と、被加工物の加工面に被覆された水溶性レジスト膜における被加工物のエッチングすべき領域と対応する露光領域を設定するアライメント手段と、水溶性レジスト膜に設定された露光領域を露光する露光手段と、露光領域が露光された該水溶性レジスト膜を水で現像する現像手段とを具備している。【選択図】図１
2016122756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物の加工面にレジスト膜を被覆するとともに該レジスト膜における被加工物のエッチングすべき領域と対応する領域を露光する露光装置であって、
暗室と、該暗室に配設され被加工物の加工面に水溶性レジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段と、被加工物の加工面に被覆された該水溶性レジスト膜における被加工物のエッチングすべき領域と対応する露光領域を設定するアライメント手段と、該水溶性レジスト膜に設定された該露光領域を露光する露光手段と、該露光領域が露光された該水溶性レジスト膜を水で現像する現像手段と、を具備している、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
該レジスト膜被覆手段は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の加工面に水溶性レジストを供給するノズルと該ノズルに水溶性レジストを供給する水溶性レジスト供給手段と、被加工物の加工面に供給された水溶性レジストにより加工面に水溶性レジスト膜を形成する膜形成機構と、から構成される、請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
該膜形成機構は、該チャックテーブルを回転することによって被加工物の加工面に供給された水溶性レジストに作用する遠心力により拡張して水溶性レジスト膜を形成する、請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
該膜形成機構は、被加工物の加工面に供給された水溶性レジストをヘラによって拡張して水溶性レジスト膜を形成する、請求項２記載の露光装置。
【請求項５】
該膜形成機構は、水溶性レジストを供給するノズルから霧状の水溶性レジストを被加工物の加工面に供給して水溶性レジスト膜を形成する、請求項２記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物の加工面にレジスト膜を被覆するとともに該レジスト膜における被加工物のエッチングすべき領域と対応する領域を露光する露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
上述した半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備し、切削ブレードを回転しつつ被加工物を保持したチャックテーブルを加工送りすることにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って切断する。
【０００４】
しかるに、上述した切削装置の切削ブレードによってウエーハを切断すると、分割された個々のチップの外周に細かな欠けが生じやすく、チップの抗折強度を低下させる原因となっている。このような問題を解消するために、ウエーハの表面にレジスト膜を被覆し、該レジスト膜の分割予定ラインに対応する領域を露光することにより現像して除去し、その後、ウエーハをレジスト膜側からプラズマエッチング等によって分割予定ラインに沿ってエッチングすることにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
上述したプラズマエッチングによってウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法は、切削ブレードによる切削と異なり分割溝に沿って欠けが生ずることがなくデバイスの抗折強度を向上させることができるというメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１１４８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、ウエーハの表面に被覆されるレジスト膜は分割予定ラインに対応してテトラ  メチル  アンモニウム  ヒドロキシド(TMAH)と呼ばれる毒性のある現像液によって除去されるとともに、プラズマエッチング加工が実施された後のレジスト膜はN-メチル  ピロリドン(NMP)と呼ばれる有機溶剤でウエーハの全面から除去されるため、環境に悪影響を及ぼさないように専用の処理設備が必要となり設備維持費が高く生産性が悪いという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、環境に悪影響を及ぼさないように専用の処理設備を用いることなく、ウエーハ等の被加工物の加工面にレジスト膜を被覆するとともに該レジスト膜における被加工物のエッチングすべき領域と対応する領域を露光する露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物の加工面にレジスト膜を被覆するとともに該レジスト膜における被加工物のエッチングすべき領域と対応する領域を露光する露光装置であって、
暗室と、該暗室に配設され被加工物の加工面に水溶性レジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段と、被加工物の加工面に被覆された該水溶性レジスト膜における被加工物のエッチングすべき領域と対応する露光領域を設定するアライメント手段と、該水溶性レジスト膜に設定された該露光領域を露光する露光手段と、該露光領域が露光された該水溶性レジスト膜を水で現像する現像手段と、を具備している、
ことを特徴とする露光装置が提供される。
【００１０】
上記レジスト膜被覆手段は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の加工面に水溶性レジストを供給するノズルと該ノズルに水溶性レジストを供給する水溶性レジスト供給手段と、被加工物の加工面に供給された水溶性レジストにより加工面に水溶性レジスト膜を形成する膜形成機構とから構成される。
膜形成機構は、チャックテーブルを回転することによって被加工物の加工面に供給された水溶性レジストに作用する遠心力により拡張して水溶性レジスト膜を形成する。
また、膜形成機構は、被加工物の加工面に供給された水溶性レジストをヘラによって拡張して水溶性レジスト膜を形成する。
また、膜形成機構は、水溶性レジストを供給するノズルから霧状の水溶性レジストを被加工物の加工面に供給して水溶性レジスト膜を形成する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明による露光装置は、暗室と、該暗室に配設され被加工物の加工面に水溶性レジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段と、被加工物の加工面に被覆された該水溶性レジスト膜における被加工物のエッチングすべき領域と対応する露光領域を設定するアライメント手段と、水溶性レジスト膜に設定された露光領域を露光する露光手段と、該露光領域が露光された水溶性レジスト膜を水で現像する現像手段とを具備しているので、テトラ  メチル  アンモニウム  ヒドロキシド(TMAH)と呼ばれる毒性のある現像液を使用する必要がなく、従って、専用の処理設備が不要となるため設備維持費が高く生産性が悪いという問題が解消する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に従って構成された露光装置の一部を透過して示す斜視図。
【図２】図１に示す露光装置を構成するチャックテーブル機構の斜視図。
【図３】図２に示すチャックテーブル機構に設けられた水現像プールを作用位置に位置付けた状態を示す斜視図。
【図４】図２に示すチャックテーブル機構を構成する要部構成部材を分解して示す斜視図。
【図５】図１に示す露光装置を構成するレジスト膜被覆手段の第１の実施形態によるレジスト膜被覆の説明図。
【図６】図１に示す露光装置を構成するレジスト膜被覆手段の第２の実施形態によるレジスト膜被覆の説明図。
【図７】図１に示す露光装置を構成するレジスト膜被覆手段の第３の実施形態によるレジスト膜被覆の説明図。
【図８】図１に示す露光装置を構成する露光手段の一部を破断して示す斜視図。
【図９】図１に示す露光装置に装備される制御手段のブロック構成図。
【図１０】被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。
【図１１】図１０に示す半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程の説明図。
【図１２】図１に示す露光装置によって実施する現像工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１には、本発明に従って構成された露光装置の一部を透過して示す斜視図が示されている。
図１に示す露光装置は、全体を番号２で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング２の後半部（図１において右上半部）には、暗室２０が設けられている。この暗室２０内には、被加工物を保持するチャックテーブル機構３が配設されている。チャックテーブル機構３について、図２乃至図４を参照して説明する。
【００１４】
図２乃至図４に示すチャックテーブル機構３は、支持基台３１と、該支持基台３１上に矢印Yで示す方向（Y軸方向）に延在する一対の案内レール３２、３２と、該一対の案内レール３２、３２上に摺動自在に配設された移動基台３３と、該移動基台３３を一対の案内レール３２、３２に沿って移動する移動手段３４と、移動基台３３上に配設されたチャックテーブル３５を具備している。一対の案内レール３２、３２は、図１に示す装置ハウジング２内にY軸方向に沿って配設されている。
【００１５】
上記移動基台３３は、下面に上記一対の案内レール３２、３２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、該被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２、３２に嵌合することにより、一対の案内レール３２、３２に沿ってY軸方向に移動可能に構成される。上記移動手段３４は、上記一対の案内レール３２と３２の間に平行に配設された雄ネジロッド３４１と、該雄ネジロッド３４１を回転駆動するためのパルスモータ３４２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３４１は、その一端が上記支持基台３１に固定された軸受ブロック３４３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３４２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３４１は、移動基台３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３４２によって雄ネジロッド３４１を正転および逆転駆動することにより、移動基台３３は案内レール３２、３２に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
【００１６】
上記チャックテーブル３５は、移動基台３３に配設された筒状の支持部材３６に回転可能に支持されており、支持部材３６内に配設された電動モータ３７によって回転せしめられるように構成されている。なお、チャックテーブル３５は、上面である保持面に吸引口が開口され、該吸引口が図示しない吸引手段に接続されている。従って、図示しない吸引手段を作動して上面である保持面に負圧を作用することにより、保持面上に被加工物を吸引保持することができる。
【００１７】
図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、チャックテーブル３５を包囲して選択的に構成する水現像プール３８を具備している。水現像プール３８は、上記筒状の支持部材３６の外周に摺動可能に嵌合し下端に外方に突出する支持部３８１aを備えた筒状枠３８１と、該筒状枠３８１を筒状の支持部材３６に沿って上下動する作動手段３８２とからなっている。なお、作動手段３８２は、図示の実施形態においては移動基台３３上に配設された４個（図には３個のみが示されている）のエアーシリンダ３８２aからなり、各エアーシリンダ３８２aを構成するピストンが筒状枠３８１の支持部３８１aに連結されている。従って、エアーシリンダ３８２aからなる作動手段３８２によって筒状枠３８１を図２に示す退避位置に位置付けると、上端がチャックテーブル３５の上面である保持面とほぼ同じ高さ位置となる。また、エアーシリンダ３８２aからなる作動手段３８２によって筒状枠３８１を図２に示す退避位置から図３に示すように上方の作用位置に位置付けると、後述するようにチャックテーブル３５を包囲する水現像プールを形成する。
【００１８】
チャックテーブル機構３を構成する移動基台３３（図２乃至図４参照）の移動方向両側には、図１に示すように上記一対の案内レール３２、３２や雄ねじロッド３４１およびパルスモータ３４２等を覆っている蛇腹手段３９が付設されている。蛇腹手段３９はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。
【００１９】
図１を参照して説明を続けると、チャックテーブル機構３を構成する移動基台３３（図２乃至図４参照）の側方（図１において右上側方）には、レジスト膜被覆領域A、アライメント領域B、露光領域C、現像領域Dが設定されている。レジスト膜被覆領域Aには、レジスト膜被覆手段４が配設され、アライメント領域Bにはアライメント手段５が配設され、露光領域Cには露光手段６が配設され、現像領域Dには現像手段７を構成する水供給手段７１がそれぞれ配設される。
【００２０】
上記レジスト膜被覆手段４の第１の実施形態について、図５の(a)および(b)を参照して説明する。図５の(a)および(b)に示すレジスト膜被覆手段４は、チャックテーブル機構３を構成するチャックテーブル３５に保持された被加工物Wの加工面（上面）に水溶性レジストを供給するノズル４１と、該ノズル４１に水溶性レジストを供給する水溶性レジスト供給手段４２とからなっている。このように水溶性レジストを供給するノズル４１と水溶性レジスト供給手段４２とからなるレジスト膜被覆手段４は、水溶性レジスト供給手段４２を作動することにより、ノズル４１からチャックテーブル３５に保持された被加工物Wの加工面（上面）に水溶性レジスト４０を供給する。そして、チャックテーブル３５を回転可能に支持する支持部材３６内に配設された電動モータ３７を作動し、チャックテーブル３５を図５の(b)に示すように矢印３５aで示す方向に比較的高速回転である例えば３００rpmで所定時間回転することにより、チャックテーブル３５に保持された被加工物Wの加工面（上面）にレジスト膜４００が形成される。従って、チャックテーブル３５を回転することによって被加工物Wの加工面に供給された水溶性レジストに遠心力を作用せしめる電動モータ３７は、被加工物の加工面に水溶性レジスト膜を形成する膜形成機構として機能する。被加工物Wの加工面（上面）に被覆するレジスト膜４００の厚さは、上記水溶性レジスト４０の滴下量によって決まるが、数μm〜３０μmに設定することが望ましい。なお、水溶性レジストとしては、東洋合成工業株式会社が製造販売するBIOSURFINE‐AWP(登録商標)を用いることができる。
【００２１】
次に、レジスト膜被覆手段４の第２の実施形態について、図６の(a)および(b)を参照して説明する。図６の(a)および(b)に示すレジスト膜被覆手段４は、上記図５の(a)および(b)に示す水溶性レジストを供給するノズル４１と水溶性レジスト供給手段４２とからなるレジスト膜被覆手段４によって、チャックテーブル３５に保持された被加工物Wの加工面（上面）に供給された水溶性レジスト４０を拡張するスクレーパー４３を具備している。このスクレーパー４３は、ヘラ４３１と、該ヘラ４３１を支持する支持アーム４３２と、該支持アーム４３２を上下方向に移動する移動手段としてのエアーシリンダ４３３とからなっている。このように構成されたスクレーパー４３は、ヘラ４３１をチャックテーブル３５に保持された被加工物Wの加工面（上面）の中心を通過するように位置付けるとともに、ヘラ４３１の下面を被加工物Wの加工面（上面）から上方に数μm〜３０μmの位置に位置付ける。そして、水溶性レジスト４０が供給された被加工物を保持しているチャックテーブル３５を図６の(b)に示すように矢印３５aで示す方向に例えば３０rpmで所定時間回転することにより、水溶性レジスト４０をヘラ４３１によって拡張して被加工物Wの加工面（上面）にレジスト膜４００を形成する。従って、スクレーパー４３は、被加工物の加工面に供給された水溶性レジストにより加工面に水溶性レジスト膜を形成する膜形成機構として機能する。
【００２２】
次に、レジスト膜被覆手段４の第３の実施形態について、図７の(a)および(b)を参照して説明する。図７の(a)および(b)に示すレジスト膜被覆手段４は、上記図５の(a)および(b)に示す水溶性レジストを供給するノズル４１と水溶性レジスト供給手段４２とからなるレジスト膜被覆手段４におけるノズル４１を、霧状の水溶性レジストが噴霧されるように構成したものである。従って、図７の(a)に示すようにチャックテーブル３５に保持された被加工物Wの加工面（上面）にノズル４１から霧状の水溶性レジスト４０を噴霧することにより、図７の(b)に示すようにチャックテーブル３５に保持された被加工物Wの加工面（上面）にレジスト膜４００が形成される。従って、霧状の水溶性レジスト４０を噴霧するノズル４１は、被加工物の加工面に供給された水溶性レジストにより加工面に水溶性レジスト膜を形成する膜形成機構として機能する。
【００２３】
図１に戻って説明を続けると、上記アライメント手段５は図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段５１を具備しており、撮像手段５１は撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
【００２４】
上記露光手段６について、図８を参照して説明する。水溶性レジストによるレジスト膜４００がポジ型の場合、図８に示す実施形態における露光手段６は、ライン露光手段からなっている。ライン露光手段からなる露光手段６は、露光ケース６１と、該露光ケース６１に配設された光照射器６２とを具備し、露光ケース６１が図１において露光領域Cに配設された支持部材６３によって支持されている。露光ケース６１の底板６１１には、図１にY軸方向に対して直交する矢印Xで示す方向（X軸方向）に沿ってライン状の光透過スリット６１２が設けられている。
【００２５】
図１を参照して説明を続けると、現像領域Dには現像手段７を構成する水供給手段７１が配設されている。この水供給手段７１は、現像領域Dに位置付けられたチャックテーブル３５を包囲する上記水現像プール３８に純水を供給する。
【００２６】
図１に戻って説明を続けると、装置ハウジング２の暗室２０を構成する前壁２０１におけるレジスト膜被覆領域Aと対応する領域に、シャッター手段２００が設けられている。このシャッター手段２００は、解放することによりレジスト膜被覆領域Aに位置付けられたチャックテーブル３５に後述する被加工物搬送手段によって露光前の被加工物を搬入可能とするとともに、レジスト膜被覆領域Aに位置付けられたチャックテーブル３５に保持された露光済みの被加工物を搬出可能とする。
【００２７】
図１に基づいて説明を続けると、装置ハウジング２における前半部（図１において左下半部）上には、第１のカセット１１と、第２のカセット１２と、被加工物搬送手段１３が配設されている。第１のカセット１１は露光前の被加工物としての半導体ウエーハを収納し、装置ハウジング２におけるカセット搬入域に載置される。図１０には被加工物としての半導体ウエーハ１０が示されている。図１０に示す半導体ウエーハ１０はシリコンウエーハからなっており、表面１０ａに複数の分割予定ライン１０１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１０１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０には、表面１０aに形成されたデバイス１０２を保護するために、図１１に示すように半導体ウエーハ１０の表面１０aに保護テープTを貼着する（保護テープ貼着工程）。なお、保護テープTは、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。このように、表面に保護テープTが貼着された半導体ウエーハ１０は、裏面１０bを上側にした状態で第１のカセット１１に収容される。第２のカセット１２は装置ハウジング２におけるカセット搬出域に載置され、露光後の半導体ウエーハ１０を収納する。被加工物搬送手段１３は、第１のカセット１１と第２のカセット１２との間に配設され、第１のカセット１１内に収納された半導体ウエーハ１０を搬出し、上記装置ハウジング２の暗室２０を構成する前壁２０１に設けられたシャッター手段２００を通してレジスト膜被覆領域Aに位置付けられたチャックテーブル３５に搬送するとともに、レジスト膜被覆領域Aに位置付けられたチャックテーブル３５に保持された露光済の半導体ウエーハ１０を第２のカセット１２に搬送する。
【００２８】
図示の実施形態における露光装置は、図９に示す制御手段９を具備している。制御手段９はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）９１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）９２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）９３と、入力インターフェース９４および出力インターフェース９５とを備えている。このように構成された制御手段９の入力インターフェース９４には、撮像手段５１等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース９５からは上記チャックテーブル機構３の移動手段３４を構成するパルスモータ３４２、チャックテーブル３５を回転駆動するための電動モータ３７、水現像プール３８を構成する作動手段３８２としてのエアーシリンダ３８２a、レジスト膜被覆手段４、アライメント手段５、露光手段６、現像手段７を構成する水供給手段７１、シャッター手段２００、被加工物搬送手段１３等に制御信号を出力する。
【００２９】
図示の実施形態における露光装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
制御手段９は、シャッター手段２００を解放するとともに、被加工物搬送手段１３を作動して第１のカセット１１に収容されている半導体ウエーハ１０を搬出し、シャッター手段２００を通してレジスト膜被覆領域Aに位置付けられたチャックテーブル３５に搬送する。そして、制御手段９は図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル３５に保護テープTを介して半導体ウエーハ１０を吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３５上に保護テープTを介して吸引保持された半導体ウエーハ１０は、裏面が上側となる。このようにして、チャックテーブル３５上に半導体ウエーハ１０を吸引保持したならば、制御手段９がシャッター手段２００を閉じる。
【００３０】
次に、制御手段９はレジスト膜被覆手段４を作動して、半導体ウエーハ１０の加工面である裏面に上述したように水溶性レジストによるレジスト膜４００を形成する（レジスト膜形成工程：図５乃至図７参照）。
【００３１】
上述したレジスト膜形成工程を実施したならば、制御手段９はチャックテーブル機構３の移動手段３４を構成するパルスモータ３４２を作動して、レジスト膜形成工程が実施された半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３５をアライメント領域Bに位置付ける。そして、制御手段９はアライメント手段５の撮像手段５１を作動して半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されている分割予定ライン１０１を検出し、この分割予定ライン１０１が露光領域Cに配設された露光手段６を構成する露光ケース６１の底板６１１に設けられた光透過スリット６１２と平行に位置付けられようにアライメントを遂行する。もし、所定方向に形成されている分割予定ライン１０１と光透過スリット６１２が平行に位置付けられていない場合には、上記チャックテーブル３５を回転駆動するための電動モータ３７を制御してチャックテーブル３５を回転することにより、チャックテーブル３５に保持された半導体ウエーハ１０に形成されている分割予定ライン１０１と光透過スリット６１２が平行になるようにアライメントする（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ１０に形成されている所定方向と直交する方向に形成されている分割予定ライン１０１に対しても、同様にアライメントを遂行する。このとき、半導体ウエーハ１０の分割予定ライン１０１が形成されている表面１０aは下側に位置しているが、撮像手段５１が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されているので、半導体ウエーハ１０の裏面に形成されたレジスト膜４００側から透かして分割予定ライン１０１を撮像することができる。
【００３２】
以上のようにしてチャックテーブル３５上に保持されている半導体ウエーハ１０に形成されている分割予定ライン１０１を検出し、露光領域のアライメントが行われたならば、制御手段９はチャックテーブル機構３の移動手段３４を構成するパルスモータ３４２を作動して、半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３５を露光領域Cに移動し、半導体ウエーハ１０に形成された分割予定ライン１０１における一方端の分割予定ライン１０１を光透過スリット６１２の直下に位置付ける。次に、制御手段９は光照射器６２を附勢し上記光透過スリット６１２を通して半導体ウエーハ１０の裏面に被覆されたレジスト膜４００にライン光を露光する（露光工程）。この露光工程を半導体ウエーハ１０に形成されている分割予定ライン１０１における他方端の分割予定ライン１０１と対応した領域まで順次実施する。そして、半導体ウエーハ１０の裏面に被覆されたレジスト膜４００における所定方向に形成された全ての分割予定ライン１０１と対応した領域に上記露光工程を実施したならば、制御手段９がチャックテーブル３５を回転駆動するための電動モータ３７を制御してチャックテーブル３５を９０度回動し、半導体ウエーハ１０の裏面に被覆されたレジスト膜４００における上記所定方向と直交する方向に形成された全ての分割予定ライン１０１と対応した領域に上記露光工程を実施する。
【００３３】
上述したように露光工程を実施したならば、制御手段９はチャックテーブル機構３の移動手段３４を構成するパルスモータ３４２を作動して、露光工程が実施された半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３５を現像領域Dに位置付ける。そして、制御手段９は図１２の(a)に示すように水現像プール３８を構成するエアーシリンダ３８２aを作動して筒状枠３８１を作用位置に位置付けることにより水現像プール３８を形成する。そして、現像手段７を構成する水供給手段７１を作動して現像領域Dに位置付けられたチャックテーブル３５を包囲する水現像プール３８に純水７０を供給する。この結果、半導体ウエーハ１０の裏面に被覆されたレジスト膜４００がポジ型の場合、露光された領域、即ち分割予定ライン１０１と対応した領域が露光されてない領域より水溶性が高く、上記露光工程において露光された分割予定ライン１０１と対応した領域が除去される。即ち、図１２の(b)に示すように半導体ウエーハ１０の裏面に被覆されたレジスト膜４００は、分割予定ライン１０１と対応した領域が除去される（現像工程）。
【００３４】
以上のように、図示の実施形態における露光装置は、暗室２０と、該暗室２０に配設され被加工物の加工面に水溶性レジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段４と、被加工物の加工面に被覆された水溶性レジスト膜における被加工物のエッチングすべき領域と対応する露光領域を設定するアライメント手段５と、水溶性レジスト膜に設定された露光領域を露光する露光手段６と、露光領域が露光された水溶性レジスト膜を水で現像する現像手段７とを具備しているので、テトラ  メチル  アンモニウム  ヒドロキシド(TMAH)と呼ばれる毒性のある現像液を使用する必要がなく、従って、専用の処理設備が不要となるため設備維持費が高く生産性が悪いという問題が解消する。
【００３５】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態における露光手段６はライン露光手段によって構成した例を示したが、加工すべき被加工物の領域に対応したマスクと光照射器とによって露光手段を構成してもよい。
なお、水溶性レジストによるレジスト膜４００がネガ型の場合、露光手段６は分割予定ライン１０１と対応する領域を遮光し、デバイスと対応する領域に光を照射するマスクによって構成される。そして、光が照射された領域は水溶性が低く遮光された領域は水溶性が高くなり、水による現像によって分割予定ライン１０１と対応した領域のレジスト膜４００が除去される。
【符号の説明】
【００３６】
２：装置ハウジング
２０：暗室
２００：シャッター手段
３：チャックテーブル機構
３５：チャックテーブル
３８：水現像プール
４：レジスト膜被覆手段
４０：水溶性レジスト
４００：レジスト膜
４１：ノズル
４２：水溶性レジスト供給手段
４３：スクレーパー
５：アライメント手段
５１：撮像手段
６：露光手段
６１：露光ケース
６１２：光透過スリット
６２：光照射器
７：現像手段
７１：水供給手段
９：制御手段
１０：半導体ウエーハ
１１：第１のカセット
１２：第２のカセット
１３：被加工物搬送手段
Ｔ：保護テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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