(57)【要約】【課題】マスク及び基板の走査中においてディストーションを制御するのに有利な露光装置を提供する。【解決手段】マスクと基板との走査方向の位置を移動しながら前記マスクのパターンを投影光学系を介して前記基板に投影して前記基板を露光する走査露光を行う露光装置であって、前記マスクと前記基板との間に配置された光学素子と、前記光学素子を変形させる変形部と、前記走査露光中において、前記変形部によって前記光学素子を前記投影光学系の光軸に平行な方向に変形させることによりディストーションを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記走査露光中における前記走査方向の位置に応じて、前記変形部による前記光学素子の前記方向への変形量を制御することを特徴とする露光装置を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクと基板との走査方向の位置を移動しながら前記マスクのパターンを投影光学系を介して前記基板に投影して前記基板を露光する走査露光を行う露光装置であって、
前記マスクと前記基板との間に配置された光学素子と、
前記光学素子を変形させる変形部と、
前記走査露光中において、前記変形部によって前記光学素子を前記投影光学系の光軸に平行な方向に変形させることによりディストーションを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記走査露光中における前記走査方向の位置に応じて、前記変形部による前記光学素子の前記方向への変形量を制御することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記マスク及び前記基板の走査中において前記光学素子がなすべき形状を表す形状情報に基づいて、前記変形部によって前記光学素子を前記方向に変形させることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記マスクのパターンの形状、前記基板に形成されたパターンの形状、及び、前記投影光学系の初期状態のディストーションに基づいて、前記形状情報を予め決定することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記光学素子は、矩形形状を有し、
前記変形部は、前記光学素子の４辺のそれぞれを支持する４つの支持部と、前記４つの支持部のそれぞれを変形させる変位部と、を含み、
前記制御部は、前記変位部により前記４つの支持部を変形させることで前記光学素子を前記方向に変形させることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記光学素子は、前記マスクと前記投影光学系との間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記光学素子は、前記マスクからの光を透過する光学膜又は平行平板であることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記ディストーションは、前記走査方向に平行な方向に関するディストーションであって、前記走査方向に直交する方向に対して２次の成分を含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
スリットの長手方向であり前記走査方向に直交する方向をｘ、前記スリットの短手方向であり前記走査方向に平行な方向をｙ、定数をＡとすると、
前記制御部は、Ａ×ｘ２×ｙで表されるディストーションを補正することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記投影光学系は、ミラーを含むことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ技術を用いて半導体デバイスを製造する際に、マスク（レチクル）のパターンを投影光学系によって基板に投影してパターンを転写する露光装置が使用されている。露光装置には、マスクのパターンを一括で露光する露光装置（ステッパー）と、マスクと基板とを同期走査しながらマスクのパターンを連続的に基板に転写する走査型の露光装置（スキャナー）がある。
【０００３】
走査型の露光装置におけるディストーションを補正する技術として、マスクや基板の走査中に投影光学系の倍率を変化させることが提案されている（特許文献１参照）。特許文献１では、走査中に、投影光学系を構成する光学素子を、投影光学系の光軸に平行な方向に移動させている。特許文献１の技術は、図６（ａ）に示すように、マスクや基板の走査方向（Ｙ方向）に直交する方向（Ｘ方向）に関するディストーションが走査位置に対して異なる場合に効果的である。
【０００４】
走査型の露光装置においては、走査方向に関するディストーションが走査位置に対して異なる場合にも、かかるディストーションを補正する必要がある。例えば、図６（ｂ）に示すように、走査方向に関するディストーションのうち、Ｘ像高に対する０次成分が走査位置に対して異なるディストーションを補正するためには、マスクと基板とを相対的に走査方向にずらしながら走査露光を行えばよい。また、図６（ｃ）に示すように、走査方向に関するディストーションのうち、Ｘ像高に対する１次成分が走査位置に対して異なるディストーションを補正するためには、光軸に対してマスクと基板とを相対的に回転させながら走査露光を行えばよい。
【０００５】
但し、マスクと基板とを相対的にずらしたり、回転させたりすることでは、図４に示すように、走査方向に関するディストーションのうち、Ｘ像高に対する２次成分が走査位置に対して異なるディストーション（偏心ディストーション）を補正することができない。そこで、走査中に、投影光学系を構成する光学素子を、投影光学系の光軸に対して傾斜させることで偏心ディストーションを補正する技術が提案されている（特許文献２参照）。このように、投影光学系を構成する光学素子を光軸に対して傾斜させることにより、偏心ディストーションを変化させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３２７８３０３号公報
【特許文献２】特開平１１−１９５６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２の技術のように、光学素子を光軸に対して傾斜させると、一般的には、偏心ディストーション以外に、Ｘ像高に対する０次成分やコマ収差などの他の成分も変化してしまう。従って、偏心ディストーションを独立して補正するためには、複数の光学素子を光軸に対して傾斜させることで他の成分の変化を打ち消さなければならず、装置の大型化（複雑化）やコストの増加を招いてしまう。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、マスク及び基板の走査中においてディストーションを制御するのに有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、マスクと基板との走査方向の位置を移動しながら前記マスクのパターンを投影光学系を介して前記基板に投影して前記基板を露光する走査露光を行う露光装置であって、前記マスクと前記基板との間に配置された光学素子と、前記光学素子を変形させる変形部と、前記走査露光中において、前記変形部によって前記光学素子を前記投影光学系の光軸に平行な方向に変形させることによりディストーションを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記走査露光中における前記走査方向の位置に応じて、前記変形部による前記光学素子の前記方向への変形量を制御することを特徴とする。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、マスク及び基板の走査中において投影光学系のディストーションを制御するのに有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示す露光装置の調整部の構成を示す概略図である。
【図３】投影光学系のディストーションの制御の原理を説明するための図である。
【図４】ディストーションの一例を示す図である。
【図５】図２に示す調整部の光学素子の形状の一例を示す図である。
【図６】ディストーションの一例を示す図である。
【図７】図２に示す調整部による光学素子の変形前の表面の位置及び変形後の表面の位置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略図である。露光装置１は、マスクと基板との走査方向の位置を移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に投影して基板を露光する走査露光を行う走査型の露光装置（スキャナー）である。露光装置１は、主制御部１０３と、照明光学系１０４と、照明制御部１０８と、投影光学系１１０と、開口駆動部１１２と、レンズ駆動部１１３と、投影制御部１１４と、基板ステージ１１６と、レーザ干渉計１１８と、ステージ駆動部１１９とを有する。また、露光装置１は、調整部２１と、ステージ制御部１２０と、投光光学系１２１と、検出光学系１２２と、調整制御部１２３と、アライメント検出系１２４と、マスクステージ１２５と、ステージ駆動部１２６とを有する。図１において、投影光学系１１０の光軸と平行な方向をｚ軸とし、ｚ軸に直交する方向をｘ軸及びｙ軸とする。また、ｙ軸は紙面内の方向とし、ｘ軸は紙面に対して垂直な方向とする。
【００１５】
主制御部１０３は、照明制御部１０８、投影制御部１１４、ステージ制御部１２０及び調整制御部１２３を介して、露光装置１の全体（露光装置１の各部）を制御する。主制御部１０３は、基板１１５を露光する露光処理を制御するだけではなく、投影光学系１１０の光学性能、具体的には、投影光学系１１０のディストーションを調整する調整処理なども制御する。
【００１６】
光源１０１は、基板を露光するための光、即ち、露光光を射出する。光源１０１から射出された光は、照明光学系１０４における整形光学系（不図示）を介して、所定の形状に整形され、オプティカルインテグレータ（不図示）に入射する。オプティカルインテグレータは、マスク１０９を均一な照度分布で照明するための多数の２次光源を形成する。
【００１７】
照明光学系１０４における開口絞り１０５は、略円形形状の開口を有する。照明制御部１０８は、開口絞り１０５の開口径、即ち、照明光学系１０４の開口数（ＮＡ）を所定の値に設定（制御）する。投影光学系１１０の開口数に対する照明光学系１０４の開口数の比の値がコヒーレンスファクター（σ値）であるため、照明制御部１０８は、開口絞り１０５の開口径を制御することでσ値を設定する。
【００１８】
ハーフミラー１０６は、照明光学系１０４の光路上に配置されている。マスク１０９を照明する光の一部がハーフミラー１０６によって反射される。ハーフミラー１０６の反射光の光路上には、例えば、紫外光用のフォトセンサ１０７が配置されている。フォトセンサ１０７は、ハーフミラー１０６で反射された光の強度（露光エネルギー）に対応する出力を発生させる。
【００１９】
マスクステージ１２５は、ｙ軸方向に移動可能に構成されている。マスクステージ１２５は、走査露光を行う際に、ステージ駆動部１２６によって駆動される。マスクステージ１２５には、原版としてのマスク１０９が吸着固定（保持）されている。マスク１０９には、基板１１５に転写すべきパターン、例えば、半導体デバイスの回路パターンが形成されている。
【００２０】
投影光学系１１０は、レンズのみを含む屈折系、レンズとミラーとを含む反射屈折系、或いは、ミラーのみを含む反射系で構成されている。投影光学系１１０は、マスク１０９のパターンの像を縮小倍率β（例えば、β＝１／４）で縮小し、フォトレジストが塗布された基板１１５の１つのショット領域に投影する。
【００２１】
投影光学系１１０の瞳面（マスク１０９に対するフーリエ変換面）には、略円形形状の開口を有する開口絞り１１１が配置されている。開口絞り１１１の開口径は、モータなどを含む開口駆動部１１２によって、所定の値に設定される。
【００２２】
レンズ駆動部１１３は、投影光学系１１０のレンズ系の一部を構成する光学素子１１０ａを、投影光学系１１０の光軸に平行な方向（ｚ軸方向）に移動させる。これにより、投影光学系１１０の諸収差の悪化を抑制しながら、投影倍率を良好に維持して歪曲誤差を低減することができる。
【００２３】
投影制御部１１４は、主制御部１０３の制御下において、開口駆動部１１２及びレンズ駆動部１１３を制御する。例えば、投影制御部１１４は、開口駆動部１１２を介して、開口絞り１１１の開口径を制御することで、開口絞り１１１の開口径を所定の値に設定する。また、投影制御部１１４は、レンズ駆動部１１３を介して、投影光学系１１０を構成する光学素子のｚ軸方向における位置を制御する。
【００２４】
基板ステージ１１６は、３次元方向に移動可能に構成され、本実施形態では、投影光学系１１０の光軸に平行な方向であるｚ軸方向、及び、ｚ軸方向に直交する面内であるｘ−ｙ面を移動することができる。主制御部１０３の制御下において、モータなどをそれぞれ含むステージ駆動部１１９及び１２６をステージ制御部１２０が制御することで、基板ステージ１１６とマスクステージ１２５とを同期移動させて走査露光を行う。
【００２５】
レーザ干渉計１１８は、レーザ干渉計１１８と基板ステージ１１６に固定された移動ミラー１１７との間の距離を計測することで、基板ステージ１１６のｘ−ｙ面における位置を検出する。アライメント検出系１２４は、基板ステージ１１６における基板１１５の位置ずれを検出する。
【００２６】
主制御部１０３の制御下において、ステージ制御部１２０は、レーザ干渉計１１８やアライメント検出系１２４の検出結果に基づいて、ステージ駆動部１１９を制御することで、基板ステージ１１６をｘ−ｙ面における所定の位置に移動させる。
【００２７】
フォーカス検出系は、投光光学系１２１と、検出光学系１２２とを含む。投光光学系１２１は、基板１１５に対して、基板１１５に塗布されたフォトレジストを感光させない非露光光からなる複数の光束を投光する。かかる光束は、基板１１５の上にそれぞれ集光される。基板１１５で反射された光束は、検出光学系１２２に入射する。検出光学系１２２は、基板１１５で反射される光束に対応させて配置された複数の位置検出用の受光素子を含み、各受光素子の受光面と基板１１５での各光束の反射点とが結像光学系を介して光学的に共役となるように構成されている。投影光学系１１０の光軸に平行な方向における基板１１５の位置ずれは、検出光学系１２２における受光素子に入射する光束の位置ずれとして検出される。
【００２８】
調整部２１は、マスク１０９に対向して設けられ、投影光学系１１０のディストーションを調整する機能を有する。調整部２１は、図２に示すように、光学素子２１０と、光学素子２１０を変形させる変形部２２０とを含む。調整部２１は、本実施形態では、投影光学系１１０から独立したユニットとして構成されているが、投影光学系１１０の一部として構成されていてもよい。また、調整部２１は、マスク１０９を保持するマスクステージ１２５と一体的に構成されていてもよい。ここで、図２は、調整部２１の構成を示す概略図である。
【００２９】
光学素子２１０は、マスク１０９と基板１１５との間、本実施形態では、マスク１０９と投影光学系１１０のマスク側の端面との間に配置されている。光学素子２１０は、光学的なパワーを有さず、マスク１０９からの光を透過する光学素子、例えば、光学膜又は平行平板で構成されている。光学素子２１０は、本実施形態では、図２に示すように、矩形形状を有する。
【００３０】
変形部２２０は、光学素子２１０をｚ方向に曲げることによって、光学素子２１０の表面の位置がｚ方向に変位可能に構成されている。変形部２２０によって光学素子２１０を変形させることで、光学素子２１０の表面は、図７に示すように、変形前の位置ＳＦＢから変形後の位置ＳＦＡに変位する。従って、変形部２２０による光学素子２１０の変形量は、変形前の位置ＳＦＢと変形後の位置ＳＦＡとの差分である矢印ＣＡで定義される。変形部２２０は、例えば、図２に示すように、４つの支持部２２１、２２２、２２３及び２２４と、４つの変位部２３１、２３２、２３３及び２３４とを含む。４つの支持部２２１乃至２２４のそれぞれは、矩形形状を有する光学素子２１０の４辺のそれぞれを支持する。４つの変位部２３１乃至２３４のそれぞれは、４つの支持部２２１乃至２２４のそれぞれを光学素子２１０の頂点間の点、本実施形態では、光学素子２１０の頂点間の中点を支点として変形させる。
【００３１】
調整制御部１２３は、マスク１０９や基板１１５を走査している間（走査露光中）において、変形部２２０によって光学素子２１０を投影光学系１１０の光軸に平行な方向、即ち、ｚ方向に変形させることにより投影光学系１１０のディストーションを制御する。具体的には、調整制御部１２３は、変形部２２０の４つの変位部２３１乃至２３４のそれぞれにより４つの支持部２２１乃至２２４を変形させることで光学素子２１０をｚ方向に変形させる。本実施形態では、支持部２２１及び２２２がｙ軸に平行に設けられているため、調整制御部１２３は、変位部２３１及び２３２により支持部２２１及び２２２を変形させることで、光学素子２１０をｙ−ｚ面において任意の関数形状に変形することができる。また、支持部２２３及び２２４がｘ軸に平行に設けられているため、調整制御部１２３は、変位部２３３及び２３４により支持部２２３及び２２４を変形させることで、光学素子２１０をｘ−ｚ面において任意の関数形状に変形することができる。
【００３２】
ここで、投影光学系１１０のディストーションの制御（調整）の原理を、図３に示すような楔形状を有する光学素子ＯＥを例に説明する。図３は、傾斜角θの楔形状を有する光学素子ＯＥを示す図である。ここでは、光学素子ＯＥの肉厚（厚さ）をｄとし、光学素子ＯＥの屈折率をｎとする。
【００３３】
光学素子ＯＥに入射した光は屈折され、入射した位置に対してΔだけずれた位置から射出される。光学素子ＯＥに入射する光の屈折角θ’は、スネルの法則によって、以下の式（１）で表される。
ｓｉｎθ’＝ｓｉｎθ／ｎ      ・・・（１）
式（１）においては、説明を簡単にするために、光学素子ＯＥの周辺の屈折率を１としている。光学素子ＯＥにおいて、屈折角θ’で屈折された光が肉厚ｄに対応する距離を進むため、Δは、以下の式（２）で表される。
Δ＝ｄ×ｔａｎ（θ−θ’）      ・・・（２）
傾斜角θ及び屈折角θ’は小さいため、ｓｉｎθ≒ｔａｎθ≒θで近似すると、式（１）及び式（２）から、以下の式（３）が得られる。
Δ≒ｄ×θ（１−（１／ｎ））      ・・・（３）
式（３）を参照するに、Δは、光学素子ＯＥの傾斜角θに比例することがわかる。従って、入射した位置に対してΔだけずれた位置から射出された光が投影光学系１１０を介して基板１１５に到達するため、基板面でのずれ、即ち、ディストーションは、Δと投影光学系１１０の投影倍率との積に比例した値となる。このように、ディストーションは、入射する光の位置における光学素子ＯＥの傾斜角に比例する。
【００３４】
例えば、図４に示すようなディストーションの制御について説明する。図４に示すディストーションは、ｘ方向のディストーションをＤＸ、ｙ方向のディストーションをＤＹとすると、ｙ方向のディストーションＤＹのｘ像高に対する２次成分が走査位置によって異なる。換言すれば、スリットの短手方向であり走査方向（ｙ方向）に平行な方向に関するディストーションＤＹは、スリットの長手方向であり走査方向に直交する方向（ｘ方向）に対して２次の成分を含む。ディストーションＤＹは、Ａを定数として、以下の式（４）で表される。
ＤＹ＝Ａ×ｘ２×ｙ      ・・・（４）
式（３）に示したように、ディストーションは、光学素子ＯＥの傾斜角に比例する。従って、図４に示すディストーションを補正するためには、式（４）に従う傾斜角分布を光学素子ＯＥに与えればよい。
【００３５】
従って、本実施形態では、光学素子２１０の形状（表面の各点のｚ方向における位置）をｚ（ｘ，ｙ）で表すと、ｘ方向における支持部２２３及び２２４のｚ方向の位置ｚ（ｘ）をｚ（ｘ）＝ａ×ｘ２（ａ：係数）で表される関数形状にすればよい。また、ｙ方向における支持部２２１及び２２２のｚ方向の位置ｚ（ｙ）をｚ（ｙ）＝ｂ×ｙ（ｂ：係数）で表される関数形状にすればよい。この場合、光学素子２１０は、図５に示す形状となり、Ｂを定数として、以下の式（５）で表される。
ｚ（ｘ，ｙ）＝Ｂ×ｘ２×ｙ      ・・・（５）
本実施形態では、調整制御部１２３は、走査方向（ｙ方向）の位置、即ち、マスク１０９の位置に対して、変形部２２０による光学素子２１０の変形量（表面の各点のｚ方向における変位量）を制御する。換言すれば、調整制御部１２３は、マスク１０９の走査中における走査方向の位置と基板１１５の走査中における走査方向の位置との関係に応じて、光学素子２１０のｚ方向への変形量を制御する。これにより、走査位置に対して異なるｙ方向のディストーションＤＹ、即ち、偏心ディストーションを制御（補正）することができる。この際、式（５）をｘで偏微分することでｘ方向のディストーションＤＸを求めると、ｘ方向（ｘ像高）に比例した特性を有することになる。かかるディストーションＤＸは、所謂、倍率成分であり、レンズ駆動部１１３による光学素子１１０ａをｚ方向に移動させることで制御（補正）可能である。従って、本実施形態の露光装置１では、図４に示すようなディストーション（偏心ディストーション）を補正することができる。
【００３６】
また、調整制御部１２３は、マスク１０９や基板１１５の走査中において光学素子２１０がなすべき形状を表す形状情報を予め有し、かかる形状情報に基づいて、変形部２２０によって光学素子２１０をｚ方向に変形させてもよい。かかる形状情報は、調整制御部１２３によって、マスク１０９のパターンの形状（歪み）、基板１１５に形成されたパターンの形状（歪み）、及び、投影光学系１１０の初期状態のディストーションに基づいて予め決定されている。
【００３７】
更に、光学素子２１０の厚さｄを考える。式（３）を変形すると、以下の式（６）が得られる。
θ＝Δ／ｄ×（ｎ／（ｎ−１））      ・・・（６）
式（６）を参照するに、光学素子２１０の厚さｄを厚くするほど、単位位置ずれ量に相当するΔを補正するのに必要な傾斜角θが小さくなることがわかる。一方、光学素子２１０の厚さｄを厚くするほど、光学素子２１０への入射角度差による光路長差が大きくなるため、定性的に、位置ずれ以外の波面収差が悪化してしまう。従って、光学素子２１０は、光学膜で構成するとよい。例えば、屈折率ｎ＝１．５、厚さｄ＝１μｍの光学膜で光学素子２１０を構成した場合でも、１／４の投影倍率を有する投影光学系１１０において、１度の傾斜角でディストーションＤＹ＝０．７ｎｍを制御することが可能である。
【００３８】
また、本実施形態では、図４に示すディストーションを例に説明したが、変形部２２０は、光学素子２１０を任意の形状に変形させることが可能である。従って、本実施形態の露光装置１は、光学素子２１０の形状に比例した任意のディストーションを制御することができる。更に、マスク１０９や基板１１５の走査状態が加速中であっても同様に、変形部２２０により光学素子２１０を変形させることでディストーションを制御することができる。
【００３９】
本実施形態によれば、装置の大型化（複雑化）やコストの増加を招くことなく、投影光学系１１０のディストーション、特に、偏心ディストーションを高精度に制御することができる。従って、露光装置１は、投影光学系１１０のディストーションを適切に調整することができ、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイスなど）を提供することができる。
【００４０】
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する工程と、露光した基板を現像する工程を含む。また、上記形成工程につづけて、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００４２】
１：露光装置    １０９：マスク    １１０：投影光学系    １１５：基板    １０３：主制御部    ２１：調整部    ２１０：光学素子    ２２０：変形部    １２３：調整制御部
【図１】
2016033999.tif 000003
【図２】
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【図３】
2016033999.tif 000005
【図４】
2016033999.tif 000006
【図６】
2016033999.tif 000007
【図７】
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【図５】
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