(57)【要約】【課題】ＦＥデバイス等に用いたときの電子放出性能を向上することが可能な異方性導電体膜を提供する。【解決手段】異方性導電体膜１は、面方向に対して交差方向に延びた複数の貫通孔２１Ｈを有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体２１と、複数の貫通孔２１Ｈのうち一部の貫通孔の内部に選択的に形成された導電体２２とを備える。異方性導電体膜１には、複数の導電体２２が環状に配列した環状導電体群２２Ｇが形成されている。環状導電体群２２Ｇの径が２０μｍ以下であり、環状導電体群２２Ｇの環幅が５μｍ以下である。貫通孔２１Ｈの内部に導電体２２が形成されていない未封孔部ＮＳＡの少なくとも一部が除去されていてもよい。細孔構造体２１はすべて除去されてもよい。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
面方向に対して交差方向に延びた複数の貫通孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、
前記複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的に形成された導電体とを備えた異方性導電体膜であって、
複数の前記導電体が環状に配列した環状導電体群が互いに離間して複数形成されており、
前記環状導電体群の径が２０μｍ以下であり、前記環状導電体群の環幅が５μｍ以下である、
異方性導電体膜。
【請求項２】
前記貫通孔の内部に形成された前記導電体は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｗ及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属又は金属化合物を含む、
請求項１に記載の異方性導電体膜。
【請求項３】
面方向に対して交差方向に延びた複数の貫通孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、
前記複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的に形成された導電体とを備えた異方性導電体膜であって、
複数の前記導電体が環状に配列した環状導電体群が形成されており、
前記細孔構造体の一方の面に、
前記環状導電体群の内側にある未封孔の前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ難な第１の導電体膜と、
前記環状導電体群をなす前記導電体が内部に形成された前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ可能な第２の導電体膜と、
前記環状導電体群の外側にある未封孔の前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ難な第３の導電体膜とを備え、
前記第１の導電体膜と前記第２の導電体膜と前記第３の導電体膜とが互いに導通された、
異方性導電体膜。
【請求項４】
前記貫通孔の内部に形成された前記導電体は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｗ及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属又は金属化合物を含み、
前記第１の導電体膜及び前記第３の導電体膜はそれぞれ独立に、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びＷからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属又は金属化合物、又はステンレスを含み、
前記第２の導電体膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属又は金属化合物を含む、
請求項３に記載の異方性導電体膜。
【請求項５】
前記第１の導電体膜は、前記環状導電体群の内側にある未封孔の前記貫通孔の前記開口部を覆うパターンで、パターン形成され、
前記第２の導電体膜は、前記第１の導電体膜を覆い、かつ、前記環状導電体群をなす前記導電体が内部に形成された前記貫通孔の前記開口部を覆うパターンで、パターン形成された、
請求項３又は４に記載の異方性導電体膜。
【請求項６】
前記第１の導電体膜と前記第２の導電体膜とは、同一のマスクを用いて気相成膜されたものである、
請求項５に記載の異方性導電体膜。
【請求項７】
前記貫通孔の内部に前記導電体が形成されていない未封孔部の少なくとも一部が除去された、
請求項１〜６のいずれかに記載の異方性導電体膜。
【請求項８】
前記導電体の頭頂部が前記細孔構造体より突出した、
請求項７に記載の異方性導電体膜。
【請求項９】
少なくとも１種の金属又は金属化合物を含み、径が１μｍ未満である針状の複数の導電体が下地の面に対して交差する方向に延びて形成された針状導電体層を含む異方性導電体膜であって、
前記針状導電体層には、前記複数の導電体が環状に配列した環状導電体群が互いに離間して複数形成されており、
前記環状導電体群の径が２０μｍ以下であり、前記環状導電体群の環幅が５μｍ以下である、
異方性導電体膜。
【請求項１０】
少なくとも１種の金属又は金属化合物を含み、径が１μｍ未満である針状の複数の導電体が下地の面に対して交差する方向に延びて形成された針状導電体層を含む異方性導電体膜であって、
前記針状導電体層には、前記複数の導電体が環状に配列した環状導電体群が形成されており、
前記針状導電体層の前記環状導電体群の内側の前記下地が、前記導電体の材料をメッキ難な第１の導電体膜であり、
前記針状導電体層の前記環状導電体群をなす前記導電体の前記下地が、前記導電体の材料をメッキ可能な第２の導電体膜であり、
前記針状導電体層の前記環状導電体群の外側の前記下地が、前記導電体の材料をメッキ難な第３の導電体膜であり、
前記第１の導電体膜と前記第２の導電体膜と前記第３の導電体膜とが互いに導通された、
異方性導電体膜。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の異方性導電体膜の製造方法であって、
面方向に対して交差方向に延びた複数の貫通孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体を用意する工程（Ａ）と、
前記細孔構造体の一方の面に、前記環状導電体群の内側となる前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ難な第１の導電体膜と、前記環状導電体群をなす前記導電体が内部に形成される前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ可能な第２の導電体膜と、前記環状導電体群の外側となる前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ難な第３の導電体膜とを、互いに導通するよう形成する工程（Ｂ）と、
前記第１の導電体膜と前記第２の導電体膜と前記第３の導電体膜とを電極層として、前記細孔構造体に対して電解メッキを実施する工程（Ｃ）とを順次有する、
異方性導電体膜の製造方法。
【請求項１２】
工程（Ｂ）は、
前記環状導電体群の内側となる前記貫通孔の前記開口部を覆うパターンで、前記第１の導電体膜をパターン形成する工程（ＢＸ）と、
前記第１の導電体膜を覆い、かつ、前記環状導電体群をなす前記導電体が内部に形成される前記貫通孔の前記開口部を覆うパターンで、前記第２の導電体膜をパターン形成する工程（ＢＹ）と、
前記環状導電体群の外側となる前記貫通孔の前記開口部を選択的に覆い、前記第２の導電体膜に導通された前記第３の導電体膜を形成する工程（ＢＺ）とを含む、
請求項１１に記載の異方性導電体膜の製造方法。
【請求項１３】
工程（ＢＸ）と工程（ＢＹ）とは、同一のマスクを用いた気相成膜工程である、
請求項１２に記載の異方性導電体膜の製造方法。
【請求項１４】
さらに、前記細孔構造体の少なくとも一部を除去する工程（Ｄ）を有する、
請求項１１〜１３のいずれかに記載の異方性導電体膜の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１０のいずれかに記載の異方性導電体膜を備えた、デバイス。
【請求項１６】
請求項１、２、９のいずれかに記載の異方性導電体膜を備えてなり、
前記貫通孔内に形成された前記導電体からなる電子源と、前記細孔構造体の一方の面に形成され、前記電子源に導通された電極層とを備えた、電子放出素子。
【請求項１７】
請求項３〜６、１０のいずれかに記載の異方性導電体膜を備えてなり、
前記貫通孔内に形成された前記導電体からなる電子源と、前記第１の導電体膜と前記第２の導電体膜と前記第３の導電体膜とを含む電極層とを備えた、電子放出素子。
【請求項１８】
請求項１６又は１７に記載の電子放出素子を含む第１の電極基板と、
前記第１の電極基板に対して真空空間を介して対向配置され、電極層と蛍光体層とを含む第２の電極基板とを備えた、
フィールドエミッションランプ。
【請求項１９】
請求項１６又は１７に記載の電子放出素子を含む第１の電極基板と、
前記第１の電極基板に対して真空空間を介して対向配置され、電極層と蛍光体層とを含む第２の電極基板とを備え、
前記蛍光体層から発光される光の変調により表示を行う、
フィールドエミッションディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電体膜とその製造方法、及び、この異方性導電体膜を用いたデバイス／電子放出素子／フィールドエミッションランプ／フィールドエミッションディスプレイに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フィールドエミッション（Field Emission：ＦＥ、電界電子放出）デバイスは、低消費電力で高輝度が得られることが期待されている。ＦＥデバイスは、フィールドエミッションランプ（Field Emission Lump：ＦＥＬ、照明装置）あるいはフィールドエミッションディスプレイ（Field Emission Display：ＦＥＤ、表示装置）等として利用できる。
ＦＥデバイスでは、カソード基板に備えられたエミッタ（電子源）から放出された電子線によりアノード基板に備えられた蛍光体層が励起されて、発光が得られる。
従来、エミッタとしては、スピント型エミッタ及びカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）エミッタ等が用いられている。しかしながら、スピント型エミッタは、作製プロセスが複雑で大面積化が困難である。ＣＮＴエミッタは、結晶性が高いＣＮＴを、長さを揃えて規則的に配列する構造設計が困難である。
【０００３】
Ａｌ等の被陽極酸化金属体の少なくとも一部を陽極酸化して、複数の針状の非貫通孔とバリア層とを有する陽極酸化金属膜を得ることができる。この陽極酸化金属膜のバリア層側を部分的に除去することにより、面方向に対して交差方向に延びた複数の針状の貫通孔を有する細孔構造体を得ることができる。この細孔構造体の一方の面に導電体膜を形成し、複数の貫通孔の内部に電解メッキにより針状導電体を形成することができる。貫通孔の内部に形成された導電体の先端には、電界中で局所的に高電界を発生させることができる。
非特許文献１等には、上記構造体のＦＥデバイスへの利用が提案されている。
細孔構造体の一方の面に形成された導電体膜は電極層として、貫通孔の内部に形成された針状導電体はエミッタとして、それぞれ用いることができる。
陽極酸化金属膜を用いることで、電子放出素子を簡易なプロセスで形成でき、その大面積化も容易である。エミッタとして機能する針状導電体の成長方向等を制御しやすいので、構造設計も容易である。
【０００４】
本明細書では、電極層上に面方向に並んだ複数のエミッタの層を「エミッタ層」と称す。また、電極層とエミッタ層とを備えた素子を、「電子放出素子」と称す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許5158809号公報(特開2010-205458号公報)
【特許文献２】特願2013-162364号（本件出願時において未公開）
【特許文献３】特願2013-247354号（本件出願時において未公開）
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Electrochemistry Communications 11 (2009) 660-663.
【非特許文献２】小向拓治、「熱CVD法によるカーボンナノチューブの合成および電界電子放出素子への応用に関する研究」、高知工科大学、２００６年３月博士論文
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般に、電子放出素子においては、エミッタ間隙が狭くなりすぎると、各エミッタ先端にかかる電界が遮蔽され、電子放出性能が平面電極に近づくことが知られている。
例えば、特許文献１には、ＣＮＴエミッタ層に貫通孔を設けた構成が開示されている（図１）。特許文献１には、貫通孔の径（Ｗ）を８０μｍに固定したとき、ＣＮＴエミッタ層のパターン幅（Ｓ）を小さくして、相対的にスペースを大きくすることで、電子放出性能が向上することが示されている（図７）。
【０００８】
通常の条件で製造される陽極酸化金属膜では、貫通孔の径は例えば２０〜２００ｎｍ程度であり、互いに隣接する貫通孔の間隔は例えば２０〜２００ｎｍ程度である。そのため、非特許文献１等で提案されている陽極酸化金属膜を用いた電子放出素子では、素子全体を通じてエミッタ間隙が非常に狭く、高い電子放出性能を得ることが難しい。
【０００９】
本発明者らは、先の出願である特許文献２（本件出願時において未公開）において、複数の貫通孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体の一方の面に、針状導電体の材料をメッキ可能な第１の導電体膜と針状導電体の材料をメッキ難な第２の導電体膜とを形成することにより、細孔構造体の複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的に針状導電体を形成することに成功している。
特許文献２に開示の異方性導電体膜をＦＥデバイス等に使用する場合、エミッタ間隙を広範囲で制御することができる。その結果、エミッタ間隙が狭くなりすぎて、各エミッタ先端にかかる電界が遮蔽され、電子放出性能が低下することを抑制でき、高い電子放出性能を発現できる。
【００１０】
上記特許文献２の一実施形態においては、第１の導電体膜（３１）の直上に形成された複数の貫通孔（２１Ｈ）の内部に形成された針状導電体（２２）が１つの導電体群（２２Ｇ）を構成している。平面視で、複数の導電体群（２２Ｇ）は、未封孔部を介して、互いに離間されている（段落００３６、図１Ａ、図１Ｂ、図５等を参照）。かかる態様においては、複数の導電体群（２２Ｇ）の間が互いに離間されており、その間隔の制御も可能である。この態様において、導電体群（２２Ｇ）は、複数の針状導電体（２２）が束になって形成された導電体束である。
【００１１】
非特許文献２には、ＣＮＴ束において、中心部の電界放出強度が最も小さく、周囲に向かう程、電界放出強度が大きくなり、周縁部の電界放出強度が最も大きくなることが報告されている（図５５）。
特許文献２の上記実施形態の導電体束（導電体群２２Ｇ）においても、同様であると考えられる。
導電体束では、周縁部より内側の束内部に複数の針状導電体が密に形成されているため、電界遮蔽効果により束内部の電界放出強度が相対的に小さくなると考えられる。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、複数の貫通孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的に形成された導電体とを備え、ＦＥデバイス等に用いたときの電子放出性能を向上することが可能な異方性導電体膜とその製造方法を提供することを目的とするものである。
なお、本発明の異方性導電体膜はＦＥデバイス等に好ましく用いられるが、その用途は制限なく、任意である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の異方性導電体膜は、
面方向に対して交差方向に延びた複数の貫通孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、
前記複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的に形成された導電体とを備えた異方性導電体膜であって、
複数の前記導電体が環状に配列した環状導電体群が互いに離間して複数形成されており、
前記環状導電体群の径が２０μｍ以下であり、前記環状導電体群の環幅が５μｍ以下である、
異方性導電体膜である。
【００１４】
本明細書において、特に明記しない限り、「径」は最大径を意味するものとする。
【００１５】
本発明の第２の異方性導電体膜は、
面方向に対して交差方向に延びた複数の貫通孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、
前記複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的に形成された導電体とを備えた異方性導電体膜であって、
複数の前記導電体が環状に配列した環状導電体群が形成されており、
前記細孔構造体の一方の面に、
前記環状導電体群の内側にある未封孔の前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ難な第１の導電体膜と、
前記環状導電体群をなす前記導電体が内部に形成された前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ可能な第２の導電体膜と、
前記環状導電体群の外側にある未封孔の前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ難な第３の導電体膜とを備え、
前記第１の導電体膜と前記第２の導電体膜と前記第３の導電体膜とが互いに導通されたものである。
【００１６】
本発明の第３の異方性導電体膜は、
少なくとも１種の金属又は金属化合物を含み、径が１μｍ未満である針状の複数の導電体が下地の面に対して交差する方向に延びて形成された針状導電体層を含む異方性導電体膜であって、
前記針状導電体層には、前記複数の導電体が環状に配列した環状導電体群が互いに離間して複数形成されており、
前記環状導電体群の径が２０μｍ以下であり、前記環状導電体群の環幅が５μｍ以下である、
異方性導電体膜である。
【００１７】
本発明の第４の異方性導電体膜は、
少なくとも１種の金属又は金属化合物を含み、径が１μｍ未満である針状の複数の導電体が下地の面に対して交差する方向に延びて形成された針状導電体層を含む異方性導電体膜であって、
前記針状導電体層には、前記複数の導電体が環状に配列した環状導電体群が形成されており、
前記針状導電体層の前記環状導電体群の内側の前記下地が、前記導電体の材料をメッキ難な第１の導電体膜であり、
前記針状導電体層の前記環状導電体群をなす前記導電体の前記下地が、前記導電体の材料をメッキ可能な第２の導電体膜であり、
前記針状導電体層の前記環状導電体群の外側の前記下地が、前記導電体の材料をメッキ難な第３の導電体膜であり、
前記第１の導電体膜と前記第２の導電体膜と前記第３の導電体膜とが互いに導通されたものである。
【００１８】
本発明の異方性導電体膜の製造方法は、
上記の本発明の第１〜第４いずれかの異方性導電体膜の製造方法であって、
面方向に対して交差方向に延びた複数の貫通孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体を用意する工程（Ａ）と、
前記細孔構造体の一方の面に、前記環状導電体群の内側となる前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ難な第１の導電体膜と、前記環状導電体群をなす前記導電体が内部に形成される前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ可能な第２の導電体膜と、前記環状導電体群の外側となる前記貫通孔の開口部を選択的に覆い、前記導電体の材料をメッキ難な第３の導電体膜とを、互いに導通するよう形成する工程（Ｂ）と、
前記第１の導電体膜と前記第２の導電体膜と前記第３の導電体膜とを電極層として、前記細孔構造体に対して電解メッキを実施する工程（Ｃ）とを順次有するものである。
【００１９】
本発明のデバイスは、上記の本発明の異方性導電体膜を備えたものである。
【００２０】
本発明の電子放出素子は、
上記の本発明の第１〜第４いずれかの異方性導電体膜を備えてなり、
前記貫通孔内に形成された前記導電体からなる電子源と、
前記細孔構造体の一方の面に形成され、前記電子源に導通された電極層とを備えたものである。
【００２１】
本発明のフィールドエミッションランプ（ＦＥＬ）は、
上記の本発明の電子放出素子を含む第１の電極基板と、
前記第１の電極基板に対して真空空間を介して対向配置され、電極層と蛍光体層とを含む第２の電極基板とを備えたものである。
【００２２】
本発明のフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）は、
上記の本発明の電子放出素子を含む第１の電極基板と、
前記第１の電極基板に対して真空空間を介して対向配置され、電極層と蛍光体層とを含む第２の電極基板とを備え、
前記蛍光体層から発光される光の変調により表示を行うものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、複数の貫通孔を有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体と、複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的に形成された導電体とを備え、ＦＥデバイス等に用いたときの電子放出性能を向上することが可能な異方性導電体膜とその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】本発明に係る一実施形態の異方性導電体膜の構成を示す模式断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの異方性導電体膜の模式平面図である。
【図２Ａ】図１Ａの異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図２Ｂ】図１Ａの異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図２Ｃ】図１Ａの異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図２Ｄ】図１Ａの異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図２Ｅ】図１Ａの異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図２Ｆ】図１Ａの異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図２Ｇ】図１Ａの異方性導電体膜の製造方法を示す工程図である。
【図２Ｈ】図１Ａの異方性導電体膜の設計変更例を示す模式断面図である。
【図２Ｉ】図１Ａの異方性導電体膜の設計変更例を示す模式断面図である。
【図２Ｊ】図１Ａの異方性導電体膜の設計変更例を示す模式断面図である。
【図３Ａ】本発明に係る一実施形態のＦＥＬの模式断面図である。
【図３Ｂ】本発明に係る一実施形態のＦＥＤの模式断面図である。
【図４】比較例１において、異方性導電体膜の未封孔部の溶解処理前のＳＥＭ表面写真である。
【図５Ａ】比較例１において、異方性導電体膜の未封孔部の１０分間溶解処理後のＳＥＭ斜視写真及びＳＥＭ断面写真である。
【図５Ｂ】比較例１において、異方性導電体膜の未封孔部の３０分間溶解処理後のＳＥＭ斜視写真及びＳＥＭ断面写真である。
【図６】実施例１において、異方性導電体膜の未封孔部をすべて溶解処理した後のＳＥＭ斜視写真である。
【図７】比較例２において、異方性導電体膜の未封孔部の溶解処理前のＳＥＭ表面写真である。
【図８Ａ】実施例２において、異方性導電体膜の未封孔部の溶解処理前のＳＥＭ表面写真である。
【図８Ｂ】実施例２において、異方性導電体膜の未封孔部の３０分間溶解処理後のＳＥＭ斜視写真である。
【図９】実施例１〜３及び比較例１〜３において、導電体群の径と電界集中係数βとの関係を示すグラフである。
【図１０】実施例１で得られた異方性導電体膜を用いたＦＥＬの発光写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
「異方性導電体膜」
図面を参照して、本発明に係る一実施形態の異方性導電体膜の構成について、説明する。
図１Ａは、本実施形態の異方性導電体膜の模式断面図である。
図１Ｂは、本実施形態の異方性導電体膜の模式平面図であり、貫通孔２１Ｈ及び導電体２２の平面パターンを示す図である。
【００２６】
本実施形態の異方性導電体膜１は、フィールドエミッション（ＦＥ）デバイス等に用いられる電子放出素子に好ましく利用できる。
詳細については後述するが、ＦＥデバイスは、エミッタ（電子源）と電極層とを含む電子放出素子を備えた第１の電極基板と、この第１の電極基板に対して真空空間を介して対向配置され、電極層と蛍光体層とを含む第２の電極基板とを備えたデバイスである。
【００２７】
図１Ａに示すように、本実施形態の異方性導電体膜１は、面方向に対して交差方向に延びた複数の針状の貫通孔２１Ｈを有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体２１を備える。異方性導電体膜１においては、複数の貫通孔２１Ｈのうち一部の貫通孔２１Ｈの内部に選択的に針状の導電体２２が形成されている。
針状の導電体２２は少なくとも１種の金属又は金属化合物を含み、その径は１μｍ未満である。
【００２８】
図中、符号２１Ｓは細孔構造体２１の一方の面（図示下面）であり、符号２１Ｄは面２１Ｓにおける貫通孔２１Ｈの開口部である。
【００２９】
異方性導電体膜１において、貫通孔２１Ｈの内部に導電体２２が形成された部分を「封孔部ＳＡ」と称す。また、貫通孔２１Ｈの内部に導電体２２が形成されていない部分を「未封孔部ＮＳＡ」と称す。
【００３０】
本実施形態において、異方性導電体膜１には、複数の導電体２２が環状に配列した環状導電体群２２Ｇが形成されている。
本実施形態において、異方性導電体膜１には、上記環状導電体群２２Ｇが互いに離間して複数形成されている。
本実施形態において、１つの封孔部ＳＡには、１つの環状導電体群２２Ｇをなす複数の導電体２２と、この環状導電体群２２Ｇに含まれる各導電体２２の周りの陽極酸化部分とが含まれる。
環状導電体群２２Ｇの形状は環状であれば特に制限なく、図１Ｂに示す例では略矩形の環状である。
１つの環状導電体群２２Ｇに含まれる導電体２２の数、径、ピッチ、及び配列パターン等は、適宜変更可能である。  本実施形態において、環状導電体群２２Ｇの内部、及び互いに隣接する２つの環状導電体群２２Ｇの間（以下、「環状導電体群２２Ｇの外部」とも言う。）が未封孔部ＮＳＡである。
【００３１】
細孔構造体２１の一方の面２１Ｓには、第１の導電体膜３１と第２の導電体膜３２と第３の導電体膜３３とからなる導電体膜３０が形成されている。
細孔構造体２１の面２１Ｓには、
環状導電体群２２Ｇの内側にある未封孔の貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを選択的に覆い、導電体２２の材料をメッキ難な第１の導電体膜３１と、
環状導電体群２２Ｇをなす導電体２２が内部に形成された貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを選択的に覆い、導電体２２の材料をメッキ可能な第２の導電体膜３１と、
環状導電体群２２Ｇの外側にある未封孔の貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを選択的に覆い、導電体２２の材料をメッキ難な第３の導電体膜３３とが形成されている。
第１の導電体膜３１と第２の導電体膜３２と第３の導電体膜３３とは互いに導通されている。
【００３２】
本実施形態において、第１の導電体膜３１は、環状導電体群２２Ｇの内側にある未封孔の貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを覆うパターンで、複数の領域に分かれてパターン形成されている。
図中、符号３１Ｐは、第１の導電体膜３１の１つのパターン単位である。
第２の導電体膜３２は、第１の導電体膜３１を覆い、かつ、環状導電体群２２Ｇをなす導電体２２が内部に形成された貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを覆うパターンで、複数の領域に分かれてパターン形成されている。
図中、符号３２Ｐは、第２の導電体膜３２の１つのパターン単位である。
第３の導電体膜３３は、環状導電体群２２Ｇの外側にある未封孔の貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを選択的に覆い、かつ、複数の領域に分かれて形成された第２の導電体膜３２のパターン単位３２Ｐ同士を繋ぐように形成されている。本実施形態において、第３の導電体膜３３はパターンを有しないベタ膜である。
【００３３】
第２の導電体膜３２の１つのパターン単位３２Ｐは、第１の導電体膜３１の１つのパターン単位３１Ｐを覆っている。また、第３の導電体膜３３は、第２の導電体膜３２の複数のパターン単位３２Ｐを覆っている。
本実施形態において、上記のように第１の導電体膜３１と第２の導電体膜３２と第３の導電体膜３３とを互いに繋がるように形成しているのは、これらを一体として電極層とするためである。
【００３４】
図示例では、第１の導電体膜３１のパターン単位３１Ｐ及び第２の導電体膜３２のパターン単位３２Ｐは平面視略矩形状であり、第２の導電体膜３２のパターン単位３２Ｐの径は第１の導電体膜３１のパターン単位３１Ｐの径より環状導電体群２２Ｇの環幅の２倍分だけ大きくなっている。
なお、第１の導電体膜３１のパターン単位３１Ｐ及び第２の導電体膜３２のパターン単位３２Ｐの平面形状及び径は、適宜設計可能である。
【００３５】
貫通孔２１Ｈの内部に形成された導電体２２は、電解メッキ可能な材料からなる。
導電体２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｗ及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属又は金属化合物を含むことが好ましい。
上記の中で、製造容易で導電性が高い点からは、Ｎｉ及び／又はＡｇを含む金属又は金属化合物が特に好ましい。
上記の中で、融点が高い点からは、Ｍｏ及び／又はＷを含む金属又は金属化合物が特に好ましい。
金属は、単体の金属でもよいし、合金でもよい。
金属化合物としては、金属酸化物等が挙げられる。
【００３６】
第２の導電体膜３２は、導電体２２の材料をメッキ可能な材料からなる。
第２の導電体膜３２は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属又は金属化合物を含むことが好ましい。
上記の中で、標準電極電位が高い点から、Ａｕ及び／又Ａｇを含む金属又は金属化合物が特に好ましい。
金属は、単体の金属でもよいし、合金でもよい。
金属化合物としては、金属酸化物等が挙げられる。
【００３７】
第１の導電体膜３１及び第３の導電体膜３３はそれぞれ独立に、導電体２２の材料をメッキ難な材料（難メッキ材料）からなる。難メッキ材料としては、表面に絶縁性が高い酸化皮膜が発生しやすい金属又は金属化合物が挙げられる。
第１の導電体膜３１及び第３の導電体膜３３はそれぞれ独立に、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びＷからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素を含む金属又は金属化合物、又はステンレスを含むことが好ましい。
上記の中で、製造容易で安価な点から、Ａｌを含む金属又は金属化合物が特に好ましい。
金属は、単体の金属でもよいし、合金でもよい。
金属化合物としては、金属酸化物等が挙げられる。
ステンレスとしては、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等が挙げられる。
【００３８】
本実施形態の異方性導電体膜１は、ＦＥデバイス等に用いられる電子放出素子として利用できる。この場合、貫通孔２１Ｈの内部に形成された導電体２２はエミッタ（電子源）として、第１の導電体膜３１と第２の導電体膜３２と第３の導電体膜３３とからなる導電体膜３０は電極層として、それぞれ利用できる。
【００３９】
電子放出素子における導電体２２と貫通孔２１Ｈの好ましいサイズ設計は、以下の通りである。
【００４０】
電子放出性能が高くなることから、導電体２２の長さは１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることが特に好ましい。
電子放出性能が高くなることから、導電体２２の径は１μｍ未満であり、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましく、５０ｎｍ以下であることが特に好ましい。
形成容易性を考慮すれば、導電体２２の径は２０ｎｍ以上であることが好ましい。
電子放出性能が高くなることから、導電体２２の長さ／径は１００以上であることが好ましい。
【００４１】
本実施形態において、導電体２２は貫通孔２１Ｈの内部に形成されている。
導電体２２の好ましいサイズを考慮すれば、貫通孔２１Ｈの長さは１μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることが特に好ましい。
貫通孔２１Ｈの径は１μｍ未満であり、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましく、５０ｎｍ以下であることが特に好ましい。
貫通孔２１Ｈの長さ／径は１００以上であることが好ましい。
【００４２】
図面上は、内部に導電体２２が形成された貫通孔２１Ｈにおける導電体２２の充填率がいずれも１００％である場合について図示してあるが、導電体２２の充填率は１００％でなくてもよい。
ただし、電子放出性能が高くなることから、内部に導電体２２が形成された貫通孔２１Ｈにおける導電体２２の充填率は高いほど好ましく、７０〜１００％が好ましい。
本明細書において、貫通孔２１Ｈの内部における導電体２２の充填率は、導電体２２の長さ／貫通孔２１Ｈの長さ×１００（％）により定義するものとする
個々の貫通孔２１Ｈの内部における導電体２２の充填率は、７０〜１００％が好ましい。
【００４３】
内部に導電体２２が形成された貫通孔２１Ｈにおける導電体２２の充填率にばらつきがあってもよいが、この場合、電子放出性能の面内ばらつきが生じることになる。電子放出性能の面内均一性を考慮すれば、充填率のばらつきは小さい方が好ましい。
【００４４】
貫通孔２１Ｈの長さは、好ましい導電体２２の長さと、貫通孔２１Ｈの内部における導電体２２の充填率とを考慮して、決定される。
【００４５】
本実施形態では、第２の導電体膜３２の１個のパターン単位３２Ｐの直上に形成された複数の貫通孔２１Ｈの内部に形成された導電体２２が、１つの環状導電体群２２Ｇ（１つの封孔部ＳＡ）を構成している。平面視で、複数の環状導電体群２２Ｇは、未封孔部ＮＳＡを介して、互いに離間されている。
本実施形態では、複数の環状導電体群２２Ｇの間が互いに離間されており、その間隔の制御も可能である。
本実施形態の異方性導電体膜１をＦＥデバイス等に使用する場合、エミッタ間隙を広範囲で制御することができる。例えば、エミッタ間隙（本実施形態では、互いに隣接する環状導電体群２２Ｇの間隙）を１００ｎｍ程度から数十μｍ程度の範囲で制御することができる。その結果、エミッタ間隙が狭くなりすぎて、各エミッタ先端にかかる電界が遮蔽され、電子放出性能が低下することを抑制でき、高い電子放出性能を発現できる。
【００４６】
「発明が解決しようとする課題」の項で述べたように、複数の針状導電体が束になって形成された非環状の導電体束では、周縁部より内側の束内部に複数の針状導電体が密に形成されているため、電界遮蔽効果により束内部の電界放出強度が相対的に小さくなると考えられる。
本実施形態における環状導電体群２２Ｇの内部には、未封孔部ＮＳＡが存在する。かかる構成では、環状導電体群２２Ｇの内部からの電界遮蔽効果が低減されるので、より大きな電界集中効果が得られる（後記［実施例］の項の図９を参照）。その結果、より高い電子放出性能を発現できる。
【００４７】
環状導電体群２２Ｇの径は小さい方がより大きな電界集中効果が得られる（後記［実施例］の項の図９を参照）。
また、環状導電体群２２Ｇの環幅は小さい方がより大きな電界集中効果が得られる。
本実施形態において、環状導電体群２２Ｇの径は２０μｍ以下であり、環状導電体群２２Ｇの環幅が５μｍ以下である。
環状導電体群２２Ｇの径は１５μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることが特に好ましい。
環状導電体群２２Ｇの環幅は３μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましい。
詳細については後述するが、細孔構造体２１の一方の面２１Ｓに導電体２２の材料をメッキ難な第１の導電体膜３１と導電体２２の材料をメッキ可能な第２の導電体膜３２と導電体２２の材料をメッキ難な第３の導電体膜３３とからなる導電体膜３０を形成することで、上記の径及び環幅を有する環状導電体群２２Ｇを形成することができる。
【００４８】
ＦＥデバイス等においては、電子を放出するエミッタである導電体２２に熱が発生する。
本実施形態においては、個々の導電体２２は陽極酸化部分に囲まれて保護されているため、電子放出による熱により損傷されるのが抑制されると考えられる。
本実施形態では、１つの封孔部ＳＡには、複数の導電体２２が含まれている。
１つの封孔部ＳＡを構成する複数の導電体２２に着目した場合、あるタイミングにおいて、電子を放出するのは、１つの封孔部ＳＡを構成する一部の導電体２２であると考えられる。あるタイミングにおいて電子を放出する導電体２２には熱が発生するが、互いに隣接する導電体２２は陽極酸化部分を介して繋がっているので、発生した熱は、陽極酸化部分、及び、同じ封孔部ＳＡを構成し、そのタイミングでは電子を放出しない他の導電体２２に拡散していくと考えられる。
すなわち、本実施形態の異方性導電体膜１では、電子放出により熱が発生しても、発生した熱は拡散しやすく、電子を放出した導電体２２の熱による損傷が抑制されると考えられる。
【００４９】
以上説明したように、本実施形態によれば、複数の貫通孔２１Ｈを有する陽極酸化金属膜からなる細孔構造体２１と、複数の貫通孔２１Ｈのうち一部の貫通孔の内部に選択的に形成された導電体２２とを備え、ＦＥデバイス等に用いたときの電子放出性能を向上することが可能な異方性導電体膜１を提供することができる。
【００５０】
「設計変更例」
図２Ｈ〜図２Ｊは、異方性導電体膜の設計変更例を示す模式断面図である。上記実施形態の異方性導電体膜１と同じ構成要素には同じ参照符号を付してある。  
【００５１】
図２Ｈ〜図２Ｊに示す異方性導電体膜２〜４では、細孔構造体２１の少なくとも一部が溶解除去されている。
細孔構造体２１の除去は、陽極酸化部分を溶解可能な溶解液を用いて行うことができる。未封孔の貫通孔２１Ｈの内部に溶解液に入る未封孔部ＮＳＡでは、封孔部ＳＡよりも、陽極酸化部分の除去が速く進む。
図２Ｈに示す異方性導電体膜２では、未封孔部ＮＳＡの一部が除去され、封孔部ＳＡの陽極酸化部分の一部が未封孔部ＮＳＡよりも少ない量で除去されている。
図２Ｉに示す異方性導電体膜３では、未封孔部ＮＳＡがすべて除去され、封孔部ＳＡの陽極酸化部分が一部除去されている。
図２Ｊに示す異方性導電体膜４では、未封孔部ＮＳＡと封孔部ＳＡのいずれについても陽極酸化部分がすべて除去されている。
【００５２】
未封孔部ＮＳＡの少なくとも一部を溶解除去する際には、図２Ｈ及び図２Ｉに示すように、封孔部ＳＡの陽極酸化部分が部分的に除去されて、導電体２２の頭頂部が細孔構造体２１より突出する場合がある。また、１つの封孔部ＳＡを構成する複数の導電体２２の突出した頭頂部同士が互いに密着する場合がある（図５ＢのＳＥＭ写真を参照）。
【００５３】
異方性導電体膜４は細孔構造体２１を含まず、以下の構成を有する。
異方性導電体膜４は、少なくとも１種の金属又は金属化合物を含み、径が１μｍ未満である針状の複数の導電体２２が下地の面３０Ｓに対して交差する方向に延びて形成された針状導電体層２２Ｌを含む。
針状導電体層２２Ｌには、複数の導電体２２が環状に配列した環状導電体群２２Ｇが形成されている。
針状導電体層２２Ｌには、上記環状導電体群２２Ｇが互いに離間して複数形成されている。
環状導電体群２２Ｇの径は２０μｍ以下であり、環状導電体群２２Ｇの環幅は５μｍ以下である。
環状導電体群２２Ｇの径は１５μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることが特に好ましい。
環状導電体群２２Ｇの環幅は３μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましい。
針状導電体層２２Ｌの環状導電体群２２Ｇの内側の下地は、導電体２２の材料をメッキ難な第１の導電体膜３１である。
針状導電体層２２Ｌの環状導電体群２２Ｇをなす導電体２２の下地は、導電体２２の材料をメッキ可能な第２の導電体膜３２である。
針状導電体層２２Ｌの環状導電体群２２Ｇの外側の下地は、導電体２２の材料をメッキ難な第３の導電体膜３３である。
第１の導電体膜３１と第２の導電体膜３２と第３の導電体膜３３とは、互いに導通されている。
針状の導電体２２、第１の導電体膜３１、第２の導電体膜３２、及び第３の導電体膜３３の材料は、異方性導電体膜１と同様である。
【００５４】
封孔部と未封孔部とを有する異方性導電体膜においては、未封孔部の貫通孔の開口部が製造工程で発生する研磨屑あるいは吸着水等の異物によって閉口され、ＦＥデバイス等を構成したときに、未封孔部の貫通孔内が良好に減圧されない場合がある。
未封孔部の貫通孔内が良好に減圧されないままＦＥデバイス等を作動すると、電子放出中に発生した熱やイオン衝突等により、未封孔部の貫通孔内に残ったガスが真空空間に放出される。真空空間に放出されたガスはイオン化され、生成されたイオンが異方性導電体膜にプラズマ衝撃を与え、異常放電により異方性導電体膜が損傷される恐れがある。
異方性導電体膜２〜４では、未封孔部ＮＳＡの少なくとも一部が除去されているので、製造過程で未封孔部ＮＳＡの貫通孔２１Ｈの開口部を閉口する異物が生じたとしても、この異物は完全に除去されている。したがって、異方性導電体膜２〜４によりＦＥデバイス等を構成したときに、異常放電による異方性導電体膜２〜４の損傷が抑制される。
未封孔部ＮＳＡを完全除去する場合、ＦＥデバイス等において未封孔部ＮＳＡの貫通孔２１Ｈ内の減圧が不要となる。未封孔部ＮＳＡを部分的に残す場合にも、未封孔部ＮＳＡの貫通孔２１Ｈは長さが短くなるので、ＦＥデバイス等において未封孔部ＮＳＡの貫通孔２１Ｈの内部が減圧されやすい。
以上の効果が相俟って、異方性導電体膜２〜４では、未封孔部ＮＳＡの除去処理（本明細書においては、特に明記しない限り、「除去処理」には、部分除去処理が含まれるものとする。）を行わない場合に比して、ＦＥデバイス等を構成したときの耐久性を向上することができる。
【００５５】
「異方性導電体膜の製造方法」
図面を参照して、異方性導電体膜の製造方法の例について説明する。
図２Ａ〜図２Ｊは工程図である。図２Ａ及び図２Ｂは模式斜視図であり、図２Ｃ〜図２Ｊは模式断面図である。
【００５６】
（工程（Ａ））
以下のようにして、複数の貫通孔２１Ｈを有する細孔構造体２１を用意する。
【００５７】
＜工程（ＡＸ）＞
はじめに図２Ａに示すように、被陽極酸化金属体Ｍを用意する。
被陽極酸化金属体Ｍの主成分としては特に制限なく、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｗ、Ｎｂ、及びＺｎ等が挙げられる。被陽極酸化金属体はこれらを１種又は複数種含むことができる。
被陽極酸化金属体の主成分としては、Ａｌ等が特に好ましい。
本明細書において、「被陽極酸化金属体の主成分」は９９質量％以上の成分と定義する。
被陽極酸化金属体Ｍの形状は制限されず、板状等が挙げられる。また、支持体の上に被陽極酸化金属体Ｍが層状に成膜されたものなど、支持体付きの形態で用いることも差し支えない。
【００５８】
図２Ｂに示すように、被陽極酸化金属体Ｍの少なくとも一部を陽極酸化すると、金属酸化物膜からなる細孔構造体２１Ｘが生成される。例えば、被陽極酸化金属体ＭがＡｌを主成分とする場合、Ａｌ２Ｏ３を主成分とする細孔構造体２１Ｘが生成される。
板状等の被陽極酸化金属体Ｍを用いる場合、通常、被陽極酸化金属体Ｍの一部を残して、被陽極酸化金属体Ｍの一部を陽極酸化する。図中、符号１０が被陽極酸化金属体Ｍの残部である。この場合、通常、被陽極酸化金属体Ｍの残部１０に対して、生成される細孔構造体２１は薄いが、図面では、視認しやすくするため、細孔構造体２１Ｘを大きく図示してある。
【００５９】
陽極酸化は例えば、被陽極酸化金属体Ｍを陽極とし、カーボンあるいはアルミニウム等を陰極（対向電極）とし、これらを陽極酸化用電解液に浸漬させ、陽極と陰極との間に電圧を印加することで実施できる。
電解液としては制限されず、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、及びアミドスルホン酸等の酸を、１種又は２種以上含む酸性電解液が好ましく用いられる。
【００６０】
被陽極酸化金属体Ｍを陽極酸化すると、図２Ｂに示すように、表面（図示上面）からこの面に対して略垂直方向に酸化反応が進行し、金属酸化物膜が生成される。
陽極酸化により生成される金属酸化物膜は、略正六角柱状の複数の柱状体２１Ｃが互いに隙間なく隣接して配列した構造を有するものとなる。各柱状体２１Ｃの略中心部には、表面から深さ方向に延びた針状の非貫通孔２１Ａが開孔される。非貫通孔２１Ａの底面と金属酸化物膜の底面との間には、バリア層２１Ｂが生成される。
図示するように、非貫通孔２１Ａは被陽極酸化金属体Ｍの表面に対して概ね垂直方向に開孔されるが、多少斜め方向に開孔される場合もある。
【００６１】
＜工程（ＡＹ）＞
工程（ＡＸ）後に被陽極酸化金属体Ｍの残部１０がある場合にはこの残部１０とバリア層２１Ｂとを除去し、工程（ＡＸ）後に被陽極酸化金属体Ｍの残部１０がない場合にはバリア層２１Ｂを除去して、非貫通孔２１Ａを貫通孔２１Ｈとする。
被陽極酸化金属体Ｍの残部１０は例えば、陽極酸化の方法において逆方向に電圧を印加する逆電解剥離によって除去できる。
被陽極酸化金属体Ｍの残部１０及びバリア層２１Ｂは、リン酸等の酸性液に浸漬することでも除去できる。
被陽極酸化金属体Ｍの残部１０及びバリア層２１Ｂは、切削等により物理的に除去することができる。
以上のようにして、図２Ｃに示す、複数の貫通孔２１Ｈを有する細孔構造体２１が得られる。
【００６２】
（工程（Ｂ））
次に、以下のようにして、工程（Ａ）において得られた細孔構造体２１の一方の面（図示下面）２１Ｓに、第１の導電体膜３１と第２の導電体膜３２と第３の導電体膜３３とからなる導電体膜３０を形成する。
なお、細孔構造体２１において、導電体膜３０を形成する面は、非貫通孔２１Ａの開口部があった側でもよいし、バリア層２１Ｂがあった側でもよい。
【００６３】
＜工程（ＢＸ）＞
この工程においては、環状導電体群２２Ｇの内側となる貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを選択的に覆い、導電体２２の材料をメッキ難な第１の導電体膜３１を形成する。
図２Ｄに示すように、第２の導電体膜３２のパターンと同じ開口パターンを有する金属メッシュ等のマスク４０を用意する。マスク４０の各開口部４０Ｈの位置、形状、及び大きさは、第２の導電体膜３２のパターン単位３２Ｐと同一である。
細孔構造体２１の面２１Ｓに上記マスク４０を密着させた状態で、細孔構造体２１の面２１Ｓに対して、第１の導電体膜３１の材料３１Ｍを蒸着法等の気相法により成膜する。
マスク４０において、各開口部４０Ｈの周りの壁の近傍部分は、成膜材料が供給されにくい。そのため、成膜時間を比較的短く調整することで、開口部４０Ｈよりも少し小さいサイズの複数のパターン単位３１Ｐからなる第１の導電体膜３１を形成することができる。
【００６４】
＜工程（ＢＹ）＞
この工程においては、環状導電体群２２Ｇをなす導電体２２が内部に形成される貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを選択的に覆い、導電体２２の材料をメッキ可能な第２の導電体膜３２を形成する。
図２Ｅに示すように、細孔構造体２１の面２１Ｓに工程（ＢＸ）で用いたマスク４０を密着させたまま、細孔構造体２１の面２１Ｓに対して、第２の導電体膜３２の材料３２Ｍを蒸着法等の気相法により成膜する。
成膜時間を調整することで、マスク４０の開口部４０Ｈとほぼ同じサイズの複数のパターン単位３２Ｐからなる第２の導電体膜３２を形成することができる。
【００６５】
＜工程（ＢＺ）＞
この工程においては、環状導電体群２２Ｇの外側となる貫通孔２１Ｈの開口部２１Ｄを選択的に覆い、導電体２２の材料をメッキ難な第３の導電体膜３３を形成する。
図２Ｆに示すように、マスク４０を取り外して細孔構造体２１の面２１Ｓに対して第３の導電体膜３３の材料を成膜することで、パターンを有しないベタ膜の第３の導電体膜３３を形成することができる。
【００６６】
（工程（Ｃ））
次に図２Ｇに示すように、第１の導電体膜３１と第２の導電体膜３２と第３の導電体膜３３とからなる導電体膜３０を電極層として、細孔構造体２１に対して電解メッキを実施する。
この工程では、直下に導電体２２の材料をメッキ可能な第２の導電体膜３２が形成された貫通孔２１Ｈの内部に選択的に導電体２２を形成し、環状導電体群２２Ｇを形成することができる。
【００６７】
環状導電体群２２Ｇの径は、工程（ＢＸ）及び工程（ＢＹ）で用いるマスク４０の開口部４０Ｈの径に相当する。つまり、マスク４０の開口部４０Ｈの径を適宜選択することで、環状導電体群２２Ｇの径を調整できる。
具体的には、マスク４０の開口部４０Ｈの径を２０μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下とする。これによって、環状導電体群２２Ｇの径を２０μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下とすることができる。
【００６８】
上記方法では、同一のマスク４０を用いて工程（ＢＸ）と工程（ＢＹ）とを実施し、マスク４０の各開口部４０Ｈの周りの壁の近傍部分については、第１の導電体膜３１の材料を成膜しない一方、第２の導電体膜３２の材料を成膜している。この壁の近傍部分の範囲が環状導電体群２２Ｇの環幅になる。この方法によれば、環状導電体群２２Ｇの環幅を５μｍ以下、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下とすることができる。
工程（ＢＸ）と工程（ＢＹ）とでマスクを変える場合、マスクの位置合わせを高精度に実施することが難しい。特に環幅が狭くなる程、マスクの位置合わせを高精度に実施することが難しい。
同一のマスク４０を用いて工程（ＢＸ）と工程（ＢＹ）とを実施する場合、マスクの位置合わせが不要であるので、上記のような狭い環幅に対応可能である。
【００６９】
（工程（Ｄ））
次に図２Ｈ、図２Ｉ、又は図２ＩＪに示すように、陽極酸化部分を溶解可能な溶解液を用いて、細孔構造体２１の少なくとも一部を溶解除去する。
溶解液としては、水酸化ナトリウム水溶液もしくはリン酸及びクロム酸の混合水溶液等が挙げられる。
例えば、工程（Ｂ）後に得られた構造体を上記溶解液に浸漬させることで、細孔構造体２１の少なくとも一部を除去することができる。
この工程においては、未封孔の貫通孔２１Ｈの内部に溶解液に入る未封孔部ＮＳＡでは、封孔部ＳＡよりも、陽極酸化部分の除去が速く進む。したがって、未封孔部ＮＳＡの少なくとも一部を溶解除去することができる。
未封孔部ＮＳＡがすべて除去された後、さらに溶解処理を続けることで、封孔部ＳＡの陽極酸化部分をすべて除去することも可能である。
図２Ｈに示す異方性導電体膜２では、未封孔部ＮＳＡの一部が除去され、封孔部ＳＡの陽極酸化部分の一部が未封孔部ＮＳＡよりも少ない量で除去されている。
図２Ｉに示す異方性導電体膜３では、未封孔部ＮＳＡがすべて除去され、封孔部ＳＡの陽極酸化部分が一部除去されている。
図２Ｊに示す異方性導電体膜４では、未封孔部ＮＳＡと封孔部ＳＡのいずれについても陽極酸化部分がすべて除去されている。
【００７０】
未封孔部ＮＳＡの少なくとも一部を溶解除去する際には、図２Ｈ及び図２Ｉに示すように、封孔部ＳＡの陽極酸化部分が部分的に除去されて、導電体２２の頭頂部が細孔構造体２１より突出する場合がある。また、１つの封孔部ＳＡを構成する複数の導電体２２の突出した頭頂部同士が互いに密着する場合がある（図５ＢのＳＥＭ写真を参照）。
【００７１】
以上のようにして、異方性導電体膜１〜４が製造される。
【００７２】
「ＦＥデバイス」
図面を参照して、本発明に係る一実施形態のフィールドエミッションランプ（Field Emission Lump：ＦＥＬ、照明装置）の構造について説明する。
図３Ａは模式断面図である。
【００７３】
ＦＥＬ５は、
基板本体１１０とカソード層（導電体膜３０）とを有するカソード基板（第１の電極基板）１００と、
基板本体２１０とアノード層２２０とを有するアノード基板（第２の電極基板）２００とを備えている。
カソード層（導電体膜３０）とアノード層２２０との間には電圧が印加されるようになっている。
【００７４】
本実施形態において、カソード基板１００は、基板本体１１０の内面に、図１Ａ及び図１Ｂに示した異方性導電体膜１を備えたものである。
基板本体１１０としては、金属板もしくはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電体膜付きガラス基板等が用いられる。
カソード基板１００は、上記実施形態の異方性導電体膜１に対して、基板本体１１０をはんだ付けする、もしくは導電性両面テープを用いて接着することで、得られる。
カソード基板１００において、異方性導電体膜１における第１の導電体膜３１と第２の導電体膜３２と第３の導電体膜３３とからなる導電体膜３０がカソード層であり、細孔構造体２１の一部の貫通孔２１Ｈの内部に選択的に形成された導電体２２がエミッタ（電子源）である。
図３Ａでは、異方性導電体膜１の構造を簡略化して図示してあるが、図１Ａ及び図１Ｂに示したのと同様の構造である。
【００７５】
アノード層２２０は、基板本体２１０の内面のほぼ全面に形成された、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電体膜である。
基板本体２１０としては、ガラス基板等が用いられる。
【００７６】
アノード層２２０の内面には、蛍光体層２３０が形成されている。
蛍光体層２３０の材料としては公知材料を用いることができる。
蛍光体層２３０の材料としては特に限定されないが、ＺｎＳ：Ａｇ,Ｃｌ 、ＺｎＳ：Ａｇ,Ａｌ、ＺｎＧａ２Ｏ４、ＺｎＯ：Ｚｎ、ＺｎＳ：Ｃｕ,Ａｌ 、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ、 Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、Ｙ３(Ａｌ,Ｇａ)５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＲｂＶＯ３、及びＣｓＶＯ３等が挙げられる。
蛍光体層２３０の発光色は任意である。
白色光源の場合、蛍光体層２３０の材料として、青色材料、緑色材料、及び赤色材料等の発光色の異なる複数種の公知の材料を任意に組み合わせて、白色光を得ることができる。
【００７７】
カソード基板１００とアノード基板２００との間にはスペーサ３００が設けられ、カソード基板１００とアノード基板２００との間の空間は高真空になっている。
【００７８】
カソード基板１００の導電体２２（エミッタ）から放射される電子線により蛍光体層２３０が励起され、発光した光が出射される。
【００７９】
本実施形態のＦＥＬ５は、異方性導電体膜１を用いたものであるので、高い電子放出性能を発現できる。
【００８０】
本実施形態ではＦＥＬを例として説明したが、図３Ｂに示すように、蛍光体層２３０として、赤（Ｒ）の蛍光体層２３０Ｒ、緑（Ｇ）の蛍光体層２３０Ｇ、及び青（Ｂ）の蛍光体層２３０Ｂをパターン形成し、ドットごとに光変調を行う構成とすれば、フィールドエミッションディスプレイ（Field Emission Display：ＦＥＤ、表示装置）に適用することができる。
図３Ｂ中、符号６はＦＥＤである。
図３Ｂ中、カソード層（導電体膜３０）とアノード層２２０の図示を省略してある。
【００８１】
本発明は本明細書に記載の実施形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、適宜設計変更可能である。
【実施例】
【００８２】
本発明に係る実施例及び比較例について説明する。
【００８３】
（製造例１）
（細孔構造体の製造）
【００８４】
厚み３ｍｍの１００×１００ｍｍアルミニウム板に対して、以下の条件で陽極酸化処理を行い、複数の針状の非貫通孔とバリア層とを有するアルミナ膜を形成した。
・対向電極（陰極）：アルミニウム
・電解液:０．３Ｍ硫酸
・浴温：１５〜１９℃
・電圧：直流電圧２５Ｖ
・時間：８時間
【００８５】
得られたアルミナ膜について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、日立製作所社製「Ｓ−４８００」）を用いて表面及び断面を観察した。表面ＳＥＭ像（８０,０００倍）において、細孔１００個の細孔面積から平均細孔径を求めた。また、同表面ＳＥＭ像中の細孔個数から細孔密度を求めた。断面ＳＥＭ像 (１０,０００倍)において、細孔１００個の細孔長から平均細孔長を求めた。
得られたアルミナ膜は、複数の針状の非貫通孔がほぼ規則正しく開孔しており、平均細孔径０．０２μｍ、平均細孔長４０μｍ、平均細孔密度３００個／μｍ２であった。
【００８６】
次に、アルミナ膜を陰極に、Ｐｔ-Ｔｉ電極を陽極に接続した状態で、直流５Ｖを印加して、アルミナ膜をＡｌ基板から剥離させた。
次に、アルミナ膜をリン酸に浸漬することで、アルミナ膜底部のバリア層を溶解し、アルミナ膜の複数の非貫通孔をすべて貫通孔とした。
以上のようにして、複数の貫通孔を有する、厚み４０μｍの細孔構造体を得た。
実施例１〜３及び比較例１〜３では、得られた細孔構造体を用いて異方性導電体膜の製造を実施した。
【００８７】
（比較例１）
以下の手順にて、上記細孔構造体の一方の面（バリア層があった側の面）に対して、真空蒸着装置（真空デバイス社製「ＶＥ−２０３０」）を用いて、第２の導電体膜及び第３の導電体膜を形成した。
【００８８】
まず、マスクとして、開口部の目開８μｍ×８μｍ、線径８μｍの金属メッシュを用意した。
上記細孔構造体の一方の面（バリア層があった側の面）に上記マスクを密着させ、この面に対して下記蒸着源を用いて真空蒸着を実施して、１２０ｎｍ厚の金膜を形成した（Ａｕ膜、第２の導電体膜）。この工程では、マスクの開口部とほぼ同じサイズの略矩形状パターン単位を複数有する金膜が形成された。
蒸着条件は以下の通りとした。
・蒸着源：９９．９％金線（ニラコ社製）
・真空度：１×１０−４Ｐａ以下
・基板温度：２５℃
・蒸着速度：５ｎｍ／ｍｉｎ．
・蒸着時間：２４ｍｉｎ．
【００８９】
続いて、上記マスクを取り外し、第２の導電体膜を形成した面に対して、下記蒸着源を用いて真空蒸着を実施した。これにより、第２の導電体膜を形成した面に対して、ほぼ全面に、１５０ｎｍ厚のアルミニウム膜を形成した（Ａｌ膜、第３の導電体膜）。蒸着条件は以下の通りとした。
・蒸着源：９９．９９％アルミニウム線（ニラコ社製）
・真空度：１×１０−４Ｐａ以下
・基板温度：２５℃
・蒸着速度：１０ｎｍ／ｍｉｎ．
・蒸着時間：１５ｍｉｎ．
【００９０】
次に、第２、第３の導電体膜（Ａｌ膜／Ａｕ膜）を電極層として、細孔構造体に対してＮｉを電解メッキ析出させた。メッキ条件は以下の通りとした。
・電解浴：１．２Ｍ硫酸ニッケル・６水和物、０．２Ｍ塩化ニッケル、及び０．７Ｍ硼酸の混合液
・浴温：３２〜３７℃
・ｐＨ：４．０〜５．０
・電圧：−０．９Ｖ  ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ
・処理時間：１２０分
【００９１】
電解メッキ後の細孔構造体のＳＥＭ表面観察及びＳＥＭ断面観察を実施した。
得られたＳＥＭ表面写真を図４に示す。
図４において、左上図は倍率３０００倍のＳＥＭ表面写真である。金蒸着に用いた金属メッシュの開口部のパターンに対応して、８μｍ×８μｍの複数の略矩形状パターン単位がスペース８μｍを空けてマトリクス状に形成されたパターンが見られた。
図４において、右図は倍率２００００倍のＳＥＭ写真である。この写真は上記略矩形状パターン単位の部分を拡大したものである。この部分は、貫通孔の直下に第２の導電体膜（金膜）が形成された部分である。貫通孔の内部にＮｉが形成されている様子が見られた（封孔部）。ＳＥＭ断面観察を実施したところ、貫通孔内におけるＮｉの充填率は７０〜１００％であった。なお、右上図のＳＥＭ表面写真は表面を撮影したものであるので、Ｎｉの充填率が１００％未満の貫通孔については空孔のように見えるが、実際には内部にＮｉが形成されている。
図４において、下図は倍率２００００倍のＳＥＭ表面写真である。この写真は上記複数の略矩形状パターン単位を除いた格子状パターンの部分を拡大したものである。この部分は、貫通孔の直下にアルミニウム膜（第３の導電体膜）が形成された部分である。貫通孔はすべて空孔のままであり、貫通孔内にＮｉ形成は見られなかった（未封孔部）。
細孔構造体の複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的にＮｉが形成され、複数のＮｉ導電体束（Ｎｉ導電体群）が間隔を空けて形成されている様子が見られた。
【００９２】
得られた構造体を０．４質量％（０．１ｍｏｌ／Ｌ）水酸化ナトリウム水溶液に１０〜３０分間浸漬させて、未封孔部の一部を溶解除去した。
上記溶解除去を１０分間実施した後のＳＥＭ斜視写真とＳＥＭ断面写真を図５Ａに示す。貫通孔長４０μｍに対して、開口側より約１０μｍの深さまで未封孔部が除去されている様子が観察された。
上記溶解除去を３０分間実施した後のＳＥＭ斜視写真とＳＥＭ断面写真を図５Ｂに示す。
貫通孔長４０μｍに対して、開口側より約３０μｍの深さまで未封孔部が除去されている様子が観察された。この条件では、封孔部の陽極酸化アルミナが部分的に除去され、１つの封孔部を構成する複数の貫通孔内に形成された導電体の頭頂部が陽極酸化アルミナより突出して互いに密着し、封孔部の先端部が略錐状になっている様子が観察された。
【００９３】
（実施例１）
以下の手順にて、上記細孔構造体の一方の面（バリア層があった側の面）に対して、真空蒸着装置（真空デバイス社製「ＶＥ−２０３０」）を用いて、第１〜第３の導電体膜を形成した。
【００９４】
まず、マスクとして、開口部の目開８μｍ×８μｍ、線径８μｍの金属メッシュを用意した。
上記細孔構造体の一方の面（バリア層があった側の面）に上記マスクを密着させ、下記蒸着源を用いて真空蒸着を実施して、６０ｎｍ厚のアルミニウム膜を形成した（Ａｌ膜、第１の導電体膜）。この際、蒸着時間を調整して、マスクの開口部よりも少し小さいサイズの略矩形状パターン単位を複数有するアルミニウム膜を形成した。
蒸着条件は以下の通りとした。
・蒸着源：９９．９９％アルミニウム線（ニラコ社製）
・真空度：１×１０−４Ｐａ以下
・基板温度：２５℃
・蒸着速度：５ｎｍ／ｍｉｎ．
・蒸着時間：１２ｍｉｎ．
【００９５】
続いて、第１の導電体膜を形成した面に上記マスクを密着させたまま、下記蒸着源を用いて真空蒸着を実施した。これにより、６０ｎｍ厚の金膜（Ａｕ膜、第２の導電体膜）を形成した。この工程では、マスクの開口部とほぼ同じサイズの略矩形状パターン単位を複数有する金膜が形成された。
蒸着条件は以下の通りとした。
・蒸着源：９９．９％金線（ニラコ社製）
・真空度：１×１０−４Ｐａ以下
・基板温度：２５℃
・蒸着速度：５ｎｍ／ｍｉｎ．
・蒸着時間：１２ｍｉｎ．
【００９６】
続いて、上記マスクを取り外し、第１、第２の導電体膜を形成した面に対して、下記蒸着源を用いて真空蒸着を実施した。これにより、第１、第２の導電体膜を形成した面に対して、ほぼ全面に、１５０ｎｍ厚のアルミニウム膜を形成した（Ａｌ膜、第３の導電体膜）。蒸着条件は以下の通りとした。
・蒸着源：９９．９９％アルミニウム線（ニラコ社製）
・真空度：１×１０−４Ｐａ以下
・基板温度：２５℃
・蒸着速度：１０ｎｍ／ｍｉｎ．
・蒸着時間：１５ｍｉｎ．
【００９７】
次に、第１〜第３の導電体膜（Ａｌ膜／Ａｕ膜／Ａｌ膜）を電極層として、細孔構造体に対してＮｉを電解メッキ析出させた。メッキ条件は以下の通りとした。
・電解浴：１．２Ｍ硫酸ニッケル・６水和物、０．２Ｍ塩化ニッケル、及び０．７Ｍ硼酸の混合液
・浴温：３２〜３７℃
・ｐＨ：４．０〜５．０
・電圧：−０．９Ｖ  ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ
・処理時間：１２０分
【００９８】
電解メッキ後の細孔構造体のＳＥＭ表面観察を実施した。
細孔構造体の複数の貫通孔のうち直下に第２の導電体膜（金膜）が形成された貫通孔の内部に選択的にＮｉが析出している様子が見られた（封孔部）。
内部にＮｉが析出した複数の貫通孔は略矩形の環状に配列し、略矩形の環状導電体群が形成されている様子が観察された。環状導電体群は互いに離間して複数形成されていた。
環状導電体群の径は８μｍであり、環幅は１μｍ以下であった。
【００９９】
得られた構造体を０．４質量％（０．１ｍｏｌ／Ｌ）水酸化ナトリウム水溶液に３０分間浸漬させて、未封孔部の一部を溶解除去した。
未封孔部の３０分間溶解処理後のＳＥＭ観察を実施したところ、比較例１と同様、貫通孔長４０μｍに対して、開口側より約３０μｍの深さまで未封孔部が除去されている様子が観察された。
また、封孔部の陽極酸化アルミナが部分的に除去され、１つの封孔部を構成する複数の貫通孔内に形成された導電体の頭頂部が陽極酸化アルミナより突出して互いに密着している様子が観察された。
さらに、水酸化ナトリウム水溶液への浸漬を続けて、未封孔部をすべて除去した。未封孔部をすべて除去した後のＳＥＭ斜視写真を図６に示しておく。
【０１００】
（比較例２、３）
比較例２では、蒸着法により第２の導電体膜（金膜）を形成する際に用いるマスクとして、開口部の目開３μｍ×３μｍ、線径１４μｍの金属メッシュを用いた以外は比較例１と同様にして、異方性導電体膜を得た。
比較例３では、蒸着法により第２の導電体膜（金膜）を形成する際に用いるマスクとして、開口部の目開１６μｍ×１６μｍ、線径１６μｍの金属メッシュを用いた以外は比較例１と同様にして、異方性導電体膜を得た。
【０１０１】
電解メッキ後の細孔構造体のＳＥＭ表面観察を実施した。
比較例２、３では、比較例１と同様、細孔構造体の複数の貫通孔のうち直下に第２の導電体膜（金膜）が形成された貫通孔の内部に選択的にＮｉが析出している様子が見られた（封孔部）。
比較例１と同様、細孔構造体の複数の貫通孔のうち一部の貫通孔の内部に選択的にＮｉが形成され、複数のＮｉ導電体束（Ｎｉ導電体群）が間隔を空けて形成されている様子が見られた。
例として、比較例２について、電解メッキ後、後記溶解処理前のＳＥＭ表面写真を図７に示しておく。
【０１０２】
未封孔部の３０分間溶解処理後のＳＥＭ観察を実施したところ、比較例２、３では、比較例１と同様、貫通孔長４０μｍに対して、開口側より約３０μｍの深さまで未封孔部が除去されている様子が観察された。また、比較例１と同様、封孔部の陽極酸化アルミナが部分的に除去され、１つの封孔部を構成する複数の貫通孔内に形成された導電体が陽極酸化アルミナより突出して互いに密着し、封孔部の先端部が略錐状になっている様子が観察された。
【０１０３】
（実施例２、３）
実施例２では、蒸着法により第１の導電体膜（アルミニウム膜）および第２の導電体膜（金膜）を形成する際に用いるマスクとして、開口部の目開３μｍ×３μｍ、線径１４μｍの金属メッシュを用いた以外は実施例１と同様にして、異方性導電体膜を得た。
実施例３では、蒸着法により第１の導電体膜（アルミニウム膜）および第２の導電体膜（金膜）を形成する際に用いるマスクとして、開口部の目開１６μｍ×１６μｍ、線径１６μｍの金属メッシュを用いた以外は実施例１と同様にして、異方性導電体膜を得た。
【０１０４】
電解メッキ後の細孔構造体のＳＥＭ表面観察を実施した。
実施例２、３では、実施例１と同様、細孔構造体の複数の貫通孔のうち直下に第２の導電体膜（金膜）が形成された貫通孔の内部に選択的にＮｉが析出している様子が見られた（封孔部）。
内部にＮｉが析出した複数の貫通孔は略矩形の環状に配列し、略矩形の環状導電体群が形成されている様子が見られた。環状導電体群は互いに離間して複数形成されていた。
実施例２の環状導電体群の径は３μｍであり、環幅は１μｍ以下であった。
実施例３の環状導電体群の径は１６μｍであり、環幅は１μｍ以下であった。
例として、実施例２について、電解メッキ後、後記溶解処理前のＳＥＭ表面写真を図８Ａに示しておく。
【０１０５】
未封孔部の３０分間溶解処理後のＳＥＭ観察を実施したところ、実施例２、３では、実施例１と同様、貫通孔長４０μｍに対して、開口側より約３０μｍの深さまで未封孔部が除去されている様子が観察された。
また、封孔部の陽極酸化アルミナが部分的に除去され、１つの封孔部を構成する複数の貫通孔内に形成された導電体の頭頂部が陽極酸化アルミナより突出して互いに密着している様子が観察された。
例として、実施例２について、溶解処理後のＳＥＭ斜視写真を図８Ｂに示しておく。
【０１０６】
（真空中でのＩ−Ｖ特性と電界集中係数βの測定）
実施例１〜３及び比較例１〜３で得られた各異方性導電体膜について、真空中でのＩ−Ｖ特性と電界集中係数βを測定した。
ＩＴＯ膜付きガラス基板に対して、得られた異方性導電体膜をインジウムを用いてはんだ付けで接着させて、カソード基板とした。
アノード基板として、ＩＴＯ膜付きガラス基板を用意した。
上記カソード基板とアノード基板との間に、スペーサとしてアルミナ板を配置した。
異方性導電体膜とアノード基板との離間距離は０．５ｍｍとした。
得られたサンプルを、真空チャンバー内に設置して、１×１０−４Ｐａの真空度以下とした。カソード電極とアノード電極との間に、直流電源（松定プレシジョン社製「ＨＪＰＭ−５Ｎ１．２−ＳＰ」）を用いて電圧を印加した。
真空に放出される電流密度は、下記のファウラノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）の式で表される。
Ｉ＝ｓＡＦ２／φｅｘｐ（−Ｂ３／２／Ｆ）、
Ｆ＝βＥ＝βＶ／ｄ
ただし、上記式中、Ｉは電界放射電流、ｓは電界放射面積、Ａは定数、Ｆは導電体先端の電界強度、φは仕事関数、Ｂは定数、βは電界集中係数、Ｅは平板の電界強度、Ｖは印加電圧、ｄはカソード基板とアノード基板との距離である。
電界集中係数β（無次元）は先端部分の形状あるいは素子の幾何学的形状に応じて、平板の電界強度と比較して、どれだけ増大したかを示す係数である。
各異方性導電体膜について、真空中でのＩ−Ｖ特性を上記ファウラノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）の式で解析し、電界集中係数βを測定した。
また、各例において、１時間上記電圧印加を続けたときの、初期電流値（１００μＡ）に対する１時間後の電流値の割合を評価した。
各例の主な製造条件と評価結果を表１〜表３に示す。
第２の導電体膜のパターン径と電界集中係数βとの関係を図９に示す。
第２の導電体膜のパターンを非環状とした比較例１〜３では、第２の導電体膜のパターン径が小さくなる程、電界集中係数βが大きくなる傾向があった。
同様に、第２の導電体膜のパターンを環状とした実施例１〜３では、第２の導電体膜のパターン径が小さくなる程、電界集中係数βが大きくなる傾向があった。
第２の導電体膜のパターンを環状とした実施例１〜３では、第２の導電体膜のパターン径が同じで、第２の導電体膜のパターンを非環状とした比較例と比較した場合、電界集中係数βの向上が見られた。
なお、本発明者らは、先の出願である、「背景技術」の項に挙げた特許文献３（本件出願時において未公開）において、以下の点を確認している。
電解メッキまでの工程が共通であれば、初期の立上り電界強度及び電界集中係数βは、電界メッキ後の未封孔部の溶解処理の有無、あるいは、その溶解処理時間にはよらない。ただし、未封孔部の溶解処理を行った方が耐久性が向上する。
【０１０７】
（ＦＥＬの製造）
実施例１〜３及び比較例１〜３で得られた異方性導電体膜を用いて、ＦＥＬを製造した。
ＩＴＯ膜付きガラス基板に対して、得られた異方性導電体膜をインジウムを用いてはんだ付けで接着させて、カソード基板とした。
アノード基板として、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体層が塗布されたＩＴＯ膜付きガラス基板を用意した。
上記カソード基板とアノード基板との間に、スペーサとしてアルミナ板を配置した。
異方性導電体膜とアノード基板との離間距離は０．５ｍｍとした。
得られたデバイスを、真空チャンバー内に設置して、１×１０−４Ｐａの真空度以下とした。カソード電極とアノード電極との間に、直流電源（松定プレシジョン社製「ＨＪＰＭ−５Ｎ１．２−ＳＰ」）を用いて電圧を印加した。
実施例１〜３及び比較例１〜３の異方性導電体膜を用いて得られたＦＥＬのいずれについても、目視にて、青緑色の発光が確認された。
実施例１の異方性導電体膜を用いて得られたデバイスの光学顕微鏡による発光写真を図１０に示す。
実施例１〜３及び比較例１〜３の異方性導電体膜を用いて得られたデバイスの発光輝度を輝度計（トプコン社製「ＢＭ−９」）を用いて測定したところ、いずれも８０００ｃｄ/ｍ２であった。
【０１０８】
【表１】
2016126958.tif 000003
【０１０９】
【表２】
2016126958.tif 000004
【０１１０】
【表３】
2016126958.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明の異方性導電体膜とその製造方法は、ＦＥＬ及びＦＥＤ等のＦＥデバイス等に用いられる電子放出素子に好ましく適用することができる。
【符号の説明】
【０１１２】
１〜４  異方性導電体膜
２１  細孔構造体
２１Ａ  非貫通孔
２１Ｂ  バリア層
２１Ｈ            貫通孔
２１Ｄ  開口部
２１Ｓ  面
２２  導電体（エミッタ、電子源）
２２Ｇ  環状導電体群
２２Ｌ  針状導電体層
３０  導電体膜（カソード層）
３０Ｓ  導電体膜の面
３１  第１の導電体膜
３１Ｐ  パターン単位
３２  第２の導電体膜
３２Ｐ  パターン単位
３３  第３の導電体膜
４０  マスク
４０Ｈ  開口部
５  ＦＥＬ
６  ＦＥＤ
１００  カソード基板
２００  アノード基板
２２０  アノード層
２３０、２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ  蛍光体層
ＳＡ  封孔部
ＮＳＡ  未封孔部
Ｍ  被陽極酸化金属体
【図１Ａ】
2016126958.tif 000006
【図１Ｂ】
2016126958.tif 000007
【図２Ａ】
2016126958.tif 000008
【図２Ｂ】
2016126958.tif 000009
【図２Ｃ】
2016126958.tif 000010
【図２Ｄ】
2016126958.tif 000011
【図２Ｅ】
2016126958.tif 000012
【図２Ｆ】
2016126958.tif 000013
【図２Ｇ】
2016126958.tif 000014
【図２Ｈ】
2016126958.tif 000015
【図２Ｉ】
2016126958.tif 000016
【図２Ｊ】
2016126958.tif 000017
【図３Ａ】
2016126958.tif 000018
【図３Ｂ】
2016126958.tif 000019
【図９】
2016126958.tif 000020
【図４】
2016126958.tif 000021
【図５Ａ】
2016126958.tif 000022
【図５Ｂ】
2016126958.tif 000023
【図６】
2016126958.tif 000024
【図７】
2016126958.tif 000025
【図８Ａ】
2016126958.tif 000026
【図８Ｂ】
2016126958.tif 000027
【図１０】
2016126958.tif 000028