(57)【要約】【課題】熱収縮率、比抵抗が低く、透明導電パターンの見えにくい透明導電性フィルムおよびそれを含むタッチパネルを提供すること。【解決手段】基材の少なくとも一方の面に、ハード―コート層、光学調整層、透明導電膜の順に積層された透明導電性フィルムであって、前記基材が芳香族ポリエーテル系重合体を含む透明電性フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも一方の面に、ハードコート層、光学調整層、透明導電膜の順に積層された透明導電性フィルムであって、前記基材が芳香族ポリエーテル系重合体を含む透明電性フィルム。
【請求項２】
前記基材の、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が３５０℃未満であることを特徴とする請求項１に記載の透明電性フィルム。
【請求項３】
前記透明導電膜は、前記基材のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも低い温度でスパッタリングすることで成膜されることを特徴とする請求項２に記載の透明電性フィルム。
【請求項４】
前記透明導電膜を成膜後、前記基材のガラス転移温度（Ｔｇ）より低い温度で３０分以上加熱することを特徴とする請求項３に記載の透明導電フィルム。
【請求項５】
前記芳香族ポリエーテル重合体が、下記式（０）で表わされる構造単位を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の透明導電フィルム。
【化１】
2016126634.tif 000014
（式（０）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は、それぞれ独立して、２価の芳香族炭化水素基又は２価のヘテロ芳香族基である。但し、上記芳香族炭化水素基及びヘテロ芳香族基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。Ｒ１は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基である。但し、上記炭素数１〜２０の２価の炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。上記炭素数１〜２０の２価の炭化水素基は、エステル基、エーテル基又はカルボニル基を構造中に有していてもよい。Ｙは、カルボニル基又はスルホニル基である。ｍは、０又は１である。ｎは、０又は１である。ただし、ｍとｎが同時に０になることはない。）
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムを含むタッチパネル。
【請求項７】
請求項６に記載のタッチパネルを含む表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電性フィルム、タッチパネルおよび表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、透明導電性部材としては、ガラス上に透明導電膜を形成した、いわゆる導電性ガラスが用いられてきた。
【０００３】
しかしながら、導電性ガラスは基材がガラスであるために可撓性および加工性等に劣り、透明導電膜の成膜が困難であり、さらには、タッチパネルの軽量化が困難であった。
【０００４】
そのため、近年では可撓性および加工性に加えて、耐衝撃性に優れ、軽量であるなどの利点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリカーボネートをはじめとする各種のプラスチックフィルムを基材とした透明導電性フィルムが使用されている（特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２０４７３号公報
【特許文献２】特開２００７−３０８６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これらのプラスチックフィルムは、耐熱性に劣っていたため、熱収縮率が高く、また、該フィルム上に透明導電膜を成膜しても比抵抗が高く、さらにはパターン化した透明導電膜が視認できてしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、熱収縮率、比抵抗および非透明電極パターン視認性に優れた透明導電性フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、芳香族ポリエーテル系重合体を含む基材、ハードコート層、光学調整層、透明導電膜から得られる透明導電性フィルムが上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成した。
【０００９】
すなわち、本発明は、以下の［１］〜［７］を提供するものである。
【００１０】
［１］ 基材の少なくとも一方の面に、ハードコート層、光学調整層、透明導電膜の順に積層された透明導電性フィルムであって、前記基材が芳香族ポリエーテル系重合体を含む透明電性フィルム。
【００１１】
［２］ 前記基材の、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が３５０℃未満であることを特徴とする前記［１］に記載の透明電性フィルム。
【００１２】
［３］ 前記透明導電膜は、前記基材のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも低い温度でスパッタリングすることで成膜されることを特徴とする前記［２］に記載の透明電性フィルム。
【００１３】
［４］ 前記透明導電膜を成膜後、前記基材のガラス転移温度（Ｔｇ）より低い温度で３０分以上加熱することを特徴とする前記［３］に記載の透明導電フィルム。
【００１４】
［５］ 前記芳香族ポリエーテル重合体が、下記式（０）で表わされる構造単位を有することを特徴とする前記［１］〜［４］のいずれか１つに記載の透明導電フィルム。
【００１５】
【化１】
2016126634.tif 000002
【００１６】
式（０）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は、それぞれ独立して、２価の芳香族炭化水素基又は２価のヘテロ芳香族基である。但し、上記芳香族炭化水素基及びヘテロ芳香族基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。Ｒ１は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基である。但し、上記炭素数１〜２０の２価の炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。上記炭素数１〜２０の２価の炭化水素基は、エステル基、エーテル基又はカルボニル基を構造中に有していてもよい。Ｙは、カルボニル基又はスルホニル基である。ｍは、０又は１である。ｎは、０又は１である。ただし、ｍとｎが同時に０になることはない。
【００１７】
［６］前記［１］〜［５］のいずれか１つに記載の透明導電性フィルムを含むタッチパネル。
【００１８】
［７］前記［６］に記載のタッチパネルを含む表示装置。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の透明導電性フィルムは、熱収縮率、比抵抗および非透明電極パターン視認性に優れている。そのため、本発明の透明導電性フィルムは、タッチパネル用、特に、低反射タッチパネル用、静電容量タッチパネル用として好適に使用できる。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
≪透明導電性フィルム≫
本発明の透明導電性フィルムは、基材の少なくとも一方の面に透明導電膜を有し、該基材は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が３５０℃未満である芳香族ポリエーテル系重合体（以下「重合体（Ｉ）」ともいう。）を含む。
【００２１】
また、本発明の透明導電性フィルムは、前記重合体（Ｉ）を含む基材の少なくとも一方の面に、透明導電膜を形成した後、基材のＴｇ以下の温度でアニール処理することで得られる。
【００２２】
＜基材＞
本発明で用いられる基材は、前記重合体（Ｉ）を含む。
【００２３】
上記重合体（Ｉ）のＲｉｇａｋｕ社製８２３０型ＤＳＣ測定装置（昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは３５０℃未満であり、さらに好ましくは２３０℃未満である。
【００２４】
このような重合体（Ｉ）を含んでなる基材は、特に、優れた耐熱性および耐熱着色性を有するため、タッチパネルに好適に用いられる。また、透明導電膜を成膜する際に、該基材を加熱する際の加熱可能な温度範囲が広くなるため、成膜方法が限定されず、容易に透明導電性フィルムを製造することができる。
【００２５】
さらに、透明導電膜が形成された前記基材は、高温（ただし、基材のＴｇ以下の温度）でアニール処理された場合であっても、着色がなく、高い光透過性を維持することができる。
【００２６】
前記重合体（Ｉ）は、下記式（０）で表される構造単位（以下、「構造単位（０）」ともいう）を有する重合体であることが好ましい。重合体が構造単位（０）を有することで、高い耐熱性、透明性、耐加熱着色性、耐折曲性及び耐屈曲性を発揮させることができる。
【００２７】
【化２】
2016126634.tif 000003
【００２８】
上記式（０）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は、それぞれ独立して、２価の芳香族炭化水素基又は２価のヘテロ芳香族基である。但し、上記芳香族炭化水素基及びヘテロ芳香族基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。Ｒ０は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基である。但し、上記炭素数１〜２０の２価の炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。上記炭素数１〜２０の２価の炭化水素基は、エステル基、エーテル基又はカルボニル基を構造中に有していてもよい。Ｙは、カルボニル基又はスルホニル基である。ｍは、０又は１である。ｎは、０又は１である。ただし、ｍとｎが同時に０になることはない。
【００２９】
上記Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４で表される２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜２０の２価の芳香族炭化水素基が好ましく、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アントラニレン基等が挙げられる。
【００３０】
上記Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４で表される２価のヘテロ芳香族基としては、炭素数３〜２０の２価のヘテロ芳香族基が好ましく、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、ホスホール、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、インドール、キノリン、アクリジン等の複素芳香族化合物から２個の水素原子を除いた基等が挙げられる。
【００３１】
上記２価の芳香族炭化水素基及び２価のヘテロ芳香族基に置換してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、ホルミル基又は１価の有機基等が挙げられる。
【００３２】
上記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００３３】
上記１価の有機基としては、例えば、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−、−ＮＲ−、−ＣＳ−、−Ｓ−、−ＳＯ−及び−ＳＯ２−からなる群より選ばれる少なくとも１種の基と炭素数３〜２０の１価の芳香族基とを組み合わせた１価の基、炭素数３〜２０の１価の芳香族基等が挙げられ、さらにこれらの基が有する水素原子が置換基により置換されたものが挙げられる。上記Ｒは、水素原子又は炭素数１〜１０の１価の有機基である。また、上記置換基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシ基、エチニル基等が挙げられる。
【００３４】
上記炭素数３〜２０の１価の芳香族基としては、炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基又は炭素数３〜２０の１価のヘテロ芳香族基が好ましい。炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基等が挙げられる。また、炭素数３〜２０の１価のヘテロ芳香族基としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、ホスホール、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、インドール、キノリン、アクリジン等の複素芳香族化合物から１個の水素原子を除いた基等が挙げられる。
【００３５】
上記−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−、−ＮＲ−、−ＣＳ−、−Ｓ−、−ＳＯ−及び−ＳＯ２−からなる群より選ばれる少なくとも１種の基と炭素数３〜２０の１価の芳香族基とを組み合わせた１価の基としては、例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基、アントラニルオキシ基、アニリノ基等が挙げられる。
【００３６】
上記芳香族ポリエーテルが、上記式（０）で表される構造単位として、下記式（１）で表される構造単位（以下、「構造単位（１）」ともいう）、下記式（２）で表される構造単位（以下、「構造単位（２）」ともいう）からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉ）を有する重合体（以下「重合体（ＩＩ）」ともいう。）であることがさらに好ましい。
【００３７】
【化３】
2016126634.tif 000004
【００３８】
前記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示す。ａ〜ｄは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、好ましくは０または１である。
【００３９】
炭素数１〜１２の１価の有機基としては、炭素数１〜１２の１価の炭化水素基、ならびに酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の１価の有機基等を挙げることができる。
【００４０】
炭素数１〜１２の１価の炭化水素基としては、炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基および炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００４１】
前記炭素数１〜１２の直鎖または分岐鎖の炭化水素基としては、炭素数１〜８の直鎖または分岐鎖の炭化水素基が好ましく、炭素数１〜５の直鎖または分岐鎖の炭化水素基がより好ましい。
【００４２】
前記直鎖または分岐鎖の炭化水素基の好適な具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基およびｎ−ヘプチル基等が挙げられる。
【００４３】
前記炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基としては、炭素数３〜８の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３または４の脂環式炭化水素基がより好ましい。
【００４４】
炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基の好適な具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基およびシクロへキシル基等のシクロアルキル基；シクロブテニル基、シクロペンテニル基およびシクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基が挙げられる。当該脂環式炭化水素基の結合部位は、脂環上のいずれの炭素でもよい。
【００４５】
前記炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基およびナフチル基等が挙げられる。当該芳香族炭化水素基の結合部位は、芳香族環上のいずれの炭素でもよい。
【００４６】
酸素原子を含む炭素数１〜１２の有機基としては、水素原子、炭素原子および酸素原子からなる有機基が挙げられ、中でも、エーテル結合、カルボニル基またはエステル結合と炭化水素基とからなる総炭素数１〜１２の有機基等を好ましく挙げることができる。
【００４７】
エーテル結合を有する総炭素数１〜１２の有機基としては、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基、炭素数２〜１２のアルキニルオキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基および炭素数１〜１２のアルコキシアルキル基などを挙げることができる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、プロペニルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基およびメトキシメチル基等が挙げられる。
【００４８】
また、カルボニル基を有する総炭素数１〜１２の有機基としては、炭素数２〜１２のアシル基等を挙げることができる。具体的には、アセチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基およびベンゾイル基等が挙げられる。
【００４９】
エステル結合を有する総炭素数１〜１２の有機基としては、炭素数２〜１２のアシルオキシ基等が挙げられる。具体的には、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、イソプロピオニルオキシ基およびベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００５０】
窒素原子を含む炭素数１〜１２の有機基としては、水素原子、炭素原子および窒素原子からなる有機基が挙げられ、具体的には、シアノ基、イミダゾール基、トリアゾール基、ベンズイミダゾール基およびベンズトリアゾール基等が挙げられる。
【００５１】
酸素原子および窒素原子を含む炭素数１〜１２の有機基としては、水素原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子からなる有機基が挙げられ、具体的には、オキサゾール基、オキサジアゾール基、ベンズオキサゾール基およびベンズオキサジアゾール基等が挙げられる。
【００５２】
前記式（１）におけるＲ１〜Ｒ４としては、炭素数１〜１２の１価の炭化水素基が好ましく、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。
【００５３】
【化４】
2016126634.tif 000005
【００５４】
前記式（２）中、Ｒ１〜Ｒ４およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ１〜Ｒ４およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは、単結合、−ＳＯ２−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ７およびＲ８は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｍは、０または１を示す。但し、ｍが０の時、Ｒ７はシアノ基ではない。ｇおよびｈは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、好ましくは０である。
【００５５】
炭素数１〜１２の１価の有機基としては、前記式（１）における炭素数１〜１２の１価の有機基と同様の有機基等を挙げることができる。
【００５６】
前記重合体（ＩＩ）は、上記構造単位（１）と上記構造単位（２）とのモル比（但し、両者（構造単位（１）＋構造単位（２））の合計は１００である。）が、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から構造単位（１）：構造単位（２）＝５０：５０〜１００：０であることが好ましく、構造単位（１）：構造単位（２）＝７０：３０〜１００：０であることがより好ましく、構造単位（１）：構造単位（２）＝８０：２０〜１００：０であることがさらに好ましい。
【００５７】
ここで、力学的特性とは、重合体の引張強度、破断伸びおよび引張弾性率等の性質のことをいう。
【００５８】
また、前記重合体（ＩＩ）は、さらに、下記式（３）で表わされる構造単位、および下記式（４）で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位（ｉｉ）を有してもよい。前記重合体（ＩＩ）がこのような構造単位（ｉｉ）を有すると、該重合体（ＩＩ）を有する基材の力学的特性が向上するため好ましい。
【００５９】
【化５】
2016126634.tif 000006
【００６０】
前記式（３）中、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ独立に炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｎは、０または１を示す。ｅおよびｆは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、好ましくは０である。
【００６１】
炭素数１〜１２の１価の有機基としては、前記式（１）における炭素数１〜１２の１価の有機基と同様の有機基等を挙げることができる。
【００６２】
炭素数１〜１２の２価の有機基としては、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基、炭素数１〜１２の２価のハロゲン化炭化水素基、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の２価の有機基、ならびに酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の２価のハロゲン化有機基等を挙げることができる。
【００６３】
前記式（３）におけるＺとしては、単結合、−Ｏ−、−ＳＯ２−、＞Ｃ＝Ｏまたは炭素数１〜１２の２価の有機基が好ましく、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基、炭素数１〜１２の２価のハロゲン化炭化水素基または炭素数３〜１２の２価の脂環式炭化水素基がより好ましい。
【００６４】
【化６】
2016126634.tif 000007
【００６５】
前記式（４）中、Ｒ７、Ｒ８、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ独立に前記式（２）中のＲ７、Ｒ８、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ５、Ｒ６、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ前記式（３）中のＲ５、Ｒ６、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。なお、ｍが０の時、Ｒ７はシアノ基ではない。
【００６６】
前記重合体（ＩＩ）は、前記構造単位（ｉ）と前記構造単位（ｉｉ）とのモル比（但し、両者（（ｉ）＋（ｉｉ））の合計は１００である。）が、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から（ｉ）：（ｉｉ）＝５０：５０〜１００：０であることが好ましく、（ｉ）：（ｉｉ）＝７０：３０〜１００：０であることがより好ましく、（ｉ）：（ｉｉ）＝８０：２０〜１００：０であることがさらに好ましい。
【００６７】
ここで、力学的特性とは、重合体の引張強度、破断伸びおよび引張弾性率等の性質のことをいう。
【００６８】
前記重合体（ＩＩ）は、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から前記構造単位（ｉ）および前記構造単位（ｉｉ）を全構造単位中７０モル％以上含むことが好ましく、全構造単位中９５モル％以上含むことがより好ましい。
【００６９】
前記重合体（ＩＩ）は、例えば、下記式（５）で表わされる化合物（以下「化合物（５）」ともいう。）および下記式（７）で表わされる化合物（以下「化合物（７）」ともいう。）からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物を含む成分（以下「（Ａ）成分」ともいう。）と下記式（６）で表わされる化合物を含む成分（以下「（Ｂ）成分」ともいう。）とを、反応させることにより得ることができる。
【００７０】
【化７】
2016126634.tif 000008
【００７１】
前記式（５）中、Ｘは独立してハロゲン原子を示し、フッ素原子が好ましい。
【００７２】
【化８】
2016126634.tif 000009
【００７３】
前記式（７）中、Ｒ７、Ｒ８、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈは、それぞれ前記式（２）中のＲ７、Ｒ８、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｘは、独立に前記式（５）中のＸと同義である。但し、ｍが０の時、Ｒ７はシアノ基ではない。
【００７４】
【化９】
2016126634.tif 000010
【００７５】
前記式（６）中、Ｒａは、それぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、アセチル基、メタンスルホニル基またはトリフルオロメチルスルホニル基を示し、この中でも水素原子が好ましい。なお、式（６）中、Ｒ１〜Ｒ４およびａ〜ｄは、それぞれ独立に前記式（１）中のＲ１〜Ｒ４およびａ〜ｄと同義である。
【００７６】
化合物（５）および化合物（７）からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物は、（Ａ）成分１００モル％中に、８０モル％〜１００モル％含まれていることが好ましく、９０モル％〜１００モル％含まれていることがより好ましい。
【００７７】
また、（Ｂ）成分は、必要に応じて下記式（８）で表わされる化合物を含むことが好ましい。化合物（６）は、（Ｂ）成分１００モル％中に、５０モル％〜１００モル％含まれていることが好ましく、８０モル％〜１００モル％含まれていることがより好ましく、９０モル％〜１００モル％含まれていることがさらに好ましい。
【００７８】
【化１０】
2016126634.tif 000011
【００７９】
前記式（８）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に前記式（３）中のＲ５、Ｒ６、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義であり、Ｒａは、それぞれ独立に前記式（６）中のＲａと同義である。
【００８０】
前記重合体（ＩＩ）は、より具体的には、以下に示す方法（Ｉ'）で合成することができる。
方法（Ｉ'）：
（Ｂ）成分を有機溶媒中でアルカリ金属化合物と反応させて、（Ｂ）成分（化合物（６）および／または化合物（８）等）のアルカリ金属塩を得た後に、得られたアルカリ金属塩と、（Ａ）成分とを反応させる。なお、（Ｂ）成分とアルカリ金属化合物との反応を（Ａ）成分の存在下で行うことで、（Ｂ）成分のアルカリ金属塩と（Ａ）成分とを反応させることもできる。
【００８１】
反応に使用するアルカリ金属化合物としては、リチウム、カリウムおよびナトリウム等のアルカリ金属；水素化リチウム、水素化カリウムおよび水素化ナトリウム等の水素化アルカリ金属；水酸化リチウム、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウム等の水酸化アルカリ金属；炭酸水素リチウム、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩などを挙げることができる。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００８２】
アルカリ金属化合物は、前記（Ｂ）成分中の全ての−Ｏ−Ｒａに対し、アルカリ金属化合物中の金属原子の量が通常１〜３倍当量、好ましくは１．１〜２倍当量、さらに好ましくは１．２〜１．５倍当量となる量で使用される。
【００８３】
また、反応に使用する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、γ−ブチルラクトン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、ジアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数１〜４）およびトリアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数１〜４）などを使用することができる。これらの溶媒の中でも、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、スルホラン、ジフェニルスルホンおよびジメチルスルホキシド等の誘電率の高い極性有機溶媒が特に好適に用いられる。
【００８４】
さらに、前記反応の際には、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、クロロベンゼン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールなどの水と共沸する溶媒をさらに用いることもできる。
【００８５】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の使用割合は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計を１００モル％とした場合に、（Ａ）成分が好ましくは４５モル％以上５５モル％以下、より好ましくは５０モル％以上５２モル％以下、さらに好ましくは５０モル％を超えて５２モル％以下であり、（Ｂ）成分が好ましくは４５モル％以上５５モル％以下、より好ましくは４８モル％以上５０モル％以下であり、さらに好ましくは４８モル％以上５０モル％未満である。
【００８６】
また、反応温度は、好ましくは６０℃〜２５０℃であり、より好ましくは８０℃〜２００℃の範囲である。反応時間は、好ましくは１５分〜１００時間、より好ましくは１時間〜２４時間の範囲である。
【００８７】
前記重合体（Ｉ）は、ポリイミド系重合体の合成に必要なイミド化のための高温処理が不要であるため、重合体の製造プロセス負荷が低く、容易に重合体を製造することができる。
【００８８】
前記重合体（Ｉ）は、ＴＯＳＯＨ製ＨＬＣ−８２２０型ＧＰＣ装置（カラム：ＴＳＫｇｅｌα―Ｍ、展開溶剤：テトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」ともいう。）で測定した、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が、好ましくは５，０００〜５００，０００、より好ましくは１５，０００〜４００，０００、さらに好ましくは３０，０００〜３００，０００である。
【００８９】
前記重合体（Ｉ）は、熱重量分析法（ＴＧＡ）で測定した熱分解温度が、好ましくは４５０℃以上、より好ましくは４７５℃以上、さらに好ましくは４９０℃以上である。
【００９０】
前記基材の製造方法としては、特に制限されないが、前記重合体（Ｉ）を含む樹脂組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成し、次いで該塗膜から有機溶媒を除去することで基材を製造する方法が挙げられる。
【００９１】
前記樹脂組成物としては、前記の方法（Ｉ'）で得られた、重合体（ＩＩ）と有機溶媒との混合物をそのまま使用することができる。このような樹脂組成物を用いることで、容易に、安価に基材を製造することができる。
【００９２】
また、前記樹脂組成物は、前記の方法（Ｉ'）で得られた重合体（ＩＩ）と有機溶媒との混合物から、重合体（ＩＩ）を固体分として単離（精製）した後、有機溶媒に再溶解して樹脂組成物を調製することもできる。
【００９３】
前記重合体（ＩＩ）を固体分として単離（精製）する方法は、例えば、メタノール等の重合体（ＩＩ）の貧溶媒に重合体を再沈殿させ、その後ろ過し、次いで減圧乾燥すること等により行うことができる。
【００９４】
また、前記重合体（ＩＩ）を溶解する有機溶媒としては、例えば、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンおよびγ−ブチロラクトンが好適に用いられ、塗工性、経済性の観点から、好ましくは、塩化メチレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドおよびＮ−メチルピロリドンが好適に使用される。これらの溶媒は、１種単独であるいは２種以上を併用することができる。
【００９５】
前記樹脂組成物中の重合体（Ｉ）の濃度は、重合体の分子量にもよるが、通常、５〜４０質量％、好ましくは７〜２５質量％である。組成物中の重合体（Ｉ）の濃度が前記範囲にあると、厚膜化可能で、ピンホールが生じにくく、表面平滑性に優れる基材を形成することができる。
【００９６】
なお、樹脂組成物の粘度は、重合体の分子量や濃度にもよるが、好ましくは５０〜１００，０００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは５００〜５０，０００ｍＰａ・ｓ、さらに好ましくは１０００〜２０，０００ｍＰａ・ｓである。組成物の粘度が前記範囲にあると、成膜中の組成物の滞留性に優れ、支持体から流れ落ちることが少なく、厚みの調整が容易であるため、基材の成形が容易である。
【００９７】
また、前記基材は、本質的に前記重合体（Ｉ）のみからなることが好ましいが、必要によりさらに老化防止剤を配合させることができ、老化防止剤を配合することで、得られる基材の耐久性をより向上させることができる。
【００９８】
老化防止剤としては、好ましくはヒンダードフェノール系化合物を挙げることができる。
【００９９】
本発明において、老化防止剤は、重合体（Ｉ）１００重量部に対して０．０１〜１０重量部の量で使用することが好ましい。
【０１００】
前記樹脂組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する方法としては、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法およびドクターブレードを用いる方法等が挙げられる。
【０１０１】
塗膜の厚さは、特に限定されないが、例えば１〜２５０μｍであり、好ましくは２〜１５０μｍであり、より好ましくは５〜１２５μｍである。
【０１０２】
前記支持体としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムおよびＳＵＳ板などが挙げられる。
【０１０３】
また、塗膜から前記有機溶媒を除去する方法としては、特に制限されないが、例えば、塗膜を加熱する方法が挙げられる。塗膜を加熱することにより、該塗膜中の有機溶媒を蒸発させて除去することができる。前記加熱の条件は、有機溶媒が蒸発すればよく、基板や重合体に応じて適宜決めればよいが、例えば加熱温度は３０℃〜３００℃であることが好ましく、４０℃〜２５０℃であることがより好ましく、５０℃〜２３０℃であることがさらに好ましい。
【０１０４】
また、加熱時間としては、１０分〜５時間であることが好ましい。なお、加熱は二段階以上で行ってもよい。具体的には、３０〜８０℃の温度で１０分〜２時間乾燥後、１００℃〜２５０℃でさらに１０分〜２時間加熱するなどである。また、必要に応じて、窒素雰囲気下、もしくは減圧下にて乾燥を行ってもよい。
【０１０５】
得られた基材は、支持体から剥離して用いることが好ましいが、透明な支持体を用いる場合には、剥離せずにそのまま用いることもできる。
【０１０６】
前記基材の厚みは、所望の用途に応じて適宜選択されるが、好ましくは１〜２５０μｍ、より好ましくは２〜１５０μｍ、さらに好ましくは、１０〜１２５μｍである。
【０１０７】
前記基材を用いてタッチパネルを製造する場合には、該基材の位相差、得られるタッチパネルの軽量化および低背化等を考慮すると、基材の膜厚は薄いことが好ましい。
【０１０８】
また、前記基材は、厚みが３０μｍである場合に、ＪＩＳ  Ｋ７１０５透明度試験法における全光線透過率が、８５％以上であることが好ましく、８８％以上であることがより好ましい。全光線透過率は、ヘイズメーターＳＣ−３Ｈ（スガ試験機社製）を用いて測定することができる。
【０１０９】
前記基材は、厚みが３０μｍである場合に、波長４００ｎｍにおける光線透過率が、好ましくは７０％以上であり、より好ましくは７５％以上であり、さらに好ましくは８０％以上である。波長４００ｎｍにおける光線透過率は、紫外・可視分光光度計Ｖ−５７０（ＪＡＳＣＯ社製）を用いて測定することができる。
【０１１０】
前記基材の透過率がこのような範囲にあることで、該基材から得られる透明導電性フィルムは光透過性に優れ、タッチパネル等に好適に用いることができる。
【０１１１】
前記基材は、波長６３３ｎｍの光に対して、好ましくは１．５５〜１．７５、より好ましくは１．６０〜１．７０の屈折率を有する。屈折率は、ヘイズメーターＳＣ−３Ｈ（スガ試験機社製）を用いて測定することができる。
【０１１２】
＜ハードコート層＞  上記ハードコート層は、通常、硬化性組成物（Ｈ）の塗布により形成される。この硬化性組成物（Ｈ）の好ましい組成等は後に詳述する。
【０１１３】
上記ハードコート層の平均厚みとしては、０．０５μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上５μｍ以下がより好ましい。コート層３の平均厚みを上記範囲とすることで、耐屈曲性及び耐ブロッキング性を維持しつつ、透明性等を高めることができる。
【０１１４】
（硬化性組成物）
上記硬化性組成物（Ｈ）は、有機粒子、無機粒子、反応性粒子又はこれらの組み合わせを含有する。上記硬化性組成物（Ｈ）は、さらにウレタン（メタ）アクリレート化合物（Ｂ）を含有することが好ましく、その他、他の（メタ）アクリレート化合物（Ｃ）等を含有することができる。また、上記硬化性組成物（Ｈ）は、シランカップリング剤、各種無機粒子の分散剤等を含有していてもよい。
【０１１５】
（有機粒子）
上記有機粒子としては、アクリル系微粒子等の固体状のものが好適に用いられる。アクリル系微粒子としては、例えばメタクリル酸メチル重合体、メタクリル酸とアルキル化合物の共重合体等が挙げられる。
【０１１６】
（無機粒子（Ａ１））
上記無機粒子（Ａ１）としては、カリウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ハフニウム、ガリウム、ニオブ、ランタン、ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン、セリウムの酸化物粒子、硫化物粒子、炭化物粒子、窒化物粒子又はこれらの組み合わせが好ましく、チタン、ジルコニウム、カリウム、スズ、ケイ素の酸化物粒子がより好ましい。このような無機粒子（Ａ１）は高屈折粒子であるため、屈折率の比較的高いコート層を得ることができ、その結果、基材層との屈折率差を小さくできるので、得られる透明導電性フィルムの耐干渉縞性を向上させることができる。
【０１１７】
上記酸化物の粒子としては、例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ゲルマニウム、酸化インジウム、酸化スズ、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化アンチモン、酸化セリウム等の粒子を挙げることができる。これら中でも、高硬度の観点から、シリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化チタン及び酸化アンチモンの粒子が好ましい。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１８】
上記酸化物粒子は、粉体状又は分散ゾルとして用いるのが好ましい。分散ゾルとして用いる場合、他の成分との分散性等の観点から、分散媒は有機分散媒が好ましい。このような有機分散媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類を挙げることができる。これらの中でも、メタノール、イソプロパノール、ブタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、トルエン、キシレンが好ましい。
【０１１９】
なお、この粒子の分散性を改良するために各種カップリング剤、界面活性剤、分散剤を用いてもよい。
【０１２０】
上記酸化物粒子の形状は、特に限定されず、球状、中空状、多孔質状、環状、棒状、板状、繊維状、鎖状、不定形状等のものを用いることができるが、球状が好ましい。酸化物粒子の平均粒径としては、０．１μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以下がより好ましく、０．０３μｍ以下がさらに好ましい。
【０１２１】
上記平均粒子径は、レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置（例えば、ＨＯＲＩＢＡ  ＬＢ−５５０）を用いてバッチ式測定法により測定された散乱光データからＭｉｅ理論により粒度分布を自動計算させることによって得たメジアン径を意味する。メジアン径は頻度分布が累積５０％に相当する粒子径である。
【０１２２】
（反応性粒子）
上記反応性粒子は、無機粒子（Ａ１）と、特定の反応性基を有する有機化合物（Ａ２）とを結合させて得ることができる。
【０１２３】
（有機化合物（Ａ２））
上記有機化合物（Ａ２）は、反応性基として重合性不飽和基及び加水分解性シリル基を有する有機化合物である。
【０１２４】
上記重合性不飽和基としては、特に制限はないが、例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、プロペニル基、ブタジエニル基、スチリル基、エチニル基、シンナモイル基、マレエ−ト基、アクリルアミド基等を挙げることができる。この重合性不飽和基は、活性ラジカル種により付加重合をする基である。
【０１２５】
上記加水分解性シリル基とは、シラノール基又は加水分解によってシラノール基を生成する基である。シラノール基を生成する基としては、ケイ素原子にアルコキシ基、アリールオキシ基、アセトキシ基、アミノ基、ハロゲン原子等が結合した基を挙げることができるが、ケイ素原子にアルコキシ基又はアリールオキシ基が結合した基、すなわち、アルコキシシリル基又はアリールオキシシリル基を含有する有機化合物が好ましい。ここでアルコキシ基としては炭素数１〜８のアルコキシ基が好ましく、アリールオキシ基としては、炭素数６〜１８のアリールオキシ基が好ましい。この加水分解性シリル基（シラノール基又はシラノール基を生成する基）は、縮合反応又は加水分解に続いて生じる縮合反応によって、無機粒子（Ａ１）と結合する基である。
【０１２６】
有機化合物（Ａ２）は、重合性不飽和基及び加水分解性シリル基に加えて、さらに、下記式（５）で表される基を有することが好ましい。
【０１２７】
【化１１】
2016126634.tif 000012
【０１２８】
式（５）中、Ｘは、ＮＨ、Ｏ又はＳである。Ｙは、Ｏ又はＳである。
【０１２９】
上記式（５）で表される基は、具体的には、［−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−］、［−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−ＮＨ−］、［−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−］、［−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−］、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｓ）−ＮＨ−］、及び［−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−ＮＨ−］の６種である。これらの基は、単独又は２種以上有していてもよい。これらの中でも、熱安定性の観点から、［−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−］基に加えて、［−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−ＮＨ−］基及び［−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−］基の少なくとも１つを有することが好ましい。上記式（５）で表される基は、分子間において水素結合による適度の凝集力を発生させ、硬化物にした場合、優れた機械的強度、基材層との密着性及び耐熱性、柔軟性等の特性を付与することができる。
【０１３０】
無機粒子（Ａ１）と有機化合物（Ａ２）とを結合させる方法としては、特に限定されないが、
無機粒子（Ａ１）と有機化合物（Ａ２）とを、水を含む有機溶媒に混合し、加水分解・縮合反応を一度に行う方法、
予め有機化合物（Ａ２）を水を含む有機溶媒の存在下で加水分解処理した後、無機粒子（Ａ１）と縮合反応させる方法、
無機粒子（Ａ１）と有機化合物（Ａ２）とを水、有機溶媒、及び他の成分、例えば、分子内に２以上の重合性不飽和基を有する化合物、ラジカル重合開始剤等と混合し、加水分解・縮合反応を一度に行う方法等が挙げられる。
【０１３１】
これらの方法により無機粒子（Ａ１）表面のケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素と、有機化合物（Ａ２）分子中のケイ素原子が酸素原子を介して結合することにより、無機粒子（Ａ１）と有機化合物（Ａ２）とが化学的に結合した反応性粒子が得られる。
【０１３２】
なお、無機粒子（Ａ１）がシリカ粒子であり、有機化合物（Ａ２）がシラノール基又シラノール基を生成する基を有する有機化合物（Ａ２）である場合等には、これらを水又は水を含む有機溶媒に混合後、水又は有機溶媒を減圧又は常圧下で留去することにより、シリカ粒子と有機化合物（Ａ２）とがシリルオキシ基を介して結合してなる重合反応性シリカ粒子を製造することができる。この反応は、例えば特開平９−１００１１１号公報の記載に基づいて行うことができる。
【０１３３】
複数の無機粒子（Ａ１）を用いる場合は、それぞれの無機粒子（Ａ１）を別々に有機化合物（Ａ２）と加水分解・縮合反応を行ってもよいし、複数の無機粒子（Ａ１）を事前に混合したのち、有機化合物（Ａ２）と加水分解・縮合反応を行ってもよい。なお、球状及び鎖状の無機粒子（Ａ１）を同時に有機化合物（Ａ２）と反応させることにより、耐ブロッキング性に優れた硬化物が得られるため好ましく用いられる。
【０１３４】
有機化合物（Ａ２）の結合量は、反応性粒子（無機粒子（Ａ１）及び有機化合物（Ａ２）の合計）を１００質量％として、好ましくは０．１質量％以上であり、さらに好ましくは１質量％以上、特に好ましくは３質量％以上４０質量部以下である。結合した有機化合物（Ａ２）の結合量が０．０１質量％未満であると、組成物中における反応性粒子の分散性が十分でなく、得られる硬化物の透明性、耐ブロッキング等が十分でなくなる場合がある。
【０１３５】
上記硬化性組成物（Ｈ）における反応性粒子の含有量は、全固形分中、３０質量％以上８５質量％以下が好ましく、３５質量％以上８０質量％以下がさらに好ましい。３０質量％未満であると、硬化物としたときに十分な硬度が得られない場合がある。逆に、９０質量％を超えると、成膜性が不十分となり、また基材層との密着性が低下する等の不都合がある。なお、反応性粒子の含有量は、固形分を意味し、反応性粒子が分散媒分散ゾルの形態で用いられるときは、その含有量には分散媒の量を含まない。
【０１３６】
（ウレタン（メタ）アクリレート化合物（Ｂ））
上記ウレタン（メタ）アクリレート化合物（Ｂ）は、得られる硬化物の耐屈曲性等を高める機能を有する。
【０１３７】
ウレタン（メタ）アクリレート化合物（Ｂ）は、２個以上の（メタ）アクリロイル基を有することが好ましく、２個以上１５個以下の（メタ）アクリロイル基を有することがさらに好ましい。
【０１３８】
上記ウレタン（メタ）アクリレート化合物（Ｂ）としては、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）における、ポリスチレン換算数平均分子量が５００〜５００００であるウレタン（メタ）アクリレートが好適に使用される。ウレタン（メタ）アクリレート化合物（Ｂ）のＧＰＣパターンは、ＨＬＣ−８０２０型高速液体クロマトグラフ（東ソー株式会社製）を用い、ＧＰＣ用カラムとしてスチレン・ジビニルベンゼン共重合体樹脂を用い、溶離液としてテトラヒドロフランを用いて測定する。ウレタン（メタ）アクリレート化合物（Ｂ）としては、分子量を（メタ）アクリロイル基の数で除した値が１，０００を超えることが好ましい。
【０１３９】
上記ウレタン（メタ）アクリレート化合物（Ｂ）の含有量は、全固形分中、通常、１０質量％以上６０質量％以下であり、２０質量％以上６０質量％以下が好ましい。このような範囲とすることで、得られる透明導電性フィルムの耐屈曲性等を効果的に高めることができる。
【０１４０】
また、上記ウレタン（メタ）アクリレート化合物（Ｂ）の含有量は、上記組成物中の（Ａ）成分以外の全（メタ）アクリレート成分中、１５質量％以上８５質量％以下が好ましく、２０質量％以上８０質量％以下がより好ましい。このような含有量とすることで、コート層に良好な柔軟性が効果的に付与されるとともに、表面硬度とのより高いバランスが図れる。ここで、（Ａ）成分以外の全（メタ）アクリレート成分とは、不溶性の粒子である（Ａ）成分を除いた全可溶性成分中に含まれる（メタ）アクリレート成分（（メタ）アクリロイル基を有する化合物）をいう。具体的には、（Ｂ）成分と、後に詳述する（Ｃ）成分の合計量を意味する。
【０１４１】
（他の（メタ）アクリレート化合物（Ｃ））
他の（メタ）アクリレート化合物（Ｃ）は、コート層３と基材層２との密着性を上げ、硬度を調節するために好適に用いられる。（メタ）アクリレート化合物（Ｃ）は、１分子中に１個以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物であり、例えば、（メタ）アクリルエステル類等を挙げることができる。
【０１４２】
上記他の（メタ）アクリレート化合物（Ｃ）の含有量は、全固形分中、１質量％以上５０質量％以下が好ましく、５質量％以上４０質量％以下がより好ましい。１質量％未満の場合は、この（Ｃ）成分の機能が十分に発揮されない場合があり、４０質量％を超えると耐屈曲性等が低下するおそれがある。
【０１４３】
（ラジカル重合開始剤（Ｄ））
上記硬化性組成物（Ｈ）は、さらにラジカル重合開始剤（Ｄ）を含有していてもよい。上記ラジカル重合開始剤（Ｄ）としては、例えば、放射線（光）照射により活性ラジカル種を発生させる化合物（放射線（光）重合開始剤）、熱的に活性ラジカル種を発生させる化合物（熱重合開始剤）等を挙げることができる。なお、必要に応じて放射線（光）重合開始剤と熱重合開始剤とを併用することができる。
【０１４４】
放射線（光）重合開始剤としては、光照射により分解してラジカルを発生して重合を開始せしめるものであれば特に制限はなく、例えば、アセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、キサントン、フルオレノン、ベンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、３−メチルアセトフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、チオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノ−プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１，４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド、オリゴ（２−ヒドロキシ−２−メチル−１−（４−（１−メチルビニル）フェニル）プロパノン）等を挙げることができる。
【０１４５】
熱重合開始剤としては、例えば、過酸化物及びアゾ化合物を挙げることができ、具体例としては、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチル−パーオキシベンゾエート、アゾビスイソブチロニトリル等を挙げることができる。
【０１４６】
上記ラジカル重合開始剤（Ｄ）の含有量としては、全固形分中、０．０１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．１質量％以上５質量％以下がより好ましい。０．０１質量％未満であると硬度が不十分となることがあり、１０質量％を超えると内部（基材層２側）まで十分に硬化しないことがある。
【０１４７】
（その他の重合性化合物）
上記硬化性組成物（Ｈ）は、その他の重合性化合物を含有していてもよい。この重合性化合物としては、ビニル化合物類を挙げることができる。
【０１４８】
このビニル化合物類としては、ジビニルベンゼン、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル等を挙げることができる。
【０１４９】
（他の添加剤）
上記硬化性組成物（Ｈ）は、さらに他の添加剤を含有していてもよい。上記添加剤としては、例えばアンチブロッキング材、レベリング剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤、顔料、染料、充頃剤、分散剤、可塑剤、界面活性剤、チキソトロビー化剤、スリップ剤、防汚剤、帯電防止剤、抗菌剤、耐候剤、ブルーイング剤等が挙げられる。
【０１５０】
（溶媒）
上記硬化性組成物（Ｈ）は、通常、粘度（塗工性）や塗膜の厚さを調整することと等のため、溶媒で希釈して用いられる。上記硬化性組成物（Ｈ）の粘度としては、通常０．１〜５０，０００ｍＰａ・秒／２５℃、好ましくは０．５〜１０，０００ｍＰａ・秒／２５℃である。
【０１５１】
上記溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンシクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；イソプロピルアルコール、エチルアルコール等のアルコール類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メトキシベンゼン、１，２−ジメトキベンゼン等の芳香族炭化水素類；フェノール、パラクロロフェノール等のフェノール類；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、テトラクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類等があげられる。これら溶媒は１種を単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。
【０１５２】
上記溶液の含有量は、７０質量％以下が好ましく、より好ましくは３０質量％以上６０質量％以下である。
【０１５３】
上記硬化性組成物（Ｈ）の塗布方法は、特に制限されず、公知の方法を用いることができ、例えばディッピングコート、スプレーコ−ト、フローコ−ト、シャワーコート、ロールコート、スピンコート、刷毛塗り等を挙げることができる。
【０１５４】
上記硬化性組成物（Ｈ）の塗布後、好ましくは０〜２００℃で溶媒（揮発成分）を乾燥させた後、熱及び／又は放射線で硬化処理を行うことによりハードコート層を形成することができる。
【０１５５】
＜光学調整層＞
本発明の透明導電性フィルムは、ハードコート層の上に光学調整層が存在することが好ましい。つまり、光学調整層は、ハードコート層と透明導電層の間に存在する層である。この光学調整層は、１層であってもよく、２層またはそれ以上からなる層であってもよい。光学調整層は、層間の密着性および導電性透明導電性フィルムの光学特性（透過率および色調など）を改良する層である。
【０１５６】
本発明において、この光学調整層は、硬化性組成物層（Ｉ）または無機物層（Ｉ）からなる。
【０１５７】
＜硬化性組成物層（Ｉ）＞
当該硬化性組成物層（Ｉ）を形成するための硬化性組成物は、硬化性組成物（Ｈ）と同じであるので詳細な説明を省略する。
【０１５８】
＜無機物層＞
無機物層は、後述透明導電膜と異なる材料からなる。
【０１５９】
前記無機物層は、屈折率が１．４〜２．５の範囲にある層であることが好ましく、このような無機物層としては、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物等の無機物を含んでなる層が挙げられる。
【０１６０】
前記無機物としては、酸化マグネシウム（１．６）、二酸化珪素（１．５）、フッ化マグネシウム（１．４）、フッ化カルシウム（１．３〜１．４）、フッ化セリウム（１．６）、フッ化アルミニウム（１．３）、酸化チタン（２．４）、酸化ジルコニウム（２．４）、硫化亜鉛（２．３）、酸化タンタル（２．１）、酸化亜鉛（２．１）、酸化インジウム（２．０）、酸化ニオブ（２．３）、酸化タンタル（２．２）等が挙げられる。なお、上記括弧内の数値は屈折率を表す。
【０１６１】
前記無機物層の形成方法としては、特に制限されないが真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、化学蒸着（ＣＶＤ）法などの公知の方法を挙げることができるが、得られる層（膜）の均一性や基材への薄膜の密着性の観点から、スパッタリング法で無機物層を形成することが好ましい。
【０１６２】
前記無機物層を形成する際には、本発明の効果を損なわない限り、予め前記基材の表面に周知の種々の添加剤や安定剤などを塗布しておいてもよいし、前記基材表面等を予めコロナ処理、プラズマ処理、イオンボンバード処理、薬品処理などしてもよい。
【０１６３】
前記無機物層の厚さは、好ましくは３〜７０ｎｍであり、より好ましくは５〜６５ｎｍである。無機物層の厚みが、前記範囲にあることで、光透過性の高い透明導電性フィルムを得ることができる。
【０１６４】
＜透明導電膜＞
前記透明導電膜は、前記基材の少なくとも一方の面に形成される。本発明において、「基材の少なくとも一方の面に形成される」とは、基材の少なくとも一方の面上に他の層を介せず形成される場合、および／または、基材の少なくとも一方の面に他の層を介して形成される場合のことをいう。つまり、前記透明導電膜は、前記基材上に直接形成されてもよいし、後述する無機物層を介して形成されてもよいが、後述する無機物層等を介して形成されることが、結晶化度の高い透明導電膜を得る、光透過性の高い透明導電性フィルムを得る、などの点から好ましい。
【０１６５】
前記透明導電膜としては、透明であって、導電性を示す膜であれば特に制限されないが、酸化スズ、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化カドミウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）および酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの金属酸化物膜や、これらの金属酸化物を主体とする複合膜、金、銀、銅、錫、ニッケル、アルミニウムおよびパラジウムなどの金属膜が挙げられる。
【０１６６】
前記透明導電膜として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）からなる膜を用いる場合には、機械強度を高めるため、得られる薄膜を結晶化させるため、薄膜を低抵抗にする等のために、透明導電膜形成用材料として、好ましくは酸化インジウムおよび２〜１８重量％の酸化スズを含む材料、より好ましくは８２〜９８重量％酸化インジウムおよび２〜１８重量％の酸化スズを含む材料、さらに好ましくは８５〜９６重量％酸化インジウムおよび４〜１５重量％の酸化スズを含む材料を用いることが望ましい。但し、透明導電膜形成用材料全体を１００重量％とする。
【０１６７】
前記透明導電膜の形成方法としては、特に制限されないが真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、化学蒸着（ＣＶＤ）法などの公知の方法を挙げることができるが、膜の均一性や基材への薄膜の密着性の観点から、スパッタリング法で透明導電膜を形成することが好ましい。
【０１６８】
スパッタリング法で無機物層を形成する際の条件としては、無加熱、または、基材のＴｇ以下の温度が好ましく、必要により、アルゴンガス、酸素等の雰囲気下、減圧下で行ってもよい。
【０１６９】
加熱下でスパッタする場合には、４０℃〜（基材のＴｇマイナス３０℃）がより好ましい。
【０１７０】
前記透明導電膜を形成する際には、本発明の効果を損なわない限り、予め前記基材の表面に周知の種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、紫外線防止剤、可塑剤、滑剤、易接着剤などを塗布しておいてもよい。また、前記基材と透明導電膜との密着性を向上させるため、本発明の効果を損なわない限り、前記基材表面を予めコロナ処理、プラズマ処理、イオンボンバード処理、薬品処理などしてもよい。
【０１７１】
また、本発明の透明導電性フィルムは、前記基材の少なくとも一方の面に形成した透明導電膜を、基材のＴｇ以下、好ましくは（基材のＴｇマイナス１３０℃）〜（基材のＴｇマイナス３０℃）でアニール処理することで得ることができる。アニール時間は１０分以上が好ましく、３０分以上が特に好ましい。このアニール処理により、低抵抗の透明導電膜を有する透明導電性フィルムを得ることができる。
【０１７２】
前記基材は、重合体（Ｉ）を含んでなるため、前記アニール処理を高温で行うことができる。このため、より抵抗の小さい透明導電膜を有する透明導電性フィルムを得ることができる。
【０１７３】
前記アニール処理は、大気中で行えばよいが、必要により、所望のガス雰囲気下、加圧下で行ってもよい。
【０１７４】
本発明の透明導電性フィルムを静電容量方式のタッチパネルに用いる場合には、前記透明導電膜をパターニングすることが好ましい。
【０１７５】
パターニングする方法としては、前記透明導電膜上にレジストを塗布し、パターンを露光・現像により形成した後に透明導電膜を化学的に溶解させる方法、真空中で化学反応により気化させる方法、レーザーにより透明導電膜を昇華させる方法などが挙げられるが、パターンの形状、精度等により、適宜選択できる。
【０１７６】
前記透明導電膜の厚さは、好ましくは２０〜５０ｎｍであり、より好ましくは２０〜４０ｎｍである。透明導電膜の厚みが、前記範囲にあることで、低抵抗と高い透明性とのバランス等に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。
【０１７７】
前記基材は、前記重合体（Ｉ）を含むため、ガラス転移温度が高い。そのため、高温加熱が必要な方法であっても、基材上に透明導電膜を形成することができる。
【０１７８】
また、ポリチオフェン系やポリアニリン系の導電性ポリマーを前記基材上に塗布し、成膜することで透明導電膜を形成しても良い。
【０１７９】
前記透明導電膜は１層でもよいし、多層からなっていてもよい。多層の場合には、合計膜厚が前記範囲となるように調整することが好ましい。前記透明導電膜が多層からなる場合には、同一の材料からなる多層膜であってもよいし、異なる材料からなる多層膜であってもよい。
【０１８０】
本発明の透明導電性フィルムは、三菱化学（株）製の低抵抗率計「ロレスタ−ＧＰ」を用いて測定した比抵抗値（体積抵抗値）が好ましくは２×１０-3Ω・ｃｍ以下であり、さらに好ましくは５×１０-4Ω・ｃｍ以下である。比抵抗値が前記範囲にあることで、導電性に優れるフィルムとなり、このようなフィルムを含むタッチパネルは、細かい動きにも正確に素早く反応できるため好ましい。また、表面抵抗値としては、好ましくは３００Ω/□以下、さらに好ましくは１５０Ω/□以下、特に好ましくは１００Ω/□以下である。
【０１８１】
≪タッチパネル≫
前記タッチパネルは、前記透明導電性フィルムを含む。前記タッチパネルは、前記透明導電性フィルムを含むため、光透過性が高く、無色であり、耐久性、耐水性が高く、動作可能温度範囲が広い。このため、様々な表示装置に使用することができる。
【０１８２】
本発明によれば、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、電磁誘導方式、静電容量方式等、何れの方式のタッチパネルも製造することができる。
【０１８３】
前記タッチパネルとしては、光透過性、耐熱性および耐熱着色性等に優れる前記透明導電性フィルムを含むため、抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルが好ましく、静電容量方式のタッチパネルがより好ましい。
【０１８４】
前記抵抗膜方式のタッチパネルとしては、例えば、指やペンなどが接触される側（外部）から、前記本発明の透明導電性フィルムと、該フィルムまたは透明導電性フィルムの透明導電膜と空隙を保って対向する透明導電膜を含むタッチパネルが挙げられる。
【０１８５】
タッチパネルが、前記透明導電性フィルムを含むと、日光や蛍光灯等の外部からの光の反射光量が抑えられた低反射タッチパネルとなるため好ましい。
【０１８６】
低反射タッチパネルは本質的にはこれらの要素で成り立つが、実際にタッチパネルの動作を実現するために、透明導電膜を支持する部材やコート材、空隙を形成するスペーサーなどが用いられる。透明導電膜を支持する部材には制御された光学特性が必要であり、前記重合体（Ｉ）などが好適である。
【０１８７】
また、前記静電容量方式のタッチパネルとしては、例えば、前記基材の四隅に電極が設けられた、前記透明導電性フィルムからなる表面型静電容量方式のタッチパネルや、前記基材にＩＣが搭載され、前記透明導電膜がパターニングされた透明導電膜であって、該パターンの延在方向が互いに直交するように積層された、前記本発明の透明導電性フィルムまたは前記本発明の透明導電性フィルム、からなる投影型静電容量方式のタッチパネルが挙げられる。
【０１８８】
≪表示装置≫
前記表示装置は、前記タッチパネルを含む。
【０１８９】
前記表示装置は、前記優れた特性を有するタッチパネルを含むため、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、カーナビ、タブレットＰＣ、販売機器、ＡＴＭ、ＦＡ機器等に制限なく使用することができる。
【実施例】
【０１９０】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
【０１９１】
（１）高分子シートの厚み
接触式のダイヤルゲージで高分子シートの幅方向に２０ｍｍ間隔で測定した。その平均値を高分子シートの厚みとした。
【０１９２】
（２）構造分析
下記実施例および比較例で得られた芳香族ポリエーテル系樹脂の構造分析は、ＩＲ（ＡＴＲ法、ＦＴ−ＩＲ，６７００、ＮＩＣＯＬＥＴ社製）およびＮＭＲ（ＡＤＶＡＮＣＥ５００型，ＢＲＵＫＡＲ社製）により行った。
【０１９３】
（３）重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）および分子量分布
下記実施例および比較例で得られた芳香族ポリエーテル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）および分子量分布は、ＴＯＳＯＨ製ＨＬＣ−８２２０型ＧＰＣ装置（カラム：ＴＳＫｇｅｌα―Ｍ、展開溶剤：テトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」ともいう。）を用いて測定した。
【０１９４】
（４）ガラス転移温度（Ｔｇ）
下記実施例および比較例で得られた芳香族ポリエーテル系樹脂のガラス転移温度は、セイコーインスツルメンツ社製、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて、窒素雰囲気、昇温速度：２０℃／分の条件で測定した。
【０１９５】
（５）光学特性
下記実施例および比較例で得られた高分子シートについて、光線透過率は日本分光社製分光光度計を用いて測定した。
【０１９６】
また、得られた高分子シートの位相差（Ｒ０）は、大塚電子社製ＲＥＴＳ分光器を用いて波長５８９ｎｍで測定した。位相差の評価膜厚は３０μｍに規格化した値で示した。
光弾性係数（Ｃｄ）及び応力光学係数（ＣＲ）を、公知の方法（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｊｏｕｒｎａｌ、Ｖｏｌ．２７、Ｎｏ．９、Ｐ．９４３〜９５０（１９９５））により求めた。具体的には、光弾性係数（Ｃｄ）は高分子シートサンプルに室温（２５℃）で数種類の一定荷重を加え、発生する位相差を測定し、そのときサンプルが受けた応力と位相差から計算した。測定波長は５８９ｎｍ、測定には、王子計測機器社製ＫＯＢＲＡを用いた。応力光学係数（ＣＲ）は、短冊状の高分子シートサンプルを用いてＴｇ以上にて数種類の一定荷重をかけて数パーセント伸びた状態でゆっくりと冷やして室温まで戻した後に発生した位相差を測定し、加えた応力と位相差から計算した。測定には、大塚電子社製ＲＥＴＳ分光器を用いた。
【０１９７】
（６）電気特性
下記実施例および比較例で得られた透明導電性フィルムの電気特性について、三菱化学アナリック製抵抗計ロレスタ−Ｇを用いて抵抗値を測定した。
【０１９８】
（７）透明導電膜の除去
下記実施例および比較例で得られた透明導電膜に対して、幅１ｍｍの電極パターンのマスキングを施した透明導電フィルムを室温下で１Ｎ塩酸溶液中に１０分間浸漬することで透明導電膜の除去を行った。
【０１９９】
（８）熱収縮率
下記実施例および比較例で得られた透明導電性フィルムに対して、２００℃、３０分の加熱前と加熱後後における寸法の変化を測定し、その変化率を熱収縮率とした。なお、フィルムの長さ方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の２点について寸法変化の測定を行った。
【０２００】
［実施例１］
２Ｌの４つ口フラスコに２，６−ジフルオロベンゾニトリル（以下、「ＤＦＢＮ」ともいう。）６３．８９ｇ（０．４５９５ｍｏｌ）、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン７９．２９ｇ（０．２２６３ｍｏｌ）、レゾルシノール２４．９２ｇ（０．２２６３ｍｏｌ）、２−フェニルフェノール２．０８０ｇ（０．０１２２２ｍｏｌ）炭酸カリウム６８．８３ｇ（０．４９７８ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（以下、「ＤＭＡｃ」ともいう。）５３２ｇおよびトルエン８５ｇを添加した。続いて、４つ口フラスコに温度計、撹拌機、窒素導入管付き三方コック、Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ管および冷却管を取り付けた。
【０２０１】
次いで、フラスコ内を窒素置換した後、得られた溶液を１４０℃で３時間反応させ、生成する水をＤｅａｎ−Ｓｔａｒｋ管から随時取り除いた。水の生成が認められなくなったところで、徐々に温度を１６０℃まで上昇し、そのままの温度で５時間反応させた。
【０２０２】
室温（２５℃）まで冷却後、精製した塩をろ紙で除去し、ろ液をメタノールに投じて再沈殿させ、ろ別により重合体を単離した。得られた重合体を６０℃で一晩真空乾燥し、白色粉末を得た（収量１４５ｇ、収率９７％）。
【０２０３】
得られた重合体の物性を表１に示す。得られた重合体の構造分析および重量平均分子量、数平均分子量の測定を行った。結果は、赤外吸収スペクトルの特性吸収が、３０３５（芳香族Ｃ−Ｈ伸縮）、２９３５（脂肪族Ｃ−Ｈ伸縮）２２２９ｃｍ−１（ＣＮ）、１５７４ｃｍ−１、１４９９ｃｍ−１（芳香環骨格吸収）、１２４０ｃｍ−１（−Ｏ−）であり、重量平均分子量が５８,０００、数平均分子量１９,０００であった。  次いで、上記組成にて得られた重合体の粉末もしくは酸化防止剤たとえばリン系の３，９-ビス(２，６-ジ-ｔｅｔｒａ-ブチル-４-メチルフェノキシ)-２，４，８，１０-テトラオキサ-３，９-ジホスファスピロ[５.５]ウンデカンを樹脂あたり０．０１〜３重量部配合した粉末もしくはペレットを３００℃以上で加熱溶融させＴダイで溶融押出して、厚みが３０μｍの高分子シートを得た。得られた評価用フィルムの物性を表１に示す。得られた評価用フィルムの光学特性（位相差（Ｒ０）、光弾性係数（Ｃｄ）および応力光学係数（ＣＲ）について測定した。位相差（Ｒｔｈ）は３［ｎｍ］、応力光学係数は１５００［×１０−１２Ｐａ−１］、光弾性係数は４３［×１０−１２Ｐａ−１]であった。
【０２０４】
次いで、得られた評価用フィルムの両面に、紫外線硬化性樹脂から成るハードコート層を各1μｍずつ形成し、さらに、得られた評価用フィルムをスパッタリング装置内に配置し、ターゲットとしてＮｂ２Ｏ５を用いたスパッタリングによりＮｂ２Ｏ５からなる厚さ１００オングストロームの無機薄膜層を形成し、その上にターゲットとしてＳｉを用いたスパッタリングにより、ＳｉＯ２からなる厚さ３００オングストロームの無機薄膜層を形成し、その上にターゲットとしてＩｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２＝８７．５／１２．５（重量比）の酸化物混合体を用いたスパッタリングにより、ＩＴＯからなる厚さ４００オングストロームの透明導電膜を形成した。なお、上記スパッタは、いずれもアルゴンガスおよび酸素ガス流入下、無加熱の条件下で行った。この積層フィルムを大気中に取り出した後、大気下で２００℃×３０分のアニール処理を行い、透明導電性フィルム１を得た。得られた透明導電フィルム１のシート抵抗値を測定したところ、２×１０−４Ω・ｃｍという低い比抵抗値を示した。また、アニール処理を行った際の透明導電性フィルム１は、透明導電膜を除去して形成した電極パターンの視認性が低いものであった。
【０２０５】
[実施例２]
実施例1と同様の方法で得られた評価用フィルムを用いて、アルゴンガスおよび酸素ガス流入下、２００℃に加熱した温度条件下で、スパッタリングにより実施例1と同様の積層構成で透明導電膜を形成し、透明導電フィルム２を得た。得られた透明導電フィルム２のシート抵抗値を測定したところ、２×１０−４Ω・ｃｍという低い比抵抗を示した。また透明導電性フィルム２は、透明導電膜を除去して形成した電極パターンの視認性が低いものであった。
【０２０６】
[実施例３]
実施例1と同様の方法で得られた評価用フィルムを用いて、屈折率１．７の有機薄膜層を４００オングストローム形成した後スパッタリング装置内に配置し、その上にターゲットとしてＩｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２＝８７．５／１２．５（重量比）の酸化物混合体を用いたスパッタリングにより、ＩＴＯからなる厚さ４００オングストロームの透明導電膜を形成した。なお、上記スパッタはいずれもアルゴンガスおよび酸素ガス流入下、無加熱の条件下で行った。この積層フィルムを大気中に取り出した後、大気下で２００℃×３０分のアニール処理を行い、透明導電性フィルム３を得た。得られた透明導電フィルム３のシート抵抗値を測定したところ、２×１０−４Ω・ｃｍという低い比抵抗を示した。また、アニール処理を行った際の透明導電性フィルム３は、透明導電膜を除去して形成した電極パターンの視認性が低いものであった。
【０２０７】
[実施例４]
実施例1と同様の方法で得られた評価用フィルムを用いて、屈折率１．７の有機薄膜層を４００オングストローム形成した後、アルゴンガスおよび酸素ガス流入下、２００℃に加熱した温度条件下で、スパッタリングにより実施例３と同様の積層構成の透明導電膜を形成し、透明導電フィルム４を得た。得られた透明導電フィルム２のシート抵抗値を測定したところ、２×１０−４Ω・ｃｍという低い比抵抗を示した。また透明導電性フィルム４は、透明導電膜を除去して形成した電極パターンの視認性が低いものであった。
【０２０８】
［実施例５］
９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンの替わりに９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレンを８５．６５ｇ（０．２２６３ｍｏｌ）を使用した以外は実施例１と同様に行った。得られた重合体、フィルムおよび透明導電フィルムの物性を表１に示す。
【０２０９】
［実施例６］
レゾルシノールの替わりに４，４'−ジヒドロキシジフェニルスルホン５６．６４ｇ（０．２２６３ｍｏｌ）を使用した以外は実施例１と同様に行った。得られた重合体、フィルムおよび透明導電フィルムの物性を表１に示す。
【０２１０】
［実施例７］
レゾルシノールの替わりに２，２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパンを５１．６６ｇ（０．２２６３ｍｏｌ）を使用した以外は実施例１と同様に行った。得られた重合体、フィルムおよび透明導電フィルムの物性を表１に示す。
【０２１１】
［実施例８］
レゾルシノールの替わりに４，４'−(１,３−フェニレンジイソプロピリデン)ビスフェノールを７８．４１ｇ（０．２２６３ｍｏｌ）を使用した以外は実施例１と同様に行った。得られた重合体、フィルムおよび透明導電フィルムの物性を表１に示す。
【０２１２】
［実施例９］
レゾルシノールの替わりに４,４'−(１，３−フェニレンジイソプロピリデン)ビスフェノールを４７．０５ｇ（０．１３５８ｍｏｌ）使用した以外は実施例１と同様に行った。得られた重合体、フィルムおよび透明導電フィルムの物性を表１に示す。
【０２１３】
［比較例１］
帝人（株）製のポリエチレンナフタレートフィルム：テオネックスを使用し、評価は実施例１と同様の方法で行った（膜厚１２５μｍ）。フィルムの物性を表１に示す。
【０２１４】
上記フィルムの片面に、スパッタリング装置を用いて、１５０℃に加熱した成膜条件下で実施例１と同様の積層構成で透明導電膜を形成した。なお、ターゲット材料についても実施例1と同様のＩＴＯを用いた。得られた透明導電性フィルムの比抵抗は７×１０−４Ω・ｃｍと高い値を示した。また、透明導電膜を除去して形成した電極パターンは非常に見えやすいものであった。
【０２１５】
なお、成膜温度を実施例１と同様に２００℃とした場合には、フィルムが変形し均一な透明導電膜が形成されなかった。
【０２１６】
［比較例２］
帝人（株）製のポリエチレンナフタレートフィルム：テオネックスを使用し、スパッタリング装置を用いて、上記フィルムの片面に実施例1と同様の積層構成で無加熱条件下で透明導電膜を得た。この積層フィルムを大気中に取り出した後、大気下で１５０℃×３０分のアニール処理を行い、得られた透明導電フィルムの抵抗値を４探針法により測定したところ、７×１０−４Ω・ｃｍという高い比抵抗値を示した。またこの透明導電フィルムは、透明導電膜を除去して形成した電極パターンが非常に見えやすいものであった。
【０２１７】
なお、実施例1と同様にアニール処理を２００℃×３０分で行った際には、フィルムが変形してしまった。
【０２１８】
【表１】
2016126634.tif 000013
【０２１９】
上記結果より、前記重合体（Ｉ）を含む基材は、耐熱性、耐熱着色性に優れることが分かる。また、前記重合体（Ｉ）を含む基材は耐熱性に優れるため、その少なくとも一方の面に透明導電膜を形成する際の成膜方法が限定されず、表面抵抗値の小さい透明導電性フィルムを得ることができる。そのため、タッチパネル等に好適に用いることができる。