(57)【要約】【課題】起動時にＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されているデータが有効であるか否かを安価且つ適切に判別する。【解決手段】データ記憶装置に複数のブロックを備えたＮＯＲ型フラッシュメモリーと第一記憶部、第二記憶部及び第三記憶部を備えた不揮発性メモリーと書換制御部とを備える。書換制御部は元ブロックの元データを第一記憶部に書き込み後第一情報と元ブロックの識別情報と第一記憶部を示す第二情報とを第三記憶部に書き込む。次に第二情報が示す記憶部とは他の記憶部に元データの更新データを書き込み後第二情報を他の記憶部を示すように書き換える。次に第三情報を第三記憶部に書き込み後元ブロックから元データを消去し当該消去後第三情報を消去する。次に第二情報が示す記憶部のデータを識別情報が示す元ブロックに書き込み後第一記憶部及び第二記憶部のデータと第三記憶部の全ての情報とを消去する。【選択図】図１
2016045865.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の記憶容量を有する複数のブロックを備え、前記ブロック単位でデータを書き換え可能なＮＯＲ型フラッシュメモリーと、
データの書き換え可能回数が前記ＮＯＲ型フラッシュメモリーよりも多い不揮発性メモリーと、
を備え、
前記不揮発性メモリーは、
前記ブロックに記憶されている元データを記憶可能な第一記憶部及び第二記憶部と、
前記元データの書き換え中であることを示す第一情報と、前記元データが記憶されていた元ブロックの識別情報と、前記第一記憶部及び前記第二記憶部のうち、最新のデータが記憶されている記憶部を示す第二情報と、前記元データを前記元ブロックから消去する消去処理の実行中であることを示す第三情報とを記憶可能な第三記憶部と、
を備え、
前記元データを前記第一記憶部に書き込み後、前記第一情報と、前記元ブロックの識別情報と、前記第一記憶部を示す前記第二情報と、を前記第三記憶部に書き込む第一処理を実行し、
前記第一処理の実行後、前記第一記憶部及び前記第二記憶部のうち前記第二情報が示す記憶部とは他の記憶部に前記元データの更新データを書き込んだ後、前記第二情報を前記他の記憶部を示すように書き換える第二処理を実行し、
前記第二処理の実行後、前記第三情報を前記第三記憶部に書き込んだ後、前記消去処理を実行し、当該消去処理の終了後、前記第三情報を消去する第三処理を実行し、
前記第三処理の実行後、前記第二情報が示す記憶部に記憶されているデータを取得し、当該取得したデータを前記識別情報が示す前記元ブロックに書き込み後、前記第一記憶部及び前記第二記憶部に記憶されているデータと前記第三記憶部に記憶されている全ての情報とを消去する第四処理を実行する書換制御部を更に備えるデータ記憶装置。
【請求項２】
前記書換制御部は、前記元データを前記更新データに書き換えた後、前記更新データを更に新たな更新データに書き換える場合、前記第一処理を実行した後に前記更新データを書き込む前記第二処理を実行した後、前記新たな更新データを書き込む前記第二処理を実行した後に前記第三処理を実行し、当該第三処理の実行後に前記第四処理を実行する請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項３】
前記データ記憶装置の起動時に、前記第三記憶部に前記第一情報が記憶されており、且つ、前記第三記憶部に記憶されている前記識別情報が示す前記元ブロックにデータが記憶されている場合、前記書換制御部に前記第三処理と前記第四処理とを実行させるデータ復旧部を更に備える請求項１又は２に記載のデータ記憶装置。
【請求項４】
前記データ記憶装置の起動時に、前記第三記憶部に前記第一情報が記憶されており、且つ、前記第三記憶部に記憶されている前記識別情報が示す前記元ブロックにデータが記憶されていない場合、前記書換制御部に前記第四処理を実行させるデータ復旧部を更に備える請求項１から３の何れか一項に記載のデータ記憶装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れか一項に記載のデータ記憶装置と、
前記ＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されたデータを用いて所定の画像処理を行う画像処理部と、
を備える画像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データ記憶装置及びこれを備えた画像処理装置に関し、特に、ＮＯＲ型フラッシュメモリーにデータを記憶する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複写機、スキャナー、プリンター及び複合機等の画像処理装置において、再起動後も利用するデータを記憶するために、ＮＯＲ型フラッシュメモリーやＮＡＮＤ型フラッシュメモリー等のフラッシュメモリーが用いられている。再起動後も利用するデータには、例えば、機能実行時に用いる用紙のサイズや印刷部数等の実行条件や、画像の累積出力回数（累積出力用紙枚数）や、装置内の各部品の寿命に関する情報（例えば、各部品の交換時期を示す情報）等が含まれる。
【０００３】
フラッシュメモリーでは、記憶されているデータを一旦消去した後、データを書き込むことにより、データの書き換えが行われる。このため、データを消去した後、データを書き込むよりも前に、ユーザーによって画像処理装置の電源スイッチがオフにされる等して、フラッシュメモリーへの給電が予期せず遮断される虞があった。また、データを消去した後、データを書き込んでいる途中で、フラッシュメモリーへの給電が予期せず遮断される虞もあった。これらの場合、次に画像処理装置を起動したときには、フラッシュメモリーがデータを記憶していない状態、或いは、一部のデータのみを書き込んだ状態となっているので、フラッシュメモリーからデータを正常に読み出せない虞があった。
【０００４】
また、ＮＯＲ型フラッシュメモリーを用いる場合には、ＮＯＲ型フラッシュメモリーの構造上、以下に示すように、画像処理装置を起動したときに、データを正常に読み出せない虞もあった。
【０００５】
ＮＯＲ型フラッシュメモリーは、所定数のメモリーセルを有するブロックを複数備え、各メモリーセルに一ビットのデータを記憶する構造となっている。また、ＮＯＲ型フラッシュメモリーは、メモリーセルからデータを読み出す時に用いるビット線を、複数のブロックで共用する構造となっている。
【０００６】
また、ＮＯＲ型フラッシュメモリーでは、ブロック内の所定数のメモリーセルに記憶されているデータを一括して消去するために、当該所定数のメモリーセルに所定の電圧を印加して、当該所定数のメモリーセルが有するフローティングゲートから一括して電荷を抜く処理が行われる。しかし、この処理が行われた場合、各メモリーセルの特性のばらつき等に起因して、一部のメモリーセルのフローティングゲートから過剰に電荷が抜かれ、当該一部のメモリーセルが所謂過剰消去状態になる虞があった。このため、ＮＯＲ型フラッシュメモリーでは、一般的に、データが書き込まれるよりも前に、データを消去する消去処理の一部の処理として調整処理が行われる。調整処理とは、過剰消去状態となっているメモリーセルのフローティングゲート内に保持させる電荷量を調整する処理である。
【０００７】
したがって、ＮＯＲ型フラッシュメモリーを用いる場合は、過剰消去状態となっているメモリーセルが存在する状態で、上記調整処理が実行されるよりも前に、ＮＯＲ型フラッシュメモリーへの給電が予期せず遮断される虞があった。この場合、次に画像処理装置を起動したときには、過剰消去状態のメモリーセルを読み出すときに用いるビット線にリーク電流が流れることに起因して、当該ビット線を共用している複数のブロック内のメモリーセルから、データを正常に読み出せない虞があった。
【０００８】
そこで、例えば下記特許文献１には、電源遮断を検知する検知回路を設け、当該検知回路が電源遮断を検知したときに、データの消去中であったか、データの書き込み中であったかを示す遮断時状態データを不揮発性メモリーに書き込むことが記載されている。そして、再起動後、不揮発性メモリーに記憶されている遮断時状態データがデータの消去中であることを示す場合は、データの再消去を行い、当該遮断時状態データがデータの書き込み中であることを示す場合は、当該書き込み中のデータを無効にする処理を行うことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−２１８３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、上記特許文献１に記載の技術を採用するためには、電源の遮断を検知するための検知回路を設ける必要があった。また、電源の遮断を検知した後、少なくとも遮断時状態データを不揮発性メモリーに記憶するための電力を供給するために、二次電池等の予備電源を設ける必要があった。また、電源遮断時の処理が行われている短い期間内に、遮断時状態データの書き込みを正常に終了できない虞があった。
【００１１】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、起動時に、ＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されているデータが有効であるか否かを安価且つ適切に判別することができるデータ記憶装置及びこれを備えた画像処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によるデータ記憶装置は、所定の記憶容量を有する複数のブロックを備え、前記ブロック単位でデータを書き換え可能なＮＯＲ型フラッシュメモリーと、データの書き換え可能回数が前記ＮＯＲ型フラッシュメモリーよりも多い不揮発性メモリーと、を備え、前記不揮発性メモリーは、前記ブロックに記憶されている元データを記憶可能な第一記憶部及び第二記憶部と、前記元データの書き換え中であることを示す第一情報と、前記元データが記憶されていた元ブロックの識別情報と、前記第一記憶部及び前記第二記憶部のうち、最新のデータが記憶されている記憶部を示す第二情報と、前記元データを前記元ブロックから消去する消去処理の実行中であることを示す第三情報とを記憶可能な第三記憶部と、を備え、前記元データを前記第一記憶部に書き込み後、前記第一情報と、前記元ブロックの識別情報と、前記第一記憶部を示す前記第二情報と、を前記第三記憶部に書き込む第一処理を実行し、前記第一処理の実行後、前記第一記憶部及び前記第二記憶部のうち前記第二情報が示す記憶部とは他の記憶部に前記元データの更新データを書き込んだ後、前記第二情報を前記他の記憶部を示すように書き換える第二処理を実行し、前記第二処理の実行後、前記第三情報を前記第三記憶部に書き込んだ後、前記消去処理を実行し、当該消去処理の終了後、前記第三情報を消去する第三処理を実行し、前記第三処理の実行後、前記第二情報が示す記憶部に記憶されているデータを取得し、当該取得したデータを前記識別情報が示す前記元ブロックに書き込み後、前記第一記憶部及び前記第二記憶部に記憶されているデータと前記第三記憶部に記憶されている全ての情報とを消去する第四処理を実行する書換制御部を更に備える。
【００１３】
本構成によれば、以下に示す効果が得られる。
【００１４】
例えば、データ記憶装置の起動時に、第三記憶部に第一情報が記憶されていなかったとする。この場合、第一処理において、第一情報と元ブロックの識別情報と第二情報とを第三記憶部に書き込む前に、データ記憶装置の電源が遮断されたと判断することができる。
【００１５】
つまり、この場合、データ記憶装置の電源が遮断されたときには、元ブロックに記憶されている元データが書き換えられていなかったと判断することができ、当該元データが有効であると判断することができる。
【００１６】
または、データ記憶装置の起動時に、第三記憶部に第一情報が記憶されているが、第三情報が記憶されていず、第三記憶部に記憶されている識別情報が示す元ブロックにデータが記憶されていたとする。
【００１７】
この場合、第一処理において、第一情報、識別情報、及び第二情報が第三記憶部に書き込まれた後、第三処理において、第三情報が第三記憶部に書き込まれるよりも前に、データ記憶装置の電源が遮断されたと判断することができる。
【００１８】
つまり、この場合、データ記憶装置の電源が遮断されたときには、元データを書き換える処理の実行中であったが、元ブロックから元データは未だ消去されていなかったと判断することができる。また、この場合、第一記憶部６１及び第二記憶部６２のうち、第二情報が示す記憶部には、元ブロックに記憶されるべき最新のデータが記憶されている。このため、元ブロックに記憶されるべき有効なデータは、第二情報が示す記憶部に記憶されていると判断することができる。
【００１９】
または、データ記憶装置の起動時に、第三記憶部に第一情報及び第三情報が共に記憶されていたとする。
【００２０】
この場合、第三処理において、第三情報が第三記憶部に記憶された後、第三情報が第三記憶部から消去されるよりも前に、データ記憶装置の電源が遮断されたと判断することができる。つまり、第三処理において、第三記憶部に記憶されている識別情報が示す元ブロックから元データを消去する消去処理の実行中に、データ記憶装置の電源が遮断されたと判断することができる。
【００２１】
つまり、この場合、データ記憶装置の電源が遮断されたときには、元データを書き換える処理の実行中であって、元ブロックから元データが消去されている途中であったと判断することができ、元ブロックに記憶されているデータが無効であると判断することができる。ただし、この場合も、第一記憶部及び第二記憶部のうち、第二情報が示す記憶部に、元ブロックに記憶されるべき最新のデータが記憶されている。このため、元ブロックに記憶されるべき有効なデータは、第二情報が示す記憶部に記憶されていると判断することができる。
【００２２】
または、データ記憶装置の起動時に、第三記憶部に第一情報が記憶されているが、第三情報が記憶されていず、第三記憶部に記憶されている識別情報が示す元ブロックにデータが記憶されていなかったとする。
【００２３】
この場合、第三処理において、第三情報が第三記憶部から消去された後、第四処理において、第三記憶部に記憶されている第一処理が消去されるよりも前に、データ記憶装置の電源が遮断されたと判断することができる。つまり、第三処理における、第三記憶部に記憶されている識別情報が示す元ブロックから元データを消去する消去処理が終了し、第三記憶部から第三情報が消去された後の、元ブロックから元データが消去された状態で、データ記憶装置の電源が遮断されたと判断することができる。
【００２４】
つまり、この場合、データ記憶装置の電源が遮断されたときには、元データを書き換える処理の実行中であって、元ブロックから元データが消去された状態であったと判断することができ、元ブロックに記憶されているデータは無効であると判断することができる。ただし、この場合も、第一記憶部及び第二記憶部のうち、第二情報が示す記憶部に、元ブロックに記憶されるべき最新のデータが記憶されている。このため、元ブロックに記憶されるべき有効なデータは、第二情報が示す記憶部に記憶されていると判断することができる。
【００２５】
このように、本構成によれば、上記従来技術のように、データ記憶装置の電源が遮断されたことを検知する検知回路を設け、当該検知回路により上記遮断されたことを検知したときに、ＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されているデータの消去中であったか、ＮＯＲ型フラッシュメモリーへのデータの書き込み中であったかを示す遮断時状態データを不揮発性メモリーに書き込む場合に比して、以下に示す効果を得ることができる。
【００２６】
つまり、本構成には、上記検知回路及び上記予備電源が設けられていない。また、本構成では、元データを書き換える処理の実行中に、データ記憶装置の電源が遮断されたとしても、元ブロック、第一記憶部、及び第二記憶部のうちの何れかには、元ブロックに記憶されるべき有効なデータが記憶されている。つまり、上記従来技術のように、データ記憶装置の起動時にＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されているデータが有効であるか否かを判断するために用いられる遮断時状態データの書き込みが正常に終了できない虞がない。
【００２７】
このように、本構成によれば、データ記憶装置の起動時に、ＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されているデータが有効であるか否かを上記従来技術に比して安価且つ適切に判別することができる。
【００２８】
また、前記書換制御部は、前記元データを前記更新データに書き換えた後、前記更新データを更に新たな更新データに書き換える場合、前記第一処理を実行した後に前記更新データを書き込む前記第二処理を実行した後、前記新たな更新データを書き込む前記第二処理を実行した後に前記第三処理を実行し、当該第三処理の実行後に前記第四処理を実行してもよい。
【００２９】
本構成によれば、更新データを書き込む第二処理と新たな更新データを書き込む第二処理によって、更新データ及び新たな更新データが第一記憶部又は第二記憶部に書き込まれる。そして、その後行われる第三処理及び第四処理によって、第二情報が示す記憶部から新たな更新データのみが取得され、元ブロックに書き込まれる。これにより、元ブロックに記憶されている元データを更新データに書き換える機会が低減され、ＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されているデータの書き換え回数を低減することができる。その結果、ＮＯＲ型フラッシュメモリーの寿命を延ばすことができる。
【００３０】
また、前記データ記憶装置の起動時に、前記第三記憶部に前記第一情報が記憶されており、且つ、前記第三記憶部に記憶されている前記識別情報が示す前記元ブロックにデータが記憶されている場合、前記書換制御部に前記第三処理と前記第四処理とを実行させるデータ復旧部を更に備えてもよい。
【００３１】
本構成によれば、データ復旧部は、上述のように、第三記憶部に記憶されている識別情報が示す元ブロックから元データを消去する消去処理が終了していず、第一記憶部及び第二記憶部のうち、第二情報が示す記憶部に、元ブロックに記憶されるべき最新のデータが記憶されていると判断できる場合には、第三処理及び第四処理を実行する。
【００３２】
これにより、第三処理において、元ブロックから元データが消去された後に、第四処理において、元ブロックに記憶されるべきデータが元ブロックに記憶される。その結果、元ブロックに記憶されているデータを有効にすることができる。
【００３３】
また、前記データ記憶装置の起動時に、前記第三記憶部に前記第一情報が記憶されており、且つ、前記第三記憶部に記憶されている前記識別情報が示す前記元ブロックにデータが記憶されていない場合、前記書換制御部に前記第四処理を実行させるデータ復旧部を更に備えてもよい。
【００３４】
本構成によれば、データ復旧部は、上述のように、第三記憶部に記憶されている識別情報が示す元ブロックから元データを消去する消去処理が終了しており、元ブロックにデータが記憶されていないが、第一記憶部及び第二記憶部のうち、第二情報が示す記憶部に、元ブロックに記憶されるべき最新のデータが記憶されていると判断できる場合には、第四処理を実行する。
【００３５】
これにより、第四処理において、元ブロックに記憶されるべきデータが元ブロックに記憶される。その結果、元ブロックに記憶されているデータを有効にすることができる。
【００３６】
また、本発明による画像処理装置は、前記データ記憶装置と、前記ＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されたデータを用いて所定の画像処理を行う画像処理部と、を備える。
【００３７】
本構成によれば、前記データ記憶装置を備えているので、画像処理装置の起動時に、画像処理部が所定の画像処理を行う場合に用いる、ＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されているデータが、有効であるか否かを安価且つ適切に判別することができる。
【発明の効果】
【００３８】
この発明によれば、起動時に、ＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されているデータが有効であるか否かを安価且つ適切に判別することができるデータ記憶装置及びこれを備えた画像処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に係る画像処理装置の一実施形態に係る複写機の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】ＮＯＲ型フラッシュメモリーの内部構造を示す図である。
【図３】書換制御部によるＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されているデータを書き換える制御の前半の動作を示すフローチャートである。
【図４】書換制御部によるＮＯＲ型フラッシュメモリーに記憶されているデータを書き換える制御の後半の動作を示すフローチャートである。
【図５】後述する第一の具体例において、図３及び図４に示す各ステップが実行されたときに、不揮発性メモリーに記憶されているデータを示す図である。
【図６】後述する第二の具体例において、図３及び図４に示す各ステップが実行されたときに、不揮発性メモリーに記憶されているデータを示す図である。
【図７】複写機の起動時に、ＮＯＲ型フラッシュメモリーを有効なデータを記憶している状態にする動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下、本発明に係るデータ記憶装置及びこれを備えた画像処理装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。尚、本実施形態では、画像処理装置として複写機を例に説明するが、これに限定する趣旨ではなく、画像処理装置は、例えば、プリンター、ファクシミリ装置、スキャナー、又は、複合機であってもよい。
【００４１】
図１は、本発明に係る画像処理装置の一実施形態に係る複写機１の電気的構成を示すブロック図である。例えば、図１に示すように、複写機１は、電源部９０と、画像読取部２０と、画像形成部３０（画像処理部）と、操作部４０と、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０と、不揮発性メモリー６０と、制御部１０と、を備えている。ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０、不揮発性メモリー６０及び制御部１０は、本発明に係るデータ記憶装置の一実施形態を構成する。
【００４２】
電源部９０は、不図示のＡＣＤＣコンバーターとメインスイッチとを備えている。電源部９０は、メインスイッチがオンされた場合に、ＡＣＤＣコンバーターを用いて、商用交流電圧を予め定められたレベルの直流電圧に変換する。電源部９０は、当該変換した直流電圧を、画像読取部２０、画像形成部３０、操作部４０、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０、不揮発性メモリー６０、及び制御部１０へ供給する。以下、電源部９０から供給される直流電圧を電源電圧と示す。
【００４３】
画像読取部２０は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）ラインセンサーや露光ランプ等を有する不図示の光学系ユニットを備えている。光学系ユニットは、制御部１０による制御の下、不図示の原稿台に載置された原稿の画像を走査しつつ取得した画像データを制御部１０へ出力する。
【００４４】
画像形成部３０は、制御部１０による制御の下、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０から取得された後述の実行条件を示すデータを用いて、制御部１０に入力された画像データが示す画像を当該実行条件を用いて用紙に形成する画像形成処理（所定の処理）を行う。
【００４５】
具体的には、画像形成部３０は、感光体ドラム、感光体ドラムの周面に対向して配設された帯電部、帯電部の下流側であって感光体ドラムの周面に対向して配設された露光部、露光部の下流側であって感光体ドラムの周面に対向して配設された現像部、現像部の下流側であって感光体ドラムの周面に対向して配設されたクリーニング部等を備えた周知の構成を有する。
【００４６】
操作部４０は、情報を表示するための表示部４１と、ユーザーによって各種指示の操作を行わせるための操作キー部４２と、を備えている。表示部４１は、例えばタッチパネル機能を有する液晶ディスプレイ等であり、各種情報を表示する。操作キー部４２は、例えば、コピー機能等の機能の実行開始を指示するためのスタートキーや、数値や記号を入力するためのテンキー等の各種キーを含む。
【００４７】
ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０は、不揮発性のメモリーである。ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０には、複写機１の再起動後も利用するデータが記憶される。再起動後も利用するデータには、例えば、複写機１の各機能実行時に用いる用紙のサイズや部数等の実行条件、画像の累積出力回数（出力用紙枚数）、装置内の各部品の寿命に関する情報（例えば、各部品の交換時期を示す情報）等が含まれる。
【００４８】
以下、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０の内部構造について詳述する。図２は、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０の内部構造を示す図である。図２に示すように、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０は、所定の記憶容量を有する複数のブロックＢ１〜Ｂｎを備えている。各ブロックには、当該各ブロックを識別するためのブロックアドレスが割り当てられている。例えば、ブロックＢ１には、ブロックＢ１を識別するためのブロックアドレスＢＡ１が割り当てられている。
【００４９】
各ブロックは、所定数のメモリーセルＭＣを備えている。メモリーセルＭＣは、フローティングゲートを有するＭＯＳトランジスタにより構成され、ワード線ＬＷとビット線ＬＢとに接続されている。尚、ビット線ＬＢは、複数のブロックＢ１〜Ｂｎで共用されている。
【００５０】
メモリーセルＭＣは、ワード線ＬＷに所定の電圧が印加されること等によって、フローティングゲートに電荷を保持した状態と電荷を保持していない状態との二つの状態に変化する。これにより、メモリーセルＭＣは、ビット値「１」を記憶した状態と、ビット値「０」を記憶した状態と、の二つの状態に変化する。このようにして、メモリーセルＭＣは、一ビットのデータを記憶可能となっている。つまり、各ブロックは、メモリーセルＭＣの数と同じビット数のデータを記憶可能な記憶容量を有している。
【００５１】
ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０では、ブロック単位でデータが消去された後、ブロック単位でデータの書き込みが行われることにより、ブロック単位でデータの書き換えが行われる。具体的には、書き換え対象のブロック内の全てのメモリーセルＭＣに接続されたワード線ＬＷに所定の高電圧が印加されること等により、当該全てのメモリーセルＭＣが、フローティングゲートに電荷を保持していない状態にされる。これにより、当該対象ブロックに記憶されているデータが消去された状態になる。
【００５２】
その後、書き換え後のデータを示すビット列のうち、ビット値「０」のビットを記憶させるためのメモリーセルＭＣに接続されたビット線ＬＢ及びワード線ＬＷに所定の電圧が印加されること等により、当該メモリーセルＭＣが、フローティングゲートに電荷を保持した状態にされる。これにより、書き換え後のデータが当該対象ブロックに書き込まれた状態になる。
【００５３】
しかし、ブロックに記憶されているデータを消去する場合、ブロック内の各メモリーセルＭＣの特性のばらつき等に起因して、ブロック内の一部のメモリーセルＭＣが、フローティングゲートから過剰に電荷が抜かれた状態になる虞がある。この状態は、過剰消去状態と呼ばれている。
【００５４】
このため、ブロックに記憶されているデータを消去する処理には、過剰消去状態となっているメモリーセルＭＣのフローティングゲート内に保持させる電荷量を調整する調整処理が含まれている。尚、上記調整処理は周知技術であるので、調整処理についての詳細な説明は省略する。
【００５５】
一方、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０では、メモリーセルＭＣ単位でデータの読み出しが行われる。具体的には、データを読み出す対象のメモリーセルＭＣに接続されたビット線ＬＢに所定の電圧が印加された後、当該メモリーセルＭＣに接続されたワード線ＬＷに所定の電圧が印加される。このとき、フローティングゲートに電荷を保持していない状態のメモリーセルＭＣのドレイン−ソース間には電流が流れる一方、フローティングゲートに電荷を保持している状態のメモリーセルＭＣのドレイン−ソース間には、フローティングゲートに電荷を保持していない状態と比べて小さな電流しか流れない。
【００５６】
つまり、メモリーセルＭＣがフローティングゲートに電荷を保持していない状態であり、当該メモリーセルＭＣに接続されたビット線ＬＢに大きな電流が流れることにより、当該メモリーセルＭＣからビット値「１」のデータが読み出される。一方、メモリーセルＭＣがフローティングゲートに電荷を保持している状態であり、当該メモリーセルＭＣに接続されたビット線ＬＢに小さな電流しか流れないことにより、当該メモリーセルＭＣからビット値「０」のデータが読み出される。
【００５７】
しかし、ブロックに記憶されているデータが消去された後、過剰消去状態となっているメモリーセルＭＣが存在している状態で、上記調整処理が実行されるよりも前に、ユーザーによって電源部９０のメインスイッチがオフにされ、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０への電源電圧の供給が予期せず遮断される虞がある。
【００５８】
この場合、次に複写機１を起動したときには、過剰消去状態のメモリーセルＭＣが存在した状態となっている。メモリーセルＭＣが過剰消去状態になると、当該メモリーセルＭＣの閾値電圧は負になり、当該メモリーセルＭＣに接続されたビット線ＬＢにリーク電流が流れる虞がある。このため、上記のように、複写機１を起動した場合に、過剰消去状態のメモリーセルＭＣが存在しているときは、当該メモリーセルＭＣに接続されたビット線ＬＢを共用している複数のブロックＢ１〜Ｂｎ内のメモリーセルＭＣから、データを正常に読み出せない虞がある。しかし、この問題は、後述するように、書換制御部１２及びデータ復旧部１３による不揮発性メモリー６０を用いた動作によって解消されている。
【００５９】
尚、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０は、上述のように、メモリーセルＭＣを、フローティングゲートに電荷を保持した状態又は電荷を保持していない状態に変化させることで、一ビットの二値のデータを記憶する。フローティングゲートは、当該フローティングゲートを構成する酸化膜の特性上、電荷を保持した状態と電荷を保持していない状態との二つの状態に正常に変化することのできる回数が１０万回程度に制限されている。このため、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０は、一般的に、データの書き換え可能回数が１０万回程度に制限されている。
【００６０】
不揮発性メモリー６０は、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）により、構成されている。ＦｅＲＡＭは、一般的に、１０の１４乗回以上データの書き換えが可能である。不揮発性メモリー６０が有するデータの記憶領域は、第一記憶部６１、第二記憶部６２、及び第三記憶部６３として用いられる。
【００６１】
第一記憶部６１及び第二記憶部６２は、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０が備える各ブロックの記憶容量以上の記憶容量を有している。つまり、第一記憶部６１及び第二記憶部６２には、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０の各ブロックに記憶されているデータを記憶可能である。
【００６２】
第三記憶部６３には、後述の書換制御部１２がＮＯＲ型フラッシュメモリー５０のデータを書き換える制御に用いる各種情報が記憶される。具体的には、第三記憶部６３には、後述するように、チェックアウトフラグ（第一情報）、セレクトフラグ（第二情報）、消去処理フラグ（第三情報）、及び、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０の各ブロックを識別するためのブロックアドレス（ブロックの識別情報）が記憶される。
【００６３】
尚、不揮発性メモリー６０を、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０よりもデータの書き換え可能回数が多いＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等によって構成してもよい。ＲｅＲＡＭは、１０の８乗回以上データの書き換えが可能な不揮発性メモリーである。ＭＲＡＭは、データの書き換え可能回数が制限されていない不揮発性メモリーである。
【００６４】
制御部１０は、例えば、所定の演算処理を実行する不図示のＣＰＵと、所定の制御プログラムが記憶された不図示のＲＯＭと、データを一時的に記憶するための不図示のＲＡＭと、これらの周辺回路等とを備えている。制御部１０は、ＲＯＭ等に記憶された制御プログラムをＣＰＵによって実行することによって各種処理を実行し、複写機１の各部の動作を制御する。
【００６５】
制御部１０は、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０のデータを書き換える制御に関し、特に、図２の実線部に示すように、指示受付部１１、書換制御部１２、及びデータ復旧部１３として動作する。
【００６６】
指示受付部１１は、ユーザーによる操作部４０の操作により入力された各種指示を受け付ける。
【００６７】
例えば、指示受付部１１は、コピー機能実行時に用いる用紙サイズや部数等の実行条件をユーザーに入力させ、当該入力された実行条件によって、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されている当該実行条件を更新する条件更新指示を入力させるための操作画面を表示部４１に表示する。
【００６８】
そして、ユーザーによる操作部４０の操作により、当該操作画面において実行条件が入力された後、条件更新指示が入力されると、指示受付部１１は、当該条件更新指示を受け付ける。また、指示受付部１１は、上記条件更新指示を受け付けた後、操作キー部４２に設けられたスタートキーが押下されると、コピー機能の実行開始指示を受け付ける。
【００６９】
書換制御部１２は、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されているデータを書き換える制御を行う。例えば、指示受付部１１によって上記条件更新指示が受け付けられた場合、書換制御部１２は、上記条件更新指示が示す実行条件を示すデータによって、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されている当該実行条件を示すデータを書き換える制御を行う。
【００７０】
その後、指示受付部１１によって上記のコピー機能の実行開始指示が受け付けられると、制御部１０は、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されている、コピー機能の実行条件を示すデータを読み出し、当該読み出したデータが示す実行条件を用いてコピー機能を実行する。これに合わせて、制御部１０は、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されている累積出力用紙枚数を示すデータを読み出し、当該コピー機能の実行により用紙を出力する度に、当該読み出したデータが示す累積出力用紙枚数をカウントアップする。そして、制御部１０は、当該カウントアップを行う度に、カウントアップ後の累積出力用紙枚数を示すデータによって、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されている累積出力用紙枚数を示すデータを書き換えるよう、書換制御部１２に指示する。
【００７１】
書換制御部１２によるＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されているデータを書き換える制御の詳細については後述する。
【００７２】
データ復旧部１３は、複写機１の起動時に、不揮発性メモリー６０に記憶されているデータ及び情報に基づき、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０を有効なデータを記憶している状態にする。有効なデータとは、本来記憶されているべき最新のデータを示す。データ復旧部１３の詳細については、後述する。
【００７３】
以下、書換制御部１２によるＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されているデータを書き換える制御の詳細について説明する。図３及び図４は、書換制御部１２によるＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されているデータを書き換える制御の動作を示すフローチャートである。
【００７４】
以下では、第一の具体例として、指示受付部１１によって上記条件更新指示が受け付けられたことにより、書換制御部１２が、ブロックアドレスＢＡ１で識別されるブロックＢ１に記憶されている用紙サイズを示すデータＤ０を、上記条件更新指示が示すユーザーにより入力された用紙サイズを示す更新データＤ１に書き換える場合の動作について説明する。尚、第一の具体例では、ブロックＢ１に記憶されている、更新データＤ１に書き換えられる前のデータＤ０を、元データＤ０と記載する。また、元データＤ０を記憶しているブロックＢ１を元ブロックＢ１と記載する。
【００７５】
図５は、第一の具体例において、図３及び図４に示す各ステップが実行されたときに不揮発性メモリー６０に記憶されているデータを示す図である。図５の最左列欄は、図３及び図４に示す各ステップのステップ番号を示している。図５の灰色部は、各ステップの実行時にアクセスされるデータ及び情報を示している。図５の「−」は、データ及び情報が記憶されていないことを示している。
【００７６】
書換制御部１２は、元データＤ０を更新データＤ１に書き換える場合、図３に示すように、先ず、第一処理を開始する（Ｓ１０）。書換制御部１２は、第一処理を開始すると、図５に示すように、元データＤ０を第一記憶部６１に書き込む（Ｓ１１）。その後、書換制御部１２は、チェックアウトフラグ「１」と、元ブロックＢ１を識別するためのブロックアドレスＢＡ１と、第一記憶部６１を示すセレクトフラグ「０」と、を第三記憶部６３に書き込む（Ｓ１２）。これにより、書換制御部１２は、第一処理を終了する。
【００７７】
書換制御部１２は、第一処理を終了すると、更新データＤ１を第一記憶部６１又は第二記憶部６２に書き込む第二処理を開始する（Ｓ２０）。書換制御部１２は、当該第二処理を開始すると、第三記憶部６３に記憶されているセレクトフラグが第一記憶部６１を示すか否かを判定する（Ｓ２１）。つまり、書換制御部１２は、ステップＳ２１において、第一記憶部６１及び第二記憶部６２のうちの何れに、最新のデータが記憶されているか否かを判定する。
【００７８】
上記第一の具体例では、ステップＳ２１において、セレクトフラグが「０」であるので、書換制御部１２は、セレクトフラグが第一記憶部６１を示すと判定する（Ｓ２１；ＹＥＳ）。この場合、書換制御部１２は、第一記憶部６１及び第二記憶部６２のうち、セレクトフラグが示す第一記憶部６１とは異なる第二記憶部６２に、更新データＤ１を書き込む（Ｓ２２）。その後、書換制御部１２は、セレクトフラグを、第二記憶部６２を示す「１」に書き換える（Ｓ２３）。このようにして、書換制御部１２は、更新データＤ１の第二記憶部６２への書き込みを終了すると（Ｓ２６；ＹＥＳ）、当該第二処理を終了する。
【００７９】
書換制御部１２は、第二処理を終了すると、図４に示すように、第三処理を開始する（Ｓ３０）。書換制御部１２は、第三処理を開始すると、図５に示すように、消去処理フラグ「１」を第三記憶部６３に書き込んだ後（Ｓ３１）、元データＤ０をブロックアドレスＢＡ１が示す元ブロックＢ１から消去する消去処理を実行する（Ｓ３２）。具体的には、書換制御部１２は、ステップＳ３２の消去処理において、元ブロックＢ１内の全てのメモリーセルＭＣを、フローティングゲートに電荷を保持していない状態にし、過剰消去状態にあるメモリーセルＭＣの電荷量を調整する上述の調整処理を行う。
【００８０】
書換制御部１２は、消去処理を終了すると、第三記憶部６３に記憶されている消去処理フラグ「１」を消去する（Ｓ３３）。これにより、書換制御部１２は、第三処理を終了する。
【００８１】
書換制御部１２は、第三処理を終了すると、第四処理を開始する（Ｓ４０）。書換制御部１２は、第四処理を開始すると、第一記憶部６１及び第二記憶部６２のうち、セレクトフラグが示す記憶部に記憶されているデータを取得する（Ｓ４１）。つまり、書換制御部１２は、ステップＳ４１において、第一記憶部６１及び第二記憶部６２のうち、セレクトフラグが示す記憶部から、ブロックアドレスＢＡ１が示す元ブロックＢ１に記憶されるべき最新のデータを取得する。
【００８２】
第一の具体例では、図５に示すように、ステップＳ４１において、セレクトフラグが「１」であるので、書換制御部１２は、セレクトフラグが示す第二記憶部６２に記憶されている更新データＤ１を取得する。
【００８３】
そして、書換制御部１２は、ステップＳ４１で取得した更新データＤ１を、ブロックアドレスＢＡ１が示す元ブロックＢ１に書き込む（Ｓ４２）。これにより、元ブロックＢ１に記憶されていた元データＤ０が、更新データＤ１に書き換えられる。
【００８４】
そして、書換制御部１２は、ステップ４２を終了すると、不揮発性メモリー６０内に記憶されているデータ及び情報を全て消去する（Ｓ４３）。つまり、書換制御部１２は、ステップＳ４３において、図５に示すように、第一記憶部６１及び第二記憶部６２に記憶されているデータと、第三記憶部６３に記憶されている、チェックアウトフラグ、ブロックアドレス、セレクトフラグ、及び消去処理フラグと、を消去する。これにより、書換制御部１２は、第四処理を終了する。
【００８５】
次に、第二の具体例について説明する。第二の具体例では、指示受付部１１によって上記コピー機能の実行開始指示が受け付けられ、制御部１０が二枚の用紙を出力するコピー機能を実行するものとする。その結果、上述のように、書換制御部１２が、制御部１０による指示に従って、ブロックアドレスＢＡ２で識別されるブロックＢ２に記憶されている累積出力用紙枚数を示すデータＤ２を、一枚目の用紙出力時にカウントアップした後の累積出力用紙枚数を示す更新データＤ３に書き換えた後、更に、二枚目の用紙出力時にカウントアップした後の累積出力用紙枚数を示す新たな更新データＤ４に書き換えるものとする。尚、第二の具体例では、ブロックＢ２に記憶されている、更新データＤ３に書き換えられる前のデータＤ２を、元データＤ２と記載する。また、元データＤ２を記憶しているブロックＢ２を元ブロックＢ２と記載する。
【００８６】
図６は、第二の具体例において、図３及び図４に示す各ステップが実行されたときに不揮発性メモリー６０に記憶されているデータを示す図である。図６の最左列欄は、図３及び図４に示す各ステップのステップ番号を示している。尚、第二の具体例では、後述するように、ステップＳ２１が二回実行されるので、一回目に実行されるステップＳ２１のステップ番号を「Ｓ２１−１」と記載し、二回目に実行されるステップＳ２１のステップ番号を「Ｓ２１−２」と記載している。図６の灰色部は、各ステップの実行時にアクセスされるデータ及び情報を示している。図６の「−」は、データ及び情報が記憶されていないことを示している。
【００８７】
書換制御部１２は、元データＤ２を更新データＤ３に書き換えた後、更新データＤ３を更に新たな更新データＤ４に書き換える場合、図３に示すように、先ず、第一処理を開始する（Ｓ１０）。書換制御部１２は、第一処理を開始すると、図６に示すように、元データＤ２を第一記憶部６１に書き込む（Ｓ１１）。その後、書換制御部１２は、チェックアウトフラグ「１」と、ブロックアドレスＢＡ２と、第一記憶部６１を示すセレクトフラグ「０」と、を第三記憶部６３に書き込む（Ｓ１２）。
【００８８】
書換制御部１２は、第一処理を終了すると、更新データＤ３を第一記憶部６１又は第二記憶部６２に書き込む第二処理を開始する（Ｓ２０）。書換制御部１２は、当該第二処理を開始すると、ステップＳ２１を実行する。当該ステップＳ２１において、書換制御部１２は、図６におけるステップ番号「Ｓ２１−１」の行に示すように、第三記憶部６３に記憶されているセレクトフラグが「０」であるので、セレクトフラグが第一記憶部６１を示すと判定する（Ｓ２１；ＹＥＳ）。この場合、書換制御部１２は、セレクトフラグが示す第一記憶部６１とは異なる第二記憶部６２に、更新データＤ３を書き込む（Ｓ２２）。
【００８９】
その後、書換制御部１２は、セレクトフラグを、第二記憶部６２を示す「１」に書き換え（Ｓ２３）、更新データＤ３の第二記憶部６２への書き込みを終了する。書換制御部１２は、新たな更新データＤ４の第一記憶部６１又は第二記憶部６２への書き込みを終了していないので（Ｓ２６；ＮＯ）、ステップＳ２０に戻り、新たな更新データＤ４を第一記憶部６１又は第二記憶部６２へ書き込む第二処理を開始する（Ｓ２０）。
【００９０】
書換制御部１２は、当該第二処理を開始すると、ステップＳ２１を実行する。当該二回目のステップＳ２１において、書換制御部１２は、図６におけるステップ番号「Ｓ２１−２」の行に示すように、第三記憶部６３に記憶されているセレクトフラグが「１」であるので、セレクトフラグが第二記憶部６２を示すと判定する（Ｓ２１；ＮＯ）。この場合、書換制御部１２は、セレクトフラグが示す第二記憶部６２とは異なる第一記憶部６１に、新たな更新データＤ４を書き込む（Ｓ２４）。
【００９１】
その後、書換制御部１２は、セレクトフラグを、第一記憶部６１を示す「０」に書き換え（Ｓ２５）、新たな更新データＤ４の第一記憶部６１への書き込みを終了する。このようにして、書換制御部１２は、更新データＤ３及び新たな更新データＤ４を、第一記憶部６１又は第二記憶部６２へ書き込む第二処理を終了すると（Ｓ２６；ＹＥＳ）、図４に示すように、第三処理を開始する（Ｓ３０）。
【００９２】
書換制御部１２は、第三処理を開始すると、図６に示すように、消去処理フラグ「１」を第三記憶部６３に書き込む（Ｓ３１）。そして、書換制御部１２は、元データＤ２をブロックアドレスＢＡ２が示す元ブロックＢ２から消去する消去処理を実行する（Ｓ３２）。書換制御部１２は、当該消去処理を終了すると、第三記憶部６３に記憶されている消去処理フラグ「１」を消去する（Ｓ３３）。
【００９３】
書換制御部１２は、第三処理の終了後、第四処理を開始すると（Ｓ４０）、第一記憶部６１及び第二記憶部６２のうち、セレクトフラグが示す記憶部に記憶されているデータを取得する（Ｓ４１）。第二の具体例では、図６に示すように、ステップＳ４１において、セレクトフラグが「０」であるので、書換制御部１２は、セレクトフラグが示す第一記憶部６１に記憶されている新たな更新データＤ４を取得する。
【００９４】
そして、書換制御部１２は、ステップＳ４１で取得した新たな更新データＤ４を、ブロックアドレスＢＡ２が示す元ブロックＢ２に書き込む（Ｓ４２）。これにより、元ブロックＢ２に記憶されていた元データＤ２が、新たな更新データＤ４に書き換えられる。そして、書換制御部１２は、ステップ４２を終了すると、不揮発性メモリー６０内に記憶されているデータ及び情報を全て消去し（Ｓ４３）、第四処理を終了する。
【００９５】
次に、データ復旧部１３が、複写機１の起動時に、不揮発性メモリー６０に記憶されているデータ及び情報に基づき、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０を有効なデータを記憶している状態にする動作について説明する。当該説明の中で、データ復旧部１３の詳細について説明する。尚、以下では、第三の具体例として、複写機１を起動する前に、書換制御部１２が、図６を用いて上述した第二の具体例に示すデータの書き換えを行った場合について説明する。
【００９６】
図７は、複写機１の起動時に、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０を有効なデータを記憶している状態にする動作を示すフローチャートである。
【００９７】
図７に示すように、ユーザーにより電源部９０のメインスイッチがオンされたことにより、複写機１内の各部に電源電圧が供給され、複写機１が起動すると、データ復旧部１３は、第三記憶部６３にチェックアウトフラグ「１」が記憶されているか否かを判定する（Ｓ５１）。つまり、ステップＳ５１において、データ復旧部１３は、当該複写機１の起動前に、電源電圧の供給が遮断されたときに、図３及び図４に示すステップＳ１２以降の処理の実行中であったか否かを判定する。
【００９８】
ステップＳ５１において、データ復旧部１３は、第三記憶部６３にチェックアウトフラグ「１」が記憶されていないと判定した場合（Ｓ５１；ＮＯ）、ステップＳ１２以降の処理の実行中ではないと判定する。この場合、データ復旧部１３は、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されているデータは書き換えられていないと判断し、図７に示す動作を終了する。
【００９９】
一方、ステップＳ５１において、データ復旧部１３は、第三記憶部６３にチェックアウトフラグ「１」が記憶されていると判定した場合（Ｓ５１；ＹＥＳ）、ステップＳ１２以降の処理が実行中であり、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されているデータが書き換えられている可能性があると判定する。
【０１００】
この場合、データ復旧部１３は、第三記憶部６３に記憶されているブロックアドレスが示すブロックにデータが記憶されているか否かを判定する（Ｓ５２）。第三の具体例では、図６に示すように、ステップＳ１２以降の処理の実行中には、第三記憶部６３にブロックアドレスＢＡ２が記憶されている。したがって、データ復旧部１３は、ステップＳ５２において、ブロックアドレスＢＡ２が示すブロックＢ２にデータが記憶されているか否かを判定する。
【０１０１】
そして、データ復旧部１３は、ステップＳ５２において、第三記憶部６３に記憶されているブロックアドレスＢＡ２が示すブロックＢ２から、ビット値「０」を含むビット列からなるデータを読み出したときは、ブロックＢ２にデータが記憶されていると判定する（Ｓ５２；ＹＥＳ）。一方、データ復旧部１３は、ビット値「１」だけのビット列からなるデータを読み出したときは、ブロックＢ２に記憶されているデータが消去されたと判断し、ブロックＢ２にデータが記憶されていないと判定する（Ｓ５２；ＮＯ）。
【０１０２】
つまり、ステップＳ５２において、データ復旧部１３は、ステップＳ１２以降のステップＳ３２の消去処理を実行中に電源電圧の供給が遮断され、当該消去処理が中断されたことにより、第三記憶部６３に記憶されているブロックアドレスＢＡ２が示すブロックＢ２のデータが消去されていない状態になったのか否かを判定する。
【０１０３】
データ復旧部１３は、ステップＳ５２においてブロックＢ２にデータが記憶されていると判定した場合（Ｓ５２；ＹＥＳ）、ステップＳ３２の消去処理が中断されたと判断し、図４に示した第三処理を実行後（Ｓ５３（Ｓ３０〜Ｓ３３））、図４に示した第四処理を実行する（Ｓ５４（Ｓ４０〜Ｓ４３））。
【０１０４】
一方、データ復旧部１３は、ステップＳ５２においてブロックＢ２にデータが記憶されていないと判定した場合（Ｓ５２；ＮＯ）、ステップＳ３２の消去処理が終了したと判断し、図４に示した第四処理を実行する（Ｓ５４（Ｓ４０〜Ｓ４３））。
【０１０５】
したがって、上記実施形態の構成によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０６】
例えば、複写機１の起動時に、第三記憶部６３にチェックアウトフラグ「１」が記憶されていなかったとする。この場合、図５及び図６のステップ番号「Ｓ１２」の行に示すように、ステップＳ１２において、チェックアウトフラグ「１」とブロックアドレスＢＡ１、ＢＡ２と、セレクトフラグ「０」とを第三記憶部６３に書き込む前に、複写機１への電源電圧の供給が遮断されたと判断することができる。
【０１０７】
つまり、この場合、複写機１への電源電圧の供給が遮断されたときには、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されている元データＤ０、Ｄ２が書き換えられていなかったと判断することができ、当該元データＤ０、Ｄ２が有効であると判断することができる。
【０１０８】
または、複写機１の起動時に、第三記憶部６３にチェックアウトフラグ「１」が記憶されているが、消去処理フラグ「１」が記憶されていず、第三記憶部６３に記憶されているブロックアドレスＢＡ１、ＢＡ２が示す元ブロックＢ１、Ｂ２にデータが記憶されていたとする。
【０１０９】
この場合、図５及び図６のステップ番号「Ｓ１２」の行に示すように、ステップＳ１２において、チェックアウトフラグ「１」、ブロックアドレスＢＡ１、ＢＡ２、及びセレクトフラグ「０」が第三記憶部６３に書き込まれた後、図５及び図６のステップ番号「Ｓ３１」の行に示すように、ステップＳ３１において、消去処理フラグ「１」が第三記憶部６３に書き込まれるよりも前に、複写機１への電源電圧の供給が遮断されたと判断することができる。
【０１１０】
つまり、この場合、複写機１への電源電圧の供給が遮断されたときには、元データＤ０、Ｄ２を書き換える処理の実行中であったが、元ブロックＢ１、Ｂ２から元データＤ０、Ｄ２は未だ消去されていなかったと判断することができる。また、ステップＳ１２の実行後には、第一記憶部６１及び第二記憶部６２のうち、セレクトフラグが示す記憶部に、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されるべき最新のデータが記憶されている。このため、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されるべき有効なデータは、セレクトフラグが示す記憶部に記憶されていると判断することができる。
【０１１１】
または、複写機１の起動時に、第三記憶部６３にチェックアウトフラグ「１」及び消去処理フラグ「１」が共に記憶されていたとする。
【０１１２】
この場合、図５及び図６のステップ番号「Ｓ３１」の行に示すように、ステップＳ３１において、消去処理フラグ「１」が第三記憶部６３に記憶された後、図５及び図６のステップ番号「Ｓ３３」の行に示すように、ステップＳ３３において、消去処理フラグが第三記憶部６３から消去されるよりも前に、複写機１への電源電圧の供給が遮断されたと判断することができる。つまり、図５及び図６のステップ番号「Ｓ３２」の行に示すように、ステップＳ３２において、第三記憶部６３に記憶されているブロックアドレスＢＡ１、ＢＡ２が示す元ブロックＢ１、Ｂ２から元データＤ０、Ｄ２を消去する消去処理の実行中に、複写機１への電源電圧の供給が遮断されたと判断することができる。
【０１１３】
つまり、この場合、複写機１への電源電圧の供給が遮断されたときには、元データＤ０、Ｄ２を書き換える処理の実行中であって、元ブロックＢ１、Ｂ２から元データＤ０、Ｄ２が消去されている途中であったと判断することができ、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されているデータが無効であると判断することができる。ただし、この場合も、ステップＳ１２の実行後であるので、第一記憶部６１及び第二記憶部６２のうち、セレクトフラグが示す記憶部に、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されるべき最新のデータが記憶されている。このため、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されるべき有効なデータは、セレクトフラグが示す記憶部に記憶されていると判断することができる。
【０１１４】
または、複写機１の起動時に、第三記憶部６３にチェックアウトフラグ「１」が記憶されているが、消去処理フラグ「１」が記憶されていず、第三記憶部６３に記憶されているブロックアドレスＢＡ１、ＢＡ２が示す元ブロックＢ１、Ｂ２にデータが記憶されていなかったとする。
【０１１５】
この場合、図５及び図６のステップ番号「Ｓ３３」の行に示すように、ステップＳ３３において、消去処理フラグ「１」が第三記憶部６３から消去された後、図５及び図６のステップ番号「Ｓ４３」の行に示すように、ステップＳ４３において、第三記憶部６３に記憶されているチェックアウトフラグ「１」が消去されるよりも前に、複写機１への電源電圧の供給が遮断されたと判断することができる。つまり、図５及び図６のステップ番号「Ｓ３２」の行に示すように、ステップＳ３２における、第三記憶部６３に記憶されているブロックアドレスＢＡ１、ＢＡ２が示す元ブロックＢ１、Ｂ２から元データＤ０、Ｄ２を消去する消去処理が終了し、ステップＳ３３が行われた後の、元ブロックＢ１、Ｂ２から元データＤ０、Ｄ２が消去された状態で、複写機１への電源電圧の供給が遮断されたと判断することができる。
【０１１６】
つまり、この場合、複写機１への電源電圧の供給が遮断されたときには、元データＤ０、Ｄ２を書き換える処理の実行中であって、元ブロックＢ１、Ｂ２から元データＤ０、Ｄ２が消去された状態であったと判断することができ、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されているデータは無効であると判断することができる。ただし、この場合も、ステップＳ１２の実行後であるので、第一記憶部６１及び第二記憶部６２のうち、セレクトフラグが示す記憶部に、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されるべき最新のデータが記憶されている。このため、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されるべき有効なデータは、セレクトフラグが示す記憶部に記憶されていると判断することができる。
【０１１７】
このように、上記実施形態の構成によれば、上記従来技術のように、複写機１への電源電圧の供給が遮断されたことを検知する検知回路を設け、当該検知回路により上記遮断されたことを検知したときに、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されているデータの消去中であったか、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０へのデータの書き込み中であったかを示す遮断時状態データを不揮発性メモリー６０に書き込む場合に比して、以下に示す効果を得ることができる。
【０１１８】
つまり、上記実施形態の構成には、上記検知回路及び上記予備電源が設けられていない。また、上記実施形態の構成では、元データＤ０、Ｄ２を書き換える処理の実行中に、電源電圧の供給が遮断されたとしても、元ブロックＢ１、Ｂ２、第一記憶部６１、及び第二記憶部６２のうちの何れかには、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されるべき有効なデータが記憶されている。つまり、上記従来技術のように、複写機１の起動時にＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されているデータが有効であるか否かを判断するために用いられる遮断時状態データの書き込みが正常に終了できない虞がない。
【０１１９】
このように、上記実施形態の構成によれば、複写機１の起動時に、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されているデータが有効であるか否かを上記従来技術に比して安価且つ適切に判別することができる。
【０１２０】
また、上記実施形態の構成によれば、上記第二の具体例に示したように、更新データＤ３を書き込む第二処理と新たな更新データＤ４を書き込む第二処理によって、更新データＤ３及び新たな更新データＤ４が第一記憶部６１又は第二記憶部６２に書き込まれる。そして、その後行われる第三処理及び第四処理によって、セレクトフラグが示す記憶部から新たな更新データＤ４のみが取得され、元ブロックＢ２に書き込まれる。これにより、元ブロックＢ２に記憶されている元データＤ２を更新データＤ３に書き換える機会が低減され、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０に記憶されているデータの書き換え回数を低減することができる。その結果、ＮＯＲ型フラッシュメモリー５０の寿命を延ばすことができる。
【０１２１】
また、データ復旧部１３は、図７に示したように、複写機１の起動時に、第三記憶部６３にチェックアウトフラグ「１」が記憶されており（Ｓ５１；ＹＥＳ）、且つ、第三記憶部６３に記憶されているブロックアドレスＢＡ１、ＢＡ２が示す元ブロックＢ１、Ｂ２にデータが記憶されている場合（Ｓ５２；ＹＥＳ）、書換制御部１２に第三処理と第四処理とを実行させる（Ｓ５３、Ｓ５４）。
【０１２２】
つまり、データ復旧部１３は、上述のように、第三記憶部６３に記憶されているブロックアドレスＢＡ１、ＢＡ２が示す元ブロックＢ１、Ｂ２から元データＤ０、Ｄ２を消去する消去処理が終了していず、第一記憶部６１及び第二記憶部６２のうち、セレクトフラグが示す記憶部に、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されるべき最新のデータが記憶されていると判断できる場合には、第三処理及び第四処理を実行する。
【０１２３】
これにより、第三処理において、元ブロックＢ１、Ｂ２から元データＤ０、Ｄ２が消去された後に、第四処理において、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されるべきデータが元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶される。その結果、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されているデータを有効にすることができる。
【０１２４】
また、データ復旧部１３は、図７に示したように、複写機１の起動時に、第三記憶部６３にチェックアウトフラグ「１」が記憶されており（Ｓ５１；ＹＥＳ）、且つ、第三記憶部６３に記憶されているブロックアドレスＢＡ１、ＢＡ２が示す元ブロックＢ１、Ｂ２にデータが記憶されていない場合（Ｓ５２；ＮＯ）、書換制御部１２に第四処理を実行させる（Ｓ５４）。
【０１２５】
つまり、データ復旧部１３は、上述のように、第三記憶部６３に記憶されているブロックアドレスＢＡ１、ＢＡ２が示す元ブロックＢ１、Ｂ２から元データＤ０、Ｄ２を消去する消去処理が終了しており、元ブロックＢ１、Ｂ２にデータが記憶されていないが、第一記憶部６１及び第二記憶部６２のうち、セレクトフラグが示す記憶部に、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されるべき最新のデータが記憶されていると判断できる場合には、第四処理を実行する。
【０１２６】
これにより、第四処理において、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されるべきデータが元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶される。その結果、元ブロックＢ１、Ｂ２に記憶されているデータを有効にすることができる。
【０１２７】
尚、上記実施形態は、本発明に係る実施形態の例示に過ぎず、本発明を上記実施形態に限定する趣旨ではない。例えば、以下に示す変形実施形態であってもよい。
【０１２８】
（１）データ復旧部１３が、複写機１の起動時に、第三記憶部６３にチェックアウトフラグ「１」が記憶されている場合には、書換制御部１２に第三処理及び第四処理を実行させるようにしてもよい。つまり、データ復旧部１３が、ステップＳ５１において第三記憶部６３にチェックアウトフラグ「１」が記憶されていると判定した場合に（Ｓ５１；ＹＥＳ）、図７に示すステップＳ５２を省略して、ステップＳ５３を実行するように簡素化してもよい。
【０１２９】
（２）または、制御部１０が、データ復旧部１３として動作しないようにし、つまり、図７に示す動作を行わないように簡素化してもよい。
【符号の説明】
【０１３０】
１  複写機（画像処理装置）
１０  制御部（データ記憶装置）
１２  書換制御部
１３  データ復旧部
３０  画像形成部（画像処理部）
５０  ＮＯＲ型フラッシュメモリー
６０  不揮発性メモリー
６１  第一記憶部
６２  第二記憶部
６３  第三記憶部
Ｂ１、Ｂ２  元ブロック
ＢＡ１、ＢＡ２  ブロックアドレス（元ブロックの識別情報）
Ｄ０、Ｄ２  元データ
Ｄ１、Ｄ３  更新データ
Ｄ４  新たな更新データ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図５】
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【図６】
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