(57)【要約】【課題】  基板の割れ、欠けの発生を低減させ、歩留まりを向上させる基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明の基板の製造方法は、スライスベースに接着された被加工物をワイヤで切断して複数の基板を製造する基板の製造方法であって、複数列に張られた前記ワイヤを走行させて前記被加工物を切断し、前記スライスベースに接着した複数の前記基板を得るとともに、前記スライスベースの側に前記ワイヤを位置させる加工工程と、該加工工程の後に、容器内に入れた液体に複数の前記基板を浸すととともに、前記ワイヤの走行を停止した状態で、前記ワイヤを前記基板の外側に引き抜くワイヤ引抜き工程とを有する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライスベースに接着された被加工物をワイヤで切断して複数の基板を製造する基板の製造方法であって、
複数列に張られた前記ワイヤを走行させて前記被加工物を切断し、前記スライスベースに接着した複数の前記基板を得るとともに、前記スライスベースの側に前記ワイヤを位置させる加工工程と、
容器内に入れた液体に複数の前記基板を浸すととともに、前記ワイヤの走行を停止した状態で、前記ワイヤを前記基板の外側に引き抜くワイヤ引抜き工程とを有する、基板の製造方法。
【請求項２】
前記被加工物は加工液が供給される前記ワイヤで切断して、前記容器内に前記加工液を入れる、請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記ワイヤ引抜き工程は、互いに隣り合う前記基板同士の間に前記加工液を供給して行なう、請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記ワイヤ引抜き工程は、前記ワイヤの下方に板状部材を配置して、該板状部材に前記加工液を当てて該板状部材を介して前記被加工物に前記加工液を供給する、請求項２または３に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記ワイヤは表面に砥粒を固着させているワイヤを用いる、請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記被加工物は直方体状のシリコンからなる、請求項１乃至５のいずれかに記載の基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板等の基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体、セラミック、磁性体などのブロックを切断して、ブロックから複数の基板を製造するためにワイヤソー装置が用いられる。例えば、太陽電池素子に用いるシリコンなどの基板を作製する場合には、まず、シリコンなどのインゴットを所定の寸法に切断してブロックにする。そして、ワイヤソー装置に設けられた複数のワイヤを走行させながらブロックを切断して、複数の基板を製造する。
【０００３】
ワイヤソー装置による基板の製造工程には、以下の加工工程およびワイヤ引抜き工程が含まれる。加工工程は、複数のワイヤにブロックを一方向に押し付けて、ブロックの一端部から他端部まで切断する工程である。加工工程では、クーラント、切削液、洗浄液などの加工液が走行するワイヤに供給されてブロックが切断される。また、ワイヤ引抜き工程は、例えば、ブロックを加工工程とは逆方向に動かして、ブロックの他端部側から一端部側の方向にワイヤを引き抜く工程である。
【０００４】
ここで、ワイヤ引抜き工程として、ワイヤを走行させながらワイヤを引き抜く方法が提案されている（例えば、下記の特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１９４７０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のワイヤ引抜き工程では、加工液の表面張力によって基板同士が貼り付きやすい。さらに、ワイヤ走行時に基板の端部にワイヤが接触して、基板の端部に割れ、欠けが発生しやすい。このため、例えば太陽電池素子を製造する場合には、歩留まり低下の原因となる場合があった。
【０００７】
そこで本発明は、基板の割れ、欠けの発生を低減させ、歩留まりを向上させる基板の製造方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る基板の製造方法は、スライスベースに接着された被加工物をワイヤで切断して複数の基板を製造する基板の製造方法であって、複数列に張られた前記ワイヤを走行させて前記被加工物を切断し、前記スライスベースに接着した複数の前記基板を得るとともに、前記スライスベースの側に前記ワイヤを位置させる加工工程と、容器内に入れた液体に複数の前記基板を浸すととともに、前記ワイヤの走行を停止した状態で、前記ワイヤを前記基板の外側に引き抜くワイヤ引抜き工程とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
上記の基板の製造方法によれば、基板の割れ、欠けの発生を低減し、基板製造における歩留まりおよび太陽電池素子等の素子製造における歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る基板の製造方法で用いるワイヤソー装置の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の一実施形態に係る基板の製造方法の加工工程を模式的に示す断面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すＸ方向で見た断面図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の一実施形態に係る基板の製造方法のワイヤ引抜き工程の一実施形態を模式的に示す断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示すＸ方向で見た断面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る基板の製造方法で用いるワイヤソー装置の構成例を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態に係る基板の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は適宜変更し得る。また、図２〜４は、いずれも図１に示す構成要素の一部を省略しており、図１よりも簡略化して図示している。また、図２〜４は、理解を容易にするために、加工液のみにハッチングを描いている。
【００１２】
＜ワイヤソー装置＞
図１〜３に示すワイヤソー装置Ｓについて説明する。ワイヤソー装置Ｓは、走行するワイヤ３に対し、スライスベース２に固定された被加工物であるブロック１を鉛直上方から押し当てて、ワイヤ３によってブロック１を切断し、ブロック１から基板を製造する装置である。
【００１３】
ブロック１は、例えば、鋳造法等によって製造されたインゴットの外周部を切断するか、または１つのインゴットを複数の部分に切断することで得られる。例えば、太陽電池素子に用いられるシリコン基板を製造するためには、インゴットとして単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなるものを用いる。
【００１４】
単結晶シリコンのインゴットは、ＣＺ法等で作製する場合には、種結晶を回転させながら引き上げて単結晶を育成するので、通常、円柱形状である。このため、太陽電池素子用の基板を得るには、インゴットの外周部を切断して、断面形状が矩形状（正方形状を含む）の直方体状のブロックが用いられることが多い。なお、上記断面形状において角部が円弧状を有するものも矩形状とみなすこととする。
【００１５】
多結晶シリコンのインゴットは、鋳造法等で作製する場合には、鋳型の形状に依存するので、通常、直方体状であり、１以上のブロックを切り出すことができる大きさを有している。このような場合、ブロックは断面形状が矩形状（正方形状を含む）であり、例えば１５６ｍｍ×１５６ｍｍ×３００ｍｍの直方体である。なお、上記断面形状において角部が面取りされたものも矩形状とみなすこととする。
【００１６】
ブロック１は、カーボン材、ガラスまたは樹脂等からなるスライスベース２上に接着剤などを介して接着される。この接着剤としては、熱硬化型二液性のエポキシ系、アクリル系もしくはアクリレート系の樹脂、またはワックスなどを用いることができる。接着剤は、ブロック１から基板にスライス後、この基板をスライスベース２から剥離しやすくするために、接着剤の温度が上がると接着力が低下するものを用いるとよい。なお、スライスベース２に接着されたブロック１は、ワークホルダ１０によってワイヤソー装置Ｓ内に１本以上配置される。
【００１７】
ワークホルダ１０は、ステンレス等からなる直方体状である。スライスベース２はワークホルダ１０に対して上述のような接着剤によって固定される。
【００１８】
ワイヤ３は、供給リール７から供給され、巻取リール８に巻き取られる。ワイヤ３は、供給リール７と巻取リール８との間において、複数のメインローラ５（例えば、第１メインローラ５ａ、第２メインローラ５ｂ、第３メインローラ５ｃ）に巻かれ、メインローラ５同士の間に複数本に張られている。ワイヤ３は、例えば、鉄または鉄合金を主成分とするピアノ線を用いる。ワイヤ３の線径は８０μｍ以上１８０μｍ以下、より好ましくは１２０μｍ以下である。本実施形態において、ワイヤ３は、ワイヤ３の外周にダイヤモンドもしくは炭化珪素からなる砥粒がニッケルまたは銅・クロムによるメッキにて固着された砥粒固着ワイヤを用いる。この場合、砥粒の平均粒径は、５μｍ以上３０μｍ以下とするとよい。
【００１９】
容器６はブロック１の切断された領域の一部が浸漬される液体である例えば加工液１１を貯留する。また、この容器６は、例えば、切断時に発生するブロック１の切屑および加工液１１を回収した液体を収容する。ブロック１を切断した状態の基板間１ａは狭いので対向する基板の主面同士は表面張力（以下、基板の主面同士に作用する表面張力を「基板間１ａの表面張力」という）を受けやすい。しかし、ブロック１の切断された領域の一部を容器６内の液体に浸漬させることによって、基板間１ａの表面張力の影響が緩和されて、ワイヤ３が断線しにくくなり、切削性等が低下しにくくなる。
【００２０】
加工液１１がクーラント液である場合、加工液１１は、例えばグリコール等の水溶性溶剤および水からなる。そして、加工液１１は、複数の開口部を有する供給ノズル４の開口部から、複数本のワイヤ３に対して供給される。供給ノズル４から供給される加工液１１の供給流量は、ブロックの大きさ、ブロックの数などによって適宜設定される。また、加工液１１を循環させて使用してもよく、循環させた加工液１１がワイヤ３に供給される際には、加工液１１中に含まれる砥粒、切屑等を除去するとよい。
【００２１】
メインローラ５は、ブロック１の下方に配置される第１メインローラ５ａおよび第２メインローラ５ｂを含む。また、メインローラ５は、例えば、エステル系、エーテル系、尿素系等のウレタンゴム、または超高分子量ポリエチレン等の樹脂からなる。メインローラ５の直径は１５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下、長さは２００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下程度である。メインローラ５の表面には、供給リール７から供給されたワイヤ３を所定間隔に配列させるための多数の溝が設けられている。これら溝の間隔とワイヤ３の直径との関係によって、ブロック１から切り出される基板の厚みが定まる。
【００２２】
以下に、ワイヤの表面に砥粒を固着した、固着砥粒タイプのワイヤソー装置Ｓを用いたスライス方法について説明する。ワイヤ３は供給リール７から供給され、ガイドローラ９によってメインローラ５に案内される。そして、ワイヤ３をメインローラ５に巻きつけて隣り合うワイヤ３同士を所定間隔に配列している。メインローラ５を所定の回転速度で回転させることによって、ワイヤ３の長手方向にワイヤ３を走行させることができる。また、メインローラ５の回転方向を変化させることによって、ワイヤ３を往復運動させる。このとき、供給リール７からワイヤ３を供給する長さの方が、ワイヤ巻取リール８からワイヤ３を供給する長さよりも長くすることによって、新線をメインローラ５に供給するようにする。なお、ワイヤ３を往復走行させずに一方向に走行させてブロック１を切断してもよい。
【００２３】
ブロック１の切断は、高速に走行しているワイヤ３に向かって供給ノズル４から加工液１１を供給しながら、ブロック１を下降させて、ワイヤ３にブロック１を相対的に押圧することによってなされる。ブロック１は、例えば厚さ２００μｍ以下の複数枚の基板に分割される。このとき、ワイヤ３の張力、ワイヤ３が走行する速度（走行速度）、および、ブロックを下降させる速度（フィード速度）は、それぞれ適宜制御されている。例えば、
ワイヤ１３の最大走行速度は、５００ｍ／分以上１０００ｍ／分以下に設定され、最大フィード速度は３５０μｍ／分以上１１００μｍ／分以下に設定する。
【００２４】
なお、砥粒をワイヤの表面に固着せずに、砥粒を加工液１１に入れた遊離砥粒タイプのワイヤソー装置を用いたスライス方法においては、加工液としてクーラント液の代わりに砥粒の入った切削液を用いる。
【００２５】
＜基板の製造工程＞
本実施形態の基本工程（加工工程およびワイヤ引抜き工程）について説明する。本実施形態では、まず、上面および下面を有するブロック１の上面をスライスベース２に接着剤等を介して接着させる。この状態で、複数列に張られたワイヤ３に例えば加工液１１を供給しながら、ブロック１の下面から上面に向かってブロック１を切断する。なお、加工液１１の供給は必須ではない。そして、スライスベース２に複数の基板が接着した状態にするとともに、スライスベース２の側にワイヤ３を位置させる。以上が加工工程である。さらに、この加工工程の後に、互いに隣り合う基板同士の間からワイヤ３を引き抜くワイヤ引抜き工程を有する。このワイヤ引抜き工程は、容器６内に入れた液体（例えば、加工液１１を回収した容器６内の液体）に基板を浸すとともに、ワイヤ３の走行を停止した状態で、互いに隣り合う基板間１ａからワイヤ３を引き抜く工程を含む。なお、容器６内の液体の基板の浸漬は、ブロック１がある程度切断された後に行ってもよく、必ずしもブロック１が完全に切断された後でなくてもよい。つまり、容器６内の液体への基板の浸漬は加工工程で行ってもよい。ただし、ワイヤ引抜き工程においては、容器６内の液体への基板の浸漬を必ず行う。
【００２６】
上記のワイヤ引抜き工程によって、基板間１ａの表面張力の影響が緩和されて、基板の割れ、欠けの発生を低減できる。
【００２７】
ここで、ブロック１は加工液１１が供給されるワイヤ３で切断して、容器６内に加工液１１を入れると、ワイヤソー装置Ｓの構造および工程全体が簡単になるのでよい。
【００２８】
また、ワイヤ引抜き工程は、互いに隣り合う基板同士の間に加工液１１を供給して行なうと、さらに基板同士が離れやすくなるのでよい。
【００２９】
また、ワイヤ引抜き工程は、ワイヤ３の下方に板状部材を配置して、該板状部材に加工液１１を当てて該板状部材を介してブロック１（互いに隣合う基板同士の間）に加工液を供給すると、さらに基板同士が離れやすくなるのでよい。
【００３０】
ブロック１は半導体材料に限定されないが、特に直方体状の割れ等が発生しやすいシリコンであれば、本実施形態によって、基板に割れ、欠けが発生しにくくなり歩留まりが向上するのでよい。
【００３１】
本実施形態においては、ブロック１が切断された領域（ワイヤ３が通過した後の領域）の少なくとも一部を、容器６に満たした加工液１１に浸漬させながら、ブロック１を切断してもよい。このとき、容器６の加工液１１の液面は走行しているワイヤ３と接触しない位置にあることが好ましい。これにより、ワイヤ３が高速に走行しても、加工液１１を撒き散らすことなく切断することができる。切断されたブロック１の加工部分（基板間）１ａ同士の間隔は狭い（例えば、１５０μｍ程度）。このため、毛細血管現象によって加工液１１が染み上がり、基板間１ａの表面張力の影響が緩和されて、ワイヤ３の断線が生じにくく、切削性等が低下しにくくなる。
【００３２】
また、ブロック１が容器６の加工液１１に浸漬した後、適宜、供給ノズル４から供給さ
れる加工液１１の供給量を調整してもよい。特に、加工液１１が切削液を用いる場合は、切削性が変化するため一定となるように適宜調整される。
【００３３】
そして、ブロック１をスライスすると同時に、スライスベース２も２ｍｍ以上５ｍｍ以下程度に切断され、ワイヤ３が基板間１ａから引き抜かれる。この際、スライスベース２に接着した状態で基板を取り出すことができる。
【００３４】
ワイヤ３を基板の外側に引き抜く際には、ワイヤ３の走行を停止させる。特に、固着砥粒タイプはワイヤ３に直接砥粒が接着して固定されている。このため、固着砥粒タイプのワイヤ３は遊離砥粒タイプに比べて基板を傷つけやすいが、ワイヤ３の走行を停止させることによって、基板端部にワイヤ３が接触しにくくなって、基板端部の割れ、欠けの発生を低減できる。
【００３５】
一方、ワイヤ３の走行を停止させると、ワイヤ３と基板との接触抵抗が大きくなり、砥粒によって基板面を傷つけやすい。そのため、本実施形態ではブロック１の少なくとも一部、特にブロック１における切り初め側の端部を容器６内の加工液１１に浸漬しながら基板間１ａからワイヤ３を引き抜くことにしている。基板間１ａを加工液１１に浸漬させることによって、基板間１ａの表面張力の影響が緩和されて、ブロック１における切り初めの際の端部間が狭くなりにくい。このため、ワイヤ３を引き抜く際にも、基板が傷つきにくい。
【００３６】
さらに、図３および図４に示すように、ワイヤ引抜き工程において、切断後のブロック１の左右から基板間１ａに加工液１１を供給するとよい。例えば、ワイヤ引抜き工程において、引き抜き中のワイヤ３の直下に、加工液供給用の板状（トレイ形状を含む）部材である加工液供給制御部材１２を挿入して、この加工液供給制御部材１２を介して加工液１１の進行方向を制御して、基板間１ａに加工液１１を供給するとよい。加工液供給制御部材１２をブロック１の近傍に位置しているワイヤ３の直下に配置することによって、ワイヤ３の基板間１ａに十分に加工液１１が供給される。このため、ワイヤ３を基板間１ａから容易に引き抜くことができる。特に、ブロックを並列して切断する場合には、切断されている領域が広くなるので、ワイヤ３の基板間１ａからの引き抜きが容易となるので効果的である。
【００３７】
また、ブロック１の切断された領域の少なくとも一部の加工液１１への浸漬は、加工工程終了後、ワイヤ引抜き工程の直前に行ってもよいし、加工工程中において行ってもよい。加工工程において加工液１１にブロック１を浸漬する場合は、ブロック１の１／３以上（より好ましくは半分以上）の高さが切断された後に、ブロック１の切断された領域の少なくとも一部が加工液１１に浸漬するように、容器６内の加工液１１の高さを調整することが望ましい。ブロック１の１／３以上（より好ましくは半分以上）の高さが切断された後は、基板間１ａの表面張力の影響を受けやすい。このため、上記の範囲に容器６内の加工液１１の高さを調整することによって、固着砥粒タイプのワイヤソー装置Ｓにおいては、切断中のワイヤ３に負荷がかかりにくく、ワイヤ３が断線しにくくい。
【００３８】
また、ブロック１を加工液１１に浸漬させる工程では、加工液１１の液面の高さを変動させることによって、ブロック１が加工液１１に浸漬する深さを調整してもよい。例えば加工工程では、加工液１１の液面がワイヤ３と接触しないように調整することが望ましく、ワイヤ引抜き工程では液面がワイヤ３と接触するように調整することが望ましい。なぜなら、ワイヤ３の走行中にワイヤ３が加工液１１の液面に接すると、ワイヤの走行が不安定になるためである。液面の高さは、加工液１１の供給量と排出量を調整すればよい。また、加工液１１は供給ノズル４へ供給する以外に、別途容器６への供給口を設けて、この供給口から供給してもよい。
【００３９】
また、ブロック１の１／３以上（より好ましくは半分以上）の高さが切断された後に、ブロック１の切り初め側の端部が加工液に浸漬する高さまで、予め容器６に加工液を満たしておいてもよい。これにより、別途、加工液１１を調節する機構を設けることなく、基板間１ａの表面張力の影響を緩和することができる。
【００４０】
また、容器６内の加工液１１に超音波を照射したり、空気をバブリングするなどしてもよい。これにより、基板間１ａの表面張力の影響が緩和されて、ワイヤ３が断線しにくくなり、切削性等を良好にすることができる。
【００４１】
そして、取り出された基板間１ａはスライスベース２に接着された状態で次工程の洗浄工程に投入される。
【００４２】
洗浄工程では、洗浄液としてアルカリ液または中性液を用い、基板に付着した水溶性クーラント、オイルや汚れが洗浄され、その後洗剤を水で洗い流す。そして、熱風または空気などによって、基板表面を完全に乾燥させて、スライスベース２から剥離することで分離した基板を得ることができる。
【００４３】
以上のように、本実施形態の基板の製造方法によれば、ワイヤ引抜き工程で発生しやすい基板端部の割れ、欠けが生じにくくできる。これにより、太陽電池素子の製造工程において、基板割れの発生を抑制できて、高い歩留まりにて太陽電池素子を作製できる。
【００４４】
＜変形例＞
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。
【００４５】
例えば、インゴットの端部などを切断して形を整えたブロックにすることなく、被加工物としてのインゴットをそのまま加工工程を行っても構わない。
【００４６】
また、切断対象のブロック１は１本でもよいし、複数本でもよい。複数本のブロック１を並列に配置してもよい。この場合、各ワイヤ３に対し複数本のブロック１が接するように載置するワイヤソー装置Ｓにおいて、従来よりも生産性の向上が期待できるので本発明は特に有効である。
【００４７】
また、加工液１１として砥粒を含む切削液を用いてもよい。このような加工液１１は、例えば、ワイヤ３のラッピング作用でブロック１を切断する遊離砥粒タイプのワイヤソー装置Ｓで用いることができる。この場合、使用するワイヤ３は、メインローラ５に巻かれている。ワイヤ３は、例えば鉄または鉄合金を主成分とするピアノ線を用いればよい。ワイヤ３の線径は８０μｍ以上１８０μｍ以下、より好ましくは１２０μｍ以下とする。加工液１１は、例えば炭化珪素、アルミナ、ダイヤモンド等の砥粒、鉱物油、界面活性剤および分散剤からなるラッピングオイルを混合して構成される。また、加工液１１は、複数の開口部を有する供給ノズル４より複数本に張られたワイヤ３に供給される。砥粒の平均粒径としては、例えば５μｍ以上２０μｍ以下であって粒度分布が狭いものが用いられる。供給ノズル４に供給する加工液１１の供給流量はブロックの大きさ、本数によって適宜設定される。また、加工液１１を循環して使用してもよく、その際、使用した加工液１１に新しい砥粒を適宜追加して、これをワイヤ３に供給するようにしても構わない。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明に係る実施例について説明する。
【００４９】
まず、カーボン板からなるスライスベースにエポキシ系樹脂からなる接着剤を塗布した。次に、１５６ｍｍ×１５６ｍｍ×３００ｍｍのサイズの直方体の多結晶シリコンからなるブロックをスライスベースに塗布した接着剤の上に設置し、その後、接着剤を硬化させた。そして、スライスベースに接着したブロックをワイヤソー装置に設置した。
【００５０】
このとき、ダイヤモンドの砥粒をＮｉメッキで固着したワイヤ（線径＝１２０μｍ、砥粒の平均粒径＝１４μｍ、平均直径Ｄ＝１４８μｍ）を双方向に約６００ｍ／分で走行させた。ワイヤを走行させた状態で加工液をワイヤに供給しながら、スライスベースに接着したブロックをスライスして、１５６ｍｍ角、平均厚み２００μｍのシリコン基板を作製した。加工液にはグリコール水溶液を用いた。
【００５１】
また、ブロックの下方に加工工程で使用した加工液を回収する容器を配置して、容器内に加工液を貯めた。加工工程とワイヤ引抜き工程とは、表１に示す条件で行った。
【００５２】
条件１では、ブロックの１／３の高さが切断された後、ブロック１の切断端部を容器内の液体に浸漬して、加工工程とワイヤ引抜き工程とを実施した。条件１では加工工程およびワイヤ引抜き工程の両方の工程で切断された基板部分を加工液に浸漬した。
【００５３】
条件２では、ブロック全てが切断された後、ワイヤ引抜き工程でのみブロック１の切断端部（切断された基板部分）を容器内の加工液に浸漬してワイヤ引抜き工程を実施した。
【００５４】
条件３では、容器内に加工液を入れずに、加工工程とワイヤ引抜き工程とを実施し、ワイヤ引抜き工程でワイヤの走行を停止させた。
【００５５】
条件４では、容器内に加工液を入れずに、加工工程とワイヤ引抜き工程とを実施し、ワイヤを加工工程よりも遅く１ｍ／分で走行させた。
【００５６】
条件５では、ブロック全てが切断された後、ワイヤ引抜き工程でブロック１の切断端部（切断された基板部分）を加工液に浸漬し、ワイヤを１ｍ／分で走行させながらワイヤ引抜き工程を実施した。
【００５７】
条件１、２、５では、ワイヤ引抜き工程において、基板間に加工液を供給するための板状部材をワイヤの直下に挿入してから、ワイヤ引抜きを実施した。なお、条件３においては、基板間に付着した加工液の表面張力によってワイヤ引抜きができなかった。
【００５８】
その後、基板端部の割れ、欠けを外観検査機（光を基板に照射し画像処理によって判定）および目視検査で判定した。そして、割れ、欠け発生率（全基板枚数に対する割れ、欠けの発生した基板枚数の比率）を求めた。その結果を表１に表す。
【００５９】
【表１】
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【００６０】
表１に示すように、条件１、２においては、条件３〜５に比べて割れ、欠けの発生率が大きく低減した（歩留りが大きく改善した）ことを確認した。
【００６１】
なお、加工工程における加工液貯めは、基板の割れ、欠けには無関係である。このため、表１には記載していないが、加工工程において加工液貯めが有る場合で、ワイヤ抜き工程でも加工液貯めが有り、ワイヤ走行が有る場合は、条件５と同じであった。また、加工工程において加工液貯めが有る場合で、ワイヤ抜き工程で加工貯めが無く、ワイヤ走行が有る場合は、条件４と同じであった。また、加工工程において加工液貯めが有る場合で、ワイヤ抜き工程で加工貯めが無く、ワイヤ走行が無い場合は、条件３と同じであった。
【符号の説明】
【００６２】
１    ：被加工物（ブロック）
１ａ  ：基板間
２    ：スライスベース
３    ：ワイヤ
４    ：供給ノズル
５    ：メインローラ
６    ：容器
７    ：供給リール
８    ：巻取リール
９    ：ガイドローラ
１０  ：ワークホルダ
１１  ：加工液
１２  ：加工液供給制御部材
１３  ：接着剤
Ｓ    ：ワイヤソー装置
【図１】
2016101611.tif 000004
【図２】
2016101611.tif 000005
【図３】
2016101611.tif 000006
【図４】
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