(57)【要約】【課題】レンズに付着した付着物を正確に検出する。【解決手段】本発明の付着物検知機能付き測距装置は、受光手段及び発光手段と、前記発光手段から照射された光が物体で反射し、反射した光を前記受光手段に導く集光手段と、前記受光手段での受光強度を調整するための前記集光手段表面に設けられた反射手段と、前記発光手段から光を照射させ、前記受光手段により受光した受光信号に基づいて前記受光手段の受光時間または前記発光手段の照射時間または照射強度を制御し、前記集光手段の前面に付着物が付着しているか否かを検出する付着物検出手段とを備えたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光手段及び発光手段と、
前記発光手段から照射された光が物体で反射し、反射した光を前記受光手段に導く集光手段と、
前記受光手段での受光強度を調整するための前記集光手段表面に設けられた反射手段と、
前記発光手段から光を照射させ、前記受光手段により受光した受光信号に基づいて前記受光手段の受光時間または前記発光手段の照射時間または照射強度を制御し、前記集光手段の前面に付着物が付着しているか否かを検出する付着物検出手段と
を備えた付着物検知機能付き測距装置。
【請求項２】
前記受光手段は少なくとも１つ以上の受光素子から成り、前記発光手段からのＡＣ発光のみを受光し、ＤＣ光を除去する回路を有することを特徴とする請求項１記載の付着物検知機能付き測距装置。
【請求項３】
前記反射手段は、前記集光手段の前面周縁部に少なくとも１つ以上配置されていることを特徴とする請求項１記載の付着物検知機能付き測距装置。
【請求項４】
前記反射手段は、屈折率が雨滴、土、埃等の付着物の屈折率、すなわち屈折率１．２〜１．６と等しい材料で構成されていることを特徴とする請求項１記載の付着物検知機能付き測距装置。
【請求項５】
前記反射手段は、半球体または円錐台の形状を有していることを特徴とする請求項１記載の付着物検知機能付き測距装置。
【請求項６】
前記反射手段は、その前面を覆うように取り付けられた遮光体を備えることを特徴とする請求項１記載の付着物検知機能付き測距装置。
【請求項７】
前記発光手段は物体までの距離を測定するための第１発光手段と、前記集光手段に付着した汚れを検出するための第２発光手段を備えることを特徴とした請求項１記載の付着物検知機能付き測距装置。
【請求項８】
前記第１発光手段と、前記第２発光手段と、前記受光手段は、それぞれ互いに遮光されていることを特徴とした請求項７記載の付着物検知機能付き測距装置。
【請求項９】
前記発光手段から照射された光が前記集光手段表面の全ての位置を通過するように光路を調整する光学素子を備えたことを特徴とする請求項１記載の付着物検知機能付き測距装置。
【請求項１０】
前記第１発光手段を点灯中には前記第２発光手段を消灯させ、前記第２発光手段を点灯中には前記第１発光手段を消灯させる制御手段を備えたことを特徴とする請求項７記載の付着物検知機能付き測距装置。
【請求項１１】
前記受光手段の受光信号の情報に基づきその時刻でのＳＮ比を算出し、ＳＮ比に応じて前記受光手段の露光時間または前記発光手段の照射時間または照射強度を制御する制御手段を備えたことを特徴とする請求項７記載の付着物検知機能付き測距装置。
【請求項１２】
前記付着物検出手段による検出制御で付着物が検出された後、検出された前記受光手段の数が所定値以内であればその受光手段を無効化し処理を継続する制御手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の付着物検知機能付き測距装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測距対象の物体との間の距離を測定する装置であって、レンズ（集光手段）の表面に付着した付着物（汚れ）を検知する機能を備えた付着物検知機能付き測距装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＴＯＦ（time-of-flight）方式のレンジ画像化システムにおいて、イメージャモジュールが検出した受信光波の振幅画像の振幅ヒストグラムに基づいて光インターフェース上の汚れの有無を判定するように構成した装置が記載されている。
【０００３】
また、特許文献２には、レンズの表面に導光部材を設け、ＬＥＤからの光を導光部材に導光するようにし、ＬＥＤを点灯したときに撮像素子で得られる画像と、ＬＥＤを消灯したときに撮像素子で得られる画像との濃度差分画像にもとづいて導光部材に付着物が付着しているか否かを判断する装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１０−５３４０００号公報
【特許文献２】特開２００８−６４６３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の構成では、得られる振幅画像が近距離物体による反射か汚れによる反射のどちらに起因するか分からないという問題があり、汚れを正確に検出できないことがあった。また、特許文献２の構成では、強い光が入射する状況においては、付着物の有無による濃度差分画像が得られないという事態が発生することがあり、付着物の有無を正確に検出できないという問題があった。尚、例えば車載用の装置において、強い光が入射する状況の例としては、昼間の強い太陽光が入射する場合や、夜間の車両のヘッドライトの照射光が入射する場合などが考えられる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、レンズに付着した付着物を正確に検出することができる付着物検知機能付き測距装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、受光手段及び発光手段と、前記発光手段から照射された光が物体で反射し、反射した光を前記受光手段に導く集光手段と、前記受光手段での受光強度を調整するための前記集光手段表面に設けられた反射手段と、前記発光手段から光を照射させ、前記受光手段により受光した受光信号に基づいて前記受光手段の受光時間または前記発光手段の照射時間または照射強度を制御し、前記集光手段の前面に付着物が付着しているか否かを検出する付着物検出手段とを備えた付着物検知機能付き測距装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態を示す付着物検知機能付き測距装置の部分横断面図
【図２】反射部材周辺の拡大部分横断面図
【図３】（ａ）は図１相当図、（ｂ）は導光部材の部分正面図
【図４】測距用受光素子及び参照光用受光素子の正面図
【図５】付着物検知機能付き測距装置の電気的構成を示すブロック図
【図６】付着物検知制御及び測距制御のフローチャート
【図７】参照光用受光素子の受光信号の電圧を示す図
【図８】照射時間と受光時間を示すタイムチャート
【図９】本発明の第２実施形態を示す図４相当図
【図１０】本発明の第３実施形態を示す図６相当図
【図１１】図８相当図
【図１２】本発明の第４実施形態を示す図１０相当図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の第１実施形態について、図１ないし図８を参照して説明する。まず、図１は、本実施形態の付着物検知機能付き測距装置の概略構成を示す部分横断平面図である。この図１に示すように、付着物検知機能付き測距装置１は、ケース２と、ケース２内に配設されたセンサ収納部３と、センサ収納部３内に配設された受光素子（受光手段）４と、センサ収納部３の図１中の右側面部に設けられたレンズ保持部５と、レンジ保持部５に保持されたレンズ（集光手段）６とを備えている。
【００１０】
受光素子４は、図４に示すように、２次元配置された多数の画素アレイからなる測距用撮像素子（測距用受光素子）７と、測距用撮像素子７の図４中の右辺部上部に配設された例えば１画素からなる参照光用受光素子８とを備えている。上記測距用撮像素子７を構成する各画素（受光素子）は、ＡＣ発光（例えばパルス発光）のみを受光し、ＤＣ光（例えば背景光）を除去する回路、例えば背景光差分回路を有する。そして、参照光用受光素子８は、ＡＣ発光（例えばパルス発光）のみを受光し、ＤＣ光（例えば背景光）を除去する回路、例えば背景光差分回路を有する。
【００１１】
また、レンズ６の表面（前面、図１中の右側面）には、例えばガラス製の板状部材からなる導光部材９が貼り付けられている。導光部材９は、レンズ６の球面の法線に垂直となるように配設されている。導光部材９は、ケース２の図１中の右端開口部に該開口部を閉塞するように取り付けられている。ケース２内におけるセンサ収納部３の図１中の下方であってケース側壁２ａの近傍には、参照光用ＬＥＤ（第２発光手段）１０が配設されている。導光部材９の内面の図１中の下部における参照光用ＬＥＤ１０から光が照射される部位には、プリズム１１が配設されている。
【００１２】
この構成の場合、参照光用ＬＥＤ１０から照射された光は、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、プリズム１１を透過することによって光の通り路が広げられ、光が導光部材９内の全ての位置（レンズ６表面の全ての位置）を通過するような構成、即ち、参照光照射用ＬＥＤ１０、プリズム１１及び導光部材９がそのような光路が形成されるような配置形態となる構成となっている。導光部材９とプリズム１１とから、発光手段から照射された光が前記集光手段表面の全ての位置を通過するように光路を調整する光学素子が構成されている。尚、プリズム１１の代わりにビームスプリッタ等を用いても良い。
【００１３】
導光部材９の表面における周縁部（図１中の下部）には、反射部材（反射手段）１２が取り付けられている。この反射部材１２は、図２に示すように、導光部材９の表面に取付けられた反射体１３と、この反射体１３を覆うように導光部材９の表面に取付けられた遮光体１４とを備えている。反射体１３は、屈折率が雨滴、土、埃等の付着物の屈折率、すなわち屈折率１．２〜１．６と等しい材料で構成され、半球体または円錐台の形状を有している。反射体１３のうちの導光部材９との接触面以外の面は、遮光体１４により覆われている。反射体１３と遮光体１４は、例えばオプティカルコンタクトにより接合されている。遮光体１４は、その内面側からの光及び外面側からの光を遮り吸収する機能を有する。
【００１４】
上記構成においては、参照光用ＬＥＤ１０から照射された光は、反射部材１２で反射し、その反射光は参照光用受光素子８が受光するように構成されている。この構成の場合、参照光用受光素子８と反射部材１２は、レンズ６の中心に対して、点対称の位置に配設されている。
【００１５】
また、ケース２のケース側壁２ａの図１中の右端部外面には、測距用ＬＥＤ（第１発光手段）１５が配設されている。測距用ＬＥＤ１５から照射された光は、対象物で反射し、その反射光は測距用撮像素子７が受光するように構成されている。参照光用ＬＥＤ１０と測距用ＬＥＤ１５とから発光手段が構成されている。
【００１６】
また、ケース２内において、参照光用ＬＥＤ１０と受光素子４との間には、遮光板３１が配設されている。遮光板３１の右端部は、導光部材９に当接している。この構成の場合、測距用ＬＥＤ１５と、参照光用ＬＥＤ１０と、受光素子４は、それぞれ互いに遮光される構成となっている。
【００１７】
図５は、上記した構成の付着物検知機能付き測距装置１の電気的構成を示すブロック図である。この図５に示すように、付着物検知機能付き測距装置１は、制御部１６と、検知用受光部１７と、測距用受光部１８と、検知用照射部１９と、測距用照射部２０とを備えている。制御部１６は、付着物検知機能付き測距装置１全体を制御する機能を有しており、付着物検出手段及び制御手段としての各機能を備えている。制御部１６は、検知用受光部１７及び測距用受光部１８を受光制御し、検知用受光部１７及び測距用受光部１８から受光信号を受ける。そして、制御部１６は、検知用照射部１９及び測距用照射部２０を照射（点灯）制御する。
【００１８】
検知用受光部１７は、制御部１６から参照光用受光制御信号を受けて参照光用受光素子８の露光時間を制御すると共に、参照光用受光素子８により受光された参照光用受光信号を制御部１６へ出力する。測距用受光部１８は、制御部１６から測距用受光制御信号を受けて測距用撮像素子７の受光時間を制御すると共に、測距用撮像素子７により受光（撮像）された測距用受光信号を制御部１６へ出力する。
【００１９】
検知用照射部１９は、制御部１６から参照光用照射制御信号を受けて参照光照射用ＬＥＤ１０の照射（点灯）時間を制御する。測距用照射部２０は、制御部１６から測距用照射制御信号を受けて測距用ＬＥＤ１５の照射（点灯）時間を制御する。
【００２０】
次に、上記構成の動作について、図６ないし図８を参照して説明する。図６のフローチャートは、付着物検知機能付き測距装置１の制御部１６の制御の内容を示す。図８のタイムチャートは、測距用ＬＥＤ１５の点灯動作と、参照光用ＬＥＤ１０の点灯動作と、測距用撮像素子７及び参照光用受光素子８の受光（露光）動作とを示している。
【００２１】
測距用ＬＥＤ１５の点灯動作は、図８（ａ）に示すように、１フレーム分、即ち、時間ｔ１、時間ｔ２、時間ｔ３、時間ｔ４の各間、点灯（パルス点灯）される。尚、各時間ｔ１〜ｔ４は例えば数ｕｓ〜数ｍｓ程度の時間であり、各時間ｔ１〜ｔ４の間の消灯時間は例えば数ｕｓ〜数百ｕｓ程度の時間である。この場合、各時間ｔ１〜ｔ４の間は、図８（ｂ）に示すように、短いパルス間隔Ｔで点灯動作がオンオフされる。尚、パルス間隔Ｔは例えば数ｎｓ〜数百ｎｓ程度の時間である。測距用撮像素子７の受光（露光）動作は、測距用ＬＥＤ１５の点灯動作に対応して、図８（ａ）に示すように、１フレーム分、即ち、時間ｔ１、時間ｔ２、時間ｔ３、時間ｔ４の各間、受光され、各時間ｔ１〜ｔ４の間は、図８（ｂ）に示すように、短いパルス間隔Ｔで受光動作がオンオフされる。そして、測距用撮像素子７の受光動作は、時間ｔ１を基準にして時間ｔ２、ｔ３、ｔ４と進む毎に、Ｔ／２ずつ遅れるように設定されている。
【００２２】
また、参照光用ＬＥＤ１０の点灯動作が、図８（ａ）に示すように、時間ｔ５の間、点灯（パルス点灯）される（短いパルス間隔Ｔで点灯動作がオンオフされる）。これに対応して、参照光用受光素子８の受光（露光）動作は、図８（ｂ）に示すように、時間ｔ５の間、受光される（短いパルス間隔Ｔで受光動作がオンオフされる）。
【００２３】
そして、参照光用ＬＥＤ１０の点灯動作（時間ｔ５）及び参照光用受光素子８の受光動作（時間ｔ５）が１回実行された後、測距用ＬＥＤ１５の点灯動作（時間ｔ１、時間ｔ２、時間ｔ３、時間ｔ４）及び測距用撮像素子７の受光動作（時間ｔ１、時間ｔ２、時間ｔ３、時間ｔ４）がＮ回（即ち、Ｎフレーム分）実行されるようになっている。更に、測距用ＬＥＤ１５が点灯動作している間は、参照光用ＬＥＤ１０は点灯動作されない。そして、測距処理が実行されている間、１回分の参照光用ＬＥＤ１０の点灯動作及び参照光用受光素子８の受光動作と、Ｎフレーム分の測距用ＬＥＤ１５の点灯動作及び測距用撮像素子７の受光動作とが、交互に繰り返し実行されるようになっている。
【００２４】
次に、図６のフローチャートを参照して、付着物検知機能付き測距装置１の制御部１６の制御（付着物検知制御及び測距制御）の内容を説明する。まず、図６のステップＳ１０においては、初期設定を実行する。そして、ステップＳ２０へ進み、参照光用ＬＥＤ１０を照射し（図８（ａ）の時間ｔ５参照）、続いて、ステップＳ３０へ進み、参照光用ＬＥＤ１０発光を参照光用受光素子８で受光する（図８（ａ）の時間ｔ５参照）。
【００２５】
この後、ステップＳ４０へ進み、参照光用受光素子８の受光電圧が第１の所定値Ｖ１（図７（ａ）、（ｂ）参照）以上であるか否かを判断する。この場合、参照光用受光素子８は、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、受光電圧が第１の所定値Ｖ１と第２の所定値Ｖ２の間で動作することが要求されている。外乱光の影響が弱い場合には、図７（ａ）に示すように、参照光用受光素子８の受光電圧は第１の所定値Ｖ１と第２の所定値Ｖ２の間に存在する。しかし、外乱光の影響が強い場合には、図７（ｂ）に示すように、参照光用受光素子８の受光電圧は第１の所定値Ｖ１よりも高くなることがある。このような場合には、参照光用受光素子８の受光電圧を低下させて、該受光電圧が第１の所定値Ｖ１と第２の所定値Ｖ２の間に存在するように調整する必要がある。
【００２６】
具体的には、上記ステップＳ４０において、参照光用受光素子８の受光電圧が第１の所定値Ｖ１以上であるときには、「ＹＥＳ」へ進み、ステップＳ１００へ進み、参照光用受光素子８の露光（受光）時間を短くし、更に、参照光用ＬＥＤ１０の照射強度を強くする。この後は、ステップＳ２０へ戻り、上述した処理を繰り返す。これにより、図７（ｂ）に示すように、参照光用受光素子８の受光電圧が低下し、該受光電圧が第１の所定値Ｖ１と第２の所定値Ｖ２の間に存在するように調整することができる。
【００２７】
この結果、ステップＳ４０において、参照光用受光素子８の受光電圧が第１の所定値Ｖ１より小さくなるから、「ＮＯ」へ進み、ステップＳ５０へ進む。このステップＳ５０では、測距用撮像素子７の中の各画素（受光素子）の受光電圧が第３の所定値以上のものがあるか否かを判断する。ここで、測距用撮像素子７の中の各画素（受光素子）の受光電圧が第３の所定値以上のものがあるときには、「ＹＥＳ」へ進み、ステップＳ１１０へ進む。
【００２８】
上記ステップＳ１１０では、測距用撮像素子７の中の各画素（受光素子）の受光電圧が第３の所定値以上のものの個数が設定個数以上であるか否かを判断する。ここで、レンズ６（導光部材９）の表面に付着物が付着している場合には、測距用撮像素子７の中の各画素（受光素子）の受光電圧が第３の所定値以上のものの個数が設定個数以上となることから、「ＹＥＳ」へ進み、ステップＳ１３０へ進む。このステップＳ１３０では、レンズ６（導光部材９）の表面に付着物が付着していること、即ち、付着物を検出したことを示すフラグ（付着物検出フラグ）をオンに設定する。そして、この制御（付着物検知処理及び測距処理）を終了する。
【００２９】
一方、上記ステップＳ１１０において、レンズの表面に付着物が付着していない場合には、測距用撮像素子７の中の各画素（受光素子）の受光電圧が第３の所定値以上のものの個数が設定個数よりも少ないことから、「ＮＯ」へ進み、ステップＳ１２０へ進む。このステップＳ１２０では、測距用撮像素子７の中の各画素（受光素子）の受光電圧が第３の所定値以上の画素（受光素子）を無効化する（即ち、測距の際に上記無効化した画素からの受光電圧を使用しないようにする）。この後は、ステップＳ６０へ進む。
【００３０】
また、上記ステップＳ５０において、測距用撮像素子７の中の各画素（受光素子）の受光電圧が第３の所定値以上の画素（受光素子）が無い場合には、「ＮＯ」へ進み、ステップＳ６０へ進む。
【００３１】
次いで、ステップＳ６０においては、測距用ＬＥＤ１５を照射し（図８（ａ）のフレーム（時間ｔ１〜ｔ４）参照）、続いて、ステップＳ７０へ進み、測距用ＬＥＤ１５発光（即ち、対象物に照射されて反射された光）を測距用撮像素子７で受光する（図８（ａ）のフレーム（時間ｔ１〜ｔ４）参照）。
【００３２】
この後、ステップＳ８０へ進み、測距用撮像素子７により受光した受光信号に基づいて対象物までの距離を算出（測距）する。次いで、ステップＳ９０へ進み、測距処理をＮ回（Ｎフレーム）実行したか否かを判断する。ここで、測距処理をＮ回実行していないときには、「ＮＯ」へ進み、ステップＳ６０へ戻り、上述した処理を繰り返す。一方、上記ステップＳ９０において、測距処理をＮ回実行したときには、「ＹＥＳ」へ進み、ステップＳ２０へ戻り、上述した処理を繰り返す。
【００３３】
上記した構成の本実施形態においては、参照光用ＬＥＤ１０をケース２内に設置し、その照射光が導光部材９の表面の反射部材１２で反射し、その反射光が背景光差分回路を画素内に有する参照光用受光素子８に到達するように構成した。そして、測距用ＬＥＤ１５を消灯した状態で参照光用ＬＥＤ１０から光を照射させ、反射部材１２で反射した反射光を参照光用受光素子８で受光したときに受光電圧（参照光用ＬＥＤ１０の照射強度）が所定のレベル（第１の所定値Ｖ１と第２の所定値Ｖ２の間）になるように参照光用受光素子８（及び測距用撮像素子７）の露光（受光）時間または参照光用ＬＥＤ１０の照射強度を制御するように構成した。
【００３４】
上記した構成の本実施形態によれば、背景光差分回路を画素内に有する測距用撮像素子７により、外乱光の影響を低減した状態で付着物検知を行うことができる。更に、反射部材１２と参照光用受光素子８を用いて常に最適な露光制御または照射制御を行うことにより、強い外乱光が入射したときにおいても、測距用撮像素子７及び参照光用受光素子８に対する露光時間または参照光用ＬＥＤ１０に対する照射強度を調整することが可能となり、付着物を正確に検知することができる。
【００３５】
また、本実施形態では、レンズ６（導光部材９）の表面の付着物を検知する際に、参照光用ＬＥＤ１０から照射される光が付着物で反射され、測距用撮像素子７で受光され、更に、測距用撮像素子７の中の各画素（受光素子）の受光電圧が第３の所定値以上のものがあると共に、各画素（受光素子）の受光電圧が第３の所定値以上のものの個数が設定個数以上であるときに、レンズ６（導光部材９）の表面に付着物が付着していると判断したので、付着物を正確に判定できる。この場合、受光電圧が第３の所定値以上である受光素子の配置位置を取得するように構成すれば、付着物がレンズ６（導光部材９）上のどの位置に付着しているかを判断することも可能となる。
【００３６】
また、本実施形態では、Ｎ回測距処理を実行する毎に、付着物検知処理を１回実行するように構成したので、付着物検知処理の参照光用ＬＥＤ１０の駆動時間を少なくすることができるから、電力消費を低減できる。
【００３７】
図９は、本発明の第２実施形態を示すものである。尚、第１実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第１実施形態では、測距用撮像素子７と参照光用受光素子８を図４に示すように、別体の半導体チップで構成したが、これに代えて、第２実施形態では、測距用撮像素子２１の一部、例えば、測距用撮像素子２１の図９中の上部右端部の１個の受光画素（受光素子）２１ａを、参照光用受光素子２１ａとして使用するように構成した。
【００３８】
尚、上述した以外の第２実施形態の構成は、第１実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第２実施形態においても、第１実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
【００３９】
図１０及び図１１は、本発明の第３実施形態を示すものである。尚、第１実施形態と同一構成には、同一符号を付している。この第３実施形態においては、Ｓ／Ｎ比を大きくするための処理としてステップＳ２１０を、ステップＳ８０とステップＳ９０との間に挿入した。
【００４０】
Ｓ／Ｎ比は、（単位時間当たりの信号光電子数＊露光時間）／（（単位時間当たりの信号光電子数＋単位時間当たりの外乱光電子数）＊露光時間）１／２で効いてくる。このため、例えば露光時間を２倍にすると、Ｓ／Ｎ比は、２１／２倍になる。従って、Ｓ／Ｎ比を大きくするには、露光時間を長く設定するように制御することが好ましい。
【００４１】
そこで、第３実施形態では、Ｓ／Ｎ比を大きくする処理の一例として、図１１に示すように、測距用撮像素子７及び参照光用受光素子８の露光時間を、第１実施形態（図３参照）に比べて、例えば２倍の時間に設定した。尚、この場合、測距用ＬＥＤ１５及び参照光用ＬＥＤ１０の照射時間も、第１実施形態（図３参照）に比べて、２倍の時間に設定した。
【００４２】
更に、第３実施形態では、測距を実行する回数Ｎ（Ｎフレーム）の数値を第１実施形態に比べて大きく設定することにより、距離検出に要する時間、即ち、距離検出間隔を長くする。これにより、参照光用ＬＥＤ１０を照射させない時間が長くなる分、測距に使用する露光時間を長くすることができる。この結果、Ｓ／Ｎ比をより一層大きくすることができる。
【００４３】
尚、上述した以外の第３実施形態の構成は、第１実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第２実施形態においても、第１実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第３実施形態によれば、Ｓ／Ｎ比を大きく設定するように構成したので、距離の検出精度を高くすることができる。
【００４４】
図１２は、本発明の第４実施形態を示すものである。尚、第３実施形態と同一構成には、同一符号を付している。この第４実施形態においては、第３実施形態（図１０参照）のステップＳ１１０の判断処理とステップＳ１２０の処理を省略し、ステップＳ５０にて「ＹＥＳ」へ進むときに、ステップＳ１３０へ進むように構成した。
【００４５】
尚、上述した以外の第４実施形態の構成は、第３実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第４実施形態においても、第３実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
【００４６】
尚、上記各実施形態では、参照光用受光素子８を１個の画素（受光素子）で構成したが、これに代えて、複数個の画素（受光素子）で構成しても良い。このように構成する場合、複数個の画素を１個の半導体チップで構成しても良いし、複数個の画素を測距用撮像素子７の一部で構成しても良い。
【符号の説明】
【００４７】
図面中、１は付着物検知機能付き測距装置、２はケース、４は受光素子（受光手段）、６はレンズ（集光手段）、７は測距用撮像素子、８は参照光用受光素子、９は導光部材、１０は参照光用ＬＥＤ（第２発光手段）、１１はプリズム、１２は反射部材（反射手段）、１３は反射体、１４は遮光体、１５は測距用ＬＥＤ（第１発光手段）、１６は制御部（付着物検出手段、制御手段）、１７は検知用受光部、１８は測距用受光部、１９は検知用照射部、２０は測距用照射部、２１は測距用撮像素子である。
【図１】
2016045161.tif 000003
【図２】
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【図３】
2016045161.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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