(57)【要約】      （修正有）【課題】可撓性に優れ、同一箇所に大きなクラックが生じ難いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜を提供する。【解決手段】ＤＬＣ積層構造体４１は、基材７４の表面上に第１ＤＬＣ膜１と、前記第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜２とが当該表面の法線方向に沿って交互に積層されることにより、一層の第２ＤＬＣ膜２とその両側に積層された２層の第１ＤＬＣ膜１からなる少なくとも３層のＤＬＣ膜が基材７４の表面上に積層されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面上に第１ＤＬＣ膜と、前記第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜とが前記表面の法線方向に沿って交互に積層されることにより、一層の前記第２ＤＬＣ膜とその両側に積層された２層の前記第１ＤＬＣ膜とからなる少なくとも３層のＤＬＣ膜が前記基材の前記表面上に積層されている、ＤＬＣ積層構造体。
【請求項２】
請求項１に記載のＤＬＣ積層構造体であって、
前記第２ＤＬＣ膜は、前記第１ＤＬＣ膜よりも膜厚が薄い、ＤＬＣ積層構造体。
【請求項３】
(a)炭素と水素を構成元素として含む第１組成の成膜原料をプラズマ化して基材の表面上に第１ＤＬＣ膜を成膜するステップと、
(b)炭素と水素を構成元素として含み、水素の含有率が前記第１組成の成膜原料よりも高い第２組成の成膜原料をプラズマ化して前記第１ＤＬＣ膜上に第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜を成膜するステップと、
(c)エッチングガスをプラズマ化して前記第２ＤＬＣ膜に作用させ、前記第２ＤＬＣ膜にプラズマエッチングを行うステップと、
(d)前記第１組成の成膜原料をプラズマ化して、プラズマエッチングされた前記第２ＤＬＣ膜上に前記第１ＤＬＣ膜を成膜するステップと、
を備えるＤＬＣ積層構造体の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のＤＬＣ積層構造体の製造方法であって、
前記ステップ(d)の後に、前記ステップ(b)から(d)を少なくとも１回繰り返すステップをさらに備える、ＤＬＣ積層構造体の製造方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載のＤＬＣ積層構造体の製造方法であって、
前記ステップ(c)は、プラズマエッチングによって、前記第２ＤＬＣ膜の表面部分に含まれる炭素、水素、または炭素と水素の結合基（ＣｘＨｙ）を除去するとともに、前記第２ＤＬＣ膜の表面を粗面かつ均一にするステップである、ＤＬＣ積層構造体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のＤＬＣ積層構造体の製造方法であって、
前記ステップ(c)は、前記エッチングガスとしてＡｒガス、水素ガス、および酸素ガスのうち少なくとも１つのガスを用いて前記第２ＤＬＣ膜にプラズマエッチングを行うステップである、ＤＬＣ積層構造体の製造方法。
【請求項７】
請求項３から請求項６の何れか１つの請求項に記載のＤＬＣ積層構造体の製造方法であって、
前記ステップ(b)は、前記第１ＤＬＣ膜上に前記第１ＤＬＣ膜よりも膜厚が薄い前記第２ＤＬＣ膜を成膜するステップである、ＤＬＣ積層構造体の製造方法。
【請求項８】
請求項３から請求項７の何れか１つの請求項に記載のＤＬＣ積層構造体の製造方法であって、
前記ステップ(a)から(d)のそれぞれにおけるプラズマ化は、
巻数が一周未満の誘導結合型アンテナに高周波電力を供給することにより発生する誘導結合プラズマによって行われる、ＤＬＣ積層構造体の製造方法。
【請求項９】
成膜対象の基材を収容したチャンバー内で炭素と水素を構成元素として含む成膜原料をプラズマ化して前記基材の表面上にＤＬＣ膜を形成するプラズマ処理装置であって、
前記チャンバー内にプラズマを発生するプラズマ発生部と、
前記成膜原料の少なくとも一部をなして炭素と水素のうち少なくとも水素を構成元素として含む原料ガスを、水素の供給量を変更可能なように前記チャンバー内に供給する原料ガス供給部と、
前記チャンバー内に予め定められたエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、
前記プラズマ発生部と、前記原料ガス供給部と、前記エッチングガス供給部とのそれぞれの動作を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
(A)前記原料ガスを含む第１組成の成膜原料をプラズマ化して前記基材上に第１ＤＬＣ膜を成膜する処理と、
(B)前記原料ガスを含み、水素の含有率が前記第１組成の成膜原料よりも高い第２組成の成膜原料をプラズマ化して前記第１ＤＬＣ膜上に第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜を成膜する処理と、
(C)前記エッチングガスをプラズマ化して前記第２ＤＬＣ膜に作用させ、前記第２ＤＬＣ膜にプラズマエッチングを行う処理と、
(D)前記第１組成の成膜原料をプラズマ化して、プラズマエッチングされた前記第２ＤＬＣ膜上に前記第１ＤＬＣ膜を成膜する処理と、
が順次に行われてＤＬＣ積層構造体が製造されるように、前記プラズマ発生部と前記原料ガス供給部と前記エッチングガス供給部とを制御し、
前記制御部は、
前記処理(A)よりも前記処理(B)において前記チャンバー内に供給される水素の量が増加するように、前記原料ガス供給部に前記原料ガスの供給量の増加処理および組成の変更処理の少なくとも一方の処理を行わせる、プラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
前記処理(D)の後に、前記処理(B)から(D)が少なくとも１回繰り返されるように、前記プラズマ発生部と前記原料ガス供給部と前記エッチングガス供給部とをさらに制御する、プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤモンドライクカーボン（diamond-like carbon：ＤＬＣ）膜、およびＤＬＣ膜を製造するプラズマ処理技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤモンドライクカーボン膜は、硬度および強度（機械的強度）が高く、低摩耗性および耐摩耗性に優れているため、ハードコーティング等の各種の用途に幅広く用いられている。
【０００３】
特許文献１には、基材の表面に、プラズマＣＶＤ法によって膜厚が３μｍ超の一層の厚膜のＤＬＣ膜を成膜し、成膜されたＤＬＣ膜に所定の熱処理を施して硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００の厚膜のＤＬＣ膜を製造する製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１２１８４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の製造方法により製造されたＤＬＣ膜には、可撓性が不足するとともに、大きなクラックが生ずるといった問題がある。
【０００６】
本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、可撓性に優れ、大きなクラックが生じにくいＤＬＣ膜、および当該ＤＬＣ膜の製造技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、第１の態様に係るＤＬＣ積層構造体は、基材の表面上に第１ＤＬＣ膜と、前記第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜とが前記表面の法線方向に沿って交互に積層されることにより、一層の前記第２ＤＬＣ膜とその両側に積層された２層の前記第１ＤＬＣ膜とからなる少なくとも３層のＤＬＣ膜が前記基材の前記表面上に積層されている。
【０００８】
第２の態様に係るＤＬＣ積層構造体は、第１の態様に係るＤＬＣ積層構造体であって、前記第２ＤＬＣ膜は、前記第１ＤＬＣ膜よりも膜厚が薄い。
【０００９】
第３の態様に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法は、(a)炭素と水素を構成元素として含む第１組成の成膜原料をプラズマ化して基材の表面上に第１ＤＬＣ膜を成膜するステップと、(b)炭素と水素を構成元素として含み、水素の含有率が前記第１組成の成膜原料よりも高い第２組成の成膜原料をプラズマ化して前記第１ＤＬＣ膜上に第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜を成膜するステップと、(c)エッチングガスをプラズマ化して前記第２ＤＬＣ膜に作用させ、前記第２ＤＬＣ膜にプラズマエッチングを行うステップと、(d)前記第１組成の成膜原料をプラズマ化して、プラズマエッチングされた前記第２ＤＬＣ膜上に前記第１ＤＬＣ膜を成膜するステップと、を備える。
【００１０】
第４の態様に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法は、第３の態様に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法であって、前記ステップ(d)の後に、前記ステップ(b)から(d)を少なくとも１回繰り返すステップをさらに備える。
【００１１】
第５の態様に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法は、第３または第４の態様に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法であって、前記ステップ(c)は、プラズマエッチングによって、前記第２ＤＬＣ膜の表面部分に含まれる炭素、水素、または炭素と水素の結合基（ＣｘＨｙ）を除去するとともに、前記第２ＤＬＣ膜の表面を粗面かつ均一にするステップである。
【００１２】
第６の態様に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法は、第５の態様に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法であって、前記ステップ(c)は、前記エッチングガスとしてＡｒガス、水素ガス、および酸素ガスのうち少なくとも１つのガスを用いて前記第２ＤＬＣ膜にプラズマエッチングを行うステップである。
【００１３】
第７の態様に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法は、第３から第６の何れか１つの態様に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法であって、前記ステップ(b)は、前記第１ＤＬＣ膜上に前記第１ＤＬＣ膜よりも膜厚が薄い前記第２ＤＬＣ膜を成膜するステップである。
【００１４】
第８の態様に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法は、第３から第７の何れか１つの態様に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法であって、前記ステップ(a)から(d)のそれぞれにおけるプラズマ化は、巻数が一周未満の誘導結合型アンテナに高周波電力を供給することにより発生する誘導結合プラズマによって行われる。
【００１５】
第９の態様に係るプラズマ処理装置は、成膜対象の基材を収容したチャンバー内で炭素と水素を構成元素として含む成膜原料をプラズマ化して前記基材の表面上にＤＬＣ膜を形成するプラズマ処理装置であって、前記チャンバー内にプラズマを発生するプラズマ発生部と、前記成膜原料の少なくとも一部をなして炭素と水素のうち少なくとも水素を構成元素として含む原料ガスを、水素の供給量を変更可能なように前記チャンバー内に供給する原料ガス供給部と、前記チャンバー内に予め定められたエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、前記プラズマ発生部と、前記原料ガス供給部と、前記エッチングガス供給部とのそれぞれの動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、(A)前記原料ガスを含む第１組成の成膜原料をプラズマ化して前記基材上に第１ＤＬＣ膜を成膜する処理と、(B)前記原料ガスを含み、水素の含有率が前記第１組成の成膜原料よりも高い第２組成の成膜原料をプラズマ化して前記第１ＤＬＣ膜上に第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜を成膜する処理と、(C)前記エッチングガスをプラズマ化して前記第２ＤＬＣ膜に作用させ、前記第２ＤＬＣ膜にプラズマエッチングを行う処理と、(D)前記第１組成の成膜原料をプラズマ化して、プラズマエッチングされた前記第２ＤＬＣ膜上に前記第１ＤＬＣ膜を成膜する処理と、が順次に行われてＤＬＣ積層構造体が製造されるように、前記プラズマ発生部と前記原料ガス供給部と前記エッチングガス供給部とを制御し、前記制御部は、前記処理(A)よりも前記処理(B)において前記チャンバー内に供給される水素の量が増加するように、前記原料ガス供給部に前記原料ガスの供給量の増加処理および組成の変更処理の少なくとも一方の処理を行わせる。
【００１６】
第１０の態様に係るプラズマ処理装置は、第９の態様に係るプラズマ処理装置であって、前記制御部は、前記処理(D)の後に、前記処理(B)から(D)が少なくとも１回繰り返されるように、前記プラズマ発生部と前記原料ガス供給部と前記エッチングガス供給部とをさらに制御する。
【発明の効果】
【００１７】
第１の態様に係る発明によれば、ＤＬＣ積層構造体は、基材の表面上に第１ＤＬＣ膜と、第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜とが当該表面の法線方向に沿って交互に積層されている。第２ＤＬＣ膜は、第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高いために第１ＤＬＣ膜よりも柔らかいので、ＤＬＣ積層構造体は、可撓性に優れている。また、第１ＤＬＣ膜に生ずるクラックは、通常、第１ＤＬＣ膜が積層される毎に異なる場所に生ずるので、ＤＬＣ積層構造体においては、平面視において同一箇所に連続してクラックが発生することが抑制され、その結果として大きなクラックが生ずることが抑制される。
【００１８】
第２の態様に係る発明によれば、第２ＤＬＣ膜は、第１ＤＬＣ膜よりも膜厚が薄いのでＤＬＣ積層構造体の膜質を、第１ＤＬＣ膜の膜質に近い膜質になるように、より均質化できる。
【００１９】
第３および第９の何れの態様に係る発明によっても、基材の表面上に第１ＤＬＣ膜が成膜され、第１ＤＬＣ膜上に第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜が成膜され、さらに第２ＤＬＣ膜上に第１ＤＬＣ膜が成膜されることによりＤＬＣ積層構造体が製造される。第２ＤＬＣ膜は、第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高いために第１ＤＬＣ膜よりも柔らかいので、ＤＬＣ積層構造体は、可撓性に優れている。また、第１ＤＬＣ膜に生ずるクラックは、通常、第１ＤＬＣ膜が積層される毎に異なる場所に生ずるので、ＤＬＣ積層構造体においては、平面視において同一箇所に連続してクラックが発生することが抑制され、その結果として大きなクラックが生ずることが抑制される。さらに、第２ＤＬＣ膜は、プラズマエッチングされるので粗面化され、その上に第１ＤＬＣ膜が成膜される。従って、第１ＤＬＣ膜と第２ＤＬＣ膜とをより強固に密着させることができるので、ＤＬＣ積層構造体に含まれるＤＬＣ膜の剥離を抑制することができる。
【００２０】
第４の態様に係る発明によれば、第２ＤＬＣ膜と、その膜上に成膜された第１ＤＬＣ膜とを含む積層構造が、繰り返し積層されるので、可撓性に優れた膜厚の厚いＤＬＣ積層構造体を製造できる。
【００２１】
第５および第１０の何れの態様に係る発明によっても、第２ＤＬＣ膜の表面部分に含まれる炭素、水素、または炭素と水素の結合基（ＣｘＨｙ）が除去されるとともに、表面が粗面かつ均一にされる。これにより、第２ＤＬＣ膜が全体的に平坦化されるとともに、その表面が粗面化されるので、第２ＤＬＣ膜上に成膜される第１ＤＬＣ膜の密着度を高めることができる。
【００２２】
第６の態様に係る発明によれば、エッチングガスとして、安価で入手が容易であるＡｒガス、水素ガス、および酸素ガスのうち少なくとも１つのガスが用いられるので、エッチングに要するコストを抑制できる。
【００２３】
第７の態様に係る発明によれば、第１ＤＬＣ膜上に第１ＤＬＣ膜よりも膜厚が薄い第２ＤＬＣ膜が成膜されるので、ＤＬＣ積層構造体の膜質を、第１ＤＬＣ膜の膜質に近い膜質になるように、より均質化できる。
【００２４】
第８の態様に係る発明によれば、巻数が一周未満の誘導結合型アンテナに高周波電力を供給することにより発生する誘導結合プラズマによって成膜原料およびエッチングガスのプラズマ化が行われる。これにより、成膜レートおよびエッチングレートを向上できるので、ＤＬＣ積層構造体の製造に要する時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施形態に係るプラズマ処理装置の要部の概略構成を例示する図である。
【図２】図１の高周波アンテナ８０の例を示す側面図である。
【図３】実施形態に係るＤＬＣ積層構造体の構成例を模式的に示す断面図である。
【図４】ＤＬＣ積層構造体の製造過程を説明するための図である。
【図５】ＤＬＣ積層構造体の製造過程を説明するための図である。
【図６】ＤＬＣ積層構造体の製造過程を説明するための図である。
【図７】ＤＬＣ積層構造体の製造過程を説明するための図である。
【図８】ＤＬＣ積層構造体の製造過程を説明するための図である。
【図９】ＤＬＣ積層構造体の製造過程を説明するための図である。
【図１０】ＤＬＣ積層構造体の製造過程を説明するための図である。
【図１１】比較技術に係るＤＬＣ膜の構成例を模式的に示す断面図である。
【図１２】図１のプラズマ処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、下記説明では重複説明が省略される。また、各図面は模式的に示されたものである。なお、一部の図面には、方向関係を明確にする目的で、Ｚ軸を鉛直方向の軸としＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標軸が適宜付されている。また、実施形態の説明において、上下方向は、鉛直方向であり、基板７４側が上で、ターゲット６０側が下である。
【００２７】
＜実施形態について＞
＜１．スパッタリング装置の構成＞
図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置１０の要部の概略構成を例示する図である。図２は、高周波アンテナ８０の例を示す側面図である。以下に、図１、図２を参照しつつ、プラズマ処理装置１０の構成について説明する。
【００２８】
プラズマ処理装置１０は、成膜対象の基材を収容したチャンバー１１内で炭素と水素を構成元素として含む成膜原料をプラズマ化して当該基材の表面上にＤＬＣ積層構造体を形成するためのものである。
【００２９】
プラズマ処理装置１０は、真空ポンプ（図示せず）により内部を真空にすることが可能なチャンバー（「真空容器」）１１と、真空排気されたチャンバー１１内にプラズマ生成ガスを導入するスパッタガス導入部１９および原料ガス導入部２１と、チャンバー１１内にエッチングガスを導入するエッチングガス導入部２２と、チャンバー１１内に設けられ、ターゲット６０を保持するターゲット保持部２４と、成膜対象の複数の基板７４（より詳細には、基板７４がそれぞれ保持する複数のキャリア７５）を所定の搬送経路に沿って搬送方向Ｘ１に搬送する搬送部７７と、基板７４の上方に設けられたステージ１５と、スパッタ用電源１６２とを備える。ターゲット６０は、単体の炭素によって形成された板状部材である。
【００３０】
また、プラズマ処理装置１０は、コンピュータ、あるいはハードウェア回路等を備えてプラズマ処理装置１０の各部の動作を統括制御する制御部２００と、原料ガスをチャンバー１１内に向けて供給する原料ガス供給部１９０と、原料ガス供給部１９０の配管経路中に設けられた流量コントローラ１９３とをさらに備える。また、プラズマ処理装置１０は、エッチングガスをチャンバー１１内に向けて供給するエッチングガス供給部１９４と、エッチングガス供給部１９４の配管経路中に設けられた流量コントローラ１９５とをさらに備える。制御部２００は、プラズマ処理装置１０の各部と電気的に接続されている。制御部２００は、プラズマ発生部９０と、原料ガス供給部１９０と、エッチングガス供給部１９４とのそれぞれの動作を制御する。原料ガスは、成膜原料の少なくとも一部をなして炭素と水素のうち少なくとも水素を構成元素として含んでいる。原料ガス供給部１９０は、制御部２００の制御に従って、水素の供給量を変更可能なようにチャンバー１１内に原料ガスを供給する。原料ガスとして、具体的には、例えば、水素（Ｈ２）が用いられる。また、エッチングガスとしては、具体的には、例えば、酸素（Ｏ２）ガス、水素（Ｈ２）ガス、およびアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスのうち少なくとも１つのガスが用いられる。また、スパッタガスとしては、例えば、不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスまたはキセノン（Ｘｅ）ガスなどが用いられる。
【００３１】
搬送部７７は、ターゲット保持部２４に保持されたターゲット６０の表面（＋Ｚ側の面）と、複数の基板７４の表面（−Ｚ側の面）とが所定の距離を隔てて対向するように、板状の複数のキャリア７５を支持し、各キャリア７５をターゲット６０に対向する搬送経路に沿って直列に配列して搬送する。搬送部７７は、それぞれ自転可能な複数のローラを備えて構成されている。キャリア７５の下面のうち、側面視において基板７４の搬送方向Ｘ１と直交する方向（Ｙ方向）の両端部分は、基板７４が配置されていない部分である。搬送部７７が備える複数のローラは、当該両端部分を下方から支持している。各ローラが所定の回転方向に自転することにより、複数のキャリア７５（複数の基板７４）は、搬送経路に沿って搬送方向Ｘ１に搬送される。
【００３２】
基板７４の直下（−Ｚ側の直ぐ近傍）には、開閉可能な図示省略の成膜シャッターが少なくとも基板７４の全域に亙って設けられている。また、スパッタ用電源１６２は、ベース板（「カソード」）１４に、負電圧の直流のスパッタ電圧（「カソード印加電圧」、「バイアス電圧」）または、負電圧と正電圧とからなるパルス状のスパッタ電圧（「パルス直流電圧」）、若しくは交流のスパッタ電圧を印加することにより、ターゲット６０と、ステージ１５の下面側に保持された基板７４との間にマグネトロンプラズマ用の電界を生成する。スパッタ用電源１６２は、好ましくは、電圧一定モードで駆動される。また、ステージ１５は、図示省略のヒーターもしくは冷却機構を備え、基板７４の温度を制御する。
【００３３】
また、プラズマ処理装置１０は、チャンバー１１内に導入されたプラズマ生成ガス（スパッタガス、原料ガス、およびエッチングガス）の高周波誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ８０をさらに備える。ステージ１５は、チャンバー１１の上部の内壁に、取り付け部材を介して設けられている。
【００３４】
高周波アンテナ８０は、ターゲット６０の側面に接触することなく当該側面に沿って配置された線状のアンテナである。高周波アンテナ８０は、金属製パイプ状導体から構成される。そして、プラズマ処理装置１０は、高周波アンテナ８０によって、スパッタガスと原料ガスとエッチングガスとのそれぞれの高周波誘導結合プラズマを発生させる。また、石英やセラミックスなどの誘電体製の保護パイプによって、導体はプラズマ、スパッタガス、原料ガス、およびエッチングガスには直接接触しないようになっている。
【００３５】
そして、プラズマ処理装置１０は、後述するマグネトロンスパッタ用磁石１２が形成する静磁場によってターゲット６０の表面部分に発生するプラズマ生成ガスのマグネトロンプラズマと、高周波アンテナ８０が発生させたプラズマ生成ガスの高周波誘導結合プラズマとの混合プラズマによるターゲット６０のスパッタリングによって基板７４上の二次元領域に成膜を行う。高周波アンテナ８０とマグネトロンスパッタ用磁石１２とは、チャンバー１１内にプラズマを発生させるプラズマ発生部９０である。
【００３６】
チャンバー１１の側面には、開閉可能なゲート３５１、３５２が設けられている。ゲート３５１、３５２は、開状態と閉状態との間で切り替え可能となっている。また、ゲート３５１、３５２は、不図示のロードロックチャンバー、若しくはアンロードロックチャンバーなどの他のチャンバーの開口部が気密を保った形態で接続可能に構成されている。成膜対象の基板７４はキャリア７５に保持された状態で、ゲート３５１からチャンバー１１内に搬入されて、スパッタリングによる成膜を施され、ゲート３５２からチャンバー１１の外部に搬出される。基板７４を保持するキャリア７５がゲート３５１（３５２）からチャンバー１１内に搬入（チャンバー１１から搬出）されるときには、ロードロックチャンバー（アンロードロックチャンバー）は、真空状態に保持される。外部からロードロックチャンバーに基板７４が搬入されるときには、ゲート３５１は閉じられ、アンロードロックチャンバーから基板７４が外部に搬出されるときには、ゲート３５２が閉じられる。基板７４が成膜されるときには、ゲート３５１、３５２が閉鎖されてチャンバー１１内の気密が保たれる。成膜処理が開始される前にチャンバー１１内の気密が保たれた状態で、不図示の真空ポンプによってチャンバー１１の内部空間である処理室１１３が真空排気される。
【００３７】
そして、ゲート３５１、３５２が閉じられて処理室１１３が真空排気された状態で管状のスパッタガス導入部１９のガス導入口２０からスパッタガスがチャンバー１１内に導入されるとともに、管状の原料ガス導入部２１から原料ガスがチャンバー１１内に導入されることにより、処理室１１３は、一定圧力下、一定のガス分圧下に維持される。ガス導入口２０は、例えば、高周波アンテナ８０とターゲット６０との間の部分などに形成される。プラズマ発生部９０が複数の高周波アンテナ８０を備える場合には、ガス導入口２０は、例えば、各高周波アンテナ８０に対応する位置にそれぞれ設けられる。
【００３８】
原料ガス導入部２１は、配管を介して流量コントローラ１９３と接続され、流量コントローラ１９３は、貯留した原料ガスを供給する原料ガス供給部１９０と配管を介して接続されている。スパッタガス導入部１９は、配管を介して流量コントローラ１９２と接続され、流量コントローラ１９２は、貯留したスパッタガスをチャンバー１１内に供給するスパッタガス供給部１９１と配管を介して接続されている。
【００３９】
チャンバー１１の底部には、開口が設けられると共に、その開口を下側から塞ぐように、前述のベース板１４及びマグネトロンスパッタ用磁石（永久磁石）１２（併せてマグネトロンカソードという）、並びに高周波アンテナ８０を収容するためのターゲット・アンテナ配置部１８が取り付けられている。ターゲット・アンテナ配置部１８とチャンバー１１の底部との接続部はシール材により気密性が確保されている。従って、ターゲット・アンテナ配置部１８の壁はチャンバー１１の壁の一部としての役割を有する。ターゲット・アンテナ配置部１８には、ステージ１５の直下の位置にターゲット配置ブロック（ターゲット配置部）１８１が設けられている。それと共に、ターゲット・アンテナ配置部１８の壁内（即ちチャンバー１１の壁内）であってターゲット配置ブロック１８１の側方に、ターゲット配置ブロック１８１を挟むように１対のアンテナ固定ブロック１８２が設けられている。マグネトロンカソードは、ターゲット６０の表面近傍に静磁場を形成する。
【００４０】
ターゲット配置ブロック１８１の上部にはチャンバー１１の処理室１１３がある。ターゲット配置ブロック１８１内にはマグネトロンスパッタ用磁石１２が載置されている。マグネトロンスパッタ用磁石１２の上面にはベース板１４が設けられるとともに、ベース板１４に対向するステージ１５がチャンバー１１の上側内壁に設けられる。ステージ１５は、アースされている。なお、ステージ１５は、アースされていないフローティング状態でも良い。マグネトロンスパッタ用磁石１２の上下方向の位置は、その上面に設けられたベース板１４に載置されるターゲット６０の上面がターゲット・アンテナ配置部１８の上端付近（上端と同じ位置である必要はない）に配置されるように調整されている。また、ターゲット６０は、ベース板１４と、ターゲット保持部２４とによってベース板１４の上面（＋Ｚ側の面）に保持されている。このようにマグネトロンスパッタ用磁石１２及びベース板１４（併せて、マグネトロンカソード）が設けられることにより、ターゲット６０はチャンバー１１の処理室１１３と面した空間内に配置される。
【００４１】
マグネトロンスパッタ用磁石１２は、ターゲット保持部２４に保持されたターゲット６０の表面を含む領域に静磁場（マグネトロン磁場）を形成して、ターゲット６０の表面部分にプラズマを形成できるようにする。ターゲット６０の表面部分におけるプラズマの広がり方は、チャンバー１１に導入されたプラズマ生成ガスの分圧や、マグネトロンスパッタ用磁石１２が発生させるマグネトロン磁場やターゲットに与える電圧の強度などによって変動する。
【００４２】
また、ターゲット配置ブロック１８１上端とチャンバー１１の処理室１１３との境界には、ターゲット配置ブロック１８１の側壁から内側に向かって延び、ターゲット６０の縁付近（縁を含む部分）に対して一定の距離を保つようにアノード１８９が設けられている。
【００４３】
アンテナ固定ブロック１８２内には高周波アンテナ８０が挿入されている。また、プラズマ処理装置１０は、高周波アンテナ８０に高周波電力を供給する高周波電源１６１を備えている。高周波電源１６１は整合回路１６３を介して高周波アンテナ８０に接続されている。
【００４４】
高周波アンテナ８０は、マグネトロンカソードスパッタによるプラズマ発生を支援するためのもので、例えば、図２に示されるように、金属製のパイプ状導体をＵ字形に曲げたものであり、２つのアンテナ固定ブロック１８２内に１個ずつ、「Ｕ」の字を上下逆向きにした状態で立設されている。なお、高周波アンテナ８０の配置態様は、種々に変更可能である。高周波アンテナ８０の形状として、例えば、円弧状の形状が採用されても良い。また、高周波アンテナ８０の巻数は、一周未満である。定在波の発生を防止するために、高周波アンテナ８０の長さは、好ましくは、高周波電源１６１が供給する電力の波長の１／４以下の長さに設定される。高周波アンテナの一端から高周波電力が供給され、他端は接地される。これにより誘導結合プラズマが生成される。このような高周波アンテナ８０が採用されれば、コイル状（渦巻き状）のアンテナを用いて誘導結合プラズマを発生させる手法に比べて、アンテナのインダクタンスが低いためにアンテナの電圧を下げられるので、プラズマダメージを抑制できる。また、アンテナ長を、高周波の波長の１／４以下に短くすることで、定在波の影響によるプラズマのむらに起因したスパッタむら（不均一さ）を抑制することが出来る。また、アンテナをチャンバー内に収容できるのでプラズマ生成効率を向上できる。さらに、成膜対象の基板サイズに応じて、高周波アンテナ８０の個数を増加させるとともに、ターゲットのサイズを大きくすることにより基板サイズが大きい場合でも、スパッタリング速度の向上を図ることが出来る。
【００４５】
Ｕ字形の高周波アンテナは巻数が１周未満の誘導結合アンテナに相当し、巻数が1周以上の誘導結合アンテナよりもインダクタンスが低いため、高周波アンテナの両端に発生する高周波電圧が低減され、生成するプラズマへの容量結合に伴うプラズマ電位の高周波揺動が抑制される。このため、対地電位へのプラズマ電位揺動に伴う過剰な電子損失が低減され、プラズマ電位が低減される。これにより、基板上での低イオンダメージの薄膜形成プロセスが可能となる。高周波アンテナ８０を構成する金属製パイプ状導体は、プラズマ処理装置１０の使用時に水などの冷媒１５１をその内部に通過させることにより高周波アンテナ８０を冷却する機能を有する。高周波アンテナ８０の高さ方向の位置は、ターゲット６０の表面近傍のプラズマ密度がより高くなるように、「Ｕ」の字の底部がターゲット６０の上面が同程度の高さよりも数センチ程度高くなるように調整されている。なお、ターゲット６０およびベース板１４なども非常に高温になるため、好ましくは、高周波アンテナ８０と同様に、冷媒１５１によって冷却される。
【００４６】
高周波アンテナ８０の上端側の一部は、アンテナ固定ブロック１８２を貫通して、チャンバー１１の内部側に突設されている。高周波アンテナ８０の該突設部分は、石英などからなる誘電体の保護パイプ４１１により覆われている。
【００４７】
なお、マグネトロンスパッタ用磁石１２によるターゲット６０表面の水平磁束密度の最大値は、２０乃至５０ｍＴ（ミリテスラ）で、高周波誘導結合アンテナの支援がない場合の磁束密度（６０乃至１００ｍＴ）よりも低い磁束密度でも十分なプラズマを生成するこができる。なお、高周波誘導結合アンテナによるプラズマ発生の支援がされないとしても本発明の有用性を損なうものではない。また、高周波誘導結合アンテナによるプラズマ発生の支援がされる場合に於いて、巻数が一周以上の高周波誘導結合アンテナが使用されてもよい。また、高周波誘導結合アンテナがチャンバー１１内ではなく外部に設けられてもよい。また、図１に示されるプラズマ処理装置１０の構成例では、ターゲット６０、マグネトロンカソード、および高周波アンテナ８０に対して基板７４（キャリア７５）が上方に設けられているが、下方に設けられた構成が採用されてもよい。
【００４８】
ステージ１５は、ステージ１５の下面に設けられた図示省略の爪状部材などによって基板７４を保持することが出来る。キャリア７５は、板状のトレーなどによって構成されており、基板７４を着脱可能に保持する。基板７４は、例えば、シリコンウエハなどにより構成される。
【００４９】
上記のように構成されたプラズマ処理装置１０は、チャンバー１１に、スパッタガスを導入するとともに、原料ガスを導入してターゲット６０をスパッタし、当該ターゲット６０に対向する基板７４上にターゲットの材料と原料ガスとの化合物としてＤＬＣ積層構造体を成膜する。この成膜において、プラズマ処理装置１０は、例えば、原料ガスの供給量を変更することにより、成膜される膜の膜質を変更することができる。また、プラズマ処理装置１０は、基板７４に成膜した膜が形成されている状態で、チャンバー１１内にエッチングガスを導入し、エッチングガスをプラズマ化して形成された膜に作用させることで、プラズマエッチングを行うこともできる。プラズマ処理装置１０は、当該複数の成膜処理と、エッチング処理とを、１つの処理室１１３において、順次に行うことができる。
【００５０】
＜２．ＤＬＣ積層構造体の構成＞
図３は、実施形態に係るＤＬＣ積層構造体４１の構成例を模式的に示す断面図である。ＤＬＣ積層構造体４１は、基板７４の表面上に第１ＤＬＣ膜１と、第１ＤＬＣ膜１よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜２とが基板７４の表面の法線方向に沿って交互に積層されることにより形成されている。ＤＬＣ積層構造体４１は、一層の第２ＤＬＣ膜２とその両側に積層された２層の第１ＤＬＣ膜１からなる少なくとも３層のＤＬＣ膜が基板７４の表面上に積層されて形成されている。また、第２ＤＬＣ膜２は、第１ＤＬＣ膜１よりも膜厚が薄い。なお、第２ＤＬＣ膜２上に第１ＤＬＣ膜１が成膜される場合には、第１ＤＬＣ膜１の成膜前に第２ＤＬＣ膜２に対してエッチング処理が行われている。
【００５１】
図３に示されるＤＬＣ積層構造体４１は、基板７４の上に第１ＤＬＣ膜１、第２ＤＬＣ膜２、第１ＤＬＣ膜１、第２ＤＬＣ膜２、第１ＤＬＣ膜１の順に、５層のＤＬＣ膜が積層されている。また、各第１ＤＬＣ膜１の表面には、突起３１と、クラック３２が形成されているが、突起３１、クラック３２の形成されている位置は、層毎に異なっている。
【００５２】
第１ＤＬＣ膜１の厚みは、例えば、数十〜数百ｎｍである。第２ＤＬＣ膜２の厚みは、例えば、数十ｎｍである。図３の例では、５層のＤＬＣ膜が積層されているが、第１ＤＬＣ膜１と第２ＤＬＣ膜２とが交互に積層されることで、ＤＬＣ積層構造体４１の膜厚は、例えば、数ｕｍ〜１００ｕｍに達する。
【００５３】
以上のように構成された本実施形態に係るＤＬＣ積層構造体によれば、基板７４の表面上に第１ＤＬＣ膜１と、第１ＤＬＣ膜１よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜２とが当該表面の法線方向に沿って交互に積層されている。第２ＤＬＣ膜２は、第１ＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高いために第１ＤＬＣ膜１よりも柔らかいので、ＤＬＣ積層構造体は、可撓性に優れている。また、第１ＤＬＣ膜１に生ずるクラックは、通常、第１ＤＬＣ膜１が積層される毎に異なる場所に生ずるので、ＤＬＣ積層構造体においては、平面視において同一箇所に連続してクラックが発生することが抑制され、その結果として大きなクラックが生ずることが抑制される。
【００５４】
また、以上のように構成された本実施形態に係るＤＬＣ積層構造体によれば、第２ＤＬＣ膜は、第１ＤＬＣ膜よりも膜厚が薄いのでＤＬＣ積層構造体の膜質を、第１ＤＬＣ膜の膜質に近い膜質になるように、より均質化できる。
【００５５】
＜３．プラズマ処理装置の動作＞
図４〜図１０は、ＤＬＣ積層構造体の製造過程を説明するための図である。また、図１２は、プラズマ処理装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。以下、図４〜図１０を適宜参照しつつ、図１２に基づいて、プラズマ処理装置１０の動作について説明する。
【００５６】
なお、本実施形態に係るＤＬＣ積層構造体４１は、図１のプラズマ処理装置１０のように反応性スパッタリングによって成膜する装置だけではなく、プラズマＣＶＤ法によっても製造することができる。プラズマ処理装置１０の動作説明においては、プラズマＣＶＤ法によってＤＬＣ積層構造体４１を製造する際の動作についても適宜説明する。
【００５７】
先ず、プラズマ処理装置１０の制御部２００は、原料ガス供給部１９０に処理室１１３への原料ガス（具体的には、水素ガス）の供給を行わせるとともに、スパッタガス供給部１９１にＡｒなどのスパッタガスの供給を行わせる。プラズマ処理装置１０は、プラズマ発生部９０を駆動して、原料ガスとスパッタガスとをプラズマ化し、スパッタガスの活性種によってスパッタされた炭素と水素の活性種を基板７４上に堆積させることによって、基板７４上に第１ＤＬＣ膜１を成膜する（図１２のステップＳ１０、図４）。ターゲット６０の炭素と、原料ガスとして供給される水素とがＤＬＣ膜の成膜原料である。
【００５８】
プラズマＣＶＤによって第１ＤＬＣ膜１を成膜する場合には、原料ガスとして、例えば、メタン（ＣＨ４）ガス、トルエン（Ｃ６Ｈ５ＣＨ３）ガス、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスなどの炭化水素系のガスを用いる。この原料ガスがＤＬＣ膜の成膜原料である。そして、当該原料ガスをプラズマ化して、基板７４上に第１ＤＬＣ膜１を成膜する。
【００５９】
図４に示されるように、基板７４上に成膜された第１ＤＬＣ膜１の表面には、突起３１とクラック３２が発生している。
【００６０】
次にプラズマ処理装置１０の制御部２００は、原料ガス供給部１９０を制御して、処理室１１３への水素の供給量を増加させる。これにより、ステップＳ１０で形成された最上層の第１ＤＬＣ膜１に、第１ＤＬＣ膜１よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜２を成膜する（図１２のステップＳ２０、図５）。すなわち、プラズマ処理装置１０は、原料ガス（水素）を含み、水素の含有率がステップＳ１０での成膜原料よりも高い成膜原料をプラズマ化して第２ＤＬＣ膜２を成膜する。
【００６１】
また、プラズマＣＶＤにおいては、例えば、ステップＳ１０の原料ガス（成膜原料）としてトルエンガスを使用していた場合には、例えば、トルエンガスよりも水素の含有率が高いメタンガスをトルエンガスに代えて供給して第２ＤＬＣ膜２を成膜する。他の、原料ガスとして、例えば、トルエンガスとメタンガスとの混合ガスや、トルエンガスに水素ガスを添加したガスなどが用いられてもよい。何れの場合においても、水素の含有率がステップＳ１０での成膜原料よりも高い成膜原料が使用されて第２ＤＬＣ膜２が成膜される。
【００６２】
なお、ステップＳ２０で成膜される第２ＤＬＣ膜２は、次のステップＳ３０でエッチングされて膜厚が減少するため、予め、目標とする膜厚よりも厚めに形成される。ステップＳ２０で成膜される第２ＤＬＣ膜２の膜厚は、図５に示されるように、下層の第１ＤＬＣ膜１に形成された突起３１と同程度か、多少厚めに形成されることが好ましい。
【００６３】
ステップＳ２０における第２ＤＬＣ膜２の成膜が終了すると、プラズマ処理装置１０は、エッチングガス供給部１９４を制御して処理室１１３にエッチングガスを供給させる。プラズマ処理装置１０は、プラズマ発生部９０を動作させてエッチングガスをプラズマ化してステップＳ２０で形成された第２ＤＬＣ膜２に作用させることで、第２ＤＬＣ膜２のプラズマエッチングを行わせる（図１２のステップＳ３０、図６）。制御部２００は、当該プラズマエッチングの際には、ターゲット６０への電圧印加を停止する。これにより、ターゲット６０がスパッタされて第２ＤＬＣ膜２上に成膜が行われることを防止する。
【００６４】
プラズマ処理装置１０においても、また、プラズマＣＶＤによる製造においても、エッチングガスとしては、好ましくは、例えば、アルゴンガスと、水素ガスと、酸素ガスとのうち少なくとも１つのガスが用いられる。アルゴンガスと、水素ガスと、酸素ガスとのうち複数のガスがエッチングガスとして用いられる場合には、当該複数のガスは同時に供給されても良いし、順次に供給されても良い。酸素の活性種は、第２ＤＬＣ膜２の表面部分に含まれる炭素を除去する作用を有し、水素の活性種は、第２ＤＬＣ膜２の表面部分に含まれる水素を除去する作用を有し、Ａｒの活性種は、第２ＤＬＣ膜２の表面を粗面かつ均一にする作用を有する。また、エッチングの過程で、炭素と水素の不安定な結合基（ＣｘＨｙ）が第２ＤＬＣ膜２の表面部分に生ずるが、この結合基も当該エッチングガスの作用によって除去される。当該エッチングガスによるエッチングにより、第２ＤＬＣ膜２が全体的に平坦化されるとともに、その表面が粗面化されるので、次のステップにおいて第２ＤＬＣ膜上２に成膜される第１ＤＬＣ膜の密着性を高めることができる。なお、既述したように、プラズマエッチングの前後で、第２ＤＬＣ膜２の膜厚は全体的に減少する。また、図６に示されるように、エッチングされた第２ＤＬＣ膜２に包まれている突起３１は、エッチング前よりも高さが減少する。
【００６５】
次に、プラズマ処理装置１０の制御部２００は、ステップＳ１０と同じ供給量の水素の原料ガスを供給して、プラズマ処理装置１０に反応性スパッタリングを行わせることによって、エッチングされた第２ＤＬＣ膜２上に、第２ＤＬＣ膜２よりも水素の含有率が低い第１ＤＬＣ膜１を成膜する（図１２のステップＳ４０、図７）。すなわち、プラズマ処理装置１０は、ステップＳ１０と同じ組成の成膜原料を用いて、第１ＤＬＣ膜１を成膜する。プラズマＣＶＤによる成膜においても、ステップＳ１０と同じ組成の成膜原料、すなわち原料ガスを用いて第１ＤＬＣ膜１を成膜する。
【００６６】
図７に示されるように、ステップＳ４０で成膜された最上層の第１ＤＬＣ膜１と、ステップＳ１０で成膜された第１ＤＬＣ膜１とでは、通常、膜表面に生ずる突起３１、クラック３２の位置が異なる。
【００６７】
ステップＳ４０の成膜処理が終了すると、プラズマ処理装置１０の制御部２００は、成膜処理が予め定められ終了条件を満たすか否かを判定する（図１２のステップＳ５０）。当該終了条件は、例えば、ステップＳ２０〜ステップＳ４０の処理の繰り返し回数や、処理時間に関する条件である。
【００６８】
ステップＳ５０での判定において、終了条件が満たされていない場合には、制御部２００は、プラズマ処理装置１０の各部を制御して、再び、ステップＳ２０〜ステップＳ４０の処理を行わせる。
【００６９】
ステップＳ５０の判定の結果、終了条件が満たされていれば、制御部２００は、プラズマ処理装置１０の各部に成膜動作を中止させる。
【００７０】
図８〜図１０は、ステップＳ５０での判定の結果、ステップＳ２０〜ステップＳ４０がもう一度繰り返された場合のＤＬＣ積層構造体の状態を示している。この場合には、ＤＬＣ積層構造体は、５層のＤＬＣ膜が積層されて形成されている。通常、各第１ＤＬＣ膜１における突起３１、クラック３２の発生箇所は、第１ＤＬＣ膜１が成膜される毎に変化する。これにより、巨大なクラックが生ずることを抑制できる。
【００７１】
図１１は、基板１７４上に形成された比較技術に係るＤＬＣ膜１０１の構成例を模式的に示す断面図である。ＤＬＣ膜１０１は、同種類の処理を継続することによって形成されているため、膜厚が厚いものの、巨大なクラック１３２が生じている。また、本実施形態に係る方法によって製造されたＤＬＣ積層構造体４１と異なって、ＤＬＣ膜１０１は、硬いＤＬＣ膜同士の間に、当該硬いＤＬＣ膜よりも水素の含有率が高いことによって当該硬いＤＬＣ膜より柔らかいＤＬＣ膜が挟まれた構造を備えていない。このためＤＬＣ膜１０１には、可撓性が不足するといった問題もある。
【００７２】
以上のような本実施形態に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法によれば、基板７４の表面上に第１ＤＬＣ膜１が成膜され、第１ＤＬＣ膜上１に第１ＤＬＣ膜１よりも水素の含有率が高い第２ＤＬＣ膜２が成膜され、さらに第２ＤＬＣ膜２上に第１ＤＬＣ膜１が成膜されることによりＤＬＣ積層構造体が製造される。第２ＤＬＣ膜２は、第１ＤＬＣ膜１より水素の含有率が高いために第１ＤＬＣ膜１よりも柔らかいので、ＤＬＣ積層構造体は、可撓性に優れている。また、第１ＤＬＣ膜１に生ずるクラックは、通常、第１ＤＬＣ膜１が積層される毎に異なる場所に生ずるので、ＤＬＣ積層構造体においては、平面視において同一箇所に連続してクラックが発生することが抑制され、その結果として大きなクラックが生ずることが抑制される。さらに、第２ＤＬＣ膜２は、プラズマエッチングされるので粗面化され、その上に第１ＤＬＣ膜１が成膜される。従って、第１ＤＬＣ膜１と第２ＤＬＣ膜２とをより強固に密着させることができるので、ＤＬＣ積層構造体に含まれるＤＬＣ膜の剥離を抑制することができる。
【００７３】
また、以上のような本実施形態に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法によれば、第２ＤＬＣ膜と、その膜上に成膜された第１ＤＬＣ膜とを含む積層構造が、繰り返し積層されるので、可撓性に優れた膜厚の厚いＤＬＣ積層構造体を製造できる。
【００７４】
また、以上のような本実施形態に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法によれば、第２ＤＬＣ膜２の表面部分に含まれる炭素、水素、または炭素と水素の結合基（ＣｘＨｙ）が除去されるとともに、第２ＤＬＣ膜２の表面が粗面かつ均一になる。これにより、第２ＤＬＣ膜２が全体的に平坦化されるとともに、その表面が粗面化されるので、第２ＤＬＣ膜２上に成膜される第１ＤＬＣ膜１の密着度を高めることができる。
【００７５】
また、以上のような本実施形態に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法によれば、エッチングガスとして、安価で入手が容易であるＡｒガス、水素ガス、および酸素ガスのうち少なくとも１つのガスが用いられるので、エッチングに要するコストを抑制できる。
【００７６】
また、以上のような本実施形態に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法によれば、第１ＤＬＣ膜１上に第１ＤＬＣ膜１よりも膜厚が薄い第２ＤＬＣ膜２が成膜されるので、ＤＬＣ積層構造体の膜質を、第１ＤＬＣ膜１の膜質に近い膜質になるように、より均質化できる。
【００７７】
また、以上のような本実施形態に係るＤＬＣ積層構造体の製造方法によれば、巻数が一周未満の高周波アンテナ８０に高周波電力を供給することにより発生する誘導結合プラズマによって成膜原料およびエッチングガスのプラズマ化が行われる。これにより、成膜レートおよびエッチングレートを向上できるので、ＤＬＣ積層構造体の製造に要する時間を短縮できる。
【００７８】
本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１０  プラズマ処理装置
１１  チャンバー
１２  マグネトロンスパッタ用磁石
１６１  高周波電源
１６２  スパッタ用電源
１９  スパッタガス導入部
１９０  原料ガス供給部
１９１  スパッタガス供給部
１９４  エッチングガス供給部
１  第１ＤＬＣ膜
２  第２ＤＬＣ膜
２００  制御部
３１  突起
３２  クラック
４１  ＤＬＣ積層構造体
６０  ターゲット
７４  基板
８０  高周波アンテナ
９０  プラズマ発生部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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