(57)【要約】      （修正有）【課題】実装状態で生じ得る音鳴きを抑制できると共に、数百ＭＨｚ以上の高周波数領域におけるＥＳＬを低減できる積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０のコンデンサ本体１１は、３０層の内部電極層のうちの１層を共用内部電極層１４ｃｏとした高容量部ＣＰ１と低容量部ＣＰ２とを高さ方向に連続して有している。高容量部ＣＰ１は２３層の内部電極層と１層の共用内部電極層１４ｃｏを含み、低容量部ＣＰ２は１層の共用内部電極層１４ｃｏと６層の内部電極層を含んでいて、高容量部ＣＰ１に含まれる２４層の内部電極層及び１４ｃｏの対向間隔よりも、低容量部ＣＰ２に含まれる６層の内部電極層及び１４ｃｏの対向間隔が広い。【選択図】図３
2016187036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の相対する端部の一方に設けられた第１外部電極と、前記コンデンサ本体の相対する端部の他方に設けられた第２外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記コンデンサ本体は、誘電体で構成された第１保護部と、Ｎ層（Ｎは３以上の整数）の内部電極層が誘電体層を介して積層された容量部と、誘電体で構成された第２保護部とを、同順序で高さ方向に層状に並ぶように有しており、
前記Ｎ層の内部電極層は、各々の輪郭形状が同等で、高さ方向一方から奇数番目の前記第１外部電極側の端縁が該第１外部電極に電気的に接続され、高さ方向一方から偶数番目の前記第２外部電極側の端縁が該第２外部電極に電気的に接続されており、
前記容量部は、前記Ｎ層の内部電極層のうちの最上位層及び最下位層を除く１層を共用内部電極層とした高容量部と低容量部とを高さ方向に連続して有しており、
前記高容量部に含まれるｎ１層（ｎ１は２以上の整数で前記共用内部電極層を含む）の内部電極層の対向間隔よりも、前記低容量部に含まれるｎ２層（ｎ２は２以上の整数で前記共用内部電極層を含む）の内部電極層の対向間隔は広く、
前記高容量部に含まれるｎ１層の内部電極層の対向間隔をＦＩ１とし、前記低容量部に含まれるｎ２層の内部電極層の対向間隔をＦＩ２としたとき、ＦＩ１とＦＩ２は４．０≦ＦＩ２／ＦＩ１≦１２．６の条件を満足している、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記高容量部の容量をＣｃｐ１とし、前記低容量部の容量をＣｃｐ２としたとき、Ｃｃｐ１とＣｃｐ２は０．００４≦Ｃｃｐ２／Ｃｃｐ１≦０．０５の条件を満足している、
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記積層セラミックコンデンサの長さをＬとし幅をＷとし高さをＨとしたとき、ＬとＷとＨはＬ＞Ｈ＞Ｗの条件を満足している、
請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、一般に、長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体と、コンデンサ本体の長さ方向一端部に設けられた第１外部電極と、コンデンサ本体の長さ方向他端部に設けられた第２外部電極とを備えている。コンデンサ本体は、誘電体で構成された第１保護部と、複数層の内部電極層が誘電体層を介して積層された容量部と、誘電体で構成された第２保護部とを、同順序で高さ方向に層状に並ぶように有している。また、容量部に含まれる複数の内部電極層は、高さ方向一方から奇数番目の第１外部電極側の端縁が該第１外部電極に電気的に接続され、高さ方向一方から偶数番目の第２外部電極側の端縁が該第２外部電極に電気的に接続されている。
【０００３】
前掲の積層セラミックコンデンサは、一般に、第１外部電極及び第２外部電極の高さ方向下側面をハンダを用いて回路基板の２個の導体パッドそれぞれに接続することによって所期の実装が行われる。この実装状態において各導体パッドを通じて第１外部電極及び第２外部電極に電圧、特に交流電圧が印加されると、コンデンサ本体に電歪現象に基づく伸縮（主として容量部が長さ方向に縮むような収縮とその復元）が生じ、この伸縮に伴う応力が回路基板に伝わって振動（主として導体パッド間部分が凹むような反りとその復元）を招来し、この振動によって可聴周波数帯域（２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚ）の音が発生することがある。
【０００４】
前掲の音の発生（所謂、音鳴き）に関しては種々の対策が試みられており、その中の１つとして図１に示したような積層セラミックコンデンサ１００の構造が知られている（例えば、後記特許文献１を参照）。因みに、図１中の１０１はコンデンサ本体、１０２は第１外部電極、１０３は第２外部電極、ＰＰ１は第１保護部、ＣＰは容量部、ＰＰ２は第２保護部、１０４は内部電極層、１０５は誘電体層であり、構造詳細は先に述べた通りである。この積層セラミックコンデンサ１００は、第１保護部ＰＰ１の厚さよりも第２保護部ＰＰ２の厚さを厚くすることによって、容量部ＣＰの高さ方向位置を上側にシフトしたことが構造上の特徴となっている。
【０００５】
図１に示した積層セラミックコンデンサ１００は、前記同様、第１外部電極１０２及び第２外部電極１０３の高さ方向下側面をハンダを用いて回路基板の２個の導体パッドそれぞれに接続することによって所期の実装が行われる。しかしながら、この積層セラミックコンデンサ１００は、実装状態において容量部ＣＰが各導体パッドから上側に離れてしまうため、電流ルートの増長に伴ってＥＳＬ（等価直列インダクタンス）が増加してしまう。
【０００６】
前掲のＥＳＬは高周波数領域、とりわけ数百ＭＨｚ以上の高周波数領域における信号伝送に悪影響を与えるものであるため、図１に示した積層セラミックコンデンサ１００を高周波回路を構成する部品として用いると、高周波信号が流れたときの伝送損失が高くなってコンデンサ本来の能力が発揮し難くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−２５１５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、実装状態で生じ得る音鳴きを抑制できると共に、数百ＭＨｚ以上の高周波数領域におけるＥＳＬを低減できる積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明は、長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の相対する端部の一方に設けられた第１外部電極と、前記コンデンサ本体の相対する端部の他方に設けられた第２外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサであって、前記コンデンサ本体は、誘電体で構成された第１保護部と、Ｎ層（Ｎは３以上の整数）の内部電極層が誘電体層を介して積層された容量部と、誘電体で構成された第２保護部とを、同順序で高さ方向に層状に並ぶように有しており、前記Ｎ層の内部電極層は、各々の輪郭形状が同等で、高さ方向一方から奇数番目の前記第１外部電極側の端縁が該第１外部電極に電気的に接続され、高さ方向一方から偶数番目の前記第２外部電極側の端縁が該第２外部電極に電気的に接続されており、前記容量部は、前記Ｎ層の内部電極層のうちの最上位層及び最下位層を除く１層を共用内部電極層とした高容量部と低容量部とを高さ方向に連続して有しており、前記高容量部に含まれるｎ１層（ｎ１は２以上の整数で前記共用内部電極層を含む）の内部電極層の対向間隔よりも、前記低容量部に含まれるｎ２層（ｎ２は２以上の整数で前記共用内部電極層を含む）の内部電極層の対向間隔は広い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、実装状態で生じ得る音鳴きを抑制できると共に、数百ＭＨｚ以上の高周波数領域におけるＥＳＬを低減できる積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は従来の積層セラミックコンデンサの縦断面図である。
【図２】図２（Ａ）は本発明を適用した積層セラミックコンデンサを高さ方向一面から見た図、図２（Ｂ）は同積層セラミックコンデンサを幅方向一面から見た図である。
【図３】図３は図２（Ａ）のＳ−Ｓ線に沿う拡大断面図である。
【図４】図４は図３に記したＸ部分の拡大図である。
【図５】図５は評価用サンプルそれぞれの仕様を示す図である。
【図６】図６は図５に示した評価用サンプルそれぞれのＥＳＬ特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
《積層セラミックコンデンサの基本構造》
先ず、図２〜図４を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０の基本構造について説明する。因みに、図３には後記内部電極層１４が３０層描かれているが、これは図示の都合に依るものであって後記内部電極層１４の総層数を制限するものではない。
【００１３】
図２〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０は、長さ、幅及び高さで規定された略直方体状のコンデンサ本体１１と、コンデンサ本体１１の長さ方向一端部に設けられた第１外部電極１２と、コンデンサ本体１１の長さ方向他端部に設けられた第２外部電極１３とを備えている。この積層セラミックコンデンサ１０は、基準寸法下で長さＬ＞高さＨ＞幅Ｗの条件を満足する略直方体状を成している。因みに、ここでの「基準寸法」は、製造公差を含まない設計上の基準寸法を指すものであり、以下の記載で使用した基準寸法も同義である。
【００１４】
図３に示したように、コンデンサ本体１１は、誘電体で構成された第１保護部ＰＰ１と、３０層の内部電極層１４が誘電体層１５を介して積層された容量部ＣＰと、誘電体で構成された第２保護部ＰＰ２とを、同順序で高さ方向に層状に並ぶように有している。３０層の内部電極層１５は各々の輪郭形状が同等の矩形であり、各々の長さ及び幅はコンデンサ本体１１の長さ及び幅よりも小さい。また、３０層の内部電極層１５は、高さ方向一方（図３では上）から奇数番目の第１外部電極１２側の端縁が該第１外部電極１２に電気的に接続され、高さ方向一方（図３では上）から偶数番目の第２外部電極１３側の端縁が該第２外部電極に電気的に接続されている。
【００１５】
また、図３に示したように、容量部ＣＰは、３０層の内部電極層１５のうちの最上位層及び最下位層を除く１層、具体的には高さ方向一方（図３では上）から２４番目の１層を共用内部電極層１４ｃｏとした高容量部ＣＰ１と低容量部ＣＰ２とを高さ方向に（図３では上から下に向かって）連続して有している。即ち、高容量部ＣＰ１は２３層の内部電極層１４-1（図４を参照）と１層の共用内部電極層１４ｃｏを含み、低容量部ＣＰ２は１層の共用内部電極層１４ｃｏと６層の内部電極層１４-2（図４を参照）を含んでいる。換言すれば、高容量部ＣＰ１と低容量部ＣＰ２は、共用内部電極層１４ｃｏを境として高さ方向に連続しているため、両者の間には容量非形成の隙間は存在しない。
【００１６】
さらに、図３及び図４に示したように、高容量部ＣＰ１に含まれる２４層の内部電極層１４（２３層の内部電極層１４-1と１層の共用内部電極層１４ｃｏ）の対向間隔ＦＩ１よりも、低容量部ＣＰ２に含まれる７層の内部電極層１４（１層の共用内部電極層１４ｃｏと６層の内部電極層１４-2）の対向間隔ＦＩ２は広い。因みに、対向間隔ＦＩ１は高容量部ＣＰ１に含まれる誘電体層１５-1（図４を参照）の厚さに相当し、対向間隔ＦＩ２は低容量部ＣＰ２に含まれる誘電体層１５-2（図４を参照）の厚さに相当する。
【００１７】
つまり、低容量部ＣＰ２に含まれる２４層の内部電極層１４の対向間隔ＦＩ２が高容量部ＣＰ１に含まれる内部電極層１４の対向間隔ＦＩ２よりも広く、しかも、低容量部ＣＰ２に含まれる７層の内部電極層１４の層数が高容量部ＣＰ１に含まれる２４層の内部電極層１４の層数よりも少ないことから、低容量部ＣＰ２の容量Ｃｃｐ２は高容量部ＣＰ１の容量Ｃｃｐ１よりも小さい。
【００１８】
さらに、図２及び図３に示したように、第１外部電極１２及び第２外部電極１３のそれぞれは、コンデンサ本体１１の長さ方向端面を覆う端面部と、コンデンサ本体１１の長さ方向端面と隣接する４面（幅方向両面と高さ方向両面）の一部を覆う回り込み部とを連続して有している。
【００１９】
尚、第１保護部ＰＰ１と各誘電体層１５と第２保護部ＰＰ２は、好ましくは組成が略同じで誘電率も略同じ誘電体セラミックスから成る。ここでの「組成が略同じで誘電率も略同じ誘電体セラミックス」は、組成と誘電率が同じ誘電体セラミックスの他、焼結度合等の関係から組成と誘電率の少なくとも一方が許容範囲内で若干異なる誘電体セラミックスを指す。この誘電体セラミックスには、好ましくはチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、より好ましくはε＞１０００又はクラス２（高誘電率系）の誘電体セラミックスを使用できる。また、この誘電体セラミックスは、好ましくは、前記主成分の他に、（１）マンガン、ニオブ、モリブデン、バナジウム、タングステン等の遷移金属の化合物、（２）ガドリニウム、ディスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、イッテルビウム等の希土類金属の化合物、（３）マグネシウム化合物、（４）二酸化ケイ素等のケイ素化合物、のうちの少なくとも１つを副成分として含んでいる。この副成分の含有量は、遷移金属化合物の場合は主成分１００モルに対して好ましくは０．１〜０．５モル、希土類金属化合物の場合は主成分１００モルに対して好ましくは０．１〜１．０モル、マグネシウム化合物の場合は主成分１００モルに対して好ましくは０．１〜０．５モル、ケイ素化合物の場合は主成分１００モルに対して好ましくは０．１〜１．５モルである。
【００２０】
また、各内部電極層１４は、好ましくは組成が略同じ良導体から成る。ここでの「組成が略同じ良導体」は、組成が同じ良導体の他、焼結度合等の関係から組成が許容範囲内で若干異なる良導体を指す。この良導体には、好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体を使用できる。
【００２１】
さらに、第１外部電極１２及び第２外部電極１３は、コンデンサ本体１１の外面に密着した下地膜と、該下地膜の外面に密着した表面膜との２層構造、或いは、下地膜と表面膜との間に少なくとも１つの中間膜を有する多層構造を有している。下地膜は例えば焼き付け膜から成り、該焼き付け膜には、好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体を使用できる。表面膜は例えばメッキ膜から成り、該メッキ膜には、好ましくはスズ、パラジウム、金、亜鉛、これらの合金等を主成分とした良導体を使用できる。中間膜は例えばメッキ膜から成り、該メッキ膜には、好ましくは白金、パラジウム、金、銅、ニッケル、これらの合金等を主成分とした良導体を使用できる。
【００２２】
《積層セラミックコンデンサの基本製法》
次に、図２〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０の基本製法について説明する。ここでは、第１保護部ＰＰ１と各誘電体層１５と第２保護部ＰＰ２がチタン酸バリウムを主成分とした誘電体セラミックスから成り、各内部電極層１４がニッケルを主成分とした良導体から成る場合を例に挙げて基本製法を説明するが、これら材質は説明の都合に依るものであって各々の材質を制限するものではない。
【００２３】
製造に際しては、チタン酸バリウム粉末（主成分）と、副成分と、エタノール（溶剤）と、ポリビニルブチラール（バインダ）と、分散剤等の添加剤等と、を含むセラミックスラリーを用意すると共に、ニッケル粉末と、ターピネオール（溶剤）と、エチルセルロース（バインダ）と、分散剤等の添加剤と、を含む金属ペーストを用意する。セラミックスラリーの副成分は、チタン酸バリウム１００モルに対して０．３モルの酸化マンガンと０．５モルの酸化ホルミウムと１．０モルの二酸化ケイ素である。
【００２４】
続いて、ダイコータやグラビアコータ等の塗工装置と乾燥装置とを用いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製する。また、スクリーン印刷機やグラビア印刷機等の印刷装置と乾燥装置とを用いて、第１グリーンシートの表面に金属ペーストをマトリクス状又は千鳥状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第２グリーンシートを作製する。
【００２５】
続いて、打ち抜き刃及びヒータを有する可動式吸着ヘッド等の積層装置を用いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着して第２保護部ＰＰ２に対応した部位を作製する。
【００２６】
続いて、前記同様の積層装置を用いて、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）の上に第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返して低容量部ＣＰ２に対応した部位を作製する。
【００２７】
続いて、前記同様の積層装置を用いて、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着して高容量部ＣＰ１に対応した部位を作製する。
【００２８】
続いて、前記同様の積層装置を用いて、第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着して第１保護部ＰＰ１に対応した部位を作製する。
【００２９】
続いて、熱間静水圧プレス機や機械式又は油圧式プレス機等の本圧着装置を用いて、前記各部位を積み重ねたものを本熱圧着して、未焼成積層シートを作製する。
【００３０】
続いて、ブレードダイシング機やレーザーダイシング機等の切断装置を用いて、未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。
【００３１】
続いて、トンネル型焼成炉や箱型焼成炉等の焼成装置を用いて、多数の未焼成チップを還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、チタン酸バリウム及びニッケルに応じた温度プロファイルにて焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、コンデンサ本体１１を作製する。
【００３２】
続いて、ローラ塗布機やディップ塗布機等の塗布装置と乾燥装置とを用いて、コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に金属ペースト（前記の金属ペーストを流用）を塗布し乾燥して、前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って下地膜を形成した後、下地膜を覆う表面膜、或いは、中間膜と表面膜を電解メッキ等のメッキ処理で形成して、第１外部電極１２及び第２外部電極１３を作製する。因みに、下地膜は、未焼成チップの長さ方向両端部に電極ペーストを塗布して乾燥した後、これを未焼成チップと同時焼成することによって作製しても良い。
【００３３】
尚、前掲の「低容量部ＣＰ２に対応した部位を作製するステップ」では、対向間隔ＦＩ１よりも広い対向間隔ＦＩ２を確保するために、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）の上に第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねるようにしたが、第１グリーンシートよりも厚さが厚い別のグリーンシートの表面に内部電極層用パターン群が形成された第３グリーンシートを作製を予め作成しておけば、第３グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着することによって低容量部ＣＰ２に対応した部位を作製することもできる。
【００３４】
《評価用サンプルの仕様》
次に、図５を引用して、効果を確認するために用意した評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２、ＳＡ３及びＳＡｒの仕様について説明する。因みに、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３は図２〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０に対応し、評価用サンプルＳＡｒは図１に示した従来の積層セラミックコンデンサ１００に対応しているため、以下の記載では各図に記した符号を適宜流用する。
【００３５】
図５に記していないが、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２、ＳＡ３及びＳＡｒの第１保護部ＰＰ１と各誘電体層１５（１０５）と第２保護部ＰＰ２はチタン酸バリウムを主成分とした誘電体セラミックスから成り、各内部電極層１４（１０４）はニッケルを主成分とした良導体から成る。また、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２、ＳＡ３及びＳＡｒの第１外部電極１２（１０２）及び第２外部電極１３（１０３）の厚さ（基準寸法）は３０μｍで、回り込み部の長さ（基準寸法）は２５０μｍである。
【００３６】
図５に示したように、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３の長さＬ、幅Ｗ及び高さＨ（何れも基準寸法）は同じであり、これらと評価用サンプルＳＡｒの長さ、幅及び高さ（何れも基準寸法）も同じである。また、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３の高容量部ＣＰ１に含まれる内部電極層１４の層数ＮＯＬ１４と厚さＴ１４（基準寸法）と対向間隔ＦＩ１（基準寸法）は同じであり、これらと評価用サンプルＳＡｒの容量部ＣＰに含まれる内部電極層１０４の層数と厚さ（基準寸法）と対向間隔（基準寸法）も同じである。
【００３７】
評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３の仕様上の相違点は、各々の低容量部ＣＰ２に含まれる内部電極層１４の層数ＮＯＬ１４と対向間隔ＦＩ２の値が異なる点にある。具体的には、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３の低容量部ＣＰ２に含まれる内部電極層１４の厚さＴ１４（基準寸法）は同じであるものの、評価用サンプルＳＡ１の低容量部ＣＰ２に含まれる内部電極層１４の層数ＮＯＬ１４と対向間隔ＦＩ２（基準寸法）は５０層と３．１０μｍ、評価用サンプルＳＡ２の低容量部ＣＰ２に含まれる内部電極層１４の層数ＮＯＬ１４と対向間隔ＦＩ２（基準寸法）は４２層と４．１０μｍ、評価用サンプルＳＡ３の低容量部ＣＰ２に含まれる内部電極層１４の層数ＮＯＬ１４と対向間隔ＦＩ２（基準寸法）は２０層と９．７０μｍとなっている。因みに、評価用サンプルＳＡｒには、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３のような低容量部ＣＰ２は存在しない。
【００３８】
尚、図５に記した「Ｃｃｐ２／Ｃｃｐ１」は、高容量部ＣＰ１の容量Ｃｃｐ１に対する低容量部ＣＰ２の容量Ｃｃｐ２の比を示す。具体的には、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３の低容量部ＣＰ２は何れも低値ながらも容量を形成していることから、評価用サンプルＳＡ１のＣｃｐ２／Ｃｃｐ１は０．０５、評価用サンプルＳＡ２のＣｃｐ２／Ｃｃｐ１は０．０３、評価用サンプルＳＡ３のＣｃｐ２／Ｃｃｐ１は０．００４となっている。因みに、評価用サンプルＳＡｒには、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３のような低容量部ＣＰ２は存在しないため、「Ｃｃｐ２／Ｃｃｐ１」は算出できない。
【００３９】
《音鳴き抑制の評価》
次に、前掲の評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２、ＳＡ３及びＳＡｒを用いて、音鳴き抑制の評価を行った結果について説明する。
【００４０】
評価に際しては、２個の導体パッドが形成された基板を必要枚数用意し、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２、ＳＡ３及びＳＡｒの第１外部電極１２（１０２）及び第２外部電極１３（１０３）の高さ方向下側面をハンダを用いて基板の２個の導体パッドそれぞれに接続した評価用基板を、評価用サンプル毎に１０個ずつ作製した。因みに、基板はエポキシ樹脂製、基板の厚さは８００μｍ、各導体パッドは銅製、各導体パッドの厚さは３５μｍ、各導体パッドは幅が５００μｍで長さが５５０μｍの矩形、ハンダはスズ−アンチモン系ハンダ、ハンダ量はクリームハンダの塗布厚さ換算で５０μｍである。
【００４１】
続いて、計４０個の評価用基板の２個の導体パッドに、交流電圧５Ｖを周波数を０〜１ＭＨｚに上げながら印加し、このときに発生した可聴周波数帯域（２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚ）の最大音量を、ＴＹＰｅ−３５６０−Ｂ１３０（ブリュエル・ケア・ジャパン製）を用いて、防音・無響室（横浜音環境システムズ製）の中で個別に測定し、評価用サンプル毎の最大音量の平均値を算出した。
【００４２】
算出の結果、評価用サンプルＳＡ１の最大音量の平均値は１８．６ｄｂ、評価用サンプルＳＡ２の最大音量の平均値は１８．３ｄｂ、評価用サンプルＳＡ３の最大音量の平均値は１８．４ｄｂ、評価用サンプルＳＡｒの最大音量の平均値は１８．７ｄｂであり、何れも音鳴きの理想上限値である２５ｄｂを下回っていることが確認できた。要するに、図２〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０に対応する評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３は、何れも音鳴き抑制に有効であると言える。
【００４３】
《ＥＳＬ低減の評価》
次に、前掲の評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２、ＳＡ３及びＳＡｒを用いて、ＥＳＬ低減の評価を行った結果について説明する。
【００４４】
評価に際しては、前記同様の評価用基板を評価用サンプル毎に１０個ずつ作製し、各評価用基板の２個の導体パッドに、オシレーションレベルを０ｄｂｍとして周波数を１ＭＨｚ〜２ＧＨｚの範囲で印加し、このときに発生したＥＳＬ（ＥＳＬ特性）を、４９９１Ａ（アジレント・テクノロジー製）を用いて個別に測定し、評価用サンプル毎の周波数別の平均値を算出した。
【００４５】
図６は、評価用サンプル毎の周波数別の平均値を、横軸が周波数（ＭＨｚ）で縦軸がＥＳＬ（ｎＨ）のグラフにプロットしてＥＳＬ特性線を描いたものである。図６から分かるように、評価用サンプルＳＡ１のＥＳＬは７．５ＭＨｚ〜２ＧＨｚの周波数範囲において評価用サンプルＳＡｒのＥＳＬよりも低く、評価用サンプルＳＡ２のＥＳＬは７５ＭＨｚ〜２ＧＨｚの周波数範囲において評価用サンプルＳＡｒのＥＳＬよりも低く、評価用サンプルＳＡ３のＥＳＬは４ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数範囲と５５０ＭＨｚ〜２ＧＨｚの周波数範囲において評価用サンプルＳＡｒのＥＳＬよりも低い。
【００４６】
評価用サンプルＳＡｒのＥＳＬ特性との比較において、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３のＥＳＬ特性に基づく共通の優位点は、５５０ＭＨｚ〜２ＧＨｚの周波数範囲におけるＥＳＬが、評価用サンプルＳＡｒの同周波数範囲におけるＥＳＬよりも低いことにある。要するに、図２〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０に対応する評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３は何れも５５０ＭＨｚ以上の高周波数領域におけるＥＳＬ低減に有効であり、これらを高周波回路を構成する部品として用いた場合でもコンデンサ本来の能力が発揮できると言える。
【００４７】
先に述べたように、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３は何れも高容量部ＣＰ１と低容量部ＣＰ２が共用内部電極層１４ｃｏを境として高さ方向に連続している点において評価用サンプルＳＡｒと構造を相違しており、評価用サンプルＳＡｒが有しない低容量部ＣＰ２は図５に記した「Ｃｃｐ２／Ｃｃｐ１」の値や、図５に記した「ＦＩ１」と「ＦＩ２」の値で特徴付けることもできる。
【００４８】
つまり、図５に記した「Ｃｃｐ２／Ｃｃｐ１」の値を踏まえて言い換えれば、高容量部ＣＰ１の容量Ｃｃｐ１と低容量部ＣＰ２の容量Ｃｃｐ２とが０．００４≦Ｃｃｐ２／Ｃｃｐ１≦０．０５の条件を満足していれば、ＥＳＬ低減効果を同様に発揮できると言うこともできる。一方、図５に記した「ＦＩ１」と「ＦＩ２」の値を踏まえて言い換えれば、高容量部ＣＰ１に含まれる内部電極層１４の対向間隔ＦＩ１と低容量部ＣＰ２に含まれる内部電極層１４の対向間隔ＦＩ２とが４．０≦ＦＩ２／ＦＩ１≦１２．６の条件を満足していれば、ＥＳＬ低減効果を同様に発揮できると言うこともできる。
【００４９】
また、評価用サンプルＳＡｒのＥＳＬ特性との比較において、評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３のＥＳＬ特性に基づく個別の優位点は、評価用サンプルＳＡ１のＥＳＬ低減が高周波数領域を含む広い周波数範囲で為され、評価用サンプルＳＡ３のＥＳＬ低減が高周波数領域に特化して為され、評価用サンプルＳＡ２のＥＳＬ低減が評価用サンプルＳＡ１及びＳＡ３の中間的な特色で為されるものとなっていることにある。要するに、図２〜図４に示した積層セラミックコンデンサ１０に対応する評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３はＥＳＬ低減に有用な周波数範囲が異なることから、これらを高周波回路を構成する部品として用いる際にその使用周波数範囲を考慮して選択的に用いることができ、これにより使用周波数範囲に適合したＥＳＬ低減効果を適切に得ることができる。
【００５０】
《評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３に関する補足》
（１）図５を引用して説明した評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３として、長さＬ（基準寸法）が１１８０μｍで幅Ｗ（基準寸法）が６８０μｍで高さＨ（基準寸法）が８８０μｍのものを例示したが、基準寸法下で長さＬ＞高さＨ＞幅Ｗの条件を満足していれば、長さＬ、幅Ｗ及び高さＨの値が前記値と異なっていても、前記同様の音鳴き抑制効果及びＥＳＬ低減効果を得ることができる。勿論、高容量部ＣＰ１と低容量部ＣＰ２が共用内部電極層１４ｃｏを境として高さ方向に連続している構造であれば、基準寸法下で長さＬ＞幅Ｗ＝高さＨの条件又は長さＬ＞幅Ｗ＞高さＨの条件を満足するものであっても、前記同様の音鳴き抑制効果及びＥＳＬ低減効果を得ることができる。
【００５１】
（２）図５を引用して説明した評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３として、高容量部ＣＰ１に含まれる内部電極層１４の層数ＮＯＬ１４が３８６層で厚さＴ１４（基準寸法）が０．７０μｍで対向間隔ＦＩ１（基準寸法）が０．７７μｍであり、低容量部ＣＰ２に内部電極層１４の層数ＮＯＬ１４が５０層と４２層と２０層で厚さＴ１４（基準寸法）が０．７０μｍで対向間隔ＦＩ２（基準寸法）が３．１０μｍと４．１０μｍと９．７０μｍであるものを示したが、高容量部ＣＰ１と低容量部ＣＰ２が共用内部電極層１４ｃｏを境として高さ方向に連続している構造であれば、高容量部ＣＰ１に含まれる内部電極層１４の層数ＮＯＬと厚さＴ１４と対向間隔ＦＩ１と低容量部ＣＰ２に内部電極層１４の層数ＮＯＬ１４と厚さＴ１４（基準寸法）と対向間隔ＦＩ２が前記値と異なっていても、前記同様の音鳴き抑制効果及びＥＳＬ低減効果を得ることができる。
【００５２】
（３）図５を引用して説明した評価用サンプルＳＡ１、ＳＡ２及びＳＡ３として、チタン酸バリウムを主成分として含み、且つ、チタン酸バリウム１００モルに対して０．３モルの酸化マンガンと０．５モルの酸化ホルミウムと１．０モルの二酸化ケイ素を副成分として含む誘電体セラミックスを第１保護部ＰＰ１と各誘電体層１５と第２保護部ＰＰ２に用いたものを示したが、各々に使用される誘電体セラミックスがε＞１０００又はクラス２（高誘電率系）の誘電体セラミックスであれば、主成分と副成分の少なくとも一方が前記と異なっていても、前記同様の音鳴き抑制効果及びＥＳＬ低減効果を得ることができる。また、主成分と副成分が同じ誘電体セラミックスを第１保護部ＰＰ１と各誘電体層１５と第２保護部ＰＰ２に用いたものを示したが、第１保護部ＰＰ１と各誘電体層１５と第２保護部ＰＰ２に使用される誘電体セラミックスがε＞１０００又はクラス２（高誘電率系）の誘電体セラミックスであれば、各誘電体層１５と第１保護部ＰＰ１及び第２保護部ＰＰ２とで主成分と副成分の少なくとも一方が異なる場合でも、前記同様の音鳴き抑制効果及びＥＳＬ低減効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００５３】
１０…積層セラミックコンデンサ、１１…コンデンサ本体、ＰＰ１…第１保護部、ＰＰ２…第２保護部、ＣＰ…容量部、ＣＰ１…高容量部、ＣＰ２…低容量部、１２…第１外部電極、１３…第２外部電極、１４，１４-1，１４-2…内部電極層、１４ｃｏ…共用内部電極層、ＦＩ１…高容量部の内部電極層の対向間隔、ＦＩ２…低容量部の内部電極層の対向間隔、１５，１５-1，１５-2…誘電体層、ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＡ３…評価用サンプル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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