(57)【要約】【課題】プリント配線板の電子部品が搭載されるパッドの接続信頼性の向上。【解決手段】金属箔上に、電極２１のパッド１２ａを含む第１導体層１２が形成される。その上に、第１導体層１２側の第１面１１ａと、反対側の第２面１１ｂとを有する樹脂絶縁層１１が形成される。金属箔が除去され、露出する第１導体層１２の一面上および樹脂絶縁層１１の第１面１１ａ上にシード層が形成される。パッド１２ａのピラー１７の形成場所に開口を有するマスクが形成される。マスクの開口で露出するシード層上に金属膜１７ｃが形成される。金属膜１７ｃが形成されずに露出するシード層が除去されて、金属膜１７ｃと金属層１７ｂとを含むピラー１７、およびパッド１２ａからなる電極２１が形成される。【選択図】図１
2016201477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と前記上面と反対側の下面とを有する金属箔を用意することと、
前記金属箔の前記下面上にパッドを含む第１導体層を形成することと、
前記金属箔の前記下面と前記第１導体層上に、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層を前記第１面が前記下面に対向するように形成することと、
前記金属箔を除去することで前記第１導体層と前記樹脂絶縁層の前記第１面を露出することと、
前記第１導体層および前記樹脂絶縁層の前記第１面上にシード層を形成することと、
前記パッドの中央部分上に形成されているシード層が露出されるように、前記シード層上にめっきレジストを形成することと、
前記めっきレジストから露出する前記シード層上に金属膜を形成することと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記金属膜から露出する前記シード層を除去することで、前記金属膜下に前記シード層から金属層を形成すること、
とを有するプリント配線板の製造方法であって、
前記金属層と前記金属層上の前記金属膜で電子部品を搭載するためのピラーが形成される。
【請求項２】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記樹脂絶縁層の第２面側から、前記樹脂絶縁層を貫通し、前記第１導体層を露出させる開口部を形成することと、
前記開口部内を導体で埋めることによりビア導体を形成すると共に、前記樹脂絶縁層の前記第２面に第２導体層を形成することと、
前記樹脂絶縁層の第１面上および前記第１導体層上に、前記パッドを露出する開口部を有するソルダーレジスト層を形成すること、
とをさらに有している。
【請求項３】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記ピラーと前記パッドとの境界部の外形が湾曲面である。
【請求項４】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記金属層の前記パッドと反対側の面が前記樹脂絶縁層の第１面より凹んでいる。
【請求項５】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記パッドのトップ面とボトム面の間の距離である厚さはピラーの下から外周部に行くにつれて薄くなるように、前記第１導体層がエッチングされる。
【請求項６】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記ピラーの側壁と前記パッドのトップ面とが直角に交わり、前記パッドのトップ面と前記ボトム面とが平行になるように、前記第１導体層がエッチングされる。
【請求項７】
請求項６記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記ピラーの下面と前記パッドのトップ面とが同一平面になるように、前記第１導体層がエッチングされる。
【請求項８】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、さらに、前記金属膜から露出する前記パッドを部分的に除去することで、前記金属層下に前記パッドと同じ材質からなる導体膜を形成することを含み、前記ピラーは前記導体膜を含む。
【請求項９】
請求項８記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記ピラーの前記導体膜および前記金属膜と前記金属層とが、エッチング速度の異なる材料により形成され、前記金属膜の径と前記金属層の径とが異なっている。
【請求項１０】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記ピラーの上面側と下面側とで前記ピラーの径が異なっている。
【請求項１１】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、前記めっきレジストを形成することは、前記パッドの外周上に形成されているシード層を前記めっきレジスト層で覆うことを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品搭載用の電極を有するプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、回路基板と半導体パッケージを開示している。そして、特許文献１の回路基板は、絶縁膜と絶縁膜の下面に形成されている下層配線と絶縁膜上に形成されている上層配線と絶縁膜を貫通し上層配線と下層配線を接続するビアホールを有している。絶縁膜の下面には凹部が形成されている。下層配線は、その凹部内に埋め込まれている。凹部内に埋め込まれた下層配線にエッチングバリア層が形成されている。エッチングバリア層上にバンプが接続されている。半導体デバイスがバンプに接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３２７７８０号公報
【発明の概要】
【背景技術の課題】
【０００４】
特許文献１は、特許文献１の図５に半導体パッケージを示している。特許文献１の図５によれば、半導体デバイスは回路基板の下層配線上に実装されている。特許文献１の図５に示されるように、下層配線は絶縁層から凹んでいる。そのため、半導体デバイスと下層配線との間の距離が長くなると考えられる。回路基板に半導体デバイスを実装することが難しいと予想される。半導体デバイスと絶縁膜との間隔が狭くなると考えられる。また、回路基板と半導体デバイス間にアンダーフィルを充填することが難しいと予想される。さらに、下層配線は一面を除いた全ての面が絶縁膜により囲まれている。左右への曲げの自由度がないと考えられる。回路基板と半導体デバイス間の接続信頼性が低いと予想される。また、回路基板の下層配線に半導体デバイスが直接バンプにより接続されている。半導体デバイスと回路基板との間に熱膨張率の差があると、熱膨張率差に基づく応力が吸収され難いと予想される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプリント配線板の製造法は、上面と前記上面と反対側の下面とを有する金属箔を用意することと、前記金属箔の前記下面上にパッドを含む第１導体層を形成することと、前記金属箔の前記下面と前記第１導体層上に、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層を前記第１面が前記下面に対向するように形成することと、前記金属箔を除去することで前記第１導体層と前記樹脂絶縁層の前記第１面を露出することと、前記第１導体層および前記樹脂絶縁層の前記第１面上にシード層を形成することと、前記パッドの中央部分上に形成されているシード層が露出されるように、前記シード層上にめっきレジストを形成することと、前記めっきレジストから露出する前記シード層上に金属膜を形成することと、前記めっきレジストを除去することと、前記金属膜から露出する前記シード層を除去することで、前記金属膜下に前記シード層から金属層を形成すること、とを有している。そして、前記金属層と前記金属層上の前記金属膜で電子部品を搭載するためのピラーが形成される。
【０００６】
本発明の実施形態のプリント配線板の製造方法によれば、電子部品の搭載作業やアンダーフィルの充填作業の容易なプリント配線板が得られる。また、電子部品とプリント配線板との間の熱膨張率差に対しても接続信頼性の大幅に高いプリント配線板が得られる。
【０００７】
また、電極の表面に応力がかかっても容易に破損しない強度の高い電極を有するプリント配線板が得られる。プリント配線板の接続信頼性が大幅に向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態により製造されるプリント配線板を説明するための断面図。
【図２Ａ】電極の形状の一例を示す図。
【図２Ｂ】電極の形状の別例を示す図。
【図２Ｃ】電極の形状の別例を示す図。
【図２Ｄ】電極の別例を示す図。
【図２Ｅ】図２Ａ、２Ｃ、２Ｄの電極が形成される理由を示す図。
【図３Ａ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｆ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｇ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｈ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｉ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｊ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｋ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｌ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ａ】図１の電極のピラーの構造の別例を示す図。
【図４Ｂ】図１の電極のピラーの構造の別例を示す図。
【図５Ａ】図１の電極のピラーの構造の別例を示す図。
【図５Ｂ】図１の電極のピラーの構造の別例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明のプリント配線板の製造方法の一実施形態が、図面を参照して説明される。図１は、実施形態により製造されたプリント配線板１を説明する断面図である。実施形態の製造方法は、図３Ａから３Ｌに示されている。実施形態のプリント配線板１の製造方法は、上面Ｆ１と上面Ｆ１と反対側の下面Ｆ２とを有する金属箔１３が用意される（図３Ａ参照）。金属箔１３の下面Ｆ２上に、電子部品を搭載する電極のパッド１２ａを含む第１導体層１２が形成される（図３Ｂ参照）。金属箔１３の下面Ｆ２と第１導体層１２上に、第１導体層１２側の第１面１１ａと、第１面１１ａと反対側の第２面１１ｂとを有する樹脂絶縁層１１が形成される。第１面１１ａと下面Ｆ２が対向するように、樹脂絶縁層１１は金属箔１３と第１導体層１２上に形成される（図３Ｃ参照）。金属箔１３を除去することで第１導体層１２の一面Ｍ１と樹脂絶縁層１１の第１面１１ａが露出される（図３Ｇ参照）。第１導体層１２の一面Ｍ１上および樹脂絶縁層１１の第１面１１ａ上にシード層１７ｆが形成される（図３Ｈ参照）。パッド１２ａの中央部分上に形成されているシード層１７ｆが露出するようにシード層１７ｆ上にめっきレジストからなるマスク１９が形成される（図３Ｉ参照）。マスク１９はシード層１７ｆを露出する開口１９ａを有する。めっきレジストから露出するシード層１７ｆ上に金属膜１７ｃが形成される。マスク１９の開口１９ａ内に金属膜１７ｃが形成される（図３Ｊ参照）。めっきレジストからなるマスク１９が除去される（図３Ｋ参照）。金属膜１７ｃから露出するシード層１７ｆを除去することで、金属膜１７ｃの下にシード層１７ｆから金属層１７ｂが形成される。これにより、金属層１２ｂと金属層１２ｂ上の金属膜１７ｃとで電子部品を搭載するためのピラー１７が形成される。ピラー１７およびパッド１２ａにより電極２１が形成される（図３Ｌ参照）。
【００１０】
なお、図３Ｌに示されるように、金属膜１７ｃから露出するパッド１２ａを部分的に除去することで、金属層１７ｂの下にパッド１２ａと同じ材質からなる導体膜１７ａが形成されてもよい。金属膜１７ｂの径と導体膜１７ａの径は略等しい。その場合、金属層１２ｂと金属膜１７ｃと導体膜１７ａでピラー１７が形成される。また、前述の金属箔１３の上面Ｆ１、下面Ｆ２は、上下の位置関係を意味していない。後述される支持板１８側の面が上面Ｆ１、その反対面が下面Ｆ２と呼ばれている。
【００１１】
実施形態は、電子部品の搭載用の電極２１、特にそのピラー１７の製造方法を特徴としている。実施形態は、さらに、ビア導体の形成工程や支持板１８の除去工程を含んでいてもよい。その具体例は図３Ｇ〜３Ｉに示されている。この具体例は一例であって、この方法には限定されない。
【００１２】
すなわち、実施形態のプリント配線板１の製造方法は、次の工程をさらに有していてもよい。前述の樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂ側から、樹脂絶縁層１１を貫通し、第１導体層１２の一面Ｍ１と反対側の他面Ｍ２を露出させる開口部１１ｄが形成される（図３Ｄ参照）。その開口部１１ｄ内に導体を埋めることによりビア導体１５が形成されると共に、樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂに第２導体層１４が形成される（図３Ｅ参照）。その後、例えば金属箔１３を支持していた支持板１８が除去される。それにより、金属箔１３の一面Ｆ１が露出される（図３Ｆ参照）。その後、前述の３Ｇ〜３Ｌの工程を経て、最終的には、樹脂絶縁層１１および第１導体層１２上に、パッド１２ａが開口部１６ａで露出するように第１ソルダーレジスト層１６が形成される（図１参照）。
【００１３】
なお、ピラー１７とは、パッド１２ａより細い径（幅）で形成された柱状の部分である。従って、パッド１２ａの一部がエッチングされて金属膜１７ｃとほぼ同じ太さに形成される導体膜１７ａが形成される場合には、ピラー１７は、導体膜１７ａと金属層１７ｂと金属膜１７ｃとで構成される。しかし、特に図２Ｂに示されるような構造の場合は、シード層１７ｆのエッチングの制御がされやすい。その場合、導体膜１７ａの部分が形成されなくてもよい。この場合、ピラー１７は金属層１７ｂと金属膜１７ｃとで構成される。以下の例では、殆どの例で導体膜１７ａが形成されている。しかし、エッチングの仕方次第で導体膜１７ａの部分をなくすることができる。以下で説明される例には限定されない。ピラー１７の下面１７Ｕ（図２Ａ）はパッド１２ａと結合している。パッド１２ａの径（幅）は大きく、剛性がある。従って、ピラー１７の上面１７Ｔにかかる力はピラー１７の全体およびその下面１７Ｕに及ぶ。ピラー１７は反り等の変形が可能である。ピラー１７が長いほど変形の自由度がある。ピラー１７の長さは、点Ｃ（Ｃ２、Ｃ３）を通る下面１７Ｕと上面１７Ｔとの間の距離ｈ（図２Ａ参照）である。従って、図２Ａ等に示されるように、導体膜１７ａがピラー１７に含まれていると、ピラー１７とパッド１２ａとの境界面が接合面にならない。一体であるため、応力に対しても強いと考えられる。ピラー１７の平面形状は特定の形状に限定されない。たとえば、ピラー１７の平面形状は、円形、矩形、多角形、または、楕円形であってよい。この実施形態では外形が円形に形成される。
【００１４】
ピラー１７の径とは、いわばピラー１７の外形の大きさ（太さ）を意味する。ピラー１７の平面形状が円形状であれば、その径は直径を指す。外形が矩形状とか多角形であれば、径はその対角線の長さを指す。外形が楕円形であれば、径はその長径を指す。すなわち、径とは、外形の端から端の一番大きい寸法である。
【００１５】
また、搭載される電子部品とは、半導体素子、受動素子（キャパシタや抵抗器など）、配線層を有するインターポーザ、再配線層を有する半導体素子、ＷＬＰ（Wafer Level Package）などを含む意味である。
【００１６】
図１は、実施形態により製造されたプリント配線板を説明する断面図である。図１を参照すると、電子部品実装用の電極２１が樹脂絶縁層１１の第１面１１ａで、第１ソルダーレジスト層１６から露出している。電極２１の一部であるパッド１２ａ以外の第１導体層１２は第１ソルダーレジスト層１６で覆われている。電極２１のみが第１ソルダーレジスト層１６の開口部１６ａに露出している。電極２１の上面１７Ｔは第１ソルダーレジスト層１６の上面１６Ｔよりも上側に位置することが好ましい。電極２１に電子部品を実装することが容易になる。第１導体層１２のパッド１２ａと第１パターン１２ｂおよび第２パターン１２ｃとは、同じ材料から形成されている。パッド１２ａはピラー１７の存在により第１および第２パターン１２ｂ、１２ｃと異なる形状に形成され得る。電極２１はピラー１７とそのピラー１７を支持するパッド１２ａとを有している。ピラー１７は、導体膜１７ａが形成される場合には導体膜１７ａとシード層１７ｆの一部除去により形成される金属層１７ｂと電解めっき等により形成される金属膜１７ｃとで形成されている。
【００１７】
電極２１の構造は、図２Ａに拡大図で示されている。電極２１はパッド１２ａと、パッド１２ａ上に形成されるピラー１７とから形成されている。ピラー１７は、この例では導体膜１７ａと、シード層１２ｆから形成される金属層１７ｂと金属層１７ｂ上に形成されている金属膜１７ｃを有する。パッド１２ａは樹脂絶縁層１１と対向するバック面Ｂと、バック面Ｂと反対側のトップ面Ｔを有する。導体膜１７ａは金属層１７ｂとパッド１２ａとの間に形成されている。導体膜１７ａは金属層１７ｂとピラー１７の下面１７Ｕとの間に形成されている。前述のように、この導体膜１７ａは形成されなくてもよい。下面１７Ｕは図２Ａに点線で描かれている。導体膜１７ａとパッド１２ａは下面１７Ｕで区切られている。但し、導体膜１７ａはパッド１２ａと一体に形成されている。ピラー１７の側壁とパッド１２ａのトップ面Ｔは図２Ａ中のコーナ部の点Ｃ２で交わっている。ピラー１７にストレスが働くと、ストレスは点Ｃ２に集中しやすいと考えられる。しかしながら、図２Ａの電極２１では、パッド１２ａと導体膜１７ａが一体に形成されているので、点Ｃ２から電極２１にクラックが発生し難い。点Ｃ２にストレスが集中しても、電極２１が劣化し難い。導体膜１７ａがない場合には、金属層１７ｂの下面がピラー１７の下面１７Ｕになる。
【００１８】
図２Ａのピラー１７の底面１７Ｕは樹脂絶縁層１１の第１面１１ａから凹んでいる。図２Ａの例では、パッド１２ａのトップ面Ｔはさらに凹んでいる。そのため、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａとトップ面Ｔとの間に空間が形成されている。ピラー１７の下面１７Ｕと樹脂絶縁層１１の第１面１１ａとの距離Ｈ２は５μｍ以下である。図２Ａのピラー１７は、パッド１２ａと一体の導体膜１７ａを含んでいる。ピラー１７は、その導体膜１７ａ上の金属層１７ｂと、その金属層１７ｂ上の金属膜１７ｃをさらに有する。例えば、金属層１７ｂは無電解めっきまたは真空蒸着、スパッタリング等により形成されるシード層１７ｆ（図３Ｈ参照）から形成される。シード層１７ｆの例は、銅やニッケルである。金属膜１７ｃは電解めっきで形成される。金属膜１７ｃの例は電解銅めっき膜である。導体膜１７ａはパッド１２ａと一体に形成されている。パッド１２ａのトップ面Ｔがエッチングされることにより、ピラー１７の径とほぼ等しい導体膜１７ａが形成されている。導体膜１７ａとパッド１２ａは下面１７Ｕで便宜的に区切られている。ピラー１７の側壁とパッド１２ａのトップ面Ｔは図２Ａに示される点Ｃ２で交わっている。ピラー１７にストレスが働くと、ストレスは点Ｃ２を通る平面（ピラー１７の下面１７Ｕ）に集中しやすいと考えられる。しかしながら、図２Ａの電極２１では、パッド１２ａと導体膜１７ａが一体に形成されているので、点Ｃ２から電極２１にクラックは発生し難い。点Ｃ２にストレスが集中しても、電極２１が劣化し難い。
【００１９】
ピラー１７は上面１７Ｔと上面１７Ｔと反対側の下面１７Ｕを有する。ピラー１７の上面１７Ｔ上に電子部品が実装される。ピラー１７の長さｈは１５μｍ以上であって、３５μｍ以下である。長さｈが所定の長さを有するので、電子部品の実装歩留まりが高い。また、ピラー１７は空中に晒されている。電子部品の熱膨張係数とプリント配線板１の熱膨張係数の違いに起因するストレスがピラー１７で緩和される。電子部品とプリント配線板１間のヒートサイクルに対する接続信頼性が長期間安定する。ピラー１７の下面１７Ｕとパッド１２ａのトップ面Ｔとは、図２Ｂのように同一平面でもよい。図２Ａのように、トップ面Ｔが下面１７Ｕより下がり、傾斜する曲面でもよい。または、トップ面Ｔは、図２Ｃのように、傾斜する平坦面となるように形成されてもよい。エッチングの仕方でパッド１２ａの形状が定められる。
【００２０】
導体膜１７ａの上に金属層１７ｂがある。金属層１７ｂはシード層１７ｆから形成されている。金属層１７ｂの厚さは１μｍ以上、３μｍ以下である。シード層１７ｆは、例えば無電解銅めっきにより形成される。しかし、ニッケル等他の金属がスパッタリング等により形成されてもよい。導体膜１７ａや金属膜１７ｃと材料を異ならせることにより、後述するエッチング速度の差に基づく凹凸を有する電極２１（図５Ａ〜５Ｂ参照）が得られる。シード層１７ｆは、金属箔１３のエッチング除去後に直ちに形成される。そのため、清浄な状態の第１導体層１２上に無電解めっきまたは真空蒸着等により形成される。パッド１２ａと金属層１７ｂとの密着性は非常に良いと考えられる。金属層１７ｂと導体膜１７ａとの剥離は生じ難いと考えられる。
【００２１】
金属層１７ｂ上に例えば電解めっきにより金属膜１７ｃが形成されている。金属膜１７ｃは、後述されるように、例えばセミアディティブ法による電解めっきにより形成される。この金属膜１７ｃも、シード層１７ｆの形成後直ちにマスク形成の後に電解めっき法により形成される。そのため、汚れが介在し難く、金属膜１７ｃと金属層１７ｂとの密着性も非常に良好である。すなわち、この界面に直接大きな力の印加が無ければ、金属層１７ｂの両面での剥離やクラックは非常に発生し難い。
【００２２】
図２Ａに示される例では、ピラー１７の径は、上面１７Ｔ側から下面１７Ｕ側に向かって徐々に太くなっている。このようなピラー１７の場合には、コーナ部のある点Ｃ２に集中する傾向にあるストレスは、その周囲にも分散すると考えられる。長さｈと太さ（径）Ｗ３とのバランスで下面１７Ｕが定まる。下面１７Ｕでのピラー１７の側壁とパッド１２ａのトップ面Ｔとの交点がＣ２である。Ｃ２点の位置の径は、径Ｗ３である。ピラー１７の上面１７Ｔの径Ｗ１との比（Ｗ３／Ｗ１）は１.２以下で、１.０５以上である。このような点Ｃ２に応力が集中しても、電極２１の破壊は生じ難い。応力が集中するピラー１７ｂの下面１７Ｕはパッド１２ａと一体であるからである。その境界部には接合面が存在しない。そのため、剥がれやクラックが入り難い。
【００２３】
径Ｗ３が径Ｗ１よりも大きくなっている。そのため強度が向上する。点Ｃ２にストレスが集中しても、電極２１が劣化し難い。ピラー１７は樹脂絶縁層１１の第１面１１ａから突出している。パッド１２ａのトップ面Ｔが第１面１１ａから凹んでいても、ピラー１７ｂの上面１７Ｔは第１面１１ａから突出しているので、電子部品がプリント配線板１上に確実に実装される。突出している高さＨ１は図２Ａに示されている。高さＨ１は１８μｍ以上、３０μｍ以下である。ピラー１７に電子部品が確実に実装される。電子部品とプリント配線板１間にアンダーフィルが充填され得る。プリント配線板１への電子部品の実装によりプリント配線板１と電子部品とで形成される応用例が得られる。
【００２４】
パッド１２ａの平面形状は円である。そして、図２Ａでは、ピラー１７とパッド１２ａは、上面１７Ｔの中心を通り上面１７Ｔに垂直な面で切断されている。また、上面１７Ｔの中心を通り上面１７Ｔに垂直な直線はパッド１２ａのトップ面Ｔの中心を通ることが好ましい。しかし、これには限定されない。ピラー１７およびパッド１２ａは、それぞれ異なる外形に形成されてもよい。ピラー１７およびパッド１２ａは、四角形または多角形の平面形状で形成されるかもしれない。
【００２５】
図２Ａに示されるようにピラー１７はパッド１２ａの略中央に形成されている。そして、ピラー１７の上面１７Ｔの径Ｗ１はパッド１２ａの径Ｗ２より小さい。従って、パッド１２ａのトップ面Ｔはピラー１７の外周部に露出している。ピラー１７の径Ｗ１はピラー１７の上面１７Ｔの径である。もしくは、ピラー１７が角柱などのように、円柱でない場合には、上面１７Ｔの外周に属する２点間の距離の内、最大の値が径Ｗ１に相当する。パッド１２ａの径Ｗ２はパッド１２ａのトップ面Ｔの径である。もしくは、トップ面Ｔの外周に属する２点間の距離の内、最大の値が径Ｗ２に相当する。
【００２６】
径Ｗ１は１５μｍ以上であって、７５μｍ以下である。径Ｗ２は３０μｍ以上であって、１００μｍ以下である。そして、径Ｗ２と径Ｗ１の比（径Ｗ２／径Ｗ１）は１.５以上であって、２.５以下である。比（径Ｗ２／径Ｗ１）が所定の値を有するので、ピラー１７でストレスが緩和される。また、ヒートサイクルでピラー１７が劣化し難い。図２Ａの径Ｗ１は２０μｍであり、径Ｗ２は３５μｍである。
【００２７】
このような傾斜面は、次の方法により得られる。なお、シード層１７ｆとパッド１２ａとが同じ材料であれば、両者は同じエッチング速度で同様にエッチングされる。図２Ｅ（ａ）に矢印で示されるように、金属膜１７ｃの表面にエッチングマスク２３の形成後、例えば後述されるエッチング液が、上側から吹き付けられる。それにより、パッド１２ａの中央部Ｐ１の近傍はエッチング液の当たりがよくエッチングされやすい。エッチングマスク２３の近傍Ｐ２ではエッチング液が当たり難い。そのため、エッチングマスク２３の近傍Ｐ２のシード層１７ｆやパッド１２ａではエッチング量が少ない。露出するパッド１２ａの中央部Ｐ１ではエッチング液が吹き付けられやすい。そのため、エッチング量が多くなる。また、吹き付けられたエッチング液は金属膜１７ｃの側壁及び形成された斜面に沿って流れる。そのため、周縁部までエッチングされ、パッド１２ａの表面は図２Ｅ（ｂ）や図２Ａに示されるように、湾曲状の傾斜面になる。吹付力が強く、その後もエッチング液が上方から吹き付けられることにより、斜面を流れるエッチング液と吹き付けられるエッチング液とで周縁部がより低くなり、図２Ｃに示される形状が得られる。一方、このエッチング液の吹付力が弱くなると、周縁部のエッチング量は小さくなる。エッチング液が樹脂絶縁層１１の端部に当たりやすいからである。その結果、図２Ｄに示されるような湾曲面になる。すなわち、周縁端部Ｅはパッド１２ａのトップ面Ｔの一番低い所ではなくなる。図２Ｄで、図２Ａと同じ部分は図２Ａ同じ符号が付されている。
【００２８】
図２Ａの例では、ピラー１７とパッド１２ａとの境界部分が、凹曲面でなだらかに変化している。しかし、図２Ｂのように、ピラー１７とパッド１２ａが直角に交わっていてもよい。このような構造は、例えばイオンスパッタリングのような機械的要素を含むドライエッチングにより得られる。このような構造であれば、シード層１７ｆのエッチングがパッド１２ａのほぼ表面で止められやすい。この場合、ピラー１７は、金属層１７ｂと金属膜１７ｃのみで形成される。図２Ｂの例では、ピラー１７の径Ｗ１は、下面１７Ｕでも上面１７Ｔの径Ｗ１と殆ど同じである。このような構造であれば、ピラー１７の側面とパッド１２ａのトップ面Ｔとの交点はＣで、その点Ｃを通る面が下面１７Ｕになる。下面１７Ｕとパッド１２ａのトップ面Ｔとが同一平面になる。パッド１２ａのトップ面Ｔは樹脂絶縁層１１の第１面１１ａとほぼ平行に形成される。このトップ面Ｔは樹脂絶縁層１１の第１面１１ａより凹んでいる。凹み量は、５μｍ以下である。ピラー１７の高さは図２Ａと同じである。
【００２９】
このようなピラー１７とパッド１２ａとの交点Ｃがほぼ直角の場合には、ピラー１７の上面１７Ｔにかかる力は、交点Ｃに及ぶ。このＣ点を通る面がピラー１７の下面１７Ｕと一致する。ピラー１７の側壁とパッド１２ａとがほぼ直角に交わるとピラー１７の上面１７Ｔにかかる力はこの下面１７Ｕに一番及ぶと考えられる。下面１７Ｕより下は、径が大きくなるので、剛性がある。しかし、パッド１２ａとピラー１７との境界は同じ材料で一体（同じ電解めっき膜）に形成されている。そのため、この下面１７Ｕは接合面ではない。従って、このＣ点にかかるストレスは、この境界部に破断またはクラックを生じさせ難い。また、図２Ａの構造と同様に、電子部品の実装歩留まりが高い。電子部品の熱膨張係数とプリント配線板１の熱膨張係数の違いに起因するストレスがピラー１７で緩和される。そのため、ヒートサイクルを受けても、電子部品とプリント配線板間の接続信頼性が長期間安定する。すなわち、このようなエッチングがなされても、堅固な電極２１が得られる。また、信頼性も高い。
【００３０】
図２Ｃに示される構造も、図２Ａと同様に、ピラー１７ｂの太さが変り得る。パッド１２ａのトップ面Ｔが傾斜している。湾曲している図２Ａのトップ面Ｔと異なり、パッド１２ａのトップ面Ｔは平面状で傾斜している。この形状は、前述のように、上方からのエッチング液の吹き付け方により得られる。図２Ａの場合と同様に、ピラー１７の径は金属層１７ｂより下では、長さ方向で一定とは限らない。下面１７Ｕに行くほど大きくなり得る。図２Ａの場合と異なり、ピラー１７の側壁とパッド１２ａのトップ面Ｔとの交点に角部Ｃ３が形成されている。このような角部Ｃ３が形成されると、上面１７Ｔに及ぶ力が角部Ｃ３に一番かかりやすい。そのため、角部Ｃ３を通る面がピラー１７の下面１７Ｕになる。この場合も、ピラー１７の下面１７Ｕの径Ｗ３は、図２Ａと同様に、上面１７Ｔの径Ｗ１より大きくなり得る。Ｗ３／Ｗ１が１.２以下で１.０５以上になる。Ｗ３が大きくなり過ぎると、剛性が大きくなり、ピラー１７の機能が弱くなる。そのため、角部Ｃ３が形成されても、径Ｗ３が大きいときは、図２Ａのようにコーナ部に下面１７Ｕが形成される。一方、ピラー１７が長いほど応力を吸収しやすい。角部Ｃ３の影響と共に、両者の兼ね合いでピラー１７の下面１７Ｕの位置が決められる。
【００３１】
ピラー１７から露出するパッド１２ａのトップ面Ｔは樹脂絶縁層１１の第１面１１ａに対し傾いている。外周に行くほど第１面１１ａからの凹みが大きくなる。換言すると、パッド１２ａの厚さ（パッド１２ａのボトム面Ｂとトップ面Ｔとの間の距離）は外周に行くほど薄くなる。ピラー１７の側壁とパッド１２ａのトップ面Ｔとの間の角度は９０度より大きい。ピラー１７の側壁とパッド１２ａのトップ面Ｔが９０度で交わっていないので、交点Ｃ３にかかるストレスが分散される。電極２１の信頼性が高くなる。
【００３２】
これらの構造にすることにより、プリント配線板１上に大きな電子部品を実装することができる。大きな電子部品は、２０ｍｍ以上の辺を有する。電子部品の大きさが大きくなると、ストレスの大きさが大きくなる。しかし、実施形態によれば、ピラー１７は曲げ等の自由度を有している。そのため、ストレスが吸収されやすい。ヒートサイクルの回数が多くなっても、ピラー１７と電子部品間の接合部（例えば、ハンダバンプ）が劣化し難くなる。ヒートサイクルによる電子部品とプリント配線板間の接続抵抗の上昇が防止される。
【００３３】
図１に示されるプリント配線板の製造方法の一実施形態が、図３Ａ〜３Ｌを参照して具体例により説明される。
【００３４】
図３Ａに示されるように、上面（第１面）Ｆ１とその上面（第１面）Ｆ１と反対側の下面（第２面）Ｆ２とを有する金属箔１３が用意される。具体的には、例えば金属箔１３の上面（第１面）Ｆ１が支持板１８に貼り付けられることにより用意される。例えば金属箔１３の厚さは２μｍ以上、７μｍ以下である。好ましい厚さは５μｍである。金属箔１３としては、例えば銅箔が用いられる。ニッケル箔が用いられてもよい。支持板１８の例は、金属板や銅張積層板である。図３Ａでは、支持板１８として、両面銅張積層板が用いられる。そして、両面銅張積層板１８の両面に金属箔１３が積層されている。両面銅張り積層板１８は、例えば基板１８ａの両面にキャリア銅箔１８ｂが貼り付けられている。基板１８ａの厚さは１００μｍであり、キャリア銅箔１８ｂの厚さは１５μｍ以上、３０μｍ以下である。好ましくは１８μｍである。両面銅張積層板１８と金属箔１３間に、図示されていないリバアルファ(登録商標)（日東電工製のREVALPHA）が形成されていて、リバアルファで両面銅張積層板１８と金属箔１３間は接着されている。リバアルファの接着力は加熱で低下する。
【００３５】
このキャリア銅箔１８ｂと基板１８ａとからなる支持板１８は、後の工程で除去される。そのため、後述される第１導体層１２等と分離できるように、この表面に金属箔１３が設けられている。金属箔１３は、両面銅張積層板１８に貼り付けられなくてもよい。金属箔１３とキャリア銅箔１８ｂとが、先に積層されてもよい。そのキャリア銅箔付き金属箔１３のキャリア銅箔１８ｂ側が基板１８ａに接合されてもよい。金属箔１３とキャリア銅箔１８ｂとの接合は、前述の日東電工製のリバアルファが用いられる。キャリア銅箔１８ｂ付き金属箔１３のキャリア銅箔１８ｂは、基板１８ａ等に熱圧着などにより接合される。基板１８ａとしては樹脂フィルム等のプリプレグが用いられ得る。金属箔１３と支持板１８またはキャリア銅箔１８ｂとの接合は、前述の日東電工製のリバアルファでなくてもよい。製品領域外の外周で接合されてもよい。その外周部の切断除去により、容易に両者が分離される。支持板１８には、プリプレグが用いられなくてもよい。金属箔１３が固定されるものであればよい。例えば金属板、セラミック板、樹脂板等の薄い金属箔１３を支持できるものが用いられ得る。
【００３６】
図３Ｂに示されるように、金属箔１３の下面（第２面）Ｆ２上に、パッド１２ａを含む第１導体層１２が形成される。第１導体層１２は、例えば銅の電解めっき膜によりセミアディティブ法により形成される。電子部品搭載用の電極２１（図１参照）の一部であるパッド１２ａ、第１および第２のパターン１２ｂ、１２ｃが形成される。第１導体層１２の厚さは、例えば１０μｍ以上、２５μｍ以下である。しかし、この厚さには限定されない。第１導体層１２法は、サブトラクト法で形成されてもよい。図３Ｂには、支持板１８の両面に同じプリント配線板が形成される例が示されている。
【００３７】
次いで、図３Ｃに示されるように、第１導体層１２の他面Ｍ２および金属箔１３の露出している下面（第２面）Ｆ２上に樹脂絶縁層１１がその第１面１１ａと下面Ｆ２とを対向させるように形成される。具体的には、樹脂絶縁層１１用の樹脂フィルムおよび第２導体層１４の一部となる第２金属箔１４ａが、第１導体層１２等の上に積層される。その後、加熱プレスが行われる。樹脂フィルムが軟化した後硬化する。樹脂フィルムから樹脂絶縁層１１が形成される。樹脂絶縁層１１は、第１面１１ａと第１面と反対側の第２面１１ｂとを有する。樹脂絶縁層１１の第１面１１ａが金属箔１３と対向するように、樹脂絶縁層１１は積層される。樹脂絶縁層１１の第１面１１ａ側に第１導体層１２が埋め込まれる。樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂ上に第２金属箔１４ａが積層される。この第２金属箔１４ａは樹脂フィルムと重ねて接着されている。樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂ側に第２金属箔１４ａが接着される。第２金属箔１４ａは、例えば銅箔である。第２金属箔１４ａの厚さは１μｍ以上、５μｍ以下である。
【００３８】
樹脂絶縁層１１は、例えばシリカ等の無機粒子とエポキシ等の樹脂で形成される。樹脂絶縁層１１は、さらに、ガラスクロス等の補強材を有してもよい。図３Ｃの樹脂絶縁層１１は無機粒子と補強材と樹脂で形成されている。また、１層であってもよく、複数の絶縁層から形成されていてもよい。樹脂絶縁層１１は、複数の絶縁層から形成されるならば、例えば熱膨張係数、柔軟性、厚さが容易に調整され得る。樹脂絶縁層１１の厚さは、２５μｍ以上、１００μｍ以下である。
【００３９】
この後の図３Ｄ〜３Ｆの工程は、実施形態の発明に必須の方法ではない。一例が示されているだけである。樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂ側に第２導体層１４が形成される。図３Ｄに示されるように、樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂ側から、樹脂絶縁層１１を貫通し、第１導体層１２の他面Ｍ２を露出させる開口部１１ｄが形成される。開口部１１ｄを形成する方法は、例えばレーザ光照射の方法である。樹脂絶縁層１１の両面に設けられる第１導体層１２と第２導体層１４とが接続される部分に開口部１１ｄが形成される。図３Ｄに示される例では、第２金属箔１４ａが樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂに形成されている。従って、第２金属箔１４ａの露出面から、ＣＯ2レーザ光等が照射されることにより開口部１１ｄは形成される。開口部１１ｄにより第１導体層１２の第２面Ｍ２が露出する。引き続き、開口部１１ｄ内および第２金属箔１４ａ上に無電解めっき膜等により金属薄膜１４ｂが形成される。この金属薄膜１４ｂは、電解めっきの際のシード層とされるもので、無電解めっきによらなくても、スパッタリングや真空蒸着などの方法により形成されてもよい。この金属薄膜１４ｂの厚さは数μｍ（１μｍ以上、５μｍ以下）である。金属薄膜１４ｂは第２導体層１４の一部になる。
【００４０】
その後、図３Ｅに示されるように、例えば電解めっきにより、ビア導体１５が形成される。たとえば、セミアディティブ法が用いられる。ビア導体１５と共に、金属薄膜１４ｂの上に電解めっき膜１４ｃが形成される。具体的には、例えば金属薄膜１４ｂの表面に図示しないめっきレジスト膜が形成される。そして、めっきレジスト膜の無い部分（開口内）に金属薄膜１４ｂをシード層として電解めっき膜１４ｃが形成される。その後に、めっきレジスト膜が除去されることにより第２導体層１４の電解めっき膜１４ｃが形成される。その後、全面がエッチング液に浸漬される。これにより、金属薄膜１４ｂと第２金属箔１４ａの露出部がエッチングされる。その結果、電解めっき膜１４ｃのパターンに合せてパターニングされる。そして、この第２金属箔１４ａと、金属薄膜１４ｂと、電解めっき膜１４ｃとからなる第２導体層１４のパターンが形成される。なお、金属薄膜１４ｂおよび第２金属箔１４ａのパターニングの際に、電解めっき膜１４ｃも一部エッチングされる。しかし、金属薄膜１４ｂおよび第２金属箔１４ａは薄いため、電解めっき膜１４ｃのエッチングされる量は少ない。エッチングは電解めっき膜１４ｃに影響を及ぼさない。
【００４１】
第２導体層１４は、全面に電解めっき膜１４ｃを形成した後にパターニングするサブトラクト法により形成されてもよい。この場合は、電解めっき膜１４ｃのパターニングと同時に金属薄膜１４ｂおよび第２金属箔１４ａのパターニングも行われる。
【００４２】
第２導体層１４の材料は、銅が例示される。第２導体層１４の厚さは、３μｍ以上、２０μｍ以下に形成される。第２導体層１４は、図１では１層として示されている。しかし、実際には、図３Ｈに示されるように、第２導体層１４は、例えば金属箔１４ａと金属薄膜１４ｂと電解めっき膜１４ｃとにより形成されている。しかし、金属箔１層で形成されてもよい。ビア導体１５も、電解めっきにより形成されることには限定されない。導電体が埋め込まれていればよい。
【００４３】
その後、図３Ｆに示されるように、支持板１８が除去され、金属箔１３の上面（第１面）Ｆ１が露出される。中間組立体１００が得られる。なお、支持板１８が除去されると、支持板１８の両面に形成された２組の中間組立体１００が得られる。図３Ｆには、その一方のみが示されている。前述のように、支持板１８（キャリア銅箔１８ｂ）と金属箔１３とは、温度を上昇させると接着力が弱くなる材料で接合されている。そのため、温度を上昇させることにより、容易に分離される。すなわち、温度が上昇した状態で引き剥がすことにより容易に分離される。その結果、金属箔１３のキャリア銅箔１８ｂとの接触面である上面（第１面）Ｆ１が露出する。
【００４４】
実施形態の製造方法に戻ることになるが、図３Ｇに示されるように、金属箔１３の除去により第１導体層１２の一面Ｍ１と樹脂絶縁層１１の第１面１１ａが露出される。具体的には、中間組立体１００が銅のエッチング液に浸漬される。この際、第２導体層１４を被覆するようにレジストが塗布されることが好ましい。しかし、第２導体層１４が少々薄くなっても問題がないほど充分な厚さに形成されていれば、マスクなしでエッチングがなされてもよい。金属箔１３の厚さは２〜７μｍと非常に薄い。第２導体層１４が被覆されない状態でエッチングがなされても殆ど影響が少ない。この金属箔１３のエッチングは、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａ上に残らないようにエッチングされる。樹脂絶縁層１１の第１面１１ａ上に残存する金属箔１３は第１導体層１２のパターンを短絡させる。そのため、エッチングは充分になされる。その結果、第１導体層１２の一面Ｍ１は、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａよりも凹む。その凹む量は５μｍ以下である。
【００４５】
その後、図３Ｈに示されるように、第１導体層１２の一面Ｍ１上および樹脂絶縁層１１の第１面１１ａ上にシード層１７ｆが形成される。第１導体層１２は、電極２１（図１参照）を形成するパッド１２ａ、配線などの第１パターン１２ｂ、ビア導体１５が接続される第２パターン１２ｃを有している。具体的には、シード層１７ｆは、例えば無電解めっきにより形成される。厚さは１μｍ以上、３μｍ以下である。そのため、シード層１７ｆの第１導体層１２側の面１７ｆＳと反対の上面１７ｆＦは、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａから凹み得る。第１導体層１２上の金属薄膜１７ｆの上面１７ｆＦは、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａよりも突出することもあり得る。シード層１７ｆの上面１７ｆＦの樹脂絶縁層１１内への凹みは、ピラー１７の上面への応力に対する耐久性を高めると考えられる。
【００４６】
図３Ｉに示されるように、パッド１２ａの中央部分（ピラー１７（図１参照）の形成場所）上に形成されているシード層１７ｆが露出する（開口１９ａが形成される）ようにシード層１７ｆ上にめっきレジストからなるマスク１９が形成される。このマスク１９は、たとえばめっきレジスト膜が用いられる。例えばフィルム状のめっきレジストが積層され、露光、現像の技術により開口１９ａが形成される。
【００４７】
その後、図３Ｊに示されるように、めっきレジストからなるマスク１９の開口１９ａ内に露出するシード層１７ｆ上に電解めっき膜からなる金属膜１７ｃが形成される。このめっきレジストからなるマスク１９は全面に形成されてから開口部１９ａが形成される。そのため、パッド１２ａの外周のシード層１７ｆ上も覆われる。金属膜１７ｃは、たとえば銅めっきにより形成される。シード層１７ｆを介して通電することで、例えば電気銅めっきがなされる。開口１９ａ内のみに電解めっき膜が形成され、金属膜１７ｃが形成される。金属膜１７ｃの厚さは、１３μｍ以上、２５μｍ以下である。金属層１７ｂおよび導体膜１７ａがあるので、比較的短いめっき時間でピラー１７の所定の高さｈ（１５〜３５μｍ）が得られる。金属膜１７ｃの厚さのバラツキが小さくなる。均一かつ十分な高さのピラー１７によりストレスが緩和されると考えられる。
【００４８】
図３Ｋに示されるように、めっきレジストからなるマスク１９が除去される。このマスク１９は、レジスト剥離液、例えば有機酸系の薬液等に浸漬することにより行われる。その結果、図３Ｋに示されるように、シード層１７ｆ上の所定の位置のみに電解めっき膜からなる金属膜１７ｃが形成される。
【００４９】
図３Ｌに示されるように、電解めっき膜から露出するシード層１７ｆが除去されることで、金属膜１７ｃの下にシード層１７ｆからなる金属層１７ｂが形成される。シード層１７ｆの除去により露出する第１導体層１２が部分的に除去されることで、電解めっき膜からなる金属膜１７ｃと、シード層からなる金属層１７ｂと、パッド１２ａの一部除去により細くされた導体膜１７ａとでピラー１７が形成される。このピラー１７およびパッド１２ａにより電極２１が形成される。この際、前述のように、シード層１７ｆの除去だけでパッド１２ａは殆どエッチングされないように制御されてもよい。その結果、導体膜１７ａは形成されない。このシード層１７ｆのエッチングの際に、前述の図２Ｅで説明されたように、金属膜１７ｃ上にエッチングマスク２３が形成され、エッチング液が上方から吹き付けられるエッチング方法が用いられる。これにより、種々の電極２１の形状が得られる。その結果、例えば図３Ｌに示されるような電極２１が得られる。
【００５０】
その後、電極２１が露出するように開口部１６ａを有する第１ソルダーレジスト層１６が樹脂絶縁層１１の第１面１１ａ側に形成される。開口部１６ａには、電子部品が搭載される電極２１のみが露出する。電極２１の部分以外の第１パターン１２ｂ、第２パターン１２ｃおよび樹脂絶縁層１１の第１面１１ａはソルダーレジスト層１６により被覆されている。樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂにほぼ全面に第２ソルダーレジスト層１６０が形成される。第２ソルダーレジスト層１６０にも、マザーボード等と接続されるパッドを露出させる開口部１６０ａが形成される。この第１ソルダーレジスト層１６および第２ソルダーレジスト層１６０は、例えばソルダーレジストが全面に塗布されて、フォトリソグラフィ技術を採用してパターニングされることにより形成される。これにより図１に示されるプリント配線板１が得られる。
【００５１】
第１ソルダーレジスト層１６は、図１に示される例では、電極２１の領域全体には形成されないで、開口部１６ａの範囲を除く周囲全体に形成されている。しかし、開口部１６ａは、電極２１毎に露出する構造にされてもよい。第１ソルダーレジスト層１６を構成する材料は、熱硬化性エポキシ樹脂が例示される。第１ソルダーレジスト層１６の厚さは、例えば２０μｍ程度に形成される。
【００５２】
この後、図示されていないが、電極２１および第１導体層１２の露出面には、ＯＳＰ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｓｎ等の表面処理が行われる。
【００５３】
以上のように、電子部品が搭載される電極２１は、パッド１２ａの一部である導体膜１７ａ、シード層１７ｆから形成された金属層１７ｂ、および電解めっき膜で形成された金属膜１７ｃとで形成されるピラー１７と、このピラー１７を支えるパッド１２ａとで形成されている。なお、金属層１７ｂは金属箔１３から形成されるのではなく、金属箔１３が除去された直後に無電解めっきなどにより形成されるシード層１７ｆから形成されている。そして、このシード層１７ｆと、電解めっきにより形成される金属膜１７ｃとは殆ど連続的に形成される。そのため、シード層１７ｆの表面に酸化や汚れなどは生じ難い。その結果、導体膜１７ａと金属層１７ｂ、および金属層１７ｂと金属膜１７ｃとの密着性は非常に向上する。従って、破断や剥離の少ない電極２１が得られる。電子部品搭載後の使用時とオフ時の温度差に伴うヒートサイクルに対しても、電極２１の信頼性が大幅に向上する。
【００５４】
図４Ａは電極２１の形状の例を示している。分りやすくするため、金属膜１７ｃ、金属層１７ｂおよび導体膜１７ａの区別をしないでピラー１７として示されている。前述の図２Ａ〜２Ｅは主としてピラー１７の下のパッド１２ａとの境界部の形状例であった。図４Ａでは、ピラー１７の上面からパッド１２ａに向かって、ピラー１７は、徐々に太くなっている。ピラー１７の側壁は、パッド１２ａからピラー１７の上面１７Ｔに向かってテーパーしている。ピラー１７の上面１７Ｔからパッド１２ａに向かって、ピラー１７は徐々に太くなっている。ピラー１７の側壁は、パッド１２ａからピラー１７の上面１７Ｔに向かってテーパーしている。ピラー１７の側壁とパッド１２ａのトップ面Ｔとのなす角度は９０度より大きい。従って、ピラー１７が劣化し難い。ヒートサイクルでピラー１７の抵抗が高くならない。
【００５５】
図４Ａに示されるピラー１７は次の方法で得られる。例えば、図３Ｋの工程の後に、前述の図２Ｅで、エッチングマスク２３が金属膜１７ｃの径より小さくして形成される。そして、前述のように、エッチング液の上方からの吹き付けによりエッチングされる。上方からエッチング液が吹き付けられるため、エッチング液はピラー１７の側壁に向かう流れを有している。ピラー１７の側面のエッチング量が下面１７Ｕから上面１７Ｔに向かって大きくなる。そのため、ピラー１７の側壁は図４Ａに示される形状を有する。この場合、パッド１２ａ、金属層１７ｂ、および金属膜１７ｃは、同じ材料であることが好ましい。たとえば全て銅が用いられる。
【００５６】
図４Ｂはピラー１７の形状の他の例を示している。図４Ｂでは、ピラー１７の上面１７Ｔからパッド１２ａに向かって、ピラー１７は、徐々に細くなっている。ピラー１７の側壁は、ピラー１７の上面１７Ｔからパッド１２ａに向かってテーパーしている。ピラー１７の上面１７Ｔからパッド１２ａに向かって、ピラー１７は徐々に細くなっている。ピラー１７の側壁は、ピラー１７の上面１７Ｔからパッド１２ａに向かって細くなるようにテーパーしている。従って、ピラー１７が変形しやすい。ピラー１７の側壁とパッド１２ａのトップ面Ｔとのなす角度は９０度より小さい。従って、ピラー１７は変形しやすい。変形によりピラー１７でストレスが緩和される。
【００５７】
図４Ｂに示されるピラー１７は次の方法で得られる。例えば、図３Ｋの構造に形成された後に、または図２Ｂの形状にされた後に、プリント配線板が樹脂絶縁層１１の第２面１１ｂ側からエッチング液に浸漬される。なお、図３Ｋの後の場合には、シード層１７ｆがエッチングされるまでしばらく静止する。ピラー１７の上面１７Ｔが、最後に、エッチング液内に入る。エッチング液はピラー１７の側壁に向かう流れを有している。ピラー１７の側面のエッチング量が上面１７Ｔから下面１７Ｕに向かって大きくなる。そのため、ピラー１７の側壁は図４Ｂに示される形状を有する。この場合も、パッド１２ａ、金属層１７ｂ、および金属膜は、同じ材料であることが好ましい。たとえば全て銅が用いられる。
【００５８】
導体膜１７ａおよび金属膜１７ｃは同じ材料が用いられ、金属層１７ｂが導体膜１７ａおよび金属膜１７ｃと異なる材料が用いられてもよい。この両者でエッチング速度の異なるエッチング液によりエッチングがなされてもよい。そうすることにより、図５Ａのように、ピラー１７に凹部１７ｄが形成される。または図５Ｂのように、凸部１７ｅが形成される。例えば導体膜１７ａと金属膜１７ｃが銅で、金属層１７ｂがニッケルで形成される。エッチング液にニッケルをエッチングしやすく、銅をエッチングし難いエッチング液が用いられることにより、図５Ａに示される凹部１７ｄが形成される。また、銅をエッチングしやすく、ニッケルをエッチングし難いエッチング液が用いられることにより、図５Ｂに示される凸部１７ｅが形成される。
【００５９】
図５Ａでは、金属層１７ｂの側面が金属膜１７ｃの側面から凹んでいる。金属層１７ｂの側面が導体膜１７ａの側面から凹んでいる。金属膜１７ｃのエッチング速度が金属層１７ｂのエッチング速度より速いと、図５Ｂに示されるように、ピラー１７は凸部１７ｅを有する。図５Ｂでは、金属層１７ｂの側壁が金属膜１７ｃの側壁から出っ張っている。金属層１７ｂの側壁が導体膜１７ａの側壁から出っ張っている。ピラー１７が凹部１７ｄや凸部１７ｅを有すると、ピラー１７による応力緩和の効果を大きくすることができる。但し、凹部１７ｄや凸部１７ｅの大きさが大きすぎると、凹部１７ｄや凸部１７ｅからピラー１７にクラックが発生しやすい。金属層１７ｂの厚さが上述の範囲であると、凹部１７ｄや凸部１７ｅの大きさが適切に制御される。
【００６０】
樹脂絶縁層１１と第２導体層１４上に樹脂絶縁層と導体層とからなるビルドアップ配線層を積層することができる。それにより多層にビルドアップされたプリント配線板が得られる。
【００６１】
実施形態の製造方法によれば、電子部品が搭載される電極２１に高さの高いピラー１７が形成される。そのピラー１７の周囲は空間である。そのため曲げなどの変形の自由度が大きい。長いピラーは応力を吸収しやすい。また、ピラー１７が樹脂絶縁層１１の第１面１１ａから突出している。そのため、電子部品の実装が容易である。また、電子部品とプリント配線板との間にアンダーフィルが充填されやすい。
【００６２】
さらに、実施形態の方法によれば、パッド１２ａの一部である導体膜１７ａと金属膜１７ｃとの間に金属層１７ｂが介在している。金属層１７ｂは、金属箔１３を剥した後に直ちに形成される。そのため、金属層１７ｂと導体膜１７ａとの密着性は非常に高い。また、金属層１７ｂの上に形成される金属膜１７ｃはシード層１７ｆの形成と連続の工程で形成される。そのため、これらの接合面には不純物が付着しにくい。すなわち、導体膜１７ａと金属層１７ｂとの間、金属層１７ｂと金属膜１７ｃとの間の密着性は非常に優れている。さらに、ピラー１７とパッド１２ａとの境界面(ピラー１７の下面)は、同一材料により一体に形成されている。その結果、ピラー１７の上面１７Ｔに電子部品が搭載されてストレスがかかっても、境界面１７Ｕおよび接合面が強く、かつ、長いピラー１７でその応力が吸収される。従って、製造歩留まりが高く、かつ、信頼性が大幅に向上する。
【００６３】
さらに、金属層１７ｂの少なくとも導体膜１７ａ側の面１７ｆＳ（図３Ｈ参照）は、樹脂絶縁層１１の第１面１１ａより下側にある。さらに、その反対面１７ｆＦ（図３Ｈ参照）も第１面１１ａより凹んだ位置に形成され得る。このように導体膜１７ａと金属層１７ｂとのと接合面および金属層１７ｂと金属膜１７ｃとの接合面が、それぞれパッド１２ａの近くの位置にあることにより、ピラー１７の上面へのストレスに対して、安定感が増大する。
【符号の説明】
【００６４】
１      プリント配線板
１１    樹脂絶縁層
１１ａ  第１面
１１ｂ  第２面
１２    第１導体層
１２ａ  パッド
１２ｂ  第１パターン
１２ｃ  第２パターン
１３    金属箔
１４    第２導体層
１４ａ  第２金属箔
１４ｂ  金属薄膜
１４ｃ  電解めっき膜
１５    ビア導体
１６    第１ソルダーレジスト層
１６ａ  開口部
１６０  第２ソルダーレジスト層
１７    ピラー
１７ａ  導体膜
１７ｂ  金属層
１７ｃ  金属膜
１７ｆ  シード層
１７Ｔ  上面
１７Ｕ  下面
１８    支持板
１９    マスク
２１    電極
Ｆ１    金属箔の上面
Ｆ２    金属箔の下面
Ｍ１    第１導体層の一面
Ｍ２    第１導体層の他面
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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【図３Ｋ】
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【図３Ｌ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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