(57)【要約】【課題】素早く蓄電器を充電することができる蓄電装置、及び、該蓄電装置を備える電源システムを提供する。【解決手段】蓄電装置１０では、バッテリ１２から入力された電力がＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１に供給される。制御回路２５は、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上である場合にＦＥＴ２０をオフにし、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が下側温度未満である場合にＦＥＴ２０をオンにする。下側温度は上側温度以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された電力がスイッチ及び抵抗を介して蓄電器に供給される蓄電装置において、
前記抵抗の周辺温度を検出する温度検出回路と、
該温度検出回路が検出した前記周辺温度が第１温度以上である場合に前記スイッチをオフにし、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度が前記第１温度以下の第２温度未満である場合に前記スイッチをオンにするスイッチ制御部と
を備えることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
前記蓄電器の端子電圧を変圧し、変圧した電圧を出力する変圧回路を備え、
前記温度検出回路は、
抵抗値が前記周辺温度に応じて異なる第１抵抗回路と、
第２抵抗回路と
を有し、
前記第１抵抗回路及び第２抵抗回路は前記変圧回路が出力した電圧を分圧し、
前記スイッチ制御部は、前記第１抵抗回路及び第２抵抗回路が分圧した分圧電圧値が示す前記周辺温度が前記第１温度以上である場合に前記スイッチをオフにし、該分圧電圧値が示す前記周辺温度が前記第２温度未満である場合に前記スイッチをオンにすること
を特徴とする請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項３】
前記蓄電器の端子電圧値を検出する電圧検出回路を更に備え、
前記スイッチ制御部は、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度が前記第１温度以上であるか、又は、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が電圧閾値以上である場合に前記スイッチをオフにすること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の蓄電装置。
【請求項４】
前記スイッチ制御部は、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が電圧閾値以上となった場合、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度に無関係に、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が前記電圧閾値未満の第２の電圧閾値未満となるまで、前記スイッチのオフを維持すること
を特徴とする請求項３に記載の蓄電装置。
【請求項５】
前記第２温度は前記第１温度未満であること
を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の蓄電装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の蓄電装置と、
前記電力を前記蓄電器に供給する第２の蓄電器と、
前記蓄電器が蓄えた電力が供給される負荷と
を備えることを特徴とする電源システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力された電力がスイッチ及び抵抗を介して蓄電器に供給される蓄電装置、及び、該蓄電装置を備える電源システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
車両に搭載される電源システムとして、バッテリから供給された電力を蓄える蓄電装置を備え、蓄電装置が蓄えた電力が負荷に供給される電源システムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の電源システムでは、蓄電装置は蓄電器、例えばキャパシタを有し、バッテリから供給された電力が蓄電器に蓄えられ、蓄電器に蓄えられた電力が負荷に供給される。
【０００３】
以上のように構成された特許文献１に記載の電源システムでは、例えば、バッテリの接続が外れた場合であっても、蓄電器に電力が蓄えられているため、蓄電器に蓄えられた電力を用いて負荷を作動させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−５６６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
バッテリから供給された電力を蓄える従来の蓄電装置として、バッテリから、スイッチ及び抵抗を介して蓄電器に電力を供給する蓄電装置がある。この蓄電装置では、蓄電器の端子電圧値が所定の電圧値未満である場合にスイッチをオンにして蓄電器を充電し、蓄電器の端子電圧値が所定の電圧値以上である場合にスイッチをオフにして蓄電器の充電を停止する。このような蓄電装置では、スイッチのオン及びオフの切替えを高速に繰り返すことがないため、スイッチングノイズが抑制される。
【０００６】
しかしながら、スイッチ及び抵抗を介して蓄電器に電力を供給する蓄電装置では、蓄電器が充電されている場合、抵抗に電流が流れ、抵抗は発熱する。抵抗の周辺温度が一定温度以上となった場合、抵抗の周辺に配置された電子機器の温度が上昇し、この電子機器が誤った動作を行う虞がある。
【０００７】
電子機器の誤動作を防止するためには、単位時間当たりの抵抗での発熱量を抑制し、蓄電器が充電している間に抵抗の周辺温度が一定温度以上となることを防止する必要がある。単位時間当たりの抵抗での発熱量は、抵抗に流れる電流値が大きい程多い。このため、蓄電装置では、抵抗値が大きい抵抗が用いられている。これにより、蓄電器を充電する場合において、抵抗に流れる電流値は小さく、単位時間当たりの抵抗での発熱量は少ない。従って、蓄電器が充電している間に抵抗の周辺温度が一定温度以上となることはない。
【０００８】
しかし、スイッチ及び抵抗を介して蓄電器に電力を供給する蓄電装置を備える電源システムでは、蓄電器に蓄えられた電力が負荷に供給される。このため、蓄電器に一定量以上の電力が蓄えられなければ、負荷を作動させることができない。抵抗に流れる電流値は小さい場合、蓄電器を素早く充電することができないため、蓄電器の充電を開始してから短時間で負荷を作動させることができないという問題がある。
【０００９】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、素早く蓄電器を充電することが可能な蓄電装置、及び、該蓄電装置を備える電源システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る蓄電装置は、入力された電力がスイッチ及び抵抗を介して蓄電器に供給される蓄電装置において、前記抵抗の周辺温度を検出する温度検出回路と、該温度検出回路が検出した前記周辺温度が第１温度以上である場合に前記スイッチをオフにし、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度が前記第１温度以下の第２温度未満である場合に前記スイッチをオンにするスイッチ制御部とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明にあっては、温度検出回路は抵抗の周辺温度を検出する。温度検出回路が検出した周辺温度が第２温度未満である場合、スイッチはオンとなり、外部から入力された電力がスイッチ及び抵抗を介して蓄電器に供給される。温度検出回路が検出した周辺温度が第１温度以上である場合、スイッチはオフとなり、蓄電器への電力の供給が停止する。抵抗の周辺温度が第２温度未満となった場合、再び、スイッチがオンとなり、蓄電器へ電力が供給される。第２温度は第１温度以下である。
【００１２】
抵抗の周辺温度が第１温度未満となるように、スイッチのオン及びオフが制御されるため、抵抗の抵抗値は小さくてもよい。抵抗の抵抗値が小さい場合、大きな電流が蓄電器に流れるため、蓄電器が素早く充電される。
【００１３】
本発明に係る蓄電装置は、前記蓄電器の端子電圧を変圧し、変圧した電圧を出力する変圧回路を備え、前記温度検出回路は、抵抗値が前記周辺温度に応じて異なる第１抵抗回路と、第２抵抗回路とを有し、前記第１抵抗回路及び第２抵抗回路は前記変圧回路が出力した電圧を分圧し、前記スイッチ制御部は、前記第１抵抗回路及び第２抵抗回路が分圧した分圧電圧値が示す前記周辺温度が前記第１温度以上である場合に前記スイッチをオフにし、該分圧電圧値が示す前記周辺温度が前記第２温度未満である場合に前記スイッチをオンにすることを特徴とする。
【００１４】
本発明にあっては、変圧回路は、蓄電器の端子電圧を変圧し、変圧した電圧を出力する。温度検出回路の第１抵抗回路及び第２抵抗回路は変圧回路が出力した電圧を分圧する。第１抵抗回路の抵抗値は抵抗の周辺温度に応じて異なるため、第１抵抗回路及び第２抵抗回路が分圧した分圧電圧値は、抵抗の周辺温度に応じて異なる。分圧電圧値が示す周辺温度が第１温度以上である場合にスイッチをオフにし、分圧電圧値が示す周辺温度が第２温度未満である場合にスイッチをオンにする。
【００１５】
例えば、変圧回路が出力した電圧が負荷に出力されるように構成されている場合、温度検出回路は、変圧回路が負荷に出力する電圧を用いて抵抗の周辺温度を検出することが可能となる。
【００１６】
本発明に係る蓄電装置は、前記蓄電器の端子電圧値を検出する電圧検出回路を更に備え、前記スイッチ制御部は、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度が前記第１温度以上であるか、又は、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が電圧閾値以上である場合に前記スイッチをオフにすることを特徴とする。
【００１７】
本発明にあっては、抵抗の周辺温度が第１温度以上になるか、又は、蓄電器の端子電圧値が電圧閾値以上となった場合にスイッチはオフとなる。このため、抵抗周辺の温度が第１温度未満に保持されると共に、蓄電器の端子電圧値が電圧閾値未満に保持される。
【００１８】
本発明に係る蓄電装置は、前記スイッチ制御部は、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が電圧閾値以上となった場合、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度に無関係に、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が前記電圧閾値未満の第２の電圧閾値未満となるまで、前記スイッチのオフを維持することを特徴とする。
【００１９】
本発明にあっては、蓄電器の端子電圧値が電圧閾値以上となった後、たとえ温度検出回路が検出した周辺温度が第２温度未満であっても、蓄電器の端子電圧値が第２の電圧閾値以上である限り、スイッチがオンとなることはない。第２の電圧閾値は電圧閾値未満であるので、スイッチのオン及びオフが頻繁に切替わることはなく、スイッチングノイズが小さい。
【００２０】
本発明に係る蓄電装置は、前記第２温度は前記第１温度未満であることを特徴とする。
【００２１】
本発明にあっては、第２温度は第１温度未満であるため、スイッチのオン及びオフが頻繁に切替わることはなく、スイッチングノイズが小さい。
【００２２】
本発明に係る電源システムは、前述した蓄電装置と、前記電力を前記蓄電器に供給する第２の蓄電器と、前記蓄電器が蓄えた電力が供給される負荷とを備えることを特徴とする。
【００２３】
本発明にあっては、蓄電装置の蓄電器には、第２の蓄電器によって電力が供給され、負荷には蓄電器が蓄えた電力が供給される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、素早く蓄電器を充電することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施の形態１における電源システムの回路図である。
【図２】制御回路の回路図である。
【図３】蓄電装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】実施の形態２における電源システムの回路図である。
【図５】マイコンの要部構成を示すブロック図である。
【図６】制御部が実行するスイッチ制御処理の手順を示すフローチャートである。
【図７】制御部が実行するスイッチ制御処理の手順を示すフローチャートである。
【図８】蓄電装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における電源システム１の回路図である。電源システム１は、車両に好適に搭載されており、蓄電装置１０、イグニッションスイッチ１１、バッテリ１２及び負荷１３を備える。蓄電装置１０の一端はイグニッションスイッチ１１の一端に接続されており、イグニッションスイッチ１１の他端はバッテリ１２の正極に接続されている。蓄電装置１０の他端は負荷１３の一端に接続されている。バッテリ１２の負極と、負荷１３の他端とは接地されている。
【００２７】
イグニッションスイッチ１１がオンである場合、蓄電装置１０には、バッテリ１２から電力が供給され、蓄電装置１０は充電される。イグニッションスイッチ１１がオフである場合、バッテリ１２から蓄電装置１０に電力が供給されることはない。蓄電装置１０は、バッテリ１２から蓄えた電力を負荷１３に供給する。
【００２８】
負荷１３は、車載機器、例えば、車両のドアのロック及びアンロックを行うドアロックモータである。負荷１３は、蓄電装置１０から供給された電力によって作動する。
【００２９】
蓄電装置１０は、Ｐチャネル型のＦＥＴ(Field Effect Transistor)２０、蓄電器２１、変圧回路２２、電圧検出回路２３、温度検出回路２４、制御回路２５、ダイオードＤ１、及び、３つの抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を有する。ＦＥＴ２０のソースはイグニッションスイッチ１１の一端に接続されており、ＦＥＴ２０のドレインは抵抗Ｒ１の一端に接続されている。抵抗Ｒ１の他端は、蓄電器２１、変圧回路２２及び電圧検出回路２３に接続されている。蓄電器２１及び電圧検出回路２３夫々は接地されている。変圧回路２２は、更に、ダイオードＤ１のアノードに接続されている。ダイオードＤ１のカソードは負荷１３の一端に接続されている。
【００３０】
変圧回路２２及びダイオードＤ１の接続ノードは、温度検出回路２４に接続されている。温度検出回路２４も接地されている。ＦＥＴ２０のソースには、更に抵抗Ｒ２の一端が接続されている。ＦＥＴ２０のゲートには、抵抗Ｒ２の他端と、抵抗Ｒ３の一端とが接続されている。制御回路２５は、ＦＥＴ２０のソースと、電圧検出回路２３と、温度検出回路２４と、抵抗Ｒ３の他端とに各別に接続されている。
【００３１】
ＦＥＴ２０はスイッチとして機能する。ＦＥＴ２０について、ソースの電位を基準としたゲートの電圧値が第１基準電圧値未満である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることが可能となる。このとき、ＦＥＴ２０はオンである。ＦＥＴ２０について、ソースの電位を基準としたゲートの電圧値が第１基準電圧値以上である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることはない。このとき、ＦＥＴ２０はオフである。第１基準電圧値はゼロボルト未満である。即ち、ＦＥＴ２０のソース及びゲートの電圧値がゼロボルトである場合、ＦＥＴ２０はオフである。
ＦＥＴ２０におけるゲートの電圧値は制御回路２５によって調整される。従って、ＦＥＴ２０は制御回路２５によってオン又はオフにされる。
【００３２】
イグニッションスイッチ１１がオンである場合において、ＦＥＴ２０がオンであるとき、バッテリ１２から入力された電力がＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１に供給される。これにより、蓄電器２１は充電される。
【００３３】
蓄電器２１は３つのキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３を有する。３つのキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３はこの順に直列に接続されている。蓄電器２１の一端は、キャパシタＣ１の一端であり、抵抗Ｒ１の他端に接続されている。蓄電器２１の他端は、キャパシタＣ３の一端であり、接地されている。
【００３４】
バッテリ１２は、ＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して、電力を蓄電器２１に供給する。蓄電器２１は、バッテリ１２から供給された電力を蓄える。抵抗Ｒ１は、所謂、制限抵抗である。蓄電器２１の端子電圧値、即ち、キャパシタＣ１の一端における電圧値は、蓄電器２１に蓄えられている電力量が多い程高い。
【００３５】
変圧回路２２は、蓄電器２１の端子電圧値が、予め設定されている下限電圧値未満である場合、動作を停止している。変圧回路２２は、蓄電器２１の端子電圧値が下限電圧値以上である場合、変圧回路２２は、蓄電器２１の端子電圧を一定の電圧に変圧し、変圧した電圧を、ダイオードＤ１を介して負荷１３に出力する。これにより、負荷１３には、蓄電器２１が蓄えた電力が供給される。変圧回路２２は、変圧した電圧を温度検出回路２４に出力する。これにより、一定の電圧が温度検出回路２４に印加される。
【００３６】
電圧検出回路２３は２つの抵抗Ｒ４，Ｒ５を有する。抵抗Ｒ４の一端は、蓄電器２１の一端に接続されている。抵抗Ｒ４の他端は抵抗Ｒ５の一端に接続されている。抵抗Ｒ５の他端は接地されている。抵抗Ｒ４，Ｒ５の接続ノードは制御回路２５に接続されている。抵抗Ｒ４，Ｒ５は蓄電器２１の端子電圧を分圧する。抵抗Ｒ４，Ｒ５の分圧によって得られた電圧値Ｖｃは制御回路２５に出力される。抵抗Ｒ４，Ｒ５の接続ノードから制御回路２５に出力される電圧値Ｖｃは、蓄電器２１の端子電圧値の第１定数分の１、例えば２分の１である。
蓄電器２１の端子電圧値の第１定数分の１である電圧値を出力することは、蓄電器２１の端子電圧値を検出することに相当する。
【００３７】
温度検出回路２４は、サーミスタ３０と、３つの抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８を有する。サーミスタ３０及び抵抗Ｒ６夫々の一端は、変圧回路２２及びダイオードＤ１の接続ノードに接続されている。サーミスタ３０の他端は抵抗Ｒ７の一端に接続されている。抵抗Ｒ６，Ｒ７夫々の他端は、制御回路２５と、抵抗Ｒ８の一端とに接続されている。抵抗Ｒ８の他端は接地されている。
【００３８】
サーミスタ３０は抵抗Ｒ１の周辺に配置されている。サーミスタ３０の抵抗値は、サーミスタ３０の温度、即ち、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程小さい。サーミスタ３０と２つの抵抗Ｒ６，Ｒ７とは第１抵抗回路として機能する。サーミスタ３０の抵抗値は抵抗Ｒ１の周辺温度に応じて異なり、かつ、抵抗Ｒ６，Ｒ７夫々の抵抗値が一定であるため、第１抵抗回路の抵抗値も抵抗Ｒ１の周辺温度に応じて異なる。具体的には、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程、第１抵抗回路の抵抗値は小さい。抵抗Ｒ８は第２抵抗回路として機能する。第２抵抗回路の抵抗値は、抵抗Ｒ８の抵抗値であり、一定である。
【００３９】
温度検出回路２４では、第１抵抗回路及び第２抵抗回路は、変圧回路２２から出力された一定の電圧を分圧する。第１抵抗回路及び第２抵抗回路の分圧によって得られた電圧値Ｖａは、制御回路２５に出力される。電圧値Ｖａは分圧電圧値に相当する。
第１抵抗回路及び第２抵抗回路の接続ノードから制御回路２５に出力される電圧値Ｖａは、第１抵抗回路及び第２抵抗回路夫々の抵抗値の比によって決定される。第１抵抗回路の抵抗値と比較して第２抵抗回路の抵抗値が大きい程、電圧値Ｖａは高く、第１抵抗回路の抵抗値と比較して第２抵抗回路の抵抗値が小さい場合、電圧値Ｖａは低い。
【００４０】
従って、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い場合、第１抵抗回路の抵抗値が小さいため、電圧値Ｖａは高い。また、抵抗Ｒ１の周辺温度が低い場合、第１抵抗回路の抵抗値が大きいため、電圧値Ｖａは低い。
抵抗Ｒ１の周辺温度に応じて異なる電圧値Ｖａを出力することは、抵抗の周辺温度を検出することに相当する。
【００４１】
以上のように、温度検出回路２４は、変圧回路２２が負荷１３に出力する電圧を用いて抵抗Ｒ１の周辺温度を検出することができる。
【００４２】
制御回路２５は、ＦＥＴ２０のソースにおける電圧値と、電圧検出回路２３から入力される電圧値Ｖｃと、温度検出回路２４から入力される電圧値Ｖａとに基づいて、ＦＥＴ２０のゲートにおける電圧値を調整し、ＦＥＴ２０をオン又はオフにする。
【００４３】
図２は制御回路２５の回路図である。制御回路２５は、Ｎチャネル型のＦＥＴ４０、２つのコンパレータ４１，４２、２つのダイオードＤ２，Ｄ３及び２つの抵抗Ｒ９，Ｒ１０を有する。ＦＥＴ４０のドレインは抵抗Ｒ３の他端に接続されており、ＦＥＴ４０のソースは接地されている。ＦＥＴ４０のゲートは、ダイオードＤ２，Ｄ３夫々のアノードと、抵抗Ｒ９，Ｒ１０夫々の一端とに接続されている。抵抗Ｒ９の他端はＦＥＴ２０のソースに接続されている。抵抗Ｒ１０の他端は接地されている。
【００４４】
ダイオードＤ２のカソードはコンパレータ４１の出力端子に接続されている。コンパレータ４１のプラス端子には、一定の電圧値Ｖｒ１が入力されている。コンパレータ４１のマイナス端子には、電圧検出回路２３から電圧値Ｖｃが入力されている。
ダイオードＤ３のカソードはコンパレータ４２の出力端子に接続されている。コンパレータ４２のプラス端子には、一定の電圧値Ｖｒ２が入力されている。コンパレータ４２のマイナス端子には、温度検出回路２４から電圧値Ｖａが入力されている。
２つのコンパレータ４１，４２夫々は接地されている。
【００４５】
ＦＥＴ４０もスイッチとして機能する。ＦＥＴ４０について、接地電位を基準としたゲートの電圧値が第２基準電圧値以上である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることが可能である。このとき、ＦＥＴ４０はオンである。ＦＥＴ４０について、接地電位を基準としたゲートの電圧値が第２基準電圧値未満である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることはない。このときＦＥＴ４０はオフである。
【００４６】
コンパレータ４１，４２夫々は、所謂シュミット回路であり、ヒステリシス特性を有する。
コンパレータ４１に関して、電圧値Ｖｃが、電圧値Ｖｒ１に一定の電圧値ΔＶ１を加えた電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）以上となった場合、出力端子、即ち、ダイオードＤ２のカソードが接地される。電圧値Ｖｃが、電圧値Ｖｒ１から電圧値ΔＶ１を引いた電圧値（Ｖｒ１−ΔＶ１）未満となった場合、コンパレータ４１の出力端子は開放される。電圧値ΔＶ１は正の値である。
【００４７】
コンパレータ４２に関して、電圧値Ｖａが、電圧値Ｖｒ２に一定の電圧値ΔＶ２を加えた電圧値（Ｖｒ２＋ΔＶ２）以上となった場合、出力端子、即ち、ダイオードＤ３のカソードが接地される。電圧値Ｖａが、電圧値Ｖｒ２から電圧値ΔＶ２を引いた電圧値（Ｖｒ２−ΔＶ２）未満となった場合、コンパレータ４２の出力端子は開放される。電圧値ΔＶ２は正の値である。
【００４８】
イグニッションスイッチ１１がオンである場合において、コンパレータ４１，４２夫々が出力端子を開放しているとき、抵抗Ｒ９，Ｒ１０はバッテリ１２の出力電圧を分圧する。抵抗Ｒ９，Ｒ１０の分圧によって得られた電圧値は、バッテリ１２の出力電圧値Ｖｂの第２定数分の１、例えば２分の１であり、ＦＥＴ４０のゲートに出力される。バッテリ１２の出力電圧値Ｖｂの第２定数分の１は第２基準電圧値以上である。このため、抵抗Ｒ９，Ｒ１０がバッテリ１２の出力電圧を分圧している間、ＦＥＴ４０はオンである。
【００４９】
イグニッションスイッチ１１がオンである場合において、コンパレータ４１，４２の少なくとも一方が出力端子を接地しているとき、電流は、バッテリ１２の正極から、抵抗Ｒ９を介して、ダイオードＤ２，Ｄ３の少なくとも一方に流れる。このとき、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値は、ダイオードＤ２，Ｄ３のいずれか一方の順方向電圧値であり、例えば、０．７ボルトである。第２基準電圧値は、ダイオードＤ２，Ｄ３のいずれの順方向電圧値よりも高い。このため、イグニッションスイッチ１１がオンである場合において、コンパレータ４１，４２の少なくとも一方が出力端子を接地しているとき、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値は第２基準電圧値未満であり、ＦＥＴ４０はオフである。
【００５０】
イグニッションスイッチ１１がオフである場合、ダイオードＤ１，Ｄ２及び抵抗Ｒ９，Ｒ１０のいずれにも電流が流れないため、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値はゼロボルトである。第２基準電圧値はゼロボルトよりも高い。このため、イグニッションスイッチ１１がオフである場合、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値は第２基準電圧値未満であり、ＦＥＴ４０はオフである。
【００５１】
ＦＥＴ４０がオンである場合、前述したように、イグニッションスイッチ１１はオンであるため、バッテリ１２の正極から、電流が、抵抗Ｒ２，Ｒ３及びＦＥＴ４０の順に流れる。このとき、抵抗Ｒ２によって電圧降下が生じ、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値は第１基準電圧値未満であり、ＦＥＴ２０はオンである。
以上のように、ＦＥＴ４０がオンである場合、ＦＥＴ２０もオンである。
【００５２】
ＦＥＴ４０がオフである場合、抵抗Ｒ２に電流が流れることはないため、ＦＥＴ２０のソース及びゲート夫々の電位は同じであり、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値はゼロボルトである。前述したように、第１基準電圧値はゼロボルト未満であるため、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値がゼロボルトである場合、この電圧値は第１基準電圧値以上であり、ＦＥＴ２０はオフである。
以上のように、ＦＥＴ４０がオフである場合、ＦＥＴ２０もオフである。
【００５３】
図３は蓄電装置１０の動作を説明するためのタイミングチャートである。図３には、ＦＥＴ４０，２０夫々のオン及びオフの推移と、電圧値Ｖｃ，Ｖａ夫々の推移とが示されている。
【００５４】
以下では、端子電圧値がゼロボルトであって変圧回路２２の下限電圧値未満である蓄電器２１の充電を説明する。
蓄電器２１の充電の説明を簡単にするため、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）である場合における蓄電器２１の端子電圧値を上側閾値と記載し、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１−ΔＶ１）である場合における蓄電器２１の端子電圧値を下側閾値と記載する。また、電圧値Ｖａが電圧値（Ｖｒ２＋ΔＶ２）である場合における抵抗Ｒ１の周辺温度を上側温度と記載し、電圧値Ｖａが電圧値（Ｖｒ２−ΔＶ２）である場合における抵抗Ｒ１の周辺温度を下側温度と記載する。電圧値ΔＶ１は正の値であるため、下側閾値は上側閾値未満である。電圧値ΔＶ２も正の値であるため、下側温度は上側温度未満である。
【００５５】
イグニッションスイッチ１１がオフである場合、前述したように、ＦＥＴ４０がオフであるため、ＦＥＴ２０がオフであり、抵抗Ｒ１に電流が流れることはない。ＦＥＴ２０がオフである場合、ＦＥＴ２０のドレインにおける電圧値Ｖｄは、蓄電器２１の端子電圧値に一致し、電圧値Ｖｃと同様に推移する。
【００５６】
イグニッションスイッチ１１がオンとなった時点において、蓄電器２１の端子電圧値が下限電圧値未満であるため、変圧回路２２は作動していない。このため、電圧値Ｖａは、ゼロボルトであり、電圧値（Ｖｒ２＋ΔＶ２）未満である。更に、イグニッションスイッチ１１がオンとなった時点では、電圧値Ｖｃもゼロボルトであり、電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）よりも低い。従って、コンパレータ４１，４２夫々は出力端子を開放している。
【００５７】
以上のことから、イグニッションスイッチ１１がオンとなった時点では、コンパレータ４１，４２夫々は出力端子を開放しているので、抵抗Ｒ９，Ｒ１０はバッテリ１２の出力電圧を分圧し、ＦＥＴ４０，２０が順次オンとなる。ＦＥＴ２０がオンになった場合、電流がバッテリ１２の正極からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１に流れ、電圧値Ｖｄがバッテリ１２の出力電圧値Ｖｂに上昇し、蓄電器２１が充電される。蓄電器２１に蓄えている電力量が増加するにつれて、蓄電器２１の端子電圧値が上昇し、電圧値Ｖｃも上昇する。
【００５８】
また、電流がバッテリ１２の正極からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１に流れている場合、抵抗Ｒ１が発熱する。これにより、抵抗Ｒ１の周辺温度が上昇し、サーミスタ３０の抵抗値が低下する。
【００５９】
蓄電器２１の充電によって、蓄電器２１の端子電圧値が下限電圧値以上となった場合、変圧回路２２が作動し、変圧回路２２は一定の電圧を温度検出回路２４に出力する。これにより、電圧値Ｖａがゼロボルトを超える。電圧値Ｖａは、前述したように、サーミスタ３０の抵抗値が小さい程、即ち、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程、高い。
【００６０】
電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）未満である場合において、電圧値Ｖａが電圧値（Ｖｒ２＋ΔＶ２）未満である間、ＦＥＴ２０はオンであり、電圧値Ｖｄはバッテリ１２の出力電圧値Ｖｂである。このため、蓄電器２１は充電され、電圧値Ｖｃは上昇する。バッテリ１２の出力電圧値Ｖｂは上側閾値を超えている。
【００６１】
蓄電器２１が充電されている間、抵抗Ｒ１に電流が流れるため、抵抗Ｒ１の周辺温度が上昇し、電圧値Ｖａも上昇する。電圧値Ｖａが電圧値（Ｖｒ２＋ΔＶ２）以上となった場合、即ち、抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上となった場合、コンパレータ４２は出力端子を接地する。これにより、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値がダイオードＤ３の順方向電圧値となって、ＦＥＴ４０，２０が順次オフとなる。ＦＥＴ２０のオフにより、バッテリ１２から蓄電器２１への電力の供給が停止する。
以上のように、制御回路２５は、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周囲温度、即ち、電圧値Ｖａが示す抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上である場合、ＦＥＴ２０をオフにする。上側温度は第１温度に相当する。
【００６２】
ＦＥＴ２０がオフである場合において、負荷１３が作動していないとき、蓄電器２１が放出する電力量は少ないため、蓄電器２１の端子電圧値は略一定である。更に、ＦＥＴ２０がオフである場合、電流がバッテリ１２から抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１へ流れないため、抵抗Ｒ１は発熱せず、抵抗Ｒ１の周辺温度は低下する。抵抗Ｒ１の周辺温度が低下した場合、サーミスタ３０の抵抗値が上昇するため、電圧値Ｖａは低下する。
【００６３】
電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）未満である場合において、電圧値Ｖａが電圧値（Ｖｒ２−ΔＶ２）未満となったとき、即ち、抵抗Ｒ１の周辺温度が下側温度未満となったとき、コンパレータ４２は出力端子を再び開放する。このとき、コンパレータ４１の出力端子は開放されているため、抵抗Ｒ９，Ｒ１０はバッテリ１２の出力電圧を分圧し、ＦＥＴ４０，２０は順次オンとなる。ＦＥＴ２０のオンにより、バッテリ１２からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して、再び、蓄電器２１に電力が供給され、蓄電器２１が充電される。
【００６４】
以上のように、制御回路２５は、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）未満である場合において、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度、即ち、電圧値Ｖａが示す抵抗Ｒ１の周辺温度が下側温度未満であるときにＦＥＴ２０をオンにする。下側温度は第２温度に相当し、制御回路２５はスイッチ制御部として機能する。
前述したように、下側温度は上側温度未満であるため、ＦＥＴ２０，４０のオン及びオフが頻繁に切替わることはなく、ＦＥＴ２０，４０から発生するスイッチングノイズは小さい。
【００６５】
以上のように、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）以上となるまで、即ち、蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となるまで、ＦＥＴ２０のオン及びオフの切替えを繰り返し、蓄電器２１を充電する。
蓄電装置１０では、制御回路２５は、抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度未満となるように、ＦＥＴ２０のオン及びオフを制御するため、抵抗Ｒ１の抵抗値は小さくてもよい。抵抗Ｒ１の抵抗値が小さい場合、大きな電流が、バッテリ１２の正極からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１に流れるので、制御回路２５は、蓄電器２１を素早く充電することができる。従って、イグニッションスイッチ１１がオンとなって蓄電器２１の充電を開始してから、短時間で負荷１３を作動させることができる。
【００６６】
電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）以上となった場合、コンパレータ４１は出力端子を接地する。これにより、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値はダイオードＤ２の順方向電圧値となり、ＦＥＴ４０，２０は順次オフとなる。この後、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１−ΔＶ１）未満となるまで、ＦＥＴ２０，４０のオフが維持される。
【００６７】
電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）以上となってＦＥＴ４０がオフに維持された後に負荷１３が作動した場合、蓄電器２１は放電し、蓄電器２１の端子電圧値、即ち、電圧値Ｖｃは低下する。
なお、負荷１３が作動されない場合であっても、蓄電器２１の端子電圧値は自然放電によって徐々に低下する。
【００６８】
その後、蓄電器２１の端子電圧値が下限閾値未満となって、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１−ΔＶ１）未満となった場合、コンパレータ４１は出力端子を再び開放し、ＦＥＴ４０のオフの維持が解除される。このとき、コンパレータ４２の出力端子は開放されているため、抵抗Ｒ９，Ｒ１０はバッテリ１２の出力電圧を分圧し、ＦＥＴ４０，２０は順次オンとなる。ＦＥＴ２０のオンにより、バッテリ１２からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して、再び、蓄電器２１に電力が供給され、蓄電器２１が充電される。
【００６９】
以上のように、制御回路２５は、温度検出回路２４が検出した周囲温度が上側温度以上であるか、又は、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値、即ち、電圧値Ｖｃが示す蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上である場合、ＦＥＴ２０をオフにする。
このため、抵抗Ｒ１周辺の温度が上側温度未満に保持されると共に、蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値未満に保持される。
【００７０】
また、制御回路２５は、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となった場合、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度に無関係に、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が下側閾値未満となるまで、ＦＥＴ２０のオフを維持する。
下側閾値は上側閾値未満であるため、ＦＥＴ２０，４０のオン及びオフが切替わる頻度が更に少なく、ＦＥＴ２０，４０から発生するスイッチングノイズは更に小さい。上側閾値は電圧閾値に相当し、下側閾値は第２の電圧閾値に相当する。
【００７１】
（実施の形態２）
実施の形態１では、電圧値Ｖａ，Ｖｃに基づいてＦＥＴ２０をオン又はオフにする構成は、制御回路２５によって実現されている。しかしながら、電圧値Ｖａ，Ｖｃに基づいてＦＥＴ２０をオン又はオフにする構成はマイクロコンピュータ（以下では、マイコンと記載）によって実現されてもよい。
【００７２】
以下では、実施の形態２について実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については実施の形態１と同様であるため、同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００７３】
図４は実施の形態２における電源システム５の回路図である。電源システム５は、実施の形態１における電源システム１と同様に、車両に好適に搭載されている。電源システム５は、イグニッションスイッチ１１、バッテリ１２、負荷１３及び蓄電装置５０を備える。これらは実施の形態１と同様に接続されている。従って、蓄電装置５０の一端はイグニッションスイッチ１１の一端に接続されており、イグニッションスイッチ１１の他端はバッテリ１２の正極に接続されている。蓄電装置５０の他端は負荷１３の一端に接続されている。バッテリ１２の負極と、負荷１３の他端とは接地されている。蓄電装置５０は、実施の形態１における蓄電装置１０と同様に作用する。
【００７４】
蓄電装置５０は、蓄電装置１０と同様に、ＦＥＴ２０、蓄電器２１、変圧回路２２、電圧検出回路２３、温度検出回路２４、ダイオードＤ１、及び、３つの抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を有する。蓄電装置５０は、更に、レギュレータ６０及びマイコン６１を有する。
【００７５】
ＦＥＴ２０、蓄電器２１、変圧回路２２、電圧検出回路２３、ダイオードＤ１、及び、３つの抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は実施の形態１と同様に接続されている。レギュレータ６０の一端は、ＦＥＴ２０のソースに接続されている。レギュレータ６０の他端は、温度検出回路２４のサーミスタ３０及び抵抗Ｒ６の接続ノードと、マイコン６１とに接続されている。マイコン６１は、実施の形態１における制御回路２５と同様に、電圧検出回路２３、温度検出回路２４及び抵抗Ｒ３に接続されている。
【００７６】
レギュレータ６０は、イグニッションスイッチ１１がオンである場合、バッテリ１２の出力電圧、例えば１２ボルトを一定の電圧、例えば５ボルトに調整し、調整した電圧を温度検出回路２４及びマイコン６１に出力する。
【００７７】
温度検出回路２４では、実施の形態１と同様に、サーミスタ３０及び抵抗Ｒ６，Ｒ７は第１抵抗回路として機能し、抵抗Ｒ８は第２抵抗回路として機能する。第１抵抗回路及び第２抵抗回路は、レギュレータ６０から出力された一定の電圧を分圧する。これにより、実施の形態１と同様の電圧値Ｖａがマイコン６１に出力される。
【００７８】
電圧検出回路２３においても、実施の形態１と同様に、抵抗Ｒ４，Ｒ５は蓄電器２１の端子電圧を分圧する。これにより、実施の形態１と同様の電圧値Ｖｃがマイコン６１に出力される。
電圧検出回路２３及び温度検出回路２４夫々から出力される電圧値Ｖｃ及び電圧値Ｖａはアナログ値である。
【００７９】
レギュレータ６０からマイコン６１に一定の電圧が印加された場合、マイコン６１に電力が供給され、マイコン６１は起動する。マイコン６１は、電圧検出回路２３及び温度検出回路２４から入力される電圧値Ｖｃ及び電圧値Ｖａに基づいて、ＦＥＴ２０のゲートにおける電圧値を調整し、ＦＥＴ２０をオン又はオフにする。
【００８０】
図５はマイコン６１の要部構成を示すブロック図である。マイコン６１は、入力部７０，７１、Ａ(Analog)／Ｄ(digital)変換部７２，７３、出力部７４、記憶部７５及び制御部７６を有する。Ａ／Ｄ変換部７２，７３、出力部７４、記憶部７５及び制御部７６はバス７７に接続されている。Ａ／Ｄ変換部７２，７３夫々には、バス７７の他に、入力部７０，７１が接続されている。入力部７０は、更に、温度検出回路２４の抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８の接続ノードに接続されている。入力部７１は、更に、電圧検出回路２３の抵抗Ｒ４，Ｒ５の接続ノードに接続されている。出力部７４は、一端がＦＥＴ２０のゲートに接続されている抵抗Ｒ３の他端に接続されている。出力部７４は更に接地されている。
【００８１】
入力部７０には、温度検出回路２４からアナログの電圧値Ｖａが入力される。入力部７０は、入力された電圧値ＶａをＡ／Ｄ変換部７２に出力する。Ａ／Ｄ変換部７２は、入力部７０から入力されたアナログの電圧値Ｖａをデジタルの電圧値Ｖａに変換する。Ａ／Ｄ変換部７２が変換したデジタルの電圧値Ｖａは、制御部７６によって、Ａ／Ｄ変換部７２から取得される。
【００８２】
同様に、入力部７１には、電圧検出回路２３からアナログの電圧値Ｖｃが入力される。入力部７１は、入力された電圧値ＶｃをＡ／Ｄ変換部７３に出力する。Ａ／Ｄ変換部７３は、入力部７１から入力されたアナログの電圧値Ｖｃをデジタルの電圧値Ｖｃに変換する。Ａ／Ｄ変換部７３が変換したデジタルの電圧値Ｖｃは、制御部７６によって、Ａ／Ｄ変換部７３から取得される。
【００８３】
出力部７４は、制御部７６の指示に従って、抵抗Ｒ３の他端の開放及び接地を行う。マイコン６１がバッテリ１２からレギュレータ６０を介して給電されている場合において、制御部７６は出力部７４に抵抗Ｒ３の他端の開放及び接地を指示する。従って、出力部７４は、イグニッションスイッチ１１がオンである状態で抵抗Ｒ３の他端の開放及び接地を行う。
【００８４】
出力部７４が抵抗Ｒ３の他端を開放している場合、抵抗Ｒ２に電流が流れることはないため、ＦＥＴ２０のソース及びゲート夫々の電位は同じであり、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値はゼロボルトである。実施の形態１で述べたように、第１基準電圧値はゼロボルト未満であるため、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値がゼロボルトである場合、この電圧値は第１基準電圧値以上であり、ＦＥＴ２０はオフである。
【００８５】
出力部７４が抵抗Ｒ３の他端を接地した場合、バッテリ１２の正極から、電流が、抵抗Ｒ２，Ｒ３及び出力部７４の順に流れる。このとき、抵抗Ｒ２によって電圧降下が生じ、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値は第１基準電圧値未満であり、ＦＥＴ２０はオンである。
イグニッションスイッチ１１がオフである場合、抵抗Ｒ２に電流が流れることはないため、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値はゼロボルトである。このとき、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値は第１基準電圧値以上であり、ＦＥＴ２０はオフである。
【００８６】
記憶部７５は、不揮発性のメモリであり、記憶部７５には制御プログラムが記憶されている。制御部７６は、図示しないＣＰＵを有し、記憶部７５に記憶されている制御プログラムを実行することによって、ＦＥＴ２０をオン又はオフにするスイッチ制御処理を実行する。
記憶部７５には、ＦＥＴ２０のオン及びオフの制御に用いられるフラグの値が記憶されている。フラグの値はゼロ又は１である。記憶部７５に記憶してあるフラグの値の読出し及び設定は制御部７６によって行われる。
【００８７】
図６及び図７は、制御部７６が実行するスイッチ制御処理の手順を示すフローチャートである。制御部７６は、イグニッションスイッチ１１がオンとなってマイコン６１がレギュレータ６０から給電されている間、スイッチ制御処理を周期的に実行する。イグニッションスイッチ１１がオフとなってマイコン６１への給電が停止した場合に制御部７６は動作を停止する。マイコン６１が起動した後に最初に実行するスイッチ制御処理ではフラグの値はゼロに設定されている。
【００８８】
まず、制御部７６は、ＦＥＴ２０がオンであるか否かを判定する（ステップＳ１）。制御部７６は、出力部７４が抵抗Ｒ３の他端を接地している場合にＦＥＴ２０がオンであると判定し、出力部７４が抵抗Ｒ３の他端を開放している場合にＦＥＴ２０がオフであると判定する。
【００８９】
制御部７６は、ＦＥＴ２０がオンであると判定した場合（Ｓ１：ＹＥＳ）、Ａ／Ｄ変換部７２から電圧値Ｖａを取得し（ステップＳ２）、取得した電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２以上であるか否かを判定する（ステップＳ３）。閾値Ｖｕ２は、一定値であり、記憶部７５に予め記憶されている。実施の形態２においては、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２である場合における抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度である。
【００９０】
ステップＳ３は、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上であるか否かを判定する処理に相当する。電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２以上である場合、抵抗Ｒ１の周辺温度は上側温度以上であり、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２未満である場合、抵抗Ｒ１の周辺温度は上側温度未満である。
【００９１】
制御部７６は、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２未満であると判定した場合（Ｓ３：ＮＯ）、Ａ／Ｄ変換部７３から電圧値Ｖｃを取得し（ステップＳ４）、取得した電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ５）。閾値Ｖｕ１は、一定値であり、記憶部７５に予め記憶されている。実施の形態２においては、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１である場合における蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値である。
【００９２】
ステップＳ５は、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上であるか否かを判定する処理に相当する。電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上である場合、蓄電器２１の端子電圧値は上側閾値以上であり、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１未満である場合、蓄電器２１の端子電圧値は上側閾値未満である。
【００９３】
制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１未満であると判定した場合（Ｓ５：ＮＯ）、スイッチ制御処理を終了する。その後、制御部７６は、次の周期が到来した場合、スイッチ制御処理を再開する。
従って、制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１未満である場合において、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２未満である間、ＦＥＴ２０をオンにする。
【００９４】
制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上であると判定した場合（Ｓ５：ＹＥＳ）、フラグの値を１に設定する（ステップＳ６）。制御部７６は、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２以上であると判定した場合（Ｓ３：ＹＥＳ）、又は、ステップＳ６を実行した後、出力部７４に抵抗Ｒ３の他端を開放させることによって、ＦＥＴ２０をオフにする（ステップＳ７）。
【００９５】
電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２以上となったため、即ち、抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上となったために、制御部７６がＦＥＴ２０をオフにした場合、フラグの値はゼロである。電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上となったため、即ち、蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となったために、制御部７６がＦＥＴ２０をオフにした場合、フラグの値は１である。このように、フラグの値は、制御部７６がＦＥＴ２０をオフにした原因を示している。
【００９６】
制御部７６は、ステップＳ７を実行した後、スイッチ制御処理を終了する。その後、制御部７６は、次の周期が到来した場合、スイッチ制御処理を再開する。
【００９７】
制御部７６は、ＦＥＴ２０がオンではない、即ち、ＦＥＴ２０がオフであると判定した場合（Ｓ１：ＮＯ）、フラグの値が１であるか否かを判定する（ステップＳ８）。制御部７６は、フラグの値が１ではない、即ち、フラグの値がゼロであると判定した場合（Ｓ８：ＮＯ）、Ａ／Ｄ変換部７２から電圧値Ｖａを取得し（ステップＳ９）、取得した電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２未満であるか否かを判定する（ステップＳ１０）。閾値Ｖｂ２は閾値Ｖｕ２未満であって一定値である。閾値Ｖｂ２は記憶部７５に予め記憶されている。実施の形態２においては、電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２である場合における抵抗Ｒ１の周辺温度が下側温度である。閾値Ｖｂ２は閾値Ｖｕ２未満であるので、下側温度も上側温度未満である。
【００９８】
ステップＳ１０は、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が下側温度未満であるか否かを判定する処理に相当する。電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２未満である場合、抵抗Ｒ１の周辺温度は下側温度未満であり、電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２以上である場合、抵抗Ｒ１の周辺温度は下側温度以上である。
【００９９】
制御部７６は、電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２未満であると判定した場合（Ｓ１０：ＹＥＳ）、出力部７４に抵抗Ｒ３の他端を接地させることによって、ＦＥＴ２０をオンにする（ステップＳ１１）。制御部７６は、電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２以上であると判定した場合（Ｓ１０：ＮＯ）、又は、ステップＳ１１を実行した後、スイッチ制御処理を終了する。その後、制御部７６は、次の周期が到来した場合、スイッチ制御処理を再開する。
【０１００】
以上のように、制御部７６は、フラグの値が１となるまで、即ち、蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となるまで、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上である場合にＦＥＴ２０をオフにし、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が下側温度未満である場合にＦＥＴをオンにする。また、制御部７６は、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上である場合だけではなく、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上である場合も、ＦＥＴ２０をオフにする。
【０１０１】
制御部７６は、フラグの値が１であると判定した場合（Ｓ８：ＹＥＳ）、Ａ／Ｄ変換部７３から電圧値Ｖｃを取得し（ステップＳ１２）、取得した電圧値Ｖｃが閾値Ｖｂ１未満であるか否かを判定する（ステップＳ１３）。閾値Ｖｂ１は閾値Ｖｕ１未満であって一定値である。閾値Ｖｂ１は記憶部７５に予め記憶されている。実施の形態２においては、電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ１である場合における蓄電器２１の端子電圧値は下側閾値である。閾値Ｖｂ１は閾値Ｖｕ１未満であるので、下側閾値も上側閾値未満である。
【０１０２】
制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｂ１未満であると判定した場合（Ｓ１３：ＹＥＳ）、フラグの値をゼロに設定する（ステップＳ１４）。その後、制御部７６は、ステップＳ１１を実行し、スイッチ制御処理を終了する。制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｂ１以上であると判定した場合（Ｓ１３：ＮＯ）、スイッチ制御処理を終了する。制御部７６は、スイッチ制御処理を終了した後において、次の周期が搭載した場合、スイッチ制御処理を再開する。
【０１０３】
以上のように、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となってＦＥＴ２０をオフにした場合、フラグの値が１に設定される。その後、制御部７６は、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度に無関係に、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が下側閾値未満となるまで、ＦＥＴ２０のオフを維持する。
【０１０４】
図８は蓄電装置５０の動作を説明するためのタイミングチャートである。図８には、図３と同様に、端子電圧値がゼロボルトである蓄電器２１を充電する蓄電装置５０の動作の一例が示されている。図８には、ＦＥＴ２０のオン及びオフの推移と、電圧値Ｖｃ，Ｖａ夫々の推移とが示されている。これらは実施の形態１と略同じである。実施の形態１における電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１），（Ｖｒ１−ΔＶ１），（Ｖｒ２＋ΔＶ２），（Ｖｒ２−ΔＶ２）夫々は、実施の形態２では、閾値Ｖｕ１，Ｖｂ１，Ｖｕ２，Ｖｂ２に対応する。
【０１０５】
イグニッションスイッチ１１がオフである場合、前述したように、ＦＥＴ２０はオフである。ＦＥＴ２０がオフである場合、電圧値Ｖｄは、蓄電器２１の端子電圧値と同じであり、電圧値Ｖｃと同様に推移する。また、レギュレータ６０が作動していないため、電圧値Ｖａはゼロボルトである。イグニッションスイッチ１１がオンとなった場合、レギュレータ６０は、一定の電圧を温度検出回路２４に出力する。これにより、電圧値Ｖａがゼロボルトを超える。
【０１０６】
蓄電装置５０では、図８に示すように、制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上となるまで、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２以上である場合にＦＥＴ２０をオフにし、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２未満である場合にＦＥＴ２０をオンにする。ＦＥＴ２０がオンである場合、電圧値Ｖｄはバッテリ１２の出力電圧値Ｖｂであり、蓄電器２１が充電され、抵抗Ｒ１の周辺温度が上昇する。ＦＥＴ２０がオフである場合、蓄電器２１は充電されず、抵抗Ｒ１の周辺温度は低下する。
【０１０７】
閾値Ｖｂ２は閾値Ｖｂ１未満である、即ち、下側温度は上側温度未満であるため、制御部７６はＦＥＴ２０のオン及びオフを頻繁に切り替えることはなく、ＦＥＴ２０から発生するスイッチングノイズは小さい。
【０１０８】
また、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上となった場合、制御部７６は、ＦＥＴ２０をオフにし、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｂ１未満となるまで、電圧値Ｖａに無関係に、ＦＥＴ２０のオフを維持する。負荷１３の作動又は蓄電器２１の自然放電等によって、蓄電器２１の端子電圧値が低下して電圧値Ｖｃが閾値Ｖｂ１未満となった場合、制御部７６はＦＥＴ２０をオンにする。図８には、負荷１３の作動によって蓄電器２１の端子電圧値が低下する例が示されている。
【０１０９】
以上のように構成された蓄電装置５０では、制御部７６は、抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度未満となるように、ＦＥＴ２０のオン及びオフを制御するため、抵抗Ｒ１の抵抗値は小さくてもよい。抵抗Ｒ１の抵抗値が小さい場合、大きな電流が、バッテリ１２の正極からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１に流れるので、制御部７６は、蓄電器２１を素早く充電することができる。従って、イグニッションスイッチ１１がオンとなって蓄電器２１の充電を開始してから、短時間で負荷１３を作動させることができる。
【０１１０】
また、制御部７６は、温度検出回路２４が検出した周囲温度が上側温度以上であるか、又は、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値、即ち、電圧値Ｖｃが示す蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上である場合、ＦＥＴ２０をオフにする。
このため、抵抗Ｒ１周辺の温度が上側温度未満に保持されると共に、蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値未満に保持される。
【０１１１】
更に、制御部７６は、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となった場合、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度に無関係に、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が下側閾値未満となるまで、ＦＥＴ２０のオフを維持する。
下側閾値は上側閾値未満であるため、制御部７６がＦＥＴ２０のオン及びオフを切替える頻度が更に少なく、ＦＥＴ２０から発生するスイッチングノイズは更に小さい。
【０１１２】
なお、実施の形態１，２において、上側温度は下側温度と同じであってもよい。これは、実施の形態１では、コンパレータ４２がヒステリシス特性を有さずに電圧値ΔＶ２がゼロボルトであることを意味し、実施の形態２では、閾値Ｖｕ２が閾値Ｖｂ２と同じであることを意味する。この場合であっても、抵抗Ｒ１の抵抗値を小さくすることができ、蓄電器２１を素早く充電することができる。
【０１１３】
また、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となった場合に、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が下側閾値未満となるまでＦＥＴ２０をオフに維持しなくてもよい。これは、実施の形態１では、コンパレータ４１がヒステリシス特性を有さずに電圧値ΔＶ１がゼロボルトであることを意味し、実施の形態２では、閾値Ｖｕ１が閾値Ｖｂ１と同じであることを意味する。
【０１１４】
この構成では、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となった場合に、ＦＥＴ２０がオフとなる。更に、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値未満である場合において、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上であるときにＦＥＴ２０をオフにし、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度未満であるときにＦＥＴ２０をオンにする。
【０１１５】
蓄電器２１は、３つのコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を直列に接続することによって構成されなくてもよく、少なくとも１つのコンデンサを有する構成であればよい。
また、負荷１３が下側閾値以上の電圧の印加によって作動する場合、変圧回路２２が用いられなくてもよい。この場合、実施の形態１では、実施の形態２におけるレギュレータ６０を有し、レギュレータ６０が一定の電圧を温度検出回路２４に出力する。実施の形態１において、変圧回路２２が用いられる場合においても、蓄電装置１０がレギュレータ６０を更に有し、変圧回路２２ではなく、レギュレータ６０が一定の電圧を温度検出回路２４に出力してもよい。
【０１１６】
実施の形態１，２において、温度検出回路２４の第１抵抗回路はサーミスタ３０を有する回路であればよく、例えば、サーミスタ３０のみによって構成されてもよい。更に、温度検出回路２４において、第１抵抗回路及び第２抵抗回路の配置が逆であってもよい。この場合、電圧値Ｖａは、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程、低い。また、サーミスタ３０は、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程、抵抗値が低い特性を有するサーミスタに限定されず、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程、抵抗値が高い特性を有するサーミスタであってもよい。
【０１１７】
また、ＦＥＴ２０は、スイッチとして機能すればよいため、Ｐチャネル型のＦＥＴに限定されない。ＦＥＴ２０の代わりに、例えば、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタを用いてもよい。
同様に、実施の形態１において、ＦＥＴ４０も、スイッチとして機能すればよいため、Ｎチャネル型のＦＥＴに限定されない。ＦＥＴ４０の代わりに、例えば、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタを用いてもよい。
【０１１８】
開示された実施の形態１，２は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上述の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１９】
１  電源システム
１０，５０  蓄電装置
１２  バッテリ（第２の蓄電器）
１３  負荷
２０  ＦＥＴ（スイッチ）
２１  蓄電器
２２  変圧回路
２３  電圧検出回路
２４  温度検出回路
２５  制御回路（スイッチ制御部）
３０  サーミスタ（第１抵抗回路の一部）
７６  制御部（スイッチ制御部）
Ｒ１  抵抗
Ｒ６，Ｒ７  抵抗（第１抵抗回路の他部）
Ｒ８  抵抗（第２抵抗回路）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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