(57)【要約】【課題】基板を載置台から取り去るときに発生する静電気による絶縁破壊を防止する。【解決手段】端子領域は、表示領域から延在している引き出し線を含む引き出し線領域と、端子を含みドライバＩＣまたはフレキシブル配線基板と接続する接続領域と、端子から見て表示領域と反対側に存在する配線領域を有し、配線領域は、端子と接続する第１の配線と、第１の配線と層間絶縁膜を介して交差する第２の配線を有し、端子は、引き出し線と接続する第１の端子金属１１１と、第１の配線と接続する第２の端子金属１１２を有し、第１の端子金属１１１と第２の端子金属１１２を覆って絶縁膜が形成され、第１の端子金属１１１と第２の端子金属１１２はスルーホール１６１，１６２を介してＩＴＯ１２によって接続されている。これによって、基板を載置台から外したときの電圧上昇を抑え、層間絶縁膜の絶縁破壊を防止する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と端子領域とを有する表示装置であって、
前記端子領域は、前記表示領域に設けられる配線と接続する引き出し線と、前記引き出し線と接続し、ドライバＩＣまたはフレキシブル配線基板と接続する端子と、前記端子に接続する配線とを有し、
前記配線は、前記端子と接続する第１の配線と、前記第１の配線と層間絶縁膜を介して交差する第２の配線とを有し、
前記端子は、前記引き出し線と接続する第１の端子金属と、前記第１の配線と接続する第２の端子金属とを有し、前記第１の端子金属と前記第２の端子金属とを覆って絶縁膜が形成され、
前記第１の端子金属に対応して前記絶縁膜には第１のスルーホールが形成され、前記第２の端子金属に対応して前記絶縁膜には第２のスルーホールが形成され、前記第１の端子金属と前記第２の端子金属とは透明導電膜によって接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記透明導電膜は前記表示領域に形成される画素電極と同時に形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の端子金属と前記第２の端子金属は同層で形成されているものであることを特徴とすする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記配線領域は、検査用配線領域であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の配線は前記第２の配線と交差する前に、前記端子ＴＦＴを介して接続していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の配線と前記第２の配線は複数存在し、前記第１の配線のひとつは、前記第２の配線のひとつと、ＴＦＴによって接続していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の配線のひとつは前記ＴＦＴのドレイン電極を形成し、前記第２の配線のひとつは前記ＴＦＴのソース電極を形成していることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
表示領域と端子領域を有する表示装置であって、
前記端子領域は、前記表示領域に設けられる配線と接続するから延在している引き出し線を含む引き出し線領域と、前記引き出し線と接続し、端子を含みドライバＩＣまたはフレキシブル配線基板と接続する端子接続領域と、前記端子から見て前記表示領域と反対側に存在するに接続する配線領域とを有し、
前記配線は、前記端子と接続する第１の配線と、前記第１の配線と層間絶縁膜を介して交差する第２の配線を有し、
前記第１の配線は、前記第２の配線と交差する前に第１の部分と第２の部分に分断され、前記第１の部分と前記第２の部分は、透明導電膜によって接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
前記透明導電膜は前記表示領域に形成される画素電極と同時に形成されたものであることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１の端子金属と前記第２の端子金属は同層で形成されているものであることを特徴とすする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記配線領域は、検査用配線領域であることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の配線は前記第２の配線と交差する前に、前記端子とＴＦＴを介して接続していることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１の配線と前記第２の配線は複数存在し、前記第１の配線のひとつは、前記第２の配線のひとつと、ＴＦＴによって接続していることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１の配線のひとつは前記ＴＦＴのドレイン電極を形成し、前記第２の配線のひとつは前記ＴＦＴのソース電極を形成していることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
表示領域と端子領域を有する表示装置であって、
前記端子領域は、前記表示領域から延在している引き出し線を含む引き出し線領域と、端子を含みドライバＩＣまたはフレキシブル配線基板と接続する接続領域と、前記端子から見て前記表示領域と反対側に存在する配線領域を有し、
前記配線領域は、前記端子と接続する第１の配線と、前記第１の配線と層間絶縁膜を介して交差する第２の配線を有し、
前記第１の配線が前記第２の配線と交差する部分はＩＴＯによって形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
前記ＩＴＯは前記表示領域に形成される画素電極と同時に形成されたものであることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記配線領域は、検査用配線領域であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１の配線と前記第２の配線は複数存在し、前記第１の配線のひとつは、前記第２の配線のひとつと、ＴＦＴによって接続していることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１の配線のひとつは前記ＴＦＴのドレイン電極を形成し、前記第２の配線のひとつは前記ＴＦＴのソース電極を形成していることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に係り、特に製造工程において、静電気による配線等の破壊を効率よく防止した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一種類である液晶表示装置では、画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にブラックマトリクスあるいはオーバーコート膜等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置のＴＦＴ基板には、絶縁膜を挟んで、導電膜が積層されている。液晶表示装置の製造工程で静電気が発生すると、上層と下層の導電膜間に大きな電圧が発生し絶縁層が絶縁破壊し、不良になる。
【０００４】
特許文献１には、配線が形成された基板を載置台から取り去る際に発生する静電気による絶縁破壊を防止するために、端子群間の電位を安定化するために形成されているダミーメタル層に対してスリットを設け、ダミーメタルに起因する容量を減少させ、静電気による影響を抑える構成が記載されている。
【０００５】
特許文献２には、静電気対策のためのショートリング形成前の静電気による障害を除去するために、ゲート線にギャップを形成し、静電気が発生したときに、この部分において放電させる構成が記載されている。
【０００６】
特許文献３には、製品完成後、ショートリングと入力端子を分断する際、破断面から金属が腐食されるのを防止するために、破断部分はＩＴＯ、ＡＺＯ等の化学的に安定な導電膜によって形成する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−４９７３８号公報
【特許文献２】特開平９−１４６１０７号公報
【特許文献３】特開２０１０−２１０７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
表示パネルが完成する前に、該表示パネルが不良であるか否かを決めるために、点灯検査が行われる。この検査用配線は、ＴＦＴ基板の端子領域の端部に形成される。検査配線領域を小さく抑えるために多層配線が使用される。
【０００９】
ＴＦＴ基板に形成される画素電極あるいは対向電極はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜によって形成され、また、画素電極あるいは対向電極（以後画素電極で代表する）はＴＦＴ基板側における最終工程に近い工程で形成される。製造工程での、静電気による多くの絶縁破壊は、画素電極の形成前に生じている。
【００１０】
また、製造工程において、ＴＦＴ基板を露光装置等から外した場合等に、検査配線領域において多層配線間の絶縁膜が静電気によって破壊する現象が生じている。本発明は、製造工程中における検査配線領域での多層配線間の絶縁破壊を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記課題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１２】
（１）表示領域と端子領域を有する表示装置であって、前記端子領域は、前記表示領域から延在している引き出し線を含む引き出し線領域と、端子を含みドライバＩＣまたはフレキシブル配線基板と接続する接続領域と、前記端子から見て前記表示領域と反対側に存在する配線領域を有し、前記配線領域は、前記端子と接続する第１の配線と、前記第１の配線と層間絶縁膜を介して交差する第２の配線を有し、前記端子は、前記引き出し線と接続する第１の端子金属と、前記第１の配線と接続する第２の端子金属を有し、前記第１の端子金属と前記第２の端子金属を覆って絶縁膜が形成され、前記第１の端子金属に対応して前記絶縁膜には第１のスルーホールが形成され、前記第２の端子金属に対応して前記絶縁膜には第２のスルーホールが形成され、前記第１の端子金属と前記第２の端子金属はＩＴＯによって接続されていることを特徴とする表示装置。
【００１３】
（２）表示領域と端子領域を有する表示装置であって、前記端子領域は、前記表示領域から延在している引き出し線を含む引き出し線領域と、端子を含みドライバＩＣまたはフレキシブル配線基板と接続する接続領域と、前記端子から見て前記表示領域と反対側に存在する配線領域を有し、前記配線領域は、前記端子と接続する第１の配線と、前記第１の配線と層間絶縁膜を介して交差する第２の配線を有し、前記第１の配線は、前記第２の配線と交差する前に第１の部分と第２の部分に分断され、前記第１の部分と前記第２の部分は、ＩＴＯによって接続されていることを特徴とする表示装置。
【００１４】
（３）表示領域と端子領域を有する表示装置であって、前記端子領域は、前記表示領域から延在している引き出し線を含む引き出し線領域と、端子を含みドライバＩＣまたはフレキシブル配線基板と接続する接続領域と、前記端子から見て前記表示領域と反対側に存在する配線領域を有し、前記配線領域は、前記端子と接続する第１の配線と、前記第１の配線と層間絶縁膜を介して交差する第２の配線を有し、前記第１の配線が前記第２の配線と交差する部分はＩＴＯによって形成されていることを特徴とする表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】液晶表示パネルの平面図である。
【図２】端子領域の平面図である。
【図３】従来の端子構造を示す平面図である。
【図４】従来の端子構造を示す断面図である。
【図５】検査配線領域の平面図である。
【図６】配線領域から見た等価回路である。
【図７】本発明の端子構成を示す平面図である。
【図８】本発明の端子構成を示す断面図である。
【図９】本発明の等価回路である。
【図１０】本発明の端子構成の他の例を示す平面図である。
【図１１】本発明の端子構成の他の例を示す断面図である。
【図１２】本発明の端子構成のさらに他の例を示す平面図である。
【図１３】実施例２を示す平面図である。
【図１４】実施例２の断面図である。
【図１５】実施例３による検査配線領域の平面図である。
【図１６】実施例４による検査配線領域の平面図である。
【図１７】実施例４による検査配線領域の他の例による平面図である。
【図１８】実施例５による検査配線領域の平面図である。
【図１９】実施例６による検査配線領域の平面図である。
【図２０】実施例６による検査配線領域の他の例による平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は本発明が適用される表示装置の例である、携帯機器等に使用される表示装置が有する表示パネルの平面図である。以下、表示装置、表示パネルとして、液晶表示装置、液晶表示パネルを例示するが、液晶表示装置に限らず、有機ＥＬ型表示装置や、電子ペーパー等、様々な表示装置に本願発明を適用することが可能である。図１において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が対向して配置し、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が重なった部分に表示領域３００が形成されその周辺は額縁領域３５０となっており、この部分にシール部等が形成されている。
【００１８】
ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成されており、ＴＦＴ基板１００が１枚になっている部分は端子領域４００となっている。図２に示すように、端子領域４００には、表示領域３００に近い側から、走査線や映像信号線とドライバＩＣ等を接続するための引き出し線領域４１０、ドライバＩＣやフレキシブル配線基板を接続するための端子が形成されている接続領域４２０、点灯検査等に使用される検査用配線領域４３０が形成されている。
【００１９】
図３は、接続領域４２０に形成されている端子の平面図である。引き出し線領域４１０から延在してきた引き出し線４１１は、端子部において、幅広になり、端子金属１１を形成する。端子金属１１からさらに、検査用配線領域４３０に検査用配線２０が延在している。端子金属１１は、絶縁膜に覆われ、絶縁膜に接続のためのスルーホール１６が形成されている。スルーホール１６を覆って端子用ＩＴＯ１２が形成されている。ＩＴＯは化学的に安定なので、端子金属１１を腐食から防止する。端子用ＩＴＯ１２は画素電極と同時に形成される。
【００２０】
図４は、図３のＡ−Ａ断面図である。図４において、基板１００上に端子金属１１が形成され、その上に第１絶縁膜１４が形成され、第１絶縁膜１４に形成されたスルーホール１６を覆って端子金属用ＩＴＯ１２が形成されている。ＩＣのバンプ等は、この端子用ＩＴＯ１２と接続する。
【００２１】
図５は検査用配線領域４３０における配線の例を示す平面図である。図５において、縦検査配線２０が接続領域４２０から延在し、スルーホール２４において、横検査配線２２と接続している。縦検査配線２０は、他の横検査配線２２と層間絶縁膜を挟んで交差している。この部分を図５において、点線で示している。
【００２２】
製造工程中で、図５に示す交差部において、層間絶縁膜に絶縁破壊が生ずる。このような絶縁破壊はＩＴＯによる画素電極を形成する前の工程で生じている。特に、基板を露光装置等の載置台等から離した瞬間等にスパークが生じ、絶縁破壊を生じていることがわかった。これは次のように考えられる。すなわち、ＴＦＴ基板１００に形成された配線と載置台との間に容量が存在しているが、ＴＦＴ基板１００を載置台から外すとこの容量が急激に小さくなる。一方、電荷はＴＦＴ基板から移動しないので、その結果、配線間の電位差が大きくなり、層間絶縁膜の絶縁破壊を生ずる。
【００２３】
図６は図５の交差部Ａに着目した等価回路である。Ｃ１は縦検査配線２０と横検査配線２２との間の容量、Ｒ１は縦検査配線２０と横検査配線２２の間の層間絶縁膜の絶縁抵抗である。Ｃ２は交差部Ａから表示領域側の全配線と載置台との容量である。載置台は、例えば、露光装置等の載置台であるが、以後、載置台という。Ｃ３は、交差部Ａにおいて横方向に延在する横検査配線２２に接続する配線の載置台との容量である。なお、Ｃ２およびＣ３と載置台との間に並列に入る抵抗はガラス基板を含んでいるので絶縁破壊を生ずることはないため、解放としている。
【００２４】
図６において、載置台の電位を基準電位、すなわち、アースとしている。基板を載置台に載置した状態において、交差部Ａにおける縦検査配線２０と横検査配線２２の間に形成される容量Ｃ１にはある電荷、例えばＱ１がチャージしている。この電荷は、この工程までの静電気が蓄積されたものである。Ｑ１＝Ｃ１（Ｖ１−Ｖ２）である。
【００２５】
ＴＦＴ基板１００が載置台におかれた状態における（Ｖ１−Ｖ２）は絶縁抵抗Ｒ１を絶縁破壊するほどの大きさではない。しかし、ＴＦＴ基板１００を載置台から取り外すと、ＴＦＴ基板１００に形成された配線と載置台との容量は急激に小さくなる。すなわち、図６におけるＣ２とＣ３が急激に小さくなる。この間、電荷は逃げないので、（Ｖ１−Ｖ２）が大きくなり、層間絶縁膜の絶縁耐圧を超えると絶縁破壊する。
【００２６】
容量Ｃ１に印加される電圧を小さくするには、（１）容量Ｃ１を大きくする、（２）Ｃ２、Ｃ３の容量を小さくして、もともとチャージする電荷Ｑ１の量を減らす、ということが考えられる。しかし、Ｃ１を大きくすることは、交差部Ａにおける配線の面積を大きくすることであり、レイアウト上困難である。また、Ｃ１を大きくする他の方向は、Ｃ１を形成している配線間の層間絶縁膜の厚さを小さくすることであるが、これは、層間絶縁膜の絶縁破壊電圧が低下することになり、解決策とはならない。したがって、（１）の手段は困難である。
【００２７】
本発明は、上記（２）の手段によって、縦検査配線２０と横検査配線２２の間の層間絶縁膜の絶縁破壊を防止するものである。図６のＣ２は、図５における交差部Ａから表示領域における配線と載置台との容量であるから、Ｃ２はＣ３に比べて大きい。したがって、チャージされる電荷を小さくするには、Ｃ２を小さくすることが効果的である。
【００２８】
図７は本発明の第１の実施例の構成を示す端子の平面図であり、図８は図７のＡ−Ａ断面図である。図７および図８が従来例である図３および図４と異なる点は、端子金属が第１の端子金属１１１と第２の端子金属１１２に分断されていることである。そしして、第１の端子金属１１１、第２の端子金属１１２に対応して第１の端子スルーホール１６１、第２の端子スルーホール１６２が形成されている。
【００２９】
すなわち、端子ＩＴＯ１２を形成する前は、縦検査配線２０は端子１０において、表示領域３００側の配線とは切り離されており、引き出し線４１１より表示領域３００側の配線による容量は存在しないことになる。
【００３０】
図９は、図７および図８において、端子ＩＴＯ形成前の状態を示す透過回路である。図９が図６と異なる点は、図９においては、Ｃ２とＣ１は端子１０において分断されていることである。すなわち、大きな容量Ｃ２に帯電する静電気は配線交差部Ａの容量Ｃ１に印加される電圧には影響を与えない。なお、配線交差部Ａから端子までの配線と載置台との間に図９の点線で示すような容量Ｃ４が存在すると考えられるが、配線交差部Ａから端子までの配線は極めて短く、Ｃ４の大きさは、Ｃ２に対して無視できる。すなわち、Ｃ４＜＜Ｃ２である。
【００３１】
つまり、本発明においては、従来に比べて実質的に容量Ｃ２を無くすことが出来る。図９において、工程で発生する静電気によって、Ｃ１を形成する層間絶縁膜すなわち、Ｒ１には（Ｖ３−Ｖ４）の電圧がかかっている。ここで、ＴＦＴ基板１００を載置台から離すと図９におけるＣ３が急激に小さくなるので、（Ｖ３−Ｖ４）変化する。
【００３２】
しかし、図９では、（Ｖ３−Ｖ４）の変化は、Ｃ３が小さくなった分だけの電圧変化に抑えられる。一方、図６の回路における（Ｖ１−Ｖ２）の変化は、Ｃ２とＣ３の両方が小さくなった分の変化となる。しかもＣ２はＣ３よりも大きい。つまり、（Ｖ３−Ｖ４）の変化は（Ｖ１−Ｖ２）の変化に比べて極めて小さくできるので、配線交差部Ａにおける絶縁破壊を免れることになる。
【００３３】
図６、および図９は、図５における配線交差部Ａについて説明したが、他の配線交差部についても同様である。検査用配線領域４３０における配線交差部における層間絶縁膜の絶縁破壊は、ほとんどが、端子用ＩＴＯ１２と同時に形成される画素電極を形成する前に生じているので、本発明の効果は大きい。画素電極形成後は、図７および図８に示すように、端子用ＩＴＯ１２が第１のスルーホール１６１、第２のスルーホール１６２に対して共通に形成されるので、端子用ＩＴＯ１２が形成され後は、通常の液晶表示装置の動作をすることが出来る。
【００３４】
図１０は、本発明の第２の形態を示す平面図であり、図１１は図１０のＣ−Ｃ断面図である。端子金属が端子において分断されていることは、図７等と同様である。図１０、１１が図７、８と異なる点は、図１０、１１では、引き出し線４１１側の端子金属１１１が走査線と同じ層で形成されているのに対し、検査用配線領域４３０側の端子金属１１２は映像信号線と同じ層で形成されていることである。すなわち、本実施形態の特徴は端子１０において、走査線と同層の配線から映像信号線と同層の配線に乗り換えていることである。作用効果は、図７および図８で述べたのと同様である。
【００３５】
図１２は本実施例のさらに他の実施形態である。端子金属１１は配線と比べて幅が広いので、並列に並べると横方向のスペースが大きくなる。図１２の構成は、端子１０の位置を順番に縦方向にずらすことによって、接続領域４２０の横方向のスペースを節約することが出来る。図１２のＢ−Ｂ断面は図８と同様であり、図１２のＣ−Ｃ断面は図１１と同様である。
【実施例２】
【００３６】
図１３は本発明の実施例２を示す平面図である。図１３は、実施例１の図７と似ているが、検査用配線領域４３０と表示領域の配線の分断を端子ではなく、縦検査配線２０において行っている点が異なっている。あるいは、図１３は、分断を、端子１０よりも検査配線領域４３０側で、縦検査配線２０と横検査配線２２とが交差する以前に、縦検査配線２０において行っているということもできる。
【００３７】
図１３において、端子から延在してきた縦検査配線２０は、分断部４０において分断され、縦検査配線２０の第１の端部には、層間絶縁膜に、第１の検査配線スルーホール２４１が形成され、縦検査配線の第２の端部には、第２の検査配線スルーホール２４２が形成されている。縦検査配線２０を分断することによる作用効果は、実施例１において説明したのと同様である。
【００３８】
図１３において、画素電極の形成と同時に、第１の検査配線スルーホール１６１と第２の検査配線スルーホール１６２が配線ＩＴＯ２１によって接続される。検査用配線領域４３０の交差部における絶縁破壊は、ほとんどが、画素電極形成前に生じているので、実施例１と同様、本発明の効果は大きい。
【００３９】
なお、実施例１の図１０および図１１で説明したように、分断部４０において、例えば、第１の層から第２の層に乗りかえるようにしてもよい。
【実施例３】
【００４０】
図１５は、実施例３における検査配線領域４３０の平面図である。図１５において、縦検査配線２０が縦方向に延在し、横検査配線２２が横方向に延在している。縦検査配線２０の横検査配線２２と交差する部分は点線で示すように配線ＩＴＯ２１によって形成されている。配線ＩＴＯ２１は画素電極と同時に形成される。つまり、配線ＩＴＯ２１が形成されるまでは、縦検査配線２０と横検査配線２２の交差部は存在しないことになる。
【００４１】
縦検査用配線２０と横検査用配線２１の交差部における層間絶縁膜の絶縁破壊は、ほとんどがＩＴＯによる画素電極形成以前の工程で生ずるものである。そして、縦検査配線２０の一部をなす配線ＩＴＯ２１は画素電極と同時に形成される。したがって、本実施例によれば、縦検査配線２０と横検査配線２２の交差部における絶縁破壊はほとんど生じない。
【実施例４】
【００４２】
検査用配線を用いて点灯検査等を行う場合、検査の時のみ、検査用配線４３０と表示領域３００を電気的に接続することが多い。このような場合、検査用配線領域４３０において、接続領域４２０との間にスイッチ用ＴＦＴを形成する。図１６はこの構成を示す平面図である。
【００４３】
図１６において、検査配線領域４３０における、縦検査配線２０が横検査配線２２と交差する以前の領域において、スイッチ用ＴＦＴ３０が形成されている。図１６において、横方向にゲート配線３３が延在し、ゲート配線３３の上に層間絶縁膜を介して半導体層３１が形成されている。分断された縦検査配線２０の一方がＴＦＴ３０のソース、他方がドレインとなっている。本明細書では、便宜上、接続領域４２０側をドレイン、横検査配線２２側の縦検査配線２０をソースと呼ぶ。
【００４４】
図１６のような構成では、ＴＦＴ３０において縦検査用配線２０が分断されている。しかし、ＴＦＴ３０のドレイン側で、図１６の点線で示す部分において、ゲート電極３２と縦検査配線２０との間の絶縁破壊が問題となる。
【００４５】
図１６は、実施例１等における横検査配線２２がゲート電極３２に置き換わったとものと考えることが出来る。したがって、実施例１の図７に示すように、端子部において、表示領域３００側の配線と検査配線領域４３０側の配線とを分断することよって、縦検査配線２０すなわちドレイン電極とゲート電極３２との絶縁破壊を防止することが出来る。
【００４６】
図１７は、実施例４の他の態様を示す平面図である。図１７は、ＴＦＴ３０のドレイン側の縦検査配線２０を、実施例２に示す構成によって分断しているものである。すなわち、図１７において、端子１０から延在してきた縦検査配線２０は、分断部４０において分断され、縦検査配線２０の第１の端部には、層間絶縁膜に、第１の検査配線スルーホール２４１が形成され、縦検査配線２０の第２の端部には、第２の検査配線スルーホール２４２が形成されている。
【００４７】
図１７において、画素電極の形成と同時に、第１の検査配線スルーホール１６１と第２の検査配線スルーホール１６２が配線ＩＴＯ２１によって接続される。縦検査配線２０とゲート電極３２の間の絶縁破壊は、画素電極形成前に生じているので、実施例１と同様、本発明の効果は大きい。
【実施例５】
【００４８】
図１８は本発明の実施例５における検査配線領域４３０の配線を示す平面図である。本実施例も、検査用配線領域４３０にスイッチング用ＴＦＴ３０を形成することは実施例４と同様である。図１８において、ゲート配線３３が横方向に延在し、ゲート配線３３と接続するゲート電極３２が縦方向に延在している。本実施例では、検査用ＴＦＴ３０を縦方向に配列することによって、検査配線領域４３０の縦方向の寸法を実施例３の場合よりも縮小している。
【００４９】
図１８において、図面の一番上に配置するスイッチングＴＦＴ３０では映像信号線と同層で形成された縦検査配線２０がドレイン電極となっており、映像信号線と同層で形成された横検査配線２２がソース電極となっている。その他の縦検査配線２０は、スルーホール２４を介して走査線と同じ層の縦検査配線２０に乗り換え、再び、スルーホール２４を介して映像信号線と同層の配線に乗り換え、横方向に延在して、スイッチングＴＦＴ３０のドレイン電極となる。
【００５０】
図１８において、点線で示す部分が、層間絶縁膜の絶縁破壊を生ずる危険のある縦検査配線２０と横検査配線２２の交差部、あるいは、ＴＦＴ３０において、ドレイン電極とゲート電極とで絶縁破壊を生ずる危険がある箇所である。したがって、検査配線領域４３０が図１８に示すような回路の場合であっても、実施例１のように、端子１０において、端子金属１１を分断することによって、層間絶縁膜あるいはＴＦＴ３０における絶縁破壊を防止することが出来る。あるいは、実施例２のように、縦検査配線２０を分断することによって、層間絶縁膜あるいはＴＦＴ３０における絶縁破壊を防止することが出来る。
【実施例６】
【００５１】
図１９は本発明の実施例６における検査配線領域４３０の配線を示す平面図である。図１９が図１８と異なる点は、走査線と同層で形成された縦検査配線２０の代わりに、画素電極と同時に形成される配線ＩＴＯ２１を使用している点である。つまり、画素電極が形成されるまでは、縦検査配線２０と横検査配線２２の交差は無いので、交差部における層間絶縁膜の絶縁破壊は生じない。
【００５２】
ただし、図１９の構成であっても、端子に最も近いＴＦＴ３０におけるドレイン電極を構成する縦検査配線２０とゲート電極３２との間の絶縁破壊のポテンシャルは残る。しかし、この部分の交差部の数は、縦検査配線２０と横検査配線２２の交差部の数よりもはるかに少ないので、絶縁破壊の確率は減らすことが出来る。
【００５３】
この部分の絶縁破壊のポテンシャルを無くすには、対応する縦検査配線２０の部分で、実施例１のように、端子１０で配線を分断するか、実施例２のように、端子１０とスイッチングＴＦＴ３０の間に分断部４０を設ければよい。図２０は実施例２を適用した場合の例を示す平面図である。図２０では、縦検査配線２０が直接ＴＦＴ３０のドレイン電極となる配線においては、実施例２で説明したと同様な分断部４０を設けている。
【００５４】
以上説明したように、本発明によれば、縦検査配線２０と横検査配線２２の間の層間絶縁膜の絶縁破壊、および、検査用配線領域４３０と端子１０との間をスイッチングするスイッチングＴＦＴ３０の絶縁破壊を防止することができるので、製造歩留まりを大幅に向上させることが出来る。
【００５５】
なお、以上の説明では、端子１０を有する接続領域４２０から見て表示領域３００とは反対側に検査用配線領域４３０が存在するとして説明した。しかし、この領域に、検査用配線に限らず、端子１０と接続しており、かつ、この配線と層間絶縁膜を介して交差する配線が存在する場合にも、本発明を適用することが出来る。
【符号の説明】
【００５６】
１０…端子、  １１…端子用金属、  １２…端子用ＩＴＯ、  １４…第１絶縁膜、  １５…第２絶縁膜、  １６…端子スルーホール、  ２０…縦検査配線、  ２１…配線ＩＴＯ、  ２２…横検査配線、  ２４…検査配線スルーホール、  ３０…検査用スイッチングＴＦＴ、  ３１…半導体、  ３２…ゲート電極、  ３３…ゲート配線、  ４０…分断部、  １００…ＴＦＴ基板、  １１１…第１の端子金属、  １１２…第２の端子金属、  １６１…第１の端子スルーホール、  １６２…第２の端子スルーホール、  ２００…対向基板、  ２０１…ゲート層縦検査配線、  ２４１…第１の検査配線スルーホール、  ２４２…第２の検査配線スルーホール、  ３００…表示領域、  ３５０…額縁領域、  ４１０…引き出し線領域、  ４１１…引き出し線、  ４２０…接続領域、  ４３０…検査用配線領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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