(57)【要約】      （修正有）【課題】気泡発生を抑制しつつ、焼結時に使用するヘリウムガスの使用量を削減するガラス母材の製造方法の提供。【解決手段】多孔質ガラス母材６を加熱し、焼結するガラス母材の製造方法であって、ヘリウムガスを加熱炉１１の上部ガス供給流路１４から供給し、ヘリウムガス以外の不活性ガスを加熱炉１１の下部ガス供給流路１５から供給し、下部ガス排出用流路１６から炉内ガスを排気し、多孔質ガラス母材６を焼結するガラス母材６の製造方法。加熱炉１１で焼結する前に、加熱炉１１の下部１５から脱水ガスを供給し、加熱炉１１の上部１７から炉内ガスを排気し、多孔質ガラス母材６を脱水処理するガラス母材の製造方法。多孔質ガラス母材６の焼結時に、少なくとも多孔質ガラス母材６全体が前記ヘリウムガスに浸る高さに相当するまで前記ヘリウムガスを供給する、ガラス母材の製造方法。【選択図】図２
2016069261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質ガラス母材を加熱し、焼結するガラス母材の製造方法であって、
ヘリウムガスを加熱炉の上部から供給し、ヘリウムガス以外の不活性ガスを前記加熱炉の下部から供給し、下部から炉内ガスを排気し、前記多孔質ガラス母材を焼結する、ガラス母材の製造方法。
【請求項２】
前記加熱炉で焼結する前に、前記加熱炉の下部から脱水ガスを供給し、前記加熱炉の上部から炉内ガスを排気し、前記多孔質ガラス母材を脱水処理する、ガラス母材の製造方法。
【請求項３】
前記多孔質ガラス母材の焼結時に、少なくとも前記多孔質ガラス母材全体が前記ヘリウムガスに浸る高さに相当するまで前記ヘリウムガスを供給する、請求項１または請求項２に記載のガラス母材の製造方法。
【請求項４】
前記多孔質ガラス母材を前記加熱炉内で下方向にトラバースさせながら焼結を行い、
有効部の焼結開始後は、前記ヘリウムガスとヘリウムガス以外の前記不活性ガスとの界面が前記多孔質ガラス母材より下になり、前記多孔質ガラス母材のトラバース速度より前記界面が降下する速度が同等以上となるように前記ヘリウムガスを供給する、請求項３に記載のガラス母材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス母材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多孔質ガラス母材をアルゴンやヘリウム等の不活性ガスの存在下で加熱して脱水焼結させる脱水焼結炉が知られている。脱水焼結炉は、例えば下部および上部にガス供給路が設けられ、上部に排気路が設けられている（例えば、特許文献１）。また、脱水焼結炉の炉心管下部からアルゴンガスを含む脱水剤と高熱伝導率ガスを供給して脱水処理を行い、その後高熱伝導率ガスであるヘリウムガスを用いて焼結処理を行うガラス母材の製造方法が知られている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実開平１−１４１７４１号公報
【特許文献２】特許第５２９８１８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来、多孔質ガラス母材の焼結処理中は、脱水焼結炉の炉心管下部からヘリウムガスを供給し、炉心管上部から排気を行っている。ヘリウムガスは熱伝導性が良いため、多孔質ガラス母材内部に熱を伝えやすく、多孔質ガラス母材内部の気体を外部に出しつつ焼結できるため、未焼結部や気泡が発生すること無く焼結できる。
ところが、ヘリウムガスは高価であるため、使用量が多いとコスト増に繋がる。一方、ヘリウムガスに替えて安価な窒素ガス、アルゴンガスなどの他の不活性ガスを用いると気泡が発生するなどの問題が生じてしまう。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、気泡発生を抑制しつつ、焼結時に使用するヘリウムガスの使用量を削減できるガラス母材の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係るガラス母材の製造方法は、多孔質ガラス母材を加熱し、焼結するガラス母材の製造方法であって、
ヘリウムガスを加熱炉の上部から供給し、ヘリウムガス以外の不活性ガスを前記加熱炉の下部から供給し、下部から炉内ガスを排気し、前記多孔質ガラス母材を焼結する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、気泡発生を抑制しつつ、焼結時に使用するヘリウムガスの使用量を削減できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明のガラス母材の製造方法に係る第１の実施形態で使用されるトラバース炉の概略構成図であり、脱水の際のガス供給について説明する図である。
【図２】本発明のガラス母材の製造方法に係る第１の実施形態で使用されるトラバース炉の概略構成図であり、脱水から焼結へ移行する際のガス供給について説明する図である。
【図３】本発明のガラス母材の製造方法に係る第１の実施形態で使用されるトラバース炉の概略構成図であり、焼結開始後におけるガス供給について説明する図である。
【図４】本発明のガラス母材の製造方法に係る第２の実施形態で使用される均熱炉の概略構成図であり、焼結開始後におけるガス供給について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施形態を列記して説明する。
本発明の実施形態に係るガラス母材の製造方法は、
（１）  多孔質ガラス母材を加熱し、焼結するガラス母材の製造方法であって、
ヘリウムガスを加熱炉の上部から供給し、ヘリウムガス以外の不活性ガスを前記加熱炉の下部から供給し、下部から炉内ガスを排気し、前記多孔質ガラス母材を焼結する。
多孔質ガラス母材を焼結する際の炉内ガスとして、ヘリウムガスに加えてヘリウムガス以外の他の不活性ガスを使用して焼結することにより、焼結時に使用するヘリウムガスの使用量を削減することができる。ヘリウムガスは他の不活性ガスに比べて高価であるので、このようにヘリウムガスの使用量を削減することで、ガラス母材の製造コストを削減することができる。
また、ヘリウムガスと他の不活性ガスとを加熱炉の上下から別々に供給し、上から比重の小さいヘリウム、下からヘリウムより比重の大きい他の不活性ガスを供給することにより、多孔質ガラス母材の位置にはヘリウムガスが充填された状態となり、焼結時の気泡の発生を抑制することができる。
また、上記のように上から供給した比重の小さいヘリウムと下から供給した比重の大きい他の不活性ガスとの間に界面ができて混合せず、炉内での対流が生じにくくなり、炉内圧の変動を抑えることもできる。
【００１０】
（２）  前記加熱炉で焼結する前に、前記加熱炉の下部から脱水ガスを供給し、前記加熱炉の上部から炉内ガスを排気し、前記多孔質ガラス母材を脱水処理する。
通常、焼結処理と脱水処理は同じ加熱炉内で実施するが、ガスの種類を変え、吸排気のやり方を変えることで、脱水工程から焼結工程にスムースに移行することができる。
【００１１】
（３）  前記多孔質ガラス母材の焼結時に、少なくとも前記多孔質ガラス母材全体が前記ヘリウムガスに浸る高さに相当するまで前記ヘリウムガスを供給する。
多孔質ガラス母材全体がヘリウムガスに浸った状態で焼結することができるので、多孔質ガラス母材の箇所ではヘリウムガスによる焼結が進むことになり、他の不活性ガスを用いて焼結したときのような気泡の発生をより確実に抑制することができる。
【００１２】
（４）  前記多孔質ガラス母材を前記加熱炉内で下方向にトラバースさせながら焼結を行い、
有効部の焼結開始後は、前記ヘリウムガスとヘリウムガス以外の前記不活性ガスとの界面が前記多孔質ガラス母材より下になり、前記多孔質ガラス母材のトラバース速度より前記界面が降下する速度が同等以上となるように前記ヘリウムガスを供給する。
多孔質ガラス母材のトラバース位置にあわせて、ヘリウムガスを供給してヘリウムガスを効率よく使用するので、さらにヘリウムガス使用量を削減することができる。
【００１３】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係るガラス母材の製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。
なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００１４】
（第１の実施形態）
第１の実施形態に係るガラス母材の製造方法は、加熱炉としてトラバース炉を使用して多孔質ガラス母材を焼結させる方法である。図１から図３は、第１の実施形態で使用されるトラバース炉の概略構成図であり、図１は脱水時におけるガス供給について説明する図であり、図２は脱水から焼結へ移行する際のガス供給について説明する図であり、図３は焼結開始後におけるガス供給について説明する図である。
【００１５】
図１から図３に示したトラバース炉１１は、多孔質ガラス母材を移動させながら加熱して焼結する加熱炉である。トラバース炉１１は、炉心管１２、ヒータ１３、上部ガス供給用流路１４、下部ガス供給用流路１５、下部ガス排出用流路１６、上部ガス排出用流路１７を備えている。
【００１６】
炉心管１２は、例えば多孔質ガラス母材６が挿入される有底円筒状に形成された管である。この炉心管１２の上部には、多孔質ガラス母材６の上端から上方に延びるシード棒７が昇降自在に挿通する開口１２ａを有している。
ヒータ１３は、炉心管１２内に挿入された多孔質ガラス母材６を加熱する。
炉心管１２の上部には、弁１４ａを有する上部ガス供給用流路１４と、弁１７ａを有する上部ガス排出用流路１７とが接続されている。また、炉心管１２の下部には、弁１５ａを有する下部ガス供給用流路１５と、弁１６ａを有する下部ガス排出用流路１６とが接続されている。
【００１７】
次に、第１の実施形態に係るガラス母材の製造方法について説明する。
多孔質ガラス母材６をトラバース炉１１で焼結する前に脱水工程を行う。脱水工程では、図１に示すように、弁１５ａを開けて下部ガス供給用流路１５から脱水ガス（例えば、塩素ガス（Ｃｌ２）と窒素ガス（Ｎ２）の混合ガス）を供給する。また、弁１７ａを開けて上部ガス排出用流路１７から炉内ガスを排気する。そして、多孔質ガラス母材６をトラバースさせることにより、多孔質ガラス母材６の脱水処理が行われる。なお、脱水工程では、上部ガス供給用流路１４の弁１４ａおよび下部ガス排出用流路１６の弁１６ａは閉めておく。
【００１８】
図２に示す多孔質ガラス母材６は、脱水処理が完了した状態である。そして、焼結処理に移行するまでの間、炉心管１２内に多孔質ガラス母材６を吊るしたまま、使用するガスなどを焼結処理の条件に切り替える。この切り替えに際して、上部ガス排出用流路１７の弁１７ａを閉め、下部ガス排出用流路１６の弁１６ａを開ける。そして、上部ガス供給用流路１４の弁１４ａを開ける。なお、多孔質ガラス母材６の位置は、焼結開始時には多孔質ガラス母材６の下端がヒータ１３による加熱領域に入る位置にあるようにする。
【００１９】
図２に示す状態で、脱水処理で使用した脱水ガス（Ｃｌ２、Ｎ２等のガス）を下部ガス排出用流路１６から排出させるように、上部ガス供給用流路１４からヘリウムガスを供給し、下部ガス供給用流路１５からアルゴンガス（ヘリウムガス以外の他の不活性ガス）を供給する。このとき、アルゴンガスの供給量ＶＡｒ１をヘリウムガスの供給量ＶＨｅ１よりも少なくする。
【００２０】
ヘリウムガスはアルゴンガスに比べて比重が小さいので、炉心管１２内の上部に滞留する。このため、ヘリウムガスと他のガス（脱水処理で使用したガスの残り、および下部ガス供給用流路１５から供給されるアルゴンガス等）との界面Ａが生じる。ヘリウムガスの供給量ＶＨｅ１よりもアルゴンガスの供給量ＶＡｒ１の方が少ないため、界面Ａは時間が経つにしたがって下方へ移動する。
【００２１】
そして、図２に示すように、界面Ａが炉心管１２の上端から多孔質ガラス母材６の下端より僅かに下となる距離Ｌの位置に相当するまでヘリウムガスを供給する。
このときのヘリウムガスの供給量（体積）は、（単位時間当たりの）ヘリウムガスの供給量をＶＨｅ１（ｍ３／ｓ）、ヘリウムガスの供給時間をＴ（ｓ）、炉心管１２の内径（直径）をＤ（ｍ）、上記距離Ｌ（ｍ）とすると、以下の式１で求められる。
ＶＨｅ１×Ｔ＝Ｌ×π×（Ｄ／２）２・・・（式１）
【００２２】
以上のように、界面Ａが炉心管１２の上端から多孔質ガラス母材６の下端より僅かに下となる距離Ｌとなる位置に相当するまでヘリウムガスを充填した後、多孔質ガラス母材６の焼結処理を開始する。
【００２３】
図３は焼結処理開始後の状態を示しており、焼結処理中、炉内ガスの排出は炉心管１２の下部にある下部ガス排出用流路１６から行われる。よって、焼結処理中に炉内圧の陽圧保持に必要なガス流量は、比重が大きく上記界面Ａの下に滞留し下部ガス供給用流路１５から供給するアルゴンガスの流量ＶＡｒ２によって主にまかなわれる。
【００２４】
そして、ヒータ１３を加熱して炉内温度を焼結温度（例えば、１５５０℃）にして、多孔質ガラス母材６の下端側から焼結させながら、図３に示すように、多孔質ガラス母材６を下方へトラバースさせていく。多孔質ガラス母材６の有効部の焼結開始後は、界面Ａが多孔質ガラス母材６より常に下になるように、多孔質ガラス母材６のトラバース速度ｖｔ（ｍ／ｓ）より界面が降下する速度ｖａ（ｍ／ｓ）が同等以上（ｖｔ≦ｖａ）となるように、上部ガス供給用流路１４からヘリウムガスを少ない流量で供給していく。
【００２５】
このときのヘリウムガスの流量ＶＨｅ２（ｍ３／ｓ）は、次の式２となる。
ＶＨｅ２（ｍ３／ｓ）＝π×ｖｔ×（Ｄ／２）２・・・（式２）
このようにして、多孔質ガラス母材６を下方へトラバースさせて全体を焼結させることにより、透明化したガラス母材が得られる。
なお、トラバース速度ｖｔの機械的な上限値から、ＶＨｅ２の上限値は３ｓｌｍ程度の流量となる。
【００２６】
第１の実施形態に係るガラス母材の製造方法によれば、焼結処理中の炉内圧の陽圧保持に必要なガス流量は、下部ガス供給用流路１５から供給するアルゴンガスの流量ＶＡｒ２によって主にまかなわれるので、炉内圧の陽圧保持のために多量のヘリウムガスを用いずに済む。このため、上部ガス供給用流路１４から供給するヘリウムガスは、多孔質ガラス母材６のトラバース位置にあわせた流量ＶＨｅ２を供給すればよく、トラバース炉１１を使用して焼結する際にヘリウムガスの使用量を削減することができる。
【００２７】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係るガラス母材の製造方法は、均熱炉を用いて多孔質ガラス母材を焼結させる方法である。本発明は、均熱炉においても適用できる。図４は、本発明のガラス母材の製造方法に係る第２の実施形態で加熱炉として使用される均熱炉の概略構成図であり、焼結開始後におけるガス供給について説明する図である。
【００２８】
図４に示した均熱炉２１は、多孔質ガラス母材６全体を加熱して焼結する加熱炉である。均熱炉２１は、炉心管２２、ヒータ２３、上部ガス供給用流路２４、下部ガス供給用流路２５、下部ガス排出用流路２６、上部ガス排出用流路２７を備えている。
【００２９】
炉心管２２は、例えば多孔質ガラス母材６が挿入される有底円筒状に形成された管である。この炉心管２２の上部には、多孔質ガラス母材６の上端から上方に延びるシード棒７が挿通する開口２２ａを有している。
【００３０】
ヒータ２３は、例えば均熱炉２１の上下方向（図４の縦方向）に複数段（図４では３段）に分かれて設けられ、炉心管２２内に収容された多孔質ガラス母材６全体を加熱する。なお、多孔質ガラス母材６全体を加熱できるならば、ヒータ２３を複数に分けなくてもよい。
【００３１】
炉心管２２の上部には弁２４ａを有する上部ガス供給用流路２４と、弁２７ａを有する上部ガス排出用流路２７とが接続されている。また、炉心管２２の下部には、弁２５ａを有する下部ガス供給用流路２５と、弁２６ａを有する下部ガス排出用流路２６とが接続されている。
【００３２】
次に、第２の実施形態のガラス母材の製造方法について説明する。
均熱炉２１は、図４に示すように、上部ガス排出用流路２７の弁２７ａを閉めた状態とする。また、上部ガス供給用流路２４の弁２４ａ、下部ガス供給用流路２５の弁２５ａおよび下部ガス排出用流路２６の弁２６ａは開けた状態とする。本実施形態は、第１の実施形態と同様に、脱水から焼結へ移行するまでの間に、上部ガス供給用流路２４からヘリウムガスを供給し、下部ガス供給用流路２５からアルゴンガスを供給する。このとき、アルゴンガスの供給量をヘリウムガスの供給量よりも少なくする。そして、ヘリウムガスと他のガスとの界面Ａが炉心管２２の上端から多孔質ガラス母材６の下端より僅かに下となる距離Ｌの位置になるまでヘリウムガスを供給する。
【００３３】
以上のように、界面Ａが炉心管２２の上端から多孔質ガラス母材６の下端より僅かに下となる距離Ｌとなる位置に相当するまでヘリウムガスを充填した後、多孔質ガラス母材６の焼結処理を開始する。
【００３４】
図４は焼結開始後の状態を示しており、焼結処理中、炉内ガスの排出は炉心管２２の下部にある下部ガス排出用流路２６から行われる。よって、焼結処理中に炉内圧の陽圧保持に必要なガス流量は、比重がヘリウムガスより大きく上記界面Ａの下に滞留し下部ガス供給用流路２５から供給するアルゴンガスの流量ＶＡｒ３によって主にまかなわれる。
炉内圧の陽圧保持のために多量のヘリウムガスを用いずに済み、上部ガス供給用流路２４から供給するヘリウムガスは、界面Ａが炉心管２２の上端から多孔質ガラス母材６の下端より僅かに下となる距離Ｌ以上となる位置を保つための流量ＶＨｅ３だけ供給すればよい。
【００３５】
このようにして、多孔質ガラス母材６をヘリウムガスの雰囲気中で、ヒータ２３により焼結温度（例えば、１５００℃）にして焼結処理を行う。
そして所定時間、焼結温度で加熱することで多孔質ガラス母材６が完全に焼結された状態になる。これにより、透明化したガラス母材が得られる。
このように、第１の実施形態のようなトラバース炉だけでなく、均熱炉においても、本発明を適用することができる。
【００３６】
なお、第１および第２の実施形態において、炉内圧は下部ガス排出用流路２６からの排気量で調整する。
また、第１および第２の実施形態においては、下部ガス供給用流路１５（２５）から供給する不活性ガスとしてアルゴンガスを用いたが、例えば窒素ガス等の他の不活性ガスでもよい。
【００３７】
以上詳述した第１および第２の実施形態に係るガラス母材の製造方法によれば、多孔質ガラス母材６を焼結する際の炉内ガスとして、ヘリウムガスに加えてアルゴンガス（ヘリウムガス以外の他の不活性ガス）を使用して焼結しているので、ヘリウムガスのみを使用して焼結処理を行う従来の製造方法に比べて、ヘリウムガスの使用量を削減することができる。ヘリウムガスはアルゴンガスに比べて高価であるので、ヘリウムガスの使用量を削減することでガラス母材の製造コストを削減できる。
【００３８】
また、比重が小さいヘリウムガスを上部ガス供給用流路１４（２４）から、ヘリウムガスより比重が大きいアルゴンガスを下部ガス供給用流路１５（２５）から別々に供給することにより、ヘリウムガスを炉心管１２（２２）内の多孔質ガラス母材６の位置に充填できる。そして、ヘリウムガスはアルゴンガスと混合せず界面Ａができて炉内での対流が生じにくくなり、炉内圧の変動を抑えることもできる。
【００３９】
また、多孔質ガラス母材６全体がヘリウムガスに浸った状態で焼結が進むので、アルゴンガス（他の不活性ガス）の雰囲気内で焼結したときのような気泡の発生を抑制することができる。
【００４０】
通常、焼結処理と脱水処理は同じ加熱炉内で実施するが、第１および第２の実施形態に係るガラス母材の製造方法では、ガスの種類を変え、吸排気のやり方を変えることで、脱水工程から焼結工程にスムースに移行することができる。
【００４１】
［実施例］
次に、第１の実施形態および第２の実施形態のガラス母材の製造方法の実施例および比較例について説明する。
【００４２】
（実施例１）
図１から図３で示したトラバース炉１１を使用して、第１の実施形態に係るガラス母材の製造方法により以下のように焼結処理を行ってガラス母材を製造した。
脱水処理が完了した後、図２のように、界面Ａが炉心管１２の上端から多孔質ガラス母材６の下端より僅かに下となる距離Ｌとなる位置に相当するまでヘリウムガスを充填し、多孔質ガラス母材６の焼結処理を開始した。
ヒータ１３を加熱して炉内温度を焼結温度（１５５０℃）にして、多孔質ガラス母材６の下端側から焼結させながら、図３に示すように、多孔質ガラス母材６を下方へ界面Ａが多孔質ガラス母材６より常に下になるようにトラバースさせた。このときのトラバース速度ｖｔは４ｍｍ／分、ヘリウムガスの流量ＶＨｅ２は０．１９ｓｌｍ、アルゴンガスの流量ＶＡｒ２は１０ｓｌｍとした。
【００４３】
（実施例２）
図４で示した均熱炉２１を使用して、第２の実施形態に係るガラス母材の製造方法により以下のように焼結処理を行ってガラス母材を製造した。
脱水処理が完了した後、図４のように、界面Ａが炉心管２２の上端から多孔質ガラス母材６の下端より僅かに下となる距離Ｌとなる位置に相当するまでヘリウムガスを充填し、多孔質ガラス母材６の焼結処理を開始した。
ヒータ２３を加熱して炉内温度を焼結温度（１５００℃）にして、図４に示すように、界面Ａが多孔質ガラス母材６より常に下になるようにヘリウムガスを供給して多孔質ガラス母材６の焼結処理を行った。このときのヘリウムガスの流量ＶＨｅ３は０．１９ｓｌｍ、アルゴンガスの流量ＶＡｒ３は１０ｓｌｍとした。
【００４４】
（比較例１）
図１から図３で示したトラバース炉１１を使用して、下部ガス供給用流路１５からのアルゴンガスの供給をせずに以下のように焼結処理を行ってガラス母材を製造した。
脱水処理が完了した後、炉内にヘリウムガスを充填し、多孔質ガラス母材６の焼結処理を開始した。
ヒータ１３を加熱して炉内温度を焼結温度（１５５０℃）にして、多孔質ガラス母材６の下端側から焼結させながら、多孔質ガラス母材６を下方へトラバースさせ全体を焼結させた。このときのトラバース速度ｖｔは４ｍｍ／分、ヘリウムガスの流量ＶＨｅ２は１６．５ｓｌｍとした。
【００４５】
（比較例２）
図４で示した均熱炉２１を使用して、下部ガス供給用流路２５からのアルゴンガスの供給をせずに以下のように焼結処理を行ってガラス母材を製造した。
脱水処理が完了した後、炉内にヘリウムガスを充填し、多孔質ガラス母材６の焼結処理を開始した。
ヒータ２３を加熱して炉内温度を焼結温度（１５００℃）にして多孔質ガラス母材６の焼結処理を行った。このときのヘリウムガスの流量は１５ｓｌｍとした。
【００４６】
上記実施例１、２および比較例１、２における、焼結処理時のヘリウムガスの使用量、炉内圧変動および製造されたガラス母材の透明化の結果を表１に示す。
【００４７】
【表１】
2016069261.tif 000003
【００４８】
表１に示すように、実施例１、２および比較例１、２で製造されたガラス母材は良好に透明化できた。そして、ヘリウムガスのみで焼結処理を行う比較例１の焼結処理時のヘリウムガスの使用量を１とすると、実施例１では０．０１１、実施例２では０．０１０と、ヘリウムガスの使用量を大幅に削減することができた。
【００４９】
また、焼結処理時における炉内圧変動は、比較例１の場合は±１００Ｐａ、比較例２の場合は±８０Ｐａであったのに対し、実施例１の場合は±６０Ｐａ、実施例２の場合は±３５Ｐａであった。このように、実施例１、２では炉内圧の変動を  従来（比較例１、２）よりも同等以下抑えることができており、アルゴンガスを混合しても、炉内圧変動の問題が生じることなく焼結することができた。
【符号の説明】
【００５０】
６  多孔質ガラス母材
７   シード棒
１１  トラバース炉（加熱炉）
２１  均熱炉（加熱炉）
１２、２２  炉心管
１２ａ、２２ａ  開口
１３、２３  ヒータ
１４、２４  上部ガス供給用流路
１５、２５  下部ガス供給用流路
１６、２６  下部ガス排出用流路
１７、２７  上部ガス排出用流路
１４ａ、１５ａ、１６ａ、１７ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ、２７ａ  弁
ｖｔ  トラバース速度
ｖａ  界面が降下する速度
ＶＡｒ１  脱水から焼結へ移行する保持時間におけるヘリウムガスの供給量
ＶＨｅ１  脱水から焼結へ移行する保持時間におけるヘリウムガスの供給量
ＶＨｅ２、ＶＨｅ３  焼結処理時のヘリウムガスの流量
ＶＡｒ２、ＶＡｒ３  焼結処理時のアルゴンガスの流量
【図１】
2016069261.tif 000004
【図２】
2016069261.tif 000005
【図３】
2016069261.tif 000006
【図４】
2016069261.tif 000007