(57)【要約】【課題】遮断性能を向上できるチップヒューズを提供すること。【解決手段】チップヒューズ１は、基板２を含む。基板２上には、所定の熱量によって溶断する可溶体７を含む配線膜４５が形成されている。配線膜４５には、可溶体７を外部接続するための第１外部電極１８および第２外部電極１９が電気的に接続されている。基板２上には、配線膜４５を被覆するように樹脂膜１５が形成されている。樹脂膜１５は、少なくとも可溶体７の上方に可溶体用開口２０を有している。【選択図】図４
2016201191.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、所定の熱量によって溶断する可溶体を含む配線膜と、
前記配線膜に電気的に接続され、前記可溶体を外部接続するための外部電極と、
前記配線膜を被覆するように前記基板上に形成され、少なくとも前記可溶体の上方に開口を有する樹脂膜とを含む、チップヒューズ。
【請求項２】
前記開口の平面面積は、前記可溶体の平面面積よりも大きい、請求項１に記載のチップヒューズ。
【請求項３】
前記外部電極は、前記可溶体を挟み込むように対向して配置された第１外部電極および第２外部電極を含み、
前記可溶体は、前記第１外部電極および前記第２外部電極の対向方向に延びるように、かつ、短手方向の幅が、前記第１外部電極の幅および前記第２外部電極の幅よりも小さく形成されている、請求項１または２に記載のチップヒューズ。
【請求項４】
前記配線膜は、前記可溶体を挟み込むように互いに対向して配置された第１配線膜および第２配線膜を含み、
前記第１配線膜は、前記可溶体に向けて徐々に幅が狭まるように形成され、
前記第２配線膜は、前記可溶体に向けて徐々に幅が狭まるように形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のチップヒューズ。
【請求項５】
前記配線膜は、前記可溶体から間隔を空けて配置された標印膜をさらに含む、請求項１に記載のチップヒューズ。
【請求項６】
前記樹脂膜は、前記標印膜を被覆している、請求項５に記載のチップヒューズ。
【請求項７】
前記樹脂膜は、前記標印膜の上方に開口を有している、請求項５に記載のチップヒューズ。
【請求項８】
前記配線膜は、互いに対向するように間隔を空けて配置された第１配線膜および第２配線膜を含み、
前記標印膜は、少なくとも一部が、前記第１配線膜および前記第２配線膜の間に位置するように、前記第１配線膜および前記第２配線膜の対向方向に直交する方向に前記可溶体と並んで配置されている、請求項５〜７のいずれか一項に記載のチップヒューズ。
【請求項９】
前記配線膜は、前記可溶体を挟み込むように互いに対向して配置され、前記可溶体に対して、対向方向の直交方向の一方に沿って互いに対向するように張り出した第１配線膜および第２配線膜を含み、
前記標印膜は、少なくとも一部が、前記可溶体、前記第１配線膜および前記第２配線膜により区画される領域内に位置するように前記基板上に配置されている、請求項５〜７のいずれか一項に記載のチップヒューズ。
【請求項１０】
前記可溶体は、前記第１配線膜および前記第２配線膜の対向方向に延びるように、かつ、短手方向の幅が、前記第１配線膜の幅および前記第２配線膜の幅よりも小さく形成されている、請求項８または９に記載のチップヒューズ。
【請求項１１】
前記第１配線膜は、前記可溶体に向けて徐々に幅が狭まるように形成され、
前記第２配線膜は、前記可溶体に向けて徐々に幅が狭まるように形成されている、請求項８〜１０のいずれか一項に記載のチップヒューズ。
【請求項１２】
前記配線膜は、Ａｌ（アルミニウム），Ｃｕ（銅），ＡｌＳｉＣｕ（アルミニウム−ケイ素−銅）合金およびＡｕＳｉ（金−ケイ素）合金を含む群から選択される１つまたは複数の金属材料を含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のチップヒューズ。
【請求項１３】
前記樹脂膜は、ポリイミドを含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のチップヒューズ。
【請求項１４】
前記ポリイミドは、カーボンを含む、請求項１３に記載のチップヒューズ。
【請求項１５】
基板と、
前記基板上に形成され、所定の熱量によって溶断する可溶体と、前記可溶体から間隔を空けて形成された標印膜とを含む配線膜と、
前記配線膜に電気的に接続され、前記可溶体を外部接続するための外部電極とを含む、チップヒューズ。
【請求項１６】
前記配線膜を被覆するように前記基板上に形成され、少なくとも前記可溶体の上方に開口を有する樹脂膜とを含む、請求項１５に記載のチップヒューズ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップヒューズに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、絶縁基板と、絶縁基板上に形成された蓄熱層と、蓄熱層から間隔を空けて形成されたヒューズ膜と、ヒューズ膜を被覆する第一の保護層と、第一の保護層を被覆する第二の保護層とを含むチップヒューズを開示している。第一の保護層および第二の保護層は、樹脂からなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−４３５１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの目的は、遮断性能を向上できるチップヒューズを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するための本発明の一局面に係るチップヒューズは、基板と、前記基板上に形成され、所定の熱量によって溶断する可溶体を含む配線膜と、前記配線膜に電気的に接続され、前記可溶体を外部接続するための外部電極と、前記配線膜を被覆するように前記基板上に形成され、少なくとも前記可溶体の上方に開口を有する樹脂膜とを含む。
この構成によれば、配線膜に定格以上の電流が流れると、可溶体がジュール熱によって溶断し、電流経路が開放（遮断）される。この構成では、少なくとも可溶体の上方に開口を有する樹脂膜が基板上に形成されているので、可溶体が溶断した部分に樹脂膜が入り込むことを抑制できる。これにより、可溶体が溶断した部分に樹脂膜が入り込んで、配線膜に電流経路が再度形成されるのを抑制できる。その結果、遮断性能を向上できるチップヒューズを提供できる。
【０００６】
前記チップヒューズにおいて、前記開口の平面面積は、前記可溶体の平面面積よりも大きいことが好ましい。この構成によれば、可溶体が溶断した部分に樹脂膜が入り込むのを効果的に抑制できる。
前記チップヒューズにおいて、前記外部電極は、前記可溶体を挟み込むように対向して配置された第１外部電極および第２外部電極を含んでいてもよい。この構成において、前記可溶体は、前記第１外部電極および前記第２外部電極の対向方向に延びるように、かつ、短手方向の幅が、前記第１外部電極の幅および前記第２外部電極の幅よりも小さく形成されていてもよい。
【０００７】
前記チップヒューズにおいて、前記配線膜は、前記可溶体を挟み込むように互いに対向して配置された第１配線膜および第２配線膜を含んでいてもよい。この場合、前記第１配線膜は、前記可溶体に向けて徐々に幅が狭まるように形成され、前記第２配線膜は、前記可溶体に向けて徐々に幅が狭まるように形成されていてもよい。
前記チップヒューズにおいて、前記配線膜は、前記可溶体から間隔を空けて配置された標印膜をさらに含んでいてもよい。
【０００８】
樹脂膜の表面に標印を形成するための領域を設定すると、たとえば標印を形成する部分を平坦に形成しなければならない等、当該樹脂膜の構成の自由度が制限される。本発明の構成によれば、配線膜が標印膜を含むので、標印膜に起因する樹脂膜の構成の制限をなくすことができる。これにより、樹脂膜に開口を良好に形成できる。
しかも、この構成によれば、配線膜を利用して標印膜を形成できるので、標印膜を形成する装置と、配線膜を形成する装置とを共通化できる。これにより、標印形成専用の装置、たとえばレーザ印刷の標印形成装置やオフセット印刷の標印形成装置等が不要となる。その結果、標印形成専用の装置のための設備投資が不要になるので、チップヒューズの製造コストを効果的に低減できる。とりわけ、レーザ印刷ではレーザ加工に伴う樹脂膜のダメージや発塵等によるチップヒューズの歩留り低下が懸念されるが、本発明の構成によれば、これらの問題を回避できるので、チップヒューズの信頼性を向上できる。
【０００９】
前記チップヒューズにおいて、前記樹脂膜は、前記標印膜を被覆していることが好ましい。この構成によれば、樹脂膜によって標印膜を保護できるので、標印膜の一部が剥がれたり、擦れたりすることによって発生する標印膜のダメージを効果的に抑制できる。
前記チップヒューズにおいて、前記樹脂膜は、前記標印膜の上方に開口を有していてもよい。この構成によれば、樹脂膜によって標印膜を保護できるので、標印膜の一部が剥がれたり、擦れたりすることによる標印膜のダメージを抑制できる。また、樹脂膜が、前記標印膜の上方に開口を有しているので、当該開口を介して標印膜を良好に確認できる。
【００１０】
前記チップヒューズにおいて、前記配線膜は、互いに対向するように間隔を空けて配置された第１配線膜および第２配線膜を含んでいてもよい。この構成において、前記標印膜は、少なくとも一部が、前記第１配線膜および前記第２配線膜の間に位置するように、前記第１配線膜および前記第２配線膜の対向方向に直交する方向に前記可溶体と並んで配置されていることが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、第１配線膜および第２配線膜の間に標印膜の少なくとも一部が位置するように、可溶体および標印膜を並べて配置できる。これにより、第１配線膜および第２配線膜の間の領域を有効活用できる。その結果、基板上のスペースの有効活用によって、チップヒューズの大型化を抑制または防止できる。
前記チップヒューズにおいて、前記配線膜は、前記可溶体を挟み込むように互いに対向して配置され、前記可溶体に対して、対向方向の直交方向の一方に沿って互いに対向するように張り出した第１配線膜および第２配線膜を含んでいてもよい。前記標印膜は、少なくとも一部が、前記可溶体、前記第１配線膜および前記第２配線膜により区画される領域内に位置するように前記基板上に配置されていることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、可溶体、第１配線膜および第２配線膜により区画される領域内に、標印膜の少なくとも一部が位置するように標印膜を配置できる。これにより、可溶体、第１配線膜および第２配線膜により区画される領域を有効活用できる。その結果、基板上のスペースの有効活用によって、チップヒューズの大型化を抑制または防止できる。
前記チップヒューズにおいて、前記可溶体は、前記第１配線膜および前記第２配線膜の対向方向に延びるように、かつ、短手方向の幅が、前記第１配線膜の幅および前記第２配線膜の幅よりも小さく形成されていることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、第１配線膜および第２配線膜に対して比較的幅狭の可溶体が形成されるので、第１配線膜および第２配線膜の間に可溶体が配置されない領域が形成される。この可溶体が配置されない領域に標印膜を配置することにより基板上のスペースを有効活用できるので、チップヒューズの大型化を効果的に抑制または防止できる。
前記チップヒューズにおいて、前記第１配線膜は、前記可溶体に向けて徐々に幅が狭まるように形成されていてもよい。また、前記第２配線膜は、前記可溶体に向けて徐々に幅が狭まるように形成されていてもよい。
【００１４】
前記チップヒューズにおいて、前記配線膜は、Ａｌ（アルミニウム），Ｃｕ（銅），ＡｌＳｉＣｕ（アルミニウム−ケイ素−銅）合金およびＡｕＳｉ（金−ケイ素）合金を含む群から選択される１つまたは複数の金属材料を含んでいてもよい。
前記チップヒューズにおいて、前記樹脂膜は、ポリイミドを含んでいてもよい。前記チップヒューズにおいて、前記ポリイミドは、カーボンを含んでいてもよい。
【００１５】
本発明の他の局面に係るチップヒューズは、基板と、前記基板上に形成され、所定の熱量によって溶断する可溶体と、前記可溶体から間隔を空けて形成された標印膜とを含む配線膜と、前記配線膜に電気的に接続され、前記可溶体を外部接続するための外部電極とを含む。
この構成によれば、可溶体と標印膜とを含む配線膜が形成されている。したがって、配線膜を利用して標印膜を形成できるので、標印膜を形成する装置と、配線膜を形成する装置とを共通化できる。これにより、標印形成専用の装置、たとえばレーザ印刷の標印形成装置やオフセット印刷の標印形成装置等が不要となる。その結果、標印形成専用の装置のための設備投資が不要になるので、チップヒューズの製造コストを効果的に低減できる。とりわけ、レーザ印刷ではレーザ加工に伴う樹脂膜のダメージや発塵等によるチップヒューズの歩留り低下が懸念されるが、本発明の構成によれば、これらの問題を回避できるので、チップヒューズの信頼性を向上できる。
【００１６】
前記配線膜を被覆するように前記基板上に形成され、少なくとも前記可溶体の上方に開口を有する樹脂膜とを含むことが好ましい。
この構成によれば、配線膜に定格以上の電流が流れると、可溶体がジュール熱によって溶断し、電流経路が開放（遮断）される。この構成では、少なくとも可溶体の上方に開口を有する樹脂膜が基板上に形成されているので、可溶体が溶断した部分に樹脂膜が入り込むことを抑制できる。これにより、可溶体が溶断した部分に樹脂膜が入り込んで、配線膜に電流経路が再度形成されるのを抑制できる。その結果、遮断性能を向上できるチップヒューズを提供できる。
【００１７】
また、樹脂膜の表面上に標印を形成するための領域を設定すると、たとえば標印を形成する部分を平坦に形成しなければならない等、当該樹脂膜の構成の自由度が制限される。本発明の構成によれば、配線膜を利用して標印膜を形成しているので、標印膜に起因する樹脂膜の構成の制限をなくすことができる。これにより、樹脂膜に開口を良好に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るチップヒューズの斜視図である。
【図２】図２は、図１に示すチップヒューズの平面図である。
【図３】図３は、図１に示すチップヒューズの平面図であって、配線膜上の構成を取り除いた図である。
【図４】図４は、図２に示すIV-IV線に沿う断面図である。
【図５】図５は、図２に示すV-V線に沿う断面図である。
【図６】図６は、図１に示すチップヒューズの電気的構成を示す回路図である。
【図７】図７は、図１に示すチップヒューズの製造工程の一例を示す工程図である。
【図８】図８は、図７の製造工程に適用されるベース基板の模式的な平面図である。
【図９】図９は、図１に示すチップヒューズの一製造工程を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図９の次の工程を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図１０の次の工程を示す断面図である。
【図１２】図１２は、図１１の次の工程を示す断面図である。
【図１３】図１３は、図１２の次の工程を示す断面図である。
【図１４】図１４は、図１３の次の工程を示す断面図である。
【図１５】図１５は、図１４の次の工程を示す断面図である。
【図１６】図１６は、図１５の次の工程を示す断面図である。
【図１７】図１７は、図１６の次の工程を示す断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の第２実施形態に係るチップヒューズの断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の標印膜が適用された一の例に係るチップ部品を示す平面図である。
【図２０】図２０は、図１９に示すXX-XX線に沿う断面図である。
【図２１】図２１は、図１９に示すXXI-XXI線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るチップヒューズ１の斜視図である。図２は、図１に示すチップヒューズ１の平面図である。図３は、図１に示すチップヒューズ１の平面図であって、配線膜４５上の構成を取り除いた図である。図４は、図２に示すIV-IV線に沿う断面図である。図５は、図２に示すV-V線に沿う断面図である。
【００２０】
図１に示すように、チップヒューズ１は、略直方体形状に形成されている。チップヒューズ１の平面形状は略矩形であり、長手方向の長さＬが０．３ｍｍ〜０．６ｍｍ、短手方向の長さＤが０．１５ｍｍ〜０．３ｍｍ程度であってもよい。また、チップヒューズ１の全体の厚さＴは、０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ程度であってもよい。
チップヒューズ１は、略直方体形状の基板２を含む。基板２は、一対の主面２ａ，２ｂと、４つの側面２ｃとを含む。一対の主面２ａ，２ｂのうちの一方（図１の上面側の主面２ａ）が素子形成面とされている。以下、この主面２ａを「素子形成面２ａ」といい、素子形成面２ａと反対側の主面を「裏面２ｂ」という。基板２の素子形成面２ａの全域に表面絶縁膜３が形成されている。
【００２１】
図４および図５に示すように、表面絶縁膜３上には、配線膜４５が形成されている。配線膜４５は、たとえば、Ａｌ（アルミニウム），Ｃｕ（銅），ＡｌＳｉＣｕ（アルミニウム−ケイ素−銅）合金およびＡｕＳｉ（金−ケイ素）合金を含む群から選択される１つまたは複数の金属材料を含む。配線膜４５は、所定の熱量によって溶断する可溶体（fuse element)７を含む。配線膜４５はさらに、可溶体７を挟み込み、互いに対向するように間隔を空けて配置された第１配線膜４および第２配線膜５を含む。第１配線膜４は、基板２の一端部側に配置されており、第２配線膜５は、基板２の他端部側に配置されている。第１配線膜４および第２配線膜５は、可溶体７に電気的に接続されている。
【００２２】
可溶体７は、第１配線膜４および第２配線膜５の対向方向中間部に配置されている。より具体的には、可溶体７は、素子形成面２ａの法線方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において、素子形成面２ａの略中央部に配置されている。可溶体７は、平面視において、第１配線膜４および第２配線膜５の対向方向に直交する方向の最大幅Ｗ１，Ｗ２よりも狭い幅Ｗ３で、当該対向方向に延びるように略長方形状に形成されている。可溶体７の短手方向の幅Ｗ３は、たとえば０．０２ｍｍ〜０．３ｍｍである。可溶体７の長手方向の幅Ｗ４は、たとえば０．１ｍｍ〜０．６ｍｍである。
【００２３】
第１配線膜４は、可溶体７に対して、対向方向の直交方向の少なくとも一方（本実施形態では双方）に沿って張り出した第１張出し部４ａ，４ｂを含む。より具体的には、第１配線膜４は、第１パッド部８と、第１パッド部８と可溶体７とを接続する第１接続部９とを一体的に有しており、可溶体７に向けて徐々に幅が狭まるように形成されている。第１配線膜４の第１張出し部４ａ，４ｂは、第１パッド部８の一部および第１接続部９の一部により形成されている。
【００２４】
第１配線膜４の第１パッド部８は、基板２の一端部側に配置されており、基板２の短手方向に沿って平面視略矩形状に形成されている。第１配線膜４の第１接続部９は、基板２の短手方向に沿う幅が徐々に狭まるように第１パッド部８から第２配線膜５に向けて引き出されている。より具体的には、第１接続部９は、第１パッド部８に接続された一端部９ａと、第１パッド部８側に位置する可溶体７の一端部７ａを接続する他端部９ｂとを有している。第１接続部９は、一端部９ａから他端部９ｂに向けて徐々に幅が狭まるように形成されている。
【００２５】
同様に、第２配線膜５は、可溶体７に対して、対向方向の直交方向の少なくとも一方（本実施形態では双方）に沿って張り出した第２張出し部５ａ，５ｂを含む。より具体的には、第２配線膜５は、第２パッド部１０と、第２パッド部１０と可溶体７とを接続する第２接続部１１とを一体的に有しており、可溶体７に向けて徐々に幅が狭まるように形成されている。第２配線膜５の第２張出し部５ａ，５ｂは、第２パッド部１０の一部および第２接続部１１の一部により形成されている。第２配線膜５の第２張出し部５ａ，５ｂは、基板２上の領域を挟んで第１配線膜４の第１張出し部４ａ，４ｂに対向している。
【００２６】
第２配線膜５の第２パッド部１０は、基板２の他端部側に配置されており、基板２の短手方向に沿って平面視略矩形状に形成されている。第２配線膜５の第２接続部１１は、基板２の短手方向に沿う幅が徐々に狭まるように第２パッド部１０から第１配線膜４に向けて引き出されている。より具体的には、第２接続部１１は、第２パッド部１０に接続された一端部１１ａと、第２パッド部１０側に位置する可溶体７の他端部７ｂを接続する他端部１１ｂとを有している。第２接続部１１は、一端部１１ａから他端部１１ｂに向けて徐々に幅が狭まるように形成されている。
【００２７】
図２、図３および図５に示すように、配線膜４５はさらに、チップヒューズ１に関する種々の情報を表示する標印膜１３を含む。標印膜１３は、第１配線膜４および第２配線膜５の間において、第１配線膜４、第２配線膜５および可溶体７から間隔を空けて形成されている。標印膜１３は、標印膜１３の少なくとも一部（本実施形態では全部）が、第１配線膜４および第２配線膜５の間に位置するように配置されている。より具体的には、標印膜１３は、少なくとも一部（本実施形態では全部）が、可溶体７、第１配線膜４および第２配線膜５により区画される領域内に位置するように配置されている。さらに具体的には、標印膜１３は、可溶体７、第１配線膜４の第１張出し部４ａおよび第２配線膜５の第２張出し部５ｂにより区画される領域内に配置されている。つまり、標印膜１３は、可溶体７、第１接続部９および第２接続部１１により区画される領域内に配置されている。この構成において、標印膜１３は、第１配線膜４および第２配線膜５の対向方向に直交する方向に可溶体７と対向している。つまり、標印膜１３は、前記直交する方向に可溶体７と並んで配置されている。
【００２８】
本実施形態では、標印膜１３が「４．０」の文字に形成されることによって、可溶体７の定格電流、すなわちチップヒューズ１の定格電流が示されている。つまり、標印膜１３は、第１配線膜４および第２配線膜５間に４．０Ａ以上の電流が流れると、可溶体７がジュール熱により溶断することを表している。標印膜１３は、定格電流の他、たとえば「Ｆ」の文字に形成されることにより、当該チップヒューズ１が可溶体７（ヒューズ）を含むことを表示してもよい。
【００２９】
表面絶縁膜３上には、配線膜４５を被覆するように第１パッシベーション膜１４が形成されている。第１パッシベーション膜１４は、たとえばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の透明絶縁膜である。シリコン酸化膜は、たとえば、ＵＳＧ（Undoped Silica Glass）膜またはＳＯＧ（Spin-On-Glass）膜であってもよい。第１パッシベーション膜１４は、標印膜１３、第１配線膜４、第２配線膜５および可溶体７の各間に入り込み、表面絶縁膜３と接している。これにより、標印膜１３は、第１配線膜４、第２配線膜５および可溶体７から電気的に絶縁されている。基板２上には、さらに第１パッシベーション膜１４を被覆するように樹脂膜１５が形成されている。樹脂膜１５は、たとえばポリイミド等の透明樹脂膜である。このポリイミドには、微量のカーボンが含まれていてもよい。
【００３０】
第１パッシベーション膜１４および樹脂膜１５には、少なくとも第１パッド部８の可溶体７側の縁部を除く領域を露出させる第１パッド開口１６が形成されている。また、第１パッシベーション膜１４および樹脂膜１５には、少なくとも第２パッド部１０の可溶体７側の縁部を除く領域を露出させる第２パッド開口１７が形成されている。第１パッド開口１６を埋めるように第１外部電極１８が形成され、第２パッド開口１７を埋めるように第２外部電極１９が形成されている。
【００３１】
第１外部電極１８は、基板２の一端部に平面視略矩形状に形成されている。第１外部電極１８は、第１パッド開口１６において、第１パッド部８（第１配線膜４）に電気的に接続されている。第１外部電極１８は、樹脂膜１５から突出するように形成されており、樹脂膜１５の一部を被覆するように樹脂膜１５上に引き出された被覆部１８ａを有している。第２外部電極１９は、基板２の他端部に平面視略矩形状に形成されている。第２外部電極１９は、第２パッド開口１７において、第２パッド部１０（第２配線膜５）に電気的に接続されている。第２外部電極１９は、樹脂膜１５から突出するように形成されており、樹脂膜１５の一部を被覆するように樹脂膜１５上に引き出された被覆部１９ａを有している。
【００３２】
つまり、第１外部電極１８および第２外部電極１９は、可溶体７を挟み込むように対向して配置されている。そして、可溶体７は、第１外部電極１８および第２外部電極１９の対向方向に延びるように形成されている。可溶体７の短手方向に関して、可溶体７の幅Ｗ３は、第１外部電極１８の幅および第２外部電極１９の幅よりも小さく形成されている。第１外部電極１８および第２外部電極１９は、たとえば、Ｎｉ膜と、Ｎｉ膜上に形成されたＰｄ膜と、Ｐｄ膜上に形成されたＡｕ膜とを有するＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜であってもよい。
【００３３】
図１〜図４を参照して、樹脂膜１５は、第１配線膜４（第１外部電極１８）および第２配線膜５（第２外部電極１９）の対向方向中間部に、本発明の開口の一例としての可溶体用開口２０を有している。可溶体用開口２０は、少なくとも可溶体７の上方に形成されている。より具体的には、可溶体用開口２０は、第１パッシベーション膜１４における少なくとも可溶体７上の部分を露出させるように形成されている。可溶体用開口２０は、平面視略長方形状に形成されており、可溶体７の平面面積よりも大きい平面面積を有している。可溶体用開口２０は、平面視において、可溶体７の周縁を取り囲んでいる。可溶体用開口２０の短手方向の幅Ｗ５は、たとえば０．０６ｍｍ〜０．４ｍｍである。可溶体用開口２０の長手方向の幅Ｗ６は、たとえば０．１４ｍｍ〜０．７ｍｍである。
【００３４】
この構成において、可溶体用開口２０は、第１配線膜４の少なくとも一部および第２配線膜５の少なくとも一部の上方に形成されている。つまり、可溶体用開口２０は、第１パッシベーション膜１４における第１配線膜４の少なくとも一部および第２配線膜５の少なくとも一部を露出させている。より具体的には、可溶体用開口２０は、第１パッシベーション膜１４における第１接続部９の他端部９ｂ上の一部および第２接続部１１の他端部１１ｂ上の一部を露出させている。なお、本実施形態では、平面視略長方形状の可溶体用開口２０が形成された例を示しているが、可溶体用開口２０は、平面視円形状、平面視多角形状等であってもよい。図５を参照して、樹脂膜１５は、第１パッシベーション膜１４における標印膜１３の上方の部分全域を被覆している。
【００３５】
図３および図４に示すように、基板２の４つの側面２ｃには、当該側面２ｃを被覆するように第２パッシベーション膜２１が形成されている（図１では図示せず）。第２パッシベーション膜２１は、たとえば、窒化膜であってもよい。
図６は、図１に示すチップヒューズ１の電気的構成を示す回路図である。図６に示すように、可溶体７の一端部７ａは第１配線膜４を介して第１外部電極１８に接続され、可溶体７の他端部７ｂは第２配線膜５を介して第２外部電極１９に接続されている。これにより、１つのヒューズが形成されている。
【００３６】
図７は、図１に示すチップヒューズ１の製造工程の一例を示す工程図である。図８は、図７の製造工程に適用されるベース基板３１の模式的な平面図である。図９〜図１７は、図１に示すチップヒューズ１の一製造工程を示す断面図である。なお、図９〜図１７は、図８に示すA-A線に沿う断面図に対応している。
まず、図８に示すように、基板２の元基板としてのベース基板３１が用意される（ステップＳ１）。ベース基板３１の表面３１ａは、基板２の素子形成面２ａに対応しており、ベース基板３１の裏面３１ｂは、基板２の裏面２ｂに対応している。ベース基板３１の表面３１ａには、チップヒューズ１が形成されるチップ領域３２が、行列状に複数設定されている。互いに隣り合うチップ領域３２の間には、境界領域３３が設定されている。境界領域３３は、略一定の幅を有する帯状の領域であり、直交する２方向に延びて格子状に形成されている。
【００３７】
次に、図９に示すように、ベース基板３１の表面３１ａに表面絶縁膜３が形成される（ステップＳ２）。次に、図１０に示すように、たとえばスパッタ法により、配線膜４５（第１配線膜４、第２配線膜５、可溶体７および標印膜１３）を形成するための金属膜３４が表面絶縁膜３の全体を被覆するように形成される（ステップＳ３）。金属膜３４の金属材料は、たとえばアルミニウムであってもよい。次に、図１１に示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、金属膜３４がパターニングされる（ステップＳ４）。これにより、配線膜４５が形成される。
【００３８】
次に、図１２に示すように、たとえばＣＶＤ法により、窒化膜またはＵＳＧ膜からなる絶縁膜３５が表面絶縁膜３の全体を被覆するように形成される（ステップＳ５）。絶縁膜３５としてＵＳＧ膜が形成される場合、成膜後、ＵＳＧ膜の表面が平坦化される。これにより、絶縁膜３５が第１パッシベーション膜１４として形成される。次に、図１３に示すように、第１パッシベーション膜１４上に、感光性ポリイミド３６が塗布される（ステップＳ６）。次に、第１パッド開口１６、第２パッド開口１７および可溶体用開口２０に対応するパターンで感光性ポリイミド３６が露光された後、現像される（ステップＳ７）。これにより、可溶体用開口２０を有する樹脂膜１５が形成される。その後、必要に応じて、樹脂膜１５をキュアするための熱処理を実行してもよい。
【００３９】
次に、図１４に示すように、可溶体用開口２０を被覆するレジストマスク３７が樹脂膜１５上に形成される（ステップＳ８）。次に、第１パッシベーション膜１４の不要な部分がドライエッチングによって除去される（ステップＳ９）。これにより、第１パッド開口１６および第２パッド開口１７が形成される。その後、可溶体用開口２０を被覆するレジストマスク３７が除去される。
【００４０】
次に、図１５に示すように、たとえば無電界めっきによって、第１パッド開口１６および第２パッド開口１７に、Ｎｉ、ＰｄおよびＡｕが順にめっき成長される（ステップＳ１０）。これにより、第１外部電極１８および第２外部電極１９が形成される。
次に、図１６に示すように、境界領域３３（図８参照）に整合する格子状の開口を有するレジストマスク（図示せず）が樹脂膜１５上に形成される（ステップＳ１１）。このレジストマスクを介してプラズマエッチングが行われ、樹脂膜１５、第１パッシベーション膜１４、表面絶縁膜３、ベース基板３１が所定の深さまで除去される。これにより、境界領域３３に沿って、切断用の溝３８（スクライブ溝）が形成される。溝３８が形成された後、レジストマスクが除去される。
【００４１】
次に、図１７に示すように、たとえばＣＶＤ法によって、溝３８の内面（側部および底部）を含むベース基板３１の全域に、窒化膜３９が形成される（ステップＳ１２）。次に、基板２の側面に対応する部分が窒化膜３９に覆われるように、窒化膜３９が選択的にエッチングされる。これにより、窒化膜３９が基板２の側面２ｃを被覆する第２パッシベーション膜２１として形成される。次に、ベース基板３１が裏面３１ｂから研磨される（ステップＳ１３）。ベース基板３１の裏面３１ｂは、溝３８の底部に到達するまで研磨される。これにより、複数のチップ領域３２が、個々のチップヒューズ１となる。このようにして、ベース基板３１から複数のチップヒューズ１の個片が切り出される。
【００４２】
以上、本実施形態によれば、第１配線膜４および第２配線膜５に定格以上の電流（本実施形態では、４．０Ａ以上の電流）が流れると、第１配線膜４および第２配線膜５の間に配置された可溶体７がジュール熱によって溶断し、第１配線膜４および第２配線膜５間の電流経路が開放（遮断）される。本実施形態によれば、可溶体７の平面面積よりも大きい平面面積の可溶体用開口２０が形成されているので、可溶体７が溶断した部分に樹脂膜１５が入り込んで、第１配線膜４および第２配線膜５の間に電流経路が再度形成されるのを効果的に抑制できる。その結果、遮断性能を効果的に向上できるチップヒューズ１を提供できる。
【００４３】
ここで、樹脂膜１５の表面上に標印を形成するための領域を設定する場合について考える。この場合、たとえば標印を形成する部分を平坦に形成しなければならない等、樹脂膜１５の構成の自由度が制限される。本実施形態によれば、基板２と第１パッシベーション膜１４との間に標印膜１３を形成しているので、標印膜１３に起因する樹脂膜１５の構成の制限をなくすことができる。これにより、樹脂膜１５に可溶体用開口２０を良好に形成できる。
【００４４】
しかも、本実施形態によれば、配線膜４５を利用して標印膜１３を形成できるので、標印膜１３を形成する装置と、配線膜４５を形成する装置とを共通化できる。これにより、標印形成専用の装置、たとえばレーザ印刷の標印形成装置やオフセット印刷の標印形成装置等が不要となる。その結果、標印形成専用の装置のための設備投資が不要になるので、チップヒューズ１の製造コストを効果的に低減できる。とりわけ、レーザ印刷ではレーザ加工に伴う樹脂膜１５のダメージや発塵等によるチップヒューズの歩留り低下が懸念されるが、本実施形態の構成によれば、これらの問題を回避できるので、チップヒューズ１の信頼性を向上できる。
【００４５】
また、本実施形態によれば、基板２と第１パッシベーション膜１４との間に標印膜１３を形成できる。これにより、樹脂膜１５の構成の制限受けずに標印膜１３を良好に形成できる。また、第１パッシベーション膜１４によって標印膜１３を保護できるので、標印膜１３の一部が剥がれたり、擦れたりすることによって発生する標印膜１３のダメージを効果的に抑制できる。その結果、第１パッシベーション膜１４を介して標印膜１３を良好に確認できる。
【００４６】
また、本実施形態によれば、第１配線膜４および第２配線膜５に対して比較的幅狭の可溶体７が形成されるので、第１配線膜４および第２配線膜５の間に可溶体７が配置されない領域、より具体的には、可溶体７、第１配線膜４および第２配線膜５により区画される領域が形成される。この可溶体７が配置されない領域に標印膜１３を配置することにより基板２上のスペースを有効活用できるので、チップヒューズの大型化を効果的に抑制または防止できる。
【００４７】
図１８は、本発明の第２実施形態に係るチップヒューズ４１の断面図である。図１８は、前述の図５に対応する断面図である。チップヒューズ４１が前述のチップヒューズ１と異なる点は、樹脂膜１５が、第１配線膜４（第１外部電極１８）および第２配線膜５（第２外部電極１９）の対向方向中間部に、標印膜用開口４２を有している点である。その他の点は、前述のチップヒューズ１と同一である。図１８において、図５に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【００４８】
樹脂膜１５の標印膜用開口４２は、たとえば平面視略長方形状に形成されており、少なくとも標印膜１３の上方を露出させるように形成されている。標印膜用開口４２は、標印膜１３よりも大きい平面面積で標印膜１３が形成された領域を取り囲んでいる。つまり、標印膜用開口４２は、標印膜１３よりも大きい平面面積で第１パッシベーション膜１４における標印膜１３上の部分を露出させている。このような構成の場合、標印膜１３は、透明の第１パッシベーション膜１４を介して確認できるので、樹脂膜１５は、必ずしも透明である必要はない。なお、本実施形態では、標印膜用開口４２が平面視略長方形状である例について説明したが、標印膜用開口４２は、平面視円形状、平面視多角形状等であってもよい。また、標印膜用開口４２は、可溶体用開口２０と一体的に連なるように形成されていてもよい。
【００４９】
このような構成によっても、前述の第１実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、樹脂膜１５が、標印膜１３の上方に標印膜用開口４２を有しているので、当該標印膜用開口４２を介して標印膜１３を良好に確認できる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
【００５０】
たとえば、前述の各実施形態では、１つの可溶体７が基板２上に形成される例について説明したが、複数の可溶体７が基板２上に形成されてもよい。また、前述の実施形態では、１つの情報を有する１つの標印膜１３が基板２上に設定される例について説明したが、互いに異なる情報を有する複数の標印膜１３が基板２上に配置されてもよい。この場合、複数の標印膜１３は、可溶体７、第１配線膜４の第１張出し部４ａ，４ｂおよび第２配線膜５の第２張出し部５ａ，５ｂにより区画される各領域内に配置されてもよい。
【００５１】
また、前述の各実施形態では、配線膜４５が標印膜１３を含む例について説明したが、
標印膜１３は、配線膜４５とは別体、つまり配線膜４５とは異なる材料で表面絶縁膜３（基板２）上に形成された金属膜または絶縁膜であってもよい。さらに、標印膜１３が配線膜４５とは別体の場合、レーザ印刷により形成された標印またはオフセット印刷により形成された標印を表面絶縁膜３上に形成してもよい。この構成によれば、透明の表面絶縁膜３により標印を保護でき、かつ、標印を良好に確認できる。
【００５２】
また、前述の各実施形態では、第１配線膜４（第１外部電極１８）と第２配線膜５（第２外部電極１９）との間に可溶体７と標印膜１３とが配置された例について説明した。しかし、標印膜１３は、可溶体７以外の素子、たとえば抵抗やコンデンサ等にも組み合わせることができる。この場合、図１９〜図２０に示す構成を採用してもよい。
図１９は、本発明の標印膜１３が適用された一の例に係るチップ部品５１を示す平面図である。図２０は、図１９に示すXX-XX線に沿う断面図である。図２１は、図１９に示すXXI-XXI線に沿う断面図である。図１９〜図２１において、図１〜図１８に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
【００５３】
図１９に示すように、チップ部品５１は、第１配線膜４の第１パッド部８（第１外部電極１８）と第２配線膜５の第２パッド部１０（第２外部電極１９）との間に、抵抗５２が形成された抵抗形成領域５３と、コンデンサ５４が形成されたコンデンサ形成領域５５と、標印膜１３とを含む。抵抗形成領域５３、コンデンサ形成領域５５、標印膜１３（標印膜形成領域）は、第１配線膜４（第１外部電極１８）と第２配線膜５（第２外部電極１９）とが対向する方向に直交する方向に沿って互いに間隔を空けて配置されている。標印膜１３は、「ＲＣ」の文字に形成されており、当該チップ部品５１が抵抗５２およびコンデンサ５４を含むことを表している。
【００５４】
図２０を参照して、抵抗形成領域５３には、第１配線膜４の第１パッド部８および第２配線膜５の第２パッド部１０に電気的に接続された抵抗膜５６が形成されている。抵抗膜５６は、表面絶縁膜３上に形成されている。抵抗膜５６は、第１配線膜４および第２配線膜５の金属材料（アルミニウム）の抵抗率ρＡｌよりも大きい抵抗率ρＭを有する金属膜からなる。抵抗膜５６は、たとえば、チタン膜や窒化チタン膜等であってもよい。この抵抗膜５６により抵抗５２が形成されている。
【００５５】
図２１を参照して、コンデンサ形成領域５５には、第１電極膜５７と、第１電極膜５７上に形成された第２電極膜５８と、第１電極膜５７と第２電極膜５８との間に介在する誘電体膜５９とが形成されている。第１電極膜５７は、第１配線膜４の第１パッド部８（第１外部電極１８）に電気的に接続されている。第１電極膜５７は、第２配線膜５（第２外部電極１９）から間隔を空けて形成されている。一方、第２電極膜５８は、第２配線膜５の第２パッド部１０（第２外部電極１９）に電気的に接続されている。第２電極膜５８は、第１配線膜４（第１外部電極１８）から間隔を空けて形成されている。これら第１電極膜５７、第２電極膜５８および誘電体膜５９によりコンデンサ５４が形成されている。
【００５６】
この例では、一つの基板２に抵抗形成領域５３とコンデンサ形成領域５５とが設けられた例について説明したが、むろん、いずれか一方のみを形成するようにしてもよい。このような構成によっても、基板２と第１パッシベーション膜１４との間に標印膜１３を形成できるので、前述の第１実施形態および第２実施形態において述べた標印膜１３の効果と同様の効果を奏することができる。
【００５７】
また、前述の各実施形態において、基板２は、絶縁性基板であってもよいし、シリコン基板（半導体基板）であってもよい。
前述のチップヒューズ１，４１および／またはチップ部品５１，６０は、たとえば、電源回路用、高周波回路用、デジタル回路用等の素子として、電子機器等に組み込むことができる。この場合、電子機器は、チップヒューズ１，４１および／またはチップ部品５１，６０が実装された回路アセンブリを収容した筐体を含む。
【００５８】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。たとえば、図１９〜図２１から、以下のような発明が抽出されてもよい。
項１．基板と、前記基板上に互いに間隔を空けて形成された第１外部電極および第２外部電極と、前記第１外部電極および前記第２外部電極の間に形成された素子形成領域と、前記素子形成領域外の前記基板上に形成された金属膜または絶縁膜からなる標印膜を含む標印膜形成領域と、少なくとも前記標印膜形成領域を被覆する透明絶縁膜とを含む、チップ部品。
【００５９】
項２．前記素子形成領域には、前記第１外部電極および前記第２外部電極に電気的に接続されるように、ヒューズ、抵抗およびコンデンサを含む群から選択される１つまたは複数の素子が形成されている、項１に記載のチップ部品。
【符号の説明】
【００６０】
１      チップヒューズ
２      基板
３      表面絶縁膜
４      第１配線膜
５      第２配線膜
７      可溶体
１３    標印膜
１５    樹脂膜
１８    第１外部電極
１９    第２外部電極
２０    可溶体用開口
４１    チップヒューズ
４２    標印膜用開口
４５    配線膜
【図１】
2016201191.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2016201191.tif 000009
【図８】
2016201191.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2016201191.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2016201191.tif 000021
【図２０】
2016201191.tif 000022
【図２１】
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