(57)【要約】【課題】  位相反転ブランクマスク及びフォトマスクを提供する。【解決手段】  位相反転ブランクマスクは、遮光性膜が第１遮光層及び第２遮光層を具備した多層膜又は連続膜構造を有する金属化合物からなる。第２遮光層は、第１遮光層に比べて、単位厚さ当たり露光波長に対する光学密度が高く、第１遮光層は、遮光性膜の全厚の７０％〜９０％を占めるように構成される。このようなブランクマスクは、遮光性が確保され、エッチング速度が改善され、レジスト膜を薄膜化でき、微細パターンの具現が可能である。【選択図】      図１
2016045490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に位相反転膜及び遮光性膜が具備された位相反転ブランクマスクであって、
前記遮光性膜は、前記透明基板に隣接して形成された第１遮光層と前記第１遮光層上に形成された第２遮光層とを含む多層膜又は連続膜のいずれかの構造を有する金属化合物からなり、
前記第２遮光層は、前記第１遮光層に比べて単位厚さ（Å）当たり露光波長に対する光学密度が高いことを特徴とする位相反転ブランクマスク。
【請求項２】
前記第１遮光層は、前記遮光性膜の全厚の５０％〜９５％を占めることを特徴とする、請求項１に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項３】
前記第１及び第２遮光層は、同一組成の物質からなり、組成比が互いに異なるか、又は組成が互いに異なる物質からなり、
前記第１遮光層は、前記第２遮光層に比べて、同一のエッチング物質に対してより速いエッチング速度を有することを特徴とする、請求項１に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項４】
前記第１遮光層は、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＯＮのいずれか一つからなり、
前記第２遮光層は、ＣｒＮ、ＣｒＯ、ＣｒＣ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＯＮのいずれか一つからなることを特徴とする、請求項１に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項５】
前記遮光性膜は、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）のいずれか１種以上の物質を含むクロム（Ｃｒ）化合物からなることを特徴とする、請求項１に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項６】
前記第１遮光層は、１ａｔ％〜５０ａｔ％の 酸素（Ｏ）含有量を有し、
窒素（Ｎ）を含む場合、１０ａｔ％〜３０ａｔ％の 窒素（Ｎ）含有量を有することを特徴とする、請求項５に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項７】
前記第１遮光層は、１ａｔ％〜５０ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量を有し、
前記第２遮光層は、１ａｔ％〜２０ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量を有することを特徴とする、請求項５に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項８】
前記第２遮光層は、炭素（Ｃ）を必ず含み、
前記第１遮光層は、酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）の少なくとも一つの含有量が前記第２遮光層に比べて高いことを特徴とする、請求項５に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項９】
前記第１遮光層は、０〜４０ａｔ％の炭素（Ｃ）含有量を有し、第２遮光層は、１ａｔ％〜５０ａｔ％の炭素（Ｃ）含有量を有し、
前記第２遮光層の前記炭素（Ｃ）含有量は、前記第１遮光層に比べて高いことを特徴とする、請求項５に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項１０】
前記第２遮光層は、炭素（Ｃ）を必ず含み、
前記位相反転膜及び遮光性膜が積層された構造は、３０ｋΩ／□以下の面抵抗値を有することを特徴とする、請求項５に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項１１】
前記遮光性膜は、４５０Å〜７００Åの厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項１２】
前記位相反転膜は、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）のいずれか１種以上の物質を含むモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）化合物からなる２層以上の多層膜で構成され、
前記位相反転膜の最上層の膜は、０．１ａｔ％〜２０ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量を有し、１Å〜１００Åの厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項１３】
前記位相反転膜及び遮光性膜の積層構造は、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍの露光波長に対して２．５〜３．５の光学密度を有し、２０％〜４０％の表面反射率を有することを特徴とする、請求項１に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項１４】
前記位相反転膜の上部の遮光性膜上にハードフィルムをさらに具備し、
前記遮光性膜とハードフィルムとの間にエッチング阻止膜を選択的に具備することを特徴とする、請求項１に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項１５】
前記ハードフィルムは、２０Å〜１００Åの厚さを有することを特徴とする、請求項１４に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項１６】
前記遮光性膜、位相反転膜、ハードフィルム及びエッチング阻止膜は、シリコン（Ｓｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、マンガン（Ｍｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、セレニウム（Ｓｅ）、銅（Ｃｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タングステン（Ｗ）、シリコン（Ｓｉ）のいずれか１種以上の物質を含んでなるか、又は、前記物質に窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）のいずれか１種以上の物質をさらに含んでなることを特徴とする、請求項１４に記載の位相反転ブランクマスク。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれかに記載の位相反転ブランクマスクを用いて製造された位相反転フォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位相反転ブランクマスク及びフォトマスクに関し、特に、３２ｎｍ級以下、好ましくは１４ｎｍ級以下、より好ましくは１０ｎｍ級以下の微細パターンを具現することができる位相反転ブランクマスク及びフォトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体微細工程技術は、大規模集積回路の高集積化に伴う回路パターンの微細化への要求を満たす上で非常に重要な要素とされている。
【０００３】
これを具現するためのリソグラフィ技術は、半導体回路パターンの解像度を向上させるために、バイナリブランクマスク（Ｂｉｎａｒｙ  Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ  Ｂｌａｎｋｍａｓｋ）、位相反転膜を用いた位相反転ブランクマスク（Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔｉｎｇ  Ｂｌａｎｋｍａｓｋ）、ハードフィルム及び遮光性膜を有するハードマスク用バイナリブランクマスク（Ｈａｒｄｍａｓｋ  Ｂｉｎａｒｙ  Ｂｌａｎｋｍａｓｋ）などへと発展しつつある。このようなブランクマスクは、高解像度（Ｈｉｇｈ  ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）と優れた品質を有するフォトマスクを製造するためのものであり、基板上に形成される膜を薄膜化したり、膜のエッチング速度を調節するなどの方法によってより微細なパターンを具現するように発展している。
【０００４】
このうち、位相反転ブランクマスクは、透明基板及び位相反転部を透過する露光光の間に所定の位相差（例えば、１７０゜乃至１９０゜）を発生させ、光の干渉作用を利用するマスクであって、転写パターンの解像度を向上させることができる点から、半導体デバイスの微細パターンの形成に適用可能な技術として注目されている。
【０００５】
従来の位相反転ブランクマスクは、透明基板上に、位相反転膜、遮光層及び反射防止層で構成された遮光性膜、及びレジスト膜が積層された構造を有する。ここで、遮光性膜は、一定の遮光性を確保し且つ表面反射率を下げるために一定レベルの厚さを有し、レジスト膜は、遮光性膜のエッチング過程でマスクの役割を果たすために十分な厚さに形成される。このとき、レジスト膜が厚い膜厚を有することから、レジスト膜にはパターン形成時にローディング効果（Ｌｏａｄｉｎｇ  Ｅｆｆｅｃｔ）によって臨界寸法（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）のばらつきが発生するが、これは最終的にはパターン欠陥の要因となる。このため、上記のローディング効果を效果的に抑制するためにはレジスト膜の薄膜化が必要である。
【０００６】
しかしながら、レジスト膜の厚さは遮光性膜のエッチング速度及び厚さに影響を受け、また、レジスト膜は、遮光性膜パターンを形成する乾式エッチング条件においてエッチング選択比が相対的に低い。このため、レジスト膜を薄膜化するためには遮光性膜の厚さを減らす必要があるが、遮光性膜の厚さが減少すると、要求される光学特性、例えば、光学密度及び反射率などを満たすことができないという問題が発生する。また、レジスト膜の薄膜化のために、金属化合物からなる遮光性膜に酸素（Ｏ）を含ませて遮光性膜のエッチング速度を増加させる方法が提案されたが、酸素（Ｏ）を含む遮光性膜は、組成比、製造工程などの影響から、特定の条件で面抵抗（Ｓｈｅｅｔ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が増加するという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、遮光性を確保するとともにエッチング速度が向上した遮光性膜を有する位相反転ブランクマスク及びこれを用いたフォトマスクを提供する。
【０００８】
本発明は、エッチング速度が向上するとともに面抵抗値が低い遮光性膜を有する位相反転ブランクマスク及びこれを用いたフォトマスクを提供する。
【０００９】
本発明は、レジスト膜の厚さを薄くしてレジストパターンの崩壊を防止することができ、且つ微細パターンを具現して優れたパターン正確度を確保することができる位相反転ブランクマスク及びこれを用いたフォトマスクを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、透明基板上に位相反転膜及び遮光性膜が具備された位相反転ブランクマスクにおいて、前記遮光性膜は、前記透明基板に隣接して形成された第１遮光層と前記第１遮光層上に形成された第２遮光層とを含む多層膜又は連続膜のいずれかの構造を有する金属化合物からなり、前記第２遮光層は、前記第１遮光層に比べて単位厚さ（Å）当たり露光波長に対する光学密度が高いことを特徴とする位相反転ブランクマスクを提示する。
【００１１】
前記第１遮光層は、前記遮光性膜の全厚の５０％〜９５％を占めるように構成される。
【００１２】
前記第１及び第２遮光層は、同一組成の物質からなり、組成比が互いに異なるか、又は組成が互いに異なる物質からなり、前記第１遮光層は、前記第２遮光層に比べて、同一のエッチング物質に対してより速いエッチング速度を有する。
【００１３】
前記第１遮光層は、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＯＮのいずれか一つからなり、前記第２遮光層は、ＣｒＮ、ＣｒＯ、ＣｒＣ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＯＮのいずれか一つからなってもよい。
【００１４】
前記遮光性膜は、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）のいずれか１種以上の物質を含むクロム（Ｃｒ）化合物からなってもよい。ここで、前記第１遮光層は、１ａｔ％〜５０ａｔ％の 酸素（Ｏ）含有量を有し、窒素（Ｎ）を含む場合、１０ａｔ％〜３０ａｔ％の窒素（Ｎ）含有量を有することができる。前記第１遮光層は、１ａｔ％〜５０ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量を有し、前記第２遮光層は、１ａｔ％〜２０ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量を有することができる。前記第２遮光層は、炭素（Ｃ）を必ず含み、前記第１遮光層は、酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）の少なくとも一つの含有量が前記第２遮光層に比べて高くなるように構成することができる。前記第１遮光層は、０〜４０ａｔ％の炭素（Ｃ）含有量を有し、第２遮光層は、１ａｔ％〜５０ａｔ％の炭素（Ｃ）含有量を有し、前記第２遮光層の前記炭素（Ｃ）含有量は、前記第１遮光層に比べて高くなるように構成することができる。前記第２遮光層は、炭素（Ｃ）を必ず含み、前記位相反転膜及び遮光性膜が積層された構造は、３０ｋΩ／□以下の面抵抗値を有するように構成することができる。
【００１５】
前記遮光性膜は、４５０Å〜７００Åの厚さを有するように構成することが好ましい。
【００１６】
前記位相反転膜は、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）のいずれか１種以上の物質を含むモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）化合物からなる２層以上の多層膜で構成され、前記位相反転膜の最上層の膜は、０．１ａｔ％〜２０ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量を有し、１Å〜１００Åの厚さを有するように構成することができる。
【００１７】
前記位相反転膜及び遮光性膜の積層構造は、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍの露光波長に対して２．５〜３．５の光学密度を有し、２０％〜４０％の表面反射率を有するように構成することができる。
【００１８】
前記位相反転膜の上部の遮光性膜上にハードフィルムをさらに具備し、前記遮光性膜とハードフィルムとの間にエッチング阻止膜を選択的に具備することができる。
【００１９】
前記ハードフィルムは、２０Å〜１００Åの厚さを有する。
【００２０】
前記遮光性膜、位相反転膜、ハードフィルム及びエッチング阻止膜は、シリコン（Ｓｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、マンガン（Ｍｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、セレニウム（Ｓｅ）、銅（Ｃｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タングステン（Ｗ）、シリコン（Ｓｉ）のいずれか１種以上の物質を含むか、又は前記物質に窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）のいずれか１種以上の物質をさらに含むことができる。
【００２１】
本発明の他の側面によれば、上記のような構成を有する位相反転ブランクマスクを用いて製造された位相反転フォトマスクが提供される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、遮光性を確保するとともにエッチング速度が向上し、且つ面抵抗値が低い遮光性膜を有する位相反転ブランクマスク及びこれを用いたフォトマスクを提供することができる。
【００２３】
これによって、本発明は、レジスト膜の厚さを薄くしてレジストパターンの崩壊を防止することができ、微細パターンを具現して優れたパターン正確度を確保できる位相反転ブランクマスク及びこれを用いたフォトマスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施例に係る位相反転ブランクマスクを示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る位相反転ブランクマスクを示す断面図である。
【図３】図２の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明をより詳しく説明する。
【００２６】
図１は、本発明の第１実施例に係る位相反転ブランクマスクを示す断面図である。図１を参照すると、本発明に係る位相反転ブランクマスク１００は、透明基板１０２、透明基板１０２上に順に積層された位相反転膜１０４、遮光性膜１１０及びレジスト膜１１４を具備する。
【００２７】
透明基板１０２は、石英ガラス、合成石英ガラス、フッ素ドープ石英ガラスなどで構成される。透明基板１０２の平坦度は、上部に形成されるいずれか一つの薄膜、例えば、位相反転膜１０４、遮光性膜１１０などの平坦度に影響を及ぼすことから、成膜される面の平坦度をＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ  Ｉｎｄｉｃａｔｅｄ  Ｒｅａｄｉｎｇ）値で定義するとき、その値は１４２ｍｍ２領域で３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下に制御される。
【００２８】
位相反転膜１０４は、シリコン（Ｓｉ）又はモリブデン（Ｍｏ）のような遷移金属を含むシリサイドからなるか、又はこれらに窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）のうち一つ以上の軽元素を含む化合物からなる。位相反転膜１０４は、好ましく、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯ、ＳｉＮＯ、ＳｉＣＯＮ、ＭｏＳｉ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＣ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＣＮ、ＭｏＳｉＣＯ、ＭｏＳｉＮＯ、ＭｏＳｉＣＯＮのいずれか一つからなり、製造工程及び位相反転膜１０４の光学的、化学的、物理的特性を考慮してホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）のうち一つ以上の軽元素をさらに含むことができる。
【００２９】
位相反転膜１０４は、同一の構成を有する一つのターゲット、例えば、遷移金属シリサイド（Ｓｉ）ターゲット、又は遷移金属シリサイド（Ｓｉ）にホウ素（Ｂ）がさらに含まれたターゲットを用いて形成する。このとき、ターゲットは、遷移金属：シリコン（Ｓｉ）の比率が１％〜４０％：９９％〜６０％であり、遷移金属：シリコン（Ｓｉ）：ホウ素（Ｂ）の比率が１％〜４０％：９８％〜５０％：１％〜１０％である。
【００３０】
位相反転膜１０４は、単層膜、２層以上の多層膜、又は連続膜の構造にすることができ、ここで、各膜は、単一膜、又は組成比が連続して変化する連続膜の形態にすることができる。
【００３１】
位相反転膜１０４は、最上層の膜が必ず酸素（Ｏ）を含むように構成することができる。具体的には、位相反転膜１０４は、例えば、ＭｏＳｉ系化合物からなる場合、オゾン（Ｏ３）、Ｈｏｔ−ＤＩ及びアンモニア（ＮＨ４ＯＨ）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）などを含む洗浄溶液によって損傷しやすい。位相反転膜１０４が洗浄工程などで上記の物質などによって損傷すると、位相反転膜１０４は、厚さが薄くなり、透過率が増加し、位相反転量の変化が発生するため、要求される光学的物性を具現することができない。このため、本発明は、最上層の膜が必ず酸素（Ｏ）を含むように、例えば、ＭｏＳｉＯＮで位相反転膜１０４の最上層を形成することによって、洗浄溶液に起因する位相反転膜１０４の溶解又は腐食のような劣化現象を防止することができる。位相反転膜１０４の最上層の膜は０．１ａｔ％〜２０ａｔ％の酸素（Ｏ）を含有するようにし、該最上層の膜の下部に配置される膜は、組成及び組成比が互いに異なる様々な形態の膜で構成することができる。
【００３２】
位相反転膜１０４は、３００Å〜８５０Åの厚さを有し、好ましくは、５００Å〜６５０Åの厚さを有する。位相反転膜１０４の最上層の膜は、１０Å〜１００Åの厚さを有し、位相反転膜１０４の全厚の１％〜４０％に該当する厚さを有し、好ましくは、１％〜１０％に該当する厚さを有する。位相反転膜１０４は、最上層部が酸素（Ｏ）を含むように、組成比が連続して変わる連続膜の形態にすることができる。
【００３３】
位相反転膜１０４は、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍ波長の露光光に対して６％〜３０％の透過率を有し、１７０゜〜１９０゜の位相反転量を有し、２０％〜３０％の表面反射率を有する。位相反転膜１０４は、透過率が６％よりも低いと、ウエハー（Ｗａｆｅｒ）に塗布されたレジスト膜の露光の際、相殺干渉のための露光光の強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が低下して位相反転効果が微小であり、透過率が３０％よりも高いと、ウエハーに塗布されたレジスト膜に損傷（Ｄａｍａｇｅ）を与えてレジスト膜の損失を招く。
【００３４】
位相反転膜１０４は、選択的に、１００℃〜５００℃で熱処理して耐薬品性及び平坦度を調節することができる。
【００３５】
遮光性膜１１０は、位相反転膜１０４に対してエッチング選択比を有する物質で構成され、遷移金属、又は該遷移金属に酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のうち一つ以上の軽元素を含む遷移金属化合物からなる。遮光性膜１１０は、例えば、クロム（Ｃｒ）、又はＣｒＮ、ＣｒＯ、ＣｒＣ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＯＮのようなクロム（Ｃｒ）化合物のいずれか一つからなる。また、遮光性膜１１０は、必要によって、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）のうち少なくとも一つの軽元素をさらに含むことができる。
【００３６】
遮光性膜１１０は、例えば、第１遮光層１０６及び第２遮光層１０８の２層構造を有する。パターン形成工程におけるパターン縦横比（Ａｓｐｅｃｔ  Ｒａｔｉｏ）及び膜の光学特性を考慮して、遮光性膜１１０は２層以上の多層構造にすることが好ましい。遮光性膜１１０を構成する第１遮光層１０６及び第２遮光層１０８は、同一組成の物質で構成するが、組成比を互いに異ならせてもよく、又は、互いに異なる組成の物質で構成してもよい。また、第１遮光層は、第２遮光層に比べて、同一のエッチング物質に対して速いエッチング速度を有するように構成することが好ましい。
【００３７】
第１遮光層１０６は、遮光性膜１１０の光学密度（ＯＤ；Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｅｎｓｉｔｙ）を調節するための役割を担い、第２遮光層１０８は、光学密度を補充する役割を担う。すなわち、第１遮光層１０６のみで光学密度を調節すると、遮光性膜１１０に要求される光学特性に合わせる上で第１遮光層１０６の厚さが増加する問題が発生し、よって、第２遮光層１０８を形成し、遮光性膜１１０に要求される光学密度を補充できるようにする。そのために、第２遮光層１０８を、第１遮光層１０６に比べて、単位厚さ（Å）当たり露光波長における光学密度が相対的に高くなるように構成する。
【００３８】
遮光性膜１１０は、高解像度パターンの具現のために、４５０Å〜７００Åの厚さを有し、好ましくは、５００Å〜６５０Åの厚さを有する。遮光性膜１１０は、４５０Å以下の厚さを有する場合、光学密度が２．５以下と低くなり、７００Å以上の厚さを有する場合、パターンの縦横比が２以上となって、レジスト膜パターンが崩れ、欠陥の発生が増加しうる。
【００３９】
第１遮光層１０６は、遮光性膜１１０の光学密度を調節するための役割を担うことから、遮光性膜１１０の全厚の５０％〜９５％に該当する厚さを有し、好ましくは、７０％〜９０％に該当する厚さを有する。また、第２遮光層１０８は、光学密度を補充する役割を担うことから、遮光性膜１１０の全厚の５％〜５０％に該当する厚さを有し、好ましくは、１０％〜３０％に該当する厚さを有する。
【００４０】
第１遮光層１０６は遮光性膜１１０の全厚の大部分を占めるため、遮光性膜１１０パターンの形成の際、良好な端面傾斜を有するためには第２遮光層１０８に比べて速いエッチング速度を有しなければならない。そのために、第１遮光層１０６は、酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）のうち一つ以上を含むが、特に、酸素（Ｏ）を必ず含み、例えば、ＣｒＯ、ＣｒＣＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯＮのようなクロム（Ｃｒ）化合物で構成される。このとき、第１遮光層１０６は、クロム（Ｃｒ）２０ａｔ％〜７０ａｔ％、窒素（Ｎ）０〜５０ａｔ％、酸素（Ｏ）１ａｔ％〜５０ａｔ％、炭素（Ｃ）０〜４０ａｔ％、ホウ素（Ｂ）０〜３０ａｔ％、水素（Ｈ）０〜３０ａｔ％の含有量を有する。ここで、好ましくは、酸素（Ｏ）を５ａｔ％〜４０ａｔ％含有し、より好ましくは、１０ａｔ％〜２０ａｔ％含有する。また、窒素（Ｎ）を含む場合、窒素（Ｎ）を好ましくは１０ａｔ％〜３０ａｔ％含有する。
【００４１】
第２遮光層１０８は、例えば、クロム（Ｃｒ）、又はＣｒＮ、ＣｒＯ、ＣｒＣ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＯＮのようなクロム（Ｃｒ）化合物のいずれか一つからなる。
【００４２】
第２遮光層１０８は、薄膜化及び遮光性の確保のために、酸素（Ｏ）を含まないように構成することもできるが、遮光性の確保及びエッチング速度の改善のために、酸素（Ｏ）を少量含めて構成することもできる。すなわち、第２遮光層１０８が酸素（Ｏ）を含む場合、一定の遮光性の確保のために酸素（Ｏ）を含まない場合に比べて膜厚が増加しうるが、エッチング速度が速くなるので、エッチング時間及びレジスト膜の薄膜化においては類似の効果を奏する。
【００４３】
第２遮光層１０８は、酸素（Ｏ）を含まないように構成される場合、クロム（Ｃｒ）２０ａｔ％〜７０ａｔ％、窒素（Ｎ）０〜３０ａｔ％、炭素（Ｃ）０〜３０ａｔ％、ホウ素（Ｂ）０〜３０ａｔ％、水素（Ｈ）０〜３０ａｔ％の含有量を有し、好ましくは、クロム（Ｃｒ）を３０ａｔ％〜６０ａｔ％含有し、より好ましくは、４０ａｔ％〜５０ａｔ％含有する。
【００４４】
また、第２遮光層１０８が酸素（Ｏ）を含むように構成される場合、第２遮光層１０８は、クロム（Ｃｒ）２０ａｔ％〜７０ａｔ％、窒素（Ｎ）０〜５０ａｔ％、酸素（Ｏ）１ａｔ％〜２０ａｔ％、炭素（Ｃ）０〜３０ａｔ％、ホウ素（Ｂ）０〜３０ａｔ％、水素（Ｈ）０〜３０ａｔ％の含有量を有し、好ましくは、クロム（Ｃｒ）を３０ａｔ％〜６０ａｔ％含有し、より好ましくは４０ａｔ％〜５０ａｔ％含有する。このとき、第１遮光層１０６は第２遮光層１０８と４ａｔ％〜４９ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量の差を有する。
【００４５】
ここで、第２遮光層１０８の酸素（Ｏ）含有量が１ａｔ％未満であると、エッチング速度が低下する問題があり、２０ａｔ％を超えると、位相反転膜１０４のエッチングに使われるフッ素（Ｆ）系エッチングガスに対する耐性が低下し、位相反転膜１０４のエッチング時に第２遮光層１０８が損傷し、光学密度が低下するという問題がある。
【００４６】
なお、第２遮光層１０８は、遮光性膜１１０が酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）のうち一つ以上を含むことから面抵抗が増加する場合、ブランクマスクを構成する薄膜の面抵抗値を改善するために炭素（Ｃ）を含有することができる。すなわち、遮光性膜１１０は、酸素（Ｏ）又は窒素（Ｎ）を含むことから表面の面抵抗値が増加することがあり、このため、フォトマスク製造の際、チャージアップ（Ｃｈａｒｇｅ−ｕｐ）現象によるイメージ歪（Ｉｍａｇｅ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）が生じ、フォトマスクの製造自体が困難となりうる。そこで、第２遮光層１０８が炭素（Ｃ）を含むように構成することで、面抵抗値を改善し、優れた品質のフォトマスクを具現することができる。第２遮光層１０８は、１〜５０ａｔ％の炭素（Ｃ）含有量を有し、炭素（Ｃ）含有量が１ａｔ％未満であると、面抵抗が増加し、電子ビーム照射（Ｅ−Ｂｅａｍ  Ｗｒｉｔｉｎｇ）時に問題が発生し、炭素（Ｃ）含有量が５０ａｔ％を超えると、光学密度が減少し、最終的に光学密度を満たした場合、厚さが厚くなる。ここで、第２遮光層１０８の炭素（Ｃ）含有によって、位相反転膜１０４及び遮光性膜１１０の積層された構造は、３０ｋΩ／□以下、好ましくは１０ｋΩ／□以下、より好ましくは３ｋΩ／□以下の面抵抗値を有する。
【００４７】
なお、第１遮光層１０６も面抵抗の改善のために炭素（Ｃ）を含むことができ、このとき、第２遮光層１０８は第１遮光層１０６に比べて高い炭素（Ｃ）含有量を有する。第１遮光層１０６及び第２遮光層１０８は、必要によって、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）などの軽元素をさらに含むことができる。
【００４８】
一方、遮光性膜１１０が酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）のいずれか一つ以上を含むと、遮光性膜１１０のエッチング速度が速くなるという長所があるが、第１遮光層１０６が第２遮光層１０８に比べて厚い場合、第１遮光層１０６を、酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）の少なくとも一つの含有量が第２遮光層１０８のそれに比べて高くなるように構成することによって、第１遮光層１０６のエッチング速度を第２遮光層１０８に比べて速くさせることが好ましい。
【００４９】
遮光性膜１１０には選択的に表面熱処理を実施することができ、このとき、熱処理温度が下部の位相反転膜１０４の熱処理温度と等しい又は低い条件で実施することができる。
【００５０】
位相反転膜１０４及び遮光性膜１１０が順次に積層された膜は、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍの露光波長に対して２．５〜３．５の光学密度値を有し、好ましくは、２．７〜３．５の光学密度値を有する。また、表面反射率は２０％〜４０％、好ましくは２５％〜３５％である。
【００５１】
レジスト膜１１４は、遮光性膜１０６のエッチング速度が増加するにつれて、１，５００Å以下、好ましくは１，２００Å以下、より好ましくは１，０００Å以下の厚さを有する。このとき、用いられるレジスト膜はポジティブタイプのレジストにもネガティブタイプのレジストにも同一に適用可能である。
【００５２】
図２は、本発明の第２実施例に係る位相反転ブランクマスクを示す断面図である。図２を参照すると、本発明に係る位相反転ブランクマスク２００は、透明基板２０２、透明基板２０２上に順次に積層された位相反転膜２０４、遮光性膜２１０、ハードフィルム２１２及びレジスト膜２１４を具備する。ここで、位相反転膜２０４、遮光性膜２１０及びレジスト膜２１４は、上述した第１実施例と光学的、化学的、物理的に同一の特性を有する。
【００５３】
ハードフィルム２１２は、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）から選ばれる１種以上の金属物質を含んでなるか、又は該１種以上の物質に、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）から選ばれる１種以上の物質をさらに含んでなる。ハードフィルム２１２は、例えば、クロム（Ｃｒ）及びこれに軽元素がさらに含まれたクロム（Ｃｒ）化合物、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）及びこれに軽元素がさらに含まれたモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）化合物、又はシリコン（Ｓｉ）化合物で構成することができる。
【００５４】
ハードフィルム２１２は、遮光性膜２１０のエッチングマスクの役割を果たすために、遮光性膜２１０のエッチング条件に対して１０以上のエッチング選択比を有する。このため、遮光性膜２１０がクロム（Ｃｒ）化合物で構成される場合、ハードフィルム２１２は、塩素（Ｃｌ）系ガスにエッチング耐性を有し、フッ素（Ｆ）系ガスでエッチング可能な物質で構成することができ、例えば、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）及びこれに軽元素がさらに含まれたモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）化合物、又はシリコン（Ｓｉ）化合物で構成することができる。
【００５５】
一方、ハードフィルム２１２がクロム（Ｃｒ）及びこれに軽元素がさらに含まれたクロム（Ｃｒ）化合物で構成される場合、図３に示すように、遮光性膜２１０及びハードフィルム２１２の間に２０Å〜３０Å厚のエッチング阻止膜２１１をさらに形成することができる。エッチング阻止膜２１１は、シリコン（Ｓｉ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）、タンタル（Ｔａ）、又は該物質に酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）が含まれた化合物のいずれか一つで構成されることが好ましい。エッチング阻止膜２１１は、２０Å〜１５０Åの厚さを有し、好ましくは、３０Å〜１００Åの厚さを有する。
【００５６】
ハードフィルム２１２は、エッチング速度が高いほどレジスト膜２１４の薄膜化が容易となることから、０．４Å／ｓｅｃ以上のエッチング速度を有し、好ましくは、１．０Å／ｓｅｃ以上のエッチング速度を有する。
【００５７】
ハードフィルム２１２は、２０Å〜１００Åの厚さを有し、好ましくは、３０Å〜６０Åの厚さを有する。ハードフィルム２１２が１００Å以上の厚さを有すると、レジスト膜２１４をエッチングマスクとしてハードフィルム２１２をエッチングするとき、ローディング効果によって臨界寸法のばらつきが増加しうる。一方、２０Å以下の厚さを有すると、遮光性膜２１０に対するエッチング選択比が低くなり、エッチングマスクとしての役割を果たし難い。
【００５８】
なお、位相反転膜２０４、遮光性膜２１０、エッチング阻止膜２１１及びハードフィルム２１２は、隣接する膜に対してエッチング選択比を有する物質で形成され、シリコン（Ｓｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、マンガン（Ｍｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、セレニウム（Ｓｅ）、銅（Ｃｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タングステン（Ｗ）、スズ（Ｓｎ）のいずれか１種以上の物質を含むこともでき、又は、当該物質に窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、水素（Ｈ）のいずれか１種以上の物質をさらに含むこともできる。
【００５９】
なお、ハードフィルム２１２の上面は、レジスト膜２１４との接着力の向上のために、表面改質又は表面処理のいずれかを適用して処理することができる。ハードフィルム２１２の表面改質は、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）、フッ素（Ｆ）のうち一つ以上のガスを用いた熱処理又はプラズマ処理による方法で行う。この熱処理及びプラズマ処理は、特に制限されないが、真空急速熱処理装置（Ｖａｃｃｕｍ  Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を用いた方法及び常圧プラズマを用いた方法を含むことができる。この表面改質によってハードフィルム２１２の表面は１５゜〜５０゜の接触角（Ｃｏｎｔａｃｔ  Ａｎｇｌｅ）を有し、好ましくは、２０゜〜４５゜の接触角を有する。１５゜以下の接触角では、レジスト膜のコーティング時に部分コーティング又はアンコーティングの問題が発生し、５０゜以上の接触角では表面エネルギーが高くなり、コーティング時に高いＲＰＭ又はレジスト膜の膜厚均一度の低下が発生する。
【００６０】
また、上記の表面処理は、シリコンを含む高分子化合物を塗布して行うことができる。シリコンを含む高分子化合物としては、Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎｅ、Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌ−ａｍｉｎｅ、Ｏ−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌａｃｅｔａｔｅ、Ｏ−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ−ｐｒｏｐｒｉｏｎａｔｅ、Ｏ−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｂｕｔｙｒａｔｅ、Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔａｔｅ、Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ、Ｎ−ｍｅｔｈｙｌ−Ｎｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔａｔｅ、Ｏ−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎｅ、Ｉｓｏｐｒｏｐｅｎｏｘｙ−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ、Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔａｍｉｄｅ、Ｍｅｔｈｙｌｔｒｉｍｅｔｈｙｌ−Ｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌｋｅｔｏｎｅａｃｅｔａｔｅ、Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ−ｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅのうち一つ以上を用いることができる。
【００６１】
以下、本発明の実施例に係る位相反転ブランクマスクについて詳しく説明する。
【００６２】
（実施例）
遮光性膜の構成物質による特性評価I
本発明に係る位相反転ブランクマスクに具備される遮光性膜の構成物質及び含有量を特定するために、それぞれ異なる組成比を有するクロム（Ｃｒ）化合物に対するエッチング速度及び膜特性を評価した。
【００６３】
遮光性膜は、クロム（Ｃｒ）ターゲットが具備されたＤＣマグネトロン反応性スパッタリング設備を用いて透明基板上に成膜した。
【００６４】
表１は、含まれている軽元素の種類による、クロム（Ｃｒ）を主成分とする金属膜のエッチング速度を示している。
【００６５】
【表１】
2016045490.tif 000003
表１を参照すると、クロム（Ｃｒ）化合物のエッチング速度は、炭化クロム（ＣｒＣ）、クロム（Ｃｒ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）順のエッチング速度を有し、これらのクロム（Ｃｒ）化合物で構成された膜のうち、窒素（Ｎ）又は酸素（Ｏ）を含む膜ではエッチング速度が増加したことがわかる。
【００６６】
表２は、酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）の含有量による、クロム（Ｃｒ）化合物金属膜のエッチング速度及び光学密度評価結果を示している。
【００６７】
【表２】
2016045490.tif 000004
表２を参照すると、クロム（Ｃｒ）に酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）の含有量が多くなるほどエッチング速度は増加するが、光学密度が低くなることがわかる。このため、遮光性膜を酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）の単一膜で形成する場合、要求される光学特性に合わせる上で膜厚が増加することがあり、よって、別の光学密度の確保のための膜が必要であるということがわかる。
【００６８】
表３には、酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）膜の酸素（Ｏ）含有量による、フッ素（Ｆ）系エッチングガスに対する膜厚及び光学密度の変化量を測定し、金属膜の耐性を評価した結果を示す。
【００６９】
【表３】
2016045490.tif 000005
表３を参照すると、クロム（Ｃｒ）に酸素（Ｏ）の含有量が多くなるほどフッ素系Ｆガスに対する耐性が低下し、膜厚の変化量及び光学密度の変化量が増加することがわかる。特に、酸素含有量が２０ａｔ％を超える場合、膜厚は１５Å以上、光学密度は０．１以上変化し、遮光性膜の遮光機能が低下する問題が発生しうる。このため、遮光性膜を２層以上で形成する場合、最上部層の酸素含有量を２０ａｔ％以下に制御し、フッ素系Ｆエッチングガスに対する耐性を強化することが好ましい。
【００７０】
遮光性膜の積層構成による特性評価
遮光性膜の構成物質及び膜厚によるエッチング速度及び光学密度を、従来の位相反転ブランクマスクと比較した。実施例１〜実施例４及び比較例１ではいずれも、ＭｏＳｉＮ膜で位相反転膜を形成し、遮光性膜は下部の第１遮光層及び上部の第２遮光層で構成された２層構造とした。
【００７１】
実施例１は、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２：ＮＯ＝５ｓｃｃｍ：５ｓｃｃｍ：５ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．７Ｋｗを用いて４８０Å厚の第１遮光層（ＣｒＯＮ）を形成した。その後、この第１遮光層上に、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２＝５ｓｃｃｍ：３ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．６５Ｋｗを用いて６８Å厚の第２遮光層（ＣｒＮ）を形成した。
【００７２】
実施例２は、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２：ＮＯ＝５ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍ：５ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．７Ｋｗを用いて４９４Å厚の第１遮光層（ＣｒＯＮ）を形成した。その後、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２＝５ｓｃｃｍ：３ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．６５Ｋｗを用いて５５Å厚の第２遮光層（ＣｒＮ）を形成した。
【００７３】
実施例３は、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２：ＮＯ＝５ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍ：５ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．７Ｋｗを用いて４９４Å厚の第１遮光層（ＣｒＯＮ）を形成した。その後、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２：ＮＯ＝５ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍ：２ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．８Ｋｗを用いて、７５Å厚の酸素（Ｏ）を少量含有する第２遮光層（ＣｒＯＮ）を形成した。
【００７４】
比較例１は、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２＝５ｓｃｃｍ：３ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．７Ｋｗを用いて４１０Å厚の第１遮光層（ＣｒＮ）を形成した後、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２：ＮＯ＝５ｓｃｃｍ：５ｓｃｃｍ：３ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．６５Ｋｗを用いて１２０Å厚の第２遮光層（ＣｒＯＮ）を形成した。
【００７５】
表４は、実施例１〜実施例３及び比較例１の遮光性膜の構成によるエッチング速度及び光学密度の評価結果を示している。
【００７６】
【表４】
2016045490.tif 000006
表４の実施例１〜実施例３及び比較例１を参照すると、実施例１〜実施例３は、２．９２〜２．９５の光学密度値を有し、比較例１の３．０５と大差はないが、エッチング速度の場合、２．０Å／ｓｅｃ〜２．３Å／ｓｅｃの値を有し、比較例１の１．３６Å／ｓｅｃに比べて４０％程度も優れていることを確認した。また、実施例１〜実施例３では、エッチング工程後にレジスト膜が２７ｎｍ〜３７ｎｍ残留し、レジスト膜の薄膜化が可能であるが、比較例１では残留レジスト膜がなく、薄膜化が不可能である。
【００７７】
遮光性膜の構成物質による特性評価II
遮光性膜の構成物質及び膜の構成によるエッチング速度及び面抵抗を測定した。実施例４は、遮光性膜を炭素（Ｃ）を含有させて形成し、上述した比較例１と比較した。
【００７８】
実施例４は、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２：ＮＯ：ＣＨ４＝３ｓｃｃｍ：９ｓｃｃｍ：３．５ｓｃｃｍ：２ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．７５Ｋｗを用いて４８０Å厚の第１遮光層（ＣｒＣＯＮ）を形成した後、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２：ＮＯ：ＣＨ４＝５ｓｃｃｍ：５ｓｃｃｍ：１．５ｓｃｃｍ：３ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは１．４Ｋｗを用いて５５Å厚の第２遮光層（ＣｒＣＯＮ）を形成した。
【００７９】
このとき、実施例４は、３８０秒のエッチング時間と１．２ｋΩ／□の面抵抗値を有し、遮光性膜に酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）が含まれても、炭素（Ｃ）の添加によって面抵抗値が顕著に低くなることがわかる。
【００８０】
また、比較例１は、５４ｋΩ／□の面抵抗値を有するが、エッチング時間が７２３秒であって、実施例４に比べて顕著に遅いエッチング速度を有するということが確認された。
【００８１】
ハードフィルムの構成物質による特性評価
上述した本発明に係る位相反転ブランクマスクの遮光性膜上にハードフィルムをさらに形成した。実施例５〜実施例７は、ハードフィルムを２層のクロム（Ｃｒ）膜上に形成し、ハードフィルムの構成物質による位相反転ブランクマスクの特性を評価した。
【００８２】
実施例５は、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）ターゲット（組成比Ｍｏ：Ｓｉ＝５ａｔ％：９５ａｔ％）を利用し、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２：ＮＯ＝８ｓｃｃｍ：２ｓｃｃｍ：５ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．６Ｋｗを用いて、ハードフィルムとして４０Å厚のＭｏＳｉＯＮ層を形成した。
【００８３】
実施例６は、タンタル（Ｔａ）ターゲットを利用し、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２：ＮＯ＝５ｓｃｃｍ：３ｓｃｃｍ：５ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．７Ｋｗを用いて、ハードフィルムとして７０Å厚のＴａＯＮ層を形成した。
【００８４】
実施例７は、ホウ素（Ｂ）ドープシリコン（Ｓｉ）ターゲットを利用し、工程ガスとしてＡｒ：Ｎ２：ＮＯ＝７ｓｃｃｍ：２ｓｃｃｍ：３ｓｃｃｍを注入し、工程パワーは０．４Ｋｗを用いて、ハードフィルムとして３０Å厚のＳｉＢＯＮ層を形成した。
【００８５】
表５は、上述したハードフィルムが形成された位相反転ブランクマスクを用いてハードフィルムをパターニングした後、レジスト膜の残膜厚及び遮光性膜の厚さ変化を示している。
【００８６】
【表５】
2016045490.tif 000007
表５を参照すると、全ての実施例において、ハードフィルムエッチング後にレジスト膜が４２０Å〜６００Å残留し、レジスト膜をより薄膜化して形成することができ、遮光性膜は２Å〜１５Åの厚さ変化を示し、当該ハードフィルム（ＭｏＳｉＯＮ、ＴａＯＮ、ＳｉＢＯＮ）が遮光性膜と十分なエッチング選択比を有することがわかる。
【００８７】
以上、本発明を最も好適な実施例を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は、上記の実施例に記載された範囲に限定されない。上記の実施例に様々な変更又は改良を加えることが可能であるということが、当該技術の分野における一般的な技術者には容易に理解されるであろう。このような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれるということは特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【００８８】
１００，２００    位相反転ブランクマスク
１０２，２０２    透明基板
１０４，２０４    位相反転膜
１０６，２０６    第１遮光層
１０８，２０８    第２遮光層
１１０，２１０    遮光性膜
２１２            ハードフィルム
１１４，２１４    レジスト膜
【図１】
2016045490.tif 000008
【図２】
2016045490.tif 000009
【図３】
2016045490.tif 000010