(57)【要約】      （修正有）【課題】マイクロレンズが設けられる表示装置の生産性を向上させた製造方法を提供する。【解決手段】基板１０２上に画素電極１２４、発光層１２８及び共通電極１２６の順に積層された発光素子を形成し、共通電極上に有機材料を蒸着させて複数の凸形状を有する有機材料パターン１３２を形成することを含み、蒸着は、減圧下で基板温度が有機材料のガラス転移温度以下の温度範囲で行う表示装置の製造方法。【選択図】図３
2016201257.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素電極、発光層及び共通電極の順に積層された発光素子を形成し、
前記共通電極上に有機材料を蒸着させて複数の凸形状を有する前記有機材料パターンを形成することを含み、
前記蒸着は、減圧下で基板温度が前記有機材料のガラス転移温度以下の温度範囲で行うことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板温度範囲は、７０℃〜１００℃であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
１０−５Ｐａ〜１０−7Ｐａの真空度で前記蒸着を行うことを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記複数の凸形状を有するパターンを覆うように第１の保護膜を形成することを更に含む請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記複数の凸形状のパターンは、球面体の表面を有することを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数の凸形状のパターンは、直径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数の凸形状のパターンは、高さが０．０１μｍ以上０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数の凸形状のパターンは、直径のばらつきが０．１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記複数の凸形状のパターンは、一画素あたり１００個以上１００００００個以下形成されることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の凸形状のパターンを形成する前に、前記発光素子上に第２の保護膜を形成することを更に含む請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関する。本発明が開示する一実施形態は、表示装置の画素構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード電極、他方をカソード電極として区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。有機ＥＬ表示装置は、一方の電極が画素ごとに画素電極として設けられ、他方の電極は複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素ごとに印加することで、画素の発光を制御している。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置のような自発光型の表示装置に求められる課題として、光の取出し効率の向上が挙げられる。例えば有機ＥＬ表示装置においては、屈折率が比較的大きな透明発光層中でほぼ等方的に発光するために、光の一部は発光層の界面で全反射してしまい発光層から外部に出ることがでないことが、光の取出し効率の向上を妨げる要因となっている。
【０００４】
そこで、発光層に対して表示面側に、例えば有機材料を用いて凸形状のパターン（マイクロレンズとも呼ばれる。）を配置することで、光の取出し効率を向上させる技術が知られている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、陰極反射面に回折格子を形成し、光取出し効率を向上させた有機ＥＬ素子が開示されている。特許文献２には、反射電極、ＥＬ層、共通電極が積層された画素の上に封止層が設けられ、当該封止層の表面を成形してマイクロレンズを設けた表示装置が開示されている。また、特許文献３では、封止層の表面、又は有機ＥＬ層及び封止層の間にマイクロレンズを設けた表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第６４７６５５０号明細書
【特許文献２】米国特許第８４４６０９３号明細書
【特許文献３】米国特許第８５９２８３３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のマイクロレンズ構造は、ウエットプロセスや印刷法などで形成していたため、新規設備の導入が必要であり、量産性が乏しかった。また、特に印刷法は、画素へダメージが及ばないように封止膜の上にマイクロレンズを設ける必要があった。この構造では、発光素子の光出射面とマイクロレンズの間には封止層等が介在してしまい、マイクロレンズによる効果を十分に得ることができなかった。
【０００８】
本発明は、マイクロレンズが設けられる表示装置の生産性を向上させることを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による表示装置の製造方法の一態様は、基板上にアノード電極、発光層及びカソード電極の順に積層された発光素子を形成し、カソード電極上に有機材料を蒸着させて複数の凸形状を有する有機材料パターンを形成することを含み、蒸着は、減圧下で基板温度が有機材料のガラス転移温度以下の温度範囲で行うことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図及び断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するフローである。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するフローである。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するフローである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１２】
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
【００１３】
＜第１実施形態＞
本実施形態に係る表示装置１００の構成を、図１を参照して説明する。表示装置１００は、第１基板１０２に表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には封止材としての第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は表示領域１０６を囲む第３のシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された表示領域１０６は、封止材である第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素１０８に設けられる発光素子の劣化を抑制している。
【００１４】
第１基板１０２は、一端部に端子領域１１４が設けられている。端子領域１１４は第２基板１０４上の周辺領域に配置されている。端子領域１１４は、複数の接続端子１１６によって構成されている。接続端子１１６は、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネルを接続する配線基板との接点を形成する。接続端子１１６におけるこの接点は、外部に露出している。第１基板１０２には端子領域１１４から入力された映像信号を表示領域１０６に出力するドライバ回路１１２が設けられていてもよい。
【００１５】
図２及び図３を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す平面図である。
【００１６】
図２に示すように、第１基板１０２上に表示画面を形成する表示領域１０６には複数の画素１０８が行列状に配列されている。周辺部には、他の要素として表示領域１０６に信号を入力する垂直走査回路、水平回路等が付加されていてもよい。
【００１７】
図３（ａ）は、本実施形態に係る表示装置１００の表示領域１０６を拡大した平面図である。図３（ｂ）は図３（ａ）に示した表示装置１００のＡ−Ｂ線に沿った断面構造である。図３（ｂ）に示すように、表示領域１０６の複数の画素１０８の各々は、トランジスタ１１８及び発光素子１２０を有する。発光素子１２０は、例えば有機ＥＬ素子の場合、画素電極１２４と、これに対向して配置される共通電極１２６とで有機ＥＬ材料から成る有機層１２８を挟んだ構造を有している。画素電極１２４は画素ごとに独立しており、それぞれトランジスタ１１８と接続される。有機層１２８の内、画素電極１２４と有機層１２８と共通電極１２６とでダイオードを構成した領域が発光領域となる。以下、本実施形態において有機層１２８を発光層と称す。
【００１８】
画素電極１２４は、発光層１２８で発生した光を共通電極１２６側に反射させるため、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましい。或いは、画素電極１２４を金属膜と透明導電膜との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。
【００１９】
隣接する２つの画素１０８の間には、バンク１３０が設けられている。バンク１３０は、その端部が画素電極１２４の周縁部を覆うように設けられている。
【００２０】
バンク１３０は、画素電極１２４の端部で発光層１２８が十分に被覆されず、画素電極１２４と共通電極１２６とが短絡するのを防ぎ、隣接する画素１０８間を絶縁するものであるので、絶縁材料で形成されることが好ましい。例えば、バンク１３０を形成するには、ポリイミドやアクリル等の有機材料、若しくは酸化シリコン等の無機材料を用いることが好ましい。
【００２１】
発光層１２８は複数の画素１０８に共通して設けられ、画素電極１２４及び画素１０８間のバンク１３０を覆うように設けられる。
【００２２】
発光層１２８が、例えば有機ＥＬ層から成る場合、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１２８は発光性の有機材料を含む発光層１２８に加え、当該発光層１２８を挟むように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。本実施形態においては、発光層１２８は、白色発光を呈するものを用い、カラーフィルタ１２２によってフルカラー表示を実現している。
【００２３】
共通電極１２６は、発光層１２８で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通電極１２６として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。
【００２４】
共通電極１２６上には、複数の凸形状のパターン１３２が形成されている。凸形状のパターン１３２は、曲面状の表面を有し、曲面状の表面は例えば球面で有り得る。また、凸形状のパターン１３２は、透光性を有する。凸形状のパターン１３２は蒸着法によって形成することができ、サイズは蒸着の条件にも依るが、典型的には直径が０．１μｍ以上１０μｍ以下、高さが０．０１μｍ以上０．５μｍ以下の球面体を形成することができる。蒸着条件を調整することによって、一画素上に１００個以上１００００００個以下の凸形状のパターン１３２を形成することができる。
【００２５】
凸形状のパターン１３２は、共通電極１２６の表面に蒸気又はガス状の原材料を被着させ、表面反応を制御して形成する。例えば、凸形状のパターン１３２は蒸着法によって作製することができる。このとき、凸形状のパターン１３２の成長条件は、蒸着時の基板温度、蒸発源の温度、蒸着時間、真空度等によって制御することができる。更に、凸形状のパターン１３２と、その下地層との界面自由エネルギーは、凸形状のパターン１３２の形態を大きく左右する要因となり得る。
【００２６】
凸形状のパターン１３２の形状、サイズ、高さ、サイズのばらつき、密集度等の形態は、前述の条件に依存し、表面エネルギーを最小化させるように決定される。
【００２７】
特に、蒸着時の基板温度は、形成される複数の凸形状のパターン１３２の表面形状を主に決定する。また、蒸着源の温度、下地膜の種類等は主に、複数の凸形状のパターン１３２のサイズ、サイズのばらつき、密集度等を主に決定する。
【００２８】
凸形状のパターン１３２はレンズとして機能する。発光層１２８から共通電極１２６に入射した光は、共通電極１２６の表示面側の界面で全反射せずに、比較的屈折率の高い有機材料から成る凸形状のパターン１３２内に入射することができる。凸形状のパターン１３２に入射した光は、曲面状の界面によって集光されることによって外部に放出され、光の取出し効率が向上する。
【００２９】
製造方法は後述するが、本発明によれば、ウェットプロセスや印刷法を用いずに、蒸着法によって自己整合的に凸形状のパターン１３２を形成することができるため、製造装置を新規に増設する必要が無く、他の有機層を成膜する際の装置を流用できるため、低コストで形成することができる。
【００３０】
本実施形態による凸形状のパターン１３２の有機材料としては、ガラス転移温度を有しない、又は、後の熱処理工程で経由する温度よりも高いガラス転移温度を有するものが好ましい。例えば、ＮＰＢ（Ｎ,Ｎ−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ,Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｅｎｅ）、ＴＰＤ（Ｎ,Ｎ’−Ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ,Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）等を用いることができる。
【００３１】
凸形状のパターン１３２は有機材料から成るため、それを覆う第１の保護層（以下、パターン保護層という）１３４を設けることが好ましい。パターン保護層１３４としては、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）等の無機材料を用いることが好ましい。
【００３２】
パターン保護層１３４上には、更に第２の保護層である封止膜１３８が設けられる。封止膜１３８は、水分の浸入を遮断できる膜が好ましい。封止膜１３８として無機絶縁膜又は有機絶縁膜を用いることができる。
【００３３】
例えば、絶縁膜として無機絶縁膜を使用する場合、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化系ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮｘＯｙ）等の膜を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いることができる。
【００３４】
絶縁膜として有機絶縁膜を使用する場合、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂等の膜を使用することができる。また、これらの材料を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としては蒸着法や蒸着重合法を用いることができる。
【００３５】
封止膜１３８としては更に、上記の無機絶縁膜及び有機絶縁膜を組み合わせて積層した構造を使用してもよい。
【００３６】
第１基板１０２には、シール材１１０によって第１基板１０２との間隔を保持された透明な第２基板１０４が被せられている。これら第２基板１０４、シール材１１０及び封止膜１３８によって囲まれた空間には、透明なエポキシ樹脂からなる充填材１４０が充填されている。
【００３７】
＜製造方法＞
図４、図５及び図７を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明する。図４及び図５は、本実施形態に係る表示装置２００の製造方法を示す断面図であり、図７は製造フローである。
【００３８】
図４（ａ）は、共通電極１２６の形成までを行った段階の断面図である。この段階においては、画素回路を形成するのに必要なトランジスタ１１８等の素子を形成する工程、各画素の発光素子１２０を形成する工程を含んでいる。
【００３９】
まず、第１基板１０２上に画素回路を形成する。このとき、必要に応じて走査線駆動回路や映像信号線駆動回路、入力端子部なども形成する。画素回路を構成するトランジスタやキャパシタなどの各素子は、半導体、絶縁体、金属による薄膜の積層とフォトリソグラフィ法によるパターニングを繰り返して作製される。
【００４０】
次いで、発光素子１２０を形成する。発光素子１２０は、画素電極１２４、発光層１２８及び共通電極１２６の順に積層して形成する。
【００４１】
画素電極１２４はフォトリソグラフィ工程により形成される。画素電極１２４は、発光層１２８で発生した光を共通電極１２６側に反射させるため、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましい。或いは、画素電極１２４を金属膜と透明導電膜との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。
【００４２】
特に表示領域１０６において、画素電極１２４の周縁部を覆うようにバンク１３０を形成する。バンク１３０は絶縁材料で形成される。絶縁材料として有機材料又は無機材料を用いることができる。有機材料としては、ポリイミドやアクリル等で形成することが好ましく、無機材料としては、酸化シリコン等を用いて形成することができる。
【００４３】
発光層１２８を第１基板１０２の全面に成膜する。なお、本実施形態では、発光層１２８のみを形成する例を示しているが、有機ＥＬ素子の場合は電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった機能層を同じ蒸着用マスクを用いた蒸着法により形成してもよい。
【００４４】
次いで、共通電極１２６となる透明電極層を第１基板１０２の全面に成膜する。凸形状のパターン１３２を形成する際の下地層となる共通電極１２６は、発光層１２８で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。本実施形態では、共通電極１２６としてＩＴＯを用いる。
【００４５】
図４（ｂ）に示すように、共通電極１２６の形成後、その上に凸形状のパターン１３２を形成する。当該パターンは、蒸着法を用いて有機膜を堆積することによって形成することができる。
【００４６】
成膜条件としては、基板温度は当該有機材料のガラス転移温度以下とする。好ましくは、発光素子１２０内の有機層にダメージが加わらないよう、有機層の耐熱温度以下であることが好ましく、７０℃〜１００℃の範囲とする。真空度は１０−５Ｐａ〜１０−7Ｐａとする。
【００４７】
以上のような条件下で当該有機材料の成膜を行うと、共通電極１２６上に複数の凸形状を成すように有機材料が堆積される。このときに形成される凸形状のパターン１３２のそれぞれは略球面体の形状を有し、サイズとしては、直径は０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、直径のばらつきは０．０１μｍ以上０．１μｍ以下、高さは０．０１μｍ以上０．５μｍ以下となる。このサイズの凸形状のパターン１３２が、１辺が１０μｍの正方形あたり１個〜１００００個程度配置される。一画素当たりに換算すると、１００個〜１００００００個程度の凸形状のパターン１３２が配置された表示装置を提供することができる。
【００４８】
更に、成膜条件を調整することによって凸形状のパターン１３２のサイズ及び数密度を調整することが可能である。一画素内に複数の凸形状のパターン１３２を形成すれば、画素間の輝度のばらつきを抑えることができる。
【００４９】
特に、蒸着時の基板温度は、形成される複数の凸形状のパターン１３２の表面形状を主に決定する。また、蒸着源の温度、下地膜の種類等は主に、複数の凸形状のパターン１３２のサイズ、サイズのばらつき、密集度等を主に決定する。
【００５０】
以上の凸形状のパターン１３２の形成方法は、ウェットプロセスや印刷法を用いずに、蒸着法によって自己整合的に凸形状のパターン１３２を形成することができるため、製造装置を新規に増設する必要が無く、他の有機層の成膜と大きく異ならない工程によって形成することができる。
【００５１】
図５（ａ）に示すように、凸形状のパターン１３２上にパターン保護層１３４を成膜してもよい。凸形状のパターン１３２は有機膜から成るため、保護層１３４として無機絶縁膜を設けることが好ましい。無機絶縁膜としては、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）等を用いることができる。成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いることができる。
【００５２】
図５（ｂ）に示すように、保護層１３４上には、更に第２の保護層である封止膜１３８が設けられる。封止膜１３８は、水分の浸入を遮断できる膜が好ましい。封止膜として無機絶縁膜又は有機絶縁膜を用いることができる。
【００５３】
例えば、封止膜として無機絶縁膜を使用する場合、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化系ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮｘＯｙ）等の膜を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いることができる。
【００５４】
封止膜として有機絶縁膜を使用する場合、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂等の膜を使用することができる。また、これらの材料を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としては蒸着法や蒸着重合法を用いることができる。
【００５５】
封止膜１３８としては更に、上記の無機絶縁膜及び有機絶縁膜を組み合わせて積層した構造を使用してもよい。
【００５６】
次いで、図３（ｂ）に示すように、第１基板１０２には、第１基板１０２との間隔を保持された透明な第２基板１０４が被せられる。保護基板となる第２基板１０４、シール材及び封止膜１３８によって囲まれた空間には、透明なエポキシ樹脂からなる充填材１４０が充填される。
【００５７】
以上、本発明の好ましい実施形態による表示装置１００の製造方法について説明した。本実施形態による凸形状のパターン１３２の形成方法は、ウェットプロセスや印刷法を用いずに、蒸着法によって自己整合的に凸形状のパターン１３２を形成することができるため、製造装置を新規に増設する必要が無く、他の有機層の成膜と大きく異ならない工程によって形成することができる。
【００５８】
＜第２実施形態＞
他の実施形態による表示装置の製造方法について説明する。図６は、本実施形態による表示装置の製造方法によって作製された表示装置２００を示し、図８は表示装置の製造プロセスの一部を示す。表示装置１００と比較すると、共通電極を形成後に、共通画素電極１２６上に第３の保護膜である下部保護膜１３６を設ける。その後、基板を加熱した状態で有機材料を蒸着し、当該下部保護膜１３６上に凸形状のパターン１３２が形成される。次に、封止膜を形成し、保護基板を貼り付ける。
【００５９】
凸形状のパターン１３２の形状、個数、サイズ、サイズのばらつき、密集度等は、成膜の際の基板温度、真空度に加え、その下地層の材料にも依存する。凸形状のパターン１３２と、その下地層との界面自由エネルギーは、凸形状のパターン１３２の形態を大きく左右する要因となり得る。下部保護膜１３６としては、パターン１３２の堆積時にダメージが加わらない透明な膜が好ましい。例えばＬｉＦ等のような、熱蒸着によって形成される絶縁層を用いることができる。
【００６０】
凸形状のパターン１３２の下地層となる下部保護膜１３６を設けることによって、凸形状のパターン１３２の形態の制御性を向上させることができる。
【００６１】
＜第３実施形態＞
図９は第３の実施形態における製造方法を示すフローである。共通電極を形成するまでは前述の実施形態と同様なので省略する。
【００６２】
本実施形態では、凸形状のパターン１３２を形成するにあたり、共通電極１２６を形成したあと、２種類のターゲット材料を使ってスパッタし混合膜を形成する。スパッタの際のターゲットとして、２種類のターゲットまたは２種類の材料を混合した混合ターゲットを使用する。例えば、酸化インジウム酸化錫（ＩＺＯ）と窒化ケイ素（ＳｉＮ）を用いることができる。また酸化チタン（ＴｉＯ２）と窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）を用いてもよい。
【００６３】
次に、混合膜をドライエッチングする。この際エッチングするのは混合材料の何れか一方である。三フッ化窒素（ＮＦ３）を用いて窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）をエッチングし、凸形状のパターン１３２を形成する。この凸形状のパターン１３２は多孔質の膜である。
【００６４】
次に、混合材料の他の材料でパターン保護膜を形成する。
【００６５】
次に、第１基板１０２の発光素子を形成した面に対向して第２基板１０４を配置する。第２基板１０４、シール材１１０及び封止膜１３８によって囲まれた空間には、光透過性のエポキシ樹脂からなる充填材１４０を充填する。
【００６６】
本実施形態によれば、ウェットプロセスや印刷法を用いずに、蒸着法によってパターン１３２を形成することができる。製造装置を新規に増設する必要が無く、他の有機層を成膜する際の装置を流用できるため、低コストで形成することができる。
【００６７】
以上、本発明の好ましい実施形態による表示装置１００及び２００について説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲において請求されている本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【符号の説明】
【００６８】
１００、２００・・・表示装置、１０２、１０４・・・基板、１０６・・・表示領域、１０８・・・画素、１１０・・・シール材、１１２・・・ドライバ回路、１１４・・・端子領域、１１６・・・接続端子、１１８・・・トランジスタ、１２０・・・発光素子、１２２・・・カラーフィルタ、１２４・・・画素電極、１２６・・・共通電極、１２８・・・発光層、１３０・・・バンク、１３２・・・凸形状パターン、１３４・・・パターン保護層、１３６・・・下部保護膜、１３８・・・封止膜、１４０・・・充填材
【図１】
2016201257.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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