(57)【要約】      （修正有）【課題】従来のブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法によるフッ化物結晶等の単結晶の製造に比較して、原料を結晶成長させる際の無駄な待ち時間を減らし、時間あたりの処理量を向上させることができる単結晶製造装置の提供。【解決手段】原料を収容するルツボ１０を水平方向に複数個並べて載置可能に成され、載置されたルツボ１０を冷却するルツボ冷却部を有するルツボ台３と、ルツボ台３に平行かつルツボ台３のほぼ全域と対向するように配置され、ルツボ台３に載置されたルツボ１０を加熱するヒーター４とを備え、ルツボ台３に載置された複数のルツボ１０を、ヒーター４によって一方向から同時に加熱するとともに、ルツボ冷却部によって他方向から同時に冷却することにより、複数のルツボ１０において同時に結晶成長が行われるようにした単結晶製造装置。【選択図】図１
2016088753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料の溶融物から結晶を製造する結晶製造装置であって、
上記原料を収容するルツボを水平方向に複数個並べて載置可能に成されたルツボ台と、
上記ルツボ台に平行かつ上記ルツボ台のほぼ全域と対向するように配置され、上記ルツボ台に載置された上記ルツボを加熱するヒーターとを備え、
上記ルツボ台は、当該ルツボ台に載置された上記ルツボを冷却するルツボ冷却部を有していることを特徴とする結晶製造装置。
【請求項２】
上記ルツボ台および上記ヒーターを収容するチャンバーの少なくとも一部に備えられた装置冷却部と、
上記ルツボ冷却部に接続された複数の冷却棒とを更に備え、
上記ルツボ冷却部は、上記装置冷却部に対し、上記冷却棒を介して上記ルツボの熱を放熱することを特徴とする請求項１の結晶製造装置。
【請求項３】
原料を収容した複数のルツボをルツボ台に水平方向に並べて載置し、上記ルツボ台に平行かつ上記ルツボ台のほぼ全域と対向するように配置されたヒーターによって上記複数のルツボを一方向から加熱することによって上記原料を溶解した後、上記ヒーターによって上記複数のルツボを一方向から加熱すると同時に、上記ルツボ台を上記ヒーターがある方の面とは反対側の面から冷却することによって上記複数のルツボを他方向から冷却し、当該加熱と冷却によって上記溶解した原料に与える温度勾配により結晶成長を進めることによって製造されたことを特徴とする単結晶。
【請求項４】
原料を収容した複数のルツボをルツボ台に水平方向に並べて載置し、上記ルツボ台に平行かつ上記ルツボ台のほぼ全域と対向するように配置されたヒーターによって上記複数のルツボを一方向から加熱することによって上記原料を溶解した後、上記ヒーターによって上記複数のルツボを一方向から加熱すると同時に、上記ルツボ台を上記ヒーターがある方の面とは反対側の面から冷却することによって上記複数のルツボを他方向から冷却し、当該加熱と冷却によって上記溶解した原料に与える温度勾配により結晶成長を進めることによって単結晶を作製し、作製した単結晶を上記ルツボから取り出して、必要とされる形状に成形することによって製造されたことを特徴とする光学部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶製造装置、単結晶および光学部品に関し、特に、単結晶を製造するための結晶製造装置に用いて好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
フッ化物結晶は、真空紫外域から遠赤外域までの広い波長範囲において透過率が高いものが多く、各種光学素子、レンズ、窓材、プリズム等に広く利用されている。それらの中でもフッ化カルシウム結晶は、透過波長領域が広いだけでなく、低屈折率・低分散率・異常分散性という特性を有している。フッ化カルシウム結晶は、この特性を利用して、二次色収差を完全に除去した超色消し（アポクロマート）望遠レンズをはじめ、ズームレンズ、テレビカメラ、天体望遠鏡等の製品に利用されている。
【０００３】
フッ化物の結晶成長における最も一般的な方法は、ブリッジマン法である（例えば、特許文献１参照）。ブリッジマン法では、図３に示されるように、まず、下部が円錐形で主要部が円筒形のルツボ１００に原料を収容する。次に、ルツボ１００を囲むように配置された円筒状のヒーター２００に通電し、ルツボ１００内の原料を融点以上の温度まで加熱して融解する。
【０００４】
原料の融解後、ルツボ１００を支持棒とともに引き下げて、ヒーター２００から相対的にルツボを遠ざけることにより、原料を冷却し、固化させる。このとき原料は、ルツボ１００の底部より結晶化が始まり、ルツボ１００の温度が原料の融点より下がると全てが結晶化する。そして、得られた結晶の塊を所定の厚さを有する円盤状の物品に分断し、目的とする結晶物品の形状に成形する。
【０００５】
しかしながら、上記図３に示される方法では、最後の成形工程において、結晶の不要部分が取り除かれるために、原料の利用効率が低くなってしまう。また、この成形工程に費やす時間が長く、光学部品の成形コストを高くする原因となっている。これに対して、特許文献１には、図４に示されるように、成形すべき結晶部品の形状に対応した内面形状を持つルツボ１０１を縦方向に複数個重ねて用いることで、上記の問題を解決することが記載されている。
【０００６】
上述した一般的なブリッジマン法の場合、例えば図３のように、ルツボ１００を引き下げることによって、ルツボ１００の下端からルツボ１００の上端に向けて順次結晶成長を進行させるようになされている。このため、結晶成長中ではない部分、つまり、まだ近くにヒーター２００があって原料が融解している部分および既にヒーター２００から遠ざかって原料が固化された部分は、ルツボ１００内で待機しているだけの状態となる。
【０００７】
図４のように複数のルツボ１０１を多段配置した場合も同様である。すなわち、まだ近くにヒーター２００があってルツボ１０１内で原料が融解している状態の融液、および、既にヒーター２００から遠ざかってルツボ１０１内で原料が固化した状態の結晶は、それぞれルツボ１０１内でただ待機しているだけの状態となる。その結果、図３および図４の何れの場合も、時間あたりの処理量は少なくなる。
【０００８】
これに対し、図５のように、ルツボ１００を複数個横に並べるとともに、各ルツボ１００の周囲に円筒形のヒーター２００を配置し、１つの結晶製造装置が持つ複数のルツボ１００で同時に複数の原料を結晶成長させることによって処理能力を向上させるようにした例が、これまでに公知となっている。
【０００９】
なお、フッ化物結晶等の単結晶を作製する方法は、ブリッジマン法の他に、ＶＧＦ（Vertical Gradient Freeze）法がある。ＶＧＦ法は、垂直方向に温度勾配を設けた装置内で、ルツボを移動させる代わりに温度分布を変化させて結晶を固化する方法であり、垂直温度勾配凝固法とも呼ばれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−１９２２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、図５のように複数のルツボ１００を横方向に並べて配置したとしても、図３と同様に、それぞれのルツボ１００を引き下げることによって、ルツボ１００の下端からルツボ１００の上端に向けて順次結晶成長を進行させるようになされている。このため、結晶成長中ではない部分がルツボ１００内で待機しているだけの状態となり、個々のルツボ１００では時間あたりの処理量が上がらないという問題があった。
【００１２】
本発明は、このような問題を解決するために成されたものであり、結晶成長中ではなくルツボ内でただ待っているだけの状態といった無駄な待ち時間を減らし、時間あたりの処理量を向上させることができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記した課題を解決するために、本発明の結晶製造装置は、原料を収容するルツボを水平方向に複数個並べて載置可能に成され、載置されたルツボを冷却するルツボ冷却部を有するルツボ台と、ルツボ台に平行かつルツボ台のほぼ全域と対向するように配置され、ルツボ台に載置されたルツボを加熱するヒーターとを備えている。
【発明の効果】
【００１４】
上記のように構成した本発明の結晶製造装置によれば、ルツボ台に載置された複数のルツボは、ヒーターによって一方向から同時に加熱されるとともに、ルツボ台のルツボ冷却部によって他方向から同時に冷却される。このため、どのルツボ内の原料にも温度勾配が与えられ、複数のルツボにおいて同時に結晶成長が進められる。これにより、結晶成長中ではなくルツボ内でただ待っているだけの状態といった無駄な待ち時間がなくなるので、時間あたりの処理量を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態による結晶製造装置の構成例を示す縦断面図である。
【図２】本実施形態のルツボ内で結晶が成長中の状態を示す図である。
【図３】従来の結晶製造装置の構成例を示す縦断面図である。
【図４】従来の結晶製造装置の構成例を示す縦断面図である。
【図５】従来の結晶製造装置の構成例を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態による結晶製造装置の構成例を示す縦断面図である。図１に示すように、本実施形態の結晶製造装置は、ＶＧＦ法によりフッ化物単結晶成長を行うための装置であり、チャンバー１、断熱材２、ルツボ台３、ヒーター４、冷却棒５、装置冷却部６およびルツボ１０を備えて構成されている。
【００１７】
チャンバー１は、ルツボ台３およびヒーター４を収容するものであり、横（水平方向）に長い形状をしている。チャンバー１の内周面は、断熱材２で覆われている。また、チャンバー１の外周面には、チャンバー１の全体を覆うように装置冷却部６が備えられている。装置冷却部６は、チャンバー１を冷却するためのものである。なお、装置冷却部６は、チャンバー１の一部（例えば、チャンバー１の底面のみ）に備える構成であってもよい。
【００１８】
ルツボ台３は、原料を収容するルツボ１０を水平方向に複数個並べて載置可能に構成されている。図１の例では、ルツボ台３は、チャンバー１の長手方向に沿って横に長い形状に構成されている。そして、ルツボ台３が数本の冷却棒５を介して装置冷却部６に固定されている。
【００１９】
ヒーター４は、ルツボ台３に平行かつルツボ台３のほぼ全域と対向するように配置され、ルツボ台３に載置されたルツボ１０を加熱する。図１の例では、ヒーター４はチャンバー１の天面側に設けられており、ルツボ台３に載置された複数のルツボ１０を一方向（天面側）から同時に加熱することが可能である。本実施形態では、従来のようにルツボ１０を囲むように配置された円筒状のヒーターは有していない。なお、ヒーター４には、チャンバー１の外部に通じる複数のヒーター電極４ａが接続されており、当該ヒーター電極４ａを介した通電によってヒーター４の加熱が行われる。
【００２０】
ルツボ台３の底面には、複数の冷却棒５が接続されている。この構成により、ルツボ台３は、当該ルツボ台３に載置されたルツボ１０をその底面側から冷却するルツボ冷却部として機能する。複数の冷却棒５は、その一端がルツボ台３（ルツボ冷却部）に接続されるとともに、他端が装置冷却部６に接続されているか、装置冷却部６の近傍に配置されている。これにより、ルツボ台３のルツボ冷却部は、装置冷却部６に対し、冷却棒５を介してルツボ１０の熱を放熱する。本実施形態では、ルツボ台３に載置された複数のルツボ１０を、ヒーター４がある方向とは反対側の他方向（底面側）から同時に冷却することが可能である。
【００２１】
図１に示すように、本実施形態では、ルツボ台３に平行かつルツボ台３のほぼ全域と対向するようにヒーター４を配置しているため、ルツボ台３に載置された複数のルツボ１０を天面側からほぼ均等に加熱することが可能である。一方、ルツボ台３の広範囲にわたって複数の冷却棒５を均等に配置することにより、ルツボ台３の全域をほぼ均等に冷却し、ルツボ台３に載置された複数のルツボ１０を底面側からほぼ均等に冷却することが可能である。これにより、ルツボ台３に載置された複数のルツボ１０の水平方向に対する均熱化を図ることができる。
【００２２】
なお、図１の例では、冷却棒５を３つのみ図示しているが、この数を増やすことにより、水平方向の均熱化をより実現しやすくなる。ここで、複数の冷却棒５は、必ずしもルツボ１０の直下に設置する必要はなく、ルツボ１０を置く場所についても任意である。また、チャンバー１に入る大きさの範囲内であれば、ルツボ１０の大きさおよび形は任意である。
【００２３】
また、本実施形態では、ルツボ１０を天面側から加熱すると同時に、底面側から冷却することにより、ルツボ１０内において、溶融された原料に対して結晶成長方向の温度勾配を与えることができる。この温度勾配により、ルツボ１０をヒーター４から徐々に引き離すように移動させなくても、ルツボ１０内の原料の結晶成長を促すことができる。
【００２４】
すなわち、本実施形態の結晶製造装置を用いて原料の溶融物から結晶を製造する場合、原料を収容した複数のルツボ１０をルツボ台３に水平方向に並べて載置し、ヒーター４によって複数のルツボ１０を一方向から加熱すると同時に、ルツボ台３をヒーター４がある方の面とは反対側の面から冷却することによって複数のルツボ１０を他方向から冷却する。これにより、ルツボ１０内での結晶成長を下側から上側に向けて順次進行させて、原料の溶融物から結晶を製造することができる。
【００２５】
図２は、ルツボ１０内で結晶が成長中の状態を示す図である。図２において、ルツボ１０内の下側は成長が進んでいる結晶１１を示し、上側は成長がまだ進んでいない融液１２を示している。なお、ルツボ１０には開閉可能な蓋１０ａが設けられていて、ここからルツボ１０内に原料が投入されるとともに、作成された結晶が取り出される。
【００２６】
ところで、結晶成長において、消費した単位電力あたりの育成された結晶の体積を成長効率と定義すると、 成長効率は以下ように定式化できる。
成長効率＝Ｖ／（Ｗ×ｔ）
＝（Ｓ×Ｌ）／（Ｗ×ｔ）
＝（ｖ／Ｗ）×Ｓ・・・（式１）
ここで、Ｖは結晶の体積、Ｗは消費電力、ｔは成長時間、Ｓは成長面の面積、Ｌは結晶の長さ、ｖ（＝Ｌ／ｔ）は成長速度である。
【００２７】
上記（式１）の右辺において、結晶の成長速度ｖは、育成する結晶種や求める品質に応じて値が決まる。また、消費電力Ｗは、育成する結晶の総量によって必要な装置内容積がおおよそ定まり、その装置内容積に応じて値が決まる。したがって、成長効率は、成長面の面積Ｓに比例する。 
【００２８】
本実施形態の結晶製造装置によれば、ルツボ１０の設置可能な空間を水平方向に広く確保することができるので、ルツボ１０を水平方向に多数並べることで成長面の面積Ｓを大きくすることができる。これにより、成長効率を向上させることができる。
【００２９】
以下、具体的に本発明の好適な実施形態について述べる。本実施形態では、フッ化物原料に固体スカベンジャーを添加して、十分に混合する。固体スカベンジャーの添加量は、原料の０．１ｗｔ％以上、かつ、１ｗｔ％以下とする。固体スカベンジャーとして用いられるフッ化物は、フッ化鉛、フッ化亜鉛、フッ化カドミウム、フッ化マンガン、フッ化ビスマス、フッ化ナトリウム、フッ化リチウムであることが望ましい。
【００３０】
固体スカベンジャーを添加・混合したフッ化物原料をルツボ１０に入れる。ルツボ１０の大きさは、φ２０ｍｍ程度の小さなものからφ３００ｍｍ程度の大きなものまで、任意の大きさで実施可能である。そして、原料の入ったルツボ１０を結晶製造装置に投入する。すなわち、複数のルツボ１０をルツボ台３の上に並べて載置する。
【００３１】
そして、チャンバー１内を真空排気し、ヒーター４に通電してルツボ１０を加熱する。スカベンジャーによる不純物除去反応を十分に促進させるため、反応が進む温度帯では原料を加熱する速度を遅くしなくてはならない。さらに加熱を続けることによって原料を完全に融解し、真空度が十分に安定した後、ヒーター４の出力を調整するとともに、装置冷却部６によってルツボ台３を冷却し、ルツボ１０内の融解したフッ化物を数日かけて徐冷して結晶を成長させる。
【００３２】
続いて、ルツボ１０をチャンバー１から取り出して、ルツボ１０内で結晶成長したフッ化物結晶をアニール炉（図示せず）で熱処理する。このアニール工程では、ルツボ１０をフッ化物結晶融点より４００〜５００℃低い温度に加熱する。加熱時間は２０時間以上、より好ましくは２０〜３０時間である。なお、フッ化マグネシウムのように熱衝撃に対して強度のある結晶の場合は、アニール行程を省略してもかまわない。
【００３３】
その後は、フッ化物結晶をルツボ１０から取り出して、必要とされる光学物品の形状（凸レンズ、凹レンズ、円盤状、板状等）に成形する。また、必要に応じて、フッ化物結晶の光学物品の表面に反射防止膜を設けるとよい。反射防止膜としては、フッ化マグネシウムや酸化アルミニウム、酸化タンタルが好適に用いられ、これらは抵抗加熱による蒸着、電子ビーム蒸着またはスパッタリングなどで形成できる。
【００３４】
以上の工程により得られた光学物品は、可視光領域の透過率が高く、結晶内部に存在する大きさ数μｍ〜数百μｍの微小な空隙（いわゆる泡）と、２つ以上の結晶の間に存在する界面（いわゆるバウンダリ）が著しく少ない。こうして得られた光学物品を各種組み合わせれば、各種光学素子、レンズ、窓材、プリズム等に適した光学系を構成することができる。特に、フッ化カルシウム結晶の場合、二次色収差を完全に除去した超色消し（アポクロマート）望遠レンズをはじめ、ズームレンズ、テレビカメラ、天体望遠鏡等の製品を構成することができる。
【実施例】
【００３５】
以下に、本実施形態の結晶製造装置による結晶作製について、実施例を用いて詳述する。
【００３６】
＜実施例１＞
フッ化カルシウム原料に、スカベンジャーとしてフッ化亜鉛をフッ化カルシウムに対して０．３ｗｔ％程度添加して混合した。次いで、内径１２８ｍｍのディスク形の内部形状をしたルツボ１０に混合物を入れて、当該ルツボ１０を図１に示す結晶製造装置のルツボ台３に設置した。ルツボ台３の下部には１９本の冷却棒５を均等に配置した。上記複数の冷却棒５のうち７本を装置冷却部６と接続し、ルツボ台３を支える部材と兼用させた。
【００３７】
そして、チャンバー１内を排気した後、ヒーター４によってルツボ１０を１４００℃以上に加熱することにより、原料を融解した。その後、ヒーター４の出力を調整するとともに、装置冷却部６によってルツボ台３を３℃／ｈの温度降下レートで徐冷し、原料を結晶化させた。結晶化したディスクのサイズは直径１２４ｍｍ、高さ２２ｍｍである。１回あたりの成長枚数（ルツボ台３に載置したルツボ１０の数）は３６枚であり、チャンバー１に原料の入ったルツボ１０投入し、結晶成長させてルツボ１０から結晶を取り出すまでのプロセス日数は４日であった。また、１回あたりの消費電力は３４００ｋＷｈであった。以上の結果を踏まえて、（式１）により成長効率を算出したところ、２．７２ｃｍ３／ｋＷｈであった。
【００３８】
こうして得られたフッ化カルシウム結晶ディスクについて、２つ以上の結晶の間に存在する界面（バウンダリ）を測定した。また、当該ディスクを研磨して２０ｍｍ厚とし、可視光領域の透過率および結晶内部に存在する大きさ数μｍ〜数百μｍの微小な空隙（泡）を測定した。なお、可視光領域の透過率は、分光器にて測定した。泡の有無については、目視にて測定した。バウンダリの有無は、ひずみ検査器を用いた観察で測定した。この測定の結果、可視光領域の透過率は９９．８％以上を示し、泡およびバウンダリは見られなかった。結果として、可視光領域の透過特性に優れ、泡およびバウンダリを含まないフッ化カルシウム結晶を、高い成長効率で得ることができた。
【００３９】
＜実施例２＞
フッ化カルシウム原料に、スカベンジャーとしてフッ化亜鉛をフッ化カルシウムに対して０．３ｗｔ％程度添加して混合した。次いで、内径１２８ｍｍのディスク形の内部形状をしたルツボ１０と、内径１０６ｍｍのレンズ形の内部形状をしたルツボ１０とに混合物を入れて、各ルツボ１０を図１に示す結晶製造装置のルツボ台３に設置した。
【００４０】
そして、チャンバー１内を排気した後、ヒーター４によってルツボ１０を１４００℃以上に加熱することにより、原料を融解した。その後、ヒーター４の出力を調整するとともに、装置冷却部６によってルツボ台３を３℃／ｈの温度降下レートで徐冷し、原料を結晶化させた。１回あたりの成長枚数（ルツボ台３に載置したルツボ１０の数）は、ディスク型結晶が１６枚、レンズ形結晶が３０枚である。また、ルツボ１０に原料を投入してから結晶をルツボ１０から取り出すまでのプロセス日数は４日であった。また、１回あたりの消費電力は３４００ｋＷｈであった。以上の結果を踏まえて、（式１）により成長効率を算出したところ、２．２６ｃｍ３／ｋＷｈであった。
【００４１】
こうして得られたフッ化カルシウム結晶ディスクについて、２つ以上の結晶の間に存在する界面（バウンダリ）を測定した。また、当該ディスクを研磨して２０ｍｍ厚とし、可視光領域の透過率および結晶内部に存在する大きさ数μｍ〜数百μｍの微小な空隙（泡）を測定した。この測定の結果、実施例１のフッ化カルシウム結晶と同様に、可視光領域の透過率は９９．８％以上を示し、泡およびバウンダリは見られなかった。
【００４２】
＜比較例＞
フッ化カルシウム原料に、スカベンジャーとしてフッ化亜鉛をフッ化カルシウムに対して０．３ｗｔ％程度添加して混合した。次いで、内径１２８ｍｍ、長さ３５０ｍｍの円筒部分を上部に有し、下部に円錐部分を持つ３本のルツボに混合物を入れて、当該３本のルツボをブリッジマン型結晶製造装置内に設置した。
【００４３】
そして、装置内を排気した後、各ルツボを１４００℃以上に加熱することにより、原料を融解した。その後、２ｍｍ／ｈの速度でルツボを引き下げることによって原料を結晶化させた。さらに、ルツボ内から結晶を取り出して切断し、直径１２４ｍｍ、高さ２２ｍｍのディスク型結晶を作製した。１回あたりの成長枚数（作製したディスク型結晶の数）は３３枚であり、ルツボに原料を投入してからルツボ内から結晶を取り出すまでのプロセス日数は１１日であった。また、１回あたりの消費電力は５０９０ｋＷｈであった。以上の結果を踏まえて、（式１）により成長効率を算出したところ、１．６７ｃｍ３／ｋＷｈであった。
【００４４】
こうして得られたフッ化カルシウム結晶ディスクについて、２つ以上の結晶の間に存在する界面（バウンダリ）を測定した。また、当該ディスクを研磨して２０ｍｍ厚とし、可視光領域の透過率および結晶内部に存在する大きさ数μｍ〜数百μｍの微小な空隙（泡）を測定した。この測定の結果、可視光領域の透過率は９９．８％以上を示し、泡およびバウンダリは見られなかった。結果として、可視光領域の透過特性に優れ、泡およびバウンダリを含まないフッ化カルシウム結晶を得ることができたが、成長効率は実施例１，２より低く、プロセス日数は実施例１，２より７日多かった。
【００４５】
以上詳しく説明したように、本実施形態の結晶製造装置によれば、従来のブリッジマン型結晶製造装置により作製されるフッ化カルシウム結晶と同等程度の優れた光学性能（可視光領域の透過率、泡およびバウンダリの有無）を持つフッ化カルシウム結晶を、従来よりも効率よく作製することができる。
【００４６】
すなわち、本実施形態の結晶製造装置によれば、ルツボ台３に載置された複数のルツボ１０は、ヒーター４によって一方向（天面側）から同時に加熱されるとともに、ルツボ台３のルツボ冷却部によって他方向（底面側）から同時に冷却される。このため、複数のルツボ１０において同時に結晶成長が進められ、成長面の面積Ｓが大きくなる。これにより、ルツボ１０内で成長が開始されるのを待っているだけの状態や、既に成長を終えてルツボ１０内から取り出されるのを待っているだけの状態といった無駄な待ち時間がなくなるので、時間あたりの処理量（成長効率）を向上させることができる。
【００４７】
また、本実施形態によれば、大きさまたは形状の異なる複数のルツボ１０をルツボ台３に載置して１回のプロセスで同時に処理することにより、多種多様なサイズおよび形状の結晶を作製することができる。これも、本実施形態による結晶製造装置の特徴の１つである。
【００４８】
また、上記実施形態では、ルツボ台３に載せたルツボ１０を上側からヒーター４で加熱する一方、下側から装置冷却部６で冷却する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。これとは逆に、ルツボ台３の天井面に装置冷却部６を設けるとともに、それとは反対側にヒーター４を設けることにより、ルツボ１０を下側からヒーター４で加熱する一方、上側から装置冷却部６で冷却するようにしてもよい。要するに、ルツボ台３の一方の面側に加熱部を設け、他方の面側に冷却部を設ける構造であればよい。
【００４９】
また、上記実施形態では、ＶＧＦ法により結晶を製造する装置の例について説明したが、製造の方式はこれに限定されない。
【００５０】
また、上記実施形態では、結晶の一例としてフッ化カルシウム結晶を製造する例について説明したが、本実施形態の結晶製造装置により製造可能な結晶はこれに限定されない。すなわち、フッ化カルシウム結晶以外の単結晶も製造することが可能である。
【００５１】
その他、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過ぎず、これによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその要旨、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１  チャンバー
２  断熱材
３  ルツボ台
４  ヒーター
５  冷却棒
６  装置冷却部
１０  ルツボ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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