(57)【要約】      （修正有）【課題】光導波路基板に光ファイバを簡単に精度よく位置合わせすることのできる技術を提供する。【解決手段】光ファイバ３０をガイドする光ファイバガイド４０であって、Ｓｉ基板１１と、パッケージ基板５０の主面上に形成されると共に一端側から光ファイバ３０を挿入可能なガイド溝４１と、を備え、ガイド溝４１は、ガイド溝４１の先端部を形成し且つ当接した光ファイバ３０の先端傾斜面３１を滑らせて光ファイバ３０を位置決めする滑り傾斜面４１３ａを有する位置決め部４１３、を含む。【選択図】図２
2016071034.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバをガイドする光ファイバガイドであって、
基板と、
前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバを挿入可能なガイド溝と、
を備え、
前記ガイド溝は、該ガイド溝の先端部を形成し且つ当接した前記光ファイバの先端傾斜面を滑らせて前記光ファイバを位置決めする滑り傾斜面を有する位置決め部、を含む、
光ファイバガイド。
【請求項２】
前記基板は、光導波路基板に主面を対向させて固定され、
前記位置決め部の前記滑り傾斜面は、当接した前記先端傾斜面を前記光導波路基板に向けて滑らす、請求項１に記載の光ファイバガイド。
【請求項３】
前記ガイド溝は、前記位置決め部の基端側に形成されると共に前記基板に対する前記光ファイバの幅方向の位置を整列する整列溝部を更に含む、請求項１又は２に記載の光ファイバガイド。
【請求項４】
前記基板の主面上に形成されると共に前記ガイド溝に接着剤を導入する接着剤導入溝を更に備える、請求項１から３の何れか一項に記載の光ファイバガイド。
【請求項５】
前記接着剤導入溝は、前記ガイド溝の前記位置決め部に連通している、請求項４に記載の光ファイバガイド。
【請求項６】
前記位置決め部の軸方向に対する前記滑り傾斜面の傾斜角が、前記光ファイバの光軸に対する前記先端傾斜面の傾斜角と等しい、請求項１から５の何れか一項に記載の光ファイバガイド。
【請求項７】
前記位置決め部の溝深さが前記光ファイバの直径よりも大きい、請求項１から６の何れか一項に記載の光ファイバガイド。
【請求項８】
複数の前記ガイド溝が、前記基板の主面上に配列されている、請求項１から７の何れか一項に記載の光ファイバガイド。
【請求項９】
光ファイバをガイドする光ファイバガイドを備えた光導波路基板であって、
前記光ファイバガイドは、
前記光導波路基板に主面を対向させて固定された基板と、
前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバを挿入可能なガイド溝と、
を備え、
前記ガイド溝は、該ガイド溝の先端部を形成し且つ当接した前記光ファイバの先端傾斜面を前記光導波路基板に向けて滑らせて前記光ファイバを位置決めする滑り傾斜面を有する位置決め部、を含む、
光ファイバガイドを備えた光導波路基板。
【請求項１０】
光導波路基板と、
前記光導波路基板に実装された光ファイバと、
前記光導波路基板に設けられ、前記光ファイバをガイドする光ファイバガイドと、
を備え、
前記光ファイバガイドは、
前記光導波路基板に主面を対向させて固定された基板と、
前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバが挿入されたガイド溝と、
を有し、
前記ガイド溝は、該ガイド溝の先端部を形成し且つ当接した前記光ファイバの先端傾斜面を前記光導波路基板に向けて滑らせて前記光ファイバを位置決めする滑り傾斜面を有する位置決め部、を含み、
前記先端傾斜面が前記滑り傾斜面に当接した状態で前記光ファイバが位置決めされている、
光入出力装置。
【請求項１１】
光ファイバをガイドする光ファイバガイドを備えた光導波路基板に光ファイバを実装する実装方法であって、
前記光ファイバガイドは、
前記光導波路基板に主面を対向させて固定された基板と、
前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバを挿入可能なガイド溝と、
を備え、
前記ガイド溝の一端側から前記光ファイバを挿入し、前記ガイド溝の先端部を形成する位置決め部の滑り傾斜面に前記光ファイバの先端傾斜面を当接させ、該先端傾斜面を前記光導波路基板に向けて滑らせることで前記光ファイバを位置決めする、
光ファイバの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバガイド、光ファイバガイドを備えた光導波路基板、光入出力装置、及び光ファイバの実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サーバやルータなど内部にＣＰＵとメモリを含むノードを複数有する情報機器において、ノード間のデータ伝送に光ファイバを伝送路とした光信号を用いる光インターコネクション（光配線）技術の開発が進められている。また、情報機器の省電力化、高集積化を実現するため、シリコンに微細な光導波路を形成し、電気変換素子や光変調器、合分波器等といった光素子をチップに集積するシリコンフォトニクス技術が注目されている。
【０００３】
ここで、光導波路と光ファイバとの間で高効率な光結合を実現するには、光導波路の光入出力端部と光ファイバのコアとを高精度に位置合わせする必要がある。例えば、光ファイバの細線化のために径が数ミクロンレベルのコアが用いられる場合もあり、この場合、光導波路と光ファイバの接続にはサブミクロンレベルの高い位置合わせ精度が要求される。
【０００４】
光ファイバの実装方式として、光導波路及び光ファイバ間に実際に光を通して光量をモニタしながら位置合わせを行うアクティブ実装方式と、光ファイバを所定位置に実装することで自動的に光ファイバの位置合わせがなされるパッシブ実装方式がある。これらを比較すると、生産スループットを向上させる観点ではパッシブ実装方式の方が優れている。
【０００５】
光ファイバのパッシブ実装として、複数の光ファイバを配列するためのＶ溝を備えたＶ溝付き基板を使用する実装方法が知られている。例えば、特許文献１には、Ｖ溝に光ファイバを配置した光ファイバコネクタを、発光素子等を搭載するパッケージにクランプを用いて位置決め固定する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−６５３５８号公報
【特許文献２】特開平１０−２２３９８５号公報
【特許文献３】特開平６−１５１９０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のＶ溝付き基板においては、光導波路と光ファイバの位置合わせ精度を確保する関係上、光ファイバを収容するＶ溝と光ファイバの間にクリアランスが殆ど設けられず、光ファイバを実装する際の作業性がよいとは言えない。
【０００８】
本件は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、光導波路基板に光ファイバを簡単に精度よく位置合わせすることのできる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本件の一観点によると、光ファイバをガイドする光ファイバガイドであって、基板と、前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバを挿入可能なガイド溝と、を備え、前記ガイド溝は、該ガイド溝の先端部を形成し且つ当接した前記光ファイバの
先端傾斜面を滑らせて前記光ファイバを位置決めする滑り傾斜面を有する位置決め部、を含む、光ファイバガイドが提供される。
【００１０】
また、本件の他の観点によると、光ファイバをガイドする光ファイバガイドを備えた光導波路基板であって、前記光ファイバガイドは、前記光導波路基板に主面を対向させて固定された基板と、前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバを挿入可能なガイド溝と、を備え、前記ガイド溝は、該ガイド溝の先端部を形成し且つ当接した前記光ファイバの先端傾斜面を前記光導波路基板に向けて滑らせて前記光ファイバを位置決めする滑り傾斜面を有する位置決め部、を含む、光ファイバガイドを備えた光導波路基板が提供される。
【００１１】
また、本件の他の観点によると、光導波路基板と、前記光導波路基板に実装された光ファイバと、前記光導波路基板に設けられ、前記光ファイバをガイドする光ファイバガイドと、を備え、前記光ファイバガイドは、前記光導波路基板に主面を対向させて固定された基板と、前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバが挿入されたガイド溝と、を有し、前記ガイド溝は、該ガイド溝の先端部を形成し且つ当接した前記光ファイバの先端傾斜面を前記光導波路基板に向けて滑らせて前記光ファイバを位置決めする滑り傾斜面を有する位置決め部、を含み、前記先端傾斜面が前記滑り傾斜面に当接した状態で前記光ファイバが位置決めされている、光入出力装置が提供される。
【００１２】
また、本件の他の観点によると、光ファイバをガイドする光ファイバガイドを備えた光導波路基板に光ファイバを実装する実装方法であって、前記光ファイバガイドは、前記光導波路基板に主面を対向させて固定された基板と、前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバを挿入可能なガイド溝と、を備え、前記ガイド溝の一端側から前記光ファイバを挿入し、前記ガイド溝の先端部を形成する位置決め部の滑り傾斜面に前記光ファイバの先端傾斜面を当接させ、該先端傾斜面を前記光導波路基板に向けて滑らせることで前記光ファイバを位置決めする、光ファイバの実装方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本件によれば、光導波路基板に光ファイバを簡単に精度よく位置合わせすることのできる技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施形態に係る光通信装置の概略図である。
【図２】図２は、実施形態に係る光モジュールの断面図である。
【図３】図３は、実施形態に係る光ファイバガイドの溝形成面を示す図である。
【図４】図４は、図３に示すＡ−Ａ'矢視断面である。
【図５Ａ】図５Ａは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（１）。
【図５Ｂ】図５Ｂは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（２）。
【図５Ｃ】図５Ｃは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（３）。
【図５Ｄ】図５Ｄは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（４）。
【図５Ｅ】図５Ｅは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（５）。
【図５Ｆ】図５Ｆは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（６）。
【図５Ｇ】図５Ｇは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（７）。
【図５Ｈ】図５Ｈは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（８）。
【図５Ｉ】図５Ｉは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（９）。
【図５Ｊ】図５Ｊは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（１０）。
【図５Ｋ】図５Ｋは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（１１）。
【図５Ｌ】図５Ｌは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（１２）。
【図５Ｍ】図５Ｍは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（１３）。
【図５Ｎ】図５Ｎは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（１４）。
【図５Ｏ】図５Ｏは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（１５）。
【図５Ｐ】図５Ｐは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（１６）。
【図５Ｑ】図５Ｑは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（１７）。
【図５Ｒ】図５Ｒは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（１８）。
【図５Ｓ】図５Ｓは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（１９）。
【図５Ｔ】図５Ｔは、実施形態に係る光ファイバガイドの製造工程を示す図である（２０）。
【図６Ａ】図６Ａは、実施形態に係る光ファイバガイドの実装工程を示す図である（１）。
【図６Ｂ】図６Ｂは、実施形態に係る光ファイバガイドの実装工程を示す図である（２）。
【図７】図７は、実施形態に係る光ファイバアレイの概略図である。
【図８Ａ】図８Ａは、実施形態に係る光ファイバの実装工程を示す図である（１）。
【図８Ｂ】図８Ｂは、実施形態に係る光ファイバの実装工程を示す図である（２）。
【図８Ｃ】図８Ｃは、実施形態に係る光ファイバの実装工程を示す図である（３）。
【図８Ｄ】図８Ｄは、実施形態に係る光ファイバの実装工程を示す図である（４）。
【図９】図９は、実施形態に係る光ファイバ整列冶具を示す図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、光ファイバガイドにおける光ファイバの位置決め機構を説明する図である（１）。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、光ファイバガイドにおける光ファイバの位置決め機構を説明する図である（２）。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、光ファイバガイドにおける光ファイバの位置決め機構を説明する図である（３）。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、光ファイバガイドにおける光ファイバの位置決め機構を説明する図である（４）。
【図１１Ａ】図１１Ａは、比較例に係る光ファイバコネクタを説明する図である（１）。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、比較例に係る光ファイバコネクタを説明する図である（２）。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、比較例に係る光ファイバコネクタを説明する図である（３）。
【図１１Ｄ】図１１Ｄは、比較例に係る光ファイバコネクタを説明する図である（４）。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜実施形態＞
以下、図面を参照しながら本件に関する実施形態を詳細に説明する。
【００１６】
《光通信装置の構造》
図１は、実施形態に係る光入出力装置の一例である光モジュール１０が搭載されたマザーボード２０を備える光通信装置１の概略図である。図２は、実施形態に係る光モジュール１０の断面図である。光モジュール１０は、パッケージ基板１１上の上面１１ａに、光導波路基板１２、ロジックチップ、メモリチップ（共に図示せず）等を実装している。光導波路基板１２は、光導波路１２３が形成された半導体集積チップである。光モジュール１０は、半田バンプ（図示せず）によってマザーボード２０に実装されている。
【００１７】
光導波路基板１２は、光ファイバ３０を位置決め実装するための光ファイバガイド４０を備えている。光ファイバガイド４０は、光導波路基板１２に実装される光ファイバ３０をガイドするためのガイド部材である。光導波路基板１２に形成された光導波路１２３の光結合部と光ファイバ３０の先端が光ファイバガイド４０によって位置決めされ、光結合している。なお、図中の符号６０は、複数の光ファイバ３０がアレイ状に配列した光ファイバアレイであり、光フェルール６１及びこの光フェルール６１に保持された光ファイバ３０を含む。本実施形態では、光フェルール６１に４本の光ファイバ３０が保持され、配列されている。光通信装置１は、光結合された光導波路１２３と光ファイバ３０とを光信号の伝送路として用い、光インターコネクションを実現している。なお、本実施形態では、マザーボード２０に搭載されている複数の光モジュール１０同士を光ファイバ３０によって光配線してもよいし、マザーボード２０間の光モジュール１０同士を光ファイバ３０によって光配線してもよい。
【００１８】
《光モジュールの構造》
図２には、光ファイバガイド４０が装着された光導波路基板１２を中心に光モジュール１０の断面構造を示している。光導波路基板１２は、例えばシリコンフォトニクス技術を用いて作製されている。光導波路基板１２は、シリコン層１２１上にＢＯＸ（Buried Oxide）層１２２が下部クラッド層として形成された基板構造を有する。ＢＯＸ層１２２は、例えば二酸化シリコン（SiO2）によって形成されている。また、ＢＯＸ層１２２上には、コア層として複数の光導波路１２３が並列して形成されている。光導波路１２３の端部には、光ファイバ３０と光結合される光結合部１２４が形成されている。光結合部１２４は、グレーティングカプラとも呼ばれ、例えば、光導波路１２３の端部を微細凹凸加工することで形成された回折格子である。また、ＢＯＸ層１２２上には、光導波路１２３を覆うクラッド層１２５が形成されている。
【００１９】
次に、光ファイバガイド４０の詳細構造について説明する。図３及び図４は、実施形態に係る光ファイバガイド４０を示す図であり、光導波路基板１２に装着される前の状態を示している。図３は、実施形態に係る光ファイバガイド４０の溝形成面４０ａを示す図である。図４は、図３に示すＡ−Ａ'矢視断面である。光ファイバガイド４０は、略直方体
形状を有するSi基板５０を有し、光ファイバガイド４０（Si基板５０）の主面である溝形成面４０ａは、矩形平面を有している。
【００２０】
光ファイバガイド４０の溝形成面４０ａには、複数のガイド溝４１が設けられている。溝形成面４０ａに形成された複数のガイド溝４１は、互いに平行かつ等間隔に配置されて
いる。光ファイバガイド４０において、ガイド溝４１が延在する方向を「溝延伸方向Ｘ」と呼ぶ。そして、各ガイド溝４１が配列する方向、即ち溝形成面４０ａ内において溝延伸方向Ｘと直交する方向を「溝配列方向Ｙ」と呼ぶ。図３に示す光ファイバガイド４０の例では、溝延伸方向Ｘが溝形成面４０ａの長辺方向、溝配列方向Ｙが溝形成面４０ａの短辺方向に対応している。各ガイド溝４１の一端は、溝形成面４０ａにおける一方の短辺（以下、「第一短辺」という）４０ｂ側の側面に開口しており、当該開口から光ファイバ３０が挿入可能となっている。図３及び図４に示すように、ガイド溝４１の他端側は、第一短辺４０ｂと対向する短辺（以下、「第二短辺」という）４０ｃまでは達していない。また、本実施形態では、光ファイバガイド４０の溝形成面４０ａに４本のガイド溝４１を形成しているが、その本数は特に限定されない。
【００２１】
光ファイバガイド４０のガイド溝４１は、光ファイバ導入部４１１、光ファイバ整列部４１２、及び光ファイバ位置決め部４１３を含む。ガイド溝４１は、第一短辺４０ｂ側から光ファイバ導入部４１１、光ファイバ整列部４１２、及び光ファイバ位置決め部４１３がこれらの順に連設されている。光ファイバ導入部４１１がガイド溝４１の基端部を形成し、光ファイバ位置決め部４１３がガイド溝４１の先端部を形成し、これらに挟まれた光ファイバ整列部４１２がガイド溝４１の中間部を形成している。図３及び図４中の符号４６は、光ファイバ３０を固定するための接着剤を外部から導入するための「接着剤導入溝」である。接着剤導入溝４６は、一端がガイド溝４１における光ファイバ位置決め部４１３に連通し、他端が第二短辺４０側の側面に開口している。
【００２２】
接着剤導入溝４６と、ガイド溝４１における光ファイバ導入部４１１及び光ファイバ位置決め部４１３は、Ｖ形状を有するＶ溝として形成されている。一方、ガイド溝４１の光ファイバ整列部４１２は、矩形断面を有する矩形溝として形成されている。ここで、光ファイバ整列部４１２の溝幅は、光ファイバ導入部４１１及び光ファイバ位置決め部４１３の溝幅よりも小さい。また、光ファイバ導入部４１１及び光ファイバ位置決め部４１３の溝幅及び溝深さは互いに等しくなっている。接着剤導入溝４６は、ガイド溝４１の光ファイバ位置決め部４１３に比べて、溝幅及び溝深さが夫々小さい。
【００２３】
本実施形態において、光ファイバ位置決め部４１３における接着剤導入溝４６との境界部分には、滑り傾斜面４１３ａが形成されている。滑り傾斜面４１３ａは、ガイド溝４１の軸方向である溝延伸方向Ｘに対して予め設定された角度で傾斜している。
【００２４】
また、光ファイバガイド４０の溝形成面４０ａには、複数の接続パッド４２、及び複数のアライメントマーク４３が形成されている。接続パッド４２は、光ファイバガイド４０を光導波路基板１２にフリップチップ実装する際に予備半田を形成するためのパッドである。また、アライメントマーク４３は、光ファイバガイド４０を光導波路基板１２にフリップチップ実装する際の位置合わせを行うために用いるマークである。光ファイバガイド４０に配設される接続パッド４２、及びアライメントマーク４３の数、位置などは自由に変更できる。
【００２５】
本実施形態では、光導波路基板１２のガイド実装面１２ａに光ファイバガイド４０をフリップチップ実装している。光モジュール１０の製造プロセスにおいて、光ファイバガイド４０を光導波路基板１２に実装した後、光ファイバ導入部４１１側からガイド溝４１に光ファイバ３０を挿入する。そして、光ファイバ３０の位置決め後、接着剤導入溝４６から接着剤１５を導入することで、光ファイバ３０を固定する。その結果、図２に示すように、光ファイバ３０が光結合部１２４と位置合わせされた状態で光導波路基板１２に実装される。本実施形態では、光導波路１２３、ガイド溝４１（光ファイバ導入部４１１、光ファイバ整列部４１２、光ファイバ位置決め部４１３）、及び接着剤導入溝４６が平面方向に平行となるように、光ファイバガイド４０を光導波路基板１２に固定している。
【００２６】
《光ファイバガイドの製造方法》
次に、実施形態に係る光ファイバガイド４０の製造工程について説明する。図５Ａ〜図５Ｔは、光ファイバガイド４０の製造工程を示す図である。なお、図５Ａ〜図５Ｔにおいて、図中上段に各工程を説明する平面図を示し、図中下段に各工程を説明する断面図を示す。また、図５Ａ〜図５Ｔにおいて、平面図中の一点鎖線は、下段に示す断面の位置を示している。
【００２７】
光ファイバガイド４０の製造に際して、まず図５Ａ〜図５Ｅに示す工程により、Si（シリコン）基板５０の主面に接続パッド４２及びアライメントマーク４３を形成する。より詳しく説明すると、まず、図５Ａに示すように矩形平面を有するSi基板５０の主面全体にメタル層５１を形成する。このメタル層５１は、Ti（チタン）層、Pt（白金）層、Au（金）層を、これらの順にSi基板５０上に積層した積層膜である。メタル層５１は、例えばスパッタ法などによって形成することができる。具体例として、厚さ約0.6mmのSiチップ上
にスパッタ装置(アルバック(株)社製、型名：MLX3000N)を用いて５nmのTi層、1000nmのPt層、100nmのAu層のメタル積層膜を形成する態様が挙げられる。なお、Si基板５０の長辺
方向は光ファイバガイド４０の溝延伸方向Ｘに対応する。また、Si基板５０の短辺方向は光ファイバガイド４０の溝配列方向Ｙに対応する。
【００２８】
次に、図５Ｂに示すようにメタル層５１上に第一のレジスト層５２を形成する。次いで、図５Ｃに示すように、第一のレジスト層５２をパターニングし、接続パッド４２及びアライメントマーク４３となる部分を残して第一のレジスト層５２を除去する。具体例として、フォトレジスト(AZエレクトロニックマテリアルズ社製、型名：AZ-P4620)をスピンコート法によって塗布してもよい。そして、ガラスマスク及びコンタクト露光装置(ウシオ
電機社製、型名:UX3)を用いて露光量400mJ/cm2で露光し、現像液(AZエレクトロニックマ
テリアルズ社製、品名：AZデベロッパ)を用いてフォトレジストをパターニングしてもよ
い。
【００２９】
次に、図５Ｄに示すようにメタル層５１を除去した後、第一のレジスト層５２を除去することで、図５Ｅに示すように接続パッド４２及びアライメントマーク４３を形成する。具体例として、イオンビームミリング装置(伯東(株)社製、型名：7.5IBE)を用いてメタル積層膜を除去した後、アセトンを用いてフォトレジストを除去してもよい。その結果、Ti/Pt/Auの３層構造の接続パッド４２及びアライメントマーク４３を作製することができる。ここで、接続パッド４２の高さは特に限定されないが、例えば0.1〜20μｍ程度とする
態様が挙げられる。また、接続パッド４２の高さを0.5〜4μｍとすると好ましい。
【００３０】
次に、図５Ｆ〜図５Ｋに示す工程により、光ファイバガイド４０の光ファイバ整列部４１２を形成する。即ち、図５Ｆに示すように、接続パッド４２及びアライメントマーク４３が形成されたSi基板５０の主面上に第二のレジスト層５３を塗布する。具体例として、フォトレジスト(AZエレクトロニックマテリアルズ社製、型名：AZ-P4620)をスピンコート法によって塗布してもよい。
【００３１】
次いで、図５Ｇに示すように、Si基板５０の外形を基準として第二のレジスト層５３のパターニングを行い、アライメントマーク４３を露出させる。次に、図５Ｈに示すように、第二のレジスト層５３のパターニングを行い、光ファイバ整列部４１２を形成する部分のSi基板５０表面を露出させる。具体例として、第一のレジスト層５２のパターニングと同様、露光装置を用いて露光し、現像液を用いてアライメントマーク４３を露出させた後、光ファイバ整列部４１２の深掘りエッチング用のレジスト開口５４を形成してもよい。外部に露出させたアライメントマーク４３を基準に光ファイバ整列部４１２の深掘りエッチング用のレジスト開口５４をパターニングすることで、後の工程において光ファイバ整
列部４１２を精度よく形成することができる。
【００３２】
次に、図５Iに示すように、アライメントマーク４３を第二のレジスト層５３によって
マスキングする。次に、図５Jに示すように、レジスト開口５４を通じてSi基板５０を深
堀りエッチングすることで、矩形溝状の光ファイバ整列部４１２を形成する。具体例として、アライメントマーク４３を露出させているレジスト開口に微量塗布ディスペンサを用いてフォトレジストを塗布し、乾燥させてマスキングしてもよい。その後、リアクティブイオンエッチング装置(サムコ(株)社製、型名：RIE-200iPB)を用いて、SF6ガスによるエ
ッチングとC4H8ガスによる保護膜形成を繰り返すボッシュプロセスにより、深溝を形成してもよい。
【００３３】
図５Ｊに示すように、光ファイバ整列部４１２は、Si基板５０の長辺方向（光ファイバガイド４０の溝延伸方向Ｘに対応）に延伸して形成されている。また、Si基板５０の短辺方向（光ファイバガイド４０の溝配列方向Ｙに対応）に、複数の光ファイバ整列部４１２が等間隔で平行に配列されている。本実施形態では、光ファイバ整列部４１２の配列数を４本としているが、これには限定されない。また、本実施形態では、幅127μm、深さ200
μmの矩形溝として光ファイバ整列部４１２を形成しているが、これには限定されない。
【００３４】
次に、図５Ｋに示すように、アセトン等を用いて第二のレジスト層５３を除去する。その結果、主面上に複数の光ファイバ整列部４１２が平行に配列されたSi基板５０が得られる。
【００３５】
次に、図５Ｌ〜図５Ｔに示す工程により、光ファイバ導入部４１１、光ファイバ位置決め部４１３、及び接着剤導入溝４６を形成することで、光ファイバガイド４０の作製が完了する。まず、図５Ｌに示すように、光ファイバ整列部４１２が形成されたSi基板５０の表面全体に、SiO2層５５を形成する。具体例として、プラズマCVD装置(サムコ(株)社製、型名：PD-220LN)を用いて厚み約2μmのSiO2層を形成してもよい。
【００３６】
次に、図５Ｍに示すように、SiO2層５５の表面全体に第３のレジスト層５６を形成する。具体例として、スプレーコータ装置(三明電子(株)社製)を用いてフォトレジスト（型名：AZ-P4620)をスプレーコート法によって形成してもよい。次に、図５Ｎに示すように、
第３のレジスト層５６をパターニングし、アライメントマーク４３の上部にレジスト開口５７を形成する。具体例として、第一のレジスト層５２のパターニングと同様、コンタクト露光装置を用いて露光し、現像液を用いてレジスト開口５７を形成してもよい。
【００３７】
次に、図５Ｏに示すように、第３のレジスト層５６をパターニングし、光ファイバ導入部４１１、光ファイバ位置決め部４１３、及び接着剤導入溝４６を形成する位置のSiO2層５５が露出するようにレジスト開口５８ａ〜５８ｃを形成する。なお、レジスト開口５８ａが光ファイバ導入部４１１に対応し、レジスト開口５８ｂが光ファイバ位置決め部４１３に対応し、レジスト開口５８ｃが接着剤導入溝４６に対応する。具体例として、第一のレジスト層５２のパターニングと同様、コンタクト露光装置を用いて露光し、現像液を用いてレジスト開口を形成してもよい。
【００３８】
ここで、図５Ｏに示す工程では、図５Ｎに示す工程で形成したレジスト開口５７内に位置するアライメントマーク４３を基準としてレジスト開口５８ａ〜５８ｃが形成される。その際、アライメントマーク４３はSiO2層５５によって覆われているが、SiO2層５５を透過してアライメントマーク４３を認識することで、レジスト開口５８ａ〜５８ｃを精度よく形成することができる。
【００３９】
次に、図５Ｐに示す工程で、アライメントマーク４３を第３のレジスト層５６によって
マスキングする。次いで、図５Ｑに示す工程で、第３のレジスト層５６のレジスト開口５８ａ〜５８ｃから露出するSiO2層５５をエッチングし、Si基板５０のSi層を露出させる。具体例として、リアクティブイオンエッチング装置(サムコ(株)社製、型名：RIE-200iPB)を用いて、SiO2層をエッチングしてSi層を露出させてもよい。
【００４０】
次に、図５Ｒに示す工程で、図５Ｑに示す工程で露出させたSi基板５０のSi層を異方性エッチングすることにより、光ファイバ導入部４１１、光ファイバ位置決め部４１３、及び接着剤導入溝４６を形成する。具体例として、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(ＴＭＡＨ)を用いてSi基板５０を結晶異方性エッチングする態様が挙げられる。本実施形態では、幅28μm、深さ20μm、長さ1mmのＶ溝として接着剤導入溝４６を形成した。また
、幅232μm、深さ164μm、長さ2mmのＶ溝として光ファイバ導入部４１１を形成した。ま
た、幅232μm、深さ164μm、長さ1mmとし、接着剤導入溝４６との境界位置に傾斜角54.7
度の傾斜面を有するＶ溝として光ファイバ位置決め部４１３を形成した。また、それぞれのＶ溝をSi基板５０の幅方向に配列する間隔は250μmとした。なお、結晶異方性エッチングは、主面に対するＶ溝の傾斜の角度は結晶異方性により54.7度となる。従って、Ｖ溝の幅、即ち、図５Ｑに示す工程で第３のレジスト層５６に形成したレジスト開口部の幅により、Ｖ溝の深さが一義的に決まる。
【００４１】
次に、図５Ｓに示す工程では、アセトンを用いて第３のレジスト層５６を除去し、図５Ｔに示す工程で、Si基板５０の主面上におけるSiO2層５５を除去する。ここでは、バッファードフッ酸(ＢＨＦ)を用いてSiO2層５５を除去する態様が一例として挙げられる。以上の図５Ａ〜図５Ｔに示す工程を経て、図３及び図４に示す光ファイバガイド４０を製造することができる。
【００４２】
《光導波路基板への光ファイバガイドの実装》
次に、図６Ａ及び図６Ｂを参照して、光導波路基板１２に光ファイバガイド４０を実装する工程を説明する。図６Ａにおいて、図中上段に各工程の平面図を示し、図中下段に各工程の断面図を示す。
【００４３】
まず、図６Ａに示すように、光ファイバガイド４０の溝形成面４０ａに形成された接続パッド４２に金錫（AuSn）半田等の半田ペーストを点塗布した後、リフロー処理によって略半球状の予備半田４４を接続パッド４２上に形成する。具体例として、接続パッド４２上に微量塗布ディスペンサ(アプライドマイクロシステムズ社製)を用いて20pl(ピコリッ
トル)の金錫（AuSn）半田ペーストを点塗布し、リフロー処理により半田を溶融させて直
径25μmの予備半田を形成してもよい。
【００４４】
ここで、図２で説明したような光導波路１２３を有する光導波路基板１２を用意する。光導波路基板１２における光導波路１２３の本数は、光ファイバガイド４０におけるガイド溝４１の本数と対応しており、本実施形態では４本である。また、光導波路基板１２のガイド実装面１２ａには、光ファイバガイド４０の接続パッド４２及びアライメントマーク４３に対応する接続パッド及びアライメントマークを形成しておく。
【００４５】
そして、図６Ｂに示すように、光導波路基板１２に光ファイバガイド４０をフリップチップ実装する。具体例として、フリップチップボンダ(東レエンジニアリング(株)製、型
名：OF2000)を用いて、荷重2.0kgf、ツール温度380℃で光ファイバガイド４０を光導波路基板１２上にフリップチップ実装してもよい。本実施形態では、光ファイバガイド４０のフリップチップ実装時に、光ファイバガイド４０を吸着しているツールを高温加熱する。これにより、再溶融したAuSn半田がろう材となって光導波路基板１２の接続パッドと光ファイバガイド４０の接続パッド４２とが金属接合され、Ti層/Pt層/AuSn層/Pt層/Ti層の5
層構成の金属層が形成される。
【００４６】
また、図６Ｂに示すように、光ファイバガイド４０は、光ファイバ導入部４１１が形成される領域が光導波路基板１２から側方に突出した状態で光導波路基板１２に固定されている。また、光導波路基板１２は、光モジュール１０のパッケージ基板１１上に半田実装されている。光導波路基板１２の半田実装は、光導波路基板１２に対する光ファイバガイド４０の実装前に行ってもよいし、実装後に行ってもよい。以上の工程により、光ファイバガイド４０を有する光導波路基板１２を備えた光モジュール１０が得られる。
【００４７】
《光ファイバの位置合わせ実装》
次に、本実施形態における光ファイバ３０の位置合わせ実装について説明する。図７は、実施形態に係る光ファイバアレイ６０の概略図である。図７の上段に光ファイバアレイ６０の上面図を示し、下段に光ファイバアレイ６０の側面図を示している。光ファイバアレイ６０は、光ファイバ３０を保持する光フェルール６１と、この光フェルール６１にアレイ状に配列された複数の光ファイバ３０を含む。光フェルール６１は、略直方体形状を有しており、例えば樹脂を成形した成形体である。光フェルール６１における下面の四隅には、円柱状の突起６２が設けられている。図７に示すように、光フェルール６１には、４本の光ファイバ３０が保持されている。また、各光ファイバ３０は、その先端が斜めにカットされることで先端傾斜面３１が形成されている。光ファイバ３０の光軸に対する先端傾斜面３１の傾斜角度は54.7度となっている。なお、以下では、芯フェルール６１のうち、光ファイバ３０の先端傾斜面３１側に近い方を前方と定義する。芯フェルール６１に保持されている各光ファイバ３０の先端傾斜面３１は前斜め上方を向くように、すべて方向が揃えられている。
【００４８】
次に、図８Ａ〜図８Ｄを参照して、実施形態に係る光ファイバ３０の実装工程について説明する。なお、図８Ａ〜図８Ｄにおいては、図中上段に各工程を説明する平面図を示し、図中下段に各工程を説明する断面図を示す。
【００４９】
光ファイバ３０の実装に際して、まず、図８Ａに示すマザーボード２０を用意する。マザーボード２０の上面２０ａには光モジュール１０が実装されている。また、マザーボード２０の上面２０ａには、光モジュール１０の光導波路基板１２に実装されている光ファイバガイド４０のガイド溝４１の中心軸と平行に延伸する一対のスライド溝２１が形成されている。一対のスライド溝２１は、図７に示した光フェルール６１の下面に設けられた円柱状の突起６２を受け入れ、スライドさせることができる。スライド溝２１の幅は、光フェルール６１における突起６２の直径と等しいか、僅かに大きな寸法に設定されている。そして、マザーボード２０のスライド溝２１に光フェルール６１の突起６２を嵌め込むことで、スライド溝２１の延伸方向、即ち光ファイバガイド４０のガイド溝４１の延伸方向に沿って光フェルール６１をスライドさせることができる。本実施形態では、光ファイバアレイ６０の光フェルール６１をスライド溝２１に沿ってスライドさせながら光ファイバ３０を光ファイバガイド４０の光ファイバ導入部４１１に挿入させてゆく。従って、マザーボード２０に形成される一対のスライド溝２１は、光ファイバガイド４０の第一短辺４０ｂに面して形成されている。
【００５０】
マザーボード２０の上面２０ａには、光フェルール６１の下面四隅に設けられた円柱状の突起６２を嵌合して係止する嵌合凹部２２が形成されている。嵌合凹部２２は、スライド溝２１の深さよりも一段深くなっている。嵌合凹部２２同士の平面的な位置関係は、光フェルール６１における突起６２同士の平面的な位置関係と対応している。そのため、マザーボード２０に形成されている４つの嵌合凹部２２に対して、光フェルール６１における４つの突起６２を同時に嵌合させることができる。ここで、各スライド溝２１の前端部に連なるようにして一対の嵌合凹部２２が設けられている。また、残りの一対の嵌合凹部２２は、各スライド溝２１の後端部から若干離れて独立した状態で上面２０ａに設けられ
ている。
【００５１】
次に、図８Ｂに示す工程では、図９に示す光ファイバ整列冶具７０を、光モジュール１０に装着する。図９は、実施形態に係る光ファイバ整列冶具７０を示す図である。光ファイバ整列冶具７０は、光ファイバアレイ６０（光ファイバ３０）の実装時に、光モジュール１０における光ファイバガイド４０の第一短辺４０ｂ側に着脱自在に装着される部材である（図８Ｂを参照）。光ファイバ整列冶具７０は、上面に光ファイバアレイ６０の光ファイバ３０を整列するＶ形のガイド溝７１ａを有する本体部７１と、本体部７１の下面に設けられた一対の脚部７２と、本体部７１の上面に設けられた位置決め部７３を有する。
【００５２】
光ファイバ整列冶具７０の本体部７１は平板形状、脚部７２及び位置決め部７３は略直方体形状を有している。一対の脚部７２は、本体部７１の両側部に設けられており、本体部７を水平姿勢に支持している。光ファイバ整列冶具７０は、マザーボード２０の上面２０ａに載置した状態で、本体部７１の上面の高さが光導波路基板１２のガイド実装面１２ａの高さと略等しくなっている。光ファイバ整列冶具７０の本体部７１は、光導波路基板１２と略等しい厚さを有している。本体部７１の上面に形成される複数のＶ溝７１ａは、その本数及びピッチが光ファイバガイド４０の光ファイバ導入部４１１に対応しており、本実施形態では４本のガイド溝７１ｂが250μmの間隔で平行に配列している。
【００５３】
光モジュール１０に光ファイバ整列冶具７０を装着する際、パッケージ基板１１と光ファイバガイド４０との隙間に本体部７１が側方から嵌め込まれる。本体部７１の上記隙間への嵌め込みは、例えば本体部７１の上面が光ファイバガイド４０の下面に摺接し、本体部７１の下面がパッケージ基板１１の上面に摺接した状態で行われる。その際、光ファイバ整列冶具７０の位置決め部７３を光ファイバガイド４０の側面に当接させ、一対の脚部７２をパッケージ基板１１の端面に当接させることで、光ファイバ整列冶具７０が位置決めされる。その結果、光ファイバ整列冶具７０における本体部７のガイド溝７１ａと光ファイバガイド４０の光ファイバ導入部４１１とが上下に重なり合い、互いに正対した状態で光ファイバ整列冶具７０の装着が完了する。なお、光ファイバ整列冶具７０は、例えば、ガラス加工によって作製することができる。
【００５４】
本実施形態では、図８Ｂに示すように光モジュール１０に光ファイバ整列冶具７０を装着した状態で、光フェルール６１の前側に位置する一対の突起６２を、マザーボード２０の一対のスライド溝２１に嵌め込む。この状態において、光ファイバアレイ６０の各光ファイバ３０は、光ファイバ整列冶具７０のガイド溝７１ｂ及び光ファイバガイド４０の光ファイバ導入部４１１の途中まで挿入されている。そして、この状態から光フェルール６１を光モジュール１０に接近する方向にスライドさせ、図８Ｃに示すように光フェルール６１の突起６２を嵌合凹部２２に嵌合させる。光フェルール６１を光モジュール１０に接近する方向にスライドさせると、光フェルール６１に保持された各光ファイバ３０が光ファイバガイド４０のガイド溝４１の先端側に向かって挿入される。
【００５５】
ところで、光ファイバガイド４０における光ファイバ導入部４１１の深さは、光ファイバ３０の直径よりも大きい。従って、光ファイバ導入部４１１と、この光ファイバ導入部４１１に挿入された光ファイバ３０との間には、クリアランス（隙間）が形成される。そのため、光ファイバ導入部４１１に対して光ファイバ３０を簡単且つ円滑に挿入することができる。その上、光ファイバ導入部４１１には、光ファイバ整列冶具７０におけるガイド溝７１ｂが正対しているため、光ファイバ３０の挿入がより一層容易になる。
【００５６】
光ファイバ３０の先端傾斜面３１が光ファイバ整列部４１２に到達すると、光ファイバ整列部４１２において幅方向に整列される。ここで、光ファイバ整列部４１２の幅は光ファイバ３０の直径と略等しくなっているため、光ファイバ３０が光ファイバ整列部４１２
を通る際に、光ファイバ３０同士の間隔を調整することができる。本実施形態では、光ファイバ整列部４１２において、各光ファイバ３０同士の間隔が、光導波路基板１２における光導波路１２３同士の間隔に合致するように整列を行う。なお、光ファイバ整列部４１２の深さは光ファイバ３０の直径よりも大きいため、光ファイバ３０は光ファイバ整列部４１２を円滑に挿通することができる。
【００５７】
図１０Ａ〜１０Ｄは、光ファイバガイド４０における光ファイバ３０の位置決め機構を説明する図である。光ファイバ整列部４１２において整列が行われた各光ファイバ３０は光ファイバ位置決め部４１３に挿入され、先端側に形成された滑り傾斜面４１３ａに向かって光ファイバ位置決め部４１３を前進する（図１０Ａ）。そして、図１０Ｂに示すように、光ファイバ位置決め部４１３の滑り傾斜面４１３ａに光ファイバ３０の先端傾斜面３１が当接すると、光ファイバ位置決め部４１３の溝深さが光ファイバ３０の直径より大きいため、先端傾斜面３１が滑り傾斜面４１３ａに沿って下方に滑る。つまり、光ファイバ３０の先端傾斜面３１が、導波路付き基板１２側に向かって滑り傾斜面４１３ａの表面を滑る結果、光ファイバ３０の先端側が前方斜め下方に潜り込むことになる。
【００５８】
そして、図１０Ｃに示すように、光導波路基板１２におけるガイド実装面１２ａに先端傾斜面３１の下端部が当接した時点で、滑り傾斜面４１３ａに対する先端傾斜面３１の滑り動作が終了し、光ファイバ３０が位置決めされる。本実施形態では、滑り傾斜面４１３ａに沿って先端傾斜面３１が滑り、光導波路基板１２の光結合部１２４に先端傾斜面３１の下端部が当接する時点で、光ファイバ３０の先端と光結合部１２４の平面位置が合致するように調整されている。これにより、光ファイバ３０の位置合わせが簡単且つ精度よく行われ、光ファイバ３０と光結合部１２４との高効率な光結合が実現される。
【００５９】
なお、光ファイバガイド４０の先端傾斜面３１は、光を反射するミラーとしての機能を兼ねている。光ファイバ３０の先端傾斜面３１から出射された光は光ファイバガイド４０の滑り傾斜面４１３ａにおいて反射し、光結合部１２４から光導波路１２３に入射することで光導波路１２３内を伝播する。また、光導波路１２３の光結合部１２４から出射された光は、光ファイバガイド４０の滑り傾斜面４１３ａにおいて反射し、先端傾斜面３１から光ファイバ３０のコアに入射することでコア内を伝播する。
【００６０】
ところで、図８Ｃに示すように、光フェルール６１における各突起６２がマザーボード２０の嵌合凹部２２に嵌合した状態では、光ファイバ３０における光フェルール６１よりも先端側の区間（以下、「自由端区間」という。図７参照）が座屈（湾曲）している。本実施形態では、光フェルール６１の各突起６２が嵌合凹部２２に嵌合される前、即ち光フェルール６１のスライド動作の途中で、先端傾斜面３１が滑り傾斜面４１３ａに当接するように光ファイバ３０における自由端区間の長さが調整されている。
【００６１】
これにより、各光ファイバ３０における先端傾斜面３１が光ファイバガイド４０の滑り傾斜面４１３ａに当接した後、光フェルール６１を更にスライドさせることで、上記のように先端傾斜面３１を滑り傾斜面４１３ａに沿って滑らすことができる。そして、光導波路基板１２の光結合部１２４に先端傾斜面３１の下端部が当接して光ファイバ３０が位置決めされた後は、光ファイバ３０における自由端区間の余長分を座屈させることができる。これによれば、光ファイバ３０における自由端区間の長さにたとえ若干のばらつきがあっても、自由端区間の座屈量を変えることで、その長さのばらつき分を吸収できるという利点がある。よって、光ファイバアレイ６０に含まれる複数の光ファイバ３０の長さが多少ばらついていたとしても、自由端区間の座屈させることで上記ばらつきを吸収し、全てのファイバ３０を精度よく簡単に位置合わせすることが可能となる。なお、光ファイバ３０の実装時における自由端区間の座屈量は、光ファイバ３０の自由端区間が長いほど多くなる。
【００６２】
上記のように光ファイバ３０の位置決めを行った後は、図１０Ｄに示すように、光ファイバガイド４０の第二短辺４０ｃ側に開口する接着剤導入溝４６から、接着剤１５を導入（注入）する。接着剤１５は、例えば毛細管現象を利用して導入することができる。そして、接着剤導入溝４６を通じて光ファイバ位置決め部４１３に接着剤１５が供給され、光ファイバ３０が位置合わせされた状態で固定される。具体例として、接着剤導入溝４６から、光学接着剤(Epoxy Technology (株)社製、型番：EPOTEK314)を毛細管現象により導入してもよい。なお、図１０Ｄに示す例では、光ファイバ位置決め部４１３内に接着剤１５が充填されるように、光ファイバ整列部４１２の途中まで接着剤１５が供給されている。また、接着剤１５は、光ファイバガイド４０の溝形成面４０ａと光導波路基板１２のガイド実装面１２ａとの間の隙間にも充填される。また、本実施形態では、光ファイバガイド４０を150℃程度でスポット加熱することで、接着剤導入溝４６から導入した接着剤１５
を硬化させるようにした。これにより、光ファイバ３０が位置決め固定されるとともに、光導波路基板１２にフリップチップ実装される光ファイバガイド４０の半田接合部を保護及び補強硬化が期待できる。
【００６３】
本実施形態における光ファイバ整列冶具７０は、光モジュール１０に対して着脱自在である。例えば、光ファイバアレイ６０における光ファイバ３０の位置決め後、光ファイバ整列冶具７０を光モジュール１０から取り外すことで、その光ファイバ整列冶具７０を再利用することができる。
【００６４】
本実施形態に係る光ファイバ３０の実装は、図８Ｄに示すように、光ファイバアレイ６０の光フェルール６１をマザーボード２０に固定することで完了する。具体例として、マザーボード２０の上面２０ａと光フェルール６１との隙間に毛細管現象を利用して接着剤１５を導入し、常温で放置（例えば、24時間程度）することにより硬化させてもよい。また、接着剤をスポット加熱することで硬化させてもよく、硬化させる手法は特に限定されない。
【００６５】
以上のように、本実施形態における光ファイバガイド４０によれば、光導波路基板１２に光ファイバ３０を簡単に精度よく位置合わせすることができる。
【００６６】
更に、本実施形態に係る光ファイバガイド４０によれば、光ファイバ位置決め部４１３の軸方向に対する滑り傾斜面４１３ａの傾斜角が、光ファイバ３０の光軸に対する先端傾斜面３１の傾斜角と一致している。これによれば、光ファイバガイド４０の滑り傾斜面４１３ａに光ファイバ３０の先端傾斜面３１が当接する際、双方の面がより確実に面接触するようになる。その結果、光ファイバガイド４０における滑り傾斜面４１３ａの表面に沿って光ファイバ３０の先端傾斜面３１を一段と円滑に滑らすことができるという利点がある。
【００６７】
次に、本実施形態に係る光ファイバガイド４０を用いて光ファイバ３０を実装する際の位置決め精度について説明する。ここで、光ファイバ３０の実装位置ずれの要因としては、光ファイバガイド４０の実装時の位置ずれ、及び、光ファイバ３０の水平方向の傾きという２つの要因が考えられる。ここで、光ファイバガイド４０を光導波路基板１２に実装するフリップチップボンダの実装精度は、概ね±0.5μm以内に収まる。また、光ファイバガイド４０の光ファイバ整列部４１２で発生する光ファイバ３０の水平方向の角度ずれに起因する位置ずれ量は概ね±0.5μm以内に収まる。よって、光ファイバ３０のトータルの位置ずれ量は、これらの二乗和平方根で約0.7μmに収まる。また、上述した光ファイバガイド４０を用いて光ファイバ３０を光導波路基板１２に実装したサンプルを２０体作製した結果、光ファイバ３０の先端位置ずれに起因した光結合不良は発生せず、組み立て歩留まりは１００％という結果が得られた。
【００６８】
次に、図１１Ａ〜１１Ｄに示すような比較例に係る光ファイバコネクタ４００を作製し、この光ファイバコネクタ４００を用いて光ファイバ３００を実装した際の精度について説明する。図１１Ａは、比較例に係る光ファイバコネクタ４００を溝形成面から眺めた平面図である。光ファイバコネクタ４００は、光ファイバ３００との間にクリアランスが殆ど形成されず、光ファイバ３００をちょうど収容できる収容溝４１０を光ファイバ３００の数だけ形成した溝付き基板である。
【００６９】
比較例においては、図１１Ｂに示す光導波路基板１２０を用意する。そして、光ファイバ３００の先端を手作業で光ファイバコネクタ４００の収容溝４１０の先端に嵌るように調整しつつ、図１１Ｃに示すように、光ファイバコネクタ４００と光導波路基板１２０を連結ピン２００で連結する。その後、図１１Ｄに示すように、弾性を有する金属製のクランプ５００を用いて光ファイバコネクタ４００と光導波路基板１２０を固定し、比較例に係る光ファイバ３００の実装を完了する。そして、比較例に係る光ファイバコネクタ４００を用いて光ファイバ３００を光導波路基板１２０に実装したサンプルを２０体作製した結果、５体に光ファイバ３００の先端位置ずれに起因する光結合不良が発生した。そして、比較例に係る組み立て歩留まりは８０％となり、光結合不良が発生したサンプルについては再組み立てが必要という結果となった。
【００７０】
以上の実施形態は種々の変更、改良等が可能なことは当業者にとって自明である。例えば、上記実施形態では、Si基板に対するエッチング加工によって光ファイバガイド４０を作製する例を説明したが、光ファイバガイド４０に用いる基板の種類や加工方法は特に限定されない。例えば、Si基板の代わりに金属製基板や樹脂製基板を用いてもよいし、また、エッチング加工に代わりにプレス加工、インプリント加工、射出成形加工等を適宜採用してもよい。また、本実施形態では、光導波路基板１２に対して光ファイバガイド４０をフリップチップ実装しているがこれには限られない。例えば、接着剤を用いて光ファイバガイド４０を光導波路基板１２に接着してもよい。
【００７１】
以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
光ファイバをガイドする光ファイバガイドであって、
基板と、
前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバを挿入可能なガイド溝と、
を備え、
前記ガイド溝は、該ガイド溝の先端部を形成し且つ当接した前記光ファイバの先端傾斜面を滑らせて前記光ファイバを位置決めする滑り傾斜面を有する位置決め部、を含む、
光ファイバガイド。
（付記２）
前記ガイド溝は、前記位置決め部の基端側に形成されると共に前記基板に対する前記光ファイバの幅方向の位置を整列する整列溝部を更に含む、付記１に記載の光ファイバガイド。
（付記３）
前記基板の主面上に形成されると共に前記ガイド溝に接着剤を導入する接着剤導入溝を更に備える、付記１又は２に記載の光ファイバガイド。
（付記４）
前記接着剤導入溝は、前記ガイド溝の前記位置決め部に連通している、付記３に記載の光ファイバガイド。
（付記５）
前記位置決め部の軸方向に対する前記滑り傾斜面の傾斜角が、前記光ファイバの光軸に
対する前記先端傾斜面の傾斜角と等しい、付記１から４の何れかに記載の光ファイバガイド。
（付記６）
前記位置決め部の溝深さが前記光ファイバの直径よりも大きい、付記１から５の何れかに記載の光ファイバガイド。
（付記７）
複数の前記ガイド溝が、前記基板の主面上に配列されている、付記１から６の何れかに記載の光ファイバガイド。
（付記８）
前記基板の主面上に少なくとも１つ以上の接続パッドを有する、付記１から７の何れかに記載の光ファイバガイド。
（付記９）
前記滑り傾斜面は、シリコンの異方性エッチングにより形成される、付記１から８の何れかに記載の光ファイバガイド。
（付記１０）
光ファイバをガイドする光ファイバガイドを備えた光導波路基板であって、
前記光ファイバガイドは、
前記光導波路基板に主面を対向させて固定された基板と、
前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバを挿入可能なガイド溝と、
を備え、
前記ガイド溝は、該ガイド溝の先端部を形成し且つ当接した前記光ファイバの先端傾斜面を前記光導波路基板に向けて滑らせて前記光ファイバを位置決めする滑り傾斜面を有する位置決め部、を含む、
光ファイバガイドを備えた光導波路基板。
（付記１１）
前記光ファイバガイドは、前記光導波路基板に半田接合により実装されている、付記１０に記載の光ファイバガイドを備えた光導波路基板。
（付記１２）
光導波路基板と、
前記光導波路基板に実装された光ファイバと、
前記光導波路基板に設けられ、前記光ファイバをガイドする光ファイバガイドと、
を備え、
前記光ファイバガイドは、
前記光導波路基板に主面を対向させて固定された基板と、
前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバが挿入されたガイド溝と、
を有し、
前記ガイド溝は、該ガイド溝の先端部を形成し且つ当接した前記光ファイバの先端傾斜面を前記光導波路基板に向けて滑らせて前記光ファイバを位置決めする滑り傾斜面を有する位置決め部、を含み、
前記先端傾斜面が前記滑り傾斜面に当接した状態で前記光ファイバが位置決めされている、
光入出力装置。
（付記１３）
光ファイバをガイドする光ファイバガイドを備えた光導波路基板に光ファイバを実装する実装方法であって、
前記光ファイバガイドは、
前記光導波路基板に主面を対向させて固定された基板と、
前記基板の主面上に形成されると共に一端側から前記光ファイバを挿入可能なガイド
溝と、
を備え、
前記ガイド溝の一端側から前記光ファイバを挿入し、前記ガイド溝の先端部を形成する位置決め部の滑り傾斜面に前記光ファイバの先端傾斜面を当接させ、該先端傾斜面を前記光導波路基板に向けて滑らせることで前記光ファイバを位置決めする、
光ファイバの実装方法。
【符号の説明】
【００７２】
１・・・光通信装置
１０・・・光モジュール
１１・・・パッケージ基板
１２・・・光導波路基板
１５・・・接着剤
２０・・・マザーボード
３０・・・光ファイバ
３１・・・先端傾斜面
４０・・・光ファイバガイド
４１・・・ガイド溝
４６・・・接着剤導入溝
５０・・・Si基板
６０・・・光ファイバアレイ
６１・・・光フェルール
７０・・・光ファイバ整列冶具
２３・・・光導波路
１２４・・・光結合部
４１１・・・光ファイバ導入部
４１２・・・光ファイバ整列部
４１３・・・光ファイバ位置決め部
４１３ａ・・・滑り傾斜面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
2016071034.tif 000010
【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図５Ｉ】
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【図５Ｊ】
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【図５Ｋ】
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【図５Ｌ】
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【図５Ｍ】
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【図５Ｎ】
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【図５Ｏ】
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【図５Ｐ】
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【図５Ｑ】
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【図５Ｒ】
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【図５Ｓ】
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【図５Ｔ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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