(57)【要約】【課題】高効率で消費電力が低く、ホワイトバランスがとりやすい波長変換方式発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器を提供する。【解決手段】青色光又は青緑色光を発する有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板２０を備え、波長変換基板２０は、カラーフィルター層２３、波長変換層２４、光透過層２５及び励起光散乱層２６の少なくともいずれか１つを有し、波長変換層２４は青色光又は青緑色光に含まれる波長の光により励起され赤色光を発する赤色波長変換層２４Ｒと青色光又は青緑色光に含まれる波長の光により励起され緑色光を発する緑色波長変換層２４Ｇを有し、励起光散乱層２６はカラーフィルター層２３を透過した青色光を散乱させ、光透過層２５は透明基板２１の一方の面２１ａ側から入射した青色光又は青緑色光を透明基板２１の他方の面２１ｂ側にスペクトル形状を変えずに透過する波長変換方式発光装置１００。【選択図】図１
2016122606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
青色光または青緑色光を発光する光源と、該光源上に設けられた波長変換基板と、を備え、
前記波長変換基板は、透明基板と、前記透明基板の一方の面に設けられた隔壁と、前記透明基板の一方の面のうち、前記隔壁によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層、波長変換層、光透過層および励起光散乱層の少なくともいずれか１つと、前記隔壁によって区画された複数の領域に対応する複数の副画素から構成される画素と、を有し、
前記カラーフィルター層は、前記透明基板の一方の面に離散して配置された、赤色光のみを透過する赤色カラーフィルター層と、緑色光のみを透過する緑色カラーフィルター層と、を有し、
前記波長変換層は、前記赤色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する赤色波長変換層と、前記緑色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて緑色光を発光する緑色波長変換層と、を有し、
前記副画素の少なくとも１つは、前記透明基板の一方の面側から入射した、青色光または青緑色光を、前記透明基板の他方の面側にスペクトル形状を変えずに透過することを特徴とする波長変換方式発光装置。
【請求項２】
前記波長変換基板は、さらに、前記副画素として、青色光および緑色光の一部を透過するとともに、青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより白色光を発光する白色波長変換層を有する副画素を含むことを特徴とする請求項１に記載の波長変換方式発光装置。
【請求項３】
青色光または青緑色光を発光する光源と、該光源上に設けられた波長変換基板と、を備え、
前記波長変換基板は、透明基板と、前記透明基板の一方の面に設けられた隔壁と、前記透明基板の一方の面のうち、前記隔壁によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層、波長変換層および励起光散乱層の少なくともいずれか１つと、前記隔壁によって区画された複数の領域に対応する複数の副画素から構成される画素と、を有し、
前記カラーフィルター層は、前記透明基板の一方の面に離散して配置された、赤色光のみを透過する赤色カラーフィルター層と、緑色光のみを透過する緑色カラーフィルター層と、青色光のみを透過する青色カラーフィルター層と、からなり、
前記波長変換層は、前記赤色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する赤色波長変換層と、前記緑色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて緑色光を発光する緑色波長変換層と、前記透明基板の一方の面に離散して設けられ、青色光の一部を透過するとともに、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより赤紫色光を発光する赤紫色波長変換層と、を有することを特徴とする波長変換方式発光装置。
【請求項４】
前記波長変換基板は、さらに、前記副画素として、青色光および緑色光の一部を透過するとともに、青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより白色光を発光する白色波長変換層を有する副画素を含むことを特徴とする請求項３に記載の波長変換方式発光装置。
【請求項５】
青色光または青緑色光を発光する光源と、該光源上に設けられた波長変換基板と、を備え、
前記波長変換基板は、透明基板と、前記透明基板の一方の面に設けられた隔壁と、前記透明基板の一方の面のうち、前記隔壁によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層、波長変換層、光透過層および励起光散乱層の少なくともいずれか１つと、前記隔壁によって区画された複数の領域に対応する複数の副画素から構成される画素と、を有し、
前記カラーフィルター層は、前記透明基板の一方の面に離散して配置された、赤色光のみを透過する赤色カラーフィルター層と、緑色光のみを透過する緑色カラーフィルター層と、を有し、
前記波長変換層は、前記赤色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する赤色波長変換層と、前記緑色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて緑色光を発光する緑色波長変換層と、前記透明基板の一方の面に離散して設けられ、青色光の一部を透過するとともに、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより赤紫色光を発光する赤紫色波長変換層と、を有し、
前記副画素の少なくとも１つは、前記透明基板の一方の面側から入射した、青色光または青緑色光を、前記透明基板の他方の面側にスペクトル形状を変えずに透過することを特徴とする波長変換方式発光装置。
【請求項６】
青色光が出射される副画素の面積は、青色光以外の光が出射される副画素の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の波長変換方式発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の波長変換方式発光装置を備えたことを特徴とする表示装置、照明装置、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換方式発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、軽量薄型、高応答速度、高コントラスト、低消費電力を実現できる等の点において、現在普及している液晶表示素子に対して優位性を有しており、次世代の表示装置として近年大変注目されている。
有機ＥＬ表示装置のフルカラー化の方法としては、これまで主に、（Ａ）ＲＧＢの３色をマスク蒸着によって塗り分ける３色塗り分け方法（例えば、特許文献１参照）、（Ｂ）白色有機ＥＬ素子にカラーフィルターを組み合わせてＲＧＢを透過させる方法（例えば、特許文献２参照）、（Ｃ）青色または青緑色有機ＥＬ素子に波長変換層を組み合わせた波長変換方式（例えば、特許文献３参照）の３つの方法が提案されている。
【０００３】
（Ａ）の方法は、３種の異なる発光材料をマトリクス状に配置する必要があるため、マスクの寸法精度、位置精度の難易度が高く、大面積化、高精細化が困難である。また、ＲＧＢ発光材料の寿命がそれぞれ異なることにより、色ずれが起こりやすいという問題もある。
（Ｂ）の方法は、有機発光層を単色で形成するため、大面積化、高精細化には有利であるが、白色光のエネルギーの大部分がカラーフィルターに吸収されてしまうため、白色光の利用効率が低く消費電力が高くなってしまうという問題がある。
（Ｃ）の方法は、大面積化、高精細化に有利である上に、効率も（Ｂ）よりも高くできる点で有望である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２５８８５９号公報
【特許文献２】特開平７−２２０８７１号公報
【特許文献３】特許第２７９５９３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
（Ｃ）の波長変換方式によって、青色または青緑色有機ＥＬ素子から緑色光、赤色光を取り出すにあたっては、青色または青緑色光源に含まれる波長の一部を吸収して励起される緑色蛍光体、赤色蛍光体を波長変換層として用いて緑色光、赤色光を発光させる。青色光または青緑色光として射出したフォトンは、できるだけ高効率で緑色光、赤色光に変換されることが望ましく、使用する蛍光体にもよるが、実際には緑色光、赤色光への変換効率は８０％程度になることが見込まれる。また、青色光については、有機ＥＬ素子から発光される青色光または青緑色光を、青色カラーフィルターを通すことによって、純青色光のみを外部に取り出す。この際に、有機ＥＬ素子の発光成分中の緑色成分の比率が高いほど、青色光の取り出し効率が低くなる。
【０００６】
さらに、このようにして取り出した青色光、緑色光、赤色光を混色して白色光を作る場合、ＲＧＢそれぞれの色度にもよるが、ＲＧＢそれぞれの輝度比をおよそ３：７：１に設定することによって白色光を実現できる。例えば、ＲＧＢの発光ピーク波長をそれぞれ、６１０ｎｍ、５３０ｎｍ、４５０ｎｍと仮定した場合、各色の比視感度は青色、緑色、赤色でそれぞれ、０．０３８、０．８６２、０．５０３となり、青色光の比視感度が赤色光、緑色光に比べて一桁以上小さいことから、ＲＧＢの面積を等しく設定して等しい電流を印加したとすると、ＲＧＢの輝度比を３：７：１にするためには、青色光の輝度が圧倒的に不足してしまうという問題がある。さらに、光源に緑色成分を含有する青緑色発光有機ＥＬ素子を用いた場合、青色サブ画素において緑色成分がカラーフィルターによって吸収されるため、青色光源を用いたとき以上に発光効率が低くなり、この傾向はより顕著となる。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、高効率で消費電力が低く、ホワイトバランスがとりやすい波長変換方式発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記事情を鑑みて、高効率で消費電力が低く、ホワイトバランスをとりやすい波長変換方式発光装置を提供することを目的として鋭意検討した結果、従来のＲＧＢの３原色に加えて、青色と緑色の両方の波長成分を含んだ青緑色光、青色と赤色の両方の波長成分を含んだ赤紫色光、並びに、青色、緑色および赤色の波長成分を含んだ白色光の少なくともいずれか１つを発する副画素を有する構造が好適であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
本発明の１つの態様の波長変換方式発光装置は、青色光または青緑色光を発光する光源と、該光源上に設けられた波長変換基板と、を備え、前記波長変換基板は、透明基板と、前記透明基板の一方の面に設けられた隔壁と、前記透明基板の一方の面のうち、前記隔壁によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層、波長変換層、光透過層および励起光散乱層の少なくともいずれか１つと、前記隔壁によって区画された複数の領域に対応する複数の副画素から構成される画素と、を有し、前記カラーフィルター層は、前記透明基板の一方の面に離散して配置された、赤色光のみを透過する赤色カラーフィルター層と、緑色光のみを透過する緑色カラーフィルター層と、を有し、前記波長変換層は、前記赤色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する赤色波長変換層と、前記緑色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて緑色光を発光する緑色波長変換層と、を有し、前記副画素の少なくとも１つは、前記透明基板の一方の面側から入射した、青色光または青緑色光を、前記透明基板の他方の面側にスペクトル形状を変えずに透過することを特徴とする。
【００１０】
本発明の１つの態様の波長変換方式発光装置において、前記波長変換基板は、さらに、前記副画素として、青色光および緑色光の一部を透過するとともに、青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより白色光を発光する白色波長変換層を有する副画素を含んでいてもよい。
【００１１】
本発明の１つの態様の波長変換方式発光装置は、青色光または青緑色光を発光する光源と、該光源上に設けられた波長変換基板と、を備え、前記波長変換基板は、透明基板と、前記透明基板の一方の面に設けられた隔壁と、前記透明基板の一方の面のうち、前記隔壁によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層、波長変換層および励起光散乱層の少なくともいずれか１つと、前記隔壁によって区画された複数の領域に対応する複数の副画素から構成される画素と、を有し、前記カラーフィルター層は、前記透明基板の一方の面に離散して配置された、赤色光のみを透過する赤色カラーフィルター層と、緑色光のみを透過する緑色カラーフィルター層と、青色光のみを透過する青色カラーフィルター層と、からなり、前記波長変換層は、前記赤色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する赤色波長変換層と、前記緑色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて緑色光を発光する緑色波長変換層と、前記透明基板の一方の面に離散して設けられ、青色光の一部を透過するとともに、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより赤紫色光を発光する赤紫色波長変換層と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の１つの態様の波長変換方式発光装置において、前記波長変換基板は、さらに、前記副画素として、青色光および緑色光の一部を透過するとともに、青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより白色光を発光する白色波長変換層を有する副画素を含んでいてもよい。
【００１３】
本発明の１つの態様の波長変換方式発光装置は、青色光または青緑色光を発光する光源と、該光源上に設けられた波長変換基板と、を備え、前記波長変換基板は、透明基板と、前記透明基板の一方の面に設けられた隔壁と、前記透明基板の一方の面のうち、前記隔壁によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層、波長変換層、光透過層および励起光散乱層の少なくともいずれか１つと、前記隔壁によって区画された複数の領域に対応する複数の副画素から構成される画素と、を有し、前記カラーフィルター層は、前記透明基板の一方の面に離散して配置された、赤色光のみを透過する赤色カラーフィルター層と、緑色光のみを透過する緑色カラーフィルター層と、を有し、前記波長変換層は、前記赤色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する赤色波長変換層と、前記緑色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて緑色光を発光する緑色波長変換層と、前記透明基板の一方の面に離散して設けられ、青色光の一部を透過するとともに、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより赤紫色光を発光する赤紫色波長変換層と、を有し、前記副画素の少なくとも１つは、前記透明基板の一方の面側から入射した、青色光または青緑色光を、前記透明基板の他方の面側にスペクトル形状を変えずに透過することを特徴とする。
【００１４】
本発明の１つの態様の波長変換方式発光装置において、青色光が出射される副画素の面積は、青色光以外の光が出射される副画素の面積よりも大きくてもよい。
【００１５】
本発明の１つの態様の表示装置、照明装置、電子機器は、本発明の１つの態様の波長変換方式発光装置を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、高効率で消費電力が低く、ホワイトバランスがとりやすい波長変換方式発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態である波長変換方式発光装置の概略構成を示す断面図。
【図２】本発明の第１実施形態である波長変換方式発光装置を構成する有機ＥＬ素子の概略構成を示す図。
【図３】本発明の第１実施形態である波長変換方式発光装置を示す上面図。
【図４】本発明の第１実施形態である波長変換方式発光装置のサブ画素の例を示す上面図。
【図５】本発明の第１実施形態である波長変換方式発光装置のサブ画素の例を示す上面図。
【図６】本発明の第２実施形態である波長変換方式発光装置の概略構成を示す断面図。
【図７】本発明の第２実施形態である波長変換方式発光装置を示す上面図。
【図８】本発明の第３実施形態である波長変換方式発光装置の概略構成を示す断面図。
【図９】本発明の第３実施形態である波長変換方式発光装置を示す上面図。
【図１０】本発明の第３実施形態である波長変換方式発光装置のサブ画素の例を示す上面図。
【図１１】本発明の第４実施形態である波長変換方式発光装置の概略構成を示す断面図。
【図１２】本発明の第４実施形態である波長変換方式発光装置を示す上面図。
【図１３】本発明の第５実施形態である波長変換方式発光装置の概略構成を示す断面図。
【図１４】本発明の第５実施形態である波長変換方式発光装置を示す上面図。
【図１５】本発明の第６実施形態である表示装置を示す概略正面図。
【図１６】表示装置における１画素（サブ画素）の等価回路を示す回路図。
【図１７】本発明の第７実施形態である照明装置を示す概略斜視図。
【図１８】本発明の第８実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図。
【図１９】本発明の第８実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図。
【図２０】本発明の第８実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図２１】本発明の第８実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図２２】本発明の第８実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図２３】本発明の第８実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図２４】実施例１において、波長変換基板のサブ画素を示す上面図。
【図２５】実施例２において、波長変換基板のサブ画素を示す上面図。
【図２６】実施例３において、波長変換基板のサブ画素を示す上面図。
【図２７】実施例４において、波長変換基板のサブ画素を示す上面図。
【図２８】実施例５において、波長変換基板のサブ画素を示す上面図。
【図２９】実施例６において、波長変換基板のサブ画素を示す上面図。
【図３０】実施例７において、波長変換基板のサブ画素を示す上面図。
【図３１】実施例８において、波長変換基板のサブ画素を示す上面図。
【図３２】比較例において、波長変換基板のサブ画素を示す上面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の波長変換方式発光装置並びにこれを備えた表示装置および電子機器の実施の形態について説明する。
なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をよりよく理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
【００１９】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態である波長変換方式発光装置の概略構成を示す断面図である。図２は、本発明の第１実施形態である波長変換方式発光装置を構成する有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。
図１に示すように、本実施形態の波長変換方式発光装置１００は、有機ＥＬ素子基板（光源）１０と、波長変換基板２０と、有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板２０との間に設けられた充填層３０と、を備え、アクティブ駆動方式で駆動されるトップエミッションタイプの発光装置である。本実施形態では、波長変換方式発光装置１００が有機ＥＬ発光装置である場合を例示する。
【００２０】
有機ＥＬ素子基板１０は、基板１１、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）回路１２、有機ＥＬ素子４０を主として構成されており、ＴＦＴ回路１２を備えた基板１１上に複数の有機ＥＬ素子４０が設けられている。
【００２１】
波長変換基板２０は、透明基板２１と、透明基板２１の一方の面２１ａに設けられた第２隔壁（バンク）２２と、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、第２隔壁２２によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層２３と、波長変換層２４と、光透過層２５と、励起光散乱層２６と、を主として構成されている。また、波長変換基板２０において、透明基板２１の一面２１ａ側に、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各サブ画素Ｓに対応したカラーフィルター層２３および波長変換層２４が設けられている。
【００２２】
本実施形態の波長変換方式発光装置１００は、光源である有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、波長変換層２４およびカラーフィルター層２３へと入射することで、赤色光、緑色光として波長変換基板２０の外側（透明基板２１の他方の面２１ｂ側、観測者側）へと射出され、有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、波長変換基板２０の外側にスペクトル形状を変えずに光透過層２５を透過し、有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、励起光散乱層２６およびカラーフィルター層２３へと入射することで、青色光として波長変換基板２０の外側へと射出されるようになっている。
本実施形態において、青色光とは、ピーク波長が４００ｎｍ以上４９５ｎｍ未満の光である。また、緑色光とは、ピーク波長が４９５ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の光である。また、赤色光とは、ピーク波長が５８０ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光である。また、青緑色光とは、青色領域と緑色領域のそれぞれに、上記の青色光と緑色光のピークを有するか、または、ピーク波長が４７０ｎｍ以上５２０ｎｍ未満の光である。
【００２３】
図２に示すように、有機ＥＬ素子４０は、有機ＥＬ層４１が第１電極４２と第２電極４３とにより挟持されて構成されている。図１に示すように、第１電極４２は、層間絶縁膜１３および平坦化膜１４を貫通して設けられたコンタクトホール１２ｂにより、ＴＦＴ回路１２の１つに接続されている。第２電極４３は、層間絶縁膜１３、平坦化膜１４を貫通して設けられた不図示の配線によりＴＦＴ回路１２の１つに接続されている。
【００２４】
図３は、波長変換方式発光装置１００を示す上面図である。
図３に示すように、本実施形態の波長変換方式発光装置１００は、複数の画素を有している。各画素は、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青緑（シアン）色（Ｃ）、青色光（Ｂ）のそれぞれに対応する４つのサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されている。
【００２５】
赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）は、ｙ軸に沿ってストライプ状に延長され、ｘ軸に沿って赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）が順に配置された、２次元的なストライプ配列とされている。
【００２６】
なお、図３に示す例では、ＲＧＢＣの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））がストライプ配列された例を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ＲＧＢＣの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））の配列はモザイク配列、デルタ配列等、従来公知の画素配列とすることもできる。
例えば、図４に示すように、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）が、ｘ軸およびｙ軸に沿って格子状に配置された、２次元的なストライプ配列とされていてもよい。また、図５に示すように、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）が、ｙ軸に沿って交互に直角三角形状に延長され、ｘ軸に沿って赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）が順に配置された、２次元的なストライプ配列とされていてもよい。
【００２７】
「有機ＥＬ素子基板」
有機ＥＬ素子基板１０は、図１に示すように、アクティブマトリクス基板１５と、アクティブマトリクス基板１５上に設けられた複数の有機ＥＬ素子４０と、第１隔壁（バンク）１６と、封止層１７とを有して構成されている。アクティブマトリクス基板１５は、基板１１、基板１１上に形成されたＴＦＴ回路１２、層間絶縁膜１３および平坦化膜１４を有する。
【００２８】
基板１１上には、ＴＦＴ回路１２および各種配線（図示略）が形成され、さらに、基板１１の上面およびＴＦＴ回路１２を覆うように層間絶縁膜１３と平坦化膜１４が順次積層形成されている。
【００２９】
基板１１としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、これらの基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、または、アルミニウム等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されない。
【００３０】
ＴＦＴ回路１２は、有機ＥＬ素子４０を形成する前に、予め基板１１上に形成され、スイッチング用および駆動用として機能する。ＴＦＴ回路１２としては、従来公知のＴＦＴ回路を用いることができる。また、本実施形態においては、スイッチング用および駆動用素子としてＴＦＴの代わりに金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。
【００３１】
ＴＦＴ回路１２は、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。ＴＦＴ回路１２の活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム−酸化ガリウム−酸化亜鉛等の酸化物半導体材料または、ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、ＴＦＴ回路１２の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型が挙げられる。
【００３２】
本実施形態で用いられるＴＦＴ回路１２のゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法等により形成されたＳｉＯ２またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等が挙げられる。また、本実施形態で用いられるＴＦＴ回路１２の信号電極線、走査電極線、共通電極線、第１駆動電極および第２駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。
【００３３】
層間絶縁膜１３は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、その材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、または、Ｓｉ２Ｎ４）、酸化タンタル（ＴａＯ、または、Ｔａ２Ｏ５）等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。
【００３４】
層間絶縁膜１３の形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウェットプロセスが挙げられる。また、必要に応じてフォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。
【００３５】
有機ＥＬ素子基板１０では、層間絶縁膜１３と遮光性絶縁膜とを組み合わせて用いることもできる。
遮光性絶縁膜としては、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散させたものや、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、ＮｉｘＺｎｙＦｅ２Ｏ４等の無機絶縁材料等が例示できる。
【００３６】
平坦化膜１４は、ＴＦＴ回路１２の表面の凸凹により有機ＥＬ素子４０の欠陥（例えば、画素電極の欠損、有機ＥＬ層の欠損、対向電極の断線、画素電極と対向電極の短絡、耐圧の低下等）等が発生することを防止するために設けられる。なお、平坦化膜１４は省略することも可能である。
【００３７】
平坦化膜１４は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。
平坦化膜１４の形成方法としては、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウェットプロセスが挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されない。
また、平坦化膜１４は、単層構造でも多層構造でもよい。
【００３８】
第１隔壁１６は、有機ＥＬ素子４０の周囲を取り囲み、各サブ画素Ｓを区画するようにして形成されている。第１隔壁１６は、基板１１の一方の面１１ａ上の少なくとも各サブ画素Ｓ間に形成され、第１電極４２と第２電極４３との間でリークを起こすことを防止する。
【００３９】
具体的に、第１隔壁１６は、基板１１に対向する第１端面１６ａと、第１端面１６ａに対向して第１端面１６ａの面積よりも小さい面積を有する第２端面１６ｂと、側面１６ｃと、を有した順テーパー形状となっている。ここで、「順テーパー形状」とは、基板１１から離れる方向に断面形状が細くなるテーパー形状のことをいう。
ここでは、第１隔壁１６が順テーパー形状となっている例を示したが、第１隔壁１６は、基板１１から離れる方向に断面形状が太くなる逆テーパー形状であってもよい。
【００４０】
第１隔壁１６は、有機ＥＬ素子４０からの光取り出し効率を考慮した白色のホワイトバンクからなる。これにより輝度が向上する。
第１隔壁１６は、絶縁材料を用いて、電子線（ＥＢ）蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができる。また、第１隔壁１６は、公知のドライ法またはウェット法のフォトリソグラフィー法によりパターン化することができる。なお、第１隔壁１６の形成方法は、これらの形成方法に限定されない。また、第１隔壁１６を構成する材料としては、特に限定されないが、公知の材料が用いられる。例えば、平坦化膜１４と同様の材料を用いることも可能である。
【００４１】
第１隔壁１６は、第１電極４２と第２電極４３との絶縁性を充分に確保することのできる膜厚を有する。第１隔壁１６の膜厚としては、例えば、１００ｎｍ〜２０００ｎｍであることが好ましい。第１隔壁１６の膜厚が１００ｎｍ未満であると、絶縁性が充分ではなく、第１電極４２と第２電極４３との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、第１隔壁１６の膜厚が２０００ｎｍを超えると、成膜プロセスに時間がかかるため生産性の悪化が懸念される。
【００４２】
第１隔壁１６は、その全体または表面（第１端面１６ａ、第２端面１６ｂ、側面１６ｃ）が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなることが好ましい。
【００４３】
熱伝導性の材料または熱放射性の材料としては、アルミニウム（Ａｌ、２３５Ｗ／ｍ・Ｋ）、銅（Ｃｕ、４０１Ｗ／ｍ・Ｋ）、銀（Ａｇ、４２８Ｗ／ｍ・Ｋ）、金（Ａｕ、３１８Ｗ／ｍ・Ｋ）、錫（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、銅合金、リン青銅、ステンレス、金合金、ニッケル合金、鉄合金等の合金、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、４６Ｗ／ｍ・Ｋ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２、８．３８Ｗ／ｍ・Ｋ）、酸化チタン（ＴｉＯ２、８．３８Ｗ／ｍ・Ｋ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ、６０Ｗ／ｍ・Ｋ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ、８．Ｗ／ｍ・Ｋ）等の金属酸化物等が挙げられる。
なお、上記の数値は、それぞれの材料の熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）を示している。また、第１隔壁１６に用いられる絶縁材料である、アクリル樹脂の熱伝導率は０．２Ｗ／ｍ・Ｋ、ポリイミド樹脂の熱伝導率は０．３Ｗ／ｍ・Ｋである。
【００４４】
第１隔壁１６の表面が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる場合、第１隔壁１６の表面に、熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜が設けられる。
第１隔壁１６の表面に熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜を形成する方法としては、上記の熱伝導性の材料または熱放射性の材料を用い、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウェットプロセスが挙げられる。
【００４５】
第１隔壁１６は、第１電極４２と第２電極４３との絶縁性を充分に確保することのできる膜厚を有する。第１隔壁１６の膜厚としては、例えば、１００ｎｍ〜２０００ｎｍであることが好ましい。第１隔壁１６の膜厚が１００ｎｍ未満であると、絶縁性が充分ではなく、第１電極４２と第２電極４３との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、第１隔壁１６の膜厚が２０００ｎｍを超えると、成膜プロセスに時間がかかるため、生産性の悪化が懸念される。
【００４６】
有機ＥＬ素子４０は、第１電極４２、有機ＥＬ層４１、第２電極４３を有する。
第１電極４２および第２電極４３は、有機ＥＬ素子４０の陽極または陰極として対で機能する。
図１、図２および以下の説明においては、第１電極４２が陽極、第２電極４３が陰極の場合を例に説明する。
【００４７】
第１電極４２および第２電極４３は、従来の電極材料を用いて形成することができる。
陽極である第１電極４２を形成する材料としては、有機ＥＬ層４１への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以上である金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属；インジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ２）インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
陰極である第２電極４３を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層４１への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以下であるリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属；これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金が挙げられる。
【００４８】
第１電極４２および第２電極４３の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。第１電極４２および第２電極４３の膜厚が５０ｎｍ以上であることにより、配線抵抗の上昇に伴う駆動電圧の上昇を抑制する効果が高くなる。
【００４９】
第２電極４３は、ＩＴＯやＩＤＩＸＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＳｎＯ２等を用いて透明電極を形成することもできる。第１電極４２と第２電極４３により微小共振器構造を構成する場合、第２電極４３として半透明電極を用いることが好ましい。
【００５０】
第２電極４３としては、金属の半透明電極と透明電極材料を組み合わせて用いることもできる。特に、半透明電極の材料としては、反射率と透過率の観点から、銀が好ましい。半透明電極の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍが好ましい。半透明電極の膜厚が５ｎｍ未満の場合には、光の反射が充分に行えず、干渉の効果を充分に得ることができない。また、半透明電極の膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから、有機ＥＬ素子４０の輝度および発光効率が低下するおそれがある。
【００５１】
有機ＥＬ層４１は、第１電極４２と第２電極４３との間に配置され、電圧が印加されることによって発光する。有機ＥＬ層４１は、例えば、図２に示すように、第１電極４２側から順に、正孔注入層４４、正孔輸送層４５、電子ブロッキング層４６、発光層４７、電子輸送層４８、電子注入層４９が設けられている（正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／電子輸送層／電子注入層）。本実施形態の発光層４７は、青色〜青緑色光を発光する単層構造とされている。
【００５２】
第１電極４２と第２電極４３により微小共振器構造が構成されると、第１電極４２と第２電極４３との干渉効果により、有機ＥＬ層４１の発光を正面方向（光取り出し方向）に集光することができる。その際、有機ＥＬ層４１の発光に指向性を持たせることができるため、周囲に逃げる発光損失を低減することができ、その発光効率を高めることができる。これにより、有機ＥＬ層４１で生じる発光エネルギーをより効率良く、波長変換層２４側へ出射させることができ、ひいては、有機ＥＬ素子４０の正面輝度を高めることができる。
【００５３】
また、第１電極４２と第２電極４３により構成される微小共振器構造によれば、有機ＥＬ層４１の発光スペクトルを調整することも可能となり、所望の発光ピーク波長および半値幅に調整することができる。これにより、有機ＥＬ層４１の発光スペクトルを、波長変換層２４中の有機蛍光色素を効果的に励起することが可能なスペクトルに制御することができる。
【００５４】
第１電極４２および第２電極４３は、上記の材料を用いてＥＢ（電子ビーム）蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により基板上に形成できるが、形成方法はこれらに限定されない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザ剥離法により、形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターニングした電極を形成することもできる。
【００５５】
正孔注入層４４は、第１電極４２から効率良く正孔を受け取り、正孔輸送層４５へ効率良く受け渡すために設けられている。正孔注入層４４に用いられる材料のＨＯＭＯレベルは、正孔輸送層４５に用いられるＨＯＭＯレベルよりも低く、第１電極４２の仕事関数よりも高いのが好ましい。正孔注入層４４は、単層でも多層であってもよい。
【００５６】
正孔注入層４４を構成する材料としては、銅フタロシアニン等のフタロシアニン誘導体；４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス［ビフェニル−２−イル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス［ビフェニル−３−イル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス［ビフェニル−４−イル（３−メチルフェニル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’、４”−トリス［９，９−ジメチル−２−フルオレニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン等のアミン化合物；酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等の酸化物等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００５７】
正孔輸送層４５は、正孔注入層４４から効率良く正孔を受け取り、発光層４７へ効率良く受け渡すために設けられている。正孔輸送層４５に用いられる材料のＨＯＭＯレベルは、正孔注入層４４のＨＯＭＯレベルよりも高く、発光層４７のＨＯＭＯレベルよりも低いのが好ましい。正孔輸送層４５に用いられる材料のＨＯＭＯレベルがそのような性質を有することが好ましい理由は、次の通りである。正孔輸送層４５が、正孔をより効率よく発光層４７に注入、輸送でき、発光に要する電圧の低減効果や発光効率の向上効果を得ることができるからである。
【００５８】
また、発光層４７からの電子の漏れを抑制できるように、正孔輸送層４５のＬＵＭＯレベルは発光層４７のＬＵＭＯレベルより低くするのが好ましい。このようにすれば、発光層４７での発光効率を高めることができる。また、正孔輸送層４５のバンドギャップは、発光層４７のバンドギャップより大きくするのが好ましい。このようにすれば、発光層４７中に励起子を効果的に閉じ込めることができる。
【００５９】
正孔輸送層４５は、単層であっても、多層であってもよい。正孔輸送層４５は、ドライプロセスやウェットプロセスを用い、正孔注入層４４と同じようにして形成することができる。
【００６０】
正孔輸送層４５を構成する材料としては、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等の酸化物；無機ｐ型半導体材料；ポルフィリン化合物；Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物；ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料；ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン−樟脳スルホン酸（ポリアニリン−カンファースルホン酸；ＰＡＮＩ−ＣＳＡ）、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子材料等が挙げられる。
【００６１】
正孔の注入・輸送性をより向上させるために、正孔注入層４４および正孔輸送層４５に、アクセプターをドープすることが好ましい。アクセプターとしては、有機ＥＬ用のアクセプター材料として公知のものが用いられる。
アクセプター材料としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、イリジウム（Ｉｒ）、塩化ホスホリル（ＰＯＣｌ３）、五フッ化ヒ素（ＡｓＦ５）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等の無機材料；ＴＣＮＱ（７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＱＦ４（テトラフルオロテトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＥ（テトラシアノエチレン）、ＨＣＮＢ（ヘキサシアノブタジエン）、ＤＤＱ（ジシクロジシアノベンゾキノン）等のシアノ基を有する化合物；ＴＮＦ（トリニトロフルオレノン）、ＤＮＦ（ジニトロフルオレノン）等のニトロ基を有する化合物；フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料等が挙げられる。
これらの中でも、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱＦ４、ＴＣＮＥ、ＨＣＮＢ、ＤＤＱ等のシアノ基を有する化合物が、キャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。
【００６２】
電子ブロッキング層４６は、正孔注入層４４および正孔輸送層４５と同種の材料を用いて形成することができる。ただし、その材料のＬＵＭＯレベルの絶対値は、電子ブロッキング層４６と接する発光層４７が含む正孔注入層４４の材料のＬＵＭＯレベルの絶対値より小さいのが好ましい。
電子をより効果的に発光層４７中に閉じ込めることができるからである。
電子ブロッキング層４６は、単層であっても、多層であってもよい。電子ブロッキング層４６は、ドライプロセスやウェットプロセスを用い、正孔注入層４４と同じようにして形成することができる。
【００６３】
発光層４７は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよい。また、これらの各材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率および耐久性の観点からは、発光層４７の材質は、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。
【００６４】
有機発光材料としては、有機ＥＬ素子向けの公知の発光材料を用いることができる。
このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類される。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されない。
また、有機発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよい。有機発光材料としては、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。
【００６５】
発光層４７の材料として、発光性化合物である発光性のドーパント（発光材料）と、従来のホスト材料とを組み合わせて用いる場合、ホスト材料としては、公知の有機ＥＬ用のホスト材料が用いられる。このようなホスト材料としては、４，４’−ビス（カルバゾール）ビフェニル、９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６−ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、ポリ（Ｎ−オクチル−２，７−カルバゾール−Ｏ−９，９−ジオクチル−２，７−フルオレン）（ＰＣＦ）、１，３，５−トリス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ＴＣＰ）、９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）−フェニル］フルオレン（ＦＬ−２ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体；４−（ジフェニルフォスフォイル）−Ｎ，Ｎ-ジフェニルアニリン（ＨＭ−Ａ１）等のアニリン誘導体；１，３−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）等のフルオレン誘導体；１，３，５−トリス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］ベンゼン（ＴＤＡＰＢ）；１，４−ビストリフェニルシリルベンゼン（ＵＧＨ−２）；１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ−３）；９−（４−ターシャルブチルフェニル）−３，６−ビス（トリフェニルシリル）−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＳｉ）等が挙げられる。
【００６６】
発光層４７の材料として、発光性化合物である発光性のドーパント（発光材料）と、従来のホスト材料とを組み合わせて用いる場合、発光性のドーパントとしては、公知の有機ＥＬ用の発光性のドーパント材料が用いられる。このような発光性のドーパントとしては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３）、ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート  イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒＰｉｃ）、ビス（４’，６’−ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１−ピラゾイル）ボレートイリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒ６）、トリス（１−フェニル−３−メチルベンゾイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（Ｐｍｂ）３）、ビス（２，４−ビフルオロフェニルピリジナト）（５−（ピリジン−２−イル）−１Ｈ−テトラゾネート）イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒＮ４）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、トリス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、ビス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｆｌｉｑ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｆｌｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（２−ｐｈｑ）３）、トリス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（２−ｐｈｑ）２（ａｃａｃ））等のイリジウム錯体；ビス（３−トリフルオロメチル−５−（２−ピリジル）−ピラゾネート）（ジメチルフェニルフォスフィン）オスミウム（Ｏｓ（ｆｐｐｚ）２（ＰＰｈＭｅ２）２）、ビス（３−トリフルオロメチル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾネート）（ジフェニルメチルフォスフィン）オスミウム（Ｏｓ（ｂｐｆｔｚ）２（ＰＰｈ２Ｍｅ）２）等のオスミウム錯体；５，１０，１５，２０−テトラフェニルテトラベンゾポリフィリン白金等の白金錯体；等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。
【００６７】
発光性化合物としては、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。
【００６８】
発光層４７の膜厚は、５ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。
【００６９】
電子輸送層４８を構成する材料としては、ｎ型半導体である無機材料；オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ−ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等の高分子材料等が挙げられる。なお、本明細書において「誘導体」とは、例えば、元の化合物の１個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換された構造を有する化合物を意味する。
【００７０】
電子注入層４９は、第２電極４３から効率良く電子を受け取り、電子輸送層４８へ効率良く受け渡すために設けられている。
電子注入層４９を構成する材料としては、特に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）等のフッ化物；酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。
陰極である第２電極４３から電子の注入・輸送をより効率よく行う点で、電子注入層４９を構成する材料としては、電子輸送層４８に用いる材料よりも最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましく、電子輸送層４８を構成する材料としては、電子注入層４９に用いる材料よりも電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
【００７１】
電子の注入、輸送をより効率よく行うために、電子注入層４９に用いる材料は、電子輸送層４８に用いられる材料よりもＬＵＭＯレベルが高いものが好ましい。また、電子輸送層４８に用いる材料は、電子注入層４９に用いられる材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
【００７２】
電子の注入・輸送性をより向上させるために、電子注入層４９および電子輸送層４８に、ドナーをドープすることが好ましい。ドナーとしては、有機ＥＬ用のドナー材料として公知のものが用いられる。
ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）等の無機材料；アニリン類；フェニレンジアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン等のベンジジン類；トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン類；Ｎ，Ｎ’−ジ−（４−メチル−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン等のトリフェニルジアミン類の芳香族３級アミンを骨格に有する化合物；フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物（ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい）；ＴＴＦ（テトラチアフルバレン）類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等の有機材料等が挙げられる。
これらの中でも、キャリア濃度をより効果的に増加させることが可能であることから、芳香族３級アミンを骨格に有する化合物、縮合多環化合物、アルカリ金属がより好ましい。
【００７３】
なお、有機ＥＬ層４１の構成はこれに限定されず、必要に応じて適宜設定することができる。例えば、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の構成、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の構成、正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／正孔ブロッキング層／電子注入層の構成にすることもできる。
【００７４】
有機ＥＬ層４１を構成している各層の形成方法としては、上記の材料を溶媒に、溶解または分散させてなる有機ＥＬ層形成用組成物を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法や、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウェットプロセスにより形成する方法；上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセスにより形成する方法；レーザ転写法等により形成する方法等が挙げられる。なお、ウェットプロセスにより有機ＥＬ層４１を形成する場合には、有機ＥＬ層形成用組成物は、レベリング剤、粘度調整剤等の、組成物の物性を調整するための添加剤が配合されてなるものでもよい。
【００７５】
封止層１７は、基板１１の一方の面１１ａ上に設けられた複数の有機ＥＬ素子４０を封止するものである。封止層１７は、第１隔壁１６と第１隔壁１６によって区画された有機ＥＬ素子４０との表面を覆うようにして形成されている。封止層１７により、外部から有機ＥＬ素子４０内へ酸素や水分や混入するのを防止することができ、ひいては、有機ＥＬ素子４０の寿命を向上させることができる。
【００７６】
封止層１７の形成方法としては、例えば、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等が挙げられる。また、封止層１７の材料としては、有機物であればフタロシアニン等が挙げられ、無機物であればＳｉＯＮやＳｉＯ、ＳｉＮ等が挙げられる。
【００７７】
「波長変換基板」
波長変換基板２０は、透明基板２１と、透明基板２１の一方の面２１ａに設けられた第２隔壁（バンク）２２と、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、第２隔壁２２によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層２３と、波長変換層２４と、光透過層２５と、励起光散乱層２６と、を有して構成されている。
【００７８】
透明基板２１としては、特に限定されないが、従来の有機ＥＬ表示装置で使用される光透過性を有する基板が用いられる。透明基板２１の材料としては、例えば、透明無機ガラス基板、各種透明プラスチック基板、各種透明フィルム等が挙げられる。
【００７９】
第２隔壁２２は、サブ画素Ｓ同士の間に形成されるもので、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）の間に形成されている。
具体的に、第２隔壁２２は、透明基板２１に対向する第１端面２２ａと、第１端面２２ａに対向して第１端面２２ａの面積よりも小さい面積を有する第２端面２２ｂと、側面２２ｃと、を有した順テーパー形状となっている。ここで、「順テーパー形状」とは、透明基板２１から離れる方向に断面形状が細くなるテーパー形状のことをいう。
【００８０】
第２隔壁２２の材料としては有機樹脂を用いることができる。第２隔壁２２の形成方法としては、塗布法を用いることができ、特に、フォトプロセスを用いることが好ましい。第２隔壁２２の膜厚は、波長変換層２４をインクジェット塗布法で形成する際に波長変換層材料が所定のサブ画素領域外にあふれるのを防止できる大きさであることが好ましい。
【００８１】
第２隔壁２２は、その全体または表面（第１端面２２ａ、第２端面２２ｂ、側面２２ｃ）が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなることが好ましい。
【００８２】
熱伝導性の材料または熱放射性の材料としては、第１隔壁１６と同様の材料が用いられる。
【００８３】
第２隔壁２２の表面が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる場合、第２隔壁２２の表面に、熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜が設けられる。
第２隔壁２２の表面に熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜を形成する方法としては、上記の熱伝導性の材料または熱放射性の材料を用い、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウェットプロセスが挙げられる。
【００８４】
また、透明基板２１と第２隔壁２２との間には、図示しないブラックマトリックスが設けられていてもよい。
ブラックマトリックスの材料としては、アクリル樹脂中に黒色化するためのカーボンブラック等の着色剤を含有した材料、液晶用ブラックマトリックス材料等が用いられる。
【００８５】
カラーフィルター層２３は、特定の波長の発光を得るもので、それ以外の波長の光を削減する機能を有する。
カラーフィルター層２３は、透明基板２１の一方の面２１ａに形成された、赤色カラーフィルター層２３Ｒ、緑色カラーフィルター層２３Ｇ、青色カラーフィルター層２３Ｂを有する。赤色カラーフィルター層２３Ｒにより赤色画素部Ｓ（Ｒ）が設定され、緑色カラーフィルター層２３Ｇにより緑色画素部Ｓ（Ｇ）が設定され、青色カラーフィルター層２３Ｂにより青色画素部Ｓ（Ｂ）が設定されることになる。
赤色カラーフィルター層２３Ｒは、赤色光のみを透過し、緑色カラーフィルター層２３Ｇは、緑色光のみを透過し、青色カラーフィルター層２３Ｂは、青色光のみを透過する。
【００８６】
波長変換層２４は、入射光を吸収して、異なる波長域の光を放射する機能を有する。具体的に、波長変換層２４は、入射光（基板１１上に搭載される複数の有機ＥＬ素子４０から放出される光）の一部を吸収して波長分布変換を行い、入射光の非吸収分と変換光とを含む光（入射光とは異なる波長分布を有する光）を放出する層である。
【００８７】
波長変換層２４は、複数種の色変換色素（波長変換色素）からなる層であり、本実施形態においては赤色波長変換層２４Ｒおよび緑色波長変換層２４Ｇを有する。赤色波長変換層２４Ｒは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置に選択的に設けられている。緑色波長変換層２４Ｇは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置に選択的に設けられている。赤色波長変換層２４Ｒは、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置であって、赤色カラーフィルター２３Ｒの表面に積層されている。緑色波長変換層２４Ｇは、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置であって、緑色カラーフィルター２３Ｇの表面に積層されている。
【００８８】
波長変換層２４を形成する波長変換材料としては、例えば、マトリクス樹脂中に蛍光体（色変換色素）や金属錯体を混合した材料や高分子発光材料、無機蛍光体材料や量子ドットが用いられる。
波長変換層２４の成膜方法としては、例えば、波長変換材料を溶媒に溶解した蛍光塗料を用いた、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、または、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウェットプロセスが挙げられる。
また、波長変換層２４の成膜方法としては、例えば、蛍光体を用いた、抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、または、レーザ転写法等が挙げられる。
【００８９】
色変換色素は、少なくとも赤色の蛍光を発する蛍光色素の１種類以上を用い、さらに緑色の蛍光を発する蛍光色素の１種類以上と組み合わせてもよい。すなわち、光源として青色光または青緑色光を発光する有機ＥＬ素子４０を用いる場合、有機ＥＬ素子４０からの光を単なる赤色フィルタに通して赤色光を得ようとすると、元々赤色の波長の光が少ないために極めて暗い出力光になってしまう。したがって、有機ＥＬ素子４０からの青色光または青緑色光を、波長変換層２４の蛍光色素によって赤色光に変換することにより、充分な強度を有する赤色光の出力が可能となる。
【００９０】
一方、緑色光は、赤色光と同様に、有機ＥＬ素子４０からの光を別の有機蛍光色素によって緑色光に変換させて出力してもよい。あるいは、有機ＥＬ素子４０の発光が緑色光を充分に含んでいれば、有機ＥＬ素子４０からの光を単に緑色フィルタを通して出力してもよい。
【００９１】
有機ＥＬ素子４０から放出された光のうち、青色光または青緑色光を吸収して、赤色の蛍光を発する有機蛍光色素としては、例えば、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ＤＣＭ−２、ＤＣＪＴＢ等のシアニン系色素；１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート（ピリジン１）等のピリジン系色素；ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２等のキサンテン系色素；ルモゲンオレンジ、ルモゲンピンク、ルモゲンレッド、ソルベントオレンジ５５等のペリレン系色素；３−（ベンゾチアゾール−２−イル）−７−（ジエチルアミノ）−２−オキソ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−４−カルボニトリル等のクマリン系色素；オキサジン系色素；クリセン系色素；チオフラビン系色素；ピレン系色素；アントラセン系色素；アクリドン系色素；アクリジン系色素；フルオレン系色素；ターフェニル系色素；エテン系色素；ブタジエン系色素；ヘキサトリエン系色素；オキサゾール系色素；スチルベン系色素；ジフェニルメタン系色素、トリフェニルメタン系色素；チアゾール系色素；チアジン系色素；ナフタルイミド系色素；アントラキノン系色素等の有機色素が挙げられるが、これらに限定されない。さらに、赤色の蛍光を発する有機蛍光色素としては、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば使用することができる。
【００９２】
有機ＥＬ素子４０から放出された光のうち、青色光または青緑色光を吸収して、緑色の蛍光を発する有機蛍光色素としては、例えば、２，３，５，６−１Ｈ、４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、１０−（ベンゾチアゾール−２−イル）−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−［１］ベンゾピラノ［６，７，８‐ｉｊ］キノリジン−１１−オン（クマリン５４５）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、クマリン５４５Ｐ、７−ジエチルアミノ−３−（５−クロロベンゾオキサゾール−２−イル）クマリン等のクマリン系色素；ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー９８、ソルベントイエロー１１６、ソルベントイエロー４３、ソルベントイエロー４４等のナフタルイミド系色素；ルモゲンイエロー、ルモゲングリーン、ソルベントグリーン５等のペリレン系色素；フルオレセイン系色素；アゾ系色素；フタロシアニン系色素；アントラキノン系色素；キナクリドン系色素；イソインドリノン系色素；チオインジゴ系色素；ジオキサジン系色素等の有機色素が挙げられるが、これらに限定されない。さらに、緑色の蛍光を発する有機蛍光色素としては、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば使用することができる。
【００９３】
ウェットプロセスによって波長変換層２４を形成する場合、色変換色素とマトリクス樹脂を溶剤に溶解、または分散して塗料化する。プロセスによって溶剤に要求される最適な粘度や沸点は異なるため、溶剤は、プロセスに応じて適宜選択される。溶剤は１種類であってもよいし、２種類以上のものを任意の比率で混合して用いてもよい。
【００９４】
本実施形態の波長変換層２４に用いられるマトリクス樹脂は、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂（レジスト）を、光および／または熱処理して、ラジカル種またはイオン種を発生させて重合または架橋させ、不溶不融化させたものである。
【００９５】
また、パターニングに必要な波長変換層２４の材料としては、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂を有するとともに、未露光の状態において有機溶媒またはアルカリ溶液に可溶性であることが望ましい。
【００９６】
具体的に、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂は、（１）アクロイル基やメタクロイル基を複数有するアクリル系多官能モノマーおよびオリゴマーと、光または熱重合開始剤とからなる組成物、（２）ボリビニル桂皮酸エステルと増感剤とからなる組成物、（３）鎖状または環状オレフィンとビスアジドとからなる組成物、および（４）エポキシ基を有するモノマーと酸発生剤とからなる組成物等を含む。特に（１）のアクリル系多官能モノマーおよびオリゴマーと、光または熱重合開始剤とからなる組成物が、高精細なパターニングが可能であること、および耐溶剤性、耐熱性等の信頼性が高いことから好ましい。前述したように、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂に光および／または熱を作用させて、マトリクス樹脂を形成する。
【００９７】
本実施形態で用いることができる光重合開始剤、増感剤および酸発生剤は、含まれる蛍光変換色素が吸収しない波長の光によって重合を開始させるものであることが好ましい。
波長変換層２４において、光硬化性を有する樹脂または光熱併用型硬化性樹脂中の樹脂が、光または熱により重合することが可能である場合には、光重合開始剤および熱重合開始剤を添加しないことも可能である。
【００９８】
本実施形態に用いる有機蛍光色素を、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂およびこれらの樹脂混合物等に予め練り込んで顔料化して、有機蛍光顔料としてもよい。また、これらの有機蛍光色素や有機蛍光顔料（以下、有機蛍光色素と有機蛍光顔料とを合わせて有機蛍光色素と総称する。）は単独で用いてもよく、蛍光の色相を調整するために２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９９】
本実施形態に用いる有機蛍光色素は、波長変換層２４に対して、波長変換層２４の質量を基準として、０．０１質量％〜５質量％含有され、より好ましくは０．１質量％〜２質量％含有される。もし、有機蛍光色素の含有量が、波長変換層２４の質量に対して０．０１質量％未満ならば、波長変換層２４が充分な波長変換を行うことができない。また、有機蛍光色素の含有量が、波長変換層２４の質量に対して５質量％を超えるならば、濃度消光等の効果により波長変換層２４における色変換効率の低下をもたらす。
【０１００】
赤色波長変換層２４Ｒおよび緑色波長変換層２４Ｇの膜厚は、１００ｎｍ〜１００μｍであることが好ましく、１μｍ〜１００μｍであることがより好ましい。赤色波長変換層２４Ｒおよび緑色波長変換層２４Ｇは、膜厚が１００ｎｍ以上であることで、有機ＥＬ素子４０からの励起光（青色光または青緑色光）を充分に吸収でき、波長変換方式発光装置１００における発光効率が向上する。また、有機ＥＬ素子４０からの青色光または青緑色光の吸収を高め、色純度の悪影響を及ぼさない程度に赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）における青色の透過光を低減するためには、赤色波長変換層２４Ｒおよび緑色波長変換層２４Ｇの膜厚は１μｍ以上であることが好ましい。赤色波長変換層２４Ｒおよび緑色波長変換層２４Ｇは、膜厚が１００μｍを超えても、有機ＥＬ素子４０からの青色光は既に充分吸収されているため、波長変換方式発光装置１００における発光効率の向上には繋がらない。そこで、材料コストを低減できる点から、赤色波長変換層２４Ｒおよび緑色波長変換層２４Ｇの膜厚は１００μｍ以下であることが好ましい。
【０１０１】
光透過層２５は、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）に、有機ＥＬ素子４０放出される光を散乱させて視野角を改善する目的で設けられる。また、光透過層２５は、透明基板２１の一方の面２１ａ側から入射した、青色光または青緑色光を、透明基板２１の他方の面２１ｂ側にスペクトル形状を変えずに透過する層である。
光透過層２５は、蛍光体（色変換色素）を含まない散乱層である。散乱層は、バインダー樹脂と、バインダー樹脂に分散された透明粒子とから構成されている。
散乱層の膜厚は１μｍ〜１００μｍであることが好ましく、２μｍ〜５０μｍであることがより好ましい。
【０１０２】
散乱層を構成するバインダー樹脂としては、特に限定されず、例えば、公知のものが用いられ、光透過性を有するものが好ましい。
透明粒子としては、有機ＥＬ素子４０からの光を散乱または透過させることができるものであれば特に限定されず、例えば、平均粒子径が２５μｍ、粒度分布の標準偏差が１μｍのポリスチレン粒子等が挙げられる。
散乱層中の透明粒子の含有量は、特に限定されず、目的とする視野角等に応じて適宜調節される。
【０１０３】
散乱層の形成方法としては、特に限定されず、公知の方法が用いられる。散乱層の形成方法としては、例えば、バインダー樹脂および透明粒子を、溶媒に溶解または分散させてなる散乱層形成用組成物を用いた、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、または、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウェットプロセスが挙げられる。
【０１０４】
励起光散乱層２６は、青色画素部Ｓ（Ｂ）において、青色カラーフィルター層２３Ｂ上に積層され、有機ＥＬ素子４０放出される光を散乱させて視野角を改善する目的で設けられる。
励起光散乱層２６は、蛍光体（色変換色素）を含まない散乱層である。散乱層は、バインダー樹脂と、バインダー樹脂に分散された透明粒子とから構成されている。
励起光散乱層２６の膜厚は、１μｍ〜１００μｍであることが好ましく、２μｍ〜５０μｍであることがより好ましい。
【０１０５】
励起光散乱層２６を構成するバインダー樹脂および透明粒子としては、光透過層２５を形成する散乱層に用いられるものと同様のものが用いられる。
【０１０６】
励起光散乱層２６の形成方法としては、光透過層２５を形成する散乱層の形成方法と同様の方法が用いられる。
【０１０７】
また、透明基板２１と第２隔壁２２との間に、金属からなる補助電極（補助配線）２７が設けられている。さらに、補助電極２７に、図示しない外部電源と接続するための給電点２８が、第２隔壁２２の第１端面２２ａに設けられている。
【０１０８】
補助電極２７は、公知の材料を用いて形成することができ、その材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｏ等が挙げられる。
給電点２８は、公知の材料を用いて形成することができ、その材料としては、例えば、銀ペーストやカーボンペースト等が挙げられる。
【０１０９】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、有機ＥＬ素子基板１０の第１隔壁１６と、波長変換基板２０の第２隔壁２２とが対向するように、有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板２０とが対向して配置されている。
すなわち、図１に示すように、第１隔壁１６の第２端面１６ｂと、第２隔壁２２の第２端面２２ｂとが当接して、第１隔壁１６と第２隔壁２２とが対向するように、有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板２０とが対向して配置されている。
【０１１０】
有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板２０とは、有機ＥＬ素子基板１０および波長変換基板２０のいずれか一方の基板の周縁部に沿って配置されたシール部材３１を介して貼り合わされている。
【０１１１】
充填層３０は、有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板２０との間であって、シール部材３１によって囲まれた空間内に設けられる。
充填層３０は、透明性媒体からなる。透明性媒体としては、空気、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス、低屈折率の樹脂材料が用いられる。
【０１１２】
また、透明性媒体としては、イオン液体等の導電性充填剤が好ましい。イオン液体を構成するカチオンとしては、例えば、テトラアルキルアンモニウムイオン、テトラアルキルホスホニウムイオン、ジアルキルピペリジニウムイオン、ジアルキルイミダゾリウムイオン、トリアルキルイミダゾリウムイオン、トリアルキルスルホニウムイオン、アルキルピリジニウムイオン等が挙げられる。
充填層３０を構成する透明性媒体として導電性充填剤を用いることにより、有機ＥＬ素子４０の有機ＥＬ層４１で発生した熱や、ＴＦＴ回路１２の駆動や配線抵抗による熱を、充填層３０を介して、効率よく装置の外部（波長変換基板２０の透明基板２１側）に放出することができる。
【０１１３】
また、イオン液体を構成するアニオンとしては、例えば、ヘキサフルオロホスファートイオン、テトラフルオロボレートイオン、メタンスルホン酸イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酸イオン、チオシアン酸イオン、ジシアナミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ジブチルフォスファートイオン等が挙げられる。
【０１１４】
透明な導電性充填剤としてイオン液体を用いる場合、イオン液体は、融点が常温以下であること、室温付近で低粘度の液体であること、紫外領域に吸収をもつ液体であることが好ましい。
【０１１５】
本実施形態の波長変換方式発光装置１００は、高効率で消費電力が低く、かつホワイトバランスがとりやすくなる。
【０１１６】
なお、本実施形態では、有機ＥＬ素子基板１０と、波長変換層２４が設けられた波長変換基板２０とが貼り合わせられている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、有機ＥＬ素子基板１０上に保護層を積層し、その保護層上に波長変換層２４を直接、積層してもよい。
【０１１７】
また、本実施形態では、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積（青色光が出射される面の面積）と、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積（赤色光が出射される面の面積）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積（緑色光が出射される面の面積）および青緑色画素部Ｓ（Ｃ）の面積（青緑色光が出射される面の面積）とが等しい場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積が、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積および青緑色画素部Ｓ（Ｃ）の面積よりも大きいことが好ましい。このようにすれば、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積と、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積および青緑色画素部Ｓ（Ｃ）の面積とが等しい場合よりも白色輝度を高めることができる。
【０１１８】
ところで、表示装置として理想的な白色を表示する場合、白色の輝度は、最も視感度が低い青色の輝度を基準として決定される。従来、ＲＧＢの画素面積は多くの場合、等しくなっている。そこで、本実施形態では、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）を設けたり、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積を他の画素部Ｓの面積よりも大きくしたりすることにより、青色光の出射面積を相対的に増加させて、青色の輝度を向上させることを可能としている。これにより、白色の絶対輝度が向上する。
また、従来、ＲＧＢの画素面積が等しく、発光効率や視感度の低い色の画素から理想的なホワイトバランスを実現するために必要な輝度を得るためには、発光効率や視感度の低い色の画素に対して、発光効率の高い色の画素よりも大きな電流を流す必要があった。そのため、発光効率や視感度の低い色の画素の寿命が短くなり、各色の画素の劣化速度が異なることによるホワイトバランスの経時変化に伴うズレが生じやすかった。
これに対して、本実施形態によれば、青色光の出射面積を相対的に増加させることにより、発光効率や視感度の低い色の画素に対する大きな電流を流す負担が軽減されるため、信頼性に優れた（長寿命化が可能な）波長変換方式発光装置１００を提供することができる。
【０１１９】
また、波長変換方式の発光装置の消費電力を低減するためには、深青色光源を使用することが望ましい。しかしながら、深青色を発光する高効率な発光材料の実現は非常に困難である。一方、青緑色光源の材料としては、Ｉｒ（ｐｐｙ）３等の高効率な燐光材料が多数提案されている。本実施形態は、深青色光源のみならず、青緑色光源を用いた場合にも、青緑色光そのものを活用することができるため、高効率な発光装置が得られるという利点がある。
【０１２０】
［第２実施形態］
図６は、本発明の第２実施形態である波長変換方式発光装置の概略構成を示す断面図である。図６において、図１に示した第１実施形態の波長変換方式発光装置と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
図６に示すように、本実施形態の波長変換方式発光装置２００は、有機ＥＬ素子基板１０と、波長変換基板２１０と、有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板２１０との間に設けられた充填層３０と、を備え、アクティブ駆動方式で駆動されるトップエミッションタイプの発光装置である。本実施形態では、波長変換方式発光装置２００が有機ＥＬ発光装置である場合を例示する。
【０１２１】
波長変換基板２１０は、透明基板２１と、透明基板２１の一方の面２１ａに設けられた第２隔壁２２と、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、第２隔壁２２によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層２３と、波長変換層２４と、光透過層２５と、励起光散乱層２６と、を主として構成されている。また、波長変換基板２１０は、透明基板２１の一面２１ａ側に、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青），Ｗ（白）の各サブ画素Ｓに対応したカラーフィルター層２３および波長変換層２４が設けられている。
【０１２２】
本実施形態の波長変換方式発光装置２００は、光源である有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、波長変換層２４およびカラーフィルター層２３へと入射することで、赤色光、緑色光、白色光として波長変換基板２０の外側（透明基板２１の他方の面２１ｂ側、観測者側）へと射出され、有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、波長変換基板２０の外側にスペクトル形状を変えずに光透過層２５を透過し、有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、励起光散乱層２６およびカラーフィルター層２３へと入射することで、青色光として波長変換基板２０の外側へと射出されるようになっている。
本実施形態において、青色光とは、ピーク波長が４００ｎｍ以上４９５ｎｍ未満の光である。また、緑色光とは、ピーク波長が４９５ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の光である。また、赤色光とは、ピーク波長が５８０ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光である。また、青緑色光とは、青色領域と緑色領域のそれぞれに、上記の青色光と緑色光のピークを有するか、または、ピーク波長が４７０ｎｍ以上５２０ｎｍ未満の光である。また、白色光とは、ＣＩＥ１９３ＸＹＺ表示系のｘｙ色度図における色度（ｘ，ｙ）が０．２２≦ｘ≦０．４４、かつ０．２２≦ｙ≦０．４４である。
【０１２３】
図７は、波長変換方式発光装置２００を示す上面図である。
図７に示すように、本実施形態の波長変換方式発光装置２００は、複数の画素を有している。各画素は、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青緑色（Ｃ）、青色光（Ｂ）、白色光（Ｗ）のそれぞれに対応する５つのサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ））から構成されている。
【０１２４】
赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）は、ｙ軸に沿ってストライプ状に延長され、ｘ軸に沿って赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）が順に配置された、２次元的なストライプ配列とされている。
【０１２５】
なお、図７に示す例では、ＲＧＢＣＷの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ））がストライプ配列された例を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ＲＧＢＣＷの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ））の配列はモザイク配列、デルタ配列等、従来公知の画素配列とすることもできる。
【０１２６】
「波長変換基板」
波長変換基板２１０は、透明基板２１と、透明基板２１の一方の面２１ａに設けられた第２隔壁２２と、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、第２隔壁２２によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層２３と、波長変換層２４と、光透過層２５と、励起光散乱層２６と、を有して構成されている。
【０１２７】
第２隔壁２２は、サブ画素Ｓ同士の間に形成されるもので、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）の間に形成されている。
【０１２８】
波長変換層２４は、複数種の色変換色素（波長変換色素）からなる層であり、本実施形態においては赤色波長変換層２４Ｒ、緑色波長変換層２４Ｇおよび白色波長変換層２４Ｗを有する。赤色波長変換層２４Ｒは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置に選択的に設けられている。緑色波長変換層２４Ｇは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置に選択的に設けられている。白色波長変換層２４Ｗは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、白色画素部Ｓ（Ｗ）に対応する位置に選択的に設けられている。赤色波長変換層２４Ｒは、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置であって、赤色カラーフィルター２３Ｒの表面に積層されている。緑色波長変換層２４Ｇは、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置であって、緑色カラーフィルター２３Ｇの表面に積層されている。白色波長変換層２４Ｗは、白色画素部Ｓ（Ｗ）に対応する位置に、カラーフィルターを介することなく設けられている。
【０１２９】
白色波長変換層２４Ｗを形成する波長変換材料としては、マトリクス樹脂と、マトリクス樹脂中に分散され、青色光および緑色光の一部を透過するとともに、青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料とを含有するものが用いられる。
【０１３０】
有機ＥＬ素子４０から放出された光のうち、青色光および緑色光の一部を透過するとともに、青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料としては、例えば、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ＤＣＭ−２、ＤＣＪＴＢ等のシアニン系色素；１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート（ピリジン１）等のピリジン系色素；ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２等のキサンテン系色素；ルモゲンオレンジ、ルモゲンピンク、ルモゲンレッド、ソルベントオレンジ５５等のペリレン系色素；３−（ベンゾチアゾール−２−イル）−７−（ジエチルアミノ）−２−オキソ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−４−カルボニトリル等のクマリン系色素；オキサジン系色素；クリセン系色素；チオフラビン系色素；ピレン系色素；アントラセン系色素；アクリドン系色素；アクリジン系色素；フルオレン系色素；ターフェニル系色素；エテン系色素；ブタジエン系色素；ヘキサトリエン系色素；オキサゾール系色素；スチルベン系色素；ジフェニルメタン系色素、トリフェニルメタン系色素；チアゾール系色素；チアジン系色素；ナフタルイミド系色素；アントラキノン系色素等の有機色素が挙げられるが、これらに限定されない。さらに、赤色光を発光する材料としては、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば使用することができる。
【０１３１】
白色波長変換層２４Ｗの膜厚は、１００ｎｍ〜１００μｍであることが好ましく、１μｍ〜１００μｍであることがより好ましい。白色波長変換層２４Ｗは、膜厚が１００ｎｍ以上であることで、有機ＥＬ素子４０からの励起光（青色光または青緑色光）を充分に吸収でき、波長変換方式発光装置２００における発光効率が向上する。また、有機ＥＬ素子４０からの青色光または青緑色光の吸収を高め、色純度の悪影響を及ぼさない程度に白色波長変換層２４Ｗにおける青色の透過光を低減するためには、白色波長変換層２４Ｗの膜厚は１μｍ以上であることが好ましい。白色波長変換層２４Ｗは、膜厚が１００μｍを超えても、有機ＥＬ素子４０からの青色光は既に充分吸収されているため、波長変換方式発光装置２００における発光効率の向上には繋がらない。そこで、材料コストを低減できる点から、白色波長変換層２４Ｗの膜厚は１００μｍ以下であることが好ましい。
【０１３２】
本実施形態の波長変換方式発光装置２００は、高効率で消費電力が低く、かつホワイトバランスがとりやすくなる。
【０１３３】
なお、本実施形態では、有機ＥＬ素子基板１０と、波長変換層２４が設けられた波長変換基板２１０とが貼り合わせられている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、有機ＥＬ素子基板１０上に保護層を積層し、その保護層上に波長変換層２４を直接、積層してもよい。
【０１３４】
また、本実施形態では、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積（青色光が出射される面の面積）と、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積（赤色光が出射される面の面積）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積（緑色光が出射される面の面積）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）の面積（青緑色光が出射される面の面積）および白色画素部Ｓ（Ｗ）の面積（白色光が出射される面の面積）とが等しい場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積が、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）の面積および白色画素部Ｓ（Ｗ）の面積よりも大きいことが好ましい。このようにすれば、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積と、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）の面積および白色画素部Ｓ（Ｗ）の面積とが等しい場合よりも白色輝度を高めることができる。
【０１３５】
本実施形態では、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）および白色画素部Ｓ（Ｗ）を設けたり、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積を他の画素部Ｓの面積よりも大きくしたりすることにより、青色光の出射面積を相対的に増加させて、青色の輝度を向上させることを可能としている。これにより、白色の絶対輝度が向上する。
また、本実施形態によれば、青色光の出射面積を相対的に増加させることにより、発光効率や視感度の低い色の画素に対する大きな電流を流す負担が軽減されるため、信頼性に優れた（長寿命化が可能な）波長変換方式発光装置２００を提供することができる。
【０１３６】
［第３実施形態］
図８は、本発明の第３実施形態である波長変換方式発光装置の概略構成を示す断面図である。図８において、図１に示した第１実施形態の波長変換方式発光装置と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
図８に示すように、本実施形態の波長変換方式発光装置３００は、有機ＥＬ素子基板１０と、波長変換基板３１０と、有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板３１０との間に設けられた充填層３０と、を備え、アクティブ駆動方式で駆動されるトップエミッションタイプの発光装置である。本実施形態では、波長変換方式発光装置３００が有機ＥＬ発光装置である場合を例示する。
【０１３７】
波長変換基板３１０は、透明基板２１と、透明基板２１の一方の面２１ａに設けられた第２隔壁２２と、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、第２隔壁２２によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層２３と、波長変換層２４と、励起光散乱層２６と、を主として構成されている。また、波長変換基板２１０は、透明基板２１の一面２１ａ側に、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青），Ｍ（マゼンダ、赤紫）の各サブ画素Ｓに対応したカラーフィルター層２３および波長変換層２４が設けられている。
【０１３８】
本実施形態の波長変換方式発光装置３００は、光源である有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、波長変換層２４およびカラーフィルター層２３へと入射することで、赤色光、緑色光、赤紫色光として波長変換基板２０の外側（透明基板２１の他方の面２１ｂ側、観測者側）へと射出され、有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、励起光散乱層２６およびカラーフィルター層２３へと入射することで、青色光として波長変換基板２０の外側へと射出されるようになっている。
本実施形態において、青色光とは、ピーク波長が４００ｎｍ以上４９５ｎｍ未満の光である。また、緑色光とは、ピーク波長が４９５ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の光である。また、赤色光とは、ピーク波長が５８０ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光である。また、赤紫光とは、青色領域と赤色領域のそれぞれに、上記の青色光と赤色光のピークを有する光である。
【０１３９】
図９は、波長変換方式発光装置３００を示す上面図である。
図９に示すように、本実施形態の波長変換方式発光装置３００は、複数の画素を有している。各画素は、赤色光（Ｒ）、赤紫光（Ｍ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）のそれぞれに対応する４つのサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されている。
【０１４０】
赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）は、ｙ軸に沿ってストライプ状に延長され、ｘ軸に沿って赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）が順に配置された、２次元的なストライプ配列とされている。
【０１４１】
なお、図９に示す例では、ＲＧＢＭの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））がストライプ配列された例を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ＲＧＢＭの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））の配列はモザイク配列、デルタ配列等、従来公知の画素配列とすることもできる。
なお、図９に示す例では、ＲＧＢＭの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））がストライプ配列された例を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ＲＧＢＭの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））の配列はモザイク配列、デルタ配列等、従来公知の画素配列とすることもできる。
例えば、図１０に示すように、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）が、ｘ軸およびｙ軸に沿って格子状に配置された、２次元的なストライプ配列とされていてもよい。
【０１４２】
「波長変換基板」
波長変換基板３１０は、透明基板２１と、透明基板２１の一方の面２１ａに設けられた第２隔壁２２と、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、第２隔壁２２によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層２３と、波長変換層２４と、励起光散乱層２６と、を有して構成されている。
【０１４３】
第２隔壁２２は、サブ画素Ｓ同士の間に形成されるもので、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）の間に形成されている。
【０１４４】
波長変換層２４は、複数種の色変換色素（波長変換色素）からなる層であり、本実施形態においては赤色波長変換層２４Ｒ、赤紫色波長変換層２４Ｍおよび緑色波長変換層２４Ｇを有する。赤色波長変換層２４Ｒは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置に選択的に設けられている。赤紫色波長変換層２４Ｍは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）に対応する位置に選択的に設けられている。緑色波長変換層２４Ｇは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置に選択的に設けられている。赤色波長変換層２４Ｒは、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置であって、赤色カラーフィルター２３Ｒの表面に積層されている。赤紫色波長変換層２４Ｍは、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）に対応する位置に、カラーフィルターを介することなく設けられている。緑色波長変換層２４Ｇは、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置であって、緑色カラーフィルター２３Ｇの表面に積層されている。
【０１４５】
赤紫色波長変換層２４Ｍを形成する波長変換材料としては、マトリクス樹脂と、マトリクス樹脂中に分散され、青色光の一部を透過するとともに、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料とを含有するものが用いられる。
【０１４６】
有機ＥＬ素子４０から放出された光のうち、青色光の一部を透過するとともに、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料としては、例えば、例えば、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ＤＣＭ−２、ＤＣＪＴＢ等のシアニン系色素；１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート（ピリジン１）等のピリジン系色素；ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２等のキサンテン系色素；ルモゲンオレンジ、ルモゲンピンク、ルモゲンレッド、ソルベントオレンジ５５等のペリレン系色素；３−（ベンゾチアゾール−２−イル）−７−（ジエチルアミノ）−２−オキソ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−４−カルボニトリル等のクマリン系色素；オキサジン系色素；クリセン系色素；チオフラビン系色素；ピレン系色素；アントラセン系色素；アクリドン系色素；アクリジン系色素；フルオレン系色素；ターフェニル系色素；エテン系色素；ブタジエン系色素；ヘキサトリエン系色素；オキサゾール系色素；スチルベン系色素；ジフェニルメタン系色素、トリフェニルメタン系色素；チアゾール系色素；チアジン系色素；ナフタルイミド系色素；アントラキノン系色素等の有機色素が挙げられるが、これらに限定されない。さらに、赤色光を発光する材料としては、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば使用することができる。
【０１４７】
赤紫色波長変換層２４Ｍの膜厚は、１００ｎｍ〜１００μｍであることが好ましく、１μｍ〜１００μｍであることがより好ましい。赤紫色波長変換層２４Ｍは、膜厚が１００ｎｍ以上であることで、有機ＥＬ素子４０からの励起光（青色光または青緑色光）を充分に吸収でき、波長変換方式発光装置３００における発光効率が向上する。また、有機ＥＬ素子４０からの青色光または青緑色光の吸収を高め、色純度の悪影響を及ぼさない程度に赤紫色波長変換層２４Ｍにおける青色の透過光を低減するためには、赤紫色波長変換層２４Ｍの膜厚は１μｍ以上であることが好ましい。赤紫色波長変換層２４Ｍは、膜厚が１００μｍを超えても、有機ＥＬ素子４０からの青色光は既に充分吸収されているため、波長変換方式発光装置３００における発光効率の向上には繋がらない。そこで、材料コストを低減できる点から、赤紫色波長変換層２４Ｍの膜厚は１００μｍ以下であることが好ましい。
【０１４８】
本実施形態の波長変換方式発光装置３００は、高効率で消費電力が低く、かつホワイトバランスがとりやすくなる。
【０１４９】
なお、本実施形態では、有機ＥＬ素子基板１０と、波長変換層２４が設けられた波長変換基板３１０とが貼り合わせられている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、有機ＥＬ素子基板１０上に保護層を積層し、その保護層上に波長変換層２４を直接、積層してもよい。
【０１５０】
また、本実施形態では、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積（青色光が出射される面の面積）と、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積（赤色光が出射される面の面積）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積（緑色光が出射される面の面積）および赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）の面積（赤紫色光が出射される面の面積）とが等しい場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積が、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積および赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）の面積よりも大きいことが好ましい。
このようにすれば、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積と、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積および赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）の面積とが等しい場合よりも白色輝度を高めることができる。
【０１５１】
本実施形態では、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）を設けたり、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積を他の画素部Ｓの面積よりも大きくしたりすることにより、青色光の出射面積を相対的に増加させて、青色の輝度を向上させることを可能としている。これにより、白色の絶対輝度が向上する。
また、本実施形態によれば、青色光の出射面積を相対的に増加させることにより、発光効率や視感度の低い色の画素に対する大きな電流を流す負担が軽減されるため、信頼性に優れた（長寿命化が可能な）波長変換方式発光装置３００を提供することができる。
【０１５２】
［第４実施形態］
図１１は、本発明の第４実施形態である波長変換方式発光装置の概略構成を示す断面図である。図１１において、図１に示した第１実施形態の波長変換方式発光装置、図６に示した第２実施形態の波長変換方式発光装置、および、図８に示した第３実施形態の波長変換方式発光装置と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
図１１に示すように、本実施形態の波長変換方式発光装置４００は、有機ＥＬ素子基板１０と、波長変換基板４１０と、有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板４１０との間に設けられた充填層３０と、を備え、アクティブ駆動方式で駆動されるトップエミッションタイプの発光装置である。本実施形態では、波長変換方式発光装置４００が有機ＥＬ発光装置である場合を例示する。
【０１５３】
波長変換基板４１０は、透明基板２１と、透明基板２１の一方の面２１ａに設けられた第２隔壁２２と、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、第２隔壁２２によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層２３と、波長変換層２４と、励起光散乱層２６と、を主として構成されている。また、波長変換基板４１０は、透明基板２１の一面２１ａ側に、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青），Ｍ（マゼンダ、赤紫），Ｗ（白）の各サブ画素Ｓに対応したカラーフィルター層２３および波長変換層２４が設けられている。
【０１５４】
本実施形態の波長変換方式発光装置４００は、光源である有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、波長変換層２４およびカラーフィルター層２３へと入射することで、赤色光、緑色光、赤紫色光、白色光として波長変換基板２０の外側（透明基板２１の他方の面２１ｂ側、観測者側）へと射出され、有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、励起光散乱層２６およびカラーフィルター層２３へと入射することで、青色光として波長変換基板２０の外側へと射出されるようになっている。
本実施形態において、青色光とは、ピーク波長が４００ｎｍ以上４９５ｎｍ未満の光である。また、緑色光とは、ピーク波長が４９５ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の光である。また、赤色光とは、ピーク波長が５８０ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光である。また、赤紫光とは、青色領域と赤色領域のそれぞれに、上記の青色光と赤色光のピークを有する光である。また、白色光とは、ＣＩＥ１９３ＸＹＺ表示系のｘｙ色度図における色度（ｘ，ｙ）が０．２２≦ｘ≦０．４４、かつ０．２２≦ｙ≦０．４４である。
【０１５５】
図１２は、波長変換方式発光装置４００を示す上面図である。
図１２に示すように、本実施形態の波長変換方式発光装置４００は、複数の画素を有している。各画素は、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、赤紫光（Ｍ）、青色光（Ｂ）、白色光（Ｗ）のそれぞれに対応する５つのサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ））から構成されている。
【０１５６】
赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）は、ｙ軸に沿ってストライプ状に延長され、ｘ軸に沿って赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）が順に配置された、２次元的なストライプ配列とされている。
【０１５７】
なお、図１２に示す例では、ＲＧＢＭＷの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ））がストライプ配列された例を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ＲＧＢＭＷの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ））の配列はモザイク配列、デルタ配列等、従来公知の画素配列とすることもできる。
【０１５８】
「波長変換基板」
波長変換基板４１０は、透明基板２１と、透明基板２１の一方の面２１ａに設けられた第２隔壁２２と、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、第２隔壁２２によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層２３と、波長変換層２４と、励起光散乱層２６と、を有して構成されている。
【０１５９】
第２隔壁２２は、サブ画素Ｓ同士の間に形成されるもので、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）の間に形成されている。
【０１６０】
波長変換層２４は、複数種の色変換色素（波長変換色素）からなる層であり、本実施形態においては赤色波長変換層２４Ｒ、緑色波長変換層２４Ｇ、赤紫色波長変換層２４Ｍおよび白色波長変換層２４Ｗを有する。赤色波長変換層２４Ｒは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置に選択的に設けられている。緑色波長変換層２４Ｇは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置に選択的に設けられている。赤紫色波長変換層２４Ｍは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）に対応する位置に選択的に設けられている。白色波長変換層２４Ｗは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、白色画素部Ｓ（Ｗ）に対応する位置に選択的に設けられている。赤色波長変換層２４Ｒは、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置であって、赤色カラーフィルター２３Ｒの表面に積層されている。緑色波長変換層２４Ｇは、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置であって、緑色カラーフィルター２３Ｇの表面に積層されている。赤紫色波長変換層２４Ｍは、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）に対応する位置に、カラーフィルターを介することなく設けられている。白色波長変換層２４Ｗは、白色画素部Ｓ（Ｗ）に対応する位置に、カラーフィルターを介することなく設けられている。
【０１６１】
本実施形態の波長変換方式発光装置４００は、高効率で消費電力が低く、かつホワイトバランスがとりやすくなる。
【０１６２】
なお、本実施形態では、有機ＥＬ素子基板１０と、波長変換層２４が設けられた波長変換基板４１０とが貼り合わせられている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、有機ＥＬ素子基板１０上に保護層を積層し、その保護層上に波長変換層２４を直接、積層してもよい。
【０１６３】
また、本実施形態では、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積（青色光が出射される面の面積）と、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積（赤色光が出射される面の面積）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積（緑色光が出射される面の面積）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）の面積（赤紫色光が出射される面の面積）および白色画素部Ｓ（Ｗ）の面積（白色光が出射される面の面積）とが等しい場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積が、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）の面積および白色画素部Ｓ（Ｗ）の面積よりも大きいことが好ましい。このようにすれば、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積と、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）の面積および白色画素部Ｓ（Ｗ）の面積とが等しい場合よりも白色輝度を高めることができる。
【０１６４】
本実施形態では、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）および白色画素部Ｓ（Ｗ）を設けたり、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積を他の画素部Ｓの面積よりも大きくしたりすることにより、青色光の出射面積を相対的に増加させて、青色の輝度を向上させることを可能としている。これにより、白色の絶対輝度が向上する。
また、本実施形態によれば、青色光の出射面積を相対的に増加させることにより、発光効率や視感度の低い色の画素に対する大きな電流を流す負担が軽減されるため、信頼性に優れた（長寿命化が可能な）波長変換方式発光装置４００を提供することができる。
【０１６５】
［第５実施形態］
図１３は、本発明の第５実施形態である波長変換方式発光装置の概略構成を示す断面図である。図１３において、図１に示した第１実施形態の波長変換方式発光装置、および、図８に示した第３実施形態の波長変換方式発光装置と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
図１３に示すように、本実施形態の波長変換方式発光装置５００は、有機ＥＬ素子基板１０と、波長変換基板５１０と、有機ＥＬ素子基板１０と波長変換基板５１０との間に設けられた充填層３０と、を備え、アクティブ駆動方式で駆動されるトップエミッションタイプの発光装置である。本実施形態では、波長変換方式発光装置５００が有機ＥＬ発光装置である場合を例示する。
【０１６６】
波長変換基板５１０は、透明基板２１と、透明基板２１の一方の面２１ａに設けられた第２隔壁２２と、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、第２隔壁２２によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層２３と、波長変換層２４と、光透過層２５と、励起光散乱層２６と、を主として構成されている。また、波長変換基板４１０は、透明基板２１の一面２１ａ側に、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青），Ｍ（マゼンダ、赤紫）の各サブ画素Ｓに対応したカラーフィルター層２３および波長変換層２４が設けられている。
【０１６７】
本実施形態の波長変換方式発光装置５００は、光源である有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、波長変換層２４およびカラーフィルター層２３へと入射することで、赤色光、緑色光、赤紫色光として波長変換基板２０の外側（透明基板２１の他方の面２１ｂ側、観測者側）へと射出され、有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、波長変換基板２０の外側にスペクトル形状を変えずに光透過層２５を透過し、有機ＥＬ素子４０から発光された青色光または青緑色光が、励起光散乱層２６およびカラーフィルター層２３へと入射することで、青色光として波長変換基板２０の外側へと射出されるようになっている。
本実施形態において、青色光とは、ピーク波長が４００ｎｍ以上４９５ｎｍ未満の光である。また、緑色光とは、ピーク波長が４９５ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の光である。また、赤色光とは、ピーク波長が５８０ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光である。また、青緑色光とは、青色領域と緑色領域のそれぞれに、上記の青色光と緑色光のピークを有するか、または、ピーク波長が４７０ｎｍ以上５２０ｎｍ未満の光である。また、赤紫光とは、青色領域と赤色領域のそれぞれに、上記の青色光と赤色光のピークを有する光である。
【０１６８】
図１４は、波長変換方式発光装置５００を示す上面図である。
図１４に示すように、本実施形態の波長変換方式発光装置５００は、複数の画素を有している。各画素は、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青緑（シアン）色（Ｃ）、青色光（Ｂ）、赤紫光（Ｍ）のそれぞれに対応する５つのサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ））から構成されている。
【０１６９】
赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）は、ｙ軸に沿ってストライプ状に延長され、ｘ軸に沿って赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）が順に配置された、２次元的なストライプ配列とされている。
【０１７０】
なお、図１４に示す例では、ＲＧＢＣＭの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ））がストライプ配列された例を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ＲＧＢＣＭの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ））の配列はモザイク配列、デルタ配列等、従来公知の画素配列とすることもできる。
【０１７１】
「波長変換基板」
波長変換基板５１０は、透明基板２１と、透明基板２１の一方の面２１ａに設けられた第２隔壁２２と、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、第２隔壁２２によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層２３と、波長変換層２４と、光透過層２５と、励起光散乱層２６と、を有して構成されている。
【０１７２】
第２隔壁２２は、サブ画素Ｓ同士の間に形成されるもので、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）の間に形成されている。
【０１７３】
波長変換層２４は、複数種の色変換色素（波長変換色素）からなる層であり、本実施形態においては赤色波長変換層２４Ｒ、緑色波長変換層２４Ｇおよび赤紫色波長変換層２４Ｍを有する。赤色波長変換層２４Ｒは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置に選択的に設けられている。緑色波長変換層２４Ｇは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置に選択的に設けられている。赤紫色波長変換層２４Ｍは、透明基板２１上の第２隔壁２２によって区画されたサブ画素のうち、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）に対応する位置に選択的に設けられている。赤色波長変換層２４Ｒは、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置であって、赤色カラーフィルター２３Ｒの表面に積層されている。緑色波長変換層２４Ｇは、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置であって、緑色カラーフィルター２３Ｇの表面に積層されている。赤紫色波長変換層２４Ｍは、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）に対応する位置に、カラーフィルターを介することなく設けられている。
【０１７４】
本実施形態の波長変換方式発光装置５００は、高効率で消費電力が低く、かつホワイトバランスがとりやすくなる。
【０１７５】
なお、本実施形態では、有機ＥＬ素子基板１０と、波長変換層２４が設けられた波長変換基板５１０とが貼り合わせられている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、有機ＥＬ素子基板１０上に保護層を積層し、その保護層上に波長変換層２４を直接、積層してもよい。
【０１７６】
また、本実施形態では、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積（青色光が出射される面の面積）と、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積（赤色光が出射される面の面積）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積（緑色光が出射される面の面積）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）の面積（赤紫色光が出射される面の面積）および青緑色画素部Ｓ（Ｃ）の面積（白色光が出射される面の面積）とが等しい場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積が、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）の面積および青緑色画素部Ｓ（Ｃ）の面積よりも大きいことが好ましい。このようにすれば、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積と、赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）の面積および青緑色画素部Ｓ（Ｃ）の面積とが等しい場合よりも白色輝度を高めることができる。
【０１７７】
本実施形態では、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）および赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）を設けたり、青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積を他の画素部Ｓの面積よりも大きくしたりすることにより、青色光の出射面積を相対的に増加させて、青色の輝度を向上させることを可能としている。これにより、白色の絶対輝度が向上する。
また、本実施形態によれば、青色光の出射面積を相対的に増加させることにより、発光効率や視感度の低い色の画素に対する大きな電流を流す負担が軽減されるため、信頼性に優れた（長寿命化が可能な）波長変換方式発光装置５００を提供することができる。
【０１７８】
なお、上述の第１〜第５実施形態では、光源が有機ＥＬ素子基板１０である場合を例示したが、本発明の波長変換方式発光装置はこれに限定されない。本発明の波長変換方式発光装置にあっては、光源が、青色光または青緑色光を発光するものであればいかなるものであってもよい。光源としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、無機ＥＬ素子等も用いることができる。
また、上述の第１〜第５実施形態では、青色画素部Ｓ（Ｂ）が、青色カラーフィルター層２３Ｂと、青色カラーフィルター層２３Ｂ上に積層された励起光散乱層２６とから構成される場合を例示したが、本発明の波長変換方式発光装置はこれに限定されない。本発明の波長変換方式発光装置にあっては、青色画素部は、（１）何も設けずに、透明基板の一方の面側から入射した、青色光または青緑色光を、透明基板の他方の面側にスペクトル形状を変えずに透過する部位、（２）青色カラーフィルター層のみを設けた部位、（３）青色カラーフィルター層と、透明基板の一方の面側から入射した、青色光または青緑色光を透過する光透過層とを設けた部位、（４）励起光散乱層のみを設けた部位、（５）青色光または青緑色光を透過する光透過層のみを設けた部位のいずれかであってもよい。
【０１７９】
［第６実施形態］
＜表示装置＞
本発明に係る表示装置は、上述の本発明に係る波長変換方式発光装置を備えたものである。
図１５は、本発明の第６実施形態である表示装置を示す概略正面図である。
ここに示す表示装置２０００は、有機ＥＬ基板２００１および有機ＥＬ基板２００１に対向配置された波長変換基板２００２を備えた有機ＥＬ発光装置２０１０と、有機ＥＬ基板２００１および波長変換基板２００２が対向する領域に設けられた画素部２００３と、画素部２００３に駆動信号を供給するゲート信号側駆動回路２００４、データ信号側駆動回路２００５、信号配線２００６および電流供給線２００７と、有機ＥＬ基板２００１に接続されたフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）２００８と、外部駆動回路２００９とを備えて、構成されている。
表示装置２０００は、画素部２００３等を曲面状に曲げることが可能なフレキシブル表示装置とすることが可能である。
【０１８０】
有機ＥＬ発光装置２０１０としては、上述の本発明に係る波長変換方式発光装置を用いることができる。有機ＥＬ基板２００１は、陽極、有機ＥＬ層および陰極を含む発光部を駆動するために走査線電極回路、データ信号電極回路および電源回路等を含む外部駆動回路２００９に、ＦＰＣ２００８を介して電気的に接続されている。本実施形態の場合、ＴＦＴ等のスイッチング回路が画素部２００３内に配置され、ＴＦＴ等が接続されるデータ線、ゲート線等の配線に発光部を駆動するためのデータ信号側駆動回路２００５およびゲート信号側駆動回路２００４がそれぞれ接続され、これら駆動回路に信号配線２００６を介して外部駆動回路２００９が接続されている。画素部２００３内には、複数のゲート線および複数のデータ線が配置され、ゲート線とデータ線との交差部にＴＦＴが配置されている。
【０１８１】
図１６は、前記表示装置における１画素（サブ画素）の等価回路を示す回路図である。
発光部は、電圧駆動デジタル階調方式によって駆動が行われ、画素毎にスイッチング用ＴＦＴおよび駆動用ＴＦＴの２つのＴＦＴが配置され、駆動用ＴＦＴと発光部の陽極とが、コンタクトホールを介して電気的に接続されている。また、一つの画素内には駆動用ＴＦＴのゲート電位を定電位にするためのコンデンサーが、駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されるように配置されている。しかし、本実施形態では、特にこれらに限定されず、駆動方式は、上述の電圧駆動デジタル階調方式であってもよいし、電流駆動アナログ階調方式であってもよい。また、ＴＦＴの数も特に限定されず、上述のように２つのＴＦＴにより発光部を駆動してもよいし、ＴＦＴの特性（移動度、閾値電圧）バラツキを防止する目的で、画素内に補償回路を内蔵した２個以上のＴＦＴを用いて発光部を駆動してもよい。
【０１８２】
［第７実施形態］
＜照明装置＞
本発明に係る照明装置は、上述の本発明に係る波長変換方式発光装置を備えたものである。
図１７は、本発明の第７実施形態である照明装置を示す概略斜視図である。ここに示す照明装置は、照明スタンドである。
ここに示す照明スタンド２１００は、照明部２１０１、スタンド２１０２、電源スイッチ２１０３および電源コード２１０４等を備え、さらに照明部２１０１に上述の本発明に係る波長変換方式発光装置を備えて構成されている。
照明スタンド２１００は、前記波長変換方式発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低い。また、前記波長変換方式発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。
【０１８３】
［第８実施形態］
＜電子機器＞
本発明に係る電子機器は、上述の本発明に係る波長変換方式発光装置を備えたものである。
図１８は、本発明の第８実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図である。ここに示す電子機器は、テレビ受信装置である。
ここに示すテレビ受信装置２２００は、表示部２２０１、スピーカ２２０２、キャビネット２２０３およびスタンド２２０４等を備え、さらに表示部２２０１に上述の本発明に係る波長変換方式発光装置を備えて構成されている。
テレビ受信装置２２００は、前記波長変換方式発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記波長変換方式発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。
【０１８４】
図１９は、本発明の第８実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図である。ここに示す電子機器は、携帯型ゲーム機である。
ここに示す携帯型ゲーム機２３００は、操作ボタン２３０１、赤外線ポート２３０２、ＬＥＤランプ２３０３、表示部２３０４並びに筐体２３０５等を備え、さらに表示部２３０４に上述の本発明に係る波長変換方式発光装置を備えて構成されている。
携帯型ゲーム機２３００は、前記波長変換方式発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記波長変換方式発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。
【０１８５】
図２０は、本発明の第８実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。ここに示す電子機器は、ノートパソコンである。
ここに示すノートパソコン２４００は、表示部２４０１、キーボード２４０２、ポインティングデバイス２４０３、電源スイッチ２４０４、カメラ２４０５、外部接続ポート２４０６および筐体２４０７等を備え、さらに表示部２４０１に上述の本発明に係る波長変換方式発光装置を備えて構成されている。
ノートパソコン２４００は、前記波長変換方式発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記波長変換方式発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。
【０１８６】
図２１は、本発明に係る第８実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。ここに示す電子機器は、スマートフォン（タブレット端末）である。
ここに示すスマートフォン２５００は、音声入力部２５０１、音声出力部２５０２、操作スイッチ２５０３、表示部２５０４、タッチパネル２５０５および筐体２５０６等を備え、さらに表示部２５０４に上述の本発明に係る波長変換方式発光装置を備えて構成されている。
スマートフォン２５００は、前記波長変換方式発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記波長変換方式発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。
【０１８７】
図２２は、本発明に係る第８実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。ここに示す電子機器は、腕時計型ディスプレイ（ウエアラブルコンピュータ）である。
ここに示す腕時計型ディスプレイ２６００は、電源スイッチ２６０１、表示部２６０２および固定バンド２６０３等を備え、さらに表示部２６０２に上述の本発明に係る波長変換方式発光装置を備えて構成されている。
腕時計型ディスプレイ２６００は、前記波長変換方式発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記波長変換方式発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。
【０１８８】
図２３は、本発明に係る第８実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。ここに示す電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ（ウエアラブルコンピュータ）である。
ここに示すヘッドマウントディスプレイ２７００は、電源スイッチ２７０１、表示部２７０２、固定バンド２７０３およびフレーム２７０４等を備え、さらに表示部２７０２に上述の本発明に係る波長変換方式発光装置を備えて構成されている。
ヘッドマウントディスプレイ２７００は、前記波長変換方式発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記波長変換方式発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。
【実施例】
【０１８９】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１９０】
［実施例１］
「波長変換基板用の透明基板の洗浄」
基板として、１００ｍｍ×１００ｍｍ角、厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
【０１９１】
「光吸収層（低反射層）の形成」
まず、ガラス基板の一面に、スピンコート法により、黒色隔壁材料（ＢＫレジスト、東京応化社製）を塗布した。
その後、黒色隔壁材料を塗布したガラス基板を、７０℃にて１５分間プリベークして、膜厚１μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２４に示すように、１画素が４つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層（低反射層）を得た。
【０１９２】
「厚膜バンクの形成」
次に、光吸収層を形成したガラス基板の上に、スピンコート法により、ポジ型感光性ポリイミドを塗布した。
次に、前記のガラス基板の一面上に、スピンコート法により、このポジ型レジストを塗布し、前記の光吸収層上に、膜厚２μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２４に示すように、１画素が４つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層上に、膜厚５μｍの順テーパー形状の厚膜バンクを形成した。
【０１９３】
「厚膜バンクの表面へのアルミニウム反射膜の形成」
厚膜バンクを形成したガラス基板上に、真空蒸着装置を用いてアルミニウムを蒸着し、膜厚１２０ｎｍのアルミニウム膜を形成した。
次に、このアルミニウム膜上に、スピンコート法により、エッチングレジスト（東京応化工業社製）を塗布し、前記のアルミニウム膜上に、塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２４に示すように、１画素が４つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、厚膜バンクを形成した部分の上部のみがエッチングレジストで覆われるようにパターニングした。
次に、リン酸、酢酸および硝酸を含む溶液からなるＳＬＡエッチャントを用いて、露出しているアルミニウム膜をエッチングし、純水でリンス処理を行い、厚膜バンク上に選択的にアルミニウム反射膜を形成した。
【０１９４】
「カラーフィルターの形成」
次に、前記の厚膜バンクによって区画された４ヵ所の画素領域に、従来の、従来の液晶表示装置用カラーフィルター材料を用いて、フォトリソグラフィー法により、赤色カラーフィルター、緑色カラーフィルター、青色カラーフィルター、カラーフィルター未形成領域をパターン形成した。なお、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）となる画素領域を、カラーフィルター未形成領域とした。
赤色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を６１０ｎｍ、緑色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を５３０ｎｍ、青色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を４５０ｎｍとした。
【０１９５】
「励起光散乱層、青緑色散乱層（透過層）の形成」
次に、青色画素部Ｓ（Ｂ）に励起光散乱層を形成し、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）に青緑色散乱層を形成した。
まず、平均粒子径１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）２０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）に溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌して、光散乱層形成用塗液を調製した。
次に、前記のガラス基板上の青色画素部Ｓ（Ｂ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）に相当する領域に、スクリーン印刷法により、光散乱層形成用塗液を塗布した。引き続き、真空オーブンにより、２００℃、１０ｍｍＨｇの条件で４時間加熱乾燥し、励起光散乱層、青緑色散乱層を形成した。
【０１９６】
「波長変換層の形成」
下記の手順で、緑色カラーフィルター上に緑色波長変換層を形成した。
まず、下記式（１）で表される化合物（商品名：デナコールＤＡ−３１４、ナガセ化成工業社製、以下、「化合物（１）」と略記する。）、下記式（２）で表される化合物（商品名：アロニックスＭ−２１５、東亜合成社製、以下、「化合物（２）」と略記する。）、および下記式（３）で表される化合物（商品名：アロニックスＭ−５７００、東亜合成社製、以下、「化合物（３）」と略記する。）を、化合物（１）：化合物（２）：化合物（３）＝４：２：１（質量比）の割合で混合し、この混合物に、溶媒としてプロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量と同じ質量となるように加えて希釈した。さらに、この希釈液に、発光物質としてクマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加え、重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを、前記の希釈液中のアクリロイル基（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ−）の総量に対して４モル％となる量だけ加えて、超音波をかけて溶解させ、溶液（緑色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
【０１９７】
【化１】
2016122606.tif 000003
【０１９８】
【化２】
2016122606.tif 000004
【０１９９】
【化３】
2016122606.tif 000005
【０２００】
次いで、緑色カラーフィルター等が形成された前記ガラス基板上に、スピンコート法により、溶液（緑色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、緑色カラーフィルター上のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、緑色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、緑色波長変換層を形成した。得られた緑色波長変換層の厚さは５μｍであった。
【０２０１】
続いて、下記の手順で、赤色カラーフィルター上に赤色波長変換層（赤紫色波長変換層）を形成した。
まず、発光物質として、クマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加えるのに代えて、ルモゲンレッド３０５（赤色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１．５質量％となる量だけ加え、さらに、クマリン６を化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して０．５質量％となる量だけ加えた点以外は、上記の緑色波長変換層の場合と同様の方法で、溶液（赤色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
次いで、赤色カラーフィルター等が形成された前記ガラス基板上に、スピンコート法により、溶液（赤色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、赤色カラーフィルター上のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、赤色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、赤色波長変換層を形成した。得られた赤色波長変換層の厚さは５μｍであった。
次に、上記の緑色波長変換層および赤色波長変換層が形成された基板を、グローブボックス（水分濃度：１ｐｐｍ以下、酸素濃度：１ｐｐｍ以下）に移し、８０℃にて１時間加熱し、緑色波長変換層および赤色波長変換層中の水分、酸素を除去した。
【０２０２】
「平坦化層の形成」
次に、波長変換層上に平坦化層を形成した。
まず、波長変換層の形成で用いた化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）を、化合物（１）：化合物（２）：化合物（３）＝４：２：１（質量比）の割合で混合し、この混合物に、溶媒としてプロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量と同じ質量となるように加えて希釈し、希釈液を調製した。  
次に、ガラス基板の全面に、スピンコート法により、希釈液を塗布し、波長変換層上に、塗膜を形成した。
次に、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、外周部のみを遮光したフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、塗膜からなるパターンを形成した。
そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、平坦化層を形成した。
【０２０３】
「ガスバリア層の形成」
次に、平坦化層を形成した波長変換層上に、スパッタリング法により、膜厚２μｍのＳｉＯＮ膜からなるガスバリア層を形成した。
【０２０４】
「有機ＥＬ素子基板用の基板の洗浄、ＴＦＴの形成」
基板として、１００ｍｍ×１００ｍｍ角、厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、このガラス基板上に、ＰＥＣＶＤ法により、アモルファスシリコン半導体膜を形成した後、結晶化処理を施し、多結晶シリコン半導体膜を形成した。
次に、フォトリソグラフィー法により、多結晶シリコン半導体膜を複数の島状にパターン形成した。
次に、パターン形成した多結晶シリコン半導体膜上に、ゲート絶縁膜およびゲート電極層をこの順に形成した。
次に、フォトリソグラフィー法により、ゲート絶縁膜およびゲート電極層を所定の形状にパターン形成した。
次に、パターン形成した多結晶シリコン半導体膜に、リン等の不純物元素をドーピングすることにより、ソースおよびドレイン領域を形成し、ＴＦＴ素子を作製した。
【０２０５】
「平坦化層の形成、コンタクトホールの形成」
次に、ＴＦＴ素子上に、ＰＥＣＶＤ法により、窒化シリコン膜を形成し、続いて、窒化シリコン膜上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂層を形成し、窒化シリコン膜とアクリル系樹脂層がこの順に積層された平坦化層を形成した。
まず、ＴＦＴ素子上に、窒化シリコン膜を形成した後、窒化シリコン膜とゲート絶縁膜とを一括してエッチングすることにより、ソースおよび／またはドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成し、続いて、ソース配線を形成した。
次に、窒化シリコン膜上に、アクリル系樹脂層を形成し、ゲート絶縁膜および窒化シリコン膜に穿孔したドレイン領域のコンタクトホールと同じ位置に、ドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成することにより、アクティブマトリクス基板を得た。平坦化膜としての機能は、アクリル系樹脂層で実現される。
なお、ＴＦＴ素子のゲート電位を定電位にするためのコンデンサーは、スイッチング用ＴＦＴ素子のドレインと、駆動用ＴＦＴ素子のソースとの間に、層間絶縁膜等の絶縁膜を介することで形成した。
また、アクティブマトリクス基板上に、平坦化層を貫通し、駆動用ＴＦＴ素子と、有機ＥＬ素子の陽極とを電気的に接続するコンタクトホールを設けた。
【０２０６】
「第１電極の形成、エッジカバーの形成」
次に、スパッタリング法により、各画素部の陽極（第１電極）を形成した。
まず、膜厚１５０ｎｍのＡｌ（アルミニウム）と、膜厚２０ｎｍのＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）とを積層して、陽極を形成した。
次に、従来のフォトリソグラフィー法により、陽極を、図２４に示すように、１画素が４つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンの形状に対応するようにパターン形成した。
表示部のサイズは８０ｍｍ×８０ｍｍとした。表示部の上下左右に、幅２ｍｍの封止エリアを設けた。短辺側には、さらに封止エリアの外に、それぞれ幅２ｍｍの端子取り出し部を設けた。長辺側には、折り曲げを行う方に、幅２ｍｍの端子取り出し部を設けた。
次いで、陽極上に、スパッタリング法により、厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２を積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、陽極のエッジ部を覆うようにＳｉＯ２をパターン形成した。ここでは、陽極の端から１０μｍ分だけ、４辺をＳｉＯ２で覆う構造とした。これにより、エッジカバーを形成した。
【０２０７】
「有機ＥＬ素子の有機層の形成、第２電極の形成」
前記のアクティブマトリクス基板を、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等を用いて超音波洗浄を１０分間行い、続いて、ＵＶ−オゾン洗浄を３０分間行った。
次に、インライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに、このアクティブマトリクス基板を固定し、１×１０−４Ｐａ以下の真空まで減圧し、有機層を構成する各層を成膜した。
まず、正孔注入材料として、１，１−ビス−ジ−４−トリルアミノ−フェニル−シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、第１電極上に、厚さ２０ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、正孔注入層上に、厚さ２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層上に、厚さ２０ｎｍの青色有機発光層を形成した。ここでは、真空蒸着法により、１，４−ビス−トリフェニルシリル−ベンゼン（ＵＧＨ−２）（ホスト材料）と、ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート  イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）（青緑色燐光発光ドーパント）とを、それぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、青緑色有機発光層を形成した。
次に、青緑色有機発光層上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて、厚さ１０ｎｍの正孔防止層を形成した。
次に、正孔防止層上に、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）とリチウム（Ｌｉ）を用いて、厚さ１０ｎｍの電子輸送層を形成した。ここでは、真空蒸着法により、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）とリチウム（Ｌｉ）を、それぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、この電子輸送層を形成した。
次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
【０２０８】
その後、電子注入層上に、第２電極を形成した。ここでは、真空蒸着法により、マグネシウムと銀を、それぞれの蒸着速度を０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、第２電極を形成した。
さらに、第２電極上に、干渉効果を強調する目的、および、第２電極における配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、真空蒸着法により、銀を、蒸着速度１Å／ｓｅｃで所望のパターンに形成し、厚さ１９ｎｍの薄膜を形成した。これにより、第２電極を得た。
【０２０９】
「有機ＥＬ素子基板上への無機保護層の形成」
次に、有機ＥＬ素子基板上に、プラズマＣＶＤ法により、膜厚３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層を形成した。
その後、シャドーマスクを用いて、表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまで、無機保護層をパターン形成した。
以上により、アクティブ駆動型有機ＥＬ素子基板を作製した。
【０２１０】
「波長変換基板と有機ＥＬ素子基板との貼り合わせ」
次に、波長変換基板と、アクティブ駆動型有機ＥＬ素子基板とを、貼り合わせ用のグローブボックス内（水分濃度：１ｐｐｍ以下、酸素濃度：１ｐｐｍ以下）に搬入した。
次に、波長変換基板の外周部に、ディスペンサーを用いて、２０μｍのスペーサーを分散させた紫外線硬化型接着剤（商品名：３０Ｙ−４３７、スリーボンド社製） を塗布し、外周封止材とした。さらに、その外周封止材の内側に、ディスペンサーを用いて、充填剤として、透明シリコーン樹脂（商品名：ＴＳＥ３０５１、東芝シリコーン社製） を塗布した。
次に、波長変換基板と、アクティブ駆動型有機ＥＬ素子基板とを、真空チャンバ内に移送し、真空チャンバ内を１Ｐａまで減圧した。そして、アライメントマーカーを用いて、一次アライメントを行いながら、波長変換基板とアクティブ駆動型有機ＥＬ素子基板を仮接着し、固定した。
次に、仮接着した波長変換基板とアクティブ駆動型有機ＥＬ素子基板をグローブボックスに移送し、ＣＣＤを用いて二次アライメントを行った。
次に、外周封止材に、ＵＶランプを用いて紫外線を照射し、外周封止材を硬化させて、外周封止層を形成した。
その後、８０℃で１時間加熱し、前記透明シリコーン樹脂をゲル化させた。
次に、波長変換基板の光取り出し側に、偏光板を貼り合わせ、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を得た。
最後に、短辺側に形成した端子を、ソースドライバを介して電源回路に接続し、長辺側に形成した端子を、ゲートドライバを介して外部電源に接続し、８０ｍｍ×８０ｍｍ角の表示部を持つ実施例１のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を得た。
【０２１１】
「点灯試験」
外部電源により、各画素部に所望の電流を印加し、ホワイトバランスがとれるように電流量を調整することによって、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の発光特性を評価した。その結果、白色輝度は、後述する比較例のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の白色輝度の１．１倍であった。
【０２１２】
［実施例２］
「アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の作製」
波長変換基板の１画素が、図２５に示すように、３つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ））と、これらのサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ））の面積（赤色光、緑色光、青緑色光が出射される面の面積）の６倍の面積（青色光が出射される面の面積）を有するサブ画素Ｓ（青色画素部Ｓ（Ｂ））とを備えるようにしたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を得た。
【０２１３】
「点灯試験」
外部電源により、青色画素部Ｓ（Ｂ）には実施例１のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置で白色１０００ｃｄ／ｍ２が得られたときと同じ電流量を流し、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）および青緑色画素部Ｓ（Ｃ）にはホワイトバランスがとれるように電流量を調整することによって、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の発光特性を評価した。その結果、白色輝度は、後述する比較例のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の白色輝度の２．２倍であった。
【０２１４】
［実施例３］
「波長変換基板用の透明基板の洗浄」
基板として、１００ｍｍ×１００ｍｍ角、厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
【０２１５】
「光吸収層（低反射層）の形成」
まず、ガラス基板の一面に、スピンコート法により、黒色隔壁材料（ＢＫレジスト、東京応化社製）を塗布した。
その後、黒色隔壁材料を塗布したガラス基板を、７０℃にて１５分間プリベークして、膜厚１μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２６に示すように、１画素が４つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層（低反射層）を得た。
【０２１６】
「厚膜バンクの形成」
次に、光吸収層を形成したガラス基板の上に、スピンコート法により、ポジ型感光性ポリイミドを塗布した。
次に、前記のガラス基板の一面上に、スピンコート法により、このポジ型レジストを塗布し、前記の光吸収層上に、膜厚２μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２６に示すように、１画素が４つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層上に、膜厚５μｍの順テーパー形状の厚膜バンクを形成した。
【０２１７】
「厚膜バンクの表面へのアルミニウム反射膜の形成」
厚膜バンクを形成したガラス基板上に、真空蒸着装置を用いてアルミニウムを蒸着し、膜厚１２０ｎｍのアルミニウム膜を形成した。
次に、このアルミニウム膜上に、スピンコート法により、エッチングレジスト（東京応化工業社製）を塗布し、前記のアルミニウム膜上に、塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２６に示すように、１画素が４つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、厚膜バンクを形成した部分の上部のみがエッチングレジストで覆われるようにパターニングした。
次に、リン酸、酢酸および硝酸を含む溶液からなるＳＬＡエッチャントを用いて、露出しているアルミニウム膜をエッチングし、純水でリンス処理を行い、厚膜バンク上に選択的にアルミニウム反射膜を形成した。
【０２１８】
「カラーフィルターの形成」
次に、前記の厚膜バンクによって区画された４ヵ所の画素領域に、従来の、従来の液晶表示装置用カラーフィルター材料を用いて、フォトリソグラフィー法により、赤色カラーフィルター、緑色カラーフィルター、青色カラーフィルター、カラーフィルター未形成領域をパターン形成した。なお、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）となる画素領域を、カラーフィルター未形成領域とした。
赤色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を６１０ｎｍ、緑色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を５３０ｎｍ、青色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を４５０ｎｍとした。
【０２１９】
「励起光散乱層の形成」
次に、青色画素部Ｓ（Ｂ）に励起光散乱層を形成した。
まず、平均粒子径１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）２０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）に溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌して、光散乱層形成用塗液を調製した。
次に、前記のガラス基板上の青色画素部Ｓ（Ｂ）に相当する領域に、スクリーン印刷法により、光散乱層形成用塗液を塗布した。引き続き、真空オーブンにより、２００℃、１０ｍｍＨｇの条件で４時間加熱乾燥し、励起光散乱層を形成した。
【０２２０】
「波長変換層の形成」
下記の手順で、緑色カラーフィルター上に緑色波長変換層を形成した。
まず、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）を、化合物（１）：化合物（２）：化合物（３）＝４：２：１（質量比）の割合で混合し、この混合物に、溶媒としてプロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量と同じ質量となるように加えて希釈した。さらに、この希釈液に、発光物質としてクマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加え、重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを、前記の希釈液中のアクリロイル基（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ−）の総量に対して４モル％となる量だけ加えて、超音波をかけて溶解させ、溶液（緑色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
【０２２１】
次いで、緑色カラーフィルター等が形成された前記ガラス基板上に、スピンコート法により、溶液（緑色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、緑色カラーフィルター上のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、緑色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、緑色波長変換層を形成した。得られた緑色波長変換層の厚さは５μｍであった。
【０２２２】
続いて、下記の手順で、赤色カラーフィルター上およびカラーフィルター未形成領域（赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）となる画素領域）に赤色波長変換層を形成した。
まず、発光物質として、クマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加えるのに代えて、ルモゲンレッド３０５（赤色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１．５質量％となる量だけ加え、さらに、クマリン６を化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して０．５質量％となる量だけ加えた点以外は、上記の緑色波長変換層の場合と同様の方法で、溶液（赤色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
次いで、赤色カラーフィルターおよびカラーフィルター未形成領域等が形成された前記ガラス基板上に、スピンコート法により、溶液（赤色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、赤色カラーフィルター上およびカラーフィルター未形成領域のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、赤色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、赤色波長変換層を形成した。得られた赤色波長変換層の厚さは５μｍであった。
次に、上記の緑色波長変換層および赤色波長変換層が形成された基板を、グローブボックス（水分濃度：１ｐｐｍ以下、酸素濃度：１ｐｐｍ以下）に移し、８０℃にて１時間加熱し、緑色波長変換層および赤色波長変換層中の水分、酸素を除去した。
【０２２３】
以下、実施例１と同様にして、実施例３の波長変換基板を得た。
【０２２４】
「アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の作製」
以下、実施例１と同様にして、実施例３のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を得た。
【０２２５】
「点灯試験」
外部電源により、青色画素部Ｓ（Ｂ）には実施例１のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置で白色１０００ｃｄ／ｍ２が得られたときと同じ電流量を流し、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）および赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）にはホワイトバランスがとれるように電流量を調整することによって、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の発光特性を評価した。その結果、白色輝度は、後述する比較例のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の白色輝度の１．１倍であった。
【０２２６】
［実施例４］
「波長変換基板用の透明基板の洗浄」
基板として、１００ｍｍ×１００ｍｍ角、厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
【０２２７】
「光吸収層（低反射層）の形成」
まず、ガラス基板の一面に、スピンコート法により、黒色隔壁材料（ＢＫレジスト、東京応化社製）を塗布した。
その後、黒色隔壁材料を塗布したガラス基板を、７０℃にて１５分間プリベークして、膜厚１μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２７に示すように、１画素が５つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層（低反射層）を得た。
【０２２８】
「厚膜バンクの形成」
次に、光吸収層を形成したガラス基板の上に、スピンコート法により、ポジ型感光性ポリイミドを塗布した。
次に、前記のガラス基板の一面上に、スピンコート法により、このポジ型レジストを塗布し、前記の光吸収層上に、膜厚２μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２７に示すように、１画素が５つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層上に、膜厚５μｍの順テーパー形状の厚膜バンクを形成した。
【０２２９】
「厚膜バンクの表面へのアルミニウム反射膜の形成」
厚膜バンクを形成したガラス基板上に、真空蒸着装置を用いてアルミニウムを蒸着し、膜厚１２０ｎｍのアルミニウム膜を形成した。
次に、このアルミニウム膜上に、スピンコート法により、エッチングレジスト（東京応化工業社製）を塗布し、前記のアルミニウム膜上に、塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２７に示すように、１画素が５つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、厚膜バンクを形成した部分の上部のみがエッチングレジストで覆われるようにパターニングした。
次に、リン酸、酢酸および硝酸を含む溶液からなるＳＬＡエッチャントを用いて、露出しているアルミニウム膜をエッチングし、純水でリンス処理を行い、厚膜バンク上に選択的にアルミニウム反射膜を形成した。
【０２３０】
「カラーフィルターの形成」
次に、前記の厚膜バンクによって区画された５ヵ所の画素領域に、従来の、従来の液晶表示装置用カラーフィルター材料を用いて、フォトリソグラフィー法により、赤色カラーフィルター、緑色カラーフィルター、青色カラーフィルター、カラーフィルター未形成領域をパターン形成した。なお、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）となる画素領域および青緑色画素部Ｓ（Ｃ）となる画素領域を、カラーフィルター未形成領域とした。
赤色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を６１０ｎｍ、緑色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を５３０ｎｍ、青色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を４５０ｎｍとした。
【０２３１】
「励起光散乱層、青緑色散乱層（透過層）の形成」
次に、青色画素部Ｓ（Ｂ）に励起光散乱層を形成し、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）に青緑色光散乱層を形成した。
まず、平均粒子径１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）２０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）に溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌して、光散乱層形成用塗液を調製した。
次に、前記のガラス基板上の青色画素部Ｓ（Ｂ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）に相当する領域に、スクリーン印刷法により、光散乱層形成用塗液を塗布した。引き続き、真空オーブンにより、２００℃、１０ｍｍＨｇの条件で４時間加熱乾燥し、励起光散乱層を形成した。
【０２３２】
「波長変換層の形成」
下記の手順で、緑色カラーフィルター上に緑色波長変換層を形成した。
まず、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）を、化合物（１）：化合物（２）：化合物（３）＝４：２：１（質量比）の割合で混合し、この混合物に、溶媒としてプロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量と同じ質量となるように加えて希釈した。さらに、この希釈液に、発光物質としてクマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加え、重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを、前記の希釈液中のアクリロイル基（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ−）の総量に対して４モル％となる量だけ加えて、超音波をかけて溶解させ、溶液（緑色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
【０２３３】
次いで、緑色カラーフィルター等が形成された前記ガラス基板上に、スピンコート法により、溶液（緑色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、緑色カラーフィルター上のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、緑色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、緑色波長変換層を形成した。得られた緑色波長変換層の厚さは５μｍであった。
【０２３４】
続いて、下記の手順で、赤色カラーフィルター上およびカラーフィルター未形成領域（赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）となる画素領域）に赤色波長変換層（赤紫色波長変換層）を形成した。
まず、発光物質として、クマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加えるのに代えて、ルモゲンレッド３０５（赤色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１．５質量％となる量だけ加え、さらに、クマリン６を化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して０．５質量％となる量だけ加えた点以外は、上記の緑色波長変換層の場合と同様の方法で、溶液（赤色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
次いで、赤色カラーフィルターおよびカラーフィルター未形成領域等が形成された前記ガラス基板上に、スピンコート法により、溶液（赤色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、赤色カラーフィルター上およびカラーフィルター未形成領域のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、赤色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、赤色波長変換層を形成した。得られた赤色波長変換層の厚さは５μｍであった。
次に、上記の緑色波長変換層および赤色波長変換層（赤紫色波長変換層）が形成された基板を、グローブボックス（水分濃度：１ｐｐｍ以下、酸素濃度：１ｐｐｍ以下）に移し、８０℃にて１時間加熱し、緑色波長変換層および赤色波長変換層（赤紫色波長変換層）中の水分、酸素を除去した。
【０２３５】
以下、実施例１と同様にして、実施例４の波長変換基板を得た。
【０２３６】
「アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の作製」
以下、実施例１と同様にして、実施例４のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を得た。
【０２３７】
「点灯試験」
外部電源により、青色画素部Ｓ（Ｂ）には実施例１のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置で白色１０００ｃｄ／ｍ２が得られたときと同じ電流量を流し、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）および赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）にはホワイトバランスがとれるように電流量を調整することによって、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の発光特性を評価した。その結果、白色輝度は、後述する比較例のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の白色輝度の１．２倍であった。
【０２３８】
［実施例５］
「波長変換基板用の透明基板の洗浄」
基板として、１００ｍｍ×１００ｍｍ角、厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
【０２３９】
「光吸収層（低反射層）の形成」
まず、ガラス基板の一面に、スピンコート法により、黒色隔壁材料（ＢＫレジスト、東京応化社製）を塗布した。
その後、黒色隔壁材料を塗布したガラス基板を、７０℃にて１５分間プリベークして、膜厚１μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２８に示すように、１画素が５つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層（低反射層）を得た。
【０２４０】
「厚膜バンクの形成」
次に、光吸収層を形成したガラス基板の上に、スピンコート法により、ポジ型感光性ポリイミドを塗布した。
次に、前記のガラス基板の一面上に、スピンコート法により、このポジ型レジストを塗布し、前記の光吸収層上に、膜厚２μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２８に示すように、１画素が５つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層上に、膜厚５μｍの順テーパー形状の厚膜バンクを形成した。
【０２４１】
「厚膜バンクの表面へのアルミニウム反射膜の形成」
厚膜バンクを形成したガラス基板上に、真空蒸着装置を用いてアルミニウムを蒸着し、膜厚１２０ｎｍのアルミニウム膜を形成した。
次に、このアルミニウム膜上に、スピンコート法により、エッチングレジスト（東京応化工業社製）を塗布し、前記のアルミニウム膜上に、塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図２８に示すように、１画素が５つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、厚膜バンクを形成した部分の上部のみがエッチングレジストで覆われるようにパターニングした。
次に、リン酸、酢酸および硝酸を含む溶液からなるＳＬＡエッチャントを用いて、露出しているアルミニウム膜をエッチングし、純水でリンス処理を行い、厚膜バンク上に選択的にアルミニウム反射膜を形成した。
【０２４２】
「カラーフィルターの形成」
次に、前記の厚膜バンクによって区画された５ヵ所の画素領域に、従来の、従来の液晶表示装置用カラーフィルター材料を用いて、フォトリソグラフィー法により、赤色カラーフィルター、緑色カラーフィルター、青色カラーフィルター、カラーフィルター未形成領域をパターン形成した。なお、白色画素部Ｓ（Ｗ）となる画素領域および青緑色画素部Ｓ（Ｃ）となる画素領域を、カラーフィルター未形成領域とした。
赤色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を６１０ｎｍ、緑色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を５３０ｎｍ、青色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を４５０ｎｍとした。
【０２４３】
「励起光散乱層、青緑色散乱層（透過層）の形成」
次に、青色画素部Ｓ（Ｂ）に励起光散乱層を形成し、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）に青緑色光散乱層を形成した。
まず、平均粒子径１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）２０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）に溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌して、光散乱層形成用塗液を調製した。
次に、前記のガラス基板上の青色画素部Ｓ（Ｂ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）に相当する領域に、スクリーン印刷法により、光散乱層形成用塗液を塗布した。引き続き、真空オーブンにより、２００℃、１０ｍｍＨｇの条件で４時間加熱乾燥し、励起光散乱層を形成した。
【０２４４】
「波長変換層の形成」
下記の手順で、緑色カラーフィルター上に緑色波長変換層を形成した。
まず、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）を、化合物（１）：化合物（２）：化合物（３）＝４：２：１（質量比）の割合で混合し、この混合物に、溶媒としてプロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量と同じ質量となるように加えて希釈した。さらに、この希釈液に、発光物質としてクマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加え、重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを、前記の希釈液中のアクリロイル基（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ−）の総量に対して４モル％となる量だけ加えて、超音波をかけて溶解させ、溶液（緑色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
【０２４５】
次いで、緑色カラーフィルター等が形成された前記ガラス基板上に、スピンコート法により、溶液（緑色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、緑色カラーフィルター上のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、緑色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、緑色波長変換層を形成した。得られた緑色波長変換層の厚さは５μｍであった。
【０２４６】
続いて、下記の手順で、赤色カラーフィルター上に赤色波長変換層（赤紫色波長変換層）を形成した。
まず、発光物質として、クマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加えるのに代えて、ルモゲンレッド３０５（赤色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１．５質量％となる量だけ加え、さらに、クマリン６を化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して０．５質量％となる量だけ加えた点以外は、上記の緑色波長変換層の場合と同様の方法で、溶液（赤色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
次いで、赤色カラーフィルター等が形成された前記ガラス基板上に、スピンコート法により、溶液（赤色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、赤色カラーフィルター上のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、赤色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、赤色波長変換層を形成した。得られた赤色波長変換層の厚さは５μｍであった。
【０２４７】
続いて、下記の手順で、カラーフィルター未形成領域のうち白色画素部Ｓ（Ｗ）となる画素領域に、白色波長変換層を形成した。
まず、発光物質として、ルモゲンオレンジ（白色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加えるのに代えて、ルモゲンレッド３０５（赤色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１．５質量％となる量だけ加え、さらに、クマリン６を化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して０．５質量％となる量だけ加えた点以外は、上記の緑色波長変換層の場合と同様の方法で、溶液（白色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
次いで、カラーフィルター未形成領域に、スピンコート法により、溶液（白色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、カラーフィルター未形成領域のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、白色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、白色波長変換層を形成した。得られた白色波長変換層の厚さは５μｍであった。
【０２４８】
次に、上記の緑色波長変換層、赤色波長変換層および白色波長変換層が形成された基板を、グローブボックス（水分濃度：１ｐｐｍ以下、酸素濃度：１ｐｐｍ以下）に移し、８０℃にて１時間加熱し、緑色波長変換層、赤色波長変換層および白色波長変換層中の水分、酸素を除去した。
【０２４９】
以下、実施例１と同様にして、実施例５の波長変換基板を得た。
【０２５０】
「アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の作製」
以下、実施例１と同様にして、実施例５のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を得た。
【０２５１】
「点灯試験」
外部電源により、青色画素部Ｓ（Ｂ）には実施例１のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置で白色１０００ｃｄ／ｍ２が得られたときと同じ電流量を流し、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）および青緑色画素部Ｓ（Ｃ）にはホワイトバランスがとれるように電流量を調整することによって、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の発光特性を評価した。その結果、白色輝度は、後述する比較例のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の白色輝度の１．１倍であった。
【０２５２】
［実施例６］
「アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の作製」
波長変換基板の１画素が、図２９に示すように、３つの面積が等しいサブ画素Ｓ（緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）、白色画素部Ｓ（Ｗ））と、２つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））とを備え、緑色画素部Ｓ（Ｇ）の面積：青緑色画素部Ｓ（Ｃ）の面積：白色画素部Ｓ（Ｗ）の面積：赤色画素部Ｓ（Ｒ）の面積：青色画素部Ｓ（Ｂ）の面積＝２：２：２：３：３となるようにしたこと以外は、実施例５と同様にして、実施例６のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を得た。なお、それぞれの画素部の面積とは、それぞれの画素部における光が出射される面の面積のことである。
【０２５３】
「点灯試験」
外部電源により、青色画素部Ｓ（Ｂ）には実施例１のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置で白色１０００ｃｄ／ｍ２が得られたときと同じ電流量を流し、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）および青緑色画素部Ｓ（Ｃ）にはホワイトバランスがとれるように電流量を調整することによって、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の発光特性を評価した。その結果、白色輝度は、後述する比較例のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の白色輝度の１．２倍であった。
【０２５４】
［実施例７］
「波長変換基板用の透明基板の洗浄」
基板として、１００ｍｍ×１００ｍｍ角、厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
【０２５５】
「光吸収層（低反射層）の形成」
まず、ガラス基板の一面に、スピンコート法により、黒色隔壁材料（ＢＫレジスト、東京応化社製）を塗布した。
その後、黒色隔壁材料を塗布したガラス基板を、７０℃にて１５分間プリベークして、膜厚１μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図３０に示すように、１画素が５つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層（低反射層）を得た。
【０２５６】
「厚膜バンクの形成」
次に、光吸収層を形成したガラス基板の上に、スピンコート法により、ポジ型感光性ポリイミドを塗布した。
次に、前記のガラス基板の一面上に、スピンコート法により、このポジ型レジストを塗布し、前記の光吸収層上に、膜厚２μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図３０に示すように、１画素が５つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層上に、膜厚５μｍの順テーパー形状の厚膜バンクを形成した。
【０２５７】
「厚膜バンクの表面へのアルミニウム反射膜の形成」
厚膜バンクを形成したガラス基板上に、真空蒸着装置を用いてアルミニウムを蒸着し、膜厚１２０ｎｍのアルミニウム膜を形成した。
次に、このアルミニウム膜上に、スピンコート法により、エッチングレジスト（東京応化工業社製）を塗布し、前記のアルミニウム膜上に、塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図３０に示すように、１画素が５つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、白色画素部Ｓ（Ｗ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、厚膜バンクを形成した部分の上部のみがエッチングレジストで覆われるようにパターニングした。
次に、リン酸、酢酸および硝酸を含む溶液からなるＳＬＡエッチャントを用いて、露出しているアルミニウム膜をエッチングし、純水でリンス処理を行い、厚膜バンク上に選択的にアルミニウム反射膜を形成した。
【０２５８】
「カラーフィルターの形成」
次に、前記の厚膜バンクによって区画された５ヵ所の画素領域に、従来の、従来の液晶表示装置用カラーフィルター材料を用いて、フォトリソグラフィー法により、赤色カラーフィルター、緑色カラーフィルター、青色カラーフィルター、カラーフィルター未形成領域をパターン形成した。なお、白色画素部Ｓ（Ｗ）となる画素領域および赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）となる画素領域を、カラーフィルター未形成領域とした。
赤色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を６１０ｎｍ、緑色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を５３０ｎｍ、青色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を４５０ｎｍとした。
【０２５９】
「励起光散乱層の形成」
次に、青色画素部Ｓ（Ｂ）に励起光散乱層を形成した。
まず、平均粒子径１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）２０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）に溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌して、光散乱層形成用塗液を調製した。
次に、前記のガラス基板上の青色画素部Ｓ（Ｂ）に相当する領域に、スクリーン印刷法により、光散乱層形成用塗液を塗布した。引き続き、真空オーブンにより、２００℃、１０ｍｍＨｇの条件で４時間加熱乾燥し、励起光散乱層を形成した。
【０２６０】
「波長変換層の形成」
下記の手順で、緑色カラーフィルター上に緑色波長変換層を形成した。
まず、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）を、化合物（１）：化合物（２）：化合物（３）＝４：２：１（質量比）の割合で混合し、この混合物に、溶媒としてプロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量と同じ質量となるように加えて希釈した。さらに、この希釈液に、発光物質としてクマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加え、重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを、前記の希釈液中のアクリロイル基（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ−）の総量に対して４モル％となる量だけ加えて、超音波をかけて溶解させ、溶液（緑色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
【０２６１】
続いて、下記の手順で、赤色カラーフィルター上に赤色波長変換層（赤紫色波長変換層）を形成した。
まず、発光物質として、クマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加えるのに代えて、ルモゲンレッド３０５（赤色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１．５質量％となる量だけ加え、さらに、クマリン６を化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して０．５質量％となる量だけ加えた点以外は、上記の緑色波長変換層の場合と同様の方法で、溶液（赤色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
次いで、赤色カラーフィルター等が形成された前記ガラス基板上に、スピンコート法により、溶液（赤色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、赤色カラーフィルター上のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、赤色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、赤色波長変換層を形成した。得られた赤色波長変換層の厚さは５μｍであった。
【０２６２】
続いて、下記の手順で、カラーフィルター未形成領域のうち白色画素部Ｓ（Ｗ）となる画素領域に、白色波長変換層を形成した。
まず、発光物質として、ルモゲンオレンジ（白色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加えるのに代えて、ルモゲンレッド３０５（赤色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１．５質量％となる量だけ加え、さらに、クマリン６を化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して０．５質量％となる量だけ加えた点以外は、上記の緑色波長変換層の場合と同様の方法で、溶液（白色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
次いで、カラーフィルター未形成領域に、スピンコート法により、溶液（白色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、カラーフィルター未形成領域のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、白色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、白色波長変換層を形成した。得られた白色波長変換層の厚さは５μｍであった。
【０２６３】
次に、上記の緑色波長変換層、赤色波長変換層（赤紫色波長変換層）および白色波長変換層が形成された基板を、グローブボックス（水分濃度：１ｐｐｍ以下、酸素濃度：１ｐｐｍ以下）に移し、８０℃にて１時間加熱し、緑色波長変換層、赤色波長変換層（赤紫色波長変換層）および白色波長変換層中の水分、酸素を除去した。
【０２６４】
以下、実施例１と同様にして、実施例７の波長変換基板を得た。
【０２６５】
「アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の作製」
以下、実施例１と同様にして、実施例７のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を得た。
【０２６６】
「点灯試験」
外部電源により、青色画素部Ｓ（Ｂ）には実施例１のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置で白色１０００ｃｄ／ｍ２が得られたときと同じ電流量を流し、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）および白色画素部Ｓ（Ｗ）にはホワイトバランスがとれるように電流量を調整することによって、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の発光特性を評価した。その結果、白色輝度は、後述する比較例のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の白色輝度の１．２倍であった。
【０２６７】
［実施例８］
「アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の作製」
波長変換基板の１画素が、図３１に示すように、３つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ））と、これらのサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ））の面積（赤色光、緑色光、赤紫色光が出射される面の面積）の６倍の面積（青色光が出射される面の面積）を有するサブ画素Ｓ（青色画素部Ｓ（Ｂ））とを備えるようにしたこと以外は、実施例３と同様にして、実施例８のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を得た。
【０２６８】
「点灯試験」
外部電源により、青色画素部Ｓ（Ｂ）には実施例１のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置で白色１０００ｃｄ／ｍ２が得られたときと同じ電流量を流し、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）および赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）にはホワイトバランスがとれるように電流量を調整することによって、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の発光特性を評価した。その結果、白色輝度は、後述する比較例のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の白色輝度の２．２倍であった。
【０２６９】
［比較例］
「波長変換基板用の透明基板の洗浄」
基板として、１００ｍｍ×１００ｍｍ角、厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
【０２７０】
「光吸収層（低反射層）の形成」
まず、ガラス基板の一面に、スピンコート法により、黒色隔壁材料（ＢＫレジスト、東京応化社製）を塗布した。
その後、黒色隔壁材料を塗布したガラス基板を、７０℃にて１５分間プリベークして、膜厚１μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図３２に示すように、１画素が３つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層（低反射層）を得た。
【０２７１】
「厚膜バンクの形成」
次に、光吸収層を形成したガラス基板の上に、スピンコート法により、ポジ型感光性ポリイミドを塗布した。
次に、前記のガラス基板の一面上に、スピンコート法により、このポジ型レジストを塗布し、前記の光吸収層上に、膜厚２μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図３２に示すように、１画素が３つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収層上に、膜厚５μｍの順テーパー形状の厚膜バンクを形成した。
【０２７２】
「厚膜バンクの表面へのアルミニウム反射膜の形成」
厚膜バンクを形成したガラス基板上に、真空蒸着装置を用いてアルミニウムを蒸着し、膜厚１２０ｎｍのアルミニウム膜を形成した。
次に、このアルミニウム膜上に、スピンコート法により、エッチングレジスト（東京応化工業社製）を塗布し、前記のアルミニウム膜上に、塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、図３２に示すように、１画素が３つの面積が等しいサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されるような画像パターンが形成できるマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せて、塗膜にｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次に、現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（商品名：ＮＭＤ−３、東京応化工業社製）を用いて、塗膜を現像し、純水でリンス処理を行い、厚膜バンクを形成した部分の上部のみがエッチングレジストで覆われるようにパターニングした。
次に、リン酸、酢酸および硝酸を含む溶液からなるＳＬＡエッチャントを用いて、露出しているアルミニウム膜をエッチングし、純水でリンス処理を行い、厚膜バンク上に選択的にアルミニウム反射膜を形成した。
【０２７３】
「カラーフィルターの形成」
次に、前記の厚膜バンクによって区画された３ヵ所の画素領域に、従来の、従来の液晶表示装置用カラーフィルター材料を用いて、フォトリソグラフィー法により、赤色カラーフィルター、緑色カラーフィルター、青色カラーフィルターをパターン形成した。
赤色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を６１０ｎｍ、緑色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を５３０ｎｍ、青色カラーフィルターから射出する光のピーク波長を４５０ｎｍとした。
【０２７４】
「励起光散乱層の形成」
次に、青色画素部Ｓ（Ｂ）に励起光散乱層を形成した。
まず、平均粒子径１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）２０ｇに、水／ジメチルスルホキシド＝１／１の混合溶液（３００ｇ）に溶解されたポリビニルアルコール３０ｇを加え、分散機により攪拌して、光散乱層形成用塗液を調製した。
次に、前記のガラス基板上の青色画素部Ｓ（Ｂ）に相当する領域に、スクリーン印刷法により、光散乱層形成用塗液を塗布した。引き続き、真空オーブンにより、２００℃、１０ｍｍＨｇの条件で４時間加熱乾燥し、励起光散乱層を形成した。
【０２７５】
「波長変換層の形成」
下記の手順で、緑色カラーフィルター上に緑色波長変換層を形成した。
まず、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）を、化合物（１）：化合物（２）：化合物（３）＝４：２：１（質量比）の割合で混合し、この混合物に、溶媒としてプロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量と同じ質量となるように加えて希釈した。さらに、この希釈液に、発光物質としてクマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加え、重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを、前記の希釈液中のアクリロイル基（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ−）の総量に対して４モル％となる量だけ加えて、超音波をかけて溶解させ、溶液（緑色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
【０２７６】
続いて、下記の手順で、赤色カラーフィルター上に赤色波長変換層を形成した。
まず、発光物質として、クマリン６（緑色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１質量％となる量だけ加えるのに代えて、ルモゲンレッド３０５（赤色発光物質）を、化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して１．５質量％となる量だけ加え、さらに、クマリン６を化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）の総量に対して０．５質量％となる量だけ加えた点以外は、上記の緑色波長変換層の場合と同様の方法で、溶液（赤色波長変換層形成用組成物、硬化性組成物）を調製した。
次いで、赤色カラーフィルター等が形成された前記ガラス基板上に、スピンコート法により、溶液（赤色波長変換層形成用組成物）を塗布し、塗膜を形成した。
その後、塗膜に対して、窒素雰囲気下において、赤色カラーフィルター上のみに光が照射されるようにパターニングされたフォトマスクを介して、平行光のｉ線を６００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、前記の塗膜を硬化させた。
さらに、この硬化物を備えたガラス基板を２−プロパノールに浸漬し、未露光部の塗膜を溶解させることで現像し、赤色波長変換層のパターンを形成した。そして、このパターンを形成したガラス基板を９０℃のホットプレート上で加熱し、残存する溶媒を除去することにより、赤色波長変換層を形成した。得られた赤色波長変換層の厚さは５μｍであった。
【０２７７】
次に、上記の緑色波長変換層および赤色波長変換層が形成された基板を、グローブボックス（水分濃度：１ｐｐｍ以下、酸素濃度：１ｐｐｍ以下）に移し、８０℃にて１時間加熱し、緑色波長変換層および赤色波長変換層中の水分、酸素を除去した。
【０２７８】
以下、実施例１と同様にして、比較例の波長変換基板を得た。
【０２７９】
「アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の作製」
以下、実施例１と同様にして、比較例のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を得た。
【０２８０】
「点灯試験」
外部電源により、青色画素部Ｓ（Ｂ）には実施例１のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置で白色１０００ｃｄ／ｍ２が得られたときと同じ電流量を流し、赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）および白色画素部Ｓ（Ｗ）にはホワイトバランスがとれるように電流量を調整することによって、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の発光特性を評価した。その結果、白色輝度は、後述する比較例のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の白色輝度の１．２倍であった。
【０２８１】
実施例１、実施例２、実施例４、実施例５、実施例６および比較例では、赤色光のピーク波長を６１０ｎｍ、緑色光のピーク波長を５３０ｎｍ、青色光のピーク波長を４５０ｎｍに調整している。このとき、ＲＧＢの比視感度はそれぞれ、Ｒ：０．５０３、Ｇ：０．８６２、Ｂ：０．０３８である。
実施例３、実施例７および実施例８では、赤色光のピーク波長を６２０ｎｍ、緑色光のピーク波長を５４０ｎｍ、青色光のピーク波長を４５０ｎｍに調整している。このとき、ＲＧＢの比視感度はそれぞれ、Ｒ：０．３８１、Ｇ：０．９５４、Ｂ：０．０３８である。実施例３、実施例７および実施例８は、実施例１、実施例２、実施例４、実施例５、実施例６および比較例に比べて、赤の視感度が下がり、緑の視感度が上がっていることから、赤色光が出射する面積を大きくすることがホワイトバランスの向上に効果を発揮する。そのため、４番目の画素部Ｓとして、青緑色画素部Ｓ（Ｃ）を追加するよりも、赤紫色画素部Ｓ（Ｍ）を追加した方がホワイトバランスを向上する上で利点がある。
【産業上の利用可能性】
【０２８２】
本発明は、本発明は、有機ＥＬ表示装置、照明装置、電子機器に適用することができる。
【符号の説明】
【０２８３】
１０・・・有機ＥＬ素子基板、１１・・・基板、１２・・・ＴＦＴ回路、１３・・・層間絶縁膜、１４・・・平坦化膜、１５・・・アクティブマトリクス基板、１６・・・第１隔壁、１７・・・封止層、２０，２１０，３１０，４１０，５１０・・・波長変換基板、２１・・・透明基板、２２・・・第２隔壁、２３・・・カラーフィルター層、２４・・・波長変換層、２５・・・光透過層、２６・・・励起光散乱層、２７・・・補助電極、２８・・・給電点、３０・・・充填層、３１・・・シール部材、４０・・・有機ＥＬ素子、４１・・・有機ＥＬ層、４２・・・第１電極、４３・・・第２電極、４４・・・正孔注入層、４５・・・正孔輸送層、４６・・・電子ブロッキング層、４７・・・発光層、４８・・・電子輸送層、４９・・・電子注入層、１００，２００，３００，４００，５００・・・波長変換方式発光装置、２０００・・・表示装置、２００１・・・有機ＥＬ基板、２００２・・・波長変換基板、２００３・・・画素部、２００４・・・ゲート信号側駆動回路、２００５・・・データ信号側駆動回路、２００６・・・信号配線、２００７・・・電流供給線、２００８・・・フレキシブルプリント配線板、２００９・・・外部駆動回路、２０１０・・・有機ＥＬ発光装置、２１００・・・照明スタンド、２１０１・・・照明部、２１０２・・・スタンド、２１０３・・・電源スイッチ、２１０４・・・電源コード、２２００・・・テレビ受信装置、２２０１・・・表示部、２２０２・・・スピーカ、２２０３・・・キャビネット、２２０４・・・スタンド、２３００・・・携帯型ゲーム機、２３０１・・・操作ボタン、２３０２・・・赤外線ポート、２３０３・・・ＬＥＤランプ、２３０４・・・表示部、２３０５・・・筐体、２４００・・・ノートパソコン、２４０１・・・表示部、２４０２・・・キーボード、２４０３・・・デバイス、２４０４・・・電源スイッチ、２４０５・・・カメラ、２４０６・・・外部接続ポート、２４０７・・・筐体、２５００・・・スマートフォン、２５０１・・・音声入力部、２５０２・・・音声出力部、２５０３・・・操作スイッチ、２５０４・・・表示部、２５０５・・・タッチパネル、２５０６・・・筐体、２６００・・・腕時計型ディスプレイ、２６０１・・・電源スイッチ、２６０２・・・表示部、２６０３・・・固定バンド、２７００・・・ヘッドマウントディスプレイ、２７０１・・・電源スイッチ、２７０２・・・表示部、２７０３・・・固定バンド、２７０４・・・フレーム。
【図１】
2016122606.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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