(57)【要約】【課題】比較的温和な条件で、チャフロサイド類を収率良く製造することができる方法を提供することを課題とする。【解決手段】原料化合物の糖構造の４位と６位のヒドロキシル基に環状の保護基を導入した上で、いわゆる光延反応を利用して糖構造とフェノール構造の間を環化することにより、比較的温和な条件で、チャフロサイド類を収率良く製造することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるチャフロサイド類の製造方法であって、
下記式（１−１）、（１−２Ａ）、又は（１−２Ｂ）で表される化合物を準備する第１工程、及び前記化合物に対して光延反応により下記反応式（２）で表される反応を行う第２工程を含むことを特徴とする、チャフロサイド類の製造方法。
【化１】
2016088888.tif 000030
（式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、ｋは１〜３の整数を表す。）
【化２】
2016088888.tif 000031
（式（１−１）、（１−２Ａ）、及び（１−２Ｂ）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ｒ１はハロゲン原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を、Ａは下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を、ｋは１〜３の整数を表す。）
【化３】
2016088888.tif 000032
（反応式（２）中、Ｒ’は水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ａは下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を表す。）
【化４】
2016088888.tif 000033
（式（Ｉ）〜（ＩＶ）中、Ｒ２はそれぞれ独立して水素原子、又は窒素原子、酸素原子、若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基を、ｍは１〜３の整数を表す。）
【請求項２】
前記第１工程が、下記式（ｒ０）、（ｒ１）、（ｒ２Ａ）、又は（ｒ２Ｂ）で表される化合物に対して下記反応式（１）で表される反応を行うことを含むものである、請求項１に記載のチャフロサイド類の製造方法。
【化５】
2016088888.tif 000034
（式（ｒ０）、（ｒ１）、（ｒ２Ａ）、及び（ｒ２Ｂ）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ｒ１はハロゲン原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を、Ｘはハロゲン原子を、ｋは１〜３の整数を表す。）
【化６】
2016088888.tif 000035
（反応式（１）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ｒ３はそれぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基を、Ｚは酸素原子又は硫黄原子を、Ａ
は前記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を表す。）
【請求項３】
前記下記式（ｒ０）、（ｒ１）、（ｒ２Ａ）、又は（ｒ２Ｂ）で表される化合物が、下記式で表されるイソビテキシン又はビテキシンである、請求項２に記載のチャフロサイド類の製造方法。
【化７】
2016088888.tif 000036
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チャフロサイド類の製造方法に関し、より詳しくは光延反応を利用した合成を含むチャフロサイド類の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チャフロサイドは、フラボン誘導体の一種であるフラボンＣ配糖体であり、抗酸化作用、抗アレルギー作用、抗炎症作用などが知られている。チャフロサイドは、ウーロン茶から単離される化合物であることが知られており、その構造式も決定されている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、チャフロサイド類を製造するために経由する前駆体として、硫酸化Ｃ−配糖体が報告されており、下記式に示すように加熱処理によりチャフロサイドへ変換可能であることが開示されている（特許文献２参照）。
【化１】
2016088888.tif 000002
【０００４】
一方でチャフロサイドの新たな用途が提案されており、チャフロサイドＢが美白効果、メラニン生成抑制効果を有し、化粧料や飲料などに適用可能であることが開示されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開２００４／００５２９６パンフレット
【特許文献２】国際公開２０１０／０７６８７９パンフレット
【特許文献３】国際公開２０１２／１４１２５５パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
チャフロサイド類を製造する方法として、例えば特許文献２に記載されているような硫酸化Ｃ−配糖体を経由する方法が提案されているが、この方法では１００℃以上の高温が必要であり、また収率も改善の余地を残すものであった。
即ち、本発明は、比較的温和な条件で、チャフロサイド類をより収率良く製造することができる方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、原料化合物の糖構造の４位と６位のヒドロキシル基に環状の保護基を導入した上で、いわゆる光延反応を利用して糖構造とフェノール構造の間を環化することにより、比較的温和な条件で、チャフロサイド類を収率良く製造することができることを見出し、本発明を完成させた。
【０００８】
即ち、本発明は以下の通りである。
＜１＞ 下記式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるチャフロサイド類の製造方法であって、
下記式（１−１）、（１−２Ａ）、又は（１−２Ｂ）で表される化合物を準備する第１工程、及び前記化合物に対して光延反応により下記反応式（２）で表される反応を行う第２工程を含むことを特徴とする、チャフロサイド類の製造方法。
【化２】
2016088888.tif 000003
（式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、ｋは１〜３の整数を表す。）
【化３】
2016088888.tif 000004
（式（１−１）、（１−２Ａ）、及び（１−２Ｂ）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ｒ１はハロゲン原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を、Ａは下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を、ｋは１〜３の整数を表す。）
【化４】
2016088888.tif 000005
（反応式（２）中、Ｒ’は水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ａは下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を表す。）
【化５】
2016088888.tif 000006
（式（Ｉ）〜（ＩＶ）中、Ｒ２はそれぞれ独立して水素原子、又は窒素原子、酸素原子、若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基を、ｍは１〜３の整数を表す。）
＜２＞ 前記第１工程が、下記式（ｒ０）、（ｒ１）、（ｒ２Ａ）、又は（ｒ２Ｂ）で表される化合物に対して下記反応式（１）で表される反応を行うことを含むものである、請求項１に記載のチャフロサイド類の製造方法。
【化６】
2016088888.tif 000007
（式（ｒ０）、（ｒ１）、（ｒ２Ａ）、及び（ｒ２Ｂ）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ｒ１はハロゲン原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を、Ｘはハロゲン原子を、ｋは１
〜３の整数を表す。）
【化７】
2016088888.tif 000008
（反応式（１）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ｒ３はそれぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基を、Ｚは酸素原子又は硫黄原子を、Ａは前記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を表す。）
＜３＞ 前記下記式（ｒ０）、（ｒ１）、（ｒ２Ａ）、又は（ｒ２Ｂ）で表される化合物が、下記式で表されるイソビテキシン又はビテキシンである、請求項２に記載のチャフロサイド類の製造方法。
【化８】
2016088888.tif 000009
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、比較的温和な条件で、チャフロサイド類を収率良く製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明について説明するが、本発明の技術的範囲は、以下の具体的な実施形態にのみ限定されるものではない。
【００１１】
＜チャフロサイド類の製造方法＞
本発明の一態様であるチャフロサイド類の製造方法（以下、「本発明の製造方法」と略す場合がある。）は、下記式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるチャフロサイド類を製造する方法であり、下記式（１−１）、（１−２Ａ）、又は（１−２Ｂ）で表される化合物を準備する第１工程、及び前記化合物に対して光延反応により下記反応式（２）で表される反応を行う第２工程を含むことを特徴とする。
【化９】
2016088888.tif 000010
（式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、ｋは１〜３の整数を表す。）
【化１０】
2016088888.tif 000011
（式（１−１）、（１−２Ａ）、及び（１−２Ｂ）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ｒ１はハロゲン原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を、Ａは下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を、ｋは１〜３の整数を表す。）
【化１１】
2016088888.tif 000012
（反応式（２）中、Ｒ’は水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ａは下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を表す。）
【化１２】
2016088888.tif 000013
（式（Ｉ）〜（ＩＶ）中、Ｒ２はそれぞれ独立して水素原子、又は窒素原子、酸素原子、若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基を、ｍは１〜３の整数を表す。）
【００１２】
本発明者らは、チャフロサイド類におけるオキソラン構造（酸素原子を含む五員環構造）を形成するために、原料化合物の糖構造の４位と６位のヒドロキシル基に保護基を導入した上で、いわゆる光延反応を利用して糖構造とフェノール構造の間を環化することにより、温和な条件で、非常に収率良く生成物が得られることを確認している。特に炭酸エステルやアセタール等を利用して糖構造の４位と６位のヒドロキシル基に環状の保護基を導入すると、光延反応に対して非常に安定な保護基として作用するとともに、保護基を導入する反応自体が非常に効率良く進むため、結果、最終生成物であるチャフロサイド類をより収率良く製造することに繋がることを見出したのである。
なお、反応式（２）の反応物は、第１工程で準備した化合物の部分構造を意味し、反応式（２）の波線の先は、式（１−１）、（１−２Ａ）、又は（１−２Ｂ）で表される化合物に応じた構造であることを表している。
また、式（Ｉ）〜（ＩＶ）の波線の先も、式（１−１）、（１−２Ａ）、又は（１−２Ｂ）で表される化合物に応じた構造であることを表している。
加えて、「光延反応」とは、アゾ化合物、ホスフィン等を利用し、ヒドロキシル基を活性化して求核置換反応を進める公知の化学反応を意味するものとする。
【００１３】
（チャフロサイド類）
本発明の製造方法は、式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるチャフロサイド類を製造する方法であるが、チャフロサイドＡ及びチャフロサイドＢを製造するために特に有効である。
【化１３】
2016088888.tif 000014
【００１４】
（第１工程）
本発明の製造方法は、下記式（１−１）、（１−２Ａ）、又は（１−２Ｂ）で表される
化合物（以下、「式（１−１）等で表される化合物」と略す場合がある。）を準備する第１工程を含むことを特徴とするが、準備する化合物は、式（１−１）、（１−２Ａ）、又は（１−２Ｂ）で表されるものであれば、具体的な種類は特に限定されず、目的に合わせて適宜選択することができる。
【化１４】
2016088888.tif 000015
（式（１−１）、（１−２Ａ）、及び（１−２Ｂ）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ｒ１はハロゲン原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を、Ａは下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を、ｋは１〜３の整数を表す。）
【００１５】
Ｒ’は、水素原子又はヒドロキシル基の保護基を表しているが、保護基の種類は特に限定されず、ヒドロキシル基の保護基として公知のものを適宜選択することができる。具体的には、メチル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、テトラヒドロピラン等のエーテル系保護基；アセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等のアシル系保護基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基等のシリルエーテル系保護基；トシル基等のスルホン酸エステル系保護基、等が挙げられる。
【００１６】
Ｒ１はハロゲン原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表しているが、「酸素原子若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい」とは、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、クロロ基（−Ｃｌ）等の酸素原子若しくはハロゲン原子を含む官能基を含んでいてもよいことを意味するほか、エーテル基（−Ｏ−）等の酸素原子を含む連結基を炭素骨格の内部又は末端に含んでいてもよいことを意味する。従って、「酸素原子若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい」炭化水素基には、例えば−ＣＨ２−ＣＨ２−ＯＨのようにヒドロキシル基を含んでいる炭素数２の炭化水素基、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３のようにエーテル基を炭素骨格の内部に含んでいる炭素数２の炭化水素基、及び−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３のようにエーテル基を炭素骨格の末端に含んでいる炭素数２の炭化水素基等が含まれる。
Ｒ１が炭化水素基である場合、その炭素数は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上であり、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下、さらに好ましくは６以下である。なお、炭化水素基は、直鎖状の飽和炭化水素基に限られず、分岐構造を有していても、不飽和結合を有していてもよい。
Ｒ１が炭化水素基である場合、炭化水素基に含まれる官能基としては、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、メトキシ基（−ＯＣＨ３）、エトキシ基（−ＯＣ２Ｈ５）、カルボニル基（−ＣＯ−）、アルデヒド基（−ＣＨＯ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、クロロ基（−Ｃｌ）、ブロモ基（−Ｂｒ）、ヨード基（−Ｉ）等が挙げられる。
具体的なＲ１として、下記式で表される構造が挙げられる。
【化１５】
2016088888.tif 000016
【００１７】
Ａは下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を表している。
【化１６】
2016088888.tif 000017
（式（Ｉ）〜（ＩＶ）中、Ｒ２はそれぞれ独立して水素原子、又は窒素原子、酸素原子、若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基を、ｍは１〜３の整数を表す。）
【００１８】
Ｒ２はそれぞれ独立して水素原子、又は窒素原子、酸素原子、若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基を表しているが、「窒素原子、酸素原子、若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい」とは、ニトロ基（−ＮＯ２）、アルデヒド基（−ＣＨＯ）、クロロ基（−Ｃｌ）等の窒素原子、酸素原子、若しくはハロゲン原子を含む官能基を含んでいてもよいことを意味するほか、エーテル基（−Ｏ−）等の酸素原子を含む連結基を炭素骨格の内部又は末端に含んでいてもよいことを意味する。
Ｒ２が炭化水素基である場合、その炭素数は、好ましくは８以下、より好ましくは６以下である。なお、炭化水素基は、直鎖状の飽和炭化水素基に限られず、分岐構造を有していても、不飽和結合を有していてもよい。特にＡ中のフェニル基等と共役した構造であることが好ましい。
Ｒ２が炭化水素基である場合、炭化水素基に含まれる官能基としては、ニトロ基（−ＮＯ２）、メトキシ基（−ＯＣＨ３）、エトキシ基（−ＯＣ２Ｈ５）、アルデヒド基（−ＣＨＯ）、フルオロ基（−Ｆ）等が挙げられる。
【００１９】
第１工程における式（１−１）等で表される化合物の準備方法は、特に限定されず、式（１−１）等で表される化合物を入手しても、或いは式（１−１）等で表される化合物を自ら調製してもよい。
また、式（１−１）等で表される化合物の調製方法も、特に限定されず、公知の原料化合物を用い、公知の合成方法を適宜組み合わせて調製することができるが、下記反応式（１）で表される反応を含む調製方法であることが好ましい。
なお、反応式（１）の反応物は、糖構造を有する化合物（以下、「原料化合物」と略す場合がある。）を意味し、反応式（１）の波線の先は特に限定されないことを意味する。また、反応式（１）のＲ３Ｚ−Ａ−ＺＲ３は、糖構造の４位と６位のヒドロキシル基に保護基を導入するための化合物（以下、「保護化合物」と略す場合がある。）を意味しており、反応式（１）で表される反応は、酸触媒存在下で糖構造の４位と６位のヒドロキシル基に環状の保護基を導入する反応であることを表している。
また、保護化合物として、Ｒ３−ＣＨ（ＯＭｅ）２を導入すること及びベンジルアルデ
ヒドを常法に従い反応させベンジル基を導入することもできる。
【化１７】
2016088888.tif 000018
（反応式（１）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ｒ３はそれぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基を、Ｚは酸素原子又は硫黄原子を、Ａは前記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を表す。）
【００２０】
反応式（１）で表される反応に使用する原料化合物、保護化合物、酸触媒、及び溶媒の種類、使用量、並びに反応条件等は、特に限定されず、公知のものを適宜採用することができる。
原料化合物としては、下記式（ｒ０）、（ｒ１）、（ｒ２Ａ）、又は（ｒ２Ｂ）で表される化合物が挙げられる。
【化１８】
2016088888.tif 000019
（式（ｒ０）、（ｒ１）、（ｒ２Ａ）、及び（ｒ２Ｂ）中、Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ｒ１はハロゲン原子、又は酸素原子若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を、Ｘはハロゲン原子を、ｋは１〜３の整数を表す。）
具体的な原料化合物としては、下記式で表されるイソビテキシン又はビテキシンであることが特に好ましい。イソビテキシン又はビテキシンは、入手し易く、保護基（例えば、４位と６位のヒドロキシル基以外のヒドロキシル基の保護）の導入や脱保護を行わなくてもチャフロサイド類を製造できるため、非常に効率的にチャフロサイド類を製造することができる。
【化１９】
2016088888.tif 000020
【００２１】
保護化合物としては、下記式（ｐｉ）、（ｐｉｉ）、（ｐｉｉｉ）、又は（ｐｉｖ）で表される化合物が挙げられる。
【化２０】
2016088888.tif 000021
（式（ｐｉ）〜（ｐｉｖ）中、Ｒ２はそれぞれ独立して水素原子、又は窒素原子、酸素原子、若しくはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基を、Ｒ３はそれぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基を、Ｚは酸素原子又は硫黄原子を、ｍは１〜３の整数を表す。）
なお、Ｒ３はそれぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基を表しているが、Ｒ３の炭素数は、好ましくは８以下、より好ましくは６以下、さらに好ましくは４以下である。
具体的な保護化合物としては、下記式で表されるベンズアルデヒドジメチルアセタールであることが特に好ましい。
【化２１】
2016088888.tif 000022
【００２２】
反応式（１）で表される反応における保護化合物の使用量は、原料化合物に対して（物質量換算）、通常０．０１倍以上、好ましくは０．１倍以上、より好ましく１倍以上であり、通常１００倍以下、好ましくは５０倍以下、より好ましくは５倍以下である。上記範囲内であると、収率良く反応を進めやすくなる。
【００２３】
酸触媒としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘプタン酸等のアルカン酸；クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、フルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸等のハロゲン化アルカン酸；安息香酸等のアリールカルボン酸；メタンスルホン酸等のアルキルスルホン酸；パラトルエンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸ピリジニウム（ＰＰＴＳ）、ベンゼンスルホン酸等のアリールスルホン酸、塩酸、硫酸等の無機酸が挙げられる。
具体的な酸触媒としては、パラトルエンスルホン酸ピリジニウム（ＰＰＴＳ）が特に好
ましい。
【００２４】
反応式（１）で表される反応における酸触媒の使用量は、原料化合物が十分溶解可能な量であればよく、原料化合物に対して（物質量換算）、通常１倍以上、好ましくは５倍以上であり、通常１０００倍以下、好ましくは１００倍以下である。上記範囲内であると、収率良く反応を進めやすくなる。
【００２５】
反応式（１）で表される反応における溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ヘキサン、ペンタン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素系溶媒；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ベンゾトリフルオリド等の芳香族ハロゲン化炭化水素類系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
具体的な溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）が特に好ましい。
【００２６】
反応式（１）で表される反応の反応温度は、通常０℃以上、好ましくは０℃以上であり、通常１００℃以下、好ましくは７０℃以下である。
反応式（１）で表される反応の反応時間は、通常５分以上、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上であり、通常４８時間以下、好ましくは５時間以下、より好ましくは３時間以下である。
【００２７】
（第２工程）
本発明の製造方法は、第１工程で準備したに対して光延反応により下記反応式（２）で表される反応を行う第２工程を含むことを特徴とする。
【化２２】
2016088888.tif 000023
（反応式（２）中、Ｒ’は水素原子又はヒドロキシル基の保護基を、Ａは下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）で表される構造を表す。）
【００２８】
第２工程における光延反応は、使用する試薬及び溶媒の種類、使用量、並びに反応条件等は、特に限定されず、公知のものを適宜採用することができる。
光延反応に使用する試薬としては、ホスホラン（単独）、アゾ化合物とホスフィンの組み合わせ等が挙げられる。
ホスホランとしては、（シアノメチレン）トリメチルホスホラン、（シアノメチレン）トリブチルホスホラン等が挙げられる。
アゾ化合物としては、ジエチルアゾジカルボキシレート、ジイソプロピルアゾジカルボキシレート等のジ低級アルキルアゾジカルボキシレート；Ｎ，Ｎ’−（アゾジカルボニル）ジピペリジン等のヘテロアリールアゾジカルボニルが挙げられる。
ホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン等のトリアリールホスフィン；トリｎ−ブチルホスフィン等のトリ低級アルキルホスフィンが挙げられる。
【００２９】
第２工程においてアゾ化合物とホスフィンの組み合わせを使用する場合、アゾ化合物の使用量は、反応物に対して（物質量換算）、通常０．１倍以上、好ましくは０．５倍以上であり、通常５倍以下、好ましくは２倍以下である。上記範囲内であると、収率良く反応を進み、副生成物の量も抑えられる。
また、ホスフィンの使用量は、反応物に対して（物質量換算）、常０．１倍以上、好ましくは０．５倍以上であり、通常５倍以下、好ましくは２倍以下である。上記範囲内であると、収率良く反応を進み、副生成物の量も抑えられる。
【００３０】
第２工程における溶媒としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒が挙げられる。
【００３１】
第２工程の反応温度は、通常０℃以上、好ましくは２０℃以上であり、好ましくは１００℃以下、より好ましくは７０℃以下である。
第２工程の反応時間は、通常５分以上、好ましくは１時間以上、より好ましくは５時間以上であり、好ましくは２日以下、より好ましくは１日以下である。
【００３２】
本発明の製造方法は、前述した第１工程及び第２工程を含むものであれば、その他については特に限定されず、目的に応じて様々な工程を含んでいてもよい。
例えば、保護基を取り除く脱保護工程、得られた生成物を精製する精製工程等が挙げられる。
【実施例】
【００３３】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【００３４】
＜実施例１：チャフロサイドＡの製造＞
（ベンザルイソビテキシンの準備）
触媒量のパラトルエンスルホン酸ピリジニウム（ＰＰＴＳ）存在下、イソビテキシン（４３２ｍｇ，１ｍＭ）とベンズアルデヒドジメチルアセタール（３０４ｍｇ，２ｍＭ）の無水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶液（８ｍＬ）を撹拌しながら、２時間、５０℃に保った。反応液を酢酸エチル（ＡｃＯＥｔ）溶液（１００ｍＬ）に注ぎ、それを飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄した。ＡｃＯＥｔ溶液を無水硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ４）で乾燥後、濃縮乾固し、反応成績体をＡｃＯＥｔで再結晶してベンザルイソビテキシン（収率：＞９９％）を得た。
【化２３】
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【００３５】
（ベンザルイソビテキシンの光延反応）
ベンザルイソビテキシンとジエチルアゾジカルボキシレート（３４４ｍｇ，２ｍＭ）の無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液（１００ｍＬ）に、トリフェニルホスフィン（５０２ｍｇ，２ｍＭｉｎ無水ＴＨＦ溶液（２ｍＬ））を室温にて滴下した。その後、一夜５
０℃にて撹拌した。反応液を減圧下濃縮乾固し、反応成績体をＳｉＯ２（１５０ｃｃ）カラムクロマト（展開溶媒：１）ＣＨＣｌ３１０００ｍＬ、２）４％ＣＨＣｌ３−ＭｅＯＨ）で分離、精製し、メタノールで再結晶して針状晶のベンザルチャフロサイドＡ（収率：＞９９％）を得た。
【化２４】
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【００３６】
（チャフロサイドＡの合成）
ベンズチャフロサイドＡ（５０２ｍｇ，１ｍＭ）を８０％酢酸溶液（３００ｍＬ）中で３７℃にて２０時間撹拌した。反応溶液を減圧下（４０℃以下）濃縮し、適量の酢酸に生成物が溶解している状態にメタノールを添加して、静置した。その後、８０℃にて析出物を乾燥し（反応副生成物であるベンズアルデヒドを除去。この段階で純度９８％程度）、反応成績体を含水メタノールで再結晶して、約３７０ｍｇの針状晶のチャフロサイドＡ（純度：≧９９％）を得た。収率は、９５％であった。
【化２５】
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【００３７】
＜実施例２：チャフロサイドＢの製造＞
イソビテキシンをビテキシンに置き換えた以外は、実施例１と同様の方法により、ベンザルビテキシン（収率：＞９９％）を合成し、得られたベンザルビテキシンからベンザルチャフロサイドＢ（収率：９４％）を得て、チャフロサイドＢ（純度：≧９９％）を製造した。
【化２６】
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【００３８】
＜比較例１＞
ベンザルイソビテキシンをイソビテキシンに置き換えた以外は、実施例１の「光延反応」と同様の方法により、チャフロサイドＡを合成した。収率は４０％程度であった。
【化２７】
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【００３９】
＜比較例２＞
ベンザルイソビテキシンをビテキシンに置き換えた以外は、実施例１の「光延反応」と同様の方法により、チャフロサイドＢを合成した。収率は４０％程度であった。
【化２８】
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【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の製造方法によって得られたチャフロサイド類は、化粧料、医薬、食品への適用が可能である。