(57)【要約】【課題】メンテナンスにかかるコストや時間ロスを低減させることが可能な基板処理装置、ガス供給ノズル、および、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板を処理する処理室を形成する処理容器と、前記処理容器の側面を貫通するように設けられ、内部に第１のガス流路を有するガス供給ノズル基端部と、前記処理室内に設けられ、内部に第２のガス流路を有し前記基板に向けて処理ガスを供給するノズル管と、前記ガス供給ノズル基端部と前記ノズル管とを連通して固定するように設けられ、内部に第３のガス流路を有するノズル固定部から構成されるガス供給ノズルと、を有する基板処理装置。【選択図】図３
2016122691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室を形成する処理容器と、
前記処理容器の側面を貫通するように設けられ、内部に第１のガス流路を有するガス供給ノズル基端部と、前記処理室内に設けられ、内部に第２のガス流路を有し前記基板に向けて処理ガスを供給するノズル管と、前記ガス供給ノズル基端部と前記ノズル管とを連通して固定するように設けられ、内部に第３のガス流路を有するノズル固定部から構成されるガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する処理室を形成する処理容器の側面を貫通するように設けられ、内部に第１のガス流路を有するガス供給ノズル基端部と、
前記処理室内に設けられ、内部に第２のガス流路を有し前記処理室内の基板に向けて処理ガスを供給するノズル管と、
前記ガス供給ノズル基端部と前記ノズル管とを連通して固定するように設けられ、内部に第３のガス流路を有するノズル固定部と、
を有し、前記第１のガス流路と前記第３のガス流路、および、前記第２のガス流路を介して前記基板にガスを供給するガス供給ノズル。
【請求項３】
処理容器の内部に形成される処理室に基板を搬入する工程と、
前記処理容器の側面を貫通するように設けられ、内部に第１のガス流路を有するガス供給ノズル基端部、内部に第２のガス流路を有し前記処理室内に設けられるノズル管、前記ガス供給ノズル基端部と前記ノズル管とを連通して固定する、内部に第３のガス流路を有するノズル固定部から構成されるガス供給ノズルを介して前記処理室内に前記基板を処理するための処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記処理室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置、ガス供給ノズル、および、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程の一工程として実施される薄膜形成等の基板処理工程においては、例えば、複数の処理ガスを同時に供給する同時供給方法や交互に供給する交互供給方法等の基板処理方法が用いられている。
【０００３】
かかる基板処理方法を実施する基板処理装置は、基板を処理する反応容器と、反応容器内にガスを供給するガス供給系とを備えている。
【０００４】
上記において、反応管としてのプロセスチューブ、基板を支持するボート、ガス供給ノズル等は、基板の金属汚染を抑制するため石英等の非金属により構成されている。例えば特許文献１にはガス供給ノズルを石英等により構成した基板処理装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−９４４２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような反応管やガス供給ノズルが共に石英によって構成されている場合、ガス供給ノズルは反応管の内壁に溶接されるため、ガス供給ノズル単体で反応管から脱着することができない。したがって、ガス供給ノズルの交換時には反応管もガス供給ノズルと一緒に取り外して交換をする必要が生じ、メンテナンスにかかるコストやメンテナンスによる時間ロスが大きくなってしまう。また、ガス供給ノズルの部品寿命が短いため、同時に交換することとなる反応管の寿命も自ずと短くなってしまう。また、ガス供給ノズルの内壁に膜が付着するとパーティクルの要因となることが知られているが、ガス供給ノズル内壁のガスクリーニングは困難であり、ガス供給ノズルからのパーティクルを抑制することが難しい。
【０００７】
本発明の目的は、メンテナンスにかかるコストや時間ロスを低減させることが可能な基板処理装置、ガス供給ノズル、および、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室を形成する処理容器と、
前記処理容器の側面を貫通するように設けられ、内部に第１のガス流路を有するガス供給ノズル基端部と、前記処理室内に設けられ、内部に第２のガス流路を有し前記基板に向けて処理ガスを供給するノズル管と、前記ガス供給ノズル基端部と前記ノズル管とを連通して固定するように設けられ、内部に第３のガス流路を有するノズル固定部から構成されるガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、メンテナンスにかかるコストや時間ロスを低減させることが可能な基板処理装置、ガス供給ノズル、および、半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉の概略構成図であり、（ａ）は処理炉の縦断面概略図を、（ｂ）は処理炉の横断面概略図をそれぞれ示している。
【図３】本発明のノズル構造の第一実施形態の組み立て前を示す図である。
【図４】本発明のノズル構造の第一実施形態の組み立て後を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態のノズル固定部を示す図である。
【図６】本発明のノズル構造の第二実施形態の組み立て前を示す図である。
【図７】本発明のノズル構造の第二実施形態の組み立て後を示す図である。
【図８】本発明における基板処理工程のフローを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１０１の構成例について、図１を用いて説明する。
【００１２】
図１に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置１０１は筐体１１１を備えている。シリコン等からなるウエハ（基板）２００を筐体１１１内外へ搬送するには、複数のウエハ２００を収納するウエハキャリア（基板収納容器）としてのＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）１１０が使用される。このＦＯＵＰ１１０は、ポッド（Ｐｏｄ）やカセットなどとも表記される場合もある。筐体１１１内側の前方（図１の右側）には、カセットステージ（基板収納容器受渡し台）１１４が設けられている。ＦＯＵＰ１１０は、図示しない工程内搬送装置によってカセットステージ１１４上に載置され、また、カセットステージ１１４上から筐体１１１外へ搬出されるように構成されている。
【００１３】
ＦＯＵＰ１１０は、工程内搬送装置によって、カセットステージ１１４上に載置される。
【００１４】
筐体１１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚（基板収納容器載置棚）１０５が設置されている。カセット棚１０５には、複数段、複数列にて複数個のＦＯＵＰ１１０が保管されるように構成されている。カセット棚１０５には、後述するウエハ移載機構１２５の搬送対象となるＦＯＵＰ１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。また、カセットステージ１１４の上方には、予備カセット棚１０７が設けられ、予備的にＦＯＵＰ１１０を保管するように構成されている。
【００１５】
カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置（基板収納容器搬送装置）１１８が設けられている。カセット搬送装置１１８は、ＦＯＵＰ１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ（基板収納容器昇降機構）１１８ａと、ＦＯＵＰ１１０を保持したまま水平移動可能な搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収納容器搬送機構）１１８ｂと、を備えている。これらカセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連携動作により、カセットステージ１１４、カセット棚１０５、予備カセット棚１０７、移載棚１２３の間で、ＦＯＵＰ１１０を搬送するように構成されている。
【００１６】
カセット棚１０５の後方には、ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設けられている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂと、を備えている。なお、ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００を水平姿勢で保持するツイーザ（基板移載用治具）１２５ｃを備えている。これらウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連携動作により、ウエハ２００を移載棚１２３上のＦＯＵＰ１１０内からピックアップして後述するボート（基板支持部材）２１７へ装填（チャージング）したり、ウエハ２００をボート２１７から脱装（ディスチャージング）して移載棚１２３上のＦＯＵＰ１１０内へ収納したりするように構成されている。
【００１７】
筐体１１１の後部上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部には開口が設けられ、かかる開口は炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。なお、処理炉２０２の構成については後述する。
【００１８】
処理炉２０２の下方には、ボート２１７を昇降させて処理炉２０２内外へ搬送する昇降機構としてのボートエレベータ（基板支持部材昇降機構）１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が設けられている。アーム１２８上には、ボート２１７を垂直に支持するとともに、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が上昇したときに処理炉２０２の下端部を気密に閉塞する蓋体としてのシールキャップ２１９が水平姿勢で設けられている。主に、ウエハ移載機構１２５（ウエハ移載装置１２５ａ、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ、ツイーザ１２５ｃ）、ボートエレベータ１１５、アーム１２８により、少なくとも１枚のウエハ２００を処理室２０１内外に搬入出する搬入出手段が構成される。
【００１９】
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウエハ２００を、水平姿勢で、かつその中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７の詳細な構成については後述する。
【００２０】
カセット棚１０５の上方には、供給ファンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット１３４ａが設けられている。クリーンユニット１３４ａは、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。
【００２１】
また、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびボートエレベータ１１５側と反対側である筐体１１１の左側端部には、クリーンエアを供給するよう供給ファンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット（図示せず）が設置されている。図示しない前記クリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置１２５ａ及びボート２１７の周囲を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気されるように構成されている。
【００２２】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置１０１の動作について説明する。
【００２３】
まず、ＦＯＵＰ１１０が、図示しない工程内搬送装置によって、カセットステージ１１４上に載置される。
【００２４】
ＦＯＵＰ１１０は、カセット搬送装置１１８によって、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へ自動的に搬送されて受け渡されて一時的に保管された後、カセット棚１０５又は予備カセット棚１０７から移載棚１２３に移載されるか、もしくは直接移載棚１２３に搬送される。
【００２５】
ＦＯＵＰ１１０が移載棚１２３に移載されると、図示しないオープナによってＦＯＵＰ１１０の蓋が取り外され、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによって、ウエハ出し入れ口を通じてＦＯＵＰ１１０からピックアップされ、ウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連続動作によって移載室１２４の後方にあるボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載機構１２５は、ＦＯＵＰ１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
【００２６】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７が移動することによって開放される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、ウエハ２００群を保持したボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）される。ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。かかる処理については後述する。処理後は、ウエハ２００およびＦＯＵＰ１１０は、上述の手順とは逆の手順で筐体１１１の外部へ払出される。
【００２７】
（３）処理炉の構成
続いて、本発明の一実施形態にかかる処理炉２０２の構成について、図面を参照しながら説明する。図２は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉２０２の概略構成図であり、（ａ）は処理炉の縦断面概略図を、（ｂ）は図２（ａ）に示す処理炉２０２のＡ−Ａ部分における横断面概略図をそれぞれ示している。
【００２８】
（処理室）
本発明の一実施形態にかかる処理炉２０２は、反応管２０３とマニホールド２０９とを有している。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性を有する非金属材料から構成され、上端部が閉塞され、下端部が開放された円筒形状となっている。マニホールド２０９は、例えばＳＵＳ等の金属材料から構成され、上端部及び下端部が開放された円筒形状となっている。反応管２０３は、マニホールド２０９によって下端部を垂直方向に支持されている。反応管２０３とマニホールド２０９とは、同心円状に配置されている。マニホールド２０９の下端部は、上述したボートエレベータ１１５が上昇した際に、シールキャップ２１９により気密に封止されるように構成されている。マニホールド２０９の下端部とシールキャップ２１９との間には、処理室２０１内を気密に封止するＯリングなどの封止部材２２０が設けられている。
一般的には、反応管２０３とマニホールド２０９を組み合わせた構成を処理容器（反応容器）と称するが、これに限らず、マニホールド２０９を有さない反応管２０３のみの構成や、反応管２０３とマニホールド２０９が一体的に形成された構成を処理容器としても良い。
また、反応管２０３とマニホールド２０９が一体的に形成された構成を単に反応管２０３としても良い。
【００２９】
反応管２０３及びマニホールド２０９の内部には、基板としてのウエハ２００が収容される処理室２０１が形成されている。処理室２０１内には、基板保持具としてのボート２１７が下方から挿入されるように構成されている。反応管２０３及びマニホールド２０９の内径は、ウエハ２００を装填したボート２１７の最大外径よりも大きくなるように構成されている。
【００３０】
ボート２１７は、複数枚（例えば７５枚から１００枚）のウエハ２００を、略水平状態で所定の隙間（基板ピッチ間隔）をもって多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、ボート２１７からの熱伝導を遮断する断熱キャップ２１８上に搭載されている。断熱キャップ２１８は、回転軸２５５により下方から支持されている。回転軸２５５は、処理室２０１内の気密を保持しつつ、シールキャップ２１９の中心部を貫通するように設けられている。シールキャップ２１９の下方には、回転軸２５５を回転させる回転機構２６７が設けられている。回転機構２６７により回転軸２５５を回転させることにより、処理室２０１内の気密を保持したまま、複数のウエハ２００を搭載したボート２１７を回転させることが出来るように構成されている。
【００３１】
反応管２０３の外周には、反応管２０３と同心円状に加熱装置（加熱機構）としてのヒータ２０７が設けられている。ヒータ２０７は円筒形状であり、図３に示す保持板としてのヒータベース２０７ａに支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００３２】
（原料ガス供給系）
マニホールド２０９には、原料ガスノズル２３３ａが設けられている。ガスノズルの構造については、後述するが、原料ガスノズル２３３ａは、垂直部と水平部とを有するＬ字形状に構成されている。原料ガスノズル２３３ａの垂直部は、反応管２０３の内壁に沿うように鉛直方向に配設されている。原料ガスノズル２３３ａの垂直部側面（筒部）には、処理室２０１内に処理ガスとしての原料ガスを導入するガス導入口としての原料ガス供給孔２４８ａが、鉛直方向に複数設けられている。原料ガス供給孔２４８ａの開口径は、それぞれ下部から上部にわたって同一とされていてもよく、下部から上部にわたって徐々に大きくされていてもよい。原料ガスノズル２３３ａの水平部は、マニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられている。
【００３３】
マニホールド２０９の側壁から突出した原料ガスノズル２３３ａの水平端部（上流側）には、処理ガスとしての原料ガスを処理室２０１内へ供給する原料ガス供給管２４０ａが接続されている。原料ガス供給管２４０ａの上流側には、気化器２６０が接続されている。気化器２６０は図示しない圧力容器を備えている。圧力容器の内部には、所定の温度雰囲気に加熱される気化空間が形成されている。気化空間内には液体原料が供給されるように構成されている。圧力容器の外周には、気化空間を加熱する図示しない通電加熱ヒータが設けられている。通電加熱ヒータにより気化空間が所定の温度雰囲気に加熱されると、気化空間内に供給された液体原料が気化されて、原料ガス（原料ガス）が生成されるように構成されている。原料ガス供給管２４０ａには開閉バルブ２４１ａが設けられている。
開閉バルブ２４１ａを開けることにより、気化器２６０にて生成された原料ガスが処理室２０１内へ供給されるように構成されている。
【００３４】
気化器２６０の上流側には、気化器２６０の気化空間内に液体原料を供給する液体原料供給管２４０ｃと、気化器２６０の気化空間内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２４０ｆと、がそれぞれ接続されている。
【００３５】
液体原料供給管２４０ｃの上流側は、液体原料としてのＴＥＭＡＨやＴＥＭＡＺ等の有機系化合物を貯留する液体原料供給タンク２６６に接続されている。液体原料供給管２４０ｃの上流側端部は、液体原料供給タンク２６６内に貯留された液体原料内に浸されている。液体原料供給管２４０ｃには、上流側から順に、開閉バルブ２４３ｃ、液体流量コントローラ（ＬＭＦＣ）２４２ｃ、開閉バルブ２４１ｃが設けられている。
【００３６】
液体原料供給タンク２６６の上面部には、Ｈｅガス等の不活性ガスを供給する圧送ガス供給管２４０ｄが接続されている。圧送ガス供給管２４０ｄの上流側は、圧送ガスとしてのＨｅガス等の不活性ガスを供給する図示しない圧送ガス供給源に接続されている。圧送ガス供給管２４０ｄには、開閉バルブ２４１ｄが設けられている。開閉バルブ２４１ｄを開けることにより液体原料供給タンク２６６内に圧送ガスが供給され、さらに開閉バルブ２４３ｃ、開閉バルブ２４１ｃを開けることにより、液体原料供給タンク２６６内の液体原料が気化器２６０へと圧送（供給）されるように構成されている。なお、気化器２６０への液体原料の供給流量（すなわち、気化器２６０で生成され処理室２０１内へ供給される原料ガスの流量）は、液体流量コントローラ２４２ｃによって制御可能なように構成されている。
【００３７】
キャリアガス供給管２４０ｆの上流側は、キャリアガスとしてのヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを供給する図示しないキャリアガス供給源に接続されている。キャリアガス供給管２４０ｆには、上流から順に、流量コントローラ（ＭＦＣ）２４２ｆ、開閉バルブ２４１ｆが設けられている。開閉バルブ２４１ｆ及び開閉バルブ２４１ａを開けることにより気化器２６０にキャリアガスが供給され、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスが原料ガス供給管２４０ａを介して処理室２０１内に供給されるように構成されている。気化器２６０内にキャリアガスを供給することにより、原料ガスの気化器２６０からの排出及び処理室２０１内への供給を促すことが可能となる。気化器２６０へのキャリアガスの供給流量（すなわち、処理室２０１内へのキャリアガスの供給流量）は、流量コントローラ２４２ｆによって制御可能なように構成されている。なお、本実施形態においては、気化器２６０に液体原料を供給していない時（原料ガスを生成していない時）であっても、気化器２６０に常に一定量のキャリアガスを供給し続けることができるように構成されている。
【００３８】
主に、原料ガスノズル２３３ａ、原料ガス供給孔２４８ａ、原料ガス供給管２４０ａ、気化器２６０、開閉バルブ２４１ａ、液体原料供給管２４０ｃ、キャリアガス供給管２４０ｆ、液体原料供給タンク２６６、開閉バルブ２４３ｃ、液体流量コントローラ２４２ｃ、開閉バルブ２４１ｃ、圧送ガス供給管２４０ｄ、開閉バルブ２４１ｄ、図示しないキャリアガス供給源、流量コントローラ２４２ｆ、開閉バルブ２４１ｆにより、本実施形態に係る原料ガス供給系が構成される。
なお、この原料ガス供給系に、図示しない圧送ガス供給源を含めた構成を原料ガス供給系としても良い。
【００３９】
（反応ガス供給系）
マニホールド２０９には、反応ガスノズル２３３ｂが設けられている。ガスノズルの構造については、後述するが、反応ガスノズル２３３ｂは、原料ガスノズル２３３ａと同様に垂直部と水平部とを有するＬ字形状に構成されている。反応ガスノズル２３３ｂの垂直部は、反応管２０３の内壁を沿うように鉛直方向に配設されている。反応ガスノズル２３３ｂの垂直部側面には、反応ガス導入口としての反応ガス供給孔２４８ｂが鉛直方向に複数設けられている。反応ガス供給孔２４８ｂの開口径は、それぞれ下部から上部にわたって同一とされていてもよく、下部から上部にわたって徐々に大きくされていてもよい。反応ガスノズル２３３ｂの水平部は、マニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられている。
【００４０】
マニホールド２０９の側壁から突出した反応ガスノズル２３３ｂの水平端部（上流側）には、反応ガスを処理室２０１内へ供給する反応ガス供給管２４０ｂが接続されている。反応ガス供給系としての反応ガス供給管２４０ｂの上流側には、反応ガスとしてのオゾン（Ｏ３）ガス（酸化ガス）を生成するオゾナイザ２７０が接続されている。反応ガス供給管２４０ｂには、上流から順に、流量コントローラ（ＭＦＣ）２４２ｂ、開閉バルブ２４１ｂが設けられている。オゾナイザ２７０には、酸素ガス供給管２４０ｅが接続されている。酸素ガス供給管２４０ｅの上流側は、酸素（Ｏ２）ガスを供給する図示しない酸素ガス供給源に接続されている。酸素ガス供給管２４０ｅには開閉バルブ２４１ｅが設けられている。開閉バルブ２４１ｅを開けることによりオゾナイザ２７０に酸素ガスが供給され、開閉バルブ２４１ｂを開けることによりオゾナイザ２７０にて生成されたオゾンガスが反応ガス供給管２４０ｂを介して処理室２０１内へ供給されるように構成されている。なお、処理室２０１内へのオゾンガスの供給流量は、流量コントローラ２４２ｂによって制御することが可能なように構成されている。
【００４１】
主に、反応ガスノズル２３３ｂ、反応ガス供給孔２４８ｂ、反応ガス供給管２４０ｂ、オゾナイザ２７０、流量コントローラ２４２ｂ、開閉バルブ２４１ｂ、酸素ガス供給管２４０ｅ、開閉バルブ２４１ｅにより、本実施形態に係る反応ガス供給系が構成される。
なお、この反応ガス供給系に図示しない酸素ガス供給源を含めた構成を反応ガス供給系としても良い。
【００４２】
（ベント管）
原料ガス供給管２４０ａにおける気化器２６０と開閉バルブ２４１ａとの間には、原料ガスベント管２４０ｉの上流側が接続されている。原料ガスベント管２４０ｉの下流側は、後述する排気管２３１の下流側（後述するＡＰＣバルブ２３１ａと真空ポンプ２３１ｂとの間）に接続されている。原料ガスベント管２４０ｉには開閉バルブ２４１ｉが設けられている。開閉バルブ２４１ａを閉め、開閉バルブ２４１ｉを開けることにより、気化器２６０における原料ガスの生成を継続したまま、処理室２０１内への原料ガスの供給を停止することが可能なように構成されている。原料ガスを安定して生成するには所定の時間を要するが、開閉バルブ２４１ａ、開閉バルブ２４１ｉの切り替え動作によって、処理室２０１内への原料ガスの供給・停止をごく短時間で切り替えることが可能なように構成されている。
【００４３】
同様に、反応ガス供給管２４０ｂにおけるオゾナイザ２７０と流量コントローラ２４２ｂとの間には、反応ガスベント管２４０ｊの上流側が接続されている。反応ガスベント管２４０ｊの下流側は、排気管２３１の下流側（ＡＰＣバルブ２３１ａと真空ポンプ２３１ｂとの間）に接続されている。反応ガスベント管２４０ｊには開閉バルブ２４１ｊが設けられている。開閉バルブ２４１ｂを閉め、開閉バルブ２４１ｊを開けることにより、オゾナイザ２７０によるオゾンガスの生成を継続したまま、処理室２０１内へのオゾンガスの供給を停止することが可能なように構成されている。オゾンガスを安定して生成するには所定の時間を要するが、開閉バルブ２４１ｂ、開閉バルブ２４１ｊの切り替え動作によって、処理室２０１内へのオゾンガスの供給・停止をごく短時間で切り替えることが可能なように構成されている。
【００４４】
（パージガス供給管）
原料ガス供給管２４０ａにおける開閉バルブ２４１ａの下流側には、第１パージガス管２４０ｇの下流側が接続されている。第１パージガス管２４０ｇには、上流側から順に、Ｎ２ガス等の不活性ガスを供給する図示しないパージガス供給源、流量コントローラ（ＭＦＣ）２４２ｇ、開閉バルブ２４１ｇが設けられている。開閉バルブ２４１ａを閉め、開閉バルブ２４１ｉ及び開閉バルブ２４１ｇを開けることにより、原料ガスの生成を継続したまま処理室２０１内への原料ガスの供給を停止すると共に、処理室２０１内へのパージガスの供給を開始することが可能なように構成されている。処理室２０１内へパージガスを供給することにより、処理室２０１内からの原料ガスの排出を促すことが可能となる。
【００４５】
同様に、反応ガス供給管２４０ｂにおける開閉バルブ２４１ｂの下流側には、第２パージガス管２４０ｈの下流側が接続されている。第２パージガス管２４０ｈには、上流側から順に、Ｎ２ガス等の不活性ガスを供給する図示しないパージガス供給源、流量コントローラ（ＭＦＣ）２４２ｈ、開閉バルブ２４１ｈが設けられている。開閉バルブ２４１ｂを閉め、開閉バルブ２４１ｊ及び開閉バルブ２４１ｈを開けることにより、処理室２０１内へのオゾンガスの供給を停止すると共に、オゾンガスの生成を継続したまま処理室２０１内へのパージガスの供給を開始することが可能なように構成されている。処理室２０１内へパージガスを供給することにより、処理室２０１内からのオゾンガスの排出を促すことが可能となる。
【００４６】
（排気系）
マニホールド２０９の側壁には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が接続されている。排気管２３１には、上流側から順に、圧力検出器としての圧力センサ２４５、圧力調整器としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２３１ａ、真空排気装置としての真空ポンプ２３１ｂが設けられている。真空ポンプ２３１ｂを作動させつつ、ＡＰＣバルブ２４２の開閉弁の開度を調整することにより、処理室２０１内を所望の圧力とすることが可能なように構成されている。主に、排気管２３１、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２３１ａにより、本実施形態に係る排気系が構成される。
なお、この排気系に真空ポンプ２３１ｂを含めた構成を排気系としても良い。
【００４７】
（シールキャップ）
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持しており、回転機構２６７を作動させることでウエハ２００を回転させることが可能なように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に垂直に配置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１内外に搬送することが可能となっている。
【００４８】
（コントローラ）
制御部（制御手段）であるコントローラ２８０は、ヒータ２０７、ＡＰＣバルブ２３１ａ、真空ポンプ２３１ｂ、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５、開閉バルブ２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃ，２４３ｃ，２４１ｄ，２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇ，２４１ｈ，２４１ｉ，２４１ｊ、液体流量コントローラ２４２ｃ、流量コントローラ２４２ｂ、２４２ｆ、２４２ｇ、２４２ｈ等に接続されている。コントローラ２８０により、ヒータ２０７の温度調整動作、ＡＰＣバルブ２３１ａの開閉及び圧力調整動作、真空ポンプ２３１ｂの起動・停止、回転機構２６７の回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作、開閉バルブ２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃ，２４３ｃ，２４１ｄ，２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇ，２４１ｈ，２４１ｉ，２４１ｊの開閉動作、液体流量コントローラ２４２ｃ、流量コントローラ２４２ｂ，２４２ｆ，２４２ｇ，２４２ｈの流量調整等の制御が行われる。
【００４９】
以下、本発明のガスノズルの構造について、図面を用いて説明する。
なお、以下に説明するガス供給ノズルの構造は、図２に示す原料ガスノズル２３３ａ、および、反応ガスノズル２３３ｂのいずれにも適用される構造であるため、単にガス供給ノズルとして説明する。
【００５０】
（第一実施形態）
従来装置ではガス供給ノズルは反応管（或いはマニホールド）と一体に設けられていたが、本実施形態におけるノズルの構造においては、図３に示すように反応管（或いはマニホールド）と着脱可能に設けられている点で大きく異なる。具体的には、本実施形態におけるガス供給ノズルは上流が原料ガス供給管２４０ａ、または、反応ガス供給管２４０ｂのそれぞれの下流端に接続されるガス供給ノズル基端部１、原料ガス供給ノズル２３３ａ、または、反応ガス供給ノズル２３３ｂの垂直部となるノズル管２、例えば石英で構成されたボルトであってガス供給ノズル基端部１とノズル管２を固定するノズル固定部３の構成に分けられ、ガス供給ノズル基端部１は、マニホールド２０９に対して垂直に溶接され、反応管内部と連通するようになっている。  また、ガス供給ノズル基端部１には、内部にガス流路となる中空部１１が設けられている。さらにノズル管２には、ガス流路となる中空部２１が設けられ、ノズル固定部３の底面３ａおよび側面３ｂには、図５に示すL字型のガス流路となる中空部３１が設けられている。
【００５１】
図４に示すように、マニホールド２０９に溶接され、開口部に凹部を有するガス供給ノズル基端部１に、反応管内側から、側面に凸部を有したノズル管２をガス供給ノズル基端部１の凹部と嵌合する。嵌合されたガス供給ノズル基端部１とノズル管２を同じように反応管内部からノズル固定部３を用いてノズル管２を固定することにより、基端部１、ノズル管２とノズル固定部３が一体的に構成されることでガス供給ノズルの基端部１の中空部１１とノズル管２の中空部１１とノズル固定部３の中空部３１とが連通する、すなわち、中空部１１の下流端に設けられたガス供給流路の開口部１１ａと、中空部３１の開口部３１ａが連通し、さらに、中空部２１の上流端に設けられたガス供給流路の開口部２１ａと中空部３１の開口部３１ｂとが連通することとなり、図２における各ガス供給源から供給される処理ガスのガス供給流路が形成される。このとき、好適には開口部３１ａの開口面積は開口部１１ａの開口面積以下の大きさとなるように構成され、開口部３１ｂの開口面積は開口部２１ａの開口面積以下の大きさとなるように構成されることが望ましい。このように構成することによって、各部の接合面から処理ガスが漏洩することを抑制することが可能となる。
また、ノズル管２内に設けられたガス流路としての中空部２１は、図４に示すように反応管内壁側から処理室空間側（基板側）に曲折する曲折部を有していることが望ましく、曲折する箇所はヒータの設置位置よりも下方、すなわちヒータの設置領域の外側に設けられることが望ましい。このように反応管内壁から遠ざかるように中空部２１を構成することによって、処理ガスが不要に加熱することを抑制することが可能となる。
この際に、ノズル管２の少なくとも一部分がマニホールド２０９や反応管２０３の内壁と接触すること、あるいはマニホールド２０９や反応管２０３の内壁に設けられた図示しないノズル管位置決め用治具等に係合または嵌合等することにより、ノズル管２の位置決めが行われて安定した状態となる。
ノズル固定部３を用いて、マニホールド２０９に溶接されたガス供給ノズル基端部１とノズル管２を固定することで、ガス供給ノズルを溶接することが不要となり、ノズル管２単体での脱着が可能となる。
【００５２】
ここで、ノズル管２が脱着可能となるため、ノズル管２単体での交換やメンテナンスが可能となり、ノズル管２から発生するパーティクルを抑えることができる。
また、反応管の取り外しをすることなくノズル管２の交換が行えるため、ガス配管を接続したままで作業をすることができ、作業時間のロスやコストを抑えることができる。
また、反応管の内側空間からノズル固定部３によって螺合するように構成することによって、メンテナンス時の作業空間を確保することが可能となり、メンテナンスが容易にできるようになる。
さらに、ノズル固定部３を石英ボルトによって構成した場合、ボルト内部にガスの流路となる空洞がある構造にしておくことで、ボルトによるノズル基端部１とノズル管２との螺合とガス供給を同時に行うことができるようになる。また、ボルトが有するねじ機構により石英ノズルのがたつきを抑えることができる。
本実施形態では、ノズル固定部３を石英ボルトとして構成し、ガス供給ノズル基端部１とノズル管２することを螺合することで固定する方法について例示して説明したが、これに限らず、
【００５３】
（第二実施形態）
図６に第二実施形態を示す。本実施形態においては、ガス供給ノズル基端部６０が、マニホールド２０９の側面から貫通するように取り付けられる直管状の水平部と、反応管２０３内部でＬ字型に屈曲部とが設けられた形状を有している。このように構成されたガス供給ノズル基端部６０の屈曲部の先端、すなわち、ガス供給ノズル基端部６０の下流端部分には、凸部６１が設けられている。ノズル管７０は、上流端であるノズル管下部に部分的に細くなっている細管部７１を有しており、この細管部７１には、ノズル基端部６０とノズル管７０とを当接するように凸部６１と螺合するねじ部７２と、細管部７１の下端部に設けられ、ねじ部７２と凸部６１の上端面との隙間を封止するＯリング７３によって構成されている。ねじ部７２には、Ｏリング７３及び前記凸部６１を内包するための凹部７４を有している。ねじ部７２の凹部の内側面及び凸部６１の外側面には、ネジ部７２と螺合するねじ山が設けられており、ねじ部７２と凸部６１が螺合することにより、ガス供給ノズルとして組み立てられて、ガス供給ノズル基端部６０の中空部６２と、ノズル管７０の中空部７５とが連通されて、図２における各ガス供給源から供給される処理ガスのガス供給流路が形成される。
【００５４】
図７にガス供給ノズルとして組み立てた状態を示す。図に示すように、ボルト部７２には、Ｏリング７３及び前記凸部６１が内包された状態となり、ガス供給ノズルの少なくとも一部分がマニホールドと接触すること、あるいはマニホールド２０９や反応管２０３の内壁に設けられた図示しないノズル管位置決め用治具等に係合または嵌合等することにより、ノズル管２の位置決めがされて安定した状態となる。
【００５５】
（４）基板処理工程
続いて、上述した構成を用いた本発明の一実施形態に係る基板処理工程について説明する。なお、本実施形態に係る基板処理工程は、交互供給法を用いてウエハ２００の表面に高誘電率膜を成膜する方法であり、半導体装置の製造工程の一工程として実施される。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２８０により制御される。
【００５６】
（基板搬入工程）
図８に基板処理工程のフローを示す。まず、Ｓ１０１で複数枚のウエハ２００をボート２１７に装填（ウエハチャージ）する。そして、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７を、ボートエレベータ１１５によって持ち上げて処理室２０１内に搬入（ボートローディング）する。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。基板搬入工程においては、開閉バルブ２４１ｇ、開閉バルブ２４１ｈを開けて、処理室２０１内にパージガスを供給し続けることが好ましい。
【００５７】
（減圧及び昇温工程）
続いて、Ｓ１０２で開閉バルブ２４１ｇ、開閉バルブ２４１ｈを閉め、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、処理室２０１内を真空ポンプ２３１ｂにより排気する。この際、処理室２０１内の圧力を圧力センサ２４５で測定して、この測定された圧力に基づき、ＡＰＣバルブ２３１ａの開度をフィードバック制御する。また、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０７によって加熱する。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合をフィードバック制御する。また、原料ガス供給経路であるガス導入ノズル３２５の上流側及び原料ガス供給管２４０ａ内がそれぞれ所定温度以上になるように、ガス導入ノズル３２５の上流側及び原料ガス供給管２４０ａの外周に設けられた図示しない配管ヒータによって加熱する。そして、回転機構２６７によりボート２１７を回転させ、ウエハ２００を回転させる。
【００５８】
（成膜工程）
続いて、成膜工程を実施する。成膜工程では、ウエハ２００上に原料ガスを供給する工程（Ｓ１０３）と、処理室２０１内をパージする工程（Ｓ１０４）と、ウエハ２００上に反応ガスを供給する工程（Ｓ１０５）と、処理室２０１内をパージする工程（Ｓ１０６）と、を順番に行うことを１サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返す（Ｓ１０７）。
【００５９】
原料ガスを供給する工程では、開閉バルブ２４１ｄを開けて、液体原料供給タンク２６６内に圧送ガスを供給する。そして、開閉バルブ２４３ｃ，２４１ｃを開け、液体原料供給タンク２６６内の液体原料（ＴＥＭＡＨやＴＥＭＡＺ等の有機系化合物）を気化空間内へと圧送（供給）する。そして、通電加熱ヒータにより気化空間が所定の温度雰囲気（例えば１２０℃から１５０℃）になるように加熱し、気化空間内に供給された液体原料を気化させて原料ガス（気化ガス）を生成する。また、開閉バルブ２４１ｆを開けて気化器２６０にキャリアガスを供給する。原料ガスが安定して生成されるまでは、開閉バルブ２４１ａを閉め、開閉バルブ２４１ｉを開けて、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを原料ガスベント管２４０ｉから排出しておく。原料ガスが安定して生成されるようになったら、開閉バルブ２４１ｉを閉め、開閉バルブ２４１ａを開けて、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを処理室２０１内へと供給する。その結果、積層されたウエハ２００間に混合ガスが供給され、ウエハ２００の表面に原料ガスに含まれている原子が堆積する。混合ガスの供給を所定時間継続したら、開閉バルブ２４１ａを閉め、開閉バルブ２４１ｉを開けて、原料ガスの生成を継続したまま処理室２０１内への混合ガスの供給を停止する。
【００６０】
処理室２０１内をパージする工程では、開閉バルブ２４１ｇを開けて処理室２０１内へパージガスを供給し、処理室２０１内からの原料ガスの排出を促す。処理室２０１内の雰囲気がパージガスに置換されたら、開閉バルブ２４１ｇを閉めて処理室２０１内へのパージガスの供給を停止する。
【００６１】
ウエハ２００上に反応ガスを供給する工程では、開閉バルブ２４１ｅを開けてオゾナイザ２７０に酸素ガスを供給し、反応ガスとしてのオゾンガスを生成する。反応ガスが安定して生成されるまでは、開閉バルブ２４１ｂを閉め、開閉バルブ２４１ｊを開けて、反応ガスを反応ガスベント管２４０ｊから排出しておく。反応ガスが安定して生成されるようになったら、開閉バルブ２４１ｊを閉め、開閉バルブ２４１ｂを開けて、反応ガスを処理室２０１内へ供給する。その結果、積層されたウエハ２００間に反応ガスが供給され、ウエハ２００の表面に堆積している原子と反応ガスとが化学反応し、ウエハ２００の表面に１原子層未満から数原子層のＨｆ元素やＺｒ元素を含む高誘電率膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）が生成される。反応ガスの供給を所定時間継続したら、開閉バルブ２４１ｂを閉め、開閉バルブ２４１ｊを開けて、反応ガスの生成を継続したまま処理室２０１内への反応ガスの供給を停止する。
【００６２】
処理室２０１内をパージする工程では、開閉バルブ２４１ｈを開けて処理室２０１内へパージガスを供給し、処理室２０１内からの反応ガス及び反応生成物の排出を促す。処理室２０１内の雰囲気がパージガスに置換されたら、開閉バルブ２４１ｈを閉めて処理室２０１内へのパージガスの供給を停止する。
【００６３】
以上、ウエハ２００上に原料ガスを供給する工程、原料ガスを供給する工程後に処理室２０１内をパージする工程と、ウエハ２００上に反応ガスを供給する工程と、処理室２０１内をパージする工程を１サイクルとして、このサイクルを所定回数繰り返すことにより、ウエハ２００上に所望の厚さの高誘電率膜を形成したら成膜工程を終了する。
【００６４】
（昇圧工程、基板搬出工程）
続いて、Ｓ１０８でＡＰＣバルブ２３１ａの開度を小さくし、開閉バルブ２４１ｇ、開閉バルブ２４１ｈを開けて、処理室２０１内の圧力が大気圧になるまで処理室２０１内にパージガスを供給する。そして、基板搬入工程と逆の手順により、成膜済のウエハ２００を処理室２０１内から搬出する。基板搬出工程においては、開閉バルブ２４１ｇ、開閉バルブ２４１ｈを開けて、処理室２０１内にパージガスを供給し続けることが好ましい。
【００６５】
以上、本発明を実施形態に沿って説明してきたが、上述の各実施形態や各変形例や各応用例などは適宜組み合わせて用いることができ、それらの効果も得ることができる。
【００６６】
また、本発明におけるガス供給ノズルの構成は、マニホールドの側面を貫通して設けられるように構成して説明したが、これに限らず、反応容器の側面を貫通して設けられるように構成されていても良い。
【００６７】
また、各実施形態における基板処理に用いられる処理工程は、コントローラ２８０に設けられている図示しないフラッシュメモリやＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）などの記録装置（記録媒体）にプログラムとして記憶されている。基板処理工程における各手順をコントローラ２８０に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたプログラムをプロセスレシピと記述する場合もある。
上述した基板処理工程においては、各処理工程を示したプロセスレシピや、各装置を制御する制御プログラム等を総称して単にプログラムと称することとしても良い。
【００６８】
また、上述した制御部としてのコントローラ２８０は、専用のコンピュータとして構成されている場合や汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば上述したプログラムを記憶した記憶装置を用いてコンピュータにプログラムをインストールすること等によって、コントローラ２８０を構成することとしても良い。
【００６９】
以下に、本発明の望ましい形態について付記する。
【００７０】
〔付記１〕
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室を形成する処理容器と、
前記処理容器の側面を貫通するように設けられ、内部に第１のガス流路を有するガス供給ノズル基端部と、前記処理室内に設けられ、内部に第２のガス流路を有し前記基板に向けて処理ガスを供給するノズル管と、前記ガス供給ノズル基端部と前記ノズル管とを連通して固定するように設けられ、内部に第３のガス流路を有するノズル固定部から構成されるガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置が提供される。
【００７１】
〔付記２〕
好ましくは、前記処理容器および前記ガス供給ノズルは、非金属で構成される付記１に記載の基板処理装置が提供される。
【００７２】
〔付記３〕
好ましくは、前記ノズル固定部の底面に設けられた開口部の開口面積は、前記ガス供給ノズル基端部の処理室側開口部の開口面積以下の大きさとなるように構成される付記１または２に記載の基板処理装置が提供される。  
【００７３】
〔付記４〕
また好ましくは、前記ノズル固定部の側面に設けられた開口部の開口面積は、前記ノズル管の開口部の開口面積以下の大きさとなるように構成される付記１から３のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【００７４】
〔付記５〕
また好ましくは、前記ノズル固定部は、非金属で形成されたネジ部を有するボルトで構成される付記１から４のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【００７５】
〔付記６〕
また好ましくは、前記処理容器は、反応管で構成されており、かつ、前記ガス供給ノズルは、前記反応管の側面を貫通するように設けられている付記２から５のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【００７６】
〔付記７〕
また好ましくは、前記ガス供給ノズル基端部は、処理室側の開口部に凹部を有し、前記ノズル管の下端部には、前記凹部と嵌合される凸部を有する付記１から６のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【００７７】
〔付記８〕
また好ましくは、前記第２のガス流路は、反応炉内壁側から処理室側に向かって曲折する曲折部を有する付記１から７のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【００７８】
〔付記９〕
また好ましくは、前記基板処理装置は、前記処理室内を加熱する加熱装置を有し、
前記曲折部は、前記加熱装置の設置領域外に配置されるように構成される付記８に記載の基板処理装置が提供される。
【００７９】
〔付記１０〕
また好ましくは、前記ノズル管は、前記ガスノズル基端部と前記ノズル固定部によって挟み込まれて固定される付記１から９のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【００８０】
〔付記１１〕
別の形態によれば、
処理容器の内部に形成される処理室に基板を搬入する工程と、
前記処理容器の側面を貫通するように設けられ、内部に第１のガス流路を有するガス供給ノズル基端部、内部に第２のガス流路を有し前記処理室内に設けられるノズル管、前記ガス供給ノズル基端部と前記ノズル管とを連通して固定する、内部に第３のガス流路を有するノズル固定部から構成されるガス供給ノズルを介して前記処理室内に前記基板を処理するための処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記処理室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
【００８１】
〔付記１２〕
更に別の形態によれば、
基板を処理する処理室を形成する処理容器の側面を貫通するように設けられ、内部に第１のガス流路を有するガス供給ノズル基端部と、
前記処理室内に設けられ、内部に第２のガス流路を有し前記処理室内の基板に向けて処理ガスを供給するノズル管と、
前記ガス供給ノズル基端部と前記ノズル管とを連通して固定するように設けられ、内部に第３のガス流路を有するノズル固定部と、
を有し、前記第１のガス流路と前記第３のガス流路、および、前記第２のガス流路を介して前記基板するガス供給ノズルが提供される。
【００８２】
〔付記１３〕
更に別の形態によれば、
基板を処理する処理室を形成する処理容器と、
前記処理容器の側面を貫通するように設けられ、内部に第１のガス流路を有するガス供給ノズル基端部と、内部に第２のガス流路と当該第２のガス流路の上流端に前記ガス供給ノズル基端部の下流端と螺合するネジ部とを有するノズル管とから構成され、前記基板に処理ガスを供給するガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置が提供される。
【００８３】
〔付記１４〕
更に別の形態によれば、
前記処理容器の側面を貫通するように設けられ、内部に第１のガス流路を有するガス供給ノズル基端部と、
内部に第２のガス流路と当該第２のガス流路の上流端に前記ガス供給ノズル基端部の下流端と螺合するネジ部とを有するノズル管と、
を有し、前記第１のガス流路と前記第２のガス流路を介して前記基板に処理ガスを供給するガス供給ノズルが提供される。
【００８４】
〔付記１５〕
更に別の形態によれば、
処理容器の内部に形成される処理室に基板を搬入する手順と、
前記処理容器の側面を貫通するように設けられ、内部に第１のガス流路を有するガス供給ノズル基端部、内部に第２のガス流路を有し前記処理室内に設けられるノズル管、前記ガス供給ノズル基端部と前記ノズル管とを連通して固定する、内部に第３のガス流路を有するノズル固定部から構成されるガス供給ノズルを介して前記処理室内に前記基板を処理するための処理ガスを供給して前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記処理室から搬出する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム、または該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
以上のように、本発明は、例えば、基板処理装置、ガス供給ノズル、および、半導体装置の製造方法等に利用することができる。
【符号の説明】
【００８６】
１・・・・・ガス供給ノズル基端部
２・・・・・ノズル管
３・・・・・ノズル固定部
１０１・・・基板処理装置
２００・・・ウエハ
２０１・・・処理室
２０３・・・反応管
【図１】
2016122691.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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