(57)【要約】【課題】端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることのできる接点接続構造を提供する。【解決手段】インデント部４が突設され、母材１Ａの外面にメッキ層１Ｂが形成された第１接点部２と、母材１１Ａの外面にメッキ層１１Ｂが形成された第２接点部１２とを有し、端子挿入完了位置では、第１接点部２のインデント部４が第２接点部１２の接触面１２ａに接触荷重Ｆによって接触する接点接続構造であって、インデント部４が接触する第２接点部１２の箇所の母材１１Ａは、外面に凹凸１１ｄが設けられ、この凹凸１１ｄ上にメッキ層１１Ｂが形成されている。【選択図】図４
2016201291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インデント部が突設され、母材の外面にメッキ層が形成された第１接点部と、母材の外面にメッキ層が形成された第２接点部とを有し、端子挿入完了位置では、前記第１接点部の前記インデント部が前記第２接点部の接触面に接触荷重によって接触する接点接続構造であって、
前記インデント部の前記母材と前記インデント部が接触する前記第２接点部の箇所の前記母材の少なくともいずれか一方は、外面に凹凸が設けられ、この凹凸上に前記メッキ層が形成されたことを特徴とする接点接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、第１接点部（第１端子）と第２接点部（第２端子）との間の電気的接続を行う接点接続構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図６には、従来の接点接続構造を適用したメス端子５１とオス端子６１とが示されている（類似技術として特許文献１参照）。
【０００３】
図６に示すように、メス端子５１は、四角形状の箱部５２と、箱部５２に一体に設けられ、箱部５２内に配置された弾性撓み部５３とを有している。
【０００４】
弾性撓み部５３には、箱部５２の底面部５２ａ側に向かって突出するインデント部５４が設けられている。
【０００５】
インデント部５４は、外周面（底面部５２ａ側の面）がほぼ球面形状で、中心の頂点が最下方に位置している。
【０００６】
なお、図６では、図示が省略されているが、メス端子５１は、図７（ａ）に示すように、銅合金材の母材５１Ａの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ（例えば、錫メッキ）が施され、メッキ層５１Ｂが設けられている。このメッキ層５１Ｂの外面側には、酸化膜５１Ｃが形成される。
【０００７】
図６に示すように、オス端子６１は、平板状のタブ部６２を有している。
【０００８】
なお、図６では、図示が省略されているが、オス端子６１は、図７（ｂ）に示すように、銅合金材の母材６１Ａの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ（例えば、錫メッキ）が施され、メッキ層６１Ｂが設けられている。このメッキ層６１Ｂの外面側には、酸化膜６１Ｃが形成される。
【０００９】
上記した構成において、図６の位置に位置するオス端子６１のタブ部６２をメス端子５１の箱部５２内へ挿入すると、タブ部６２に押されることによって弾性撓み部５３が撓み変形することにより、タブ部６２の挿入が許容される。
【００１０】
タブ部６２の挿入過程では、弾性撓み部５３のインデント部５４がタブ部６２の接触面６２ａ上を摺動し、端子挿入完了位置では、図８に示すように、弾性撓み部５３のインデント部５４と、タブ部６２の接触面６２ａとが接触する。
【００１１】
上記のように、インデント部５４がタブ部６２の接触面６２ａ上に接触すると、弾性撓み部５３の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、図９に示すように、インデント部５４に形成された酸化膜５１Ｃが破壊されるとともに、タブ部６２に形成されたメッキ層６１Ｂが押し込まれることによって酸化膜６１Ｃが破壊される。
【００１２】
このように、各酸化膜５１Ｃ，６１Ｃが破壊されると、各酸化膜５１Ｃ，６１Ｃの割れ目５１Ｃａ，６１Ｃａにメッキ層５１Ｂ，６１Ｂの金属（例えば、錫）が入り込むことにより、メス端子５１のインデント部５４と、オス端子６１のタブ部６２の接触面６２ａとが金属同士で接触する。
【００１３】
ところで、酸化膜５１Ｃ，６１Ｃは、錫や銅に較べて電気抵抗が非常に高い。
【００１４】
したがって、接触抵抗の低減を図るためには、酸化膜５１Ｃ，６１Ｃを破壊してメッキ層５１Ｂ，６１Ｂ同士の接触面（オーミック点）を多く（広く）作る必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００８−２８２８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
上記した従来の接点接続構造においては、図９の部分ｘ（インデント部５４の先端部分；タブ部６２に形成された凹部の底部分）では、インデント部５４の接触荷重によって酸化膜６１Ｃをメッキ層６１Ｂへ押し込む。しかし、メッキ層５１Ｂ，６１Ｂの反力が高いものの、部分ｘが平坦であることにより、図１０（ａ）に示すように、酸化膜５１Ｃ，６１Ｃは押し込まれるだけで割れない。
【００１７】
図９の部分ｙ（タブ部６２に形成された凹部の中腹周回部分）では、インデント部５４の接触荷重によって酸化膜５１Ｃ，６１Ｃが伸ばされ、割れ目５１Ｃａ，６１Ｃａが多く発生する。
【００１８】
そして、メッキ層５１Ｂ，６１Ｂの反力が高いことにより、酸化膜５１Ｃ，６１Ｃの割れ目５１Ｃａ，６１Ｃａにメッキ層５１Ｂ，６１Ｂの金属が入り込み、メッキ層５１Ｂとメッキ層６１Ｂとが接触する。
【００１９】
また、図９の部分ｚ（タブ部６２に形成された凹部の上端周回部分）では、インデント部５４の接触荷重による酸化膜５１Ｃ，６１Ｃの伸びが少なくなり、割れ目５１Ｃａ，６１Ｃａの発生が少なくなる。
【００２０】
そして、インデント部５４の接触荷重によってメッキ層５１Ｂ，６１Ｂの金属が移動することでメッキ層５１Ｂ，６１Ｂの反力が低くなることにより、酸化膜５１Ｃ，６１Ｃの割れ目５１Ｃａ、６１Ｃａにメッキ層５１Ｂ，６１Ｂの金属が入りきらず、図１０（ｂ）に示すように、メッキ層５１Ｂとメッキ層６１Ｂとが接触しない。
【００２１】
このように、メッキ層５１Ｂ，６１Ｂ同士の接触面（オーミック点）を多く作ることができないので、端子挿入完了位置における端子５１，６１同士の接触時にメッキ層６１Ｂの押し込み量を増やし、酸化膜５１Ｃ，６１Ｃの破壊を促進するためには、接触部間の接触圧を大きくすることが考えられる。
【００２２】
しかしながら、メッキ層６１Ｂが薄く、メッキ層６１Ｂの押し込み量が少ないので、各端子５１，６１が大型化したり、複雑化するという問題がある。
【００２３】
この発明は、上記した問題を解決すべくなされたものであり、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることのできる接点接続構造を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
この発明の接点接続構造は、インデント部が突設され、母材の外面にメッキ層が形成された第１接点部と、母材の外面にメッキ層が形成された第２接点部とを有し、端子挿入完了位置では、前記第１接点部の前記インデント部が前記第２接点部の接触面に接触荷重によって接触する接点接続構造であって、前記インデント部の前記母材と前記インデント部が接触する前記第２接点部の箇所の前記母材の少なくともいずれか一方は、外面に凹凸が設けられ、この凹凸上に前記メッキ層が形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
この発明の接点接続構造によれば、インデント部の母材とインデント部が接触する第２接点部の箇所の母材の少なくともいずれか一方は、外面に凹凸が設けられ、この凹凸上にメッキ層が形成されていることにより、インデント部が第２接点部の接触面に接触荷重によって接触したとき、第１接点部と第２接点部との少なくとも一方のメッキ層の金属が移動するのを抑制される。
【００２６】
このように、第１接点部と第２接点部との少なくとも一方の、メッキ層の金属の移動が抑制されることにより、酸化膜の割れ目にメッキ層の金属（例えば、錫）が入り込み、メッキ層同士の接触部を多くして、メッキ層同士の接触面を広くすることができる。
【００２７】
したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】この発明の一実施例を示し、接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図２】（ａ）はこの発明の一実施例におけるメス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図、（ｂ）はこの発明の一実施例におけるオス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図である。
【図３】この発明の一実施例を示し、接続後のメス端子とオス端子の断面図である。
【図４】この発明の一実施例において、インデント部がタブ部に接触した状態を示す概略断面図である。
【図５】（ａ）は図４の部分ｘの拡大断面図、（ｂ）は図４の部分ｚの拡大断面図である。
【図６】従来例を示し、接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図７】従来例を示し、（ａ）はメス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図、（ｂ）はオス端子を成形する成形材の構造を示す概略断面図である。
【図８】従来例を示し、接続後のメス端子とオス端子の断面図である。
【図９】従来例を示し、インデント部がタブ部に接触した状態を示す概略断面図である。
【図１０】（ａ）は図９の部分ｘの拡大断面図、（ｂ）は図９の部分ｚの拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
この発明の一実施例を、図１〜図５を参照して説明する。
【００３０】
図１において、メス端子（第１端子）１は、メス側コネクタハウジング（図示省略）内の端子収容室に配置（収容）されている。メス端子１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば、銅合金材；成形材）を折り曲げ加工して形成されている。メス端子１は、第１接点部である箱部２を有している。箱部２は、前方（図１の左側）が開口した方形状である。箱部２内には、箱部２の前方上面部より折り曲げられ、前方から後方へ延びた弾性撓み部３が配置されている。
【００３１】
弾性撓み部３には、箱部２の底面部２ａ側に向かって突出するほぼ球面形状のインデント部４が設けられている。インデント部４は、中心の頂点が最下方に位置し、弾性撓み部３の弾性変形によって上方に変位する。弾性撓み部３と、固定面部である箱部２の底面部２ａとは、間隔を置いて配置されている。弾性撓み部３と、箱部２の底面部２ａとの間に、図１に示すオス端子１１が挿入される。
メス端子１は、図２（ａ）に示すように、導電性金属の母材１Ａの外面の全域に、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点からメッキ（例えば、錫メッキ）が施され、メッキ層１Ｂが設けられている。このメッキ層１Ｂの外面側に酸化膜１Ｃが形成される。
【００３２】
図１において、オス端子（第２端子）１１は、オス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置（収容）されている。オス端子１１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば、銅合金材；成形材）を折り曲げ加工して形成されている。オス端子１１は、第２接点部であるタブ部１２を有している。タブ部１２は、フラットな板形状である。
【００３３】
オス端子１１は、図２（ｂ）に示すように、導電性金属の母材１１Ａと、この導電性金属の母材１１Ａの外面の全域に設けられたメッキ層１１Ｂと、このメッキ層１１Ｂの外面側に形成された酸化膜１１Ｃとで構造されている。
【００３４】
母材１１Ａの外面には、凹凸１１ｄが設けられている。この凹凸１１ｄは、例えば、母材１１Ａの圧延時に形成される。そして、凹凸１１ｄは、母材表面粗度を粗くすることによって形成され、規則正しく縦横に整列させて設けたり、ランダムに設けたり、一定の大きさの凹凸であったり、大きさの異なる凹凸であってもよい。
【００３５】
次に、メス端子１とオス端子１１との接続について説明する。図１の位置に位置するオス端子１１のタブ部１２をメス端子１の箱部２内へ挿入すると、タブ部１２に押されることによって弾性撓み部３が撓み変形することにより、タブ部１２の挿入が許容される。
【００３６】
タブ部１２の挿入過程では、弾性撓み部３のインデント部４がタブ部１２の接触面１２ａ上を摺動し、端子挿入完了位置では、図３に示すように、弾性撓み部３のインデント部４がタブ部１２の接触面１２ａに接触する。
【００３７】
上記のように、インデント部４がタブ部１２の接触面１２ａ上に接触すると、弾性撓み部３の撓み復帰力が接触荷重として作用することにより、図４に示すように、インデント部４に形成された酸化膜１Ｃが破壊されるとともに、タブ部１２に形成されたメッキ層１１Ｂが押し込まれることによって酸化膜１１Ｃが破壊（切断）される。
【００３８】
図４の部分ｘ（インデント部４の先端部分；タブ部１２に形成された凹部の底部分）では、インデント部４の接触荷重Ｆによって酸化膜１１Ｃをメッキ層１１Ｂへ押し込む。ここで、接触荷重Ｆを受けると、メッキ層１１Ｂの金属は、外側に逃げようとするが、母材１１Ａの凹部内の金属は、図２（ｂ）の矢印ｂで示すように、両側の凸部によって外側に逃げることができず、凹部内の金属の矢印ａ方向の反力が高くなる。これにより、図５（ａ）に示すように、酸化膜１Ｃ，１１Ｃに割れ目１Ｃａ，１１Ｃａが発生し、割れ目１Ｃａ，１１Ｃａへの金属の入り込みが促進される。これにより、金属同士の接触箇所が多くなる。
【００３９】
図４の部分ｙ（タブ部１２に形成された凹部の中腹周回部分）では、部分ｘがメッキ層１１Ｂ側に押し込まれることによって、メッキ層１１Ｂの伸び量が大きい。そのため、メッキ層１Ｂ，１１Ｂに割れ目ができ易い箇所であるが、母材１１Ａの凹凸１１ｄによっておよび上記した理由によって酸化膜１Ｃ，１１Ｃの割れ目１Ｃａ，１１Ｃａの発生が促進される。したがって、母材１１Ａの表面がフラットな場合に比べて、金属同士の接触箇所が多くなる。
【００４０】
図４の部分ｚ（タブ部１２に形成された凹部の上端周回部分）では、小さな接触荷重しか作用しないため、酸化膜１１Ｃの伸びが小さいものの、母材１１Ａの凹凸１１ｄによっておよび上記した理由によって酸化膜１Ｃ，１１Ｃの割れ目１Ｃａ，１１Ｃａが発生する。したがって、母材１１Ａの表面がフラットな場合に比べて、金属同士の接触箇所が多くなる。
【００４１】
このように、母材１１Ａに凹凸１１ｄを形成する（設ける）ことにより、メッキ層１１Ｂの金属の移動が抑制されるため、酸化膜１Ｃ，１１Ｃの割れ目１Ｃａ，１１Ｃａにメッキの金属が入り込み、金属同士の接触部を多くして、金属同士の接触面を広くすることができる。
【００４２】
したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。
【００４３】
この発明の一実施例によれば、メス端子１の母材１１Ａの外面に凹凸１１ｄを設け、この凹凸１１ｄ上にメッキ層１１Ｂを形成したことにより、インデント部４がタブ部１２の接触面１２ａに接触荷重Ｆによって接触したとき、メッキ層１１Ｂの金属が移動するのを抑制される。
【００４４】
このように、メッキ層１１Ｂの金属の移動が抑制されることにより、酸化膜１Ｃ，１１Ｃの割れ目１Ｃａ，１１Ｃａにメッキ層１Ｂ，１１Ｂの金属が入り込み、メッキ層１Ｂ，１１Ｂ同士の接触部を多くして、メッキ層１Ｂ，１１Ｂ同士の接触面を広くすることができる。
【００４５】
したがって、端子を大型化させたり、極力複雑化させたりすることなく、接触抵抗を低減させることができる。
【００４６】
上記した実施例では、メス端子１を、表面に凹凸１１ｄが形成された母材１１Ａにメッキ層１１Ｂを形成した例で説明したが、オス端子を、表面に凹凸が形成された母材にメッキを形成しても、同様な効果を得ることができる。
【００４７】
したがって、メス端子（第１接点部）とオス端子（第２接点部）との少なくとも一方を、表面に凹凸が形成された母材にメッキ層を形成しても、同様な効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１        メス端子（第１端子）
１Ａ      母材
１Ｂ      メッキ層
１Ｃ      酸化層
１Ｃａ    割れ目
２        箱部（第１接点部）
２ａ      底面部（固定面部）
３        弾性撓み部
４        インデント部
１１      オス端子（第２端子）
１１Ａ    母材
１１Ｂ    メッキ層
１１Ｃ    酸化層
１１Ｃａ  割れ目
１１ｄ    凹凸
１２      タブ部（第２接点部）
１２ａ    接触面
１３      メッキ層
１４      酸化膜
Ｆ        接触荷重
【図１】
2016201291.tif 000003
【図２】
2016201291.tif 000004
【図３】
2016201291.tif 000005
【図４】
2016201291.tif 000006
【図５】
2016201291.tif 000007
【図６】
2016201291.tif 000008
【図７】
2016201291.tif 000009
【図８】
2016201291.tif 000010
【図９】
2016201291.tif 000011
【図１０】
2016201291.tif 000012