(57)【要約】      （修正有）【課題】ダイパッドの一面における貫通剥離の防止と、ダイパッドの他面における樹脂バリの防止とを両立するための凹凸を、プレス加工で形成するハーフモールドタイプのパッケージを提供する。【解決手段】モールドパッケージＰ１は、板状のダイパッド１０の一面１０ａにダイボンド材２０を介して搭載する半導体チップ３０と、ダイパッド１０の一面１０ａ側を封止するモールド樹脂４０とを備え、ダイパッド１０の他面１０ｂのうちチップ直下部１１は、モールド樹脂４０より露出している。ダイパッド１０の他面１０ｂにおいて、チップ直下部１１の全周を取り囲むように環状の凹部１２が設けられ、凹部１２の内周側はモールド樹脂４０より露出する。ダイパッド１０の一面１０ａのうち凹部１２の直上に位置する部位は、凹部１２の凹形状を承継した凸形状を有する環状の凸部１３とする。【選択図】図１
2016201447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）とが表裏の関係にある板状のダイパッド（１０）と、
前記ダイパッドの一面にダイボンド材（２０）を介して搭載された半導体チップ（３０）と、
前記半導体チップとともに前記ダイパッドの一面側を封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、
前記ダイパッドの他面のうち少なくとも前記半導体チップの直下に位置するチップ直下部（１１）は、前記モールド樹脂より露出しているモールドパッケージであって、
前記ダイパッドの他面のうち前記チップ直下部と前記ダイパッドの外周端部（１０ｃ）との間には、段差を有して凹んだ凹部（１２）が、前記チップ直下部の全周を取り囲むように環状に設けられており、
前記ダイパッドの他面のうち前記凹部の内周側の部位は、前記モールド樹脂より露出しており、
前記ダイパッドの一面のうち前記凹部の直上に位置する部位は、前記凹部の凹形状を承継した凸形状を有する環状の凸部（１３）とされていることを特徴とするモールドパッケージ。
【請求項２】
前記ダイパッドの一面と前記半導体チップとを接続するボンディングワイヤ（５０）を備え、
前記モールド樹脂は、前記半導体チップおよび前記ボンディングワイヤとともに前記ダイパッドの一面側を封止しており、
前記ボンディングワイヤは、前記ダイパッドの一面における前記凸部上に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項３】
前記ダイパッドの一面と前記半導体チップとを接続するボンディングワイヤ（５０）を備え、
前記モールド樹脂は、前記半導体チップおよび前記ボンディングワイヤとともに前記ダイパッドの一面側を封止しており、
前記凹部および前記凹部に対応する凸部の組である凹凸部（１４）は２組設けられ、これら２組の凹凸部は、前記ダイパッドにおいて前記半導体チップ寄りと前記ダイパッドの外周端部寄りに二重の環状となるように離れて配置されており、
前記ボンディングワイヤは、前記ダイパッドの一面における前記２組の凹凸部の間の部位に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項４】
前記ダイパッドの一面と前記半導体チップとを接続するボンディングワイヤ（５０）を備え、
前記モールド樹脂は、前記半導体チップおよび前記ボンディングワイヤとともに前記ダイパッドの一面側を封止しており、
前記ボンディングワイヤは、前記ダイパッドの一面における前記凸部よりも前記半導体チップ側の部位に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項５】
前記ダイパッドの一面と前記半導体チップとを接続するボンディングワイヤ（５０）を備え、
前記モールド樹脂は、前記半導体チップおよび前記ボンディングワイヤとともに前記ダイパッドの一面側を封止しており、
前記ボンディングワイヤは、前記ダイパッドの一面における前記凸部よりも前記ダイパッドの外周端部側の部位に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項６】
前記ボンディングワイヤは、前記半導体チップのＧＮＤ用のワイヤであることを特徴とする請求項２ないし５のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイパッドの一面側に半導体チップを搭載したものをモールド樹脂で封止するとともに、ダイパッドの他面をモールド樹脂より露出させてなるモールドパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のモールドパッケージとしては、たとえば特許文献１に記載のものが提案されている。このパッケージは、一面と他面とが表裏の関係にある板状のダイパッドと、ダイパッドの一面にダイボンド材を介して搭載された半導体チップと、半導体チップとともにダイパッドの一面側を封止するモールド樹脂と、を備える。
【０００３】
そして、ダイパッドの他面のうち少なくとも半導体チップの直下に位置するチップ直下部は、モールド樹脂より露出している。このように、この種のモールドパッケージは、実質的にダイパッドの片面側のみをモールド樹脂で封止する構成としており、いわゆる、ハーフモールドタイプと呼ばれている。
【０００４】
このようなハーフモールドタイプのパッケージの場合、ダイパッドの他面、特にダイパッドの他面のうち放熱を要するチップ直下部は、モールド樹脂による樹脂バリを防止して確実にモールド樹脂から露出させることが必要である。
【０００５】
そのため、上記特許文献１では、ダイパッドに対して、ダイパッドの他面側からパンチを用いたプレス加工を施して、チップ直下部を凹部とすることにより、チップ直下部の周辺部に段差を設け、樹脂バリの侵入を当該段差で防止するようにしていた。
【０００６】
一方、このようなモールドパッケージの場合、モールド樹脂で封止されているダイパッドの一面側では、モールド樹脂の剥離防止の対策が肝要である。特に、半導体チップとダイパッドの外周端部との間でモールド樹脂の剥離が貫通すること、いわゆる、貫通剥離が発生すると、剥離部分を通って湿気等が侵入することにより、半導体チップの特性低下が懸念される。
【０００７】
このような貫通剥離の発生要因としては、次の２つが主に挙げられる。1つ目は、ダイボンド材とモールド樹脂との密着性が一般に低く、半導体チップ近傍からモールド樹脂の剥離が生じやすいことである。２つ目は、ダイパッドの外周端部にて応力集中等によるモールド樹脂の剥離が発生しやすいことである。
【０００８】
そのため、従来では、ダイパッドの一面においてもプレス加工を施して、半導体チップとダイパッドの外周端部との間で溝等の凹部を形成することにより、剥離防止の対策を行っていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−１７５７９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このように、この種のモールドパッケージにおいては、ダイパッドの一面における貫通剥離の防止と、ダイパッドの他面における樹脂バリの防止との両面から対策を施す必要があり、ダイパッドの表裏両面に凹部を設ける必要がある。しかし、従来のプレス加工では、ダイパッドの平坦性を確保するために、浅い凹部を、ダイパッドの一面と他面とで別々に形成せざるを得なかった。
【００１１】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ハーフモールドタイプのパッケージにおいて、ダイパッドの一面における貫通剥離の防止と、ダイパッドの他面における樹脂バリの防止とを両立させるための凹凸を、プレス加工によって簡単に形成するのに適した構成を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）とが表裏の関係にある板状のダイパッド（１０）と、ダイパッドの一面にダイボンド材（２０）を介して搭載された半導体チップ（３０）と、半導体チップとともにダイパッドの一面側を封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、ダイパッドの他面のうち少なくとも半導体チップの直下に位置するチップ直下部（１１）は、モールド樹脂より露出しているモールドパッケージであって、
ダイパッドの他面のうちチップ直下部とダイパッドの外周端部（１０ｃ）との間には、段差を有して凹んだ凹部（１２）が、チップ直下部の全周を取り囲むように環状に設けられており、ダイパッドの他面のうち凹部の内周側の部位は、モールド樹脂より露出しており、ダイパッドの一面のうち凹部の直上に位置する部位は、凹部の凹形状を承継した凸形状を有する環状の凸部（１３）とされていることを特徴とする。
【００１３】
それによれば、ダイパッドの一面のうち凹部の直上に位置する部位を、凹部の凹形状を承継した凸形状を有する凸部としているから、半抜きプレス（段差プレス）によりダイパッドの他面側の凹部と一面側の凸部とを同時に形成できる。
【００１４】
そして、凹部は、ダイパッドの他面のうちチップ直下部の全周を取り囲むように環状に設けられているため、樹脂バリの進行を凹部にて堰き止めることができ、凹部内周のチップ直下部を含む部位が、モールド樹脂より露出する。
【００１５】
また、ダイパッドの他面におけるチップ直下部を取り囲む環状の凹部に対して、ダイパッドの一面にて凹部の直上に凸部が位置することから、凸部は、半導体チップの全周を取り囲む環状のものとされる。そのため、半導体チップとダイパッドの外周端部との間におけるモールド樹脂の剥離の進展は、凸部の段差にてせき止められる。
【００１６】
よって、本発明によれば、ダイパッドの一面における貫通剥離の防止と、ダイパッドの他面における樹脂バリの防止とを両立させるための凹凸を、プレス加工によって簡単に形成するのに適した構成を実現することができる。
【００１７】
ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１のモールドパッケージにおいては、ダイパッドの一面と半導体チップとを接続するボンディングワイヤ（５０）を備え、モールド樹脂は、半導体チップおよびボンディングワイヤとともにダイパッドの一面側を封止しており、ボンディングワイヤは、ダイパッドの一面における凸部上に接続されているものとしてもよい。
【００１８】
それによれば、ダイパッドの一面におけるワイヤ接続部は、半導体チップ側およびダイパッドの外周端部側の両側に対して凸部による段差を有するため、当該両側にて発生する剥離は当該段差にて止められ、ワイヤ接続部まで進行しにくい。このように、ダイパッドの一面側におけるモールド樹脂の剥離のワイヤ接続部への進展防止がなされるため、ワイヤ接続部の信頼性向上の点で好ましい。
【００１９】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。
【図２】第１実施形態にかかるモールドパッケージにおけるダイパッドの一面側の平面形状を示す概略平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかるハーフモールドタイプのモールドパッケージＰ１について、図１、図２を参照して述べる。このモールドパッケージＰ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
【００２３】
図１、図２に示されるように、本実施形態のモールドパッケージＰ１は、大きくは、一面１０ａと他面１０ｂとが表裏の板面の関係にある板状のダイパッド１０と、ダイパッド１０の一面１０ａにダイボンド材２０を介して搭載された半導体チップ３０と、半導体チップ３０とともにダイパッド１０の一面１０ａ側を封止するモールド樹脂４０と、を備えて構成されている。
【００２４】
そして、本実施形態のモールドパッケージＰ１においては、典型的なハーフモールドタイプと同様、ダイパッド１０の他面１０ｂのうち半導体チップ３０の直下に位置するチップ直下部１１が、モールド樹脂４０より露出している。なお、チップ直下部１１は、ダイパッド１０の他面１０ｂに半導体チップ３０を投影した領域に相当するもので、具体的に、ここでは、半導体チップ３０と同一の矩形の領域である。
【００２５】
上述したように、ダイパッド１０の他面１０ｂのうち放熱を要するチップ直下部１１は、モールド樹脂４０による樹脂バリを防止して確実にモールド樹脂４０から露出させることが必要な部位である。このダイパッド１０の露出部には、パッケージ外部に位置する配線基板や筺体等の図示しない外部部材が接続され、半導体チップ３０に発生する熱は、ダイパッド１０の他面１０ｂから当該外部部材に放熱されるようになっている。
【００２６】
ここで、半導体チップ３０は、通常の半導体プロセスにより形成されたシリコン半導体等よりなるもので、たとえばＩＣチップ、あるいはＭＯＳトランジスタやＩＧＢＴ等のパワー素子等よりなるものである。
【００２７】
この半導体チップ３０の平面形状は特に限定するものではないが、典型的には、図２に示されるように、矩形板状をなしている。また、半導体チップ３０をダイパッド１０に固定するダイボンド材２０は、はんだやＡｇペースト、導電性接着剤等よりなる。
【００２８】
そして、ダイパッド１０は、ここでは、半導体チップ３０よりも一回り大きい矩形板状をなしている。ここでは、ダイパッド１０は、後述するリード６０と同一のリードフレーム素材よりなるものであり、このリード６０と同一の材質および板厚を有するものとされている。
【００２９】
この場合、リードフレーム素材は、たとえばＣｕ（銅）、Ｆｅ（鉄）や４２アロイ等の金属板を、エッチングやプレスの打ち抜き等によってパターニングすることにより、ダイパッド１０およびリード６０を形成したものである。これらダイパッド１０およびリード６０は、モールド樹脂４０による封止前までは、図示しないタイバー等により連結されているが、モールド樹脂４０による封止後は、リードカット等により分離されているものである。
【００３０】
ここで、上記したリード６０は、ダイパッド１０の外周端部１０ｃよりも外側に位置するものであり、典型的には細長板状をなすものである。このリード６０は１本でもよいが、典型的には、ダイパッド１０の外側に複数本設けられる。
【００３１】
そして、本実施形態では、ダイパッド１０の一面１０ａと半導体チップ３０は、ボンディングワイヤ５０により接続され、リード６０と半導体チップ３０とは、ボンディングワイヤ５１により接続されている。
【００３２】
ここで、ダイパッド１０との接続をなすダイパッド用ボンディングワイヤ５０および、リード６０との接続をなすリード用ボンディングワイヤ５１は、ともに、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）等よりなるものであり、通常のワイヤボンディングにより形成されるものである。
【００３３】
なお、これらボンディングワイヤ５０、５１とダイパッド１０およびリード６０との接続性を確保するためには、ダイパッド１０およびリード６０の表面に、Ａｇ（銀）メッキやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ（ニッケル／パラジウム／金）メッキが施されていることが望ましい。もちろん、これらメッキが無いものであってもよい。
【００３４】
ここで、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０は、たとえば半導体チップ３０のＧＮＤ用のワイヤとなるもので、１本でもよいが、典型的には複数本設けられる。なお、図２では、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０は1本のみ示してある。これにより、半導体チップの接地は、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０、ダイパッド１０、および、ダイパッド１０の他面１０ｂに接続される上記外部部材を介して行われるようになっている。
【００３５】
また、リード用ボンディングワイヤ５１は、半導体チップ３０の駆動や制御を行う信号用のワイヤである。このリード用ボンディングワイヤ５１は、リード６０のうちのインナーリードに接続されており、リード６０のアウターリードをパッケージ外部に接続することで、半導体チップ３０と外部との信号のやり取りが可能となっている。
【００３６】
そして、モールド樹脂４０は、半導体チップ３０、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０、リード用ボンディングワイヤ５１、および、リード６０のインナーリードとともにダイパッド１０の一面１０ａ側を封止している。
【００３７】
ここで、モールド樹脂４０は、この種のハーフモールドタイプのパッケージに適用されるものと同様のものであり、トランスファー成形により形成されたエポキシ樹脂等よりなるものである。図１に示されるように、モールド樹脂４０は、ダイパッド１０の一面１０ａ側およびダイパッド１０の外周端部１０ｃを封止している。
【００３８】
ここにおいて、本実施形態では、図１および図２に示されるように、ダイパッド１０の他面１０ｂのうちチップ直下部１１とダイパッド１０の外周端部１０ｃとの間には、段差を有して凹んだ凹部１２が、チップ直下部１１の全周を取り囲むように環状に設けられている。
【００３９】
そして、ダイパッド１０の他面１０ｂのうちチップ直下部１１を含む凹部１２の内周側の部位は、モールド樹脂４０より露出している。一方、ダイパッド１０の一面１０ａのうち凹部１２の直上に位置する部位は、凹部１２の凹形状を承継した凸形状を有する環状の凸部１３とされている。
【００４０】
この凸部１３は、凹部１２の凹形状を承継した凸形状をなすものであり、ダイパッド１０の他面１０ｂ側における凹部１２の凹みがそのまま、一面１０ａ側の凸部１３を構成している。つまり、凸部１３の段差形状および高さは、凹部１２の段差形状および深さと実質同一である。
【００４１】
さらに言えば、ダイパッド１０の表裏の板面において環状の凹部１２の全体と環状の凸部１３の全体とは、同位置に設けられ、これら凹部１２と凸部１３とが１組の凹凸部１４を構成している。ここでは、凹部１２および凸部１３の平面形状は、図１、図２に示されるように、ともに幅を持った矩形枠状の閉じた環をなしている。
【００４２】
また、上述のように、凹部１２および凸部１３は、段差として、ダイパッド１０の板面に直交する方向に延びる壁面を持つものであるが、ここでは、凹部１２および凸部１３は、断面四角形の凹凸形状として構成されている。たとえば、ダイパッド１０の厚さは、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度であり、凹部１２の段差の深さはダイパッド１０の厚さの半分程度である。
【００４３】
このような凹部１２および凸部１３は、半抜きプレスにより形成される。この半抜きプレスは、段差プレスとも言われるもので、被加工部材を貫通する打ち抜きプレス加工を、途中で止めて貫通させないようにするものである。
【００４４】
そして、本実施形態では、上記したダイパッド用ボンディングワイヤ５０は、ダイパッド１０の一面１０ａにおける凸部１３上に接続されている。具体的には、凹部１２の底部およびこれに対応する凸部１３の頂部は、平坦面とされており、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０は、この平坦面である凸部１３の頂部に接続されている。
【００４５】
そして、トランスファー成形による典型的なハーフモールドタイプのパッケージと同様、ダイパッド１０の一面１０ａ全体がモールド樹脂４０で封止されている。つまり、ダイパッド１０の一面１０ａにおいては、凸部１３、凸部１３の内周、および凸部１３の外周が、モールド樹脂４０に接触して封止されている。
【００４６】
一方、本実施形態では、ダイパッド１０の他面１０ｂにおいては、モールド樹脂４０は、外周端部１０ｃから凹部１２の部位まで回り込んでおり、いわゆる樹脂バリとして、当該部位を被覆している。
【００４７】
しかし、モールド樹脂４０は凹部１２内部に留められており、凹部１２内周側への樹脂バリの進展が防止されている。これにより、上述したように、ダイパッド１０の他面１０ｂのうちチップ直下部１１を含む凹部１２の内周側の部位がモールド樹脂４０より露出している。
【００４８】
次に、本実施形態のモールドパッケージＰ１の製造方法について述べる。まず、上記リードフレーム素材として、凹凸部１４を有するダイパッド１０とリード６０とが一体とされたものを用意する（用意工程）。
【００４９】
次に、ダイパッド１０の一面１０ａ上にダイボンド材２０を介して、半導体チップ３０を搭載する（搭載工程）。次に、ワイヤボンディングを行い、半導体チップ３０とダイパッド１０およびリード６０とを、ボンディングワイヤ５０、５１で接続する（ワイヤボンディング工程）。
【００５０】
その後、ワイヤボンディングされたワークを、図示しない樹脂成形用の金型に入れ、トランスファー成形によりモールド樹脂４０を形成する（モールド工程）。このとき、金型の内面をダイパッド１０の他面１０ｂに接触させることで、ダイパッド１０の他面１０ｂへの樹脂の侵入防止を図る。
【００５１】
こうして、モールド樹脂４０を成形した後、必要に応じて、リードカットやリード成形を行うことにより、本実施形態のモールドパッケージＰ１ができあがる。
【００５２】
ところで、本実施形態によれば、ダイパッド１０の一面１０ａのうち凹部１２の直上に位置する部位を、凹部１２の凹形状を承継した凸形状を有する凸部１３としている。そのため、半抜きプレス（段差プレス）によりダイパッド１０の他面１０ｂ側の凹部１２と一面１０ａ側の凸部１３とを同時に形成することができる。
【００５３】
本実施形態では、従来採用されていなかった半抜きプレスにより、ダイパッド１０の両面に一括して凹部１２および凸部１３を設けるため、凹部１２、凸部１３をそれぞれ深く、高くできる。そのため、剥離防止や樹脂バリ防止の効果が十分に確保できる。
【００５４】
具体的に、凹部１２は、ダイパッド１０の他面１０ｂのうちチップ直下部１１の全周を取り囲むように閉じた環状に設けられているため、モールド工程における樹脂バリの進行を凹部１２にて堰き止めることができる。それにより、ダイパッド１０の他面１０ｂのうち凹部１２内周のチップ直下部１１を含む部位が、モールド樹脂４０より確実に露出している。
【００５５】
また、ダイパッド１０の他面１０ｂにおけるチップ直下部１１を取り囲む環状の凹部１２に対して、ダイパッド１０の一面１０ａにて凹部１２全体の直上に凸部１３が位置することから、凸部１３は、半導体チップ３０の全周を取り囲む閉じた環状のものとされている。
【００５６】
そのため、ダイパッド１０の一面１０ａにおいて、半導体チップ３０とダイパッド１０の外周端部１０ｃとの間におけるモールド樹脂４０の剥離の進展は、凸部１３の段差にてせき止められる。
【００５７】
よって、本実施形態によれば、ダイパッド１０の一面１０ａにおける貫通剥離の防止と、ダイパッド１０の他面１０ｂにおける樹脂バリの防止とを両立させるための凹凸部１４を、プレス加工によって簡単に形成するのに適した構成を実現することができる。
【００５８】
また、本実施形態によれば、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０は、ダイパッド１０の一面１０ａにおける凸部１３上に接続されている。それによれば、ダイパッド１０の一面１０ａにおけるワイヤ接続部は、半導体チップ３０側およびダイパッド１０の外周端部１０ｃ側の両側に対して凸部１３による段差を有するため、当該両側にて発生する剥離は当該段差にて止められ、ワイヤ接続部まで進行しにくい。
【００５９】
このように、本実施形態によれば、ダイパッド１０の一面１０ａ側におけるモールド樹脂４０の剥離のワイヤ接続部への進展防止がなされるため、ワイヤ接続部の信頼性向上を図ることができる。
【００６０】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかるモールドパッケージＰ２について、図３を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第１実施形態では、ダイパッド１０に対して、凹部１２とこれに対応する凸部１３との組である凹凸部１４を、１組設けたものとしたが、本第２実施形態のように、２組の凹凸部１４を設けてもよい。
【００６１】
図３に示されるように、本実施形態では、凹凸部１４は２組設けられ、これら２組の凹凸部１４は、ダイパッド１０において半導体チップ３０寄りとダイパッド１０の外周端部１０ｃ寄りに二重の環状となるように離れて配置されている。そして、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０は、ダイパッド１０の一面１０ａのうち２組の凹凸部１４の間の部位に接続されている。
【００６２】
本実施形態によれば、ダイパッド１０の一面１０ａにおける２組の凹凸部１４の間の部位は、プレスによる凹凸加工がされていない部位であり、当該凹凸加工された部位に比べて平坦性に優れる。そして、この平坦性に優れる部位に、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０が接続されるので、ワイヤボンディング性の点で好ましい。
【００６３】
また、本実施形態によれば、ダイパッド１０の一面１０ａにおいて、ワイヤ接続部よりも半導体チップ３０側およびダイパッド１０の外周端部１０ｃ側の両側に凸部１３があるので、当該両側にて発生する剥離は凸部１３の段差にて止められ、ワイヤ接続部まで進行しにくい。
【００６４】
このように、本実施形態は、ダイパッド１０の一面１０ａ側におけるモールド樹脂４０の剥離のワイヤ接続部への進展防止がなされるものとされるため、ワイヤ接続部の信頼性向上の点で好ましい。
【００６５】
なお、凹凸部１４は、上記図２では二重環配置された２組であったが、３組以上の凹凸部１４が多重環状に配置されたものでもよい。この場合も、３組以上のうちの任意の隣り合う２組が本実施形態における２組の凹凸部１４を構成し、その間にダイパッド用ボンディングワイヤ５０が接続されるような構成とすればよい。
【００６６】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかるモールドパッケージＰ３について、図４を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第１実施形態では、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０は、ダイパッド１０の一面１０ａにおける凸部１３上に接続されていた。
【００６７】
これに対して、本実施形態では、図４に示されるように、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０は、ダイパッド１０の一面１０ａのうち凸部１３よりも半導体チップ３０側の部位に接続されている。
【００６８】
本実施形態によれば、ダイパッド１０の一面１０ａにおける凸部１３よりも半導体チップ３０側の部位は、プレスによる凹凸加工がされていない部位であり、凸部１３に比べて平坦性に優れる。そして、本実施形態によっても、この平坦性に優れる部位にダイパッド用ボンディングワイヤ５０が接続されるので、ワイヤボンディング性の点で好ましい。
【００６９】
また、本実施形態によれば、ダイパッド１０の一面１０ａにおけるワイヤ接続部は、ダイパッド１０の外周端部１０ｃ側に対して凸部１３を有するため、外周端部１０ｃ側から発生する剥離は、凸部１３の段差にて止められ、ワイヤ接続部まで進行しにくい。
【００７０】
このように、本実施形態では、ダイパッド１０の一面１０ａ側におけるモールド樹脂４０の剥離が、樹脂の外側すなわちダイパッド１０の外周端部１０ｃ側から発生することが懸念される場合において、ワイヤ接続部への剥離進展防止がなされ、ワイヤ接続部の信頼性向上の点で好ましい。
【００７１】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかるモールドパッケージＰ４について、図５を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第１実施形態では、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０は、ダイパッド１０の一面１０ａにおける凸部１３上に接続されていたが、本実施形態では、図５に示されるように、ダイパッド１０の一面１０ａのうち凸部１３よりも外周端部１０ｃ側の部位に接続されている。
【００７２】
本実施形態によれば、ダイパッド１０の一面１０ａにおける凸部１３よりも外周端部１０ｃ側の部位は、プレスによる凹凸加工がされていない部位であり、凸部１３に比べて平坦性に優れる。そのため、本実施形態によっても、この平坦性に優れる部位にダイパッド用ボンディングワイヤ５０が接続されるので、ワイヤボンディング性の点で好ましい。
【００７３】
また、本実施形態によれば、ダイパッド１０の一面１０ａにおけるワイヤ接続部は、半導体チップ３０側に対して凸部１３を有するため、半導体チップ３０側から発生する剥離は、凸部１３の段差にて止められ、ワイヤ接続部まで進行しにくい。
【００７４】
このように、本実施形態では、ダイパッド１０の一面１０ａ側におけるモールド樹脂４０の剥離が、モールド樹脂４０の内部すなわち半導体チップ３０側から発生することが懸念される場合において、ワイヤ接続部への剥離進展防止がなされ、ワイヤ接続部の信頼性向上の点で好ましい。
【００７５】
（他の実施形態）
なお、図１等に示される上記各実施形態では、凹部１２によって、ダイパッド１０の他面１０ｂへのモールド樹脂４０の侵入が防止され、凹部１２内にモールド樹脂４０が留まることで、ダイパッド１０の他面１０ｂのうち凹部１２内周が露出していた。しかし、ダイパッド１０の他面１０ｂにおいては、少なくともチップ直下部１１を含む凹部１２の内周が露出していればよく、トランスファー成形時の条件等によっては、ダイパッド１０の他面１０ｂ全体が露出していてもよい。
【００７６】
さらには、樹脂バリとしてのモールド樹脂４０は、図６に示されるように、ダイパッド１０の他面１０ｂのうちの外周端部１０ｃと凹部１２との間までに留まっているものであってもよい。また、樹脂バリとしてのモールド樹脂４０は、図７に示されるように、凹部１２内の途中部分までに留まっているものであってもよい。
【００７７】
また、上記第２実施形態のようなダイパッド１０の一面１０ａに２個の凸部１３がもうけられた構成の場合でも、上記第１実施形態と同様、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０は、２個の凸部１３のどちらか一方の凸部１３上に接続されてもよい。
【００７８】
さらには、上記第２実施形態のようなダイパッド１０の一面１０ａに２個の凸部１３がもうけられた構成を、上記第３実施形態や上記第４実施形態と組み合わせてもよい。この場合、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０を、２個の凸部１３よりも半導体チップ３０側、または外周端部１０ｃ側に接続すればよい。
【００７９】
また、ダイパッド用ボンディングワイヤ５０が複数本の場合、ダイパッド１０の一面１０ａとの接続については、当該ワイヤのすべてが同じ接続形態でなくてもよく、上記各実施形態による接続形態が混在していてもよい。
【００８０】
具体的に言うと、当該複数本のダイパッド用ボンディングワイヤ５０については、ダイパッド１０の一面１０ａのうち凸部１３上に接続されたもの、凸部１３よりも半導体チップ３０側に接続されたもの、または、凸部１３よりも外周端部１０ｃ側に接続されたものが、混在していてもよい。
【００８１】
また、半導体チップ３０とダイパッド１０の一面１０ａとを接続するダイパッド用ボンディングワイヤ５０が、省略された構成でもよい。たとえば、半導体チップ３０とダイパッド１０の一面１０ａとをバンプ等により接続するものであってもよい。
【００８２】
また、凹部１２および凸部１３の平面形状は、半導体チップ３０を取り囲む連続した環状であればよく、上記した矩形枠状に限定されるものではない。たとえば凹部１２および凸部１３の平面形状は、円形状等であってもよい。
【００８３】
また、ダイパッド１０は、リード６０と同一のリードフレーム素材よりなるものあったが、これに限定されるものではなく、リード６０とは材質や板厚等が相違する別体の部材、たとえばヒートシンク等によりダイパッド１０が構成されていてもよい。
【００８４】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００８５】
１０    ダイパッド
１０ａ  ダイパッドの一面
１０ｂ  ダイパッドの他面
１０ｃ  ダイパッドの外周端部
１１    チップ直下部
１２    凹部
１３    凸部
２０    ダイボンド材
３０    半導体チップ
５０    ダイパッド用ボンディングワイヤ
【図１】
2016201447.tif 000003
【図２】
2016201447.tif 000004
【図３】
2016201447.tif 000005
【図４】
2016201447.tif 000006
【図５】
2016201447.tif 000007
【図６】
2016201447.tif 000008
【図７】
2016201447.tif 000009