(57)【要約】【課題】液晶材料の劣化を軽減させ寿命を向上させることが可能な液晶装置１００の製造方法を提供する。【解決手段】第１液晶材料５４ａを有するフィルター５０の一方の側に、第２液晶材料１５ａを挟持した状態で光硬化型のシール材１４によって貼り合わされた一対の基板を有する液晶パネル１００ａを配置する工程と、フィルター５０の他方の側から紫外線Ｌ１を含む光を照射して、フィルター５０を介して液晶パネル１００ａのシール材１４を硬化させる工程と、を有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１液晶材料を有するフィルターの一方の側に、第２液晶材料を挟持した状態で光硬化型のシール材によって貼り合わされた一対の基板を有する液晶パネルを配置する工程と、
前記フィルターの他方の側から紫外線を含む光を照射して、前記フィルターを介して前記液晶パネルの前記シール材を硬化させる工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１液晶材料と前記第２液晶材料とは同じ液晶材料であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記フィルターのセル厚は、前記液晶パネルのセル厚と比較して厚いことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記シール材を硬化させる工程は、前記第１液晶材料を等方相の状態にして前記紫外線を照射することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記フィルターと前記液晶パネルとの間に、少なくとも平面視で前記シール材と重なる領域が開口するマスクを配置する工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記フィルターは、少なくとも平面視で前記シール材と重なる領域以外の領域に遮光膜が形成されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置は、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型の表示装置や、投写型表示装置（プロジェクター）のライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
液晶装置の製造方法は、例えば、まず素子基板における液晶層が配置される周囲にシール材を塗布する。その後、シール材で囲まれた中に液晶を供給し、素子基板と対向基板とを貼り合わせる。そして、シール材に紫外線を照射してシール材を硬化させる。
【０００４】
このとき、液晶装置に紫外線を照射した際、シール材に近い液晶材料に、特に液晶材料にダメージを与えやすい波長（例えば、３６０ｎｍ以下）の光が照射されると、液晶材料が劣化して表示品質が低下するという問題がある。
【０００５】
そこで、例えば、ネオセラムなどの材料をフィルターとして用いて、短波長側の波長の透過を抑える方法がある。また、例えば、特許文献１には、紫外線透過率の低いフィルターを介して光を照射する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−９８９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、シール材を硬化させるためのシール硬化開始剤も液晶材料にダメージを与えやすい波長領域（３６０ｎｍ付近）で反応するものがあり、液晶材料にダメージを与えにくく、かつシール材を硬化させるには、使用する波長の波長帯域が狭いという課題がある。また、特許文献１のように紫外線透過率を低くすると、波長帯域によってはシール材が硬化しにくかったり、硬化するのに時間がかかったりするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１液晶材料を有するフィルターの一方の側に、第２液晶材料を挟持した状態で光硬化型のシール材によって貼り合わされた一対の基板を有する液晶パネルを配置する工程と、前記フィルターの他方の側から紫外線を含む光を照射して、前記フィルターを介して前記液晶パネルの前記シール材を硬化させる工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、紫外線は液晶パネルに入射する前にフィルターを透過する。よって、フィルターに備えられた第１液晶材料によって、従来では除去することができなかった、少なくとも第２液晶材料の劣化に起因する特定波長の光を吸収させることができる。これにより、シール材を硬化する際に、紫外線を第２液晶材料に照射しても、第２液晶材料へのダメージを抑えながらシール材を硬化させることができる。その結果、表示品質を向上させることができると共に、液晶パネルの寿命を向上させることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１液晶材料と前記第２液晶材料とは同じ液晶材料であることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、同じ液晶材料を用いるので、第２液晶材料にダメージを与える波長を特定しなくても、第２液晶材料にダメージを与える波長を第１液晶材料で吸収することが可能となり、第２液晶材料にダメージが与えられることを抑えることができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記フィルターのセル厚は、前記液晶パネルのセル厚と比較して厚いことが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、フィルターのセル厚の方が厚いので、フィルターに備えられた第１液晶材料によって、第２液晶材料にダメージを与える波長を、より確実に吸収することができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記シール材を硬化させる工程は、前記第１液晶材料を等方相の状態にして前記紫外線を照射することが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、第１液晶材料を、例えば、加熱して等方相の状態で紫外線を通過させるので、入射光が散乱することを抑えることができ、光学特性に大きな影響を及ぼすことを抑えることができる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記フィルターと前記液晶パネルとの間に、少なくとも平面視で前記シール材と重なる領域が開口するマスクを配置する工程を有することが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、液晶パネルのシール材に紫外線を照射させることができる。言い換えれば、紫外線を照射させたくない領域は、マスクによって紫外線が照射されることを抑えることができる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記フィルターは、少なくとも平面視で前記シール材と重なる領域以外の領域に遮光膜が形成されていることが好ましい。
【００２０】
本適用例によれば、フィルターに遮光膜が形成されているので、遮光膜が形成されたマスクを別に配置する場合と比較して、部品点数を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】フィルターの構成を示す模式図であり、（ａ）はフィルターの構成を示す概略平面図、（ｂ）はフィルターの構成を示す概略断面図、（ｃ）はフィルターに設けられたヒーターの構成を示す概略平面図。
【図４】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図５】液晶装置の製造方法のうちシール材を硬化する方法を示す模式図。
【図６】各フィルターの光の透過率とシール硬化開始剤の光の吸収量を表すグラフ。
【図７】液晶装置を備えた投写型表示装置の構成を示す概略図。
【図８】第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２３】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２４】
（第１実施形態）
本実施形態では、液晶装置の一例として薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投写型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２５】
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構成を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２６】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された第２液晶層１５とを有する。素子基板１０の第１基材１０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板などの基板が用いられている。対向基板２０の第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００２７】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する第２液晶材料１５ａが封入されて第２液晶層１５が構成されている。
【００２８】
シール材１４は、例えば、紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示せず）が混入されている。
【００２９】
シール材１４の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。また、シール材１４と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを取り囲んで見切り部１８が設けられている。見切り部１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。
【００３０】
表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域（図示せず）が設けられている。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３１】
素子基板１０には、複数の外部接続端子３５が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１辺部とシール材１４との間にデータ線駆動回路２２が設けられている。また、第１辺部に対向する第２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に検査回路２５が設けられている。
【００３２】
さらに、第１辺部と直交し互いに対向する第３辺部及び第４辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。また、第２辺部のシール材１４と検査回路２５との間に、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３３】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、第１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子３５に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する第３辺部及び第４辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３４】
図２に示すように、第１基材１０ａの第２液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００３５】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板１０は、第１基材１０ａと、第１基材１０ａ上に形成された画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜２８を含むものである。
【００３６】
第２基材２０ａの第２液晶層１５側の表面には、見切り部１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも見切り部１８、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００３７】
見切り部１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３８】
絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３９】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の隅に設けられた上下導通部２６に電気的に接続されている。上下導通部２６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４０】
画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜２８，３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた配向膜が挙げられる。
【００４１】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶装置１００の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４２】
本実施形態では、以降、配向膜２８，３２として前述した配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００４３】
＜フィルターの構成＞
図３は、フィルターの構成を示す模式図であり、（ａ）はフィルターの構成を示す概略平面図であり、（ｂ）はフィルターの構成を示す概略断面図であり、（ｃ）はフィルターに設けられたヒーターの構成を示す概略平面図である。以下、フィルターの構成を、図３を参照しながら説明する。
【００４４】
図３に示すように、フィルター５０は、シール材５３を介して貼り合わされた第１基板５１と、第２基板５２と、第１基板５１と第２基板５２との間に挟持された第１液晶層５４とを有する。第１液晶層５４は、第１液晶材料５４ａで構成されている。
【００４５】
第１基板５１及び第２基板５２は、透明な例えば石英基板やガラス基板などからなる。第１基板５１の第１液晶層５４に面する側と反対側の表面５１ａには、ヒーター５５が設けられている。
【００４６】
図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すように、ヒーター５５は、例えば、アルミニウムなどの金属や該金属を含む合金、あるいは導電性の樹脂材料などを用いて形成された抵抗体である。ヒーター５５は、一対の基板５１，５２の外縁に沿って額縁状に配置されたシール材５３よりもやや内側に同じく額縁状に配置されている。ヒーター５５は２つの接続端５５ａ，５５ｂを有しており、２つの接続端５５ａ，５５ｂに電圧を印加することで抵抗体が発熱し、第１基板５１を加熱する。これにより、第１基板５１と第２基板５２との間に挟持された第１液晶層５４が加温される構成となっている。
【００４７】
フィルター５０は、ランプ６１（図５参照）からの光が、ヒーター５５で囲まれた領域を通過するように一対の基板５１，５２の大きさが設定されている。言い換えれば、ランプ６１からの光をヒーター５５によって遮らないように、一対の基板５１，５２の大きさと、第１基板５１に対するヒーター５５の位置が規定されている。
【００４８】
なお、本実施形態の場合、フィルター５０は、ランプ６１の近傍に配置されるので、ヒーター５５は、フィルター５０における光の入射側と反対側の表面に形成されていることが、ランプ６１からの照明光を有効利用する観点から好ましい。
【００４９】
本実施形態では、液晶装置１００の第２液晶層１５を構成する第２液晶材料１５ａと、フィルター５０の第１液晶層５４を構成する第１液晶材料５４ａは同じものが用いられている。また、液晶装置１００の第２液晶層１５の厚みｄ１（セル厚、図２参照）よりも、フィルター５０の第１液晶層５４の厚みｄ２（セル厚）の方が大きい。
【００５０】
フィルター５０において、第１液晶材料５４ａ（液晶分子）を所定の方向に配向させる配向膜は、第１基板５１及び第２基板５２に設けられていない。したがって、第１液晶材料５４ａとして、正または負の誘電異方性を有する例えばネマチックの液晶分子を一対の基板５１，５２の間に封入すると、室温では液晶分子同士が分子間力によって長軸方向がある程度揃うことから第１液晶層５４に入射した光が散乱され、第１液晶層５４の外観は白濁した状態になる。
【００５１】
上述したヒーター５５に電圧を印加して第１液晶層５４を加温し、第１液晶層５４を相転移点（Ｎｉ点）以上の温度とすれば、液晶分子の配向状態をランダムにして第１液晶層５４を光学的に等方相とすることができる。これにより、室温では白濁していた第１液晶層５４をＮｉ点以上とすることで透明な状態とすることができる。
【００５２】
＜液晶装置の製造方法＞
図４は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図５は、液晶装置の製造方法のうちシール材を硬化する方法を示す模式図であり、（ａ）は模式断面図、（ｂ）は平面的なマスクと液晶パネルとの関係を示す概略平面図である。図６は、各フィルターの光の透過率とシール硬化開始剤の光の吸収量を表すグラフである。以下、液晶装置の製造方法を、図４〜図６を参照しながら説明する。
【００５３】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。図４に示すように、まず、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０を形成する。
【００５４】
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。製造方法としては、上記と同様に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、画素電極２７を形成する。
【００５５】
ステップＳ１３では、配向膜２８を形成する。具体的には、画素電極２７を覆うように配向膜２８を形成する。配向膜２８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、素子基板１０側が完成する。
【００５６】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、対向電極３１を形成する。具体的には、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、例えば、プラズマＣＶＤ法などを用いて、酸化シリコンなどからなる絶縁層３３を成膜する。その後、絶縁層３３を覆うように、周知の成膜技術を用いて対向電極３１を成膜する。
【００５７】
ステップＳ２２では、対向電極３１を覆うように配向膜３２を形成する。具体的には、配向膜２８の場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００５８】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（シール領域に）シール材１４を塗布する。
【００５９】
シール材１４としては、例えば、光硬化型（紫外線硬化型）が挙げられる。また、シール材１４には、例えば、素子基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ或いはセルギャップ）を所定値とするためのスペーサー等のギャップ材が含まれている。
【００６０】
ステップＳ３２では、シール材１４で囲まれた中に第２液晶材料１５ａを滴下する。詳しくは、シール材１４で囲まれた領域に第２液晶材料１５ａを滴下する（ＯＤＦ（One Drop Fill）方式）。滴下する方法としては、例えば、インクジェットヘッドなどを用いることができる。また、第２液晶材料１５ａは、シール材１４によって囲まれた領域（表示領域Ｅ）の中央部に滴下することが望ましい。
【００６１】
ステップＳ３３では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。
【００６２】
ステップＳ３４（液晶パネルを配置する工程、シール材を硬化させる工程）では、シール材１４に紫外線Ｌ１を照射して硬化させる。具体的には、図５（ａ）に示すように、液晶装置１００となる前の液晶パネル１００ａが複数形成された大型基板１００ｂ（液晶パネル１００ａ）の上方にフィルター５０を配置する。
【００６３】
また、上記したように、フィルター５０のヒーター５５に電圧を印加して第１液晶層５４を加温し、第１液晶層５４を光学的に等方相とする。この状態でフィルター５０の他方の側から紫外線を含む光を照射する。加温する温度は、例えば、１００℃程度である。
【００６４】
また、大型基板１００ｂとフィルター５０との間に、平面視でシール材１４と重なる領域が開口するマスク７１を配置する。つまり、シール材１４を除く領域になるべく紫外線Ｌ１が照射しないようにする。
【００６５】
具体的には、図５（ｂ）に示すように、大型基板１００ｂを構成する液晶パネル１００ａのシール材１４と平面視で重なる領域に、マスク７１の開口部７１ａが配置されている。更に具体的には、シール材１４を確実に硬化させるため、開口部７１ａの領域がシール材１４から表示領域Ｅ側（第２液晶層１５側）に入った領域までとなっている。つまり、第２液晶層１５の第２液晶材料１５ａにダメージを与える紫外線Ｌ１が照射されることとなる。
【００６６】
しかしながら、第１液晶材料５４ａを有するフィルター５０に紫外線Ｌ１を通すことによって、図５に示すように、第２液晶材料１５ａにダメージを与える紫外線Ｌ１を、ダメージを与えにくい紫外線Ｌ２にすることができる。
【００６７】
図６に示すグラフは、横軸に波長（ｎｍ）を示しており、具体的には、３３０ｎｍ〜４００ｎｍまでの範囲の波長を示している。縦軸には光の透過率（％）と光の吸収量（arb.unit）とを示している。
【００６８】
グラフに示す曲線は、従来用いられていたネオセラムフィルターの波長と透過率との関係、本実施形態のフィルター５０の波長と透過率との関係、シール硬化開始剤の波長と吸収量との関係を示すものである。
【００６９】
液晶材料１５ａ，５４ａにダメージを与える光の波長は、例えば、３６０ｎｍ以下である。シール材１４の硬化に使用するランプ６１の波長は、３５０ｎｍ〜４００ｎｍ程度である。ネオセラムの曲線は、３４０ｎｍから４００ｎｍになるに従って、緩やかに光の透過率が向上する。これに対して、フィルター５０の曲線は、３５５ｎｍから３６５ｎｍになるに従って、急激に透過率が向上する。
【００７０】
また、ネオセラムは、３４０ｎｍ以下の波長の光をカットすることができる。本実施形態のフィルター５０は、３５５ｎｍ以下の波長の光をカットすることができる。よって、ネオセラムと比較してフィルター５０は、液晶材料１５ａ，５４ａにダメージを与える波長の光をより多くカットすることができる。
【００７１】
例えば、３６５ｎｍ付近の波長でみると、ネオセラムの透過率が５０％であることに対して、フィルター５０の透過率が９０％近くあり、フィルター５０の方が、シール材１４の硬化に必要な波長帯域の光をより高い透過率で通すことができる。よって、シール材１４を早く硬化させることができる。
【００７２】
また、シール材１４を硬化させるためのシール硬化開始剤の吸収量も、０．１arb.unitあり、確実に低波長領域の光でも吸収することができ、硬化を開始することができる。よって、液晶パネル１００ａの第２液晶材料１５ａにダメージを与えない様にすることができる。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００７３】
＜投写型表示装置の構成＞
次に、本実施形態の投写型表示装置について、図７を参照しながら説明する。図７は、上記した液晶装置を備えた投写型表示装置の構成を示す概略図である。
【００７４】
図７に示すように、本実施形態の投写型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。
【００７５】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００７６】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００７７】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００７８】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００７９】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００８０】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８１】
このような投写型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高寿命で高い表示品質を得ることができる。
【００８２】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８３】
（１）第１実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、紫外線Ｌ１は液晶パネル１００ａに入射する前にフィルター５０を透過する。よって、フィルター５０に備えられた第１液晶材料５４ａによって、従来では除去することができなかった、少なくとも第２液晶材料１５ａの劣化に起因する特定波長の光を吸収させる（カットさせる）ことができる。これにより、シール材１４を硬化する際に、紫外線Ｌ１を照射しても、液晶材料にダメージを与える波長が液晶パネル１００ａに届きにくくなり、第２液晶材料１５ａへのダメージを抑えながらシール材１４を硬化させることができる。その結果、表示品質を向上させることができると共に、液晶装置１００の寿命を向上させることができる。また、シール材１４の硬化に必要な波長帯域の光を、より高い透過率で通すことができるので、シール材１４の硬化を早く行うことができる。
【００８４】
（２）第１実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、第２液晶材料１５ａ及び第１液晶材料５４ａは同じ液晶材料であるので、第２液晶材料１５ａにダメージを与える波長を予め特定しなくても、第２液晶材料１５ａにダメージを与える波長を第１液晶材料５４ａで吸収することが可能となり、第２液晶材料１５ａにダメージが与えられることを抑えることができる。
【００８５】
（３）第１実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、液晶装置１００の第２液晶層１５のセル厚ｄ１に対して、フィルター５０の第１液晶層５４のセル厚ｄ２の方が厚いので、第２液晶材料１５ａにダメージを与える波長の吸収量を多くすることが可能となり、フィルター５０でより確実に吸収する（カットする）ことができる。また、同じセル厚にする場合と比較して、フィルター５０の吸収寿命を延ばすことができる。
【００８６】
（４）第１実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、フィルター５０にヒーター５５を設けて加熱することにより、第１液晶材料５４ａを等方相の状態にすることができる。よって、加熱しながら紫外線を照射することにより、フィルター５０に入射した紫外線が散乱することを防止することが可能となり、光学特性に大きな影響を及ぼすことを抑えることができる。
【００８７】
（第２実施形態）
＜液晶装置の製造方法＞
図８は、第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図８を参照しながら説明する。
【００８８】
第２実施形態の液晶装置１００の製造方法は、上述の第１実施形態の製造方法と比べて、マスク７１（遮光膜１５１）をフィルター１５０に内蔵させてマスク７１を省略する部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００８９】
図８に示すように、第２実施形態のフィルター１５０は、第１基板５１上に、平面視で大型基板１００ｂ（液晶パネル１００ａ）のシール材１４と重なる領域が開口する遮光膜１５１が形成されている。第２実施形態の液晶装置１００の製造方法は、ステップＳ３４のシール材１４の硬化（図４参照）において、大型基板１００ｂの上方に、マスク７１を介すことなく、フィルター１５０を配置する。
【００９０】
次に、ランプ６１からの紫外線Ｌ１をフィルター１５０に照射して、第１液晶材料５４ａ及び遮光膜１５１を通過した紫外線Ｌ２がシール材１４に照射される。これにより、マスク７１を用いることなく、大型基板１００ｂのシール材１４が塗布された領域に紫外線Ｌ２を照射させることができる。
【００９１】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９２】
（５）第２実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、フィルター１５０にマスク７１と同じ機能を有する遮光膜１５１を内蔵するので、遮光膜が形成されたマスク７１を別に配置する場合と比較して、部品点数を少なくすることができる。
【００９３】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００９４】
（変形例１）
上記したように、液晶パネル１００ａの第２液晶層１５を構成する第２液晶材料１５ａと、フィルター５０の第１液晶層５４を構成する第１液晶材料５４ａとは、同じであることに限定されず、異なっていてもよい。この場合、予めフィルター５０を通過する紫外線の波長を確認しておくことが望ましい。
（変形例２）
上記したように、フィルター５０にヒーター５５を設けることに限定されず、例えば、熱電対や加熱装置を備えるようにしてもよい。また、ランプ６１の熱をフィルター５０に伝える部材が備えられていてもよい。
（変形例３）
上記したように、フィルター５０を構成する第１基板５１及び第２基板５２に石英基板やガラス基板を用いることに限定されず、例えば、ネオセラムガラスを用いるようにしてもよい。これによれば、短波長領域（例えば、３３０ｎｍ以下）の光を、より確実にカットすることができる。
【符号の説明】
【００９５】
１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１４…シール材、１５…第２液晶層、１５ａ…第２液晶材料、１８…見切り部、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３１…対向電極、３３…絶縁層、３５…外部接続端子、５０，１５０…フィルター、５１…第１基板、５１ａ…表面、５２…第２基板、５３…シール材、５４…第１液晶層、５４ａ…第１液晶材料、５５…ヒーター、５５ａ，５５ｂ…接続端、６１…ランプ、７１…マスク、７１ａ…開口部、１００…液晶装置、１００ａ…液晶パネル、１００ｂ…大型基板、１５１…遮光膜、１０００…投写型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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