(57)【要約】【課題】不良を発生させることなく、表示装置の短絡を修復することを目的とする。【解決手段】本発明の表示装置の製造方法は、基板１０上に薄膜トランジスタ１１を形成する工程と、平坦化膜１３を形成する工程と、を備え、前記薄膜トランジスタを形成する工程は、ポリシリコンからなる半導体層１１ａを形成する工程と、前記半導体層上に、前記平坦化膜よりも気化する温度の低い材料からなる、導電性を有する熱気化層２０を形成する工程と、金属からなるソース電極層１１ｄまたはドレイン電極層１１ｄの少なくとも一方を、前記熱気化層を介して前記半導体層上に形成する工程と、を含み、前記熱気化層に熱を加えることにより前記熱気化層の一部を気化させて、前記半導体層と前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の少なくとも一方との間に空間Ｖを設ける、ことを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ上に有機材料からなる平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜上に、下部電極と発光層と上部電極とを有する発光素子を形成する工程と、
を備え、
前記薄膜トランジスタを形成する工程は、
ポリシリコンからなる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に、前記平坦化膜よりも気化する温度の低い材料からなる、導電性を有する熱気化層を形成する工程と、
金属からなるソース電極層またはドレイン電極層の少なくとも一方を、前記熱気化層を介して前記半導体層上に形成する工程と、
を含み、
前記熱気化層に熱を加えることにより前記熱気化層の一部を気化させて、前記半導体層と前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の少なくとも一方との間に空間を設ける、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置の製造方法であって、
前記発光素子上に、充填剤を介してカラーフィルタ基板を配置する、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された、有機材料からなる平坦化膜と、
前記平坦化膜上において、マトリクス状に配置された複数の画素毎に形成された、下部電極と発光層と上部電極とを有する発光素子と、
を備え、
前記薄膜トランジスタは、
ポリシリコンからなる半導体層と、
前記半導体層の上層に設けられて前記半導体層に接続する、金属からなるソース電極層及びドレイン電極層と、
を含み、
前記ソース電極層またはドレイン電極層の少なくとも一方と前記半導体層との間に、前記平坦化膜よりも気化する温度の低い材料からなる、導電性を有する熱気化層が設けられている、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の表示装置であって、
前記ソース電極層またはドレイン電極層の少なくとも一方と前記半導体層との間に空間が設けられている、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の表示装置であって、
前記発光素子上に、充填剤を介してカラーフィルタ基板が配置されている、
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス発光（organic electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える表示装置が開発されている。このような表示装置としては、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板とカラーフィルタ基板を有するものが挙げられる。カラーフィルタ基板には多数の着色層が形成されており、ＴＦＴ基板上に充填剤を介して配置されている。
【０００３】
このような表示装置の製造方法としては、例えば特許文献１において、有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光がＴＦＴ基板を通過するボトムエミッション型の表示装置の電極や配線同士の間の短絡が生じている箇所にレーザーを照射して、短絡が生じている箇所の一部を除去することにより、短絡を修復する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１４６５２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光がカラーフィルタ基板を通過するトップエミッション型の表示装置においては、カラーフィルタ基板は有機エレクトロルミネッセンス素子上に充填剤を介して配置されている。このため、特許文献１の方法のように、短絡が生じている箇所にレーザーを照射することは困難である。また、充填剤を通過可能な強度でレーザーを照射すると、コンタクト層周辺の有機材料からなる層がダメージを受けて、表示装置に不良が生ずる恐れがある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、不良を発生させることなく、表示装置の短絡を修復することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下
の通りである。
【０００８】
（１）本発明の表示装置の製造方法は、基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に有機材料からなる平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜上に、下部電極と発光層と上部電極とを有する発光素子を形成する工程と、を備え、前記薄膜トランジスタを形成する工程は、ポリシリコンからなる半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に、前記平坦化膜よりも気化する温度の低い材料からなる、導電性を有する熱気化層を形成する工程と、金属からなるソース電極層またはドレイン電極層の少なくとも一方を、前記熱気化層を介して前記半導体層上に形成する工程と、を含み、前記熱気化層に熱を加えることにより前記熱気化層の一部を気化させて、前記半導体層と前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の少なくとも一方との間に空間を設ける、ことを特徴とする。
【０００９】
（２）本発明の表示装置の製造方法は、（１）において、前記発光素子上に、充填剤を介してカラーフィルタ基板を配置してもよい。
【００１０】
（３）本発明の表示装置は、基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された、有機材料からなる平坦化膜と、前記平坦化膜上において、マトリクス状に配置された複数の画素毎に形成された、下部電極と発光層と上部電極とを有する発光素子と、を備え、前記薄膜トランジスタは、ポリシリコンからなる半導体層と、前記半導体層の上層に設けられて前記半導体層に接続する、金属からなるソース電極層及びドレイン電極層と、を含み、前記ソース電極層またはドレイン電極層の少なくとも一方と前記半導体層との間に、前記平坦化膜よりも気化する温度の低い材料からなる、導電性を有する熱気化層が設けられている、ことを特徴とする。
【００１１】
（４）本発明の表示装置は、（３）において、前記ソース電極層またはドレイン電極層の少なくとも一方と前記半導体層との間に空間が設けられていてもよい。
【００１２】
（５）本発明の表示装置は、（３）または（４）において、前記発光素子上に、充填剤を介してカラーフィルタ基板が配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、本構成を有さない表示装置の製造方法と比べ、加熱により平坦化膜を損傷させることなく、空間が設けられた箇所の電気抵抗を大きくすることができる。このため、不良を発生させることなく、短絡を修復可能な表示装置の製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１に示す表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３】図３は図２に示す表示装置のＩＩＩ領域の部分拡大図である。
【図４】図４は本実施形態に係る表示装置の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。
【図５】図５は本実施形態に係る表示装置の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。
【図６】図６は本実施形態に係る表示装置の製造方法を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。
【図７】図７は本実施形態に係る表示装置の製造方法の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。
【図８】図８は本実施形態に係る表示装置の製造方法の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。
【図９】図９は本実施形態に係る表示装置の製造方法の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本実施形態に係る表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００１６】
図１は本発明の一実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）の概略平面図であり、図２は図１に示す表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図であり、図３は図２に示す表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）のＩＩＩ領域の部分拡大図である。
【００１７】
はじめに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の概略構成について説明する。図１、２に示す通り、基板１０の上面１０ａのうち、画像が表示される領域である表示領域Ｄには対向基板５０が配置されている。また、図１に示すように、上面１０ａのうち、対向基板５０が配置されていない領域１０ａ１にはフレキシブル回路基板２が接続され、さらに、ドライバＩＣ（Integrated Circuit）３が設けられている。
【００１８】
ドライバＩＣ３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の外部からフレキシブル回路基板２を介して画像データを供給される、基板１０上に配置されたＩＣである。ドライバＩＣ３は画像データが供給されることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に、図示しないデータ線を介して各画素に印加する電圧信号を供給する。
【００１９】
次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示領域Ｄの構成について、その詳細を説明する。
【００２０】
図２に示すように、表示領域Ｄの基板１０上には、薄膜トランジスタ１１及び図示しない電気配線が形成された回路層１２と、平坦化膜１３と、平坦化膜１３を介して薄膜トランジスタ１１上に形成された発光素子（有機エレクトロルミネッセンス発光素子）３０と、封止膜４０と、充填剤４５と、対向基板５０とが積層されている。また、基板１０上には、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置されている。
【００２１】
基板１０は絶縁性の基板であって、その上面１０ａに、回路層１２及び有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成される。
【００２２】
回路層１２は、基板１０上に形成された薄膜トランジスタ１１、パッシベーション膜１１ｆ及び図示しない電気配線が形成された層であり、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を駆動する。薄膜トランジスタ１１は、画素Ｐ毎に基板１０上に設けられている。
【００２３】
薄膜トランジスタ１１は、具体的には例えば、ポリシリコンからなる半導体層（ポリシリコン半導体層）１１ａ、後述する熱気化層、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート電極１１ｃ、ソース・ドレイン電極（ソース電極層及びドレイン電極層）１１ｄ、第１の絶縁膜１１ｅを有している。また、薄膜トランジスタ１１上は、薄膜トランジスタ１１を保護する絶縁膜であるパッシベーション膜１１ｆによって覆われている。なお、薄膜トランジスタ１１の詳細な構成については、説明の便宜上後述する。
【００２４】
平坦化膜１３は回路層１２上（薄膜トランジスタ１１上）を覆うように形成されている。平坦化膜１３は有機材料からなり、基板１０と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間に形成されることにより、隣接する薄膜トランジスタ１１同士の間や、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間が、電気的に絶縁される。平坦化膜１３は、例えばアクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する有機材料からなる。
【００２５】
平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域には、反射膜３１が形成されていてもよい。反射膜３１は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０から出射した光を対向基板５０側へ向けて反射するために設けられる。反射膜３１の材料は、光反射率が高いものであるほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜であることが好ましい。
【００２６】
平坦化膜１３上には、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が画素Ｐ毎に形成されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は下部電極３２と、少なくとも発光層を有する有機層３３と、有機層３３上を覆うように形成された上部電極３４とを有することにより、下部電極３２と有機層３３と上部電極３４とが重なる領域が、発光領域として機能する。
【００２７】
下部電極３２は、有機層３３に駆動電流を注入する電極である。下部電極３２は第１のコンタクトホール３２ａに接続することにより、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続して駆動電流を供給される。
【００２８】
下部電極３２は導電性を有する材料からなる。下部電極３２の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることが好ましいが、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料でもよい。なお、反射膜３１が銀等の金属からなり、かつ、下部電極３２に接触するものであれば、下部電極３２は透光性を有していてもよい。このような構成の場合、反射膜３１は下部電極３２の一部となる。
【００２９】
隣接する各下部電極３２同士の間には、例えば、隣接する画素Ｐ同士の境界に沿って画素分離膜１４が形成されている。画素分離膜１４は感光性の樹脂組成物などの絶縁材料からなり、隣接する下部電極３２同士の接触と、下部電極３２と上部電極３４の間の漏れ電流を防止する。
【００３０】
有機層３３は少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された層であり、複数の下部電極３２上及び画素分離膜１４上を覆うように形成されている。有機層３３は、表示領域Ｄにおいて、画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成されていてもよい。有機層３３は光を発する層を有しており、その発光は、白色でも、その他の色であってもよい。
【００３１】
有機層３３は、例えば、下部電極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。
【００３２】
発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。このような有機エレクトロルミネッセンス物質としては例えば、一般に有機発光材料として用いられているものが用いられてもよい。
【００３３】
上部電極３４は、有機層３３上を覆うように形成されている。上部電極３４は、画素Ｐ毎に独立しておらず、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成される。このような構成を有することにより、上部電極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する。
【００３４】
上部電極３４は透光性及び導電性を有する材料からなる。上部電極３４の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。
【００３５】
上部電極３４の上面は、複数の画素Ｐにわたって封止膜４０により覆われている。封止膜４０が形成されていることにより、有機層３３をはじめとする各層への、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の外部からの水分等の侵入が防がれる。なお、封止膜４０の材料は、絶縁性を有する透明の材料であれば特に限定されない。
【００３６】
有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０上には、対向基板５０が封止膜４０と充填剤４５を介して配置されている。図１に示すように、対向基板５０は平面視で基板１０よりも小さい外周を有する基板であり、基板１０に対向するように配置されている。このような対向基板５０としては具体的には例えば、有機層３３の発光層が白色光を発するものである場合には、カラーフィルタ基板を用いることができる。本実施形態においては、対向基板５０がカラーフィルタ基板である例について説明する。
【００３７】
図２に示すように、対向基板（カラーフィルタ基板）５０は、隣接する画素Ｐ同士の境界に沿って形成されたブラックマトリクスＢＭによって、各画素Ｐに対応して区分されている。対向基板（カラーフィルタ基板）５０は、例えばカラーフィルタ４８とガラス基板４９を有する。カラーフィルタ４８は各画素Ｐに対応し、ブラックマトリクスＢＭによって例えばＲ領域、Ｇ領域、Ｂ領域にそれぞれ区分されている。
【００３８】
以下、薄膜トランジスタ１１の詳細な構成について図３を用いて説明する。なお、図３においては、説明の便宜上、パッシベーション膜１１ｆの記載を省略する。
【００３９】
薄膜トランジスタ１１は、ポリシリコンからなるポリシリコン半導体層１１ａと、金属からなるソース・ドレイン電極層１１ｄと、ゲート絶縁層１１ｂと、第１の絶縁膜１１ｅと、を有している。また、ポリシリコン半導体層１１ａ上には、ゲート絶縁層１１ｂと第１の絶縁膜１１ｅを貫通する第２のコンタクトホール２２が形成されている。
【００４０】
ソース・ドレイン電極層１１ｄは、第２のコンタクトホール２２内を覆うように形成されている。このような構成を有することにより、ポリシリコン半導体層１１ａの上層に設けられたソース・ドレイン電極層１１ｄは、後述する熱気化層２０を介してポリシリコン半導体層１１ａに接続する。
【００４１】
本実施形態における薄膜トランジスタ１１は、ソース・ドレイン電極層１１ｄとポリシリコン半導体層１１ａとの間に、導電性を有する熱気化層２０が、例えば１０ｎｍの厚さで設けられている。後述するように、熱気化層２０が加熱されることにより、ソース・ドレイン電極層１１ｄとポリシリコン半導体層１１ａとの間における短絡が防がれる。
【００４２】
なお、熱気化層２０は、全てのソース・ドレイン電極（ソース電極層およびドレイン電極層）１１ｄとポリシリコン半導体層１１ａとの間に設けられている必要はなく、ソース電極層１１ｄまたはドレイン電極層１１ｄの少なくとも一方の底面１１ｄ１とポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１との間に設けられていればよい。
【００４３】
熱気化層２０は、例えば図３に示すように、第２のコンタクトホール２２の底面２２ａ（上面１１ａ１）と、側面（傾斜面）２２ｂと、を覆うように形成されている。なお、底面２２ａは、ポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１のうち、ゲート絶縁層１１ｂと第１の絶縁膜１１ｅが除去された部分を示す。また、側面２２ｂは、第２のコンタクトホール２２内における、ゲート絶縁層１１ｂと第１の絶縁膜１１ｅの側面であり、上面１１ａ１に対して傾斜している。
【００４４】
また、熱気化層２０の一部は、例えば図３に示すように、第１絶縁膜１１ｅの上面１１ｅ１において、第２のコンタクトホール２２の外周２２ｃを囲むように形成されていてもよい。
【００４５】
熱気化層２０は、平坦化膜１３よりも気化する温度の低い材料からなる。このような材料としては、高分子系の有機導電膜、具体的にはポリチオフェン(polythiophene)を用いることができる。なお、熱気化層２０の材料は有機導電膜に限定されず、熱で分解可能である導電性の材料であれば、その他のものであってもよい。また、熱気化層２０の材料は、透光性を有することが好ましいが、透光性を有さないものであってもよい。
【００４６】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、ポリシリコン半導体層１１ａとソース・ドレイン電極層１１ｄの間に、平坦化膜１３よりも気化する温度の低い材料からなる熱気化層２０が設けられていることにより、熱気化層２０に熱が加えられることで、平坦化膜１３を気化させることなく熱気化層２０の少なくとも一部が気化する。
【００４７】
このように熱気化層２０の一部が気化することにより、気化した熱気化層２０上のソース・ドレイン電極層１１ｄは、ポリシリコン半導体層１１ａから剥離する。このため、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、本構成を有さない表示装置と比べて、平坦化膜１３を気化させることなく、熱気化層２０を介して接続するソース・ドレイン電極層１１ｄとポリシリコン半導体層１１ａとの間の電気抵抗を大きくすることができる。
【００４８】
これにより、平坦化膜１３に不良を発生させることなく、任意の箇所のソース・ドレイン電極層１１ｄとポリシリコン半導体層１１ａとの間の電気抵抗を大きくすることができる。このため、前述の任意の箇所に流れる電流を抑制し、輝点の発生が抑えられた有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を実現することができる。
【００４９】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０ではなく、薄膜トランジスタ１１に熱気化層２０を設けることにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示画像に影響を及ぼすことなく、本発明の効果を得ることができる。
【００５０】
なお、熱気化層２０は、熱気化層２０の全体が気化する必要はない。すなわち、ソース・ドレイン電極層１１ｄの全体がコンタクトホール２２の底面２２ａや側面２２ｂから剥離する必要はなく、一部が剥離していればよい。図３に示す例においては、第２のコンタクトホール２２の底面２２ａと、一部の側面２２ｂに配された熱気化層２０が気化することにより、第２のコンタクトホール２２の底面２２ａと、一部の側面２２ｂに配されたソース・ドレイン電極層１１ｄが剥離している。また、側面２２ｂの他の部分に配されたソース・ドレイン電極層１１ｄと、第１絶縁膜１１ｅの上面１１ｅ１に形成されたソース・ドレイン電極層１１ｄは剥離しない。
【００５１】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、図３に示すように、熱気化層２０の一部が気化することにより、ソース電極層１１ｄまたはドレイン電極層１１ｄの少なくとも一方とポリシリコン半導体層１１ａとの間に空間Ｖが設けられていることが好ましい。
【００５２】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、このような構成を有することにより、ポリシリコン半導体層１１ａとソース・ドレイン電極層１１ｄとの間を流れる電流が、空間Ｖが形成された箇所を避けて流れる。このため、本構成を有さない表示装置と比べて電流の流れる経路が長くなり、ポリシリコン半導体層１１ａとソース・ドレイン電極層１１ｄの間の電気抵抗を大きくすることができる。
【００５３】
なお、ソース・ドレイン電極層１１ｄとポリシリコン半導体層１１ａの間に熱気化層２０の気化した箇所が介されていれば、空間Ｖが設けられなくてもよい。空間Ｖが設けられていなくても、ソース・ドレイン電極層１１ｄがポリシリコン半導体層１１ａから一度でも剥離することにより、ソース・ドレイン電極層１１ｄとポリシリコン半導体層１１ａとの間の電気抵抗を大きくすることができる。
【００５４】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０よりも基板１０側（薄膜トランジスタ１１）に熱気化層２０が形成されている。このため、対向基板５０が充填剤４５を介して有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０上に配置された構成であっても、基板１０側から熱を加えることにより、熱気化層２０に対応する箇所における、ソース・ドレイン電極層１１ｄとポリシリコン半導体層１１ａの間の電気抵抗を大きくすることができる。
【００５５】
なお、熱気化層２０の形成される範囲は図３に示した例に限定されず、少なくともソース・ドレイン電極層１１ｄの底面１１ｄ１とポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１の間のうち、少なくとも一部に形成されていればよい。
【００５６】
例えば、熱気化層２０は、図４に示すように、ポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１と、基板１０の上面１０ａのうち、ポリシリコン半導体層１１ａの周囲の領域と、を覆うように形成されていてもよい。図４は本実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。図４に示す例においては、ポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１とソース・ドレイン電極層１１ｄの底面１１ｄ１との間に空間Ｖが形成される。
【００５７】
また、熱気化層２０は、図５に示すように、薄膜２０ａとしてース・ドレイン電極層１１ｄの底面１１ｄ１とポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１の間に形成されていてもよい。図５は本実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。
【００５８】
薄膜２０ａは、気化した熱気化層２０の材料が、ポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１と、上面１１ａ１から剥離したソース・ドレイン電極層１１ｄの底面１１ｄ１との間に付着することにより形成された薄膜である。なお、薄膜２０ａの形成される工程については、説明の便宜上後述する。
【００５９】
図５に示す例においては、上面１１ａ１と底面２２ａとの間に薄膜２０ａが形成され、熱気化層２０は、底面２２ａの周囲を囲むように上面１１ａ１と、ポリシリコン半導体層１１ａの周囲の上面１０ａとに形成されている。
【００６０】
次いで、本発明の一実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）の製造方法について図１，２、６を用いて説明する。図６は本実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）の製造方法を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。
【００６１】
図１，２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、基板１０上に回路層１２（薄膜トランジスタ１１）を形成する工程と、回路層１２（薄膜トランジスタ１１）上に有機材料からなる平坦化膜１３を形成する工程と、平坦化膜１３上に、下部電極３２と発光層（有機層）３３と上部電極３４とを有する発光素子（有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０）を形成する工程と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０上に封止膜４０を形成する工程と、封止膜４０上に充填剤４５を介して対向基板５０（カラーフィルタ基板）を配置する工程と、を有する。以下、これら各工程について詳細を説明する。
【００６２】
はじめに、絶縁性の基板１０を用意する。次いで、図２に示すように、基板１０の表示領域Ｄ上に、薄膜トランジスタ１１を形成する。
【００６３】
以下、薄膜トランジスタ１１を形成する工程について図６を用いて詳細に説明する。まず、基板１０の上面１０ａを覆うように、ポリシリコンからなる半導体層（ポリシリコン半導体層）１１ａを形成する。次いで、ポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１を覆うように、ゲート絶縁層１１ｂと第１の絶縁膜１１ｅを積層する。
【００６４】
次いで、ゲート絶縁層１１ｂと第１の絶縁膜１１ｅの一部を除去し、ポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１を露出する第２のコンタクトホール２２を形成する。コンタクトホール２２内において、上面１１ａ１が露出された部分を底面２２ａとし、コンタクトホール２２内におけるゲート絶縁層１１ｂと第１の絶縁膜１１ｅの側面を側面（傾斜面）２２ｂとする。
【００６５】
次いで、第２のコンタクトホール２２内に、ポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１を覆うように、導電性を有する熱気化層２０を例えば１０ｎｍの厚さで形成する。なお、熱気化層２０は、全ての第２のコンタクトホール２２内に設けられる必要はなく、ソース電極層１１ｄまたはドレイン電極層１１ｄの少なくとも一方とポリシリコン半導体層１１ａとの間に設けられればよい。
【００６６】
また、熱気化層２０は、図６に示すように、第２のコンタクトホール２２内のみならず、第２のコンタクトホール２２の外周２２ｃを囲むように、一部が第１絶縁膜１１ｅの上面１１ｅ１に形成されてもよい。
【００６７】
熱気化層２０は、平坦化膜１３よりも気化する温度の低い材料からなる。このような材料として、高分子系の有機導電膜、具体的にはポリチオフェン(polythiophene)を用いることができる。なお、熱気化層２０の材料としては、ここに示した例に限定されず、熱で分解可能である導電性の材料であれば、その他のものであってもよい。また、熱気化層２０の材料は、透光性を有するものに限定されない。
【００６８】
次いで、第２のコンタクトホール２２内を覆うように、金属からなるソース・ドレイン電極層１１ｄを形成する。これにより、ソース電極層１１ｄまたはドレイン電極層１１ｄの少なくとも一方は、熱気化層２０を介してポリシリコン半導体層１１ａ上に形成される。
【００６９】
なお、図６においては、ソース・ドレイン電極層１１ｄが、第２のコンタクトホール２２の底面２２ａの上方と、側面２２ｂの上方と、外周２２ｃ周辺とにおいて、熱気化層２０に接する例を示す。
【００７０】
次いで、図２に示すように、薄膜トランジスタ１１を覆うように絶縁性を有する材料からなるパッシベーション膜１１ｆを形成する。以上により回路層１２が形成される。
【００７１】
次いで、回路層１２（薄膜トランジスタ１１）上を覆うように、例えばアクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する有機材料からなる平坦化膜１３を形成する。次いで、薄膜トランジスタ１１に接続し、平坦化膜１３及びパッシベーション膜１１ｆを貫通する第１のコンタクトホール３２ａを画素Ｐ毎に形成する。
【００７２】
次いで、平坦化膜１３上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する。まず、反射膜３１を平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域に形成する。次いで、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性及び導電性を有する材料からなる下部電極３２を、平坦化膜１３上（反射膜３１上）の各画素Ｐに対応する領域に形成する。これにより、下部電極３２は、第１のコンタクトホール３２ａを介して、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続される。なお、金属からなる反射膜３１の上面に接するように下部電極３２を形成した場合、反射膜３１は下部電極３２の一部となる。
【００７３】
次いで、隣接する画素Ｐ同士の間の一部の領域に、フォトリソグラフィー法により、例えば感光性の絶縁材料からなる画素分離膜１４を、下部電極３２の外周を覆うように形成する。
【００７４】
次いで、下部電極３２上に、発光層を有する有機層３３を形成する。有機層３３は、例えば、下部電極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を順に積層することにより形成される。有機層３３を形成する方法は、真空蒸着法、ノズルプリンティング法、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法、凸版印刷法等、公知の方法であってよい。
【００７５】
次いで、有機層３３上を覆うように、例えばスパッタ法により、ＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる上部電極３４を、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成する。これにより、複数の画素Ｐに配置された有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する上部電極３４が形成される。以上により、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成される。
【００７６】
次いで、表示領域Ｄと、その外側の非表示領域全体を覆うように封止膜４０を形成する。これにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０上は、複数の画素Ｐにわたって封止膜４０により覆われる。なお、封止膜４０の材料は、絶縁性を有する透光性の材料であれば特に限定されない。
【００７７】
次いで、封止膜４０上に充填剤４５を介して対向基板５０を配置する。本実施形態においては、対向基板としてカラーフィルタ基板５０を配置する。
【００７８】
次いで、任意の箇所の熱気化層２０に、基板１０側（図６における下側）から、例えばレーザーにより熱を加える。なお、加熱する箇所については、画像表示試験の際に短絡（輝点）が確認された箇所に応じて適宜選択すればよい。
【００７９】
この熱気化層２０の加熱温度は、平坦化膜１３の分解温度よりも低く（例えば２００℃以下の温度）、かつ、熱気化層２０の分解温度以上に設定する。これにより、平坦化膜１３が気化することなく熱気化層２０の一部が気化し、図３に示すように、ポリシリコン半導体層１１ａとソース電極層１１ｄまたはドレイン電極層１１ｄの少なくとも一方との間に空間Ｖが形成される。
【００８０】
なお、空間Ｖは、ポリシリコン半導体層１１ａとソース・ドレイン電極層１１ｄの間全体にわたって設けられる必要はなく、図３に示すように、ポリシリコン半導体層１１ａとソース・ドレイン電極層１１ｄの間の一部に形成されればよい。以上により、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１が形成される。
【００８１】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、平坦化膜１３の分解温度よりも低い分解温度を有する熱気化層２０を加熱することにより、平坦化膜１３を損傷することなく、ポリシリコン半導体層１１ａとソース・ドレイン電極層１１ｄの間に空間Ｖを形成できる。このため、空間Ｖが設けられた箇所の電気抵抗を加熱前よりも大きくすることができる。
【００８２】
これにより、平坦化膜１３を損傷することなく、ソース・ドレイン電極層１１ｄとポリシリコン半導体層１１ａとの間の電気抵抗を大きくすることができる。
【００８３】
また、本実施形態は、薄膜トランジスタ１１に熱気化層２０を設けるため、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０上に充填剤４５を介して対向基板５０を配置する製造方法であっても本発明の効果を得ることができる。
【００８４】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０ではなく、薄膜トランジスタ１１に熱気化層２０を設けることにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示画像に影響を及ぼすことなく、本発明の効果を得ることができる。
【００８５】
なお、熱気化層２０を形成する領域は図３，６に示した例に限定されない。熱気化層２０は、少なくともポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１の一部に形成されるのであれば、以下に示すような構成であってもよい。
【００８６】
例えば図７に示すように、熱気化層２０を、ポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１と、基板１０の上面１０ａのうちポリシリコン半導体層１１ａの周囲の領域と、を覆うように形成していてもよい。
【００８７】
図７は本実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）の製造方法の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。このように形成された熱気化層２０を加熱することにより、図４に示すように、ソース・ドレイン電極層１１ｄの底面１１ｄ１と第２のコンタクトホール２２の底面２２ａとの間に空間Ｖを形成することができる。
【００８８】
また、図８に示すように、熱気化層２０を、ソース・ドレイン電極層１１ｄの底面１１ｄ１（ソース・ドレイン電極層１１ｄが、上面１１ａ１に接する部分）の外周１１ｄ２を囲むように形成してもよい。図８は本実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）の製造方法の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。
【００８９】
このような構成の熱気化層２０は、ポリシリコン半導体層１１ａと熱気化層２０とゲート絶縁層１１ｂと第１の絶縁膜１１ｅとを順次積層した後に、ポリシリコン半導体層１１ａの上面１１ａ１が露出するまでエッチングを行うことにより形成される。
【００９０】
このようにして形成された第２のコンタクトホール２２内にソース・ドレイン電極層１１ｄを形成することにより、熱気化層２０は、ソース・ドレイン電極層１１ｄの底面１１ｄ１の外周１１ｄ２を囲む構成となる。
【００９１】
次いで、熱気化層２０を加熱する。図９は本実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置１）の製造方法の変形例を図３と同様の視野において示す部分拡大図である。これにより、図９に示すように、気化した熱気化層２０が、外周１１ｄ２から底面１１ｄ１と上面１１ａ１との間に入り込み、空間Ｖ１が形成される。
【００９２】
この後、熱気化層２０が冷却されることにより、空間Ｖ１において気化した熱気化層２０は、図５に示すように薄膜２０ａとして底面１１ｄ１と上面１１ａ１に付着する。
【００９３】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【００９４】
例えば、熱気化層２０の形成される領域の大きさや膜厚は、ポリシリコン半導体層１１ａとソース・ドレイン電極層１１ｄの間の、所望の電気抵抗の大きさに応じて適宜設定すればよい。
【００９５】
また、本発明は、加熱により薄膜トランジスタ１１の一部の電気抵抗を大きくすることができる方法であれば、空間Ｖを形成する方法に限られない。例えば、加熱により電気抵抗が大きくなる材料を熱気化層２０の材料として用いることにより、ポリシリコン半導体層１１ａとソース・ドレイン電極層１１ｄの間の電気抵抗を大きくしてもよい。
【符号の説明】
【００９６】
１  有機エレクトロルミネッセンス表示装置、２  フレキシブル回路基板、３  ドライバＩＣ、１０  基板、１０ａ  上面、１１  薄膜トランジスタ、１１ａ  ポリシリコン半導体層、１１ａ１  上面、１１ｄ  ソース・ドレイン電極層、１２  回路層、１３  平坦化膜、１４  画素分離膜、３０  有機エレクトロルミネッセンス発光素子、３２  下部電極、３２ａ  コンタクトホール、２０  熱気化層、２０ａ  薄膜、２２  第２のコンタクトホール、２２ａ  底面、３３  有機層、３４  上部電極、５０  対向基板、Ｄ  表示領域、Ｐ  画素、Ｖ  空間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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