(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性の向上が可能な表示装置を提供する。【解決手段】画像を表示する表示領域及び表示領域より外側の周辺領域ＮＤＡにわたって配置されるとともに周辺領域ＮＤＡに凸部Ｔ１，Ｔ２を有する有機絶縁膜１３と、周辺領域ＮＤＡにおいて有機絶縁膜１３より上層に形成された第１遮光層ＬＳ１，ＬＳ２と、を備える第１基板ＡＲと、第１遮光層ＬＳ１，ＬＳ２と対向する位置に第１溝部Ｄ１，Ｄ２が形成された第２遮光層ＢＭを備える第２基板ＣＴと、周辺領域ＮＤＡに位置し、第１溝部Ｄ１，Ｄ２と第１遮光層ＬＳ１，ＬＳ２との間で第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとを接着するシール材ＳＥと、を備える表示装置。【選択図】図５
2016224220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示領域及び前記表示領域より外側の周辺領域にわたって配置されるとともに周辺領域に凸部を有する有機絶縁膜と、前記周辺領域において前記有機絶縁膜より上層に形成された第１遮光層と、を備える第１基板と、
前記第１遮光層と対向する位置に第１溝部が形成された第２遮光層を備える第２基板と、
前記周辺領域に位置し、前記第１溝部と前記第１遮光層との間で前記第１基板と前記第２基板とを接着するシール材と、
を備える表示装置。
【請求項２】
前記凸部は、前記第１溝部と対向する請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１遮光層は、前記凸部の上面及び側面に形成される請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記凸部は、前記第２遮光層と対向する請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１基板は、さらに、ゲート配線を含む第１金属層と、ソース配線を含む第２金属層と、前記ゲート配線、前記ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、前記表示領域及び前記周辺領域にわたって配置された無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜を介して前記画素電極と対向する共通電極と、前記共通電極上に形成された第３金属層とを備え、
前記第１遮光層は、前記第１乃至第３金属層のいずれかと同一材料によって形成される請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１基板は、さらに、前記周辺領域に位置し前記画素電極または前記共通電極と同一材料によって形成された導電部を備え、
前記第１遮光層は、前記導電部と電気的に接続される請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１遮光層は、前記導電部より上層に形成され、前記無機絶縁膜は、前記第１遮光層及び前記導電部を覆う請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記無機絶縁膜は、前記第１遮光層を覆い、前記導電部は、前記無機絶縁膜の上に形成される請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記導電部は、前記無機絶縁膜の上に形成され、前記第１遮光層は、前記導電部の上に形成される請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記無機絶縁膜は、前記導電部を覆い、前記第１遮光層は、前記無機絶縁膜の上に形成される請求項６に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記導電部は、前記周辺領域において前記第１遮光層より前記表示領域側に形成される主要部と、前記主要部と一体的に形成され、前記第１遮光層と電気的に接続された分岐部と、を備える請求項６に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２基板は、さらに、前記第２遮光層を覆うオーバーコート層を備え、
前記オーバーコート層は、前記第１溝部と重なる位置に第２溝部を有する請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１遮光層、前記第１溝部及び前記第２溝部は、前記周辺領域の全周に亘って連続して形成される請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１溝部及び前記第２溝部は、前記周辺領域に亘って点在している請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記シール材は、前記第１溝部の幅より長さの短いファイバーを含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項１６】
さらに、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層を備える請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置などの表示装置は、各種分野で利用されている。ところで、対向基板とブラックマトリクスの界面からの水分侵入を抑制するために、シール材の周辺にブラックマトリクスのない領域であるＢＭスリットを形成する技術、及び、ＢＭスリットからの光漏れを抑制するために、アレイ基板上のＢＭスリットと対向する位置に、遮光金属を配置する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２６１９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
画像を表示する表示領域及び前記表示領域より外側の周辺領域にわたって配置されるとともに周辺領域に凸部を有する有機絶縁膜と、前記周辺領域において前記有機絶縁膜より上層に形成された第１遮光層と、を備える第１基板と、前記第１遮光層と対向する位置に第１溝部が形成された第２遮光層を備える第２基板と、前記周辺領域に位置し、前記第１溝部と前記第１遮光層との間で前記第１基板と前記第２基板とを接着するシール材と、を備える表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、図１に示したアレイ基板の構成を示す平面図である。
【図３】図３は、図２に示したアレイ基板における第１遮光層と凸部との位置関係を説明するための平面図である。
【図４】図４は、図１に示した対向基板の構成を示す平面図である。
【図５】図５は、図２の線ＩＶ−ＩＶに沿った表示パネルの周辺領域における構造を示す断面図である。
【図６】図６は、本実施形態に係るアレイ基板の構成を示す断面図である。
【図７】図７は、アレイ基板の第１構成例を示す断面図である。
【図８】図８は、アレイ基板の第２構成例を示す断面図である。
【図９】図９は、アレイ基板の第３構成例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、他の実施形態に係る表示パネルを示す断面図である。
【図１１】図１１は、本実施形態の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態及びその変形例について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
まず、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成を示す図である。なお、本実施形態においては、表示装置ＤＳＰが液晶表示パネルを備える場合について説明する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。
【０００９】
ここで、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに交差する方向である。本実施形態において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交している。なお、本明細書において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとは、図中の矢印の方向に限定されるものではなく、矢印の１８０度反対の方向も含むものとする。
【００１０】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬを備えている。表示パネルＰＮＬは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲに所定の隙間を置いて対向配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された後述する液晶層と、を備えている。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態で接着されている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＮＤＡと、を備えている。表示領域ＤＡは、複数の画素ＰＸによって構成されている。
【００１１】
アレイ基板ＡＲは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに沿って延出したゲート配線Ｇ、第２方向Ｙに沿って延出したソース配線Ｓ、各画素ＰＸにおいてゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷと電気的に接続された画素電極ＰＥなどを備えている。共通電極ＣＥは、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴの少なくとも一方に備えられ、コモン電位あるいは接地電位の端子ＶＣＯＭと電気的に接続されている。
【００１２】
なお、表示パネルＰＮＬの詳細な構成については説明を省略するが、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モードなどの基板主面（Ｘ−Ｙ平面）の法線に沿った縦電界を利用するモード、あるいは、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モードでは、画素電極ＰＥがアレイ基板ＡＲに備えられる一方で、共通電極ＣＥが対向基板ＣＴに備えられている。また、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＩＰＳモードの１つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどの基板主面に沿った横電界を利用するモードでは、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方がアレイ基板ＡＲに備えられている。さらには、表示パネルＰＮＬは、上記の縦電界、横電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。
【００１３】
また、表示パネルＰＮＬは、その背面側に配置されたバックライトユニットからの光を選択的に透過することによって画像を表示する透過型パネルとして構成されても良いし、表示パネルＰＮＬに入射する外光を選択的に反射することによって画像を表示する反射型パネルとして構成されても良いし、透過型及び反射型を組み合わせた半透過型パネルとして構成されても良い。
【００１４】
駆動部２は、表示パネルＰＮＬの駆動に必要な信号供給源であり、周辺領域ＮＤＡに位置している。図示した例では、駆動部２は、対向基板ＣＴの１つの基板端部ＣＴＥよりも外側に延出したアレイ基板ＡＲの実装部ＭＴに実装されている。実装部ＭＴは、アレイ基板ＡＲの１つの基板端部ＡＲＥに沿って形成されている。この実装部ＭＴは、詳述しないが、信号供給源と接続するためのパッドを有している。パッドには、上記のゲート配線Ｇやソース配線Ｓなどと電気的に接続されたものが含まれる。なお、図示した例では、対向基板ＣＴの他の３つの基板端部は、アレイ基板ＡＲの他の３つの基板端部と対向している。
【００１５】
表示パネルＰＮＬは、周辺領域ＮＤＡにおいて、第１遮光層ＬＳと、導電部ＥＣと、を備えている。第１遮光層ＬＳは、アレイ基板ＡＲにおいて、表示領域ＤＡを囲む周辺領域ＮＤＡの全周に亘って連続的に形成されている。導電部ＥＣは、アレイ基板ＡＲにおいて、基板端部ＡＲＥに沿った位置には形成されず、他の３つの基板端部に沿った周辺領域ＮＤＡに形成されている。導電部ＥＣは、第１遮光層ＬＳと電気的に接続されている。導電部ＥＣは、例えば、コモン電位の端子ＶＣＯＭと電気的に接続されている。
【００１６】
図２は、図１に示したアレイ基板ＡＲの構成を示す平面図である。アレイ基板ＡＲは、周辺領域ＮＤＡに導電部ＥＣ、第１遮光層ＬＳに相当する遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２を備えている。図２は、導電部ＥＣ、遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２のＸ−Ｙ平面における位置関係を示している。図中の遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２は、図１に示した遮光層ＬＳに相当する。なお、第１遮光層は、図示した例に限らず、１つの遮光層であっても良いし、３つ以上の遮光層を備えていても良い。
【００１７】
遮光層ＬＳ１は、周辺領域ＮＤＡに連続して形成され、第２方向Ｙに沿って延出した直線部ＬＳ１ａ及び直線部ＬＳ１ｂと、第１方向Ｘに沿って延出した直線部ＬＳ１ｃ及び直線部ＬＳ１ｄと、を有している。直線部ＬＳ１ａ及び直線部ＬＳ１ｂは、第１方向Ｘに表示領域ＤＡを挟んで互いに対向している。直線部ＬＳ１ｃ及び直線部ＬＳ１ｄは、第２方向Ｙに表示領域ＤＡを挟んで互いに対向している。直線部ＬＳ１ａ及び直線部ＬＳ１ｂは、直線部ＬＳ１ｃ及び直線部ＬＳ１ｄにそれぞれ繋がっている。
【００１８】
遮光層ＬＳ２は、遮光層ＬＳ１より表示領域ＤＡ側に形成されている。遮光層ＬＳ２は、周辺領域ＮＤＡに連続して形成され、第２方向Ｙに沿って延出した直線部ＬＳ２ａ及び直線部ＬＳ２ｂと、第１方向Ｘに沿って延出した直線部ＬＳ２ｃ及び直線部ＬＳ２ｄと、を有している。直線部ＬＳ２ａ及び直線部ＬＳ２ｂは、第１方向Ｘに表示領域ＤＡを挟んで互いに対向している。直線部ＬＳ２ｃ及び直線部ＬＳ２ｄは、第２方向Ｙに表示領域ＤＡを挟んで互いに対向している。直線部ＬＳ２ａ及び直線部ＬＳ２ｂは、直線部ＬＳ２ｃ及び直線部ＬＳ２ｄにそれぞれ繋がっている。なお、図示した例では、第１遮光層は、いずれも直線部を有するように形成されているが、少なくとも一部が蛇行していたり、屈曲していたりしても良い。このような第１遮光層と重なる領域には、後述する凸部が形成されている。
【００１９】
導電部ＥＣは、一体的に形成された主要部ＥＣＡ及び分岐部ＥＣＢａ、ＥＣＢｂ、ＥＣＢｃを備えている。主要部ＥＣＡは、遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２より表示領域ＤＡ側に形成されている。主要部ＥＣＡは、第２方向Ｙに沿って延出した直線部ＥＣＡａ及び直線部ＥＣＡｂと、第１方向Ｘに沿って延出した直線部ＥＣＡｃと、を有している。直線部ＥＣＡａ及び直線部ＥＣＡｂは、第１方向Ｘに表示領域ＤＡを挟んで互いに対向している。直線部ＥＣＡａ及び直線部ＥＣＡｂは、直線部ＥＣＡｃに繋がっている。
【００２０】
分岐部ＥＣＢａは、直線部ＥＣＡａから分岐し、直線部ＬＳ１ａ及び直線部ＬＳ２ａに向かって第１方向Ｘに延出している。分岐部ＥＣＢａは、直線部ＬＳ１ａ及び直線部ＬＳ２ａに重なっている。分岐部ＥＣＢｂは、直線部ＥＣＡｂから分岐し、直線部ＬＳ１ｂ及び直線部ＬＳ２ｂに向かって第１方向Ｘに延出している。分岐部ＥＣＢｂは、直線部ＬＳ１ｂ及び直線部ＬＳ２ｂに重なっている。分岐部ＥＣＢｃは、直線部ＥＣＡｃから分岐し、直線部ＬＳ１ｃ及び直線部ＬＳ２ｃに向かって第２方向Ｙに延出している。分岐部ＥＣＢｃは、直線部ＬＳ１ｃ及び直線部ＬＳ２ｃに重なっている。
【００２１】
図３は、図２に示したアレイ基板ＡＲにおける第１遮光層ＬＳと凸部Ｔとの位置関係を説明するための平面図である。
【００２２】
すなわち、アレイ基板ＡＲは、周辺領域ＮＤＡにおいて、凸部Ｔとして、凸部Ｔ１及びＴ２を有している。これらの凸部Ｔ１及びＴ２は、表示領域ＤＡを囲む矩形状に形成されている。上記の通り、第１遮光層ＬＳである遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、周辺領域ＮＤＡにおいて表示領域ＤＡを囲む矩形状に形成されている。凸部Ｔ１は遮光層ＬＳ１と重なる位置に形成され、また、凸部Ｔ２は遮光層ＬＳ２と重なる位置に形成されている。
【００２３】
図４は、図１に示した対向基板ＣＴの構成を示す平面図である。対向基板ＣＴは、第２遮光層に相当する遮光層ＢＭを備えている。遮光層ＢＭは、周辺領域ＮＤＡの全周に亘って連続して形成され、右上がり斜線で示されている。遮光層ＢＭは、周辺領域ＮＤＡにおいて、溝部Ｄ１及びＤ２を備えている。また、溝部Ｄ１及びＤ２は、後述するが、遮光層ＢＭを覆うオーバーコート層にも形成されている。なお、溝部は、図示した例に限らず、１つであっても良いし、３つ以上であっても良い。但し、溝部の本数は、第１遮光層の本数と一致するか、第１遮光層の本数より少なく設定される。
【００２４】
溝部Ｄ１は、周辺領域ＮＤＡの全周に亘って形成され、第２方向Ｙに沿って延出した直線部Ｄ１ａ及び直線部Ｄ１ｂと、第１方向Ｘに沿って延出した直線部Ｄ１ｃ及び直線部Ｄ１ｄと、を有している。直線部Ｄ１ａ及び直線部Ｄ１ｂは、直線部Ｄ１ｃ及び直線部Ｄ１ｄにそれぞれ繋がっている。直線部Ｄ１ａ及び直線部Ｄ１ｂは、第１方向Ｘに表示領域ＤＡを挟んで互いに対向している。直線部Ｄ１ｃ及び直線部Ｄ１ｄは、第２方向Ｙに表示領域ＤＡを挟んで互いに対向している。
【００２５】
溝部Ｄ２は、溝部Ｄ１より内側に形成されている。溝部Ｄ２は、周辺領域ＮＤＡの全周に亘って形成され、第２方向Ｙに沿って延出した直線部Ｄ２ａ及び直線部Ｄ２ｂと、第１方向Ｘに沿って延出した直線部Ｄ２ｃ及び直線部Ｄ２ｄと、を有している。直線部Ｄ２ａ及び直線部Ｄ２ｂは、直線部Ｄ２ｃ及び直線部Ｄ２ｄにそれぞれ繋がっている。直線部Ｄ２ａ及び直線部Ｄ２ｂは、第１方向Ｘに表示領域ＤＡを挟んで互いに対向している。直線部Ｄ２ｃ及び直線部Ｄ２ｄは、第２方向Ｙに表示領域ＤＡを挟んで互いに対向している。
【００２６】
図２に示した遮光層ＬＳ１は、溝部Ｄ１と対向している。すなわち、直線部ＬＳ１ａは直線部Ｄ１ａと対向し、直線部ＬＳ１ｂは直線部Ｄ１ｂと対向し、直線部ＬＳ１ｃは直線部Ｄ１ｃと対向し、直線部ＬＳ１ｄは直線部Ｄ１ｄと対向している。また、遮光層ＬＳ２は、溝部Ｄ２と対向している。すなわち、直線部ＬＳ２ａは直線部Ｄ２ａと対向し、直線部ＬＳ２ｂは直線部Ｄ２ｂと対向し、直線部ＬＳ２ｃは直線部Ｄ２ｃと対向し、直線部ＬＳ２ｄは直線部Ｄ２ｄと対向している。なお、図示した例では、溝部は、いずれも直線部を有するように形成されているが、少なくとも一部が蛇行していたり、屈曲していたりしても良く、第１遮光層と同一形状であることが望ましい。また、第１遮光層の幅は、対向する溝部の幅よりも大きいことが望ましい。
【００２７】
図５は、図２の線ＩＶ−ＩＶに沿った表示パネルＰＮＬの周辺領域ＮＤＡにおける構造を示す断面図である。以下、アレイ基板ＡＲの説明において、「上」とは、対向基板ＣＴに近接する側を意味する。
【００２８】
アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴは、シール材ＳＥによって接着されている。液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲ、対向基板ＣＴ、シール材ＳＥによって囲まれた空間に封入されている。
【００２９】
アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、導電部ＥＣ、第１遮光層ＬＳ１、第２遮光層ＬＳ２、第１配向膜ＡＬ１等を備えている。第１絶縁基板１０は、光透過性を有する材料を用いて形成されており、樹脂製でもよいが、ガラス製でも良い。第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０上に形成されている。第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１上に形成されている。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２上に形成されている。
【００３０】
第３絶縁膜１３には、対向基板ＣＴ側に突出した凸部Ｔ１及びＴ２が形成されている。凸部Ｔ１及びＴ２は、シール材ＳＥと重なる領域に形成されている。また、凸部Ｔ１及びＴ２は、図２に示した遮光層ＬＳ１及びＬＳ２と重なり、周辺領域ＮＤＡの全周に亘って連続して形成されている。なお、凸部の個数は、図示した例に限らず、１つでもよいし、３つ以上であっても良い。
【００３１】
第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２は、無機絶縁膜に相当し、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）などの無機材料によって形成されている。第３絶縁膜１３は、有機絶縁膜に相当し、各種樹脂等の有機材料によって形成されている。
【００３２】
導電部ＥＣは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。導電部ＥＣの主要部ＥＣＡは、凸部Ｔ２よりも液晶層ＬＱ側に位置している。導電部ＥＣの分岐部ＥＣＢは、凸部Ｔ１及びＴ２に亘って連続して延出している。図示した例では、導電部ＥＣは、シール材ＳＥに接しているが、一部がシール材ＳＥから離間していてもよい。後述するが、この導電部ＥＣは、例えば、アレイ基板ＡＲに備えられる画素電極ＰＥと同一材料で同層に形成される。又は、導電部ＥＣは、アレイ基板ＡＲに共通電極ＣＥが備えられる場合に、共通電極ＣＥと同一材料で同層に形成される。
【００３３】
遮光層ＬＳ１は、導電部ＥＣを介して凸部Ｔ１の上面及び側面に沿って形成されている。遮光層ＬＳ２は、導電部ＥＣを介して凸部Ｔ２の上面及び側面に沿って形成されている。遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２は、金属材料によって形成される。遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２は、導電部ＥＣと電気的に接続している。なお、アレイ基板ＡＲが画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥを備える構成において、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に介在する第４絶縁膜が形成される。このとき、周辺領域ＮＤＡにおいて、第４絶縁膜が遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２を覆う構成、第４絶縁膜が導電部ＥＣと第３絶縁膜１３との間に形成される構成、第４絶縁膜が遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２と導電部ＥＣとの間に形成される構成、あるいは、第４絶縁膜が周辺領域ＮＤＡに延在していない構成などが適用可能となる。
【００３４】
第１配向膜ＡＬ１は、図示した例では、第３絶縁膜１３の上に形成され、アレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱに接する面に配置されている。第１配向膜ＡＬ１の端部は、シール材ＳＥよりも液晶層ＬＱ側に位置していても良いし、シール材ＳＥと重なっていても良い。導電部ＥＣは、後述する第１配向膜ＡＬ１の形成プロセスにおいて、液状の配向膜材料の周辺領域ＮＤＡへの過度の広がりを抑制する障壁としても機能する。また、凸部Ｔ１及びＴ２や、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２も、同様に、障壁として機能する。このため、たとえ配向膜材料が導電部ＥＣを超えて広がったとしても、シール材ＳＥと重なる領域を超える配向膜材料の広がりを抑制できる。
【００３５】
一方、対向基板ＣＴは、第２絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２等を備えている。第２絶縁基板２０は、光透過性を有する材料を用いて形成されており、樹脂製でもよいが、ガラス製でもよい。
【００３６】
遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する側に形成されている。遮光層ＢＭは、詳述しないが表示領域ＤＡにおいて各画素を区画するように形成されている。また、遮光層ＢＭは、周辺領域ＮＤＡにおいての概ね全体に亘って延在している。このような遮光層ＢＭは、例えば、黒色顔料を含んだアクリル系樹脂材料やエポキシ系樹脂材料によって形成されている。
【００３７】
溝部Ｄ１及びＤ２は、遮光層ＢＭを第２絶縁基板２０まで貫通している。つまり、遮光層ＢＭは、周辺領域ＮＤＡにおいて、溝部Ｄ１及び溝部Ｄ２によって途切れている。換言すると、遮光層ＢＭは、周辺領域ＮＤＡにおいて、基板端部１０Ｅ側に位置する第１セグメントＢＭ１と、第１セグメントＢＭ１より表示領域ＤＡ側に位置する第２セグメントＢＭ２と、第２セグメントＢＭ２より表示領域ＤＡ側に位置する第３セグメントＢＭ３とに分離されている。溝部Ｄ１は凸部Ｔ１と対向し、溝部Ｄ２は凸部Ｔ２と対向している。
【００３８】
オーバーコート層ＯＣは、遮光層ＢＭを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、例えば、透明なアクリル系樹脂材料によって形成されている。図示した例では、オーバーコート層ＯＣは、溝部Ｄ１及びＤ２と重なる位置に形成された溝部Ｄ１１及びＤ１２を有している。溝部Ｄ１１及びＤ１２は、第２絶縁基板２０まで貫通している。つまり、オーバーコート層ＯＣは、周辺領域ＮＤＡにおいて、溝部Ｄ１１及び溝部Ｄ１２によって途切れている。換言すると、オーバーコート層ＯＣは、周辺領域ＮＤＡにおいて、基板端部１０Ｅ側に位置する第１セグメントＯＣ１と、第１セグメントＯＣ１より表示領域ＤＡ側に位置する第２セグメントＯＣ２と、第２セグメントＯＣ２より表示領域ＤＡ側に位置する第３セグメントＯＣ３とに分離されている。溝部Ｄ１及びＤ２、及び、溝部Ｄ１１及びＤ１２は、シール材ＳＥと重なる領域に形成されている。なお、オーバーコート層ＯＣは、溝部Ｄ１１及びＤ１２を有することなく、周辺領域ＮＤＡにおいて連続して形成されていても良い。
【００３９】
第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣのアレイ基板ＡＲと対向する側に形成され、対向基板ＣＴの液晶層ＬＱに接する面に配置されている。第２配向膜ＡＬ２の端部は、シール材ＳＥよりも液晶層ＬＱ側に位置していても良いし、シール材ＳＥと重なっていても良い。
【００４０】
シール材ＳＥは、アレイ基板ＡＲにおける第３絶縁膜１３、導電部ＥＣ、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２などに接するとともに、対向基板ＣＴにおけるオーバーコート層ＯＣ、溝部Ｄ１及びＤ２から露出した第２絶縁基板２０などに接している。シール材ＳＥは、例えば、紫外線硬化型樹脂材料、あるいは、熱硬化型樹脂材料によって形成されている。また、シール材ＳＥは、例えば、ファイバーＦＢを含んでいる。ファイバーＦＢの長さは、溝部Ｄ１及びＤ２の幅と同等以下であることが望ましい。ファイバーＦＢは、オーバーコート層ＯＣと第３絶縁膜１３との間に配置されている。このようなファイバーＦＢは、周辺領域ＮＤＡにおいてアレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴの間に所定のギャップを形成している。また、ファイバーＦＢは、凸部Ｔ１及びＴ２と溝部Ｄ１及びＤ２との間にも配置されている。遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣの膜厚の和が、凸部Ｔ１及びＴ２の膜厚と略等しい場合、凸部Ｔ１及びＴ２と溝部Ｄ１及びＤ２とのギャップは、オーバーコート層ＯＣと第３絶縁膜１３とのギャップと同等となる。このため、凸部Ｔ１及びＴ２と溝部Ｄ１及びＤ２との間のファイバーＦＢも、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴの間のギャップ形成に寄与することが可能である。
【００４１】
ここで、本実施形態における数値例を述べる。溝部Ｄ１及びＤ２は、例えば、約６０μｍの幅を有している。ファイバーＦＢは、６０μｍ以下の長さを有している。シール材ＳＥは、例えば、８００μｍの幅を有している。遮光層ＢＭが１．５μｍの膜厚を有し、オーバーコート層ＯＣが１〜２μｍの膜厚を有しており、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣの膜厚の和は、例えば、約２．５μｍ〜３．５μｍ±０．３μｍとなる。  バックライトユニットＢＬは、表示パネルＰＮＬの背面側に配置されている。バックライトユニットＢＬとしては、種々の形態が適用可能であるが、詳細な構造については説明を省略する。
【００４２】
第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０の外面１０Ａに配置されている。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、第２絶縁基板２０の外面２０Ａに配置されている。
【００４３】
図６は、本実施形態に係るアレイ基板ＡＲの構成を示す断面図である。一例では、横電界を利用する表示モードの表示パネルに適用可能なアレイ基板ＡＲにおける表示領域ＤＡ及び周辺領域ＮＤＡの構成を示している。
【００４４】
表示領域ＤＡにおいて、アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の上に、スイッチング素子ＳＷ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、共通電極ＣＥ，金属層Ｍ、第４絶縁膜１４、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１を備えている。
【００４５】
図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型の薄膜トランジスタであるが、この例に限らず、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであっても良い。スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁基板１０の上に配置された半導体層ＳＣを備えている。なお、第１絶縁基板１０と半導体層ＳＣとの間に絶縁膜であるアンダーコート層が介在していても良い。半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１によって覆われている。
【００４６】
スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、第１絶縁膜１１の上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、ゲート配線Ｇに電気的に接続され（あるいは、ゲート配線Ｇと一体的に形成され）、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。ゲート配線Ｇ及びゲート電極ＷＧは、第１金属層に含まれる。
【００４７】
スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。また、ソース配線Ｓも同様に第２絶縁膜１２の上に形成されている。図示したソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓに電気的に接続されている（あるいは、ソース配線Ｓと一体的に形成されている）。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールを通して半導体層ＳＣにコンタクトしている。このような構成のスイッチング素子ＳＷは、ソース配線Ｓとともに第３絶縁膜１３によって覆われている。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。ソース配線Ｓ、ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第２金属層に含まれる。
【００４８】
共通電極ＣＥは、第３絶縁膜１３の上面１３Ａに形成されている。このような共通電極ＣＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。
【００４９】
第３金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に形成されている。第３金属層Ｍは、対向基板に形成される遮光層と対向する位置、つまり、表示に寄与しない位置に形成されることが望ましい。第３金属層Ｍは、金属材料によって形成され、例えば、モリブデンとクロムの合金等を用いて形成される。
【００５０】
第４絶縁膜１４は、第３金属層Ｍ及び共通電極ＣＥの上に配置されている。第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４には、ドレイン電極ＷＤまで貫通したコンタクトホールＣＨが形成されている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３と比較して薄い膜厚に形成され、例えば、シリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。
【００５１】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上に形成され、共通電極ＣＥと対向している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＷＤに電気的に接続されている。このような画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。第１配向膜ＡＬ１は、第４絶縁膜１４の上にも形成されている。
【００５２】
第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、及び、第３絶縁膜１３は、表示領域ＤＡ及び周辺領域ＮＤＡに亘って配置されている。また、図示した例では、第４絶縁膜１４は、表示領域ＤＡから周辺領域ＮＤＡに亘って配置されている。第４絶縁膜１４は、導電部ＥＣ、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２を覆っている。導電部ＥＣの主要部ＥＣＡは第３絶縁膜１３の上面１３Ｂに形成され、導電部ＥＣの分岐部ＥＣＢは第３絶縁膜１３の凸部Ｔ１及びＴ２に亘って延出している。このような導電部ＥＣは、例えば共通電極ＣＥと同一材料によって形成されている。遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、例えば第３金属層Ｍと同一材料によって形成されている。なお、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、第１金属層または第２金属層と同一材料によって形成されても良い。
【００５３】
図示した例では、表示領域ＤＡにおける第３絶縁膜１３の上面１３Ａと、周辺領域ＮＤＡにおける第３絶縁膜１３の上面１３Ｂとは、第１絶縁基板１０に対して同等の位置にあり、上面１３Ａ及び１３Ｂは同一平面を形成する。このような構成の場合、凸部Ｔ１及びＴ２の上面ＴＴは、上面１３Ａ及び１３Ｂよりもさらに上方に位置している。但し、上面１３Ａは、上面ＴＴと同一平面を形成するような位置関係であっても良い。このような構成の場合、上面１３Ｂは、上面１３Ａ及び上面ＴＴよりも下方に位置する。つまり、凸部Ｔ１及びＴ２は、それらの周囲の第３絶縁膜１３に凹部を形成することで形成される。更には、凹部の第３絶縁膜１３を完全に除去することも可能である。但し、凹部、或いは、凸部が形成された箇所において、第３絶縁膜１３の下に駆動回路や配線が設けられている場合は、それら回路や配線を保護するために第３絶縁膜１３を残存させておいた方がよい。
【００５４】
本実施形態によれば、アレイ基板ＡＲは、周辺領域ＮＤＡに凸部Ｔ１及びＴ２が形成された第３絶縁膜１３を備えている。このとき、シール材ＳＥとアレイ基板ＡＲとの界面に凹凸が生じ、凸部Ｔ１及びＴ２が形成されていない場合に対して、シール材ＳＥ及びアレイ基板ＡＲの界面の面積が大きくなる。つまり、表示パネルＰＮＬの外部から液晶層ＬＱに向かって、シール材ＳＥとアレイ基板ＡＲとの界面を伝って浸潤する水分の浸潤経路が長くなる。したがって、周辺領域ＮＤＡの幅が比較的小さい狭額縁仕様のアレイ基板ＡＲにおいても、液晶層ＬＱへの水分浸入を抑制することが可能である。
【００５５】
また、対向基板ＣＴは、周辺領域ＮＤＡに溝部Ｄ１及びＤ２が形成された遮光層ＢＭ、及び、溝部Ｄ１１及びＤ１２が形成されたオーバーコート層ＯＣを備えている。つまり、遮光層ＢＭは、第１セグメントＢＭ１、第２セグメントＢＭ２、第３セグメントＢＭ３に分離されている。また、オーバーコート層ＯＣは、第１セグメントＯＣ１、第２セグメントＯＣ２、第３セグメントＯＣ３に分離されている。そのため、有機絶縁膜である遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを浸潤する水分の浸潤経路を断ち切ることが可能となる。また、シール材ＳＥは、溝部Ｄ１及びＤ２と、溝部Ｄ１１及びＤ１２を介して第２絶縁基板２０に密着している。このため、遮光層ＢＭと第２絶縁基板２０との界面、オーバーコート層ＯＣと遮光層ＢＭとの界面、シール材ＳＥとオーバーコート層ＯＣとの界面、及び、シール材ＳＥと第２絶縁基板２０との界面において、水分の液晶層ＬＱへの浸入を抑制することが可能である。したがって、狭額縁仕様の対向基板ＣＴにおいても、液晶層ＬＱへの水分浸入を抑制することが可能である。
【００５６】
表示パネルＰＮＬの内部に水分が浸入した場合、液晶層ＬＱの比抵抗の低下を招き、液晶層ＬＱにおいて局所的に液晶分子の配向が乱れ、表示ムラが発生するおそれがある。また、表示パネルＰＮＬに浸入した水分は、各種配線や各種電極の腐食の原因にもなり得る。これに対して、本実施形態では、上記のように、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴにおいて、水分の浸入を抑制することが可能となるため、水分が浸入した場合に生じ得る不具合の発生を抑制することができる。したがって、信頼性を向上することが可能な表示パネルＰＮＬを得ることができる。
【００５７】
さらに、本実施形態によれば、遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２は、溝部Ｄ１及びＤ２とそれぞれ対向している。遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、光を透過しない金属材料によって形成されているため、表示パネルＰＮＬの背面に位置するバックライトユニットＢＬからの光が溝部Ｄ１及びＤ２から漏れるのを抑制することができる。
【００５８】
なお、遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２は、アレイ基板ＡＲを構成する第１乃至第３金属層のいずれかと同一層に形成される。しかし、溝部Ｄ１及びＤ２に対して斜め方向からの入射光を遮光するためには、遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２と溝部Ｄ１及びＤ２との距離が離れるほど、遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２の面積が大きく形成される必要がある。一方で、シール材ＳＥが紫外線硬化型樹脂材料によって形成される場合には、表示パネルＰＮＬの背面側から、シール材を硬化するのに十分な紫外線を照射する必要がある。このため、遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２の面積が小さいほど好ましい。
【００５９】
本実施形態においては、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、それぞれ凸部Ｔ１及びＴ２の上に形成されている。そのため、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、それぞれ溝部Ｄ１及びＤ２と近い位置に配置され、遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２は、より小さい面積で溝部Ｄ１及びＤ２からの光漏れを抑制することが可能である。また、シール材ＳＥを硬化するプロセスにおいても、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２の面積が小さいため、硬化に十分な量の紫外線をシール材ＳＥに照射することが可能となり、シール材の硬化処理を短時間で行うことが可能となる。
【００６０】
また、本実施形態によれば、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、導電部ＥＣと電気的に接続されている。導電部ＥＣは、例えば共通電極ＣＥと同電位に設定されている。したがって、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２のチャージアップやＥＳＤ（Electro Static Discharge：静電放電）の発生を抑制することが可能である。
【００６１】
さらに、本実施形態によれば、共通電極ＣＥ及び導電部ＥＣは、いずれも第３絶縁膜１３上に形成され、同一材料によって形成されている。つまり、導電部ＥＣは、アレイ基板ＡＲの製造工程数を増やすことなく、共通電極ＣＥと同一工程での製造が可能である。
【００６２】
また、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は導電部ＥＣ上に形成され、第３金属層Ｍは共通電極ＣＥの上に形成されている。換言すると、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２と第３金属層Ｍとは、同一層に位置し、同一材料によって形成されている。つまり、第３金属層Ｍと遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、アレイ基板ＡＲの製造工程を増やすことなく、同一工程での製造が可能である。
【００６３】
次に、表示パネルＰＮＬの製造方法の一例について説明する。
まずアレイ基板ＡＲの製造方法について説明する。すなわち、第１絶縁基板１０の上に、第１絶縁膜１１、ゲート配線Ｇ、第２絶縁膜１２、ソース配線Ｓ、スイッチング素子ＳＷ等を順次形成する。続いて、例えば、ポリアクリレート類、又は感光性樹脂等の有機材料をスピンコート法により塗布する。その後、ハーフトーンマスクを介して有機材料を露光し、この有機材料を現像した後に焼成する。これにより、表示領域ＤＡにおいてはほぼ平坦な上面１３Ａを有するとともに周辺領域ＮＤＡにおいては凸部Ｔ１及びＴ２を有する第３絶縁膜１３が形成される。
【００６４】
次に、第３絶縁膜１３の上に、ＩＴＯをスパッタ成膜する。その後、ＩＴＯ膜の上にレジストを塗布し、マスク露光にてレジストをパターニングする。その後、レジストをマスクとしてＩＴＯ膜をエッチングし、レジストを剥離する。これにより、所望のパターンの共通電極ＣＥ及び導電部ＥＣが形成される。
【００６５】
次に、モリブデンとクロムの合金（ＭｏＣｒ）をスパッタ成膜する。その後、合金膜の上にレジストを塗布しマスク露光にてレジストをパターニングする。その後、レジストをマスクとして合金膜をエッチングし、レジストを剥離する。これにより、共通電極ＣＥと電気的に接続された第３金属層Ｍ、及び、導電部ＥＣの分岐部ＥＣＢと電気的に接続された遮光層ＬＳ１及びＬＳ２が形成される。
【００６６】
次に、ＳｉＮｘ（ｘは化学量論的組成に基づく値である）をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により成膜する。その後、ＳｉＮ膜上にレジストを塗布し、マスク露光にてレジストをパターンニングする。その後、レジストをマスクにして、プラズマを用いたエッチングガスによりＳｉＮ膜をドライエッチングし、レジストを剥離する。これにより、コンタクトホールＣＨなどを有する第４絶縁膜１４が形成される。なお、ＳｉＮ膜上のレジストについては、ハーフトーンマスクを介して露光し、現像することによって形成しても良く、このレジストをマスクとしてＳｉＮ膜をエッチングすることで、周辺領域ＮＤＡに凹凸を有する第４絶縁膜１４を形成することが可能である。
【００６７】
ここでは、周辺領域ＮＤＡにおいて、第４絶縁膜１４が遮光層ＬＳ１及びＬＳ２を覆うように形成される場合について説明したが、第４絶縁膜１４が導電部ＥＣと第３絶縁膜１３の間に形成される場合や、第４絶縁膜１４が遮光層ＬＳ１及び遮光層ＬＳ２と導電部ＥＣとの間に形成される場合についても、上記した方法で各部材が形成される。
【００６８】
次に対向基板ＣＴの製造方法について説明する。すなわち、第２絶縁基板２０の上に、黒色顔料を含んだ樹脂膜をスピンコート法により塗布する。その後、樹脂膜をマスク露光によりパターニングする。これにより、周辺領域ＮＤＡに溝部Ｄ１及びＤ２を有する遮光層ＢＭが形成される。
【００６９】
次に、赤色に着色された樹脂膜、緑色に着色された樹脂膜、及び、青色に着色された樹脂膜などをそれぞれスピンコート法により塗布した後に所望の形状にパターニングする。これにより、図示しないカラーフィルタ層が形成される。その後、透明な樹脂膜をスピンコート法により塗布した後に所望の形状にパターンニングする。これにより、周辺領域ＮＤＡに溝部Ｄ１１及びＤ１２を有するオーバーコート層ＯＣが形成される。
【００７０】
続いて、形成された対向基板ＣＴにファイバーＦＢを含んだシール材ＳＥをディスペンサもしくはスクリーン印刷版を用いて塗布する。シール材ＳＥが塗布された対向基板ＣＴとアレイ基板ＡＲを重ね合わせ、紫外線照射もしくは加熱することによりシール材ＳＥを硬化させる。上述したように、アレイ基板ＡＲのシール材ＳＥと接する面の反対側から紫外線が照射されるが、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２の面積が小さいため、塗布されたシール材ＳＥのほぼ全体に紫外線が照射される。
【００７１】
なお、ここでは、カラーフィルタ層が対向基板ＣＴに形成される場合について説明したが、カラーフィルタ層はアレイ基板ＡＲに形成されても良い。
【００７２】
次に、本実施形態に係る表示パネルＰＮＬに適用可能なアレイ基板ＡＲの他の構成例について説明する。
【００７３】
図７は、アレイ基板ＡＲの第１構成例を示す断面図である。第１構成例は、図６に示した構成例と比較して、周辺領域ＮＤＡにおいて、第３絶縁膜１３と導電部ＥＣとの間に第４絶縁膜１４が介在している点で異なっている。なお、第１構成例における表示領域ＤＡの構成は、図６に示した構成例と同一であり、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００７４】
周辺領域ＮＤＡにおいて、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、第３絶縁膜１３の上に形成されている。遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、それぞれ凸部Ｔ１及びＴ２を覆っている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２を覆っている。導電部ＥＣは、第４絶縁膜１４の上に形成されている。導電部ＥＣは、第４絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールを通り遮光層ＬＳ１及びＬＳ２と電気的
に接続されている。
【００７５】
第１構成例においては、第３金属層Ｍと遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、同一材料によって形成されている。つまり、第３金属層Ｍと遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、第３絶縁膜１３に共通電極ＣＥが形成された後に同一工程で形成可能である。また、画素電極ＰＥ及び導電部ＥＣは、第４絶縁膜１４上に形成され、同一材料によって形成されている。つまり、導電部ＥＣは、画素電極ＰＥと同一工程で形成可能である。
【００７６】
このように、第１構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。
【００７７】
図８は、アレイ基板ＡＲの第２構成例を示す断面図である。第２構成例は、上記第１構成例と比較して、表示領域ＤＡにおいては共通電極ＣＥ及び第３金属層Ｍが画素電極ＰＥより上に形成され、周辺領域ＮＤＡにおいては遮光層ＬＳ１及びＬＳ２が導電部ＥＣより上に形成された点で異なっている。
【００７８】
すなわち、表示領域ＤＡにおいては、画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨを通り、ドレイン電極ＷＤと電気的に接続されている。第４絶縁膜１４は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。共通電極ＣＥは、第４絶縁膜１４の上に形成されている。第３金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に形成されている。共通電極ＣＥ及び第３金属層Ｍは、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。
【００７９】
周辺領域ＮＤＡにおいては、第４絶縁膜１４は、凸部Ｔ１及びＴ２を含む第３絶縁膜１３を覆っている。導電部ＥＣは、第４絶縁膜１４の上に形成されている。遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、導電部ＥＣの上に形成されている。
【００８０】
第２構成例においては、共通電極ＣＥ及び導電部ＥＣは、第４絶縁膜１４上に形成され、同一材料によって形成されている。つまり、導電部ＥＣは、共通電極ＣＥと同一工程で形成可能である。また、第３金属層Ｍと遮光層ＬＳ１及びＬＳ２とは、同一材料によって形成されている。つまり、第３金属層Ｍと遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、同一工程で形成可能である。
【００８１】
このように、第２構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。
【００８２】
図９は、アレイ基板ＡＲの第３構成例を示す断面図である。第３構成例は、上記第２構成例と比較して、周辺領域ＮＤＡにおいて、導電部ＥＣと遮光層ＬＳ１及びＬＳ２との間に第４絶縁膜１４が介在している点で異なっている。なお、第３構成例における表示領域ＤＡの構成は、第２構成例と同一であり、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００８３】
周辺領域ＮＤＡにおいて、導電部ＥＣは、凸部Ｔ１及びＴ２を含む第３絶縁膜１３の上に形成されている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３及び導電部ＥＣを覆っている。遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。第１遮光層ＬＳ１は、導電部ＥＣと第４絶縁膜１４を介して凸部Ｔ１を覆っている。第２遮光層ＬＳ２は、導電部ＥＣと第４絶縁膜１４を介して凸部Ｔ２を覆っている。
【００８４】
第３構成例においては、画素電極ＰＥ及び導電部ＥＣは、第３絶縁膜１３上に形成され、同一材料によって形成されている。つまり、導電部ＥＣは、画素電極ＰＥと同一工程で形成可能である。また、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、第４絶縁膜１４の上に形成され、第３金属層Ｍと同一材料によって形成されている。つまり、第３金属層Ｍと遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、第４絶縁膜１４の上に共通電極ＣＥが形成された後に、同一工程で形成可能である。
【００８５】
このように、第３構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。
【００８６】
図１０は、他の実施形態に係る表示パネルＰＮＬを示す断面図である。図示した実施形態は、図５に示した上記実施形態と比較して、凸部Ｔ１及びＴ２が遮光層ＢＭと対向する点で異なっている。
【００８７】
すなわち、凸部Ｔ１は、遮光層ＢＭの第２セグメントＢＭ２、及び、オーバーコート層ＯＣの第２セグメントＯＣ２と対向している。凸部Ｔ２は、遮光層ＢＭの第３セグメントＢＭ３、及び、オーバーコート層ＯＣの第３セグメントＯＣ３と対向している。導電部ＥＣは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。遮光層ＬＳ１及びＬＳ２は、凸部Ｔ１及びＴ２の上には形成されていない。すなわち、遮光層ＬＳ１は、凸部Ｔ１よりも液晶層ＬＱから離間する側に位置し、溝部Ｄ１及びＤ１１と対向している。第２遮光層ＬＳ２は、凸部Ｔ１と凸部Ｔ２との間に位置し、溝部Ｄ２及びＤ１２と対向している。導電部ＥＣ、凸部Ｔ１及びＴ２、遮光層ＬＳ１及びＬＳ２はいずれも、Ｘ−Ｙ平面で見たときに、シール材ＳＥと重なる領域に形成されている。
【００８８】
凸部Ｔ１及びＴ２は、シール材ＳＥに含まれるファイバーＦＢの長さより小さい幅で形成されることが望ましい。これにより、ファイバーＦＢは、凸部Ｔ１及びＴ２上にはほとんど配置されない。このため、溝部Ｄ１及びＤ２に対向して配置されたファイバーＦＢは、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴの間のギャップ形成には寄与しないが、オーバーコート層ＯＣと第３絶縁膜１３との間に配置されたファイバーＦＢは、周辺領域ＮＤＡにおいてアレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴの間のギャップ形成に寄与している。
【００８９】
このような実施形態においても、上記実施形態と同様の効果が得られる。
【００９０】
次に、本実施形態の変形例について説明する。
【００９１】
図１１は、本実施形態の変形例を示す図である。図中の（ａ）は、周辺領域ＮＤＡにおけるアレイ基板ＡＲの一部を表す平面図である。アレイ基板ＡＲは、導電部ＥＣ、遮光層ＬＳ３及びＬＳ４を備えている。遮光層ＬＳ３は、一体的に形成された直線部ＬＳ３Ａ及び矩形部ＬＳ３Ｂを有している。矩形部ＬＳ３Ｂは、直線部ＬＳ３Ａよりも幅広に形成され、直線部ＬＳ３Ａの延出方向に沿って点在している。遮光層ＬＳ４は、遮光層ＬＳ３より表示領域ＤＡ側に形成されている。遮光層ＬＳ４は、一体的に形成された直線部ＬＳ４Ａ及び矩形部ＬＳ４Ｂを有している。矩形部ＬＳ４Ｂは、直線部ＬＳ４Ａよりも幅広に形成され、直線部ＬＳ４Ａの延出方向に沿って点在している。また、図示した例では、遮光層ＬＳ３及びＬＳ４は、直線部ＬＳ３Ａと矩形部ＬＳ４Ｂとが並び、且つ、直線部ＬＳ４Ａと矩形部ＬＳ３Ｂとが並ぶように配置されている。これらの遮光層ＬＳ３及びＬＳ４は、周辺領域ＮＤＡの全周に亘って形成されている。導電部ＥＣの主要部ＥＣＡは、遮光層ＬＳ４より表示領域ＤＡ側に形成されている。分岐部ＥＣＢは、遮光層ＬＳ３及び遮光層ＬＳ４と電気的に接されている。
【００９２】
図中の（ｂ）は、周辺領域ＮＤＡにおける対向基板ＣＴの一部を表す平面図である。対向基板ＣＴは、遮光層ＢＭを備えている。遮光層ＢＭには、溝部Ｄ３及びＤ４が形成されている。溝部Ｄ３は、一方向に沿って並び、それぞれ矩形状に形成されている。溝部Ｄ４は、溝部Ｄ３より表示領域ＤＡ側に形成されている。溝部Ｄ４は、一方向に沿って並び、それぞれ矩形状に形成されている。溝部Ｄ３は、遮光層ＬＳ３の矩形部ＬＳ３Ｂとそれぞれ対向する。溝部Ｄ４は、遮光層ＬＳ４の矩形部ＬＳ４Ｂとそれぞれ対向する。溝部Ｄ３及びＤ４は、周辺領域ＮＤＡの全周に亘って点在して形成されている。なお、直線部ＬＳ３Ａ及びＬＳ４Ａは、遮光層ＢＭと対向する。
【００９３】
このような変形例においても、遮光層ＢＭに千鳥状に並んだ溝部Ｄ３及びＤ４が形成されていることにより、遮光層ＢＭにおける一直線上の水分の浸潤経路を断ち切ることができ、対向基板ＣＴにおける液晶層への水分浸入を抑制することが可能である。尚、周辺領域ＮＤＡの面積を縮小するために、周辺領域ＮＤＡに設けられる配線の密度を高める場合がある。そのため、遮光層ＬＳを形成している金属を用いて信号や所定の電位を伝搬するための配線として使用される場合がある。この場合は、それら配線を遮光層の一部として利用することも可能である。更に、それら配線間に設けられた間隙に遮光層ＬＳを設けることも可能である。遮光層ＬＳは周辺領域ＮＤＡ全周で連続する必要は無く、上述のような配線を避けたり、他の目的で部分的に離間させたりすることも可能である。凸部についても部分的に設けない箇所が存在していてもよい。
【００９４】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することができる。
【００９５】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９６】
ＤＡ…表示領域  ＮＤＡ…周辺領域  １３…第３絶縁膜（有機絶縁膜）
ＬＳ１、ＬＳ２…遮光層（第１遮光層）  
ＢＭ…遮光層（第２遮光層）
ＡＲ…アレイ基板（第１基板）  ＣＴ…対向基板（第２基板）
Ｄ１、Ｄ２…溝部（第１溝部）  Ｄ１１、Ｄ１２…溝部（第２溝部）
ＳＥ…シール材  ＤＳＰ…表示装置  Ｔ１、Ｔ２…凸部
Ｇ…ゲート配線  Ｓ…ソース配線  ＳＷ…スイッチング素子
ＰＥ…画素電極  １４…第４絶縁膜（無機絶縁膜）  ＣＥ…共通電極
Ｍ…金属層（第３金属層）  ＥＣ…導電部  ＥＣＡ…主要部  ＥＣＢ…分岐部
ＯＣ…オーバーコート層  ＦＢ…ファイバー  ＬＱ…液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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