(57)【要約】【課題】  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性層を向上させる表示パネルを提供する。【解決手段】  表示パネルは基板を含む。走査線及びデータ線は、互いに交差し、且つ基板の上に配置される。活性層は、基板上、且つデータ線と基板との間に配置される。透明導電層は、基板の上、且つ活性層の上方に配置される。活性層は、データ線と電気的に接続された第１の接触領域、透明導電層と電気的に接続された第２の接触領域、および第１の接触領域と第２の接触領域との間の中間領域を含む。中間領域の、走査線と重なっている部分は、チャネル領域である。中間領域の、走査線と重なっていない部分は、非チャネル領域である。非チャネル領域の幅は、チャネル領域の幅より大きい。【選択図】  図１
2016126353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
互いに交差し、前記第１の基板の上に配置された走査線およびデータ線と、
前記第１の基板上、且つ前記データ線と前記第１の基板との間に配置された活性層と、
前記第１の基板の上、且つ前記活性層の上方に配置された第１の透明導電層と、
を含み、
前記活性層は、
前記データ線と電気的に接続された第１の接触領域と、
前記第１の透明導電層と電気的に接続された第２の接触領域と、
前記第１の接触領域と前記第２の接触領域との間に配置された中間領域と、を含み、
前記中間領域は、前記走査線と重なっている重複領域と、前記走査線と重なっていない非重複領域とを含み、前記重複領域は、第１のチャネル領域を含み、前記非重複領域は非チャネル領域を含み、
前記非チャネル領域は、前記第１のチャネル領域の幅より大きい幅を有する、
表示パネル。
【請求項２】
前記中間領域は、前記データ線と部分的に重なり、前記中間領域は、前記データ線の両側にそれぞれ配置された第１の領域と第２の領域とを含み、前記第２の領域は、前記データ線と前記第２の接触領域との間に配置される、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第１の領域は、前記第２の領域の幅と等しい幅を有する、請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記第１の領域は、前記第２の領域の幅より大きい幅を有する、請求項２に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記第１の領域は、前記第２の領域の前記幅より小さい幅を有する、請求項２に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記第１の接触領域に近い前記中間領域は、前記第２の接触領域に近い前記中間領域の幅より大きい幅を有する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記第２の接触領域は、前記第１の接触領域の幅より大きい幅を有し、前記幅の方向は、前記走査線に実質的に平行する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記中間領域の前記重複領域は、第２のチャネル領域を更に含み、前記非チャネル領域の前記幅は、前記第２のチャネル領域の幅より大きい、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記第２のチャネル領域の前記幅は、前記第１のチャネル領域の前記幅と異なる、請求項８に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記第２のチャネル領域の前記幅は、前記第１のチャネル領域の前記幅と等しい、請求項８に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記中間領域の一部は、前記第１のチャネル領域と前記第２のチャネル領域との間に配置され、前記中間領域の前記一部は、前記第１のチャネル領域の前記幅より大きい幅を有し、前記中間領域の前記一部の前記幅は、前記第２のチャネル領域の幅より大きい、請求項８に記載の表示パネル。
【請求項１２】
前記中間領域の前記一部は、２つの突出部を有し、前記２つの突出部は、前記走査線に実質的に平行する方向に前記第１のチャネル領域と前記第２のチャネル領域からそれぞれ外向に突出する、請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項１３】
前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された表示媒体と、を更に含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１４】
前記第１の基板の上に配置された第２の透明導電層を更に含み、前記第２の透明導電層は、前記第１の透明導電層の上方に配置される、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１５】
前記第２の透明導電層は、複数のスリットを含むパターン化された電極である、請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１６】
前記第１の基板の上に配置された第２の透明導電層を更に含み、前記第２の透明導電層は、前記第１の透明導電層の下方に配置される、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１７】
前記第１の透明導電層は、複数のスリットを含むパターン化された電極であり、前記第２の透明導電層は、前記第２の接触領域の近くに開口を有する、請求項１６に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１５年６月８日に出願された台湾特許出願番号第１０４１００４９３号についての優先権を主張するものであり、これらの全ては引用によって本願に援用される。
【０００２】
本発明は、表示パネル技術に関し、特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性層を有する表示パネルの活性層のパターン設計に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、その薄型、軽量、低消費電力、低放射などを含むそれらの利点により、最も一般的に用いられる平面表示装置となり、さまざまな種類の電子装置に幅広く用いられている。アクティブマトリクスＬＣＤでは、ＴＦＴは、画素スイッチングの制御用の駆動素子として機能する。ＴＦＴの活性層の材料に基づいて、アモルファスシリコンＴＦＴ、または多結晶シリコンＴＦＴなどの多くの種類のＴＦＴを有する。
【０００４】
しかしながら、ＬＣＤのＴＦＴに関して、ＬＣＤにより良い表示品質を持たせるために、ＴＦＴの活性層の形成に必要な多くの改善がまだある。
【発明の概要】
【０００５】
本開示のいくつかの実施形態に基づいて、表示パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性層を向上させるように提供される。活性層のパターン幅の設計を用いることで、活性層の全体的な抵抗が低減される。従って、ＴＦＴの電気的な特性が向上され、表示パネルの画像表示の品質も向上される。
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態では、表示パネルが提供される。表示パネルは、第１の基板と、第１の基板の上に配置されたデータ線と交差し、第１の基板の上に配置された走査線とを含む。活性層は、第１の基板上、且つデータ線と第１の基板との間に配置される。第１の透明導電層は、第１の基板の上、且つ活性層の上方に配置される。活性層は、データ線と電気的に接続された第１の接触領域と、第１の透明導電層と電気的に接続された第２の接触領域と、第１の接触領域と第２の接触領域との間の中間領域とを含む。中間領域は、走査線と重なっている第１のチャネル領域と、走査線と重なっていない非チャネル領域とを含み、非チャネル領域は、第１のチャネル領域の幅より大きい幅を有する。
【０００７】
詳細な説明は、添付の図面と併せて以下の実施形態に説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
添付の図面とともに以下の詳細な説明及び実施例を検討することで、本発明はより完全に理解できる。
【図１】本開示のいくつかの実施形態に係る表示パネルの部分平面図を示している。
【図２】本開示のいくつかの実施形態に係る、図１に示されたライン２−２’に沿った表示パネルの部分断面図を示している。
【図３】本開示のいくつかの実施形態に係る表示パネルの部分平面図を示している。
【図４】本開示のいくつかの実施形態に係る、図３に示されたライン４−４’に沿った表示パネルの部分断面図を示している。
【図５】本開示のいくつかの他の実施形態に係る表示パネルの部分平面図を示している。
【図６】本開示のいくつかの他の実施形態に係る表示パネルの部分平面図を示している。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、本開示のいくつかの実施形態に係る表示パネル１００の部分平面図を示している。表示パネル１００は、複数のデータ線１５０と交差する複数の走査線１４０を含み、これらの走査線１４０及びデータ線１５０は、第１基板（図１に示されていない）の上に配置されて複数のサブ画素領域を画定する。実施形態では、サブ画素領域は、２つの隣接のデータ線と２つの隣接の走査線とによって囲まれた領域である。ＴＦＴは、走査線１４０とデータ線１５０とが交差する位置の近くに配置される。ＴＦＴは、サブ画素領域を制御するスイッチング素子であり、データ線に電気的に接続される。本開示の実施形態に基づいて、ＴＦＴは、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）でできた活性層１３０を含む。活性層１３０は、第１の接触領域１３０１、第２の接触領域１３０２、および第１の接触領域１３０１と第２の接触領域１３０２との間の中間領域１３０３を含む。活性層１３０の中間領域１３０３の、走査線１４０と重なっている部分には、第１のチャネル領域１３０８と第２のチャネル領域１３０９の２つのチャネル領域を生成する。活性層１３０の中間領域１３０３の、走査線１４０と重なっていない部分は、図１に示された、データ線近くの走査線１４０の上側にある第１の非チャネル領域１３０４、データ線から離れた走査線１４０の上側にある第２の非チャネル領域１３０５、および走査線１４０の下側にある第３の非チャネル領域１３０６などの非チャネル領域である。
【００１０】
また、図１に示されるように、いくつかの実施形態では、表示パネル１００は、上部透明導電層として用いられる第２の透明導電層１２０を更に含む。実施形態では、第２の透明導電層１２０は、共通電極として用いられ、第２の透明導電層１２０は、その中に形成された複数のスリット１２２を有する。第２の透明導電層１２０は、走査線１４０、データ線１５０、および活性層１３０をカバーする。いくつかの実施形態では、第２の透明導電層１２０は、活性層１３０の第１の接触領域１３０１内のビアホール１１５および活性層１３０の第２の接触領域１３０２内のビアホール１１７と１１９をカバーする。いくつかの他の実施形態では、第２の透明導電層１２０は、ビアホール１１７と１１９の位置の近くに開口（図１に示されていない）を有することができる。即ち、第２の透明導電層１２０の開口は、第２の接触領域１３０２に近く、第２の透明導電層１２０がビアホール１１７と１１９をカバーするのを回避する。この実施形態では、データ線１５０は、非直線状の配線形式を有し、データ線１５０は、本質的に延伸する方向を有する。もう１つの実施形態では、データ線１５０は、直線状の配線形式を有することができる。この実施形態では、走査線１４０は、直線状の配線形式を有する。もう１つの実施形態では、走査線１４０は、非直線状の配線形式を有し、走査線１４０は、本質的に延伸する方向を有する。
【００１１】
図１に示されるように、第１のチャネル領域１３０８は、第１の幅Ｗ１を有し、第２のチャネル領域１３０９は、第２の幅Ｗ２を有し、第１の幅Ｗ１と第２の幅Ｗ２は、走査線１４０に平行する方向に本質的に延伸される。第１のチャネル領域１３０８と第２のチャネル領域１３０９との間の中間領域１３０３の部分（即ち、第３の非チャネル領域１３０６）は、第３の幅Ｗ３を有する。第３の幅Ｗ３は、中間領域１３０３の第１側１３０３−Ｌ１と第２側１３０３−Ｌ２との間の垂直距離である。第１側１３０３−Ｌ１は、活性層１３０の中間領域１３０３の内側である。第２側１３０３−Ｌ２は、活性層１３０の中間領域１３０３の外側である。
【００１２】
本開示の実施形態に基づいて、第３の非チャネル領域１３０６の第３の幅Ｗ３は、第１のチャネル領域１３０８の第１の幅Ｗ１より大きく、第３の非チャネル領域１３０６の第３の幅Ｗ３も第２のチャネル領域１３０９の第２の幅Ｗ２より大きい。また、本開示の実施形態に基づいて、中間領域１３０３の、走査線１４０と重なっていない第１の非チャネル領域１３０４と第２の非チャネル領域１３０５は、第１のチャネル領域１３０８の第１の幅Ｗ１より大きい幅を有する。第１の非チャネル領域１３０４と第２の非チャネル領域１３０５の幅も第２のチャネル領域１３０９の第２の幅Ｗ２よりも大きい。本開示の実施形態では、中間領域１３０３の各部分の幅は、当該部分の中間領域１３０３の両側の間の垂直距離として定義される。従って、中間領域１３０３のいくつかの部分の幅の方向は、走査線１４０の延伸方向に平行しなくてもよい。
【００１３】
ＴＦＴが画素スイッチング素子として用いられるという要件を満たすために、走査線１４０と重なっているＴＦＴの活性層１３０の第１のチャネル領域１３０８の長さ対幅の比と第２のチャネル領域１３０９の長さ対幅の比は、特定の範囲内で維持される必要がある。従って、第１のチャネル領域１３０８の第１の幅Ｗ１と第２のチャネル領域１３０９の第２の幅Ｗ２は、ＴＦＴのチャネルの長さ対幅の比に対する表示パネルの解像度の設計要件を満たす必要がある。表示パネルの従来の製造技術では、接触領域を除き、ＴＦＴの活性層の他の部分は、同一幅を有する。活性層の幅は、通常、チャネル領域の長さ対幅の比の要件を満たすように形成される。しかしながら、このように形成された活性層の抵抗は、低減されることができず、ＴＦＴの性能は向上されることができない。
【００１４】
本開示の実施形態に基づいて、活性層１３０の第１の非チャネル領域１３０４、第２の非チャネル領域１３０５、および第３の非チャネル領域１３０６の幅は、第１のチャネル領域１３０８の幅より大きく、第２のチャネル領域１３０９の幅よりも大きい。従って、活性層１３０のパターンは、非チャネル領域がより広く、チャネル領域がより狭い幅変化を有する。第１の非チャネル領域１３０４、第２の非チャネル領域１３０５、および第３の非チャネル領域１３０６がより大きい幅を有することで、ＬＴＰＳで形成された活性層１３０の全体的な抵抗が低減される。同時に、第１のチャネル領域１３０８と第２のチャネル領域１３０９の幅もＴＦＴのチャネル領域の長さ対幅の比の要件を満たす。従って、本開示の実施形態は、ＴＦＴの電気的性能を向上させることができる。
【００１５】
いくつかの実施形態では、図１に示されるように、中間領域１３０３の第１のチャネル領域１３０８と第２のチャネル領域１３０９との間の第３の非チャネル領域１３０６は、２つの突出部１３０７を有する。２つの突出部１３０７は、走査線１４０に平行する方向で、それぞれ第１のチャネル領域１３０８と第２のチャネル領域１３０９から外向に突出する。また、いくつかの実施形態では、第１のチャネル領域１３０８の幅Ｗ１は、第２のチャネル領域１３０９の幅Ｗ２とほぼ同じであることができる。いくつかの他の実施形態では、第１のチャネル領域１３０８の幅Ｗ１は、第２のチャネル領域１３０９の幅Ｗ２と異なる。また、図１に示されるように、いくつかの実施形態では、データ線１５０は、曲線を有するデータ線であることができ、活性層１３０の第１の接触領域１３０１と走査線１４０との間の距離は、活性層１３０の第２の接触領域１３０２と走査線１４０との間の距離と大きく異ならない。次いで、中間領域１３０３の長さが短い活性層１３０が形成される。
【００１６】
図２は、いくつかの実施形態に係る、図１に示されたライン２−２’に沿った表示パネル１００の部分断面図が示されている。図２に示されるように、表示パネル１００は、第１の基板１０１を含む。走査線１４０とデータ線１５０は、第１の基板１０１の上に配置される。活性層１３０は、第１の基板１０１上、且つデータ線１５０と走査線１４０の下方に配置される。活性層１３０は、データ線１５０と第１の基板１０１との間に配置される。いくつかの実施形態では、表示パネル１００のＴＦＴは、図２に示されるように、トップゲート構造を有することができ、活性層１３０と重なっている走査線（ゲート）１４０によって生成されたチャネル領域は、活性層１３０の上部にある。いくつかの他の実施形態では、表示パネルのＴＦＴは、ボトムゲート構造を有することができ、活性層１３０と重なっている走査線（ゲート）によって生成されたチャネル領域は、活性層の下部にある。
【００１７】
図１と図２では、ビアホール１１５は、活性層１３０の第１の接触領域１３０１の上方に形成される。活性層１３０の第１の接触領域１３０１は、ビアホール１１５を介してデータ線１５０に電気的に接続される。また、図２に示されるように、表示パネル１００は、第１の透明導電層１１０を更に含む。ビアホール１１７と１１９は、活性層１３０の第２の接触領域１３０２の上方に形成される。活性層１３０の第２の接触領域１３０２は、ビアホール１１７と１１９を介して、第１の透明導電層１１０に電気的に接続される。ビアホール１１５は、活性層１３０の第１の接触領域１３０１の上方の第１の絶縁層１２６と第２の絶縁層１２８に孔を形成することによって形成され、次いでデータ線１５０を形成する金属材料をビアホール１１５の孔に充填する。これにより、データ線１５０は、ビアホール１１５を介して活性層１３０の第１の接触領域１３０１に電気的に接続される。また、データ線１５０の一部は、ＴＦＴのソース電極を形成する。また、ビアホール１１７は、活性層１３０の第２の接触領域１３０２の上方の第１の絶縁層１２６と第２の絶縁層１２８に孔を形成することによって形成され、次いでＴＦＴのドレイン電極１５２を形成する金属材料は、ビアホール１１７を介して活性層１３０に電気的に接続される。また、ビアホール１１９は、第２の絶縁層１２８の上方の第３の絶縁層１３２に孔を形成することによって形成され、次いで第１の透明導電層１１０を形成する材料をビアホール１１９の孔に充填する。これにより、第１の透明導電層１１０は、ビアホール１１９を介してＴＦＴのドレイン電極１５２に電気的に接続され、ビアホール１１７を介して活性層１３０の第２の接触領域１３０２に電気的に接続される。第１の絶縁層１２６と第２の絶縁層１２８は、例えば、ＳｉＯｘまたはＳｉＮｘなどの、同じまたは異なる無機材料からなることができる。
【００１８】
図２に示されるように、第１の絶縁層１２６は、走査線１４０と、活性層１３０で形成されたデュアルゲートとの間に配置される。第２の絶縁層１２８と第３の絶縁層１３２は、走査線１４０上方に形成される。ビアホール１１５と１１７は、第１の絶縁層１２６と第２の絶縁層１２８に形成される。ビアホール１１９は、第３の絶縁層１３２に形成される。いくつかの実施形態では、透明導電層１１０の一部は、第３の絶縁層１３２のビアホール１１９にコンフォーマルに形成される。ＴＦＴのソース電極を形成する金属材料は、ビアホール１１５にコンフォーマルに形成されることができる。ＴＦＴのドレイン電極１５２を形成する金属材料は、ビアホール１１７にコンフォーマルに形成されることができる。第３の絶縁層１３２は、例えば、ポリフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）などの有機材料またはカラーフィルター材料など、平坦化に用いられる有機材料であることができる。
【００１９】
表示パネル１００は、第２の基板１０２を更に含み、表示媒体層１３６は、第２の基板１０２と第１の基板１０１との間に配置される。いくつかの実施形態では、表示媒体層１３６は、液晶層であることができ、第２の基板１０２は、カラーフィルター（ＣＦ）基板である。第１の基板１０１は、ＴＦＴアレイ基板である。いくつかの他の実施形態では、ＣＦ層は、第１の基板１０１に配置されることができる。例えば、第３の絶縁層１３２は、ＣＦ材料によって置き換えられることができる。
【００２０】
いくつかの実施形態では、図１と図２に示されるように、表示パネル１００は、第１の透明導電層１１０上方に配置された第２の透明導電層１２０を更に含む。第４の絶縁層１３４は、第１の透明導電層１１０と第２の透明導電層１２０との間に配置される。第１の透明導電層１１０は、第４の絶縁層１３４によって第２の透明導電層１２０から電気的に絶縁される。第４の絶縁層１３４は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機材料からなることができる。いくつかの実施形態では、第２の透明導電層１２０は、複数のスリット１２２を含むパターン化された電極である。表示パネル１００は、第２の透明導電層１２０のスリット１２２と第１の透明導電層１１０との配置により、フリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ）の広視野角ＬＣＤパネルであることができる。この実施形態では、スリット１２２は、サブ画素領域の範囲を超えない。もう１つの実施形態では、スリット１２２は、サブ画素領域の範囲を超えることができる。例えば、スリット１２２は、データ線１５０を超えることができ、あるいは、走査線１４０を超えることができる。
【００２１】
図３は、いくつかの他の実施形態に係る、表示パネル１００の部分平面図を示している。活性層１３０の、走査線１４０と重なっている中間領域１３０３には、２つのチャネル領域、即ち、第１のチャネル領域１３０８と第２のチャネル領域１３０９を生成する。活性層１３０の中間領域１３０３の、走査線１４０と重なっていない部分は、第１の非チャネル領域１３０４、第２の非チャネル領域１３０５、および第３の非チャネル領域１３０６である。本開示の実施形態に基づいて、第１の非チャネル領域１３０４、第２の非チャネル領域１３０５、および第３の非チャネル領域１３０６の幅は、第１のチャネル領域１３０８と第２のチャネル領域１３０９の幅より大きい。従って、活性層１３０のパターンは、非チャネル領域がより広く、チャネル領域がより狭い幅変化を有する。従って、活性層の抵抗が減少される。
【００２２】
図３に示されるように、いくつかの実施形態では、活性層１３０の第１の接触領域１３０１は、活性層１３０の第２の接触領域１３０２よりも走査線１４０から更に離れている。その結果、第１の接触領域１３０１と走査線１４０との間の第１の非チャネル領域１３０４は、より長い長さを有する。第１の非チャネル領域１３０４が第３の非チャネル領域１３０６より長いため、第１の接触領域１３０１と第２の接触領域１３０２は、千鳥状に配置される。接触領域は、プロセスにおけるアラインメント誤差を許容するように、より大きな面積を必要とするため、千鳥状に配置された２つの接触領域は、これらの２つの接触領域を走査線１４０に実質的に平行する方向で互いに近づけさせることができる。従って、走査線１４０に実質的に平行する方向の単一のサブ画素の幅は、減少されることができる。しかしながら、第１の非チャネル領域１３０４の幅が固定されている場合、第１の非チャネル領域１３０４は、長いため、サブ画素の数を減少させ、表示パネルの解像度に関する設計要件が制限される。従って、第１の非チャネル領域１３０４は、異なる幅（しかしながら、チャネル領域の幅より広い）を有して、その抵抗を維持し、且つ表示パネルの開口率に対する影響を減少させる。
【００２３】
いくつかの実施形態では、図３に示されるように、データ線１５０は、直線状のデータ線であることができ、活性層１３０の中間領域１３０３は、データ線１５０と部分的に重なっている。その結果、中間領域１３０３の、データ線１５０と重なっていない部分は、データ線１５０の両側にそれぞれ配置された第１の領域１３１１と第２の領域１３１２とを含む。第２の領域１３１２は、データ線１５０と第２の接触領域１３０２との間に配置され、第１の領域１３１１は、データ線１５０の、第２の領域１３１２に対向するもう１つ側に配置される。第１の領域１３１１は、幅Ｗ４を有し、第２の領域１３１２は、幅Ｗ５を有する。幅Ｗ４とＷ５の方向は、走査線１４０の本質的に延伸する方向に平行する。いくつかの実施形態では、第１の領域１３１１の幅Ｗ４は、第２の領域１３１２の幅Ｗ５にほぼ等しい。いくつかの他の実施形態では、第１の領域１３１１の幅Ｗ４は、第２の領域１３１２の幅Ｗ５より大きいことができる。いくつかの他の実施形態では、第１の領域１３１１の幅Ｗ４は、第２の領域１３１２の幅Ｗ５より小さいことができる。
【００２４】
活性層とデータ線が完全に重なり合う実施形態に比べ、本開示のいくつかの実施形態では、活性層１３０の中間領域１３０３は、データ線１５０と部分的に重なっている。その結果、活性層１３０とデータ線１５０との間に生成された寄生容量が減少される。また、活性層とデータ線が全く重なりあわない実施形態に比べ、本開示のいくつかの実施形態では、活性層１３０の中間領域１３０３は、データ線１５０と部分的に重なっている。その結果、表示パネルの開口率が増加される。
【００２５】
また、いくつかの実施形態では、図３に示されるように、活性層１３０の中間領域１３０３の第１の非チャネル領域１３０４は、第１の接触領域１３０１の近くに幅Ｗ６を有する。中間領域１３０３の第２の非チャネル領域１３０５は、第２の接触領域１３０２の近くに幅Ｗ７を有する。幅Ｗ６は、幅Ｗ７より大きい。また、いくつかの実施形態では、第１の接触領域１３０１は、幅Ｗ８を有し、第２の接触領域１３０２は、幅Ｗ９を有する。幅Ｗ９は、幅Ｗ８より大きい。いくつかの実施形態では、上述の幅Ｗ４〜Ｗ９の方向は、走査線１４０の本質的に延伸する方向にほぼ平行する。
【００２６】
図４は、本開示のいくつかの実施形態に係る、図３に示されたライン４−４’に沿った表示パネル１００の部分断面図を示している。図４に示されるように、いくつかの実施形態では、活性層１３０の第２の接触領域１３０２に電気的に接続された第１の透明導電層１１０は、複数のスリット１１３を含むパターン化された電極である。第２の透明導電層１２０は、第１の透明導電層１１０の下方に配置される。第２の透明導電層１２０は、第２の接触領域１３０２の近くに開口１２５を有する。開口１２５の配置は、第２の透明導電層１２０がビアホール１１９をカバーするのを防ぐため、ビアホール１１９の位置を回避することができる。実施形態では、表示パネル１００は、第１の透明導電層１１０のスリット１１３と第２の透明導電層１２０の配置により、ＦＦＳ  ＬＣＤパネルとなる。
【００２７】
図５は、本開示のいくつかの他の実施形態に係る表示パネル１００の部分平面図を示している。図５に示されるように、いくつかの実施形態では、活性層１３０の第１の接触領域１３０１は、走査線１４０から更に離れている。その結果、第１の接触領域１３０１と走査線１４０との間に配置された中間領域１３０３の第１の非チャネル領域１３０４は、より長い長さを有する。また、図５の実施形態では、データ線１５０は、湾曲した配線形式を有することができ、データ線１５０は、本質的に延伸する方向を有する。その結果、活性層１３０の中間領域１３０３は、データ線１５０と部分的に重なる。中間領域１３０３は、データ線１５０の両側にそれぞれ配置された２つの領域を含む。実施形態では、データ線１５０の左側に配置された中間領域１３０３の領域は、データ線１５０の右側に配置された中間領域１３０３の領域より大きい幅を有する。また、図５に示されるように、活性層１３０の第２の接触領域１３０２のビアホール１１７は、底部エッジ（ビアホールの下エッジとも呼ぶ）１１７−１と、上部エッジ（ビアホールの上エッジとも呼ぶ）１１７−２とを有する。底部エッジ１１７−１で囲まれた面積は、上部エッジ１１７−２で囲まれた面積より小さい。従って、図５の平面図に示されるように、ビアホール１１７は、２つの環状の境界を有する。ビアホール１１５とビアホール１１９も上部エッジと底部エッジを有する。図１、図３、および図５は、ビアホールの上部エッジのみを示している。
【００２８】
図５の実施形態に示されるように、活性層１３０の中間領域１３０３の、走査線１４０と重なっていない部分の第１の非チャネル領域１３０４、第２の非チャネル領域１３０５、および第３の非チャネル領域１３０６の幅は、中間領域１３０３の、走査線１４０と重なっている部分の第１のチャネル領域１３０８および第２のチャネル領域１３０９の幅より大きい。その結果、活性層１３０のパターンは、非チャネル領域がより広く、チャネル領域がより狭い幅変化を有する。活性層の抵抗と寄生容量を減少させる効果が達成される。
【００２９】
また、表示パネル１００の第１の透明導電層と第２の透明導電層は、図５に示されていない。いくつかの実施形態では、図５の表示パネル１００は、図１に示されたスリット１２２を含む第２の透明導電層１２０のようなパターン化された電極を用いてＦＦＳ  ＬＣＤパネルを形成することができる。いくつかの他の実施形態では、図５の表示パネル１００は、図３に示されるスリット１１３を含む第１の透明導電層１１０のようなパターン化された電極を用いてＦＦＳ  ＬＣＤパネルを形成することができる。
【００３０】
図６には、本開示のいくつかの他の実施形態に係る表示パネル１００の部分平面図が示されている。図６に示されるように、いくつかの実施形態では、活性層１３０の第１の接触領域１３０１は、走査線１４０に近い。その結果、第１の接触領域１３０１と第２の接触領域１３０２との間に配置された第１の非チャネル領域１３０４と第２の非チャネル領域１３０５は、短い長さを有する。しかしながら、第１の非チャネル領域１３０４の長さは、第２の非チャネル領域１３０５の長さより大きい。その結果、第１の接触領域１３０１と第２の接触領域１３０２の位置は、千鳥状に配置され、表示パネルの解像度に対する影響を減少させる。接触領域は、大きな面積を必要とするため、仮に２つの接触領域が位置合わせされた場合、第１の接触領域１３０１と第２の接触領域１３０２とを含むように大きなサブ画素幅（走査線の本質的に延伸する方向に平行する）を必要とする可能性がある。これは、サブ画素の数を制限するため、表示パネルが高解像度を有する要件がそれによって影響される。実施形態では、第１の接触領域１３０１に近い活性層１３０の中間領域１３０３の部分は、幅Ｗ６を有し、第２の接触領域１３０２に近い中間領域１３０３の部分は、幅Ｗ７を有する。幅Ｗ６は、幅Ｗ７より大きい。また、走査線１４０とデータ線１５０は、直線パターンを有することができる。いくつかの他の実施形態では、走査線１４０とデータ線１５０は、非直線パターンを有することができる。走査線１４０とデータ線１５０は、それぞれ本質的に延伸する方向を有する。
【００３１】
また、図６に示されるように、活性層１３０の第２の接触領域１３０２のビアホール１１７は、底部エッジ（ビアホールの下エッジとも呼ぶ）１１７−１と、上部エッジ（ビアホールの上エッジとも呼ぶ）１１７−２とを有する。底部エッジ１１７−１で囲まれた面積は、上部エッジ１１７−２で囲まれた面積より小さい。活性層１３０の第２の接触領域１３０２のビアホール１１９も、底部エッジ（ビアホールの下エッジとも呼ぶ）１１９−１と、上部エッジ（ビアホールの上エッジとも呼ぶ）１１９−２とを有する。底部エッジ１１９−１で囲まれた面積は、上部エッジ１１９−２で囲まれた面積より小さい。従って、図６の平面図に示されるように、ビアホール１１７とビアホール１１９の各々は、２つの環状の境界を有する。もう１つの実施形態では、ビアホールは、非円形形状、例えば楕円、または不規則な形状を有することができる。
【００３２】
図６の実施形態に示されるように、活性層１３０の中間領域１３０３の、走査線１４０と重なっていない部分の第１の非チャネル領域１３０４、第２の非チャネル領域１３０５、および第３の非チャネル領域１３０６の幅は、中間領域１３０３の、走査線１４０と重なっている部分の第１のチャネル領域１３０８および第２のチャネル領域１３０９の幅より大きい。その結果、活性層１３０のパターンは、非チャネル領域がより広く、チャネル領域がより狭い幅変化を有する。従って、活性層の抵抗と寄生容量を減少させる効果が達成される。
【００３３】
また、表示パネル１００の第１の透明導電層と第２の透明導電層は、図６に示されていない。いくつかの実施形態では、図６の表示パネル１００は、図１に示されたスリット１２２を含む第２の透明導電層１２０のようなパターン化された電極を用いることができる。いくつかの他の実施形態では、図６の表示パネル１００の第２の透明導電層１２０のスリット１２２は、設計要件に応じて、中断せずにデータ線または走査線を超えることができる。いくつかの他の実施形態では、図６の表示パネル１００は、図３に示されるスリット１１３を含む第１の透明導電層１１０のようなパターン化された電極を用いてＦＦＳ  ＬＣＤパネルを形成することができる。
【００３４】
要約すると、本開示のいくつかの実施形態に基づいて、表示パネルの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性層、特に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）でできた活性層のパターンが改善される。非チャネル領域の幅は、チャネル領域の幅より大きい。非チャネル領域は、走査線と重なっていない中間領域に生成される。中間領域は、活性層の第１の接触領域と第２の接触領域との間に配置される。チャネル領域は、走査線と重なっている中間領域に生成される。その結果、活性層のパターンは、非チャネル領域がより広く、チャネル領域がより狭い幅変化を有する。従って、活性層の抵抗と寄生容量を減少させる効果が達成される。ＴＦＴの電気的性能が向上される。
【００３５】
本開示は、実施例の方法を用いて、且つ実施形態の観点から記述されてきたが、本開示は開示された実施形態に限定されるものではないということを理解されたい。逆に、（当業者には明らかであるように）種々の変更及び同様の配置を含むように意図される。よって、添付の特許請求の範囲は、全てのそのような変更および同様の配置を包含するように、最も広義な解釈が与えられるべきである。
【符号の説明】
【００３６】
１００  表示パネル
１０１  第１の基板
１０２  第２の基板
１３０１  第１の接触領域
１３０２  第２の接触領域
１３０３  中間領域
１３０３−Ｌ１  中間領域の第１側
１３０３−Ｌ２  中間領域の第２側
１３０４  第１の非チャネル領域
１３０５  第２の非チャネル領域
１３０６  第３の非チャネル領域
１３０７  突出部
１３０８  第１のチャネル領域
１３０９  第２のチャネル領域
１３１１  第１の領域
１３１２  第２の領域
１１０  第１の透明導電層
１１３  第１の透明導電層のスリット
１１５、１１７、１１９  ビアホール
１１７−１、１１９−１  底部エッジ
１１７−２、１１９−２  上部エッジ
１２０  第２の透明導電層
１２２  第２の透明導電層のスリット
１２５  第２の透明導電層の開口
１２６  第１の絶縁層
１２８  第２の絶縁層
１３０  活性層
１３２  第３の絶縁層
１３４  第４の絶縁層
１３６  表示媒体層
１４０  走査線
１５０  データ線
１５２  ドレイン電極
Ｗ１  第１のチャネル領域の幅
Ｗ２  第２のチャネル領域の幅
Ｗ３  第３の非チャネル領域の幅
Ｗ４  第１の領域の幅
Ｗ５  第２の領域の幅
Ｗ６  第１の非チャネル領域の幅
Ｗ７  第２の非チャネル領域の幅
Ｗ８  第１の接触領域の幅
Ｗ９  第２の接触領域の幅
【図１】
2016126353.tif 000003
【図２】
2016126353.tif 000004
【図３】
2016126353.tif 000005
【図４】
2016126353.tif 000006
【図５】
2016126353.tif 000007
【図６】
2016126353.tif 000008