(57)【要約】【課題】バックグラインドテープ剥離時に半導体ウエハが破損せず、かつ、半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができるダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハを提供する。【解決手段】基材と該基材の片面に積層されたダイシングフィルム粘着剤層とを有するダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムのダイシングフィルム粘着剤層上に積層された中間層と、前記中間層上に積層された半導体用接着剤層と、前記半導体用接着剤上に積層された半導体ウエハとからなるダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハであって、前記中間層及び半導体用接着剤層の外径が半導体ウエハの外径よりも小さく、半導体ウエハの外周部が前記ダイシングテープのダイシングフィルム粘着剤層に貼着しているダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハ。【選択図】    図１
2016201483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と該基材の片面に積層されたダイシングフィルム粘着剤層とを有するダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムのダイシングフィルム粘着剤層上に積層された中間層と、前記中間層上に積層された半導体用接着剤層と、前記半導体用接着剤上に積層された半導体ウエハとからなるダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハであって、
前記中間層及び半導体用接着剤層の外径が半導体ウエハの外径よりも小さく、半導体ウエハの外周部が前記ダイシングテープのダイシングフィルム粘着剤層に貼着している
ことを特徴とするダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハ。
【請求項２】
中間層及び半導体用接着剤層の外径と半導体ウエハの外径との差が１〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バックグラインドテープ剥離時に半導体ウエハが破損せず、かつ、半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができるダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハをダイシングして個々の半導体チップに分割し、得られた半導体チップを基板等の上に実装（ダイボンディング）するために、ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤が用いられている（例えば、特許文献１等）。ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を用いた半導体チップの実装では、通常、まずダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の半導体用接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付きウエハとし、この状態で半導体用接着剤層ごと半導体ウエハをダイシングする。その後、半導体用接着剤層付き半導体チップを剥がしてピックアップし、半導体用接着剤層を介して半導体チップを他の半導体チップ又は基板等の上に実装する。
【０００３】
ところで、半導体装置の製造工程については、通常高純度半導体単結晶等をスライスして半導体ウエハとした後、半導体ウエハを研磨機により研削して厚みを調整する研削工程が行われる。研削工程においては、半導体ウエハの破損を防止し、研削加工を容易にする目的で、半導体ウエハの片面にバックグラインドテープが貼り付けられる。従って、バックグラインドテープが貼り付けられた半導体ウエハに、ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の半導体用接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせた後、不要になったバックグラインドテープを剥離することを行う。
しかしながら、バックグラインドテープを剥離する際に、ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤において半導体用接着剤と中間層とが剥離してしまい、半導体ウエハが破損してしまうという問題があった（図２）。
【０００４】
半導体用接着剤と中間層との剥離を防止するためには、バックグラインドテープの粘着力を小さくするか、又は、バックグラインドテープと半導体ウエハとの粘着力よりも半導体用粘着と中間層との粘着力を大きくすることが考えられた。しかしながら、バックグラインドテープの粘着力を小さくすると、研削工程時の半導体ウエハの保護性が低下してしまう。また、半導体用粘着と中間層との粘着力を大きくすると、ピックアップが困難になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平２−４４７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記現状に鑑み、バックグラインドテープ剥離時に半導体ウエハが破損せず、かつ、半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができるダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基材と該基材の片面に積層されたダイシングフィルム粘着剤層とを有するダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムのダイシングフィルム粘着剤層上に積層された中間層と、前記中間層上に積層された半導体用接着剤層と、前記半導体用接着剤上に積層された半導体ウエハとからなるダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハであって、前記中間層及び半導体用接着剤層の外径が半導体ウエハの外径よりも小さく、半導体ウエハの外周部が前記ダイシングテープのダイシングフィルム粘着剤層に貼着しているダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハである。
以下に本発明を詳述する。
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討の結果、ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハにおいて、中間層と半導体用接着剤層の外径を半導体ウエハの外径よりも小さくして、半導体ウエハの外周部がダイシングテープのダイシングフィルム粘着剤層に貼着するようにすることにより、バックグラインドテープ剥離時に半導体ウエハが破損するのを防止できることを見出し、本発明を完成した。
【０００９】
図１に、本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハを説明する模式図を示した。
図１において本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハ１は、ダイシングフィルム２と、該ダイシングフィルム上に積層された中間層３と、該中間層３上に積層された半導体用接着剤層４と、該半導体用接着剤層４上に積層された半導体ウエハ５とからなる。
ここで中間層３と半導体用接着剤層４の外径は半導体ウエハ５の外径よりも小さいため、半導体ウエハ５の外周部がダイシングフィルム２のダイシングフィルム粘着剤層２２と直接対向することとなり、半導体ウエハ５の外周部がダイシングフィルム粘着剤層２２に貼着する。このような本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハ１からバックグラインドテープ６を剥離すると、半導体ウエハ５の外周部がダイシングフィルム粘着剤層２２に貼着されていることから、半導体用接着剤層４と中間層３との間で剥離が生じて半導体ウエハ５が破損することがない。
【００１０】
中間層３及び半導体用接着剤層４の外径と半導体ウエハ５の外径との差の好ましい上限は１０ｍｍである。一般的に、半導体ウエハはウエハ中央部の能動領域と、外周部の非能動領域に分けられており、非能動領域のチップは、ウエハプロセスにおける面内バラツキや成膜精度の問題があり、不要な部分として廃棄されている。能動領域のチップを安定的にピックアップするためには、少なくとも半導体用接着剤層と中間層の外径寸法を能動領域の外径寸法より大きくする必要がある。半導体ウエハ外径寸法に対して、半導体ウエハの貼付される半導体用接着剤層と中間層の外径寸法が小さくなると、半導体ウエハに半導体用接着剤層がついていない部位が生じる。非能動領域のチップは破棄されるので、半導体用接着剤層が付いていても、付いていなくとも問題ないが、能動領域のチップに半導体用接着剤層と中間層が付いていないと、正しく基板やチップと接合できなくなったり、ピックアップができなくなったりすることがある。上記外径差が１０ｍｍ以下とすることにより、半導体ウエハの能動領域に、確実に半導体用接着剤層と中間層を付けることができる。
【００１１】
中間層３及び半導体用接着剤層４の外径と半導体ウエハ５の外径との差の好ましい下限は１ｍｍである。上記外径差が１ｍｍ未満であると、半導体ウエハ５の外周部がダイシングフィルム粘着剤層２２に貼着される面積が不充分となり、バックグラインドテープ６を剥離する際に半導体ウエハ５が破損することがある。
【００１２】
本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハは、ダイシングフィルム、中間層、半導体用接着剤層及び半導体ウエハからなる。
【００１３】
上記ダイシングフィルムは、基材と該基材の片面に積層されたダイシングフィルム粘着剤層を有するものであれば特に限定されず、半導体ウエハをダイシングする際に一般的に用いられるダイシングフィルムを用いることができる。
【００１４】
上記ダイシングフィルムの基材は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル系フィルムや、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルムや、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、ピックアップ性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好ましい。
【００１５】
上記ダイシングフィルム粘着剤層は、上記半導体ウエハとの間の粘着力が、上記半導体ウエハとバックグラインドテープとの間の粘着力よりも大きくなるように構成されれば特に限定されない。
上記ダイシングフィルム粘着剤層を構成する粘着剤として、例えば、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、比較的安価であることから、アクリル系粘着剤が好適である。
【００１６】
上記ダイシングフィルムの市販品としては、例えば、ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学工業社製、厚み７０μｍのポリエチレンフィルムの片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）等を用いることができる。
【００１７】
上記中間層は、剥離ライナーとしての役割を有するものである。
上記中間層は、上記ダイシングフィルム粘着剤層に対する剥離力が、上記半導体用接着剤層に対する剥離力よりも大きくなるように構成されれば特に限定されない。
上記中間層は、粘着性を有していなくてもよいし、指で触ったときに付着しない程度の微粘着性を有していてもよい。
【００１８】
上記中間層は、貯蔵弾性率が０．５〜３ＧＰａ、破断伸度が１００〜４００％であることが好ましい。上記中間層の破断伸度を１００〜４００％に上げつつ貯蔵弾性率を上記範囲の高い値に調整することにより、ダイシング加工性及びピックアップのしやすさを維持し、ヒゲ状の切削屑等の汚染を抑制し、更にはフィルム割れをも抑制することができる。
【００１９】
上記貯蔵弾性率が０．５ＧＰａ未満であると、上記中間層が軟らかくなりすぎて、ダイシング加工性が低下したり、ダイシング後の切削面にヒゲ状の切削屑等の汚染が生じやすくなったりすることがある。上記貯蔵弾性率が３ＧＰａを超えると、上記中間層が硬くなりすぎて、ダイシング後の半導体チップに対してピックアップする際にニードルで突き上げてもダイシングフィルム一体型半導体用接着剤が曲がらず、ピックアップのしやすさが低下することがある。上記貯蔵弾性率のより好ましい下限は１．５ＧＰａ、より好ましい上限は２．９ＧＰａであり、更に好ましい下限は１．８ＧＰａ、更に好ましい上限は２．８ＧＰａである。
なお、貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（例えば、アイティ計測社製のＤＶＡ−２００）を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で２３℃において測定することができる。
【００２０】
上記破断伸度が１００％未満であると、ダイシング後に上記中間層のフィルム割れが生じやすくなることがある。上記破断伸度が４００％を超えると、ダイシング後の切削面にヒゲ状の切削屑等の汚染が生じやすくなることがある。上記破断伸度のより好ましい下限は１２０％、更に好ましい下限は１３０％、特に好ましい下限は２００％、より好ましい上限は２５０％である。
なお、破断伸度は、ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠して、引張試験機（例えば、島津製作所製の引張試験機ＡＧ−ＩＳ、オリエンテック社製のＲＴＣ−１３１０Ａ）を用いて、中間層単体を２３℃で３００ｍｍ／分の速度で引っ張り、破断に至った際の伸度を測定することで求めることができる。
【００２１】
上記中間層を構成する樹脂として、例えば、貯蔵弾性率と破断伸度とのバランスがよいことから、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂等が好ましい。
上記ポリエステル系樹脂として、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート−テトラメチレンテレフタレート共重合体等が挙げられる。なかでも、貯蔵弾性率と破断伸度とのバランスが良いことから、ポリエチレンテレフタレート樹脂が好ましく、無延伸のポリエチレンテレフタレート樹脂がより好ましい。
また、上記範囲の貯蔵弾性率及び破断伸度を有する観点から、上記中間層が上記ポリエステル系樹脂からなる場合、上記中間層は無延伸であることが好ましい。
【００２２】
上記ポリスチレン系樹脂として、例えば、芳香族ビニル炭化水素−共役ジエン共重合体、芳香族ビニル炭化水素−脂肪族不飽和カルボン酸エステル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂等が挙げられる。なかでも、貯蔵弾性率と破断伸度とのバランスが良いことから、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂が好ましい。
【００２３】
上記芳香族ビニル炭化水素として、例えば、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン等が挙げられる。
上記共役ジエンとして、例えば、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン等が挙げられる。
上記脂肪族不飽和カルボン酸エステルとして、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル等が挙げられる。
これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２４】
上記芳香族ビニル炭化水素−共役ジエン共重合体として、具体的には例えば、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体（ＳＢＳ樹脂）、スチレン−イソプレン−スチレン共重合体（ＳＩＳ樹脂）、スチレン−イソプレン−ブタジエン−スチレン共重合体（ＳＩＢＳ樹脂）等が挙げられる。
上記芳香族ビニル炭化水素−脂肪族不飽和カルボン酸エステル共重合体としては、具体的には例えば、スチレン−アクリル酸ブチル共重合体等が挙げられる。
【００２５】
上記中間層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が５μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記厚みが５μｍ未満であると、充分なピックアップ性が得られないことがある。上記厚みが２００μｍを超えると、ダイシング加工性が低下することがある。上記厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。
【００２６】
上記半導体用接着剤層は、半導体ウエハを基板や他の半導体チップ等の上に実装する際に一般的に用いられる粘接着剤層であれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂、ホットメルト型接着樹脂、硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物等により形成されることが好ましい。
上記熱可塑性樹脂は特に限定されず、例えば、ポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２７】
上記ホットメルト型接着樹脂として、例えば、アクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等が挙げられる。
【００２８】
上記硬化性樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂や、感光性オニウム塩等の光カチオン触媒により重合するエポキシ樹脂、感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等の光硬化性樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、上記硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、硬化剤とを含むことが好ましい。
【００２９】
上記硬化性樹脂組成物は、半田接合性を高める目的でフラックス活性を有する化合物を含有することが好ましい。このような組成物を用いることにより、半田接合性を確保できるとともに硬化物の接続信頼性が高くなる。
上記フラックス活性を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等のカルボキシル基含有化合物や、フェノール樹脂等のフェノール性水酸基含有化合物、液状イミダゾール化合物、リン酸エステルや亜リン酸エステル等のリン系化合物等が挙げられる。これらのフラックス活性を有する化合物は、硬化剤、硬化促進剤、添加剤の形で含有されることが好ましい。
【００３０】
上記エポキシ樹脂は特に限定されないが、ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂や、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が好ましい。ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いることにより、優れた接着性が得られる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いることにより、硬化物が剛直になり分子の運動が阻害されるため、硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性が高くなる。
上記ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは
単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
また、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。
【００３１】
上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂として、例えば、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。上記ナフタレン型エポキシ樹脂として、例えば、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン又は１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。
【００３２】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は５００、好ましい上限は１０００である。上記重量平均分子量が５００未満であると、硬化物の機械的強度、耐熱性又は耐湿性を充分に高めることができないことがある。上記重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。
【００３３】
上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーは特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いることにより、硬化物の可撓性が高くなる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂とエポキシ基を有する高分子ポリマーとを併用することにより、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂により硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性を高めることができるとともに、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーにより硬化物の可撓性が高くなる。
【００３４】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、末端及び側鎖（ペンダント位）のうちの少なくとも一方にエポキシ基を有することが好ましい。
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとして、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリルポリマー、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、硬化物の機械的強度及び耐熱性を高めることができるため、エポキシ基含有アクリルポリマーが好ましい。
【００３５】
上記硬化剤は特に限定されず、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
なかでも、フラックス活性を有する硬化剤として、加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤を用いることが好ましい。
【００３６】
上記加熱硬化型酸無水物系硬化剤として、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、疎水化されているので、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好ましい。
【００３７】
上記加熱硬化型酸無水物系硬化剤のうち、市販品として、例えば、ＹＨ−３０６、ＹＨ−３０７（以上、三菱化学社製、常温（２５℃）で液状）、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、常温（２５℃）で固体）等が挙げられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３８】
上記硬化性樹脂組成物は、硬化速度、硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤とともに硬化促進剤を含有していてもよい。上記硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、硬化速度、硬化物の物性等を容易に調整できるため、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。
なかでも、フラックス活性を有する硬化促進剤として、液状イミダゾール化合物を用いることが好ましい。
【００３９】
上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されず、例えば、フジキュアー７０００、フジキュアー７００１、フジキュアー７００２（以上、Ｔ＆Ｋ  ＴＯＫＡ社製、常温（２５℃）で液状）、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、イソシアヌル酸で塩基性を保護したイミダゾール系硬化剤（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製、常温（２５℃）で固体）、２ＭＺ、２ＭＺ−Ｐ、２ＰＺ、２ＰＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＺ、Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ、２ＰＺ−ＣＮＳ、２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ、２ＭＺ−Ａ、２ＭＺＡ−ＰＷ、Ｃ１１Ｚ−Ａ、２Ｅ４ＭＺ−Ａ、２ＭＡＯＫ−ＰＷ、２ＰＺ−ＯＫ、２ＭＺ−ＯＫ、２ＰＨＺ、２ＰＨＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＨＺ、２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ、２Ｅ４ＭＺ・ＢＩＳ、ＶＴ、ＶＴ−ＯＫ、ＭＡＶＴ、ＭＡＶＴ−ＯＫ（以上、四国化成工業社製）等が挙げられる。
【００４０】
上記酸無水物系硬化剤と上記硬化促進剤（例えば、イミダゾール系硬化促進剤）とを併用する場合は、上記酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記酸無水物系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００４１】
上記アミン系硬化剤と上記硬化促進剤（例えば、イミダゾール系硬化促進剤）とを併用する場合は、上記アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記アミン系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く、抽出水が塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００４２】
上記硬化性樹脂組成物は、更に、無機フィラーを含有することが好ましい。無機フィラーを含有することにより、電子部品実装用接着剤の硬化物の機械的強度及び耐熱性がより高くなり、また、硬化物の線膨張係数が低下して、接続信頼性がより高くなる。
【００４３】
上記無機フィラーは特に限定されず、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、炭化珪素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛等が挙げられる。上記無機フィラーは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。なかでも、流動性に優れることから球状シリカが好ましく、メチルシランカップリング剤、フェニルシランカップリング剤、ビニルシランカップリング剤、（メタ）アクリルシランカップリング剤等で表面処理された球状シリカがより好ましい。表面処理された球状シリカを用いることで、上記硬化性樹脂組成物の製膜性を高めることができる。
【００４４】
上記無機フィラーの平均粒子径は特に限定されないが、上記半導体用接着剤層の透明性、流動性、接続信頼性等の観点から、０．０１〜１μｍ程度が好ましい。
上記無機フィラーの含有量は特に限定されないが、上記硬化性樹脂組成物中の好ましい下限が１０重量％、好ましい上限が７０重量％である。上記含有量が１０重量％未満であると、上記硬化性樹脂組成物の硬化物の強度又は接続信頼性が低下することがある。上記含有量が７０重量％を超えると、上記硬化性樹脂組成物の製膜性が低下することがある。上記含有量のより好ましい下限は２０重量％、より好ましい上限は６０重量％である。
【００４５】
上記硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、更に、希釈剤、チキソトロピー付与剤、溶媒、無機イオン交換体、ブリード防止剤、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、タッキファイヤー等の密着性付与剤、ゴム粒子等の応力緩和剤等のその他の添加剤を含有してもよい。
【００４６】
上記半導体用接着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が５μｍ、好ましい上限が１００μｍである。上記厚みが５μｍ未満であると、充分な接着力が得られなかったり、充填不足によりボイドが発生したりすることがある。上記厚みが１００μｍを超えると、実装時に樹脂のはみ出し量が多くなり、周辺の半導体チップや実装装置を汚染することがある。上記厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は８０μｍである。
【００４７】
本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハの製造方法は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂等を含有する硬化性樹脂溶液を離型フィルム上に塗布し、加熱乾燥して離型フィルム上に半導体用接着剤層を形成した後、この半導体用接着剤層に上記中間層をラミネートして積層体を得て、該積層体にダイシングフィルムを貼り合わせてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を製造した後、該ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を半導体ウエハに貼り付ける方法等が挙げられる。
この際、中間層と半導体用接着剤層との積層体は、半導体ウエハの外径よりも小さくなるようにされてダイシングフィルム上に積層されることが好ましい。
【発明の効果】
【００４８】
本発明によれば、バックグラインドテープ剥離時に半導体ウエハが破損せず、かつ、半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができるダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハを説明する模式図である。
【図２】従来のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハを説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００５１】
（実施例１）
（１）中間層の調製
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１、チバ・ケミカルスペシャルティ社製、イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及び、ラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させて溶液を得た。得られた溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。更に、ポリマー溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、アクリルポリマーを得た。得られたアクリルポリマーの重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【００５２】
得られたアクリルポリマー１００重量部と、光重合開始剤（チバ・ケミカルスペシャリティー社製、イルガキュア６５１）１重量部と、ウレタンアクリルオリゴマー（新中村化学工業社製、Ｕ３２４Ａ）１５重量部とを配合した樹脂組成物を調製した。得られた樹脂組成物を塗工し、得られた塗膜に、１６０Ｗの水銀灯２灯を用いて光を４０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーとなるように照射して硬化させ、中間層となる非粘着性フィルムを得た。
【００５３】
（２）ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の製造
Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１２重量部と、１００４ＡＦ（三菱化学社製、熱硬化性樹脂）３５重量部と、ＹＬ９８０（三菱化学社製、熱硬化性樹脂）１５重量部、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）３重量部、ＹＡ０５０Ｃ−ＳＰ１（アドマテックス社製、無機フィラー）５０重量部と、ＳＥ１０５０−ＳＰＪ（アドマテックス社製、無機フィラー）５０重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。得られた塗液を離型フィルム上に厚み４０μｍになるように塗布し、１１０℃のオーブン内で３分間加熱乾燥し、離型フィルム上に半導体用接着剤層を形成した。
【００５４】
得られた半導体用接着剤層の離型フィルムが積層されている面とは反対側の面に、中間層を６０℃にてラミネートし、中間層／半導体用接着剤層積層体を得た。得られた中間層／半導体用接着剤層積層体を外径３２０ｍｍの円形に切り抜いた後、中間層の半導体用接着剤層が積層されている面とは反対側の面に、ダイシングフィルムとしてのＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学工業社製粘着フィルム、厚み７０μｍのポリエチレン基材の片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）を貼付した。その後、ダイシングフィルムを外径３７０ｍｍの大きさの円形に切り抜いた。
このようにして、離型フィルム／半導体用接着剤層／中間層／ダイシングフィルムがこの順で積層されたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を得た。
【００５５】
（３）ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハの製造
一方の面にバックグラインドテープ（三井化学社製、イクロステープ（登録商標））を貼付した直径３３０ｍｍのシリコンウエハ（厚み５０μｍ、上下半田バンプ付き）を用意した。ウエハのバックグラインドテープが貼付された側とは反対側の面に、得られたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の半導体用接着剤層を、真空ラミネーター（ＡＴＭ−８１２Ｍ、タカトリ社製）を用いて８０℃、貼り合わせ圧０．５ＭＰａ、真空度１００Ｐａで貼り合わせて、ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハを得た。
この状態で、半導体ウエハの外周部がダイシングテープのダイシングフィルム粘着剤層に貼着していることが確認された。
【００５６】
（実施例２〜４、比較例１〜３）
中間層／半導体用接着剤層積層体を打ち抜く際の外径を変更して、中間層及び半導体用接着剤層の外径とウエハの外径との差が表１に記載されたようにした以外は、実施例１と同様にしてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハを製造した。
【００５７】
（評価）
実施例及び比較例で得られたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハについて、以下の方法により評価を行った。
結果を表１に示した。
【００５８】
（１）バックグラインド（ＢＧ）テープの剥離性の評価
ウエハの表面に貼り付けられているバックグライントテープを、１８０°方向に引っ張って剥離した。このとき、問題なくバックグライントテープを剥離できた場合を「○」と、バックグラインドテープがウエハから剥がれずに、半導体用接着剤層からウエハが剥離してしまった場合を「×」と評価した。
【００５９】
（２）能動領域の評価
中間層及び半導体用接着剤層の外径がウエハの能動領域の外側にある場合を「○」と、中間層及び半導体用接着剤層の外径がウエハの能動領域より小さくなり、ピックアップが困難となった場合を「×」と評価した。
【００６０】
（３）ダイシング性の評価
得られたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハを、ダイシング装置ＤＦＤ６３６１（ディスコ社製）を用いて、送り速度２０ｍｍ／秒で、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。ダイシング時のウエハ外周部における小片チップの飛びの有無を目視にて観察して、チップ飛びが認められなかった場合を「○」と、チップ飛びが認められた場合を「×」と評価した。
【００６１】
【表１】
2016201483.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明によれば、バックグラインドテープ剥離時に半導体ウエハが破損せず、かつ、半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができるダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハを提供することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１  本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハ
１’  従来のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付き半導体ウエハ
２  ダイシングフィルム
２１  基材
２２  ダイシングフィルム粘着剤層
３  中間層
４  半導体用接着剤層
５  半導体ウエハ
【図１】
2016201483.tif 000004
【図２】
2016201483.tif 000005