(57)【要約】      （修正有）【課題】微細な回路寸法を有し、かつ、高温高湿下での絶縁信頼性に優れるプリント配線基板を実現できるプリプレグ及び樹脂基板並びにプリント配線基板及び半導体装置の提供。【解決手段】カップリング剤により処理されたシート状の表面処理ガラス繊維織布を含む繊維基材層１０１と、エポキシ樹脂と無機充填材とを含む樹脂層１０３と、を備えるプリプレグであって，上記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向の表面部における輝度をＸ１とし、上記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向のガラス繊維束の中心部における輝度をＸ２としたとき、Ｘ１／Ｘ２が０．８〜１．３であり、上記表面処理ガラス繊維織布中の上記カップリング剤の付着量が、上記表面処理ガラス繊維織布１００質量％に対し、０．０７〜０．５０質量％であるプリプレグ。圧力４ＭＰａ、温度２２０℃で１２０分間加熱成形して得られる硬化物のガラス転移温度が１８０℃以上であるプリプレグ。【選択図】図１
2016069401.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられるプリプレグであって、
カップリング剤により処理されたシート状の表面処理ガラス繊維織布を含む繊維基材層と、
前記繊維基材層の両面に設けられ、かつ、エポキシ樹脂と無機充填材とを含む樹脂層と、
を備え、
前記カップリング剤と反応する蛍光ラベル化剤により前記表面処理ガラス繊維織布を処理し、共焦点レーザー蛍光顕微鏡により前記表面処理ガラス繊維織布の断面を観察した際の、
前記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向の表面部における輝度をＸ１とし、
前記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向のガラス繊維束の中心部における輝度をＸ２としたとき、
Ｘ１／Ｘ２が０．８以上１．３以下であり、
前記表面処理ガラス繊維織布中の前記カップリング剤の付着量が、前記表面処理ガラス繊維織布１００質量％に対し、０．０７質量％以上０．５０質量％以下であり、
昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件での動的粘弾性測定により測定される、当該プリプレグを圧力４ＭＰａ、温度２２０℃で１２０分間加熱加圧成形して得られる硬化物のガラス転移温度が１８０℃以上であるプリプレグ。
【請求項２】
請求項１に記載のプリプレグにおいて、
前記樹脂層がビスマレイミド化合物およびシアネート樹脂からなる群から選択される一種または二種以上をさらに含むプリプレグ。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプリプレグにおいて、
前記表面処理ガラス繊維織布を構成するガラス繊維織布の通気度が１ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ以上１００ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ以下であるプリプレグ。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
前記表面処理ガラス繊維織布を構成するガラス繊維織布は、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、ＵＴガラス、Ｌガラス、ＨＰガラスおよび石英ガラスから選択される一種または二種以上のガラス繊維を用いてなるプリプレグ。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
前記表面処理ガラス繊維織布を構成するガラス繊維織布のかさ密度が０．５ｇ／ｃｍ３以上１．５ｇ／ｃｍ３以下であるプリプレグ。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
前記無機充填材がシリカ粒子を含むプリプレグ。
【請求項７】
請求項６に記載のプリプレグにおいて、
前記表面処理ガラス繊維織布がストランドにより構成されており、
前記ストランド中には前記シリカ粒子の一部が存在しているプリプレグ。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
熱機械分析装置を用いて、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、荷重５ｇ、引っ張りモードの条件で測定される、当該プリプレグを圧力４ＭＰａ、温度２２０℃で１２０分間加熱加圧成形して得られる硬化物の面内方向の、２５℃から１５０℃の範囲における平均線膨張係数α１が２０．０ｐｐｍ／℃以下であるプリプレグ。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
当該プリプレグを圧力４ＭＰａ、温度２２０℃で１２０分間加熱加圧成形して得られる硬化物の２５℃での貯蔵弾性率Ｅ'が５ＧＰａ以上であるプリプレグ。
【請求項１０】
請求項１乃至９いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
前記エポキシ樹脂がナフタレン環骨格を有し、かつ、グリシジル基を２つ以上有するナフタレン型エポキシ樹脂を含むプリプレグ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０いずれか一項に記載のプリプレグにおいて、
当該プリプレグの厚みが３０μｍ以上２２０μｍ以下であるプリプレグ。
【請求項１２】
請求項１乃至１１いずれか一項に記載のプリプレグの硬化物を含む樹脂基板。
【請求項１３】
請求項１２に記載の樹脂基板、または前記樹脂基板を２枚以上重ね合わせた積層体の片面または両面に金属箔が設けられている金属張積層板。
【請求項１４】
請求項１２に記載の樹脂基板、または前記樹脂基板を２枚以上重ね合わせた積層体の片面または両面に１層又は２層以上の回路層が設けられている、プリント配線基板。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプリント配線基板の前記回路層上に半導体素子を搭載した、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリプレグ、樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んでおり、これらの電子機器に使用される半導体装置の小型化が急速に進行している。そして、半導体装置に使用されるプリント配線基板には、高密度で微細な回路が求められている。
微細な回路を形成する方法として、ＳＡＰ（セミアディティブプロセス）法が提案されている。
ＳＡＰ法では、はじめに、絶縁層表面に粗化処理を施し、上記絶縁層表面上に下地になる無電解金属めっき膜を形成する。次いで、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けをおこなう。その後、めっきレジストを除去し、上記回路形成部以外の無電解金属めっき膜をフラッシュエッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する。ＳＡＰ法は、絶縁層上に積層する金属層を薄膜化できるので、より微細な回路配線が可能となる。
【０００３】
半導体装置は、例えば、プリント配線基板上に半導体素子を搭載することにより形成される。このようなプリント配線基板に関する技術としては、例えば、以下の特許文献１に記載のものが挙げられる。特許文献１には、Ｎ−置換マレイミド基と酸性置換基を有する硬化剤と、ビスフェノールＦ型フェノールノボラック型エポキシ樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物を用いたプリプレグおよび積層板が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２１０９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
プリント配線基板上に半導体素子を搭載することにより形成される半導体装置については、配線間の絶縁信頼性に優れることが求められる。このような要求は、近年のプリント配線基板の配線の高密度化に伴って特に顕著となっている。しかしながら、本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載の技術では、プリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性を十分に得ることが困難であることが明らかになった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられるプリプレグであって、
カップリング剤により処理されたシート状の表面処理ガラス繊維織布を含む繊維基材層と、
上記繊維基材層の両面に設けられ、かつ、エポキシ樹脂と無機充填材とを含む樹脂層と、
を備え、
上記カップリング剤と反応する蛍光ラベル化剤により上記表面処理ガラス繊維織布を処理し、共焦点レーザー蛍光顕微鏡により上記表面処理ガラス繊維織布の断面を観察した際の、
上記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向の表面部における輝度をＸ１とし、
上記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向のガラス繊維束の中心部における輝度をＸ２としたとき、
Ｘ１／Ｘ２が０．８以上１．３以下であり、
上記表面処理ガラス繊維織布中の上記カップリング剤の付着量が、上記表面処理ガラス繊維織布１００質量％に対し、０．０７質量％以上０．５０質量％以下であり、
昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件での動的粘弾性測定により測定される、当該プリプレグを圧力４ＭＰａ、温度２２０℃で１２０分間加熱加圧成形して得られる硬化物のガラス転移温度が１８０℃以上であるプリプレグが提供される。
【０００７】
さらに、本発明によれば、上記プリプレグの硬化物を含む樹脂基板が提供される。
【０００８】
さらに、本発明によれば、上記樹脂基板、または上記樹脂基板を２枚以上重ね合わせた積層体の片面または両面に金属箔が設けられている金属張積層板が提供される。
【０００９】
さらに、本発明によれば、上記樹脂基板、または上記樹脂基板を２枚以上重ね合わせた積層体の片面または両面に１層又は２層以上の回路層が設けられている、プリント配線基板が提供される。
【００１０】
さらに、本発明によれば、プリント配線基板の上記回路層上に半導体素子を搭載した、半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、微細な回路寸法を有し、かつ、高温高湿下での絶縁信頼性に優れるプリント配線基板を実現できるプリプレグおよび樹脂基板並びに高温高湿下での絶縁信頼性に優れるプリント配線基板および半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態におけるプリプレグの構成の一例を示す断面図である。
【図２】本実施形態における樹脂基板の構成の一例を示す断面図である。
【図３】本実施形態における金属張積層板の構成の一例を示す断面図である。
【図４】本実施形態におけるプリプレグの製造方法の一例を示す断面図である。
【図５】本実施形態におけるプリント配線基板の構成の一例を示す断面図である。
【図６】本実施形態におけるプリント配線基板の構成の一例を示す断面図である。
【図７】本実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
【図８】本実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは必ずしも一致していない。数値範囲の「〜」は特に断りがなければ、以上から以下を表す。
【００１４】
はじめに、本実施形態におけるプリプレグ１００について説明する。図１は、本実施形態におけるプリプレグ１００の構成の一例を示す断面図である。図２は、本実施形態における樹脂基板１５０の構成の一例を示す断面図である。
【００１５】
プリプレグ１００は、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられるものであり、カップリング剤により処理されたシート状の表面処理ガラス繊維織布を含む繊維基材層１０１と、繊維基材層１０１の両面に設けられ、かつ、エポキシ樹脂（Ａ）と無機充填材（Ｂ）とを含む樹脂層１０３と、を備える。
そして、上記カップリング剤と反応する蛍光ラベル化剤により上記表面処理ガラス繊維織布を処理し、共焦点レーザー蛍光顕微鏡により上記ガラス繊維織布の断面を観察した際の、上記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向の表面部における輝度をＸ１とし、上記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向のガラス繊維束の中心部における輝度をＸ２としたとき、Ｘ１／Ｘ２が０．８以上１．３以下であり、好ましくは０．９以上１．２以下である。
また、上記表面処理ガラス繊維織布中の上記カップリング剤の付着量が、上記表面処理ガラス繊維織布１００質量％に対し、０．０７質量％以上０．５０質量％以下であり、好ましくは０．０８質量％以上０．３０質量％以下であり、特に好ましくは０．０９質量％以上０．２０質量％以下である。
【００１６】
また、樹脂基板１５０は、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられる。
ここで、樹脂基板１５０はプリプレグ１００の硬化物を含むものであり、例えば、プリプレグ１００を加熱硬化することによって得ることができる。
【００１７】
上記表面処理ガラス繊維織布の輝度は、共焦点レーザー蛍光顕微鏡により得られた画像を解析することにより測定することができる。例えば、以下の手順で測定する。
はじめに、上記カップリング剤と反応する蛍光ラベル化剤により上記表面処理ガラス繊維織布を処理する。次いで、アセトンなどの溶剤により上記表面処理ガラス繊維織布を洗浄し、未反応の蛍光ラベル化剤を除去する。次いで、共焦点レーザー蛍光顕微鏡により、表面処理ガラス繊維織布の断面を撮影する。得られた観察像から、上記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向の表面部における輝度（Ｘ１）と、上記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向におけるガラス繊維束の中心部における輝度（Ｘ２）をＲＧＢ表色系におけるＧ要素の値に従って数値化し、得られた値からＸ１／Ｘ２を算出する。
【００１８】
上記表面処理ガラス繊維織布中の上記カップリング剤の付着量はＪＩＳ  Ｒ３４２０におけるガラス繊維基材の強熱減量法により測定することができる。
【００１９】
本発明者の検討によれば、カップリング剤により処理されたシート状の表面処理ガラス繊維織布において、膜厚方向におけるカップリング剤の付着量の均一性の指標を表す輝度比（Ｘ１／Ｘ２）および上記表面処理ガラス繊維織布中の上記カップリング剤の付着量をそれぞれ上記範囲内に設定することにより、上記表面処理ガラス繊維織布を構成するガラス繊維とエポキシ樹脂組成物（Ａ）を構成する樹脂との密着性が向上し、上記ガラス繊維と上記樹脂との間におけるボイドの発生が抑制され、その結果、得られるプリント配線基板の高温高湿下での絶縁信頼性が向上することを明らかにした。
【００２０】
本実施形態においては、表面処理ガラス繊維織布を構成するガラス繊維織布の種類、カップリング剤を含む処理液中のカップリング剤の濃度、ｐＨ、処理温度、処理時間等が、上記輝度比（Ｘ１／Ｘ２）および上記カップリング剤の付着量を上記範囲内に制御するための因子として挙げられる。
【００２１】
プリプレグ１００は、例えば、プリント配線基板におけるビルドアップ層中の絶縁層やコア層中の絶縁層を形成するために用いることができる。
プリプレグ１００をプリント配線基板におけるコア層中の絶縁層を形成するために用いる場合は、例えば、２枚以上のプリプレグ１００を重ね、得られた積層体を加熱硬化することによりコア層用の絶縁層とすることもできる。
【００２２】
また、プリプレグ１００を用いて得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性を向上させる観点から、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件での動的粘弾性測定により測定される、プリプレグ１００を圧力４ＭＰａ、温度２２０℃で１２０分間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板１５０のガラス転移温度が、１８０℃以上であり、好ましくは１９０℃以上であり、さらに好ましくは２００℃以上である。上限については、例えば、４００℃以下が好ましい。ガラス転移温度は、動的粘弾性分析装置（ＤＭＡ）を用いて測定することができる。
また、上記硬化物または樹脂基板１５０において、動的粘弾性測定によるガラス転移温度が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板の剛性が高まり、実装時のプリント配線基板の反りをより一層低減できる。その結果、得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。
このようなガラス転移温度を達成するためには、後述するように、エポキシ樹脂（Ａ）、無機充填材（Ｂ）、ビスマレイミド化合物（Ｃ）、シアネート樹脂（Ｄ）、ガラス繊維織布等について適切なものを選択し、樹脂の架橋密度等を適宜調整したり、各材料の配合量を適宜調整したりすることが重要である。
【００２３】
また、プリプレグ１００を用いて得られるプリント配線基板の剛性や耐熱性をより一層向上させる観点から、プリプレグ１００を圧力４ＭＰａ、温度２２０℃で１２０分間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板１５０の２５℃での貯蔵弾性率Ｅ'が、好ましくは５ＧＰａ以上であり、さらに好ましくは１０ＧＰａ以上である。上限値については、特に限定されるものではないが、例えば、４０ＧＰａ以下とすることができる。
また、上記硬化物または樹脂基板１５０において、２５℃での貯蔵弾性率Ｅ'が上記範囲を満たすと、得られるプリント配線基板の剛性が高まり、実装時のプリント配線基板の反りをより一層低減できる。その結果、得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。
このような貯蔵弾性率Ｅ'を達成するためには、後述するように、エポキシ樹脂（Ａ）、無機充填材（Ｂ）、ビスマレイミド化合物（Ｃ）、シアネート樹脂（Ｄ）、ガラス繊維織布等について適切なものを選択し、樹脂の架橋密度等を適宜調整したり、各材料の配合量を適宜調整したりすることが重要である。
【００２４】
また、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高める観点から、プリプレグ１００を圧力４ＭＰａ、温度２２０℃で１２０分間加熱加圧成形して得られる硬化物または樹脂基板１５０の面内方向の、２５℃から１５０℃の範囲における平均線膨張係数α１が好ましくは２０．０ｐｐｍ／℃以下であり、より好ましくは１５．０ｐｐｍ／℃以下である。下限値については、特に限定されるものではないが、例えば、０．１ｐｐｍ／℃以上とすることができる。
本実施形態において、平均線膨張係数α１とは、ＴＭＡ（熱機械分析）装置（ＴＡインスツルメント社製、Ｑ４００）を用いて、温度範囲２５℃〜１５０℃、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、荷重５ｇ、引っ張りモードの条件で測定される、平面方向（ＸＹ方向）の線膨張係数（ＣＴＥ）の平均値である。
また、上記硬化物または樹脂基板１５０において、平均線膨張係数α１が上記範囲を満たすと、得られる半導体装置において、高い温度に曝された際にプリント配線基板と半導体素子との間の線膨張係数差に起因して発生する応力を低減することができる。その結果、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の高温での接続信頼性や温度サイクル信頼性をより一層高めることができる。
このような平均線膨張係数α１を達成するためには、後述するように、エポキシ樹脂（Ａ）、無機充填材（Ｂ）、ビスマレイミド化合物（Ｃ）、シアネート樹脂（Ｄ）、ガラス繊維織布等について適切なものを選択し、樹脂の架橋密度等を適宜調整したり、各材料の配合量を適宜調整したりすることが重要である。
【００２５】
また、プリプレグ１００において、表面処理ガラス繊維織布がストランドにより構成されており、ストランド中には後述するシリカ粒子の一部が存在していることが好ましい。
ストランド中にシリカ粒子が存在するようプリプレグ１００を形成した場合、プリプレグ１００が有する諸特性を維持しつつ、表面処理ガラス繊維織布へのエポキシ樹脂組成物（Ａ）の含浸性を向上させることができる。ここで、諸特性とは、例えば、プリント配線基板の絶縁信頼性、プリプレグ１００のレーザー加工性、またはプリプレグ１００の低熱膨張性等である。
表面処理ガラス繊維織布へのエポキシ樹脂組成物（Ａ）の含浸性が良好である場合、得られるプリプレグ１００にボイドが発生するのを抑制できる。これにより、当該プリプレグ１００を絶縁層に用いたプリント配線基板において、絶縁信頼性の向上を図ることができる。
また、高密度の表面処理ガラス繊維織布を使用した場合においても、高い含浸性を得ることができる。このため、高密度の表面処理ガラス繊維織布を使用して、レーザー加工性に優れたプリプレグ１００を形成することができる。
さらに、表面処理ガラス繊維織布へのエポキシ樹脂組成物（Ａ）の含浸性を向上させることで、表面処理ガラス繊維織布内に無機充填材（Ｂ）を高充填することが可能となる。このため、プリプレグ１００の低熱膨張化を図ることができる。これにより、当該プリプレグ１００を絶縁層に用いたプリント配線基板に反りが発生することを抑制することができる。したがって、半導体装置における接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００２６】
プリプレグ１００の厚さは、例えば、３０μｍ以上２２０μｍ以下である。プリプレグ１００の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型のプリント配線基板に適した樹脂基板１５０を得ることができる。
【００２７】
図３は、本実施形態における金属張積層板２００の構成の一例を示す断面図である。金属張積板２００は、樹脂基板１５０（絶縁層３０１）、または樹脂基板１５０を２枚以上重ね合わせた積層体（絶縁層３０１）の片面または両面に金属箔１０５が設けられている。金属張積層板２００は、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いることができる。
【００２８】
つづいて、プリプレグ１００の製造方法について説明する。図４は、本実施形態におけるプリプレグ１００の製造方法の一例を示す断面図である。
本実施形態におけるプリプレグ１００は、表面処理ガラス繊維織布１１にエポキシ樹脂組成物（Ｐ）を含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料である。このような構造のシート状材料は、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性などの各種特性に優れ、プリント配線基板の絶縁層の製造に適している。
ここで、本実施形態において、プリプレグ１００のうち、表面処理ガラス繊維織布１１を含む層が繊維基材層１０１であり、それ以外の繊維基材を含まない層が樹脂層１０３である。
【００２９】
エポキシ樹脂組成物（Ｐ）を表面処理ガラス繊維織布１１に含浸させる方法としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、表面処理ガラス繊維織布１１を上記樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより上記樹脂ワニスを表面処理ガラス繊維織布１１に塗布する方法、スプレーにより上記樹脂ワニスを表面処理ガラス繊維織布１１に吹き付ける方法、表面処理ガラス繊維織布１１の両面からエポキシ樹脂組成物（Ｐ）からなる樹脂層（Ｐ）で表面処理ガラス繊維織布１１をラミネートする方法等が挙げられる。
これらの中でも、表面処理ガラス繊維織布１１の両面からエポキシ樹脂組成物（Ｐ）からなる樹脂層（Ｐ）で表面処理ガラス繊維織布１１をラミネートする方法が好ましい。これにより、表面処理ガラス繊維織布１１に対するエポキシ樹脂組成物（Ｐ）の含浸量を自在に調節でき、プリプレグ１００の成形性を向上できる。なお、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）からなる樹脂層（Ｐ）をラミネートする場合、真空のラミネート装置等を用いることがより好ましい。
【００３０】
本実施形態において、例えば、シート状の表面処理ガラス繊維織布１１の両面から支持基材付き樹脂層（Ｐ）で表面処理ガラス繊維織布１１をラミネートすることにより、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）からなる樹脂層（Ｐ）を表面処理ガラス繊維織布１１に含浸させる。
【００３１】
シート状の表面処理ガラス繊維織布１１の両面から支持基材付き樹脂層（Ｐ）で表面処理ガラス繊維織布１１をラミネートする方法を用いたプリプレグ１００の製造工程について、図４を用いて説明する。
【００３２】
まず、材料として、キャリア材料５ａ、５ｂ、表面処理ガラス繊維織布１１を用意する。また、装置として、真空ラミネート装置６０および熱風乾燥装置６２を用意する。キャリア材料５ａ、５ｂは、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）からなる樹脂層（Ｐ）で構成される。キャリア材料５ａ、５ｂは、例えばキャリアフィルムにエポキシ樹脂組成物（Ｐ）の樹脂ワニスを塗工する方法により得ることができる。
【００３３】
次いで、真空ラミネート装置６０を用いてキャリア材料５ａ、表面処理ガラス繊維織布１１およびキャリア材料５ｂをこの順で接合した接合体を形成する。真空ラミネート装置６０は、キャリア材料５ａを巻き取ったロール、キャリア材料５ｂを巻き取ったロール、表面処理ガラス繊維織布１１を巻き取ったロールおよびラミネートロール６１を備える。減圧下で、表面処理ガラス繊維織布１１の両面に、各ロールから送り出されたキャリア材料５ａおよびキャリア材料５ｂを重ね合わせる。そして、例えば、真空中、加熱６０℃以上１５０℃以下で、重ね合わせた積層体をラミネートロール６１で接合する。これにより、キャリア材料５ａ、表面処理ガラス繊維織布１１およびキャリア材料５ｂから構成される接合体が得られる。
【００３４】
このような接合工程には、例えば真空ボックス装置、真空ベクレル装置などの他の装置を用いることもできる。
【００３５】
次いで、熱風乾燥装置６２を用いて、接合体を構成する各キャリア材料５ａ、５ｂを構成するエポキシ樹脂組成物（Ｐ）の溶融温度以上の温度で加熱処理する。熱処理する他の方法は、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置などを用いて実施することができる。
【００３６】
キャリア材料５ａ、５ｂを表面処理ガラス繊維織布１１にラミネートした後、キャリアフィルムを剥離する。この方法により、表面処理ガラス繊維織布１１にエポキシ樹脂組成物（Ｐ）が担持され、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）と表面処理ガラス繊維織布１１とを含むプリプレグ１００ができる。
【００３７】
つづいて、上記で得られたプリプレグ１００を用いた金属張積層板２００および樹脂基板１５０の製造方法について説明する。プリプレグ１００を用いた金属張積層板２００および樹脂基板１５０の製造方法は、例えば以下の通りである。
プリプレグ１００またはプリプレグ１００を２枚以上重ね合わせた積層体の外側の上下両面または片面に金属箔１０５を重ね、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する、あるいはそのままプリプレグ１００の外側の上下両面または片面に金属箔１０５を重ねる。また、プリプレグ１００を２枚以上積層するときは、積層したプリプレグ１００の最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔１０５を重ねる。
次いで、プリプレグ１００と金属箔１０５とを重ねた積層体を加熱加圧成形することで金属張積層板２００を得ることができる。ここで、加熱加圧成形時に、冷却終了時まで加圧を継続することが好ましい。
【００３８】
上記の加熱加圧成形するときの加熱温度は、１２０℃以上２５０℃以下が好ましく、１５０℃以上２４０℃以下がより好ましい。
また、上記の加熱加圧成形するときの圧力は、０．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下が好ましく、２．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下の高圧がより好ましい。
【００３９】
また、加熱加圧成形後に、必要に応じて、恒温槽などで後硬化をおこなってもよい。後硬化の温度は、好ましくは１５０℃以上３００℃以下であり、より好ましくは２５０℃以上３００℃以下である。
【００４０】
この金属張積層板２００から金属箔１０５を除去することにより樹脂基板１５０を得ることができる。
【００４１】
また、この金属張積層板２００または樹脂基板１５０をコア基板として用いてプリント配線基板を得ることができる。
【００４２】
以下、プリプレグ１００、金属張積層板２００および樹脂基板１５０を製造する際に使用する各材料について詳細に説明する。
【００４３】
金属箔１０５を構成する金属としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、亜鉛、亜鉛系合金、ニッケル、ニッケル系合金、錫、錫系合金、鉄、鉄系合金、コバール（商標名）、４２アロイ、インバー、スーパーインバーなどのＦｅ−Ｎｉ系の合金、Ｗ、Ｍｏなどが挙げられる。これらの中でも、金属箔１０５を構成する金属としては、導電性に優れ、エッチングによる回路形成が容易であり、また安価であることから銅または銅合金が好ましい。すなわち、金属箔１０５としては、銅箔が好ましい。
また、金属箔１０５としては、キャリア付金属箔なども使用することができる。
金属箔１０５の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上２０μｍ以下であり、より好ましくは１．５μｍ以上１８μｍ以下である。
【００４４】
エポキシ樹脂組成物（Ｐ）は、エポキシ樹脂（Ａ）および無機充填材（Ｂ）を含む。
【００４５】
エポキシ樹脂（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００４６】
エポキシ樹脂（Ａ）として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。
【００４７】
エポキシ樹脂（Ａ）の中でも、得られるプリント配線基板の耐熱性および絶縁信頼性をより一層向上できる観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上が好ましく、アラルキル型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂およびナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上がより好ましい。
【００４８】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「エピコート８２８ＥＬ」および「ＹＬ９８０」などを用いることができる。ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「ｊＥＲ８０６Ｈ」および「ＹＬ９８３Ｕ」、ＤＩＣ社製の「ＥＰＩＣＬＯＮ  ８３０Ｓ」などを用いることができる。２官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」および「ＨＰ４０３２ＳＳ」などを用いることができる。４官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４７００」および「ＨＰ４７１０」などを用いることができる。ナフトール型エポキシ樹脂としては、新日鐵化学社製の「ＥＳＮ−４７５Ｖ」、日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」などを用いることができる。アラルキル型エポキシ樹脂としては、日本化薬社製の「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３０００Ｓ」、「ＮＣ３０００Ｓ−Ｈ」、「ＮＣ３１００」、新日鐵化学社製の「ＥＳＮ−１７０」、および「ＥＳＮ−４８０」などを用いることができる。ビフェニル型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「ＹＸ４０００」、「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００ＨＫ」および「ＹＬ６１２１」などを用いることができる。アントラセン型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「ＹＸ８８００」などを用いることができる。ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ６０００」、「ＥＸＡ−７３１０」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１Ｌ」および「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」などを用いることができる。
【００４９】
エポキシ樹脂（Ａ）として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。
【００５０】
これらエポキシ樹脂（Ａ）の中でも特にアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、樹脂基板１５０の吸湿半田耐熱性および難燃性をさらに向上させることができる。
アラルキル型エポキシ樹脂は、例えば、下記（１）式で表される。
【００５１】
【化１】
2016069401.tif 000003
ここで、ＡおよびＢは、ベンゼン環、ビフェニル構造などの芳香族環を表す。またＡおよびＢの芳香族環の水素が置換されていてもよい。置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基などが挙げられる。ｎは繰返し単位を表し、例えば、１〜１０の整数である。
【００５２】
アラルキル型エポキシ樹脂の具体例としては、以下の（１ａ）および（１ｂ）が挙げられる。
【００５３】
【化２】
2016069401.tif 000004
（式中、ｎは、１〜５の整数を示す。）
【００５４】
【化３】
2016069401.tif 000005
（式中、ｎは、１〜５の整数を示す。）
【００５５】
上記以外のエポキシ樹脂（Ａ）としては縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性、低熱膨張性をさらに向上させることができる。
【００５６】
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、トリフェニレン、テトラフェン、またはその他の縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂である。縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、複数の芳香環が規則的に配列することができるため低熱膨張性に優れる。また、ガラス転移温度も高いため耐熱性に優れる。さらに、繰返し構造の分子量が大きいため従来のノボラック型エポキシ樹脂に比べ難燃性に優れる。
【００５７】
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、フェノール類化合物、アルデヒド類化合物、および縮合環芳香族炭化水素化合物から合成された、ノボラック型フェノール樹脂をエポキシ化したものである。
【００５８】
フェノール類化合物は、特に限定されないが、例えば、フェノール；ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールなどのクレゾール類；２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノールなどのキシレノール類；２，３，５トリメチルフェノールなどのトリメチルフェノール類；ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノールなどのエチルフェノール類；イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、ｔ−ブチルフェノールなどのアルキルフェノール類；ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノールなどのフェニルフェノール類；１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレンなどのナフタレンジオール類；レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、フルオログルシンなどの多価フェノール類；アルキルレゾルシン、アルキルカテコール、アルキルハイドロキノンなどのアルキル多価フェノール類が挙げられる。これらのうち、コスト面および分解反応に与える効果から、フェノールが好ましい。
【００５９】
アルデヒド類化合物は、特に限定されないが、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ポリオキシメチレン、クロラール、ヘキサメチレンテトラミン、フルフラール、グリオキザール、ｎ−ブチルアルデヒド、カプロアルデヒド、アリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、テトラオキシメチレン、フェニルアセトアルデヒド、ｏ−トルアルデヒド、サリチルアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、トリヒドロキシベンズアルデヒド、４−ヒドロキシ−３−メトキシアルデヒドパラホルムアルデヒドなどが挙げられる。
【００６０】
縮合環芳香族炭化水素化合物は、特に限定されないが、例えば、メトキシナフタレン、ブトキシナフタレンなどのナフタレン誘導体；メトキシアントラセンなどのアントラセン誘導体；メトキシフェナントレンなどのフェナントレン誘導体；その他テトラセン誘導体；クリセン誘導体；ピレン誘導体；トリフェニレン誘導体；テトラフェン誘導体などが挙げられる。
【００６１】
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、メトキシナフタレン変性オルトクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ブトキシナフタレン変性メタ（パラ）クレゾールノボラックエポキシ樹脂、およびメトキシナフタレン変性ノボラックエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、下記式（Ｖ）で表される縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
【００６２】
【化４】
2016069401.tif 000006
【００６３】
（式中、Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基であり、Ｒは互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子；炭素数１以上１０以下の炭化水素基；ハロゲン元素；フェニル基、ベンジル基などのアリール基；およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基で、ｎ、ｐ、およびｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。）
【００６４】
【化５】
2016069401.tif 000007
【００６５】
（式（Ｖ）中のＡｒは、式（ＶＩ）中の（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造であり、式（ＶＩ）中のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子；炭素数１以上１０以下の炭化水素基；ハロゲン元素；フェニル基、ベンジル基などのアリール基；およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基である。）
【００６６】
さらに上記以外のエポキシ樹脂（Ａ）としてはナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、得られるプリント配線基板の耐熱性、低熱膨張性をさらに向上させることができる。ここで、ナフタレン型エポキシ樹脂とは、ナフタレン環骨格を有し、かつ、グリシジル基を２つ以上有するものを呼ぶ。
また、ベンゼン環に比べナフタレン環のπ−πスタッキング効果が高いため、特に、ナフタレン型エポキシ樹脂は低熱膨張性、低熱収縮性に優れる。さらに、多環構造のため剛直効果が高く、ガラス転移温度が特に高いため、リフロー前後の熱収縮変化が小さい。ナフトール型エポキシ樹脂としては、例えば下記一般式（ＶＩＩ−１）、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂としては下記式（ＶＩＩ−２）、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂としては下記式（ＶＩＩ−３）（ＶＩＩ−４）（ＶＩＩ−５）、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、例えば、下記一般式（ＶＩＩ−６）で示すことができる。
【００６７】
【化６】
2016069401.tif 000008
（ｎは平均１以上６以下の数を示し、Ｒはグリシジル基または炭素数１以上１０以下の炭化水素基を示す。）
【００６８】
【化７】
2016069401.tif 000009
【００６９】
【化８】
2016069401.tif 000010
【００７０】
【化９】
2016069401.tif 000011
（式中、Ｒ１は水素原子またはメチル基を表し、Ｒ２はそれぞれ独立的に水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、アラルキル基、ナフタレン基、またはグリシジルエーテル基含有ナフタレン基を表し、ｏおよびｍはそれぞれ０〜２の整数であって、かつｏまたはｍの何れか一方は１以上である。）
【００７１】
エポキシ樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、特に限定されないが、Ｍｗ３００以上が好ましく、特にＭｗ８００以上が好ましい。Ｍｗが上記下限値以上であると、プリプレグ１００にタック性が生じるのを抑制することができる。Ｍｗの上限は、特に限定されないが、Ｍｗ２０，０００以下が好ましく、特にＭｗ１５，０００以下が好ましい。Ｍｗが上記上限値以下であると、プリプレグ１００の作製時、表面処理ガラス繊維織布への含浸性が向上し、より均一なプリプレグ１００を得ることができる。エポキシ樹脂のＭｗは、例えばＧＰＣで測定することができる。
【００７２】
エポキシ樹脂組成物（Ｐ）中に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、その目的に応じて適宜調整されれば良く特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、７．０質量％以上３０．０質量％以下が好ましく、さらに８．０質量％以上２８．０質量％以下が好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上し、プリプレグ１００を形成するのが容易となる。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量が上記上限値以下であると、得られるプリント配線基板の強度や難燃性が向上したり、プリント配線基板の線膨張係数が低下し、反りの低減効果が向上したりする場合がある。
【００７３】
本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物（Ｐ）は、ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）からなる群から選択される一種または二種以上をさらに含むのが好ましい。
【００７４】
ビスマレイミド化合物のマレイミド基は、５員環の平面構造を有し、マレイミド基の二重結合が分子間で相互作用しやすく極性が高いため、マレイミド基、ベンゼン環、その他の平面構造を有する化合物などと強い分子間相互作用を示し、分子運動を抑制することができる。そのため、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）は、ビスマレイミド化合物（Ｃ）を含むことにより、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の線膨張係数を下げ、ガラス転移温度を向上させることができ、さらに、耐熱性を向上させることができる。
【００７５】
ビスマレイミド化合物（Ｃ）としては、分子内に少なくとも２つのマレイミド基を有するビスマレイミド化合物（Ｃ−１）が好ましい。
ビスマレイミド化合物（Ｃ−１）としては、例えば、４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド、ｍ−フェニレンビスマレイミド、ｐ−フェニレンビスマレイミド、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、４−メチル−１，３−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−エチレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレンジマレイミド、ビス（４−マレイミドフェニル）エーテル、ビス（４−マレイミドフェニル）スルホン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミドなどの分子内に２つのマレイミド基を有する化合物、ポリフェニルメタンマレイミドなどの分子内に３つ以上のマレイミド基を有する化合物などが挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用することもできる。これらのビスマレイミド化合物（Ｃ−１）の中でも、低吸水率である点などから、４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、ポリフェニルメタンマレイミドが好ましい。
【００７６】
また、ビスマレイミド化合物（Ｃ）としては、ビスマレイミド化合物（Ｃ−１）とアミン化合物との反応物を用いることもできる。アミン化合物としては、芳香族ジアミン化合物およびモノアミン化合物から選択される少なくとも１種を用いることができる。
【００７７】
芳香族ジアミン化合物としては、例えば、ｏ−ジアニシジン、ｏ−トリジン、３，３'−ジヒドロキシ−４，４'−ジアミノビフェニル、４，４'−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２'−ジメチル−４，４'−ジアミノビフェニル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｏ−キシレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、１，５−ジアミノナフタレン、４，４'−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジアニリン、２，２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジメチル−ジフェニルメタン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホンなどがあげられる。
【００７８】
モノアミン化合物としては、例えば、o−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール、o−アミノ安息香酸、ｍ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、o−アミノベンゼンスルホン酸、ｍ−アミノベンゼンスルホン酸、ｐ−アミノベンゼンスルホン酸、３，５−ジヒドロキシアニリン、３，５−ジカルボキシアニリン、o−アニリン、ｍ−アニリン、ｐ−アニリン、o−メチルアニリン、ｍ−メチルアニリン、ｐ−メチルアニリン、o−エチルアニリン、ｍ−エチルアニリン、ｐ−エチルアニリン、o−ビニルアニリン、ｍ−ビニルアニリン、ｐ−ビニルアニリン、o−アリルアニリン、ｍ−アリルアニリン、ｐ−アリルアニリンなどが挙げられる。
【００７９】
ビスマレイミド化合物（Ｃ−１）とアミン化合物との反応は、有機溶媒中で反応させることができる。反応温度は、例えば７０〜２００℃であり、反応時間は、例えば０．１〜１０時間である。
【００８０】
エポキシ樹脂組成物（Ｐ）中に含まれるビスマレイミド化合物（Ｃ）の含有量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、１．０質量％以上２５．０質量％以下が好ましく、５．０質量％以上２０．０質量％以下がより好ましい。ビスマレイミド化合物（Ｃ）の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の弾性率をより一層向上させることができる。
【００８１】
上記シアネート樹脂（Ｄ）は、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類やナフトール類とを反応させ、必要に応じて加熱などの方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
エポキシ樹脂組成物（Ｐ）は、熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（Ｄ）をさらに含むことにより、プリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の線膨張係数を小さくすることができる。さらに、シアネート樹脂（Ｄ）を用いることにより、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度などを向上できる。
【００８２】
シアネート樹脂（Ｄ）は、例えば、ノボラック型シアネート樹脂;ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂;ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂;ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂;ビフェニルアルキル型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂が好ましく、ノボラック型シアネート樹脂がより好ましい。ノボラック型シアネート樹脂を用いることにより、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の架橋密度が増加し、耐熱性が向上する。
【００８３】
この理由としては、ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成することが挙げられる。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。また、ノボラック型シアネート樹脂を含む絶縁層は優れた剛性を有する。よって、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の耐熱性をより一層向上できる。
ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。
【００８４】
【化１０】
2016069401.tif 000012
【００８５】
一般式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは任意の整数である。平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１以上が好ましく、２以上がより好ましい。平均繰り返し単位ｎが上記下限値以上であると、ノボラック型シアネート樹脂の耐熱性が向上し、加熱時に低量体が脱離、揮発することを抑制できる。また、平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１０以下が好ましく、７以下がより好ましい。ｎが上記上限値以下であると、溶融粘度が高くなるのを抑制でき、プリプレグ１００の成形性を向上させることができる。
【００８６】
また、シアネート樹脂（Ｄ）としては、下記一般式（II）で表わされるナフトールアラルキル型シアネート樹脂も好適に用いられる。下記一般式（II）で表わされるナフトールアラルキル型シアネート樹脂は、例えば、α−ナフトールあるいはβ−ナフトールなどのナフトール類とｐ−キシリレングリコール、α，α'−ジメトキシ−ｐ−キシレン、１，４−ジ（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼンなどとの反応により得られるナフトールアラルキル型フェノール樹脂とハロゲン化シアンとを縮合させて得られるものである。一般式（II）の繰り返し単位ｎは１０以下の整数であることが好ましい。繰り返し単位ｎが１０以下であると、より均一な樹脂層を得ることができる。また、合成時に分子内重合が起こりにくく、水洗時の分液性が向上し、収量の低下を防止できる傾向がある。
【００８７】
【化１１】
2016069401.tif 000013
（式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子またはメチル基を示し、ｎは１以上１０以下の整数を示す。）
【００８８】
また、シアネート樹脂（Ｄ）は１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。
【００８９】
エポキシ樹脂組成物（Ｐ）中に含まれるシアネート樹脂（Ｄ）の含有量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、１．０質量％以上２５．０質量％以下が好ましく、３．０質量％以上２０．０質量％以下がより好ましい。シアネート樹脂（Ｄ）の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の貯蔵弾性率Ｅ'をより一層向上させることができる。
【００９０】
本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物（Ｐ）は、必須成分として無機充填材（Ｂ）を含んでいる。これにより、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の貯蔵弾性率Ｅ'を向上させることができる。さらに、得られる絶縁層３０１の線膨張係数を小さくすることができる。
【００９１】
無機充填材（Ｂ）としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。
これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましく、シリカが特に好ましい。無機充填材（Ｂ）としては、これらの中の１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。
【００９２】
無機充填材（Ｂ）の平均粒子径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましい。無機充填材（Ｂ）の平均粒子径が上記下限値以上であると、ワニスの粘度が高くなるのを抑制でき、プリプレグ１００の作製時の作業性を向上させることができる。また、無機充填材（Ｂ）の平均粒子径は、特に限定されないが、５．０μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。無機充填材（Ｂ）の平均粒子径が上記上限値以下であると、ワニス中で無機充填材（Ｂ）の沈降などの現象を抑制でき、より均一な樹脂層を得ることができる。また、プリント配線基板の回路寸法Ｌ／Ｓが２０／２０μｍを下回る際には、配線間の絶縁性に影響を与えるのを抑制することができる。
無機充填材（Ｂ）の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とすることができる。
【００９３】
また、無機充填材（Ｂ）は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および／または多分散の無機充填材を１種類または２種類以上で併用してもよい。
【００９４】
無機充填材（Ｂ）はシリカ粒子が好ましく、平均粒子径５．０μｍ以下のシリカ粒子が好ましく、平均粒子径０．１μｍ以上４．０μｍ以下のシリカ粒子がより好ましく、０．２μｍ以上２．０μｍ以下のシリカ粒子が特に好ましい。これにより、無機充填材（Ｂ）の充填性をさらに向上させることができる。
【００９５】
無機充填材（Ｂ）の含有量は、とくに限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、５０．０質量％以上９０．０質量％以下が好ましく、５５．０質量％以上８０．０質量％以下がより好ましい。無機充填材（Ｂ）の含有量が上記範囲内であると、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０をとくに低熱膨張、低吸水とすることができる。
【００９６】
無機充填材（Ｂ）はシリカナノ粒子をさらに含むことが好ましい。
シリカナノ粒子の平均粒子径は、含浸性の点から、１ｎｍ以上１００ｎｍ未満が好ましく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満がより好ましく、１０ｎｍ以上７０ｎｍ以下が特に好ましい。シリカナノ粒子の平均粒子径が上記下限値以上であると、表面処理ガラス繊維織布の繊維間をより広げることができる。またシリカナノ粒子の平均粒子径が上記上限値未満または以下であると、表面処理ガラス繊維織布の繊維間にシリカナノ粒子が十分に入り込むことができる。
特に、平均粒子径０．１μｍ以上５．０μｍ以下のシリカ粒子と組み合わせて用いるのが好ましい。これにより、シリカをエポキシ樹脂組成物（Ｐ）に高濃度で均一に含有させることができる。
なお、上記シリカナノ粒子の平均粒子径は、例えば、動的光散乱法により測定することができる。粒子を水中で超音波により分散させ動的光散乱法式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＢ−５５０）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とする。
【００９７】
また、上記シリカナノ粒子の含有量は、無機充填材（Ｂ）１００質量％に対し、１．０質量％以上２０．０質量％以下が好ましく、３．０質量％以上１８．０質量％以下がより好ましい。
上記シリカナノ粒子の含有量が上記範囲内であると、多量の無機充填材（Ｂ）を含有するエポキシ樹脂組成物（Ａ）を高密度の表面処理ガラス繊維織布に含浸させて得られるプリプレグ１００であっても、エポキシ樹脂組成物（Ａ）の表面処理ガラス繊維織布への含浸性が良好となる。これは、上記シリカナノ粒子が表面処理ガラス繊維織布の繊維間、すなわちストランド内に入り込んで繊維間を広げるため、上記シリカナノ粒子以外の無機充填材（Ｂ）も繊維織布に入り込むことができるようになるからであると考えられる。このように、上記シリカナノ粒子を無機充填材（Ｂ）として使用することで、ストランド中にシリカ粒子を有するプリプレグ１００を得ることができる。
【００９８】
上記シリカ粒子の製造方法は、特に限定されないが、例えば、ＶＭＣ（Vaporized Metal Combustion）法、ＰＶＳ（Physical Vapor Synthesis）法等の燃焼法、破砕シリカを火炎溶融する溶融法、沈降法、ゲル法等が挙げられ、これらの中でもＶＭＣ法が特に好ましい。
上記ＶＭＣ法とは、酸素含有ガス中で形成させた化学炎中にシリコン粉末を投入し、燃焼させた後、冷却することで、シリカ粒子を形成させる方法である。上記ＶＭＣ法では、投入するシリコン粉末の粒子径、投入量、火炎温度等を調整することにより、得られるシリカ粒子の粒子径を調整できるため、粒子径の異なるシリカ粒子を製造することができる。
上記シリカナノ粒子としては、ＮＳＳ−５Ｎ（トクヤマ社製）、Ｓｉｃａｓｔａｒ４３−００−５０１（Ｍｉｃｒｏｍｏｄ社製）等の市販品を用いることもできる。
【００９９】
このほか、必要に応じて、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）には硬化剤、カップリング剤を適宜配合することができる。
【０１００】
硬化剤としては、例えば、ベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）などのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸などの触媒型の硬化剤が挙げられる。
また、例えば、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｏ−キシレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、１，５−ジアミノナフタレン、４，４'−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジアニリン、２，２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジメチルジフェニルメタン、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジエチル−５，５'−ジメチルジフェニルメタン、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタンなどの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などの重付加型の硬化剤；２，２'−メチレンビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４'−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４'−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオンなどのフェノール系化合物も用いることができる。
【０１０１】
さらに、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂系硬化剤；メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などの縮合型の硬化剤も用いてもよい。
フェノール樹脂系硬化剤は、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂などの多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂などの変性フェノール樹脂；フェニレン骨格および／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂などのアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのビスフェノール化合物などが挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。これらのうち、硬化性の点から水酸基当量は９０ｇ／ｅｑ以上、２５０ｇ／ｅｑ以下のものが好ましい。
フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量４×１０２〜１．８×１０３が好ましく、５×１０２〜１．５×１０３がより好ましい。重量平均分子量を上記下限値以上とすることでプリプレグにタック性が生じるなどの問題がおこりにくくなり、上記上限値以下とすることで、プリプレグ１００の作製時、表面処理ガラス繊維織布への含浸性が向上し、より均一な製品が得ることができる。
【０１０２】
エポキシ樹脂組成物（Ｐ）において、上記硬化剤の含有量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上１５．０質量％以下が好ましく、０．１質量％以上１０．０質量％以下がより好ましい。硬化剤の含有量が上記下限値以上であると、硬化を促進する効果を十分に発揮することができる。硬化剤の含有量が上記上限値以下であるとプリプレグ１００の保存性をより向上できる。
【０１０３】
さらに、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤の使用により、表面処理ガラス繊維織布または無機充填材（Ｂ）と各樹脂との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の耐熱性を改良することができる。
【０１０４】
カップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤などが挙げられる。カップリング剤は１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。
これにより、表面処理ガラス繊維織布または無機充填材（Ｂ）と各樹脂との界面の濡れ性を高くすることができ、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の耐熱性をより向上させることができる。
【０１０５】
カップリング剤の添加量は、無機充填材（Ｂ）の比表面積に依存するので特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上０．５質量％以下がより好ましい。
カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材（Ｂ）を十分に被覆することができ、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の耐熱性を向上させることができる。また、カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、得られるプリプレグ１００の硬化物や樹脂基板１５０の曲げ強度などの低下を抑制することができる。
【０１０６】
さらに、エポキシ樹脂組成物（Ｐ）には、本発明の目的を損なわない範囲で、硬化促進剤、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。
【０１０７】
顔料としては、カオリン、合成酸化鉄赤、カドミウム黄、ニッケルチタン黄、ストロンチウム黄、含水酸化クロム、酸化クロム、アルミ酸コバルト、合成ウルトラマリン青などの無機顔料、フタロシアニンなどの多環顔料、アゾ顔料などが挙げられる。
【０１０８】
染料としては、イソインドリノン、イソインドリン、キノフタロン、キサンテン、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン、アントラキノン、インジゴイド、オキサジン、キナクリドン、ベンツイミダゾロン、ビオランスロン、フタロシアニン、アゾメチンなどが挙げられる。
【０１０９】
エポキシ樹脂組成物（Ｐ）は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、Ｎ−メチルピロリドンなどの有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニス（Ｉ）とすることができる。
樹脂ワニス（Ｉ）の固形分は、特に限定されないが、４０質量％以上８０質量％以下が好ましく、特に５０質量％以上７０質量％以下が好ましい。これにより、樹脂ワニス（Ｉ）の表面処理ガラス繊維織布への含浸性をさらに向上させることができる。
【０１１０】
以上のエポキシ樹脂組成物（Ｐ）において、各成分の割合は、例えば、以下のようである。
エポキシ樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、好ましくは、エポキシ樹脂（Ａ）の割合が７．０質量％以上３０．０質量％以下であり、ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）から選択される一種または二種以上の割合が１．０質量％以上２５．０質量％以下であり、無機充填材（Ｂ）の割合が５０．０質量％以上９０．０質量％以下である。
より好ましくは、エポキシ樹脂（Ａ）の割合が８．０質量％以上２８．０質量％以下であり、ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）から選択される一種または二種以上の割合が３．０質量％以上２０．０質量％以下であり、無機充填材（Ｂ）の割合が５５．０質量％以上８０．０質量％以下である。
【０１１１】
次いで、本実施形態に用いられる表面処理ガラス繊維織布について説明する。
表面処理ガラス繊維織布を構成するガラス繊維織布の厚みは、特に限定されないが、好ましくは５μｍ以上１５０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上１４０μｍ以下であり、さらに好ましくは１２μｍ以上１３０μｍ以下である。このような厚みを有するガラス繊維織布を用いることにより、プリプレグ１００の製造時のハンドリング性をさらに向上できる。
また、ガラス繊維織布の厚みが上記上限値以下であると、ガラス繊維織布へのカップリング剤の含浸性が良好となり、より一層効率よく、輝度比（Ｘ１／Ｘ２）が上記範囲内である表面処理ガラス繊維織布を得ることができる。
さらに、ガラス繊維織布の厚みが上記上限値以下であると、表面処理ガラス繊維織布へのエポキシ樹脂組成物（Ｐ）の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の発生をより抑制することができる。また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマなどのレーザーによるスルーホールの形成を容易にすることができる。また、ガラス繊維織布の厚みが上記下限値以上であると、表面処理ガラス繊維織布、得られるプリプレグ１００の硬化物、樹脂基板１５０等の機械的強度を向上できる。その結果、ハンドリング性を向上できたり、プリプレグ１００の作製が容易となったり、得られるプリント配線基板の反りを抑制できたりする。
【０１１２】
また、ガラス繊維織布の使用枚数は、一枚に限らず、薄いガラス繊維織布を複数枚重ねて使用することも可能である。なお、ガラス繊維織布を複数枚重ねて使用する場合は、その合計の厚みが上記の範囲を満たせばよい。
【０１１３】
本実施形態で用いるガラス繊維織布としては、坪量（１ｍ２あたりの繊維基材の重量）が４ｇ／ｍ２以上２００ｇ／ｍ２以下であることが好ましく、８ｇ／ｍ２以上１８０ｇ／ｍ２以下であることがより好ましく、１２ｇ／ｍ２以上１６０ｇ／ｍ２以下であることがさらに好ましい。
【０１１４】
ガラス繊維織布の坪量が上記上限値以下であると、ガラス繊維織布へのカップリング剤の含浸性が良好となり、より一層効率よく、輝度比（Ｘ１／Ｘ２）が上記範囲内である表面処理ガラス繊維織布を得ることができる。
また、坪量が上記上限値以下であると、ガラス繊維織布へのエポキシ樹脂組成物（Ｐ）の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の発生をより抑制することができる。また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマなどのレーザーによるスルーホールの形成を容易にすることができる。また、坪量が上記下限値以上であると、表面処理ガラス繊維織布、得られるプリプレグ１００の硬化物、樹脂基板１５０等の機械的強度を向上できる。その結果、ハンドリング性を向上できたり、プリプレグ１００の作製が容易となったり、得られるプリント配線基板の反りを抑制できたりする。
【０１１５】
本実施形態で用いるガラス繊維織布のかさ密度は、０．５ｇ／ｃｍ３以上１．５ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましく、特に０．８ｇ／ｃｍ３以上１．３ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。
ガラス繊維織布のかさ密度が上記下限値以上であると、絶縁層のレーザー加工性により優れる。
ガラス繊維織布のかさ密度が上記上限値以下であると、ガラス繊維織布へのカップリング剤の含浸性が良好となり、より一層効率よく、輝度比（Ｘ１／Ｘ２）が上記範囲内である表面処理ガラス繊維織布を得ることができる。
また、ガラス繊維織布のかさ密度が上記上限値以下であると、ガラス繊維織布に対するエポキシ樹脂組成物（Ｐ）の含浸性が向上する。なお、ガラス繊維織布のかさ密度の調整は、例えば、経糸と横糸の打込み本数と、開繊・扁平処理した繊維の厚みを調整することによって行うことができる。
【０１１６】
本実施形態で用いるガラス繊維織布は、特に限定されないが、通気度が１ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ以上１００ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ以下であることが好ましく、３ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ以上８０ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ以下であることが特に好ましい。通気度が上記下限値以上であると、ガラス繊維織布へのカップリング剤の含浸性が良好となり、より一層効率よく、輝度比（Ｘ１／Ｘ２）が上記範囲内である表面処理ガラス繊維織布を得ることができる。通気度が上記下限値以上であると、ガラス繊維織布に対するエポキシ樹脂組成物（Ｐ）の含浸性が向上する。通気度は、ＪＩＳ  Ｒ３４２０に従って測定できる。
通気度が上記上限値以下であると絶縁層のレーザー加工性により優れる。
【０１１７】
また、上記ガラス繊維織布は複数のフィブリル状ガラス繊維から構成されるストランドからなるものが好ましい。これにより、ガラス繊維織布が剛直となり、プリプレグ１００の剛性、寸法安定性を向上させることができる。このとき、フィブリル状ガラス繊維として用いるガラス繊維は円柱状のものが好ましく、そのガラス繊維の平均径は１μｍ以上１２μｍ以下が好ましく、４μｍ以上９μｍ以下が特に好ましい。上記範囲内であることで、ガラス繊維織布の剛直性を向上させることができる。
【０１１８】
表面処理ガラス繊維織布を構成するガラス繊維織布として、例えば、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、ＵＴガラス、Ｌガラス、ＨＰガラスおよび石英ガラスなどからなるガラス繊維を用いてなるものが好適に用いられる。
【０１１９】
上記ガラス繊維は、特に限定されないが、ＪＩＳ  Ｒ３１０２に準拠して測定される経糸方向の熱膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、特に３ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。これによりプリント配線基板の熱膨張による反りを小さくすることができる。
【０１２０】
また、上記ガラス繊維織布の織り構造は、特に限定されないが、例えば、平織り、ななこ織り、朱子織り、綾織り等の織り構造等が挙げられ、中でもレーザー加工性、強度、ビア孔の層間絶縁信頼性に優れる点から、平織り構造が好ましい。
【０１２１】
次いで、表面処理ガラス繊維織布の作製方法について説明する。
本実施形態における表面処理ガラス繊維織布は、上記ガラス繊維織布にカップリング剤を含む処理液を含浸させることにより作製することができる。
【０１２２】
上記カップリング剤を含む処理液中のカップリング剤の含有量は、好ましくは２．２質量％以上１０．０質量％以下、より好ましくは３．０質量％以上５．０質量％以下である。
また、ガラス繊維織布へのカップリング剤の含浸性を向上させる観点から、上記ガラス繊維織布にカップリング剤を含む処理液を含浸させる時間は好ましくは０．０１分間以上１０分間以下であり、含浸させる温度は好ましくは１０℃以上４０℃以下であり、上記カップリング剤を含む処理液のｐＨは好ましくは４以上１０以下である。
このような処理条件であると、カップリング剤により処理されたシート状の表面処理ガラス繊維織布の輝度比（Ｘ１／Ｘ２）および上記表面処理ガラス繊維織布中の上記カップリング剤の付着量が上記範囲内である表面処理ガラス繊維織布をより一層効率よく得ることができる。
【０１２３】
上記カップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、スチリルシラン、メタクリロキシシラン、アクリロキシシラン、メルカプトシラン、Ｎ−ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エチルアミノイソブチルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−アリルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、（シクロヘキシルアミノメチル）トリエトキシシラン、Ｎ−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エチルアミノイソブチルメトキシルジエトキシシラン、（フェニルアミノメチル）メチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノメチルトリエトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルシラン、イソシアネートシラン、スルフィドシラン、クロロプロピルシラン、ウレイドシラン、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、オクタメチルトリシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン化合物、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルメトキシシラン等から選択される一種または二種以上が挙げられる。
これらの中でもγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エチルアミノイソブチルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−アリルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、（シクロヘキシルアミノメチル）トリエトキシシラン、Ｎ−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エチルアミノイソブチルメトキシルジエトキシシラン、（フェニルアミノメチル）メチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノメチルトリエトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルメトキシシラン等から選択される一種または二種以上が好ましい。
【０１２４】
上記処理液の溶媒としては、水、有機溶媒の何れも使用できるが、カップリング剤とガラス繊維織布との反応性を向上させる観点から、水が好ましい。
【０１２５】
次に、本実施形態に係るプリント配線基板３００について説明する。図５および図６は、本実施形態におけるプリント配線基板３００の構成の一例を示す断面図である。
【０１２６】
プリント配線基板３００は、ビアホール３０７が設けられた絶縁層３０１と、絶縁層３０１の少なくとも一方の面に設けられた金属層３０３とを少なくとも有する。なお、本実施形態において、ビアホール３０７とは層間を電気的に接続するための孔であり、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。
【０１２７】
本実施形態に係るプリント配線基板３００は、図５に示すように、片面プリント配線基板であってもよいし、両面プリント配線基板または多層プリント配線基板であってもよい。両面プリント配線基板とは、絶縁層３０１の両面に金属層３０３を積層したプリント配線基板である。また、多層プリント配線基板とは、メッキスルーホール法やビルドアップ法などにより、絶縁層３０１上に、層間絶縁層（ビルドアップ層とも呼ぶ。）を介して金属層３０３を２層以上積層したプリント配線基板である。
ここで、本実施形態に係るプリント配線基板３００において、絶縁層３０１が本実施形態に係る樹脂基板１５０または金属張積層板２００の絶縁層３０１に相当する。
【０１２８】
金属層３０３は、例えば、回路層であり、無電解金属めっき膜３０８と、電解金属めっき層３０９とを有する。
【０１２９】
プリント配線基板３００が、図６に示すような多層プリント配線基板の場合は、金属層３０３は、コア層３１１またはビルドアップ層３１７中の回路層である。
【０１３０】
金属層３０３は、例えば、薬液処理またはプラズマ処理された絶縁層３０１の面上に、ＳＡＰ（セミアディティブプロセス）法により形成される。絶縁層３０１上に無電解めっき膜３０８を施した後、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより電解金属めっき層３０９付けを行い、めっきレジストの除去とフラッシュエッチングによる無電解金属めっき膜３０８の除去により、絶縁層３０１上に金属層３０３を形成する。
【０１３１】
金属層３０３の回路寸法は、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）で表わすとき、２５μｍ／２５μｍ以下とすることができ、特に１５μｍ／１５μｍ以下とすることができる。回路寸法を小さくし、微細配線にすると配線間の絶縁信頼性が低下する。しかし、本実施形態に係るプリント配線基板３００は、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）１５μｍ／１５μｍ以下の微細配線が可能であり、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）１０μｍ／１０μｍ程度までの微細化を達成できる。
【０１３２】
金属層３０３の厚みは、特に限定されないが、通常は５μｍ以上２５μｍ以下である。
【０１３３】
ビルドアップ層３１７中の絶縁層３０５は、絶縁性の材料により構成されていれば特に限定されないが、例えば、樹脂フィルム、プリプレグのいずれかにより構成することができる。これらの中でも、プリプレグはシート状材料であり、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性などの各種特性に優れ、プリント配線基板用のビルドアップ層３１７の製造に適しており好ましい。
プリプレグとしては、前述したプリプレグ１００が特に好ましい。
【０１３４】
コア層３１１中の絶縁層３０１（ビルドアップ層３１７を含まないプリント配線基板３００中の絶縁層３０１も含む。）の厚さは、好ましくは０．０２５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。絶縁層３０１の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層３０１を得ることができる。
【０１３５】
ビルドアップ層３１７中の絶縁層３０５の厚さは、好ましくは０．０１５ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下である。絶縁層３０５の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスが特に優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層３０５を得ることができる。
【０１３６】
つづいて、プリント配線基板３００の製造方法の一例について説明する。ただし、本実施形態に係るプリント配線基板３００の製造方法は、以下の例に限定されない。
【０１３７】
はじめに、金属張積層板２００を準備する。
次いで、エッチング処理により、金属箔１０５を除去する。
【０１３８】
次いで、絶縁層３０１にビアホール３０７を形成する。ビアホール３０７は、例えば、ドリル機やレーザー照射を用いて形成することができる。レーザー照射に用いるレーザーは、エキシマレーザー、ＵＶレーザー、炭酸ガスレーザーなどが挙げられる。ビアホール３０７を形成後の樹脂残渣などは、過マンガン酸塩、重クロム酸塩などの酸化剤などにより除去してもよい。
なお、エッチング処理による金属箔１０５の除去前に、絶縁層３０１にビアホール３０７を形成してもよい。
【０１３９】
次いで、絶縁層３０１の表面に対して、薬液処理またはプラズマ処理を行う。
薬液処理としては、特に限定されず、有機物分解作用を有する酸化剤溶液などを使用する方法などが挙げられる。また、プラズマ処理としては、対象物となるものに直接酸化作用の強い活性種（プラズマ、ラジカルなど）を照射して有機物残渣を除去する方法などが挙げられる。
【０１４０】
次に、金属層３０３を形成する。金属層３０３は、例えば、セミアディティブプロセスにより形成することができる。以下、具体的に説明する。
【０１４１】
はじめに、無電解めっき法を用いて、絶縁層３０１の表面およびビアホール３０７に無電解金属めっき膜３０８を形成し、プリント配線基板３００の両面の導通を図る。またビアホール３０７は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。無電解めっき法の例を説明する。例えば、まず絶縁層３０１の表面上に触媒核を付与する。この触媒核としては、特に限定されないが、例えば、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができる。引き続き、この触媒核を核として、無電解めっき処理により無電解金属めっき膜３０８を形成する。無電解めっき処理には、例えば、硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウムなどを含むものを用いることができる。なお、無電解めっき後に、１００〜２５０℃の加熱処理を施し、めっき被膜を安定化させることが好ましい。１２０〜１８０℃の加熱処理が酸化を抑制できる被膜を形成できる点で、特に好ましい。また、無電解金属めっき膜３０８の平均厚さは、例えば、０．１〜２μｍ程度である。
【０１４２】
次いで、無電解金属めっき膜３０８上に所定の開口パターンを有するめっきレジストを形成する。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。めっきレジストとしては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、めっきレジストとしては、感光性ドライフィルムなどを用いることが好ましい。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、無電解金属めっき膜３０８上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、めっきレジストを形成する。
【０１４３】
次いで、少なくともめっきレジストの開口パターン内部かつ無電解金属めっき膜３０８上に、電気めっき処理により、電解金属めっき層３０９を形成する。電気めっき処理としては、特に限定されないが、通常のプリント配線基板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅などのめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流すなどの方法を使用することができる。電解金属めっき層３０９は単層でもよく多層構造を有していてもよい。電解金属めっき層３０９の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか１種以上を用いることができる。
【０１４４】
次いで、アルカリ性剥離液や硫酸または市販のレジスト剥離液などを用いてめっきレジストを除去する。
【０１４５】
次いで、電解金属めっき層３０９が形成されている領域以外の無電解金属めっき膜３０８を除去する。例えば、ソフトエッチング（フラッシュエッチング）などを用いることにより、無電解金属めっき膜３０８を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、例えば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、金属層３０３を形成することができる。金属層３０３は無電解金属めっき膜３０８および電解金属めっき層３０９で構成されることになる。
【０１４６】
さらに、プリント配線基板３００上に、必要に応じてビルドアップ層３１７を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返すことにより、多層にすることができる。
【０１４７】
以上により、本実施形態のプリント配線基板３００が得られる。
【０１４８】
つづいて、本実施形態に係る半導体装置４００について説明する。図７および図８は、本実施形態における半導体装置４００の構成の一例を示す断面図である。プリント配線基板３００は、図７および図８に示すような半導体装置４００に用いることができる。半導体装置４００の製造方法としては、特に限定されないが、例えば以下のような方法がある。
【０１４９】
まず、金属層３０３（回路層）上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返す。そして、必要に応じてソルダーレジスト層４０１をプリント配線基板３００の両面または片面に積層する。
【０１５０】
ソルダーレジスト層４０１の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像することにより形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。
【０１５１】
つづいて、リフロー処理を行なうことによって、半導体素子４０７を回路層の一部である接続端子上に半田バンプ４１０を介して固着させる。その後、半導体素子４０７、半田バンプ４１０などを封止材４１３で封止することによって、図７および図８に示す様な半導体装置４００が得られる。
【０１５２】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、本実施形態では、プリプレグ１００が１層の場合を示したが、プリプレグ１００を２層以上積層したものを用いて絶縁層を作製してもよい。
また、上記実施形態では、半導体素子４０７と、プリント配線基板３００の回路層とを半田バンプ４１０で接続したが、これに限られるものではない。例えば、半導体素子４０７とプリント配線基板３００の回路層とをボンディングワイヤで接続してもよい。
【実施例】
【０１５３】
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例では、部は特に特定しない限り質量部を表す。また、それぞれの厚みは平均膜厚で表わされている。
【０１５４】
実施例および比較例では、以下の原料を用いた。
エポキシ樹脂Ａ：アラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ３０００Ｈ）
エポキシ樹脂Ｂ：ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ６０００）
【０１５５】
シアネート樹脂Ａ：ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセットＰＴ−３０）
シアネート樹脂Ｂ：ナフトールアラルキル型シアネート樹脂（特開２００９−３５７２８号公報の段落００２６の合成例１に記載の方法で合成）
【０１５６】
ビスマレイミド化合物Ｂ：ポリフェニルメタンマレイミド（大和化成工業社製、ＢＭＩ−２３００）
【０１５７】
フェノキシ樹脂：ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ−６９００ＢＨ４５）
【０１５８】
充填材Ｂ：球状シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−３１Ｒ、平均粒径１．０μｍ）
充填材Ｃ：球状シリカ（電気化学工業社製、ＳＦＰ−１３０ＭＣ、平均粒径０．７μｍ）
充填材Ｄ：ナノシリカ（アドマテックス社製、アドマナノ、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ）表面処理品、平均粒径６５ｎｍ）
【０１５９】
カップリング剤Ａ：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）
硬化促進剤Ａ：オニウム塩化合物のリン系触媒（住友ベークライト社製、Ｃ０５−ＭＢ）
【０１６０】
表面処理ガラス繊維織布Ａ：ガラス織布（日東紡績社製Ｔガラス織布、ＷＴＸ１０３５−Ｘ１３３、ＩＰＣ規格１０３５、経糸方向の線膨張係数：２．８ｐｐｍ／℃、厚み：３０μｍ、坪量：３０ｇ／ｍ２、ガラス繊維の平均径：５μｍ、かさ密度：１．０ｇ／ｃｍ３、通気度：４０ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ）を、１．５質量％のＮ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルメトキシシラン水溶液（ｐＨ６）に、３０℃、０．１分間浸し、ガラス織布にＮ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルメトキシシランを付着させた後、乾燥炉中１１０℃で２分間乾燥させて作製した。
【０１６１】
表面処理ガラス繊維織布Ｂ：表面処理ガラス繊維織布Ａの製造時におけるＮ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルメトキシシラン水溶液の濃度を１．５倍にして作製した。
【０１６２】
表面処理ガラス繊維織布Ｃ：表面処理ガラス繊維織布Ａの製造時におけるＮ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルメトキシシラン水溶液の濃度を２倍にして作製した。
【０１６３】
表面処理ガラス繊維織布Ｄ：表面処理ガラス繊維織布Ａの製造時におけるＮ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルメトキシシラン水溶液の濃度を３倍にして作製した。
【０１６４】
表面処理ガラス繊維織布Ｅ：ガラス織布（日東紡績社製Ｔガラス織布、ＷＴＸ−１１６Ｅ−Ｘ１３３、ＩＰＣ規格２１１６、経糸方向の線膨張係数：２．８ｐｐｍ／℃、厚み：８９μｍ、坪量：１０４ｇ／ｍ２、ガラス繊維の平均径：７μｍ、かさ密度：１．２ｇ／ｃｍ３、通気度：７ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ）に変えた以外は表面処理ガラス繊維織布Ａと同様にして作製した。
【０１６５】
表面処理ガラス繊維織布Ｆ：ガラス織布（日東紡績社製Ｔガラス織布、ＷＴＸ−１１６Ｅ−Ｘ１３７、ＩＰＣ規格２１１６、経糸方向の線膨張係数：２．８ｐｐｍ／℃、厚み：８９μｍ、坪量：１０４ｇ／ｍ２、ガラス繊維の平均径：７μｍ、かさ密度：１．２ｇ／ｃｍ３、通気度：７ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ）に変えた以外は表面処理ガラス繊維織布Ｃと同様にして作製した。
【０１６６】
表面処理ガラス繊維織布Ｇ：ガラス織布（日東紡績社製Ｔガラス織布、ＷＴＸ１３０２−Ｘ１３３、ＩＰＣ規格なし、経糸方向の線膨張係数：２．８ｐｐｍ／℃、厚み：１２８μｍ、坪量：１５４ｇ／ｍ２、ガラス繊維の平均径：７μｍ、かさ密度：１．２ｇ／ｃｍ３、通気度：３ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ）に変えた以外は表面処理ガラス繊維織布Ａと同様にして作製した。
【０１６７】
表面処理ガラス繊維織布Ｈ：ガラス織布（日東紡績社製Ｔガラス織布、ＷＴＸ１３０２−Ｘ１３７、ＩＰＣ規格なし、経糸方向の線膨張係数：２．８ｐｐｍ／℃、厚み：１２８μｍ、坪量：１５４ｇ／ｍ２、ガラス繊維の平均径：７μｍ、かさ密度：１．２ｇ／ｃｍ３、通気度：３ｃｃ／ｃｍ２／ｓｅｃ）に変えた以外は表面処理ガラス繊維織布Ｃと同様にして作製した。
【０１６８】
（実施例・比較例）
以下の手順を用いて、本実施形態における樹脂基板を作製した。
まず、プリプレグの製造について説明する。使用した樹脂ワニスの組成を表１（固形物質量％）に示し、得られたプリプレグ１〜１１の厚み等を表２に示す。なお、表２、３に記載のＰ１〜Ｐ１１とはプリプレグ１〜プリプレグ１１を意味する。
【０１６９】
[１]プリプレグ１
１．樹脂材料のワニス１の調製
エポキシ樹脂Ａとしてアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ３０００Ｈ）２３質量部、シアネート樹脂Ａとしてノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセットＰＴ−３０）１１質量部、フェノキシ樹脂としてビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ−６９００ＢＨ４５）２質量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、充填材Ｂとして球状シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−３１Ｒ、平均粒径１．０μｍ）５８．０質量部と充填材Ｄとしてナノシリカ（アドマテックス社製、アドマナノ、ＫＢＭ４０３Ｅ表面処理品、平均粒径６５ｎｍ）５．０質量部、カップリング剤Ａとしてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．５質量部、硬化促進剤としてオニウム塩化合物のリン系触媒（住友ベークライト社製、Ｃ０５−ＭＢ）０．５質量部を添加して、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌して、不揮発分７０質量％となるように調整し、樹脂材料のワニス１（樹脂ワニス１）を調製した。
【０１７０】
２．プリプレグの製造
（プリプレグ１）
表面処理ガラス繊維織布Ｄに樹脂ワニス１を塗布装置で含浸させ、１８０℃の加熱炉で２分間乾燥して、厚み５０μｍのプリプレグ１（Ｐ１）を得た。
【０１７１】
（プリプレグ３〜１１）
プリプレグ３〜１１は、樹脂ワニスの種類、表面処理ガラス繊維織布の種類を表１および２のように変えた以外は、プリプレグ１と同様にして製造した。
【０１７２】
（実施例１）
１．樹脂基板の製造
プリプレグ１を２枚重ね、両面に極薄銅箔（三井金属鉱業社製、マイクロシンＥｘ、１．５μｍ）を重ね合わせ、圧力４ＭＰａ、温度２２０℃で１２０分間加熱加圧成形することにより、樹脂基板を得た。得られた金属箔付き樹脂基板のコア層（樹脂基板からなる部分）の厚みは、０．１ｍｍであった。
【０１７３】
２．プリント配線基板の製造
前項で得られた金属箔付き樹脂基板の表面の電解銅箔層に黒化処理を施した後、炭酸ガスレーザーで、層間接続用のφ８０μｍのスルーホールを形成した。次いで、７０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製、スウェリングディップ  セキュリガント  Ｐ）に５分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン社製、コンセントレート  コンパクト  ＣＰ）に５分間浸漬後、中和してスルーホール内のデスミア処理を行った。次に、フラッシュエッチングにより電解銅箔層表面を１μｍ程度エッチングした後、無電解銅メッキを厚さ０．５μｍで行い、電解銅メッキ用レジスト層を厚さ１８μｍ形成し、パターン銅メッキし、温度２００℃時間６０分加熱してポストキュアした。次いでメッキレジストを剥離し全面をフラッシュエッチングして、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍのパターンを形成した。
【０１７４】
（実施例２〜６および比較例１〜４）
表３および４に記載の樹脂基板の構成とした以外は、実施例１と同様に樹脂基板、プリント配線板を作製した。
【０１７５】
また、各実施例および比較例により得られた樹脂基板について、次の各評価を行った。評価結果を表３および４に示す。
【０１７６】
（１）ガラス転移温度
ガラス転移温度の測定は、動的粘弾性測定（ＤＭＡ）でおこなった。
得られた樹脂基板から８ｍｍ×４０ｍｍのテストピースを切り出し、エッチング液（第二塩化鉄溶液、３５℃）で銅箔を除去した。次いで、ＴＡインスツルメント製ＤＭＡ２９８０を用いて昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚで測定をおこなった。なお、ガラス転移温度は、周波数１Ｈｚにおいてｔａｎδが最大値を示す温度とした。
【０１７７】
（２）貯蔵弾性率Ｅ'
貯蔵弾性率Ｅ'の測定は、動的粘弾性測定（ＤＭＡ）でおこなった。
得られた樹脂基板から８ｍｍ×４０ｍｍのテストピースを切り出し、エッチング液（第二塩化鉄溶液、３５℃）で銅箔を除去した。次いで、ＴＡインスツルメント製ＤＭＡ２９８０を用いて昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚで、２５℃での貯蔵弾性率測定をおこなった。
【０１７８】
（３）線膨張係数
得られた樹脂基板から４ｍｍ×１５ｍｍのテストピースを切り出し、エッチング液（第二塩化鉄溶液、３５℃）で銅箔を除去した。次いで、熱機械分析装置ＴＭＡ（ＴＡインスツルメント社製、Ｑ４００）を用いて昇温速度１０℃／ｍｉｎ、荷重５ｇ、引っ張りモードの条件で、２５℃から１５０℃の範囲における平面方向（ＸＹ方向）の、線膨張係数の平均値を算出した。
【０１７９】
（４）ストランド中のシリカ粒子の有無
得られた樹脂基板の厚さ方向に直行する断面をＳＥＭ（倍率５００００倍）で観察し、表面処理ガラス繊維織布のストランド内部に充填材であるシリカ粒子の有無を評価した。
【０１８０】
（５）絶縁信頼性評価
プリント配線基板における、２つのスルーホール間の距離が１００μｍの微細回路パターン部を、絶縁樹脂シート（住友ベークライト社製、ＢＬＡ−３７００ＧＳ）により被覆（積層後温度２００℃で硬化）して試験サンプルを作製した。この試験サンプルについて、温度１３０℃、湿度８５％、印加電圧３．３Ｖの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値１０６Ω以下を故障とした。以下の基準で評価した。
◎：３００時間以上故障なし
○：２００〜３００時間未満で故障あり
△：１００〜２００時間未満で故障あり
×：１００時間未満で故障あり
【０１８１】
（６）ガラス織布表面と繊維束内部の輝度比
ガラス織布に付着している上記カップリング剤と反応する蛍光ラベル化剤（東京化成工業社製Ａ５５９３）により上記表面処理ガラス繊維織布を処理した。次いで、アセトンにより上記表面処理ガラス繊維織布を洗浄し、未反応の蛍光ラベル化剤を除去した。次いで、共焦点レーザー蛍光顕微鏡（倍率５０倍）により、表面処理ガラス繊維織布の断面を撮影した。得られた観察像から、上記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向の表面部における輝度（Ｘ１）と、上記表面処理ガラス繊維織布の膜厚方向におけるガラス繊維束の中心部における輝度（Ｘ２）としてＲＧＢ表色系におけるＧ要素の値を用い、輝度比Ｘ１／Ｘ２を算出した。  
【０１８２】
（７）表面処理ガラス繊維織布のカップリング剤付着量
ＪＩＳ  Ｒ３４２０における表面処理ガラス繊維織布の強熱減量を測定することにより、表面処理ガラス繊維織布のカップリング剤付着量を測定した。
【０１８３】
（８）ガラス繊維織布の通気度
ＪＩＳ  Ｒ３４２０におけるクロスの通気性を測定することにより、ガラス繊維織布の通気度を測定した。
【０１８４】
（９）ガラス繊維織布のかさ密度
ＪＩＳ  Ｒ３４２０におけるクロスの及びマットの質量と、ＪＩＳ  Ｒ３４２０におけるクロス及びマットの厚さを測定し、得られた単位面積当たりの質量からクロスの厚みを除算することで、ガラス繊維織布のかさ密度を算出した。
【０１８５】
【表１】
2016069401.tif 000014
【０１８６】
【表２】
2016069401.tif 000015
【０１８７】
【表３】
2016069401.tif 000016
【０１８８】
【表４】
2016069401.tif 000017
【符号の説明】
【０１８９】
５ａ      キャリア材料
５ｂ      キャリア材料
１１      表面処理ガラス繊維織布
１００    プリプレグ
１０１    繊維基材層
１０３    樹脂層
１０５    金属箔
１５０    樹脂基板
６０      真空ラミネート装置
６１      ラミネートロール
６２      熱風乾燥装置
２００    金属張積層板
３００    プリント配線基板
３０１    絶縁層
３０３    金属層
３０５    絶縁層
３０７    ビアホール
３０８    無電解金属めっき膜
３０９    電解金属めっき層
３１１    コア層
３１７    ビルドアップ層
４００    半導体装置
４０１    ソルダーレジスト層
４０７    半導体素子
４１０    半田バンプ
４１３    封止材
【図１】
2016069401.tif 000018
【図２】
2016069401.tif 000019
【図３】
2016069401.tif 000020
【図４】
2016069401.tif 000021
【図５】
2016069401.tif 000022
【図６】
2016069401.tif 000023
【図７】
2016069401.tif 000024
【図８】
2016069401.tif 000025