(57)【要約】【課題】電池搭載のＲＦＩＤにおいて追加部品最小で出荷前の電力消費を極めて小さくする。【解決手段】アンテナ１１等とＭＣＵ１６との間に、ＭＯＳＦＥＴ１３等を設ける。アンテナ１１等は、運用時にはＨＦ端末１、運用前（出荷前）には試験用ＨＦ端末３から無線出力される変調信号を受信するが、この受信信号のレベルは、試験用ＨＦ端末３の場合のみ、ＭＯＳＦＥＴ１３をＯＮ／ＯＦＦ動作させるレベルとなっている。よって、運用時にはＭＣＵ１６のＳ１端子のみに受信信号が入力されるが、出荷前の試験時やＩＤ設定時等にはＭＣＵ１６のＳ２端子に受信信号が入力される。そして、ＭＣＵ１６は、出荷前には、Ｓ２端子の入力信号に応じて起動、動作等するモードとなっている。【選択図】図１
2016071462.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末からの変調信号を受信するアンテナを含む無線通信部と、該無線通信部で受信した前記変調信号を第１入力端子から入力して復調する制御部を有し、電池を有するＲＦＩＤタグであって、
前記無線通信部と前記制御部との間に設けられ、前記無線通信部で受信する変調信号のレベルが所定レベル以上の場合に該変調信号に応じてオン／オフすることで第２入力端子に該変調信号を入力させる半導体スイッチ部を有し、
前記制御部は、前記第２入力端子を有すると共に、待機状態ではＣＰＵはオフ状態であるが時計はオン状態である第１モードと、待機状態ではＣＰＵも時計もオフ状態である第２モードとを有し、
前記制御部は、前記第２モードにおいて、前記待機状態のときに前記第２入力端子に前記変調信号が入力されることによって起動されて動作状態になり、該変調信号が示すコマンドに応じた処理を実行する出荷前制御手段を有することを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１モードにおいて、間欠的に動作状態となり、該動作状態のときに第１のサンプリング周期で前記第１入力端子に入力される信号をサンプリングすることで、前記変調信号が入力されているときには該変調信号を取得して前記復調を行う運用時制御手段を更に有し、
前記出荷前制御手段は、前記動作状態のときには、前記第１のサンプリング周期よりも長い第２のサンプリング周期で前記第２入力端子に入力される前記変調信号をサンプリングすることで、該変調信号が示すコマンドを取得することを特徴とする請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項３】
前記第１入力端子へ入力する信号を増幅する信号増幅手段を更に備え、
前記運用時制御手段は、前記間欠的な動作状態のときに、前記電池から該信号増幅手段に電力供給させて該信号増幅手段を動作可能とすることを特徴とする請求項１または２記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項４】
前記出荷前制御手段は、前記コマンドがモード変更コマンドであった場合、前記第２モードから前記第１モードへとモード変更することを特徴とする請求項１または２記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項５】
前記出荷前制御手段は、前記コマンドがＩＤ設定コマンドであった場合、該コマンドと共に受信した任意のＩＤを自己のＩＤとして記憶することを特徴とする請求項１または２記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項６】
前記出荷前制御手段は、前記コマンドが任意の試験用コマンドであった場合、該コマンドに応じた試験動作を行うことを特徴とする請求項１または２記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項７】
前記出荷前制御手段が取得するコマンドは、ISO15693のコマンド体系とは異なる独自コマンド体系のコマンドであることを特徴とする請求項１記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項８】
前記制御部の前記運用時制御手段は、前記第１モードにおいて動作状態のときには、ISO15693に準じる前記第１のサンプリング周期で、前記第１入力端子から入力される変調信号をサンプリングすることで、ISO15693のコマンド体系のコマンドを取得する通常制御手段を有することを特徴とする請求項２記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項９】
ＨＦ周波数帯に対応する前記無線通信部とは別に、ＨＦ周波数帯よりも高い周波数帯に対応する第２の無線通信部を備え、
該無線通信部は受信用とし、データ送信は該第２の無線通信部により行うことを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第２モードのときには前記半導体スイッチ部に電源供給し、前記第１モードに切り替わった後は該電源供給を停止することを特徴とする請求項４記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１１】
請求項１記載のＲＦＩＤタグの出荷前管理方法であって、
該ＲＦＩＤタグに対して、全ての試験用コマンドによる試験が完了後に、ＩＤ設定コマンドによるＩＤ設定が行われ、出荷直前にモード変更コマンドによるモード変更が行われることを特徴とするＲＦＩＤタグの出荷前管理方法。
【請求項１２】
端末からの変調信号を受信するアンテナを含む無線通信部と、該無線通信部で受信した前記変調信号を第１入力端子から入力して復調する制御部を有し、電池を有するＲＦＩＤタグに対して、出荷前の管理を行うためのシステムであって、
前記ＲＦＩＤタグは、
前記無線通信部と前記制御部との間に設けられ、前記無線通信部で受信する変調信号のレベルが所定レベル以上の場合に該変調信号に応じてオン／オフすることで前記第２入力端子に該変調信号を入力させる半導体スイッチ部を有し、
前記制御部は、待機状態ではＣＰＵはオフ状態であるが時計はオン状態である第１モードと、待機状態ではＣＰＵも時計もオフ状態である第２モードとを有し、
前記制御部は、前記第２モードにおいて、前記待機状態のときに前記第２入力端子に前記変調信号が入力されることによって起動されて動作状態になり、該変調信号が示すコマンドに応じた処理を実行する出荷前制御手段を有し、
前記端末として試験用端末を備え、
前記無線通信部で受信する該試験用端末からの変調信号のレベルは、前記所定レベル以上となることを特徴とするＲＦＩＤタグの出荷前管理システム。
【請求項１３】
前記試験用端末の前記変調信号の無線送信出力を、運用時に使用される通常の前記端末の前記変調信号の無線送信出力よりも大きくすること、または前記試験用端末と前記ＲＦＩＤタグとの距離を、前記運用時における前記通常の端末と前記ＲＦＩＤタグとの距離よりも短くすることによって、前記無線通信部で受信する前記試験用端末からの変調信号のレベルを前記所定レベル以上とすると共に、前記無線通信部で受信する前記通常の端末からの変調信号のレベルを前記所定レベル未満とすることを特徴とする請求項１２記載のＲＦＩＤタグの出荷前管理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触でデータのやり取りを行うＲＦＩＤシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、非接触でＲＦＩＤタグ（ＲＦＩＤトランスポンダ）と端末（ＲＦＩＤリーダ／ライタ等）との間でデータのやり取りを行うＲＦＩＤシステムが知られている。尚、ＲＦＩＤの端末（ＲＦＩＤリーダ／ライタ等）は、リーダ（受信専用）であってもよいし、ライタ（送信専用）であってもよいし、送受信できるものであってもよい。
【０００３】
ＲＦＩＤシステムで使用する周波数（キャリア周波数；搬送周波数）は、ＬＦ帯（Low Frequency；長波（30KHｚ〜300KHｚ）；特に135KHｚ帯）、ＨＦ帯（High Frequency；短波（3MHｚ〜30MHｚ）；特に13.56MHz帯）、ＵＨＦ帯（Ultra High Frequency；極超短波（300MHｚ〜3GHｚ）等、様々である。尚、基本的に、ＵＨＦ帯は他の周波数帯（例えば13.56MHzや135kHz）に比べて通信可能距離が長い。
【０００４】
ここでは13.56MHz（ＨＦ帯）の周波数を使用して非接触でデータのやり取りを行うＲＦＩＤシステムを例にして説明する。
尚、以下の説明では基本的に、ＲＦＩＤタグを単にＲＦＩＤと記すものとする。また、周波数はキャリア周波数を意味するものとする。また、ＲＦＩＤタグと非接触でデータのやり取りを行う端末（ＲＦＩＤリーダ／ライタ等）は、使用周波数に応じた表記を行うものとする（例えば、使用周波数がＨＦ帯（１３．５６ＭＨｚ）の端末は、ＨＦ端末等と呼ぶものとする。同様に、ＬＦ帯であれば、ＬＦ端末等と呼ぶ）。
【０００５】
また、よく知られているように、ＲＦＩＤタグの形状は、カード型、ラベル型、スティック型、コイン型、ハード加工形状（例えば、ガラス封入やシェル封入等）など、様々である。また、上記ＵＨＦ帯における使用周波数は、日本においては９５２ＭＨｚ〜９５４Ｈｚであるが、ＲＦＩＤのＵＨＦ帯における使用周波数は、国によって異なる。
【０００６】
また、非接触型ＩＣカードも、広義の意味ではＲＦＩＤに含まれるものである。現在の非接触型ＩＣカードは、よく知られているように、使用周波数が13.56MHzのものが主流となっている。また、狭義の意味でのＲＦＩＤに、非接触型ＩＣカードの技術が流用されている。例えば上記ＨＦ端末は、例えばＩＳＯ  １５６９３規格に従ってＲＦＩＤとの非接触近距離無線通信を行う。
【０００７】
13.56MHzのＲＦＩＤは、例えば所謂「パッシブタイプ」のＲＦＩＤであり、電子乗車券や、免許証、社員証、住民カードなどに利用されている。「パッシブタイプ」のＲＦＩＤは、自身が動作するための電源を、ＨＦ端末からの電磁誘導によって供給されている為、通信エリアが限定される。
【０００８】
逆にこの特性を利用してＲＦＩＤが付けられた物の場所を特定することに利用する試みが成されている。例えば物流において、荷物、パレット、コンテナ等にＲＦＩＤを付けることで、これらの荷物等がＨＦ端末を有するゲートを通り抜けたことを検知できる。これによって対象の荷物等がどこにあるかを追跡するシステムが実用化されている。
【０００９】
尚、よく知られているように、上記「パッシブタイプ」のＲＦＩＤ以外にも、電池を搭載している所謂「アクティブタイプ」のＲＦＩＤもある。更に両者が混在するハイブリッドタイプ（例えば後述する特許文献２に開示されている）も存在する。
【００１０】
また尚、上記のようにＲＦＩＤには非接触型ＩＣカードも含まれると考えても良いが、後述するように本手法は電池搭載のＲＦＩＤに関するものである。
尚、以下、パッシブタイプのＲＦＩＤを“パッシブタグ”、アクティブタイプのＲＦＩＤを“アクティブタグ”と呼ぶ場合もある。
【００１１】
近年、ＲＦＩＤを利用した様々なシステムが提案／構築されている。そのなかで、長い検知距離が必要なシステムとして、例えば、資産管理システム等が知られている。資産管理システムの場合には、周期的に電波を発生するＲＦＩＤを、パソコンや什器や測定器などの資産に取り付けて、資産の持ち出し管理、所在管理を行っている。また小学生などの児童の鞄等にＲＦＩＤを取り付けて、登下校の確認、定点通過の管理を行うことができる所謂「児童見守りシステム」等も知られている。
【００１２】
また、ＲＦＩＤを工事現場等の入退場管理システムに利用することも考えられている。この場合、例えば、各作業員等にＲＦＩＤを所持させて、工事現場の出入口付近に端末を設置して入退場をチェックすることになるが、作業員等が自動車等で工事現場に来る場合が少なくない。この場合、道路の渋滞緩和の必要性から自動車に乗ったままで（自動車そのものや、乗車している作業員を含めて）入退場検知・管理を行いたいなどの要望がある。この為、長い検知距離が必要となる。
【００１３】
ここで、図９に、従来の一般的な場所検知機能を実現するＲＦＩＤシステムの概略構成図を示す。
まず、ＲＦＩＤ１００が通過したことを検知したい場所（計測地点）に、ビーコン送信機１１０を設置する。このビーコン送信機１１０は、定周期で、光、電磁波あるいは超音波等の何等かのビーコンを発信する。
【００１４】
ＲＦＩＤ１００は、上記ビーコン送信機１１０が発信するビーコンを受信する為のセンサ／アンテナ１０１を有する。ＲＦＩＤ１００は、更に、ＭＣＵ（マイクロコントローラユニット）１０２、ＲＦ回路１０３、ＲＦアンテナ１０４等を有する。尚、ＲＦＩＤ１００がアクティブタグである場合には、図示していないが、ＭＣＵ１０２、ＲＦ回路１０３等に電力供給する為の電池も設けられている。この電池は、一次電池（小型のコイン電池等）である。
【００１５】
各ＲＦＩＤ１００は、それぞれ固有の識別番号（以下、タグＩＤと記す）を保持している。すなわち、上記ＭＣＵ１０２はメモリ内蔵であり、このメモリにユニークなタグＩＤが記憶されている。
【００１６】
ビーコン送信機１１０は、例えば当該ビーコン送信機１１０が設置された場所を示すデータ（以下、場所ＩＤと記す）等を、光、電磁誘導、電磁波あるいは超音波などを利用して、設置された場所周辺に周期的／ランダムあるいは連続的に放射する。
【００１７】
ＲＦＩＤ１００は、通過地点に設置されたビーコン送信機１１０から周期的／ランダムあるいは連続的に送信される上記光、電磁波あるいは超音波を、常時あるいは間欠的に受信できるように構成されている。
【００１８】
尚、上記センサ／アンテナ１０１が、上記光、電磁波あるいは超音波を受信する為の構成（光受信用センサ、超音波受信用センサ、あるいはアンテナ等）である。ＲＦＩＤ１００は、一定の規則に従ったビーコンを検出すると（上記場所ＩＤ等を受信すると）、別の通信手段を用いて、上記場所ＩＤやＲＦＩＤ１００自身のタグＩＤを送信する。別の通信手段とは、上記ＲＦ回路１０３とＲＦアンテナ１０４である。ＲＦ回路１０３とＲＦアンテナ１０４は、例えば一例としては、ＵＨＦ帯の電波を送信する通信手段である。
【００１９】
現状で実用化されているＲＦＩＤシステムの例としては、他にも例えば、超音波を使って人の動きを調査するためのＲＦＩＤシステムの例がある。あるいは125kHz程度の低周波（ＬＦ；長波）を使用する、場所検知の為のＲＦＩＤシステムの例なども実用化されている。
【００２０】
光を利用するＲＦＩＤシステムの例では、例えばリモコンなどに多用されている赤外線を用いて場所ＩＤ等を送信するビーコン送信機１１０（赤外線送信機１１０と呼ぶ）を設置する。一方、ＲＦＩＤ１００側には、そのセンサ／アンテナ１０１として赤外線を受信できるセンサを設けて、赤外線で送信される場所ＩＤを受信できるようにする。この構成は一般の赤外線リモコンでの動作と略同一である。
【００２１】
上記赤外線通信では、自然光の影響を避けるため、40kHz程度で変調を掛けているため、受信した変調信号を復調するためのアンプ回路（不図示）で0.5mA程度の電流を消費する。従って、ＲＦＩＤ１００を上記のように小型のコイン電池で動作させる場合には、電池寿命の問題がある。
【００２２】
ＲＦＩＤ１００における消費電流を減らすための方法としては、例えば、ＲＦＩＤ１００内の赤外線受信・復調回路（不図示；例えばＭＣＵ１０２内に存在する）を間欠的に動作させる方法がある。この方法において、間欠周期を長く（ON/OFFデューティ比を小さく）すると、平均の消費電流は減るが、検出したい場所を通過するスピードに制約が発生する。つまり、通過スピードが速いと、間欠的なＯＮ／ＯＦＦ動作におけるＯＦＦの間に、赤外線送信機１１０の場所を通り抜けてしまう等、通信出来ずに通過してしまう可能性がある。従って、ＲＦＩＤ１００側において、ビーコン検出のための消費電流は出来るだけ小さい事が望ましく、通過スピードにも対応できるようにすることが望まれる（検出回路の立ち上がりも出来るだけ早いことが望まれる）。
【００２３】
次に、超音波を利用する例について説明する。超音波は、送信パワーを大きくしてやれば、通信距離は長くできるが、送信機１１０側のスピーカーやアンプが非常に大掛かりになるため、通常は数ｍ（メートル）程度の通信距離のものが多い。超音波を利用する場合には、使用周波数を高くすると、送信側（送信機１１０）も受信側（ＲＦＩＤ１００）も消費電力が大きくなるため、通常は自動車のバックソナーなどで使用されている40kHz前後のものを使用する。超音波を利用する場合に問題になるのは、周囲の騒音が原因で誤動作をすることと、ＲＦＩＤ１００側で超音波を検出するための電力消費が大きいことである。
【００２４】
超音波は、非可聴の音波であるので、物体が音を発すると（レベルは異なるが）その高調波として必ず含まれている。特に影響が大きいのが、金属性の物体が衝撃を受けた場合である。また圧縮空気をノズルから噴射した場合には、ランダムなパターンの超音波が発生し、広範囲に渡って非常に大きな影響が発生する。
【００２５】
超音波を利用する構成の別の例としては、超音波変調信号復調にトーンデコーダを利用して復調するような構成が知られている。この様な構成では、アンプ無しでも500μA程度の電流が必要になる。ＯＰアンプ等を使用して微弱な受信信号を増幅して検出するような構成とした場合、実用レベルにするためには最低でも1mA程度の電流消費が発生する。
【００２６】
40kHz程度の周波数を扱う回路は、直流成分をカットするためにアンプ段間を接続するカップリングコンデンサの容量値が大きく、間欠動作をさせるためにアンプ電源のON/OFFを行うと、投入時の突入電流の問題が生じる。あるいは、アンプの整定時間が長くなり、正常に増幅するまでの待ち時間が長くなり、結果として間欠動作時間をあまり短くできないといった問題が発生する。
【００２７】
また、超音波の場合には障害物があると利用が難しくなる。すなわち、超音波の伝播路が遮られると全く伝播しなくなる。あるいは、反射がある場合には、予期せぬ経路で受信する場合や、音波の干渉により検出ができない場所が発生したりする。この為、送信出力が大きい場合には、希望するエリア制限が難しくなる。
【００２８】
更に別の例としては、125kHz程度の低周波（以下、ＬＦと記す）を利用した構成も実現されている。
この構成では、ＬＦ端末は、常時、例えば125kHz程度の低周波で場所ＩＤを送信し続ける。ＬＦを使用する場合には、非常に微弱の出力にしておけば、電波法の制約範囲内での場所検知が可能になる。ＬＦを使用する場合に問題になるのは、送信アンテナサイズをある程度大きくしないと検出距離が稼げない点と、周波数が低いため非常に環境ノイズの影響を受け易く、誤動作し易い点である。125kHz程度のノイズは、例えばインバータ制御機器などを使用している場合には非常に大きく、この様なノイズがある場所においてはＬＦ方式の適用が困難になる。
【００２９】
超音波やＬＦを利用する従来技術には、上述した問題点があり、この様な問題を解決するために、最近では13.56MHz（以下、ＨＦと記す）の周波数を使用するＲＦＩＤシステムで使用されているフォーマットを、そのまま利用することにより、かなり理想的な長距離通信可能なＲＦＩＤが実現されてきている。
【００３０】
この様なＨＦ方式のＲＦＩＤは、その利用形態から通常、内部に一次電池を搭載し、更にＭＣＵ（Micro Controller Unit）を搭載している。そして、ＭＣＵが、内部の時計により間欠的に起き上がって13.56MHzの電波が出ていないかをチェックし、電波が存在する場合にはコマンドを復調する様に動作する。
【００３１】
電子乗車券などに使用されているＨＦ方式のＲＦＩＤ（非接触型ＩＣカード等）は、通常、ＨＦ端末からの電力の供給を受けて動作する。このため、ＨＦ端末からの出力信号は、電力供給と信号伝送が同時にできる様にするため、10％ASK（Amplitude Shift Keying）とか、30％ASKあるいは100％ASKが使用されている。また、データの変調方式としては、負論理のPPM（Pulse position Modulation）変調などが使われている。この変調方式並びにデータフォーマットは、ＩＳＯで規定され世界的に標準化が進んでいる。この様なＲＦＩＤ（非接触型ＩＣカード等）は、電池を搭載せず、端末からの電力供給によって動作するので、この電力供給の都合上、通信距離は数ｃｍ（センチメートル）から長距離仕様でも数１０ｃｍ程度である。
【００３２】
この様な非接触型ＩＣカード等の通信方式を利用したうえで、通信距離を延ばしたい場合、ＲＦＩＤ側において、上記ＨＦ端末からの出力信号を受信する部分に、比較的ゲインの低いアンプを付加して信号を増幅することが考えられる。この様な構成によって、ＨＦ端末からのＲＦＩＤに対する通信距離（下り方向の通信距離）を、数ｍ（メートル）から数十ｍ程度に伸ばすことができる。
【００３３】
ＨＦ端末で使用される電波の強さは、世界共通に「１０ｍ離れた距離で47.5mV/m以下」となっており、この規格内の最大出力で運用した場合には、上記のようにＲＦＩＤ側で受信信号を増幅してやることで、数十ｍの通信距離を実現することが可能である。
【００３４】
上記ＨＦ方式の有利な点は、まず、受信アンテナ（例えば上記センサ／アンテナ１０１）は、プリント基板上の数ターンのコイルで構成でき、特別なアンテナが不要になる点である。更に、周波数がある程度高いため、アンプの段間に挿入されるコンデンサの値が小さくなるため、非アクティブ状態（アンプ電源オフ）からアクティブ状態に変化させた場合のアンプの動作整定時間が短い。この点も、上記ＨＦ方式の有利な点である。従って、待機状態では電流消費が無く、キャリアセンス時には直ぐにアンプ(必要なゲインを持ったアンプ)が動作する様に構成できる。
【００３５】
ここで、ＲＦＩＤ側において、上述したＨＦ方式の通信回路に加えて更に第２の通信回路を付加して、この第２の通信回路を利用して上り方向の通信（ＲＦＩＤから端末等へのデータ送信；例えば自己のＩＤを送信する）を行うことで、数ｍ〜数十ｍの双方向ＲＦＩＤが実現可能になる。本技術は、特許文献１等に開示されている公知の技術である。尚、例えば上記ＲＦ回路１０３とＲＦアンテナ１０４が、第２の通信回路に相当する。第２の通信回路は、例えばＵＨＦ帯の周波数を使用する通信回路であるが、この例に限らない。
【００３６】
上述した長距離検知技術は、ＲＦＩＤの検知範囲を、ＨＦ端末の送信出力やアンテナゲインを変える事により、あるいはＲＦＩＤのアンテナゲインやアンプゲインを変える事により、自由に調整が可能であるため、適用範囲が極めて広い。長距離検知が必要な例としては、例えば物流用のコンテナ単位の場所管理のような場合が考えられる。この場合にはＲＦＩＤの検知範囲は十数ｍ以上が必要になる。物流で使用されるパレットの場合には数ｍ程度が必要になる。
【００３７】
パッシブタグで単純に通信距離を延ばしたい場合には、例えば通信路として950MHz等のＵＨＦ帯の電波を使用して双方向（送信及び受信）の通信を行えるＲＦＩＤが、既に実用化されており、障害がない場合には１０ｍ程度の範囲で通信（ＲＦＩＤ検知）することが可能になっている。
【００３８】
長距離通信を行うことに関しては、上りと下りの両方向の通信でＵＨＦの電波等を使う、電池を搭載した双方向のアクティブタグが、古くから実用化され使用されている。しかしながら、この様な既存技術には、電池寿命の問題や、電磁波を使用するため適用環境によっては予想外に検出距離が短くなる、等といった問題があった。
【００３９】
あるいは、逆に、検出距離を延ばそうとして電波の出力を上げると、ＲＦＩＤの検知エリアを絞れなくなり、近接して同様のシステムを稼動させるのが困難になるという問題があった。
【００４０】
また、特許文献２に開示されている一例の様に、パッシブタグとアクティブタグを組み合わせて、距離が近い場合にはパッシブ動作で、パッシブでの通信が困難になってくると、自動的に動作をアクティブ動作に切り替えて長距離検知を実現させるような例もある。
【００４１】
この様な長距離検知が可能なＲＦＩＤは、適用範囲が広いために、使用環境も苛酷な条件の場合が多々有り、特に産業用途においては完全防水が必要になる場合がある。
尚、ＩＳＯ  １５６９３規格は、近傍型ＩＣカードの規格とも言われ、キャリア周波数は１３．５６ＭＨｚであり、誘導結合（電磁結合）方式である。そして、例えばリーダ→タグの通信に関する規格は、概略的には以下の通りである。
【００４２】
・変調度；ＡＳＫ１００％等
・データ符号化方式：パルス位置変調（ＰＰＭ）
・データ伝送速度；２６．４８ｋｂｐｓ等
・コマンド；例えばコマンドコード＝‘０１’は“要求コマンド”、コマンドコード＝‘２６’は“リセットレディ”等。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００４３】
【特許文献１】特開平１０−１３６４３５号公報
【特許文献２】特開２００７−１７４１３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００４４】
ＲＦＩＤを利用した物流あるいは物品管理においては、例えば建築資材や重機の管理などの場合には、雨が降る場所で使用することが想定される。あるいは、パソコンなどの物品管理の場合には誤って飲料がＲＦＩＤに掛かったりする場合がある。資産管理の例では電柱・電信柱にＲＦＩＤをつけて管理をする様な例がある。これらの様な使用環境に対応する為、上記の通り、ＲＦＩＤには完全防水が必要になる場合がある。
【００４５】
防水を行う方法としては、例えばＲＦＩＤのケースと蓋の間にパッキンを適用する方法、ＲＦＩＤ全体をモールドする方法、あるいは蓋部分を接着剤等により接着する方法等が考えられる。
【００４６】
また、上述した長距離検知用のＲＦＩＤは、通常、一次電池を取り付けて動作させるが、ＲＦＩＤは移動する物に取り付けて使用するものであり、特に物流用途などでは振動・衝撃が頻繁に印加される。この為、ＲＦＩＤに対してソケットを使って電池実装を行うと、移動中の振動などにより接触不良を起こす可能性が高く、電池にタブを溶接により取り付けた上で、タブをプリント基板に半田付けして使用されるのが普通である。
【００４７】
防水仕様機器では防水性能を含めて最終形態での試験が必要になるため、必然的に非接触で試験を行う必要性が発生する。単純にＲＦＩＤ内のデータのリード／ライトのテストであれば、端末との距離を必要なだけ離して読み書きテストを行えば済む（通信可能距離のチェック等）。しかし、上記の様な自発的に電波を発信する機能を持つＲＦＩＤの場合は、通信可能距離だけでなく、送信する電波の出力や、場合によっては受信機の受信感度の測定や、ＭＣＵそのものの機能や、例えば付加された振動センサーの動作確認などの各種の試験が必要になる。
【００４８】
非接触動作自体は、ＲＦＩＤの基本機能であるので、通常のコマンドに試験用の拡張コマンドを追加すれば実装は可能ではあるが、以下の様な問題がある。
ここでまず問題になるのが、電池を使用しているため、通常モードで動作させたままだと、上記間欠的な動作を行う為、実際の使用前に電池を消費する点である。特に大量に使用する場合には製造期間が必要になるため、作り置きしておくと電池寿命に影響があり、電池取り付けは出荷直前に行う必要が生ずる。
【００４９】
しかしながら、電池以外の部品を実装した状態の基板を大量に製造可能としても、電池取り付けとその後の動作確認作業がボトルネックになって、短期間に大量に生産・出荷することは困難である。あるいは、短期間に大量に生産・出荷するためには、ほとんどの期間使用しない製造・試験設備が大量に必要になることは自明である。
【００５０】
この為、例えば、ＲＦＩＤの製造時に電池取り付けも一緒に行って保存しておき、その後の任意のときに（出荷直前にならなくても）ＲＦＩＤの動作確認試験を行って保存しておいても、殆ど電池消費がないようにすることが望まれる。これが実現できれば、大量のＲＦＩＤを出荷する場合でも、ある程度時間を掛けてＲＦＩＤの製造（電池実装も含む）と動作確認試験を行うことができることになる。
【００５１】
ＲＦＩＤが上記のように２つの通信手段（例えばＨＦ通信手段とＵＨＦ通信手段）を持っている場合、通常の通信手段（例えばＨＦ通信手段）を使って動作モードを待機状態に切り替えることも可能であるが、以下の問題がある。
【００５２】
すなわち、電池消費の問題である。例えばＨＦ通信手段を用いてコマンドを受けようとすると、通常動作と同じ様に間欠で動作していないといけないことになり、電池消費が発生する。この問題を解決するために、出荷前は間欠周期を極端に長くして電池の消費を減らすなどの対策が考えられる。しかし、このような対策を行うと、試験時にテストのためのコマンドを与えた場合に、ＲＦＩＤがコマンドを受け付けるまでの時間が極端に長くなるため、ＲＦＩＤ１個当たりの試験時間が非常に長くなる。これに対して、試験設備の数を非常に多くすることで、全体としての試験時間を短縮することも考えられるが、本質的な解決にならない。また、多大なコストが掛かることになる。
【００５３】
一方、別の高周波回路（例えばＵＨＦ通信手段）で通信しようとすると、ＨＦ通信手段等と比較して桁違いの電力消費が発生する。例えば、一般的なＵＨＦの受信機を３Ｖで動作させると、数10mS間に10mA程度の電流を消費し、デューティが100分の1でも平均電流は0.1ｍA程度になってしまい、数100mAHの小型電池だと、1ヶ月も持たない計算になってしまう。
【００５４】
これに対して、上記のように間欠動作を長くすれば電流消費は減らせるが、試験のための時間が長くなってしまう。例えば待機電流を１μA程度まで減らそうとすると、数10mSｘ(10mA÷1μA)=数100秒間隔の動作になってしまう。従って1つのコマンドを検出するまでに数100秒かかってしまい、非現実的な数値になってしまう。また、試験対象のＲＦＩＤの数が多ければ確認作業に掛かるトータル時間が非常に長くなり、これを回避する為には試験設備を増大させなければならない。
【００５５】
最近のＭＣＵの標準的な例では、時計などで多用されている32.768kHzの水晶振動子を利用した低周波発振回路は、待機時で数μA程度以下の電流消費が発生し、使用開始までの時間が長いと無視できない程度の電池消費が発生してしまう。
【００５６】
これに対して、時計動作を停止して待機すると、電池を接続した状態でも0.1μA程度以下まで電流を減らすことが容易に可能であり、これは電池の消費に換算すると、１年間保管の場合に0.9mAH程度になる、リチウムコイン電池などでは未使用時でもその構造から、25℃保管で年間1％以下の消費が発生する。これを自己放電と言うが、例えば200mAHの電池の場合には年間2mAH相当が消費される。即ち電池を実装したままで作り置きする場合には電池の自己放電以下で待機させないと影響が現れるのである。
【００５７】
しかしながら、出荷前の待機時でも通常モードで動作させたままだと、上記間欠的な動作を行う為、時計動作を停止させることはできない。
なお、ＩＳＯ標準のＲＦＩＤは、通常コマンドの一部にユーザが自由に定義できる部分があるが、前述した通り、通常動作モードで動作させておかないと、コマンドを受信することができない。よって、出荷前に電池を消費してしまうことになり、出荷テスト用として通常コマンドの一部をユーザが自由に定義することは極めて困難である。
【００５８】
上述した問題点を解決するためには、非接触で外部から通信が可能な別の通信手段（第３の通信手段と呼ぶ）を更に搭載すれば、問題は解決する。例えば自動車のタイヤの中に装着されて使用される圧力センサでは、125kHz等のＬＦを使用してＩＤを設定したり、輸出入のために一時的に機能を停止したりする機能が実装されている。TPMS（Tire Pressure Monitor Systems）では、この様な機能が実際に必要であるために、使用頻度は低いとはいえ、必須である。一方、上記ＲＦＩＤの場合には、追加した部分（第３の通信手段）は、製造（試験）上の過程でしか使用しないため、無駄な部品ということになり、コストアップとなり極めて都合が悪い。
【００５９】
例えば125kHz程度のＬＦを使用してコマンドを送る別の回路を構成する場合には一般的には図１０の様な付加回路が必要になる。尚、図１０は、上記図９の構成に対して更に付加する構成を示すが、ＭＣＵ１０２のみは上記図９に示すＭＣＵ１０２である。
【００６０】
図１０に示す付加回路は、ＬＦコイル１１１、共振用コンデンサ１１２、ＬＦ復調回路１１３を有し、ＬＦ復調回路１１３の出力が上記ＭＣＵ１０２に入力している。尚、ＨＦ通信手段の場合、上記センサ／アンテナ１０１は、付加回路と略同様の構成となっていると考えてよい。すなわち、特に図示しないが、上記センサ／アンテナ１０１は、ＨＦコイル、共振用コンデンサ、ＨＦ復調回路等から成り、ＨＦ復調回路の出力がＭＣＵ１０２に入力していると考えても良い。尚、ＬＦ復調回路１１３やＨＦ復調回路は、ＭＣＵ１０２が内蔵していてもよい。
【００６１】
この様に、図１０に示す付加回路は、回路構成自体はＨＦ通信手段の場合と略同様と考えてよいが、当然、共振用コンデンサによる共振周波数はＨＦとは異なる。周波数が低くなってくると共振回路を構成するアンテナコイルはmHオーダーの値が必要になる。この為、小型に作るためには透磁率の高いコアに相当回数のコイルを巻いたものを使用しないとＬＦコイル１１１の実現が難しい。この為、ＬＦコイル１１１（ＬＦアンテナ）の価格が高くなるという問題がある。
【００６２】
一方で、ＨＦ通信手段のアンテナは、１μH程度のインダクタンスで十分なため、通常はプリント基板に数回の渦巻き状のパターンで実現することができるため、他の部品を載せるプリント基板の一部に構成できる。そのため非常に価格が安くできるのに対して、ＬＦの場合には専用のＬＦアンテナが必要になってしまうわけである。
【００６３】
更に、ＬＦで受信できる電力は微小レベルなので、通常は、アンプと「ＬＦ信号をデコードする専用のチップ」を搭載することになる。専用チップは間欠動作を行い、ＬＦを検出するとデコード動作をするわけであるが、平均電流としてＲＦＩＤの通常使用モードでの時計動作電流程度の数μA程度の電流消費が発生する。従って、大量に製造して超低消費電流で待機させて置いたとしても、問題解決になっていない。さらに問題なのはＲＦＩＤの本来の機能では無く、製造時以外は全く不要な機能である点である。
【００６４】
この様に、ＨＦ通信手段と、更に高周波の通信手段（ここでは、ＵＨＦ通信手段）とを有するＲＦＩＤに関して、更に第３の通信手段を設けることは、通常時は全く使用しない余分な構成を設けることになり、問題である。出来るだけ構成を増やさずに（追加部品最小で）上述した要望を実現することが望ましい。上述した要望とは、出荷前には消費電力が殆ど‘０’の状態でＲＦＩＤを保管しておくことができることである。
【００６５】
本発明の課題は、電池搭載のＲＦＩＤにおいて、追加部品最小で出荷前の電力消費を極めて小さくすることができ、それによって例えばＲＦＩＤの製造（電池実装も含む）後や動作確認試験後に長期間保管しても電池消耗させることなく保管でき、以って設備増強させることなくＲＦＩＤの大量出荷に対応可能とできるＲＦＩＤ、その出荷前管理システム、出荷前管理方法等を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００６６】
本発明のＲＦＩＤタグは、少なくとも端末からの変調信号を受信するアンテナを含む無線通信部と、該無線通信部で受信した前記変調信号を第１入力端子から入力して復調する制御部を有し、電池を有することを前提とする。
【００６７】
本発明のＲＦＩＤタグは、まず、前記制御部は、第２入力端子を有すると共に、待機状態ではＣＰＵはオフ状態であるが時計はオン状態である第１モードと、待機状態ではＣＰＵも時計もオフ状態である第２モードとを有している。
【００６８】
そして、本発明のＲＦＩＤタグは、前記無線通信部と前記制御部との間に半導体スイッチ部を設けている。この半導体スイッチ部は、前記無線通信部で受信する変調信号のレベルが所定レベル以上の場合に、該変調信号に応じてオン／オフ動作する。これによって、所定レベル以上の変調信号を受信した場合のみ、この変調信号が前記第２入力端子から前記制御部に入力されることになる。
【００６９】
そして、前記制御部は、前記第２モードにおいて、前記待機状態のときに前記第２入力端子に前記変調信号が入力されることによって起動されて動作状態になり、該変調信号が示すコマンドに応じた処理を実行する出荷前制御手段を有する。
【００７０】
例えば、出荷前には、第２モードに設定されている。そして、例えば出荷直前に第１モードに変更することで、ＲＦＩＤタグは運用時には第１モードになっている。
【発明の効果】
【００７１】
本発明のＲＦＩＤ、その出荷前管理システム、出荷前管理方法等によれば、電池搭載のＲＦＩＤにおいて、追加部品最小で出荷前の電力消費を極めて小さくすることができ、それによって例えばＲＦＩＤの製造（電池実装も含む）後や動作確認試験後に長期間保管しても電池消耗させることなく保管でき、以って設備増強させることなくＲＦＩＤの大量出荷に対応可能とできる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】実施例１のＲＦＩＤの構成図である。
【図２】（ａ）はアンテナ出力信号、（ｂ）は拡大図、（ｃ）は概略動作を示す図である。
【図３】本例のＲＦＩＤの各プロセスにおける状態を示す図である。
【図４】出荷前モードにおけるＭＣＵの処理フローチャート図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は各モードにおけるサンプリング動作を示し、（ｃ）は消費電力との対応関係を示す図である。
【図６】実施例２のＲＦＩＤの構成図である。
【図７】実施例１，２のＲＦＩＤの別側面からの構成図である。
【図８】本例のＲＦＩＤシステムの機能ブロック図である。
【図９】従来の場所検知機能を実現するＲＦＩＤシステムの概略構成図である。
【図１０】図９の構成に対して更に付加する構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００７３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、実施例１のＲＦＩＤの構成図である。
図示のＲＦＩＤ１０は、アンテナ１１、共振コンデンサ１２、ＭＯＳＦＥＴ１３、抵抗１４、コンデンサ１５、ＭＣＵ１６、ＲＦＩＣ１７、ＲＦアンテナ１８を有する。
【００７４】
ここで、一例として概略的には、図１に示す構成は、上記図９に示す従来構成に対して、ＭＯＳＦＥＴ１３（及び抵抗１４とコンデンサ１５）を追加してものと考えてもよい。但し、ＭＣＵ１６は、その処理動作が従来とは異なる。詳しくは後述するが、ＭＣＵ１６は、通常モードと出荷前モードの２つのモードを有しており、通常モードの動作は従来と同じであってよいが、出荷前モードの動作は従来とは異なる（それ以前に、従来では出荷前モードに相当するモードが無い）。
【００７５】
ＭＣＵ１６は、制御部の一例であり、この例に限らず、何らかのプロセッサ等であればよい。また、ＭＯＳＦＥＴ１３は、半導体スイッチの一例であり、この例に限らない。半導体スイッチは、後述する第１無線通信部と上記制御部との間に設けられ、第１無線通信部で受信する変調信号のレベルが所定レベル以上の場合に、該変調信号に応じてオン／オフすることで上記制御部（ＭＣＵ１６）の後述する第２入力端子に、該変調信号を入力させるものである。
【００７６】
また、図１のＲＦＩＤ１０は、運用時には端末１及び端末２と、非接触の近距離無線通信を行う。また、試験時には少なくとも試験用端末３と、非接触の近距離無線通信を行う（尚、試験時に端末２と略同様の端末も更に設置して、後述する第２無線通信部との通信を行うようにしてもよい）。そして、アンテナ１１と共振コンデンサ１２を含む構成（第１無線通信部というものとする）は、通常の（運用時の）端末１や試験用端末３との通信用の構成であり、ＲＦＩＣ１７とＲＦアンテナ１８を含む構成（第２無線通信部というものとする）は端末２との通信用の構成であると考えてもよい。
【００７７】
尚、後述するように使用周波数の一例に応じて、端末１はＨＦ端末１、端末２はＵＨＦ端末２、端末３は試験用ＨＦ端末３等と呼んでもよい。この例の場合、上記第１無線通信部はＨＦ帯（１３．５６ＭＨｚ）の周波数に対応し、上記第２無線通信部はＵＨＦ帯の周波数に対応することになる。
【００７８】
また、尚、例えば一例としては、端末１は上記特許文献１に記載のサインポストに相当し、端末２はアクセスポイントに相当すると考えてもよい。この場合、特許文献１の例に従って、第１無線通信部は受信用、第２無線通信部は送信用と考えても良く、また、端末１との交信エリアは狭く、端末２との交信エリアは広いものと考えても良い。換言すれば、第１無線通信部による通信距離は比較的短く、第２無線通信部による通信距離は比較的長いものと考えても良い。
【００７９】
この例の場合、上述したように基本的に、第２無線通信部を動作させると電力消費量が大きい。また、第１無線通信部を間欠的に動作する場合でも、例えば倉庫に長期間保存するような場合には、トータルの電力消費量が大きくなる。
【００８０】
また、本発明のＲＦＩＤは、図１や後述する図６の例のような第２無線通信部（ＲＦＩＣ１７とＲＦアンテナ１８を含む構成）を有する例に限るものでもない。例えば、第２無線通信部の代わりに表示部等を有する構成であってもよい。表示部には、例えば端末１から送信された任意のデータ等が表示される。あるいは、表示部には、例えば、試験用端末３から送信された試験用コマンドの実行結果（成功または失敗等）等が表示される。
【００８１】
また、上記ＨＦ方式を利用する従来技術として、ＲＦＩＤ側において、上記ＨＦ端末等からの出力信号を受信する部分に、比較的ゲインの低いアンプを付加して受信信号を増幅する構成を既に紹介した。上記の通り、この構成により、ＨＦ端末等からＲＦＩＤに対する通信距離（下り方向の通信距離；受信距離）を、数ｍ（メートル）から数十ｍ程度に伸ばす構成とする従来技術を紹介した。
【００８２】
図示していないが、このような従来技術によりＨＦ方式において受信距離を伸ばす構成とする場合には、ＲＦＩＤ１０において、更に、アンテナ１１−ＭＣＵ１６間（ＭＣＵ１６のＳ１端子の手前等）に不図示のアンプを設けるようにしてもよい。この場合、通常モード（運用モード）では、ＭＣＵ１６は、間欠動作における動作時には不図示のアンプに電力供給する制御も行う必要がある。これより、当該ＲＦＩＤ１０から例えば数ｍ（メートル）程度の距離に上記ＨＦ端末１がある場合には、その出力信号がアンテナ１１等で受信されて不図示のアンプで増幅されることで、ＭＣＵ１６が受信可能となる。
【００８３】
アンテナ１１と共振コンデンサ１２は、上述した従来のＨＦ通信手段におけるアンテナと共振コンデンサに相当する。従って、使用周波数（共振周波数）は13.56MHzである。13.56MHz用のアンテナ１１で使用されるコイルは、数μH以下であり、並列に接続した共振コンデンサ１２で並列共振をとって使用する。
【００８４】
端末１等からＨＦで無線送信される変調信号は、アンテナ１１等を含む上記第１無線通信部によって受信されてＭＣＵ１６の入力端子の１つであるＳ１端子に入力される。ここで、Ｓ１端子に関しては従来と略同様であると考えてよいが、本例のＭＣＵ１６は入力端子として更に図１に示すＳ２端子を有している。これについては後に説明する。
【００８５】
また、ＭＣＵ１６は、上記第１無線通信部を介する通信におけるコマンド処理は、上述したISO15693のコマンド体系のコマンドに対応して行う。但し、これは通常モードにおいて図示のＳ１端子に入力される信号に対して、ISO15693のコマンド体系を適用するものであり、出荷前モードでは適用されない。出荷前モードにおいては、ＭＣＵ１６は、図示のＳ２端子に入力される信号に対して、独自のコマンド体系を適用する。独自のコマンド体系は、例えば当該ＲＦＩＤの製造業者等が、任意に決めてよい（よって、特に具体例を示すものではない）。当然、ＭＣＵ１６が独自のコマンド体系の各コマンドを解釈・実行できるようにするプログラムを、製造業者側で予め作成して、ＭＣＵ１６内のメモリに記憶させておくことが必要となる。
【００８６】
また、ＲＦＩＣ１７とＲＦアンテナ１８は、一例としては、上記ＲＦ回路１０３とＲＦアンテナ１０４に相当する構成と考えてよい。従って上述したように、ＲＦＩＣ１７とＲＦアンテナ１８は、例えば高周波通信回路であり、一例としてはＵＨＦ帯を使用する通信回路である。この例では、アンテナ１１と共振コンデンサ１２は受信用であり、ＲＦＩＣ１７とＲＦアンテナ１８は送信用（あるいは送受信用）と考えてよい。但し、この例に限るものではない。
【００８７】
尚、上記のことから本例では、特に図示しないが、運用時において、検知対象箇所には、ＨＦ端末１と、ＵＨＦ端末２とが存在することになる。また、試験時においては、試験場には、少なくともＨＦ端末３が存在することになる。尚、試験場のＨＦ端末３は、運用時のＨＦ端末１とは多少異なるものであり、区別する為に、運用時のものは通常ＨＦ端末１、試験時のものは試験用ＨＦ端末３と記すものとする。また、両者を特に区別する必要がない場合には単に「ＨＦ端末」と記すものとする。
【００８８】
尚、「ＨＦ端末」は、たとえば送信専用の端末であってよいが、この例に限らない。
通常ＨＦ端末１は、例えば、自己が設置されている場所の位置情報等を、ＲＦＩＤ１０に送信する。ＲＦＩＤ１０は、上記第１無線通信部を介して、この位置情報等を受信すると、この位置情報等と自己のＩＤ等を、上記第２無線通信部を介して、ＵＨＦ端末２に送信することになる。
【００８９】
あるいは、試験用ＨＦ端末３は、例えば任意の試験用コマンドや、ＩＤ設定用コマンド等を、ＲＦＩＤ１０に送信する。ＲＦＩＤ１０は、上記第１無線通信部を介して、何らかのコマンド等を受信すると、このコマンドに応じた処理を実行する。尚、この処理実行結果を、上記第２無線通信部を介して、試験場に設置されたＵＨＦ端末２に送信してもよいし、送信しなくてもよい。
【００９０】
ここで、詳しくは後述するように、上記試験用ＨＦ端末３との通信においては、上記第１無線通信部の受信信号レベルが、通常ＨＦ端末１との通信における受信信号レベルよりも非常に大きくなるようにする。すなわち、試験用ＨＦ端末３との通信時には受信信号によってＭＯＳＦＥＴ１３をアクティブにするレベルとする。実現方法は、様々であってよいが、例えば、試験用ＨＦ端末３の出力を、通常ＨＦ端末１の出力よりも大きくする方法が考えられる。あるいは、通信時における試験用ＨＦ端末３−ＲＦＩＤ１０間の距離を、運用時における通常ＨＦ端末１−ＲＦＩＤ１０間の距離よりも短くする方法も考えられる。上記のように、運用時の通常ＨＦ端末１とＲＦＩＤ１０との通信距離が、数ｍ程度であるとするならば、試験時には例えば数十ｃｍ程度とすることで（あるいは密着させること等で）、上記第１無線通信部の受信信号レベルを大きくし、以ってＭＯＳＦＥＴ１３をＯＮ／ＯＦＦ動作させるようにする。
【００９１】
これも詳しくは後述するが、ＭＣＵ１６は、運用時には、上記第１無線通信部を介して、通常ＨＦ端末１から送信されるデータ（位置情報等）の受信信号を、Ｓ１端子で入力することになる。また、ＭＣＵ１６は、試験時には、上記第１無線通信部とＭＯＳＦＥＴ１３等を介して、試験用ＨＦ端末３から送信されるデータ（コマンド、ＩＤ設定値等）の受信信号を、Ｓ２端子で入力することになる。
【００９２】
また、ＭＣＵ１６は、少なくとも運用時には、上記第２無線通信部（ＲＦＩＣ１７、ＲＦアンテナ１８等）を介して、任意のデータ（自己のＩＤ等）を上記ＵＨＦ端末２等へ無線送信することになる。
【００９３】
また、本例のＲＦＩＤ１０は、上記アクティブタグであるとは限らないが、電池は必ず搭載されている（よって、例えば電池搭載型ＲＦＩＤタグ等と呼ぶようにしてもよい）。よって、図示していないが一次電池（例えばリチウムコイン電池など）も設けられている。ＲＦＩＤ１０の構成部品（ＭＣＵ１６等）への電力供給は、基本的にはこの不図示の電池から行われる。但し、更に、ＨＦ端末１、３等から電磁誘導方式により電力供給されるものであってもよい。
【００９４】
本例のＲＦＩＤにおいては、追加部品最小で（上記ＭＯＳＦＥＴ１３（及び抵抗１４とコンデンサ１５）を追加するだけで）、出荷前の電力消費を極めて小さくすることができ、それによって例えばＲＦＩＤの製造（電池実装も含む）後や動作確認試験後に長期間保管しても電池消耗させることなく保管でき、以って設備増強させることなくＲＦＩＤの大量出荷に対応可能とできる。
【００９５】
尚、パッシブ動作のＲＦＩＤでは、チップ電源の供給をアンテナコイルから行う関係で、アンテナはある程度の開口面積を必要とする。一方、本例のＲＦＩＤ１０は、例えばアクティブタグであり、微弱なＨＦ信号のみを復調する場合には、アンテナの開口面積は小さくてよく、例えば、30mm角程度の大きさでも十分に機能する。ＭＯＳＦＥＴは電圧駆動素子であり、入力インピーダンスが非常に高いため、小さなコイルでも共振をとれば大きな電圧が発生させられる点でも好都合である。
【００９６】
例えば13，56MHzの周波数で、アンテナコイルのインダクタンスが1μHの場合に並列に接続する共振コンデンサの値は140pF程度になる。これに対してＭＯＳＦＥＴのゲート入力容量は数pFから10pF程度以下のものが選択可能であり、全体容量の10％以下となるため、直列容量の追加などの対策を行えば、ばらつきを含めても通常動作に対して問題は起きない。ＭＯＳＦＥＴはゲート電圧が小さい間はドレインの漏れ電流のみであり、ある程度低い温度で保管すれば、ｎAオーダーに抑えられる。従って製造後倉庫に保管してあってもほとんど問題にならない程度の消費電流に抑えることが可能になる。
【００９７】
以下、図１の構成・動作について、更に詳しく説明する。
まず、上記ＭＣＵ１６は、シーケンス回路あるいはマイクロプロセッサなどにより構成され、ＲＦＩＤ１０の全体制御を行う。ＭＣＵ１６の機能・動作は、ワイヤードロジック等によるハードウェアで実現しても構わないし、機能制御をプログラムにより実現しても構わない。後に、プログラムにより実現する例に対して、フローチャート図を示してＭＣＵ１６の動作について説明する。
【００９８】
アンテナ１１は、例えばＨＦアンテナ（キャリア周波数＝13.56MHzの信号を受信するアンテナ）であり、通常は数ターンのコイルで構成される。従来通り、アンテナ１１で受信した13.56MHzの信号が、共振コンデンサ１２と並列共振となる様に、その容量等の数値が決定されている。
【００９９】
アンテナ１１と共振コンデンサ１２による共振出力Ｓは、図示のようにＭＣＵ１６のＳ１端子に入力すると共に、ＭＯＳＦＥＴ１３のゲートに入力するように構成している。また、ＭＯＳＦＥＴ１３のドレインは、ＭＣＵ１６のＳ２端子に接続している。
【０１００】
上記通常ＨＦ端末１または試験用ＨＦ端末３から送信される信号は、キャリア周波数＝13.56MHzの信号がＡＳＫやＰＰＭで変調された、一般的な信号である。この信号は、例えば通常ＨＦ端末１の場合には上記ISO15693規格に従った信号であり、例えばＰＰＭ変調の場合には75μSの間に任意のタイミングでＯＮすると共に、このＯＮ時間は9.5μS程度となっている。
【０１０１】
また、通常ＨＦ端末１からの送信信号の場合、そのＨ／ＬによってＭＯＳＦＥＴ１３がＯＮ／ＯＦＦすることはない（尚、本説明では、HighをＨ、LowをＬと略記する場合がある）。よって、通常ＨＦ端末１からの送信信号は、Ｓ１端子には入力されるが、Ｓ２端子には入力されないことになる。一方、試験用ＨＦ端末３からの送信信号のＨ／ＬによってＭＯＳＦＥＴ１３がＯＮ／ＯＦＦするようになっている。これは、既に述べたように、試験時における共振出力Ｓの信号レベルを、運用時における共振出力Ｓの信号レベルよりも大きくする。換言すれば、試験時における共振出力Ｓの信号レベルが、ＭＯＳＦＥＴ１３を動作させるレベル（電圧）となるようにするものである。
【０１０２】
上記のように共振出力Ｓの信号レベルを大きくする為には、既に述べたように、例えば試験用ＨＦ端末３の送信出力を通常ＨＦ端末１の送信出力よりも大きくする。あるいは、これも既に述べたように、試験時における試験用ＨＦ端末３−ＲＦＩＤ１０間の距離を、運用時における通常ＨＦ端末１−ＲＦＩＤ１０間の距離よりも短くする。但し、これらの方法に限るものではない。何れにしても、試験用ＨＦ端末３から送信されるデータ（試験用コマンド等）は、ＭＯＳＦＥＴ１３をＯＮ／ＯＦＦ動作させることで、Ｓ２端子に入力されることになる。
【０１０３】
アンテナ１１の持つインダクタンスＬと共振コンデンサ１２とで並列共振し、共振コンデンサ１２の両端には当該ＬＣ回路のＱ値を掛けた電圧が発生する。ＨＦ端末１，３からの送信信号には、13.56MHzのベース信号に対して変調がかかっているので、Ｑ値を高くしすぎると変調信号が通過しなくなる。よって、Ｑ値はあまり大きくできず‘２０’程度の値を持つのが普通である。即ちアンテナ１１に１ｍV電圧が発生すると、共振コンデンサ１２の両端には20mV電圧が発生していることになる。
【０１０４】
つまり、この例では、共振出力Ｓの信号レベルは20mV程度となる。これを運用時の信号レベルとするならば、すなわち通常ＨＦ端末１との通信時の信号レベルとするならば、ＭＯＳＦＥＴ１３は、そのゲートＯＮ電圧が例えば１Ｖ程度のものを用いればよい。これによって、運用時には、共振出力ＳによってＭＯＳＦＥＴ１３が動作することはない。一方、上述した何らかの方法によって、試験用ＨＦ端末３との通信に応じた共振出力Ｓの信号レベルが、１Ｖを越える（例えば２Ｖ，３Ｖ程度）ようにすることで、試験時には共振出力ＳによってＭＯＳＦＥＴ１３が動作し、Ｓ２端子にデータ（コマンド等）入力されることになる。
【０１０５】
尚、以下の説明では、試験用ＨＦ端末３−ＲＦＩＤ１０との距離を、運用時よりも短くすることで、共振出力Ｓの信号レベルを大きくする例を用いて説明するが、既に述べた通り、この例に限るものではない。
【０１０６】
ここで、上記共振出力Ｓは、上記の通りＭＯＳＦＥＴ１３のゲートにも入力される。尚、通常、ＭＯＳＦＥＴは数pFから10数pF程度のゲート入力容量を持つので、並列共振のための共振コンデンサ１２の容量Ｃは、ＭＯＳＦＥＴ１３の入力容量を含めて決定すればよい。また、浮遊容量の影響によって共振周波数が変化すると出力電圧が小さくなってしまうため、アンテナコイル（アンテナ１１）のインダクタンスＬの値は、通常、1〜2μH程度に設定する。たとえばＬ＝１μHの場合にはＣ=138pFとなる。ここで、ＭＯＳＦＥＴ１３の入力容量は、チップ導体の面積と絶縁層の厚さとその誘電率により決まるので、精密な半導体プロセスを使用して製作されたＭＯＳＦＥＴ１３の入力容量の変動は、実用上無視できる程度に小さい。従ってＭＯＳＦＥＴ１３を追加したことによって共振が大きくずれてしまうことは無い。
【０１０７】
また、ＭＯＳＦＥＴ１３のドレインは、上記の通りＭＣＵ１６のＳ２端子に接続されるが、更に、抵抗１４を介してＭＣＵ１６の制御出力Ｐに接続される。ここでは、ＭＣＵ１６の制御出力Ｐは電源電圧としておく。つまり、電源電圧が抵抗１４を介してＭＯＳＦＥＴ１３のドレインに印加されている。尚、上記の通り、電源は不図示の小型電池（リチウムコイン電池等）であり、小型電池からＭＣＵ１６等の各構成部品に電源供給されている。また、図示の通り、ＭＯＳＦＥＴ１３のドレインとグランド間にはコンデンサ１５が接続されている。
【０１０８】
ＲＦＩＣ１７とＲＦアンテナ１８については、既に述べた通りであり、簡単に説明する。ＲＦＩＣ１７は、ＭＣＵ１６に接続され、その制御により、例えば数100MHz程度のＵＨＦ帯の任意の周波数を使用する第２の通信回路（上記第２無線通信部）を構成するＲＦ回路である。ＲＦアンテナ１８は、当然、この使用周波数帯（本例ではＵＨＦ帯であるが、この例に限らない）に応じたアンテナである。尚、既に述べた通り、ＵＨＦ帯は一例であり、第２の通信回路の使用周波数帯は、他の周波数帯であってもよい。
【０１０９】
上述した構成のＲＦＩＤ１０は、ＨＦ端末から送信される信号を受信すると、距離が数ｍ（メートル）程度離れている場合には、すなわち通常の使用方法の場合には、アンテナ出力（共振コンデンサ１２の両端）には数10μV程度の出力が発生する。一方、ＲＦＩＤ１０とＨＦ端末との距離が、通常使用の場合に比べて近い場合には、アンテナ出力には数Ｖ（ボルト）程度の電圧が発生する。尚、ＲＦＩＤ１０とＨＦ端末との距離の具体例は特に示さないが、アンテナ出力が数Ｖ（ボルト）程度の電圧となる距離であれば何でもよい（場合によっては、ＩＣカード等の利用方法と同様、近接（タッチ）させてもよい）。
【０１１０】
ＭＣＵ１６は、通常の使用方法の場合にＳ１端子に入力される微小な信号（例えば上記数10μV程度の出力）を、例えば不図示の内蔵アンプで増幅し、ワイヤードロジックあるいは内蔵されたソフトウェアにより、この入力信号を復調し、そのコマンドを再構成してコマンドに従った動作を行う様に構成する。尚、上記の通り、この場合のコマンドは、例えばISO15693のコマンド体系によるコマンドである。
【０１１１】
本例のＲＦＩＤ１０は、運用時における通常ＨＦ端末１との距離が少なくとも数ｍ以上となる使用方法を想定しており、よって通常使用では共振コンデンサ１２の両端に発生する電圧は、上記数10μV程度であり多くてもmVの単位である。これより、本例のＭＯＳＦＥＴ１３は、そのゲートＯＮ電圧が例えば１Ｖ程度のものを使用する。これによって、運用時においては、通常ＨＦ端末１からの送信信号を受信してもＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン出力には信号は発生しない。
【０１１２】
この様に、ＨＦ端末とＲＦＩＤ１０の距離が離れている場合には、アンテナ１１の共振出力Ｓは数ｍＶ程度のレベルである為、ＭＯＳＦＥＴ１３は能動状態にならない。試験時のみ、例えば、ＨＦ端末とＲＦＩＤ１０との距離を極端に短くすることによって（あるいは試験用ＨＦ端末３として通常ＨＦ端末１よりも高出力の端末を用いること等によって）、アンテナ１１の共振出力Ｓのレベルを大きくする。これによって、ＭＯＳＦＥＴ１３は能動状態になり、試験用ＨＦ端末３からの送信信号に従ってオン／オフすることになる。
【０１１３】
ここで、ＭＯＳＦＥＴ１３のドレインに接続される抵抗１４とコンデンサ１５に関して、抵抗値とコンデンサ容量を適宜選択して、13.56MHzに対して大きな時定数を持つように構成する。例えば、抵抗１４の抵抗値を100kΩとし、コンデンサ１５の容量は500pFとする（抵抗値は大きめで容量は小さい）。この場合、ＣＲの時定数は50μSとなり、アンテナ１１の出力が13.56MHz即ち37nSでオン、オフを繰り返すベース信号に基づく信号であっても、データとして‘Ｈ’のときにはＭＯＳＦＥＴ１３の出力（ドレイン電圧）はほとんど０Ｖに近い状態を維持することになる。
【０１１４】
例えば、ＨＦ送信機からの送信信号が、１００％ＡＳＫであり、データとしては‘０’（Ｌ）と‘１’（Ｈ）とが交互に繰り返されるものとした場合、アンテナ１１の出力信号（換言すれば、ＭＯＳＦＥＴ１３のゲートへの入力信号）は、例えば図２（ａ）に示すものとなる。アンテナ１１の出力信号が数Ｖ程度であった場合、この出力信号に応じてＭＯＳＦＥＴ１３がＯＮ／ＯＦＦされ、それによってＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン側の出力（ドレイン電圧）はLow／Highとなる（ＯＮでlow、ＯＦＦでHighとなる）。アンテナ１１の出力信号（共振出力Ｓ）が、HighのときにはＭＯＳＦＥＴ１３はＯＮ状態となり、よってドレイン電圧は０Ｖ付近（≒０Ｖ）となる。アンテナ１１の出力信号がLowのときにはＭＯＳＦＥＴ１３はＯＦＦ状態となり、よってドレイン電圧は電源電圧付近（High）となる。
【０１１５】
ここで、図２（ａ）においてアンテナ１１の出力信号（共振出力Ｓ）がHighになっているときの拡大図を、図２（ｂ）に示す。図示の通り、変調によってデータ値に応じてHighになっているときでも、常にHighではなく、13.56MHzのベース信号に従って37nS毎にHighとLowとを交互に繰り返す信号となっている。この為、ＭＯＳＦＥＴ１３は37nSのＯＮと37nSのＯＦＦとを交互に繰り返すことになる。しかしながら、これがそのままドレイン電圧に反映されることは（図２（ｂ）に一点鎖線で示すようになることは）、当然望ましいことではなく、この場合にはドレイン電圧は常に０Ｖ付近（≒０Ｖ）となることが必要となる。
【０１１６】
この為、本例では、上記の通り、ＭＯＳＦＥＴ１３のドレインに抵抗１４とコンデンサ１５を接続すると共に、13.56MHzに対して大きな時定数（例えば50μS程度）を持つように構成している。この様にすることで、図２（ｂ）に示すように、37nS毎にHighとLowを繰り返す入力信号に対して、ドレイン電圧（点線で示す）は、０Ｖ付近（≒０Ｖ）まで徐々に下がっていき、０Ｖ付近を維持することになる。
【０１１７】
図２（ｂ）では37nS毎にHighとLowを繰り返す入力信号を、途中から省略しているが（・・・で示す）、その後、入力信号がデータ値に応じてLowになることでＭＯＳＦＥＴ１３がＯＦＦ状態になると、図示の通りドレイン電圧（点線で示す）は急上昇して電源電圧付近に戻ることになる。
【０１１８】
尚、上記ＭＯＳＦＥＴ１３と抵抗１４とコンデンサ１５より成る構成の概略的な動作は、図２（ｃ）に示すようになる。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ１３がＯＮ状態のときには、コンデンサ１５からの放電がＭＯＳＦＥＴ１３を経由して行われる。一方、ＭＯＳＦＥＴ１３がＯＦＦ状態のときには、抵抗１４を介してコンデンサ１５への充電が行われる。この様な充放電のメカニズムに対して、上記のように13.56MHzに対して大きな時定数を持つように構成すれば、充電量よりも放電量が大きくなり、ドレイン電圧は徐々に減少していくことになる。
【０１１９】
尚、図２（ｃ）においては、ＭＯＳＦＥＴ１３はスイッチとして示しており、抵抗１４は丸で示してある。
上記の通り、比較的大きな振幅の（例えば数Ｖ程度の）13.56MHzの信号が入力された場合であってデータ値が‘１’（Ｈ）となっているときには、ＭＯＳＦＥＴ１３は、73nS周期でＯＮ／ＯＦＦする（約37nSの間ONする）動作を繰り返すが、ドレイン電圧は０Ｖ付近になる。ＭＯＳＦＥＴのＯＮ抵抗はゲート電圧に依存するが、通常このような用途に使用される小型のＭＯＳＦＥＴではＯＮ抵抗は数Ω以下である。従って、ＨＦ端末のアンテナ近くで13.56MHz信号を受信し始めると、すぐにＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン電圧は０Ｖ付近になる。
【０１２０】
13.56MHzの半周期（約37nS）の間ＭＯＳＦＥＴ１３がＯＦＦすると、コンデンサ１５は、37nSの間充電されるが、100kΩの高い抵抗値を通して電源から充電されるため、上記の通り充電量が少ない。よって、コンデンサ１５により保持されるドレイン電圧は、極微小のリップルが発生するが、出力信号ＳがLowになるまでは、ほとんど０Ｖ付近になる。この様に大きな振幅の13.56MHzが存在する場合のみ、ＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン側は０Ｖに近い電圧になる。
【０１２１】
上記の通り、比較的大きな振幅の（例えば数Ｖ程度の）入力信号Ｓがあった場合のみ、ＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン電圧が０Ｖ付近になり得る。一方、運用時においては、比較的小さな振幅の（例えば数ｍＶ程度の）入力信号であるので、ＭＯＳＦＥＴ１３がＯＮ状態となることはなく、従ってそのドレイン電圧が０Ｖ付近になることは無い。運用時は、ドレイン電圧は常に電源電圧付近であり、試験時のみドレイン電圧が０Ｖ付近に降下する場合がある。ドレイン電圧は、ＭＣＵ１６のＳ２端子への入力信号の電圧となる。これより、ＭＣＵ１６は、この様なＳ２端子への入力信号を利用して、以下に説明する機能を実行する。
【０１２２】
まず、ＭＣＵ１６は、上記の通り、通常モード（運用モード）と出荷前モードの２つのモードを有しており、通常モードでは従来と略同様の動作を行い、出荷前モードでは本手法独自の動作を行う。これについて、図３を参照して説明する。
【０１２３】
図３では、本例のＲＦＩＤ１０の各プロセスにおける状態を示す。すなわち、製造、出荷前、出荷後の各状態を示す。尚、これは、待機状態におけるＣＰＵ、時計、Ｉ／Ｏ等の状態を示すものであり、待機状態から起動されて動作状態になれば、当然、ＣＰＵ、Ｉ／Ｏ等はＯＮ状態となる。
【０１２４】
まず最初は、当然、ＲＦＩＤ１０を製造することになる。この製造は、所定の各種部品（図１に示す各種部品等）を組み立てるものであるが、本手法ではこの段階で既に電池（一次電池等）を取り付ける。更に、ＲＦＩＤ全体をモールドする等して防水を行う。また、製造直後の初期状態では、ＭＣＵ１６のモードは出荷前モードとなっている。
【０１２５】
その後の出荷前の段階では、製造したＲＦＩＤ１０を倉庫等に保管しておくと共に、任意のときに各種試験を行う。また、任意のときにＲＦＩＤ１０のＩＤの設定を行うようにしてもよい。尚、ＩＤの設定は、例えば、全ての試験に合格した段階で行うようにしてもよいし、出荷直前に行うようにしてよい。
【０１２６】
また、出荷直前に、予め決められた所定のコマンド（モード変更コマンドと呼ぶものとする）によって、モード変更を行うものとする。このモード変更は、出荷前モードから通常モードへの変更である。
【０１２７】
ＭＣＵ１６は、出荷前モードの状態では、Ｓ２端子の入力信号のみを監視（サンプリング）しており、Ｓ１端子の入力信号は無視している。よって、Ｓ２端子の入力信号によってのみ、上記各種試験の為のコマンド入力やモード変更の為のコマンド入力やＩＤ設定等を行うことができる。
【０１２８】
上記の通り、本手法では、ＲＦＩＤ１０は、出荷直前までは出荷前モードの状態で保管しておくことができ、試験やＩＤ設定等の際に多少電力消費するが、それ以外のときには殆ど電力消費しないので、上記出荷前の段階を長期間とすることができる。
【０１２９】
これによって、大量のＲＦＩＤ１０を出荷する場合でも、ある程度長い期間を掛けて製造、試験、ＩＤ設定等を行って倉庫に保管しておくことができる。出荷直前にはモード変更を行うだけなので、短時間で作業が完了する。よって、製造、試験の為の設備を増強しなくても、大量のＲＦＩＤ１０の出荷に対応すること等ができる。
【０１３０】
尚、ＲＦＩＤ１０は、出荷前には上記試験用ＨＦ端末３等との無線通信を行う。これによって、上記試験、ＩＤ設定、モード変更が行われることになる。そして、ＲＦＩＤ１０は、出荷後には、上記通常ＨＦ端末１やＵＨＦ端末２等との無線通信を行うことになる。
【０１３１】
ここで、図３を参照して、上記各モードについて更に説明しておく。
上記の通り、出荷後のＲＦＩＤ１０は通常モードとなっており、図３の出荷後の欄には図示の通り通常モードにおけるＲＦＩＤ１０の状態を示している。図示の通り、通常モードではＲＦＩＤ１０は、“時計；ＯＮ、ＣＰＵ；ＯＦＦ、Ｉ／Ｏ；ＯＮ”となっている。特に時計がＯＮとなっているのは、上記の通り定周期の動作が必要となる為であり、既に述べた通り、時計自体の消費電力は極めて小さいものの長期間保管する場合には問題となり、更に定周期の動作の際の消費電力も問題となる。
【０１３２】
一方、図３の出荷前の欄に示す通り、出荷前モードではＲＦＩＤ１０は、“時計；ＯＦＦ、ＣＰＵ；ＯＦＦ、Ｉ／Ｏ；ＯＦＦ”となっている。つまり、時計、ＣＰＵ、Ｉ／Ｏの全てがＯＦＦ状態となっている。従って、この状態では消費電力は極めて小さい（殆ど‘０’といっていい）ものとなっている。尚、ＣＰＵ≒ＭＣＵ１６と考えても良いし、「ＣＰＵ＋時計」≒ＭＣＵ１６と考えても良い。
【０１３３】
従来（通常モード）では、時計（例えば付随するカウンタ等を含む）からの定周期の出力信号によってＣＰＵが定期的に起こされていた。これに対して、出荷前モードでは、Ｓ２端子の入力信号によって任意のときにＣＰＵ（≒ＭＣＵ１６）が起こされる。具体的には、Ｓ２端子の入力信号の立下り(High→Low)をトリガとして、ＣＰＵが起動するようになっている。この立下り(High→Low)は、上記ドレイン電圧の変化（電源電圧から０Ｖ付近への変化）に相当する。
【０１３４】
この様に、ＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン出力の０Ｖ側への変化でＭＣＵ１６の動作状態が変化し、プログラムで構成する場合には割り込み信号が発生し、ＭＣＵ１６がほとんど電流消費の無い待機状態からプログラムの動作状態に切り替わる様に構成する。
【０１３５】
上記のようにプログラム動作状態に切り替わったＭＣＵ１６は、例えば図４に示すフローチャートの処理を実行する。
まず、Ｓ２端子への入力信号に対して所定の低速サンプリング周期でサンプリングを行うことで、試験用ＨＦ端末３側から送信されたデータ（コマンド／設定値等）を認識する（ステップＳ１１）。ここで、上記低速サンプリング周期とは、通常モードにおけるサンプリング周期よりも長いサンプリング周期を意味する。本例のＲＦＩＤ１０のＭＣＵ１６では、例えば、通常モード（従来の動作）では図５（ａ）に示すように例えばサンプリング周期＝５μｓ等であるのに対して、出荷前モードでは図５（ｂ）に示すようにサンプリング周期＝５００μｓ等となっている。
【０１３６】
換言すれば、出荷前モードでは、通常モードに比べて、サンプリング速度が非常に遅くなっている。その為に、試験用ＨＦ端末３は、通常ＨＦ端末１に比べてデータ転送速度（ｂｐｓ）が遅くなっている。すなわち、試験用ＨＦ端末３のデータ転送速度は、例えば図５（ｂ）に示すような１ｂｉｔ当たり１ｍｓ程度となっている。これに対して、通常ＨＦ端末１のデータ転送速度は、例えば図５（ａ）に示すような１ｂｉｔ当たり１０μｓ程度となっている。これより、上記の通り、ＲＦＩＤ１０は、通常ＨＦ端末１との通信の際には比較的高速のサンプリング周期（５μｓ等）が必要であるが、試験用ＨＦ端末３との通信の際には比較的低速のサンプリング周期（５００μｓ等）で済むことになる。
【０１３７】
尚、上記の通り、本説明では、データ転送速度（データ伝送速度）を、速度ではなく、１ｂｉｔ当たりの時間という形で示している。
上記のことから当然、同じデータ量のデータ(コマンド等)を送る場合に、出荷前モードでは通常モードに比べて時間が掛かることになるが、上記のようにサンプリング周期＝５００μｓ程度であれば、特に問題にはならない。
【０１３８】
ここで、図５（ｃ）に、ＭＣＵにおけるサンプリング速度と消費電流Ｉとの対応関係を示す。図示の通り、ＭＣＵにおいては、サンプリング速度が大きくなる（速くなる)ほど、消費電流Ｉが大きくなる。勿論、ＭＣＵに限らず、何等かのプロセッサに関しても同様である。よって、出荷前モードでは、入力信号のサンプリング動作に係る消費電流も、小さくすることができる。この様に、待機状態だけでなく、動作状態においても、従来（通常モード）に比べて消費電流を小さくすることができる。
【０１３９】
尚、上記のように出荷前モードにおいてサンプリング速度を小さくできるのは、通信相手が試験用ＨＦ端末３であるからである。上記の通り、試験用ＨＦ端末３は、通常ＨＦ端末１とは多少異なる点があり、一例としてデータ伝送速度が異なるものである。通常ＨＦ端末１の場合には図５（ａ）に示すようにデータ伝送速度（時間）は、１ｂｉｔ当たり１０μｓ程度となっている。これは、例えば、ＩＳＯ規格に従ったものである。一方、試験用ＨＦ端末３の場合には、図５（ｂ）に示すようにデータ伝送速度は１ｂｉｔ当たり１ｍｓ程度となっている。これにより、サンプリング周期＝５００μｓ等としても、問題なくサンプリングを行えることになる。
【０１４０】
ここでＨＦ端末の変調方式を100％ASK（＝OOK：On Off Keying）とする。ＨＦ端末から送信されるキャリア周波数＝13.56MHzの信号のデータ伝送速度を、ＩＳＯ規格で使用されるデータ伝送速度から２桁程度遅くする。つまり、出荷前モードにおけるデータ伝送速度は、例えば１ｂｉｔ当たり１ｍS程度の遅いパルスとする。この様に構成したことにより、信号を復調するＭＣＵ１６の動作速度を遅くすることが可能で、ソフトウェアで復調する場合にはマイクロプロセッサの消費電流を、通常状態と比較して数桁下げることが可能になる。一次電池が搭載されている場合には電池容量に与える影響が非常に少なくなる。ＲＦＩＤの試験・ＩＤ設定等のための電池の消費電流は、限りなく低いことが理想であるので、この様に構成することは大きなメリットになる。
【０１４１】
尚、ＭＣＵ１６は、出荷前モードにおいてはＳ２端子の入力信号のみをサンプリングしており、通常モードにおいてはＳ１端子の入力信号のみをサンプリングしている。
尚、上記の通り、Ｓ２端子へ入力させるデータ(コマンド等)は、特にＩＳＯ規格に従う必要はなく、例えばＲＦＩＤ１０の製造者等が任意のコマンド体系を決めてよい。これと同様に、データ伝送速度も任意に決めてよい。尚、通常ＨＦ端末１に基づいてデータ伝送速度を変える程度の改造を行うことで、試験用ＨＦ端末３を実現することは、容易であると考えられる。
【０１４２】
図４の説明に戻る。
ＭＣＵ１６は、上記ステップＳ１１によって試験用ＨＦ端末３側から送信されたデータ内容（コマンド／設定値等）を認識したら、このコマンドに従った処理を実行する（ステップＳ１２〜Ｓ１８）。上記の通り、このコマンドは、ＩＳＯのコマンド体系に従う必要はなく、独自のコマンド体系によるコマンドであってよい。
【０１４３】
そして、受信したコマンドが各種試験用のコマンドであった場合には（ステップＳ１２，ＹＥＳ）、このコマンドに応じた所定の試験用の処理を行う（ステップＳ１３）。これについては特に具体的には説明しない。
【０１４４】
また、受信したコマンドがＩＤ設定コマンドであった場合には（ステップＳ１４，ＹＥＳ）、付随するＩＤを自己のＩＤとして、不図示の内蔵メモリ等（フラッシュメモリ等）に記憶する（ステップＳ１５）。
【０１４５】
また、受信したコマンドがモード変更コマンドであった場合には（ステップＳ１６，ＹＥＳ）、自己のモードを、出荷前モードから通常モードへと変更する（ステップＳ１７）。この場合、更に、制御出力Ｐを変更する処理を行うようにしてもよい（ステップＳ１８）。すなわち、上記の通り、出荷前モードではＭＣＵ１６の制御出力Ｐは電源電圧としているが、通常モードにおいては制御出力Ｐを‘０’Ｖとするものであってもよい。
【０１４６】
すなわち、ＭＣＵ１６は、上記の通り通常モードにおいてはＳ１端子への入力信号のみをサンプリングしており、何らかの原因で（例えばＲＦＩＤ１０を通常ＨＦ端末１に接近させてしまったこと等によって）ＭＯＳＦＥＴ１３が動作（ＯＮ／ＯＦＦ）する事態になっても、Ｓ２端子への入力信号は無視していることから誤動作が起きることはない。しかしながら、ＭＯＳＦＥＴ１３が動作（ＯＮ／ＯＦＦ）することによる電力消費は発生することになる。この様な事態を避ける為に、上記のように制御出力Ｐを０ＶとすることでＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン電圧をＬｏｗ固定としている。
【０１４７】
尚、受信したコマンドが上記何れにも該当しない場合には（ステップＳ１６，ＮＯ）、何も処理実行しない。あるいは、上記第２無線通信部等を介して外部にエラーを通知するようにしてもよい。
【０１４８】
上記受信したコマンドに応じた処理を実行完了したら（コマンド実行しなかった場合も）、最後に、待機状態に戻る処理を実行する（ステップＳ１９）。
ステップＳ１９の処理は、現在のモードが出荷前モードの場合には上記“時計；ＯＦＦ、ＣＰＵ；ＯＦＦ、Ｉ／Ｏ；ＯＦＦ”の状態とし、現在のモードが通常モードの場合には上記“時計；ＯＮ、ＣＰＵ；ＯＦＦ、Ｉ／Ｏ；ＯＮ”の状態とする。
【０１４９】
そして、通常モードの場合には、その後、時計機能により定周期でＣＰＵが起こされて所定の処理を実行するが、この処理は既存の処理であるので、ここでは特にフローチャート図等は示さない。
【０１５０】
通常の13.56MHzのパッシブタイプのＲＦＩＤでは、パルスの変調方式がＡＳＫであったり、ＰＰＭ変調などが使用され、変調信号の信号パルス時間が10μS以下である。このため、ある程度高速で、複雑な回路が必要であったり、信号の復調がソフトウェアで構成される場合にはＭＣＵ部分に相当高速のクロックが必要になり電流消費が大きくなる。
【０１５１】
これに対して、本例のＲＦＩＤ１０では、上記通常の13.56MHzのパッシブタイプのＲＦＩＤの技術を利用しつつ、出荷前の段階においては、コマンドを復調するためのＭＣＵ１６の動作クロックは、低速動作でよい（低速サンプリングでよい）。よって、電流消費が少なくて済む。
【０１５２】
例えばISO15693の1 out of 4のPPM（pulse position modulation）コマンドの場合には、9.5μSのパルスの位置を正確に判定する必要があるため、ソフトウェアで実現するためには8MHz程度のクロックで動作するマイコンが必要となり、消費電流が少ないものを使用しても3mA程度の電流が必要になる。
【０１５３】
これに対して、１ｍSのNRZ信号を復調するためのＭＣＵの消費電流は、0.1ｍA以下となり、省エネに関するメリットが大きい。例えば信号のパルス幅が1mS程度になったとしても、試験の動作を指定するコマンドのビット数はせいぜい数ビット程度なので、試験のための起動時間は数mS程度であり、製造上問題にはならない。
【０１５４】
ＲＦＩＤは、通常、複数の部品により構成されるので、部品が間違っていないか、またきちんと動作するかなどの試験が必要になる。この様な場合でもHFの信号パターンに意味を持たせ、パターンに従った試験動作を行えば良い。
【０１５５】
また、（例えば製品の出荷間隔が長い為に）１回分の出荷数量が非常に多い場合には、時間を掛けて作り置きが可能となるため、製造・試験のための設備投資が小額で済む。尚、この場合の「作り置き」は、特に、製造（電池搭載）だけでなく試験も実施済みであることを意味する。
【０１５６】
ＲＦＩＤを構成するプリント基板に部品を実装する場合には、部品の自動実装機を使用するが、一度に製造する枚数が少ない場合には、部品の入れ替え、装着等の段取り時間が製品単価に加算されるため、単価が高くなってしまう。本手法のＲＦＩＤ１０の場合、一度に大量の製造が可能になるので、部品の段取り時間が少なくて済み、低価格を実現することが容易になる。
【０１５７】
また別の実施例（実施例２）として、図６に示すように、アンテナの共振出力側にスイッチを接続して使用する例を説明する。
図６は、実施例２のＲＦＩＤ２０の構成図である。同図において、図１に示すＲＦＩＤ１０と略同様の構成については、同一符号を付してあり、その説明は省略する。
【０１５８】
ＲＦＩＤ２０は、図に示すＲＦＩＤ１０の構成の全てを有すると共に、更にスイッチ２１と高抵抗２２を有している。また、ＭＣＵ２３は、基本的にはＭＣＵ１６と殆ど同じ機能であるが、スイッチ２１を切換え制御する機能が加わっている点で多少異なる。
【０１５９】
スイッチ２１は、１入力２出力のスイッチであり、入力側はアンテナ１１に接続しており、出力側はＭＯＳＦＥＴ１３のゲートとＭＣＵ２３のＳ１端子とに接続している。スイッチ２１は、その出力側が、上記ＭＣＵ２３による切換え制御によって、ＭＯＳＦＥＴ１３のゲートとＭＣＵ２３のＳ１端子の何れか一方に接続することになる。図６では、スイッチ２１の出力側が、ＭＣＵ２３のＳ１端子に接続されている状態を示している。
【０１６０】
また、ＭＯＳＦＥＴ１３のゲートとグランド間には高抵抗２２が接続されている。図６に示す状態のようにＭＯＳＦＥＴ１３のゲートが切り離された状態では、ゲートが不安定な電位となり、ＭＯＳＦＥＴ１３が誤動作する可能性がある。この為、ゲートが不安定な電位になるのを防ぐ為に、上記高抵抗２２を設けている。尚、高抵抗２２は、高い抵抗値の抵抗である。
【０１６１】
ＭＣＵ２３は、出荷前モードのときには、スイッチ２１の出力側がＭＯＳＦＥＴ１３のゲートに接続されるようにスイッチ２１を制御する。これにより、製造後から出荷までの間、ＭＣＵ２３のＳ１端子に信号が入力するようなことはない。実施例１では、出荷前モードにおいてＳ１端子に信号が入力しても、ＭＣＵ１６はこの信号を無視していたが、信号の入力自体が起こらないようにすることで、誤動作する可能性を排除できる。
【０１６２】
また、ＭＣＵ２３は、通常モードのときには、スイッチ２１の出力側がＭＣＵ２３のＳ１端子に接続されるようにスイッチ２１を制御する。この様に構成することで、ＭＣＵ２３において、通常モード時にテスト機能が動作する（誤動作する）可能性を排除できる。つまり、実施例１において通常モード時にＭＣＵ１６のＳ２端子に信号が入らないように構成したのと同様の機能が実現できる。
【０１６３】
尚、スイッチ２１は、例えば高周波の切り替えが可能なCMOSスイッチであり、待機電流はほとんど流れないものを使用する。
また、図６のように構成したことにより、ＭＯＳＦＥＴ１３のゲートの入力容量を考慮することなく、通常モードでのアンテナ１１の共振を調整することが可能になるため、通信距離に全く影響を与えずに回路を実現することができる。
【０１６４】
また、ＭＯＳＦＥＴ１３の回路は、ＨＦ端末との距離が極めて近い場合でしか使用しないことを想定しているため、たとえば、スイッチ２１によってＭＯＳＦＥＴ１３のゲートがアンテナ１１から切り離された場合にゲートが不安定な電位になるのを防ぐための高抵抗８を、並列に付けても、通常の感度を良くしたい回路に対しての影響は全く無い。
【０１６５】
最後に、図７に、上記実施例１，２のＲＦＩＤ１０，２０の構成図を示す。図１や図６では電池を不図示としていたが、図７では電池３０を示すと共に、電池３０からの電力供給先を示している。
【０１６６】
尚、図７においては、ＭＯＳＦＥＴ１３を単なるスイッチとして図示すると共に、ＭＯＳＦＥＴ１３に係る構成（抵抗１４、コンデンサ１５、スイッチ２１、高抵抗２２等）は、省略している。よって、これらの構成は、単に図７では不図示としているだけであり、実際には存在している。
【０１６７】
図７において、まず、図示の電池３０は、上記図１、図６で不図示とした一次電池（小型電池；リチウムコイン電池等）であり、上述したようにＲＦＩＤ１０（２０）内の各構成（ＭＣＵ１６等）に電力供給するものである。この詳細な一例が、図７に示す通りであり、ＭＣＵ１６（２３）以外にも、ＲＦＩＣ１７やアンプ３１等にも電力供給している。尚、上述したように、ＭＣＵ１６（２３）を介してＭＯＳＦＥＴ１３（抵抗１４側）にも電力供給していることになる。
【０１６８】
ここで、図示のアンプ３１は、上述したＨＦ端末からの無線送信を受けた受信信号（共振出力Ｓ）を、増幅する為のアンプであり、既に説明しているアンプである。尚、上述したように、この様なアンプは、ＭＣＵ１６（２３）に内蔵されていてもよい。
【０１６９】
アンプ３１には、図示のスイッチＳＷ１を介して、電池３０からの電力供給を行っている。ＲＦＩＣ１７には、図示のスイッチＳＷ２を介して、電池３０からの電力供給を行っている。ＭＣＵ１６（２３）は、動作状態のとき（待機状態ではないとき）には、これらスイッチＳＷ１、ＳＷ２をＯＮ／ＯＦＦ制御する。特に、運用時に（運用モードのときに）おける、ＨＦ端末からの送信信号を受信していないか否かを確認する為の間欠動作における動作状態のときには、スイッチＳＷ１をＯＮ制御することでアンプ３１に電力供給させる。これによって、共振出力Ｓがアンプ３１で増幅されてＳ１端子に入力することになる。
【０１７０】
あるいは、例えば、運用時に（運用モードのときに）、定期的に上記第２無線通信部を介して外部にデータ（自己のＩＤ等）を送信する動作を行うＲＦＩＤの場合には、その都度、スイッチＳＷ２をＯＮ制御することでＲＦＩＣ１７に電力供給させることになる。
【０１７１】
何れにしても、電力を消費することになり、出荷前に長期間この様な動作が行われると、電池３０の消耗が激しくなる。
これに対して、本例の上記ＲＦＩＤ１０，２０では、出荷前（出荷前モード）には、必要なとき（試験やＩＤ設定時やモード変更時）のみ第１無線通信部を介してＭＣＵ１６（２３）が動作するだけである。つまり、出荷前には、スイッチＳＷ１，ＳＷ２をＯＮ制御することはなく、アンプ３１やＲＦＩＣ１７に電力供給することはない。またスイッチＳＷ１，ＳＷ２のＯＮ制御の為にＭＣＵ１６（２３）が定期的に逐一起動する必要もない。また、それ故、待機状態では、ＣＰＵだけでなく、時計機能もＯＦＦにできる。この様に、出荷前においては、様々な点から、省電力化を図ることができ、製造／試験後の長期間の保管等が可能となる。
【０１７２】
尚、上記特許文献２では、その段落００３２に記載のようなハイブリッド型のタグを用いている。本例のＲＦＩＤ１０等も、基本的にはこれと同様に、ハイブリッド型のタグと考えてよいが、図７に示すように多少異なる。すなわち、図示のアンプ３１がある為、ＭＣＵ１６等は定期的に起動してＳＷ１をＯＮ制御しなければならない。通常のパッシブタグであれば、この様な動作は必要なく、ＨＦ端末１に近づけばＨＦ端末１から電力供給されると共にＳ１に信号が入力するが、本例ではＳＷ１がＯＮしていないとＳ１に信号が入力しない。この為、通常モードのまま倉庫に保管しておくと、電力消費量が大きくなるが、本例では出荷前モードで保管しておくことで、この様な問題を解消できる。
【０１７３】
尚、図７では示していないが、ＲＦＩＤタグ１０等は、整流回路も備えていてもよく、ＨＦ端末１から電力供給が整流回路によって得られるようにしてもよい。
図８は、本例のＲＦＩＤシステムの機能ブロック図である。
【０１７４】
尚、同図において、図１や図７等に示す構成要素と略同様の構成要素には、同一符号を付してある。
上記ＲＦＩＤ１０、ＲＦＩＤ２０は、端末（端末１，３等）からの変調信号を受信するアンテナを含む無線通信部４１（例えばアンテナ１１、共振コンデンサ１２）と、該無線通信部で受信した変調信号を第１入力端子（Ｓ１端子）から入力して復調する制御部４２（例えばＭＣＵ１６，２３）有し、電池３０を有するＲＦＩＤタグである。
【０１７５】
そして、無線通信部４１と制御部４２との間に半導体スイッチ部４３（例えばＭＯＳＦＥＴ１３）を設けている。この半導体スイッチ部４３は、無線通信部４１で受信する変調信号（たとえば上記共振出力Ｓ）のレベルが所定レベル以上の場合に該変調信号に応じてオン／オフすることで第２入力端子（Ｓ２端子等）に該変調信号を入力させる。
【０１７６】
制御部４２は、上記第２入力端子を有すると共に、待機状態ではＣＰＵはオフ状態であるが時計はオン状態である第１モードと、待機状態ではＣＰＵも時計もオフ状態である第２モードとを有している。
【０１７７】
そして、制御部４２は出荷前制御部４４を有する。出荷前制御部４４は、第２モードにおいて、待機状態のときに第２入力端子に変調信号が入力されることによって起動されて動作状態になり、該変調信号が示すコマンドに応じた処理を実行する。
【０１７８】
また、制御部４２は運用時制御部４５を有する。運用時制御部４５は、第１の動作モードにおいて、間欠的に動作状態となり、該動作状態のときに第１のサンプリング周期で第１入力端子に入力される信号をサンプリングすることで、変調信号が入力されているときには該変調信号を取得して復調を行う。
【０１７９】
また、上記出荷前制御部４４は、上記動作状態のときには、第１のサンプリング周期よりも長い第２のサンプリング周期で第２入力端子に入力される変調信号をサンプリングすることで、該変調信号が示すコマンドを取得する。
【０１８０】
ここで、端末１と端末３は、何れも、上記ＲＦＩＤ１０、ＲＦＩＤ２０に対して上記変調信号を無線送信する出力部５１、出力部６１を有している。これら出力部５１，６１の機能は、下記の点で異なる。
【０１８１】
すなわち、通常の端末１の出力部５１が、上記第１のサンプリング周期に応じたデータ伝送速度で出力しているのに対して、試験用の端末３１の出力部６１は、上記第２のサンプリング周期に応じたデータ伝送速度で出力している。つまり、試験用の出力部６１は、通常の出力部５１よりもデータ伝送速度が遅くなっている。
【０１８２】
更に、例えば、試験用の出力部６１は、通常の出力部５１よりも上記変調信号の無線送信出力を大きくしている。これによって、上記無線通信部で受信する試験用端末３からの変調信号のレベルを上記所定レベル以上とすると共に、上記無線通信部で受信する通常の端末１からの変調信号のレベルを上記所定レベル未満とすることができる。
【０１８３】
但し、この例に限らず、試験用の出力部６１の無線送信出力は、通常の出力部５１と略同様であってもよい。但し、この場合には、試験用端末３とＲＦＩＤタグとの距離を、運用時における通常の端末１とＲＦＩＤタグとの距離よりも短くすることによって、上記無線通信部で受信する試験用端末３からの変調信号のレベルを上記所定レベル以上とすると共に、上記無線通信部で受信する通常の端末１からの変調信号のレベルを上記所定レベル未満とする。
【０１８４】
また、通常の端末１は（その出力部５１は）、ISO15693のコマンド体系のコマンドを用いると共に、ISO15693準じるデータ伝送速度を適用している。一方、試験用の端末３は（その出力部６１は）、ISO15693のコマンド体系とは異なる独自コマンド体系のコマンドを用いることもでき、またデータ伝送速度も任意のデータ伝送速度としている。
【０１８５】
これより、例えば、上記運用時制御部４５は、第１モードにおいて動作状態のときには、ISO15693準じる第１のサンプリング周期で、上記第１入力端子から入力される変調信号をサンプリングすることで、ISO15693のコマンド体系のコマンドを取得する。
【０１８６】
一方、上記出荷前制御部４４は、第２モードにおいて動作状態のときには、上記第２のサンプリング周期で、上記第２入力端子から入力される変調信号をサンプリングすることで、独自のコマンド体系のコマンドを取得する。勿論、このコマンドを解釈・実行することができる。例えば、このコマンドがモード変更コマンドである場合には、第２モードから第１モードへとモード変更する。また、例えば、このコマンドがＩＤ設定コマンドである場合には、該コマンドと共に受信した任意のＩＤを自己のＩＤとして記憶する。また、このコマンドが任意の試験用コマンドであった場合、該コマンドに応じた試験動作を行う。
【０１８７】
また、制御部４２は、例えば、第２モードのときには半導体スイッチ部４３に電源供給し、第１モードに切り替わった後は該電源供給を停止する。
本発明によれば、本来のＲＦＩＤで使用するアンテナ１１を製造時の試験用に共用したため、特別の部品が不要で、わずか数円程度のＭＯＳＦＥＴ１３や抵抗１４、コンデンサ１５等を接続するのみで、上記各種特徴、メリットを有するＲＦＩＤ１０、２０を実現することができる。
【０１８８】
更に別回路を付加した場合には付加回路自体の動作電流が必要になるのが普通であるが、本発明では待機電流はほぼ０に近いので、電池を接続した最終形態で作り置きしても影響が無い。この様にすることにより出荷依頼があった場合には、ＨＦで通常使用状態（通常モード）に切り替えるだけで、直ちに出荷可能となる。
【０１８９】
また、ＲＦＩＤは固有の識別番号（ＩＤ）を持つ必要があり、ＩＤ設定作業が必要となり、従来では例えばＲＦＩＤ製造時にＩＤを記憶させていた。これに対して、本例のＲＦＩＤ１０，２０では、例えば試験完了（チェックＯＫ）後、出荷前等にＩＤ設定作業を行うことが可能となるため、チップ製造時のＩＤ管理が不要になる点もメリットである。さらに電池寿命等により利用ができなくなったＲＦＩＤと同じＩＤを持つものＲＦＩＤが必要になった場合でも、自由にＩＤの設定が可能となるため簡単に対応が可能となる。
【０１９０】
通常、大量にＲＦＩＤを製作する場合には、ＭＣＵチップ製作時にＩＤを書き込むことが行われているが、当然、全て異なったＩＤを設定する必要があるし、ＩＤを書き込んだＭＣＵチップの管理をする必要が発生する。未完成形態（但し、ＭＣＵチップ製作済み且つＩＤ設定済み）のＲＦＩＤを、他の部品を組み合わせてＲＦＩＤの完成となるわけであるが、もし組み合わせた他の部品に不具合があった場合には、ＭＣＵ自身は正常でもＲＦＩＤとしては動作不良となり、設定されたＩＤが欠番になる。
【０１９１】
これに対して、例えば顧客等から納品するＲＦＩＤのＩＤは連続したＩＤでなければならないと言われた場合には、動作不良のＲＦＩＤのＭＣＵのみをプリント基板から取り外して新しい基板に再実装するか、ＭＣＵチップ自体を過去に遡って製造しなおす必要があり、このような特殊対応は別コストが発生し好ましくないのは当然である。チップの取り外し、再実装はＭＣＵチップに与えるストレスも増加するので、望ましいことではない。
【０１９２】
本手法によれば、完成形のＲＦＩＤで試験ＯＫ後（ハードウェアの動作確認後）に各ＲＦＩＤに固有ＩＤを設定できるので、上記の様な問題は起こらない。また、製造記録の上でもＲＦＩＤにＩＤを書き込むと同時にＩＤの発行管理を実施すれば済むので、製品管理上も、連番提供の上でも極めて簡単に管理ができる。
【０１９３】
また、付加したＭＯＳＦＥＴ１３のドレイン側には、ＲＦＩＤの動作モードに対応して電源電圧を印加／ＯＦＦ（０Ｖ）とすることにより、運用時には一切の電流が流れない点と、ＭＣＵに信号変化が発生しないため、通常使用時のハードウェアあるいは内蔵プログラムに無駄な配慮をする必要が無い点で優れている。
【０１９４】
尚、HFリーダーから電力の供給を受けて動作する、通常のＲＦＩＤは、リーダーからＲＦＩＤ方向の下り通信の場合には、電力供給と同時に信号伝送を行う必要があるため、変調がかかっても電力が十分に供給される様に、10％から30％程度のASKが使用されている。ISO15693規格の100％ASKの場合には13.56MHzの信号が切れる時間は75μSの間に9.5μS程度である。従ってHF送信機とＲＦＩＤが近距離にある間は、ＭＯＳＦＥＴのドレインには若干のひげ状の出力が発生するが、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧は０Vに近い値をとることになる。数値の選び方で、変調方式に応じた出力にすることができること。
【符号の説明】
【０１９５】
１  通常の端末
２  ＵＨＦ端末
３  試験用端末
１０  ＲＦＩＤ
１１  アンテナ
１２  共振コンデンサ
１３  ＭＯＳＦＥＴ
１４  抵抗
１５  コンデンサ
１６  ＭＣＵ
１７  ＲＦＩＣ
１８  ＲＦアンテナ
２１  スイッチ
２２  高抵抗
２３  ＭＣＵ
３０  電池
３１  アンプ
ＳＷ１  スイッチ
ＳＷ２  スイッチ
４１  無線通信部
４２  制御部
４３  半導体スイッチ部
４４  出荷前制御部
４５  運用時制御部
５１  出力部
６１  出力部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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