(57)【要約】【課題】ダークスポット（ＤＳ）を引き起こす異物の混入経路の特定を容易に行える有機ＥＬ素子の異物判定方法を提供すること。【解決手段】有機ＥＬ素子を発光させてＤＳの有無を判定するステップＳ１と、ステップＳ１でＤＳが有る有機ＥＬ素子を発光させずに、可視光を照射して異物の有無を判定するステップＳ２と、ステップＳ１でＤＳが有る有機ＥＬ素子を発光させ、且つ可視光を照射して異物の有無を判定するステップＳ３と、を備え、ステップＳ２で異物が有る場合には、当該異物は機能層のうち可視光の入射側に最も近い第１層である正孔注入層に含まれると判定し、ステップＳ３で異物がある場合には、当該異物は機能層のうち正孔注入層または正孔注入層と発光層との間の第２層である正孔輸送層に含まれると判定し、ステップＳ３で異物がない場合には、当該異物は発光層に含まれると判定する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を含む機能層が一対の電極間に挟持された有機ＥＬ素子の異物判定方法であって、
前記有機ＥＬ素子を発光させてダークスポットの有無を判定する第１のステップと、
前記第１のステップでダークスポットが有る前記有機ＥＬ素子を発光させずに、可視光を照射して異物の有無を判定する第２のステップと、
前記第１のステップでダークスポットが有る前記有機ＥＬ素子を発光させ、且つ前記可視光を照射して異物の有無を判定する第３のステップと、を備え、
前記第２のステップで異物が有る場合には、当該異物は前記機能層のうち前記可視光の入射側に最も近い第１層に含まれると判定し、
前記第３のステップで異物がある場合には、当該異物は前記機能層のうち前記第１層または前記第１層と前記発光層との間の第２層に含まれると判定し、
前記第３のステップで異物がない場合には、当該異物は前記発光層に含まれると判定することを特徴とする有機ＥＬ素子の異物判定方法。
【請求項２】
前記第２のステップの後、前記第３のステップを実施し、
前記第２のステップで異物がなく、前記第３のステップで異物がある場合には、前記第２層に当該異物が含まれると判定することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の異物判定方法。
【請求項３】
前記有機ＥＬ素子は、透明な基板上に形成されており、
前記機能層のうち、前記第１層が正孔注入層であり、前記第２層が正孔輸送層であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子の異物判定方法。
【請求項４】
前記第１のステップで異物が有る前記有機ＥＬ素子に紫外光を照射して前記異物が蛍光を発するか否か判定する第４のステップを、さらに備え、
前記第４のステップで前記異物が蛍光を発する場合、前記異物が有機物であると判定し、
前記第４のステップで前記異物が蛍光を発しない場合、前記異物が無機物であると判定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の異物判定方法。
【請求項５】
前記機能層のうち少なくとも１層が液相プロセスで形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の異物判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の異物判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型であり薄型の表示装置として画素に有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を備えた有機ＥＬパネルが注目されている。このような有機ＥＬパネルの製造過程において、画素（有機ＥＬ素子）に異物が混入すると、当該画素の発光機能が失われることによりダークスポットと呼ばれる暗点が生ずる。当該画素においてダークスポットが占める面積割合にもよるが、ダークスポットを有する当該画素は欠陥画素として扱われることになる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、画素の発光層を励起させて色応答を出力させ、励起された画素により生じた出力光の画像を捕捉し、捕捉された光をデジタル画像に変換し、該デジタル画像からＯＬＥＤ（Organic  light  emitting  diode）デバイスの画素のサイズ、形状、配置及び放出光強度を、許容できる所定のサイズ、形状、配置及び放出光強度と比較して、該ＯＬＥＤデバイスに欠陥があるかどうか測定する方法が開示されている。
【０００４】
また、例えば、特許文献２には、画素ごとに形成された画素電極内に混入した異物を検出する工程と、混入した異物を画素電極内下部方向へ押し込む工程とを有する有機ＥＬディスプレイのリペア方法が開示されている。特許文献２には、異物を検出する方法として、顕微鏡を用いた外観検査による方法、画像検査方法、パターン検査方法が挙げられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１７２１２７号公報
【特許文献２】特開２０１２−２４３４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
有機ＥＬパネルを製造する過程で、異物に起因する欠陥画素を上記特許文献１のように検出したり、また、上記特許文献２のように異物を検出した後にリペアしたりすることは重要なことであるが、異物を分析して、どのような工程で混入したのかを追求し、異物の混入を未然に防止することがより重要である。
一方で、有機ＥＬ素子は、一対の電極間に発光機能を有する機能層を備えている。機能層は発光層を含む複数の層からなる。ところが、機能層に混入する異物の種類や大きさは様々であり、ダークスポットを含む画素（有機ＥＬ素子）を例えば顕微鏡などで観察しても、機能層のうちいずれの層の形成工程で異物が混入したかを特定することは困難であった。また、顕微鏡で観察する方法では、異物がどのような物質かを推定することは困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例］本適用例に係る有機ＥＬ素子の異物判定方法は、発光層を含む機能層が一対の電極間に挟持された有機ＥＬ素子の異物判定方法であって、前記有機ＥＬ素子を発光させてダークスポットの有無を判定する第１のステップと、前記第１のステップでダークスポットが有る前記有機ＥＬ素子を発光させずに、可視光を照射して異物の有無を判定する第２のステップと、前記第１のステップでダークスポットが有る前記有機ＥＬ素子を発光させ、且つ前記可視光を照射して異物の有無を判定する第３のステップと、を備え、前記第２のステップで異物が有る場合には、当該異物は前記機能層のうち前記可視光の入射側に最も近い第１層に含まれると判定し、前記第３のステップで異物がある場合には、当該異物は前記機能層のうち前記第１層または前記第１層と前記発光層との間の第２層に含まれると判定し、前記第３のステップで異物がない場合には、当該異物は前記発光層に含まれると判定することを特徴とする。
【０００９】
上記適用例に記載の有機ＥＬ素子の異物判定方法において、前記第２のステップの後、前記第３のステップを実施し、前記第２のステップで異物がなく、前記第３のステップで異物がある場合には、前記第２層に当該異物が含まれると判定することを特徴とする。
【００１０】
これらの適用例によれば、ダークスポットを引き起こす異物が機能層のうちどの層に含まれるか特定することができる。また、このような異物判定方法を用いてダークスポットの異物の判定を、同一工程で形成された異なる有機ＥＬ素子に対して繰り返し行うことで、どの層の形成工程で最も異物が混入し易い状態となっているか、異物の混入における傾向も推定することができる。これにより、異物の混入経路を特定して、混入を低減させる改善活動を容易に行うことができる。
【００１１】
上記適用例に記載の有機ＥＬ素子の異物判定方法において、前記有機ＥＬ素子は、透明な基板上に形成されており、前記機能層のうち、前記第１層が正孔注入層であり、前記第２層が正孔輸送層であることを特徴とする。
この方法によれば、ダークスポットを引き起こす異物が、機能層のうち、少なくとも正孔注入層、正孔輸送層、発光層のいずれに含まれるか特定できる。また、ダークスポットを引き起こす異物が、少なくとも正孔注入層形成工程、正孔輸送層形成工程、発光層形成工程のいずれの工程で混入したかを推定できる。
【００１２】
上記適用例に記載の有機ＥＬ素子の異物判定方法において、前記第１のステップで異物が有る前記有機ＥＬ素子に紫外光を照射して前記異物が蛍光を発するか否か判定する第４のステップを、さらに備え、前記第４のステップで前記異物が蛍光を発する場合、前記異物が有機物であると判定し、前記第４のステップで前記異物が蛍光を発しない場合、前記異物が無機物であると判定することを特徴とする。
この方法によれば、ダークスポットを引き起こす異物が有機物であるか無機物であるかを特定することができる。これにより、異物が蛍光を発する有機物である場合、当該異物が機能層を構成する材料に含まれると推定できる。また、異物が蛍光を発しない無機物である場合、当該異物が機能層を構成する各層の形成工程における環境由来の例えば金属や金属化合物などの無機物であると推定できる。
【００１３】
上記適用例に記載の有機ＥＬ素子の異物判定方法において、前記機能層のうち少なくとも１層が液相プロセスで形成されていることを特徴とする。
この方法によれば、例えば真空蒸着法などの気相プロセスに比べて環境由来の異物が混入し易い液相プロセスを用いて機能層のうちの少なくとも１層を形成したとしても、異物の混入工程を特定したり、異物がどのような物質であるかを推定したりすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】有機ＥＬパネルの構成を示す概略平面図。
【図２】有機ＥＬ素子の構成を示す模式断面図。
【図３】有機ＥＬパネルの製造方法を示すフローチャート。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は有機ＥＬパネルの製造方法を示す概略断面図。
【図５】（ｅ）〜（ｈ）は有機ＥＬパネルの製造方法を示す概略断面図。
【図６】有機ＥＬ素子の異物判定方法を示すフローチャート。
【図７】有機ＥＬ素子の異物判定装置の構成を示す概略図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は異物判定方法を説明する図。
【図９】変形例の有機ＥＬパネルにおける有機ＥＬ素子の構成を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１６】
＜有機ＥＬパネル＞
まず、本実施形態の有機ＥＬパネルの一例について、図１及び図２を参照して説明する。図１は有機ＥＬパネルの構成を示す概略平面図、図２は有機ＥＬ素子の構成を示す模式断面図である。
図１に示すように、有機ＥＬパネル１００は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光（発光色）が得られるサブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂを有している。各サブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂは略矩形状であり、素子基板１０１の表示領域Ｅにおいてマトリックス状に配置されている。サブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂのそれぞれには、対応する色の発光が得られる有機ＥＬ素子１３０（図２参照）が設けられている。同色の発光が得られるサブ画素１０７が図面上において垂直方向（列方向あるいはサブ画素１０７の長手方向）に配列し、異なる発光色のサブ画素１０７が図面上において水平方向（行方向あるいはサブ画素１０７の短手方向）にＲ，Ｇ，Ｂの順で配列している。すなわち、異なる発光色のサブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂが所謂ストライプ方式で配置されている。
以降、異なる発光色のサブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂを総称してサブ画素１０７と呼ぶこともある。また、異なる発光色のサブ画素１０７が配列する方向をＸ方向、同色のサブ画素１０７が配列する方向をＹ方向として説明する。
【００１７】
このような有機ＥＬパネル１００を表示装置として用いるならば、異なる発光色が得られる３つのサブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂを１つの表示画素単位１０８として、それぞれのサブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂは電気的に制御される。これによりフルカラー表示が可能となる。
【００１８】
なお、異なる発光色のサブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂの平面形状及び配置は、これに限定されるものではなく、例えば、デルタ方式、モザイク方式の配置であってもよい。また、サブ画素１０７は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色に対応して設けられることに限定されず、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）以外の例えば黄色（Ｙ）の発光が得られるサブ画素１０７を含んでいてもよい。
【００１９】
素子基板１０１は、発光が得られる有機ＥＬ素子１３０に水分や酸素などが浸入して発光機能が低下あるいは失われることを防止するために、少なくともサブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂが配置された表示領域Ｅを覆う封止層（図示省略）などを介して封止基板１０２と貼り合わされる。
【００２０】
図２は、赤色（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１０７Ｒに配置される有機ＥＬ素子１３０Ｒの構成を示すものである。図２に示すように、有機ＥＬ素子１３０Ｒは、素子基板１０１上に設けられた画素電極１３１と、画素電極１３１に対向して設けられた対向電極１３４と、画素電極１３１と対向電極１３４との間（一対の電極間）に挟持された発光機能を有する機能層１３２Ｒとを有している。
本実施形態における素子基板１０１は、透明な例えば石英（無アルカリ）や低アルカリガラスなどの基板からなる。画素電極１３１は、陽極として機能するものであり、可視光透過率が例えば８５％以上であって、仕事関数が大きいＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などの透明導電膜からなる。対向電極１３４は、陰極として機能するものであり、例えば、Ａｌ（アルミニウム）などの低抵抗電極材料からなる。
【００２１】
機能層１３２Ｒは、画素電極１３１側から順に積層された、正孔注入層１３２ａ、正孔輸送層１３２ｃ、赤色の発光が得られる発光層１３２ｒ、電子輸送層１３２ｄ、電子注入層１３２ｅを含むものである。画素電極１３１と対向電極１３４との間に駆動電位を印加することにより、画素電極１３１から機能層１３２Ｒに正孔が注入され、対向電極１３４から機能層１３２Ｒに電子が注入される。機能層１３２Ｒに含まれる発光層１３２ｒでは、注入された正孔と電子が励起子（エキシトン）を形成し、励起子（エキシトン）が消滅する際（電子と正孔とが再結合する際）にエネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。つまり、画素電極１３１と対向電極１３４との間に駆動電位を印加し、機能層１３２Ｒを流れる電流の大きさに応じた輝度の赤色の発光が得られる。
【００２２】
正孔注入層１３２ａは画素電極１３１から正孔輸送層１３２ｃへの正孔の注入性を向上させるものである。正孔輸送層１３２ｃは発光層１３２ｒへの正孔の輸送性を向上させると共に、発光層１３２ｒから正孔注入層１３２ａ側に電子が漏れることを抑制するものである。電子注入層１３２ｅは対向電極１３４から電子輸送層１３２ｄへの電子の注入性を向上させるものである。電子輸送層１３２ｄは発光層１３２ｒへの電子の輸送性を向上させると共に、発光層１３２ｒから電子注入層１３２ｅ側に正孔が漏れることを抑制するものである。なお、機能層１３２Ｒの構成は、これに限定されるものではなく、例えば正孔輸送層１３２ｃ、電子輸送層１３２ｄを除いたり、キャリア（正孔や電子）の移動に係る機能を有する中間層を含んでいたりしてもよい。
【００２３】
赤色の発光が得られる有機ＥＬ素子１３０Ｒは、サブ画素１０７Ｒに配置されるものである。他のサブ画素１０７Ｇには、緑色の発光が得られる有機ＥＬ素子１３０Ｇが配置され、サブ画素１０７Ｂには、青色の発光が得られる有機ＥＬ素子１３０Ｂが配置される。ここでは、有機ＥＬ素子１３０Ｇ，１３０Ｂの構成について図示していないが、基本的には有機ＥＬ素子１３０Ｒと同じ構成となっている。なお、各色の有機ＥＬ素子１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂを総称して有機ＥＬ素子１３０と呼ぶこともある。また、それぞれに異なる色の発光が得られる機能層１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂを総称して機能層１３２と呼ぶこともある。
【００２４】
本実施形態の有機ＥＬパネル１００は、サブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂの有機ＥＬ素子１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂからの発光が、透明な素子基板１０１側から射出されるボトムエミッション方式となっている。対向電極１３４は機能層１３２における発光を素子基板１０１側に反射させる反射膜としても機能している。したがって、機能層１３２における発光を無駄なく素子基板１０１側から取り出し、明るいカラー表示が可能となっている。
【００２５】
本実施形態では、有機ＥＬパネル１００における有機ＥＬ素子１３０の形成方法として、気相プロセスと液相プロセスとが用いられている。詳しくは後述するが、画素電極１３１及び対向電極１３４、並びに機能層１３２のうち電子輸送層１３２ｄ、電子注入層１３２ｅは、気相プロセスとしての真空蒸着法を用いて形成されている。機能層１３２のうち正孔注入層１３２ａ、正孔輸送層１３２ｃ、発光層１３２ｒ，１３２ｇ，１３２ｂ（図５（ｇ）参照）は、液相プロセスとしての液滴吐出法（インクジェット法）が用いられている。
【００２６】
＜有機ＥＬパネルの製造方法（有機ＥＬ素子の形成方法）＞
次に、有機ＥＬパネル１００の製造方法、とりわけ各サブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂに対応して配置される有機ＥＬ素子１３０の形成方法について、図３〜図５を参照して説明する。図３は有機ＥＬパネルの製造方法を示すフローチャート、図４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ｅ）〜（ｈ）は有機ＥＬパネルの製造方法を示す概略断面図である。
【００２７】
図３に示すように、有機ＥＬパネル１００の製造方法は、バンク形成工程（ステップＳ１１）と、正孔注入層形成工程（ステップＳ１２）と、正孔輸送層形成工程（ステップＳ１３）と、発光層形成工程（ステップＳ１４）と、電子輸送層形成工程（ステップＳ１５）と、電子注入層形成工程（ステップＳ１６）と、陰極形成工程（ステップＳ１７）と、有機ＥＬ素子１３０が形成された素子基板１０１と封止基板１０２とを接着する基板接着工程（ステップＳ１８）と、を少なくとも備えている。なお、素子基板１０１上に有機ＥＬ素子１３０を駆動するための画素回路を形成する工程や画素回路に電気的に接続した画素電極１３１を形成する工程は、公知の製造方法を用いればよく、本実施形態では詳細の説明は省略する。したがって、図４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ｅ）〜（ｈ）では、画素回路の図示を省略している。
【００２８】
図３のバンク形成工程（ステップＳ１１）では、図４（ａ）に示すように、画素電極１３１の外縁を覆って画素電極１３１を区画するようにバンク１３３を形成する。バンク１３３の形成方法は、例えば、画素電極１３１が形成された素子基板１０１の表面に、例えばフッ素系の撥液材料を含む感光性レジスト（感光性樹脂材料）をおよそ１μｍ〜３μｍ程度の厚みで塗布して乾燥（プレベーク）することにより、レジスト層を形成する。感光性レジストの塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、転写法などが挙げられる。そして、サブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂの形状に対応した露光用マスクを用いてレジスト層を露光し、現像することにより断面が台形状のバンク１３３を形成する。バンク１３３は撥液材料を含んでおり、バンク１３３の表面が後述する機能液に対して好適な撥液性を示すと共に、バンク１３３中の溶媒成分を除去し、機能液に含まれる溶媒に対して不溶となるようにポストベークが施されている。以降、バンク１３３により区画された領域を膜形成領域Ａと呼ぶ。なお、撥液材料を含まない感光性レジストを用いてバンク１３３を形成した後に、フッ素系の処理ガスに晒すことでバンク１３３の表面に撥液性を付与してもよい。
【００２９】
また、次工程で正孔注入層１３２ａを液相プロセス（液滴吐出法）で形成するに際して、膜形成領域Ａにおいて機能液がむらなく濡れ広がるように、画素電極１３１の表面のバンク残渣などの不要物を取り除く目的で表面処理を行ってもよい。表面処理方法としては、例えば紫外線を照射してオゾンを発生させ、オゾンの作用で上記不要物を酸化させて取り除く方法などを挙げることができる。表面処理は、画素電極１３１の表面を清浄化できればよく、例えば溶媒による洗浄・乾燥工程を行ってもよい。また、画素電極１３１の表面が清浄な状態であれば、表面処理を実施しなくてもよい。そして、ステップＳ１２へ進む。
【００３０】
図４の正孔注入層形成工程（ステップＳ１２）では、まず、図４（ｂ）に示すように、正孔注入層形成材料を含む機能液７０を膜形成領域Ａに塗布する。機能液７０は、例えば、溶媒に正孔注入層形成材料として例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（１／６）の混合物を重量比で１．０％〜２．０％程度含んだものを用いた。溶媒は、芳香族炭化水素、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスソルアミド（ＨＭＰＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテートなどのグリコールエーテル類の中から少なくとも１種を選択して用いる。機能液７０の粘度は、液滴吐出法を適用可能な程度（例えば、２０ｍＰａ・ｓ（ミリパスカル秒）以下）に溶媒の割合が調整されている。
【００３１】
機能液７０を塗布する方法としては、機能液（インク）をノズルから液滴として吐出可能な吐出ヘッド（インクジェットヘッド）５０を備えた液体吐出装置を用いる。吐出ヘッド５０とワークである素子基板１０１とを対向させ、吐出ヘッド５０から機能液７０を吐出する。吐出された機能液７０は、液滴として画素電極１３１に着弾して濡れ拡がる。また、乾燥・焼成後の正孔注入層１３２ａの膜厚がおよそ５０ｎｍ〜６０ｎｍとなるように、膜形成領域Ａの面積に応じた必要量を液滴として吐出した。吐出された機能液７０は、バンク１３３の表面が撥液性を有していることも手伝って、膜形成領域Ａにおいて界面張力により盛り上がるように充填される。そして乾燥・焼成工程へ進む。
【００３２】
乾燥・焼成工程では、素子基板１０１を例えば真空乾燥後、大気雰囲気下で１５０℃、１時間程度加熱する焼成処理を行う。これにより、機能液７０の溶媒成分を蒸発させて除去し、図４（ｃ）に示すように膜形成領域Ａの画素電極１３１上に正孔注入層１３２ａを形成する。なお、本実施形態では、各膜形成領域Ａに同一材料からなる正孔注入層１３２ａを形成したが、後に形成される発光層に対応して正孔注入層１３２ａの材料を発光色ごとに変えてもよい。そしてステップＳ１３へ進む。
【００３３】
図３の正孔輸送層形成工程（ステップＳ１３）では、図４（ｄ）に示すように、正孔輸送層形成材料を含む機能液８０を膜形成領域Ａに塗布する。
機能液８０は、溶媒として例えばジメチルナフタレンを含み、正孔輸送層形成材料として例えばトリフェニルアミン系ポリマー（ＴＦＢ）を重量比で１．５％〜２．０％程度含んだものを用いた。機能液８０の粘度も、液滴吐出法を適用可能な程度に溶媒の割合が調整されている。
機能液８０を塗布する方法としては、機能液７０を塗布する場合と同様に、吐出ヘッド５０を備えた液体吐出装置を用いる。乾燥・焼成後の正孔輸送層１３２ｃの膜厚がおよそ１０ｎｍ〜３０ｎｍとなるように、膜形成領域Ａの面積に応じた必要量を液滴として吐出した。機能液８０も膜形成領域Ａにおいて界面張力により盛り上がるように充填される。そして乾燥・焼成工程へ進む。
【００３４】
乾燥・焼成工程では、素子基板１０１を例えば真空乾燥後、窒素雰囲気下で１８０℃、１時間程度加熱する焼成処理を行う。これにより、機能液８０の溶媒成分を蒸発させて除去し、図５（ｅ）に示すように膜形成領域Ａの正孔注入層１３２ａ上に正孔輸送層１３２ｃを形成する。そしてステップＳ１４へ進む。
【００３５】
図３の発光層形成工程（ステップＳ１４）では、図５（ｆ）に示すように、発光層形成材料を含む機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂをそれぞれ対応する膜形成領域Ａに塗布する。
機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂは、溶媒として例えばジメチルナフタレンを含んでおり、発光層形成材料（蛍光発光材料もしくは燐光発光材料を含む）を重量比で１．５％〜２．０％程度含んだものを用いた。機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの粘度も、液滴吐出法を適用可能な程度にそれぞれ溶媒の割合が調整されている。
機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂを塗布する方法は、やはり吐出ヘッド５０を備えた液体吐出装置を用い、それぞれ異なる吐出ヘッド５０に充填されて吐出される。
機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂは、乾燥・焼成後の発光層１３２ｒ，１３２ｇ，１３２ｂの膜厚がおよそ６０ｎｍ〜８０ｎｍとなるように、膜形成領域Ａの面積に応じた必要量を液滴として吐出される。機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂもまた、膜形成領域Ａにおいて界面張力により盛り上がるように充填される。そして乾燥・焼成工程へ進む。
【００３６】
本実施形態における吐出された機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの乾燥・焼成工程は、一般的な加熱乾燥に比べて溶媒成分を比較的均一に乾燥可能な真空乾燥を用いている。また、真空乾燥後、窒素雰囲気下で１３０℃、３０分程度加熱する焼成処理を行う。膜形成領域Ａには満遍なく必要量の機能液９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂが塗布されているので、図５（ｇ）に示すように、乾燥・焼成後に形成された発光層１３２ｒ，１３２ｇ，１３２ｂは膜形成領域Ａごとにほぼ一定の膜厚と安定した膜形状（断面形状）を有する。これにより、各機能層１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂができあがる。そして、ステップＳ１５へ進む。
【００３７】
次に、図３の電子輸送層形成工程（ステップＳ１５）〜陰極形成工程（ステップＳ１７）では、気相プロセスにより、電子輸送層１３２ｄ、電子注入層１３２ｅ、陰極としての対向電極１３４を形成する。具体的には、前述した各層の材料を例えば真空蒸着法により逐次成膜して、図５（ｈ）に示すように、バンク１３３で区画された膜形成領域Ａと、露出したバンク１３３の表面とを覆って、各層を積層形成する。特に、機能層１３２の熱による損傷を防止できるという点では、対向電極１３４を真空蒸着法で形成することが好ましい。また、機能層１３２に外部から水分や酸素などのガスが浸入して、機能層１３２の発光機能や発光寿命が低下することを防ぐために、対向電極１３４の表面を覆うように、ガスバリア性を有する例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいはシリコンの酸窒化物などの無機材料を成膜してもよい。これにより、優れた発光特性（発光輝度、発光寿命など）を有する有機ＥＬ素子１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂができあがる。
【００３８】
電子輸送層１３２ｄの構成材料（電子輸送材料）としては、特に限定されないが、蒸着法などの気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、ＢＡＬｑ、ＯＸＤ−１（１，３，５−トリ（５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール））、ＢＣＰ（Bathocuproine）、ＰＢＤ（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール）、ＴＡＺ（３−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール）、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビスージフェニルエテニル）ビフェニル）、ＢＮＤ（２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＤＴＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビス（４−メチルフェニル）エテニル）ビフェニル）、ＢＢＤ（２，５−ビス（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール）などを挙げることができる。
【００３９】
また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体などを挙げることができる。これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４０】
電子輸送層１３２ｄの膜厚は、特に限定されないが、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲にあることがより好ましい。
【００４１】
電子注入層１３２ｅの構成材料（電子注入材料）としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、あるいはアルカリ金属またはアルカリ土類金属の化合物を挙げることができ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
アルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられる。また、アルカリ土類金属としては、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａが挙げられる。
【００４３】
アルカリ金属の化合物としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2ＣＯ3、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、Ｎａ2ＣＯ3、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3、ＣｓＣｌなどのアルカリ金属塩が挙げられる。また、アルカリ土類金属の化合物としては、例えば、ＣａＦ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＦ2、ＳｒＣＯ3、ＢａＦ2、ＢａＣＯ3などのアルカリ土類金属塩が挙げられる。
【００４４】
電子注入層１３２ｅの膜厚は、特に限定されないが、０．０１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲であることが好ましく、０．１ｎｍ〜５ｎｍの範囲であることがより好ましい。
【００４５】
対向電極１３４の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。また、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｕまたはこれらを含む合金等が用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００４６】
特に、本実施形態のように、ボトムエミッション構造の有機ＥＬパネル１００とする場合、対向電極１３４には光透過性が求められず、対向電極１３４の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄ等の金属または合金が好ましく用いられる。このような金属または合金を対向電極１３４の構成材料として用いることにより、対向電極１３４の電子注入効率及び安定性の向上を図ることができる。
ボトムエミッション構造における対向電極１３４の膜厚は、特に限定されないが、５０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲にあることが好ましく、１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にあることがより好ましい。ここまでが、有機ＥＬ素子１３０の形成工程を示すものである。そして、ステップＳ１８へ進む。
【００４７】
図３の基板接着工程（ステップＳ１８）では、有機ＥＬ素子１３０が形成された素子基板１０１に封止層を塗布して、封止基板１０２と隙間なくベタ封止する。さらに封止基板１０２の外周領域において水分や酸素等の浸入を防ぐ接着層を設けて接着することが望ましい。これにより、水分や酸素の影響を受けて有機ＥＬ素子１３０の発光機能が損なわれ難い優れた表示品質を有する有機ＥＬパネル１００ができあがる。
【００４８】
以上のような有機ＥＬ素子１３０の形成方法によれば、液相プロセス（液滴吐出法）により成膜された機能層１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂは、ほぼ一定の膜厚と安定した膜形状（断面形状）の正孔注入層１３２ａ、正孔輸送層１３２ｃ、発光層１３２ｒ，１３２ｇ，１３２ｂを有している。したがって、膜厚ムラに起因する輝度ムラが低減された有機ＥＬ素子１３０を形成することができる。
【００４９】
このようにして製造された異なる発光色が得られる有機ＥＬ素子１３０を備えた有機ＥＬパネル１００は、所望の発光特性が実現され、見映えのよいカラー表示が可能である。
【００５０】
一方で、上記有機ＥＬ素子１３０の形成方法は、上述したように気相プロセスと液相プロセスとを用いている。気相プロセスは、例えば真空蒸着法のように減圧されたチャンバー内に素子基板１０１を配置して行われる。これに対して液相プロセスは、例えば液滴吐出法のように常圧下に素子基板１０１を配置して行われる。液相プロセスは、クリーン度が管理された環境下で行われるものの、気相プロセスに比べて異物などが混入し易い。有機ＥＬ素子１３０の形成過程、とりわけ液相プロセスを用いる機能層１３２の形成過程で異物が混入すると、機能層１３２における発光機能が低下あるいは失われてダークスポット（ＤＳ）と呼ばれる暗点が生ずる。ダークスポット（ＤＳ）は、有機ＥＬ素子１３０を駆動して発光させることにより確認することができる。大きさがおよそ０．１ｍｍ以上のダークスポット（ＤＳ）がある有機ＥＬ素子１３０すなわちサブ画素１０７は、視認され易く欠陥画素として扱われる。ダークスポット（ＤＳ）を科学的に分析することにより異物の大きさや材質を特定することができる。複数のダークスポット（ＤＳ）を分析した結果、異物の大きさはダークスポット（ＤＳ）の大きさの１／３〜１／８程度であることが分かった。また、異物の種類も様々で、有機物や無機物であることが分かった。しかしながら、異物がどの工程で混入したのか、また異物は環境由来なのか、あるいは機能層１３２を構成する各層の形成材料に含まれるものなのか、とりわけ液相プロセスでは機能液に含まれるものなのか、特定することは難しかった。そこで、発明者らは、ダークスポット（ＤＳ）の観察と科学的な分析とを繰り返すことで、これまでに比べて、機能層１３２のうち異物が含まれる層や、異物の材質を容易に特定することが可能な異物判定方法を開発した。以降、有機ＥＬ素子１３０の異物判定方法について説明する。
【００５１】
＜有機ＥＬ素子の異物判定方法＞
本実施形態の有機ＥＬ素子１３０の異物判定方法について、図６〜図８を参照して説明する。図６は有機ＥＬ素子の異物判定方法を示すフローチャート、図７は有機ＥＬ素子の異物判定装置の構成を示す概略図、図８（ａ）〜（ｃ）は異物判定方法を説明する図である。なお、図８（ａ）〜（ｃ）は赤色の発光が得られる有機ＥＬ素子１３０Ｒを示すものである。
【００５２】
図６に示すように、本実施形態の有機ＥＬ素子１３０の異物判定方法は、有機ＥＬ素子１３０（有機ＥＬパネル１００）を点灯（発光）させて、ダークスポット（ＤＳ）が有るか否か（有／無；ＹＥＳ／ＮＯ）を判定するステップＳ１（第１のステップ）と、ダークスポット（ＤＳ）がある有機ＥＬ素子１３０に可視光を照射して、異物が有るか否か（有／無；ＹＥＳ／ＮＯ）を判定するステップＳ２（第２のステップ）と、有機ＥＬ素子１３０を点灯（発光）させると共に可視光を照射して、異物が有るか否か（有／無；ＹＥＳ／ＮＯ）を判定するステップＳ３（第３のステップ）と、を備えている。また、ステップＳ２〜ステップＳ３によって異物の存在が認められた場合、あるいは推定された場合に、当該異物に紫外線（ＵＶ）を照射して蛍光を発するか否か（ＹＥＳ／ＮＯ）を判定するステップＳ４（第４のステップ）をさらに備えている。
【００５３】
図７に示すように、本実施形態の有機ＥＬ素子１３０の異物判定方法に用いられる異物判定装置５００は、実体顕微鏡５０１と、これを制御するコントローラー５２０とを含んで構成されている。実体顕微鏡５０１により有機ＥＬパネル１００のサブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂ（有機ＥＬ素子１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂ）のダークスポット（ＤＳ）を観察して、異物を判定する装置である。
【００５４】
実体顕微鏡５０１は、有機ＥＬパネル１００を載置可能なテーブル５０２と、テーブル５０２の長手方向（Ｘ方向）、短手方向（Ｙ方向）、法線方向（Ｚ方向）にテーブル５０２を移動可能な状態で支持するテーブル支持部５０３ａと、テーブル５０２の法線方向（Ｚ方向）における上方側に位置する鏡筒支持部５０３ｂとを有している。テーブル支持部５０３ａと鏡筒支持部５０３ｂとは一体となっており、実体顕微鏡５０１における支持部５０３を構成するものである。
【００５５】
テーブル支持部５０３ａには、テーブル５０２を上下方向（Ｚ方向）に移動させる回転式の操作部（つまみ）５０３ｃが取り付けられている。テーブル５０２には、テーブル５０２をＸ方向とＹ方向とに移動させるための操作部５０３ｄが取り付けられている。
【００５６】
鏡筒支持部５０３ｂには、鏡筒５０６と、対物レンズ取付け部５０４とが、鏡筒５０６の光軸周りにそれぞれ回動可能に取り付けられている。
鏡筒支持部５０３ｂのＹ方向の後端に光源５０５が取り付けられている。また、鏡筒支持部５０３ｂには、光源５０５と鏡筒５０６との間の光軸に直交するＸ方向に移動可能な状態でフィルター５０８が取り付けられている。
鏡筒５０６の上部には撮像装置５０７が取り付けられている。鏡筒５０６の上部側面には両眼に対応した２つの接眼レンズ５０９が取り付けられている。
対物レンズ取付け部５０４には、倍率が異なる複数の対物レンズ５１０が取り付けられており、対物レンズ取付け部５０４を回転させることにより、所望の倍率の対物レンズ５１０を鏡筒５０６の光軸上に配置することができる。対物レンズ５１０の倍率は、接眼レンズ５０９を通して少なくとも０．５μｍ（ミクロン）の大きさの異物を視認可能となるように適宜設定される。対物レンズ５１０に対してテーブル５０２を上下動させて光学的な焦点を異物に合わせ、異物の大きさを確認する。したがって、この場合、大きさが０．５μｍ以上の異物があれば、「異物あり」として判定されることになる。言い換えれば、０．５μｍ未満の異物は、「異物なし」と判定される。なお、異物の有無を判定する大きさの基準は、０．５μｍであることに限定されるものではない。
【００５７】
コントローラー５２０は、光源５０５及び撮像装置５０７の制御回路と、有機ＥＬパネル１００を点灯（発光）させることが可能な駆動回路とを備えている。コントローラー５２０の筐体の上面には、２つのスイッチ（ＳＷ）５２１，５２２と、スイッチ機能付きのボリューム（ＶＯＬ；可変抵抗器）５２３とが設けられている。
【００５８】
コントローラー５２０と光源５０５とは接続ケーブル５２４を介して電気的に接続されている。同様に、コントローラー５２０と撮像装置５０７とは接続ケーブル５２５を介して電気的に接続されている。また、テーブル５０２に載置される有機ＥＬパネル１００とコントローラー５２０とは接続ケーブル５２６を介して電気的に接続される。なお、これらの接続ケーブル５２４，５２５，５２６はそれぞれ脱着可能となっている。
ＳＷ５２１は光源５０５のＯＮ／ＯＦＦを切り替える。ＳＷ５２２は撮像装置５０７における撮像のＯＮ／ＯＦＦを切り替える。ＶＯＬ５２３は、有機ＥＬパネル１００のＯＮ／ＯＦＦ（点灯・非点灯）を切り替えると共に、ＯＮ状態における輝度の調整（駆動電圧の調整）が可能となっている。
図７には図示を省略したが、撮像装置５０７で撮像した画像を表示可能なモニターや画像を保存可能な記録装置などがコントローラー５２０に接続可能となっている。また、コントローラー５２０は接続された各種装置に電源を供給可能となっている。
【００５９】
実体顕微鏡５０１の光源５０５は、紫外光波長領域（３００ｎｍ〜４００ｎｍ）から可視光波長領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）までの光を発する構成となっている。フィルター５０８は、紫外光波長領域の光をカットする第１の部分と、紫外光波長領域及び可視光波長領域の光を透過させる第２の部分とを有しており、Ｘ方向にスライドさせることにより、光源５０５と鏡筒５０６との間の光軸上に上記第１の部分と上記第２の部分とをそれぞれ配置できる構成となっている。
【００６０】
まず、ステップＳ１では、有機ＥＬパネル１００をコントローラー５２０に接続してすべてのサブ画素１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂ（有機ＥＬ素子１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂ）を点灯（発光）させる。本実施形態では、まず目視によりダークスポット（ＤＳ）が有るか否か（ＹＥＳ／ＮＯ）を確認する。ダークスポット（ＤＳ）があるサブ画素１０７（有機ＥＬ素子１３０）の位置を特定できるようにマーキングを施す。もちろん、ダークスポット（ＤＳ）がなければ（ＮＯ）、当該有機ＥＬパネル１００は問題なしとして、他の有機ＥＬパネル１００を観察する。なお、予め点灯検査してダークスポット（ＤＳ）がある有機ＥＬパネル１００を選別して用いてもよい。
【００６１】
次に、ステップＳ２では、ダークスポット（ＤＳ）がある有機ＥＬパネル１００を点灯させないで実体顕微鏡５０１のテーブル５０２に載置する。そして、紫外光波長領域の光をカットする第１の部分が光軸上に配置されるようにフィルター５０８の位置を調整し、光源５０５を点灯させてダークスポット（ＤＳ）があるサブ画素１０７Ｒ（有機ＥＬ素子１３０Ｒ）に可視光を照射して観察する。このとき、有機ＥＬパネル１００は、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、透光性の素子基板１０１側から可視光が入射するようにテーブル５０２上に配置される。図８（ａ）に示すように、機能層１３２Ｒのうち素子基板１０１に最も近い第１層である正孔注入層１３２ａに異物が含まれる場合、可視光によって照明することで容易に異物を視認できる。素子基板１０１からさらに離れた正孔輸送層１３２ｃや発光層１３２ｒに異物が含まれていても途中に他の層があるので、異物は視認され難い。言い換えれば、ダークスポット（ＤＳ）がある有機ＥＬ素子１３０Ｒに可視光を照射して異物が有る（ＹＥＳ）と判定したとき、当該異物は正孔注入層１３２ａ中に含まれると特定できる。つまり、当該異物は正孔注入層１３２ａの形成工程で混入したものであると推定できる。
【００６２】
次に、ステップＳ３では、ダークスポット（ＤＳ）があるにも関わらず、ステップＳ２で異物が認められない有機ＥＬ素子１３０Ｒを点灯（発光）させた状態で、可視光を照射して観察する。このとき、図８（ｂ）に示すように、第１層である正孔注入層１３２ａと発光層１３２ｒとの間の第２層である正孔輸送層１３２ｃに異物があると、当該異物を視認することができる。正孔輸送層１３２ｃ中の異物は、可視光の照射だけでは視認し難いが、発光層１３２ｒを発光させることで異物が照明されて視認可能となる。言い換えれば、ステップＳ２の可視光の照射で発見できず（ＮＯ）、発光層１３２ｒを発光させることで視認できる異物（ＹＥＳ）は、正孔注入層１３２ａと発光層１３２ｒとの間の第２層である正孔輸送層１３２ｃに含まれると特定できる。つまり、当該異物は、正孔輸送層１３２ｃの形成工程で混入したものであると推定できる。
また、ダークスポット（ＤＳ）があるにも関わらず、ステップＳ２で異物が認められない有機ＥＬ素子１３０Ｒを点灯させた状態で、可視光を照射してもやはり異物が認められない場合（ＮＯ）は、図８（ｃ）に示すように、ダークスポット（ＤＳ）を引き起こす異物が発光層１３２ｒにあると特定できる。発光層１３２ｒ中の異物は発光層１３２ｒを発光させても異物の周囲からの発光の影響を受けて視認し難い。つまり、当該異物は発光層１３２ｒの形成工程で混入したものであると推定できる。
【００６３】
次に、ステップＳ４では、ステップＳ２及びステップＳ３で認められた正孔注入層１３２ａ中の異物、または正孔輸送層１３２ｃ中の異物、あるいは発光層１３２ｒ中の異物を有する有機ＥＬ素子１３０Ｒに対して、紫外光（ＵＶ）を照射して、当該異物が蛍光を発するか否か（ＹＥＳ／ＮＯ）を判定する。具体的には、テーブル５０２に有機ＥＬパネル１００を載置して、紫外光波長領域及び可視光波長領域の光を透過させる第２の部分が光源５０５と鏡筒５０６との間の光軸上に位置するようにフィルター５０８の位置を調整し、ＳＷ５２１を押下して光源５０５を点灯させる。これにより、有機ＥＬ素子１３０Ｒに含まれる異物に対物レンズ５１０を通して光源５０５から発した紫外光（ＵＶ）と可視光とが照射される。
【００６４】
紫外光（ＵＶ）が照射された当該異物が有機物である場合、当該異物は紫外光（ＵＶ）によって励起され蛍光を発する。とりわけ、当該異物が正孔注入層１３２ａ、正孔輸送層１３２ｃ、発光層１３２ｒのそれぞれに含まれる有機半導体材料である場合、強い蛍光を発する。一方で紫外光（ＵＶ）を長時間に亘って有機ＥＬ素子１３０に照射すると、機能層１３２Ｒにおける発光機能が損なわれるおそれがある。本実施形態では、光源５０５の電気的なパワーが例えば１００Ｗ（ワット）であるとき、紫外光（ＵＶ）の照射時間をおよそ５秒程度としている。紫外光（ＵＶ）の照射時間が経過したら紫外光波長領域の光をカットする第１の部分が光源５０５と鏡筒５０６との間の光軸上に位置するようにフィルター５０８をＸ方向に移動させる。このようにすることで、紫外光（ＵＶ）の照射を止め、可視光を照射した状態で紫外光（ＵＶ）によって励起された蛍光を観察することが可能である。つまり、ダークスポット（ＤＳ）を引き起こす異物に対して紫外光（ＵＶ）を照射して、当該異物が蛍光を発する場合（ＹＥＳ）は有機物であると特定できる。また、有機物は正孔注入層１３２ａ、正孔輸送層１３２ｃ、発光層１３２ｒを構成する材料に含まれると推定できる。
【００６５】
一方で、ダークスポット（ＤＳ）を引き起こす異物に対して紫外光（ＵＶ）を照射して、当該異物が蛍光を発しない場合（ＮＯ）は無機物であると特定できる。また、無機物は正孔注入層１３２ａ、正孔輸送層１３２ｃ、発光層１３２ｒの各層を形成する工程で混入した環境由来のものであると推定できる。このような環境由来の無機物としては、金属や金属化合物（例えば、金属の酸化物、窒化物など）が挙げられる。
【００６６】
なお、上記異物判定方法の説明において、機能層１３２を構成する１つの層に異物が含まれるとは、当該異物が完全に当該１つの層に含まれる場合、または当該異物の大部分が当該１つの層に含まれ、当該異物の一部が他の層に含まれる場合を含むものである。
また、上記異物判定方法の説明は、赤色の発光が得られる有機ＥＬ素子１３０Ｒを例に説明したが、これに限定されるものではなく、他の発光色が得られる有機ＥＬ素子１３０Ｇ，１３０Ｂについても同様に適用することができる。
【００６７】
また、ステップＳ１〜ステップＳ４において確認されたダークスポット（ＤＳ）や異物、あるいは異物の蛍光は、撮像装置５０７を用いて撮像することができる。撮像された画像は、前述したようにコントローラー５２０を介してモニターで確認したり、記録装置に保存したりすることができる。
【００６８】
上記実施形態の有機ＥＬ素子１３０の異物判定方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）ダークスポット（ＤＳ）がある有機ＥＬ素子１３０に対して、有機ＥＬ素子１３０を発光させないで可視光を照射したり、有機ＥＬ素子１３０を発光させて可視光を照射したりして観察することで、ダークスポット（ＤＳ）を引き起こす異物が、機能層１３２のうちいずれの層に含まれるものか、科学的な分析を行わなくても容易に特定できる。これにより、異物が混入した工程を推定することができる。
なお、ステップＳ２とステップＳ３は、どちらを先に行っても異物の特定ができる。ただし、ステップＳ２の後にステップＳ３を実施することが望ましい。何故なら、ステップＳ２で異物が特定できた場合、検査のために有機ＥＬ素子１３０を再点灯させることがないため、有機ＥＬ素子１３０に余計な負荷をかけることがないし、再点灯させるためのエネルギーの節約にもなるからである。
（２）ダークスポット（ＤＳ）を引き起こす異物を含む有機ＥＬ素子１３０に紫外光（ＵＶ）を照射して、当該異物が蛍光を発するか否か確認することで、当該異物が有機物か無機物かを特定することができる。また、蛍光の発生具合により、当該異物が機能層１３２を構成する各層に由来するものかを推定することができる。
【００６９】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ素子の異物判定方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００７０】
（変形例１）上記実施形態の有機ＥＬ素子１３０の異物判定方法を適用可能な有機ＥＬパネル１００は、赤、緑、青の有機ＥＬ素子１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂがそれぞれに独立した発光層１３２ｒ，１３２ｇ，１３２ｂを有する構成に限定されない。
図９は変形例の有機ＥＬパネルにおける有機ＥＬ素子の構成を示す模式断面図である。例えば、図９に示すように、変形例の有機ＥＬパネル２００は、素子基板１０１上に配置され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応して形成された画素電極１３１Ｒ，１３１Ｇ，１３１Ｂと、各画素電極１３１Ｒ，１３１Ｇ，１３１Ｂ上に液相プロセス（液滴吐出法）により形成された正孔注入層（ＨＩＬ）１３２ａ及び正孔輸送層（ＨＴＬ）１３２ｃとを有する。また、画素電極１３１Ｒ上において正孔輸送層（ＨＴＬ）１３２ｃに積層された発光層（Ｒ−ＥＭＬ）１３２ｒと、画素電極１３１Ｇ上において正孔輸送層（ＨＴＬ）１３２ｃに積層された発光層（Ｇ−ＥＭＬ）１３２ｇと、を有する。発光層（Ｒ−ＥＭＬ）１３２ｒ及び発光層（Ｇ−ＥＭＬ）１３２ｇは液相プロセス（液滴吐出法）により形成されている。また、各画素電極１３１Ｒ，１３１Ｇ，１３１Ｂ上において、それぞれに共通して、気相プロセス（真空蒸着法）により形成されこの順に積層された、発光層（Ｂ−ＥＭＬ）１３２ｂ、電子輸送層（ＥＴＬ）１３２ｄ、電子注入層（ＥＩＬ）１３２ｅ、対向電極１３４を有する。したがって、有機ＥＬ素子１３０Ｒは、液相プロセスで形成された発光層１３２ｒと、気相プロセスで形成された発光層１３２ｂとを有する。同様に、有機ＥＬ素子１３０Ｇは、液相プロセスで形成された発光層１３２ｇと、気相プロセスで形成された発光層１３２ｂとを有する。有機ＥＬ素子１３０Ｂは、気相プロセスで形成された発光層１３２ｂを有する。このような、有機ＥＬ素子１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂを有する有機ＥＬパネル２００は、ハイブリット方式と呼ばれるものであって、有機ＥＬ素子１３０Ｒ，１３０Ｇにおける発光層１３２ｂは電子輸送機能を有すると共に、正孔が電子輸送層１３２ｄ側に漏れることを抑制する中間層として機能するものである。このような有機ＥＬパネル２００においても上記有機ＥＬ素子１３０の異物判定方法を適用することができる。
【００７１】
（変形例２）上記有機ＥＬ素子１３０の異物判定方法を適用可能な有機ＥＬ素子は、ボトムエミッション方式であることに限定されない。機能層１３２からの発光を対向電極（陰極）１３４側から取り出すトップエミッション方式、あるいは機能層１３２からの発光を画素電極１３１側と対向電極１３４側の双方から取り出す透過方式であってもよい。
【００７２】
（変形例３）上記有機ＥＬ素子１３０の異物判定方法を適用可能な有機ＥＬ素子は、機能層１３２を構成する各層のうち少なくとも１層が液相プロセスを用いて形成される場合に、異物の混入のおそれが高まることから特に有効であって、機能層１３２を構成する各層がすべて気相プロセスで形成されている場合にも有効である。
【００７３】
（変形例４）上記有機ＥＬ素子１３０の異物判定方法は、ステップＳ１〜ステップＳ４を順に行うことに限定されず、例えば、ダークスポット（ＤＳ）の有無を確認するステップＳ１の後に、ダークスポット（ＤＳ）を有する有機ＥＬ素子１３０を発光させ、可視光を照射して異物の有無を観察してもよい。これによって、異物を発見できれば、当該異物は第１層である正孔注入層１３２ａまたは第２層である正孔輸送層１３２ｃに含まれると特定できる。また、異物を発見できなければ、ダークスポット（ＤＳ）を引き起こす異物が発光層に含まれると特定できる。また、紫外光（ＵＶ）を照射して異物が蛍光を発するか否か確認するステップＳ４は、ダークスポット（ＤＳ）の有無を確認するステップＳ１の後に、単独に実施してもよい。これによって、ダークスポット（ＤＳ）を引き起こす異物が有機物か無機物かを判別できる。
【００７４】
（変形例５）上記有機ＥＬ素子１３０の異物判定方法を適用する有機ＥＬパネル１００における有機ＥＬ素子１３０の数は、複数であることに限定されない。言い換えれば、１つの有機ＥＬ素子１３０を備えた面発光の発光体（例えば照明装置や露光装置など）に対しても適用できる。
【符号の説明】
【００７５】
１００…有機ＥＬパネル、１０１…基板としての素子基板、１０２…封止基板、１０７，１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂ…サブ画素、１３０，１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂ…有機ＥＬ素子、１３１…画素電極、１３２，１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂ…機能層、１３２ａ…第１層としての正孔注入層、１３２ｃ…第２層としての正孔輸送層、１３２ｒ，１３２ｇ，１３２ｂ…発光層、１３４…対向電極、２００…変形例の有機ＥＬパネル。
【図１】
2016071988.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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