(57)【要約】      （修正有）【課題】簡易かつ短時間で被検体のＩＧＳＣＣ発生感受性を評価することができる粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法および粒界型応力腐食割れ発生感受性評価装置を提供する。【解決手段】公称ひずみε０の強制変位を負荷する前のデンドライト境界指示模様間の距離と強制変位負荷中のデンドライト境界指示模様間の距離とからεｉを評価し、このεｉを異なる箇所でｎ領域分求める。そして、εｉを統計処理し、この統計処理値に基づき被検体のＩＧＳＣＣ発生感受性を評価する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体表面に鏡面研磨を施す表面処理工程と、
この表面処理を施した前記被検体に対して公称ひずみε０の強制変位を負荷し、この強制変位負荷中に発生する結晶粒界近傍のひずみεｉを少なくとも２以上測定する測定工程と、
この測定工程で測定した前記少なくとも２以上のひずみεｉからεｉ処理値を演算する演算工程と、
この演算工程で求めた前記εｉ処理値を前記公称ひずみε０で除算したεｉ処理値／ε０を指標に被検体の粒界型応力腐食割れ発生感受性を評価する評価工程とを有する
ことを特徴とする粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法。
【請求項２】
請求項１に記載の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法において、
前記測定工程では、前記ひずみεｉを少なくとも２つ以上の領域で測定し、
前記演算工程では、前記εｉ処理値として、前記測定工程で測定した各領域におけるひずみ最大値εｍａｘ−ｉの測定結果に基づく極値統計により被検体における結晶粒界近傍ひずみの上限値εｍａｘを演算し、
前記評価工程では、前記εｍａｘ／ε０を指標に被検体の粒界型応力腐食割れ発生感受性を評価する
ことを特徴とする粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法。
【請求項３】
請求項１に記載の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法において、
前記演算工程では、前記εｉ処理値として、測定した前記εｉの平均値εａｖｅを演算し、
前記評価工程では、前記εａｖｅ／ε０を指標に、被検体の粒界型応力腐食割れ発生感受性を評価する
ことを特徴とする粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法。
【請求項４】
請求項１に記載の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法において、
前記演算工程では、測定したεｉの平均値εａｖｅと、εｉが正規分布に従うものとして標準偏差σを求めて、前記εｉ処理値としてεａｖｅ＋ａ×σを演算し、
前記評価工程では、前記（εａｖｅ＋ａ×σ）／ε０を指標に被検体の粒界型応力腐食割れ発生感受性を評価する
ことを特徴とする粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法。
【請求項５】
請求項１に記載の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法において、
前記表面処理工程では、前記鏡面研磨に加えて、鏡面研磨後の前記被検体に対してオーバーエッチングを施す
ことを特徴とする粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法。
【請求項６】
請求項１に記載の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法において、
前記被検体は、オーステナイト系ステンレス鋼、ニッケル基合金の母材、これらの溶接金属、これら金属の両方、のいずれかである
ことを特徴とする粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法。
【請求項７】
結晶粒界を視認可能とした被検体に対して公称ひずみε０の強制変位を負荷する変位負荷部と、
この変位負荷部による強制変位の負荷中に前記被検体の表面に発生する結晶粒界近傍のひずみεｉを少なくとも２以上測定する測定部と、
この測定部で測定した前記少なくとも２以上のひずみεｉからεｉ処理値を演算し、このεｉ処理値を前記公称ひずみε０で除算したεｉ処理値／ε０を演算する演算部と、
この演算部で求めた前記εｉ処理値／ε０を表示する表示部とを備えた
ことを特徴とする粒界型応力腐食割れ発生感受性評価装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オーステナイト系ステンレス鋼、ニッケル基合金の母材、溶接金属等の金属に発生する粒界型応力腐食割れの発生感受性評価方法および粒界型応力腐食割れ発生感受性評価装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｎｉ基合金の溶接部のＳＣＣ感受性を精度高く診断する方法の一つとして、特許文献１には、Ｎｉ基合金溶接熱影響部を研磨の後、該合金の粒界を腐食させる水溶液中に浸漬し、電気化学的に該合金の粒界の所定の濃度以下のＣｒ欠乏域を腐食させた後、当該部または当該部より採取したレプリカの侵食された粒界の全数と連結した粒界の数を調査し、両者の割合より溶接熱影響部の応力腐食割れ感受性を評価する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２３０９２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
オーステナイト系ステンレス鋼、ニッケル基合金の母材、溶接金属等の金属では、引張応力が発生している状態で腐食環境中に長時間暴露すると、引張応力が材料の引張強さ未満の場合でも応力腐食割れ（以降、ＳＣＣと呼ぶ）が発生する場合がある。
【０００５】
例えば、高い引張応力が発生しているオーステナイト系ステンレス鋼、ニッケル基合金の母材、溶接金属を高温純水環境中に長時間暴露すると、き裂進展経路が結晶粒界となる粒界型応力腐食割れ（以降、ＩＧＳＣＣとも呼ぶ）が発生する。ＩＧＳＣＣの発生は、腐食環境、腐食環境に曝される面で発生している引張応力および材料のＩＧＳＣＣ発生感受性の影響を受ける。このため、腐食環境中で長時間使用されるオーステナイト系ステンレス鋼やニッケル基合金製の溶接構造物にはＩＧＳＣＣ発生感受性の低い材料を採用するのが望ましい。
【０００６】
オーステナイト系ステンレス鋼やニッケル基合金等のＳＣＣ発生感受性を評価する従来の方法には、表面にグラファイトウールを敷設した試験片に約１％のひずみを付与した状態で冶具に固定し、これを腐食環境中に長時間（２０００ｈ程度）浸漬するＣＢＢ（Ｃｒｅｖｉｃｅｄ  Ｂｅｎｔ  Ｂｅａｍ）試験を行い、ＳＣＣの発生有無からＳＣＣ感受性を評価する方法や、環境中に浸漬した試験片に低ひずみ速度で増加する強制変位を付与し続け、破断後の破面で見られる粒界型の破面占有率や負荷応力等からＳＣＣ感受性を評価するＳＳＲＴ（Ｓｌｏｗ  Ｓｔｒａｉｎ  Ｒａｔｅ  Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）法がある。また、ＪＩＳ  Ｇ  ０５７６には、ステンレス鋼の応力腐食割れ試験方法として４２％塩化マグネシウム応力腐食割れ試験方法（Ａ法）および３０％塩化カルシウム応力腐食割れ試験方法（Ｂ法）が規定されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１や上述した従来のＳＣＣ発生試験によるＩＧＳＣＣ発生感受性の評価方法では、割れを発生させるための試験時間が長時間となる場合があり、例えば、実際の試験環境に近い環境下で実施するＣＢＢ試験では、２０００ｈ程度の長い試験期間が必要となる。
【０００８】
本発明は、簡易かつ短時間で被検体のＩＧＳＣＣ発生感受性を評価することができる粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法および粒界型応力腐食割れ発生感受性評価装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。
本発明は、上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、被検体表面に鏡面研磨を施す表面処理工程と、この表面処理を施した前記被検体に対して公称ひずみε０の強制変位を負荷し、この強制変位負荷中に発生する結晶粒界近傍のひずみεｉを少なくとも２以上測定する測定工程と、この測定工程で測定した前記少なくとも２以上のひずみεｉからεｉ処理値を演算する演算工程と、この演算工程で求めた前記εｉ処理値を前記公称ひずみε０で除算したεｉ処理値／ε０を指標に被検体の粒界型応力腐食割れ発生感受性を評価する評価工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、被検体のＩＧＳＣＣ発生感受性を簡易かつ短時間で評価することが可能であり、例えば原子力発電プラントの原子炉内構造物等で使用する材料の選定などに利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態における公称ひずみε０の強制変位を負荷する前の被検体表面の拡大観察した一例を示す図である。
【図２】第１の実施形態における公称ひずみε０の強制変位を負荷している最中の被検体表面の拡大観察した一例を示す図である。
【図３】第１の実施形態におけるεｍａｘ−ｉの測定結果のプロットの一例を示す図である。
【図４】第５の実施形態における本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性評価装置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法および粒界型応力腐食割れ発生感受性評価装置は、ＳＣＣの発生要因の１つである引張応力に着目してＩＧＳＣＣ発生感受性を評価するものである。
【００１３】
具体的には、オーステナイト系ステンレス鋼やニッケル基合金、これらの溶接金属では、結晶粒界の硬さが結晶粒内に比べて硬い傾向となるため、被検体に外力を加えた場合に発生するひずみは、結晶粒界近傍に集中する傾向がある。そこで、本発明者らは、これらの金属では外力を加えた場合に発生するひずみが結晶粒界近傍に集中する特性に着目して、結晶粒界近傍におけるひずみの増加率を指標にＩＧＳＣＣ発生感受性を評価し、結晶粒界近傍におけるひずみの増加率が高い被検体をＩＧＳＣＣ発生感受性高と評価することを発想し、本発明を完成させた。
【００１４】
以下に本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法および粒界型応力腐食割れ発生感受性評価装置の実施形態を、図面を用いて説明する。
【００１５】
＜第１の実施形態＞  
本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第１の実施形態を、図１乃至図３を用いて説明する。
図１はニッケル基合金溶接金属製の被検体表面に鏡面研磨とオーバーエッチング処理を施すことで柱状晶粒界とデンドライト境界とを視認可能とした被検体の表面を拡大観察した場合の具体例を示す図、図２は被検体に公称ひずみε０の強制変位を負荷している最中の拡大観察像の具体例を示す図、図３はεｍａｘ−ｉの測定結果をグラフにプロットした具体例を示す図である。
【００１６】
まず、ニッケル基合金溶接金属製の被検体を用意する。
【００１７】
次いで、このニッケル基合金溶接金属製の被検体の表面に対して鏡面研磨を施す。その後、鏡面研磨後の被検体に対してオーバーエッチング処理を施す（表面処理工程）。この鏡面研磨とその後のオーバーエッチング処理を施すことで、被検体表面にはデンドライト境界を視認できるようになり、デンドライト境界を指標にεｉを測定できるようになる。
【００１８】
次いで、この表面処理を施した被検体に対して公称ひずみε０の強制変位を負荷する前に、図１に示すようなある領域での表面を拡大観察し、柱状晶粒界とデンドライト境界とを確認する。そして、柱状晶粒界近傍に位置する任意のデンドライト境界を２点選択し、強制変位負荷前のデンドライト境界指示模様間の距離Ｌ０ｉを測定する。この拡大観察による距離Ｌ０ｉの測定を、少なくとも２以上の領域（総数ｎ）で行う。
【００１９】
図１に示すように、溶接金属の結晶粒は、デンドライト組織が集合した柱状晶を形成している。このことから、柱状晶粒界がＩＧＳＣＣの進展経路となる傾向が強い。このため、公称ひずみε０の強制変位を負荷した際に、柱状晶粒界近傍（例えば、柱状晶粒界から柱状晶径の１０％までの範囲、または、柱状晶粒界から２０μｍまでの範囲）で発生するεｉを測定する。
【００２０】
具体的には、被検体に対して左右からの引張により公称ひずみε０の強制変位を負荷する。そして、図２に示すように、先に強制変位負荷前のデンドライト境界指示模様間の距離Ｌ０ｉを測定した領域と同一の領域において、公称ひずみε０の強制変位負荷中のデンドライト境界指示模様間の距離Ｌ１ｉを測定する。この拡大観察についても、強制変位負荷前に距離Ｌ０ｉを測定した少なくとも２以上の領域全て（総数ｎ）で行う。
【００２１】
その後、柱状晶粒界近傍のひずみεｉを評価する（測定工程）。この柱状晶粒界近傍のひずみεｉは、強制変位負荷前のデンドライト境界指示模様間の距離Ｌ０ｉと強制変位の負荷中のデンドライト境界指示模様間の距離Ｌ１ｉに基づき、式（１）により評価する。
【００２２】
εｉ＝（Ｌ１ｉ−Ｌ０ｉ）／Ｌ０ｉ  …  式（１）
次いで、先に測定した少なくとも２以上のひずみεｉから、各領域におけるひずみ最大値εｍａｘ−ｉの測定結果に基づく極値統計により、被検体における結晶粒界近傍ひずみの上限値εｍａｘ（εｉ処理値）を演算する（演算工程）。
【００２３】
具体的には、先に少なくとも２つ以上の領域（総数ｎ）で測定した結晶粒界近傍のひずみεｉにおいて、各領域におけるひずみの最大値εｍａｘ−ｉを抽出する。その後、抽出したεｍａｘ−ｉを小さい値から順にεｍａｘ−１，εｍａｘ−２，…，εｍａｘ−ｎと定義してグラフ横軸の座標とするとともに、式（２）のｙｉをグラフ縦軸の座標としてεｍａｘ−ｉの測定結果を図３に示すようなグラフにプロットする。
【００２４】
ｙｉ＝−ｌｎ（−ｌｎ（ｉ／（ｎ＋１））  …  式（２）
図３に示すように、εｍａｘ−ｉが二重指数分布に従う場合、グラフは直線状になる。グラフへのプロット結果から最小自乗法により式（４）の一次近似式を作成し、αおよびβを決定する。
【００２５】
ｙｉ＝  αεｍａｘ−ｉ  ＋  β  …  式（３）
そして、極値統計による上限値の評価では、測定領域の面積Ｓ０および評価対象構造物の総面積Ｓに基づき、式（４）で評価されるｙを式（３）のｙｉに代入することで得られるεｍａｘ−ｉを上限値εｍａｘと評価する。
【００２６】
ｙ＝−ｌｎ（−ｌｎ（（Ｔ−１）／Ｔ）  …  式（４）
Ｔ＝（Ｓ＋Ｓ０）／Ｓ０
ただし、評価対象である被検体の寸法は１つに決められない場合がある。この場合は、Ｔの値を任意の定数（例えばＴ＝１００）としてｙの値を決定する。
【００２７】
その後、上記により評価したεｍａｘを用いてεｍａｘ／ε０を求める。
【００２８】
次いで、先に求めたεｍａｘ／ε０を指標に被検体の粒界型応力腐食割れ発生感受性を評価する（評価工程）。例えば、このεｍａｘ／ε０が、他の被検体（従来材量）のεｍａｘ／ε０に比べて高い被検体を、ＩＧＳＣＣ発生感受性が高い被検体であると評価し、同等の値以下であればＩＧＳＣＣ発生感受性が低い被検体であると評価する。
【００２９】
上述した本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第１の実施形態では、公称ひずみε０の強制変位を負荷する前のデンドライト境界指示模様間の距離と強制変位負荷中のデンドライト境界指示模様間の距離とからεｉを評価し、このεｉを異なる箇所でｎ領域分求める。そして、εｉを統計処理し、この統計処理値に基づき被検体のＩＧＳＣＣ発生感受性を評価する。
【００３０】
これによって、強制変位を負荷することでＩＧＳＣＣ発生感受性を評価できるようになり、従来のＳＣＣ発生試験によるＩＧＳＣＣ発生感受性の評価方法とは異なり、被検体に割れを発生させる必要が無く、短時間での試験および評価が可能となる。よって、簡易かつ短時間で被検体のＩＧＳＣＣ発生感受性を評価することができ、例えば原子力発電プラントの原子炉内構造物等で使用する材料の選定などに好適に適用することができる。
【００３１】
なお、被検体をニッケル基合金溶接金属としたが、被検体はこれに限られず、オーステナイト系ステンレス鋼、ニッケル基合金の母材、これらの溶接金属、これら金属の両方、のいずれかとすることができる。
【００３２】
＜第２の実施形態＞  
次に、本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第２の実施形態を説明する。
【００３３】
本実施形態のＩＧＳＣＣ発生感受性評価方法では、まず、被検体を用意し、鏡面研磨およびオーバーエッチング処理を施す（表面処理工程）。
【００３４】
次いで、鏡面研磨＋オーバーエッチング処理後の被検体の表面を拡大観察によって観察し、柱状晶粒界近傍に位置する任意のデンドライト境界を２点選択して、強制変位負荷前のデンドライト境界指示模様間の距離Ｌ０ｉを測定する。この拡大観察による距離Ｌ０ｉの測定を、少なくとも観察した領域で２か所以上で行う。
【００３５】
次いで、被検体に対して公称ひずみε０の強制変位を負荷し、先に距離Ｌ０ｉを測定した箇所における強制変位負荷中のデンドライト境界指示模様間の距離Ｌ１ｉを測定して、柱状晶粒界近傍のひずみεｉを評価する（測定工程）。
【００３６】
次いで、先に測定した少なくとも２以上のひずみεｉから、測定したεｉの平均値εａｖｅ（εｉ処理値）を演算し、εａｖｅ／ε０を求める（演算工程）。
【００３７】
次いで、先に求めたεａｖｅ／ε０を指標にして被検体の粒界型応力腐食割れ発生感受性を評価する（評価工程）。
【００３８】
本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第２の実施形態においても、前述した粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第１の実施形態とほぼ同様な効果が得られる。
【００３９】
＜第３の実施形態＞  
次に、本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第３の実施形態を説明する。
【００４０】
本実施形態のＩＧＳＣＣ発生感受性評価方法では、まず、被検体を用意し、鏡面研磨およびオーバーエッチング処理を施す（表面処理工程）。
【００４１】
次いで、柱状晶粒界近傍に位置する任意のデンドライト境界を２点選択し、強制変位負荷前のデンドライト境界指示模様間の距離Ｌ０ｉを測定する。この拡大観察による距離Ｌ０ｉの測定を、少なくとも観察した領域で２か所以上で行う。
【００４２】
次いで、被検体に対して公称ひずみε０の強制変位を負荷し、先に距離Ｌ０ｉを測定した箇所における強制変位負荷中のデンドライト境界指示模様間の距離Ｌ１ｉを測定して、柱状晶粒界近傍のひずみεｉを評価する（測定工程）。
【００４３】
次いで、先に測定した少なくとも２以上のひずみεｉから、測定したεｉの平均値εａｖｅを演算する。更に、ひずみεｉが正規分布に従うものとして標準偏差σを求め、被検体における結晶粒界近傍ひずみとして平均値εａｖｅに標準偏差σのａ倍の値を加えた（εａｖｅ＋ａ×σ）／ε０（εｉ処理値）を求める（演算工程）。
【００４４】
次いで、先に求めた（εａｖｅ＋ａ×σ）／ε０を指標にして被検体の粒界型応力腐食割れ発生感受性を評価する（評価工程）。
【００４５】
本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第３の実施形態においても、前述した粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第１の実施形態とほぼ同様な効果が得られる。
【００４６】
＜第４の実施形態＞  
次に、本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第４の実施形態を説明する。
【００４７】
本実施形態のＩＧＳＣＣ発生感受性評価方法では、まず、被検体を用意し、鏡面研磨処理を施す（表面処理工程）。
【００４８】
次いで、電子後方散乱回折（ＥＢＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって、鏡面研磨処理後の被検体の表面の公称ひずみε０の強制変位の負荷前のパターンから推定される塑性ひずみ（強制変位負荷前ε０ｉ）を測定する。その後、公称ひずみε０の強制変位の負荷の最中のパターンから推定される塑性ひずみ（制変位負荷中ε１ｉ）を電子後方散乱回折によって測定する。その後、これら強制変位負荷前ε０ｉおよび強制変位負荷中ε１ｉに基づき、式（５）により柱状晶粒界近傍のひずみεｉを評価する。
【００４９】
εｉ＝ε１ｉ−ε０ｉ  …  式（５）
次いで、先に測定した少なくとも２以上のひずみεｉから、各領域におけるひずみ最大値εｍａｘ−ｉの測定結果に基づく極値統計により被検体における結晶粒界近傍ひずみの上限値εｍａｘ（εｉ処理値）を演算する（演算工程）。
【００５０】
次いで、先に求めたεｍａｘ／ε０を指標に被検体の粒界型応力腐食割れ発生感受性を評価する（評価工程）。
【００５１】
本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第４の実施形態においても、前述した粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第１の実施形態とほぼ同様な効果が得られる。
【００５２】
すなわち、簡易かつ短時間で被検体のＩＧＳＣＣ発生感受性を評価することができ、例えば原子力発電プラントの原子炉内構造物等で使用する材料の選定などに好適に適用することができる。
【００５３】
なお、本実施形態では極値統計によってεｉ処理値を求める場合について説明したが、εｉ処理値を求める方法は、第２の実施形態のようにεａｖｅを求める方法や第３の実施形態のようにεａｖｅ＋ａ×σを求める方法等の他の方法を用いることができる。
【００５４】
＜第５の実施形態＞  
本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性評価装置の第５の実施形態を図４を用いて説明する。図４は本発明のＩＧＳＣＣ発生感受性評価装置の具体例を説明する図である。
【００５５】
図４に示すように、粒界型応力腐食割れ発生感受性評価装置は、変位負荷部３、拡大観察部４、演算部５、表示部６とを備える。
【００５６】
変位負荷部３は、鏡面研磨やオーバーエッチングなどの表面処理により結晶粒界を視認可能とした被検体１０の下方から上方に向けた押圧の公称ひずみε０の強制変位を負荷する。
【００５７】
拡大観察部４は、変位負荷部３による強制変位の負荷前と負荷中に被検体１０に発生する結晶粒界近傍のひずみεｉを観察するために必要な拡大観察像を取得する。この拡大観察部は、例えば、顕微鏡や、電子後方散乱回折用の走査電子顕微鏡などが挙げられる。
【００５８】
演算部５は、拡大観察部４によって取得した強制変位負荷の有無の被検体１０表面の拡大観察像から、少なくとも２以上の結晶粒界近傍のひずみεｉを評価する。また、この評価したεｉからεｉ処理値を演算し、このεｉ処理値を公称ひずみε０で除算したεｉ処理値／ε０を演算する。更に、このεｉ処理値／ε０を指標として、ＩＧＳＣＣ発生感受性を評価する。このεｉ処理値の演算方法には、例えば、極値統計によってεｉ処理値を求める方法、εａｖｅを求める方法、εａｖｅ＋ａ×σを求める方法等の方法がある。
【００５９】
表示部６は、演算部５で求めたεｉ処理値／ε０を表示する。この表示部６には、他の被検体のεｉ処理値／ε０を演算部５で求めたεｉ処理値／ε０と並べて表示し、比較しやすいようにすることができる。
【００６０】
本発明の粒界型応力腐食割れ発生感受性評価装置の第５の実施形態においても、前述した粒界型応力腐食割れ発生感受性の評価方法の第１の実施形態とほぼ同様な効果が得られる。
【００６１】
すなわち、簡易かつ短時間で被検体のＩＧＳＣＣ発生感受性を評価することができ、例えば原子力発電プラントの原子炉内構造物等で使用する材料の選定などに好適に使用することができる。
【００６２】
＜その他＞  
なお、本発明は上記の実施形態に限られず、種々の変形、応用が可能なものである。上述の実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
【００６３】
例えば、公称ひずみε０の強制変位の負荷の方向は、第１の実施形態のように被検体に対する左右からの引っ張り応力による負荷や、第５の実施形態のように下方から上方に向けた押圧による負荷に限られず、被検体に対して公称ひずみε０の強制変位が負荷されればよい。
【符号の説明】
【００６４】
１…柱状晶粒界、
２…デンドライト境界、
３…変位負荷部、
４…拡大観察部、
５…演算部、
６…表示部、
１０…被検体。
【図１】
2016045037.tif 000003
【図２】
2016045037.tif 000004
【図３】
2016045037.tif 000005
【図４】
2016045037.tif 000006