(57)【要約】      （修正有）【課題】ダイシング加工工程や半導体ウエハの表面保護テープ剥離工程における保持力に優れ、かつ、ダイシング後には半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップができ、半田接合性や接続信頼性に優れたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の提供。【解決手段】ダイシングフィルム２と、ダイシングフィルム２上に積層された移行防止層３と、移行防止層３上に積層された、放射線硬化型粘着剤層４と、からなり、厚みが２〜１０μｍである放射線硬化型粘着剤層４と、放射線硬化型粘着剤層４上に積層された半導体用接着剤層５と、を更に有するダイシングフィルム一体型半導体用接着剤１。放射線硬化型粘着層４と半導体用接着剤層５間の剥離強度が、放射線硬化型粘着層が放射線で硬化する前が０．６Ｎ／２５ｍｍ以上で、硬化後が０．３Ｎ／２５ｍｍであるダイシングフィルム一体型半導体用接着剤１。【選択図】図１
2016194020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルム上に積層された移行防止層と、前記移行防止層上に積層された、放射線硬化型粘着剤からなり、かつ、厚みが２〜１０μｍである放射線硬化型粘着剤層と、前記放射線硬化型粘着剤層上に積層された半導体用接着剤層とを有することを特徴とするダイシングフィルム一体型半導体用接着剤。
【請求項２】
ダイシングフィルムは、放射線非硬化型であることを特徴とする請求項１記載のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤。
【請求項３】
放射線硬化型粘着剤層と半導体用接着剤層間の剥離強度が、前記放射線硬化型粘着剤層に放射線を照射して硬化させる前において０．６Ｎ／２５ｍｍ以上であり、かつ、前記放射線硬化型粘着剤層に放射線を照射して硬化させた後において０．３Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤。
【請求項４】
移行防止層は、貯蔵弾性率が０．５〜３ＧＰａ、破断伸度が１００〜４００％であることを特徴とする請求項１又は２記載のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤。
【請求項５】
移行防止層と粘着剤層と半導体用接着剤層との積層体が、ウエハ形状にプリカットされてダイシングフィルム上に積層されていることを特徴とする請求項１、２又は３記載のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング加工工程や半導体ウエハの表面保護テープ剥離工程における保持力に優れ、かつ、ダイシング後には半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができ、半田接合性や接続信頼性に優れたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハをダイシングして個々の半導体チップに分割し、得られた半導体チップを基板等の上に実装（ダイボンディング）するために、ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤が用いられている。ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を用いた半導体チップの実装では、通常、まずダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の半導体用接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせ、この状態で半導体用接着剤層ごと半導体ウエハをダイシングする。その後、半導体用接着剤層付き半導体チップを剥がしてピックアップし、半導体用接着剤層を介して半導体チップを他の半導体チップ又は基板等の上に実装する。
【０００３】
ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤には、ダイシング時に半導体ウエハ及びウエハリングに強固に接着してダイシングを良好に実施できる保持力（強粘着性）と、ダイシング後の半導体用接着剤層付き半導体チップに対するピックアップのしやすさ（易剥離性）という、相反する性能が要求される。また、ＴＳＶ等における薄ウエハのハンドリングにおいては、半導体ウエハをダイシングフィルムに貼り合わせた状態で、ダイシングフィルムとは反対側の面に貼付された半導体ウエハの表面保護テープを剥離することがあるが、この工程においてもダイシングフィルムの保持力が充分でないと、半導体ウエハがダイシングフィルムから剥離して割れてしまうことがある。このような強粘着性と易剥離性とを両立したダイシングフィルム一体型半導体用接着剤として、ダイシングフィルムの粘着剤層として放射線硬化型粘着剤を採用して、放射線照射によりその粘着力を制御する手法が提案されている（例えば、特許文献１等）。
【０００４】
しかしながら、ダイシングフィルムの放射線硬化型粘着剤上に半導体用接着剤層を積層した場合、保管中に放射線硬化型粘着剤と半導体用接着剤層との間で低分子量成分の移行が起こり、各々の性能が劣化してしまうことがあるという問題があった。具体的には、放射線硬化型粘着剤に含有される光重合開始剤等の低分子量成分が半導体用接着剤層に移行することにより、粘着剤の粘着力が変化してダイシングピックアップ性が損なわれることがあった。また、半導体用接着剤層に含有される樹脂成分や硬化剤などの低分子量成分が放射線硬化型粘着剤層に移行することにより、半導体用接着剤層の半田濡れ性や接着力が低下し、接続信頼性が損なわれたりすることがあった。これに対して、放射線硬化型粘着剤に含有される光重合開始剤として高分子量型の光重合開始剤を用いることも提案されているが、この方法では光重合開始剤以外の成分の移行を防ぐことはできなかった。また、移行を抑制するために放射線硬化型粘着剤の厚みを薄くすることも検討されたが、放射線硬化型粘着剤の厚みを薄くするとダイシング時や半導体ウエハの表面保護テープ剥離時の保持力を確保できなくなるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平２−４４７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記現状に鑑み、ダイシング加工工程や半導体ウエハの表面保護テープ剥離工程における保持力に優れ、かつ、ダイシング後には半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができ、半田接合性や接続信頼性に優れたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルム上に積層された移行防止層と、前記移行防止層上に積層された、放射線硬化型粘着剤からなり、かつ、厚みが２〜１０μｍである放射線硬化型粘着剤層と、前記放射線硬化型粘着剤層上に積層された半導体用接着剤層とを有するダイシングフィルム一体型半導体用接着剤である。
以下に本発明を詳述する。
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討の結果、ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤において、ダイシングフィルムと半導体用接着剤層との間に移行防止層を設けるとともに、更に該移行防止層と半導体用接着剤層との間に放射線硬化型粘着剤からなり、かつ、厚みが一定の範囲内である放射線硬化型粘着剤層を設けることにより、ダイシング加工工程時や表面保護テープ剥離工程における保持力に優れ、かつ、ダイシング後には半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができ、半田接合性や接続信頼性に優れたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を提供できることを見出し、本発明を完成した。
上記移行防止層と半導体用接着剤層との間に放射線硬化型粘着剤層を設けることにより、該放射線硬化型粘着剤層を硬化させる前には高い粘着力によりダイシング加工工程時や表面保護テープ剥離工程において充分な保持力を発揮することができ、かつ、ダイシング後に該放射線硬化型粘着剤層を硬化させて粘着力を低下させることにより半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができる。ここで、放射線硬化型粘着剤層と半導体用接着剤層との間でも低分子量成分の移行は起こり得るが、放射線硬化型粘着剤層の厚みを充分に薄くすることにより、移行が起こったとしても半導体用接着剤層の性能低下を抑え、半田濡れ性や接続信頼性が低下するのを防止することができる。また、放射線硬化型粘着剤層が薄くとも、上記移行防止層を介してダイシングフィルムを裏打ちすることにより、ダイシングフィルムと半導体用接着剤層との間の移行を抑えつつ充分な保持力を確保することができる。
【０００９】
本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤は、ダイシングフィルムと、上記ダイシングフィルム上に積層された移行防止層と、上記移行防止層上に積層された放射線硬化型粘着剤層と、上記放射線硬化型粘着剤層上に積層された半導体用接着剤層とを有する。
図１に、本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の一例を模式的に示す断面図を示した。図１に示したダイシングフィルム一体型半導体用接着剤１は、ダイシングフィルム２と、このダイシングフィルム２上に積層された移行防止層３と、この移行防止層３上に積層された放射線硬化型粘着剤層４と、この放射線硬化型粘着剤層４上に積層された半導体用接着剤層５とを有する。
なお、ダイシングフィルム２は、図１に示すように基材２１と、基材２１の片面に積層された粘着剤層２２とを有するものであってよいが、このような構成に限定されない。
【００１０】
上記ダイシングフィルムは、半導体ウエハをダイシングする際に一般的に用いられるダイシングフィルムであれば特に限定されないが、基材と、上記基材の片面に積層されたダイシングフィルム粘着剤層とを有することが好ましい。
上記ダイシングフィルムの基材は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル系フィルムや、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルムや、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、ピックアップ性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好ましい。
【００１１】
上記ダイシングフィルムの粘着剤層は、上記ダイシングフィルムと移行防止層との間の剥離力が、硬化後の上記放射線硬化型粘着剤層と半導体用接着剤層との間の剥離力よりも大きくなるように構成されれば特に限定されない。
上記ダイシングフィルム粘着剤層を構成する粘着剤として、例えば、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、比較的安価であることから、アクリル系粘着剤が好適である。
【００１２】
上記ダイシングフィルムの粘着剤層は、放射線非硬化型（感圧型）であることが好ましい。ダイシングフィルムの粘着剤層が放射線硬化型粘着剤であると、移行防止層上に積層された放射線硬化型粘着剤層をダイシングフィルム側から放射線照射により硬化させる工程において、硬化を阻害することがある。
【００１３】
上記ダイシングフィルムの市販品としては、例えば、ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学工業社製、厚み７０μｍのポリエチレンフィルムの片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）等を用いることができる。
【００１４】
上記移行防止層は、上記ダイシングフィルムと半導体用接着剤層との間での低分子量成分の移行を防止するとともに、剥離ライナーとしての役割を発揮し得るものである。
上記移行防止層は、貯蔵弾性率が０．５〜３ＧＰａ、破断伸度が１００〜４００％であることが好ましい。上記移行防止層の破断伸度を１００〜４００％に上げつつ貯蔵弾性率を上記範囲の高い値に調整することにより、ダイシング加工性及びピックアップのしやすさを維持し、ヒゲ状の切削屑等の汚染を抑制し、更にはフィルム割れをも抑制することができる。
【００１５】
上記貯蔵弾性率が０．５ＧＰａ未満であると、上記移行防止層が軟らかくなりすぎて、ダイシング加工性が低下したり、ダイシング後の切削面にヒゲ状の切削屑等の汚染が生じやすくなったりすることがある。上記貯蔵弾性率が３ＧＰａを超えると、上記移行防止層が硬くなりすぎて、ダイシング後の半導体チップに対してピックアップする際にニードルで突き上げてもダイシングフィルム一体型半導体用接着剤が曲がらず、ピックアップのしやすさが低下することがある。上記貯蔵弾性率のより好ましい下限は１．５ＧＰａ、より好ましい上限は２．９ＧＰａであり、更に好ましい下限は１．８ＧＰａ、更に好ましい上限は２．８ＧＰａである。
なお、貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（例えば、アイティ計測社製のＤＶＡ−２００）を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で２３℃において測定することができる。
【００１６】
上記破断伸度が１００％未満であると、ダイシング後に上記移行防止層のフィルム割れが生じやすくなることがある。上記破断伸度が４００％を超えると、ダイシング後の切削面にヒゲ状の切削屑等の汚染が生じやすくなることがある。上記破断伸度のより好ましい下限は１２０％、更に好ましい下限は１３０％、特に好ましい下限は２００％、より好ましい上限は２５０％である。
なお、破断伸度は、ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠して、引張試験機（例えば、島津製作所製の引張試験機ＡＧ−ＩＳ、オリエンテック社製のＲＴＣ−１３１０Ａ）を用いて、移行防止層単体を２３℃で３００ｍｍ／分の速度で引っ張り、破断に至った際の伸度を測定することで求めることができる。
【００１７】
上記移行防止層は、上記範囲の貯蔵弾性率及び破断伸度を有していれば特に限定されず、粘着性を有していなくてもよいし、指で触ったときに付着しない程度の微粘着性を有していてもよい。
上記移行防止層を構成する樹脂を選択することで、上記移行防止層の貯蔵弾性率及び破断伸度を上記範囲に調整することができる。上記移行防止層を構成する樹脂として、例えば、貯蔵弾性率と破断伸度とのバランスがよいことから、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂等が好ましい。
【００１８】
上記ポリエステル系樹脂として、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート−テトラメチレンテレフタレート共重合体等が挙げられる。なかでも、貯蔵弾性率と破断伸度とのバランスが良いことから、ポリエチレンテレフタレート樹脂が好ましく、無延伸のポリエチレンテレフタレート樹脂がより好ましい。
また、上記範囲の貯蔵弾性率及び破断伸度を有する観点から、上記移行防止層が上記ポリエステル系樹脂からなる場合、上記移行防止層は無延伸であることが好ましい。
【００１９】
上記ポリスチレン系樹脂として、例えば、芳香族ビニル炭化水素−共役ジエン共重合体、芳香族ビニル炭化水素−脂肪族不飽和カルボン酸エステル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂等が挙げられる。なかでも、貯蔵弾性率と破断伸度とのバランスが良いことから、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂が好ましい。
【００２０】
上記芳香族ビニル炭化水素として、例えば、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン等が挙げられる。
上記共役ジエンとして、例えば、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン等が挙げられる。
上記脂肪族不飽和カルボン酸エステルとして、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル等が挙げられる。
これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２１】
上記芳香族ビニル炭化水素−共役ジエン共重合体として、具体的には例えば、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体（ＳＢＳ樹脂）、スチレン−イソプレン−スチレン共重合体（ＳＩＳ樹脂）、スチレン−イソプレン−ブタジエン−スチレン共重合体（ＳＩＢＳ樹脂）等が挙げられる。
上記芳香族ビニル炭化水素−脂肪族不飽和カルボン酸エステル共重合体としては、具体的には例えば、スチレン−アクリル酸ブチル共重合体等が挙げられる。
【００２２】
上記移行防止層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が５μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記厚みが５μｍ未満であると、充分なピックアップ性が得られないことがある。上記厚みが２００μｍを超えると、ダイシング加工性が低下することがある。上記厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。
【００２３】
上記放射線硬化型粘着剤層は、放射線照射前には充分な粘着力を有し、かつ、放射線を照射することにより硬化して粘着力を低下させることができるものであれば特に限定されない。
上記放射線硬化型粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤層と半導体用接着剤層間の剥離強度が、前記放射線硬化型粘着剤層に放射線を照射して硬化させる前において０．６Ｎ／２５ｍｍ以上であり、かつ、前記放射線硬化型粘着剤層に放射線を照射して硬化させた後において０．３Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。
硬化前における上記剥離強度が０．６Ｎ／２５ｍｍ以上であることにより、ダイシング加工工程時や表面保護テープ剥離工程における高い保持力を発揮することができる。硬化前における上記剥離強度は、０．６２Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましい。
硬化後における上記剥離強度が０．３Ｎ／２５ｍｍ以下であることにより、ダイシング後に半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができる。硬化後における上記剥離強度は、０．２５Ｎ／２５ｍｍ以下であることがより好ましい。
【００２４】
上記放射線硬化型粘着剤層としては、例えば、光硬化性化合物、光重合開始剤を含有する光硬化性接着剤組成物からなるものが好適である。
上記光硬化性化合物としては特に限定されないが、光硬化性官能基を有するアクリル樹脂が好ましい。  
上記光硬化性官能基を有するアクリル樹脂としては特に限定されず、例えば、イソボルニル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸等のアクリル成分からなる分子量５万〜６０万程度の重合体又は共重合体に、ウレタン結合、エステル結合、エーテル結合等の連結基を介して、アリル基、（メタ）アクリル基等の光硬化性官能基を導入した樹脂等が挙げられる。  
また、上記光硬化性化合物として、例えば、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタン（メタ）アクリレートジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の低分子の多官能アクリル樹脂を用いてもよい。  
これらの光硬化性官能基を有するアクリル樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２５】
上記光重合性開始剤としては特に限定はされないが、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられる。このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２６】
上記放射線硬化型粘着剤層の厚みの下限は２μｍ、上限は１０μｍである。上記放射線硬化型粘着剤層の厚みが２μｍ未満であると、ダイシング加工工程時や表面保護テープ剥離工程において充分に高い保持力を発揮することができない。上記放射線硬化型粘着剤層の厚みが１０μｍを超えると、上記半導体用接着剤層から上記放射線硬化型粘着剤層に低分子量成分が移行することにより、上記半導体用接着剤層の半田濡れ性が低下して、接続信頼性を損なうことがある。
【００２７】
上記半導体用接着剤層は、半導体ウエハを基板や他の半導体チップ等の上に実装する際に一般的に用いられる粘接着剤層であれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂、ホットメルト型接着樹脂、硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物等により形成されることが好ましい。
上記熱可塑性樹脂は特に限定されず、例えば、ポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２８】
上記ホットメルト型接着樹脂として、例えば、アクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等が挙げられる。
【００２９】
上記硬化性樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂や、感光性オニウム塩等の光カチオン触媒により重合するエポキシ樹脂、感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等の光硬化性樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、上記硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、硬化剤とを含むことが好ましい。
【００３０】
上記硬化性樹脂組成物は、半田接合性を高める目的でフラックス活性を有する化合物を含有することが好ましい。このような組成物を用いることにより、半田接合性を確保できるとともに硬化物の接続信頼性が高くなる。
上記フラックス活性を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等のカルボキシル基含有化合物や、フェノール樹脂等のフェノール性水酸基含有化合物、液状イミダゾール化合物、リン酸エステルや亜リン酸エステル等のリン系化合物等が挙げられる。これらのフラックス活性を有する化合物は、硬化剤、硬化促進剤、添加剤の形で含有されることが好ましい。
【００３１】
上記エポキシ樹脂は特に限定されないが、ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂や、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が好ましい。ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いることにより、優れた接着性が得られる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いることにより、硬化物が剛直になり分子の運動が阻害されるため、硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性が高くなる。
上記ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは
単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
また、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。
【００３２】
上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂として、例えば、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。上記ナフタレン型エポキシ樹脂として、例えば、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン又は１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。
【００３３】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は５００、好ましい上限は１０００である。上記重量平均分子量が５００未満であると、硬化物の機械的強度、耐熱性又は耐湿性を充分に高めることができないことがある。上記重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。
【００３４】
上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーは特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いることにより、硬化物の可撓性が高くなる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂とエポキシ基を有する高分子ポリマーとを併用することにより、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂により硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性を高めることができるとともに、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーにより硬化物の可撓性が高くなる。
【００３５】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、末端及び側鎖（ペンダント位）のうちの少なくとも一方にエポキシ基を有することが好ましい。
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとして、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリルポリマー、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、硬化物の機械的強度及び耐熱性を高めることができるため、エポキシ基含有アクリルポリマーが好ましい。
【００３６】
上記硬化剤は特に限定されず、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
なかでも、フラックス活性を有する硬化剤として、加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤を用いることが好ましい。
【００３７】
上記加熱硬化型酸無水物系硬化剤として、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、疎水化されているので、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好ましい。
【００３８】
上記加熱硬化型酸無水物系硬化剤のうち、市販品として、例えば、ＹＨ−３０６、ＹＨ−３０７（以上、三菱化学社製、常温（２５℃）で液状）、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、常温（２５℃）で固体）等が挙げられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３９】
上記硬化性樹脂組成物は、硬化速度、硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤とともに硬化促進剤を含有していてもよい。上記硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、硬化速度、硬化物の物性等を容易に調整できるため、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。
なかでも、フラックス活性を有する硬化促進剤として、液状イミダゾール化合物を用いることが好ましい。
【００４０】
上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されず、例えば、フジキュアー７０００、フジキュアー７００１、フジキュアー７００２（以上、Ｔ＆Ｋ  ＴＯＫＡ社製、常温（２５℃）で液状）、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、イソシアヌル酸で塩基性を保護したイミダゾール系硬化剤（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製、常温（２５℃）で固体）、２ＭＺ、２ＭＺ−Ｐ、２ＰＺ、２ＰＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＺ、Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ、２ＰＺ−ＣＮＳ、２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ、２ＭＺ−Ａ、２ＭＺＡ−ＰＷ、Ｃ１１Ｚ−Ａ、２Ｅ４ＭＺ−Ａ、２ＭＡＯＫ−ＰＷ、２ＰＺ−ＯＫ、２ＭＺ−ＯＫ、２ＰＨＺ、２ＰＨＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＨＺ、２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ、２Ｅ４ＭＺ・ＢＩＳ、ＶＴ、ＶＴ−ＯＫ、ＭＡＶＴ、ＭＡＶＴ−ＯＫ（以上、四国化成工業社製）等が挙げられる。
【００４１】
上記酸無水物系硬化剤と上記硬化促進剤（例えば、イミダゾール系硬化促進剤）とを併用する場合は、上記酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記酸無水物系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００４２】
上記アミン系硬化剤と上記硬化促進剤（例えば、イミダゾール系硬化促進剤）とを併用する場合は、上記アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記アミン系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く、抽出水が塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００４３】
上記硬化性樹脂組成物は、更に、無機フィラーを含有することが好ましい。無機フィラーを含有することにより、電子部品実装用接着剤の硬化物の機械的強度及び耐熱性がより高くなり、また、硬化物の線膨張係数が低下して、接続信頼性がより高くなる。
【００４４】
上記無機フィラーは特に限定されず、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、炭化珪素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛等が挙げられる。上記無機フィラーは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。なかでも、流動性に優れることから球状シリカが好ましく、メチルシランカップリング剤、フェニルシランカップリング剤、ビニルシランカップリング剤、（メタ）アクリルシランカップリング剤等で表面処理された球状シリカがより好ましい。表面処理された球状シリカを用いることで、上記硬化性樹脂組成物の製膜性を高めることができる。
【００４５】
上記無機フィラーの平均粒子径は特に限定されないが、上記半導体用接着剤層の透明性、流動性、接続信頼性等の観点から、０．０１〜１μｍ程度が好ましい。
上記無機フィラーの含有量は特に限定されないが、上記硬化性樹脂組成物中の好ましい下限が１０重量％、好ましい上限が７０重量％である。上記含有量が１０重量％未満であると、上記硬化性樹脂組成物の硬化物の強度又は接続信頼性が低下することがある。上記含有量が７０重量％を超えると、上記硬化性樹脂組成物の製膜性が低下することがある。上記含有量のより好ましい下限は２０重量％、より好ましい上限は６０重量％である。
【００４６】
上記硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、更に、希釈剤、チキソトロピー付与剤、溶媒、無機イオン交換体、ブリード防止剤、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、タッキファイヤー等の密着性付与剤、ゴム粒子等の応力緩和剤等のその他の添加剤を含有してもよい。
【００４７】
上記半導体用接着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が５μｍ、好ましい上限が１００μｍである。上記厚みが５μｍ未満であると、充分な接着力が得られなかったり、充填不足によりボイドが発生したりすることがある。上記厚みが１００μｍを超えると、実装時に樹脂のはみ出し量が多くなり、周辺の半導体チップや実装装置を汚染することがある。上記厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は８０μｍである。
【００４８】
本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の製造方法は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂等を含有する硬化性樹脂溶液を離型フィルム上に塗布し、加熱乾燥して離型フィルム上に半導体用接着剤層を形成した後、この半導体用接着剤層に上記放射線硬化型粘着剤層と移行防止層をラミネートして積層体を得て、更に、該積層体にダイシングフィルムを貼り合わせる方法等が挙げられる。
この際、移行防止層と放射線硬化型粘着剤層と半導体用接着剤層との積層体は、ウエハ形状にプリカットされてダイシングフィルム上に積層されることが好ましい。
【００４９】
本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤は、ダイシング加工工程や表面保護テープ剥離工程における保持力に優れ、かつ、ダイシング後には半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができる。また、移行による実装時の半田濡れ性や接続信頼性の低下を抑制することができる。
本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を用いた半導体装置の製造方法は特に限定されず、例えば、本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の上記半導体用接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせる工程（１）、上記半導体用接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする工程（２）、上記放射線硬化型粘着剤層に放射線を照射することにより硬化させる工程（３）、上記半導体用接着剤層付き半導体チップを硬化後の放射線硬化型粘着剤層から剥がしてピックアップする工程（４）、及び、上記半導体用接着剤層を介して半導体チップを基板又は他の半導体チップの上に実装する工程（５）を有する方法等が挙げられる。
【００５０】
上記工程（１）において本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の上記半導体用接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせる方法は特に限定されず、ラミネーターや真空ラミネーター等を用いた一般的な貼り合わせ方法を用いることができる。
【００５１】
上記工程（２）において上記半導体用接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする方法は特に限定されず、例えば、ダイシング装置（例えば、ディスコ社製のＤＦＤ６３６１）を用いて上記半導体用接着剤層ごと上記半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方法等が挙げられる。
このとき、ダイシングを１段階で行ってもよいが、ダイシングによる上記半導体ウエハの破損を防ぐ観点から、ダイシングを２段階（ステップカット）で行うことが好ましい。また、ダイシングでは、一枚の刃でダイシングするシングルカット、二枚の刃でダイシングするステップカット、二枚の刃でダイシングするベベルカット等を用いることができる。ベベルカットでは、上記半導体ウエハの表面を切断するために、断面がＶ字形状の刃が用いられる。なかでも、ダイシングによる上記半導体ウエハの破損を防ぐ観点から、ステップカットが好ましい。
また、ダイシングの切り込み深さとしては、半導体ウエハと半導体用接着剤を貫通して移行防止層の一部又は全部を切り込む（ダイシングフィルムは残す）深さまで切り込むことが好ましい。これによって、ダイシング後のチップシフトやダイシングフィルムに起因するヒゲ状の切削屑等の汚染を抑制するとともに、ピックアップ性を確保することができる。
【００５２】
また、上記工程（２）において上記半導体用接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする方法として、レーザー光を照射する方法を用いてもよい。レーザー光の照射により上記半導体用接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする場合、レーザー光は上記移行防止層に至るように照射される。
【００５３】
上記工程（３）において、上記放射線硬化型粘着剤層を硬化させる方法は特に限定されないが、例えば上記放射線硬化型粘着剤層が紫外線照射により硬化するものである場合には、超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍ付近の紫外線を積算光量１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２で照射する方法等が挙げられる。
なお、工程（３）は、ダイシングフィルム側から紫外線照射することにより放射線硬化型粘着剤層を硬化させることが好ましい。このとき、紫外線が放射線硬化型粘着剤層に到達する必要があるため、ダイシングフィルムや移行防止層に紫外線吸収剤や光開始剤、光硬化剤、着色剤等の紫外線阻害成分を含まないことが好ましい。
【００５４】
上記工程（４）において上記半導体用接着剤層付き半導体チップを硬化後の放射線硬化型粘着剤層から剥がしてピックアップする方法は特に限定されず、例えば、上記ダイシングフィルムを引き延ばして、分割された個々の半導体チップの間隔を拡張した後、ダイシングフィルム側からニードルで突き上げたり、半導体チップの表面側から真空ピールしたり、超音波振動を利用したりすることにより、上記半導体用接着剤層付き半導体チップを上記硬化後の放射線硬化型粘着剤層から剥がす方法等が挙げられる。
【００５５】
上記工程（５）において上記半導体用接着剤層を介して半導体チップを基板又は他の半導体チップの上に実装する方法は特に限定されず、ダイボンダーまたはフリップチップボンダーを用いた一般的な実装方法を用いることができる。
【発明の効果】
【００５６】
本発明によれば、ダイシング加工工程や表面保護テープ剥離工程における保持力に優れ、かつ、ダイシング後には半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができ、さらに半田接合性や接続信頼性に優れたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５８】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００５９】
（実施例１）
（１）半導体用接着剤層の調製
Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量２０万）５重量部と、ＨＰ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）２０重量部と、ＹＬ９８０（三菱化学社製、ビスフェノール型エポキシ樹脂）１０重量部と、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、酸無水物系硬化剤）１２重量部と、フジキュアー７０００（Ｔ＆Ｋ  ＴＯＫＡ社製、液状イミダゾール硬化剤）３重量部と、ＳＥ１０５０−ＳＰＪ（アドマテックス社製、無機フィラー）４８重量部、スタフィロイドＡＣ−４０３０（ガンツ化成社製、ゴム粒子）２重量部を配合し、得られた配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加し、攪拌して硬化性樹脂溶液を得た。得られた硬化性樹脂溶液を離型ＰＥＴフィルムの上に厚み２０μｍになるようにアプリケーターを用いて塗布し、１１０℃のオーブン内で３分間加熱乾燥し、離型フィルム上に半導体用接着剤層を形成した。
【００６０】
（２）放射線硬化型粘着剤（１）の調製
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、アクリル酸２−エチルヘキシル９３．５重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル６．５重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル１８０重量部とを加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、（メタ）アクリルポリマーを得た。更に、得られた（メタ）アクリルポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート５重量部を加えて反応させ、側鎖に水酸基とメタクリレート基とを有する放射線硬化型（メタ）アクリルポリマーを得た。得られた放射線硬化型（メタ）アクリルポリマーの重量平均分子量は７０万、水酸基価は１０ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
【００６１】
得られた放射線硬化型（メタ）アクリルポリマーの固形分１００重量部に対して、イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業社製「コロネートＬ−４５」）１重量部と光開始剤（シイベルヘグナー社製「Ｅｓａｃｕｒｅ  Ｏｎｅ」）１重量部を混合し、酢酸エチルで希釈して固形分２０％の放射線硬化型粘着剤（１）希釈液を調製した。
【００６２】
（３）移行防止層／放射線硬化型粘着剤層／半導体用接着剤層積層体の製造
上記により得られた放射線硬化型粘着剤（１）希釈液を、アプリケーターを用いて離型ＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１１０℃のオーブン内で３分間加熱乾燥し、離型ＰＥＴフィルム上に放射線硬化型粘着剤層を形成した。
放射線硬化型粘着剤層上に移行防止層をラミネートした。これを４０℃オーブン内で３日間養生して、移行防止層／放射線硬化型粘着剤層／離型フィルム積層体を得た。
さらに、移行防止層／放射線硬化型粘着剤層／離型フィルム積層体の離型フィルムを剥がし、放射線硬化型粘着剤層の片面に半導体用接着剤層をラミネートして、移行防止層／放射線硬化型粘着剤層／半導体用接着剤層／離型フィルム積層体を得た。
【００６３】
なお、移行防止層としては、帝人デュポンフィルム社製「Ａ−ＰＥＴ」（無延伸ポリエステル、厚み３０μｍ）を用いた。上記移行防止層の貯蔵弾性率及び破断伸度を、以下の方法で測定した。
厚さ０．５ｍｍ、幅５ｍｍ×３ｃｍの移行防止層を試験サンプルとして用意し、アイティ計測社製の粘弾性測定装置（ＤＶＡ−２００）を用いて、測定温度０℃〜８０℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で測定を行い、試験サンプルの２３℃における貯蔵弾性率を求めた。
厚さ０．５ｍｍ、幅５ｍｍ×７ｃｍの移行防止層を試験サンプルとして用意し、島津製作所製の引張試験機（オートグラフ  ＡＧ−ＩＳ）を用いて、試験サンプルを２３℃で３００ｍｍ／分の速度で引っ張り、破断に至った際の伸度を測定して破断伸度とした。
なお、厚さ０．５ｍｍの移行防止層が用意できない場合は、厚さ０．１ｍｍ前後の樹脂フィルムを試験サンプルとして使用した。
【００６４】
（４）ダイシングフィルムの調製
アクリル粘着剤（綜研化学社製「ＳＫダイン１４９１Ｈ」）とイソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業社製「コロネートＬ−４５」）を、固形分重量比１００／０．３となるように混合し、酢酸エチルで希釈して固形分２０％の希釈液を調製した。得られた希釈液を、アプリケーターを用いて離型ＰＥＴフィルム上に厚み１０μｍとなるように塗布し、１１０℃のオーブン内で３分間加熱乾燥し、離型ＰＥＴフィルム上に粘着剤層（放射線非硬化型）を形成した。
得られた離型ＰＥＴフィルム上の粘着剤層を厚み８０μｍのオレフィンテープ（日本マタイ社製「ＳＰＭ−８０」）からなる基材の片面に積層して、４０℃オーブン内で３日間養生し、ダイシングフィルムを得た。
【００６５】
（５）ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の製造
移行防止層／放射線硬化型粘着剤層／半導体用接着剤層／離型フィルム積層体を円形（１２インチウエハサイズ）に切り抜いた後、該積層体の移行防止層上に、離型フィルムを剥離したダイシングフィルムの粘着剤層側から２５℃で貼り合わせ、ダイシングフィルム／移行防止層／放射線硬化型粘着剤層／半導体用接着剤層／離型フィルムがこの順で積層されたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を製造した。
その後、ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤におけるダイシングフィルムの露出部分を円形（１２インチウエハのダイシングフレームに搭載できるサイズ）に切り抜いた。
【００６６】
（実施例２）
放射線硬化型粘着剤層の厚みを５μｍとした以外は実施例１と同様にしてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を製造した。
【００６７】
（実施例３）
放射線硬化型粘着剤層の厚みを１０μｍとした以外は実施例１と同様にしてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を製造した。
【００６８】
（実施例４）
（１）放射線硬化型粘着剤（２）の調製
モノマー組成をアクリル酸２−エチルヘキシル７７重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル２３重量部とした以外は粘着剤（１）と同様にして、（メタ）アクリルポリマーを得た。更に、得られた（メタ）アクリルポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート１０重量部を加えて反応させ、側鎖に水酸基とメタクリレート基とを有する放射線硬化型（メタ）アクリルポリマーを得た。得られた放射線硬化型（メタ）アクリルポリマーの重量平均分子量は８０万、水酸基価は５６ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
得られた放射線硬化型（メタ）アクリルポリマーの固形分１００重量部に対して、イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業社製「コロネートＬ−４５」）１重量部と光開始剤（シイベルヘグナー社製「Ｅｓａｃｕｒｅ  Ｏｎｅ」）１重量部を混合し、酢酸エチルで希釈して固形分２０％の放射線硬化型粘着剤（２）希釈液を調製した。
【００６９】
（２）ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の製造
放射線硬化型粘着剤として放射線硬化型粘着剤（２）を用い、放射線硬化型粘着剤層の厚みを５μｍとした以外は実施例１と同様にしてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を製造した。
【００７０】
（実施例５）
放射線硬化型粘着剤層の厚みを５μｍとし、移行防止層として、オー・ジー社製「ＡＢＳ」（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンゴム、厚み３０μｍ）を用いた以外は実施例３と同様にしてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を製造した。
なお、上記と同様の方法により移行防止層の貯蔵弾性率及び破断伸度を測定した。
【００７１】
（実施例６）
放射線硬化型粘着剤層の厚みを５μｍとし、移行防止層として、オー・ジー社製「ＳＳ−５０」（ポリブチレンテレフタレート、厚み５０μｍ）を用いた以外は実施例３と同様にしてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を製造した。
なお、上記と同様の方法により移行防止層の貯蔵弾性率及び破断伸度を測定した。
【００７２】
（実施例７）
放射線硬化型粘着剤層の厚みを５μｍとし、移行防止層として、オー・ジー社製「ＩＯ−１」（アイオノマー、厚み７０μｍ）を用いた以外は実施例３と同様にしてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を製造した。
なお、上記と同様の方法により移行防止層の貯蔵弾性率及び破断伸度を測定した。
【００７３】
（比較例１）
放射線硬化型粘着剤層の厚みを１５μｍとした以外は実施例３と同様にしてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を製造した。
【００７４】
（比較例２）
放射線硬化型粘着剤層の厚みを１μｍとした以外は実施例３と同様にしてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を製造した。
【００７５】
（比較例３）
（１）放射線非硬化型粘着剤の調製
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部、アクリル酸ブチル４４．５重量部、アクリル酸０．５重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル５重量、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル１８０重量部とを加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、放射線非硬化型（メタ）アクリルポリマーを得た。得られた放射線非硬化型（メタ）アクリルポリマーの重量平均分子量は６０万、水酸基価は２２ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
得られた放射線非硬化型（メタ）アクリルポリマーの固形分１００重量部に対して、イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業社製「コロネートＬ−４５」）１０重量部を混合し、酢酸エチルで希釈して固形分２０％の放射線非硬化型粘着剤希釈液を調製した。
【００７６】
（２）ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の製造
放射線硬化型粘着剤に代えて上記放射線非硬化型粘着剤を用い、放射線非硬化型粘着剤の厚みを５μｍとした以外は実施例３と同様にしてダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を製造した。
【００７７】
（評価）
実施例及び比較例で得られたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤について、以下の方法により評価を行った。
結果を表１に示した。
【００７８】
（１）放射線硬化型粘着剤層／半導体用接着剤層間の剥離強度
得られた移行防止層／放射線硬化型粘着剤層／半導体用接着剤層の積層体を、２５ｍｍ幅にカットし、支持板（４インチシリコンウエハ）上に、半導体用接着剤層が支持板と接するように６０℃でラミネートした。
放射線硬化前の剥離強度については、オートグラフ（ＡＧ−ＩＳ、島津製作所社製）を用いて、測定温度２３℃、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分の条件で剥離強度を測定した。
放射線硬化後の剥離強度については、上記方法で作製したサンプルに１６０Ｗの超高圧水銀灯を用いて、光を３６５ｎｍにおいて２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーとなるように照射した後、上記と同じ条件で測定を行った。
【００７９】
（２）保護テープ剥離耐性
ＵＶ硬化型仮固定用接着剤（３Ｍ社製、ＬＣ−３２００）で支持ガラス上にマウントされた直径１２インチのＴＳＶウエハ（厚み５０μｍ、上下半田バンプ付き）を用意した。ＴＳＶウエハのガラスとは反対側の面に、ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の半導体用接着剤層を、真空ラミネーター（ＡＴＭ−８１２Ｍ、タカトリ社製）を用いて８０℃、貼り合わせ圧０．５ＭＰａ、真空度１００Ｐａで貼り合わせ、ダイシングフレームにマウントした。ガラス面側からレーザー照射を行い、支持ガラスを剥離した。ＴＳＶウエハ上に残存したＵＶ硬化型仮固定用接着剤の上に、剥離用テープ（ＷＳＳピールテープ、３Ｍ社製）を貼り合わせ、２３℃、剥離速度１００ｍｍ／ｍｉｎでＴＳＶウエハからＵＶ硬化型仮固定用接着剤を剥離した。このときの剥離耐性について、下記の基準で評価した。
○：ウエハ割れなく剥離できた
△：剥離起点のみでウエハ割れが発生した
×：ウエハ全面でウエハ割れが発生した
【００８０】
（３）ダイシング加工性
上記方法により得られた保護テープ剥離後のダイシングフィルム一体型半導体用接着剤付きＴＳＶウエハについて、ダイシング装置ＤＦＤ６３６１（ディスコ社製）を用い、回転数４００００ｒｐｍ、送り速度２０ｍｍ／秒で評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。なお、ダイシングの際の切り込みの深さは、ダイシングフィルムと移行防止層の境界面から５μｍの高さ（ブレードハイト９５μｍ）に設定した。
ダイシング後、ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤の断面を顕微鏡を用いて観察し、ダイシング加工性を評価した。ここで、ダイシング加工性とは、接着剤層及び粘着層に起因する切削屑の有無とその程度で評価した。
○：接着剤層及び粘着層に起因する切削屑がない。
△：接着剤層及び粘着層に起因する切削屑がわずかに存在する。
×：接着剤層及び粘着層に起因する切削屑が多数の半導体チップにおいて存在する。
【００８１】
（４）ピックアップの可否（ピックアップ性）
ダイシング後、ダイシングフィルムの基材側から、１６０Ｗの超高圧水銀灯を用いて、光を３６５ｎｍにおいて２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーとなるようにＵＶ照射を行った。
ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ９ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２３℃の条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行った。ピックアップの可否を、下記の基準で評価した。
○：ピックアップできなかった半導体チップの割合が０％
△：ピックアップできなかった半導体チップの割合が０％を超え〜１５％以下
×：ピックアップできなかった半導体チップの割合が１５％を越える
【００８２】
（５）実装時の半田接合性
ピックアップした半導体接合用接着剤層付き半導体チップを、Ｎｉ／Ａｕ電極を有する基板上に、ボンディング装置（東レエンジニアリング社製、ＦＣ−３０００）を用いてフリップチップ実装した。実装は荷重０．５ＭＰａ、温度２８０℃で１０秒間、基板上に圧着して行った。次いで、１９０℃で３０分間かけて硬化させ、半導体チップ実装体を得た。
実装後のサンプルの断面を、断面研磨装置を用いて研磨し、顕微鏡で半田接合状態を確認した。
○：半田が良く濡れており、半田接合状態が良好であった。
△：半田濡れは良好ではないが、半田と基板側電極が接触していた。
×：半田と基板側電極の間に樹脂の噛み込みがあり、接合不良であった。
【００８３】
（６）接続信頼性
半導体チップ実装体を１２０℃、８５ＲＨ％に９６時間放置して吸湿させた後、半田リフロー炉（プレヒート１５０℃×１００秒、リフロー［最高温度２６０℃］）に３回通過させた後、半導体チップの基板からの剥離が発生した半導体チップ実装体の個数を確認した。
２０個の半導体チップ実装体のうち、剥離が発生した半導体チップ実装体が０個であった場合を○、１〜３個であった場合を△、４〜２０個であった場合を×とした。
【００８４】
【表１】
2016194020.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明によれば、ダイシング加工工程や半導体ウエハの表面保護テープ剥離工程における保持力に優れ、かつ、ダイシング後には半導体用接着剤層付き半導体チップを容易にピックアップすることができ、半田接合性や接続信頼性に優れたダイシングフィルム一体型半導体用接着剤を提供することができる。
【符号の説明】
【００８６】
１  ダイシングフィルム一体型半導体用接着剤
２  ダイシングフィルム
２１  基材
２２  粘着剤層
３  移行防止層
４  放射線硬化型粘着剤層
５  半導体用接着剤層
【図１】
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