(57)【要約】【課題】本発明では、ガラス基板の端面の破損を低減し得るガラス基板の熱処理方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明の実施形態に係る熱処理方法では、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、ガラス基板１が、焼成用のセッター２上に載置される。詳細には、セッター２の上面２ａは、ガラス基板１の下面１ａよりも小さく、ガラス基板１の周縁部１ｃの全周に亘って、セッター２の上面２ａと非接触となる非接触部１ｄが形成されている。非接触部１ｄを設ける事により、セッター２がガラス基板１の側へ反り返った場合でも、端面１ｂの破損を抑制できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セッターの上面にガラス基板の下面を接触させた状態で、前記ガラス基板の熱収縮率を下げるための熱処理を行うガラス基板の熱処理方法において、
前記ガラス基板の下面における周縁部の少なくとも一部に、前記セッターの上面と非接触となる非接触部を設けたことを特徴とするガラス基板の熱処理方法。
【請求項２】
前記セッターの上面が、前記ガラス基板の下面よりも小さい請求項１に記載のガラス基板の熱処理方法。
【請求項３】
前記ガラス基板の下面全体の面積に対する前記非接触部の面積の割合が、０．５未満である請求項１または２に記載のガラス基板の熱処理方法。
【請求項４】
前記非接触部が前記ガラス基板の周縁部の全周に亘って設けられている請求項１から３のいずれか１項に記載のガラス基板の熱処理方法。
【請求項５】
前記ガラス基板の板厚が０．２ｍｍ以下である請求項１から４のいずれか１項に記載のガラス基板の熱処理方法。
【請求項６】
前記セッターの厚みが、０．５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である請求項１から５のいずれか１項に記載のガラス基板の熱処理方法。
【請求項７】
前記ガラス基板が３００ｍｍ角以上の矩形状である請求項１から６のいずれか１項に記載のガラス基板の熱処理方法。
【請求項８】
熱処理時の最高温度が前記ガラス基板の徐冷点よりも低い請求項１から７のいずれか１項に記載のガラス基板の熱処理方法。
【請求項９】
フレキシブルデバイスあるいはウエアラブルデバイスに用いられる前記ガラス基板の熱処理の方法である、請求項１から８のいずれか１項に記載のガラス基板の熱処理方法。
【請求項１０】
前記ガラス基板を成形する成形工程と、請求項１から９いずれか１項に記載の熱処理方法とからなるガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の熱処理方法およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤという。）等にガラス基板が使用される。
【０００３】
また、近年、スマートフォンやタブレット型端末の登場に伴って、ＦＰＤの薄型化及び軽量化と共に、高精細化が進んでいる。これにより、ガラス基板の薄板化も推進されている。
【０００４】
ところで、ＦＰＤの製造工程において、その表面に薄膜電気回路を形成する場合等、ガラス基板が高温下に曝される場合がある。この際に、ガラス基板の熱収縮が大きいと、ガラス基板の表面に形成される回路パターンが設計からずれ、所望の電気的性能を維持できなくなるという問題が発生してしまう。この時、ガラス基板の厚みが薄いほどガラス基板成形時の板引き速度が上がることでガラス基板の熱収縮率も上がるため、特に上記の問題が起きやすい。
【０００５】
そこで、成形されたガラス基板を、セッターに載置して熱処理を施すことにより、ガラス基板の平坦性や熱的寸法安定性を良くする方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−３３０８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述の様に熱処理を施す場合、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、ガラス基板１０１よりも大きいセッター１０２を用いて、ガラス基板１０１の下面１０１ａ全体をセッター１０２の上面１０２ａに接触させるのが通例となっている。すなわち、ガラス基板１０１の周縁部（図中のクラスハッチングを付した部分）１０１ｃもガラス基板１０１の中央部と同様に、セッター１０２によって下方から支持された状態となる。
【０００８】
しかしながら、上記の構成では、図８（ｃ）に示すように、熱処理の過程でセッター１０２がガラス基板１０１の側へ反り返り、ガラス基板１０１の周縁部１０１ｃ（特に破損強度の低い端面１０１ｂ）を起点とした破損が生じる場合がある。特に、セッター１０２の熱容量を抑える目的でセッター１０２の厚みを薄くすると、セッター１０２の剛性が低下して反り返りが起きやすく、ガラス基板１０１が破損する可能性が高まる。
【０００９】
ここで、セッター１０２が反り返る原因としては、熱処理時の降温過程において、セッター１０２の中央部と周縁部で生じる温度分布により、セッター１０２面内に収縮差が生じるためと考えられる。
【００１０】
この様な事情から、本発明では、ガラス基板の周縁部を起点とする端面の破損を抑制し得るガラス基板の熱処理方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するため、本発明は、セッターの上面にガラス基板の下面を接触させた状態で、ガラス基板の熱収縮率を下げるための熱処理を行うガラス基板の熱処理方法において、ガラス基板の下面における周縁部の少なくとも一部に、セッターの上面と非接触となる非接触部を設けたガラス基板の熱処理方法を特徴とするものである。ここで「周縁部」とは、端面を含んだ所定の領域のことを言う。
【００１２】
上記の構成によれば、熱処理の過程でセッターがガラス基板側に反り返っても、ガラス基板の周縁部に対応する位置では、ガラス基板とセッターが非接触である。そのため、ガラス基板の周縁部に作用するセッターの反り返りの影響を低減できる。従って、ガラス基板の周縁部を起点とする破損を低減できる。
【００１３】
上記の構成において、セッターの上面が、ガラス基板の下面よりも小さいことが好ましい。
【００１４】
これにより、非接触部を簡単かつ確実に設けることができる。
【００１５】
上記の構成において、ガラス基板の下面全体の面積に対する非接触部の面積の割合が、０．５未満であるであることが好ましい。
【００１６】
すなわち、ガラス基板のうち、セッターとの接触部と非接触部とで、熱処理時の温度にバラつきが生じるおそれもあるが、上記の様に、ガラス基板の下面全体に対する非接触部の割合を規制すれば、ガラス基板内の温度ムラを防止できる。
【００１７】
上記の構成において、非接触部がガラス基板の周縁部の全周に亘って設けられていることが好ましい。
【００１８】
これにより、ガラス基板の周縁部の全周に亘ってセッターが接触することがないため、ガラス基板の周縁部に作用するセッターの反り返りの影響を確実に低減できる。
【００１９】
上記の構成において、ガラス基板の板厚が０．２ｍｍ以下であってもよい。
【００２０】
ガラス基板を薄板化することにより、ＦＰＤの薄型化および軽量化に対応する等、搭載製品の薄型化および小型化への対応が可能である。
【００２１】
上記の構成において、セッターの厚みが、０．５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
セッターの厚みを３．０ｍｍ以下にする事により、セッターの熱容量を小さくすることができる。これにより、ガラス基板の熱処理時のエネルギーロスを低減し、生産性の向上を図る事ができる。また、セッターの厚みを０．５ｍｍ以上にする事により、セッターの強度を保つ事ができる。
【００２３】
上記の構成において、ガラス基板が３００ｍｍ角以上の矩形状であることが好ましい。
【００２４】
これにより、１枚のガラス基板を使用して多数の電子デバイスを作成する事ができ、いわゆる多面取りを行う事が可能となる。
【００２５】
上記の構成において、熱処理時の最高温度が前記ガラス基板の徐冷点よりも低いことが好ましい。
【００２６】
これにより、ガラス基板周辺部の熱変形による垂れ下がり等の問題を効果的に抑制しつつ、ガラス基板の熱収縮率を十分に低減できる。
【００２７】
上記の構成において、フレキシブルデバイスあるいはウエアラブルデバイスに用いられるガラス基板に当該熱処理の方法を用いることができる。
【００２８】
これらのデバイスでは、共に薄板のガラス基板が求められるため、本発明の利点を特に活かす事ができる。
【００２９】
ガラス基板を成形する成形工程と、上記の構成の熱処理方法とからなるガラス基板の製造方法により当該ガラス基板を製造することができる。
【発明の効果】
【００３０】
以上の様に本発明によれば、セッターがガラス基板の側に反り返っても、ガラス基板の周縁部にセッターとの非接触部を設ける事により、セッターの反り返りの影響を低減でき、ガラス基板の周縁部を起点とする破損を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態に係るガラス基板とセッターを示した図である。
【図２】本実施形態に係るガラス基板の熱処理装置を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るガラス基板の熱処理時の様子を示した図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、ガラス基板の熱収縮率の測定手順を説明するための平面図である。
【図５】本発明の異なる実施形態について示した断面図である。
【図６】本発明の異なる実施形態について示した断面図である。
【図７】本発明の異なる実施形態について示した断面図である。
【図８】従来のガラス基板とセッターを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明に係る実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、各図中、同一又は相当する部分には同一の符号を付しており、その重複説明は適宜に簡略化ないし省略する。また、以下では、本発明の実施形態に係る熱処理方法を含むガラス基板の製造方法を説明する。
【００３３】
ガラス基板１の製造方法は、オーバーフローダウンドロー法を用いて、溶融ガラスからガラス基板１を成形する成形工程と、成形されたガラス基板１を熱処理してガラス基板１の熱収縮率を低減させる熱処理工程とに大別される。成形工程は公知の手法が採用できるため、以下では、熱処理工程を中心に説明する。成形工程と熱処理工程の間、又は熱処理工程の後に、ガラス基板１の洗浄工程を設けてもよい。洗浄工程を設ける事により、ガラス基板１表面に付着している異物が、熱処理工程でガラス基板１の表面に焼き付くことを防止できる。
【００３４】
熱処理工程は、本発明の実施形態に係る熱処理方法を実行する工程である。熱処理工程では、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、ガラス基板１が、焼成用のセッター２上に載置される。詳細には、セッター２の上面２ａは、ガラス基板１の下面１ａよりも小さく、ガラス基板１の周縁部１ｃの全周に亘って、セッター２の上面２ａと非接触となる非接触部１ｄが形成されている。
【００３５】
ガラス基板１の寸法は、好ましくは３００ｍｍ角以上、より好ましくは４００ｍｍ角以上、さらに好ましくは５００ｍｍ角以上、最も好ましくは６００ｍｍ角以上である。
【００３６】
ガラス基板１の厚みは、３００μｍ以下に設定している。より好ましくは２００μｍ以下、最も好ましくは１００μｍ以下である。ガラス基板１の強度を考慮した場合、その厚みは、５μｍ以上であることが好ましい。
【００３７】
ガラス基板１には、ケイ酸塩ガラス、シリカガラスを用いる事ができ、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラスがより好ましい。本実施形態では、無アルカリガラスが使用される。無アルカリガラスを使用した場合、ガラス基板１の経年劣化を可及的に低減でき、最も好ましい。ここで、無アルカリガラスとは、アルカリ成分（アルカリ金属酸化物）が実質的に含まれていないガラスを意味する。具体的には、アルカリ成分の含有量が、３０００ｐｐｍ以下のガラスを意味する。アルカリ成分の含有量は、１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、５００ｐｐｍ以下であることがより好ましく、３００ｐｐｍ以下であることが最も好ましい。
【００３８】
ガラス基板１の歪点は、６００℃以上が好ましく、より好ましくは６５０℃以上、さらに好ましくは６８０℃以上、最も好ましくは７００℃以上である。ガラス基板１の歪点が上記数値範囲にすることにより、ガラス基板１の熱収縮率を小さくすることができる。ここで歪み点は、ＡＳＴＭ  Ｃ３３６の方法に基づいて測定した値を示す。
【００３９】
セッター２の板厚は、０．５〜３．０ｍｍの範囲に設定している。好ましくは０．５〜２．５ｍｍ、より好ましくは０．５〜２．０ｍｍ、さらに好ましくは０．７〜２．０ｍｍ、最も好ましくは１．０〜２．０ｍｍである。セッター２の厚みを３．０ｍｍ以下にする事により、セッター２の熱容量を小さくすることができる。これにより、熱処理時にセッター２へ流れる熱量を小さくしてエネルギーロスを低減し、ガラス基板１の熱処理を効率的に行う事ができる。
【００４０】
セッター２の材料として、ガラス（結晶化ガラスを含む）を使用する事ができる。ケイ酸塩ガラス、シリカガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラスを用いる事が好ましく、実施形態においては、ガラス基板１と同様の無アルカリガラスが用いられる。ただし、３０〜３８０℃におけるガラス基板１との線熱膨張係数の差が、５×１０-7／℃以内となるガラスを使用することが好ましい。これにより、熱処理時の加熱処理によって、ガラス基板１とセッター２との間に、熱膨張差に伴う擦れが生じ難くなる。そのため、ガラス基板１に熱膨張差に伴う擦れが生じ難くなり、傷の発生を抑制できる。このような観点からは、セッター２とガラス基板１とは、同一の組成を有するガラスを使用することが最も好ましい。その他にセッター２の材料として、セラミックス、金属等の耐熱性を有する材料を使用する事ができる。
【００４１】
セッター２の上面２ａに無機薄膜を形成してもよい。この場合、上面２ａが無機薄膜を形成されたセッター２に、ガラス基板１が積み重ねられる。
【００４２】
なお、無機薄膜の有無にかかわらず、上面２ａがガラス基板１の下面１ａよりも一回り小さい構成とすることにより、本発明の実施形態に係る効果が同様に得られるのはもちろんのことである。
【００４３】
セッター２が無機薄膜を有することにより、熱処理時の加熱によってガラス基板１が高温になった場合でも、ガラス基板１がセッター２に接着せず、熱処理後にガラス基板１をセッター２から容易に剥離できる。
【００４４】
セッター２の上面に無機薄膜を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法等を使用する事ができる。
【００４５】
セッター２の上に形成される無機薄膜の表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下であることが好ましい。表面粗さＲａが１００ｎｍより大きくなると、セッター２と無機薄膜の間に空気層が介在しやすくなる。これにより、セッター２上でガラス基板１が滑動しやすくなり、セッター２に対するガラス基板１の姿勢が不安定になるためである。
【００４６】
無機薄膜の表面粗さＲａは、より好ましくは８０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以下、それよりもさらに好ましくは３０ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以下である。表面粗さＲａは、触針式表面粗さ計やＡＦＭなど任意の手法で測定する事ができる。
【００４７】
また、セッター２の上に形成される無機薄膜の表面粗さＲａは、１．０ｎｍ以上に設定され、２．０ｎｍ以上であることが好ましい。５００℃以上の高温で熱処理した場合であっても、セッター２からガラス基板１を剥離しやすくするためである。なお、ガラス基板１と無機薄膜との間に、両者の表面状態に起因する密着力を作用させなくてもよい。
【００４８】
無機薄膜は、ＩＴＯ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｌ2Ｏ3、Ｐｒ6Ｏ11、Ｓｃ2Ｏ3、ＷＯ3、ＨｆＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｎｄ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＴｉＯ2、Ｔｉ3Ｏ5、ＮｉＯ、ＺｎＯから選択される１種又は２種以上で形成されることが好ましい。特に、無機薄膜は、ＩＴＯなどの酸化物で形成されることが好ましい。酸化物薄膜の場合、熱的に安定であるため、熱処理工程に同一のセッター２を繰り返し使用することができる。
【００４９】
無機薄膜の厚みは、５００ｎｍ以下であることが好ましく、４００ｎｍ以下であることがより好ましく、３００ｎｍ以下であることが最も好ましい。また、無機薄膜の厚みは５ｎｍ以上に設定する。無機薄膜の厚みが５ｎｍ未満であると、ガラス基板１が剥離し難くなるおそれがある。
【００５０】
本発明の実施形態では、ガラス基板１の寸法を、セッター２よりも縦横それぞれ１０ｍｍ以上大きくしている。縦横それぞれ２０ｍｍ以上大きくすることにより、端面１ｂの破損を確実に抑制でき、より好ましい。
【００５１】
下面１ａ全体に対する非接触部１ｄの面積の割合は、０．５以下であることが好ましい。より好ましくは０．３以下、さらに好ましくは０．２以下、最も好ましくは０．１以下である。ただし、０より大きい（ガラス基板１が非接触部１ｄを有する）ことはもちろんである。ガラス基板１の下面１ａ全体に対する非接触部１ｄの割合を規制することにより、ガラス基板１内部の温度ムラを防止できる。
【００５２】
詳細には、図２に示すように、熱処理工程に用いる熱処理装置３は、ガラスチャンバー４と、ガラスチャンバー４の内部に配置されたガラス棚５と、ガラス棚５が載置された昇降台６と、ガラスチャンバー４の周囲を囲繞する炉壁７と、ガラスチャンバー４を外部から加熱するヒーター８とを備えている。なお、この熱処理装置３は、クリーンルーム内に配設される。
【００５３】
ガラスチャンバー４は、石英ガラスを一体成形して形成された有蓋筒状をなし、その内部に熱処理空間Ｓを有する。すなわち、ガラスチャンバー４は、継ぎ目のない連続した面によって、熱処理空間Ｓを区画形成している。
【００５４】
ガラス棚５は、石英ガラスからなり、上下方向に多段状に設けられた複数の収容部９を有する。各収容部９には、取り外し可能な棚板１０が設けられており、この棚板１０の上に、セッター２とガラス基板１が重ねて収容される。なお、この実施形態では、棚板１０も石英ガラスで形成されている。
【００５５】
昇降台６の載置部１１は、石英ガラスからなり、上昇位置でガラスチャンバー４の下方開口部を閉鎖する。一方、この昇降台６を図外の下降位置まで下降させることで、載置部１１上のガラス棚５に対して、セッター２とガラス基板１の積み込みや積み降ろしが行われる。
【００５６】
炉壁７は、耐火物で構成されており、この炉壁７の側部内壁面と上部内壁面には、複数のヒーター８が取り付けられている。ヒーター８は、特に限定されるものではないが、この実施形態では、金属系の発熱体（例えば、ニクロム系発熱体など）が使用される。
【００５７】
なお、ガラスチャンバー４を外部から冷却する冷却手段（送風機など）を別途設けてもよい。これにより、ヒーター８で一旦加熱した熱処理空間Ｓの雰囲気を効率よく冷却することができる。
【００５８】
ガラス棚５の棚板１０は、この実施形態では格子状の枠体で構成されている。棚板１０の上面には複数のピン状の突起が設けられている。そして、この複数の突起により、セッター２とガラス基板１がセッター２の下方から支持される。
【００５９】
次に、以上のように構成された熱処理装置３を用いた熱処理工程を説明する。
【００６０】
まず、ガラスチャンバー４の内部に設けられた熱処理空間Ｓに、ガラス棚５を配置すると共に、ガラス棚５の収容部９に設けられた棚板１０のそれぞれに、セッター２にガラス基板１を収容する。そして、然る後に、ガラスチャンバー４の外部からヒーター８によって熱処理空間Ｓを加熱し、それぞれの収容部９に収容された各ガラス基板１を熱処理する。
【００６１】
本発明の実施形態にかかる熱処理工程では、上記の様にヒーター８の熱によってガラス基板１に熱処理を行う。ガラス基板１の温度は、まず所定の温度まで上昇され、その温度で一定時間保持される。そしてその後、経時的に温度を降下させる。
【００６２】
上記のいわゆるアニール処理と呼ばれる熱処理を、成形後のガラス基板１に施すことにより、ガラス基板１の構造緩和を進め、ガラス基板１の熱収縮率を低減することができる。
【００６３】
これにより、ガラス基板１が使用されたＦＰＤの表面に薄膜電気回路を形成する場合等、ガラス基板１が加熱を伴う製造関連処理を受けた場合でも、ガラス基板１が熱収縮により大きく変形する事がない。
【００６４】
この際、前述の様にセッター２の厚みを所定以下に設定してセッター２の熱容量を小さくしている。これにより、セッター２へ流れる熱量を抑え、ガラス基板１を効率的に加熱できる。
【００６５】
ガラス基板１の昇温速度は、好ましくは３℃／分以上、より好ましくは５℃／分以上、さらに好ましくは７℃／分以上である。また、ガラス基板１の破損を防止するために、ガラス基板１の昇温速度は３０℃／分以下であることが好ましく、２０℃／分以下であることがより好ましい。
【００６６】
最高温度は徐冷点よりも低いことが好ましく、最高温度到達後の温度保持時間は、５〜１２０分の間で設定される事が好ましい。これにより、ガラス基板１の熱収縮率の低減を適切に行う事ができる。
【００６７】
最高温度到達後の降温速度は、好ましくは１℃／分以上、より好ましくは２℃／分以上、さらに好ましくは５℃／分以上である。これにより、降温のための時間を短縮し、ガラス基板１の生産性を向上させる事ができる。また、ガラス基板１の熱収縮率の低減を十分に行うために、降温速度は２０℃／分以下であることが好ましく、１５℃／分以下であることがより好ましい。
【００６８】
セッター２は、前述の熱処理の過程で、セッター２内部での降温速度の違いにより温度ムラができ、図３に示すようなガラス基板１の側への反り返りが発生する場合がある。この際に、本発明の実施形態では、ガラス基板１をセッター２より一回り小さくすることで、ガラス基板１の周縁部１ｃを非接触部１ｄとし、端面１ｂの破損を低減できる。
【００６９】
なお、本発明の実施形態に係る熱処理工程は、ローラコンベアやベルトコンベア、ウォーキングビーム方式等のオンラインでの熱処理炉を使用してもよいし、バッチ式や連続搬送方式、枚葉方式等の熱処理炉を使用してもよい。
【００７０】
次に、４種類の異なるセッター２を用いてガラス基板１を熱処理した場合の、ガラス基板１の端面１ｂの破損率についての実験結果を示す。また、この実験に併せて、熱処理後のガラス基板１の熱収縮率についても測定している。
【００７１】
実験に使用するガラス基板１は、６１０ｍｍ×７４０ｍｍの矩形状で、厚み２００μｍの、日本電気硝子株式会社製の無アルカリガラス（製品名：ＯＡ−１１、３０〜３８０℃における熱膨張係数：３７×１０−7／℃、歪点６８５℃、徐冷点７４０℃）である。厚み２００μｍのガラス板から、ダイヤモンドホイールチップスクライブ法により上記の大きさのガラス基板１を切断して作成した。なお、切断後の端面加工は行っていない。
【００７２】
セッター２についても同様に、日本電気硝子株式会社製の無アルカリガラスＯＡ−１１を使用している。また、セッター２の両面には、スパッタ法によりＩＴＯからなる無機薄膜を１８０ｎｍの厚みで形成している。
【００７３】
４種類のセッター２は、それぞれ、厚み１．５ｍｍ、縦５９０ｍｍ×横７２０ｍｍ、厚み１．５ｍｍ、縦６２０ｍｍ×横７５０ｍｍ、厚み１．５ｍｍ、縦７５０ｍｍ×横９４０ｍｍ、厚み０．５ｍｍ、縦７５０ｍｍ×横９４０ｍｍのものを用いる。
【００７４】
実験に際しては、まず、上記のガラス基板１と各種類のセッター２を２０組ずつ用意し、前述したアニール処理を行うことにより、それぞれのガラス基板１の熱収縮率を低減させている。当該実験のアニール処理では、それぞれのセッター２に載置されたガラス基板１を、６００℃まで１０℃／分で昇温し、９０分間６０℃で保持した後、室温まで３℃／分で降温させる。アニール処理を行ったガラス基板１は、目視により、それぞれの端面１ｂの破損の有無を確認し、その破損率を評価している。
【００７５】
それぞれのガラス基板１に上記のアニール処理を行った後、ガラス基板１の熱収縮率を評価する為の熱処理を行う。
【００７６】
ここで、熱処理後のガラス基板１の熱収縮率は、次のような方法で測定している（以下、同様）。すなわち、図４（ａ）に示すように、まず、ガラス基板１の試料として１６０ｍｍ×３０ｍｍの短冊状試料Ｇを準備する。この短冊状試料Ｇの長辺方向の両端部のそれぞれに、＃１０００の耐水研磨紙を用いて、端縁から２０〜４０ｍｍ離れた位置でマーキングＭを形成する。その後、図４（ｂ）に示すように、マーキングＭを形成した短冊状試料ＧをマーキングＭと直交方向に沿って２つに折り割って、試料片Ｇａ，Ｇｂを作製する。そして、一方の試料片Ｇｂのみを、常温から５００℃まで５℃／分で昇温させ、５００℃で１時間保持した後に、５℃／分で降温させる熱処理を行う。上記熱処理後、図４（ｃ）に示すように、熱処理を行っていない試料片Ｇａと、熱処理を行った試料片Ｇｂを並列に配列した状態で、２つの試料片Ｇａ，ＧｂのマーキングＭの位置ずれ量（△Ｌ1，△Ｌ2）をレーザー顕微鏡によって読み取り、下記の式により熱収縮率を算出する。なお、式中のｌ0は、初期のマーキングＭ間の距離である。
熱収縮率＝[｛ΔＬ1（μｍ）＋ΔＬ2（μｍ）｝×１０3]／ｌ0（ｍｍ） （ｐｐｍ）
【００７７】
以上の方法によるガラス基板１の熱収縮率の結果および端面１ｂの破損率を、以下に示す。
表１では、１番から４番のセッター２の大きさと厚み、ガラス基板１との寸法差（＋はセッター２の方が大きい）、そしてガラス基板１の端面１ｂの破損率を示している。また、熱処理後のガラス基板１の熱収縮率は、全て５ｐｐｍ以下の小さい値となり、全てのガラス基板１について熱処理は良好に行われる結果となった。
【００７８】
【表１】
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【００７９】
表１より、ガラス基板１よりも面積の小さい１番のセッター２では、破損率が０％であったのに対して、ガラス基板１よりも面積の大きい２番〜４番のセッター２では、６０〜８０％の破損率であった。また、３番と４番の比較により、セッター２の厚みによる破損率の変化は見られなかった。
【００８０】
以上の結果から、セッター２（の上面２ａ）をガラス基板１（の下面１ａ）よりも小さくすることにより、ガラス基板１の端面１ｂの破損を抑制できることがわかる。
【００８１】
以上、本発明の実施形態の構成について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加え得ることは勿論である。
【００８２】
図１では、セッター２の上面２ａがガラス基板１の下面１ａの内側に包含され、ガラス基板１の周縁部１ｃの全周に亘って非接触部１ｄを有する場合を示したが、例えば図５に示すように、その一部に非接触部１ｄを有する構成であってもよい。
【００８３】
図５の構成においては、辺Ｘ１は全て非接触部１ｄとなり、辺Ｘ１に対応する端面１ｂは、セッター２の反り返りによる破損を抑制できる。この様に、ガラス基板１の特定の辺に対応する端面１ｂの破損を抑制してもよい。
また、辺Ｘ２およびＸ３では、その一部分（図の左側部分）に非接触部１ｄを有し、非接触部１ｄを有する部分に対応する端面１ｂにおいて、その破損を抑制できる。この様に、ガラス基板１の辺の一部に非接触部１ｄを設けてもよい。なお、辺Ｘ４は非接触部１ｄを有しない。
【００８４】
この様に、周縁部１ｃの一部を非接触部１ｄとする構成では、仮に、セッター２の上面２ａがガラス基板１の下面１ａ以上の面積を有する場合でも、セッター２に対するガラス基板１の配置を変更することにより本発明の効果を得る事ができる。
【００８５】
また、図６に示すように、セッター２に対するガラス基板１の配置を変更する事により、ガラス基板１の一部（図では４つの頂点を含む四隅）を非接触部１ｄとする事も可能である。図６の例では、端面１ｂの４つの頂点の端面１ｂの強度が特に弱い場合に有効である。
【００８６】
さらに、これまでの構成では矩形状のセッター２の例のみを示したが、セッター２の形状はこれに限らない。
【００８７】
例えば、図７に示すように、セッター２を十字型の構成として、ガラス基板１の四隅を非接触部１ｄとする事も可能である。
【００８８】
また、熱処理装置３の構成は、セッター２に載置されたガラス基板１を加熱できるものであれば、特に限定されるものではない。
【００８９】
オーバーフローダウンドロー法によりガラス基板１を製造するとしたが、他の方法、例えば、スロットダウンドロー法、ロールアウト法又はフロート法、アップドロー法、リドロー法等により、ガラス基板１を製造するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１        ガラス基板
１ａ      下面
１ｂ      端面
１ｃ      周縁部
１ｄ      非接触部
２        セッター
２ａ      上面
【図１】
2016088769.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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