(57)【要約】【課題】異常燃焼が生じた場合であっても半導体基板の破損を抑制できる筒内圧センサを提供する。【解決手段】筒内圧センサは、ハウジングと、ダイヤフラムと、半導体基板９と、力伝達部材と、を有し、力伝達部材から伝えられる荷重に応じて半導体基板９の抵抗値が変化する関係を利用して筒内圧を検出する。筒内圧センサは、力伝達部材として、ダイヤフラムに接続された力伝達ロッドと、力伝達ロッドから伝えられた荷重を半導体基板９に伝達するガラスブロック１０とを有し、ガラスブロック１０は、接続面１５の一端から他端までを覆う加圧面１８と、力伝達ロッドに接続された受圧面２０とを有し、受圧面２０と加圧面１８との間で、加圧面１８と平行な断面の外周がガラスブロック１０を荷重が作用する方向から視たときに全周に亘って加圧面１８の外周よりも内側に位置するようになる絞り部としての受圧部２１を有している。【選択図】図３
2016223859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
前記ハウジングの一端に固定されて燃焼室内の圧力である筒内圧を受けるダイヤフラムと、
加えられた荷重に応じて抵抗値が変化する半導体基板と、
前記ダイヤフラムと前記半導体基板との間に設けられて、前記ダイヤフラムに作用した筒内圧を前記半導体基板に伝える力伝達部材と、を有し、
前記力伝達部材から伝えられる荷重に応じて前記半導体基板の抵抗値が変化する関係を利用して筒内圧を検出する筒内圧センサにおいて、
前記力伝達部材として、前記ダイヤフラムに接続された第１の力伝達部材と、同第１の力伝達部材及び前記半導体基板の間に設けられて両者に接続されることにより、前記第１の力伝達部材から伝えられた荷重を前記半導体基板に伝達する第２の力伝達部材とを有し、
前記半導体基板における前記第２の力伝達部材が接続された面を接続面としたとき、
前記第２の力伝達部材は、前記接続面の一端から他端までを覆い前記接続面に接続された加圧面と、前記第１の力伝達部材に接続された受圧面とを有し、前記受圧面と前記加圧面との間に、前記加圧面と平行な断面の外周が同第２の力伝達部材を荷重が作用する方向から視たときに全周に亘って前記加圧面の外周よりも内側に位置するようになる絞り部を有している筒内圧センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内燃機関の筒内圧センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
燃焼室内の圧力（以下、筒内圧という）を検出する筒内圧センサを備えた内燃機関が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の筒内圧センサは、筒状のハウジングと、ハウジングの一端に固定されて筒内圧を受けるダイヤフラムとを有している。ハウジングの内部には、力伝達部材と、力検知ブロックとが収容されている。力伝達部材は、ダイヤフラムに接続された力伝達ロッドと、力伝達ロッドに接続された半球状の力伝達ブロックと、半球状の力伝達ブロックに接続された直方体状の力伝達ブロックとを有している。直方体状の力伝達ブロックには、力検知ブロックが接続されている。このため、ダイヤフラムに作用した筒内圧は、力伝達ロッド、半球状の力伝達ブロック、直方体状の力伝達ブロックを順に介して、力検知ブロックに伝達される。なお、力検知ブロックは、半導体基板を主体として形成されており、この半導体基板は加えられた荷重に応じて抵抗値が変化する。特許文献１に記載の筒内圧センサでは、このように力伝達部材から伝えられる荷重に応じて半導体基板の抵抗値が変化する関係を利用して筒内圧を検出している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４６３８６５９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述したように、力検知ブロックは、半導体基板を主体として形成されている。半導体基板を製造する過程では、複数の半導体基板が形成されたウエハがダイシング工程によって切断されることにより、各基板が切り出される。この工程では、各基板の外周面のうち力伝達ブロックが接続される接続面の周縁部に微小な欠けが生じる場合がある。
【０００５】
また、筒内圧センサでは、半導体基板と力伝達ブロックとの接触面積を大きくしてそれらの接続を強固にするために、力伝達ブロックは、半導体基板の広い範囲に当接するように、半導体基板の接続面の一端から他端までを覆うようにして配設されている。このため、力伝達ブロックは、半導体基板の接続面における周縁部の一部を覆うようにして同半導体基板に接続されている。
【０００６】
これにより、異常燃焼などが生じて筒内圧が極めて高くなり、力伝達ブロックから半導体基板に作用する荷重が大きくなると、半導体基板の接続面における周縁部、すなわち、半導体基板の欠けている部分にも大きな荷重が作用する。その結果、欠けている部分に応力が集中して、この欠けている部分を起点にクラックが生じることにより、半導体基板が破損してしまうおそれがある。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、異常燃焼が生じた場合であっても半導体基板の破損を抑制できる筒内圧センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための筒内圧センサは、ハウジングと、ハウジングの一端に固定されて燃焼室内の圧力である筒内圧を受けるダイヤフラムと、加えられた荷重に応じて抵抗値が変化する半導体基板と、ダイヤフラムと半導体基板との間に設けられて、ダイヤフラムに作用した筒内圧を半導体基板に伝える力伝達部材と、を有し、力伝達部材から伝えられる荷重に応じて半導体基板の抵抗値が変化する関係を利用して筒内圧を検出する。この筒内圧センサでは、力伝達部材として、ダイヤフラムに接続された第１の力伝達部材と、同第１の力伝達部材及び半導体基板の間に設けられて両者に接続されることにより、第１の力伝達部材から伝えられた荷重を半導体基板に伝達する第２の力伝達部材とを有し、半導体基板における第２の力伝達部材が接続された面を接続面としたとき、第２の力伝達部材は、接続面の一端から他端までを覆い接続面に接続された加圧面と、第１の力伝達部材に接続された受圧面とを有し、受圧面と加圧面との間に、加圧面と平行な断面の外周が第２の力伝達部材を荷重が作用する方向から視たときに全周に亘って加圧面の外周よりも内側に位置するようになる絞り部を有している。
【０００９】
上記構成によれば、絞り部における加圧面と平行な断面の断面積は加圧面の面積よりも小さくなっている。受圧面に伝えられた荷重は、この断面積の小さい絞り部によって加圧面の面積よりも狭い部分に集約され、加圧面に伝えられる。すなわち、加圧面では、荷重の作用方向から視たときに絞り部と重なる重複領域に多くの荷重が伝えられ、絞り部と重ならない非重複領域には重複領域に伝達される際に分散した荷重が伝えられる。このため、加圧面では、重複領域に伝えられる荷重に比して、非重複領域に伝えられる荷重が小さくなる。
【００１０】
ところで、加圧面は、半導体基板の接続面の一端から他端までを覆っている。これにより半導体基板と第２の力伝達部材との接触面積が確保され、これらが強固に接続される。こうした構成では、半導体基板の接続面の周縁部にも第２の力伝達部材が接続される。このため、第２の力伝達部材を介して半導体基板の周縁部にも荷重が作用する。
【００１１】
上記構成では、上述したように、荷重が作用する方向から視たときに、絞り部の断面の外周は、全周に亘って加圧面の外周よりも内側に位置している。このため、重複領域は加圧面の中央側に位置していることになり、非重複領域は加圧面の中央部分を取り囲むように位置して半導体基板の接続面の周縁部に接続されていることになる。
【００１２】
上記構成によれば、上述したように、非重複領域に伝えられる荷重が小さくなるため、半導体基板の周縁部に作用する荷重が抑えられ、ダイシング工程によって欠けが生じる部分に大きな荷重が作用することが抑えられる。このため、半導体基板における周縁部の欠けている部分にクラックが生じるほど大きな応力が集中することが抑えられるようになる。したがって、上記構成によれば、異常燃焼が生じた場合であっても半導体基板の破損を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】筒内圧センサの第１の実施形態の構成を模式的に示す断面図。
【図２】同実施形態の筒内圧センサに設けられる半導体基板の構成を示す斜視図。
【図３】同半導体基板にガラスブロックが接続されたときの状態を示す斜視図。
【図４】同ガラスブロックの上面図。
【図５】ガラスブロックが接続された半導体基板の周縁部を拡大して示す上面図。
【図６】複数の凸部が形成されたガラス板の斜視図。
【図７】同ガラス板を熱源に対向させたときの状態を示す断面図。
【図８】同ガラス板を熱源に押しつけたときの状態を示す断面図。
【図９】従来の筒内圧センサに設けられるガラスブロックを通じて半導体基板に伝えられる荷重の流れを示す模式図。
【図１０】第１の実施形態の筒内圧センサに設けられたガラスブロックを通じて半導体基板に伝えられる荷重の流れを示す模式図。
【図１１】筒内圧センサの第２の実施形態に設けられるガラスブロックを通じて半導体基板に伝えられる荷重の流れを示す模式図。
【図１２】同ガラスブロックの上面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１の実施形態）
以下、筒内圧センサの第１の実施形態について、図１〜図１０を参照して説明する。
図１に示すように、筒内圧センサ１には、筒状のハウジング２が設けられている。ハウジング２は、アウターハウジング３と、同アウターハウジング３に挿通されたインナーハウジング４とからなる。両ハウジング３，４の一端には、例えば金属からなるダイヤフラム５が固定されている。筒内圧センサ１は、ハウジング２の一端が燃焼室内に露出した状態で内燃機関に配設される。このため、筒内圧センサ１が燃焼室に設けられた状態では、ダイヤフラム５に燃焼室内の圧力である筒内圧が作用する。ダイヤフラム５は中心部が湾曲しており、ダイヤフラム５に筒内圧が作用すると、ダイヤフラム５の中心部は、図１の右方向に撓む。
【００１５】
また、インナーハウジング４には、同インナーハウジング４の一端に形成された開口を塞ぐようにしてシール部材６が固定されている。これにより、筒内圧センサ１の一端部には、ダイヤフラム５、インナーハウジング４、及びシール部材６によって区画された空間７が形成されている。この空間７には、ダイヤフラム５に接続された第１の力伝達部材としての力伝達ロッド８が収容されている。力伝達ロッド８は、ダイヤフラム５の中心部に連結されており、ダイヤフラム５に接続されている部分が半球形状をなしている。また、シール部材６には、半導体基板９が固定されている。これら力伝達ロッド８と半導体基板９との間には、両者に接続された第２の力伝達部材としてのガラスブロック１０が設けられている。このため、ダイヤフラム５に筒内圧が作用してダイヤフラム５が撓むと、同ダイヤフラム５によって力伝達ロッド８が押されて、その荷重がガラスブロック１０に伝達される。そして、ガラスブロック１０は力伝達ロッド８から伝えられた荷重を半導体基板９に伝達する。このように、力伝達ロッド８及びガラスブロック１０がダイヤフラム５に作用した筒内圧を半導体基板９に伝える力伝達部材として機能する。なお、筒内圧センサ１には、定電流源１１を有し、一定の電流が流れるように制御される定電流回路１２が設けられている。半導体基板９は、リード線１３によってこの定電流回路１２に接続されている。なお、リード線１３は、シール部材６を貫通して配設されている。
【００１６】
次に、図２及び図３を参照して、半導体基板９の構成について説明する。
図２に示すように、半導体基板９は、略直方体形状であり、隣り合う面同士がほぼ直交する６つの面によって外周面が構成されている。半導体基板９の外周面のうち１つの面には、メサ型の突出部であるメサ部１４が形成されている。メサ部１４は、加えられた荷重に応じて抵抗値が変化する。
【００１７】
図３に示すように、半導体基板９の外周面のうち、メサ部１４が形成されている面には、例えば陽極接合によってガラスブロック１０が接続される。以下では、外周面を構成する６つの面のうち、ガラスブロック１０が接続された面、すなわちメサ部１４が形成されている面を接続面１５という。
【００１８】
図２及び図３に示すように、接続面１５におけるメサ部１４の両端には、１対の電極１６が設けられている。メサ部１４の一端は一方の電極１６に電気的に接続されており、メサ部１４の他端は他方の電極１６に電気的に接続されている。各電極１６には、図１に示すようにリード線１３がそれぞれ接続されており、このリード線１３を介して半導体基板９には定電流が供給されている。このため、半導体基板９の接続面１５に、力伝達ロッド８からガラスブロック１０を介して荷重が伝えられると、メサ部１４が歪んで同メサ部１４の抵抗値が変化し、メサ部１４の両端に発生している電圧（以下、両端電圧という）が変化する。そのため、この筒内圧センサ１では、メサ部１４の両端電圧を検出することにより、筒内圧を検出している。このように、筒内圧センサ１では、ガラスブロック１０から伝えられる荷重に応じて半導体基板９の抵抗値が変化する関係を利用して筒内圧を検出している。
【００１９】
なお、メサ部１４は、半導体基板９の製造過程において、半導体基板９の外周面にエッチング等の加工を施すことにより形成されている。すなわち、図２に示すように、エッチングによって接続面１５に２つの溝１７が形成されることにより、同接続面１５が凹凸形状になり、各溝１７の間にメサ部１４が形成されている。
【００２０】
次に、ガラスブロック１０の構成について説明する。
図３に示すように、ガラスブロック１０は、接続面１５に接続された加圧面１８を含み半導体基板９側に位置する部分である加圧部１９と、力伝達ロッド８に接続される受圧面２０を含み力伝達ロッド８側に位置する部分である受圧部２１とを有している。受圧部２１及び加圧部１９は、共に略直方体状をなし、受圧面２０と加圧面１８とはほぼ平行に延びている。
【００２１】
また、図３に示すように、半導体基板９の接続面１５における長手方向における寸法を長さ、短手方向における寸法を幅とすると、受圧部２１は、加圧部１９に比して、幅及び長さが短くなっている。また、図４に示すように、受圧部２１は、加圧部１９の中心部に位置している。このため、ガラスブロック１０を荷重が作用する方向である受圧部２１側から視たときに、受圧部２１の外周は全周に亘って加圧部１９の外周よりも内側に位置している。なお、受圧部２１は略直方体状であるため、加圧面１８と平行な断面の面積は、受圧部２１の何れの部分でもほぼ同一であり、加圧面１８の面積よりも小さくなっている。すなわち、ガラスブロック１０の受圧部２１では、受圧面２０と加圧面１８との間の部分における加圧面１８と平行な断面（以下、単に断面という）の外周が、ガラスブロック１０を荷重が作用する方向から視たときに全周に亘って加圧面１８の外周よりも内側に位置している。したがって、受圧部２１が絞り部として機能する。また、本実施形態では、同方向から視たときに、加圧面１８における、受圧部２１と重なる領域を重複領域といい、受圧部２１と重ならない領域を非重複領域という。
【００２２】
このように、ガラスブロック１０は、受圧部２１よりも加圧部１９の方が幅方向及び長さ方向において拡がった形状を有しており、図３に示すように、受圧部２１と加圧部１９との接続部分には全周に亘って段差が形成されている。
【００２３】
また、図３に示すように、加圧部１９の幅は、接続面１５の幅と略同一になっている。また、加圧部１９の長さは接続面１５における一対の電極１６間の長さと略同一になっている。このため、ガラスブロック１０が半導体基板９に接続された状態では、加圧面１８は接続面１５の幅方向における一端から他端までを覆い、接続面１５の各溝１７が同加圧面１８によって覆われた状態になっている。
【００２４】
ここで、半導体基板９は、複数の半導体基板９が形成されたウエハをダイシング工程によって切断することにより、製造されている。このため、図５に破線で示すように、半導体基板９の接続面１５の周縁部には、微小の欠けが生じている。ガラスブロック１０は、その加圧面１８が接続面１５の一端から他端までを覆うようにして同接続面１５に接続されているため、半導体基板９における周縁部の欠けている部分には加圧部１９の加圧面１８が重なった状態になっている。また、図３に示すように、受圧部２１の幅は加圧部１９の幅よりも短いため、受圧部２１は接続面１５の周縁部には重なっていない。
【００２５】
次に、図６〜図８を参照して、ガラスブロック１０の製造方法の一例について説明する。
図６に示すように、ガラスブロック１０を製造する際には、まず、一枚のガラス板２３に対して切削加工を行い、同ガラス板２３に複数のブロック状の凸部２４を形成する。そして、図７に示すように、ガラス板２３の凸部２４の先端が熱源２５に対向するように、ガラス板２３と熱源２５とを配設する。なお、例えば熱した金属板などを熱源２５として用いることができる。そして、図８に矢印で示すように、ガラス板２３を熱源２５に当接させて凸部２４の先端部を軟化させつつ、更にガラス板２３を熱源２５に押しつけることにより、凸部２４の先端を幅方向及び長さ方向に拡大する。この凸部２４の先端部が、加圧部１９になる。その後、ガラス板２３から各凸部２４をそれぞれ切り出すことにより、ガラスブロック１０が製造される。
【００２６】
次に、本実施形態の作用について説明する。
図９に矢印で示すように、全体が直方体形状であるガラスブロック３０を備える従来の筒内圧センサでは、力伝達ロッド８に接続された受圧面２０に作用した荷重が荷重の作用する方向に沿ってそのまま半導体基板９に接続された加圧面１８に伝達される。このため、受圧面２０の外周側の部分に作用した荷重は加圧面１８の外周側の部分に伝達され、この荷重が半導体基板９の周縁部に作用することになる。周縁部には、上述したように微小な欠けが生じているため、異常燃焼などによってこの周縁部に大きな荷重が伝えられると、この欠けている部分に過大な応力が集中して、この欠けている部分を起点にクラックが生じてしまうおそれがある。
【００２７】
一方、本実施形態では、力伝達ロッド８から伝えられた荷重をガラスブロック１０の受圧部２１及び加圧部１９を通じて半導体基板９に伝達する。受圧部２１の断面積は、加圧部１９の断面積よりも小さくなっているため、受圧面２０に伝えられた荷重は、この断面積の小さい受圧部２１によって加圧面１８の面積よりも狭い部分に集約される。
【００２８】
また、図４に示すように、受圧部２１の断面の外周が全周に亘って加圧面１８の外周よりも内側に位置しているため、重複領域は加圧面１８の中央側に位置し、非重複領域は加圧面１８の中央部分を取り囲むように位置している。このため、非重複領域が半導体基板９の接続面１５の周縁部に接続される。
【００２９】
したがって、図１０に矢印で示すように、受圧面２０に伝えられた荷重は、受圧部２１を通じて加圧面１８の中央部分に集約され、その大部分が加圧面１８の重複領域に伝えられる。一方で、加圧面１８の非重複領域には、受圧面２０から荷重の作用方向に沿って直接荷重が伝えられず、受圧面２０から重複領域に伝達される際に分散した荷重が伝えられる。このため、加圧面１８では、重複領域に伝えられる荷重に比して、非重複領域に伝えられる荷重が小さくなる。これにより、半導体基板９の周縁部に作用する荷重が抑えられ、ダイシング工程によって欠けが生じる部分に大きな荷重が作用することが抑えられる。その結果、異常燃焼が生じた場合であっても、半導体基板９における周縁部の欠けている部分にクラックが生じるほど大きな応力が集中することが抑えられる。
【００３０】
また、加圧面１８は、半導体基板９の接続面１５の一端から他端までを覆っている。これにより半導体基板９とガラスブロック１０との接触面積が確保され、これらが強固に接続される。
【００３１】
また、一枚のガラス板２３に複数の凸部２４を形成し、この凸部２４の先端を熱源２５に押し当てて、段差が形成されたガラスブロック１０を製造するようにした。このため、段差が形成されたガラスブロック１０を複数まとめて製造することができ、ガラスブロック１０を１つずつ切削加工して製造する場合に比して、その製造が容易になる。
【００３２】
以上説明した第１の実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。
（１）ガラスブロック１０は、半導体基板９の接続面１５の一端から他端までを覆う加圧面１８を含む加圧部１９と、力伝達ロッド８に接続された受圧面２０を含み、断面の外周がガラスブロック１０を荷重が作用する方向から視たときに全周に亘って加圧面１８の外周よりも内側に位置するようになる受圧部２１とを有している。このため、受圧面２０に作用した荷重が、受圧部２１を通じて加圧面１８の中央部分に集約されて、その大部分が加圧面１８の重複領域に伝えられる一方で、加圧面１８の非重複領域には受圧面２０から重複領域に伝達される際に分散した荷重が伝えられる。このため、加圧面１８では、重複領域に伝えられる荷重に比して、非重複領域に伝えられる荷重が小さくなり、半導体基板９の欠けが生じる周縁部に作用する荷重が抑えられる。これにより、異常燃焼が生じた場合であっても半導体基板９の破損を抑制することができる。
【００３３】
（第２の実施形態）
次に、筒内圧センサの第２の実施形態について、図１１及び１２を参照して説明する。なお、本実施形態では、ガラスブロックの構成が第１の実施形態と異なっている。そのため、以下では、構成の異なるガラスブロックについて中心に説明し、上記実施形態と同様の構成については共通の符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００３４】
図１１に示すように、ガラスブロック４０は、力伝達ロッド８及び半導体基板９の間に設けられて両者に接続されている。ガラスブロック４０は、半導体基板９に接続された加圧面４１を含み半導体基板９側に位置する部分である加圧部４２と、力伝達ロッド８に接続された受圧面４３を含み力伝達ロッド８側に位置する部分である受圧部４４と、加圧部４２と受圧部４４との間に設けられた接続部４５とを有している。加圧面４１は、接続面１５の幅方向（図１１の左右方向）における一端から他端までを覆うようにして接続面１５に接続されている。
【００３５】
図１２に示すように、受圧面４３の幅（図１２における左右方向における寸法）及び長さ（図１２における上下方向における寸法）は、加圧面４１の幅及び長さと略等しく、受圧面４３の面積と加圧面４１の面積とはほぼ等しくなっている。このため、ガラスブロック４０を荷重の作用する方向から視たときには、加圧面４１と受圧面４３とはその全体に亘って重なった状態になっている。また、図１１に示すように、受圧部４４及び加圧部４２は板状であり、加圧部４２における加圧面４１と平行な断面の面積は、受圧部４４における加圧面４１と平行な断面の面積とほぼ等しい。
【００３６】
一方、図１１及び図１２に示すように、接続部４５の幅及び長さは、加圧部４２、すなわち加圧面４１の幅及び長さに比して短くなっている。また、接続部４５は、受圧部４４及び加圧部４２の中心部分に位置している。このため、受圧面４３と加圧面４１との間の接続部４５は、加圧面４１と平行な断面の外周が、ガラスブロック４０を荷重が作用する方向から視たときに全周に亘って加圧面４１の外周よりも内側に位置している。本実施形態では、ガラスブロック４０が接続部４５の部分で幅方向及び長さ方向において絞られた形状となっており、この接続部４５が絞り部として機能する。また、ガラスブロック４０を荷重が作用する方向から視たときに、加圧面４１における、接続部４５と重なる領域を重複領域といい、接続部４５と重ならない領域を非重複領域という。
【００３７】
次に、本実施形態の作用を説明する。
本実施形態では、ガラスブロック４０の接続部４５の断面積が、受圧部４４の断面積及び加圧部４２の断面積よりも小さくなっているため、受圧面４３に伝えられた荷重は、この断面積の小さい接続部４５によって加圧面４１の面積よりも狭い部分に集約されて加圧面４１に伝えられる。
【００３８】
また、図１２に示すように、接続部４５の断面の外周が全周に亘って加圧面４１の外周よりも内側に位置しているため、重複領域は加圧面４１の中央側に位置し、非重複領域は加圧面４１の中央部分を取り囲むように位置している。このため、非重複領域が半導体基板９の接続面１５の周縁部に接続されている。
【００３９】
このため、図１１に示すように、受圧面４３に伝えられた荷重は、接続部４５によって加圧面４１の中央部分に集約され、そのまま荷重の流れ方向に沿って、その大部分が加圧面４１の重複領域に伝えられる。また、受圧部４４と加圧部４２との間が接続部によって絞られており、荷重の作用する方向において受圧部４４の外周部と加圧部４２の外周部とは直接繋がっていないため、加圧面４１の非重複領域には、接続部４５から重複領域に伝達される際に分散した荷重が伝えられることになる。このため、加圧面４１では、重複領域に伝えられる荷重に比して、非重複領域に伝えられる荷重が小さくなる。これにより、半導体基板９の周縁部に作用する荷重が抑えられ、ダイシング工程によって欠けが生じる部分に大きな荷重が作用することが抑えられる。その結果、異常燃焼が生じた場合であっても、半導体基板９における周縁部の欠けている部分にクラックが生じるほど大きな応力が集中することが抑えられる。
【００４０】
また、加圧面４１は、半導体基板９の接続面１５の一端から他端までを覆っている。これにより半導体基板９とガラスブロック４０との接触面積が確保され、これらが強固に接続される。
【００４１】
以上説明した第２の実施形態によれば、上記（１）と同様の効果を得ることができる。
なお、上記実施形態は以下のように変更して実施することができる。
・半導体基板９の形状は直方体状に限られない。例えば、立方体状であってもよい。また、ガラスブロック１０，４０が接続される接続面１５側からシール部材６に固定される面側に向かってその断面積が徐々に変化するような形状であってもよい。
【００４２】
・ガラスブロック１０の製造方法は上述したものに限られない。例えば、ガラス板２３から直方体状にガラスブロックを切り出し、その一端部の幅及び長さを他端部の幅及び長さに比べて短くするように削ることにより、受圧部２１に比して加圧部１９が拡大した構成を有するガラスブロック１０を製造するようにしてもよい。
【００４３】
・受圧面２０，４３の面積を加圧面１８，４１の面積よりも大きくしてもよい。こうした場合であっても、受圧面２０，４３と加圧面１８、４１との間に、加圧面１８，４１と平行な断面の外周がガラスブロック１０，４０を荷重が作用する方向から視たときに全周に亘って加圧面１８，４１の外周よりも内側に位置するようになる絞り部を設けるようにすればよい。こうした構成であれば、上記（１）と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４４】
１…筒内圧センサ、２…ハウジング、３…アウターハウジング、４…インナーハウジング、５…ダイヤフラム、６…シール部材、７…空間、８…力伝達ロッド（第１の力伝達部材）、９…半導体基板、１０…ガラスブロック（第２の力伝達部材）、１１…定電流源、１２…定電流回路、１３…リード線、１４…メサ部、１５…接続面、１６…電極、１７…溝、１８…加圧面、１９…加圧部、２０…受圧面、２１…受圧部、２３…ガラス板、２４…凸部、２５…熱源、３０…ガラスブロック、４０…ガラスブロック、４１…加圧面、４２…加圧部、４３…受圧面、４４…受圧部、４５…接続部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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