(57)【要約】      （修正有）【課題】チャックテーブルの保持面に対する測定対象面の高さを適切に評価できる高さ測定装置を提供する。【解決手段】チャックテーブルの保持面に保持された被加工物が備える測定対象面の高さを測定する高さ測定装置４４であって、任意の２つの面に検査光Ｌ１を照射して、２つの面で反射する反射光Ｌ２，Ｌ３から一方の面に対する他方の面の距離Ｄを測定する分光干渉測定手段と、分光干渉測定手段と保持面との間の検査光の光路に設置され、検査光の一部を表面６０ａで反射し、検査光の他の一部を透過させる基準板６０と、を備え、基準板は、分光干渉測定手段に固定され、基準板の表面から保持面の平坦部までの距離と、基準板の表面から測定対象面までの距離と、に基づいて、保持面の平坦部に対する測定対象面の高さを算出する。【選択図】図３
2016223983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャックテーブルの保持面に保持された被加工物が備える測定対象面の高さを測定する高さ測定装置であって、
任意の２つの面に検査光を照射して、該２つの面で反射する反射光から一方の面に対する他方の面の距離を測定する分光干渉測定手段と、
該分光干渉測定手段と該保持面との間の該検査光の光路に設置され、該検査光の一部を表面で反射し、該検査光の他の一部を透過させる基準板と、を備え、
該基準板は、該分光干渉測定手段に固定され、
該基準板の該表面から該保持面の平坦部までの距離と、該基準板の該表面から該測定対象面までの距離と、に基づいて、該保持面の該平坦部に対する該測定対象面の高さを算出することを特徴とする高さ測定装置。
【請求項２】
被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルで保持された被加工物を該保持面からの高さに基づいて加工する加工手段と、
該チャックテーブルで保持された被加工物の該保持面からの高さを測定する測定手段と、を備える加工装置であって、
該測定手段は、請求項１記載の高さ測定装置であることを特徴とする加工装置。
【請求項３】
被加工物は、ウェーハと、該ウェーハの表面に積層された機能層と、を備え、
互いに交差する複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されていることを特徴とする請求項２記載の加工装置。
【請求項４】
該加工手段は、被加工物を切削する切削ブレードを備えた切削手段であることを特徴とする請求項２又は３記載の加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、界面等の高さを測定可能な高さ測定装置及び当該高さ測定装置を備えた加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機に代表される電子機器では、ＩＣ等の電子回路（デバイス）を備えるデバイスチップが必須の構成要素となっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の材料でなるウェーハ（基板）の表面をストリートと呼ばれる複数の分割予定ラインで区画し、各領域にデバイスを形成した後、このストリートに沿ってウェーハを分割することで製造できる。
【０００３】
近年、デバイスの配線間を誘電率の低い絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）で絶縁する技術が実用化されている。配線間の絶縁にＬｏｗ−ｋ膜を用いることで、プロセスの微細化によって配線の間隔が狭くなっても、配線間に生じる静電容量を小さく抑え、信号の遅延を抑制できる。これにより、デバイスの処理能力は高く維持される。
【０００４】
上述したＬｏｗ−ｋ膜は、通常、多層に重ねて形成されており、その機械的強度は低い。そのため、例えば、ウェーハを切削ブレードで切削してデバイスチップに分割しようとすると、Ｌｏｗ−ｋ膜はウェーハから剥離してしまう。これに対し、レーザー光線を照射してＬｏｗ−ｋ膜の一部を除去した後にウェーハを切削する加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
この加工方法では、まず、ウェーハの表面側からストリートに沿ってレーザー光線を照射し、Ｌｏｗ−ｋ膜の一部をアブレーションによって除去する。その後、Ｌｏｗ−ｋ膜が除去された領域を切削ブレードで切削すれば、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離する可能性を低く抑えながらウェーハを分割できる。
【０００６】
ところで、上述の加工方法では、ウェーハの切削時に切削ブレードとＬｏｗ−ｋ膜とが接触しないように、各ストリートに何度かレーザー光線を照射して、切削ブレードの幅よりも広い範囲でＬｏｗ−ｋ膜を除去している。そのため、この加工方法では、加工の完了までに長い時間を必要としていた。また、このアブレーションによってウェーハに形成される溝の形状次第では、切削ブレードが偏摩耗することもあった。
【０００７】
さらに、この加工方法では、アブレーションで発生するデブリ（加工屑）がウェーハ等に付着しないように、ウェーハを保護膜で被覆する必要がある。その上、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等を含むパッシベーション膜で覆われたＬｏｗ−ｋ膜にレーザー光線を照射すると、パッシベーション膜で反射、散乱したレーザー光線によってデバイスが損傷し易くなるという問題もあった。
【０００８】
これらの問題に対応すべく、近年では、デバイスが形成されていない裏面側からウェーハを切削して表面に達しない深さの溝を形成した後、裏面側から当該溝の底にレーザー光線を照射してＬｏｗ−ｋ膜を除去しながらウェーハを分割する加工方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−６４２３１号公報
【特許文献２】特開２０１４−１５２９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
この加工方法でウェーハに照射されるレーザー光線の強度は、例えば、溝の底からウェーハの表面（ウェーハとＬｏｗ−ｋ膜との界面）までの距離に応じて調整されている。そのため、界面から一定の距離の位置に溝の底を形成できないと、Ｌｏｗ−ｋ膜に達するレーザー光線の強度がばらついて、Ｌｏｗ−ｋ膜の剥離やデバイスの損傷といった問題が発生し易くなる。
【００１１】
上述した問題の発生を防止するには、例えば、ウェーハを保持するチャックテーブルの保持面から界面までの距離（高さ）を正確に求め、この高さを基準に切削ブレードを切り込ませれば良い。しかしながら、ウェーハの表面側に貼り付けられる保護用のテープや、保持面の一部を構成する多孔質板の平坦性は低いので、従来の測定装置では、保持面に対する界面の高さを必ずしも適切に評価できなかった。
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、チャックテーブルの保持面に対する測定対象面の高さを適切に評価できる高さ測定装置及び当該高さ測定装置を備えた加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によれば、チャックテーブルの保持面に保持された被加工物が備える測定対象面の高さを測定する高さ測定装置であって、任意の２つの面に検査光を照射して、該２つの面で反射する反射光から一方の面に対する他方の面の距離を測定する分光干渉測定手段と、該分光干渉測定手段と該保持面との間の該検査光の光路に設置され、該検査光の一部を表面で反射し、該検査光の他の一部を透過させる基準板と、を備え、該基準板は、該分光干渉測定手段に固定され、該基準板の該表面から該保持面の平坦部までの距離と、該基準板の該表面から該測定対象面までの距離と、に基づいて、該保持面の該平坦部に対する該測定対象面の高さを算出することを特徴とする高さ測定装置が提供される。
【００１４】
また、本発明によれば、被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルで保持された被加工物を該保持面からの高さに基づいて加工する加工手段と、該チャックテーブルで保持された被加工物の該保持面からの高さを測定する測定手段と、を備える加工装置であって、該測定手段は、上記高さ測定装置であることを特徴とする加工装置が提供される。
【００１５】
本発明において、被加工物は、ウェーハと、該ウェーハの表面に積層された機能層と、を備え、互いに交差する複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されていても良い。
【００１６】
また、本発明において、該加工手段は、被加工物を切削する切削ブレードを備えた切削手段でも良い。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る高さ測定装置は、任意の２つの面に検査光を照射して、一方の面に対する他方の面の距離を測定する分光干渉測定手段と、この分光干渉測定手段から照射される検査光の一部を表面で反射する基準板と、を備えるので、基準板の表面から保持面の平坦部までの距離と、基準板の表面から測定対象面までの距離とに基づいて、保持面の平坦部に対する測定対象面の高さを算出できる。
【００１８】
すなわち、本発明に係る高さ測定装置では、保持面の平坦部を基準として測定対象面の高さを測定するので、保持面の他の部分の平坦性が低い場合等にも測定対象面の高さを適切に評価できる。また、この高さ測定装置を備えた加工装置では、被加工物の測定対象面等の高さを適切に評価して、加工不良等の発生を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】高さ測定装置を備える切削装置の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、被加工物の構成例を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、被加工物の構成例を模式的に示す断面図である。
【図３】高さ測定装置の構成例を模式的に示す図である。
【図４】保護部材貼着ステップを模式的に示す斜視図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、高さ測定ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【図６】図６（Ａ）は、切削ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図６（Ｂ）は、切削ステップを模式的に示す断面図である。
【図７】図７（Ａ）は、レーザー加工ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図７（Ｂ）は、レーザー加工ステップを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る高さ測定装置を備える切削装置の構成例を模式的に示す図である。なお、本実施形態では、板状の被加工物を切削する切削装置について説明するが、本発明に係る加工装置は、被加工物をレーザー光線で加工するレーザー加工装置や、被加工物を研削する研削装置等でも良い。
【００２１】
図１に示すように、切削装置（加工装置）２は、各構造を支持する基台４を備えている。基台４の角部には、矩形の開口４ａが形成されており、この開口４ａ内には、カセット支持台６が昇降可能に設置されている。カセット支持台６の上面には、複数の被加工物１１を収容する直方体状のカセット８が載せられる。なお、図１では、説明の便宜上、カセット８の輪郭のみを示している。
【００２２】
図２（Ａ）は、被加工物１１の構成例を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、被加工物１１の構成例を模式的に示す断面図である。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、被加工物１１は、基材となるウェーハ（基板）１３と、ウェーハ１３の表面１３ａに積層された機能層１５とを備えている。
【００２３】
ウェーハ１３は、例えば、シリコン等の半導体や、セラミック、樹脂等でなる円板である。一方、機能層１５は、配線として機能する金属膜や、配線間を絶縁する絶縁膜（代表的には、Ｌｏｗ−ｋ膜）、半導体膜等を含んで構成されている。機能層１５中のＬｏｗ−ｋ膜としては、例えば、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＢ等の無機材料でなる無機絶縁膜や、ポリイミド系、パレリン系のポリマー等でなる有機絶縁膜を用いることができる。
【００２４】
被加工物１１の表面１１ａ（ウェーハ１３の表面１３ａ）側は、互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）１７で複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＥＤ等のデバイス１９が形成されている。各デバイス１９は、上述した機能層１５を構成要素として含んでいる。また、機能層１５の一部は、分割予定ライン１７と重なる領域にも配置されている。
【００２５】
図１に示すように、カセット支持台６の側方には、Ｘ軸方向（前後方向、加工送り方向）に長い矩形の開口４ｂが形成されている。この開口４ｂ内には、Ｘ軸移動テーブル１０、Ｘ軸移動テーブル１０をＸ軸方向に移動させるＸ軸移動機構（不図示）及びＸ軸移動機構を覆う防塵防滴カバー１２が設けられている。
【００２６】
Ｘ軸移動機構は、Ｘ軸方向に平行な一対のＸ軸ガイドレール（不図示）を備えており、Ｘ軸ガイドレールには、Ｘ軸移動テーブル１０がスライド可能に取り付けられている。Ｘ軸移動テーブル１０の下面側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレールと平行なＸ軸ボールネジ（不図示）が螺合されている。
【００２７】
Ｘ軸ボールネジの一端部には、Ｘ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｘ軸パルスモータでＸ軸ボールネジを回転させることで、Ｘ軸移動テーブル１０は、Ｘ軸ガイドレールに沿ってＸ軸方向に移動する。
【００２８】
Ｘ軸移動テーブル１０の上方には、被加工物１１を保持するチャックテーブル１４が設けられている。チャックテーブル１４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル１４は、上述のＸ軸移動機構でＸ軸方向に加工送りされる。チャックテーブル１４の上面は、被加工物１１を保持する保持面１６となっている。チャックテーブル１４の詳細については後述する。
【００２９】
開口４ｂと近接する位置には、上述した被加工物１１をチャックテーブル１４へと搬送する搬送機構（不図示）が設けられている。搬送機構で搬送された被加工物１１は、例えば、裏面１１ｂ（ウェーハ１３の裏面１３ｂ）側が上方に露出するようにチャックテーブル１４に載せられる。
【００３０】
基台４の上面には、２組の切削ユニット（切削手段、加工手段）１８を支持する門型の支持構造２０が、開口４ｂを跨ぐように配置されている。支持構造２０の前面上部には、各切削ユニット１８をＹ軸方向（左右方向、割り出し送り方向）及びＺ軸方向に移動させる２組の切削ユニット移動機構２２が設けられている。
【００３１】
各切削ユニット移動機構２２は、支持構造２０の前面に配置されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール２４を共通に備えている。Ｙ軸ガイドレール２４には、各切削ユニット移動機構２２を構成するＹ軸移動プレート２６がスライド可能に取り付けられている。
【００３２】
各Ｙ軸移動プレート２６の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール２４と平行なＹ軸ボールネジ２８がそれぞれ螺合されている。各Ｙ軸ボールネジ２８の一端部には、Ｙ軸パルスモータ３０が連結されている。Ｙ軸パルスモータ３０でＹ軸ボールネジ２８を回転させれば、Ｙ軸移動プレート２６は、Ｙ軸ガイドレール２４に沿ってＹ軸方向に移動する。
【００３３】
各Ｙ軸移動プレート２６の表面（前面）には、Ｚ軸方向に平行な一対のＺ軸ガイドレール３２が設けられている。Ｚ軸ガイドレール３２には、Ｚ軸移動プレート３４がスライド可能に取り付けられている。
【００３４】
各Ｚ軸移動プレート３４の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール３２と平行なＺ軸ボールネジ３６がそれぞれ螺合されている。各Ｚ軸ボールネジ３６の一端部には、Ｚ軸パルスモータ３８が連結されている。Ｚ軸パルスモータ３８でＺ軸ボールネジ３６を回転させれば、Ｚ軸移動プレート３４は、Ｚ軸ガイドレール３２に沿ってＺ軸方向に移動する。
【００３５】
各Ｚ軸移動プレート３４の下部には、切削ユニット１８が設けられている。この切削ユニット１８は、被加工物１１を切削する円環状の切削ブレード４０を備えている。また、切削ユニット１８と隣接する位置には、被加工物１１を撮像するカメラ４２及び被加工物１１の界面（測定対象面）等の高さを測定する高さ測定装置（測定手段）４４が設置されている。
【００３６】
各切削ユニット移動機構２２でＹ軸移動プレート２６をＹ軸方向に移動させれば、切削ユニット１８、カメラ４２及び高さ測定装置４４は、Ｘ軸方向に垂直なＹ軸方向に割り出し送りされる。また、各切削ユニット移動機構２２でＺ軸移動プレート３４をＺ軸方向に移動させれば、切削ユニット１８、カメラ４２及び高さ測定装置４４は、昇降する。
【００３７】
開口４ｂに対して開口４ａと反対側の位置には、円形の開口４ｃが形成されている。開口４ｃ内には、切削後の被加工物１１を洗浄する洗浄ユニット４６が設けられている。Ｘ軸移動機構、チャックテーブル１４、切削ユニット１８、切削ユニット移動機構２２、カメラ４２、高さ測定装置４４、洗浄ユニット４６等の構成要素は、制御装置４８に接続されている。
【００３８】
制御装置４８は、各部を制御するためのソフトウェアや、切削の条件、高さ測定装置４４で測定された高さに関する情報等を記憶するための記憶部４８ａを備えており、被加工物１１を適切に切削できるように各部の動作を制御する。
【００３９】
図３は、高さ測定装置４４の構成例を模式的に示す図である。図３に示すように、本実施形態に係る高さ測定装置４４は、光の干渉を利用して任意の２つの面の距離を測定する分光干渉測定ユニット（分光干渉測定手段）５０を含む。この分光干渉測定ユニット５０は、広い波長帯域の赤外光を放射するＬＥＤ等の光源５２を備えている。
【００４０】
光源５２から放射された光は、分光干渉測定ユニット５０の筐体５４内に設置されたハーフミラー５６で反射され、被加工物１１等の測定対象へと向かう。測定対象で反射された光の一部は、ハーフミラー５６を透過して分光器５８に入射する。分光器５８は、入射した光を分光してスペクトルに分ける回折格子（不図示）を備えている。
【００４１】
回折格子の近傍には、ＣＣＤ等の受光素子（不図示）が配置されている。回折格子で分光された光は、受光素子において波長毎の光強度に応じた電気信号に変換される。受光素子は、上述した制御装置４８に接続されている。制御装置４８は、例えば、受光素子から出力される電気信号の波形をフーリエ変換して、記憶部４８ａに記憶する。
【００４２】
更に、本実施形態に係る高さ測定装置４４は、高さ測定の基準となる基準板６０を有している。基準板６０は、例えば、ガラス、石英等で構成されており、筐体５４に対応する固定具６２等を用いて、筐体５４の下端５４ａよりも下方に固定される。基準板６０に入射した光の一部は、表面６０ａ（又は裏面６０ｂ）で反射され、他の一部は、基準板６０を透過する。なお、基準板６０の内部では、光の一部が吸収、散乱されることもある。
【００４３】
このように構成された高さ測定装置４４では、光源５２から放射される検査光Ｌ１の一部が、例えば、基準板６０の表面６０ａで反射され、他の一部が、基準板６０を透過して測定対象で反射される。つまり、分光器５８には、基準板６０の表面６０ａで反射した反射光Ｌ２と、測定対象で反射した反射光Ｌ３とが入射する。
【００４４】
反射光Ｌ２と反射光Ｌ３とは、基準板６０の表面６０ａから測定対象までの距離（光学的距離）Ｄに応じた所定の波長で強め合う（弱め合う）ので、分光器５８に入射した光を分光して電気信号に変換し、その波形をフーリエ変換等によって解析することで、距離Ｄを算出できる。算出された距離Ｄは、制御装置４８の記憶部４８ａに記憶される。
【００４５】
次に、上述した切削装置２を用いて実施される加工方法の例について説明する。まず、被加工物１１の表面１１ａ側に保護用のテープを貼り付けるテープ貼着ステップを実施する。図４は、テープ貼着ステップを模式的に示す斜視図である。図４に示すように、テープ２１は、例えば、樹脂等の材料でなる円形のフィルム状部材であり、その表面２１ａ側には、接着力を持つ糊層が設けられている。
【００４６】
また、テープ２１は、例えば、被加工物１１の表面１１ａ全体を覆うことができる大きさに形成されている。テープ貼着ステップでは、図４に示すように、テープ２１の表面２１ａを被加工物１１の表面１１ａに接触させて、被加工物１１にテープ２１を貼り付ける。
【００４７】
テープ貼着ステップの後には、チャックテーブル１４の保持面１６を基準としてウェーハ１３と機能層１５との界面（ウェーハ１３の表面１３ａ、測定対象面）の高さを測定する高さ測定ステップを実施する。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、高さ測定ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【００４８】
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、切削装置２のチャックテーブル１４は、ステンレス等の金属でなる円盤状の枠体６４を備えている。この枠体６４には、枠体６４の上面と概ね面一になるように多孔質板６６が固定されている。多孔質板６６の上面と、枠体６４の上面とによって、チャックテーブル１４の保持面１６が構成される。
【００４９】
多孔質板６６の上面に相当する保持面１６の中央部１６ａには、枠体６４の内部に形成された流路６４ａ等を通じて吸引源が接続されている。一方、枠体６４の上面に相当する保持面１６の周縁部（平坦部）１６ｂは、保持面１６の中央部１６ａと比較して平坦である。
【００５０】
高さ測定ステップでは、まず、被加工物１１に貼り付けたテープ２１の裏面２１ｂをチャックテーブル１４の保持面１６に接触させて、保持面１６の中央部１６ａに吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル１４に保持される。
【００５１】
次に、チャックテーブル１４と高さ測定装置４４とを相対的に移動、回転させて、高さ測定装置４４を周縁部１６ｂの上方に移動させる。そして、図５（Ａ）に示すように、高さ測定装置４４の光源５２から検査光Ｌ１を照射する。上述のように、分光干渉測定ユニット５０と保持面１６との間の検査光Ｌ１の光路上には、基準板６０が設置されている。
【００５２】
そのため、光源５２から検査光Ｌ１を照射すれば、基準板６０の表面６０ａで反射する反射光Ｌ２と、保持面１６の周縁部１６ｂで反射する反射光Ｌ３との干渉を利用して、基準板６０の表面６０ａから保持面１６の周縁部１６ｂまでの距離（光学的距離）Ｄ１を測定できる。測定された距離Ｄ１は、制御装置４８の記憶部４８ａに記憶される。
【００５３】
また、チャックテーブル１４と高さ測定装置４４とを相対的に移動、回転させて、高さ測定装置４４を測定対象の分割予定ライン１７に対応する位置に合わせる。そして、図５（Ｂ）に示すように、チャックテーブル１４を測定対象の分割予定ライン１７と平行な方向に移動させながら、高さ測定装置４４から検査光Ｌ１を照射する。ただし、高さ測定装置４４のＺ軸方向の位置は、距離Ｄ１を測定する際の位置から変更しないことが望ましい。
【００５４】
これにより、基準板６０の表面６０ａで反射する反射光Ｌ２と、ウェーハ１３と機能層１５との界面（表面１３ａ）で反射する反射光Ｌ３との干渉を利用して、基準板６０の表面６０ａから界面（表面１３ａ）までの距離（光学的距離）Ｄ２を測定できる。なお、ここでは、チャックテーブル１４を測定対象の分割予定ライン１７と平行な方向に移動させながら検査光Ｌ１を照射するので、分割予定ライン１７に沿う距離Ｄ２のプロファイルを測定できる。測定された距離Ｄ２のプロファイルは、制御装置４８の記憶部４８ａに記憶される。
【００５５】
さらに、距離Ｄ１及び距離Ｄ２のプロファイルから、保持面１６の周縁部１６ｂに対する界面（表面１３ａ）の高さＨ（∝Ｄ１−Ｄ２）のプロファイルを算出する。算出された高さＨのプロファイルは、制御装置４８の記憶部４８ａに記憶される。例えば、全ての分割予定ライン１７に沿って高さＨのプロファイルが算出されると、高さ測定ステップは終了する。
【００５６】
高さ測定ステップの後には、被加工物１１を切削する切削ステップを実施する。この切削ステップでは、まず、チャックテーブル１４と切削ユニット１８とを相対的に移動、回転させて、切削ブレード４０を加工対象の分割予定ライン１７に対応する位置に合わせる。その後、回転させた切削ブレード４０のＺ軸方向の位置（高さ）を、高さＨのプロファイルに応じて調整しながら、チャックテーブル１４を加工対象の分割予定ライン１７と平行な方向に移動させる。
【００５７】
これにより、ウェーハ１３と機能層１５との界面（表面１３ａ）の近傍まで切削ブレード４０を切り込ませて、溝２３を形成できる。この手順を繰り返し、全ての分割予定ライン１７に沿って溝２３が形成されると、切削ステップは終了する。
【００５８】
切削ステップの後には、被加工物１１をレーザー加工するレーザー加工ステップを実施する。図７（Ａ）は、レーザー加工ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図７（Ｂ）は、レーザー加工ステップを模式的に示す断面図である。このレーザー加工ステップは、例えば、図７（Ａ）に示すレーザー加工装置７２で実施される。
【００５９】
レーザー加工装置７２は、被加工物１１を保持するチャックテーブル７４を備えている。チャックテーブル７４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル７４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル７４は、この移動機構によって水平方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）に移動する。
【００６０】
チャックテーブル７４は、ステンレス等の金属でなる円盤状の枠体７６を備えている。この枠体７６には、枠体７６の上面と概ね面一になるように多孔質板７８が固定されている。多孔質板７８の上面と、枠体７６の上面とによって、チャックテーブル７４の保持面８０が構成される。この保持面８０には、枠体７６の内部に形成された流路７６ａ等を通じて吸引源が接続されている。
【００６１】
チャックテーブル７４の上方には、レーザー加工ユニット８２が配置されている。レーザー加工ユニット８２は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザー光線Ｌを集光して、溝２３の底に照射する。レーザー発振器は、ウェーハ１３に吸収され易い波長（吸収性を有する波長）のレーザー光線Ｌを発振できるように構成されている。
【００６２】
レーザー加工ステップでは、まず、被加工物１１に貼り付けたテープ２１の裏面２１ｂをチャックテーブル７４の保持面８０に接触させて、保持面８０に吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル７４に保持される。
【００６３】
次に、チャックテーブルを移動、回転させて、レーザー加工ユニット８２の位置を加工対象となる溝２３の上方に合わせる。そして、レーザー加工ユニット８２から溝２３の底に向けてレーザー光線Ｌを照射しつつ、チャックテーブル７４を加工対象の溝２３に平行な方向（図７（Ａ）では、Ｘ軸方向）に移動させる。
【００６４】
この時、レーザー光線Ｌの集光点の位置を、溝２３の底の近傍に合わせる。これにより、ウェーハ１３及び機能層１５を溝２３に沿ってアブレーションさせ、被加工物１１を分割できる。この手順を繰り返し、全ての分割予定ライン１７に沿って被加工物１１が分割されると、レーザー加工ステップは終了する。
【００６５】
本実施形態に係る加工方法では、上述した高さ測定ステップで保持面１６の周縁部１６ｂに対する界面（表面１３ａ）の高さＨを求め、切削ステップで高さＨを基準に切削ブレード４０を被加工物１１に切り込ませるので、界面（表面１３ａ）から一定の距離の位置に溝２３の底を形成できる。よって、レーザー加工ステップにおいて、Ｌｏｗ−ｋ膜の剥離やデバイスの損傷といった問題の発生を抑制できる。
【００６６】
以上のように、本実施形態に係る高さ測定装置４４は、任意の２つの面に検査光Ｌ１を照射して、一方の面に対する他方の面の距離を測定する分光干渉測定ユニット（分光干渉測定手段）５０と、この分光干渉測定ユニット５０から照射される検査光Ｌ１の一部を表面６０ａで反射する基準板６０と、を備えるので、基準板６０の表面６０ａから保持面１６の周縁部（平坦部）１６ｂまでの距離Ｄ１と、基準板６０の表面６０ａからウェーハ１３と機能層１５との界面（表面１３ａ、測定対象面）までの距離Ｄ２とに基づいて、保持面１６の周縁部１６ｂに対する界面（表面１３ａ、測定対象面）の高さＨを算出できる。
【００６７】
すなわち、本実施形態に係る高さ測定装置４４では、保持面１６の周縁部１６ｂを基準として界面（表面１３ａ、測定対象面）の高さＨを測定するので、保持面１６の他の部分の平坦性が低い場合等にも界面（表面１３ａ、測定対象面）の高さを適切に評価できる。また、この高さ測定装置４４を備えた加工装置２では、界面（表面１３ａ、測定対象面）の高さＨを適切に評価して、加工不良等の発生を防止できる。
【００６８】
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、保持面１６側（下方）に位置付けた基準板６０の表面６０ａを高さ測定の基準としているが、分光干渉測定ユニット（分光干渉測定手段）５０側（上方）に基準板６０の表面６０ａを位置付けて、この表面６０ａを高さ測定の基準としても良い。
【００６９】
また、上記実施形態では、保持面１６の周縁部１６ｂに対する界面（表面１３ａ、測定対象面）の高さＨを算出しているが、保持面１６の周縁部１６ｂに対する被加工物１１の表面１１ａ、裏面１１ｂ等の高さを算出することも可能である。
【００７０】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００７１】
２  切削装置（加工装置）
４  基台
４ａ，４ｂ，４ｃ  開口
６  カセット支持台
８  カセット
１０  Ｘ軸移動テーブル
１２  防塵防滴カバー
１４  チャックテーブル
１６  保持面
１６ａ  中央部
１６ｂ  周縁部（平坦部）
１８  切削ユニット（切削手段、加工手段）
２０  支持構造
２２  切削ユニット移動機構
２４  Ｙ軸ガイドレール
２６  Ｙ軸移動プレート
２８  Ｙ軸ボールネジ
３０  Ｙ軸パルスモータ
３２  Ｚ軸ガイドレール
３４  Ｚ軸移動プレート
３６  Ｚ軸ボールネジ
３８  Ｚ軸パルスモータ
４０  切削ブレード
４２  カメラ
４４  高さ測定装置（測定手段）
４６  洗浄ユニット
４８  制御装置
４８ａ  記憶部
５０  分光干渉測定ユニット（分光干渉測定手段）
５２  光源
５４  筐体
５６  ハーフミラー
５８  分光器
６０  基準板
６０ａ  表面
６０ｂ  裏面
６２  固定具
６４  枠体
６４ａ  流路
６６  多孔質板
７２  レーザー加工装置
７４  チャックテーブル
７６  枠体
７６ａ  流路
７８  多孔質板
８０  保持面
８２  レーザー加工ユニット
１１  被加工物
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１３  ウェーハ（基板）
１３ａ  表面
１３ｂ  裏面
１５  機能層
１７  分割予定ライン（ストリート）
１９  デバイス
２１  テープ
２１ａ  表面
２１ｂ  裏面
２３  溝
Ｄ，Ｄ１，Ｄ２  距離（光学的距離）
Ｈ  高さ
Ｌ  レーザー光線
Ｌ１  検査光
Ｌ２，Ｌ３  反射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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