(57)【要約】【課題】絶縁性能、生産性、信頼性等に優れるガス絶縁機器用支持絶縁物を提供する。【解決手段】実施形態のガス絶縁機器用支持絶縁物は、金属容器およびこの金属容器の内側に配置される高電圧導体を有するガス絶縁機器における高電圧導体を支持するために使用されるガス絶縁機器用支持絶縁物に関する。実施形態のガス絶縁機器用支持絶縁物は、絶縁部およびイオン注入層を有する。絶縁部は、絶縁材料からなる。イオン注入層は、絶縁部の表面のうちガス絶縁機器の金属容器の内側に露出する露出面に設けられる。また、イオン注入層は、絶縁材料に多価イオンが注入されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属容器および前記金属容器の内側に配置される高電圧導体を有するガス絶縁機器における前記高電圧導体を支持するガス絶縁機器用支持絶縁物であって、
絶縁材料からなる絶縁部と、
前記絶縁部の表面のうち前記金属容器の内側に露出する露出面に設けられ、絶縁材料に多価イオンが注入されたイオン注入層と
を有するガス絶縁機器用支持絶縁物。
【請求項２】
金属容器および前記金属容器の内側に配置される高電圧導体を有するガス絶縁機器における前記高電圧導体が接続される導体材料からなる通電部と、
前記金属容器に前記通電部を絶縁支持する絶縁材料からなる絶縁部と、
前記絶縁部の表面のうち前記金属容器の内側に露出する露出面に設けられ、絶縁材料に多価イオンが注入されたイオン注入層と
を有するガス絶縁機器用支持絶縁物。
【請求項３】
前記イオン注入層は、前記絶縁部の表面のうち前記金属容器の内側に露出する露出面の全体に設けられる請求項１または２記載のガス絶縁機器用支持絶縁物。
【請求項４】
前記多価イオンは、Ｂ（ボロン）、ＢＮ（窒化ボロン）、およびＣ（カーボン）から選ばれる少なくとも１種の多価イオンを含む請求項１乃至３のいずれか１項記載のガス絶縁機器用支持絶縁物。
【請求項５】
前記イオン注入層は、前記金属容器側の端部に比べて前記高電圧導体側の端部におけるイオン注入量が多い請求項１乃至４のいずれか１項記載のガス絶縁機器用支持絶縁物。
【請求項６】
前記イオン注入層が設けられた部分の表面抵抗率が１×１０１３Ω以上１×１０１５Ω以下である請求項１乃至５のいずれか１項記載のガス絶縁機器用支持絶縁物。
【請求項７】
前記イオン注入層は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する請求項１乃至６のいずれか１項記載のガス絶縁機器用支持絶縁物。
【請求項８】
金属容器と、前記金属容器の内側に配置される高電圧導体と、前記金属容器の内側に配置され、前記高電圧導体を絶縁支持するガス絶縁機器用支持絶縁物とを有し、
前記ガス絶縁機器用支持絶縁物は、前記高電圧導体が接続される導体材料からなる通電部と、前記金属容器に前記通電部を絶縁支持する絶縁材料からなる絶縁部と、前記絶縁部の表面のうち前記金属容器の内側に露出する露出面に設けられ、絶縁材料に多価イオンが注入されたイオン注入層とを有するガス絶縁機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ガス絶縁機器用支持絶縁物およびガス絶縁機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
高電圧大容量の電力系統におけるガス絶縁機器として、ＳＦ６（六フッ化硫黄）ガスを絶縁・消孤媒体としたガス絶縁開閉装置が使用されている。ガス絶縁開閉装置は、例えば、ガス絶縁母線、遮断器、断路器等から構成される。
【０００３】
図５は、ガス絶縁開閉装置におけるガス絶縁母線の一例を示す断面図である。ガス絶縁母線４０は、筒状の金属容器４１を有し、その内側に絶縁・消孤媒体としての絶縁ガス４２が充填されている。また、金属容器４１の内部には、中心軸付近に通電用の高電圧導体４３が配置されている。金属容器４１における高電圧導体４３の支持は、金属容器４１の内側に設けられた支持絶縁物４４により行われている。
【０００４】
支持絶縁物４４としては、例えば、導体材料からなる円柱状の通電部４４１と、この通電部４４１の周囲に設けられる絶縁材料からなる円錐状の絶縁部４４２とを有するものが知られている。このような支持絶縁物４４は、絶縁部４４２の外周部に設けられたフランジ４４３が金属容器４１の１対のフランジ４１１の間に挟まれることにより固定されている。通電部４４１の軸方向の両端には、それぞれ高電圧導体４３が接続されている。通常、通電部４４１と高電圧導体４３との接続部には、電界緩和シールド４５が設けられている。
【０００５】
なお、支持絶縁物４４としては、上記した円錐状の形状を有するもの以外にも、いわゆるポスト形と呼ばれるものが知られている。図示しないが、ポスト形の支持絶縁物は、例えば、通電部を支持する絶縁部が円柱状等の柱状を有するものである。このような絶縁部については、一方の端部が金属容器４１に固定され、他方の端部に通電部が設けられる。この通電部には、高電圧導体４３が接続される。
【０００６】
ガス絶縁開閉装置は、交流電圧送電系統および直流電圧送電系統のいずれにも使用される。いずれの場合についても、遮断器が動作したときに高電圧導体４３に直流残留電圧が発生する。直流残留電圧は、支持絶縁物４４を介して減衰する。しかし、支持絶縁物４４の絶縁部４４２には絶縁性能を確保するために高抵抗率材料が使用されていることから、直流残留電圧の減衰には多くの時間が必要となる。これにより、絶縁部４４２の表面に帯電電荷が蓄積して、絶縁性能が低下するおそれがある。直流残留電圧の減衰には、交流電圧送電系統の場合でも数十時間もの時間が必要となる。直流電圧送電系統の場合、常時直流電圧が印加されることから、帯電電荷が絶縁性能におよぼす影響が大きくなる。絶縁性能を確保する方法として、例えば、絶縁部の表面に絶縁被覆を施す方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２７３４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ガス絶縁母線等に使用される支持絶縁物には、高い絶縁性能が求められる。しかし、絶縁部の抵抗率が高いことから、遮断器の動作時に発生する直流残留電圧の減衰に多くの時間が必要となり、これにより表面に帯電電荷が蓄積して絶縁性能が低下するおそれがある。絶縁性能を維持する方法として、絶縁部の表面に絶縁被覆を施す方法が知られているが、覆膜の密着性が必ずしも十分でなく、また膜厚の管理が必ずしも容易でない。
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、絶縁性能、生産性、信頼性等に優れるガス絶縁機器用支持絶縁物およびこれを用いたガス絶縁機器の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態のガス絶縁機器用支持絶縁物は、金属容器およびこの金属容器の内側に配置される高電圧導体を有するガス絶縁機器における高電圧導体を支持するために使用されるガス絶縁機器用支持絶縁物に関する。実施形態のガス絶縁機器用支持絶縁物は、絶縁部およびイオン注入層を有する。絶縁部は、絶縁材料からなる。イオン注入層は、絶縁部の表面のうちガス絶縁機器の金属容器の内側に露出する露出面に設けられる。また、イオン注入層は、絶縁材料に多価イオンが注入されている。
【００１１】
実施形態のガス絶縁機器は、金属容器、高電圧導体、およびガス絶縁機器用支持絶縁物を有する。高電圧導体は、金属容器の内側に配置される。ガス絶縁機器用支持絶縁物は、金属容器の内側に配置され、金属容器に高電圧導体を絶縁支持する。ガス絶縁機器用支持絶縁物は、通電部、絶縁部、およびイオン注入層を有する。通電部は、導体材料からなり、高電圧導体が接続される。絶縁部は、絶縁材料からなり、金属容器に通電部を絶縁支持する。イオン注入層は、絶縁部の表面のうちガス絶縁機器の金属容器の内側に露出する露出面に設けられる。また、イオン注入層は、絶縁材料に多価イオンが注入されたものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ガス絶縁母線の第１の実施形態を示す断面図である。
【図２】多価イオンの注入装置の一例を示す図である。
【図３】ガス絶縁母線の第２の実施形態を示す断面図である。
【図４】ガス絶縁母線の第３の実施形態を示す断面図である。
【図５】従来のガス絶縁母線を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、ガス絶縁機器用支持絶縁物およびこれを用いたガス絶縁機器の実施形態について、図面を参照して具体的に説明する。なお、以下の説明では、ガス絶縁機器用支持絶縁物を単に支持絶縁物と記して説明する。また、ガス絶縁機器として、ガス絶縁開閉装置の構成機器の一種であるガス絶縁母線を例に挙げて説明する。
【００１４】
図１は、ガス絶縁母線の第１の実施形態を示す断面図である。
ガス絶縁母線１０は、筒状の金属容器１１を有し、その内側に絶縁・消孤媒体としての絶縁ガス１２が充填されている。また、金属容器１１の内側には、中心軸付近に通電用の高電圧導体１３が配置されている。金属容器１１における高電圧導体１３の支持は、金属容器１１の内側に設けられた支持絶縁物１４により行われている。なお、図１に示す支持絶縁物１４は、全体として円錐状の形状を有するものである。
【００１５】
支持絶縁物１４は、通電部１４１、絶縁部１４２、イオン注入層１４３、およびフランジ１４４を有する。通電部１４１は、導体材料からなり、高電圧導体１３が接続される。例えば、通電部１４１は、金属容器１１の軸方向に延びる円柱状等の柱状形状を有する。絶縁部１４２は、絶縁材料からなり、金属容器１１に通電部１４１を絶縁支持する。例えば、絶縁部１４２は、通電部１４１の周囲に設けられ、円錐状の形状を有する。イオン注入層１４３は、絶縁部１４２の表面のうち金属容器１１の内側に露出する露出面に設けられ、絶縁材料に多価イオンが注入されたものである。フランジ１４４は、金属容器１１への固定のために絶縁部１４２の周囲に設けられる。例えば、フランジ１４４は、絶縁材料からなり、絶縁部１４２およびイオン注入層１４３と一体的に設けられる。
【００１６】
支持絶縁物１４は、絶縁部１４２の周囲に設けられたフランジ１４４が金属容器１１の１対のフランジ１１１の間に挟まれることにより固定される。また、通電部１４１の軸方向の両端には、それぞれ高電圧導体１３が接続される。これにより、高電圧導体１３は、支持絶縁物１４により支持される。通電部１４１と高電圧導体１３との接続部には、通常、電界緩和シールド１５が設けられる。
【００１７】
実施形態の支持絶縁物１４によれば、絶縁部１４２の表面のうち金属容器１１の内側に露出する露出面にイオン注入層を有することから、絶縁性能、生産性、信頼性等に優れる。すなわち、イオン注入層１４３を有することにより、支持絶縁物１４の表面抵抗率が低下する。表面抵抗率の低下により、直流残留電圧が効果的に減衰され、帯電電荷の蓄積が抑制される。これにより、支持絶縁物１４に求められる基本的な絶縁性能を維持しながら、直流残留電圧の減衰時間を短縮でき、帯電電荷の蓄積による絶縁性能の低下も抑制できる。
【００１８】
また、イオン注入層１４３は、絶縁材料に多価イオンを注入する方法により形成されることから、絶縁部１４２およびイオン注入層１４３となる原材料としての絶縁材料の表面に多価イオンを注入することにより、絶縁部１４２の表面にイオン注入層１４３を容易に形成できる。これにより、支持絶縁物１４の生産性が向上する。また、上記方法によれば、絶縁部１４２とイオン注入層１４３とが一体的に形成されることから、これらの密着性が良好となる。これにより、支持絶縁物１４の信頼性が向上する。
【００１９】
さらに、上記方法によれば、多価イオンの注入時、加速電圧の調整により、注入深さを調整できる。注入深さを小さくすることにより、原材料としての絶縁材料の表面部のみを改質できる。表面部のみを改質することにより、絶縁性能を維持しながら、直流残留電圧の減衰時間を短縮でき、帯電電荷の蓄積による絶縁性能の低下も抑制できる。
【００２０】
また、上記方法によれば、多価イオンの価数および注入量の調整により、表面抵抗率を調整できる。例えば、支持絶縁物１４におけるイオン注入層１４３が設けられた部分の表面抵抗率は、１×１０１３Ω以上１×１０１５Ω以下が好ましい。表面抵抗率が１×１０１５Ω以下の場合、直流残留電圧の減衰時間が効果的に短縮される。これにより、例えば、従来、直流残留電圧の減衰に数十時間程度の時間が必要であったものが、数十分程度に短縮される。また、表面抵抗率が１×１０１３Ω以上の場合、支持絶縁物１４に求められる基本的な絶縁性能を効果的に維持できる。なお、表面抵抗率は、ＪＩＳ  Ｋ６２７１に規定される二重リング電極法に準じて測定される。
【００２１】
なお、多価イオンの注入深さは、多価イオンを注入する際の加速電圧により調整できる。多価イオンの価数は、多価イオンの発生源に照射される光源の強度等により調整できる。多価イオンの注入量は、多価イオンの注入回数、注入時間等により調整できる。
【００２２】
ガス絶縁母線１０における支持絶縁物１４以外のものについては、特に制限されず、公知のガス絶縁母線における部材等を使用できる。すなわち、金属容器１１、絶縁ガス１２、高電圧導体１３については、公知のガス絶縁母線における金属容器、絶縁ガス、高電圧導体を使用できる。絶縁ガス１２としては、ＳＦ６（六フッ化硫黄）ガスが代表的なものとして挙げられるが、それ以外のガス、例えば、空気、二酸化炭素、酸素、窒素、これらの混合ガス等も使用できる。
【００２３】
支持絶縁物１４については、イオン注入層１４３の部分を除いて特に制限されず、公知のガス絶縁母線における支持絶縁物と同様の部材等を使用できる。すなわち、通電部１４１の構成材料は、導体材料であれば特に制限されず、公知のガス絶縁母線における通電部の構成材料を使用できる。絶縁部１４２の構成材料は、絶縁材料であれば特に制限されず、公知のガス絶縁母線における絶縁部の構成材料を使用できる。このような絶縁材料としては、エポキシ樹脂が代表的なものとして挙げられる。エポキシ樹脂には、必要に応じて、アルミナ粉末、シリカ粉末等の充填材を含有させることができる。フランジ１４４の構成材料は、例えば、絶縁部１４２の構成材料と同様とすることができ、エポキシ樹脂が代表的なものとして挙げられる。
【００２４】
イオン注入層１４３の主たる構成材料である絶縁材料としては、電気的絶縁性を有するものであれば特に制限されず、公知のガス絶縁母線における絶縁部の構成材料を使用できるが、絶縁部１４２の構成材料と同一の材料が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。
【００２５】
多価イオンとしては、１より大きな価数を有するイオンであれば特に制限されない。多価イオンとしては、絶縁材料の抵抗率を効果的に調整でき、また発生源となる物質の入手が容易であるものが好ましい。このようなことから、多価イオンとしては、Ｂ（ホウ素）、ＢＮ（窒化ホウ素 ）、Ｃ（炭素）等がイオン化された多価イオンが好ましい。なお、多価イオンとしては、同一の価数を有する多価イオンが注入されてもよいし、２以上の異なる価数を有する多価イオンが注入されてもよい。また、多価イオンとしては、１種の物質の多価イオンが注入されてもよいし、２種以上の物質の多価イオンが注入されてもよい。イオン注入層１４３には、多価イオンに加えて、１価のイオンが注入されてもよい。なお、絶縁部１４２は、イオンを含まないことが好ましい。
【００２６】
上記したように、多価イオンの価数および注入量は、支持絶縁物１４におけるイオン注入層１４３が設けられた部分の表面抵抗率が１×１０１３Ω以上１×１０１５Ω以下となるように調整されることが好ましい。なお、表面抵抗率は、ＪＩＳ  Ｋ６２７１に規定される二重リング電極法に準じて測定される。絶縁部１４２の表面抵抗率が１×１０１３Ω以上１×１０１５Ω以下の場合、特に、絶縁性能を維持しながら、直流残留電圧の減衰時間を短縮でき、帯電電荷の蓄積による絶縁性能の低下も抑制できる。
【００２７】
イオン注入層１４３の厚さは、所定の効果を得る観点から１ｎｍ以上が好ましく、３ｎｍ以上がより好ましく、５ｎｍ以上がさらに好ましい。一方、生産性等の観点から、イオン注入層１４３の厚さは、１００ｎｍ以下が好ましい。
【００２８】
イオン注入層１４３は、絶縁部１４２の表面のうち金属容器１１の内側に露出する露出面の少なくとも一部に設けられていればよいが、金属容器１１の内側に露出する露出面の全体に設けられることが好ましい。絶縁部１４２の露出面の全体にイオン注入層１４３が設けられることにより、特に、絶縁性能を維持しながら、直流残留電圧の減衰時間を短縮でき、帯電電荷の蓄積による絶縁性能の低下も抑制できる。なお、絶縁部１４２が円錐状の形状を有する場合、絶縁部１４２の露出面には凸側および凹側の２つの露出面があるが、このような場合、凸側および凹側のそれぞれの露出面の全体にイオン注入層１４３が設けられることが好ましい。
【００２９】
イオン注入層１４３は、絶縁部１４２の露出面とともに、絶縁部１４２の露出面以外の表面に設けられてもよい。このような表面としては、金属容器１１のフランジ１１１との接面、金属容器１１の外部に露出する表面等が挙げられる。
【００３０】
イオン注入量は、イオン注入層１４３の径方向において異なっていてもよい。例えば、イオン注入量は、金属容器１１側の端部に比べて高電圧導体１３側の端部が多くてもよい。すなわち、表面抵抗率は、金属容器１１側の端部に比べて高電圧導体１３側の端部が低くてもよい。
【００３１】
高電界が発生する高電圧導体１３側の表面抵抗率が低い場合、直流電圧印加時、表面抵抗率が一定の場合と比較して、高電圧導体１３側の分担電圧が低下する。この結果、例えば、電界緩和シールド１５の電界が低減されて、絶縁性能が向上する。
【００３２】
次に、支持絶縁物１４の製造方法の一例について説明する。
まず、通電部１４１となる導体材料と、絶縁部１４２、イオン注入層１４３、およびフランジ１４４となる絶縁材料とを一体に注型して、通電部１４１、絶縁部１４２、およびフランジ１４４を形成する。なお、ここでの絶縁部１４２は、最終的に表面部がイオン注入層１４３に改質されるものであり、イオン注入層１４３となる部分を含んでいる。注型後、絶縁部１４２の露出面に多価イオンを注入する。これにより、露出面が改質されてイオン注入層１４３となり、絶縁部１４２の表面にイオン注入層１４３が一体的に形成される。
【００３３】
この際、絶縁部１４２の凸側および凹側の露出面の全体に多価イオンを注入して、イオン注入層１４３を形成することが好ましい。また、支持絶縁物１４におけるイオン注入層１４３が設けられた部分の表面抵抗率が１×１０１３Ω以上１×１０１５Ω以下となるように、多価イオンの価数や注入量を調整することが好ましい。
【００３４】
図２は、多価イオンの注入装置の一例を示す図である。
なお、図２には、注入装置３０とともに、多価イオンの注入により支持絶縁物１４となる未注入物１６が図示されている。未注入物１６は、例えば、通電部１４１となる導体材料と、絶縁部１４２、イオン注入層１４３、およびフランジ１４４となる絶縁材料とが一体に注型されたものであり、通電部１４１、絶縁部１４２、およびフランジ１４４を有する。
【００３５】
注入装置３０は、例えば、レーザ発信器３１、真空容器３２、および設置容器３３を有する。レーザ発信器３１は、レーザ光３４を発生する。真空容器３２は、集光レンズ３５およびターゲット３６を有し、ターゲット３６にレーザ光３４が照射されることによりレーザアブレーションプラズマ３７が生成される。ターゲット３６としては、Ｂ（ホウ素）、ＢＮ（窒化ホウ素 ）、Ｃ（炭素）等からなるものが好適に使用される。設置容器３３は、未注入物１６を支持する絶縁物ホルダー３８を有する。設置容器３３は、例えば、接地電位を有する。レーザ発信器３１と真空容器３２との間には、レーザ光３４を誘導するミラー３９が設けられる。真空容器３２と設置容器３３との間は、輸送管４１、およびこの輸送管４１の周囲に設けられた絶縁管４２により接続されている。輸送管４１は、例えば、高電位を有し、加速電極を兼ねる。絶縁管４２は、例えば、内部が真空に保持される。
【００３６】
レーザ発信器３１から発せられたレーザ光３４は、ミラー３９および集光レンズ３５により真空容器３２の内部へと導かれる。真空容器３２では、ターゲット３６にレーザ光３４が照射されることによりレーザアブレーションプラズマ３７が生成する。レーザアブレーションプラズマ３７は、高電位である加速電極を兼ねた輸送管４１により設置容器３３へと輸送される。設置容器３３では、設置容器３３の電位差によりイオン４３のみが加速される。これにより、未注入物１６の表面にイオン４３が注入される。
【００３７】
このような装置の場合、レーザ光３４の出力を大きくすることにより、価数の大きな多価イオンを注入できる。また、レーザ光３４の照射回数を増やすことにより、多価イオンの注入量を増加させることができる。さらに、加速電圧を大きくすることにより、イオン注入層１４３の深さを大きくできる。これらにより、表面抵抗率を調整することができる。なお、注入装置としては、多価イオンの注入を有効に行うことができればよく、上記構成を有するものに限定されない。
【００３８】
図３は、ガス絶縁母線の第２の実施形態を示す断面図である。
第２の実施形態のガス絶縁母線１０は、第１の実施形態のガス絶縁母線１０とは支持絶縁物１４のフランジ１４４の構成材料が異なる。
【００３９】
第２の実施形態の支持絶縁物１４は、フランジ１４４が導体材料からなる。このように、支持絶縁物１４としては、フランジ１４４が導体材料からなるものでもよい。このようなものについても、イオン注入層１４３が設けられることにより、支持絶縁物１４に求められる絶縁性能を維持しながら、直流残留電圧の減衰時間を短縮でき、帯電電荷の蓄積による絶縁性能の低下も抑制できる。
【００４０】
図４は、ガス絶縁母線の第３の実施形態を示す断面図である。
第３の実施形態のガス絶縁母線１０は、第１、第２の実施形態のガス絶縁母線１０とは主として支持絶縁物１４の構造が異なる。
【００４１】
支持絶縁物１４としては、円錐状の形状を有するものに限られず、いわゆるポスト形と呼ばれるものでもよい。ポスト形の支持絶縁物１４は、通電部１４１を支持する絶縁部１４２が円柱状等の柱状の形状を有する。
【００４２】
ポスト形の支持絶縁物１４についても、通電部１４１、絶縁部１４２、およびイオン注入層１４３を有する。通電部１４１は、導体材料からなり、高電圧導体１３が接続される。例えば、通電部１４１は、金属容器１１の軸方向に延びる円柱状等の柱状を有する。なお、通電部１４１は、電界緩和シールドを兼ねるものである。絶縁部１４２は、絶縁材料からなり、金属容器１１に通電部１４１を絶縁支持する。例えば、絶縁部１４２は、円柱状等の柱状の形状を有し、一方の端部に通電部１４１が固定され、他方の端部が金属容器４１に固定される。イオン注入層１４３は、絶縁材料に多価イオンが注入されたものであり、絶縁部１４２の表面のうち金属容器１１の内側に露出する表面に設けられる。例えば、イオン注入層１４３は、絶縁部１４２の側面全体を覆うように設けられる。
【００４３】
ポスト形の支持絶縁物１４についても、イオン注入層１４３が設けられることにより表面抵抗率が低下する。これにより、支持絶縁物１４に求められる絶縁性能を維持しながら、直流残留電圧の減衰時間を短縮でき、帯電電荷の蓄積による絶縁性能の低下も抑制できる。イオン注入層１４３の表面抵抗率、厚さは、円錐状の形状を有する支持絶縁物１４の場合と同様にできる。
【００４４】
実施形態のガス絶縁機器および支持絶縁物について、ガス絶縁開閉装置におけるガス絶縁母線およびこれに使用される支持絶縁物を例に挙げて説明したが、実施形態のガス絶縁機器および支持絶縁物はこれらに限定されない。実施形態のガス絶縁機器は、金属容器と、この金属容器の内側に配置される高電圧導体と、金属容器の内側に配置され、高電圧導体を絶縁支持する支持絶縁物とを有するものであればよい。また、支持絶縁物についても、このようなガス絶縁機器に使用されるものであれば特に限定されない。
【００４５】
以上、実施形態について説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４６】
１０…ガス絶縁母線、１１…金属容器、１２…絶縁ガス、１３…高電圧導体、１４…支持絶縁物、１５…電界緩和シールド、１６…未注入物、３０…注入装置、３１…レーザ発信器、３２…真空容器、３３…設置容器、３４…レーザ光、３５…集光レンズ、３６…ターゲット、３７…レーザアブレーションプラズマ、３８…絶縁物ホルダー、３９…ミラー、４１…輸送管、４２…絶縁管、１１１…フランジ、１４１…通電部、１４２…絶縁部、１４３…イオン注入層、１４４…フランジ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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