(57)【要約】【課題】演算回路の回路規模及び消費電流を小さくすることができる構成を備えた電流センサを提供する。【解決手段】磁界発生部１２０は、バスバー２００に被測定電流Ｉが流れることによって生じる電流磁界Ｂｉに対して垂直方向にバイアス磁界Ｂｂを発生させる。センサ素子１３０は、バイアス磁界Ｂｂと、電流磁界Ｂｉ及びバイアス磁界Ｂｂで構成される合成磁界Ｂｓと、の成す角度θについてｓｉｎθの成分を含む正弦波信号を出力する。そして、信号処理部１８０は、ｓｉｎθの成分を当該ｓｉｎθの成分に対応したｔａｎθの成分に変換する変換マップが記憶されたメモリ１８６を有し、正弦波信号をデジタル信号に変換して入力すると共に変換マップに基づいてｓｉｎθの成分をｔａｎθの成分に変換し、ｔａｎθの成分を含んだ信号をセンサ信号として取得する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定電流経路（２００）に被測定電流が流れることによって生じる電流磁界（Ｂｉ）に対して垂直方向にバイアス磁界（Ｂｂ）を発生させる磁界発生部（１２０）と、
複数の磁気抵抗素子（１３１〜１３４）を有し、前記複数の磁気抵抗素子（１３１〜１３４）が外部の磁場の影響を受けたときの前記複数の磁気抵抗素子（１３１〜１３４）の抵抗値の変化に基づいて、前記バイアス磁界（Ｂｂ）と、前記電流磁界（Ｂｉ）及び前記バイアス磁界（Ｂｂ）で構成される合成磁界（Ｂｓ）と、の成す角度θについてｓｉｎθの成分を含む正弦波信号を出力するセンサ素子（１３０）と、
前記ｓｉｎθの成分を当該ｓｉｎθの成分に対応したｔａｎθの成分に変換する変換マップが記憶されたメモリ（１８６）を有し、前記正弦波信号をデジタル信号に変換して入力すると共に前記変換マップに基づいて前記ｓｉｎθの成分を前記ｔａｎθの成分に変換し、前記ｔａｎθの成分を含んだ信号をセンサ信号として取得する信号処理部（１８０）と、
を備えていることを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記信号処理部（１８０）は、前記被測定電流経路（２００）に前記被測定電流が流れることによって生じる熱に起因した温度情報を取得し、前記変換マップに基づいて前記ｓｉｎθの成分を前記ｔａｎθの成分に変換する前に、前記温度情報に基づいて前記正弦波信号に対して温度特性の補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記変換マップは、前記ｓｉｎθの成分の最大値と最小値との間を複数の区間に分割する複数の分割点と、前記複数の分割点のうち隣同士の分割点を結ぶための関数と、前記複数の区間のうち隣同士の区間で前記関数が滑らかに繋がるように前記複数の区間毎に前記関数に対して設定された定数と、を有して構成されており、
前記信号処理部（１８０）は、前記複数の区間のうち前記ｓｉｎθの成分に対応する区間の定数を前記関数に用いることにより前記ｓｉｎθの成分から前記ｔａｎθの成分に変換することを特徴とする請求項１または２に記載の電流センサ。
【請求項４】
前記複数の分割点は、前記メモリ（１８６）において書き換え可能に記憶されていることを特徴とする請求項３に記載の電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定電流経路に流れる電流を検出する電流センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、被測定電流経路に流れる電流を検出するように構成された電流センサが、例えば特許文献１で提案されている。具体的に、電流センサは、バイアス磁石、磁気センサ、及び演算回路を有して構成されている。
【０００３】
バイアス磁石は、被測定電流経路に被測定電流が流れることによって生じる電流磁界と垂直方向にバイアス磁界を生成する。磁気センサは、バイアス磁界と、第１、バイアス磁界で構成される合成磁界と、の成す角度θに応じたｓｉｎθを含む信号及びｃｏｓθを含む信号を出力する。演算回路は、磁気センサからｓｉｎθを含む信号及びｃｏｓθを含む信号を入力し、ｓｉｎθ／ｃｏｓθを演算することにより電流に比例したｔａｎθに対応する信号をセンサ信号として出力する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−６４６６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術では、演算回路は磁気センサからｓｉｎθを含む信号及びｃｏｓθを含む信号の両方をデジタル信号処理するため、各信号に対応したＡ／Ｄ変換回路が必要になる。また、電流に対する応答性を高めるためにはＡ／Ｄ変換速度を上げる必要がある。これに伴ってＡ／Ｄ変換回路の規模が大きくなり、ひいては消費電流も大きくなってしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑み、演算回路の回路規模及び消費電流を小さくすることができる構成を備えた電流センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、被測定電流経路（２００）に被測定電流が流れることによって生じる電流磁界（Ｂｉ）に対して垂直方向にバイアス磁界（Ｂｂ）を発生させる磁界発生部（１２０）を備えている。
【０００８】
また、複数の磁気抵抗素子（１３１〜１３４）を有し、複数の磁気抵抗素子（１３１〜１３４）が外部の磁場の影響を受けたときの複数の磁気抵抗素子（１３１〜１３４）の抵抗値の変化に基づいて、バイアス磁界（Ｂｂ）と、電流磁界（Ｂｉ）及びバイアス磁界（Ｂｂ）で構成される合成磁界（Ｂｓ）と、の成す角度θについてｓｉｎθの成分を含む正弦波信号を出力するセンサ素子（１３０）を備えている。
【０００９】
さらに、ｓｉｎθの成分を当該ｓｉｎθの成分に対応したｔａｎθの成分に変換する変換マップが記憶されたメモリ（１８６）を有し、正弦波信号をデジタル信号に変換して入力すると共に変換マップに基づいてｓｉｎθの成分をｔａｎθの成分に変換し、ｔａｎθの成分を含んだ信号をセンサ信号として取得する信号処理部（１８０）を備えていることを特徴とする。
【００１０】
これによると、信号処理部（１８０）はｓｉｎθの成分をｔａｎθの成分に変換する変換マップを予め有しているので、信号処理部（１８０）はセンサ素子（１３０）からｃｏｓθを含む余弦波信号を入力する必要がない。すなわち、信号処理部（１８０）において余弦波信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路を不要にすることができる。したがって、信号処理部（１８０）においてＡ／Ｄ変換回路が占める回路規模及び消費電流を小さくすることができる。
【００１１】
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る電流センサをバスバーに取り付けたときの模式図である。
【図２】図１に示す電流センサの断面図である。
【図３】図１に示す電流センサの回路図である。
【図４】変換マップを示した図である。
【図５】変換マップの作り方を示した図である。
【図６】ｔａｎθの成分の誤差が所定の誤差許容範囲内に含まれていない場合を説明するための図である。
【図７】ｔａｎθの成分の誤差が所定の誤差許容範囲内に含まれている場合を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る電流センサは、例えば、車載バッテリ等に接続されるバスバーに流れる被測定電流を検出するものである。
【００１４】
図１及び図２に示されるように、電流センサ１００は、基板１１０、磁界発生部１２０、センサ素子１３０、回路チップ１４０、リード１５０、及びモールド樹脂１６０を備えて構成されている。
【００１５】
磁界発生部１２０は、検出対象であるバスバー２００に被測定電流Ｉが流れることによって生じる電流磁界Ｂｉに対して垂直方向にバイアス磁界Ｂｂを発生させるものである。磁界発生部１２０は、基板１１０の一面１１１に設置されている。磁界発生部１２０は、バイアス磁界Ｂｂをセンサ素子１３０に印加する役割を果たす。なお、磁界発生部１２０は、例えば板状のバイアス磁石として構成されている。
【００１６】
センサ素子１３０は、外部の磁場の影響を受けたときに抵抗値が変化する複数の磁気抵抗素子を有する板状のチップ部品である。図２に示されるように、センサ素子１３０は磁界発生部１２０の上に配置されている。
【００１７】
回路チップ１４０は、センサ素子１３０から入力した信号に対して予め設定された演算を行うための信号処理回路を備えている。回路チップ１４０は、基板１１０の一面１１１に設置されている。
【００１８】
リード１５０は、外部と電流センサ１００とを電気的に接続するための接続部品である。本実施形態では、複数のリード１５０が当該リード１５０の長手方向に垂直な方向に並べられている。そして、各リード１５０が図示しないワイヤを介して回路チップ１４０と電気的に接続されている。
【００１９】
モールド樹脂１６０は、基板１１０、磁界発生部１２０、センサ素子１３０、回路チップ１４０、及びリード１５０の一部を封止した封止部材である。具体的には、モールド樹脂１６０は、リード１５０のうち基板１１０側とは反対側の部分すなわちアウターリードの部分が露出するように、各部品を封止している。これにより、電流センサ１００はモールドＩＣ化されている。モールド樹脂１６０の材料として、例えばエポキシ樹脂等が採用される。
【００２０】
上記の構成を有する電流センサ１００は、図１に示されるように、バスバー２００に組み付けられる。具体的には、電流センサ１００は、バスバー２００に流れる電流方向すなわちバスバー２００の長手方向とバイアス磁界Ｂｂとが平行になるように、バスバー２００に組み付けられる。言い換えると、電流センサ１００は、バスバー２００に流れる被測定電流Ｉによって生成される電流磁界Ｂｉとバイアス磁界Ｂｂとが垂直となるように、バスバー２００に組み付けられる。そして、センサ素子１３０には、バイアス磁界Ｂｂ及び電流磁界Ｂｉで構成される合成磁界Ｂｓが印加されるようになっている。
【００２１】
次に、電流センサ１００におけるセンサ素子１３０と回路チップ１４０の回路構成について説明する。図３に示されるように、センサ素子１３０は、４つの磁気抵抗素子１３１〜１３４がブリッジ回路を形成するように構成されている。
【００２２】
各磁気抵抗素子１３１〜１３４は、図示しないが、下部電極の上にピン磁性層、非磁性層、フリー磁性層、及び上部電極が順に形成されたＧＭＲ素子として構成されている。ピン磁性層は磁化の向きが固定された強磁性金属層である。非磁性層はフリー磁性層からピン磁性層に電流を流すための層である。フリー磁性層は、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化する強磁性金属層である。なお、各磁気抵抗素子１３１〜１３４はそれぞれピン磁性層の磁化方向が互いに平行とされている。
【００２３】
そして、センサ素子１３０は、各磁気抵抗素子１３１〜１３４の磁化方向がバイアス磁界Ｂｂと垂直となるように磁界発生部１２０の上に設置される。このため、図１に示されるように、バイアス磁界Ｂｂと合成磁界Ｂｓとの成す角度をθとすると、センサ素子１３０から出力される各ハーフブリッジの各中点の電圧は、正弦値すなわちｓｉｎθを含む正弦波信号となる。したがって、センサ素子１３０は、各磁気抵抗素子１３１〜１３４が外部の磁場の影響を受けたときの各磁気抵抗素子１３１〜１３４の抵抗値の変化に基づいて、バイアス磁界Ｂｂと合成磁界Ｂｓとの成す角度θについてｓｉｎθの成分を含む正弦波信号を出力する。
【００２４】
ここで、正弦波信号をＶｓｉｎとすると、正弦波信号はＶｓｉｎ＝Ａ（ｔ）・ｓｉｎθ＋Ｖｏｆｆ（ｔ）で表される。バスバー２００に被測定電流Ｉが流れることによってバスバー２００に熱が発生するので、ｓｉｎθの成分には温度に依存した振幅成分（Ａ（ｔ））及びオフセット成分（Ｖｏｆｆ（ｔ））の各成分が含まれている。なお、振幅成分はセンサ素子１３０の感度に対応している。
【００２５】
回路チップ１４０は、温度センサ１７０及び信号処理部１８０を備えている。温度センサ１７０は、バスバー２００に被測定電流Ｉが流れることによって生じる熱に起因した温度を検出する。つまり、温度センサ１７０は信号処理部１８０の温度を検出する。そして、温度センサ１７０は、温度情報を含んだ温度信号を第２Ａ／Ｄ変換部１８２に出力する。温度センサ１７０は、例えば、回路チップ１４０を構成する基板に形成されたサーミスタや、ダイオード等の温度検出回路や、センサ素子１３０の出力から温度を推定する推定回路等で構成されている。
【００２６】
信号処理部１８０は、正弦波信号に含まれるｓｉｎθの成分を当該ｓｉｎθの成分に対応したｔａｎθの成分に変換する機能を有するデジタル回路である。このような信号処理部１８０は、第１Ａ／Ｄ変換部１８１、第２Ａ／Ｄ変換部１８２、振幅演算部１８３、オフセット演算部１８４、温度補正部１８５、メモリ１８６、演算部１８７、及びＤ／Ａ変換部１８８を有している。
【００２７】
第１Ａ／Ｄ変換部１８１は、センサ素子１３０から正弦波信号を入力してデジタル信号に変換する回路部である。第２Ａ／Ｄ変換部１８２は、温度センサ１７０から温度信号を入力してデジタル信号に変換する回路部である。
【００２８】
振幅演算部１８３は、乗算回路１８３ａ及び加減算回路１８３ｂを有している。乗算回路１８３ａは、温度信号の温度情報が示す温度とメモリ１８６に記憶されたデータ（１ＴＡＭＰ）とを乗算する。加減算回路１８３ｂは、乗算回路１８３ａの演算結果とメモリ１８６に記憶されたデータ（ＡＭＰ）とを加減算する。これにより、振幅演算部１８３は、温度に依存した振幅を打ち消すためのパラメータ（Ａ＿Ｔ）を取得する。
【００２９】
オフセット演算部１８４は、乗算回路１８４ａ及び加減算回路１８４ｂを有している。乗算回路１８４ａは、温度信号の温度情報が示す温度とメモリ１８６に記憶されたデータ（ＴＯＦ）とを乗算する。加減算回路１８４ｂは、乗算回路１８４ａの演算結果とメモリ１８６に記憶されたデータ（ＯＦＦ）とを加減算する。これにより、オフセット演算部１８４は、温度に依存したオフセットを打ち消すためのパラメータ（Ｖｏｆｆ＿Ｔ）を取得する。
【００３０】
温度補正部１８５は、加減算回路１８５ａ及び乗算回路１８５ｂを有している。加減算回路１８５ａは、デジタル信号に変換された正弦波信号に対してオフセット演算部１８４で得られたパラメータを加算または減算することにより、正弦波信号に含まれる温度に依存するオフセット成分を消去する。また、乗算回路１８５ｂは、振幅演算部１８３で得られたパラメータを乗算することにより、正弦波信号に含まれる温度に依存する振幅成分を消去する。これにより、温度補正部１８５は、温度に依存しないｓｉｎθの成分を含んだ正弦波信号を取得する。すなわち、温度補正部１８５は、Ｖｓｉｎ＝ｓｉｎθを得る。
【００３１】
なお、第１Ａ／Ｄ変換部１８１に乗算回路１８５ｂが接続されることにより、正弦波信号に対して先に振幅成分が補正されるように回路構成されていても良い。
【００３２】
メモリ１８６は、振幅演算部１８３及びオフセット演算部１８４で用いられる各データと、演算部１８７で用いられる変換マップと、を記憶した記憶部である。
【００３３】
変換マップは、ｓｉｎθの成分を当該ｓｉｎθの成分に対応したｔａｎθの成分に変換するためのデータである。図４に示されるように、変換マップは、横軸がｓｉｎθの成分に対応し、縦軸がｔａｎθの成分に対応している。この変換マップに基づいてｓｉｎθの成分がｔａｎθの成分に変換される。
【００３４】
具体的に、変換マップは、複数の分割点、１つもしくは複数の関数、及び複数の定数で構成されている。複数の分割点は、ｓｉｎθの成分の最大値と最小値との間を複数の区間に分割するためのパラメータである。図４では、ｓｉｎθの成分の最大値と最小値との間を９個の区間に分割するため、分割点は８個設定されている。
【００３５】
なお、ｓｉｎθの成分の最大値と最小値との間を２つの区間に分割する場合、分割点はｓｉｎθの成分の最大値に該当する分割点と、ｓｉｎθの成分の最小値に該当する分割点と、ｓｉｎθの成分の最大値と最小値との間の分割点と、の３個となる。
【００３６】
関数は、複数の分割点のうち隣同士の分割点を結ぶＮ次の関数である。例えば２次関数の場合、当該関数はｙ＝ａ・ｘ2＋ｂ・ｘ＋ｃとして表される。ｙはｔａｎθの成分に対応し、ｘはｓｉｎθの成分に対応する。関数は、全ての区間で共通していても良いし、区間毎に異なっていても良い。
【００３７】
定数は、複数の区間のうち隣同士の区間で関数が滑らかに繋がるように複数の区間毎に関数に対して設定されている。上記の２次関数の場合では、ａは各区間に対応してａ１からａ９まで設定されている。また、ｂは各区間に対応してｂ１からｂ９まで設定されている。同様に、ｃは各区間に対応してｃ１からｃ９まで設定されている。関数が３次関数になれば、３次関数に応じた定数が用意される。
【００３８】
ここで、メモリ１８６は書き換え可能に構成されている。このため、複数の分割点は、メモリ１８６において書き換え可能に記憶されている。例えば、電流センサ１００の製造時に初期値が記憶された状態で電流センサ１００の設置状況等で後から各分割点の微調整が可能になっている。
【００３９】
これは、電流センサ１００がバスバー２００に組み付けられた際に電流センサ１００とバスバー２００との位置関係等に応じて変換マップに微少なずれが生じる可能性がある。このため、この微少なずれを修正するために分割点の書き換えが可能になっている。このように、分割点が微調整された状態で電流センサ１００が出荷されることが好ましい。
【００４０】
演算部１８７は、温度情報に基づいて温度特性の補正が行われた正弦波信号に対して変換マップに基づいてｓｉｎθの成分をｔａｎθの成分に変換する回路部である。すなわち、演算部１８７は、複数の区間のうちｓｉｎθの成分に対応する区間の定数を関数に用いることによりｓｉｎθの成分からｔａｎθの成分に変換する。これにより、演算部１８７は、ｔａｎθの成分を含んだ信号をセンサ信号として取得する。また、演算部１８７は当該センサ信号をＤ／Ａ変換部１８８に出力する。
【００４１】
Ｄ／Ａ変換部１８８は、演算部１８７で演算処理されたデジタル信号としてのセンサ信号をアナログ信号に変換する回路部である。Ｄ／Ａ変換部１８８の出力が電流センサ１００のセンサ出力として外部装置に出力される。以上が、本実施形態に係る電流センサ１００の構成である。
【００４２】
次に、変換マップの作り方について説明する。図５に示されるように、はじめに、センサ素子１３０を用意して被測定電流Ｉを最小値から最大値までスイープさせる。これにより、ｓｉｎθのデータを取得する。そして、取得したｓｉｎθのデータに対して８個の分割点を設定してメモリ１８６に書き込む。これにより、ｓｉｎθの成分を９個の区分に分割する。
【００４３】
続いて、最小二乗法を用いて各区間でＮ次の関数及び定数を導き出す（補間関数算出）。また、当該関数及び定数をメモリ１８６に書き込み、仮の変換マップを作る。そして、被測定電流Ｉを最小値から最大値までスイープさせる。これにより、仮の変換マップを用いてｔａｎθのデータを取得する。
【００４４】
この後、仮の変換マップで得られたｔａｎθの成分の誤差が均一か否かを判定する。すなわち、ｔａｎθの成分の誤差が所定の誤差許容範囲内に含まれているか否かを判定する。例えば、図６に示されるように、ある区間ではｔａｎθの成分の誤差が所定の誤差許容範囲内に含まれる一方、別の区間では誤差が誤差許容範囲を超える。このようにｔａｎθの成分の誤差が均一でない場合はメモリ１８６に分割点を書き込む工程に戻る。
【００４５】
そして、先に書き込んだ分割点とは異なる分割点をメモリ１８６に書き込む。続いて、被測定電流Ｉを最小値から最大値までスイープさせて、仮の変換マップを用いてｔａｎθのデータを取得する。再び、仮の変換マップで得られたｔａｎθの成分の誤差が均一か否かを判定し、図７に示されるように全ての区間で誤差が所定の誤差許容範囲内に含まれる場合は変換マップが完成する。
【００４６】
ｔａｎθの成分の誤差が所定の誤差許容範囲内に含まれない場合、ｔａｎθの成分の誤差が所定の誤差許容範囲内に含まれるまで、分割点の書き込み、補間関数算出、電流スイープ、ｔａｎθのデータ取得、及び誤差の判定を繰り返す。なお、図６及び図７では被測定電流Ｉのレンジ及び誤差のレンジは同じである。
【００４７】
上記のように作られた変換マップは、複数製造される電流センサ１００に共通の変換マップとして各電流センサ１００のメモリ１８６に書き込まれる。そして、各電流センサ１００は出荷される。
【００４８】
電流センサ１００は、次のように動作する。まず、バスバー２００に被測定電流Ｉが流れると、センサ素子１３０がｓｉｎθの成分を含んだ正弦波信号を出力する。また、温度センサ１７０が温度信号を出力する。
【００４９】
信号処理部１８０は、温度信号に含まれる温度情報とメモリ１８６のデータとを用いて振幅演算部１８３及びオフセット演算部１８４によって温度に依存した振幅及びオフセットを打ち消すためのパラメータ（Ａ＿Ｔ、Ｖｏｆｆ＿Ｔ）を取得する。
【００５０】
そして、信号処理部１８０は、振幅及びオフセットを打ち消すためのパラメータ（Ａ＿Ｔ、Ｖｏｆｆ＿Ｔ）を用いて温度補正部１８５によって正弦波信号の温度特性を補正する。これにより、信号処理部１８０は、温度に依存しないｓｉｎθの成分を取得する。また、信号処理部１８０は、演算部１８７において変換マップを用いてｓｉｎθの成分をｔａｎθの成分に変換する。ｔａｎθの成分が被測定電流Ｉの大きさに比例している。信号処理部１８０はこのｔａｎθの成分を含んだセンサ信号を出力する。
【００５１】
Ｄ／Ａ変換部１８８はセンサ信号をデジタル信号に変換してセンサ出力として外部装置に出力する。外部装置はセンサ信号に基づいてバスバー２００に流れる被測定電流Ｉを制御する。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態の電流センサ１００では、センサ素子１３０においてｓｉｎθの成分を含んだ正弦波信号のみを取得し、信号処理部１８０において変換マップを用いてｓｉｎθの成分からｔａｎθの成分を取得することが特徴となっている。このように、信号処理部１８０は予め記憶された変換マップによってｓｉｎθの成分のみからｔａｎθの成分が得られるので、電流センサ１００はｃｏｓθを含む余弦波信号に関するＡ／Ｄ変換部が不要になる。したがって、信号処理部１８０においてＡ／Ｄ変換回路が占める回路規模及び消費電流を小さくすることができる。
【００５３】
また、信号処理部１８０は、変換マップに基づいてｓｉｎθの成分をｔａｎθの成分に変換する前に、温度補正部１８５によって正弦波信号の温度補正を行っているので、変換マップに温度特性を考慮する必要がない。すなわち、温度毎に複数のバリエーションの変換マップが不要になるので、信号処理部１８０は温度に依存しない１つの変換マップを持つだけで済むというメリットがある。
【００５４】
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、バスバー２００が特許請求の範囲の「被測定電流経路」に対応する。
【００５５】
（他の実施形態）
上記各実施形態で示された電流センサ１００の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。磁界発生部１２０とセンサ素子１３０との配置関係については、上述のように各磁気抵抗素子１３１〜１３４のピン磁性層の磁化方向とバイアス磁界Ｂｂの方向との関係が維持できれば、どのような配置関係でも良い。また、センサ素子１３０の各磁気抵抗素子１３１〜１３４はＧＭＲ素子として構成されていたが、ＴＭＲ素子として構成されていても良い。
【００５６】
上記の実施形態では、温度補正部１８５によって正弦波信号の温度補正を行っていたが、これは信号処理の一例である。したがって、電流センサ１００は正弦波信号の温度補正を行わない構成でも良い。
【００５７】
上記の実施形態では、ｓｉｎθの成分の最大値と最小値との間を分割点によって複数の区間に分割していたが、可能であればｓｉｎθの成分の最大値と最小値との間を１つの関数で近似しても良い。
【００５８】
上記の実施形態では、メモリ１８６に記憶された分割点のデータは書き換え可能になっていたが、これは一例である。例えば、メモリ１８６に記憶された分割点のデータは書き換え不可能になっていても良い。
【００５９】
さらに、上記の実施形態では、電流センサ１００は車載バッテリ等に接続されるバスバー２００に流れる被測定電流Ｉを測定するように構成されていたが、これは電流センサ１００の用途の一例である。したがって、測定対象は車両用のバスバー２００に限られず、他の用途に用いられる配線に電流センサ１００を適用しても良い。
【符号の説明】
【００６０】
１２０          磁界発生部
１３０          センサ素子
１３１〜１３４  磁気抵抗素子
１８０          信号処理部
１８６          メモリ
２００          バスバー（被測定電流経路）
Ｂｉ            電流磁界
Ｂｂ            バイアス磁界
Ｂｓ            合成磁界
【図１】
2016223994.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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