(57)【要約】      （修正有）【課題】処理対象物が支持基板から剥離することを低減することができる処理対象物の固定方法、かかる処理対象物の固定方法に用いられる支持部材、この支持部材に処理対象物が固定された接合体、この接合体を用いて機能素子片を製造する製造方法、およびかかる機能素子片を製造する製造方法により得られた機能素子片を提供する。【解決手段】被処理基板４の固定方法は、粘着テープ３２を介してＳｉウエハ−３１に被処理基板４を固定する工程を有し、粘着テープ３２には、複数の溝３２１が並んで設けられており、溝３２１の幅が、それぞれ０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満であり、かつ、隣り合う溝３２１同士の間隔が、１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着テープを介して支持基板に処理対象物を固定する工程を含み、
前記粘着テープには、複数の溝が並んで設けられており、
前記溝の幅が、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満であり、かつ、隣り合う前記溝同士の間隔が、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする処理対象物の固定方法。
【請求項２】
前記溝は、前記粘着テープの前記支持基板側の面から前記処理対象物側の面まで貫通している請求項１に記載の処理対象物の固定方法。
【請求項３】
前記溝は、前記粘着テープの側面に開放している請求項１または２に記載の処理対象物の固定方法。
【請求項４】
複数の前記溝は、格子状に設けられている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の処理対象物の固定方法。
【請求項５】
前記処理対象物を固定する工程は、前記支持基板に前記粘着テープを貼る処理と、
前記粘着テープに前記溝を形成する処理と、
前記粘着テープに前記処理対象物を固定する処理と、を含んでいる請求項１ないし４のいずれか１項に記載の処理対象物の固定方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の処理対象物の固定方法に用いられ、
支持基板と、
前記支持基板の一方の面側に設けられた粘着テープと、を有し、
前記粘着テープには、複数の溝が並んで設けられており、
前記溝の幅が、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満であり、かつ、隣り合う前記溝同士の間隔が、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする支持部材。
【請求項７】
請求項６に記載の支持部材と、
前記支持部材が備える前記粘着テープの前記支持基板と反対の面側に設けられた前記処理対象物と、を有していることを特徴とする接合体。
【請求項８】
請求項７に記載の接合体が備える前記処理対象物をエッチングによりパターニングすることで機能素子片を形成する工程、を含んでいることを特徴とする機能素子片の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の機能素子片の製造方法により製造されたことを特徴とする機能素子片。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理対象物の固定方法、支持部材、接合体、機能素子片の製造方法および機能素子片に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、処理対象物をドライエッチングにすることにより所望の形状に加工する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１には、ドライエッチング装置を用いて、基板電極上に設けられた基体に、熱伝導性シートを介して固定された水晶基板（処理対象物）を加工する方法について開示されている。また、特許文献１には、熱伝導性シートにスリットを入れることで、水晶基板を基体上に固定したときに、スリットを介して水晶基板と熱伝導性シートとの間の気泡を除去することが開示されている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されているようなスリットが入った熱伝導性シートを用いて水晶基板を固定する方法では、スリットの幅や配置等によっては水晶基板と熱伝導性シートとの間の気泡を十分に除去することが難しかった。その結果、前記気泡の影響により、加工中に水晶基板が基体から剥離したり、気泡の程度によっては、水晶基板が割れたりしてしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ２００８／１４３００４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、処理対象物が支持基板から剥離することを低減することができる処理対象物の固定方法、かかる処理対象物の固定方法に用いられる支持部材、この支持部材に処理対象物が固定された接合体、この接合体を用いて機能素子片を製造する機能素子片の製造方法、およびかかる機能素子片の製造方法により得られた機能素子片を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例の処理対象物の固定方法は、粘着テープを介して支持基板に処理対象物を固定する工程を含み、
前記粘着テープには、複数の溝が並んで設けられており、
前記溝の幅が、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満であり、かつ、隣り合う前記溝同士の間隔が、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする。
【０００９】
これにより、粘着テープに設けられた溝が、処理対象物と粘着テープとの間に発生する気泡を処理対象物の外部へと逃す通路として機能するため、支持基板に処理対象物を固定したときに発生する気泡を外部へと除去することができる。このように気泡が除去されることで、処理対象物に対する粘着テープの粘着力の低下を抑えることができるので、処理対象物が支持基板から剥離することを低減することができる。さらには、前記気泡の影響により、処理対象物に割れ等の破損が生じることを低減することができる。
【００１０】
［適用例２］
本適用例の処理対象物の固定方法では、前記溝は、前記粘着テープの前記支持基板側の面から前記処理対象物側の面まで貫通していることが好ましい。
【００１１】
これにより、処理対象物と粘着テープとの間に発生する気泡をより効率良く除去することができる。
【００１２】
［適用例３］
本適用例の処理対象物の固定方法では、前記溝は、前記粘着テープの側面に開放していることが好ましい。
【００１３】
これにより、処理対象物と粘着テープとの間に発生する気泡をさらに効率良く除去することができる。
【００１４】
［適用例４］
本適用例の処理対象物の固定方法では、複数の前記溝は、格子状に設けられていることが好ましい。
【００１５】
これにより、処理対象物と粘着テープとの間に発生する気泡をより一層効率良く除去することができる。
【００１６】
［適用例５］
本適用例の処理対象物の固定方法では、前記処理対象物を固定する工程は、前記支持基板に前記粘着テープを貼る処理と、
前記粘着テープに前記溝を形成する処理と、
前記粘着テープに前記処理対象物を固定する処理と、を含んでいることが好ましい。
これにより、所望の幅および間隔の溝を容易に形成することができる。
【００１７】
［適用例６］
本適用例の支持部材は、上記適用例に記載の処理対象物の固定方法に用いられ、
支持基板と、
前記支持基板の一方の面側に設けられた粘着テープと、を有し、
前記粘着テープには、複数の溝が並んで設けられており、
前記溝の幅が、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満であり、かつ、隣り合う前記溝同士の間隔が、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００１８】
このような支持部材に処理対象物を固定すれば、粘着テープに設けられた溝が、処理対象物と粘着テープとの間に発生する気泡を外部へと逃すための通路として機能するため、支持部材に処理対象物を固定したときに発生する気泡を除去することができる。そのため、処理対象物に対する粘着テープの粘着力の低下を抑えることができるので、処理対象物が支持部材から剥離することを低減することができる。
【００１９】
［適用例７］
本適用例の接合体は、上記適用例に記載の支持部材と、
前記支持部材が備える前記粘着テープの前記支持基板と反対の面側に設けられた前記処理対象物と、を有していることを特徴とする。
【００２０】
これにより、支持基板に処理対象物を固定したときに発生する気泡を除去することができるため、処理対象物に対する粘着テープの粘着力の低下を抑えることができる。そのため、処理対象物が支持部材から剥離することを低減することができる。
【００２１】
［適用例８］
本適用例の機能素子片の製造方法は、上記適用例に記載の接合体が備える前記処理対象物をエッチングによりパターニングすることで機能素子片を形成する工程、を含んでいることを特徴とする。
【００２２】
これにより、処理対象物が支持基板から剥離することが低減されていることで、処理対象物内でのエッチングレートの差のバラツキを低減することができる。そのため、高精度で信頼性の高い機能素子片を得ることができる。
【００２３】
［適用例９］
本適用例の機能素子片は、上記適用例に記載の機能素子片の製造方法により製造されたことを特徴とする。
これにより、信頼性の高い機能素子片を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の機能素子片の一例である振動素子片の好適な実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示す振動素子片を製造するために用いられるドライエッチング装置を概略的に示す図である。
【図３】図１に示す振動素子片の製造方法を説明する断面図である。
【図４】図１に示す振動素子片の製造方法を説明する図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図１に示す振動素子片の製造方法を説明する図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が同図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】図１に示す振動素子片の製造方法を説明する断面図である。
【図７】図１に示す振動素子片の製造方法を説明する図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が同図（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の処理対象物の固定方法、支持部材、接合体、機能素子片の製造方法および機能素子片を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
図１は、本発明の機能素子片の一例である振動素子片の好適な実施形態を示す平面図である。図２は、図１に示す振動素子片を製造するために用いられるドライエッチング装置を概略的に示す図である。図３は、図１に示す振動素子片の製造方法を説明する断面図である。図４は、図１に示す振動素子片の製造方法を説明する図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図５は、図１に示す振動素子片の製造方法を説明する図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が同図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。図６は、図１に示す振動素子片の製造方法を説明する断面図である。図７は、図１に示す振動素子片の製造方法を説明する図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が同図（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【００２７】
なお、図１および図４では、説明の便宜上、互いに直交する３軸として、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を図示しており、ｘ軸に平行な方向を「ｘ軸方向」と言い、ｙ軸に平行な方向を「ｙ軸方向」と言い、ｚ軸に平行な方向を「ｚ軸方向」と言う。また、図３中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
【００２８】
まず、本発明の機能素子片の製造方法により得られた機能素子片（本発明の機能素子片）の一例である振動素子片２について説明する。図１に示す振動素子片２は、水晶で構成されており、その表面に電極等を備えることで、ｚ軸まわりの角速度を検出する「面外検出型」のジャイロセンサーとして用いることができる。
【００２９】
図１に示すように、振動素子片２は、基部２１と、基部２１から延出した２つの検出用振動腕２３、２４および４つの駆動用振動腕２５〜２８とを有する。
【００３０】
基部２１は、本体部２１１と、本体部２１１からｘ軸方向に沿って互いに反対方向へ延出する１対の連結腕２１２、２１３とを有している。
【００３１】
検出用振動腕２３、２４は、本体部２１１からｙ軸方向に沿って互いに反対方向へ延出している。駆動用振動腕２５、２６は、連結腕２１２の先端部からｙ軸方向に沿って互いに反対方向へ延出している。駆動用振動腕２７、２８は、連結腕２１３の先端部からｙ軸方向に沿って互いに反対方向へ延出している。
【００３２】
また、検出用振動腕２３の先端部には、基端部よりも幅広に形成された錘部（ハンマーヘッド）２３１が設けられている。同様に、検出用振動腕２４の先端部には錘部２４１が設けられ、駆動用振動腕２５の先端部には錘部２５１が設けられ、駆動用振動腕２６の先端部には錘部２６１が設けられ、駆動用振動腕２７の先端部には錘部２７１が設けられ、駆動用振動腕２８の先端部には錘部２８１が設けられている。
【００３３】
このような振動素子片２は、前述したように、水晶で構成されているが、例えば、水晶以外の圧電体材料で構成されていてもよい。かかる圧電体材料としては、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウム、チタン酸バリウム等が挙げられる。
【００３４】
なお、振動素子片２は、シリコン、石英等の非圧電体材料で構成され、検出用振動腕２３、２４や駆動用振動腕２５〜２８に圧電体素子を設けたものであってもよい。
【００３５】
次に、振動素子片２の製造方法（本発明の機能素子片の製造方法）について説明する。
振動素子片２は、被処理基板（処理対象物）４をドライエッチングによりパターニングすることで得ることができる。
【００３６】
ここで、振動素子片２の製造方法を説明するのに先立ち、被処理基板４をドライエッチングするためのドライエッチング装置１００について簡単に説明する。
【００３７】
図２に示すドライエッチング装置１００は、いわゆる平行平板型のＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｈｉｎｇ）装置であり、主に、チャンバー１１と、アノード電極１２およびカソード電極１３と、高周波電源１４と、冷却機構１５と、を有している。
【００３８】
チャンバー１１は、ドライエッチングが行われる反応室を構成しており、その内部に互いに対向する平板状のアノード電極１２およびカソード電極１３を収容している。
【００３９】
アノード電極１２は、チャンバー１１内の上方側に設けられている。また、アノード電極１２は、厚さ方向に貫通する複数の細孔を有しており、この細孔を介して、例えばＣＦ４等のエッチングガスをチャンバー１１内にシャワー状に導入するように構成されている。なお、チャンバー１１内に供給されたエッチングガス等は、図示しないガス排気手段によって、チャンバー１１外へと排出される。
【００４０】
一方、カソード電極１３は、チャンバー１１内の下方側に設けられており、カソード電極１３の上面には、被処理基板４が固定された支持部材３を吸着する静電チャック（吸着体）１３１が設けられている。また、カソード電極１３は、高周波電源１４に接続されている。また、カソード電極１３には、被処理基板４をその下面側から冷却する冷却機構１５が接続されている。この冷却機構１５により、エッチング中の被処理基板４の経時的な温度の上昇を抑え、被処理基板４の温度をほぼ均一にすることができる。また、被処理基板４内における温度のバラツキを抑え、被処理基板４内の温度をほぼ均一にすることができる。これにより、被処理基板４のエッチングレートをほぼ均一に保つことができる。
【００４１】
このような構成のドライエッチング装置１００は、アノード電極１２およびカソード電極１３間に高周波電圧が印加されて、チャンバー１１内に供給されたエッチングガスがプラズマ化されることにより、被処理基板４をエッチングすることができる。
【００４２】
なお、本実施形態では、前記エッチングガスとして例えばＣＦ４を用いているが、エッチングガスとしては、エッチングする材料によって適宜選択すればよく、ＣＦ４以外に、例えば、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６等のフッ素原子含有化合物ガスやＣｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４等の塩素原子含有化合物ガスなどの各種ハロゲン系ガス等を用いることができる。
【００４３】
また、本実施形態では、ドライエッチング装置１００として、いわゆるＲＩＥ装置を用いているが、ドライエッチング装置としては、これに限定されない。ドライエッチング装置としては、例えば、誘導結合型（ＩＣＰ）方式、エレクトロンサイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）方式、ヘリコン波励起方式、マグネトロン方式、イオンビームエッチング方式等のエッチング装置であってもよい。ただし、ＲＩＥ装置は、特に微小な被処理基板４を加工するのに適しており、複雑な構造の振動素子片２を形成するのに好適であるため好ましい。
【００４４】
このようなドライエッチング装置１００を用いて振動素子片２は、次のようにして製造される。
【００４５】
振動素子片２の製造方法は、主に、［１］被処理基板４を用意する準備工程と、［２］支持部材３に被処理基板４を固定する固定工程と、［３］被処理基板４をエッチングすることにより複数の振動素子片２を形成するエッチング工程と、［４］支持部材３から被処理基板４を剥離する剥離工程と、［５］複数の振動素子片２を個片化する個片化工程と、を含んでいる。
【００４６】
以下、前記各工程について説明する。
［１］準備工程
まず、被処理基板４を用意する。
【００４７】
具体的には、まず、図３（ａ）に示すように、水晶基板４０の上面（一方の主面）４０１上にフォトレジストを塗布して、複数の振動素子片２と、これらを囲む枠体４３と、枠体４３と振動素子片２とを連結する連結部４４とを除く部分に対応する形状に露光・現像することにより、レジストマスクＲＭを得る。
【００４８】
次に、水晶基板４０のレジストマスクＲＭから露出している上面４０１側と、下面４０２側とに、それぞれ、例えば蒸着法、スパッタ法等により水晶基板４０側からＣｒ層、Ａｕ層をこの順で成膜し、Ａｕ層上に例えばめっき法等によりＮｉ層を成膜する。これにより、図３（ｂ）に示すように、上面４０１側にレジストマスクＲＭの開口を埋めるように設けられたマスク４１Ｍと、下面４０２側に一様に設けられたマスク４２Ｍとを得る。
そして、レジストマスクＲＭを例えばエッチング等により除去する。
【００４９】
このようにして、図３（ｃ）に示すような、ドライエッチングする際に用いられるメタルマスクとして機能するマスク４１Ｍ、４２Ｍを得ることができる。なお、マスク４１Ｍ、４２Ｍは、それぞれ、ドライエッチングする際に用いられるメタルマスクとして機能するものであれば、いかなる構成であってもよい。
【００５０】
以上のようにして、水晶基板４０と、水晶基板４０の上面４０１側に設けられ、振動素子片２、枠体４３および連結部４４に対応する形状のマスク４１Ｍと、下面４０２側に設けられたマスク４２Ｍと、を有する被処理基板４を用意することができる。
【００５１】
［２］固定工程
次に、支持部材３に被処理基板４を固定する。支持部材３は、Ｓｉウエハー（支持基板）３１と、所定の溝３２１を有する粘着テープ３２とを有している。なお、この固定工程で行う被処理基板４の固定方法が本発明の処理対象物の固定方法に相当する。
【００５２】
固定工程は、［２−１］Ｓｉウエハー３１に粘着テープ３２を貼着する貼着処理と、［２−２］粘着テープ３２に溝３２１を形成する溝形成処理と、［２−３］支持部材３に被
処理基板４を固定する固定処理と、を含んでいる。
【００５３】
［２−１］貼着処理
まず、Ｓｉウエハー３１と、平面が一様な粘着テープ３２とを用意し、Ｓｉウエハー３１に粘着テープ３２を貼着する。
【００５４】
なお、本実施形態では、支持基板としてＳｉウエハー３１を用いているが、支持基板としては、これに限定されず、被処理基板４を安定して固定することが出来るものであればいかなるものであってもよい。
【００５５】
一方、粘着テープ３２は、平面積が被処理基板４よりも大きく、被処理基板４を包含することができる形状のものを用いる。
【００５６】
また、粘着テープ３２としては、プラズマに対する耐性（耐プラズマ性）に優れるものを用いるのが好ましい。これにより、被処理基板４をエッチングするときに、プラズマによる粘着テープ３２の劣化（例えば、耐食等）を抑えることができ、粘着テープ３２の劣化に起因する被処理基板４への悪影響を抑えることができる。
【００５７】
このような粘着テープ３２の構成材料としては、例えば、ポリシリコン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等の有機材料系樹脂等が挙げられ、これらの中でも特に、ポリイミド系樹脂を含むのが好ましい。ポリイミド系樹脂を含む粘着テープ３２は、耐プラズマ性に特に優れているため、粘着テープ３２がプラズマにより劣化することに起因する被処理基板４への悪影響をより低減することができる。また、ポリイミド系樹脂を含む粘着テープ３２は、適度な硬度を有する。このため、Ｓｉウエハー３１に粘着テープ３２を貼り付けるときや、次の工程で粘着テープ３２に溝３２１を形成するときに、粘着テープ３２が撚れるのを低減することができる。さらに、ポリイミド系樹脂を含む粘着テープ３２は、被処理基板４をＳｉウエハー３１に固定するために十分な粘着力を有するため好ましい。
【００５８】
また、粘着テープ３２の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上１ｍｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上２００μｍ以下であるのがより好ましい。粘着テープ３２の厚さが薄すぎると、粘着テープ３２の構成材料にもよるが、Ｓｉウエハー３１に粘着テープ３２を貼り付ける際や粘着テープ３２に溝３２１を形成する際に、粘着テープ３２が撚れ易くなる可能性がある。一方、粘着テープ３２の厚さが厚すぎると、粘着テープ３２の構成材料によっては、粘着テープ３２に溝３２１を形成し難くなる可能性がある。
【００５９】
［２−２］溝形成処理
次に、図４（ａ）に示すように、粘着テープ３２に、平面視で格子状をなすように複数の溝３２１を形成する。具体的には、Ｘ軸方向に沿った直線状の溝３２１Ｘと、Ｙ軸方向に沿い、各溝３２１Ｘと交差する直線状の溝３２１Ｙとをそれぞれ複数本（本実施形態では各４本）形成する。なお、溝３２１を形成する方法としては、特に限定されず、カッター等の鋭利な刃物を用いて形成する方法、レーザー等により形成する方法、パンチ孔を用いて形成する方法等が挙げられる。
【００６０】
また、複数の溝３２１は、それぞれ、両端部が粘着テープ３２の側面から開放するように形成する。また、複数の溝３２１は、図４（ｂ）に示すように、粘着テープ３２の厚さ方向に貫通するように形成する。なお、溝３２１を形成する際には、さらに、Ｓｉウエハー３１の上面にも、溝３２１と連通した溝３１１を形成してもよい。
【００６１】
また、図４（ａ）に示すように、複数の溝３２１Ｘは、ほぼ一定の幅Ｗ１で形成する。同様に、複数の溝３２１Ｙも、ほぼ一定の幅Ｗ２で形成する。また、幅Ｗ１、Ｗ２は、ともに同等な大きさに形成する。具体的には、幅Ｗ１、Ｗ２が、それぞれ０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満になるように形成する。
【００６２】
また、複数の溝３２１Ｘは、隣接する溝３２１Ｘとの間隔Ｔ１が、ほぼ一定になるように形成する。同様に、複数の溝３２１Ｙも、隣接する溝３２１Ｙとの間隔Ｔ２が、ほぼ一定になるように形成する。また、間隔Ｔ１、Ｔ２は、ともに同等な大きさに形成する。具体的には、間隔Ｔ１、Ｔ２が、それぞれ１ｍｍ以上５ｍｍ以下になるように形成する。なお、間隔Ｔ１は、隣接する溝３２１との離間距離である。間隔Ｔ２についても同様である。
【００６３】
また、溝３２１は、最終的に得られる振動素子片２の大きさ等を考慮して、平面視で、振動素子片２と重ならないように形成する（図５（ａ）参照）。すなわち、溝３２１は、隣接する２つの溝３２１Ｘと隣接する２つの溝３２１Ｙとで区画された１つの領域３２５内に振動素子片２が収まるように形成する。
【００６４】
以上のようにして、Ｓｉウエハー３１と、所定の溝３２１を有する粘着テープ３２とを備える支持部材３を用意することができる。
【００６５】
［２−３］固定処理
次に、図５（ｂ）に示すように、マスク４２Ｍが粘着テープ３２側を向くようにして、被処理基板４を粘着テープ３２に貼着する。このとき、支持部材３に対する被処理基板４の接合強度を高めるように、被処理基板４を支持部材３に向かって例えばプレス等により押圧する。これにより、支持部材３に被処理基板４を固定する。このように被処理基板４を支持部材３に固定する際、水晶基板４０と粘着テープ３２との間にマスク４２Ｍが介在しているので、水晶基板４０に粘着テープ３２の粘着物（汚れ）が付着するのを回避することができる。
【００６６】
また、支持部材３に被処理基板４を固定するときには、図５（ａ）に示すように、被処理基板４を粘着テープ３２の外縁部を除いた中央部に貼着して、平面視で粘着テープ３２の被処理基板４と重なっていない部分（粘着テープ３２の外縁部）から、溝３２１を確認できるようにする。
【００６７】
また、支持部材３に被処理基板４を固定するときには、粘着テープ３２の１つの領域３２５内に、１つの振動素子片２が配置されるように被処理基板４を支持部材３に固定する。この際、前述したように、粘着テープ３２の外縁部から溝３２１を確認することができるため、溝３２１を基準とすることで、領域３２５内に振動素子片２が収まるように被処理基板４の位置決めを容易に行うことできる。
【００６８】
このようにして支持部材３に被処理基板４を固定する際、粘着テープ３２に形成された溝３２１が、被処理基板４と粘着テープ３２との間に発生し得る気泡（気体）を外部へと逃す通路として機能する。このため、被処理基板４を固定するときに発生する気泡の発生を抑えることができ、また気泡が発生した場合には、その気泡を被処理基板４の外部へと除去することができる。このように気泡の発生を抑え、かつ気泡を除去することができるので、被処理基板４に対する粘着テープ３２の粘着力の低下を抑えることができる。そのため、被処理基板４がＳｉウエハー３１から剥離することを低減することができる。さらには、気泡の影響により、前述したように支持部材３に被処理基板４を押圧して固定する際に、被処理基板４に割れ等の破損が生じることを低減することができる。
【００６９】
このように、溝３２１を、気泡を除去するための通路として機能させるためには、前述したように、幅Ｗ１、Ｗ２が、それぞれ０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満であり、間隔Ｔ１、Ｔ２が、それぞれ１ｍｍ以上５ｍｍ以下であればよい。これに対し、幅Ｗ１、Ｗ２が前記範囲未満であったり、間隔Ｔ１、Ｔ２が前記範囲を超えたりすると、溝３２１は、気泡を逃す通路としての機能を十分に発揮することができない。また、幅Ｗ１、Ｗ２が前記範囲を超えたり、間隔Ｔ１、Ｔ２が前記範囲未満であったりすると、粘着テープ３２に対する溝３２１の割合が過剰すぎて、被処理基板４に対する粘着テープ３２の粘着力が低下してしまう。
【００７０】
なお、幅Ｗ１、Ｗ２は、それぞれ前記範囲内であればよいが、幅Ｗ１、Ｗ２は、それぞれ０．１５ｍｍ以上０．４５ｍｍ未満であるのが好ましく、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ未満であるのがより好ましい。また、間隔Ｔ１、Ｔ２も、それぞれ前記範囲内であればよいが、間隔Ｔ１、Ｔ２は、それぞれ１．５ｍｍ以上４．５ｍｍ以下であるのが好ましく、２ｍｍ以上４ｍｍ以下であるのがより好ましい。これにより、上記効果をより顕著に発揮することができる。
【００７１】
また、前述したように、被処理基板４は、粘着テープ３２の外縁部にまで延出し、溝３２１の両端部が粘着テープ３２の側面に開放しているので、被処理基板４と粘着テープ３２との間の気泡を被処理基板４の外部へと、より効率良く逃すことができる。なお、溝３２１の一方の端部が粘着テープ３２の側面に開放し、他方の端部が粘着テープ３２の側面に開放していなくても、上記と同等の効果を得ることができる。
【００７２】
また、前述したように、溝３２１が粘着テープ３２の厚さ方向に貫通するように、すなわち、溝３２１が粘着テープ３２の上面（被処理基板４側の面）および下面（Ｓｉウエハー３１側の面）の双方に開放するように形成されている。これにより、被処理基板４と粘着テープ３２との間に発生する気泡を除去するのに加え、粘着テープ３２とＳｉウエハー３１との間に発生する気泡も除去することができる。したがって、粘着テープ３２の被処理基板４およびＳｉウエハー３１に対する粘着力の低下をより低減することができるので、被処理基板４がＳｉウエハー３１から剥離することをより低減することができる。
【００７３】
さらには、前述したように、Ｓｉウエハー３１の上面側に、溝３２１と連通する溝３１１が形成されていることで、たとえ粘着テープ３２が熱膨張等により変形して溝３２１の幅が小さくなったとしても、Ｓｉウエハー３１に形成された溝３１１によって前記気泡を除去する効果を発揮することができる。
【００７４】
また、前述したように、溝３２１が、ほぼ同等な間隔Ｔ１、Ｔ２で格子状に設けられているため、被処理基板４と粘着テープ３２との間に発生する気泡をより効率良く、かつ、より万遍なく除去することができる。
【００７５】
なお、本実施形態では、複数の溝３２１が格子状に設けられているが、溝３２１は、気泡を除去する機能を発揮することができれば、いかなる形状に設けられていてもよい。また、本実施形態では、溝３２１ＸがＸ軸方向に沿い、溝３２１ＹがＹ軸方向に沿って形成されているが、溝３２１Ｘ、３２１Ｙは、それぞれ上記以外の一定の方向性をもって形成されていてもよい。また、溝３２１Ｘ、３２１Ｙは互いに直交するように形成されているが、溝３２１Ｘと溝３２１Ｙとの交差角度は特に限定されない。
【００７６】
また、間隔Ｔ１、Ｔ２は、ほぼ同等であるが、全ての間隔Ｔ１、Ｔ２が同等でなくてもよい。間隔Ｔ１と間隔Ｔ２との大きさが異なっていてもよい。例えば、少なくとも１つの間隔Ｔ１の大きさが、他の間隔Ｔ１と異なっていてもよい。間隔Ｔ２の大きさについても同様である。また、本実施形態では、幅Ｗ１、Ｗ２は、ほぼ同等であるが、全ての幅Ｗ１、Ｗ２が同等でなくてもよい。
【００７７】
また、本実施形態では、溝３２１Ｘ、３２１Ｙは、それぞれ粘着テープ３２の上面および下面の双方に開放するように形成されているが、少なくとも粘着テープ３２の上面側、すなわち被処理基板４側に開放していればよい。
【００７８】
また、溝３２１Ｘ、３２１Ｙは、それぞれ、直線状に限定されず、例えば、波線状に形成されていてもよい。また、溝３２１Ｘ、３２１Ｙの本数はそれぞれ４本に限定されず、例えば、それぞれ、２本、３本、５本等の４本以外の複数本であってもよい。
【００７９】
また、溝３２１Ｘ、３２１Ｙは、それぞれ交互または同時に形成してもよいし、溝３２１Ｘおよび溝３２１Ｙのいずれ一方を全て形成した後、他方を形成するようにしてもよい。
【００８０】
以上のような固定工程を経て、支持部材３と、被処理基板４とを備える接合体５を得ることができる。
【００８１】
［３］エッチング工程
次に、図６（ａ）に示すように、被処理基板４が固定された支持部材３をドライエッチング装置１００の静電チャック１３１上に載置して固定する。そして、冷却機構１５で被処理基板４の温度を保ちつつ、マスク４１Ｍを介して被処理基板４をドライエッチングする。これにより、水晶基板４０がパターニングされ、複数の振動素子片２、枠体４３および連結部４４が形成される。
【００８２】
ここで、被処理基板４は、前記固定工程にて、粘着テープ３２の１つの領域３２５内に、１つの振動素子片２が配置されるように粘着テープ３２に貼着されている。そのため、ドライエッチングする際には、冷却機構１５による冷却作用を各振動素子片２にほぼ均一に行き渡らせることができる。具体的に説明すると、被処理基板４のうち、粘着テープ３２と直接貼着している部分である領域３２５上の部分と、粘着テープ３２と直接貼着していない溝３２１上の部分とでは、冷却作用の伝達に差が生じる。そのため、領域３２５内に振動素子片２が収まるように被処理基板４を粘着テープ３２に貼着することで、振動素子片２間での冷却作用の伝達のバラツキを低減することができる。したがって、最終的に得られた振動素子片２間でのエッチングレートの差に起因する形状のバラツキを低減することができる。
【００８３】
［４］剥離工程
次に、図６（ｂ）に示すように、被処理基板４を例えば硫酸、塩酸等のエッチング液（処理剤）に浸して、マスク４１Ｍ、４２Ｍを除去する。
【００８４】
マスク４１Ｍは、エッチング液に浸すことで、その上面および側面からエッチング液が浸透し、除去される。
【００８５】
一方、マスク４２Ｍは、マスク４１Ｍの開口、水晶基板４０をエッチングすることにより形成された貫通孔、および、粘着テープ３２の溝３２１を介して、エッチング液が浸透し、除去される。このように、粘着テープ３２に溝３２１が設けられていることで、溝３２１がエッチング液をマスク４２Ｍへと流入させる通路として機能する。そのため、エッチング液がマスク４２Ｍの下面側に行きわたり易くなり、マスク４２Ｍをより迅速に除去することができる。
【００８６】
以上のようにして、マスク４１Ｍ、４２Ｍを除去することで、水晶基板４０が粘着テープ３２から剥離される。これにより、図７に示すような複数の振動素子片２が連結部４４を介して枠体４３に連結した水晶基板４０を得ることができる。
【００８７】
なお、前述した説明では、エッチング液に被処理基板４を浸してマスク４１Ｍ、４２Ｍを除去することで水晶基板４０を支持部材３から剥離したが、水晶基板４０を支持部材３から剥離する方法はこれに限定されない。例えばエッチングガス等によりマスク４１Ｍ、４２Ｍを除去してもよい。また、例えば、粘着テープ３２の粘着力を低下させる機能を有する剥離剤を用いて被処理基板４を粘着テープ３２から剥離した後に、マスク４１Ｍ、４２Ｍを除去してもよい。ただし、水晶基板４０を粘着テープ３２から剥離する方法としては、エッチング液を用いてマスク４１Ｍ、４２Ｍを除去することが好ましい。これにより、粘着テープ３２から水晶基板４０をより容易に剥離することができる。
【００８８】
［５］個片化工程
次に、連結部４４を切断することにより、水晶基板４０を個片化する。
【００８９】
以上の各［１］〜［５］の工程により、図１に示すような振動素子片２を複数形成することができる。
【００９０】
このような本実施形態の振動素子片の製造方法によれば、高精度で信頼性の高い振動素子片２を容易に得ることができる。
【００９１】
なお、本実施形態では、本発明の機能素子片の一例として、図１に示す振動素子片２について説明したが、機能素子片の構成はこれに限定されず、例えば、音叉型、双音叉型の振動素子片、メサ型、逆メサ型等のＡＴカット水晶振動素子片、基部と、基部から一方側へ延出する一対の駆動腕と、基部から他方側へ延出する一対の検出腕と、を有するＨ型の振動型ジャイロセンサー素子片等であってもよい。
【００９２】
以上、本発明の処理対象物の固定方法、支持部材、接合体、機能素子片の製造方法および機能素子片を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【００９３】
また、前記実施形態では、処理対象物として、水晶基板と、水晶基板の両面に形成されたマスクとを備える被処理基板を用いる場合について代表的に説明したが、本発明の処理対象物の固定方法に用いることができる処理対象物は、上記のものに限定されず、粘着テープを介して支持部材に固定できるものであればいかなる構成のものであってもよい。例えば、処理対象物としては、マスクを備えていない水晶基板であってもよい。また、例えば、水晶以外の圧電体材料やシリコン、石英等の非圧電体材料で構成された基板であってもよいし、前記材料で構成された基板の表面にマスクが形成されたものであってもよい。
【符号の説明】
【００９４】
１００……ドライエッチング装置
１１……チャンバー
１２……アノード電極
１３……カソード電極
１３１……静電チャック
１４……高周波電源
１５……冷却機構
２……振動素子片
２１……基部
２１１……本体部
２１２、２１３……連結腕
２３、２４……検出用振動腕
２５、２６、２７、２８……駆動用振動腕
２３１、２４１、２５１、２６１、２７１、２８１……錘部（ハンマーヘッド）
５……接合体
３……支持部材
３１……Ｓｉウエハー
３１１……溝
３２……粘着テープ
３２１、３２１Ｘ、３２１Ｙ……溝
３２５……領域
４……被処理基板
４０……水晶基板
４０１……上面
４０２……下面
４１Ｍ、４２Ｍ……マスク
４３……枠体
４４……連結部
ＲＭ……レジストマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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