(57)【要約】      （修正有）【課題】ディスプレイの画素回路及びコモン電位補償方法を提供する。【解決手段】画素回路は、複数のゲート線Ｇ１ないしＧｍと、複数のゲート線Ｇ１ないしＧｍと互いに交差し且つ絶縁する複数のデータ線Ｓ１ないしＳｍと、複数のゲート線Ｇ１ないしＧｍと互いに交差し且つ絶縁する複数の共用パワー線Ｄ１ないしＤｍと、複数のゲート線Ｇ１ないしＧｍ、データ線Ｓ１ないしＳｍ及び共用パワー線Ｄ１ないしＤｍにより囲まれる領域により規定される複数の画素ユニットと、複数のゲート線Ｇ１ないしＧｍと同じ方向に沿って、複数のデータ線Ｓ１ないしＳｍ及び複数の共用パワー線Ｄ１ないしＤｍと互いに交差し且つ絶縁する１つのダミーゲート線ＧＤと、を含み、ダミーゲート線ＧＤ上で取得したシフトコモン電位を反転して、画素回路に対してコモン電位補償を行う。【選択図】図５
2016081036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイの画素回路であって、
複数のゲート線と、
上記複数のゲート線と互いに交差し且つ絶縁する複数のデータ線と、
上記複数のゲート線と互いに交差し且つ絶縁する複数の共用パワー線と、
上記複数のゲート線、データ線及び共用パワー線により囲まれる領域により規定される複数の画素ユニットと、
上記複数のゲート線と同じ方向に沿って延在し、上記複数のデータ線及び上記複数の共用パワー線と互いに交差し且つ絶縁する１つのダミーゲート線と、を含み、
上記ダミーゲート線上で取得したシフトコモン電位は、上記画素回路に対してコモン電位補償を行うためのものであり、
上記ダミーゲート線は、上記複数のゲート線の一側に位置し、
さらに、上記ダミーゲート線、上記複数のデータ線及び上記複数の共用パワー線により囲まれる領域により規定される複数のダミー画素ユニットを含み、
上記複数のダミー画素ユニットは、上記複数の画素ユニットと同じ回路構造を有する
ことを特徴とする画素回路。
【請求項２】
各上記画素ユニットは、
スイッチゲート電極、スイッチソース電極及びスイッチドレイン電極が設けられる１つのスイッチＴＦＴと、
駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる１つの駆動ＴＦＴと、
第１の維持電極及び第２の維持電極が設けられる１つのコンデンサと、
１つの発光ダイオードと、を含み、
上記スイッチＴＦＴのスイッチゲート電極は、上記ゲート線に接続され、スイッチソース電極は、上記データ線に接続され、スイッチドレイン電極は、第１の維持電極及び上記駆動ＴＦＴの駆動ゲート電極に接続され、駆動ソース電極と第２の維持電極は、それぞれ上記共用パワー線に接続され、駆動ドレイン電極は、上記発光ダイオードユニットの正極に接続され、上記発光ダイオードの負極は、グランドに接続され、
上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、
ＰＭＯＳ構造、
ＮＭＯＳ構造、
又はＣＭＯＳ構造の何れか１つを有し、
上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、
多結晶シリコンＴＦＴ、
又は非結晶シリコンＴＦＴであり、
上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、
上記発光ダイオードは、ＯＬＥＤである
ことを特徴とする請求項１に記載の画素回路。
【請求項３】
各上記画素ユニットは、
スイッチゲート電極、スイッチソース電極及びスイッチドレイン電極が設けられる１つのスイッチＴＦＴと、
駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる１つの駆動ＴＦＴと、
第１の維持電極及び第２の維持電極が設けられる１つのコンデンサと、
１つの発光ダイオードと、を含み、
上記スイッチＴＦＴのスイッチゲート電極は、上記ゲート線に接続され、スイッチソース電極は、上記データ線に接続され、スイッチドレイン電極は、第１の維持電極及び上記駆動ＴＦＴの駆動ゲート電極に接続され、駆動ドレイン電極と第２の維持電極は、それぞれグランドに接続され、駆動ソース電極は、上記発光ダイオードユニットの負極に接続され、上記発光ダイオードの正極は、上記共用パワー線に接続され、
上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、
ＰＭＯＳ構造、
ＮＭＯＳ構造、
又はＣＭＯＳ構造の何れか１つを有し、
上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、
多結晶シリコンＴＦＴ、
又は非結晶シリコンＴＦＴであり、
上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、
上記発光ダイオードは、ＯＬＥＤである
ことを特徴とする請求項１に記載の画素回路。
【請求項４】
各上記画素ユニットは、
第１のスイッチゲート電極、第１のスイッチソース電極及び第１のスイッチドレイン電極が設けられる第１のスイッチＴＦＴと、
第２のスイッチゲート電極、第２のスイッチソース電極及び第２のスイッチドレイン電極が設けられる第２のスイッチＴＦＴと、
駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる１つの駆動ＴＦＴと、
第１の維持電極及び第２の維持電極が設けられる１つのコンデンサと、
１つの発光ダイオードと、を含み、
上記第１のスイッチＴＦＴの第１のスイッチゲート電極は、第１のゲート線に接続され、第１のスイッチソース電極は、上記データ線に接続され、第１のスイッチドレイン電極は、第１の維持電極及び上記駆動ＴＦＴの駆動ゲート電極に接続され、駆動ソース電極と第２の維持電極は、それぞれ上記共用パワー線に接続され、駆動ドレイン電極は、上記第２のスイッチＴＦＴの第２のスイッチソース電極に接続され、上記第２のスイッチゲート電極は、第２のゲート線に接続され、上記第２のスイッチドレイン電極は、上記発光ダイオードユニットの正極に接続され、上記発光ダイオードの負極は、グランドに接続され、
上記第１のゲート線及び上記第２のゲート線から入力した電位レベルは、逆であり、
上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、
ＰＭＯＳ構造、
ＮＭＯＳ構造、
又はＣＭＯＳ構造の何れか１つを有し、
上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、
多結晶シリコンＴＦＴ、
又は非結晶シリコンＴＦＴであり、
上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、
上記発光ダイオードは、ＯＬＥＤである
ことを特徴とする請求項１に記載の画素回路。
【請求項５】
請求項１から４の何れか一項の画素回路に対するコモン電位補償方法であって、
基準コモン電位を取得するステップと、
上記ダミーゲート線上でシフトコモン電位を取得するステップと、
上記シフトコモン電位を反転した後に、上記基準コモン電位までプルアップするステップとを含む
ことを特徴とするコモン電位補償方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイの画素回路に関し、具体的に、ディスプレイの画素回路及びその補償方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）は、自発光の特性を有し、非常に薄い有機材料である塗布層及びガラス基板を利用し、電流が流れると、有機材料が発光し、有機ＥＬ表示パネルの可視角度が大きく、電気エネルギーを顕著に減少できるため、有機ＥＬは、多くの液晶ディスプレイが比べになれない利点を有する。
【０００３】
有機ＥＬは、単純マトリックス型とアクティブマトリックス型とに分けられ、単純マトリックスの場合、画素は、走査線と信号線が互いに交差する箇所においてマトリックス状に配置され、アクティブマトリックス型の場合、各画素は、スイッチングする薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下にＴＦＴと称する）により制御される。
【０００４】
図１は、従来の有機ＥＬの画素回路を示す回路図である。
図１を参照し、従来の有機ＥＬの画素回路は、同じ方向に伸びる複数のゲート線Ｇ１ないしＧｎ、同じ方向に伸びる複数のデータ線Ｓ１ないしＳｍ、同じ方向に伸びる複数の共用パワー線Ｄ１ないしＤｍ及び複数の画素ユニット１０１を含む。なお、データ線の数と共用パワー線の数は同様である。複数のデータ線Ｓ１ないしＳｍと複数のゲート線Ｇ１ないしＧｎとは互いに交差するが、絶縁する。複数の共用パワー線Ｄ１ないしＤｍと複数ゲート線Ｇ１ないしＧｎは互いに交差するが、絶縁する。各画素ユニット１０１は、複数のゲート線、複数のデータ線及び複数の共用パワー線により囲まれる領域により規定される。
【０００５】
なお、画素ユニット１０１の回路図は、図２に示される。各画素ユニット１０１は、スイッチＴＦＴ１０８、駆動ＴＦＴ１１２、コンデンサ１１０及び有機発光ダイオード（以下にＯＬＥＤと称する）１１４を含む。なお、１つの画素１０１は、ゲート線１０２、データ線１０４及び共用パワー線１０６により囲まれる領域により規定される。
【０００６】
ＯＬＥＤ１１４は、画素電極、画素電極上に形成される有機発光層、有機発光層上に形成されるコモン電極を含む。なお、画素電極は、正孔注入電極の陽極であり、コモン電極は、電子注入電極の陰極である。１つの変化例において、有機ＥＬの駆動方法によれば、画素電極が陰極であってもよく、コモン電極が陽極であってもよい。正孔と電子は、それぞれ画素電極とコモン電極から有機発光層に注入され、励起子を形成する。ＯＬＥＤ１１４は、励起子が励起状態から基底状態に変化するときに、発光する。
【０００７】
スイッチＴＦＴ１０８は、スイッチ半導体層（図示せず）、スイッチゲート電極１０７、スイッチソース電極１０３及びスイッチドレイン電極１０５を含む。駆動ＴＦＴ１１２は、駆動半導体層（図示せず）、駆動ゲート電極１１５、駆動ソース電極１１３及び駆動ドレイン電極１１７を含む。
【０００８】
コンデンサ１１０は、第１の維持電極１０９及び第２の維持電極１１１を含み、第１の維持電極１０９と第２の維持電極１１１との間に層間絶縁層が設けられている。
【０００９】
スイッチＴＦＴ１０８は、画素を発光させるかどうかを決定するためのスイッチである。スイッチゲート電極１０７は、ゲート線１０２に接続される。スイッチソース電極１０３は、データ線１０４に接続される。スイッチドレイン電極１０５は、スイッチソース電極１０３と一定距離を空けるように設置され、スイッチドレイン電極１０５は、第１の維持電極１０９に接続される。
【００１０】
駆動ＴＦＴ１１２は、画素電極に駆動パワーを印加し、選択した画素におけるＯＬＥＤ１１４の有機発光層を発光させる。駆動ゲート電極１１５は、第１の維持電極に接続される。駆動ソース電極１１３と第２の維持電極１１１は、それぞれ共用パワー線１０６に接続される。駆動ドレイン電極１１７は、コンタクトホールによりＯＬＥＤ１１４の画素電極に接続される。
【００１１】
上記構造によれば、ゲート線１０２に印加するゲート電圧によりスイッチＴＦＴ１０８を駆動することで、データ線１０４に印加するデータ電圧を駆動ＴＦＴ１１２に伝送する。共用パワー線１０６から駆動ＴＦＴ１１２に伝送したコモン電圧とスイッチＴＦＴ１０８により伝送するデータ電圧との間の電圧差に対応する電圧がコンデンサ１１０に記憶され、コンデンサ１１０に記憶される電圧に対応する電流が駆動ＴＦＴ１１２を経由してＯＬＥＤ１１４に流れることにより、ＯＬＥＤ１１４が発光する。
【００１２】
さらに、有機ＥＬの電圧源は、輝度を影響する要因であり、電圧源の安定度は、有機ＥＬ特性を影響する１つの重要な指標である。
【００１３】
高解像度の有機ＥＬは、既に現在の必然トレンドとなっているが、高解析パネルに起因して充電時間が短くなり、且つデータ線数が増加してしまう。この２つの要素のいずれも、有機ＥＬ電圧源が干渉されて元の安定電位に回復できない問題を招くおそれがある。
【００１４】
具体的には、図３に示した従来の低解像度を有する有機ＥＬのコモン電位が変化する模式図のようである。従来の低解像度を有する有機ＥＬの充電時間が長く、干渉された後にも時間が十分にあって基準コモン電位に回復して正常に電力を供給し、有機ＥＬに正常に発光させることができる。
【００１５】
高解像度を有する有機ＥＬは、データ線数の増加及び充電時間の減少に起因して、干渉されたコモン電位が充電時間内に基準コモン電位に回復することができない。図４に示した高解像度を有する有機ＥＬのコモン電位が変化する模式図を参照する。有機ＥＬは、このような場合に発光輝度が影響される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、ディスプレイの画素回路を提供し、当該画素回路は、複数のゲート線と、上記複数のゲート線と互いに交差し且つ絶縁する複数のデータ線と、上記複数のゲート線と互いに交差し且つ絶縁する複数の共用パワー線と、上記複数のゲート線、データ線及び共用パワー線により囲まれる領域により規定される複数の画素ユニットと、上記複数のゲート線と同じ方向に沿って延在し、上記複数のデータ線及び上記複数の共用パワー線と互いに交差し且つ絶縁する１つのダミーゲート線と、を含み、上記ダミーゲート線上で取得したシフトコモン電位は、上記画素回路に対してコモン電位補償を行うためのものであり、上記ダミーゲート線は、上記複数のゲート線の一側に位置し、さらに、上記ダミーゲート線、上記複数のデータ線及び上記複数の共用パワー線により囲まれる領域により規定される複数のダミー画素ユニットを含み、上記複数のダミー画素ユニットは、上記複数の画素ユニットと同じ回路構造を有する。
【００１７】
好ましくは、各上記画素ユニットは、スイッチゲート電極、スイッチソース電極及びスイッチドレイン電極が設けられる１つのスイッチＴＦＴと、駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる１つの駆動ＴＦＴと、第１の維持電極及び第２の維持電極が設けられる１つのコンデンサと、１つの発光ダイオードと、を含み、上記スイッチＴＦＴのスイッチゲート電極は、上記ゲート線に接続され、スイッチソース電極は、上記データ線に接続され、スイッチドレイン電極は、第１の維持電極及び上記駆動ＴＦＴの駆動ゲート電極に接続され、駆動ソース電極と第２の維持電極は、それぞれ上記共用パワー線に接続され、駆動ドレイン電極は、上記発光ダイオードユニットの正極に接続され、上記発光ダイオードの負極は、グランドに接続され、上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、ＰＭＯＳ構造、ＮＭＯＳ構造、又はＣＭＯＳ構造の何れか１つを有し、上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、多結晶シリコンＴＦＴ、又は非結晶シリコンＴＦＴであり、上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、上記発光ダイオードは、ＯＬＥＤである。
【００１８】
好ましくは、各上記画素ユニットは、スイッチゲート電極、スイッチソース電極及びスイッチドレイン電極が設けられる１つのスイッチＴＦＴと、駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる１つの駆動ＴＦＴと、第１の維持電極及び第２の維持電極が設けられる１つのコンデンサと、１つの発光ダイオードと、を含み、上記スイッチＴＦＴのスイッチゲート電極は、上記ゲート線に接続され、スイッチソース電極は、上記データ線に接続され、スイッチドレイン電極は、第１の維持電極及び上記駆動ＴＦＴの駆動ゲート電極に接続され、駆動ドレイン電極と第２の維持電極は、それぞれグランドに接続され、駆動ソース電極は、上記発光ダイオードユニットの負極に接続され、上記発光ダイオードの正極は、上記共用パワー線に接続され、上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、ＰＭＯＳ構造、ＮＭＯＳ構造、又はＣＭＯＳ構造の何れか１つを有し、上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、多結晶シリコンＴＦＴ、又は非結晶シリコンＴＦＴであり、上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、上記発光ダイオードは、ＯＬＥＤである。
【００１９】
好ましくは、各上記画素ユニットは、第１のスイッチゲート電極、第１のスイッチソース電極及び第１のスイッチドレイン電極が設けられる第１のスイッチＴＦＴと、第２のスイッチゲート電極、第２のスイッチソース電極及び第２のスイッチドレイン電極が設けられる第２のスイッチＴＦＴと、駆動ゲート電極、駆動ソース電極及び駆動ドレイン電極が設けられる１つの駆動ＴＦＴと、第１の維持電極及び第２の維持電極が設けられる１つのコンデンサと、１つの発光ダイオードと、を含み、上記第１のスイッチＴＦＴの第１のスイッチゲート電極は、第１のゲート線に接続され、第１のスイッチソース電極は、上記データ線に接続され、第１のスイッチドレイン電極は、第１の維持電極及び上記駆動ＴＦＴの駆動ゲート電極に接続され、駆動ソース電極と第２の維持電極は、それぞれ上記共用パワー線に接続され、駆動ドレイン電極は、上記第２のスイッチＴＦＴの第２のスイッチソース電極に接続され、上記第２のスイッチゲート電極は、第２のゲート線に接続され、上記第２のスイッチドレイン電極は、上記発光ダイオードユニットの正極に接続され、上記発光ダイオードの負極は、グランドに接続され、上記第１のゲート線及び上記第２のゲート線から入力した電位レベルは、逆であり、上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、ＰＭＯＳ構造、ＮＭＯＳ構造、又はＣＭＯＳ構造の何れか１つを有し、上記スイッチＴＦＴ及び上記駆動ＴＦＴは、多結晶シリコンＴＦＴ、又は非結晶シリコンＴＦＴであり、上記コンデンサは、セラミックコンデンサであり、上記発光ダイオードは、ＯＬＥＤである。
【００２０】
本発明の他の態様によると、上記画素回路に対するコモン電位補償方法を提供し、基準コモン電位を取得するステップと、上記ダミーゲート線上でシフトコモン電位を取得するステップと、上記シフトコモン電位を反転した後に、上記基準コモン電位までプルアップするステップとを含む。
【００２１】
本発明は、有機ＥＬの画素回路にダミーゲート線を追加することに伴い、ダミー画素ユニットを追加し、ダミー画素ユニットと画素ユニットは同様である。当該ダミーゲート線上でシフトのコモン電位をリアルタイムに取得できる。シフトのコモン電位を反転した後基準コモン電位までプルアップすることで、有機ＥＬが正常に発光するようにする。
【００２２】
図面を参照しながら例示的な実施形態を詳細に説明することにより、本発明の上記特徴及び利点及びその他の特徴及び利点は、より明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】従来技術における有機ＥＬの画素回路を模式的に示す回路図である。
【図２】従来技術における有機ＥＬの画素回路の各画素ユニットを模式的に示す回路図である。
【図３】従来技術における低解像度を有する有機ＥＬのコモン電位が変化する模式図である。
【図４】従来技術における高解像度を有する有機ＥＬのコモン電位が変化する模式図である。
【図５】本発明が提供する有機ＥＬの画素回路を模式的に示す回路図である。
【図６】本発明の第１の実施例における有機ＥＬの画素回路の各画素ユニットを模式的に示す回路図である。
【図７】本発明の第２の実施例における有機ＥＬの画素回路の各画素ユニットを模式的に示す回路図である。
【図８】本発明の第３の実施例における有機ＥＬの画素回路の各画素ユニットを模式的に示す回路図である。
【図９】本発明が提供する有機ＥＬの画素回路に対する補償方法を示すフローチャートである。
【図１０】本発明が提供する有機ＥＬの画素回路のコモン電位が変化する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
ここで、図面を参照しながら例示的な実施形態をより全面に説明する。なお、例示的な実施形態は、様々な形式で実施でき、ここで記載する実施形態に限られないことを理解すべきである。逆に、これらの実施形態を提供することにより、本発明を全面且つ完全的にし、例示的な実施形態の思想を当業者に全面に伝達する。図面において、明らかにするために、領域及び層の厚みを誇張して示した。図面において、同じ符号は、同じ或いは類似の構造を示し、よってそれらの詳細な説明を省略する。
【００２５】
図５は、本発明が提供する有機ＥＬの画素回路を模式的に示す回路図である。有機ＥＬの画素回路は、同じ方向に伸びる複数のゲート線Ｇ１ないしＧｎ、同じ方向に伸びる複数のデータ線Ｓ１ないしＳｍ、同じ方向に伸びる複数の共用パワー線Ｄ１ないしＤｍ、複数の画素ユニット２０１、１つのダミーゲート線ＧＤ及び複数のダミー画素ユニット２５０を含む。ダミーゲート線ＧＤで取得するシフトコモン電位は、画素回路に対してコモン電位補償を行う。
【００２６】
なお、データ線の数は、ｍ共用パワー線の数と同じである。複数のデータ線Ｓ１ないしＳｍは、複数のゲート線Ｇ１ないしＧｎと互いに交差するが絶縁する。複数の共用パワー線Ｄ１ないしＤｍ（電位ＶＤＤ）は、複数のゲート線Ｇ１ないしＧｎと互いに交差するが絶縁する。各画素ユニット１０１は、ゲート線、データ線及び共用パワー線により囲まれる領域により規定される。ダミーゲート線ＧＤは、複数のデータ線Ｓ１ないしＳｍ及び複数の共用パワー線Ｄ１ないしＤｍと互いに交差するが絶縁する。ダミーゲート線ＧＤが複数のゲート線の一側に位置することが好ましく、例えば、ゲート線Ｇｎの下側（図５に示す）に位置する。各ダミー画素ユニット２５０は、ダミーゲート線ＧＤ、データ線及び共用パワー線により囲まれる領域により規定される。ダミー画素ユニット２５０は、画素ユニット２０１と同じ回路構造を有する。なお、画素ユニット２０１は１つ或いは複数のＴＦＴ、１つ或いは複数のコンデンサ及び１つの発光ダイオードを含む。ダミー画素ユニット２５０は、他の好適な実施例で、ＴＦＴ、コンデンサ及び発光ダイオードを含まない。
【００２７】
図６は、本発明の第１の実施例の有機ＥＬの画素回路の各画素ユニットを模式的に示す回路図である。各画素ユニット２０１は、スイッチＴＦＴ２０８、駆動ＴＦＴ２１２、コンデンサ２１０及びＯＬＥＤ２１４を含む。なお、１つの画素２０１はゲート線２０２、データ線２０４、共用パワー線２０６により囲まれる領域により規定される。
【００２８】
ＯＬＥＤ２１４は、画素電極、画素電極上に形成される有機発光層及び有機発光層上に形成されるコモン電極を含む。なお、画素電極は、正孔注入電極の陽極であり、コモン電極は、電子注入電極の陰極である。１つの変化例で、有機ＥＬの駆動方法によれば、画素電極が陰極であってもよく、コモン電極が陽極であってもよい。正孔と電子は、それぞれ画素電極とコモン電極から有機発光層に注入され、励起子を形成する。ＯＬＥＤ２１４は、励起子が励起状態から基底状態に変化するときに、発光する。
【００２９】
スイッチＴＦＴ２０８は、スイッチ半導体層（図示せず）、スイッチゲート電極２０７、スイッチソース電極２０３及びスイッチドレイン電極２０５を含む。駆動ＴＦＴ２１２は、駆動半導体層（図示せず）、駆動ゲート電極２１５、駆動ソース電極２１３及び駆動ドレイン電極２１７を含む。
【００３０】
コンデンサ２１０は、第１の維持電極２０９及び第２の維持電極２１１を含み、第１の維持電極２０９と第２の維持電極２１１との間に層間絶縁層が設置される。
【００３１】
スイッチＴＦＴ２０８は、画素を発光させるかどうかを決定するためのスイッチである。スイッチゲート電極２０７は、ゲート線２０２に接続される。スイッチソース電極２０３は、データ線２０４に接続される。スイッチドレイン電極２０５は、スイッチソース電極２０３と一定距離を空けるように設置され、スイッチドレイン電極２０５は第１の維持電極２０９に接続される。
【００３２】
駆動ＴＦＴ２１２は、画素電極に駆動パワーを印加し、選択した画素におけるＯＬＥＤ２１４の有機発光層を発光させる。駆動ゲート電極２１５は第１の維持電極に接続される。駆動ソース電極２１３と第２の維持電極２１１は、それぞれ共用パワー線２０６に接続される。駆動ドレイン電極２１７は、コンタクトホールによりＯＬＥＤ２１４の画素電極に接続される。
【００３３】
上記構造によれば、ゲート線２０２に印加するゲート電圧によりスイッチＴＦＴ２０８を駆動することで、データ線２０４に印加するデータ電圧を駆動ＴＦＴ２１２に伝送する。共用パワー線２０６から駆動ＴＦＴ２１２に伝送したコモン電圧とスイッチＴＦＴ２０８により伝送するデータ電圧との間の電圧差に対応する電圧がコンデンサ２１０に記憶され、コンデンサ２１０に記憶される電圧に対応する電流が駆動ＴＦＴ２１２を経由してＯＬＥＤ２１４に流れることにより、ＯＬＥＤ２１４が発光する。
【００３４】
スイッチＴＦＴ２０８及び駆動ＴＦＴ２１２がＰ型不純物であるＰＭＯＳ構造を有するＴＦＴであることが好ましい。但し、当業者が理解すべきことは、本発明はこれに限られない。よって、ＮＭＯＳ構造を有するＴＦＴ或いはＣＭＯＳ構造を有するＴＦＴは、スイッチＴＦＴ２０８或いは駆動ＴＦＴ２１２に用いることができる。スイッチＴＦＴ２０８及び駆動ＴＦＴ２１２は、多結晶ＴＦＴ、或いは非結晶シリコン層を含む非結晶シリコンＴＦＴであってもよい。コンデンサ２１０は、セラミックコンデンサである。
【００３５】
図７は、本発明の第２の実施例における有機ＥＬの画素回路の各画素ユニットを模式的に示す回路図である。各画素ユニット２０１は、スイッチＴＦＴ３０８、駆動ＴＦＴ３１２、コンデンサ３１０及びＯＬＥＤ３１４を含む。なお、１つの画素ユニット２０１は、ゲート線３０２、データ線３０４及び共用パワー線３０６により囲まれる領域により規定される。
【００３６】
ＯＬＥＤ３１４は、画素電極、画素電極上に形成される有機発光層及び有機発光層上に形成されるコモン電極を含む。なお、画素電極は、正孔注入電極の陽極であり、コモン電極は、電子注入電極の陰極である。１つの変化例において、有機ＥＬの駆動方法によれば、画素電極が陰極であってもよく、コモン電極が陽極であってもよい。正孔と電子は、それぞれ画素電極とコモン電極から有機発光層に注入され、励起子を形成する。ＯＬＥＤ３１４は、励起子が励起状態から基底状態に変化するとき、発光する。
【００３７】
スイッチＴＦＴ３０８は、スイッチ半導体層（図示せず）、スイッチゲート電極３０７、スイッチソース電極３０３及びスイッチドレイン電極３０５を含む。駆動ＴＦＴ３１２は、駆動半導体層（図示せず）、駆動ゲート電極３１５、駆動ソース電極３１３及び駆動ドレイン電極３１７を含む。
【００３８】
コンデンサ３１０は、第１の維持電極３０９及び第２の維持電極３１１を含み、第１の維持電極３０９と第２の維持電極３１１との間に層間絶縁層が設置される。
【００３９】
スイッチＴＦＴ３０８は、画素を発光させるかどうかを決定するためのスイッチである。スイッチゲート電極３０７は、ゲート線３０２に接続される。スイッチソース電極３０３は、データ線３０４に接続される。スイッチドレイン電極３０５は、スイッチソース電極３０３と一定距離を空けるように設置され、スイッチドレイン電極３０５は、第１の維持電極３０９に接続される。
【００４０】
駆動ＴＦＴ３１２は、画素電極に駆動パワーを印加し、選択した画素におけるＯＬＥＤ３１４の有機発光層を発光させる。駆動ゲート電極３１５は、第１の維持電極に接続される。駆動ドレイン電極３１７と第２の維持電極３１１は、それぞれグランドに接続される。駆動ソース電極３１３は、ＯＬＥＤ３１４のコモン電極に接続される。ＯＬＥＤ３１４の画素電極は、共用パワー線３０６に接続される。
【００４１】
上記構造によれば、ゲート線３０２に印加するゲート電圧によりスイッチＴＦＴ３０８を駆動することで、データ線３０４に印加するデータ電圧を駆動ＴＦＴ３１２に伝送する。スイッチＴＦＴ３０８により伝送されるデータ電圧とグランドとの間の電圧差に対応する電圧がコンデンサ３１０に記憶され、コンデンサ３１０に記憶される電圧に対応する電流が駆動ＴＦＴ２１２を経由してＯＬＥＤ３１４に流れることにより、ＯＬＥＤ３１４が発光する。
【００４２】
スイッチＴＦＴ３０８及び駆動ＴＦＴ３１２がＰ型不純物であるＰＭＯＳ構造を有するＴＦＴであることが好ましい。但し、当業者が理解すべきことは、本発明はこれに限られない。よって、ＮＭＯＳ構造を有するＴＦＴ或いはＣＭＯＳ構造を有するＴＦＴは、スイッチＴＦＴ２０８或いは駆動ＴＦＴ３１２に用いることができる。スイッチＴＦＴ３０８及び駆動ＴＦＴ３１２は、多結晶ＴＦＴ、或いは非結晶シリコン層を含む非結晶シリコンＴＦＴであってもよい。コンデンサ３１０は、セラミックコンデンサである。
【００４３】
図８は、本発明の第３の実施例における有機ＥＬの画素回路の各画素ユニットを模式的に示す回路図である。各画素ユニット２０１は、第１のスイッチＴＦＴ４０８、第２のスイッチＴＦＴ４１８、駆動ＴＦＴ４１２、コンデンサ４１０及びＯＬＥＤ４１４を含む。なお、１つの画素ユニット２０１は、第１のゲート線４０２、第２のゲート線４２２、データ線４０４及び共用パワー線４０６により囲まれる領域により規定される。
【００４４】
ＯＬＥＤ４１４は、画素電極、画素電極上に形成される有機発光層と有機発光層上に形成されるコモン電極を含む。なお、画素電極は、正孔注入電極の陽極であり、コモン電極は、電子注入電極の陰極である。１つの変化例において、有機ＥＬの駆動方法によれば、画素電極が陰極であってもよく、コモン電極が陽極であってもよい。正孔と電子は、それぞれ画素電極とコモン電極から有機発光層に注入され、励起子を形成する。ＯＬＥＤ４１４は、励起子が励起状態から基底状態に変化するとき、発光する。
【００４５】
第１のスイッチＴＦＴ４０８は、第１のスイッチ半導体層（図示せず）、第１のスイッチゲート電極４０７、第１のスイッチソース電極４０３及び第１のスイッチドレイン電極４０５を含む。第２のスイッチＴＦＴ４１８は、第２のスイッチ半導体層（図示せず）、第２のスイッチゲート電極４１６、第２のスイッチソース電極４１９及び第２のスイッチドレイン電極４２０を含む。駆動ＴＦＴ４１２は、駆動半導体層（図示せず）、駆動ゲート電極４１５、駆動ソース電極４１３及び駆動ドレイン電極４１７を含む。
【００４６】
コンデンサ４１０は、第１の維持電極４０９及び第２の維持電極４１１を含み、第１の維持電極４０９と第２の維持電極４１１との間に層間絶縁層が設置される。
【００４７】
第１のスイッチＴＦＴ４０８は、画素を発光させるかどうかを決定するためのスイッチとなる。第１のスイッチゲート電極４０７は、第１のゲート線４０２に接続される。第１のスイッチソース電極４０３は、データ線４０４に接続される。第１のスイッチドレイン電極４０５は、第１のスイッチソース電極４０３と一定距離を空けるように設置され、第１のスイッチドレイン電極４０５は、第１の維持電極４０９に接続される。
【００４８】
駆動ＴＦＴ４１２は、画素電極に駆動パワーを印加し、選択した画素におけるＯＬＥＤ４１４の有機発光層を発光させる。駆動ゲート電極４１５は、第１の維持電極に接続される。駆動ソース電極４１３と第２の維持電極４１１は、それぞれ共用パワー線４０６に接続される。駆動ドレイン電極４１７は第２のスイッチＴＦＴ４１８の第２のスイッチソース電極４１９に接続される。
【００４９】
第２のスイッチＴＦＴ４２２は、発光ダイオード４１４の発光を保護するためのスイッチである。第２のスイッチゲート電極４１６は、第２のゲート線４２２に接続される。第２のスイッチソース電極４１９は、駆動ドレイン電極４１７に接続される。第２のスイッチドレイン電極４２０は、ＯＬＥＤ４１４の画素電極に接続される。ＯＬＥＤ４１４のコモン電極は、グランドに接続される。
【００５０】
上記構造によれば、ゲート線４０２に印加するゲート電圧によりスイッチＴＦＴ４０８を駆動することで、データ線４０４に印加するデータ電圧を駆動ＴＦＴ４１２に伝送する。スイッチＴＦＴ４０８により伝送されるデータ電圧とグランドとの間の電圧差に対応する電圧がコンデンサ４１０に記憶され、コンデンサ４１０に記憶される電圧に対応する電流が駆動ＴＦＴ４１２を経由してＯＬＥＤ４１４に流れることにより、ＯＬＥＤ４１４が発光する。
【００５１】
具体的には、第１のゲート線４０２と第２のゲート線４２２から、異なる電位レベルを入力する。第１のゲート線４０２がローレベルを入力し、第２のゲート線４２２がハイレベルを入力する場合、第１のスイッチＴＦＴ４０８がオンし、リニア動作状態に入る。第２のスイッチＴＦＴ４１８は、オフする。データ信号は、第１のスイッチＴＦＴ４０８により駆動ＴＦＴ４１２の駆動ゲート電極４１５に伝達され、コンデンサ４１０は、充電し始め、第２のスイッチＴＦＴ４１８がオフするため、ＯＬＥＤ４１４が発光しない。
【００５２】
第１のゲート線４０２がハイレベルを入力し、第２のゲート線がローレベルを入力する場合、第１のスイッチＴＦＴ４０８がオフする。第２のスイッチＴＦＴ４１８がオンし、リニア動作状態に入る。コンデンサ４１０両端の電圧が変わらず、駆動ＴＦＴ４１２が飽和状態になり、第２のスイッチＴＦＴ４１８がオンし、駆動ＴＦＴ４１２のドレイン電流が第２のスイッチＴＦＴ４１８を経由してＯＬＥＤ４１４に入るため、ＯＬＥＤ４１４が発光しない。
【００５３】
第１のスイッチＴＦＴ４０８及び第２のスイッチＴＦＴ４１２及び駆動ＴＦＴ４１２がＰ型不純物であるＰＭＯＳ構造を有するＴＦＴであることが好ましい。但し、当業者が理解すべきことは、本発明はこれに限られない。よって、ＮＭＯＳ構造を有するＴＦＴ或いはＣＭＯＳ構造を有するＴＦＴは、スイッチＴＦＴ４０８或いは駆動ＴＦＴ４１２に用いることができる。スイッチＴＦＴ４０８及び駆動ＴＦＴ４１２は、多結晶ＴＦＴ、或いは非結晶シリコン層を含む非結晶シリコンＴＦＴであってもよい。コンデンサ４１０は、セラミックコンデンサである。
【００５４】
図９は、本発明が提供する有機ＥＬの画素回路補償方法を示すフローチャートである。図面に示されるように、当該方法は、３つのステップを含む。
【００５５】
ステップＳ１０１において、基準コモン電位を取得する。
ステップＳ１０２において、ダミーゲート線上のシフトコモン電位を取得する。
【００５６】
ステップＳ１０３において、シフトコモン電位を反転した後に基準コモン電位までぷるアップする。
【００５７】
図１０は、本発明が提供する有機ＥＬの画素回路のコモン電位が変化する模式図である。ダミーゲート線上で取得されたシフトコモン電位を反転して基準コモン電位までぷるアップすることで、有機ＥＬを正常に発光させる。
【００５８】
以上、本発明の例示的な実施形態について具体的に説明した。理解すべきことは、本発明は、開示した実施形態に限られず、逆に、請求の範囲の精神及び範囲に含まれる様々な修正と同等な配置を含むことを意図する。
【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図６】
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