(57)【要約】      （修正有）【課題】低消費電力が実現可能な画像表示装置を提供する。【解決手段】画像表示装置は、ガラス基板５１と、ガラス基板５１上にマトリックス状に配置された複数の電界効果型トランジスタと、電界効果トランジスタ上方に所定の方向に形成された複数の第１の隔壁７１と、複数の第１の隔壁７１と交差するように形成された複数の第２の隔壁と、第１の隔壁７１と前記第２の隔壁とにより形成された開口部、並びに、第１の隔壁７１の幅方向の端部上、及び、第２の隔壁の幅方向の端部上に形成され、電界効果型トランジスタに含まれるドレイン電極５８と接続された複数の画素電極７３と、画素電極７３上に形成され、電界効果型トランジスタによって駆動される正孔輸送層７７、及び発光層７８からなる有機ＥＬ層と、を有する。【選択図】図１３Ｂ
2016153888.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上にマトリックス状に配置された複数の電界効果型トランジスタと、
前記電界効果トランジスタ上方に所定の方向に形成された複数の第１の隔壁と、
前記複数の第１の隔壁と交差するように形成された複数の第２の隔壁と、
前記第１の隔壁と前記第２の隔壁とにより形成された開口部、並びに、前記第１の隔壁の幅方向の端部上、及び、前記第２の隔壁の幅方向の端部上に形成され、前記電界効果型トランジスタに含まれるソース電極又はドレイン電極と接続された複数の画素電極と、
前記画素電極上に形成され、前記電界効果型トランジスタによって駆動される光制御素子と、
を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記画素電極が、前記電界効果型トランジスタ上に形成された層間絶縁膜上に形成されており、
前記画素電極が、前記層間絶縁膜を貫通する接続部材を介して前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接続されている請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
更に、前記画素電極を介して前記接続部材を被覆する第３の隔壁を有する請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁が、前記電界効果型トランジスタ上に形成されている請求項１から３のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子を有する請求項１から４のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記光制御素子が、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する請求項１から４のいずれかに記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）業界において有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と称する。）表示素子が注目されている。
前記有機ＥＬ表示素子は、自発光型の表示素子であり、広い色再現性、高速応答性、高視野角、低消費電力などの点から、液晶に代わるディスプレイとして期待されている。
【０００３】
一般的に、有機ＥＬ表示素子においては、画素電極の上に隔壁を作製する（例えば、特許文献１参照）。そして、隔壁により形成される開口部によって表示領域が決定される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬ表示素子を含むディスプレイにおいては、開口率が高いほど表示素子の輝度を高くすることが可能であり、同じ輝度であれば低消費電力とすることが可能となる。
しかし、画素電極の上に隔壁を作製し、隔壁により形成される開口部によって表示領域が決定される場合、画素電極の端部は、隔壁によって被覆されており、発光領域とならないことから、開口率が低下してしまうという問題がある。そして、それは、消費電力の上昇につながる。
【０００５】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、低消費電力が実現可能な画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明の画像表示装置は、
基板と、
前記基板上にマトリックス状に配置された複数の電界効果型トランジスタと、
前記電界効果トランジスタ上方に所定の方向に形成された複数の第１の隔壁と、
前記複数の第１の隔壁と交差するように形成された複数の第２の隔壁と、
前記第１の隔壁と前記第２の隔壁とにより形成された開口部、並びに、前記第１の隔壁の幅方向の端部上、及び、前記第２の隔壁の幅方向の端部上に形成され、前記電界効果型トランジスタに含まれるソース電極又はドレイン電極と接続された複数の画素電極と、
前記画素電極上に形成され、前記電界効果型トランジスタによって駆動される光制御素子と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、従来における前記諸問題を解決することができ、低消費電力が実現可能な画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、トップコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタの一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタの一例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、トップコンタクト・トップゲート型の電界効果型トランジスタの一例を示す概略断面図である。
【図４】図４は、ボトムコンタクト・トップゲート型の電界効果型トランジスタの一例を示す概略断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の画像表示装置の一例の製造方法を説明するための平面図である（その１）。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、図５ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の画像表示装置の一例の製造方法を説明するための平面図である（その２）。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、図６ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の画像表示装置の一例の製造方法を説明するための平面図である（その３）。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図７ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明の画像表示装置の一例の製造方法を説明するための概略図である（その４）。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、図８ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明の画像表示装置の一例の製造方法を説明するための平面図である（そのＡ）。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、図９ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明の画像表示装置の他の一例の平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、図１０ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、本発明の画像表示装置の他の一例の平面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、図１１ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、図１１ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１２】図１２は、ＥＬ素子及び画素電極の組合せの一例を示す概略構成図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、実施例１の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｃは、図１３ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、比較例１の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１４ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図１４Ｃ】図１４Ｃは、図１４ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、実施例２の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、図１５ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図１５Ｃ】図１５Ｃは、図１５ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、比較例２の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、図１６ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図１６Ｃ】図１６Ｃは、図１６ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、実施例３の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、図１７ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図１７Ｃ】図１７Ｃは、図１７ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、比較例３の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、図１８ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図１８Ｃ】図１８Ｃは、図１８ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、実施例４の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、図１９ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図１９Ｃ】図１９Ｃは、図１９ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、比較例４の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、図２０ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図２０Ｃ】図２０Ｃは、図２０ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、実施例５の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、図２１ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図２１Ｃ】図２１Ｃは、図２１ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、比較例５の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、図２２ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図２２Ｃ】図２２Ｃは、図２２ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図２３Ａ】図２３Ａは、実施例６の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図２３Ｂ】図２３Ｂは、図２３ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図２３Ｃ】図２３Ｃは、図２３ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（画像表示装置）
本発明の画像表示装置は、
基板と、
前記基板上にマトリックス状に配置された複数の電界効果型トランジスタと、
前記電界効果トランジスタ上方に所定の方向に形成された複数の第１の隔壁と、
前記複数の第１の隔壁と交差するように形成された複数の第２の隔壁と、
前記電界効果型トランジスタに含まれるソース電極又はドレイン電極と接続された複数の画素電極と、
前記画素電極上に形成され、前記電界効果型トランジスタによって駆動される光制御素子と、
を有する。
【００１０】
前記画像表示装置において前記画素電極は、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁とにより形成された開口部、並びに、前記第１の隔壁の幅方向の端部上、及び、前記第２の隔壁の幅方向の端部上に形成されている。
係る構成により、開口率を上げることができ、更には、低消費電力を実現することができる。
【００１１】
前記画素電極は、例えば、前記電界効果型トランジスタ上に形成された層間絶縁膜上に形成されており、前記画素電極は、前記層間絶縁膜を貫通する接続部材を介して前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接続されている。
【００１２】
前記画像表示装置は、例えば、更に、前記画素電極を介して前記接続部材を被覆する第３の隔壁を有する。
【００１３】
＜基板＞
前記基板の形状、構造、及び大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００１４】
前記基板の材質としては、例えば、ガラス、プラスチックなどが挙げられる。
前記基板は、多層構造であってもよい。例えば、プラスチック又はガラスの表面に、アモルファス複合金属酸化物などが形成された多層構造であってもよい。
前記プラスチックとしては、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などが挙げられる。
【００１５】
前記基板は、表面の清浄化及び密着性向上の点から、酸素プラズマ、ＵＶオゾン、ＵＶ照射洗浄等の前処理がされることが好ましい。
【００１６】
＜電界効果型トランジスタ＞
複数の前記電界効果型トランジスタは、前記基板上にマトリックス状に配置される。
前記電界効果型トランジスタは、例えば、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層と、ゲート絶縁層とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００１７】
−ゲート電極−
前記ゲート電極としては、ゲート電圧を印加するための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００１８】
前記ゲート電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属乃至合金、ＩＴＯ、ＡＴＯ等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）等の有機導電体などが挙げられる。
【００１９】
前記ゲート電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００２０】
前記ゲート電極の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００２１】
−ソース電極、及びドレイン電極−
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極としては、電流を取り出すための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２２】
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記ゲート電極の説明において記載した材質と同じ材質が挙げられる。
【００２３】
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記ゲート電極の説明において記載した形成方法と同じ方法が挙げられる。
【００２４】
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００２５】
−活性層−
前記活性層は、前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられた層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２６】
前記活性層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シリコン半導体、酸化物半導体、有機半導体などが挙げられる。前記シリコン半導体としては、例えば、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）などが挙げられる。前記酸化物半導体としては、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉ−Ｚ−Ｏ、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏなどが挙げられる。これらの中でも酸化物半導体が好ましい。
【００２７】
前記活性層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００２８】
前記活性層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５ｎｍ〜１μｍが好ましく、１０ｎｍ〜０．５μｍがより好ましい。
【００２９】
−ゲート絶縁層−
前記ゲート絶縁層としては、前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられた絶縁層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００３０】
前記ゲート絶縁層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等の既に広く量産に利用されている材料や、Ｌａ２Ｏ３、ＨｆＯ２等の高誘電率材料、ポリイミド（ＰＩ）やフッ素系樹脂等の有機材料などが挙げられる。
【００３１】
前記ゲート絶縁層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、原子層蒸着（ＡＬＤ）等の真空成膜法、スピンコート、ダイコート、インクジェット等の印刷法などが挙げられる。
【００３２】
前記ゲート絶縁層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５０ｎｍ〜３μｍが好ましく、１００ｎｍ〜１μｍがより好ましい。
【００３３】
前記電界効果型トランジスタの構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トップコンタクト・ボトムゲート型（図１）、ボトムコンタクト・ボトムゲート型（図２）、トップコンタクト・トップゲート型（図３）、ボトムコンタクト・トップゲート型（図４）などが挙げられる。図１〜図４において、符号１１は、基板であり、符号１２は、ゲート電極であり、符号１３は、ゲート絶縁層であり、符号１４は、ソース電極であり、符号１５は、ドレイン電極であり、符号１６は、活性層である。また図示しないが、適宜保護層が設けられていても良い。
【００３４】
＜層間絶縁膜＞
前記層間絶縁膜は、例えば、前記電界効果型トランジスタ上に形成される。
前記層間絶縁膜は、前記電界効果型トランジスタ上に貫通孔を有する状態で形成されたものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００３５】
前記層間絶縁膜は、前記電界効果型トランジスタの有する段差を平坦化する、所謂「平坦化膜」であることが好ましい。前記電界効果型トランジスタの有する段差を平坦化することで、均一な表示性能を有する画像表示装置を得ることができる。
【００３６】
前記層間絶縁膜の材質としては、例えば、無機材料、有機材料などが挙げられる。前記無機材料としては、例えば、金属酸化物（ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ等）、複合金属酸化物などが挙げられる。前記有機材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、ポリシロキサン樹脂、有機無機ハイブリッド材料などが挙げられる。
【００３７】
前記層間絶縁膜の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ、スピンコーティング、スリットコーティング等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、ノズルプリンティング、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００３８】
前記層間絶縁膜の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．５μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、１μｍ以上５μｍ以下がより好ましい。
【００３９】
＜接続部材＞
前記接続部材としては、前記層間絶縁膜の前記貫通孔内に形成され、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と前記画素電極とを接続する部材であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００４０】
前記接続部材の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属乃至合金、ＩＴＯ、ＡＴＯ等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）等の有機導電体などが挙げられる。
【００４１】
前記接続部材の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ、スピンコーティング、スリットコーティング、メッキコーティング等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、ノズルプリンティング、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
前記接続部材は、前記画素電極を形成する際に同時に形成されても良く、別に形成されても良い。
【００４２】
また、前記接続部材を形成する際には、平坦な表面が得られるよう、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理などの平坦化のプロセスを適宜利用しても良い。
例えば、スパッタ、スピンコーティング、スリットコーティング、メッキコーティング等による成膜後、ＣＭＰ処理により前記層間絶縁膜上に形成された膜を除去することで、前記層間絶縁膜表面に対して段差が無い前記接続部材を形成することが可能である。
また、インクジェット、ナノインプリント、ノズルプリンティング、グラビア等の印刷プロセスの条件を最適化することでも、前記層間絶縁膜表面に対して段差が無い前記接続部材を形成することが可能である。
【００４３】
また、前記接続部材は、前記層間絶縁膜を形成する前に形成されても良い。具体的には、前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に前記接続部材として導電性バンプを形成し、その後にインクジェット、ナノインプリント、グラビア、ノズルプリンティング等により、層間絶縁膜を形成することで、前記接続部材、前記層間絶縁膜、及び前記貫通孔を得ることができる。
【００４４】
＜第１の隔壁、及び第２の隔壁＞
前記第１の隔壁は、前記電界効果型トランジスタ上に所定の方向に複数形成される。
前記第２の隔壁は、前記第１の隔壁と交差する方向に複数形成される。
【００４５】
前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁により、開口部が形成される。
例えば、前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁により、前記層間絶縁膜上には前記接続部材を含んだ開口部が形成される。
【００４６】
前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、ポリシロキサン樹脂といった有機材料や、有機無機ハイブリッド材料などが挙げられる。また、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ等の金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物などでも良い。第１の隔壁、及び第２の隔壁は同一の材料でも良く、別の材料でも良い。
【００４７】
前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ、スピンコーティング、スリットコーティング等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、ノズルプリンティング、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００４８】
前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の濡れ性は、特に制限されることはないが、後述する前記画素電極をインクジェットプロセス等の印刷プロセスで形成する場合、前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁は、撥液性を有しており、前記層間絶縁膜は親液性を有した状態となることが好ましい。
例えば、前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の原料として撥液性の感光性有機材料を用い、スピンコーティング、スリットコーティング等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングすることで撥液性の前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁を形成し、その後ＵＶオゾン処理を行うことで前記層間絶縁膜上を親液化する方法や、前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の原料として撥液性の感光性有機材料インクを用い、インクジェットプロセスにより撥液性の前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁を形成し、その後ＵＶオゾン処理を行うことで前記層間絶縁膜上を親液化する方法が挙げられる。
また、層間絶縁膜が金属酸化物材料、又は金属酸化物を含む材料である場合には、前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の原料として有機材料を用い、（ｉ）スパッタ、スピンコーティング、スリットコーティング等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、ノズルプリンティング、グラビア等の印刷プロセスによって前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁を形成し、その後、ＣＦ４プラズマ処理により前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の表面のみを選択的に撥液化処理してもよい。尚、酸素プラズマ処理、ＣＦ４プラズマ処理は低圧または常圧のどちらの方式であってもよい。
【００４９】
前記層間絶縁膜の表面における親液性は、純水に対しての接触角が、３０°以下であることが好ましく、２０°以下であることがより好ましい。前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の表面における撥液性は、純水に対しての接触角が、４０°〜１１０°であることが好ましく、６０°〜１００°であることがより好ましい。
【００５０】
前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の幅としては、特に制限されることはないが、画像表示装置を高解像度とする観点から、前記画素電極を分離できる限り、小さいことが好ましい。具体的には３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。
【００５１】
前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の最大高さとしては、特に制限されることはないが、５０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１００ｎｍ〜５μｍがより好ましい。
【００５２】
前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の形状としては、特に制限されることはないが、台形状、又は円弧状の断面形状であることが好ましい。
【００５３】
＜画素電極＞
前記画素電極は、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁とにより形成された開口部、並びに、前記第１の隔壁の幅方向の端部上、及び、前記第２の隔壁の幅方向の端部上に形成される。
前記画素電極は、前記電界効果型トランジスタに含まれる前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接続されている。
前記画素電極と前記第１の隔壁とが重なる領域において、前記画素電極は前記第１の隔壁の上に形成されており、前記画素電極と前記第２の隔壁が重なる領域において、前記画素電極は前記第２の隔壁の上に形成されているため、画素電極が形成されている領域全体を表示領域とすることができ、画像表示装置の開口率を大きくすることができる。更には、低消費電力を実現できる。
【００５４】
また、本発明の画像表示装置においては、隔壁（第１の隔壁、又は第２の隔壁）が、製造プロセス上の制約から、幅広の隔壁しか作製できない場合であっても、前記画素電極は、前記隔壁の幅方向の端部上にも形成されるため、前記製造プロセス上の制約に影響されずに、開口率を大きくすることができる。
【００５５】
前記画素電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属や、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金等の合金、ＩＴＯ、ＡＴＯ等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）等の有機導電体などが挙げられる。
【００５６】
前記画素電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００５７】
前記画素電極の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００５８】
前記第１の隔壁上に形成される前記画素電極の一部の幅、言い換えれば、前記画素電極と前記第１の隔壁とが重なる領域の幅（前記第１の隔壁の幅方向の幅）としては、前記画素電極が、前記第１の隔壁の高さが最大ではない領域に形成されている限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。開口率を大きくすることができるという観点から、より大きく形成されることが好ましい。
前記画素電極と前記第１の隔壁とが重なる領域が上記範囲を超え、前記第１の隔壁の高さが最大となる領域に画素電極が形成されると、後に記述する上部電極と接触し、ショートが発生してしまう。
【００５９】
例えば、前記第１の隔壁が台形状（左右対称）の断面形状を有しており、下底の幅をＡμｍ、上底の幅をＢμｍ、前記画素電極と前記第１の隔壁とが重なる領域の幅をＸμｍとした時、Ｘは、下記式を満たす。
０＜Ｘ＜（Ａ−Ｂ）／２
【００６０】
例えば、前記第１の隔壁が円弧状の断面形状を有しており、その幅をＡμｍ、前記画素電極と前記第１の隔壁とが重なる領域の幅をＸμｍとした時、Ｘは、下記式を満たす。
０＜Ｘ＜Ａ／２
【００６１】
前記第２の隔壁上に形成される前記画素電極の一部の幅、言い換えれば、前記画素電極と前記第２の隔壁とが重なる領域の幅（前記第２の隔壁の幅方向の幅）としては、前記画素電極が、前記第２の隔壁の高さが最大ではない領域に形成されている限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。開口率を大きくすることができるという観点から、より大きく形成されることが好ましい。
前記画素電極と前記第２の隔壁とが重なる領域が上記範囲を超え、隔壁の高さが最大となる領域に画素電極が形成されると、後に記述する上部電極と接触し、ショートが発生してしまう。
【００６２】
例えば、前記第２の隔壁が台形状（左右対称）の断面形状を有しており、下底の幅をＡμｍ、上底の幅をＢμｍ、前記画素電極と前記第２の隔壁とが重なる領域の幅をＸμｍとした時、Ｘは、下記式を満たす。
０＜Ｘ＜（Ａ−Ｂ）／２
【００６３】
例えば、前記第２の隔壁が円弧状の断面形状を有しており、その幅をＡμｍ、前記画素電極と前記第２の隔壁とが重なる領域の幅をＸμｍとした時、Ｘは、下記式を満たす。
０＜Ｘ＜Ａ／２
【００６４】
＜光制御素子＞
前記光制御素子としては、例えば、駆動信号に応じて光出力が制御される素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、エレクトロクロミック（ＥＣ）素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。
【００６５】
前記光制御素子は、前記画素電極上に形成され、前記電界効果型トランジスタによって駆動される。
前記ＥＬ素子は、例えば、ＥＬ薄膜層と、上部電極（陰極又は陽極）とを有する。なお、前記上部電極（陰極又は陽極）は、前記ＥＬ薄膜層の前記画素電極側とは反対側に形成される。
【００６６】
前記陰極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金、アルミニウム（Ａｌ）−リチウム（Ｌｉ）合金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などが挙げられる。なお、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金は、充分厚ければ高反射率電極となるが、極薄膜（２０ｎｍ程度未満）では半透明電極となる。
【００６７】
前記陽極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、銀（Ａｇ）−ネオジウム（Ｎｄ）合金などが挙げられる。なお、銀合金を用いた場合は、高反射率電極となり、陰極側から光を取り出す場合に好適である。
【００６８】
前記ＥＬ薄膜層は、例えば、電子輸送層と、発光層と、正孔輸送層とを有する。前記電子輸送層は、前記陰極に接続され、前記正孔輸送層は、前記陽極に接続されている。前記陽極と前記陰極との間に所定の電圧を印加すると、前記発光層が発光する。
【００６９】
＜第３の隔壁＞
また、本発明の画像表示装置は、第３の隔壁を有していてもよい。前記第３の隔壁は、前記画素電極を介して前記接続部材を被覆する。前記第３の隔壁は、前記接続部材全体を被覆し、かつ前記第１の隔壁又は前記第２の隔壁を部分的に被覆していることが好ましい。
【００７０】
前記接続部材の部分が平坦でなく表示特性に不具合が生じる場合、前記第３の隔壁を設けることにより、前記接続部材の領域を表示領域外とすることができるため、効果的である。
【００７１】
前記第３の隔壁の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の説明において例示した隔壁の材質などが挙げられる。
【００７２】
前記第３の隔壁の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記第１の隔壁、及び前記第２の隔壁の説明において例示した隔壁の形成方法などが挙げられる。
【００７３】
以下に、図を用いて、本発明の画像表示装置の一例を、その製造方法とともに説明する。
図５Ａ〜図５Ｃは、本発明の画像表示装置の一例の製造方法を説明するための概略図である（その１）。図５Ａは、平面図であり、図５Ｂは、図５ＡのＡ−Ａ’断面図であり、図５Ｃは、図５ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
本発明の画像表示装置の一例の製造においては、まず、基板２１上に電界効果型トランジスタを作製する。
前記電界効果型トランジスタは、ゲート電極２２と、ソース電極２４と、ドレイン電極２５と、活性層２６と、ゲート絶縁層２３と、保護層２７とを有する。
図５Ａ〜図５Ｃに示す電界効果型トランジスタの製造においては、まず、基板２１上に、ゲート電極２２が形成される。続いて、基板２１上及びゲート電極２２上に、ゲート絶縁層２３が形成される。続いて、ゲート絶縁層２３上に、ソース電極２４及びドレイン電極２５が形成される。続いて、ソース電極２４及びドレイン電極２５間にチャネルが形成されるように活性層２６が形成される。更に、活性層２６を覆うように保護層２７が形成される。
更に、電界効果型トランジスタを覆うように、層間絶縁膜２８が形成される。その際、層間絶縁膜２８にはドレイン電極２５が露出するような貫通孔が形成される。
前記電界効果型トランジスタは、基板２１上に、マトリックス状に作製される。
【００７４】
図６Ａ〜図６Ｃは、本発明の画像表示装置の一例の製造方法を説明するための概略図である（その２）。図６Ａは、平面図であり、図６Ｂは、図６ＡのＡ−Ａ’断面図であり、図６Ｃは、図６ＡのＢ−Ｂ’断面図である。なお、図６Ａ〜図６Ｃにおいて、図５Ａ〜図５Ｃにおいて示した符号は省略している。
図５Ａ〜図５Ｃの構造を作製した後、続いて、図６Ａ〜図６Ｂに示すように、層間絶縁膜２８上に、第１の隔壁３０、及び第２の隔壁３１が形成される。
第１の隔壁３０は、前記電界効果トランジスタ上方に所定の方向に複数形成される。
第２の隔壁３１は、複数の第１の隔壁３０と交差するように複数形成される。
この際、第１の隔壁３０及び第２の隔壁は、層間絶縁膜２８に形成された貫通孔を覆わない。
第１の隔壁３０及び第２の隔壁３１により、層間絶縁膜２８上に開口部が形成される。
【００７５】
図７Ａ〜図７Ｃは、本発明の画像表示装置の一例の製造方法を説明するための概略図である（その３）。図７Ａは、平面図であり、図７Ｂは、図７ＡのＡ−Ａ’断面図であり、図７Ｃは、図７ＡのＢ−Ｂ’断面図である。なお、図７Ａ〜図７Ｃにおいて、図５Ａ〜図５Ｃ、及び図６Ａ〜図６Ｃにおいて示した符号は省略している。
図６Ａ〜図６Ｃの構造を作製した後、続いて、図７Ａ〜図７Ｂに示すように、層間絶縁膜２８の貫通孔に接続部材３３を充填するとともに、第１の隔壁３０及び第２の隔壁３１により形成される開口部に画素電極３２を形成する。この際、画素電極３２は、第１の隔壁３０の幅方向の端部上、及び第２の隔壁３１の幅方向の端部上にも形成される。更に、画素電極３２は、接続部材３３を介して、ドレイン電極２５と接続されている。
なお、画素電極３２と接続部材３３とは、同時に形成されてもよいし、別に形成されてもよい。
また、図９Ａ〜図９Ｃに示すように、接続部材３３は、第１の隔壁３０及び第２の隔壁３１が形成される前に形成されてもよい。例えば、図５Ａ〜図５Ｃに示す構造を形成した後に、図９Ａ〜図９Ｃに示す構造を形成し、続いて、第１の隔壁３０及び第２の隔壁３１を形成し、続いて、画素電極３２を形成して、図７Ａ〜図７Ｃに示す構造を形成してもよい。なお、図９Ａ〜図９Ｃにおいて、図５Ａ〜図５Ｃにおいて示した符号は省略している。
【００７６】
図８Ａ〜図８Ｃは、本発明の画像表示装置の一例の製造方法を説明するための概略図である（その４）。図８Ａは、平面図であり、図８Ｂは、図８ＡのＡ−Ａ’断面図であり、図８Ｃは、図８ＡのＢ−Ｂ’断面図である。なお、図８Ａ〜図８Ｃにおいて、図５Ａ〜図５Ｃ、図６Ａ〜図６Ｃ、及び図７Ａ〜図７Ｃにおいて示した符号は省略している。
図７Ａ〜図７Ｃの構造を作製した後、続いて、図８Ａ〜図８Ｂに示すように、陽極としての画素電極３２上に、正孔輸送層３４、発光層３５、及び陰極３６をこの順で形成する。また、陰極３６は、第１の隔壁３０、及び第２の隔壁３１上にも形成される。なお、発光層３５、第１の隔壁３０、及び第２の隔壁３１上に形成された陰極３６は、電気的に接続されている。
図８Ａ〜図８Ｃの画像表示装置は、画素電極３２が第１の隔壁３０、及び第２の隔壁３１の上にも形成されていることから、第１の隔壁３０、及び第２の隔壁３１によって形成される開口部よりも広い領域を発光領域とすることが可能となる。
【００７７】
また、本発明の画像表示装置は、第３の隔壁を有していてもよい。前記第３の隔壁は、前記画素電極を介して前記接続部材を被覆する。前記第３の隔壁は、前記接続部材全体を被覆し、かつ前記第１の隔壁又は前記第２の隔壁を部分的に被覆していることが好ましい。
前記接続部材の部分が平坦でなく表示特性に不具合が生じる場合、前記第３の隔壁を設けることにより、前記接続部材の領域を表示領域外とすることができるため、効果的である。
そのような第３の隔壁を有する本発明の画像表示装置の態様としては、例えば、図１０Ａ〜図１０Ｃに示す態様が挙げられる。なお、図１０Ａ〜図１０Ｃにおいて、図５Ａ〜図５Ｃ、図６Ａ〜図６Ｃ、及び図７Ａ〜図７Ｃにおいて示した符号は省略している。
図１０Ａ〜図１０Ｃの画像表示装置においては、図５Ａ〜図５Ｃ、図６Ａ〜図６Ｃ、及び図７Ａ〜図７Ｃにおいて示した順で、画像表示装置の製造を行った後に、画素電極３２上に、画素電極３２を介して接続部材３３を被覆し、かつ、第１の隔壁３０を部分的に被覆するように、第３の隔壁３７を形成する。その後、画素電極３２上に、正孔輸送層３４、発光層３５、及び陰極３６をこの順で形成する。陰極３６は、第１の隔壁３０、第２の隔壁３１、及び第３の隔壁３７上にも形成される。
【００７８】
更に、本発明の画像表示装置は、電界効果型トランジスタ上に直接に第１の隔壁が形成され、前記第１の隔壁と交差する方向に第２の隔壁が形成され、前記第１の隔壁と前記第２の隔壁とにより形成された開口部、前記第１の隔壁の幅方向の端部上、前記第２の隔壁の幅方向の端部上、及びドレイン電極２５上に、画素電極が形成される構造であってもよい。そのような構造としては、例えば、図１１Ａ〜図１１Ｃに示す構造が挙げられる。なお、図１１Ａ〜図１１Ｃにおいて、図５Ａ〜図５Ｃ、図６Ａ〜図６Ｃ、及び図７Ａ〜図７Ｃにおいて示した符号は省略している。また、図８Ａ〜図８Ｃに示す符号と同じ符号は同じ部材を意味する。
【００７９】
図１２は、本発明の画層表示装置に使用しうるＥＬ素子及び画素電極の組合せの一例を示す概略構成図である。
図１２において、ＥＬ素子３５０は、陰極３１２と、陽極３１４と、ＥＬ薄膜層３４０とを有する。例えば、陽極３１４が画素電極に対応する。
図１２では陰極半透明電極とし、陰極側から光を取り出しているが、陽極を透明、陰極を高反射率電極とすることによって陽極側から光を取り出すこともできる。
前記ＥＬ薄膜層３４０は、電子輸送層３４２と、発光層３４４と、正孔輸送層３４６とを有する。電子輸送層３４２は、陰極３１２に接続され、正孔輸送層３４６は、陽極３１４に接続されている。陽極３１４と陰極３１２との間に所定の電圧を印加すると、発光層３４４が発光する。
ここで、電子輸送層３４２と発光層３４４とが１つの層を形成してもよく、また、電子輸送層３４２と陰極３１２との間に電子注入層が設けられてもよく、更に、正孔輸送層３４６と陽極３１４との間に正孔注入層が設けられてもよい。
図１２では、前記光制御素子として、基材側から光を取り出すいわゆる「トップエミッション」の有機ＥＬ素子の場合について説明したが、前記光制御素子は、基材と反対側から光を取り出す「ボトムエミッション」の有機ＥＬ素子であってもよい。
【実施例】
【００８０】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００８１】
（実施例１）
図１３Ａ〜図１３Ｃに示すような、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００８２】
−ゲート電極の形成−
最初に、ガラス基板５１上に第一のゲート電極５２及び第二のゲート電極５３を形成した。具体的には、ガラス基板５１上に、ＤＣスパッタリングによりＭｏ膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるよう成膜した。この後、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される第一のゲート電極５２及び第二のゲート電極５３のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＭｏ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、第一のゲート電極５２及び第二のゲート電極５３を形成した。
【００８３】
−ゲート絶縁層の形成−
次に、ゲート絶縁層５４を形成した。具体的には、第一のゲート電極５２、第二のゲート電極５３及びガラス基板５１上に、ＲＦスパッタリングによりＳｉＯ２膜を平均膜厚が約３００ｎｍになるように成膜した。この後、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート絶縁層５４のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＳｉＯ２膜を除去し、この後、レジストパターンも除去することによりゲート絶縁層５４を形成した。
【００８４】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
次に、第一のソース電極５５及び第二のソース電極５７、並びに第一のドレイン電極５６及び第二のドレイン電極５８を形成した。具体的には、ゲート絶縁層５４上にＤＣスパッタリングにより透明導電膜であるＩＴＯ膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜し、この後、ＩＴＯ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される第一のソース電極５５及び第二のソース電極５７、並びに第一のドレイン電極５６及び第二のドレイン電極５８のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＩＴＯ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、ＩＴＯ膜からなる第一のソース電極５５及び第二のソース電極５７、並びに第一のドレイン電極５６及び第二のドレイン電極５８を形成した。
【００８５】
−酸化物半導体層の形成−
次に、第一の酸化物半導体層５９及び第二の酸化物半導体層６０を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される第一の酸化物半導体層５９及び第二の酸化物半導体層６０のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＭｇ−Ｉｎ系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、第一の酸化物半導体層５９及び第二の酸化物半導体層６０を形成した。これにより、第一のソース電極５５と第一のドレイン電極５６との間にチャネルが形成されるように第一の酸化物半導体層５９が形成された。また、第二のソース電極５７と第二のドレイン電極５８との間にチャネルが形成されるように第二の酸化物半導体層６０が形成された。
【００８６】
−保護層の形成−
次に、第一の保護層６１及び第二の保護層６２を形成した。具体的には、ＣＶＤ法によりＳｉＯＮ膜を平均膜厚が約３００ｎｍになるように成膜した。この後、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される第一の保護層６１及び第二の保護層６２のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＳｉＯＮ膜を除去し、この後、レジストパターンも除去することにより第一の保護層６１及び第二の保護層６２を形成した。
【００８７】
−層間絶縁膜の形成−
次に、層間絶縁膜６３を形成した。具体的には、ポジ型感光性有機材料（スミレジンエクセルＣＲＣシリーズ、住友ベークライト株式会社製）をスピンコートにより塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、所望のパターンを得た。その後、３２０℃で３０分間のポストベークをすることにより、第二のドレイン電極５８上にスルーホールを有した層間絶縁膜６３を形成した。このように形成された層間絶縁膜６３の平均膜厚は、約３μｍであった。形成されたスルーホールは、層間絶縁膜６３の第二のドレイン電極５８と接する面において径が１０μｍ、その反対側の面において径が２０μｍの順テーパ形状あった。
【００８８】
−接続部材の形成−
次に、接続部材７４を形成した。具体的には、前記スルーホールを有した層間絶縁膜６３上に、Ｃｕのシードを成膜後、メッキコーティングにより平均膜厚５μｍのＣｕ膜を成膜した。さらにＣＭＰ処理を実施することにより層間絶縁膜６３上のＣｕ膜を除去し、前記スルーホール内のみにＣｕが充填された接続部材７４を形成した。
【００８９】
−第１の隔壁及び第２の隔壁の形成−
次に、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。材料としては、感光性ポリイミド溶液（ＤＬ−１０００、東レ社製）を用い、スピンコート、プリベーク、露光装置による露光、現像、及び２３０℃３０分間のポストベークをすることにより、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２は台形状の断面形状であった。台形状である第１の隔壁７１の下底の幅は８０μｍ、上底の幅は４０μｍ、傾斜（テーパ）領域は片側２０μｍであった。また、台形状である第２の隔壁７２の下底の幅は２０μｍ、上底の幅は１０μｍ、傾斜（テーパ）領域は片側５μｍであった。高さは第１の隔壁７１、第２の隔壁７２共に１μｍであった。また、第１の隔壁と第２の隔壁により形成される開口部の大きさは１３０μｍ×５０μｍであった。
【００９０】
−画素電極の形成−
次に、画素電極７３を形成した。具体的には、層間絶縁膜６３上にＤＣスパッタリングにより高反射率電極であるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜し、この後、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、画素電極７３のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更にウェットエッチングによりレジストパターンの形成されていない領域のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜からなる画素電極７３を形成した。平均膜厚は約１００ｎｍであった。画素電極７３は第１の隔壁７１上に片側１５μｍ、第２の隔壁７２上に片側３μｍ被覆する形状となっており、画素電極サイズは１６０μｍ×５６μｍであった。
【００９１】
−有機ＥＬ層の形成−
続いて、正孔輸送層７７、及び発光層７８を形成した。正孔輸送層インクとしては、水を溶媒とする固形分濃度１質量％の３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）溶液を用い、インクジェットにより正孔輸送層７７を第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２が形成する開口部に形成した。また、発光層インクとしては、メシチレンを溶媒とする固形分濃度１質量％の高分子有機ＥＬ発光材料溶液を用い、インクジェットにより第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２が形成する開口部に発光層７８を形成した。
【００９２】
−上部電極の形成−
次に、上部電極８０を形成した。具体的には、ＭｇＡｇを真空蒸着することにより、発光層７８、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２上に上部電極８０を形成した。
【００９３】
−封止層の形成−
次に、封止層８１を形成した。具体的には、ＰＥＣＶＤによりＳｉＮｘ膜を平均膜厚が約２μｍとなるように成膜することにより、上部電極８０上に封止層８１を形成した。
【００９４】
−貼合せ−
次に、対向基板８３との貼合せを行った。具体的には、封止層８１の上に、接着層８２を形成し、ガラス基板からなる対向基板８３を貼り合せた。これにより、図１３Ａ〜図１３Ｃに示す構成の有機ＥＬ表示装置の表示パネルを作製した。
【００９５】
−駆動回路の接続−
次に、駆動回路を接続した。具体的には、前記表示パネルに不図示の駆動回路を接続し、表示パネルにおいて画像を表示することができるようにした。これにより、有機ＥＬ表示装置を作製した。作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は１６０μｍ×５６μｍ、開口率は約６１％と良好であり、低消費電力な表示パネルとすることができた。
【００９６】
（比較例１）
図１４Ａ〜図１４Ｃに示すような、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００９７】
−画素電極の形成−
ガラス基板５１上に第一のゲート電極５２〜層間絶縁膜６３を実施例１と全く同じ方法で形成した。
次に、画素電極７３を形成した。具体的には、層間絶縁膜６３上にＤＣスパッタリングにより高反射率電極であるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜し、この後、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、画素電極７３のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更にウェットエッチングによりレジストパターンの形成されていない領域のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜からなる画素電極７３を形成した。平均膜厚は約１００ｎｍであった。画素電極サイズは１６０μｍ×５６μｍであった。
【００９８】
−第１の隔壁及び第２の隔壁の形成−
次に、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。材料としては、感光性ポリイミド溶液（ＤＬ−１０００、東レ社製）を用い、スピンコート、プリベーク、露光装置による露光、現像、及び２３０℃３０分間のポストベークをすることにより、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。第１の隔壁７１の幅は８０μｍ、第２の隔壁７２の幅は２０μｍ、高さは第１の隔壁７１、第２の隔壁７２共に１μｍであった。また、第１の隔壁と第２の隔壁により形成される開口部の大きさは１３０μｍ×５０μｍであった。
【００９９】
その後、正孔輸送層７７〜対向基板８３、及び駆動回路を実施例１と全く同じ方法で形成した。作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は１３０μｍ×５０μｍ、開口率は約４４％であり、実施例１で作製した有機ＥＬ表示パネルと比較して消費電力の大きい表示パネルとなった。
【０１００】
（実施例２）
図１５Ａ〜図１５Ｃに示すような、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１０１】
ガラス基板５１上に第一のゲート電極５２〜層間絶縁膜６３を実施例１と全く同じ方法で形成した。
次に、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を、実施例１と全く同じ方法で形成した。
【０１０２】
−画素電極及び接続部材の形成−
次に、画素電極７３、及び接続部材７４を形成した。具体的には、層間絶縁膜６３上にＤＣスパッタリングにより高反射率電極であるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜し、この後、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、画素電極７３のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更にウェットエッチングによりレジストパターンの形成されていない領域のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜からなる画素電極７３、及び接続部材７４を形成した。平均膜厚は約１００ｎｍであった。画素電極７３は、第１の隔壁７１上に片側１５μｍ、第２の隔壁７２上に片側３μｍ被覆する形状となっており、画素電極サイズは１６０μｍ×５６μｍであった。
【０１０３】
続いて第１の隔壁７１の一部、及び接続部材７４を被覆するように、第３の隔壁７５を形成した。材料としては、感光性ポリイミド溶液（ＤＬ−１０００、東レ社製）を用い、スピンコート、プリベーク、露光装置による露光、現像、及び２３０℃３０分間のポストベークをすることにより、第３の隔壁７５を形成した。第３の隔壁７５の幅は９１μｍ、第１の隔壁７１と重なる領域の幅は５１μｍであり、第１の隔壁７１の端部から第３の隔壁の端部までの幅は１２０μｍとなった。また、第３の隔壁７５の高さは画素電極７３上で１μｍ、第１の隔壁上で０．５μｍであった。
【０１０４】
その後、正孔輸送層７７〜対向基板８３、及び駆動回路を実施例１と全く同じ方法で形成した。作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は１０５ｍ×５６μｍ、開口率は約４１％であり、低消費電力な表示パネルとすることができた。
【０１０５】
（比較例２）
図１６Ａ〜図１６Ｃに示すような、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１０６】
ガラス基板５１上に第一のゲート電極５２〜層間絶縁膜６３を実施例１と全く同じ方法で形成した。
【０１０７】
−画素電極及び接続部材の形成−
次に、画素電極７３、及び接続部材７４を形成した。具体的には、層間絶縁膜６３上にＤＣスパッタリングにより高反射率電極であるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜し、この後、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、画素電極７３のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更にウェットエッチングによりレジストパターンの形成されていない領域のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜からなる画素電極７３、及び接続部材７４を形成した。平均膜厚は約１００ｎｍであった。画素電極サイズは１６０μｍ×５６μｍであった。
【０１０８】
−第１及び第２の隔壁の形成−
次に、第１及び第２の隔壁７１、７２を形成した。第１の隔壁７１が、接続部材７４を被覆するような構造とした。材料としては、感光性ポリイミド溶液（ＤＬ−１０００、東レ社製）を用い、スピンコート、プリベーク、露光装置による露光、現像、及び２３０℃３０分間のポストベークをすることにより、第１及び第２の隔壁７１、７２を形成した。第１の隔壁７１の幅は１２０μｍ、高さは１μｍ、第２の隔壁７２の幅は２０μｍ、高さは１μｍであった。また、第１の隔壁と第２の隔壁とにより形成される開口部の大きさは９０μｍ×５０μｍであった。
【０１０９】
その後、正孔輸送層７７〜対向基板８３、及び駆動回路を実施例１と全く同じ方法で形成した。作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は９０μｍ×５０μｍ、開口率は約３１％であり、実施例２で作製した有機ＥＬ表示パネルと比較して消費電力の大きい表示パネルとなった。
【０１１０】
（実施例３）
図１７Ａ〜図１７Ｃに示すような、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１１１】
ガラス基板５１上に第一のゲート電極５２〜第２の保護層６２を実施例１と全く同じ方法で形成した。
【０１１２】
−第１の隔壁及び第２の隔壁の形成−
次に、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。材料としては、感光性ポリイミド溶液（ＤＬ−１０００、東レ社製）を用い、スピンコート、プリベーク、露光装置による露光、現像、及び２３０℃３０分間のポストベークをすることにより、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。第１の隔壁７１の幅は１２０μｍ、第２の隔壁７２の幅は２０μｍ、高さは第１の隔壁７１、第２の隔壁７２共に１μｍであった。また、第１の隔壁と第２の隔壁により形成される開口部の大きさは９０μｍ×５０μｍであった。
【０１１３】
−画素電極の形成−
次に、画素電極７３を形成した。具体的には、第１の隔壁７１、第２の隔壁７２、及びドレイン電極５８上にＤＣスパッタリングにより高反射率電極であるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜し、この後、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、画素電極７３のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更にウェットエッチングによりレジストパターンの形成されていない領域のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜からなる画素電極７３を形成した。平均膜厚は約１００ｎｍであった。画素電極７３は第１の隔壁７１上に片側１５μｍ、第２の隔壁７２上に片側３μｍ被覆する形状となっており、画素電極サイズは１２０μｍ×５６μｍであった。
【０１１４】
その後、正孔輸送層７７〜対向基板８３、及び駆動回路を実施例１と全く同じ方法で形成した。作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は１２０μｍ×５６μｍ、開口率は約４６％であり、低消費電力な表示パネルとすることができた。
【０１１５】
（比較例３）
図１８Ａ〜図１８Ｃに示すような、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１１６】
ガラス基板５１上に第一のゲート電極５２〜第２の隔壁７２を実施例３と全く同じ方法で形成した。本比較例の有機ＥＬ表示装置では、ドレイン電極５８を画素電極として利用し、正孔輸送層７７〜対向基板８３、及び駆動回路を実施例３と全く同じ方法で形成した。作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は９０μｍ×５６μｍ、開口率は約３４％であり、実施例３で作製した有機ＥＬ表示パネルと比較して消費電力の大きい表示パネルとなった。
【０１１７】
（実施例４）
図１９Ａ〜図１９Ｃに示すような、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１１８】
ガラス基板５１上に第一のゲート電極５２〜第２の保護層６２を実施例１と全く同じ方法で形成した。
【０１１９】
−層間絶縁膜の形成−
次に、層間絶縁膜６３を形成した。具体的には、ポジ型感光性有機材料（スミレジンエクセルＣＲＣシリーズ、住友ベークライト株式会社製）をスピンコートにより塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、所望のパターンを得た。その後、３２０℃で３０分間のポストベークをすることにより、第二のドレイン電極５８上にスルーホールを有した層間絶縁膜６３を形成した。このように形成された層間絶縁膜６３の平均膜厚は、約３μｍであった。形成されたスルーホールは、層間絶縁膜６３の第二のドレイン電極５８と接する面において径が５μｍ、その反対側の面において径が１０μｍの順テーパ形状あった。
【０１２０】
−接続部材の形成−
次に、接続部材７４を形成した。具体的には、前記スルーホールを有した層間絶縁膜６３上に、Ｃｕのシードを成膜後、メッキコーティングにより平均膜厚５μｍのＣｕ膜を成膜した。さらにＣＭＰ処理を実施することにより層間絶縁膜６３上のＣｕ膜を除去し、前記スルーホール内のみにＣｕが充填された接続部材７４を形成した。
【０１２１】
−第１の隔壁及び第２の隔壁の形成−
次に、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。材料としては、感光性ポリイミド溶液（ＤＬ−１０００、東レ社製）を用い、スピンコート、プリベーク、露光装置による露光、現像、及び２３０℃３０分間のポストベークをすることにより、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２は台形状の断面形状であった。台形状である第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２の下底の幅は２０μｍ、上底の幅は１０μｍ、傾斜（テーパ）領域は片側５μｍであった。高さは第１の隔壁７１、第２の隔壁７２共に１μｍであった。また、第１の隔壁と第２の隔壁により形成される開口部の大きさは１９０μｍ×５０μｍであった。
【０１２２】
−画素電極の形成−
次に、画素電極７３を形成した。具体的には、層間絶縁膜６３上にＤＣスパッタリングにより高反射率電極であるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜し、この後、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、画素電極７３のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更にウェットエッチングによりレジストパターンの形成されていない領域のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜からなる画素電極７３を形成した。平均膜厚は約１００ｎｍであった。画素電極７３は第１の隔壁７１上に片側３μｍ、第２の隔壁７２上に片側３μｍ被覆する形状となっており、画素電極サイズは１９６μｍ×５６μｍであった。
【０１２３】
その後、正孔輸送層７７〜対向基板８３、及び駆動回路を実施例１と全く同じ方法で形成した。作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は１９６μｍ×５６μｍ、開口率は約７５％であり、低消費電力な表示パネルとすることができた。
【０１２４】
（比較例４）
図２０Ａ〜図２０Ｃに示すような、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１２５】
−画素電極の形成−
ガラス基板５１上に第一のゲート電極５２〜層間絶縁膜６３を実施例４と全く同じ方法で形成した。
次に、画素電極７３を形成した。具体的には、層間絶縁膜６３上にＤＣスパッタリングにより高反射率電極であるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜し、この後、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、画素電極７３のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更にウェットエッチングによりレジストパターンの形成されていない領域のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜からなる画素電極７３を形成した。平均膜厚は約１００ｎｍであった。画素電極サイズは１９６μｍ×５６μｍであった。
【０１２６】
−第１の隔壁及び第２の隔壁の形成−
次に、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。材料としては、感光性ポリイミド溶液（ＤＬ−１０００、東レ社製）を用い、スピンコート、プリベーク、露光装置による露光、現像、及び２３０℃３０分間のポストベークをすることにより、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。第１の隔壁７１の幅は８０μｍ、第２の隔壁７２の幅は２０μｍ、高さは第１の隔壁７１、第２の隔壁７２共に１μｍであった。また、第１の隔壁と第２の隔壁により形成される開口部の大きさは１９０μｍ×５０μｍであった。
【０１２７】
その後、正孔輸送層７７〜対向基板８３、及び駆動回路を実施例１と全く同じ方法で形成した。作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は１９０μｍ×５０μｍ、開口率は約６５％であり、実施例４で作製した有機ＥＬ表示パネルと比較して消費電力の大きい表示パネルとなった。
【０１２８】
（実施例５）
図２１Ａ〜図２１Ｃに示すような、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１２９】
ガラス基板５１上に第一のゲート電極５２〜層間絶縁膜６３を実施例４と全く同じ方法で形成した。
次に、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を、実施例４と全く同じ方法で形成した。
【０１３０】
−画素電極及び接続部材の形成−
次に、画素電極７３、及び接続部材７４を形成した。具体的には、層間絶縁膜６３上にＤＣスパッタリングにより高反射率電極であるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜し、この後、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、画素電極７３のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更にウェットエッチングによりレジストパターンの形成されていない領域のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜からなる画素電極７３、及び接続部材７４を形成した。平均膜厚は約１００ｎｍであった。画素電極７３は、第１の隔壁７１上に片側３μｍ、第２の隔壁７２上に片側３μｍ被覆する形状となっており、画素電極サイズは１９６μｍ×５６μｍであった。
【０１３１】
続いて第１の隔壁７１の一部、及び接続部材７４を被覆するように、第３の隔壁７５を形成した。材料としては、感光性ポリイミド溶液（ＤＬ−１０００、東レ社製）を用い、スピンコート、プリベーク、露光装置による露光、現像、及び２３０℃３０分間のポストベークをすることにより、第３の隔壁７５を形成した。第３の隔壁７５の幅は３７μｍ、第１の隔壁７１と重なる領域の幅は１０μｍであり、第１の隔壁７１の端部から第３の隔壁の端部までの幅は４７μｍとなった。また、第３の隔壁７５の高さは画素電極７３上で１μｍ、第１の隔壁上で０．５μｍであった。
【０１３２】
その後、正孔輸送層７７〜対向基板８３、及び駆動回路を実施例４と全く同じ方法で形成した。作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は１６６μｍ×５６μｍ、開口率は約６３％であり、低消費電力な表示パネルとすることができた。
【０１３３】
（比較例５）
図２２Ａ〜図２２Ｃに示すような、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１３４】
ガラス基板５１上に第一のゲート電極５２〜層間絶縁膜６３を実施例４と全く同じ方法で形成した。
【０１３５】
−画素電極及び接続部材の形成−
次に、画素電極７３、及び接続部材７４を形成した。具体的には、層間絶縁膜６３上にＤＣスパッタリングにより高反射率電極であるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜し、この後、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、画素電極７３のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更にウェットエッチングによりレジストパターンの形成されていない領域のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜からなる画素電極７３、及び接続部材７４を形成した。平均膜厚は約１００ｎｍであった。画素電極サイズは１９６μｍ×５６μｍであった。
【０１３６】
−第１及び第２の隔壁の形成−
次に、第１及び第２の隔壁７１、７２を形成した。第１の隔壁７１が、接続部材７４を被覆するような構造とした。材料としては、感光性ポリイミド溶液（ＤＬ−１０００、東レ社製）を用い、スピンコート、プリベーク、露光装置による露光、現像、及び２３０℃３０分間のポストベークをすることにより、第１及び第２の隔壁７１、７２を形成した。第１の隔壁７１の幅は４７μｍ、高さは１μｍ、第２の隔壁７２の幅は２０μｍ、高さは１μｍであった。また、第１の隔壁と第２の隔壁により形成される開口部の大きさは１６３μｍ×５０μｍであった。
【０１３７】
その後、正孔輸送層７７〜対向基板８３、及び駆動回路を実施例４と全く同じ方法で形成した。作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は１６３μｍ×５０μｍ、開口率は約５５％であり、実施例５で作製した有機ＥＬ表示パネルと比較して消費電力の大きい表示パネルとなった。
【０１３８】
実施例１〜５、比較例１〜５の有機ＥＬ表示装置の画素電極サイズ、発光面積、開口率について、表１に示す。
【０１３９】
【表１】
2016153888.tif 000003
【０１４０】
（実施例６）
実施例１において第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を以下のインクジェットプロセスで形成した以外は実施例１と全く同じ方法で図２３Ａ〜図２３Ｃに示す有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１４１】
−第１の隔壁及び第２の隔壁の形成−
塗布インクとしては、感光性ポリイミド溶液（ＤＬ−１０００、東レ社製）をγ−ブチロラクトンを用いて質量比で３倍に希釈した塗布インクを用い、インクジェット装置により１５回重ね塗りした後、２３０℃３０分間のポストベークをすることにより、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２は円弧形状であった。第１の隔壁７１の幅は８０μｍ、第２の隔壁７２の幅は２０μｍ、高さは第１の隔壁７１、第２の隔壁７２共に１μｍであった。
【０１４２】
作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は１６０μｍ×５６μｍ、開口率は約６１％と良好であり、低消費電力な表示パネルとすることができた。
【０１４３】
（実施例７）
図１３Ａ〜図１３Ｃに示すような、有機ＥＬ表示装置を作製した。
ガラス基板５１上に第一のゲート電極５２〜層間絶縁膜６３を実施例１と全く同じ方法で形成した。
【０１４４】
−第１の隔壁及び第２の隔壁の形成−
次に、第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。材料としては、感光性ポリイミド溶液（ＤＬ−１０００、東レ社製）に撥液性を有するフッ素樹脂を添加した塗布液を用い、スピンコート、プリベーク、露光装置による露光、現像、及び２３０℃３０分間のポストベークをすることにより、撥液性を有する第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２を形成した。第１の隔壁７１、及び第２の隔壁７２は台形状の断面形状であった。台形状である第１の隔壁７１の下底の幅は８０μｍ、上底の幅は２０μｍ、傾斜（テーパ）領域は片側３０μｍであった。また、台形状である第２の隔壁７２の下底の幅は２０μｍ、上底の幅は５μｍ、傾斜（テーパ）領域は片側７．５μｍであった。高さは第１の隔壁７１、第２の隔壁７２共に１μｍであった。また、第１の隔壁と第２の隔壁により形成される開口部の大きさは１３０μｍ×５０μｍであった。
【０１４５】
−画素電極及び接続部材の形成−
次に、画素電極７３、及び接続部材７４を形成した。具体的には、ＵＶオゾン処理によって、第１の隔壁７１及び第２の隔壁７２の表面は撥液性、層間絶縁膜６３の表面は親液性の状態とした後、層間絶縁膜６３上にナノＡｇインク（アルバック製Ａｇ１ｔｅＨ）を用いて、インクジェットプロセスにより画素電極７３、及び接続部材７４を形成した。画素電極７３の平均膜厚は約１００ｎｍであった。画素電極７３は、第１の隔壁７１上に片側２５μｍ、第２の隔壁７２上に片側５μｍ被覆する形状となっており、画素電極サイズは１８０μｍ×６０μｍであった。
【０１４６】
その後、正孔輸送層７７〜対向基板８３、及び駆動回路を実施例１と全く同じ方法で形成した。作製した有機ＥＬ表示パネルの発光面積は１８０μｍ×６０μｍ、開口率は約７３％であり、低消費電力な表示パネルとすることができた。
【０１４７】
本発明の態様は、例えば、以下のとおりである。
＜１＞  基板と、
前記基板上にマトリックス状に配置された複数の電界効果型トランジスタと、
前記電界効果トランジスタ上方に所定の方向に形成された複数の第１の隔壁と、
前記複数の第１の隔壁と交差するように形成された複数の第２の隔壁と、
前記第１の隔壁と前記第２の隔壁とにより形成された開口部、並びに、前記第１の隔壁の幅方向の端部上、及び、前記第２の隔壁の幅方向の端部上に形成され、前記電界効果型トランジスタに含まれるソース電極又はドレイン電極と接続された複数の画素電極と、
前記画素電極上に形成され、前記電界効果型トランジスタによって駆動される光制御素子と、
を有することを特徴とする画像表示装置である。
＜２＞  前記画素電極が、前記電界効果型トランジスタ上に形成された層間絶縁膜上に形成されており、
前記画素電極が、前記層間絶縁膜を貫通する接続部材を介して前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接続されている前記＜１＞に記載の画像表示装置である。
＜３＞  更に、前記画素電極を介して前記接続部材を被覆する第３の隔壁を有する前記＜２＞に記載の画像表示装置である。
＜４＞  前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁が、前記電界効果型トランジスタ上に形成されている前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の画像表示装置である。
＜５＞  前記光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子を有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の画像表示装置である。
＜６＞  前記光制御素子が、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の画像表示装置である。
【符号の説明】
【０１４８】
１１    基材
１２    ゲート電極
１３    ゲート絶縁層
１４    ソース電極
１５    ドレイン電極
１６    活性層
２２    ゲート電極
２３    ゲート絶縁層
２４    ソース電極
２５    ドレイン電極
２６    活性層
２７    保護層
２８    層間絶縁膜
３０    第１の隔壁
３１    第２の隔壁
３２    画素電極
３３    接続部材
３４    正孔輸送層
３５    発光層
３６    陰極
３７    第３の隔壁
５１    第一のガラス基板
５２    第一のゲート電極
５３    第二のゲート電極
５４    ゲート絶縁層
５５    第一のソース電極
５６    第一のドレイン電極
５７    第二のソース電極
５８    第二のドレイン電極
５９    第一の酸化物半導体層
６０    第二の酸化物半導体層
６１    第一の保護層
６２    第二の保護層
６３    層間絶縁膜
７１    第１の隔壁
７２    第２の隔壁
７３    画素電極
７４    接続部材
７５    第３の隔壁
７７    正孔輸送層
７８    発光層
８０    上部電極
８１    封止層
８２    接着層
８３    対向基板
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１４９】
【特許文献１】特開２０１３−１６８４７８号公報
【図１５Ｂ】
2016153888.tif 000004
【図１６Ａ】
2016153888.tif 000005
【図１６Ｂ】
2016153888.tif 000006
【図１６Ｃ】
2016153888.tif 000007
【図１９Ａ】
2016153888.tif 000008
【図１９Ｂ】
2016153888.tif 000009
【図１９Ｃ】
2016153888.tif 000010
【図２０Ａ】
2016153888.tif 000011
【図２０Ｂ】
2016153888.tif 000012
【図２０Ｃ】
2016153888.tif 000013
【図２１Ａ】
2016153888.tif 000014
【図２１Ｂ】
2016153888.tif 000015
【図２１Ｃ】
2016153888.tif 000016
【図２２Ａ】
2016153888.tif 000017
【図２２Ｂ】
2016153888.tif 000018
【図２２Ｃ】
2016153888.tif 000019
【図１】
2016153888.tif 000020
【図２】
2016153888.tif 000021
【図３】
2016153888.tif 000022
【図４】
2016153888.tif 000023
【図５Ａ】
2016153888.tif 000024
【図５Ｂ】
2016153888.tif 000025
【図５Ｃ】
2016153888.tif 000026
【図６Ａ】
2016153888.tif 000027
【図６Ｂ】
2016153888.tif 000028
【図６Ｃ】
2016153888.tif 000029
【図７Ａ】
2016153888.tif 000030
【図７Ｂ】
2016153888.tif 000031
【図７Ｃ】
2016153888.tif 000032
【図８Ａ】
2016153888.tif 000033
【図８Ｂ】
2016153888.tif 000034
【図８Ｃ】
2016153888.tif 000035
【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｃ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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