(57)【要約】      （修正有）【課題】導体パッド間に形成された導体配線パターンの隣接する配線のイオンマイグレーションを低減することができるプリント配線基板を提供する。【解決手段】プリント配線基板は、第２絶縁層２６と、第２絶縁層２６の上に形成された複数の導体パッド３４，３４と、導体パッド３４，３４間に形成された第１導体パターン３０および第２導体パターン４０を有した導体配線パターン６０とを備え、第１導体パターン３０は複数の第１配線３１，３１，…を有し、第２導体パターン４０は複数の第２配線４１，４１，…を有し、第１配線３１，３１，…と第２配線４１，４１，…とは、第２絶縁層２６の上で交互に配列されており、第１配線３１には、第２絶縁層２６との界面に第１金属層３３が設けられ、第２配線４１には、第２絶縁層２６との界面に第２金属層４３が設けられ、第１金属層３３と第２金属層４３とは異なる金属からなる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成されかつ、基板実装部品に接続される複数の導体パッドと、
前記導体パッド間の前記絶縁層の上に形成された第１導体パターンおよび第２導体パターンを有した導体配線パターンと、を備えるプリント配線基板であって、
前記第１導体パターンは複数の第１配線を有し、前記第２導体パターンは複数の第２配線を有し、前記第１配線と前記第２配線とは、前記絶縁層の上で交互に配列されており、
前記各第１配線には、前記絶縁層との界面に第１金属層が設けられており、
前記各第２配線には、前記絶縁層との界面に第２金属層が設けられており、
前記第１金属層と第２金属層とは、異なる金属からなる。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線基板において、
前記第１金属層は、銅からなる層であり、
前記第２金属層は、チタン、チタン化合物、およびニッケルの少なくとも1種の金属からなる層である。
【請求項３】
請求項２に記載のプリント配線基板において、
前記第１金属層は、無電解めっきにより形成された層であり、
前記第２金属層は、スパッタリングにより形成された層である。
【請求項４】
請求項３に記載のプリント配線基板において、
前記第２配線は、前記第２金属層の上に、スパッタリングにより形成された第１銅層と、該第１銅層の上に電気めっきにより形成された第２銅層とをさらに備える。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載のプリント配線基板において、
前記第１配線および前記第２配線のそれぞれの配線幅は、１〜５μｍである。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載のプリント配線基板において、
前記第１配線と前記第２配線との配線間隔は、１〜５μｍである。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載のプリント配線基板において、
前記各第１配線の厚みと、前記各第２配線の厚みとは、基準となる配線厚みに対して、７０％〜１３０％の範囲内にある。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載のプリント配線基板において、
前記絶縁層は、３０〜８０質量％の無機フィラーを含有したエポキシ樹脂からなる層である。
【請求項９】
請求項１〜７の何れか一項に記載のプリント配線基板において、
前記絶縁層は、感光性樹脂である。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載のプリント配線基板において、
前記プリント配線基板には、複数の導体層が積層されており、
前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンを有した前記導体配線パターンは、複数の導体層のうち最外層に位置する導体層の一部である。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプリント配線基板において、
前記複数の導体パッドの上表面と前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンを有した前記導体配線パターンの上表面とは同一の平面上に位置する。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載のプリント配線基板において、
前記導体配線パターンと前記導体パッドとの間隔は、５〜１５μｍの範囲にある。
【請求項１３】
請求項１〜１２の何れか一項に記載のプリント配線基板において、
前記絶縁層を挟んで、前記導体配線パターンと反対側には内部導電回路層がさらに形成されている。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプリント配線基板において、
前記内部導電回路層は、前記導体配線パターンの配列方向に延在する、平面状の導体層を有している。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプリント配線基板において、
前記平面状の導体層は、グランド層に電気的に接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層の上に導体パッドと導体配線パターンとを備えたプリント配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＩＣチップ（半導体素子）等の基板実装部品を実装するプリント配線基板が知られている。プリント配線基板は、絶縁層と導体層が交互に積層された基板であり、プリント配線基板の表面の絶縁層には、基板実装部品に接続される複数の導体パッドと、複数の配線からなる導体配線パターンと、が形成されている（例えば、特許文献１参照）。導体配線パターンを構成する各配線には、絶縁層との界面に無電解銅めっきで形成された金属層（シード層）が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２４２６３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したプリント配線基板の導体配線パターンは、基板実装部品に接続された導体パッド間に形成されているため、基板実装部品からの熱を受けやすく、隣接する配線の金属層同士に、イオンマイグレーションが生じ易い。これにより、隣接する配線間が短絡するおそれがあった。特に、近年のＩＣチップの微細化、高集積化に伴い、配線同士の間隔は狭くなる傾向にあるため、このような現象は生じやすい。
【０００５】
本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、導体パッド間に形成された導体配線パターンの隣接する配線のイオンマイグレーションを低減することができるプリント配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決すべく、本発明に係るプリント配線基板は、絶縁材料からなる絶縁層と、前記絶縁層の上に形成されかつ、基板実装部品に接続される複数の導体パッドと、前記導体パッド間の前記絶縁層の上に形成された第１導体パターンおよび第２導体パターンを有した導体配線パターンと、を備えるプリント配線基板であって、前記第１導体パターンは複数の第１配線を有し、前記第２導体パターンは複数の第２配線を有し、前記第１配線と前記第２配線とは、前記絶縁層の上で交互に配列されており、前記各第１配線には、前記絶縁層との界面に第１金属層が設けられており、前記各第２配線には、前記絶縁層との界面に第２金属層が設けられており、前記第１金属層と第２金属層とは、異なる金属からなる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、第１金属層と第２金属層は異なる金属からなるので、第１および第２の金属層のうち、イオンマイグレーションが生じ易い一方の金属層の間には、イオンマイグレーションが生じ難い他方の金属層が存在することになる。これにより、イオンマイグレーションが生じ易い一方の金属層のイオンマイグレーションが抑制される。このような結果、イオンマイグレーションが起因となった配線間のショートを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線基板の模式的断面図。
【図２】図１に示すプリント配線基板の最外層の部分拡大図。
【図３】図２に示す導電パッド間近傍のＡ−Ａ線矢視断面図。
【図４】図１に示す第１実施形態の係るプリント配線基板の変形例を示した模式的断面図。
【図５】図１に示す第１実施形態の係るプリント配線基板のさらなる変形例を示した模式的断面図。
【図６】図１に示すプリント配線基板の製造方法を説明するためのフロー図。
【図７Ａ】図６のステップＳ６１に示すコア基板の準備および貫通孔の形成を説明する模式図。
【図７Ｂ】図６のステップＳ６２に示す第１導体層の形成を説明する模式図。
【図７Ｃ】図６のステップＳ６３に示す第１絶縁層の形成を説明する模式図。
【図７Ｄ】図６のステップＳ６４に示す第１絶縁層にビアホールを形成することを説明する模式図。
【図７Ｅ】図６のステップＳ６５に示す第２導体層のシード層の形成を説明する模式図。
【図７Ｆ】図６のステップＳ６６に示す第２導体層用のレジスト層の形成を説明する模式図。
【図７Ｇ】図６のステップＳ６７に示す第２導体層の形成を説明する模式図。
【図７Ｈ】図６のステップＳ６８に示す第２絶縁層の形成を説明する模式図。
【図８】図６に示すステップＳ６９の最外導体層の形成の詳細を説明するフロー図。
【図９Ａ】図８のステップＳ８１の第２絶縁層にビアホールを形成することを説明する模式図。
【図９Ｂ】図８のステップＳ８２に示す第１導体パターン用の第１シード層（第１金属層）を無電解めっきで形成することを説明する模式図。
【図９Ｃ】図８のステップＳ８３に示す第１導体パターン用の第１レジスト層の形成を説明する模式図。
【図９Ｄ】図８のステップＳ８４に示す第１シード層の露呈した部分に電気めっきすることを説明する模式図。
【図９Ｅ】図８のステップＳ８５に示す第１シード層のエッチングで第１配線パターンの形成を説明する模式図。
【図９Ｆ】図８のステップＳ８６に示す第２導体パターン用の第２シード層（第２金属層等）をスパッタリングで形成することを説明する模式図。
【図９Ｇ】図８のステップＳ８７に示す第２導体パターン用の第２レジスト層の形成を説明する模式図。
【図９Ｈ】図８のステップＳ８８に示す第２シード層の露呈した部分に電気めっきすることを説明する模式図。
【図９Ｉ】図８のステップＳ８９に示す第２シード層の第１銅層のエッチングを説明する模式図。
【図９Ｊ】図８のステップＳ９０に示す第２シード層のチタン層のエッチングで、第２配線パターンの形成を説明する模式図。
【図１０Ａ】本発明の第２実施形態に係るプリント配線基板の模式的断面図。
【図１０Ｂ】図１０Ａに示すプリント配線基板の模式的平面図。
【図１０Ｃ】図１０Ｂに示す２つの基板実装部品間の配線状態を示した模式図。
【図１１】図１０に示す第２実施形態の係るプリント配線基板の変形例を示した模式的断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明に係るプリント配線基板の２つ実施形態およびその変形例について説明する。図面の説明において、同じ構成には同じ符号を付し、一部詳細な説明を省略する。
【００１０】
〔第１実施形態〕
１．プリント配線基板
１−１．内部の導体層および絶縁層
図１に示すように、本実施形態に係るプリント配線基板１Ａは、基板実装部品を表面に固定し、その部品間を配線で接続することで電子回路を構成する板状またはフィルム状の部品であり、本実施形態では、プリント配線基板１Ａは多層積層配線板である。
【００１１】
具体的には、プリント配線基板１Ａは、コア基板１１を挟んで、コア基板１１の上にそれぞれ絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ多層積層配線板であり、スルーホール導体１９を介してその両側が電気的に接続されている。本実施形態では、プリント配線基板１Ａは、コア基板１１の中心軸ＣＬを挟んで、上下対称の構造になっている。したがって、以下の説明においては、中心軸ＣＬよりも上側（片側）のみを説明する。なお、本実施形態では、プリント配線基板１Ａは、中心軸ＣＬを挟んで上下対称の構造となっているが、接続される基板実装部品に合わせて、非対称の構造であってもよく、その構造は限定されるものではない。
【００１２】
また、本実施形態では、基板実装部品５を１つ搭載した例を示しているが、後述する第２実施形態の如く、これらを複数搭載してもよい。基板実装部品５は、たとえば、ＭＰＵ（Micro-Processing Unit）、またはＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）などの半導体素子である。
【００１３】
コア基板１１の表面には、第１導体層１５が形成されており、第１導体層１５は、無電解めっき層１３および電気めっき層１４が順次積層された層である。無電解めっき層１３は、絶縁材料からなるコア基板１１の表面に電解めっきを行う（電気めっき層１４を形成する）ためのシード層であり、このシード層は、スパッタリングにより形成された層であってもよい。第１導体層１５は、第１絶縁層１６で覆われている。第１絶縁層１６は、３０〜８０質量％の無機フィラーを含有した熱硬化性エポキシ樹脂、または、感光性樹脂からなる。
【００１４】
第１絶縁層１６内には、第１導体層１５と導通する第１導体ビア２８が形成されており、第１絶縁層１６の表面には、第２導体層２５が形成されている。第２導体層２５は、第１導体層１５と同様に、無電解めっき層２３および電気めっき層２４が順次積層された層である。第２導体層２５は、第２絶縁層２６でさらに覆われている。第２絶縁層２６は、第１絶縁層１６と同じ材料である。
【００１５】
このように、第２絶縁層２６を設けることにより、第１導体層１５および第２導体層２５は、第２絶縁層２６を挟んで、後述する導体配線パターン６０と反対側に形成された内部導電回路層となる。本実施形態では、内部導電回路層である第２導体層２５は、後述する導体配線パターン６０の一部の配列方向に延在した平面状（薄膜状）の導体層２９をさらに有している。平面状の導体層２９は、第２導体層２５の一部を構成するグランド層に電気的に接続されている（図示せず）。
【００１６】
１−２．最外層に位置する導体層（最外導体層）
第２絶縁層２６の上には、複数の導体層のうち最外層に位置する導体層が形成されている。この導体層は、基板実装部品４に接続される複数の導体パッド３４，３４…と、導体パッド３４，３４の間に形成された導体配線パターン６０とで構成されている。各導体パッド３４は、第２絶縁層２６の内部に形成された第２導体ビア３８を介して、第２導体層２５に電気的に接続されている。複数の導体パッド３４の上表面と導体配線パターン６０の上表面とは同一の平面上に位置している。
【００１７】
図１〜３に示すように、導体配線パターン６０は、導体パッド３４，３４間の第２絶縁層２６の上に形成された第１導体パターン３０および第２導体パターン４０を有している。第１導体パターン３０は複数の第１配線３１，３１，…を有し、第２導体パターン４０は複数の第２配線４１，４１，…を有している。複数の第１配線３１，３１，…と第２配線４１，４１，…とは、第２絶縁層２６の上で交互に配列されている。
【００１８】
図２に示すように、各第１配線３１には、第２絶縁層２６との界面に第１金属層３３が設けられており、各第２配線４１には、第２絶縁層２６との界面に第２金属層４３が設けられている。第１配線３１の第１金属層３３と第２配線４１の第２金属層４３とは、異なる金属からなる。
【００１９】
本実施形態では、第１金属層３３と第２金属層４３は異なる金属からなるので、２つの金属層のうち、イオンマイグレーションが生じ易い金属層の間には、イオンマイグレーションが生じ難い他方の金属層が存在することになる。これにより、一方の金属層のイオンマイグレーションが抑制される。このような結果、イオンマイグレーションが起因となった配線３１，４１間のショートを回避することができる。
【００２０】
特に、第１導体パターン３０および第２導体パターン４０を有した導体配線パターン６０は、複数の導体層のうち、イオンマイグレーションの発生しやすい最外層に位置する導体層（最外導体層）の一部であるので、上述した効果をより一層発揮することができる。
【００２１】
このような効果をより好適に発現する一例として、本実施形態では、第１金属層３３は、銅からなる層であり、第２金属層４３は、チタンからなる層である。第２金属層４３は、チタンからなる層であるので、第２金属層４３は、銅からなる第１金属層３３に比べてイオンマイグレーションが生じ難い。本実施形態では、第１配線３１と第２配線４１を交互に配列したので、第２金属層４３の金属に比べてイオンマイグレーションが生じ易い第１金属層３３，３３同士の間には第２金属層４３が存在することになる。このような結果、第１金属層３３，３３同士のイオンマイグレーションが抑えられ、第１配線３１，３１同士の短絡を抑えることができる。
【００２２】
本実施形態では、第２金属層４３として、チタンからなる層を設けたが、例えば、チタン化合物、または、ニッケルからなる層であってもよい。このような層を設けることにより、第２金属層４３の材料にチタンを選択した場合と同等の効果を期待することができる。
【００２３】
後述する製造方法において詳述するように、第１金属層３３は、無電解めっきにより形成された層であり、第２金属層４３は、スパッタリングにより形成された層である。第２金属層４３をスパッタリングにより形成することにより、第２金属層４３は第１金属層３３に比べて緻密な層となる。これにより、イオンマイグレーションによる第２金属層４３の金属の溶出も抑えることができ、第２金属層４３は、第１金属層３３の金属溶出の障壁層として作用する。
【００２４】
第１配線３１には、上述した第１金属層３３の上に、電気銅めっき層３５が形成されている。一方、第２配線４１には、第２金属層４３の上に、スパッタリングにより形成された第１銅層４４と、第１銅層４４の上に電気めっきにより形成された第２銅層４５とがさらに形成されている。
【００２５】
第２配線４１では、チタンからなる第２金属層４３と第２銅層４５との間には、スパッタリングにより形成された第１銅層４４が介在するので、チタンからなる第２金属層４３と第２銅層４５との密着性を高めることができる。さらに、第１銅層４４は、スパッタリングにより形成されているので、電気めっきにより形成された銅層よりも緻密である。これにより、第１銅層４４からの銅の溶出を低減することができる。
【００２６】
さらに、本実施形態に係る、導体配線パターン６０は、後述する製造方法により製造すること（具体的には図９Ａ〜９Ｊに示す製造方法）により、これまでのものに比べてより緻密な配線構造（ファインパターン）とすることができる。
【００２７】
具体的には、図３に示すように、第１配線３１および前記第２配線４１のそれぞれの配線幅Ｌは、１〜５μｍであり、第１配線３１と前記第２配線４１との配線間隔Ｓは、１〜５μｍである。このように、第１配線３１および第２配線４１が狭ピッチで形成されている場合（すなわち、導体配線パターン６０がファインパターンで形成されている場合）には、配線間のイオンマイグレーションが生じやすい。しかしながら、本実施形態では、第１配線３１の第１金属層３３と第２配線４１の第２金属層４３とを、上述した材料からなる異なる金属としたので、第１配線３１と第２配線４１とのショートを回避することができる。
【００２８】
本実施形態では、上述したように、第１配線３１は、第１金属層３３および電気銅めっき層３５からなり、これらの層を合わせた厚みが第１配線３１の厚みとなる。一方、第２配線４１は、第２金属層４３、第１銅層４４、および第２銅層４５からなり、これらの層を合わせた厚みが第２配線４１の厚みとなる。ここで、本実施形態では、各第１配線３１の厚みと各第２配線４１の厚みとが、基準となる配線厚みに対して、７０％〜１３０％の範囲内にあることが好ましい。
【００２９】
第１配線３１の厚みと、第２配線４１の厚みとを、このような範囲内とすることにより、これら配線の電気特性のバラつきを抑えることができる。なお「基準となる配線厚み」とは、第１配線３１および第２配線４１の設計値（製造時の目標値）となる配線厚みである。
【００３０】
さらに、上述したように平面状の導体層２９を、第１配線３１および第２配線４１が緻密に配列された絶縁層の反対側の位置において、これらの配列方向に延在させたので、プリント配線基板１Ａにマイクロストリップラインを形成することができる。また、平面状の導体層２９により基板実装部品５からの伝達させる熱を放熱し、イオンマイグレーションを低減できる。特に、本実施形態では、平面状の導体層２９をグランド層に電気的に接続したので、マイクロストリップラインの効果をより一層期待できる。
【００３１】
さらに、本実施形態では図３に示すように、導体配線パターンの近接した第２配線４１と導体パッド３４との間隔Ｄは、５〜１５μｍの範囲にある。導体配線パターンの近接した第２配線４１と導体パッド３４との間隔をこのような範囲で確保することにより、導体パッド３４と基板実装部品５とをはんだバンプ７１を介して接合する際に、導体配線パターンと導体パッド３４とがはんだによりショートすること回避することができる。
【００３２】
２．第１実施形態の変形例
図１に示す第１実施形態では、図３に示すように、導体配線パターンの近接した第２配線４１と導体パッド３４との間隔Ｄを、５〜１５μｍの範囲としたが、図４に示すプリント配線基板１Ｂのように、導体配線パターン６０を覆うように、ソルダーレジスト層７２をさらに形成すれば、間隔Ｄの範囲を上述した範囲に設定しなくてもよい。この場合には、ソルダーレジスト層７２に形成されたホールにはんだバンプ７１Ａを設けることにより、基板実装部品５をプリント配線基板１Ｂに実装することができる。
【００３３】
この変形例においても、図１に示すプリント配線基板１Ａと同様に、複数の導体パッド３４の上表面と第１導体パターン３０および第２導体パターンを有した導体配線パターン６０の上表面とを同一の平面上に位置させたので、ソルダーレジスト層７２のうねりを低減することができ、基板実装部品５の実装性を高めることができる。
【００３４】
図１に示すプリント配線基板１Ａおよび図４に示すプリント配線基板１Ｂでは、第２導体層２５の一部に、平面状の導体層２９を設けたが、図５に示すプリント配線基板１Ｃの如く、平面状の導体層２９の代わりに、導体配線パターン２９Ａを設けてもよい。この導体配線パターンを、最外層に形成された第１または第２の配線パターンと同様の構造にしてもよい。
【００３５】
３．プリント配線基板の製造方法
以下に図１に示すプリント配線基板１Ａの製造方法を説明する。図６は、図１に示すプリント配線基板の製造方法を説明するためのフロー図あり、図７Ａ〜図７Ｈは、図６に示す各フローに対応した模式図である。
【００３６】
３−１．内部の導体層および絶縁層の形成
まず、図６に示すステップＳ６１で、コア基板１１を準備し貫通孔１２を形成する。具体的には、ガラス繊維布からなる芯材にエポキシ樹脂が含浸されたコア基板１１を準備する。このコア基板１１の主面１１ａ，１１ｂにはそれぞれ銅箔が形成されている（図示せず）。次に、コア基板１１の主面１１ａ，１１ｂに貫通孔１２を形成する。具体的には、ＣＯ２レーザを用いて、コア基板１１の主面１１ａ，１１ｂ側から交互にレーザ光を照射することで、コア基板１１に貫通孔１２を形成する（図７Ａ参照）。貫通孔１２の形成後に、コア基板１１を所定濃度の過マンガン酸を含む溶液に浸漬し、デスミア処理を行うことが好ましい。このようにデスミア処理を行うことで、不要な導通（ショート）を抑制することができる。
【００３７】
次に、図６に示すステップ６２で、第１導体層１５を形成する。具体的には、無電解めっき液にコア基板１１を浸漬し、銅箔が形成されたコア基板１１の主面１１ａ，１１ｂに無電解めっき層１３を形成し、貫通孔１２の内面にも無電解めっき層１３ａを形成する。無電解めっき層１３を形成する材料としては、銅が挙げられる。続いて、無電解めっき層１３をシード層としてその上に電気めっき層１４を形成する。そして、貫通孔１２は電解めっきの材料が充填され、この充填された電解めっきがスルーホール導体１９を形成する。
【００３８】
続いて、電気めっき層１４の上に所定パターンのエッチングレジストを形成し（図示せず）、エッチングレジストで覆われていない部分の無電解めっき層１３、電気めっき層１４および銅箔（図示せず）を除去し、エッチングレジストを除去する。これによって、コア基板１１に残された銅箔、無電解めっき層１３および電気めっき層１４が、第１導体層１５として形成される（図７Ｂ参照）。なお、主面１１ａに形成された第１導体層１５と主面１１ｂに形成された第１導体層１５とは、スルーホール導体１９によって電気的に接続されている。
【００３９】
次に、図６に示すステップ６３で、第１絶縁層１６を形成する。具体的には、コア基板１１の主面１１ａ，１１ｂの上に絶縁材料を覆うことにより第１絶縁層を形成する（図７Ｃ参照）。絶縁材料としては、３０〜８０質量％の無機フィラーを含有した熱硬化性エポキシ樹脂、または、感光性樹脂を挙げることができる。
【００４０】
ここで、第１絶縁層１６の絶縁材料に３０〜８０質量％のＳｉＯ２などの無機フィラーを含有した熱硬化性エポキシ樹脂を用いた場合には、第１絶縁層１６の熱膨張を低減することができる。含有する無機フィラーが３０質量％未満では第１絶縁層１６の熱膨張を低減するには十分でないことがある。一方、含有する無機フィラーが８０質量％を超えた場合には熱硬化性エポキシ樹脂が少なくなり過ぎて所望の強度を得ることができない。一方、感光性樹脂を用いた場合には、露光・現像により小径のビアホールを形成することができる。
【００４１】
次に、図６に示すステップＳ６４で、第１絶縁層１６にビアホールを形成する（図７Ｄ参照）。ここで、第１絶縁層１６の絶縁材料に熱硬化性エポキシ樹脂を用いた場合には、ＣＯ２レーザを用いて、第１絶縁層１６の所定位置にビアホール１６ａを形成する。一方、第１絶縁層１６の絶縁材料に感光性樹脂を用いた場合には、露光・現像によりビアホール１６ａを形成する。
【００４２】
次に、図６に示すステップＳ６５で、第２導体層２５のシード層となる無電解めっき層２３を形成する。具体的には、ステップ６２と同様に、無電解銅めっき液に基板を浸漬し、第１絶縁層１６の表面およびビアホール１６ａにより露出した第１導体層１５の表面に、銅からなる無電解めっき層２３を形成する（図７Ｅ参照）。
【００４３】
次に、図６のステップＳ６６で、第２導体層用のレジスト層２７を形成する。レジスト層２７は、レジスト液を無電解めっき層２３の表面に塗布後、露光機で所定のパターンとなるように露光および現像することにより得ることができる（図７Ｆ参照）。
【００４４】
次に、図６のステップＳ６７で、第２導体層２５を形成する。具体的には、レジスト層２７で覆われていない部分、すなわち、無電解めっき層が露呈した部分に、電気めっきにより電気めっき層２４を形成するとともに、ビアホールに電気めっきの材料を充填し第１導体ビア２８を形成する。その後、レジスト層２７を除去し、電気めっき層２４が積層さていない無電解めっき層２３の部分をエッチングにより除去する。これにより、第１絶縁層１６の表面に第２導体層２５を形成する（図７Ｇ参照）。本実施形態では、第１導体ビア２８，２８の間に、平面状の導体層２９が形成される。
【００４５】
次に、図６のステップＳ６８で、第２絶縁層２６を形成する。具体的には、第２絶縁層２６は、図６に示すステップ６３で、第１絶縁層１６を形成した場合と同様の方法で形成する（図７Ｈ参照）。このように形成された第２絶縁層２６の上に、図６のステップＳ６９で、最外導体層を形成する。図８は、図６に示すステップＳ６９の最外導体層の形成の詳細を説明するフロー図であり、図９Ａ〜図９Ｊは、図８に示す各フローに対応した模式図である。
【００４６】
３−２．最外導体層の形成
まず、図８に示すステップＳ８１で、第２絶縁層２６にビアホール２６ａを形成する（図９Ａ参照）。ここで、第２絶縁層２６の絶縁材料に無機フィラー含有の熱硬化性エポキシ樹脂を用いた場合には、上述した如く、ＣＯ２レーザを用いて、第２絶縁層２６の所定位置にビアホール２６ａを形成する。第２絶縁層２６の絶縁材料を無機フィラー含有の熱硬化性エポキシ樹脂とすることにより、導体パッド３４を介して基板実装部品５から伝達される熱で、第２絶縁層２６が熱膨張することを抑えることができる。一方、第２絶縁層２６の絶縁材料に感光性樹脂を用いた場合には、露光・現像により小径のビアホール２６ａを形成することができるので、後述するファインパターンの導体層を好適に形成することができる。
【００４７】
次に、図８に示すステップＳ８２で、第１導体パターン３０用の第１シード層となる第１金属層３３を無電解めっきで形成する。具体的には、ステップ６２と同様に、無電解銅めっき液に基板を浸漬することで、第２絶縁層２６の表面およびビアホール２６ａにより露出した第２導体層２５の表面に、無電解めっき層である第１金属層３３を形成する（図９Ｂ参照）。
【００４８】
次に、図８に示すステップＳ８３で、第１導体パターン３０用の第１レジスト層３７を形成する。第１レジスト層３７は、レジスト液を第１金属層３３の全面に塗布後、露光機で所定のパターンとなるように露光および現像することにより得ることができる（図９Ｃ参照）。例えば、液状レジストを、無電解めっき層である第１金属層３３の全面に塗布し加熱処理を行った後、露光機を用いて、所定の露光量で第１導体パターン３０に相当する領域以外の部分を露光し、その後これを現像液で現像する。
【００４９】
次に、図８に示すステップＳ８４で、第１シード層となる第１金属層３３の露呈した部分への電気めっきを行う。具体的には、第１レジスト層３７で覆われていない部分、すなわち、無電解めっき層である第１金属層３３が露呈した部分に、電気銅めっきを行った後、第１レジスト層３７を除去する。これにより、第２導体ビア３８が形成されるとともに、導体パッド３４および第１導体パターン３０の一部となる電気銅めっき層が形成される（図９Ｄ参照）。
【００５０】
次に、図８に示すステップＳ８５で、第１シード層となる第１金属層３３をエッチングし、第１導体パターン３０を形成する。具体的には、電気めっき層２４が積層されていない無電解めっき層である第１金属層３３の部分を、硫酸・過酸化水素系又はリン酸・過酸化水素系の銅エッチング液で、エッチングにより等方的に除去する。ここでは、等方性のエッチングを行うため、電気銅めっき層の幅も狭くなり、狭幅の複数の第１配線３１，…からなる第１導体パターン３０を得ることができる（図９Ｅ，図２等参照）。
【００５１】
次に、図８に示すステップＳ８６で、第２導体パターン４０用の第２シード層である第２金属層４３等をスパッタリングで形成する。具体的には、まず、導体パッド３４、第１導体パターン３０、および第２絶縁層２６の表面の全面を覆うように、チタンターゲットを用いて第２金属層４３をスパッタリングにより形成する（図９Ｆ参照）。さらに、チタンからなる第２金属層４３を覆うように、銅ターゲットを用いて、第１銅層４４をスパッタリングにより形成する。
【００５２】
次に、図８に示すステップＳ８７で、第２導体パターン４０用の第２レジスト層４７を形成する。ここでは、第２レジスト層４７は、導体パッド３４および第１導体パターン３０の各第１配線３１を覆い、第２導体パターン４０のパターン形状に応じて形成される（図９Ｇ参照）。第２レジスト層４７の形成方法は、ステップＳ８３で説明した第１レジスト層３７の形成方法と同様の方法である。
【００５３】
次に、図８に示すステップＳ８８で、第２シード層の一部である第１銅層４４の露呈した部分への電気めっきを行う。具体的には、ステップＳ８４と同様の方法で、第２レジスト層４７で覆われていない部分、すなわち、スパッタリング層である第１銅層４４が露呈した部分に、電気銅めっきにより第２銅層４５を形成した後、第２レジスト層４７を除去する（図９Ｈ参照）。
【００５４】
次に、図８に示すステップＳ８９で、第２シード層の第１銅層４４のエッチングを行う。具体的には、電気めっき層である第２銅層４５が積層されていない第１銅層４４の部分を、ステップＳ８５と同じ方法でエッチングする（図９Ｉ参照）。
【００５５】
最後に、図８のステップＳ９０に示す第２シード層のチタン層である第２金属層４３の一部をエッチングで除去し、第２導体パターン４０を形成する。具体的には、第２シード層の一部であるチタンからなる第２金属層４３のうち、第１銅層４４と第２銅層４５が積層されていない部分を、過酸化水素系またはフッ酸系などのチタンエッチング液で、エッチングにより等方的に除去する（図９Ｊ参照）。このようにして、図２に示すように、導体パッド３４，３４間において、第１配線３１と第２配線４１とが交互に配列された、ファインパターンのプリント配線基板１Ａを得ることができる。
【００５６】
〔第２実施形態〕
図１０Ａは、本発明の第２実施形態に係るプリント配線基板１００Ａの模式的断面図、図１０Ｂは、図１０Ａに示すプリント配線基板の模式的平面図、図１０Ｃは、図１０Ｂに示す２つの基板実装部品間の配線状態を示した模式図である。
図１０Ａ，Ｂに示すように、第２実施形態に係るプリント配線基板１００Ａは、主配線基板１０１と副配線基板１０７を備えている。
【００５７】
主配線基板１０１は、絶縁層と導体層を交互に積層した多層積層配線板であり、上述した図７Ａ〜７Ｊに示す一般的な方法で形成された基板である。主配線基板１０１の内部には、主配線基板１０１よりもファインパターンの導体層が形成された副配線基板１０７が配置されている。
【００５８】
副配線基板１０７の最外導体層には、第２実施形態の図１０Ｃに示すような導体パッド３４，３４’と導体配線パターン６０が設けられている。図１０Ｃの図面上の上下に並ぶ導体パッド３４，３４（または導体パッド３４’３４’）間には、複数の第１配線３１と第２配線４１が交互に配列されており、第１および第２配線３１，４１を構成する各層は、第１実施形態と同じ構成である。なお、図１０Ｃに示す導体パッド３４’３４’は、第２配線４１を形成する際に第２配線４１と共に形成される導体パッドである。さらに、主配線基板１０１と副配線基板１０７とのそれぞれの導体パッドが、同一平面に位置するように、副配線基板１０７は主配線基板１０１の凹部に搭載されている。基板実装部品１０３，１０５とは、副配線基板１０７の導体パッドにはんだバンプ１０９で接続されている。
【００５９】
このように構成することにより、例えばＭＰＵとＤＲＡＭのような隣接して配置される２つの基板実装部品１０３，１０５間を、副配線基板１０７に形成された、狭ピッチの第１配線３１および第２配線４１を介して繋ぐことができる。また、副配線基板１０７の表面は、２つの基板実装部品１０３，１０５により他の部分に比べて高い温度となりやすいが、上述した如く、交互に配置された第１配線３１と第２配線４１には、絶縁層との界面に第１金属層および第２金属層が形成されているので、これらのイオンマイグレーションを回避することができる。また、主配線基板１０１と副配線基板１０７との導体パッドが、同一平面に位置しているので、ソルダーレジスト層１０６のうねりを低減することができ、基板実装部品１０３，１０５の実装性を高めることができる。
【００６０】
図１１は、図１０に示す第２実施形態の係るプリント配線基板の変形例を示した模式的断面図である。この変形例における平面図は、図１０Ｂと略同じであるので、その詳細な説明を省略する。図１１に示すように、第２実施形態の係るプリント配線基板１００Ａの変形例として、プリント配線基板１００Ｂの副配線基板１０７を主配線基板１０１に貼り付けてもよい。この場合には、主配線基板１０１上のはんだバンプ１０９ａと副配線基板１０７上のはんだバンプ１０９ｂとが、基板実装部品１０３，１０５に対して同じ高さとなるように、はんだバンプ１０９ａ，１０９ｂの厚みを調整し、基板実装部品１０３，１０５を実装すればよい。
【００６１】
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。
【符号の説明】
【００６２】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ：プリント配線基板、１１：コア基板、１１ａ，１１ｂ：主面、１２：貫通孔、１３：無電解めっき層、１４：電気めっき層、１５：第１導体層、１６：第１絶縁層、１６ａ：ビアホール、１９：スルーホール導体、２３：無電解めっき層、２４：電気めっき層、２５：第２導体層、２６：第２絶縁層、２６ａ：ビアホール、２７：レジスト層、２８：第１導体ビア、２９：平面状の導体層、３０：第１導体パターン、３１：第１配線、３３：第１金属層、３４：導体パッド、３５：電気銅めっき層、３７：第１レジスト層、３８：第２導体ビア、４０：第２導体パターン、４１：第２配線、４３；第２金属層、４４：第１銅層、４５：第２銅層、４７：第２レジスト層、６０：導体配線パターン、７１，７１Ａ：はんだバンプ、７２：ソルダーレジスト層、１００Ａ，１００Ｂ：プリント配線基板、１０１：主配線基板、１０６：ソルダーレジスト層、１０７：副配線基板、１０９，１０９ａ，１０９ｂ：はんだバンプ、ＣＬ：中心軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
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【図９Ｈ】
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【図９Ｉ】
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【図９Ｊ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１】
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