(57)【要約】      （修正有）【課題】組み付けの際に正確な位置合わせを行い易くするための大きな電極面積を有する発光デバイスを提供する。【解決手段】発光デバイス１００ａは、発光ユニット１２０ａ、光透過層１１０及び封止体１３０ａを備える。発光ユニットは、基板１２２、基板上に設けられたエピタキシャル構成層１２４並びにエピタキシャル構成層の同一側に設けられた第一電極１２６ａ及び第二電極１２８ａを有する。発光ユニットは光透過層上に設けられ、封止体は発光ユニット及び光透過層の間に位置し、発光ユニットを封止している。少なくとも第一電極の一部及び第二電極の一部は光透過層及び封止体により露出されている。第一電極及び第二電極はそれぞれ、エピタキシャル構成層から外向きに延びて、封止体の上面の少なくとも一部を被覆している。【選択図】図１Ｂ
2016015474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスであって、
発光ユニットであり、
基板、
前記基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びに
前記エピタキシャル構成層の同一側に設けられた第一電極及び第二電極
を有する発光ユニットと、
前記発光ユニットが設けられ、少なくとも前記第一電極及び前記第二電極を露出させる光透過層と、
前記発光ユニットを封止し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる封止体と
を備え、
前記第一電極及び前記第二電極はそれぞれ、前記エピタキシャル構成層から外方に延びて、前記封止体の上面の少なくとも一部を被覆している発光デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極は、前記エピタキシャル構成層に接続された第一電極部分と、当該第一電極部分に接続された第一電極延長部分とを有し、前記第二電極は、前記エピタキシャル構成層に接続された第二電極部分と、当該第二電極部分に接続された第二電極延長部分とを有し、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、外方に向かって前記封止体の前記上面の少なくとも一部まで延びている発光デバイス。
【請求項３】
請求項２記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分は、前記封止体の前記上面の端と整列しているか、又は、これに対して内方に向かって狭くなっている発光デバイス。
【請求項４】
請求項１記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記光透過層及び前記封止体を含む１又は複数の平面
を備える発光デバイス。
【請求項５】
請求項２記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分は、複数の第一グレーティング状電極を有し、前記第二電極延長部分は、複数の第二グレーティング状電極を有し、前記第一グレーティング状電極は、前記第一電極部分と、前記封止体の前記上面の一部とに配置され、前記第二グレーティング状電極は、前記第二電極部分と、前記封止体の前記上面の一部とに配置されている発光デバイス。
【請求項６】
請求項２記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分の少なくとも一部は、前記第一電極部分の端から前記第二電極部分から離れる方向に向かって延び、前記第二電極延長部分の少なくとも一部は、前記第二電極部分の端から前記第一電極部分から離れる方向に向かって延びている発光デバイス。
【請求項７】
請求項２記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、互いに分離された複数のサブ電極を有する発光デバイス。
【請求項８】
請求項７記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分の前記第一サブ電極は、前記封止体の前記上面上の前記第二電極から少なくとも１角離れて位置付けられ、前記第二電極延長部分の前記第二サブ電極は、前記封止体の前記上面上の前記第一電極から少なくとも１コーナー離れて位置付けられている発光デバイス。
【請求項９】
請求項２記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、接着層と、当該接着層及び前記封止体の間に設けられたバリア層とを有する発光デバイス。
【請求項１０】
請求項９記載の発光デバイスにおいて、前記接着層の材料は、金、錫、アルミニウム、銀、銅、インジウム、ビスマス、白金、金錫合金、錫銀合金若しくは錫銀銅合金（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ（ＳＡＣ）合金）又はこれらの組み合わせを含み、前記バリア層の材料は、ニッケル、チタン、タングステン若しくは金又はこれらの組み合わせから成る合金を含む発光デバイス。
【請求項１１】
請求項２記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極及び前記第二電極はそれぞれ、反射層を有し、当該反射層はそれぞれ、前記第一電極延長部分と前記封止体との間と、前記第二電極延長部分と前記封止体との間に設けられている発光デバイス。
【請求項１２】
請求項１１記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル若しくはチタン又はこれらの組み合わせから成る合金を含む発光デバイス。
【請求項１３】
請求項１記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記封止体の前記上面上に設けられた反射層
を備える発光デバイス。
【請求項１４】
請求項１３記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の少なくとも一部は、前記第一電極及び前記第二電極と前記封止体との間に位置付けられている発光デバイス。
【請求項１５】
請求項１３記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル、チタン、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）若しくは高反射率の反射性粒子が添付された樹脂層又はこれらの組み合わせを含む発光デバイス。
【請求項１６】
請求項１記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記発光ユニットを包囲し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる波長変換物質
を含む発光デバイス。
【請求項１７】
請求項１６記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、蛍光性物質又は量子ドット物質を含む発光デバイス。
【請求項１８】
請求項１６記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、前記発光ユニットの表面上に形成されているか、前記封止体の表面上に形成されているか、又は、前記封止体中に混合されている発光デバイス。
【請求項１９】
発光デバイスであって、
発光ユニットであり、
基板、
前記基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びに
前記エピタキシャル構成層の前記基板とは反対の同一側に設けられた第一電極及び第二電極
を有する発光ユニットと、
前記発光ユニット上に設けられ、前記基板の前記エピタキシャル構成層、前記第一電極及び前記第二電極とは反対の一方側に位置付けられた光透過層と、
前記発光ユニット及び前記光透過層の間に位置付けられ、前記発光ユニットを封止し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる封止体と
を備え、
前記第一電極及び前記第二電極はそれぞれ、前記エピタキシャル構成層から外方に延びて、前記封止体の上面の少なくとも一部を被覆している発光デバイス。
【請求項２０】
請求項１９記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極は、前記エピタキシャル構成層に接続された第一電極部分と、当該第一電極部分に接続された第一電極延長部分とを有し、前記第二電極は、前記エピタキシャル構成層に接続された第二電極部分と、当該第二電極部分に接続された第二電極延長部分とを有し、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、外方に向かって前記封止体の前記上面の少なくとも一部まで延びている発光デバイス。
【請求項２１】
請求項２０記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分は、前記封止体の前記上面の端と整列しているか、又は、これに対して内方に向かって狭くなっている発光デバイス。
【請求項２２】
請求項１９記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記光透過層及び前記封止体を含む１又は複数の平面
を備える発光デバイス。
【請求項２３】
請求項２０記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分は、複数の第一グレーティング状電極を有し、前記第二電極延長部分は、複数の第二グレーティング状電極を有し、前記第一グレーティング状電極は、前記第一電極部分と、前記封止体の前記上面の一部とに配置され、前記第二グレーティング状電極は、前記第二電極部分と、前記封止体の前記上面の一部とに配置されている発光デバイス。
【請求項２４】
請求項２０記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分の少なくとも一部は、前記第一電極部分の端から前記第二電極部分から離れる方向に向かって延び、前記第二電極延長部分の少なくとも一部は、前記第二電極部分の端から前記第一電極部分から離れる方向に向かって延びている発光デバイス。
【請求項２５】
請求項２０記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、互いに分離された複数のサブ電極を有する発光デバイス。
【請求項２６】
請求項２０記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、接着層と、当該接着層及び前記封止体の間に設けられたバリア層とを有する発光デバイス。
【請求項２７】
請求項２６記載の発光デバイスにおいて、前記接着層の材料は、金、錫、アルミニウム、銀、銅、インジウム、ビスマス、白金、金錫合金、錫銀合金若しくは錫銀銅合金（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ（ＳＡＣ）合金）又はこれらの組み合わせを含み、前記バリア層の材料は、ニッケル、チタン、タングステン若しくは金又はこれらの組み合わせから成る合金を含む発光デバイス。
【請求項２８】
請求項２０記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極及び前記第二電極はそれぞれ、反射層を有し、当該反射層はそれぞれ、前記第一電極延長部分と前記封止体の間と、前記第二電極延長部分と前記封止体との間に設けられている発光デバイス。
【請求項２９】
請求項２８記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル若しくはチタン又はこれらの組み合わせから成る合金を含む発光デバイス。
【請求項３０】
請求項１９記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記封止体の前記上面上に設けられた反射層
を備える発光デバイス。
【請求項３１】
請求項３０記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の少なくとも一部は、前記第一電極及び前記第二電極と前記封止体との間に位置付けられている発光デバイス。
【請求項３２】
請求項３０記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル、チタン、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）若しくは高反射率の反射性粒子が添付された樹脂層又はこれらの組み合わせを含む発光デバイス。
【請求項３３】
請求項１９記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記発光ユニットを包囲し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる波長変換物質
を含む発光デバイス。
【請求項３４】
請求項３３記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、蛍光性物質又は量子ドット物質を含む発光デバイス。
【請求項３５】
請求項３３記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、前記発光ユニットの表面上に形成されているか、前記封止体の表面上に形成されているか、又は、前記封止体中に混合されている発光デバイス。
【請求項３６】
発光デバイスであって、
発光ユニットであり、
基板、
前記基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びに
前記エピタキシャル構成層の同一側に設けられた第一電極及び第二電極
を有する発光ユニットと、
前記発光ユニットを封止し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる封止体と
を備え、
第一電極及び第二電極はそれぞれ、前記封止体の上面を被覆することなく前記エピタキシャル構成層から上方に延びている発光デバイス。
【請求項３７】
請求項３６記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極は、第一電極部分と、第一電極延長部分とを有し、前記第二電極は、第二電極部分と、第二電極延長部分とを有し、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、前記封止体の前記上面から突出している発光デバイス。
【請求項３８】
請求項３７記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分は、互いに分離された複数の第一サブ電極を有し、前記第二電極延長部分は、互いに分離された複数の第二サブ電極を有する発光デバイス。
【請求項３９】
請求項３６記載の発光デバイスにおいて、前記封止体は、１又は複数の平面を有する発光デバイス。
【請求項４０】
請求項３６記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
少なくとも前記封止体の前記上面の一部に設けられた反射層
を備える発光デバイス。
【請求項４１】
請求項４０記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル、チタン、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）若しくは高反射率の反射性粒子が添付された樹脂層又はこれらの組み合わせを含む発光デバイス。
【請求項４２】
請求項３６記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記発光ユニットを包囲し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる波長変換物質
を含む発光デバイス。
【請求項４３】
請求項４２記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、蛍光性物質又は量子ドット物質を含む発光デバイス。
【請求項４４】
請求項４２記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、前記発光ユニットの表面上に形成されているか、前記封止体の表面上に形成されているか、又は、前記封止体中に混合されている発光デバイス。
【請求項４５】
発光デバイスであって、
発光ユニットであり、
基板、
前記基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びに
前記エピタキシャル構成層の同一側に設けられた第一電極及び第二電極
を有する発光ユニットと、
前記発光ユニットを封止し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる封止体と
を備え、
前記第一電極及び前記第二電極はそれぞれ、前記エピタキシャル構成層から外向きに延びて、前記封止体の上面の少なくとも一部を被覆している発光デバイス。
【請求項４６】
請求項４５記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極は、前記エピタキシャル構成層に接続された第一電極部分と、当該第一電極部分に接続された第一電極延長部分とを有し、前記第二電極は、前記エピタキシャル構成層に接続された第二電極部分と、当該第二電極部分に接続された第二電極延長部分とを有し、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、外方に向かって前記封止体の前記上面の少なくとも一部まで延びている発光デバイス。
【請求項４７】
請求項４６記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分は、前記封止体の前記上面の端と整列しているか、又は、これに対して内方に向かって狭くなっている発光デバイス。
【請求項４８】
請求項４５記載の発光デバイスにおいて、前記封止体は、１又は複数の平面を有する発光デバイス。
【請求項４９】
請求項４６記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分は、複数の第一グレーティング状電極を有し、前記第二電極延長部分は、複数の第二グレーティング状電極を有し、前記第一グレーティング状電極は、前記第一電極部分と、前記封止体の前記上面の一部とに配置され、前記第二グレーティング状電極は、前記第二電極部分と、前記封止体の前記上面の一部とに配置されている発光デバイス。
【請求項５０】
請求項４６記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分の少なくとも一部は、前記第一電極部分の端から前記第二電極部分から離れる方向に向かって延び、前記第二電極延長部分の少なくとも一部は、前記第二電極部分の端から前記第一電極部分から離れる方向に向かって延びている発光デバイス。
【請求項５１】
請求項４６記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、互いに分離された複数のサブ電極を有する発光デバイス。
【請求項５２】
請求項４６記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、接着層と、当該接着層及び前記封止体の間に設けられたバリア層とを有する発光デバイス。
【請求項５３】
請求項５２記載の発光デバイスにおいて、前記接着層の材料は、金、錫、アルミニウム、銀、銅、インジウム、ビスマス、白金、金錫合金、錫銀合金若しくは錫銀銅合金（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ（ＳＡＣ）合金）又はこれらの組み合わせを含み、前記バリア層の材料は、ニッケル、チタン、タングステン若しくは金又はこれらの組み合わせから成る合金を含む発光デバイス。
【請求項５４】
請求項４６記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極及び前記第二電極はそれぞれ、反射層を有し、当該反射層はそれぞれ、前記第一電極延長部分と前記封止体の間と、前記第二電極延長部分と前記封止体との間に設けられている発光デバイス。
【請求項５５】
請求項５４記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル若しくはチタン又はこれらの組み合わせから成る合金を含む発光デバイス。
【請求項５６】
請求項４５記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記封止体の前記上面上に設けられた反射層
を備える発光デバイス。
【請求項５７】
請求項５６記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の少なくとも一部は、前記第一電極電極及び前記第二電極と前記封止体との間に位置付けられている発光デバイス。
【請求項５８】
請求項５６記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル、チタン、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）若しくは高反射率の反射性粒子が添付された樹脂層又はこれらの組み合わせを含む発光デバイス。
【請求項５９】
請求項４５記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記発光ユニットを包囲し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる波長変換物質
を含む発光デバイス。
【請求項６０】
請求項５９記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、蛍光性物質又は量子ドット物質を含む発光デバイス。
【請求項６１】
請求項５９記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、前記発光ユニットの表面上に形成されているか、前記封止体の表面上に形成されているか、又は、前記封止体中に混合されている発光デバイス。
【請求項６２】
発光デバイスであって、
発光ユニットであり、
基板、
前記基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びに
前記エピタキシャル構成層の同一側に設けられた第一電極及び第二電極
を有する発光ユニットと、
少なくとも前記第一電極及び前記第二電極を露出させる前記発光ユニットが設けられた光透過層と、
前記発光ユニットを封止し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる封止体と
を備え、
第一電極及び第二電極はそれぞれ、前記封止体の上面を被覆することなく前記エピタキシャル構成層から上方に延びている発光デバイス。
【請求項６３】
請求項６２記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極は、第一電極部分と、第一電極延長部分とを有し、前記第二電極は、第二電極部分と、第二電極延長部分とを有し、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、前記封止体の前記上面から突出している発光デバイス。
【請求項６４】
請求項６３記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分は、前記封止体の前記上面の端と整列しているか、又は、これに対して内方に向かって狭くなっている発光デバイス。
【請求項６５】
請求項６２記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記光透過層及び前記封止体を含む１又は複数の平面
を備える発光デバイス。
【請求項６６】
請求項６３記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、互いに分離された複数のサブ電極を有する発光デバイス。
【請求項６７】
請求項６６記載の発光デバイスにおいて、前記第一サブ電極及び前記第二サブ電極は、層状電極、球状電極又はグレーティング状電極である発光デバイス。
【請求項６８】
請求項６２記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
少なくとも前記封止体の前記上面の一部に設けられた反射層
を備える発光デバイス。
【請求項６９】
請求項６８記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル、チタン、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）若しくは高反射率の反射性粒子が添付された樹脂層又はこれらの組み合わせを含む発光デバイス。
【請求項７０】
請求項６２記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記発光ユニットを包囲し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる波長変換物質
を含む発光デバイス。
【請求項７１】
請求項７０記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、蛍光性物質又は量子ドット物質を含む発光デバイス。
【請求項７２】
請求項７０記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、前記発光ユニットの表面上に形成されているか、前記封止体の表面上に形成されているか、又は、前記封止体中に混合されている発光デバイス。
【請求項７３】
発光デバイスであって、
発光ユニットであり、
基板、
前記基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びに
前記エピタキシャル構成層の前記基板とは反対の同一側に設けられた第一電極及び第二電極
を有する発光ユニットと、
前記発光ユニット上に設けられ、前記基板の前記エピタキシャル構成層、前記第一電極及び前記第二電極とは反対の一方側に位置付けられた光透過層と、
前記発光ユニット及び前記光透過層の間に位置付けられ、前記発光ユニットを封止し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる封止体と
を備え、
第一電極及び第二電極はそれぞれ、前記封止体の上面を被覆することなく前記エピタキシャル構成層から上方に延びている発光デバイス。
【請求項７４】
請求項７３記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極は、第一電極部分と、第一電極延長部分とを有し、前記第二電極は、第二電極部分と、第二電極延長部分とを有し、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、前記封止体の前記上面から突出している発光デバイス。
【請求項７５】
請求項７４記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分は、前記封止体の前記上面の端と整列しているか、又は、これに対して内方に向かって狭くなっている発光デバイス。
【請求項７６】
請求項７３記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記光透過層及び前記封止体を含む１又は複数の平面
を備える発光デバイス。
【請求項７７】
請求項７４記載の発光デバイスにおいて、前記第一電極延長部分及び前記第二電極延長部分はそれぞれ、互いに分離された複数のサブ電極を有する発光デバイス。
【請求項７８】
請求項７７記載の発光デバイスにおいて、前記第一サブ電極及び前記第二サブ電極は、層状電極、球状電極又はグレーティング状電極である発光デバイス。
【請求項７９】
請求項７３記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
少なくとも前記封止体の前記上面の一部に設けられた反射層
を備える発光デバイス。
【請求項８０】
請求項７９記載の発光デバイスにおいて、前記反射層の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル、チタン、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）若しくは高反射率の反射性粒子が添付された樹脂層又はこれらの組み合わせを含む発光デバイス。
【請求項８１】
請求項７３記載の発光デバイスにおいて、当該発光デバイスはさらに、
前記発光ユニットを包囲し、少なくとも前記第一電極の一部及び前記第二電極の一部を露出させる波長変換物質
を含む発光デバイス。
【請求項８２】
請求項８１記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、蛍光性物質又は量子ドット物質を含む発光デバイス。
【請求項８３】
請求項８１記載の発光デバイスにおいて、前記波長変換物質は、前記発光ユニットの表面上に形成されているか、前記封止体の表面上に形成されているか、又は、前記封止体中に混合されている発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本願は、２０１４年５月７日出願の台湾特許出願第１０３１１６２６２号及び２０１５年４月２７日出願の台湾特許出願第１０４１１３４８２号の優先権を主張する。これら特許出願の全内容を参照により本明細書にその一部として組み込むものとする。
本発明は、発光デバイス、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のフリップチップＬＥＤパッケージ構造では、エピタキシャル構成層が基板の端と整列しているか、又は、これに対して内方に向かって狭くなっており、Ｎ電極及びＰ電極がエピタキシャル構成層の端と整列しているか、又は、エピタキシャル構成層の端から垂直方向の距離を置いて設けられている。すなわち、基板上のＮ電極及びＰ電極の正投影領域は、基板上のエピタキシャル構成層の正投影領域よりも小さい。こうした構成では、フリップチップＬＥＤパッケージを外部回路に組み付ける際に、Ｎ電極及びＰ電極の電極面積が比較的小さいため、ＬＥＤパッケージの位置合わせが不正確になり、組み付けの際に電極接触不良が生じるといった問題がある。
【発明の概要】
【０００３】
本発明は、後続する組み付けの際に正確な位置合わせを行い易くするための大きな電極面積を有する発光デバイスに関する。
【０００４】
本発明は、発光ユニットと、光透過層と、封止体とを備える発光デバイスに関する。発光ユニットは、基板、基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びにエピタキシャル構成層の同一側に設けられた第一電極及び第二電極を有する。発光ユニットは光透過層上に設けられ、光透過層は、少なくとも第一電極及び第二電極を露出させる。封止体は、発光ユニットを封止し、少なくとも第一電極の一部及び第二電極の一部を露出させる。第一電極及び第二電極はそれぞれ、エピタキシャル構成層から外方に延びて、封止体の上面の少なくとも一部を被覆している。
【０００５】
本発明の一態様では、第一電極は、エピタキシャル構成層に接続された第一電極部分と、当該第一電極部分に接続された第一電極延長部分とを有し、第二電極は、エピタキシャル構成層に接続された第二電極部分と、当該第二電極部分に接続された第二電極延長部分とを有し、第一電極延長部分及び第二電極延長部分はそれぞれ、外方に向かって封止体の上面の少なくとも一部まで延びている。
【０００６】
本発明の一態様では、第一電極延長部分及び第二電極延長部分は、封止体の上面の端と整列しているか、又は、これに対して内方に向かって狭くなっている。
【０００７】
本発明の一態様では、第一電極延長部分及び第二電極延長部分は、エピタキシャル層の端と整列しているか、又は、これに対して内方に向かって狭くなっている。
【０００８】
本発明の一態様では、当該発光デバイスはさらに、光透過層及び封止体を含む１又は複数の平面を備える。
【０００９】
本発明の一態様では、第一電極延長部分は、複数の第一グレーティング状電極を有し、第二電極延長部分は、複数の第二グレーティング状電極を有し、第一グレーティング状電極は、第一電極部分と、封止体の上面の一部とに配置され、第二グレーティング状電極は、第二電極部分と、封止体の上面の一部とに配置されている。
【００１０】
本発明の一態様では、第一電極延長部分の少なくとも一部は、第一電極部分の端から第二電極部分から離れる方向に向かって延び、第二電極延長部分の少なくとも一部は、第二電極部分の端から第一電極部分から離れる方向に向かって延びている。
【００１１】
本発明の一態様では、第一電極延長部分及び第二電極延長部分はそれぞれ、互いに分離された複数のサブ電極を有する。
【００１２】
本発明の一態様では、第一電極延長部分の第一サブ電極は、封止体の上面上の第二電極から少なくとも１角離れて位置付けられ、第二電極延長部分の第二サブ電極は、封止体の上面上の第一電極から少なくとも１コーナー離れて位置付けられている。
【００１３】
本発明の一態様では、第一電極延長部分及び第二電極延長部分の上面は、封止体の上面と略同一平面上にある。
【００１４】
本発明の一態様では、第一電極部分及び第一電極延長部分は切れ目なく接続され、第二電極部分及び第二電極延長部分は切れ目なく接続されている。
【００１５】
本発明の一態様では、第一電極延長部分及び第二電極延長部分はそれぞれ、接着層と、当該接着層及び封止体の間に設けられたバリア層とを有する。
【００１６】
本発明の一態様では、接着層の材料は、金、錫、アルミニウム、銀、銅、インジウム、ビスマス、白金、金錫合金、錫銀合金若しくは錫銀銅合金（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ（ＳＡＣ）合金）又はこれらの組み合わせを含み、バリア層の材料は、ニッケル、チタン、タングステン若しくは金又はこれらの組み合わせから成る合金を含む。
【００１７】
本発明の一態様では、第一電極及び第二電極はそれぞれ、反射層を有し、当該反射層はそれぞれ、第一電極延長部分と封止体との間と、第二電極延長部分と封止体との間に設けられている。
【００１８】
本発明の一態様では、反射層の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル若しくはチタン又はこれらの組み合わせから成る合金を含む。
【００１９】
本発明の一態様では、当該発光デバイスはさらに、封止体の上面上に設けられた反射層を備える。
【００２０】
本発明の一態様では、反射層の少なくとも一部は、第一電極及び第二電極と封止体との間に位置付けられている。
【００２１】
本発明の一態様では、反射層の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル、チタン、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）若しくは高反射率の反射性粒子が添付された樹脂層又はこれらの組み合わせを含む。
【００２２】
本発明の一態様では、当該発光デバイスはさらに、発光ユニットを包囲し、少なくとも第一電極の一部及び第二電極の一部を露出させる波長変換物質を含む。
【００２３】
本発明の一態様では、波長変換物質は、蛍光性物質又は量子ドット物質を含む。
【００２４】
本発明の一態様では、波長変換物質は、発光ユニットの表面上に形成されているか、封止体の表面上に形成されているか、又は、封止体中に混合されている。
【００２５】
本発明の一態様では、第一サブ電極及び第二サブ電極は、層状電極、球状電極又はグレーティング状電極である。
【００２６】
本発明の一態様は、発光ユニットと、光透過層と、封止体とを備える発光デバイスを提供する。発光ユニットは、基板、基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びにエピタキシャル構成層の基板とは反対の同一側に設けられた第一電極及び第二電極を有する。光透過層は、発光ユニット上に設けられ、基板のエピタキシャル構成層、第一電極及び第二電極とは反対の一方側に位置付けられている。封止体は、発光ユニット及び光透過層の間に位置付けられ、発光ユニットを封止し、少なくとも第一電極の一部及び第二電極の一部を露出させる。第一電極及び第二電極はそれぞれ、エピタキシャル構成層から外方に延びて、封止体の上面の少なくとも一部を被覆している。
【００２７】
本発明の一態様は、発光ユニットと封止体とを備える発光デバイスを提供する。発光ユニットは、基板、基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びにエピタキシャル構成層の同一側に設けられた第一電極及び第二電極を有する。封止体は、発光ユニットを封止し、少なくとも第一電極の一部及び第二電極の一部を露出させる。第一電極及び第二電極はそれぞれ、封止体の上面を被覆することなくエピタキシャル構成層から上方に延びている。
【００２８】
本発明の一態様は、発光ユニットと封止体とを備える発光デバイスを提供する。発光ユニットは、基板、基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びにエピタキシャル構成層の同一側に設けられた第一電極及び第二電極を有する。封止体は、発光ユニットを封止し、少なくとも第一電極の一部及び第二電極の一部を露出させる。第一電極及び第二電極はそれぞれ、エピタキシャル構成層から外向きに延びて、封止体の上面の少なくとも一部を被覆している。
【００２９】
本発明の一態様は、発光ユニットと、光透過層と、封止体とを備える発光デバイスを提供する。発光ユニットは、基板、基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びにエピタキシャル構成層の同一側に設けられた第一電極及び第二電極を有する。発光ユニットは光透過層上に設けられ、少なくとも第一電極及び第二電極を露出させる。封止体は、発光ユニットを封止し、少なくとも第一電極の一部及び第二電極の一部を露出させる。第一電極及び第二電極はそれぞれ、封止体の上面を被覆することなくエピタキシャル構成層から上方に延びている。
【００３０】
本発明の一態様は、発光ユニットと、光透過層と、封止体とを備える発光デバイスを提供する。発光ユニットは、基板、基板上に設けられたエピタキシャル構成層並びにエピタキシャル構成層の基板とは反対の同一側に設けられた第一電極及び第二電極を有する。光透過層は、発光ユニット上に設けられ、基板のエピタキシャル構成層、第一電極及び第二電極とは反対の一方側に位置付けられている。封止体は、発光ユニット及び光透過層の間に位置付けられ、発光ユニットを封止し、少なくとも第一電極の一部及び第二電極の一部を露出させる。第一電極及び第二電極はそれぞれ、封止体の上面を被覆することなくエピタキシャル構成層から上方に延びている。
【００３１】
以上の説明によれば、本発明の一態様に従った発光ユニットの第一電極及び第二電極は、エピタキシャル構成層から外方に延びて封止体の少なくとも一部を被覆することができ、本発明の一態様に従った発光デバイス（ＬＥＤパッケージ）は、従来の第一電極及び第二電極の構成に比べて大きな電極面積を有し、発光デバイスを外部回路に組み付ける際に、組み付け時の位置合わせの正確性が効果的に向上する。また、本発明の一態様に従った発光ユニットの第一電極及び第二電極はエピタキシャル構成層から上方に延びて封止体から突出しているため、後続するチップ接続工程を容易にすることができる。
【００３２】
本発明の上述した又はその他の特徴及び効果の理解のために、以下、いくつかの例示的な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
添付の図面は、本発明のさらなる理解を深めるためのものであり、本明細書の一部に組み込まれ、これを構成するものである。図面は本発明の実施形態を例示しており、ここでの説明と併せて本発明の原理を説明するためのものである。
【図１Ａ】本発明の実施形態に従った発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ構造を示す上面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＬＥＤパッケージ構造をＡ−Ａ線に沿って示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＬＥＤパッケージ構造をＢ−Ｂ線に沿って示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＬＥＤパッケージ構造をＣ−Ｃ線に沿って示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図４Ｂ】図４ＡのＬＥＤパッケージ構造をＤ−Ｄ線に沿って示す断面図である。
【図５Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＬＥＤパッケージ構造をＥ−Ｅ線に沿って示す断面図である。
【図６Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図６Ｂ】図６ＡのＬＥＤパッケージ構造をＦ−Ｆ線に沿って示す断面図である。
【図７Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図７Ｂ】図７ＡのＬＥＤパッケージ構造をＧ−Ｇ線に沿って示す断面図である。
【図８Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図８Ｂ】図８ＡのＬＥＤパッケージ構造をＨ−Ｈ線に沿って示す断面図である。
【図９Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図９Ｂ】図９ＡのＬＥＤパッケージ構造をＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。
【図１０Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図１０Ｂ】図１０ＡのＬＥＤパッケージ構造をＪ−Ｊ線に沿って示す断面図である。
【図１１Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図１１Ｂ】図１１ＡのＬＥＤパッケージ構造をＫ−Ｋ線に沿って示す断面図である。
【図１２Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図１２Ｂ】フリップチップ方式で回路基板に接合された図１２ＡのＬＥＤパッケージ構造をＬ−Ｌ線に沿って示す断面図である。
【図１３】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図１４】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す断面図である。
【図１５Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図１５Ｂ】図１５ＡのＬＥＤパッケージ構造をＭ−Ｍ線に沿って示す断面図である。
【図１６Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図１６Ｂ】図１６ＡのＬＥＤパッケージ構造をＮ−Ｎ線に沿って示す断面図である。
【図１７Ａ】本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージ構造を示す上面図である。
【図１７Ｂ】図１７ＡのＬＥＤパッケージ構造をＰ−Ｐ線に沿って示す断面図である。
【図１８Ａ】フリップチップ接合方式で回路基板に接合された図１ＢのＬＥＤパッケージ構造を示す断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａの領域Ｍ１を示す部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
図１Ａは、本発明の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図１Ｂは、図１Ａの発光デバイスをＡ−Ａ線に沿って示す断面図である。図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ａは、光透過層１１０、発光ユニット１２０ａ及び封止体１３０ａを備える。発光ユニット１２０ａは、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）であり、基板１２２、エピタキシャル構成層１２４並びに第一電極１２６ａ及び第二電極１２８ａを有する。エピタキシャル構成層１２４は、基板１２２上に設けられている。本実施形態では、エピタキシャル構成層１２４の外縁は基板１２２の外縁と整列している。第一電極１２６ａは、エピタキシャル構成層１２４の一方側に設けられている。第二電極１２８ａは、エピタキシャル構成層１２４上に設けられている。ここで、第二電極１２８ａ及び第一電極１２６ａはエピタキシャル構成層１２４の基板１２２とは反対の同一側に設けられており、第一電極１２６ａ及び第二電極１２８ａの間には間隔ｄが置かれている。発光ユニット１２０ａは、光透過層１１０上に設けられており、光透過層１１０は、発光ユニット１２０ａの基板１２２のエピタキシャル構成層１２４、第一電極１２６ａ及び第二電極１２８ａとは反対の一方側に位置付けられている。また、光透過層１１０は、少なくとも第一電極１２６ａの一部及び第二電極１２８ａの一部を露出させている。封止体１３０ａは、光透過層１１０上に設けられ、発光ユニット１２０ａ及び光透過層１１０の間に位置付けられている。ここで、封止体１３０ａは、発光ユニット１２０ａを封止し、少なくとも第一電極１２６ａの一部及び第二電極１２８ａの一部を露出させる。第一電極１２６ａ及び第二電極１２８ａはそれぞれ、エピタキシャル構成層１２４から外方に延び、封止体１３０ａの上面１３２ａの少なくとも一部を被覆している。詳細には、エピタキシャル構成層１２４は少なくとも第一半導体層（図示せず）、発光層（図示せず）及び第二半導体層（図示せず）を有し、これらは順番に電気的接続されている。ここで、第一電極１２６ａは第一半導体層に電気的接続され、第二電極１２８ａは第二半導体層に電気的接続されている。本実施形態では、発光デバイス１００ａが１又は複数の平面を備えるように、封止体１３０ａの端は、光透過層１１０の端と整列している。
【００３５】
詳細には、本実施形態の光透過層１１０は、発光ユニット１２０ａから発せられた光を導光し透過させるように構成されている。光透過層１１０の材料は、例えば、透明無機物質又は透明有機物質である。透明無機物質として、以下に限定されるわけではないが、ガラス又はセラミックが挙げられ、透明有機物質として、以下に限定されるわけではないが、シリコーン、エポキシ樹脂又は様々な樹脂類が挙げられる。光透過層１１０の光透過率は、５０％以上であることが好ましい。光透過層１１０のデザインは、光透過性平板であっても、その他の形状の光透過層であってもよい。本実施形態では、発光デバイス１００ａが光透過層１１０を有さないことにしてもよく、封止体１３０ａは１又は複数の平面を有する。発光ユニット１２０ａは、例えば、フリップチップＬＥＤチップであり、発光ユニット１２０ａの基板１２２の材料は、例えば、サファイア、窒化ガリウム、酸化ガリウム、炭化ケイ素又は酸化亜鉛である。ただし、本発明はこれらに限定されない。また、本実施形態の第一電極１２６ａは、第一電極部分１２６ａ１と第一電極延長部分１２６ａ２とを有する。第二電極１２８ａは、第二電極部分１２８ａ１と第二電極延長部分１２８ａ２とを有する。第一電極部分１２６ａ１及び第二電極部分１２８ａ１の端は、エピタキシャル構成層１２４の端と整列していても、整列していなくても（例えば、これに対して内方に向かって狭くなっていても）よい。第一電極延長部分１２６ａ２は、第一電極部分１２６ａ１上に位置付けられ、外方に延びて封止体１３０ａの上面１３２ａを被覆している。第二電極延長部分１２８ａ２は、第二電極部分１２８ａ１上に位置付けられ、外方に延びて封止体１３０ａの上面１３２ａを被覆している。本実施形態では、第一電極部分１２６ａ１及び第一電極延長部分１２６ａ２は同一又は異なる材料を採用することができ、第二電極部分１２８ａ１及び第二電極延長部分１２８ａ２も同一又は異なる材料を採用することができ、このことは、本発明で限定されるものではない。本実施形態では、第一電極延長部分１２６ａ２は第一電極部分１２６ａ１から上方に向かって、第二電極部分１２８ａ１から離れる方向に延びており、第二電極延長部分１２８ａ２は、第二電極部分１２８ａ１から上方に向かって、第一電極部分１２６ａ１から離れる方向に延びている。
【００３６】
また、封止体１３０ａの材料は、例えば、透明無機物質又は透明有機物質であり、こうした無機材料として、以下に限定されるわけではないが、ガラス又はセラミックが挙げられ、有機物質として、以下に限定されるわけではないが、シリコーン、エポキシ樹脂又は様々な樹脂類が挙げられる。発光デバイス１００ａはさらに、少なくとも１種の波長変換物質を含み、当該波長変換物質は、以下に限定されるわけではないが、蛍光性物質又は量子ドット物質を含む。波長変換１３４ａは、発光ユニット１２０ａからの射出光の波長を変化させるために、封止体１３０ａに添加することができる。本発明の他の実施形態では、波長変換物質層を発光ユニット１２０ａの表面上に直接形成することができる。この場合、少なくとも第一電極１２６ａの一部及び第二電極１２８ａの一部は露出され、波長変換物質層は、封止体１３０ａ及び発光ユニット１２０ａの間に位置付けられる。波長変換物質層を形成する方法として、以下に限定されるわけではないが、吹き付け塗布又は接着が挙げられる。本発明の別の実施形態では、波長変換物質層を封止体１３０ａの表面上に形成することができる。この場合、少なくとも第一電極１２６ａの一部及び第二電極１２８ａの一部は露出され、封止体１３０ａは、波長変換物質層及び発光ユニット１２０ａの間に位置付けられる。波長変換物質層を形成する方法として、以下に限定されるわけではないが、吹き付け塗布又は接着が挙げられる。当然ながら、発光デバイス１００ａが波長変換物質を含まないことにしてもよく、この場合もやはり本発明の保護範囲を逸脱することなくその技術仕様と見なされる。
【００３７】
簡潔には、本実施形態の第一電極１２６ａ及び第二電極１２８ａは、封止体１３０ａの上面１３２ａを被覆する第一電極延長部分１２６ａ２及び第二電極延長部分１２８ａ２を有するため、本実施形態の発光デバイス１００ａ（例えば、ＬＥＤパッケージ）は、従来の第一電極及び第二電極の構成と比べて大きな電極面積を有する。また、こうした第一電極１２６ａ及び第二電極１２８ａの構成は、ＬＥＤパッケージ１００ａを外部回路（図示せず）に組み付ける際には、組み付け中のＬＥＤパッケージの位置合わせの正確性を向上させ、従来見られた電極接触不良の問題を防止し易くする。詳細には、第一電極延長部分１２６ａ２及び第二電極延長部分１２８ａ２それぞれによって、第一電極部分１２６ａ１及び第二電極部分１２８ａ１の面積が大きくなる。はんだペースト、導電性バンプ又はその他の導電性接続材料によって第一電極１２６ａ及び第二電極１２８ａを回路基板に接合する場合、導電性接続材料（例えば、はんだペースト）が溢れることにより、第一電極１２６ａ上のはんだペースト及び第二電極１２８ａ上のはんだペーストが接触して短絡を引き起こす。そのため、本実施形態の第一電極延長部分１２６ａ２及び第二電極延長部分１２８ａ２を用いることにより、発光デバイス１００ａの電極面積が大きくなり、その結果、発光デバイス１００ａをはんだペーストによって回路基板に接合する際に、はんだペーストの溢れによる短絡の問題を緩和又は回避し、接合信頼性を高めることができる。
【００３８】
留意すべき点として、本実施形態では、第一電極延長部分１２６ａ２の端及び第二電極延長部分１２８ａ２の端は、封止体１３０ａの端及び光透過層１１０の端と整列しており、電極面積は大きくなるため位置合わせの正確性が向上する。こうした構成は、製造工程において単純化することができ、その結果、製造時間を短縮できる。その理由は、封止体１３０ａは、第一電極部分１２６ａ１及び第二電極部分１２８ａ１を有する発光ユニット１２０ａを複数、単一工程で封止することができ、第一電極延長部分１２６ａ２及び第二電極延長部分１２８ａ２に同時にめっきを施した後、切断工程を行って発光デバイス１００ａ（例えば、ＬＥＤパッケージ構造）を形成することができるためである。
【００３９】
留意すべき点として、上記実施形態の構成部品に付された参照符号及び内容の一部は、以下の実施形態でも用いられ、同一の参照符号は同一又は類似の構成部品を示す。なお、同一の技術的内容の説明は省略する。省略部分の説明については、上記実施形態を参照することができるため、以下の実施形態では詳細な説明を繰り返さないものとする。
【００４０】
図２Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図２Ｂは、図２Ａの発光デバイスをＢ−Ｂ線に沿って示す断面図である。図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｂは、図１Ａ及び図１Ｂの発光デバイス１００ａと同様であり、両者の主な違いは、第一電極１２６ｂの第一電極延長部分１２６ｂ２が複数の第一グレーティング状電極Ｒ１で構成され、第二電極１２８ｂの第二電極延長部分１２８ｂ２が複数の第二グレーティング状電極Ｒ２で構成されている点である。第一グレーティング電極Ｒ１の一部及び第二グレーティング状電極Ｒ２の一部はそれぞれ、第一電極部分１２６ｂ１及び第二電極部分１２８ｂ１から上方に延びている。また、第一グレーティング状電極Ｒ１の一部及び第二グレーティング状電極Ｒ２の一部は、封止体１３０ａの上面１３２ａの一部に配置されている。
【００４１】
第一グレーティング状電極Ｒ１は、間隔（例えば、等間隔）を置いて配置され、第一電極部分１２６ｂ１の一部及び封止体１３０ａの一部を露出させる。第二グレーティング状電極Ｒ２は、間隔（例えば、等間隔）を置いて配置され、第二電極部分１２８ｂ１の一部及び封止体１３０ａの一部を露出させる。詳細には、それぞれの第一グレーティング状電極Ｒ１は第一上面Ｔ１を有し、それぞれの第二グレーティング状電極Ｒ２は第二上面Ｔ２を有する。第一グレーティング状電極Ｒ１の第一上面Ｔ１と、第二グレーティング状電極Ｒ２の第二上面Ｔ２とは、略同一面上にある。このように、発光ユニット１２０ｂの第一電極１２６ａ及び第二電極１２８ａの構成は、発光デバイス１００ｂを後に外部回路（図示せず）に組み付ける際には、組み付けに際して十分な平坦性をもたらし、電極面積を大きくするため、後続するＬＥＤパッケージ構造１００ｂの組み付けが容易になる。
【００４２】
図３Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図３Ｂは、図３Ａの発光デバイスをＣ−Ｃ線に沿って示す断面図である。図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｃは、図２Ａ及び図２Ｂの発光デバイス１００ｂと同様であり、両者の主な違いは、本実施形態の第一電極延長部分１２６ｃ２が複数の第一グレーティング状電極Ｒ１´で構成され、第二電極延長部分１２８ｃ２が複数の第二グレーティング状電極Ｒ２´で構成されており、第一グレーティング状電極Ｒ１´及び第二グレーティング状電極Ｒ２´はさらに、第一電極１２６ｃ及び第二電極１２８ｃの間に間隔ｄを置いて配置されている点である。このように、発光デバイス１００ｃが大きな電極面積を有し、簡略化された製造工程を実現し、後続する組み付け工程における位置合わせの正確性を向上させることができるように、発光ユニット１２０ｃの電極面積はエピタキシャル構成層１２４から封止体１３０ａまで延びることができる。留意すべき点として、グレーティング状電極及び回路基板の接続は、異方性導電接着剤を用いて行うことができる。
【００４３】
図４Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図４Ｂは、図４Ａの発光デバイスをＤ−Ｄ線に沿って示す断面図である。図４Ａ及び図４Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｄは、図１Ａ及び図１Ｂの発光デバイス１００ａと同様であり、両者の主な違いは、本実施形態の封止体１３０ｄがさらに、第一電極１２６ｄ及び第二電極１２８ｄを包囲すると共にこれら電極の上面を露出させ、また、第一電極１２６ｄ及び第二電極１２８ｄの間の間隔ｄを埋めており、第一電極延長部分１２６ｄ２の側壁及び第二電極延長部分１２８ｄ２の側壁も封止体１３０ｄで包囲されている点である。また、第一電極延長部分１２６ｄ２の端及び第二電極延長部分１２８ｄ２の端は、封止体１３０ｄの端及び光透過層１１０の端に対して狭くなっている。第一電極延長部分１２６ｄ２の第一上面Ｓ１及び第二電極延長部分１２８ｄ２の第二上面Ｓ２は、封止体１３０ｄの上面１３２ｄと略同一平面上にある。すなわち、第一電極延長部分１２６ｄ２は第一電極部分１２６ｄ１に設けられ、第一電極延長部分１２６ｄ２の第一上面Ｓ１は、封止体１３０ｄの上面１３２ｄと略同一平面上にある。また、第二電極延長部分１２８ｄ２は第二電極部分１２８ｄ１に設けられ、第二電極延長部分１２８ｄ２の第二上面Ｓ２は、封止体１３０ｄの上面１３２ｄと略同一平面上にある。このように、発光ユニット１２０ｄの第一電極１２６ｄ及び第二電極１２８ｄの構成により、発光デバイス１００ｄを外部回路（図示せず）に電気的接続する際には、発光デバイス１００ｄに組み付け時の組み付け段差が生じず、湿気及び酸素の発光デバイス１００ｄへの侵入を効果的に防止することができる。
【００４４】
図５Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図５Ｂは、図５Ａの発光デバイスをＥ−Ｅ線に沿って示す断面図である。図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｅは、図４Ａ及び図４Ｂの発光デバイス１００ｄと同様であり、両者の主な違いは、本実施形態の第一電極延長部分１２６ｅ２及び第一電極部分１２６ｅ１が切れ目なく接続され、第二電極延長部分１２８ｅ２及び第二電極部分１２８ｅ１が切れ目なく接続されている点である。すなわち、発光デバイス１００ｅの完全性が向上し、より良い信頼性が実現されるように、発光ユニット１２０ｅの第一電極１２６ｅの第一電極延長部分１２６ｅ２及び第一電極部分１２６ｅ１は一体形成され、第二電極１２８ｅの第二電極延長部分１２８ｅ２及び第二電極部分１２８ｅ１は一体成形されている。
【００４５】
図６Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図６Ｂは、図６Ａの発光デバイスをＦ−Ｆ線に沿って示す断面図である。図６Ａ及び図６Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｆは、図４Ａ及び図４Ｂの発光デバイス１００ｄと同様であり、両者の主な違いは、第一電極延長部分１２６ｆ２の端及び第二電極延長部分１２８ｆ２の端が、封止体１３０ｆの端及び光透過ユニット１１０の端と整列しており、封止体１３０ｆで包囲されていない点である。ここで、発光ユニット１２０ｆの第一電極延長部分１２６ｆ２は第一電極部分１２６ｆ１上に設けられ、第一電極延長部分１２６ｆ２の第一上面Ｓ１´は、封止体１３０ｆの上面１３２ｆと略同一平面上にある。また、発光ユニット１２０ｆの第二電極延長部分１２８ｆ２は第二電極部分１２８ｆ１に設けられ、第二電極延長部分１２８ｆ２の第二上面Ｓ２´は、封止体１３０ｄの上面１３２ｄと略同一平面上にある。
【００４６】
図７Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図７Ｂは、図７Ａの発光デバイスをＧ−Ｇ線に沿って示す断面図である。図７Ａ及び図７Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｇは、図６Ａ及び図６Ｂの発光デバイス１００ｆと同様であり、両者の主な違いは、本実施形態の第一電極延長部分１２６ｇ２及び第一電極部分１２６ｇ１が切れ目なく接続され、第二電極延長部分１２８ｇ２及び第二電極部分１２８ｇ１が切れ目なく接続されている点である。すなわち、発光ユニット１２０ｇの第一電極１２６ｇの第一電極延長部分１２６ｇ２及び第一電極部分１２６ｇ１は一体形成され、第二電極１２８ｇの第二電極延長部分１２８ｇ２及び第二電極部分１２８ｇ１は一体成形されている。
【００４７】
図８Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図８Ｂは、図８Ａの発光デバイスをＨ−Ｈ線に沿って示す断面図である。図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｈは、図７Ａ及び図７Ｂの発光デバイス１００ｇと同様であり、両者の主な違いは、本実施形態の発光ユニット１２０ｈの第一電極１２６ｈがさらに、第一電極部分１２６ｈ１及び第一電極延長部分１２６ｈ２を接続する第一接続部分１２６ｈ３を有する点である。第一接続部分１２６ｈ３が延びる方向は、第一電極部分１２６ｈ１が延びる方向及び第一電極延長部分１２６ｈ２が延びる方向に対して垂直である。第一電極部分１２６ｈ１、第一接続部分１２６ｈ３及び第一電極延長部分１２６ｈ２は、切れ目なく接続されていてもよい。発光ユニット１２０ｈの第二電極１２８ｈはさらに、第二電極部分１２８ｈ１及び第二電極延長部分１２８ｈ２を接続する第二接続部分１２８ｈ３を有する。第二接続部分１２８ｈ３が延びる方向は、第二電極部分１２８ｈ１が延びる方向及び第二電極延長部分１２８ｈ２が延びる方向に対して垂直である。第二電極部分１２８ｈ１、第二接続部分１２８ｈ３及び第二電極延長部分１２８ｈ２は、切れ目なく接続されていてもよい。第一電極延長部分１２６ｈ２の第一上面Ｓ１´´及び第二電極延長部分１２８ｈ２の第二上面Ｓ２´´は、封止体１３０ｈの上面１３２ｈと略同一平面上にある。封止体１３０ｈは、第一電極１２６ｈ及び第二電極１２８ｈの間の間隔ｄを埋めている。また、第一電極延長部分１２６ｈ２の端及び第二電極延長部分１２８ｈ２の端は、封止体１３０ｈの端及び光透過層１１０の端と整列している。
【００４８】
図９Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図９Ｂは、図９Ａの発光デバイスをＩ−Ｉ線に沿って示す断面図である。図９Ａ及び図９Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｉは、図８Ａ及び図８Ｂの発光デバイス１００ｈと同様であり、両者の主な違いは、本実施形態の第一電極延長部分１２６ｉ２の側壁及び第二電極延長部分１２８ｉ２の側壁が封止体１３０ｉで包囲されている点である。すなわち、発光ユニット１２０ｉの第一電極１２６ｉ、第二電極１２８ｉ、エピタキシャル構成層１２４及び基板１２２は、封止体１３０ｉで包囲されているが、第一電極１２６ｉ及び第二電極１２８ｉの上面は露出されている。第一電極１２６ｉの第一電極延長部分１２６ｉ２は、第一接続部分１２６ｉ３を介して第一電極部分１２６ｉ１に接続され、第一電極延長部分１２６ｉ２の第一表面Ｓ１´´´は、封止体１３０ｉの上面１３２ｉと略同一表面上にある。また、第二電極１２８ｉの第二電極延長部分１２８ｉ２は、第二接続部分１２８ｉ３を介して第二電極部分１２８ｉ１に接続され、第二電極延長部分１２８ｉ２の第二表面Ｓ２´´´は、封止体１３０ｉの上面１３２ｉと略同一表面上にある。
【００４９】
図１０Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイス（ＬＥＤパッケージ）を示す上面図である。図１０Ｂは、図１０Ａの発光デバイスをＪ−Ｊ線に沿って示す断面図である。図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス（ＬＥＤパッケージ）１００ｊは、図１Ａの発光デバイス１００ａと同様であり、両者の主な違いは、次の点である。本実施形態のＬＥＤパッケージ１００ｊでは、第一電極延長部分１２６ｊ２は、互いに分離された複数の第一サブ電極１２６ｊ２１、１２６ｊ２２を有し、第二電極延長部分１２８ｊ２は、互いに分離された複数の第二サブ電極１２８ｊ２１、１２８ｊ２２を有する。本実施形態では、第一サブ電極１２６ｊ２１、１２６ｊ２２は、封止体の２つの隣接する角に位置付けられ、第二サブ電極１２８ｊ２１、１２８ｊ２２は、封止体の２つの隣接する角に位置付けられている。換言すれば、第一サブ電極１２６ｊ２１、１２６ｊ２２は、第一電極部分１２６ｊ１の端から、第二電極部分１２８ｊ１から離れる方向に延び、第二サブ電極１２８ｊ２１、１２８ｊ２２は、第二電極部分１２８ｊ１の端から、第一電極部分１２６ｊ１から離れる方向に延びており、したがって、サブ電極１２６ｊ２１、１２６ｊ２２、１２８ｊ２１、１２８ｊ２２はそれぞれ、発光デバイス１００ｊの上面の４角に延びている。また、本実施形態では、封止体１３０ｊが第一電極部分１２６ｊ１及び第二電極部分１２８ｊ１を封止しており、サブ電極１２６ｊ２１、１２６ｊ２２、１２８ｊ２１、１２８ｊ２２は封止体１３０ｊを被覆するように延びている。本実施形態では、ＬＥＤパッケージ１００ｊはさらに、光透過層１１０と、光透過層１１０上に設けられた封止体１３０ｊを有する。図１Ｂと比べると、図１０Ｂには、フリップチップ接合を容易にするためにＬＥＤパッケージ１００ｊの電源をオフにした状態のみが示されている。
【００５０】
本実施形態のＬＥＤパッケージ１００ｊでは、ＬＥＤパッケージ１００ｊの上面の４角に形成されたサブ電極１２６ｊ２１、１２６ｊ２２、１２８ｊ２１、１２８ｊ２２は、４種のはんだペーストそれぞれを用いて回路基板に接合することができ、これら４角に設けられた４種のはんだペーストは、逆流が生じても圧力を分散させることができる。このように、ＬＥＤパッケージ１００ｊを回路基板に接合し冷却した後に、ＬＥＤパッケージ１００ｊは所定位置に対してある角度だけずれるのを防止し、接合工程の歩留まりを保証する。
【００５１】
図１１Ａは、本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージを示す上面図である。図１１Ｂは、図１１ＡのＬＥＤパッケージをＫ−Ｋ線に沿って示す断面図である。図１１Ａ及び図１１Ｂを参照すると、本実施形態のＬＥＤパッケージ１００ｋは、図１０Ａ及び図１０ＢのＬＥＤパッケージ１００ｊと同様であり、両者の主な違いは、次の点である。本実施形態のＬＥＤパッケージ１００ｋでは、第一電極延長部分１２６ｋ２の第一サブ電極１２６ｋ２１、１２６ｋ２２それぞれにより被覆される第一電極部分１２６ｋ１の面積は比較的小さく、第一サブ電極１２６ｋ２１、１２６ｋ２２はそれぞれ、第一電極部分１２６ｋ１の２つの隣接する角を被覆しており、これら２つの隣接する角はそれぞれ、ＬＥＤパッケージ１００ｋの上面の２つの隣接する角に近接している。また、第二電極延長部分１２８ｋ２の第二サブ電極１２８ｋ２１、１２８ｋ２２により被覆される第二電極部分１２８ｋ１の面積は比較的小さく、第二サブ電極１２８ｋ２１、１２８ｋ２２はそれぞれ、第二電極部分１２８ｋ１の２つの隣接する角を被覆しており、これら２つの隣接する角はそれぞれ、ＬＥＤパッケージ１００ｋの上面の２つの隣接する角に近接している。
【００５２】
図１２Ａは、本発明の別の実施形態に従ったＬＥＤパッケージを示す上面図である。図１２Ｂは、フリップチップ方式で回路基板に接合された図１２ＡのＬＥＤパッケージ構造をＬ−Ｌ線に沿って示す断面図である。図１２Ａ及び図１２Ｂを参照すると、本実施形態のＬＥＤパッケージ１００ｌは、図１１Ａ及び図１１ＢのＬＥＤパッケージ１００ｋと同様であり、両者の主な違いは、次の点である。本実施形態のＬＥＤパッケージ１００ｌでは、第一電極延長部分１２６ｌ２の第一サブ電極１１２６ｌ２１〜１２６ｌ２８は２つの第一サブ電極群１２６ｌａ、１２６ｌｂにグループ化されており、第一サブ電極群１２６ｌａ、１２６ｌｂはそれぞれ、第一サブ電極の一部を含んでいる。例えば、図１２Ａに示されているように、第一サブ電極群１２６ｌａは、４個の第一サブ電極１２６ｌ２１〜１２６ｌ２４を含み、第一サブ電極群１２６ｌｂは、４個の第一サブ電極１２６ｌ２５〜１２６ｌ２８を含む。また、第二電極延長部分１２８ｌ２の第二サブ電極１２８ｌ２１〜１２８ｌ２８は２つの第二サブ電極群１２８ｌａ、１２８ｌｂにグループ化されており、第二サブ電極群１２８ｌａ、１２８ｌｂはそれぞれ、第二サブ電極の一部を含んでいる。例えば、図１２Ａに示されているように、第二サブ電極群１２８ｌａは、４個の第二サブ電極１２８ｌ２１〜１２８ｌ２４を含み、第二サブ電極群１２８ｌｂは、４個の第二サブ電極１２８ｌ２５〜１２８ｌ２８を含む。本実施形態では、２つの第一サブ電極群１２６ｌａ、１２６ｌｂは、ＬＥＤパッケージ１００ｌの上面の２つの隣接する角それぞれに設けられており、２つの第二サブ電極群１２８ｌａ、１２８ｌｂは、ＬＥＤパッケージ１００ｌの上面の２つの隣接する角それぞれに設けられている。
【００５３】
発光デバイス１００ｌは、フリップチップ接合方式によって回路基板５０に接合することができる。例えば、２つの第一サブ電極群１２６ｌａ、１２６ｌｂは、２種の硬化したはんだペースト６０それぞれを介して回路基板５０上の電極パッド５２（例えば、図１２Ｂに示されている左側の電極パッド５２）に接合され、２つの第二サブ電極群１２８ｌａ、１２８ｌｂは、２種の硬化したはんだペースト６０それぞれを介して回路基板５０上の電極パッド５２（例えば、図１２Ｂに示されている右側の電極パッド５２）に接合される。隣接する２個のサブ電極の間の間隔を硬化される前のはんだペースト６０で埋めることができるため、はんだペースト６０及び第一サブ電極１２６ｌ２１〜１２６ｌ２８の間の接合力と、はんだペースト６０及び第二サブ電極１２８ｌ２１〜１２８ｌ２８の間の接合力を効果的に高め、回路基板５０に接合された発光デバイス１００ｌの信頼性を向上させることができる。
【００５４】
図１３は、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図１３を参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｍは、図１０Ａの発光デバイス１００ｊと同様であり、両者の主な違いは、次の点である。本実施形態の発光デバイス１００ｍでは、第一電極延長部分１２６ｍ２の第一サブ電極１２６ｍ２１、１２６ｍ２３は、発光デバイス１００ｍの上面の２つの隣接する角それぞれに設けられ、第一サブ電極１２６ｍ２１及び第一サブ電極１２６ｍ２３の間には第一サブ電極１２６ｍ２２が設けられている。また、第二電極延長部分１２８ｍ２の第二サブ電極１２８ｍ２１、１２８ｍ２３は、発光デバイス１００ｍの上面の別の２つの隣接する角それぞれに設けられ、第二サブ電極１２８ｍ２１及び第二サブ電極１２８ｍ２３の間には第二サブ電極１２８ｍ２２が設けられている。
【００５５】
本発明の他の実施形態では、第一サブ電極及び第二サブ電極の数及び構成を変形することができ、このことは、本発明で限定されるものではない。
【００５６】
図１４は、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す断面図である。図１４を参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｎは、図１Ｂの発光デバイス１００ａと同様であり、両者の主な違いは、次の点である。本実施形態では、発光デバイス１００ｎはさらに、反射層１４０ｎを有し、反射層１４０ｎは、少なくとも封止体１３０ａの上面１３２ａに設けられている。本実施形態では、反射層１４０ｎの少なくとも一部が、第一電極１２６ａ及び封止体１３０ａの上面１３２ａの間と、第二電極１２８ａ及び封止体１３０ａの上面１３２ａの間とに設けられている。明確には、反射層１４０ｎは、第一電極延長部分１２６ａ２及び封止体１３０ａの上面１３２ａの間と、第二電極延長部分１２８ａ２及び封止体１３０ａの上面１３２ａの間とに設けることができる。反射層１４０ａは、例えば、金、アルミニウム、銀、ニッケル、チタン、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）若しくは高反射率の反射性粒子が添付された樹脂層（例えば、シリコーン層若しくはエポキシ樹脂層）又はこれらの組み合わせである。反射層１４０ｎは、発光ユニット１２０ａから発せられた光が光透過層１１０から効果的に射出されるように、その光を光透過層１１０に反射する。反射層１４０ｎが絶縁性材料から作られている場合には、反射層１４０ｎを連続した単一部材として封止体１３０ａの上面１３２ａ全体を被覆することができる。一方、反射層１４０ｎが導電性材料から作られている場合には、短絡防止のために、反射層１４０ｎの第一電極延長部分１２６ａ２の下に設けられた一部を、反射層１４０ｎの第二電極延長部分１２８ａ２の下に設けられた一部から分離しなければならない。
【００５７】
図１５Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図１５Ｂは、図１５Ａの発光デバイスをＭ−Ｍ線に沿って示す断面図である。図１５Ａ及び図１５Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｐは、図６Ａ及び図６Ｂの発光デバイス１００ｆと同様であり、両者の主な違いは、次の点である。本実施形態の発光デバイス１００ｐでは、第一電極１２６ｐ及び第二電極１２８ｐはエピタキシャル構成層１２４から上方に延び、封止体１３０ａの上面１３２ａから突出している。本実施形態では、第一電極１２６ｐ及び第二電極１２８ｐのいずれも、封止体１３０ａの上面１３２ａを被覆しない。
【００５８】
明確には、第一電極１２６ｐの第一電極延長部分１２６ｐ２は、第一電極部分１２６ａ１上に設けられ、封止体１３０ａの上面１３２ａから突出しており、第二電極１２８ｐの第二電極延長部分１２８ｐ２は、第二電極部分１２８ａ１上に設けられ、封止体１３０ａの上面１３２ａから突出している。本実施形態では、第一電極延長部分１２６ｐ２及び第二電極延長部分１２８ｐ２のいずれも、封止体１３０ａの上面１３２ａを被覆しておらず、第一電極延長部分１２６ｐ２及び第二電極延長部分１２８ｐ２は、略同一平面上にある。別の実施形態では、第一電極１２６ｐ及び第二電極１２８ｐは、封止体１３０ａの上面１３２ａから突出することなくエピタキシャル構成層１２４から上方に延びることができる。例えば、第一電極延長部分１２６ｐ２の上面（すなわち、エピタキシャル構成層１２４とは反対側を向く面）と、第二電極延長部分１２８ｐ２の上面（すなわち、エピタキシャル構成層１２４とは反対側を向く面）と、封止体１３０ａの上面１３２ａとは、略同一平面上とすることができる。
【００５９】
本実施形態では、第一電極延長部分１２６ｐ２及び第二電極延長部分１２８ｐ２によって第一電極１２６ｐ及び第二電極１２８ｐの高さを大きくすることにより、後述するチップ接合工程を容易にすることができる。
【００６０】
図１６Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図１６Ｂは、図１６Ａの発光デバイスをＮ−Ｎ線に沿って示す断面図である。図１６Ａ及び図１６Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｑは、図１５Ａ及び図１５Ｂの発光デバイス１００ｐと同様であり、両者の主な違いは、次の点である。本実施形態の発光デバイス１００ｑでは、上方に延びる第一電極延長部分は、互いに分離された複数の第一サブ電極１２６ｑ２を有し、上方に延びる第二電極延長部分は、互いに分離された複数の第二サブ電極１２８ｑ２を有する。
【００６１】
図１７Ａは、本発明の別の実施形態に従った発光デバイスを示す上面図である。図１７Ｂは、図１７Ａの発光デバイスをＰ−Ｐ線に沿って示す断面図である。図１７Ａ及び図１７Ｂを参照すると、本実施形態の発光デバイス１００ｒは、図１６Ａ及び図１６Ｂの発光デバイス１００ｑと同様であり、両者の主な違いは、発光デバイス１００ｑの第一サブ電極１２６ｑ２及び第二サブ電極１２８ｑ２は層状電極であるが、本実施形態の発光デバイス１００ｒの第一サブ電極１２６ｒ２及び第二サブ電極１２８ｒ２は、球植え法（ｂａｌｌ  ｐｌａｎｔｉｎｇ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）により形成可能な球状電極である点である。
【００６２】
図１８Ａは、フリップチップ接合方式で回路基板に接合された図１Ｂの発光デバイスを示す断面図である。図１８Ｂは、図１８Ａの領域Ｍ１を示す部分拡大図である。図１８Ａ及び図１８Ｂを参照すると、発光デバイス１００ａは、フリップチップ接合方式によって回路基板５０に接合することができる。例えば、第一電極延長部分１２６ａ２及び第二電極延長部分１２８ａ２は、回路基板５０上の２つの電極パッド５２に、２種の硬化したはんだペースト６０を用いてそれぞれ接合することができる。
【００６３】
本実施形態では、第一電極延長部分１２６ａ２及び第二電極延長部分１２８ａ２はそれぞれ、接着層Ｌ１と、接着層Ｌ１及び封止体１３０ａの間に設けられたバリア層Ｌ２とを有する。接着層Ｌ１の材料は、金、錫、アルミニウム、銀、銅、インジウム、ビスマス、白金、金錫合金、錫銀合金若しくは錫銀銅合金（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ（ＳＡＣ）合金）又はこれらの組み合わせを含み、バリア層Ｌ２の材料は、ニッケル、チタン、タングステン若しくは金又はこれらの組み合わせから成る合金を含む。接着層Ｌ１は容易にはんだペースト６０と接合でき、バリア層Ｌ２は、接合中にはんだペースト６０物質が封止体１３０ａに侵入して発光デバイス１００ａを汚染するのを効果的に防止することができる。
【００６４】
本実施形態では、第一電極延長部分１２６ａ２及び第二電極延長部分１２８ａ２はそれぞれ、少なくともバリア層Ｌ２及び封止体１３０ａの間に設けられた反射層Ｌ３をさらに有する。反射層Ｌ３は、エピタキシャル構成層１２４からの光を反射し、光の利用率を高めることができる。本実施形態では、反射層Ｌ３の材料は、金、アルミニウム、銀、ニッケル若しくはチタン又はこれらの組み合わせから成る合金を含む。
【００６５】
要約すれば、本発明の本実施形態に従った発光ユニットの第一電極及び第二電極は、エピタキシャル構成層から外方に延びて封止体を被覆する。すなわち、本発明の発光デバイスは大きな電極面積を有し、発光デバイスを外部回路に組み付ける際に、組み付け時の位置合わせの正確性が効果的に向上する。本発明の本実施形態に従った発光ユニットの第一電極及び第二電極はエピタキシャル構成層から上方に延びて封止体から突出しているため、後続するチップ接続工程を容易にすることができる。
【００６６】
当業者には明らかなように、本発明の範囲又は精神を逸脱することなく、本発明の構成に様々な変更及び変化を加えることが可能である。以上のことを考慮して、本発明にはその変更及び変化も含まれ、これらは、添付の特許請求の範囲及びその均等物により定義される範囲内に包含されるものとする。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【外国語明細書】
2016015474000001.pdf