(57)【要約】【課題】処理対象の状態の監視又は制御の少なくとも一方を、より精度よく行う。【解決手段】赤外線処理装置１０では、放射強度センサ６０が処理空間１２ａ内での塗膜８２（検出箇所８３）からの赤外線の放射強度である塗膜放射強度Ｅｃを検出する。そして、検出された塗膜放射強度Ｅｃに基づいて、コントローラー９０が赤外線処理中の塗膜８２の状態の監視及び制御を行う。また、赤外線処理装置１０は、塗膜８２の検出箇所８３が異なる複数の放射強度センサ６０を備え、コントローラー９０は複数の検出箇所８３の塗膜放射強度Ｅｃに基づいて、塗膜８２の状態の監視及び制御を行う。また、コントローラー９０は、複数の検出箇所８３の各々について、検出箇所８３の塗膜放射強度Ｅｃに基づく比Ｒが目標値Ｒｔになるように検出箇所８３に対応する赤外線ヒーター３０を制御する。【選択図】図１
2016040497.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象に赤外線を放射して赤外線処理を行う赤外線処理装置であって、
前記赤外線処理を行う処理空間を形成する炉体と、
前記処理空間に配置された１以上の赤外線ヒーターと、
前記処理空間内での処理対象からの赤外線の放射強度である処理対象放射強度を検出可能な１以上の処理対象用放射強度センサと、
前記検出された処理対象放射強度に基づいて、前記赤外線処理中における処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方を行う監視制御手段と、
を備えた赤外線処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の赤外線処理装置であって、
前記処理対象中の検出箇所が異なる複数の前記処理対象用放射強度センサ、
を備え、
前記監視制御手段は、複数の前記検出箇所の前記処理対象放射強度に基づいて、前記処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方を行う、
赤外線処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の赤外線処理装置であって、
前記処理対象用放射強度センサを移動させるセンサ移動手段、
を備え、
前記監視制御手段は、前記センサ移動手段により前記処理対象用放射強度センサを移動させて、前記処理対象中の複数の検出箇所の前記処理対象放射強度を検出させ、該検出された複数の処理対象放射強度に基づいて、前記処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方を行う、
赤外線処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の赤外線処理装置であって、
前記処理対象を前記搬送方向に搬送する搬送手段、
を備え、
前記監視制御手段は、前記センサ移動手段により前記処理対象用放射強度センサを移動させることで該処理対象用放射強度センサによる前記処理対象中の検出箇所を前記処理対象と同じ速度で前記搬送方向に移動させ、前記複数の検出箇所が検出時刻の異なる前記処理対象の同じ部分となるようにする、
赤外線処理装置。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか１項に記載の赤外線処理装置であって、
前記複数の検出箇所に対応する位置にそれぞれ配置された複数の前記赤外線ヒーター、
を備え、
前記監視制御手段は、前記複数の検出箇所の各々について、該検出箇所の前記処理対象放射強度に基づく値が目標値になるように該検出箇所に対応する赤外線ヒーターを制御することで、前記処理対象の状態を制御する、
赤外線処理装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の赤外線処理装置であって、
前記赤外線ヒーターから前記処理対象への赤外線の放射強度であるヒーター放射強度を検出可能なヒーター用放射強度センサ、
を備え、
前記監視制御手段は、前記処理対象放射強度と前記ヒーター放射強度との比に基づいて前記監視及び制御の少なくとも一方を行う、
赤外線処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の赤外線処理装置であって、
前記処理対象用放射強度センサは、前記処理対象が前記処理空間にあるときには前記処理対象放射強度を検出可能であり且つ前記処理対象が前記処理空間にないときには前記ヒーター放射強度を検出可能な位置に配置されて、前記ヒーター用放射強度センサを兼ねており、
前記監視制御手段は、前記処理対象が前記処理空間にないときに、前記赤外線ヒーターを制御して該赤外線ヒーターに対する制御量と前記検出された前記ヒーター放射強度との対応関係を導出する対応関係導出処理を行い、前記赤外線処理中には、前記検出された処理対象放射強度と、該赤外線処理中における前記赤外線ヒーターに対する制御量に対応する前記ヒーター放射強度と、の比に基づいて前記監視及び制御の少なくとも一方を行う、
赤外線処理装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の赤外線処理装置であって、
前記処理対象用放射強度センサには、前記処理対象からの赤外線のうち第１波長領域の放射強度である処理対象第１放射強度を検出する処理対象用第１センサと、前記処理対象からの赤外線のうち前記第１波長領域とは異なる第２波長領域の放射強度である処理対象第２放射強度を検出する処理対象用第２センサと、が含まれ、
前記監視制御手段は、前記検出された処理対象第１放射強度及び処理対象第２放射強度の少なくとも一方に基づいて前記処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方を行う、
赤外線処理装置。
【請求項９】
前記監視制御手段は、前記検出された処理対象第１放射強度及び処理対象第２放射強度に基づいて前記処理対象の状態に関する状態関連情報を導出し、該導出した状態関連情報に基づいて前記処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方を行う、
請求項８に記載の赤外線処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外線処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、塗膜などの処理対象に対して赤外線ヒーターから赤外線を放射して乾燥などの処理を行う赤外線処理装置が知られている。こうした赤外線処理装置に用いられる赤外線ヒーターとして、例えば特許文献１には、加熱すると赤外線を放出するロッド状の発熱体と、この発熱体が気密的に収容された透光性アルミナセラミックス製筒形状の保護管とを備えた赤外線ヒーターが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２９４３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような赤外線処理装置では、処理対象の品質を保つために、赤外線ヒーターへの供給電力を適切に制御することが行われる。そして、赤外線ヒーターの制御をより適切に行うために、赤外線処理中の赤外線ヒーターの状態（温度など）を検出することが考えられる。しかしながら、赤外線ヒーターの状態が同じでも、例えば炉体の状態などによって、処理対象の状態が異なる場合があった。その結果、処理対象の処理後の品質に問題が生じる場合があった。
【０００５】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、処理対象の状態の監視又は制御の少なくとも一方を、より精度よく行うことを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述した主目的を達成するために以下の手段を採った。
【０００７】
本発明の赤外線処理装置は、
処理対象に赤外線を放射して赤外線処理を行う赤外線処理装置であって、
前記赤外線処理を行う処理空間を形成する炉体と、
前記処理空間に配置された１以上の赤外線ヒーターと、
前記処理空間内での処理対象からの赤外線の放射強度である処理対象放射強度を検出可能な１以上の処理対象用放射強度センサと、
前記検出された処理対象放射強度に基づいて、前記赤外線処理中における処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方を行う監視制御手段と、
を備えたものである。
【０００８】
この本発明の赤外線処理装置では、処理対象用放射強度センサが処理空間内での処理対象からの赤外線の放射強度である処理対象放射強度を検出する。そして、検出された処理対象放射強度に基づいて、赤外線処理中の処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方を行う。このように、処理対象放射強度を検出することで直接的に処理対象の状態を検出できるため、赤外線ヒーターの状態を検出する場合と比べて、処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方をより精度よく行うことができる。ここで、「処理対象の状態」には、処理対象の大きさ，厚さ，赤外線処理による反応や変化の程度，処理対象中の所定の材質の質量又は割合，処理対象の温度などが含まれる。また、「処理対象の状態の監視」には、処理対象の状態を表す情報を記憶することや、処理対象の状態が許容範囲内か否かを判定することなどが含まれる。「処理対象の状態の制御」には、赤外線ヒーターを制御することで処理対象の状態を制御することが含まれる。なお、「監視及び制御の少なくとも一方」を「監視制御」と表記する場合がある。また、「赤外線処理」は、例えば加熱処理，乾燥処理，脱水処理，化学反応させる処理などを含む。
【０００９】
本発明の赤外線処理装置において、前記処理対象中の検出箇所が異なる複数の前記処理対象用放射強度センサ、を備え、前記監視制御手段は、複数の前記検出箇所の前記処理対象放射強度に基づいて、前記処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方を行ってもよい。こうすれば、処理対象の複数箇所で処理対象放射強度を検出するから、処理対象の状態の監視制御をより精度よく行うことができる。
【００１０】
本発明の赤外線処理装置において、前記処理対象用放射強度センサを移動させるセンサ移動手段、を備え、前記監視制御手段は、前記センサ移動手段により前記処理対象用放射強度センサを移動させて、前記処理対象中の複数の検出箇所の前記処理対象放射強度を検出させ、該検出された複数の処理対象放射強度に基づいて、前記処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方を行ってもよい。こうすれば、処理対象用放射強度センサを移動させて処理対象の複数箇所で処理対象放射強度を検出するから、処理対象の状態の監視制御をより精度よく行うことができる。ここで、「移動」は、直線又は曲線などの所定の経路に沿った平行移動や、所定の位置を中心として回転する回転移動、平行移動と回転移動との組み合わせ、などを含む。また、回転移動には、回転の中心が回転させる対象の内部に位置する場合と外部に位置する場合とを含む。
【００１１】
この場合において、本発明の赤外線処理装置は、前記処理対象を前記搬送方向に搬送する搬送手段、を備え、前記監視制御手段は、前記センサ移動手段により前記処理対象用放射強度センサを移動させることで該処理対象用放射強度センサによる前記処理対象中の検出箇所を前記処理対象と同じ速度で前記搬送方向に移動させ、前記複数の検出箇所が検出時刻の異なる前記処理対象の同じ部分となるようにしてもよい。こうすれば、処理対象の同じ部分からの赤外線の放射強度の時間変化を検出することができる。なお、例えばセンサ移動手段が前記処理対象用放射強度センサを前記搬送方向に移動（平行移動）させる場合、前記監視制御手段は、前記センサ移動手段により前記処理対象用放射強度センサを前記処理対象と同じ速度で前記搬送方向に移動させてもよい。また、センサ移動手段が前記処理対象用放射強度センサを回転移動させる場合、前記監視制御手段は、該処理対象用放射強度センサによる前記処理対象中の検出箇所が前記処理対象と同じ速度で前記搬送方向に移動するように、前記処理対象用放射強度センサを回転移動させてもよい。
【００１２】
複数の検出箇所の処理対象放射強度を検出する態様の本発明の赤外線処理装置において、前記複数の検出箇所に対応する位置にそれぞれ配置された複数の前記赤外線ヒーター、を備え、前記監視制御手段は、前記複数の検出箇所の各々について、該検出箇所の前記処理対象放射強度に基づく値が目標値になるように該検出箇所に対応する赤外線ヒーターを制御することで、前記処理対象の状態を制御してもよい。こうすれば、複数の赤外線ヒーターを用いて異なる複数の検出箇所の各々の状態を制御できる。そのため、例えば検出箇所が１つである場合と比較して、処理対象の状態を全体的により精度よく制御できる。なお、「処理対象放射強度に基づく値」は、処理対象放射強度の値そのものや、処理対象放射強度から導出され処理対象の状態を表す値などを含む。
【００１３】
本発明の赤外線処理装置は、前記赤外線ヒーターから前記処理対象への赤外線の放射強度であるヒーター放射強度を検出可能なヒーター用放射強度センサ、を備え、前記監視制御手段は、前記処理対象放射強度と前記ヒーター放射強度との比に基づいて前記監視及び制御の少なくとも一方を行ってもよい。ここで、処理対象の状態が同じであっても、ヒーター放射強度が異なることで、処理対象放射強度が異なる値として検出される場合がある。一方、ヒーター放射強度と処理対象放射強度との比は、処理対象の状態が同じであれば比較的変化しにくい。そのため、処理対象放射強度とヒーター放射強度との比に基づくことで、処理対象の監視制御をより精度よく行うことができる。なお、ヒーター放射強度の検出と処理対象放射強度の検出とは、同時に行ってもよいし、異なるタイミングで行ってもよい。
【００１４】
ヒーター放射強度を検出する態様の本発明の赤外線装置において、前記処理対象用放射強度センサは、前記処理対象が前記処理空間にあるときには前記処理対象放射強度を検出可能であり且つ前記処理対象が前記処理空間にないときには前記ヒーター放射強度を検出可能な位置に配置されて、前記ヒーター用放射強度センサを兼ねており、前記監視制御手段は、前記処理対象が前記処理空間にないときに、前記赤外線ヒーターを制御して該赤外線ヒーターに対する制御量と前記検出された前記ヒーター放射強度との対応関係を導出する対応関係導出処理を行い、前記赤外線処理中には、前記検出された処理対象放射強度と、該赤外線処理中における前記赤外線ヒーターに対する制御量に対応する前記ヒーター放射強度と、の比に基づいて前記監視及び制御の少なくとも一方を行ってもよい。こうすれば、赤外線処理中のヒーター放射強度の検出を行わなくとも、処理対象放射強度とヒーター放射強度との比に基づいて監視制御をより精度よく行うことができる。また、処理対象用放射強度センサがヒーター用放射強度センサを兼ねるため、放射強度センサの数を減らすことができる。
【００１５】
本発明の赤外線処理装置において、前記処理対象用放射強度センサには、前記処理対象からの赤外線のうち第１波長領域の放射強度である処理対象第１放射強度を検出する処理対象用第１センサと、前記処理対象からの赤外線のうち前記第１波長領域とは異なる第２波長領域の放射強度である処理対象第２放射強度を検出する処理対象用第２センサと、が含まれ、前記監視制御手段は、前記検出された処理対象第１放射強度及び処理対象第２放射強度の少なくとも一方に基づいて前記処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方を行ってもよい。この場合において、前記監視制御手段は、前記処理対象の種類に応じて前記処理対象第１放射強度と前記処理対象第２放射強度とのいずれを用いるかを切り替えるものとしてもよい。また、前記監視制御手段は、前記赤外線処理の経過時間に応じて前記処理対象第１放射強度と前記処理対象第２放射強度とのいずれを用いるかを切り替えるものとしてもよい。
【００１６】
処理対象用第１センサと処理対象用第２センサとを備えた態様の本発明の赤外線処理装置において、前記監視制御手段は、前記検出された処理対象第１放射強度及び処理対象第２放射強度に基づいて前記処理対象の状態に関する状態関連情報を導出し、該導出した状態関連情報に基づいて前記処理対象の状態の監視及び制御の少なくとも一方を行ってもよい。ここで、「状態関連情報」は、処理対象の状態に対応して定まる情報であり、例えば処理対象の温度であってもよいし、処理対象第１放射強度と処理対象第２放射強度との和や加重和であってもよい。
【００１７】
本発明の赤外線処理装置において、前記処理対象用放射強度センサは、受光した赤外線のうち所定の波長領域以外の赤外線を遮蔽するフィルタ部と、前記フィルタ部を通過した後の赤外線の放射強度を検出する検出部と、を有していてもよい。こうすれば、所定の波長領域以外の赤外線の影響をより抑制でき、放射強度の検出精度が向上する。なお、前記処理対象用第１センサが前記フィルタ部を備える場合は、該フィルタ部が受光した赤外線のうち前記第１波長領域以外の赤外線を遮蔽すればよい。同様に、前記処理対象用第２センサが前記フィルタ部を備える場合は、該フィルタ部が受光した赤外線のうち前記第２波長領域以外の赤外線を遮蔽すればよい。前記ヒーター用放射強度センサについても、同様に前記フィルタ部と前記検出部とを有していてもよい。
【００１８】
本発明の赤外線処理装置において、前記処理対象用放射強度センサは、受光した赤外線の放射強度を検出する検出部と、該検出部へ到達可能な赤外線の入射方向を制限する絞り部と、を有し、前記処理対象用放射強度センサは、前記絞り部の開口が前記処理対象に向くように配置されていてもよい。こうすれば、処理対象以外の物体から放射される赤外線の影響をより抑制でき、放射強度の検出精度が向上する。なお、赤外線処理装置が上述したセンサ移動手段を備える場合など、処理対象用放射強度センサと処理対象との位置関係が変更可能である場合には、処理対象放射強度の検出時に絞り部の開口が前記処理対象に向くようにすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】赤外線処理装置１０の縦断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】赤外線ヒーター３０及び放射強度センサ６０の配置を示す斜視図。
【図４】対応関係導出ルーチンの一例を示すフローチャート。
【図５】シート８０をローラー２５に繋いだ状態を示す断面図。
【図６】対応関係テーブル９３の一例を示す説明図
【図７】監視制御ルーチンの一例を示すフローチャート。
【図８】変形例の赤外線処理装置１１０の断面図。
【図９】変形例の赤外線処理装置２１０の断面図。
【図１０】変形例の赤外線処理装置３１０の断面図。
【図１１】変形例の赤外線処理装置４１０の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態である赤外線処理装置１０の縦断面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図３は、赤外線処理装置１０が備える赤外線ヒーター３０及び放射強度センサ６０の配置を示す斜視図である。赤外線処理装置１０は、シート８０上に塗布された処理対象としての塗膜８２の赤外線処理（本実施形態では乾燥処理）を赤外線を用いて行うものであり、炉体１２と、赤外線ヒーター３０と、放射強度センサ６０と、コントローラー９０と、操作パネル９８と、を備えている。また、赤外線処理装置１０は、炉体１２の前方（図１の左側）に設けられたロール２１と、炉体１２の後方（図１の右側）に設けられたロール２５と、を備えている。この赤外線処理装置１０は、塗膜８２が上面に形成されたシート８０を、ロール２１，２５により連続的に搬送して乾燥を行う、ロールトゥロール方式の乾燥炉として構成されている。本実施形態において、左右方向、前後方向及び上下方向は、図１〜図３に示した通りとする。
【００２１】
炉体１２は、塗膜８２の赤外線処理を行う処理空間１２ａを形成するものである。炉体１２は、略直方体に形成された断熱構造体であり、前端面１３，後端面１４，左端面１５，右端面１６と、内部の空間である処理空間１２ａと、炉体の前端面１３及び後端面１４にそれぞれ形成され外部から処理空間１２ａへの出入口となる開口１７，１８とを有している。この炉体１２は、前端面１３から後端面１４までの長さが例えば２〜１０ｍである。片面に塗膜８２が塗布されたシート８０は、処理空間１２ａを開口１７から開口１８まで略水平に通過していく。処理空間１２ａには、複数の赤外線ヒーター３０及び複数の放射強度センサ６０が配置されている。
【００２２】
赤外線ヒーター３０は、炉体１２内の塗膜８２に赤外線を放射する装置である。赤外線ヒーター３０は、炉体１２の左右方向に複数列（本実施形態では３列），及び炉体１２の前後方向に複数列（本実施形態では３列）並べられ、本実施形態では計９本が取り付けられている（図３参照）。この９本の赤外線ヒーター３０を左前方から右後方に向かって赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｉと称する。９本の赤外線ヒーター３０は、左右方向及び前後方向にそれぞれ略等間隔に並べて取り付けられている。赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｉは、いずれも長手方向が左右方向に沿うように取り付けられている。赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｉはいずれも同様の構成をしているため、以下、左前方の赤外線ヒーター３０ａの構成について説明する。
【００２３】
赤外線ヒーター３０ａは、図１及び図２の破線枠内に示した拡大図に示すように、発熱体であるフィラメント３２を内管３６が囲むように形成されたヒーター本体３８と、このヒーター本体３８を囲むように形成された外管４０と、外管４０の両端に気密に嵌め込まれた有底筒状のキャップ４２と、ヒーター本体３８と外管４０との間に形成され第１冷媒が流通可能な第１冷媒流路４７と、を備えている。また、外管４０の上側の表面には、反射層４１が形成されている。外管４０の下側の表面には、外管４０の表面温度を検出する温度センサ５６が取り付けられている（図２参照）。
【００２４】
フィラメント３２は、加熱すると赤外線を放射する発熱体であり、本実施形態ではＷ（タングステン）製の電線を螺旋状に巻いたものとした。なお、フィラメント３２の材料としては、他にＮｉ−Ｃｒ合金，Ｍｏ，Ｔａ，及びＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金などを挙げることができる。このフィラメント３２は、電力供給源５０から電力が供給されて、例えば７００〜１７００℃に通電加熱されると、波長が３．５μｍ以下（例えば２〜３μｍ付近）の赤外線領域にピークを持つ赤外線を放射する。フィラメント３２に接続された電気配線３４は、キャップ４２に設けられ炉体１２の上部（天井）を貫通する配線引出部４４を介して気密に外部へ引き出され、電力供給源５０に接続されている。内管３６，外管４０は、フィラメント３２から放射された電磁波のうち３．５μｍ以下の波長の赤外線を通過し３．５μｍを超える波長の赤外線を吸収するフィルタとして機能する赤外線吸収材料で形成されている。内管３６，外管４０に用いるこのような赤外線透過材料としては、例えば、石英ガラスなどが挙げられる。内管３６の内部は、アルゴンガスにハロゲンガスを添加した雰囲気となっている。
【００２５】
ヒーター本体３８は、両端がキャップ４２の内部に配置されたホルダー４９に支持されている。各キャップ４２は、第１冷媒出入口４８を有している。第１冷媒出入口４８の一方には、第１冷媒供給源５２から第１冷媒が供給される。一方の第１冷媒出入口４８から外管４０内に流入した第１冷媒は、冷媒流路４７を流通して他方の第１冷媒出入口４８から流出するようになっている。第１冷媒流路４７を流れる第１冷媒は、例えば空気や不活性ガスなどの気体であり、内管３６と外管４０とに接触して熱を奪うことによりこれらを冷却する。
【００２６】
反射層４１は、外管４０の外周面のうち、フィラメント３２からみて塗膜８２とは反対側（上側）を含む領域に形成され、フィラメント３２の周囲の一部のみを覆うように設けられている。本実施形態では、反射層４１は、外管４０の上側半分を全て覆っているものとした。反射層４１は、その断面の円弧を含む円の中心位置にフィラメント３２が位置するように配置されている。この反射層４１は、フィラメント３２から放射される電磁波のうち赤外線の少なくとも一部を反射する赤外線反射材料で形成されている。赤外線反射材料としては、例えば金，白金，アルミニウムなどが挙げられる。反射層４１は、特に、フィラメント３２から放射される波長３．５μｍ以下の赤外線の反射率が高いことが好ましい。反射層４１は、外管４０の表面に塗布乾燥、スパッタリングやＣＶＤ、溶射といった成膜方法を用いて赤外線反射材料を成膜することで形成されている。
【００２７】
こうして構成された赤外線ヒーター３０（赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｉ）では、フィラメント３２から波長が３．５μｍ以下にピークを持つ赤外線が放射されると、そのうち主に３．５μｍ以下の波長の赤外線（波長０．７μ〜３．５μｍの近赤外線）が内管３６や外管４０を通過して炉体１２内部の塗膜８２に放射される。なお、内管３６や外管４０は、３．５μｍを超える波長の赤外線を吸収するが、第１冷媒流路４７を流れる第１冷媒によって冷却されることで（例えば２００℃以下）、自身が赤外線の二次放射体となることを抑制可能である。
【００２８】
放射強度センサ６０は、処理空間１２ａ内での塗膜８２からの赤外線の放射強度である処理対象放射強度を検出するセンサである。放射強度センサ６０は、炉体１２の左右方向に複数列（本実施形態では３列），及び炉体１２の前後方向に複数列（本実施形態では３列）並べられ、本実施形態では計９個が取り付けられている（図３参照）。この９個の放射強度センサ６０を左前方から右後方に向かって放射強度センサ６０ａ〜６０ｉと称する。９個の放射強度センサ６０ａ〜６０ｉは、それぞれ赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｉと一対一に対応しており、対応する各赤外線ヒーター３０の長手方向略中央の真下に取り付けられている。また、放射強度センサ６０は、炉体１２の底部付近に取り付けられており、処理空間１２ａ内を通過する塗膜８２から下方に離間して位置している。放射強度センサ６０ａ〜６０ｉはいずれも同様の構成をしているため、以下、左前方の放射強度センサ６０ａの構成について説明する。
【００２９】
放射強度センサ６０ａは、図１の拡大図に示すように、本体部である筒状体６１と、筒状体６１の先端に取り付けられた絞り部（アパーチャ）６２と、筒状体６１の内部に取り付けられたフィルタ部６３及び検出部６４と、筒状体６１の外周を覆うように取り付けられた第２流路形成部材６６と、を備えている。絞り部６２は、略円盤状の部材であり、中央に開口６２ａが形成されている。絞り部６２は、放射強度センサ６０ａの外部から検出部６４に到達可能な赤外線の入射方向を制限するものであり、主に開口６２ａの延長上の領域から放射される赤外線が検出部６４に到達するようになっている。開口６２ａの開口の中心軸と水平方向とのなす角を角度θとすると、本実施形態では角度θが９０°であるものとした。そのため、主に開口６２ａの真上からの赤外線が検出部６４に到達する。開口６２ａの直径は、到達しうる赤外線の放射強度の範囲や、塗膜８２と放射強度センサ６０ａとの距離に応じて適宜定めることができ、例えば数ｍｍ〜十数ｍｍである。絞り部６２の材質としては、赤外線の透過率及び吸収率が低く、赤外線の反射率が高いものが好ましい。本実施形態では、絞り部６２はアルミニウム製とした。
【００３０】
フィルタ部６３は、略円盤状の部材であり、開口６２ａを通過して検出部６４へ向かう赤外線のうち所定の波長領域以外の赤外線を遮蔽するバンドパスフィルタとして機能する部材である。フィルタ部６３は、例えばサファイア，石英，シリコンなどの表面にＧｅ，ＺｎＳなどの薄膜をコーティングした干渉フィルタとして構成されている。本実施形態では、フィルタ部６３はサファイアにＧｅをコーティングしたものとし、所定の波長領域は波長３μｍ付近（より具体的には波長３±０．２５μｍ）の領域とした。すなわち、フィルタ部６３は、波長３μｍ付近の領域の赤外線を透過し、それ以外の波長領域の赤外線を遮蔽するものとした。
【００３１】
検出部６４は、開口６２ａ，フィルタ部６３を通過したあとの赤外線を受光し、受光した赤外線の放射強度を検出する装置である。検出部６４は、受光した放射強度に応じた電気信号（例えば電圧や電流）を電気配線６５を介してコントローラー９０に出力する。電気配線６５は、筒状体６１の下端に設けられ炉体１２の底部を貫通する配線引出部６９を介して気密に外部へ引き出され、コントローラー９０に接続されている。検出部６４としては、例えばＩｎＡｓ，ＩｎＡｓＳｂ，ＩｎＳｂ，ＰｂＳｅなどからなるフォトダイオードを用いることができる。なお、検出部６４は、上述した所定の波長領域の放射強度の検出感度が高いものを用いることが好ましい。本実施形態では、検出部６４はＩｎＡｓフォトダイオードとし、受光した赤外線の放射強度に応じて例えば０ｍＶ〜数百ｍＶの電圧を出力するものとした。なお、検出部６４には上述したようにフィルタ部６３を通過したあとの赤外線が入力される。そのため、本実施形態では、検出部６４は開口６２ａを通過した赤外線のうち波長３μｍ付近（波長３±０．２５μｍの領域）の赤外線の放射強度を検出することになる。
【００３２】
第２流路形成部材６６は、放射強度センサ６０ａを冷却して過熱を抑制するための部材である。第２流路形成部材６６は、開口６２ａを覆わないように形成され、本実施形態では筒状体６１の外周面を覆う円筒状の部材とした。第２流路形成部材６６は、内部に円筒状の空間である第２冷媒流路６７が形成されている。また、第２流路形成部材６６は、２箇所に形成された第２冷媒出入口６８を有している。第２冷媒出入口６８の一方には、炉体１２の外部に配置された第２冷媒供給源５４から第２冷媒が供給される。一方の第２冷媒出入口６８から第２流路形成部材６６内に流入した第２冷媒は、第２冷媒流路６７を流通して他方の第２冷媒出入口６８から流出するようになっている。第２冷媒流路６７を流れる第２冷媒は、例えば水などの液体であり、第２流路形成部材６６に接触して熱を奪うことにより、放射強度センサ６０ａを冷却する。
【００３３】
こうして構成された放射強度センサ６０ａでは、塗膜８２が処理空間１２ａ内を搬送されているときには、塗膜８２のうち放射強度センサ６０ａ（開口６２ａ）の真上に位置する部分である検出箇所８３ａからの赤外線が検出部６４に到達する。そして、フィルタ部６３が存在することで、検出部６４は検出箇所８３ａからの赤外線のうち所定の波長領域（波長３±０．２５μｍの領域）の赤外線の放射強度を検出することになる。検出部６４が検出した検出箇所８３ａからの所定の波長領域の放射強度を、塗膜放射強度Ｅｃと称する。なお、本実施形態では、放射強度センサ６０ａと検出箇所８３ａとを結んだ直線の延長上に赤外線ヒーター３０ａ（フィラメント３２）が配置されている。そのため、塗膜放射強度Ｅｃは、主に赤外線ヒーター３０からの赤外線のうち検出箇所８３ａを透過した（検出箇所８３ａで吸収されなかった）赤外線の放射強度に基づく値となる。また、塗膜８２が処理空間１２ａ内を搬送されていないときには、開口６２ａの真上に配置された赤外線ヒーター３０ａからの赤外線が検出部６４に到達する。そして、フィルタ部６３が存在することで、検出部６４は赤外線ヒーター３０ａからの赤外線のうち所定の波長領域（波長３±０．２５μｍの領域）の赤外線の放射強度を検出することになる。検出部６４が検出した赤外線ヒーター３０ａからの所定の波長領域の放射強度を、ヒーター放射強度Ｅｈと称する。同様に、放射強度センサ６０ａ以外の放射強度センサ６０ｂ〜６０ｉは、塗膜８２のうち真上に位置する部分である検出箇所８３ｂ〜８３ｉからの塗膜放射強度Ｅｃや、対応する赤外線ヒーター３０ｂ〜３０ｉからのヒーター放射強度Ｅｈを検出可能である。なお、放射強度センサ６０ａ〜６０ｉの各々が検出する塗膜放射強度Ｅｃやヒーター放射強度Ｅｈを区別する場合には、それぞれ塗膜放射強度Ｅｃａ〜Ｅｃｉ，ヒーター放射強度Ｅｈａ〜Ｅｈｉと表記する。また、検出箇所８３ａ〜８３ｉを区別しない場合には検出箇所８３と表記する。
【００３４】
シート８０は、ＰＥＴフィルムからなるものである。シート８０は、特に限定するものではないが、例えば厚さ１０〜１００μｍ，幅２００〜１０００ｍｍである。また、塗膜８２は、シート８０の上面に塗布されたものであり、例えば乾燥後にＭＬＣＣ（積層セラミックコンデンサ）用の薄膜として用いられるものである。塗膜８２は、例えばセラミックス粉末又は金属粉末と、有機バインダーと、有機溶剤とを含むものである。本実施形態では、有機溶剤としてＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を用いるものとした。
【００３５】
コントローラー９０は、ＣＰＵ９１を中心とするマイクロプロセッサーとして構成されており、各種処理プログラムや各種データなどを記憶したフラッシュメモリー９２と、一時的にデータを記憶するＲＡＭ９４と、操作パネル９８などと通信する図示しない内部通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）と、を備えている。フラッシュメモリー９２は、後述する対応関係導出処理や監視制御処理に用いる各種の設定値や閾値などを記憶している。また、フラッシュメモリー９２は、対応関係導出処理で導出した対応関係テーブル９３を記憶可能である。対応関係テーブル９３については後述する。
【００３６】
このコントローラー９０は、熱電対である温度センサ５６が検出した外管４０の温度を入力したり、放射強度センサ６０の検出部６４が検出した赤外線の放射強度を表す電圧を電気配線６５を介して入力したりする。また、コントローラー９０は、第１冷媒供給源５２の図示しない開閉弁や流量調整弁に制御信号を出力して、外管４０の温度が所定の上限値を超えないように赤外線ヒーター３０の第１冷媒流路４７を流れる第１冷媒の流量を制御する。また、コントローラー９０は、第２冷媒供給源５４の図示しない開閉弁や流量調整弁に制御信号を出力して、第２冷媒流路６７を流れる第２冷媒の流量を制御する。更に、コントローラー９０は、電力供給源５０からフィラメント３２へ供給される電力（供給電力値Ｗ）を調整するための制御信号を電力供給源５０へ出力して、赤外線ヒーター３０の出力（フィラメント３２からの赤外線の放射強度）を個別に制御する。また、コントローラー９０は、図示しないモーターに制御信号を出力してロール２１，ロール２５の回転速度を制御することで、炉体１２内のシート８０及び塗膜８２の通過時間やシート８０及び塗膜８２にかかる張力を調整する。コントローラー９０は、操作パネル９８の操作に応じて発生する操作信号を入力したり、操作パネル９８に表示指令を出力したりする。
【００３７】
操作パネル９８は、表示部と、この表示部を含んで構成された操作部とを備える。表示部は、タッチパネル式の液晶ディスプレイとして構成されており、メニューや項目を選択する選択／設定ボタン、各種数値を入力するための数字ボタン、赤外線処理を開始するスタートボタンなどを表示してタッチ操作を受け付け、タッチ操作に基づく操作信号をコントローラー９０に送信する。また、コントローラー９０からの表示指令を受信すると、表示指令に基づく画像や文字，数値などを表示部に表示する。
【００３８】
次に、こうして構成された赤外線処理装置１０を用いて赤外線処理（乾燥処理）を行って塗膜８２を乾燥する様子について説明する。まず、ユーザーは、ローラー２１に巻かれたシート８０を処理空間１２ａ内に通した後、ローラー２５に繋いだ状態にする。図５は、赤外線処理装置１０においてシート８０をローラー２５に繋いだ状態を示す断面図である。次に、ユーザーが操作パネル９８を操作してスタートボタンを押下すると、操作パネル９８はコントローラー９０に処理開始信号などを送信する。処理開始信号を入力したコントローラー９０は、赤外線処理を行う前に、まず、赤外線ヒーター３０に対する制御量である供給電力値Ｗとヒーター放射強度Ｅｈとの対応関係を導出する対応関係導出処理を行う。図４は、対応関係導出ルーチンの一例を示すフローチャートである。このルーチンは、フラッシュメモリー９２に記憶されている。
【００３９】
対応関係導出ルーチンが開始されると、ＣＰＵ９１は、まず、電力供給源５０に制御信号を出力して各赤外線ヒーター３０（３０ａ〜３０ｉ）に供給する供給電力値Ｗ（Ｗａ〜Ｗｉ）を変化させ、各放射強度センサ６０（６０ａ〜６０ｉ）が検出した値（電圧）をヒーター放射強度Ｅｈ（Ｅｈａ〜Ｅｈｉ）として複数回取得する（ステップＳ１００）。供給電力値Ｗは、電力供給源５０が各赤外線ヒーター３０に供給可能な最大の電力を１００％として０％から１００％の間で定められる値とした。なお、供給電力値Ｗを電力の値そのものとしてもよい。また、本実施形態では、各赤外線ヒーター３０について、供給電力値Ｗを１０％〜１００％まで１０％刻みに変化させ、供給電力値Ｗに対応するヒーター放射強度Ｅｈを複数回（本実施形態では１０回）取得するものとした。なお、図５に示したように、ステップＳ１００は塗膜８２が処理空間１２ａ内に存在しない状態で行う。また、シート８０はＰＥＴフィルムであり、赤外線ヒーター３０からの近赤外線をほとんど吸収せずにそのまま透過する。そのため、各赤外線ヒーター３０からの近赤外線が各放射強度センサ６０にほぼそのまま到達し、その近赤外線のうち所定の波長領域（波長３±０．２５μｍの領域）の放射強度に基づく値をヒーター放射強度Ｅｈとして放射強度センサ６０が検出することになる。なお、ステップＳ１００では、ある値の供給電力値Ｗを供給するようＣＰＵ９１が電力供給源５０に制御信号を出力してから、フィラメント３２の温度が安定するまで所定時間待った後で、対応するヒーター放射強度Ｅｈを検出してもよい。あるいは、フィラメント３２の温度が安定したか否かをヒーター放射強度Ｅｈの値に基づいて判定し、安定した時のヒーター放射強度Ｅｈをその供給電力値Ｗに対応する値として検出してもよい。
【００４０】
続いて、ＣＰＵ９１は、ステップＳ１００で取得した各赤外線ヒーター３０についての供給電力値Ｗとヒーター放射強度Ｅｈとの複数の組み合わせに基づいて、両者の対応関係を表す対応関係テーブル９３を導出し、フラッシュメモリー９２に記憶して（ステップＳ１１０）、本ルーチンを終了する。図６は、対応関係テーブル９３の一例を示す説明図である。本実施形態では、赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｉの各々について、供給電力値Ｗを１％刻みとして、１％〜１００％までの各供給電力値Ｗに対応するヒーター放射強度Ｅｈを記憶するものとした。なお、上述したようにヒーター放射強度Ｅｈの検出は１０％刻みであり、ステップＳ１００における供給電力値Ｗとヒーター放射強度Ｅｈとの組み合わせ数は対応関係テーブル９３と比べて少ない。本実施形態では、１０％刻みの検出結果に基づいて、例えば比例換算などを行って適宜１％刻みの各供給電力値Ｗに対応するヒーター放射強度Ｅｈを導出するものとした。なお、ステップＳ１００において供給電力値Ｗを１％〜１００％まで１％刻みに変化させて、取得した供給電力値Ｗとヒーター放射強度Ｅｈとの組み合わせをそのまま対応関係テーブル９３として記憶してもよい。
【００４１】
このように、対応関係導出処理では、各赤外線ヒーター３０への制御量（供給電力値Ｗ）に対応するヒーター放射強度Ｅｈを赤外線処理前に予め取得して、対応関係テーブル９３として記憶しておくのである。なお、この対応関係導出処理を開始してから後述する赤外線処理が終了するまでの間、ＣＰＵ９１は、第１冷媒供給源５２及び第２冷媒供給源５４を制御して、外管４０や放射強度センサ６０の過熱を抑制する。具体的には、ＣＰＵ９１は、温度センサ５６から入力した外管４０の温度に基づいて、外管４０の温度が塗膜８２から蒸発する溶剤の着火点未満の温度（例えば２００℃以下など）に維持されるように、冷媒供給源５２を制御して第１冷媒の流量を調整する。また、ＣＰＵ９１は、第２冷媒流路６７を流通する第２冷媒の流量が予め設定値として定められた流量となるように、第２冷媒供給源５４を制御する。
【００４２】
対応関係導出処理を行ったあと、ＣＰＵ９１は、赤外線処理（乾燥処理）を行う。具体的には、ＣＰＵ９１は、まず、電力供給源５０を制御して各赤外線ヒーター３０への供給電力値Ｗが所定の初期値になるようにする。この初期値は、塗膜８２の乾燥を適切に行うことができるように、赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｉの各々について例えば実験により予め定められてフラッシュメモリー９２に記憶されている。なお、赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｃは、いずれも塗膜８２の搬送方向（前後方向）の位置が同じであるため、初期値も同じ値に設定されている。赤外線ヒーター３０ｄ〜３０ｆの初期値や、赤外線ヒーター３０ｇ〜３０ｉの初期値も同様である。そして、ＣＰＵ９１は、処理空間１２ａ内の温度が安定するまで例えば所定時間待つ。その後、ＣＰＵ９１は、ロール２１，ロール２５を回転させ、シート８０の搬送を開始する。これにより、赤外線処理装置１０の左端に配置されたロール２１からシート８０が巻き外されていく。また、シート８０は開口１７から炉体１２内に搬入される直前に図示しないコーターによって上面に塗膜８２が塗布される。そして、塗膜８２が塗布されたシート８０は、炉体１２内に搬送される。なお、コントローラー９０は、設定値としてフラッシュメモリー９２に記憶された塗膜８２の処理時間（炉体１２の通過時間）やシート８０の張力などに基づいてローラー２１，２５の回転速度を制御する。また、コントローラー９０は、後述する監視制御ルーチンを実行して電力供給源５０を制御し、赤外線ヒーター３０の監視制御処理を行う。そして、シート８０が炉体１２の処理空間１２ａ内を通過する間に、シート８０の上面に形成された塗膜８２は、赤外線ヒーター３０からの赤外線が照射されることによって乾燥される。これにより、塗膜８２は上述したＭＬＣＣ用の薄膜となる。その後、シート８０及び薄膜（乾燥後の塗膜８２）は、開口１８から搬出される。搬出された薄膜は、ロール２５にシート８０とともに巻き取られる。その後、薄膜はシート８０から剥離され、所定形状に切断されて積層され、ＭＬＣＣが製造される。なお、本実施形態では、塗膜８２の乾燥を行う際の処理空間１２ａの雰囲気は、大気雰囲気とした。
【００４３】
ここで、監視制御ルーチンについて詳細に説明する。図７は、監視制御ルーチンの一例を示すフローチャートである。このルーチンは、コントローラー９０によって赤外線処理中（塗膜８２を搬送している間）に繰り返し実行される。この監視制御ルーチンが実行されると、ＣＰＵ９１は、まず、各放射強度センサ６０（６０ａ〜６０ｉ）が検出した値（電圧）を塗膜放射強度Ｅｃ（Ｅｃａ〜Ｅｃｉ）として取得する（ステップＳ２００）。なお、例えば塗膜８２の搬送を開始した直後など、真上に塗膜８２が到達していない放射強度センサ６０がある場合には、その放射強度センサ６０からの塗膜放射強度Ｅｃは取得する必要はなく、これに基づく以降の処理も行わない。各放射強度センサ６０の真上に塗膜８２が到達しているか否かは、例えば赤外線処理開始からの経過時間とローラー２１，２５の回転速度とに基づいてＣＰＵ９１が判定してもよい。
【００４４】
続いて、ＣＰＵ９１は、各赤外線ヒーター３０（３０ａ〜３０ｉ）の現在の供給電力値Ｗ（Ｗａ〜Ｗｉ）に対応するヒーター放射強度Ｅｈ（Ｅｈａ〜Ｅｈｉ）を、対応関係テーブル９３に基づいて導出する（ステップＳ２１０）。なお、監視制御ルーチンを最初に実行したときのステップＳ２１０では、上述した赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｉへの供給電力値Ｗの初期値を、現在の供給電力値Ｗとする。また、監視制御ルーチンの２回目以降の実行時は、前回の監視制御ルーチンのステップＳ２４０（後述）で決定した供給電力値Ｗ（Ｗａ〜Ｗｉ）を、現在の供給電力値Ｗとする。
【００４５】
次に、ＣＰＵ９１は、ステップＳ２００，Ｓ２１０で導出した塗膜放射強度Ｅｃ及びヒーター放射強度Ｅｈに基づいて、比Ｒ＝塗膜放射強度Ｅｃ／ヒーター放射強度Ｅｈを導出する（ステップＳ２２０）。なお、比Ｒは、放射強度センサ６０の各々について導出する。例えば放射強度センサ６０ａについては、比Ｒａ＝塗膜放射強度Ｅｃａ／ヒーター放射強度Ｅｈａを導出する。同様に、放射強度センサ６０ｂ〜６０ｉの各々について比Ｒｂ〜Ｒｉを導出する。
【００４６】
ここで、塗膜放射強度Ｅｃは、上述したように塗膜８２の検出箇所８３からの所定の波長領域（波長３±０．２５μｍの領域）の放射強度である。そして、本実施形態の塗膜８２は、赤外線ヒーター３０からの赤外線により乾燥されることで、処理空間１２ａ内での搬送に伴って状態が変化していく。具体的には、水分や有機溶剤であるＮＭＰが蒸発していく。水は約２．９μｍの吸収極大波長を有し、ＮＭＰは約３．４μｍの吸収極大波長を有しており、水及びＮＭＰは波長３±０．２５μｍの領域の赤外線の吸収率が比較的高い。そのため、塗膜８２は、赤外線処理前では波長３±０．２５μｍの領域の赤外線の吸収率が高く、塗膜放射強度Ｅｃはその分小さい値になる傾向にある。そして、塗膜８２から水やＮＭＰが蒸発するにつれて波長３±０．２５μｍの領域の赤外線の吸収率が低下していき、塗膜放射強度Ｅｃの値は大きくなっていく傾向にある。このように、塗膜放射強度Ｅｃは塗膜８２の状態（ここでは水やＮＭＰの蒸発量すなわち塗膜８２の乾燥の程度）と相関がある。
【００４７】
また、塗膜８２の状態が同じであっても、赤外線ヒーター３０からの赤外線の放射強度が大きいほど塗膜８２を透過する赤外線の放射強度が増すため、塗膜放射強度Ｅｃは大きくなる傾向にある。そこで、本実施形態では、塗膜放射強度Ｅｃから赤外線ヒーター３０からの赤外線の放射強度の大小による影響を除いた値として、比Ｒを導出している。比Ｒは、ヒーター放射強度Ｅｈを基準とした値に塗膜放射強度Ｅｃを換算したものに相当する。そのため、比Ｒは、塗膜放射強度Ｅｃと比べて、塗膜８２の状態が同じであれば赤外線ヒーター３０からの赤外線の放射強度が異なっていても変化しにくい値になっている。すなわち、比Ｒは、塗膜８２の状態との相関がより高い値になっている。
【００４８】
このような比Ｒを放射強度センサ６０の各々について導出すると、ＣＰＵ９１は、比Ｒの各々に基づいて塗膜８２の各検出箇所８３の状態が許容範囲内か否かを判定する（ステップＳ２３０）。具体的には、比Ｒが、下限Ｒｍｉｎ以上且つ上限Ｒｍａｘ以下であるか否かを判定する。なお、下限Ｒｍｉｎ及び上限Ｒｍａｘは、検出箇所８３ａ〜８３ｉの各々に対応して下限Ｒａｍｉｎ〜Ｒｉｍｉｎ及び上限Ｒａｍａｘ〜Ｒｉｍａｘとしてそれぞれ定められており、予めフラッシュメモリー９２に記憶されている。
【００４９】
下限Ｒｍｉｎ及び上限Ｒｍａｘは、例えば以下のように定めることができる。まず、塗膜８２の処理条件（例えば赤外線ヒーター３０の各々への供給電力値Ｗなど）を種々変更して赤外線処理を行い、それぞれの場合の各検出箇所８３の比Ｒの値や赤外線処理後の塗膜８２（乾燥後の薄膜）の品質を調べる。そして、赤外線処理後の塗膜８２の品質が許容範囲内となるような比Ｒａ〜Ｒｉの各々の範囲を調べて、その範囲の下限及び上限として下限Ｒｍｉｎ及び上限Ｒｍａｘを定める。なお、検出箇所８３ａ〜８３ｃは、いずれも塗膜８２の搬送方向（前後方向）の位置が同じである。そのため、本実施形態では、下限Ｒａｍｉｎ〜Ｒｃｍｉｎはいずれも同じ値とし、上限Ｒａｍａｘ〜Ｒｃｍａｘはいずれも同じ値とした。同様に、下限Ｒｄｍｉｎ〜Ｒｆｍｉｎは同じ値とし、下限Ｒｇｍｉｎ〜Ｒｉｍｉｎは同じ値とし、上限Ｒｄｍａｘ〜Ｒｆｍａｘは同じ値とし、上限Ｒｇｍａｘ〜Ｒｉｍａｘは同じ値とした。また、搬送方向の下流ほど塗膜８２の乾燥が進んで（水やＮＭＰが蒸発して）比Ｒは大きくなる傾向にあるため、下限Ｒｍｉｎや下限Ｒｍａｘの値も搬送方向下流にある検出箇所８３に対応する値ほど大きくなる傾向に設定されている。なお、比Ｒが下限Ｒｍｉｎを下回っている場合は、対応する検出箇所８３が乾燥不足の状態であることを意味する。また、比Ｒが上限Ｒｍａｘを上回っている場合は、対応する検出箇所が乾燥過多の状態であることを意味する。
【００５０】
ステップＳ２３０で塗膜８２の状態が許容範囲内であるとき、すなわち比Ｒａ〜Ｒｉの各々が下限Ｒａｍｉｎ〜Ｒｉｍｉｎ以上且つ上限Ｒａｍａｘ〜Ｒｉｍａｘ以下であるときには、ＣＰＵ９１は、比Ｒ（Ｒａ〜Ｒｉ）と目標値Ｒｔ（Ｒａｔ〜Ｒｉｔ）とに基づいて、フィードバック制御により電力供給源５０から各赤外線ヒーター３０に供給すべき供給電力値Ｗ（Ｗａ〜Ｗｉ）を決定する（ステップＳ２４０）。なお、目標値Ｒｔは、検出箇所８３ａ〜８３ｉの各々に対応して目標値Ｒａｔ〜Ｒｉｔとしてそれぞれ定められており、予めフラッシュメモリー９２に記憶されている。目標値Ｒｔは、例えば上述した下限Ｒｍｉｎ及び上限Ｒｍａｘと同様に塗膜８２の処理条件を種々変更して最も塗膜８２が高品質となるような処理条件における比Ｒの値として定めてもよい。あるいは、下限Ｒｍｉｎと上限Ｒｍａｘとの中央値として目標値Ｒｔを定めてもよい。なお、フィードバック制御に用いる他のパラメーターも、フラッシュメモリー９２に予め記憶されているものとした。ステップＳ２４０のフィードバック制御は、例えば比Ｒａと目標値Ｒａｔとの差分がゼロになるようにＰＩＤ制御により供給電力値Ｗａを決定することで行う。供給電力値Ｗｂ〜Ｗｉについても同様に、比Ｒｂ〜Ｒｉと目標値Ｒｂｔ〜Ｒｉｔとに基づいて決定する。なお、ステップＳ２４０では、ＰＩＤ制御に限らずＰＩ制御など他のフィードバック制御を採用してもよい。
【００５１】
ステップＳ２４０で供給電力値Ｗを決定すると、ＣＰＵ９１は、決定した供給電力値Ｗを赤外線ヒーター３０に供給するよう電力供給源５０に制御信号を出力して（ステップＳ２５０）、本ルーチンを終了する。これにより、決定した供給電力値Ｗａ〜Ｗｉに基づく電力が赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｉに供給される。一方、ステップＳ２３０で塗膜８２の状態が許容範囲内でないとき、すなわち比Ｒａ〜Ｒｉのうち下限Ｒａｍｉｎ〜Ｒｉｍｉｎ以上且つ上限Ｒａｍａｘ〜Ｒｉｍａｘ以下でないものが１以上存在するときには、ＣＰＵ９１は、異常がある旨を表示して報知するよう操作パネル９８に制御信号を送信する(ステップＳ２６０）と共に、赤外線処理を中止して（ステップＳ２７０）、本ルーチンを終了する。ステップＳ２７０では、ＣＰＵ９１は、例えばローラー２１，２５の回転を停止したり、赤外線ヒーター３０の電力供給を停止するよう電力供給源５０に制御信号を出力したりする。なお、ステップＳ２６０での操作パネル９８への表示に加えて又は代えて、操作パネル９８に異常を報知する音声を出力させたりしてもよい。
【００５２】
このように、本実施形態では、塗膜８２の各検出箇所８３の状態を表す値として比Ｒを導出し、この値に基づいて塗膜８２の状態の異常の有無の監視を行うのである。また、この比Ｒに基づいて赤外線ヒーター３０の制御を行うことで、塗膜８２の各検出箇所８３の状態（比Ｒ）が各目標値Ｒｔになるように塗膜８２の状態を制御するのである。しかも、赤外線ヒーター３０は、上述したように主に３．５μｍ以下の波長の赤外線を塗膜８２に放射する。この波長の赤外線は、塗膜８２に含まれる水分や溶剤の水素結合を切断する能力に優れるといわれており、効率的に水や溶剤を蒸発させて乾燥を行うことができる。このような赤外線ヒーター３０を比Ｒに基づいて制御することで、効率よくしかも適切な赤外線ヒーター３０の出力（塗膜８２への赤外線の放射強度）で塗膜８２の乾燥を行うことができる。
【００５３】
ここで、本実施形態の構成要素と本発明の構成要素との対応関係を明らかにする。本実施形態の塗膜８２が本発明の処理対象に相当し、処理空間１２ａが処理空間に相当し、炉体１２が炉体に相当し、赤外線ヒーター３０が赤外線ヒーターに相当し、塗膜放射強度Ｅｃが処理対象放射強度に相当し、放射強度センサ６０が処理対象用放射強度センサに相当し、コントローラー９０が監視制御手段に相当する。また、ローラー２１，２５が搬送手段に相当し、放射強度センサ６０がヒーター用放射強度センサに相当する。
【００５４】
以上説明した本実施形態の赤外線処理装置１０によれば、放射強度センサ６０が処理空間１２ａ内での塗膜８２（検出箇所８３）からの赤外線の放射強度である塗膜放射強度Ｅｃを検出する。そして、検出された塗膜放射強度Ｅｃに基づいて、コントローラー９０が赤外線処理中の塗膜８２の状態の監視及び制御を行う。このように、塗膜放射強度Ｅｃを検出することで直接的に塗膜８２の状態を検出できるため、赤外線ヒーター３０の状態を検出する場合と比べて、塗膜８２の状態の監視及び制御の少なくとも一方をより精度よく行うことができる。例えば、赤外線ヒーター３０の温度を検出してこれに基づく赤外線ヒーター３０の制御を行っても、炉体１２の状態（例えば処理空間１２ａ内の雰囲気への外乱など）によって塗膜８２の状態が異なってしまう場合がある。また、赤外線ヒーター３０への供給電力値Ｗが同じであっても、個体差や経年劣化などにより赤外線ヒーター３０からの赤外線の放射強度が変化して、塗膜８２の状態が異なってしまう場合がある。本実施形態の赤外線処理装置１０では、放射強度センサ６０を用いて塗膜８２の状態を検出するため、そのような影響による監視や制御の精度低下が生じにくい。また、温度センサよりも放射強度センサ６０は応答性が高いため、塗膜８２の異常の検出や制御をより素早く行うことができる。
【００５５】
また、赤外線処理装置１０は、塗膜８２の検出箇所８３が異なる複数の放射強度センサ６０ａ〜６０ｉを備え、コントローラー９０は複数の検出箇所８３ａ〜８３ｉの塗膜放射強度Ｅｃａ〜Ｅｃｉに基づいて、塗膜８２の状態の監視及び制御を行う。そのため、塗膜８２の複数箇所で塗膜放射強度Ｅｃを検出するから、塗膜８２の状態の監視制御をより精度よく行うことができる。
【００５６】
また、赤外線処理装置１０は、複数の検出箇所８３ａ〜８３ｉに対応する位置にそれぞれ配置された複数の赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｉを備えている。そして、コントローラー９０は、複数の検出箇所８３ａ〜８３ｉの各々について、検出箇所８３の塗膜放射強度Ｅｃに基づく値（比Ｒ）が目標値Ｒｔになるように検出箇所８３に対応する赤外線ヒーター３０を制御することで、塗膜８２の状態を制御する。これにより、複数の赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｉを用いて異なる複数の検出箇所８３ａ〜８３ｉの各々の状態を制御できる。そのため、例えば検出箇所８３が１つである場合と比較して、塗膜８２の状態を全体的により精度よく制御できる。
【００５７】
さらに、赤外線処理装置１０は、赤外線ヒーター３０から塗膜８２への赤外線の放射強度であるヒーター放射強度Ｅｈを検出可能な放射強度センサ６０を備えている。そして、コントローラー９０は、塗膜放射強度Ｅｃとヒーター放射強度Ｅｈとの比Ｒに基づいて塗膜８２の監視及び制御を行う。上述したように、比Ｒは、塗膜８２の状態が同じであれば赤外線ヒーター３０からの赤外線の放射強度が異なっていても変化しにくい値になっている。そのため、比Ｒに基づくことで塗膜８２の監視制御をより精度よく行うことができる。
【００５８】
さらにまた、放射強度センサ６０は、塗膜８２が処理空間１２ａにあるときには塗膜放射強度Ｅｃを検出可能であり且つ塗膜８２が処理空間１２ａにないときにはヒーター放射強度Ｅｈを検出可能な位置に配置されて、処理対象用放射強度センサとヒーター用放射強度センサとを兼ねている。そして、コントローラー９０は、塗膜８２が処理空間１２ａにないときに、赤外線ヒーター３０を制御して赤外線ヒーター３０に対する制御量（供給電力値Ｗ）とヒーター放射強度Ｅｈとの対応関係を導出する対応関係導出処理を行う。また、コントローラー９０は、赤外線処理中には、検出された塗膜放射強度Ｅｃと、赤外線処理中における現在の赤外線ヒーター３０への供給電力値Ｗに対応するヒーター放射強度Ｅｈと、の比Ｒに基づいて塗膜８２の監視及び制御を行う。そのため、赤外線処理中にヒーター放射強度Ｅｈの検出を行わなくとも、比Ｒに基づいて監視制御をより精度よく行うことができる。また、放射強度センサ６０が処理対象（塗膜８２）用とヒーター用とを兼ねるため、放射強度センサ６０の数を減らすことができる。
【００５９】
そして、放射強度センサ６０は、受光した赤外線のうち所定の波長領域以外の赤外線を遮蔽するフィルタ部６３と、フィルタ部６３を通過した後の赤外線の放射強度を検出する検出部６４と、を有している。これにより、所定の波長領域以外の赤外線の影響をより抑制でき、塗膜放射強度Ｅｃやヒーター放射強度Ｅｈの検出精度が向上する。また、放射強度センサ６０は、検出部６４へ到達可能な赤外線の入射方向を制限する絞り部６２を有し、絞り部６２の開口６２ａが塗膜８２の検出箇所８３に向くように配置されている。これにより、塗膜８２（検出箇所８３）以外の物体から放射される赤外線の影響をより抑制でき、塗膜放射強度Ｅｃの検出精度が向上する。また、開口６２ａは赤外線ヒーター３０に向くように配置されているため、同様にヒーター放射強度Ｅｈの検出精度が向上する。
【００６０】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
【００６１】
例えば、上述した実施形態では、放射強度センサ６０は処理空間１２ａに固定配置されているものとしたが、これに限られない。赤外線処理装置１０が、放射強度センサ６０を移動させるセンサ移動手段を備えていてもよい。図８は、この場合の変形例の赤外線処理装置１１０の断面図である。この赤外線処理装置１１０は、放射強度センサ６０ｄ，６０ｇを備えない代わりに、放射強度センサ６０ａを前後方向に沿って平行移動させるセンサ水平移動機構１７０を備えている。センサ水平移動機構１７０は、電動シリンダー１７１と、ロッド１７１ａと、を備えている。電動シリンダー１７１は、放射強度センサ６０ａを前後方向に移動させる動力を発生させる機構であり、炉体１２の外側の前方に配置されている。電動シリンダー１７１は、図示しないモーターや、モーターの駆動軸及びロッド１７１ａに接続された図示しないボールねじなどを有している。ロッド１７１ａは、電動シリンダー１７１に接続された円柱状の部材である。このセンサ水平移動機構１７０では、コントローラー９０は、電動シリンダー１７１に制御信号を入力することにより、ロッド１７１ａ及び放射強度センサ６０ａを前後方向に移動して、検出箇所８３ａ，８３ｄ，８３ｇの真下に放射強度センサ６０ａを移動させることができる。なお、赤外線処理装置１１０では、放射強度センサ６０ａの前後方向の移動に合わせて変形可能なように、例えば第２冷媒出入口６８や配線引出部６９を可撓性の部材で構成しておけばよい。この赤外線処理装置１１０では、コントローラー９０がセンサ水平移動機構１７０により放射強度センサ６０ａを移動させることで、上述した対応関係導出ルーチンのステップＳ１００において赤外線ヒーター３０ａ，３０ｄ，３０ｇのヒーター放射強度Ｅｈａ，Ｅｈｄ，Ｅｈｇを順次取得する。同様に、監視制御ルーチンのステップＳ２００では、コントローラー９０が放射強度センサ６０ａを移動させることで、塗膜８２の複数の検出箇所８３ａ，８３ｄ，８３ｇの塗膜放射強度Ｅｃａ，Ｅｃｄ，Ｅｃｇを順次取得する。この赤外線処理装置１１０でも、上述した実施形態と同様の効果が得られる。また、放射強度センサ６０ａを移動させることで放射強度センサ６０ａが放射強度センサ６０ｄ，６０ｇの役割を兼ねるため、放射強度センサ６０の数を減らすことができる。ここで、センサ水平移動機構１７０が本発明のセンサ移動手段に相当する。なお、図示は省略するが、赤外線処理装置１１０では、放射強度センサ６０ｅ，６０ｆ，６０ｈ，６０ｉを備えない代わりに、放射強度センサ６０ｂ，６０ｃについてもそれぞれセンサ水平移動機構１７０と同様の機構が取り付けられて前後方向に移動可能とした。また、赤外線処理装置１１０では、センサ水平移動機構１７０が放射強度センサ６０ａを前後方向に移動させるが、左右方向に移動させてもよい。この場合、放射強度センサ６０ａが放射強度センサ６０ｂ，６０ｃの役割を兼ねることができる。あるいは、赤外線処理装置１１０が、センサ水平移動機構１７０の代わりに放射強度センサ６０ａを前後左右に移動させるセンサ水平移動機構を備えていてもよい。
【００６２】
図８に示した変形例の赤外線処理装置１１０では、センサ水平移動機構１７０が放射強度センサ６０を水平方向に平行移動させるものとしたが、放射強度センサ６０を回転移動させるセンサ移動手段を備えていてもよい。図９は、この場合の変形例の赤外線処理装置２１０の断面図である。この赤外線処理装置２１０は、放射強度センサ６０ａ，６０ｇを備えない代わりに、放射強度センサ６０ｄを回転移動させるセンサ回転機構２７０を備えている。センサ回転機構２７０は、ステッピングモーターなどのサーボモーターとして構成されたモーター２７１と、モーター２７１と放射強度センサ６０ｄとを接続する駆動軸２７１ａとを備えている。駆動軸２７１ａは、炉体１２の左端面１５を左右方向に貫通している（図９の破線枠内参照）。モーター２７１は、コントローラー９０からの制御信号に基づいて駆動軸２７１ａを回転させる。駆動軸２７１ａが回転することにより、放射強度センサ６０ｄは、左右方向を回転軸として回転する。これにより、センサ回転機構２７０は、上述した角度θ（図１参照）を変更することができる。この赤外線処理装置２１０では、コントローラー９０がセンサ回転機構２７０により放射強度センサ６０ｄを回転させることで、上述した対応関係導出ルーチンのステップＳ１００において赤外線ヒーター３０ａ，３０ｄ，３０ｇのヒーター放射強度Ｅｈａ，Ｅｈｄ，Ｅｈｇを順次取得する。同様に、監視制御ルーチンのステップＳ２００では、コントローラー９０が放射強度センサ６０ｄを回転させることで、塗膜８２の複数の検出箇所８３ａ，８３ｄ，８３ｇの塗膜放射強度Ｅｃａ，Ｅｃｄ，Ｅｃｇを順次取得する。なお、角度θが９０°でないとき（図９では赤外線ヒーター３０ａ，３０ｇや検出箇所８３ａ，８３ｇからの放射強度を取得するとき）には、コントローラー９０は、放射強度センサ６０ｄが検出した値（電圧）に対して所定の形態係数を加味した補正を行ったあとの値をヒーター放射強度Ｅｈや塗膜放射強度Ｅｃとして取得することが好ましい。形態係数は、検出対象（赤外線ヒーター３０（フィラメント３２）や検出箇所８３）の赤外線の放射面と検出部６４との位置関係や、検出部６４の受光面の形状及び大きさなどにより定まる値であり、予めフラッシュメモリー９２に設定値として記憶しておけばよい。この赤外線処理装置２１０でも、上述した実施形態と同様の効果が得られる。また、放射強度センサ６０ｄを回転させることで放射強度センサ６０ｄが放射強度センサ６０ａ，６０ｇの役割を兼ねるため、放射強度センサ６０の数を減らすことができる。ここで、センサ回転機構２７０が本発明のセンサ移動手段に相当する。なお、図示は省略するが、赤外線処理装置２１０では、放射強度センサ６０ｂ，６０ｃ，６０ｈ，６０ｉを備えない代わりに、放射強度センサ６０ｅ，６０ｆについてもそれぞれセンサ回転機構２７０と同様の機構が取り付けられて回転可能とした。また、赤外線処理装置２１０では、センサ回転機構２７０が左右方向を回転軸として放射強度センサ６０ｄを回転させるが、前後方向を回転軸として回転させてもよい。この場合、放射強度センサ６０ｄが放射強度センサ６０ｅ，６０ｆの役割を兼ねることができる。
【００６３】
図８に示した赤外線処理装置１１０において、コントローラー９０は、水平移動機構１７０により放射強度センサ６０ａを塗膜８２と同じ速度で搬送方向に移動させてもよい。これにより、放射強度センサ６０ａによる塗膜８２中の検出箇所を塗膜８２と同じ速度で搬送方向に移動させることができ、例えば複数の検出箇所８３ａ，８３ｄ，８３ｇは、検出時刻の異なる塗膜８２の同じ部分となる。すなわち、検出箇所８３ａ，８３ｄ，８３ｇの真下に放射強度センサ６０ａを移動させて取得した塗膜放射強度Ｅｃａ，Ｅｃｄ，Ｅｃｇが、塗膜８２の同じ部分からの塗膜放射強度Ｅｃを時刻を変えて検出した値となる。こうすれば、塗膜８２のある部分からの赤外線の放射強度が時間経過とともにどのように変化したかを検出することができる。この塗膜放射強度Ｅｃａ，Ｅｃｄ，Ｅｃｇをフラッシュメモリー９２記憶しておくことで、例えば赤外線処理による塗膜８２の乾燥が時間経過とともにどのように進行したかをユーザーが把握したり、塗膜８２の乾燥が適切に行われたことを証明したりすることができる。また、この塗膜放射強度Ｅｃａ，Ｅｃｄ，Ｅｃｇに基づいて、上述した実施形態と同様に塗膜８２の状態の制御（赤外線ヒーター３０ａ，３０ｄ，３０ｇの制御）を行ってもよい。なお、放射強度センサ６０ａを塗膜８２と同じ速度で搬送方向に移動させる場合、検出箇所８３ａ，８３ｄ，８３ｇの３箇所に限らず、多数の箇所で連続的に塗膜放射強度Ｅｃを検出してフラッシュメモリー９２などに記憶してもよい。このような多数の塗膜放射強度Ｅｃを記憶すれば、塗膜８２のある部分からの赤外線の放射強度の時間変化をより詳細に把握することができる。また、図９に示した赤外線処理装置２１０においても、放射強度センサ６０ｄによる塗膜８２中の検出箇所を塗膜８２と同じ速度で搬送方向に移動させるように、コントローラー９０がセンサ回転機構２７０を制御して放射強度センサ６０ｄを回転させてもよい。こうすれば、図９に示した赤外線処理装置２１０においても、複数の検出箇所８３ａ，８３ｄ，８３ｇが検出時刻の異なる塗膜８２の同じ部分となる。このようにすることで、図９の赤外線処理装置２１０においても、塗膜８２の同じ部分からの赤外線の放射強度の時間変化を検出することができる。
【００６４】
上述した実施形態では、放射強度センサ６０がヒーター用放射強度センサを兼ねているものとしたが、これに限られない。図１０は、変形例の赤外線処理装置３１０の断面図である。この赤外線処理装置３１０では、放射強度センサ６０の他に赤外線ヒーター３０の各々のヒーター放射強度Ｅｈを測定する放射強度センサ３６０を備えている。なお、図１０では、放射強度センサ３６０のうち赤外線ヒーター３０ａ〜３０ｃのヒーター放射強度Ｅｈａ〜Ｅｈｃを測定する放射強度センサ３６０ａ〜３６０ｃのみ図示した。この赤外線処理装置３１０では、上述した対応関係導出ルーチンを行う代わりに、監視制御ルーチンのステップＳ２１０において放射強度センサ３６０を用いて赤外線ヒーター３０からの現在のヒーター放射強度Ｅｈを取得すればよい。こうすれば、赤外線処理中にヒーター放射強度Ｅｈを検出できるため、赤外線処理前の対応関係導出ルーチンを行う必要がない。また、現在のヒーター放射強度Ｅｈを直接取得するため、赤外線処理前の対応関係導出ルーチンを行う場合と比べてヒーター放射強度Ｅｈの検出精度が向上する。なお、放射強度センサ３６０からのヒーター放射強度Ｅｈを取得する際には、図９の赤外線処理装置２１０と同様に赤外線ヒーター３０と放射強度センサ３６０との位置関係等に基づく形態係数を加味した補正を行い、補正後の値をヒーター放射強度Ｅｈとして取得することが好ましい。また、放射強度センサ３６０は、赤外線ヒーター３０から塗膜８２への赤外線の放射をなるべく妨げない位置に配置することが好ましい。例えば、図１０の放射強度センサ３６０ａ，３６０ｃのように塗膜８２の真上や真下以外の領域に配置したり、放射強度センサ３６０ｂのようにキャップ４２の真下に配置したりすることが好ましい。
【００６５】
上述した実施形態では、放射強度センサ６０が波長３μｍ付近（波長３±０．２５μｍの領域）の赤外線の放射強度を検出するものとしたが、これに限らず他の波長領域の放射強度を検出してもよい。例えばフィルタ部６３の材質やコーティングの膜厚を適宜変更することで、放射強度センサ６０が検出する波長領域を変更することができる。なお、放射強度センサ６０は、赤外線処理の時間経過に伴う塗膜８２からの放射強度の変化が大きい波長領域の放射強度を検出することが好ましい。赤外線処理装置１０は、異なる波長領域の放射強度を検出する複数種類の放射強度センサを備えていてもよい。図１１は、この場合の変形例の赤外線処理装置４１０の断面図である。この赤外線処理装置４１０は、波長３±０．２５μｍ（第１波長領域と称する）の放射強度を検出する上述した放射強度センサ６０の他に、波長２±０．２５μｍ（第２波長領域と称する）の放射強度を検出する複数の放射強度センサ４６０を備えている。なお、放射強度センサ４６０は、放射強度センサ６０と同じ数だけ配置されているが、図１１では放射強度センサ４６０ａ〜４６０ｃのみ図示した。放射強度センサ４６０の各々は、放射強度センサ６０ａ〜６０ｉから右にずれた位置に配置されている。放射強度センサ４６０ａ〜４６０ｃは、真上に位置する赤外線ヒーター３０（３０ａ〜３０ｃ）及び検出箇所４８３（４８３ａ〜４８３ｃ）からの赤外線を受光可能にそれぞれ配置されている。他の放射強度センサ４６０についても、同様に対応する赤外線ヒーター３０及び検出箇所４８３からの赤外線を受光可能である。放射強度センサ４６０は、フィルタ部６３のコーティングの膜厚が異なり第２波長領域以外の赤外線を遮蔽する点以外は、放射強度センサ６０と同様の構成をしている。なお、放射強度センサ４６０の検出部６４には第２波長領域の検出感度が高い検出部６４を用いるなど、放射強度センサ４６０と放射強度センサ６０とで検出部６４が異なっていてもよい。放射強度センサ６０及び放射強度センサ４６０は、上述した実施形態と同様に塗膜放射強度Ｅｃ（塗膜第１放射強度Ｅｃ１，塗膜第２放射強度Ｅｃ２と区別する）やヒーター放射強度Ｅｈ（ヒーター第１放射強度Ｅｈ１，ヒーター第２放射強度Ｅｈ２と区別する）を検出することができる。この赤外線処理装置４１０では、コントローラー９０は、放射強度センサ６０が検出した放射強度と放射強度センサ４６０が検出した放射強度との少なくとも一方に基づいて塗膜８２の監視制御を行う。例えば、処理対象に応じて、放射強度センサ６０が検出した塗膜第１放射強度Ｅｃ１及びヒーター第１放射強度Ｅｈ１を用いるか、放射強度センサ４６０が検出した塗膜第２放射強度Ｅｃ２及びヒーター第２放射強度Ｅｈ２を用いるか、を切り替えてもよい。放射強度センサ６０と放射強度センサ４６０とのいずれを用いるかは、例えばユーザーからの指示を操作パネル９８を介して入力してもよいし、処理対象との関係が予めフラッシュメモリー９２などにより記憶されていてもよい。赤外線処理の時間経過に伴う処理対象からの第１波長領域と第２波長領域との放射強度の変化を予め調べておき、放射強度の変化が大きい方の波長領域の放射強度を検出する放射強度センサを用いる���うに、切替を行えばよい。なお、放射強度センサ６０が本発明の処理対象用第１センサに相当し、放射強度センサ４６０が本発明の処理対象用第２センサに相当する。また、第１波長領域及び第２波長領域は、上述した範囲に限らず他の範囲としてもよい。また、赤外線処理の経過時間に応じて放射強度センサ６０と放射強度センサ４６０とのいずれを用いるかを切り替えるものとしてもよい。例えば、赤外線処理の序盤に対応する検出箇所では放射強度センサ６０が検出した塗膜第１放射強度Ｅｃ１及びヒーター第１放射強度Ｅｈ１を用いるものとし、赤外線処理の中盤や終盤に対応する検出箇所では放射強度センサ４６０が検出した塗膜第２放射強度Ｅｃ２及びヒーター第２放射強度Ｅｈ２を用いるものとしてもよい。
【００６６】
また、図１１の赤外線処理装置４１０において、塗膜第１放射強度Ｅｃ１，塗膜第２放射強度Ｅｃ２の両方に基づいて塗膜８２の状態に関する状態関連情報を導出し、導出した状態関連情報に基づいて塗膜８２の監視制御を行ってもよい。例えば、塗膜第１放射強度Ｅｃ１と塗膜第２放射強度Ｅｃ２との和や、加重和を状態関連情報として導出したり、比Ｒ１（塗膜第１放射強度Ｅｃ１／ヒーター第１放射強度Ｅｈ１）と比Ｒ２（塗膜第２放射強度Ｅｃ２／ヒーター第２放射強度Ｅｈ２）との和や加重和を状態関連情報として導出したりしてもよい。そして、この状態関連情報を上述した比Ｒの代わりに用いて、上述した監視制御ルーチンを行ってもよい。ここで、例えば乾燥により処理対象から蒸発する物質が２種類あり、それぞれの吸収極大波長が大きく異なる場合などにおいて、第１波長領域及び第２波長領域をそれぞれの吸収極大波長付近に設定することで、塗膜第１放射強度Ｅｃ１（あるいは比Ｒ１）と塗膜第２放射強度Ｅｃ２（あるいは比Ｒ２）とを検出することで２種類の物質のそれぞれの蒸発の程度を検出することができる。このような場合に、塗膜第１放射強度Ｅｃ１，塗膜第２放射強度Ｅｃ２の両方に基づいた状態関連情報に基づくことで、処理対象の状態をより精度よく検出して、処理対象の監視制御を行うことができる。あるいは、塗膜第１放射強度Ｅｃ１，塗膜第２放射強度Ｅｃ２の両方に基づいて処理対象の温度を導出してもよい。例えば、塗膜第１放射強度Ｅｃ１と塗膜第２放射強度Ｅｃ２との比や、比Ｒ１と比Ｒ２との比に基づいて、周知の２色法により処理対象の温度を導出してもよい。そして、この処理対象の温度を上述した比Ｒの代わりに用いて、上述した監視制御ルーチンを行ってもよい。
【００６７】
上述した実施形態では、監視制御ルーチンにおいて塗膜８２の異常の有無の判定（ステップＳ２３０）と赤外線ヒーター３０の制御（ステップＳ２４０，Ｓ２５０）とを共に行うものとしたが、これらのいずれか一方を行ってもよい。あるいは、ステップＳ２３０以降の処理を行わず、ＣＰＵ９１がステップＳ２２０で導出した比Ｒをフラッシュメモリー９２に記憶することで塗膜８２の監視を行ってもよい。こうしても、例えばユーザーが記憶された比Ｒを確認することで、塗膜８２の赤外線処理が適正に行われたか否かを把握したり、そのことを証明したりすることができる。
【００６８】
上述した実施形態では、比Ｒに基づいて監視制御を行うものとしたが、比Ｒを導出せずに塗膜放射強度Ｅｃに基づいて監視制御を行ってもよい。ただし、精度が向上するため比Ｒに基づいて完成制御を行うことが好ましい。なお、赤外線ヒーター３０の供給電力値Ｗが予め固定値として設定されている場合など、赤外線処理中に赤外線ヒーター３０の出力を変化させない場合には、例えば異常判定の上下限に予め赤外線ヒーター３０から塗膜８２への赤外線の放射強度を考慮しておけばよく、比Ｒを導出せずに塗膜放射強度Ｅｃに基づいて監視を行っても精度はそれほど低下しない。
【００６９】
上述した実施形態において、ステップ２４０でフィードバック制御により供給電力値Ｗを決定したが、第１冷媒の流量についても決定してもよい。例えば、温度センサ５６が検出した温度が上限温度（例えば２００℃など）よりも低い場合には、供給電力値Ｗの値を前回の値よりも大きい値にする代わりに、第１冷媒の流量を減少させるようにするなどとしてもよい。こうすれば、赤外線ヒーター３０の消費電力を減らすことができる。
【００７０】
上述した実施形態では、放射強度センサ６０は真上の検出箇所８３からの赤外線の放射強度を検出するものとしたが、これに限られない。放射強度センサ６０は、塗膜８２からの赤外線を検出すればよく、塗膜８２を透過した赤外線，塗膜８２自身が放射した赤外線，塗膜８２が反射した赤外線、のいずれか１以上の赤外線の放射強度を検出するように配置すればよい。例えば、放射強度センサ６０を塗膜８２の上方に配置してもよい。この場合、放射強度センサ６０は、塗膜８２が反射した赤外線や塗膜８２自身が放射した赤外線の放射強度を検出することになる。こうすれば、塗膜８２やシート８０が赤外線の透過率が低い場合でも、塗膜８２からの赤外線の放射強度を検出することができる。
【００７１】
上述した実施形態では、第２冷媒流路６７を流れる第２冷媒の流量は予め固定の設定値として定められているものとしたが、これに限られない。例えば、コントローラー９０が、放射強度センサ６０が検出した放射強度が大きいほど第２冷媒の流量が大きくなるように第２冷媒の流量を制御しても良い。
【００７２】
上述した実施形態では、放射強度センサ６０は第２流路形成部材６６を備えており第２冷媒供給源５４からの第２冷媒によって冷却されるものとしたが、これに限られない。例えば、第２冷媒で冷却する代わりにペルチェ素子を用いて放射強度センサ６０を冷却してもよい。また、放射強度センサ６０を冷却する機構を備えないものとしてもよい。
【００７３】
放射強度センサ６０の構成は、上述した実施形態に限られない。例えば、フィルタ部６３は、複数の層によって構成してもよい。例えば所定の波長領域の上限を超える赤外線を遮蔽するフィルタと、所定の波長領域の下限を下回る赤外線を遮蔽するフィルタとを組み合わせてフィルタ部を構成してもよい。また、放射強度センサ６０がフィルタ部６３と絞り部６２との少なくとも一方を備えないものとしてもよい。
【００７４】
上述した実施形態では、赤外線ヒーター３０からの赤外線のみにより塗膜８２を乾燥させるものとしたが、例えば空気などの熱風を炉体１２内に送風する給気装置を備えるものとし、熱風と赤外線とにより塗膜８２を乾燥させてもよい。熱風に限らず、炉体１２内に送風する給気装置を備えていてもよい。
【００７５】
上述した実施形態では、赤外線処理装置１０は、塗膜８２を連続的に搬送して乾燥を行うロールトゥロール方式の乾燥炉としたが、これに限られない。例えば、赤外線処理装置１０を、ロールトゥロール方式以外の連続炉として構成してもよいし、塗膜８２が炉体１２内で停止した状態で乾燥を行うバッチ炉として構成してもよい。
【００７６】
上述した実施形態では、赤外線処理装置１０は赤外線処理として塗膜８２の乾燥処理を行うものとしたが、これに限られない。赤外線処理装置１０は処理対象に赤外線を放射して処理を行うものであればよい。赤外線処理として、例えば加熱処理，乾燥処理，脱水処理などを行うものとしてもよい。また、赤外線処理として、処理対象を脱水環化反応させるなど、化学反応させる処理を行うものとしてもよい。
【００７７】
上述した実施形態では、処理対象である塗膜８２として、ＭＬＣＣ（積層セラミックコンデンサ）用の薄膜として用いられる塗膜を例示したが、処理対象はこれに限られない。例えば、乾燥後にリチウムイオン二次電池用の電極となる塗膜を処理対象としてもよい。あるいは、塗膜８２は、ＬＴＣＣ（低温焼成セラミックス）やその他のグリーンシート用の薄膜として用いられるものとしてもよい。
【符号の説明】
【００７８】
１０  赤外線処理装置、１２  炉体、１２ａ  処理空間、１３  前端面、１４  後端面、１５  左端面、１６  右端面、１７，１８  開口、２１，２５  ローラー、３０，３０ａ〜３０ｉ  赤外線ヒーター、３２  フィラメント、３４  電気配線、３６  内管、３８  ヒーター本体、４０  外管、４１  反射層、４２  キャップ、４４  配線引出部、４７  第１冷媒流路、４８  第１冷媒出入口、４９  ホルダー、５０  電力供給源、５２  第１冷媒供給源、５４  第２冷媒供給源、５６  温度センサ、６０，６０ａ〜６０ｉ  放射強度センサ、６１  筒状体、６２  絞り部、６２ａ  開口、６３  フィルタ部、６４  検出部、６５  電気配線、６６  第２流路形成部材、６７  第２冷媒流路、６８  第２冷媒出入口、６９  配線引出部、８０  シート、８２  塗膜、８３，８３ａ〜８３ｉ  検出箇所、９０  コントローラー、９１  ＣＰＵ、９２  フラッシュメモリー、９３  対応関係テーブル、９４  ＲＡＭ、９８  操作パネル、１１０  赤外線処理装置、１７０  センサ水平移動機構、１７１  電動シリンダー、１７１ａ  ロッド、２１０  赤外線処理装置、２７０  センサ回転機構、２７１  モーター、２７１ａ  駆動軸、３１０  赤外線処理装置、３６０，３６０ａ〜３６０ｃ  放射強度センサ、４１０  赤外線処理装置、４６０  ，４６０ａ〜４６０ｃ  放射強度センサ、４８３，４８３ａ〜４８３ｃ  検出箇所。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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