(57)【要約】【課題】歩留りを向上させることができる発光装置および発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態による発光装置は、フレームを備える。発光装置は、前記フレーム上に搭載された発光素子であって、前記フレーム上に配置された基板と、前記基板の上方に設けられた発光層と、前記基板の下面に設けられた第１反射層と、前記基板の側面に設けられた第２反射層と、電極と、を有する、発光素子を備える。発光装置は、一端が電極に接続され、他端がフレームに接続されたボンディングワイヤを備える。【選択図】図２
2016058674.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレームと、
前記フレーム上に搭載された発光素子であって、前記フレーム上に配置された基板と、前記基板の上方に設けられた発光層と、前記基板の下面に設けられた第１反射層と、前記基板の側面に設けられた第２反射層と、電極と、を有する、発光素子と、
一端が前記電極に接続され、他端が前記フレームに接続されたボンディングワイヤと、を備える、発光装置。
【請求項２】
前記発光素子は、前記基板と前記発光層との間に設けられた下部電極層を更に備え、
前記下部電極層は、前記発光層が出射した光を反射する、請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子は、前記基板と前記下部電極層との間に設けられ、前記基板と前記下部電極層とを接合する接合層を更に備え、
前記接合層は、酸化膜である、請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２反射層は、前記基板の側面から前記接合層の側面に亘って設けられている、請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記接合層は、前記接合層の側端部に、上方に突出した突壁部を有し、
前記第２反射層は、前記突壁部の側面に延在している、請求項４記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子は、
前記発光層の上面に設けられた第１窒化物半導体層と、
前記発光層と前記下部電極層との間に設けられた第２窒化物半導体層と、を更に備え、
前記電極は、
前記第１窒化物半導体層の上面に設けられ、前記第１窒化物半導体層に電気的に接続された第１電極と、
前記下部電極層の上面における前記第２窒化物半導体層よりも側方に延出した部位に設けられ、前記下部電極層を介して前記第２窒化物半導体層に電気的に接続された第２電極と、を含み、
前記ボンディングワイヤは、
前記第１電極に接続された第１ボンディングワイヤと、
前記第２電極に接続された第２ボンディングワイヤと、を含む、
請求項５記載の発光装置。
【請求項７】
前記基板は、Ｓｉを含む、請求項１記載の発光装置。
【請求項８】
前記発光素子を前記フレームの上面に接着する光吸収性の接着層と、
前記フレームの上面と前記第２反射層との間に位置する前記接着層を被覆する反射材料を含むペーストと、を更に備える請求項１記載の発光装置。
【請求項９】
上方に複数の発光層および電極をパターニングしたベース基板を、前記発光層側からダイシング用基板に貼り付け、
前記ダイシング用基板に貼り付けた前記ベース基板を、前記ダイシング用基板上において前記発光層ごとの基板に個片化し、
前記基板の下面に第１反射層を形成するとともに、前記基板の切断面に第２反射層を形成することで、発光素子を形成し、
前記発光素子を接着層でフレームの上面に接着し、
前記基板の上方に位置する前記電極と、前記フレームとの間をボンディングワイヤで接続する、発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記フレームの上面と前記第２反射層との間に位置する前記接着層を、反射材料を含むペーストで被覆することを更に備え、
前記接着層は、光吸収性を有する、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ベース基板を、ドライエッチング法を用いて切断する、請求項９または１０に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明による実施形態は、発光装置および発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体発光素子（以下、単に発光素子という）を用いた発光装置を製造する際には、フレーム上に搭載した発光素子の側面の全てを覆うように、高反射材料を含むペーストを塗布していた。
【０００３】
ここで、高反射材料を含むペーストは、例えば、発光素子の発光層から発光素子の光取出し面と反対側に出射された光を、光取出し面側に反射させる。そして、光取出し面側に反射された光は、発光層から直接光取出し面に到達した光とともに発光装置から出射されるので、発光装置の発光効率が向上する。
【０００４】
しかしながら、従来は、高反射材料を含むペーストを塗布する際に、このペーストが、発光素子の上面に這い上がることで上面に形成されたパッド電極を覆ってしまうことがあった。このようにペーストがパッド電極を覆うことで、パッド電極へのボンディングワイヤの接続が妨げられていた。すなわち、従来は、発光装置の発光効率を向上させるためのペーストが原因となって、パッド電極を介した発光素子のワイヤボンディングが妨げられることがあった。このワイヤボンディングが妨げられる結果、発光装置の製造における歩留りが低下するといった問題が生じていた。
【０００５】
そこで、発光装置には、歩留りを向上させることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−５５８１６号公報
【特許文献２】特開２０１１−１８７７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
歩留りを向上させることができる発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態による発光装置は、フレームを備える。発光装置は、前記フレーム上に搭載された発光素子であって、前記フレーム上に配置された基板と、前記基板の上方に設けられた発光層と、前記基板の下面に設けられた第１反射層と、前記基板の側面に設けられた第２反射層と、電極と、を有する、発光素子を備える。発光装置は、一端が電極に接続され、他端がフレームに接続されたボンディングワイヤを備える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態を示す発光装置１の概略断面図である。
【図２】図１の発光装置１における発光素子１２の概略断面図である。
【図３】本実施形態の発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図４】図３に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図５】図４に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図６】図５に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図７】図６に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図８】図７に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図９】図８に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【００１１】
図１は、本実施形態を示す発光装置１の概略断面図である。図１に示される発光装置１は、例えば照明用の光源として用いることができるものである。
【００１２】
この発光装置１は、フレーム１１と、発光素子１２と、接着層１３（すなわち、マウント材）と、高反射材料を含むペースト１４と、モールド樹脂層１５と、蛍光体層１６とを備える。発光素子１２の底壁部は、第１反射層１２１を含む。また、発光素子１２の側壁部は、第２反射層１２２を含む。
【００１３】
フレーム１１は、Ｃｕ等の金属材料を用いて板状に形成されている。フレーム１１の上面１１ａには、不図示のＡｇめっき層が形成されている。このＡｇめっき層を形成することで、発光素子１２から出射された光に対する反射率を確保することができ、かつ、発光素子１２のボンディング性を確保することができる。
【００１４】
発光素子１２は、フレーム１１の上面１１ａに搭載されている。また、発光素子１２は、上面１１ａと第２反射層１２２との間に設けられた接着層１３を用いてフレーム１１に固定されている。発光素子１２は、第１ボンディングワイヤＷ１を用いてフレーム１１のカソード部分と電気的に接続されている。また、発光素子１２は、第２ボンディングワイヤＷ２を用いてフレーム１１のアノード部分と電気的に接続されている。
【００１５】
本実施形態における接着層１３は、例えば黒色樹脂接着剤などを用いて光吸収性を有する。すなわち、接着層１３は、光反射率よりも光吸収率が大きい。高反射材料を含むペースト１４は、接着層１３の上部と第２反射層１２２との間において接着層１３を被覆している。ペースト１４は、接着層１３を被覆することで、接着層１３による光の吸収を抑制する。なお、接着層１３が光反射性を有する接着層である場合は、ペースト１４を省略してもよい。
【００１６】
図２は、図１の発光装置１における発光素子１２の概略断面図である。図２に示すように、発光素子１２は、下層側から順に、第１反射層１２１と、支持基板１２３と、接合層１２４と、下部電極層１２５と、ｐ型窒化物半導体層１２６、ｐ型パッド電極１２１０および保護層１２１１（パシベーション）と、発光層１２７と、ｎ型窒化物半導体層１２８と、ｎ型パッド電極１２９とを備える。また、発光素子１２は、前述した第２反射層１２２を備えている。
【００１７】
また、ｎ型窒化物半導体層１２８の上面には、光取出し面１２８１が形成されている。光取出し面１２８１は、発光層１２７から出射された光を取り出す。具体的には、光取出し面１２８１は、発光層１２７から出射されて光取出し面１２８１に到達した光を、拡散させて発光素子１２の外部に出射する。
【００１８】
なお、ｐ型窒化物半導体層１２６は、第２窒化物半導体層の一例である。また、ｎ型窒化物半導体層１２８ｈは、第１窒化物半導体層の一例である。また、ｐ型パッド電極１２１０は、第２電極の一例である。また、ｎ型パッド電極１２９は、第１電極の一例である。
【００１９】
支持基板１２３は、Ｓｉによって形成されている。
【００２０】
第１反射層１２１は、支持基板１２３の下面１２３ａに設けられている。第２反射層１２２は、支持基板１２３の側面１２３ｂに設けられている。また、第２反射層１２２は、第１反射層１２１に接続されている。
【００２１】
第１反射層１２１は、発光層１２７から出射された後に第１反射層１２１に入射した光を、光取出し面１２８１に向けて反射する。第２反射層１２１は、発光層１２７から出射された後に第２反射層１２２に入射した光を、光取出し面１２８１に向けて反射する。第１反射層１２１および第２反射層１２２による反射光は、例えば発光素子１２の内部の光路を経て光取出し面１２８１に到達する。光取出し面１２８１に到達した反射層１２１、１２２からの反射光は、発光層１２７から光取出し面１２８１に直に到達した光とともに、発光装置１の照射光として利用される。
【００２２】
第１反射層１２１および第２反射層１２２の材料は特に限定されないが、好ましい態様の一例として、Ａｕ、ＡｇまたはＡｌなどの金属を採用してよい。
【００２３】
ここで、もし、支持基板１２３の側面１２３ｂに第２反射層１２２が設けられていない場合、発光層１２７から出射された光の反射率を発光素子１２の側面において確保する必要がある。この場合、高反射材料を含むペースト１４を反射率の確保のために十分な高さに設けると、ペースト１４の使用量が多くなる。ペースト１４の使用量が多くなることで、ペースト１４が、発光素子１２の上面に這い上がって、ｐ型パッド電極１２１０およびｎ型パッド電極１２９の少なくとも一方を覆ってしまう場合がある。通常、発光素子１２の厚みは、薄型化の要請によって１００〜２００μｍ程度と非常に薄く形成される。このような発光素子１２の薄さが、ペースト１４を更に這い上がり易くしている。
【００２４】
そして、ペースト１４がｐ型パッド電極１２１０、ｎ型パッド電極１２９を覆う場合、第２ボンディングワイヤＷ２をｐ型パッド電極１２１０に接続できなくなる。また、第１ボンディングワイヤＷ１をｎ型パッド電極１２９に接続できなくなる。すなわち、ワイヤボンディングが不可能となってしまう。
【００２５】
これに対して、本実施形態では、第２反射層１２２によって発光素子１２の側面における反射率が十分に確保されている。このため、高反射材料を含むペースト１４を用いて発光素子１２の側面の反射率を確保する必要性は少なくなる。光吸収性の接着層１３を被覆するために高反射材料を含むペースト１４を設ける場合でも、その使用量は、基本的に接着層１３の被覆に必要な量であればよい。接着層１３の被覆に必要なペースト１４の量は、反射率を確保する場合に求められるペースト１４の量に比べれば十分に少ない。
【００２６】
このように、高反射材料を含むペースト１４の使用量を抑えることができるため、ペースト１４は、発光素子１２の上面に這い上がらず、ｐ型パッド電極１２１０およびｎ型パッド電極１２９の少なくとも一方を覆わない。これにより、第２ボンディングワイヤＷ２をｐ型パッド電極１２１０に適切に接続できる。また、第１ボンディングワイヤＷ１をｎ型パッド電極１２９に適切に接続できる。すなわち、本実施形態によれば、ワイヤボンディングを適切に行うことができる。そして、ワイヤボンディングを適切に行うことができる結果、歩留りを向上させることができる。また、一般的に高価な高反射材料を含むペースト１４の使用量を抑えることができるので、発光装置１の製造コストを削減することができる。
【００２７】
接合層１２４は、支持基板１２３と下部電極層１２５との間に設けられている。接合層１２４は、支持基板１２３と下部電極層１２５とを接合する。接合層１２４は、接合層１２４の側端部に、上方に突出した突壁部１２４１を有する。
【００２８】
接合層１２４は、酸化膜すなわち絶縁膜である。
【００２９】
第２反射層１２２は、支持基板１２３の側面１２３ｂから接合層１２４の側面１２４ａに亘って設けられている。更に、第２反射層１２２は、突壁部１２４１の側面１２４１ａに延在している。このように、第２反射層１２２は、支持基板１２３の側面１２３ｂにとどまらず、接合層１２４の側面１２４ａおよび突壁部１２４１の側面１２４１ａにも設けられているので、発光素子１２の側面における反射率を向上させることができる。
【００３０】
ここで、第２反射層１２２は、後述するようにドライエッチング法による切断面に形成されるところ、上述のように、第２反射層１２２を接合層１２４の側面１２４ａおよび突壁部１２４１の側面１２４１ａに亘らせるには、接合層１２４のドライエッチングが必要である。もし、接合層１２４が例えばＳｎなどの金属膜である場合、接合層１２４をドライエッチングによって加工しなければならない。したがって、接合層１２４が金属膜である場合、接合層１２４の加工が困難となる。接合層１２４の加工が困難となる結果、第２反射層１２２の形成が困難となる。
【００３１】
これに対して、本実施形態では、接合層１２４が金属膜に比べてドライエッチングし易い酸化膜であるので、ドライエッチングを用いた接合層１２４の加工を容易に行うことができる。接合層１２４の加工を容易に行うことができる結果、第２反射層１２２の形成を容易に行うことができる。
【００３２】
また、接合層１２４の絶縁性で、第２反射層１２２と下部電極層１２５との導通を防止することができる。
【００３３】
下部電極層１２５は、前述のように、接合層１２４と、ｐ型窒化物半導体層１２６、ｐ型パッド電極１２１０および保護層１２１１との間（すなわち、支持基板１２３と発光層１２７との間）に設けられている。下部電極層１２５は、ｐ型パッド電極１２１０とｐ型窒化物半導体層１２６とを導通する。
【００３４】
また、下部電極層１２５は、発光層１２７から下部電極層１２５側に出射された光を、光取出し面１２８１側に反射する。
【００３５】
このように、下部電極層１２５は反射層を兼ねるので、ｐ型窒化物半導体層１２６の下層に別途反射層を設けることを要しない。下部電極層１２５は、例えば、Ａｇ、ＡｌまたはＮｉなどを用いて形成してよい。
【００３６】
ｐ型窒化物半導体層１２６は、発光層１２７と下部電極層１２５との間に設けられている。ｐ型窒化物半導体層１２６は、例えば、ＧａＮ系の半導体層に、マグネシウムや亜鉛などのｐ型不純物を添加したものであってよい。
【００３７】
発光層１２７は、例えば、ＩｎＧａＮからなる量子井戸層と、この量子井戸層を挟むバリア層とを積層した単一量子井戸構造（ＳＱＷ）であってよい。あるいは、発光層１２７は、量子井戸層とバリア層とを交互に積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ）であってもよい。
【００３８】
ｎ型窒化物半導体層１２８は、発光層１２７の上面に設けられている。ｎ型窒化物半導体層１２８は、例えば、ＧａＮ系の半導体層に、Ｓｉを不純物として添加したものであってよい。ｎ型窒化物半導体層１２８の上面の光取出し面１２８１は、例えば粗化面であってよい。
【００３９】
ｎ型パッド電極１２９は、支持基板１２３の上方としてのｎ型窒化物半導体層１２８の上面に設けられている。ｎ型パッド電極１２９は、ｎ型窒化物半導体層１２８に電気的に接続されている。ｎ型パッド電極１２９は、例えば、Ａｌなどを用いて形成してよい。
【００４０】
ｐ型パッド電極１２１０は、支持基板１２３の上方としての、下部電極層１２５の上面１２５ａにおけるｐ型窒化物半導体層１２６よりも側方に延出した部位に設けられている。ｐ型パッド電極１２１０は、下部電極層１２５を介してｐ型窒化物半導体層１２６に電気的に接続されている。ｐ型パッド電極１２１０は、例えば、Ａｌなどを用いて形成してよい。
【００４１】
保護層１２１１は、下部電極層１２５の上面１２５ａから、ｐ型窒化物半導体層１２６の側面、発光層１２７の側面、ｎ型窒化物半導体層１２８の側面および上面に亘って設けられている。保護層１２１１は、ｐ型パッド電極１２１０とｎ型パッド電極１２９とを導通する異物の付着を防止することで、両電極１２１０、１２９の短絡を防止する。保護層１２１１は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮなどを用いて形成してよい。
【００４２】
図３は、本実施形態の発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。図４は、図３に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。図５は、図４に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。図６は、図５に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。図７は、図６に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。図８は、図７に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。図９は、図８に続く、発光装置１の製造方法を模式的に示す断面図である。以下、図３〜図９を用いて、本実施形態の発光装置１の製造方法について説明する。
【００４３】
本実施形態の発光装置１の製造方法では、先ず、図３（Ａ）に示すように、複数の発光素子１２を形成可能な大判の基板２を用意する。この基板２は、例えばＳｉ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板などであってよい。
【００４４】
次に、図３（Ｂ）に示すように、基板２上に、大判のｎ型窒化物半導体層１２８、大判の発光層１２７および大判のｐ型窒化物半導体層１２６を順に形成する。各層の形成は、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）などで行ってよい。
【００４５】
次に、図３（Ｃ）に示すように、ｐ型窒化物半導体層１２６上に、Ａｇ、ＮｉまたはＡｌなどを用いて下部電極層１２５をパターニング形成する。下部電極層１２５の形成は、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いた金属薄膜のエッチングなどで行ってよい。なお、図３（Ｃ）では、１つの下部電極層１２５が代表的に図示されているが、実際は、基板２上に発光素子１２毎の下部電極層１２５を同時にパターニングする。
【００４６】
次に、図４（Ａ）に示すように、発光素子１２毎の下部電極層１２５上に、例えばＳｉＯ２などを用いて大判の接合層１２４を成膜する。そして、成膜された接合層１２４を、ＣＭＰによって平坦化する。
【００４７】
次に、図４（Ｂ）に示すように、接合層１２４上に、大判の支持基板１２３であるベース基板１２３０を接合する。ベース基板１２３０の接合は、例えばシリコンフュージョンボンディングなどで行ってよい。
【００４８】
次に、図４（Ｃ）に示すように、基板２を除去する。基板２の除去は、例えばバックグラインドやエッチングで行ってよい。
【００４９】
次に、図５（Ａ）に示すように、大判の発光層１２７を発光素子１２毎の発光層１２７にパターニングする。そして、発光素子１２毎の発光層１２７に、光取出し面１２８１の形成などの表面加工を行う。発光素子１２毎の発光層１２７のパターニングは、例えばフォトリソグラフィ技術を用いたエッチングなどで行ってよい。また、光取出し面１２８１の加工すなわち粗面化処理は、例えばアルカリ水溶液によるウェットエッチングやドライエッチングなどで行ってよい。なお、図５においては、光取出し面１２８１の図示を省略している。
【００５０】
次に、図５（Ｂ）に示すように、発光素子１２毎の発光層１２７の上に、例えばＳｉＯ２などを用いて保護層１２１１をパターニングする。保護層１２１１のパターニングは、例えばフォトリソグラフィ技術を用いたエッチングなどで行ってよい。
【００５１】
次に、図５（Ｃ）に示すように、例えばＡｌなどを用いて、下部電極層１２５上にｐ型パッド電極１２１０をパターニングする。また、ｎ型窒化物半導体層１２８上にｎ型パッド電極１２９をパターニングする。ｐ型パッド電極１２１０およびｎ型パッド電極１２９のパターニングは、例えばフォトリソグラフィ技術を用いたエッチングなどで行ってよい。
【００５２】
次に、図６（Ａ）に示すように、図３〜図５の工程で発光素子１２ごとの発光層１２７がパターニングされたベース基板１２３０を、発光層１２７側からダイシング用基板３に貼り付ける。貼り付けは、例えば接着材などを用いて行ってよい。なお、図６〜図８においては、発光層１２７および下部電極層１２５以外の構成部の図示を省略している。
【００５３】
次に、図６（Ｂ）に示すように、ベース基板１２３０をパッケージへの収納に適した厚みに薄化する。ベース基板１２３０の薄化は、例えばバックグラインドなどで行ってよい。
【００５４】
次に、図６（Ｃ）に示すように、ベース基板１２３０上に、ダイシングラインを示すレジスト４をパターニングする。レジスト４のパターニングは、例えばフォトリソグラフィ技術を用いたエッチングなどで行ってよい。
【００５５】
次に、図７（Ａ）に示すように、ベース基板１２３０を、レジスト４の開口パターン（ダイシングライン）に沿ったドライエッチング法で処理する。ドライエッチング法で、ベース基板１２３０をダイシング用基板３上において発光素子１２毎の支持基板１２３に分断（個片化、singulation）する。
【００５６】
次に、図７（Ｂ）に示すように、レジスト４を剥離する。
【００５７】
次に、図７（Ｃ）に示すように、発光素子１２毎の支持基板１２３上に、例えばＡｕ、ＡｇまたはＡｌなどを用いて、第１反射層１２１および第２反射層１２２を同時に形成する。第１反射層１２１および第２反射層１２２の形成は、例えばスパッタリングや蒸着などで行ってよい。
【００５８】
次に、図８（Ａ）に示すように、発光素子１２毎の第１反射層１２１上にピックアップラミネート５を貼り付ける。
【００５９】
次に、図８（Ｂ）に示すように、ダイシング用基板３を剥離して、各発光素子１２をピックアップする。以上のようにして、各発光素子１２を製造することができる。
【００６０】
次に、図９（Ａ）に示すように、フレーム１１上に、モールド樹脂層１５を形成する。モールド樹脂層１５の形成は、例えばトランスファーモールドプロセスなどで行ってよい。モールド樹脂層１５は、ＴｉＯ２などの高反射材料を含有してよい。
【００６１】
次に、図９（Ｂ）に示すように、フレーム１１上に、光吸収性の接着層１３を用いて発光素子１２をマウントする。
【００６２】
次に、図９（Ｃ）に示すように、光吸収性の接着層１３の上部に、高反射材料を含むペースト１４を形成する。ペースト１４の形成は、例えばポッティングなどで行ってよい。このとき、発光素子１２は、第２反射層１２２によって側面における反射率が確保されているため、ペースト１４の使用量は、接着層１３を被覆するのに十分な程度の少量に抑えることができる。
【００６３】
次に、図９（Ｄ）に示すように、発光素子１２をワイヤボンディングする。具体的には、第１ボンディングワイヤＷ１の一端を、ｎ型パッド電極１２９に接続し、第１ボンディングワイヤＷ１の他端を、フレーム１１のカソード部分に接続する。また、第２ボンディングワイヤＷ２の一端を、ｐ型パッド電極１２１０に接続し、第２ボンディングワイヤＷ２の他端を、フレーム１１のアノード部分に接続する。このとき、高反射材料を含むペースト１４の使用量は十分に少量に抑えられているため、ｐ型パッド電極１２１０およびｎ型パッド電極１２９は、ペースト１４で覆われていない。これにより、ワイヤボンディングを適切に行うことができる。
【００６４】
次に、図９（Ｅ）に示すように、発光素子１２を蛍光体層１６で封止する。蛍光体層１６の形成は、例えばポッティングなどで行ってよい。
【００６５】
本実施形態の発光装置１の製造方法によれば、ドライエッチング法を用いて発光素子１２を個片化することで、ダイシングラインの幅を狭小化できる。ダイシングラインの幅を狭小化できるので、発光素子１２の取り数を多くすることができる。
【００６６】
また、ブレードによるダイシングの場合に比べて、支持基板１２３の側面１２３ｂ（切断面）を平坦にすることができる。側面１２３ｂを平坦にすることができるので、第２反射層１２２を成膜する際における側面１２３ｂに対する第２反射層１２２の付きまわり（被覆性や密着性など）を良好にすることができる。側面１２３ｂに対する第２反射層１２２の付きまわりを良好にできる結果、歩留りを更に向上させることができる。
【００６７】
また、第１反射層１２１と第２反射層１２２とを同一の材料で同時に形成することができるので、材料費および製造工数を抑えることができる。
【００６８】
また、第２反射層１２２が発光素子１２の側面における反射率を確保するので、発光素子１２の側面に配置すべき高反射材料を含むペースト１４の使用量を抑えることができる。このようにペースト１４の使用量を抑えることができるので、ペースト１４がｐ型パッド電極１２１０およびｎ型パッド電極１２９を覆うことを回避できる。そして、ペースト１４がｐ型パッド電極１２１０およびｎ型パッド電極１２９を覆うことを回避できるので、パッド電極１２９、１２１０を介したワイヤボンディングを適正に行うことができる。
【００６９】
このように、本実施形態の製造方法によれば、ワイヤボンディングが適正になされた発光装置１を製造することができるので、歩留りを向上させることができる。
【００７０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００７１】
１２  発光素子
１２１  第１反射層
１２２  第２反射層
１２３  支持基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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