(57)【要約】      （修正有）【課題】放熱性能を向上させつつ、基板の歪み現象低減が可能な技術を提供する。【解決手段】回路基板１００は、金属材質で形成の第１コア１１２・第２コア１１３及び絶縁材質で形成の絶縁コア１１１を含むコア部１００と、このコア部１００を貫通する第１ビアＶ１とを含み、第１ビアＶ１は、杖鼓または砂時計形状に形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材質で形成される第１コア、及び金属材質で形成され、少なくとも前記第１コアの上方または下方に備えられる第２コアを有するコア部と、
前記コア部の一面と他面との間を貫通する第１ビアと、
を含む回路基板。
【請求項２】
前記第１ビアは、杖鼓または砂時計形状に形成される請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記コア部は、
絶縁性材質で形成される絶縁コアをさらに有し、
前記第１コアは、前記絶縁コアの一面に備えられ、
前記第２コアは、前記絶縁コアの他面に備えられる請求項１または請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１ビアは、
前記コア部の一面から他面方向において、
前記第１コアを貫通する部分では直径変化率が増加し、
前記絶縁コアを貫通する部分では直径変化率が０となり、
前記第２コアを貫通する部分では直径変化率が減少する請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
前記絶縁コアは、グラファイトまたはグラフェン材質で形成される請求項３または請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記絶縁コアを貫通し、前記第１コア及び前記第２コアを接続させる金属材質の放熱パスをさらに含む請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項７】
前記コア部と前記第１ビアとの間の境界面に絶縁膜が備えられる請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項８】
前記絶縁膜を貫通し、前記コア部の一面及び前記コア部の他面のうちの少なくとも一面と接触する第２ビアをさらに含む請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
電気信号は、前記第１ビアを経由し、熱は、前記第２ビアを経由する請求項８に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記コア部は、
前記第１コアの他面及び前記第２コアの一面の間に備えられ、絶縁性材質で形成される絶縁コアと、
前記第１コア及び前記第２コアとは種類の異なる金属材質で形成され、前記第１コアの一面に備えられる第１付加コアと、
前記第１コア及び前記第２コアとは種類の異なる金属材質で形成され、前記第２コアの他面に備えられる第２付加コアと、を含む請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記第１コアと前記第１付加コアとの境界面には段差が備えられる請求項１０に記載の回路基板。
【請求項１２】
前記第１コア及び前記第２コアは、インバーを含む金属材質で形成され、
前記第１付加コア及び前記第２付加コアは、銅を含む金属材質で形成される請求項１０または請求項１１に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記コア部を貫通し、絶縁樹脂が充填される貫通孔と、
前記貫通孔の内部の絶縁樹脂を貫通する第４ビアと、をさらに含む請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項１４】
第１金属材質で形成される第１コア、前記第１金属材質とは異なる金属材質で形成され、前記第１コアの一面と他面が接触する第２コア、及び前記第１金属材質とは異なる金属材質で形成され、前記第１コアの他面と一面が接触する第３コアを有するコア部と、
前記第２コアの一面から前記第３コアの他面までの間を貫通する第１ビアと、を含む回路基板。
【請求項１５】
前記第１コアには、前記第１コアを貫通するホールが備えられ、前記第２コアまたは前記第３コアと同一の材質により前記ホールが充填される請求項１４に記載の回路基板。
【請求項１６】
前記第１コア、前記第２コア及び前記第３コアと前記第１ビアとの間の領域に絶縁膜が備えられる請求項１４または請求項１５に記載の回路基板。
【請求項１７】
前記第２コアの一面から前記第３コアの他面までの間を貫通し、絶縁樹脂が充填される貫通孔と、
前記貫通孔の内部の絶縁樹脂を貫通する第４ビアと、をさらに含む請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項１８】
前記第１コアは、インバーを含む材質で形成され、前記第２コア及び前記第３コアは、銅を含む材質で形成される請求項１４から請求項１７のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項１９】
第１金属材質で形成される第１コア、前記第１金属材質とは異なる金属材質で形成され、前記第１コアの一面と他面が接触する第２コア、前記第１金属材質とは異なる金属材質で形成され、前記第１コアの他面と一面が接触する第３コア、前記第１金属材質で形成され、前記第２コアの一面と他面が接触する第４コア、及び前記第１金属材質で形成され、前記第３コアの他面と一面が接触する第５コアを有するコア部と、
前記第４コアの一面から前記第５コアの他面までの間を貫通する第１ビアと、を含む回路基板。
【請求項２０】
前記第１コアには、前記第１コアを貫通するホールが備えられ、前記第２コアまたは前記第３コアと同一の材質により前記ホールが充填される請求項１９に記載の回路基板。
【請求項２１】
前記第１コア、前記第２コア及び前記第３コアと前記第１ビアとの間の領域に絶縁膜が備えられる請求項１９または請求項２０に記載の回路基板。
【請求項２２】
前記第２コアの一面から前記第３コアの他面までの間を貫通し、絶縁樹脂が充填される貫通孔と、前記貫通孔の内部の絶縁樹脂を貫通する第４ビアと、をさらに含む請求項１９から請求項２１のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項２３】
請求項１から請求項２２のいずれか１項に記載の回路基板を製造する回路基板の製造方法において、
前記コア部を提供するステップと、
前記コア部の一面から他面方向へエッチング工程を行うステップと、
前記コア部の他面から一面方向へエッチング工程を行うステップと、
を含む回路基板の製造方法。
【請求項２４】
前記コア部は、絶縁コアを有し、
前記絶縁コアをドリリングするステップをさらに含む請求項２３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２５】
請求項１から２２のいずれか１項に記載の回路基板と、
前記回路基板の上部に位置し、少なくとも前記第１ビアに接続する電子部品と、
を含む多層基板。
【請求項２６】
前記回路基板に接続され、前記電子部品の上方に位置するインタポーザをさらに含む請求項２５に記載の多層基板。
【請求項２７】
前記インタポーザには、熱伝導性材質で形成される熱伝達用構造体が含まれる請求項２６に記載の多層基板。
【請求項２８】
前記インタポーザには、キャパシタが内蔵される請求項２６または請求項２７に記載の多層基板。
【請求項２９】
前記インタポーザは、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の回路基板と同一の構造で形成される請求項２６から請求項２８のいずれか１項に記載の多層基板。
【請求項３０】
前記電子部品の少なくとも一部が挿入されるリセス部が備えられたコア部を有するインタポーザをさらに含む請求項２５に記載の多層基板。
【請求項３１】
前記インタポーザのコア部を貫通するスルービアをさらに含み、前記スルービアの下面から前記回路基板の上部面までの距離が、前記電子部品の上部面から前記回路基板の上部面までの距離より近い請求項３０に記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の軽量化、小型化、高速化、多機能化、高性能化の傾向に対応するために、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）などに複数の配線層を形成する技術が開発されており、さらに能動素子や受動素子などの電子部品を回路基板に搭載する技術も開発されている。
【０００３】
一方、回路基板のスリム化の傾向により、基板の歪み現象が深刻な問題となっている。このような歪み現象を、いわゆるワーページ（Ｗａｒｐａｇｅ）とも称し、熱膨脹係数が異なる様々な物質で回路基板を構成することにより、ワーページが深化しており、ワーページを低減させるための研究が行われている。
【０００４】
また、回路基板に接続されるアプリケーションプロセッサ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ；ＡＰ）などが多機能化及び高性能化されることにより、発熱量が著しく増加している。このため、発熱量を低減させることや、放熱性能を向上させるための研究が活発に行われている。
【０００５】
また、アプリケーションプロセッサなどの能動素子の小型化により、集積度が高められ、能動素子の外部接続端子のピッチが微細化されている。これにより、能動素子を搭載する回路基板に備えられる接続パッド、配線パターン及びビアのピッチ減少及び集積度の増加が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１２／０００６４６９号明細書
【特許文献２】韓国公開特許第１０−２０１０−０１３８２０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一側面は、放熱性能を向上させつつ、ワーページ低減が可能な技術を提供することができる。
【０００８】
本発明の一側面は、コアを貫通するビアの微細化が可能でありながらも、放熱性能を向上させることができる技術を提供することができる。
【０００９】
本発明の一側面は、回路基板または多層基板を効率的に製造できる技術を提供することができる。
【００１０】
本発明が解決しようとする技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていない他の技術的課題は、以下の記載から、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者により明確に理解されることができる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の例示的な実施形態に係る回路基板は、金属材質の第１コア及び第２コアを含むコア部と、このコア部を貫通する第１ビアとを含むことができる。そして、第１ビアは、概して杖鼓または砂時計形状に形成することができる。
【００１２】
ここで、コア部の一面及び他面方向に、それぞれエッチング液を用いたエッチングを行って第１ビアホール及び第２ビアホールをそれぞれ形成し、第１ビアホールと第２ビアホールとの間の空間をドリリングして第１ビアホールと第２ビアホールとが接続するようにすることができる。そして、第１ビアホール及び第２ビアホールの内部を導電性及び熱伝導性の高い物質で充填することにより、第１ビアを形成することができる。
【００１３】
ここで、第１コア及び第２コアを形成する金属材としては、銅、ニッケル、鉄、コバルト、インバー（Ｉｎｖａｒ）のうちのいずれか１種または２種以上の合金を使用することができる。
【００１４】
また、第１コアと第２コアとの間には、絶縁コアが備えられることができ、絶縁コアは、グラファイトまたはグラフェンなどで形成することができる。
【００１５】
また、コア部の表面には、絶縁膜が備えられ、必要のない配線間の接続を防止することができる。このとき、絶縁膜は、第１ビアとコア部との間の境界面にも備えられることができる。
【００１６】
また、絶縁コアを貫通して第１コア及び第２コアを接続させる金属材質の放熱パスを含むことができる。
【００１７】
また、コア部には、第１付加コア及び第２付加コアが備えられることができ、第１コアと第１付加コアとの境界面には、段差が形成されることができる。
【００１８】
本発明の他の実施形態に係る回路基板は、第１コアと、第２コアと、第３コアとを含むことができ、これらのうちのいずれか一つの材質は、他の二つの材質と異なってもよい。さらに、第４コア及び第５コアを備えることができる。
【００１９】
本発明の一実施形態に係る多層基板は、上述の回路基板を含むことができ、上述の回路基板に結合する電子部品及びインタポーザをさらに含むことができる。このインタポーザは、付加基板など別途の外部デバイスに接続されることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の一実施形態によれば、放熱性能が向上されながらも、ワーページ低減が可能である。
【００２１】
また、本発明の一実施形態によれば、コア部を貫通するビアの最大直径またはピッチを減少することができる。
【００２２】
また、本発明の一実施形態によれば、コア部の一面及び他面方向でそれぞれエッチングを行う工程を容易にすることができる。
【００２３】
また、本発明の一実施形態によれば、コア部の熱伝導性能を向上させることができる。
【００２４】
また、本発明の一実施形態によれば、回路基板または多層基板を効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係る多層基板を概略的に示した図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る回路基板を概略的に示した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るコア部を概略的に示した断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係るコア部を概略的に示した断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係るコア部を概略的に示した断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係るコア部を概略的に示した断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係るコア部の形成過程の一部を説明するための図である。
【図８】本発明の一実施形態に係るコア部の形成過程の一部を説明するための図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る回路基板の複数個を一括的に製造できるようにモジュール化した例を概略的に示した図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る回路基板を概略的に示した断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る回路基板を概略的に示した断面図である。
【図１３】図１２に示された回路基板を製造する過程の一部を概略的に示した図である。
【図１４】本発明のまた他の実施形態に係る回路基板を概略的に示した断面図である。
【図１５】図１４に示された回路基板を製造する過程の一部を概略的に示した図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る多層基板を概略的に示した図である。
【図１７】本発明の他の実施形態に係る多層基板を概略的に示した図である。
【図１８】本発明のまた他の実施形態に係る多層基板を概略的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付した図面とともに後述する実施形態を参照すれば明確になるであろう。しかし、本発明は、以下に開示する実施形態に限定されず、他の様々な実施形態に実現することができる。本実施形態は、本発明の開示が完全になるようにするとともに、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に、発明の範疇を完全に伝達するために提供されることができる。明細書の全般にかけて同一の参照符号は、同一の構成要素を指称する。
【００２７】
本明細書に用いられる用語は、実施形態を説明するためのものであり、本発明を限定するものではない。本明細書において、単数形は、文章で特に言及しない限り複数形も含む。明細書で使用する「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、言及された構成要素、ステップ、動作及び／または素子が一つ以上の他の構成要素、ステップ、動作及び／または素子の存在または追加を排除するものではない。
【００２８】
図示の簡略化及び明瞭化のために、図面は一般的な構成方式を図示しており、本発明で説明された実施形態の論議を不明瞭にすることを避けるために、公知の特徴及び技術に関する詳細な説明を省略することもある。さらに、図面の構成要素は必ずしも縮尺によって図示されたものではない。例えば、本発明の実施形態の理解を容易にするために、図面の一部の構成要素のサイズを他の構成要素よりも誇張して示すこともある。互いに異なる図面にある同一の参照符号は、同一の構成要素を示し、必ずしもそうではないが、類似した参照符号は類似した構成要素を示すことができる。
【００２９】
明細書及び請求範囲において、「第１」、「第２」、「第３」及び「第４」などの用語が記載されている場合、類似した構成要素同士を区別するために用いられ、必ずしもそうではないが、特定の順次または発生順序を記述するために使用することもある。そのように使用された用語は、ここに記述された本発明の実施形態が、例えば、ここに図示または説明されたものではなく、他のシーケンスで動作することもできるように、適切な環境下で互換可能であることを理解することができる。同様に、ここで、方法が一連のステップを含むものとして記述される場合、ここに提示されたそのようなステップの順序が必ずしもそのようなステップが実行される順序ではなく、任意に記述されたステップは省略することができ、及び／またはここに記述されていない任意の他のステップをその方法に付加することができる。
【００３０】
明細書及び請求範囲において、「左側」、「右側」、「前」、「後」、「上部」、「底部」、「上に」、「下に」  などの用語が記載されている場合は、説明のために用いられたものであり、必ずしも不変の相対的な位置を記述するためのものではない。そのように用いられた用語は、ここに記述された本発明の実施形態が、例えば、ここに図示または説明されたものではなく、他の方向に動作できるように適切な環境下で互換可能であることを理解することができる。ここで用いられた用語「接続された」は、電気的または非電気的な方式により、直接または間接的に接続されたことに定義される。ここで、互いに  「隣接する」と記述された対象は、その文章が用いられる文脈において、適切に互いに物理的に接触したり、互いに近接したり、または互いに同一の一般的範囲または領域に存在したりすることができる。ここで、「一実施形態において」とは、必ずしもそうではないが、同一の実施形態を意味する。
【００３１】
以下では、添付した図面を参照して本発明の構成及び作用効果をより詳細に説明する。
【００３２】
図１は、本発明の一実施形態に係る多層基板１０００を概略的に示した図であり、図２は、本発明の一実施形態に係る回路基板１００を概略的に示した断面図であり、図３は、本発明の一実施形態に係るコア部１１０´を概略的に示した断面図であり、図４は、本発明の他の実施形態に係るコア部１１０´を概略的に示した断面図であり、図５は、本発明の他の実施形態に係るコア部１１０´を概略的に示した断面図であり、図６は、本発明の他の実施形態に係るコア部１１０´を概略的に示した断面図であり、図７は、本発明の一実施形態に係るコア部の形成過程の一部を説明するための図であり、図８は、本発明の一実施形態に係るコア部１１０´の形成過程の一部を説明するための図であり、図９は、本発明の一実施形態に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。
【００３３】
図１から図９を参照すると、本発明の一実施形態に係る回路基板１００は、コア部１１０を含み、コア部１１０には、コア部１１０を貫通する第１ビアＶ１が備えられる。
【００３４】
一実施形態においてコア部１１０は、金属材質の第１コア１１２と第２コア１１３とを含むことができ、他の実施形態では、第１コア１１２と第２コア１１３との間には、絶縁コア１１１が備えられることができる。
【００３５】
また、一実施形態において、コア部１１０の上面には第１絶縁層１２０がさらに備えられ、コア部１１０の下面には第２絶縁層１３０がさらに備えられ、第１絶縁層１２０の上面及び第２絶縁層１３０の下面のうちの少なくとも一面には導体パターンが備えられ、第１絶縁層１２０や第２絶縁層１３０を貫通するビアが備えられることができる。
【００３６】
また、第１絶縁層１２０の上面には第３絶縁層１４０がさらに備えられ、第２絶縁層１３０の下面には第４絶縁層１５０がさらに備えられることができ、第３絶縁層１４０及び第４絶縁層１５０のうちの少なくとも一層はソルダレジスト層であってもよく、上述した導体パターンには、このソルダレジスト層の開口部を介して外部に露出され、電子部品２００などとの外部デバイスと接続する接続パッドが含まれることができる。
【００３７】
ここで、接続パッドには、熱伝達機能を果たす第１接続パッド１６１と、信号送受信機能を果たす第２接続パッド１６２とが含まれることができる。ここで、第２接続パッド１６２は、必要により、熱を伝達する機能を果たすこともできる。そして、第１接続パッド１６１は、第２ビアＶ２を介してコア部１１０を形成する金属材と直接接触することができ、これにより、コアが備えられた回路基板１００の上部から下部へ、または下部から上部へ熱が迅速に伝達されることができる。
【００３８】
また、第２接続パッド１６２は、第１ビアＶ１を介して第３ビアＶ３と接続することができ、一実施形態では、コア部１１０の表面と第１ビアＶ１との間を絶縁膜１１４により絶縁することができるので、第２接続パッド１６２、第３ビアＶ３及び第１ビアＶ１などを信号送受信経路として活用することもできる。
【００３９】
また、必要によって、第１から第４絶縁層１２０、１３０、１４０、１５０以外にも、さらに多い絶縁層をビルドアップすることができる。
【００４０】
一方、第１ビアＶ１は、概して杖鼓または砂時計形状に形成されることができる。
【００４１】
すなわち、第１ビアＶ１は、コア部１１０の上面から下面方向に行くほど直径が細くなり、再び広くなる形状を有している。また、第１ビアＶ１は、コア部１１０の上面から下面方向に行くほど直径の減少率が増加し、コア部１１０の中心付近では第１ビアＶ１の直径の減少率が急激に減少し、所定の区間を通ってからは第１ビアＶ１の直径の増加率が急激に増加した後、再び直径の増加率が減少し得る。このとき、一実施形態においてコア部１１０は、第１コア１１２と第２コア１１３との間に絶縁コア１１１を備えることができ、この絶縁コア１１１と第１コア１１２との間、及び絶縁コア１１１と第２コア１１３との間で、第１ビアＶ１の直径変化率が急激に変化し得る。すなわち、第１ビアＶ１は、コア部１１０の上面から下面方向に行くほど、第１コア１１２を貫通する部分では、直径変化率が増加し、絶縁コア１１１を貫通する部分では、０に近い直径変化率を有し、第２コア１１３を貫通する部分では、直径変化率が漸次減少する形状を有することができる。
【００４２】
一実施形態において、エッチング液を用いたエッチング工程をコア部１１０の両面にそれぞれ行った後、残った部分をドリリングして穿孔する方式により、第１ビアＶ１を形成するためのビアホールを形成することができる。ここで、ドリリングは、機械的なドリリングやレーザドリリングなどを用いることができ、第１ビアＶ１を微細化する側面からは、より精密な加工が可能であるレーザドリリングが有利である。
【００４３】
一実施形態において、コア部１１０は、絶縁材質で形成される絶縁コア１１１、絶縁コア１１１の両面に結合する金属材質の第１コア１１２及び第２コア１１３を含むことができる。
【００４４】
ここで、絶縁コア１１１は、ポリイミド、ＡＢＦ、ＢＴ、ＰＰＧ等の絶縁性を有する材質で形成することができ、ガラス繊維の含浸された絶縁材を用いて強度の向上を図ったり、熱伝導性の高いグラファイトまたはグラフェンなどを用いて放熱性能の向上を図ったりすることができる。
【００４５】
また、第１コア１１２及び第２コア１１３は、銅、ニッケル、鉄、コバルト、インバー（Ｉｎｖａｒ）のうちから選択されるいずれか１種または２種以上の合金で形成することができる。ここで、図５及び図６を参照すると、銅層及びインバー層が２層または３層に積層されて、第１コア１１２´及び第２コア１１３´を形成できることを理解することができる。この場合、熱膨脹係数が相対的に低いインバー層がコア部１１０に含まれることにより、ワーページ現象を緩和することができる。
【００４６】
図７を参照すると、絶縁コア１１１の両面に第１コア１１２及び第２コア１１３を配置し、その後、高温環境下で高圧で圧着することにより、コア部１１０´を形成することができる。このとき、第１コア１１２の外面及び第２コア１１３の外面に離型層（Ｒ）を結合し、離型層（Ｒ）の外面に保護層（Ｐ）を結合した後に圧力を加えることにより、コア部１１０´の形成過程におけるコア部１１０´の損傷を最小化すると共に圧着工程の効率性を向上させることができる。
【００４７】
一方、図８を参照すると、コア部１１０´に、第１開口部Ｈ１及び第２開口部Ｈ２の備えられたレジストパターンを形成し、その後、エッチング工程を行うことにより、第１ビアホールＶＨ１及び第２ビアホールＶＨ２を形成することができる。このとき、第１コア１１２及び第２コア１１３を形成する金属材、及び絶縁コア１１１を形成する絶縁材のうち金属材のみを選択的にエッチングするエッチング液を用いることにより、エッチング工程の効率性を向上させることができる。
【００４８】
例えば、コア部１１０に絶縁コア１１１が備えられていない状態で、第１ビアホールＶＨ１及び第２ビアホールＶＨ２を形成する場合、第１ビアホールＶＨ１と第２ビアホールＶＨ２との間の最短距離を適切に調整するためには、エッチング液の物性やエッチング液の露出時間及びエッチング液の流れの速度などを精密に制御する必要がある。
【００４９】
これに対して、コア部１１０に絶縁コア１１１が備えられた状態で、絶縁コア１１１をエッチングしないエッチング液を用いてエッチング工程を行うと、絶縁コア１１１が備えられていない場合に比べて低い精密度でエッチング工程を制御しても第１ビアホールＶＨ１と第２ビアホールＶＨ２との間の最短距離を絶縁コア１１１の厚さだけ確保することができる。
【００５０】
また、金属材をドリリングすることよりも絶縁材をドリリングすることが、ドリリング工程の進行速度や精密度の側面から、さらに有利であるので、エッチング工程により絶縁コア１１１のみを残した状態でドリリング工程を行って第１ビアホールＶＨ１と第２ビアホールＶＨ２とを接続させることにより、工程の効率性や工程の精密度を向上させることができる。
【００５１】
一方、エッチング工程を用いて所定の深みを有するビアホールを形成すると、ビアホールがその深み以上の最大直径を有することになる。
【００５２】
したがって、厚さが同一である金属材質のコアを基準にして、一面から他面方向にのみエッチングしてコア部１１０を貫通するビアホールを形成する場合と、一面から他面方向へコア部１１０の一部をエッチングし、他面から一面方向にもコア部１１０の一部をエッチングしてビアホールを形成する場合とを比較すると、後者の場合に形成されるビアホールの最大直径が小さい。
【００５３】
これにより、本発明の一実施形態に係るコアが備えられた回路基板１００は、コア部１１０を貫通するビアの最大直径の減少及びビアの集積度の向上が可能となる。
【００５４】
図４を参照すると、一実施形態において、絶縁コア１１１を貫通して第１コア１１２と第２コア１１３とを直接接続させる放熱パス１１５がコア部１１０に備えられることができる。この放熱パス１１５は、熱伝導性の高い物質、例えば第１コア１１２及び第２コア１１３を形成する物質に類似した特性を有する物質で形成することにより、第１コア１１２と第２コア１１３との間の熱伝達率を向上させる機能を果たすことができる。
【００５５】
ここで、図４に示されたコア部１１０´を形成する一つの方法として、絶縁コア１１１上の放熱パス１１５を形成しようとする領域を穿孔し、その後、メッキなどの工程を行って放熱パス１１５と第１コア１１２及び第２コア１１３を同時に形成する方法を採用することができる。また、上述したように、絶縁コア１１１は、グラファイトまたはグラフェンで形成することができ、このようなグラファイトまたはグラフェンは、層状構造を有し層間結合力が低い方である。このように層間結合力の低いグラファイトまたはグラフェンで絶縁コア１１１を形成した状態で、上述した放熱パス１１５を形成することにより絶縁コア１１１自体の結合力及び絶縁コア１１１と第１コア１１２または第２コア１１３との間の結合力を向上させることができる。
【００５６】
一方、図２などを参照すると、一実施形態において、コア部１１０の表面には絶縁膜１１４を備えることができる。また、絶縁膜１１４は、気相蒸着方法により形成することで、その厚さを精密に制御することができる。これにより、コア部１１０の熱伝達性能の減少を最小化しながらも絶縁性を確保することができる。
【００５７】
図８及び図９を参照すると、第１ビアホールＶＨ１と第２ビアホールＶＨ２、及びこれらを接続させる第３ビアホールＶＨ３で構成されたコアビアホールＶＨが備えられたコア部１１０を用いて後続工程を行うことができる。
【００５８】
すなわち、コア部１１０にレジストＤＦＲを形成した後に、コアビアホールＶＨの上方及び下方に第１開口部Ｈ１´及び第２開口部Ｈ２´を形成する。このとき、一実施形態において、コア部１１０の表面には絶縁膜１１４が備えられた状態であってもよい。
【００５９】
次に、第１開口部Ｈ１´及び第２開口部Ｈ２´を介してコアビアホールＶＨの内部に導電性物質を充填して第１ビアＶ１を形成することができる。
【００６０】
このように、第１ビアＶ１の形成されたコア部１１０を用いて通常的な回路基板の製造工程を行うことにより、コアの備えられた回路基板１００を製造することができる。
【００６１】
図１０は、本発明の一実施形態に係る回路基板の複数個を一括的に製造できるようにモジュール（Ｍ）化された例を概略的に示した図である。
【００６２】
一実施形態において、コアが備えられた回路基板の一つのユニットＵ１が、他のユニットＵ２と接続された状態で一括的な工程により製造されることができ、これにより、時間当たりの製造率を向上させることができる。
【００６３】
一方、ユニットＵ１、Ｕ２がモジュール（Ｍ）化された状態に製造された後、それぞれのユニットＵ１、Ｕ２に分離する前に、絶縁性検査や通電検査などの各種の電気検査を行うことができる。
【００６４】
このような電気検査過程は、ユニットＵ１、Ｕ２のそれぞれに対して個別的に行われなければならないので、ユニットＵ１、Ｕ２の相互間には電気的に絶縁された状態を維持する必要がある。このとき、上述した実施形態のうち、コア部１１０が絶縁コア１１１、第１コア１１２及び第２コア１１３を含む実施形態の場合、ユニットＵ１、Ｕ２間の境界領域から第１コア１１２及び第２コア１１３を除去し、絶縁コア１１１を残留させることにより、絶縁性が確保されながらもユニットＵ１、Ｕ２がモジュール（Ｍ）化された状態を維持することができる。これにより、電気検査の効率性を向上させながらも、検査結果のエラーの発生可能性を低減することができる。
【００６５】
図１１は、本発明の一実施形態に係る回路基板を概略的に示した断面図である。
【００６６】
図１１を参照すると、本発明の一実施形態に係るコア部１１０−１は、第１付加コア１１２−１及び第２付加コア１１３−１をさらに含むことができる。
【００６７】
例えば、絶縁コア１１１の外面には、第１金属で形成される第１コア１１２及び第２コア１１３が備えられ、第１コア１１２及び第２コア１１３の外面には、第２金属で形成される第１付加コア１１２−１及び第２付加コア１１３−１が備えられることができる。
【００６８】
ここで、第１金属と第２金属とは互いに異なる種類の金属であってもよい。例えば、第１金属は、インバー（Ｉｎｖａｒ）であり、第２金属は、銅（Ｃｕ）であることができる。この場合、コア部１１０−１をエッチングする過程からは、第１付加コア１１２−１と第１コア１１２との間に段差が形成されることになる。また、コア部１１０−１をエッチングする過程からは、第２付加コア１１３−１と第２コア１１３との間にも段差が形成されることになる。これにより、メッキ工程時にボイド（Ｖｏｉｄ）の発生を低減することができる。
【００６９】
そして、本実施形態に係るコア部１１０−１は、インバー等の相対的に剛性の高い金属材のみを用いてコア部を形成する場合に比べて、ビアホールの形成過程の効率性を向上させることができる。
【００７０】
また、本実施形態に係るコア部１１０−１は、銅等の相対的に剛性の低い金属材のみを用いてコア部を形成する場合に比べて、剛性が増加することにより、ワーページの緩和効果を改善することができる。
【００７１】
一方、上述したように、レーザードリリングまたは機械的ドリリング工程を用いて絶縁コア１１１にビアホールを穿孔し、第１ビアＶ１を形成することができる。
【００７２】
他の一方で、コア部を中心にして、コア部の一方に形成される配線層の層数とコア部の他方に形成される配線層の層数とが異なってもよい。従来にはワーページの問題を緩和するために、コアの上面の層数と下面の層数とが対称になるように形成された。しかし、本発明の一実施形態に係る回路基板に備えられるコア部の剛性は従来よりも強化できるので、本発明の一実施形態に係るコア部を中心にして上方及び下方のビルドアップ層または配線層が非対称に形成されても、ワーページの問題を従来より緩和することができる。
【００７３】
図１２は、本発明の他の実施形態に係る回路基板を概略的に示した断面図である。
【００７４】
図１２を参照すると、本発明の一実施形態に係るコア部１１０−２は、第１金属コア１１１−２の一面に第２金属コア１１２−２が備えられ、第１金属コア１１１−２の他面に第３金属コア１１３−２が備えられることにより形成されることができる。このとき、第２金属コア１１２−２及び第３金属コア１１３−２は、同一の材質で形成されることができ、第１金属コア１１１−２は、第２及び第３金属コア１１２−２、１１３−２とは異なる種類の金属で形成されることができる。
【００７５】
例えば、第１金属コア１１１−２は、インバー材質で形成され、第２金属コア１１２−２及び第３金属コア１１３−２は、銅材質で形成されることができる。これにより、本発明の一実施形態に係るコア部１１０−２は、インバーなどの相対的に剛性の高い金属材のみを用いてコア部を形成する場合に比べて、ビアホールの形成過程の効率性を向上することができる。
【００７６】
また、本発明の一実施形態に係るコア部１１０−２は、銅などの相対的に剛性の低い金属材のみを用いてコア部を形成する場合に比べて、剛性が増加することによりワーページの緩和効果を向上することができる。
【００７７】
一方、上述したように、エッチング工程などを行ってコア部１１０−２にビアホールを穿孔し、第１ビアＶ１を形成することができる。
【００７８】
なお、図１２を参照すると、他の実施形態では、第１金属コア１１１−２を貫通するホールＨを備えることができ、第２金属コア１１２−２及び第３金属コア１１３−２を形成する金属材が上述したホールＨの内部に充填されることができる。これにより、第１金属コア１１１−２と第２及び第３金属コア１１２−２、１１３−２とが互いに異なる種類の金属で形成されるにもかかわらず、第１から第３金属コア１１１−２、１１２−２、１１３−２の間の結合力を向上させることができる。
【００７９】
一方、また他の実施形態では、コア部１１０−２を貫通する貫通孔ＴＨを備えることができる。このように、コア部１１０−２を貫通する貫通孔ＴＨが備えられた状態でコア部１１０−２の上方及び下方に絶縁物質が提供されて、第１絶縁層１２０及び第２絶縁層１３０を形成することができる。このとき、コア部１１０−２の上方及び下方に提供された絶縁物質は、貫通孔ＴＨの内部にも充填される。これにより、貫通孔ＴＨに充填された絶縁物質を通過する第４ビアＶ４を形成することができる。ここで、絶縁物質にビアホールを穿孔する過程は、金属材で形成されるコア部１１０−２にビアホールを形成する過程に比べて迅速で容易に行われることができるので、第４ビアＶ４の形成工程の効率性が向上される。さらに、絶縁膜１１４のみにより絶縁性を確保する場合に比べて、第４ビアＶ４とコア部１１０−２との間の絶縁性もさらに向上されることができる。
【００８０】
図１３は、図１２に示された回路基板を製造する過程の一部を概略的に示した図である。
【００８１】
図１３を参照して、上述した実施形態に係るコア部１１０−２の形成過程を説明する。
【００８２】
先ず、インバーなどで形成された第１金属コア１１１−２に、ホールＨ及び貫通孔ＴＨを形成する。ここで、ホールＨは、エッチング工程により形成され、貫通孔ＴＨは、ドリリング工程により形成されることができる。この状態で、銅などにより第２金属コア１１２−２及び第３金属コア１１３−２を形成することができる。このとき、ホールＨの内部にも銅などが充填されることにより、第２金属コア１１２−２と第３金属コア１１３−２とが相互接続され、その結果、第１金属コア１１１−２と第２及び第３金属コア１１２−２、１１３−２との間の結合力が向上することができる。そして、必要によって、コア部１１０−２の露出された表面に絶縁膜１１４を形成することができる。例えば、第２金属コア１１２−２の上面、第３金属コア１１３−２の下面及び貫通孔ＴＨの内壁などに絶縁膜１１４を形成することができる。
【００８３】
次に、コア部１１０−２の上面及び下面に絶縁物質を提供して第１絶縁層１２０と第２絶縁層１３０とを形成することができる。このとき、絶縁物質は、上述した貫通孔ＴＨの内部にも充填されることができる。
【００８４】
その後、第１絶縁層１２０及び第２絶縁層１３０をそれぞれ貫通する第２ビアＶ２を形成することができる。また第１絶縁層１２０及び第２絶縁層１３０をともに貫通する第４ビアＶ４を形成することができる。また、第１絶縁層１２０の上面または第２絶縁層１３０に回路パターンなどを形成することができる。このとき、図１２及び図１３には、第１絶縁層１２０または第２絶縁層１３０を貫通し、コア部１１０−２に接触するビアが第２ビアＶ２として表示されており、貫通孔ＴＨの内側と第１絶縁層１２０及び第２絶縁層１３０とを貫通するビアが第４ビアＶ４として表示されている。ここで、第２ビアＶ２は、熱を伝達する機能を果たすことができ、第４ビアＶ４は少なくとも信号を伝達する機能を果たすことができる。  すなわち、第４ビアＶ４は、信号のみを伝達するか、または信号とともに熱も伝達する機能を果たすことができる。そして、コア部１１０−２に絶縁膜１１４が形成された場合には、第２ビアＶ２が絶縁膜１１４を貫通し、第２コア１１２−２または第３コア１１３−２に直接接触することにより、熱伝達及び放熱性能をより向上させることができる。ここで、第１ビアＶ１及び第３ビアＶ３については上述したので重複説明を省略する。
【００８５】
図１４は、本発明のまた他の実施形態に係る回路基板を概略的に示した断面図である。
【００８６】
図１４を参照すると、本発明の一実施形態に係るコア部１１０−３は、第１から第５金属コア１１１−３、１１２−３、１１３−３、１１５−３、１１６−３で構成されることができる。
【００８７】
ここで、第１、第４、及び第５金属コア１１１−３、１１５−３、１１６−３が同一の材質で形成され、第２及び第３金属コア１１２−３、１１３−３が同一の材質で形成されて、前者と後者は互いに異なる種類の金属で形成されることができる。例えば、第１、第４、及び第５金属コア１１１−３、１１５−３、１１６−３は、銅材質で形成され、第２及び第３金属コア１１２−３、１１３−３は、インバー材質で形成されることが可能である。
【００８８】
一方、他の実施形態では、第２金属コア１１２−３を貫通するホールＨ及び第３金属コア１１３−３を貫通するホールＨが備えられることができ、第１金属コア１１１−３、第４金属コア１１５−３及び第５金属コア１１６−３を形成する金属材が上述したホールＨの内部に充填されることができる。これにより、第１、第４、及び第５金属コア１１１−３、１１５−３、１１６−３と第２及び第３金属コア１１２−３、１１３−３とが互いに異なる種類の金属で形成されるにもかかわらず、第１から第５金属コア１１１−３、１１２−３、１１３−３、１１５−３、１１６−３の間の結合力を向上させることができる。
【００８９】
一方、また他の実施形態では、コア部１１０−３を貫通する貫通孔ＴＨが備えられた状態で、コア部１１０−３の表面に第１絶縁層１２０及び第２絶縁層１３０を提供することができる。これにより、貫通孔ＴＨに充填された絶縁物質を通過する第４ビアＶ４の形成過程がより効率的に行われることができ、さらに、第４ビアＶ４とコア部１１０−３との間の絶縁性もさらに向上されることができる。
【００９０】
図１５は、図１４に例示された回路基板を製造する過程の一部を概略的に示した図である。
【００９１】
図１５を参照して上述の実施形態に係るコア部の形成過程を説明する。
【００９２】
先ず、銅などで形成された第１金属コア１１１−３の両面に、インバーなどで形成された第２及び第３金属コア１１２−３、１１３−３を備えた状態で、エッチングなどの方法を用いてホールＨを形成し、レーザまたは機械的ドリリング方法により貫通孔ＴＨを形成することができる。
【００９３】
次に、銅などでメッキ工程を行い、第４金属コア１１５−３及び第５金属コア１１６−３を形成することができる。
【００９４】
このとき、ホールＨの内部にも銅などが充填されることにより、第１金属コア１１１−３と第４金属コア１１５−３、及び第１金属コア１１１−３と第５金属コア１１６−３が相互接続され、その結果、第１から第５金属コア１１１−３、１１２−３、１１３−３、１１５−３、１１６−３の間の結合力が向上されることができる。そして、必要によって、コア部１１０−３の露出された表面に絶縁膜１１４を形成することができる。例えば、第４金属コア１１５−３の上面、第５金属コア１１６−３の下面及び貫通孔ＴＨの内壁などに絶縁膜１１４を形成することができる。
【００９５】
次に、コア部１１０−３の上面及び下面に絶縁樹脂を提供して第１絶縁層１２０と第２絶縁層１３０とを形成することができる。このとき、絶縁樹脂は、上述した貫通孔ＴＨの内部にも充填されることができる。
【００９６】
次に、第１絶縁層１２０及び第２絶縁層１３０をそれぞれ貫通する第２ビアＶ２を形成することができる。また、第１絶縁層１２０及び第２絶縁層１３０をともに貫通する第４ビアＶ４を形成することができる。さらに、第１絶縁層１２０の上面または第２絶縁層１３０に回路パターンなどを形成することができる。このとき、図１４及び図１５には、第１絶縁層１２０または第２絶縁層１３０を貫通し、コア部１１０−３と接触するビアが第２ビアＶ２として表示されており、貫通孔ＴＨの内側と第１絶縁層１２０及び第２絶縁層１３０とを貫通するビアが第４ビアＶ４として表示されている。ここで、第２ビアＶ２は、熱を伝達する機能を果たすことができ、第４ビアＶ４は、少なくとも信号を伝達する機能を果たすことができる。  すなわち、第４ビアＶ４は、信号のみを伝達するか、信号とともに熱も伝達する機能を果たすことができる。そして、コア部１１０−３に絶縁膜１１４が形成された場合には、第２ビアＶ２が絶縁膜１１４を貫通し、第４コア１１５−３または第５コア１１６−３と直接接触することにより、熱伝達及び放熱性能をさらに向上させることができる。
【００９７】
図１６は、本発明の一実施形態に係る多層基板を概略的に示した図である。
【００９８】
図１及び図１６を参照すると、本発明の一実施形態に係る多層基板１０００、１０００−１は、電子部品２００及びインタポーザ３００を含むことができる。
【００９９】
ここで、電子部品２００は、上述した回路基板１００に結合されるものであって、回路基板１００の表面に実装されるか、少なくとも一部が回路基板１００に挿入される方式により内蔵されることができる。また、電子部品２００は、集積回路など能動素子であることができ、電子部品２００が動作することにより温度が上昇することになる。一実施形態において、電子部品２００は、他の領域に比べて相対的に高温となる領域である、いわゆるホットスポットＨＳを含むことができる。
【０１００】
一方、場合によって、回路基板１００と電子部品２００の上部に付加基板４００が備えられることができ、付加基板４００と回路基板１００との間を接続させるための別途の手段を備えることができ、このような構成要素を通常インタポーザ（ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ；３００）と称する。
【０１０１】
図１６を参照すると、本発明の一実施形態に係る多層基板１０００−１に含まれるインタポーザ３００は、熱伝導性の大きい材質で形成される熱伝達用構造体３１０を含むことができる。この熱伝達用構造体３１０は、銅などの熱伝導性の高い材質で形成され、通常ビアなどに比べて体積が大きく形成されるので、上述した電子部品２００、特にホットスポットＨＳの熱の伝達を迅速に受けて、他の領域に移動させることにより、電子部品２００の誤作動や破損を防止する機能を果たすことができる。
【０１０２】
ここで、上述した回路基板１００も金属材を含む物質でコア部を形成することにより、熱伝達性能及びワーページの問題の緩和という二つの効果をともに達成することができる。すなわち、電子部品２００で発生した熱を回路基板１００を介して迅速に放熱させながら回路基板１００自体のワーページ問題を低減することができる。
【０１０３】
さらに、電子部品２００の上部側に配置可能なインタポーザ３００にも電子部品の放熱手段が備えられることができ、本実施形態では、インタポーザ３００に熱伝達用構造体３１０を含ませることにより、電子部品２００の放熱をさらに促進することができる。このとき、熱伝達用構造体３１０と電子部品２００とは結合部材３２０を介して接続することができる。そして、結合部材３２０としては、通常のソルダボールなどを用いることができるが、ソルダボールに比べて熱伝導性がより大きい物質、例えば銅などにより結合部材３２０を形成することが、放熱性能の向上に有利である。
【０１０４】
一実施形態において、インタポーザ３００もコア３０１を含むことができ、熱伝達用構造体３１０は、コア３０１に備えられたキャビティＣＶの内部に挿入されることができる。
【０１０５】
図１７は、本発明の他の実施形態に係る多層基板を概略的に示した図である。
【０１０６】
図１７を参照すると、本発明の一実施形態に係る多層基板１０００−２に含まれるインタポーザ３００−１は、上述した回路基板１００と類似した構造に形成されることができる。すなわち、第１金属及び第２金属で形成されるコア部３３０などを含むことができる。
【０１０７】
一方、図１７に示すように、コア部３３０にキャビティＣＶが備えられ、このキャビティＣＶの内部には、ＭＬＣＣなどの素子３４０を内蔵することができる。
【０１０８】
これにより、電子部品２００の上方からも放熱機能が果たされることができ、さらに、電子部品２００とＭＬＣＣなどの素子３４０との間の接続経路を短縮できるので、信号伝送の速度または電源安定化の速度を向上することができる。
【０１０９】
特に、上述の素子３４０としてデカップリングキャパシタ（Ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を採用することができ、この場合、電子部品２００の電源ノイズの低減に有利である。
【０１１０】
図１８は、本発明のまた他の実施形態に係る多層基板を概略的に示した図である。
【０１１１】
図１８を参照すると、本発明の一実施形態に係る多層基板１０００−３に含まれるインタポーザ３００−２は、電子部品２００に対応する形状のリセス部ＲＣが備えられたコア部３３０−１を含むことができ、このリセス部ＲＣの内部に電子部品２００の少なくとも一部が挿入されることが可能である。
【０１１２】
また、一実施形態において、コア部３３０−１は、金属材質で形成されることができ、さらに異種金属で形成される第１金属コアから第３金属コアで構成されることができる。
【０１１３】
これにより、電子部品２００の外面のうちの少なくとも一部が金属材質のコア部３３０−１と直接接触することができ、この結果、電子部品２００で発生した熱がコア部３３０−１を介して迅速に放熱されることができる。
【０１１４】
このとき、電子部品２００とコア部３３０−１との間の接触面に対して絶縁性の確保が必要である場合は、上述した絶縁膜１１４を備えることができる。
【０１１５】
一方、図１６及び図１７に示す実施形態では、回路基板１００とインタポーザ３００、３００−１との間の領域にモールディング部２５０が充填されたが、本実施形態では、インタポーザ３００−２自体が電子部品２００の少なくとも一部をカバーできるので別途のモールディング部（図１６及び図１７での２５０）を備えなくてもよい。
【０１１６】
また、図１６及び図１７に示す実施形態においては、回路基板１００とインタポーザ３００、３００−１との間の電気的接続のために高さの高いソルダボール、いわゆるトップボール（Ｔｏｐ  Ｂａｌｌ；ＴＢ）を備えることが一般的であった。しかし、本実施形態によれば、コア部３３０−１を貫通するスルービアＴＶにより、従来のトップボール（図１６及び図１７のＴＢ）を代替することができる。通常、ソルダボールにより接続される二つの端子の間の距離が増加するほどソルダボールの直径が大きくなる。しかし、本実施形態によれば、ソルダボールの一種であるトップボールＴＢをスルービアＴＶで代替できるので、接続パッドの面積が従来よりも低減されることができ、これにより、接続パッドなどのピッチも微細化されることができる。
【０１１７】
一方、スルービアＴＶとコア部３３０−１との間の境界面にも、上述した絶縁膜１１４が備えられることができる。
【符号の説明】
【０１１８】
１００            回路基板          １１０            コア部
１１１            絶縁コア              １１２            第１コア
１１２−１        第１付加コア          １１３−１        第２付加コア
１１１−２        第１金属コア          １１２−２        第２金属コア
１１３−２        第３金属コア          １１１−３        第１金属コア
１１２−３        第２金属コア          １１３−３        第３金属コア
１１５−３        第４金属コア          １１６−３        第５金属コア
１１３              第２コア          １１４              絶縁膜
１１５              放熱パス          １２０              第１絶縁層
１３０        第２絶縁層              １４０        第３絶縁層
１５０        第４絶縁層              １６１        第１接続パッド
１６２        第２接続パッド          Ｖ１          第１ビア
Ｖ２          第２ビア              Ｖ３          第３ビア
Ｖ４          第４ビア              Ｈ            ホール
Ｈ１          第１開口部              Ｈ２          第２開口部
ＶＨ          コアビアホール          ＶＨ１        第１ビアホール
ＶＨ２        第２ビアホール          ＶＨ３        第３ビアホール
ＴＨ          貫通孔              ＴＶ          スルービア
２００          電子部品              ＨＳ          ホットスポット
３００          インタポーザ          ４００        付加基板
３０１          コア              ３１０        熱伝達用構造体
３２０          結合部材              ＴＢ        トップボール
３３０          コア部
ＣＶ            キャビティ              ＲＣ        リセス部
【図１】
2016127275.tif 000003
【図２】
2016127275.tif 000004
【図３】
2016127275.tif 000005
【図４】
2016127275.tif 000006
【図５】
2016127275.tif 000007
【図６】
2016127275.tif 000008
【図７】
2016127275.tif 000009
【図８】
2016127275.tif 000010
【図９】
2016127275.tif 000011
【図１０】
2016127275.tif 000012
【図１１】
2016127275.tif 000013
【図１２】
2016127275.tif 000014
【図１３】
2016127275.tif 000015
【図１４】
2016127275.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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