(57)【要約】      （修正有）【課題】発熱抵抗体の上の被覆層の厚みが電極層の上の被覆層の厚みよりも薄い液体吐出ヘッドを容易に製造することができる液体吐出ヘッドを提供する。【解決手段】基板１と、発熱抵抗体８と、発熱抵抗体８に電気的に接続された電極層６と、発熱抵抗体８及び電極層６を被覆する被覆層７と、を有し、発熱抵抗体８の上の被覆層７の厚みが電極層６の上の被覆層７の厚みよりも薄い液体吐出ヘッドを製造するために、発熱抵抗体８と、発熱抵抗体８に電気的に接続された電極層６と、発熱抵抗体８及び電極層６を被覆する被覆層７と、を有する基板を用意し、発熱抵抗体８の上の被覆層７の温度を電極層６の上の被覆層７の温度よりも高くして発熱抵抗体８の上の被覆層７をエッチングすることで、発熱抵抗体８の上の被覆層７の厚みを電極層６の上の被覆層７の厚みよりも薄くする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体に電気的に接続された電極層と、前記発熱抵抗体及び前記電極層を被覆する被覆層と、を有し、前記発熱抵抗体の上の被覆層の厚みが前記電極層の上の被覆層の厚みよりも薄い液体吐出ヘッドの製造方法であって、
発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体に電気的に接続された電極層と、前記発熱抵抗体及び前記電極層を被覆する被覆層と、を有する基板を用意する工程と、
前記発熱抵抗体の上の被覆層の温度を前記電極層の上の被覆層の温度よりも高くして前記発熱抵抗体の上の被覆層をエッチングし、前記発熱抵抗体の上の被覆層の厚みを前記電極層の上の被覆層の厚みよりも薄くする工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記発熱抵抗体を加熱することで前記発熱抵抗体の上の被覆層の温度を前記電極層の上の被覆層の温度よりも高くする請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記発熱抵抗体の上の被覆層をエッチングする際に、前記電極層の上の被覆層を加熱する請求項１または２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記発熱抵抗体の上の被覆層をエッチングする際に、前記電極層の上の被覆層を加熱しない請求項１または２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記発熱抵抗体の上の被覆層のエッチングの後の被覆層の厚みをＡ、前記電極層の上の被覆層の厚みをＢとしたときに、Ｂ／Ａを１．０より大きく１．５以下とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記発熱抵抗体の上の被覆層をエッチングする際に、前記発熱抵抗体の上の被覆層の温度を６０℃以上とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記発熱抵抗体の上の被覆層をエッチングする際に、前記発熱抵抗体の上の被覆層の温度を５００℃以下とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記発熱抵抗体の上の被覆層をエッチングする際に、前記発熱抵抗体の上の被覆層の温度を４００℃以下とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記発熱抵抗体の上の被覆層をエッチングする際に、前記発熱抵抗体の上の被覆層の温度を３００℃以下とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記発熱抵抗体の上の被覆層をエッチングする際に、前記発熱抵抗体の上の被覆層の温度を前記電極層の上の被覆層の温度よりも５０℃以上高くする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出ヘッドの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液体吐出ヘッドとして、流路内の発熱抵抗体を加熱し、加熱によって流路内の液体中に発生する発泡を利用して液体を吐出口から吐出する方式がある。発熱抵抗体には電極層が電気的に接続されており、電極層や発熱抵抗体は、絶縁層や保護層といった被覆層で被覆されている。
【０００３】
液体吐出ヘッドには、駆動を省電力で行うことが求められている。液体吐出ヘッドを省電力で駆動できるようにするには、発熱抵抗体上の被覆層を薄くすることが有効である。被覆層が薄いと、発熱抵抗体の液体接触部分（熱作用部）の温度が効率よく上がり、発泡に必要な投入エネルギーが小さくなる。その結果、液体吐出ヘッドは省電力に駆動ができる。
【０００４】
しかしながら、被覆層を薄く成膜しようとすると、発熱抵抗体に接続する電極層の上の被覆層も薄くなってしまい、電極層上にある被覆層に、静電気放電による静電破壊が発生しやすくなる。
【０００５】
特許文献１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法では、第一の被覆層を成膜し、フォトリソグラフィ法により発熱抵抗体上の第一の被覆層をエッチングして開口部を形成した後、その上に第二の被覆層を成膜している。この方法によれば、発熱抵抗体の上の被覆層は電極層の上の被覆層よりも薄く形成されるので、発熱抵抗体の液体接触部分の温度を効率よくあげることができる。また、電極層の上の被覆層を厚くすることができるので、静電破壊の発生を抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３３９７５３２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、第一の被覆層と第二の被覆層とを、それぞれ成膜し、フォトリソグラフィ工程を行い、さらにエッチングすることになる。その分、被覆層が１つである場合に比べて、製造への負荷がかかる。
【０００８】
本発明は、かかる課題を解決しようとするものであり、発熱抵抗体の上の被覆層の厚みが電極層の上の被覆層の厚みよりも薄い液体吐出ヘッドを容易に製造することができる液体吐出ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板と、発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体に電気的に接続された電極層と、前記発熱抵抗体及び前記電極層を被覆する被覆層と、を有し、前記発熱抵抗体の上の被覆層の厚みが前記電極層の上の被覆層の厚みよりも薄い液体吐出ヘッドの製造方法であって、発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体に電気的に接続された電極層と、前記発熱抵抗体及び前記電極層を被覆する被覆層と、を有する基板を用意する工程と、前記発熱抵抗体の上の被覆層の温度を前記電極層の上の被覆層の温度よりも高くして前記発熱抵抗体の上の被覆層をエッチングし、前記発熱抵抗体の上の被覆層の厚みを前記電極層の上の被覆層の厚みよりも薄くする工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、発熱抵抗体の上の被覆層の厚みが電極層の上の被覆層の厚みよりも薄い液体吐出ヘッドを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】液体吐出ヘッドの斜視図。
【図２】液体吐出ヘッドの製造方法を示す断面図。
【図３】パルス発生装置を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１に、液体吐出ヘッドの斜視図を示す。液体吐出ヘッドは、基板１と、基板１の上に流路部材１２とを有する。基板１はシリコン等で形成されている。基板１には液体供給路１１が貫通しており、液体供給路の開口部分の両側には発熱抵抗体８が形成されている。流路部材１２は樹脂や無機膜で形成されており、液体の流路を形成する部材である。また、発熱抵抗体８と対向する位置に、吐出口１３が形成されている。液体供給路１１から流路へと液体が供給され、供給された液体は発熱抵抗体８で加熱され、吐出口１３から吐出される。吐出口１３から吐出された液体は紙等の記録媒体に着弾し、画像や文字の記録が行われる。
【００１３】
次に、本発明の液体吐出ヘッドの製造方法を説明する。図１に示す液体吐出ヘッドをＸ−Ｘ´で切断した断面において、液体吐出ヘッドを製造する過程を図２に示す。
【００１４】
まず、図２（ａ）に示すような基板を用意する。トランジスタ等の駆動素子が設けられた基板１の上に、基板１の一部を熱酸化して設けた熱酸化層２と、蓄熱層４とを設ける。熱酸化層２の厚みは５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。蓄熱層４は例えばシリコン化合物で形成されており、厚みは５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。また基板１上には、液体供給路１１の形成時に用いられるアルミニウム等からなる犠牲層３が形成されている。蓄熱層４の上には、抵抗体層５が形成されている。抵抗体層５は、通電することで発熱する材料で形成されている。このような材料としては、例えばＴａＳｉＮやＷＳｉＮが挙げられる。抵抗体層５のシート抵抗は１００Ω／□以上１０００Ω／□以下とすることが好ましい。抵抗体層５の上には、抵抗体層５に接するように、抵抗体層５より抵抗の低い電極層６が形成されている。電極層６は例えばアルミニウムで形成されており、厚みは１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。電極層６は一対設けられており、一対の電極層６の間の露出している抵抗体層５が発熱抵抗体８である。即ち、抵抗体層の一部が発熱抵抗体８である。一対の電極層６に電圧を印加すると発熱抵抗体８が発熱する。発熱抵抗体８及び電極層６は、被覆層７で連続的に被覆されている。ここでは、被覆層７はＳｉＮ等で形成された絶縁層である。被覆層７は発熱抵抗体８や電極層６を液体と絶縁させるものであり、この段階では厚みはほぼ一定である。
【００１５】
次に、図２（ｂ）に示すように、被覆層７のエッチングを行い、被覆層７の一部を除去する。まず、図２（ｂ）の右側にあるパッド部９上の被覆層７をエッチングにより除去し、アルミニウム等からなるパッド部９を露出させる。
【００１６】
次に、図３に示すようなパルス発生装置によってパッド部９に電圧を印加する。ＣＦ４やＣＨＦ３等のフッ素系エッチングガスと酸素ガスは、それぞれエッチングガス導入配管２０１と酸素ガス導入配管２０２からエッチングチャンバー２０５内に導入される。エッチングガスと酸素ガスの流量はマスフローコントローラー２０６、２０７により制御されている。エッチングチャンバー２０５内にはウェハ２０９が設置されており、パルス発生装置２０８とパッド部９が電気的に接続されている。
【００１７】
パッド部９は電極層６や抵抗体層５を介して発熱抵抗体８と電気的に接続されており、パッド部９への電圧印加によって発熱抵抗体８が加熱される。このとき、電極層６よりも発熱抵抗体８の温度が高くなるので、発熱抵抗体８の上の被覆層７の温度の方が、電極層６の上の被覆層７の温度よりも高くなる。そしてこの状態で、被覆層７のエッチングを行う。この時、ウェハステージを加熱し、基板（ウェハ）全体を加熱してもよい。ウェハ上の電極層は薄くて熱の応答性がよい。従って、基板（ウェハ）と電極層の上の被覆層の温度はほぼ同じとなる。エッチング速度は温度が高いほど早くなるので、温度差によって発熱抵抗体８の上の被覆層の厚みを電極層６の上の被覆層の厚みよりも薄くすることができる。エッチングとしては、ドライエッチングやウェットエッチングが挙げられる。中でもドライエッチングであることが好ましく、特に反応性イオンエッチングであることが好ましい。
【００１８】
エッチングの際には、発熱抵抗体の上の被覆層の温度は、３０℃以上とすることが好ましく、６０℃以上とすることがより好ましい。また、５００℃以下とすることが好ましく、４００℃以下とすることがより好ましく、３００℃以下とすることがさらに好ましい。また、発熱抵抗体の上の被覆層の温度は、電極層の上の被覆層の温度よりも５０℃以上高くすることが好ましい。
【００１９】
エッチング後の発熱抵抗体の上の被覆層の厚みをＡとする。また、エッチング後の電極層の上の被覆層の厚みをＢとする。このとき、Ａは１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。また、Ｂは１００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることが好ましい。また、Ｂ／Ａは１．０より大きく１．５以下とすることが好ましい。尚、本発明において、発熱抵抗体の上の被覆層とは、発熱抵抗体の基板と反対側にある被覆層のことをいう。また、その厚みとは、発熱抵抗体の上の被覆層のうち１０点における、基板表面に対して垂直方向の厚みの平均のことをいう。同様に、電極層の上の被覆層とは、電極層の基板と反対側にある被覆層のことをいう。また、その厚みとは、電極層の上の被覆層のうち１０点における、基板表面に対して垂直方向の厚みの平均のことをいう。また、これらの温度とは、かかる１０点の温度の平均である。
【００２０】
その後、図２（ｃ）に示すように、必要に応じて、発熱抵抗体の上にＴａ等からなる保護層１０を形成する。
【００２１】
次に、図２（ｄ）に示すように、基板１に液体供給路１１を形成し、基板１上に流路部材１２や吐出口１３を形成する。このようにして、液体吐出ヘッドが製造される。
【００２２】
発熱抵抗体の上の被覆層の温度は、電極層の上の被覆層の温度よりも高くするが、その方法は上述のように発熱抵抗体を加熱する方法に限られない。例えば、発熱抵抗体の上の被覆層に別につないだ電極層を用いて発熱抵抗体の上の被覆層を加熱してもよい。
【００２３】
発熱抵抗体の上の被覆層をエッチングする際には、発熱抵抗体の上の被覆層の温度が電極層の上の被覆層の温度よりも高くなっていればよい。このエッチングの際には、電極層の上の被覆層を加熱してもよいし、加熱しなくてもよい。電極層の上の被覆層を加熱していれば、電極層の上の被覆層のエッチングを進みやすくすることができる。よって、電極層の上の被覆層もエッチングしたい場合には有効である。一方、電極層の上の被覆層を加熱しない場合は、発熱抵抗体の上の被覆層と電極層の上の被覆層との温度差をつけやすく、両者のエッチグレートに差を持たせやすい。
【実施例】
【００２４】
以下、実施例を用いて本発明をより具体的に説明する。
【００２５】
（実施例１）
まず、図２（ａ）に示す基板を用意した。基板１はシリコンで形成されている。また、熱酸化層２及び蓄熱層４はともにＳｉＯ２で１０００ｎｍの厚みで形成されている。蓄熱層４の上には、ＴａＳｉＮからなるシート抵抗：３００Ω／□の抵抗体層５と、抵抗体層５より抵抗が低いアルミニウム合金（Ａｌ−Ｃｕ、厚み１０００ｎｍ）からなる電極層６が形成されている。抵抗体層５の電極層６で覆われていない部分は発熱抵抗体８であり、発熱抵抗体８と電極層６とはＳｉＮからなる被覆層７で被覆されている。被覆層７は厚みが４００ｎｍであり、プラズマ化学気相成長法により形成されたものである。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、被覆層７のエッチングを行い、被覆層７の一部を除去した。まず、図２（ｂ）の右側にあるパッド部上の被覆層７をドライエッチングにより除去し、アルミニウムからなるパッド部９を露出させた。
【００２７】
次に、図３に示すようなパルス発生装置によって、パッド部９にプローブを当て、連続でパルスを印加することによる電圧印加を行った。この結果、発熱抵抗体８が加熱され、発熱抵抗体８の上の被覆層は、電極層６の上の被覆層よりも温度が高くなった。
【００２８】
そして、発熱抵抗体の上の被覆層の温度を電極層の上の被覆層の温度よりも高くしながら、被覆層７のエッチングを行った。エッチング条件は以下の通りである。
・エッチングガス：ＣＦ４（流量：５０ｓｃｃｍ）、Ｏ２（流量：２０ｓｃｃｍ）
・チャンバー圧力：５０Ｐａ
・ＲＦパワー：５００Ｗ
・ステージ温度：２０℃
・発熱抵抗体の温度：７０℃
この条件において、発熱抵抗体の上の被覆層のエッチングレートは７．３ｎｍ／ｓｅｃであった。また、電極層の上の被覆層のエッチングレートは４．８ｎｍ／ｓｅｃであった。尚、ステージ温度と電極層の上の被覆層の温度はほぼ同じである。また、発熱抵抗体の温度と発熱抵抗体の上の被覆層の温度もほぼ同じである。
【００２９】
エッチングにより、発熱抵抗体上の被覆層の厚みを３００ｎｍとした。また、電極層の上の被覆層の厚みを３３５ｎｍとした。
【００３０】
その後、Ｔａからなる厚み３００ｎｍの保護層１０をスパッタ法で成膜し、図２（ｃ）に示すように、ドライエッチングによりパターニングした。
【００３１】
以上のようにして、液体吐出ヘッドを１００００個製造した。その後、電極層の上の被覆層の状態を電子顕微鏡で観察し、静電気放電に由来すると考えられる破損等が発生している割合を確認した。以上の結果を表１に示す。
【００３２】
（実施例２）
発熱抵抗体の温度を１２０℃とし、エッチングにより、発熱抵抗体上の被覆層の厚みを３００ｎｍ、電極層の上の被覆層の厚みを３５５ｎｍとした。電極層の上の被覆層のエッチングレートは９．８ｎｍ／ｓｅｃであった。これ以外は実施例１と同様にし、液体吐出ヘッドを１００００個製造した。その後、電極層の上の被覆層の状態を電子顕微鏡で観察し、静電気放電に由来すると考えられる破損等が発生している割合を確認した。以上の結果を表１に示す。
【００３３】
（実施例３）
発熱抵抗体の温度を３２０℃とし、エッチングにより、発熱抵抗体上の被覆層の厚みを３００ｎｍ、電極層の上の被覆層の厚みを３８０ｎｍとした。電極層の上の被覆層のエッチングレートは１９．８ｎｍ／ｓｅｃであった。これ以外は実施例１と同様にし、液体吐出ヘッドを１００００個製造した。その後、電極層の上の被覆層の状態を電子顕微鏡で観察し、静電気放電に由来すると考えられる破損等が発生している割合を確認した。以上の結果を表１に示す。
【００３４】
（比較例１）
発熱抵抗体の温度及びステージ温度を５０℃で同一にした。即ち、発熱抵抗体の上の被覆層の温度と、電極層の上の被覆層の温度をともに５０℃とし、この状態で厚み４００ｎｍのＳｉＮからなる被覆層のエッチングを行った。被覆層のエッチング条件は、以下の通りである。
・エッチングガス：ＣＦ４（流量：５０ｓｃｃｍ）、Ｏ２（流量：２０ｓｃｃｍ）
・チャンバー圧力：５０Ｐａ
・ＲＦパワー：５００Ｗ
・ステージ温度：５０℃
・発熱抵抗体の温度：５０℃
この条件において、発熱抵抗体の上の被覆層のエッチングレートと電極層の上の被覆層のエッチングレートは、ともに６．３ｎｍ／ｓｅｃであった。エッチング後の被覆層の厚みは、発熱抵抗体の上と電極層の上とで同じで、ともに３００ｎｍであった。
【００３５】
その後、Ｔａからなる厚み３００ｎｍの保護層１０をスパッタ法で成膜し、図２（ｃ）に示すように、ドライエッチングによりパターニングした。
【００３６】
以上の点以外は、実施例１と同様にし、液体吐出ヘッドを１００００個製造した。また、電極層の上の被覆層の状態を電子顕微鏡で観察し、静電気放電に由来すると考えられる破損等が発生している割合を確認した。以上の結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
2016078263.tif 000003
【００３８】
発熱抵抗体の上の被覆層の温度を、電極層の上の被覆層の温度よりも高くすることで、エッチングによって発熱抵抗体の上の被覆層の厚みを、電極層の上の被覆層の厚みよりも相対的に薄くすることができる。また、温度差を大きくしていくと、厚みの差も大きくなっていく。電極層の上の被覆層の破損は、電極層の上の被覆層の厚みが厚くなるにつれて抑制されている。
【００３９】
また、発熱抵抗体の上の被覆層の温度と、電極層の上の被覆層の温度とを同じにして、被覆層のエッチングを行うと、被覆層の厚みに差がでないことが分かる。
【００４０】
（実施例４）
実施例１〜３は、ステージ温度（電極層の上の被覆層の温度）が同じで、発熱抵抗体の温度（発熱抵抗体の上の被覆層の温度）を異ならせた。これに対し、実施例４、５では、発熱抵抗体の温度（発熱抵抗体の上の被覆層の温度）が同じで、ステージ温度（電極層の上の被覆層の温度）を異ならせた。
【００４１】
実施例４では、ＳｉＮからなる被覆層７の厚みを５００ｎｍとし、エッチングを以下の条件とした。
・エッチングガス：ＣＦ４（流量：５０ｓｃｃｍ）、Ｏ２（流量：２０ｓｃｃｍ）
・チャンバー圧力：５０Ｐａ
・ＲＦパワー：５００Ｗ
・ステージ温度：２０℃
・発熱抵抗体の温度：２５０℃
この条件において、発熱抵抗体の上の被覆層のエッチングレートは１６．５ｎｍ／ｓｅｃであった。また、電極層の上の被覆層のエッチングレートは４．８ｎｍ／ｓｅｃであった。
【００４２】
エッチングにより、発熱抵抗体上の被覆層の厚みを４００ｎｍとした。また、電極層の上の被覆層の厚みを４７０ｎｍとした。
【００４３】
その後、Ｔａからなる厚み３００ｎｍの保護層１０をスパッタ法で成膜し、図２（ｃ）に示すように、ドライエッチングによりパターニングした。
【００４４】
以上の点以外は、実施例１と同様にし、液体吐出ヘッドを１００００個製造した。また、電極層の上の被覆層の状態を電子顕微鏡で観察し、静電気放電に由来すると考えられる破損等が発生している割合を確認した。以上の結果を表２に示す。
【００４５】
（実施例５）
ステージ温度（電極層の上の被覆層の温度）を１５０℃とし、エッチングにより、発熱抵抗体上の被覆層の厚みを４００ｎｍ、電極層の上の被覆層の厚みを４３０ｎｍとした。電極層の上の被覆層のエッチングレートは１１．５ｎｍ／ｓｅｃであった。これ以外は実施例４と同様にし、液体吐出ヘッドを１００００個製造した。その後、電極層の上の被覆層の状態を電子顕微鏡で観察し、静電気放電に由来すると考えられる破損等が発生している割合を確認した。以上の結果を表２に示す。
【００４６】
（比較例２）
発熱抵抗体の温度及びステージ温度を５０℃で同一にした。即ち、発熱抵抗体の上の被覆層の温度と、電極層の上の被覆層の温度をともに５０℃とし、この状態で厚み５００ｎｍのＳｉＮからなる被覆層のエッチングを行った。被覆層のエッチング条件は、以下の通りである。
・エッチングガス：ＣＦ４（流量：５０ｓｃｃｍ）、Ｏ２（流量：２０ｓｃｃｍ）
・チャンバー圧力：５０Ｐａ
・ＲＦパワー：５００Ｗ
・ステージ温度：５０℃
・発熱抵抗体の温度：５０℃
この条件において、発熱抵抗体の上の被覆層のエッチングレートと電極層の上の被覆層のエッチングレートは、ともに６．３ｎｍ／ｓｅｃであった。エッチング後の被覆層の厚みは、発熱抵抗体の上と電極層の上とで同じで、ともに４００ｎｍであった。
【００４７】
その後、Ｔａからなる厚み３００ｎｍの保護層１０をスパッタ法で成膜し、図２（ｃ）に示すように、ドライエッチングによりパターニングした。
【００４８】
以上の点以外は、実施例１と同様にし、液体吐出ヘッドを１００００個製造した。また、電極層の上の被覆層の状態を電子顕微鏡で観察し、静電気放電に由来すると考えられる破損等が発生している割合を確認した。以上の結果を表２に示す。
【００４９】
【表２】
2016078263.tif 000004
【００５０】
発熱抵抗体の上の被覆層の温度を、電極層の上の被覆層の温度よりも高くすることで、エッチングによって発熱抵抗体の上の被覆層の厚みを、電極層の上の被覆層の厚みよりも相対的に薄くすることができる。また、温度差を大きくしていくと、厚みの差も大きくなっていく。電極層の上の被覆層の破損は、電極層の上の被覆層の厚みが厚くなるにつれて抑制されている。
【００５１】
（実施例６）
実施例１よりも、ステージ温度（電極層の上の被覆層の温度）及び発熱抵抗体の温度（発熱抵抗体の上の被覆層の温度）を高くした。具体的には、電極層の上の被覆層の温度を５０℃、発熱抵抗体の上の被覆層の温度を３００℃とした。電極層の上の被覆層のエッチングレートは６．３ｎｍ／ｓｅｃであった。発熱抵抗体の上の被覆層のエッチングレートは１８．８ｎｍ／ｓｅｃであった。発熱抵抗体の上の被覆層の厚みは３００ｎｍ、電極層の上の被覆層の厚みは３６７ｎｍとした。これ以外は実施例１と同様にし、液体吐出ヘッドを製造した。その後、製造した液体吐出ヘッドにインク（商品名；ＢＣＩ−７ｅＭ、キヤノン製）を充填し、電圧２４Ｖ、幅０．８マイクロ秒の駆動パルスを周波数１５ｋＨｚで発熱抵抗体に印加し、１．０ｘ１０９パルスまでインクの吐出を行い、画像の記録を行った。記録された画像を目視で観察し、以下の基準で評価した。
Ａ：１．０×１０９パルスでも画像品位の低下が確認されなかった。
Ｂ：５．０×１０８以上、１．０×１０９未満のパルス印加の間で画像品位の低下が確認された。
Ｃ：１．０×１０８以上、５．０×１０８未満のパルス印加の間で画像品位の低下が確認された。
Ｄ：５．０×１０７以上、１．０×１０８未満のパルス印加の間で画像品位の低下が確認された。
【００５２】
以上の結果を表３に示す。
【００５３】
（実施例７）
発熱抵抗体の温度を４００℃とし、エッチングにより、発熱抵抗体上の被覆層の厚みを３００ｎｍ、電極層の上の被覆層の厚みを３７４ｎｍとした。発熱抵抗体の上の被覆層のエッチングレートは２３．８ｎｍ／ｓｅｃであった。これ以外は実施例６と同様にして、液体吐出ヘッドを製造した。その後、記録された画像を目視で観察し、実施例６と同じ基準で評価した。以上の結果を表３に示す。
【００５４】
（実施例８）
発熱抵抗体の温度を５００℃とし、エッチングにより、発熱抵抗体上の被覆層の厚みを３００ｎｍ、電極層の上の被覆層の厚みを３７８ｎｍとした。発熱抵抗体の上の被覆層のエッチングレートは２８．８ｎｍ／ｓｅｃであった。これ以外は実施例６と同様にして、液体吐出ヘッドを製造した。その後、記録された画像を目視で観察し、実施例６と同じ基準で評価した。以上の結果を表３に示す。
【００５５】
（実施例９）
発熱抵抗体の温度を５５０℃とし、エッチングにより、発熱抵抗体上の被覆層の厚みを３００ｎｍ、電極層の上の被覆層の厚みを３８０ｎｍとした。発熱抵抗体の上の被覆層のエッチングレートは３１．２ｎｍ／ｓｅｃであった。これ以外は実施例６と同様にして、液体吐出ヘッドを製造した。その後、記録された画像を目視で観察し、実施例６と同じ基準で評価した。以上の結果を表３に示す。
【００５６】
【表３】
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【００５７】
表３に示すように、エッチング時の発熱抵抗体の温度が下がるに伴って記録された画像の品位が向上した。この原因は以下のように考えられる。エッチング時に、ＳｉＮからなる被覆層が高温環境に置かれたことで層中の水素が脱離し、ダングリングボンドが形成され、絶縁性が低下する。被覆層の絶縁性が低下すると、吐出中に保護層のＴａが陽極酸化されやすくなる為、保護層が酸化した層がインクに溶出する。この結果、発熱抵抗体に影響が出ることがあり、画像の品位が低下する。従って、エッチング時の発熱抵抗体の温度は低い方が好ましい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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