(57)【要約】【課題】減衰帯域において安定して高い減衰量を得る。【解決手段】フィルタ回路１は、入力端子Ｖｉｎと出力端子Ｖｏｕｔとの間の接続点Ｐ１と、グランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された第１インダクタ１２及び第１コンデンサ１３を含む第１共振回路１１と、入力端子Ｖｉｎと接続点Ｐ１との間に設けられた第２インダクタ１４と、出力端子Ｖｏｕｔと接続点Ｐ１との間に設けられた第３インダクタ１５とを備え、第１共振回路１１の共振周波数は、入力端子Ｖｉｎから入力される入力信号の周波数の整数倍であり、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値は、入力信号の周波数における減衰量が最小となるインダクタンス値よりも大きな値である。【選択図】図１
2016058826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と出力端子との間の接続点と、グランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された第１インダクタ及び第１コンデンサを含む第１共振回路と、
前記入力端子と前記接続点との間に設けられた第２インダクタと、
前記出力端子と前記接続点との間に設けられた第３インダクタと、
を備え、
前記第１共振回路の共振周波数は、前記入力端子から入力される入力信号に含まれる主要成分の周波数の整数倍であり、
前記第２インダクタ及び前記第３インダクタのインダクタンス値は、前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量が最小となるインダクタンス値以上の値である、
フィルタ回路。
【請求項２】
前記第２インダクタ及び前記第３インダクタのインダクタンス値は、前記フィルタ回路の前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量が所定値以下となるインダクタンス値である、
請求項１に記載のフィルタ回路。
【請求項３】
入力端子と出力端子との間に、第１接続点及び第２接続点が設けられ、
前記第１接続点とグランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された第１インダクタ及び第１コンデンサを含む第１共振回路と、
前記入力端子と前記第１接続点との間に設けられた第２インダクタと、
前記第１接続点と前記第２接続点との間に設けられた第３インダクタと、
前記第２接続点とグランドとの間に設けられ、前記第１インダクタとインダクタンス値が同量の第４インダクタ、及び前記第１コンデンサと容量が同量の第２コンデンサを含む第２共振回路と、
前記第２接続点と、前記出力端子との間に設けられた第５インダクタと、
を備え、
前記第１共振回路及び前記第２共振回路の共振周波数は、前記入力端子から入力される入力信号に含まれる主要成分の周波数の整数倍であり、
前記第２インダクタ、前記第３インダクタ及び前記第５インダクタのインダクタンス値は、前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量が最小となるインダクタンス値以上の値である、
フィルタ回路。
【請求項４】
前記第２インダクタ、前記第３インダクタ及び前記第５インダクタのインダクタンス値は、前記フィルタ回路の前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量が所定値以下となるインダクタンス値である、
請求項３に記載のフィルタ回路。
【請求項５】
入力端子と出力端子との間に、第１接続点及び第２接続点が設けられ、
前記第１接続点とグランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された第１インダクタ及び第１コンデンサを含む第１共振回路と、
前記入力端子と前記第１接続点との間に設けられた第２インダクタと、
前記第１接続点と前記第２接続点との間に設けられた第３インダクタと、
前記第２接続点とグランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された第４インダクタ及び第２コンデンサを含む第２共振回路と、
前記第２接続点と、前記出力端子との間に設けられた第５インダクタと、
を備えたフィルタ回路であって、
前記第１共振回路の共振周波数は、前記入力端子から入力される入力信号に含まれる主要成分の周波数の所定倍の周波数よりも小さく、
前記第２共振回路の共振周波数は、前記所定倍の周波数よりも大きく、
前記第２インダクタ、前記第３インダクタ及び前記第５インダクタのインダクタンス値は、前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量が最小となるインダクタンス値以上の値であり、
前記フィルタ回路の前記所定倍の周波数における減衰量が、前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量に比べて大きい、
フィルタ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、入力信号の周波数よりも高域側の周波数の信号を減衰させるローパスフィルタにおいて、例えば、入力信号の整数倍の高調波成分を遮断するＬＣ直列共振回路を設けることにより、効率良く高調波成分を除去することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１２９５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ギガヘルツ等の高周波帯で使用されるフィルタを量産する場合、フィルタを構成するインダクタやコンデンサの特性のばらつきによって、ＬＣ直列共振回路の共振周波数が高調波成分の周波数からずれてしまうという問題がある。これにより、高調波成分の周波数において、十分に高調波成分を除去することができない不良品が発生するという問題がある。
【０００５】
特に、フィルタの構成部品として、汎用のＳＭＤ（Surface Mount Device）部品を適用する場合があるが、汎用のＳＭＤ部品は素子値が限られていることから、減衰させたい帯域において所望の減衰値を得ることがより難しい。
【０００６】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、減衰帯域において安定して高い減衰量を得ることができるフィルタ回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様に係るフィルタ回路は、入力端子と出力端子との間の接続点と、グランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された第１インダクタ及び第１コンデンサを含む第１共振回路と、前記入力端子と前記接続点との間に設けられた第２インダクタと、前記出力端子と前記接続点との間に設けられた第３インダクタと、を備え、前記第１共振回路の共振周波数は、前記入力端子から入力される入力信号に含まれる主要成分の周波数の整数倍であり、前記第２インダクタ及び前記第３インダクタのインダクタンス値は、前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量が最小となるインダクタンス値以上の値である。
【０００８】
前記第２インダクタ及び前記第３インダクタのインダクタンス値は、前記フィルタ回路の前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量が所定値以下となるインダクタンス値であってもよい。
【０００９】
本発明の第２の態様に係るフィルタ回路は、入力端子と出力端子との間に、第１接続点及び第２接続点が設けられ、前記第１接続点とグランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された第１インダクタ及び第１コンデンサを含む第１共振回路と、前記入力端子と前記第１接続点との間に設けられた第２インダクタと、前記第１接続点と前記第２接続点との間に設けられた第３インダクタと、前記第２接続点とグランドとの間に設けられ、前記第１インダクタとインダクタンス値が同量の第４インダクタ、及び前記第１コンデンサと容量が同量の第２コンデンサを含む第２共振回路と、前記第２接続点と、前記出力端子との間に設けられた第５インダクタと、を備え、前記第１共振回路及び前記第２共振回路の共振周波数は、前記入力端子から入力される入力信号に含まれる主要成分の周波数の整数倍であり、前記第２インダクタ、前記第３インダクタ及び前記第５インダクタのインダクタンス値は、前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量が最小となるインダクタンス値以上の値である。
【００１０】
前記第２インダクタ、前記第３インダクタ及び前記第５インダクタのインダクタンス値は、前記フィルタ回路の前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量が所定値以下となるインダクタンス値であってもよい。
【００１１】
本発明の第３の態様に係るフィルタ回路は、入力端子と出力端子との間に、第１接続点及び第２接続点が設けられ、前記第１接続点とグランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された第１インダクタ及び第１コンデンサを含む第１共振回路と、前記入力端子と前記第１接続点との間に設けられた第２インダクタと、前記第１接続点と前記第２接続点との間に設けられた第３インダクタと、前記第２接続点とグランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された第４インダクタ及び第２コンデンサを含む第２共振回路と、前記第２接続点と、前記出力端子との間に設けられた第５インダクタと、を備えたフィルタ回路であって、前記第１共振回路の共振周波数は、前記入力端子から入力される入力信号に含まれる主要成分の周波数の所定倍の周波数よりも小さく、前記第２共振回路の共振周波数は、前記所定倍の周波数よりも大きく、前記第２インダクタ、前記第３インダクタ及び前記第５インダクタのインダクタンス値は、前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量が最小となるインダクタンス値以上の値であり、前記フィルタ回路の前記所定倍の周波数における減衰量が、前記入力信号に含まれる主要成分の周波数における減衰量に比べて大きい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、減衰帯域において安定して高い減衰量を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係るフィルタ回路の回路構成図である。
【図２】第２インダクタ及び第３インダクタのインダクタンス値を変化させた場合の、８ＧＨｚ付近の周波数特性を示す図である。
【図３】第２インダクタ及び第３インダクタのインダクタンス値を変化させた場合の、４ＧＨｚ付近の周波数特性を示す図である。
【図４】第２インダクタ及び第３インダクタのインダクタンス値を０．８ｎＨとした場合のフィルタ回路の８ＧＨｚ付近の周波数特性を示す図である。
【図５】第２の実施形態に係るフィルタ回路の回路構成図である。
【図６】第２の実施形態に係るフィルタ回路の８ＧＨｚ付近の周波数特性を示す図である。
【図７】第３の実施形態に係るフィルタ回路の８ＧＨｚ付近の周波数特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜第１の実施形態＞
図１は、第１の実施形態に係るフィルタ回路１の回路構成図である。
フィルタ回路１は、第１共振回路１１と、第２インダクタ１４と、第３インダクタ１５とを備える。
【００１５】
第１共振回路１１は、入力端子Ｖｉｎと出力端子Ｖｏｕｔとの間の接続点Ｐ１と、グランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された第１インダクタ１２及び第１コンデンサ１３を含んでいる。第１共振回路１１の共振周波数は、信号を減衰させたい減衰帯域の周波数である。具体的には、第１共振回路１１の共振周波数は、入力端子Ｖｉｎから入力される入力信号に含まれる主要成分の周波数の整数倍の周波数である。ここで、第１共振回路１１の共振周波数は、入力信号に含まれる主要成分の周波数の整数倍の周波数付近の周波数であってもよい。なお、以下、「入力信号に含まれる主要成分の周波数」を「入力信号の周波数」と称する。
【００１６】
本実施形態では、入力端子Ｖｉｎから入力される入力信号の周波数が４ＧＨｚであり、第１共振回路１１の共振周波数が入力信号の周波数の２倍の８ＧＨｚ付近であるものとして説明を進める。具体的には、第１インダクタ１２のインダクタンス値は０．８ｎＨ、第１コンデンサ１３の容量は０．５ｐＦ、第１共振回路１１の共振周波数は約７．９５７ＧＨｚである。なお、本実施形態では、第１共振回路１１の共振周波数が入力信号の周波数の２倍付近であることとしたが、これに限らない。例えば、第１共振回路１１の共振周波数が入力信号の周波数のｎ倍（ただし、ｎは３以上の整数）付近であることとしてもよい。
【００１７】
第２インダクタ１４は、入力端子Ｖｉｎと、接続点Ｐ１との間に設けられている。
第３インダクタ１５は、出力端子Ｖｏｕｔと、接続点Ｐ１との間に設けられている。
第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値は、入力信号の周波数における減衰量が最小となるインダクタンス値以上の値である。
【００１８】
図２は、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を変化させた場合の、８ＧＨｚ付近の周波数特性を示す図である。図３は、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を変化させた場合の、４ＧＨｚ付近の周波数特性を示す図である。なお、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５は、同量のインダクタンス値であるものとし、図３及び図４において右側に示す凡例は、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を示す。
【００１９】
図３に示されるように、入力信号の周波数である４ＧＨｚにおける減衰量が最小となる第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値は、０．８ｎＨである。そこで、フィルタ回路１の第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値は、０．８ｎＨ以上のインダクタンス値に設定される。
【００２０】
また、図２に示されるように、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値が高くなるにしたがい、入力信号の２倍の周波数である８ＧＨｚ付近において信号が減衰する帯域が広くなる。したがって、フィルタ回路１の第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を０．８ｎＨ以上のインダクタンス値に設定することにより、フィルタ回路１を構成するインダクタやコンデンサの特性にばらつきが発生しても、減衰帯域において安定して高い減衰量を得ることができる。
【００２１】
なお、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を０．８ｎＨ以上とした場合、０．８ｎＨよりも小さくした場合に比べて、４ＧＨｚにおける減衰量が小さくなる。したがって、通過させたい４ＧＨｚ帯の信号の減衰量を抑制できるという点でも、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を０．８ｎＨ以上とすることが好ましい。
【００２２】
図４は、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を０．８ｎＨとした場合のフィルタ回路１の８ＧＨｚ付近の周波数特性を示す図である。図４に示されるように、７．５ＧＨｚから８．５ＧＨｚの間での減衰量が−３０ｄＢ以下となり、第１インダクタ１２及び第１コンデンサ１３の特性にばらつきがあっても８ＧＨｚにおいて十分な減衰量を得られるだけの帯域幅を有しており、減衰帯域において安定して高い減衰量が得られることが確認できる。
【００２３】
ここで、図３に示されるように、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値が大きくなるにしたがい、４ＧＨｚ付近において減衰量が大きくなるという問題がある。そこで、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を、フィルタ回路１の入力信号の周波数（４ＧＨｚ）における減衰量が所定値以下となるインダクタンス値としてもよい。例えば、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を、８ＧＨｚにおける減衰帯域の幅が、第１インダクタ１２及び第１コンデンサ１３の値が設計値に対して最大にばらついたときに必要となる８ＧＨｚにおける減衰帯域の幅よりも大きくなる場合のインダクタンス値のうち、最も小さいインダクタンス値となるようにしてもよい。このようにすることで、入力信号が減衰することを抑制しつつ、減衰帯域で安定して高い減衰量を得ることができる。
【００２４】
［シミュレーション結果］
フィルタ回路１における第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を、０ｎＨ、０．８ｎＨ、１．６ｎＨに設定し、フィルタ回路１におけるインダクタ及びコンデンサの特性をばらつかせた場合の８ＧＨｚにおける減衰量のシミュレーションを行った。具体的には、フィルタ回路１のサンプル数を１００個とし、各フィルタ回路１に含まれるインダクタのインダクタンス値を±０．１ｎＨ、コンデンサの容量を±０．１ｐＦの範囲で、正規分布にしたがってばらつかせた。この場合、フィルタ回路１における第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を０ｎＨに設定した場合の減衰量のメジアン値は−１３ｄＢ、０．８ｎＨに設定した場合の減衰量のメジアン値は−１６ｄＢ、１．６ｎＨに設定した場合の減衰量のメジアン値は−２２ｄＢであった。以上の結果から、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を大きくすることで、フィルタ回路１におけるインダクタ及びコンデンサの特性にばらつきが発生しても、減衰帯域で安定して高い減衰量が得られることが確認できた。
【００２５】
［第１の実施形態の効果］
以上のとおり、第１の実施形態のフィルタ回路１は、第２インダクタ１４及び第３インダクタ１５のインダクタンス値を入力信号の周波数における減衰量が最小となるインダクタンス値よりも大きな値とすることにより、減衰帯域において安定して高い減衰量を得ることができる。
【００２６】
＜第２の実施形態＞
［フィルタ回路を直列に接続する］
続いて、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態のフィルタ回路２は、第１の実施形態に係るフィルタ回路１を直列に接続した回路である。図５は、第２の実施形態に係るフィルタ回路２の回路構成図である。図５に示すように、第２の実施形態のフィルタ回路２は、第１共振回路１１と、第２インダクタ１４と、第３インダクタ１５と、第２共振回路２１と、第５インダクタ２５とを備える。
【００２７】
第１共振回路１１は、入力端子Ｖｉｎと出力端子Ｖｏｕｔとの間の第１接続点Ｐ１と、グランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された第１インダクタ１２及び第１コンデンサ１３を含んでいる。
【００２８】
第２共振回路２１は、第３インダクタ１５と出力端子Ｖｏｕｔとの間の第２接続点Ｐ２と、グランドとの間に設けられ、互いに直列に接続された、第１インダクタ１２とインダクタンス値が同量の第４インダクタ２２、及び第１コンデンサ１３と容量が同量の第２コンデンサ２３を含んでいる。このため、第１共振回路１１及び第２共振回路２１の共振周波数は、同一の共振周波数である。
【００２９】
本実施形態では、第１の実施形態と同様に入力信号が４ＧＨｚであるものとし、第１共振回路１１及び第２共振回路２１の共振周波数が入力信号の周波数の２倍の８ＧＨｚ付近であるものとする。また、第１インダクタ１２及び第４インダクタ２２のインダクタンス値はそれぞれ０．８ｎＨ、第１コンデンサ１３及び第２コンデンサ２３の容量はそれぞれ０．５ｐＦ、共振周波数は約７．９５７ＧＨｚである。
【００３０】
第２インダクタ１４は、入力端子Ｖｉｎと、第１接続点Ｐ１との間に設けられている。
第３インダクタ１５は、第１接続点Ｐ１と、第２接続点Ｐ２との間に設けられている。
第５インダクタ２５は、第２接続点Ｐ２と、出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられている。
【００３１】
第２インダクタ１４、第３インダクタ１５、第５インダクタ２５のインダクタンス値は、入力信号の周波数における減衰量が最小となるインダクタンス値以上の値である。第２の実施形態において、第２インダクタ１４のインダクタンス値は１．６ｎＨ、第３インダクタ１５のインダクタンス値は３．２ｎＨ、第５インダクタ２５のインダクタンス値は１．６ｎＨである。
【００３２】
ここで、第２の実施形態のフィルタ回路２においても、第２インダクタ１４、第３インダクタ１５、及び第５インダクタ２５のインダクタンス値が大きくなるにしたがい、４ＧＨｚ付近において減衰量が大きくなるという問題がある。そこで、第２インダクタ１４、第３インダクタ１５、及び第５インダクタ２５のインダクタンス値を、フィルタ回路２の入力信号の周波数（４ＧＨｚ）における減衰量が所定値以下となるインダクタンス値としてもよい。例えば、第２インダクタ１４、第３インダクタ１５、及び第５インダクタ２５のインダクタンス値を、８ＧＨｚにおける減衰帯域の幅が、第１インダクタ１２、第１コンデンサ１３、第４インダクタ２２及び第２コンデンサ２３の値が設計値に対して最大にばらついたときに必要となる８ＧＨｚにおける減衰帯域の幅よりも大きくなる場合のインダクタンス値のうち、最も小さいインダクタンス値となるようにしてもよい。このようにすることで、入力信号が減衰することを抑制しつつ、減衰帯域で安定して高い減衰量を得ることができる。
【００３３】
図６は、第２の実施形態に係るフィルタ回路２の８ＧＨｚ付近の周波数特性を示す図である。図６に示す実線は、第２の実施形態に係るフィルタ回路２の８ＧＨｚ付近の周波数特性である。また、図６に示す破線は、図４に示した第１の実施形態に係るフィルタ回路１の８ＧＨｚ付近の周波数特性である。図６に示されるように、例えば、第２の実施形態に係るフィルタ回路２における減衰量が−５０ｄＢになる帯域の幅は、第１の実施形態に係るフィルタ回路２における減衰量が−５０ｄＢになる帯域の幅の２倍以上である。このように、第２の実施形態に係るフィルタ回路２は、第１の実施形態に係るフィルタ回路１に比べて広い帯域で、安定して高い減衰量が得られることが確認できる。
【００３４】
＜第３の実施形態＞
［フィルタ回路２における複数の共振周波数を異ならせる］
続いて、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態のフィルタ回路２は、第２の実施形態に係るフィルタ回路２の第１共振回路１１及び第２共振回路２１の共振周波数を異ならせた点で第２の実施形態と異なる。本実施形態では、入力端子Ｖｉｎから入力される入力信号の周波数が４ＧＨｚであり、減衰帯域の周波数が入力信号の周波数の２倍の８ＧＨｚ付近であるものとして説明を進める。
【００３５】
第３の実施形態において、第１共振回路１１の共振周波数は、入力端子Ｖｉｎから入力される入力信号の周波数（４ＧＨｚ）の所定倍の周波数（８ＧＨｚ）よりも小さく、第２共振回路２１の共振周波数は、当該入力信号の周波数の所定倍の周波数よりも大きく設定されている。また、フィルタ回路２の所定倍の周波数（８ＧＨｚ）における減衰量は、入力信号の周波数（４ＧＨｚ）における減衰量に比べて大きい。
【００３６】
具体的には、第１インダクタ１２のインダクタンス値は０．７ｎＨ、第１コンデンサ１３の容量は０．５ｐＦ、第１共振回路１１の共振周波数は８．５０７ＧＨｚである。また、第４インダクタ２２のインダクタンス値は０．９ｎＨ、第２コンデンサ２３の容量は０．５ｐＦ、第２共振回路２１の共振周波数は７．５０２ＧＨｚである。
【００３７】
また、第２インダクタ１４、第３インダクタ１５及び第５インダクタ２５のインダクタンス値は、入力信号の周波数における減衰量が最小となるインダクタンス値以上の値である。第３の実施形態において、第２インダクタ１４のインダクタンス値は１．６ｎＨ、第３インダクタ１５のインダクタンス値は３．２ｎＨ、第５インダクタ２５のインダクタンス値は１．６ｎＨである。
【００３８】
図７は、第３の実施形態に係るフィルタ回路２の８ＧＨｚ付近の周波数特性を示す図である。図７に示す実線は、第３の実施形態に係るフィルタ回路２の８ＧＨｚ付近の周波数特性である。また、図７に示す破線は、図４に示した第１の実施形態に係るフィルタ回路１の８ＧＨｚ付近の周波数特性である。また、図７に示す一点鎖線は、図６に示した第２の実施形態に係るフィルタ回路２の８ＧＨｚ付近の周波数特性である。図７に示されるように、第３の実施形態に係るフィルタ回路２は、第１共振回路１１の共振周波数及び第２共振回路２１の共振周波数において減衰量のピークが発生し、減衰量が−５０ｄＢとなる帯域の幅は、第２の実施形態に係るフィルタ回路２よりも大きくなっている。このように、第３の実施形態に係るフィルタ回路２は、第１の実施形態に係るフィルタ回路１及び第２の実施形態に係るフィルタ回路２よりも広い帯域で、安定して高い減衰量が得られることが確認できる。
【００３９】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【００４０】
１、２・・・フィルタ回路
１１・・・第１共振回路
１２・・・第１インダクタ
１３・・・第１コンデンサ
１４・・・第２インダクタ
１５・・・第３インダクタ
２１・・・第２共振回路
２２・・・第４インダクタ
２３・・・第２コンデンサ
２５・・・第５インダクタ
【図１】
2016058826.tif 000003
【図２】
2016058826.tif 000004
【図３】
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【図４】
2016058826.tif 000006
【図５】
2016058826.tif 000007
【図６】
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【図７】
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