(57)【要約】【課題】ロールにキズを付けず、かつロールに残存するシリカを確実に除去することを目的とする。【解決手段】インプリント用ロール型の製造に使用される金属製のロールの洗浄方法であって、砥粒としてシリカ３を含む研磨剤によって、前記ロール１の側面１１を研磨する研磨工程の後に、前記ロール１の周囲にフッ素原子を含むフッ素系ガスを導入し、前記フッ素系ガスによるプラズマを発生させて活性化フッ素ガス８７を生成することにより、前記活性化フッ素ガス８７と前記シリカ３とを反応させるフッ素系ガスプラズマ工程を有する。これにより、ロール１の平坦度を確保することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント用ロール型の製造に使用される金属製のロールの洗浄方法であって、
砥粒としてシリカを含む研磨剤によって、前記ロールの側面を研磨する研磨工程の後に、
前記ロールの側面の周囲にフッ素系ガスを導入し、前記フッ素系ガスを導入している間に前記フッ素系ガスによるプラズマを発生させて活性化フッ素ガスを生成し、前記活性化フッ素ガスと前記シリカとを反応させるフッ素系ガスプラズマ工程を有する
ことを特徴とするロールの洗浄方法。
【請求項２】
前記研磨工程は、シリカと有機物とを含む研磨剤を用いた工程であり、
前記ロールの側面の周囲に酸素を導入し、前記酸素を導入している間に酸素プラズマを発生させて酸素ラジカルを生成し、前記酸素ラジカルと前記有機物とを反応させる酸素プラズマ工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項１に記載のロールの洗浄方法。
【請求項３】
前記酸素プラズマ工程と、前記フッ素系ガスプラズマ工程とを交互に繰り返す
ことを特徴とする請求項２に記載のロールの洗浄方法。
【請求項４】
ＳｉＦ及び／又はＣＯによるプラズマの発光強度をモニタリングし、これらの発光が検出される間は、前記フッ素系ガスプラズマ工程を継続する
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のロールの洗浄方法。
【請求項５】
インプリント用ロール型の製造方法であって、
砥粒としてシリカを含む研磨剤によって、金属製のロールの側面を研磨する工程と、
請求項１〜４の何れか１項に記載のロールの洗浄方法と、
前記ロールの側面に微細パターンを形成する工程とを有する
ことを特徴とするロール型の製造方法。
【請求項６】
インプリント用ロール型に使用される金属製のロールを洗浄する装置であって、
前記ロールを保持するためのスペースを有するチャンバと、
前記チャンバ内部にフッ素原子を含むフッ素系ガスを導入可能なガス導入口と、
前記チャンバ内部のガスを前記チャンバ外部に排気可能なガス排気口と、
前記チャンバ内部にプラズマを発生させるように構成された電極対と、
前記複数の電極とそれぞれ接続される電源と、
前記複数の電極と前記スペースとの間に設けられるメッシュシールドと、を備える
ことを特徴とするロール洗浄装置。
【請求項７】
ＳｉＦ又はＣＯによるプラズマの発光強度をモニタリングして、これらの発光を検出可能な発光検出部をさらに備える
ことを特徴とする請求項６に記載のロール洗浄装置。
【請求項８】
前記ロールをその中心軸周りに回転可能な回転機構をさらに備え、
前記ガス導入口は、前記ロールの側面に対して垂直な方向にガスを導入するように構成される
ことを特徴とする請求項６又は７に記載のロール洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント用ロール型等に使用されるロールの洗浄方法、ロール洗浄装置、及びロール型の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）のバックライトユニットに用いられるプリズムシートや拡散シート、あるいは、ＬＣＤ表示パネルに用いられる反射防止フィルム等の光学フィルムの表面には、ミクロンオーダーあるいはナノメートルオーダーの微細パターンが形成されている。
【０００３】
このような、表面に微細パターンを有する光学フィルムを製造する方法として、インプリント法が考えられる。インプリント法により光学フィルムを製造する場合、インプリント型の表面に形成された微細パターンを、フィルム上に塗布された硬化樹脂に押圧して転写し、フィルム表面に微細パターンを形成する。
【０００４】
インプリント法の方式としては、ロール式インプリントがある。ロール式インプリントは、円筒形のロールの側面に微細パターンを有するロール型を用いて、ロール型を回転させながら硬化樹脂に押し当てることで順次微細パターンを転写するものである。
【０００５】
図８に従来のロール型の製造方法を示す。まず、平坦化するため、ロール１の側面を、例えばアルミナを砥粒とする研磨剤２１を使用して研磨した後、ロール１の側面を洗浄して研磨剤２１を落とす。研磨材２１を除去する方法としては、例えば、特許文献１に示すように、純水やアルコールなどの洗浄液３１を流しながらブラシ３２で掃く洗浄方法が使用される。次に、ロールの側面に感光膜４３を形成する。感光膜４３の形成には、例えば、特許文献２に開示されているようにスパッタ成膜が用いられる。そして、特許文献３に記載のように、半導体レーザー装置５１を用いて感光膜４３の一部をレーザー光５２で露光して変質させる。最後に、感光膜４３に現像液６１をかけると、変質した感光膜５３が溶解してパターン７１が形成される。このようにして、ロール型２が製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２６１６８１号公報
【特許文献２】特開２００５−２０３０５２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１５２２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、フィルム上にミクロンオーダーやナノメートルオーダーの微細パターンを形成するためには、ロールの側面にミクロンオーダーやナノメートルオーダーでの平坦度が必要となる。なぜならば、平坦度が低ければ、その上にパターンを形成しても、所望の微細パターンが得られないからである。
【０００８】
ロールが金属製である場合、特許文献１に記載のように、アルミナを砥粒とする研磨剤をブラシで掃き落とす方法では、ロールの側面にキズが入ることがあり、ロールの平坦度を確保することができない。ロールの側面にキズが入ることを防止するためには、ロールの側面を研磨する際に、アルミナよりも硬くないシリカ（ＳｉＯ２）を砥粒として使用することが考えられるが、シリカは金属面との反応性が高いため、ロールの側面に残存しやすく、ブラシで掃き落とすことは困難である。また、シリカは互いに凝集しやすく、凝集したシリカをブラシで掃きとろうとすると、シリカの径に比べて１０倍以上のキズをつけるおそれがあり、平坦度を確保することができない。
【０００９】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、インプリント用ロール型の製造に使用される金属製のロールの平坦度を確保することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のロールの洗浄方法は、インプリント用ロール型の製造に使用される金属製のロールの洗浄方法であって、砥粒としてシリカを含む研磨剤によって、前記ロールの側面を研磨する研磨工程の後に、前記ロールの周囲にフッ素原子を含むフッ素系ガスを導入し、前記フッ素系ガスによるプラズマを発生させて活性化フッ素ガスを生成することにより、前記活性化フッ素ガスと前記シリカとを反応させるフッ素系ガスプラズマ工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、インプリント用ロール型の製造に使用される金属製のロールの平坦度を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１に係るロール型の製造方法を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るロールの洗浄装置を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係るロールの洗浄装置の変形例を示す図である。
【図４】本発の明実施の形態２に係るロールの洗浄装置を示す図である。
【図５】本発の明実施の形態２に係るロールの洗浄方法を示す図である。
【図６】本発の明実施の形態２に係るロールの洗浄方法の変形例を示す図である。
【図７】本発の明実施の形態３に係るロールの洗浄装置を示す図である。
【図８】従来のロール型の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施の形態１）
実施の形態１に係るロール型の製造方法を、図１を参照しながら説明する。まず、ロール１の側面を平坦化するため、ロール１の側面を研磨する。研磨剤２１は、界面活性剤や分散剤等の研磨液と、砥粒としてのシリカとを含む。具体的な研磨方法は、例えば、研磨剤２１を回転するパッド２２でロール１の側面に押し付けることで、ロール１の側面を研磨することができる。次に、ロール１を洗浄して研磨剤２１を落とす。具体的な洗浄方法については後述する。
【００１４】
その後、ロール１の側面に感光膜４３を形成する。感光膜４３の形成には、例えば、特許文献２に開示されているようなスパッタ成膜が用いられる。スパッタ成膜は、真空チャンバ４１内で、感光膜４３と同じ材料からなるターゲット４２の表面上にＡｒプラズマを発生させ、Ａｒイオンでターゲット材料をたたき出すことにより、ロール１の側面上にターゲット４２と同じ材料を成膜する方法である。次に、特許文献３に記載のように、半導体レーザー装置５１を用いて感光膜４３の一部をレーザー光５２で露光し、露光された感光膜４３の部分を変質させる。最後に、感光膜４３に現像液６１をかけると、変質した感光膜５３が溶解して微細パターン７１が形成され、ロール型２が製造される。感光膜４３をマスクとしてエッチングしてもよい。なお、本実施の形態に係るロール型の製造方法において、成膜方法としてスパッタ成膜を用いることを述べたが、これに限られず、例えばスプレー法により感光膜を形成してもよい。また、露光方法としてレーザー装置５１を用いることを述べたが、これに限られず、例えばＵＶ照射により露光を行ってもよい。
【００１５】
本実施の形態に係るロール型の製造方法は、図８に示される従来のロール型の製造方法と異なり、研磨剤２１が付着したロール側面を洗浄する際に、図２に示すロール洗浄装置５が使用される。本実施の形態に係るロール洗浄装置５は、チャンバ８１と、ガス導入口８２と、ガス排気口８３と、電源８４と、電極８５ａ、８５ｂとを備える。
【００１６】
洗浄の対象であるロール１は円筒状であって、側面１１と中心軸１２とを有する。また、ロール１は金属製であることが好ましい。例えば、インプリント用ロール型が石英やアルミナ等のセラミック製である場合、セラミックは割れやすいため、製造歩留まりが低下してしまう。そのため、ロール１をセラミックよりも割れにくい金属製とすることで、ロール型の製造歩留まりを向上させることができる。なお、図２〜４及び７においては、説明のためロール１のみを斜視図とし、ロール洗浄装置については断面図を示している。
【００１７】
チャンバ８１は、ＳＵＳやアルミニウムなどの金属材料で形成される。チャンバ８１は、開閉可能なドア（図示せず）を有する。また、チャンバ８１内部には、ロール１を配置するためのスペースと、ロール１をチャンバ８１の中央部で保持する支持台（図示せず）とが設けられる。
【００１８】
ガス導入口８２は、チャンバ８１外部からチャンバ８１内部にフッ素系ガスを導入するために、チャンバ８１を貫通して設けられる。ここで、フッ素系ガスとは、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８等の、フッ素原子を含むガスである。ガス導入口８２は、マスフローコントローラ９７と接続される。フッ素系ガスは、マスフローコントローラ９７によって流量が制御され、チャンバ８１内部に導入される。
【００１９】
ガス排気口８３は、チャンバ８１内部のガスを、チャンバ８１外部に排気するために、チャンバ８１を貫通して設けられる。ガス排気口８３は、ローターリーポンプやドライポンプ等のポンプ９８と接続される。ガス導入口８２は、ロール１の側面１１と平行な方向、すなわちロール１の中心軸１２の方向にフッ素系ガスを導入し、ガス排気口８３は、フッ素系ガスの導入方向と同じ方向にフッ素系ガスを排気する。また、ガス導入口８２及びガス排気口８３は、好ましくは、それらの開閉度を調整可能なバルブを有する。
【００２０】
電源８４は、チャンバ８１内部でフッ素系ガスプラズマ８６を発生させるための電源である。一般的に、１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源が使用されるが、フッ素系ガスプラズマ８６を発生させるものであれば特に制限はない。ただし、電源８４は交流電源であることが望ましい。直流電源の場合、電極８５ａ、８５ｂ間の電界の作用を受けてフッ素系ガスプラズマ８６が一方向に誘導され、ロール１の側面１１に均等に供給できないおそれがあるが、交流電源の場合はフッ素系ガスプラズマ８６が一方向に誘導されないため、活性化フッ素ガスをロール１の側面１１に均等に供給することができる。電源８４は、電極８５ａ、８５ｂと接続される。電極８５ａ、８５ｂは、ロール１が配置されるスペースを挟んで互いに向かい合う。電源８４から電極８５ａ、８５ｂに電力が供給されることにより、チャンバ８１内部でフッ素系ガスプラズマ８６が発生する。
【００２１】
また、本実施の形態に係るロール洗浄装置５は、好ましくは、メッシュシールド８８や発光検出部８９をさらに備える。メッシュシールド８８は、ＳＵＳ又はアルミニウムの金網やパンチングメタル等からなり、ロール１が配置されるためのスペースと、電極８５ａ、８５ｂとの間に設けられる。メッシュシールド８８は、好ましくは、ロール１の中心軸１２と同軸の円筒状であって、ロール１の側面１１を取り囲むように設けられる。メッシュシールド８８が金網の場合は、金網の線の直径は、例えば０．２〜０．５ｍｍ程度であり、開口は□１ｍｍ〜□１０ｍｍ程度である。また、メッシュシールド８８がパンチングメタルの場合は、パンチングメタルの開口は直径１ｍｍ〜直径１０ｍｍである。また、メッシュシールド８８は、他の部材と絶縁された状態で支持されている。発光検出部８９は、チャンバ８１から特定の波長だけを通す光学フィルタと、その光の強度を測定するための光電変換素子と、計測システムとを含む。
【００２２】
次に、本実施の形態に係るロール洗浄装置５の動作、すなわちロールの洗浄方法について説明する。まず、チャンバ８１のドアを開け、ロール１をチャンバ８１の支持台に保持する。次に、ドアを閉めてポンプ９８を作動させ、ガス排気口８３よりチャンバ８１内部のガスを排気する。チャンバ８１内部の圧力を真空計等で測定し、１Ｐａ以下の圧力にした後、フッ素系ガスをガス導入口８２から導入する。このとき、マスフローコントローラー９７を用いて、フッ素系ガスの流量を一定に保つ。流量は、ロール１やチャンバ８１の大きさに依存する。ここで、ガス排気口８３がバルブを有する場合は、ガス排気口８３の開閉度を調節可能であるため、チャンバ８１内部の圧力を制御可能である。このときのチャンバ８１内部の圧力は、例えば、１０Ｐａ〜１００Ｐａ程度である。
【００２３】
次に、フッ素系ガスをチャンバ８１内部に導入させながら、電源８４により、電極８５ａと電極８５ｂとの間に１００Ｗ〜１０００Ｗの電力を印加する。すると、ロール１の周囲、すなわちチャンバ８１内部にフッ素系ガスプラズマ８６が発生し、以下の化学反応式１に示すように、電気的に中性のＣＦ２及びＦ＊が生成される。なお、化学反応式１は、フッ素系ガスとしてＣＦ４を用いた場合を示し、化学反応式１におけるＦ＊は、プラズマ中の電子の衝突によって活性化された活性化フッ素ガス８７を示す。
【００２４】
【化１】
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活性化フッ素ガス８７は、シリカ３（球状ＳｉＯ２）と、以下の化学反応式２のように反応して除去される。なお、化学反応式２におけるＳｉＦ４↑やＣＯ２↑の矢印は、その物質が真空中でガスとして存在し、排気され得ることを示す。
【００２５】
【化２】
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ロール１の大きさが、直径２００ｍｍ、長さ１００ｍｍの場合、ＣＦ４を３０ｍｌ／ｍｉｎで流し、チャンバ８１内部の圧力を５０Ｐａに保ち、電源８４から電極８５ａ、８５ｂに２００Ｗの電力を投入すれば、およそ２０分でロール１に残存するシリカ３を除去することができる。
【００２６】
以上のようにして、本発明によれば、活性化フッ素ガス８７によってシリカ３を除去することができる。これにより、特許文献１に記載のように、ブラシ等をロール１の側面に接触させることなくシリカ３を除去することができ、ロール１の側面１１を傷つけることなく、ロール１の側面１１に残存するシリカ３を確実に除去することができる。
【００２７】
ここで、フッ素系ガスとしてのＣＦ４は、化学反応式１により反応するものとは別に、例えば以下の化学反応式３に示すように、ＣＦ３＋等のプラスイオンを生成するものも存在する。
【００２８】
【化３】
2016153144.tif 000005
そのため、フッ素系ガスプラズマ８６は、プラスイオンと活性化フッ素ガス８７とを含む。プラスイオンがロール１の側面１１に到達すると、側面１１がスパッタされて、側面１１にキズが入るおそれがある。ここで、メッシュシールド８８がロール１の側面１１と電極８５ａ、８５ｂとの間に設けられ、かつメッシュシールド８８が他の部材と絶縁された状態で支持される場合、メッシュシールド８８はフローティング電位となってロール１に向かうプラスイオンを捕捉する。フローティング電位であるメッシュシールド８８は、必ずプラズマ電位よりも低くなるため、フッ素系ガスプラズマ８６のプラスイオンはメッシュシールド８８に引き寄せられて捕捉される。一方、活性化フッ素ガス８７はイオン化されておらず、中性であるため、メッシュシールド８８に捕捉されず、メッシュシールド８８を通過する。そのため、フッ素系ガスプラズマ８６のうち、活性化フッ素ガス８７のみがロール１の側面１１に到達することとなる。
【００２９】
これによって、フッ素系ガスプラズマ８６のプラスイオンがロール１に到達し、ロール１の側面をスパッタして、ロール１の側面１１にキズが入るという事態を防止できる。ただし、ロール１の側面１１がプラスイオンによってスパッタされにくい材料である場合や、スパッタによるキズのオーダーが、ロール１の側面１１に形成する微細パターンのオーダーに対して十分に小さい場合は、メッシュシールド８８がなくともよい。
【００３０】
さらに、ロール洗浄装置５が発光検出部８９を備える場合は、シリカ３の除去を確認することができる。化学反応式２で生成されるＳｉＦ４やＣＯ２はプラズマ中で一時的に分解され、ＳｉＦやＣＯとなるが、ＳｉＦやＣＯはプラズマ中の電子の衝突で励起されて、特有の波長で発光する。ＳｉＦは、４３６．８ｎｍ、４４０．１ｎｍ、および４４３．０ｎｍの波長で発光する。ＣＯは、波長５６１．０ｎｍ、５１９．８ｎｍ、４８３．５ｎｍまたは４５１．１ｎｍで発光する。したがって、これらの波長の発光強度が検出できなくなったことをもって、シリカ３の除去が完了したことを確認することができる。従来のブラシによるシリカ除去方法では、掃き残しがあるかどうかを確認することは困難であることに対し、発光検出部８９で、シリカ３の除去が完了したことを確認することによって、ロール１の側面に残存するシリカ３を確実に除去できる。
【００３１】
さらに、本実施の形態に係るロール洗浄装置５は、図３に示すように、ガス導入口８２と反対側に設けられる第２ガス導入口９２と、ガス排気口８３と反対側に設けられる第２排気口９３とを備えてもよい。この装置の動作として、例えば、シリカ除去処理の前半においては、第２ガス導入口９２及び第２ガス排気口９３を閉じ、ガス導入口８２及びガス排気口８３を開いて、図３の上から下へフッ素系ガスを流してシリカ除去処理を行う。次に、シリカ除去処理の後半においては、第２ガス導入口９２及び第２ガス排気口９３を開き、ガス導入口８２及びガス排気口８３を閉じて、図３の下から上へフッ素系ガスを流してシリカ除去処理を行う。
【００３２】
活性化フッ素ガス８７は、ガス濃度の高い導入口側に多く生成されるので、このような方法で処理することで、ロール１の側面１１全体に十分な活性化フッ素ガス８７を供給し、短時間で確実にシリカを除去することができる。特に、ＳＵＳの表面に、ＣｒやＮｉなどをメッキしたロール１においては、長時間処理すると、プラズマの熱でこれらの金属が膨張し、膨張率の差から、界面で剥離などが発生するので、上記の方法が有効である。
【００３３】
なお、上記の構成では、チャンバ８１を金属とし、電極８５ａ、８５ｂをチャンバ８１内部に配置される場合を述べたが、チャンバ８１を石英などの誘電体とし、電極８５ａ、８５ｂをチャンバ８１外部に配置してもよい。また、活性化フッ素ガス８７を生成するプラズマとして、１０Ｐａ〜１００Ｐａ程度の圧力におけるプラズマを利用することを述べたが、これに限られず、大気圧近傍の圧力で動作する大気圧プラズマを利用してもよい。
【００３４】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係るロール洗浄装置６を、図４〜６を参照しながら説明する。実施の形態２に係るロール洗浄装置６は、ガス導入口８２の他に、酸素導入口９４を備えている。酸素導入口９４は、マスフローコントローラー９７を介して、酸素ボンベなどの酸素供給元に接続されている。また、ガス導入口８２及び酸素導入口９４はそれぞれバルブを有する。他の構成要素については、実施の形態１に係るロール洗浄装置と同様であるため、説明を省略する。
【００３５】
次に、本実施の形態に係るロール洗浄装置６の動作について説明する。まず、実施の形態１で説明した場合と同様の手順により、ロール１をチャンバ８１の中央部に配置して、チャンバ８１内部の圧力を低下させる。
【００３６】
次に、酸素を酸素導入口９４から導入する。このとき、マスフローコントローラー９７を用いて、流量を一定に保つ。流量は、ロール１やチャンバ８１の大きさに依存するが、例えば１０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ程度である。さらに、ガス排気口８３のバルブを調節し、チャンバ８１内部の圧力を１０Ｐａ〜１００Ｐａ程度に保つ。
【００３７】
次に、電源８４により、電極８５ａと電極８５ｂとの間に１００Ｗ〜１０００Ｗの電力を印加する。これにより、ロール１の周囲で、すなわちチャンバ８１内部で酸素プラズマが発生し、酸素ラジカルが生成される。酸素ラジカルは、シリカ３を覆う分散剤や界面活性剤等の有機物と反応し、ＣＯ２，Ｈ２Ｏ，Ｎ２等のガスに分解することができる。ＣＯ２，Ｈ２Ｏ，Ｎ２等のガスは、ガス排気口８３より排出される。
【００３８】
このときの様子を、図４及び図５を参照しながら詳細に説明する。図５における符号４は、シリカ３を覆う有機物である。有機物４は、界面活性剤や分散剤等の研磨液に含まれる。有機物４は、シリカ３の周囲を覆った状態で、研磨後のロール１の側面１１に残存することがある。有機物４は、活性化フッ素ガス８７と反応しないため、有機物４がシリカ３の周囲を完全に覆っている場合、フッ素系ガスを使用してもシリカ３を除去することはできない。そこで、まず酸素プラズマ処理によって、シリカ３を覆う有機物４を除去し、シリカ３を有機物４から露出させる。
【００３９】
次に、酸素導入口９４のバルブを閉めて、酸素の導入を止め、フッ素系ガスをガス導入口８２より導入し、フッ素系ガスプラズマ８６を発生させ、ロール１の側面１１に残存するシリカ３を除去する。シリカ３は、酸素プラズマによって有機物４から露出された状態であるため、活性化フッ素ガス８７と反応して除去される。具体的な除去方法については、実施の形態１の場合と同様であるため省略する。
【００４０】
ここで、シリカの陰になって、酸素プラズマでは取りきれなかった有機物４がロール１の側面に残存することがある。そこで、フッ素系ガスの導入を停止し、再び酸素プラズマ処理を施す。具体的な方法については、最初の酸素プラズマ処理と同様であるため省略する。これにより、シリカ３の陰になっていた有機物４も除去され、ロール１の側面１１に残存する有機物４を確実に除去することができる。
【００４１】
ここで、シリカ３は凝集しやすいため、シリカ３が何段にも積層し、その間に有機物４が介在することがある。このような場合、図６に示すように、酸素プラズマ工程とフッ素系ガスプラズマ工程とを交互に繰り返し行うことで、シリカ３及び有機物４を確実にロール１の側面から除去することができる。
【００４２】
酸素とフッ素系ガスとを同時にチャンバ８１に導入し、プラズマ処理を施してもよいが、上記のように交互に導入する方法に比べて効率が悪く、処理時間が長くなるので、ロールの温度が上昇してしまう。ロールの温度が上昇すると、ＳＵＳ上にＣｒやＮｉのメッキなどの処理を施したロールにおいては、メッキの剥離などが生じてしまうため、上記のように酸素とフッ素系ガスとを交互に導入する方法が望ましい。
【００４３】
（実施の形態３）
次に実施の形態３に係るロール洗浄装置７について、図７を参照しながら説明する。実施の形態１及び２では、ガス導入口８２は、ロール１の側面１１や中心軸１２に対して平行な方向にガスを導入するが、実施の形態３に係るロール洗浄装置７のガス導入口８２は、ロール１の側面１１や中心軸１２に対して垂直な方向にガスを導入する。
【００４４】
また、電極８５ａ、８５ｂの代わりに、電極８５ｃと電極８５ｄとが設けられる。電極８５ｃ、８５ｄは、電極８５ｃと電極８５ｄとの隙間をフッ素系ガスが通過できるように配置される。なお、図７においては、電極８５ｃ、８５ｄは、ガス導入口８２側に配置される場合が示されているが、これに限られず、ガス排気口８３側に配置されてもよい。また、この場合、電極間の隙間は１か所となるが、代わりに電極を３個以上設け、電極間の隙間を複数個所としてもよい。電極間の隙間を複数個所とする場合の方が、ロール１の中心軸１２の方向について均等に活性化フッ素ガス８７を供給することができる。
【００４５】
さらに、実施の形態３に係るロール洗浄装置７は、ロール１を支持する支持台９５と、ロール１の中心軸１２周りに支持台９５を回転可能な回転機構９６とを備える。実施の形態３に係るロール洗浄装置７の動作は、実施の形態１及び２で説明した動作と同様であるが、プラズマ処理中に回転機構９６によって、ロール１の中心軸１２周りにロール１を回転させる点が異なる。
【００４６】
実施の形態１及び２に係るロール洗浄装置おいては、ガスの流れ方向がロール１の側面１１に対して平行であるため、フッ素系ガスプラズマ８６で生成された活性化フッ素ガス８７がロール１の側面に向かって拡散しにくい。しかしながら、実施の形態３では、ガスの流れ方向がロール１の側面１１に対して垂直であるため、フッ素系ガスプラズマ８６で生成される活性化フッ素ガス８７は、ロール１の側面に向かって拡散しやすくなる。ただし、一方向から活性化フッ素ガス８７を供給することとなるため、ロール１を回転させる回転機構９６が必要となる。なお、実施の形態１及び２に係るロール洗浄装置においても、回転機構を備えていてもよい。回転機構を備える場合の方が、ロール１の側面１１に対して活性化フッ素ガス８７を均等に供給することができる。
【００４７】
以上のように、本実施の形態では、ロール洗浄装置７の構成要素が複雑になるものの、活性化フッ素ガスを効率よくロール１の側面に供給できるため、短時間でシリカを除去することができ、処理中の温度上昇を抑制することができる。ＳＵＳ上にＣｒやＮｉのメッキなどの処理を施したロールにおいては、ロールの温度上昇によりメッキの剥離などが生じるので、本実施の形態を採用することが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、インプリント用ロール型に使用されるロールの洗浄方法、ロール洗浄装置及びロール型の製造方法に適用できる。
【符号の説明】
【００４９】
１  ロール
３  シリカ
８１  チャンバ
８２  ガス導入口
８３  ガス排気口
８４  電源
８５ａ、８５ｂ  電極
８６  フッ素系ガスプラズマ
８７  活性化フッ素ガス
８８  メッシュシールド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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