(57)【要約】      （修正有）【課題】欠陥の発生が抑制され、基材密着性および導電性に優れた導電膜を製造することができる導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】酸化銅ナノ粒子、有機還元剤及び溶媒を含む導電膜形成用組成物を基材１０の上に塗布して、酸化銅ナノ粒子及び有機還元剤を含む前駆体膜１２を基材の上に形成する前駆体膜形成工程と、前駆体膜に対して、波長５３２ｎｍのレーザー光１６を出力Ｗ１で照射しつつ線速Ｖ１で相対的に走査し、レーザー光が照射された走査領域における酸化銅ナノ粒子を還元して金属銅を含む導電膜１８を形成する照射工程とを備える。レーザー光の線速Ｖ１とレーザー光の出力Ｗ１とが、下式の関係を満たし、レーザー光の出力Ｗ１が４Ｗ以下である。１．０≦Ｖ１／Ｗ１≦１２０、ただし、Ｖ１の単位はｍｍ／ｓであり、Ｗ１の単位はＷである。【選択図】図１
2016058227.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化銅ナノ粒子、有機還元剤および溶媒を含む導電膜形成用組成物を基材の上に塗布して、前記酸化銅ナノ粒子および前記有機還元剤を含む前駆体膜を前記基材の上に形成する前駆体膜形成工程と、
前記前駆体膜に対して、波長５３２ｎｍのレーザー光を出力Ｗ１で照射しつつ線速Ｖ１で相対的に走査し、前記レーザー光が照射された走査領域における前記酸化銅ナノ粒子を還元して金属銅を含む導電膜を形成する照射工程と
を備え、
前記レーザー光の線速Ｖ１と前記レーザー光の出力Ｗ１とが、式１の関係を満たし、前記レーザー光の出力Ｗ１が４Ｗ以下である、導電膜の製造方法。
式１    １．０≦Ｖ１／Ｗ１≦１２０
ただし、レーザー光の出力Ｗ１の単位はＷであり、レーザー光の線速Ｖ１の単位はｍｍ／ｓである。
【請求項２】
さらに、波長５３２ｎｍのレーザー光を出力Ｗ２で照射し、前記レーザー光が照射された領域における前記前駆体膜を除去する前駆体膜除去工程を備え、
前記レーザー光の出力Ｗ２と前記照射工程におけるレーザー光の出力Ｗ１とが式２の関係を満たす、請求項１に記載の導電膜の製造方法。
式２    Ｗ２＞Ｗ１
ただし、レーザー光の出力Ｗ１およびＷ２の単位はいずれもＷである。
【請求項３】
前記酸化銅ナノ粒子が酸化第二銅ナノ粒子である、請求項１または２に記載の導電膜の製造方法。
【請求項４】
前記酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径が３〜２５ｎｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項５】
前記有機還元剤がアルコール化合物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項６】
前記アルコール化合物がポリエチレングリコールおよび／またはポリエチレングリコール以外の多価アルコールを含む、請求項５に記載の導電膜の製造方法。
【請求項７】
前記導電膜形成用組成物が、さらに、第８〜１０属重金属元素の微粒子および／または第８〜１０族重金属元素の塩を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項８】
前記基材がポリエチレンテレフタラート基材、ポリエチレンナフタラート基材およびシクロオレフィンポリマー基材からなる群から選択されるいずれか１つである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項９】
前記レーザー光の出力が０．５〜３．６Ｗである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザー光のスポット径が１０〜４０μｍである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１１】
前記レーザー光の線速が１０〜１２０ｍｍ／ｓである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１２】
前記前駆体膜の膜厚が０．１μｍ以上５μｍ未満である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材上に金属膜を形成する方法として、金属粒子または金属酸化物粒子の分散体を印刷法により基材に塗布し、局所的にレーザー照射して焼結させることによって金属膜や回路基板における配線等の電気的導通部位を形成する技術が知られている。
上記方法は、従来の高熱・真空プロセス（スパッタ）やめっき処理による配線作製法に比べて、簡便・省エネ・省資源であることから次世代エレクトロニクス開発において大きな期待を集めている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、金属酸化物または金属水酸化物の微粒子および金属酸化物または金属水酸化物の微粒子に対して実質的に常温では還元性を有さないがエネルギー照射により還元性を発揮する還元剤を含有する分散液からなる導電膜形成用組成物であって、エネルギー照射により金属酸化物または金属水酸化物の微粒子の少なくとも一部が金属に還元されることを特徴とする導電膜形成用組成物が記載されている。また、その導電膜形成用組成物によって基板上にパターンを描画する工程、および金属酸化物または金属水酸化物の微粒子の少なくとも一部を金属に還元して導電膜を形成する工程を有することを特徴とする導電膜付き基材の製造方法が記載されている。さらに、金属酸化物の微粒子を構成する金属として銅（Ｃｕ）が、還元剤として有機還元剤が、それぞれ記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２５３７９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、近年、低コスト化の観点から、酸化銅粒子を含む組成物を用いて導電性に優れる金属を含有する導電膜を形成する方法の開発が要求されている。
また、近年、電子機器の小型化、高機能化の要求に対応するため、プリント配線板などにおいては配線のより一層の微細化および高集積化が進んでいる。それに伴って、形成される導電膜に欠陥がないこと、および、導電膜の基材密着性および導電性のより一層の向上などが要求されている。
【０００６】
本発明者らは、特許文献１を参照して、酸化銅微粒子、有機還元剤および溶媒を含む導電膜形成用組成物を基材上に塗布して、酸化銅微粒子を含む層に対して、レーザー光を走査することにより導電膜の作製を行ったところ、特許文献１で具体的に開示される条件では、必ずしも、欠陥がなく、基材密着性および導電性に優れた導電膜を作製できないことを知見した。
【０００７】
そこで、本発明は、上記実情に鑑みて、欠陥の発生が抑制され、基材密着性および導電性に優れた導電膜を製造することができる導電膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討した結果、導電膜形成用組成物の成分、レーザー光の照射条件・走査条件などを制御することにより、上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。
【０００９】
（１）酸化銅ナノ粒子、有機還元剤および溶媒を含む導電膜形成用組成物を基材の上に塗布して、酸化銅ナノ粒子および有機還元剤を含む前駆体膜を基材の上に形成する前駆体膜形成工程と、
前駆体膜に対して、波長５３２ｎｍのレーザー光を出力Ｗ１で照射しつつ線速Ｖ１で相対的に走査し、レーザー光が照射された走査領域における酸化銅ナノ粒子を還元して金属銅を含む導電膜を形成する照射工程と
を備え、
レーザー光の線速Ｖ１とレーザー光の出力Ｗ１とが、式１の関係を満たし、レーザー光の出力Ｗ１が４Ｗ以下である導電膜の製造方法。
式１    １．０≦Ｖ１／Ｗ１≦１２０
ただし、レーザー光の出力Ｗ１の単位はＷであり、レーザー光の線速Ｖ１の単位はｍｍ／ｓである。
（２）さらに、波長５３２ｎｍのレーザー光を出力Ｗ２で照射し、レーザー光が照射された領域における前駆体膜を除去する前駆体膜除去工程を備え、
前駆体膜除去工程におけるレーザー光の出力Ｗ２と照射工程におけるレーザー光の出力Ｗ１とが式２の関係を満たす、（１）に記載の導電膜の製造方法。
式２    Ｗ２＞Ｗ１
ただし、レーザー光の出力Ｗ１およびＷ２の単位はいずれもＷである。
（３）酸化銅ナノ粒子が酸化第二銅ナノ粒子である、（１）または（２）に記載の導電膜の製造方法。
（４）酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径が３〜２５ｎｍである、（１）〜（３）のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
（５）有機還元剤がアルコール化合物である、（１）〜（４）のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
（６）アルコール化合物がポリエチレングリコールおよび／またはポリエチレングリコール以外の多価アルコールを含む、（５）に記載の導電膜の製造方法。
（７）導電膜形成用組成物が、さらに、第８〜１０属重金属元素の微粒子および／または第８〜１０族重金属元素の塩を含む、（１）〜（６）のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
（８）基材がポリエチレンテレフタラート基材、ポリエチレンナフタラート基材およびシクロオレフィンポリマー基材からなる群から選択されるいずれか１つである、（１）〜（７）のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
（９）レーザー光の出力が０．５〜３．６Ｗである、（１）〜（８）のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
（１０）レーザー光のスポット径が１０〜４０μｍである、（１）〜（９）のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
（１１）レーザー光の線速が１０〜１２０ｍｍ／ｓである、（１）〜（１０）のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
（１２）前駆体膜の膜厚が０．１μｍ以上５μｍ未満である、（１）〜（１１）のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、酸化銅ナノ粒子から金属銅への還元が効率よく進行し、欠陥の発生が抑制され、基材密着性および導電性に優れた導電膜を製造することができる導電膜の製造方法を提供することができる。
【００１１】
また、本発明によれば、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタラート（ＰＥＮ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）等の低耐熱基材上に、欠陥の発生が抑制され、基材密着性および導電性に優れた微細配線を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、照射工程の態様を示す概略図である。
【図２】図２は、照射工程の好適態様を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の導電膜の製造方法の好適態様について詳述する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
上述したように、本発明の特徴点は、レーザー光の照射条件および走査条件を制御する点が挙げられる。より具体的には、レーザー光の波長を５３２ｎｍ、出力Ｗ１［Ｗ］を４Ｗ以下、出力Ｗ１［Ｗ］と線速（走査速度）Ｖ１［ｍｍ／ｓ］とが下記式１の関係を満たすように、レーザー光の照射条件および走査条件を制御することにより、所望の効果が得られることを見出している。
式１    １．０≦Ｖ１／Ｗ１≦１２０
【００１４】
このように条件を制御することにより、所望の効果が得られる機構は以下のように説明される。
まず、酸化銅ナノ粒子を含む前駆体膜（被照射物）に対して、レーザー光を照射すると、被照射物で吸収されたレーザー光は熱エネルギーに変換される。波長５３２ｎｍのレーザー光は酸化銅の吸収波長に重なるため、効率的な光熱変換を実現する。この際、レーザー光の出力および線速（走査速度）によって前駆体中の熱エネルギー量が変わってくる。具体的には、レーザー光の出力を一定とした場合、線速が大きすぎるときは、前駆体膜中の熱エネルギー量が少なく、酸化銅ナノ粒子の還元が十分に進行せず、線速が小さすぎるときは、前駆体膜中の熱エネルギーが残存して不要な副反応が進行してしまう。また、レーザー光の線速（走査速度）を一定とした場合、出力が大きすぎるときは、前駆体膜中の熱エネルギーが残存して不要な副反応が進行してしまい、出力が小さすぎるときは、前駆体膜中の熱エネルギー量が少なく、酸化銅ナノ粒子の還元が十分に進行しない。本発明は、上記の知見をもとに、酸化銅ナノ粒子の還元に適した、レーザー光の出力と線速（走査速度）との関係を見出している。
【００１５】
本発明の導電膜の製造方法の好適態様は、前駆体膜を形成する前駆体膜形成工程と、前駆体膜にレーザー光を照射する照射工程との少なくとも２つを有する。
以下に、各工程で使用される材料・手順についてそれぞれ詳述する。
【００１６】
［前駆体膜形成工程］
前駆体膜形成工程は、酸化銅ナノ粒子、有機還元剤および溶媒を含む導電膜形成用組成物を基材の上に塗布して、酸化銅ナノ粒子および有機還元剤を含む前駆体膜を基材の上に形成する工程である。
本工程を実施することにより、後述するレーザー光が照射される前駆体膜が形成される。
以下では、まず、本工程で使用される材料について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
【００１７】
（酸化銅ナノ粒子）
導電膜形成用組成物には酸化銅ナノ粒子が含まれる。酸化銅ナノ粒子は、後述するレーザー光照射処理によって還元され、導電膜中の金属銅を構成する。
本発明における「酸化銅」とは、酸化されていない銅を実質的に含まない化合物であり、具体的には、Ｘ線回折による結晶解析において、酸化銅由来のピークが検出され、かつ金属由来のピークが検出されない化合物のことを指す。銅を実質的に含まないとは、限定的ではないが、銅の含有量が酸化銅に対して１質量％以下であることをいう。
【００１８】
酸化銅としては、酸化第一銅または酸化第二銅が好ましく、安価に入手可能であること、安定であることから酸化第二銅であることがさらに好ましい。
【００１９】
酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径の上限は特に限定されないが、１００ｎｍ以下が好ましく、酸化銅から金属銅への還元が良好に進行し、所望の導電膜が得られることから、５０ｎｍ以下がより好ましい。より効果が優れる点で、２５ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１５ｎｍ以下がさらに好ましく、１０ｎｍ以下がいっそう好ましく、５ｎｍ以下がよりいっそう好ましい。酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径の下限も特に制限されないが、粒子表面の活性が高くなりすぎず、取扱い性に優れる点から、１ｎｍ以上が好ましく、３ｎｍ以上がより好ましい。より具体的には、酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径は、１〜５０ｎｍが好ましく、１〜２５ｎｍがより好ましく、３〜２５ｎｍがさらに好ましく、３〜２０ｎｍがいっそう好ましく、３〜１５ｎｍがよりいっそう好ましく、３〜１０ｎｍがさらにいっそう好ましい。
【００２０】
なお、酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径は、走査型電子顕微鏡（以下「ＳＥＭ」という場合がある。）像の中から無作為に選んだ１０００個の粒子の水平フェレ径および垂直フェレ径を測定し、それらのうちの小さくない方の測定値をその粒子の１次粒子径として、算術平均して算出したものである。ただし、水平フェレ径のおよび垂直フェレ径が等しい場合には、どちらの測定値を使用してもよい。
【００２１】
また、酸化銅ナノ粒子の平均アスペクト比は、特に限定されないが、１．２〜４．０が好ましい。平均アスペクト比は、上記１０００個の粒子のアスペクト比を測定し、平均したものである。平均アスペクト比がこの範囲内であると、得られる導電膜の導電性がより優れたものとなる。
【００２２】
なお、酸化銅ナノ粒子の平均アスペクト比は、無作為に選んだ１０００個の粒子の水平フェレ径および垂直フェレ径のうちの小さくない方の測定値を、大きくない方の測定値で除して求めたものを平均したものである。
【００２３】
酸化銅ナノ粒子のうち、粒子径が２５ｎｍ以上であるものの割合は、特に限定されないが、４％以下が好ましく、２％以下がより好ましい。粒子径がより小さな酸化銅ナノ粒子の割合が増えることで、焼結の際に酸化銅の還元と還元により生じた金属銅の融着がより進行しやすくなり、基材密着性および導電性が向上するからである。
【００２４】
酸化銅ナノ粒子の合成方法（造粒方法）としては、気相中で造粒を行う乾式造粒法と、液相中で造粒を行う湿式造粒法があるが、１次粒子径がより小さな粒子を製造するためには湿式造粒法が適している。
具体的には、特開２００３−１８３０２４号公報等に記載されているように、溶媒中で硝酸銅等の２価の銅の塩と塩基とを反応させて水酸化銅粒子の分散液を生成し、水酸化銅を加熱脱水することによって酸化銅を合成し、酸化銅ナノ粒子の分散液を得る方法が好ましい。より低温で、短時間で合成することが可能であり、所望の粒子形状／分布に制御しやすい。
上記反応で造粒を行う場合、溶媒として、水または、沸点が１５０〜３００℃の多価アルコールを用いることが好ましい。加熱脱水時に揮発せず、また、作製した酸化銅ナノ粒子の分散安定性に優れるので好ましい。
【００２５】
（有機還元剤）
導電膜形成用組成物には有機還元剤が含まれる。有機還元剤は後述するレーザー光処理によって分解されて還元性物質を生じ、前駆体膜中の酸化銅を還元する。
有機還元剤は酸化銅ナノ粒子の酸化銅を金属銅に還元することができる有機化合物であれば特に限定されないが、得られる導電膜の導電性を損なわないことから、アルコール化合物が好ましい。
【００２６】
アルコール化合物は分子中にアルコール性ヒドロキシ基を１個以上有する化合物であれば特に限定されないが、具体的には、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、２−プロパノール、アリルアルコール、ブタノール、２−ブタノール、ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、シクロペンタノール、ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、シクロヘキサノール、ヘプタノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、４−ヘプタノール、シクロヘプタノール、オクタノール、２−オクタノール、３−オクタノール、４−オクタノール、シクロオクタノール、ノナノール、２−ノナノール、３，５，５−トリメチル−１−ヘキサノール、３−メチル−３−オクタノール、３−エチル−２，２−ジメチル−３−ペンタノール、２，６−ジメチル−４−ヘプタノール、デカノール、２−デカノール、３，７−ジメチル−１−オクタノール、３，７−ジメチル−３−オクタノール、ウンデカノール、ドデカノール、２−ドデカノール、２−ブチル−１−オクタノール、トリデカノール、テトラデカノール、２−テトラデカノール、ペンタデカノール、ヘキサデカノール、２−ヘキサデカノール、ヘプタデカノール、オクタデカノール、１−フェネチルアルコール、２−フェネチルアルコール等の１価のアルコール；エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，２−ヘキサンジオール、１，５−ヘキサンジオール、１，６−ヘキサンジオール、２，５−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，２−オクタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，３−ノナンジオール、１，９−ノナンジオール、１，２−デカンジオール、１，１０−デカンジオール、２，７−ジメチル−３，６−オクタンジオール、２，２−ジブチル−１，３−プロパンジオール、１，２−ドデカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、１，２−テトラデカンジオール、１，１４−テトラデカンジオール、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール、２，４−ペンタンジオール、１，２−シクロヘキサンジメタノール、１，３−シクロヘキサンジメタノール、１−ヒドロキシメチル−２−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキサン、１−ヒドロキシ−２−（３−ヒドロキシプロピル）シクロヘキサン、１−ヒドロキシ−２−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキサン、１−ヒドロキシメチル−２−（２−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１−ヒドロキシメチル−２−（３−ヒドロキシプロピル）ベンゼン、１−ヒドロキシ−２−（２−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１，２−ベンジルジメチロール、１，３−ベンジルジメチロール、１，２−シクロヘキサンジオール，１，３−シクロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の２価のアルコール；グリセリン（プロパン−１，２，３−トリオール）、ブタン−１，２，４−トリオール、ヘキサン−１，２，６−トリオール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、トリメチロールプロパン（２−（ヒドロキシメチル）−２−エチルプロパン−１，３−ジオール）等の３価のアルコール；シクロオクタン−１，３，５，７−テトラオール、ペンタエリスリトール（２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１，３−プロパンジオール）等の４価のアルコールなどが挙げられる。
【００２７】
有機還元剤としては、沸点２５０℃以上の多価アルコールが好ましい。沸点２５０℃以上の多価アルコールを用いると、レーザー照射処理中にも多価アルコールが前駆体膜中に残存し、酸化銅を十分に還元することができ、得られる導電膜の導電性がより良好なものとなる。沸点２５０℃以上の多価アルコールとしては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の２価アルコール、トリメチロールプロパン等の３価アルコールが好ましい。有機還元剤としては、ポリエチレングリコールおよび／またはポリエチレングリコール以外の多価アルコールを含むことが好ましく、ポリエチレングリコールおよびポリエチレングリコール以外の多価アルコールを含むことがより好ましい。ポリエチレングリコール以外の多価アルコールとしては、トリメチロールプロパンが特に好ましい。
ポリエチレングリコールとポリエチレングリコール以外の多価アルコールとの含有量比は、特に限定されないが、質量比で、（ポリエチレングリコール以外の多価アルコール）／（ポリエチレングリコール）が１０／１０〜３０／１０が好ましく、２０／１０が特に好ましい。
【００２８】
導電膜形成用組成物中の有機還元剤の含有量は特に限定されないが、得られる導電膜の欠陥がより少なく、基材密着性および導電性により優れる点で、酸化銅ナノ粒子１００質量部に対して、１〜１００質量部が好ましく、１０〜１００質量部がより好ましく、１０〜７５質量部がさらに好ましく、３０〜６０質量部がいっそう好ましい。
【００２９】
（溶媒）
導電膜形成用組成物には溶媒が含まれる。
溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、２−プロパノール、アリルアルコール、ブタノール、２−ブタノール、ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、シクロペンタノール、ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、トリグライム、テトラグライム等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸ブチル、安息香酸ベンジル、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、カプロラクトン等のエステル系溶媒、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、テトラリン、ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ヘキサメチルリン酸トリアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン等のアミドまたは環状アミド系溶媒類、ジメチルスルホン等のスルホン系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、水等が挙げられる。溶媒は１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
溶媒の沸点は特に限定されないが、導電膜中に残留せず、得られる導電膜の欠陥がより少なく、基材密着性および導電性により優れる点で、２５０℃未満が好ましく、１８０℃未満がより好ましい。
溶媒としては、酸化銅ナノ粒子の分散性が良好であることから、水、エタノールまたはこれらの混合溶媒が好ましく、水がより好ましい。
【００３０】
導電膜形成用組成物中の溶媒の含有量は特に限定されないが、酸化銅ナノ粒子１００質量部に対して、１〜１０００質量部が好ましく、５〜５００質量部がより好ましく、１０〜２００質量部がさらに好ましい。
【００３１】
（第８〜１０族重金属元素の微粒子および／または第８〜１０族重金属元素の塩）
導電膜形成用組成物には第８〜１０族重金属元素の微粒子（以下「重金属微粒子」という場合がある）および／または第８〜１０族重金属元素の塩（以下「重金属塩」という場合がある）が含まれてもよい。言い換えれば、周期律表の８族〜１０族からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を含む微粒子および／または塩を含んでいてもよい。導電膜形成用組成物が重金属微粒子および／または重金属塩を含有することにより、導電膜の欠陥の発生がさらに抑制されるとともに、より導電性に優れた導電膜が得られる。
【００３２】
第８〜１０族重金属元素の微粒子としては、具体的には、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ルビジウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）等の第８〜１０族重金属元素の単体または合金からなる微粒子が挙げられる。合金としては、ルテニウム−白金合金、銀−パラジウム合金等が挙げられる。重金属微粒子としては、パラジウムまたは白金の微粒子が好ましい。重金属微粒子のサイズは、特に限定されないが、１〜１０ｎｍが好ましく、１〜５ｎｍがより好ましい。
【００３３】
第８〜１０族重金属元素の塩としては、具体的には、三塩化ルテニウム、三臭化ルテニウム、三塩化ロジウム、三塩化イリジウム、ナトリウムヘキサクロロイリデート、二塩化パラジウム、カリウムテトラクロロパラデート、二塩化白金、カリウムテトラクロロプラチネート、二塩化ニッケル、三塩化鉄、三塩化コバルト等のハロゲン化物塩、酢酸ルテニウム、酢酸ロジウム、酢酸パラジウム等の酢酸塩、トリフルオロ酢酸ルテニウム、トリフルオロ酢酸ロジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム等のトリフルオロ酢酸塩、硫酸第一鉄等の硫酸塩、硝酸ルテニウム、硝酸ロジウム、硝酸コバルト、硝酸ニッケル等の硝酸塩、炭酸コバルト、炭酸ニッケル等の炭酸塩、水酸化コバルト、水酸化ニッケル等の水酸化物、トリ（アセチルアセトナト）ルテニウム、ジ（アセチルアセトナト）ニッケル、ジ（アセチルアセトナト）パラジウム等のアセチルアセトナト塩等を例示することができる。これらのうちでも、パラジウムまたは白金の塩が好ましい。
【００３４】
導電膜形成用組成物が重金属微粒子および／または重金属塩を含む場合の重金属微粒子および重金属塩の含有量の合計は特に制限されないが、得られる導電膜の欠陥がより少なく、導電性により優れる点で、酸化銅ナノ粒子１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部が好ましく、０．０１〜１０質量部がより好ましく、０．１〜１０質量部がさらに好ましく、０．５〜９質量部がいっそう好ましく、１〜５質量部がよりいっそう好ましく、３〜５質量部がさらにいっそう好ましい。
【００３５】
（その他成分）
導電膜形成用組成物には、酸化銅ナノ粒子、有機還元剤、溶媒、ならびに重金属微粒子および／または重金属塩以外にも、他の成分が含まれていてもよい。
【００３６】
例えば、導電膜形成用組成物には、界面活性剤が含まれていてもよい。界面活性剤は、酸化銅ナノ粒子の分散性を向上させる役割を果たす。界面活性剤の種類は特に制限されず、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられる。これら界面活性剤は、１種を単独、または２種以上を混合して用いることができる。
【００３７】
（工程の手順）
上記導電膜形成用組成物を基材上に付与する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法などの塗布法が挙げられる。
塗布の形状は特に制限されず、基材全面を覆う面状であっても、パターン状（例えば、配線状、ドット状）であってもよい。
【００３８】
本工程においては、必要に応じて、導電膜形成用組成物を基材へ塗布した後に乾燥処理を行い、溶媒を除去してもよい。残存する溶媒を除去することにより、後述する照射工程において、溶媒の気化膨張に起因する微小なクラックや空隙の発生を抑制することができ、導電膜の導電性および基材密着性の点で好ましい。
乾燥処理の方法としては温風乾燥機、ホットプレートなどによる基材の加熱などを用いることができ、温度としては、酸化銅ナノ粒子の還元が生じないような温度が好ましく、５０℃以上１００℃未満で加熱処理を行なうことが好ましく、７０〜９０℃で加熱処理を行なうことがより好ましい。乾燥処理は、非酸化的雰囲気および酸化的雰囲気のいずれで行われてもよい。非酸化的雰囲気としては、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気、水素等の還元性ガス雰囲気などが挙げられる。酸化的雰囲気としては、大気雰囲気、酸素雰囲気などが挙げられる。
【００３９】
（前駆体膜）
前駆体膜は、酸化銅ナノ粒子および有機還元剤を含み、後述する光照射により酸化銅ナノ粒子が金属銅に還元され、導電膜になる。
前駆体膜には酸化銅ナノ粒子および有機還元剤が含まれ、特に、酸化銅ナノ粒子が主成分として含まれることが好ましい。ここで主成分とは、前駆体膜全質量中、酸化銅ナノ粒子の占める質量が２０質量％以上であることを意図し、５０質量％以上が好ましい。上限は特に制限されないが、９５質量％が挙げられる。
前駆体膜には、酸化銅ナノ粒子および有機還元剤以外の成分（例えば、重金属微粒子および／または重金属塩、界面活性剤など）が含まれていてもよい。
【００４０】
前駆体膜の厚み（膜厚）は特に限定されないが、後述する光照射による酸化銅ナノ粒子の還元効率がより優れる点で、０．１〜１５μｍが好ましく、０．１〜１０μｍがより好ましく、０．１μｍ以上５．０μｍ未満がさらに好ましい。特に、前駆体膜の膜厚が０．１μｍ以上５．０μｍ未満の範囲内では、欠陥の発生が抑制され、基材密着性および導電性がより優れた導電膜を製造することができる。
なお、上記前駆体膜の厚み（膜厚）は平均厚み（平均膜厚）であり、任意の１０点の厚み（膜厚）を測定し、それらを算術平均したものである。
また、前駆体膜は基材全面に設けられていてもよく、パターン状に設けられていてもよい。
【００４１】
（基材）
本工程で使用される基材に使用される材料としては、例えば、樹脂、紙、ガラス、シリコン系半導体、化合物半導体、金属酸化物、金属窒化物、木材、またはこれらの複合物が挙げられる。
より具体的には、低密度ポリエチレン樹脂、高密度ポリエチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタラート）、ポリアセタール樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、セルロース誘導体等の樹脂基材；非塗工印刷用紙、微塗工印刷用紙、塗工印刷用紙（アート紙、コート紙）、特殊印刷用紙、コピー用紙（ＰＰＣ用紙）、未晒包装紙（重袋用両更クラフト紙、両更クラフト紙）、晒包装紙（晒クラフト紙、純白ロール紙）、コートボール、チップボール、段ボール等の紙基材；ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、シリカガラス、石英ガラス等のガラス基材；アモルファスシリコン、ポリシリコン等のシリコン系半導体基材；ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ等の化合物半導体基材；銅板、鉄板、アルミ板等の金属基材；アルミナ、サファイア、ジルコニア、チタニア、酸化イットリウム、酸化インジウム、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ネサ（酸化錫）、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化錫）、フッ素ドープ酸化錫、酸化亜鉛、ＡＺＯ（アルミドープ酸化亜鉛）、ガリウムドープ酸化亜鉛、窒化アルミニウム基材、炭化ケイ素等のその他無機基材；紙−フェノール樹脂、紙−エポキシ樹脂、紙−ポリエステル樹脂等の紙−樹脂複合物、ガラス布−エポキシ樹脂、ガラス布−ポリイミド系樹脂、ガラス布−フッ素樹脂等のガラス−樹脂複合物等の複合基材等が挙げられる。
【００４２】
なかでも、基材としては、例えば、ポリイミド基材、ポリエチレンテレフタラート基材、ポリエチレンナフタラート基材、ポリカーボネート基材、セルロースエステル基材、ポリ塩化ビニル基材、ポリ酢酸ビニル基材、ポリウレタン基材、シリコーン基材、ポリビニルエチルエーテル基材、ポリサルファイド基材、ポリオレフィン基材、ポリアクリレート基材、シクロオレフィンポリマー基材、およびガラスエポキシ基材からなる群から選択される少なくとも一つが好ましい。さらに、好ましくは、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）基材、ポリエチレンナフタラート（ＰＥＮ）基材およびシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）基材からなる群から選択されるいずれかである。
【００４３】
［照射工程］
照射工程は、上記工程で得られた前駆体膜に対して、波長５３２ｎｍのレーザー光を出力Ｗ１［Ｗ］で照射しつつ線速Ｖ１［ｍｍ／ｓ］で相対的に走査し、レーザー光が照射された走査領域における酸化銅ナノ粒子を還元して金属銅を含む導電膜を形成する工程である。レーザー光照射を行うことにより、酸化銅ナノ粒子が光を吸収し、吸収された光が熱に変換され、前駆体膜内部に熱が浸透することにより、内部においても酸化銅から金属銅への還元反応が進行する。つまり、上記処理を施すことにより、酸化銅の粒子が還元されて得られる金属銅の粒子どうしが互いに融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して導電膜を形成する。
【００４４】
以下に、本工程に関して、図面を参照してより詳細に説明する。
図１では、基材１０上に配置された前駆体膜１２に対して、レーザー光源１４からレーザー光１６を照射する態様を示す。図１においては、図示しない走査機構によりレーザー光源１４を矢印の方向に移動させ、前駆体膜１２表面を走査させつつ、所定の領域に照射を行う。レーザー光１６が照射された領域（レーザー光１６の走査領域）では、酸化銅ナノ粒子から金属銅への還元反応が進行し、金属銅を含む導電膜１８が形成される。
図１において、導電膜１８は直線状のパターンであるが、その形状は図１の態様に限定されない。例えば、曲線状であってもよく、基材全面に渡って導電膜が形成されてもよい。
【００４５】
図１においては、走査機構によりレーザー光源１４が移動する態様が例示されているが、本態様に限定されず、レーザー光と被照射物である前駆体膜とが相対的に走査されればよい。例えば、被照射物である前駆体膜付き基材を走査面に対して水平方向に移動可能なＸ−Ｙ軸ステージ上に載置して、レーザー光を固定した状態でステージを移動させることにより、レーザー光を前駆体膜表面に走査させる方法が挙げられる。もちろん、レーザー光と、被照射物である前駆体膜とが共に移動する態様であってもよい。
【００４６】
レーザー光の波長は、５３２μｍである。この波長のレーザー光であれば、前駆体膜の内部にも侵入することができ、酸化銅の吸収波長とも一致するため、前駆体膜内部の酸化銅ナノ粒子が光を吸収し熱に変換することで酸化銅を効率よく金属銅へ還元することができる。
上記レーザーとしては、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（ネオジム添加バナジン酸イットリウムレーザー）が好ましい。
【００４７】
本工程において、レーザー光の線速とレーザー光の出力とは、下記式１の関係を満たす。
式１    １．０≦Ｖ１／Ｗ１≦１２０
ただし、式１中、
Ｖ１：レーザー光の線速［ｍｍ／ｓ］
Ｗ１：レーザー光の出力［Ｗ］
【００４８】
また、レーザー光の線速とレーザー光の出力とは、下記式１−１の関係を満たすことが好ましい。
式１−１が    ２．５≦Ｖ１／Ｗ１≦９０．０
ただし、式１−１において、Ｖ１およびＷ１は上記と同じ意味である。
【００４９】
本工程において、レーザー光の出力（照射エネルギー）は４Ｗ以下であり、上記式１の関係を満たしていればよい。４Ｗを超えると、前駆体膜中の熱エネルギーが過大となり、前駆体膜の温度が急激に上昇するため、もはや前駆体膜が基材上に留まることはできず、飛散する。レーザー光の出力（照射エネルギー）は４Ｗ以下であれば特に限定されないが、前駆体膜中において酸化銅から銅への還元がより効率よく進行するとともに導電膜の欠陥をより抑制できる点で、０．５〜３．６Ｗが好ましく、０．５〜２．５Ｗがより好ましく、１．０〜２．０Ｗがさらに好ましい。
【００５０】
本工程において、レーザー光の線速（走査速度）は上記式１の関係を満たしていれば特に限定されないが、前駆体膜中において酸化銅から銅への還元がより効率よく進行するとともに導電膜の欠陥をより抑制できる点で、１０〜１２０ｍｍ／ｓが好ましく、１０〜８０ｍｍ／ｓがより好ましく、１０〜６０ｍｍ／ｓがさらに好ましい。
【００５１】
前駆体膜表面に照射されるレーザー光のスポット径は特に制限されず、形成される導電膜の幅に応じて適宜調整される。例えば、導電膜をプリント配線基板の配線として用いる場合、細線な配線を形成できる点で、スポット径は５〜２００μｍが好ましく、５〜１００μｍがより好ましく、１０〜６０μｍがさらに好ましく、１０〜４０μｍがいっそう好ましい。
【００５２】
本工程において前駆体膜表面の一地点あたりの照射時間は特に制限されないが、導電膜の欠陥がより少なく、導電性により優れる点で、１０００〜９０００μｓが好ましく、１５００〜８０００μｓがより好ましい。
ここで、照射時間は、レーザー光が照射される前駆体膜表面上の任意の一地点におけるレーザー光が照射される時間を意味する。照射時間は、線速（走査速度）とスポット径より計算できる。例えば、前駆体膜表面上に照射される連続発振レーザー光の走査する方向におけるスポット径（直径）が６０μｍで、その走査速度が１０ｍ／ｓである場合、照射時間は６μｓと計算される。
【００５３】
上記レーザー光照射処理を実施する雰囲気は特に制限されず、大気雰囲気下、不活性雰囲気下、または還元性雰囲気下などが挙げられる。なお、不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素等の不活性ガスで満たされた雰囲気であり、また、還元性雰囲気とは、水素、一酸化炭素等の還元性ガスが存在する雰囲気を指す。
【００５４】
レーザー光の走査条件の好適態様としては、レーザー光を照射した第１の走査領域と隣接した領域をレーザー光で走査する際に、第１の走査領域と一部重複するようにレーザー光を照射し、重複する領域の幅がレーザー光のスポット径の１５〜３０％の大きさである態様が挙げられる。
図２を用いて、上記態様を説明する。図２に示すように、基材１０上に配置された前駆体膜１２に対して、レーザー光源１４からレーザー光１６を照射した第１の走査領域２０と隣接した隣接領域２２をレーザー光１６で走査する際に、第１の走査領域２０と隣接領域２２とが一部重複するようにレーザー光１６を照射する。その際、重複領域２４（斜線部）の幅Ｗがレーザー光１６のスポット径Ｄの１５〜３０％の大きさに相当するように、レーザー光１６を照射する。言い換えると、重複領域２４の幅Ｗのレーザー光１６のスポット径Ｄに対する割合｛（Ｗ／Ｄ）×１００｝（重なり率）が１５〜３０％となるように、レーザー光を照射する。走査方法を実施することにより、欠陥がより少なく、導電性に優れる導電膜が得られる。
なお、図２においては、第１の走査領域２０は直線状のパターンであるが、この態様に限定されない。
【００５５】
（導電膜）
上記工程を実施することにより、金属銅を含有する導電膜（金属膜）が得られる。
導電膜の膜厚は特に限定されないが、０．１〜１５μｍが好ましく、プリント配線基板用途の点からは、０．１〜１０μｍがより好ましく、０．１μｍ以上５．０μｍ未満がさらに好ましい。
なお、上記導電膜の厚み（膜厚）は平均厚み（平均膜厚）であり、任意の１０点の厚み（膜厚）を測定し、それらを算術平均したものである。
【００５６】
導電膜の体積抵抗率は、導電性の点から、３００μΩ・ｃｍ未満が好ましく、１００μΩ・ｃｍ未満がより好ましく、５０μΩ・ｃｍ未満がさらに好ましい。
体積抵抗率は、導電膜の表面抵抗値を四探針法にて測定後、得られた表面抵抗値に導電膜の膜厚を乗算することで算出することができる。
【００５７】
導電膜は基材の全面、または、パターン状に設けられてもよい。パターン状の導電膜は、プリント配線基板などの導体配線（配線）として有用である。
パターン状の導電膜を得る方法としては、導電膜形成用組成物をパターン状に基材に付与して、レーザー光照射処理を行う方法や、基材全面に設けられた導電膜をパターン状にエッチングする方法や、基材全面に設けられた前駆体膜にパターン状にレーザー光を照射する方法などが挙げられる。なお、エッチングの方法は特に制限されず、公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを採用できる。
【００５８】
導電膜をパターン状に設けた場合、必要に応じて、レーザー光が照射されていない前駆体膜の未照射領域を除去してもよい。未照射領域の除去方法は特に制限されず、酸などのエッチング溶液を使用してエッチングする方法、レーザー光を照射して除去する方法が挙げられる。
【００５９】
前駆体膜の未照射領域にレーザー光を照射して除去する方法としては、具体的には、前駆体膜に対して、波長５３２ｎｍのレーザー光を出力Ｗ２［Ｗ］で照射し、レーザー光が照射された領域における前駆体膜を除去する方法が挙げられる。
ここで、レーザー光の出力Ｗ２［Ｗ］と上記照射工程におけるレーザー光の出力Ｗ１［Ｗ］とは下記式２の関係を満たす。
式２    Ｗ２＞Ｗ１
好ましくは、Ｗ２＞４［Ｗ］である。
この方法は、上記照射工程の後の工程として実施することができる。
【００６０】
パターン状の導電膜をプリント配線基板として構成する場合、パターン状の導電膜の表面に、さらに絶縁層（絶縁樹脂層、層間絶縁膜、ソルダーレジスト）を積層して、その表面にさらなる配線（金属パターン）を形成してもよい。
【００６１】
絶縁膜の材料は特に制限されないが、例えば、エポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など）、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶樹脂など挙げられる。
これらの中でも、密着性、寸法安定性、耐熱性、電気絶縁性等の観点から、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、または液晶樹脂を含有するものであることが好ましく、より好ましくはエポキシ樹脂である。具体的には、味の素ファインテクノ（株）製、ＡＢＦ  ＧＸ−１３などが挙げられる。
【００６２】
また、配線保護のために用いられる絶縁層の材料の一種であるソルダーレジストについては、例えば、特開平１０−２０４１５０号公報や、特開２００３−２２２９９３号公報等に詳細に記載され、ここに記載の材料を所望により本発明にも適用することができる。ソルダーレジストは市販品を用いてもよく、具体的には、例えば、太陽インキ製造（株）製ＰＦＲ８００、ＰＳＲ４０００（商品名）、日立化成工業（株）製  ＳＲ７２００Ｇ、などが挙げられる。
【００６３】
上記で得られた導電膜を有する基材（導電膜付き基材）は、種々の用途に使用することができる。例えば、プリント配線基板、ＴＦＴ、ＦＰＣ、ＲＦＩＤなどが挙げられる。
【実施例】
【００６４】
［酸化銅ナノ粒子の合成］
〈合成例１〉
（平均１次粒子径が５ｎｍの酸化銅ナノ粒子）
硝酸銅（和光純薬工業社製）を精製水に溶解し、０．１ｍｏｌ／Ｌの硝酸銅水溶液を調製した。次に、水酸化ナトリウムを精製水に溶解し、０．２ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を調製した。
エチレングリコール（和光純薬工業社製）１００ｍＬを２００ｍＬ容耐熱ガラス製フラスコにとり、オイルバスで９０℃に加熱した。このフラスコに、調製した０．１ｍｏｌ／Ｌ硝酸銅水溶液および０．２ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液を、それぞれ２０ｍＬずつ、１０秒以内に添加し、１０分間９０℃で加熱して、酸化銅ナノ粒子を分散液として得た。この分散液中には、酸化銅ナノ粒子の他に、ナトリウムイオンおよび硝酸イオンが含まれている。
得られた分散液を、２００００×ｇで３０分間の遠心分離にかけ、沈殿物を水に再分散させた。この遠心分離−再分散処理を３回繰り返した。この処理によって、酸化銅ナノ粒子の分散液からナトリウムイオンおよび硝酸イオンを除去し、粒子濃度が２０質量％の酸化銅分散液を得た。
得られた酸化銅ナノ粒子分散液に、分散質と同質量のジルコニアビーズを添加し、あわとり錬太郎で３分間攪拌分散することで、酸化銅ナノ粒子分散液を得た。
ＸＲＤ分析により、３５．５°および３８°付近にそれぞれ（００２）、（１１１）面に由来する強い回折ピークを観測し、得られた酸化銅ナノ粒子が酸化第二銅からなることを確認した。
また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ観察）の結果、得られた酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径は５ｎｍであり、平均アスペクト比は１．５であり、１次粒子径２５ｍ以上の粒子の割合は２％であった。
こうして得られた酸化銅ナノ粒子を、以下「酸化銅ナノ粒子１」という。
【００６５】
〈合成例２〉
（平均１次粒子径が３ｎｍの酸化銅ナノ粒子）
０．１ｍｏｌ／Ｌ硝酸銅水溶液（２０ｍＬ）および０．２ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍＬ）に代えて、０．０５ｍｏｌ硝酸銅水溶液（２０ｍＬ）および０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍＬ）を使用した点を除いて、酸化銅ナノ粒子１と同様にして合成し、酸化銅ナノ粒子分散物を得た。
ＸＲＤ分析により、得られた酸化銅ナノ粒子が酸化第二銅からなることを確認した。
また、ＴＥＭ観察の結果、得られた酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径は３ｎｍであり、平均アスペクト比は１．５であり、１次粒子径２５ｎｍ以上の粒子の割合は０％であった。
こうして得られた酸化銅ナノ粒子を、以下「酸化銅ナノ粒子２」という。
【００６６】
〈合成例３〉
（平均１次粒子径が８ｎｍの酸化銅ナノ粒子）
０．１ｍｏｌ／Ｌ硝酸銅水溶液（２０ｍＬ）および０．２ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍＬ）に代えて、３ｍｏｌ／ｍＬ硝酸銅水溶水溶液（２０ｍＬ）および６ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍＬ）を使用した点を除いて、酸化銅ナノ粒子１と同様にして合成し、酸化銅ナノ粒子分散物を得た。
ＸＲＤ分析により、得られた酸化銅ナノ粒子が酸化第二銅からなることを確認した。
また、ＴＥＭ観察の結果、得られた酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径は８ｎｍであり、平均アスペクト比は１．５であり、１次粒子径２５ｎｍ以上の粒子の割合は２％であった。
こうして得られた酸化銅ナノ粒子を、以下「酸化銅ナノ粒子３」という。
【００６７】
〈合成例４〉
（平均１次粒子径が１５ｎｍの酸化銅ナノ粒子）
エチレングリコール（１００ｍＬ）に代えて、水（１００ｍＬ）を使用した点を除いて、酸化銅ナノ粒子１と同様にして合成し、酸化銅ナノ粒子分散物を得た。
ＸＲＤ分析により、得られた酸化銅ナノ粒子が酸化第二銅からなることを確認した。
また、ＴＥＭ観察の結果、得られた酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径は１５ｎｍであり、平均アスペクト比は３．８であり、１次粒子径２５ｎｍ以上の粒子の割合は１５％であった。
こうして得られた酸化銅ナノ粒子を、以下「酸化銅ナノ粒子４」という。
【００６８】
〈合成例５〉
（平均１次粒子径が２０ｎｍの酸化銅ナノ粒子）
エチレングリコール（１００ｍＬ）に代えて、水（１００ｍＬ）を使用した点を除いて、酸化銅ナノ粒子１と同様にして合成し、酸化銅ナノ粒子分散物を得た。
ＸＲＤ分析により、得られたナノ粒子が酸化第二銅からなるナノ粒子であることを確認した。
また、ＴＥＭ観察の結果、得られた酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径は２０ｎｍであり、平均アスペクト比は４．０であり、１次粒子径２５ｎｍ以上の粒子の割合は１８％であった。
こうして得られた酸化銅ナノ粒子を、以下「酸化銅ナノ粒子５」という。
【００６９】
〈合成例６〉
（平均１次粒子径が１５ｎｍの酸化銅ナノ粒子）
０．１ｍｏｌ／Ｌ硝酸銅水溶液（２０ｍＬ）および０．２ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍＬ）に代えて、０．５ｍｏｌ硝酸銅水溶液（２０ｍＬ）および１．０ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍＬ）を使用した点、ならびにエチレングリコール（１００ｍＬ）に代えて、水（１００ｍＬ）を使用した点を除いて、酸化銅ナノ粒子１と同様にして合成し、酸化銅ナノ粒子分散物を得た。
ＸＲＤ分析により、得られた酸化銅ナノ粒子が酸化第二銅からなることを確認した。
また、ＴＥＭ観察の結果、得られた酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径は２５ｎｍであり、平均アスペクト比は４．８であり、１次粒子径２５ｎｍ以上の粒子の割合は２０ ％であった。
こうして得られた酸化銅ナノ粒子を、以下「酸化銅ナノ粒子６」という。
【００７０】
〈合成例７〉
（平均１次粒子径が４９ｎｍの酸化銅ナノ粒子）
０．１ｍｏｌ／Ｌ硝酸銅水溶液（２０ｍＬ）および０．２ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍＬ）に代えて、１０ｍｏｌ／ｍＬ硝酸銅水溶水溶液（２０ｍＬ）および２０ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍＬ）を使用した点を除いて、酸化銅ナノ粒子１と同様にして合成し、酸化銅ナノ粒子分散物を得た。
ＸＲＤ分析により、得られたナノ粒子が酸化第二銅であることを確認した。
また、ＴＥＭ観察の結果、得られた酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径は４９ｎｍであり、平均アスペクト比は２．０であり、１次粒子径２５ｎｍ以上の粒子の割合は８０％以上であった。
こうして得られた酸化銅ナノ粒子を、以下「酸化銅ナノ粒子７」という。
【００７１】
［実施例１］
〈導電膜形成用組成物の調製〉
酸化銅ナノ粒子１（合成例１で得たもの、１００質量部）と、ポリエチレングリコール（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、１０質量部）と、トリメチロールプロパン（東京化成工業社製、２０質量部）と、酢酸パラジウム（東京化成工業社製、５質量部）と、水（１００質量部）とを混合し、自転公転ミキサー（ＴＨＩＮＫＹ社製、あわとり練太郎ＡＲＥ−３１０）で５分間処理することで導電膜形成用組成物を得た。こうして得られた導電膜形成用組成物を導電膜形成用組成物１という。
導電膜形成用組成物の各成分およびその含有量を表１に示す。
【００７２】
〈導電膜の製造〉
バーコーターを用いて、導電膜形成用組成物１をＰＥＴ基材（テイジン（Ｒ）テトロン（Ｒ）フィルムＫ、厚み＝５０μｍ、熱伝導率＝０．３Ｗ／（ｍ／Ｋ）、帝人デュポンフィルム社製）上に塗布して、厚さ４μｍの塗膜（前駆体膜）を有する基材を作製し、その後、ホットプレートを用いて塗膜を有する基材を１００℃で６０分乾燥処理を行い、前駆体膜付き基材を作製した。
次に、キーエンス社製ＭＤ−Ｔ１０００（ＹＶＯ４レーザー、波長５３２ｎｍ）を用いて、スポット径が２０μｍのレーザー光を線速（走査速度）１０ｍｍ／ｓ、出力１．８Ｗで前駆体膜上に１回走査して、基材上に導電膜を形成した。こうして得られた導電膜付き基材を、サンプル１と称する。
また、別に用意した前駆体膜付き基材の前駆体膜に対して、レーザー光を１５．６μｍピッチで交互に走査し、導電性評価用の６ｍｍ角の正方形の導電膜を形成した。この時の重なり率は２２％である。こうして得られた導電膜付き基材を、サンプル２と称する。
なお、重なり率とは、図２で説明した第１の走査領域２０と隣接領域２２との重複領域２４の幅Ｗのレーザー光１６のスポット径Ｄに対する割合｛（Ｗ／Ｄ）×１００｝を意図する。以後、同様の規定である。
【００７３】
〈導電膜の評価〉
《基材密着性》
サンプル２の導電膜に、セロハンテープ（幅２４ｍｍ、ニチバン社製）を密着させてから剥がした。剥がした後の導電膜の外観を肉眼で観察し、以下の評価基準に従って基材密着性を評価した。実用上、基材密着性の評価は「３」以上が望ましい。
５：テープに導電膜の付着が見られず、導電膜と基材との界面での剥離も見られない。
４：テープに導電膜の付着がやや見られるが、導電膜と基材との界面での剥離は見られない。
３：テープに導電膜の付着がはっきり見られ、導電膜と基材との界面で剥離面積が５％未満の範囲で見られる。
２：テープに導電膜の付着がはっきり見られ、導電膜と基材との界面で剥離面積が５％以上５０％未満の範囲で見られる。
１：テープに導電膜の付着がはっきり見られ、導電膜と基材との界面で剥離面積が５０％以上の範囲で見られる。
評価結果を表１に示す。
【００７４】
《欠陥（導電膜の外観評価）》
サンプル１中の導電膜の横方向３ｍｍを倍率２００倍の光学顕微鏡を用いて観察し、以下の評価基準に従って欠陥を評価した。なお、１０μｍ角以下の大きさの欠損とは、縦１０μｍ×横１０μｍの範囲内に収まる大きさの欠損を意図する。実用上、欠陥の評価は「３」以上が望ましい。
５：欠損がない
４：１０μｍ角以下の大きさの欠損が１〜５箇所ある
３：１０μｍ角以下の大きさの欠損が６箇所以上ある
２：１０μｍ角より大きな欠損がある
１：導電膜が断裂している／導電膜が形成できない
評価結果を表１に示す。
【００７５】
《導電性》
導電性は、サンプル２の導電膜を四端子法により表面抵抗率を測定し、導電膜の膜厚を乗じて、体積抵抗率を算出し、以下の評価基準に従って評価した。ここで、表面抵抗率の測定は比抵抗測定器（ロレスタ、三菱化学社製）を用いて行い、導電膜の膜厚の測定は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（Ｓ８００、日立製作所社製）を用いて導電膜断面から導電膜の膜厚を計測することにより行った。なお、導電膜の膜厚は、任意の１０箇所の厚みを算術平均したものである。実用上、導電性の評価は「３」以上が望ましい。
５：体積抵抗率が５０μΩ・ｃｍ未満
４：体積抵抗率が５０μΩ・ｃｍ以上１００μΩ・ｃｍ未満
３：体積抵抗率が１００μΩ・ｃｍ以上３００μΩ・ｃｍ未満
２：体積抵抗率が３００μΩ・ｃｍ以上１０００μΩ・ｃｍ未満
１：体積抵抗率が１０００μΩ・ｃｍ以上
評価結果を表１に示す。
【００７６】
〈前駆体膜の不要部分の除去〉
上記のとおり作製した導電膜基材（サンプル１）の導電膜に変換されていない前駆体膜に、キーエンス社製ＭＤ−Ｔ１０００を使用して、波長５３２ｎｍのレーザー光をスポット径２０μｍ、線速１０ｍｍ／ｓ、出力４．２Ｗで照射して、基材上の前駆体膜を除去した。
【００７７】
［実施例２〜７］
実施例２〜７は、レーザー光の線速および出力、ならびに「線速／出力」を表１に示すとおりに設定した点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００７８】
［実施例８〜１０］
実施例８〜１０は、表１に示すとおり、重なり率を、それぞれ、０％、４０％、または６０％に設定した点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００７９】
［実施例１１〜１３］
実施例１１〜１３は、表１に示す通り、レーザー光のスポット径を、それぞれ、１５μｍ、４０μｍ、または６０μｍに設定した点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８０】
［実施例１４〜１７］
実施例１４〜１７は、表１に示す通り、前駆体膜の膜厚を、それぞれ、０．５μｍ、２μｍ、７μｍ、または１２μｍに設定した点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８１】
［実施例１８〜２１］
実施例１８〜２１は、導電膜形成用組成物中の有機還元剤の種類および含有量を表１に示すとおりに設定した点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８２】
［実施例２２］
実施例２２は、導電膜形成用組成物中の有機還元剤としてＰＥＧ（３０質量部）のみを含有する点、およびレーザー光のスポット径を表１に示すとおり、４０μｍに設定した点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８３】
［実施例２３〜２６］
実施例２３〜２６は、導電膜形成用組成物中の重金属微粒子または重金属塩（酢酸パラジウム）の含有量を表１に示すとおりに設定した点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８４】
［実施例２７〜３２］
実施例２７〜３２は、導電膜形成用組成物中の酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径を表１に示すとおりに設定した点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８５】
［比較例１］
比較例１は、レーザー光照射装置として、ＭＤ−Ｔ１０００（キーエンス社製）に代えてＭＤ−Ｖ９９００Ａ（キーエンス社製）を用いて、レーザー光の波長を１０２４ｎｍに設定した点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８６】
［比較例２、３］
比較例２は、「レーザー光の線速／レーザー光の出力」の値を１．０よりも小さく設定した点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
比較例３は、「レーザー光の線速／レーザー光の出力」の値を１２０よりも大きく設定した点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８７】
［比較例４］
比較例４は、導電膜形成用組成物中に有機還元剤を含有しなかった点を除いて、実施例１と同様にして、導電膜付き基材（サンプル１およびサンプル２）を作製し、基材密着性、欠陥および導電性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８８】
【表１】
2016058227.tif 000003
【００８９】
【表２】
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【００９０】
【表３】
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【００９１】
〈実施例と比較例との対比〉
実施例の導電膜は、基材密着性、欠陥および導電性が、いずれも「３」以上の評価であり、要求水準に達していた。
これに対し、比較例の導電膜は、基材密着性、欠陥および導電性のうち少なくとも１つが、「１」または「２」の評価であり、要求水準に達していなかった。
【００９２】
〈実施例１〜７の対比〉
（１）レーザー光の線速に関して
レーザー光の線速が１０ｍｍ／ｓである実施例１は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
レーザー光の線速が９０ｍｍ／ｓである実施例５は、基材密着性の評価が「５」、欠陥および導電性の評価がともに「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
レーザー光の線速が１２０ｍｍ／ｓである実施例６は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
レーザー光の線速が２１０ｍｍ／ｓである実施例７は、基材密着性および欠陥の評価がともに「３」、導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
実施例１および５〜７の対比から、レーザー光の線速が１０〜１２０ｍｍ／ｓの範囲内であると、欠陥の発生が抑制されるとともに、基材密着性および導電性がより優れた導電膜を製造することができることが示唆された。
【００９３】
（２）レーザー光の出力に関して
レーザー光の出力が１．８Ｗである実施例１は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
レーザー光の出力が３．６Ｗである実施例３は、基材密着性の評価が「３」、欠陥の評価が「４」、導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
レーザー光の出力が０．５Ｗである実施例４は、基材密着性の評価が「４」、欠陥の評価が「４」、導電性の評価が「３」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
実施例１、３および４の対比から、レーザー光の出力が０．５〜３．６Ｗの範囲内であると、欠陥の発生が抑制されるとともに、基材密着性および導電性がより優れた導電膜を製造することができることが示唆された。
【００９４】
（３）「線速／出力」に関して
「線速／出力」が５．６である実施例１は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
「線速／出力」が１．０である実施例２は、基材密着性および欠陥の評価が「３」、導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
「線速／出力」が２．８である実施例３は、基材密着性の評価が「３」、欠陥の評価が「４」、導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
「線速／出力」が２０．０である実施例４は、基材密着性の評価が「４」、欠陥の評価が「４」、導電性の評価が「３」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
「線速／出力」が５０．０である実施例５は、基材密着性の評価が「５」、欠陥および導電性の評価がともに「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
「線速／出力」が６６．７である実施例６は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
「線速／出力」が１１６．７である実施例７は、基材密着性および欠陥の評価がともに「３」、導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
実施例１〜７の対比から、「線速／出力」が１．０〜１２０の範囲内であると、欠陥の発生が抑制されるとともに、基材密着性および導電性がより優れた導電膜を製造することができることが示唆された。また、「線速／出力」が２．５〜９０．０の範囲内であると、より特性が優れた導電膜を製造することができることも示唆された。
【００９５】
〈実施例１、８〜１０の対比〉
重なり率が２２％である実施例１は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
重なり率が０％である実施例８は、基材密着性および導電性の評価がともに「４」、欠陥の評価が「３」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
重なり率が４０％である実施例９は、基材密着性の評価が「５」、欠陥および導電性の評価がともに「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
重なり率が６０％である実施例１０は、基材密着性および欠陥の評価がともに「３」、導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
実施例１および８〜１０の対比から、重なり率が１５〜３０％の範囲内であると、欠陥の発生が抑制され、基材密着性および導電性がより優れた導電膜を製造することができることが示唆された。
【００９６】
〈実施例１、１１〜１３の対比〉
スポット径が２０μｍである実施例１は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
スポット径が１５μｍである実施例１１は、基材密着性、欠陥および導電性の評価がいずれも「５」であり、製造された導電膜は殊に優れた特性を有していた。
スポット径が４０μｍである実施例１２は、基材密着性および欠陥の評価がともに「４」、導電性の評価が「５」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
スポット径が６０μｍである実施例１３は、基材密着性および欠陥の評価がともに「３」、導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
実施例１および１１〜１３の対比から、レーザー光のスポット径が１０〜４０μｍの範囲内であると、欠陥の発生が抑制されるとともに、基材密着性および導電性がより優れた導電膜を製造することができることが示唆された。
【００９７】
〈実施例１、１４〜１７の対比〉
前駆体膜の膜厚が４μｍである実施例１は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
前駆体膜の膜厚が０．５μｍである実施例１４は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
前駆体膜の膜厚が２μｍである実施例１５は、基材密着性および欠陥の評価がともに「５」、導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
前駆体膜の膜厚が７μｍである実施例１６は、基材密着性の評価が「４」、欠陥の評価が「３」、導電性の評価が「５」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
前駆体膜の膜厚が１２μｍである実施例１７は、基材密着性、欠陥および導電性の評価がいずれも「３」であり、製造された導電膜は要求水準に達していた。
実施例１および１４〜１７の対比から、前駆体膜の膜厚が０．１μｍ以上５μｍ未満の範囲内であると、欠陥の発生が抑制されるとともに、基材密着性および導電性がより優れた導電膜を製造することができることが示唆された。
【００９８】
〈実施例１、１８〜２１の対比〉
導電膜形成用組成物中にＰＥＧ（１０質量部）およびＴＭＰ（２０質量部）を含有する実施例１は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
導電膜形成用組成物中にＰＥＧ（３０質量部）を含有するがＴＭＰを含有しない実施例１８は、基材密着性の評価が「５」、欠陥および導電性の評価がいずれも「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
導電膜形成用組成物中にＰＥＧ（２０質量部）およびＴＭＰ（４０質量部）を含有する実施例１９は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
導電膜形成用組成物中にＰＥＧ（３０質量部）およびＴＭＰ（６０質量部）を含有する実施例２０は、基材密着性の評価が「３」、欠陥および導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
導電膜形成用組成物中にＴＭＰ（３０質量部）を含有するがＰＥＧを含有しない実施例２１は、基材密着性の評価が「５」、欠陥および導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
実施例１および１８〜２１の対比から、導電膜形成用組成物中の有機還元剤の含有量が酸化銅ナノ粒子１００質量部に対して１０〜７５質量部の範囲内であると、欠陥の発生が抑制されるとともに、基材密着性および導電性がより優れた導電膜を製造することができることが示唆された。
【００９９】
〈実施例１、２３〜２６の対比〉
導電膜形成用組成物が重金属微粒子および／または重金属塩として酢酸パラジウム（５質量部）を含有する実施例１は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
導電膜形成用組成物が重金属微粒子および重金属塩のいずれも含有しない実施例２３は、基材密着性および欠陥の評価がともに「３」、導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
導電膜形成用組成物が重金属微粒子および／または重金属塩として酢酸パラジウム（１質量部）を含有する実施例２４は、基材密着性および欠陥の評価がともに「４」、導電性の評価が「５」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
導電膜形成用組成物が重金属微粒子および／または重金属塩として酢酸パラジウム（３質量部）を含有する実施例２５は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
導電膜形成用組成物が重金属微粒子および／または重金属塩として酢酸パラジウム（１０質量部）を含有する実施例２６は、基材密着性の評価が「３」、欠陥の評価が「４」、導電性の評価が「５」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
実施例１および２３〜２６の対比から、導電膜形成用組成物中の重金属微粒子および重金属塩の含有量の合計が酸化銅ナノ粒子１００質量部に対して０．５〜９質量部の範囲内であると、基欠陥の発生が抑制されるとともに、基材密着性および導電性がより優れた導電膜を製造することができることが示唆された。
【０１００】
〈実施例１、２７〜３２の対比〉
導電膜形成用組成物中に平均１次粒子径が５ｎｍの酸化銅ナノ粒子を含有する実施例１は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
導電膜形成用組成物中に平均１次粒子径が３ｎｍの酸化銅ナノ粒子を含有する実施例２７は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
導電膜形成用組成物中に平均１次粒子径が８ｎｍの酸化銅ナノ粒子を含有する実施例２８は、基材密着性および導電性の評価がともに「５」、欠陥の評価が「４」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
導電膜形成用組成物中に平均１次粒子径が１５ｎｍの酸化銅ナノ粒子を含有する実施例２９は、基材密着性および欠陥の評価がともに「４」、導電性の評価が「５」であり、製造された導電膜は優れた特性を有していた。
導電膜形成用組成物中に平均１次粒子径が２０ｎｍの酸化銅ナノ粒子を含有する実施例３０は、基材密着性の評価が「３」、欠陥の評価が「４」、および導電性の評価が「５」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
導電膜形成用組成物中に平均１次粒子径が２５ｎｍの酸化銅ナノ粒子を含有する実施例３１は、基材密着性および欠陥の評価がともに「３」、導電性の評価が「４」であり、製造された導電膜は要求水準を満たしていた。
導電膜形成用組成物中に平均１次粒子径が４９ｎｍの酸化銅ナノ粒子を含有する実施例３２は、基材密着性、欠陥および導電性の評価がいずれも「３」であり、製造された導電膜は要求水準に達していた。
実施例１および２７〜３２の対比から、導電膜形成用組成物中に含有する酸化銅ナノ粒子の平均１次粒子径が２５ｎｍ以下であると、導電性に優れた導電膜を製造することができ、２０ｎｍ以下であると欠陥の発生が抑制され、かつ、導電性が優れた導電膜を製造することができ、１５ｎｍ以下であると基材密着性に優れ、かつ、欠陥および導電性が優れた導電膜を製造することができ、１０ｎｍ以下であると基材密着性および導電性がさらに優れた導電膜を製造することができることが示唆された。
【符号の説明】
【０１０１】
１０    基材
１２    前駆体膜
１４    レーザー光源
１６    レーザー光
１８    導電膜
２０    走査領域
２２    隣接領域
【図１】
2016058227.tif 000006
【図２】
2016058227.tif 000007