(57)【要約】【課題】エピ層としてクラックの発生のないＡｌxＧａ1-xＮエピ層を含むエピ層付ＧａＮ膜複合基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】エピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、支持基板１１とＧａＮ膜１３とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板１と、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側から順に配置されたＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４（０＜ｘ＜１）と、を含み、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たす。【選択図】図１
2016058512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板とＧａＮ膜とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板と、前記ＧａＮ膜複合基板の前記ＧａＮ膜側から順に配置されたＩｎyＧａ1-yＮエピ層（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層（０＜ｘ＜１）と、を含み、
前記ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、式（１）
ｘ×ｔx≧０．０２８                                    （１）
の関係を満たす、エピ層付ＧａＮ膜複合基板。
【請求項２】
前記ＩｎyＧａ1-yＮエピ層のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍは、前記ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、式（２）
０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔx                   （２）
の関係を満たす、請求項１に記載のエピ層付ＧａＮ膜複合基板。
【請求項３】
前記ＧａＮ膜の厚さｔfが０．０５μｍ以上５０μｍ以下である請求項１または請求項２に記載のエピ層付ＧａＮ膜複合基板。
【請求項４】
前記ＧａＮ膜と前記ＩｎyＧａ1-yＮエピ層との間に配置されているＧａＮエピ層をさらに含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のエピ層付ＧａＮ膜複合基板。
【請求項５】
前記ＧａＮ膜と前記ＧａＮエピ層との間に配置されているＡｌzＧａ1-zＮエピ層（０＜ｚ＜１）をさらに含み、
前記ＡｌzＧａ1-zＮエピ層のＡｌ組成比ｚおよび厚さｔzμｍは、式（３）
ｚ×ｔz＜０．０２８                                    （３）
の関係を満たす、請求項４に記載のエピ層付ＧａＮ膜複合基板。
【請求項６】
前記ＩｎyＧａ1-yＮエピ層と前記ＡｌxＧａ1-xＮエピ層との間に配置されているＧａＮエピ層をさらに含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のエピ層付ＧａＮ膜複合基板。
【請求項７】
前記ＧａＮ膜と前記ＩｎyＧａ1-yＮエピ層との間に配置されているＡｌzＧａ1-zＮエピ層（０＜ｚ＜１）をさらに含み、
前記ＡｌzＧａ1-zＮエピ層のＡｌ組成比ｚおよび厚さｔzμｍは、式（３）
ｚ×ｔz＜０．０２８                                    （３）
の関係を満たす、請求項６に記載のエピ層付ＧａＮ膜複合基板。
【請求項８】
支持基板とＧａＮ膜とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板を準備する工程と、
前記ＧａＮ膜複合基板の前記ＧａＮ膜側に、少なくともＩｎyＧａ1-yＮエピ層（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層（０＜ｘ＜１）をこの順に形成することによりエピ層付ＧａＮ膜複合基板を形成する工程と、を備え、
前記ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、式（１）
ｘ×ｔx≧０．０２８                                    （１）
の関係を満たす、エピ層付ＧａＮ膜複合基板の製造方法。
【請求項９】
前記ＩｎyＧａ1-yＮエピ層のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍは、前記ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、式（２）
０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔx                   （２）
の関係を満たす、請求項８に記載のエピ層付ＧａＮ膜複合基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層を含むエピ層付ＧａＮ膜複合基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＩＩ族窒化物の半導体を用いた半導体デバイスは、種々の方法で形成されている。一つの方法は、ＩＩＩ族窒化物基板上に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物層をエピタキシャル成長させる方法である。しかし、かかる方法は、ＩＩＩ族窒化物基板が非常に高価でるあるため、得られる半導体デバイスも非常に高価となる。
【０００３】
このため、ＩＩＩ族窒化物とは化学組成が異なる支持基板上にＩＩＩ族窒化物膜を配置した複合基板を用いて、かかる複合基板のＩＩＩ族窒化物膜上に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物層をエピタキシャル成長させる方法が好適に用いられている。
【０００４】
たとえば、特開２０１０−１８２９３６号公報（特許文献１）は、支持基板と、窒化物半導体層と、支持基板と窒化物半導体層との間に形成された接合層とを含むと複合基板と、複合基板の窒化物半導体層上に設けられたエピタキシャル層と、を備えるエピタキシャル基板を開示する。
【０００５】
また、特開２０１２−２３０９６９号公報（特許文献２）は、イオン注入分離法を用いて、ＧａＮの熱膨脹係数に対する比が０．８以上１．２以下の熱膨脹係数を有する支持基板と、支持基板に貼り合わされたＧａＮ層と、を含む複合基板を準備する工程と、複合基板のＧａＮ層上に少なくとも１層のＧａＮ系半導体層を成長させる工程と、複合基板の支持基板を溶解することにより除去する工程と、を含むＧａＮ系半導体デバイスの製造方法を開示する。
【０００６】
また、特開２００３−０６０２１２号公報（特許文献３）は、窒化物系化合物半導体を用いたショットキーバリアダイオードであって、不純物含むシリコンまたはシリコン化合物からなりかつ低い抵抗率を有している基板と、基板の一方の主面上に配置されたバッファ層と、バッファ層の上に配置された窒化物系化合物半導体領域と、その半導体領域の表面にショットキーバリア接触された第１の電極と、基板の他方の主面にオーミック接触された第２の電極とを備え、上記バッファ層は、化学式ＡｌxＭyＧａ1-x-yＮ（ここで、Ｍは、Ｉｎ（インジウム）とＢ（ボロン）とから選択された少なくとも１種の元素、ｘおよびｙは、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１を満足させる数値）で示される材料からなる第１の層と、化学式ＡｌaＭbＧａ1-a-bＮ（ここで、Ｍは、Ｉｎ（インジウム）とＢ（ボロン）とから選択された少なくとも１種の元素、ａおよびｂは、０≦ａ≦１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１を満足させる数値）で示される材料とからなる第２の層との複合層からなるショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１８２９３６号公報
【特許文献２】特開２０１２−２３０９６９号公報
【特許文献３】特開２００３−０６０２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特開２０１０−１８２９３６号公報（特許文献１）および特開２０１２−２３０９６９号公報（特許文献２）においては、複合基板のＧａＮ膜上にＩＩＩ族窒化物層としてＡｌxＧａ1-xＮ層（０＜ｘ＜１）を成長させると、ＡｌxＧａ1-xＮ層にクラックが発生するという問題点があった。
【０００９】
また、特開２００３−０６０２１２号公報（特許文献３）は、支持基板がシリコンまたはシリコン化合物からなる場合に、その支持基板上に化学式ＡｌxＭyＧａ1-x-yＮで示される材料からなる第１の層と化学式ＡｌaＭbＧａ1-a-bＮで示される材料とからなる第２の層との複合層を介在させて窒化物系化合物半導体を形成することにより、支持基板と窒化物系化合物半導体との間の熱膨脹係数の違いにより発生する歪みを抑制するものに過ぎない。
【００１０】
したがって、上記の問題点を解決して、品質の高い半導体デバイスを製造するために、エピ層としてクラックの発生のないＡｌxＧａ1-xＮエピ層を含むエピ層付ＧａＮ膜複合基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のある態様にかかるエピ層付ＧａＮ膜複合基板は、支持基板とＧａＮ膜とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板と、ＧａＮ膜複合基板のＧａＮ膜側から順に配置されたＩｎyＧａ1-yＮエピ層（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層（０＜ｘ＜１）と、を含み、
ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、式（１）
ｘ×ｔx≧０．０２８                                    （１）
の関係を満たす。
【００１２】
本発明の別の態様にかかるエピ層付ＧａＮ膜複合基板の製造方法は、支持基板とＧａＮ膜とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板を準備する工程と、ＧａＮ膜複合基板のＧａＮ膜側に、少なくともＩｎyＧａ1-yＮエピ層（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層（０＜ｘ＜１）をこの順に形成することによりエピ層付ＧａＮ膜複合基板を形成する工程と、を備え、
ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、式（１）
ｘ×ｔx≧０．０２８                                    （１）
の関係を満たす。
【発明の効果】
【００１３】
上記によれば、エピ層としてクラックの発生のないＡｌxＧａ1-xＮエピ層を含むエピ層付ＧａＮ膜複合基板およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のある態様にかかるエピ層付ＧａＮ膜複合基板の第１例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のある態様にかかるエピ層付ＧａＮ膜複合基板の第２例を示す概略断面図である。
【図３】本発明のある態様にかかるエピ層付ＧａＮ膜複合基板の第３例を示す概略断面図である。
【図４】本発明のある態様にかかるエピ層付ＧａＮ膜複合基板の第４例を示す概略断面図である。
【図５】本発明のある態様にかかるエピ層付ＧａＮ膜複合基板の第５例を示す概略断面図である。
【図６】本発明外のエピ層付ＧａＮ膜複合基板のある例を示す概略断面図である。
【図７】本発明外のエピ層付ＧａＮ膜複合基板の別の例を示す概略断面図である。
【図８】本発明外のエピ層付ＧａＮ膜複合基板のさらに別の例を示す概略断面図である。
【図９】本発明の別の態様にかかるエピ層付ＧａＮ膜複合基板の製造方法におけるＧａＮ膜複合基板を準備する工程を示す概略断面図である。
【図１０】本発明のある態様にかかるエピ層付ＧａＮ膜複合基板におけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比と臨界厚さとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜本発明の実施形態の説明＞
本発明のある実施形態にかかるエピ層付ＧａＮ膜複合基板は、支持基板とＧａＮ膜とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板と、ＧａＮ膜複合基板のＧａＮ膜側から順に配置されたＩｎyＧａ1-yＮエピ層（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層（０＜ｘ＜１）と、を含み、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、式（１）
ｘ×ｔx≧０．０２８                                    （１）
の関係を満たす。
【００１６】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板は、ＧａＮ膜複合基板のＧａＮ膜側から、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層がこの順に配置されていることから、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層にかかる引張応力を、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層で発生する圧縮応力により低減することができるため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックが発生するのを抑制することができる。これにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックを発生させることなく、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍが式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たす。すなわち、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板は、クラックの発生がない厚さが（０．０２８／ｘ）μｍ以上のＡｌxＧａ1-xＮエピ層を含む。
【００１７】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板は、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍが、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、式（２）
０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔx                   （２）
の関係を満たすことができる。これにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層にかかる引張応力を低減するのに適した圧縮応力を発生させるＩｎyＧａ1-yＮエピ層が形成されているため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックが発生するのをさらに抑制することができる。
【００１８】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板は、ＧａＮ膜の厚さｔfを０．０５μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。これにより、ＧａＮ膜複合基板のＧａＮ膜の厚さｔfに応じて、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層にかかる引張応力を、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層で発生する圧縮応力により低減することができるため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックが発生するのを抑制することができる。
【００１９】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板は、ＧａＮ膜とＩｎyＧａ1-yＮエピ層との間に配置されているＧａＮエピ層をさらに含むことができる。これにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックが発生するのを抑制するとともに、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層のモフォロジーおよび結晶品質を高めることができる。
【００２０】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板は、ＧａＮ膜とＩｎyＧａ1-yＮエピ層との間に配置されているＧａＮエピ層に加えて、ＧａＮ膜とＧａＮエピ層との間に配置されているＡｌzＧａ1-zＮエピ層（０＜ｚ＜１）をさらに含み、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層のＡｌ組成比ｚおよび厚さｔzμｍは、式（３）
ｚ×ｔz＜０．０２８                                    （３）
の関係を満たすことができる。これにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックが発生するのを抑制するとともに、ＧａＮエピ層、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層のモフォロジーおよび結晶品質を高めることができる。
【００２１】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板は、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層とＡｌxＧａ1-xＮエピ層との間に配置されているＧａＮエピ層をさらに含むことができる。これにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックが発生するのを抑制するとともに、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のモフォロジーおよび結晶品質を高めることができる。
【００２２】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板は、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層とＡｌxＧａ1-xＮエピ層との間に配置されているＧａＮエピ層に加えて、ＧａＮ膜とＩｎyＧａ1-yＮエピ層との間に配置されているＡｌzＧａ1-zＮエピ層（０＜ｚ＜１）をさらに含み、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層のＡｌ組成比ｚおよび厚さｔzμｍは、式（３）
ｚ×ｔz＜０．０２８                                    （３）
の関係を満たすことができる。これにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックが発生するのを抑制するとともに、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層、ＧａＮエピ層およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層のモフォロジーおよび結晶品質を高めることができる。
【００２３】
本発明の別の実施形態にかかるエピ層付ＧａＮ膜複合基板の製造方法は、支持基板とＧａＮ膜とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板を準備する工程と、ＧａＮ膜複合基板のＧａＮ膜側に、少なくともＩｎyＧａ1-yＮエピ層（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層（０＜ｘ＜１）をこの順に形成することによりエピ層付ＧａＮ膜複合基板を形成する工程と、を備え、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、式（１）
ｘ×ｔx≧０．０２８                                    （１）
の関係を満たす。
【００２４】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板の製造方法は、ＧａＮ膜複合基板のＧａＮ膜側から、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層をこの順に形成することから、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層にかかる引張応力を、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層で発生する圧縮応力により低減することができるため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックが発生するのを抑制することができる。これにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックを発生させることなく、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍが式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たす。すなわち、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板の製造方法は、クラックの発生がない厚さが（０．０２８／ｘ）μｍ以上のＡｌxＧａ1-xＮエピ層を含むエピ層付ＧａＮ膜複合基板を製造することができる。
【００２５】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板の製造方法は、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍが、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、式（２）
０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔx                   （２）
の関係を満たすことができる。これにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層にかかる引張応力を低減するのに適した圧縮応力を発生させるＩｎyＧａ1-yＮエピ層が形成することができるため、クラックの発生のないＡｌxＧａ1-xＮエピ層を含むエピ層付ＧａＮ膜複合基板をより確実に製造することができる。
【００２６】
＜本発明の実施形態の詳細＞
［実施形態１：エピ層付ＧａＮ膜複合基板］
図１〜図５を参照して、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、支持基板１１とＧａＮ膜１３とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板１と、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側から順に配置されたＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４（０＜ｘ＜１）と、を含み、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、式（１）
ｘ×ｔx≧０．０２８                                    （１）
の関係を満たす。
【００２７】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側から、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４がこの順に配置されていることから、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にかかる引張応力を、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２で発生する圧縮応力により低減することができるため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生するのを抑制することができる。これにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックを発生させることなく、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍが式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たす。すなわち、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、クラックの発生がない厚さが（０．０２８／ｘ）μｍ以上のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を含む。
【００２８】
ここで、「エピ層」とは、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上またはその上形成された下地「エピ層」上に、エピタキシャル成長させることにより形成された層をいう。
【００２９】
図６を参照して、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４（０＜ｘ＜１）を形成する際には、ＡｌxＧａ1-xＮ結晶（０＜ｘ＜１）の格子定数はＧａＮ結晶の格子定数より小さいために、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４に引張応力がかかる。このため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘと厚さｔxμｍとがｘ×ｔx＜０．０２８のときにはＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生しないが、ｘ×ｔx≧０．０２８のときには、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生することを本発明者らは見出した。
【００３０】
そこで、本発明者らはＩｎyＧａ1-yＮ結晶（０＜ｙ＜１）の格子定数がＧａＮ結晶の格子定数およびＡｌxＧａ1-xＮ結晶（０＜ｘ＜１）の格子定数より大きいことに着目して、図１〜図５に示すように、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側から、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４をこの順に配置することにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にかかる引張応力を、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２で発生する圧縮応力により低減して、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生するのを抑制することに成功した。
【００３１】
図１〜図５を参照して、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍが、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、式（２）
０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔx                   （２）
の関係を満たすことが好ましい。ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍがＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で式（２）である０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔxの関係を満たすことにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にかかる引張応力を低減するのに適した圧縮応力を発生させるＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍを有するＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２が形成されているため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生するのをさらに抑制することができる。
【００３２】
図１〜図５を参照して、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、ＧａＮ膜１３の厚さｔfを０．０５μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましい。ＧａＮ膜複合基板のＧａＮ膜１３の厚さｔfが０．０５μｍ以上５０μｍ以下であれば、そのＧａＮ膜１３の厚さｔfに応じて、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にかかる引張応力を、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２で発生する圧縮応力により低減することができるため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生するのを抑制することができる。
【００３３】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２におけるＧａＮ膜複合基板１は、支持基板１１とＧａＮ膜１３とを貼り合わせた複合基板である。ＧａＮ膜複合基板１は、支持基板１１とＧａＮ膜１３との貼り合わせによる接合強度を高くする観点から、支持基板１１とＧａＮ膜１３との間に介在する接合膜１２をさらに含むことが好ましい。
【００３４】
ＧａＮ膜複合基板１の支持基板１１は、特に制限はないが、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上に品質の高いエピ層を形成する観点から、支持基板１１の線熱膨張係数がＧａＮ膜１３の線熱膨張係数に対して０．８倍以上１．２倍以下が好ましく０．９倍以上１．１倍以下がより好ましく、たとえば、ムライト基板（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2〜２Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、イットリア安定化ジルコニア−ムライト基板、モリブデン基板などが好ましい。支持基板１１の厚さは、ＧａＮ膜１３を支持できる厚さであれば特に制限はなく、たとえば、２５０μｍ以上２５００μｍ以下である。
【００３５】
ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３の厚さは、特に制限はないが、その上に品質の高いエピ層を形成するとともにＧａＮ膜複合基板１のコストを低減する観点から、５０ｎｍ以上１０μｍ未満が好ましい。
【００３６】
ＧａＮ膜複合基板１に含まれ得る接合膜１２は、特に制限はないが、支持基板１１とＧａＮ膜１３との貼り合わせによる接合強度を高くする観点から、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮx膜などが好ましい。
【００３７】
（第１例）
図１を参照して、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２の第１例は、支持基板１１とＧａＮ膜１３とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板１と、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側から順に配置されたＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４と、を含む。第１例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、たとえば、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上にＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２が配置され、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２上にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４が配置されている。
【００３８】
第１例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側から、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４がこの順に配置されていることから、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にかかる引張応力を、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２で発生する圧縮応力により低減することができるため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生するのを抑制することができる。
【００３９】
（第２例）
図２を参照して、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２の第２例は、図１に示す第１例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２において、ＧａＮ膜１３とＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２との間に配置されているＧａＮエピ層２６をさらに含む。すなわち、第２例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、支持基板１１とＧａＮ膜１３とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板１と、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側から順に配置されたＧａＮエピ層２６、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４と、を含む。第２例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、たとえば、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上にＧａＮエピ層２６が配置され、ＧａＮエピ層２６上にＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２が配置され、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２上にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４が配置されている。
【００４０】
第２例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側からＧａＮエピ層２６、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４がこの順に配置されているため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にかかる引張応力を低減することができるため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生するのを抑制することができる。また、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のモフォロジーおよび結晶品質を高めることができる。
【００４１】
（第３例）
図３を参照して、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２の第３例は、図２に示す第２例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２において、ＧａＮ膜１３とＧａＮエピ層２６との間に配置されているＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８（０＜ｚ＜１）をさらに含み、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８のＡｌ組成比ｚおよび厚さｔzμｍは、式（３）
ｚ×ｔz＜０．０２８                                    （３）
の関係を満たす。すなわち、第３例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、支持基板１１とＧａＮ膜１３とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板１と、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側から順に配置されたＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８、ＧａＮエピ層２６、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４と、を含む。第３例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、たとえば、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上にＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８が配置され、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８上にＧａＮエピ層２６が配置され、ＧａＮエピ層２６上にＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２が配置され、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２上にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４が配置されている。
【００４２】
第３例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側からＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８、ＧａＮエピ層２６、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４がこの順に配置されているため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にかかる引張応力を低減することができるため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生するのを抑制することができる。また、ＧａＮエピ層２６、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のモフォロジーおよび結晶品質を高めることができる。ここで、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８のＡｌ組成比ｚおよび厚さｔzμｍが式（３）であるｚ×ｔz＜０．０２８の関係を満たす必要があるのは、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８の形成の際ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８にクラックが発生するのを抑制するためである。
【００４３】
（第４例）
図４を参照して、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２の第４例は、図１に示す第１例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２において、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２とＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４との間に配置されているＧａＮエピ層２６をさらに含む。すなわち、第４例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、支持基板１１とＧａＮ膜１３とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板１と、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側から順に配置されたＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２、ＧａＮエピ層２６およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４と、を含む。第４例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、たとえば、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上にＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２が配置され、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２上にＧａＮエピ層２６が配置され、ＧａＮエピ層２６上にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４が配置されている。
【００４４】
第４例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側からＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２、ＧａＮエピ層２６およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４がこの順に配置されているため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にかかる引張応力を低減することができるため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生するのを抑制することができる。また、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のモフォロジーおよび結晶品質を高めることができる。
【００４５】
（第５例）
図５を参照して、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２の第５例は、図４に示す第４例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２において、ＧａＮ膜１３とＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２との間に配置されているＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８（０＜ｚ＜１）をさらに含み、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８のＡｌ組成比ｚおよび厚さｔzμｍは、式（３）
ｚ×ｔz＜０．０２８                                    （３）
の関係を満たす。すなわち、第５例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、支持基板１１とＧａＮ膜１３とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板１と、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側から順に配置されたＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２、ＧａＮエピ層２６およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４と、を含む。第４例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、たとえば、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上にＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８が配置され、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８上にＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２が配置され、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２上にＧａＮエピ層２６が配置され、ＧａＮエピ層２６上にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４が配置されている。
【００４６】
第５例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２は、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側からＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２、ＧａＮエピ層２６およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４がこの順に配置されているため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にかかる引張応力を低減することができるため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生するのを抑制することができる。また、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２、ＧａＮエピ層２６およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のモフォロジーおよび結晶品質を高めることができる。ここで、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８のＡｌ組成比ｚおよび厚さｔzμｍが式（３）であるｚ×ｔz＜０．０２８の関係を満たす必要があるのは、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８の形成の際ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８にクラックが発生するのを抑制するためである。
【００４７】
［実施形態２：エピ層付ＧａＮ膜複合基板の製造方法］
図１〜図５および図９を参照して、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２の製造方法は、特に制限はないが、効率よく品質の高いエピ層付ＧａＮ膜複合基板２を製造する観点から、支持基板１１とＧａＮ膜１３とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板１を準備する工程（図９）と、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜側に、少なくともＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４（０＜ｘ＜１）をこの順に形成することによりエピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成する工程と、備え、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、式（１）
ｘ×ｔx≧０．０２８                                    （１）
の関係を満たす。
【００４８】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２の製造方法は、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ１３膜側から、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４をこの順に形成することから、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にかかる引張応力を、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２で発生する圧縮応力により低減することができるため、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生するのを抑制することができる。これにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックを発生させることなく、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍが式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たす。すなわち、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２の製造方法は、クラックの発生がない厚さが（０．０２８／ｘ）μｍ以上のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を含むエピ層付ＧａＮ膜複合基板２を製造することができる。
【００４９】
本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２の製造方法は、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍが、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、式（２）
０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔx                   （２）
の関係を満たすことが好ましい。ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍがＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で式（２）である０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔxの関係を満たすことにより、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の形成の際にＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にかかる引張応力を低減するのに適した圧縮応力を発生させるＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２を形成することができるため、クラックの発生のないＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を含むエピ層付ＧａＮ膜複合基板２をより確実に製造することができる。
【００５０】
（ＧａＮ膜複合基板を準備する工程）
図９を参照して、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２の製造方法は、まず、支持基板１１とＧａＮ膜１３とを貼り合わせたＧａＮ膜複合基板１を準備する工程を備える。ＧａＮ膜複合基板１を準備する工程は、特に制限はないが、品質の高いＧａＮ膜１３を含むＧａＮ膜複合基板１を効率よく準備する観点から、支持基板１１の主面１１ｍ上に接合膜１２ａを形成するサブ工程（図９（Ａ））と、ＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄの主面１３ｎ上に接合膜１２ｂを形成するとともにＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄの主面１３ｎから所定の深さの位置にイオン注入領域１３ｉを形成するサブ工程（図９（Ｂ））と、支持基板１１に形成された接合膜１２ａとＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄに形成された接合膜１２ｂとを貼り合わせるサブ工程（図９（Ｃ））と、ＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄをイオン注入領域１３ｉで分離することにより、支持基板１１と、支持基板１１上に配置された接合膜１２と、接合膜１２上に配置されたＧａＮ膜１３と、を含むＧａＮ膜複合基板１を形成するサブ工程（図９（Ｄ））と、を含むことが好ましい。
【００５１】
図９（Ａ）を参照して、ＧａＮ膜複合基板１の支持基板１１は、上記のとおり、支持基板１１の線膨張係数はＧａＮ膜１３の線膨脹係数に対して０．８倍以上１．２倍以下であることが好ましく、０．９倍以上１．１倍以下であることがより好ましく、たとえば、ムライト基板（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2〜２Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、イットリア安定化ジルコニア−ムライト基板、モリブデン基板などが好ましい
図９（Ｂ）を参照して、ＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄは、ＧａＮ膜１３を供給するためのＧａＮ基板である。ＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄを形成する方法は、特に制限はないが、品質の高いＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄを得る観点から、サファイア基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板などの下地基板上に、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相堆積）法、ＭＢＥ（分子線成長）法、昇華法などの気相法、高窒素圧溶液法、フラックス法などの液相法などが好ましい。
【００５２】
図９（Ａ）および（Ｂ）を参照して、接合膜１２ａ，１２ｂ，１２は、支持基板１１とＧａＮ膜１３との接合強度を高めるために介在される膜であり、かかる接合強度を高める観点から、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮx膜などが好ましい。接合膜１２ａ，１２ｂを形成する方法は、品質の高い接合膜１２ａ，１２ｂを得る観点から、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法、スパッタ法、真空蒸着法などが好ましい。
【００５３】
図９（Ｃ）を参照して、支持基板１１に形成された接合膜１２ａとＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄに形成された接合膜１２ｂとを貼り合わせる方法は、特に制限はなく、貼り合わせ面を洗浄しそのまま貼り合わせた後６００℃〜１２００℃程度に昇温して接合する直接接合法、貼り合わせ面を洗浄しプラズマやイオンなどで活性させた後に室温（たとえば２５℃）〜４００℃程度の低温で接合する表面活性化法などが好適である。かかる貼り合わせにより、接合膜１２ａと接合膜１２ｂとが接合により一体化して接合膜１２が形成され、支持基板１１とＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄとが接合膜１２を介在させて接合される。
【００５４】
図９（Ｄ）を参照して、ＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄをイオン注入領域１３ｉで分離する方法は、ＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄのイオン注入領域１３ｉに何らかのエネルギーを与える方法であれば特に制限はなく、イオン注入領域１３ｉに、応力を加える方法、熱を加える方法、光を照射する方法、および超音波を印加する方法の少なくともいずれかの方法の少なくともいずれかの方法が可能である。このようにして、支持基板１１とＧａＮ膜１３とが接合膜１２を介在させて貼り合わされたＧａＮ膜複合基板２が得られる。なお、ＧａＮ膜ドナー基板１３ＤからＧａＮ膜１３が分離された残りのＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄｒは再利用が可能である。
【００５５】
（エピ層付ＧａＮ膜複合基板を形成する工程）
図１〜図５を参照して、本実施形態のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２の製造方法は、次に、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側に、少なくともＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４（０＜ｘ＜１）をこの順に形成することによりエピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成する工程を備える。ここで、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２を形成する前にＧａＮエピ層２６をさらに形成することができ、さらにＧａＮエピ層２６を形成する前にＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８（０＜ｚ＜１）をさらに形成することができる。また、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２を形成した後ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成する前にＧａＮエピ層２６をさらに形成することができ、さらにＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２を形成する前にＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８をさらに形成することができる。具体的には、実施形態１の第１例〜第５例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成する工程は、以下のとおりである。
【００５６】
（第１例）
図１を参照して、実施形態１の第１例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成する工程においては、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側に、少なくともＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４（０＜ｘ＜１）をこの順に形成する。
【００５７】
（第２例）
図２を参照して、実施形態１の第２例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成する工程においては、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側に、少なくともＧａＮエピ層２６、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４（０＜ｘ＜１）をこの順に形成する。
【００５８】
（第３例）
図３を参照して、実施形態１の第３例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成する工程においては、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側に、少なくともＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８（０＜ｚ＜１）、ＧａＮエピ層２６、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（０＜ｙ＜１）およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４（０＜ｘ＜１）をこの順に形成する。ここで、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８にクラックが発生するのを抑制する観点から、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８のＡｌ組成比ｚおよび厚さｔzμｍが式（３）であるｚ×ｔz＜０．０２８の関係を満たす必要がある。
【００５９】
（第４例）
図４を参照して、実施形態１の第４例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成する工程においては、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側に、少なくともＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（０＜ｙ＜１）、ＧａＮエピ層２６およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４（０＜ｘ＜１）をこの順に形成する。
【００６０】
（第５例）
図５を参照して、実施形態１の第５例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成する工程においては、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３側に、少なくともＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８（０＜ｚ＜１）、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（０＜ｙ＜１）、ＧａＮエピ層２６およびＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４（０＜ｘ＜１）をこの順に形成する。ここで、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８にクラックが発生するのを抑制する観点から、ＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８のＡｌ組成比ｚおよび厚さｔzμｍが式（３）であるｚ×ｔz＜０．０２８の関係を満たす必要がある。
【実施例】
【００６１】
（実施例Ａ１）
本実施例Ａ１は、実施形態１の第３例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板についての実施例である。
【００６２】
１．ＧａＮ膜複合基板の準備
図３を参照して、支持基板１１である厚さ３５０μｍのムライト基板（Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2とのモル比が３：２）と、その上に配置された接合膜１２である厚さ０．５μｍのＳｉＯ2膜と、その上に配置された厚さ０．２μｍのＧａＮ膜１３と、を含む直径１００ｍｍのＧａＮ膜複合基板１を準備した。
【００６３】
上記のＧａＮ膜複合基板１は、図９に示すように、支持基板１１とイオン注入領域１３ｉが形成されたＧａＮ膜ドナー基板１３ＤであるＧａＮ基板とを接合膜１２を介在させて貼り合わせた後、ＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄをイオン注入領域１３ｉにおいてＧａＮ膜１３と残りのＧａＮ膜ドナー基板１３Ｄｒとに分離することにより得られた。
【００６４】
２．エピ層付ＧａＮ膜複合基板の形成
図３を参照して、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上に、厚さ０．０５μｍのＡｌ組成比ｚが０．０５のＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８（ｚ×ｔz＝０．００２５）、厚さ４．５μｍのＧａＮエピ層２６、および厚さ０．０５μｍでＩｎ組成比ｙが０．０７のＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（ｙ×ｔy＝０．００３５）をこの順に形成し、さらにＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２上にＡｌ組成比ｘが異なるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成することにより、エピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成した。
ここで、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成する際のＡｌ組成比ｘが、０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０、および０．１２のとき、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生し始める臨界厚さ（すなわちクラックが発生する最小厚さ）は、ノマルスキー顕微鏡によるノマルスキー像および／または蛍光顕微鏡による蛍光像から測定したところ、それぞれ２．２５μｍ、１．１３μｍ、０．７５μｍ、０．５６μｍ、０．４５μｍ、および０．３８μｍであった。
【００６５】
実施例Ａ１のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４について、Ａｌ組成比と臨界厚さとの関係を図１０にプロットしたところ、曲線ＥＡ１に示す関係が見られた。すなわち、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、ｘ×ｔx≒０．０４５の関係があり、式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たしていた。また、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍは、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、ｙ×ｔy≒０．０８ｘ×ｔxの関係があり、式（２）である０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔxの関係を満たしていた。
【００６６】
（実施例Ａ２）
本実施例Ａ２は、実施例１と同様に、実施形態１の第３例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板についての実施例であって、図３を参照して、Ｉｎ組成比ｙが０．０７のＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２の厚さを１μｍとしたこと（ｙ×ｔy＝０．０７）以外は、実施例１と同様のエピ層構造を有するエピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成した。
ここで、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成する際のＡｌ組成比ｘが、０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０、および０．１２のとき、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生し始める臨界厚さ（すなわちクラックが発生する最小厚さ）は、それぞれ８．１０μｍ、４．０５μｍ、２．７０μｍ、２．０３μｍ、１．６２μｍ、および１．３５μｍであった。
【００６７】
実施例Ａ２のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４について、Ａｌ組成比と臨界厚さとの関係を図１０にプロットしたところ、曲線ＥＡ２に示す関係が見られた。すなわち、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、ｘ×ｔx≒０．１６２）の関係があり、式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たしていた。また、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍは、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、ｙ×ｔy≒０．４３ｘ×ｔxの関係があり、式（２）である０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔxの関係を満たしていた。
【００６８】
（比較例Ａ）
図７を参照して、Ｉｎ組成比ｙが０．０７のＩｎyＧａ1-yＮエピ層を形成しなかったこと以外は実施例Ａ１と同様にしてエピ層付ＧａＮ膜複合基板を形成した。すなわち、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上に、厚さ０．０５μｍのＡｌ組成比ｚが０．０５のＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８および厚さ４．５μｍのＧａＮエピ層２６（ｚ×ｔz＝０．００２５）をこの順に形成し、さらにＧａＮエピ層２６上にＡｌ組成比ｘが異なるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成することにより、エピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成した。
【００６９】
ここで、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成する際のＡｌ組成比ｘが、０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０、および０．１２のとき、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックが発生し始める臨界厚さ（すなわちクラックが発生する最小厚さ）は、それぞれ１．３５μｍ、０．６８μｍ、０．４５μｍ、０．３４μｍ、０．２７μｍ、および０．２３μｍであった。
【００７０】
比較例ＡのＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４について、Ａｌ組成比と臨界厚さとの関係を図１０にプロットしたところ、曲線ＲＡに示す関係が見られた。すなわち、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、ｘ×ｔx≒０．０２７の関係があり、式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たしていなかった。
【００７１】
（参考例Ａ）
図８を参照して、直径１００ｍｍで厚さ８５０μｍのサファイア基板３１上に、ＭＯＣＶＤ法により、厚さ３μｍのＧａＮエピ層を形成し、さらにＩｎyＧａ1-yＮエピ層上にＡｌ組成比ｘが異なるＡｌxＧａ1-xＮエピ層を形成することにより、エピ層付ＧａＮ膜複合基板２Ｓを形成した。
【００７２】
ここで、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層を形成する際のＡｌ組成比ｘが、０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０、および０．１２のとき、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層にクラックが発生し始める臨界厚さ（すなわちクラックが発生する最小厚さ）は、それぞれ６．０８μｍ、３．０４μｍ、２．０３μｍ、１．５２μｍ、１．２２μｍ、および１．０２μｍであった。
【００７３】
参考例ＡのＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４について、Ａｌ組成比と臨界厚さとの関係を図１０にプロットしたところ、曲線ＳＡに示す関係が見られた。すなわち、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、ｘ×ｔx≒０．１２２の関係があり、式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たしていた。
【００７４】
（比較例Ｂ）
図３および図７を参照して、本比較例Ｂは、実施形態１の第３例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板２（図３）からＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２が除外されたエピ層付ＧａＮ膜複合基板２Ｒ（図７）についての比較例である。
【００７５】
１．ＧａＮ膜複合基板の準備
図７を参照して、実施例Ａ１と同様にして、支持基板１１である厚さ３５０μｍのムライト基板（Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2とのモル比が３：２）と、その上に配置された接合膜１２である厚さ０．５μｍのＳｉＯ2膜と、その上に配置された厚さ０．２μｍのＧａＮ膜１３と、を含む直径１００ｍｍのＧａＮ膜複合基板１を準備した。
【００７６】
２．エピ層付ＧａＮ膜複合基板の形成
図７を参照して、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上に、ＭＯＣＶＤ法により、厚さ０．０５μｍのＡｌ組成比ｚが０．０５のＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８（ｚ×ｔz＝０．００２５）および厚さ４．５μｍのＧａＮエピ層２６をこの順に形成し、さらにＧａＮエピ層２６上にＡｌ組成比ｘが０．０８のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４をこの順に形成することにより、エピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成した。
【００７７】
ここで、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成する際のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生し始める臨界厚さ（すなわちクラックが発生する最小厚さ）は、実施例Ａ１と同様に測定したところ、０．３４μｍであった。すなわち、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、ｘ×ｔx≒０．０２７の関係があり、式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たしていなかった。
【００７８】
（実施例Ｂ１）
本実施例Ｂ１は、実施形態１の第１例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板についての実施例である。
【００７９】
１．ＧａＮ膜複合基板の準備
図１を参照して、実施例Ａ１と同様にして、支持基板１１である厚さ３５０μｍのムライト基板（Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2とのモル比が３：２）と、その上に配置された接合膜１２である厚さ０．５μｍのＳｉＯ2膜と、その上に配置された厚さ０．２μｍのＧａＮ膜１３と、を含む直径１００ｍｍのＧａＮ膜複合基板１を準備した。
【００８０】
２．エピ層付ＧａＮ膜複合基板の形成
図１を参照して、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上に厚さ０．０５μｍのＩｎ組成比ｙが０．０７のＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（ｙ×ｔy＝０．００３５）を形成し、さらにＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２上にＡｌ組成比ｘが０．０８のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成することにより、エピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成した。
【００８１】
ここで、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成する際のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生し始める臨界厚さ（すなわちクラックが発生する最小厚さ）は、実施例Ａ１と同様に測定したところ、０．５６μｍであった。すなわち、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、ｘ×ｔx≒０．０４５の関係があり、式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たしていた。また、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍは、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、ｙ×ｔy≒０．０８ｘ×ｔxの関係があり、式（２）である０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔxの関係を満たしていた。また、実施例Ｂ１におけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さは、比較例ＢにおけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さより大きく、比較例Ｂと対比される後述の実施例Ｂ３におけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さと同等であった。
【００８２】
（実施例Ｂ２）
本実施例Ｂ２は、実施形態１の第２例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板についての実施例である。
【００８３】
１．ＧａＮ膜複合基板の準備
図２を参照して、実施例Ａ１と同様のＧａＮ膜複合基板１を準備した。
【００８４】
２．エピ層付ＧａＮ膜複合基板の形成
図２を参照して、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上に、厚さが３μｍのＧａＮエピ層２６および厚さ０．０５μｍのＩｎ組成比ｙが０．０７のＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（ｙ×ｔy＝０．００３５）をこの順に形成し、さらにＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２上にＡｌ組成比ｘが０．０８のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成することにより、エピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成した。
【００８５】
ここで、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成する際のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生し始める臨界厚さ（すなわちクラックが発生する最小厚さ）は、実施例Ａ１と同様に測定したところ、０．５８μｍであった。すなわち、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、ｘ×ｔx≒０．０４６の関係があり、式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たしていた。また、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍは、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、ｙ×ｔy≒０．０８ｘ×ｔxの関係があり、式（２）である０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔxの関係を満たしていた。また、実施例Ｂ２におけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さは、実施例Ｂ１におけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さと同等であった。
【００８６】
（実施例Ｂ３）
本実施例Ｂ３は、実施形態１の第３例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板についての実施例である。
【００８７】
１．ＧａＮ膜複合基板の準備
図３を参照して、実施例Ａ１と同様のＧａＮ膜複合基板１を準備した。
【００８８】
２．エピ層付ＧａＮ膜複合基板の形成
図３を参照して、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上に、ＭＯＣＶＤ法により、厚さ０．０５μｍのＡｌ組成比ｚが０．０５のＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８（ｚ×ｔz＝０．００２５）、厚さ４．５μｍのＧａＮエピ層２６、および厚さ０．０５μｍでＩｎ組成比ｙが０．０７のＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（ｙ×ｔy＝０．００３５）をこの順に形成し、さらにＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２上にＡｌ組成比ｘが０．０８のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４をこの順に形成することにより、エピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成した。
【００８９】
ここで、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成する際のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生し始める臨界厚さ（すなわちクラックが発生する最小厚さ）は、実施例Ａ１と同様に測定したところ、０．５５μｍであった。すなわち、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、ｘ×ｔx≒０．０４４の関係があり、式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たしていた。また、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍは、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、ｙ×ｔy≒０．０８ｘ×ｔxの関係があり、式（２）である０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔxの関係を満たしていた。また、実施例Ｂ３におけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さは、対比される比較例ＢにおけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さより大きく、実施例Ｂ１におけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さと同等であった。
【００９０】
（実施例Ｂ４）
本実施例Ｂ４は、実施形態１の第４例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板についての実施例である。
【００９１】
１．ＧａＮ膜複合基板の準備
図４を参照して、実施例Ａ１と同様のＧａＮ膜複合基板１を準備した。
【００９２】
２．エピ層付ＧａＮ膜複合基板の形成
図４を参照して、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上に、厚さ０．０５μｍのＩｎ組成比ｙが０．０７のＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（ｙ×ｔy＝０．００３５）および厚さが３μｍのＧａＮエピ層２６（※１５：比較例Ｂおよび実施例Ｂ３、Ｂ５におけるＧａＮエピ層の厚さは４．５μｍであり、本実施例Ｂ４と厚さが異なっています。対比の観点からは、比較例Ｂおよび実施例Ｂ２〜Ｂ５の間で同じ厚さが好ましいと思料致します。同じ厚さのデータがありましたら、ご教示下さい。）をこの順に形成し、さらにＧａＮエピ層２６上にＡｌ組成比ｘが０．０８のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成することにより、エピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成した。
【００９３】
ここで、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成する際のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生し始める臨界厚さ（すなわちクラックが発生する最小厚さ）は、実施例Ａ１と同様に測定したところ、０．５７μｍであった。すなわち、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、ｘ×ｔx≒０．０４６の関係があり、式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たしていた。また、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍは、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、ｙ×ｔy≒０．０８ｘ×ｔxの関係があり、式（２）である０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔxの関係を満たしていた。また、実施例Ｂ４におけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さは、実施例Ｂ１におけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さと同等であった。
【００９４】
（実施例Ｂ５）
本実施例Ｂ５は、実施形態１の第５例のエピ層付ＧａＮ膜複合基板についての実施例である。
【００９５】
１．ＧａＮ膜複合基板の準備
図５を参照して、実施例Ａ１と同様のＧａＮ膜複合基板１を準備した。
【００９６】
２．エピ層付ＧａＮ膜複合基板の形成
図５を参照して、ＧａＮ膜複合基板１のＧａＮ膜１３上に、ＭＯＣＶＤ法により、厚さ０．０５μｍのＡｌ組成比ｚが０．０５のＡｌzＧａ1-zＮエピ層２８（ｚ×ｔz＝０．００２５）、厚さ０．０５μｍでＩｎ組成比ｙが０．０７のＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２（ｙ×ｔy＝０．００３５）、および厚さ４．５μｍのＧａＮエピ層２６をこの順に形成し、さらにＧａＮエピ層２６上にＡｌ組成比ｘが０．０８のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４をこの順に形成することにより、エピ層付ＧａＮ膜複合基板２を形成した。
【００９７】
ここで、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４を形成する際のＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４にクラックが発生し始める臨界厚さ（すなわちクラックが発生する最小厚さ）は、実施例Ａ１と同様に測定したところ、０．５５μｍであった。すなわち、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍは、ｘ×ｔx≒０．０４４の関係があり、式（１）であるｘ×ｔx≧０．０２８の関係を満たしていた。また、ＩｎyＧａ1-yＮエピ層２２のＩｎ組成比ｙおよび厚さｔyμｍは、ＡｌxＧａ1-xＮエピ層のＡｌ組成比ｘおよび厚さｔxμｍとの間で、ｙ×ｔy≒０．０８ｘ×ｔxの関係があり、式（２）である０．０１×ｘ×ｔx≦ｙ×ｔy≦２×ｘ×ｔxの関係を満たしていた。また、実施例Ｂ５におけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さは、実施例Ｂ１におけるＡｌxＧａ1-xＮエピ層２４の臨界厚さと同等であった。
【００９８】
今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００９９】
１  ＧａＮ膜複合基板
２  エピ層付ＧａＮ膜複合基板
１１  支持基板
１１ｍ，１３ｎ  主面
１２，１２ａ，１２ｂ  接合膜
１３  ＧａＮ膜
１３ｉ  イオン注入領域
１３Ｄ，１３Ｄｒ  ＧａＮ膜ドナー基板
２２  ＩｎyＧａ1-yＮエピ層
２４  ＡｌxＧａ1-xＮエピ層
２６  ＧａＮエピ層
２８  ＡｌzＧａ1-zＮエピ層
３１  サファイア基板。
【図１】
2016058512.tif 000003
【図２】
2016058512.tif 000004
【図３】
2016058512.tif 000005
【図４】
2016058512.tif 000006
【図５】
2016058512.tif 000007
【図６】
2016058512.tif 000008
【図７】
2016058512.tif 000009
【図８】
2016058512.tif 000010
【図９】
2016058512.tif 000011
【図１０】
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