(57)【要約】      （修正有）【課題】能動素子アレイ層がスペーサーが力を受けて変位を引き起こす情況を改善できるディスプレイパネルを提供する。【解決手段】第１基板Ｂ１と、第１基板Ｂ１上に位置する走査線１１０と、走査線１１０上に配置されるチャネル層１２０と、第１基板Ｂ１上に位置しかつ走査線１１０と交差して設置され、走査線１１０と重畳する少なくとも１つの重畳領域を有し、重畳領域において、チャネル層１２０と重畳する第１領域を更に有し、かつ第１領域が貫通孔を形成するデータ線１３０と、データ線１３０上に位置し、第１領域に部分的に対応するとともに、第１領域外の重畳領域に部分的に対応するスペーサーＰＳと、を含むディスプレイパネル。【選択図】図１
2016180972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に位置する走査線と、
前記走査線上に配置されるチャネル層と、
前記第１基板上に位置しかつ前記走査線と交差して設置され、前記走査線と重畳する少なくとも１つの重畳領域を有し、前記重畳領域において、前記チャネル層と重畳する第１領域を更に有し、かつ前記第１領域が貫通孔を形成するデータ線と、
前記データ線上に位置し、前記第１領域に部分的に対応するとともに、前記第１領域外の前記重畳領域に部分的に対応するスペーサーと、
を含むディスプレイパネル。
【請求項２】
前記第１領域外の前記重畳領域は第２領域及び第３領域を更に含み、前記走査線は第１側縁及び第２側縁を有し、前記データ線は第３側縁及び第４側縁を有し、前記第１領域は前記第１側縁に近接する第５側縁及び前記第２側縁に近接する第６側縁を有し、かつ前記第２領域は前記第５側縁、前記第１側縁、前記第３側縁及び前記第４側縁により構成され、前記第３領域は前記第６側縁、前記第２側縁、前記第３側縁及び前記第４側縁により構成される請求項１に記載のディスプレイパネル。
【請求項３】
前記第１領域の前記第５側縁及び前記第６側縁はいずれも前記走査線の延伸方向に実質的に平行する請求項２に記載のディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第１側縁と前記第５側縁との間には第１最短距離を有し、前記第２側縁と前記第６側縁との間には第２最短距離を有し、前記第１最短距離は前記第２最短距離より大きい請求項２に記載のディスプレイパネル。
【請求項５】
前記スペーサーは前記第１領域及び前記第３領域に部分的に対応する請求項４に記載のディスプレイパネル。
【請求項６】
前記第１基板は第１表面を有し、かつ前記データ線は第２表面を有し、前記第１領域内において前記第２表面と前記第１表面との間に第１高さを有し、前記第３領域内において、前記第２表面と前記第１表面との間に第２高さを有し、前記第１高さは前記第２高さより大きい請求項５に記載のディスプレイパネル。
【請求項７】
前記第１側縁をカバーする画素電極を更に含む請求項４に記載のディスプレイパネル。
【請求項８】
前記走査線は第１内凹部を更に有し、前記データ線は前記第１内凹部を通過する請求項１に記載のディスプレイパネル。
【請求項９】
前記走査線は第２内凹部を更に有し、前記第２内凹部は前記第１内凹部に対向して設置される請求項８に記載のディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記チャネル層は金属酸化物半導体層である請求項１に記載のディスプレイパネル。
【請求項１１】
ディスプレイパネルであって、
第１基板と、
前記第１基板上に位置し、第１側縁及び第２側縁を有する走査線と、
前記走査線上に配置されるチャネル層と、
前記第１基板上に位置する画素電極と、
第１基板上に位置しかつ前記走査線と交差して設置され、前記走査線と重畳する少なくとも１つの重畳領域を有し、前記重畳領域において前記チャネル層と重畳する第１領域を更に有し、かつ前記第１領域が貫通孔を形成するデータ線と、を含み、
前記第１領域は前記第１側縁に近接する第５側縁及び前記第２側縁に近接する第６側縁を有し、かつ前記第１側縁と前記第５側縁との間に第１最短距離を有し、前記第２側縁と前記第６側縁との間に第２最短距離を有し、かつ前記第１最短距離は前記第２最短距離より大きいディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記第１領域に部分的に対応するスペーサーを更に含む請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記スペーサーは前記第１領域外の前記重畳領域に部分的に対応する請求項１２に記載のディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記第１領域外の前記重畳領域は第２領域及び第３領域を更に含み、前記データ線は第３側縁及び第４側縁を有し、かつ前記第２領域は前記第５側縁、前記第１側縁、前記第３側縁及び前記第４側縁から構成され、前記第３領域は前記第６側縁、前記第２側縁、前記第３側縁及び前記第４側縁から構成され、前記スペーサーは前記第１領域及び前記第３領域に部分的に対応する請求項１３に記載のディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記第１基板は第１表面を有し、かつ前記データ線は第２表面を有し、前記スペーサーは前記第１領域及び前記第３領域に部分的に対応し、前記第１領域内において前記第２表面と前記第１表面との間に第１高さを有し、前記第３領域内において、前記第２表面と前記第１表面との間に第２高さを有し、前記第１高さは前記第２高さより大きい請求項１４に記載のディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記第１領域の前記第５側縁及び前記第６側縁はいずれも前記走査線の延伸方向に実質的に平行する請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記走査線は第１内凹部を有し、前記データ線は前記第１内凹部を通過する請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記走査線は、前記第１内凹部に対向して設置される第２内凹部を更に有する請求項１７に記載のディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記チャネル層は金属酸化物半導体層である請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディスプレイパネルの構成に関し、特に、スペーサーを有するディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、通常の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（Ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ，ＴＦＴ−ＬＣＤ）は能動素子アレイ基板、カラーフィルター及びバックライトモジュールを含む。能動素子アレイ基板は薄膜トランジスタを基板上に設置するが、薄膜トランジスタはサブピクセル（ｓｕｂ−ｐｉｘｅｌ）の電圧を制御することに用いられ、これによって、液晶分子の偏向角度を調節し、さらに、偏光板によってサブピクセルのグレースケールを決定する。背光素子または自発光素子から放射された光線はサブピクセルのグレースケールを通してカラーフィルターに合わせることによって、映像画面を構成する。
【０００３】
タッチ技術の改良によって、従来のマウスとキーボード等の制御装置に代わって、現在、タッチでディスプレイパネル上のカーソル及び図面等を制御し、利用者がディスプレイパネルを用いる時、ディスプレイパネルの表面にタッチし、この時、ディスプレイパネルの基板が力を受けて押下される。一般的には、ディスプレイパネル内において、上下基板を隔てるためのスペーサーも基板の押下されることに従って変形または変位摺動するが、スペーサーの変位によって、液晶が偏向しやすく、これによって、ディスプレイパネルの映像表示の異常を引き起こす。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の実施形態は、能動素子アレイ層がスペーサーが力を受けて変位を引き起こす情況を改善できるディスプレイパネルを提供する。
【０００５】
本発明の一実施形態が提供するディスプレイパネルは、第１基板、第２基板、走査線、チャネル層、データ線及びびスペーサーを含む。走査線は第１基板上に位置する。チャネル層は走査線上に配置される。データ線は第１基板上に位置し、かつ前記走査線と交差して設置され、前記データ線は前記走査線と重畳する少なくとも１つの重畳領域を有し、前記データ線は前記重畳領域において前記チャネル層と重畳する第１領域を更に有し、かつ前記第１領域が貫通孔を形成する。スペーサーはデータ線上に位置し、スペーサーは第１領域に部分的に対応するとともに、前記第１領域外の前記重畳領域に部分的に対応する。
【０００６】
本発明の他の実施形態が提供するディスプレイパネルは、第１基板、走査線、チャネル層、データ線及び画素電極を含む。走査線は第１基板上に位置し、かつ第１側縁及び第２側縁を有する。チャネル層は走査線上に配置される。画素電極は第１基板上に位置する。データ線は第１基板上に位置して、かつ走査線と交差して設置され、データ線は走査線と重畳する少なくとも１つの重畳領域を有し、データ線は重畳領域においてチャネル層と重畳する第１領域を更に有し、かつ第１領域が貫通孔を形成する。ここで、第１側縁と第５側縁との間に第１最短距離を有し、第２側縁と第６側縁との間に第２最短距離を有し、第１最短距離は第２最短距離より大きい。
【０００７】
上記のように、本発明の実施形態が提供するディスプレイパネルは、そのスペーサーＰＳが第１領域に部分的に対応するとともに、第２領域及び第３領域のうちの少なくとも１つに部分的に対応する。さらに、重畳領域に対応する範囲内において、データ線はチャネル層及び走査線の上に重畳設置され、スペーサーはデータ線、チャネル層及び走査線の上方に部分的に対応する。能動素子アレイ層には段差構成が形成されるため、利用者がディスプレイパネルの第２基板にタッチする際、第２基板が力を受けてやや押下され、スペーサーをデータ線の上方に当接させる。スペーサーの一部は第１領域に対応するが、スペーサーの他部は第２領域または第３領域に対応するため、スペーサーが第１高さ及び第２高さを有する能動素子アレイ層の段差構成に対応して当接する。従って、スペーサーが第１領域に部分的に対応し、かつ第２領域または第３領域に部分的に対応する場合に、能動素子アレイ層の段差構成によって、スペーサーが外力を受ける時の摩擦力を増加させ、スペーサーが変位しにくくなり、スペーサー変位による液晶偏向異常を低減させる。
【０００８】
また、チャネル層はそれに電気的に接続される画素電極から離れるが、それに電気的に接続されない画素電極にやや近づき、画素電極の配置位置はチャネル層に部分的に重畳し、かつ走査線の第１側縁をカバーする。これによって、画素電極の凸部が製造過程において変位によってデータ線と重畳しやすい情況を回避でき、バックグラウンドチャネルの形成または浮遊容量の増加の情況をさらに改善する。
【０００９】
また、走査線は第１内凹部を有し、これによって、第１内凹部が形成される走査線はデータ線と重畳する面積を低減でき、走査線とデータ線との重畳箇所に存在する浮遊容量の増加情況を減少する。また、データ線をチャネル層及び走査線上に製造するステップにおいて、第１内凹部の走査線の傾斜が小さいため、第１内凹部を形成しない走査線に対して、データ線は第１内凹部を形成した走査線に容易に製造される。
【００１０】
説明すべきは、他の実施形態では、走査線が第２内凹部を更に有してもよく、第２内凹部及び第１内凹部は対向して設置され、かついずれも走査線とデータ線の交差位置に設置され、これによって、データ線が第１内凹部及び第２内凹部を形成した走査線上に容易に製造され、かつ走査線とデータ線との重畳に存在する浮遊容量を更に低減させる。
【００１１】
本発明の特徴及び技術内容をさらに理解するために、以下の本発明に係る詳細な説明及び図面を参照するが、これらの図面は本発明を説明するためのものであって、本発明がこれらによって限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係るディスプレイパネルの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る第１基板の概略上面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る能動素子アレイ層の局部構成を示す図である。
【図４Ａ】図３において線Ｍ−Ｍ’に沿って示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの使用状態の断面図である。
【図４Ｃ】図３において線Ｎ−Ｎ’に沿って示す使用状態断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係るディスプレイパネルの一部概略上面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係るディスプレイパネルの一部概略上面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係るディスプレイパネルの一部概略上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図面とともに例示的な実施形態を開示するが、以下、図面に伴ってさまざまな例示的な実施形態を詳細に説明する。説明すべきは、本発明の概念はさまざまな異なる形態で現れることができ、本明細書に記載の例示的な実施形態に限定されると理解してはいけない。的確に言えば、本発明を詳細かつ完全にさせて、かつ当業者に本発明概念の範疇を伝えるために、これらの例示的な実施形態を提供する。各図面において、示した各層及び各領域を清楚にさせるために、その大きさの比例を大きくしてもよく、かつ同一数字は同一素子を示す。
【００１４】
図１は本発明の一実施形態に係るディスプレイパネルの断面図である。本実施形態において、ディスプレイパネル１００は液晶パネルである。ディスプレイパネル１００は第１基板Ｂ１、第２基板Ｂ２、カラーフィルター層ＣＦ、液晶層ＬＱ、能動素子アレイ層Ｔ１及びスペーサーＰＳを含む。第１基板Ｂ１は第２基板Ｂ２に結合され、液晶層ＬＱ、能動素子アレイ層Ｔ１及びスペーサーＰＳは第１基板Ｂ１と第２基板Ｂ２との間に位置する。一般的には、能動素子アレイ基板を形成するために、能動素子アレイ層Ｔ１は第１基板Ｂ１上に配置される。カラーフィルター層ＣＦは、第２基板Ｂ２上に配置され、かつ遮光層ＣＦａ及び様々な色の複数枚のカラーフィルターＣＦｂを含む。液晶層ＬＱは第１基板Ｂ１と第２基板Ｂ２との間の隙間に配置され、入射光の方向を変更することに用いられる。また、ディスプレイパネル１００は配向膜ＰＩを更に含んでもよい。配向膜ＰＩはおおよそ、液晶層ＬＱと能動素子アレイ層Ｔ１との間に位置し、かつ液晶層ＬＱ外側に挟持され、能動素子アレイ層Ｔ１及び配向膜ＰＩによって液晶回転方向を制御する。
【００１５】
図２は本発明の一実施形態に係る第１基板の概略上面図である。図３は本発明の一実施形態に係る能動素子アレイ層の局部構成図である。図２及び図３を参照し、データ線駆動ユニットＵ１は能動素子アレイ基板の１つの縁に配置されるが、走査線駆動ユニットＵ２は能動素子アレイ基板のもう１つの縁に配置される。本実施形態において、能動素子アレイ層Ｔ１は走査線１１０、チャネル層１２０及びデータ線１３０を含む。走査線１１０は第１基板Ｂ１上に位置し、チャネル層１２０は走査線１１０上に配置されるが、データ線１３０は第１基板Ｂ１上に位置して、かつ走査線１１０と交差して設置され、かつチャネル層１２０上に位置する。実務的には、複数本の走査線１１０は列の方向に延伸してかつ互いに平行するが、複数本のデータ線１３０は行の方向に延伸してかつ互いに実質的に平行する。ここで、これらの走査線１１０とデータ線１３０とは互いに交差して複数のサブピクセルユニットＦＮ（Ｎは１以上であり、例えばＦ１、Ｆ２等が挙げられる）を定義する。
【００１６】
チャネル層１２０は半導体層であり、その材料がポリシリコン層、金属酸化物半導体層、及び非晶質シリコン層からなる群より選ばれる１つである。本実施形態において、チャネル層１２０の材料はインジウム・ガリウム・亜鉛の酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｇａｌｌｉｕｍ−Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ，ＩＧＺＯ）、酸化亜鉛（Ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ，ＺｎＯ）、酸化スズ（Ｓｔａｎｎｏｕｓ  ｏｘｉｄｅ，ＳｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ，ＩＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（Ｇａｌｌｉｕｍ−Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ，ＧａＺｎＯ）、亜鉛スズ酸化物（Ｚｉｎｃ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ，ＺＴＯ）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）及びその混合物よりなる群から選ばれる１つである。本実施形態において、チャネル層１２０の材料はインジウム・ガリウム・亜鉛の酸化物であるが、本発明はこれに限定されない。具体的には、チャネル層１２０はマグネトロンスパッタ方法（ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、有機金属気相成長法（ｍｅｔａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ−ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＭＯＣＶＤ）またはパルスレーザ堆積法（ｐｕｌｓｅｄ  ｌａｓｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＰＬＤ）により製造されてもよい。
【００１７】
保護層１４０は、チャネル層１２０上に配置され、チャネル層１２０のエッチング停止層（ｅｔｃｈ  ｓｔｏｐ  ｌａｙｅｒ，ＥＳＬ）として用いられ、後続の製造工程においてチャネル層１２０の破損による電気的な異常を回避する。保護層１４０の材料は酸化珪素（ＳｉＯｘ）等である。保護層１４０はリソグラフィーとエッチング製造工程によりパターン化され、保護層１４０に貫通孔Ｖ１及び貫通孔Ｖ２を形成させ、データ線１３０は保護層１４０上にオーバーラップし、かつ貫通孔Ｖ１を介してチャネル層１２０と接触するソース電極を形成する。データ線及びソース電極を形成する時、同じ製造工程または同一製造工程により貫通孔Ｖ２内壁にチャネル層１２０と接触するドレイン電極１３１を形成し、かつ前記ドレイン電極１３１はデータ線１３０及びソース電極と絶縁状態で設置される。
【００１８】
第１基板Ｂ１と第２基板Ｂ２との間の隙間（Ｃｅｌｌ  ｇａｐ）を維持するために、スペーサーＰＳ（Ｓｐａｃｅｒ）は能動素子アレイ層Ｔ１のデータ線１３０と第２基板Ｂ２との間に位置する。本実施形態において、スペーサーＰＳは、カラーフィルター層ＣＦに形成されて、能動素子アレイ層Ｔ１の方向に向けて延伸する。おおよそ、スペーサーＰＳは走査線１１０とデータ線１３０とが交差する箇所に対応し、かつデータ線１３０上に位置する配向膜ＰＩとやや接触する。具体的には、スペーサーＰＳは球形、多角柱形、円錐状、多角錐状、多層集積状または仕切り板状等に設計してもよい。説明すべきは、スペーサーＰＳは様々な色を有する、または透明のフォトレジスト、高分子材料またはシリカ材料であってもよく、リソグラフィー製造工程、スパッタ法（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）、化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＣＶＤ）またはスプレー（Ｓｐｒａｙ）等の方式により形成される。しかしながら、本発明はスペーサーＰＳの設計及び製造工程条件に対して限定しない。
【００１９】
具体的には、走査線１１０は第１側縁Ｓ１及び第２側縁Ｓ２を有し、データ線１３０は第３側縁Ｓ３及び第４側縁Ｓ４を有する。上面視角でスペーサーＰＳから第１基板Ｂ１方向を見ると、データ線１３０は走査線１１０の上方に位置して走査線１１０と交差して重畳設置し、データ線１３０の一部がチャネル層１２０及び走査線１１０の真上に位置する。このため、データ線１３０は走査線１１０が重畳する少なくとも１つの重畳領域ＡＡを有し、重畳領域ＡＡにおいて、データ線はチャネル層１２０と重畳する第１領域Ａ１を更に有する。重畳領域ＡＡは第１側縁Ｓ１、第２側縁Ｓ２、第３側縁Ｓ３及び第４側縁Ｓ４により囲まれて構成され、第１領域Ａ１は第５側縁Ｓ５及び第６側縁Ｓ６を有し、また、第１領域Ａ１は第３側縁Ｓ１、第４側縁Ｓ４、第５側縁Ｓ５及び第６側縁Ｓ６により囲まれて構成される。ここで、第５側縁Ｓ５は第１領域Ａ１が第１側縁Ｓ１にやや近接する一側であり、第６側縁Ｓ６は重畳領域ＡＡが第２側縁Ｓ２にやや近接する一側である。実質的には、第５側縁Ｓ５および第６側縁Ｓ６はいずれも走査線１１０の延伸方向と平行する。
【００２０】
上面視角でスペーサーＰＳから第１基板Ｂ１方向を見ると、データ線１３０の他の一部が走査線１１０の上方に位置するが、チャネル層１２０と重畳しないため、第１領域Ａ１外の重畳領域ＡＡは第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３を含む。ここで、第２領域Ａ２は第１側縁Ｓ１、第３側縁Ｓ３、第４側縁Ｓ４及び第５側縁Ｓ５から構成され、第３領域Ａ３は第２側縁Ｓ２、第３側縁Ｓ３、第４側縁Ｓ４及び第６側縁Ｓ６から構成される。説明すべきは、スペーサーＰＳは第１領域Ａ１に部分的に対応するとともに、第１領域Ａ１外の重畳領域ＡＡ、例えば、第２領域Ａまたは第３領域Ａ３の少なくとも１つに部分的に対応する。
【００２１】
図４Ａは図３において線Ｍ−Ｍ’に沿って示す断面図である。図４Ｂは図４Ａの使用状態の断面図である。図４Ｃは図３において線Ｎ−Ｎ’に沿って示す断面図である。図３及び図４Ａ〜図４Ｃを参照し、本実施形態において、スペーサーＰＳは第１領域Ａ１に部分的に対応するとともに、かつ第３領域Ａ３に部分的に対応する。さらに、第１領域Ａ１に対応する範囲内において、データ線１３０はチャネル層１２０及び走査線１１０の上に重畳設置され、スペーサーＰＳはデータ線１３０、チャネル層１２０及び走査線１１０の上方に部分的に対応し、データ線１３０の第２表面Ｅ２と第１基板Ｂ１の第１表面Ｅ１との間の距離は第１高さＨ１を有する。第３領域Ａ３に対応する範囲内において、データ線１３０はおおよそ、走査線１１０の上に重畳設置され、スペーサーＰＳはチャネル層１２０外のデータ線１３０及び走査線１１０の上方に部分的に対応し、データ線１３０の第２表面Ｅ２と第１基板Ｂ１の第１表面Ｅ１との間の距離は第２高さＨ２を有する。異なる領域範囲（重畳領域ＡＡ及び第２領域Ａ２）内にあるため、チャネル層１２０の厚みがなくなるため、データ線１３０の第２表面Ｅ２と第１基板Ｂ１の第１表面Ｅ１との間の高さが異なっている。また、第１高さＨ１は第２高さＨ２より大きいため、能動素子アレイ層Ｔ１は複数の段差を有し、段差構成を形成する。
【００２２】
図４Ｂ及び図４Ｃに示すように、利用者はディスプレイパネル１００の第２基板Ｂ２にタッチする際、第２基板Ｂ２は力を受けてやや押下され、スペーサーＰＳをデータ線１３０（または配向膜ＰＩ）の上方に当接させる。スペーサーＰＳの一部が第１領域Ａ１に対応するが、スペーサーＰＳの他部が第３領域Ａ３に対応するため、スペーサーＰＳは第１高さＨ１及び第２高さＨ２を有する能動素子アレイ層Ｔ１の段差構成に対応して当接する。このため、スペーサーＰＳが重畳領域ＡＡに部分的に対応するとともに、第２領域Ａ２に部分的に対応する時、能動素子アレイ層Ｔ１の段差構成により、スペーサーＰＳが外力を受ける時の摩擦力を増加させ、スペーサーＰＳが変位しにくくなり、さらに、スペーサーＰＳ変位による液晶偏向異常を低減させる。
【００２３】
図５は本発明の他の実施形態に係るディスプレイパネルの一部概略上面図である。図５を参照し、第１側縁Ｓ１と第５側縁Ｓ５との間には第１最短距離Ｗ１を有し、第２側縁Ｓ２と第６側縁Ｓ６との間には第２最短距離を有し、第１最短距離Ｗ１は第２最短距離Ｗ２より大きい。即ち、第１領域Ａ１の第５側縁Ｓ５及び第６側縁Ｓ６はそれぞれ走査線１１０の第１側縁Ｓ１及び第２側縁Ｓ２から第１最短距離Ｗ１及び第２最短距離Ｗ２を有する。一実施形態において、好ましくは、第１最短距離Ｗ１は第２最短距離Ｗ２より大きい。つまり、第５側縁Ｓ５と第１側縁Ｓ１との距離である第１最短距離Ｗ１は第６側縁Ｓ６と第２側縁Ｓ２との距離である第２最短距離Ｗ２より大きい。説明すべきは、上面視角でスペーサーＰＳから第１基板Ｂ１方向を見ると、走査線１１０及びデータ線１３０により囲まれるサブピクセルユニットＦ１に対して、チャネル層１２０の位置は次のサブピクセルユニットＦ２に近づく。即ち、チャネル層１２０はそれに電気的に接続される画素電極ＰＸにやや離れるが、それに電気的に接続されない画素電極ＰＸ’にやや近接する。
【００２４】
従って、スペーサーＰＳが第１領域Ａ１に部分的に対応するとともに、第３領域Ａ３に部分的に対応する時、スペーサーＰＳはより短い範囲内で能動素子アレイ層Ｔ１の段差構成に対応できるため、スペーサーＰＳが外力を受けて変位する摩擦力を増加させ、スペーサーＰＳが変位しにくくなる。
【００２５】
図６は本発明の他の実施形態に係るディスプレイパネルの一部概略上面図である。図６を参照し、実務的には、製造工程パラメータ設計または液晶配向の条件を考慮し、画素電極ＰＸの形状は少なくとも１つの凸部ＰＸ１を有するように設計してもよい。一実施形態において、好ましくは、第１最短距離Ｗ１が第２最短距離Ｗ２より大きい場合に、即ち、チャネル層１２０はそれに電気的に接続される画素電極ＰＸから離れるが、それに電気的に接続されない画素電極ＰＸ’にやや近接する場合に、画素電極ＰＸの配置位置はチャネル層１２０に部分的に重畳してかつ走査線１１０の第１側縁Ｓ１をカバーしてもよい。このようにして、画素電極ＰＸの凸部ＰＸ１が製造過程において変位によってデータ線１３０と重畳しやすい情況を回避でき、バックグラウンドチャネルの形成または浮遊容量の増加の情況をさらに改善する。
【００２６】
図７は本発明の他の実施形態に係るディスプレイパネルの一部概略上面図である。図７を参照し、一実施形態において、走査線１１０はおおよそ、列の方向に延伸しかつ第１内凹部１１０ａを有し、第１内凹部１１０ａが走査線１１０とデータ線１３０との交差箇所に位置する。この実施形態では、第１内凹部１１０ａは走査線１１０の第１側縁Ｓ１に位置し、かつ走査線１１０とデータ線１３０との交差箇所に位置する。データ線１３０はチャネル層１２０及び走査線１１０の上に重畳設置されて第１内凹部１１０ａを通過する。このようにして、第１内凹部１１０ａが形成される走査線１１０はデータ線１３０と重畳の面積を低減でき、即ち、第２領域Ａ２の面積を低減させ、従って、走査線１１０とデータ線１３０との重畳箇所に存在する浮遊容量の増加情況を減少する。また、データ線１３０をチャネル層１２０及び走査線１１０上に製造するステップにおいて、第１内凹部１１０ａの走査線１１０の傾斜が小さいため、第１内凹部１１０ａを形成しない走査線１１０に対して、データ線１３０は第１内凹部１１０ａを形成した走査線１１０の位置に容易に製造されて、かつ走査線１１０の高さ段差によるデータ線１３０の断裂問題はない。説明すべきは、他の実施形態では、走査線１１０が第２内凹部（図示せず）を更に有してもよく、第２内凹部及び第１内凹部１１０ａは走査線１１０の２つの側縁に対向して設置され、かついずれも走査線１１０とデータ線１３０の交差位置に設置され、これによって、データ線１１０が第１内凹部１１０ａ及び第２内凹部を形成した走査線１１０上に容易に製造され、かつ第２領域Ａ２及び第３領域Ａ３の面積を低減させ、走査線１１０とデータ線１３０との重畳に存在する浮遊容量を更に低減させる。
【実施形態の可能な効果】
【００２７】
上記のように、本発明の実施形態が提供するディスプレイパネルは、そのスペーサーＰＳが第１領域に部分的に対応するとともに、第２領域及び第３領域のうちの少なくとも１つに部分的に対応する。さらに、重畳領域に対応する範囲内において、データ線はチャネル層及び走査線の上に重畳設置され、スペーサーはデータ線、チャネル層及び走査線の上方に部分的に対応する。能動素子アレイ層には段差構成が形成されるため、利用者がディスプレイパネルの第２基板にタッチする際、第２基板が力を受けてやや押下され、スペーサーをデータ線の上方に当接させる。スペーサーの一部は第１領域に対応するが、スペーサーの他部は第２領域または第３領域に対応するため、スペーサーが第１高さ及び第２高さを有する能動素子アレイ層の段差構成に対応して当接する。従って、スペーサーが第１領域に部分的に対応するとともに、第２領域または第３領域に部分的に対応する場合に、能動素子アレイ層の段差構成によって、スペーサーが外力を受ける時の摩擦力を増加させ、スペーサーが変位しにくくなり、スペーサー変位による液晶偏向異常を低減させる。
【００２８】
また、チャネル層はそれに電気的に接続される画素電極から離れるが、それに電気的に接続されない画素電極にやや近づき、画素電極の配置位置はチャネル層に部分的に重畳し、かつ走査線の第１側縁をカバーする。これによって、画素電極の凸部が製造過程において変位によってデータ線と重畳しやすい情況を回避でき、バックグラウンドチャネルの形成または浮遊容量の増加の情況をさらに改善する。
【００２９】
また、走査線は第１内凹部を有し、これによって、第１内凹部が形成される走査線はデータ線と重畳する面積を低減でき、走査線とデータ線との重畳箇所に存在する浮遊容量の増加情況を減少する。また、データ線をチャネル層及び走査線上に製造するステップにおいて、第１内凹部の走査線の傾斜が小さいため、第１内凹部を形成しない走査線に対して、データ線は第１内凹部を形成した走査線に容易に製造される。
【００３０】
説明すべきは、他の実施形態では、走査線が第２内凹部を更に有してもよく、第２内凹部及び第１内凹部は対向して設置され、かついずれも走査線とデータ線の交差位置に設置され、これによって、データ線が第１内凹部及び第２内凹部を形成した走査線上に容易に製造され、かつ走査線とデータ線との重畳に存在する浮遊容量を更に低減させる。
【００３１】
以上は本発明の好ましい実施形態であるが、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。このため、本発明の明細書及び図面に基づいて作った変形、様々な改良、代替および改質は、すべて本発明の範囲内のものである。
【符号の説明】
【００３２】
１００：ディスプレイパネル
１１０：走査線
１１０ａ：第１内凹部
１２０：チャネル層
１３０：データ線
１３１：ドレイン電極
１４０：保護層
ＡＡ：重畳領域
Ａ１：第１領域
Ａ２：第２領域
Ａ３：第３領域
Ｂ１：第１基板
Ｂ２：第２基板
ＣＦａ：遮光層
ＣＦｂ：カラーフィルター
ＣＦ：カラーフィルター層
Ｅ１：第１表面
Ｅ２：第２表面
Ｆ１、Ｆ２、ＦＮ：サブピクセルユニット
Ｈ１：第１高さ
Ｈ２：第２高さ
ＬＱ：液晶層
ＰＩ：配向膜
ＰＳ：スペーサー
ＰＸ、ＰＸ’：画素電極
ＰＸ１：凸部
Ｓ１〜Ｓ６：第１側縁〜第６側縁
Ｔ１：能動素子アレイ層
Ｕ１：データ線駆動ユニット
Ｕ２：走査線駆動ユニット
Ｖ１、Ｖ２：貫通孔
Ｗ１：第１最短距離
Ｗ２：第２最短距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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