(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】基板３００と、基板３００の一方の面に基板３００と離間するように配置されたミラー１０２と、基板３００とミラー１０２との間に配置され、ミラー１０２を支持するようにミラー１０２の一部と接続された部分を有する側壁３１０と、少なくとも側壁３１０及びミラー１０２を封止する光透過性のカバー基材５１０と、カバー基材５１０の一方の面に配置された第１透明積層膜５２０と、を備え、第１透明積層膜５２０は、導電性の膜を含む。【選択図】図３
2016029432.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面に前記基板と離間するように配置されたミラーと、
前記基板と前記ミラーとの間に配置され、前記ミラーを支持するように前記ミラーの一部と接続された部分を有する支持部と、
少なくとも前記支持部及び前記ミラーを封止する光透過性のカバーと、
前記カバーの一方の面に配置された第１透明積層膜と、を備え、
前記第１透明積層膜は、導電性の膜を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記第１透明積層膜は、
第１透光性膜と、
前記第１透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第１透光性膜より屈折率が高い第２透光性膜と、
前記第２透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第２透光性膜より屈折率が低い第３透光性膜と、を含み、
前記第２透光性膜は、導電性の膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記第１透光性膜は、酸化シリコンであり、
前記第２透光性膜は、ＩＴＯであり、
前記第３透光性膜は、酸化シリコンであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の電気光学装置であって、
ｎ１を前記第２透光性膜の屈折率とし、ｄ１を前記第２透光性膜の膜厚（ｎｍ）とした場合、
ｎ１・ｄ１＝１９０〜３３０（ｎｍ）の関係を満たすことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記第１透明積層膜は、
第４透光性膜と、
前記第４透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第４透光性膜より屈折率が高い第５透光性膜と、
前記第５透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第５透光性膜より屈折率が低い第６透光性膜と、
前記第６透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第６透光性膜より屈折率が高い第７透光性膜と、
前記第７透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第７透光性膜より屈折率が低い第８透光性膜と、を含み、
前記第５透光性膜は、導電性の膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置であって、
前記第４透光性膜は、酸化シリコンであり、
前記第５透光性膜は、ＩＴＯであり、
前記第６透光性膜は、酸化シリコンであり、
前記第７透光性膜は、ＩＴＯであり、
前記第８透光性膜は、酸化シリコンであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の電気光学装置であって、
ｎ１を前記第５透光性膜の屈折率とし、ｄ１を前記第５透光性膜の膜厚（ｎｍ）とし、ｎ２を前記第６透光性膜の屈折率とし、ｄ２を前記第６透光性膜の膜厚（ｎｍ）とし、ｎ３を前記第７透光性膜の屈折率とし、ｄ３を前記第７透光性膜の膜厚（ｎｍ）とした場合、
ｎ１・ｄ１＋ｎ２・ｄ２＝９５〜１８８（ｎｍ）であり、
ｎ２・ｄ２＋ｎ３・ｄ３＝９５〜１８８（ｎｍ）の関係を満たすことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第１透明積層膜は、前記カバーの前記基板側の面に配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置であって、
前記カバーの前記基板と反対側の面に配置された第２透明積層膜を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電子機器として、例えば、光源から射出された光を、ＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）と呼ばれる電気光学装置としての光偏向装置に集光させ、投射光学系によって拡大投射することにより、スクリーン上にカラー表示させているプロジェクターが知られている。
【０００３】
光偏向装置は、複数のマイクロミラーがマトリクス状に配列されたものである。これら複数のマイクロミラーに外部からゴミ（汚染物）が付着することを防ぐために、マイクロミラーを封止するカバーを備えたものが知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、ＭＥＭＳ素子を、電気的に接続された銀ペーストを樹脂などの封止パッケージに配置することにより、封止パッケージングした際に発生する静電気を抑え、ＭＥＭＳ素子の静電気による誤動作を低減させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２４２２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、光偏向装置のような表示デバイスに、透過性の絶縁材料（例えば、ＳｉＯ2などのガラス）でカバーすると、静電気によってカバーにゴミが付着して、投影する表示に悪影響が生じる（透過率が低減する）という課題がある。また、静電気で動作させている上記光偏向装置に悪影響が生じるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の一方の面に前記基板と離間するように配置されたミラーと、前記基板と前記ミラーとの間に配置され、前記ミラーを支持するように前記ミラーの一部と接続された部分を有する支持部と、少なくとも前記支持部及び前記ミラーを封止する光透過性のカバーと、前記カバーの一方の面に配置された第１透明積層膜と、を備え、前記第１透明積層膜は、導電性の膜を含むことを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、カバーに導電性の膜を含む第１透明積層膜を配置しているので、プロセス中に発生した静電気による帯電を抑えることが可能となり、カバーにゴミが付着することを抑えることができる。また、静電気の帯電が抑えられるので、静電気で動作する装置などに悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。また、カバーに第１透明積層膜が配置されているので、光の透過率を向上させることが可能となり、透過した光をミラーで反射させることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１透明積層膜は、第１透光性膜と、前記第１透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第１透光性膜より屈折率が高い第２透光性膜と、前記第２透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第２透光性膜より屈折率が低い第３透光性膜と、を含み、前記第２透光性膜は、導電性の膜であることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、第１透明積層膜が上記のような屈折関係を有する積層膜で構成されているので、膜の界面で光の反射が抑えられ、光の透過率を向上させることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１透光性膜は、酸化シリコンであり、前記第２透光性膜は、ＩＴＯであり、前記第３透光性膜は、酸化シリコンであることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、透光性膜が上記のような材料で積層されているので、膜の界面で光の反射が抑えられ、光の透過率を向上させることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、ｎ１を前記第２透光性膜の屈折率とし、ｄ１を前記第２透光性膜の膜厚（ｎｍ）とした場合、ｎ１・ｄ１＝１９０〜３３０（ｎｍ）の関係を満たすことが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、上記のような光学膜厚になるように設定することにより、第１透明積層膜の透過率を向上させることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１透明積層膜は、第４透光性膜と、前記第４透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第４透光性膜より屈折率が高い第５透光性膜と、前記第５透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第５透光性膜より屈折率が低い第６透光性膜と、前記第６透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第６透光性膜より屈折率が高い第７透光性膜と、前記第７透光性膜と前記ミラーとの間に配置され、前記第７透光性膜より屈折率が低い第８透光性膜と、を含み、前記第５透光性膜は、導電性の膜であることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、第１透明積層膜が上記のような屈折関係を有する積層膜で構成されているので、膜の界面で光の反射が抑えられ、光の透過率を向上させることができる。更に、広い波長範囲で透過率を向上させることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第４透光性膜は、酸化シリコンであり、前記第５透光性膜は、ＩＴＯであり、前記第６透光性膜は、酸化シリコンであり、前記第７透光性膜は、ＩＴＯであり、前記第８透光性膜は、酸化シリコンであることが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、第１透明積層膜が上記のような材料で積層されているので、膜の界面で光の反射が抑えられ、光の透過率を向上させることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、ｎ１を前記第５透光性膜の屈折率とし、ｄ１を前記第５透光性膜の膜厚（ｎｍ）とし、ｎ２を前記第６透光性膜の屈折率とし、ｄ２を前記第６透光性膜の膜厚（ｎｍ）とし、ｎ３を前記第７透光性膜の屈折率とし、ｄ３を前記第７透光性膜の膜厚（ｎｍ）とした場合、ｎ１・ｄ１＋ｎ２・ｄ２＝９５〜１８８（ｎｍ）であり、ｎ２・ｄ２＋ｎ３・ｄ３＝９５〜１８８（ｎｍ）の関係を満たすことが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、上記のような光学膜厚になるように設定することにより、第１透明積層膜の透過率を向上させることができる。更に、広い波長範囲で透過率を向上させることができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１透明積層膜は、前記カバーの前記基板側の面に配置されていることが好ましい。
【００２３】
本適用例によれば、カバーの基板側の面に、第１透明積層膜を配置するので、透過率を向上させることができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置において、前記カバーの前記基板と反対側の面に配置された第２透明積層膜を備えることが好ましい。
【００２５】
本適用例によれば、カバーの基板と反対側の面に第２透明積層膜が配置されているので、カバーにゴミが付着しにくくなる。また、ゴミ対策のためにピントをぼかす調整の必要がなく、カバー全体を薄くすることができる。
【００２６】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００２７】
本適用例によれば、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】電子機器としてのプロジェクターの光学系を示す模式図。
【図２】電気光学装置としての光偏向装置の構成を示す模式図。
【図３】図２に示す光偏向装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図４】図３に示す光偏向装置のＢ部を拡大して示す拡大断面図。
【図５】図３に示す光偏向装置のＢ部を拡大して示す拡大断面図。
【図６】図３に示す光偏向装置のＣ部を拡大して示す拡大断面図。
【図７】図６のカバーを構成する透明積層膜の反射状態を示す模式断面図。
【図８】第２実施形態の光偏向装置の構成を示す模式断面図。
【図９】カバーを構成する透明積層膜の反射状態を示す模式断面図。
【図１０】変形例のカバーの構成を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００３０】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００３１】
（第１実施形態）
＜電子機器としてのプロジェクターの構成＞
図１は、電子機器としてのプロジェクターの光学系を示す模式図である。以下、プロジェクターの光学系を、図１を参照しながら説明する。
【００３２】
図１に示すように、プロジェクター１０００は、光源装置１００２と、光源装置１００２から射出された光を画像情報に応じて変調する光偏向装置１００と、光偏向装置１００からの変調光を投写画像として投写する投写光学系１００４と、を具備して構成されている。
【００３３】
光源装置１００２は、発光素子１０２０と、蛍光体基板１０３０と、を備えている。光源装置１００２は、青色のレーザー光（発光強度のピーク：例えば、約４４５ｎｍ）を射出するレーザー光源である。発光素子１０２０から射出されるレーザー光の光路上には、蛍光体基板１０３０、が配置されている。
【００３４】
なお、発光素子１０２０は、後述する蛍光物質を励起させることができる波長の光であれば、４４５ｎｍ以外のピーク波長を有する色光を射出する励起光源であっても構わない。また、投写画像を明るくする方法として、３つの光偏向装置を用いるようにしてもよい。
【００３５】
＜電気光学装置としての光偏向装置の構成＞
図２は、電気光学装置としての光偏向装置の構成を示す模式図である。図３は、図２に示す光偏向装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。図４及び図５は、図３に示す光偏向装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図（Ｂ部）であると共に、光偏向装置のミラーの動作を示す模式断面図である。以下、光偏向装置の構成及び動作を、図２〜図５を参照しながら説明する。
【００３６】
図２に示すように、光偏向装置（ＤＭＤ）１００は、基板３００の上方に、ヒンジ１０６、支持部としての支柱１０５（これら図４参照）を介してミラー１０２がマトリクス状に支持されている。更に、これらを囲むように側壁３１０やカバー５００を用いて封止されている（図２及び図３参照）。
【００３７】
図４に示すように、本実施形態の光偏向装置１００は、制御回路を含む底部１０と、電極２０２、ヒンジ１０６を備えた中間部２０と、埋め込みトーションヒンジ及びキャビティーを備えたミラー１０２によって覆われる上部３０と、の３つの主要な部分を備えている。
【００３８】
底部１０は、光偏向装置１００の各ミラー１０２の動作を選択的に制御するための、アドレス指定回路を備えた基板３００を有する。アドレス指定回路は、通信信号のためのメモリセルと、ワード線／ビット線の配線とを備える。基板３００上の電気的なアドレス指定回路は、標準的ＣＭＯＳ技術を使用して組み立てることが可能であり、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）に類似している。
【００３９】
中間部２０は、電極２０２、ヒンジ１０６、及び支柱１０５によって構成される。電極２０２は、角度交差遷移の間の静電トルクの容量結合効率を向上させるように設計されている。ヒンジ１０６領域の近くで電極２０２表面を持ち上げることによって、ミラー１０２及び電極２０２の間の空隙を効果的に狭くする。静電引力は、ミラー１０２と電極２０２との間の２乗に反比例するので、この影響は、ミラー１０２をそのランディング位置で傾斜させたときに明白になる。
【００４０】
上部３０は、上面に平坦な反射金属膜としての第３ミラー膜１０２ｃを備えた積層膜で構成されたミラー１０２によって覆われる。ミラー１０２のヒンジ１０６は、ミラー１０２の一部になるように形成される。また、ミラー１０２の下側には、最小距離を保持して所定の角度を回転するだけの間隙が与えられる。
【００４１】
図４は、照明光源４０１からの指向性光４１１が入射角θ１を形成するときの、本発明の一実施態様に基づく光偏向装置１００の一部分の断面図を示す。光偏向装置１００を通常の方向で測定したとき、偏向光４１２は角度θｏを有する。デジタル動作モードにおいて、この構成を一般的に「オン」の位置と呼ぶ。
【００４２】
図５は、ミラー１０２が、ヒンジ１０６の反対側の下の別の電極２０２に向かって回転される間の、光偏向装置１００の同じ部分の断面図を示す。指向性光４１１及び偏向光４１２は、より大きな角度θ１およびθｏを成す。偏向光４１２は、光吸収装置４０２の方へ射出する。
【００４３】
図６は、図３に示す光偏向装置のＣ部を拡大して示す拡大断面図である。図７は、図６のカバーを構成する透明積層膜の反射状態を示す模式断面図である。以下、カバーの構成を、図６及び図７を参照しながら説明する。
【００４４】
図６に示すように、カバー５００は、カバー基材５１０（カバー）と、カバー基材５１０上（ミラー１０２側）に配置された第１透明積層膜としての透明積層膜５２０とを有する。カバー基材５１０は、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。カバー基材５１０の厚みは、０．７ｍｍ〜１．２ｍｍ程度である。
【００４５】
透明積層膜５２０は、カバー基材５１０側から第１透光性膜５２１、第２透光性膜５２２、第３透光性膜５２３で構成されている。光はカバー基材５１０から透明積層膜５２０を通ってミラー１０２に導かれ、ミラー１０２で反射した光が透明積層膜５２０、カバー基材５１０を通って出射する。
【００４６】
第１透光性膜５２１の材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。第２透光性膜５２２の材料は、例えば、透明導電膜（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）である。第３透光性膜５２３の材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。第２透光性膜５２２は、カバー５００に帯電する静電気を除去するために、光偏向装置１００と電気的に接続されている。
【００４７】
第２透光性膜５２２は、第１透光性膜５２１と第３透光性膜５２３との間に配置され、第１透光性膜５２１より屈折率が高い導電性の膜である。第３透光性膜５２３は、第２透光性膜５２２とミラー１０２との間に配置され、第２透光性膜５２２より屈折率が低い膜である。
【００４８】
ＩＴＯの屈折率は、例えば、１．９程度である。ＳｉＯ2の屈折率は、例えば、１．４程度である。このように屈折率が異なる透光性膜５２１，５２２，５２３を積層することにより光反射防止構造が構成されている。カバー５００を構成する各透光性膜５２１，５２２，５２３の膜厚は、変調すべき光の波長帯域において透過率が最大になるように設定されている。具体的には、可視光（４５０ｎｍ〜６５０ｎｍ、望ましくは３８０ｎｍ〜７５０ｎｍ）の範囲で高透過率条件を満足し、低透過率条件に当たらないことが望ましい。
【００４９】
ここで、第２透光性膜５２２の屈折率をｎ（ｎ１）とし、第２透光性膜５２２の膜厚をｄ（ｄ１）とする。この場合、ｎ・ｄ（光学膜厚）＝１９０ｎｍ〜３３０ｎｍの数式を満たすことが望ましい。これにより、カバー５００の透過率を向上させることができる。
【００５０】
このようにすることで、図７に示すように、第１透光性膜５２１と第２透光性膜５２２との界面での理論上の反射光と、第２透光性膜５２２と第３透光性膜５２３との界面での理論上の反射光と、は効率的に打ち消し合う。この結果、光Ｌを通過する事ができる。
【００５１】
以上詳述したように、第１実施形態の光偏向装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００５２】
（１）第１実施形態の光偏向装置１００によれば、カバー５００に透明導電膜（ＩＴＯ）を含む透明積層膜５２０が設けられているので、例えば、プロセス中に発生した静電気による帯電を抑えることが可能となり、カバー５００にゴミ（汚染物）が付着することを抑えることができる。また、静電気の帯電が抑えられるので、静電気で動作する装置などに悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。また、カバー５００に透明積層膜５２０が設けられているので、膜の界面で光の反射が抑えられ、光の透過率を向上させることができる。具体的には、ある波長に対して透過率が高い特性を得ることができる。
【００５３】
（２）本実施形態の電子機器によれば、上記の光偏向装置１００を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００５４】
（第２実施形態）
＜光偏向装置の構成＞
図８は、第２実施形態の光偏向装置（特にカバー）の構成を示す模式断面図である。図９は、カバーを構成する透明積層膜の反射状態を示す模式断面図である。以下、第２実施形態のカバーの構成を、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００５５】
第２実施形態のカバー５０１は、上述の第１実施形態と比べて、透明積層膜５３０の構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００５６】
図８に示すように、カバー５０１は、カバー基材５１０と、カバー基材５１０上（図８において下側）に設けられた透明積層膜５３０とを有する。
【００５７】
透明積層膜５３０は、カバー基材５１０側から第４透光性膜５３４、第５透光性膜５３５、第６透光性膜５３６、第７透光性膜５３７、第８透光性膜５３８で構成されている。光はカバー基材５１０から透明積層膜５３０を通ってミラー１０２に導かれ、ミラー１０２で反射した光が透明積層膜５３０、カバー基材５１０を通って出射する。
【００５８】
第４透光性膜５３４の材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。第５透光性膜５３５の材料は、例えば、透明導電膜（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）である。第６透光性膜５３６の材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。第７透光性膜５３７の材料は、例えば、透明導電膜（ＩＴＯ）である。第８透光性膜５３８の材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。
【００５９】
第５透光性膜５３５は、第４透光性膜５３４と第６透光性膜５３６との間に配置され、第４透光性膜５３４より屈折率が高い導電性の膜である。第６透光性膜５３６は、第５透光性膜５３５と第７透光性膜５３７との間に配置され、第５透光性膜５３５より屈折率が低い絶縁性の膜である。第７透光性膜５３７は、第６透光性膜５３６と第８透光性膜５３８との間に配置され、第６透光性膜５３６より屈折率が高い導電性の膜である。第８透光性膜５３８は、第７透光性膜５３７とミラー１０２との間に配置され、第７透光性膜５３７より屈折率が低い絶縁性の膜である。
【００６０】
第５透光性膜５３５及び第７透光性膜５３７は、カバー５０１に帯電する静電気を除去するために、光偏向装置１００と電気的に接続されている。
【００６１】
ＩＴＯの屈折率は、例えば、１．９程度である。ＳｉＯ2の屈折率は、例えば、１．４程度である。このように屈折率が異なる透光性膜を積層することにより光反射防止構造が構成されている。カバー５０１を構成する各透光性膜（５３０）の膜厚は、変調すべき光の波長帯域において透過率が最大になるように設定されている。具体的には、可視光（４５０ｎｍ〜６５０ｎｍ、望ましくは３８０ｎｍ〜７５０ｎｍ）の範囲で高透過率条件を満足し、低透過率条件に当たらないことが望ましい。
【００６２】
ここで、第５透光性膜５３５の屈折率をｎ５（ｎ１）、膜厚をｄ５（ｄ１）とする。第６透光性膜５３６の屈折率をｎ６（ｎ２）、膜厚をｄ６（ｄ２）とする。第７透光性膜５３７の屈折率をｎ７（ｎ３）、膜厚をｄ７（ｄ３）とする。この場合、ｄ５・ｄ５＋ｎ６・ｄ６＝９５〜１８８ｎｍ、ｎ６・ｄ６＋ｎ７＋ｄ７＝９５〜１８８ｎｍの数式を満たすことが望ましい。これにより、カバー５０１の透過率を向上させることができる。
【００６３】
こうすることで、図９に示すように、第４透光性膜５３４と第５透光性膜５３５との界面での理論上の反射光と、第６透光性膜５３６と第７透光性膜５３７との界面での理論上の反射光と、は効率的に打ち消し合う。言い換えれば、互いの位相が反転しているので打ち消し合う。この結果、光Ｌを通過する事ができる。
【００６４】
また、第５透光性膜５３５と第６透光性膜５３６との界面での理論上の反射光と、第７透光性膜５３７と第８透光性膜５３８との界面での理論上の反射光と、は効率的に打ち消し合う。この結果、光Ｌを通過する事ができる。この場合、例えば、波長５５０ｎｍ（緑色）のところで透過率が最大となる。
【００６５】
以上詳述したように、第２実施形態の光偏向装置１００によれば、以下に示す効果が得られる。
【００６６】
（３）第２実施形態の光偏向装置１００によれば、透明積層膜５３０が上記のような屈折関係を有する積層膜で構成されているので、膜の界面で光の反射が抑えられ、光の透過率を向上させることができる。更に、第１実施形態のカバー５００と比較して、広い波長帯域で透過率を向上させることができる。
【００６７】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００６８】
（変形例１）
上記したように、第１実施形態や第２実施形態のように、透明積層膜５２０，５３０を、絶縁膜（ＳｉＯ2）と透明導電膜（ＩＴＯ）との積層膜で構成することに代えて、図１０に示すように構成してもよい。図１０は、変形例のカバーの構成を示す模式断面図である。図１０に示すカバー５０２は、上述のカバー５００，５０１と比べて、透明積層膜５４０の構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。
【００６９】
図１０に示すように、カバー５０２は、カバー基材５１０と、カバー基材５１０上（図１０において下側）に設けられた透明積層膜５４０とを有する。
【００７０】
透明積層膜５４０は、カバー基材５１０側から第１１透光性膜５４１、第１２透光性膜５４２、第１３透光性膜５４３、第１４透光性膜５４４、第１５透光性膜５４５で構成されている。光はカバー基材５１０から透明積層膜５４０を通ってミラー１０２に導かれ、ミラー１０２で反射した光が透明積層膜５４０、カバー基材５１０を通って出射する。
【００７１】
第１１透光性膜５４１の材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。第１２透光性膜５４２の材料は、例えば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）である。第１３透光性膜５４３の材料は、例えば、透明導電膜（ＩＴＯ）である。第１４透光性膜５４４の材料は、例えば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）である。第１５透光性膜５４５の材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。
【００７２】
第１２透光性膜５４２は、第１１透光性膜５４１と第１３透光性膜５４３との間に配置され、第１１透光性膜５４１より屈折率が高い膜である。第１３透光性膜５４３は、第１２透光性膜５４２と第１４透光性膜５４４との間に配置され、第１２透光性膜５４２より屈折率が高い導電性の膜である。第１４透光性膜５４４は、第１３透光性膜５４３と第１５透光性膜５４５との間に配置され、第１３透光性膜５４３より屈折率が低い膜である。第１５透光性膜５４５は、第１４透光性膜５４４とミラー１０２との間に配置され、第１４透光性膜５４４より屈折率が低い絶縁性の膜である。
【００７３】
ＩＴＯの屈折率は、１．９程度である。アルミナの屈折率は、１．７６程度である。ＳｉＯ2の屈折率は、１．４程度である。このように屈折率が異なる透光性膜を積層することにより光反射防止構造が構成されている。
【００７４】
このような構成のカバー５０２によれば、各透光性膜（５４０）の膜厚を調整することにより、変調すべき光の波長帯域において透過率が最大になるように設定されている。これにより、第２実施形態のカバー５０１と比較して、広い波長帯域で高い透過率を得ることができる。
【００７５】
（変形例２）
上記したように、カバー基材５１０の内側（ミラー１０２側）に透明積層膜５２０，５３０，５４０を配置することに限定されず、例えば、カバー基材５１０の外側（光の入射側）のみに第２透明積層膜を配置するようにしてもよい。また、カバー基材５１０の内側に第１透明積層膜を配置し、外側に第２透明積層膜を配置するようにしてもよい。なお、カバー基材５１０の外側に透明積層膜を設けた場合、カバーにゴミが付着しにくくなるので、ゴミ対策のためにピントをぼかす調整の必要がなく、カバー全体を薄くすることができる。
【００７６】
（変形例３）
上記したように、カバー基材５１０の上に透明積層膜５２０を構成する酸化シリコン（第１透光性膜５２１）を配置するようにしたが、これに限定されず、酸化シリコンをカバー基材５１０の材料と同一のものとし、カバー基材５１０の上にＩＴＯ（第２透光性膜５２２）を配置するようにしてもよい。
【００７７】
（変形例４）
上記したように、カバー５００で封止された光偏向装置１００の中に何も入れないことに限定されず、例えば、透過率を向上させるような材料のガスを充てんしておくようにしてもよい。
【００７８】
（変形例５）
上記したように、光偏向装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、モバイルミニプロジェクター、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【符号の説明】
【００７９】
１０…底部、２０…中間部、３０…上部、１００…電気光学装置としての光偏向装置、１０２…ミラー、１０５…支持部としての支柱、１０６…ヒンジ、２０２…フレーム、２２２…チップ、３００…基板、３１０…側壁、４０１…照明光源、４０２…光吸収装置、４１１…指向性光、４１２…偏向光、５００，５０１，５０２…カバー、５１０…カバーの一部であるカバー基材、５２０，５３０，５４０…第１透明積層膜としての透明積層膜、５２１…第１透光性膜、５２２…第２透光性膜、５２３…第３透光性膜、５３４…第４透光性膜、５３５…第５透光性膜、５３６…第６透光性膜、５３７…第７透光性膜、５３８…第８透光性膜、５４１…第１１透光性膜、５４２…第１２透光性膜、５４３…第１３透光性膜、５４４…第１４透光性膜、５４５…第１５透光性膜、１０００…プロジェクター、１００２…光源装置、１００４…投写光学系、１０１０…励起光源、１０２０…発光素子、１０３０…蛍光体基板、１０４０…第１ダイクロイックミラー、１０４１…第１集光レンズ、１０４２…第１反射ミラー、１０４３…第２集光レンズ、１０４４…第２反射ミラー、１０４５…第２ダイクロイックミラー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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