(57)【要約】【課題】複数のホールパターンを高い精度で形成する。【解決手段】一実施形態のパターン形成方法によれば、被加工膜の上に第１の層を形成しと、前記第１の層にモールドを押し当てて前記被加工膜上に凸部並びに第１および第２の領域を形成し、前記第１の領域内および前記第２の領域内に第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマ層を形成し、前記ブロックコポリマ層を相分離させ、前記第１の領域内に第２および第３の層を形成し、前記第２の領域内に第４および第５の層を形成し、第１および第２のパターンを形成する。前記第１の領域は、前記第１の層および前記凸部に囲まれる。前記第２の領域は、前記第１の層に囲まれ、かつ、前記凸部を介して前記第１の領域と接する。前記第３および第５の層は前記第２および第４の層にそれぞれ囲まれる。前記第１および第２のパターンはそれぞれ前記第３および前記第５の層を除去して形成される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工膜の上に、第１の層を形成する工程と、
前記第１の層にモールドを押し当てて、前記被加工膜上に凸部を形成し、前記第１の層および前記凸部に囲まれた第１の領域と、前記第１の層に囲まれ、かつ、前記凸部を介して前記第１の領域と接する第２の領域と、を形成する工程と、
前記第１の領域内および前記第２の領域内に、第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマ層を形成する工程と、
前記ブロックコポリマ層を相分離させ、前記第１の領域内に第２の層および第２の層に囲まれる第３の層を形成し、前記第２の領域内に第４の層および前記第４の層に囲まれる第５の層を形成し、
前記第３の層を除去して第１のパターンを形成し、前記第５の層を除去して第２のパターンを形成する工程と、
を備えるパターン形成方法。
【請求項２】
前記被加工膜の表面に垂直な第１の方向における前記凸部の第１の長さは、前記第１の層の前記第１の方向における第２の長さの１／３以上で第２の長さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記ホールを外接する円の直径をａとし、前記１領域および前記第２の領域が連なる方向に対し垂直方向の第１領域または第２の領域の幅をｃ、前記第１領域および前記第２の領域が連なる方向に平行な第１領域または第２の領域の幅をｂとすると、下記の関係式が成立する；
２ａ＜ｂ＜４ａ                                          …式（３）
２ａ＜ｃ＜４ａ                                          …式（２）。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のパターン形成方法により形成された前記第２のパターンをマスクとして前記被加工膜を加工する工程を備える、
半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載のパターン形成方法における第１および第２のパターンの形成に使用されるテンプレートであって、
透過性を有する基板と、
基板上に形成され、第１の領域と第２の領域を有し、透過性を有するパターンと、
を備え、
前記パターンは、第１の領域および前記第２の領域の間に溝が設けられたことを特徴とするテンプレート。
【請求項６】
前記第１および第２のパターンは、楕円または円状の形状である請求項５に記載のテンプレート。
【請求項７】
被加工膜の上に、穴底に凸部を有する穴が設けられた第１のパターンを形成する工程と、
前記第１のパターン上に、第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマ層を形成する工程と、
前記ブロックコポリマ層をミクロ相分離させ、前記穴の側壁と前記凸部との間に凝集した前記第１または第２のブロック鎖を除去することにより、ホールが設けられた第２のパターンを形成する工程と、
を備えるパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法、半導体装置の製造方法およびテンプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
微細化が進展する半導体装置の製造において、ナノメータレベルの加工サイズが要求され、これに応えるため光リソグラフィに代わる新たな技術が求められている。
【０００３】
このような技術の一つに、自己組織化リソグラフィが注目されている。自己組織化リソグラフィとは、ナノメータオーダの規則構造を形成するブロックコポリマを被加工膜上に塗布した後に相分離を行い、一方のブロック鎖を除去し、他方のブロック鎖をマスクとして被加工膜を加工することにより微細パターンを形成する方法である。
【０００４】
自然の規則パターンの方向性を制御する方法として光リソグラフィにより被加工膜上にガイドパターンを形成し、このガイドパターン上にブロックコポリマを塗布することで自然現象のパターンに人為的秩序を付与するＤＳＡ（Ｄｉｒｅｃｔｅｄ  Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）技術が開発されている。
【０００５】
しかしながら、ＤＳＡ技術を用いても複数の微細なホール（ｈｏｌｅ）パターンを高い精度で形成することは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第８，３９８，８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、複数のホールパターンを高い精度で形成することができるパターン形成方法、半導体装置の製造方法およびテンプレートを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態のパターン形成方法は、被加工膜の上に第１の層を形成する工程と、前記第１の層にモールドを押し当てて、前記被加工膜上に凸部を形成し、第１および第２の領域を形成する工程と、前記第１の領域内および前記第２の領域内に第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマ層を形成する工程と、前記ブロックコポリマ層を相分離させ、前記第１の領域内に第２および第３の層を形成し、前記第２の領域内に第４および第５の層を形成する工程と、第１および第２のパターンを形成する工程と、を持つ。前記第１の領域は、前記第１の層および前記凸部に囲まれる。前記第２の領域は、前記第１の層に囲まれ、かつ、前記凸部を介して前記第１の領域と接する。前記第３の層は前記第２の層に囲まれる。前記第５の層は前記第４の層に囲まれる。前記第１のパターンは前記第３の層を除去して形成され、前記第２のパターンは、前記第５の層を除去して形成される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態１によるパターン形成方法を説明する略示断面図の一例。
【図２】実施の一形態によるテンプレートを示す平面図および端面図の例。
【図３】実施形態１によるパターン形成方法を説明する略示平面図と端面図の例。
【図４】実施形態１によるパターン形成方法を説明する略示平面図と端面図の例。
【図５】実施形態１によるパターン形成方法を説明する略示平面図と端面図の例。
【図６】実施形態１によるパターン形成方法を説明する略示平面図と端面図の例。
【図７】実施形態１によるパターン形成方法を説明する略示平面図と端面図の例。
【図８】実施形態１によるパターン形成方法を説明する略示平面図と端面図の例。
【図９】実施形態２によるパターン形成方法を説明する略示断面図の一例。
【図１０】実施形態２によるパターン形成方法を説明する略示平面図と端面図の例。
【図１１】実施形態２によるパターン形成方法を説明する略示平面図と端面図の例。
【図１２】実施形態２によるパターン形成方法を説明する略示平面図と端面図の例。
【図１３】実施形態２によるパターン形成方法を説明する略示平面図と端面図の例。
【図１４】実施形態２によるパターン形成方法を説明する略示平面図と端面図の例。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態のいくつかについて図面を参照しながら説明する。図面において、同一の部分には同一の参照番号を付し、その重複説明は適宜省略する。また、添付の図面は、それぞれ発明の説明とその理解を促すためのものであり、各図における形状や寸法、比などは実際の装置と異なる個所がある点に留意されたい。
【００１１】
本願明細書において、「積層」は、互いに接して重ねられる場合の他、間に他の層が介挿されて重ねられる場合をも含む。また、「上に設けられる」とは、直接接して設けられる場合の他、間に他の層が介挿されて設けられる場合をも含む。さらに、説明中の上下等の方向を示す用語は、後述する基板上の任意の層における配線形成面側を上とした場合の相対的な方向を指し示す。そのため、重力加速度方向を基準とした現実の方向と異なる場合がある。
【００１２】
以下ではシリコン基板上の任意の層の表面に設けられた微細配線へ接続されるコンタクトホールの形成を取り挙げて説明するが、これに限ることなく微細なホールパターン全般に使用可能であることに留意されたい。
【００１３】
（１）実施形態１
図１に示すように、シリコン基板（図示せず）上の任意の層１００の表面部に、例えばマルチパターニング等の工程を経てライン・アンド・スペースの配線１２が形成されている。
【００１４】
まず、図１に示すように、層１００上に例えばプラズマＣＶＤによりＴＥＯＳ膜１を約２００ｎｍの膜厚で成膜し、続いてＴＥＯＳ膜１の上に例えばスピン塗布により有機膜２を約１５０ｎｍの膜厚で成膜する。ＴＥＯＳ膜１および有機膜２は本実施形態において、例えば被加工膜に対応する。
【００１５】
次いで、図１に示すように、例えばスピン塗布により有機膜２上にＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜３を約４０ｎｍの膜厚で成膜する。
【００１６】
次に、ＳＯＧ膜３上にナノインプリント・リソグラフィ（Ｎａｎｏｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ；以下、単に「ＮＩＬ」と称する）によりガイドパターンを作成する。
【００１７】
より具体的には、ＵＶ硬化性を有するレジスト４（図３参照）をＳＯＧ膜３上にスピン塗布し、狙いのガイドパターンに応じたパターンが形成されたテンプレート、例えば図２（ａ）乃至（ｃ）に示すテンプレート１１をパターン形成面が下になるように配置してレジスト４に当接し、さらに層１００の方向へ押し当てる。
【００１８】
図２（ａ）は、実施の一形態によるテンプレート１１を示す平面図の一例であり、図２（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ図２（ａ）のＡ−Ａ切断線およびＢ−Ｂ切断線による断面部の端面図の例である。図２（ａ）乃至（ｃ）に示すように、テンプレート１１は、透過性材料で形成された基板、例えば石英ガラス基板１１１上に設けられた楕円形状の透過性パターン１２１を含み、透過性パターン１２１は、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２を含む。透過性パターン１２１には短径方向、すなわち図２（ａ）のＹ方向にスリット状の溝ＴＲが設けられている。つまり、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２の間には、溝ＴＲが設けられる。透過性パターン１２１の高さ（石英ガラス基板１１１の水平面に垂直な図２（ｂ）のＺ方向における長さ）をｈ２とし、溝ＴＲの深さ（図２（ｂ）のＺ方向における長さ）をｈ１とすると、
ｈ１＜ｈ２                                                            …（１）
の関係がある。
【００１９】
テンプレート１１がレジスト４中に押し当てられた状態でレジスト４側とは反対の方向からテンプレート１１へＵＶ光を当てることにより、レジスト４を硬化させる。硬化後にテンプレート１１をレジスト４から離すと、図３（ａ）および図３（ａ）のＥ−Ｅ切断線による断面部の端面図である図３（ｂ）に示すように、楕円の抜きパターンＥＰの底の中央領域に突起１０が設けられたパターンＰ１を形成することができる。つまり、パターンＰ１は、それぞれがレジスト４に囲まれ、突起１０を介して接する第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２を有する。なお、以下の図４（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）、図８（ｂ）、図１０（ｂ）、図１１（ｂ）、図１２（ｂ）、図１３（ｂ）、図１４（ｂ）は、それぞれ図４（ａ）、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）、図８（ａ）、図１０（ａ）、図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）、図１４（ａ）のＥ−Ｅ断面における端面図である。
【００２０】
最終的に形成されるホールパターンの外接円の直径をａとすると（図８参照）、楕円パターンＥＰの短径、すなわち第１および第２の領域が連なるＸ方向に直交するＹ方向の径ｃは
２ａ＜ｃ＜４ａ                                                        …（２）
の関係を満たすことが好ましい。
【００２１】
また、楕円パターンＥＰの長軸方向、すなわち第１および第２の領域が連なるＸ方向に平行な方向における突起１０と楕円パターンＥＰの側壁との距離をｂとすると、
２ａ＜ｂ＜４ａ                                                        …（３）
の関係が満たされることが好ましい。なお、パターンＥＰの形状は楕円状で示した円状であってもよい。
【００２２】
次いで、パターンＰ１を物理ガイドとして使用することによりＢＣＰの自己組織化を行う。
【００２３】
具体的には、パターンＰ１が埋まる程度の膜厚でＢＣＰを塗布する。ここではＢＣＰはＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡを用いた。その後約２５０℃で約１分間アニールを行うとＢＣＰが自己組織化し、これにより、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、ＰＳが凝集した部分（以下、「ＰＳ凝集部」と称する）５ａ，５ｂとＰＭＭＡが凝集した部分（以下、「ＰＭＭＡ凝集部」と称する）６ａ，６ｂとに相分離する。本実施形態において、ＰＳ凝集部５ａおよびＰＭＭＡ凝集部６ａはそれぞれ第２の層および第３の層に対応し、ＰＳ凝集部５ｂおよびＰＭＭＡ凝集部６ｂはそれぞれ第４の層および第５の層に対応する。
【００２４】
ここで、自己組織化後のＢＣＰの膜厚をｄとすると、
ａ＜ｄ＜４ａ                                                          …（４）
の関係が満たされることが好ましい。
【００２５】
続いて、パターンＰ１の上面側（層１００の側とは反対の側）からＵＶ光を当てることにより、ＰＭＭＡ凝集部６における結合（Ｂｏｎｄ）を切って低分子化させた後、イソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ  Ａｌｃｏｈｏｌ）により洗浄を行う。その結果、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、ＰＭＭＡ凝集部６ａ，６ｂのみが剥離されてＰＳ凝集部５ａ，６ｂおよびレジスト４で構成されるパターンＰ２がマスクとして残る。これにより、直径寸法（ＣＤ）と間隔（Ｐｉｔｃｈ）の双方においてＮＩＬ後よりも縮小したホールパターンＨＰ１、ＨＰ２が形成される。
【００２６】
次いで、例えば２周波重畳の平行平板型のＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用いてＲＩＥを行うことにより、楕円の抜きパターンＥＰの底部に残存するＰＳ凝集部５ａ，６ｂを除去し、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、レジスト４と側壁に残ったＰＳ膜５をマスクとしてＳＯＧ膜３にパターン転写をする。
【００２７】
続いて、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、ＳＯＧ膜３をマスクとして有機膜２にパターン転写を行い、パターン転写された有機膜２をマスクとしてＴＥＯＳ膜１にさらにパターン転写をする。その後、灰化処理（Ａｓｈｉｎｇ）を行った後に有機膜２を除去することにより、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、ＮＩＬ後のホールパターンよりも直径寸法（ＣＤ）と間隔（Ｐｉｔｃｈ）とが縮小（Ｓｈｒｉｎｋ）したコンタクトホール７を形成することができる。
【００２８】
仮に、自己組織化後にＰＭＭＡ凝集部６ａ，６ｂで大きな位置ずれが生じると、コンタクト形成後に隣の配線と電気的にショート（Ｓｈｏｒｔ）するなどの欠陥が発生する場合がある。
【００２９】
しかしながら、本実施形態のように楕円パターンＥＰの底に設けられた突起１０を有する物理ガイドを使用する場合、ＢＣＰ相分離の際にＰＭＭＡの凝集場所が制限されるので、ホールパターンＨＰ１、ＨＰ２の位置ずれを抑制することができる。これにより、後の工程においてショート等の欠陥の発生を防止することができる。
【００３０】
また、仮に楕円パターンＥＰの底部に何らかの部材も無い場合、ＢＣＰ相分離の際に隣り合うＰＭＭＡ凝集部６ａ，６ｂ同士が底部で繋がってしまうことがある。この場合はＳＯＧ膜３へパターン転写をする際に自己組織化により形成したホール（ｈｏｌｅ）間のマスクが不足し、ホール（ｈｏｌｅ）が繋がってしまう問題が発生することがある。
【００３１】
しかしながら、本実施形態のように楕円パターンＥＰの底部に突起１０を有している場合、突起１０の最も低い位置の高さ、例えば図３（ｂ）に示す例ではＺ方向における長さｈ３が、パターンＰ１の最も厚い部分の高さ、例えば図３（ｂ）の例ではレジスト４の側面の高さ（Ｚ方向における長さ）ｈ４の１／３以上（ｈ４未満）であれば、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２とでＰＭＭＡ凝集部６ａ，６ｂ（図４参照）同士が繋がることは無く、このような問題の発生を回避することが可能になる。本実施形態において、Ｚ方向は例えば第１の方向に対応し、長さｈ３，ｈ４は例えば第１および第２の長さにそれぞれ対応する。
【００３２】
ここで、本実施形態中のＮＩＬの工程で使用するテンプレートの作成方法について図２のテンプレート１１を取り挙げて説明する。
【００３３】
透過性基板、例えば石英ガラス基板上に電子ビーム（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ；以下、単に「ＥＢ」と称する）で感光するレジストを塗布し、ＥＢ描画により楕円（図２の符号１２１参照）内にスリット（図２の符号ＳＬ参照）を有するパターンを描画する。ここで楕円内のスリットの幅（図２の符号Ｗ参照）が楕円間の距離（図２の符号Ｄ参照）よりも小さくなる（Ｗ＜Ｄ）ように設定する。
【００３４】
このようなパターンを形成した後にＲＩＥを行うとスリットのパターンの領域と楕円パターンの周辺領域との間でエッチングレートの差が発生し、スリットパターンの領域におけるエッチングレートが楕円パターン周辺領域のエッチングレートに比べて小さくなる。これにより楕円内の抜きパターンは楕円周辺領域よりもエッチング量が小さくなり、その結果、図２に示すようなテンプレート１１を得ることができる。
【００３５】
（２）実施形態２
上述した実施形態１では、レジストを物理ガイドとする例を取り挙げて説明したが、これに限ることなく、レジストパターンを下方（被加工膜側）の任意の膜に転写し、転写された膜を物理ガイドとして使用してＢＣＰの自己組織化を行うこともできる。このような例を実施形態２として具体的に説明する。
【００３６】
まず、前述した実施形態１と同様に、表面図にライン・アンド・スペースの配線１２が形成された（図示しないシリコン基板上の）任意の層１００（図９参照）上に例えばプラズマＣＶＤによりＴＥＯＳ膜１を約２００ｎｍの膜厚で成膜する（図９参照）。
【００３７】
続いて、例えばＣＶＤによりＴＥＯＳ膜１の上に有機膜２１（図９参照）を約１５０ｎｍの膜厚で成膜する。さらに、例えばＣＶＤを用いて有機膜２１の上にシリコン酸化膜２２（図９参照）を約３０ｎｍの膜厚で成膜する。本実施形態において、シリコン酸化膜２２、有機膜２１およびＴＥＯＳ膜１は例えば被加工膜に対応する。
【００３８】
その後、例えばスピン塗布によりシリコン酸化膜２２の上に有機膜２３を約１５０ｎｍの膜厚で成膜し、さらに、図９の断面図に示すように、有機膜２３の上にＳＯＧ膜２４を例えばスピン塗布により約４０ｎｍの膜厚で成膜する。
【００３９】
次いで、ＮＩＬによりガイドパターンを作成する。まず、ＵＶ硬化性を有するレジスト４（図１０参照）をＳＯＧ膜２４上にスピン塗布し、例えば図２に示したテンプレート１１をパターン形成面が下になるように配置してレジスト４に当接し、さらに層１００の方向へ押し当てる。
【００４０】
テンプレート１１がレジスト４中に押し当てられた状態で層１００とは反対の方向からＵＶ光を当てることにより、レジスト４を硬化させる。硬化後にテンプレート１１をレジスト４から離すと、図１０（ａ）および（ｂ）に示すように、楕円の抜きパターンＥＰの底の中央領域に突起１０が設けられた、実施形態１と同様のパターンＰ１をＳＯＧ膜２４上に形成することができる。
【００４１】
次いで、図１１（ａ）および（ｂ）に示すように、パターンＰ１が転写されたレジスト４を例えばＲＩＥによってＳＯＧ膜２４に転写する。続いてパターンＰ１が転写されたＳＯＧ膜２４をマスクとして有機膜２３を加工することにより、図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、パターンＰ１の形状を有機膜２３に転写する。
【００４２】
パターンＰ１が転写された有機膜２３を物理ガイドとして実施形態１と同様にＢＣＰの自己組織化を行うことにより、実施形態１と同様に、ＰＭＭＡ凝集部（図４の符号６ａ，６ｂ参照）の位置ずれ発生や穴底でのＰＭＭＡ凝集部同士の連結を抑制することができる。このようにＤＳＡにより形成したパターン（図５の符号Ｐ２参照）を実施形態１と同様の方法でシリコン酸化膜２２、有機膜２１およびＴＥＯＳ膜１まで転写すると、ＮＩＬ後のパターンよりも直径寸法（ＣＤ）および間隔（Ｐｉｔｃｈ）が縮小（Ｓｈｒｉｎｋ）したコンタクトホール（図８の符号７参照）を形成することができる。
【００４３】
ここで、パターンＰ１が転写されたレジスト４をＳＯＧ膜２４に転写する際に、例えばＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、Ｃ５Ｆ８およびＣ５ＨＦ７のいずれかを主としたガス系のＲＩＥ条件を用いると高選択な加工が可能となり、図１３（ａ）および（ｂ）に示すように、突起１０を高さ方向（層１００の表面に垂直な方向）において部分的に消失させることなくＳＯＧ膜２４に転写することができる。
【００４４】
このように楕円パターンＥＰの周辺部分と同一の高さを有する突起１０の部分を含むＳＯＧ膜２４をマスクとして有機膜２３を加工すると、図１４（ａ）および（ｂ）に示すように、突起１０に対応する領域で部分的に消失することなくパターンＰ１の形状を有機膜２３に転写することもできる。
【００４５】
図１３（ａ）乃至図１４（ｂ）に示す高選択な条件を用いる例では、物理ガイドの横方向（層１００の表面に平行な方向）における寸法バラつきを抑制することができる。このため、図１１（ａ）乃至図１２（ｂ）に示した例よりも自己組織化後のバラつきを抑制するために有利である。
【００４６】
このように、実施形態２によれば、ＳＯＧ膜２４またはＳＯＧ膜２４および有機膜２３を物理ガイドとして使用するので、ＢＣＰの現像の際に物理ガイドの膜厚が低減することを抑制することができる。
【００４７】
上述した実施形態では、１つの物理ガイドから２つのホールを形成する場合を取り挙げて説明したが、これに限ることなく１つの物理ガイドから３個以上のホールを形成する場合にも同様に適用することができる。
【００４８】
また、上述した実施形態では、ＢＣＰ材料としてＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡを用いる場合を取り挙げて説明したが、これに限るものでは決してなく、ＰＳ−ＰＤＭＳなど有機物のブロック（Ｂｌｏｃｋ）とシリコン（Ｓｉ）を含有するブロック（Ｂｌｏｃｋ）とで構成されるＢＣＰや、有機物のブロック（Ｂｌｏｃｋ）と金属を含有するブロック（Ｂｌｏｃｋ）とで構成されるＢＣＰ等を使用する場合にも同様に適用可能である。
【００４９】
以上述べた少なくともひとつの実施形態のパターン形成方法によれば、穴底に凸部を有する楕円形の穴が設けられたパターンを形成し、該パターンを物理ガイドとして第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマ層を形成してミクロ相分離させるので、ＤＳＡによる複数のホールパターンを、位置ずれを発生させることなく高い精度で形成することが可能になる。
【００５０】
また、以上述べた少なくともひとつの実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記パターン形成方法により形成されたパターンをマスクとして下地の膜を加工するので、ＤＳＡ本来の精度で微細パターンを形成することが可能になる。
【００５１】
さらに、以上述べた少なくともひとつの実施形態のテンプレートによれば、スリット状の溝が短径方向に設けられた楕円形状の透過性パターンを含むので、複数のホールパターンを含む物理ガイドを、位置ずれを発生させることなく高い精度で形成することが可能になる。
【００５２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５３】
１…ＴＥＯＳ膜、２，２１…有機膜、３…ＳＯＧ膜、４…  レジスト、５ａ，５ｂ…ＰＳ凝集部、６ａ，６ｂ…ＰＭＭＡ凝集部、１０…突起、１１…テンプレート、２２…シリコン酸化膜、２３…有機膜、２４…ＳＯＧ、Ｐ２…ガイドパターン、Ｒ１…第１の領域、Ｒ２…第２の領域、ＴＲ…スリット状の溝。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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