(57)【要約】【課題】ＳｉＣ基板を透過する波長域のレーザ光を用いても、レーザ照射面とは反対側の素子構造が受けるダメージを軽減することができるレーザアニール装置を提供する。【解決手段】レーザ光源がパルスレーザビームを出力する。ステージが基板を保持する。レーザ光源から出力されたパルスレーザビームが、ステージに保持された基板まで導光される。ステージに保持された基板の表面において、パルスレーザビームの入射位置が移動するように、移動機構が、パルスレーザビームの経路及び基板の一方を他方に対して移動させる。光検出器が、基板からの、パルスレーザビームの反射光を検出する。反射光の強度に基づいて、制御装置が、基板の同一箇所に入射するパルスレーザビームのショット数及びパルスレーザビームの強度のうち少なくとも一方を調整する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
基板を保持するステージと、
前記レーザ光源から出力された前記パルスレーザビームを、前記ステージに保持された前記基板まで導光する伝搬光学系と、
前記ステージに保持された前記基板の表面において、前記パルスレーザビームの入射位置が移動するように、前記パルスレーザビームの経路及び前記基板の一方を他方に対して移動させる移動機構と、
前記基板からの、前記パルスレーザビームの反射光を検出する光検出器と、
前記光検出器で検出された前記反射光の強度に基づいて、前記基板の同一箇所に入射する前記パルスレーザビームのショット数及び前記パルスレーザビームの強度のうち少なくとも一方を調整する制御装置と
を有するレーザアニール装置。
【請求項２】
前記レーザ光源は、基本波または第２高調波を出力する固体レーザ発振器を含む請求項１に記載のレーザアニール装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記基板の表面において、前記パルスレーザビームの入射位置を、ある重複率で移動させることにより、前記基板のアニール対象領域の全域を走査する走査工程が繰り返されるように、前記レーザ光源及び前記移動機構を制御し、
１つの前記走査工程において測定された前記反射光の強度に基づいて、次の前記走査工程における前記パルスレーザビームの強度及び前記重複率の少なくとも一方を調整する請求項１または２に記載のレーザアニール装置。
【請求項４】
炭化シリコンからなる下地基板の第１の表面にニッケル、チタンまたはタングステンからなる金属膜が形成された基板を準備する工程と、
前記金属膜に、前記金属膜で吸収され、かつ前記下地基板を透過する波長域のパルスレーザビームを、同一箇所に複数ショット入射することにより、前記下地基板と前記金属膜とをシリサイド反応させる工程と、
前記基板からの前記パルスレーザビームの反射光の強度を測定する工程と、
前記反射光の強度に基づいて、前記同一箇所に入射する前記パルスレーザビームのショット数及び前記パルスレーザビームの強度のうち少なくとも一方を調整する工程と
を有する半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記パルスレーザビームは、固体レーザの基本波または第２高調波である請求項４に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記下地基板と前記金属膜とをシリサイド反応させる工程において、前記基板の表面において、前記パルスレーザビームの入射位置を、ある重複率で移動させることにより、前記基板のアニール対象領域の全域を走査する走査工程を繰り返し、
１つの前記走査工程において測定された前記反射光の強度に基づいて、次の前記走査工程における前記パルスレーザビームの強度及び前記重複率の少なくとも一方を調整する請求項４または５に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化シリコン（ＳｉＣ）基板へのオーミック電極の形成に適したレーザアニール装置、及びＳｉＣ基板に設けられたオーミック電極を有する半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パワーデバイス用の半導体材料として、シリコンよりも広いエネルギバンドギャップを有するＳｉＣが注目されている。ＳｉＣを用いたショットキバリアダイオード、ＭＯＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ等のパワー半導体デバイスが実用化されている。ＳｉＣは、Ｓｉに比べて欠陥の少ないウエハを作製することが困難である。このため、ＳｉＣウエハの上に形成された欠陥の少ないエピタキシャル層が、ドリフト層として利用される。エピタキシャル層の厚さは、必要とされる耐圧に合わせて設定される。ドリフト層としてＳｉＣを用いる場合には、Ｓｉを用いる場合に比べて、約１／１０の厚さで同等の耐圧を確保することができる。例えば、厚さ１０μｍのＳｉＣからなるエピタキシャル層により、厚さ１００μｍのＳｉウエハと同程度の耐圧を確保することができる。
【０００３】
ショットキバリアダイオードにおいては、エピタキシャル層の表面にアノード電極が形成される。スイッチング素子においては、エピタキシャル層の表面にスイッチング機能を有する素子構造が形成される。エピタキシャル層の下地となっているＳｉＣウエハは、エピタキシャル層の支持基板としての役割を持つ。通電ロスを低減するために、ＳｉＣウエハを薄くすることが好ましい。エピタキシャル層の表面に素子構造を形成する前に、ＳｉＣウエハを薄くすると、プロセス中の破損や反りにより、素子構造を形成することが困難になる。従って、エピタキシャル層の表面に素子構造を形成した後、ＳｉＣウエハを削って薄くすることが好ましい。
【０００４】
薄くされたＳｉＣウエハの裏側の表面に、オーミック電極が形成される。オーミック電極の形成時にレーザアニールを適用すると、電気炉でアニールする場合に比べて、表側の表面に形成されている素子構造への熱影響を軽減することができる。オーミック電極として、ニッケルシリサイド等の金属シリサイドが用いられる。
【０００５】
下記の特許文献１に、紫外域のパルスレーザビームを用いたレーザアニールにより、オーミック電極を形成する方法が開示されている。紫外域のパルスレーザとして、固体レーザの第３高調波、エキシマレーザ等が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−１２３５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
エキシマレーザ等のガスレーザは、ＹＡＧレーザ等の固体レーザに比べて、レーザビームの品質が不安定であるため、高品質のアニールを再現性よく行うことが困難である。高品質のアニールを再現性よく行うために、固体レーザを用いることが好ましい。ところが、固体レーザを用いて紫外域のパルスレーザを得るためには、基本波を第３高調波に変換しなければならない。基本波から第３高調波への変換効率を高くすることが困難であるため、第３高調波の出力が小さくなる。その結果、高い生産性を確保することが困難である。
【０００８】
固体レーザの基本波または第２高調波を用いるレーザアニールでは、第３高調波を用いる場合に比べて高いレーザ出力を得ることができる。ところが、基本波または第２高調波の波長域の光は、ＳｉＣ基板を透過してしまう。ＳｉＣ基板の表面に形成された金属膜が、基本波または第２高調波を吸収して加熱されることにより、金属膜とＳｉＣ基板とのシリサイド反応が進む。シリサイド反応が進んで金属膜が薄くなると、金属膜でのレーザ光の吸収量が少なくなる。
【０００９】
金属膜で吸収されなかったレーザ光は、ＳｉＣ基板を透過して、素子構造が形成された反対側の面まで達する。アルミニウム配線等の素子構造がレーザ光を吸収して過度に加熱されると、配線が焼損してしまう場合もある。
【００１０】
本発明の目的は、ＳｉＣ基板を透過する波長域のレーザ光を用いても、レーザ照射面とは反対側の素子構造が受けるダメージを軽減することができるレーザアニール装置を提供することである。本発明の他の目的は、ＳｉＣ基板を透過する波長域のレーザ光を用いても、レーザ照射面とは反対側の素子構造が受けるダメージを軽減することができる半導体素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によると、
パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
基板を保持するステージと、
前記レーザ光源から出力された前記パルスレーザビームを、前記ステージに保持された前記基板まで導光する伝搬光学系と、
前記ステージに保持された前記基板の表面において、前記パルスレーザビームの入射位置が移動するように、前記パルスレーザビームの経路及び前記基板の一方を他方に対して移動させる移動機構と、
前記基板からの、前記パルスレーザビームの反射光を検出する光検出器と、
前記光検出器で検出された前記反射光の強度に基づいて、前記基板の同一箇所に入射する前記パルスレーザビームのショット数及び前記パルスレーザビームの強度のうち少なくとも一方を調整する制御装置と
を有するレーザアニール装置を提供することである。
【００１２】
本発明の他の観点によると、
炭化シリコンからなる下地基板の第１の表面にニッケル、チタンまたはタングステンからなる金属膜が形成された基板を準備する工程と、
前記金属膜に、前記金属膜で吸収され、かつ前記下地基板を透過する波長域のパルスレーザビームを、同一箇所に複数ショット入射することにより、前記下地基板と前記金属膜とをシリサイド反応させる工程と、
前記基板からの前記パルスレーザビームの反射光の強度を測定する工程と、
前記反射光の強度に基づいて、前記同一箇所に入射する前記パルスレーザビームのショット数及び前記パルスレーザビームの強度のうち少なくとも一方を調整する工程と
を有する半導体素子の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
金属膜のシリサイド化が進むと、金属膜が薄くなり、反射光の強度が弱くなる。金属膜が薄くなった状態で、パルスレーザビームを入射させると、レーザ光の多くの成分が基板の反対側まで到達してしまう。反射光の強度に基づいて、パルスレーザビームのショット数及びパルスレーザビームの強度のうち少なくとも一方を調整することにより、基板の反対側の表面まで達するレーザエネルギを低減させ、反対側の表面に形成されている素子構造が受けるダメージを軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１−１】図１Ａ〜図１Ｄは、実施例による半導体素子の製造方法の製造途中段階における基板の断面図である。
【図１−２】図１Ｅ〜図１Ｆは、実施例による半導体素子の製造方法の製造途中段階における基板の断面図である。
【図２】図２は、実施例によるレーザアニール装置の概略図である。
【図３】図３Ａは、基板の表面におけるパルスレーザビームの入射領域、及び入射領域の移動の履歴を示す平面図であり、図３Ｂは、パルスレーザビームの入射領域の中心の軌跡を示す平面図である。
【図４】図４は、実施例による制御装置のブロック図である。
【図５】図５は、制御装置で実行される処理の一例のフローチャートである。
【図６】図６は、制御装置で実行される処理の他の例のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１Ａ〜図１Ｆを参照して、実施例による半導体素子の製造方法について説明する。
【００１６】
図１Ａに示すように、ｎ型炭化シリコン（ＳｉＣ）からなる基板の表面にｎ型ＳｉＣをエピタキシャル成長させることにより、ＳｉＣからなる下地基板１０を形成する。下地基板１０には、例えば４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣを用いることができる。エピタキシャル層の表層部に、イオン注入によりｐ型のガードリング１１を形成する。ガードリング１１が形成された表面とは反対側の表面を「第１の表面」１０Ａといい、ガードリング１１が形成された表面を「第２の表面」１０Ｂということとする。図１Ｂに示すように、下地基板１０の第２の表面１０Ｂに、酸化シリコンからなる絶縁膜１２を形成する。絶縁膜１２には、ガードリング１１に囲まれた領域を露出させる開口が形成されている。
【００１７】
図１Ｃに示すように、絶縁膜１２に形成されている開口の底面に露出している下地基板１０の表面に、ショットキ電極１３を形成する。一例として、チタン膜を形成した後、熱処理を行うことにより、ショットキコンタクトが実現される。ショットキ電極１３の上に表面電極１４を形成する。表面電極１４には、例えばアルミニウムが用いられる。ガードリング１１、ショットキ電極１３、及び表面電極１４をまとめて、素子構造１５ということとする。
【００１８】
図１Ｄに示すように、下地基板１０を第１の表面１０Ａから研削することにより、下地基板１０を薄くする。図１Ｅに示すように、下地基板１０の第１の表面１０Ａに、金属膜１６を形成する。金属膜１６には、下地基板１０とシリサイド反応する金属、例えばニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）またはタングステン（Ｗ）が用いられる。金属膜１６及び下地基板１０により、アニール対象の基板１８が構成される。ここまでの工程で、金属膜１６が形成された基板１８が準備される。
【００１９】
図１Ｆに示すように、金属膜１６（図１Ｅ）にパルスレーザビーム１９を照射することにより、レーザアニールを行う。パルスレーザビーム１９の波長は、金属膜１６で吸収され、下地基板１０を透過する波長域に含まれる。パルスレーザビーム１９のビームプロファイルはトップフラットである。このレーザアニールは、パルスレーザビーム１９の入射領域を金属膜１６の表面内で移動させながら（走査しながら）行われる。入射領域の重複率（オーバラップ率）は、例えば５０％〜９９％とする。このレーザアニールにより、金属膜１６（図１Ｅ）がシリサイド化され、金属シリサイド膜１７が形成される。
【００２０】
図２に、実施例によるレーザアニール装置の概略図を示す。レーザ光源２０から緑色の波長域のパルスレーザビームが出力される。レーザ光源２０は、例えば２台の固体レーザ発振器２０１、２０２を含む。２台の固体レーザ発振器２０１、２０２は、同時に発振してもよいし、時間差を設けて発振してもよい。固体レーザ発振器２０１、２０２には、例えば基本波または第２高調波を出力するＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ発振器、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ発振器等が用いられる。固体レーザ発振器２０１、２０２から出力された２本のパルスレーザビームが、ビームコンバイナ２１で１つのビーム経路に統合される。
【００２１】
統合後のパルスレーザビームが、伝搬光学系２５によって、ステージ３０に保持された基板１８まで導光される。伝搬光学系２５は、アッテネータ２５１、テレスコープ２５２、ホモジナイザ２５３、及び部分反射鏡２５４を含む。アッテネータ２５１は、パルスレーザビームのパワーを減衰させる。テレスコープ２５２は、アッテネータ２５１を通過したパルスレーザビームのビーム径を拡大する。ホモジナイザ２５３は、基板１８の表面におけるビーム断面形状を長尺化するとともに、ビーム断面内に関して光強度を均一化する。部分反射鏡２５４は、ホモジナイザ２５３を通過したパルスレーザビームの大部分の成分を、下方に向けて反射する。
【００２２】
ステージ３０は、移動機構３１を介して基板３２に支持されている。移動機構３１は、ステージ３０に保持された基板１８を、その表面に平行な２方向、例えばビーム断面の長軸方向、及びそれに直交する方向に移動させることができる。基板１８を移動させることにより、基板１８の表面において、パルスレーザビームの入射位置を二次元方向に移動させることができる。パルスレーザビームの経路に対して基板１８を移動させる代わりに、基板１８に対してパルスレーザビームの経路を移動させてもよい。すなわち、パルスレーザビームの経路及び基板１８の一方を他方に対して移動させればよい。
【００２３】
基板１８からのパルスレーザビームの反射光の一部が、部分反射鏡２５４を透過して光検出器２６に入射する。光検出器２６で検出された反射光の強度信号が制御装置４０に入力される。制御装置４０は、反射光の強度に基づいて、レーザ光源２０、アッテネータ２５１、及び移動機構３１を制御する。
【００２４】
図３Ａに、基板１８（図２）の表面におけるパルスレーザビームの入射領域の平面図、及び入射領域の移動の履歴を示す。１ショットの入射領域３５の平面形状は、ほぼ長さＬ、幅Ｗの長方形である。例えば、長さＬは約２．５ｍｍであり、幅Ｗは約０．３ｍｍである。入射領域３５の大きさは、パルスレーザビームのパワーに応じて、最適なパワー密度が得られるように調整される。
【００２５】
基板１８を移動させながらパルスレーザビームを入射させることにより、パルスレーザビームの入射領域３５が、基板１８の表面上で主走査方向３７（幅方向）及び副走査方向３８（長さ方向）に移動させることができる。あるショットの入射領域３５１と、主走査方向３７に移動した次のショットの入射領域３５２との主走査方向３７に関する重複率は、例えば５０％〜９９％である。あるショットの入射領域３５３と、副走査方向３８に移動した次のショットの入射領域３５４との副走査方向３８に関する重複率は、例えば５０％〜９９％である。
【００２６】
図３Ｂに、パルスレーザビームの入射領域３５の中心の軌跡３６を示す。主走査及び副走査が繰り返される１回の走査工程で、基板１８の表面のアニール対象領域の全域にパルスレーザビームが入射する。主走査方向３７に関する重複率及び副走査方向３８に関する重複率が、共に５０％である場合、１回の走査工程で、基板１８の表面の同一箇所に、合計４ショットのパルスレーザビームが入射することになる。主走査方向３７に関する重複率及び副走査方向３８に関する重複率が、共に６６％である場合、１回の走査工程で、基板１８の表面の同一箇所に、合計９ショットのパルスレーザビームが入射することになる。このように、重複率を変化させることにより、１回の走査工程で同一箇所に入射するショット数を変化させることができる。重複率は、パルスレーザビームの繰り返し周波数及び基板１８の移動速度の少なくとも一方を調整することにより変化させることができる。
【００２７】
図４に、実施例による制御装置４０のブロック図を示す。制御装置４０は、反射光強度検出部４０１、レーザ照射条件調整部４０２、レーザ駆動部４０３、強度調整部４０４、及び移動機構駆動部４０５を含む。各部の機能は、例えば中央処理ユニット（ＣＰＵ）がコンピュータプログラムを実行することにより実現されるか、またはＡ／Ｄ変換回路、Ｄ／Ａ変換回路、論理回路等の電子回路で実現される。制御装置４０の記憶装置に、反射光強度−照射条件対応表４０８が格納されている。
【００２８】
光検出器２６で検出された反射光の強度信号が反射光強度検出部４０１に入力される。反射光強度検出部４０１は、光検出器２６から入力された強度信号に基づいて、反射光強度測定値ＲＭを出力する。
【００２９】
レーザ照射条件調整部４０２が、反射光強度測定値ＲＭ、及び反射光強度−照射条件対応表４０８に基づいて、レーザ照射条件を決定する。レーザ照射条件には、重複率、ショット数、及びレーザパワーが含まれる。これらの照射条件の調整は、レーザ光源２０から出力されるパルスレーザビームの繰り返し周波数ＲＦ、アッテネータ２５１の減衰率ＡＦ、移動機構３１によるステージ３０（図２）の主走査方向移動速度ＨＳＶ及び副走査方向移動距離ＶＳＬを調整することにより行われる。
【００３０】
レーザ照射条件調整部４０２は、決定されたレーザ照射条件でレーザ照射が行われるように、繰り返し周波数目標値ＲＦＴをレーザ駆動部４０３に与え、減衰率目標値ＡＦＴを強度調整部４０４に与え、主走査方向移動速度の目標値ＨＳＶＴ、及び副走査方向移動距離の目標値ＶＳＬＴを移動機構駆動部４０５に与える。レーザ照射条件を調整する具体的な処理については、図５または図６を参照して後述する。
【００３１】
レーザ駆動部４０３は、繰り返し周波数目標値ＲＦＴに基づいてレーザ光源２０を制御する。具体的には、繰り返し周波数目標値ＲＦＴに応じて、固体レーザ発振器２０１、２０２にトリガ信号を送信する。固体レーザ発振器２０１、２０２は、トリガ信号に同期して、パルスレーザビームを出力する。例えば、２台の固体レーザ発振器２０１、２０２から同一のタイミングでパルスレーザビームが出力されるように、固体レーザ発振器２０１、２０２に与えられるトリガ信号のタイミングが調整される。
【００３２】
２台の固体レーザ発振器２０１、２０２から同一のタイミングでパルスレーザビームを出力することにより、レーザパルスのピークパワーを２倍にすることができる。なお、レーザパルス波形が時間軸上で部分的に重なるようにしてもよいし、一方の固体レーザ発振器２０１からのレーザパルスが立ち下がった後に、他方の固体レーザ発振器２０２からのレーザパルスが立ち上がるようにしてもよい。
【００３３】
強度調整部４０４は、減衰率目標値ＡＦＴに基づいて、アッテネータ２５１を制御する。これにより、アッテネータ２５１によるパルスレーザビームの減衰率ＡＦが、減衰率目標値ＡＦＴに一致する。
【００３４】
移動機構駆動部４０５は、主走査方向移動速度の目標値ＨＳＶＴ及び副走査方向移動距離の目標値ＶＳＬＴに基づいて、移動機構３１を制御する。これにより、ステージ３０（図２）の主走査方向移動速度ＨＳＶ及び副走査方向移動距離ＶＳＬが、それぞれ目標値ＨＳＶＴ及び目標値ＶＳＬＴに等しくなるように移動機構３１が駆動される。
【００３５】
図５に、制御装置４０（図４）で実行される処理の一例のフローチャートを示す。ステージ３０に基板１８を保持した状態で、ステップＳＡ１において、１回目の走査工程を実行する。具体的には、ステージ３０を主走査方向３７及び副走査方向３８（図３Ａ、図３Ｂ）に移動させながら、レーザ光源２０から出力されたパルスレーザビームを基板１８に入射させる。１回目の走査工程におけるレーザ光の強度、主走査方向３７及び副走査方向３８の重複率として、予め決定された値が採用される。さらに、走査中に、光検出器２６が反射光の強度を検出する。
【００３６】
ステップＳＡ２において、直前の走査工程で測定された反射光の強度が、判定閾値以上か否かを判定する。判定の対象となる反射光の強度として、例えば、パルスレーザビームのショットごとの反射光の強度の平均値が採用される。その他に、反射光の強度として、平均から極端に外れた値を除外して平均値を求めてもよいし、中央値、最頻値等を採用してもよい。
【００３７】
反射光の強度が判定閾値以上である場合、ステップＳＡ１に戻って、走査工程を再度実行する。反射光の強度が判定閾値未満である場合には、アニール処理を終了する。
【００３８】
レーザアニールによりシリサイド反応が進むと、金属膜１６（図１Ｅ）が薄くなるため、反射光の強度が低下する。実施例においては、シリサイド反応が進んで反射光の強度が判定閾値未満になると、アニール処置が終了する。
【００３９】
反射光の強度が低下した状態で過度のレーザ照射を行うと、基板１８に入射したレーザ光の多くの成分が下地基板１０の第２の表面１０Ｂ（図１Ｆ）まで到達する。このため、第２の表面１０Ｂに形成されている素子構造１５（図１Ｆ）がダメージを受けてしまう。実施例による方法では、反射光の強度が判定閾値未満になると、アニール処理が終了する。このため、過度のレーザ照射に起因する素子構造１５の受けるダメージを軽減することができる。
【００４０】
図５に示した例では、反射光の強度に基づいて、走査工程を再度実行するか、終了するかが決定される。走査工程の実行回数が調整されることにより、基板１８の同一箇所へのショット数が調整される。
【００４１】
図６に、制御装置４０（図４）で実行される処理の他の例のフローチャートを示す。ステップＳＡ１において、図５に示した例と同様に、１回目の走査工程を実行するとともに、反射光の強度を測定する。
【００４２】
ステップＳＡ３において、反射光の強度が第１判定閾値以上か否かを判定する。反射光の強度として、図５に示したステップＳＡ２で判定対象とされた反射光の強度と同様の統計量が採用される。反射光の強度が第１判定閾値以上である場合、ステップＳＡ１に戻って、次の走査工程を実行する。反射光の強度が第１判定閾値未満である場合、ステップＳＡ４において、反射光の強度が第２判定閾値以上か否かを判定する。第２判定閾値は、第１判定閾値より小さく、例えば図５に示したステップＳＡ２で用いられる判定閾値と同一である。
【００４３】
反射光の強度が第２判定閾値未満である場合、アニール処理を終了する。反射光の強度が第２判定閾値以上である場合には、ステップＳＡ５において、レーザ照射条件を変更する。反射光の強度とレーザ照射条件との対応関係は、反射光強度−照射条件対応表４０８（図４）に定義されている。具体的には、レーザ光の強度及び重複率の少なくとも一方を低下させる。重複率を変化させることは、基板１８の同一箇所へのショット数を変化させることに相当する。その後、修正されたレーザ照射条件で、ステップＳＡ１において次の走査工程を実行する。
【００４４】
反射光の強度が第１判定閾値未満であり、かつ第２判定閾値以上である状態は、十分なシリサイド化が行われていないが、初期のレーザ照射条件で次の走査工程を実行すると、過度の照射が行われて、素子構造１５（図１Ｆ）がダメージを受ける可能性がある状態に相当する。図６に示した例では、このような状態の時に、レーザ照射条件を変更して次の走査工程が実行される。次の走査工程では、レーザ光の強度及び重複率の少なくとも一方が低下された条件でレーザ照射が行われる。このため、素子構造１５が受けるダメージを軽減できるとともに、十分なシリサイド化を行うことが可能になる。
【００４５】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００４６】
１０  下地基板
１０Ａ  第１の表面
１０Ｂ  第２の表面
１１  ガードリング
１２  絶縁膜
１３  ショットキ電極
１４  表面電極
１５  素子構造
１６  金属膜
１７  金属シリサイド膜
１８  基板
１９  パルスレーザビーム
２０  レーザ光源
２１  ビームコンバイナ
２５  伝搬光学系
２６  光検出器
３０  ステージ
３１  移動機構
３２  基台
３５  入射領域
３６  軌跡
３７  主走査方向
３８  副走査方向
４０  制御装置
２０１、２０２  固体レーザ発振器
２５１  アッテネータ
２５２  テレスコープ
２５３  ホモジナイザ
２５４  部分反射鏡
３５１、３５２、３５３、３５４  入射領域
４０１  反射強度検出部
４０２  レーザ照射条件調整部
４０３  レーザ駆動部
４０４  強度調整部
４０５  移動機構駆動部
４０８  反射光強度−照射条件対応表
ＡＦ  減衰率
ＡＦＴ  減衰率目標値
ＨＳＶ  主走査方向移動速度
ＨＳＶＴ  主走査方向移動速度の目標値
ＲＦ  繰り返し周波数
ＲＦＴ  繰り返し周波数目標値
ＲＭ  反射光強度測定値
ＶＳＬ  副走査方向移動距離
ＶＳＬＴ  副走査方向移動距離の目標値
【図１−１】
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【図１−２】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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