(57)【要約】【課題】重ね合わせの点で有利なリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】複数の光学系を有し、走査方向に走査される基板の複数のストライプ領域にそれぞれ前記複数の光学系により並行してパターン形成を行うリソグラフィ装置は、前記複数の光学系に関してそれぞれ設けられた、それぞれが前記基板上のマークを検出する、複数の検出部と、前記パターン形成に並行して前記複数の検出部により検出された複数のマークに係る許容条件が満たされた場合、該複数のマークの情報に基づいて、前記複数のストライプ領域を特定する制御部と、を含む。【選択図】図１
2016058490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光学系を有し、走査方向に走査される基板の複数のストライプ領域にそれぞれ前記複数の光学系により並行してパターン形成を行うリソグラフィ装置であって、
前記複数の光学系に関してそれぞれ設けられた、それぞれが前記基板上のマークを検出する、複数の検出部と、
前記パターン形成に並行して前記複数の検出部により検出された複数のマークに係る許容条件が満たされた場合、該複数のマークの情報に基づいて、前記複数のストライプ領域を特定する制御部と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記複数の検出部のそれぞれは、前記基板上のストライプ領域に形成されたマークを検出することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記複数の検出部のそれぞれは、前記複数の光学系のそれぞれに関して複数設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数のマークに係る許容条件を、前記複数のストライプ領域を特定するための回帰式の決定に要するものとすることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記回帰式は、前記基板の並進に関する係数、前記基板の倍率に関する係数、および前記基板の回転に関する係数を含むことを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記複数のマークに係る許容条件を、前記複数のマークがそれぞれ検出された複数の時刻に関するものとすることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記回帰式に基づいて、前記複数のストライプ領域を特定することを特徴とする請求項４又は５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記基板を保持する可動のステージを含み、
前記制御部は、前記回転に関する係数に基づいて、前記ステージの回転角度を制御することを特徴とする請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記リソグラフィ装置は、荷電粒子線で基板に描画を行うことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターン形成を基板に行う工程と、
前記工程でパターン形成を行われた前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路における回路パターンの微細化および高集積化に伴い、荷電粒子線（電子線）を用いて基板にパターンを形成する描画装置（リソグラフィ装置）が注目されている。描画装置では、基板への荷電粒子線の照射による熱の影響で基板に歪みが生じると、荷電粒子線が照射される基板上の位置（照射位置）が、荷電粒子線を照射すべき目標位置からずれ、基板にパターンを精度よく形成することが困難になりうる。特許文献１には、基板へのパターンの形成中に、基板に設けられた複数のマークのうち、荷電粒子線の照射位置の近傍に配置されたマークの位置を検出し、その検出結果に基づいて荷電粒子線の照射位置のずれを補正する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２２８３５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された方法は、基板上のショット領域（ダイ領域）毎の複数のストライプ領域への描画を行うのに、各ストライプ領域の両端部に設けられたマークを検出する。当該ストライプ領域の長辺、短辺は、それぞれ２５ｍｍ、５ｍｍの長さを有するものとされている。そして、その検出結果による基板上のパターンの回転や倍率を測定して当該ショット領域内の次のストライプ領域の描画に反映させている。ここで、基板上の複数のストライプ領域にそれぞれ複数の光学系により並行してパターン形成を行うリソグラフィ装置を想定する。当該複数のストライプ領域のそれぞれは、長辺の長さが最大で基板の直径（例えば３００ｍｍ）程度、短辺の長さがショット領域の寸法（２６ないし３３ｍｍ程度）に比して十分に小さいもの（例えば５０ないし１００μｍ程度）とする。また、複数の光学系により並行してパターン形成が行われる複数のストライプ領域の間隔は、ショット領域の寸法を超えるもの（例えば５０ｍｍ程度）とする。このようなリソグラフィ装置に関して、上記のような方法を適用するのは困難である。基板上における多数のストライプ領域のそれぞれの両端部にマークを形成しておくのは基板上にマークを配置する上で困難であり、それらのマークを逐次検出して補正を行うのはスループットの点で不利となるからである。したがって、それより少ない数で基板上に形成されたマークの検出（より低頻度のマーク検出）によって、必要な重ね合わせ精度を実現することが好ましい。
【０００５】
そこで、本発明は、重ね合わせ精度の点で有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、複数の光学系を有し、走査方向に走査される基板の複数のストライプ領域にそれぞれ前記複数の光学系により並行してパターン形成を行うリソグラフィ装置であって、前記複数の光学系に関してそれぞれ設けられた、それぞれが前記基板上のマークを検出する、複数の検出部と、前記パターン形成に並行して前記複数の検出部により検出された複数のマークに係る許容条件が満たされた場合、該複数のマークの情報に基づいて、前記複数のストライプ領域を特定する制御部と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、重ね合わせの点で有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態の描画装置を示す概略図である。
【図２】第１実施形態の描画装置をＺ方向から見たときの図である。
【図３】検出部の構成例を示す図である。
【図４】検出部の構成例を示す図である。
【図５】第１実施形態の描画装置における描画処理を示すフローチャートである。
【図６】基板の描画を行っている間における照射部、検出部および基板の位置関係を示す図である。
【図７】基板の描画を行っている間における照射部、検出部および基板の位置関係を示す図である。
【図８】基板に生じた歪みの成分を特定する方法について説明するための図である。
【図９】基板に生じた歪みの成分を補正する順番について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、ビームとしての荷電粒子線を基板に照射して基板にパターンを形成する描画装置について説明するが、それに限られるものではない。例えば、ビーム（光ビーム）としてのスリット光を基板上で走査して当該基板を露光する露光装置などのリソグラフィ装置においても、本発明を適用することができる。
【００１１】
＜第１実施形態＞
［装置構成について］
本発明に係る第１実施形態の描画装置１００について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態の描画装置１００を示す概略図である。第１実施形態の描画装置１００は、例えば、基板上にパターン形成を行うために基板６にそれぞれ荷電粒子線（電子線）を照射する複数の照射部１（光学系）と、基板６を保持する可動のステージ２と、制御部３とを含みうる。各照射部１は、例えば、荷電粒子線を射出する荷電粒子源や、荷電粒子線の基板６への照射と非照射とを切り替えるためのブランカ、荷電粒子線を基板上で走査するための偏向器などを含み、１本もしくは複数の荷電粒子線を基板に向けて射出する。そして、複数の照射部１は、例えば基板上のショット領域５０の寸法より広い間隔を有する複数のストライプ領域に並行してパターン形成が行われるように、即ち、基板上の互いに異なるストライプ領域にそれぞれ荷電粒子線が照射されるように配置されている。ステージ２は、基板６を保持し、例えば基板６の面と平行な方向（ＸＹ方向）において移動可能に構成されている。また、制御部３は、例えばＣＰＵやメモリなどを有し、基板６への描画処理を制御する（描画装置１００の各部を制御する）。
【００１２】
第１実施形態の描画装置１００は、ステージ２を駆動することにより複数の照射部１に対して基板６を走査させ、荷電粒子線の照射位置３０を基板上で移動させる。そして、基板６を走査している間、基板上への荷電粒子線の照射と非照射とを示す描画データに従って照射部１のブランカを制御する。これにより、描画装置１００は、走査方向に走査される基板６の複数のストライプ領域にそれぞれ複数の照射部１により並行してパターン形成を行うことができる。ここで、第１実施形態の描画装置１００は、２つの照射部１ａおよび１ｂを含むように構成されているが、３つ以上の照射部１を含むように構成されてもよい。
【００１３】
描画装置１００では、例えば、各照射部１によって荷電粒子線を基板６に照射している間、当該荷電粒子線の照射によって基板６に熱が発生し、その熱によって基板６に歪みが生じうる。このように基板６に歪みが生じてしまうと、荷電粒子線を照射すべき基板上の目標位置からずれた位置に荷電粒子線が照射されてしまい、基板上にパターンを精度よく形成することが困難になりうる。また、複数の照射部１が設けられた描画装置１００では、複数の照射部１の全体において基板６に対する荷電粒子線の照射位置のずれを補正すること、即ち、基板６に生じた二次元的な歪みに対して荷電粒子線の照射位置のずれを補正することが好ましい。
【００１４】
そこで、第１実施形態の描画装置１００は、基板上における複数のストライプ領域の各々にパターンを形成する動作を繰り返すシーケンスにおいて、基板上に設けられた複数のマーク６０の位置を順に検出する複数の検出部１４を含む。そして、描画装置１００は、当該シーケンスの途中において、各検出部１４によって既に検出されたマーク６０の位置情報に基づいて、基板６に生じた二次元的な歪みによる荷電粒子線の照射位置のずれを補正する。ここで、荷電粒子線の照射位置のずれの補正は、例えば、ステージ２の移動やステージ２の回転角度を制御することによって行われうる。また、第１実施形態の描画装置１００は、複数の検出部１４を含むように構成されているが、それに限られるものではなく、１つの検出部１４のみを含むように構成されていてもよい。
【００１５】
複数の検出部１４は、例えば、基板上にパターンを形成するためのシーケンスにおいて、複数の照射部１の各々が荷電粒子線を照射するストライプ領域に形成されたマークの位置をそれぞれ検出することができるように配置されうる。検出部１４は、例えば、複数の照射部１の各々に関して複数設けられており、各照射部１に関して設けられた複数の検出部１４は、基板６を走査する方向（±Ｙ方向）に沿って照射部１を挟むように、照射部１の±Ｙ方向側にそれぞれ配置されうる。第１実施形態の描画装置１００では、照射部１ａの±Ｙ方向側には２つの検出部１４ａおよび１４ｂが設けられており、照射部１ｂの±Ｙ方向側には２つの検出部１４ｃおよび１４ｄが設けられている。このように構成された各検出部１４では、図２に示すように、各照射部１から射出された荷電粒子線の照射位置３０を基板上で移動させるとともに、各検出部１４の検出領域７４（検出視野）も基板上で移動させることができる。図２は、第１実施形態の描画装置１００をＺ方向から見たときの図である。これにより、各検出部１４は、照射部１によって基板上にパターンを形成している間において、基板上に設けられた複数のマーク６０を順に検出することができる。
【００１６】
各検出部１４は、例えば図３に示すように、Ｘ方向検出用マークおよびＹ方向検出用マークの画像を、ＴＤＩセンサなどの光電変換素子を用いて取得するように構成されてもよい。この場合、制御部３は、検出部１４で取得した画像、および当該画像を取得したときのステージ２の位置に基づいて基板上の各マークの位置を算出し、算出した各マークの位置によって基板６に生じた歪みを求めることができる。また、検出部１４は、例えば図４に示すように、「シェブロンマーク」と呼ばれる基板上の位置検出用マークの画像を、光電変換素子を用いて取得するように構成されてもよい。このように「シェブロンマーク」を用いることにより、一方向（例えばＹ方向）のみに検出領域７４を基板上で走査する場合であっても、当該マークのＸ方向およびＹ方向の双方の位置を求めることができる。
【００１７】
［描画処理について］
次に、第１実施形態の描画装置１００における描画処理について、図５を参照しながら説明する。図５は、第１実施形態の描画装置１００における描画処理を示すフローチャートである。Ｓ１０１では、制御部３は、基板上に形成された複数のショット領域５０の配列情報を取得する。配列情報は、例えば、描画装置１００における複数の検出部１４、または描画装置１００の外部の検出装置を用いて、グローバルアライメント法によって予め求められうる。グローバルアライメント法では、基板上における代表的な幾つかのショット領域５０（サンプルショット領域）の位置から、基板上におけるショット領域５０の配列を求める方法である。Ｓ１０２では、制御部３は、Ｓ１０１で取得した配列情報に従ってステージ２および照射部１を制御して、荷電粒子線（照射位置３０）を基板上で走査しながら基板６に描画を行う。また、制御部３は、基板６の描画（基板上へのパターン形成）と並行して、各検出部１４の検出領域７４に基板上のマーク６０が配置されたタイミングで、各検出部１４に当該マーク６０の位置を検出させる。このとき、制御部３は、各検出部１４によって検出されたマークの位置の検出結果（マークの位置情報）を記憶していく。
【００１８】
Ｓ１０３では、制御部３は、各検出部１４によって既に検出されて記憶されたマーク６０の位置情報に基づいて、基板６に生じた歪みの成分を得ることができるか否かを判断する。制御部３は、パターン形成に並行して複数の検出部１４により検出された複数のマーク６０に係る許容条件が満たされた場合に、複数のストライプ領域を特定することができる（基板６に生じた歪みの成分を得ることができる）と判断する。複数のマーク６０に係る許容条件とは、複数のストライプ領域を特定するための回帰式の決定に要するものであり、例えば、複数のマーク６０がそれぞれ検出された複数の時刻に関するものや、検出された複数のマーク６０の間隔に関するものである。制御部３は、許容条件を満たす複数のマーク６０の位置情報に基づいて回帰式を決定し、決定した回帰式に基づいて複数のストライプ領域を特定する（基板６に生じた歪みの成分を得る）。「複数のストライプ領域を特定する」とは、複数のストライプ領域のそれぞれにおける位置座標を決定し、複数のストライプ領域に関する配列情報を得ることである。即ち、基板６に生じた歪みの成分を得ることを意味する。また、回帰式は、基板６の並進に関する係数、基板６の倍率に関する係数、および基板の回転に関する係数を含みうる。
【００１９】
制御部３は、検出された複数のマーク６０が許容条件を満たす場合、当該複数のマーク６０の位置に基づく回帰演算を行って、例えば位置座標に関して線形の式（１）に示す回帰式の係数を求める。ただし、ストライプ領域の設計上（補正前）の任意の位置座標を（ｘ，ｙ）、それに対応する検出後のストライプ領域の位置座標を（ｘ’，ｙ’）とする。また、並進成分（並進に関する係数）をＳｘ，Ｓｙ、倍率成分（倍率に関する係数）をｍｘ，ｍｙ、回転成分（回転に関する係数）をθｘ，θｙとする。このとき、一般に（ｘ’，ｙ’）は、式（２）のように（ｘ，ｙ）の１次式で表される。制御部３は、式（１）または式（２）によって得られる検出後のストライプ領域の位置座標（ｘ’，ｙ’）に基づいてストライプ領域を特定する。
【００２０】
【数１】
2016058490.tif 000003
【００２１】
【数２】
2016058490.tif 000004
【００２２】
例えば、制御部３は、許容条件として閾値以上の間隔を有する２つ以上のマーク６０の位置の検出が互いに異なる検出部１４によって行われた場合に、当該２つ以上のマーク６０の位置情報に基づいて歪みの成分を特定することができると判断するとよい。閾値は、基板の反りやレジスト膜厚などの基板に関する条件や、重ね合わせ精度などの描画に関する条件、描画装置１００の状態などに応じて事前に設定されうる。Ｓ１０３において、基板６に生じた歪みの成分を得ることができると判断した場合はＳ１０４に進み、歪みの成分を得ることができないと判断した場合はＳ１０６に進む。
【００２３】
Ｓ１０４では、制御部３は、検出部１４によって既に検出されたマーク６０の位置情報から、基板６に生じた歪みの成分（ストライプ領域）を特定する。例えば、複数の検出部１４によって１つ目に検出された第１マークと２つ目に検出された第２マークとが閾値以上の間隔を有する場合を想定する。この場合、制御部３は、第１マークおよび第２マークを用いて基板の歪みの成分（例えば倍率成分、回転成分、並進成分）を特定することができる。また、複数の検出部１４によって３つ目に検出された第３マークが第１マークおよび第２マークに対して閾値以上の間隔を有する場合を想定する。この場合、制御部３は、第１マーク、第２マークおよび第３マークを用いて基板の歪みの成分を特定してもよいし、３つのマークのうち時間的に後に検出された第２マークおよび第３マークを用いて基板の歪みの成分を特定してもよい。
【００２４】
ここで、複数の検出部１４によるマーク６０の検出について、図６および図７を参照しながら説明する。図６および図７は、照射部１による基板６の描画を行っている間における照射部１、検出部１４および基板６の位置関係を示す図である。制御部３は、例えば、図６（ａ）に示すように、基板上での荷電粒子線の走査を開始する。照射部１による基板６の描画を行っていくと、まず、図６（ｂ）に示すように、検出部１４ｃの検出領域７４にマーク６０ａが配置される。このとき、検出部１４ｃは、検出部１４ｃの検出領域７４にマーク６０ａが配置されたタイミングで、マーク６０ａの位置を検出する。この時点では、制御部３は、１つのマーク６０の位置の検出結果しか得られていないため、基板６に生じた歪みの成分を得ることができない。そのため、制御部３は、引き続きステージ２を移動させ、照射部１に基板６の描画を行わせる。
【００２５】
図７（ａ）に示すように、検出部１４ｄの検出領域７４にマーク６０ｂが配置されると、そのタイミングで検出部１４ｄはマーク６０ｂの位置を検出する。そして、マーク６０ａおよび６０ｂは閾値以上の間隔を有しているとする。この時点において、制御部３は、２つのマーク６０ａおよび６０ｂの位置情報を得ることが可能となり、それらの位置情報に基づいて基板６に生じた歪みの成分を特定することができる。例えば、制御部３は、２つのマーク６０ａおよび６０ｂの位置情報から、基板の歪みの成分としてＸ方向における倍率成分（一次元的な倍率成分）、回転成分および並進成分を得ることができる。
【００２６】
制御部３は、さらに引き続きステージ２を移動させ、照射部１に基板６の描画を行わせる。そして、図７（ｂ）に示すように、検出部１４ａの検出領域７４にマーク６０ｃが配置されると、そのタイミングで検出部１４ａはマーク６０ｃの位置を検出する。そして、マーク６０ｃは、マーク６０ａおよびマーク６０ｂに対して閾値以上の間隔を有しているとする。この時点において、制御部３は、３つのマーク６０ａ、６０ｂおよび６０ｃの位置情報を得ることが可能となり、それらの位置情報に基づいて基板６に生じた歪みの成分を特定することができる。例えば、制御部３は、検出したマーク６０の位置情報から、基板の歪みの成分としてＸＹ方向における倍率成分（二次元的な倍率成分）、回転成分および並進成分を得ることができる。そして、制御部３は、基板６に生じた二次元的な歪みの成分が得られた場合に、当該成分に基づいてステージ２の移動やステージ２の回転角度などを制御し、複数の照射部１における荷電粒子線の照射位置のずれを補正する。ここで、制御部３は、３つのマーク６０ａ、６０ｂおよび６０ｃの位置情報から基板６の歪みの成分を特定してもよいし、３つのマークのうち時間的に後に検出された２つのマーク６０ｂおよび６０ｃの位置情報から基板６の歪みの成分を特定してもよい。
【００２７】
このような工程を繰り返すことにより、基板上にパターンを形成するためのシーケンスにおいて、前記基板に生じた二次元的な歪みによる複数の照射部１からの荷電粒子線の照射位置のずれを補正することができる。ここで、基板６の歪みの成分を得るために用いられる２つ以上のマーク６０の位置情報は、各検出部１４によって検出されたタイミングの間隔が短いことが好ましい。そのため、制御部３は、検出部１４によってマークの位置が検出されたタイミングに応じて、基板６の歪みの成分を特定するために用いるマークの位置情報を選択してもよい。即ち、制御部３は、各検出部１４によって検出されたタイミングの間隔が許容範囲に収まる２つ以上のマーク６０の位置情報を用いて基板６の歪みの成分を特定するとよい。
【００２８】
次に、２つのマーク６０の位置情報に基づいて、基板６に生じた歪みの成分を特定する方法について説明する。図８は、２つのマーク６０の位置情報に基づいて、基板６に生じた歪みの成分を特定する方法について説明するための図である。図８では、紙面の上から下に向かう方向が時刻の経過を表しており、破線３８は、Ｓ１０１で取得した情報から求められるマーク６０の理想位置、実線３９は、荷電粒子線の照射による熱の影響で基板６に歪みが生じたときのマーク６０の位置を表している。制御部３は、各検出部１４によって検出された２つのマーク６０の位置情報から、当該２つのマーク６０の各々における理想位置からのずれの方向および量を求め、当該ずれの方向および量に基づいて基板６に生じた歪みの成分を特定することができる。マーク６０の理想位置とは、マーク６０が配置されるべき位置のことであり、Ｓ１０１で取得された配列情報に基づいて求められる。
【００２９】
例えば、基板上に設けられた複数のマーク６０のうち２つのマーク６０ｄおよび６０ｅが検出部１４によって検出されたことを想定する。このとき、制御部３は、図８（ａ）に示すように、２つのマーク６０ｄおよび６０ｅにおける理想位置からのずれの方向が反対であり、ずれの量がほぼ同じである場合（ΔＬ１≒−ΔＬ２）では、基板６の歪みの成分として倍率成分を得ることができる。制御部３は、図８（ｂ）に示すように、２つのマーク６０ｄおよび６０ｅにおける理想位置からのずれの方向が同じであり、ずれの量もほぼ同じである場合（ΔＬ１’≒ΔＬ２’）では、基板６の歪みの成分として並進成分を得ることができる。また、制御部３は、図８（ｃ）に示すように、２つのマーク６０ｄおよび６０ｅにおける理想位置からのずれの方向が同じであり、ずれの量が異なる場合（ΔＬ１”≠ΔＬ２”）では、基板６の歪みの成分として回転成分を得ることができる。このように、制御部３は、２つのマーク６０ｄおよび６０ｅについての位置情報に基づいて、基板６に生じた歪みの成分を特定することができる。
【００３０】
図５に戻り、Ｓ１０５では、制御部３は、Ｓ１０４で特定した歪みの成分が二次元的な成分（例えばＸＹ方向における倍率成分）である場合に、基板６に生じた二次元的な歪みによる荷電粒子線の照射位置のずれを補正する。例えば、制御部３は、倍率成分による照射位置のずれを補正する場合には、Ｓ１０１で取得された配列情報を検出部１４で検出されたマーク６０の位置情報に基づいて修正し、修正した配列情報に基づいて荷電粒子線の照射位置を制御するとよい。即ち、制御部３は、Ｓ１０１で取得された配列情報におけるショット領域５０の配置を、Ｓ１０４で得られた歪みの成分に基づいて修正し、修正したショット領域５０の配列情報に従ってステージ２の移動速度や照射部１に含まれる偏向器を制御するとよい。また、制御部３は、回転成分による照射位置のずれを補正する場合には、ステージ２の角度を制御するとよい。
【００３１】
Ｓ１０６では、制御部３は、基板６の描画が完了したか否かを判断する。基板６の描画が完了した場合は終了する。一方で、基板６の描画が完了していない場合はＳ１０２に戻り、制御部３は、荷電粒子線を基板上で走査しながら基板６に描画を行うとともに、検出部１４に基板上のマーク６０の位置を検出させる。
【００３２】
［補正の順番について］
基板６への荷電粒子線の照射による熱の影響で、複数の成分を有する歪みが基板６に生じることがある。第１実施形態の描画装置１００では、上述したように、各検出部１４によって既に検出されたマーク６０の位置情報に基づいて、基板６に生じた歪みの成分を特定している。そのため、当該マーク６０の位置情報からは、基板６の歪みが有する複数の成分のうち一部の成分しか得られないことがある。例えば、図７（ａ）に示すように、マーク６０ａおよび６０ｂが各検出部１４によって検出された場合では、制御部３は、それらの位置の検出結果からＸ方向における倍率成分と回転成分とを得ることができるが、Ｙ方向における倍率成分を得ることができない。即ち、制御部３は、二次元的な倍率成分を得ることができない。このような場合において、Ｙ方向における倍率成分による荷電粒子線の照射位置のずれの補正（以下、ずれの補正）より先に回転成分によるずれの補正を行ってしまうと、基板６の一部において歪みが増加することがある。即ち、Ｘ方向およびＹ方向の双方についての倍率成分（二次元的な倍率成分）によるずれの補正より先に回転成分によるずれの補正を行ってしまうと、基板６の一部において歪みが増加することがある。このように基板６の一部において歪みが増加した状態で基板６の描画を行ってしまうと、基板６にパターンを精度よく形成することが困難になりうる。
【００３３】
図９（ａ）は、倍率成分（ＸＹ方向）と回転成分とを有する歪みが基板６に生じた場合における基板上の４つのショット領域５０ａ〜５０ｄの配置を示す図である。図９（ａ）では、基板６に歪みが生じている場合における各ショット領域５０ａ〜５０ｄの位置（実際の位置）を実線で示しており、Ｓ１０１で取得した情報における各ショット領域５０ａ〜５０ｄの位置（理想位置）を破線で示している。そして、図９（ａ）では、各ショット領域５０ａ〜５０ｄにおける実際の位置の中心と理想位置の中心とのずれを矢印で表している。以下では、ショット領域５０ｄにおけるずれΔＳ０に着目して説明する。
【００３４】
図９（ａ）に示すショット領域５０ａ〜５０ｄの配置において、各検出部１４による検出結果から、基板６に生じた歪みの成分として回転成分が得られ、倍率成分（ＸＹ方向）が未だ得られていない場合を想定する。この場合、倍率成分によるずれの補正を行わずに回転成分によるずれの補正を行うと、図９（ｂ）に示すように、ショット領域５０ａ〜５０ｃにおいては、理想位置に対するずれを回転成分によるずれの補正の前に比べて小さくすることができる。しかしながら、ショット領域５０ｄにおいては、理想位置に対するずれΔＳ１が、回転成分によるずれの補正の前（ΔＳ０）に比べて大きくなってしまう。この状態において基板６の描画を行ってしまうと、ショット領域５０ｄにパターンを精度よく形成することが困難になりうる。
【００３５】
一方で、図９（ａ）に示すショット領域５０ａ〜５０ｄの配置において、各検出部１４による検出結果から、基板６に生じた歪みの成分として倍率成分（ＸＹ方向）が得られ、回転成分が未だ得られていない場合を想定する。この場合、倍率成分によるずれの補正を行うと、図９（ｃ）に示すように、ショット領域５０ａ〜５０ｄの全てにおいて、理想位置に対するずれを倍率成分によるずれの補正の前に比べて小さくすることができる。そして、倍率成分によるずれの補正を行った後、基板６の描画とマーク６０の位置の検出を引き続き行い、基板６に生じた歪みの成分として回転成分が得られたとする。このとき、回転成分によるずれの補正を行うと、ショット領域５０ａ〜５０ｄの全てにおいて、理想位置に対するずれ量を倍率成分によるずれの補正の後より小さくすることができる。ショット領域５０ｄに着目すると、倍率成分によるずれの補正を行った後では、理想位置に対するずれΔＳ２を倍率成分によるずれの補正の前（ΔＳ０）に比べて小さくすることができる。そして、回転成分によるずれの補正を更に行った後では、理想位置に対するずれΔＳ３を倍率成分によるずれの補正の前（ΔＳ０）に比べて更に小さくすることができる。
【００３６】
このように、基板６の描画を行っている間に基板６に生じた熱の影響によって倍率成分（ＸＹ方向）および回転成分を有する歪みが基板に生じている場合、回転成分によるずれの補正より先に倍率成分によるずれの補正を行うことが好ましい。そのため、第１実施形態の描画装置１００は、基板６の歪みの成分として回転成分が得られ、倍率成分（ＸＹ方向）が未だ得られていない場合には、回転成分によるずれの補正を行わずにマーク６０の位置の検出を引き続き行う。そして、マーク６０の位置の検出を引き続き行うことによって二次元的な倍率成分（ＸＹ方向）が得られた後で、回転成分および倍率成分（ＸＹ方向）によるずれの補正がそれぞれ行う。
【００３７】
上述したように、第１実施形態の描画装置１００は、複数の照射部１によって基板６に描画を行う動作を繰り返すシーケンスにおいて、複数の検出部１４によって基板上のマーク６０の位置を検出する。そして、描画装置１００は、当該シーケンスの途中において、各検出部１４によって既に検出されたマークの位置情報に基づいて、基板６に生じた二次元的な歪みによる複数の照射部１からの荷電粒子線の照射位置のずれを補正する。これにより、描画装置１００は、基板６への荷電粒子線の照射による熱の影響で基板６に歪みが生じた場合においても、当該歪みによる荷電粒子線の照射位置のずれを補正し、基板上にパターンを精度よく形成することができる。
【００３８】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のリソグラフィ装置（描画装置）を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を加工（例えば現像）する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４０】
１：照射部、２：ステージ、３：制御部、６：基板、６０：マーク、１００：描画装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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