(57)【要約】【課題】銅ピラーに半田層を形成する際の形成位置の精度と形成の容易さを向上させることができる電子部品実装用部材の製造方法を提供すること。【解決手段】銅ピラー７の上端面７Ａに半田層１６を有する電子部品実装用部材１００の製造方法において、レジスト層５に形成された銅ピラー形成用穴６内に、銅ピラー７の上端面７Ａが銅ピラー形成用穴６の開口部６Ａよりも下方に位置するように銅ピラー７を形成する銅ピラー形成工程の後、銅ピラー形成用穴６の直径６Ｌよりも小さな直径の半田ボール１０を銅ピラー形成用穴６内に配置する半田ボール搭載工程を有することとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅ピラーの上端面に半田層を有する電子部品実装用部材の製造方法において、
レジスト層に形成された銅ピラー形成用穴内に、前記銅ピラーの上端面が前記銅ピラー形成用穴の開口部よりも下方に位置するように前記銅ピラーを形成する銅ピラー形成工程の後、半田ボールを、この半田ボールの少なくとも一部が前記銅ピラー形成用穴内に配置するように前記銅ピラー形成用穴に配置させる半田ボール搭載工程を有する、
ことを特徴とする電子部品実装用部材の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品実装用部材の製造方法において、
前記半田ボールの直径は、前記銅ピラー形成用穴の直径よりも小さい、
ことを特徴とする電子部品実装用部材の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子部品実装用部材の製造方法において、
前記銅ピラー形成工程の後、前記半田ボール搭載工程の前に、
前記銅ピラー形成用穴内に形成された前記銅ピラーにフラックス層を積層するフラックス積層工程を有する、
ことを特徴とする電子部品実装用部材の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電子部品実装用部材の製造方法において、
前記フラックス積層工程は、前記銅ピラー形成用穴の直径に対して６０％以上９０％以下の直径の開口部を有するフラックス印刷用マスクを介して前記銅ピラーに前記フラックス層を積層する、
ことを特徴とする電子部品実装用部材の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の電子部品実装用部材の製造方法において、
前記フラックス積層工程において前記銅ピラー形成用穴に積層される前記フラックス層の上面は、前記銅ピラー形成用穴の開口よりも下方に配置されている、
ことを特徴とする電子部品実装用部材の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品実装用部材の製造方法において、
前記レジスト層の剥離は、前記銅ピラーの上端面に前記半田層が形成された後に行う、
ことを特徴とする電子部品実装用部材の製造方法。
【請求項７】
銅ピラーの上端面に半田層を有する電子部品実装用部材において、
前記銅ピラーの側面と半田層の外周縁とが同一面上に配置されている、
ことを特徴とする電子部品実装部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品実装部材および電子部品実装用部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に銅（Ｃｕ）ピラーを形成することにより、チップの高集積化による端子数の増大、あるいは狭パッドピッチに対応した半導体装置が、たとえば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１５７９０６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、かかる半導体装置においては、微小な銅ピラーの上端に半田層を形成する必要があるため、半田層の形成にあたっては、形成位置の精度の向上に併せて容易に形成できることが望まれる。そこで、本発明は、銅ピラーに半田層を形成する際の形成位置の精度と形成の容易さとを向上させることができる電子部品実装用部材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述の課題を解決するため、銅ピラーの上端面に半田層を有する電子部品実装用部材の製造方法において、レジスト層に形成された銅ピラー形成用穴内に、銅ピラーの上端面が銅ピラー形成用穴の開口部よりも下方に位置するように銅ピラーを形成する銅ピラー形成工程の後、半田ボールを、この半田ボールの少なくとも一部が銅ピラー形成用穴内に配置するように銅ピラー形成用穴に配置させる半田ボール搭載工程を有することとする。
【０００６】
また、他の発明は、半田ボールの直径を銅ピラー形成用穴の直径よりも小さいこととす。
【０００７】
また、他の発明は、銅ピラー形成工程の後、半田ボール搭載工程の前に、銅ピラー形成用穴内に形成された銅ピラーにフラックス層を積層するフラックス積層工程を有することとしてもよい。
【０００８】
また、他の発明は、フラックス積層工程は、銅ピラー形成用穴の直径に対して６０％以上９０％以下の直径の開口部を有するフラックス印刷用マスクを介して銅ピラーにフラックス層を積層することとする。
【０００９】
また、他の発明は、フラックス積層工程において銅ピラー形成用穴に積層されるフラックス層の上面は、銅ピラー形成用穴の開口よりも下方に配置されていることとする。
【００１０】
また、他の発明は、レジスト層の剥離を銅ピラーの上端面に半田層が形成された後に行うこととする。
【００１１】
また、他の発明は、銅ピラーの上端面に半田層を有する電子部品実装用部材において、銅ピラーの側面と半田層の外周縁とが同一面上に配置されていることとする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、銅ピラーに半田層を形成する際の形成位置の精度と形成の容易さを向上させることができる電子部品実装用部材の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】電子部品実装用部材の製造工程を示す図である。
【図２】電子部品実装用部材の製造工程を示す図である。
【図３】電子部品実装用部材の製造工程を示す図である。
【図４】電子部品実装用部材の製造工程を示す図である。
【図５】半田ボールの銅ピラー形成用穴への落とし込み工程の他の実施形態を示す図である。
【図６】フラックス層の形成工程の他の実施形態を示す図である。
【図７】電子部品実装用部材の製造工程において、銅ピラー形成用穴６の直径よりも大きな直径の半田ボールを搭載する実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（電子部品実装用部材の製造方法）
以下、本発明の実施の形態にかかる電子部品実装用部材１００（図４参照）の製造方法について図１から図４を参照しながら説明する。図１から図４は、電子部品実装用部材１００の製造工程を示す図である。電子部品実装用部材１００の構成については、製造工程の説明に併せて説明する。
【００１５】
（電極２および絶縁層３の形成工程）
先ず、図１の上段（Ａ）に示すように、半導体基板（半導体ウェハ）１上に電極２および絶縁層３を形成する。電極２および絶縁層３の形成に先立ち、予め、半導体基板１上には周知の方法により不図示の半導体回路が形成されている。半導体回路（不図示）が形成された半導体基板１の所定の位置に電極２を形成する。電極２は、Ａｌ（アルミニウム）やＡｕ（銀）等の金属により形成する。そして、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｓｉｔｉｏｎ）法等により、半導体基板１上にＳｉＯ２（酸化シリコン）あるいはＳｉＮ（窒化シリコン）等を堆積させ絶縁層３を形成する。
【００１６】
次に、絶縁層３の電極２に対応した部分をフォトリソグラフィ法等の方法により除去し、電極２を露出させる。なお、図１から図４の各図は、電子部品実装用部材１００の一部分を拡大して示す図であり、半導体基板１には、多数の電極２が形成される。つまり、各図は、多数の電極２の中の１つの電極２と、この電極２に対応した部分の構造を例示的に示したものであり、他の電極２とその電極２に対応する部分に対しても同様の工程が施される。
【００１７】
（導電層４の形成工程）
次に、図１の中段（Ｂ）に示すように、半導体基板１の上面にＵＢＭ（アンダーバンプメタル）（図４参照）となる導電層４を形成する。導電層４は、たとえば、スパッタリング法により銅を堆積させることにより形成する。導電層４は、銅の他、チタン、クロム等により形成することができる。
【００１８】
（フォトレジスト層５の形成工程）
次に、図１の下段（Ｃ）に示すように、フォトレジスト層５を導電層４上に形成する。導電層４上にフォトレジストを塗布し、塗布されたフォトレジストに対してフォトマスクを用いて電極２に対応した部分以外を露光した後、現像により電極２に対応した未露光の部分のフォトレジストを除去する。これにより、除去されずに残った部分がフォトレジスト層５として形成される。電極２に対応したフォトレジストが除去された部分は、後述の銅ピラー７が形成される銅ピラー形成用穴６として形成される。ここで、銅ピラー形成用穴６は、その直径６Ｌを後述する半田ボール１０の直径よりも大きくなるように形成する。直径６Ｌは、半田ボール１０の直径に対して、たとえば、１．１倍以上、２．５倍以下とすることが好ましい。
【００１９】
（銅ピラー７の形成工程）
次に、図２の上段（Ｄ）に示すように、銅ピラー形成用穴６内に銅ピラー７を形成する。銅ピラー７は、たとえば、電解メッキにより電極２上に銅を析出させることで形成することができる。ここで、銅ピラー７は、銅ピラー７の上端面７Ａが、銅ピラー形成用穴６の開口部６Ａ（銅ピラー形成用穴６の上端となる部分）よりも下方になるように、銅ピラー７を形成する。銅ピラー形成用穴６の開口部６Ａから銅ピラー７の上端面７Ａまでの距離（深さ）Ｄは、たとえば、後述する半田ボール１０の直径の１／１０以上、直径の１／２以下とすることが好ましい。
【００２０】
（フラックス層８の形成工程）
次に、図２の中段（Ｅ）に示すように、銅ピラー形成用穴６に形成された銅ピラー７上にフラックス層８を形成する。フラックス層８は、フラックス印刷用マスク（メタルマスク）９を用いたスクリーン印刷により形成することができる。なお、フラックス層８は、インクジェット印刷により形成してもよい。
【００２１】
スクリーン印刷による場合、メタルマスク９の開口孔９Ａの開口径（直径）９Ｌは、銅ピラー形成用穴６の直径６Ｌ（図１（Ｃ）参照）よりも小さくすることが好ましい。具体的には、開口径（直径）９Ｌは、直径６Ｌの６０％以上９０％以下とすることが好ましい。
【００２２】
メタルマスク９の表側にフラックスを塗布すると、開口孔９Ａを通して銅ピラー形成用穴６内にフラックスが注入され、上端面７Ａにフラックスが転写される。開口径９Ｌを、直径６Ｌよりも小さくすることで、開口部６Ａの周囲への漏出量を少なくしながら銅ピラー形成用穴６内にフラックスを注入することができる。開口径９Ｌが小さくなるほど、フラックスが開口孔９Ａを通過し難くなる。開口径９Ｌが直径６Ｌの６０％未満となると、フラックスのスクリーン印刷の精度や効率に悪影響が生じ易くなる。たとえば、銅ピラー形成用穴６内に十分な量のフラックスを注入することができない悪影響が生じやすくなる。
【００２３】
開口径９Ｌが大きくなるほど、フラックスは開口孔９Ａを通過し易くなる。しかしながら、開口径（直径）９Ｌが直径６Ｌの９０％を超えると、開口部６Ａの周囲のフォトレジスト層５の上面５Ａへのフラックスの漏出量が増え好ましくない。上面５Ａへの漏出量が増えると、後述の半田ボール１０の搭載工程においてボール搭載マスク１１の下面や開口孔１１Ａにフラックスが付着し易くなる。フラックスがボール搭載マスク１１に付着すると、半田ボール１０の搭載の精度が阻害される虞があり、開口部６Ａの周囲への漏出量をできるだけ抑えることが好ましい。ボール搭載マスク１１にフラックスが付着していると、たとえば、半田ボール１０がボール搭載マスク１１に付着してしまうという問題が生じ易い。
【００２４】
フラックスの粘度や、フラックスの転写量等は、フラックスが銅ピラー形成用穴６内に注入され、銅ピラー７の上端面７Ａ上に転写されたときに、フラックスが万遍なく上端面７Ａ上に広がることができるように設定される。
【００２５】
なお、フラックスを銅ピラー形成用穴６に転写し易くする観点から、一般にメタルマスク９の厚さはできる限り薄いことが理想である。しかしながら、製造上の制約、厚み精度、位置精度、耐久性等の観点から  現状は８〜２０μｍ程度のマスク厚をもつメタルマスクが使われている。
【００２６】
（半田ボール１０の搭載工程）
次に、図２の下段（Ｆ）に示すように、銅ピラー形成用穴６内に、半田ボール１０を落とし込み、銅ピラー７の上端面７Ａに半田ボール１０を搭載する。半田ボール１０は、銅ピラー形成用穴６の直径６Ｌ（図１（Ｃ）参照）よりも小さな直径である。そのため、開口部６Ａから半田ボール１０を銅ピラー形成用穴６内に落とし込むことができ、銅ピラー７の上端面７Ａに搭載できる。
【００２７】
半田ボール１０の上端面７Ａへの搭載は、ボール搭載マスク１１とボール搭載ヘッド１２を有するボール搭載装置１３を用いて行うことができる。ボール搭載マスク１１には、銅ピラー形成用穴６に対向する位置に開口孔１１Ａが形成されている。ボール搭載マスク１１上には多数の半田ボールが搭載されている。ボール搭載ヘッド１２により、多数の半田ボールの中から１個の半田ボールが、開口孔１１Ａから銅ピラー形成用穴６内に半田ボール１０として落とし込まれる。なお、半田ボール１０の上端面７Ａへの搭載は、フラックス層８が硬化する前に行う。
【００２８】
上述のように、半田ボール１０を銅ピラー形成用穴６に落とし込むことで、半田ボール１０の銅ピラー７に対する搭載位置を銅ピラー形成用穴６により規制することができる。つまり、半田ボール１０を銅ピラー形成用穴６に落とし込むことで、半田ボール１０の銅ピラー７への搭載を容易に行うことができる。つまり、銅ピラー７の上端面７Ａが銅ピラー形成用穴６内（開口部６Ａよりも下方）に配置されていることで、半田ボール１０の銅ピラー７への搭載を容易に行うことができる。
【００２９】
ボール搭載ヘッド１２は、半田ボール１０を開口孔１１Ａに移動し銅ピラー形成用穴６内に落とし込む際、半田ボール１０を上方から下方（銅ピラー形成用穴６側）に押圧することが好ましい。半田ボール１０を上方から下方に押圧することで、半田ボール１０がフラックス層８内に沈み易くなり、上端面７Ａに確実に載置され易くなる。
【００３０】
なお、上述したように、銅ピラー形成用穴６の直径６Ｌは、半田ボール１０の直径に対して、１．１倍以上、２．５倍以下とし、また、銅ピラー形成用穴６の開口部６Ａから銅ピラー７の上端面７Ａまでの距離Ｄは、半田ボール１０の直径の１／１０以上、直径の１／２以下とすることが好ましい。
【００３１】
直径６Ｌを半田ボール１０の直径に対して１．１倍以上とすることで、半田ボール１０が銅ピラー形成用穴６内に落ち込み易い。また、２．５倍以下とすることで、後述するように上端面７Ａ上で半田ボール１０が溶解したときに、上端面７Ａ上に偏りなく半田層１６を形成することができる。
【００３２】
また、距離Ｄを半田ボール１０の直径の１／１０以上とすることで、銅ピラー形成用穴６に一旦落ち込んだ半田ボール１０が銅ピラー形成用穴６から飛び出し難くなる。また、距離Ｄを半田ボール１０の直径の１／２以下とすることで、銅ピラー形成用穴６に入った半田ボール１０の上部が開口部６Ａから上方に突出する。半田ボール１０の上部が開口部６Ａから上方に突出していることで、半田ボール１０を銅ピラー形成用穴６内に落とし込む際に、半田ボール１０をボール搭載ヘッド１２で下方に押圧し易い。
【００３３】
距離Ｄが半田ボール１０の直径の１／２以下であるので、上述のように、半田ボール１０は、開口部６Ａから上方に突出している。すなわち、半田ボール１０は、その一部が銅ピラー形成用穴６内に配置された状態となっている。
【００３４】
しかしながら、距離Ｄおよび銅ピラー形成用穴６の直径６Ｌを半田ボール１０の直径以上とし、銅ピラー形成用穴６内に半田ボール１０が落ち込んだ状態で、半田ボール１０の上部が開口部６Ａから上方に突出しない構成としてもよい。この構成であっても、後述するリフロー工程により半田ボール１０を溶融することで半田層１６を形成することができる。
【００３５】
なお、距離Ｄが大きくなるほど、半田ボール１０を搭載する際に、ボール搭載マスク１１とフォトレジスト層５の表面とが接近し易く、ボール搭載マスク１１にフラックスが付着し易くなる。したがって、ボール搭載マスク１１へのフラックスの付着を防ぐ観点においても、距離Ｄは、半田ボール１０の直径の１／２以下とすることが好ましい。
【００３６】
半田ボール１０の銅ピラー形成用穴６への落とし込みは、図５に示すように、ボール吸着ヘッド１４を有するボール搭載装置１５により行うこともできる。ボール搭載装置１５は、多数の半田ボールが収容される図示外の半田ボール容器からボール吸着ヘッド１４の吸着面１４Ａに半田ボールを吸着させる。吸着面１４Ａには、電子部品実装用部材１００の電極２それぞれに対応した吸着部が設けられ、この吸着部に半田ボールが吸着される。
【００３７】
吸着面１４Ａに半田ボールを吸着したボール吸着ヘッド１４を移動して、吸着面１４Ａに吸着された半田ボールを開口部６Ａの上方に位置させる。そして、ボール吸着ヘッド１４を下降させ、吸着面１４Ａに吸着された半田ボールを銅ピラー形成用穴６内に半田ボール１０として落とし込む。吸着面１４Ａの吸引力を解除することで、半田ボールは吸着面１４Ａから離れる。半田ボールを銅ピラー形成用穴６内に落とし込む際、ボール吸着ヘッド１４が半田ボール１０を上方から下方に押圧することで、半田ボール１０はフラックス層８内に沈み易くなり、上端面７Ａに確実に載置され易くなる。
【００３８】
なお、図２（Ｅ）に示すように、フラックス層８の形成にあたり、メタルマスク９を用いて印刷されたフラックスが銅ピラー形成用穴６からオーバーフローすることがある。しかしながら、半田ボール１０の比重はフラックスの比重よりも大きい。そのため、フラックスが銅ピラー形成用穴６からオーバーフローした状態であっても、半田ボール１０は、フラックスに沈み銅ピラー形成用穴６内に落ち込む。したがって、半田ボール１０の銅ピラー７への位置決めは容易である。
【００３９】
フラックス層８の形成は、メタルマスク９を用いて銅ピラー形成用穴６に対して選択的にフラックスを塗布する上述の工程に替えて、フォトレジスト層５の上面の全面にフラックスを塗布する工程を採用してもよい。この工程によれば、メタルマスク９を設置する等の工程を省略することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００４０】
（リフロー工程）
次に、図３の上段（Ｇ）に示すように、リフロー（加熱処理）を行い半田ボール１０を溶解し固化させ、銅ピラー７の上端面７Ａに半田層１６を形成する。なお、半田ボール１０をリフローする際、半田層１６の上面にはフラックスの残渣層１７が形成される。
【００４１】
（フラックスの残渣層１７の除去工程）
次に、有機系溶剤や温純水等用いて、図３の中段（Ｈ）に示すように、図３（Ｇ）に示すフラックスの残渣層１７を除去し、半田層１６の上面を露出させる。
【００４２】
（レジスト除去工程）
次に、レジスト剥離液を用いて、図３の下段（Ｉ）に示すように、フォトレジスト層５（図３（Ｈ）参照）を除去（剥離）する。なお、フォトレジスト層５の除去は、ドライエッチング法を用いて行うこともできる。
【００４３】
（導電層４の除去工程）
次に、エッチング等の方法により、図４に示すように、銅ピラー７の周囲に存在する導電層４（図３（Ｉ）参照）を除去する。これにより、銅ピラー７の上端面に半田層１６が形成された電子部品実装用部材１００が完成する。
【００４４】
上述の電子部品実装用部材１００の製造では、半田ボール１０を銅ピラー形成用穴６に落とし込むことで、半田ボール１０の銅ピラー７に対する搭載位置を正確なものとすることができる。つまり、半田ボール１０を銅ピラー形成用穴６に落とし込むことにより、銅ピラー７に半田層を形成する際の形成位置の精度と形成の容易さとが向上させられる。
【００４５】
また、電子部品実装用部材１００の銅ピラー７の側面７Ｂと半田層１６の外周縁１６Ａとは、同一面上に配置されている。すなわち、側面７Ｂと外周縁１６Ａとは互いに揃った位置に配置されている。したがって、半田層１６が側面７Ｂよりも側方に突出し、隣接する銅ピラー７と短絡してしまう虞を低減できる。
【００４６】
（本実施の形態の主な効果）
上述のように、銅ピラー７の上端面７Ａに半田層１６を有する電子部品実装用部材１００の製造方法は、フォトレジスト層５に形成された銅ピラー形成用穴６内に、銅ピラー７の上端面７Ａが銅ピラー形成用穴６の開口部６Ａよりも下方に位置するように銅ピラー７を形成する銅ピラー形成工程の後、半田ボールを、この半田ボールの少なくとも一部が銅ピラー形成用穴内に配置するように銅ピラー形成用穴に配置させる半田ボール搭載工程を有する。
【００４７】
このように電子部品実装用部材１００を製造することにより、銅ピラー形成用穴６を利用して、半田ボール１０を銅ピラー７の上端面７Ａに対して位置決めを行うことができる。
【００４８】
なお、図７に示すように、半田ボール１０の直径を銅ピラー形成用穴６の直径６Ｌよりも大きなものとしてもよい。この場合には、半田ボール１０の半径以上の部分が開口部６Ａの上方に突出することになる。この場合、半田ボール１０は、上端面７Ａに接触することが好ましい。つまり、半田ボール１０の直径と、銅ピラー形成用穴６の直径６Ｌと、距離Ｄ(銅ピラー形成用穴６の開口部６Ａから銅ピラー７の上端面７Ａまでの距離)とを、半田ボール１０が上端面７Ａに接触するように設定することが好ましい。半田ボール１０と上端面７Ａとが接触していれば、半田ボール１０と開口部６Ａの周縁との間に隙間が形成されていてもよい。
【００４９】
この場合であっても、半田ボール１０の一部が銅ピラー形成用穴６内に配置されることで、半田ボール１０は銅ピラー形成用穴６により移動を規制され、半田ボール１０の位置は銅ピラー７に対して位置決めされる。そのため、この状態でリフローが行われると、上端面７Ａ状に半田層１６が形成される。
【００５０】
搭載される半田ボール１０の直径は、銅ピラー形成用穴６の直径よりも小さな直径であることが好ましい。
【００５１】
このように電子部品実装用部材１００を製造することにより、フォトレジスト層５で囲まれた銅ピラー７の上端面７Ａに半田ボール１０を搭載することができる。そのため、半田ボール１０を上端面７Ａに搭載し易い。また、半田ボール１０を銅ピラー形成用穴６に落とし込むことで、半田ボール１０の銅ピラー７に対する搭載位置を正確なものとすることができる。つまり、半田ボール１０を銅ピラー形成用穴６に落とし込むことにより、銅ピラー７に半田層１６を形成する際の形成位置の精度と形成の容易さとが向上させられる。
【００５２】
さらに、半田ボール１０が溶解された際にも、溶解した半田が銅ピラー７の側面に流れ出ることを防ぐことができ、流れ出た半田より銅ピラー７間が短絡してしまうことを防止できる。また、電子部品実装用部材１００の銅ピラー７の側面７Ｂと半田層１６の外周縁１６Ａとは、同一面上に配置されている。すなわち、側面７Ｂと外周縁１６Ａとは互いに揃った位置に配置されている。したがって、半田層１６が側面７Ｂよりも側方に突出し、隣接する銅ピラー７と短絡してしまう虞を低減できる。
【００５３】
銅ピラー７の形成する工程（図２（Ｄ））の後、半田ボールを搭載する工程（図２（Ｆ））の前に、銅ピラー形成用穴６内に形成された銅ピラー７の上端面７Ａにフラックス層８を積層するフラックス積層工程（図２（Ｅ））を行う。
【００５４】
このように電子部品実装用部材１００を形成することで、半田ボール１０を溶解させる際の酸化をフラックス層８により防止でき、銅ピラー７と溶解した半田ボール１０との接着性を高めることができる。なお、半田ボール１０を上端面７Ａに搭載した後、半田ボール１０の上からフラックスを塗布することもできる。しかしながら、半田ボール１０の上からフラックスを塗布した場合には、フラックスが上端面７Ａ上に塗布されない虞もある。これに対し、半田ボール１０を上端面７Ａに搭載する前に、上端面７Ａにフラックスを塗布することで、上端面７Ａに確実にフラックスを塗布することができる。
【００５５】
フラックス層８を積層する工程において、銅ピラー形成用穴６の直径に対して６０％以上９０％以下の直径の開口孔９Ａを有するフラックス印刷用マスクとしてのメタルマスク９を介して銅ピラー７にフラックス層８を積層する。
【００５６】
メタルマスク９の表側にフラックスを塗布すると、開口孔９Ａを介して銅ピラー形成用穴６内にフラックスが転写（注入）される。開口径９Ｌを、直径６Ｌよりも小さくすることで、開口部６Ａの周囲への漏出量を少なくしながら銅ピラー形成用穴６内にフラックスを転写することができる。開口径９Ｌを直径６Ｌの６０％以上とすることで、フラックスのスクリーン印刷の精度や効率の向上を図ることができる。開口径９Ｌを直径６Ｌの９０％以下とすることで、開口部６Ａの周囲へのフラックスの漏出量を抑えることができる。
【００５７】
フォトレジスト層５の剥離は、銅ピラー７の上端面７Ａに半田層１６が形成された後に行う。これにより、半田ボール１０が銅ピラー形成用穴６に位置決めされた状態で、半田ボール１０のリフローを行うことができる。
【００５８】
（本発明の他の実施の形態）
上述の図２（Ｅ）に示すフラックス層８の形成工程において、図６に示すように、銅ピラー形成用穴６に積層されるフラックス層８の上面が、銅ピラー形成用穴６の開口部６Ａよりも下方に位置している。
【００５９】
フラックス層８の上面を、銅ピラー形成用穴６の開口部６Ａよりも下方に位置させることで、フラックス層８の上面８Ａの周囲が銅ピラー形成用穴６の上端側の内周面により囲まれる。そのため、銅ピラー形成用穴６内に、半田ボール１０を落とし込む際に、フラックス層８が銅ピラー形成用穴６の開口部６Ａよりも高い位置まで積層されている場合に比べて、半田ボール１０を正確に銅ピラー７の上端面７Ａに搭載することができる。
【符号の説明】
【００６０】
５  …  フォトレジスト層（レジスト層）
６  …  銅ピラー形成用穴
６Ａ  …  銅ピラー形成用穴の開口部
６Ｌ  …  銅ピラー形成用穴の直径
７  …  銅ピラー
７Ａ  …  銅ピラーの上端面
７Ｂ  …  銅ピラーの側面
８  …  フラックス層
９  …  メタルマスク（フラックス印刷用マスク）
９Ａ  …  フラックス印刷用マスクの開口部
１０  …  半田ボール
１６  …  半田層
１６Ａ  …  半田層の外周縁
１００  …  電子部品実装用部材
【図１】
2016154197.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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