(57)【要約】【課題】より簡素な工程により製造することができ、はんだの拡がりを抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１０は、リードフレーム１１と、リードフレーム１１のダイボンディング領域１１ａにダイボンディングされる半導体チップ１２と、リードフレーム１１のワイヤボンディング領域１１ｂにワイヤボンディングされるワイヤ１７と、リードフレーム１１の母材である銅が露出しており、その露出した銅が酸化されている銅露出部１４と、を備え、リードフレーム１１は、少なくともダイボンディング領域１１ａにめっき１５が施され、樹脂１９により封止されており、半導体チップ１２は、はんだ１６によりダイボンディング領域１１ａにダイボンディングされており、銅露出部１４は、ダイボンディング領域１１ａとワイヤボンディング領域１１ｂとの間に設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅を母材とするリードフレームと、
前記リードフレームに設けられたダイボンディング領域にダイボンディングされる半導体チップと、
前記リードフレームに設けられたワイヤボンディング領域にワイヤボンディングされるワイヤと、
前記リードフレームの母材である銅が露出しており、且つ、その露出した銅が酸化されている銅露出部と、を備え、
前記リードフレームは、少なくとも前記ダイボンディング領域にめっきが施され、且つ、樹脂により封止されており、
前記半導体チップは、はんだにより前記ダイボンディング領域にダイボンディングされており、
前記銅露出部は、前記ダイボンディング領域と前記ワイヤボンディング領域との間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記銅露出部は、前記ダイボンディング領域を囲んでいることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記銅露出部に溝が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記リードフレームは、さらに前記ワイヤボンディング領域にもめっきが施されていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップに接続されるリードを備え、
前記リードは、前記樹脂により封止されるインナーリード部を有しており、前記インナーリード部の一部にめっきが施されていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ワイヤボンディング領域内に設けられ、前記リードフレームの母材である銅が露出しており、且つ、その露出した銅が酸化されているサブ銅露出部をさらに備え、
前記ワイヤは、前記ワイヤボンディング領域のうち前記サブ銅露出部が囲んでいる部分にワイヤボンディングされていることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記銅露出部は、前記半導体チップの角部に対向する部分に面積調整領域を備えており、
前記面積調整領域では、前記銅露出部が円弧状または段状または傾斜状に形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記リードフレームは、さらに、半導体チップが銀ペーストによりダイボンディングされる銀ペーストダイボンディング領域を有していることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームに半導体チップがはんだによりダイボンディングされ、且つ、樹脂により封止される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体装置においては、樹脂の密着性を確保するべく、はんだの拡がりを極力抑えることが求められる。例えば特許文献１には、リードフレームの表面にレーザを照射することにより凸部と凹部を形成し、はんだ濡れ性の低い層を露出させることで、はんだの拡がりを抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−７６９２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の技術では、レーザを照射する装置が必要であり、製造コストが高くなる。また、レーザを照射する工程では、形成する凹凸の寸法制御が必要であり、工程が複雑で煩わしい。
そこで、本発明は、より簡素な工程により製造することができ、はんだの拡がりを抑制することができる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る半導体装置は、銅を母材とするリードフレームと、リードフレームに設けられたダイボンディング領域にダイボンディングされる半導体チップと、リードフレームに設けられたワイヤボンディング領域にワイヤボンディングされるワイヤと、リードフレームの母材である銅が露出しており、且つ、その露出した銅が酸化されている銅露出部と、を備える。そして、リードフレームは、少なくともダイボンディング領域にめっきが施され、且つ、樹脂により封止されている。半導体チップは、はんだによりダイボンディング領域にダイボンディングされている。銅露出部は、ダイボンディング領域とワイヤボンディング領域との間に設けられている。
【０００６】
この構成によれば、ダイボンディング領域に半導体チップをボンディングするためのはんだの拡がりを銅露出部により抑制することができる。また、銅露出部は、リードフレームのうち銅露出部を形成する部位をマスクし、その状態でリードフレームにめっきを施し、その後、マスクを外してリードフレームを酸化させることにより形成することができる。従って、レーザ照射や寸法制御などを要する従来の技術に比べ、より簡素な工程により、はんだの拡がりを抑制することができる半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の構成例を概略的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図
【図２】半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャート
【図３】第２実施形態に係る半導体装置の構成例を概略的に示す図であり、（ａ）は要部の縦断面図、（ｂ）は溝部およびその周辺部分の拡大図
【図４】第３実施形態に係る半導体装置の構成例を概略的に示す縦断面図
【図５】第４実施形態に係る半導体装置の構成例を概略的に示す平面図
【図６】第５実施形態に係る半導体装置の構成例を概略的に示す平面図（その１）
【図７】第５実施形態に係る半導体装置の構成例を概略的に示す平面図（その２）
【図８】第５実施形態に係る半導体装置の構成例を概略的に示す平面図（その３）
【図９】第６実施形態に係る半導体装置の構成例を概略的に示す平面図（その１）
【図１０】第６実施形態に係る半導体装置の構成例を概略的に示す平面図（その２）
【図１１】第７実施形態に係る半導体装置の構成例を概略的に示す平面図
【図１２】変形実施形態に係る半導体装置の構成例を概略的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、半導体装置に係る複数の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
（第１実施形態）
図１に例示する半導体装置１０は、リードフレーム１１と、半導体チップ１２と、リード１３と、銅露出部１４と、を備える。リードフレーム１１は、銅系の金属材料を母材としており、且つ、銅露出部１４を除く表面全体にめっき１５が施されている。また、リード１３も、その全体にめっき１５が施されている。この場合、リード１３は、矩形のリードフレーム１１の４辺にそれぞれ配置されている。即ち、半導体装置１０は、パッケージの４辺にリード端子を備えるいわゆるＱＦＰタイプ（QFP:Quad Flat Package）の半導体装置となっている。なお、リードフレーム１１を構成する材料は、例えば、純銅であってもよいし、銅を主体とする合金であってもよい。
【０００９】
リードフレーム１１の一方の面、この場合、半導体チップ１２が搭載される側の面には、ダイボンディング領域１１ａとワイヤボンディング領域１１ｂが設けられている。ダイボンディング領域１１ａは、矩形枠状の銅露出部１４の内側において矩形状に形成されている。一方、ワイヤボンディング領域１１ｂは、銅露出部１４の外側において矩形枠状に形成されている。この場合、リードフレーム１１は、銅露出部１４を除く表面全体にめっき１５が施されている。そのため、リードフレーム１１は、ダイボンディング領域１１ａにめっき１５が施されており、さらに、ワイヤボンディング領域１１ｂにもめっき１５が施された構成となっている。
【００１０】
ダイボンディング領域１１ａには、半導体チップ１２がはんだ１６によりダイボンディングされる。一方、ワイヤボンディング領域１１ｂには、半導体チップ１２に接続する複数の第１ワイヤ１７の先端部がワイヤボンディングされる。なお、半導体チップ１２に接続する複数の第２ワイヤ１８の先端部は、複数のリード１３にワイヤボンディングされている。
【００１１】
この場合、リードフレーム１１は、樹脂１９により封止されている。そして、リード１３は、リードフレーム１１とともに樹脂１９により封止されるインナーリード部１３ａと、樹脂１９に封止されることなく外部に露出するアウターリード部１３ｂとを有する。第２ワイヤ１８の先端部は、それぞれ、リード１３のうちインナーリード部１３ａの先端部に接続されている。
【００１２】
リードフレーム１１およびリード１３は、めっき１５が施されていることにより、当該めっき１５部分における樹脂１９との密着性が高くなっている。なお、めっき１５は、例えば、いわゆるＰＰＦめっきと称されるニッケル・パラジウム・金めっきであってもよいし、銀めっき、ニッケルめっき、その他の金属めっき、さらには、複数の金属からなる複合めっきであってもよい。また、一部にニッケルめっきを施し、他部に銀メッキを施すなど、複数種類のめっきを組み合わせて施してもよい。即ち、めっき１５は、樹脂１９との相性が良く当該樹脂１９との密着性や接合性を確保できるものであれば、その材料を適宜変更して実施することができる。また、めっき１５は、表面に凹凸形状を形成するいわゆる粗面めっきであってもよい。
【００１３】
また、半導体装置１０は、リードフレーム１１の他方の面、この場合、半導体チップ１２が搭載される側の面とは反対側の面が樹脂１９により覆われることなく露出している。即ち、半導体装置１０は、リードフレーム１１の一部が樹脂１９から露出するいわゆるＥｘｐｏｓｅｄタイプの半導体装置となっている。
銅露出部１４は、リードフレーム１１の母材である銅系の金属材料が露出しており、且つ、その露出した銅系の金属材料が意図的に酸化されている構成となっている。この場合、銅露出部１４は、ダイボンディング領域１１ａとワイヤボンディング領域１１ｂとの間に設けられている。また、銅露出部１４は、ダイボンディング領域１１ａの周囲に矩形枠状に形成され、当該ダイボンディング領域１１ａを途切れることなく囲んでいる。
【００１４】
次に、半導体装置１０の製造方法の一例について説明する。即ち、図２に例示するように、まず、リードフレーム１１の形状を所定の形状、この場合、矩形状に加工する（Ｓ１）。なお、リードフレーム１１の形状加工は、例えば、エッチング加工により行ってもよいし、プレス加工により行ってもよいし、これらを複合した加工により行ってもよい。
【００１５】
次に、リードフレーム１１のうち銅露出部１４を形成する部位を、図示しないマスク部材によりマスクする（Ｓ２）。この場合、リードフレーム１１の表面に矩形枠状の銅露出部１４を形成するので、リードフレーム１１の表面の一部を矩形枠状のマスク部材により覆う。なお、マスク部材は、後述する酸化処理時における温度に耐えられるほどの耐熱性を有する材料で構成するものとする。また、マスク部材は、例えばコム素材といった変形可能な材料で構成するとよい。これにより、銅露出部１４の形状を適宜変更して実施することができる。
【００１６】
次に、リードフレーム１１の表面の一部をマスク部材によりマスクした状態で、そのリードフレームにめっき１５を施す（Ｓ３）。そして、リードフレーム１１からマスク部材を取り外し（Ｓ４）、その後、リードフレーム１１の全体を酸化する（Ｓ５）。これにより、リードフレーム１１の表面のうちマスク部材でマスクされていた部分、換言すれば、めっき１５が施されていない部分に銅露出部１４が形成される。また、銅露出部１４の形成に伴い、リードフレーム１１の表面には、当該銅露出部１４によって隔てられたダイボンディング領域１１ａとワイヤボンディング領域１１ｂが形成される。
【００１７】
なお、リードフレーム１１の酸化処理は、例えば、図示しない恒温槽を用いてバッチ処理により行ってもよし、図示しないベルト炉を用いて連続処理により行ってもよい。また、酸化処理における温度は、銀ペーストによるダイボンディングにおける加熱温度と同等の温度、具体的には、例えば１２０〜１８０℃程の温度で設定することが好ましい。また、酸化処理の時間は、例えば３０分〜１時間程の時間を確保することが好ましい。また、リードフレーム１１の酸化処理は、リードフレーム１１の製造時に実施してもよいし、半導体装置１０の組み立て時に実施してもよい。
【００１８】
リードフレーム１１の酸化処理の後には、はんだダイボンディング工程（Ｓ６）、リードフレーム１１に対するワイヤボンディング工程（Ｓ７）、リード１３に対するワイヤボンディング工程（Ｓ８）、モールド成形工程（Ｓ９）、ダイバーカット工程（Ｓ１０）、リード成形工程（Ｓ１１）が順次行われる。はんだダイボンディング工程では、半導体チップ１２をダイボンディング領域１１ａにはんだにより固定する。リードフレーム１１に対するワイヤボンディング工程では、第１ワイヤ１７の先端部をワイヤボンディング領域１１ｂに固定する。リード１３に対するワイヤボンディング工程では、第２ワイヤ１８をインナーリード部１３ａに固定する。なお、リードフレーム１１に対するワイヤボンディング工程とリード１３に対するワイヤボンディング工程の実施順を入れ換えてもよい。
【００１９】
モールド成形工程では、半導体チップ１２が取り付けられ、且つ、リード１３が接続されたリードフレーム１１を樹脂１９により封止する。ダイバーカット工程では、周知の通り、複数のリード１３を結合している図示しないダイバーを取り除く。リード成形工程では、リード１３のうち樹脂１９から突出している部分を所定の形状に成形する。なお、リード１３に施しているめっき１５がＰＰＦめっきでない場合には、例えば、スズ・ビスマスめっき、スズ・銀めっき、純スズめっき、スズ・鉛めっきなどといったスズ系の外装めっきを施した後にリード成形工程を実施するとよい。また、第１ワイヤ１７および第２ワイヤ１８としては、例えば、金系のワイヤ、銅系のワイヤ、銀系のワイヤ、アルミニウム系のワイヤなどといった種々のワイヤを用いることができる。
【００２０】
本実施形態によれば、ダイボンディング領域１１ａに半導体チップ１２をボンディングするためのはんだ１６の拡がりを銅露出部１４により抑制することができる。また、銅露出部１４は、リードフレーム１１のうち銅露出部１４を形成する部位をマスクし、その状態でリードフレーム１１にめっき１５を施し、その後、マスクを外してリードフレーム１１を酸化させることにより形成することができる。従って、レーザ照射や寸法制御などを要する従来の技術に比べ、より簡素な工程により、はんだ１６の拡がりを抑制することができる半導体装置１０を製造することができる。
【００２１】
また、半導体装置１０は、リードフレーム１１に半導体チップ１２がはんだ１６により固定されるものであり、その固定に際し、はんだ１６が半導体チップ１２により押し拡げられる構成となっている。しかし、半導体装置１０によれば、ダイボンディング領域１１ａの周囲に銅露出部１４が設けられている。そのため、はんだ１６の流れが銅露出部１４で止められ、従って、銅露出部１４よりも外側、つまりワイヤボンディング領域１１ｂにはんだ１６が拡がることを回避できる。
【００２２】
そして、はんだダイボンディング工程の後に行われるリードフレーム１１に対するワイヤボンディング工程では、ワイヤボンディングを、ワイヤボンディング領域１１ｂにはんだ１６が存在しない状態で行うことができる。仮にワイヤボンディング領域１１ｂにはんだ１６が存在する状態でワイヤボンディングを行うと、はんだ１６が軟らかい材料であることから、ワイヤボンド接合時の超音波がはんだ１６に逃げてしまい、適切なワイヤボンディングを行うことが困難となる。本実施形態によれば、ワイヤボンディング領域１１ｂにはんだ１６が存在しない状態でワイヤボンディングを行うことができるので、ワイヤボンディングを適切に行うことができる。
【００２３】
特に、リードフレーム１１に施すめっき１５を粗面めっきとした場合には、はんだ１６の拡がりが毛細管現象によって促進されるおそれがある。本実施形態によれば、リードフレーム１１のめっき１５が粗面めっきであっても、はんだ１６の拡がりを銅露出部１４で止めることができる。
【００２４】
また、はんだ１６は樹脂１９との密着性が著しく劣る材料である。そのため、リードフレーム１１の表面においては、はんだ１６が存在する領域を極力小さくすることが好ましい。本実施形態によれば、リードフレーム１１の表面においてはんだ１６が存在する領域を銅露出部１４内に収めることができる。これにより、リードフレーム１１の表面において樹脂１９との密着性が損なわれる領域を極力小さくすることができ、リードフレーム１１と樹脂１９との密着性を高めることができる。また、銅の酸化膜あるいは銅系の金属材料の酸化膜は、樹脂１９との密着性に優れている。そのため、銅露出部１４の表面に形成される酸化膜は、樹脂１９との密着性を高めるという機能も併せ持つ。
【００２５】
（第２実施形態）
図３（ａ）に例示する半導体装置２０は、銅露出部２４に溝２４ａを設けた構成である。なお、図３（ａ）には、半導体装置２０の一部、つまりリードフレーム２１およびその周辺部分のみを示している。この構成によれば、溝２４ａを形成した分、酸化膜が形成される銅露出部２４の表面積を大きくすることができるから、特に銅露出部２４における封止樹脂との密着性をさらに高めることができる。
【００２６】
なお、図３（ｂ）に例示するように、溝２４ａは、その底部２４ｂがダイボンディング領域２１ａ側に位置する形状、つまり、ダイボンディング領域２１ａ側の傾斜角度αがワイヤボンディング領域２１ｂ側の傾斜角度βよりも大きくなる形状とするとよい。この構成によれば、銅露出部２４に到達したはんだ２６に、ダイボンディング領域２１ａ側に向かう方向の圧縮応力が生じやすくなり、はんだ２６の拡がりを一層抑えることができる。
【００２７】
（第３実施形態）
図４に例示する半導体装置３０は、リードフレーム３１およびリード３３に部分的にめっきを施した実施形態である。即ち、リードフレーム３１は、ダイボンディング領域３１ａとワイヤボンディング領域３１ｂのみにめっき３５が施されている。また、リード３３は、インナーリード部３３ａの一部のみにめっき３５が施されている。即ち、半導体装置３０は、めっき３５を施す領域を必要最小限に抑えた構成となっている。また、リードフレーム３１およびリード３３のうちめっき３５が施されていない領域においては、酸化処理により金属の酸化膜が形成されている。そのため、めっき３５が施されていない領域においては、封止樹脂３９との密着性をさらに高めることができる。
【００２８】
なお、リード３３は、その全体が酸化処理により酸化されることから、インナーリード部３３ａのうちめっき３５が施されていない部分の表面と、アウターリード部３３ｂの表面には金属の酸化膜が形成される。ここで、インナーリード部３３ａについては、酸化膜が形成された部分において封止樹脂３９との密着性が向上するので、封止樹脂３９が剥離するなどといった不具合の発生を抑えることができる。また、アウターリード部３３ｂについては、例えば外装めっき工程の前処理で使用される硫酸などの薬液により表面の酸化膜が取り除かれる。そのため、アウターリード部３３ｂが酸化膜により覆われていることによる不具合の発生を抑えることができる。
【００２９】
（第４実施形態）
図５に例示する半導体装置４０は、銅露出部を二重に設けた実施形態である。即ち、リードフレーム４１は、ダイボンディング領域４１ａとワイヤボンディング領域４１ｂとの間に設けられている銅露出部４４ａに加えて、さらに、ワイヤボンディング領域４１ｂ内に設けられているサブ銅露出部４４ｂを備えている。このサブ銅露出部４４ｂも、銅露出部４４ａと同様に、リードフレーム４１の母材である銅系の金属材料が露出しており、且つ、その露出した銅系の金属材料が酸化されている構成である。
【００３０】
この場合、リードフレーム４１は、複数のサブ銅露出部４４ｂを備えている。より具体的には、リードフレーム４１は、リード４３に対向する辺部には、それぞれ１つのサブ銅露出部４４ｂを備えている。また、リードフレーム４１は、リード４３に対向しない辺部には、それぞれ複数、この場合、４つのサブ銅露出ｂ４４ｂを備えている。そして、半導体チップ４２に接続する複数の第１ワイヤ４７は、それぞれ、ワイヤボンディング領域４１ｂのうちサブ銅露出部４４ｂが囲んでいる部分にワイヤボンディングされている。
【００３１】
この構成によれば、はんだ４６が存在するダイボンディング領域４１ａから、第１ワイヤ４７が固定されるサブ銅露出部４４ｂが囲んでいる部分までの間に、銅系の酸化膜が二重に設けられた構成となる。従って、はんだ４６の拡がりを二重で抑えることができる。例えば、ダイボンディング領域４１ａ内のはんだ４６の量が多すぎる場合には、はんだ４６が銅露出部４４ａを越えて外側に広がる可能性がある。本実施形態によれば、はんだ４６が銅露出部４４ａを越えてしまうような事態が起こったとしても、サブ銅露出部４４ｂによるストッパ効果によりはんだ４６の拡がりを抑えることができる。従って、ワイヤボンディング領域４１ｂ、特にサブ銅露出部４４ｂで囲まれた領域を、はんだ４６が存在しない状態で維持することができ、適切にワイヤボンディングを行うことができる。
【００３２】
（第５実施形態）
図６〜図８にそれぞれ例示する半導体装置は、銅露出部のうち半導体チップの角部に対向する部分に面積調整領域を備えた実施形態である。即ち、図６に例示する半導体装置５０は、面積調整領域Ａにおいて銅露出部５４が円弧状に形成されている。また、図６に例示する半導体装置６０は、面積調整領域Ａにおいて銅露出部６４が段状に形成されている。また、図８に例示する半導体装置７０は、面積調整領域Ａにおいて銅露出部７４が傾斜状に形成されている。
【００３３】
半導体装置５０，６０，７０によれば、面積調整領域Ａでは、ダイボンディング領域５１ａ，６１ａ，７１ａの面積よりもワイヤボンディング領域５１ｂ，６１ｂ，７１ｂの面積の方が広くなっている。そのため、ワイヤボンディング領域５１ｂ，６１ｂ，７１ｂにおいてワイヤボンディングが可能な領域をより広く確保することができる。また、ダイボンディング領域５１ａ，６１ａ，７１ａ内の図示しないはんだは、その殆どが矩形状の半導体チップ５２，６２，７２の辺部に押されて広がり、従って、半導体チップ５２，６２，７２の角部からは広がり難い。そのため、面積調整領域Ａにおけるダイボンディング領域５１ａ，６１ａ，７１ａの面積が小さくされたとしても、はんだの拡がりを抑える機能に及ぼされる影響は少ない。
【００３４】
（第６実施形態）
図９〜図１０に例示する半導体装置は、リードフレームに複数の半導体チップを搭載する構成である。即ち、図９に例示する半導体装置８０は、リードフレーム８１に、複数のはんだダイボンディング領域８１ａ，８１ｃと、ワイヤボンディング領域８１ｂを備える。はんだダイボンディング領域８１ａ，８１ｃは、銅露出部８４ａ，８４ｃの内側に形成されている。ワイヤボンディング領域８１ｂは、銅露出部８４ａ，８４ｃの外側に形成されている。また、ワイヤボンディング領域８１ｂ内には、銀ペーストダイボンディング領域８１ｄが設けられている。なお、銀ペーストダイボンディング領域８１ｄは、ワイヤボンディング領域８１ｂと一体的に設けられている。
【００３５】
この場合、はんだダイボンディング領域８１ａ，８１ｃには、ハイパワーで駆動される発熱性の高い半導体チップ８２ａ，８２ｃが、それぞれ図示しないはんだによりダイボンディングされる。一方、銀ペーストダイボンディング領域８１ｄには、例えば制御用の半導体チップといったローパワーで駆動される発熱性の低い半導体チップ８２ｄが図示しない銀ペーストによりダイボンディングされる。よって、銀ペーストダイボンディング領域８１ｄの周囲においては、はんだの拡がりを抑える必要が無く、従って、銅露出部が形成されていない。なお、例えば封止樹脂と密着性を向上させるために、銀ペーストダイボンディング領域８１ｄの周囲に銅露出部を設けてもよい。
【００３６】
また、図１０に例示するように、１つのダイボンディング領域８１ａに複数の半導体チップ８２ａ１，８２ａ２，８２ａ３をボンディングしてもよい。また、図示はしないが、ダイボンディング領域８１ｃや銀ペーストダイボンディング領域８１ｄに、それぞれ複数の半導体チップをボンディングしてもよい。
【００３７】
（第７実施形態）
図１１に例示する半導体装置９０は、リードフレーム９１に形成される銅露出部９４が途中で途切れている構成である。即ち、半導体装置９０においては、銅露出部９４内のダイボンディング領域９１ａと銅露出部９４外のワイヤボンディング領域９１ｂとが一部において連結部９１ｊにより連結されている。この構成においては、ダイボンディング領域９１ａ内の図示しないはんだの拡がりは、その殆どが銅露出部９４により抑制されるが、連結部９１ｊにおいては、当該連結部９１ｊに沿ってはんだが拡がる可能性がある。しかし、連結部９１ｊを極力細く形成することで、連結部９１ｊに沿って拡がるはんだがワイヤボンディング領域９１ｂまで到達ことを回避することができる。そのため、この構成によっても、はんだの拡がりを抑制することができる。なお、連結部９１ｊは、極力細く形成することが好ましい。
【００３８】
（その他の実施形態）
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能である。
リードフレームは、少なくともダイボンディング領域にめっきが施されている構成であれば、めっきを施す領域を適宜変更して実施することができる。また、リードフレームは、例えばヒートシンクなどといった別体部品を備える構成であってもよい。
【００３９】
また、本発明は、いわゆるＱＦＰタイプの半導体装置のみならず、例えば図１２に示す半導体装置１００、即ち、パッケージの２辺のみにリード端子を備えるいわゆるＳＯＰタイプ（SOP:Small Outline Package）の半導体装置にも適用することができる。また、本発明は、いわゆるＥｘｐｏｓｅｄタイプの半導体装置のみならず、リードフレームの全体が樹脂により覆われるいわゆるフルモールドタイプの半導体装置にも適用することができる。
【００４０】
また、本発明は、例えば、いわゆるＱＦＮタイプ（QFN:Quad For Non-Lead Package）、ＳＩＰタイプ（SIP:Single Inline Package）、ＤＩＰタイプ（DIP:Dual Inline Package）などといった半導体パッケージ、即ち、全てのタイプの半導体パッケージに適用することができる。
【符号の説明】
【００４１】
図面中、１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００は半導体装置、１１，２１，３１，４１，９１はリードフレーム、１１ａ，２１ａ，３１ａ，４１ａ，５１ａ，６１ａ，７１ａ，８１ａ，８１ｃ，９１ａはダイボンディング領域、１１ｂ，２１ｂ，３１ｂ，４１ｂ，５１ｂ，６１ｂ，７１ｂ，８１ｂ，９１ｂはワイヤボンディング領域、１２，４２，５２，６２，７２，８２ａ，８２ｃは半導体チップ、１４，２４，４４ａ，８４ａ，８４ｃ，９４は銅露出部、１５，３５はめっき、１６，２６，４６ははんだ、１７，４７はワイヤ、１９，３９は樹脂、２４ａは溝、３３はリード、３３ａはインナーリード部、８１ｄは銀ペーストダイボンディング領域、４４ｂはサブ銅露出部を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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