(57)【要約】【課題】半導体素子のフリップチップ接合部に接合されるはんだ端子の、エレクトロマイグレーションの発生による導体パッドとの間の断裂の発生リスクを低くするとともに、バンプのリフローの際のはんだ凝集によるはんだ端子の高さの変化を発生しにくくする。【解決手段】実施形態のプリント配線板は、絶縁材料からなる基部絶縁層と、基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、その開口から露出した導体パッド上に設けられた、はんだからなるバンプと、前記開口から露出した前記導体パッド上に前記開口の内壁面から離間して形成された導体ポストとを具え、導体ポストは、はんだと比較して電気抵抗が低くかつ融点が高い金属からなり、バンプは、前記導体ポストの上端面上のみに形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料からなる基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、
前記開口から露出した前記導体パッド上に設けられた、はんだからなるバンプと、
前記開口から露出した前記導体パッド上に前記開口の内壁面から離間して形成された導体ポストと、
を具えるバンプ付きプリント配線板において、
前記導体ポストは、前記はんだと比較して電気抵抗が低くかつ融点が高い金属からなり、
前記バンプは、前記導体ポストの上端面上のみに形成されている。
【請求項２】
前記導体層を形成する金属と前記導体ポストを形成する金属とは、何れも銅であることを特徴とする、請求項１記載のバンプ付きプリント配線板。
【請求項３】
前記導体ポストの上端部は、前記被覆絶縁層の上面から突出していることを特徴とする、請求項１または２記載のバンプ付きプリント配線板。
【請求項４】
前記バンプは、前記導体ポストの上端面上のみでなく前記導体ポストの側面上にも形成されていることを特徴とする、請求項１から３までの何れか１項記載のバンプ付きプリント配線板。
【請求項５】
前記バンプは、前記開口から露出した前記導体パッドの少なくとも一部も覆っていることを特徴とする、請求項４記載のバンプ付きプリント配線板。
【請求項６】
前記導体ポストの外径は、１０μｍ〜４０μｍであることを特徴とする、請求項１から５までの何れか１項記載のバンプ付きプリント配線板。
【請求項７】
絶縁材料からなる基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、
前記基部絶縁層および前記導体層上に形成された被覆絶縁層と、
を有するプリント配線板を準備することと、
前記被覆絶縁層に、その被覆絶縁層を貫通して前記導体パッドに至る開口を形成することと、
前記開口内に、はんだと比較して電気抵抗が低くかつ融点が高い金属からなり前記導体パッドに電気的に接続する導体ポストを前記開口の内壁面から離間させて形成することと、
前記導体ポストの少なくとも上端面上に粘着層を介してはんだ粒を付着させることと、
前記はんだ粒を加熱によりリフローさせて、前記導体ポストの少なくとも上端面上に前記被覆絶縁層の上面から突出したバンプを形成することと、
を有している、バンプ付きプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
前記バンプは、前記導体ポストの上端面および側面上と、前記開口から露出した前記導体パッドの少なくとも一部とを覆うように形成されることを特徴とする、請求項７記載のバンプ付きプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ付きプリント配線板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、パッケージ基板を開示している。そして、特許文献1は、パッケージ基板と半導体素子との接続部となるバンプを、被覆絶縁層としてのソルダーレジスト層の開口内の導体パッド上へのはんだボールの搭載により形成することを示している。
【０００３】
パッケージ基板と半導体素子との接続部となるバンプは従来、ソルダーレジスト層の開口内に露出した導体パッド上に、例えば特許文献１のようにしてはんだボールを搭載し、あるいはマスクの開口を通してはんだペーストを搭載し、そのはんだボールやはんだペーストを溶融・固化させることにより、ソルダーレジスト層の開口内でソルダーレジスト層の表面よりも高くはんだを突出させて形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−０７４００２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら近年の半導体素子の高集積化に伴って、パッケージ基板に搭載される半導体素子のフリップチップ接合部の狭ピッチ化が進み、パッケージ基板のバンプのリフローによって形成されてフリップチップ接合部に接合されるはんだ端子の電流密度が上昇して、はんだ材料へのエレクトロマイグレーションの発生によるはんだ端子と導体パッドとの間の断裂の発生リスクが高まっている。
【０００６】
また、フリップチップ接合部の狭ピッチ化に伴うバンプの小型化により、半導体素子の実装時のはんだ端子の高さひいては半導体素子のスタンドオフ高さ（パッケージ基板表面と半導体素子との隙間の高さ）を確保することが難しくなっており、それゆえ今後は、パッケージ基板表面と実装後の半導体素子との隙間におけるフラックスの洗浄やアンダーフィルの充填が困難になると予想される。
【０００７】
本発明の目的は、半導体素子のフリップチップ接合部に接合されるはんだ端子の、エレクトロマイグレーションの発生による導体パッドとの間の断裂の発生リスクを低くすることである。別の目的は、バンプのリフローの際のはんだ凝集によるはんだ端子の高さの変化を発生しにくくすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のバンプ付きプリント配線板は、
絶縁材料からなる基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された、前記導体パッドを露出する開口を有する被覆絶縁層と、
前記開口から露出した前記導体パッド上に設けられた、はんだからなるバンプと、
前記開口から露出した前記導体パッド上に前記開口の内壁面から離間して形成された導体ポストと、
を具えるものであって、
前記導体ポストは、前記はんだと比較して電気抵抗が低くかつ融点が高い金属からなり、
前記バンプは、前記導体ポストの上端面上のみに形成されている。
【０００９】
前記導体層を形成する金属と前記導体ポストを形成する金属とは、何れも銅であると好ましい。
前記導体ポストの上端部は、前記被覆絶縁層の上面から突出していると好ましい。
前記バンプは、前記導体ポストの上端面上のみでなく前記導体ポストの側面上にも形成されていてもよい。
前記バンプは、前記開口から露出した前記導体パッドの少なくとも一部も覆っていてもよい。
前記導体ポストの外径は、１０μｍ〜４０μｍであると好ましい。
【００１０】
本発明のバンプ付きプリント配線板の製造方法は、
絶縁材料からなる基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、
前記基部絶縁層および前記導体層上に形成された被覆絶縁層と、
を有するプリント配線板を準備することと、
前記被覆絶縁層に、その被覆絶縁層を貫通して前記導体パッドに至る開口を形成することと、
前記開口内に、はんだと比較して電気抵抗が低くかつ融点が高い金属からなり前記導体パッドに電気的に接続する導体ポストを前記開口の内壁面から離間させて形成することと、
前記導体ポストの少なくとも上端面上に粘着層を介してはんだ粒を付着させることと、
前記はんだ粒を加熱によりリフローさせて、前記導体ポストの少なくとも上端面上に前記被覆絶縁層の上面から突出したバンプを形成することと、
を有している。
【００１１】
前記バンプは、前記導体ポストの上端面および側面上と、前記開口から露出した前記導体パッドの少なくとも一部とを覆うように形成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のバンプ付きプリント配線板の一実施形態としての、ＳＭＤタイプのパッドを具えるプリント配線板を示す断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は、図１の実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）は、図１の実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を図２に引き続いて示す断面図である。
【図４】図３（Ｃ），（Ｄ）に示す製造方法の一変形例を示す断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、図３（Ａ）〜（Ｅ）に示す製造方法の他の一変形例を示す断面図である。
【図６】本発明のバンプ付きプリント配線板の他の一実施形態としての、ＮＳＭＤタイプのパッドを具えるプリント配線板を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の一適用例を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の他の一適用例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施形態が図面に基づいて説明される。図１は、本発明のバンプ付きプリント配線板の一実施形態としての、ＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプの導体パッド２ａを具えるプリント配線板を示す断面図である。ＳＭＤタイプの導体パッドでは、導体パッド２ａを形成する導体が、導体パッド（被覆絶縁層３の開口３ａから露出している導体の部分）２ａより大きい。
【００１４】
実施形態のバンプ付きプリント配線板は、絶縁材料からなる基部絶縁層１と、基部絶縁層１上に形成された、導体パッド２ａを含む導体層２と、基部絶縁層１上に形成され、導体パッド２ａを露出する開口３ａを有する被覆絶縁層３と、開口３ａから露出した導体パッド２ａ上に設けられた、はんだからなるバンプ４と、開口３ａから露出した導体パッド２ａ上に開口３ａの内壁面から離間して形成された導体ポスト５と、を具えるものであって、導体ポスト５は、バンプ４のはんだと比較して電気抵抗が低くかつ融点が高い金属からなり、導体ポスト５の上端部は、被覆絶縁層３の上面よりも突出している。バンプ４は、少なくとも導体ポスト５上に形成されている。
【００１５】
基部絶縁層１を形成する絶縁材料は、エポキシ等の樹脂でもよいがセラミックでもよい。導体層２は、導電性金属であればよいが銅であると好ましい。被覆絶縁層３を形成する材料は、絶縁性樹脂フィルムとしてのＡＢＦ（味の素ビルドアップフィルム：商品名）でもよいが通常のソルダーレジストでもよい。バンプ４同士のピッチ（中心間距離）は、４５μｍ以上で１５０μｍ以下が好ましい。これにより例えば搭載した半導体素子同士を超高密度配線で接続するパッケージ基板を形成できる。
【００１６】
バンプ４のはんだは、スズを５０％以上含むものであり、導体ポスト５の、バンプ４のはんだと比較して電気抵抗が低くかつ融点が高い金属は、金やニッケルでもよいが、導体パッド２ａと同じ金属であると導体パッド２ａとの接合強度が高いので好ましく、特に導体パッド２ａが銅の場合に、導体ポスト５も銅であると、バンプ４のはんだと比較して何れも電気抵抗が低くかつ融点が高いので好ましい。導体ポスト５の外径は、１０μｍ以上で４０μｍ以下とすると、バンプの狭ピッチ化に対応できかつバンプを補強できる強度を持つので好ましい。
【００１７】
導体ポスト５の上端部が被覆絶縁層３の上面よりも突出しているので、半導体素子の実装時のバンプ４のリフローで形成されたはんだ端子の高さひいては半導体素子のスタンドオフ高さ（パッケージ基板表面と半導体素子との隙間の高さ）を確保でき、パッケージ基板表面と実装後の半導体素子との隙間におけるフラックスの洗浄やアンダーフィルの充填が容易になって半導体素子の実装性が向上する。導体パッド２ａの表面からの導体ポスト５の上端の高さは、３０μｍ以上で６０μｍ以下が好ましい。
【００１８】
バンプ４は、被覆絶縁層３の開口３ａから露出した導体層２の部分である導体パッド２ａの少なくとも一部と導体ポスト５の全体とを覆うように形成されて概ね球状をなしている。バンプ４と導体パッド２ａおよび導体ポスト５との接触面積が従来のバンプ４と導体パッド２ａとの接触面積よりも大きいので、バンプ４と導体層２との間の電気抵抗が低くなる。しかも導体ポスト５は、バンプ４のはんだと比較して電気抵抗が低い金属で形成されている。これにより電流密度が低くなるので、半導体素子のフリップチップ接合部に接合されるはんだ端子の、エレクトロマイグレーションの発生による導体パッドとの間の断裂の発生リスクが低くなる。バンプ４のはんだと比較して融点が高い金属からなる導体ポスト５を接続端子の芯にしているので、半導体素子の実装のためにバンプ４をリフローさせる際にもはんだの凝集による高さ変化が発生せず、半導体素子のスタンドオフ高さ（パッケージ基板表面と半導体素子との隙間の高さ）を確保することができる。バンプ４のはんだの量が充分多いので、半導体素子の実装時にバンプ４のはんだがリフローにより半導体素子の電極側面にも上って濡れ広がることができ、ファインピッチ形成ができると同時に接続強度も高めることができる。バンプ４は、開口３ａから露出した導体パッド２ａの全面を覆っていると好ましい。
【００１９】
以下に、図１に示される実施形態のバンプ付きプリント配線板の製造方法の例が図面に基づいて説明される。図２（Ａ）〜（Ｅ）および図３（Ａ）〜（Ｅ）は、上記実施形態のバンプ付きプリント配線板の製造方法の一例を示す断面図である。
【００２０】
この例のバンプ付きプリント配線板の製造方法では、図２（Ａ）に示されるように、基部絶縁層１と基部絶縁層１上に形成されている導体層２とを有する中間基板が準備される。基部絶縁層１は、例えばエポキシ等の樹脂やセラミックで形成されている。導体層２は、例えばアディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等によって形成される。導体層２は、例えば銅で形成されている。導体層２は、半導体素子などの電子部品を搭載するための導体パッド２ａと、信号線や電源等の図示されない配線とを含む。
【００２１】
図２（Ｂ）に示されるように、基部絶縁層１および導体層２上に被覆絶縁層３が形成される。被覆絶縁層３は、例えばエポキシ等の絶縁樹脂からなるソルダーレジストで形成される。被覆絶縁層３には、その被覆絶縁層３を貫通して導体パッド２ａに至る開口３ａが形成される。被覆絶縁層３の開口３ａは、この実施形態ではレーザ、好ましくは小径孔の形成に適しているＵＶレーザで形成される。レーザの出力を高くすることにより、被覆絶縁層３が十分に溶融し、開口３ａの内壁面は導体パッド２ａの表面に対し直線的に交差する倒立裁頭円錐状となる。レーザ光束を絞ることにより、被覆絶縁層３で被覆されている導体パッド２ａの表面に対する開口３ａの内壁面の交差角は４５°以上で９０°未満とされる。
【００２２】
開口３ａの開口ピッチ（中心間距離）は、バンプ４同士のピッチ（中心間距離）に対応し、好ましくは４５μｍ以上で１５０μｍ以下とされる。開口径（開口底部径）は、好ましくは開口ピッチの１／２以下とされ、例えば開口ピッチ５５μｍに対し開口径２５μｍとされる。開口３ａの内壁面は、導体パッド２ａの表面に対し直角に交差する一定内径の円筒状とされてもよい。その場合、開口３ａは、レーザの代わりに例えばドライエッチング、プラズマエッチング、ライトエッチング等のエッチングを行い、その後にアルカリ脱脂処理を施すことで形成される。
【００２３】
図２（Ｃ）に示されるように、被覆絶縁層３の上面上および開口３ａの内壁面上並びに開口３ａ内に露出する導体パッド２ａ上に、無電解めっきあるいはスパッタリングにより、０．２〜０．９μｍ程度の厚みでシード層６が形成される。シード層６は、好ましくは無電解銅めっきで形成される。シード層６は、無電解ニッケルめっきで形成されてもよい。
【００２４】
図２（Ｄ）に示されるように、シード層６上に、開口７ａを持つめっきレジスト層７が形成される。開口７ａを持つめっきレジスト層７は、例えば感光性ドライフィルムを貼付するか、液状感光性レジストを塗布した後、マスクパターンを載置し、露光・現像処理することによって形成される。開口７ａは、導体パッド２ａ上のシード層６の、開口３ａの内壁面から離間した中央部を露出させる。
【００２５】
図２（Ｅ）に示されるように、めっきレジスト層７の開口７ａ内に露出した、導体パッド２ａ上のシード層６上に、例えばそのシード層６を電極とした電解めっきにより、例えば銅からなる導体ポスト５が形成される。導体ポスト５はシード層６を介して導体パッド２ａに接合される。電解めっきの厚みを増減することで、任意の高さの導体ポスト５を形成することができる。導体パッド２ａの表面からの導体ポスト５の上端の高さは、好ましくは３０μｍ以上で６０μｍ以下とされる。被覆絶縁層３の上面からの導体ポスト５の上端の高さは、好ましくは１２μｍ以上で１５μｍ以下とされる。導体ポスト５の外径は、被覆絶縁層３の開口３ａの内径（底部内径）よりも小さいものとされ、好ましくは１０μｍ以上で４０μｍ以下とされる。従来は実質的に導体パッド２ａのみであったバンプ下金属（ＵＢＭ）が、導体ポスト５により底上げされる。
【００２６】
図３（Ａ）に示されるように、めっきレジスト層７がシード層６から剥離される。この剥離は例えば作業者が手作業で行うことができる。
図３（Ｂ）に示されるように、シード層６が例えばエッチングにより除去されて、被覆絶縁層３の上面および開口３ａの内壁面並びに開口３ａ内の導体パッド２ａの表面が露出する。
【００２７】
図３（Ｃ）に示されるように、導体ポスト５の表面上および開口３ａ内に露出する導体パッド２ａの表面上に粘着層８が形成される。粘着層８は、導体ポスト５および導体パッド２ａの金属である例えば銅と作用して粘着性を発現する化合物が被覆絶縁層３の全体に塗布された後、その化合物が洗浄等により被覆絶縁層３の上面上および開口３ａの内壁面上から除去されることで、導体ポスト５および導体パッド２ａの表面上のみに形成される（例えば昭和電工株式会社のＳＪ（スーパージャフィット）法：特開平１０−５１１１９号公報参照）。粘着層８は、ＳＪ法の代わりに、マスク等を用いて粘着剤が選択的に供給されることで、導体ポスト５および導体パッド２ａの表面上のみに形成されてもよい。
【００２８】
図３（Ｄ）に示されるように、導体ポスト５および導体パッド２ａの表面上のみに形成された粘着層８上に、例えばはんだボール９あるいははんだ粒もしくははんだ粉末（以下、「はんだボール９等」と呼ばれる。）が付着される。はんだボール９等は、例えば被覆絶縁層３の全体に散布された後、粘着層８に付着したものを除いて吸引等により被覆絶縁層３の上面上および開口３ａの内壁面上から除去されることで、導体ポスト５および導体パッド２ａの表面上のみに付着される。
【００２９】
その後、この基板を加熱してはんだボール９等を溶融させ、それを冷却固化させることにより、図３（Ｅ）および図１に示されるように、導体ポスト５および導体パッド２ａの表面を全体的に覆う、はんだからなる概ね球状のバンプ４が形成されて、実施形態のバンプ付きプリント配線板が製造される。バンプ４と導体パッド２ａおよび導体ポスト５との接触面積が従来のバンプ４と導体パッド２ａとの接触面積よりも大きいので、バンプ４と導体層２との間の電気抵抗が低くなる。しかも導体ポスト５は、バンプ４のはんだと比較して電気抵抗が低い金属で形成されている。これにより電流密度が低くなるので、半導体素子のフリップチップ接合部に接合されるはんだ端子の、エレクトロマイグレーションの発生による導体パッドとの間の断裂の発生リスクが低くなる。バンプ４のはんだと比較して融点が高い金属からなる導体ポスト５を接続端子の芯にしているので、半導体素子の実装のためにバンプ４をリフローさせる際にもはんだの凝集による高さ変化が発生せず、半導体素子のスタンドオフ高さ（パッケージ基板表面と半導体素子との隙間の高さ）を確保することができる。
【００３０】
図４は、図３（Ｃ），（Ｄ）に示す製造方法の一変形例を示す断面図である。この変形例では、上述したバンプ付きプリント配線板の製造方法における図３（Ｃ），（Ｄ）に示されるＳＪ法の工程に代えて、図３（Ｂ）に示される被覆絶縁層３の上面上にメタルマスク１０を搭載し、メタルマスク１０の開口１０ａを被覆絶縁層３の開口３ａに重ね合わせて、それらの開口３ａ，１０ａ内にはんだペースト１１を例えば印刷により充填する。
【００３１】
その後、メタルマスク１０を取り除いてからこの基板を加熱してはんだペースト１１を溶融させ、それを冷却固化させることにより、図３（Ｅ）および図１に示されるように、導体ポスト５および導体パッド２ａの表面を全体的に覆う、はんだからなる概ね球状のバンプ４が形成されて、実施形態のバンプ付きプリント配線板が製造される。
【００３２】
図５（Ａ）〜（Ｄ）は、図３（Ａ）〜（Ｅ）に示す製造方法の他の一変形例を示す断面図である。この変形例では、図５（Ａ）に示されるように、図２（Ｅ）に示されるめっきレジスト層７の開口７ａ内の導体ポスト５の上端面上のみに、無電解めっき若しくは電解めっきあるいは印刷によりはんだ層１２が形成される。
【００３３】
図５（Ｂ）に示されるように、図３（Ａ）に示されると同様に、めっきレジスト層７がシード層６から剥離される。この剥離は例えば作業者が手作業で行うことができる。
図５（Ｃ）に示されるように、図３（Ｂ）に示されると同様に、シード層６が例えばエッチングにより除去されて、被覆絶縁層３の上面および開口３ａの内壁面並びに開口３ａ内の導体パッド２ａの表面が露出する。
【００３４】
その後、この基板を加熱してはんだ層１２を溶融させ、それを冷却固化させることにより、図５（Ｄ）に示されるように、導体ポスト５の上端面のみを覆う、はんだからなる角の丸くなった概ね円盤状のバンプ４が形成されて、実施形態のバンプ付きプリント配線板が製造される。このように導体ポスト５の上端面上のみにバンプ４が形成されることで、５５μｍピッチでもバンプ４が互いにショートせず、ファインピッチを形成することができる。また、導体ポスト５の上端面の直径が導体パッド２ａよりも小さいので、半導体素子側の端子径も小さく設計されることで、バンプ４の少量のはんだでも充分な接続強度を保つことができる。
【００３５】
図６は、本発明のプリント配線板の他の一実施形態としての、ＮＳＭＤタイプの導体パッドを具えるプリント配線板を示す断面図である。ＮＳＭＤタイプの導体パッド２ａでは、導体パッド２ａの外周面と被覆絶縁層３の開口３ａの内壁面との間に隙間が存在する。被覆絶縁層３は導体パッド２ａを覆っていない。被覆絶縁層３の開口３ａ内で、導体パッド２ａの周囲に基部絶縁層１の表面が露出される。
【００３６】
この実施形態のバンプ付きプリント配線板も、絶縁材料からなる基部絶縁層１と、基部絶縁層１上に形成された、導体パッド２ａを含む導体層２と、基部絶縁層１上に形成され、導体パッド２ａを露出する開口３ａを有する被覆絶縁層３と、開口３ａから露出した導体パッド２ａ上に設けられた、はんだからなるバンプ４と、開口３ａから露出した導体パッド２ａ上に開口３ａの内壁面から離間して形成された導体ポスト５と、を具えるものであって、導体ポスト５は、バンプ４のはんだと比較して電気抵抗が低くかつ融点が高い金属からなり、導体ポスト５の上端部は、被覆絶縁層３の上面よりも突出している。バンプ４は、少なくとも導体ポスト５上に形成されている。
【００３７】
図６に示されるように、バンプ４は、導体ポスト５と導体パッド２ａの全体を覆うとともに、被覆絶縁層３の開口３ａ内で、導体パッド２ａの周囲に露出した基部絶縁層１の表面も覆っていると、ＮＳＭＤタイプの導体パッド２ａにおいてバンプ４と導体ポスト５および導体パッド２ａとの接触面積が大きくなるので好ましい。
【００３８】
図７は、この発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の一適用例を示す断面図である。この適用例では、半導体素子Ｅ１，Ｅ２を搭載した下側パッケージ基板Ｐ１上に、半導体素子Ｅ３を搭載した上側パッケージ基板Ｐ２が積層されるとともに電気的に接続されたパッケージオンパッケージ（ＰＯＰ）型のプリント配線基板のうち下側パッケージ基板Ｐ１に、先の実施形態と同様にして製造された実施形態のバンプ付きプリント配線板が適用されており、下側パッケージ基板Ｐ１は、半導体素子Ｅ１，Ｅ２の微細化した端子ピッチに対応したピッチの中央部領域の導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成された、小径導体ポスト５Ａとその上のバンプ４を介して半導体素子Ｅ１，Ｅ２の端子と接続するとともに、上側パッケージ基板Ｐ２の大きな端子ピッチに対応した周辺領域の導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成された、小径導体ポスト５Ａよりも大径で高さも高い大径導体ポスト５Ｂとその上のバンプ４を介して上側パッケージ基板Ｐ２の下面の端子に接続している。
【００３９】
図８は、この発明の実施形態のバンプ付きプリント配線板の他の一適用例を示す断面図である。この適用例では、多層プリント配線板Ｐ３の外層２層分に形成された凹部内に、先の実施形態と同様にして製造された実施形態のバンプ付きプリント配線板Ｐ４が埋設されており、プリント配線板Ｐ４は、多層プリント配線基板Ｐ３上に実装される半導体素子としての例えばメモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２とのそれぞれの微細化した端子ピッチに対応したピッチの導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成された、小径の導体ポスト５とその上のバンプ４を介してメモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２との端子同士を接続し、基板上（内）広帯域信号伝送路（Ｗｉｄｅ  Ｂａｎｄ  Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ  ｏｎ／ｉｎ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を構成する。なお、実施形態のバンプ付きプリント配線板Ｐ４は、多層プリント配線基板Ｐ３の２層の外層上に搭載されて、例えばメモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２とを接続してもよい。
【符号の説明】
【００４０】
１  基部絶縁層
２  導体層
２ａ  導体パッド
３  被覆絶縁層
３ａ  開口
４  バンプ
５  導体ポスト
５Ａ  小径導体ポスト
５Ｂ  大径導体ポスト
６  シード層
７  めっきレジスト層
７ａ  開口
８  粘着層
９  はんだボール
１０  メタルマスク
１０ａ  開口
１１  はんだペースト
１２  はんだ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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