(57)【要約】【課題】ガラスクロス入りの絶縁基板上に被着されたソルダーレジスト層から露出する配線導体の表面に金めっき層が被着されているとともに、この絶縁層の上面から下面にかけて貫通孔が形成されており、その貫通孔の上面側の開口のみがその上から塞がれている配線基板において、絶縁基板の内部における配線導体の電気的な絶縁信頼性に優れる配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】配線導体２を有するとともに、貫通孔４が未形成である絶縁基板を準備し、次に、絶縁基板１上および配線導体２上に、ソルダーレジスト層７ａ，７ｂを被着し、次に、ソルダーレジスト層７ａ，７ｂから露出する配線導体２の表面に金めっき層８を被着させ、次に、絶縁基板１に貫通孔４を形成し、最後に、ソルダーレジスト層７ａ上に樹脂層９を形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスクロス入りの絶縁基板上に被着されたソルダーレジスト層から露出する配線導体の表面に金めっき層が被着されているとともに前記絶縁基板の上面から下面にかけて貫通孔が形成されており、該貫通孔の上面側の開口のみがその上から塞がれている配線基板の製造方法であって、以下の（１）〜（５）の工程を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
（１）前記配線導体を有するとともに、前記貫通孔が未形成である前記絶縁基板を準備する工程
（２）次に、前記絶縁基板上および前記配線導体上に、前記ソルダーレジスト層を被着する工程
（３）次に、前記ソルダーレジスト層から露出する前記配線導体の表面に前記金めっき層を被着させる工程
（４）次に、前記絶縁基板に前記貫通孔を形成する工程
（５）次に、前記ソルダーレジスト層上に前記貫通孔を塞ぐ樹脂層を形成する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品を搭載する配線基板として小型の配線基板が用いられている。このような小型の配線基板における従来例を図３（ａ），（ｂ）に示す。なお、図３（ａ），（ｂ）においては、小型の配線基板２０となる領域が縦横の並びに多数個一体的に配列形成されて成る多数個取り配線基板の一部を示している。
【０００３】
図３（ａ），（ｂ）に示すように、従来の配線基板２０は、絶縁基板１１の内部および表面に配線導体１２を配設して成る。
【０００４】
絶縁基板１１は、コア用の絶縁層１１ａの上下両面にビルドアップ用の絶縁層１１ｂを積層して成る。コア用の絶縁層１１ａは、ガラスクロス入りの樹脂から成る。コア用の絶縁層１１ａには、ビアホール１３ａが形成されている。
【０００５】
ビルドアップ用の絶縁層１１ｂはガラスクロスを含まない樹脂から成る。ビルドアップ用の絶縁層１１ｂには、ビアホール１３ｂ形成されている。さらに、絶縁基板１１の外周部に多数の貫通孔１４を有している。
【０００６】
配線導体１２は、絶縁層１１ａの上下面および絶縁層１１ｂの表面ならびにビアホール１３ａ，１３ｂの内部に被着されている。配線導体１２は、絶縁基板１１の上面に電子部品接続パッド１５を有している。この電子部品接続パッド１５に電子部品の電極を例えばフリップチップ接続することで配線基板２０上に電子部品が実装される。
【０００７】
また、配線導体１２は、絶縁基板１１の下面に外部接続パッド１６を有している。この外部接続パッド１６を外部電気回路基板の配線導体に例えば半田ボールを介して接続することで配線基板２０が外部電気回路基板上に実装される。これらの電子部品接続パッド１５と外部接続パッド１６とは、それぞれ対応するもの同士が互いに電気的に接続されている。さらに、配線導体１２は、その一部の側面が貫通孔１４の内壁面に露出している。
【０００８】
配線導体１２が被着された絶縁基板１１の上下面には、ソルダーレジスト層１７ａ，１７ｂが被着されている。上面側のソルダーレジスト層１７ａは、電子部品接続パッド１５を露出させる開口部を有している。また、上面側のソルダーレジスト層１７ａは、貫通孔１４上を覆っている。
【０００９】
下面側のソルダーレジスト層１７ｂは、外部接続パッド１６を露出させる開口部を有している。また、下面側のソルダーレジスト層１７ｂは、貫通孔１４を覆わずに貫通孔１４の下面側開口を解放させている。
【００１０】
さらに、ソルダーレジスト層１７ａ，１７ｂから露出する電子部品接続パッド１５の表面および外部接続パッド１６の表面には、金めっき層１８が被着されている。金めっき層１８は、電子部品接続パッド１５と電子部品の電極との接続や外部接続パッド１６と外部電気回路基板の配線導体との接続を良好とするためのものである。
【００１１】
そして、この配線基板２０によれば、上面に電子部品を搭載した後、その上からモールド樹脂で被覆することで電子部品が封止される。このとき、上面側のソルダーレジスト層１７ａが貫通孔１４上を覆っているので、貫通孔１４内にモールド樹脂が入り込むのを有効に防止することができる。しかる後、貫通孔１４内に例えば導電性ペーストを充填することにより、配線基板２０の内部および電子部品へのシールドが強化される。最後に、多数個取り配線基板から配線基板２０に対応する部分を切出すことにより、製品としての電子装置が完成する。
【００１２】
ここで、この従来の配線基板２０の製造方法を図４（ａ）〜（ｄ）を基に説明する。まず、図４（ａ）に示すように、配線導体１２を有する絶縁基板１１を準備する。次に、図４（ｂ）に示すように、絶縁基板１１に貫通孔１４を形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁基板１１の上下面にソルダーレジスト層１７ａ，１７ｂを形成する。次に、図４（ｄ）に示すように、ソルダーレジスト層１７ａ，１７ｂから露出する電子部品接続パッド１５の表面および外部接続パッド１６の表面に金めっき層１８を被着させる。
【００１３】
しかしながら、この従来の配線基板２０の製造方法によると、ソルダーレジスト層１７ａ，１７ｂから露出する電子部品接続パッド１５の表面および外部接続パッド１６の表面に金めっき層１８を被着させる際に、金めっき層１８を被着させるためのめっき液が貫通孔１４の内壁面から絶縁層１１ａを構成するガラスクロスと樹脂との界面を伝って絶縁基板１１の内部に滲入し、絶縁基板１１内部における配線導体１２の電気的な絶縁信頼性が低下してしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００４−１８６３７２号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明が解決しようとする課題は、ガラスクロス入りの絶縁基板上に被着されたソルダーレジスト層から露出する配線導体の表面に金めっき層が被着されているとともに、この記絶縁層の上面から下面にかけて貫通孔が形成されており、その貫通孔の上面側の開口のみがその上から塞がれている配線基板において、絶縁基板の内部における配線導体の電気的な絶縁信頼性に優れる配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の配線基板の製造方法は、ガラスクロス入りの絶縁基板上に被着されたソルダーレジスト層から露出する配線導体の表面に金めっき層が被着されているとともに前記絶縁基板の上面から下面にかけて貫通孔が形成されており、該貫通孔の上面側の開口のみがその上から塞がれている配線基板の製造方法であって、以下の（１）〜（５）の工程を行うことを特徴とするものである。
（１）前記配線導体を有するとともに、前記貫通孔が未形成である前記絶縁基板を準備する工程
（２）次に、前記絶縁基板上および前記配線導体上に、前記ソルダーレジスト層を被着する工程
（３）次に、前記ソルダーレジスト層から露出する前記配線導体の表面に前記金めっき層を被着させる工程
（４）次に、前記絶縁基板に前記貫通孔を形成する工程
（５）次に、前記ソルダーレジスト層上に前記貫通孔を塞ぐ樹脂層を形成する工程。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の配線基板の製造方法によれば、貫通孔を形成する前にソルダーレジスト層を形成するとともに配線導体の露出表面に金めっき層を被着させ、その後、絶縁基板に貫通孔を形成するとともにソルダーレジスト層上に貫通孔を塞ぐ樹脂層を形成することから、金めっき層を被着させる際に、金めっき層を被着させるためのめっき液が貫通孔の内壁面からガラスクロスと樹脂との界面を伝って絶縁基板の内部に滲入することはない。したがって、絶縁基板内部における配線導体の電気的な絶縁信頼性に優れる配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の配線基板の製造方法により製造される配線基板の一例を示す概略断面図および概略上面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図３】図３（ａ），（ｂ）は、従来の配線基板の製造方法により製造される配線基板の一例を示す概略断面図および概略上面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の配線基板の製造方法により製造される配線基板の一例を図１（ａ），（ｂ）に示す。なお、図１（ａ），（ｂ）においては、小型の配線基板１０となる領域が縦横の並びに多数個一体的に配列形成されて成る多数個取り配線基板の一部を示している。
【００２０】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、配線基板１０は、絶縁基板１の内部および表面に配線導体２を配設して成る。
【００２１】
絶縁基板１は、コア用の絶縁層１ａの上下両面にビルドアップ用の絶縁層１ｂを積層して成る。コア用の絶縁層１ａは、ガラスクロス入りの樹脂から成る。絶縁層１ａ用の樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が好適に用いられる。コア用の絶縁層１ａの厚みは、４０〜４００μｍ程度である。コア用の絶縁層１ａには、ビアホール３ａが形成されている。ビアホール３ａの直径は、５０〜１００μｍ程度である。ビアホール３ａは、レーザー加工やブラスト加工、あるいはドリル加工により形成される。
【００２２】
ビルドアップ用の絶縁層１ｂはガラスクロス入りの樹脂、あるいはガラスクロスを含まない樹脂から成る。絶縁層１ｂ用の樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が好適に用いられる。ビルドアップ用の樹脂層１ｂの厚みは、１０〜５０μｍ程度である。ビルドアップ用の絶縁層１ｂには、ビアホール３ｂ形成されている。ビアホール３ｂの直径は、３０〜８０μｍ程度である。ビアホール３ｂは、レーザー加工やブラスト加工により形成される。
【００２３】
絶縁基板１は、その外周部に多数の貫通孔４を有している。貫通孔４の直径は、１００〜２００μｍ程度である。貫通孔４は、ドリル加工により形成される。
【００２４】
配線導体２は、絶縁層１ａの上下面および絶縁層１ｂの表面ならびにビアホール３ａ，３ｂの内部に被着されている。配線導体２は、銅から成る。配線導体２の厚みは、絶縁層１ａの上下面および絶縁層１ｂの表面で５〜２５μｍ程度である。配線導体２は、ビアホール３ａ，３ｂを完全に充填している。配線導体２は、周知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法により形成される。なお、この例では、ビアホール３ａ，３ｂ内は配線導体２により完全に充填されているが、ビアホール３ａ，３ｂ内の表面に沿って配線導体２の層が被着されている状態であってもよい。
【００２５】
配線導体２は、絶縁基板１の上面に電子部品接続パッド５を有している。電子部品接続パッド５の直径は、５０〜１００μｍ程度である。この電子部品接続パッド５に電子部品の電極を例えばフリップチップ接続することで配線基板１０上に電子部品が実装される。
【００２６】
また、配線導体２は、絶縁基板１の下面に外部接続パッド６を有している。外部接続パッド６の直径は、２００〜８００μｍ程度である。この外部接続パッド６を外部電気回路基板の配線導体に例えば半田ボールを介して接続することで配線基板１０が外部電気回路基板上に実装される。これらの電子部品接続パッド５と外部接続パッド６とは、それぞれ対応するもの同士が互いに電気的に接続されている。さらに、配線導体２は、その一部の側面が貫通孔４の内面に露出している。
【００２７】
配線導体２が被着された絶縁基板１の上下面には、ソルダーレジスト層７ａ，７ｂが被着されている。ソルダーレジスト層７ａ，７ｂは、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂から成る。ソルダーレジスト層７ａ，７ｂの厚みは、配線導体２の上で５〜５０μｍ程度である。上面側のソルダーレジスト層７ａは、電子部品接続パッド５を露出させる開口部を有している。下面側のソルダーレジスト層７ｂは、外部接続パッド６を露出させる開口部を有している。また、上面側および下面側のソルダーレジスト層７ａ，７ｂは、それぞれ貫通孔４に連通する開口部を有している。
【００２８】
さらに、上面側のソルダーレジスト層７ａの上には、貫通孔４の上面側の開口をその上から塞ぐ樹脂層９が被着されている。樹脂層９は、配線基板１０の外周部の貫通孔４が形成された領域に枠状に形成されている。樹脂層９は、ソルダーレジスト層７ａ，７ｂと同様の材料から成る。樹脂層９の厚みは、２０〜５０μｍ程度である。絶縁層９は、配線基板１０の上面側にのみ形成されており、下面側には形成されていない。そのため、貫通孔９の下面側開口は解放されたままとなっている。
【００２９】
また、ソルダーレジスト層７ａ，７ｂから露出する電子部品接続パッド５の表面および外部接続パッド６の表面には、金めっき層８が被着されている。金めっき層８は、電子部品接続パッド５と電子部品の電極との接続や外部接続パッド６と外部電気回路基板の配線導体との接続を良好とするためのものである。
【００３０】
そして、この配線基板１０によれば、上面に電子部品を搭載した後、その上からモールド樹脂で被覆することで電子部品が封止される。このとき、樹脂層９が貫通孔４上を覆っているので、貫通孔４内にモールド樹脂が入り込むのを有効に防止することができる。しかる後、貫通孔４内に例えば導電性ペーストを充填することにより、配線基板１０の内部および電子部品へのシールドが強化される。最後に、多数個取り配線基板から配線基板１０に対応する部分を切出すことにより、製品としての電子装置が完成する。
【００３１】
次に、上述の配線基板１０を、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例により製造する方法について図２（ａ）〜（ｅ）を基に説明する。なお、図２（ａ）〜（ｅ）において図１（ａ），（ｂ）と同様の箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００３２】
まず、図２（ａ）に示すように、配線導体２を有する絶縁基板１を準備する。このような絶縁基板１は、次のようにして製作される。まず、コア用の絶縁層１ａを準備するとともに、その絶縁層１ａにビアホール３ａを穿孔する。ビアホール３ａの穿孔には、レーザー加工やブラスト加工が好適に用いられる。あるいは、ドリル加工によりビアホール３ａを穿孔しても良い。次に、ビアホール３ａ内および絶縁層１ａの上下面に配線導体２用の導体を所定パターンに被着形成する。配線導体２用の導体の形成は、例えば、ビアホール３ａ内および絶縁層１ａの上下面に、ビアホール３ａ内を充填する厚みの銅めっき層を形成した後、絶縁層１ａ上下面の銅めっき層をエッチング除去し、しかる後、ビアホール１ａ上を含む絶縁層１ａの上下面に周知のセミアディティブ法により銅めっき層から成る導体を被着させる方法が採用される。次に、配線導体２用の導体が被着形成された絶縁層１ａの上下面に、ビルドアップ用の絶縁層１ｂを積層する。次に、上下の絶縁層１ｂにビアホール３ｂを穿孔する。ビアホール３ｂの穿孔には、レーザー加工が好適に用いられる。ブラスト加工によりビアホール３ｂを穿孔してもよい。次にビアホール３ｂ内および絶縁層１ｂの表面に配線導体２用の導体を所定パターンに被着形成する。配線導体２の導体の形成は、周知のセミアディティブ法により銅めっき層から成る導体を被着させる方法が採用される。以上のようにして、配線導体２を有する絶縁基板１を形成することができる。
【００３３】
次に、図２（ｂ）に示すように、配線導体２を有する絶縁基板１の上下面に、電子部品接続パッド５を露出させる開口部および外部接続パッド６を露出する開口部を有するソルダーレジスト層７ａ，７ｂを形成する。このようなソルダーレジスト層７ａ，７ｂは、配線導体２を有する絶縁基板１の上下面にソルダーレジスト用の感光性のドライフィルムを貼着した後、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンに露光および現像した後、硬化させることにより形成される。
【００３４】
次に、図２（ｃ）に示すように、ソルダーレジスト層７ａ，７ｂから露出する電子部品接続パッド５の表面および外部接続パッド６の表面に金めっき層８を被着させる。金めっき層８を被着させるには、周知の無電解めっき法が採用される。金めっき層８の下地として無電解ニッケルめっき層や無電解パラジウムめっき層被着させた後、その上に金めっき層８を被着させてもよい。
【００３５】
次に、図２（ｄ）に示すように、配線基板１０となる領域の外周部に貫通孔４を形成する。貫通孔４はドリル加工により形成する。この場合、ソルダーレジスト層７ａ，７ｂから露出する電子部品接続パッド５の表面および外部接続パッド６の表面に金めっき層８を被着させた後に貫通孔４を形成することから、金めっき層を被着させるためのめっき液が貫通孔４の内壁面からガラスクロスと樹脂との界面を伝って絶縁基板１の内部に滲入することはない。したがって、絶縁基板１の内部における配線導体２の電気的な絶縁信頼性が損なわれることはない。
【００３６】
最後に、図２（ｅ）に示すように、上面側のソルダーレジスト層７ａ上に、貫通孔４の上面側の開口をその上から塞ぐ樹脂層９を形成する。このような樹脂層９は、上面側のソルダーレジスト層７ａ上に、樹脂層９用の感光性のドライフィルムを貼着した後、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンに露光および現像した後、硬化させることにより形成される。
【００３７】
かくして、本発明の配線基板の製造方法によれば、金めっき層を被着させるためのめっき液が貫通孔４の内壁面からガラスクロスと樹脂との界面を伝って絶縁基板１の内部に滲入することはなく、絶縁基板１の内部における配線導体２の電気的な絶縁信頼性に優れる配線基板１０の製造方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００３８】
１・・・・・・・絶縁基板
２・・・・・・・配線導体
４・・・・・・・貫通孔
７ａ，７ｂ・・・ソルダーレジスト層
８・・・・・・・金めっき層
９・・・・・・・樹脂層
１０・・・・・・・配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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