(57)【要約】【課題】上面に半田バンプを有する母基板を複数枚重ねてルータ加工することが可能な生産性に優れる配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】開口部１０Ａが未形成の配線基板１０となる領域が複数一体的に配列形成されて成るとともに、半田バンプＢが形成される位置に対応する下面に半田バンプＢの突出高さよりも深い凹部８が形成された母基板１０Ｍを準備し、次に、母基板１０Ｍの上面に半田バンプＢを形成するとともに、半田バンプＢが形成された母基板１０Ｍの複数枚を、上側の母基板１０Ｍの凹部８内に下側の母基板１０Ｍの半田バンプＢが収容されるようにして重ね、次に、重ねられた複数枚の母基板１０Ｍに同時にルータ加工を行うことにより開口部１０Ａを形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部に開口部を有するとともに該開口部周辺の上面に所定の突出高さを有する半田バンプを備えて成る配線基板の製造方法であって、以下の（１）〜（３）工程を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
（１）前記開口部が未形成の前記配線基板となる領域が複数一体的に配列形成されて成るとともに、前記半田バンプが形成される位置に対応する下面に前記半田バンプの突出高さよりも深い凹部が形成された母基板を準備する工程
（２）前記母基板の上面に前記半田バンプを形成するとともに、該半田バンプが形成された母基板の複数枚を、上側の母基板の前記凹部内に下側の母基板の前記半田バンプが収容されるようにして重ねる工程
（３）重ねられた複数枚の前記母基板に同時にルータ加工を行うことにより前記開口部を形成する工程
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載するための配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、図４に示すように、半導体素子Ｓを搭載するための配線基板として、中央部に開口部２０Ａを有する配線基板２０が知られている。配線基板２０は、絶縁基板１１と、配線導体１２と、ソルダーレジスト層１３とを備えている。
【０００３】
絶縁基板１１は、コア用の絶縁層１１ａの上下面にビルドアップ用の絶縁層１１ｂが積層されて成る。絶縁層１１ａには、複数のスルーホール１４が形成されている。絶縁層１１ｂには、複数のビアホール１５が形成されている。
【０００４】
配線導体１２は、絶縁層１１ａ，１１ｂの表面ならびにスルーホール１４の内部およびビアホール１５の内部に被着形成されている。配線導体１２は、開口部２０Ａ周辺の絶縁基板１１上面に複数の半導体素子接続パッド１６を有している。また、絶縁基板１１下面に複数の外部接続パッド１７を有している。
【０００５】
ソルダーレジスト層１３は、配線導体１２が被着された上下の絶縁層１１ｂの表面に被着されている。上面側のソルダーレジスト層１３は、半導体素子接続パッド１６を露出させる開口部を有している。下面側のソルダーレジスト層１３は、外部接続パッド１７を露出させる開口部を有している。
【０００６】
ソルダーレジスト層１３から露出する半導体素子接続パッド１６の表面には、半田バンプＢが溶着されている。半田バンプＢは、その頂部がソルダーレジスト層１３から突出している。
【０００７】
そして、この配線基板２０によれば、半導体素子Ｓの電極Ｔを半田バンプをＢを介して半導体素子接続パッド１６に接続することにより半導体素子Ｓが実装される。
【０００８】
ここで、この配線基板２０の従来の製造方法を図５（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。先ず図５（ａ）に示すように、配線基板２０となる領域が複数一体的に配列形成されているとともに、開口部２０Ａが形成されていない母基板２０Ｍを準備する。なお、図５（ａ）〜（ｃ）においては、母基板２０Ｍにおける一部分のみを示している。
【０００９】
次に、図５（ｂ）に示すように、母基板２０Ｍにおける半導体素子接続パッド１６に半田バンプＢを溶着する。半田バンプＢの溶着は、半導体素子接続パッド１６上に半田ボールを搭載した後、リフロー処理する方法が採用される。半田バンプＢの溶着を開口部２０Ａの形成前に行うのは、母基板２０Ｍに開口部２０Ａが形成された後に半田ボールを搭載すると、母基板２０Ｍ上の半田ボールが開口部２０Ａからこぼれ落ちてしまい、半導体素子接続パッド１６上に半田ボールを良好に搭載することができなくなるためである。
【００１０】
最後に、図５（ｃ）に示すように、開口部２０Ａをルータ加工により形成した後、母基板２０Ｍを個別の配線基板２０に切断することにより、多数の配線基板２０が同時集約的に製造される。
【００１１】
しかしながら、この従来の配線基板２０の製造方法によると、母基板２０Ｍに開口部２０Ａを形成する際に、母基板２０を１枚ずつルータ加工する必要があった。母基板２０Ｍを複数枚重ねてルータ加工しようとすると、図６に示すように、下側の母基板２０Ｍに形成された半田バンプＢが上側の母基板２０Ｍの下面に当接して半田バンプＢが潰れてしまうためである。したがって、従来の配線基板２０の製造方法によると、その生産性が低いものであった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２０１１−１５９７０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明が解決しようとする課題は、上面に半田バンプを有する母基板を複数枚重ねてルータ加工することが可能な生産性に優れる配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の配線基板の製造方法は、中央部に開口部を有するとともに該開口部周辺の上面に所定の突出高さを有する半田バンプを備えて成る配線基板の製造方法であって、以下の（１）〜（３）工程を行うことを特徴とするものである。
（１）前記開口部が未形成の前記配線基板となる領域が複数一体的に配列形成されて成るとともに、前記半田バンプが形成される位置に対応する下面に前記半田バンプの突出高さよりも深い凹部が形成された母基板を準備する工程
（２）前記母基板の上面に前記半田バンプを形成するとともに、該半田バンプが形成された母基板の複数枚を、上側の母基板の前記凹部内に下側の母基板の前記半田バンプが収容されるようにして重ねる工程
（３）重ねられた複数枚の前記母基板に同時にルータ加工を行うことにより前記開口部を形成する工程
【発明の効果】
【００１５】
本発明の配線基板の製造方法によれば、開口部が未形成の配線基板となる領域が複数一体的に配列形成されて成る母基板における半田バンプが形成される位置の下面に半田バンプの突出高さよりも深い凹部が形成されていることから、半田バンプが形成された複数の母基板を重ねた際に、上側の母基板の凹部内に下側の母基板の半田バンプが収容されるので、母基板を重ねることにより半田バンプが潰れることがない。したがって、重ねられた複数枚の母基板に同時にルータ加工を行うことが可能となり、生産性に優れた配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の配線基板の製造方法により製造される配線基板を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図３】図３は、図２（ｂ）における要部拡大断面図である。
【図４】図４は、従来の配線基板の製造方法により製造される配線基板を示す概略断面図である。
【図５】図５は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図６】図６は、従来の配線基板の製造方法における問題点を説明するための概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を添付の図面を参照して説明する。図１は、本発明の製造方法により製造される配線基板１０を示す概略断面図である。配線基板１０は、絶縁基板１と、配線導体２と、ソルダーレジスト層３とを備えている。配線基板１０は、その中央部に開口部１０Ａを有している。
【００１８】
絶縁基板１は、コア用の絶縁層１ａの上下面にビルドアップ用の絶縁層１ｂが積層されて成る。絶縁層１ａは、例えばガラスクロス入りの熱硬化性樹脂から成る。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等が用いられる。絶縁層１ａの厚みは１００〜８００μｍ程度である。絶縁層１ａには、複数のスルーホール４が形成されている。スルーホール４の直径は、１００〜２００μｍ程度である。
【００１９】
絶縁層１ｂは、例えばガラスクロス無しの熱硬化性樹脂から成る。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂等が用いられる。絶縁層１ｂの厚みは、１０〜６０μｍ程度である。絶縁層１ｂには、複数のビアホール５が形成されている。ビアホール５の直径は、３０〜１００μｍ程度である。
【００２０】
配線導体２は、絶縁層１ａ，１ｂの表面ならびにスルーホール４の内部およびビアホール５の内部に被着形成されている。配線導体２は、銅箔や銅めっきから成る。配線導体２の厚みは、絶縁層１ａ，１ｂの表面で５〜５０μｍ程度である。配線導体２の厚みは、スルーホール４内で５〜２５μｍ程度である。ビアホール５内は配線導体２により完全に充填されている。配線導体２は、開口部１０Ａ周辺の絶縁基板１上面に複数の半導体素子接続パッド６を有している。半導体素子接続パッド６の直径は、５０〜２００μｍ程度である。また、配線導体２は、絶縁基板１下面に複数の外部接続パッド７を有している。外部接続パッド７の直径は、３００〜８００μｍ程度である。
【００２１】
さらに、本例の配線基板１０においては、半導体素子接続パッド６の表面に半田バンプＢが溶着されている。半田バンプＢは、その頂部がソルダーレジスト層３の上面から１０〜５０μｍ程度突出している。
【００２２】
ソルダーレジスト層３は、配線導体２が被着された上下の絶縁層１ｂの表面に被着されている。ソルダーレジスト層３は、感光性の熱硬化性樹脂から成る。感光性の熱硬化性樹脂としては、アクリル変性エポキシ樹脂等が用いられる。ソルダーレジスト層３の厚みは、１０〜６０μｍ程度である。上面側のソルダーレジスト層３は、半導体素子接続パッド６を露出させる開口部を有している。下面側のソルダーレジスト層３は、外部接続パッド７を露出させる開口部を有している。これらの開口部は、周知のフォトリソグラフィ技術を用いることにより形成される。
【００２３】
さらに、配線基板１０においては、半田バンプＢが形成された位置に対応する下面に凹部８が形成されている。凹部８の大きさは、半田バンプＢよりも大きい。凹部８の深さは、半田バンプＢの突出高さよりも深い。凹部８は、この例では、下面側のソルダーレジスト層３の一部を除去することにより形成されている。凹部８は、上述したソルダーレジスト層３の開口部とともにフォトリソグラフィ技術を用いて形成する。凹部８は、半田バンプＢのそれぞれに対応して個別に形成されていても良いし、複数の半田バンプＢに対応して連続して形成されていても良い。
【００２４】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を上述した配線基板１０を製造する場合を例にとって説明する。まず、図２（ａ）に示すように、開口部１０Ａが未形成の配線基板１０となる領域が複数一体的に形成されて成るとともに、半田バンプＢが形成される位置に対応する下面に凹部８が形成された母基板１０Ｍを準備する。
【００２５】
次に、図２（ｂ）に示すように、半導体素子接続パッド６に半田バンプＢを溶着するとともに、半田バンプＢが形成された母基板１０Ｍの複数枚を上下に重ねる。このとき、図３に要部拡大断面図で示すように、上側の母基板１０Ｍの凹部８内に下側の母基板１０Ｍの半田バンプＢが収容される。そのため、下側の母基板１０Ｍに形成された半田バンプＢが潰れることはない。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示すように、重ねられた複数枚の母基板１０Ｍに同時にルータ加工を行うことにより開口部１０Ａを形成する。その後、母基板１０Ｍを個別の配線基板１０に切断することにより多数の配線基板１０が同時集約的に製造される。このように、本発明の配線基板の製造方法によれば、重ねられた複数枚の母基板１０Ｍに同時にルータ加工を行うことにより、生産性に優れた配線基板の製造方法を提供することができる。
【００２７】
なお、本発明は、上述の実施形態例に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態例では、凹部８は、ソルダーレジスト層３の一部をフォトリソグラフィ技術により除去することによって形成されていたが、例えば絶縁基板１の下面にレーザ加工やブラスト加工、ルータ加工を施す等、別の方法により形成されていても良い。
【符号の説明】
【００２８】
１・・・・・・絶縁基板
２・・・・・・配線導体
３・・・・・・ソルダーレジスト層
６・・・・・・半導体素子接続パッド
８・・・・・・凹部
１０・・・・・・配線基板
１０Ａ・・・・・開口部
１０Ｍ・・・・・母基板
Ｂ・・・・・・・半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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