(57)【要約】【課題】新たな構造のバンプ電極、バンプ電極の製造方法、電子機器および電極基板を提供する。【解決手段】基板１０と、銅またはニッケルを含む形成材料を用い、基板１０上に設けられた導電層２２と、導電層２２上に設けられた保護層２３と、スズを含み保護層２３上に設けられた半田バンプ３０と、を有し、保護層２３は、導電層２２と平面的に重なる位置に導電層２２に達する貫通孔２３ｘが設けられ、導電層２２は、貫通孔２３ｘと重なる貫通孔２２ｘが設けられ、半田バンプ３０は、貫通孔２３ｘおよび貫通孔２２ｘを充填し導電層２２と接しており、導電層２２は、銅やニッケルを含む形成材料からなる第１領域２２ａと、銅やニッケルとスズとの合金からなる第２領域２２ｂと、を有し、断面視したとき第２領域２２ｂに挟持された第１領域２２ａを有するバンプ電極１。【選択図】図１
2016058692.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
銅またはニッケルの少なくとも一方の金属を含む形成材料を用い、前記基板の上に設けられた導電層と、
前記導電層の上に設けられた保護層と、
スズを含み、前記保護層の上であって且つ前記導電層と平面的に重なる位置に設けられた半田バンプと、を有し、
前記保護層は、前記導電層と平面的に重なる位置に前記導電層に達する貫通孔が設けられ、
前記導電層は、前記貫通孔と重なる孔部が設けられ、
前記半田バンプは、前記貫通孔および前記孔部を充填し前記導電層と接しており、
前記導電層は、前記形成材料からなる第１領域と、前記形成材料とスズとの合金からなる第２領域と、を有し、前記基板の面方向に断面視したとき前記第２領域に挟持された前記第１領域を有するバンプ電極。
【請求項２】
前記導電層は、前記孔部に露出する面が、前記第２領域を構成する前記合金で覆われている請求項１に記載のバンプ電極。
【請求項３】
前記保護層は、ＴｉＮを形成材料とする請求項１または２に記載のバンプ電極。
【請求項４】
銅またはニッケルの少なくとも一方の金属を含む形成材料を用いて形成された導電層と、前記導電層の上に設けられた保護層と、を有する基板において、前記導電層と平面的に重なる位置の前記保護層に貫通孔を形成するとともに、前記貫通孔と重なる前記導電層に孔部を形成する工程と、
前記貫通孔を覆ってスズを含む半田を配置する工程と、
前記半田を配置した前記基板を加熱し、半田バンプを形成する工程と、を有し、
前記半田バンプを形成する工程では、前記孔部の内側壁から前記基板の面方向に、前記形成材料とスズとの合金からなる領域を形成するバンプ電極の製造方法。
【請求項５】
前記孔部を形成する工程では、前記基板の面方向の断面視において複数の孔部を形成する請求項４に記載のバンプ電極の製造方法。
【請求項６】
前記複数の孔部の離間距離は、前記断面視における前記合金からなる領域の幅として見込まれる最大値の２倍より大きい値に設定する請求項５に記載のバンプ電極の製造方法。
【請求項７】
請求項１から３のいずれか１項に記載のバンプ電極または請求項４から６のいずれか１項に記載のバンプ電極の製造方法で製造されたバンプ電極を有する電子部品が実装された電子機器。
【請求項８】
基板と、
銅またはニッケルの少なくとも一方の金属を含む形成材料を用い、前記基板の上に設けられた導電層と、
前記導電層の上に設けられた保護層と、を有し、
前記保護層は、前記導電層と平面的に重なる位置に前記導電層に達する貫通孔が設けられ、
前記導電層は、前記基板の面方向に断面視したとき、前記貫通孔と重なる複数の孔部が設けられている電極基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ電極、バンプ電極の製造方法、電子機器および電極基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）を形成材料とした導電層を有する電極パッドと、半田ボールと、を接続した電極構造（バンプ電極）が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。このようなバンプ電極は、例えば、ＢＧＡ（Ball grid array）構造を有する半導体パッケージに採用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３３３００９号公報
【特許文献２】特開２００８−１７２２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようなバンプ電極の製造では、電極パッドと半田ボールとを接触させ加熱することで、電極パッドと半田ボールとを接続する。その際、電極パッドと半田ボールとの界面において、半田に含まれるスズ（Ｓｎ）と電極パッドのＣｕやＮｉとが合金を生成することが知られている。例えば、ＳｎとＣｕとの合金は、化学量論的組成によればＣｕ６Ｓｎ５である。生成される合金は、半田ボールと電極パッドとの良好な導通を確保するとともに、半田ボールと電極パッドとの機械的強度を確保するために寄与する。
【０００５】
一般に、半田ボールの体積は、電極パッドの体積と比べて十分に大きい。そのため、上記合金の生成反応が進行すると、電極パッドから供給されるＣｕが先に消費し尽くされ、Ｃｕ６Ｓｎ５という化学量論通りの合金の生成が困難、すなわちＣｕが不足した合金を生成する反応が進行する。発明者の知見によれば、このようなＣｕが不足した合金は、Ｃｕ６Ｓｎ５よりも機械的強度が劣るため、バンプ電極においてこのようなＣｕが不足した合金が生成すると、半田ボールと電極パッドとの接合部の剥離を招くおそれがある。
【０００６】
一方で、上記電極構造を有する装置の製造工程においては、リフロー工程や、他の部品の実装、さらに実装した部品の除去と再実装（手直し、リワーク）など、複数回（例えば３回以上）の熱処理が想定される。これら複数回の熱処理のそれぞれで、上記合金生成反応が進行する。
【０００７】
上記事情を考慮すると、製造工程においてＣｕやＮｉが不足した合金の生成を抑制するために、電極パッドの導電層を厚く（例えば５μｍ以上）形成しておく構成が考えられる。このような厚い導電層を有する電極パッドでは、複数回の熱処理で合金反応が進行したとしてもＣｕやＮｉの不足を抑制することができる。
【０００８】
しかし、電極パッドの導電層を厚く成膜すると、種々の不具合が想定される。
まず、厚い導電層をスパッタで形成しようとすると、長時間のスパッタ処理による温度上昇で、導電層を形成する対象物（例えば、シリコン基板やウエハ）に熱による応力が加わり、反りが生じるおそれがある。このような反りは、後段の製造工程における種々のエラーの要因となる。
【０００９】
また、対象物を十分に冷却したり、成膜レートを抑制したりすることで、上記反りを抑制することが考えられるが、タクトタイムの増加につながる。さらに、スパッタ処理とめっき処理とを組み合わせ、導電層を厚膜化する方法も考えられるが、そもそも厚い導電層とすると、加工時間が長くなり、生産性の低下につながる。
【００１０】
そのため、電極パッドの導電層を厚くすることなく、化学量論的組成からずれた組成の合金の生成を抑制することが可能な技術が求められていた。
【００１１】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、新たな構造のバンプ電極を提供することを目的とする。また、このような新たな構造のバンプ電極の製造方法を提供することをあわせて目的とする。また、このような新たな構造のバンプ電極を有する電子部品を実装する電子機器を提供することをあわせて目的とする。また、このような新たな構造のバンプ電極を容易に形成可能な電極基板を提供することをあわせて目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するため、本発明の一態様は、基板と、銅またはニッケルの少なくとも一方の金属を含む形成材料を用い、前記基板の上に設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられた保護層と、スズを含み、前記保護層の上であって且つ前記導電層と平面的に重なる位置に設けられた半田バンプと、を有し、前記保護層は、前記導電層と平面的に重なる位置に前記導電層に達する貫通孔が設けられ、前記導電層は、前記貫通孔と重なる孔部が設けられ、前記半田バンプは、前記貫通孔および前記孔部を充填し前記導電層と接しており、前記導電層は、前記形成材料からなる第１領域と、前記形成材料とスズとの合金からなる第２領域と、を有し、前記基板の面方向に断面視したとき前記第２領域に挟持された前記第１領域を有するバンプ電極を提供する。
【００１３】
本発明の一態様においては、前記導電層は、前記孔部に露出する面が、前記第２領域を構成する前記合金で覆われている構成としてもよい。
【００１４】
本発明の一態様においては、前記保護層は、ＴｉＮを形成材料とする構成としてもよい。
【００１５】
また、本発明の一態様は、銅またはニッケルの少なくとも一方の金属を含む形成材料を用いて形成された導電層と、前記導電層の上に設けられた保護層と、を有する基板において、前記導電層と平面的に重なる位置の前記保護層に貫通孔を形成するとともに、前記貫通孔と重なる前記導電層に孔部を形成する工程と、前記貫通孔を覆ってスズを含む半田を配置する工程と、前記半田を配置した前記基板を加熱し、半田バンプを形成する工程と、を有し、前記半田バンプを形成する工程では、前記孔部の内側壁から前記基板の面方向に、前記形成材料とスズとの合金からなる領域を形成するバンプ電極の製造方法を提供する。
【００１６】
本発明の一態様においては、前記孔部を形成する工程では、前記基板の面方向の断面視において複数の孔部を形成する製造方法としてもよい。
【００１７】
本発明の一態様においては、前記複数の孔部の離間距離は、前記断面視における前記合金からなる領域の幅として見込まれる最大値の２倍より大きい値に設定する製造方法としてもよい。
【００１８】
また、本発明の一態様は、上記のバンプ電極または上記のバンプ電極の製造方法で製造されたバンプ電極を有する電子部品が実装された電子機器を提供する。
【００１９】
また、本発明の一態様は、基板と、銅またはニッケルの少なくとも一方の金属を含む形成材料を用い、前記基板の上に設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられた保護層と、を有し、前記保護層は、前記導電層と平面的に重なる位置に前記導電層に達する貫通孔が設けられ、前記導電層は、前記基板の面方向に断面視したとき、前記貫通孔と重なる複数の孔部が設けられている電極基板を提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、新たな構造のバンプ電極を提供することができる。また、このような新たな構造のバンプ電極の製造方法を提供することができる。また、このような新たな構造のバンプ電極を有する電子部品を実装する電子機器を提供することができる。また、このような新たな構造のバンプ電極を容易に形成可能な電極基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態に係るバンプ電極を示す概略断面図である。
【図２】バンプ電極の平面図である。
【図３】本実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す工程図である。
【図４】バンプ電極の比較例の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図１〜図４を参照しながら、本発明の実施形態に係るバンプ電極、バンプ電極の製造方法、電子機器、電極基板について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
【００２３】
［バンプ電極］
図１は、本実施形態に係るバンプ電極を示す概略断面図である。図に示すように、バンプ電極１は、基板１０と、基板１０上に設けられたＵＢＭ（under ball metal)層２０と、ＵＢＭ層２０上に設けられた半田バンプ３０と、を有している。本実施形態のバンプ電極は、例えば、ＢＧＡ構造を有する半導体パッケージの下部電極を構成している。
【００２４】
基板１０は、基板本体１１と絶縁層１２とを有している。
基板本体１１は、用途に応じて種々のものを採用することができる。本実施形態のバンプ電極１を半導体パッケージに採用する場合には、基板本体１１は半導体基板である。
【００２５】
絶縁層１２は、形成材料としてＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３など通常知られたものを採用することができる。絶縁層１２は、これらの形成材料を用いて、スパッタ、蒸着、ＣＶＤなど種々の方法により形成することができる。
【００２６】
ＵＢＭ層２０は、基板１０上に設けられた密着層２１と、密着層２１上に設けられた導電層２２と、導電層２２上に設けられた保護層２３と、を有している。
【００２７】
密着層２１は、基板１０および導電層２２の両方に対して良好な密着性を有する材料を用いて形成される。密着層２１を介して基板１０上に導電層２２を形成することで、導電層２２の剥離を抑制することができる。本実施形態の密着層２１には、断面視において複数（図では３つ）の貫通孔２１ｘが設けられている。密着層２１は、例えばＴｉを形成材料としている。密着層２１の層厚は、例えば１０００Å（０．１μｍ）である。
【００２８】
導電層２２は、ＣｕまたはＮｉの少なくとも一方の金属を含む形成材料を用い、密着層２１の上に設けられている。本実施形態の導電層２２には、断面視において複数（図では３つ）の貫通孔２２ｘが設けられている。貫通孔２２ｘは、本発明における「孔部」に該当する。貫通孔２２ｘと貫通孔２１ｘとは連通している。導電層２２の層厚は、例えば２μｍである。
【００２９】
保護層２３は、導電層２２の表面を覆って設けられている。本実施形態の保護層２３には、断面視において複数（図では３つ）の貫通孔２３ｘが設けられている。貫通孔２３ｘと貫通孔２２ｘとは連通している。保護層２３は、スズとの反応性が低い（スズに溶けにくい）材料）、例えばＴｉＮ、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）を形成材料としている。保護層２３の層厚は、例えば１０００Å（０．１μｍ）である。
【００３０】
半田バンプ３０は、通常知られた半田を用いて設けられている。用いる半田にはスズが含まれている。半田バンプ３０の幅（図中、符号Ｗで示す）は、例えば２００μｍ〜３００μｍ程度である。
【００３１】
半田バンプ３０は、一部が貫通孔２３ｘ、貫通孔２２ｘおよび貫通孔２１ｘを充填し、導電層２２と接している。半田バンプ３０と導電層２２とが接する部分は、半田に含まれるスズと、導電層２２の形成材料であるＣｕまたはＮｉと、の合金が生成している。図では、導電層２２において、導電層２２の形成材料からなる領域を第１領域２２ａ、導電層２２の形成材料とスズとの合金からなる領域を第２領域２２ｂとして示している。
【００３２】
図に示すように、導電層２２は、断面視で複数の第１領域２２ａと複数の第２領域２２ｂとを有している。また、第２領域２２ｂは第１領域２２ａと接しており、第２領域２２ｂのみが存在する部分が無い。例えば、図中符号Ａで示す部分では、第１領域２２ａが第２領域２２ｂで挟持されている。
【００３３】
このような構成のバンプ電極１では、第２領域２２ｂにおいて、ＣｕやＮｉと、スズとが、化学量論的組成（ストイキオメトリー組成）で合金を形成している。例えば、導電層２２の形成材料にＣｕが含まれる場合には、第２領域２２ｂではＣｕ６Ｓｎ５が生成している。また、導電層２２の形成材料にＮｉが含まれる場合には、第２領域２２ｂではＮｉ３Ｓｎ４が生成している。そのため、本実施形態のバンプ電極１では、半田バンプ３０と導電層２２との良好な導通が確保されるとともに、機械的強度が確保される。
【００３４】
さらに、第２領域２２ｂが複数箇所に形成されるため、複数箇所で半田バンプ３０と導電層２２とが強固に結合する。
【００３５】
したがって、以上のような構成のバンプ電極１によれば、良好な導通を確保するとともに、破損が抑制され信頼性が高いものとなる。
【００３６】
なお、本実施形態のバンプ電極１の「複数の貫通孔２３ｘ」「複数の貫通孔２２ｘ」「複数の貫通孔２１ｘ」における「複数」とは、図１のような断面視において認識される貫通孔２３ｘや貫通孔２２ｘや貫通孔２１ｘの数に応じた表現である。そのため、平面視した時に貫通孔２３ｘや貫通孔２２ｘや貫通孔２１ｘが複数である必要はない。
【００３７】
図２は、バンプ電極１の一例を示す平面図であり、導電層２２のみ示した図である。基板や保護層など他の構成は図示を省略している。
図２（ａ）の導電層２２では、格子状に連続した１つの貫通孔２２ｘが設けられている。また、第１領域２２ａは、平面視で第２領域２２ｂの周囲を囲むと共に、第２領域内に島状に点在している。
【００３８】
図２（ｂ）の導電層２２では、３×３のマトリクス状に配列した複数の貫通孔２２ｘが設けられている。また、第１領域２２ａは、平面視で第２領域２２ｂの周囲を囲んでいる。
【００３９】
ここで、図２（ａ）における線分Ａ−Ａの矢視断面図と、図２（ｂ）における線分Ｂ−Ｂの矢視断面図とは、いずれも図１に示した断面図と同じものとなる。本実施形態のバンプ電極においては、図２（ａ）（ｂ）いずれの構成も採用することができる。
【００４０】
図２に示すバンプ電極１では、平面視で第２領域２２ｂが貫通孔２２ｘを囲んでいる。すなわち、導電層２２において貫通孔２２ｘに露出する面（貫通孔２２ｘの壁面）は、第２領域２２ｂを構成する合金で覆われている。したがって、このようなバンプ電極１では、貫通孔２２ｘの壁面全体で、半田バンプ３０と導電層２２との良好な導通の確保と、機械的強度の確保とが可能となり、良好な導通を確保するとともに、破損が抑制され信頼性が高いものとなる。
【００４１】
なお、図１では、貫通孔２１ｘが密着層２１を貫通し、底部から絶縁層１２が露出することとしているが、貫通孔２１ｘが密着層２１を貫通することなく、底部に密着層２１が存在することとしてもよい。さらに、密着層２１には貫通孔２１ｘが設けられず、且つ貫通孔２２ｘが導電層２２を貫通することなく、底部に導電層２２が存在することとしてもよい。
【００４２】
このように、本発明においては、導電層２２に設けられた「孔部」により導電層２２の一部が掘り下げられ、内側壁を有する「孔部」が形成されるならば、本発明の「孔部」は、導電層２２を貫通していてもよく、貫通していなくてもよい。
【００４３】
［バンプ電極の製造方法］
図３は、本実施形態のバンプ電極の製造方法を示す工程図である。
まず、図３（ａ）に示すように、基板１０上にＴｉを形成材料とする密着層２１Ａ、Ｃｕを形成材料とする導電層２２Ａ、ＴｉＮを形成材料とする保護層２３Ａを順次積層し、ＵＢＭ層２０Ａを形成する。各層の積層は、スパッタ法を用いて行い、密着層２１Ａを０．１μｍ、導電層２２Ａを２μｍ、保護層２３Ａを０．１μｍ形成する。
【００４４】
ＵＢＭ層２０Ａの構成において最も厚い導電層２２Ａであっても２μｍ程度であるため、５μｍ程度の導電層を形成していた従来のバンプ電極と比べて、スパッタ処理による基板１０の温度上昇が抑制され、反りが抑制される。また、従来の構成よりも短時間でＵＢＭ層２０Ａを形成することができる。
【００４５】
次いで、図３（ｂ）に示すように、マスクを介したウエットエッチングにより、選択的に複数の貫通孔２３ｘ、複数の貫通孔２３ｘとそれぞれ重なる複数の貫通孔２２ｘ、および複数の貫通孔２２ｘとそれぞれ重なる複数の貫通孔２１ｘを形成し、電極基板２を得る。マスクパターンは、通常知られたフォトリソグラフィ法を用いて形成することができる。
【００４６】
なお、図では、ウエットエッチングにより形成した貫通孔２１ｘが密着層２１を貫通し、底部から絶縁層１２が露出することとしているが、貫通孔２１ｘが密着層２１を貫通することなく、底部に密着層２１が存在する状態でエッチングを終了することとしてもよい。さらに、貫通孔２２ｘが導電層２２を貫通することなく、底部に導電層２２が存在する状態でエッチングを終了することとしてもよい。
【００４７】
このように、本発明においては、導電層２２の一部を掘り下げ、内側壁を有する「孔部」が形成されるならば、「孔部」が導電層２２を貫通するまで加工（エッチング）してもよく、「孔部」が導電層２２を貫通する前に加工を終了してもよい。
【００４８】
図３（ｂ）において得られる電極基板２は、本発明における「電極基板」に該当する。
【００４９】
次いで、図３（ｃ）に示すように、貫通孔２３ｘを覆ってスズを含む半田３０Ａを配置する。半田３０Ａとしては、例えば、ＪＩＳ−Ｚ−３２８２（２００６）に記載された鉛含有はんだや、鉛フリーはんだを用いることができる。貫通孔２３ｘを覆うことができれば、溶融した半田を配置してもよく、半田ボールを配置してもよい。
【００５０】
次いで、半田３０Ａを配置した基板１０を、例えばピーク温度２６５℃、２２０℃以上の時間を６０秒保持して加熱し、半田バンプ３０を形成する。この加熱により、半田３０Ａと導電層２２との界面においては、半田３０Ａに含まれるスズと、導電層２２の形成材料であるＣｕやＮｉとの合金生成反応が進行し、第２領域（合金からなる領域）２２ｂが形成される。
【００５１】
その際、合金生成反応は、貫通孔２２ｘの内側壁と半田３０Ａとの界面から、導電層２２の延在方向（基板１０の面方向）に進行する。当然のことながら、導電層２２の延在方向の長さは、導電層２２の厚み（２μｍ）よりも長い。そのため、第２領域２２ｂは常に第１領域２２ａと接することとなり、第２領域２２ｂにおける合金生成反応に、第１領域２２ａからＣｕやＮｉが供給される。図３（ｃ）では、第２領域２２ｂに供給されるＣｕやＮｉを白矢印で示している。
【００５２】
さらに、貫通孔２２ｘを複数形成しているため、複数の第１領域２２ａから合金生成反応にＣｕやＮｉが供給される。
【００５３】
これらの結果、半田３０Ａと導電層２２との界面において、スズが過剰となる側に化学量論組成がずれた合金の生成反応が抑制される。
【００５４】
なお、第２領域２２ｂの形成は、導電層２２の延在方向に進行するため、符号Ａで示す部分では、両側から第２領域２２ｂが形成され、第２領域２２ｂで挟持された第１領域２２ａが侵食されることとなる。そのため、複数の貫通孔２２ｘの離間距離（図３（ｃ）中、符号Ｗ１で示す）は、生じうる第２領域２２ｂの幅（符号Ｗ２）として見込まれる最大値の２倍より大きい値に設定するとよい。
【００５５】
「第２領域２２ｂの幅として見込まれる最大値」とは、バンプ電極の製造時に形成されえる第２領域２２ｂの他、後の製造工程におけるリフロー工程や、再実装（手直し、リワーク）などの複数回の熱処理により生成する第２領域２２ｂの最大幅を意味している。例えば、本実施形態のバンプ電極を有する電子部品の製品保証として、３回の熱処理に対応可能であることと設定するのであれば、離間距離Ｗ１は、バンプ電極をさらに３回熱処理した時に成長すると見込まれる第２領域２２ｂの幅Ｗ２の２倍より大きい値とする。
【００５６】
このような離間距離Ｗ１となるように貫通孔２２ｘを形成することで、符号Ａで示す部分においては、複数回の熱処理を経ても第１領域２２ａが残存し、スズが過剰となる側に化学量論組成がずれた合金の生成反応が抑制される。
【００５７】
図４は、バンプ電極の比較例の構成を示す模式図であり、図３（ｃ）に対応する図である。
【００５８】
図４（ａ）は、導電層２２Ａの層厚を２μｍとし、１か所だけ貫通孔２３ｘを設けた保護層を有するＵＢＭ層２０Ｘの上に半田３０Ａを配置し、図３（ｃ）と同様に加熱処理を行う場合を示している。この場合、第１領域２２ａから遠い第２領域２２ｂの中央近傍（図中、符号αで示す）では、第１領域２２ａからＣｕやＮｉが供給されにくく、スズが過剰となる側に化学量論組成がずれた合金が生成しやすい。その場合、符号αで示す領域では、半田バンプ３０と導電層２２とが剥離しやすくなる。
【００５９】
図４（ｂ）は、導電層２２Ａの層厚を例えば５μｍとし、１か所だけ貫通孔２３ｘを設けた保護層を有するＵＢＭ層２０Ｙの上に半田３０Ａを配置し、図３（ｃ）と同様に加熱処理を行う場合を示している。この場合、生じる第２領域２２ｂは、第１領域２２ａで囲まれているため、図４（ａ）で示したような、化学量論組成がずれた合金が生成しやすい領域は生じにくい。しかし、このような構成の導電層２２Ａを形成しようとすると、導電層形成時の熱履歴により基板１０が反りやすく、後の工程で不具合が生じやすい。
【００６０】
したがって、以上のような構成のバンプ電極の製造方法によれば、図４に示すような従来の構成で想定される不具合を解消し、信頼性が高いバンプ電極を容易に製造することができる。
【００６１】
また、以上のような構成の電極基板を用いれば、信頼性が高いバンプ電極が容易に得られる。
【００６２】
上述したようなバンプ電極や、パンプ電極の製造方法で製造したバンプ電極は、例えば、ＢＧＡ構造を有する半導体パッケージ（電子部品）に採用することができる。
【００６３】
また、このような電子部品を実装する電子機器においては、実装時の加熱によってもバンプ電極に化学量論的組成からずれた組成の合金が生じにくく、信頼性が高いものとなる。
【００６４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１…バンプ電極、２…電極基板、１０…基板、２０，２０Ａ…ＵＢＭ層、２１，２１Ａ…密着層、２１ｘ…貫通孔、２２，２２Ａ…導電層、２２ａ…第１領域、２２ｂ…第２領域、２２ｂ…第２領域（合金からなる領域）、２２ｘ…貫通孔、２３，２３Ａ…保護層、２３ｘ…貫通孔、３０…半田バンプ、３０Ａ…半田、Ｗ１…離間距離、Ｗ２…幅
【図１】
2016058692.tif 000003
【図２】
2016058692.tif 000004
【図３】
2016058692.tif 000005
【図４】
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