(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上の処理液を加熱する赤外線ランプの劣化を検知する。【解決手段】基板処理装置は、ヒータアーム３４を移動させることにより、赤外線ランプ３７およびランプハウジング３８をスピンチャックに保持されている基板の上面に沿って移動させるヒータ移動ユニットと、チャンバーの中で且つランプハウジング３８の外の位置に配置されており、ヒータアーム３４に固定されており、赤外線ランプ３７の光を受けることによって光電流を発生する受光素子４１と、受光素子４１から出力された光電流に基づいて赤外線ランプ３７の劣化を検知する制御装置とを含む。【選択図】図５
2016058493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を有するチャンバーと、
前記チャンバー内で基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と、
少なくとも一部が透明なランプハウジングと、前記ランプハウジングに収容された赤外線ランプとを含み、前記ランプハウジングを通じて前記赤外線ランプの光を前記基板保持手段に保持されている基板の上面に照射することにより、当該基板上の処理液を加熱する赤外線ヒータと、
前記赤外線ランプおよびランプハウジングが固定されたヒータアームと、
前記ヒータアームを移動させることにより、前記赤外線ランプおよびランプハウジングを前記基板保持手段に保持されている基板の上面に沿って移動させるヒータ移動手段と、
前記チャンバーの中で且つ前記ランプハウジングの外の位置に配置されており、前記ヒータアームに固定されており、前記赤外線ランプの光を受けることによって光電流を発生する受光素子と、
前記受光素子から出力された光電流に基づいて前記赤外線ランプの劣化を検知する劣化検知手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記劣化検知手段は、前記基板保持手段に保持されている基板の上面が処理液で覆われており、前記赤外線ランプが当該基板の上面に向けて光を発しているときに前記受光素子から出力された光電流に基づいて、前記赤外線ランプの劣化を検知する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記劣化検知手段は、前記ヒータ移動手段が前記赤外線ランプおよびランプハウジングを前記基板保持手段に保持されている基板の上面に沿って移動させているときに前記受光素子から出力された光電流に基づいて、前記赤外線ランプの劣化を検知する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記チャンバーの外に配置されており、前記受光素子から出力された光電流を電圧に変換して、変換された電圧を前記劣化検知手段に伝達する電流−電圧変換部をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記赤外線ランプおよび受光素子は、前記基板保持手段に保持されている基板の上方に配置される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板処理装置は、
前記基板保持手段に保持されている基板を平面視で取り囲む環状の上端を含み、前記上端が基板よりも上方に位置している状態で前記基板保持手段に保持されている基板から飛散する処理液を受け止める筒状のスプラッシュガードをさらに含み、
前記赤外線ランプおよび受光素子は、前記赤外線ランプが前記基板保持手段に保持されている基板の上面に向けて光を発しているときに、前記スプラッシュガードの上端よりも内方に配置される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記受光素子は、前記赤外線ヒータの上方に配置されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記受光素子の少なくとも一部は、前記赤外線ヒータと同じ高さに配置されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板保持手段は、前記チャンバー内で基板を水平に保持しながら、当該基板を通る鉛直線まわりの一定の回転方向に当該基板を回転させ、
前記受光素子は、前記赤外線ランプが前記基板保持手段に保持されている基板の上面に向けて光を発している期間の少なくとも一部において、前記回転方向における前記赤外線ヒータの上流に位置するように当該基板の上方に配置される、請求項１〜６および８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記受光素子を収容する素子カバーと、
前記ランプハウジングの中から前記素子カバーの中まで延びており、前記赤外線ランプの光を前記受光素子に導く光ファイバーとをさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記赤外線ランプの光を前記受光素子に向けて反射する反射鏡をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、レジストパターンで表面が覆われた基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、レジスト除去液の一例であるＳＰＭを基板の表面に向けて吐出するノズルと、基板上のＳＰＭを加熱する赤外線ヒータと、スピンチャック等を収容するチャンバーとを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１８２９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の基板処理装置では、良好な基板の処理を行うために、基板上のＳＰＭを赤外線ヒータで加熱する。基板上のＳＰＭは、基板ごとの処理のばらつきを抑えるために、一定の温度に加熱される。しかしながら、赤外線ヒータに供給される電力の大きさが同じであっても、赤外線ランプが劣化すると、赤外線ヒータの出力が低下してしまう。そのため、基板上のＳＰＭが意図する温度まで加熱されず、基板の処理にばらつきが発生してしまう。
【０００５】
そこで、本発明の目的の一つは、基板上の処理液を加熱する赤外線ランプの劣化を検知できる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、内部空間を有するチャンバーと、前記チャンバー内で基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持されている基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と、少なくとも一部が透明なランプハウジングと、前記ランプハウジングに収容された赤外線ランプとを含み、前記ランプハウジングを通じて前記赤外線ランプの光を前記基板保持手段に保持されている基板の上面に照射することにより、当該基板上の処理液を加熱する赤外線ヒータと、前記赤外線ランプおよびランプハウジングが固定されたヒータアームと、前記ヒータアームを移動させることにより、前記赤外線ランプおよびランプハウジングを前記基板保持手段に保持されている基板の上面に沿って移動させるヒータ移動手段と、前記チャンバーの中で且つ前記ランプハウジングの外の位置に配置されており、前記ヒータアームに固定されており、前記赤外線ランプの光を受けることによって光電流を発生する受光素子と、前記受光素子から出力された光電流に基づいて前記赤外線ランプの劣化を検知する劣化検知手段とを含む、基板処理装置である。
【０００７】
この構成によれば、チャンバー内で水平に保持されている基板に処理液が供給される。赤外線ランプの光は、処理液で覆われている基板の上面に照射される。赤外線ランプが光を発している状態で、ヒータ移動手段がヒータアームを移動させる。これにより、赤外線ヒータが基板の上面に沿って移動し、基板の上面に対する赤外線の照射位置が移動する。このようにして、基板上の処理液が赤外線ヒータによって加熱される。
【０００８】
赤外線ランプの光は、受光素子に入射する。受光素子は、受光素子の受光面に入射した光のエネルギーに概ね正比例する光電流を発生する。赤外線ランプが劣化していると、赤外線ランプが劣化していないときよりも小さい光電流が受光素子から出力される。したがって、劣化検知手段は、受光素子から出力された光電流に基づいて赤外線ランプの劣化を検知することができる。
【０００９】
受光素子は、チャンバーの中に配置されている。したがって、受光素子がチャンバーの外に配置されている場合よりも、受光素子と赤外線ランプとの間隔が小さい。赤外線ランプの光は、チャンバー内で反射する。また、赤外線ランプがチャンバー内で光を発すると、チャンバー内の部材が加熱されて赤外線等の光を発する場合がある。受光素子と赤外線ランプとの間隔が大きいと、受光素子に入射する赤外線ランプの光が弱まる上に、チャンバー内の部材に反射した反射光等が受光素子に入射するので、赤外線ランプの照度を正確に測定し難い。したがって、両者の間隔を小さくすることにより、赤外線ランプの劣化をより正確に検知できる。
【００１０】
また、受光素子は、ランプハウジングの外に配置されている。したがって、受光素子がランプハウジングの中に配置されている場合よりも、赤外線ランプ等の熱が受光素子に伝わり難い。さらに、受光素子は、赤外線ランプと同様に、ヒータアームに固定されている。赤外線ランプが移動したとしても、赤外線ランプと受光素子との間隔や赤外線ランプに対する受光素子の向きは変化しない。両者の間隔や受光素子の向きが変化する場合には、測定条件を一定にするために、赤外線ランプを一定の場所に移動させなければならない。したがって、本発明では、赤外線ランプの位置に拘わらず、安定した測定条件で赤外線ランプの劣化を検知できる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、前記劣化検知手段は、前記基板保持手段に保持されている基板の上面が処理液で覆われており、前記赤外線ランプが当該基板の上面に向けて光を発しているときに前記受光素子から出力された光電流に基づいて、前記赤外線ランプの劣化を検知する、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板上の処理液が赤外線ヒータで加熱されているときに、赤外線ランプの劣化が検知される。つまり、基板の処理と並行して、劣化の検知が行われる。したがって、赤外線ヒータが基板上の処理液を実際に加熱しているときの赤外線ランプの照度を測定できる。さらに、基板の処理が行われている時期とは別の時期に赤外線ランプの劣化を検知するための処理を行わなくてもよい。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前記劣化検知手段は、前記ヒータ移動手段が前記赤外線ランプおよびランプハウジングを前記基板保持手段に保持されている基板の上面に沿って移動させているときに前記受光素子から出力された光電流に基づいて、前記赤外線ランプの劣化を検知する、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、赤外線ランプが基板の上面に沿って移動しているときに、赤外線ランプの照度が測定され、この測定結果に基づいて赤外線ランプの劣化が検知される。受光素子は、赤外線ランプと同様に、ヒータアームに固定されているので、赤外線ランプと受光素子との間隔や赤外線ランプに対する受光素子の向きは変化しない。したがって、赤外線ランプの移動中であっても、安定した測定条件で赤外線ランプの劣化を検知できる。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、前記チャンバーの外に配置されており、前記受光素子から出力された光電流を電圧に変換して、変換された電圧を前記劣化検知手段に伝達する電流−電圧変換部をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、電流−電圧変換部によって電圧に変換された受光素子の光電流が劣化検知手段に伝達される。電流−電圧変換部は、チャンバーの外に配置されている。したがって、チャンバー内で発生した薬液等のミストが電流−電圧変換部に付着することを防止できる。さらに、電流−電圧変換部がヒータアームに搭載されていないので、ヒータアームに搭載された搭載物（赤外線ランプなど）の重量を軽減できる。したがって、ヒータアームの強度や、ヒータ移動手段の出力を抑えることができる。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、前記赤外線ランプおよび受光素子は、前記基板保持手段に保持されている基板の上方に配置される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、赤外線ランプおよび受光素子の両方が基板の上方に配置されるように、受光素子が赤外線ランプの近くに配置されている。したがって、受光素子と赤外線ランプとの間隔が小さい。そのため、受光素子に入射する赤外線ランプの光が弱まり難く、反射光等が受光素子に入射し難い。これにより、赤外線ランプの劣化をより正確に検知できる。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記基板保持手段に保持されている基板を平面視で取り囲む環状の上端を含み、前記上端が基板よりも上方に位置している状態で前記基板保持手段に保持されている基板から飛散する処理液を受け止める筒状のスプラッシュガードをさらに含み、前記赤外線ランプおよび受光素子は、前記赤外線ランプが前記基板保持手段に保持されている基板の上面に向けて光を発しているときに、前記スプラッシュガードの上端よりも内方に配置される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００１６】
この構成によれば、赤外線ランプおよび受光素子の両方がスプラッシュガードの環状の上端よりも内方に配置されるように、受光素子が赤外線ランプの近くに配置されている。したがって、受光素子と赤外線ランプとの間隔が小さい。そのため、受光素子に入射する赤外線ランプの光が弱まり難く、反射光等が受光素子に入射し難い。これにより、赤外線ランプの劣化をより正確に検知できる。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、前記受光素子は、前記赤外線ヒータの上方に配置されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、受光素子と赤外線ヒータとが鉛直方向に並んでいる。したがって、受光素子から赤外線ランプまでの水平方向の距離を短縮でき、受光素子と赤外線ランプとの間隔を減少させることができる。さらに、赤外線ヒータが基板の上方に位置しているときは受光素子が赤外線ヒータの上方に位置するので、基板上の処理液から発生する蒸気およびヒューム等から受光素子を保護できる。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、前記受光素子の少なくとも一部は、前記赤外線ヒータと同じ高さに配置されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、赤外線ヒータと受光素子の少なくとも一部とが水平方向に並んでいる。したがって、受光素子から赤外線ランプまでの鉛直方向の距離を短縮でき、受光素子と赤外線ランプとの間隔を減少させることができる。さらに、受光素子および赤外線ランプがヒータアームよりも下方に配置されている場合には、受光素子と赤外線ランプとの間にヒータアームの一部を介在させずに、受光素子と赤外線ランプとを水平方向に対向させることができる。したがって、赤外線ランプからその周囲に放出される光を効率的に受光素子に入射させることができる。
【００１９】
請求項９に記載の発明は、前記基板保持手段は、前記チャンバー内で基板を水平に保持しながら、当該基板を通る鉛直線まわりの一定の回転方向に当該基板を回転させ、前記受光素子は、前記赤外線ランプが前記基板保持手段に保持されている基板の上面に向けて光を発している期間の少なくとも一部において、前記回転方向における前記赤外線ヒータの上流に位置するように当該基板の上方に配置される、請求項１〜６および８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００２０】
この構成によれば、基板上の処理液は、基板の回転方向に移動しながら、赤外線ヒータによって加熱される。受光素子が赤外線ヒータの下流に配置されている場合、赤外線ヒータによって加熱された直後の処理液が、受光素子の下方に移動する。そのため、加熱直後の処理液から発生する蒸気等が受光素子に付着する場合がある。したがって、受光素子を赤外線ヒータの上流に配置することにより、このような蒸気等の付着を抑制または防止できる。
【００２１】
請求項１０に記載の発明は、前記受光素子を収容する素子カバーと、前記ランプハウジングの中から前記素子カバーの中まで延びており、前記赤外線ランプの光を前記受光素子に導く光ファイバーとをさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。素子カバーは、透明であってもよいし、不透明であってもよい。
この構成によれば、赤外線ランプがランプハウジングに収容されており、受光素子が素子カバーに収容されている。赤外線ランプの光は、光ファイバーによって、ランプハウジングの中から素子カバーの中に案内される。したがって、受光素子と赤外線ランプとの間隔が大きい場合であっても、赤外線ランプの光を殆ど減衰させずに受光素子に伝達できる。さらに、ランプハウジングの中から素子カバーの中に光を伝達するので、ランプハウジングや素子カバーの外面が汚れていたとしても、赤外線ランプの光を確実に受光素子に伝達できる。
【００２２】
請求項１１に記載の発明は、前記赤外線ランプの光を前記受光素子に向けて反射する反射鏡をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、赤外線ランプの光が反射鏡に照射され、反射鏡で反射した赤外線ランプの光が受光素子に照射される。したがって、受光素子と赤外線ランプとの間隔が大きい場合であっても、赤外線ランプの光を殆ど減衰させずに受光素子に伝達できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。
【図２】図１に示すＩＩ−ＩＩ線に沿う処理ユニットの断面を示す模式図である。
【図３】赤外線ヒータ、スピンチャック、およびスプラッシュガードを水平に見た模式図である。
【図４】赤外線ヒータおよびスピンチャックの模式的な平面図である。
【図５】赤外線ヒータおよび照度計の鉛直断面を示す模式図である。
【図６】赤外線ヒータおよび照度計の模式的な平面図である。
【図７】制御装置の構成を説明するためのブロック図である。
【図８】制御装置の機能を説明するためのブロック図である。
【図９】処理ユニットによって行われる基板の処理の一例について説明するための工程図である。
【図１０】赤外線ランプの劣化を検知する劣化検知の一例について説明するための工程図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る照度計を示す模式図である。
【図１２】図１１に示す赤外線ヒータおよび照度計の模式的な平面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態に係る照度計を示す模式図である。
【図１４】本発明の第４実施形態に係る照度計を示す模式図である。
【図１５】本発明の参考形態に係る照度計を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１に示すように、基板処理装置１は、シリコンウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液または処理ガスで基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、複数の処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボット（図示せず）と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。
【００２５】
図１に示すように、処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバー４と、チャンバー４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック９と、スピンチャック９に保持されている基板Ｗに処理液を供給する複数のノズル（第１薬液ノズル２１、第２薬液ノズル２６、およびリンス液ノズル２９）と、基板Ｗ上の液体を加熱する赤外線ヒータ３６と、回転軸線Ａ１まわりにスピンチャック９を取り囲む筒状のカップ１５とを含む。
【００２６】
図１および図２に示すように、チャンバー４は、スピンチャック９等を収容する箱形の隔壁６と、隔壁６に設けられた搬入搬出口６ｄを開閉するシャッター８とを含む。チャンバー４は、さらに、隔壁６の上部から隔壁６内にクリーンエアー（フィルターによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ５（ファン・フィルタ・ユニット５）を含む。ＦＦＵ５は、隔壁６の上方に配置されている。ＦＦＵ５は、隔壁６の天井からチャンバー４内に下向きにクリーンエアーを送る。チャンバー４内に導入されたクリーンエアーがチャンバー４の下部（詳細には後述するカップ１５の内部）からチャンバー４の外に排出されることにより、チャンバー４内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が形成される。基板Ｗは、チャンバー４内にダウンフローが形成されている状態で処理される。
【００２７】
図１に示すように、チャンバー４は、ＦＦＵ５によって隔壁６内に送られたクリーンエアーを整流する整流板７を含む。整流板７は、ＦＦＵ５とスピンチャック９との間の高さに配置されている。整流板７は、水平な姿勢で保持されている。整流板７は、隔壁６の内部を整流板７の上方の上方空間ＳＰ１と整流板７の下方の下方空間ＳＰ２とに仕切っている。隔壁６の天井面６ａと整流板７との間の上方空間ＳＰ１は、クリーンエアーが拡散する拡散空間であり、隔壁６の床面６ｃと整流板７との間の下方空間ＳＰ２は、基板Ｗの処理が行われる処理空間である。上方空間ＳＰ１の高さは、下方空間ＳＰ２の高さよりも小さい。
【００２８】
図１に示すように、整流板７は、隔壁６の天井面６ａで開口する送風口６ｂの下方に配置されている。ＦＦＵ５は、送風口６ｂから上方空間ＳＰ１にクリーンエアーを送る。整流板７は、厚み方向に貫通する複数の貫通孔７ａがその全域に形成された多孔プレートである。送風口６ｂを通過したクリーンエアーの大部分は、整流板７に衝突し、方向転換する。これにより、ＦＦＵ５によって送られたクリーンエアーが上方空間ＳＰ１を拡散する。上方空間ＳＰ１に充満したクリーンエアーは、整流板７を厚み方向に貫通する複数の貫通孔７ａを通過し、整流板７の全域から下方に流れる。これにより、整流板７の全域から下方向に向かう均一なクリーンエアーの流れが、下方空間ＳＰ２に形成される。
【００２９】
図１に示すように、スピンチャック９は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１０と、スピンベース１０の上面周縁部から上方に突出する複数のチャックピン１１と、複数のチャックピン１１に基板Ｗを把持させるチャック開閉ユニット１２とを含む。スピンチャック９は、さらに、スピンベース１０の中央部から回転軸線Ａ１に沿って下方に延びるスピン軸１３と、スピン軸１３を回転させることによりスピンベース１０およびチャックピン１１を回転軸線Ａ１まわりの一定の回転方向Ｄｒに回転させるスピンモータ１４とを含む。スピンチャック９は、水平な姿勢で保持された円板状の吸着ベースの上面に基板Ｗの下面（裏面）を吸着させるバキュームチャックであってもよい。
【００３０】
図１に示すように、カップ１５は、スピンチャック９を取り囲む円筒状の外壁１７と、外壁１７の内方でスピンチャック９を取り囲む筒状のスプラッシュガード１８と、スプラッシュガード１８を鉛直に昇降させるガード昇降ユニット１６とを含む。外壁１７は、チャンバー４に固定されており、スプラッシュガード１８は、チャンバー４に対して昇降可能である。
【００３１】
図１に示すように、スプラッシュガード１８は、回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる筒状の傾斜部１９と、傾斜部１９の下端部（外端部）から下方に延びる円筒状の案内部２０とを含む。傾斜部１９は、基板Ｗおよびスピンベース１０よりも大きい内径を有する円環状の上端を含む。傾斜部１９の上端は、スプラッシュガード１８の上端１８ａに相当する。図２に示すように、スプラッシュガード１８の上端１８ａは、平面視で基板Ｗおよびスピンベース１０を取り囲んでいる。
【００３２】
図１に示すように、ガード昇降ユニット１６は、スプラッシュガード１８の上端１８ａが基板Ｗよりも下方に位置する下位置（図１において二点鎖線で示す位置）と、スプラッシュガード１８の上端１８ａが基板Ｗよりも上方に位置する上位置（図１において実線で示す位置）との間で、スプラッシュガード１８を昇降させる。下位置は、搬送ロボット（図示せず）とスピンチャック９との間で基板Ｗの受け渡しが行われる退避位置である。上位置は、基板Ｗからその周囲に飛散する処理液をスプラッシュガード１８の内周面で受け止める処理位置である。スプラッシュガード１８によって受け止められた処理液は、カップ１５内から排出され、図示しない回収装置または排液装置に導かれる。
【００３３】
図１に示すように、処理ユニット２は、第１薬液を下向きに吐出する第１薬液ノズル２１と、第１薬液ノズル２１に接続された第１薬液配管２２と、第１薬液配管２２に介装された第１薬液バルブ２３と、第１薬液ノズル２１が先端部に取り付けられた第１ノズルアーム２４と、第１ノズルアーム２４を水平に移動させることにより、第１薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第１ノズル移動ユニット２５とを含む。第１ノズル移動ユニット２５は、スピンチャック９の周囲で鉛直方向に延びるノズル回動軸線Ａ２まわりに第１ノズルアーム２４を回動させることにより、平面視で基板Ｗの中央部を通る円弧状の経路に沿って第１薬液ノズル２１を水平に移動させる。第１薬液の一例は、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）である。
【００３４】
図１に示すように、処理ユニット２は、第２薬液を下向きに吐出する第２薬液ノズル２６と、第２薬液ノズル２６に接続された第２薬液配管２７と、第２薬液配管２７に介装された第２薬液バルブ２８と、第２薬液ノズル２６が先端部に取り付けられた第２ノズルアーム３２と、第２ノズルアーム３２を水平に移動させることにより、第２薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第２ノズル移動ユニット３３とを含む。第２薬液の一例は、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液）である。
【００３５】
図１に示すように、処理ユニット２は、リンス液を下向きに吐出するリンス液ノズル２９と、リンス液ノズル２９に接続されたリンス液配管３０と、リンス液配管３０に介装されたリンス液バルブ３１とを含む。リンス液ノズル２９は、第２ノズルアーム３２の先端部に取り付けられている。第２ノズル移動ユニット３３が第２ノズルアーム３２を移動させると、第２薬液ノズル２６およびリンス液ノズル２９が一体的に移動する。リンス液の一例は、純水（脱イオン水：Ｄeionized water）である。リンス液ノズル２９は、専用のノズルアームに取り付けられていてもよい。
【００３６】
図３および図４は、赤外線ヒータ３６および照度計４０を示す模式図である。図５および図６は、赤外線ヒータ３６および照度計４０を拡大した図である。
図１に示すように、処理ユニット２は、スピンチャック９に保持されている基板Ｗの上方に配置される赤外線ヒータ３６と、赤外線ヒータ３６が先端部に取り付けられたヒータアーム３４と、スピンチャック９の周囲で鉛直方向に延びるヒータ回動軸線Ａ３まわりにヒータアーム３４を回動させることにより、赤外線ヒータ３６を水平に移動させるヒータ移動ユニット３５とを含む。
【００３７】
図５に示すように、赤外線ヒータ３６は、赤外線を含む光を発する赤外線ランプ３７と、赤外線ランプ３７から上方に放出された光を遮る遮光部材３９と、赤外線ランプ３７および遮光部材３９を収容するランプハウジング３８とを含む。赤外線ランプ３７およびランプハウジング３８は、ヒータアーム３４に固定されている。赤外線ランプ３７およびランプハウジング３８は、ヒータアーム３４と共に移動する。図４に示すように、赤外線ヒータ３６は、平面視で基板Ｗよりも小さい。
【００３８】
赤外線ランプ３７は、たとえばハロゲンランプである。赤外線ランプ３７は、カーボンヒータであってもよいし、ハロゲンランプおよびカーボンヒータ以外の発熱体であってもよい。赤外線ランプ３７は、フィラメントと、フィラメントを収容する石英管とを含む。図５に示すように、赤外線ランプ３７は、鉛直方向に延びる２つの鉛直部３７ａと、２つの鉛直部３７ａの下端同士を接続する環状の水平部３７ｂとを含む。遮光部材３９は、２つの鉛直部３７ａを取り囲む筒状部３９ａと、水平部３７ｂの上方に配置された板状部３９ｂとを含む。赤外線ランプ３７の水平部３７ｂは、あらゆる方向に光を発するが、赤外線ランプ３７の水平部３７ｂから上方に放出された光は、遮光部材３９の板状部３９ｂで下方に反射される。
【００３９】
ランプハウジング３８の少なくとも一部は、石英などの光透過性および耐熱性を有する材料で形成されている。図５に示すように、ランプハウジング３８は、鉛直線まわりに赤外線ヒータ３６を取り囲む周壁部３８ｂと、周壁部３８ｂの上端部から外方に延びる環状のフランジ部３８ａと、周壁部３８ｂの下端部を塞ぐ底壁部３８ｃとを含む。ヒータアーム３４は、ランプハウジング３８の上方に配置された先端部３４ａと、先端部３４ａからヒータ回動軸線Ａ３の方へ延びるアーム部３４ｂとを含む。ヒータアーム３４の先端部３４ａは、平面視でランプハウジング３８の開口部よりも大きい。ランプハウジング３８の開口部は、ヒータアーム３４の先端部３４ａによって上方から覆われている。ランプハウジング３８は、ＯリングＲ１を介してヒータアーム３４の先端部３４ａに固定されている。
【００４０】
図５に示すように、ランプハウジング３８の底壁部３８ｃは、赤外線ランプ３７の下方に配置されている。底壁部３８ｃの下面は、基板Ｗの上面と平行でかつ平坦な照射面３８ｄを含む。赤外線ヒータ３６が基板Ｗの上方に配置されている状態では、ランプハウジング３８の照射面３８ｄが、間隔を空けて基板Ｗの上面に鉛直方向に対向する。この状態で赤外線ランプ３７が光を発すると、赤外線を含む光が、ランプハウジング３８の照射面３８ｄから基板Ｗの上面に向かい、基板Ｗの上面に照射される。照射面３８ｄは、たとえば、直径が基板Ｗの半径よりも小さい円形である。照射面３８ｄは、円形に限らず、長手方向の長さが基板Ｗの半径以上である矩形状であってもよいし、円形および矩形以外の形状であってもよい。
【００４１】
図示はしないが、ヒータ移動ユニット３５は、スピンチャック９の周囲で鉛直方向に延びるヒータ回動軸線Ａ３まわりにヒータアーム３４を回動させることにより、赤外線ヒータ３６を水平に移動させる回転ユニットを含む。ヒータ移動ユニット３５は、さらに、ヒータアーム３４を鉛直に昇降させることにより、赤外線ヒータ３６を鉛直に移動させる昇降ユニットを含む。
【００４２】
図４に示すように、ヒータ移動ユニット３５は、平面視で基板Ｗの中央部を通る円弧状の経路に沿って赤外線ヒータ３６を水平に移動させる。ヒータ移動ユニット３５は、たとえば、赤外線ヒータ３６が平面視で基板Ｗの中央部に重なる中央位置（図４において一点鎖線で示す位置）と、赤外線ヒータ３６が平面視で基板Ｗの周縁部に重なる周縁位置（図４において二点鎖線で示す位置）との間で、赤外線ヒータ３６を水平に移動させる。
【００４３】
赤外線ヒータ３６からの光は、基板Ｗの上面内の照射位置に照射される。制御装置３は、赤外線ヒータ３６が赤外線を発している状態で、スピンチャック９によって基板Ｗを回転させながら、ヒータ移動ユニット３５によって赤外線ヒータ３６をヒータ回動軸線Ａ３まわりに回動させる。これにより、基板Ｗの上面が、加熱位置としての照射位置によって走査される。したがって、処理液などの液体が基板Ｗ上に保持されている状態で赤外線ランプ３７が赤外線を発すると、赤外線が基板Ｗおよび基板Ｗ上の液体に吸収され、基板Ｗおよび基板Ｗ上の液体の温度が上昇する。
【００４４】
図３に示すように、処理ユニット２は、赤外線ランプ３７の照度を計る照度計４０を含む。照度計４０は、赤外線ランプ３７の光を受けることによって光電流を発生する受光素子４１と、受光素子４１から出力された光電流を電圧に変換する電流−電圧変換部４２とを含む。
受光素子４１は、たとえば、フォトダイオードである。電流−電圧変換部４２は、配線を介して受光素子４１および制御装置３に接続されている。図３に示すように、受光素子４１と電流−電圧変換部４２とを接続する配線は、ヒータアーム３４の移動を妨げないようにヒータアーム３４に沿って配置されている。電流−電圧変換部４２および制御装置３は、チャンバー４の外に配置されている。つまり、電流−電圧変換部４２および制御装置３は、薬液雰囲気から隔離された場所に配置されている。電流−電圧変換部４２は、受光素子４１の出力電流を電圧に変換すると共にその大きさを拡大する電流−電圧変換回路を含む。電流−電圧変換回路の出力電圧は、制御装置３に入力される。
【００４５】
図５に示すように、処理ユニット２は、受光素子４１が固定されたプリント基板４３と、受光素子４１およびプリント基板４３を収容する素子カバー４４とを含む。素子カバー４４は、鉛直線まわりに受光素子４１およびプリント基板４３を取り囲む周壁部４４ｂと、周壁部４４ｂの下端部から外方に延びる環状のフランジ部４４ａと、周壁部４４ｂの上端部を塞ぐ底壁部４４ｃとを含む。素子カバー４４の少なくとも一部は、フッ素樹脂などの耐薬性および耐熱性を有する材料で形成されている。
【００４６】
図６に示すように、素子カバー４４は、平面視でランプハウジング３８よりも小さい。図５に示すように、素子カバー４４は、ＯリングＲ２を介してヒータアーム３４の先端部３４ａに固定されている。プリント基板４３は、ヒータアーム３４に固定されている。受光素子４１は、プリント基板４３を介してヒータアーム３４の先端部３４ａに固定されている。受光素子４１は、ヒータアーム３４と共に移動する。図４に示すように、赤外線ランプ３７が基板Ｗの上面に向けて光を発するとき、受光素子４１および赤外線ランプ３７は、二点鎖線で示すスプラッシュガード１８の上端１８ａよりも内方に配置される。このとき、受光素子４１および赤外線ランプ３７は、基板Ｗの上方に配置される。
【００４７】
図５に示すように、受光素子４１、プリント基板４３、および素子カバー４４は、ヒータアーム３４の先端部３４ａの上方に配置されている。受光素子４１の平坦な受光面４１ａは、下向きの姿勢で水平に配置されている。受光素子４１の受光面４１ａは、ヒータアーム３４の先端部３４ａを鉛直方向に貫通する上貫通穴４５と、遮光部材３９を鉛直方向に貫通する下貫通穴４６とを介して、赤外線ランプ３７に対向している。赤外線ランプ３７の熱を遮断するために、赤外線ランプ３７の光を透過する石英部材などの熱遮断部材（図示せず）が、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間に配置されていてもよい。たとえば、上貫通穴４５および下貫通穴４６の少なくとも一方が前記熱遮断部材で塞がれていてもよい。赤外線ランプ３７の光は、上貫通穴４５および下貫通穴４６を通って、受光素子４１の受光面４１ａに入射する。これにより、受光素子４１に入射した光のエネルギーに応じた大きさの光電流が受光素子４１から出力される。
【００４８】
図７は、制御装置３の構成を説明するためのブロック図である。図８は、制御装置３の機能を説明するためのブロック図である。
図７に示すように、制御装置３は、コンピュータ本体５１と、コンピュータ本体５１に接続された周辺装置５２とを含む。コンピュータ本体５１は、各種の命令を実行するＣＰＵ５３（central processing unit：中央処理装置）と、情報を記憶する主記憶装置５４とを含む。周辺装置５２は、プログラム等の情報を記憶する補助記憶装置５５と、時間を測定するクロック５６と、赤外線ランプ３７や照度計４０等が接続されたコネクタ５７とを含む。補助記憶装置５５は、たとえば、ハードディスクドライブ等の磁気記憶装置である。
【００４９】
後述するように、制御装置３は、赤外線ランプ３７の劣化を検出する。赤外線ランプ３７が劣化していると制御装置３が判定した場合、制御装置３は、その旨をユーザーに伝える警報を警報器５８に出力させる。警報器５８は、音、光、文字、および図形の少なくとも一つによって、基板処理装置１に異常が発生したことを知らせる機器である。警報器５８は、基板処理装置１の一部（たとえば、基板処理装置１の表示装置）であってもよいし、基板処理装置１とは別の装置であってもよい。
【００５０】
図８に示すように、制御装置３は、基板Ｗの処理枚数を処理ユニット２ごとに数える枚数カウント部５９と、赤外線ランプ３７に供給される電力の大きさを示す出力指令値を出力する発光制御部６０と、発光制御部６０から出力された出力指令値に対応する大きさの電力を赤外線ランプ３７に供給する電力供給部６１とを含む。制御装置３は、さらに、照度計４０の測定値を取得する照度測定値取得部６２と、照度計４０の測定値と基準値との差がしきい値以内であるか否かに基づいて赤外線ランプ３７の劣化を判定する劣化判定部６３と、赤外線ランプ３７が劣化していると判定された場合に警報器５８に警報を出力させる警報指示部６４とを含む。
【００５１】
枚数カウント部５９等は、制御装置３にインストールされたプログラムをＣＰＵ５３が実行することにより実現される機能ブロックである。赤外線ランプ３７の劣化の判定に用いられる基準値およびしきい値は、補助記憶装置５５に記憶されている。基準値は、赤外線ランプ３７が劣化していないときに照度計４０から制御装置３に入力される測定値である。基準値は、出力指令値ごと（赤外線ランプ３７に供給される電力の大きさごと）に設けられている。
【００５２】
図９は、処理ユニット２によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。以下では、図１および図２を参照する。図９については適宜参照する。
処理ユニット２によって基板Ｗが処理されるときには、チャンバー４内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図９のステップＳ１）が行われる。
具体的には、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック９の上方から退避している状態で、基板Ｗを保持している搬送ロボット（図示せず）のハンドをチャンバー４内に進入させる。そして、制御装置３は、ハンド上の基板Ｗが複数のチャックピン１１の上に置かれるように、搬送ロボットを制御する。その後、制御装置３は、搬送ロボットのハンドをチャンバー４内から退避させる。また、制御装置３は、基板Ｗが複数のチャックピン１１の上に置かれた後、チャックピン１１を開位置から閉位置に移動させて、複数のチャックピン１１に基板Ｗを把持させる。制御装置３は、さらに、ガード昇降ユニット１６を制御することにより、スプラッシュガード１８を下位置から上位置に移動させる。その後、制御装置３は、スピンモータ１４に基板Ｗの回転を開始させる。
【００５３】
次に、第１薬液の一例であるＳＰＭを基板Ｗに供給する第１薬液供給工程（図９のステップＳ２）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第１ノズル移動ユニット２５を制御することにより、第１薬液ノズル２１を退避位置から処理位置に移動させる。これにより、第１薬液ノズル２１が基板Ｗの上方に配置される。その後、制御装置３は、第１薬液バルブ２３を開いて、室温よりも高温（たとえば、１４０℃）のＳＰＭを回転している基板Ｗの上面に向けて第１薬液ノズル２１に吐出させる。制御装置３は、この状態で第１ノズル移動ユニット２５を制御することにより、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と周縁部との間で移動させる。
【００５４】
第１薬液ノズル２１から吐出されたＳＰＭは、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、ＳＰＭが基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、レジスト膜などの異物がＳＰＭによって基板Ｗから除去される。さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と周縁部との間で移動させるので、ＳＰＭの着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過する。そのため、基板Ｗの上面が均一に処理される。
【００５５】
次に、制御装置３は、スピンモータ１４を制御することにより、基板Ｗの上面全域がＳＰＭの液膜に覆われている状態で、低回転速度（たとえば１〜３０ｒｐｍ）まで基板Ｗの回転速度を低下させる。そのため、基板Ｗ上のＳＰＭに作用する遠心力が弱まり、基板Ｗ上から排出されるＳＰＭの量が減少する。制御装置３は、基板Ｗが低回転速度で回転している状態で、第１薬液バルブ２３を閉じて、第１薬液ノズル２１からのＳＰＭの吐出を停止させる。これにより、基板ＷへのＳＰＭの供給が停止された状態で、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に保持される。制御装置３は、基板ＷへのＳＰＭの供給を停止した後、第１ノズル移動ユニット２５を制御することにより、第１薬液ノズル２１をスピンチャック９の上方から退避させる。
【００５６】
次に、基板Ｗ上のＳＰＭを加熱する加熱工程（図９のステップＳ３）が行われる。
具体的には、制御装置３は、ヒータ移動ユニット３５を制御することにより、赤外線ヒータ３６を退避位置から処理位置に移動させる。具体的には、赤外線ヒータ３６は、スプラッシュガード１８の上端１８ａを超えて、平面視で基板Ｗに重なる位置に移動する。その後、赤外線ヒータ３６は、基板Ｗの上面に近づけられる。このとき、赤外線ランプ３７の水平部３７ｂは、スプラッシュガード１８の上端１８ａよりも下方に配置される（図３参照）。そのため、スプラッシュガード１８の外方から赤外線ヒータ３６を水平に見ると、赤外線ランプ３７の水平部３７ｂがスプラッシュガード１８で隠れる。
【００５７】
制御装置３は、赤外線ヒータ３６が処理位置に到達した後もしくはその前に、赤外線ヒータ３６に発光を開始させる。これにより、赤外線ヒータ３６の温度（加熱温度）が、第１薬液（この処理例では、ＳＰＭ）の沸点よりも高い温度まで上昇し、その温度に維持される。制御装置３は、基板Ｗの上面に対する赤外線の照射位置が中央部および周縁部の一方から他方に移動するように、ヒータ移動ユニット３５に赤外線ヒータ３６を水平に移動させる。制御装置３は、赤外線ランプ３７に対する出力指令値を一定に維持しながら、赤外線ヒータ３６を発光させる。制御装置３は、赤外線ヒータ３６によるＳＰＭの加熱が所定時間にわたって行われた後、赤外線ヒータ３６を基板Ｗの上方から退避させる。その後、制御装置３は、赤外線ヒータ３６の発光を停止させる。
【００５８】
このように、制御装置３は、基板Ｗを回転させている状態で、基板Ｗの上面に対する赤外線の照射位置を中央部および周縁部の一方から他方に移動させるので、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が均一に加熱される。赤外線ヒータ３６による基板Ｗの加熱温度は、ＳＰＭのその濃度における沸点以上の温度に設定されている。したがって、基板Ｗ上のＳＰＭが、その濃度における沸点まで加熱される。特に、赤外線ヒータ３６による基板Ｗの加熱温度が、ＳＰＭのその濃度における沸点よりも高温に設定されている場合には、基板ＷとＳＰＭとの界面の温度が、沸点よりも高温に維持され、基板Ｗからの異物の除去が促進される。
【００５９】
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第１リンス液供給工程（図９のステップＳ４）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第２ノズル移動ユニット３３を制御することにより、リンス液ノズル２９を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御装置３は、リンス液バルブ３１を開いて、加熱工程（図９のステップＳ３）のときの回転速度（前記低回転速度）よりも大きい回転速度で回転している基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル２９に純水を吐出させる。これにより、基板Ｗに残留しているＳＰＭが純水によって洗い流され、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。そして、リンス液バルブ３１が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ３１を閉じて純水の吐出を停止させる。
【００６０】
次に、第２薬液の一例であるＳＣ１を基板Ｗに供給する第２薬液供給工程（図９のステップＳ５）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第２薬液ノズル２６が基板Ｗの上方に位置している状態で第２薬液バルブ２８を開いて、回転している基板Ｗの上面に向けてＳＣ１を第２薬液ノズル２６に吐出させる。制御装置３は、この状態で第２ノズル移動ユニット３３を制御することにより、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させる。これにより、基板Ｗ上の純水の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うＳＣ１の液膜に置換される。第２薬液バルブ２８が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、第２薬液バルブ２８を閉じてＳＣ１の吐出を停止させる。
【００６１】
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第２リンス液供給工程（図９のステップＳ６）が行われる。
具体的には、制御装置３は、リンス液ノズル２９が基板Ｗの上方に位置している状態でリンス液バルブ３１を開いて、回転している基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル２９に純水を吐出させる。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜に置換される。リンス液バルブ３１が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ３１を閉じて純水の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、第２ノズル移動ユニット３３を制御することにより、第２薬液ノズル２６およびリンス液ノズル２９を基板Ｗの上方から退避させる。
【００６２】
次に、基板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（図９のステップＳ７）が行われる。
具体的には、制御装置３は、スピンモータ１４によって基板Ｗを回転方向Ｄｒに加速させて、第１薬液供給工程から第２リンス液供給工程までの回転速度よりも大きい高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１４を制御することにより、スピンチャック９による基板Ｗの回転を停止させる。その後、制御装置３は、ガード昇降ユニット１６を制御することにより、スプラッシュガード１８を上位置から下位置に移動させる。
【００６３】
次に、基板Ｗをチャンバー４内から搬出する搬出工程（図９のステップＳ８）が行われる。
具体的には、制御装置３は、チャックピン１１を閉位置から開位置に移動させて、スピンチャック９による基板Ｗの把持を解除させる。その後、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック９の上方から退避している状態で、搬送ロボット（図示せず）のハンドをチャンバー４内に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットのハンドにスピンチャック９上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットのハンドをチャンバー４内から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバー４から搬出される。
【００６４】
図１０は、赤外線ランプ３７の劣化を検知する劣化検知の一例について説明するための工程図である。
赤外線ランプ３７の劣化を検知するとき、制御装置３は、処理ユニット２で新たな基板Ｗの処理が開始されたか否かを判定する（ステップＳ１１）。開始されていない場合（ステップＳ１１でＮｏの場合）、制御装置３は、所定時間経過後に、処理ユニット２で新たな基板Ｗの処理が開始されたか否かを再び判定する（ステップＳ１１）。開始された場合（ステップＳ１１でＹｅｓの場合）、制御装置３は、新しい赤外線ランプ３７が処理ユニット２に取り付けられてから当該処理ユニット２で処理された基板Ｗの枚数が所定枚数以上であるか否かを判定する（ステップＳ１２）。
【００６５】
基板Ｗの処理枚数が所定枚数未満である場合（ステップＳ１２でＮｏの場合）、赤外線ランプ３７の使用時間が短いため、赤外線ランプ３７が劣化している可能性が低い。そのため、この場合（ステップＳ１２でＮｏの場合）、制御装置３は、赤外線ランプ３７の劣化検知を終了する。一方、基板Ｗの処理枚数が所定枚数以上である場合（ステップＳ１２でＹｅｓの場合）、制御装置３は、図９に示す基板Ｗの処理において、赤外線ランプ３７が光を発しているか否かを判定する（ステップＳ１３）。つまり、制御装置３は、赤外線ランプ３７を基板Ｗの上面に沿って移動させながら、照度計４０に赤外線ランプ３７の照度を測定させる。
【００６６】
赤外線ランプ３７が発光していない場合（ステップＳ１３でＮｏの場合）、制御装置３は、所定時間経過後に、赤外線ランプ３７が光を発しているか否かを再び判定する（ステップＳ１３）。赤外線ランプ３７が発光している場合（ステップＳ１３でＹｅｓの場合）、制御装置３は、赤外線ランプ３７に対する出力指令値が一定に維持されている時間が、所定時間（たとえば１０秒）以上であるか否かを判定する（ステップＳ１４）。つまり、出力指令値が変更された直後は赤外線ランプ３７の光量が安定していない場合があるので、制御装置３は、赤外線ランプ３７の光量が安定したか否かを判定する。
【００６７】
出力指令値が一定の時間が所定時間以上である場合（ステップＳ１４でＹｅｓの場合）、制御装置３は、照度計４０から送信される測定値を取り込む（ステップＳ１５）。出力指令値が一定の時間が所定時間未満である場合（ステップＳ１４でＮｏの場合）、つまり、赤外線ランプ３７に対する出力指令値が変更された場合、制御装置３は、赤外線ランプ３７が光を発しているか否かを判定する（ステップＳ１３）。
【００６８】
制御装置３は、照度計４０から送信される測定値を取り込んだ後、赤外線ランプ３７に対する出力指令値が変更されたか否かを判定する（ステップＳ１６）。すなわち、制御装置３は、ステップＳ１３からステップＳ１６までの期間、出力指令値が一定に維持されているか否かを判定する。出力指令値が変更された場合（ステップＳ１６でＮｏの場合）、制御装置３は、赤外線ランプ３７が光を発しているか否かを判定する（ステップＳ１３）。出力指令値が変更されていない場合（ステップＳ１６でＹｅｓの場合）、制御装置３は、測定値と基準値との差がしきい値以上であるか否かに基づいて、出力指令値に応じた強さの光が赤外線ランプ３７から放出されているか否かを判定する（ステップＳ１７）。
【００６９】
赤外線ランプ３７から発せられる光の強さが適正である場合（ステップＳ１７でＮｏの場合）、制御装置３は、赤外線ランプ３７の劣化検知を終了する。赤外線ランプ３７から発せられる光の強さが適正でない場合、つまり、赤外線ランプ３７が劣化しており、出力指令値に応じた強さの光が赤外線ランプ３７から放出されていない場合（ステップＳ１７でＹｅｓの場合）、制御装置３は、その旨をユーザーに伝える警報を警報器５８（図７参照）に発信させる（ステップＳ１８）。この場合、制御装置３は、劣化した赤外線ランプ３７が新しい赤外線ランプ３７に交換されるまで、次の基板Ｗが当該処理ユニット２に搬入されることを禁止してもよい。
【００７０】
以上のように第１実施形態では、赤外線ランプ３７の光が、受光素子４１に入射する。受光素子４１は、受光素子４１の受光面４１ａに入射した光のエネルギーに概ね正比例する光電流を発生する。赤外線ランプ３７が劣化していると、赤外線ランプ３７が劣化していないときよりも小さい光電流が受光素子４１から出力される。したがって、制御装置３は、受光素子４１から出力された光電流に基づいて赤外線ランプ３７の劣化を検知することができる。
【００７１】
受光素子４１は、チャンバー４の中に配置されている。したがって、受光素子４１がチャンバー４の外に配置されている場合よりも、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間隔が小さい。赤外線ランプ３７の光は、チャンバー４内で反射する。また、赤外線ランプ３７がチャンバー４内で光を発すると、チャンバー４内の部材が加熱されて赤外線等の光を発する場合がある。受光素子４１と赤外線ランプ３７との間隔が大きいと、受光素子４１に入射する赤外線ランプ３７の光が弱まる上に、チャンバー４内の部材に反射した反射光等が受光素子４１に入射するので、赤外線ランプ３７の照度を正確に測定し難い。したがって、両者の間隔を小さくすることにより、赤外線ランプ３７の劣化をより正確に検知できる。
【００７２】
また、受光素子４１は、ランプハウジング３８の外に配置されている。したがって、受光素子４１がランプハウジング３８の中に配置されている場合よりも、赤外線ランプ３７等の熱が受光素子４１に伝わり難い。さらに、受光素子４１は、赤外線ランプ３７と同様に、ヒータアーム３４に固定されている。赤外線ランプ３７が移動したとしても、赤外線ランプ３７と受光素子４１との間隔や赤外線ランプ３７に対する受光素子４１の向きは変化しない。両者の間隔や受光素子４１の向きが変化する場合には、測定条件を一定にするために、赤外線ランプ３７を一定の場所に移動させなければならない。したがって、第１実施形態ではでは、赤外線ランプ３７の位置に拘わらず、安定した測定条件で赤外線ランプ３７の劣化を検知できる。
【００７３】
また第１実施形態では、基板Ｗ上の処理液が赤外線ヒータ３６で加熱されているときに、赤外線ランプ３７の劣化が検知される。つまり、基板Ｗの処理と並行して、劣化の検知が行われる。したがって、赤外線ヒータ３６が基板Ｗ上の処理液を実際に加熱しているときの赤外線ランプ３７の照度を測定できる。さらに、基板Ｗの処理が行われている時期とは別の時期に赤外線ランプ３７の劣化を検知するための処理を行わなくてもよい。
【００７４】
また第１実施形態では、赤外線ランプ３７が基板Ｗの上面に沿って移動しているときに、赤外線ランプ３７の照度が測定され、この測定結果に基づいて赤外線ランプ３７の劣化が検知される。受光素子４１は、赤外線ランプ３７と同様に、ヒータアーム３４に固定されているので、赤外線ランプ３７と受光素子４１との間隔や赤外線ランプ３７に対する受光素子４１の向きは変化しない。したがって、赤外線ランプ３７の移動中であっても、安定した測定条件で赤外線ランプ３７の劣化を検知できる。
【００７５】
また第１実施形態では、電流−電圧変換部４２によって電圧に変換された受光素子４１の光電流が制御装置３に伝達される。電流−電圧変換部４２は、チャンバー４の外に配置されている。したがって、チャンバー４内で発生した薬液等のミストが電流−電圧変換部４２に付着することを防止できる。さらに、電流−電圧変換部４２がヒータアーム３４に搭載されていないので、ヒータアーム３４に搭載された搭載物（赤外線ランプ３７など）の重量を軽減できる。したがって、ヒータアーム３４の強度や、ヒータ移動ユニット３５の出力を抑えることができる。
【００７６】
また第１実施形態では、赤外線ランプ３７および受光素子４１の両方が基板Ｗの上方に配置されるように、受光素子４１が赤外線ランプ３７の近くに配置されている。したがって、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間隔が小さい。そのため、受光素子４１に入射する赤外線ランプ３７の光が弱まり難く、反射光等が受光素子４１に入射し難い。これにより、赤外線ランプ３７の劣化をより正確に検知できる。
【００７７】
また第１実施形態では、赤外線ランプ３７および受光素子４１の両方がスプラッシュガード１８の環状の上端よりも内方に配置されるように、受光素子４１が赤外線ランプ３７の近くに配置されている。したがって、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間隔が小さい。そのため、受光素子４１に入射する赤外線ランプ３７の光が弱まり難く、反射光等が受光素子４１に入射し難い。これにより、赤外線ランプ３７の劣化をより正確に検知できる。
【００７８】
また第１実施形態では、受光素子４１と赤外線ヒータ３６とが鉛直方向に並んでいる。したがって、受光素子４１から赤外線ランプ３７までの水平方向の距離を短縮でき、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間隔を減少させることができる。さらに、赤外線ヒータ３６が基板Ｗの上方に位置しているときは受光素子４１が赤外線ヒータ３６の上方に位置するので、基板Ｗ上の処理液から発生する蒸気およびヒューム等から受光素子４１を保護できる。
【００７９】
「第２実施形態」
次に、本発明の第２実施形態について説明する。以下の図１１〜図１２において、前述の図１〜図１０に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図１１に示すように、受光素子４１、プリント基板４３、および素子カバー４４は、ヒータアーム３４のアーム部３４ｂの下方に配置されている。素子カバー４４は、ヒータアーム３４のアーム部３４ｂに固定されている。受光素子４１は、プリント基板４３を介してヒータアーム３４のアーム部３４ｂに固定されている。受光素子４１および素子カバー４４は、赤外線ランプ３７の鉛直部３７ａと同じ高さに配置されており、赤外線ランプ３７の水平部３７ｂよりも上方に配置されている。
【００８０】
受光素子４１の受光面４１ａは、受光面４１ａが赤外線ヒータ３６に対向するように鉛直に配置されている。受光素子４１の受光面４１ａは、受光面４１ａが赤外線ヒータ３６に対向するように斜め下に傾けられていてもよい。素子カバー４４は、石英で形成されている。赤外線ランプ３７の光は、ランプハウジング３８および素子カバー４４を通って、受光素子４１の受光面４１ａに入射する。これにより、受光素子４１に入射した光のエネルギーに応じた大きさの光電流が受光素子４１から出力される。制御装置３は、第１実施形態と同様に、赤外線ランプ３７の劣化を検知する。
【００８１】
図１２は、赤外線ランプ３７が基板Ｗの上面に向けて光を発するときの赤外線ランプ３７の位置を示している。図１２に示すように、赤外線ランプ３７が基板Ｗの上面に向けて光を発するとき、受光素子４１および赤外線ランプ３７は、二点鎖線で示すスプラッシュガード１８の上端１８ａよりも内方に配置される。このとき、受光素子４１および赤外線ランプ３７は、基板Ｗの上方に配置される。さらに、受光素子４１は、赤外線ランプ３７が基板Ｗの上面に向けて光を発している期間の少なくとも一部において、基板Ｗの回転方向Ｄｒにおける赤外線ヒータ３６の上流に配置される。
【００８２】
第２実施形態では、赤外線ヒータ３６と受光素子４１とが水平方向に並んでいる。したがって、受光素子４１から赤外線ランプ３７までの鉛直方向の距離を短縮でき、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間隔を減少させることができる。さらに、受光素子４１および赤外線ランプ３７がヒータアーム３４よりも下方に配置されているので、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間にヒータアーム３４の一部を介在させずに、受光素子４１と赤外線ランプ３７とを水平方向に対向させることができる。したがって、赤外線ランプ３７からその周囲に放出される光を効率的に受光素子４１に入射させることができる。
【００８３】
また第２実施形態では、基板Ｗ上の処理液は、基板Ｗの回転方向Ｄｒに移動しながら、赤外線ヒータ３６によって加熱される。受光素子４１が赤外線ヒータ３６の下流に配置されている場合、赤外線ヒータ３６によって加熱された直後の処理液が、受光素子４１の下方に移動する。そのため、加熱直後の処理液から発生する蒸気等が受光素子４１に付着する場合がある。したがって、受光素子４１を赤外線ヒータ３６の上流に配置することにより、このような蒸気等の付着を抑制または防止できる。
【００８４】
「第３実施形態」
次に、本発明の第３実施形態について説明する。以下の図１３において、前述の図１〜図１２に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
受光素子４１、プリント基板４３、および素子カバー４４は、ヒータアーム３４のアーム部３４ｂの上方に配置されている。素子カバー４４は、ヒータアーム３４のアーム部３４ｂに固定されている。受光素子４１は、プリント基板４３を介してヒータアーム３４のアーム部３４ｂに固定されている。受光素子４１は、赤外線ヒータ３６よりも上方に配置されている。受光素子４１は、カップ１５のスプラッシュガード１８よりも外方に配置されている。受光素子４１は、たとえばヒータ回動軸線Ａ３上に配置されている。
【００８５】
処理ユニット２は、ランプハウジング３８から素子カバー４４に延びる光ファイバー２７１を含む。光ファイバー２７１の一端部は、ランプハウジング３８の中に配置されており、遮光部材３９の下貫通穴４６を介して、赤外線ランプ３７に鉛直方向に対向している。光ファイバー２７１の他端部は、素子カバー４４の中に配置されており、受光素子４１の受光面４１ａに水平に対向している。赤外線ランプ３７の光は、光ファイバー２７１の内部を通って、ランプハウジング３８の中から素子カバー４４の中に伝達され、受光素子４１の受光面４１ａに入射する。これにより、受光素子４１に入射した光のエネルギーに応じた大きさの光電流が受光素子４１から出力される。制御装置３は、第１実施形態と同様に、赤外線ランプ３７の劣化を検知する。
【００８６】
第３実施形態では、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間隔が、第１および第２実施形態よりも大きい。したがって、赤外線ランプ３７の熱が受光素子４１に伝わり難く、フューム（ＳＰＭとレジストとの反応により発生する煙のような気体）や処理液のミストが受光素子４１に付着し難い。また、赤外線ランプ３７の光が、光ファイバー２７１によって、ランプハウジング３８の中から素子カバー４４の中に案内されるので、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間隔が大きくても、赤外線ランプ３７の光を殆ど減衰させずに受光素子４１に伝達できる。さらに、ランプハウジング３８の中から素子カバー４４の中に光を伝達するので、ランプハウジング３８や素子カバー４４の外面が汚れていたとしても、赤外線ランプ３７の光を確実に受光素子４１に伝達できる。
【００８７】
「第４実施形態」
次に、本発明の第４実施形態について説明する。以下の図１４において、前述の図１〜図１３に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第４実施形態では、第３実施形態に係る光ファイバー２７１に代えて、赤外線ランプ３７の光を受光素子４１に向けて反射する反射鏡３７２が設けられている。反射鏡３７２は、ヒータアーム３４に固定されている。反射鏡３７２は、赤外線ランプ３７および受光素子４１と共に移動する。反射鏡３７２は、ヒータアーム３４の先端部３４ａの上方に配置されている。赤外線ヒータ３６は、反射鏡３７２の下方に配置されている。
【００８８】
反射鏡３７２は、光を全反射する反射面３７２ａを含む。反射鏡３７２の反射面３７２ａは、斜め下に傾けられている。反射鏡３７２の反射面３７２ａは、ヒータアーム３４の上貫通穴４５と、遮光部材３９の下貫通穴４６とを介して、赤外線ランプ３７に鉛直方向に対向している。反射鏡３７２の反射面３７２ａは、さらに、透明な素子カバー４４を介して、受光素子４１の受光面４１ａに水平方向に対向している。
【００８９】
赤外線ランプ３７の光は、上貫通穴４５および下貫通穴４６を通って、反射鏡３７２の反射面３７２ａに下から入射する。反射鏡３７２の反射面３７２ａに下から入射した光は、受光素子４１の方へ反射され、素子カバー４４を通って受光素子４１の受光面４１ａに入射する。これにより、受光素子４１に入射した光のエネルギーに応じた大きさの光電流が受光素子４１から出力される。制御装置３は、第１実施形態と同様に、赤外線ランプ３７の劣化を検知する。
【００９０】
第４実施形態では、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間隔が、第１および第２実施形態よりも大きい。したがって、赤外線ランプ３７の熱が受光素子４１に伝わり難く、フュームや処理液のミストが受光素子４１に付着し難い。また、赤外線ランプ３７の光が反射鏡３７２に照射され、反射鏡３７２で反射した赤外線ランプ３７の光が受光素子４１に照射される。したがって、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間隔が大きい場合であっても、赤外線ランプ３７の光を殆ど減衰させずに受光素子４１に伝達できる。
【００９１】
「参考形態」
次に、本発明の参考形態について説明する。以下の図１５において、前述の図１〜図１４に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
参考形態では、照度計４０がチャンバー４の外に配置されている。したがって、受光素子４１および電流−電圧変換部４２は、チャンバー４の外に配置されている。受光素子４１および電流−電圧変換部４２は、同一のハウジング４７３内に収容されている。受光素子４１および電流−電圧変換部４２は、ハウジング４７３を介してチャンバー４の隔壁６に固定されている。
【００９２】
受光素子４１の受光面４１ａは、チャンバー４の隔壁６をその厚み方向に貫通するのぞき穴４７４に対向している。のぞき穴４７４は、赤外線ランプ３７の光を透過する透明部材４７５で塞がれている。のぞき穴４７４は、搬入搬出口６ｄ（図２参照）の上方または下方に配置されていてもよいし、搬入搬出口６ｄから水平方向に離れた位置に配置されていてもよい。受光素子４１は、赤外線ランプ３７の光が受光素子４１の受光面４１ａに垂直に入射するように配置されている。受光素子４１の受光面４１ａは、斜め下に傾けられていてもよいし、鉛直に配置されていてもよい。
【００９３】
赤外線ランプ３７の劣化を検知するとき、制御装置３は、第１実施形態と同様に、新しい赤外線ランプ３７が処理ユニット２に取り付けられてから当該処理ユニット２で処理された基板Ｗの枚数が所定枚数以上であるか否かを判定する（図１０のステップＳ１１参照）。基板Ｗの処理枚数が所定枚数以上である場合、制御装置３は、赤外線ランプ３７をチャンバー４内の測定位置に移動させる。
【００９４】
赤外線ランプ３７がチャンバー４内の測定位置に移動した後、制御装置３は、出力指令値を一定に維持しながら、赤外線ランプ３７に発光させる。つまり、制御装置３は、赤外線ランプ３７を測定位置に位置させることにより、受光素子４１と赤外線ランプ３７との間隔を一定に維持する。そして、制御装置３は、赤外線ランプ３７が発光を開始してから所定時間（たとえば１０秒）が経過した後、照度計４０の測定値を取り込み、赤外線ランプ３７の劣化を検知する。
【００９５】
制御装置３は、基板Ｗがチャンバー４内にある状態で赤外線ランプ３７の照度を照度計４０に測定させてもよいし、基板Ｗがチャンバー４内にない状態で赤外線ランプ３７の照度を照度計４０に測定させてもよい。また、制御装置３は、一定の周期で赤外線ランプ３７の照度を測定してもよい。具体的には、制御装置３は、基板Ｗの処理枚数が所定枚数に達するごとに赤外線ランプ３７の照度を測定してもよい。赤外線ランプ３７の照度を一定の周期で測定すれば、測定条件のばらつきを抑えることができる。したがって、赤外線ランプ３７の劣化をより正確に検知できる。
【００９６】
「他の実施形態」
本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、受光素子４１がフォトダイオードである場合について説明したが、受光素子４１は、フォトトランジスタでもよいし、ＣＭＯＳなどの画像センサでもよい。
【００９７】
新しい赤外線ランプ３７が処理ユニット２に取り付けられてからの基板Ｗの処理枚数が所定枚数以上のときに赤外線ランプ３７の劣化を検知する場合について説明したが、基板Ｗの処理枚数に拘わらず、赤外線ランプ３７の劣化を検知してもよい。また、基板Ｗの処理枚数ではなく、新しい赤外線ランプ３７の使用を開始してからの時間、または赤外線ランプ３７の発光時間を基準に、赤外線ランプ３７の劣化を検知するか否かを判断してもよい。
【００９８】
基板Ｗの処理と並行して、赤外線ランプ３７の劣化を検知する場合について説明したが、基板Ｗの処理が行われている時期とは別の時期に赤外線ランプ３７の劣化を検知してもよい。
赤外線ランプ３７を移動させながら、赤外線ランプ３７の劣化を検知する場合について説明したが、赤外線ランプ３７を静止させながら、赤外線ランプ３７の劣化を検知してもよい。
【００９９】
照度計４０の電流−電圧変換部４２が、チャンバー４の外に配置されている場合について説明したが、密閉されたハウジング内に収容された電流−電圧変換部４２をチャンバー４の中に配置してもよい。
基板Ｗ上のＳＰＭを赤外線ヒータ３６によってＳＰＭの沸点以上の温度で加熱する場合について説明したが、ＳＰＭ以外の処理液を加熱してもよい。また、赤外線ヒータ３６の温度は、室温（たとえば、２０〜３０℃）よりも高温であれば、基板Ｗ上の処理液の沸点未満でもよい。
【０１００】
素子カバー４４の全体が透明である場合について説明したが、素子カバー４４の一部だけが透明であってもよい。また、第１実施形態では、素子カバー４４の全体が不透明であってもよい。
基板処理装置１が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、多角形の基板を処理する装置であってもよい。
【０１０１】
前述の全ての実施形態のうちの二つ以上が組み合わされてもよい。
【符号の説明】
【０１０２】
１        ：基板処理装置
２        ：処理ユニット
３        ：制御装置（劣化検知手段）
４        ：チャンバー
９        ：スピンチャック（基板保持手段）
１５      ：カップ
１８      ：スプラッシュガード
１８ａ    ：上端
２１      ：第１薬液ノズル（処理液供給手段）
２６      ：第２薬液ノズル（処理液供給手段）
２９      ：リンス液ノズル（処理液供給手段）
３４      ：ヒータアーム
３４ａ    ：先端部
３４ｂ    ：アーム部
３５      ：ヒータ移動ユニット（ヒータ移動手段）
３６      ：赤外線ヒータ
３７      ：赤外線ランプ
３８      ：ランプハウジング
３９      ：遮光部材
４０      ：照度計
４１      ：受光素子
４１ａ    ：受光面
４２      ：電圧変換部
４４      ：素子カバー
２７１    ：光ファイバー
３７２    ：反射鏡
３７２ａ  ：反射面
Ｄｒ      ：回転方向
Ｗ        ：基板
【図１】
2016058493.tif 000003
【図２】
2016058493.tif 000004
【図３】
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【図４】
2016058493.tif 000006
【図５】
2016058493.tif 000007
【図６】
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【図７】
2016058493.tif 000009
【図８】
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【図９】
2016058493.tif 000011
【図１０】
2016058493.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2016058493.tif 000014
【図１３】
2016058493.tif 000015
【図１４】
2016058493.tif 000016
【図１５】
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