(57)【要約】【課題】多層配線板の層数の低減ならびに配線板内および外部との接続信頼性の向上。【解決手段】実施形態の多層配線板は、少なくとも２つの導体層およびその間に形成されている樹脂絶縁層を含んでなるビルドアップ配線層１５と、ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２上に形成される導体ポスト２５と、導体ポスト２５を被覆する第２樹脂絶縁層４０とを備えている。ビルドアップ配線層１５は、第１面Ｆ１をなす第１樹脂絶縁層３０と、第１面Ｆ１側に埋め込まれて一面Ｆ１２だけが露出する第１導体層２１と、第２面Ｆ２上の第２導体層２２と、第２面Ｆ２側で接する導体層と一体に形成され、第１導体層２１と第２導体層２２とを電気的に接続するビア導体３２とを少なくとも含み、導体ポスト２５の端面２５ａが、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１からの第１導体層２１の一面Ｆ１２の凹みよりも大きく第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１から凹んだ位置で露出している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および該第１面の反対側の第２面を有し、少なくとも２つの導体層および前記導体層それぞれの間に形成されている樹脂絶縁層を含んでなるビルドアップ配線層と、
前記ビルドアップ配線層の第２面上に、めっき膜により形成される導体ポストと、
前記ビルドアップ配線層の第２面上に形成され、前記導体ポストの側面を被覆する第２樹脂絶縁層と、を備える多層配線板であって、
前記ビルドアップ配線層が、前記第１面の一部をなす表面を有する第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の前記表面に埋め込まれて一面だけを露出する第１導体層と、前記第２面に形成されて表面を前記導体ポストの形成面とする第２導体層と、前記第１導体層と前記第２導体層とを電気的に接続するビア導体とを少なくとも含み、
前記ビア導体が、前記ビルドアップ配線層の第２面側で接する導体層と一体に形成され、
前記第１樹脂絶縁層の表面に露出する前記第１導体層の一面が前記表面よりも凹んでおり、
前記導体ポストの端面は前記第２樹脂絶縁層の表面から凹んだ位置で露出し、該端面の凹み量は前記第１樹脂絶縁層の表面からの前記第１導体層の一面の凹み量よりも大きい。
【請求項２】
請求項１記載の多層配線板であって、前記ビルドアップ配線層が、前記第１導体層および前記第２導体層を含む少なくとも３つの導体層と、前記第１樹脂絶縁層を含む少なくとも２つの樹脂絶縁層とを交互に積層して形成されている。
【請求項３】
請求項２記載の多層配線板であって、前記少なくとも２つの樹脂絶縁層それぞれに前記ビア導体が形成され、前記ビルドアップ配線層の１つの導体層を介して接するビア導体同士が積み重なるように形成されている。
【請求項４】
請求項１記載の多層配線板であって、前記第１導体層は電解めっき膜からなり、前記ビルドアップ配線層の前記第１導体層以外の導体層は、無電解めっき膜および電解めっき膜からなる。
【請求項５】
請求項１記載の多層配線板であって、前記第１導体層は電解めっき膜からなり、前記ビルドアップ配線層の前記第１導体層以外の導体層は、金属箔とめっき膜とを少なくとも含んでおり、前記ビア導体は、前記ビルドアップ配線層の第２面側で接する導体層の前記金属箔以外の部分と一体に形成されている。
【請求項６】
請求項１記載の多層配線板であって、前記ビルドアップ配線層内の樹脂絶縁層と前記第２樹脂絶縁層とが、互いに異なる材料で形成されている。
【請求項７】
請求項１記載の多層配線板であって、前記ビルドアップ配線層内の樹脂絶縁層は、１〜３９ｐｐｍ／℃の熱膨張率、４〜１００ＧＰａの弾性率、および、１００〜３５０℃のガラス転移温度を有する樹脂材料からなる。
【請求項８】
請求項１記載の多層配線板であって、前記ビルドアップ配線層内の樹脂絶縁層は、プリプレグもしくはプライマー樹脂付きプリプレグ、または、補強材を含まない樹脂材料からなる。
【請求項９】
請求項１記載の多層配線板であって、前記第２樹脂絶縁層は、６〜３０ｐｐｍ／℃の熱膨張率、５〜２５ＧＰａの弾性率、および、１００〜２２０℃のガラス転移温度を有する樹脂材料からなる。
【請求項１０】
請求項１記載の多層配線板であって、前記第１導体層の露出面上に半導体素子が接続されている。
【請求項１１】
請求項１記載の多層配線板であって、前記導体ポストが、前記第２導体層の表面に沿ってドットパターン状に複数個形成されている。
【請求項１２】
請求項１記載の多層配線板であって、前記ビルドアップ配線層の第１面側にソルダーレジスト層が形成されている。
【請求項１３】
請求項１記載の多層配線板であって、前記導体ポストが複数個形成され、一部または全部の前記導体ポストが、前記第２導体層に接する前記ビア導体と積み重なるように形成されている。
【請求項１４】
請求項２記載の多層配線板であって、前記導体ポストと前記第１導体層とが、前記ビルドアップ配線層の第１面への投影像において前記導体ポストと少なくとも部分的に重なる位置に形成されている複数の前記ビア導体により接続されている。
【請求項１５】
請求項１記載の多層配線板であって、前記導体ポストが複数個形成され、前記導体ポストの全てが、前記第２導体層に接続して形成されているビア導体のいずれとも、前記ビルドアップ配線層の第１面への投影像において重ならない位置に形成されている。
【請求項１６】
請求項１記載の多層配線板であって、前記導体ポストの高さが５０〜１５０μｍである。
【請求項１７】
請求項１記載の多層配線板であって、前記導体ポストの端面の前記第２樹脂絶縁層の前記ビルドアップ配線層側と反対側の表面からの凹み量が３〜１０μｍであり、前記第１導体層の一面の前記第１樹脂絶縁層の表面からの凹み量が０．１〜５μｍである。
【請求項１８】
請求項１記載の多層配線板であって、前記ビア導体の前記ビルドアップ層の厚さ方向と平行な断面の前記第１面側の端部の幅は前記第２面側の端部の幅よりも小さい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも２層の導体層が積層されてなるビルドアップ配線層と導体ポストとを含んでいる多層配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、複数の片面回路基板を含む多層プリント配線板を開示している。片面回路基板は、コア基板の両面に複数個ずつ接着剤層を介して積層されている。この片面回路基板は、絶縁性基板と、金属箔がエッチングによりパターニングされてなる絶縁性基板の一方の面上の導体回路（導体層）と、絶縁性基板に設けられた貫通孔内に充填された導電性ペーストからなる、導体ポストとを有している。導体ポストは、絶縁性基板の他方の面から先端が突出している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１３０２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の多層プリント配線板は、コア基板の両面に、導体ポストと導体層とが形成されている片面回路基板が積層された構造であるため、導体回路、すなわち、配線パターンが形成された導体層の層数は偶数となる。そのため、プリント配線板に形成される回路が、たとえば奇数の層数の導体層で形成可能な場合でも、偶数の層数の導体層が形成されることとなり、必ずしも効率的でないと考えられる。また、導電性ペーストからなる導体ポストは、同一基板内または他の基板内の導体層と接合されている。そのため、接合後の工程中やプリント配線板の使用中の熱応力などによるストレスで、接合面が剥離したり、破断したりすることが考えられる。
【０００５】
また、両表面の導体層は各絶縁性基板の表面上に形成されている。そのため、配線パターンがファインピッチ化すると、半導体素子などの実装部品の接続用のハンダなどが隣接する実装パッド間でショートし易いと考えられる。また、それを避けるためにハンダが十分に供給されず、その結果、接続不良が生じ易くなることが予想される。また、配線パターンがファインピッチ化すると、エッチング残りによる配線パターン間のショートが生じ易くなると考えられる。また、各配線パターンがその面積が小さくなることに伴って、絶縁性基板との密着性が低下して剥離し易くなると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の多層配線板は、第１面および該第１面の反対側の第２面を有し、少なくとも２つの導体層および前記導体層それぞれの間に形成されている樹脂絶縁層を含んでなるビルドアップ配線層と、前記ビルドアップ配線層の第２面上に、めっき膜により形成される導体ポストと、前記ビルドアップ配線層の第２面上に形成され、前記導体ポストの側面を被覆する第２樹脂絶縁層と、を備えている。そして、前記ビルドアップ配線層が、前記第１面の一部をなす表面を有する第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の前記表面に埋め込まれて一面だけを露出する第１導体層と、前記第２面に形成されて表面を前記導体ポストの形成面とする第２導体層と、前記第１導体層と前記第２導体層とを電気的に接続するビア導体とを少なくとも含み、前記ビア導体が、前記ビルドアップ配線層の第２面側で接する導体層と一体に形成され、前記第１樹脂絶縁層の表面に露出する前記第１導体層の一面が前記表面よりも凹んでおり、前記導体ポストの端面は前記第２樹脂絶縁層の表面から凹んだ位置で露出し、該端面の凹み量は前記第１樹脂絶縁層の表面からの前記第１導体層の一面の凹み量よりも大きい。
【０００７】
本発明の実施形態の多層配線板によれば、多層配線板の製造コストが低くなる。また、本発明の実施形態の多層配線板によれば、多層配線板内の接続信頼性が高くなる。また、本発明の実施形態の多層配線板によれば、ハンダなどの接合材の接触などによるショート不良が少なくなる。また、本発明の実施形態の多層配線板によれば、ビルドアップ配線層の第１導体層の埋め込み側と反対側の表面に第２樹脂絶縁層が形成されているので、多層配線板の反りが少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態の多層配線板の断面図。
【図２Ａ】図１に示される多層配線板の導体ポストおよびビア導体の拡大図。
【図２Ｂ】図２Ａに示される多層配線板の導体層の他の構成例を示す断面図。
【図２Ｃ】図２Ａに示される多層配線板の樹脂絶縁層の他の構成例を示す断面図。
【図２Ｄ】図２Ａに示される導体ポストとビア導体との他の位置関係の例を示す断面図。
【図３Ａ】本発明の多層配線板の導体ポストのレイアウトの一例を示す図。
【図３Ｂ】図３Ａに示される多層配線板の第１導体層に形成されるパターンの一例を示す図。
【図４】本発明の他の実施形態の多層配線板の断面図。
【図５Ａ】図４に示される多層配線板の導体ポストとビア導体との位置関係の別例を示す断面図。
【図５Ｂ】図４に示される多層配線板の導体ポストとビア導体との位置関係の別例を示す断面図。
【図５Ｃ】図４に示される多層配線板の導体ポストとビア導体との位置関係の別例を示す断面図。
【図６Ａ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図６Ｂ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図６Ｃ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図６Ｄ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図６Ｅ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図６Ｆ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図６Ｇ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図６Ｈ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図６Ｉ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図６Ｊ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図６Ｋ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図６Ｌ】図１に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図７Ａ】図２Ｂに示される構造例の導体層を有する多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図７Ｂ】図２Ｂに示される構造例の導体層を有する多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図７Ｃ】図２Ｂに示される構造例の導体層を有する多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図８Ａ】図４に示される多層配線板の製造方法の一例を示す図。
【図８Ｂ】図４に示される多層配線板の製造方法の別例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
つぎに、本発明の一実施形態の多層配線板が図面を参照しながら説明される。実施形態の多層配線板１０（以下、多層配線板は単に配線板とも称される）は、図１に示されるように、第１面Ｆ１および第１面Ｆ１の反対側の第２面Ｆ２を有するビルドアップ配線層１５と、ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２上に、めっき膜により形成される導体ポスト２５と、ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２上に形成され、導体ポスト２５の側面を被覆する第２樹脂絶縁層４０とを備えている。ビルドアップ配線層１５は、少なくとも２つの導体層（図１に示される例では第１導体層２１および第２導体層２２）および導体層の間に形成されている樹脂絶縁層（図１に示される例では第１樹脂絶縁層３０）を含んでいる。ビルドアップ配線層１の第１面Ｆ１上に、開口部５１ａを有するソルダーレジスト層５１が形成されている。
【００１０】
図１に示される例では、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１の一部がビルドアップ配線層１５の第１面Ｆ１の一部を構成している。第１導体層２１は、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１に埋め込まれて一面Ｆ１２だけを露出している。第２導体層２２は、第２面Ｆ２に形成されてその表面に導体ポスト２５が形成されている。また、ビルドアップ配線層１５は、ビルドアップ配線層１５内の導体層同士を接続することにより第１導体層２１と第２導体層２２とを電気的に接続するビア導体３２を含んでいる。
【００１１】
実施形態のビア導体３２は、ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２側で接する導体層（図１に示される例では第２導体層２２）と一体に形成されている。また、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１に露出する第１導体層２１の一面Ｆ１２が、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１よりも凹んでいる。また、第２樹脂絶縁層４０のビルドアップ配線層１５側と反対側において、導体ポスト２５の端面２５ａは、第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１から凹んだ位置で露出している。端面２５ａの第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１からの凹み量（第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１に対する端面２５ａの深さ）は、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１からの第１導体層２１の一面Ｆ１２の凹み量よりも大きい。
【００１２】
図１には、ビルドアップ配線層１５が、２つの導体層（第１および第２導体層２１、２２）と、この２つの導体層の間に形成される１つの樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層３０）とを含んでなる例が示されている。しかしながら、実施形態の配線板１０が備えるビルドアップ配線層１５は、第１および第２導体層２１、２２の他に１つ以上の導体層と、第１樹脂絶縁層３０の他に各導体層の間に形成される１つ以上の樹脂絶縁層とを含んでいてもよい。また、その場合、ビルドアップ配線層は、異なる樹脂絶縁層内にそれぞれ形成され、その樹脂絶縁層を介して隣り合う導体層同士をそれぞれ接続する複数のビア導体を含んでいてよい。それらのビア導体それぞれも、ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２側で接する導体層と一体に形成される。そして、それらのビア導体は、隣り合う導体層同士を接続することによって、第１面Ｆ１側に形成されている第１導体層２１と第２面Ｆ２側に形成されている第２導体層２２とを電気的に接続する。
【００１３】
電子部品の高機能化に伴って、プリント配線板にはより大規模で複雑な電気回路を形成することと共に小型化が求められる。また、他の基板などとの接続用の導体パッドの数も増加することが考えられる。そのため多層化が必要になると予想される。コストアップが少なくなるように、各導体層の配線の高密度化などにより層数の増加が抑えられることが好ましい。一方、たとえば、４層の導体層で、所望の電気回路は形成され得るが、他の基板との接続用の導体パッドの配置スペースまで確保することが困難なことがある。また、他の基板などとの接続用の導体パッドにはハンダなどの導電性の接合材料が供給されることがあるため、そのような導体パッドは、高密度で配線パターンが形成される導体層の表面とは別の面に設けることが好ましいことがある。前述の特許文献１に開示のプリント配線板は、コア基板を中心としてその両側に絶縁層と導体層とがそれぞれ積層されている。そのため、導体パッドのためだけに、さらに両側に１層ずつ樹脂絶縁層を介して導体層を形成することが必要となることがある。その結果、プリント配線板のコストが高くなることがある。
【００１４】
実施形態の多層配線板１０は、少なくとも２つの導体層を含むビルドアップ配線層１５と、ビルドアップ配線層１５の導体層（図１に示される例では第２導体層２２）上に形成され、第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１から端面２５ａが露出する導体ポスト２５とを備えている。そのため、たとえば、複数の導体層を含むビルドアップ配線層１５内で所望の電気回路さえ形成されれば、他の基板や電子部品とは、導体ポスト２５の端面で接続され得る。追加の樹脂絶縁層および導体層の積層は必ずしも必要とされない。このため、多層配線板の層数の増加が抑制されることがある。その結果、多層配線板１０が低コストで製造されることがある。
【００１５】
また、実施形態の多層配線板１０では、第１導体層２１がビルドアップ配線層１５の第１面Ｆ１側に形成される。所望の数の導体層が第１樹脂絶縁層３０などの樹脂絶縁層を介して、第１面Ｆ１側から第２面Ｆ２側に向かって一方向に形成される。そして、ビルドアップ配線層１５は、その最表面である第２面Ｆ２に第２導体層２２を有している。そのため、ビルドアップ配線層１５は、多層配線板１０内に形成されるべき電気回路の規模に応じて、任意の層数の導体層で構成され得る。ビルドアップ配線層１５の層数は奇数であってもよい。その結果、導体層の層数の増加が抑制されることがある。多層配線板の層数が最適化されることがある。その結果、多層配線板のコストが下がることがある。
【００１６】
一方、図１の例では、ビルドアップ配線層１５は第１面Ｆ１側と第２面Ｆ２側とで非対称な構造になっている。第１面Ｆ１には第１導体層２１が埋め込まれている。これに対して、第２面Ｆ２側では、第２面Ｆ２上に第２導体層が形成されている。そのため、単体のビルドアップ配線層１５には、周囲の温度変化などにより反りが生じ易いと推察される。しかしながら、実施形態の多層配線板１０では、第２面Ｆ２上の略全面に第２樹脂絶縁層４０が形成されている。第２樹脂絶縁層４０のビルドアップ配線層１５側と反対側の表面Ｆ２１上には、導体層は形成されていない。表面Ｆ２１には、導体ポスト２５の端面２５ａが露出しているだけである。表面Ｆ２１の構造は、第１導体層２１の一面Ｆ１２を露出するビルドアップ配線層１５の第１面Ｆ１の構造と類似していると考えられる。第２樹脂絶縁層４０を有する実施形態の多層配線板１０には、反りが生じ難いと考えられる。
【００１７】
また、前述の特許文献１の多層プリント配線板では、絶縁性基板の表面上の導体回路に、各導体層の導体回路間の接続部として導電性ペーストからなる導体ポストが形成されている。その導体ポストの先端が他の絶縁性基板やコア基板上の導体回路に接着剤層を介して接合されている。特許文献１の多層プリント配線板は、接合界面を有している。このため、この導体ポストの形成後、或いは、他の絶縁性基板またはコア基板との接合後の後工程やプリント配線板の使用中に、周囲の温度変化などにより応力が加わった際に、この界面が剥離し易いと考えられる。また、この界面部分は他の部分よりも脆いと考えられる。そのため、この界面付近で導体ポストが破断し易いと考えられる。このため、プリント配線板内の電気的な接続の信頼性が低くなることがある。
【００１８】
実施形態のビア導体３２は、ビルドアップ配線層１５内で樹脂絶縁層を介して隣接する導体層同士を接続する。ビア導体３２は、少なくともビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２側で接する導体層（図１に示される例では第２導体層２２）と一体に形成されている。そのため、配線板１０の製造工程や使用中に応力が生じても、たとえば、ビア導体３２と第２導体層２２との界面に剥離や破断が生じることが少なくなることがある。その結果、多層配線板１０の接続信頼性が向上すると考えられる。
【００１９】
また、前述の特許文献１のプリント配線板では、最表層の絶縁性基板の表面上に金属箔がパターニングされてなる導体回路が形成されている。そのため、導体回路内の隣接する各配線パターン同士は絶縁材などに遮られることなく対向している。そのため、電子部品などが接続される導体パッド間において、ハンダなどの接合材同士の接触が比較的生じやすいと考えられる。そして、そのようなリスクは、配線パターンのファインピッチが進むに伴って高くなると予想される。また、この様なリスクの回避のために接合材の供給量を制限すると、電子部品などとの接合不良が発生することが予想される。
【００２０】
実施形態では、ビルドアップ配線層１５の第１面Ｆ１において第１導体層２１が第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１に埋め込まれている。さらに、第１導体層２１は表面Ｆ１１よりも凹んでいる。そのため、たとえば、第１導体層２１に電子部品などとの接続用の導体パッドが形成される場合、そのような導体パッド間には、第１樹脂絶縁層３０による壁が存在する。そのため、導体パッドに供給される接合材が、隣接する導体パッドに濡れ広がることが少なくなり、接合材同士の接触が抑制されることがある。また、そのように接合材の濡れ広がりの懸念が少なくなるため、本来必要とされる量の接合材が各導体パッドに供給され得る。その結果、配線板と電子部品などとの接合不良の発生が少なくなることがある。
【００２１】
また、実施形態では、第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１においても、この表面Ｆ２１よりも導体ポスト２５の端面２５ａが凹んでいる。そのため、たとえば、他の配線板などとの接続のために導体ポスト２５の端面２５ａに供給されるハンダなどの接合材が、導体ポストの側面などに濡れ広がることなく供給され得る。また、接合材の溶融中は、導体ポスト２５同士の間の部分の第１樹脂絶縁層３０が接合材の流動を阻止する壁になると考えられる。そのため、隣接する導体ポスト２５間での接合材の接触が防止されることがある。導体ポスト２５間の電気的ショートが防止されると考えられる。また、そのように接合材の接触の懸念が少なくなるため、本来必要とされる量の接合材が各導体ポストの端面上に供給され得ると考えられる。その結果、多層配線板１０と他の配線板などとの接合不良の発生が少なくなると考えられる。
【００２２】
そして、実施形態では、導体ポスト２５の端面２５ａは、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１からの第１導体層２１の一面Ｆ１２の凹み量よりも、第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１から多く凹んだ位置にある。すなわち、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１から第１導体層２１の一面Ｆ１２までの距離Ｄ１（図２Ｂ参照）よりも、第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１から導体ポスト２５の端面２５ａまでの距離Ｄ２（図２Ｂ参照）の方が大きい。たとえば、図示しない半導体素子と第１導体層２１に設けられる接続パッドとの接続がワイヤボンディングなどにより行われることがある。そのような場合、第１導体層２１の接続面、すなわち一面Ｆ１２上にボンディングに適した材料によるボンディング層（図示せず）がめっき法などにより形成されることがある。このボンディング層の形成時に導体ポスト２５の端面２５ａがマスクされていないと、端面２５ａ上にも第１導体層２１の一面Ｆ１２と略同じ厚さのめっき膜が形成される。実施形態では、導体ポスト２５の端面２５ａ上の凹みの方が第１導体層２１の一面Ｆ１２上の凹みよりも大きい。そのため、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１からの凹みが埋まるほど厚いボンディング層が第１導体層２１の一面Ｆ１２上に形成されても、端面２５ａ上の凹みはめっき膜で埋められないと考えられる。図示しないハンダなどの供給用のスペースが残り得る。従って、端面２５ａがマスキングされることなく前述のボンディング層が形成され得る。
【００２３】
また、前述の特許文献１のプリント配線板では、絶縁性基板の表面上に導体回路が形成されている。そのため、配線パターンのファインピッチ化に伴い、電子部品との接続用の導体パッドなどと絶縁性基板との接触面積が小さくなると、絶縁性基板と導体パッドとの接合強度が低下すると予想される。そのため、電子部品との熱膨張率の違いなどによる応力が導体パッドに加わった際に導体パッドが絶縁性基板から剥離し易くなると考えられる。
【００２４】
実施形態の配線板１０の第１導体層２１は、その一面Ｆ１２だけを露出して第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１に埋め込まれている。そのため、露出面Ｆ１２側と反対側の第１樹脂絶縁層３０側の面だけでなく側面においても第１樹脂絶縁層３０と接合されている。そのため、電子部品などの接続用の導体パッドが比較的小さい面積で設けられても、導体パッドの剥離などが生じ難いと考えられる。その結果、多層配線板の信頼性が向上することがある。電子部品との接続用の導体パッドが比較的小さくファインピッチで形成され得る。従って、第１導体層２１の露出面は、半導体素子のようにファインピッチで多数の電極が設けられている電子部品を接続するのに好ましい実装面になり得る。
【００２５】
ビルドアップ配線層１５は、図１に示される例では、第１導体層２１と第２導体層２２と第１樹脂絶縁層３０とを含んでいる。第１導体層２１は、一面Ｆ１２だけが第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１側に露出するように第１樹脂絶縁層３０に埋め込まれている。第１導体層２１の一面Ｆ１２と反対側の面の一部には、ビア導体３２が接続されている。ビア導体３２の第１導体層２１側と反対側の端部は、第２導体層２２に接続されている。第２導体層２２は、ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２に形成されている。図１に示される例では、第２導体層２２は第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１側と反対側の表面上に形成されている。
【００２６】
第１導体層２１は、配線板１０に形成される電気回路や、実装される電子部品などに応じて、所望の実装パッドや配線パターンなどの導体パターンにパターニングされている。図１に示される例では、第１導体層２１には、ビア導体３２が接続される第１パターン２１ａ、図示しない半導体素子の電極などが接続される第２パターン２１ｂ、などの導体パターンが形成されている。第１導体層２１は、後述の配線板１０の製造方法で示されるように、好ましくは、エッチングを用いないで電解めっきだけで形成される。そのため、ファインピッチで配線パターンが形成され得る。たとえば、第１導体層２１に形成される配線パターンの最小幅／最小間隔（ラインアンドスペース：Ｌ／Ｓ）は、１５μｍ／１５μｍが例示される。
【００２７】
ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２に形成される第２導体層２２は、具体的には、導電性材料からなる２つ以上の層の積層体であってよい（図１では、第２導体層２２は省略して１つの層で示されている）。図２Ａには、２層構造の第２導体層２２の例が、導体ポスト２５などと共に拡大して示されている。図２Ａに示される第２導体層２２は、第１樹脂絶縁層３０の表面上に形成される金属被膜２２２、および、金属被膜２２２上に形成されるめっき膜２２３で形成されている。或いは、第２導体層２２は、図２Ｂに示されるように、金属箔２２１を含んでいてもよい。第２導体層２２は、第１樹脂絶縁層３０の表面上に設けられている金属箔２２１、金属箔２２１上に形成される金属被膜２２２、さらに金属被膜２２２上に形成されるめっき膜２２３からなる３層構造であってもよい。金属箔２２１は、１〜６μｍ程度、金属皮膜２２２は、０．０５〜１μｍ程度、めっき膜２２３は、５〜２５μｍ程度の厚さで、それぞれ形成されてよい。この場合、第２導体層２２は、図２Ａに示される構造では、たとえば、５〜２５μｍ程度の厚さに形成され得る。また、第２導体層２２は、図２Ｂに示される構造では、たとえば、５〜３０μｍ程度の厚さに形成され得る。
【００２８】
第２導体層２２は、たとえば、第１樹脂絶縁層３０に無電解めっきなどによる金属被膜２２２および電解めっきなどによるめっき膜２２３が形成されることにより、図２Ａに示される２層構造に形成され得る。また、第２導体層２２は、第１樹脂絶縁層３０上に金属箔２２１が熱圧着され、その上に無電解めっきなどによる金属被膜２２２および電解めっきなどによるめっき膜２２３が形成されることにより、図２Ｂに示される３層構造に形成され得る。図２Ａに示される構造は、金属箔２２１を必要としない。そのため、実施形態の配線板１０が安価に製造されることがある。一方、図２Ｂに示される構造は、無電解めっき膜などとの密着性の比較的低い材料が第１樹脂絶縁層３０に用いられる場合に有利なことがある。図２Ｂに示される構造では、第２導体層２２と第１樹脂絶縁層３０との強固な接着が得られることがある。
【００２９】
第１樹脂絶縁層３０は、ビルドアップ配線層１５を構成する樹脂絶縁層であり、ビルドアップ配線層１５の第１面Ｆ１をなす表面Ｆ１１に第１導体層２１が埋め込まれるように、第１導体層２１の一面Ｆ１２以外の面を被覆している。また、表面Ｆ１１の反対側の表面上に第２導体層２２が形成されている。第１樹脂絶縁層３０の材料としては、例えば、補強材などを含んでいないエポキシなどの樹脂組成物が例示される。第１樹脂絶縁層３０の材料は、補強材として機能する例えばガラス繊維のような芯材に樹脂組成物を含浸させたものでもよい。これらの樹脂組成物には、シリカなどの無機フィラーが３０〜８０重量％含有されていてもよい。無機フィラーの平均粒径は、たとえば５μｍ以下である。また、無機フィラーの最大粒径は、たとえば、２０μｍである。導体層と良好に密着し、かつ、熱膨張率の低い第１樹脂絶縁層３０が得られる。第１樹脂絶縁層３０などのビルドアップ配線層１５内の樹脂絶縁層には、好ましくは、熱膨張率１〜３９ｐｐｍ／℃、弾性率４〜１００ＧＰａ、および、ガラス転移温度１００〜３５０℃の樹脂材料が用いられるが、これらに限定されない。たとえば、第１樹脂絶縁層３０の材料としてはエポキシなどが例示され、具体的には、味の素ファインテック社製の層間絶縁用フィルム（商品面：ＡＢＦ−ＧＸ１３）などが用いられてよい。第１樹脂絶縁層３０は、たとえば、１０〜１００μｍの厚さに形成される。
【００３０】
ビルドアップ配線層１５内の各導体層の間に形成される樹脂絶縁層は複数の樹脂層で構成されてよい。図２Ｃには、樹脂層３１ａと、樹脂層３１ａの第２導体層２２側の表面上に積層されている樹脂層３１ｂとで構成される２層構造の第１樹脂絶縁層３１が例示されている。樹脂層３１ａの材料には、たとえば、ガラス繊維などの補強材に含浸されている樹脂組成物などが用いられる、この樹脂組成物にはフィラーが含まれていてもよい。樹脂層３１ａの材料はプリプレグであってよい。樹脂層３１ｂは、たとえば、第２導体層２２の形成面の下地（プライマー層）として機能する。樹脂層３１ｂ（プライマー樹脂層）は、たとえば、１〜５μｍ程度の厚さのプライマー樹脂層である。そのプライマー樹脂層は、たとえば、１〜１０重量％の少量の無機フィラーを含有していてもよい。反りの少ない、かつ、ファインピッチの配線パターンを有する実施形態の配線板１０が製造され得る。なお、樹脂層３１ａ（プリプレグ）や樹脂層３１ｂ（プライマー樹脂層）は、樹脂層３１ｂ（プライマー樹脂層）上に積層される銅箔と共に熱圧着されてよい。銅箔は、積層後に除去される。第１樹脂絶縁層３１の形成が容易になる。銅箔の粗面の凹凸が樹脂層３１ｂの表面（第１樹脂絶縁層３１の表面）に転写され得る。第１樹脂絶縁層３１の表面と第２導体層２２との密着性が向上する。
【００３１】
ビア導体３２は、図２Ａに示されるように、ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２側で接する第２導体層２２と一体的に形成されている。図２Ａに示される構造では、金属被膜２２２およびめっき膜２２３によりビア導体３２と第２導体層２２とが一体に形成されている。また、図２Ｂに示される構造では、金属箔２２１以外の金属被膜２２２およびめっき膜２２３が第２導体層２２の構成部分からビア導体３２の構成部分に亘って連続的に形成されている。実施形態では、このように、ビア導体３２と、ビア導体３２のビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２側の端部で接続する導体層とが一体的に形成される。そのため、ビア導体３２と導体層の接続が破断し難い。従って、周囲の温度変化などによる第１樹脂絶縁層３０の膨張などに対する接続信頼性が向上すると考えられる。
【００３２】
ビア導体３２は、たとえば、第１樹脂絶縁層３０内にレーザー光などにより開けられた導通用孔内に形成される。この場合、好ましくは、支持板８０（図６Ａ参照）の上に形成される第１導体層２１の側と反対の側、すなわち、ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２側から、第１樹脂絶縁層３０にレーザー光が照射される。そのため、レーザー光が照射される第２面Ｆ２側の方が貫通孔の平面サイズが大きく、第１面Ｆ１側、すなわち、第１導体層２１側ほど小さくなる。換言すると、このような導通用孔に充填されるめっき膜などからなるビア導体３２では、ビルドアップ配線層１５の厚さ方向と平行な断面（以下、ビルドアップ配線層１５の厚さ方向と平行な断面は縦断面とも称される）において、第１面Ｆ１側の端部の幅の方が、第２面Ｆ２側の端部の幅よりも小さくなる。ビア導体３２の平面形状は、前述の貫通孔がレーザー光により開けられる場合は、概して円形の平面形状となるが、楕円形や多角形に近い形状となることもある。ビア導体３２の縦断面における幅は、略円形の平面形状のビア導体の場合、直径を意味する。ビア導体３２の縦断面における幅は、略楕円形の平面形状のビア導体の場合、長軸を意味する。ビア導体３２の縦断面における幅は、略多角形の平面形状のビア導体の場合、最長の対角線の長さを意味する。
【００３３】
ビルドアップ配線層１５内に、第１樹脂絶縁層３０以外に、さらに樹脂絶縁層が形成される場合は、それらの各樹脂絶縁層にビア導体が形成されてよい。そのようなビア導体も、図２Ａおよび図２Ｂに示されるビア導体３２と同様に、ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２側で接する導体層と一体に形成され得る。すなわち、各導体層間で信頼性の比較的高い接続が得られる。また、第１樹脂絶縁層３０以外の樹脂絶縁層にも、好ましくは、第１面Ｆ１側と反対側からレーザー光の照射などにより導通用孔が形成される。そして、めっき膜が導通用孔内に充填されることによりビア導体が形成される。そのため、第１樹脂絶縁層３０以外の樹脂絶縁層を貫通するビア導体も、縦断面において、第１面Ｆ１側の端部の幅の方が、第２面Ｆ２側の端部の幅よりも小さくなる。ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２側は、ビア導体３２などの形成時にめっき膜などが充填される導通用孔の開口側となることがある。一方、第１面Ｆ１側は、第１導体層２１に開口が塞がれて導通用孔の底部側となることがある。そのため、第２面Ｆ２側の方が第１面Ｆ１側よりも幅広になると、めっき液などが導通用孔の深部まで入り込み易くなると考えられる。その結果、めっき不着部などが生じ難くなると考えられる。
【００３４】
実施形態では、導体ポスト２５が、ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２上にめっき膜により形成されている。具体的には、導体ポスト２５は、ビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２に形成される第２導体層２２の表面の一部に形成される。導体ポスト２５は、好ましくは、比較的短い時間で厚いめっき層が形成されることから電解めっきにより形成される。また、導体ポスト２５は、通常は、第２導体層２２と同じ材料で、すなわち、ニッケルや銅で形成され、好ましくは銅が用いられる。また、導体ポスト２５は、後述のように、たとえば、配線板１０と他のプリント配線板との接続が必要とされる任意の位置に設けられる。
【００３５】
図１に示されるように、導体ポスト２５は、第２導体層２２の一部の配線パターン上に、円柱もしくは円錐台の形状に形成される。導体ポスト２５の平面形状は円形に限定されない。従って、導体ポスト２５は、円柱以外の柱状体の形状や、円錐台以外の台状体の形状であってよい。実施形態では、導体ポスト２５は、第２導体層２２の表面上から、第２樹脂絶縁層４０のビルドアップ配線層１５側と反対側の表面Ｆ２１に向かって延びている。導体ポスト２５の端面２５ａが第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１側に露出している。導体ポスト２５は、たとえば、第１導体層２１内の導体パターン（たとえば第２パターン２１ｂなど）に接続される図示しない半導体素子の所定の電極と、他のプリント配線板などとを電気的に接続する。図示しない半導体素子の電極数に相当する数の導体ポスト２５が設けられてもよい。
【００３６】
導体ポスト２５の平面形状は楕円形、正方形、矩形、または、菱形などでもよい。導体ポスト２５が、たとえば電解めっきにより形成される場合は、めっき時のレジスト膜の開口の形状を所望の形状にすることにより、任意の平面形状の導体ポスト２５が形成され得る。
【００３７】
また、図示されていないが、導体ポスト２５の側面２５ｂには粗化処理が施されていてもよい。側面２５ｂが粗化されることにより所謂アンカー効果が得られ、導体ポスト２５と第２樹脂絶縁層４０との密着性が向上する。また、第２導体層２２の側面を含む導体ポスト２５が形成されずに露出している面にも同様に粗化処理が施されていてもよい。この場合、第２導体層２２と第２樹脂絶縁層４０との密着性が向上し得る。
【００３８】
導体ポスト２５およびビア導体３２ならびにそれらの周辺部分の好ましい寸法の一例が、図２Ｂを参照して以下に説明される。導体ポスト２５の高さＨ１は、第２導体層２２と、たとえば、図示しないマザーボード、インターポーザなどの他のプリント配線板とを接続できる高さであれば、特に限定されない。導体ポスト２５の高さＨ１は、５０〜１５０μｍが例示される。導体ポスト２５がこのような高さに形成されると、たとえば、マザーボードなどに接続後、熱膨張率の違いなどにより生じる応力が適度に緩和されると考えられる。また、マザーボードなどを含めた全体の高さがあまり高くなることもない。導体ポスト２５の幅（導体ポスト２５の幅は、円形の平面形状の導体ポストの場合、直径を、楕円形の場合、長軸の長さを、多角形の場合、最長の対角線の長さを、それぞれ意味する）Ｗ１は、たとえば８０〜３００μｍ、好ましくは２３０μｍが例示される。導体ポスト２５が形成される第２導体層２２の導体ランドの幅Ｗ２（円形の平面形状の導体ランドの場合、幅Ｗ２は直径を意味する）は、たとえば１００〜３５０μｍ、好ましくは２８０μｍが例示される。また、ビア導体３２のビルドアップ配線層１５の第２面Ｆ２側の端部の幅Ｗ３は、たとえば２０〜１００μｍ、好ましくは６５μｍ、ビア導体３２と接続する第１導体層２１の導体ランド（第１パターン２１ａ）の幅Ｗ４は、たとえば５０〜１６０μｍ、好ましくは１００μｍが、それぞれ例示される。
【００３９】
第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１から第１導体層２１の一面Ｆ１２までの距離Ｄ１は、０．１〜５μｍが例示される。距離Ｄ１がこのような長さにされると、前述のように、一面Ｆ１２上に供給されるたとえばハンダなどの接合材の濡れ広がりが防止される。また、後述のように、第１導体層の一面Ｆ１２を第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１よりも凹ませるためのエッチングなどの時間があまり長くならない。第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１から導体ポスト２５の端面２５ａまでの距離Ｄ２は、３〜１０μｍが例示される。距離Ｄ２がこのような長さにされると、第２樹脂絶縁層の表面Ｆ２１よりも導体ポスト２５の先端部分をエッチングなどにより凹ませるのにあまり長い時間を要しない。また、端面２５ａ上にハンダなどの接合材の十分な供給スペースが確保される。これらの各寸法は、それぞれ、前述された範囲を上回る、または下回る大きさであってもよい。
【００４０】
第１導体層２１の一面Ｆ１２のソルダーレジスト層５１に覆われずに露出している面および導体ポスト２５の端面２５ａには図示しない表面保護膜が形成されていてもよい。表面保護膜は、酸化などの腐食に対する保護膜の他、たとえばハンダやボンディングワイヤなどとの良好な接合性を得るために形成される膜であってよい。表面保護膜は、第１導体層２１の一面Ｆ１２と導体ポスト２５の端面２５ａとの両方に形成されてもよく、一方だけに形成されてもよい。また、両者に異なる材料からなる表面保護膜が形成されてもよい。
【００４１】
また、前述のように、第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１よりも凹んでいる導体ポスト２５の端面２５ａ上に、接合材が層状もしくはバンプ状、または他の任意の形態で形成されていてもよい。
【００４２】
図１、２Ａ、および２Ｂに示される例では、導体ポスト２５は、第２導体層２２に接しているビア導体３２と、配線板１０の厚さ方向に積み重なるように形成されている。これらの図面に示される例では、第１導体層２１と導体ポスト２５とが、ビア導体３２によって接続されている。ビア導体３２は、配線板１０の表面と平行な面に各構成要素が投影された場合に、その投影像（以下、配線板１０の表面と平行な面への投影像は単に投影像とも称される）が、導体ポスト２５の投影像と重なる位置に形成されている。配線板１０の表面と平行な面は、ビルドアップ配線層１５の第１面Ｆ１であってよい。このように、導体ポスト２５とビア導体３２とが、中心軸を揃えて積み重なるように形成されると、導体ポスト２５とビア導体３２とを、たとえば第２導体層２２内で接続する導体パターンが不要になることがある。また、導体ポスト２５とビア導体３２とが、互いの投影像が少なくとも部分的に重なるように形成される場合も、同様に、接続用の導体パターンが不要になることがある。配線板１０の平面サイズが小さくなることがある。導体ポスト２５が複数個形成される場合は、その全部が図１などに示されるように積み重ねて形成されてよい。配線板１０がより小さくなると考えられる。また、複数の導体ポスト２５の一部だけが図１に示されるように形成されるだけでも、配線板１０が小さくなることがある。
【００４３】
また、実施形態では、全ての導体ポスト２５とビア導体３２とが、互いの投影像が重ならない位置に形成されてもよい。そのような導体ポスト２５とビア導体３２との位置関係の例が図２Ｄに示されている。図２Ｄに示される例では、平面視で全く重ならない位置にビア導体３２と導体ポスト２５とが形成されている。両者は第２導体層２２に形成される接続パターン２２ａで接続されている。このように両者が平面視で重ならない位置に形成されると、導体ポスト２５は、ビア導体３２上ではなく、平坦な第１樹脂絶縁層３０の表面上の第２導体層２２上に形成される。その結果、第２導体層２２と強固に接合する接続信頼性の高い導体ポスト２５が得られることがある。
【００４４】
前述のように、導体ポスト２５は、配線板１０内に形成される電気回路や実装される電子部品に応じて、第２導体層２２上の任意の位置に設けられ、その側面が第２樹脂絶縁層４０に覆われている。図３Ａには、本実施形態の配線板１０の導体ポスト２５の配置例が、第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ１２側から見た状態で示されている。図３Ａに示されるように、導体ポスト２５は、第２導体層２２（図１参照）の表面に沿って、一部の領域または全面に、ドットパターン状に複数個設けられてもよい。また、導体ポスト２５が配置される間隔は、一定のピッチであってよい。もしくは、導体ポスト２５は、適宜間隔を変えながらドットパターン状に複数個設けられてもよい。また、導体ポスト２５は、配線板１０の外周に沿って、１列もしくは複数列で周回するように配置されてもよく、任意の位置に設けられる。
【００４５】
図３Ａに示される配線板１０の第１導体層２１の配線パターンの一例が、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１側から見た状態で図３Ｂに示されている。図３Ｂに示されるように、第１導体層２１には、第１および第２パターン２１ａ、２１ｂ、および、第１パターン２１ａと第２パターン２１ｂとを接続する配線パターン２１ｄが形成されている。第１パターン２１ａには、図３Ｂに示されている面の反対側の面にビア導体３２（図１参照）が接続されている。ビア導体３２は、図３Ａに示される導体ポスト２５と第２導体層２２（図１参照）を介して接続されている。図３Ａに示される導体ポスト２５と図３Ｂに示される第１パターン２１ａとは、平面上同じ位置であっても異なっていてもよい。すなわち、ビア導体３２と導体ポスト２５とが、図２Ａに示されるように積み重なって形成されていてよい。或いは、ビア導体３２と導体ポスト２５は、図２Ｄに示されるように異なる位置に形成されていてもよい。第２パターン２１ｂは、図３Ｂに示される例では、図示されていない半導体素子が接続される接続パッド２１ｃであり、たとえば、ＩＣチップなどの電極とハンダバンプなどにより電気的に接続される。図３Ｂは、矩形状の外形の４辺それぞれに電極が配置されている半導体素子と接続される接続パッド２１ｃの例である。図３Ａおよび図３Ｂに示される例では、接続パッド２１ｃの真裏にあたる位置には、導体ポスト２５が設けられていない。この場合、接続パッド２１ｃの表面の平坦性が高まり、半導体素子などとの良好な接続が得られることがある。しかしながら、接続パッド２１ｃの真裏の位置に、導体ポスト２５が設けられていてもよい。また、接続パッド２１ｃ（第２パターン２１ｂ）と、その周囲に形成されている第１パターン２１ａとは、配線パターン２１ｄにより接続されている。これにより、図示されない半導体素子の電極が、ビア導体３２、第２導体層２２および導体ポスト２５を介して、図示されないマザーボードなどの他のプリント配線板と電気的に接続され得る。図３Ａおよび図３Ｂは、導体ポスト２５の配置、および第１導体層２１に形成される導体パターンの一例に過ぎず、これらは、任意の位置、数量および／または形態で形成され得る。
【００４６】
第２樹脂絶縁層４０は、第２導体層２２の側面および導体ポスト２５が形成されている面の露出部分、ならびに、導体ポスト２５の側面２５ｂを被覆している。第２樹脂絶縁層４０の材料は、ガラス繊維などの補強材を含む樹脂組成物であってもよいが、好ましくは、補強材のない樹脂組成物が用いられる。樹脂組成物としては、好ましくはエポキシ樹脂が用いられる。また、シリカなどの無機フィラーが３０〜８０重量％含有されているエポキシ樹脂が用いられてもよい。また、第２樹脂絶縁層４０の材料は、配線板１０の製造時にシート状またはフィルム状で供給されるのに適した樹脂組成物であってよい。第２樹脂絶縁層４０は、２層構造であってもよい。たとえば、第２樹脂絶縁層４０は、第１樹脂絶縁層３１（図２Ｃ参照）のように、無機フィラーの含有量の異なる２層の樹脂絶縁層で形成されてもよい。或いは、第２樹脂絶縁層４０の材料は、第２樹脂絶縁層４０がモールド成形により形成される場合、それに適したモールド成形用の樹脂材料であってよい。第２樹脂絶縁層４０がモールド成形により形成される場合は、第２樹脂絶縁層４０は、第１樹脂絶縁層３０の材料と異なっている方が好ましいことがある。第２樹脂絶縁層４０には、好ましくは、熱膨張率６〜３０ｐｐｍ／℃、弾性率５〜２５ＧＰａ、および、ガラス転移温度１００〜２２０℃の樹脂材料が用いられる。このような特性は、たとえば、第２導体層２２との界面や、たとえば第１導体層２１上に実装される図示しない半導体素子などの接合部に過大な応力が生じ難い点で好ましい。しかしながら、第２樹脂絶縁層４０の特性はこれらに限定されない。前述の範囲外の熱膨張率や弾性率などの特性を有する樹脂材料が使用され得る。
【００４７】
実施形態の配線板１０には、図１に示されるように、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１上および第１導体層２１の一面Ｆ１２上にソルダーレジスト層５１が形成されている。また、第１パターン２１ａおよび第２パターン２１ｂが露出する開口部５１ａが、ソルダーレジスト層５１に設けられている。また、図示されていないが、第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１上にも、導体ポスト２５の端面２５ａを露出する開口部を有するソルダーレジスト層が設けられてもよい。図１に示される例では、第１および第２パターン２１ａ、２１ｂの外周付近がソルダーレジスト層５１に被覆されている。開口部５１ａは、第１および第２パターン２１ａ、２１ｂなどの全面が露出するような大きさで設けられてもよい。開口部５１ａは、第１導体層２１に形成される導体パターンが形成される位置や数量に応じて適宜設けられてよい。
【００４８】
前述のように、ビルドアップ配線層１５は、第１および第２導体層２１、２２の他に１つ以上の導体層と、第１樹脂絶縁層３０の他に各導体層の間に形成される１つ以上の樹脂絶縁層とを含んでいてもよい。図４には、そのような他の実施形態の多層配線板の一例として多層配線板１１が示されている。多層配線板１１は、３つの導体層と２つの樹脂絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ配線層１６を備えている。なお、図１などに示される一実施形態の多層配線板１０と同一の構成要素には同じ符号が付され、その詳しい説明は省略される。
【００４９】
図４に例示される実施形態の多層配線板１１は、図１に示される実施形態の多層配線板１０と比べると、第３導体層２３および第３樹脂絶縁層４１が形成されている点が異なっている。第３導体層２３は、ビルドアップ配線層１６内の第１導体層２１と第２導体層２２との間に形成されている。第３樹脂絶縁層４１は第３導体層２３と第２導体層２２との間に形成されている。図４に例示される実施形態では、ビア導体３２は、第３樹脂絶縁層４１を貫通し、第２導体層２２と第３導体層２３とを接続している。また、第１樹脂絶縁層３０を貫通する第２ビア導体４２が、ビルドアップ配線層１６の第２面Ｆ２側で接する第３導体層２３と一体に形成されている。そして第２ビア導体４２は第１導体層２１と第３導体層２３とを接続することにより第１導体層２１と第２導体層２２とを電気的に接続している。
【００５０】
図４に示される多層配線板１１のように、より多くの導体層を含むことにより、多層配線板１１内に、より規模が大きく複雑な電気回路を、多層配線板の平面サイズを大きくすることなく形成することが可能となる。また、図４に示される例では、多層配線板１１は、導体ポスト２５の端面２５ａで他のプリント配線板などと接続され得る。そのため、３つの導体層で所望の電気回路が形成されれば、さらに導体層を形成して接続用のパッドを設けることが不要となることがある。
【００５１】
実施形態の多層配線板１１は、図４に示されるビルドアップ配線層１６よりも多くの導体層と樹脂絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ配線層を備えていてもよい。その場合、さらに規模の大きな電気回路が略同じ平面サイズの多層配線板内に形成され得る。第３導体層２３、第３樹脂絶縁層４１、および第２ビア導体４２などは、それぞれ、第２導体層２２、第１樹脂絶縁層３０、およびビア導体３２について前述または後述される材料や製法を用いて形成されてよい。また、第３導体層２３、第３樹脂絶縁層４１、および第２ビア導体４２などは、それぞれ、第２導体層２２、第１樹脂絶縁層３０、およびビア導体３２と同様の構造を有していてよい。
【００５２】
図４に示される例では、導体ポスト２５は、第２導体層２２に接するビア導体３２と積み重なるように形成されている。図４に示される例では、ビルドアップ配線層１６の中の１つの導体層である第３導体層２３を介して接しているビア導体３２と第２ビア導体４２とが積み重なるように形成されている。すなわち、ビア導体３２と第２ビア導体４２は所謂スタックビアの構造に形成されている。図４に示される例では、第１導体層２１と導体ポスト２５とは、中心軸を揃えて積み重ねられた複数のビア導体により接続されている。このように、異なる樹脂絶縁層内のビア導体が積み重なるように形成されると、実施形態の配線板１１の平面サイズが小さくなることがある。さらに、導体ポスト２５もビア導体３２および第２ビア導体４２と中心軸を揃えて積み重なるように形成されると、実施形態の配線板１１の平面サイズが、いっそう小さくなることがある。複数のビア導体３２および第２ビア導体４２がそれぞれ形成される場合は、それらの一部だけが積み重なるように形成されてもよい。また、第１導体層２１と導体ポスト２５とが、投影像において導体ポスト２５と少なくとも部分的に重なる位置に形成されている１つまたは複数のビア導体により接続されるだけでも、配線板１１の平面サイズが小さくなることがある。
【００５３】
また、実施形態の配線板１１の導体ポスト２５、ビア導体３２および第２ビア導体４２は、平面視で互いに異なる位置に、それぞれ形成されていてもよい。すなわち、導体ポスト２５、ビア導体３２および第２ビア導体４２は、投影像が互いに重ならないように、それぞれ形成されていてもよい。たとえば、図５Ａに示されるように、ビア導体３２と第２ビア導体４２とは真上に積み重ねられたスタックビア構造で形成され、導体ポスト２５は、ビア導体３２などと平面視で異なる位置に形成されてよい。その場合、導体ポスト２５は、第２導体層２２の接続パターン２２ａでビア導体３２と接続されてよい。また、図５Ｂに示されるように、導体ポスト２５とビア導体３２とが同じ中心軸上に積み重なるように形成され、第２ビア導体４２がビア導体３２などと異なる位置に形成されてもよい。第２ビア導体４２とビア導体３２は、所謂スタッガードビア構造に形成されている。この場合、図５Ｂに示されるように、第２ビア導体４２とビア導体３２とは、第３導体層２３内の接続パターン２３ａで接続されてよい。また、図５Ｃに示されるように、導体ポスト２５、ビア導体３２および第２ビア導体４２は、全て異なる位置に形成されてもよい。そして、導体ポスト２５、ビア導体３２および第２ビア導体４２は、第２導体層２２および第３導体層２３内の接続パターンで互いに接続されてもよい。その場合、導体ポスト２５およびビア導体３２は第２導体層２２や第３導体層２３などの平坦性の良好な表面上に形成される。導体ポスト２５およびビア導体３２と、これらの導体層との良好な接続信頼性が得られることがある。実施形態の配線板１１のビルドアップ配線層１６が、さらに多くの導体層を含む場合も、各ビア導体同士および導体ポスト２５は任意の位置関係で形成されてよい。
【００５４】
図１に示される一実施形態の配線板１０の製造方法の一例が、図６Ａ〜６Ｌを参照して説明される。
【００５５】
図６Ａに示されるように、支持板８０、キャリア銅箔８０ａおよびベース金属箔８１が用意される。支持板８０の両面にキャリア銅箔８０ａが積層され、加圧および加熱されて接合される。支持板８０およびキャリア銅箔８０ａとして、銅張積層板が用いられてもよい。キャリア銅箔８０ａ上にベース金属箔８１が接合される。キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１との接合方法は特に限定されない。たとえば、キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１は、両者の貼り付け面の略全面において、剥離し易い熱可塑性の接着剤（図示せず）により接着される。熱可塑性の接着剤は、リバアルファ（日東電工製のREVALPHA）が例示される。キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１は、外周付近の余白部において、接着剤または超音波接続により接合されてもよい。支持板８０の材料は特に限定されない。支持板８０には、好ましくは、ガラスクロスなどの補強材およびエポキシなどの絶縁性樹脂を含む半硬化状態のプリプレグ材などが用いられる。キャリア銅箔８０ａは、好ましくは１８μｍの厚さの銅箔が用いられる。ベース金属箔８１の材料は、表面上に、第１導体層２１（図６Ｂ参照）が形成され得るものであれば特に限定されない。好ましくは、第１導体層２１および導体ポスト２５（図６Ｇ参照）の材料を溶解し得るエッチング液で溶解される材料が用いられる。好ましくは、ベース金属箔には、１〜６μｍの厚さの銅箔が用いられる。ニッケルなどの金属箔が用いられてもよい。
【００５６】
図６Ａ〜６Ｊには、支持板８０の両側の面に第１導体層２１などが形成される製造方法の例が示されている。第１導体層２１などが２つ同時に形成され得る。支持板８０の一方の面だけに第１導体層２１などが形成されてもよい。両側で互いに異なる回路パターンの導体層などが形成されてもよい。
【００５７】
図６Ｂに示されるように、第１パターン２１ａおよび第２パターン２１ｂなどを含む第１導体層２１の導体パターンが形成される。具体的には、第１導体層２１の導体パターンを形成する位置に開口を有するレジストパターン（図示せず）がベース金属箔８１の表面に形成され、ベース金属箔８１を一方の電極として電解めっきにより、開口内に第１導体層２１が形成される。その後、レジストパターンが除去されることにより、図６Ｂに示されるような第１導体層２１が形成される。このように、電解めっきだけで形成する方法が用いられると、第１導体層２１はサイドエッチングされない。第１導体層２１が、１５μｍ／１５μｍ程度のファインピッチのライン／スペースで形成され得る。第１導体層２１は、好ましくは、１０〜２５μｍ程度の厚さに形成される。第１導体層２１の材料には、好ましくは、銅が用いられる。ニッケルなどが用いられてもよい。
【００５８】
図６Ｃに示されるように、ベース金属箔８１の上および第１導体層２１の上に第１樹脂絶縁層３０が形成される。たとえば、シート状またはフィルム状の絶縁材がベース金属箔８１上および第１導体層２１上に積層される。絶縁材は支持板８０側に向かって加圧されると共に加熱される。第２導体層２２が図２Ｂに示される構造で形成される場合は、絶縁材の表面に金属箔２２１がさらに積層される。図６Ｃに示されるように、金属箔２２１を含まない配線板を例に、実施形態の配線板１０の製造方法が、引き続き説明される。
【００５９】
図６Ｄに示されるように、第１樹脂絶縁層３０を貫通する導通用孔３２ａが形成される。導通用孔３２ａは、第１樹脂絶縁層３０の一方の表面（Ｆ１１）側に形成されている第１導体層２１と、つぎの工程で他方の面上に形成される第２導体層２２とが接続される部分に、好ましくは、レーザー光の照射により形成される。第１樹脂絶縁層３０の第１導体層２１側と反対側の表面にＣＯ2レーザー光などが照射される。第１樹脂絶縁層３０を貫通する導通用孔３２ａが形成される。導通用孔３２ａ内および第１樹脂絶縁層３０の露出面上に無電解めっき膜などにより金属被膜２２２が形成される。金属被膜２２２は、スパッタリングや真空蒸着などにより形成されてもよい。
【００６０】
図６Ｅに示されるように、たとえば電解めっきにより、金属被膜２２２の表面にめっき膜２２３が形成される。実施形態の配線板１０の一例の製造方法では、金属被膜２２２と、めっき膜２２３とにより第２導体層２２が構成される。また、導通用孔３２ａ内の金属被膜２２２と、めっき膜２２３とによりビア導体３２が形成される。好ましくは、第２導体層２２の導体パターンの形成位置および導通用孔３２ａ上に開口を有するめっきレジストパターンが金属被膜２２２上に形成される。その開口内に、好ましくは電解めっきによりめっき膜２２３が形成される。金属被膜２２２およびめっき膜２２３の材料は、特に限定されない。金属被膜２２２およびめっき膜２２３は、好ましくは、銅により形成される。めっき膜２２３の形成後、めっきレジスト膜が除去される。図６Ｅに示されるように、金属被膜２２２は、まだ、めっき膜２２３の形成部分以外にも存在している。めっき膜２２３の形成部分以外の領域の金属被膜２２２は、導体ポスト２５（図６Ｇ参照）の形成後に除去される。
【００６１】
図６Ｆに示されるように、第２導体層２２の表面上、および第２導体層２２に覆われずに露出している金属被膜２２２上にめっきレジスト膜８５が形成される。導体ポスト２５が形成される部分には、開口８５ａが設けられる。めっきレジスト膜８５は少なくとも５０〜１５０μｍ程度の厚さに形成される。図６Ｆおよび図６Ｇ〜６Ｌには、第２導体層２２の積層構造は簡略化されて単層として示されている。開口８５ａ内に、たとえば、金属被膜２２２をシード層として電解めっきによりめっき層２５０が形成される。めっきレジスト膜８５が除去される。図６Ｇに示されるように、第２導体層２２の表面上に導体ポスト２５が形成される。金属被膜２２２の露出部分がエッチングなどにより除去される。所定の電気回路の導体パターンを有する第２導体層２２ができあがる。導体ポスト２５は、好ましくは第２導体層２２と同じ材料で形成される。導体ポスト２５は好ましくは銅で形成される。導体ポスト２５は、好ましくは５０〜１５０μｍの厚さに形成される。導体ポスト２５の高さは、これに限定されない。
【００６２】
好ましくは、第２樹脂絶縁層４０（図６Ｉ参照）との密着性を高めるために、側面２５ｂを少なくとも含む導体ポスト２５の表面、ならびに、第２導体層２２の側面などの露出面に粗化処理が行われる。粗化処理の方法としては、たとえば、ソフトエッチング処理や、黒化（酸化）−還元処理などが例示される。しかしながら、粗化処理の方法はこれらに限定されない。粗化される各面は、好ましくは、算術平均粗さで０．１〜１μｍの表面粗さに処理される。また、粗化処理が行われる場合は、その前にアニール処理が行われてもよい。
【００６３】
図６Ｈに示されるように、導体ポスト２５上に、シート状またはフィルム状の絶縁材４０ａが積層される。絶縁材４０ａは支持板８０側に向かって加圧されると共に加熱される。加熱により絶縁材４０ａが軟化し、第２導体層２２内の各導体パターンの間、および導体ポスト２５同士の間に流れ込み、半硬化状態となる。さらに加熱されることにより絶縁材４０ａが完全に硬化する。図６Ｉに示されるように、第２樹脂絶縁層４０が形成される。第２樹脂絶縁層４０は、第２導体層２２内の各導体パターンの側面を含む第２導体層２２の露出面、ならびに導体ポスト２５の側面２５ｂおよび端面２５ａ全てを覆っていてよい。好ましくは、バフ研磨が行われる。第２樹脂絶縁層４０の形成時に生じたバリが除去される。第２樹脂絶縁層４０の高さが均一化される。また、第２樹脂絶縁層４０の高さが所定の設計値に調整される。シート状の絶縁材などの積層により第２樹脂絶縁層４０が形成される場合、一般的な配線板の製造設備が用いられ得る。実施形態の多層配線板１０が容易に製造されると考えられる。
【００６４】
第２樹脂絶縁層４０は、金型モールド成形により形成されてもよい。たとえば、導体ポスト２５の粗化処理後、支持板８０上に、キャビティを有するモールド成形用の金型がセットされる。第２導体層２２および導体ポスト２５を収容しているキャビティ内にモールド成形用樹脂が射出される。キャビティ内に充填されたモールド成形用樹脂が半硬化状態になると金型が分離される。さらに加熱されることによりモールド成形用樹脂が完全に硬化する。このような方法でも、第２導体層２２の露出面、ならびに導体ポスト２５の側面および先端部を覆う第２樹脂絶縁層４０が形成され得る。導体ポスト２５の先端部上の第２樹脂絶縁層４０は後の工程で除去される。モールド成形後も、好ましくは、バフ研磨によりバリが除去される。第２樹脂絶縁層４０の高さが所定の設計値に調整される。モールド成形による形成方法が用いられる場合は、第２樹脂絶縁層４０の樹脂材料に、好ましくは、金型モールド成形に適した樹脂組成物を含む材料が用いられる。モールド成形で第２樹脂絶縁層４０が形成されると、同様にモールド成形により樹脂封止される半導体製品の樹脂材料と同様の材料が使用され易い。配線板と半導体製品との熱膨張率の差が小さくされ易いと考えられる。それにより、配線板と半導体製品との接続部に生じる応力が小さくなることがある。モールド成形により形成される場合、第２樹脂絶縁層４０の材料には、好ましくは、６〜３０ｐｐｍ／℃の熱膨張率、５〜２５ＧＰａの弾性率、および、１００〜２２０℃のガラス転移温度のエポキシ樹脂が用いられる。このような特性の樹脂材料が用いられると、成形時に、金型内で良好な流動性が得られ易い。また、成形後に、半導体製品などの実装部品との接合部に過大な応力が生じ難いと考えられる。第２樹脂絶縁層４０の厚さは、特に限定されない。第２樹脂絶縁層４０は、好ましくは、配線板１０の薄型化および適度な剛性の確保という観点から、５０〜１５０μｍ程度の厚さに形成される。第２樹脂絶縁層４０の厚さは、導体ポスト２５の高さに応じて適宜調整される。
【００６５】
図６Ｊに示されるように、第２樹脂絶縁層４０のベース金属箔８１側と反対側の面が研磨される。バフ研磨、または、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）などにより、この第２樹脂絶縁層４０の表面が、導体ポスト２５の先端が露出するまで研磨される。
【００６６】
支持板８０およびキャリア銅箔８０ａと、ベース金属箔８１とが分離される。たとえば、図６Ｊに示される工程途上の配線板が加熱される。キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とを接合している図示しない熱可塑性接着剤が軟化する。その状態でキャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とが引き離される。両者が外周付近の余白部において接合している場合は、接合箇所よりも内周側で、キャリア銅箔８０ａ、ベース金属箔８１、および支持板８０が切断される。接着剤などによる接合箇所が切除される。それにより、キャリア銅箔８０ａとベース金属箔８１とが分離される。両者が分離された後の状態が、図６Ｋに示されている。図６Ｋには、図６Ｊ中の支持板８０の下面側の配線板が示されている。
【００６７】
ベース金属箔８１が、たとえばエッチングなどにより除去される。好ましくは、ベース金属箔８１、第１導体層２１および導体ポスト２５の構成材料のいずれをも溶解し得るエッチング液が用いられる。その場合、導体ポスト２５の第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１に露出する端面も、このエッチング液に晒されることによりエッチングされる。ベース金属箔８１が全て除去された後も、エッチングプロセスが継続されてよい。それにより、第１導体層２１の一面Ｆ１２がエッチングされる。導体ポスト２５の露出端面も引き続きエッチングされる。その結果、図６Ｌに示されるように、第１導体層２１の一面Ｆ１２が第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１よりも凹む。導体ポスト２５の端面２５ａが第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１よりも凹む。導体ポスト２５の端面２５ａの第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１からの凹みが、第１導体層２１の一面Ｆ１２の第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１からの凹みよりも大きくなる。ベース金属箔８１と、第１導体層２１および導体ポスト２５とが、別の材料で構成されている場合は、ベース金属箔８１だけが溶解されるエッチング液が用いられてもよい。その場合、第１導体層２１および導体ポスト２５は、ベース金属箔８１のエッチングとは別途にエッチングされてよい。第１導体層２１および導体ポスト２５は、それぞれ、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１、または第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１から所望量だけ凹むようにエッチングされてよい。
【００６８】
第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１上にソルダーレジスト層５１（図１参照）が形成されてよい。また、必要に応じて、第２樹脂絶縁層４０の表面Ｆ２１上に、導体ポスト２５の端面２５ａを露出する開口部を有するソルダーレジスト層（図示せず）が形成されてよい。たとえば、感光性のエポキシ材などの層が、第１樹脂絶縁層３０の表面Ｆ１１および第１導体層２１の一面Ｆ１２上の全面に形成される。ソルダーレジスト層５１が形成される所定の部分のエポキシ材がマスクを通して露光される。露光されない部分のエポキシ材が現像により除去される。第１パターン２１ａおよび第２パターン２１ｂに相当する部分のエポキシ材は現像で除去される。除去された部分が開口部５１ａ（図１参照）となる。ソルダーレジスト層５１は、スクリーン印刷などの他の方法で形成されてもよい。ソルダーレジスト層５１の材料は、特に限定されない。好ましくは、シリカなどの無機フィラーが４０〜７０重量％含有されたエポキシ樹脂が用いられる。以上の工程を経ることにより、図１に示される一実施形態の配線板１０が完成する。
【００６９】
図示しない表面保護膜が、第１導体層２１の一面Ｆ１２および導体ポスト２５の端面２５ａに形成されてよい。表面保護膜は、たとえば、めっきにより形成される。表面保護膜は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、またはＳｎなどの複数または単一の金属膜であってよい。液状の保護材料内への浸漬や保護材料の吹付けなどによりＯＳＰが形成されてもよい。
【００７０】
導体ポスト２５の端面２５ａ上に接合材層（図示せず）が形成されてもよい。接合材層は導体ポスト２５と外部のマザーボードなどとを接合する接合材からなる。接合材層の材料には好ましくはハンダが用いられる。ハンダによる接合材層は、ペースト状のハンダを塗布したり、めっき法を用いたり、ボール状のハンダを搭載後加熱することにより形成され得る。
【００７１】
完成した配線板１０には、たとえば、第２パターン２１ｂ上に図示しない半導体素子が接続されてよい。また、導体ポスト２５の端面２５ａが、配線板１０を用いる電子機器のマザーボードなどに接続されてよい。実施形態の配線板１０は、図示しない他のプリント配線板に接続されてもよい。配線板１０は、多層プリント配線板の一部となり得る。
【００７２】
図２Ｂに例示される実施形態の配線板の他の例の製造方法が、図７Ａ〜７Ｃを参照して説明される。図６Ａ〜６Ｌを参照して説明された方法と異なる部分が主に説明される。図６Ａおよび図６Ｂを参照して説明された方法と同様に第１導体層２１が形成される。図７Ａに示されるように、ベース金属箔８１の上および第１導体層２１の上に第１樹脂絶縁層３０が形成される。たとえば、シート状またはフィルム状の絶縁材がベース金属箔８１上および第１導体層２１上に積層され、この絶縁材の表面に金属箔２２１がさらに積層される。絶縁材は金属箔２２１と共に加熱および加圧される。金属箔２２１が表面に接合されている第１樹脂絶縁層３０が形成される。金属箔２２１の材料は特に限定されない。金属箔２２１は、好ましくは、銅により形成される。
【００７３】
図７Ｂに示されるように、第１樹脂絶縁層３０を貫通する導通用孔３２ａが、図６Ｄを参照して説明された方法と同様に、好ましくは、レーザー光の照射により形成される。ただし、レーザー光は金属箔２２１の表面に照射される。導通用孔３２は、図７Ｂに示されるように、金属箔２２１および第１樹脂絶縁層３０を貫通している。導通用孔３２ａ内、および、金属箔２２１上に、無電解めっき膜などにより金属被膜２２２が形成される。金属被膜２２２は、スパッタリングや真空蒸着で形成されてもよい。
【００７４】
図６Ｅを参照して説明された方法と同様に、たとえば、所定の箇所に開口を有するめっきレジストが形成される。電解めっきにより金属被膜２２２の表面にめっき膜２２３が形成される。図７Ｃに示されるように、金属箔２２１と、金属被膜２２２と、めっき膜２２３とによる第２導体層２２が形成される。また、図６Ｅと同様にビア導体３２が形成される。図示しないめっきレジスト膜が除去される。図７Ｃに示されるように、金属箔２２１および金属被膜２２２は、めっき膜２２３の形成部分以外にも存在している。この金属箔２２１および金属被膜２２２の露出部分は、導体ポスト２５の形成後に除去される。
【００７５】
図６Ｆおよび図６Ｇを参照して説明された方法と同様に、金属被膜２２２をシード層として導体ポスト２５が形成される。露出している金属被膜２２２、および、その下の金属箔２２１が除去される。図６Ｈ〜６Ｌを参照して説明された方法と同様の工程が行われる。図２Ｂに例示される構造の第２導体層２２を有する配線板１０が完成する。
【００７６】
図２Ｃに示される２層構造の第１樹脂絶縁層３１が形成される場合は、図６Ｃに示される工程で、ベース金属箔８１上および第１導体層２１上に、樹脂層３１ａの材料としてプリプレグが積層される。そのプリプレグ上に樹脂層３１ｂの材料としてプライマー樹脂層が積層される。そして、このプライマー樹脂層上に銅などからなる金属箔が積層され、プリプレグおよびプライマー樹脂層と共に熱圧着される。樹脂層３１ａと樹脂層３１ｂとの２層構造の第１樹脂絶縁層３１が容易に形成される。プライマー樹脂層などと共に熱圧着された金属箔はエッチングなどにより除去される。金属箔は、粗面を有していてよい。その場合、金属箔は、好ましくは、粗面をプライマー樹脂層側に向けて積層される。金属箔の除去により露出する樹脂層３１ｂの表面には、金属箔の粗面の凹凸が転写され得る。樹脂層３１ｂと金属被膜２２２との密着性が向上すると考えられる。
【００７７】
また、図４に示される他の実施形態の配線板１１も、図６Ａ〜６Ｌおよび図７Ａ〜７Ｃを参照して説明された方法の一部を繰り返すことにより製造され得る。図２Ａに例示される構造を有する配線板１１が形成される場合は、図６Ｅに示される工程までを経ることにより図６Ｅの第２導体層２２と同様に第３導体層２３（図８Ａ参照）が形成される。第３導体層２３に覆われずに露出する金属被膜２２２がエッチングなどにより除去される。第３導体層２３上および第１樹脂絶縁層３０上において、図６Ｃ〜６Ｅを参照して説明された工程が再度繰り返される。図８Ａに示されるように、金属箔を含まない第３導体層２３、および、第３導体層２３上に形成される第３樹脂絶縁層４１を有し、かつ、金属箔を含まない第２導体層２２を最表面に有するビルドアップ配線層１６が形成される。
【００７８】
また、図２Ｂに例示される構造を有する図４の実施形態の配線板１１が形成される場合は、図６Ａ、６Ｂおよび７Ａ〜７Ｃに示される工程までを経ることにより、図７Ｃの第２導体層２２と同様に金属箔を含む第３導体層２３（図８Ｂ参照）が形成される。第３導体層２３に覆われずに露出する金属被膜２２２および、その下の金属箔がエッチングなどにより除去される。第３導体層２３上および第１樹脂絶縁層３０上において、図７Ａ〜７Ｃを参照して説明された工程が再度繰り返される。図８Ｂに示されるように、金属箔を含む第３導体層２３、および、第３導体層２３上に形成される第３樹脂絶縁層４１を有し、かつ、金属箔２２１を含む第２導体層２２を最表面に有するビルドアップ配線層１６が形成される。
【００７９】
図６Ｆ〜６Ｌを参照して説明された工程を経ることにより、導体ポスト２５および第２樹脂絶縁層４０が形成される。図４に示される配線板１１が完成する。図６Ｃ〜６Ｅに示される工程と金属被膜２２２の露出部分の除去とのさらなる繰り返しにより、図２Ａの構造を有する所望の層数のビルドアップ配線層を備える多層配線板が製造され得る。また、図７Ａ〜７Ｃに示される工程と金属被膜２２２および金属箔２２１の露出部分の除去とのさらなる繰り返しにより、図２Ｂの構造を有する所望の層数のビルドアップ配線層を備える多層配線板が製造され得る。
【符号の説明】
【００８０】
１０、１１  多層配線板
１５、１６  ビルドアップ配線層
２１    第１導体層
２１ａ  第１パターン
２１ｂ  第２パターン
２２    第２導体層
２２１  金属箔
２２２  金属被膜
２２３  めっき膜
２３    第３導体層
２５    導体ポスト
２５ａ  導体ポストの端面
３０、３１  第１樹脂絶縁層
３２    ビア導体
４０    第２樹脂絶縁層
４１    第３樹脂絶縁層
４２    第２ビア導体
５１    ソルダーレジスト層
８０    支持板
８０ａ  キャリア銅箔
８１    ベース金属箔
８５    めっきレジスト膜
Ｆ１    ビルドアップ配線層の第１面
Ｆ２    ビルドアップ配線層の第２面
Ｆ１１  第１樹脂絶縁層の表面
Ｆ１２  第１導体層の一面
Ｆ２１  第２樹脂絶縁層のビルドアップ配線層側と反対側の表面
【図１】
2016154195.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
2016154195.tif 000017
【図６Ｅ】
2016154195.tif 000018
【図６Ｆ】
2016154195.tif 000019
【図６Ｇ】
2016154195.tif 000020
【図６Ｈ】
2016154195.tif 000021
【図６Ｉ】
2016154195.tif 000022
【図６Ｊ】
2016154195.tif 000023
【図６Ｋ】
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【図６Ｌ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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