(57)【要約】【課題】パッドとパッドに隣接する導体回路間の絶縁信頼性。【解決手段】実施形態のプリント配線板はＮＳＭＤタイプのパッドを有する。そして、ＮＳＭＤタイプのパッドを露出する開口を有するソルダーレジスト層は下側のソルダーレジスト層と下側のソルダーレジスト層上に形成されている上側のソルダーレジスト層で形成されており、開口は下側のソルダーレジスト層に形成されている下側の開口部と上側のソルダーレジスト層に形成されている上側の開口部とを含み、上側の開口部の大きさは下側の開口部の大きさより大きい。【選択図】図１
2016058673.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の第１面上に形成されているＮＳＭＤタイプのパッドを含む導体層と、
前記樹脂絶縁層上に形成され、前記パッドを露出する開口を有するソルダーレジスト層と、
を有するプリント配線板において、
前記ソルダーレジスト層は前記第１面上に形成されている下側のソルダーレジスト層と前記下側のソルダーレジスト層上に形成されている上側のソルダーレジスト層で形成されていて、
前記開口は前記下側のソルダーレジスト層に形成されている下側の開口部と前記上側のソルダーレジスト層に形成されている上側の開口部とを含み、
前記上側の開口部の大きさは前記下側の開口部の大きさより大きい。
【請求項２】
第１面と前記第１面と反対側の第２面を有する樹脂絶縁層と前記樹脂絶縁層の前記第１面に形成されているＮＳＭＤタイプのパッドを含む導体層とを有する中間基板を準備することと、
前記導体層から露出する前記樹脂絶縁層の第１面上に第１ソルダーレジスト組成物を形成することと、
前記パッドの周りに未硬化な第１ソルダーレジスト組成物が形成されるように、前記第１ソルダーレジスト組成物を露光することで前記第１ソルダーレジスト組成物から下側のソルダーレジスト層を形成することと、
前記下側のソルダーレジスト層と前記導体層と前記未硬化な第１ソルダーレジスト組成物上に第２ソルダーレジスト組成物を形成することと、
前記未硬化な第１ソルダーレジスト組成物と前記未硬化な第１ソルダーレジスト組成物を囲む前記第１ソルダーレジスト層上に未硬化な第２ソルダーレジスト組成物が形成されるように、前記第２ソルダーレジスト組成物を露光することで前記第２ソルダーレジスト組成物から上側のソルダーレジスト層を形成することと、
前記未硬化な第１ソルダーレジスト組成物と前記未硬化な第２ソルダーレジスト組成物を除去することで、前記ＮＳＭＤタイプのパッドを露出する開口を形成すること、とを有するプリント配線板の製造方法であって、
前記開口は前記下側のソルダーレジスト層に形成されている下側の開口部と前記上側のソルダーレジスト層に形成されている上側の開口部とを有し、
前記上側の開口部の大きさは前記下側の開口部の大きさより大きい。
【請求項３】
第１面と前記第１面と反対側の第２面を有する樹脂絶縁層と前記樹脂絶縁層の前記第１面に形成されているＮＳＭＤタイプのパッドを含む導体層とを有する中間基板を準備することと、
前記導体層から露出する前記樹脂絶縁層の第１面上に第１ソルダーレジスト組成物を形成することと、
前記パッドの周りに未硬化な第１ソルダーレジスト組成物が形成されるように、前記第１ソルダーレジスト組成物を露光することで前記第１ソルダーレジスト組成物から下側のソルダーレジスト層を形成することと、
前記未硬化な第１ソルダーレジスト組成物を除去することで、前記ＮＳＭＤタイプのパッドを露出する下側の開口部を前記下側のソルダーレジスト層に形成することと、
前記下側のソルダーレジスト層上と前記下側の開口部内に第２ソルダーレジスト組成物を形成することと、
前記下側の開口部内と前記下側の開口部を囲む前記下側のソルダーレジスト層上に未硬化な第２ソルダーレジスト組成物が形成されるように、前記第２ソルダーレジスト組成物を露光することで前記第２ソルダーレジスト組成物から上側のソルダーレジスト層を形成することと、
前記未硬化な第２ソルダーレジスト組成物を除去することで、前記下側の開口部に繋がる上側の開口部を前記上側のソルダーレジスト層に形成すること、とを有するプリント配線板の製造方法であって、
前記上側の開口部の大きさは前記下側の開口部の大きさより大きい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＮＳＭＤ（Ｎｏｎ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプのパッドを有するプリント配線板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、半田ボール搭載方法を開示している。そして、特許文献1は、図６（Ｂ）にＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプのパッドを示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−０７４００２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＳＭＤタイプのパッドでは、特許文献１の図６（Ｂ）に示されるように、パッドを形成する導体はパッド（ソルダーレジスト層の開口から露出している導体の部分）より大きい。パッドを形成する導体の面積が大きくなるので、ＳＭＤタイプのパッドのみを有するプリント配線板のサイズが大きくなる。
【０００５】
本発明の目的は、パッドとパッドに隣接する導体回路間の間隔を小さくすることである。別の目的は、パッドとパッドに隣接する導体回路間の絶縁信頼性を高くすることである。その他の目的は、半田バンプを形成しやすいプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の第１面上に形成されているＮＳＭＤタイプのパッドを含む導体層と、前記樹脂絶縁層上に形成され、前記パッドを露出する開口を有するソルダーレジスト層とを有する。そして、前記ソルダーレジスト層は前記第１面上に形成されている下側のソルダーレジスト層と前記下側のソルダーレジスト層上に形成されている上側のソルダーレジスト層で形成されていて、前記開口は前記下側のソルダーレジスト層に形成されている下側の開口部と前記上側のソルダーレジスト層に形成されている上側の開口部とを含み、前記上側の開口部の大きさは前記下側の開口部の大きさより大きい。
【０００７】
本発明のプリント配線板の製造方法は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と前記樹脂絶縁層の前記第１面に形成されているＮＳＭＤタイプのパッドを含む導体層とを有する中間基板を準備することと、前記導体層から露出する前記樹脂絶縁層の第１面上に第１ソルダーレジスト組成物を形成することと、前記パッドの周りに未硬化な第１ソルダーレジスト組成物が形成されるように、前記第１ソルダーレジスト組成物を露光することで前記第１ソルダーレジスト組成物から下側のソルダーレジスト層を形成することと、前記下側のソルダーレジスト層と前記導体層と前記未硬化な第１ソルダーレジスト組成物上に第２ソルダーレジスト組成物を形成することと、前記未硬化な第１ソルダーレジスト組成物と前記未硬化な第１ソルダーレジスト組成物を囲む前記第１ソルダーレジスト層上に未硬化な第２ソルダーレジスト組成物が形成されるように、前記第２ソルダーレジスト組成物を露光することで前記第２ソルダーレジスト組成物から上側のソルダーレジスト層を形成することと、前記未硬化な第１ソルダーレジスト組成物と前記未硬化な第２ソルダーレジスト組成物を除去することで、前記ＮＳＭＤタイプのパッドを露出する開口を形成すること、とを有する。そして、前記開口は前記下側のソルダーレジスト層に形成されている下側の開口部と前記上側のソルダーレジスト層に形成されている上側の開口部とを有し、前記上側の開口部の大きさは前記下側の開口部の大きさより大きい。
【０００８】
別の観点に関する本発明のプリント配線板の製造方法は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と前記樹脂絶縁層の前記第１面に形成されているＮＳＭＤタイプのパッドを含む導体層とを有する中間基板を準備することと、前記導体層から露出する前記樹脂絶縁層の第１面上に第１ソルダーレジスト組成物を形成することと、前記パッドの周りに未硬化な第１ソルダーレジスト組成物が形成されるように、前記第１ソルダーレジスト組成物を露光することで前記第１ソルダーレジスト組成物から下側のソルダーレジスト層を形成することと、前記未硬化な第１ソルダーレジスト組成物を除去することで、前記ＮＳＭＤタイプのパッドを露出する下側の開口部を前記下側のソルダーレジスト層に形成することと、前記下側のソルダーレジスト層上と前記下側の開口部内に第２ソルダーレジスト組成物を形成することと、前記下側の開口部内と前記下側の開口部を囲む前記下側のソルダーレジスト層上に未硬化な第２ソルダーレジスト組成物が形成されるように、前記第２ソルダーレジスト組成物を露光することで前記第２ソルダーレジスト組成物から上側のソルダーレジスト層を形成することと、前記未硬化な第２ソルダーレジスト組成物を除去することで、前記下側の開口部に繋がる上側の開口部を前記上側のソルダーレジスト層に形成すること、とを有する。そして、前記上側の開口部の大きさは前記下側の開口部の大きさより大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明のプリント配線板の一実施形態を示す断面図であり、（Ｃ）は、ＮＳＭＤタイプのパッドを示す平面図であり、（Ｄ）、（Ｅ）は、パッドとパッドを囲むソルダーレジスト層の拡大図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｉ）は、一実施形態のプリント配線板を製造するための、本発明のプリント配線板の製造方法の一実施形態を示す断面図であり、（Ｊ）、（Ｋ）は、ＳＭＤタイプのパッドを形成するためのソルダーレジスト層の例を示す断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｇ）は、一実施形態のプリント配線板を製造するための、本発明のプリント配線板の製造方法の他の一実施形態を示す断面図であり、（Ｈ）は、ＳＭＤタイプのパッドを形成するためのソルダーレジスト層の例を示す断面図である。
【図４】（Ａ）は、ＮＳＭＤタイプのパッドを示し、（Ｂ）は、ＳＭＤタイプのパッドを示し、（Ｃ）は、ＮＳＭＤタイプのパッドを有するプリント配線板とパッド上の半田バンプを示し、（Ｄ）は、ＮＳＭＤタイプのパッドを有するプリント配線板と半田ボールを示す。
【図５】（Ａ）は、参考例１のプリント配線板を示し、（Ｂ）は、実施形態のプリント配線板を示し、（Ｃ）は、参考例２のプリント配線板を示す。
【図６】（Ａ）は、開口の模式図であり、（Ｂ）は、上側の開口部の模式図であり、（Ｃ）は、下側の開口部の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
パッドを形成する導体のサイズを小さくする方法として、ＮＳＭＤ（Ｎｏｎ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプのパッド２ａ（図４（Ａ））の採用が考えられる。ＮＳＭＤタイプのパッド２ａでは、図４（Ａ）に示されるように、パッド２ａ全体がソルダーレジスト層３の開口３ａから露出される。ＮＳＭＤタイプのパッド２ａを有するプリント配線板の断面図が図４（Ａ）に示される。また、ＳＭＤタイプのパッド２ｃを有するプリント配線板が図４（Ｂ）に示される。図４（Ａ）と図４（Ｂ）に示されるプリント配線板１０は、樹脂絶縁層１と樹脂絶縁層１上に形成されているパッド２ａ、２ｃと樹脂絶縁層１上に形成され、パッド２ａ、２ｃを露出するための開口３ａ、３ｙを有するソルダーレジスト層３で形成されている。図４（Ａ）と図４（Ｂ）のプリント配線板１０でパッド２ａ、２ｃの大きさとパッド２ａ、２ｃのピッチＰＮ、ＰＳは同じである。ピッチＰＮ、ＰＳは隣接するパッドの中心間の距離である。
【００１１】
ＮＳＭＤタイプのパッドでは、パッドの大きさとパッドを形成する導体の大きさが実質的に同じである。そのため、ＳＭＤタイプとＮＳＭＤタイプでパッドを形成する導体の大きさが比較されると、ＮＳＭＤタイプはＳＭＤタイプより小さい。図４（Ａ）と図４（Ｂ）に示されるように、ＮＳＭＤタイプのパッドを形成している導体間の間隔ＮＫは、ＳＭＤタイプのパッドを形成している導体間の間隔ＳＫより大きい。従って、ＮＳＭＤタイプでは、隣接するパッド間に配線２ｂを形成することができる。
【００１２】
高密度化のため、小さなパッド２ａと狭いピッチＰＮを有するＮＳＭＤタイプのプリント配線板が図４（Ｃ）に示されている。また、図４（Ｃ）に、配線２ｂの側壁と開口３ａの側壁との間の距離ＩＳが示されている。図４（Ｃ）では、開口３ａ内に半田バンプ４が形成されている。距離ＩＳが小さくなると、半田バンプ４と配線２ｂ間の距離ＩＳが小さくなるので、半田バンプ４と配線２ｂ間の絶縁信頼性が低下する。距離ＩＳを大きくするため、開口３ａの径を小さくすることが考えられる。
【００１３】
しかしながら、開口３ａが小さくなると、図４（Ｄ）に示されるように、所定の高さを有する半田バンプ４を形成するための半田ボール５が開口３ａ内に入らない。図４（Ｄ）に示されるように、半田ボール５がパッド２ａに接していない。そのため、リフローで半田バンプをパッド２ａ上に形成することが難しい。半田ボールの径が小さくなると、半田バンプの高さが小さくなるので、プリント配線板１０に電子部品を実装することが難しい。プリント配線板と電子部品間の接続信頼性が低下する。印刷で開口３ａ内に半田を形成することが考えられる。しかしながら、開口３ａの径が小さいので、開口３ａ内の半田がボイドを含みやすい。ボイドを含む半田バンプ４が形成される。
【００１４】
以下に、本発明の実施形態が図面に基づいて説明される。図１（Ａ）は、本発明のプリント配線板の実施形態を示す断面図であり、図１（Ｂ）は、本発明のプリント配線板の他の実施形態を示す断面図である。
【００１５】
図１（Ａ）に示される実施形態のプリント配線板１１は、第１面Ｆと、第１面と反対側の第２面Ｓとを有する樹脂絶縁層１と、樹脂絶縁層１の第１面Ｆ上に形成されている導体層２と、樹脂絶縁層１および導体層２上に形成されているソルダーレジスト層３と、樹脂絶縁層１の第２面に形成されている第２導体層２０と、樹脂絶縁層を貫通し導体層２と第２導体層２０を接続するビア導体６０とを有する。導体層２が複数のパッド２ａ、２０ａと複数の配線２ｂ（図では一つの配線が示されている）とを有する。ソルダーレジスト層３が各パッド２ａ、２０ａを露出させる複数の開口３ａ、３０ａを有している。
【００１６】
図１（Ａ）のプリント配線板１１は、ＮＳＭＤタイプのパッド２ａとＳＭＤタイプのパッド２０ａを有している。複数のパッド２ａ、２０ａはプリント配線板の中央領域（パッド形成領域）に密集して形成されている。例えば、ＮＳＭＤタイプのパッド２ａはパッド形成領域の外周領域に形成され、ＳＭＤタイプのパッド２０ａはパッド形成領域の中央領域に形成されている。そして、信号は、ＮＳＭＤタイプのパッド２ａを介して伝送され、電源やグランドはＳＭＤタイプのパッド２０ａを介して伝送される。全てのパッドがＮＳＭＤタイプのパッド２ａであっても良い。その例が、図１（Ｂ）に示されている。
【００１７】
図１（Ｃ）に、ＮＳＭＤタイプのパッド２ａとパッド２ａを露出する開口３ａを示す平面図が示されている。図１（Ｃ）は、ソルダーレジスト層３の上側から観察することで得られる平面図である。ＮＳＭＤタイプのパッド２ａでは、パッド２ａとソルダーレジスト層３間に隙間が存在する。ソルダーレジスト層３はパッド２ａを覆っていない。パッド２ａとソルダーレジスト層３から樹脂絶縁層１の第１面Ｆが露出される。
【００１８】
図１（Ａ）や図１（Ｂ）に示されるように、ソルダーレジスト層３は下側のソルダーレジスト層７０と上側のソルダーレジスト層７００で形成されている。また、開口３ａは、下側の開口部３ｂと上側の開口部３ｃとを有する。そして、下側の開口部３ｂは下側のソルダーレジスト層７０に形成されていて、上側の開口部３ｃは上側のソルダーレジスト層７００に形成されている。上側の開口部３ｃの大きさは、下側の開口部３ｂの大きさより大きい。そして、図１（Ａ）や図１（Ｂ）に示されるように、下側の開口部３ｂと上側の開口部３ｃとの間に段部３ｄ形成されていて、段部３ｄを介して、上側の開口部３ｃは下側の開口部３ｂに繋げられている。
【００１９】
図６（Ｂ）に上側の開口部３ｃが示され、図６（Ｃ）に下側の開口部３ｂが示されている。図６（Ｂ）、（Ｃ）では、上側の開口部３ｃと下側の開口部３ｂの形状は円錐台であり、各開口部は、底面３ｂＢ、３ｃＢと底面と反対側の上面３ｂＵ、３ｃＵを有する。各開口部３ｂ、３ｃの側壁は上面から底面に向かってテーパーしている。下側の開口部３ｂの側壁はパッド２ａを囲んでいる。そして、図６（Ａ）に図６（Ｂ）と図６（Ｃ）の開口部３ｂ、３ｃで形成される開口３ａが示されている。図６では、開口部３ｂ、３ｃの上面３ｂＵ、３ｃＵの大きさは開口部３ｂ、３ｃの底面３ｂＢ、３ｃＢの大きさより大きい。そして、上側の開口部３ｃの底面３ｃＢと下側の開口部３ｂの上面３ｂＵは重なっていて、上側の開口部３ｃの底面３ｃＢの大きさは下側の開口部３ｂの上面３ｂＵの大きさより大きい。
【００２０】
図６（Ａ）に示されるように、上側の開口部３ｃの底面３ｃＢの外周と下側の開口部３ｂの上面３ｂＵの外周との間に段部３ｄが形成されている。段部３ｄは上側の開口部３ｃにより露出される下側のソルダーレジスト層７０の上面である。段部３ｄは上側の開口部３ｃの底面３ｃＢの外周と下側の開口部３ｂの上面３ｂＵの外周との間に存在している下側のソルダーレジスト層７０の上面である。段部３ｄの長さＫが図６（Ａ）に示される。長さＫは２．５μｍから１０μｍである。高密度のプリント配線板が提供される。パッド２ａと半田バンプの間の接続信頼性が高い。図１（Ｄ）や図５（Ｂ）に示されるように、段部３ｄはパッド２ａの上面と略並行に形成されている。図１（Ｅ）に示されるように、段部３ｄはパッド２ａの上面に対し斜めに形成されてもよい。図５（Ｂ）に示されるように、段部３ｄはパッド２ａの上面と略同一平面上に位置していることが好ましい。各ソルダーレジスト層３、７０、７００の下面は樹脂絶縁層の第１面に近い面であり、上面は下面と反対側の面である。各開口部３ｂ、３ｃは上面から下面に向かって細くなっている。図１（Ｄ）に示されるように、段部３ｄの高さは、パッド２ａの上面より下に位置してもよい。容易に、半田ボールで半田バンプを形成することができる。尚、パッドの上面は樹脂絶縁層の第１面Ｆと略平行な面であって、第１面Ｆから離れている。
【００２１】
図５（Ｂ）は実施形態のプリント配線板１１を示す。図５（Ａ）は参考例１のプリント配線板１０１を示す。図５（Ｃ）は参考例２のプリント配線板１０２を示す。各プリント配線板１１、１０１、１０２のパッド２ａの大きさは同じである。また、各プリント配線板１１、１０１、１０２で、パッド２ａと配線２ｂとの間の間隔Ｓは同じである。プリント配線板１１は開口３ａを有し、プリント配線板１０１は開口３ａ１を有し、プリント配線板１０２は開口３ａ２を有する。開口３ａの上側の開口部３ｃの側壁の傾きと開口３ａの下側の開口部３ｂの側壁の傾きと開口３ａ１の側壁の傾きと開口３ａ２の側壁の傾きは同じである。各開口３ａ、３ａ１、３ａ２は、上面３Ｕに径Ｗ１、Ｗ、Ｗ２を有する第１開口を有する。各プリント配線板１１、１０１、１０２は、配線２ｂとソルダーレジスト層３の側壁との間にギャップＩＳ１、ＩＳ、ＩＳ２を有する。開口３ａの第１開口の径Ｗと開口３ａ１の第１開口の径Ｗ１が同じであると、ギャップＩＳの大きさはギャップＩＳ１より大きい。従って、実施形態のプリント配線板１１のパッド２ａ上に半田バンプが形成されても、プリント配線板１１によれば、半田バンプと配線２ｂ間の絶縁信頼性が高い。
【００２２】
プリント配線板１１のギャップＩＳとプリント配線板１０２のギャップＩＳ２が同じであると、径Ｗは径Ｗ２より大きい。従って、実施形態のプリント配線板１１では、開口３ａ内に大きな径を有する半田ボールを入れることができる。実施形態では、高い高さを有する半田バンプがパッド２ａ上に形成される。それに対し、径Ｗ２が小さいので、参考例２のプリント配線板１０２は、実施形態で用いられる半田ボール５を使うことができない。参考例２のプリント配線板１０２の半田バンプの高さは低い。あるいは、同じ大きさの半田ボールが使われると、実施形態では、半田ボール５はパッド２ａに届くが参考例２では、半田ボール５はパッド２ａに届かない。参考例２では、パッド２ａ上に半田バンプ４が形成されない。
半田ボール５をパッド２ａに接触させるため、下側のソルダーレジスト層７０の厚みはパッドの厚みと同じであることが好ましい。もしくは、下側のソルダーレジスト層７０の厚みはパッド２ａの厚みより薄いことが好ましい。下側のソルダーレジスト層７０の厚みはパッド２ａの厚みより薄いと、半田ボール５とパッド２ａが確実に接触する。半田ボール５で半田バンプ４を確実に形成することができる。半田ペーストが印刷で開口３ａ内に形成されても、開口３ａ内の半田ペーストはボイドを含まない。プリント配線板１１によれば、プリント配線板１１とプリント配線板１１に実装される電子部品間の接続信頼性が高い。
【００２３】
図２（Ａ）〜図２（Ｉ）は、実施形態のプリント配線板１１を製造するための第１実施形態の製造方法を示す断面図である。第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、図２（Ａ）に示されるように、樹脂絶縁層１と樹脂絶縁層１上に形成されている導体層２とを有する中間基板２０が準備される。導体層２は、例えばアディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等によって形成される。導体層２は、例えば、銅で形成されている。導体層２は、半導体素子などの電子部品を搭載するための複数のパッド２ａ、２０ａと、信号線や電源等の配線２ｂとを含む。中間基板の導体層２の表面が粗化される。
【００２４】
図２（Ｂ）に示されるように、導体層２から露出する樹脂絶縁層１上に下側のソルダーレジスト層７０を形成するための第１ソルダーレジスト組成物７ａが形成される。図２（Ｂ）に示されるように、第１ソルダーレジスト組成物７ａは配線２ｂ間の空間やパッド２ａ、２０ａ間の空間や配線２ｂとパッド２ａ、２０ａ間の空間を充填している。第１ソルダーレジスト組成物７ａの高さ（厚さ）は、概ね導体層２の高さ（厚さ）に等しい。
【００２５】
図２（Ｃ）に示されるように、第１ソルダーレジスト組成物７ａが乾燥される。概ね、タックフリーの状態が得られる。
図２（Ｄ）に示されるように、導体層２および第１ソルダーレジスト組成物７ａ上にＰＥＴフィルム８が積層される。この時、第１ソルダーレジスト組成物７ａの表面が平坦化される。
【００２６】
図２（Ｄ）に示されるように、遮光部９ａを有する第１露光マスク９が第１ソルダーレジスト組成物７ａ上に置かれる。遮光部９ａはパッド２ａ、２０ａ上に位置している。ＮＳＭＤタイプのパッド２ａが形成されるとき、遮光部９ａの大きさはパッド２ａの大きさより大きい。ＳＭＤタイプのパッド２０ａが形成されるとき、遮光部９ａの大きさはパッド２０ａの大きさより小さい。第１露光マスク９を介して、第１ソルダーレジスト組成物７ａは露光される。第１ソルダーレジスト組成物７ａを硬化することで、第１ソルダーレジスト組成物７ａから下側のソルダーレジスト層７０が形成される。但し、下側の開口部３ｂを形成するため、ＮＳＭＤタイプのパッド２ａを囲む第１ソルダーレジスト組成物７ａは硬化されない。パッド２ａの周りに未硬化な第１ソルダーレジスト組成物７ａが形成される。プリント配線板１１がＳＭＤタイプ２０ａのパッドを有する場合、ＳＭＤタイプのパッド上の第１ソルダーレジスト組成物７ａも硬化されない。第１ソルダーレジスト組成物７ａの厚みがパッド２ａ、２０ａの厚みより厚いとき、パッド２ａ、２０ａ上の第１ソルダーレジスト組成物７ａは硬化されない。もしくは、パッド２０ａを形成する導体回路の外周上に形成されている第１ソルダーレジスト組成物７ａは硬化されてもよい。
後の工程で第１ソルダーレジスト組成物７ａを除去することにより、下側の開口部３ｂを有する下側のソルダーレジスト層７０が形成される。
ＰＥＴフィルム８が除去される。
【００２７】
図２（Ｅ）に示されるように、下側のソルダーレジスト層７０と第１ソルダーレジスト組成物７ａと導体層２上に上側のソルダーレジスト層７００を形成するための第２ソルダーレジスト組成物７ｂが形成される。ソルダーレジスト組成物７ａ、７ｂは塗布で形成される。あるいは、ソルダー組成物７ａ、７ｂからなるフィルムを積層することでソルダーレジスト組成物７ａ、ｂは形成される。ソルダーレジスト組成物７ａ、７ｂは、光照射で硬化する。ネガタイプの組成物７ａ、７ｂが好ましい。第２ソルダーレジスト組成物７ｂの材料は第１ソルダーレジスト組成物７ａの材料と異なってもよい。第２ソルダーレジスト組成物７ｂの材料と第１ソルダーレジスト組成物７ａの材料は同じであることが好ましい。第１実施形態の製造方法では、第２ソルダーレジスト組成物７ｂの材料と第１ソルダーレジスト組成物７ａの材料は同じである。
【００２８】
図２（Ｆ）に示されるように、第２ソルダーレジスト組成物７ｂが乾燥される。概ね、タックフリーの状態が得られる。
図２（Ｇ）に示されるように、第２ソルダーレジスト組成物７ｂ上にＰＥＴフィルム８が積層される。この時、第２ソルダーレジスト組成物７ｂの表面が平坦化される。
【００２９】
図２（Ｈ）に示されるように、遮光部９ｂを有する第２露光マスク９０が第２ソルダーレジスト組成物７ｂ上に置かれる。遮光部９ｂはパッド２ａ、２０ａ上に位置している。ＮＳＭＤタイプのパッド２ａを形成するための遮光部９ｂは第１ソルダーレジスト組成物７ａを覆っている。さらに、ＮＳＭＤタイプのパッド２ａを形成するための遮光部９ｂは第１ソルダーレジスト組成物７ａを囲む下側のソルダーレジスト層７０上に位置している。ＮＳＭＤタイプのパッド２ａを形成するための遮光部（第２露光マスク９０に形成されている遮光部）９ｂの大きさはＮＳＭＤタイプのパッド２ａを形成するための遮光部（第１露光マスク９０に形成されている遮光部）９ａの大きさより大きい。ＮＳＭＤタイプのパッド２ａを形成するための遮光部９ｂの径９ｂＷとＮＳＭＤタイプのパッド２ａを形成するための遮光部９ａの径９ａＷとの比（径９ｂＷ／径９ａＷ）は、１．１から１．５である。適切な形状と適切な大きさを有する開口３ａが形成される。径９ａＷは図２（Ｄ）に示され、径９ｂＷは図２（Ｈ）に示されている。
【００３０】
第２露光マスク介して第２ソルダーレジスト組成物７ｂが露光される。第２ソルダーレジスト組成物７ｂから上側のソルダーレジスト層７００が形成される。但し、上側の開口部３ｃを形成するため、ＮＳＭＤタイプのパッド２ａ上とパッド２ａを囲む第１ソルダーレジスト組成物（下側の開口部３ｂ内の第１ソルダーレジスト組成物）７ａ上と第１ソルダーレジスト組成物（下側の開口部３ｂ内の第１ソルダーレジスト組成物）７ａを囲む下側のソルダーレジスト層７０上の第２ソルダーレジスト組成物７ｂは硬化しない。また、下側の開口部３ｂを形成するため、ＮＳＭＤタイプのパッド２ａの周りの第１ソルダーレジスト組成物７ａは硬化しない。第１ソルダーレジスト組成物７ａの厚みがパッド２ａの厚みより厚く、パッド２ａ上に第１ソルダーレジスト組成物７ａが存在する場合、パッド２ａ上の第１ソルダーレジスト組成物７ａは硬化されない。
【００３１】
未硬化な第２ソルダーレジスト組成物７ｂは、ＮＳＭＤタイプのパッド上と未硬化な第１ソルダーレジスト組成物７ａ上と未硬化な第１ソルダーレジスト組成物７ａを囲む第１ソルダーレジスト層７０上に形成される。
プリント配線板１１がＳＭＤタイプのパッド２０ａを有する場合、パッド２０ａを形成する導体回路の外周領域上の第２ソルダーレジスト組成物７ｂも硬化する。パッド２０ａを形成する導体回路の中央領域上の第２ソルダーレジスト組成物７ｂは硬化しない。
【００３２】
図２（Ｉ）に示されるように、ＰＥＴフィルム８が除去される。現像により、未硬化な第１ソルダーレジスト組成物７ａと未硬化な第２ソルダーレジスト組成物７ｂが除去される。樹脂絶縁層１の第１面Ｆ上に下側の開口部３ｂと段部３ｄを有する下側のソレダーレジスト層７０が形成される。下側の開口部３ｂと段部３ｄを露出する上側の開口部３ｃを有する上側のソレダーレジスト層７００が下側のソレダーレジスト層７０上に形成される。上側の開口部３ｃと下側の開口部３ｂとからなる開口３ａによりＮＳＭＤタイプのパッド２ａが露出される。下側のソルダーレジスト層７０と上側のソルダーレジスト層７００とからなるソルダーレジスト層３が形成される。ソルダーレジスト層３はＳＭＤタイプのパッド２０ａを露出する開口３０ａを有する。第１実施形態では、一度の現像で開口３ａ、３０ａを有するソルダーレジスト層３が形成される。
【００３３】
第１ソルダーレジスト組成物７ａの厚みがパッド２０ａを形成する導体回路の厚みと等しい、もしくは、第１ソルダーレジスト組成物７ａの厚みがパッド２０ａを形成する導体回路の厚みより薄いとき、ＳＭＤタイプのパッド２０ａを露出する開口３０ａは上側のソルダーレジスト層７００のみに形成される。図２（Ｉ）に示されるように、パッド２０ａは上側のソルダーレジスト層７００を貫通する開口部３０ｃにより露出される。
【００３４】
第１ソルダーレジスト組成物７ａの厚みがパッド２ａ、２０ａの厚みより厚い場合、パッド２０ａを形成する導体回路の外周領域上の第１ソルダーレジスト組成物７ａは硬化される。パッド２０ａを形成する導体回路の中央領域上の第１ソルダーレジスト組成物７ａは硬化されない。これにより、パッド２０ａを露出する下側のソルダーレジスト層７０がパッド２０ａを形成する導体回路の外周領域上に形成され、パッド２０ａ上に未硬化な第１ソルダーレジスト組成物７ａが形成される。そして、第２ソルダーレジスト組成物７ｂが形成される時、パッド２０ａを形成する導体回路上の下側のソルダーレジスト層７０と未硬化な第１ソルダーレジスト組成物７ａ上に第２ソルダーレジスト組成物７ｂが形成される。
【００３５】
その後、第２露光マスク９０のＳＭＤタイプのパッド２０ａを形成するための遮光部９ｂを介してパッド２０ａを形成する導体回路の外周領域上の第２ソルダーレジスト組成物７ｂが硬化される。パッド２０ａを形成するための第２露光マスク９０の遮光部９ｂの大きさは、パッド２０ａを形成するための第１露光マスク９の遮光部９aの大きさより小さい。そのため、図２（Ｊ）に示されるように、パッド２０ａを形成する導体回路の外周領域上の上側のソルダーレジスト層７００は、パッド２０ａを形成する導体回路の外周領域上の第１ソルダーレジスト層７０と第１ソルダーレジスト層７０から露出するパッド２０ａを形成する導体回路の外周領域上に形成される。図２（Ｊ）では、ＳＭＤタイプのパッド２０ａを露出する開口３０ａは上側のソルダーレジスト層７００を貫通している。図２（Ｊ）では、開口３０ａは上側のソルダーレジスト層７００を貫通する開口部３０ｃで形成されている。
【００３６】
上の段落の説明で用いられているパッド２０ａを形成するための第２露光マスク９０の遮光部９ｂの大きさが変えられる。パッド２０ａを形成するための第２露光マスク９０の遮光部９ｂの大きさは、パッド２０ａを形成するための第１露光マスク９の遮光部９aの大きさより大きい。得られる開口３０ａの断面図が図２（Ｋ）に示されている。図２（Ｋ）の例では、パッド２０ａを露出する開口３０ａは、パッド２ａを露出する開口３ａと同様に、下側のソルダーレジスト層７０を貫通する開口部３０ｂと上側のソルダーレジスト層７００を貫通する開口部３０ｃとからなる。また、開口部３０ｃと開口部３０ｂとの間に段部３０ｄが存在する。
【００３７】
図３（Ａ）〜図３（Ｇ）は、実施形態のプリント配線板１１を製造するための第２実施形態の製造方法を示す断面図である。
第１実施形態の図２（Ａ）と図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）に示される工程が行われる。図３（Ａ）は図２（Ｄ）に示される工程後の途中のプリント配線板１１０を示している。図２（Ｄ）の途中のプリント配線板１１０は第２実施形態の製造方法に関わる途中基板である。第１実施形態と同様な下側のソルダーレジスト層７０が形成される。
【００３８】
次いで、ＰＥＴフィルム８が除去される。現像が行われる。図３（Ｂ）に示されるように、途中のプリント配線板１１０から第１ソルダーレジスト組成物７ａが除去される。第１ソルダーレジスト組成物７aの厚みが薄いので、未硬化な第１ソルダーレジスト組成物７ａを容易に除去することができる。パッド２ａ、２０ａを露出する下側のソルダーレジスト層７０が形成される。下側のソルダーレジスト層７０はパッド２ａを露出する下側の開口部３ｂを有している。下側のソルダーレジスト層７０はパッド２０ａを形成している導体回路の側壁と接している。
【００３９】
図３（Ｃ）に示されるように、第２ソルダーレジスト組成物７ｂが下側の開口部３ｂ内と下側のソレダーレジスト層７０とパッド２ａ、２０ａ上に形成される。
図３（Ｄ）に示されるように、第２ソルダーレジスト組成物７ｂが乾燥される。概ね、タックフリーの状態が得られる。
図３（Ｅ）に示されるように、第２ソルダーレジスト組成物７ｂ上にＰＥＴフィルム８が積層される。この時、第２ソルダーレジスト組成物７ｂの表面が平坦化される。
【００４０】
図３（Ｆ）に示されるように、第２ソルダーレジスト組成物７ｂが露光される。第２実施形態の製造方法の露光方法と第１実施形態の製造方法の露光方法は同様である。図２（Ｈ）に示される方法と同様な方法で第２ソルダーレジスト組成物７ｂが露光される。
【００４１】
図３（Ｇ）に示されるように、ＰＥＴフィルム８が除去される。現像により未硬化な第２ソルダーレジスト組成物７ｂが除去される。下側の開口部３ｂ内の第２ソルダーレジスト組成物７ｂが除去される。上側の開口部３ｃが形成されるように、下側の開口部３ｂ上と下側の開口部３ｂの周りの下側のソルダーレジスト層７０上の第２ソルダーレジスト組成物７ｂが除去される。下側の開口部３ｂと段部３ｄを有する下側のソレダーレジスト層７０が形成される。下側の開口部３ｂと段部３ｄを露出する上側の開口部３ｃを有する上側のソレダーレジスト層７００が形成される。下側のソルダーレジスト層７０と上側のソルダーレジスト層７００とからなるソルダーレジスト層３が形成される。第１実施形態の製造方法では、第１ソルダーレジスト組成物７aは、第１ソルダーレジスト組成物７aの乾燥処理と第２ソルダーレジスト組成物７ｂの乾燥処理を受ける。それに対し、第２実施形態の製造方法では、第２ソルダーレジスト組成物７ｂが乾燥される時、第１ソルダーレジスト組成物７aは乾燥処理を受けない。そのため、第２実施形態の製造方法によれば、未硬化な第１ソルダーレジスト組成物７aを容易に除去することができる。
【００４２】
図１（Ａ）や図１（Ｂ）に示される実施形態のプリント配線板１１の開口３ａに半田バンプ４を形成することができる。
【００４３】
ソルダーレジスト層が光硬化タイプであると、樹脂絶縁層の第１面Ｆに近いソルダーレジスト層の硬化度は低くなりやすい。硬化度が低いと、絶縁信頼性が低い。しかしながら、第１と第２実施形態の製造方法によれば、薄い厚みを有する第１ソルダーレジスト組成物７aを露光することで下側のソルダーレジスト層７０が形成される。さらに、下側のソルダーレジスト層７０は、上側のソルダーレジスト層７００が形成される時、露光される。また、下側のソルダーレジスト層７０は第２ソルダーレジスト組成物７ｂの熱処理も受ける。そのため、第１と第２実施形態の製造方法によれば、高い硬化度を有する下側のソルダーレジスト層７０が形成される。パッド２a、２０ａと配線２ｂ間やパッド２a、２０ａとパッド２a、２０ａ間に下側のソルダーレジスト層７０が存在する。下側のソルダーレジスト層７０の硬化度が高いので、高い絶縁信頼性を有するプリント配線板が提供される。
【００４４】
第１と第２の実施形態の製造方法を改良することで得られるＳＭＤタイプのパッド２０ａが図３（Ｈ）に示される。図３（Ｈ）の例では、下側のソルダーレジスト層７０の開口部３０ｂはパッド２０ａを形成する導体回路を完全に露出している。パッド２０ａを形成する導体回路と下側のソルダーレジスト層７０との間にスペースが存在している。そして、上側のソルダーレジスト層７００は、パッド２０ａを形成する導体回路と下側のソルダーレジスト層７０との間のスペースを埋めている。さらに、上側のソルダーレジスト層７００はパッド２０ａを形成している導体回路の外周領域を覆っている。上側のソルダーレジスト層７００の開口部３０ｃによりパッド２０ａは露出される。
【００４５】
図１（Ｂ）に示されるＮＳＭＤタイプのパッド２ａのみを有するプリント配線板１１は第１と第２実施形態の製造方法で製造される。
【００４６】
ソルダーレジスト層３を紫外線で露光することや加熱することで、さらにソルダーレジスト層の硬化度を高くすることができる。これによりプリント配線板の剛性や絶縁信頼性が高くなる。
下側および上側のソルダーレジスト層７０、７００はポジタイプでもネガタイプでもよい。タイプに応じて露光マスクが選定される。
【符号の説明】
【００４７】
１  樹脂絶縁層
２  導体層
２０  第２導体層
２ａ  ＮＳＭＤタイプのパッド
２０ａ  ＳＭＤタイプのパッド
２ｂ  配線
３  ソルダーレジスト層
３ａ  開口
３ｂ  下側の開口部
３ｃ  上側の開口部
３ｄ  段部
３０ｂ  開口部
３０ｃ  開口部
４  半田バンプ
５  半田ボール
８  ＰＥＴフィルム
９  第１露光マスク
９０  第２露光マスク
９ａ、９ｂ  遮光部
１１  プリント配線板
６０  ビア導体
７０  下側のソルダーレジスト層
７００  上側のソルダーレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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