(57)【要約】【課題】端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を有効に低減できる端子を提供する。【解決手段】インデント部４が突設され、母材３ａの外面に第１メッキ層５が形成された箱部２と、母材１１ａの外面に第２メッキ層１２が形成されたタブ部１１とを有し、端子挿入完了位置では、箱部２のインデント部４がタブ部１１の接触面に接触荷重によって接触する接点接続構造であって、インデント部４の母材３ａには、タブ部１１側に突出する環状の凸壁７が設けられた。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インデント部が突設され、母材の外面に第１メッキ層が形成された第１接点部と、母材の外面に第２メッキ層が形成された第２接点部とを有し、端子挿入完了位置では、前記第１接点部の前記インデント部が前記第２接点部の接触面に接触荷重によって接触する接点接続構造であって、
前記インデント部の前記母材には、前記第２接点部側に突出する環状の凸壁が設けられたことを特徴とする接点接続構造。
【請求項２】
請求項１記載の接点接続構造であって、
前記凸壁は、前記第２接点部との接触領域の外周に沿って配置されていることを特徴とする接点接続構造。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の接点接続構造であって、
前記第１メッキ層及び前記第２メッキ層は、錫材よりそれぞれ形成されていることを特徴とする接点接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１端子と第２端子間の電気的接続を行う接点接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４及び図５には、従来の接点接続構造を適用したメス端子とオス端子が示されている（類似技術として特許文献１、２参照）。図４及び図５に示すように、メス端子５１は、四角形状の箱部５２と、この箱部５２に一体に設けられ、箱部５２内に配置された弾性撓み部５３とを有する。弾性撓み部５３には、底面側に向かって突出するインデント部（凸部）５４が設けられている。インデント部５４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。
【０００３】
又、メス端子５１には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。
【０００４】
オス端子６０は、平板状のタブ部６１を有する。オス端子６０には、高温環境下での接続信頼性の向上、腐食環境下での耐食性の向上等の観点から錫メッキが施されている。
【０００５】
上記構成において、図４の位置にあって、オス端子６０のタブ部６１をメス端子５１の箱部５２に挿入すると、弾性撓み部５３が撓み変形してタブ部６１の挿入が許容される。タブ部６１の挿入過程では、タブ部６１が弾性撓み部５３のインデント部５４上を摺動し、端子挿入完了位置では、図５に示すように、弾性撓み部５３のインデント部５４とタブ部６１の面が接触する。
【０００６】
この従来例では、弾性撓み部５３の撓み復帰力を接触荷重として、メス端子５１のインデント部５４とオス端子６０のタブ部６１の接触面とが電気的に接触する。そして、この接触面を電流が流れることによってメス端子５１とオス端子６０間が通電する。
【０００７】
ところで、弾性撓み部５２とタブ部６１等の外面には、全域に亘って錫メッキ処理されている。錫メッキし、その後にリフロー処理を行うと、図６に示すような構造となる。図６において、銅合金材の母材５２ａ，６１ａの外面側に銅／錫合金層５２ｂ，６１ｂ、錫層５２ｃ，６１ｃが形成されると共に錫層５２ｃ，６１ｃの外面に酸化膜５２ｄ，６１ｄが形成される。酸化膜５２ｄ，６１ｄは、錫や銅に較べて電気比抵抗が非常に高い。そのため、接触抵抗の低減を図るために、酸化膜５２ｄ，６１ｄを破壊して錫層５２ｃ，６１ｃ同士の接触面（オーミック点）を多く作る必要がある。ここで、酸化膜５２ｄ，６１ｄの破壊を促進させるため、接触荷重を大きくすることが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−２８２８０２号公報
【特許文献２】特開２００７−２８０８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、接触荷重を大きくするためには、メス端子５１およびオス端子６０の大型化、複雑化を招来する。
【００１０】
また、前記従来の構成では、図７に示すように、接触荷重を受けたインデント部５４の錫層５２ｄの錫が接点箇所の接触領域から外側に逃げるように変形するため、単に接触荷重を大きくしても大きな接触圧力が得られない。つまり、従来の構成では、端子５１，６０を大型化したり、複雑化したりして接触荷重を大きくしても、錫層５２ｃ，６１ｃ同士の接触面（オーミック点）をあまり多くすることができず、接触抵抗を有効に低減できない。
【００１１】
そこで、本発明は、前記した課題を解決すべくなされたものであり、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を有効に低減できる接点接続構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、インデント部が突設され、母材の外面に第１メッキ層が形成された第１接点部と、母材の外面に第２メッキ層が形成された第２接点部とを有し、端子挿入完了位置では、前記第１接点部の前記インデント部が前記第２接点部の接触面に接触荷重によって接触する接点接続構造であって、前記インデント部の前記母材には、前記第２接点部側に突出する環状の凸壁が設けられたことを特徴とする接点接続構造である。
【００１３】
前記凸壁は、前記第２接点部との接触領域の外周に沿って配置されるものを含む。前記第１メッキ層及び前記第２メッキ層は、錫材よりそれぞれ形成されるものを含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、端子挿入完了位置では、インデント部のメッキ層のメッキ材が接触領域から外側に逃げる変形を環状の凸壁が阻止されるため、従来に比べて大きな接触圧力が作用し、メッキ層の表面に生成される酸化膜の破壊が促進される。以上より、端子を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を有効に低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態を示し、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態を示し、（ａ）は端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図、（ｂ）はメス端子のインデント部とオス端子のタブ部の接触箇所の要部拡大断面図である。
【図３】本発明の一実施形態を示し、（ａ）はインデント部を下方から見た図、（ｂ）は弾性撓み部の第１メッキ層の構成図、（ｃ）はタブ部の第２メッキ層の構成図である。
【図４】従来例を示し、端子接続前のメス端子とオス端子の断面図である。
【図５】従来例を示し、端子接続状態のメス端子とオス端子の断面図である。
【図６】従来例を示し、弾性撓み部やタブ部のメッキ層の構成図である。
【図７】従来例を示し、メス端子のインデント部とオス端子のタブ部の接触箇所の要部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１〜図３は本発明の一実施形態を示す。図１及び図２（ａ）に示すように、メス端子１は、メス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。メス端子１は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。メス端子１は、第１接点部である箱部２を有する。箱部２は、前方が開口された方形状である。箱部２内には、箱部２の上面部より折り曲げられた弾性撓み部３が配置されている。弾性撓み部３と箱部２の底面部２ａは、間隔を置いて配置されている。弾性撓み部３と箱部２の底面部２ａの間に、オス端子１０が挿入される。
【００１８】
弾性撓み部３には、底面側に向かって突出するインデント部（凸部）４が設けられている。インデント部４は、その外周面がほぼ球面形状であり、中心の頂点が最下方に位置している。インデント部４は、弾性撓み部３の撓み変形によって上方に変移できる。インデント部４の母材３ａには、タブ部１１側に突出する環状の凸壁７が設けられている。凸壁７は、図３（ａ）に示すように、円環状である。凸壁７は、図２（ｂ）、図３（ｂ）に示すように、タブ部１１との接触領域の外周に沿って配置されている。この実施形態では、詳細には、タブ部１１との接触領域の外周縁Ｓのわずかに内側位置に配置されている。
【００１９】
又、メス端子１の外面には、導電性金属の第１メッキ層５が形成されている。この第１メッキ層５については、下記に詳述する。
【００２０】
オス端子１０は、オス側コネクタハウジング（図示せず）内の端子収容室に配置されている。オス端子１０は、所定形状に打ち抜かれた導電性金属（例えば銅合金）を折り曲げ加工して形成されている。オス端子１０は、第２接点部であるタブ部１１を有する。タブ部１１は、フラットな板形状である。又、オス端子１０の外面には、導電性金属の第２メッキ層１２が形成されている。
【００２１】
次に、弾性撓み部３の第１メッキ層５とタブ部１１の第２メッキ層１２について説明する。図３（ｂ）、（ｃ）に詳しく示すように、第１及び第２メッキ層５，１２は、銅合金材の母材３ａ，１１ａ上に形成されている。この実施形態では、第１及び第２メッキ層５，１２の金属材は、共に錫（Ｓｎ）である。
【００２２】
銅合金材の母材３ａ，１１ａの上にメッキ処理し、その後にリフロー処理を行うと、図３（ｂ）、（ｃ）に示す構造となる。つまり、第１及び第２メッキ層５，１２は、銅／錫合金層５ａ，１２ａと錫層５ｂ，１２ｂとなる。そして、錫層５ｂ，１２ｂの表面側に錫酸化膜６，１３が生成される。
【００２３】
上記構成において、図１の離間位置にあって、メス側コネクタハウジング（図示せず）とオス側コネクタハウジング（図示せず）間をかん合すると、そのかん合過程ではオス端子１０のタブ部１１がメス端子１の箱部２に挿入される。すると、先ずタブ部１１の先端が弾性撓み部３に当接し、この当接箇所より更に挿入が進むと、弾性撓み部３が撓み変形してタブ部１１の挿入が許容される。タブ部１１の挿入過程では、インデント部４がタブ部１１の接触面を摺動し、端子挿入完了位置に達する（図２（ａ）、（ｂ）参照）。
【００２４】
この接点接続構造では、インデント部４が突設され、母材３ａの外面に、酸化する金属材の第１メッキ層５が外面に形成された箱部２と、母材１１ａの外面に、酸化する金属材の第２メッキ層１２が外面に形成されたタブ部１１とを有し、端子挿入完了位置では、インデント部４がタブ部１１の接触面に接触する接点接続構造であって、インデント部４の母材３ａには、タブ部１１側に突出する環状の凸壁７が設けられている。従って、端子挿入完了位置では、インデント部４が接触荷重を受け、インデント部４の第１メッキ層５の錫（メッキ材）が接触領域から外側に逃げる方向に変形しようとするが、その錫の変形が環状の凸壁７によって阻止される。これにより、従来に比較して大きな接触圧力が作用し、第１メッキ層５の表面に生成される錫酸化膜６，１３の破壊が促進される。錫酸化膜６，１３の破壊（ひび割れ）箇所より内部の錫が接触荷重等によって表面側に押し出される。このように錫の表面側に押し出される箇所が増加するため、錫層５ｂ，１２ｂ同士の接触点（オーミック点）が増加する。以上より、メス端子１及びオス端子１０を大型化したり、極力複雑化したりすることなく、接触抵抗を有効に低減できる。
【００２５】
凸壁７は、タブ部１１との接触領域の外周に沿って配置されている。従って、タブ部１１との接触領域内からインデント部４の錫（メッキ材）が外側に逃げるのを確実に防止できる。
【００２６】
第１メッキ層５と第２メッキ層１２に使用する金属材は、それぞれ錫材である。錫材は、柔らかいので、接触荷重によってインデント部４の第１メッキ層５の錫（メッキ材）が接触領域から外側に容易に逃げる変形が可能であるが、このような変形を環状の凸壁７によって有効に阻止できる。つまり、本発明は、第１メッキ層５のメッキ材が錫等の柔らかい（硬度が低い）ものである場合に、特に有効である。
【００２７】
この実施形態では、第１メッキ層５及び第２メッキ層１２は、錫材であるが、それ以外の酸化する導電性金属（例えばアルミニウム（ＡＬ））でも良い。
【００２８】
この実施形態では、銅合金材の母材３ａ，１１ａ上に錫材をメッキしたが、ニッケル材をメッキし、そのうえに錫材をメッキしても良い。このようにニッケル材を介在させれば、錫層５ｂ、１２ｂ内に銅材が拡散して合金化しないため、硬度が低い錫層５ｂ、１２ｂの厚みが合金化によって薄くなるという事態を防止できる。
【００２９】
この実施形態では、第１メッキ層５と第２メッキ層１２の双方が、酸化する金属材である錫材より形成されているが、インデント部４側の第１メッキ層５のみが酸化する金属材より形成され、他方が酸化しない金属材より形成しても同様の効果が得られる。
【００３０】
この実施形態では、インデント部４は、メス端子１側に設けたが、オス端子１０側に設けても良い。
【符号の説明】
【００３１】
１  メス端子（第１端子）
２  箱部（第１接点部）
３ａ、１１ａ  母材
４  インデント部
５  第１メッキ層
７  凸壁
１０  オス端子（第２端子）
１１  タブ部（第２接点部）
１２  第２メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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