(57)【要約】      （修正有）【課題】主回路基板とスペーストランスフォーマとの間の電気的接続要素に印加される圧力に起因する電気的接続要素の不具合が発生しない検査アセンブリを提供する。【解決手段】半導体素子２０を検査する検査アセンブリ２００は、主回路基板２１０と、スペーストランスフォーマ２２０と、中間支持要素２３０と、接着要素２４０と、複数の電気的接続要素２５０と、複数の検査プローブ２６０とを含む。スペーストランスフォーマは、主回路基板に配置され、第１の表面２２２および第１の表面の反対側の第２の表面２２４を有する。スペーストランスフォーマは、接着要素を介して中間支持要素に取り付けられる。電気的接続要素のそれぞれは、スペーストランスフォーマが電気的接続要素を介して主回路基板に電気的に接続されるように中間支持要素および接着要素を貫通する。検査プローブは、第２の表面に配置され、スペーストランスフォーマに電気的に接続される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を検査するのに適した検査アセンブリであって、
主回路基板と、
第１の表面および前記第１の表面の反対側の第２の表面を有し、前記主回路基板に配置されるスペーストランスフォーマであって、前記第１の表面が前記主回路基板を向くスペーストランスフォーマと、
前記主回路基板と前記第１の表面との間に配置される中間支持要素と、
前記中間支持要素と前記第１の表面との間に配置される接着要素であって、前記スペーストランスフォーマが前記接着要素を介して前記中間支持要素に取り付けられる接着要素と、
前記主回路基板と前記第１の表面との間に配置される複数の電気的接続要素であって、そのそれぞれが、前記スペーストランスフォーマが前記電気的接続要素を介して前記主回路基板に電気的に接続されるよう、前記中間支持要素および前記接着要素を貫通する複数の電気的接続要素と、
前記第２の表面に配置され、かつ前記スペーストランスフォーマに電気的に接続される複数の検査プローブと、を備える検査アセンブリ。
【請求項２】
前記接着要素が前記スペーストランスフォーマに取り付けられる接着強さが、前記電気的接続要素によって前記スペーストランスフォーマに印加される圧力よりも大きい、請求項１に記載の検査アセンブリ。
【請求項３】
前記接着要素が前記中間支持要素に取り付けられる接着強さが、前記電気的接続要素によって前記スペーストランスフォーマに印加される圧力よりも大きい、請求項１に記載の検査アセンブリ。
【請求項４】
前記電気的接続要素のそれぞれが、ポゴピンである、請求項１に記載の検査アセンブリ。
【請求項５】
前記主回路基板に配置される保持要素をさらに備え、
前記保持要素が前記中間支持要素を押圧して、前記中間支持要素と前記主回路基板との位置関係を維持する、請求項１に記載の検査アセンブリ。
【請求項６】
前記主回路基板に配置される保持要素をさらに備え、
前記保持要素が前記スペーストランスフォーマを押圧して、前記スペーストランスフォーマと、前記中間支持要素と、前記主回路基板との位置関係を維持する、請求項１に記載の検査アセンブリ。
【請求項７】
前記接着要素が、ホットメルト接着剤である、請求項１に記載の検査アセンブリ。
【請求項８】
前記中間支持要素および前記中間支持要素に取り付けられる前記スペーストランスフォーマから構成される組立機構が、前記主回路基板に着脱可能に配置され、
前記電気的接続要素が、前記中間支持要素に着脱可能に配置される、請求項１に記載の検査アセンブリ。
【請求項９】
検査アセンブリを製造する方法であって、
スペーストランスフォーマの第１の表面に接着要素を配置することと、
前記接着要素に複数の貫通孔を形成することと、
前記接着要素を介して前記スペーストランスフォーマの前記第１の表面に中間支持要素を取り付けることと、
電気的接続要素のそれぞれが前記中間支持要素および前記接着要素を貫通するよう、複数の電気的接続要素のそれぞれを前記中間支持要素の複数の貫通孔の１つおよび前記接着要素の前記貫通孔の１つに配置することと、
前記第１の表面が主回路基板を向き、前記スペーストランスフォーマが前記電気的接続要素を介して前記主回路基板に電気的に接続されるよう、組み立てられた前記スペーストランスフォーマ、前記中間支持要素、および前記電気的接続要素を前記主回路基板に配置することと、
検査プローブが前記スペーストランスフォーマに電気的に接続されるよう、前記第１の表面とは反対側の、前記スペーストランスフォーマの第２の表面に前記検査プローブを配置することと、を含む方法。
【請求項１０】
前記接着要素を介して前記スペーストランスフォーマの前記第１の表面に前記中間支持要素を取り付けるステップが、前記接着要素を加熱して前記中間支持要素と前記スペーストランスフォーマの前記第１の表面とのホットメルト接着を実行することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記接着要素に前記貫通孔を形成するステップが、レーザ穿孔工程を用いて実行される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
検査アセンブリを製造する方法であって、
中間支持要素に接着要素を配置するステップと、
前記接着要素に複数の貫通孔を形成するステップと、
前記接着要素を介して前記中間支持要素にスペーストランスフォーマの第１の表面を取り付けるステップと、
電気的接続要素のそれぞれが前記中間支持要素および前記接着要素を貫通するよう、複数の電気的接続要素のそれぞれを前記中間支持要素の複数の貫通孔の１つおよび前記接着要素の前記貫通孔の１つに配置することと、
前記第１の表面が主回路基板を向き、前記スペーストランスフォーマが前記電気的接続要素を介して前記主回路基板に電気的に接続されるよう、組み立てられた前記スペーストランスフォーマ、前記中間支持要素、および前記電気的接続要素を前記主回路基板に配置することと、
検査プローブが前記スペーストランスフォーマに電気的に接続されるよう、前記第１の表面とは反対側の、前記スペーストランスフォーマの第２の表面に前記検査プローブを配置することと、を含む方法。
【請求項１３】
前記接着要素を介して前記スペーストランスフォーマの前記第１の表面に前記中間支持要素を取り付けるステップが、前記接着要素を加熱して前記中間支持要素と前記スペーストランスフォーマの前記第１の表面とのホットメルト接着を実行することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記接着要素に前記貫通孔を形成するステップが、レーザ穿孔工程を用いて実行される、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、参照によりここに組み込まれ、譲受人に譲渡された２０１５年２月２６日に出願された台湾特許出願第１０４１０６１８２号に基づくとともに、その優先権の利益を主張するものである。
【０００２】
本発明は、検査アセンブリおよび検査アセンブリを製造する方法に関し、具体的には、半導体素子を検査するための検査アセンブリおよび検査アセンブリを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
図１は、従来の検査アセンブリの概略図である。図１を参照すると、従来の検査アセンブリ１００は、ウェハーなどの半導体素子１０を検査するのに適している。検査アセンブリ１００は、主回路基板１１０と、スペーストランスフォーマ１２０と、複数の半田ボール１３０と、複数の検査プローブ１４０と、アンダーフィル１５０とを備える。スペーストランスフォーマ１２０は、主回路基板１１０に配置されている。半田ボール１３０は、主回路基板１１０とスペーストランスフォーマ１２０との間に配置されている。スペーストランスフォーマ１２０は、半田ボール１３０を介して主回路基板１１０に電気的に接続されている。検査プローブ１４０は、スペーストランスフォーマ１２０の、半田ボール１３０があるのとは反対側の面に配置されており、スペーストランスフォーマ１２０に電気的に接続されている。
【０００４】
アンダーフィル１５０は、半田ボール１３０を囲むように主回路基板１１０とスペーストランスフォーマ１２０との間に充填されている。アンダーフィル１５０は、半田ボール１３０の接点における疲労をもたらす熱応力を低減し、主回路基板１１０およびスペーストランスフォーマ１２０が半田ボール１３０に半田付けされている位置の信頼性を向上させる。
【０００５】
検査アセンブリ１００を用いて半導体素子１０に対して行われる検査中に、ステージ（図示せず）上に配置された半導体素子１０は、特定の圧力下で上方に押されて検査プローブ１４０に当てられる。このとき、アンダーフィル１５０および半田ボール１３０もまた、前述の圧力の影響を受ける。しかしながら、長期間にわたって頻繁に押して当てた場合、アンダーフィル１５０は、半田ボール１３０を完全に保護することができなくなり、これにより、主回路基板１１０とスペーストランスフォーマ１２０との良好な電気的接続が維持されなくなる。結果として、従来の検査アセンブリ１００の半田ボール１３０の一部は、長期間のまたは頻繁な使用の後に割れたり、さらには砕けたりして、主回路基板１１０とスペーストランスフォーマ１２０との電気的接続が悪影響を受ける可能性がある。
【０００６】
さらに、前述の、電気的接続の劣化の場合に、半田ボール１３０を取り外して置き直したい使用者は、アンダーフィル１５０の存在に起因する接着が原因で、妨げられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、検査アセンブリであって、検査工程中に、電気的接続要素に印加される圧力に起因する、主回路基板とスペーストランスフォーマとの間の電気的接続要素の不具合が容易には発生しない検査アセンブリを提供する。
【０００８】
本発明は、アンダーフィルの前述の接着がないことから主回路基板とスペーストランスフォーマとの間の電気的接続要素を容易に取り外して置き直すことができる検査アセンブリを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、半導体素子を検査するのに適した検査アセンブリを提供する。検査アセンブリは、主回路基板と、スペーストランスフォーマと、中間支持要素と、接着要素と、複数の電気的接続要素と、複数の検査プローブとを備える。スペーストランスフォーマは、主回路基板に配置され、第１の表面および第１の表面の反対側の第２の表面を有する。第１の表面は、主回路基板を向く。中間支持要素は、主回路基板と第１の表面との間に配置される。接着要素は、中間支持要素と第１の表面との間に配置される。スペーストランスフォーマは、接着要素を介して中間支持要素に取り付けられる。電気的接続要素は、主回路基板と第１の表面との間に配置される。電気的接続要素のそれぞれは、スペーストランスフォーマが電気的接続要素を介して主回路基板に電気的に接続されるよう、中間支持要素および接着要素を貫通する。検査プローブは、第２の表面に配置され、スペーストランスフォーマに電気的に接続される。
【００１０】
本発明の実施形態によれば、接着要素がスペーストランスフォーマに取り付けられる接着強さは、電気的接続要素によってスペーストランスフォーマに印加される圧力よりも大きい。
【００１１】
本発明の実施形態によれば、接着要素が中間支持要素に取り付けられる接着強さは、電気的接続要素によってスペーストランスフォーマに印加される圧力よりも大きい。
【００１２】
本発明の実施形態によれば、電気的接続要素のそれぞれは、ポゴピンである。
【００１３】
本発明の実施形態によれば、検査アセンブリは、主回路基板に配置される保持要素をさらに備える。保持要素は、中間支持要素を押圧して、中間支持要素と主回路基板との位置関係を維持する。
【００１４】
本発明の実施形態によれば、検査アセンブリは、主回路基板に配置される保持要素をさらに備える。保持要素は、スペーストランスフォーマを押圧して、スペーストランスフォーマと、中間支持要素と、主回路基板との位置関係を維持する。
【００１５】
本発明の実施形態によれば、接着要素は、ホットメルト接着剤である。
【００１６】
本発明の実施形態によれば、中間支持要素および中間支持要素に取り付けられるスペーストランスフォーマから構成される組立機構は、主回路基板に着脱可能に配置される。電気的接続要素は、中間支持要素に着脱可能に配置される。
【００１７】
また、本発明は、以下のステップを含む、検査アセンブリを製造する方法を提供する。最初に、スペーストランスフォーマの第１の表面に接着要素が配置される。次に、接着要素に複数の貫通孔が形成される。次に、接着要素を介してスペーストランスフォーマの第１の表面に中間支持要素が取り付けられる。次に、電気的接続要素のそれぞれが中間支持要素および接着要素を貫通するよう、複数の電気的接続要素のそれぞれが中間支持要素の複数の貫通孔の１つおよび接着要素の貫通孔の１つに配置される。次に、第１の表面が主回路基板を向き、スペーストランスフォーマが電気的接続要素を介して主回路基板に電気的に接続されるよう、組み立てられたスペーストランスフォーマ、中間支持要素、および電気的接続要素が主回路基板に配置される。次に、検査プローブがスペーストランスフォーマに電気的に接続されるよう、検査プローブが第１の表面とは反対側の、スペーストランスフォーマの第２の表面に配置される。
【００１８】
本発明は、以下のステップを含む、検査アセンブリを製造する別の方法をさらに提供する。最初に、中間支持要素に接着要素が配置される。次に、接着要素に複数の貫通孔が形成される。次に、接着要素を介して中間支持要素にスペーストランスフォーマの第１の表面が取り付けられる。次に、電気的接続要素のそれぞれが、中間支持要素および接着要素を貫通するよう、複数の電気的接続要素のそれぞれが中間支持要素の複数の貫通孔の１つおよび接着要素の貫通孔の１つに配置される。次に、第１の表面が主回路基板を向き、スペーストランスフォーマが電気的接続要素を介して主回路基板に電気的に接続されるよう、組み立てられたスペーストランスフォーマ、中間支持要素、および電気的接続要素が主回路基板に配置される。次に、検査プローブがスペーストランスフォーマに電気的に接続されるよう、検査プローブが第１の表面とは反対側の、スペーストランスフォーマの第２の表面に配置される。
【００１９】
本発明の実施形態によれば、接着要素を介してスペーストランスフォーマの第１の表面に中間支持要素を取り付けるステップは、接着要素を加熱して中間支持要素とスペーストランスフォーマの第１の表面とのホットメルト接着を実行することを含む。
【００２０】
本発明の実施形態によれば、接着要素に貫通孔を形成するステップは、レーザ穿孔工程を用いて実行される。
【００２１】
本発明の実施形態のそれぞれの検査アセンブリを用いて半導体素子に対して行われる検査中、中間支持要素および中間支持要素に取り付けられたスペーストランスフォーマから構成された組立機構は、上方に押されて検査プローブに当てられる半導体素子によって生じる圧力の一部に耐えることができる。したがって、従来技術に比べて、より長くまたは頻繁に使用された後でも、本発明の実施形態のそれぞれの検査アセンブリの電気的接続要素は損傷しにくく、このため、それでもなお、主回路基板とスペーストランスフォーマとの良好な電気的接続が維持され得る。
【００２２】
以下の説明、添付の特許請求の範囲、および本発明の実施形態は、本発明の特徴および利点をさらに示している。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】従来の検査アセンブリの概略図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る検査アセンブリの概略図である。
【図３Ａ】図２の検査アセンブリを製造する方法の概略図である。
【図３Ｂ】図２の検査アセンブリを製造する方法の概略図である。
【図３Ｃ】図２の検査アセンブリを製造する方法の概略図である。
【図３Ｄ】図２の検査アセンブリを製造する方法の概略図である。
【図３Ｅ】図２の検査アセンブリを製造する方法の概略図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る検査アセンブリの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
（第１の実施形態）
図２は、本発明の第１の実施形態に係る検査アセンブリの概略図である。図２を参照すると、第１の実施形態の検査アセンブリ２００は、ウェハーなどの半導体素子２０を検査するのに適している。検査アセンブリ２００は、主回路基板２１０と、スペーストランスフォーマ２２０と、中間支持要素２３０と、接着要素２４０と、複数の電気的接続要素２５０と、複数の検査プローブ２６０とを備える。スペーストランスフォーマ２２０は、主回路基板２１０に配置され、第１の表面２２２および第１の表面２２２の反対側の第２の表面２２４を有する。スペーストランスフォーマ２２０の第１の表面２２２は、主回路基板２１０を向いている。
【００２５】
中間支持要素２３０は、主回路基板２１０とスペーストランスフォーマ２２０の第１の表面２２２との間に配置されており、複数の貫通孔２３２を有する。ホットメルト接着剤などの接着要素２４０は、中間支持要素２３０とスペーストランスフォーマ２２０の第１の表面２２２との間に配置されており、複数の貫通孔２４２を有する。スペーストランスフォーマ２２０は、接着要素２４０を介して中間支持要素２３０に取り付けられている。
【００２６】
複数のポゴ（pogo）ピンなどの電気的接続要素２５０は、主回路基板２１０とスペーストランスフォーマ２２０の第１の表面２２２との間に配置されている。電気的接続要素２５０のそれぞれは、電気的接続要素２５０のそれぞれが、中間支持要素２３０および接着要素２４０を貫通するように中間支持要素２３０の貫通孔２３２の１つおよび接着要素２４０の貫通孔２４２の１つに配置されている。この実施形態において、中間支持要素２３０は、ポゴハウジングであってもよく、ポゴピンなどの電気的接続要素２５０は、中間支持要素２３０に着脱可能に配置される。
【００２７】
スペーストランスフォーマ２２０は、電気的接続要素２５０を介して主回路基板２１０に電気的に接続されている。詳細には、スペーストランスフォーマ２２０の第１の表面２２２に配置された電気パッド（図示せず）の１つが、電気的接続要素２５０の１つを介して主回路基板２１０の電気パッド（図示せず）の１つに電気的に接続されている。スペーストランスフォーマ２２０は、その中に配線を有し、したがって、別の回路基板と見なされてもよい。
【００２８】
この実施形態において、接着要素２４０がスペーストランスフォーマ２２０に取り付けられている接着強さは、電気的接続要素２５０（ポゴピンなど）によってスペーストランスフォーマ２２０に印加される圧力よりも大きい。この実施形態において、接着要素２４０が中間支持要素２３０に取り付けられている接着強さもまた、電気的接続要素２５０（ポゴピンなど）によってスペーストランスフォーマ２２０に印加される圧力よりも大きい。
【００２９】
第１の実施形態において、検査アセンブリ２００は、プローブヘッド２７０をさらに備える。プローブヘッド２７０および検査プローブ２６０は、スペーストランスフォーマ２２０の第２の表面２２４に配置されている。検査プローブ２６０は、スペーストランスフォーマ２２０に電気的に接続されるようにプローブヘッド２７０を貫通している。詳細には、検査プローブ２６０は、それぞれ、スペーストランスフォーマ２２０の第２の表面２２４に配置された電気パッド（図示せず）に電気的に接続されている。この実施形態において、検査プローブ２６０のそれぞれは、例えば、ポゴプローブによって例示されている垂直タイプのプローブである。しかしながら、別の実施形態において、検査プローブ２６０のそれぞれは、バックリングビームプローブ（ｂｕｃｋｌｉｎｇ  ｂｅａｍ  ｐｒｏｂｅ）（図示せず）である。垂直タイプのプローブに加えて、検査プローブ２６０のそれぞれは、任意のタイプのプローブであってもよいが、これは、どの図にも示されていない。さらに別の実施形態において、プローブヘッド２７０は不要である。
【００３０】
この実施形態において、検査アセンブリ２００は、主スティフナ２８０と、複数のファスナ２９０と、保持要素Ｈ１とをさらに備える。ファスナ２９０のそれぞれは、例えばボルトである。主スティフナ２８０は、ファスナ２９０によって主回路基板２１０に固定して配置されている。主スティフナ２８０は、主回路基板２１０の構造強度を補強する。主スティフナ２８０およびスペーストランスフォーマ２２０は、それぞれ、主回路基板２１０の２つの互いに反対向きの面に配置されている。
【００３１】
保持要素Ｈ１は、ファスナ２９０によって主回路基板２１０に配置されている。保持要素Ｈ１は、中間支持要素２３０と主回路基板２１０との位置関係を維持するために中間支持要素２３０を押圧している。この実施形態において、中間支持要素２３０および中間支持要素２３０に取り付けられたスペーストランスフォーマ２２０から構成された組立機構は着脱可能である。すなわち、組立機構は、主回路基板２１０に着脱可能に配置される。
【００３２】
以下では、この実施形態に係る検査アセンブリ２００を製造する方法が説明される。図３Ａ〜図３Ｅは、図２の検査アセンブリを製造する方法の概略図である。最初に、図３Ａを参照すると、接着要素２４０が、スペーストランスフォーマ２２０の第１の表面２２２上に配置される。次に、図３Ｂを参照すると、貫通孔２４２が、接着要素２４０に形成される。この実施形態において、接着要素２４０に貫通孔２４２を形成するステップは、レーザ穿孔工程を用いて実行される。次に、図３Ｃを参照すると、中間支持要素２３０が、接着要素２４０を介してスペーストランスフォーマ２２０の第１の表面２２２に取り付けられる。この実施形態において、接着要素２４０を介してスペーストランスフォーマ２２０の第１の表面２２２に中間支持要素２３０を取り付けるステップは、中間支持要素２３０とスペーストランスフォーマ２２０の第１の表面２２２とのホットメルト接着を実行するために接着要素２４０を加熱することを含む。しかしながら、別の実施形態において、前述の３つのステップは、以下の３つのステップ、すなわち、中間支持要素に接着要素を配置するステップ、接着要素に貫通孔を形成するステップ、および接着要素を介して中間支持要素にスペーストランスフォーマの第１の表面を取り付けるステップによって代替されてもよい。しかしながら、前述の３つの代替ステップは、どの図にも示されていない。
【００３３】
次に、図３Ｄを参照すると、電気的接続要素２５０のそれぞれが中間支持要素２３０および接着要素２４０を貫通するように、電気的接続要素２５０のそれぞれが中間支持要素２３０の貫通孔２３２の１つおよび接着要素２４０の貫通孔２４２の１つに配置される。次に、図３Ｅを参照すると、組み立てられたスペーストランスフォーマ２２０、中間支持要素２３０、および電気的接続要素２５０が、スペーストランスフォーマ２２０の第１の表面２２２が主回路基板２１０を向き、スペーストランスフォーマ２２０が電気的接続要素２５０を介して主回路基板２１０に電気的に接続されるように主回路基板２１０に配置される。次に、再び図３Ｅを参照すると、検査プローブ２６０がスペーストランスフォーマ２２０に電気的に接続されるように、検査プローブ２６０が第１の表面２２２とは反対側の、スペーストランスフォーマ２２０の第２の表面２２４に配置される。
【００３４】
再び図２を参照すると、検査アセンブリ２００を用いて半導体素子２０に対して行われる検査中、ステージ（図示せず）上に配置された半導体素子２０は、特定の圧力下で上方に押されて検査プローブ２６０に当てられる。このとき、中間支持要素２３０および電気的接続要素２５０もまた、前述の圧力の影響を受ける。しかしながら、中間支持要素２３０および中間支持要素２３０に取り付けられたスペーストランスフォーマ２２０から構成された組立機構は、前述の圧力の一部に耐える十分な圧縮強度を有する。したがって、従来技術に比べて、より長くまたは頻繁に使用された後でも、この実施形態の検査アセンブリ２００の電気的接続要素２５０は損傷しにくく、このため、それでもなお、主回路基板２１０とスペーストランスフォーマ２２０との良好な電気的接続が維持され得る。
【００３５】
それにもかかわらず、かなり長くまたは頻繁に使用された後では、電気的接続要素２５０は、不可避的に損傷し、したがって、主回路基板２１０とスペーストランスフォーマ２２０との電気的接続は悪影響を受ける。しかしながら、中間支持要素２３０および中間支持要素２３０に取り付けられたスペーストランスフォーマ２２０から構成された組立機構は着脱可能であり、主回路基板２１０と組立機構とを分離することによって、損傷した電気的接続要素２５０を取り外し、次に、新しい電気的接続要素２５０に交換することができる。したがって、従来技術に比べて、本発明のこの実施形態の検査アセンブリ２００の電気的接続要素２５０は、容易に取り外して置き直すことができる。
【００３６】
（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係る検査アセンブリの概略図である。図２および図４を参照すると、第２の実施形態の検査アセンブリ３００と第１の実施形態の検査アセンブリ２００との違いは、第２の実施形態の検査アセンブリ３００の保持要素Ｈ１’がスペーストランスフォーマ３２０を押圧し、スペーストランスフォーマ３２０と、中間支持要素３３０と、主回路基板３１０との位置関係を維持することにある。
【００３７】
本発明の前述の実施形態のそれぞれは、以下の利点または別の利点の１つを有する。本発明の実施形態のそれぞれの検査アセンブリを用いて半導体素子に対して行われる検査中、中間支持要素および中間支持要素に取り付けられたスペーストランスフォーマから構成された組立機構は、上方に押されて検査プローブに当てられる半導体素子によって生じる圧力の一部に耐えることができる。したがって、従来技術に比べて、より長くまたは頻繁に使用された後でも、本発明の実施形態のそれぞれの検査アセンブリの電気的接続要素は損傷しにくく、このため、それでもなお、主回路基板とスペーストランスフォーマとの良好な電気的接続が維持され得る。
【００３８】
それにもかかわらず、かなり長くまたは頻繁に使用された後では、本発明の前述の実施形態のそれぞれの電気的接続要素は、不可避的に損傷する。しかしながら、中間支持要素および中間支持要素に取り付けられたスペーストランスフォーマから構成された組立機構は着脱可能であり、主回路基板と組立機構とを分離することによって、損傷した電気的接続要素を取り外し、次に、新しい電気的接続要素に交換することができる。したがって、従来技術に比べて、本発明の実施形態のそれぞれの検査アセンブリの電気的接続要素は、容易に取り外して置き直すことができる。
【００３９】
実施形態の前述の詳細な説明は、本発明の特徴および精神をさらに明瞭に説明するために使用されている。各実施形態に関する前述の説明は、本発明の範囲を限定するためのものではない。前述の実施形態および同等の構成に対してなされるあらゆる種類の修正は、本発明の保護範囲に含まれるべきである。したがって、本発明の範囲は、詳細な説明に関連して以下に記載されている特許請求の範囲に従って最も広範囲にわたって説明されているべきであり、あらゆる可能な同等の変形例および同等の構成を包含するべきである。
【符号の説明】
【００４０】
１０、２０  半導体素子
１００、２００、３００  検査アセンブリ
１１０、２１０、３１０  主回路基板
１２０、２２０、３２０  スペーストランスフォーマ
１３０  半田ボール
１４０、２６０  検査プローブ
１５０  アンダーフィル
２２２  第１の表面
２２４  第２の表面
２３０、３３０  中間支持要素
２３２  中間支持要素の貫通孔
２４０  接着要素
２４２  接着要素の貫通孔
２５０  電気的接続要素
２７０  プローブヘッド
２８０  主スティフナ
２９０  ファスナ
Ｈ１、Ｈ１’  保持要素
【図１】
2016180749.tif 000003
【図２】
2016180749.tif 000004
【図３Ａ】
2016180749.tif 000005
【図３Ｂ】
2016180749.tif 000006
【図３Ｃ】
2016180749.tif 000007
【図３Ｄ】
2016180749.tif 000008
【図３Ｅ】
2016180749.tif 000009
【図４】
2016180749.tif 000010
【外国語明細書】
2016180749000001.pdf