(57)【要約】【課題】高調波処理による高い増幅効率を維持しつつ増幅装置の小型化を図ること。【解決手段】増幅装置１は、増幅素子１１と、λ／４ショートスタブＭＬ１とを有する。増幅素子１１は、基本波信号を増幅する。λ／４ショートスタブＭＬ１は、増幅素子１１の出力側の線路に接続される。また、λ／４ショートスタブＭＬ１は、増幅素子１１へ一定のバイアス電圧を供給するバイアス回路と、２倍高調波信号に対する反射回路とに兼用される。そして、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅は、増幅素子１１の出力側の線路のパターン幅より大きい。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基本波信号を増幅する増幅素子と、
前記基本波信号の波長の１／４の電気長を有し、かつ、前記増幅素子の出力側の線路に接続されたショートスタブであって、前記増幅素子へ一定のバイアス電圧を供給するバイアス回路と、前記基本波信号の周波数の２倍の周波数を有する高調波信号に対する反射回路とに兼用される前記ショートスタブと、を具備し、
前記ショートスタブのパターン幅が、前記線路のパターン幅より大きい、
増幅装置。
【請求項２】
増幅装置を具備する無線通信装置であって、
前記増幅装置は、
基本波信号を増幅する増幅素子と、
前記基本波信号の波長の１／４の電気長を有し、かつ、前記増幅素子の出力側の線路に接続されたショートスタブであって、前記増幅素子へ一定のバイアス電圧を供給するバイアス回路と、前記基本波信号の周波数の２倍の周波数を有する高調波信号に対する反射回路とに兼用される前記ショートスタブと、を具備し、
前記ショートスタブのパターン幅が、前記線路のパターン幅より大きい、
無線通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、増幅装置及び無線通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、種々の電子機器において増幅装置が用いられている。例えば移動体通信システムにおける基地局及びユーザ端末等の無線通信装置には、信号の送信電力を増幅する増幅装置が用いられる。
【０００３】
図１に示すように、増幅装置において、増幅素子１１に一定のバイアス電圧を供給するバイアス回路として、基本波信号Ｓ１の波長の１／４（つまり、λ／４）の電気長を有する線路であるショートスタブ（以下では「λ／４ショートスタブ」と呼ぶことがある）を用いることが知られている。図１は、第一の関連技術の増幅装置の一例を示す回路図である。電源Ｖｄｄから出力された電圧は、バイアス回路としてのλ／４ショートスタブＴＬ１を介して、増幅素子１１にバイアス電圧として供給される。基本波信号Ｓ１は増幅素子１１によって増幅され、増幅素子１１からは、増幅後の信号Ｓ２が出力される。また、バイアス回路と並列に、電源Ｖｄｄとグランドとの間に、バイパスコンデンサＣ１が接続される。なお、以下では、同一の機能を有する構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００４】
また、増幅効率を向上させるために、増幅素子から出力される増幅後の信号（以下では「増幅信号」と呼ぶことがある）のうち高調波信号を増幅素子へ反射する「高調波処理」が行われることがある。増幅効率は、例えば「増幅素子の出力電力／増幅素子の電源電力」によって規定され、増幅素子がＦＥＴ（Field  Effect  Transistor）の場合の増幅効率はドレイン効率と呼ばれることがある。基本波信号の周波数の２倍の周波数を有する高調波信号（つまり「２倍高調波信号」）を反射する反射回路として、例えば、基本波信号Ｓ１の波長の１／８（つまり、λ／８）の電気長を有する線路であるオープンスタブ（以下では「λ／８オープンスタブ」と呼ぶことがある）を用いることが知られている。図２は、第二の関連技術の増幅装置の一例を示す回路図である。図２に示すように、増幅素子１１から出力された増幅信号のうち、２倍高調波信号Ｓ３は、反射回路であるλ／８オープンスタブＴＬ３によって反射され、位相調節線路ＴＬ２によって適切な反射位相に調節された後、増幅素子１１へ到達する。２倍高調波信号Ｓ３はλ／８オープンスタブＴＬ３によって終端されるため、λ／８オープンスタブＴＬ３の接続点以降の増幅信号Ｓ２’には、２倍高調波信号Ｓ３はごく僅かしか含まれない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−０３５７６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、λ／４ショートスタブＴＬ１をバイアス回路として用いる増幅装置（図１）と、λ／８オープンスタブＴＬ３を反射回路として用いる増幅装置（図２）とを単純に組み合わせると図３に示す増幅装置が得られる。図３は、第三の関連技術の増幅装置の一例を示す回路図である。しかし、図３に示す増幅装置では、バイアス回路としてのλ／４ショートスタブＴＬ１と、反射回路としてのλ／８オープンスタブＴＬ３とが独立して存在するため、回路の配置面積が大きくなってしまう。
【０００７】
２倍高調波信号に対して、λ／４ショートスタブとλ／８オープンスタブとは、線路の電気長の点では、同一の特性を示す。よって、λ／４ショートスタブは、λ／８オープンスタブを兼ねることができる。そこで、図４に示すように、λ／４ショートスタブＴＬ１を、増幅素子１１のバイアス回路と、２倍高調波信号に対する反射回路とに兼用することで、反射回路としてのλ／８オープンスタブＴＬ３（図３）を省くことが考えられる。これにより、増幅装置における回路の配置面積が減少して、増幅装置の小型化を図ることができる。図４は、第四の関連技術の増幅装置の一例を示す回路図である。
【０００８】
ここで、バイアス回路と反射回路とに兼用されるλ／４ショートスタブＴＬ１を増幅装置に実装する場合を考える。
【０００９】
まず、増幅装置における線路が理想線路である場合の回路モデルを図５に示し、図５に示す回路モデルの周波数特性のシミュレーション結果を図６に示す。図５は、理想線路の回路モデルの一例を示す図であり、図６は、理想線路の回路モデルの周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。図５に示すように、基本波信号の周波数を２.１４GHzとした。よって、２倍高調波信号の周波数は４.２８GHzとなる。図５におけるＰ１とＰ２とを結ぶ線路は、図４における増幅素子１１の出力側の線路に相当し、ここでは、線路ＴＬＩ及び線路ＴＬＯの特性インピーダンスを５０Ωに設定した。線路ＴＬＩと線路ＴＬＯとの間には、特性インピーダンスが５０Ωのλ／４ショートスタブＴＬ１が接続されている。図６には、図５におけるＰ１−Ｐ２間の特性が示されている。図６において、実線は通過特性Ｓ２１、破線は反射特性Ｓ１１を示す。
【００１０】
図６より、増幅装置における線路が理想線路である場合、基本波信号の周波数である２.１４GHzにおいて、通過量（実線）が最大となり、かつ、反射量（破線）が最小となっている。一方で、２倍高調波信号の周波数である４.２８GHzにおいて、通過量（実線）が最小となり、かつ、反射量（破線）が最大となっている。よって、図５に示すような理想線路の回路モデルでは、λ／４ショートスタブＴＬ１は、基本波信号に対して理想的なバイアス回路になるとともに、２倍高調波信号に対して理想的な反射回路になることが分かる。つまり、図５に示すような理想線路の回路モデルでは、λ／４ショートスタブＴＬ１は、バイアス回路と反射回路とに兼用される理想的な素子として動作することが分かる。
【００１１】
次いで、増幅装置における線路がマイクロストリップ線路（microstrip  line）である場合の回路モデルを図７に示し、図７に示す回路モデルの周波数特性のシミュレーション結果を図８に示す。図７は、マイクロストリップ線路の回路モデルの一例を示す図であり、図８は、マイクロストリップ線路の回路モデルの周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。
【００１２】
ここで、マイクロストリップ線路を用いて実際に形成される回路は、図９及び図１０に示すように、プリント基板を構成する誘電体５１と、誘電体５１の表面の導体パターン５２と、誘電体５１の裏面全面のＧＮＤ（グランド）プレーン５３とから形成される。図９及び図１０は、マイクロストリップ線路を用いて形成される回路の構成の一例を示す図である。図９は全体斜視図であり、図１０は断面図である。誘電体５１は、誘電体厚Ｄ１を有する。各導体パターン５２は、パターン長Ｌと、パターン幅Ｗと、パターン厚Ｄ２とを有する。導体パターン５２は、誘電体５１に形成されたスルーホール５４を介して、ＧＮＤプレーン５３に接続される。
【００１３】
図７及び図８では、図５及び図６と同様に、基本波信号の周波数を２.１４GHz、２倍高調波信号の周波数を４.２８GHzとした。また、特性インピーダンスを図５と同様に５０Ωとするために、線路ＭＬＩ，ＭＬＯのパターン幅を２.５４ｍｍに設定した。また、線路ＭＬＩ，ＭＬＯのパターン長を２ｍｍに設定した。また、ショートスタブＭＬ１では、特性インピーダンスを図５と同様に５０Ωとするために、パターン幅を線路ＭＬＩ，ＭＬＯと同一の２.５４ｍｍに設定する一方で、電気長をλ／４とするために、パターン長を２４.９ｍｍに設定した。よって、線路ＭＬＩ，ＭＬＯと、λ／４ショートスタブＭＬ１との間に位置する接続線路ＭＴの三方のパターン幅は何れも２.５４ｍｍとなる。また、誘電体の誘電体厚を０.８ｍｍ、比誘電率を２に設定した。
【００１４】
図７におけるＰ１とＰ２とを結ぶマイクロストリップ線路Ａ（以下では「主線路Ａ」と呼ぶことがある）は、図５と同様に、図４における増幅素子１１の出力側の線路に相当する。線路ＭＬＩと線路ＭＬＯとの間には、接続線路ＭＴを介して、λ／４ショートスタブＭＬ１が接続されている。図８には、図７におけるＰ１−Ｐ２間の特性が示されている。図８において、実線は通過特性Ｓ２１、破線は反射特性Ｓ１１を示す。
【００１５】
図８より、増幅装置における線路が実際の回路で一般的に使用されるマイクロストリップ線路である場合、基本波信号の周波数である２.１４GHzでは、増幅装置における線路が理想線路である場合（図６）と同様に、通過量（実線）が最大となり、かつ、反射量（破線）が最小となっている。一方で、通過量（実線）が最小となり、かつ、反射量（破線）が最大となる周波数は４.１３GHzであり、２倍高調波信号の周波数である４.２８GHzと相違する。よって、λ／４ショートスタブＭＬ１は、基本波信号に対しては理想的なバイアス回路になる一方で、２倍高調波信号に対しては、理想的な反射回路にはならない。つまり、図７に示すマイクロストリップ線路の回路モデルでは、バイアス回路と反射回路とに兼用されるλ／４ショートスタブでの２倍高調波信号の反射量が減少するため、理想線路の回路モデル（図５）に比べて、増幅効率が低下してしまう。
【００１６】
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、小型化した増幅装置での高調波処理による高い増幅効率を維持することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
開示の態様では、増幅装置は、増幅素子と、ショートスタブとを有する。前記増幅素子は、基本波信号を増幅する。前記ショートスタブは、前記基本波信号の波長の１／４の電気長を有し、かつ、前記増幅素子の出力側の線路に接続される。また、前記ショートスタブは、前記増幅素子へ一定のバイアス電圧を供給するバイアス回路と、前記基本波信号の周波数の２倍の周波数を有する高調波信号に対する反射回路とに兼用される。そして、前記ショートスタブのパターン幅は、前記線路のパターン幅より大きい。
【発明の効果】
【００１８】
開示の態様によれば、小型化した増幅装置での高調波処理による高い増幅効率を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、第一の関連技術の増幅装置の一例を示す回路図である。
【図２】図２は、第二の関連技術の増幅装置の一例を示す回路図である。
【図３】図３は、第三の関連技術の増幅装置の一例を示す回路図である。
【図４】図４は、第四の関連技術の増幅装置の一例を示す回路図である。
【図５】図５は、理想線路の回路モデルの一例を示す図である。
【図６】図６は、理想線路の回路モデルの周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図７】図７は、マイクロストリップ線路の回路モデルの一例を示す図である。
【図８】図８は、マイクロストリップ線路の回路モデルの周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図９】図９は、マイクロストリップ線路を用いて形成される回路の構成の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、マイクロストリップ線路を用いて形成される回路の構成の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、一実施例の増幅装置の回路構成を示す図である。
【図１２】図１２は、一実施例の出力側回路の線路パターンを示す図である。
【図１３】図１３は、一実施例のλ／４ショートスタブのパターン幅の変化を示す図である。
【図１４】図１４は、一実施例の周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図１５】図１５は、対比技術に係る増幅装置の回路構成を示す図である。
【図１６】図１６は、対比技術に係る出力側回路の線路パターンを示す図である。
【図１７】図１７は、出力電圧の周波数特性を示す図である。
【図１８】図１８は、ドレイン効率の周波数特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本願の開示する増幅装置及び無線通信装置の実施例を図面に基づいて説明する。なお、この実施例により本願の開示する増幅装置及び無線通信装置が限定されるものではない。また、実施例において同一の機能を有する構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２１】
図１１は、一実施例の増幅装置の回路構成を示す図である。図１１において、増幅装置１は、入力整合回路１２と、増幅素子１１と、出力整合回路１３と、λ／４ショートスタブＭＬ１と、位相調節線路ＭＬ２と、バイパスコンデンサＣ１とを有する。増幅装置１は、マイクロストリップ線路を用いて形成される。
【００２２】
λ／４ショートスタブＭＬ１は、増幅素子１１の出力側の線路である主線路Ａに接続され、増幅素子１１に一定のバイアス電圧を供給するバイアス回路として用いられる。電源Ｖｄｄから出力された電圧は、バイアス回路としてのλ／４ショートスタブＭＬ１を介して、増幅素子１１にバイアス電圧として供給される。また、λ／４ショートスタブＭＬ１は、２倍高調波信号に対する反射回路として用いられる。つまり、λ／４ショートスタブＭＬ１は、増幅素子１１のバイアス回路と、２倍高調波信号に対する反射回路とに兼用される。
【００２３】
増幅素子１１は、入力整合回路１２から出力された基本波信号Ｓ１を増幅し、増幅信号を出力する。増幅素子１１は、例えば、ＦＥＴである。増幅信号には、基本波信号Ｓ１と、２倍高調波信号Ｓ３とが含まれる。増幅信号のうち、２倍高調波信号Ｓ３は、反射回路としてのλ／４ショートスタブＭＬ１によって反射され、位相調節線路ＭＬ２によって適切な反射位相に調節された後、増幅素子１１へ到達する。このように、２倍高調波信号Ｓ３は反射回路としてのλ／４ショートスタブＭＬ１によって終端されるため、λ／４ショートスタブＭＬ１の接続点以降の増幅信号Ｓ２’には、２倍高調波信号はごく僅かしか含まれない。
【００２４】
入力整合回路１２は、入力端子ＩＮに接続される回路の出力インピーダンスと、増幅素子１１の入力インピーダンスとを整合（マッチング）させる。入力端子ＩＮには、基本波信号Ｓ１が入力される。
【００２５】
出力整合回路１３は、増幅素子１１の出力インピーダンスと、出力端子ＯＵＴに接続される回路の入力インピーダンスとを整合させる。
【００２６】
バイパスコンデンサＣ１は、バイアス回路（つまり、λ／４ショートスタブＭＬ１）と並列に、電源Ｖｄｄとグランドとの間に接続される。
【００２７】
また、図１１において、λ／４ショートスタブＭＬ１と、バイパスコンデンサＣ１と、位相調節線路ＭＬ２と、出力整合回路１３とは、出力側回路１０を形成する。
【００２８】
図１１に示す増幅装置１は、例えば移動体通信システムにおける基地局及びユーザ端末等の無線通信装置に適用することができる。増幅装置１が適用された無線通信装置では、例えば、アップコンバート後の信号が入力端子ＩＮへと入力され、出力端子ＯＵＴから出力された信号がアンテナを介して無線送信される。
【００２９】
図１２は、一実施例の出力側回路の線路パターンを示す図である。図１１に示す出力側回路１０の各構成、すなわち、λ／４ショートスタブＭＬ１、バイパスコンデンサＣ１、位相調節線路ＭＬ２、及び、出力整合回路１３を線路パターンによって表すと図１２に示すものになる。
【００３０】
ここで、図７に示すマイクロストリップ線路の回路モデルにおいて、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅Ｗ１を図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）のように変化させたときの周波数特性のシミュレーション結果を図１４に示す。図１３は、一実施例のλ／４ショートスタブのパターン幅の変化を示す図である。図１４は、一実施例の周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。図１４において、実線は通過特性Ｓ２１、破線は反射特性Ｓ１１を示す。図１３及び図１４では、図７及び図８と同様に、基本波信号の周波数を２.１４GHz、２倍高調波信号の周波数を４.２８GHzとした。また、誘電体の誘電体厚を０.８ｍｍ、比誘電率を２に設定した。
【００３１】
図１３では、（ａ），（ｂ），（ｃ）の順に、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅Ｗ１が徐々に大きくなっている。すなわち、図１３（ａ）では、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅Ｗ１が主線路Ａのパターン幅Ｗ２より小さい。図１３（ｂ）では、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅Ｗ１が主線路Ａのパターン幅Ｗ２と略同じである。図１３（ｃ）では、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅Ｗ１が主線路Ａのパターン幅Ｗ２より大きい。なお、図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）では、λ／４ショートスタブＭＬ１の電気長をλ／４で一定に保つために、パターン幅Ｗ１の増加に伴って、パターン長Ｌ１が減少している。
【００３２】
マイクロストリップ線路において、誘電体の誘電体厚、誘電体の比誘電率、導体パターンのパターン厚、及び、基本波信号の周波数が一定の下では、導体パターンのパターン幅が増加するほど、導体パターンの特性インピーダンスは減少する。よって、換言すれば、図１３では、（ａ），（ｂ），（ｃ）の順に、λ／４ショートスタブＭＬ１の特性インピーダンスが徐々に小さくなっている。すなわち、図１３（ａ）では、λ／４ショートスタブＭＬ１の特性インピーダンスが主線路Ａの特性インピーダンスより大きい。図１３（ｂ）では、λ／４ショートスタブＭＬ１の特性インピーダンスが主線路Ａの特性インピーダンスと略同じである。図１３（ｃ）では、λ／４ショートスタブＭＬ１の特性インピーダンスが主線路Ａの特性インピーダンスより小さい。
【００３３】
図１４における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図１３における（ａ），（ｂ），（ｃ）の各ケースに対応する。図１４より、図１３（ａ）〜（ｃ）の何れの場合も、基本波信号の周波数である２.１４GHzでは、通過量（実線）が最大となり、かつ、反射量（破線）が最小となっている。一方で、図１３（ａ）の場合は、通過量（実線）が最小となり、かつ、反射量（破線）が最大となる周波数は４.１１５GHzであり、２倍高調波信号の周波数である４.２８GHzより小さい。また、図１３（ｂ）の場合は、通過量（実線）が最小となり、かつ、反射量（破線）が最大となる周波数は４.１３GHzであり、２倍高調波信号の周波数である４.２８GHzより小さい。また、図１３（ｃ）の場合は、通過量（実線）が最小となり、かつ、反射量（破線）が最大となる周波数は４.２８GHzであり、２倍高調波信号の周波数である４.２８GHzと一致する。なお、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅Ｗ１を図１３（ｃ）に示す場合よりも大きくしても、通過量（実線）が最小となり、かつ、反射量（破線）が最大となる周波数は４.２８GHzとなった。
【００３４】
よって、マイクロストリップ線路においては、図１３（ｃ）の場合、つまり、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅Ｗ１が主線路Ａのパターン幅Ｗ２より大きい場合に、λ／４ショートスタブＭＬ１は、基本波信号の周波数である２.１４GHzでバイアス回路として動作し、かつ、２倍高調波信号の周波数である４.２８GHzで反射回路（つまり、終端回路）として動作することが分かる。換言すれば、マイクロストリップ線路では、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅Ｗ１が主線路Ａのパターン幅Ｗ２より大きい場合に、λ／４ショートスタブＭＬ１が、バイアス回路と反射回路とに兼用される理想的な素子として動作することが分かる。
【００３５】
そこで、本実施例では、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅を、主線路Ａ（つまり、図１１における増幅素子１１の出力側の線路）のパターン幅より大きくする。換言すれば、本実施例では、λ／４ショートスタブＭＬ１の特性インピーダンスを、主線路Ａの特性インピーダンスより小さくする。
【００３６】
ここで、マイクロストリップ線路のパターン幅の上限は、マイクロストリップ線路を形成する誘電体の誘電体厚の２０倍に設定されることがある。よって、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅Ｗ１は、マイクロストリップ線路を形成する誘電体の誘電体厚Ｄ１の２０倍未満に設定されることが好ましい。つまり、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅Ｗ１は、「Ｗ２＜Ｗ１＜（Ｄ１×２０）」の条件を満たすことが好ましい。
【００３７】
図１５は、対比技術に係る増幅装置の回路構成を示す図である。図１５において、増幅装置２は、入力整合回路１２と、増幅素子１１と、出力整合回路１３と、λ／４ショートスタブＭＬ１と、位相調節線路ＭＬ２と、λ／８オープンスタブＭＬ３と、バイパスコンデンサＣ１とを有する。増幅装置２は、マイクロストリップ線路を用いて形成される。つまり、増幅装置１（図１１）では、λ／４ショートスタブＭＬ１がバイアス回路と反射回路とに兼用されるのに対し、増幅装置２（図１５）では、λ／４ショートスタブＭＬ１がバイアス回路として用いられる一方で、λ／８オープンスタブＭＬ３が反射回路として用いられる。
【００３８】
また、図１５において、λ／４ショートスタブＭＬ１と、バイパスコンデンサＣ１と、位相調節線路ＭＬ２と、λ／８オープンスタブＭＬ３と、出力整合回路１３とは、出力側回路２０を形成する。
【００３９】
図１６は、対比技術に係る出力側回路の線路パターンを示す図である。図１５に示す出力側回路２０の各構成、すなわち、λ／４ショートスタブＭＬ１、バイパスコンデンサＣ１、位相調節線路ＭＬ２、λ／８オープンスタブＭＬ３、及び、出力整合回路１３を線路パターンによって表すと図１６に示すものになる。
【００４０】
図１７は出力電圧の周波数特性を示す図であり、図１８はドレイン効率の周波数特性を示す図である。図１７において、特性３１は図１１に示す回路のものであり、特性４１は図１５に示す回路のものである。また、図１８において、特性３２は図１１に示す回路のものであり、特性４２は図１５に示す回路のものである。つまり、「λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅が増幅素子１１の出力側の線路のパターン幅より大きい」という条件の下で、図１１に示す回路は、図１５に示す回路と同等の特性を得ることができる。
【００４１】
以上のように、本実施例では、増幅装置１は、増幅素子１１と、λ／４ショートスタブＭＬ１とを有する。増幅素子１１は、基本波信号を増幅する。λ／４ショートスタブＭＬ１は、増幅素子１１の出力側の線路に接続される。また、λ／４ショートスタブＭＬ１は、増幅素子１１へ一定のバイアス電圧を供給するバイアス回路と、２倍高調波信号に対する反射回路とに兼用される。そして、λ／４ショートスタブＭＬ１のパターン幅は、増幅素子１１の出力側の線路のパターン幅より大きい。
【００４２】
こうすることで、バイアス回路と反射回路とを一体化することで小型化した増幅装置において、高調波処理による高い増幅効率を維持することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１，２  増幅装置
１１  増幅素子
１２  入力整合回路
１３  出力整合回路
ＭＬ１  λ／４ショートスタブ
ＭＬ２  位相調節線路
ＭＬ３  λ／８オープンスタブ
Ｃ１  バイパスコンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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