(57)【要約】【課題】磁気センサの小型化を実現可能な磁気センサの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る磁気センサの製造方法は、基板１Ｗの平坦面に対し傾斜する傾斜面に、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｂ、・・・、Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｂ、・・・の一部を成すピンド層を成膜する成膜ステップと、基板１Ｗの平坦面に直交する成分を有する外部磁場を印加して、当該直交する成分に基づいて、上記ピンド層の磁化の方位を固定する着磁ステップと、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の平坦面に設けられた傾斜面上に、磁気抵抗効果素子をなして少なくともピンド層を含む多層膜を成膜する成膜ステップと、
前記基板の平坦面に直交する成分を有する外部磁場を印加して、当該直交する成分に基づいて、前記ピンド層の磁化の方位を固定する着磁ステップと、
を有する磁気センサの製造方法。
【請求項２】
前記着磁ステップにおいて、
前記基板の平坦面のうちの一の区画に含まれる所定の第１領域において前記平坦面に直交する一の方位の外部磁場を印加し、当該区画に含まれる所定の領域であって前記第１領域とは異なる第２領域において、前記平坦面に直交する方位であって前記一の方位とは逆向きの外部磁場を印加する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項３】
前記着磁ステップにおいて、
前記第１領域に対して一の極性面を対向させる第１磁石と、前記第２領域に対して他の極性面を対向させる第２磁石と、を同一平面上に配列して前記外部磁場を印加する
ことを特徴とする請求項２に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項４】
前記着磁ステップにおいて、
１つの前記第１磁石は、矩形状の前記区画の一の頂点を共有して隣接する４つの前記第１領域に対向するように配されるとともに、１つの前記第２磁石は、前記区画のうち前記一の頂点の対角に位置する他の頂点を共有して隣接する４つの前記第２領域に対向するように配される
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項５】
前記着磁ステップにおいて、
前記第１磁石及び前記第２磁石のそれぞれと、前記基板の平坦面を挟むように磁性体を配する
ことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項６】
前記成膜ステップにおいて、
前記ピンド層は、前記平坦面の面内方向における第１方位に沿って当該平坦面と接するように設けられた第１傾斜面と、前記第１方位と異なる第２方位に沿って当該平坦面と接するように設けられた第２傾斜面と、の両方に成膜されている
ことを特徴とする請求項２から請求項４の何れか一項に磁気センサの製造方法。
【請求項７】
矩形板状の本体部と、
少なくともピンド層を含み、前記本体部の平坦面の面内方向における第１方位に沿って設けられた第１傾斜面の傾斜面上に、当該第１方位を長手方向として形成された第１磁気抵抗効果素子と、
少なくともピンド層を含み、前記本体部の平坦面の面内方向における方位であって前記第１方位と異なる第２方位に沿って設けられた第２傾斜面の傾斜面上に、当該第２方位を長手方向として形成された第２磁気抵抗効果素子と、
を備え、
前記本体部の一の頂点及び当該一の頂点で接する二辺の各辺上における二点で区画される第１領域、並びに、前記一の頂点の対角に位置する他の頂点及び当該他の頂点で接する二辺の各辺上における二点で区画される第２領域の各々において、前記第１磁気抵抗効果素子及び前記第２磁気抵抗効果素子の各々が配されている
ことを特徴とする磁気センサ。
【請求項８】
前記第１領域に配される前記第１磁気抵抗効果素子及び前記第２磁気抵抗効果素子は、前記ピンド層の磁化の方位が、少なくとも前記平坦面に直交する一の方位を向く成分を有し、
前記第２領域に配される前記第１磁気抵抗効果素子及び前記第２磁気抵抗効果素子は、前記ピンド層の磁化の方位が、少なくとも前記平坦面に直交する他の方位を向く成分を有している
ことを特徴とする請求項７に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサ、及び、当該磁気センサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気センサに使用される素子として、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ（Giant Magneto Resistance）素子）が知られている。いわゆるスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子は、磁化が所定の方位に固定（ピン）されたピンド層と、磁化の方位が外部磁場に応じて変化するフリー層とを備え、ピンド層の磁化の方位と、フリー層の磁化の方位との相対的関係に応じて抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を電気的に検知することで、外部磁場（磁界）の強度を把握することができる。
【０００３】
また、このような磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサの製造方法として、所定の面に永久磁石をマトリクス状に配列させたマグネットアレイを半導体ウェハ（基板）に重ね合わせながら熱処理を行う規則化熱処理工程が知られている（例えば、特許文献１）。半導体ウェハにマグネットアレイを重ねることで、当該半導体ウェハの平坦面におけるマトリクス状の区画（即ち、磁気センサ）ごとに、当該平坦面に対し水平な方位に規則性を有する外部磁場を印加することができる。これにより、磁気センサを構成する複数の磁気抵抗効果素子ごとに、上記外部磁場の水平方向成分に基づき、ピンド層の磁化の方位を所望する方位に固定することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２１２２７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のように、磁気センサは、半導体ウェハの平坦面においてマトリクス状に形成される。また、マグネットアレイは、そのマトリクスの区画（磁気センサ）ごとに対応するように永久磁石が配列される。ここで、磁気センサの小型化を図る場合、半導体ウェハの平坦面に形成される区画の縮小に応じて、マグネットアレイにおける永久磁石の格子配列も縮小させる必要がある。
【０００６】
しかしながら、マグネットアレイにおいてマトリクス状に配列される各永久磁石のピッチ（間隔）が狭まると、極性が異なる永久磁石間に生じる磁場は、当該永久磁石の間を直進する成分よりも湾曲して進む成分が支配的となる。そのため、半導体ウェハの平坦面に対する外部磁場の水平方向成分を所望に印加することが困難になる。また、区画を小型化させていくほど、マグネットアレイの製作が困難となる。したがって、上記規則化熱処理行程がボトルネックとなり、磁気センサの小型化を図ることが難しかった。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、磁気センサの小型化を実現可能な磁気センサ及び磁気センサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、基板の平坦面に設けられた傾斜面上に、磁気抵抗効果素子をなして少なくともピンド層を含む多層膜を成膜する成膜ステップと、前記基板の平坦面に直交する成分を有する外部磁場を印加して、当該直交する成分に基づいて、前記ピンド層の磁化の方位を固定する着磁ステップと、を有する磁気センサの製造方法である。
このような構成によれば、外部磁場を印加する磁石のピッチが狭まるほど湾曲する成分が強くなる水平成分を用いないため、磁気抵抗効果素子同士の間隔を狭めて配置しても、ピンド層の磁化の方位を所望する方位に固定することができる。
【０００９】
また、本発明の一態様は、前記着磁ステップにおいて、前記基板の平坦面のうちの一の区画に含まれる所定の第１領域において前記平坦面に直交する一の方位の外部磁場を印加し、当該区画に含まれる所定の領域であって前記第１領域とは異なる第２領域において、前記平坦面に直交する方位であって前記一の方位とは逆向きの外部磁場を印加することを特徴とする。
このような構成によれば、一の区画において、磁化の方位が互いに逆向きのピンド層を形成できる。したがって、磁化の方位が互いに逆向きのピンド層を有する磁気抵抗効果素子を組み合わせてブリッジ回路を構成することで、小型で、かつ、検出精度の高い磁気センサを作製することができる。
【００１０】
また、本発明の一態様は、前記着磁ステップにおいて、前記第１領域に対して一の極性面を対向させる第１磁石と、前記第２領域に対して他の極性面を対向させる第２磁石と、を同一平面上に配列して前記外部磁場を印加することを特徴とする。
第１磁石及び第２磁石が各区画に整合するように同一平面上に配列された治具（マグネットアレイ）を基板に重ねるのみで、平坦面に直交する成分を有する外部磁場を印加することができるので、着磁ステップの作業を簡素化することができる。
【００１１】
また、本発明の一態様は、前記着磁ステップにおいて、１つの前記第１磁石が、矩形状の前記区画の一の頂点を共有して隣接する４つの前記第１領域に対向するように配されるとともに、１つの前記第２磁石は、前記区画のうち前記一の頂点の対角に位置する他の頂点を共有して隣接する４つの前記第２領域に対向するように配されることを特徴とする。
このような構成とすることで、単一の磁石が、一の頂点を共有して隣接する４つの区画のそれぞれに外部磁場を印加することができるので、一定の磁石のサイズ及び配列ピッチに対し、区画のサイズを効率的に縮小化することができる。
【００１２】
また、本発明の一態様は、前記着磁ステップにおいて、前記第１磁石及び前記第２磁石のそれぞれと、前記基板の平坦面を挟むように磁性体を配することを特徴とする。
このような構成とすることで、外部磁場の各方向成分のうち、平坦面に直交する成分が他の方向成分に対して強まるので、固定されるピンド層の磁化の方位の精度を高めることができる。
【００１３】
また、本発明の一態様は、前記成膜ステップにおいて、前記ピンド層が、前記平坦面の面内方向における第１方位に沿って当該平坦面と接するように設けられた第１傾斜面と、前記第１方位と異なる第２方位に沿って当該平坦面と接するように設けられた第２傾斜面と、の両方に成膜されていることを特徴とする。
このような構成とすることで、作製される磁気センサにおいて、平坦面の面内方向において感度方向が互いに異なる複数の磁気抵抗効果素子が形成されるため、外部磁場を、異なる複数の方位の成分別に計測可能となる磁気センサを作製することができる。
【００１４】
また、本発明の一態様は、矩形板状の本体部と、少なくともピンド層を含み、前記本体部の平坦面の面内方向における第１方位に沿って設けられた第１傾斜面の傾斜面上に、当該第１方位を長手方向として形成された第１磁気抵抗効果素子と、少なくともピンド層を含み、前記本体部の平坦面の面内方向における方位であって前記第１方位と異なる第２方位に沿って設けられた第２傾斜面の傾斜面上に、当該第２方位を長手方向として形成された第２磁気抵抗効果素子と、を備え、前記本体部の一の頂点及び当該一の頂点で接する二辺の各辺上における二点で区画される第１領域、並びに、前記一の頂点の対角に位置する他の頂点及び当該他の頂点で接する二辺の各辺上における二点で区画される第２領域の各々において、前記第１磁気抵抗効果素子及び前記第２磁気抵抗効果素子の各々が配されていることを特徴とする磁気センサである。
このようにすることで、磁気センサの製造工程において、矩形板状の本体部を一つの区画として基板上に複数並べて配した際に、一の頂点を共有して隣接する４つの区画のそれぞれに単一の磁石を対向させて外部磁場を印加することができるので、一定の磁石のサイズ及び配列ピッチに対し、区画のサイズを効率的に縮小化することができる。
【００１５】
また、本発明の一態様は、上述の磁気センサにおいて、前記第１領域に配される前記第１磁気抵抗効果素子及び前記第２磁気抵抗効果素子は、前記ピンド層の磁化の方位が、少なくとも前記平坦面に直交する一の方位を向く成分を有し、前記第２領域に配される前記第１磁気抵抗効果素子及び前記第２磁気抵抗効果素子は、前記ピンド層の磁化の方位が、少なくとも前記平坦面に直交する他の方位を向く成分を有していることを特徴とする。
このようにすることで、一の区画において、磁化の方位が互いに逆向きのピンド層を有する磁気抵抗効果素子を組み合わせてブリッジ回路を構成することで、小型で、かつ、検出精度の高い磁気センサを作製することができる。
【発明の効果】
【００１６】
上述の磁気センサ及び磁気センサの製造方法によれば、磁気センサの小型化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施形態に係る磁気センサの全体構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る磁気センサの構造を示す第１の図である。
【図３】第１の実施形態に係る磁気センサの構造を示す第２の図である。
【図４】第１の実施形態に係る規則化熱処理工程の概要を説明する図である。
【図５】第１の実施形態に係る規則化熱処理工程における基板上の区画とマグネットアレイとの配置関係を示す図である。
【図６】第１の実施形態に係る規則化熱処理工程において印加される外部磁場の様子を説明する第１の図である。
【図７】第１の実施形態に係る規則化熱処理工程において印加される外部磁場の様子を説明する第２の図である。
【図８】第１の実施形態に係る規則化熱処理工程において印加される外部磁場の様子を説明する第３の図である。
【図９】第１の実施形態に係る磁気センサのピンド層の磁化の方位を説明する図である。
【図１０】第１の実施形態に係る磁気センサの回路構成を説明する図である。
【図１１】第１の実施形態の対比例に係る磁気センサの製造方法を説明する第１の図である。
【図１２】第１の実施形態の対比例に係る磁気センサの製造方法を説明する第２の図である。
【図１３】第１の実施形態の変形例に係る規則化熱処理工程の概要を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜第１の実施形態＞
［磁気センサの構造］
以下、第１の実施形態に係る磁気センサ及びその製造方法について説明する。
図１は、第１の実施形態に係る磁気センサの全体構成を示す図である。
図１に示す磁気センサ１は、外部から印加される外部磁場の磁界強度を、互いに直交する３軸（±Ｘ方向、±Ｙ方向、±Ｚ方向）の成分（Ｈｘ、Ｈｙ、Ｈｚ）別に計測可能な３軸磁気センサである。
１つの磁気センサ１は、基板１Ｗ（半導体ウェハ）の平坦面のうちの一の区画１ａに形成される。なお、図１では図示を省略しているが、区画１ａを含む複数の区画は、基板１Ｗの平坦面において互いに隣接するようにマトリクス状に配列されている。磁気センサ１は、製造工程のある段階において、基板１Ｗが当該複数の区画ごとに分断されることで、基板１Ｗから切り出される。本実施形態において区画１ａを含む複数の区画は、約１ｍｍ四方のサイズとされる。
【００１９】
図１に示すように、磁気センサ１は、矩形板状の本体部（区画１ａ）内において、１６個の磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｃ、Ｘ１Ｄ、Ｘ２Ａ、Ｘ２Ｂ、Ｘ２Ｃ、Ｘ２Ｄ、Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｃ、Ｙ１Ｄ、Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｃ、Ｙ２Ｄを備えている。
１６個の各磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄは、いずれも基板１Ｗの平坦面に設けられた傾斜面（傾斜面１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ）上に形成されている。
【００２０】
図１において、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｃ、Ｘ１Ｄ、Ｘ２Ａ、Ｘ２Ｂ、Ｘ２Ｃ、Ｘ２Ｄ（第１磁気抵抗効果素子）は、基板１Ｗの平坦面の面内方向における第１方位（±Ｙ方向）に沿って当該平坦面と接するように設けられた第１傾斜面上に形成される。磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｘ２Ｄ（第１磁気抵抗効果素子）は、いずれも、第１傾斜面上において第１方位（±Ｙ方向）が長手方向となるように形成されている。
一方、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｃ、Ｙ１Ｄ、Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｃ、Ｙ２Ｄ（第２磁気抵抗効果素子）は、第１方位と異なり、互いに直交する第２方位（±Ｘ方向）に沿って当該平坦面と接するように設けられた第２傾斜面上に形成される。磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ〜Ｙ２Ｄ（第２磁気抵抗効果素子）は、いずれも、第２傾斜面上において第２方位（±Ｘ方向）が長手方向となるように形成されている。
【００２１】
さらに、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｃ、Ｘ１Ｄは、上記第１傾斜面のうち、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側にかけて上昇する（＋Ｚ方向側に進む）ように傾斜する傾斜面１０ａ上に形成される。一方、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ａ、Ｘ２Ｂ、Ｘ２Ｃ、Ｘ２Ｄは、上記第１傾斜面のうち、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側にかけて下降する（−Ｚ方向側に進む）ように傾斜する傾斜面１０ｂ上に形成される。
同様に、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｃ、Ｙ１Ｄは、上記第２傾斜面のうち、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側にかけて下降する（−Ｚ方向側に進む）ように傾斜する傾斜面１０ｃ上に形成される。一方、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｃ、Ｙ２Ｄは、上記第２傾斜面のうち、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側にかけて上昇する（＋Ｚ方向側に進む）ように傾斜する傾斜面１０ｄ上に形成される。
【００２２】
また、図１に示すように、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｃ、Ｘ２Ａ、Ｘ２Ｃ、Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｃ、Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｃは、いずれも、区画１ａの紙面左上（−Ｘ方向、＋Ｙ方向）の頂点Ｐ１の近傍の所定領域内（第２領域ＡＳ）に配されている。一方、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｄ、Ｘ２Ｂ、Ｘ２Ｄ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｄ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｄは、いずれも、区画１ａの紙面右下（＋Ｘ方向、−Ｙ方向）の頂点Ｐ２の近傍の所定領域内（第１領域ＡＮ）に配されている。
具体的には、図１に示すように、第１領域ＡＮは、本体部（区画１ａ）の頂点Ｐ２及び当該頂点Ｐ２で接する二辺の各辺上における二点Ｒ２１、Ｒ２２で区画される領域である。また、第２領域ＡＳは、区画１ａの頂点であって頂点Ｐ２の対角に位置する頂点Ｐ１及び当該頂点Ｐ１で接する二辺の各辺上における二点Ｒ１１、Ｒ１２で区画される領域である。
【００２３】
図２は、第１の実施形態に係る磁気センサの構造を示す第１の図である。
具体的には、図２は、図１におけるα―α’の断面構造を模式的に表した図である。図２に示すように、基板１Ｗの平坦面上において堤部１０が形成されている。堤部１０は、所定の製造プロセス（成膜、レジスト塗布、パターニング、エッチングの各工程）を経て、基板１Ｗの平坦面の一部が加工されることで形成される。
図２に示すように、堤部１０は、基板１Ｗの平坦面に対し所定の傾斜角度θ（例えば、θ＝４５°）傾斜した傾斜面１０ａ、１０ｂを有している。堤部１０（即ち、傾斜面１０ａ、１０ｂ）は、±Ｙ方向（紙面奥行き方向）に沿って延伸しており、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａが傾斜面１０ａの上に、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ａが傾斜面１０ｂの上に、それぞれ±Ｙ方向を長手方向とするように形成されている。
なお、図２に示した磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ及び磁気抵抗効果素子Ｘ２Ａの他、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｃ、Ｘ１Ｄ及び磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｂ、Ｘ２Ｃ、Ｘ２Ｄも同様に、それぞれ傾斜面１０ａ、１０ｂ上に形成される。
【００２４】
また、詳細な図示を省略するが、図１に示す傾斜面１０ｃ、１０ｄは、堤部１０と同様の堤部によって形成される。当該堤部（即ち、傾斜面１０ｃ、１０ｄ）は、±Ｘ方向に沿って延伸するように形成されており、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｃ、Ｙ１Ｄが傾斜面１０ｃの上に、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｃ、Ｙ２Ｄが傾斜面１０ｄの上に、それぞれ±Ｘ方向を長手方向とするように形成される（図１参照）。
【００２５】
なお、以下の説明において、傾斜面１０ａの傾斜方向を±Ｘ’軸と定義し、傾斜面１０ａの法線方向を±Ｚ’軸と定義する。
【００２６】
図３は、第１の実施形態に係る磁気センサの構造を示す第２の図である。
具体的には、図３は、図１に示す磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａの具体的な構造を説明する図である。なお、他の１５個の磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ〜Ｙ２Ｄの構造も、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａの構造と同一であるため、説明を省略する。
【００２７】
図３（ａ）は、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａを＋Ｚ’方向側（図２参照）から平面視した場合の模式図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるβ−β’の断面模式図である。
図３（ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａは、平面視で長方形を成し、その長手方向が±Ｙ方向に沿うように配される。そして、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａは、配線層３１ａ、３１ｂにより外部の回路と電気的に接続される。例えば、配線層３１ａ、３１ｂには、それぞれ図示しない定電圧源の正極及び負極等が接続される。この定電圧源による所定の電源電圧Ｖｉｎ＋（例えば、３Ｖ）及び接地電圧Ｖｉｎ−（例えば、０Ｖ）の印加に応じて、配線層３１ａ（配線層３１ｂ）から磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａを介して配線層３１ｂ（配線層３１ａ）へと電流が流れる。
【００２８】
図３（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａは、反強磁性材料からなるピニング層３０ａ、ピニング層３０ａにより磁化の方位が固定されたピンド層３０ｂ、非磁性材料からなるスペーサ層３０ｃ、および、磁化の方位が外部磁場に応じて変化するフリー層３０ｄ、が積層され、スピンバルブ構造をなしている。
このスピンバルブ構造により、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａは、外部磁場に応じて配線層３１ａと配線層３１ｂ間の抵抗値が変化し、外部磁場の強度を検出することができる。
なお、図３（ａ）、（ｂ）に示した磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａの構造は一例であって、その構造は、スピンバルブの機能を発揮できる限度において適宜変更可能である。例えば、フリー層３０ｄと、ピンド層３０ｂ及びピニング層３０ａと、の成膜順序は入れ替え可能であり、さらに、磁気抵抗効果素子としての特性改善のため、上記以外の層が挿入されていてもよい。
また、ピニング層３０ａ、ピンド層３０ｂ、スペーサ層３０ｃ及びフリー層３０ｄの各々に用いる材料や成膜条件等については、既知の製造技術が適用可能であるため、詳細な説明を省略する。なお、ピンド層の磁化の方位を所望の方位に固定する規則化熱処理工程については後述する。
【００２９】
磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａは、後述する所定の製造方法（規則化熱処理工程）により、そのピンド層３０ｂの磁化の方位が所定の方位（−Ｘ’方向）を向いて固定されるように作製される（図３（ａ））。
また、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａは、外部磁場が存在しない状態（以下、「初期状態」とも記載する。）において、フリー層３０ｄの磁化の方位が当該フリー層３０ｄの形状に基づく特定方位（＋Ｙ方向）を向くように形成される。具体的には、フリー層３０ｄは、平面視で長方形に成形することで、その形状異方性を利用して、フリー層３０ｄの磁化の方位が、当該長方形の長手方向（＋Ｙ方向）に揃うようにしている（図３（ａ）、（ｂ）参照）。
【００３０】
［規則化熱処理工程］
図４は、第１の実施形態に係る規則化熱処理工程の概要を説明する図である。
規則化熱処理工程とは、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄ（図１）のピンド層３０ｂ（図３）の磁化の方位を所望する方位に固定する工程である。
ここで、規則化熱処理工程の前段階の工程について簡単に説明すると、まず、基板１Ｗの平坦面の区画（区画１ａ等）ごとに、堤部（堤部１０等（図２参照））を形成する形成ステップを実施する。例えば、当該形成ステップにおいては、まず、ＳｉＯ２膜からなる酸化膜（例えば、膜厚５μｍ）をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により成膜した後、その上層にレジストを塗布してレジスト膜（例えば、膜厚５μｍ）を形成する。そして、当該レジスト膜に対し、堤部１０等の配置パターンに応じたパターンカットを行った後、熱処理等により、レジスト膜をテーパー状に形成（テーパー化）する。この後、上記酸化膜と上記レジスト膜とがほぼ同じ比率でエッチングされる条件でドライエッチングを行う。これにより、図２に示すように、傾斜面１０ａ、１０ｂを有する堤部１０が形成される。また、これと同様に、傾斜面１０ｃ、１０ｄを有する堤部も形成される。
その後、スパッタリング法等を用いて、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄ（図１）を成す多層膜、即ち、ピニング層３０ａ、ピンド層３０ｂ、スペーサ層３０ｃ及びフリー層３０ｄ（図３）を、傾斜面１０ａ〜１０ｄ（図１）上に順次成膜する成膜ステップを実施する。
なお、上述した形成ステップの具体的な処理工程は、あくまで一例であり、半導体ウェハ（基板１Ｗ）の平坦面に対し所望の傾斜面を形成可能な方法であれば、他の如何なる態様であっても構わない。例えば、上述の形成ステップでは、平坦面から上方（＋Ｚ方向）に突出する堤部（堤部１０等）を設けることで傾斜面１０ａ〜１０ｄを形成するものとして説明したが、他の実施形態においては、平坦面から下方（−Ｚ方向）に窪む溝部を設けて傾斜面１０ａ〜１０ｄを形成するものとしてもよい。
【００３１】
次に、ピンド層３０ｂの磁化の方位を固定する規則化熱処理工程（着磁ステップ）を実施する。
図４に示すように、規則化熱処理工程において、上記形成ステップ、成膜ステップを経て、傾斜面１０ａ〜１０ｄ上にピンド層３０ｂ等の多層膜が成膜された基板１Ｗを、予め用意されたマグネットアレイ２０に重ねる。マグネットアレイ２０は、基板１Ｗの平坦面に配列された各区画（区画１ａ等）に対応するように、永久棒磁石（後述する第１磁石２０Ｎ、第２磁石２０Ｓ）が規則的に、同一平面上に配列された治具である。
規則化熱処理工程においては、図４に示すように、マグネットアレイ２０の平坦面に対し、基板１Ｗの裏面（磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄが形成される平坦面とは異なる面）を対向させるように両者を重ね合わせて固定する。この際、基板１Ｗの平坦面における各区画と、マグネットアレイ２０における永久棒磁石（第１磁石２０Ｎ、第２磁石２０Ｓ）の配列パターンと、が対応するように位置合わせを行う。
この状態を維持したまま、真空中で加熱し、放置することにより、各ピンド層３０ｂの磁化の方位が、各永久棒磁石により印加される外部磁場に応じた方位に固定される（正確には、上記熱処理により、ピニング層３０ａの磁化の方位が固定される。そして、磁化が固定されたピニング層３０ａとの相互作用に基づいてピンド層３０ｂの磁化の方位が固定される）。
【００３２】
図５は、第１の実施形態に係る規則化熱処理工程における基板上の区画とマグネットアレイとの配置関係を示す図である。
図５に示すように、マグネットアレイ２０は、基板１Ｗの裏面に対しＮ極の面（一の極性面）を対向させる第１磁石２０Ｎと、基板１Ｗの裏面に対しＳ極の面（他の極性面）を対向させる第２磁石２０Ｓと、をマトリクス状に、交互に配列してなる。第１磁石２０Ｎ及び第２磁石２０Ｓは、基板１Ｗの平坦面における各区画（区画１ａ等）の配列方向に対し４５°傾いた方向に配列されている。
【００３３】
図５に示すように、Ｎ極の面を対向させる第１磁石２０Ｎの極性面は、その中央が区画１ａの頂点Ｐ２に重なるように配されている。同様に、Ｓ極の面を対向させる第２磁石２０Ｓの極性面は、その中央が区画１ａの頂点Ｐ１（頂点Ｐ２の対角に位置する頂点）に重なるように配されている。
また、１つの第１磁石２０Ｎは、区画１ａの一の頂点（頂点Ｐ２）を共有して隣接する４つの領域（区画１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄのそれぞれに含まれる第１領域ＡＮ）の全てに対向するように配される。同様に、１つの第２磁石２０Ｓは、頂点Ｐ１（区画１ａにおいて頂点Ｐ２の対角に位置する頂点）を共有して隣接する４つの領域（区画１ａ、１ｅ、１ｆ、１ｇのそれぞれに含まれる第２領域ＡＳ）の全てに対向するように配される。これにより、規則化熱処理工程において、基板１Ｗの平坦面上に配列される全ての区画は、第１磁石２０ＮのＮ極の面が対向する領域と、第２磁石２０ＳのＳ極の面が対向する領域と、を有する。
なお、上述したマグネットアレイ２０において、第１磁石２０Ｎ及び第２磁石２０Ｓの各極性面の形状は、矩形状に形成されているものとしたが、他の実施形態に係るマグネットアレイ２０は、この態様に限定されない。例えば、第１磁石２０Ｎ及び第２磁石２０Ｓの各極性面は、円形であってもよい。
【００３４】
図６は、第１の実施形態に係る規則化熱処理工程において印加される外部磁場の様子を説明する第１の図である。
図６に示すように、規則化熱処理工程において、マグネットアレイ２０は、基板１Ｗの下方（−Ｚ方向）に配される。マグネットアレイ２０に備えられた第１磁石２０Ｎは、Ｎ極の極性面を基板１Ｗの裏面に対向させるように配され、第２磁石２０Ｓは、Ｓ極の極性面を基板１Ｗの裏面に対向させるように配されている。基板１Ｗの平坦面上の区画１ａには、製造工程を経て磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄが形成される傾斜面１０ａ〜１０ｄ（図１）が形成されている（図６には、例として、傾斜面１０ａ、１０ｄのみを記載している）。
【００３５】
隣り合う第１磁石２０Ｎと第２磁石２０Ｓとは、それぞれ互いに異なる極性（Ｎ極、Ｓ極）の極性面を基板１Ｗに対向させる。これにより、基板１Ｗには、第１磁石２０ＮのＮ極の極性面から第２磁石２０ＳのＳ極の極性面へと進む外部磁場Ｈが印加される（図６参照）。具体的には、外部磁場Ｈは、第１磁石２０ＮのＮ極の極性面から上方（＋Ｚ方向）に向けて進行し、弧を描くようにして、隣接する第２磁石２０ＳのＳ極の極性面に、下方（−Ｚ方向）に入射する。
これにより、区画１ａに含まれる所定の第１領域ＡＮにおいて、基板１Ｗの平坦面に直交する一の方位（＋Ｚ方向）の外部磁場が印加されるとともに、第１領域ＡＮとは異なる第２領域ＡＳにおいて、基板１Ｗの平坦面に直交する他の方位（−Ｚ方向）の外部磁場が印加される。
【００３６】
図７は、第１の実施形態に係る規則化熱処理工程において印加される外部磁場の様子を説明する第２の図である。
図７は、例として、基板１Ｗの平坦面における区画１ａのうち磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ２Ａが形成される堤部１０の近傍を詳細に示している。磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ２Ａが配される位置の下方（−Ｚ方向）には、第２磁石２０ＳのＳ極の極性面が配されているため、当該磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ２Ａには、下方（−Ｚ方向）を向く外部磁場Ｈが印加される（図７参照）。傾斜面１０ａ、１０ｂ上に形成される磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ２Ａのピンド層３０ｂ（図７には図示せず）は、下方を向く外部磁場Ｈが印加された状態で加熱されることで、各々の磁化の方位が−Ｚ方向の成分を有するように固定される。
【００３７】
具体的には、傾斜面１０ａ上に形成されたピンド層３０ｂ（即ち、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａを構成するピンド層３０ｂ）の磁化の方位は、傾斜面１０ａの面内方向であって−Ｚ方向の成分を有する方位ｃ１（−Ｘ’方向）に固定される。同様に、傾斜面１０ｂ上に形成されたピンド層３０ｂ（即ち、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ａを構成するピンド層３０ｂ）の磁化の方位は、傾斜面１０ｂの面内方向であって−Ｚ方向の成分を有する方位ｃ２（−Ｚ’方向）に固定される。ここで、傾斜面１０ａ上に成膜されたピンド層３０ｂは、＋Ｘ方向から−Ｘ方向にかけて下降する（−Ｚ方向に向かう）ように傾斜している。したがって、当該ピンド層３０ｂの磁化の方位ｃ１は、−Ｚ方向の成分と、−Ｘ方向の成分と、を有している。また、傾斜面１０ｂ上に成膜されたピンド層３０ｂは、傾斜面１０ａとは逆に、−Ｘ方向から＋Ｘ方向にかけて下降する（−Ｚ方向に向かう）ように傾斜している。したがって、当該ピンド層３０ｂの磁化の方位ｃ２は、−Ｚ方向の成分と、＋Ｘ方向の成分と、を有している。
なお、下方の外部磁場Ｈが印加される他の磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｃ、Ｘ２Ｃ、Ｙ１Ａ、Ｙ２Ａ、Ｙ１Ｃ、Ｙ２Ｃについても、図７に示す磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ２Ａと同様に、各々が形成される各傾斜面１０ａ〜１０ｄ（図１）の面内方向であって−Ｚ方向の成分を有する方位に磁化が固定される。
【００３８】
図８は、第１の実施形態に係る規則化熱処理工程において印加される外部磁場の様子を説明する第３の図である。
図８は、例として、基板１Ｗの平坦面（区画１ａ）のうち磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ｂが形成される堤部１０の近傍を詳細に示している。磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ｂが配される位置の下方（−Ｚ方向）には、第１磁石２０ＮのＮ極の極性面が配されているため、当該磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ｂには、上方（＋Ｚ方向）を向く外部磁場Ｈが印加される（図８参照）。傾斜面１０ａ、１０ｂ上に形成される磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ｂのピンド層３０ｂ（図８には図示せず）は、上方を向く外部磁場Ｈが印加された状態で加熱されることで、磁化の方位が＋Ｚ方向の成分を有するように固定される。
【００３９】
具体的には、傾斜面１０ａ上に形成されたピンド層３０ｂ（即ち、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂを構成するピンド層３０ｂ）の磁化の方位は、傾斜面１０ａの面内方向であって＋Ｚ方向の成分を有する方位ｃ３（＋Ｘ’方向）に固定される。同様に、傾斜面１０ｂ上に形成されたピンド層３０ｂ（即ち、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｂを構成するピンド層３０ｂ）の磁化の方位は、傾斜面１０ｂの面内方向であって＋Ｚ方向の成分を有する方位ｃ４（＋Ｚ’方向）に固定される。ここで、傾斜面１０ａ上に成膜されたピンド層３０ｂは、−Ｘ方向から＋Ｘ方向にかけて上昇する（＋Ｚ方向に向かう）ように傾斜している。したがって、当該ピンド層３０ｂの磁化の方位ｃ３は、＋Ｚ方向の成分と、＋Ｘ方向の成分と、を有している。また、傾斜面１０ｂ上に成膜されたピンド層３０ｂは、傾斜面１０ａとは逆に、＋Ｘ方向から−Ｘ方向にかけて上昇する（＋Ｚ方向に向かう）ように傾斜している。したがって、当該ピンド層３０ｂの磁化の方位ｃ４は、＋Ｚ方向の成分と、−Ｘ方向の成分と、を有している。
なお、上方の外部磁場Ｈが印加される他の磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｄ、Ｘ２Ｄ、Ｙ１Ｂ、Ｙ２Ｂ、Ｙ１Ｄ、Ｙ２Ｄについても、図８に示す磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ、Ｘ２Ｂと同様に、各々が形成される各傾斜面１０ａ〜１０ｄ（図１）の面内方向であって＋Ｚ方向の成分を有する方位に磁化が固定される。
【００４０】
図９は、第１の実施形態に係る磁気センサのピンド層の磁化の方位を説明する図である。
図６〜図８に示したように、上記規則化熱処理工程を経た各磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄにおけるピンド層３０ｂの磁化の方位は、マグネットアレイ２０により印加される外部磁場Ｈの向き、及び、各々が形成される傾斜面１０ａ〜１０ｄ（図１）の向きに基づいて固定される。
【００４１】
具体的には、区画１ａの頂点Ｐ１の近傍に配される磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｃ、Ｘ２Ａ、Ｘ２Ｃ、Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｃ、Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｃは、基板１Ｗの平坦面に−Ｚ方向に直交する成分を有する外部磁場Ｈが印加される領域（第２領域ＡＳ）に属している。したがって、規則化熱処理工程を経た後は、図９に示すように、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｃは、傾斜面１０ａの面内方向であって、−Ｘ方向成分と−Ｚ方向成分とを有する方位ｃ１に固定される。また、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ａ、Ｘ２Ｃは、傾斜面１０ｂの面内方向であって、＋Ｘ方向成分と−Ｚ方向成分とを有する方位ｃ２に固定される。また、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｃは、傾斜面１０ｃの面内方向であって、＋Ｙ方向成分と−Ｚ方向成分とを有する方位ｄ１に固定される。また、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｃは、傾斜面１０ｄの面内方向であって、−Ｙ方向成分と−Ｚ方向成分とを有する方位ｄ２に固定される。
このように、第２領域ＡＳに配される全ての磁気抵抗効果素子（第１磁気抵抗効果素子及び第２磁気抵抗効果素子）は、ピンド層の磁化の方位が、少なくとも区画１ａの平坦面に直交する一の方位（−Ｚ方向）を向く成分を有している。
【００４２】
一方、区画１ａの頂点Ｐ２の近傍に配される磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｄ、Ｘ２Ｂ、Ｘ２Ｄ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｄ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｄは、基板１Ｗの平坦面に＋Ｚ方向に直交する成分を有する外部磁場Ｈが印加される領域（第１領域ＡＮ）に属している。したがって、規則化熱処理工程を経た後は、図９に示すように、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｄは、傾斜面１０ａの面内方向であって、＋Ｘ方向成分と＋Ｚ方向成分とを有する方位ｃ３に固定される。また、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｂ、Ｘ２Ｄは、傾斜面１０ｂの面内方向であって、−Ｘ方向成分と＋Ｚ方向成分とを有する方位ｃ４に固定される。また、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｄは、傾斜面１０ｃの面内方向であって、−Ｙ方向成分と＋Ｚ方向成分とを有する方位ｄ３に固定される。また、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｄは、傾斜面１０ｄの面内方向であって、＋Ｙ方向成分と＋Ｚ方向成分とを有する方位ｄ４に固定される。
このように、第１領域ＡＮに配される全ての磁気抵抗効果素子（第１磁気抵抗効果素子及び第２磁気抵抗効果素子）は、ピンド層の磁化の方位が、少なくとも区画１ａの平坦面に直交する他の方位（＋Ｚ方向）を向く成分を有している。
【００４３】
以上のように、上記規則化熱処理工程において、基板１Ｗの平坦面に直交する成分を有する＋Ｚ方向、−Ｚ方向の外部磁場Ｈを印加して、当該直交する成分（±Ｚ方向の成分）に基づいて、基板１Ｗの平坦面上に形成されたピンド層３０ｂの磁化の方位が固定される。
【００４４】
なお、図９には図示していないが、各磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄのフリー層３０ｄの磁化の方位（後述する方位Ｍｙ、Ｍｘ）は、各々の長手方向に沿う方位となる（図３参照）。例えば、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｃ、Ｘ１Ｄ、Ｘ２Ａ、Ｘ２Ｂ、Ｘ２Ｃ、Ｘ２Ｄの磁化の方位は、別途の外部磁場を印加することで、全て＋Ｙ方向を向くように揃えられる。同様に、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｃ、Ｙ１Ｄ、Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｃ、Ｙ２Ｄの磁化の方位は、別途の外部磁場を印加することで、全て＋Ｘ方向を向くように揃えられる。
【００４５】
［回路構成］
図１０は、第１の実施形態に係る磁気センサの回路構成を説明する図である。
次に、図９に示した各磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄにより構成される回路構成について、図１０を参照しながら説明する。
本実施形態に係る磁気センサ１の製造工程では、規則化熱処理工程後に行う配線形成ステップにおいて、各磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄ等を電気的に接続する配線（例えば、図３に示す配線層３１ａ、３１ｂ等）を形成する。具体的には、各磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄは、図１０（ａ）〜（ｄ）に示すように配線接続される。ここで、図９に示したように、第１傾斜面（傾斜面１０ａ、１０ｂ）及び第２傾斜面（傾斜面１０ｃ、１０ｄ）は、それぞれ、第１領域ＡＮ及び第２領域ＡＳの両方に形成されている。当該配線形成ステップにおいては、第１領域ＡＮに属する各磁気抵抗効果素子、及び、第２領域ＡＳに属する各磁気抵抗効果素子のうち、同一の傾斜面１０ａ〜１０ｄを有するものを組にしたブリッジ回路を形成する。
【００４６】
例えば、図１０（ａ）に示すように、ブリッジ回路ＢＸ１において、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ及び磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂは、電源端子Ｑ１と接地端子Ｑ２との間に直列に接続される。このとき、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａの一端が電源端子Ｑ１と接続され、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂの一端が接地端子Ｑ２と接続される。また、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｄ及び磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｃは、同様に、電源端子Ｑ１と接地端子Ｑ２との間に直列に接続される。このとき、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｄの一端が電源端子Ｑ１と接続され、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｃの一端が接地端子Ｑ２と接続される。ここで、電源端子Ｑ１、接地端子Ｑ２には図示しない定電圧源の正極、負極がそれぞれ接続され、電源端子Ｑ１には電源電圧Ｖｉｎ＋（例えば、３Ｖ）が印加され、接地端子Ｑ２には接地電圧Ｖｉｎ−（例えば、０Ｖ）が印加される。
また、図１０（ａ）に示すように、ブリッジ回路ＢＸ１は、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａと磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂとの間の電位と、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｄと磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｃとの間の電位と、の電位差である出力電圧Ｖｘ１を出力する。
【００４７】
各磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｘ１Ｄのピンド層３０ｂ（図３）の磁化の方位ｃ１、ｃ３は、傾斜面１０ａの面内方向であって互いに逆向きに固定されている。また、各磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｘ１Ｄのフリー層３０ｄ（図３）の磁化の方位Ｍｙは、印加される外部磁場に応じて、傾斜面１０ａの面内方向において変化する。すなわち、ブリッジ回路ＢＸ１は、印加される外部磁場のうち＋Ｘ方向と＋Ｚ方向との合成成分に応じて出力電圧Ｖｘ１を変化させる。
【００４８】
一方、図１０（ｂ）に示すように、ブリッジ回路ＢＸ２において、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ａ及び磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｂは、電源端子Ｑ１と接地端子Ｑ２との間に直列に接続される。このとき、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ａの一端が電源端子Ｑ１と接続され、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｂの一端が接地端子Ｑ２と接続される。また、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｄ及び磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｃは、同様に、電源端子Ｑ１と接地端子Ｑ２との間に直列に接続される。このとき、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｄの一端が電源端子Ｑ１と接続され、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｃの一端が接地端子Ｑ２と接続される。
また、図１０（ｂ）に示すように、ブリッジ回路ＢＸ２は、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ａと磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｂとの間の電位と、磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｄと磁気抵抗効果素子Ｘ２Ｃとの間の電位と、の電位差である出力電圧Ｖｘ２を出力する。
【００４９】
各磁気抵抗効果素子Ｘ２Ａ〜Ｘ２Ｄのピンド層３０ｂ（図３）の磁化の方位ｃ２、ｃ４は、傾斜面１０ｂの面内方向であって互いに逆向きに固定されている。また、各磁気抵抗効果素子Ｘ２Ａ〜Ｘ２Ｄのフリー層３０ｄ（図３）の磁化の方位Ｍｙは、印加される外部磁場に応じて、傾斜面１０ｂの面内方向において変化する。すなわち、ブリッジ回路ＢＸ２は、印加される外部磁場のうち＋Ｘ方向と−Ｚ方向との合成成分に応じて出力電圧Ｖｘ２を変化させる。
【００５０】
磁気センサ１は、ブリッジ回路ＢＸ１の出力電圧Ｖｘ１と、ブリッジ回路ＢＸ２の出力電圧Ｖｘ２と、を組み合わせることで、印加される外部磁場の±Ｘ方向成分及び±Ｚ方向成分を分離して算出することができる。具体的には、外部磁場の±Ｘ方向の成分Ｈｘは、下記の式（１）により求めることができる。
Ｈｘ＝ｋｘ（Ｖｘ１＋Ｖｘ２）／ｃｏｓθ・・・（１）
ここで、傾斜角度θは、基板１Ｗの平坦面に対する傾斜面１０ａ、１０ｂの角度である（図２参照）。また、感度係数ｋｘは、出力電圧Ｖｘ１、Ｖｘ２に対する、外部磁場の±Ｘ方向の成分Ｈｘ（±Ｘ方向の磁界強度）の比例定数である。
【００５１】
また、図１０（ｃ）に示すように、ブリッジ回路ＢＹ１において、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ及び磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｂは、電源端子Ｑ１と接地端子Ｑ２との間に直列に接続される。このとき、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａの一端が電源端子Ｑ１と接続され、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｂの一端が接地端子Ｑ２と接続される。また、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｄ及び磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｃは、同様に、電源端子Ｑ１と接地端子Ｑ２との間に直列に接続される。このとき、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｄの一端が電源端子Ｑ１と接続され、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｃの一端が接地端子Ｑ２と接続される。
また、図１０（ｃ）に示すように、ブリッジ回路ＢＹ１は、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａと磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｂとの間の電位と、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｄと磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｃとの間の電位と、の電位差である出力電圧Ｖｙ１を出力する。
【００５２】
各磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ〜Ｙ１Ｄのピンド層３０ｂ（図３）の磁化の方位ｄ１、ｄ３は、傾斜面１０ｃの面内方向であって互いに逆向きに固定されている。また、各磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ〜Ｙ１Ｄのフリー層３０ｄ（図３）の磁化の方位Ｍｘは、印加される外部磁場に応じて、傾斜面１０ｃの面内方向において変化する。すなわち、ブリッジ回路ＢＹ１は、印加される外部磁場のうち＋Ｙ方向と−Ｚ方向との合成成分に応じて出力電圧Ｖｙ１を変化させる。
【００５３】
同様に、図１０（ｄ）に示すように、ブリッジ回路ＢＹ２において、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ａ及び磁気抵抗効果素子Ｙ２Ｂは、電源端子Ｑ１と接地端子Ｑ２との間に直列に接続される。このとき、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ａの一端が電源端子Ｑ１と接続され、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ｂの一端が接地端子Ｑ２と接続される。また、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ｄ及び磁気抵抗効果素子Ｙ２Ｃは、同様に、電源端子Ｑ１と接地端子Ｑ２との間に直列に接続される。このとき、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ｄの一端が電源端子Ｑ１と接続され、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ｃの一端が接地端子Ｑ２と接続される。
また、図１０（ｄ）に示すように、ブリッジ回路ＢＹ２は、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ａと磁気抵抗効果素子Ｙ２Ｂとの間の電位と、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ｄと磁気抵抗効果素子Ｙ２Ｃとの間の電位と、の電位差である出力電圧Ｖｙ２を出力する。
【００５４】
各磁気抵抗効果素子Ｙ２Ａ〜Ｙ２Ｄのピンド層３０ｂ（図３）の磁化の方位ｄ２、ｄ４は、傾斜面１０ｄの面内方向であって互いに逆向きに固定されている。また、各磁気抵抗効果素子Ｙ２Ａ〜Ｙ２Ｄのフリー層３０ｄ（図３）の磁化の方位Ｍｘは、印加される外部磁場に応じて、傾斜面１０ｄの面内方向において変化する。すなわち、ブリッジ回路ＢＹ２は、印加される外部磁場のうち＋Ｙ方向と＋Ｚ方向との合成成分に応じて出力電圧Ｖｙ２を変化させる。
【００５５】
磁気センサ１は、ブリッジ回路ＢＹ１の出力電圧Ｖｙ１と、ブリッジ回路ＢＹ２の出力電圧Ｖｙ２と、を組み合わせることで、印加される外部磁場の±Ｙ方向成分及び±Ｚ方向成分を分離して算出することができる。具体的には、外部磁場の±Ｙ方向の成分Ｈｙは、下記の式（２）により求めることができる。
Ｈｙ＝ｋｙ（Ｖｙ１＋Ｖｙ２）／ｃｏｓθ・・・（２）
ここで、感度係数ｋｙは、出力電圧Ｖｙ１、Ｖｙ２に対する、外部磁場の±Ｙ方向の成分Ｈｙ（±Ｙ方向の磁界強度）の比例定数である。
【００５６】
さらに、外部磁場の±Ｚ方向の成分Ｈｚは、下記の式（３）により求めることができる。
Ｈｚ＝ｋｚ（Ｖｙ１−Ｖｙ２）／ｓｉｎθ・・・（３）
ここで、感度係数ｋｚは、出力電圧Ｖｙ１、Ｖｙ２に対する、外部磁場の±Ｚ方向の成分Ｈｚ（±Ｚ方向の磁界強度）の比例定数である。
【００５７】
なお、磁気センサ１は、別途、各ブリッジ回路ＢＸ１、ＢＸ２、ＢＹ１、ＢＹ２の出力電圧Ｖｘ１、Ｖｘ２、Ｖｙ１、Ｖｙ２を入力し、外部磁場の各方向成分（Ｈｘ、Ｈｙ、Ｈｚ）を算出する磁界強度演算部を備えている。この場合、当該磁界強度演算部は、例えば、Ａ／Ｄ変換回路を介して出力電圧Ｖｘ１を入力し、サンプリング値ＳＶｘ１を取得するステップを実行した後、同様に、Ａ／Ｄ変換回路を介して出力電圧Ｖｘ２、Ｖｙ１、Ｖｙ２を順次入力し、サンプリング値ＳＶｘ２、ＳＶｙ１、ＳＶｙ２を取得するステップを実行するものとしてもよい。その後、磁界強度演算部は、取得したサンプリング値ＳＶｘ１〜ＳＶｙ２に基づいて、式（１）〜（３）の演算を行い、外部磁場の各方向成分（Ｈｘ、Ｈｙ、Ｈｚ）を算出する。
この場合、各ブリッジ回路ＢＸ１、ＢＸ２、ＢＹ１、ＢＹ２は、各々の出力電圧Ｖｘ１、Ｖｘ２、Ｖｙ１、Ｖｙ２を増幅する増幅器（出力アンプ）を介して上記磁界強度演算部（Ａ／Ｄ変換回路）に出力してもよい。
【００５８】
［作用効果］
図１１は、第１の実施形態の対比例に係る磁気センサの製造方法を説明する第１の図である。また、図１２は、第１の実施形態の対比例に係る磁気センサの製造方法を説明する第２の図である。
次に、上述した磁気センサ１の製造方法の作用効果について、図１１、図１２に示す対比例と比較しながら説明する。
【００５９】
第１の実施形態の対比例に係る磁気センサ９（図１２）は、図１１に示すように、基板１Ｗの平坦面に配列される区画（区画１ａ’）ごとに形成される。
ここで、当該対比例に係る規則化熱処理工程も、第１の実施形態に係る規則化熱処理工程と同様に、ピンド層３０ｂ等の多層膜が成膜された基板１Ｗを、予め用意されたマグネットアレイ２０に重ね、所定の熱処理を行う（図４参照）。
【００６０】
図１１に示すように、マグネットアレイ２０は、基板１Ｗに対しＮ極の面（一の極性面）を対向させる第１磁石２０Ｎと、基板１Ｗに対しＳ極の面（他の極性面）を対向させる第２磁石２０Ｓと、をマトリクス状に、交互に配列して成る。ただし、第１の実施形態とは異なり、第１磁石２０Ｎ及び第２磁石２０Ｓは、基板１Ｗの平坦面における各区画（区画１ａ’等）に、一対一に対応するように配列されている。
【００６１】
具体的には、図１１に示すように、Ｎ極の面を対向させる第１磁石２０Ｎの極性面は、その中心が、基板１Ｗの平坦面の一区画である区画１ａ’の中心に重なるように配されている。同様に、Ｓ極の面を対向させる第２磁石２０Ｓの極性面は、その中央が、区画１ａ’に隣接する他の区画の中央に重なるように配されている。したがって、この場合、マグネットアレイ２０が生じさせる外部磁場Ｈ’は、第１磁石２０Ｎの極性面から出て、その±Ｘ方向、±Ｙ方向に配される４つの第２磁石２０Ｓの極性面のそれぞれに向かう。
【００６２】
ここで、図１２には、対比例に係る磁気センサ９の構造、及び、各磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄのピンド層３０ｂ（図１２には図示せず）の磁化の方位を示している。
図１２に示すように、磁気センサ９は、矩形板状の区画１ａ’内において、１２個の磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｃ、Ｘ１Ｄ、Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｃ、Ｙ１Ｄ、Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｃ、Ｙ２Ｄを備えている。
１２個の各磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄのうち、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｃ、Ｘ１Ｄは、基板１Ｗの平坦面上に、±Ｙ方向を長手方向とするように形成されている。また、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｃ、Ｙ１Ｄ、Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｃ、Ｙ２Ｄは、いずれも基板１Ｗの平坦面に対し傾斜する傾斜面（傾斜面１０ｃ、１０ｄ）上に形成されている。
【００６３】
具体的には、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｃ、Ｙ１Ｄは、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側にかけて下降する（−Ｚ方向側に進む）ように傾斜する傾斜面１０ｃ上に形成される。一方、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｃ、Ｙ２Ｄは、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側にかけて上昇する（＋Ｚ方向側に進む）ように傾斜する傾斜面１０ｄ上に形成される。
【００６４】
また、図１２に示すように、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｃは、区画１ａ’の−Ｘ方向側の辺の中央付近に配され、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｄは、区画１ａ’の＋Ｘ方向側の辺の中央付近に配される。さらに、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｃ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｄは、区画１ａ’の＋Ｙ方向側の辺の中央付近に配され、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｄ、Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｃは、区画１ａ’の−Ｙ方向側の辺の中央付近に配される。
【００６５】
規則化熱処理工程を経た各磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄにおけるピンド層３０ｂの磁化の方位は、マグネットアレイ２０により印加される外部磁場Ｈ’（図１１）の水平成分（基板１Ｗの平坦面の面内方向成分）の向きに基づいて固定される。
【００６６】
具体的には、区画１ａ’の−Ｘ方向側の辺の中央付近に配される磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｃのピンド層３０ｂの磁化の方位は、−Ｘ方向の外部磁場Ｈ’（図１１）により、−Ｘ方向の成分のみを有する方位ｃ１’に固定される。また、区画１ａ’の＋Ｘ方向側の辺の中央付近に配される磁気抵抗効果素子Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｄのピンド層３０ｂの磁化の方位は、＋Ｘ方向の外部磁場Ｈ’（図１１）により、＋Ｘ方向の成分のみを有する方位ｃ２’に固定される。
【００６７】
同様に、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｃは、＋Ｙ方向の外部磁場Ｈ’（図１１）により、傾斜面１０ｃの面内方向であって、＋Ｙ方向成分と−Ｚ方向成分とを有する方位ｄ１に固定される。また、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｄは、＋Ｙ方向の外部磁場Ｈ’により、傾斜面１０ｄの面内方向であって、＋Ｙ方向成分と＋Ｚ方向成分とを有する方位ｄ４に固定される。
さらに、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｄは、−Ｙ方向の外部磁場Ｈ’（図１１）により、傾斜面１０ｃの面内方向であって、−Ｙ方向成分と＋Ｚ方向成分とを有する方位ｄ３に固定される。また、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｃは、−Ｙ方向の外部磁場Ｈ’により、傾斜面１０ｄの面内方向であって、−Ｙ方向成分と−Ｚ方向成分とを有する方位ｄ２に固定される。
【００６８】
対比例に係る磁気センサ９の１２個の磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄのうち、磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｃ、Ｘ１Ｄの組は、ブリッジ回路を構成するように配線接続される。同様に、磁気抵抗効果素子Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｃ、Ｙ１Ｄの組、及び、磁気抵抗効果素子Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｃ、Ｙ２Ｄの組も、同様に、ブリッジ回路を構成するように配線接続される（図１０参照）。
対比例に係る磁気センサ９は、以上の構成により、互いに直交する３軸の成分（Ｈｘ、Ｈｙ、Ｈｚ）別に計測可能な３軸磁気センサを成す。
【００６９】
ここで、マグネットアレイ２０のピッチを基準として、第１の実施形態に係る磁気センサ１と、対比例に係る磁気センサ９と、のサイズ（即ち、区画１ａと区画１ａ’とのサイズ）を比較すると、磁気センサ１は、磁気センサ９に比べて１／√２のサイズとなっている。
【００７０】
このように、第１の実施形態に係る規則化熱処理工程（着磁ステップ）では、半導体ウェハ（基板１Ｗ）の平坦面に直交する成分を有する外部磁場Ｈを印加して、当該直交する成分に基づいて、ピンド層の磁化の方位を固定する。
これにより、外部磁場Ｈのうち永久磁石（第１磁石、第２磁石）のピッチが狭まるほど湾曲する成分が強くなる水平成分を用いないため、磁気抵抗効果素子同士の間隔を狭めて配置しても、ピンド層の磁化の方位を所望する方位に固定することができる。
【００７１】
また、第１の実施形態に係る規則化熱処理工程では、区画１ａに含まれる所定の第１領域ＡＮにおいて平坦面に直交する一の方位（＋Ｚ方向）の外部磁場Ｈを印加し、第１領域ＡＮとは異なる第２領域ＡＳにおいて、一の方位（＋Ｚ方向）とは逆向き（−Ｚ方向）の外部磁場Ｈを印加する。
これにより、一区画内において、磁化の方位が互いに逆向きのピンド層を形成できる。したがって、磁化の方位が互いに逆向きのピンド層を有する磁気抵抗効果素子を組み合わせてブリッジ回路を構成することで、小型で、かつ、検出精度の高い磁気センサを作製することができる。
【００７２】
また、上記の規則化熱処理工程では、第１領域ＡＮに対して一の極性面（Ｎ極の面）を対向させる第１磁石２０Ｎと、第２領域ＡＳに対して他の極性面（Ｓ極の面）を対向させる第２磁石２０Ｓと、を同一平面上に配列して外部磁場Ｈを印加する。
これにより、第１磁石２０Ｎ及び第２磁石２０Ｓが各区画（区画１ａ等）に整合するように同一平面上に配列された治具であるマグネットアレイ２０を半導体ウェハ（基板１Ｗ）に重ねるのみで、平坦面に直交する成分を有する外部磁場Ｈを印加することができるので、規則化熱処理工程の作業を簡素化することができる。
【００７３】
さらに、第１の実施形態に係る規則化熱処理工程では、１つの第１磁石２０Ｎが、矩形状の一区画（区画１ａ等）の一の頂点Ｐ２を共有して隣接する４つの第１領域ＡＮに対向するように配されるとともに、１つの第２磁石２０Ｓが、区画１ａのうち頂点Ｐ１の対角に位置する他の頂点Ｐ１を共有して隣接する４つの第２領域ＡＳに対向するように配されている。
これにより、単一の永久磁石（第１磁石２０Ｎ、第２磁石２０Ｓ）が、一の頂点を共有して隣接する４つの区画のそれぞれに外部磁場を印加することができるので、一定の永久磁石のサイズ及び配列ピッチに対し、区画のサイズを効率的に縮小化することができる。
【００７４】
さらに、第１の実施形態に係る成膜ステップにおいては、ピンド層は、半導体ウェハ（基板１Ｗ）の平坦面の面内方向における第１方位（±Ｘ方向）に沿って当該平坦面と接するように設けられた第１傾斜面（傾斜面１０ａ、１０ｂ）と、第１方位と異なる第２方位（±Ｙ方向）に沿って当該平坦面と接するように設けられた第２傾斜面（傾斜面１０ｃ、１０ｄ）と、の両方に成膜される。
これにより、磁気センサ１は、平坦面の面内方向において感度方向（外部磁場の強度を主として観測可能な方向）が互いに異なる複数の磁気抵抗効果素子が形成されるため、外部磁場を、異なる複数の方位の成分別に計測可能となる。
【００７５】
以上、第１の実施形態に係る磁気センサの製造方法によれば、磁気センサの小型化を実現することができる。
【００７６】
＜他の変形例＞
なお、第１の実施形態に係る磁気センサ１の製造方法は、上述の態様に限定されるものではなく、例として、以下のようにも変形可能である。
【００７７】
図１３は、第１の実施形態の変形例に係る規則化熱処理工程の概要を説明する図である。
第１の実施形態に係る磁気センサ１の規則化熱処理工程においては、基板１Ｗの一方側（裏面側）にマグネットアレイ２０を重ねるように配置するものとして説明した（図４参照）。しかし、他の実施形態に係る規則化熱処理工程においては、例えば、図１３（ａ）に示すように、基板１Ｗの他方側（表面側）にも、他のマグネットアレイ４０を配置するようにしてもよい。このとき、マグネットアレイ２０を構成する各永久磁石（第１磁石２０Ｎ、第２磁石２０Ｓ）と、マグネットアレイ４０を構成する各永久磁石（第１磁石４０Ｎ、第２磁石４０Ｓ）と、の各々が対向する極性面が、互いに異なる極性となるように配されるものとする（図１３（ａ）参照）。
このような構成とすることで、外部磁場Ｈの各方向成分のうち、平坦面に直交する成分が他の方向成分に対して強まるので、固定されるピンド層３０ｂ（図３）の磁化の方位の精度を高めることができる。
【００７８】
なお、マグネットアレイ４０の代わりに、図１３（ｂ）に示すヨーク５０を配置することによっても、図１３（ａ）の場合と同様の効果を得ることができる。ここで、ヨーク５０は、例えば、鉄等の軟磁性体の材料からなる。具体的には、軟磁性体であるヨーク５０は、マグネットアレイ２０の第１磁石２０Ｎ、第２磁石２０Ｓの各々と対向することで、当該対向する部分が、各々対向する極性と逆の極性に変化する。これにより、実質的には、基板１Ｗは、図１３（ａ）に示すように、マグネットアレイ２０と、マグネットアレイ４０と、に挟まれる状態と等価となる。したがって、基板１Ｗの平坦面に直交する成分を主とする外部磁場Ｈを印加することができ、固定されるピンド層３０ｂ（図３）の磁化の方位の精度を高めることができる。
【００７９】
以上のように、マグネットアレイ２０の第１磁石２０Ｎ及び第２磁石２０Ｓのそれぞれと、基板１Ｗの平坦面を挟むように磁性体を配することで、基板１Ｗの平坦面に直交する成分以外の他の方向成分が除外された外部磁場を印加することができる。したがって、固定されるピンド層３０ｂ（図３）の磁化の方位の精度を一層高めることができる。
【００８０】
また、図５に示したマグネットアレイ２０の配置は一例であってこれには限定されず、平坦面に直交する成分（±Ｚ方向成分）を有する外部磁場を印加可能なように配されていれば如何なる配置であってもよい。ただし、この場合、磁気抵抗効果素子を成すピンド層は、その磁化の方位が当該平坦面に直交する成分に基づいて固定されるように、平坦面に対し傾斜して配されるものとする。
【００８１】
また、第１の実施形態においては、磁化の方位が互いに異なる磁気抵抗効果素子を組み合わせてブリッジ回路を構成するものとしたが、他の実施形態に係る磁気センサにおいては、必ずしもブリッジ回路が構成されなくともよい。例えば、各ブリッジ回路ＢＸ１、ＢＸ２、ＢＹ１、ＢＹ２（図１０）を構成する４つの組の磁気抵抗効果素子の一部を、既知の抵抗値を有する抵抗素子に置き換えてブリッジ回路を構成してもよい。
このようにすることで、磁気センサ１を構成する磁気抵抗効果素子の数を減らすことができるので、一層小型化を促進させることができる。
【００８２】
また、第１磁石２０Ｎについて、「第１領域ＡＮに対して一の極性面（Ｎ極の面）を対向させる」との文言は、当該一の極性面を基板１Ｗの磁気抵抗効果素子Ｘ１Ａ〜Ｙ２Ｄが形成される平坦面側から対向させる場合と、基板１Ｗの当該平坦面とは異なる裏面側から対向させる場合と、の両方を含むものとする。第２磁石２０Ｓについて、「第２領域ＡＳに対して他の極性面（Ｓ極の面）を対向させる」との文言も同様とする。
【００８３】
また、第１の実施形態に係る磁界強度演算部は、当該機能を実現するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行することにより実現される態様であってもよい。ここでいう「コンピュータシステム」とは、ＯＳや周辺機器等のハードウェアを含むものとする。また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。また、揮発性メモリ（ＲＡＭ）のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。
【００８４】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００８５】
１…磁気センサ、１Ｗ…基板（半導体ウェハ）、１ａ…区画、１０…堤部、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ…傾斜面、２０、４０…マグネットアレイ、２０Ｎ、４０Ｎ…第１磁石、２０Ｓ、４０Ｓ…第２磁石、３０ａ…ピニング層、３０ｂ…ピンド層、３０ｃ…スペーサ層、３０ｄ…フリー層、３１ａ、３１ｂ…配線層、５０…ヨーク、Ｘ１Ａ、Ｘ１Ｂ、Ｘ１Ｃ、Ｘ１Ｄ、Ｘ２Ａ、Ｘ２Ｂ、Ｘ２Ｃ、Ｘ２Ｄ、Ｙ１Ａ、Ｙ１Ｂ、Ｙ１Ｃ、Ｙ１Ｄ、Ｙ２Ａ、Ｙ２Ｂ、Ｙ２Ｃ、Ｙ２Ｄ…磁気抵抗効果素子、ＢＸ１、ＢＸ２、ＢＹ１、ＢＹ２…ブリッジ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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