(57)【要約】【課題】広い温度領域（特に、高温環境下）において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良を抑制することが可能なＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法は、１０１４Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有するポリイミド配向膜を一対の基板の表面に形成する第１工程と、前記ポリイミド配向膜を配向処理した後、イソプロピルアルコールを用いて洗浄する第２工程と、前記第２工程で得られた一対の基板を、シール材を挟んで重ね合わせた後、前記シール材をＵＶ照射又は加熱すると共に加圧して硬化させることによって液晶セルを形成する第３工程と、前記第３工程で得られた液晶セルの基板間に１０１３Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する液晶材料を注入する第４工程とを含むことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０１４Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有するポリイミド配向膜を一対の基板の表面に形成する第１工程と、
前記ポリイミド配向膜を配向処理した後、イソプロピルアルコールを用いて洗浄する第２工程と、
前記第２工程で得られた一対の基板を、シール材を挟んで重ね合わせた後、前記シール材をＵＶ照射又は加熱すると共に加圧して硬化させることによって液晶セルを形成する第３工程と、
前記第３工程で得られた液晶セルの基板間に１０１３Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する液晶材料を注入する第４工程と
を含むことを特徴とするＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第４工程の後に、前記液晶材料を注入した前記液晶セルを、前記液晶材料のＮＩ点以上の温度に加熱する第５工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第５工程における加熱温度が、１２０℃以下であることを特徴とする請求項２に記載のＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記液晶材料が、フッ素系混合ネマティック液晶であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記ＦＦＳモード液晶表示装置が車載用であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
８５℃において３００秒以上の時定数及び１．０Ｖ以下の蓄積電圧を有する液晶表示パネルを備えることを特徴とするＦＦＳモード液晶表示装置。
【請求項７】
前記時定数が３５０秒以上、前記蓄積電圧が０．８Ｖ以下であることを特徴とする請求項６に記載のＦＦＳモード液晶表示装置。
【請求項８】
前記液晶表示パネルの液晶層が、１０１３Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有することを特徴とする請求項６又は７に記載のＦＦＳモード液晶表示装置。
【請求項９】
前記液晶表示パネルの液晶層が、フッ素系混合ネマティック液晶から形成されていることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載のＦＦＳモード液晶表示装置。
【請求項１０】
前記ＦＦＳモード液晶表示装置が車載用であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載のＦＦＳモード液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＦＦＳモード液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、車載用のＦＦＳモード液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード液晶表示装置は、基板に対して平行に配向させた液晶分子を、基板に対して平行の電界（横電界）でスイッチングする方式の液晶表示装置であり、ＴＮモードやＶＡモード等の他のモードの液晶表示装置に比べて視野角が広い等の特性を有している。他方、ＩＰＳモード液晶表示装置は、一方の基板（アレイ基板）のみに２組の櫛歯形状の電極（以下、「櫛歯電極」という）を形成しており、櫛歯電極上部は横電界にならず、液晶分子がスイッチングしない。そのため、ＩＰＳモード液晶表示装置は、光が透過する面積が狭く、開口率が低いという欠点がある。そこで、ＩＰＳモード液晶表示装置の低開口率の欠点を改善するために、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
ＦＦＳモード液晶表示装置は、基板に対して平行に配向させた液晶分子をフリンジ電界でスイッチングする方式の液晶表示装置であり、スイッチング動作がＩＰＳモード液晶表示装置と同じであるため、視野角が広い等の特性を有している。また、ＦＦＳモード液晶表示装置は、面電極と櫛歯電極とを組み合わせ、電極に透明電極を用いているため、高い開口率を実現することができる。さらに、フリンジ電界は、ＩＰＳモードで発生する電界よりも電界強度が大きく、且つ面電極上の液晶分子がスイッチングするため、ＩＰＳモードでスイッチングが困難であった電極上部の液晶分子もスイッチングさせることができる。
【０００４】
近年、液晶表示装置は、様々な分野で使用されているが、使用分野によって動作（性能）保証温度が異なる。例えば、一般的な家電製品用の液晶表示装置では、動作保証温度が０℃〜５０℃であるのに対し、車載用の液晶表示装置では、動作保証温度が−３０℃〜８５℃である。したがって、車載用の液晶表示装置は、一般的な家電製品用の液晶表示装置に比べて、広い温度領域（特に、高温環境下）における動作保証を要求する。
【０００５】
液晶表示装置に要求される性能の１つとしては、残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良を防止することが挙げられる。ここで、「焼き付き」とは、長時間同じ画像を表示させていた場合に、次の画面に切り替えても前の画像が薄らと表示されたままになる現象である。また、「残像」とは、焼き付きと同じ現象であり、当該現象が比較的短時間で消える場合を指す。さらに、「フリッカ」とは、画面がちらつく現象である。残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良は、直流（ＤＣ)電圧によって配向膜に蓄積された電荷が直ぐに緩和されずに残り、これが残留ＤＣ電圧として電極間の液晶層に加えられてしまうことに起因していると考えられている。
【０００６】
従来、電荷の蓄積は、液晶表示装置を構成する液晶表示パネルの液晶層に含有される不純物イオンに主な原因があると考えられてきた。そのため、不純物イオンを低減した高比抵抗の（比抵抗が１．５×１０１４Ω・ｃｍ以上の）液晶材料を用いて液晶層を形成することにより、残留ＤＣ電圧を低減する方法が提案されている（例えば、特許文献２）。
しかしながら、ＦＦＳモード液晶表示装置では、電極構造が非対称であるため、液晶に含まれる不純物イオンが僅かであっても、電極構造が対称であるＩＰＳモード等の他の方式と比べて電極に電荷が残留し易い。特に、車載用のＦＦＳモード液晶表示装置の場合、高温環境下において電極間の抵抗が低くなる（その結果、電極間の抵抗と容積との積である時定数が小さくなる）ため、電極に電荷の蓄積が生じてしまう。そのため、ＦＦＳモード液晶表示装置では、高比抵抗の液晶材料を用いて液晶層を形成しても、残留ＤＣ電圧を十分に低減することができず、高温環境下において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良を十分に抑制することができないという問題がある。
【０００７】
他方、フリッカや焼き付き等の表示不良を抑制する方法として、低比抵抗の（比抵抗が１０９Ω・ｃｍ〜数１０１２Ω・ｃｍの）液晶材料を用いて液晶層を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献３）。
しかしながら、この方法では、液晶材料の比抵抗を下げるためにドーパントを添加しなければならず、コストアップにつながる上、液晶表示装置の信頼特性が低下する場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３７４２８３７号公報
【特許文献２】国際公開第２０１２／１１８００６号
【特許文献３】特開平１１−３０２６５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、広い温度領域（特に、高温環境下）において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良を抑制することが可能なＦＦＳモード液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、特定の材料及び工程を選択して用いることにより、広い温度領域（特に、高温環境下）において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良を抑制することが可能なＦＦＳモード液晶表示装置を製造し得ることを見出した。また、このようにして製造されたＦＦＳモード液晶表示装置について鋭意研究を続けた結果、液晶表示パネルの時定数及び蓄積電圧が、広い温度領域（特に、高温環境下）における残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良と密接に関係しているという知見に基づき、液晶表示パネルの時定数及び蓄積電圧を所定の範囲に制御することにより、上記の問題を解決し得ることを見出した。
【００１１】
すなわち、本発明は、１０１４Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有するポリイミド配向膜を一対の基板の表面に形成する第１工程と、前記ポリイミド配向膜を配向処理した後、イソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と略す。）を用いて洗浄する第２工程と、前記第２工程で得られた一対の基板を、シール材を挟んで重ね合わせた後、前記シール材をＵＶ照射又は加熱すると共に加圧して硬化させることによって液晶セルを形成する第３工程と、前記第３工程で得られた液晶セルの基板間に１０１３Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する液晶材料を注入する第４工程とを含むことを特徴とするＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法である。
【００１２】
また、本発明は、８５℃において３００秒以上の時定数及び１．０Ｖ以下の蓄積電圧を有する液晶表示パネルを備えることを特徴とするＦＦＳモード液晶表示装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、広い温度領域（特に、高温環境下）において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良を抑制することが可能なＦＦＳモード液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ＦＦＳモード液晶表示装置における液晶表示パネルの断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明のＦＦＳモード液晶表示装置及びその製造方法について図面を用いて説明する。
図１は、本発明のＦＦＳモード液晶表示装置における液晶表示パネルの断面模式図である。図１において、液晶表示パネル１は、対向した一対の基板２ａ，２ｂと、基板２ａと基板２ｂとの間に挟持された液晶層３とを備えている。ここで、一般に、基板２ａはアレイ基板、基板２ｂは対向基板と一般に称される。基板２ａの液晶層３側の表面には、面電極４、絶縁層５（「バリア層」とも称される）、櫛歯電極６及びポリイミド配向膜７が順次形成されている。また、基板２ｂの液晶層３側の表面には、ポリイミド配向膜７が形成されている。ポリイミド配向膜７には、配向処理が施されており、液晶層３中の液晶分子８を基板２ａ，２ｂに対して平行に配向させる。
【００１６】
上記のような構造を有する液晶表示パネル１を備えたＦＦＳモード液晶表示装置では、面電極４と櫛歯電極６との間にフリンジ電界（横電界）を発生させることにより、液晶分子８を基板２ａ，２ｂと平行な面内で回転させることができる。
なお、図１の液晶表示パネル１は、基本的な構成のみを示しており、当該技術分野において公知の他の部材（例えば、偏光板など）を有することができる。
【００１７】
本発明のＦＦＳモード液晶表示装置の製造方法は、４つの工程（第１工程〜第４工程）を必須工程として含む。
第１工程では、１０１４Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有するポリイミド配向膜７を一対の基板２ａ，２ｂの表面に形成する。ここで、本明細書において、ポリイミド配向膜７の体積抵抗率は、室温環境下において測定された値である。ポリイミド配向膜７の体積抵抗率が１０１４Ω・ｃｍ未満であると、高温環境下において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良が生じてしまう。ポリイミド配向膜７の体積抵抗率は、好ましくは２×１０１４Ω・ｃｍ以上、より好ましくは５×１０１４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは８×１０１４Ω・ｃｍ以上である。ポリイミド配向膜７の体積抵抗率の上限は、特に限定されないが、好ましくは１０２０Ω・ｃｍ、より好ましくは１０１８Ω・ｃｍ、さらに好ましくは１０１６Ω・ｃｍである。ここで、本明細書において「室温環境」とは、２５℃のことを意味する。
なお、基板２ａの表面には、面電極４、絶縁層５及び櫛歯電極６が予め形成されているため、ポリイミド配向膜７は、これらの部材の表面に形成される。
【００１８】
ポリイミド配向膜７の形成方法としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の方法に準じて行うことができる。具体的には、ポリイミドの溶液を基板２ａ，２ｂの表面に塗布した後、焼成を行うことによってポリイミド配向膜７を形成することができる。
基板２ａ，２ｂの表面に形成されるポリイミド配向膜７の厚さは、特に限定されず、作製するＦＦＳモード液晶表示装置の大きさなどに応じて適宜調整すればよい。
【００１９】
一対の基板２ａ，２ｂ、面電極４、絶縁層５及び櫛歯電極６としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の材料を用いることができる。例えば、基板２ａとしては、液晶層側にＴＦＴなどのアクティブ素子とサブ画素となる電極がマトリックス状に設けられたアクティブマトリックス基板であることが好ましい。基板２ｂとしては、ガラス基板であることが好ましい。面電極４及び櫛歯電極６としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性材料から形成されることが好ましい。絶縁層５としては、窒化ケイ素や酸化ケイ素等の透明絶縁材料から形成されることが好ましい。
【００２０】
また、必須の工程ではないが、第１工程の前に、一対の基板２ａ，２ｂに付着した汚れなどを除去する観点から、一対の基板２ａ，２ｂに洗浄などの前処理を行ってもよい。前処理としては、特に限定されないが、洗浄剤を用いた洗浄処理、ＵＶ及びオゾンなどによる処理が挙げられる。
【００２１】
第２工程では、ポリイミド配向膜７を配向処理した後、ＩＰＡを用いて洗浄する。配向処理後の洗浄を他の溶剤で行うと、高温環境下において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良が生じてしまう。
ＩＰＡによる洗浄方法は、特に限定されず、当該技術分野において公知の方法に準じて行うことができる。洗浄方法の例としては、噴霧洗浄、浸漬洗浄などが挙げられる。
配向処理の方法としては、特に限定されず当該技術分野において公知の方法に準じて行うことができる。配向処理の例としては、ナイロンやポリエステルなどの布が巻き付けられたローラーを回転させ、ポリイミド配向膜７を一定方向に擦るラビング処理、ポリイミド配向膜７に特定方向から高エネルギーの光を照射する光配向処理などが挙げられる。
【００２２】
第３工程及び第４工程は、真空ディップ注入法と一般に呼ばれる液晶注入法に相当する。液晶注入法としては、ＯＤＦ法などの他の方法も存在するが、他の方法を用いた場合、高温環境下において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良が生じてしまう。
【００２３】
第３工程では、第２工程で得られた一対の基板２ａ，２ｂを、シール材を挟んで重ね合わせた後、シール材をＵＶ照射又は加熱すると共に加圧して硬化させることによって液晶セルを形成する。
具体的には、まず、一対の基板２ａ，２ｂのいずれか一方の表面の周縁部にシール材を塗布する。次に、一対の基板２ａ，２ｂを所定の間隔を置いて対向させ、シール材を挟んで重ね合わせた後、シール材を金属冶具で機械的に加圧した状態でＵＶ照射又は加熱して硬化させることによってシール部を形成する。シール部には、第４工程で液晶材料を注入するために注入口を予め設けておく。
【００２４】
この工程で使用されるシール材としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。シール材の例としては、加熱硬化型シール材又はＵＶ硬化型シール材が挙げられる。また、シール材を硬化させる際の条件も同様に特に限定されず、使用するシール材に応じて適宜設定すればよい。
【００２５】
第４工程では、前記第３工程で得られた液晶セルの基板２ａ，２ｂ間に１０１３Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する液晶材料を注入する。
具体的には、まず、液晶注入槽内において液晶セルと液晶材料とを離した状態で排気して真空状態にする。次に、排気を止めて液晶セルの注入口を液晶材料に浸漬させ、液晶注入槽内を大気圧に戻すか又は加圧することにより、液晶材料が液晶セル内に注入される。次に、液晶材料の注入が完了したら、液晶材料から液晶セルを分離する。そして最後に、ＵＶ硬化型シール材を用いて注入口を封止する。
【００２６】
この工程で使用される液晶材料は、１０１３Ω・ｃｍ以上、好ましくは２×１０１３Ω・ｃｍ以上、より好ましくは５×１０１３Ω・ｃｍ以上、最も好ましくは８×１０１３Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する。ここで、本明細書において、液晶材料の比抵抗は、東陽テクニカ株式会社製の液晶比抵抗測定システムＳＲ−６５１７型などの市販の装置を用い、室温環境下において測定された値のことを意味する。液晶材料の比抵抗が１０１３Ω・ｃｍ未満であると、高温環境下において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良が生じてしまう。液晶材料の比抵抗の上限は、特に限定されないが、好ましくは１０１９Ω・ｃｍ、より好ましくは１０１７Ω・ｃｍ、さらに好ましくは１０１５Ω・ｃｍである。
【００２７】
液晶材料は、単一の液晶成分であっても、２種以上の液晶成分を含む混合液晶であってもよい。その中でも、フッ素系混合ネマティック液晶が好ましい。ここで、本明細書において「フッ素系混合ネマティック液晶」とは、１種以上のフッ素系ネマティック液晶を含む、液晶表示装置に採用されている混合液晶を意味する。このような混合液晶は、市販されているため、当該市販品を用いることができる。
【００２８】
また、必須の工程ではないが、第４工程の後に、液晶材料を注入した液晶セルを、液晶材料のＮＩ点以上の温度（液晶材料の種類にもよるが、一般的に１００℃以上、好ましくは１０５℃以上、より好ましくは１１０℃以上）に加熱する第５工程をさらに含んでもよい。液晶材料のＮＩ点以上の温度に加熱することにより、液晶分子を再配向させることができる。加熱温度の上限は、特に限定されないが、好ましくは１２０℃、より好ましくは１１５℃である。また、加熱時間は、特に限定されないが、好ましくは５分〜６０分、より好ましくは６分〜３０分、さらに好ましくは８分〜２０分である。
【００２９】
次に、上記のような工程を経て製造される本発明のＦＦＳモード液晶表示装置は、８５℃において３００秒以上の時定数及び１．０Ｖ以下の蓄積電圧を有する液晶表示パネル１を備える。液晶表示パネル１の時定数及び蓄積電圧を上記のような範囲に制御することにより、広い温度領域（特に、高温環境下）において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良を抑制することができる。
【００３０】
ここで、本明細書において、液晶表示パネル１の時定数及び蓄積電圧は、東陽テクニカ株式会社製の６２５４型液晶物性評価装置などの市販の装置を用いて測定又は算出することができる。
時定数は、電極間の抵抗と容量との積である。電極間の抵抗及び容量は、例えば、東陽テクニカ株式会社製の６２５４型液晶物性評価装置を用いる場合、±１０Ｖ、０．０１Ｈｚの三角波を印加し、得られた波形から算出することができる。
また、蓄積電圧は、電圧印加後の電極間に発生する電位差の最大値である。すなわち、蓄積電圧は、ＤＣ電圧を一定時間印加した後、ＤＣ電圧の印加を停止した後に観察される残留ＤＣ電圧の最大値である。例えば、東陽テクニカ株式会社製の６２５４型液晶物性評価装置を用いる場合、５．５ＶのＤＣ電圧を印加し、１０分後にＤＣ電圧の印加を停止した後に残留ＤＣ電圧を測定すればよい。蓄積電圧は、その値が小さいほど、残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良が少なくなる。
【００３１】
液晶表示パネル１の８５℃における時定数は、好ましくは３２０秒以上、より好ましくは３５０秒以上、さらに好ましくは３６０秒以上、最も好ましくは３８０秒以上である。液晶表示パネル１の時定数の上限は、特に限定されないが、好ましくは１０００秒、より好ましくは９００秒、さらに好ましくは８００秒、最も好ましくは７００秒である。
液晶表示パネル１の８５℃における蓄積電圧は、好ましくは０．９Ｖ以下、より好ましくは０．８Ｖ以下、さらに好ましくは０．７Ｖ以下、最も好ましくは０．６Ｖ以下である。液晶表示パネル１の蓄積電圧の上限は、特に限定されないが、好ましくは０．１Ｖ、より好ましくは０．２Ｖ、さらに好ましくは０．３Ｖである。
【００３２】
本発明のＦＦＳモード液晶表示装置は、広い温度領域（特に、高温環境下）において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良を抑制することができるため、車載用のＦＦＳモード液晶表示装置として用いるのに適している。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例及び比較例により本発明の詳細を説明するが、これらによって本発明が限定されるものではない。
（実施例１）
まず、アレイ基板を次のようにして作製した。ＩＴＯ膜（膜厚５０ｎｍ）が成膜された１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板（イーエッチシー社製）を用い、ＳｉＮからなる絶縁膜（膜厚３００ｎｍ）をスパッタ装置でＩＴＯ膜上に成膜した。ここで、引き出し配線領域を形成するため、ＩＴＯ膜の一部には絶縁膜を形成しなかった。次に、スパッタ装置で絶縁膜上にＩＴＯ膜を成膜した後、エッチング処理を行うことによって櫛歯電極を形成した。櫛歯電極の電極幅及び電極間隔はいずれも１０μｍとした。
次に、対向基板として、９．５ｃｍ×９ｃｍのガラス基板（イーエッチシー社製）を用い、ガラス基板上に所定の間隔で３μｍ×２０μｍ×２０μｍのカラムスペーサーを配置した。なお、カラムスペーサーは、当該技術分野において一般的な手法を用いて配置した。
【００３４】
次に、アレイ基板の櫛歯電極側の表面及び対向基板のカラムスペーサー側の表面のそれぞれに、ポリイミド溶液をスピンコートにて塗布した後、６５℃のホットプレート上で数分間仮焼成し、ポリイミド溶液の塗膜を乾燥させた。次に、２３３℃で１１００秒の間、加熱チャンバー（常陽工学株式会社製ＣＬ０−９ＣＨ）内で本焼成することによって、１０００±１００Åの厚さを有するポリイミド配向膜（ＪＳＲ株式会社製ＡＬ−１６４７０；体積抵抗率１０１５Ω・ｃｍ）を形成した。
次に、ポリイミド配向膜に対し、コットン布を巻き付けたロールを有するラビング装置を用い、ロール回転数１０００ｒｐｍ、ステージ移動速度２５ｍｍ／秒、押し込み長さ０．４ｍｍの条件でラビング処理を行った。
【００３５】
次に、ラビング処理が行われたポリイミド配向膜を、ＩＰＡ（関東化学株式会社製）を用いて洗浄した。
次に、対向基板のポリイミド配向膜側の周縁部に熱硬化型シール材（三井化学株式会社製ＸＮ−７４１ＴＲ）を塗布して９０℃で１０分間乾燥させた。その後、アレイ基板と対向基板とを重ね合わせ、熱硬化型シール材を加熱及び加圧して硬化させることによって液晶セルを形成した。このとき、加熱チャンバー内において、加熱は１５０℃で３時間、機械的加圧は０．３ｋｇｆ／ｃｍ２の条件とした。
次に、真空ディップ注入法として、液晶材料（フッ素系混合ネマティック液晶；比抵抗１０１４Ω・ｃｍ；ＮＩ点１０８．５℃）を１ｃｃ程度入れた金属製ボートを真空チャンバー（常陽工学株式会社製ＶＦ−５５５ＡＴ）内に配置し、真空状態（０．１Ｍｐａ以下）にて液晶セルの注入口を液晶材料中に浸漬した。その後、真空チャンバー内を大気圧に戻して液晶をセルの基板間に液晶材料を注入し、ＵＶ硬化型シール材（積水化学株式会社製フォトレックＡ−７０４）を用いて注入口を封止した。
最後に、液晶セルに注入した液晶材料を再配向させるために１１０℃にて１０分間加熱チャンバー内で加熱した後、液晶セルの表面に偏光板を貼ることにより、液晶表示パネルを得た。
【００３６】
（比較例１）
ラビング処理後の洗浄の際にＩＰＡの代わりに水を用いたこと以外は実施例１と同様にして液晶表示パネルを作製した。
（比較例２）
液晶注入法としてＯＤＦ（One Drop Fill）法を用いて液晶表示パネルを作製したこと以外は実施例１と同様にして液晶表示パネルを作製した。ＯＤＦ法は、以下の通りにして行った。
まず、ラビング処理が行われたポリイミド配向膜の洗浄後、一方の基板のポリイミド配向膜側の表面の周縁部にＵＶ／熱併用硬化型シール材（積水化学株式会社製ＳＷＢ−２１）を塗布してシール部を形成した。次に、シール部で囲まれた基板上に液晶材料を滴下し、これを真空チャンバー内に入れて真空状態（０．１ＭＰａ以下）で他方の基板と重ね合わせ、真空チャンバー内を大気圧に戻した後、１５０ｍＷ／ｃｍ２のＵＶを４０秒間照射してシール部を硬化させた。そして最後に、液晶材料を注入した液晶セルを加熱チャンバー内にて１３０℃で４０分間さらに加熱することにより、シール部が完全に硬化した液晶表示パネルを得た。
【００３７】
（比較例３）
ポリイミド配向膜（ＪＳＲ株式会社製ＡＬ−１６４７０；体積抵抗率１０１５Ω・ｃｍ）の代わりにポリイミド配向膜（ＪＳＲ株式会社製ＡＬ−１６３０１；体積抵抗率１０１２Ω・ｃｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして液晶表示パネルを作製した。
（比較例４）
液晶材料（フッ素系混合ネマティック液晶；比抵抗１０１４Ω・ｃｍ；ＮＩ点１０８．５℃）の代わりに、液晶材料（フッ素系混合ネマティック液晶；比抵抗１０１２Ω・ｃｍ；ＮＩ点１０８．５℃）を用いたこと以外は実施例１と同様にして液晶表示パネルを作製した。ここで、比抵抗１０１２Ω・ｃｍの液晶材料は、比抵抗１０１４Ω・ｃｍの液晶材料を加熱チャンバー内にて１５０℃で５日間保管することによって調製した。
【００３８】
なお、実施例１では４つのサンプル、比較例１〜４ではそれぞれ２つのサンプルを作製した。
上記の実施例及び比較例で得られた液晶表示パネルについて、８５℃における時定数、蓄積電圧及び表示不良（特に、残像）を評価した。
時定数の算出に必要な電極間の容量及び抵抗、並びに蓄積電圧は、８５℃において、東陽テクニカ株式会社製の６２５４型液晶物性評価装置を用いて測定又は算出した。
また、表示不良は、８５℃において、ファンクションジェネレーター（テクトロニクス社製  形式  ＡＦＧ３０２２）を用い、サンプルの電極部と配線した後、電極間に５ＶのＤＣ電圧を１分間印加した後、０Ｖに切り替えて印加を停止し、直ちに電極部と非電極部との間の輝度差を目視にて評価した。この評価において、輝度差が確認されなかったものを○、僅かな輝度差が確認されたものを△、大きな輝度差が確認されたものを×と表す。
上記の各評価結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
2016118706.tif 000002
【００４０】
表１の結果に示されているように、特定の材料及び工程を用いて製造された実施例１の液晶表示パネルでは、８５℃において表示不良を抑制することができた。これに対し、特定の材料及び工程を用いなかった比較例１〜４の液晶表示パネルでは、８５℃において表示不良を抑制することができなかった。
実施例１と比較例１〜４とを対比すると、液晶表示パネルの時定数及び蓄積電圧に大きな違いがあり、液晶表示パネルの時定数及び蓄積電圧を特定の範囲に制御することにより、８５℃における表示不良を抑制し得ることが分かった。
【００４１】
以上の結果からわかるように、本発明によれば、広い温度領域（特に、高温環境下）において残像、焼き付き、フリッカ等の表示不良を抑制することが可能なＦＦＳモード液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１  液晶表示パネル、２ａ，２ｂ  基板、３  液晶層、４  面電極、５  絶縁層、６  櫛歯電極、７  ポリイミド配向膜、８  液晶分子。
【図１】
2016118706.tif 000003