(57)【要約】【課題】荷電粒子リソグラフィにおいて、高精度で、計算負荷を低減する、近接効果補正方法、及びそれを用いた近接効果補正プログラム及び近接効果補正装置を提供する。【解決手段】描画領域を後方散乱の及ぶ半径程度の区画に分割し、パターンの情報に基づき、パターン寸法や隣接するパターン同士との距離に微小な部分が含まれる場合には、前記区画を更に局所的に小さな区画に分割する分割領域マップを作成し、前記パターンの情報と前記分割領域マップとの情報に基づき、前記区画ごとの面積密度マップを作成し、前記面積密度マップの情報と、前記区画ごとの後方散乱補正係数との情報に基づき、近接効果補正照射量マップを作成することを特徴とする近接効果補正方法、及びそれを用いた近接効果補正プログラム及び近接効果補正装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたレジスト膜にパターンを描画する荷電粒子リソグラフィ技術における近接効果補正方法であって、描画領域を後方散乱の及ぶ半径程度（数十μｍ）の区画に分割し、前記パターンの情報に基づき、パターン寸法または隣接するパターン同士との距離に微小な部分が含まれる場合には、前記区画を更に局所的に小さな区画に分割する分割領域マップを作成し、前記パターンの情報と前記分割領域マップとの情報に基づき、前記区画ごとの面積密度マップを作成し、前記面積密度マップの情報と、前記区画ごとの後方散乱補正係数との情報に基づき、近接効果補正照射量マップを作成することを特徴とする近接効果補正方法。
【請求項２】
前記近接効果補正方法において、前記区画をｊ＝１、２、・・・ｋｍａｘ、区画ごとの後方散乱補正係数をηｊ、同じく面積密度をαｊ、レジスト材料や基板の材料、構造に依存して任意に設定しうる基準照射量をｄ０とするとき、区画ｊにおける前記近接効果補照射量Ｄｊを求めるための数式は、
【数１】
2016058564.tif 000011
であることを特徴とする請求項１に記載の近接効果補正方法。
【請求項３】
基板上に形成されたレジスト膜にパターンを描画する荷電粒子リソグラフィ技術における近接効果補正用プログラムであって、前記パターンの情報と後方散乱補正係数の情報を受け付け記憶する手順と、描画領域を後方散乱の及ぶ半径程度（数十μｍ）の区画に分割し、前記パターンの情報に基づき、パターン寸法または隣接するパターン同士との距離に微小な部分が含まれる場合には、前記区画を更に局所的に小さな区画に分割する分割領域マップを作成する手順と、前記パターンの情報と前記分割領域マップとの情報に基づき、前記区画ごとの面積密度マップを作成する手順と、前記面積密度マップの情報と前記区画ごとの後方散乱補正係数との情報に基づき、近接効果補正照射量マップを作成する手順と、前記近接効果補正照射量マップを前記パターンの情報と共に出力する手順と、をコンピュータに実行させることを特徴とする近接効果補正用プログラム。
【請求項４】
前記近接効果補正用プログラムにおいて、前記区画をｊ＝１、２、・・・ｋｍａｘ、区画ごとの後方散乱補正係数をηｊ、同じく面積密度をαｊ、レジスト材料や基板の材料、構造に依存して任意に設定しうる基準照射量をｄ０とするとき、区画ｊにおける前記近接効果補照射量Ｄｊを取得するための数式は、
【数２】
2016058564.tif 000012
であることを特徴とする請求項３に記載の近接効果補正用プログラム。
【請求項５】
基板上に形成されたレジスト膜にパターンを描画する荷電粒子リソグラフィ技術における近接効果補正装置であって、前記パターンの情報と後方散乱補正係数の情報を受け付け記憶する入力部及び記憶部と、描画領域を後方散乱の及ぶ半径程度（数十μｍ）の区画に分割し、前記パターンの情報に基づき、パターン寸法または隣接するパターン同士との距離に微小な部分が含まれる場合には、前記区画を更に局所的に小さな区画に分割する分割領域マップを取得する取得部と、前記パターンの情報と前記分割領域マップとの情報に基づき、前記区画ごとの面積密度マップを取得する取得部と、前記面積密度マップの情報と前記区画ごとの後方散乱補正係数との情報に基づき、近接効果補正照射量マップを取得する取得部と、前記近接効果補正照射量マップを前記パターンの情報と共に出力する出力部とを備えることを特徴とする近接効果補正装置。
【請求項６】
前記近接効果補正装置において、前記区画をｊ＝１、２、・・・ｋｍａｘ、区画ごとの後方散乱補正係数をηｊ、同じく面積密度をαｊ、レジスト材料や基板の材料、構造に依存して任意に設定しうる基準照射量をｄ０とするとき、区画ｊにおける前記近接効果補照
射量Ｄｊを求めるための数式は、
【数３】
2016058564.tif 000013
であることを特徴とする請求項５に記載の近接効果補正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子リソグラフィにおける近接効果に対する照射量補正に関するものであり、高い補正精度を可能にする近接効果補正方法、及びそれを用いた近接効果補正プログラム及び近接効果補正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や半導体用フォトマスク、ナノインプリント用モールド、光学関連素子、バイオチップなどでは、高解像度且つ高精度なパターン作製が求められるため、荷電粒子を使ったリソグラフィ方法が用いられる。近年は、微細化の進展とともに更なる高解像度化が求められている。
【０００３】
荷電粒子リソグラフィでは、基板上に形成したレジスト膜に荷電粒子を入射すると、荷電粒子はレジスト構成原子と衝突を繰り返しながら散乱（前方散乱）し、さらに基板に到達すると基板からの反射粒子がレジストに再入射し散乱（後方散乱）することが知られている。この後方散乱により、例えば、複数の近接した図形を描画した場合、見かけ上の照射量が増加してしまう。また、後方散乱の影響は数十μｍに及ぶため、同じ照射量でも、密集したパターンと孤立のパターンでは見かけ上の照射量が異なってしまう。その結果、作製された実パターンと設計寸法にはずれが生じる。上記の現象は近接効果と称されており、精度の高いパターンを作製するためには、近接効果を補正した照射量で描画する必要がある。
【０００４】
近接効果による影響は、照射によってレジストに蓄積されるエネルギー分布で表すことができる。一般的に、レジスト上の１点に入射した粒子線によって蓄積されるエネルギー分布Ｅ（ｘ）はＥＩＤ（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｉｎｔｅｎｓｉｙ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）関数と呼ばれ、（数式２）のように、ガウス関数の足し合わせで近似される。
【数４】
2016058564.tif 000003
σｆは前方散乱、σｂは後方散乱によるエネルギーの広がり（前方散乱径、後方散乱径）を表す。ηは前方散乱により蓄積されるエネルギーに対する後方散乱により蓄積されるエネルギーの比であり、後方散乱補正係数と呼ばれる。（数式２）の右辺第１項は前方散乱を表し、第２項目は後方散乱を、それぞれガウス関数で表しており、近接効果において主たる影響を及ぼすのは第２項目の後方散乱である。
【０００５】
基本的な近接効果補正方法では、（数式２）の後方散乱の項を使い、着目する図形の周辺部に位置する各図形の位置と面積から、影響する後方散乱強度を積算し、着目する図形に対するエネルギー値がパターンを解像するエネルギー閾値になるように荷電粒子ビームの照射量を補正する。
【０００６】
上記の方法は、各パターンの相互関係を計算しなければならないため、微細化が進んで描画図形数が増加すると、計算量が膨大になり適用が困難になってくる。
【０００７】
そこで、計算量を低減した近接効果補正を行うため、描画面積密度（以下、面積密度と適宜略記する）マップを用いて補正照射量を算出する面積密度法が知られている。この方法では、後方散乱の影響強度が数十μｍの範囲でほぼ一定であることを利用し、任意の区画内における描画パターンの面積密度を算出し、前記区画内では一様な露光量で描画するとして近接効果補正を行う。各図形の相関関係を計算する必要がないため、近接効果補正の計算量は大幅に削減される。
【０００８】
すなわち、区画内の近接効果補正照射量は、区画内では後方散乱による影響強度が一定であるとみなし、例えば（数式３）で与えられる。
【数５】
2016058564.tif 000004
Ｄは補正照射量、αは面積密度、ηは後方散乱補正係数で、ｄ０は、レジスト材料や基板の材料、構造に依存して任意に設定できる基準照射量であり、（数式３）の場合、例えば面積密度５０％の照射を行うときに、Ｄが解像閾値と同等になるようにｄ０を設定する。
【０００９】
上記の方法は、同じ寸法、同じ間隔の繰り返しパターンが区画の変わり目に位置していても、同じ大きさの区画によって、隣接する区画と平滑化した面積密度に応じて異なる照射量を適用するのみなので、解像後の寸法にずれが生じてしまう。
【００１０】
また、近年では多種材料からなる基板が用いられるため、ＥＩＤ関数は（数式２）に示したような２つのガウス関数では十分に近似することが出来なくなってきている。例えば図２のようにＴａなどの重金属膜を基板上に用いる場合、弾性散乱によりレジストに再入射する粒子が増加するため、Ｔａ層からの後方散乱は狭い範囲で高いエネルギーを持つ。このような場合、数十μｍの区画の面積密度マップでは対応できない。
【００１１】
上記多種材料の基板の近接効果補正方法として、基板を構成する各層ごとから異なる強度と範囲におよぶ後方散乱が起こるとして、エネルギー分布関数を複数のガウス関数で近似し、各ガウス関数の後方散乱径と後方散乱補正係数を使って近接効果補正を行う方法が開示されている。（特許文献１参照）
【００１２】
また、近接効果補正の区画を数十μｍよりも小さく設定し、細かく近接効果補正照射量を決定することで、上述した狭い範囲に影響する後方散乱強度に対して補正する方法が開示されている。（特許文献２参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特許第３７２５８４１号公報
【特許文献２】特許第４５５１２４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上述した特許文献１の方法では、複数のガウス関数を適用するため、高い効果が期待できるが、全ての領域において区画を詳細に設定し、それぞれの相関関係を計算する必要があるため、膨大な計算量が必要になる。
【００１５】
また、上述した特許文献２の方法では、パターンの幅や距離に応じて、局所的に分割領域を狭くするため、計算量は抑えられるが、実施例を用いた具体的な後方散乱の補正方法については明示されていない。
【００１６】
本発明は、上記課題を解決するものであり、基板の構造や荷電粒子ビームの電圧によらず、照射量の近接効果補正を行うことができ、尚且つ面積密度マップを用いるため補正計算負荷を低減することのできる、近接効果補正方法、及びそれを用いた近接効果補正プログラム及び近接効果補正装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の本発明は、基板上に形成されたレジスト膜にパターンを描画する荷電粒子リソグラフィ技術における近接効果補正方法であって、
描画領域を後方散乱の及ぶ半径程度（数十μｍ）の区画に分割し、前記パターンの情報に基づき、パターン寸法または隣接するパターン同士との距離に微小な部分が含まれる場合には、前記区画を更に局所的に小さな区画に分割する分割領域マップを作成し、前記パターンの情報と前記分割領域マップとの情報に基づき、前記区画ごとの面積密度マップを作成し、前記面積密度マップの情報と、前記区画ごとの後方散乱補正係数との情報に基づき、近接効果補正照射量マップを作成することを特徴とする近接効果補正方法としたものである。
【００１８】
上記課題を解決するために、請求項２に記載の本発明は、前記近接効果補正方法において、前記区画をｊ＝１、２、・・・ｋｍａｘ、区画ごとの後方散乱補正係数をηｊ、同じく面積密度をαｊ、レジスト材料や基板の材料、構造に依存して任意に設定しうる基準照射量をｄ０とするとき、区画ｊにおける前記近接効果補照射量Ｄｊを求めるための数式は、
【数６】
2016058564.tif 000005
であることを特徴とする請求項１に記載の近接効果補正方法としたものである。
【００１９】
上記課題を解決するために、請求項３に記載の本発明は、基板上に形成されたレジスト膜にパターンを描画する荷電粒子リソグラフィ技術における近接効果補正用プログラムであって、前記パターンの情報と後方散乱補正係数の情報を受け付け記憶する手順と、描画領域を後方散乱の及ぶ半径程度（数十μｍ）の区画に分割し、前記パターンの情報に基づき、パターン寸法または隣接するパターン同士との距離に微小な部分が含まれる場合には、前記区画を更に局所的に小さな区画に分割する分割領域マップを作成する手順と、前記パターンの情報と前記分割領域マップとの情報に基づき、前記区画ごとの面積密度マップを作成する手順と、前記面積密度マップの情報と前記区画ごとの後方散乱補正係数との情報に基づき、近接効果補正照射量マップを作成する手順と、前記近接効果補正照射量マップを前記パターンの情報と共に出力する手順と、をコンピュータに実行させることを特徴とする近接効果補正用プログラムとしたものである。
【００２０】
上記課題を解決するために、請求項４に記載の本発明は、前記近接効果補正用プログラムにおいて、前記区画をｊ＝１、２、・・・ｋｍａｘ、区画ごとの後方散乱補正係数をηｊ、同じく面積密度をαｊ、レジスト材料や基板の材料、構造に依存して任意に設定しうる基準照射量をｄ０とするとき、区画ｊにおける前記近接効果補照射量Ｄｊを取得するための数式は、
【数７】
2016058564.tif 000006
であることを特徴とする請求項３に記載の近接効果補正用プログラムとしたものである。
【００２１】
上記課題を解決するために、請求項５に記載の本発明は、基板上に形成されたレジスト膜にパターンを描画する荷電粒子リソグラフィ技術における近接効果補正装置であって、前記パターンの情報と後方散乱補正係数の情報を受け付け記憶する入力部及び記憶部と、描画領域を後方散乱の及ぶ半径程度（数十μｍ）の区画に分割し、前記パターンの情報に基づき、パターン寸法または隣接するパターン同士との距離に微小な部分が含まれる場合には、前記区画を更に局所的に小さな区画に分割する分割領域マップを取得する取得部と、前記パターンの情報と前記分割領域マップとの情報に基づき、前記区画ごとの面積密度マップを取得する取得部と、前記面積密度マップの情報と前記区画ごとの後方散乱補正係数との情報に基づき、近接効果補正照射量マップを取得する取得部と、前記近接効果補正照射量マップを前記パターンの情報と共に出力する出力部とを備えることを特徴とする近接効果補正装置としたものである。
【００２２】
上記課題を解決するために、請求項６に記載の本発明は、前記近接効果補正装置において、前記区画をｊ＝１、２、・・・ｋｍａｘ、区画ごとの後方散乱補正係数をηｊ、同じ
く面積密度をαｊ、レジスト材料や基板の材料、構造に依存して任意に設定しうる基準照射量をｄ０とするとき、区画ｊにおける前記近接効果補照射量Ｄｊを求めるための数式は、
【数８】
2016058564.tif 000007
であることを特徴とする請求項５に記載の近接効果補正装置としたものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、描画領域を局所的に細かな区画に分割し、各区画の描画面積密度に応じた近接効果補正照射量を（数式１）によって求め、平滑化することで、基板の構造や荷電粒子ビームの電圧に関わらず、近接効果の影響を抑えてパターン精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の近接効果補正装置の構成の一例を示すブロック図。
【図２】本発明の実施例における、レジスト、金属膜、および基板の構造を表す断面模式図。
【図３】本発明の実施例における、レジスト内の蓄積エネルギー分布（ＥＩＤ関数、実線）とガウス関数による近似適合（プロット線）を表す図。
【図４】本発明の実施例における、分割レベルごとの後方散乱径σｋと後方散乱補正係数ηｋを表す図。
【図５】本発明の実施例における、描画パターンを表す図。
【図６】本発明の実施例における、図５の描画パターンの一部を拡大した図。
【図７】本発明の実施例における、図５の描画パターンを区画に分割したマップを表す図。
【図８】本発明の実施例における、図５の描画パターンの、分割レベルごとの描画面積密度を表す図。
【図９】本発明の実施例における、図５の描画パターンの近接効果補正照射量を、従来方法による近接効果補正照射量と比較した図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、本発明の実施形態の近接効果補正装置を図１を参照し説明する（本発明の近接効果補正方法、及びそれを用いた近接効果補正プログラムは本説明に準じる）。図１は、本発明の一実施形態による近接効果補正装置１００の構成を示す概略ブロック図である。図１に示す通り、近接効果補正装置１００は、入力部１０１と記憶部１０２と、分割領域マップ取得部１０３と、面積密度マップの取得部１０４と、補正照射量マップの取得部１０５と、出力部１０６を備える。
【００２６】
当該近接効果補正装置１００はコンピュータシステムからなっており、基板上に形成されたレジスト膜にパターンを描画する荷電粒子リソグラフィにおいて、描画領域を局所的に細かく分割して求めた各区画の後方散乱強度から最適な近接効果補正照射量を算出し、精度の高いパターン作製を可能にするための近接効果補正プログラムを有する。なお、近接効果補正装置１００を専用のＬＳＩなどのハードウェアのみからなる構成としてもよい。
【００２７】
入力部１０１は、近接効果補正装置１００によって利用される情報の入力を受け付け、記憶部１０２に転送する。この入力部１０１には、描画するパターンの情報の他に、後方散乱補正係数ηｋの情報が入力される。なお、ηｋの求め方については実施例の中で具体的に述べる。当該入力部１０１は、近接効果補正装置１００の外部からの送信データを受信する送受信インタフェース、外部記憶装置からデータが入力される入力インタフェース、ディスプレイ、キーボード、マウス、タブレットなどを用いたマンマシンインタフェースなどの、入力装置を用いて構成することができる。
【００２８】
記憶部１０２は、入力部１０１から入力された情報を記憶する。この記憶部１０２は、入力部１０１から転送される描画パターン、後方散乱補正係数ηｋの情報を記憶する。当該記憶部１０２は、ＲＡＭ、フラッシュメモリ記憶装置、磁気ディスク記憶装置、光ディスク記憶装置などの記憶媒体を用いて構成することができる。
【００２９】
分割領域マップの取得部１０３では、まず、描画領域を後方散乱の及ぶ範囲よりも少し小さい区画に分割する。このときの分割レベルをｋ＝１とする。次に、記憶部１０２に記憶されている描画パターンの情報を基に、各区画に含まれるパターンの寸法や、パターンの位置から隣接するパターン間の辺と辺との距離を取得する。取得したパターン寸法や上記の距離が区画寸法よりも小さければ、区画を更に小さく分割する。このときの分割レベルをｋ＝２とする。これを繰り返し、微小パターンやパターン間の辺と辺との距離が短いデザインが含まれる領域では細かく分割された分割領域マップを作成する。分割レベルｋが大きいほど小さい区画まで分割し、最小の区画の分割レベルはｋ＝ｋｍａｘとする。作成した分割領域マップは、面積密度マップの取得部１０４に転送される。
【００３０】
面積密度マップの取得部１０４では、記憶部１０２に記憶されている描画パターンの情報を基に、分割領域マップの取得部１０３から取得した分割領域マップの各区画の面積密度を取得する。このとき、分割レベルｋが１〜ｋｍａｘまで全てのレベルにおける面積密度を取得する。取得した面積密度マップは、補正照射量マップの取得部１０５に転送される。
【００３１】
補正照射量マップの取得部１０５では、記憶部１０２に記憶されている後方散乱補正係数ηｋと、面積密度マップの取得部１０４から取得した面積密度マップの情報を基に、まず分割レベルｋ＝１の区画の近接効果補正照射量を取得する。このとき、近接効果補正照射量は、（数式４）に従って取得する。
【数９】
2016058564.tif 000008
Ｄ１は分割レベルｋ＝１における補正後の照射量、α１は分割レベルｋ＝１における面積密度、ηｋは後方散乱補正係数、ｄ０は基準照射量である。
【００３２】
次に、補正照射量マップの取得部１０５では、後方散乱補正係数ηｋと面積密度マップの情報を基に、分割レベルｋ＝２の近接効果補正照射量を取得する。このときの近接効果補正照射量は、（数式５）に従って取得する。
【数１０】
2016058564.tif 000009
Ｄ２は分割レベルｋ＝２における補正後の照射量、α２は分割レベルｋ＝２における面積密度を表す。これを、分割レベルがｋｍａｘになるまで繰り返す。
【００３３】
補正照射量マップの取得部１０５では、全ての分割した区画に対して近接効果補正照射量を取得し、補正照射量のマップを作成する。補正照射量のマップは、出力部１０６に転送される。
【００３４】
出力部１０６は、補正照射量マップの取得部１０５から取得した補正照射量マップを、描画パターンの情報と共に出力する。出力部１０６は、外部のコンピュータやメモリ等と接続された出力インタフェースなどの出力装置を用いて構成することができる。
【００３５】
出力部１０６から出力された近接効果補正照射量を用いて荷電粒子リソグラフィを行うことで、所望のレジストパターン形状を作製することができる。
【００３６】
上述の近接効果補正装置１００の動作の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み
取り可能な記録媒体に記憶されており、このプログラムをコンピュータシステムが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。ここでいう「コンピュータシステム」とは、ＣＰＵ及び各種メモリやＯＳ、周辺機器等のハードウェアを含むものである。また、「コンピュータシステム」は、ＷＷＷ（インターネット）環境システムを利用している場合であれば、ホームページ提供環境（あるいは表示環境）も含むものとする。
【００３７】
尚、図１では、近接効果補正装置の入力部１０１に、描画するパターンとともに、後方散乱補正係数ηｋの情報を入力する形態について説明したが、本発明の近接効果補正装置の別な形態としては、実施例の中で述べる方法により、シミュレーションを用いてηｋの求める機能を、近接効果補正装置の中に組み込む形態とすることもできる。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例に従い、本発明の近接効果補正装置をさらに詳細に説明する
【００３９】
まず、入力部１０１に描画パターンと、以下のように求める後方散乱補正係数ηｋを入力する。尚、本実施例では後方散乱補正係数ηｋをシミュレーションを使って求めるが、本発明はこれに限らない。例えば、実際に荷電粒子リソグラフィを行ってレジストパターンを形成し、その結果から後方散乱径、後方散乱補正係数をあらかじめ決定しても良い。
【００４０】
電圧５０ｅＶの電子線を、図２のような、金属膜（ここではＴａ膜、１００ｎｍ厚）付きの基板上に塗布したポジ型レジスト（１５０ｎｍ厚）の１点に入射するとする。このときレジスト内に蓄積されるエネルギー分布関数（ＥＩＤ関数）を、市販の一般的な専用ソフトウェアで計算すると、図３の実線のようになる。
【００４１】
一方、このときのＥＩＤ関数を、（数式６）のような複数のガウス関数で近似適合（フィッティング）する。
【数１１】
2016058564.tif 000010
ｘは入射点からの距離、Ｅは蓄積エネルギー値、σｆは前方散乱径、σｋは分割レベルｋにおける後方散乱径を表す。このときの後方散乱径σｋは、ｋ＝１以外のｋ＝２〜ｋｍａｘでは、分割する区画のスケールに合わせて設定する。例えば、区画を１μｍにする場合、その値を半値全幅もしくは半値半幅としてσｋを設定する。本実施例では、図４に示すように、分割レベルｋに対してσｋの値を設定した。尚、前方散乱径σｆは、近接効果への影響は小さいため、ｋ＝１のときに設定した値で一定として差し支えない。
【００４２】
上記のように設定したσｆ、σｋと、（数式６）による計算結果が、図３の実線に近くなるような分割レベルｋｍａｘと後方散乱補正係数ηｋを調べると、ｋｍａｘ＝５で、図４のようなηｋの値のときに、図３に〇でプロットした線のように、図３の実線のＥＩＤ関数に近くなることが分かった。尚、プロット線で、ｘ＝０．０１μｍ付近に落ち込みが見られるのは、ＥＩＤ関数をガウス関数で近似適合するときに特有な現象であり、ｘ＝０．０１μｍ付近以外の適合性で判断すれば十分である。
【００４３】
一方、入力部１０１に入力する描画パターンを図５に示す。図５では、数十μｍの大描画面積の中に、線幅１００ｎｍの描画しない線が２本ある。図６は図５の中心付近を拡大した図である。
【００４４】
上記のように求めた後方散乱補正係数ηｋと、描画パターンの情報を、入力部１０１に入力し、記憶部１０２に転送する。
【００４５】
次に、分割領域マップの取得部１０３では、記憶部１０２から取得した描画パターンの情報を基に、分割領域マップを作成する。描画パターンが図５の場合、線幅１００ｎｍの
描画しない線の周辺部では高い分割レベルが必要であり、分割領域マップとして図７を作成した。取得した分割領域マップを面積密度マップの取得部１０４に転送する。
【００４６】
面積密度マップの取得部１０４では、記憶部１０２から取得した描画パターンと、分割領域マップの取得部１０３から取得した情報を基に、各領域の面積密度を取得する。図５に示した描画パターンに対し、分割レベル別に描画面積密度を求めると、図８が得られた。図８では図５のパターンの中心座標を（０，０）とし、パターンの並び方向をｘ方向とし、簡単のため長さ方向（ｙ方向）には変化しないとした。
【００４７】
図８より、描画しない微小パターンを含む区画では面積密度が低くなっていることがわかる。また、分割レベルが高いと区画内で微小パターンの占める割合が大きくなるため面積密度は更に低くなり、描画しない微小パターンを面積密度に反映する忠実度が向上することがわかる。尚、図８では面積密度マップの平滑化を行っている。取得した面積密度マップを、補正照射量マップの取得部１０５に転送する。
【００４８】
補正照射量マップの取得部１０５では、記憶部１０２から取得した後方散乱補正係数ηｋと、面積密度マップの取得部１０４から取得した面積密度マップの情報から、近接効果の補正照射量を取得する。図８に示した面積密度マップから得られる面積密度αｋと、図４に示した後方散乱補正係数ηｋを（数式１）に代入すると、近接効果補正照射量として図９が得られた。ｄ０は前述のように基準照射量であるが、図９では、従来の（数式３）を用いて補正した場合との比較を示すため、ｄ０＝１とした。図９より、描画しない微小パターンのあるパターン中心（ｘ＝0）領域に向かって補正照射量が大きくなり、大描画面積の中心領域に比べ、微小パターンに近い領域で照射量が不足する現象を補正することができることがわかる。このようにして得られた補正照射量マップを、描画パターンの情報と共に出力部１０７に転送する。
【００４９】
出力部１０７から出力された近接効果補正照射量マップを基に、図形の区画ごとの照射量を決定し、電子線リソグラフィを行う。各区画の照射量は、図形の重心位置と図９の補正照射量のマップを比較し、対応する位置での補正照射量を適用する。尚、これまで説明したように、近接効果補正照射量は、分割レベルｋや後方散乱径σｋの設定値に依存する。本実施例では簡単のため、ｋやσｋの１度の設定に対して、面積密度マップや後方散乱補正係数ηｋを算出し近接効果補正照射量を決定したが、通常はｋやσｋの設定値を変化させても最終的な近接効果補正照射量の変化が十分小さくなるまで反復計算を行って近接効果補正照射量を決定する。
【００５０】
以上のように、描画領域を局所的に大きさを変化させた区画に分割し、各区画の描画面積密度に応じた近接効果補正照射量を（数式１）を用いて求めることで、従来よりも近接効果の影響を抑えてパターン精度を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、例えば半導体や半導体用フォトマスク、ナノインプリント用モールド、光学関連素子、バイオチップなどの作製に、荷電粒子リソグラフィを使って微細なパターンを精度よく作製するための近接効果補正に適用することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１            レジスト
２            基板
２ａ          金属膜
３            描画領域
４            図６における拡大領域
１００          近接効果補正装置
１０１          入力部
１０２          記憶部
１０３          分割領域マップの取得部
１０４          面積密度マップの取得部
１０５        補正照射量マップの取得部
１０６        出力部
Ｅ（ｘ）      蓄積エネルギー値
Ｄ            近接効果補正照射量
Ｄ１          分割レベルｋ＝１における近接効果補正照射量
Ｄ２          分割レベルｋ＝２における近接効果補正照射量
Ｄｊ          分割レベルｋ＝ｊにおける近接効果補正照射量
ｄ０          基準照射量
ｋ            分割レベル
ｋｍａｘ      最大分割レベル
σｆ          前方散乱径
σｂ          後方散乱径
σｋ          分割レベルｋの後方散乱径
η            後方散乱補正係数
ηｋ          分割レベルｋの後方散乱補正係数
α            描画面積密度
αｋ          分割レベルｋの描画面積密度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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