(57)【要約】      （修正有）【課題】駆動電圧および電力消費を低減でき、効率及び半減期を増すことができる有機ＥＬ素子の電子ブロック材料として有用なインデノトリフェニレン系アミン誘導体を提供。【解決手段】下記式で表されるインデノトリフェニレン系アミン誘導体2016153394.tif 000116[Ｌは単結合又はＣ６〜３０の二価のアリーレン基；ｍ，ｎ，ｐはそれぞれ０〜１０、０〜３、０〜７の整数；ＸはＯ、Ｓ、Ｃ（Ｒ６）（Ｒ７）又はＮＲ８の二価の架橋子又は非架橋子；Ｒ１〜Ｒ８は各々独立にＨ、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基；Ａｒはアリール基又はヘテロアリール基]【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ａ）のインデノトリフェニレン系アミン誘導体であって、
【化１】
2016153394.tif 000076
式中、Ｌは、単結合、炭素原子を６〜３０個有する置換されていてもよい二価のアリーレン基を表し；ｍは０〜１０の整数を表し；ｎは０〜３の整数を表し；ｐは０〜７の整数を表し；Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ６）（Ｒ７）、ＮＲ８からなる原子もしくは基から選択される二価の架橋子を表すか、または非架橋子を表して置換されていてもよいビフェニル基が形成され；Ｒ１〜Ｒ８は、独立して、水素原子、炭素原子を１〜２０個有する置換されていてもよいアルキル基、炭素原子を６〜３０個有する置換されていてもよいアリール基、炭素原子を３〜３０個有する置換されていてもよいヘテロアリール基からなる群から選択され；Ａｒは、炭素原子を６〜５０個有する置換されていてもよいアリール基、炭素原子を３〜５０個有する置換されていてもよいヘテロアリール基からなる群から選択される、インデノトリフェニレン系アミン誘導体。
【請求項２】
Ｌが下記のものを表す、請求項１に記載のインデノトリフェニレン系アミン誘導体。
【化２】
2016153394.tif 000077
【請求項３】
Ａｒが下記のものを表す、請求項１に記載のインデノトリフェニレン系アミン誘導体。
【化３】
2016153394.tif 000078
【化４】
2016153394.tif 000079
【化５】
2016153394.tif 000080
【化６】
2016153394.tif 000081
【化７】
2016153394.tif 000082
【化８】
2016153394.tif 000083
【化９】
2016153394.tif 000084
【請求項４】
陰極および陽極からなる一対の電極を含み、前記一対の電極の間に請求項１に記載の一般式（Ａ）の化合物を少なくとも一層含む、有機エレクトロルミネセンス素子。
【請求項５】
正孔輸送層が一般式（Ａ）の化合物を含む、請求項４に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
【請求項６】
電子ブロック層が一般式（Ａ）の化合物を含む、請求項４に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
【請求項７】
一般式（Ａ）の化合物が次のものである、請求項１に記載の化合物。
【化１０】
2016153394.tif 000085
【化１１】
2016153394.tif 000086
【化１２】
2016153394.tif 000087
【化１３】
2016153394.tif 000088
【化１４】
2016153394.tif 000089
【化１５】
2016153394.tif 000090
【化１６】
2016153394.tif 000091
【化１７】
2016153394.tif 000092
【化１８】
2016153394.tif 000093
【化１９】
2016153394.tif 000094
【化２０】
2016153394.tif 000095
【化２１】
2016153394.tif 000096
【化２２】
2016153394.tif 000097
【化２３】
2016153394.tif 000098
【化２４】
2016153394.tif 000099
【化２５】
2016153394.tif 000100
【化２６】
2016153394.tif 000101
【化２７】
2016153394.tif 000102
【化２８】
2016153394.tif 000103
【化２９】
2016153394.tif 000104
【化３０】
2016153394.tif 000105
【化３１】
2016153394.tif 000106
【化３２】
2016153394.tif 000107
【化３３】
2016153394.tif 000108
【化３４】
2016153394.tif 000109
【化３５】
2016153394.tif 000110
【化３６】
2016153394.tif 000111
【化３７】
2016153394.tif 000112
【化３８】
2016153394.tif 000113
【化３９】
2016153394.tif 000114
【化４０】
2016153394.tif 000115
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野
本発明は、概して、インデノトリフェニレン系アミン誘導体および該誘導体を用いた有機エレクトロルミネセンス（本明細書では有機ＥＬと称する）素子に関する。より具体的には、本発明は、一般式（Ａ）の誘導体と、該誘導体を正孔輸送材料、電子ブロック材料として採用した有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発明の背景
有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ）は、有機化合物からなり電流に応答して光を発する膜を発光層とした発光ダイオード（ＬＥＤ）である。有機化合物の発光層は２つの電極間に挟装される。有機ＥＬは、照度が高く、重量が軽く、非常に薄く、バックライトを要せず自光し、電力消費が少なく、視野角が広く、コントラストが高く、作成方法が簡便であり、かつ応答時間が短いためフラットパネルディスプレイに適用されている。
【０００３】
１９５０年代初頭にフランスのナンシー大学においてＡｎｄｒｅ Ｂｅｒｎａｎｏｓｅらにより有機材料における電界発光が初めて観察された。１９６３年には、ニューヨーク大学のＭａｒｔｉｎ Ｐｏｐｅらが、テトラセンをドープしたアントラセンの純粋な単結晶で直流（ＤＣ）電界発光を真空下で初めて観察した。
【０００４】
１９８７年には、イーストマン・コダック社のＣｈｉｎｇ Ｗ. ＴａｎｇおよびＳｔｅｖｅｎ Ｖａｎ Ｓｌｙｋｅによってダイオード素子が初めて報告された。この素子は別個の正孔輸送層と電子輸送層との二層構造を用いて動作電圧が低減しかつ効率が向上し、これにより有機ＥＬ研究および素子生産は現代に突入した。
【０００５】
典型的には、有機ＥＬ素子は２つの電極間に配置された、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）を含む有機材料の層からなる。有機ＥＬの基本的な仕組みは、キャリアの注入、輸送、キャリアの再結合を伴い、励起子が形成されて光が放出される。外部電圧が有機ＥＬ素子に印加されると、電子および正孔がそれぞれ陰極および陽極から注入され、電子が陰極からＬＵＭＯ（最低空軌道）に注入されることになり、かつ正孔が陽極からＨＯＭＯ（最高占有軌道）に注入されることになる。発光層において電子が正孔と再結合すると、励起子が形成されて光を放出する。発光分子がエネルギーを吸収し励起状態に達すると、電子および正孔のスピンがどのように結合したかにより励起子は一重項状態または三重項状態となりうる。電子と正孔の再結合により生じる励起子の７５％は三重項励起状態に達する。三重項状態からの減衰はスピン禁制である。したがって、蛍光エレクトロルミネセンス素子の内部量子効率はほんの２５％である。蛍光エレクトロルミネセンス素子とは対照的に、燐光有機ＥＬ素子はスピン軌道相互作用を利用して一重項状態と三重項状態の間の項間交差を促し、これにより一重項状態および三重項状態の励起子両方からの発光と、２５％から１００％までのエレクトロルミネセンス素子の内部量子効率とが得られる。
【０００６】
最近では、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）の仕組みを組み込んだＡｄａｃｈｉらが開発した新しいタイプの蛍光有機ＥＬ素子が、逆項間交差（ＲＩＳＣ）の仕組みによってスピン禁制三重項励起子を一重項レベルまで変換することにより励起子を効率よく形成する有望な手段である。
【０００７】
有機ＥＬは三重項励起子および一重項励起子のいずれも利用する。一重項励起子と比べて三重項励起子は寿命および拡散距離が長いため、燐光有機ＥＬは、一般に、発光層（ＥＭＬ）と電子輸送層（ＥＴＬ）との間に正孔ブロック層（ＨＢＬ）または発光層（ＥＭＬ）と正孔輸送層（ＨＴＬ）との間に電子ブロック層（ＥＢＬ）をさらに必要とする。ＨＢＬまたはＥＢＬの使用目的は、注入した正孔と電子との再結合および生成した励起子の緩和をＥＭＬ内に制限するためであり、これゆえ素子の効率を向上することができる。このような役割を果たすためには、正孔ブロック材料または電子ブロック材料は、ＥＭＬからＥＴＬまたはＨＴＬまでの正孔または電子の輸送をブロックするのに適したＨＯＭＯ（最高占有軌道）およびＬＵＭＯ（最低空軌道）エネルギー準位を有していなければならない。
【０００８】
電子または正孔を効率よく輸送できるか電子または正孔を効率よくブロックできる熱安定性が良好な有機ＥＬ材料、ならびに駆動電圧および電力消費を低減でき、効率および半減期が増すさらに効率的な正孔輸送材料（ＨＴＭ）および電子ブロック材料（ＥＢＭ）に対する必要性が継続的に存在する。上記の理由により、本発明は、ＥＰ２３１３３６２Ａ１、ＵＳ２０１３００４８９７５Ａ１、ＷＯ２００８０６７２６３６Ａ１、ＷＯ２０１２０９１４７１Ａ２などの従来技術のかかる課題を解決することを目的とする。本発明では、我々は、従来の材料および従来の有機ＥＬ素子を改良すべく、インデノトリフェニレンコアに結合したジアリールアミン基を用い、熱的に安定であり、発光効率が高く、輝度が高く、かつ半減期が長い優れた発光素子を提供するものである。
【発明の概要】
【０００９】
発明の概要
有機ＥＬ素子用の正孔輸送材料、電子ブロック材料として使用することができるインデノトリフェニレン系アミン誘導体が提供される。該化合物は、ＥＰ２３１３３６２Ａ１、ＵＳ２０１３００４８９７５Ａ１、ＷＯ２００８０６７２６３６Ａ１、ＷＯ２０１２０９１４７１Ａ２などの従来の材料の欠点、例えば、効率や半減期の問題および電力消費の多さなどを克服することができる。
【００１０】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子用の正孔輸送層、電子ブロック層として使用することができるインデノトリフェニレン系アミン誘導体を提供することである。
【００１１】
本発明は工業的な実施には経済的利点を有する。本発明によれば、有機ＥＬ素子用の正孔輸送材料、電子ブロック材料として使用することができるインデノトリフェニレン系アミン誘導体が開示される。記載のインデノトリフェニレン系アミン誘導体は下記式（Ａ）で表される。
【００１２】
【化１】
2016153394.tif 000002
式中、Ｌは、単結合、炭素原子を６〜３０個有する置換されていてもよい二価のアリーレン基を表す。ｍは０〜１０の整数を表す。ｎは０〜３の整数を表す。ｐは０〜７の整数を表す。Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ６）（Ｒ７）、ＮＲ８からなる原子または基から選択される二価の架橋子を表すか、または非架橋子を表して置換されていてもよいビフェニル基が形成される。Ｒ１〜Ｒ８は、独立して、水素原子、炭素原子を１〜２０個有する置換されていてもよいアルキル基、炭素原子を６〜３０個有する置換されていてもよいアリール基、炭素原子を３〜３０個有する置換されていてもよいヘテロアリール基からなる群から選択される。Ａｒは、炭素原子を６〜５０個有する置換されていてもよいアリール基、炭素原子を３〜５０個有する置換されていてもよいヘテロアリール基からなる群から選択される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明における有機ＥＬ素子の一例を示す。６は透明電極であり、１３は金属電極であり、７は６に蒸着した正孔注入層であり、８は７に蒸着した正孔輸送層であり、９は８に蒸着した電子ブロック層であり、１０は９に蒸着した蛍光または燐光発光層であり、１１は１０に蒸着した電子輸送層であり、１２は１１に蒸着した電子注入層である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
好ましい実施形態の説明
本発明では、インデノトリフェニレン系アミン誘導体および該インデノトリフェニレン系アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子を研究した。本発明を完全に理解させるべく下記に製造、構造、および構成要素を詳細に説明する。言うまでもなく、本発明の用途は当業者に馴染みのある特定の態様に限定されるものではない。一方で、本発明に対する不必要な限定を回避すべく、誰もが知るところである共通の構成要素および手順については詳細には記載していない。本発明のいくつかの好ましい実施形態を以下においてより詳細に記載する。しかしながら、本発明は、明記した実施形態に加えて広範な他の実施形態で実施することができる、すなわち本発明は他の実施形態にも広く適用することができ、本発明の範囲は添付の請求項において特定したものを除き明示的に限定されるものではないと認識されたい。
【００１５】
本発明の第一の実施形態では、有機ＥＬ素子用の正孔輸送材料、電子ブロック材料として使用することができるインデノトリフェニレン系アミン誘導体が開示される。記載の誘導体は下記式（Ａ）によって表される。
【００１６】
【化２】
2016153394.tif 000003
式中、Ｌは、単結合、炭素原子を６〜３０個有する置換されていてもよい二価のアリーレン基を表す。ｍは０〜１０の整数を表す。ｎは０〜３の整数を表す。ｐは０〜７の整数を表す。Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ６）（Ｒ７）、ＮＲ８からなる原子または基から選択される二価の架橋子を表すか、または非架橋子を表して置換されていてもよいビフェニル基が形成される。Ｒ１〜Ｒ８は、独立して、水素原子、炭素原子を１〜２０個有する置換されていてもよいアルキル基、炭素原子を６〜３０個有する置換されていてもよいアリール基、炭素原子を３〜３０個有する置換されていてもよいヘテロアリール基からなる群から選択される。Ａｒは、炭素原子を６〜５０個有する置換されていてもよいアリール基、炭素原子を３〜５０個有する置換されていてもよいヘテロアリール基からなる群から選択される。
【００１７】
上記式（Ａ）では、Ｌは次のものを表す。
【００１８】
【化３】
2016153394.tif 000004
【００１９】
上記式（Ａ）では、Ａｒは次のものを表す。
【００２０】
【化４】
2016153394.tif 000005
【００２１】
【化５】
2016153394.tif 000006
【００２２】
【化６】
2016153394.tif 000007
【００２３】
【化７】
2016153394.tif 000008
【００２４】
【化８】
2016153394.tif 000009
【００２５】
【化９】
2016153394.tif 000010
【００２６】
【化１０】
2016153394.tif 000011
【００２７】
本実施形態において、いくつかの具体的な誘導体を下記に示す。
【００２８】
【化１１】
2016153394.tif 000012
【００２９】
【化１２】
2016153394.tif 000013
【００３０】
【化１３】
2016153394.tif 000014
【００３１】
【化１４】
2016153394.tif 000015
【００３２】
【化１５】
2016153394.tif 000016
【００３３】
【化１６】
2016153394.tif 000017
【００３４】
【化１７】
2016153394.tif 000018
【００３５】
【化１８】
2016153394.tif 000019
【００３６】
【化１９】
2016153394.tif 000020
【００３７】
【化２０】
2016153394.tif 000021
【００３８】
【化２１】
2016153394.tif 000022
【００３９】
【化２２】
2016153394.tif 000023
【００４０】
【化２３】
2016153394.tif 000024
【００４１】
【化２４】
2016153394.tif 000025
【００４２】
【化２５】
2016153394.tif 000026
【００４３】
【化２６】
2016153394.tif 000027
【００４４】
【化２７】
2016153394.tif 000028
【００４５】
【化２８】
2016153394.tif 000029
【００４６】
【化２９】
2016153394.tif 000030
【００４７】
【化３０】
2016153394.tif 000031
【００４８】
【化３１】
2016153394.tif 000032
【００４９】
【化３２】
2016153394.tif 000033
【００５０】
【化３３】
2016153394.tif 000034
【００５１】
【化３４】
2016153394.tif 000035
【００５２】
【化３５】
2016153394.tif 000036
【００５３】
【化３６】
2016153394.tif 000037
【００５４】
【化３７】
2016153394.tif 000038
【００５５】
【化３８】
2016153394.tif 000039
【００５６】
【化３９】
2016153394.tif 000040
【００５７】
【化４０】
2016153394.tif 000041
【００５８】
【化４１】
2016153394.tif 000042
【００５９】
本発明におけるインデノトリフェニレン系アミン誘導体の詳細な調製を例示の実施形態により明確にできたが、本発明は例示の実施形態に限定されるものではない。実施例１〜６は、本発明における誘導体のいくつかの実施例の調製を示す。実施例７〜８は、有機ＥＬ素子の作製ならびに、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ−Ｂ、半減期の試験結果を示す。
【実施例】
【００６０】
実施例１
【００６１】
誘導体Ａ１の合成
【００６２】
２−（ビフェニル−２−イル）−７−ブロモ−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレンの合成
【００６３】
【化４２】
2016153394.tif 000043
【００６４】
２，７−ジブロモ−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン３５．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）と、ビフェニル−２−イルボロン酸２１．８ｇ（１１０ｍｍｏｌ）と、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４２．３１ｇ（２ｍｍｏｌ）と、２Ｍ Ｎａ２ＣＯ３７５ｍｌと、ＥｔＯＨ１５０ｍｌと、トルエン３００ｍｌとの混合物を脱気し窒素下に置き、次いで１００℃で１２時間加熱した。反応を終了した後、混合物を室温まで冷却させた。有機層を酢酸エチルおよび水で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去し、残渣をシリカ上のカラムクロマトグラフィーによって精製して、白色固形物として生成物（２６．８ｇ、６３．０ｍｍｏｌ、６３％）を得た。
【００６５】
１２−ブロモ−１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］トリフェニレンの合成
【００６６】
【化４３】
2016153394.tif 000044
【００６７】
脱気し窒素を充填した３０００ｍｌの三ツ口フラスコ中で、無水ジクロロメタン（１５００ｍｌ）に２−（ビフェニル−２−イル）−７−ブロモ−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレンを２６．８ｇ（６０ｍｍｏｌ）溶解し、次いで塩化鉄（ＩＩＩ）を９７．５ｇ（６００ｍｍｏｌ）加え、混合物を１時間撹拌した。混合物にメタノールを５００ｍｌ加え、有機層を分離し、溶媒を真空下で除去した。残渣をシリカ（ヘキサン−ジクロロメタン）上のカラムクロマトグラフィーによって精製して白色固形物（１０．７ｇ、２５．３ｍｍｏｌ、４０％）を得た。１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、４００ＭＨｚ）：化学シフト（ｐｐｍ）８．９５（ｓ，１Ｈ），８．７９〜８．７４（ｍ，２Ｈ），８．６９〜８．６８（ｍ，３Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．７２〜７．６５（ｍ，５Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ、１Ｈ），１．６６（ｓ，６Ｈ）
【００６８】
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−９，９’−スピロビフルオレン−２−アミンの合成
【化４４】
2016153394.tif 000045
【００６９】
２−ブロモ−９，９’−スピロビフルオレン３０ｇ（７５．８ｍｍｏｌ）と、ビフェニル−４−アミン１５．３ｇ（９０．９ｍｍｏｌ）と、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１７ｇ（０．７６ｍｍｏｌ）と、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル０．２６ｇ（０．７６ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド９．５ｇ（９８．５ｍｍｏｌ）と、トルエン３００ｍｌとの混合物を窒素下で一晩還流させた。反応を終了した後、室温まで冷却した。有機層をジクロロメタンおよび水で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去し、残渣をシリカ（ヘキサン−ジクロロメタン）上のカラムクロマトグラフィーによって精製して、白色固形物として生成物を２１．９ｇ（収率６０％）得た。
【００７０】
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（４−ブロモフェニル）−９，９’−スピロビフルオレン−２−アミンの合成
【００７１】
【化４５】
2016153394.tif 000046
【００７２】
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−９，９’−スピロビフルオレン−２−アミン２０ｇ（４１．３ｍｍｏｌ）と、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン１４ｇ（４９．５ｍｍｏｌ）と、ヨウ化銅２．４ｇ（１２．４ｍｍｏｌ）と、炭酸カリウム１７．１ｇ（１２３．９ｍｍｏｌ）と、ＤＭＦ３００ｍｌとの混合物を窒素下で一晩還流させた。反応を終了した後、室温まで冷却した。有機層を酢酸エチルおよび水で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去し、残渣をシリカ（ヘキサン−ジクロロメタン）上のカラムクロマトグラフィーによって精製して、白色固形物として生成物を２６．３ｇ（収率４３％）得た。
【００７３】
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）−９，９’−スピロビ［フルオレン］−２−アミンの中間体の合成
【００７４】
【化４６】
2016153394.tif 000047
【００７５】
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（４−ブロモフェニル）−９，９’−スピロビ［フルオレン］−２−アミン）１０ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）と、ビス（ピナコラト）ジボロン４．７５ｇ（１８．７２ｍｍｏｌ）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．１８ｇ（０．１５６ｍｍｏｌ）と、酢酸カリウム２ｇ（２０．２８ｍｍｏｌ）と、１，４−ジオキサン３００ｍｌとの混合物を脱気し窒素下に置き、次いで９０℃で１６時間加熱した。反応を終了した後、混合物を室温まで冷却させた。有機層を酢酸エチルおよび水で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去し、溶離液としてヘキサンとエチルとの混合物を用いたカラムによって生成物を精製して、淡黄色生成物を８．７７ｇ（収率８２％）得た。
【００７６】
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（４−（１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］トリフェニレン−１２−イル）フェニル）−９，９’−スピロビ［フルオレン］−２−アミンの合成
【００７７】
【化４７】
2016153394.tif 000048
【００７８】
１２−ブロモ−１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］トリフェニレン１５ｇ（３５．４３ｍｍｏｌ）と、Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）−９，９’−スピロビフルオレン−２−アミン２９．１ｇ（４２．５１ｍｍｏｌ）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．４１ｇ（０．３５ｍｍｏｌ）と、２Ｍ Ｎａ２ＣＯ３２３ｍｌと、ＥｔＯＨ１００ｍｌと、トルエン２００ｍｌとの混合物を脱気し窒素下に置き、次いで１００℃で８時間加熱した。反応を終了した後、混合物を室温まで冷却させた。有機層をジクロロメタンおよび水で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去し、残渣をシリカ（ヘキサン−ジクロロメタン）上のカラムクロマトグラフィーによって精製して、黄色固形物として生成物を１７．５ｇ（収率５５％）得た。ＭＳ（ｍ／ｚ、ＦＡＢ＋）：９０２．３；１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、５００ＭＨｚ）：化学シフト（ｐｐｍ）８．９７（ｓ，１Ｈ），８．８０（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．７５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．６８（ｓ，１Ｈ），８．６７（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），７．９８（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．７７〜７．６３（ｍ，９Ｈ），７．５９（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，１Ｈ），７．５２（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．４７〜７．４１（ｄ，２Ｈ），７．４１〜７．２８（ｍ，８Ｈ），７．１６〜７．０５（ｍ，８Ｈ），６．８４（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），６．６８（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），１．５９（ｓ，６Ｈ）
【００７９】
実施例２
【００８０】
誘導体Ａ８の合成
【００８１】
Ｎ−（９，９’−スピロビフルオレン−２−イル）−Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］トリフェニレン−１２−アミンの合成
【００８２】
【化４８】
2016153394.tif 000049
【００８３】
１２−ブロモ−１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］トリフェニレン５ｇ（１１．８ｍｍｏｌ）と、Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−９，９’−スピロビフルオレン−２−アミン６．８ｇ（１４．１ｍｍｏｌ）と、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．０３ｇ（０．１１ｍｍｏｌ）と、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル０．０４ｇ（０．１１ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．７ｇ（１７．７ｍｍｏｌ）と、トルエン１００ｍｌとの混合物を窒素下で一晩還流させた。反応を終了した後、室温まで冷却した。有機層をジクロロメタンおよび水で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去し、残渣をシリカ（ヘキサン−ジクロロメタン）上のカラムクロマトグラフィーによって精製して、黄色固形物として生成物を５．８ｇ（収率６０％）得た。ＭＳ（ｍ／ｚ、ＦＡＢ＋）：８２６．３；１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、５００ＭＨｚ）：化学シフト（ｐｐｍ）８．７８（ｓ，１Ｈ），８．７３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．７０（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．７８（ｓ，１Ｈ），７．７７〜７．６１（ｍ，９Ｈ），７．５６（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．４４〜７．３９（ｍ，４Ｈ），７．３４〜７．２６（ｍ，４Ｈ），７．１５〜６．９７（ｍ，８Ｈ），６．８５（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），６．６７〜６．６４（ｍ，２Ｈ），１．３５（ｓ，６Ｈ）
【００８４】
実施例３
【００８５】
誘導体Ａ１４の合成
【００８６】
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−９，９’−スピロビフルオレン−４−アミンの合成
【００８７】
【化４９】
2016153394.tif 000050
【００８８】
４−ブロモ−９，９’−スピロビ［フルオレン］３０ｇ（７５．８ｍｍｏｌ）と、ビフェニル−４−アミン１５．３ｇ（９０．９ｍｍｏｌ）と、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１７ｇ（０．７６ｍｍｏｌ）と、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル０．２６ｇ（０．７６ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド９．５ｇ（９８．５ｍｍｏｌ）と、トルエン３００ｍｌとの混合物を窒素下で一晩還流させた。反応を終了した後、室温まで冷却した。有機層をジクロロメタンおよび水で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去し、残渣をシリカ（ヘキサン−ジクロロメタン）上のカラムクロマトグラフィーによって精製して、白色固形物として生成物を１９．０ｇ（収率５２％）得た。
【００８９】
Ｎ−（９，９’−スピロビフルオレン−４−イル）−Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］トリフェニレン−１３−アミンの合成
【００９０】
【化５０】
2016153394.tif 000051
【００９１】
１３−ブロモ−１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］トリフェニレン４．５ｇ（１０．６ｍｍｏｌ）と、Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−９，９’−スピロビフルオレン−４−アミン６．１ｇ（１２．７ｍｍｏｌ）と、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．０３ｇ（０．１１ｍｍｏｌ）と、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル０．０４ｇ（０．１１ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．３ｇ（１３．８ｍｍｏｌ）と、トルエン１００ｍｌとの混合物を窒素下で一晩還流させた。反応を終了した後、室温まで冷却した。有機層をジクロロメタンおよび水で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去し、残渣をシリカ（ヘキサン−ジクロロメタン）上のカラムクロマトグラフィーによって精製して、黄色固形物として生成物を４．８ｇ（収率５５％）得た。ＭＳ（ｍ／ｚ、ＦＡＢ＋）：８２６．５；１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、５００ＭＨｚ）：化学シフト（ｐｐｍ）８．８１（ｓ，１Ｈ），８．７５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．６７〜８．６５（ｍ，３Ｈ），７．８９〜７．８３（ｍ，４Ｈ），７．６７〜７．５４（ｍ，８Ｈ），７．４４〜７．２５（ｍ，８Ｈ），７．２１〜７．１０（ｍ，６Ｈ），７．０１（ｔ，１Ｈ），６．８３（ｂ，２Ｈ），６．６９（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ），１．６５（ｓ，６Ｈ）
【００９２】
実施例４
【００９３】
誘導体Ａ１８の合成
【００９４】
Ｎ，Ｎ−ジ（ビフェニル−４−イル）−１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］トリフェニレン−１２−アミンの合成
【００９５】
【化５１】
2016153394.tif 000052
【００９６】
１２−ブロモ−１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］トリフェニレン４．３ｇ（１０．１ｍｍｏｌ）と、ジビフェニル−４−イルアミン３．９ｇ（１２．１ｍｍｏｌ）と、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．０５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）と、２−（ジシクロヘキシルホスフィン）ビフェニル０．１５ｇ（０．４ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド２ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ｏ−キシレン５０ｍｌとの混合物を窒素下で一晩還流させた。反応を終了した後、溶液を１００℃で濾過して濾液を回収し、撹拌しながら濾液をＭｅＯＨ５００ｍｌに加え、析出した生成物を吸引濾過した。生成物を昇華により精製して生成物を２．９ｇ（収率３７％）得た。ＭＳ（ｍ／ｚ、ＦＡＢ＋）：６６３．１；１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、５００ＭＨｚ）：化学シフト（ｐｐｍ）８．８８（ｓ，１Ｈ），８．７９（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．６６（ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，２Ｈ），８．６３（ｓ，１Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．６９〜７．６３（ｍ，４Ｈ），７．６１（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，４Ｈ），７．５４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．４４〜７．４１（ｔ，４Ｈ），７．３３〜７．２６（ｍ，７Ｈ），７．２０（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），１．５９（ｓ，６Ｈ）
【００９７】
実施例５
【００９８】
誘導体Ａ１９の合成
【００９９】
３−ブロモ−Ｎ−（４−ブロモフェニル）アニリンの合成
【０１００】
【化５２】
2016153394.tif 000053
【０１０１】
１−ブロモ−３−ヨードベンゼン３２．５ｇ（１１４．９ｍｍｏｌ）と、４−ブロモアニリン１４．１ｇ（８１．９ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔ−ブトキシド２３．６ｇ（２４５．８ｍｍｏｌ）と、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２ｍｌ（８．２ｍｍｏｌ）との混合物をトルエン４００ｍｌに溶解し、これにＰｄ２（ｄｂａ）３を１．５ｇ（１．６４ｍｍｏｌ）加え、次いで混合物を一晩還流させながら撹拌した。反応を終了した後、混合物を室温まで冷却させた。有機層を酢酸エチルおよび水で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去し、溶離液としてヘキサンと酢酸エチルとの混合物を用いたカラムによって生成物を精製して、生成物を１２．６ｇ（収率４７％）得た。
【０１０２】
３−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イル）−Ｎ−（４−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イル）フェニル）アニリンの合成
【０１０３】
【化５３】
2016153394.tif 000054
【０１０４】
３−ブロモ−Ｎ−（４−ブロモフェニル）アニリン９．８ｇ（３０ｍｍｏｌ）と、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イルボロン酸１４ｇ（６６ｍｍｏｌ）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６９ｇ（０．６ｍｍｏｌ）と、２Ｍ Ｎａ２ＣＯ３６０ｍｌと、ＥｔＯＨ６０ｍｌと、トルエン１５０ｍｌとの混合物を脱気し窒素下に置き、次いで１１０℃で一晩加熱した。反応を終了した後、混合物を室温まで冷却させた。次いで、撹拌しながらＭｅＯＨを１００ｍｌ加え、析出した生成物を吸引濾過した。酢酸エチルから再結晶化させた黄色生成物を９．８ｇ（収率６５％）得た。
【０１０５】
Ｎ−（３−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イル）フェニル）−Ｎ−（４−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イル）フェニル）−１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］トリフェニレン−１２−アミンの合成
【０１０６】
【化５４】
2016153394.tif 000055
【０１０７】
１２−ブロモ−１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］トリフェニレン４．３ｇ（１０．１ｍｍｏｌ）と、３−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イル）−Ｎ−（４−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イル）フェニル）アニリン６．１ｇ（１２．１ｍｍｏｌ）と、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．０５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）と、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル０．１５ｇ（０．４ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド２ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ｏ−キシレン５０ｍｌとの混合物を窒素下で一晩還流させた。反応を終了した後、溶液を１００℃で濾過して濾液を回収し、撹拌しながら濾液をＭｅＯＨ５００ｍｌに加え、析出した生成物を吸引濾過した。生成物を昇華により精製して生成物を４．０ｇ（収率４７％）得た。ＭＳ（ｍ／ｚ、ＦＡＢ＋）：８４３．３；１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、５００ＭＨｚ）：化学シフト（ｐｐｍ）８．９０（ｓ，１Ｈ），８．８１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．７４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，２Ｈ），８．６１（ｓ，１Ｈ），８．１〜７．９４（ｍ，３Ｈ），７．６９〜７．５４（ｍ，１２Ｈ），７．４４〜７．３８（ｍ，６Ｈ），７．３３〜７．２６（ｍ，７Ｈ），７．２０（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），１．６１（ｓ，６Ｈ）
【０１０８】
実施例６
【０１０９】
誘導体Ａ２１の合成
【０１１０】
Ｎ−（４−ブロモフェニル）ビフェニル−４−アミンの合成
【０１１１】
【化５５】
2016153394.tif 000056
【０１１２】
ビス（４−ブロモフェニル）アミン１４．７ｇ（４５ｍｍｏｌ）と、フェニルボロン酸５．５ｇ（４５ｍｍｏｌ）と、テトラキス（トリフェニル−ホスフィン）パラジウム０．５１ｇ（０．４５ｍｍｏｌ）と、２Ｍ Ｎａ２ＣＯ３４５ｍｌと、ＥｔＯＨ４５ｍｌと、トルエン９０ｍｌとの混合物を脱気し窒素下に置き、次いで９０℃で一晩加熱した。反応を終了した後、混合物を室温まで冷却させた。有機層を酢酸エチルおよび水で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去し、溶離液としてヘキサンと酢酸エチルとの混合物を用いたカラムによって生成物を精製して、生成物を５．２ｇ（収率３６％）得た。
【０１１３】
Ｎ−（４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）ビフェニル−４−アミン）の合成
【０１１４】
【化５６】
2016153394.tif 000057
【０１１５】
Ｎ−（４−ブロモフェニル）ビフェニル−４−アミン５．２ｇ（１６ｍｍｏｌ）と、９−フェニル−３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９Ｈ−カルバゾール６．６ｇ（１８ｍｍｏｌ）と、テトラキス（トリフェニル−ホスフィン）パラジウム０．３７ｇ（０．３２ｍｍｏｌ）と、２Ｍ Ｎａ２ＣＯ３１６ｍｌと、ＥｔＯＨ２０ｍｌと、トルエン５０ｍｌとの混合物を脱気し窒素下に置き、次いで９０℃で一晩加熱した。反応を終了した後、混合物を室温まで冷却させた。有機層を酢酸エチルおよび水で抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去し、溶離液としてヘキサンと酢酸エチルとの混合物を用いたカラムによって生成物を精製して、生成物を５．０ｇ（収率６４％）得た。
【０１１６】
Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−１０，１０−ジメチル−Ｎ−（４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−１０Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］トリフェニレン−１２−アミンの合成
【０１１７】
【化５７】
2016153394.tif 000058
【０１１８】
１２−ブロモ−１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］トリフェニレン４．３ｇ（１０．１ｍｍｏｌ）と、３−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イル）−Ｎ−（４−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イル）フェニル）アニリン５．０ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）と、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．０５ｇ（０．２ｍｍｏｌ）と、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル０．１５ｇ（０．４ｍｍｏｌ）と、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド２ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、ｏ−キシレン５０ｍｌとの混合物を窒素下で一晩還流させた。反応を終了した後、撹拌しながらＭｅＯＨを５００ｍｌ加え、析出した生成物を吸引濾過した。生成物を昇華により精製して生成物を５．１ｇ（収率６１％）得た。ＭＳ（ｍ／ｚ、ＦＡＢ＋）：８２８．６；１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、５００ＭＨｚ）：化学シフト（ｐｐｍ）８．８６（ｓ，１Ｈ），８．８１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．６６（ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，２Ｈ），８．５９（ｓ，１Ｈ），８．３７（ｓ，１Ｈ），８．１１〜７．９４（ｍ，４Ｈ），７．７４〜７．４７（ｍ，１２Ｈ），７．４４〜７．３８（ｍ，６Ｈ），７．３１〜７．２３（ｍ，８Ｈ），７．２０（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），１．６１（ｓ，６Ｈ）
【０１１９】
有機ＥＬ素子を製造する一般的な方法
【０１２０】
抵抗が９〜１２オーム／平方でありかつ厚さが１２０〜１６０ｎｍであるＩＴＯでコーティングしたガラス（以下、ＩＴＯ基板）を準備し、超音波浴中の様々な洗浄工程で洗浄する（例えば、洗浄剤、脱イオン水）。有機層の蒸着前に、洗浄したＩＴＯ基板をＵＶおよびオゾンでさらに処理する。ＩＴＯ基板に対する前処理プロセスはすべてクリーンルーム（クラス１００）で行う。
【０１２１】
当該有機層を、抵抗加熱した石英ボートなどの高真空ユニット（１０−７トル）中で蒸着によりＩＴＯ基板に順次塗布する。各層の厚さおよび蒸着速度（０．１〜０．３ｎｍ／秒）は水晶モニタを用いて正確にモニタリングするかまたは設定する。上に記載のように個々の層を複数の化合物から、すなわち一般的にはドーパント材料でドープしたホスト材料から形成することも可能である。これは、二種以上の供給源からの共蒸発により達成される。
【０１２２】
この有機ＥＬ素子においては、ジピラジノ［２，３−ｆ：２，３−］キノキサリン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ−ＣＮ）が正孔注入層として使用される。Ｎ，Ｎ−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス（フェニル）−ベンジジン（ＮＰＢ）が正孔輸送層として最も広く使用されている。１０，１０−ジメチル−１２−（４−（ピレン−１−イル）フェニル）−１０Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］トリフェニレン（ＰＴ−３１２、ＵＳ２０１４０１７５３８４）が有機ＥＬ素子において青色発光ホストとして使用され、またＮ１，Ｎ１，Ｎ６，Ｎ６−テトラｍ−トリルピレン−１，６−ジアミン（Ｄ１）が青色発光ゲストとして使用される。２−（１０，１０−ジメチル−１０Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］トリフェニレン−１３−イル）−４，６−ビス−５−フェニルビフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン（ＥＴ３）が８−ヒドロキシキノラト−リチウム（ＬｉＱ）と共蒸着して有機ＥＬ素子において電子輸送材料として使用される。トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｄ２）が燐光性ドーパントとして使用される。Ｈ２（ＵＳ２０１４０１６６９８８Ａ１、下記の化学構造を参照されたい）が有機ＥＬ素子用の燐光性ホストとして使用される。標準的な有機ＥＬ素子の対照例を製造するための従来のＯＬＥＤ材料および本発明における対応する材料の化学構造を以下に示す。
【０１２３】
【化５８】
2016153394.tif 000059
【０１２４】
【化５９】
2016153394.tif 000060
【０１２５】
【化６０】
2016153394.tif 000061
【０１２６】
【化６１】
2016153394.tif 000062
【０１２７】
【化６２】
2016153394.tif 000063
【０１２８】
【化６３】
2016153394.tif 000064
【０１２９】
【化６４】
2016153394.tif 000065
【０１３０】
【化６５】
2016153394.tif 000066
【０１３１】
【化６６】
2016153394.tif 000067
【０１３２】
【化６７】
2016153394.tif 000068
【０１３３】
【化６８】
2016153394.tif 000069
【０１３４】
【化６９】
2016153394.tif 000070
【０１３５】
【化７０】
2016153394.tif 000071
【０１３６】
【化７１】
2016153394.tif 000072
【０１３７】
典型的な有機ＥＬ素子は、熱的蒸発による陰極としてＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉ、およびＫなどの仕事関数が低い金属からなり、仕事関数が低い金属は陰極からの電子輸送層への電子の注入を促進することができる。加えて、電子注入障壁を低減しかつ有機ＥＬ素子の性能を向上するため、陰極と電子輸送層との間に薄膜電子注入層が導入される。電子注入層の従来の材料は、ＬｉＦ、ＬｉＱ、ＭｇＯ、またはＬｉ２Ｏなどの仕事関数が低い金属ハロゲン化物または金属酸化物である。なお、有機ＥＬ素子の作成後、ＥＬスペクトルおよびＣＩＥ座標は、ＰＲ６５０スペクトル走査分光計を使用することにより測定される。さらに、電流／電圧特性、発光／電圧特性、および収率／電圧特性は、ケースレー２４００プログラム可能電圧電流源を用いて調べる。前記装置は、室温（約２５℃）および大気圧下で操作される。
【０１３８】
実施例７
【０１３９】
上記の一般的な方法と同様の手順を用いて、下記の素子構造Ｉを有する蛍光青色発光有機ＥＬ素子を製造した（図１を参照されたい）。素子Ｉ：ＩＴＯ／ＨＡＴ−ＣＮ（２０ｎｍ）／正孔輸送材料（ＨＴＭ）（１１０ｎｍ）／電子ブロック材料（ＥＢＭ）（５ｎｍ）／５％Ｄ１でドープしたＰＴ−３１２（３０ｎｍ）／５０％ＬｉＱと共蒸着したＥＴ３（４０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１６０ｎｍ）。蛍光青色発光有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ−Ｂ（１０００ｎｉｔにおける）および半減期の試験結果を表１とする。半減期は初期の輝度１０００ｃｄ／ｍ２が半分まで低下することと規定する。
【０１４０】
【表１】
2016153394.tif 000073
【０１４１】
実施例８
【０１４２】
上記の一般的な方法と同様の手順を用いて、下記の素子構造を有する燐光発光有機ＥＬ素子を製造する（図１を参照されたい）：素子Ｉ：ＩＴＯ／ＨＡＴ−ＣＮ（２０ｎｍ）／正孔輸送材料（ＨＴＭ）（１１０ｎｍ）／電子ブロック材料（ＥＢＭ）（５ｎｍ）／１２％Ｄ２でドープしたＨ２（３５ｎｍ）／５０％ＬｉＱと共蒸着したＥＴ３（４０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１６０ｎｍ）。燐光発光有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ−Ｂ（１０００ｎｉｔにおける）および半減期の試験結果を表２とする。半減期は初期の輝度３０００ｃｄ／ｍ２が半分まで低下することと規定する。
【０１４３】
【表２】
2016153394.tif 000074
【０１４４】
有機ＥＬ素子の上記の好ましい実施形態の試験結果において（表１および表２を参照されたい）、我々は本発明における一般式（Ａ）では良好な性能が示され、かつ、より少ない電力消費、より高い効率、およびより長い半減期が示されることを実証している。
【０１４５】
要約すると、本発明は有機ＥＬ素子に使用することができるインデノトリフェニレン系アミン誘導体を開示する。より具体的には、正孔輸送材料、電子ブロック材料として当該誘導体を採用した有機ＥＬ素子である。記載の化合物は下記式（Ａ）で表される。
【０１４６】
【化７２】
2016153394.tif 000075
式（Ａ）
【０１４７】
式中、Ｌは、単結合、炭素原子を６〜３０個有する置換されていてもよい二価のアリーレン基を表す。ｍは０〜１０の整数を表す。ｎは０〜３の整数を表す。ｐは０〜７の整数を表す。Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ６）（Ｒ７）、ＮＲ８からなる原子または基から選択される二価の架橋子を表すか、または非架橋子を表して置換されていてもよいビフェニル基が形成される。Ｒ１〜Ｒ８は、独立して、水素原子、炭素原子を１〜２０個有する置換されていてもよいアルキル基、炭素原子を６〜３０個有する置換されていてもよいアリール基、炭素原子を３〜３０個有する置換されていてもよいヘテロアリール基からなる群から選択される。Ａｒは、炭素原子を６〜５０個有する置換されていてもよいアリール基、炭素原子を３〜５０個有する置換されていてもよいヘテロアリール基からなる群から選択される。
【図１】
2016153394.tif 000117
【外国語明細書】
2016153394000001.pdf