(57)【要約】【課題】放射線感度の放射線入射位置依存性を十分に改善することができる放射線検出装置を提供する。【解決手段】放射線検出装置１００は、シンチレーション光１２４を発するシンチレータ１０２と、シンチレーション光１２４を電気信号に変換する受光素子１０４と、シンチレータ１０２からのシンチレーション光１２４を受光素子１０４に案内するライトガイド１１４とを備える。ライトガイド１１４は、シンチレータ１０２の背面側であってシンチレータ１０２と対向する面に配置される複数の集光部１１０と複数の集光部１１０の背面側に当接する導光部１１８とを有する。複数の集光部１１０は、シンチレータ１０２側から断面積が大きくなる第１配光制御部１１０ａと第１配光制御部１１０ａに直接的または間接的に接続され第１配光制御部１１０ａ側から断面積が小さくなる第２配光制御部１１０ｂとを含む。導光部１１８の側面に受光素子１０４が接続される。【選択図】図４
2016075622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線量に応じたシンチレーション光を発するシンチレータと、
前記シンチレーション光を電気信号に変換する受光素子と、
前記シンチレータからの前記シンチレーション光を前記受光素子に案内するライトガイドと、を備え、
前記ライトガイドは、前記シンチレータの背面側であって該シンチレータと対向する面に配置される複数の集光部と該複数の集光部の背面側に当接する導光部とを有し、
前記集光部は、前記シンチレータ側から前記導光部側に向かい断面積が大きくなる第１配光制御部と第１配光制御部の導光部側に直接的または間接的に接続され第１配光制御部側から前記導光部側に向かい断面積が小さくなる第２配光制御部とを含み、
前記導光部の側面に前記受光素子が接続され、該導光部が第２配光制御部から進入するシンチレーション光を該受光素子へ導光することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
前記複数の集光部が、連なって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記ライトガイドが、前記複数の集光部の第１配光制御部と第２配光制御部との間に平板状の基板をさらに有し、前記複数の集光部が該基板に１ミリメートル以下の間隔で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
第１配光制御部および第２配光制御部の少なくとも一方の表面が放物面形状であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
第１配光制御部および第２配光制御部の少なくとも一方の表面が錐体面形状であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線検出装置に関し、詳しくは、シンチレーション式の放射線検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
原子力施設等における放射能汚染を検出する放射線検出装置として、シンチレーション式の放射線検出装置が普及している。シンチレーション式の放射線検出装置は、放射線入射時に発生するシンチレーション光を検出して放射線を計測するものであるが、最近ではできるだけ検出面が広く、かつ設置スペースの制約から薄型であることが求められている。しかし、放射線検出装置の検出面を大面積化すると、受光素子の位置から遠い位置に放射線が入射した場合、シンチレーション光が受光素子に到達するまでに減衰する。すなわち、放射線がシンチレータへ入射する位置によって放射線感度が左右される。この放射線感度の放射線入射位置依存性を改善するための技術として、特許文献１が提案されている。
【０００３】
特許文献１の図１、図２には、外部から入射する放射線量に応じた量のシンチレーション光を発生する大面積薄型シンチレータと当該大面積薄型シンチレータ内で発生したシンチレーション光を集光する複数個の薄型集光体（フレネルレンズや凸レンズ）と薄型集光体の集光点に受光面を有する複数個の光電変換素子とを備える放射線検出装置が記載されている。また、特許文献１の図３には、外部から入射する放射線量に応じた量のシンチレーション光を発生する大面積薄型シンチレータと当該大面積薄型シンチレータ内で発生したシンチレーション光を集光する複数個の薄型集光体（フレネルレンズ）と、薄型集光体の集光点に開口部を有するライトガイドとを備える放射線検出装置が記載されている。また、特許文献１の図８には、外部から入射する放射線量に応じた量のシンチレーション光を発生する大面積薄型シンチレータと、大面積薄型シンチレータに密着して配置される厚さの一定な平板状の透明ライトガイドとを備える放射線検出装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２４８１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の技術では、放射線感度の放射線入射位置依存性を十分に改善することができない。特許文献１の図１〜図３に記載されている構成は、薄型集光体に垂直方向（薄型集光体の光軸方向）に入射するシンチレーション光を集光点で集光するものでしかない。シンチレーション光は、放射状に拡散する光であるので、薄型集光体に垂直方向（薄型集光体の光軸方向）に入射するものはごく一部に過ぎない。また、特許文献１の図８に記載されている構成は、大面積薄型シンチレータ内で発生したシンチレーション光を透明ライトガイドで導光する構成であるが、さらなる改善が求められる。
【０００６】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、放射線感度の放射線入射位置依存性を十分に改善することができる放射線検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明にかかる放射線検出装置の構成は、放射線量に応じたシンチレーション光を発するシンチレータと、シンチレーション光を電気信号に変換する受光素子と、シンチレータからのシンチレーション光を受光素子に案内するライトガイドと、を備え、ライトガイドは、シンチレータの背面側であってシンチレータと対向する面に配置される複数の集光部と複数の集光部の背面側に当接する導光部とを有し、集光部は、シンチレータ側から導光部側に向かい断面積が大きくなる第１配光制御部と第１配光制御部の導光部側に直接的または間接的に接続され第１配光制御部側から導光部側に向かい断面積が小さくなる第２配光制御部とを含み、導光部の側面に受光素子が接続され、導光部が第２配光制御部から進入するシンチレーション光を受光素子へ導光することを特徴とする。
【０００８】
上述の複数の集光部が、連なって形成されているとよい。
【０００９】
上述のライトガイドが、複数の集光部の第１配光制御部と第２配光制御部との間に平板状の基板をさらに有し、複数の集光部が基板に１ミリメートル以下の間隔で形成されているとよい。
【００１０】
上述の第１配光制御部および第２配光制御部の少なくとも一方の表面が放物面形状であるとよい。
【００１１】
上述の第１配光制御部および第２配光制御部の少なくとも一方の表面が錐体面形状であってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、放射線感度の放射線入射位置依存性を十分に改善することができる放射線検出装置を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態にかかる放射線検出装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１の放射線検出装置の検出面側を示す図である。
【図３】図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】図３の範囲Ｃの拡大図である。
【図５】図４の導光部の導光について説明する図である。
【図６】本実施形態の変形例を示す図である。
【図７】本実施例にかかる第１配光制御部の斜視図である。
【図８】本実施例にかかる第２配光制御部の光追跡図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。係る実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値等は、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、又、本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
【００１５】
図１は、本実施形態にかかる放射線検出装置１００の概略構成を示すブロック図である。図１に示すように、放射線検出装置１００は、シンチレータ１０２と、ライトガイド１１４と、受光素子１０４と、信号処理装置１０６とを含んで構成される。
【００１６】
シンチレータ１０２は、放射線量に応じたシンチレーション光１２４（図３参照）を発する。本実施形態では、シンチレータ１０２は、検出面を広くするために表面を大面積化すると共に、設置スペースの制約から薄型にしたものである。シンチレータ１０２としては、大面積の薄膜形状や長尺形状などへの成形加工が容易であり、更に軽量かつ柔軟性があることで耐衝撃性にも優れ、しかも低コストで入手性が良い利点があるプラスチックシンチレータを用いることができる。なお、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＺｎＳ、ＢＧＯ、アントラセン等、他のシンチレータを用いることもできる。
【００１７】
ライトガイド１１４は、シンチレータ１０２からのシンチレーション光１２４を受光素子１０４に案内する。受光素子１０４は、光電子増倍管やアバランシェフォトダイオード等の高感度で光を検出可能なもので構成され、シンチレーション光１２４を電気信号に変換する。信号処理装置１０６は、受光素子１０４に接続され、受光素子が出力する電気信号に基づいて放射線量を計測する。また、信号処理装置１０６は、計測した放射線量を視覚的または聴覚的に報知する液晶表示部や音声出力部等を含んでいてもよい。
【００１８】
図２は、図１の放射線検出装置１００の検出面側を示す図である。図２（ａ）がその検出面側を示す図であり、図２（ｂ）が図２（ａ）の範囲Ａの拡大図である。なお、図２（ｂ）中、放射線検出装置１００内部の複数の集光部１１０（代表して１つに符号を付す）をかくれ線で示す。複数の集光部１１０については、後ほど図４と共に説明する。
【００１９】
図２（ａ）に示すように、放射線検出装置１００の筐体１０８の開口部は、遮光膜１１２によって覆われる。外部の光が筐体１０８内に進入することを防止するためである。図２（ｂ）に示すように、遮光膜１１２によって覆われる放射線検出装置１００の内部には、複数の集光部１１０が連なって形成される。
【００２０】
なお、本実施形態では、筐体１０８の開口部がある検出面側を「表面側」とし、その反対側である非検出面側を「背面側」と定義する。
【００２１】
図３は、図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図３に示すように、放射線検出装置１００の筐体１０８は箱型形状を呈する。箱型形状の筐体１０８の内部には、シンチレータ１０２、ライトガイド１１４、受光素子１０４、反射膜１１６等が収容される。シンチレータ１０２は、平板状の形状を有する。シンチレータ１０２は、遮光膜１１２によって遮光された筐体１０８の内部であって、遮光膜１１２の背面側に配置される。
【００２２】
ライトガイド１１４は、ＰＭＭＡ(polymethylmethacrylate）等の透明樹脂材料で形成され、シンチレータ１０２の背面側に配置される。ライトガイド１１４（複数の集光部１１０）は、シンチレータ１０２の背面側と当接（密着）してもよい。これにより、シンチレータ１０２からのシンチレーション光１２４がほぼ減衰せずにライトガイド１１４に進入する。そのため、受光素子１０４に到達するまでのシンチレーション光１２４の減衰を低減することができる。
【００２３】
シンチレータ１０２およびライトガイド１１４の外表面は、受光素子１０４に接続される部位を除き、反射膜１１６によって覆われる。反射膜１１６は、アルミ等の薄膜であって、反射率９０％程度の高い反射率を有する。反射膜１１６を設けることで、受光素子１０４に多くのシンチレーション光１２４を到達させることができる。
【００２４】
図４は、図３の範囲Ｃの拡大図である。図４に示すように、ライトガイド１１４は、複数の集光部１１０と複数の集光部１１０の背面側に当接する導光部１１８とを有する。複数の集光部１１０は、シンチレータ１０２（図３参照）の背面側であって、シンチレータ１０２と対向する面に連なって配置される。
【００２５】
複数の集光部１１０は、それぞれ、シンチレータ１０２側から導光部１１８側に向かい、シンチレータ１０２に平行な断面積が大きくなる第１配光制御部１１０ａ（代表して１つに符号を付す）を含む。また、複数の集光部１１０は、それぞれ、第１配光制御部１１０ａの導光部１１８側に直接的または間接的に接続され第１配光制御部１１０ａ側から導光部１１８側に向かいシンチレータ１０２に平行な断面積が小さくなる第２配光制御部１１０ｂ（代表して１つに符号を付す）を含む。なお、第１配光制御部１１０ａと第２配光制御部１１０ｂとは、光学的に接続される必要がある。「光学的に接続される」とは、第１配光制御部１１０ａから第２配光制御部１１０ｂにかけて光を伝達可能との意味であり、境界面での反射を避け、殆どまたは全く光を減衰させずに伝達する構成が望ましい。
【００２６】
本実施形態では、第１配光制御部１１０ａと第２配光制御部１１０ｂとの間には平板状の基板１２０（シート）が設けられる。第１配光制御部１１０ａと第２配光制御部１１０ｂとは、例えば、基板１２０上にナノインプリントや精密金型で形成される。
【００２７】
第１配光制御部１１０ａおよび第２配光制御部１１０ｂは、それぞれ、基板１２０上に密に形成される微細な立体構造体である。具体的には、第１配光制御部１１０ａの基板１２０に対する長さＬ１、および、第２配光制御部１１０ｂの基板１２０に対する長さＬ２は、１ミリメートル以下で形成される。すなわち、複数の集光部１１０は、基板１２０に１ミリメートル以下の間隔で形成される。
【００２８】
再び図３を参照する。外部からの放射線１２２が検出面側の遮光膜１１２を通過し、シンチレータ１０２に入射すると、シンチレータ１０２が放射線量に応じたシンチレーション光１２４を発する。このシンチレーション光１２４は放射状（等方的）に拡散する。そして、一部のシンチレーション光１２４は直接的に図４に示す第１配光制御部１１０ａに入射し、残りのシンチレーション光１２４はシンチレータ１０２表面側の反射膜１１６等での反射を経て間接的に図４に示す第１配光制御部１１０ａに入射する。
【００２９】
再び図４を参照する。まず、模式的な第１の例であるシンチレーション光１２４ａを用いて説明する。第１の例であるシンチレーション光１２４ａは、空気と第１配光制御部１１０ａとの境界面Ｘ１にて屈折しつつ、第１配光制御部１１０ａへと進入する。そして、かかるシンチレーション光１２４ａが第１配光制御部１１０ａと空気との境界面Ｘ２にて臨界角を超えて入射する場合、この境界面Ｘ２にて全反射する。
【００３０】
第１配光制御部１１０ａは、シンチレータ１０２側から導光部１１８側に向かい断面積が大きくなる形状（末広がり形状）を有する。かかる形状により、第１配光制御部１１０ａにて全反射したシンチレーション光１２４ａは、反射前よりも背面側（図４中紙面下方向）へと向かう成分が相対的に大きくなる。換言すれば、第１配光制御部１１０ａは、シンチレーション光１２４ａを背面側（図４中紙面下方向）へと相対的に配光制御する効果を奏する。
【００３１】
第１配光制御部１１０ａにて全反射したシンチレーション光１２４ａは、光学的に接続されている第２配光制御部１１０ｂに進入する。第２配光制御部１１０ｂは、第１配光制御部１１０ａ側から導光部１１８側に向かい断面積が小さくなる形状（尻すぼみ形状）を有する。かかる形状により、第２配光制御部１１０ｂと空気との境界面Ｘ３、Ｘ４にて全反射したシンチレーション光１２４ａは、反射前よりもシンチレータ１０２（図３参照）が広がる方向（図４中紙面左右方向）へと向かう成分が相対的に大きくなる。換言すれば、第２配光制御部１１０ｂは、シンチレーション光１２４ａをシンチレータ１０２が広がる方向（図４中紙面左右方向）へと相対的に配光制御する効果を奏する。
【００３２】
本実施形態では、第１配光制御部１１０ａ、第２配光制御部１１０ｂの表面が放物面形状に形成される。第１配光制御部１１０ａの表面を放物面形状とすることで、シンチレーション光１２４ａの背面側（図４中紙面下方向）への配光制御を効果的に実施することができ、第２配光制御部１１０ｂの表面を放物面形状とすることで、シンチレーション光１２４ａのシンチレータ１０２が広がる方向（図４中紙面左右方向）への配光制御を効果的に実施することができる。
【００３３】
第２配光制御部１１０ｂの背面側は、光学的接着剤等により導光部１１８と接続される。第２配光制御部１１０ｂは、面接触により導光部１１８と当接（密着）する。
【００３４】
第２配光制御部１１０ｂにて全反射したシンチレーション光１２４ａは、面接触している部位を通じて光学的に接続される導光部１１８へと進入する。面接触させる必要があるのは、点接触では、導光部１１８へシンチレーション光１２４ａを十分に案内できないためである。なお、「光学的に接続される」とは、第２配光制御部１１０ｂから導光部１１８にかけて光を伝達可能との意味であり、境界面での反射を避け、殆どまたは全く光を減衰させずに伝達する構成が望ましい。
【００３５】
次に、模式的な第２の例であるシンチレーション光１２４ｂを用いて説明する。第２の例であるシンチレーション光１２４ｂは、空気と第１配光制御部１１０ａとの境界面Ｙ１にて反射する。上述のようにシンチレーション光１２４ｂは放射状（等方的）に拡散する光であるので、このような境界面Ｙ１（第１配光制御部１１０ａの表面）での反射の発生頻度も高い。
【００３６】
本実施形態では、複数の集光部１１０の第１配光制御部１１０ａが連なって形成されている。そのため、シンチレーション光１２４ｂのように境界面Ｙ１にて反射されても、隣接する集光部１１０の第１配光制御部１１０ａに再び入射する。とりわけ、複数の集光部１１０は、１ミリメートル以下の間隔で密に形成される微細な立体構造体である。そのため、このような再入射の効果を確実に奏するうえ、隣接する集光部１１０に再入射するまでの光路長も短くすることができ、光の減衰を防止することができる。
【００３７】
シンチレーション光１２４ｂは、一度境界面Ｙ１で反射したうえで、隣接する第１配光制御部１１０ａの境界面Ｙ２に再入射し、第１配光制御部１１０ａに進入する。なお、第１配光制御部１１０ａは一度に限らず、二度以上の反射を経て第１配光制御部１１０ａに進入する場合もある。第１配光制御部１１０ａに進入した後のシンチレーション光１２４ｂの挙動は、境界面Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６にて全反射を繰り返すが、上述のシンチレーション光１２４ａと実質的に同一のため説明を省略する。
【００３８】
図５は、図４の導光部１１８の導光について説明する図である。図５（ａ）が受光素子１０４に向かって進入するシンチレーション光１２４ｂを例示したものであり、図５（ｂ）が受光素子１０４の反対側に向かって進入するシンチレーション光１２４ａを例示したものである。
【００３９】
図５（ａ）（ｂ）に示すように、導光部１１８は平板状の形状を有し、その側面には受光素子１０４が接続される。導光部１１８は、第２配光制御部１１０ｂ（図４参照）から進入するシンチレーション光１２４ａ、１２４ｂをこの受光素子１０４へ導光する。
【００４０】
図５（ａ）に示すように、シンチレーション光１２４ｂが受光素子１０４に向かって進入する場合、シンチレーション光１２４ｂは導光部１１８の内部にて全反射しながら受光素子１０４へと導かれる。図５（ｂ）に示すように、シンチレーション光１２４ａが受光素子１０４の反対側に向かって進入する場合、シンチレーション光１２４ａは導光部１１８の受光素子１０４とは反対側の側面で方向を変え、受光素子１０４へと導かれる。したがって、シンチレーション光１２４ａ、１２４ｂが進入する方向に依存することなく、シンチレーション光１２４ａ、１２４ｂは受光素子１０４へと導かれる。
【００４１】
本実施形態では、第２配光制御部１１０ｂ（図４参照）の背面側が導光部１１８と当接（密着）するように構成されているが、第２配光制御部１１０ｂの当接面の面積は、導光部１１８の第２配光制御部１１０ｂ側の面の面積に比較して小さい。したがって、シンチレーション光が導光部１１８の内部にて全反射しながら受光素子１０４へと導かれる際に、第２配光制御部１１０ｂへ再び進入するおそれは低減される。
【００４２】
図６は、本実施形態の変形例を示す図である。第１配光制御部１１０ａおよび第２配光制御部１１０ｂの表面は、放物面形状に限定されない。例えば、図６に示すように、第１配光制御部１１０ａおよび第２配光制御部１１０ｂの表面は錐体面形状としてよい。錐体面形状（立体形状を四角錐、円錐等）としても、シンチレーション光１２４の集光効率に若干変動が生じるものの、略同様の機能が得られる。なお、錐体面形状は製造性が良い利点を有するので、錐体面形状とすればコスト低減の効果を奏する。
【００４３】
なお、第１配光制御部１１０ａおよび第２配光制御部１１０ｂの形状は、必ずしも同一である必要はない。また、第１配光制御部１１０ａおよび第２配光制御部１１０ｂは、必ずしもシンチレータ１０２に対し垂直な方向（図４中紙面上下方向）に揃って配置される必要はない。換言すれば、第１配光制御部１１０ａが第２配光制御部１１０ｂに対しシンチレータに対し平行な方向（図４中紙面左右方向）にずれて配置されていてもよい。
【００４４】
上述した放射線検出装置１００によれば、第１配光制御部１１０ａによりシンチレーション光１２４を背面側へと相対的に配光制御し、第２配光制御部１１０ｂにより第１配光制御部１１０ａから進入するシンチレーション光１２４をシンチレータ１０２が広がる方向へと相対的に配光制御する。そして、導光部１１８によって第２配光制御部１１０ｂから進入するシンチレーション光１２４を受光素子１０４へと導光する。このような構成により、放射状に拡散するシンチレーション光１２４を複数の集光部１１０内にとり込み、とり込んだシンチレーション光１２４をライトガイド１１４の外へ逃がすことなく導光することができる。そのため、光量低下の伴う多重反射を回避することができ、検出面の放射線感度の放射線入射位置依存性を十分に改善することができる。また、放射線検出装置１００としての精度を高めることができる。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例を示し、さらに詳細に説明する。
【００４６】
図７は、本実施例にかかる第１配光制御部１１０ａの斜視図である。図７（ａ）が実施例１、図７（ｂ）が実施例２、図７（ｃ）が実施例３、図７（ｄ）が実施例４を示すものである。実施例１では第１配光制御部１１０ａの表面が放物面形状を有し、実施例２では第１配光制御部１１０ａが四角錐の立体形状を有し、実施例３では第１配光制御部１１０ａが円錐の立体形状を有する。実施例４では第１配光制御部１１０ａが実施例１の立体形状の上部を基板１２０に対し平行に切断した形状を有する。以下、実施例４の表面形状を複合放物面形状と称する。
【００４７】
上述の実施例１〜実施例４について、光学シミュレータを用い、センサ検出光（検出対象の光）を第１配光制御部１１０ａ内にどの程度とり込めるか解析した。すなわち、各々の実施例１〜実施例４の光捕集率（％）について解析した。なお、比較例１として、第１配光制御部１１０ａを有さない構成の光捕集率についても解析する。比較例１の光捕集率は、基板１２０内にとり込まれるセンサ検出光（検出対象の光）の割合を示す。
【００４８】
表１は、実施例１〜実施例４および比較例１の光捕集率（％）について示すものである。
【００４９】
【表１】
2016075622.tif 000003
【００５０】
表１に示すように、第１配光制御部１１０ａを有する実施例１〜実施例４では、比較例１に比べ光捕集率が向上することが実証された。
【００５１】
図８は、本実施例にかかる第２配光制御部１１０ｂの光追跡図（光の挙動を示す図）である。図８では、第２配光制御部１１０ｂの効果を説明するために、第２配光制御部１１０ｂの直上に光源１２６を置き、その光源１２６から発せられる光の挙動を図示している。なお、ここでは、実験の都合上、本実施形態と比べ大きな立体構造を有する第２配光制御部１１０ｂを用いた。
【００５２】
図８に示すように、光源１２６から発せられた光は、第２配光制御部１１０ｂによる図８中紙面左右方向への配光制御を経て、導光部１１８へと進入し、受光素子１０４へと導光される。図８より、第２配光制御部１１０ｂを備えることで、光源１２６から発せられた光が導光部１１８へ角度をもって（斜めに）進入しやすくなることが実証された。
【００５３】
表２は、実施例４Ａと比較例１Ａとの光到達率を示したものである。実施例４Ａは第１配光制御部１１０ａ及び第２配光制御部１１０ｂの表面が複合放物面形状を有する構成であり、比較例１Ａは第１配光制御部１１０ａ及び第２配光制御部１１０ｂを有さず基板１２０が導光部１１８に直付けされた構成である。光到達率は、受光素子１０４まで光が到達する割合のこととする。なお、ここでも、実験の都合上、本実施形態と比べスケールの大きい集光部１１０を用いた。
【００５４】
【表２】
2016075622.tif 000004
【００５５】
表２に示すように、本実施例にかかる放射線検出装置１００によれば、光到達率を大幅に改善できることが実証された。
【００５６】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は放射線検出装置に利用することができ、詳しくは、シンチレーション式の放射線検出装置に利用することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１００…放射線検出装置
１０２…シンチレータ
１０４…受光素子
１０６…信号処理装置
１０８…筐体
１１０…集光部
１１０ａ…第１配光制御部
１１０ｂ…第２配光制御部
１１２…遮光膜
１１４…ライトガイド
１１６…反射膜
１１８…導光部
１２０…基板
１２２…放射線
１２４（１２４Ａ、１２４Ｂ）…シンチレーション光
１２６…光源
【図１】
2016075622.tif 000005
【図２】
2016075622.tif 000006
【図３】
2016075622.tif 000007
【図４】
2016075622.tif 000008
【図５】
2016075622.tif 000009
【図６】
2016075622.tif 000010
【図７】
2016075622.tif 000011
【図８】
2016075622.tif 000012