(57)【要約】【課題】耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性を高めること。【解決手段】実施形態に係る発光モジュールは、基板と、半導体発光素子と、枠と、封止部材と、接着部材と、を具備する。半導体発光素子は、基板の所定の面に実装される。枠は、半導体発光素子の周囲、かつ、所定の面上に形成される。封止部材は、枠により形成された空間内に形成され、半導体発光素子を封止する。接着部材は、封止部材と基板とを接着する。【選択図】図２
2016051800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
前記基板の所定の面に実装された半導体発光素子と；
前記半導体発光素子の周囲、かつ、前記所定の面上に形成された枠と；
前記枠により形成された空間内に形成され、前記半導体発光素子を封止する封止部材と；
前記封止部材と前記基板とを接着する接着部材と；
を具備することを特徴とする発光モジュール。
【請求項２】
前記封止部材は、
前記半導体発光素子が放出した光を当該光の波長とは異なる波長の光に変換する蛍光体を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項３】
前記接着部材は、
前記封止部材より硬化温度が低い材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光モジュール。
【請求項４】
前記接着部材は、
当該接着部材の熱膨張率が、前記封止部材の熱膨張率より大きく、かつ、前記基板の熱膨張率より小さい値であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の発光モジュール。
【請求項５】
前記接着部材は、
当該接着部材の熱膨張率が、前記封止部材の熱膨張率より小さく、かつ、前記基板の熱膨張率より大きい値であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の発光モジュール。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光モジュールの製造方法において、
前記封止部材により前記半導体発光素子を封止する封止工程と；
前記封止部材と前記基板との間の空間を接着部材で接着する接着工程と；
を含んだことを特徴とする発光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光モジュール及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電流を流すと発光する半導体素子の一種であるＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）を用いた発光装置が普及している。ＬＥＤを用いた発光装置は、ＬＥＤの高効率化に伴うモジュール構成部材の劣化を防ぐため、例えば、透明無機材などを封止材として用いて構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１０３９７８号公報
【特許文献２】特開２０１２−６４７８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性を高めることができる発光モジュール及び製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る発光モジュールは、基板と、半導体発光素子と、枠と、封止部材と、接着部材と、を具備する。半導体発光素子は、基板の所定の面に実装される。枠は、半導体発光素子の周囲、かつ、所定の面上に形成される。封止部材は、枠により形成された空間内に形成され、半導体発光素子を封止する。接着部材は、封止部材と基板とを接着する。
【発明の効果】
【０００６】
実施形態の発光モジュールによれば、耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性を高めることができるという効果が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】図１Ａは、実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。
【図２】図２は、発光モジュールの一例を説明するための簡略図である。
【図３】図３は、発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図４】図４は、基材の熱膨張率の一例を示す図である。
【図５】図５は、各部材の熱膨張率の一例を示す図である。
【図６】図６は、各部材の熱膨張率の一例を示す図である。
【図７】図７は、接着層の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下で説明する実施形態に係る発光モジュールは、基板と、半導体発光素子と、枠と、封止部材と、接着部材と、を具備する。半導体発光素子は、基板の所定の面に実装される。枠は、半導体発光素子の周囲、かつ、所定の面上に形成される。封止部材は、枠により形成された空間内に形成され、半導体発光素子を封止する。接着部材は、封止部材と基板とを接着する。
【０００９】
また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュールにおいて、封止部材は、半導体発光素子が放出した光を当該光の波長とは異なる波長の光に変換する蛍光体を含んでもよい。
【００１０】
また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュールにおいて、接着部材は、封止部材より硬化温度が低い材料であってもよい。
【００１１】
また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュールにおいて、接着部材は、接着部材の熱膨張率が、封止部材の熱膨張率より大きく、かつ、基板の熱膨張率より小さい値であってもよい。
【００１２】
また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュールにおいて、接着部材は、接着部材の熱膨張率が、封止部材の熱膨張率より小さく、かつ、基板の熱膨張率より大きい値であってもよい。
【００１３】
また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュールの製造方法は、封止部材により半導体発光素子を封止する封止工程と、封止部材と基板との間の空間を接着部材で接着する接着工程とを含む。
【００１４】
以下に、各実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１５】
図１Ａ〜図１Ｂは、実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。図１Ａは平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ１−Ａ２線断面の一部を例示する断面図である。図１Ａ及び図１Ｂに表したように、本実施形態に係る発光装置１１０は、ベース部材７１と、グリス層５３と、放熱板５１と、接合層５２と、実装基板部１５と、発光モジュール３５とを含む。発光装置１１０は、例えば、投光器などの照明装置２１０に用いられる。
【００１６】
ベース部材７１から実装基板部１５に向かう方向を積層方向（Ｚ軸方向）とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１７】
ベース部材７１の上に、グリス層５３、放熱板５１、接合層５２、実装基板部１５、及び、半導体発光素子２０が、この順で配置される。すなわち、半導体発光素子２０は、ベース部材７１と、Ｚ軸方向において離間する。
【００１８】
実装基板部１５は、セラミック基板１０を含む。セラミック基板１０は、上面１０ｕｅを有する。セラミック基板１０は、ベース部材７１と発光モジュール３５との間に設けられる。放熱板５１は、ベース部材７１と実装基板部１５との間に設けられる。また、接合層５２は、図１Ｂに示すように、実装基板部１５と放熱板５１との間に設けられる。接合層５２は、実装基板部１５と放熱板５１とを接合する。グリス層５３は、ベース部材７１と放熱板５１との間に設けられる。グリス層５３は、放熱板５１の熱をベース部材７１に伝達する。
【００１９】
以下、図１Ａ及び図１Ｂに示した発光装置１１０（及び照明装置２１０）の例について、説明する。発光装置１１０は、発光部４０が設けられる。発光部４０は、例えば、チップオンボード（ＣＯＢ）型のＬＥＤモジュールである。放熱板５１の上に、発光部４０が設けられる。放熱板５１と発光部４０との間に、接合層５２が設けられる。なお、本願明細書において、要素Ａ上に要素Ｂが設けられる状態とは、要素Ａに直接的に上に要素Ｂが設けられる状態の他に、要素Ａと要素Ｂとの間に別の要素Ｃが挿入される状態も含む。
【００２０】
放熱板５１から発光部４０に向かう方向が積層方向に対応する。本願明細書において、要素Ａと要素Ｂとが積層される状態と、要素Ａと要素Ｂとが直接接して重ねられる状態の他に、要素Ａと要素Ｂとの間に別の要素Ｃが挿入されて重ねられる状態も含む。放熱板５１は、例えば、板状である。放熱板５１の主面は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行である。放熱板５１の平面形状は、例えば矩形である。放熱板５１は、例えば、第１〜第４辺５５ａ〜５５ｄを有する。第２辺５５ｂは、第１辺５５ａから離間する。第３辺５５ｃは、第１辺５５ａの一端と、第２辺５５ｂの一端と、を接続する。第４辺５５ｄは、第３辺５５ｃと離間し、第１辺５５ａの他端と、第２辺５５ｂの他端と、を接続する。放熱板５１の平面形状のコーナ部は、曲線状でも良い。放熱板５１の平面形状は、矩形でなくても良く、任意である。放熱板５１には、例えば、銅やアルミニウムなどの金属材や、金属とセラミックの複合材などの基板が用いられる。
【００２１】
接合層５２は、発光部４０で発生した熱を、放熱板５１に効率良く伝導する。例えば、接合層５２には、錫をベースにし、金、銀、銅、ビスマス、ニッケル、インジウム、亜鉛、アンチモン、ゲルマニウム及びシリコンのいずれかを少なくとも１種類以上含むはんだを用いることができる。
【００２２】
発光部４０は、実装基板部１５と、発光モジュール３５と、を含む。実装基板部１５は、セラミック基板１０と、第１金属層１１と、第２金属層１２と、を含む。セラミック基板１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。第２主面１０ｂは、第１主面１０ａとは反対側の面である。放熱板５１は、セラミック基板１０の第２主面に対向している。すなわち、第２主面１０ｂは、放熱板５１側の面であり、接合層５２の側の面でもある。本願明細書において、要素Ａと要素Ｂとが対向している状態は、要素Ａと要素Ｂとが直接面している状態に加え、要素Ａと要素Ｂとの間に別の要素Ｃが挿入されている状態も含む。
【００２３】
第１主面１０ａは、実装領域１６を含む。例えば、実装領域１６は、第１主面１０ａの外縁１０ｒから離間している。この例では、実装領域１６は、第１主面１０ａの中央部分に設けられる。第１主面１０ａは、周辺領域１７をさらに含む。周辺領域１７は、実装領域１６の周りの領域である。
【００２４】
実装基板部１５は、セラミック基板１０と、第１金属層１１と、第２金属層１２と、を含む。セラミック基板１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。放熱板５１は、セラミック基板１０の第２主面１０ｂに対向している。なお、本願明細書において、要素Ａと要素Ｂとが対向している状態は、要素Ａと要素Ｂとが直接面している状態に加え、要素Ａと要素Ｂとの間に別の要素Ｃが挿入されている状態も含む。
【００２５】
第１主面１０ａは、実装領域１６を含む。例えば、実装領域１６は、第１主面１０ａの外縁１０ｒから離間している。この例では、実装領域１６は、第１主面１０ａの中央部分に設けられる。第１主面１０ａは、周辺領域１７をさらに含む。周辺領域１７は、実装領域１６の周りの領域である。
【００２６】
第１金属層１１は、第１主面１０ａ上に設けられる。第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを含む。複数の実装パターン１１ｐは、実装領域１６に設けられる。複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれか２つ以上は、互いに離間している。複数の実装パターン１１ｐは、例えば、第１実装パターン１１ｐａ及び第２実装パターン１１ｐｂなどを含む。この例では、実装パターン１１ｐは、第３実装部分１１ｃをさらに含む。第３実装部分１１ｃは、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとの間に設けられ、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとを繋ぐ。
【００２７】
第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを互いに接続する接続部４４をさらに含む。本実施形態では、第１金属層１１は、第１コネクタ用電極部４５ｅと第２コネクタ用電極部４６ｅとをさらに含む。第１コネクタ用電極部４５ｅは、複数の実装パターン１１ｐのうちの１つと電気的に接続される。第２コネクタ用電極部４６ｅは、複数の実装パターン１１ｐのうち、その１つとは別の１つと電気的に接続される。例えば、１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第１コネクタ用電極部４５ｅが、実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。さらに、別の１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第１コネクタ用電極部４５ｅが、実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。さらに、別の１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第２コネクタ用電極部４６ｅが、別の１つの実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。
【００２８】
この例では、発光部４０は、第１主面１０ａ上に設けられた第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、をさらに含む。第１コネクタ４５は、第１コネクタ用電極部４５ｅと電気的に接続される。第２コネクタ４６は、第２コネクタ用電極部４６ｅと電気的に接続される。本実施形態では、第１コネクタ用電極部４５ｅの上に、第１コネクタ４５が設けられている。第２コネクタ用電極部４６ｅの上に、第２コネクタ４６が設けられている。第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、の間に発光モジュール３５が配置される。第１コネクタ４５及び第２コネクタ４６を介して、発光部４０に電力が供給される。
【００２９】
第２金属層１２は、第２主面１０ｂ上に設けられる。第２金属層１２は、第１金属層１１と電気的に絶縁されている。第２金属層１２の少なくとも一部は、Ｘ−Ｙ平面（第１主面１０ａに対して平行な第１平面）に投影したときに、実装領域１６と重なる。
【００３０】
発光モジュール３５は、セラミック基板１０の第１主面１０ａ上に設けられる。発光モジュール３５は、複数の半導体発光素子２０と、封止樹脂３１と、接着層１００と、を含む。例えば、複数の半導体発光素子２０は、アレイ状に配置される。また、半導体発光素子２０は、例えば、略円形状に配置される。また、半導体発光素子２０は、例えば、略等ピッチで配置される。複数の半導体発光素子２０は、第１主面１０ａ上に設けられる。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、光を放出する。半導体発光素子２０は、例えば窒化物半導体を含む。
【００３１】
複数の半導体発光素子２０は、例えば、第１半導体発光素子２０ａ及び第２半導体発光素子２０ｂを含む。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐのうちのいずれかの実装パターン１１ｐと、複数の実装パターン１１ｐのうちの上記のいずれかの隣の別の実装パターン１１ｐと、電気的に接続されている。例えば、第１半導体発光素子２０ａは、複数の実装パターン１１ｐのうちの第１実装パターン１１ｐａと、第２実装パターン１１ｐｂと、電気的に接続されている。第２実装パターン１１ｐｂは、第１実装パターン１１ｐａの隣の別の実装パターン１１ｐに相当する。例えば、複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、第１導電形の第１半導体層２１と、第２導電形の第２半導体層２２と、発光層２３と、を含む。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。
【００３２】
第１半導体層２１は、第１の部分（第１半導体部分２１ａ）と、第２の部分（第２半導体部分２１ｂ）と、を含む。第２半導体部分２１ｂは、積層方向（放熱板５１から発光部４０に向かうＺ軸方向）に対して交差する方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第１半導体部分２１ａと並ぶ。
【００３３】
第２半導体層２２は、第２半導体部分２１ｂと実装基板部１５との間に設けられる。発光層２３は、第２半導体部分２１ｂと第２半導体層２２との間に設けられる。半導体発光素子２０は、例えば、フリップチップ型のＬＥＤである。フリップチップ型のＬＥＤを半導体発光素子２０として適用した場合には、半導体発光素子２０の熱は、セラミック基板１０側から放出される。したがって、半導体発光素子２０の温度上昇が抑えられる。
【００３４】
例えば、第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、実装パターン１１ｐの第１実装部分１１ａと対向している。第２半導体層２２が、実装パターン１１ｐの第２実装部分１１ｂと対向している。第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａは、実装パターン１１ｐと電気的に接続される。第２半導体層２２は、別の実装パターン１１ｐと電気的に接続される。
【００３５】
ここで、発光モジュール３５は、第１接合金属部材２１ｅと、第２接合金属部材２２ｅと、をさらに含む。第１接合金属部材２１ｅは、第１半導体部分２１ａと、いずれかの実装パターン１１ｐ（例えば第１実装部分１１ａ）と、の間に設けられる。第２接合金属部材２２ｅは、第２半導体層２２と、別の実装パターン１１ｐ（例えば、第２実装パターン１１ｐｂ）と、の間に設けられる。第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅの少なくともいずれかは、はんだ、または、金バンプを含む。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅのそれぞれの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を大きくできる。したがって、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅを介して、熱を効率良く、実装基板部１５に伝えることができ、放熱性が高まる。
【００３６】
ここで、発光モジュール３５の一例について、発光モジュール３５を簡略化して示した図２を用いて詳細に説明する。図２は、発光モジュール３５の一例を説明するための簡略図である。図２に示すように、発光モジュール３５は、実装パターン１１ｐと、実装基板１５（基板の一例に相当）と、半導体発光素子２０と、封止樹脂３１（封止部材の一例に相当）と、枠３２と、接着層１００とを含む。なお、図２では、発光モジュール３５は、説明を簡単にするため１個の半導体発光素子２０を含む例を示すが、複数の半導体発光素子２０を含んでもよい。
【００３７】
半導体発光素子２０は、光を放出する。なお、半導体発光素子２０は、任意の発光素子を用いることができる。半導体発光素子２０は、特にフリップチップタイプの半導体発光素子であるのが望ましい。半導体発光素子２０は、実装基板１５上に設けられる。また、半導体発光素子２０は、実装パターン１１ｐと電気的に接続されている。
【００３８】
封止樹脂３１は、半導体発光素子２０を覆って封止する。封止樹脂３１は、複数の半導体発光素子２０から放出される光（例えば第１光）の少なくとも一部を吸収し、第２光を放出する。具体的には、封止樹脂３１は、半導体発光素子２０が放出した光を当該光の波長とは異なる波長の光に変換する蛍光体を含む。例えば、封止樹脂３１は、蛍光体などの複数の波長変換粒子と、複数の波長変換粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。
【００３９】
一例としては、封止樹脂３１は、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料である水ガラス等によって形成される。なお、封止樹脂３１は、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料より硬化温度が低い材料によって形成されてもよい。
【００４０】
枠３２は、Ｘ−Ｙ平面内で封止樹脂３１を囲む。枠３２には、例えば、光反射性を有する金属酸化物などの複数の粒子と、その粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。発光モジュール３５は、枠３２を設けることで、半導体発光素子２０から放出された光が、積層方向に沿った方向（例えば上方向）に沿って効率良く出射できる。なお、本実施形態では、枠３２および実装基板部１５によって形成された空間に、蛍光体などの複数の波長変換粒子が分散された光透過性樹脂が充填されて硬化されることにより、封止樹脂３１が形成される。このため、枠３２は、封止樹脂を囲む枠としての機能を有する。
【００４１】
接着層１００は、図２に示すように、封止樹脂３１と、実装基板部１５とを接着する。言い換えると、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５との間に形成される空間を埋めるように、封止樹脂３１と、実装基板部１５とを接着する。
【００４２】
また、接着層１００は、一例としては、図２に示すように、封止樹脂３１と、枠３２とを接着する。また、接着層１００は、一例としては、図２に示すように、封止樹脂３１と、半導体発光素子２０とを接着する。また、接着層１００は、一例としては、図２に示すように、封止樹脂３１と、実装パターン１１ｐとを接着する。
【００４３】
これにより、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着部材によって接着することができるので、耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性を高めることができる。例えば、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５との間の封着応力を高めることができるので、封止樹脂３１と実装基板部１５との剥離を防ぐことができる。
【００４４】
例えば、接着層１００は、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の透明無機材によって形成される。一例としては、接着層１００は、透明無機材として、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料である水ガラス等によって形成される。
【００４５】
これにより、接着層１００は、硬化温度の低い透明無機材を用いて封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着することができるので、耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性をより高めることができる。例えば、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着する接着部材を硬化しやすくすることができるので、封止樹脂３１と実装基板部１５との間の接合界面の剥離を防ぐことができる。
【００４６】
次に、本実施形態に係る発光装置１１０の製造方法の一例について説明する。図３は、発光装置１１０の製造方法の一例を示すフローチャートである。図３に示すように、１番目の工程（工程（１））では、実装基板部１５上に半導体発光素子２０を実装する。なお、図３の例では、説明を簡単にするため、実装基板部１５上に１個の半導体発光素子２０を実装する例を示すが、実際には複数の半導体発光素子２０を実装する。半導体発光素子２０は、例えば、アレイ状や略円形状、略等ピッチに配置される。半導体発光素子２０は、例えば、窒化物半導体を含み、光を放出する。また、工程（１）では、実装基板部１５上に枠３２を実装する。例えば、工程（１）では、半導体発光素子２０の周囲を囲むように、枠３２を形成する。また、枠３２は、封止樹脂３１を囲むように予め形成される。枠３２は、例えば、光反射性を有する金属酸化物などの複数の粒子と、その粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。一例としては、工程（１）では、枠３２を加熱して硬化させることで形成する。また、工程（１）では、封止樹脂３１により半導体発光素子２０を封止する。例えば、工程（１）では、封止樹脂３１を半導体発光素子２０の上に重ねることで半導体発光素子２０を封止する。言い換えると、工程（１）では、封止樹脂３１を実装基板部１５に配置する。封止樹脂３１は、フリップチップタイプの半導体発光素子２０や枠３２の内部側の外面形状に沿った形状を有する。すなわち、封止樹脂３１を実装基板部１５の実装側に配置した場合に、半導体発光素子２０や枠３２の間にわずかに隙間ができる程度の形状にあらかじめ成形されたものである。  
【００４７】
続いて、２番目の工程（工程（２））では、封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着部材で接着する。具体的には、工程（２）では、図３の中央に示すように、封止樹脂３１と実装基板部１５との間の空間に接着部材を注入する。言い換えると、工程（２）では、封止樹脂３１と、実装基板部１５と、半導体発光素子２０と、枠３２との間にできるわずかな空間に接着部材を注入する。例えば、工程（２）では、接着部材として、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料である水ガラス等を注入する。なお、接着部材の注入は、工程（１）において封止樹脂３１により半導体発光素子２０を封止する前に行ってもよい。すなわち、工程（１）では、封止樹脂３１により半導体発光素子２０を封止する前に、接着部材を半導体発光素子２０の上に配置してもよい。
【００４８】
そして、３番目の工程（工程（３））では、封止樹脂３１と接着部材とを硬化させる。これにより、工程（３）では、封止樹脂３１と接着層１００とが形成される。言い換えると、工程（３）では、封止樹脂３１と、実装基板部１５との間に接着層１００が形成される。すなわち、工程（３）では、封止樹脂３１と実装基板部１５とがわずかな隙間に注入された接着部材によって接着される。接着層１００は、一例としては、封止樹脂３１と、枠３２とを接着する。また、接着層１００は、一例としては、封止樹脂３１と、半導体発光素子２０とを接着する。例えば、接着層１００は、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の透明無機材によって形成される。一例としては、接着層１００は、透明無機材として、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料である水ガラス等によって形成される。これにより、本実施形態に係る発光装置１１０の製造方法は、耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性の高い発光モジュールを製造することができる。
【００４９】
上記実施形態では、接着層１００を形成する接着部材として、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料である水ガラス等を用いる例を示した。ここで、接着層１００は、他の材料を用いて形成されてもよい。
【００５０】
具体的には、接着層１００は、接着部材として、封止樹脂３１より硬化温度が低い材料を用いて形成されてもよい。例えば、接着層１００は、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料より硬化温度が低い材料を用いて形成されてもよい。すなわち、図３に示す工程（２）では、接着部材として、封止樹脂３１より硬化温度が低い材料を実装基板部１５と、封止樹脂３１と、枠３２との間に注入する。なお、接着層１００は、接着部材として、封止樹脂３１と同じ材料によって形成されてもよい。
【００５１】
これにより、接着層１００は、封止樹脂３１より硬化温度が低い材料を用いて封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着することができるので、封止樹脂３１と実装基板部１５とをより容易に接着することができる。
【００５２】
また、上記実施形態では、接着部材を用いて封止部材（例えば、封止樹脂３１）と基板（例えば、実装基板部１５）とを接着する例を示した。ここで、接着層１００は、接着層１００の熱膨張率が各種の値に調整されてもよい。
【００５３】
具体的には、接着層１００は、接着部材の熱膨張率が、封止部材の熱膨張率と基板の熱膨張率との間の値にされてもよい。この点について、図４〜図６を用いて詳細に説明する。
【００５４】
図４は、基材の熱膨張率の一例を示す図である。図４に示すように、熱膨張率αは、各種の基材によって異なる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）の熱膨張率αは、２．４×１０−５である。酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の熱膨張率αは、５．４×１０−６である。窒化アルミニウム（ＡｌＮ３）の熱膨張率αは、４．６×１０−６である。窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の熱膨張率αは、３．０×１０−６である。
【００５５】
例えば、接着層１００を形成する接着部材の熱膨張率を、封止部材の熱膨張率より大きく、かつ、基板の熱膨張率より小さい値にする。すなわち、各部材の熱膨張率が、封止樹脂３１（蛍光体分散）＜接着層１００＜実装基板部１５の関係になるように傾斜する。
【００５６】
図５は、各部材の熱膨張率の一例を示す図である。一例としては、図５に示すように、接着層１００の熱膨張率は、１．０×１０−５に設定する。封止樹脂３１の熱膨張率は、８×１０−６に設定する。実装基板部１５の熱膨張率は、例えば、Ａｌを用いて２．４×１０−５に設定する。このように、接着部材の熱膨張率を、封止部材の熱膨張率より大きく、かつ、基板の熱膨張率より小さい値にする。
【００５７】
他の例では、接着層１００は、接着部材の熱膨張率を、封止部材の熱膨張率より小さく、かつ、基板の熱膨張率より大きい値にする。すなわち、熱膨張率が、実装基板部１５＜接着層１００＜封止樹脂３１（蛍光体分散）の関係になるように傾斜する。接着層１００の熱膨張率は、添加するフィラーの種類や添加量により調整可能である。フィラーとしては、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素などの熱伝導率が高く、かつ導電性は有さないセラミック系フィラーを用いるのが望ましい。
【００５８】
図６は、各部材の熱膨張率の一例を示す図である。一例としては、図６に示すように、接着層１００の熱膨張率は、６．０×１０−６に設定する。封止樹脂３１の熱膨張率は、８×１０−６に設定する。封止樹脂３１の熱膨張率も、フィラーを添加するなどにより調整が可能である。封止樹脂３１に添加するフィラーには、透明性の高い無機系フィラーが望ましい。実装基板部１５の熱膨張率は、例えば、Ａｌ２Ｏ３を用いて５．４×１０−６に設定する。なお、実装基板部１５の熱膨張率は、ＡｌＮ３を用いて４．６×１０−６に設定してもよい。また、実装基板部１５の熱膨張率は、Ｓｉ３Ｎ４を用いて３．０×１０−６に設定してもよい。このように、接着部材の熱膨張率を、封止部材の熱膨張率より小さく、かつ、基板の熱膨張率より大きい値にする。
【００５９】
これにより、接着層１００は、接着部材の熱膨張率が封止部材の熱膨張率と基板の熱膨張率との間の値になるので、封止部材と基板とを高い安定性で接着することができる。例えば、接着層１００は、熱膨張率が封止部材または基板のいずれか一方より熱によって膨張しないので、半導体発光素子２０を安定して封止することができる。
【００６０】
また、上記実施形態では、接着層１００は、封止樹脂３１と、枠３２とを接着する例を示した。ここで、接着層１００は、封止樹脂３１と、枠３２とを接着しなくてもよい。
【００６１】
この点について、図７を用いて説明する。図７は、接着層１００の一例を説明するための図である。図７に示すように、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５との間に形成される。すなわち、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着する。なお、接着層１００は、封止樹脂３１と枠３２との間には形成されない。すなわち、接着層１００は、封止樹脂３１と枠３２とを接着しない。
【００６２】
この場合、図２に示す工程（１）および工程（２）では、例えば、封止樹脂３１を実装基板部１５の上に重ねる前に、接着層１００の接着部材を実装基板部１５の上に配置する。そして、接着層１００の接着部材を実装基板部１５の上に配置した後に、封止樹脂３１を実装基板部１５の上に重ねて半導体発光素子２０を封止する。
【００６３】
これにより、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５とをより容易に接着することができるので、半導体発光素子２０をより容易に封止することができる。
【００６４】
以上説明したとおり、上記実施形態によれば耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性を高めることができる。
【００６５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６６】
１５  実装基板部
２０  半導体発光素子
３１  封止樹脂
３２  枠
３５  発光モジュール
１００  接着層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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