(57)【要約】【課題】  比較的低い消費電力で駆動する光源を用いて被処理物のＵＶキュアを実現することが可能な紫外光照射装置を提供する。特に、波長１９０ｎｍ以下のＵＶ照射を少なくすることが可能な装置を提供する。【解決手段】  紫外光を放射するランプと、このランプを内部に備え、光取出し部が設けられたランプハウスと、前記光取出し部に配置された紫外光透過性を有する第１の窓部材と、前記第１の窓部材の外側においてこれと所定空間離間して配置された紫外光透過性を有する第２の窓部材とを有する。ランプは、放電ガスが充填された紫外光透過性の発光管と、放電ガスの発光で放射された真空紫外領域の紫外光を励起光として波長１９０ｎｍ以上の紫外光を放射する蛍光体を備えた蛍光ランプであり、前記第１の窓部材と第２の窓部材の間に、真空紫外光吸収性のガスを含む空間を備えていることを特徴とする。【選択図】図１
2016039257.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外光を放射するランプと、
前記ランプを内部に備え、光取出し部が設けられたランプハウスと、
前記光取出し部に配置された紫外光透過性を有する第１の窓部材と、
前記第１の窓部材の外側に、当該第１の窓部材と所定空間離間して配置された紫外光透過性を有する第２の窓部材とを有し、
前記ランプは、放電ガスが充填された紫外光透過性の発光管と、放電ガスの発光で放射された真空紫外領域の光を励起光として波長１９０ｎｍ以上の紫外光を放射する蛍光体を備えた蛍光ランプであり、
前記第１の窓部材と第２の窓部材の間に、真空紫外光吸収性のガスを含む空間を備えている
ことを特徴とする紫外光照射装置。
【請求項２】
前記真空紫外光吸収性のガスは、酸素である
ことを特徴とする請求項１記載の紫外光照射装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の紫外光照射装置と、
前記第２の窓部材の光出射面に沿って設けられた処理室と、
前記処理室内部に具備されたステージとを備えてなる
ことを特徴とする紫外光照射処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、紫外光照射装置あるいは、紫外光照射処理装置に関し、特に半導体基板上の材料に紫外光を照射してキュア（硬化）する紫外光照射装置あるいは紫外光照射処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、銅配線を適用した半導体装置では、層間絶縁膜として、比較的誘電率の低い絶縁膜が適用される。このような絶縁膜はＬｏｗ−ｋ膜と称されている。Ｌｏｗ−ｋ膜は機械的強度が比較的低いために、その製造プロセスにおいては、所定のランプから発せられる紫外光をＬｏｗ−ｋ膜に照射することによって、Ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を上げることが行われている（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１には、紫外光の光源として、水銀ランプ及びエキシマランプが例示されている。エキシマランプは、Ｘｅエキシマランプがあり、これは波長１７２ｎｍの真空紫外光（ＶＵＶ）を出力する。また水銀ランプは、低圧から非常に高圧までのランプの圧力により変化し、波長が１８５ｎｍ、２５４ｎｍ、３６５ｎｍなどの紫外光を放射する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−９４５０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１によると、波長１７２ｎｍの光は高速のキュアリング処理を達成できるとされている。しかしながら、このようないわゆる真空紫外光によるＵＶキュアは、膜の物性の変化・変質が生じるという、いわば副作用が生じることがある。このような技術的な問題点は、被処理物が備える紫外光に対する特性と大きく関係していることから、Ｘｅ（キセノン）エキシマランプのみを光源としてキュアを完遂させることは現時点では難しい、というのが実情である。
【０００６】
こうしたことから、Ｌｏｗ−ｋ膜のＵＶキュア用光源には、実用的には高圧水銀ランプや無電極ランプが使用されている。高圧水銀ランプは２５４ｎｍ、３１３ｎｍ、３６５ｎｍといった紫外光の出力があり、さらにわずかながら、２５４ｎｍ以下の光も出力されている。また、無電極ランプも同様に２５４ｎｍ、３１３ｎｍ、３６５ｎｍや２５４ｎｍ以下の光出力がある。
Ｌｏｗ−ｋ膜のＵＶキュア用として使用している光は、２５４ｎｍ近傍および２５４ｎｍ以下の波長である。
これらのランプは、概して消費電力が数〜十数キロワット台であり、大きな電力が必要である。すなわち、Ｌｏｗ−ｋ膜のＵＶキュアには、２５４ｎｍ近傍および２５４ｎｍ以下の波長を強く取り出すために、高電力を投入しなければならず、消費電力が高いという問題を潜在的にかかえている。
【０００７】
近時では、一層の省エネルギー化が推進されている。光源としては高い効率で必要な範囲の紫外光（のみ）を放射する光源である方が望ましい。また、生産ライン全体の使用電力を抑えるためにも、比較的低電力で駆動可能な光源を用いる方が都合がよい。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑み、比較的低い消費電力で駆動する光源を用いて被処理物のＵＶキュアを実現することが可能な、紫外光照射装置及び紫外光照射処理装置を提供することにある。さらには、波長１９０ｎｍ近傍の紫外光を放射する光源用のランプを備え、波長１９０ｎｍ以上の紫外光を照射する紫外光照射装置或いは紫外光照射処理装置において、波長１９０ｎｍ以下のＵＶ照射を少なくすることが可能な紫外光照射装置あるいは紫外光照射処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以上の課題を解決するための一手段として、Ｘｅガスのエキシマ発光を励起光とし、波長１９０〜２８０ｎｍの範囲の蛍光からなる紫外光を放射する蛍光ランプを光源として用いることが考えられる。
このような蛍光ランプにおいても、比較的短波長の紫外光、例えば波長１９０ｎｍ近傍のＵＶを放射する場合には、エキシマランプの発光管を合成石英ガラスで構成することが必要になる。
しかしながら、Ｘｅエキシマランプのエキシマ発光の波長１７２ｎｍの光は、発光管（及び蛍光体層）を透過してわずかに外部に放射され、かかる紫外光が不可避に被処理物を照射することになる。
【００１０】
紫外光は、波長帯により、波長の長い順にＵＶＡ（４００〜３２０ｎｍ），ＵＶＢ（３２０〜２８０ｎｍ），ＵＶＣ（２８０〜１９０ｎｍ），真空紫外域（１９０〜１００ｎｍ）に分けられる。Ｘｅのエキシマ発光の紫外光（波長１７２ｎｍ）は真空紫外光（１９０〜１００ｎｍ）に含まれる。このような真空紫外光は、被処理物の物性を変化・変質させる可能性があり、とりわけ波長１９０ｎｍ以下の紫外光については、放射量を制御（管理）することが必要である。
しかしながら、蛍光ランプからの光は拡散光であり、ＵＶＣ（２８０〜１９０ｎｍ）と真空紫外域（１９０〜１００ｎｍ）の紫外光が同時に放射される場合、光学フィルタを用いて真空紫外域（１９０〜１００ｎｍ）の紫外光のみを選択的に低減することは困難である。
【００１１】
そこで、本願にかかる紫外光照射装置は、以下の構成を備えることを特徴とする。
（１）
本願請求項１にかかる紫外光照射装置は、
紫外光を放射するランプと、
前記ランプを内部に備え、光取出し部が設けられたランプハウスと、
前記光取出し部に配置された紫外光透過性を有する第１の窓部材と、
前記第１の窓部材の外側に、当該第１の窓部材と所定空間離間して配置された紫外光透過性を有する第２の窓部材とを有し、
前記ランプは、放電ガスが充填された紫外光透過性の発光管と、放電ガスの発光で放射された真空紫外領域の光を励起光として波長１９０ｎｍ以上の紫外光を放射する蛍光体を備えた蛍光ランプであり、
前記第１の窓部材と第２の窓部材の間に、真空紫外光吸収性のガスを含む空間を備えている
ことを特徴とする。
【００１２】
ランプは、後段で詳細に説明するが、放電ガスとしてのキセノンガスが封入されたエキシマランプを基本的な構成として具備し、発光管の内部（あるいは外部でもよい）に、キセノンガスのエキシマ発光で放射された真空紫外領域（波長１７２ｎｍ）の紫外光を励起光として、主にＵＶＣ（２８０〜１９０ｎｍ）の紫外光に変換する蛍光体を備えた蛍光ランプからなる。このようなエキシマランプの基本的構造を備えたランプによると、消費電力を１ｋＷ未満に抑えつつ、必要波長帯の紫外光への変換効率を高くすることができる。
そして、上記特徴を有する紫外光照射装置によれば、蛍光ランプからの波長１９０ｎｍ以上の紫外光が、前記第１の窓部材、前記ガス層及び前記第２の窓部材を介して放射される一方、真空紫外領域（波長１７２ｎｍ）の紫外光は、第１の窓部材を透過するものの、第１の窓部材と第２の窓部材の間に具備されたガス層によって吸収されることになるので、第２の窓部材を透過して放射される真空紫外領域（波長１７２ｎｍ）の紫外光の放射量を低減ないしは皆無とすることができる。しかも、ガス層においては、充填または流過される真空紫外領域（波長１７２ｎｍ）の紫外光の紫外光吸収性ガスの濃度や分圧を適宜に変化させることが可能で、当該ガス層において吸収され真空紫外領域（波長１７２ｎｍ）の紫外光の量を調整することができ、最終的に第２の窓部材を透過して放射される紫外光の放射スペクトルを適宜に調整することができる。
【００１３】
（２）
また、本願請求項２にかかる紫外光照射装置は、
前記真空紫外光吸収性のガスが、酸素からなることを特徴とする。
【００１４】
真空紫外光吸収性のガス層に含まれる酸素は、真空紫外光（１９０〜１００ｎｍ）である波長１７２ｎｍの紫外光を吸収する一方、波長１９０ｎｍ以上の波長帯の紫外光の吸収が少ないので、波長１９０ｎｍ以上の紫外光を選択的に透過して第２の窓部材に導く。なお酸素は、空気中窒素に続いて多く含まれるガスであり、本発明にかかるガス層全体を空気で構成することも可能である。ガス層のガス置換や流過作業の簡便化を図ることで生産ライン全体のコスト低減を図ることができる。
【００１５】
（３）
また、本願発明にかかる紫外光照射処理装置は、
上記紫外光照射装置と、
前記第２の窓部材の光出射面に沿って設けられた処理室と、
前記処理室内部に具備されたステージとを備えてなることを特徴とする。
【００１６】
処理室が第２の窓部材の光出射面に沿って設けられており、当該処理室には、光源である蛍光ランプからの光が照射される。蛍光ランプは、波長１９０ｎｍ以上の紫外光を放射するものであり、幅広い波長域の紫外光（１９０ｎｍ近傍の光）をも取り出す目的で、真空紫外域においても透過性を有する発光管が使用される。この結果、放電ガスの発光に基づく真空紫外領域の紫外光（キセノンガスの発光によると波長１７２ｎｍ）が、不可避に放射されるものの、紫外光照射装置においては第１の窓部材と第２の窓部材を備え、これらの窓部材の間にガス層を備えているので、真空紫外領域（波長１７２ｎｍ）の紫外光を低減しつつ、波長１９０ｎｍ以上の紫外光の透過性を維持し、放射光の波長帯を選択的することで、被処理物に対し、物性の変化・変質といった副作用的な問題を回避して被処理物の処理を効果的に行える、紫外光照射処理装置とすることができる。この結果、被処理物に対して、所定の物性を維持しつつ、被処理物の硬化処理を効果的に行うことが可能な紫外光照射処理装置とすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
（１）
以上の紫外光照射装置によれば、発光管の内部で、放電ガスの発光によって放出された真空紫外領域（波長１７２ｎｍ）の紫外光は、蛍光体層、発光管の合間から透過してランプから放射され、第１の窓部材を透過するものの、第１の窓部と第２の窓部との間に形成された特定のガスを含むガス層が介在することで、真空紫外領域（波長１７２ｎｍ）の紫外光を吸収するので、真空紫外光が被処理物を照射して、副作用的に物性を変えるという不具合を効果的に防止できる。ランプから放射される波長１９０ｎｍ以上の紫外光のうち、波長１９０〜２２０ｎｍの範囲の紫外光においては、発光管、第１の窓部材、第２の窓部材が短波長の紫外光に対しても十分な透過性を備えるので、必要な波長帯においては選択的に透過させて放射することができる。この結果、真空紫外光を低減しつつ、１９０ｎｍ以上の必要な波長帯の紫外光を効果的に放射する紫外光照射装置とすることができる。
【００１８】
（２）
本願請求項２の発明に係る紫外光照射装置によれば、ガス層のガス置換や流過作業の簡便化を図りつつ、真空紫外領域（波長１７２ｎｍ）の紫外光を効果的に吸収し、波長１９０ｎｍ以上の波長帯の紫外光を放射することができ、効率が極めて良好な紫外光照射装置とすることができる。
【００１９】
（３）
本願請求項３の発明に係る紫外光照射処理装置によれば、光源を構成するランプから放電ガス（キセノンガス）のエキシマ発光に基づく真空紫外領域（波長１７２ｎｍ）の紫外光が不可避に放射されるものの、真空紫外領域（波長１７２ｎｍ）の紫外光十分に低減して所定の紫外光を選択的に被処理物に照射することができるので、被処理物の物性の変化・変質を抑制しつつ、所期の硬化処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明紫外光照射装置の一実施形態を示す説明図である。
【図２】図１のエキシマ光照射装置を構成するランプ（蛍光ランプ）を取り出して示す図であり、（Ａ）管軸に沿った面で切断した説明用斜視図、（Ｂ）管軸に垂直な面で切断した説明用断面図である。
【図３】第１の窓部材、ガス層及び第２の窓部材のＵＶ透過性を模式的に示す図である。
【図４】（Ａ）ランプ（蛍光ランプ）から放射される紫外光の放射スペクトル及び（Ｂ）第２の窓部材から放射される紫外光の放射スペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、本願発明の一実施形態を説明する図であり、説明用断面図である。
本願発明に係る紫外光照射装置１０は、矩形箱状のランプハウス１１の内部に紫外域の光（蛍光）を放射する光源用のランプ２０が配置されている。かかるランプ２０は蛍光ランプであり、その構成については後段において詳細に説明する。
紙面においてランプハウス１１下部に光取出し用の開口１２が形成されていて、この開口１２は第１の窓部材１３によって塞がれている。ランプハウス１１は、内部に略密閉した空間が形成されており、窒素ガスなどの不活性ガスがパージされる。かかる不活性ガスの作用により、ランプ２０から放射された紫外光が吸収されることのない（少ない）、高い透過性を備えた空間が形成される。
【００２２】
ランプハウス１１の下層部分には、枠部材１１ａを介して第２の窓部材１４が配置されている。すなわち、第１、第２の窓部材１３，１４は、枠部材１１ａによって所定距離離間した状態となって対向して配置されている。そして、これら第１、第２の窓部材１３，１４の離間部分に空間Ｈが形成され、当該空間Ｈに、所定のガス（真空紫外光に対して吸収特性を備えるがガス）が導入されている。
【００２３】
第２の窓部材１４の更に下層部分、すなわち光出射面１４ａ側には、処理室３０が具備されている。
処理室３０は、被処理物Ｗが載置されるステージ３２を備える。処理室３０の内部は、雰囲気としては減圧または不活性ガス雰囲気とされるため、ここでの図示を省略するが、処理室３０には、ガス排気・供給機構が設置されている。
【００２４】
続いて、図２を参照してランプ（蛍光ランプ）の構成を説明する。
ランプは、紫外光透過性の発光管２１を備えており、比較的小径の内側管２１ａと、比較的大径の外側管２１ｂとが、各々管の軸が同軸に配置された状態であり、長手方向の端部が溶着されて密閉空間が形成されている。発光管２１は、内部に放電ガスとしてキセノンガスが４０〜８０ｋＰａ封入されていており、放電空間の形状は円筒形となっている。
発光管２１の放電空間の外側には、一対の外部電極２２Ａ，２２Ｂが配置される。外部電極２２Ａ，２２Ｂは、一方の電極２２Ａが、内側管の内周面（放電空間外側）に、他方の電極２２Ｂが外側管の外周面（放電空間外側）にそって配置される。これら一対の電極２２Ａ，２２Ｂ間に高周波高電圧が印加されることで放電が形成される。この形態のランプによると、放電は発光管の軸に垂直な断面図（Ｂ）において、管の半径方向に形成されることになる。
【００２５】
ここで、発光管２１の材質としては、具体的には合成石英ガラスである。
【００２６】
発光管２１の内面には、紫外光を放射する蛍光体層２３が形成されている。
蛍光体層２３は、キセノンガスのエキシマ発光で放射された波長１７２ｎｍの紫外光を励起光として、主に波長１９０ｎｍ以上の紫外光を放射するものである。このような蛍光体として例えば、例えば、ネオジウム付活リン酸イットリウムよりなる（主波長；１９０ｎｍ）蛍光体を用いることができる。
【００２７】
蛍光体の種類は、被処理物が要求する必要波長帯によって適宜に選択できる。すなわち、蛍光ランプによると、従来の水銀ランプが放射する波長帯（例えば２５４ｎｍの紫外光）の紫外光に合わせた紫外領域の蛍光を放射する蛍光体を用いることができ、より被処理物の処理の効率を向上させる波長帯がそれよりも短波長の２００ｎｍ近傍である場合には主波長の紫外光が２００ｎｍ近傍にある蛍光体を選択することで、水銀ランプによる紫外光と比較して同等以上の効果を得ることができるようになる。
【００２８】
第１、第２の窓部材１３，１４は、いずれも紫外線透過性を備えた材質から構成される。具体的には、合成石英ガラスからなる。
【００２９】
第１、第２の窓部材１３，１４及び枠部材１１ａで囲まれた空間Ｈは、真空紫外光に対して吸収特性を備えるガスを含んで構成される。真空紫外光吸収性のガスは、当該空間Ｈにパージ（充填）した状態としてよいし、一方からガスを流入し他方から排出させて、流過させる状態としてもよい。ランプ２０から放射された真空紫外域の光（波長１７２ｎｍ）及び１９０ｎｍ以上の波長帯の紫外光のうち、真空紫外域（波長１７２ｎｍ）の光が、空間Ｈに含まれる真空紫外光吸収性のガスによって高い効率で吸収され、残る１９０ｎｍ以上の波長帯の紫外光は当該空間Ｈにおいてほとんど吸収されることなく通過する。
【００３０】
真空紫外光吸収性ガスとしては、酸素（Ｏ２）、アンモニア（ＮＨ３）を用いることができる。中でも、酸素（Ｏ２）が好適である。このような真空紫外光吸収性ガスは、単一成分のガスで構成してもよいし、複数のガスを混合して用いてもよい。また、真空紫外光吸収性ガスを、適宜の不活性ガスと混合して空間Ｈに導入してもよい。
一例を挙げると、空間Ｈの全体を大気で構成する場合は、大気中に存在する酸素が（主に）真空紫外光吸収性ガスとして作用する。大気を空間Ｈに導入する場合には、ランプハウス外部の大気を整流して送風したりパージしたりすればよく、ガス供給源を別途準備する必要がないため、比較的安価で簡単な構成とすることができる。
【００３１】
図３を参照して本願発明の作用効果について説明する。図３は、第１の窓部材及び第２の窓部材の部分を取り出して説明する図である。
蛍光ランプ（不図示）は、発光管の内部に、Ｘｅエキシマの発光による波長１７２ｎｍの真空紫外域の光を生成し、蛍光体が、波長１７２ｎｍの紫外光を励起光として、それよりも長波長の紫外光に変換された蛍光を放射するものであることは先に述べた。
蛍光ランプの発光管（２１）は、紫外光の透過性が良好な合成石英ガラスから構成されるため、励起光として利用されなかった（蛍光に変換されなかった）余剰の紫外光は、蛍光体層（２３）及び発光管（２１）を透過して、ランプハウス（１１）内部に放射する。ランプハウス（１１）内部は、不活性ガス（例えばＮ２）でパージされており、かかる波長１７２ｎｍ紫外光に対しては透過性を有している。第１の窓部材１３もまた合成石英ガラスより構成されており、Ｘｅエキシマの発光（励起光）２４と、蛍光体層で変換された蛍光（波長１９０ｎｍ以上の蛍光紫外光）２５の両方が、当該第１の窓部材１３を透過する。
第１の窓部材１３と第２の窓部材１４の間に形成された空間Ｈには、例えば酸素（Ｏ２）よりなる真空紫外光吸収性ガスが存在し、第１の窓部材１３を透過したＸｅエキシマ光（励起光）２４は、酸素（Ｏ２）に吸収されることで、当該空間Ｈを通過する間にそのほとんどが消失する。一方、ランプの蛍光体層で変換された蛍光（波長１９０ｎｍ以上の蛍光紫外光）２５は、酸素（Ｏ２）等の真空紫外光吸収性ガス層では吸収の割合が少ないため、当該空間Ｈを透過して、第２の窓部材１４に入射することができる。第２の窓部材１４もまた、合成石英ガラスからなるので、かかる蛍光２５は、高い効率で第２の窓部材１４を透過して光出射面１４ａから放射されるようになる。
【００３２】
ここに、第１、第２の窓部材１３，１４の間の離間部によって形成された空間Ｈにおいては、充填または流過される真空紫外光吸収性ガスの濃度や分圧を適宜に変化させることで、当該ガス層においてＸｅエキシマ光（励起光）２４の吸収量を調整することが可能である。よって、第２の窓部材１４を透過して放射されるＸｅエキシマ光（波長１７２ｎｍ）２４の放射量を、十分に低減したりあるいは皆無としたりすることができる。
なお、蛍光体層で変換された蛍光（波長１９０ｎｍ以上の蛍光紫外光）２５のうち、１９０ｎｍ近傍の光（おおむね１９０〜２００ｎｍ）は、真空紫外光吸収性ガスとして酸素を用いた場合、割合としては低いが、吸収が生じる。したがって、第１、第２の窓部材の間の離間距離Ｃは、Ｘｅエキシマ光（波長１７２ｎｍ）２４を減光する程度との兼ね合いで、可及的に近づけておくことが好ましい。
【００３３】
ここに、第１、第２の窓部材の離間距離（空間Ｈの厚み）は、真空紫外光吸収性ガスとして酸素を選択し、酸素のみ流過させて構成した場合、約１ｍｍとなる。また、ここに大気を流過させて構成する場合、第１、第２の窓部材の離間距離（空間Ｈの厚み）は約５ｍｍとなる。空間Ｈの厚み（第１、第２の窓部材の離間距離）と、その内部に導入する真空紫外光吸収性ガスの濃度や圧力（分圧）とを適宜に調整すると、適正な波長帯の紫外光のみを放射することができる。
【００３４】
以上の本願発明に係る紫外光照射装置あるいは紫外光照射処理装置によれば、光源用のランプから真空紫外領域（１９０〜１００ｎｍ）の光と、波長１９０ｎｍ以上の光（例えばＵＶＣ（２８０〜１９０ｎｍ））の両方の光が放射されても、真空紫外域の紫外光を減光させて、要求される波長域の紫外光を被処理物に照射することが可能で、被処理物の物性に変化を生じさせることなく、キュア（硬化）することができる。
そしてこのような紫外光照射装置あるいは紫外光照射処理装置によれば、実質的に被処理物の物性に変化を生じさせることなくキュア（硬化）効果を得ることができ、しかも、光源の消費電力を従来の水銀ランプと比較して低く設定することができる。
【００３５】
以上、本発明について実施形態を説明したが、本願発明は上記構成に限定されることなく、置換可能な構成については、適宜変更が可能であることは言うまでもない。
【００３６】
以下、図１乃至図４を参照して本願発明の実施例を説明する。
＜実施例＞
図１で示した構成に従って紫外光照射処理装置１を構成した。光源となるランプは、先に、図２に示した発光管構造を有する蛍光ランプであり、定格電力は４００Ｗ、発光管の外径（外側管の外径）はφ４０ｍｍであった。このランプを４本、ランプハウスの内部に並べて配置し、面状の紫外光源を構成した。蛍光ランプは、発光管の内部に、主波長が１９０ｎｍである紫外光放射タイプのネオジウム付活リン酸イットリウムよりなる（主波長；１９０ｎｍ）蛍光体が、約１０〜４０μｍの厚さで塗布形成されたものである。なお、発光管の材質は、合成石英からなり、外側管の厚みは約２ｍｍであった。
【００３７】
紫外線照射装置（処理装置）において、第１の窓部材は板厚が約３ｍｍの合成石英で構成し、処理室側に設けた第２の窓部材は、板厚２０ｍｍの合成石英で構成した。なお、第２の窓部材の板厚を厚くした理由は、処理室内部を減圧状態として、被処理物を処理するため、真空に近い減圧下で耐え得る強度が要求されるからである。
【００３８】
処理室内のステージ３２上に被処理物（半導体基板）を載置した。半導体基板は酸化雰囲気を嫌うため、処理室内を減圧し、被処理物をステージ３２に付帯された加熱装置によって所定の温度に加熱して紫外線照射装置からの紫外光を照射した。
【００３９】
条件１として、第１の窓部材と第２の窓部材との間を大気で充填し、離間距離（大気層の厚さ）を８ｍｍとした。
続いて、条件２として、第１の窓部材と第２の窓部材との間を大気で充填し、離間距離（大気層の厚さ）を３３ｍとした。
条件１，２で得られた被処理物に関して物性を測定したところ、現在実用的に使用されている高圧水銀ランプや無電極ランプによってキュア処理したものと同等の品質であることが確認された。
【００４０】
上記実施例で用いた紫外光照射装置での放射スペクトルを図４に示す。
蛍光ランプから放射された（直接）光のスペクトルは細線の破線で示される。同図から理解できるよう、波長１７２ｎｍの紫外光は、主波長に比較して強度は大きくないがピークが表れている。
条件１において第２の窓部材を透過して放射された紫外光は、細線の連続線で示される。
条件２において第２の窓部材を透過して放射された紫外光は、太線の連続線で示される。
条件１，２では、第１、第２の窓部材の離間距離（すなわち空気層の厚さ）が異なる。条件１、２では、ランプから直接放射された紫外光の放射スペクトルと比較して、特に１８０ｎｍ以下の紫外光が大きく低減されていることが理解できる。条件２においては、条件１よりもさらに波長１７２ｎｍの紫外光が減光されていることがわかる。この結果からも理解されるよう、第１、第２の窓部材との間に、真空紫外光の吸収特性を備えるガスを充填することで、キュア処理に不要な波長域の光（波長１７２ｎｍ近傍の真空紫外光）を効果的に減光することができる。
【符号の説明】
【００４１】
１      紫外光照射処理装置
１０    紫外光照射装置
１１    ランプハウス
１２    光取り出し用開口
１３    第１の窓部材
１４    第２の窓部材
１４ａ  光出射面
２０    ランプ
２１    発光管
２１Ａ  光出射面
２２Ａ，２２Ｂ  外部電極
２３    蛍光体層
２４    Ｘｅエキシマ光（励起光、波長１７２ｎｍの紫外光）
２５    蛍光（波長１９０ｎｍ以上の蛍光紫外光）
３０    処理室
３２    ステージ
Ｗ      被処理物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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