(57)【要約】【課題】高耐圧の半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、ガリウムとヒ素とを含む半導体層と、第１電極と、を含む。前記半導体層は、第１領域と、前記第１領域と前記第１電極との間に設けられた第２領域と、前記第２領域と前記第１電極との間に設けられた第３領域と、を含む。前記第２領域における不純物の濃度の最高値は、１．５×１０１７／ｃｍ３以上５．０×１０１７／ｃｍ３以下である。前記第２領域における前記不純物の濃度は、前記第３領域から前記第１領域に向かう第１方向において低下する。前記第３領域における前記不純物の濃度は、前記最高値よりも低い。前記第３領域における前記不純物の前記濃度は、前記第１領域における前記不純物の濃度よりも高い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガリウムとヒ素とを含む半導体層と、
第１電極と、
を備え、
前記半導体層は、
第１領域と、
前記第１領域と前記第１電極との間に設けられた第２領域と、
前記第２領域と前記第１電極との間に設けられた第３領域と、
を含み、
前記第２領域における不純物の濃度の最高値は、１．５×１０１７／ｃｍ３以上５．０×１０１７／ｃｍ３以下であり、
前記第２領域における前記不純物の前記濃度は、前記第３領域から前記第１領域に向かう第１方向において低下し、
前記第３領域における前記不純物の濃度は、前記最高値よりも低く、
前記第３領域における前記不純物の前記濃度は、前記第１領域における前記不純物の濃度よりも高い、半導体装置。
【請求項２】
前記第３領域における前記不純物の前記濃度は、前記第１方向において上昇する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２領域は、
前記第１方向に並ぶ複数の部分を含み、
前記複数の部分における前記不純物の濃度は、前記第１方向に向かって順次低下する、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２領域は、
第１部分と、
前記第１部分と前記第１電極との間に設けられた第２部分と、
前記第１部分と前記第２部分との間に設けられた第３部分と、
を含み、
前記第３部分における前記不純物の濃度の対数の前記第１方向の単位長さに対する第３変化率は、
前記第１部分における前記不純物の濃度の対数の前記第１方向の前記単位長さに対する第１変化率よりも高く、
前記第２部分における前記不純物の濃度の対数の前記第１方向の前記単位長さに対する第２変化率よりも高い、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２領域における前記不純物の前記濃度Ｎ２（１／立方センチメートル）は、前記第２領域と前記第３領域との境界面からの距離をｚ（ナノメートル）としたとき、
Ｎ２＝Ｎ２ｘ／（１＋（ａ１×ｚ）３）
の０．８倍以上１．２倍以下であり、
前記ａ１は、５以上３０以下である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３領域の前記第１方向の長さは、５ナノメートル以上１００ナノメートル以下である、請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガリウム（Ｇａ）とヒ素（Ａｓ）とを含む半導体が、例えば高周波増幅に用いられる。このような半導体装置において、耐圧の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３０８５３７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、高耐圧の半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、半導体装置は、ガリウムとヒ素とを含む半導体層と、第１電極と、を含む。前記半導体層は、第１領域と、前記第１領域と前記第１電極との間に設けられた第２領域と、前記第２領域と前記第１電極との間に設けられた第３領域と、を含む。前記第２領域における不純物の濃度の最高値は、１．５×１０１７／ｃｍ３以上５．０×１０１７／ｃｍ３以下である。前記第２領域における前記不純物の濃度は、前記第３領域から前記第１領域に向かう第１方向において低下する。前記第３領域における前記不純物の濃度は、前記最高値よりも低い。前記第３領域における前記不純物の前記濃度は、前記第１領域における前記不純物の濃度よりも高い。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）及び図２（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。
【図３】第２の実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。
【図４】第２の実施形態に係る別の半導体装置を例示する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１の実施形態）  
図１（ａ）及び図２（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。  
図１（ａ）は、模式的断面図である。図１（ｂ）は、半導体層における不純物のプロファイルを例示するグラフ図である。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置１１０においては、半導体層６０と、第１電極５１と、が設けられる。この例では、第２電極５２、第３電極５３及び基板６５がさらに設けられている。
【００１０】
半導体層６０は、ガリウム（Ｇａ）とヒ素（Ａｓ）とを含む。半導体層６０は、アルミニウム（Ａｌ）及びインジウム（Ｉｎ）の少なくともいずれかをさらに含んでも良い。半導体層６０は、不純物を含む。不純物は、例えば、ｎ形である。不純物として、例えば、シリコン（Ｓｉ）が用いられる。
【００１１】
半導体層６０は、基板６５の上に設けられる。基板６５には、例えば、ＧａＡｓ基板が用いられる。半導体層６０は、例えばエピタキシャル成長により形成される。
【００１２】
半導体層６０は、第１半導体領域６０ａと、第２半導体領域６０ｂと、第３半導体領域６０ｃと、を含む。第２半導体領域６０ｂと第３半導体領域６０ｃとの間に、第１半導体領域６０ａが位置する。
【００１３】
第１半導体領域６０ａの上に、第１電極５１が設けられる。第２半導体領域６０ｂの上に、第２電極５２が設けられる。第３半導体領域６０ｃの上に、第３電極５３が設けられる。
【００１４】
半導体層６０は、第１領域１０と、第２領域２０と、第３領域３０と、を含む。第２領域２０は、第１領域１０と第１電極５１との間に設けられる。第３領域３０は、第２領域２０と第１電極５１との間に設けられる。第１領域１０は、例えば、バッファ層である。第２領域２０は、例えば、チャネル層である。第３領域３０は、例えば、バリア層である。
【００１５】
第３領域３０から第１領域１０に向かう方向を第１方向とする。第１方向は、第１電極５１から半導体層６０に向かう方向に対して平行である。第１方向は、第１電極５１から基板６５に向かう方向に対応する。第１方向は、半導体層６０において、深さ方向である。
【００１６】
第１方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１７】
この例では、第２電極５２と第３電極５３は、Ｘ軸方向（Ｚ軸方向と交差する第２方向）において並ぶ。Ｘ−Ｙ平面（Ｚ軸方向に対して垂直な平面）に投影したときに、第１電極５１は、第２電極５２と第３電極５３との間に配置される。
【００１８】
第１電極５１は、例えば、ゲート電極である。第２電極５２は、例えば、ソース電極である。第３電極５３は、例えば、ドレイン電極である。第２電極５２は、半導体層６０とオーミック接触する。第３電極５３は、半導体層６０とオーミック接触する。
【００１９】
この例では、半導体層６０の一部にリセス部分が形成されている。リセス部分に第１電極５１が設けられる。半導体層６０は、第１層領域６１と、第１層領域６１の一部の上に設けられた第２層領域６２と、を含む。第１層領域６１は、上記の第１〜第３半導体領域６０ａ〜６０ｃを含む。第２層領域６２は、第２半導体領域６０ｂの上、及び、第３半導体領域６０ｃの上に設けられる。第２層領域６２における不純物濃度は、第１層領域６１における不純物濃度よりも高い。これにより、オーミック接触が得られる。
【００２０】
半導体装置１１０は、例えば、高周波増幅用のトランジスタである。
【００２１】
以下、第１領域１０、第２領域２０及び第３領域３０の例について説明する。  
図１（ｂ）は、第１領域１０、第２領域２０及び第３領域３０における不純物濃度を例示している。図１（ｂ）の横軸は、Ｚ軸方向の位置ｚである。横軸は、深さ方向における位置ｚを示し、位置ｚは、線形表示されている。縦軸は、不純物濃度ＮＤである。不純物濃度ＮＤは、対数表示されている。
【００２２】
図１（ｂ）に示すように、深さ方向に第３領域３０、第２領域２０及び第２領域１０が、この順で並ぶ。第１領域１０、第２領域２０及び第３領域３０においては、不純物濃度プロファイルが異なる。これらの領域の境界は、顕微鏡などで観察されない場合が多い。不純物のプロファイルにより、これらの領域が定まる。
【００２３】
実施形態において、第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２の最高値Ｎ２ｘは、例えば、１．５×１０１７／ｃｍ３以上５．０×１０１７／ｃｍ３以下である。
【００２４】
第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３は、第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２の最高値Ｎ２ｘよりも低い。例えば、最高値Ｎ２ｘは、２．０×１０１７／ｃｍ３であり、第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３は、１．５×１０１７／ｃｍ３である。この例では、第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３は、実質的に一定である。すなわち、第３領域３０は、部分３１と、部分３１と第１電極５１との間に設けられた部分３２と、を含み、部分３１における不純物の濃度は、第２部分３２における不純物の濃度と、実質的に同じである。後述するように、第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３は、変化しても良い。
【００２５】
第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３は、第１領域１０における不純物の濃度Ｎ１よりも高い。
【００２６】
第１領域１０における不純物の濃度Ｎ１は、第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２よりも低い。第１領域１０における不純物の濃度Ｎ１は、例えば、５×１０１６／ｃｍ３以下である。第１領域１０は、例えば、アンドープの領域である。
【００２７】
第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２は、第３領域３０から第１領域１０に向かうＺ軸方向において低下する。
【００２８】
例えば、第２領域２０は、第１〜第３部分２１〜２３を含む。第２部分２２は、第１部分２１と第１電極５１との間に設けられる。第２部分２３は、第１部分２１と第２部分２２との間に設けられる。すなわち、深さ方向に、第２部分２２、第３部分２３及び第１部分２１が、この順で並ぶ。
【００２９】
このように、第２領域２０は、Ｚ軸方向（第１方向）に並ぶ複数の部分（第１〜第３部分２１〜２３など）を含む。複数の部分における不純物の濃度は、Ｚ軸方向に向かって（深さ方向に）順次低下する。
【００３０】
第３部分２３における不純物の濃度は、急峻に変化している。一方、第１部分２１及び第２部分２２における不純物の濃度の変化は、比較的緩やかである。すなわち、第３部分２３における不純物の濃度の対数の、Ｚ軸方向（第１方向）の単位長さに対する第３変化率は、第１部分２１における不純物の濃度の対数の、Ｚ軸方向の単位長さに対する第１変化率よりも高い。第３変化率は、第２部分２２における不純物の濃度の対数の、Ｚ軸方向の単位長さに対する第２変化率よりも高い。
【００３１】
例えば、第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２は、深さ方向の位置ｚに対して、１／（１＋ｚ３）に比例する関数で低下する。例えば、第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２（１／立方センチメートル）は、第３領域３０との境界面からの距離をｚ（ナノメートル）としたとき、以下の第１式で実質的に表される。
Ｎ２＝Ｎ２ｘ／（１＋（ａ１×ｚ）３）      （１）
上記の定数ａ１は、５以上３０以下である。
【００３２】
実施形態において、誤差を考慮すると、第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２は、例えば、Ｎ２ｘ／（１＋（ａ１×ｚ）３）の０．８倍以上１．２倍以下である。
【００３３】
半導体層６０における不純物の濃度に関する情報は、例えば、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）などにより得られる。
【００３４】
本実施形態においては、上記のように、第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２は、第３領域３０から第１領域１０に向かうＺ軸方向において低下する。これにより、伝達特性ｇｍが、実質的に、ゲート電圧Ｖｇの１次関数となる。これにより、半導体装置１１０において、良好な３次相互変調歪み（ＩＭ３：3rd order Intermodulation distortion）が得られる。
【００３５】
このとき、半導体層６０の全体における不純物濃度を、１／ｚ３に比例する関数で変化させる参考例がある。この参考例においては、半導体層６０のうちの第１電極５１に近い領域における不純物濃度が極端に高くなる。このため、耐圧が低くなる。
【００３６】
これに対して、実施形態においては、半導体層６０のうちの第１電極５１に近い領域（第３領域３０）における不純物濃度を、低く設定する。具体的には、第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３を、第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２の最高値Ｎ２ｘよりも低くする。これにより、高い耐圧が得られる。そして、第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２を、Ｚ軸方向において低下させる。第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２は、１／ｚ３に比例する関数に近似される。すなわち、第３部分２３における不純物の濃度の対数の、Ｚ軸方向の単位長さに対する変化率を、第１部分２１よりも高くし、第２部分２２よりも高くする。これにより、伝達特性ｇｍは、実質的に、ゲート電圧Ｖｇの１次関数となり、良好な歪特性が得られる。
【００３７】
このように、本実施形態によれば、良好な歪特性と、高い耐圧と、が得られる。
【００３８】
本実施形形態において、第１領域１０、第２領域２０及び第３領域３０は、エピタキシャル成長により形成される。これにより、これらの領域の不純物濃度の制御性は高い。これらの領域における組成の制御性が高い。ロバストなエピタキシャル構造が得られる。
【００３９】
なお、上記の参考例においては、半導体層６０のうちの第１電極５１に近い領域における不純物濃度を極端に高くするために、高濃度のイオンドーピングが必要となる。このような極端に高い不純物濃度を制御性良くエピタキシャル成長により得ることは、困難である。
【００４０】
これに対して、本実施形態においては、第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３は、比較的低く設定される。このため、第３領域３０をエピタキシャル成長により、制御性良く形成することができる。
【００４１】
本実施形態に係る半導体装置１１０は、例えば、高周波増幅用半導体装置である。半導体装置１１０は、例えば、ＧａＡｓなどの高周波動作に適した半導体材料を用いた電界効果トランジスタである。半導体装置１１０においては、歪特性が向上できる。
【００４２】
例えば、半導体装置１１０においては、半導体層６０中に不純物がドープされることでチャネル層が設けられる。チャネル層の上にバリア層が設けられる。バリア層の上に、ゲート電極が形成される。バリア層の不純物濃度は、例えば、２．０×１０１７／ｃｍ３未満である。チャネル層の不純物濃度のピークは、２．０×１０１７／ｃｍ３〜１．０×１０１８／ｃｍ３以下である。チャネル層における不純物濃度は、バリア層から離れる深さ方向の位置ｚに対して、例えば、１／ｚ３に実質的に比例して減少する。チャネル層及びバリア層は、エピタキシャル成長により形成される。
【００４３】
このような半導体装置１１０によれば、ロバストなエピタキシャル構造と、良好な歪特性と、高い耐圧と、を有する電界効果トランジスタが提供できる。
【００４４】
実施形態において、第２領域２０の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば、５０ナノメートル以上３００ナノメートル以下である。第３領域３０の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば、５ナノメートル以上１００ナノメートル以下である。第１領域１０の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば、１００ナノメートル以上１０００ナノメートル以下である。
【００４５】
このように、第３領域３０の厚さは、薄い。そして、第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３は比較的低い。第３領域３０がｇｍ−Ｖｇカーブに与える悪影響は、実質的に生じない。
【００４６】
図２は、第１の実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。  
図２は、半導体装置１１１における不純物のプロファイルを例示するグラフ図である。  横軸は、Ｚ軸方向の位置ｚである。横軸は、深さ方向における位置ｚを示し、位置ｚは、線形表示されている。縦軸は、不純物濃度ＮＤである。不純物濃度ＮＤは、対数表示されている。半導体装置１１１においては、不純物濃度のプロファイルを除いて、半導体装置１１０と同様である。以下では、半導体装置１１１の不純物濃度のプロファイルについて、説明する。
【００４７】
図２に示すように、第１部分２１は、例えば、部分２１ａと、部分２１ｂと、を含む。部分２１ｂは、部分２１ａと第３部分２３との間に配置される。部分２１ｂにおける不純物濃度は、部分２１ａにおける不純物濃度よりも高い。
【００４８】
第３部分２３は、例えば、部分２３ａと、部分２３ｂと、部分２３ｃと、を含む。部分２３ｂは、部分２３ａと第２部分２２との間に配置される。部分２３ｃは、部分２３ｂと第２部分２２との間に配置される。部分２３ｂにおける不純物濃度は、部分２３ａにおける不純物濃度よりも高い。部分２３ｃにおける不純物濃度は、部分２３ｂにおける不純物濃度よりも高い。
【００４９】
第２部分２２は、例えば、部分２２ａと、部分２２ｂと、を含む。部分２２ｂは、部分２２ａと第３領域３０との間に配置される。部分２２ｂにおける不純物濃度は、部分２２ａにおける不純物濃度よりも高い。
【００５０】
このように、第２領域２０は、Ｚ軸方向に並ぶ複数の部分（複数の層）を含んでも良い。例えば、部分２１ａ、部分２１ｂ、部分２３ａ、部分２３ｂ、部分２３ｃ、部分２２ａ及び部分２２ｂがそれぞれエピタキシャル成長され、第２領域２０が形成されても良い。
【００５１】
形成された第２領域２０においては、例えば、上記の各部分における不純物濃度が平均化されても良い。これにより、形成された第２領域２０においては、不純物濃度は、連続的に、なめらかに変化しても良い。または、上記の各部分に起因して、ステップ状に不純物濃度が変化しても良い。例えば、第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２は、Ｚ軸方向においてステップ状に低下しても良い。例えば、第２領域２０における不純物の濃度Ｎ２は、Ｚ軸方向において、複数のステップ状で低下しても良い。
【００５２】
（第２の実施形態）  
本実施形態に係る半導体装置においては、不純物濃度のプロファイルを除いて、半導体装置１１０と同様である。以下では、本実施形態の不純物濃度のプロファイルについて、説明する。
【００５３】
図３は、第２の実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。  
図３は、本実施形態に係る半導体装置１２０における不純物のプロファイルを例示するグラフ図である。  
横軸は、Ｚ軸方向の位置ｚである。横軸は、深さ方向における位置ｚを示し、位置ｚは、線形表示されている。縦軸は、不純物濃度ＮＤである。不純物濃度ＮＤは、対数表示されている。
【００５４】
この例においても、半導体層６０に、第１領域１０、第２領域２０及び第３領域３０が設けられる。第３領域３０は、部分３１と、部分３１と第１電極５１との間に設けられた部分３２と、を含む。部分３１における不純物の濃度は、第２部分３２における不純物の濃度よりも高い。
【００５５】
深い部分（部分３１）における不純物の濃度は、１．５×１０１７／ｃｍ３以上２．０×１０１７／ｃｍ３以下である。  
浅い部分（部分３２）における不純物の濃度は、１．５×１０１７／ｃｍ３以下である。である。
【００５６】
この例では、すなわち、第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３は、Ｚ軸方向（第１方向）において上昇する。この例では、第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３の対数は、Ｚ軸方向において直線的に上昇している。
【００５７】
半導体装置１２０においても、ロバストなエピタキシャル構造と、良好な歪特性と、高い耐圧と、を有する電界効果トランジスタが提供できる。
【００５８】
図３に例示すように、第３領域３０において、不純物の濃度Ｄ３は、例えば、部分３１と部分３２との間で、ステップ的に変化しても良い。
【００５９】
図４は、第２の実施形態に係る別の半導体装置を例示する模式図である。  
図４は、本実施形態に係る別の半導体装置１２１における不純物のプロファイルを例示するグラフ図である。  
横軸は、Ｚ軸方向の位置ｚである。横軸は、深さ方向における位置ｚを示し、位置ｚは、線形表示されている。縦軸は、不純物濃度ＮＤである。不純物濃度ＮＤは、対数表示されている。半導体装置１２１は、不純物濃度のプロファイルを除いて、半導体装置１２０と同様である。
【００６０】
この例においても、第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３は、Ｚ軸方向（第１方向）において上昇する。この例では、第３領域３０における不純物の濃度Ｎ３の対数は、Ｚ軸方向において曲線的に上昇している。
【００６１】
すなわち、第３領域３０は、深い部分（部分３１）と、その深い部分と第１電極５１との間に設けられた浅い部分（部分３２）と、を含む。深い部分（部分３１）における不純物の濃度の対数の、Ｚ軸方向の単位長さに対する変化率は、浅い部分（部分３２）における不純物の濃度の対数の、Ｚ軸方向の単位長さに対する変化率よりも高い。
【００６２】
実施形態によれば、高耐圧の半導体装置を提供できる。
【００６３】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【００６４】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置に含まれる半導体層、電極、第１〜第２領域及び基板などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【００６５】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【００６６】
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００６７】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【００６８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６９】
１０…第１領域、  ２０…第２領域、  ２１…第１部分、  ２１ａ、２１ｂ…部分、  ２２…第２部分、  ２２ａ、２２ｂ…部分、  ２３…第３部分、  ２３ａ、２３ｂ、２３ｃ…部分、  ３０…第３領域、  ３１、３２…部分、  ５１〜５３…第１〜第３電極、  ６０…半導体層、  ６０ａ〜６０ｃ…第１〜第３半導体領域、  ６１、６２、第１、第２層領域、  ６５…基板、  １１０、１１１、１２０、１２１…半導体装置、  Ｎ１〜Ｎ３…濃度、  Ｎ２ｘ…最高値、  ＮＤ…不純物濃度、  ｚ…位置
【図１】
2016051839.tif 000003
【図２】
2016051839.tif 000004
【図３】
2016051839.tif 000005
【図４】
2016051839.tif 000006