(57)【要約】      （修正有）【課題】インセルＴＰを備えたトップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】表示領域と非表示領域ＮＡとを有する第１基板と、パターン配線１１１を有する第２基板１２と、第１基板と第２基板１２との間に挟まれ、非表示領域ＮＡに配置されたシール材５と、を備え、非表示領域ＮＡには、複数の突起部１０４と、突起部を覆うパターン電極１０５と、パターン電極を覆う絶縁層１０９と、を有し、シール材５には、第１基板と第２基板１２とに接する導電体１１０が含まれ、導電体１１０によって絶縁層１０９が破壊されることにより、パターン配線１１１と、パターン電極１０５とが電気的に接続される有機ＥＬ表示装置。【選択図】図５
2016051527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の有機ＥＬ素子が配置された表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域とを有する第１基板と、
第１パターン配線と、該第１パターン配線に誘電体を介して重畳する第２パターン配線とを有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟まれ、前記非表示領域に配置されたシール材と、
を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記非表示領域には、第１の絶縁層で構成された複数の突起部と、該突起部を覆うパターン電極と、該パターン電極を覆う第２の絶縁層と、を有し、
前記シール材には、前記第１基板と前記第２基板とに接する導電体が含まれ、
前記導電体によって、前記第１パターン配線又は前記第２パターン配線と、前記パターン電極とが電気的に接続される、有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁層は、樹脂を含む、請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記樹脂は、感光性樹脂である、請求項２記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記導電体は、前記第２の絶縁層が破壊されることで前記パターン電極と電気的に接続される請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１パターン配線、前記第２パターン配線及び前記誘電体でタッチパネルを構成し、前記タッチパネルが前記第１基板からの信号に基づいて制御される、請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記表示領域上における前記第１基板と前記第２基板との間には、樹脂で構成されるフィル材が設けられ、
前記導電体の径は、前記第１基板と前記第２基板との間の距離より小さい、請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記表示領域上における前記第１基板と前記第２基板との間には、樹脂で構成されるフィル材が設けられ、
前記導電体の径と前記突起部の高さの加算値は、前記第１基板と前記第２基板との間の距離よりも大きい請求項６記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記パターン電極は、前記有機ＥＬ素子の陽極と同一の材料で構成されている、請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記非表示領域には、前記突起部の周囲に配置された反射体をさらに有する、請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記反射体は、並列に配置された複数の線状の反射体であり、前記反射体と直交する方向に連なる前記突起部を設ける、請求項９記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
複数の有機ＥＬ素子が配置された表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とを有する第１基板を形成する工程と、
第１パターン配線と該第１パターン配線に誘電体を介して重畳する第２パターン配線とを有する第２基板を形成する工程と、
前記第１基板の前記非表示領域に、導電体を含むシール材を形成する工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを圧着する工程と、を有し、
前記第１基板を形成する工程は、
前記非表示領域に、第１の絶縁層で構成された複数の突起部を形成する工程と、
前記突起部を覆うパターン電極を形成する工程と、
前記パターン電極を覆う第２の絶縁層を形成する工程と、をさらに有し、
前記第１基板と前記第２基板とを圧着することにより、前記導電体によって、前記第１パターン配線又は前記第２パターン配線と、前記パターン電極とを電気的に接続する、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の絶縁層を、樹脂で形成する工程を含む、請求項１１記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記樹脂は、感光性樹脂である、請求項１２記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記導電体は、前記第２の絶縁層が破壊されることで前記パターン電極と電気的に接続される、請求項１１記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１基板と前記第２基板とを圧着する工程は、前記第１基板と前記第２基板とを真空中で貼り合わせる工程と、貼り合わせた前記第１基板と前記第２基板とを大気中に曝す工程とを有する、請求項１１記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１基板を形成する工程は、さらに、前記表示領域上に樹脂で構成されるフィル材を設ける工程を有し、
前記導電体として、前記第１基板と前記第２基板との間の距離より小さい径の導電体を用いる、請求項１１記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１基板を形成する工程は、さらに、前記表示領域上に樹脂で構成されるフィル材を設ける工程を有し、
前記導電体の径と前記突起部の高さの加算値は、前記第１基板と前記第２基板との間の距離よりも大きい請求項１６記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記パターン電極を、前記有機ＥＬ素子の陽極と同一材料で形成する、請求項１１記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１基板を形成する工程は、さらに、前記非表示領域における前記突起部を構成する位置の周囲に反射体を形成する工程を有する、請求項１１記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１基板を形成する工程は、さらに、並列に配置された複数の線状の反射体を形成する工程と、
前記線状の反射体と直交する方向に連なる線状の樹脂パターンを形成する工程とを有する、請求項１９記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンス（Electroluminescence：EL）素子を含む画素を備えた表示装置に関する。特に、発光層として有機材料を用いた有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネセンス現象を利用した発光素子として、エレクトロルミネセンス（以下「ＥＬ」ともいう）素子が知られている。ＥＬ素子は、発光層を構成する材料の選択により様々な波長の色で発光させることが可能であり、表示装置や照明器具への応用が進められている。
【０００３】
ＥＬ素子を表示装置に応用したＥＬ表示装置においては、マトリクス状に配置した各画素に、発光素子としてのＥＬ素子と、そのＥＬ素子の発光制御を行うスイッチング素子とが設けられている。そして、画素ごとにスイッチング素子のオン/オフを制御することにより、全体として任意の画像を表示することが可能である。このようなＥＬ表示装置は、携帯電話やタブレット型コンピュータなど、様々な携帯情報端末への採用がなされている。
【０００４】
上述した携帯情報端末に利用する場合、表示装置は、表示部としての機能だけでなく、ユーザーインターフェースとしての機能を併せ持つことが多い。例えば、表示装置にタッチパネルを搭載し、表示画面を指先でタップすることにより、所望の表示処理や情報処理を行うことが可能である。
【０００５】
表示装置に対してタッチパネルを搭載する際には、表示装置の外部に設ける構成と表示装置の内部に設ける構成が知られている。タッチパネルを表示装置の外部に設ける構成とする場合、表示装置を作製した後、オンセルタイプのタッチパネル（以下「オンセルＴＰという）を貼り合わせる。したがって、表示装置を従来通りの工程で製造できるものの、表示装置とタッチパネルとを積層した構造となるため、表示装置全体としての厚みが増すという欠点を持つ。
【０００６】
一方、タッチパネルを内部に設ける構成とする場合、表示装置の製造工程に若干の変更を加えることにより内部にインセルタイプのタッチパネル（以下「インセルＴＰ」という）を作りこむ。したがって、表示装置の製造工程に特段の大きな変更もなく、従来の表示装置と同じ厚みでタッチパネル機能を備えた表示装置を実現できるという利点を持つ。そのため、近年では、インセルＴＰを用いた表示装置の開発が活発化している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来、ＥＬ表示装置として、トップエミッションタイプのＥＬ表示装置の開発が進んでいる。トップエミッションタイプのＥＬ表示装置とは、ＥＬ素子から発した光をスイッチング素子の上方（対向基板側）に出射するタイプの表示装置であり、光取り出し効率の高いＥＬ表示装置として注目されている。
【０００８】
上述したトップエミッションタイプのＥＬ表示装置において、インセルＴＰを用いた構造を採用した場合、ＥＬ素子を形成した後に、フォトリソグラフィ等の技術を用いてインセルＴＰを形成することになる。しかし、ＥＬ素子は水分に対して弱く、水分の侵入によって劣化してしまう性質がある。したがって、ＥＬ素子を形成した後は、洗浄工程を含むフォトリソグラフィ技術を用いることができず、インセルＴＰを形成することができないという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、インセルＴＰを備えたトップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置を提供することを課題の一つとする。
【００１０】
また、そのような有機ＥＬ表示装置を、製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構成で実現することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、複数の有機ＥＬ素子が配置された表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域とを有する第１基板と、第１パターン配線と、該第１パターン配線に誘電体を介して重畳する第２パターン配線とを有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟まれ、前記非表示領域に配置されたシール材と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記非表示領域には、第１の絶縁層で構成された複数の突起部と、該突起部を覆うパターン電極と、該パターン電極を覆う第２の絶縁層と、を有し、前記シール材には、前記第１基板と前記第２基板とに接する導電体が含まれ、前記導電体によって、前記第１パターン配線又は前記第２パターン配線と、前記パターン電極とが電気的に接続される、有機ＥＬ表示装置である。
【００１２】
前記第１の絶縁層は、樹脂を含む層であってもよく、該樹脂は、感光性樹脂であってもよい。
【００１３】
前記導電体は、前記第２の絶縁層が破壊されることで前記パターン電極と電気的に接続されてもよい。
【００１４】
前記第１パターン配線、前記第２パターン配線及び前記誘電体でタッチパネルを構成し、前記タッチパネルが前記第１基板からの信号に基づいて制御されてもよい。
【００１５】
前記表示領域上における前記第１基板と前記第２基板との間には、樹脂で構成されるフィル材が設けられ、前記導電体の径は、前記第１基板と前記第２基板との間の距離より小さいことが好ましい。
【００１６】
前記表示領域上における前記第１基板と前記第２基板との間には、樹脂で構成されるフィル材が設けられ、前記導電体の径と前記突起部の高さの加算値は、前記第１基板と前記第２基板との間の距離よりも大きいことが好ましい。
【００１７】
前記パターン電極は、前記有機ＥＬ素子の陽極と同一の材料で構成されていてもよい。
【００１８】
前記非表示領域には、前記突起部の周囲に配置された反射体をさらに有していてもよい。また、前記反射体として、並列に配置された複数の線状の反射体を用い、前記反射体と直交する方向に連なる前記突起部を設けた構成としてもよい。
【００１９】
本発明の他の一態様は、複数の有機ＥＬ素子が配置された表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とを有する第１基板を形成する工程と、第１パターン配線と該第１パターン配線に誘電体を介して重畳する第２パターン配線とを有する第２基板を形成する工程と、前記第１基板の前記非表示領域に、導電体を含むシール材を形成する工程と、前記第１基板と前記第２基板とを圧着する工程と、を有し、前記第１基板を形成する工程は、前記非表示領域に、第１の絶縁層で構成された複数の突起部を形成する工程と、前記突起部を覆うパターン電極を形成する工程と、前記パターン電極を覆う第２の絶縁層を形成する工程と、をさらに有し、前記第１基板と前記第２基板とを圧着して前記導電体によって、前記第１パターン配線又は前記第２パターン配線と、前記パターン電極とを電気的に接続する、有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００２０】
前記第１の絶縁層を、樹脂で形成する工程を含んでもよい。また、その際、樹脂として、感光性樹脂を用いてもよい。
【００２１】
前記導電体は、前記第２の絶縁層が破壊されることで前記パターン電極と電気的に接続されてもよい。
【００２２】
前記第１基板と前記第２基板とを圧着する工程は、前記第１基板と前記第２基板とを真空中で貼り合わせる工程と、貼り合わせた前記第１基板と前記第２基板とを大気中に曝す工程とを有していてもよい。
【００２３】
前記第１基板を形成する工程は、さらに、前記表示領域上に樹脂で構成されるフィル材を設ける工程を有し、前記導電体として、前記第１基板と前記第２基板との間の距離より小さい径の導電体を用いてもよい。
【００２４】
前記第１基板を形成する工程は、さらに、前記表示領域上に樹脂で構成されるフィル材を設ける工程を有し、前記導電体の径と前記突起部の高さの加算値は、前記第１基板と前記第２基板との間の距離よりも大きくてもよい。
【００２５】
前記パターン電極を、前記有機ＥＬ素子の陽極と同一材料で形成してもよい。
【００２６】
前記第１基板を形成する工程は、さらに、前記非表示領域における前記突起部を構成する位置の周囲に反射体を形成する工程を有していてもよい。
【００２７】
前記第１基板を形成する工程は、さらに、並列に配置された複数の線状の反射体を形成する工程と、前記線状の反射体と直交する方向に連なる線状の樹脂パターンを形成する工程とを有していてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における表示領域ＤＡの概略構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における非表示領域ＮＡの概略構成を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における非表示領域ＮＡの概略構成を示す断面図である。
【図６Ａ】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図６Ｂ】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図６Ｃ】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図６Ｄ】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図６Ｅ】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図６Ｆ】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図６Ｇ】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における突起部の製造方法を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の非表示領域の概略構成を示す平面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の対向基板の概略構成を示す平面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における対向基板の一部の概略構成を示す平面図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の対向基板の概略構成を示す断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の対向基板の概略構成を示す断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における非表示領域の概略構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。
但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を省略することがある。
【００３０】
（第１の実施形態）
＜表示装置の構造＞
図１及び図２を参照し、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の概略構成について説明する。図１は、有機ＥＬ表示装置１００の概略構成を示す平面図であり、図２は、有機ＥＬ表示装置１００の概略構成を示す断面図である。
【００３１】
図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、基板１１上に形成された、表示領域ＤＡ、非表示領域ＮＡ、ドライバＩＣ７、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）８、及び走査線駆動回路１３を備える。表示領域ＤＡには、図中のＸ方向に走る複数の制御信号線ｇ１−１〜ｇ１−３とＹ方向に走る複数のデータ信号線ｄ１〜ｄ３とが互いに交差して配置され、制御信号線ｇ１−１〜ｇ１−３とデータ信号線ｄ１〜ｄ３との交差部に対応する位置に、複数の画素１０がマトリクス状に配置される。
【００３２】
図１には表示領域ＤＡに含まれる画素１０を示している。図１には、一例として、一画素１０あたり３本の制御信号線ｇ１−１〜ｇ１−３と１本のデータ信号線ｄ１とが交差して配置される構成を図示しているが、この構成に限定されるものではない。また、図示していないが、表示領域ＤＡ内には電源線や消去線等の一定電圧を供給する配線が配置されてもよい。
【００３３】
画素１０は制御信号線ｇ１−１〜ｇ１−３に与えられる制御信号（走査信号）とデータ信号線ｄ１に与えられるデータ信号によって発光が制御される。発光の制御は、画素１０に設けられたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって行われる。また、画素１０は、データ信号に応じて与えられる電圧を保持するコンデンサ等を備えた画素回路を含んでいる。
【００３４】
このような画素回路は、図２に示すように、ガラス等の硬質な基板１上に形成されてＴＦＴ駆動回路層２を構成する。ここで、ＴＦＴ駆動回路層とは、ＴＦＴで構成される駆動回路やコンデンサ等の機能回路が薄膜形成技術やフォトリソグラフィ技術を用いて形成された層を指す。以下、基板１上にＴＦＴ駆動回路層２を備える構成を、「ＴＦＴ基板９」という。
【００３５】
図２には、ＴＦＴ基板９上に、各画素１０に含まれる有機ＥＬ素子３が配置された構成を示している。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極と呼ばれる一対の電極間に有機エレクトロルミネセンス材料を含む層（以下、「有機ＥＬ層」ともいう。）を備えた発光素子である。有機ＥＬ層には、一例として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が積層されて構成されるものがある。
【００３６】
有機ＥＬ素子３は、雰囲気中の水分に曝されると急速に劣化する性質があるため、極力外気から密閉される必要がある。このため、有機ＥＬ素子３の表面は、例えば、窒化シリコン膜等を含む封止膜４によって覆われている。以下、ＴＦＴ基板９上に有機ＥＬ素子３及び封止膜４が形成された構成を「第１基板１１」という。
【００３７】
第１基板１１上に形成されたＴＦＴ駆動回路層２は、ＴＦＴやコンデンサを用いて様々な機能回路を構成することができる。そのような機能回路の一例を図９に示す。図９に示す回路構成は、ＴＦＴ９０１〜９０４、コンデンサ９０５、９０６を含み、ＴＦＴ９０４の出力側に有機ＥＬ素子９０７が設けられている。勿論、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、図９に示す回路構成に限らず、公知のあらゆる回路構成を採用することができる。
【００３８】
第１基板１１に対しては、有機ＥＬ素子を覆うように基板１２を設ける。以下、第１基板１１に対向して配置される基板１２を「第２基板１２」という。第２基板１２は、対向基板とも呼ばれ、カラーフィルタやブラックマスク（ブラックマトリクスともいう）を備えるものであってもよい。
【００３９】
なお、本実施形態の表示装置１００は、第２基板（対向基板）１２にインセルＴＰを設け、そのインセルＴＰが第１基板１１中のＴＦＴ基板９に形成された機能回路と電気的に接続する構成となっている。ここで、インセルＴＰの構造について、図１０乃至図１２を用いて説明する。
【００４０】
インセルＴＰは、第２基板１２の内側（第１基板１１に向かい合う側）に設けられたタッチパネルとして機能する機能回路であり、図１０に示すように、基板１１２上に、第１パターン配線１１１ａと、第２パターン配線１１１ｂとを互いに交差するように配置した構成となっている。
【００４１】
また、図１２に示すように、第１パターン配線１１１ａと第２パターン配線１１１ｂの間には絶縁層１１３が設けられ、両者は絶縁層１１３を介して重畳している。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００に搭載されるインセルＴＰは、これらのパターン配線１１１ａ、１１１ｂと誘電体としての絶縁層１１３とで静電容量方式のタッチパネルとして動作する。
【００４２】
図１１は、図１０においてＲ１で示される円内の部分拡大図である。２０は、第１パターン配線１１１ａとＴＦＴ駆動回路層９とが電気的に接続されるノードであり、２１は、第２パターン配線１１１ｂとＴＦＴ駆動回路層９とが電気的に接続されるノードである。これらノードの詳細な構造については後述する。
【００４３】
したがって、ＴＦＴ駆動回路層９からの信号に基づいて、第１パターン配線１１１ａと第２パターン配線１１１ｂとを個別に制御することができ、これにより第２基板の外側（表示装置の外部に向かう側）に触れた物体（例えば、ペンや指）の位置検出が可能となっている。
【００４４】
また、図１２は、図１０においてＡ−Ａ’で切断した断面図に対応する。絶縁層１１３の一部には開口部１１４が設けられ、この開口部１１４を介して第１パターン配線１１１ａとＴＦＴ駆動回路層９とが電気的に接続される。第２パターン配線１１１ｂは絶縁層で覆われていないため特に開口部を設ける必要はないが、第２パターン配線１１１ｂ上にも絶縁層を設ける場合には、別途第２パターン配線１１１ｂの端部に開口部を設ければよい。
【００４５】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、図２に示すように、第１基板１１と第２基板１２との間の距離を一定に保つことにより有機ＥＬ素子３の表面と第２基板１２の表面とを略平行に保っている。
【００４６】
また、両基板の界面における光の反射や屈折を防止するために、表示領域ＤＡ（図１参照）をエポキシ樹脂等で構成されるシール材（ダム（Ｄａｍ）材ともいう）５で囲み、その内側をポリイミド樹脂等の透明な樹脂で構成される充填材を用いて満たす構造としている。このように、本実施形態の表示装置１００は、充填材の体積によって両基板間の距離が制御されている。
【００４７】
なお、シール材５や充填材６で使用される樹脂は、上述したものに限定する必要はなく、適宜必要な材料を用いればよい。
【００４８】
また、本実施形態の表示装置１００をカラー表示装置とする場合、画素１０は、互いに異なる色を発する複数のサブ画素を含んでいてもよい。例えば、一つの画素１０は、各サブ画素が三原色（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））をそれぞれ発することにより構成されるものであってもよく、三原色（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））に白色（Ｗ）あるいは黄色（Ｙ）を加えた４色のサブ画素から構成されるものであってもよい。複数の画素１０に含まれる各サブ画素の有機ＥＬ素子３が選択的且つ発光量を調整して駆動されることによって、表示領域ＤＡに所望の画像が表示される。
【００４９】
以下、図３乃至図５を参照し、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００のより具体的な構成について説明する。
【００５０】
図３に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００における画素の断面構造を示す。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、基板１０１上にＴＦＴ駆動回路層１０２が設けられており、基板１０１とＴＦＴ駆動回路層１０２とでＴＦＴ基板９を構成している。
【００５１】
１０１は基板であり、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートその他の曲げることが可能な基板）を用いることができる。
【００５２】
基板１０１上には下地膜を介して公知の方法でスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられている。図３においては、ＴＦＴとしてトップゲートタイプのＴＦＴを示しているが、逆スタガタイプのＴＦＴなど公知のあらゆる構造のＴＦＴを用いてもよい。ここでは、下地膜とＴＦＴとを含めてＴＦＴ駆動回路層１０２と呼び、具体的構成についての説明は省略する。
【００５３】
１０３は、ＴＦＴのドレイン電極として機能する導電層Ａであり、１０４は、ポリイミド樹脂等で構成される絶縁層Ａである。導電層Ａ１０３としては、アルミニウム膜、チタン膜、アルミニウムとチタンの積層膜等を用いることができる。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、後述するように導電層Ａ１０３を反射体として利用するため、アルミニウムを主成分とする導電層を用いる。
【００５４】
絶縁層Ａ１０４は、発光素子の陽極として機能する導電層Ｂ１０５と導電層Ａ１０３との間を絶縁する目的のほか、ＴＦＴの構造に起因する凹凸を平坦化する目的も兼ねており、平坦化層とも呼ばれる。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００においては、絶縁層Ａ１０４として、感光性樹脂、代表的にはポリイミド樹脂やアクリル樹脂を用いることが好ましい。勿論、単層構造に限らず積層構造とすることも可能である。
【００５５】
なお、図３において、導電層Ｂ１０５は、画素電極としても機能するため、画素ごとに電気的に分離した矩形パターンに加工されている。
【００５６】
導電層Ａ１０３と導電層Ｂ１０５は、絶縁層Ａ１０４に設けられたコンタクトホール１５を介して接続されている。したがって、スイッチング素子として機能するＴＦＴを介して入力されたデータ信号に基づく電圧は、画素電極としての導電層Ｂ１０５に印加される。
【００５７】
導電層Ｂ１０５の上には、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等をパターニングして形成した絶縁層Ｂ１０６が設けられている。絶縁層Ｂ１０６は、図３において表示領域ＤＡに設けられた複数の画素を互いに区画するバンクとして機能し、絶縁層Ｂ１０６が存在しない領域（すなわち、絶縁層Ｂ１０６の開口部）が発光素子として機能することとなる。
【００５８】
導電層Ｂ１０５と絶縁層Ｂ１０６の上には、発光層１０７、発光素子の陰極（共通電極ともいう）として機能する導電層Ｃ１０８及び封止膜として機能する絶縁層Ｃ１０９が順次積層されている。図３において、導電層Ｂ１０５、発光層１０７、導電層Ｃ１０８及び絶縁層Ｃ１０９が積層された領域は、発光素子として機能する領域となり、導電層Ｂ１０５と発光層１０７との間に絶縁層Ｂ１０６の存在する領域が発光素子として機能しない領域となっている。
【００５９】
本実施形態に示す有機ＥＬ表示装置１００は、発光素子で発光した光を上方に出射する、いわゆるトップエミッションタイプの表示装置である。発光素子は、陽極として機能する導電層Ｂ１０５と陰極として機能する導電層Ｃ１０８とで発光層１０７を挟み込んだ構造をとり、発光層１０７で発した光を導電層Ｂ１０５で上方に反射すると共に、導電層Ｃ１０８と絶縁層Ｃ１０９を透過させて図面上方に向けて出射する構成となっている。
【００６０】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００においては、導電層Ｂ１０５は、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましいが、仕事関数の高い透明導電膜であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）と金属膜との積層構造としてもよい。導電層Ｃ１０８は、透光性を有するＩＴＯやＺｎＯ（酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。
【００６１】
発光層１０７は、低分子又は高分子の有機材料を用いて形成することができる。勿論、発光層だけでなく、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった発光素子を構成する発光層以外の層（機能層ともいう）を設けた構成（これらを総称してエレクトロルミネセンス層ともいう）とすることも可能であり、公知のあらゆる素子構造を採用することが可能である。
【００６２】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、導電層Ｃ１０８の上に絶縁層Ｃ１０９を設け、外部からの水分や大気の侵入を防ぎ、発光層１０７やその下のＴＦＴの劣化を抑制している。そのため、絶縁層Ｃ１０９としては、緻密な膜質を備える窒化シリコン系の絶縁層を用いることが好ましい。
【００６３】
ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００におけるＴＦＴ基板９と対向基板１２の接続構造について図４及び図５を用いて説明する。図４は、本実施形態の表示装置１００のシール材５近傍における断面構造（ＴＦＴ基板９と対向基板１２とを圧着する前の状態）を示し、図５は、本実施形態の表示装置１００のシール材５近傍における断面構造（ＴＦＴ基板９と対向基板１２とを圧着した後の状態）を示す。
【００６４】
図４において、ＴＦＴ基板９の上には、絶縁層Ａ１０４で構成された突起部が設けられている。絶縁層Ａ１０４で構成された突起部は、図３で説明した平坦化層としての絶縁層と同時に形成され、コンタクトホール１５を形成する際に、突起状にパターニング加工された部分である。
【００６５】
さらに、突起状の絶縁層Ａ１０４の上には、パターン電極として機能する導電層Ｂ１０５と絶縁層Ｃ１０９が積層されている。これらの層は、それぞれ図３における陽極として機能する導電層Ｂ１０５及び封止膜として機能する絶縁層Ｃ１０９と同じ材料で構成されている。導電層Ｂ１０５は、ＴＦＴ基板９に設けられた導電層Ａ１０３とコンタクトホール１５を介して接続されている。
【００６６】
絶縁層Ｃ１０９の上には、シール材５が設けられ、シール材５の内部には、導電体１１０が配置されている。導電体１１０としては、公知のあらゆる導電体を用いることができるが、なるべく硬質のものを用いることが好ましい。また、導電体１１０の形状は、球状が好ましいが、これに限らず、ロッド状、多角形状等様々な形状であってもよい。
【００６７】
導電体１１０を含むシール材５を介して、対向電極として機能する導電層Ｄ１１１を設けた基板１１２が配置されている。基板１１２と導電層Ｄ１１１とで図２に示した対向基板１２を構成する。ここで、導電層Ｄ１１１は、対向基板１２に設けられるインセルＴＰの一部（インセルタイプのタッチパネルを構成する配線パターンの一部）として機能する。
【００６８】
前述したように、図４に示す断面構造は、ＴＦＴ基板９と対向基板１２とを圧着する前の状態であるため、導電層Ｂ１０５（パターン電極）と導電層Ｄ１１１（パターン配線）とは電気的に接続されていない。すなわち、導電層Ｄ１１１と導電体１１０との間は電気的に接続されているものの、導電体１１０と導電層Ｂ１０５との間は絶縁層Ｃ１０９によって絶縁されている。したがって、ＴＦＴ基板９と対向基板１２との間の電気的な接続は確保されていない。
【００６９】
図５に示す断面構造は、ＴＦＴ基板９と対向基板１２とを圧着した後の状態であり、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００が完成した後の断面構造である。図５に示されるように、ＴＦＴ基板９と対向基板１２とを圧着することにより、絶縁層Ａ１０４で構成される突起部が変形し、導電層Ｂ１０５及び絶縁層Ｃ１０９が押し潰された状態となっている。そして、押し潰されたことにより絶縁層Ｃ１０９が破壊されて、例えばクラック（割れ）が生じ、導電体１１０のうち、導電層Ｂ１０５と接する接触部分１１０ａにおいて両者の電気的な接続が確保される。このように導電層Ｂ１０５を介して２つの突起部の側面に支えられる形にて導電体１１０が配置されているような形状となる。
【００７０】
また、絶縁層Ｃ１０９に生じたクラックにより導電体１１０と導電層Ｂ１０５とが短絡する場合だけでなく、絶縁層Ｃ１０９内に圧力や応力の集中により欠陥準位が発生し、それを介して導電体１１０と導電層Ｂ１０５との間で電気的な接続がなされる場合もある。つまり、本実施形態の表示装置１００は、導電体１１０によって加えられた圧力に起因して絶縁層Ｃ１０９に生じた電流経路を介して（すなわち、絶縁層Ｃ１０９を介して）導電体１１０と導電層Ｂ１０５との間の導通が確保される。
【００７１】
したがって、導電体１１０が、接触部分１１０ａにおいて導電層Ｂ１０５と電気的に接続されるとともに、接触部分１１０ｂにおいて導電層Ｄ１１１と電気的に接続されるため、結果として、ＴＦＴ基板９と対向基板１２との間の電気的な接続が確保される。さらに、圧着により突起部が変形して導電体１１０が基板１０１側に近づくような形となる。このことでフィル材６の体積に起因する所望の基板開距離を設けることが可能となる。導電体１１０の径が第１基板１１と第２基板１２との間の距離よりも大きい場合はフィル材６で埋めきれない箇所が基板間に存在し気泡が発生する、基板が撓む等の問題から視認性の問題が生じるが、本発明ではそのようなことはなくなる。
【００７２】
以上のように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、シール材５の内部に設けた導電体１１０によって、シール材５の内部に配置した絶縁層Ａ１０４で構成される突起部を圧迫することにより、絶縁層Ａ１０４上に形成された絶縁層Ｃ１０９を破壊する構造をとっている。その結果、シール材５の内部においてＴＦＴ基板９と対向基板１２との間の電気的な接続（導通）を確保することができる。また、対向基板１２側に設けられたインセルＴＰを、ＴＦＴ基板９側の駆動回路を用いて制御することが可能である。
【００７３】
また、上述のような構造とするため、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００に用いる導電体１１０の径は、フィル材６の体積で決定される第１基板１１と第２基板１２との間の距離（図２参照）よりも小さくすることが望ましい。そのような導電体１１０を用いることにより、以下の問題が無くなる。すなわち、導電体１１０の径が第１基板１１と第２基板１２との間の距離よりも大きい場合はフィル材６で埋めきれない箇所が基板間に存在し気泡が発生する、基板が撓む等の問題から視認性の問題が生じるが、本発明ではそのようなことはなくなる。
【００７４】
なお、導電体１１０として、互いに径の異なる複数種類の導電体を用いることも可能であり、いずれの導電体の径も、第１基板１１と第２基板１２との間の距離よりも小さければよい。
【００７５】
さらに、導電体１１０の径＋突起（絶縁層Ａ１０４）の高さが、フィル材６の体積で決定される第１基板１１と第２基板１２との間の距離よりも高くされることが望ましい。これにより、第１基板１１と第２基板１２とを張り合わせた際に突起部１０４上の絶縁層Ｃ１０９が破壊されるとともに突起部１０４が変形し、第１基板１１と第２基板１２とを安定的に導通させることができる。
【００７６】
この場合も、導電体１１０として、互いに径の異なる複数種類の導電体を用いることも可能であり、いずれの導電体１１０に関しても、導電体１１０の径+突起（絶縁層Ａ１０４）の高さがフィル材６の体積で決定される第１基板１１と第２基板１２との間の距離よりも高くされればよい。
【００７７】
以下、上述した構成を備える本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の製造工程について、図６Ａ〜図６Ｇを参照して説明する。
【００７８】
＜表示装置の製造方法＞
まず、図６Ａに示すように、基板１０１上に、導電層Ａ１０３を含むＴＦＴ駆動回路層１０２を形成する。その際、導電層Ａ１０３をパターニングすることにより、表示領域ＤＡにはＴＦＴのドレイン電極１０３ａを形成し、非表示領域ＮＡにはマトリクス状（図８参照）の反射体１０３ｂを形成する。
【００７９】
次に、図６Ｂに示すように、感光性ポリイミド樹脂で構成される絶縁層Ａ１０４を形成した後、絶縁層Ａ１０４をパターニングすることにより、表示領域ＤＡには開口部１５を有する平坦化層１０４ａを形成し、非表示領域ＮＡには突起部１０４ｂを形成する。このときのパターニング時の様子について図７を用いて説明する。
【００８０】
図７（ａ）は、非表示領域ＮＡにおける突起部１０４ｂの露光時の様子を示している。絶縁層Ａ１０４上には、突起部１０４ｂを形成するためのフォトマスク７０１が配置され、フォトマスク７０１によって絶縁層Ａ１０４の一部を遮蔽した状態で露光を行う。このとき、露光光Ｌ１は、反射体１０３ｂのエッジで反射され、フォトマスク７０１の下方にも到達する。すなわち、フォトマスク７０１の下方に位置する絶縁層Ａ１０４は、その上端部と下端部とで露光量が変化する。
【００８１】
その結果、図７（ｂ）に示すように、絶縁層Ａ１０４で構成される突起部１０４ｂのテーパー角が大きくなり（急峻になり）、突起部１０４ｂのアスペクト比が大きくなる。このような形状とすることにより、ＴＦＴ基板９と対向基板１２とを圧着して導電体１１０によって突起部１０４ｂに対し圧力が加えられた際、突起部１０４ｂが変形しやすくなる。
【００８２】
ここで、図８に、非表示領域ＮＡを光の出射する側（対向基板側）から見た上面図を示す。図８に示すように、非表示領域ＮＡには、導電層Ａ１０３をパターニングして得たマトリクス状の反射体１０３ｂと、反射体１０３ｂで囲まれた突起部１０４ｂが形成される。このように突起部１０４ｂの周囲を反射体１０３ｂで囲むことにより、円柱状もしくは円錐状の突起部１０４ｂを形成することが可能である。
【００８３】
次に、図６Ｃに示すように、導電層Ｂ１０５を形成した後、導電層Ｂ１０５をパターニングすることにより、表示領域ＤＡには発光素子の陽極として機能する画素電極１０５ａを形成し、非表示領域ＮＡには反射体１０３ｂ及び突起部１０４ｂを覆うパターン電極１０５ｂを形成する。このとき、反射体１０３ｂとパターン電極１０５ｂは、互いに電気的に接続される。本実施形態では、導電層Ｂ１０５として、アルミニウム膜の上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を積層した積層構造の導電層を用いる。
【００８４】
次に、図６Ｄに示すように、絶縁層Ｂ１０６を形成した後、絶縁層Ｂ１０６をパターニングすることにより、表示領域ＤＡには平坦化層１０６を形成し、非表示領域ＮＡにおいてはすべての絶縁層Ｂ１０６を除去する。その際、平坦化層１０６には、発光素子として機能する領域に開口部１６を設けておく。
【００８５】
次に、図６Ｅに示すように、発光層１０７及び陰極として機能する導電層Ｃ１０８を順次積層して発光素子を完成させる。このとき、発光層１０７及び導電層Ｃ１０８は、非表示領域ＮＡをマスクすることにより、表示領域ＤＡに対して選択的に蒸着して形成する。
【００８６】
そして、発光素子を形成したらＴＦＴ基板９の全面を絶縁層Ｃ１０９で覆う。絶縁層Ｃ１０９の形成は、発光層１０７及び導電層Ｃ１０８の形成から大気開放しないで連続的に行うことが望ましい。発光層１０７及び導電層Ｃ１０８は、水分により劣化するため、極力大気に触れさせないことが重要だからである。以上の工程を経て、第１基板１１（図２参照）が完成する。
【００８７】
次に、図６Ｆに示すように、非表示領域ＮＡに、導電体１１０を含むシール材５を形成し、表示領域ＤＡをシール材５で囲む。その後、シール材５で囲まれた表示領域ＤＡに対してディスペンサー等で液状もしくはゲル状の樹脂で構成されるフィル材６を滴下する。
【００８８】
最後に、図６Ｇに示すように、基板１１とインセルＴＰの一部として機能する導電層Ｄ１１１とで構成される対向基板１２を貼り合わせて圧着する。本実施形態では、真空容器内で貼り合わせ工程を行い、その後大気中に曝すことにより第１基板１１と第２基板１２とを大気圧で圧着する。これにより、シール材５の内部に配置された導電体１１０が突起部１０４ｂを変形させるとともに、その際に生じた絶縁層Ｃ１０９のクラックを利用して導電体１１０と導電層Ｂ１０５との電気的な接続を確保することができる。
【００８９】
以上のように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の製造工程では、絶縁層Ａ１０４を用いて平坦化層１０４ａを形成する際に、非表示領域ＮＡにおいて同時に突起部１０４ｂを形成し、シール材５に導電体１１０を配置するという簡易な構成で、第１基板１１（具体的には、ＴＦＴ駆動回路層１０２）と第２基板１２（具体的には、インセルＴＰ）との間の導通を確保できるという効果を奏する。
【００９０】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成について説明する。本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図１３に示すように、第１パターン配線１１１ａと第２パターン配線１１１ｂをそれぞれ基板１１２の異なる面に設けている。なお、本実施形態では、第１パターン配線１１１ａと第２パターン配線１１１ｂのいずれも絶縁層で覆っていないが、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同様に絶縁層で覆ってもよい。
【００９１】
また、図示していないが、第１パターン配線１１１ａと第２パターン配線１１１ｂとを互いに直交するように配置する点は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と同様である。
【００９２】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、基板１１２を誘電体として用いることにより静電容量方式のタッチパネルとして動作させることができる。したがって、第１パターン配線１１１ａや第２パターン配線１１１ｂを覆う絶縁層を別途設ける必要がなく、また、パターニングにより開口部を設ける必要もないため、製造工程を簡略化することができる。
【００９３】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成について説明する。本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、導電層Ａ１０３をパターニングして反射体１０３ｂを形成するに当たり、反射体１０３ｂの形状を第１の実施形態と異なるものとした例である。
【００９４】
図１４（ａ）は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置における非表示領域ＮＡを対向基板側から見た上面図である。ＴＦＴ基板９上には、反射体１０３ｃ及び突起部１０４ｃが形成されている。また、図１４（ａ）をＢ−Ｂ’で切断した断面図を図１４（ｂ）に、Ｃ−Ｃ’で切断した断面図を図１４（ｃ）に示す。
【００９５】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、反射体１０３ｃが、所定の方向に延伸する複数の線状の反射体として並列に配置され、突起部１０４ｃが、それら複数の線状の反射体１０３ｃと直交する方向に複数連なる構成となっている。なお、このような構造は、線状の反射体と直交する方向に、後に突起部１０４ｃを構成する線状の樹脂パターンを複数配置すればよい。
【００９６】
この場合、図１４（ｂ）に示すように、反射体１０３ｃが存在しない領域では、反射体１０３ｃからの反射光の影響を受けないため、突起部１０４ｃのテーパー角は小さくなり、なだらかな突起部１０４ｃが形成される。一方、図１４（ｃ）に示すように、反射体１０３ｃが存在する領域では、反射体１０３ｃからの反射光の影響を受けるため、突起部１０４ｃのテーパー角は大きくなり、アスペクト比が大きく、急峻な突起部１０４ｃが形成される。
【００９７】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、突起部１０４ｃが、テーパー角が大きく急峻な部分だけでなく、テーパー角の小さい部分をも有するため、突起部１０４ｃの上に形成されるパターン電極１０５ｂのカバレッジを良好なものとすることができる。テーパー角の小さな部分は幅が広く、テーパー角が大きな部分は幅が狭い。導電体１１０の径や上下基板間の距離を適切に設定すれば、テーパー角の大きい部分に導電体１１０がはまる形となる。そのような形に導電体１１０がはまるためにパターン電極１０５ｂ上の絶縁膜Ｃ１０９が破壊された後にパターン電極１０５ｂと導電体１１０が接触する面積が大きくなり、より確実に電気接触を図ることができる。
【００９８】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００９９】
また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１００】
１        基板
２        ＴＦＴ駆動回路層
３        有機ＥＬ素子
４        封止膜
５        シール材
６        フィル材
７        ドライバＩＣ
８        ＦＰＣ
９        ＴＦＴ基板
１０      画素
１１      第１基板
１２      第２基板
１３      走査線駆動回路
１００    有機ＥＬ表示装置
１０１    基板
１０２    ＴＦＴ駆動回路層
１０３    導電層Ａ（ドレイン電極）
１０３ｂ  反射体
１０４    絶縁層Ａ（平坦化層）
１０４ｂ  突起部
１０５    導電層Ｂ（画素電極、陽極）
１０５ｂ  パターン電極
１０６    絶縁層Ｂ（バンク）
１０７    発光層
１０８    導電層Ｃ（共通電極、陰極）
１０９    絶縁層Ｃ（封止膜）
１１０    導電体
１１１    導電層Ｄ（第１パターン配線、第２パターン配線）
１１２    基板
７０１    フォトマスク
９０１〜９０４  ＴＦＴ
９０５、９０６  コンデンサ
９０７    有機ＥＬ素子
【図１】
2016051527.tif 000003
【図２】
2016051527.tif 000004
【図３】
2016051527.tif 000005
【図４】
2016051527.tif 000006
【図５】
2016051527.tif 000007
【図６Ａ】
2016051527.tif 000008
【図６Ｂ】
2016051527.tif 000009
【図６Ｃ】
2016051527.tif 000010
【図６Ｄ】
2016051527.tif 000011
【図６Ｅ】
2016051527.tif 000012
【図６Ｆ】
2016051527.tif 000013
【図６Ｇ】
2016051527.tif 000014
【図７】
2016051527.tif 000015
【図８】
2016051527.tif 000016
【図９】
2016051527.tif 000017
【図１０】
2016051527.tif 000018
【図１１】
2016051527.tif 000019
【図１２】
2016051527.tif 000020
【図１３】
2016051527.tif 000021
【図１４】
2016051527.tif 000022