(57)【要約】【課題】  赤外線検出器の画素外周部で絶縁膜を安定的に保持する。【解決手段】  赤外線検出器の製造方法は、半導体基板上に第１コンタクト層、赤外領域に吸収波長を有する活性層、及び第２コンタクト層をこの順で形成する工程と、前記第２コンタクト層の表面の画素分離領域に段差を形成する工程と、前記段差の底面及び側面に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜が形成された前記段差内に、前記段差の幅よりも狭い幅で前記第１コンタクト層に達する画素分離溝をウェットエッチングにより形成する工程と、を有する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、第１コンタクト層、赤外領域に吸収波長を有する活性層、及び第２コンタクト層をこの順で形成する工程と、
前記第２コンタクト層の表面の画素分離領域に段差を形成する工程と、
前記段差の底面及び側面に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜が形成された前記段差内に、前記段差の幅よりも狭い幅で前記第１コンタクト層に達する画素分離溝をウェットエッチングにより形成する工程と、
を有することを特徴とする赤外線検出器の製造方法。
【請求項２】
前記第２コンタクト層の画素領域に格子パタンを形成する工程、
をさらに有し、
前記段差の形成は、前記格子パタンの形成と同時に行われることを特徴とする請求項１に記載の赤外線検出器の製造方法。
【請求項３】
前記画素分離溝は、幅方向の中心線を前記段差の幅方向の中心線と一致させて形成されることを特徴とする請求項１に記載の赤外線検出器の製造方法。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板上に、第１コンタクト層、赤外領域に吸収波長を有する活性層、及び第２コンタクト層がこの順に積層された半導体層と、
前記第２コンタクト層の表面の画素分離領域に形成される段差と、
前記段差内に形成されて前記第１コンタクト層に達する画素分離溝と、
前記段差の底面及び側面に形成される断面Ｌ字型の第１絶縁膜と、
前記画素分離溝の内壁及び前記第１絶縁膜を連続して覆う第２絶縁膜と、
を有する赤外線検出器。
【請求項５】
前記第２コンタクト層の画素領域に形成される光カプラ、
をさらに有し、
前記段差の深さは、前記光カプラの格子パタンの深さと同じであることを特徴とする請求項４に記載の赤外線検出器。
【請求項６】
前記画素分離溝の幅方向の中心線と、前記段差の幅方向の中心線は一致することを特徴とする請求項４に記載の赤外線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の赤外線検出素子をアレイ状に配置した赤外線検出器と製造方法と構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
赤外線センサは、赤外領域の光を受光して電気信号に変換し、必要な情報を取り出す非接触の検出装置である。特に、検出感度が高く応答速度が速い量子型の赤外線センサが開発されている。
【０００３】
赤外線検出素子の二次元アレイセンサでは、素子形状の不均一が出力信号の不均一となり、固定パターンノイズの原因になる。そのため、製造プロセスにおいて素子形状が崩れるような不安定要因は取り除くのが望ましい。
【０００４】
赤外線検出の量子効率を改善し、画素間のクロストークを低減するために、画素分離溝の側面の絶縁層上に金属膜を配置して、散乱された赤外線の隣接画素への漏出を防止する構成が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１２３２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
発明者は、赤外線検出素子アレイの作製プロセスにおいて、ウェットエッチング時のエッチング液の浸み込みによって素子形状が不安定になり、これがフォーカルプレーンアレイ（Focal Plane Array：ＦＰＡ）で形成される画像に影響を与えることを見出した。絶縁膜や半導体層をウェットエッチングする場合、膜界面へのウェットエッチングの浸み込み方には不確定な要素があり、部分的に浸み込みの多い箇所が生じることがある。その場合に、画素外周部で反射用の金属膜の一部が絶縁膜とともにはがれてしまうことがある。画素外周部での金属膜の一部剥離は、赤外線検出素子の電気的特性に影響しない場合でも、光の反射にムラを生じさせ画像に影響を与える。
【０００７】
そこで、赤外線検出器の画素外周部で絶縁膜を安定的に保持する技術を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ひとつの態様では、赤外線検出器の製造方法を提供する。この方法は、
半導体基板上に、第１コンタクト層、赤外領域に吸収波長を有する活性層、及び第２コンタクト層をこの順で形成する工程と、
前記第２コンタクト層の表面の画素分離領域に段差を形成する工程と、
前記段差の底面及び側面に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜が形成された前記段差内に、前記段差の幅よりも狭い幅で前記第１コンタクト層に達する画素分離溝をウェットエッチングにより形成する工程と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
赤外線検出器の画素外周部で絶縁膜を安定的に保持することができる。これにより、画像ムラが抑制され画質を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明が適用される赤外線検出器の概略構成図である。
【図２】赤外線検出器の製造プロセスの一例を示す図である。
【図３】赤外線検出素子アレイの作製プロセスで生じる画素外周部の金属膜及び絶縁膜の剥離を説明する図である。
【図４】画素外周部での金属膜と絶縁膜の剥離を説明する図である。
【図５】画素外周部での金属膜と絶縁膜の剥離を説明する図である。
【図６】実施形態の改善構成を示す図である。
【図７】実施形態の改善構成を示す図である。
【図８】実施形態の赤外線検出器の製造工程を画素分離領域に着目して示す図である。
【図９】実施形態の赤外線検出器の製造工程を画素分離領域に着目して示す図である。
【図１０】実施形態の赤外線検出器の製造工程を画素分離領域に着目して示す図である。
【図１１】実施形態の構成の効果を示す図である。
【図１２】実施形態の赤外線検出器の一画素分の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、実施形態の赤外線検出器１の概略構成図である。図１（Ａ）は斜視図、図１（Ｂ）は一画素分の断面図である。赤外線検出器１は、複数の赤外線検出素子５が二次元平面状に配置された赤外線検出素子アレイとして構成される。赤外線検出素子５は、画素分離溝１２によって隣接する赤外線検出素子５と分離される。赤外線検出素子５は半導体基板１１上にエピタキシャル成長された半導体層１３に形成され、バンプ電極１４によって信号処理回路チップ２に電気的に接続される。
【００１２】
半導体層１３では、コンタクト層２１、２３に挟まれて活性層（光吸収層）２２が配置される。素子の表面側には、格子パタンと金属膜２８を含む光カプラ（光結合器）１５が形成されている。赤外光は半導体基板１１の裏面から入射し、光カプラ１５で反射されて活性層２２に入射する。
【００１３】
活性層２２は、量子井戸（ＱＷ：Quantum Well）や量子ドット（ＱＤ：Quantum Dot）などの量子層と障壁層とが繰り返し積層された構成を有する。量子井戸型の赤外線検出素子５は垂直入射光に対して感度がないため、光カプラ１５で散乱された赤外光を活性層２２に入射させる。入射側のコンタクト層２１は全画素につながっているが、表面側のコンタクト層２３は、赤外線検出素子５ごとに個別のバンプ電極１４によって信号処理回路チップ２に接続されている。
【００１４】
実施形態の赤外線検出器１では、画素と画素の境界に浅い段差４１を有し、段差４１の中に画素分離溝１２が形成されている。段差４１と画素分離溝１２の内壁は、絶縁膜３１に覆われている。画素分離溝１２に隣接する浅い段差４１は、後述するように、画素外周部での金属膜２８の剥がれを防止する構成の一部となる。
【００１５】
実施形態の赤外線検出器１の製造方法を説明する前に、まず、発明者が見出した赤外線検出素子５の外周部での金属膜２８および絶縁膜の剥離について説明する。
【００１６】
図２及び図３は、実施形態の赤外線検出器１の構成及び製造方法に至る過程で採用される製造プロセスを示す。図２（Ａ）で、真性ＧａＡｓ基板１１上に、たとえばｎ型のＧａＡｓ層２１、活性層２２、ｎ型のＧａＡｓ層２３をこの順で、エピタキシャル成長により形成する。活性層２２は、赤外領域に吸収波長を有するように量子井戸幅と障壁高さが設計されている。ＧａＡｓ層２１、２３はコンタクト層として機能し、その不純物濃度は適切に調整されている。ＧａＡｓ層２３の表面の所定の領域に、光カプラのための格子パタン２５をフォトリソグラフィとドライエッチングにより形成する。
【００１７】
図２（Ｂ）で、全面にＳｉＯ2等の絶縁膜２６を形成する。
【００１８】
図２（Ｃ）で、各画素の金属膜形成領域に対応する部分の絶縁膜２６を除去し、画素中央にコンタクト２７を形成する。コンタクト２７は、レジストパターニング、蒸着、リフトオフを順次行うことで形成することができる。
【００１９】
図２（Ｄ）で、全面に金属をスパッタしてから不要な部分をミリングで除去し、各画素の表面に反射膜としての金属膜２８を形成する。格子パタン２５上に形成された金属膜２８は光カプラ１５の一部となる。不要な部分の金属膜２８は若干オーバーミリングされるため、絶縁膜２６があらかじめ挿入されている。
【００２０】
図３（Ａ）で、画素分離のための溝２９を形成する。溝２９の形成は、レジストパターニング、ドライエッチング、及びウェットエッチングを順次行って、絶縁膜２６を開口する。続いて、ＧａＡｓ層２３と活性層２２をドライエッチングし、ウェットエッチングする。ウェットエッチングによる溝２９の形成過程で、画素外周部の絶縁膜２６と金属膜２８が剥離しやすい状態になっている。これについては後述する。
【００２１】
図３（Ｂ）で、再び全面に絶縁膜３１を形成する。これにより、溝２９の内壁が絶縁膜３１で覆われ、画素分離溝１２が形成される。
【００２２】
図３（Ｃ）で、絶縁膜３１の一部を開口して、コンタクト２７に対応する位置にバンプ下地金属３２を形成する。さらにレジストパターニングと蒸着、及びリフトオフでパンプ電極１４を形成して赤外線検出器が完成する。ここで、図３（Ａ）と関連して説明したように、点線で囲む領域Ｐで金属膜２８の一部が下地の絶縁膜２６とともに剥離しやすい状態となっており、画質に影響を与えるおそれがある。そこで、領域Ｐに着目して製造プロセスの細部を検討する。
【００２３】
図４及び図５は、図２及び図３の製造プロセスにおける領域Ｐの拡大図である。図４（Ａ）で、ＧａＡｓ層２３の全面に絶縁膜２６を形成する。図４（Ｂ）で、レジスト３４をパターニングし、レジスト３４に覆われていない部分の絶縁膜２６をドライエッチングで除去する。
【００２４】
図４（Ｃ）で、ドライエッチング後に薄く残る絶縁膜２６をウェットエッチングで除去する。このウェットエッチングで、レジスト３４の側面で露出する絶縁膜２６の端部からエッチング液が浸み込み、侵食部Ｄ１が生じる。エッチング液は、絶縁膜２６とレジスト３４の界面と、絶縁膜２６とＧａＡｓ層２３の界面の両方から浸み込み、絶縁膜２６の端部がＧａＡｓ層２３から浮き上がった状態になる。
【００２５】
図４（Ｄ）で、レジスト３４を除去し、コンタクト２７（図２（Ｃ）参照）を形成してから、スパッタ法により全面に金属膜２８を形成する。このとき、絶縁膜２６とＧａＡｓ層２３の隙間にある程度金属が入り込むが、完全に埋めることは困難である。
【００２６】
図４（Ｅ）で、金属膜２８のミリングのためにレジスト３６をパターニングし、金属膜２８の不要な部分を除去し、図４（Ｆ）で、レジスト３６を除去する。
【００２７】
次に図５（Ａ）で、分離溝の形成のためのレジスト３８を形成し、絶縁膜２６をドライエッチングする。
【００２８】
図５（Ｂ）で、ＧａＡｓ層２３上に薄く残った絶縁膜２６をウェットエッチングで除去する。このウェットエッチングで、絶縁膜２６とレジスト３８の界面、及び絶縁膜２６とＧａＡｓ層２３の界面の両方にエッチング液が浸み込んで侵食部Ｄ２が生じ、絶縁膜２６の端部がＧａＡｓ層２３から浮き上がった状態になる。
【００２９】
図５（Ｃ）で、レジスト３８をマスクとしてドライエッチングにて溝３９を形成し、その後図３（Ｄ）で、ウェットエッチングにより溝２９を形成する。このウェットエッチングで、絶縁膜２６の画素最外周の端部２６ｐは、ＧａＡｓ層２３から浮き上がったままの状態で溝２９内に突出する。
【００３０】
図５（Ｅ）で、レジスト３８を除去する。この状態は図３（Ａ）と対応する。
【００３１】
図６の上図に示すように、光カプラ１５が形成された画素の外周に位置する絶縁膜２６は、三度のウェットエッチングで両端がＧａＡｓ層２３から浮き上がり、小さい面積でＧａＡｓ層２３と接している。ウェットエッチングでのエッチング液の浸み込み方には不確定な要素があり、部分的に浸み込みが多い部分が生じると、金属膜２８の一部とともに絶縁膜２６が剥がれてしまうことがある。画素外周で金属膜２８の一部が剥離すると、電気的特性に問題がなくても、光りの反射にムラが生じ、ＦＰＡで形成される画像に影響を与える。
【００３２】
そこで、実施形態では、図６の下側の図に示すように、画素の外周部に段差４１を設ける。段差４１の深さは、絶縁膜２６の膜厚とエッチング液の浸み込み長とを足し合わせたサイズ以上である。段差４１の深さは、光カプラ１５の格子パタン２５と同じ深さであってもよい。段差４１に形成された絶縁膜２６は、ＧａＡｓ層２３と面内方向で接する水平部分２６Ｈと、段差４１の側壁に沿って垂直方向に接する垂直部分２６Ｖを有する。この構成により、絶縁膜とＧａＡｓ層２３との接触面積が広くなり、またエッチング液の浸み込みの方向を工程によって異ならせる。これにより、絶縁膜２６の剥離を抑制し、画質のムラを防ぐことができる。
【００３３】
図７に示すように、画素外周部の段差４１は、光カプラ１５の格子パタン２５の形成と同じプロセスで形成することができる。段差４１の幅は、画素分離溝形成領域Ｔの幅よりも広く、ウェットエッチングの後も絶縁膜２６が面内方向でＧａＡｓ層２３との接触を維持できる幅である。良好な例では、段差４１の幅方向の中心線と、画素分離溝形成領域Ｔの幅方向の中心線（すなわち画素分離溝１２の幅方向の中心線）とが一致する。
【００３４】
図８〜図１０は、実施形態の赤外線検出器の製造工程を、画素外周部（図３（Ｃ）の領域Ｐに対応する部分）に着目して示す図である。
【００３５】
図８（Ａ）で、エピタキシャル成長したｎ型のＧａＡｓ層２３に光カプラ１５の格子パタン２５と同時に段差４１を形成し、全面にＳｉＯ2等の絶縁膜２６を形成する。絶縁膜２６によって段差４１の側壁も覆われる。
【００３６】
図８（Ｂ）で、全面にレジスト４２を塗布し、図８（Ｃ）で、レジスト４２をパターニングして金属膜形成領域に開口を形成し、図８（Ｄ）で露出した絶縁膜２６をドライエッチングで除去する。
【００３７】
図８（Ｅ）で、ＧａＡｓ層２３上に薄く残る絶縁膜２６をウェットエッチングで除去する。エッチング液として、絶縁膜２６の材料（ＳｉＯ2等）とＧａＡｓに対する選択比の大きいエッチング液を用いる。このとき、基板と垂直な方向へのエッチング液の浸み込みにより、段差４１の側壁と接する絶縁膜２６の上端部に侵食部Ｄ３が発生する。図８（Ｆ）でレジスト４２を剥離すると、絶縁膜２６の垂直部分２６Ｖの上端が細って、基板と垂直方向の隙間４３が生じている。
【００３８】
図９（Ａ）で、画素領域に図示しないコンタクト２７を形成した後に、全面に反射膜としての金属膜２８をたとえばスパッタ法で形成する。絶縁膜２６と段差４１の側壁の間の垂直方向の隙間４３は、図４（Ｄ）と比較して金属元素で充填しやすい。
【００３９】
図９（Ｂ）で、画素ごとの光カプラ１５を形成するために、レジスト４４をパターニングする。図９（Ｃ）で、レジスト４４をマスクとして用いて金属膜２８の不要部分をミリングで除去した後、図９（Ｄ）でレジスト４４を削除する。
【００４０】
図９（Ｅ）で、画素外周部の絶縁膜２６が露出するようにレジスト４６をパターニングし、図９（Ｆ）で露出した絶縁膜２６をドライエッチングで除去する。
【００４１】
図１０（Ａ）で、ＧａＡｓ層２３上に薄く残った絶縁膜２６をウェットエッチングで除去する。このとき、エッチング液の浸み込みにより、絶縁膜２６に面内方向の侵食部Ｄ４が生じる。
【００４２】
続いて、図１０（Ｂ）でドライエッチングによりＧａＡｓ層２３に溝４７を形成し、図１０（Ｃ）で、溝４７からウェットエッチングを行って溝４９を形成する。溝４７は、共通コンタクト層となる下部のＧａＡｓ層２１に到達する溝であるが、ドライエッチングによる活性層２２へのダメージを緩和するために、溝４９からウェットエッチングを行う。
【００４３】
図１０（Ｄ）でレジスト４６を除去する。絶縁膜２６の水平部分２６Ｈの端部は、溝４９形成時のウェットエッチングで、ＧａＡｓ層２３から浮き上がった状態で溝４９内に突出しているが、垂直部分２６ＶでＧａＡｓ層２３と安定して接触しているので、絶縁膜２６とともに金属膜２８の一部が剥離することを回避することができる。
【００４４】
その後の工程は、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）と同様である。すなわち、溝２９の内壁を含む全面に絶縁膜３１を形成して素子分離溝１２を形成し、コンタクト２７部分の絶縁膜３１を除去して金属膜２８を露出してバンプ下地金属３２を形成する。バンプ下地金属３２上にバンプ電極１４を形成する。
【００４５】
図１１は、実施形態の効果を説明する図である。図１１（Ａ）のように、段差４１を設けないで画素分離のための溝２９を形成する場合、画素外周部で絶縁膜２６の両端がＧａＡｓ層２３から浮き上がり、接触幅Ｌ１でＧａＡｓ層２３の上面に接している。絶縁膜２６は金属膜２８の一部とともに剥離しやすい状態にある。
【００４６】
これに対して、図１１（Ｂ）のように段差４１を設けた場合、画素外周部で絶縁膜２６はＬ字型の断面形状を有している。絶縁膜２６の水平部分２６ＨはＬ１よりも広い接触幅Ｌ２で段差４１の底面と接触し、かつ、垂直部分２６Ｖは高さｈで段差４１の側壁と接触している。分離溝のドライエッチング位置から金属膜２８のミリング位置までの距離ｄ１と、ミリング位置から光カプラ１５の端部までの距離ｄ２は、図１１（Ａ）と図１１（Ｂ）で共通であり、段差４１を形成することを除いて赤外線検出器１の製造工程での設計に変更はない。
【００４７】
図１１（Ａ）では絶縁膜２６が接触幅Ｌ１のみでＧａＡｓ層２３と接触しているのに対し、図１１（Ｂ）では絶縁膜２６は（Ｌ１＋ｈ）の長さにわたってＧａＡｓ層２３と接触している。したがって、画素の最外周で絶縁膜２６の端部がウェットエッチングの影響でＧａＡｓ層２３から浮き上がることがあっても、絶縁膜２６自体は安定してＧａＡｓ層２３上に保持されている。
【００４８】
一例として、分離溝のドライエッチング位置から金属膜２８のミリング位置までの距離ｄ１を４００ｎｍ、ミリング位置から光カプラ１５の端部までの距離ｄ２を８００ｎｍとしたとき、図１１（Ａ）の接触幅Ｌ１は１００ｎｍとなる。
【００４９】
これに対して、図１１（Ｂ）では水平方向だけで６００ｎｍの接触幅Ｌ２を確保することができ、さらに垂直方向に４００ｎｍの高さ（ｈ）にわたって接触する。ウェットエッチングの浸み込みが多くなったとしても、絶縁膜２６の剥離を抑制することができる。
【００５０】
図１２は、実施形態の赤外線検出器１の１画素分の構成を示す。半導体基板１１上に、第１コンタクト層としてのＧａＡｓ層２１、赤外光に対して感度を有する活性層２２、第２コンタクト層としてのＧａＡｓ層２３がこの順で積層され、ＧａＡｓ層２３の表面に光カプラ１５が形成されている。画素外周領域において、画素分離溝１２の上端に段差４１が形成され、段差４１の内壁に断面形状がＬ字型の第１絶縁膜２６が位置する。画素分離溝１２の内壁と第１絶縁膜２６が形成された段差４１は、第２絶縁膜３１で連続して覆われている。
【００５１】
赤外線検出器１では、光カプラ１５の反射層として作用する金属膜２８は、画素外周領域で第１絶縁膜２６により安定して保持され、反射ムラを抑制して均一な画質の画像を得ることができる。
【００５２】
以上の説明について以下の付記を提示する。
（付記１）半導体基板上に、第１コンタクト層、赤外領域に吸収波長を有する活性層、及び第２コンタクト層をこの順で形成する工程と、
前記第２コンタクト層の表面の画素分離領域に段差を形成する工程と、
前記段差の底面及び側面に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜が形成された前記段差内に、前記段差の幅よりも狭い幅で前記第１コンタクト層に達する画素分離溝をウェットエッチングにより形成する工程と、
を有することを特徴とする赤外線検出器の製造方法。
（付記２）
前記第２コンタクト層の画素領域に格子パタンを形成する工程、
をさらに有し、
前記段差の形成は、前記格子パタンの形成と同時に行われることを特徴とする付記１に記載の赤外線検出器の製造方法。
（付記３）
前記画素分離溝は、幅方向の中心線を前記段差の幅方向の中心線と一致させて形成されることを特徴とする付記１に記載の赤外線検出器の製造方法。
（付記４）
前記素子分離溝の内壁と前記第１絶縁膜を覆う第２絶縁膜を形成する工程、
をさらに有することを特徴とする付記１に記載の赤外線検出器の製造方法。
（付記５）
前記段差内の前記第１絶縁膜の一部と前記第２コンタクト層の表面を連続して覆う金属膜を形成する工程、
をさらに有し、
前記画素分離溝は、前記金属膜の形成後に前記段差内の前記金属膜に覆われていない領域に形成されることを特徴とする付記１に記載の赤外線検出器の製造方法。
（付記６）
前記第２コンタクト層の画素領域に格子パタンを形成する工程、
をさらに有し、
前記金属膜は、前記格子パタンを覆って形成されることを特徴とする付記５に記載の赤外線検出器の製造方法。
（付記７）
前記画素分離溝は、レジストパターンを用いたドライエッチングの後に前記ウェットエッチングにより形成されることを特徴とする付記１に記載の赤外線検出器。
（付記８）
前記第１絶縁膜は、全面に絶縁膜を形成した後、前記段差以外の領域の前記絶縁膜をウェットエッチングにより除去して形成されることを特徴とする付記１に記載の赤外線検出器の製造方法。
（付記９）
半導体基板と、
前記半導体基板上に、第１コンタクト層、赤外領域に吸収波長を有する活性層、及び第２コンタクト層がこの順に積層された半導体層と、
前記第２コンタクト層の表面の画素分離領域に形成される段差と、
前記段差内に形成されて前記第１コンタクト層に達する画素分離溝と、
前記段差の底面及び側面に形成される断面Ｌ字型の第１絶縁膜と、
前記画素分離溝の内壁及び前記第１絶縁膜を連続して覆う第２絶縁膜と、
を有する赤外線検出器。
（付記１０）
前記第２コンタクト層の画素領域に形成される光カプラ、
をさらに有し、
前記段差の深さは、前記光カプラの格子パタンの深さと同じであることを特徴とする付記９に記載の赤外線検出器。
（付記１１）
前記画素分離溝の幅方向の中心線と、前記段差の幅方向の中心線は一致することを特徴とする付記９に記載の赤外線検出器。
【符号の説明】
【００５３】
１  赤外線検出器
２  信号処理回路チップ
５  赤外線検出素子
１１  半導体基板
１２  画素分離溝
１３  半導体層
１５  光カプラ
２１  ＧａＡｓ層（第１コンタクト層）
２２  活性層
２３  ＧａＡｓ層（第２コンタクト層）
２５  格子パタン
２６  絶縁膜（第１絶縁膜）
２６Ｈ  水平部
２６Ｖ  垂直部
２７  コンタクト
２８  金属膜
２９  溝
３１  絶縁膜（第２絶縁膜）
４１  段差
【図１】
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【図２】
2016035986.tif 000004
【図３】
2016035986.tif 000005
【図４】
2016035986.tif 000006
【図５】
2016035986.tif 000007
【図６】
2016035986.tif 000008
【図７】
2016035986.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2016035986.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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