(57)【要約】      （修正有）【課題】厚みの薄いプリント配線板の製造方法の提供。【解決手段】支持板１２上に中間体３０αが形成され、その後、中間体３０αと支持板１２は分離される。分離後、中間体３０αは支持板無しで加工される。第２の導体層２４Ｆを形成することと、下側の導体層（下側の金属箔２２Ｓ）を形成することと、上側の導体層（上側の金属箔２２Ｆ）を形成することは、めっき膜上にエッチングレジストを形成してエッチングレジスト非形成部下のめっき膜をエッチングにより除去することにより形成する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下側の金属箔が積層された支持板を準備することと、
第１面と第２面を有する下側の絶縁層を前記下側の絶縁層の第２面が前記下側の金属箔と対向するように前記支持板上に形成することと、
前記第１の絶縁層の第１面上に第１の導体層を形成することと、
第１面と第２面を有する内側の絶縁層を前記内側の絶縁層の第２面が前記下側の絶縁層と対向するように前記下側の絶縁層の第１面と前記第１の導体層上に形成することと、
前記内側の絶縁層の第１面上に第２の導体層を形成することと、
前記第１の導体層と前記第２の導体層を接続する内側のビア導体を形成することと、
第１面と第２面を有する上側の絶縁層を前記上側の絶縁層の第２面が前記内側の絶縁層と対向するように前記内側の絶縁層の第１面と前記第２の導体層上に形成することと、
前記内側の絶縁層の第１面上に上側の金属箔を積層することと、
前記支持板と前記下側の金属箔を分離することと、
前記下側の絶縁層の第２面上に下側の導体層を形成することと、
前記上側の絶縁層の第１面上に上側の導体層を形成することと、
前記第１の導体層と前記下側の導体層を接続する下側のビア導体を形成することと、
前記第１の導体層と前記上側の導体層を接続する上側のビア導体を形成することと、
前記下側の絶縁層の第２面と前記下側の導体層上に下側のビルドアップ層を形成することと、
前記上側の絶縁層の第１面と前記上側の導体層上に上側のビルドアップ層を形成することと、を含むプリント配線板の製造方法であって、
前記第２の導体層を形成することと、前記下側の導体層を形成することと、前記上側の導体層を形成することは、めっき膜上にエッチングレジストを形成してエッチングレジスト非形成部下のめっき膜をエッチングにより除去することにより形成することを含む。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記内側の絶縁層を形成することと、前記下側の絶縁層を形成することと、前記上側の絶縁層を形成することとは、樹脂を含浸させたシート状のプリプレグを加熱加圧して形成することを含む。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記支持板と前記下側の金属箔を分離することは、前記上側の金属箔を積層することと、前記上側の導体層を形成することとの間におこなう。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１の導体層を形成することは、金属箔の上にエッチングレジストを形成してエッチングレジスト非形成部下の金属箔をエッチングにより除去することにより形成する。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記下側のビルドアップ層を形成することは、前記下側の導体層に接続するビア導体を形成することを含む。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記上側のビルドアップ層を形成することは、前記上側の導体層に接続するビア導体を形成することを含む。
【請求項７】
下側の金属箔が積層された支持板を準備することと、
第１面と第２面を有する下側の絶縁層を前記下側の絶縁層の第２面が前記下側の金属箔と対向するように前記支持板上に形成することと、
前記下側の絶縁層の第１面上に第１の導体層を形成することと、
第１面と第２面を有する上側の絶縁層を前記上側の絶縁層の第２面が前記下側の絶縁層と対向するように前記下側の絶縁層の第１面と前記第１の導体層上に形成することと、
前記上側の絶縁層の第１面上に上側の金属箔を積層することと、
前記支持板と前記下側の金属箔を分離することと、
前記下側の絶縁層の第２面上に下側の導体層を形成することと、
前記上側の絶縁層の第１面上に上側の導体層を形成することと、
前記第１の導体層と前記下側の導体層を接続する下側のビア導体を形成することと、
前記第１の導体層と前記上側の導体層を接続する上側のビア導体を形成することと、
前記下側の絶縁層の第２面と前記下側の導体層上に下側のビルドアップ層を形成することと、
前記上側の絶縁層の第１面と前記上側の導体層上に上側のビルドアップ層を形成することと、を含むプリント配線板の製造方法であって、
前記下側の導体層を形成することと、前記上側の導体層を形成することは、めっき膜上にエッチングレジストを形成してエッチングレジスト非形成部下のめっき膜をエッチングにより除去することにより形成することを含む。
【請求項８】
請求項７のプリント配線板の製造方法であって、
前記下側の絶縁層を形成することと、前記上側の絶縁層を形成することとは、樹脂を含浸させたシート状のプリプレグを加熱加圧して形成することを含む。
【請求項９】
請求項７のプリント配線板の製造方法であって、
前記支持板と前記下側の金属箔を分離することは、前記上側の金属箔を積層することと、前記上側の導体層を形成することとの間におこなう。
【請求項１０】
請求項７のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１の導体層を形成することは、金属箔の上にエッチングレジストを形成してエッチングレジスト非形成部下の金属箔をエッチングにより除去することにより形成する。
【請求項１１】
請求項７のプリント配線板の製造方法であって、
前記下側のビルドアップ層を形成することは、前記下側の導体層に接続するビア導体を形成することを含む。
【請求項１２】
請求項７のプリント配線板の製造方法であって、
前記上側のビルドアップ層を形成することは、前記上側の導体層に接続するビア導体を形成することを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持板を利用するプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１は背景技術の項でプリント基板は搬送装置を用いて製造されると述べている。また、プリント基板の厚みが０．３ｍｍ以下であると、特許文献１は１７段落で半田印刷装置への投入が困難であると述べている。そのため、特許文献１では、薄い基板が特許文献１の治具で保持され装置に投入されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２３２４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の治具は、基板の外周を押さえる押さえ板を有している。そのため、特許文献１の治具で保持されている基板がエッチング装置内を搬送されると、基板上にエッチング液が溜まると考えられる。この場合、微細な回路を形成することが困難であると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、薄いプリント配線板を高い生産性で製造するためのプリント配線板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に係る発明は、下側の金属箔が積層された支持板を準備することと、第１面と第２面を有する下側の絶縁層を前記下側の絶縁層の第２面が前記下側の金属箔と対向するように前記支持板上に形成することと、前記第１の絶縁層の第１面上に第１の導体層を形成することと、第１面と第２面を有する内側の絶縁層を前記内側の絶縁層の第２面が前記下側の絶縁層と対向するように前記下側の絶縁層の第１面と前記第１の導体層上に形成することと、前記内側の絶縁層の第１面上に第２の導体層を形成することと、前記第１の導体層と前記第２の導体層を接続する内側のビア導体を形成することと、第１面と第２面を有する上側の絶縁層を前記上側の絶縁層の第２面が前記内側の絶縁層と対向するように前記内側の絶縁層の第１面と前記第２の導体層上に形成することと、前記内側の絶縁層の第１面上に上側の金属箔を積層することと、前記支持板と前記下側の金属箔を分離することと、前記下側の絶縁層の第２面上に下側の導体層を形成することと、前記上側の絶縁層の第１面上に上側の導体層を形成することと、前記第１の導体層と前記下側の導体層を接続する下側のビア導体を形成することと、前記第１の導体層と前記上側の導体層を接続する上側のビア導体を形成することと、前記下側の絶縁層の第２面と前記下側の導体層上に下側のビルドアップ層を形成することと、前記上側の絶縁層の第１面と前記上側の導体層上に上側のビルドアップ層を形成することと、を含むプリント配線板の製造方法であって、前記第２の導体層を形成することと、前記下側の導体層を形成することと、前記上側の導体層を形成することは、めっき膜上にエッチングレジストを形成してエッチングレジスト非形成部下のめっき膜をエッチングにより除去することにより形成することを含むことを技術的特徴とする。
【０００７】
本発明の請求項７に係る発明は、下側の金属箔が積層された支持板を準備することと、第１面と第２面を有する下側の絶縁層を前記下側の絶縁層の第２面が前記下側の金属箔と対向するように前記支持板上に形成することと、前記下側の絶縁層の第１面上に第１の導体層を形成することと、第１面と第２面を有する上側の絶縁層を前記上側の絶縁層の第２面が前記下側の絶縁層と対向するように前記下側の絶縁層の第１面と前記第１の導体層上に形成することと、前記上側の絶縁層の第１面上に上側の金属箔を積層することと、前記支持板と前記下側の金属箔を分離することと、前記下側の絶縁層の第２面上に下側の導体層を形成することと、前記上側の絶縁層の第１面上に上側の導体層を形成することと、前記第１の導体層と前記下側の導体層を接続する下側のビア導体を形成することと、前記第１の導体層と前記上側の導体層を接続する上側のビア導体を形成することと、前記下側の絶縁層の第２面と前記下側の導体層上に下側のビルドアップ層を形成することと、前記上側の絶縁層の第１面と前記上側の導体層上に上側のビルドアップ層を形成することと、を含むプリント配線板の製造方法であって、前記下側の導体層を形成することと、前記上側の導体層を形成することは、めっき膜上にエッチングレジストを形成してエッチングレジスト非形成部下のめっき膜をエッチングにより除去することにより形成することを含むことを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１のプリント配線板の製造方法では、支持板と第１の金属箔を分離することで、導体層を介して積層された３つの絶縁層を第１の金属箔および第２の金属箔で挟んだ中間体が支持体から分離される。１枚の樹脂絶縁層の厚みが薄くても、搬送などで中間体の樹脂絶縁層や導体層に折れやクラックが入らない。特に、中間体は両面に金属箔が積層されるので、中間体の強度は高くなる。そのため、中間体が支持板から分離されても、中間体の反りやうねりは小さくなる。従って、支持板無で中間体が加工や搬送されても中間体はダメージを受けがたい。さらに、第２の導体層、下側の導体層、上側の導体層、内側のビア導体、下側のビア導体および上側のビア導体は、めっき膜上にエッチングレジストを形成してエッチングレジスト非形成部下のめっき膜をエッチングにより除去することにより形成されるため、銅箔を用いた製造方法であってもプリント配線板の厚みを薄くすることができる。
【０００９】
請求項３のプリント配線板の製造方法では、支持板と第１の金属箔を分離することで、導体層を介して積層された２つの絶縁層を第１の金属箔および第２の金属箔で挟んだ中間体が支持体から分離される。１枚の樹脂絶縁層の厚みが薄くても、搬送などで中間体の樹脂絶縁層や導体層に折れやクラックが入らない。特に、中間体は両面に金属箔が積層されるので、中間体の強度は高くなる。そのため、中間体が支持板から分離されても、中間体の反りやうねりは小さくなる。従って、支持板無で中間体が加工や搬送されても中間体はダメージを受けがたい。さらに、下側の導体層、上側の導体層、下側のビア導体および上側のビア導体は、めっき膜上にエッチングレジストを形成してエッチングレジスト非形成部下のめっき膜をエッチングにより除去することにより形成されるため、銅箔を用いた製造方法であってもプリント配線板の厚みを薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態のプリント配線板を示す断面図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図９】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１０】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１１】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１２】第３実施形態のプリント配線板を示す断面図。
【図１３】第３実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１４】第３実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１５】第３実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１実施形態]
第１実施形態に係るプリント配線板１０は、例えば、携帯機器のマザーボードとして採用される多層のプリント配線板であって、図１に示すように、基板面にＩＣチップ、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗等の電子部品８０，９０が実装されている。
【００１２】
以下、第１実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法について、図２〜図９を用いて詳述する。
（１）支持板１２が準備される。例えば、支持板１２は、絶縁基材１２ｚとその絶縁基材１２ｚの両面に積層されている銅箔１４とからなる銅張積層板（両面銅張積層板）である。支持板１２は第１面と第１面と反対側の第２面を有する。支持板１２の第１面および第２面の外縁１６を除く銅箔１４上に金属箔（下側の金属箔）２２Ｓがそれぞれ積層される。金属箔２２Ｓは例えば銅箔であり、厚みは３〜１２μｍ（金属箔２２Ｓを利用した最終の導体層（３４Ｓ）の厚みは５〜３５μｍ）である。外縁１６の巾は数mmである。金属箔２２Ｓはマット面（凹凸面）を有し、マット面が外縁１６の表面とほぼ面一になるように、金属箔２２Ｓが支持板１２上にそれぞれ積層される（図２（Ａ））。
【００１３】
（２）樹脂を含浸させたシート状のプリプレグが、金属箔２２Ｓのマット面および外縁１６の表面上に積層され、金属箔２３Ｓが積層される。その後、プリプレグが加熱加圧されて硬化されることで、支持板１２上に樹脂絶縁層（下側の絶縁層）２０Ｓが金属箔２２Ｓを介して形成される（図２（Ｂ））。樹脂絶縁層２０Ｓは、第１面と第１面と反対側の第２面を有する。樹脂絶縁層２０Ｓの第２面の外縁と支持板１２の外縁１６とが硬化時に接着される。プリプレグを用いて形成した樹脂絶縁層は、補強材と無機粒子の一方もしくは両方を含むように構成することができる。補強材としては、例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。ガラスクロスが好適である。無機粒子として、シリカやアルミナや水酸化物からなる粒子が挙げられる。水酸化物としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等の金属水酸化物が挙げられる。水酸化物は熱で分解されることで水が生成する。このため、水酸化物は、絶縁層を構成する材料から熱を奪うことが可能であると考えられる。すなわち、樹脂絶縁層が水酸化物を含むことで、レーザの加工性が向上すると推測される。
【００１４】
（３）金属箔２３Ｓ上に配線パターン等に応じたエッチングレジストを形成した後にエッチングレジスト非形成部分が除去されるテンティング法で、導体層（第１の導体層）２４Ｓが形成される（図２（Ｃ））。導体層２４Ｓは複数の導体回路やアライメントマークを有する。導体層２４Ｓの厚みは３〜３５μｍである。
【００１５】
（４）樹脂を含浸させたシート状のプリプレグが、マスラミネート方式等を用いて樹脂絶縁層２０Ｓの第１面及び導体層２４Ｓ上に積層され、金属箔２２Ｃが積層される。その後、プリプレグが加熱加圧されて硬化され、樹脂絶縁層２０Ｓ上に樹脂絶縁層（内側の絶縁層）２０Ｃが形成される（図２（Ｄ））。樹脂絶縁層２０Ｃは、第１面と第１面と反対側の第２面を有する。樹脂絶縁層２０Ｓの第１面と樹脂絶縁層２０Ｃの第２面とが対向している。樹脂絶縁層２０Ｃは、樹脂絶縁層２０Ｓと同様な補強材や無機粒子を含むことができる。
【００１６】
（５）金属箔２２Ｃ側からレーザが照射される。レーザは、アライメントマーク等を基準として照射することができる。金属箔２２Ｃと樹脂絶縁層２０Ｃを貫通し導体層２４Ｓに至る開口３１Ｃが樹脂絶縁層２０Ｃに形成される。（図３（Ａ））。開口３１Ｃは、樹脂絶縁層２０Ｃの第１面から導体層２４Ｓに向かってテーパー（縮径）している。
【００１７】
（６）金属箔２２Ｃ上及び開口３１Ｃの内壁上に無電解めっき膜２６が形成される（図３（Ｂ））。無電解めっき膜を形成する材料としては、銅、ニッケルなどが挙げられる。
【００１８】
（７）無電解めっき膜２６上に電解めっき膜２８が形成される。開口３１Ｃは電解めっき膜で充填される（図３（Ｃ））。
【００１９】
（８）電解めっき膜２８上に配線パターン等に応じたエッチングレジスト２９が形成される（図４（Ａ））。無電解めっき膜を形成する材料としては、銅などが挙げられる。
【００２０】
（９）エッチングレジスト非形成部分の電解めっき膜２８、無電解めっき膜２６、金属箔２２Ｃがエッチングにより除去され、エッチングレジスト２９が除去される。このようなテンティング法で、開口３１Ｃ内にビア導体（内側のビア導体）３３Ｃが形成され、樹脂絶縁層２０Ｃの第１面上に導体層（第２の導体層）２４Ｆを含めた所定のパターンが形成される。（図４（Ｂ））。
【００２１】
（１０）樹脂を含浸させたシート状のプリプレグが、樹脂絶縁層２０Ｃの第１面及びビア導体３３Ｃ上に積層され、金属箔（上側の金属箔）２２Ｆが積層される。金属箔２２Ｆの厚みは３〜１２μｍ（金属箔２２Ｆを利用した最終の導体層（３４Ｆ）の厚みは５〜３５μｍ）である。その後、プリプレグが加熱加圧されて硬化され、樹脂絶縁層２０Ｃ上に樹脂絶縁層（上側の絶縁層）２０Ｆが形成される（図４（Ｃ））。樹脂絶縁層２０Ｆは、第１面と第１面と反対側の第２面を有する。樹脂絶縁層２０Ｃの第１面と樹脂絶縁層２０Ｆの第２面とが対向している。樹脂絶縁層２０Ｆは、樹脂絶縁層２０Ｓと同様な補強材や無機粒子を含むことができる。
【００２２】
図４（Ｃ）に示される基板１００は、支持板付き中間体である。金属箔２２Ｓと樹脂絶縁層２０Ｓと導体層２４Ｓと樹脂絶縁層２０Ｃとビア導体３３Ｃと樹脂絶縁層２０Ｆと金属箔２２Ｆとからなる中間体（コア基板）が支持板１２上に形成されている。各樹脂絶縁層２０Ｓ，２０Ｃ，２０Ｆの厚みは２０〜８０μｍである。プリント配線板１０の厚みを薄くするため、各樹脂絶縁層２０Ｓ，２０Ｃ，２０Ｆの厚みは８０μｍ以下であることが好ましい。導体層の上面が凹凸を有する場合、樹脂絶縁層の厚みは凸の上端から樹脂絶縁層の上面までの距離である。
【００２３】
（１１）図５（Ａ）中のＸ１−Ｘ１線に沿って、支持板付き中間体は切断される。切断箇所は金属箔２２Ｓと外縁１６との境界より内側である。導体層が４層となる２つの中間体３０αが、支持板１２から分離される（図５（Ｂ））。中間体３０αが支持板１２から分離されても中間体３０αの反りやうねりが小さい。中間体３０αの厚みは６０〜２００μｍであることが好ましい。搬送で中間体３０αに不具合が発生しがたい。中間体３０αは両面に金属箔２２Ｓ，２２Ｆが積層されるので、支持板無で中間体３０αを加工することができる。１層の樹脂絶縁層の厚みが薄くても中間体３０αを支持板無しで加工することができる。中間体３０αの厚みは２００μｍ以下であることが好ましい。プリント配線板１０の厚みが薄くなる。更に、中間体３０αの厚みは１５０μｍ以下であることが好ましい。薄くて反りの少ないプリント配線板１０を提供することができる。
【００２４】
（１２）中間体３０αに対して金属箔２２Ｓ側からレーザが照射される。金属箔２２Ｓと樹脂絶縁層２０Ｓを貫通し導体層２４Ｓに至る開口３１Ｓが樹脂絶縁層２０Ｓに形成される。中間体３０αに対して金属箔２２Ｆ側からレーザが照射される。金属箔２２Ｆと樹脂絶縁層２０Ｆを貫通しビア導体３３Ｃに接続される導体層またはビア導体３３Ｃに至る開口３１Ｆが樹脂絶縁層２０Ｆに形成される（図６（Ａ））。開口３１Ｓは、樹脂絶縁層２０Ｓの第２面から導体層２４Ｓに向かってテーパー（縮径）している。開口３１Ｆは、樹脂絶縁層２０Ｆの第１面からビア導体３３Ｃに向かってテーパー（縮径）している。
【００２５】
（１３）金属箔２２Ｓ上及び開口３１Ｓの内壁上と金属箔２２Ｆ上及び開口３１Ｆの内壁上とに無電解めっき膜３６が形成される。無電解めっき膜３６上に電解めっき膜３８が形成される。開口３１Ｓ及び開口３１Ｆは電解めっき膜で充填される（図６（Ｂ））。
【００２６】
（１４）電解めっき膜３８上に配線パターン等に応じたエッチングレジスト３９が形成される（図６（Ｃ））。
【００２７】
（１５）エッチングレジスト非形成部分の電解めっき膜３８、無電解めっき膜３６、金属箔２２Ｓ、金属箔２２Ｆがエッチングにより除去され、エッチングレジスト３９が除去される。このようなテンティング法で、開口３１Ｓ内にビア導体（下側のビア導体）３３Ｓが形成され、開口３１Ｆ内にビア導体（上側のビア導体）３３Ｆが形成され、樹脂絶縁層２０Ｓの第２面上に導体層（下側の導体層）３４Ｓを含めた所定のパターンが形成され、樹脂絶縁層２０Ｆの第１面上に導体層（上側の導体層）３４Ｆを含めた所定のパターンが形成される（図６（Ｄ））。
【００２８】
（１６）樹脂を含浸させたシート状のプリプレグが、樹脂絶縁層２０Ｓの第２面及びビア導体３３Ｓ上に積層され、金属箔５２Ｓが積層される。樹脂を含浸させたシート状のプリプレグが、樹脂絶縁層２０Ｆの第１面及びビア導体３３Ｆ上に積層され、金属箔５２Ｆが積層される。その後、プリプレグが加熱加圧されて硬化され、樹脂絶縁層２０Ｓの第２面上に樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、樹脂絶縁層２０Ｆの第１面上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成される（図７（Ａ））。
【００２９】
（１７）上記（１２）〜（１４）と同様な工程が繰り返され、金属箔５２Ｓと樹脂絶縁層５０Ｓを貫通しビア導体３３Ｓに接続される導体層またはビア導体３３Ｓに至る開口５１Ｓが樹脂絶縁層５０Ｓに形成され、金属箔５２Ｆと樹脂絶縁層５０Ｆを貫通しビア導体３３Ｆに接続される導体層またはビア導体３３Ｆに至る開口５１Ｆが樹脂絶縁層５０Ｆに形成される。金属箔５２Ｓ上及び開口５１Ｓの内壁上と金属箔５２Ｆ上及び開口５１Ｆの内壁上とに無電解めっき膜５６が形成される。無電解めっき膜５６上に電解めっき膜５８が形成される。開口５１Ｓ及び開口５１Ｆは電解めっき膜で充填される。電解めっき膜５８上に配線パターン等に応じたエッチングレジスト５９が形成される（図７（Ｂ））。
【００３０】
（１８）エッチングレジスト非形成部分の電解めっき膜５８、無電解めっき膜５６、金属箔５２Ｓ、金属箔５２Ｆがエッチングにより除去され、エッチングレジスト５９が除去される。このようなテンティング法で開口５１Ｓ内にビア導体６０Ｓが形成され、開口５１Ｆ内にビア導体６０Ｆが形成され、樹脂絶縁層５０Ｓの第２面上に導体層５４Ｓを含めた所定のパターンが形成され、樹脂絶縁層５０Ｆの第１面上に導体層５４Ｆを含めた所定のパターンが形成される。（図７（Ｃ））。
【００３１】
（１９）上記（１６）と同様な工程が繰り返され、樹脂絶縁層５０Ｓの第２面上にプリプレグを用い形成した樹脂絶縁層１５０Ｓと金属箔１５２Ｓが積層され、樹脂絶縁層５０Ｆの第１面上にプリプレグを用い形成した樹脂絶縁層１５０Ｆと金属箔１５２Ｆが積層される（図８（Ａ））。
【００３２】
（２０）上記（１７）と同様な工程が繰り返され、ビア導体６０Ｓに接続される導体層またはビア導体６０Ｓに至る開口１５１Ｓとビア導体６０Ｆに接続される導体層またはビア導体６０Ｆに至る開口１５１Ｆとが形成される。開口１５１Ｓ，１５１Ｆの内壁上を含めて無電解めっき膜１５６が形成され、無電解めっき膜１５６上に電解めっき膜１５８が形成される。電解めっき膜１５８上に配線パターン等に応じたエッチングレジスト１５９が形成される（図８（Ｂ））。
【００３３】
（２１）エッチングレジスト非形成部分がエッチングにより除去され、エッチングレジスト１５９が除去される。このようなテンティング法で、開口１５１Ｓ内にビア導体１６０Ｓが形成され、開口１５１Ｆ内にビア導体１６０Ｆが形成され、樹脂絶縁層１５０Ｓの第２面上に導体層１５４Ｓ等のパターンが形成され、樹脂絶縁層１５０Ｆの第１面上に導体層１５４Ｆ等のパターンが形成される。（図８（Ｃ））。
【００３４】
（２２）上記（１９）〜（２１）と同様な工程が繰り返され、樹脂絶縁層１５０Ｓの第２面上にプリプレグを用い形成した樹脂絶縁層２５０Ｓと金属箔２５２Ｓが積層され、樹脂絶縁層１５０Ｆの第１面上にプリプレグを用い形成した樹脂絶縁層２５０Ｆと金属箔２５２Ｆが積層される。ビア導体１６０Ｓに接続される導体層またはビア導体１６０Ｓに至る開口２５１Ｓとビア導体１６０Ｆに接続される導体層またはビア導体１６０Ｆに至る開口２５１Ｆとが形成される。開口２５１Ｓ，２５１Ｆの内壁上を含めて無電解めっき膜２５６が形成され、無電解めっき膜２５６上に電解めっき膜２５８が形成される。電解めっき膜２５８上に配線パターン等に応じたエッチングレジストが形成される。エッチングレジスト非形成部分がエッチングにより除去され、エッチングレジストが除去される。このようなテンティング法で、開口２５１Ｓ内にビア導体２６０Ｓが形成され、開口２５１Ｆ内にビア導体２６０Ｆが形成され、樹脂絶縁層２５０Ｓの第２面上に導体層２５４Ｓ等のパターンが形成され、樹脂絶縁層２５０Ｆの第１面上に導体層２５４Ｆ等のパターンが形成される。（図９（Ａ））。
【００３５】
このようにして、中間体３０αの下側に積層される樹脂絶縁層５０Ｓ，１５０Ｓ，２５０Ｓと導体層５４Ｓ，１５４Ｓとビア導体６０Ｓ，１６０Ｓ，２６０Ｓで下側のビルドアップ層５５Ｓが形成される。また、中間体３０αの上側に積層される樹脂絶縁層５０Ｆ，１５０Ｆ，２５０Ｆと導体層５４Ｆ，１５４Ｆとビア導体６０Ｆ，１６０Ｆ，２６０Ｆで上側のビルドアップ層５５Ｆが形成される。
【００３６】
（２３）下側のビルドアップ層５５Ｓ上に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成され、上側のビルドアップ層５５Ｆ上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成される。開口７１Ｓ，７１Ｆから露出されるビア導体２６０Ｓ、２６０Ｆ等の上面がパッド７１ＳＰ、７１ＦＰとして機能する。パッド７１ＳＰ、７１ＦＰ上にニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される（図９（Ｂ））。
【００３７】
（２４）開口７１Ｓ，７１Ｆ内に半田ボールが搭載され、電子部品８０，９０がマウントされた状態でリフローが行われる。下側のビルドアップ層５５Ｓ上に半田バンプ７６Ｓが形成され、上側のビルドアップ層５５Ｆ上に半田バンプ７６Ｆが形成される。図１に示す状態のプリント配線板１０が完成する。
【００３８】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、支持板１２と金属箔２２Ｓを分離することで、導体層を介して積層された３つの絶縁層２０Ｓ，２０Ｃ，２０Ｆを金属箔２２Ｓおよび金属箔２２Ｆで挟んだ中間体３０αが支持体１２から分離される。１枚の樹脂絶縁層の厚みが薄くても、搬送などで中間体３０αの樹脂絶縁層や導体層に折れやクラックが入らない。特に、中間体３０αは両面に金属箔２２Ｓ，２２Ｆが積層されるので、中間体３０αの強度は高くなる。そのため、中間体３０αが支持板１２から分離されても、中間体３０αの反りやうねりは小さくなる。従って、支持板無で中間体３０αが加工や搬送されても中間体３０αはダメージを受けがたい。コア基板やプリント配線板１０の歩留りや接続信頼性が高くなる。また、薄いプリント配線板１０が効率よく製造される。第１実施形態の製造方法では治具を用いずビルドアップ層５５Ｓ，５５Ｆが形成される。微細な導体回路を形成することができる。第１実施形態では中間体３０αの樹脂絶縁層２０Ｓ，２０Ｃ，２０Ｆの厚みが２０〜８０μｍであって、中間体３０αの導体層２４Ｓ，２４Ｆの厚みが５〜３５μｍであることが好ましい。薄くて反りの少ないプリント配線板が得られる。
【００３９】
第１実施形態のプリント配線板１０は、断面方向で対称性に優れるため、プリント配線板１０に熱応力が加わっても反りが生じにくい。
【００４０】
第１実施形態に係るプリント配線板１０では、中間体３０αの樹脂絶縁層２０Ｓ，２０Ｃ，２０Ｆの厚みは、下側のビルドアップ層５５Ｓの樹脂絶縁層５０Ｓ，１５０Ｓ，２５０Ｓや上側のビルドアップ層５５Ｆの樹脂絶縁層５０Ｆ，１５０Ｆ，２５０Ｆの厚みより厚いことが好ましい。さらに、中間体３０αの樹脂絶縁層の厚みは２０〜８０μｍであって、下側のビルドアップ層５５Ｓの樹脂絶縁層の厚みや上側のビルドアップ層５５Ｆの樹脂絶縁層の厚みは２０〜８０μｍであることが好ましい。中間体３０αの樹脂絶縁層は補強材を有し、下側のビルドアップ層５５Ｓの樹脂絶縁層や上側のビルドアップ層５５Ｆの樹脂絶縁層は補強材を有さないことが好ましい。中間体３０αの樹脂絶縁層２０Ｓ，２０Ｃ，２０Ｆに挟まれる導体層の厚みはその他の導体層の厚みより厚いことが好ましい。中間体３０αの強度が高くなる。また、中間体３０αの導体層やビルドアップ層５５Ｓ，５５Ｆの導体層が微細な導体回路で形成される。例えば、８μｍ／８μｍ（ライン／スペース）以下の配線を持つプリント配線板１０を製造することができる。プリント配線板１０が小さくなるので、反りが小さくなる。
【００４１】
プリント配線板１０を構成する各導体層及び各ビア導体は、テンティング法を用いて形成されているので、銅箔を用いた製造方法であってもプリント配線板１０の厚みを薄くすることができる。
【００４２】
プリント配線板１０を構成する各樹脂絶縁層は、樹脂を含浸させたシート状のプリプレグを用いて形成されているので、プリント配線板１０の厚みを容易に調整することができる。
【００４３】
中間体３０αは、４層の導体層が樹脂絶縁層を介して積層されて支持板１２から分離されることで形成されることに限らず、５層よりも多い層数の導体層が樹脂絶縁層を介して積層されて支持板１２から分離されることで形成されてもよい。
【００４４】
ビルドアップ層５５Ｓ，５５Ｆは、３層の導体層が樹脂絶縁層を介して積層されて形成されることに限らず、例えば、２層の導体層が樹脂絶縁層を介して積層されて形成されてもよい。
【００４５】
銅箔１４と金属箔２２Ｓとの固定は、支持板１２の外縁１６と樹脂絶縁層２０Ｓの第２面の外縁とが接着することで行われるが、これに限らず、銅箔１４及び金属箔２２Ｓの外縁同士を超音波接合等により接合することで行われてもよい。この場合、図５（Ｂ）の工程では、接合箇所よりも内側を切断することで、中間体３０αが支持板１２から分離される。
【００４６】
[第２実施形態]
第２実施形態に係るプリント配線板１０は、上記第１実施形態と異なり、導体層が５層以上となる中間体を支持板１２から分離させることで製造される。具体的には、第２実施形態では、例えば、導体層が５層となる中間体を支持板１２から分離させてプリント配線板１０が製造される。
【００４７】
第２実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１０および図１１に示される。
（１）第１実施形態と同様に樹脂絶縁層２０Ｃ上に樹脂絶縁層２０Ｆが形成された後（図４（Ｃ））、支持板１２から分離されることなく、金属箔２２Ｆと樹脂絶縁層２０Ｆを貫通しビア導体３３Ｃに接続される導体層またはビア導体３３Ｃに至る開口３５１Ｆが樹脂絶縁層２０Ｆに形成される（図１０（Ａ））。
【００４８】
（２）金属箔２２Ｆ上及び開口３５１Ｆの内壁上に無電解めっき膜３５６が形成される。無電解めっき膜３５６上に電解めっき膜３５８が形成される。開口３５１Ｆは電解めっき膜で充填される。電解めっき膜３５８上に配線パターン等に応じたエッチングレジスト３５９が形成される（図１０（Ｂ））。
【００４９】
（３）エッチングレジスト非形成部分の電解めっき膜３５８、無電解めっき膜３５６、金属箔２２Ｆがエッチングにより除去され、エッチングレジスト３５９が除去される。このようなテンティング法で、開口３５１Ｆ内にビア導体３６０Ｆが形成され、樹脂絶縁層２０Ｆの第１面上に導体層３２４Ｆを含めた所定のパターンが形成される（図１１（Ａ））。
【００５０】
（４）樹脂を含浸させたシート状のプリプレグが、樹脂絶縁層２０Ｆの第１面及びビア導体３６０Ｆ上に積層され、金属箔３５２Ｆが積層される。その後、プリプレグが加熱加圧されて硬化され、樹脂絶縁層２０Ｆの第１面上に樹脂絶縁層３５０Ｆが形成される（図１１（Ｂ））。
【００５１】
（５）図１１（Ｂ）中のＸ２−Ｘ２線に沿って、支持板付き中間体は切断される。切断箇所は金属箔２２Ｓと外縁１６との境界より内側である。導体層が５層となる２つの中間体が、支持板１２から分離される。以降、上記第１実施形態と同様に、中間体に対して下側のビルドアップ層および上側のビルドアップが形成されてプリント配線板が完成する。
【００５２】
第２実施形態のプリント配線板の製造方法では、導体層を介して積層された４つの絶縁層を金属箔２２Ｓおよび金属箔３５２Ｆで挟んだ導体層が５層となる中間体が支持体１２から分離される。また、中間体から支持板１２が除去され、中間体からプリント配線板が製造されている。従って、第２実施形態は第１実施形態と同様に、中間体は両面に金属箔２２Ｓ，３５２Ｆが積層されるので、中間体は強度を有する。従って、中間体は支持板無で加工される。第２実施形態は第１実施形態と同様な効果を有する。
【００５３】
[第３実施形態]
第３実施形態に係るプリント配線板１０は、上記第１実施形態と同様に、携帯機器のマザーボード等として採用される多層のプリント配線板であって、図１２に示すように、基板面にＩＣチップ等の電子部品８０，９０が実装されている。
【００５４】
以下、第３実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法について、図１３〜図１５を用いて詳述する。
（１）第１実施形態と同様に金属箔２２Ｓが両面に積層された支持板１２が準備され、金属箔２２Ｓ上にプリプレグを用い形成した樹脂絶縁層２０Ｓと金属箔が積層される。金属箔上に配線パターン等に応じたエッチングレジストを形成した後にエッチングレジスト非形成部分が除去されるテンティング法で、導体層２４Ｓが形成される（図１３（Ａ））。
【００５５】
（２）樹脂を含浸させたシート状のプリプレグが、樹脂絶縁層２０Ｓの第１面及び導体層２４Ｓ上に積層され、金属箔２２Ｆが積層される。その後、プリプレグが加熱加圧されて硬化され、樹脂絶縁層２０Ｓの第１面上に樹脂絶縁層２０Ｆが形成される（図１３（Ｂ））。
【００５６】
（３）図１３（Ｂ）中のＸ３−Ｘ３線に沿って、支持板付き中間体は切断される。切断箇所は金属箔２２Ｓと外縁１６との境界より内側である。導体層が３層となる２つの中間体３０βが、支持板１２から分離される（図１３（Ｃ））。中間体３０βが支持板１２から分離されても中間体３０βの反りやうねりが小さい。中間体３０βの厚みは１００μｍ以上であることが好ましい。搬送で中間体３０βに不具合が発生しがたい。中間体３０βは両面に金属箔２２Ｓ，２２Ｆが積層されるので、支持板無で中間体３０βを加工することができる。１層の樹脂絶縁層の厚みが薄くても中間体３０βを支持板無しで加工することができる。中間体３０βの厚みは２００μｍ以下であることが好ましい。プリント配線板１０の厚みが薄くなる。更に、中間体３０βの厚みは１５０μｍ以下であることが好ましい。薄くて反りの少ないプリント配線板１０を提供することができる。
【００５７】
（４）中間体３０βに対して金属箔２２Ｓ側からレーザが照射される。金属箔２２Ｓと樹脂絶縁層２０Ｓを貫通し導体層２４Ｓに至る開口３１Ｓが樹脂絶縁層２０Ｓに形成される。中間体３０βに対して金属箔２２Ｆ側からレーザが照射される。金属箔２２Ｆと樹脂絶縁層２０Ｆを貫通し導体層２４Ｓに至る開口３１Ｆが樹脂絶縁層２０Ｆに形成される（図１４（Ａ））。
【００５８】
（５）金属箔２２Ｓ上及び開口３１Ｓの内壁上と金属箔２２Ｆ上及び開口３１Ｆの内壁上とに無電解めっき膜３６が形成される（図１４（Ｂ））。
【００５９】
（６）無電解めっき膜３６上に電解めっき膜３８が形成される。開口３１Ｓ及び開口３１Ｆは電解めっき膜で充填される（図１４（Ｃ））。
【００６０】
（７）電解めっき膜３８上に配線パターン等に応じたエッチングレジスト３９が形成される（図１４（Ｄ））。
【００６１】
（８）エッチングレジスト非形成部分の電解めっき膜３８、無電解めっき膜３６、金属箔２２Ｓ、金属箔２２Ｆがエッチングにより除去され、エッチングレジスト３９が除去される。このようなテンティング法で、開口３１Ｓ内にビア導体３３Ｓが形成され、開口３１Ｆ内にビア導体３３Ｆが形成され、樹脂絶縁層２０Ｓの第２面上に導体層３４Ｓを含めた所定のパターンが形成され、樹脂絶縁層２０Ｆの第１面上に導体層３４Ｆを含めた所定のパターンが形成される（図１５（Ａ））。
【００６２】
（９）樹脂を含浸させたシート状のプリプレグが、樹脂絶縁層２０Ｓの第２面及びビア導体３３Ｓ上に積層され、金属箔５２Ｓが積層される。樹脂を含浸させたシート状のプリプレグが、樹脂絶縁層２０Ｆの第１面及びビア導体３３Ｆ上に積層され、金属箔５２Ｆが積層される。その後、プリプレグが加熱加圧されて硬化され、樹脂絶縁層２０Ｓの第２面上に樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、樹脂絶縁層２０Ｆの第１面上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成される（図１５（Ｂ））。
【００６３】
（１０）金属箔５２Ｓと樹脂絶縁層５０Ｓを貫通しビア導体３３Ｓに接続される導体層またはビア導体３３Ｓに至る開口５１Ｓが樹脂絶縁層５０Ｓに形成され、金属箔５２Ｆと樹脂絶縁層５０Ｆを貫通しビア導体３３Ｆに接続される導体層またはビア導体３３Ｆに至る開口５１Ｆが樹脂絶縁層５０Ｆに形成される（図１５（Ｃ））。
【００６４】
（１１）金属箔５２Ｓ上及び開口５１Ｓの内壁上と金属箔５２Ｆ上及び開口５１Ｆの内壁上とに無電解めっき膜５６が形成される。無電解めっき膜５６上に電解めっき膜５８が形成される。開口５１Ｓ及び開口５１Ｆは電解めっき膜で充填される。電解めっき膜５８上に配線パターン等に応じたエッチングレジスト５９が形成される（図１５（Ｄ））。
【００６５】
（１２）エッチングレジスト非形成部分の電解めっき膜５８、無電解めっき膜５６、金属箔５２Ｓ、金属箔５２Ｆがエッチングにより除去され、エッチングレジスト５９が除去される。このようなテンティング法で開口５１Ｓ内にビア導体６０Ｓが形成され、開口５１Ｆ内にビア導体６０Ｆが形成され、樹脂絶縁層５０Ｓの第２面上に導体層５４Ｓを含めた所定のパターンが形成され、樹脂絶縁層５０Ｆの第１面上に導体層５４Ｆを含めた所定のパターンが形成される。その後、第１実施形態と同様に図８および図９（Ａ）と同様な処理がなされて、中間体３０βの下側に３層の導体層が樹脂絶縁層を介して積層されてなる下側のビルドアップ層５５Ｓが形成され、中間体３０βの上側に３層の導体層が樹脂絶縁層を介して積層されてなる上側のビルドアップ層５５Ｆが形成される。その後、第１実施形態と同様に図９（Ｂ）と同様な処理がなされて、図１２に示す状態のプリント配線板１０が完成する。
【００６６】
第３実施形態のプリント配線板の製造方法では、中間体３０βが第１実施形態と同様に支持板１２上で形成される。また、中間体３０βから支持板１２が除去され、中間体３０βからプリント配線板１０が製造されている。従って、第３実施形態は第１実施形態と同様に、中間体３０βは両面に金属箔２２Ｓ，２２Ｆが積層されるので、中間体３０βは強度を有する。従って、中間体３０βは支持板無で加工される。第３実施形態は第１実施形態と同様な効果を有する。
【符号の説明】
【００６７】
１０ プリント配線板
１２ 支持板
２０Ｃ 内側の絶縁層
２０Ｆ 上側の絶縁層
２０Ｓ 下側の絶縁層
２２Ｆ 上側の金属箔
２２Ｓ 下側の金属箔
２４Ｆ 第２の導体層
２４Ｓ 第１の導体層
３０α，３０β 中間体
３３Ｃ 内側のビア導体
３３Ｆ 上側のビア導体
３３Ｓ 下側のビア導体
３４Ｆ 上側の導体層
３４Ｓ 下側の導体層
５５Ｆ 上側のビルドアップ層
５５Ｓ 下側のビルドアップ層
【図１】
2016039284.tif 000003
【図２】
2016039284.tif 000004
【図３】
2016039284.tif 000005
【図４】
2016039284.tif 000006
【図５】
2016039284.tif 000007
【図６】
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【図７】
2016039284.tif 000009
【図８】
2016039284.tif 000010
【図９】
2016039284.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2016039284.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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