(57)【要約】【課題】インクの流出が発生しにくい構造を有し、品質が安定した有機ＥＬ表示パネルを提供する。【解決手段】基板１０１と、基板１０１の上方に配置され、第１方向Ｘに間隙Ｇをおいて並ぶ第１下部電極１１１及び第２下部電極１２１と、間隙Ｇの上方にある第１部分１０５Ｆと、第１部分１０５Ｆの第１方向Ｘ両側に隣接し、第１下部電極１１１の上方又は第２下部電極１２１の上方にある第２部分１０５Ｓと、を有し、下部電極１１１、１２１の各上方の間を仕切る形状であって、電気絶縁性材料からなる隔壁１０５と、下部電極１１１、１２１の各上方にそれぞれ配置された有機発光層１１３、１２３と、有機発光層１１３、１２３の上方に配置された上部電極１０７と、を備え、第１部分１０５Ｆの底面１０５ＦＢの少なくとも一部が、第２部分１０５Ｓの底面１０５ＳＢよりも高い位置にある有機ＥＬ表示パネル１０。【選択図】図４
2016110943.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に配置され、前記基板の上面に沿った第１方向に間隙をおいて並ぶ第１下部電極及び第２下部電極と、
前記間隙の上方にある第１部分と、前記第１部分の前記第１方向両側に隣接し、前記第１下部電極の上方又は前記第２下部電極の上方にある第２部分と、を有し、前記第１下部電極の上方と前記第２下部電極の上方との間を仕切る形状であって、電気絶縁性材料からなる隔壁と、
前記隔壁に仕切られた前記第１下部電極の上方、前記第２下部電極の上方にそれぞれ配置された第１有機発光層、第２有機発光層と、
前記第１有機発光層及び前記第２有機発光層の上方に配置された上部電極と、
を備え、
前記第１部分の底面の少なくとも一部が、前記第２部分の底面よりも高い位置にある、
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記第１部分の前記第１方向中央部における底面が、前記第２部分の底面よりも高い位置にある、
請求項１の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
さらに、電気絶縁性材料からなり、前記基板と、前記第１部分との間に、前記第１下部電極の膜厚及び前記第２下部電極の膜厚よりも大きい膜厚を有する凸状層を備える、
請求項１の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
さらに、樹脂材料からなり、前記基板の上方に配置され、上面が前記基板の上面に沿った形状の層間絶縁層を備え、
前記凸状層が、前記樹脂材料からなり、
前記第１下部電極、前記第２下部電極及び前記凸状層が、前記層間絶縁層上に配置されている、
請求項３の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
さらに、樹脂材料からなり、前記基板及び前記凸状層の上方に配置され、上面が前記基板の上面及び前記凸状層の上面に沿った形状の層間絶縁層を備え、
前記凸状層が、前記樹脂材料からなり、
前記第１下部電極、前記第２下部電極が、前記層間絶縁層上に配置されている、
請求項３の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
さらに、樹脂材料からなり、前記基板の上方において、前記基板の上面に沿って配置された層間絶縁層を備え、
前記層間絶縁層が、前記基板の上面に沿った形状の上面を有し、前記第１下部電極及び前記第２下部電極を配置する平坦部と、前記間隙に対応する前記平坦部上において、前記第１下部電極の上面及び前記第２下部電極の上面よりも上方に突出する凸状部と、を有する、
請求項１の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記基板の上面に沿って前記第１方向と交差する第２方向において、前記第１下部電極、前記第２下部電極が、それぞれ複数並ぶことにより、第１下部電極列、第２下部電極列が構成され、
前記第１有機発光層、前記第２有機発光層が、それぞれ前記第１下部電極列、前記第２下部電極列の上方において、前記第２方向に沿って延伸する形状であり、
前記隔壁が、前記第１有機発光層と前記第２有機発光層との間において、前記第２方向に沿って延伸する形状であり、
前記第２方向に渡った前記隔壁の横断面において、前記第１部分の底面の少なくとも一部が、前記第２部分の底面よりも高い位置にある、
請求項１の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
さらに、電気絶縁性材料からなり、前記基板と前記第１部分との間に配置され、前記第２方向に沿って延伸する形状の凸状層を備え、
前記凸状層の膜厚が、前記第１下部電極の膜厚及び前記第２下部電極の膜厚よりも大きい、
請求項７の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
さらに、電気絶縁性材料からなり、前記第１下部電極同士の間及び前記第２下部電極同士の間において、前記第１方向に沿って延伸する形状の画素絶縁層を備え、
前記画素絶縁層の膜厚が、前記第１下部電極の膜厚及び前記第２下部電極の膜厚よりも大きく、前記凸状層の膜厚よりも小さい、
請求項８の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記凸状層と、前記画素絶縁層と、が単一の層を構成する、
請求項９の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
前記第１有機発光層の発光色と、前記第２有機発光層の発光色と、が異なる、
請求項１の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
基板を準備し、
前記基板の上方に、前記基板の上面に沿った第１方向に間隙をおいて第１下部電極及び第２下部電極を並べて形成し、
電気絶縁性材料を用いて、前記間隙の上方にある第１部分と、前記第１部分の前記第１方向両側に隣接し、前記第１下部電極の上方又は前記第２下部電極の上方にある第２部分と、を有し、前記第１下部電極の上方と前記第２下部電極の上方との間を仕切る形状の隔壁を形成し、
湿式法を用いて、前記隔壁に仕切られた前記第１下部電極の上方、前記第２下部電極の上方に第１有機発光層、第２有機発光層をそれぞれ形成し、
前記第１有機発光層及び前記第２有機発光層の上方に上部電極を形成する、
有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する、
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する前に、
樹脂材料を用いて、前記基板の上方において、前記基板の上面に沿った形状の上面を有する層間絶縁層を形成し、
前記樹脂材料を用いて、前記層間絶縁層上において、前記基板の上面に沿って前記第１方向と交差する第２方向に延伸する形状の凸状層を形成し、
前記第１下部電極、前記第２下部電極を、前記凸状層の前記第１方向一方側、他方側にそれぞれ隣接する層間絶縁層上に、前記凸状層よりも小さい膜厚で形成することにより、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する、
請求項１２の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する前に、
樹脂材料を用いて、前記基板の上方において、前記基板の上面に沿って前記第１方向と交差する第２方向に延伸する形状の凸状層を形成し、
前記樹脂材料を用いて、前記基板及び前記凸状層の上方において、前記基板の上面及び前記凸状層の上面に沿った形状の上面を有する層間絶縁層を形成し、
前記第１下部電極、前記第２下部電極を、前記凸状層の前記第１方向一方側、他方側にそれぞれ隣接する層間絶縁層上に、前記凸状層よりも小さい膜厚で形成することにより、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する、
請求項１２の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する前に、
前記基板の上方において、上面が前記基板の上面に沿った形状となるように樹脂材料を塗布し、
ハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ法により、前記樹脂材料の一部の膜厚を小さくすることで、前記基板の上面に沿った形状の上面を有する平坦部と、前記平坦部上において上方に突出する凸状部と、を有する層間絶縁層を形成し、
前記第１下部電極、前記第２下部電極を、前記凸状部の前記第１方向一方側、他方側にそれぞれ隣接する平坦部上に、前記凸状部よりも小さい膜厚で形成することにより、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する、
請求項１２の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する前に、
前記基板の上方において、上面が前記基板の上面に沿った形状となるように樹脂材料を塗布し、
ドライエッチング法を用いたフォトリソグラフィ法により、前記樹脂材料の一部の膜厚を小さくすることで、前記基板の上面に沿った形状の上面を有する平坦部と、前記平坦部上において上方に突出する凸状部と、を有する層間絶縁層を形成し、
前記第１下部電極、前記第２下部電極を、前記凸状部の前記第１方向一方側、他方側にそれぞれ隣接する平坦部上に、前記凸状部よりも小さい膜厚で形成することにより、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する、
請求項１２の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１７】
前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する際に、前記基板の上面に沿って前記第１方向と交差する第２方向に、前記第１下部電極、前記第２下部電極を複数並べることにより、第１下部電極列、第２下部電極列を形成し、
前記隔壁を、前記間隙の上方において前記第２方向に沿って延伸する形状に形成し、
前記第１有機発光層、前記第２有機発光層を、それぞれ前記第１下部電極列、前記第２下部電極列の上方において前記第２方向に沿って延伸する形状に形成し、
前記第２方向に渡った前記隔壁の横断面において、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する、
請求項１２の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１８】
前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する前に、電気絶縁性材料を用いて、前記基板の上方において、前記第２方向に沿って延伸する形状の凸状層を形成し、
前記第１下部電極、前記第２下部電極を、前記凸状層の前記第１方向一方側、他方側にそれぞれ隣接する位置に、前記凸状層よりも小さい膜厚で形成することにより、前記第２方向に渡った前記隔壁の横断面において、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する、
請求項１７の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１９】
前記隔壁を形成する前に、
前記第１下部電極列及び前記第２下部電極列を形成した前記基板の上面に沿って、前記第１下部電極及び前記第２下部電極よりも大きい膜厚で樹脂材料を塗布し、
ハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ法により、前記第１下部電極の上方及び前記第２下部電極の上方の前記樹脂材料を除去するとともに、前記樹脂材料の一部の膜厚を小さくすることで、前記第１下部電極列と前記第２下部電極列との間において、前記第２方向に延伸する形状であって、前記第１下部電極の膜厚及び前記第２下部電極の膜厚よりも膜厚が大きい凸状層と、前記第１下部電極同士の間及び前記第２下部電極同士の間において、前記第１方向に延伸する形状であって、前記第１下部電極の膜厚及び前記第２下部電極の膜厚よりも膜厚が大きく、前記凸状層よりも膜厚が小さい画素絶縁層と、を形成することにより、前記第２方向に渡った前記隔壁の横断面において、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する、
請求項１７の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示パネルの製造方法及びその製造方法に関し、特に、隔壁の形成技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：電界発光）素子の発光を利用した有機ＥＬ表示パネルの実用化が進められている。有機ＥＬ表示パネルでは、支持材である基板の上面に沿った方向に複数の有機ＥＬ素子が配列されており、各有機ＥＬ素子の発光により画像を表示する。有機ＥＬ素子は、基板の上方に、下部電極と、有機発光材料を含む有機発光層と、上部電極と、をこの順に備え、下部電極及び上部電極から供給された正孔及び電子が有機発光層で再結合することにより有機発光材料が発光する。
【０００３】
有機発光層の形成方法のうち、有機発光材料が有機溶媒に溶解した溶液（以下、「インク」とする。）の塗布、乾燥により有機発光層を形成する湿式法は、有機発光層の形成精度、材料利用率などの点において優れた技術である。湿式法では、塗布されたインクの不要な濡れ広がりによる有機発光層の形成精度の低下を抑制するため、インクの塗布領域を仕切る形状の隔壁を用いる。
【０００４】
隔壁は電気絶縁性材料からなり、通常、当該電気絶縁性材料には樹脂材料が用いられる。樹脂材料からなる隔壁の形成方法としては、樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフィ法などによりパターニングした後に、焼成（ポストベーク）する方法が一般的である（例えば、特許文献１、２、３参照）。上記焼成により、隔壁の下地層との密着性を向上させるとともに、隔壁の有機溶媒耐性を向上させることができ、隔壁に対する現像液やインクの浸食を抑制できる（例えば、特許文献１、２参照）。また、隔壁が撥液性成分を含む場合、焼成により、撥液性成分が表面側へ移動するため、隔壁表面の撥液性を向上させることができる（例えば、特許文献３参照）。
【０００５】
また、上記電気絶縁性材料には、酸化シリコンなどの無機材料を用いてもよく、この場合、隔壁は真空蒸着法やＣＶＤ法などの乾式法で形成されることが多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２８７２５１号公報
【特許文献２】特開２０１３−１９１４８３号公報
【特許文献３】特開２０１４−７５２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
表示パネルの分野では、画素の高精細化が進み、画素間隔が小さくなりつつあり、これによって、有機発光層を形成する際に、塗布されたインクが隔壁を越えて濡れ広がるインクの流出が発生しやすくなっている。インクの流出が発生すると、有機発光層の膜厚形成精度が低下し、画素の発色・輝度むらや滅点の発生、発光寿命の低下などにより、有機ＥＬ表示パネルの品質が低下する。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、有機発光層を形成する際にインクが流出しにくい構造を有し、品質が安定した有機ＥＬ表示パネル及び当該有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上方に配置され、前記基板の上面に沿った第１方向に間隙をおいて並ぶ第１下部電極及び第２下部電極と、前記間隙の上方にある第１部分と、前記第１部分の前記第１方向両側に隣接し、前記第１下部電極の上方又は前記第２下部電極の上方にある第２部分と、を有し、前記第１下部電極の上方と前記第２下部電極の上方との間を仕切る形状であって、電気絶縁性材料からなる隔壁と、前記隔壁に仕切られた前記第１下部電極の上方、前記第２下部電極の上方にそれぞれ配置された第１有機発光層、第２有機発光層と、前記第１有機発光層及び前記第２有機発光層の上方に配置された上部電極と、を備え、前記第１部分の底面の少なくとも一部が、前記第２部分の底面よりも高い位置にある。
【発明の効果】
【００１０】
上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、隔壁の第１部分の底面の少なくとも一部が、第２部分の底面よりも高い位置にあることで、隔壁を形成する際の第１部分における隔壁上面の沈み込みが抑制される。すなわち、当該有機ＥＬ表示パネルは、有機発光層を形成する際にインクの流出が発生しにくい構造を有し、品質が安定する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示パネル１０の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。
【図３】（ａ）は図２の３Ａ−３Ａ線に沿った模式断面図であり、（ｂ）は図２の３Ｂ−３Ｂ線に沿った模式断面図である。
【図４】図３の二点鎖線部を拡大した図である。
【図５】有機ＥＬ表示パネル１０において、隔壁１０５を形成する前の状態を示す模式斜視図である。
【図６】有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示す模式断面図であって、（ａ）は層間絶縁層形成を示す図であり、（ｂ）は凸状層形成を示す図であり、（ｃ）は下部電極形成を示す図である。
【図７】有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示す模式断面図であって、（ａ）は画素絶縁層形成を示す図であり、（ｂ）は隔壁形成を示す図であり、（ｃ）は正孔輸送層形成を示す図である。
【図８】有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示す模式断面図であって、（ａ）は有機発光層形成におけるインク塗布を示す図であり、（ｂ）は有機発光層形成におけるインク乾燥を示す図であり、（ｃ）は電子輸送層及び上部電極形成を示す図である。
【図９】凸状層１０３の形成方法を示す模式断面図であって、（ａ）は樹脂材料の塗布を示す図であり、（ｂ）は露光を示す図であり、（ｃ）は現像を示す図である。
【図１０】変形例に係る層間絶縁層２０２を示す模式断面図である。
【図１１】層間絶縁層２０２の形成方法を示す模式断面図であって、（ａ）は樹脂材料の塗布を示す図であり、（ｂ）は露光を示す図であり、（ｃ）は現像を示す図である。
【図１２】層間絶縁層２０２の形成方法を示す模式断面図であって、（ａ）は樹脂材料の塗布を示す図であり、（ｂ）はドライエッチングを示す図であり、（ｃ）はレジスト剥離を示す図である。
【図１３】変形例に係る層間絶縁層３０２を示す模式断面図である。
【図１４】変形例に係る凸状層４０３を示す模式斜視図である。
【図１５】変形例に係る正孔注入層５０９を示す模式断面図である。
【図１６】有機ＥＬ表示パネルにおけるインクの流出を説明するための模式断面図であって、（ａ）はパターニング直後の樹脂材料を示す図であり、（ｂ）はインク塗布における隔壁形状の影響を示す図であり、（ｃ）はインク塗布における画素間隔の影響を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜本発明の一態様に至った経緯＞
本願の発明者（以下、「本発明者」とする。）は、湿式法で形成された有機発光層を備える有機ＥＬ表示パネルの高精細化の検討を進める中で、隔壁の形状が問題となることを発見した。この問題について、図１６を用いて説明する。図１６は有機ＥＬ表示パネルにおけるインクの流出を説明するための模式断面図である。なお、以下では、各有機ＥＬ素子が赤色、青色、緑色のいずれかに発光する副画素を構成することで、画素がフルカラーを表現する有機ＥＬ表示パネルを例として説明する。
【００１３】
図１６（ａ）、（ｂ）では、隣接する副画素が並ぶ断面を示しており、層間絶縁層９０２が配置された基板９０１の上方に、第１下部電極９１１及び第２下部電極９２１が配置され、基板９０１の上面に沿った第１方向（紙面左右方向）に間隙Ｇをおいて第１下部電極９１１及び第２下部電極９２１が並んでいる。また、図１６（ｂ）に示すように、下部電極９１１、９２１の各上方は、間隙Ｇの上方に配置された隔壁９０５によって仕切られている。なお、隔壁９０５は、アライメント精度を考慮した形成マージンを取るため、間隙Ｇの上方にある部分だけでなく、当該部分の第１方向両側に隣接し、下部電極９１１、９２１の上方にある部分を有する。
【００１４】
ここで、図１６（ａ）に示すように、隔壁９０５が樹脂材料９０５ｒからなる場合、フォトリソグラフィ法によってパターニングされた直後の樹脂材料９０５ｒの上面は、塗布時の形状を反映し、第１下部電極９１１の上方から、間隙Ｇの上方を介し、第２下部電極９２１の上方にかけて、平坦となっている。
しかし、図１６（ｂ）に示すように、本発明者は、樹脂材料９０５ｒを焼成すると、焼成後の隔壁９０５の上面は、隔壁９０５の底面の凹凸を反映した形状になることを発見した。具体的には、焼成により、樹脂材料９０５ｒの収縮が発生することで、隔壁９０５の上面が、間隙Ｇにおける隔壁９０５の底面の凹みを反映して、間隙Ｇの上方で沈み込み、凹形状となることを発見した。
【００１５】
この場合、隔壁９０５の最高点が、第１下部電極９１１及び第２下部電極９２１側に近づくため、隔壁９０５同士の間に塗布されたインク９１３ｉ、９２３ｉが、隔壁９０５の最高点を越えやすくなる。また、隔壁９０５が凹形状の場合、最高点を越えたインク９１３ｉ、９２３ｉはお互いに隔壁９０５の上面を広がって接触、結合し、容易に隔壁９０５を越えて濡れ広がる。このように、上面が凹形状の隔壁９０５では、インクの流出が発生しやすくなってしまう。
【００１６】
特に、高精細化が進む有機ＥＬ表示パネルにおいては、上記隔壁の凹形状がより問題となる。例えば、図１６（ｃ）は、同一の液面高さを有するインク９１３ｉの塗布における、画素間隔の影響を示している。具体的には、高精細化により画素間隔が狭くなることにより、図１６（ｃ）の右方の下部電極９１１ｂは、左方の下部電極９１１ａよりも幅が小さくなっている。
【００１７】
図１６（ｃ）の左方では、インク９１３ｉの液面高さに対して、隔壁９０５の間隔が十分に確保されている。つまり、インク９１３ｉの液面と、隔壁９０５の最高点とを結んだ半楕円は、高さ方向が短軸、幅方向が長軸となり、インク９１３ｉの表面張力が、図の矢印に示すように、インク９１３ｉの内側に向かう方向に発生する。したがって、図１６（ｃ）の左方では、インク９１３ｉが隔壁９０５を越えにくい。
【００１８】
一方、図１６（ｃ）の右方では、インク９１３ｉの液面高さに対して、隔壁９０５の間隔が不足している。つまり、インク９１３ｉの液面と、隔壁９０５の最高点とを結んだ半楕円は、高さ方向が長軸、幅方向が長軸となり、インク９１３ｉの表面張力が、図の矢印に示すように、インク９１３ｉの外側に向かう方向に発生する。したがって、図１６（ｃ）の右方では、インク９１３ｉが隔壁９０５の最高点を越えやすくなり、インク９１３ｉの流出が発生しやすい。
【００１９】
このように、図１６（ｃ）の左方のように、これまで隔壁９０５の上面が凹形状であっても問題とならなかったインク９１３ｉの液面高さであっても、高精細化が進むことで、図１６（ｃ）の右方のようにインクの流出が発生する可能性が高まっている。
また、隔壁９０５の上面の凹形状は、樹脂材料９０５ｒからなる隔壁９０５にのみ形成されるのではなく、無機材料からなる隔壁９０５でも形成される。これは、無機材料からなる隔壁９０５は、乾式法により形成されるため、図１６（ａ）とは異なり、パターニング（成膜）直後の時点で、隔壁９０５の上面が、底面の凹凸を反映して、間隙Ｇの上方で沈み込むためである。
【００２０】
したがって、間隙Ｇの上方にある部分と、当該部分の両側に隣接し、下部電極９１１、９２１の各上方にある部分とを有する隔壁９０５では、用いる材料が、樹脂材料でも無機材料でも、間隙Ｇの上方で、上面の沈み込みが発生し、上面が凹形状となる。
なお、インクの流出を抑制するためには、単純に膜厚を大きくし、隔壁全体を高くすることも考えられる。しかし、この方法では、間隙Ｇの上方における隔壁上面の沈み込みは回避できず、当該上面がインクの流出が発生しやすい凹形状のままであるため、インクの流出を抑制するためには、隔壁の高さを余分に大きくする必要がある。この場合、有機ＥＬ表示パネルとして薄型化が困難になる他、下部電極上面から隔壁の最高点にかけて短い距離で高低差が大きくなるため、上部電極などの上層部にクラックなどの段切れが発生しやすくなる。
【００２１】
以上のことから、本発明者は、有機ＥＬ表示パネルの高精細化をにらみ、インクの流出が発生しにくい構造、すなわち隔壁上面の沈み込みが抑制された有機ＥＬ表示パネルの実現を検討した結果、以下に説明する本発明の一態様に至った。
＜本発明の一態様の概要＞
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上方に配置され、前記基板の上面に沿った第１方向に間隙をおいて並ぶ第１下部電極及び第２下部電極と、前記間隙の上方にある第１部分と、前記第１部分の前記第１方向両側に隣接し、前記第１下部電極の上方又は前記第２下部電極の上方にある第２部分と、を有し、前記第１下部電極の上方と前記第２下部電極の上方との間を仕切る形状であって、電気絶縁性材料からなる隔壁と、前記隔壁に仕切られた前記第１下部電極の上方、前記第２下部電極の上方にそれぞれ配置された第１有機発光層、第２有機発光層と、前記第１有機発光層及び前記第２有機発光層の上方に配置された上部電極と、を備え、前記第１部分の底面の少なくとも一部が、前記第２部分の底面よりも高い位置にある。
【００２２】
上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、隔壁の第１部分の底面の少なくとも一部が、第２部分の底面よりも高い位置にあることで、隔壁を形成する際の第１部分における隔壁上面の沈み込みが抑制される。すなわち、当該有機ＥＬ表示パネルは、インクの流出が発生しにくい構造を有し、品質が安定する。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、前記第１部分の前記第１方向中央部における底面が、前記第２部分の底面よりも高い位置にある。これにより、最も上面が沈み込みやすい第１部分の第１方向中央部における底面が、第２部分の底面よりも高い位置にあることにより、隔壁上面の沈み込みをより効果的に抑制できる。
【００２３】
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、さらに、電気絶縁性材料からなり、前記基板と、前記第１部分との間に、前記第１下部電極の膜厚及び前記第２下部電極の膜厚よりも大きい膜厚を有する凸状層を備える。これにより、隔壁の下地が、第１部分の下方において、第２部分の下方よりも上方に突出する形状を有するため、凸状層上にある第１部分の底面を、第２部分の底面よりも高くすることができる。
【００２４】
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、さらに、樹脂材料からなり、前記基板の上方に配置され、上面が前記基板の上面に沿った形状の層間絶縁層を備え、前記凸状層が、前記樹脂材料からなり、前記第１下部電極、前記第２下部電極及び前記凸状層が、前記層間絶縁層上に配置されている。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、さらに、樹脂材料からなり、前記基板及び前記凸状層の上方に配置され、上面が前記基板の上面及び前記凸状層の上面に沿った形状の層間絶縁層を備え、前記凸状層が、前記樹脂材料からなり、前記第１下部電極、前記第２下部電極が、前記層間絶縁層上に配置されている。
【００２５】
上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、凸状層が、層間絶縁層と同じ樹脂材料からなり、凸状層の形成において、層間絶縁層の形成における材料、設備、技術などを流用でき、凸状層の追加による製造効率の低下を抑制することができる。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、さらに、樹脂材料からなり、前記基板の上方において、前記基板の上面に沿って配置された層間絶縁層を備え、前記層間絶縁層が、前記基板の上面に沿った形状の上面を有し、前記第１下部電極及び前記第２下部電極を配置する平坦部と、前記間隙に対応する前記平坦部上において、前記第１下部電極の上面及び前記第２下部電極の上面よりも上方に突出する凸状部と、を有する。これにより、隔壁の下地が、第１部分の下方において、第２部分の下方よりも上方に突出する形状を有するため、底面の少なくとも一部を、底面よりも高くすることができる。
【００２６】
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、前記基板の上面に沿って前記第１方向と交差する第２方向において、前記第１下部電極、前記第２下部電極が、それぞれ複数並ぶことにより、第１下部電極列、第２下部電極列が構成され、前記第１有機発光層、前記第２有機発光層が、それぞれ前記第１下部電極列、前記第２下部電極列の上方において、前記第２方向に沿って延伸する形状であり、前記隔壁が、前記第１有機発光層と前記第２有機発光層との間において、前記第２方向に沿って延伸する形状であり、前記第２方向に渡った前記隔壁の横断面において、前記第１部分の底面の少なくとも一部が、前記第２部分の底面よりも高い位置にある。
【００２７】
上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、第２方向に渡って、隔壁を形成する際の第１部分における隔壁の上面の沈み込みが抑制される。すなわち、当該有機ＥＬ表示パネルは、第２方向に渡ってインクが流出しにくい構造を有し、さらに品質が安定する。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、さらに、電気絶縁性材料からなり、前記基板と前記第１部分との間に配置され、前記第２方向に沿って延伸する形状の凸状層を備え、前記凸状層の膜厚が、前記第１下部電極の膜厚及び前記第２下部電極の膜厚よりも大きい。これにより、第２方向に渡って、隔壁の下地が、第１部分の下方において、第２部分の下方よりも上方に突出する。したがって、当該有機ＥＬ表示パネルでは、第２方向に渡った隔壁の横断面において、底面の少なくとも一部を、底面よりも高くすることができる。
【００２８】
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、さらに、電気絶縁性材料からなり、前記第１下部電極同士の間及び前記第２下部電極同士の間において、前記第１方向に沿って延伸する形状の画素絶縁層を備え、前記画素絶縁層の膜厚が、前記第１下部電極の膜厚及び前記第２下部電極の膜厚よりも大きく、前記凸状層の膜厚よりも小さい。
【００２９】
上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、画素絶縁層を備えることにより、隣接する第１下部電極間、第２下部電極間の電気絶縁性を向上しつつ、第１有機発光層、第２有機発光層の段切れ抑制、第１下部電極、第２下部電極と上部電極との間の電気絶縁性の向上などを図ることができる。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、前記凸状層と、前記画素絶縁層と、が単一の層を構成する。これにより、凸状層を、画素絶縁層と同時に形成でき、凸状層の追加による製造効率の低下を抑制することができる。
【００３０】
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、前記第１有機発光層の発光色と、前記第２有機発光層の発光色と、が異なる。これにより、膜厚形成精度の低下だけでなく、異なる有機発光材料を含むインクの混合（混色）の発生も抑制でき、画素の発色不良などの有機ＥＬ表示パネルの品質低下も抑制できる。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備し、前記基板の上方に、前記基板の上面に沿った第１方向に間隙をおいて第１下部電極及び第２下部電極を並べて形成し、電気絶縁性材料を用いて、前記間隙の上方にある第１部分と、前記第１部分の前記第１方向両側に隣接し、前記第１下部電極の上方又は前記第２下部電極の上方にある第２部分と、を有し、前記第１下部電極の上方と前記第２下部電極の上方との間を仕切る形状の隔壁を形成し、湿式法を用いて、前記隔壁に仕切られた前記第１下部電極の上方、前記第２下部電極の上方に第１有機発光層、第２有機発光層をそれぞれ形成し、前記第１有機発光層及び前記第２有機発光層の上方に上部電極を形成する、有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する。
【００３１】
上記製造方法では、隔壁を形成する際の第１部分における隔壁上面の沈み込みが抑制され、有機発光層を形成する際のインクの流出が発生しにくい。したがって、製造した有機ＥＬ表示パネルの品質が安定する。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記態様において、前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する前に、樹脂材料を用いて、前記基板の上方において、前記基板の上面に沿った形状の上面を有する層間絶縁層を形成し、前記樹脂材料を用いて、前記層間絶縁層上において、前記基板の上面に沿って前記第１方向と交差する第２方向に延伸する形状の凸状層を形成し、前記第１下部電極、前記第２下部電極を、前記凸状層の前記第１方向一方側、他方側にそれぞれ隣接する層間絶縁層上に、前記凸状層よりも小さい膜厚で形成することにより、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する。
【００３２】
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記態様において、前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する前に、樹脂材料を用いて、前記基板の上方において、前記基板の上面に沿って前記第１方向と交差する第２方向に延伸する形状の凸状層を形成し、前記樹脂材料を用いて、前記基板及び前記凸状層の上方において、前記基板の上面及び前記凸状層の上面に沿った形状の上面を有する層間絶縁層を形成し、前記第１下部電極、前記第２下部電極を、前記凸状層の前記第１方向一方側、他方側にそれぞれ隣接する層間絶縁層上に、前記凸状層よりも小さい膜厚で形成することにより、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する。
【００３３】
上記製造方法では、凸状層上にある第１部分の底面を、第２部分の底面よりも高くすることができる。また、凸状層を、層間絶縁層と同じ樹脂材料を用いて形成するため、凸状層の形成において、層間絶縁層の形成における材料、設備、技術などを流用でき、凸状層の追加による製造効率の低下を抑制することができる。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記態様において、前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する前に、前記基板の上方において、上面が前記基板の上面に沿った形状となるように樹脂材料を塗布し、ハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ法により、前記樹脂材料の一部の膜厚を小さくすることで、前記基板の上面に沿った形状の上面を有する平坦部と、前記平坦部上において上方に突出する凸状部と、を有する層間絶縁層を形成し、前記第１下部電極、前記第２下部電極を、前記凸状部の前記第１方向一方側、他方側にそれぞれ隣接する平坦部上に、前記凸状部よりも小さい膜厚で形成することにより、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する。
【００３４】
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記態様において、前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する前に、前記基板の上方において、上面が前記基板の上面に沿った形状となるように樹脂材料を塗布し、ドライエッチング法を用いたフォトリソグラフィ法により、前記樹脂材料の一部の膜厚を小さくすることで、前記基板の上面に沿った形状の上面を有する平坦部と、前記平坦部上において上方に突出する凸状部と、を有する層間絶縁層を形成し、前記第１下部電極、前記第２下部電極を、前記凸状部の前記第１方向一方側、他方側にそれぞれ隣接する平坦部上に、前記凸状部よりも小さい膜厚で形成することにより、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する。
【００３５】
上記製造方法では、凸状部上にある第１部分の底面を、第２部分の底面よりも高くすることができる。また、凸状層を、層間絶縁層と同じ工程で形成するため、凸状層の形成において、層間絶縁層の形成における材料、設備、技術などを流用でき、凸状層の追加による製造効率の低下を抑制することができる。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記態様において、前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する際に、前記基板の上面に沿って前記第１方向と交差する第２方向に、前記第１下部電極、前記第２下部電極を複数並べることにより、第１下部電極列、第２下部電極列を形成し、前記隔壁を、前記間隙の上方において前記第２方向に沿って延伸する形状に形成し、前記第１有機発光層、前記第２有機発光層を、それぞれ前記第１下部電極列、前記第２下部電極列の上方において前記第２方向に沿って延伸する形状に形成し、前記第２方向に渡った前記隔壁の横断面において、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する。
【００３６】
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記態様において、前記第１下部電極及び前記第２下部電極を形成する前に、電気絶縁性材料を用いて、前記基板の上方において、前記第２方向に沿って延伸する形状の凸状層を形成し、前記第１下部電極、前記第２下部電極を、前記凸状層の前記第１方向一方側、他方側にそれぞれ隣接する位置に、前記凸状層よりも小さい膜厚で形成することにより、前記第２方向に渡った前記隔壁の横断面において、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する。
【００３７】
上記製造方法では、第２方向に渡って、隔壁を形成する際の第１部分における隔壁の上面の沈み込みが抑制され、有機発光層を形成する際、第２方向に渡ってインクの流出が発生しにくい。したがって、製造した有機ＥＬ表示パネルの品質がさらに安定する。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記態様において、前記隔壁を形成する前に、前記第１下部電極列及び前記第２下部電極列を形成した前記基板の上面に沿って、前記第１下部電極及び前記第２下部電極よりも大きい膜厚で樹脂材料を塗布し、ハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ法により、前記第１下部電極の上方及び前記第２下部電極の上方の前記樹脂材料を除去するとともに、前記樹脂材料の一部の膜厚を小さくすることで、前記第１下部電極列と前記第２下部電極列との間において、前記第２方向に延伸する形状であって、前記第１下部電極の膜厚及び前記第２下部電極の膜厚よりも膜厚が大きい凸状層と、前記第１下部電極同士の間及び前記第２下部電極同士の間において、前記第１方向に延伸する形状であって、前記第１下部電極の膜厚及び前記第２下部電極の膜厚よりも膜厚が大きく、前記凸状層よりも膜厚が小さい画素絶縁層と、を形成することにより、前記第２方向に渡った前記隔壁の横断面において、前記第１部分の底面の少なくとも一部を、前記第２部分の底面よりも高い位置に形成する。
【００３８】
上記製造方法では、画素絶縁層を形成することにより、隣接する第１下部電極間、第２下部電極間の電気絶縁性を向上しつつ、第１有機発光層、第２有機発光層の段切れ抑制、第１下部電極、第２下部電極と上部電極との間の電気絶縁性の向上などを図ることができる。また、上記製造方法では、凸状層を、画素絶縁層と同時に形成でき、凸状層の追加による製造効率の低下を抑制することができる。
【００３９】
なお、本願において「上」とは、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、有機ＥＬ表示パネルの積層構造における積層順を基に、相対的な位置関係により規定されるものである。具体的には、有機ＥＬ表示パネルにおいて、基板の主面に垂直な方向であって、基板から積層物側に向かう側を上方向とする。また、例えば「基板上」と表現した場合は、基板に直接接する領域のみを指すのではなく、積層物を介した基板の上方の領域も含めるものとする。また、例えば「基板の上方」と表現した場合、基板と間隔を空けた上方領域のみを指すのではなく、基板上の領域も含めるものとする。
【００４０】
＜実施の形態＞
以下では、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルについて、図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的なものを含んでおり、各部材の縮尺や縦横の比率などが実際とは異なる場合がある。
１．有機ＥＬ表示装置１の全体構成
図１は、有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。有機ＥＬ表示装置１は、例えば、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、業務用ディスプレイ（電子看板、商業施設用大型スクリーン）などに用いられる表示装置である。有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに電気的に接続された駆動制御部２０とを備える。
【００４１】
有機ＥＬ表示パネル１０（以下、「パネル１０」とする。）は、例えば上面が長方形状の画像表示面であるトップエミッション型の表示パネルである。パネル１０では、画像表示面に沿って複数の有機ＥＬ素子（不図示）が配列され、各有機ＥＬ素子の発光を組み合わせて画像を表示する。なお、パネル１０は、一例として、アクティブマトリクス方式を採用している。
【００４２】
駆動制御部２０は、パネル１０に接続された駆動回路２１と、計算機などの外部装置又はアンテナなどの受信装置に接続された制御回路２２とを有する。駆動回路２１は、各有機ＥＬ素子に電力を供給する電源回路、各有機ＥＬ素子への供給電力を制御する電圧信号を印加する信号回路、一定の間隔ごとに電圧信号を印加する箇所を切り替える走査回路などを有する。制御回路２２は、外部装置や受信装置から入力された画像情報を含むデータに応じて、駆動回路２１の動作を制御する。
【００４３】
なお、図１では、一例として、駆動回路２１がパネル１０の周囲に４つ配置されているが、駆動制御部２０の構成はこれに限定されるものではなく、駆動回路２１の数や位置は適宜変更可能である。また、以下では説明のため、図１に示すように、パネル１０上面の長辺に沿った方向をＸ方向、パネル１０上面の短辺に沿った方向をＹ方向とする。
２．パネル１０の構成
（１）平面構成
図２は、パネル１０の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。パネル１０では、一例として、赤色、緑色、青色にそれぞれ発光する副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが行列状に配列されている。副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、Ｘ方向に交互に並び、Ｘ方向に並ぶ一組の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、一つの画素Ｐを構成している。画素Ｐでは、階調制御された副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの発光輝度を組み合わせることにより、フルカラーを表現することが可能である。
【００４４】
また、Ｙ方向においては、副画素１００Ｒ、副画素１００Ｇ、副画素１００Ｂのいずれかのみが並ぶことでそれぞれ副画素列ＣＲ、副画素列ＣＧ、副画素列ＣＢが構成されている。これにより、パネル１０全体として画素Ｐが、Ｘ方向及びＹ方向に沿った行列状に並び、この行列状に並ぶ画素Ｐの発色を組み合わせることにより、画像表示面に画像が表示される。
【００４５】
副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂには、それぞれ赤色、緑色、青色に発光する有機ＥＬ素子が配置されている。副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの発光色は、有機ＥＬ素子の発光色そのものでも良いし、有機ＥＬ素子の発光色をカラーフィルタによって補正したものであってもよい。
パネル１０では、一例として、ラインバンク方式を採用している。すなわち、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢを１列ごとに仕切る形状の隔壁１０５がＸ方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、有機発光層を共有している。ただし、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ同士を絶縁する画素絶縁層１０４がＹ方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、独立して発光することが可能となっている。なお、図２では、画素絶縁層１０４及び隔壁１０５は点線で表されているが、これは、画素絶縁層１０４及び隔壁１０５が、画像表示面の表面に露出しておらず、画像表示面の内部に配置されていることを示している。
【００４６】
（２）断面構成
図３（ａ）は、図２の３Ａ−３Ａ線に沿った模式断面図であり、図３（ｂ）は、図２の３Ｂ−３Ｂ線に沿った模式断面図である。なお、図３（ａ）では、副画素１００Ｇ及び副画素１００Ｂの断面構成を中心に、図３（ｂ）では、副画素列ＣＢの断面構成を示しているが、副画素１００Ｒ及び副画素列ＣＲ、ＣＧについても、図３（ａ）、（ｂ）と同様の構成となっている。また、図３（ａ）、（ｂ）では、紙面上方向をＺ方向としている。
【００４７】
パネル１０は、基板１０１と、基板１０１の上方に配置され、基板１０１の上面に沿ったＸ方向に間隙Ｇをおいて並ぶ第１下部電極１１１及び第２下部電極１２１と、第１下部電極１１１の上方及び第２下部電極１２１の上方との間を仕切る形状の隔壁１０５と、を備える。したがって、Ｘ方向は、本実施の形態において第１方向に相当し、以下では第１方向Ｘと記載する場合がある。また、パネル１０は、隔壁１０５に仕切られた第１下部電極１１１の上方、第２下部電極１２１の上方にそれぞれ配置された第１有機発光層１１３、第２有機発光層１２３と、第１有機発光層１１３及び第２有機発光層１２３の上方に配置された上部電極１０７と、を備える。
【００４８】
ここで、図３の二点鎖線部を拡大した図４に示すように、隔壁１０５は、間隙Ｇの上方にある第１部分１０５Ｆと、第１部分１０５Ｆの第１方向Ｘ両側に隣接し、第１下部電極１１１の上方又は第２下部電極１２１の上方にある第２部分１０５Ｓと、を有する。なお、図３（ａ）及び図４に示す破線は、第１部分１０５Ｆと、第２部分１０５Ｓとの境界を示す。さらに、パネル１０では、第１部分１０５Ｆの底面１０５ＦＢの少なくとも一部が、第２部分１０５Ｓの底面１０５ＳＢよりも高い位置にある。
【００４９】
また、パネル１０は、その他の構成要素として、基板１０１と第１部分１０５Ｆとの間に、第１下部電極１１１の膜厚及び第２下部電極１２１の膜厚よりも大きい膜厚を有する凸状層１０３を備える。また、パネル１０は、基板１０１の上方に配置され、上面が基板１０１の上面に沿った形状の層間絶縁層１０２を備え、第１下部電極１１１、第２下部電極１２１及び凸状層１０３は、層間絶縁層上に配置されている。また、パネル１０は、第１下部電極１１１と第１有機発光層１１３との間、第２下部電極１２１と第２有機発光層１２３との間に、それぞれ配置された第１正孔輸送層１１２、第２正孔輸送層１２２と、第１有機発光層１１３及び第２有機発光層１２３と上部電極１０７との間に配置された電子輸送層１０６と、上部電極１０７上に配置された薄膜封止層１０８とを備える。また、パネル１０は、図２及び図３（ｂ）に示すように、第１下部電極１１１同士の間及び第２下部電極１２１同士の間において、第１方向Ｘに沿って延伸する形状の画素絶縁層１０４を備える。
【００５０】
上記において、下部電極、正孔輸送層、有機発光層における第１、第２の付番は、第１方向Ｘに隣接する電極同士及び層同士を区別するための便宜上のものである。したがって、第１、第２はそれぞれ副画素１００Ｇ、１００Ｂに一対一対応するものでなく、第１が副画素１００Ｒや１００Ｂ、第２が副画素１００Ｒや１００Ｇに対応してもよい。また、以下において、第１、第２を区別しない場合、「下部電極１１１、１２１」、「正孔輸送層１１２、１２２」、「有機発光層１１３、１２３」と記載する場合がある。
【００５１】
（３）各部の説明
ａ．基板１０１
基板１０１は、長方形平板状であって、パネル１０を支持する支持材の役割を有する。なお、図示は省略するが、基板１０１上には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層が形成されている。
【００５２】
基板１０１には、例えば、電気絶縁性を有する材料が用いられる。このような材料の具体例としては、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英ガラスなどのガラス材料や、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂などの樹脂材料、酸化アルミニウムなどの金属酸化物材料などが挙げられる。また、基板１０１は、アルミニウムやステンレスなどの金属材料の層上に、電気絶縁性を有する材料の層が積層された多層構造であってもよい。
【００５３】
なお、有機ＥＬ素子は一般に水分や酸素などと反応して劣化する場合があるため、基板１０１の水分透過度は低いことが好ましく、例えばガラス材料や金属材料などを用いることが好ましい。また、基板１０１に樹脂材料を用いる場合は、樹脂材料の層上に、例えば窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの水分透過度の低い層が積層された多層構造であることが好ましい。
【００５４】
ＴＦＴ層は、有機ＥＬ素子への電力供給を制御する電子回路が配置された層である。ＴＦＴ層では、半導体の層、導電体の層、電気絶縁体の層などが積層され、ＴＦＴ素子、コンデンサ素子、配線などの電子回路素子が構成される。また、ＴＦＴ層の最上部には、例えば、窒化シリコンや酸化アルミニウムなどの電気絶縁性及び低水分透過度を有する材料からなり、ＴＦＴ層の電子回路素子全体を覆うパッシベーション層が配置される場合がある。
【００５５】
ｂ．層間絶縁層１０２
層間絶縁層１０２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層を含む基板１０１上に配置された層であり、ＴＦＴ層の電子回路素子や、有機ＥＬ素子を電気的に絶縁する役割を有する。また、層間絶縁層１０２は、基板１０１上のＴＦＴ層による凹凸を埋める役割も有し、層間絶縁層１０２の上面は、基板１０１の上面に沿って平坦化されている。
【００５６】
層間絶縁層１０２に用いられる樹脂材料の具体例としては、電気絶縁性を有するパターニング可能な材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。
ｃ．凸状層１０３
凸状層１０３は、層間絶縁層１０２上に配置された、略四角錐台状の層である。凸状層１０３の材料としては、例えば、電気絶縁性材料を有する材料が用いられる。このような材料の具体例としては、層間絶縁層１０２の材料として例示した樹脂材料や、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機材料などが挙げられる。後述するように、層間絶縁層１０２と、凸状層１０３とが、同じ樹脂材料からなることが好ましい。
【００５７】
ここで、凸状層１０３の膜厚は、第１下部電極１１１の膜厚及び第２下部電極１２１の膜厚よりも大きい。この膜厚差により、第１下部電極１１１、第２下部電極１２１及び凸状層１０３により構成される隔壁１０５の下地が、第１部分１０５Ｆの下方において、第２部分１０５Ｓの下方よりも上方に突出する形状を有する。これにより、パネル１０では、底面１０５ＦＢの少なくとも一部を、底面１０５ＳＢよりも高くすることができる。
【００５８】
また、隔壁１０５を形成する前の状態を示す模式斜視図である図５に示すように、凸状層１０３は、基板１０１の上面に沿って第１方向Ｘと交差するＹ方向に沿って延伸する形状である。ここで、Ｙ方向は、本実施の形態において第２方向に相当し、以下では第２方向Ｙと記載する場合がある。凸状層１０３が上記Ｙ方向に沿って延伸する形状であることにより、パネル１０では、第２方向Ｙに渡って、隔壁１０５の下地が、第１部分１０５Ｆの下方において、第２部分１０５Ｓの下方よりも上方に突出する。したがって、パネル１０では、第２方向Ｙに渡った隔壁１０５の横断面において、底面１０５ＦＢの少なくとも一部を、底面１０５ＳＢよりも高くすることができる。なお、横断面とは、一方向に延伸する形状において、当該延伸方向に対して垂直となる断面を指す。
【００５９】
ｄ．画素絶縁層１０４
画素絶縁層１０４は、電気絶縁性材料からなり、図３（ｂ）に示すように、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢ内で隣接する第１下部電極１１１同士又は第２下部電極１２１同士の端部を覆い、当該下部電極１１１、１２１同士を仕切る形状の層である。具体的には、図５に示すように、画素絶縁層１０４は、下部電極１１１、１２１同士の間において、第１方向Ｘに沿って延伸する形状である。また、画素絶縁層１０４の膜厚は、第１下部電極１１１の膜厚及び第２下部電極１２１の膜厚よりも大きく、凸状層１０３の膜厚よりも小さい、これにより、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢにおける正孔輸送層１１２、１２２及び有機発光層１１３、１２３は、隔壁１０５よりも膜厚が小さい画素絶縁層１０４によっては仕切られず、正孔輸送層１１２、１２２及び有機発光層１１３、１２３を形成する際のインクの流動が妨げられない。
【００６０】
画素絶縁層１０４は、上記構造により、隣接する下部電極１１１、１２１間の電気絶縁性を向上しつつ、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢにおける正孔輸送層１１２、１２２、有機発光層１１３、１２３の段切れ抑制、下部電極１１１、１２１と上部電極１０７との間の電気絶縁性の向上などの役割を有する。
画素絶縁層１０４に用いられる電気絶縁性材料の具体例としては、凸状層１０３の材料として例示した樹脂材料や無機材料などが挙げられる。また、上層となる正孔輸送層１１２、１２２を形成する際、インクが濡れ広がりやすいように、画素絶縁層１０４の表面はインクに対する親液性を有することが好ましい。
【００６１】
ｅ．第１下部電極１１１、第２下部電極１２１
下部電極１１１、１２１は、基板１０１の上方において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙからなる行列状に配列された電極であり、有機発光層１１３、１２３に正孔を供給する陽極としての役割を有する。具体的には、下部電極１１１、１２１は、凸状層１０３の第１方向Ｘ両側に隣接する層間絶縁層１０２上に配置された複数の長方形平板状の部材である。また、各下部電極１１１、１２１は、有機ＥＬ素子の位置を規定しており、各副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂと一対一に対応する。なお、図５に示すように、パネル１０では、第２方向Ｙにおいて、第１下部電極１１１、第２下部電極１２１が、それぞれ複数並ぶことにより、第１下部電極列１１１Ｃ、第２下部電極列１２１Ｃが構成されている。以下、第１下部電極列１１１Ｃと第２下部電極列１２１Ｃを特に区別しない場合は、下部電極列１１１Ｃ、１２１Ｃと記載する場合がある。
【００６２】
なお、下部電極１１１、１２１はともに、材料が異なる二つの層を有する構成であり、下層側が金属材料からなる第１金属層１１１ａ、第２金属層１２１ａ、上層側が金属酸化物材料からなる第１酸化物層１１１ｂ、第２酸化物層１２１ｂとなっている。
第１金属層１１１ａ、第２金属層１２１ａに用いられる金属材料の具体例としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）などが挙げられる。また、当該金属材料は、複数の金属材料を組み合わせた合金材料や、金属・合金材料の積層からなる材料を用いてもよい。
【００６３】
なお、正孔を供給する観点からは、第１金属層１１１ａ、第２金属層１２１ａには仕事関数の高い材料を用いることが好ましい。また、トップエミッション型であるパネル１０では、第１金属層１１１ａ、第２金属層１２１ａは高い光反射性を有することが好ましい。
第１酸化物層１１１ｂ、第２酸化物層１２１ｂに用いられる金属酸化物材料の具体例としては、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、バナジウム（Ｖ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物などが挙げられる。このような第１酸化物層１１１ｂ、第２酸化物層１２１ｂを有することで、下部電極１１１、１２１から有機発光層１１３、１２３への正孔の供給（正孔注入）におけるエネルギー障壁が低下し、正孔注入の効率を向上する。すなわち、第１酸化物層１１１ｂ、第２酸化物層１２１ｂは、正孔注入層としての役割を有する。
【００６４】
ただし、下部電極１１１、１２１は上記構成に限られず、例えば第１金属層１１１ａ、第２金属層１２１ａのみで構成されていてもよいし、さらに異なる機能を有する層を含む構成であってもよい。例えば、第１金属層１１１ａと第１酸化物層１１１ｂとの間、第２金属層１２１ａと第２酸化物層１２１ｂとの間に、密着性向上や金属材料の酸化防止のために、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明導電性酸化物材料からなる層を配置してもよい。また、例えば、第１金属層１１１ａ、第２金属層１２１ａの下方に、ウェットエッチングによる浸食や、下層への水素の拡散などを抑制するために、酸化タングステンなどの金属酸化物材料からなるバリアメタル層を配置してもよい。
【００６５】
また、第１金属層１１１ａ、第２金属層１２１ａの代わりに、ＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物材料からなる層、黒鉛、カーボンナノチューブなどの導電性炭素材料からなる層を配置してもよい。
ｆ．第１正孔輸送層１１２、第２正孔輸送層１２２
正孔輸送層１１２、１２２は、下部電極１１１、１２１上にそれぞれ配置された層であって、下部電極１１１、１２１から供給された正孔の有機発光層１１３、１２３への輸送性を向上させる役割を有する。また、正孔輸送層１１２、１２２は、湿式法によって隔壁１０５に仕切られた領域に形成され、図３（ｂ）に示すように、下部電極列１１１Ｃ、１２１Ｃ上及び画素絶縁層１０４上において、第２方向Ｙに沿って延伸する形状である。これにより、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢ内の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、正孔輸送層１１２、１２２を共有する。なお、正孔輸送層１１２、１２２は、発光効率や駆動電圧などの最適化の観点から、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢごとに異なる膜厚となっていてもよい。
【００６６】
正孔輸送層１１２、１２２の材料としては、例えば正孔の移動度が高い有機材料が用いられる。このような材料の具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）などが挙げられる。また、正孔輸送層１１２、１２２は、上記材料と他の材料との混合層であってもよい。さらに、正孔輸送層１１２、１２２は、発光効率や駆動電圧などの最適化の観点から、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢごとに異なる材料を用いてもよい。
【００６７】
ｇ．第１有機発光層１１３、第２有機発光層１２３
有機発光層１１３、１２３は、有機発光材料を含み、正孔輸送層１１２、１２２上にそれぞれ配置された層であって、下部電極１１１、１２１及び上部電極１０７から供給された正孔及び電子の再結合による発光（電界発光現象）が行われる層である。また、有機発光層１１３、１２３は、湿式法によって隔壁１０５に仕切られた領域に形成され、図３（ｂ）に示すように、第１下部電極列１１１Ｃ、第２下部電極列１２１Ｃの上方において、第２方向Ｙに沿って延伸する形状である。これにより、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢ内の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、有機発光層１１３、１２３を共有する。ただし、有機発光層１１３、１２３は、下部電極１１１、１２１の上方にある部分ごと、すなわち副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂごとの独立発光が可能となっている。なお、有機発光層１１３、１２３は、発光効率や駆動電圧などの最適化の観点から、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢごとに異なる膜厚となっていてもよい。
【００６８】
有機発光層１１３、１２３が含む有機発光材料は、低分子材料であっても高分子材料であってもよい。有機発光材料の具体例としては、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物、アザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）などの公知の蛍光物質、燐光物質が挙げられる。
【００６９】
また、有機発光層１１３、１２３は、有機発光材料と他の材料との混合層であってもよい。なお、パネル１０では３色塗り分け方式を採用しており、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、有機発光層１１３、１２３が、それぞれ赤色、緑色、青色に発光する有機発光材料を含む。したがって、第１方向Ｘに隣接する第１有機発光層１１３と、第２有機発光層１２３とでは、互いに発光色が異なる。
【００７０】
ｈ．隔壁１０５
隔壁１０５は、下部電極１１１、１２１及び凸状層１０３を下地層とする壁状の部材であって、間隙Ｇ（凸状層１０３）ごとに配置される。隔壁１０５は、湿式法で形成された第１正孔輸送層１１２と第２正孔輸送層１２２との間及び第１有機発光層１１３と第２有機発光層１２３との間を仕切る形状であって、製造過程におけるインクの第１方向Ｘへの流出を抑制する役割を有する。また、隔壁１０５は第１方向Ｘに隣接する正孔輸送層１１２、１２２同士及び有機発光層１１３、１２３同士を電気的に絶縁する役割も有する。
【００７１】
さらに、図２に示すように、隔壁１０５は、第１方向Ｘに隣接する副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢの間、より具体的には図３（ａ）に示すように、第１有機発光層１１３と、第２有機発光層１２３との間において、第２方向Ｙに延伸する、いわゆるラインバンク形状である。
隔壁１０５には、電気絶縁性材料が用いられる。電気絶縁性材料の具体例としては、凸状層１０３の材料として例示した樹脂材料や無機材料などが挙げられる。なお、樹脂材料を用いる際は、加工性の点から感光性を有することが好ましい。当該感光性は、ネガ型、ポジ型のいずれであってもよいが、ネガ型であることが好ましい。なお、隔壁１０５は、上記電気絶縁性材料と他の材料との混合層であってもよいし、上記に例示した材料の層を複数積層した多層構造であってもよい。
【００７２】
なお、隔壁１０５は、有機溶媒や熱に対する耐性を有することが好ましい。また、インクの流出を抑制するために、隔壁１０５の表面は撥液性を有することが好ましく、例えば、隔壁１０５に撥液性を有する材料を用いるか、隔壁１０５に撥液性を付与する表面処理を行うことが好ましい。
ここで、前述の通り、パネル１０では、底面１０５ＦＢの少なくとも一部が、底面１０５ＳＢよりも高い位置にある。これにより、パネル１０では、隔壁１０５を形成する際の第１部分１０５Ｆにおける隔壁１０５の上面１０５Ｔの沈み込みが抑制される。したがって、パネル１０は、第１有機発光層１１３、第２有機発光層１２３を形成する際にインクが流出しにくい構造を有し、品質が安定する。
【００７３】
また、パネル１０では、第２方向Ｙに渡った隔壁１０５の横断面において、底面１０５ＦＢの少なくとも一部が、底面１０５ＳＢよりも高い位置にある。これにより、第２方向Ｙに渡って、隔壁１０５を形成する際の第１部分１０５Ｆにおける隔壁１０５の上面１０５Ｔの沈み込みが抑制される。よって、パネル１０は、第２方向Ｙに渡って、第１有機発光層１１３、第２有機発光層１２３を形成する際にインクが流出しにくい構造を有し、さらに品質が安定する。
【００７４】
ｉ．電子輸送層１０６
電子輸送層１０６は、有機発光層１１３、１２３上に配置された層であって、上部電極１０７から供給された電子の有機発光層１１３、１２３への輸送性を向上させる役割を有する。なお、電子輸送層１０６は、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、隔壁１０５上にも配置されることにより、各副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに渡って連続する共有層となっている。
【００７５】
電子輸送層１０６には、例えば、電子の移動度が高い有機材料が用いられる。このような材料の具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）、リンオキサイド誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、シロール誘導体、ジメシチルボロン誘導体、トリアリールボロン誘導体などが挙げられる。また、電子輸送層１０６は、上記材料と他の材料との混合層であってもよい。
【００７６】
ｊ．上部電極１０７
上部電極１０７は、有機発光層１１３、１２３の上方、具体的には、電子輸送層１０６上を覆うように配置された電極であって、有機発光層１１３、１２３に電子を供給する陰極としての役割を有する。
上部電極１０７には、例えば、導電性を有する材料が用いられる。このような材料の例としては、下部電極１１１、１２１において例示した材料が挙げられる。なお、電子を供給する観点からは、上部電極１０７には仕事関数の低い材料を用いることが好ましい。また、トップエミッション型であるパネル１０では、上部電極１０７は高い光透過率を有することが好ましい。また、下部電極１１１、１２１及び上部電極１０７の両方に光反射性を付与し、共振器構造を形成すれば、出射する光の波長選択性が向上し、各副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの発光色の色純度を向上させることができる。
【００７７】
ｋ．薄膜封止層１０８
薄膜封止層１０８は、上記の各部材が配置された基板１０１（層間絶縁層１０２）の上面全体を覆う層であり、各部材を、物理的な衝撃や外気中の水分や酸素などから保護する役割を有する。薄膜封止層１０８には、例えば、水分透過度の低い材料が用いられる。このような材料の具体例としては、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化炭素、窒化炭素、酸化アルミニウムなどの無機材料が挙げられる。また、トップエミッション型であるパネル１０では、薄膜封止層１０８に、高い光透過性を有し、上部電極１０７との屈折率の差が小さい材料を用いることが好ましい。
【００７８】
３．パネル１０の製造方法
（１）全体工程
以下に、本発明の一態様であるパネル１０の製造方法について、全体工程を説明する。図６、図７及び図８は、パネル１０の製造方法を示す模式断面図である。なお、図６、図７及び図８に示す断面は図３（ａ）に示す断面に相当するものである。
【００７９】
ａ．基板準備
最初に、基板１０１を準備する。具体的には、電気絶縁性材料を平板状に成形したものを基板１０１とする。また、この際、基板１０１上にＴＦＴ層及び必要に応じてパッシベーション層を形成する。
具体的には、例えば、まず、基板１０１上に半導体材料の層、導電体材料の層又は電気絶縁体材料の層を形成する。これらの層の形成方法には、各層の材料に応じて、例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、気相成長法などの乾式法や、印刷法、スピンコート法、インクジェット法、ディスペンス法、ダイコート法、スリットコート法などの湿式法を用いることができる。
【００８０】
この際、必要に応じてパターニングを行い、上記の層を所定の形状にする。パターニング法としては、例えば、層を形成する際、不要な箇所を覆うメタルマスクやプリントマスクを配置し、必要な箇所にのみ上記の層を形成する方法を用いることができる。また、パターニング法は、ドライエッチング法やウェットエッチング法などと組み合わせ、フォトリソグラフィ法などで、一旦上記の層を形成した後に、不要な箇所のみを除去する方法であってもよい。
【００８１】
また、必要に応じて、形成した層にプラズマ注入、イオン注入、ベーキングなどの処理を行ってもよい。
上記の層の形成を繰り返し、所定の電子回路を構成するように積層構造を形成すればＴＦＴ層を形成することができる。さらに、必要に応じて、ＴＦＴ層を形成した基板１０１上を覆うようにパッシベーション層を形成してもよい。パッシベーション層の形成には、材料に応じて、上記に例示した乾式法や湿式法などを用いることができる。また、ＴＦＴ層のＴＦＴ素子と下部電極１１１、１２１とを電気的に接続するため、パッシベーション層の所定の位置に開口（コンタクトホール）を形成する場合は、上記に例示したパターニング法などを用いることができる。
【００８２】
ｂ．層間絶縁層形成
次に、図６（ａ）に示すように、樹脂材料を用いて、基板１０１の上方において、基板１０１の上面に沿った形状の上面を有する層間絶縁層１０２を形成する。具体的には、一定の流動性を有する樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板１０１の上面に沿って、ＴＦＴ層（不図示）による基板１０１上の凹凸を埋めるように塗布する。これにより、層間絶縁層１０２の上面は、基板１０１の上面に沿って平坦化した形状となる。また、パッシベーション層と同様に、層間絶縁層１０２の所定の位置に開口（コンタクトホール）を形成する場合は、上記に例示したパターニング法などを用いることができる。
【００８３】
ｃ．凸状層形成
次に、図６（ｂ）に示すように、層間絶縁層１０２上に、電気絶縁性材料を用いて、第２方向Ｙに延伸する形状の凸状層１０３を形成する。具体的な形成方法は後述する。
ｄ．下部電極形成
次に、図６（ｃ）に示すように、基板１０１の上方に、基板１０１の上面に沿った第１方向Ｘに間隙Ｇをおいて並べて、第１下部電極１１１及び第２下部電極１２１を形成する。これは、凸状層１０３の第１方向Ｘの一方側、他方側にそれぞれ隣接する層間絶縁層１０２上に、第１下部電極１１１、第２下部電極１２１を形成すればよい。また、図５に示すように、下部電極１１１、１２１を形成する際に、第２方向Ｙに、第１下部電極１１１、第２下部電極１２１を複数並べることにより、第１下部電極列１１１Ｃ、第２下部電極列１２１Ｃを形成する。
【００８４】
具体的には、例えば、まず、スパッタリング法で凸状層１０３を含む層間絶縁層１０２上に第１金属層１１１ａ、第２金属層１２１ａの材料からなる金属薄膜を形成した後に、続けて反応性スパッタリング法で金属薄膜上に、第１酸化物層１１１ｂ、第２酸化物層１２１ｂの材料からなる金属酸化物の薄膜を形成する。この際、成膜条件を調整し、金属薄膜の膜厚と金属酸化物の薄膜の膜厚との合計が、凸状層１０３の膜厚よりも小さくなるようにする。次に、金属酸化物の薄膜上にフォトレジスト材料を塗布した後に、フォトリソグラフィ法でフォトレジスト材料をパターニングし、凸状層１０３の第１方向Ｘ両側の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応する部分にある金属酸化物の薄膜上にのみフォトレジスト材料を残す。次に、ドライエッチング法、ウェットエッチング法をこの順に続けて用い、フォトレジスト材料が配置されていない金属酸化物の薄膜、金属薄膜を連続してエッチングする。最後に、適切な洗浄液を用いて洗浄を行い、フォトレジスト材料及びエッチングなどで発生した残渣などを除去する。以上により、第１金属層１１１ａ、第２金属層１２１ａ及び第１酸化物層１１１ｂ、第２酸化物層１２１ｂを積層した第１下部電極１１１、第２下部電極１２１を所定の位置に形成でき、第１下部電極列１１１Ｃ、第２下部電極列１２１Ｃを形成することができる。
【００８５】
ここで、上記のように金属酸化物の薄膜及び金属薄膜を連続してエッチングすることで、製造プロセスを効率化することができる。また、同一のフォトレジストを用いて、両薄膜をパターニングすることにより、第１下部電極１１１及び第２下部電極１２１の形成精度が向上する。
また、第１金属層１１１ａ、第２金属層１２１ａの下方にバリアメタル層を配置する場合は、上記において、金属薄膜の形成前に金属酸化物の薄膜を形成しておき、金属薄膜をウェットエッチングした後に、さらに金属酸化物の薄膜をドライエッチングすればよい。また、下部電極１１１、１２１の形成は、金属酸化物の薄膜及び金属薄膜を連続してエッチングする方法に限定されず、第１金属層１１１ａ及び第２金属層１２１ａを形成した後に、第１酸化物層１１１ｂ、第２酸化物層１２１ｂを形成してもよい。
【００８６】
本製造方法では、第１下部電極１１１、第２下部電極１２１を、凸状層１０３よりも小さい膜厚で形成する。これにより、隔壁１０５を形成する前に、隔壁１０５の下地として、下部電極１１１、１２１と、下部電極１１１、１２１よりも膜厚が大きい凸状層１０３と、を形成できる。すなわち、隔壁１０５の下地が、間隙Ｇに対応する位置で上方に突出する形状となる。なお、下部電極１１１、１２１の膜厚及び凸状層１０３の膜厚は、パネル１０の仕様・形状などに応じて適宜定めればよいが、例えば、下部電極１１１、１２１の膜厚が２５０ｎｍの場合に、凸状層１０３の膜厚を５００ｎｍから１０００ｎｍとすることができる。
【００８７】
ｅ．画素絶縁層形成
次に、図７（ａ）に示すように、第１下部電極１１１同士の間及び第２下部電極１２１同士の間において、第１方向Ｘに延伸する形状であって、下部電極１１１、１２１の膜厚よりも大きく、凸状層１０３の膜厚よりも小さい膜厚で、画素絶縁層１０４を形成する。なお、画素絶縁層１０４は、図７（ａ）において断面を示す位置には形成されず、当該断面の紙面奥側に形成されるため、図７（ａ）では、ハッチングを付さない画素絶縁層１０４により、当該断面の紙面奥側に形成される画素絶縁層１０４の表面を示している。これは図７（ｂ）も同様である。
【００８８】
具体的な画素絶縁層１０４の形成方法としては、例えば、まず、ダイコート法により、下部電極１１１、１２１までを形成した基板１０１の上面に、樹脂材料を、下部電極１１１、１２１の膜厚よりも大きく、凸状層１０３の膜厚よりも小さい膜厚で塗布する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、第１下部電極１１１同士の間、第２下部電極１２１同士の間において、第１方向Ｘに延伸する形状に樹脂材料をパターニングすることにより、画素絶縁層１０４を形成することができる。
【００８９】
ｆ．隔壁形成
次に、図７（ｂ）に示すように、電気絶縁性材料を用いて、第１下部電極１１１の上方と第２下部電極１２１の上方との間を仕切る形状の隔壁１０５を形成する。なお、この際、図４に示すように、隔壁１０５を、間隙Ｇの上方にある第１部分１０５Ｆと、第１部分１０５Ｆの第１方向Ｘ両側に隣接し、第１下部電極１１１の上方又は第２下部電極１２１の上方にある第２部分１０５Ｓと、を有する形状に形成する。
【００９０】
具体的な隔壁１０５の形成方法としては、まず、ダイコート法により、画素絶縁層１０４までを形成した基板１０１の上面に、フッ素系化合物などの撥液性成分を含んだ樹脂材料を、凸状層１０３（凸状層１０３上の画素絶縁層１０４）の上面を覆う膜厚で塗布する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、間隙Ｇの上方と、隣接する第１下部電極１１１、第２下部電極１２１の端部同士の上方と、にある樹脂材料を残すよう、間隙Ｇの上方において第２方向Ｙに沿って延伸する形状に、樹脂材料をパターニングする。
【００９１】
さらに、パターニング後、熱風乾燥炉、ホットプレート、赤外線ランプなどにより、樹脂材料を焼成することにより、隔壁１０５を形成することができる。焼成の温度、時間などは樹脂材料に応じて適宜設定すればよいが、例えば、１５０〜２５０℃、３０〜１２０分とすることができる。焼成により、下地層との密着性が向上するとともに、膜密度が増加し、強度及び有機溶媒耐性の向上した隔壁１０５を形成することができる。また、焼成により、隔壁１０５の表面側に撥液性成分が移動し、表面における撥液性に優れた隔壁１０５を形成することができる。また、焼成により、現像後に残った残渣を除去でき、上層の形成精度、形成品質を向上させることができる。なお、焼成後の基板１０１の上面全体に紫外線を照射すれば、不要な撥液性成分を分解でき、さらに上層の形成精度、形成品質を向上させることができる。
【００９２】
ここで、本製造方法では、前述のように、隔壁１０５を形成する前に、隔壁１０５の下地を間隙Ｇに対応する位置で上方に突出する形状に形成することにより、底面１０５ＦＢの少なくとも一部を、第２部分１０５Ｓの底面１０５ＳＢよりも高い位置に形成する。これにより、本製造方法では、隔壁１０５形成の際の焼成により、収縮が発生しても第１部分１０５Ｆにおける隔壁１０５の上面の沈み込みを抑制することができる。
【００９３】
なお、隔壁１０５に無機材料を用いる場合は、例えば、酸化シリコン膜を真空蒸着法などにより成膜すればよい。この際、フォトリソグラフィ法やメタルマスクを用いて、間隙Ｇの上方と、隣接する第１下部電極１１１、第２下部電極１２１の端部同士の上方とにある樹脂材料を残すよう、間隙Ｇの上方において第２方向Ｙに沿って延伸する形状に、樹脂材料をパターニングすれば隔壁１０５を形成することができる。
【００９４】
この場合も、本製造方法では、底面１０５ＦＢの少なくとも一部を、第２部分１０５Ｓの底面１０５ＳＢよりも高い位置に形成しているため、隔壁１０５が、下地の凹凸を反映した形状となっても、第１部分１０５Ｆにおける隔壁１０５の上面の沈み込みを抑制することができる。
ｇ．正孔輸送層形成
次に、図７（ｃ）に示すように、隔壁１０５に仕切られた第１下部電極１１１上、第２下部電極１２１上のそれぞれに、第１正孔輸送層１１２、第２正孔輸送層１２２を形成する。また、この際、図３（ｂ）に示すように、正孔輸送層１１２、１２２を、下部電極列１１１Ｃ、１２１Ｃ上において第２方向Ｙに沿って延伸する形状に形成する。具体的な正孔輸送層１１２、１２２の形成方法は、後述する有機発光層１１３、１２３と同様にすればよい。
【００９５】
ｈ．有機発光層形成
次に、湿式法を用いて、隔壁１０５に仕切られた第１下部電極１１１の上方、第２下部電極１２１の上方のそれぞれに、第１有機発光層１１３、第２有機発光層１２３を形成する。また、この際、図３（ｂ）に示すように第１有機発光層１１３、第２有機発光層１２３を、それぞれ第１下部電極列１１１Ｃ、第２下部電極列１２１Ｃの上方において第２方向Ｙに沿って延伸する形状に形成する。
【００９６】
具体的には、まず図８（ａ）に示すように、例えばインクジェット法により、発光色が異なる有機発光材料を含むインク１１３ｉ、１２３ｉを、隔壁１０５に仕切られた第１正孔輸送層１１２上、第２正孔輸送層１２２上に塗布する。また、この際、インク１１３ｉ、１２３ｉは第１下部電極１１１同士の間及び第２下部電極１２１同士の間にある画素絶縁層１０４の上方においても連続するように塗布する。これにより、第２方向Ｙに沿ってインク１１３ｉ、１２３ｉが流動可能となり、インク１１３ｉ、１２３ｉの塗布むらを低減することができる。
【００９７】
ここで、前述のように、本製造方法で形成した隔壁１０５は、図４に示すように、上面の沈み込みが抑制されており、インク１１３ｉ、１２３ｉが隔壁１０５を越えて流出しにくくなっている。これにより、本製造方法では、有機発光層１１３、１２３の形成精度が向上し、パネル１０の品質が安定する。
そして、図８（ｂ）に示すように、インク１１３ｉ、１２３ｉ塗布後の基板１０１を真空チャンバーなどの真空環境に置きながら加熱することにより、インク１１３ｉ、１２３ｉ中の有機溶媒を蒸発させる。これにより、有機発光層１１３、１２３を形成できる。
【００９８】
ｉ．電子輸送層及び上部電極形成
次に、図８（ｃ）に示すように、第１有機発光層１１３及び第２有機発光層１２３の上方に、電子輸送層１０６及び上部電極１０７を形成する。具体的には、例えば電子輸送層１０６及び上部電極１０７の材料に応じた乾式法により、有機発光層１１３、１２３までを形成した基板１０１上の全面に、電子輸送層１０６及び上部電極１０７を形成する。
【００９９】
ｊ．薄膜封止層形成
最後に、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、上部電極１０７までを形成した基板１０１の上面を覆うように、薄膜封止層１０８を形成する。具体的には、反応性スパッタリング法を用いて、上部電極１０７までを形成した基板１０１の上面に渡って、無機材料の薄膜を形成すればよい。
【０１００】
上記ａ．からｊ．までの方法により、図３（ａ）、（ｂ）に示す断面構成を有するパネル１０を製造することができる。ただし、上記の方法は、あくまで例示であり、各部材の形成方法においては、他の乾式法、湿式法、パターニング法、乾燥法などを適宜用いてもよい。
（２）凸状層１０３の形成方法
以下に、凸状層１０３の形成方法の詳細を説明する。図９は、パネル１０の凸状層の形成方法を示す模式断面図である。
【０１０１】
ａ．樹脂材料塗布
まず、図９（ａ）に示すように、下部電極１１１、１２１を形成する前に、層間絶縁層１０２上に、樹脂材料１０３ｒを塗布する。具体的な塗布方法は、例えばスリットコート法などの上記に例示した湿式法を用いることができる。また、塗布後には、例えば、真空乾燥及び６０℃〜１２０℃程度の低温加熱乾燥（プリベーク）などを行って不要な溶媒を除去するとともに、樹脂材料１０３ｒを層間絶縁層１０２に定着させることが好ましい。
【０１０２】
なお、この際、樹脂材料１０３ｒは、層間絶縁層１０２に用いた樹脂材料と同じであることが好ましい。これにより、凸状層１０３の形成において、層間絶縁層１０２の形成における材料、設備、技術などを流用でき、凸状層１０３の追加による製造効率の低下を抑制することができる。
ｂ．露光
次に、図９（ｂ）に示すように、フォトマスクＰＭ１を介して樹脂材料１０３ｒを露光する。具体的には、露光機などを用いて、樹脂材料１０３ｒを塗布した基板１０１の上方にフォトマスクＰＭ１を配置し、フォトマスクＰＭ１の上方から樹脂材料１０３ｒに対して光Ｌ０を照射する。
【０１０３】
光Ｌ０には、通常ｇｈｉ混合線（４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ）を用いるが、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、エキシマレーザ、ＥＵＶ、Ｘ線などを用いてもよい。用いる光Ｌ０は、樹脂材料１０３ｒの種類及び凸状層１０３の線幅に応じて設定する。また、光Ｌ０の露光量も樹脂材料１０３ｒの種類に応じて適宜設定するが、例えば、１００ｍＪ／ｃｍ2〜５００ｍＪ／ｃｍ2とすることができる。
【０１０４】
フォトマスクＰＭ１は、光Ｌ０を遮断する遮光部ＳＨと、光Ｌ０を透過する透光部ＴＲとを有している。図９（ｂ）に示すように、例えば樹脂材料１０３ｒがポジ型の感光性を有する場合は、樹脂材料１０３ｒを残す箇所の上方を遮光部ＳＨ、除去する箇所の上方を透光部ＴＲとする。具体的には、フォトマスクＰＭ１において、第２方向Ｙに延伸する形状の遮光部ＳＨを第１方向Ｘに間隔をあけて複数配置し、遮光部ＳＨ同士の間を透光部ＴＲとすればよい。なお、この際、透光部ＴＲの下方が下部電極１１１、１２１の形成領域に対応し、遮光部ＳＨの下方が間隙Ｇとなる。
【０１０５】
フォトマスクＰＭ１を介して露光することにより、光Ｌ０は透光部ＴＲのみを通過して、透光部ＴＲの下方にある樹脂材料１０３ｒに到達する。そして、光Ｌ０によって、感光した樹脂材料１０３ｒの部分では、現像液に対する溶解性が増加する。
ｃ．現像
次に、図９（ｃ）に示すように、現像を行い、樹脂材料１０３ｒの感光領域を除去することにより、凸状層１０３を形成する。具体的な現像方法としては、例えば、露光後の基板１０１を、感光した樹脂材料１０３ｒを溶解させる有機溶媒やアルカリ液などの現像液に浸した後、純水などのリンス液で基板１０１を洗浄すればよい。これにより、層間絶縁層１０２上に、第２方向Ｙに延伸する形状の凸状層１０３を形成することができる。なお、凸状層１０３の密度向上や層間絶縁層１０２との密着性向上、残渣の除去などを目的として、現像後の凸状層１０３を焼成してもよい。具体的には、現像後の凸状層１０３を、ホットプレート、熱風乾燥炉、赤外線ランプなどで加熱すればよい。焼成温度及び焼成時間は樹脂材料１０３ｒに応じて適宜設定され、例えば、１５０〜２５０℃、３０〜１２０分とすることができる。
【０１０６】
４．備考
パネル１０では、隔壁１０５において、底面１０５ＦＢの少なくとも一部が、底面１０５ＳＢよりも高い位置にあればよい。これにより、少なくとも底面１０５ＳＢよりも高い位置にある底面１０５ＦＢの部分で、上面１０５Ｔの沈み込みを抑制できる。なお、これにより、隔壁１０５の上面１０５Ｔにおいて凹凸が減少することで、電子輸送層１０６や上部電極１０７などの上層において膜のクラックの発生を低減することもできる。
【０１０７】
また、パネル１０では、有機発光層１１３、１２３だけでなく、正孔輸送層１１２、１２２も湿式法で形成される。よって、隔壁１０５の上面１０５Ｔの沈み込みが抑制されることにより、正孔輸送層１１２、１２２の形成時においてもインクが流出しにくく、正孔輸送層１１２、１２２の形成精度が向上し、よりパネル１０の品質は安定する。
また、パネル１０では、第１部分１０５Ｆの第１方向Ｘ中央部における底面１０５ＦＢが、底面１０５ＳＢよりも高い位置にあることが好ましい。凸状層１０３が無い場合、下部電極１１１、１２１の中間となる第１方向Ｘ中央部において、隔壁１０５の上面１０５Ｔの沈み込みが最も大きくなる。よって、最も上面が沈み込みやすい第１方向Ｘ中央部における底面１０５ＦＢが、底面１０５ＳＢよりも高い位置にあることにより、上面１０５Ｔの沈み込みをより効果的に抑制できる。
【０１０８】
＜変形例＞
以上、本発明の一態様として、パネル１０及びパネル１０の製造方法の実施の形態について説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の説明に何ら限定を受けるものではない。以下では、本発明の他の態様例である変形例を説明する。なお、以下において、上記説明に記載されたものと同じものについては、同じ符号を付して説明を簡略化又は省略する。
【０１０９】
（１）層間絶縁層と凸状層の一体化
実施の形態では、層間絶縁層１０２と凸状層１０３とが異なる層であったが、層間絶縁層と凸状層とが単一の層であってもよい。図１０は、変形例に係る層間絶縁層２０２を示す模式断面図である。層間絶縁層２０２は、樹脂材料からなり、基板１０１の上方において、基板１０１の上面に沿って配置された層である。また、層間絶縁層２０２は、基板１０１の上面に沿った形状の上面を有し、下部電極１１１、１２１を配置する平坦部２０２ｂと、間隙Ｇに対応する平坦部２０２ｂ上において、下部電極１１１、１２１の各上面よりも上方に突出する凸状部２０２ａと、を有する。
【０１１０】
このとき、凸状部２０２ａを有する層間絶縁層２０２により構成される隔壁１０５の下地は、第１部分１０５Ｆの下方において、第２部分１０５Ｓの下方よりも上方に突出する形状を有する。これにより、層間絶縁層２０２を備えるパネル１０でも、底面１０５ＦＢの少なくとも一部を、底面１０５ＳＢよりも高くすることができる。
なお、層間絶縁層２０２の形成方法としては、例えば、以下のようにすることができる。図１１は層間絶縁層２０２の形成方法を示す模式断面図である。まず、図１１（ａ）に示すように、下部電極１１１、１２１を形成する前に、基板１０１上に、上面が基板１０１の上面に沿った形状となるように樹脂材料２０２ｒを塗布する。例えば、ＴＦＴ層の凹凸に対して、一桁大きいなど十分大きな膜厚で樹脂材料２０２ｒを塗布すればよい。樹脂材料２０２ｒは、樹脂材料１０３ｒと同じ材料であり、ポジ型の感光性を有する。
【０１１１】
次に、図１１（ｂ）に示すように、ハーフトーンマスクＰＭ２を用いたフォトリソグラフィ法により、樹脂材料２０２ｒの一部を半感光させる。具体的には、例えば、フォトマスクＰＭ１の透光部ＴＲを、半透光部ＨＴＲに置き換えたハーフトーンマスクＰＭ２を介して、樹脂材料２０２ｒを露光すればよい。これにより、露光時の光Ｌ０は、半透光部ＨＴＲによって減衰され、半透光部ＨＴＲの下方にある樹脂材料２０２ｒを半感光させることができる。なお、半感光させた樹脂材料２０２ｒの部分では、膜厚方向（図１１（ｂ）のＺ方向）の上方部分のみが感光して現像液に対する溶解性が増加するが、膜厚方向の下方部分は感光せず、現像液に溶解しない。
【０１１２】
次に図１１（ｃ）に示すように、半感光させた樹脂材料２０２ｒを現像する。これにより、半感光させた部分では、膜厚方向の上方部分のみが除去され、膜厚を小さくすることができる。したがって、基板１０１の上面に沿った形状の上面を有する平坦部２０２ｂと、平坦部２０２ｂ上において上方に突出する凸状部２０２ａと、を有する層間絶縁層２０２を形成することができる。
【０１１３】
また、層間絶縁層２０２の形成方法は、例えば、以下のようにしてもよい。図１２は層間絶縁層２０２の形成方法を示す模式断面図である。まず、図１２（ａ）に示すように、  下部電極１１１、１２１を形成する前に、基板１０１上に、上面が基板１０１の上面に沿った形状となるように樹脂材料２０２ｒを塗布する。
次に、図１２（ｂ）に示すように、ドライエッチング法を用いたフォトリソグラフィ法により、樹脂材料の一部の膜厚を小さくする。具体的には、まずフォトリソグラフィ法を用いて、凸状部２０２ａを形成する部分にのみ、フォトレジストＰＲを配置する。なお、この際、フォトレジストＰＲの材料は樹脂材料２０２ｒと同じくポジ型の感光性を有することが好ましく、これにより、凸状部２０２ａを形成する部分を感光させてしまう可能性を低減できる。そして、例えばプラズマ化した四フッ化炭素（ＣＦ4）と酸素との混合ガスＥＧにより、フォトレジストＰＲが配置されていない部分の樹脂材料２０２ｒの上部を除去すればよい。
【０１１４】
次に、図１１（ｃ）に示すように、剥離液などを用いてフォトレジストＰＲを基板１０１から剥離すれば、上記平坦部２０２ｂと、凸状部２０２ａと、を有する層間絶縁層２０２を形成することができる。
また、その後のパネル１０の製造方法としては、下部電極１１１、１２１を形成する際に、凸状部２０２ａの第１方向Ｘ一方側、他方側にそれぞれ隣接する平坦部２０２ｂ上に、凸状部２０２ａと平坦部２０２ｂとの膜厚差よりも小さい膜厚で、第１下部電極１１１、前記第２下部電極１２１をそれぞれ形成すればよく、以降は実施の形態と同様である。
【０１１５】
（２）層間絶縁層と凸状層の積層・形成順
実施の形態では、層間絶縁層１０２、凸状層１０３の順に形成することで、同順にこれらを積層した構成であったが、積層順、形成順は逆であってもよい。図１３は、変形例に係る層間絶縁層３０２を示す模式断面図である。本変形例では、凸状層１０３が、基板１０１と、第１部分１０５Ｆとの間において、基板１０１の直上に配置される。
【０１１６】
層間絶縁層３０２は、樹脂材料からなり、基板１０１及び凸状層１０３の上方に配置され、上面が基板１０１の上面及び凸状層１０３の上面に沿った形状となっている。また、下部電極１１１、１２１は、層間絶縁層３０２上に配置されている。
ここで、凸状層１０３の膜厚は、下部電極１１１、１２１の膜厚よりも大きいこと、層間絶縁層３０２は、基板１０１の上面及び凸状層１０３の上面に沿った形状の上面を有する。これにより、隔壁１０５の下地である層間絶縁層３０２は、第１部分１０５Ｆの下方において、第２部分１０５Ｓの下方よりも上方に突出する形状を有する。したがって、層間絶縁層３０２を備えたパネル１０であっても、底面１０５ＦＢの少なくとも一部を、底面１０５ＳＢよりも高くすることができる。
【０１１７】
なお、層間絶縁層３０２の形成方法としては、例えば、下部電極１１１、１２１を形成する前に、樹脂材料を用いて、基板１０１の上方において、第２方向Ｙに延伸する形状の凸状層１０３を形成し、凸状層１０３と同じ樹脂材料を用いて、基板１０１及び凸状層１０３の上方において、基板１０１の上面及び凸状層１０３の上面に沿った形状の上面を有する層間絶縁層３０２を形成すればよい。これは、例えば、凸状層１０３の膜厚に対して、同程度のオーダーの膜厚で層間絶縁層３０２を形成すればよい。なお、凸状層１０３の膜厚及び層間絶縁層３０２の膜厚は、パネル１０の仕様・形状などに応じて適宜定めればよいが、例えば、凸状層１０３の膜厚が０．５μｍから１μｍの場合に、層間絶縁層３０２の膜厚を３μｍから５μｍとすることができる。具体的な凸状層１０３、層間絶縁層３０２の形成方法は、前述の層間絶縁層１０２、凸状層１０３の形成方法と同様にすればよい。
【０１１８】
また、その後のパネル１０の製造方法としては、下部電極１１１、１２１を形成する際に、凸状層１０３の第１方向Ｘ一方側、他方側にそれぞれ隣接する層間絶縁層３０２上に、凸状層１０３よりも小さい膜厚で、第１下部電極１１１、第２下部電極１２１をそれぞれ形成すればよく、以降は実施の形態と同様である。
（３）凸状層と下部電極との積層・形成順
実施の形態では、凸状層１０３、下部電極１１１、１２１の順に形成することで、同順にこれらを積層した構成であったが、積層順、形成順は逆であってもよい。図１４は、変形例に係る凸状層４０３を示す模式斜視図である。なお、図１４は、図５と同じく、隔壁１０５を形成する前の状態を示しており、本変形例では、隔壁１０５以降の層については実施の形態と同じである。
【０１１９】
凸状層４０３は、凸状層１０３と同様に、電気絶縁性材料からなり、基板１０１と第１部分１０５Ｆとの間に配置され、第２方向Ｙに沿って延伸する形状であり、凸状層４０３の膜厚は、下部電極１１１、１２１の膜厚及び画素絶縁層１０４の膜厚よりも大きい。また、凸状層４０３は、画素絶縁層１０４と同一の層であり、下部電極１１１、１２１よりも後に積層され、隣接する第１下部電極１１１の端部及び第２下部電極１２１の端部を覆うように配置されている。
【０１２０】
ここで、凸状層４０３の膜厚は、下部電極１１１、１２１の膜厚よりも大きいことから  下部電極１１１、１２１及び凸状層４０３により構成される隔壁１０５の下地は、第１部分１０５Ｆの下方において、第２部分１０５Ｓの下方（下部電極１１１、１２１上）よりも上方に突出する形状を有する。したがって、凸状層４０３を備えたパネル１０であっても、底面１０５ＦＢの少なくとも一部を、底面１０５ＳＢよりも高くすることができる。
【０１２１】
なお、凸状層４０３の形成方法としては、例えば、まず、隔壁１０５を形成する前に、電気絶縁性材料を用いて、下部電極列１１１Ｃ、１２１Ｃを形成した基板１０１の上面に、下部電極１１１、１２１よりも膜厚が大きい絶縁層を形成する。次に、フォトリソグラフィ法により、下部電極１１１、１２１の上方の絶縁層を除去するとともに、第１下部電極列１１１Ｃと第２下部電極列１２１Ｃとの間において、第２方向Ｙに延伸する形状の凸状層４０３と、第１下部電極１１１同士の間及び前記第２下部電極１２１同士の間において、第１方向Ｘに延伸する形状であって、凸状層４０３よりも膜厚が小さい画素絶縁層１０４と、を形成すればよい。なお、画素絶縁層１０４の膜厚を凸状層４０３の膜厚よりも小さく形成するには、フォトリソグラフィ法において、ハーフトーンマスクを用いればよい。具体的な方法としては、図１１に示した層間絶縁層２０２の形成方法と同様にすればよい。
【０１２２】
上記のように、凸状層４０３と、画素絶縁層１０４と、が単一の層を構成することにより、凸状層４０３を、画素絶縁層１０４と同時に形成でき、凸状層４０３の追加による製造効率の低下を抑制することができる。
（４）隔壁の下地層
実施の形態では、隔壁１０５の下地層が、凸状層１０３、画素絶縁層１０４及び下部電極１１１、１２１であったが、当該下地層はこれに限られない。図１５は変形例に係る正孔注入層５０９を示す模式断面図である。本変形例では、実施の形態の第１金属層１１１ａ、第２金属層１２１ａにそれぞれ相当する第１下部電極５１１、第２下部電極５２１と、実施の形態の第１酸化物層１１１ｂ及び第２酸化物層１２１ｂの代替部材である正孔注入層５０９と、を備える。これにより、本変形例では、隔壁１０５の下地が、正孔注入層５０９となっている。
【０１２３】
正孔注入層５０９は、第１酸化物層１１１ｂ及び第２酸化物層１２１ｂと同じ材料、機能を有するが、いわゆるベタ膜となっており、凸状層１０３上、第１下部電極５１１上及び第２下部電極５２１上の全面に渡って配置されている。
また、正孔注入層５０９の膜厚は十分小さく（例えば、第１下部電極５１１、第２下部電極５２１の膜厚及び凸状層の膜厚が数百ｎｍから数μｍであるとき、正孔注入層５０９の膜厚は数十ｎｍ程度）、凸状層１０３の上面、第１下部電極５１１の上面及び第２下部電極５２１の上面により構成される凹凸を反映した形状となる。つまり、隔壁１０５の下地は、第１部分１０５Ｆの下方において、第２部分１０５Ｓの下方よりも上方に突出する形状を有する。したがって、正孔注入層５０９を備えたパネル１０であっても、底面１０５ＦＢの少なくとも一部を、底面１０５ＳＢよりも高くすることができる。
【０１２４】
また、正孔注入層５０９の形成方法としては、例えば、まず実施の形態の下部電極１１１、１２１の形成方法において、金属薄膜のみを成膜し、これをパターニングすることにより第１下部電極５１１及び第２下部電極５２１を形成する。次に、実施の形態と同様の方法で、金属酸化物の薄膜を成膜すれば、これを正孔注入層５０９とすることができる。
なお、図１５に示すように、第１下部電極５１１、第２下部電極５２１は、凸状層１０３の斜面上にも配置されていてもよい。この場合であっても、凸状層１０３によって第１下部電極５１１と、第２下部電極５２１との間の電気絶縁性は確保される。また、このような形状を許容することで、第１下部電極５１１及び第２下部電極５２１のパターニング面積の公差範囲を大きくでき、アライメント精度に余裕を持たせることができる。
【０１２５】
（５）その他
パネル１０では、第１有機発光層１１３の発光色と、第２有機発光層１２３の発光色とが異なったが、これに限られず、第１有機発光層１１３の発光色と、第２有機発光層１２３の発光色とが同じであってもよい。具体的には、例えば、色変調方式やカラーフィルタ方式の有機ＥＬ表示パネルのように、第１有機発光層、第２有機発光層を含むすべての有機発光層の発光色が白色であってもよい。また、例えば、隔壁が各下部電極の上方を１つずつ仕切る格子状の形状（ピクセルバンク）であって、同じ発光色の副画素同士の間隙（パネル１０のＹ方向に並ぶ下部電極同士の間隙）に凸状層１０３に相当する部材が配置されていてもよい。すなわち、パネル１０の図３（ｂ）のように同一発光色の副画素が並ぶ副画素列に沿った断面形状も、図３（ａ）に示す構造であってもよい。上記のように、第１有機発光層の発光色と、第２有機発光層の発光色とが同じであったとしても、その間を仕切る隔壁の第１部分における上面の沈み込みを抑制することで、インクの隔壁を越えた流出を抑制でき、有機発光層の膜厚形成精度を向上できる。
【０１２６】
なお、パネル１０のように、第１有機発光層１１３の発光色と、第２有機発光層１２３の発光色とが異なる場合は、膜厚形成精度の低下だけでなく、異なる有機発光材料を含むインクの混合（混色）の発生も抑制できる。すなわち、画素Ｐの発色不良などのパネル１０の品質低下も抑制できる。
また、図５では、画素絶縁層１０４が、凸状層１０３上にも配置されたが、これに限られず、画素絶縁層１０４が、凸状層１０３同士の間にのみ配置されていてもよい。
【０１２７】
また、パネル１０では、図２に示すように、画素絶縁層１０４の延伸方向がパネル１０の長軸（Ｘ）方向、隔壁１０５の延伸方向がパネル１０の短軸（Ｙ）方向であったが、画素絶縁層及び隔壁の延伸方向は、逆であってもよい。また、画素絶縁層及び隔壁の延伸方向は、パネル１０の形状とは無関係な方向であってもよい。さらに、画素絶縁層と隔壁とは交差する関係にあればよく、９０°以外の角度で交わってもよい。また、この場合、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢの配列方向は、隔壁の延伸方向と平行にすればよい。
【０１２８】
また、パネル１０では、第１酸化物層１１１ｂ、第２酸化物層１２１ｂ及び正孔注入層５０９の正孔注入機能を有する層の材料は、金属酸化物材料であったが、これに限られず、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの有機材料であってもよい。この場合、正孔注入層を湿式法で形成してもよい。
また、パネル１０では、正孔輸送層１１２、１２２が湿式法で形成されていたが、これに限られず、乾式法で形成されていてもよい。また、乾式法で形成する場合は、正孔注入層５０９のように、隔壁１０５を越えて連続する層であってもよい。
【０１２９】
また、パネル１０では、電子輸送層１０６及び上部電極１０７が、隔壁１０５を越えて連続する層であったが、例えば、湿式法を用いるなどにより、副画素列ＣＲ，ＣＧ、ＣＢごとに独立して配置されていてもよい。また、例えば、有機ＥＬ素子を構成する電極及び各機能層が、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂごとに独立して配置されていてもよい。
【０１３０】
また、パネル１０では、一例として画像表示面を長方形状としたが、画像表示面の形状に限定はなく、例えば、三角形、正方形、五角形などの多角形、円形、楕円形、またはこれらを組み合わせた形状であってもよい。なお、画像表示面における画像表示領域（副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの配置範囲）は、画像表示面に合わせた形状としてもよいし、異なる形状、例えば長方形状の画像表示面に対して画像表示領域が楕円形などであってもよい。さらに、基板の形状は、画像表示面の形状に対応した形状であってもよいし、画像表示面以外の面の形状が、画像表示面と異なる形状であってもよい。
【０１３１】
また、パネル１０では、下部電極１１１、１２１を長方形平板状の部材としたが、これに限られず、多角形平板状、円形平板状、楕円形平板状、これらの組み合わせなどであってもよい。また、下部電極１１１、１２１は、層間絶縁層１０２のコンタクトホールの形状に沿って凹部を有していてもよい。
また、パネル１０では、赤色、緑色、青色にそれぞれ発光する副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが配列されていたが、副画素の発光色はこれに限られず、例えば赤１色や、赤色、緑色、青色及び黄色の４色であってもよい。また、一つの画素Ｐにおいて、副画素は１色あたり１個に限られず、複数配置されてもよい。また、画素Ｐにおける副画素の配列は、図２に示すような、赤色、緑色、青色の順番に限られず、これらを入れ替えた順番であってもよい。
【０１３２】
また、パネル１０では、下部電極１１１、１２１を陽極、上部電極１０７を陰極としたが、これに限られず、下部電極を陰極、上部電極を陽極とする逆構造であってもよい。この場合、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などの積層順も適宜修正される。
また、図２では、隔壁１０５同士の間には、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのみが配列されていたが、この他に、上部電極１０７が有する抵抗成分による電圧降下の影響を低減するためのバスバー（補助電極）を配置してもよい。
【０１３３】
また、パネル１０が備える積層構成は、一例であって、この他に電子注入層、阻止層、バッファ層などが積層された構成であってもよい。また、上記の各層の一部が省略されていてもよい。また、電子注入輸送層のように、物理的に一つの層が、複数の機能を有していてもよい。また、各部材の保護材として、薄膜封止層１０８の上方に、ガラス材料などからなる封止板を配置してもよい。このとき、薄膜封止層１０８と封止板との間に、例えば硬化性樹脂材料などを充填すれば、薄膜封止層１０８と封止板との密着性が向上する。また、封止板の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応する位置に、カラーフィルタを配置し、発光色を補正してもよい。また、封止板の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ同士の間に対応する位置や、封止板の周縁領域にブラックマトリクスを配置し、外光の反射抑制、コントラスト向上などを図ってもよい。
【０１３４】
また、パネル１０では、トップエミッション型及びアクティブマトリクス方式を採用したが、これに限られず、例えばボトムエミッション型や、パッシブマトリクス方式を採用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１３５】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、業務用ディスプレイなど様々な電子機器に用いられる表示パネルの製造方法として広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１３６】
１０  有機ＥＬ表示パネル
１０１、９０１  基板
１０２、２０２、３０２、９０２  層間絶縁層
１０３、４０３  凸状層
１０４  画素絶縁層
１０５、９０５  隔壁
１０５Ｆ  第１部分
１０５ＦＢ、１０５ＳＢ  底面
１０５Ｓ  第２部分
１０７  上部電極
１１１、５１１、９１１  第１下部電極
１１１Ｃ  第１下部電極列
１１３  第１有機発光層
１２１、５２１、９２１  第２下部電極
１２１Ｃ  第２下部電極列
１２３  第２有機発光層
２０２ａ  凸状部
２０２ｂ  平坦部
Ｇ  間隙
Ｘ  第１方向
Ｙ  第２方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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