(57)【要約】【課題】サポート基板とウエーハの貼り合わせ時に生じる不具合を抑えつつサポート基板にウエーハを貼り合わせることができると共に、サポート基板からウエーハを容易に剥離すること。【解決手段】サポート基板（Ｗ１）にウエーハ（Ｗ）を貼り合わせる貼り合わせ方法であり、サポート基板上にウエーハを重ね合わせ、サポート基板の外周部（８１）とウエーハの外周部（８２）に接着剤（７５）を断続的に塗布してサポート基板にウエーハを貼り合わせる構成にした。【選択図】図４
2016051779.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サポート基板とウエーハとを貼着するウエーハの貼り合わせ方法であって、
該サポート基板の中心とウエーハの中心とを一致させて該サポート基板とウエーハとを重ね合わせた該サポート基板の外周部とウエーハの外周部とに、塗布しない部分を有して環状に塗布した接着剤を硬化させ該サポート基板とウエーハとを貼り合わせる貼り合わせ工程からなるウエーハの貼り合わせ方法。
【請求項２】
該貼り合せ工程の前に、該サポート基板の外周部に所定の深さで環状の凹部を形成する凹部形成工程を実施する請求項１記載のウエーハの貼り合せ方法。
【請求項３】
該接着剤を塗布する少なくとも該サポート基板の外周部に対し、該接着剤の親水性を向上させる表面処理を行なう表面処理工程を、該貼り合わせ工程の前に行なう請求項１または２記載のウエーハの貼り合わせ方法。
【請求項４】
サポート基板とウエーハとを重ね合わせて、該サポート基板の外周部とウエーハの外周部とに塗布しない部分を有して環状に接着剤を塗布して貼り合わされた貼り合わせワークを剥離する剥離方法であって、
該接着剤に大気圧プラズマを照射させ該接着剤を脆化させる脆化工程と、
該脆化工程で脆化した該接着剤を除去する接着剤除去工程と、
該接着剤除去工程の後、保持テーブルで該サポート基板を保持し、剥離手段でウエーハを保持してウエーハを該サポート基板から離間する方向に移動させ、該サポート基板からウエーハを剥離する剥離工程と、からなる貼り合わせワークの剥離方法。
【請求項５】
外周部に環状の凹部が形成されたサポート基板とウエーハとを重ね合わせて、環状の該凹部の一部に塗布しない部分を有して、該凹部と該凹部に隣接するウエーハとに接着剤を塗布して貼り合わされた貼り合わせワークを剥離する請求項４記載の貼り合わせワークの剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サポート基板にウエーハを貼り合わせるウエーハの貼り合わせ方法及び貼り合わせワークのサポート基板からウエーハを剥離する貼り合わせワークの剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
研削加工では、ウエーハが薄化されても割れないように、１５０μｍの厚みを有する粘着テープでウエーハを支持しながら研削する場合と、サポート基板でウエーハを支持しながら研削する場合とがある。研削後のウエーハにスパッタリングによって金属膜を形成する場合には、ウエーハが約４００度まで加熱されるため、粘着テープではなく、サポート基板にウエーハが支持されることが好ましい（例えば、特許文献１参照）。この場合、スパッタリングによってウエーハが加熱されても、サポート基板とウエーハが離れないように十分に耐熱性を持った接着剤が用いられる。
【０００３】
また、ウエーハとサポート基板を貼り合わせる方法として、サポート基板の表面に塗布された接着層を介してウエーハを貼り付ける方法が知られている（例えば、特許文献２、３参照）。特許文献２に記載の貼り合わせ方法では、サポート基板の中央に接着剤が滴下され、接着剤の液溜りをウエーハで押し潰すようにしてサポート基板にウエーハが貼り付けられる。特許文献３に記載の貼り合わせ方法では、回転中のサポート基板の中央に接着剤が滴下され、遠心力によって接着剤がサポート基板の全面に行き渡った後にサポート基板にウエーハが貼り付けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−０６５７３７号公報
【特許文献２】特開２０１３−２２２９４０号公報
【特許文献３】特開２０１３−０１２６５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２、３に記載の貼り合わせ方法では、サポート基板に接着剤でウエーハが全体的に貼り付けられるため、サポート基板とウエーハとの間に気泡が残ってしまう可能性があった。サポート基板とウエーハとの間の気泡がスパッタリング等によって暖められると、空気の膨張によってウエーハに反り等の不具合が生じるという問題があった。また、サポート基板上に均一な厚みで接着層を形成することが難しく、接着層によってウエーハの高さにバラツキが生じてしまっていた。さらに、サポート基板の全面に塗布された接着剤によって接着力が強まり、ウエーハを剥がすことが困難になっていた。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、サポート基板とウエーハの貼り合わせ時に生じる不具合を抑えつつサポート基板にウエーハを貼り合わせることができると共に、サポート基板からウエーハを容易に剥離することができるウエーハの貼り合わせ方法及び貼り合わせワークの剥離方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のウエーハの貼り合わせ方法は、サポート基板とウエーハとを貼着するウエーハの貼り合わせ方法であって、該サポート基板の中心とウエーハの中心とを一致させて該サポート基板とウエーハとを重ね合わせた該サポート基板の外周部とウエーハの外周部とに、塗布しない部分を有して環状に塗布した接着剤を硬化させ該サポート基板とウエーハとを貼り合わせる貼り合わせ工程からなっている。
【０００８】
この構成によれば、サポート基板の外周部とウエーハの外周部とが接着剤で接着される際に、サポート基板及びウエーハの外周部に接着剤が塗布されない部分が設けられている。この接着剤が塗布されない部分が、サポート基板とウエーハとの間に残存する空気の逃げ道として機能する。よって、スパッタリング等によってウエーハが加熱されても、サポート基板とウエーハの間で膨張した空気が外部に逃されて、ウエーハの反り等の不具合が防止される。また、サポート基板とウエーハとが重ね合された状態で、サポート基板とウエーハの外周部に接着剤が塗布されるため、サポート基板とウエーハの間に接着層が形成されることがなく、不均一な接着層の厚みに起因したウエーハの上面高さのバラツキを抑えることができる。また、ウエーハの外周部分にしか接着剤が塗布されないため、サポート基板からウエーハを容易に剥がすことができる。
【０００９】
本発明のウエーハの貼り合わせ方法において、該貼り合せ工程の前に、該サポート基板の外周部に所定の深さで環状の凹部を形成する凹部形成工程を実施する。
【００１０】
本発明のウエーハの貼り合わせ方法において、該接着剤を塗布する少なくとも該サポート基板の外周部に対し、該接着剤の親水性を向上させる表面処理を行なう表面処理工程を、該貼り合わせ工程の前に行なう。
【００１１】
本発明の貼り合わせワークの剥離方法は、サポート基板とウエーハとを重ね合わせて、該サポート基板の外周部とウエーハの外周部とに塗布しない部分を有して環状に接着剤を塗布して貼り合わされた貼り合わせワークを剥離する剥離方法であって、該接着剤に大気圧プラズマを照射させ該接着剤を脆化させる脆化工程と、該脆化工程で脆化した該接着剤を除去する接着剤除去工程と、該接着剤除去工程の後、保持テーブルで該サポート基板を保持し、剥離手段でウエーハを保持してウエーハを該サポート基板から離間する方向に移動させ、該サポート基板からウエーハを剥離する剥離工程と、からなっている。
【００１２】
本発明の貼り合わせワークの剥離方法において、外周部に環状の凹部が形成されたサポート基板とウエーハとを重ね合わせて、環状の該凹部の一部に塗布しない部分を有して、該凹部と該凹部に隣接するウエーハとに接着剤を塗布して貼り合わされた貼り合わせワークを剥離する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、サポート基板とウエーハの外周部の少なくとも一部を除いて接着剤が塗布されて空気の逃げ道が作られる。これにより、サポート基板とウエーハの貼り合わせ時に生じる不具合を抑えつつ、サポート基板にウエーハを貼り合わせることができると共に、サポート基板からウエーハを容易に剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】比較例及び本実施の形態に係る貼り合わせワークの説明図である。
【図２】第１の実施の形態に係る凹部形成工程の一例を示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係る表面処理工程の一例を示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係る貼り合わせ工程の一例を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る脆化工程の一例を示す図である。
【図６】第１の実施の形態に係る接着剤除去工程の一例を示す図である。
【図７】第１の実施の形態に係る剥離工程の一例を示す図である。
【図８】第２の実施の形態に係るウエーハの貼り合わせ方法の一例を示す図である。
【図９】第２の実施の形態に係る貼り合わせワークの剥離方法の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１Ａに示すように、半導体デバイスの製造工程では、ハンドリングの向上やウエーハの極薄化を目的として、サポート基板Ｗ１上に同一直径のウエーハＷ２が貼着されて貼り合わせワークＷが形成される。しかしながら、貼り合わせワークＷは、サポート基板Ｗ１の全面に接着層７７を介してウエーハＷ２が貼着されるため、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の間の気泡７６による不具合や、一様な厚みの接着層７７の形成が難しいという不具合がある。近年では、ウエーハＷ２に対して更なる加工精度等が求められており、これらの不具合が解消されることが好ましい。そこで、第１の実施の形態では、図１Ｂに示す貼り合わせワークＷのように、サポート基板Ｗ１の外周部に凹部７１を設けて、この凹部７１とウエーハＷ２の外周部を接着剤７５で部分的に塗布して、上記不具合を解消している。
【００１６】
以下、図２から図４を参照して、第１の実施の形態に係るウエーハの貼り合わせ方法について説明する。図２は、第１の実施の形態に係る凹部形成工程の一例を示す図である。図３は、第１の実施の形態に係る表面処理工程の一例を示す図である。図４は、第１の実施の形態に係る貼り合わせ工程の一例を示す図である。
【００１７】
図２に示すように、先ず凹部形成工程が実施される。図２Ａに示すように、凹部形成工程では、切削装置（不図示）の保持テーブル１１の回転軸（Ｚ軸）にサポート基板Ｗ１の中心が一致するように保持される。サポート基板Ｗ１の上方で切削ブレード（砥石）１２が移動して、サポート基板Ｗ１の外周部に切削ブレード１２が位置付けられる。このとき、切削ブレード１２の回転軸（Ｙ軸）がサポート基板Ｗ１の中心線と一致するように位置合わせされている。そして、噴射ノズル（不図示）から切削水が噴射されると共に切削ブレード１２がＹ軸回りに回転される。
【００１８】
図２Ｂに示すように、サポート基板Ｗ１の外周部に回転する切削ブレード１２が当接されながら、保持テーブル１１がＺ軸回りに回転される。これにより、サポート基板Ｗ１の中心を軸にサポート基板Ｗ１が回転されて、サポート基板Ｗ１の外周部が一段低くなるように所定の深さで環状の凹部７１が形成される。この場合、切削ブレード１２によって、後工程である貼り合わせ工程で、ウエーハＷ２と凹部７１の間に接着剤を塗布可能な空間が空く程度に切り込まれる。なお、サポート基板Ｗ１は、特に材質は限定されず、ガラス、セラミックス等の無機材料基板、シリコン等の半導体基板、ステンレス等の金属基板で形成されてもよい。
【００１９】
図３に示すように、凹部形成工程の後には表面処理工程が実施される。表面処理工程では、プラズマ装置（不図示）の保持テーブル２１にサポート基板Ｗ１が保持され、大気圧プラズマノズル２２の先端がサポート基板Ｗ１の凹部７１に近づけられる。そして、大気圧又は大気圧に近い圧力雰囲気で、大気圧プラズマノズル２２から凹部７１に向けて大気圧プラズマが照射されて表面処理が実施されながら、保持テーブル２１と共にサポート基板Ｗ１がＺ軸回りに回転される。これにより、サポート基板Ｗ１の全周に亘って凹部７１が表面処理されて、凹部７１の表面から油分等が取り除かれる。
【００２０】
サポート基板Ｗ１の凹部７１の表面が洗浄されることで、接着剤７５（図４参照）に対する凹部７１の親水性（濡れ性）が向上される。また、洗浄水でサポート基板Ｗ１を洗浄する場合と異なり、サポート基板Ｗ１を乾燥させる必要がない。なお、大気圧プラズマノズル２２としては、市販の高周波励起タイプのものを使用することができる。ガス種としては、例えば、アルゴン、空気、酸素、又は混合ガスを利用することが可能である。また、本実施の形態のようにサポート基板Ｗ１にウエーハＷ２（図４参照）が重ね合される前に表面処理されてもよいし、サポート基板Ｗ１にウエーハＷ２が重ね合された後に表面処理されてもよい。
【００２１】
図４に示すように、表面処理工程の後には貼り合わせ工程が実施される。図４Ａに示すように、貼り合わせ工程では、貼り合わせ装置（不図示）の保持テーブル３１上にサポート基板Ｗ１が載置され、サポート基板Ｗ１の中心とウエーハＷ２の中心が一致するようにサポート基板Ｗ１上にウエーハＷ２が重ね合される。この場合、例えば、撮像手段（不図示）の撮像画像を用いて、ウエーハＷ２のアライメントマークとサポート基板Ｗ１のアライメントマークを合わせるようにして、サポート基板Ｗ１の中心とウエーハＷ２の中心が位置合わせされる。
【００２２】
サポート基板Ｗ１にウエーハＷ２が重ねられると、接着剤ノズル３２の先端がサポート基板Ｗ１の凹部７１に近づけられる。接着剤ノズル３２は樹脂供給源３３に接続されており、樹脂供給源３３から接着剤ノズル３２には間欠的に接着剤７５が供給されるように構成されている。そして、接着剤ノズル３２から凹部７１に接着剤７５が一定間隔で塗布されながら、保持テーブル３１と共にサポート基板Ｗ１がＺ軸回りに低速で回転される。これにより、サポート基板Ｗ１の凹部７１とウエーハＷ２の外周部に全周に亘って間欠的（断続的）に接着剤７５が塗布され、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２が複数個所で接着される。
【００２３】
図４Ｂに示すように、サポート基板Ｗ１の凹部７１には、所定の隙間を空けて多数の接着剤７５が周方向に並んでおり、隣り合う接着剤７５の隙間がウエーハＷ２とサポート基板Ｗ１の間に残存する空気の逃げ道７８になっている。なお、図４Ｂにおいては、説明の便宜上、サポート基板Ｗ１上のウエーハＷ２を省略した図を示している。そして、サポート基板Ｗ１の凹部７１と凹部７１に隣接するウエーハＷ２（図４Ａ参照）とに塗布された接着剤７５が硬化され、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２が貼り合わせられる。このようにして、サポート基板Ｗ１の凹部７１の一部に接着剤７５が塗布されない部分を有する貼り合わせワークＷが形成される。
【００２４】
なお、ウエーハＷ２（図４Ａ参照）は、研削対象になる被加工物であればよく、シリコン、ガリウム砒素等の半導体ウエーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系の光デバイスウエーハでもよい。また、接着剤７５は、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２を貼着可能であればよく、例えば、日立化成株式会社製のＨＰＣ−５０００、京セラケミカル株式会社製のＣＴ４１５０、その他、アラミド接着剤、セラミック接着剤を用いることができる。また、接着剤７５の硬化は、例えば、大気圧プラズマ、熱風、赤外線ランプ等で硬化温度まで到達させてもよい。接着剤７５は、熱硬化性樹脂に限らず、紫外線硬化性樹脂でもよく、この場合には紫外線の照射によって接着剤７５が硬化される。
【００２５】
図４Ｃに示すように、このように構成された貼り合わせワークＷには、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２との間に僅かな気泡７６が残存している。この場合、スパッタリング等によってウエーハＷ２の上面に金属膜が形成されると、ウエーハＷ２は約４００度まで加熱されて気泡７６内の空気が暖められる。上記したように、サポート基板Ｗ１の凹部７１には、隣り合う接着剤７５の隙間に空気の逃げ道７８（図４Ｂ参照）が形成されているため、熱膨張した空気がサポート基板Ｗ１とウエーハＷの界面を通り、逃げ道７８を介して外部に逃がされる。よって、膨張した空気によってサポート基板Ｗ１上でウエーハＷ２が反ることがない。
【００２６】
また、サポート基板Ｗ１の凹部７１に接着剤７５が塗布されているため、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の間に接着層が形成されることがない。サポート基板Ｗ１上に直にウエーハＷ２が接触するため、不均一な接着層の厚みに起因したウエーハＷ２の上面高さのバラツキが抑えられている。サポート基板Ｗ１の外周部の凹部７１とウエーハＷ２の外周部だけしか接着されていないが、十分な接着力を得ることが可能である。仮に、ウエーハＷ２に対して研削加工が実施される場合であっても、研削ホイールでウエーハＷ２がサポート基板Ｗ１に押し付けられているため、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２とを部分的に接着するだけでも十分な接着力を得ることが可能である。
【００２７】
次に、図５から図７を参照して、第１の実施の形態に係る貼り合わせワークの剥離方法について説明する。図５は、第１の実施の形態に係る脆化工程の一例を示す図である。図６は、第１の実施の形態に係る接着剤除去工程の一例を示す図である。図７は、第１の実施の形態に係る剥離工程の一例を示す図である。
【００２８】
図５に示すように、先ず脆化工程が実施される。脆化工程では、プラズマ装置（不図示）の保持テーブル４１に貼り合わせワークＷが保持され、大気圧プラズマノズル４２の先端が貼り合わせワークＷの接着剤７５に近づけられる。そして、大気圧又は大気圧に近い圧力雰囲気で、接着剤７５に向けて大気圧プラズマが照射されて接着剤７５が脆化されながら、保持テーブル４１と共に貼り合わせワークＷがＺ軸回りに回転される。これにより、貼り合わせワークＷの全周に亘って接着剤７５が脆化され、接着剤７５の展延性や靱性が失われて強度が低下する。
【００２９】
図６に示すように、脆化工程の後には接着剤除去工程が実施される。図６Ａに示すように、接着剤除去工程では、切削装置（不図示）の保持テーブル５１の回転軸（Ｚ軸）に貼り合わせワークＷの中心が一致するように保持される。貼り合わせワークＷの接着剤７５に対して切削バイト（刃物）５２が側方から近づけられ、接着剤７５に切削バイト５２が当接されながら保持テーブル５１がＺ軸回りに回転される。これにより、切削バイト５２によってサポート基板Ｗ１の凹部７１から接着剤７５が除去されて、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の接着力が弱められる。
【００３０】
この場合、片刃状の切削バイト５２の平坦部をウエーハＷ２の下面に沿わせるようにして、切削バイト５２が接着剤７５内に進入されている。これにより、接着剤７５が切削バイト５２の刃先形状に沿って削り取られ、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の接着面積が最小限になるまで接着剤７５が除去される。このように、サポート基板Ｗ１を傷つけることなく、サポート基板Ｗ１の凹部７１から接着剤７５が除去されるため、サポート基板Ｗ１を再利用することが可能になっている。なお、本実施の形態では、接着剤７５を除去する刃物として切削バイト５２を使用したが、この構成に限定されない。
【００３１】
例えば、図６Ｂに示すように、薄化前のウエーハＷ２であれば、切削ブレード（刃物）１２によって接着剤７５（図５参照）を除去することが可能である。この方法では、切削装置（不図示）の保持テーブル１１の回転軸（Ｚ軸）に貼り合わせワークＷの中心が一致するように保持される。そして、貼り合わせワークＷの外周部に回転する切削ブレード１２が当接されながら、保持テーブル１１がＺ軸回りに回転される。これにより、ウエーハＷ２の外周部をエッジトリミングすることができる同時に、サポート基板Ｗ１の凹部７１から大部分の接着剤７５を除去することができる。また、本実施の形態では刃物を用いて接着剤を除去する構成にしたが、大気圧プラズマによるアッシングによって接着剤を灰化させて除去してもよい。
【００３２】
図７に示すように、接着剤除去工程の後には剥離工程が実施される。図７Ａに示すように、剥離工程では、保持テーブル６１に貼り合わせワークＷが載置され、貼り合わせワークＷの上方に剥離手段として保持パッド６２が位置付けられる。保持テーブル６１の上面及び保持パッド６２の下面は、板状のポーラス材等によって保持面６３、６４が形成されており、各保持面６３、６４は吸引源６５、６６に接続されている。昇降手段６７によって保持パッド６２が下降されてウエーハＷ２の上面に当接されると、保持テーブル６１の保持面６３にサポート基板Ｗ１が保持され、保持パッド６２の保持面６４にウエーハＷ２が保持される。
【００３３】
図７Ｂに示すように、昇降手段６７によって保持パッド６２が上昇されると、保持パッド６２によってウエーハＷ２がサポート基板Ｗ１から離間する方向に移動され、サポート基板Ｗ１からウエーハＷ２が剥離される。この場合、サポート基板Ｗ１の凹部７１から接着剤７５が除去されて、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の接着力が低下されているため、サポート基板Ｗ１からウエーハＷ２を剥離し易くなっている。サポート基板Ｗ１から剥離されたウエーハＷ２は、フレームマウントや切削加工等を経て個々のチップに分割される。また、サポート基板Ｗ１は、新たなウエーハＷ２の貼り合わせに再利用される。
【００３４】
以上のように、第１の実施の形態に係るウエーハＷ２の貼り合わせ方法によれば、サポート基板Ｗ１の外周部の凹部７１とウエーハＷ２の外周部とが接着剤７５で接着される際に、サポート基板Ｗ１の凹部７１に接着剤７５が塗布されない部分が設けられている。この接着剤７５が塗布されない部分が、サポート基板とウエーハとの間に残存する空気の逃げ道として機能する。よって、スパッタリング等によってウエーハＷ２が加熱されても、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の間で膨張した空気が外部に逃されて、ウエーハＷ２の反り等の不具合が防止される。また、サポート基板Ｗ１の凹部７１にだけ接着剤７５が塗布されるため、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の間に接着層が形成されることがなく、不均一な接着層の厚みに起因したウエーハＷ２の上面高さのバラツキを抑えることができる。
【００３５】
続いて、図８を参照して、第２の実施の形態に係るウエーハの貼り合わせ方法について説明する。第２の実施の形態のウエーハの貼り合わせ方法では、サポート基板に凹部を形成せずに、サポート基板の外周部とウエーハの外周部とを接着剤で貼り合わせる点で第１の実施の形態と相違している。図８は、第２の実施の形態に係るウエーハの貼り合わせ方法の一例を示す図である。図８Ａは表面処理工程の一例を示し、図８Ｂは貼り合わせ工程の一例を示している。
【００３６】
図８Ａに示すように、先ず表面処理工程が実施される。表面処理工程では、プラズマ装置（不図示）の保持テーブル２１にサポート基板Ｗ１が保持され、大気圧プラズマノズル２２の先端がサポート基板Ｗ１の外周面（外周部）８１に近づけられる。そして、第１の実施の形態と同様にして、大気圧又は大気圧に近い圧力雰囲気で、大気圧プラズマノズル２２からサポート基板Ｗ１の外周面８１に向けて大気圧プラズマが照射されて表面処理が実施されながら、保持テーブル２１と共にサポート基板Ｗ１がＺ軸回りに回転される。サポート基板Ｗ１の外周面８１が洗浄されることで、接着剤７５（図８Ｂ参照）に対するサポート基板Ｗ１の外周面８１の親水性（濡れ性）が向上される。
【００３７】
図８Ｂに示すように、表面処理工程の後には貼り合わせ工程が実施される。貼り合わせ工程では、貼り合わせ装置（不図示）の保持テーブル３１上にサポート基板Ｗ１が載置され、サポート基板Ｗ１の中心とウエーハＷ２の中心が一致するようにサポート基板Ｗ１上にウエーハＷ２が重ね合される。この場合、例えば、撮像手段（不図示）の撮像画像を用いて、ウエーハＷ２のアライメントマークとサポート基板Ｗ１のアライメントマークを合わせるようにして、サポート基板Ｗ１の中心とウエーハＷ２の中心が位置合わせされる。
【００３８】
サポート基板Ｗ１にウエーハＷ２が重ねられると、接着剤ノズル３２の先端がサポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の外周面８１、８２に近づけられる。そして、第１の実施の形態と同様にして、樹脂供給源３３から接着剤ノズル３２に接着剤７５が供給され、接着剤ノズル３２からサポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の外周面８１、８２に接着剤７５が一定間隔で塗布されながら、保持テーブル３１と共にサポート基板Ｗ１がＺ軸回りに低速で回転される。これにより、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の外周面８１、８２の全周に亘って間欠的に接着剤７５が塗布され、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２が複数個所で接着される。
【００３９】
これにより、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の外周面８１、８２に、所定の隙間を空けて多数の接着剤７５が周方向に並び、隣り合う接着剤７５の隙間がウエーハＷ２とサポート基板Ｗ１の間に残存する空気の逃げ道（不図示）になる。サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２とに塗布された接着剤７５が硬化されて、サポート基板Ｗ１の凹部７１の一部に接着剤７５が塗布されない部分を有する貼り合わせワークＷが形成される。これにより、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２との間に残った空気がスパッタリング等によって加熱されても、熱膨張した空気がサポート基板Ｗ１とウエーハＷ２との界面を通って接着剤７５が塗布されていない箇所から外部に逃がされる。よって、膨張した空気によってサポート基板Ｗ１上でウエーハＷ２が反ることがない。
【００４０】
また、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の外周面８１、８２に接着剤７５が塗布されているため、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の間に接着層が形成されることがない。サポート基板Ｗ１上に直にウエーハＷ２が接触するため、不均一な接着層の厚みに起因したウエーハＷ２の上面高さのバラツキが抑えられている。また、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の外周面８１、８２だけしか接着されていないが、研削加工中に剥離しない程度の十分な接着力を得ることが可能である。
【００４１】
次に、図９を参照して、第２の実施の形態に係る貼り合わせワークの剥離方法について説明する。図９Ａは脆化工程の一例を示し、図９Ｂは接着剤除去工程の一例を示している。なお、剥離工程については第１の実施の形態と同一なので記載を省略している。
【００４２】
図９Ａに示すように、先ず脆化工程が実施される。脆化工程では、プラズマ装置（不図示）の保持テーブル４１に貼り合わせワークＷが保持され、大気圧プラズマノズル４２の先端が貼り合わせワークＷの接着剤７５に近づけられる。そして、大気圧又は大気圧に近い圧力雰囲気で、接着剤７５に向けて大気圧プラズマが照射されて接着剤７５が脆化されながら、保持テーブル４１と共に貼り合わせワークＷがＺ軸回りに回転される。これにより、貼り合わせワークＷの全周に亘って接着剤７５が脆化され、接着剤７５の展延性や靱性が失われて強度が低下する。
【００４３】
図９Ｂに示すように、脆化工程の後には接着剤除去工程が実施される。接着剤除去工程では、大気圧プラズマノズル４２から接着剤７５（図９Ａ参照）に向けて大気圧プラズマが照射され続けて、大気圧プラズマによるアッシングによって接着剤７５が灰化されて除去される。サポート基板Ｗ１を傷つけることなく接着剤７５が除去されるため、サポート基板Ｗ１を再利用することが可能になっている。なお、第２の実施の形態においても、切削バイト等の刃物を用いて接着剤７５を除去することが可能である。そして、第１の実施の形態と同様に、接着剤除去工程の後には剥離工程が実施されて、サポート基板Ｗ１からウエーハＷ２が剥離される。
【００４４】
以上のように、第２の実施の形態に係るウエーハＷ２の貼り合わせ方法においても、第１の実施の形態と同様に、スパッタリング等によってウエーハＷ２が加熱されても、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の間で膨張した空気が外部に逃されることで、ウエーハＷ２の反り等の不具合が防止される。また、サポート基板Ｗ１とウエーハＷ２の間に接着層が形成されることがなく、不均一な接着層の厚みに起因したウエーハＷ２の上面高さのバラツキを抑えることができる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００４６】
例えば、上記した第１の実施の形態の貼り合わせ工程では、サポート基板Ｗ１の凹部７１に間欠的に接着剤７５が塗布される構成としたが、この構成に限定されない。貼り合わせ工程では、サポート基板Ｗ１の凹部７１の一部に接着剤７５を塗布しない部分を設けて、空気の逃げ道７８を形成するように接着剤７５が塗布されていればよい。
【００４７】
また、上記した第１の実施の形態では、貼り合わせ工程よりも前に表面処理工程が実施される構成としたが、この構成に限定されない。表面処理工程が省略されてもよいし、凹部形成工程の次に貼り合わせ工程が実施されてもよい。
【００４８】
また、上記した第１、第２の実施の形態の表面処理工程では、大気圧プラズマによってサポート基板Ｗ１の表面処理が実施されたが、この構成に限定されない。表面処理工程は、サポート基板Ｗ１の表面から油分等を除いて親水性を向上することができればよく、例えば、洗浄水によってサポート基板Ｗ１を洗浄する構成でもよい。
【００４９】
また、上記した第１、第２の実施の形態の表面処理工程では、接着剤７５が塗布されるサポート基板Ｗ１の少なくとも外周部に対して表面処理する構成であればよい。したがって、サポート基板Ｗ１の外周部以外に対して表面処理する構成であってもよい。
【００５０】
また、上記した第１、第２の実施の形態では、表面処理工程と脆化工程が別のプラズマ装置で実施される構成としたが、同一のプラズマ装置で実施されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上説明したように、本発明は、サポート基板とウエーハの貼り合わせ時に生じる不具合を抑えつつサポート基板にウエーハを貼り合わせることができると共に、サポート基板からウエーハを容易に剥離することができるという効果を有し、特に、薄化したウエーハの研削面に金属膜をスパッタリングで成形するデバイスの製造時に有用である。
【符号の説明】
【００５２】
１２  切削ブレード（砥石）
４２  大気圧プラズマノズル
５２  切削バイト
６１  保持テーブル
６２  保持パッド（剥離手段）
７１  凹部（外周部）
７５  接着剤
８１  サポート基板の外周面（外周部）
８２  ウエーハの外周面（外周部）
Ｗ  貼り合わせワーク
Ｗ１  サポート基板
Ｗ２  ウエーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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