(57)【要約】【課題】板状体と平板状ブランケットを当接させてパターンの転写を行う転写技術において、板状体と平板状ブランケットの間に混入する気泡を積極的に排除して高品質なパターンを転写する。【解決手段】板状体に当接することによってパターンの転写を受ける、または板状体へのパターンの転写を行う平板状ブランケットであって、板状体に対向する一方主面を有し、一方主面のパターン担持領域でパターンを担持する担持層と、担持層の他方主面を支持する基材とを備え、担持層は板状体に向けて開口しながら担持層を取り囲む周辺空間につながる溝部を有し、溝部は担持層の一方主面のうちパターン担持領域以外の非パターン担持領域に設けられる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状体に当接することによってパターンの転写を受ける、または前記板状体へのパターンの転写を行う平板状ブランケットであって、
前記板状体に対向する一方主面を有し、前記一方主面のパターン担持領域で前記パターンを担持する担持層と、
前記担持層の他方主面を支持する基材とを備え、
前記担持層は前記板状体に向けて開口しながら前記担持層を取り囲む周辺空間につながる溝部を有し、
前記溝部は前記担持層の一方主面のうち前記パターン担持領域以外の非パターン担持領域に設けられることを特徴とする平板状ブランケット。
【請求項２】
請求項１に記載の平板状ブランケットであって、
前記溝部の底面は前記基材である平板状ブランケット。
【請求項３】
板状体に当接することによってパターンの転写を受ける、または前記板状体へのパターンの転写を行う平板状ブランケットであって、
前記板状体に対向する一方主面を有し、前記一方主面で前記パターンを担持する担持層と、
前記担持層の他方主面を支持する基材とを備え、
前記担持層は多孔質性を有することを特徴とする平板状ブランケット。
【請求項４】
請求項２または３に記載の平板状ブランケットであって、
前記基材はガス透過性を有する平板状ブランケット。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の平板状ブランケットであって、
前記担持層はシリコーンゴム層である平板状ブランケット。
【請求項６】
板状体の一方主面と、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の平板状ブランケットの担持層の一方主面とを対向させて保持する保持工程と、
前記板状体の一方主面と前記担持層の一方主面とを互いに当接させてパターンの転写を行う転写工程と
を備えることを特徴とする転写方法。
【請求項７】
請求項６に記載の転写方法であって、
前記板状体の一方主面には前記パターンに対応する凸パターンが設けられ、
前記担持層の一方主面には前記パターンを構成する塗布材料の塗布層が形成され、
前記転写工程は、前記凸パターンの反転パターンを前記塗布層に形成して前記平板状ブランケットへのパターンの転写を行う工程である転写方法。
【請求項８】
請求項６に記載の転写方法であって、
前記担持層の一方主面には前記パターンが担持され、
前記転写工程は前記パターンを前記担持層の一方主面から前記板状体の一方主面に転写する工程である転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、板状体と平板状ブランケットとを当接させて、板状体および平板状ブランケットの間でのパターンの転写を行う転写技術、特に平板状ブランケットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、磁気または光ディスク用のガラスまたはセラミック基板、有機ＥＬ用ガラス基板、太陽電池用ガラス基板またはシリコン基板、その他フレキシブル基板およびプリント基板などの電子機器向け基板に対してパターン層を形成するために、平板状のブランケットを用いた印刷技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
この印刷技術では、インク（塗布材料）が塗布されたブランケットに対し、基板に形成すべきパターン（所望パターン）と反対のパターン、つまり反転パターンを有する凸版を押し当てて接触させることによって、ブランケット上のインク層をパターニングして上記所望パターンを有するパターン層をブランケット上に形成する（第１転写処理）。そして、当該ブランケットを基板に押し当てて接触させることによって、上記パターン層を基板に転写する（第２転写処理）。こうすることで基板に所望パターンが印刷される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−３１１４６３号公報
【特許文献２】特開２０１２−２０１００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した第１転写処理および第２転写処理のいずれにおいても、板状体（凸版、基板）の一方主面と平板状ブランケットの一方主面とを当接させてパターンの転写を行っている。この転写方法を行うときに発生する問題のひとつが板状体と平板状ブランケットとの間への気泡混入による転写不良である。この問題を解消するために、例えば板状体と平板状ブランケットとの当接速度を落とすことが提案されている。しかしながら、これは転写処理のスループットを低下させる主要因のひとつになってしまう。また、気泡混入を完全に排除することは難しい。したがって、板状体と平板状ブランケットとの間から上記気泡を逃がす技術の提供が望まれている。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、板状体と平板状ブランケットを当接させてパターンの転写を行う転写技術において、板状体と平板状ブランケットの間に混入する気泡を排除して高品質なパターンを転写することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の第１態様は、板状体に当接することによってパターンの転写を受ける、または板状体へのパターンの転写を行う平板状ブランケットであって、板状体に対向する一方主面を有し、一方主面のパターン担持領域でパターンを担持する担持層と、担持層の他方主面を支持する基材とを備え、担持層は板状体に向けて開口しながら担持層を取り囲む周辺空間につながる溝部を有し、溝部は担持層の一方主面のうちパターン担持領域以外の非パターン担持領域に設けられることを特徴としている。
【０００８】
また、この発明の第２態様は、板状体に当接することによってパターンの転写を受ける、または板状体へのパターンの転写を行う平板状ブランケットであって、板状体に対向する一方主面を有し、一方主面でパターンを担持する担持層と、担持層の他方主面を支持する基材とを備え、担持層は多孔質性を有することを特徴としている。
【０００９】
さらに、この発明の第３態様は、上記平板状ブランケットを用いた転写方法であって、板状体の一方主面と、上記平板状ブランケットの担持層の一方主面とを対向させて保持する保持工程と、板状体の一方主面と担持層の一方主面とを互いに当接させてパターンの転写を行う転写工程とを備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
上記のように、本発明によれば、気泡排除構成（担持層に設けられる溝部や多孔質性を有する担持層）が平板状ブランケットに設けられており、板状体と平板状ブランケットの間に混入した気泡は上記気泡排除構成により排除される。したがって、パターンの転写を良好に行うことができ、高品質なパターンを転写することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明にかかる平板状ブランケットの第１実施形態を用いて転写処理を行う転写装置を模式的に示す側面図である。
【図２】転写装置の主要部の構成を示す図である。
【図３Ａ】転写ローラブロックの構造を示す斜視図である。
【図３Ｂ】転写ローラブロックと昇降ハンドユニットとの位置関係を示す図である。
【図４】図１の転写装置による転写処理を示すフローチャートである。
【図５Ａ−５Ｃ】転写処理の過程における各部の位置を模式的に示す図である。
【図６Ａ−６Ｃ】転写処理の過程における各部の位置を模式的に示す図である。
【図７】第１転写処理での気泡排出動作を模式的に示す図である。
【図８】第１転写処理により形成されてブランケットのパターン担持領域に担持されるパターンの一例を模式的に示す図である。
【図９】本発明にかかる平板状ブランケットの第２実施形態を示す斜視図である。
【図１０】第２実施形態における第１転写処理での気泡排出動作を模式的に示す図である。
【図１１】パターンを構成するパターン要素の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は本発明にかかる平板状ブランケットの第１実施形態を用いて転写処理を行う転写装置を模式的に示す側面図である。また、図２はこの転写装置の主要部の構成を示す図である。各図における方向を統一的に示すために、図１に示すようにＸＹＺ直交座標軸を設定する。ここでＸＹ平面が水平面、Ｚ軸が鉛直軸を表す。より詳しくは、（＋Ｚ）方向が鉛直上向き方向を表している。
【００１３】
この転写装置１は、図示しないメインフレームに上ステージブロック２、下ステージブロック３および転写ローラブロック４が取り付けられた構造を有している。また、転写装置１は上記以外に、予め記憶された処理プログラムに従い装置各部を制御して所定の動作を実行する制御ユニット９を有している。
【００１４】
最初に転写装置１の全体構成を説明する。なお、上ステージブロック２および下ステージブロック３の細部の構造については、例えば特開２０１４−１４４６２８号公報に記載されたものを用いることが可能であり、ここではその概要のみを説明する。
【００１５】
転写装置１は、下ステージブロック３により保持されたブランケットＢＬと、上ステージブロック２により保持された版ＰＰまたは基板ＳＢとを互いに当接させることでパターン形成を行う装置である。この転写装置１によるパターン形成プロセスは、より具体的には以下の通りである。
【００１６】
まず、パターン形成材料を含む塗布液をブランケットＢＬに一様に塗布してブランケットＢＬに塗布層ＣＬ（図２）を形成しておく。この実施形態では、上記ブランケットＢＬとして、例えば図２に示すようにガラス基板ＢＬａの上面にシリコーンゴム層ＢＬｂを積層してなる平板状ブランケットが使用される。なお、第１実施形態では、ブランケットＢＬのシリコーンゴム層ＢＬｂには、２本の溝部ＢＬｃが設けられているが、溝部ＢＬｃの構成および作用効果については後で詳述する。
【００１７】
塗布層ＣＬを有するブランケットＢＬに対して、形成すべきパターンＰＴ１（図８参照）に対応して作成された凸パターンＰＴ２を有する版ＰＰを当接させることにより、ブランケットＢＬに担持された塗布層ＣＬをパターニングする。このように、ブランケットＢＬは、版ＰＰに当接することによってパターンの転写を受け、シリコーンゴム層ＢＬｂの上面ＢＬｄに凸パターンＰＴ２の反転パターン、つまり形成すべきパターンＰＴ１（図８）を担持する（第１転写処理）。また、こうしてパターニングされたパターンＰＴ１を担持するブランケットＢＬと基板ＳＢとを当接させることで、ブランケットＢＬのシリコーンゴム層ＢＬｂの上面に担持されたパターンＰＴ１を基板ＳＢに転写する（第２転写処理）。これにより、基板ＳＢに所望のパターンＰＴ１が印刷される。
【００１８】
このように、この転写装置１は上記した第１転写処理および第２転写処理の両方に使用することが可能であるが、これらの処理の一方のみを受け持つ態様で用いられてもよい。以下、第１転写処理を前提として装置の構成および動作について説明するが、版ＰＰを基板ＳＢに読み換えることにより、第２転写処理における動作も説明される。
【００１９】
上ステージブロック２は、下面が平坦な基板保持面２１ａとなった上ステージ２１を備えている。上ステージ２１は、Ｙ方向に延びる梁部材２２の下部に取り付けられて、梁部材２２により基板保持面２１ａが水平姿勢となるように保持されている。梁部材２２は、Ｙ方向に離隔して配置された１対のステージ昇降機構２３，２３により鉛直方向（Ｚ方向）に昇降自在に保持されている。これにより、上ステージ２１はＺ方向に移動可能となっている。
【００２０】
この実施形態では、ステージ昇降機構２３の一例としてボールねじ機構が用いられるが、これに限定されるものではない。ステージ昇降機構２３は、支持部材２３１，２３２によりメインフレームに対し回転自在に支持されたボールねじ２３３と、これを回転させるモータ２３４と、ボールねじ２３３に取り付けられたナット部２３５とを備えている。ボールねじ２３３とモータ２３４とはカップリング２３６を介して連結されている。モータ２３４は制御ユニット９に設けられたステージ昇降制御部９１によって制御され、ステージ昇降制御部９１からの制御信号に応じてモータ２３４が回転することで上ステージ２１が昇降する。
【００２１】
図には現れないが、上ステージ２１の下面（基板保持面）２１ａには吸着溝または吸着孔が設けられており、制御ユニット９に設けられた吸着制御部９２から負圧が必要に応じて供給される。これにより、上ステージ２１は、基板保持面２１ａに当接する基板ＳＢの上面を吸着保持することができる。基板保持面２１ａの平面サイズは保持すべき基板ＳＢのサイズより少し小さく形成されている。
【００２２】
このように構成された上ステージブロック２により、版ＰＰが水平姿勢に保持される。版ＰＰは、凸パターンＰＴ２が形成されたパターン形成面が下向きとなるように転写装置１に搬入される。また、ステージ昇降機構２３が上ステージ２１を昇降させることにより、次に説明する下ステージに保持されるブランケットＢＬと版ＰＰとの間のギャップが規定の値に調整される。
【００２３】
下ステージブロック３は、上ステージ２１の下方に配置され、中央部に開口部３１１が設けられ上面が平坦かつ水平なブランケット保持面３１ａとなった下ステージ３１を備えている。下ステージ３１は複数の支柱３２により支持されている。下ステージ３１の平面サイズは保持すべきブランケットＢＬのサイズより大きく、また開口部３１１の開口サイズは版ＰＰの平面サイズより大きい。これにより、ブランケットＢＬはその周縁部のみが下ステージ３１に当接し、中央部は下面が開放された状態で、下ステージ３１に保持される。下ステージ３１の上面（ブランケット保持面）３１ａのうちブランケットＢＬと当接する領域に、吸着溝３１２が設けられている。吸着溝３１２には制御ユニット９の吸着制御部９２から負圧が必要に応じて供給される。これにより、ブランケットＢＬが下ステージ３１上に吸着保持される。ブランケットＢＬは、版ＰＰによりパターン転写を受ける塗布層ＣＬを担持するシリコーンゴム層ＢＬｂを上向きにして水平姿勢に保持される。
【００２４】
下ステージ３１を保持する支柱３２は図示を省略するアライメントステージに取り付けられており、制御ユニット９に設けられたアライメント制御部９３がアライメントステージを駆動することにより、下ステージ３１が水平面（ＸＹ平面）内で移動する。これにより、上ステージ２１に保持された版ＰＰと下ステージ３１に保持されたブランケットＢＬとの水平方向における相対位置が最適化される。
【００２５】
下ステージブロック３はさらに、Ｘ方向に間隔を空けて向かい合うように設けられた１対の昇降ハンドユニット３３，３４を備えている。昇降ハンドユニット３３と昇降ハンドユニット３４とは、ＹＺ平面に対して互いに対称な形状を有しているが、これらの構造は基本的に同一である。
【００２６】
昇降ハンドユニット３３は、下ステージ３１の開口部３１１に臨んでＹ方向に沿って順に設けられた複数本（ここでは一例として４本）の昇降ハンド３３１，３３２，３３３，３３４と、これらの昇降ハンドを個別に昇降させる駆動部３３５とを備えている。同様に、昇降ハンドユニット３４は、下ステージ３１の開口部３１１に臨んでＹ方向に沿って順に設けられた昇降ハンド３４１，３４２，３４３，３４４と、これらの昇降ハンドを個別に昇降させる駆動部３４５とを備えている。駆動部３３５，３４５は制御ユニット９に設けられたハンド昇降制御部９４により制御されており、ハンド昇降制御部９４からの制御信号に応じて各昇降ハンドの鉛直方向位置を個別に制御する。
【００２７】
各昇降ハンドは、その上面が下ステージ３１の基板保持面３１ａと同一平面となる位置に位置決めされることで、下面が開放された状態で下ステージ３１に保持されるブランケットＢＬの中央部下面を補助的に支持する。これにより、ブランケットＢＬの撓みを抑えて平坦に支持することができる。また、必要に応じて下方に退避することで、次に説明する転写ローラの走行との干渉を回避する。
【００２８】
転写ローラブロック４は、下ステージ３１の下方でメインフレームに固定され、Ｙ方向に延びるガイドレール４１と、ガイドレール４１に沿って設けられたボールねじ機構４２と、ボールねじ機構４２のナット部４２５に取り付けられたローラユニット４３とを備えている。
【００２９】
図３Ａは転写ローラブロックの構造を示す斜視図であり、図３Ｂは転写ローラブロックと昇降ハンドユニットとの位置関係を示す図である。転写ローラブロック４では、ガイドレール４１に沿ってボールねじ機構４２が設けられている。より具体的には、ガイドレール４１の両端近傍に設けられた支持部材４２１，４２２によりボールねじ４２３が支持されており、ボールねじ４２３はカップリング４２６を介してモータ４２４により回転される。ボールねじ４２３にはナット部４２５が取り付けられている。モータ４２４が回転することにより、ナット部４２５ガイドレール４１に沿ってＹ方向に水平移動する。
【００３０】
ナット部４２５に取り付けられたローラユニット４３は、Ｘ方向を長手方向とするローラ形状に形成された転写ローラ４３１を備えている。転写ローラ４３１は、支持部材４３２により、Ｘ方向と平行な回転軸周りに回転自在に支持されている。転写ローラ４３１の表面は弾性体、例えばゴム素材により形成されており、Ｘ方向における転写ローラ４３１の長さは版ＰＰのＸ方向長さよりも長い。
【００３１】
またナット部４２５には、転写ローラ４３１を昇降させるローラ昇降機構としてのボールねじ機構が取り付けられている。より具体的には、ナット部４２５から上方に延びるフレームに対してボールねじ４３４が回転自在に支持されており、ボールねじ４３４にナット部４３５が取り付けられている。ボールねじ４３４は鉛直方向を軸方向として支持され、カップリング４３７を介してモータ４３６により連結されてモータ４３６により回転駆動される。すなわち、モータ４３６がボールねじ４３４を回転させることで、ナット部４３５が鉛直方向に昇降移動する。これらのボールねじ４３４、ナット部４３５およびモータ４３６、カップリング４３７が一体としてボールねじ機構を構成する。
【００３２】
ナット部４３５から延びるアームに支持部材４３２が取り付けられている。なおアームと支持部材４３２とは一体形成されていてもよい。モータ４３６がボールねじ４３４を回転させることで、ナット部４３５とともに転写ローラ４３１が昇降移動する。これにより、転写ローラ４３１が、下ステージ３１に保持されたブランケットＢＬの下面に対し接近および離間移動する。すなわち、当該ボールねじ機構（ボールねじ４３４、ナット部４３５、モータ４３６およびカップリング４３７）がローラ昇降機構として機能する。モータ４３６は、制御ユニット９に設けられたローラ昇降制御部９５により制御される。
【００３３】
このような構成を有するローラユニット４３は、モータ４２４の回転によりＹ方向に移動する。モータ４２４は制御ユニット９に設けられたローラ走行制御部９７により制御されている。ローラ走行制御部９７からの制御信号に応じてモータ４２４が回転すると、ボールねじ機構４２のナット部４２５がガイドレール４１に沿ってＹ方向に移動し、ナット部４２５の移動に伴ってローラユニット４３が移動する。その結果、ローラユニット４３に設けられた転写ローラ４３１が、ブランケットＢＬ下面に沿ってＹ方向に走行する。このように、ガイドレール４１およびボールねじ機構４２は、転写ローラ４３１をＹ方向に走行させるローラ走行機構としての機能を有する。
【００３４】
このように、転写ローラ４３１は、ローラ昇降機構によるＺ方向の昇降動作と、ローラ走行機構によるＹ方向の走行動作とが可能となっている。転写ローラ４３１（ローラユニット４３）がＹ方向に走行するとき、昇降ハンドユニット３３，３４に設けられた各昇降ハンド３３１等とローラユニット４３との干渉は以下のようにして回避されている。なお、以下では昇降ハンドユニット３３，３４に設けられた１対の昇降ハンド３３１，３４１とローラユニット４３との位置関係を例として説明するが、他の昇降ハンドについても同様である。
【００３５】
図３Ｂに示すように、ローラユニット４３は、転写ローラ４３１が下ステージ３１に保持されたブランケットＢＬの下面に沿うように、Ｙ方向に移動する。Ｘ方向において、対向配置された昇降ハンド３３１，３４１の先端同士は離隔しており、これらの間隙を通ってローラユニット４３のローラ昇降機構（ボールねじ４３４、ナット部４３５およびモータ４３６）が走行する。したがって、ローラ昇降機構と昇降ハンド３３１，３４１との干渉は構造的に回避されている。
【００３６】
一方、昇降ハンド３３１，３４１がブランケットＢＬ下面に当接または近接した状態では、これらの昇降ハンド３３１，３４１と、転写ローラ４３１および支持部材４３２との接触が生じ得る。この問題に対しては、昇降ハンド３３１，３４１が一体的に、その上面が支持部材４３２の下面よりも下方位置となるまで下降することにより対応する。すなわち、ローラユニット４３のＹ方向への走行に同期して、昇降ハンドユニット３３，３４が各昇降ハンド３３１等を順次下方へ退避させる。これにより、転写ローラ４３１および支持部材４３２は昇降ハンド３３１等の上部を通過することとなり、ローラユニット４３と昇降ハンド３３１等との干渉が回避される。
【００３７】
次に、上記のように構成された転写装置１で使用される平板状ブランケットＢＬの構成および当該平板状ブランケットＢＬを使用した転写処理について説明する。前述の通り、ここでは、版ＰＰにブランケットＢＬを当接させることにより、ブランケットＢＬにパターンＰＴ１を転写する第１転写処理について説明するが、版ＰＰを基板ＳＢに読み換えることにより、第２転写処理における動作も説明される。
【００３８】
平板状ブランケットＢＬでは、図２に示すように、ガラス基板ＢＬａの上面中央部にシリコーンゴム層ＢＬｂが積層して形成されている。また、第１転写処理前にシリコーンゴム層ＢＬｂの上面中央部に塗布層ＣＬが形成されている。このように、シリコーンゴム層ＢＬｂの平面サイズはガラス基板ＢＬａよりも狭いものの、塗布層ＣＬよりも広くなっている。そして、平板状ブランケットＢＬを後述するようにして版ＰＰを当接させると、シリコーンゴム層ＢＬｂの上面、つまり版ＰＰの凸パターンＰＴ２を向いた面ＢＬｄ（図８）のうち凸パターンＰＴ２が当接する領域で、塗布層ＣＬが凸パターンＰＴ２の反転パターン、つまり所望のパターンＰＴ１にパターニングされ、上記領域に担持される。本明細書では、こうして形成されたパターンＰＴ１を担持する領域を「パターン担持領域ＰＲ」と称する。一方、シリコーンゴム層ＢＬｂの上面ＢＬｄのうちパターン担持領域ＰＲを除く領域を「非パターン担持領域ＮＲ」と称する。
【００３９】
本実施形態では、図２に示すように、Ｙ方向にパターン担持領域ＰＲを４個配列した領域行が３つ、Ｘ方向に互いに離間しながら配列されており、シリコーンゴム層ＢＬｂに１２個のパターン担持領域ＰＲが二次元マトリックス状に設定されている。また、上記配列行の間の非パターン担持領域ＮＲに溝部ＢＬｃが版ＰＰに向けて開口して設けられている。より詳しくは、非パターン担持領域ＮＲでＹ方向に延びるスリットをシリコーンゴム層ＢＬｂの（−Ｙ）側端面から（＋Ｙ）側端面に設けることで溝部ＢＬｃがシリコーンゴム層ＢＬｂを取り囲む周辺空間につながるように形成されている。このため、次に説明するように第１転写処理を行った際にブランケットＢＬと版ＰＰとの際に気泡がトラップされたとしても、気泡が溝部ＢＬｃに及ぶことで溝部ＢＬｃを介してブランケットＢＬと版ＰＰとの間から排出される。なお、本実施形態では、ガラス基板ＢＬａの上面のうちスリット形成により露出する領域を溝部ＢＬｃの底面として機能させているが、これは溝部ＢＬｃを介して気泡を排出するための必須構成ではなく、例えば溝部ＢＬｃの深さをシリコーンゴム層ＢＬｂの厚み（鉛直方向Ｚにおける高さ）未満に設定してもよい。
【００４０】
図４は図１の転写装置による転写処理を示すフローチャートである。また、図５Ａないし図５Ｃおよび図６Ａないし図６Ｃは転写処理の過程における各部の位置を模式的に示す図である。また、図７は第１転写処理での気泡排出動作を模式的に示す図である。さらに図８は第１転写処理により形成されてブランケットのパターン担持領域に担持されるパターンの一例を模式的に示す図である。なお、図７中の（ｂ−１）および（ｂ−２）はそれぞれ（ａ−１）中のＡ−Ａ線断面図および（ａ−２）中のＢ−Ｂ線断面図を示している。
【００４１】
転写処理では、最初に、所望のパターンＰＴ１（図８）を反転させた凸パターンＰＴ２を有する版ＰＰが装置に搬入され、上ステージ２１にセットされる（ステップＳ１０１）。上ステージ２１は、凸パターンＰＴ２が形成されたパターン形成面を下向きにして版ＰＰを吸着保持する。続いて、版ＰＰによりパターニングされる塗布層ＣＬを有するブランケットＢＬが装置に搬入され、下ステージ３１にセットされる（ステップＳ１０２）。下ステージ３１は、予め塗布層ＣＬが塗布されたシリコーンゴム層ＢＬｂを上向きにして版ＰＰに対向させた状態でブランケットＢＬを吸着保持する。
【００４２】
次に、装置各部が所定の初期位置に位置決めされる（ステップＳ１０３）。図５Ａは各部の初期位置を示している。上ステージ２１および下ステージ３１は、版ＰＰとブランケットＢＬとが所定のギャップを隔てて平行に対向し、かつ水平方向にはブランケットＢＬに担持された塗布層ＣＬと版ＰＰの凸パターンＰＴ２とが予め定められた位置関係となるように位置決めされる。また、昇降ハンド３３１等はその上面が下ステージ３１の上面と同一平面となる位置まで上昇し、ブランケットＢＬの下面に当接してブランケットＢＬを水平姿勢に支持する。ローラユニット４３は、Ｙ方向における版ＰＰの一方端部の直下位置で、かつ転写ローラ４３１がブランケットＢＬの下面から十分に下方へ退避した退避位置に位置決めされる。
【００４３】
この状態から転写ローラ４３１が上昇してブランケットＢＬの下面に当接する。具体的には、ローラ昇降機構を構成するモータ４３６が作動して、転写ローラ４３１を、退避位置よりも上方であってブランケットＢＬ下面より僅かに下方の接触前位置まで所定の第１速度Ｖ１で上昇させる（ステップＳ１０４）。このときのモータ制御は位置制御または速度制御とされる。この時点では、転写ローラ４３１の上端はブランケットＢＬに接触していない。
【００４４】
転写ローラ４３１が接触前位置まで到達すると、モータ４３６の回転が減速され、転写ローラ４３１の上昇速度が第１速度Ｖ１より低速の第２速度Ｖ２に変更される（ステップＳ１０５）。これにより、転写ローラ４３１が低速でさらに上昇して、その上端がブランケットＢＬ下面に接触する。
【００４５】
転写ローラ４３１がブランケットＢＬ下面に当接した後も上昇を続けることにより、図５Ｂに示すように、ブランケットＢＬが転写ローラ４３１により押し上げられ、最終的にはブランケットＢＬ上面が版ＰＰの下面に当接する。これにより、ブランケットＢＬ上面に担持された塗布層ＣＬが版ＰＰに密着する。さらに転写ローラ４３１がブランケットＢＬを押し上げることで、塗布層ＣＬが版ＰＰに押し付けられる。このとき、塗布層ＣＬが凸パターンＰＴ２によりパターニングされ、当該凸パターンＰＴ２の反転パターンが所望パターンＰＴ１としてブランケットＢＬに転写される。
【００４６】
また、ローラ走行機構を構成するモータ４２４がオンとなり、転写ローラ４３１のＹ方向への走行が開始される（ステップＳ１０６）。これにより、転写ローラ４３１がブランケットＢＬの下面に当接して従動回転しながらＹ方向へ走行する。
【００４７】
図５Ｃおよび図６Ａに示すように、転写ローラ４３１がブランケットＢＬを版ＰＰに押し付けながらＹ方向に移動することで、塗布層ＣＬを介してブランケットＢＬと版ＰＰとが密着する領域がＹ方向に広がってゆく。こうしてパターンＰＴ１が順次ブランケットＢＬのシリコーンゴム層ＢＬｂの上面ＢＬｄに転写される（第１転写処理）。転写ローラ４３１は、ブランケットＢＬを一定の押圧力で押圧することのできる押圧位置まで上昇し、この状態でＹ方向に走行する。
【００４８】
このとき、昇降ハンドユニット３３，３４は、走行するローラユニット４３との干渉を避けるために、昇降ハンド３３１（３４１），３３２（３４２），３３３（３４３），３３４（３４４）をローラユニット４３の移動に伴って順次下降させてゆく。
【００４９】
図６Ｂに示すように、転写ローラ４３１が版ＰＰの他方端部直下の終了位置に到達するまで（ステップＳ１０７）、ローラユニット４３の走行が継続される。これにより、版ＰＰ全体がブランケットＢＬに当接し、ブランケットＢＬへのパターンＰＴ１の転写が完了する。この時点でローラユニット４３の移動が停止され、図６Ｃに示すように、ローラユニット４３がブランケットＢＬから離間して下方へ退避する（ステップＳ１０８）。こうして密着されたブランケットＢＬと版ＰＰとが一体的に搬出されて（ステップＳ１０９）、この転写装置１における転写処理は終了する。
【００５０】
こうして転写装置１による転写処理を行っている間に、図７の上段欄に示すように、ブランケットＢＬと版ＰＰとの間に気泡ＡＢがトラップされて、いわゆる「泡がみ」という問題が発生することがある。しかしながら、本実施形態では、ブランケットＢＬのシリコーンゴム層ＢＬｂに溝部ＢＬｃを設けているため、当該気泡ＡＢが発生したとしても、時間経過とともに溝部ＢＬｃを介してシリコーンゴム層ＢＬｂの周辺空間に排出される。したがって、図７の下段欄に示すように、転写処理の完了から一定時間Ｔ１だけ経過した時点では全気泡ＡＢが排出されている。その結果、ブランケットＢＬに対して版ＰＰの凸パターンＰＴ２の反転パターンを良好に転写し、例えば図８に示すようにＹ方向に幅Ｗ１を有するとともにＸ方向に延びるライン状パターン要素ＰＥ１を複数本並設した高品質なパターンＰＴ１をブランケットＢＬのパターン担持領域ＰＲに転写することができる。なお、図８中の符号「ＢＬｅ」はシリコーンゴム層ＢＬｂの下面を示しており、当該下面ＢＬｅがガラス基板ＢＬａで支持されている。
【００５１】
また、溝部ＢＬｃはパターン担持領域ＰＲを避けてシリコーンゴム層ＢＬｂの非パターン担持領域ＮＲに形成されているため、パターンＰＴ１は溝部ＢＬｃの影響を受けることなく、ブランケットＢＬに転写される。なお、溝部ＢＬｃについては、溝部ＢＬｃに相当する領域を避けてシリコーンゴムを塗布して３つの層状のゴム塗布部を設けることで図２や図７に示すシリコーンゴム層ＢＬｂを形成することができ、隣接するゴム塗布部の間が溝部ＢＬｃとして機能する。このように１回の塗布工程で溝部ＢＬｃを有するシリコーンゴム層ＢＬｂを形成することができる。もちろん、ガラス基板ＢＬａの上面にシリコーンゴムを塗布して層状のゴム塗布部を全面形成した後で当該ゴム塗布部にスリットを設けて溝部ＢＬｃを形成してもよい。このように本実施形態では、従来より周知の塗布技術を用いて安価に、しかも安定して平板状ブランケットＢＬを用意することができる。
【００５２】
また、上記したように従来の塗布技術を用いて溝部ＢＬｃを簡単にしかも精度良く形成することができるため、次のような作用効果も得られる。版ＰＰとブランケットＢＬとを当接させて転写処理を行う場合、版ＰＰの下面のうち凸パターンＰＴ２が形成されていない領域に溝部を設け、当該溝部を介して気泡ＡＢを排出するという技術（以下「比較技術」という）が考えられる（特許文献２参照）。しかしながら、いわゆる写真製版技術を用いて凸パターンＰＴ２を形成するのみならず、別途溝部を設けるための工程が必要となり、気泡ＡＢの排出のために追加コストがかかる。これに対し、本実施形態では、上記したようにシリコーンゴム層ＢＬｂの塗布と同時に溝部ＢＬｃを形成することができ、上記比較技術に比べて低コストで気泡排出機構を提供することができる。
【００５３】
また、凸パターンＰＴ２と同時に溝部を版ＰＰの下面に作り込んでもよいのであるが、この場合、凸パターンＰＴ２と同じ深さの溝部しか形成することができず、溝部の形状やサイズなどが制約されてしまう。これに対し、本実施形態では、ブランケットＢＬ側に溝部ＢＬｃを設けるのみであるため、上記制約はなく、気泡ＡＢの大きさや形状などに応じた溝部ＢＬｃを形成することができる。
【００５４】
さらに、比較技術においては版ＰＰに溝部を設けた上で反転転写を行うため、溝部に対応する形状のパターン要素がブランケットの非パターン領域に形成されて担持される。したがって、第２転写処理を行う前にブランケットから当該パターン要素を取り除くか、第２転写処理後に基板から取り除く必要があり、スループットの悪化は不可避である。これに対し、本実施形態では、ブランケットの非パターン領域にはパターン要素は形成されず、そのまま第２転写処理を行うことができ、また基板ＳＢに余分なパターン要素が転写されることもない。なお、このような作用効果は次に説明する第２実施形態においても同様である。
【００５５】
図９は本発明にかかる平板状ブランケットの第２実施形態を示す斜視図である。また、図１０は第２実施形態における第１転写処理での気泡排出動作を模式的に示す図である。なお、図１０中の（ｂ−１）および（ｂ−２）はそれぞれ（ａ−１）中のＣ−Ｃ線断面図および（ａ−２）中のＤ−Ｄ線断面図を示している。この第２実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、転写処理中にブランケットＢＬと版ＰＰとの間に混入される気泡ＡＢを排出する気泡排出機構の構成である。つまり、第１実施形態では、シリコーンゴム層ＢＬｂに設けられた溝部ＢＬｃが気泡排出機構として機能しているのに対し、第２実施形態では、ガラス基板ＢＬａの上面に多孔質性のシリコーンゴム層ＢＬｆが設けられており、当該シリコーンゴム層ＢＬｂ全体がパターンＰＴ１を担持する機能とともに気泡排出機構として機能する。なお、図９に示す平板状ブランケットＢＬを使用する場合も、第１実施形態と全く同様にして第１転写処理を行うことができるとともに、第１転写処理中に混入した気泡を排出可能となっている。より詳しくは、例えば図１０の上段欄に示すように第１転写処理中にブランケットＢＬと版ＰＰとの間に気泡ＡＢが混入されたとしても、時間経過とともにシリコーンゴム層ＢＬｆに含まれる孔を介してシリコーンゴム層ＢＬｆの周辺空間に排出される。したがって、図１０の下段欄に示すように、転写処理の完了から一定時間Ｔ２だけ経過した時点では全気泡ＡＢは排出されている。
【００５６】
このように、第２実施形態では、シリコーンゴム層ＢＬｆに数多くの孔が形成されており、これらの孔を介して気泡ＡＢが排出されるため、ブランケットＢＬに溝部ＢＬｃを設ける必要がない。このため、第１実施形態と同様に、非パターン担持領域ＮＲを有する場合はもちろんのこと、シリコーンゴム層ＢＬｂ全体がパターン担持領域ＰＲとして機能する場合も気泡ＡＢを効果的に排出することができる。ただし、シリコーンゴム層ＢＬｆの上面にパターンＰＴ１が転写されるため、シリコーンゴム層ＢＬｆの上面近傍に形成される孔のサイズがパターンＰＴ１に比べて大きくなると、パターンＰＴ１の転写性能が低下し、パターンの品質低下を招くおそれがある。したがって、例えば図８に示すように幅Ｗ１のライン状パターン要素ＰＥ１で構成されるパターンＰＴ１をブランケットＢＬに転写する場合、孔の平均孔径が幅Ｗ１未満となるようにシリコーンゴム層ＢＬｆに孔を形成するために使用する発泡材料の組成や量などを調整する必要がある。例えばライン状パターン要素ＰＥ１の幅Ｗ１が１［μｍ］程度である場合、平均孔径が２〜５０［ｎｍ］となる細孔、いわゆる「メソ孔」を有する多孔質性のシリコーンゴム層ＢＬｆを用いるのが好適である。
【００５７】
また、上記実施形態では、Ｘ方向に延設された複数のライン状パターン要素ＰＥ１により構成されるパターンＰＴ１を形成しているが、パターンＰＴ１の構成要素はこれに限定されるものではなく、例えば図１１中の（ａ）〜（ｆ）で示す形状を有するパターン要素ＰＥ２〜ＰＥ７によりパターンＰＴ１を構成してもよい。ただし、パターンＰＴ１の転写性能の低下を回避するためには、図１１中の（ａ）〜（ｆ）で示すパターン要素ＰＥ２〜ＰＥ７によりパターンＰＴ１を構成する場合、それぞれ細孔の平均孔径がＷ２〜Ｗ７よりも小さくなるようにシリコーンゴム層ＢＬｆを形成しておく必要がある。また、パターンＰＴ１が複数種類のパターン要素を有する場合も同様である。すなわち、細孔の平均孔径がシリコーンゴム層ＢＬｆの面内方向（図９および図１１のＸＹ面内の方向）において最も細くなっている部分の幅よりも小さくなるようにシリコーンゴム層ＢＬｆを形成すればよく、これによって第２実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００５８】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、シリコーンゴム層ＢＬｂの下面を支持する基材としてガラス基板ＢＬａを用いているが、ガス透過性材料で構成された基材を用いてもよい。例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート：polyethylene terephthalate）にガス透過性を持たせながら平板状に成形したものを基材としてもよい。
【００５９】
そして、ガス透過性のＰＥＴ基材の上面に対して溝部ＢＬｃを有するシリコーンゴム層ＢＬｂを積層して形成すると、ブランケットＢＬと版ＰＰとの間にトラップされた気泡ＡＢは溝部ＢＬｃを介してシリコーンゴム層ＢＬｂの周辺空間に排出されるのみならず、溝部ＢＬｃおよびＰＥＴ基材を介して排出される。その結果、第１実施形態の時間Ｔ１よりも短い時間で気泡ＡＢを排出することができ、スループットの向上を図ることができる。
【００６０】
また、ガス透過性のＰＥＴ基材の上面に対して多孔質性のシリコーンゴム層ＢＬｆを積層して形成すると、ブランケットＢＬと版ＰＰとの間にトラップされた気泡ＡＢはシリコーンゴム層ＢＬｆを介して周辺空間に排出されるのみならず、シリコーンゴム層ＢＬｆおよびガス透過性ＰＥＴ基材を介しても排出される。その結果、第２実施形態の時間Ｔ２よりも短い時間で気泡ＡＢを排出することができ、スループットの向上を図ることができる。
【００６１】
また、上記第１実施形態では、図２に示すように、シリコーンゴム層ＢＬｂの非パターン担持領域ＮＲに２本の溝部ＢＬｃを直線状に形成しているが、溝部ＢＬｃの形状や数などについては任意である。
【００６２】
また、上記実施形態では、パターンＰＴ１を担持するための担持層としてシリコーンゴム層ＢＬｂ、ＢＬｆを形成しているが、担持層の構成材料はこれに限定されるものではなく、塗布層ＣＬおよびパターンＰＴ１を担持可能な材料であれば任意である。
【００６３】
また、上記実施形態では、第１転写処理に対して本発明を適用しているが、パターンＰＴ１を担持する平板状ブランケットＢＬを基板ＳＢに当接させて上記パターンＰＴ１を基板ＳＢに転写する第２転写処理に対して本発明を適用することができる。
【００６４】
以上説明したように、上記実施形態においては、版ＰＰや基板ＳＢが本発明の「板状体」の一例に相当している。また、ガラス基板ＢＬａやＰＥＴ基材が本発明の「基材」の一例に相当している。また、シリコーンゴム層ＢＬｂが本発明の「担持層」の一例に相当し、シリコーンゴム層ＢＬｂの上面ＢＬｄおよび下面ＢＬｅがそれぞれ本発明の「板状体に対向する一方主面」および「担持層の他方主面」に相当している。また、ステップＳ１０１、Ｓ１０２が本発明の「保持工程」の一例に相当している。さらに、ステップＳ１０６が本発明の「転写工程」の一例に相当している。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
この発明は、板状体と平板状ブランケットとを当接させて、板状体および平板状ブランケットの間でのパターンの転写を行う転写技術に対して好適に適用可能である。
【符号の説明】
【００６６】
１…転写装置
ＡＢ…気泡
ＢＬ…平板状ブランケット
ＢＬａ…ガラス基板（基材）
ＢＬｂ，ＢＬｆ…シリコーンゴム層（担持層）
ＢＬｃ…溝部
ＢＬｄ…（シリコーンゴム層の）上面
ＢＬｅ…（シリコーンゴム層の）下面
ＣＬ…塗布層
ＮＲ…非パターン担持領域
ＰＥ１〜ＰＥ７…パターン要素
ＰＰ…版（板状体）
ＰＲ…パターン担持領域
ＰＴ１…パターン
ＰＴ２…凸パターン
ＳＢ…基板（板状体）
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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