(57)【要約】      （修正有）【課題】珪素を含有する無機膜にシリル化処理を施してからレジスト膜を形成するフォトマスクブランクに関し、現像後、レジスト残渣などによる欠陥の発生を抑制することができるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。【解決手段】透明基板２上に、少なくとも、珪素を含有する無機膜５を有し、該無機膜５上にレジスト膜６を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記無機膜５を形成した後、２００℃より高い温度で酸素を含む雰囲気中で熱処理してからシリル化処理を行い、その後、塗布により前記レジスト膜を形成することで、レジスト残渣などによる欠陥の発生が抑制できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、少なくとも、珪素を含有する無機膜を有し、該無機膜上にレジスト膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記無機膜を形成した後、２００℃より高い温度で酸素を含む雰囲気中で熱処理してからシリル化処理を行い、その後、塗布により前記レジスト膜を形成することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
前記熱処理を、４００℃より高い温度で行うことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
前記珪素を含有する無機膜を、さらに酸素を含有するものとすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記珪素を含有する無機膜を、珪素と酸素とからなるものとすることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
前記珪素を含有する無機膜を、クロムを含有する無機膜を形成してから形成することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項６】
前記透明基板上に、珪素を含有する位相シフト膜を形成してから前記クロムを含有する無機膜を形成することを特徴とする請求項５に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項７】
前記珪素を含有する無機膜をハードマスクとすることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項８】
前記シリル化処理において、ヘキサメチルジシラザンを用いて処理することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路等を製造する際に使用するフォトマスク用のフォトマスクブランクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体加工においては、特に大規模集積回路の高集積化により、回路パターンの微細化がますます必要になってきており、回路を構成する配線パターンの細線化や、セルを構成する層間の配線のためのコンタクトホールパターンの微細化技術への要求がますます高まってきている。そのため、これらの配線パターンやコンタクトホールパターンを形成する光リソグラフィーで用いられる、回路パターンが書き込まれたフォトマスクの製造においても、上記微細化に伴い、より微細かつ正確に回路パターンを書き込むことができる技術が求められている。
【０００３】
より精度の高いフォトマスクパターンをフォトマスク基板上に形成するためには、まず、フォトマスクブランク上に高精度のレジストパターンを形成することが必要になる。実際の半導体基板を加工する際の光リソグラフィーは縮小投影を行うため、フォトマスクパターンは実際に必要なパターンサイズの４倍程度の大きさであるが、それだけ精度が緩くなるというわけではなく、むしろ、原版であるフォトマスクには露光後のパターン精度に求められるものよりも高い精度が求められる。
【０００４】
更に、既に現在行われているリソグラフィーでは、描画しようとしている回路パターンは使用する光の波長をかなり下回るサイズになっており、回路の形状をそのまま４倍にしたフォトマスクパターンを使用すると、実際の光リソグラフィーを行う際に生じる光の干渉等の影響で、レジスト膜にフォトマスクパターン通りの形状は転写されない。そこでこれらの影響を減じるため、フォトマスクパターンは実際の回路パターンより複雑な形状（いわゆるＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ（光学近接効果補正）などを適用した形状）に加工する必要が生じる場合もある。そのため、フォトマスクパターンを得るためのリソグラフィー技術においても、現在、更に高精度な加工方法が求められている。リソグラフィー性能については限界解像度で表現されることがあるが、この解像限界としては、フォトマスクを使用した半導体加工工程で使用される光リソグラフィーに必要な解像限界と同等程度、あるいはそれ以上の限界解像精度がフォトマスク加工工程のリソグラフィー技術に求められている。
【０００５】
フォトマスクパターンの形成においては、通常、透明基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクの上にフォトレジスト膜を形成し、電子線によるパターンの描画を行い、現像を経てレジストパターンを得て、そして、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして、遮光膜をエッチングして遮光パターンへと加工するが、遮光パターンを微細化する場合にレジスト膜の膜厚を微細化前と同じように維持したままで加工しようとすると、パターンに対する膜厚の比、いわゆるアスペクト比が大きくなって、レジストのパターン形状が劣化してパターン転写がうまくいかなくなったり、場合によってはレジストパターンの倒れや剥がれを起こしたりしてしまう。そのため、微細化に伴いレジスト膜厚を薄くする必要がある。
【０００６】
また、ドライエッチング時のレジストへの負担を減らすために、ハードマスクを使用するという方法は古くより試みられており、例えば、特許文献１では、ＭｏＳｉ２上にＳｉＯ２膜を形成し、これを、塩素を含むガスを用いてＭｏＳｉ２をドライエッチングする際のエッチングマスクとして使用することが報告されており、また、ＳｉＯ２膜が反射防止膜としても機能し得ることが記述されている。また、位相シフト膜の上に遮光膜としてクロムを用い、その上にＳｉＯ２膜をハードマスクとして用いることは、例えば特許文献２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６３−８５５５３号公報
【特許文献２】特開平７−４９５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述したようなパターンの微細化に伴い、レジストの密着性が重要となっている。しかし、表面にＳｉを含む膜においてはフォトマスク上で、例えば５０ｎｍ以下のような微細なパターンを形成しようとすると、レジストの密着性が悪く、レジストパターンが現像中に剥離してしまう。これを回避するためにヘキサメチルジシラザンなどによるシリル化処理を行うことが有効であることが知られている。
しかし、シリル化処理を施すと表面が疎水性を帯びてしまい、洗浄しにくくなり、現像後の洗浄工程にレジスト残渣などが多数残り、欠陥となってしまうという問題がある。洗浄能力を向上するためにはＩＰＡ等を用いてぬれ性を改善すればよいが、これらの溶剤はレジストパターンに影響を与えるため望ましくない。
【０００９】
そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、珪素を含有する無機膜にシリル化処理を施してからレジスト膜を形成するフォトマスクブランクの製造方法に関し、現像後、レジスト残渣などによる欠陥の発生を抑制することができるフォトマスクブランクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、透明基板上に、少なくとも、珪素を含有する無機膜を有し、該無機膜上にレジスト膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記無機膜を形成した後、２００℃より高い温度で酸素を含む雰囲気中で熱処理してからシリル化処理を行い、その後、塗布により前記レジスト膜を形成することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法を提供する。
【００１１】
このようにすれば、シリル化処理によって、珪素を含有する無機膜とレジスト膜との密着性を高めることができ、微細なパターンをレジスト膜に形成しても、該レジストパターンが倒れたり剥がれたりするのを抑制することができる。
しかも、珪素を含有する無機膜を形成した後、上記熱処理を施してからシリル化処理を行い、レジスト膜を形成するので、従来、シリル化処理を施した場合に生じていた、現像後におけるレジスト残渣の発生を抑制することができ、欠陥数を低減することが可能である。その上、シリル化処理前の上記熱処理を行えばいいだけであるので簡便である。
【００１２】
このとき、前記熱処理を、４００℃より高い温度で行うことができる。
【００１３】
このようにすれば、現像後におけるレジスト残渣の発生をより一層抑制することができる。
【００１４】
このとき、前記珪素を含有する無機膜を、さらに酸素を含有するものとすることができる。
【００１５】
このように、珪素を含有する無機膜としてさらに酸素を含有するものを形成するのがより好ましい。
【００１６】
また、前記珪素を含有する無機膜を、珪素と酸素とからなるものとすることができる。
【００１７】
このように、珪素を含有する無機膜として、珪素と酸素とからなるものを形成するのがより好ましい。
【００１８】
また、前記珪素を含有する無機膜を、クロムを含有する無機膜を形成してから形成することができる。
【００１９】
フォトマスクブランクにおいて、例えば遮光膜の材料としてはクロムを含むものがよく用いられている。上記クロムを含有する無機膜を形成しておけば、該クロムを含有する無機膜を遮光膜等として利用することができる。
【００２０】
また、前記透明基板上に、珪素を含有する位相シフト膜を形成してから前記クロムを含有する無機膜を形成することができる。
【００２１】
このようにすれば、位相シフト膜を有するフォトマスクブランクを製造でき、より高い解像度で、より微細なパターンの形成が可能なフォトマスクを得ることができる。
【００２２】
また、前記珪素を含有する無機膜をハードマスクとすることができる。
【００２３】
このようにすれば、別途のハードマスクなしの場合よりもレジスト膜を薄くすることができ、より微細なパターン（例えば５０ｎｍ以下のパターン）の形成を行い易い。
【００２４】
前記シリル化処理において、ヘキサメチルジシラザンを用いて処理することができる。
【００２５】
ヘキサメチルジシラザン（以下、ＨＭＤＳと記載することがある）はフォトマスクブランク等の半導体製造工程で常用されており好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
以上のように、本発明のフォトマスクブランクの製造方法によれば、露光現像後、レジストパターンの倒れや剥がれを抑制することができるとともに、レジスト残渣の発生を抑制して欠陥数を低減することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の製造方法で製造されたフォトマスクブランクの一例を示す概略図である。
【図２】本発明のフォトマスクブランクの製造方法の一例を示すフロー図である。
【図３】実施例１における現像後の欠陥分布を示す観察図である。
【図４】比較例１における現像後の欠陥分布を示す観察図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明者らはフォトマスクブランクについて鋭意検討を重ねた。前述したように、従来では珪素を含有する無機膜にシリル化処理を施してレジスト膜を塗布した場合、該レジスト膜を露光現像した後、レジスト残渣が多数発生してしまっていた。しかしながら、珪素を含有する無機膜を形成後、熱処理（２００℃より高い温度、酸素を含む雰囲気下）を行えば、その後にシリル化処理およびレジストの塗布を行い、現像してレジストバターンを作製してもレジスト残渣などの欠陥を劇的に低減することができることを本発明者らは見出し、本発明を完成させた。
【００２９】
図１に本発明の製造方法により製造されたフォトマスクブランクの一例を示す。図１に示すようにフォトマスクブランク１は、例えば、透明基板２の上に、珪素を含有する位相シフト膜３、クロムを含有する無機膜（例えば、遮光膜４）、珪素を含有する無機膜５、レジスト膜６が順次形成されているものである。
【００３０】
フォトマスクブランク１に用いられる透明基板２としては、露光波長で透明な材料で、かつ製造でのそれぞれの工程における処理温度で変形量が小さいものであれば、特に制約はなく、そのようなものの一例としては石英基板が挙げられる。
【００３１】
次に、透明基板２の上の膜構成について説明する。
珪素を含有する無機膜５としては、例えば、珪素単体、或いは珪素に酸素、窒素、炭素のいずれか１つを少なくとも含むもの、或いは珪素と遷移金属を含むもの、或いは珪素と遷移金属と少なくとも、酸素、窒素、炭素のいずれか１つを含むものであればよい。このようなものとしては珪素からなるもの、酸素と珪素からなるもの、窒素と珪素からなるもの、酸素と窒素と珪素からなるもの、炭素と珪素からなるもの、炭素と酸素と珪素からなるもの、炭素と窒素と珪素からなるもの、炭素と酸素と窒素と珪素からなるもの、遷移金属を含むものとしては遷移金属と珪素からなるもの、遷移金属と珪素と酸素からなるもの、遷移金属と窒素と珪素からなるもの、遷移金属と酸素と窒素と珪素からなるもの、遷移金属と炭素と珪素からなるもの、遷移金属と炭素と酸素と珪素からなるもの、遷移金属と炭素と窒素と珪素からなるもの、遷移金属と炭素と酸素と窒素と珪素からなるもの等が挙げられる。
特に珪素と酸素と窒素からなるもの（ＳｉＯＮ膜）、さらには珪素と酸素からなるもの（ＳｉＯ膜）が望ましい。
【００３２】
遷移金属としてはモリブデン、タングステン、タンタル、チタン、ジルコニア、ハフニウムがあげられる。珪素を含有する無機膜５中の遷移金属としては１種に限らず、２種以上の遷移金属を含んでいてもよい。
さらに水素を含有していてもよい。
【００３３】
また、この珪素を含有する無機膜５はシリル化処理されたものである。珪素を含有する無機膜５がシリル化処理されたものであるため、その上に形成されているレジスト膜６との密着性が高い。したがって、レジスト膜６に微細なパターンが形成された場合においても、レジストパターンの倒れや剥がれが生じるのを抑制することができるものである。
【００３４】
なお、珪素を含有する無機膜５に施されるシリル化処理は特に限定されないが、例えば、半導体製造工程で常用されているＨＭＤＳを用いた処理とすることができる。
【００３５】
さらに、珪素を含有する無機膜５は、２００℃より高い温度で酸素を含む雰囲気中で熱処理されてから上記シリル化処理されたものである。
シリル化処理を利用した従来法によるフォトマスクブランクでは、現像後において、レジスト残渣が多数発生して欠陥が生じてしまっていた。しかしながら、本発明の製造方法によるフォトマスクブランク１では、従来品におけるレジスト残渣の発生を抑制でき、欠陥数を低減することができる。
このような熱処理による欠陥低減の理由は不明だが、例えば、珪素を含有する無機膜５においてレジスト膜と接する面でのＯＨの量や原子の結合状態の変化が考えられる。
【００３６】
膜構成としてはレジスト膜６の下が珪素を含有する無機膜５であればよく、該珪素を含有する無機膜５は、例えば、遮光膜、位相シフト膜などの光学膜や、光学膜にパターンを形成するために用いられるハードマスク膜として機能するものであってもよい。また、エッチングストッパ膜を有していてもよい。
特に微細なパターンを形成する時、例えば５０ｎｍ以下のパターンを形成する時に本発明は有効であり、珪素を含有する無機膜５をハードマスク膜とするとその効果は大きい。
ハードマスク膜として用いるときの膜厚は好ましくは１−３０ｎｍ、さらには１−２０ｎｍ、より好ましくは１−１０ｎｍとすると良い。
ここではハードマスク膜としての珪素を含有する無機膜５と透明基板２の間において、遮光膜４、さらには遮光膜４の下に位相シフト膜３を有する構成となっている。なお、このハードマスク膜としての珪素を含有する無機膜５と遮光膜４はエッチング選択性がある方が好ましい。
【００３７】
ハードマスク（エッチングマスク）膜（珪素を含有する無機膜５）はＣＦ４やＳＦ６などのフッ素を含むフッ素系エッチングガスでドライエッチングし、遮光膜４などの上記ハードマスク膜の下に形成される無機膜はフッ素系ドライエッチングでは耐性を有し、塩素または塩素と酸素を含むエッチングガスによる塩素系ドライエッチングでエッチングできる材料とすることで、加工が容易にできる。このような遮光膜４などの上記ハードマスク膜の下に形成される無機膜としてはクロムを含有する無機膜が望ましく、例えば、クロム単体や、クロムに酸素、窒素、炭素の少なくとも１種類を有する膜とすることができる。遮光膜４のハードマスク膜側には反射防止層を形成したり、透明基板側にも酸素や窒素の多い膜を形成し、密着性を改善したり、反射防止層としてもよい。
【００３８】
さらに、遮光膜４と透明基板２の間に位相シフト膜３を形成するときには、該位相シフト膜３は遮光膜４とエッチング特性が異なる方が好ましく、上記のように遮光膜４が塩素と酸素を含むドライエッチングでエッチングされ、フッ素系ドライエッチングに耐性を有する場合は、位相シフト膜３は塩素と酸素を含むエッチングガスによるドライエッチングには耐性を有し、フッ素を含むエッチングでエッチングされる材料とすればよく、例えば珪素に酸素、窒素、炭素のいずれかを少なくとも含む材料とすれば良いし、またはさらに遷移金属を含む材料とすれば良い。遷移金属としてはモリブデン、タングステン、タンタル、チタン、ジルコニア、ハフニウムがあげられる。さらに水素を含有していてもよい。
【００３９】
なお、レジスト膜６の下が遮光膜のときは珪素を含む材料としては前述したような材料にすればよく、遮光膜全体を珪素を含有する無機膜５としてもよい。また、遮光膜の表面を反射防止層とするときは、反射防止層のみを珪素を含有する無機膜５として、遮光膜を他の材料、例えばクロムを有する膜としてもよい。
【００４０】
また、レジスト膜６の材料としては電子線で描画するための電子線レジストとしてもよいし、光で描画するフォトレジストとしてもよい。特に化学増幅型レジストでその効果は大きい。化学増幅型レジストとしてはポジ型でもネガ型でもよく、ヒドロキシスチレン系の樹脂、酸発生剤を主成分とするもの、さらに架橋剤を添加したもの、クエンチャー、界面活性剤などいずれか１つ以上を含んだものでもよく、また、（メタ）アクリル酸系樹脂としてもよい。
【００４１】
次に、図１に示すフォトマスクブランク１を製造することができる本発明のフォトマスクブランクの製造方法について説明する。図２は本発明の製造方法の一例を示すフロー図である。
まず透明基板２を用意する（図２（Ａ））。透明基板２としては前述したものを用意することができ、例えば石英基板とすることができる。
【００４２】
次に、前述したような材料、すなわち、珪素を含有する位相シフト膜３（図２（Ｂ））およびクロムを含有する無機膜として遮光膜４（図２（Ｃ））を順次形成する。これらの膜の形成方法は特に限定されず、例えばスパッタリングにより形成することができる。位相シフト膜により、より高い解像度を得ることができる。
【００４３】
なお、位相シフト膜３とその上に形成する遮光膜４、遮光膜４とその上に形成する珪素を含有する無機膜５を、前述したような互いにエッチング耐性が異なる材料で形成すれば、フォトマスク製造の際のエッチング工程において加工が容易になる。
【００４４】
次に、前述したような材料からなる珪素を含有する無機膜５を形成する（図２（Ｄａ））。
なお、この珪素を含有する無機膜５の形成方法としては、珪素を含むガス、例えば、モノシラン、ジクロロシラン、トリクロロシランなどを用いたＣＶＤによる成膜でもよいが、珪素を含有するターゲットを少なくとも１つ用いたスパッタリングによる成膜の方が簡単で制御性よく成膜することができるので好ましい。
【００４５】
スパッタリングによる成膜の方法としてはＤＣスパッタやＲＦスパッタ法等、特に制約はない。珪素を含有する無機膜５を成膜するには、例えば珪素と酸素を含む膜とするときはターゲットに珪素を用い、スパッタガスとしてアルゴンと酸素ガスを用いる反応性スパッタリングを行えばよい。また、酸素の代わりに窒素を含む膜を成膜するときは窒素ガスを酸素ガスの代わりに用いればよく、窒素と酸素の両方を含む膜を成膜するときは窒素ガスと酸素ガスを同時に用いてもよいし、また、一酸化窒素や二酸化窒素などの酸化窒素ガスを用いてもよい。炭素をさらに含む膜を成膜するときはメタンガスや一酸化炭素や二酸化炭素などの炭素を含むガスを用いればよい。また、遷移金属をさらに含む膜を成膜するときは遷移金属と珪素を含有したターゲットを用いたり、珪素ターゲットと遷移金属ターゲットの両方を同時に用いて共スパッタリングを行ってもよい。
【００４６】
さらに、上記成膜により形成した珪素を含有する無機膜はＳｉ−Ｓｉの結合を有する状態の膜であると、この膜を、酸素を含む熱処理を行うことで、表面のＳｉ−Ｏの結合を熱処理で制御できるため、好ましい。
【００４７】
次に熱処理を行う（図２（Ｄｂ））。
この熱処理は、２００℃よりも高い温度で、かつ、酸素を含む雰囲気中で行う。熱処理における雰囲気中の酸素濃度は特に制限はなく、例えば、１−１００％とすればよい。熱処理の方法としては赤外線加熱、抵抗加熱など特に制約はない。
また、熱処理温度は２００℃より高い温度とすれば良く、好ましくは３００℃より高い温度、より好ましくは４００℃より高い温度にすることができる。さらに好ましくは４５０℃あるいはそれ以上とすることもできる。コストや、目標とする現像後の欠陥数等に応じて適宜決定することができる。
【００４８】
上記のような熱処理を行ってから、後述するシリル化処理を行い、その後にレジスト膜を塗布して形成することによって、レジスト膜６にパターンを描画して現像した際、従来品に比べ、レジスト残渣が生じるのを抑制することができる。そして、これにより欠陥数を大幅に低減することが可能である。しかも上記熱処理をシリル化処理前に行うだけで良いので簡便である。
【００４９】
次に洗浄を施す（図２（Ｅ））。フォトマスクブランク表面上に存在するパーティクルを除去するためのこの洗浄は、超純水、或いはオゾン、水素などを含んだ超純水である機能水を用い、それと同時に超音波を当てることにより行なうことができる。または界面活性剤入りの超純水で洗浄した後、超純水でリンスし、上記機能水洗浄、ＵＶ光照射、または、これらの組み合わせにより行なわれる。
【００５０】
そして、フォトマスクブランク表面の表面エネルギーを低減させておくためのシリル化処理を行い、フォトマスクブランク表面をアルキルシリル化する（図２（Ｆ））。このようなシリル化処理を行うことによって、微細レジストパターンの剥がれや倒れを防止することができる。
【００５１】
シリル化剤としては、前述したようにＨＭＤＳが挙げられるが、これに限定されない。
シリル化処理の方法としては基板の珪素を含有する無機膜の上に直接塗布する方法や、上記シリル化剤に基板を暴露する方法がある。暴露方法としては、基板を保持した容器中で上記シリル化剤を蒸発させる方法、あるいは、窒素ガスをバブリングすることによって上記シリル化剤を気化させる方法などがある。上記シリル化剤を反応させる温度としては、例えば４０℃以上２００℃以下とすることができる。また処理時間としては、例えば、予め、シリル化処理の同条件で水の接触角を測定し、基板の濡れ性が適当な値となるように調整することが好ましい。
【００５２】
そして、シリル化処理した珪素を含有する無機膜５上に、前述したようなレジスト膜６を塗布し、フォトマスクブランク１を得ることができる（図２（Ｇ））。
なお塗布方法は特に限定されず、例えば従来と同様の方法で行うことができる。パターン形状が良好に得られるよう、適宜膜厚等を決定することができる。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
本発明の製造方法によりフォトマスクブランクを製造した。
１５２ｍｍ角、厚み約６ｍｍの石英基板上に位相シフト膜としてＭｏＳｉＯＮをスパッタ法で７５ｎｍ形成した。スパッタガスとしては酸素と窒素とアルゴンを用い、ターゲットとしてはＭｏＳｉ２とＳｉの２種類を用いて、基板を３０ｒｐｍで回転させながら成膜した。
この位相シフト膜の組成をＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  ｆｏｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）法（ＸＰＳ法）（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製  Ｋ−Ａｌｐｈａ）で調べたところＭｏ：Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝１：４：１：４（原子比）であった。
【００５４】
この上に、さらに遮光膜として基板側からＣｒＮからなる層（３０ｎｍ）とＣｒＯＮからなる層（２０ｎｍ）をスパッタ法で形成した。スパッタガスとしては、ＣｒＮ層はアルゴンと窒素ガスを、ＣｒＯＮ層は酸素と窒素とアルゴンを用い、ターゲットとしては金属クロムを用いて、基板を３０ｒｐｍで回転させながら成膜した。
この遮光膜の組成をＥＳＣＡで調べたところＣｒＮ層はＣｒ：Ｎ＝９：１（原子比）、ＣｒＯＮ層はＣｒ：Ｏ：Ｎ＝４：５：１（原子比）であった。
【００５５】
この上に、珪素を含むエッチングマスク膜（ハードマスク）として５ｎｍの厚さのＳｉＯをスパッタ法で形成した。スパッタガスとしては酸素とアルゴンを用い、ターゲットとしてはＳｉを用いて、基板を３０ｒｐｍで回転させながら成膜した。
なお、このＳｉＯをＥＳＣＡ法で調べた結果、Ｓｉ−Ｓｉ結合が観察された。
【００５６】
これを、酸素２０％、窒素８０％の雰囲気で５００℃で加熱した後にＨＭＤＳを用いてシリル化処理を行った。その後、ネガ型電子線レジスト（信越化学工業株式会社製）を塗布したのち、水酸化テトラメチルアンモニウムで現像した。そして純水でリンスした。
【００５７】
これを欠陥検査装置ＭＡＧＩＣＳ  ２３５０（レーザーテック社製）で検査した結果、図３のような欠陥数が極めて少ない良好な結果となった。
なお、検出された０．１μｍ以上の欠陥の数は４２個であった。
【００５８】
（実施例２）
熱処理温度を３００℃に変えた以外は実施例１と同様にして、フォトマスクブランクを得た。
その結果、現像後の欠陥の数は１１８０個であった。
【００５９】
（比較例１）
熱処理を行わなかったこと以外は実施例１と同様にしてフォトマスクブランクを作製した。
現像後に欠陥検査した結果、図４のような多数のレジスト残渣が残った。検出された０．１μｍ以上の欠陥の数は４７０４個と非常に多かった。
【００６０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６１】
１…本発明の製造方法によるフォトマスクブランク、
２…透明基板、  ３…位相シフト膜、
４…遮光膜、  ５…珪素を含有する無機膜、  ６…レジスト膜。
【図１】
2016035547.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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