(57)【要約】【課題】半導体装置の実装信頼性を向上させる。【解決手段】複数のリードＬＤは、上型ＬＣＭ２と下型ＬＣＭ１とで挟んで切断される。また、上型ＬＣＭ２によるスライド動作を制御する、ポスト（ガイドレール）とブッシュ（レール保持部）の間には隙間が設けられる。複数のリードＬＤが上型ＬＣＭ２と下型ＬＣＭ１とに挟まれた後、かつ、切断される前に、複数のリードＬＤを支持する下型ＬＣＭ１と、複数のリードＬＤの下面ＬＤｂに接触する上型ＬＣＭ２との位置関係を調整するものである。【選択図】図１８
2016051734.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体チップと、それぞれが前記半導体チップと電気的に接続され、インナリード部とアウタリード部とを有する複数のリードと、前記複数のリードのそれぞれのインナリード部を封止する封止体と、を有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記複数のリードの前記封止体から露出したそれぞれのアウタリード部の一部を切断することにより、前記リードフレームから前記複数のリードを切り離す工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
平面視において、前記封止体は第１辺と、前記第１辺の反対側に位置する第２辺と、を有し、
前記複数のリードは、前記封止体の前記第１辺から突出し、第１方向に沿って延びる第１リードと、前記封止体の前記第２辺から突出し、前記第１方向に沿って延びる第２リードと、を有し、
前記第１リードおよび前記第２リードのそれぞれは、前記半導体装置を実装基板に実装した際、前記実装基板の前記半導体装置が実装される実装面と対向する部分を含む下面と、前記下面の反対側に位置する上面と、を有し、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記第１リードの前記上面と、前記第２リードの前記上面と、をそれぞれ第１金型で支持する工程と、
（ｂ２）前記（ｂ１）工程の後、第２金型を前記第１リードの前記下面と前記第２リードの前記下面とに向かって近づけ、かつ接触させる工程と、
（ｂ３）前記（ｂ２）工程の後、前記第１金型に対し、前記第２金型の位置合わせを行う工程と、
（ｂ４）前記（ｂ３）工程の後、前記第１リードおよび前記第２リードを前記第１金型と前記第２金型とを用いることにより一括して切断する工程と、を有し、
前記（ｂ）工程で用いる第１金型は、前記第１リードを支持する第１ダイと、前記第２リードを支持する第２ダイと、を有し、
前記（ｂ）工程で用いる第２金型は、前記第１方向において前記第１ダイの外側に設けられ、前記第１リードを切断する第１パンチと、前記第１方向において前記第２ダイの外側に設けられ、前記第２リードを切断する第２パンチと、を有し、
前記（ｂ３）工程は、前記第１方向において、前記第１パンチから前記第１ダイまでの第１クリアランス距離と、前記第２パンチから前記第２ダイまでの第２クリアランス距離と、が等しくなるように位置合わせを行う、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ３）工程は、
（ｂ３１）前記第１リードおよび前記第２リードそれぞれの一部が変形するまで前記第２金型を前記第１金型に近づく方向に移動させる工程と、
（ｂ３２）前記第２金型の前記第１金型に近づく方向への移動を一旦停止させる工程と、を含み、
前記（ｂ４）工程は、停止した前記第２金型を前記第１金型に近づく方向に再び移動させることにより前記第１リードおよび前記第２リードを一括して切断する、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２金型は、前記リードフレームの厚さ方向に延びるガイドレールに沿ってスライド動作するレール保持部を有し、
前記ガイドレールと前記レール保持部との前記第１方向における隙間距離の合計値は、前記第１パンチと前記第２パンチの離間距離の寸法公差の２倍以上である、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１クリアランス距離と、前記第２クリアランス距離の合計値は、前記隙間距離の合計値の２倍以下である、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で準備する前記リードフレームの、前記第１リードおよび前記第２リードのそれぞれの前記アウタリード部の表面には半田膜が形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ダイは、前記第１リードを支持する第１支持面と、前記第１支持面の外側に位置する第１支持端部と、を有し、
前記第２ダイは、前記第２リードを支持する第２支持面と、前記第２支持面の外側に位置する第２支持端部と、を有し、
前記第１パンチは、前記第１リードを押圧する第１押圧面と、前記第１押圧面の内側に位置する第１押圧端部と、を有し、
前記第２パンチは、前記第２リードを押圧する第２押圧面と、前記第２押圧面の内側に位置する第２押圧端部と、を有し、
前記第１支持端部、前記第２支持端部、前記第１押圧端部、および前記第２押圧端部のそれぞれには、面取り加工が施されている、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ダイ、前記第２ダイ、前記第１パンチ、および前記第２パンチのそれぞれは、基材と、前記基材の表面を覆う第１膜と、を有し、
前記第１膜の硬さは、前記基材の硬さよりも硬く、
前記第１支持端部、前記第２支持端部、前記第１押圧端部、および前記第２押圧端部のそれぞれは、前記第１膜に覆われている、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で切断された前記第１リードおよび前記第２リードの端部のそれぞれは、前記下面に連なる第１側面と、前記上面に連なる第２側面と、第１境界線を介して前記第１側面に連なり、かつ、第２境界線を介して前記第２側面に連なる第３側面と、を有し、
前記第１側面は、前記（ｂ３）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードが変形して形成された変形面であって、
前記第３側面は、前記（ｂ４）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードがせん断されて形成された、せん断面であって、
前記第２側面は、前記（ｂ４）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードの前記上面側の一部が破断して形成された破断面であり、
前記下面から前記第２境界線までの高さは、前記第２境界線から前記上面までの高さよりも大きい、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で切断された前記第１リードおよび前記第２リードの端部のそれぞれは、前記下面に連なる第１側面と、前記上面に連なる第２側面と、第１境界線を介して前記第１側面に連なり、かつ、第２境界線を介して前記第２側面に連なる第３側面と、を有し、
前記第１側面は、前記（ｂ３）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードが変形して形成された変形面であって、
前記第３側面は、前記（ｂ４）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードがせん断されて形成された、せん断面であって、
前記第２側面は、前記（ｂ４）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードの前記上面側の一部が破断して形成された破断面であり、
前記下面から前記第１境界線までの高さは、前記第１境界線から前記第２境界線までの高さよりも大きい、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ３）工程では、第１の速度で前記第２金型を前記第１金型に近づく方向へ移動させ、
前記（ｂ４）工程では、前記第１の速度よりも速い第２の速度で前記第２金型を前記第１金型に近づく方向へ移動させる、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
平面視において、前記封止体は前記第１辺と交差する第３辺と、前記第３辺の反対側に位置する第４辺と、を有し、
前記複数のリードは、前記封止体の前記第３辺から突出し、前記第１方向と直交する第２方向に沿って延びる第３リードと、前記封止体の前記第４辺から突出し、前記第２方向に沿って延びる第４リードと、を有し、
前記第３リードおよび前記第４リードのそれぞれは、前記半導体装置を前記実装基板に実装した際、前記実装基板の前記半導体装置が実装される実装面と対向する部分を含む下面と、前記下面の反対側に位置する上面と、を有し、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記第１リードの前記上面と、前記第２リードの前記上面と、前記第３リードの前記上面と、前記第４リードの前記上面と、をそれぞれ前記第１金型で支持する工程と、
（ｂ２）前記（ｂ１）工程の後、第２金型を前記第１リードの前記下面と前記第２リードの前記下面と前記第３リードの前記下面と前記第４リードの前記下面とに向かって近づけ、かつ接触させる工程と、
（ｂ３）前記（ｂ２）工程の後、前記第１金型に対し、前記第２金型の位置合わせを行う工程と、
（ｂ４）前記（ｂ３）工程の後、前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードを前記第１金型と前記第２金型とを用いることにより一括して切断する工程と、を有し、
前記（ｂ）工程で用いる前記第１金型は、前記第１リードを支持する前記第１ダイと、前記第２リードを支持する前記第２ダイと、前記第３リードを支持する第３ダイと、前記第４リードを支持する第４ダイと、を有し、
前記（ｂ）工程で用いる前記第２金型は、前記第１方向において前記第１ダイの外側に設けられ、前記第１リードを切断する前記第１パンチと、前記第１方向において前記第２ダイの外側に設けられ、前記第２リードを切断する前記第２パンチと、前記第２方向において前記第３ダイの外側に設けられ、前記第３リードを切断する第３パンチと、前記第２方向において前記第４ダイの外側に設けられ、前記第４リードを切断する第４パンチと、を有し、
前記（ｂ３）工程は、前記第１方向において、前記第１パンチから前記第１ダイまでの前記第１クリアランス距離と、前記第２パンチから前記第２ダイまでの前記第２クリアランス距離と、が等しくなるように、かつ、前記第２方向において、前記第３パンチから前記第３ダイまでの第３クリアランス距離と、前記第４パンチから前記第４ダイまでの第４クリアランス距離と、が等しくなるように、位置合わせを行う、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
（ａ）半導体チップと、それぞれが前記半導体チップと電気的に接続され、インナリード部とアウタリード部とを有する複数のリードと、前記複数のリードのそれぞれのインナリード部を封止する封止体と、を有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記複数のリードの前記封止体から露出したそれぞれのアウタリード部の一部を切断することにより、前記リードフレームから前記複数のリードを切り離す工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
平面視において、前記封止体は第１辺と、前記第１辺の反対側に位置する第２辺と、を有し、
前記複数のリードは、前記封止体の前記第１辺から突出し、第１方向に沿って延びる第１リードと、前記封止体の前記第２辺から突出し、前記第１方向に沿って延びる第２リードと、を有し、
前記第１リードおよび前記第２リードのそれぞれは、前記半導体装置を実装基板に実装した際、前記実装基板の前記半導体装置が実装される実装面と対向する部分を含む下面と、前記下面の反対側に位置する上面と、を有し、
前記（ｂ）工程で用いる第２金型は、前記第１リードを切断する第１パンチと、前記第２リードを切断する第２パンチと、前記（ｂ）工程において、前記リードフレームの厚さ方向に延びるガイドレールに沿ってスライド動作するレール保持部と、を有し、
前記ガイドレールと前記レール保持部との前記第１方向における隙間距離の合計値は、前記第１パンチと前記第２パンチの離間距離の寸法公差の２倍以上である、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、前記第１パンチと前記第１リード、および前記第２パンチと前記第２リードのそれぞれが接触した後、かつ、前記第１リードおよび前記第２リードが切断されるまでの間に、前記第２金型の前記スライド動作を一旦停止させる工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で準備する前記リードフレームの、前記第１リードおよび前記第２リードのそれぞれの前記アウタリード部の表面には半田膜が形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１パンチは、前記第１リードを押圧する第１押圧面と、前記第１押圧面の内側に位置する第１押圧端部と、を有し、
前記第２パンチは、前記第２リードを押圧する第２押圧面と、前記第２押圧面の内側に位置する第２押圧端部と、を有し、
前記第１押圧端部、および前記第２押圧端部のそれぞれには、面取り加工が施されている、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１パンチ、および前記第２パンチのそれぞれは、基材と、前記基材の表面を覆う第１膜を有し、
前記第１膜の硬さは、前記基材の硬さよりも硬く、
前記第１押圧端部、および前記第２押圧端部のそれぞれは、前記第１膜に覆われている、半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で切断された前記第１リードおよび前記第２リードの端部のそれぞれは、前記下面に連なる第１側面と、前記上面に連なる第２側面と、第１境界線を介して前記第１側面に連なり、かつ、第２境界線を介して前記第２側面に連なる第３側面と、を有し、
前記第１側面は、前記（ｂ）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードが変形して形成された変形面であって、
前記第３側面は、前記（ｂ）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードがせん断されて形成された、せん断面であって、
前記第２側面は、前記（ｂ）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードの前記上面側の一部が破断して形成された破断面であり、
前記下面から前記第２境界線までの高さは、前記第２境界線から前記上面までの高さよりも大きい、半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で切断された前記第１リードおよび前記第２リードの端部のそれぞれは、前記下面に連なる第１側面と、前記上面に連なる第２側面と、第１境界線を介して前記第１側面に連なり、かつ、第２境界線を介して前記第２側面に連なる第３側面と、を有し、
前記第１側面は、前記（ｂ）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードが変形して形成された変形面であって、
前記第３側面は、前記（ｂ）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードがせん断されて形成された、せん断面であって、
前記第２側面は、前記（ｂ）工程で、前記第２金型の前記第１パンチおよび前記第２パンチにて押圧されることにより前記第１リードおよび前記第２リードの前記上面側の一部が破断して形成された破断面であり、
前記下面から前記第１境界線までの高さは、前記第１境界線から前記第２境界線までの高さよりも大きい、半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
平面視において、前記封止体は前記第１辺と交差する第３辺と、前記第３辺の反対側に位置する第４辺と、を有し、
前記複数のリードは、前記封止体の前記第３辺から突出し、前記第１方向と直交する第２方向に沿って延びる第３リードと、前記封止体の前記第４辺から突出し、前記第２方向に沿って延びる第４リードと、を有し、
前記第３リードおよび前記第４リードのそれぞれは、前記半導体装置を前記実装基板に実装した際、前記実装基板の前記半導体装置が実装される実装面と対向する部分を含む下面と、前記下面の反対側に位置する上面と、を有し、
前記（ｂ）工程で用いる前記第２金型は、前記第１リードを切断する前記第１パンチと、前記第２リードを切断する前記第２パンチと、前記第３リードを切断する第３パンチと、前記第４リードを切断する第４パンチと、を有し、
前記第２金型は、前記（ｂ）工程において、前記リードフレームの厚さ方向に延びるガイドレールに沿ってスライド動作するレール保持部を有し、
前記ガイドレールと前記レール保持部との前記第２方向における隙間距離の合計値は、前記第３パンチと前記第４パンチの離間距離の寸法公差の２倍以上である、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体チップを封止する封止体から突出したリードを切断する、半導体装置の製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００７−２７３７２９号公報（特許文献１）や、特開２００９−２５３２１６号公報（特許文献２）には、ダイおよびパンチを用いてリードを切断する工程において、ダイとパンチのクリアランスを制御することが記載されている。
【０００３】
また、特開２００８−１６５７１号公報（特許文献３）には、リードを切断した後、リードの弾性変形状態を解除することで、リードの端面がカットパンチにより擦過されることを防止することが記載されている。
【０００４】
また、特開２０００−２１６３１８号公報（特許文献４）には、ダイの端部に円弧状の逃げ部を形成することが記載され、特開２００９−２５３２１６号公報（特許文献５）には、パンチの端部にテーパ状の面取り部を設けたリード切断装置が記載されている。
【０００５】
また、特開平５−２１６８３号公報（特許文献６）には、実装時に半田接合の信頼性を向上させるリードの形状が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２７３７２９号公報
【特許文献２】特開２００９−２５３２１６号公報
【特許文献３】特開２００８−１６５７１号公報
【特許文献４】特開２０００−２１６３１８号公報
【特許文献５】特開２００９−２５３２１６号公報
【特許文献６】特開平５−２１６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本願発明者は、半導体装置の性能を向上させる技術を検討している。この一環として、半導体チップを封止する封止体から露出する複数のリードを一括して切断する際に、複数のリードの加工精度を向上させて、半導体装置の実装信頼性を向上させる技術について検討を行った。
【０００８】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施の形態による半導体装置の製造方法は、複数のリードを金型で挟んで切断する工程を有する。また、上記金型のスライド動作を制御する、ガイドレールとレール保持部との間に隙間が設けられる。また、上記一実施の形態による半導体装置の製造方法は、上記複数のリードが金型に挟まれた後、かつ、切断される前に、上記複数のリードを支持する下型と、上記複数のリードの下面に接触する上型との位置関係を調整するものである。
【発明の効果】
【００１０】
上記一実施の形態によれば、半導体装置の実装信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施の形態の半導体装置の上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１に示す封止体を透視した状態で半導体装置の内部構造を示す透視平面図である。
【図４】図２に示す半導体装置を実装基板上に実装した状態を示す拡大断面図である。
【図５】図２に示すリードが有するアウタリード部の先端部分の拡大断面図である。
【図６】図１〜図５を用いて説明した半導体装置の組立工程のフローを示す説明図である。
【図７】図６に示す基材準備工程で準備するリードフレームを示す拡大平面図である。
【図８】図７に示すリードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図９】図８に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。
【図１０】図９に示す複数のデバイス形成部のそれぞれに半導体チップを封止する封止体を形成した状態を示す拡大平面図である。
【図１１】図１０に示す複数のリードの露出面に金属膜を形成し、それぞれ切断した後、成形した状態を示す拡大平面図である。
【図１２】図１１に示す吊りリードを切断して、デバイス形成部毎に個片化した状態を示す拡大平面図である。
【図１３】図６に示すリードカット工程の詳細なフローを示す説明図である。
【図１４】複数のリードを切断するリード切断装置の全体構成および可動部の動作を示す説明図である。
【図１５】図１４に示すポストとブッシュの平面的な位置関係を示す平面図である。
【図１６】図１３に示す基材配置工程で、リード切断装置にリードフレームを配置した状態を示す拡大側面図である。
【図１７】図１３に示すリード接触工程で、図１６に示す複数のパンチと、複数のリードとを接触させた状態を示す拡大側面図である。
【図１８】図１３に示すリード変形工程で、リードの一部を変形させた状態を示す拡大側面図である。
【図１９】図１３に示す位置合わせ工程で、パンチとリードのクリアランス距離が位置合わせされた後の状態を示す拡大側面図である。
【図２０】図１３に示すせん断面形成工程で、リードの一部がせん断された状態を示す拡大側面図である。
【図２１】図１３に示す破断面形成工程で、リードの上面側の一部が破断することで、リードが切断された状態を示す拡大側面図である。
【図２２】図１４に示すリード切断装置に対する変形例であるリード切断装置が有する上型を複数のパンチが固定された下面側から視た平面図である。
【図２３】図１５に対する変形例であって、図２２に示すポストとブッシュの位置関係を示す平面図である。
【図２４】図２２に示す上型を下型と重ねあわせた時の、パンチとダイの平面的な位置関係を示す拡大平面図である。
【図２５】図１６〜図２１に示すダイおよびパンチに対する変形例であるダイのリード保持面の端部とパンチの押圧面の端部を拡大して示す拡大断面図である。
【図２６】図２５に対する変形例を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００１３】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００１４】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００１５】
また、本願では、平面や側面という用語を用いるが、半導体チップの半導体素子形成面を基準面として、その基準面に平行な面を平面として記載する。また、平面に対して交差する面を側面として記載する。また、側面視において、離間して配置される二つの平面間を結ぶ方向を厚さ方向として記載する。
【００１６】
また、本願では、上面、あるいは下面という用語を用いる場合があるが、半導体パッケージの実装態様には、種々の態様が存在するので、半導体パッケージを実装した後、例えば上面が下面よりも下方に配置される場合もある。本願では、半導体チップの素子形成面側の平面、または配線基板のチップ搭載面側の平面を上面、上面とは反対側に位置する面を下面として記載する。
【００１７】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００１８】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００１９】
（実施の形態）
以下の実施の形態で説明する技術は、半導体チップを封止する封止体から、複数のリードが突出する、半導体装置に広く適用することができる。本実施の形態では、一例として、平面視において四角形を成す封止体が有する四辺のそれぞれからリードが突出する、ＱＦＰ（Quad Flat Package）型の半導体装置に適用した実施態様について説明する。
【００２０】
＜半導体装置＞
まず、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧ１の構成の概要について、図１〜図４を用いて説明する。図１は本実施の形態の半導体装置の上面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図３は、図１に示す封止体を透視した状態で半導体装置の内部構造を示す透視平面図である。また、図４は、図２に示す半導体装置を実装基板上に実装した状態を示す拡大断面図である。
【００２１】
図１〜図３に示すように、半導体装置ＰＫＧ１は、半導体チップＣＰ（図２、図３参照）と、半導体チップＣＰの周囲に配置される外部端子である複数のリードＬＤと、半導体チップＣＰと複数のリードＬＤを電気的に接続する導電性部材である複数のワイヤＢＷ（図２、図３参照）と、を有している。また、半導体チップＣＰおよび複数のワイヤＢＷは、封止体（樹脂体）ＭＲに封止されている。また、複数のリードＬＤのそれぞれのインナリード部ＩＬＤ（図２、図３参照）は封止体ＭＲに封止され、かつ複数のリードＬＤのそれぞれのアウタリード部ＯＬＤは、封止体ＭＲから露出している。
【００２２】
図１に示すように、半導体装置ＰＫＧ１が備える封止体ＭＲの平面形状は四角形から成る。封止体ＭＲは上面ＭＲｔと、この上面ＭＲｔとは反対側の下面（裏面、被実装面）ＭＲｂ（図２参照）と、この上面ＭＲｔと下面ＭＲｂとの間に位置する複数の（４つの）側面ＭＲｓとを有している。
【００２３】
封止体ＭＲは、平面視において、Ｘ方向に延びる辺（主辺）Ｓ１、辺Ｓ１の反対側に位置する辺（主辺）Ｓ２、Ｘ方向とは交差（直交）するＹ方向に沿って延びる辺（主辺）Ｓ３、および辺Ｓ３の反対側に位置する辺（主辺）Ｓ４を備えている。そして、封止体ＭＲが備える４つの側面ＭＲｓは封止体ＭＲの各辺に沿って配置されている。また、図１に示す例では、封止体ＭＲの各辺が交わる角部ＭＲｃが面取り加工されている。
【００２４】
ここで、封止体ＭＲの角部ＭＲｃとは、封止体ＭＲの四辺（四つの主辺）のうち、交差する任意の二辺（二つの主辺）の交点である角の周辺領域を含んでいる。なお、厳密には、図１および図３に示すように、封止体ＭＲの角部ＭＲｃは、面取り加工されている（図１に示す例では、テーパ加工であるが、Ｒ加工でも良い）ので、主辺の交点は封止体ＭＲの角部ＭＲｃよりも外側に配置される。しかし、面取り加工部は、主辺の長さと比較して十分に小さいため、本願では、面取り加工部の中心を封止体ＭＲの角と見做して説明する。つまり、本願においては、封止体ＭＲの四辺（四つの主辺）のうち、任意の二辺（二つの主辺）が交差する領域であって、該領域が面取り加工されている場合にはその面取り加工部が角部ＭＲｃに相当し、該領域が面取り加工されていない場合には、任意の二辺（二つの主辺）の交点が角部ＭＲｃに相当する。以下、本願において、封止体ＭＲの角部ＭＲｃと説明するときは、特に異なる意味、内容で用いている旨を明記した場合を除き、上記と同様の意味、内容として用いる。
【００２５】
また、半導体装置ＰＫＧ１では、平面形状が四角形からなる封止体ＭＲの各辺（各主辺）に沿って、それぞれ複数のリードＬＤが配置されている。複数のリードＬＤは、それぞれ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする金属部材である。
【００２６】
複数のリードＬＤのアウタリード部ＯＬＤは、封止体ＭＲの側面ＭＲｓにおいて、封止体ＭＲの外側に向かって突出している。また、複数のリードＬＤのアウタリード部ＯＬＤの露出面には、例えば、銅を主成分とする基材の表面に、金属膜（外装めっき膜）ＭＣが形成されている。金属膜ＭＣは、例えば、半田など、基材である銅よりも半田に対する濡れ性が良好な金属材料から成り、基材である銅部材の表面を被覆する金属皮膜である。半導体装置ＰＫＧ１の外部端子である複数のリードＬＤのアウタリード部ＯＬＤのそれぞれに、半田などから成る、金属膜ＭＣを形成することにより、図４に示すように、半導体装置ＰＫＧ１を実装基板ＭＢ１に実装する際に、導電性の接続材である半田材ＳＤの濡れ性を向上させることができる。これにより、複数のリードＬＤと半田材ＳＤとの接合面積が増大するので、複数のリードＬＤと実装基板ＭＢ１側の端子ＴＭとの接合強度を向上させることができる。
【００２７】
なお、図２に示す例では、リードＬＤのアウタリード部ＯＬＤの露出面に半田膜である金属膜ＭＣをめっき法により形成する例を示しているが、金属膜ＭＣには種々の変形例がある。例えば、金属膜ＭＣは、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする金属膜と、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とする金属膜の積層膜であっても良い。あるいは、例えば、パラジウムを主成分とする金属膜の表面にさらに金（Ａｕ）を主成分とする金属膜を積層しても良い。また、金属膜ＭＣが半田以外の材料で構成される場合には、複数のリードＬＤのインナリード部ＩＬＤおよびアウタリード部ＯＬＤの表面を覆うように金属膜ＭＣを形成しても良い。
【００２８】
また、図２および図３に示すように、封止体ＭＲの内部には半導体チップＣＰが封止されている。図３に示すように、半導体チップＣＰは、平面視において四角形を成し、表面ＣＰｔには、表面ＣＰｔの外縁を構成する４つの辺のそれぞれに沿って複数のパッド（ボンディングパッド）ＰＤが設けられている。また、半導体チップＣＰ（詳しくは、半導体基板）は、例えばシリコン（Ｓｉ）から成る。図示は省略するが、半導体チップＣＰの主面（詳しくは、半導体チップＣＰの半導体基板の上面に設けられた半導体素子形成領域）には、複数の半導体素子（回路素子）が形成されている。そして、複数のパッドＰＤは、半導体チップＣＰの内部（詳しくは、表面ＣＰｔと図示しない半導体素子形成領域の間）に配置される配線層に形成された配線（図示は省略）を介して、この半導体素子と電気的に接続されている。つまり、複数のパッドＰＤは、半導体チップＣＰに形成された回路と、電気的に接続されている。
【００２９】
また、半導体チップＣＰの表面ＣＰｔには、半導体チップＣＰの基板および配線を覆う絶縁膜が形成されており、複数のパッドＰＤのそれぞれの表面は、この絶縁膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。また、このパッドＰＤは金属からなり、本実施の形態では、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる。
【００３０】
また、半導体チップＣＰの周囲（言い換えれば、ダイパッドＤＰの周囲）には、例えば、複数のリードＬＤが配置されている。そして、半導体チップＣＰの表面ＣＰｔにおいて露出する複数のパッド（ボンディングパッド）ＰＤは、封止体ＭＲの内部に位置する複数のリードＬＤのインナリード部ＩＬＤと、複数のワイヤ（導電性部材）ＢＷを介してそれぞれ電気的に接続されている。ワイヤＢＷは、例えば、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）から成り、ワイヤＢＷの一部（例えば一方の端部）がパッドＰＤに接合され、他部（例えば他方の端部）がインナリード部ＩＬＤのボンディング部ＷＢＲ（図２参照）に接合されている。なお、インナリード部ＩＬＤのボンディング部ＷＢＲの表面には、金属膜（めっき膜、めっき金属膜）ＢＭ（図２参照）が形成されている。金属膜ＢＭは例えば、銀（Ａｇ）、金、あるいはパラジウムを主成分とする材料（例えば、パラジウム膜上に薄い金膜が形成された積層構造）から成る。インナリード部ＩＬＤのボンディング部ＷＢＲの表面に、銀、金、あるいはパラジウムを主成分とする材料から成る金属膜ＢＭを形成することにより、金からなるワイヤＢＷとの接合強度を向上させることができる。
【００３１】
また、半導体チップＣＰはチップ搭載部であるダイパッドＤＰに搭載されている。図３に示す例では、ダイパッドＤＰの上面（チップ搭載面）ＤＰｔは、平面積が半導体チップＣＰの表面積よりも大きい四角形から成る。ただし、ダイパッドＤＰは、半導体チップＣＰを支持する支持部材であって、形状および大きさは、図３に示す例の他、種々の変形例を適用することができる。例えば、ダイパッドＤＰの平面形状を円形としても良い。また、例えば、ダイパッドＤＰの平面積を半導体チップＣＰの表面ＣＰｔよりも小さくしても良い。
【００３２】
また、図３に示すようにダイパッドＤＰの周囲には複数の吊りリードＨＬが配置される。吊りリードＨＬは、半導体装置ＰＫＧ１の製造工程において、リードフレームの支持部（枠部）にダイパッドＤＰを支持するための部材であって、図３に示す例では、ダイパッドＤＰの角部から封止体ＭＲの角部ＭＲｃに向かって４本の吊りリードＨＬが配置されている。詳しくは、複数の吊りリードＨＬが有する一方の端部は、ダイパッドＤＰの角部（角）に接続されている。また複数の吊りリードＨＬが有する他方の端部は、封止体ＭＲの角部ＭＲｃに向かって延び、角部ＭＲｃの近傍において二股に分岐して、封止体ＭＲの側面ＭＲｓにおいて封止体ＭＲから露出する。吊りリードＨＬを封止体ＭＲの角部ＭＲｃに向かって、延ばすことにより、封止体ＭＲの各辺（各主辺）に沿って配置される複数のリードＬＤの配列は吊りリードＨＬにより阻害され難くなる。
【００３３】
また、本実施の形態では、ダイパッドＤＰの上面ＤＰｔと、リードＬＤのインナリード部ＩＬＤの上面が異なる高さに配置されている。図２に示す例では、インナリード部ＩＬＤの上面ＬＤｔの位置よりもダイパッドＤＰの上面ＤＰｔの方が低い位置に配置されている。このため、図３に示す複数の吊りリードＨＬには、ダイパッドＤＰの上面ＤＰｔの高さがリードＬＤのインナリード部ＩＬＤの上面ＬＤｔ（図２参照）とは異なる高さに位置するように折り曲げられた、オフセット部（本実施の形態の例ではダウンセット部）ＯＳＰがそれぞれ設けられている。
【００３４】
また、半導体チップＣＰはダイパッドＤＰの中央に搭載されている。図２に示すように半導体チップＣＰは、裏面ＣＰｂをダイパッドＤＰの上面ＤＰｔと対向させた状態で、ダイボンド材（接着材）ＤＢを介してダイパッドＤＰ上に搭載されている。つまり、複数のパッドＰＤが形成された表面（主面）ＣＰｔの反対面（裏面ＣＰｂ）をチップ搭載面（上面ＤＰｔ）と対向させる、所謂、フェイスアップ実装方式により搭載されている。このダイボンド材ＤＢは、半導体チップＣＰをダイボンディングする際の接着材であって、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂に、銀などから成る金属粒子を含有させた樹脂接着剤、または半田材などの金属接合材を用いている。
【００３５】
＜リードの詳細＞
次に、図１〜図４に示す半導体装置ＰＫＧ１が有する複数のリードＬＤの詳細について説明する。本セクションでは、リードＬＤのアウタリード部の先端部分の構造について詳しく説明する。図５は、図２に示すリードが有するアウタリード部の先端部分の拡大断面図である。なお、図５では、リードＬＤの先端部分が有する、形成方法が異なる三種類の先端面ＬＤｈ１、ＬＤｈ２、ＬＤｈ３の範囲を見やすくするため、先端面ＬＤｈ１、ＬＤｈ２、ＬＤｈ３の隣に、それぞれ二点鎖線、一点鎖線、点線を付して範囲を示している。
【００３６】
図５に示すように、リードＬＤ（詳しくは、リードＬＤの基材ＢＳＭ１）は、リードＬＤの被実装面側に位置する下面ＬＤｂ、および下面ＬＤｂの反対側に位置する上面ＬＤｔを有する。上面ＬＤｔおよび下面ＬＤｂは、それぞれ金属膜ＭＣに覆われている。
【００３７】
また、リードＬＤの先端部分は形成方法が異なる三種類の先端面ＬＤｈ１、ＬＤｈ２、ＬＤｈ３を有する。すなわち、リードＬＤの先端部は、下面ＬＤｂに連なる先端面（側面）ＬＤｈ１と、上面ＬＤｔに連なる先端面（側面）ＬＤｈ２と、境界線ＢＬ１を介して先端面ＬＤｈ１に連なり、かつ、境界線ＢＬ２を介して先端面ＬＤｈ２に連なる先端面（側面）ＬＤｈ３と、を有する。
【００３８】
詳細は後述するが、先端面ＬＤｈ１は、後述するリードカット工程で、リードカット用の金型が有するパンチにより押圧されることで、リードＬＤが変形して形成された変形面である。また、先端面ＬＤｈ３は、リードカット工程で、上記金型の上記パンチにより押圧されることで、リードＬＤがせん断されて形成された、せん断面である。また、先端面ＬＤｈ２は、リードカット工程で、上記金型の上記パンチにより押圧されることで、リードＬＤの上面ＬＤｔ側の一部が破断して形成された破断面である。
【００３９】
このように、先端面ＬＤｈ１、ＬＤｈ２、ＬＤｈ３は、いずれも後述するリードカット工程において形成される面であるが、形成されるタイミング、および形成される要因が異なる。このため、先端面ＬＤｈ１、ＬＤｈ２、ＬＤｈ３のそれぞれは、金属膜ＭＣによる覆われ方が異なる。
【００４０】
すなわち、先端面ＬＤｈ１は、リードＬＤの下面ＬＤｂが曲げ変形することにより形成される面なので、図５に示すように、先端面ＬＤｈ１は金属膜ＭＣに覆われる。また、先端面ＬＤｈ２は、リードカット工程の後半において、リードＬＤに発生したクラックを起点として破断した面なので、図５に示すように、金属膜ＭＣには覆われず、基材ＢＳＭ１が露出した状態である。また、先端面ＬＤｈ３は、金型によってせん断された面なので、基材ＢＳＭ１が露出する場合もあるが、多くの場合、下面ＬＤｂを覆うように形成された金属膜ＭＣの一部が金型（パンチ）に引きずられて先端面ＬＤｈ３に擦り付けられる。したがって、図５に示すように、境界線ＢＬ１に近い領域では、先端面ＬＤｈ３を覆う金属膜ＭＣの膜厚は相対的に厚く、境界線ＢＬ２に近い領域では、先端面ＬＤｈ３を覆う金属膜ＭＣの膜厚は相対的に薄い。なお、境界線ＢＬ２の近傍では、金属膜ＭＣが付着せず、リードＬＤの基材ＢＳＭ１が露出する場合もある。
【００４１】
ここで、前述した図４に示すような実装基板に半導体装置ＰＫＧ１を実装した時の、半田材ＳＤの濡れ性について検討する。上記したように金属膜ＭＣは、リードＬＤの基材ＢＳＭ１（図５参照）よりも半田材ＳＤの濡れ性が高い金属材料から成るので、半田材ＳＤの濡れ性を向上させるためには、リードＬＤの基材ＢＳＭ１の露出面積は小さくすることが好ましい。
【００４２】
特に、リードＬＤの先端部分では、半田材ＳＤが図５に示す先端面ＬＤｈ１、ＬＤｈ２、ＬＤｈ３を覆うように濡れ上がることで、リードＬＤと半田材ＳＤ（図４参照）との接合面積を増大させることができる。
【００４３】
したがって、半田材ＳＤの濡れ性を向上させる観点からは、図５に示す基材ＢＳＭ１が露出する先端面ＬＤｈ２の面積を小さくすることが好ましい。本実施の形態では、リードＬＤの下面ＬＤｂから境界線ＢＬ２までの高さＨ４は、境界線ＢＬ２から上面ＬＤｔまでの高さＨ２よりも大きい。言い換えれば、リードＬＤの下面ＬＤｂから境界線ＢＬ２までの高さＨ４は、リードＬＤの厚さＴ１（上面ＬＤｔと下面ＬＤｂの距離）の１／２以上である。これにより、リードＬＤの厚さＴ１の１／２以上の高さまで、半田材ＳＤ（図５参照）が濡れ上がり易くなるので、実装強度を向上させることができる。
【００４４】
また、半田材ＳＤの濡れ性を安定的に向上させる観点からは、先端面を覆う金属膜ＭＣの膜厚が厚い方が好ましい。すなわち、先端面ＬＤｈ１と先端面ＬＤｈ３の比較において、相対的に金属膜ＭＣの膜厚が厚い先端面ＬＤｈ１がリードＬＤの厚さ方向において、高い位置まで形成されていることが好ましい。本実施の形態では、図５に示すように、リードＬＤの下面ＬＤｂから境界線ＢＬ１までの高さＨ１は、境界線ＢＬ１から境界線ＢＬ２までの高さＨ３よりも大きい。つまり、相対的に金属膜ＭＣの膜厚が厚い先端面ＬＤｈ１が高い位置まで形成されている。図４に示す半田材ＳＤは、少なくとも境界線ＢＬ１の位置までは確実に濡れ上がるので、本実施の形態によれば、半田材ＳＤの濡れ性を安定的に向上させることができる。
【００４５】
なお、図５では、一つのリードＬＤの拡大断面を示しているが、図１に示すように半導体装置ＰＫＧ１は複数のリードＬＤを有している。したがって、半導体装置の実装信頼性を向上させる観点からは、複数のリードＬＤのそれぞれが有する先端部分の構造が、図５を用いて説明した構造になっていることが好ましい。複数のリードＬＤのそれぞれが、図５に示すような先端部分の構造を有するようにする製造方法の詳細は後述する。
【００４６】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、図１〜図５を用いて説明した半導体装置ＰＫＧ１の製造方法について、図６に示すフロー図を用いて説明する。図６は、図１〜図５を用いて説明した半導体装置の組立工程のフローを示す説明図である。
【００４７】
また、図６には、半導体装置ＰＫＧ１の製造工程のうちの主要な工程について示しているが、図６に示す組立フローの他、種々の変形例を適用することができる。例えば、図６では、封止体ＭＲに製品識別マークを形成する、マーキング工程は図示していないが、これを封止工程とめっき工程の間に追加することもできる。また、例えば、図６では、検査工程を図示していないが、例えば、個片化工程の後などに検査工程を追加しても良い。
【００４８】
＜基材準備工程＞
図６に示す基材準備工程では、図７に示すリードフレームＬＦを準備する。図７は、図６に示す基材準備工程で準備するリードフレームを示す拡大平面図である。
【００４９】
本工程で準備するリードフレームＬＦは、枠部ＬＦｂの内側に複数のデバイス形成部ＬＦａを備えている。リードフレームＬＦは、金属から成り、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする金属から成る。
【００５０】
なお、本実施の形態では、図６に示すように、封止工程の後でめっき工程を行い、図２に示す金属膜ＭＣをアウタリード部ＯＬＤに形成する例を取り上げて説明する。ただし、変形例として、基材準備工程の段階で、予め銅を主成分とする基材の表面が金属膜ＭＣで覆われていても良い。この場合、リードフレームＬＦの露出面の全体が金属膜ＭＣで覆われる。
【００５１】
また、図７に示すように、各デバイス形成部ＬＦａの中央部には、チップ搭載部であるダイパッドＤＰが形成されている。ダイパッドＤＰには、それぞれ複数の吊りリードＨＬが接続され、デバイス形成部ＬＦａの角部に向かって延びるように配置されている。ダイパッドＤＰは吊りリードＨＬを介してリードフレームＬＦの枠部ＬＦｂに支持されている。
【００５２】
また、ダイパッドＤＰの周囲には、複数の吊りリードＨＬの間に、それぞれ複数のリードＬＤが形成されている。複数のリードＬＤは、枠部ＬＦｂにそれぞれ接続されている。本実施の形態の例では、複数のリードＬＤはダイパッドＤＰの周囲に設けられ、四方に向かって延びるように形成されている。つまり、複数のリードＬＤには、Ｘ方向に沿って延びる複数のリードＬＤ１および複数のリードＬＤ２と、Ｘ方向に対して直交するＹ方向に沿って延びる複数のリードＬＤ３および複数のＬＤ４が含まれる。また、複数のリードＬＤ１と複数のリードＬＤ２は、ダイパッドＤＰを挟んで互いに反対側の位置に設けられている。また、複数のリードＬＤ３と複数のリードＬＤ４は、ダイパッドＤＰを挟んで互いに反対側の位置に設けられている。
【００５３】
また、複数のリードＬＤは、タイバーＴＢを介して互いに連結されている。タイバーＴＢは、複数のリードＬＤを連結する連結部材としての機能の他、図６に示す封止工程において、樹脂の漏れ出しを抑制するダム部材としての機能を有する。
【００５４】
＜ダイボンド工程＞
次に、図６に示すダイボンド工程（半導体チップ搭載工程）では、図８に示すように、ダイパッドＤＰに半導体チップＣＰを搭載する。図８は、図７に示すリードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【００５５】
図２を用いて説明したように、半導体チップＣＰは、複数のパッドＰＤが形成された表面ＣＰｔおよび表面ＣＰｔの反対側に位置する裏面ＣＰｂを有している。本工程では、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる接着材であるダイボンド材ＤＢ（図２参照）を介して、半導体チップＣＰとダイパッドＤＰとを接着固定する。図８に示す例では、平面視において、ダイパッドＤＰの上面ＤＰｔの一部が半導体チップＣＰにより覆われるように半導体チップＣＰを搭載する。
【００５６】
また、図２を用いて説明したように、本実施の形態の例では、半導体チップＣＰは、裏面ＣＰｂがダイパッドＤＰのチップ搭載面である上面ＤＰｔと対向するように、所謂、フェイスアップ実装方式によりダイパッドＤＰ上に搭載される。
【００５７】
＜ワイヤボンド工程＞
次に、図６に示すワイヤボンド工程では、図９に示すように、半導体チップＣＰの表面ＣＰｔに形成された複数のパッドＰＤと、半導体チップＣＰの周囲に配置された複数のリードＬＤとを、複数のワイヤ（導電性部材）ＢＷを介して、それぞれ電気的に接続する。図９は、図８に示す半導体チップと複数のリードとを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。
【００５８】
本工程では、図示しないワイヤボンディングツールを用いて、例えば金（Ａｕ）、あるいは銅（Ｃｕ）などの金属材料から成るワイヤＢＷの一端部を半導体チップＣＰのパッドＰＤに接合し、他端部をリードＬＤのインナリード部ＩＬＤに接合する。接合方式としては、例えば、接合部に超音波を印加して金属結合を形成する方式、熱圧着させる方式、あるいは、超音波と熱圧着を併用する方式、などを用いることができる。
【００５９】
＜封止工程＞
次に、図６に示す封止工程では、図９に示す半導体チップＣＰ、複数のワイヤＢＷ、および複数のリードＬＤのそれぞれのインナリード部ＩＬＤを樹脂により封止し、図１０に示す封止体ＭＲを形成する。図１０は、図９に示す複数のデバイス形成部のそれぞれに半導体チップを封止する封止体を形成した状態を示す拡大平面図である。
【００６０】
本工程では、例えば、図示しない複数のキャビティを備える成形金型内にリードフレームＬＤを配置した状態で、キャビティにより形成される空間内に樹脂を供給した後、上記樹脂を硬化させることにより封止体（封止部）ＭＲを形成する。このような封止体ＭＲの形成方法は、トランスファモールド方式と呼ばれる。
【００６１】
図１０に示す例では、成形金型のキャビティは、平面視において、各デバイス形成部ＬＦａのタイバーＴＢで囲まれた領域内に配置される。このため、封止体ＭＲの本体部分は、図１０に示すように、各デバイス形成部ＬＦａのタイバーＴＢで囲まれた領域内に、それぞれ形成される。また、キャビティから漏れた樹脂の一部は、タイバーＴＢにより堰き止められる。このため、複数のリードＬＤの各アウタリード部ＯＬＤは、封止体ＭＲから露出している。
【００６２】
複数のリードＬＤのうち、Ｘ方向に沿って延びるリードＬＤ１のアウタリード部ＯＬＤは、封止体ＭＲの側面ＭＲｓにより構成される辺Ｓ１において、封止体ＭＲから突出する。また、複数のリードＬＤのうち、Ｘ方向に沿って延びるリードＬＤ２のアウタリード部ＯＬＤは、封止体ＭＲの側面ＭＲｓにより構成される辺Ｓ２において、封止体ＭＲから突出する。また、複数のリードＬＤのうち、Ｘ方向と直交するＹ方向に沿って延びるリードＬＤ３のアウタリード部ＯＬＤは、封止体ＭＲの側面ＭＲｓにより構成される辺Ｓ３において、封止体ＭＲから突出する。また、複数のリードＬＤのうち、Ｙ方向に沿って延びるリードＬＤ４のアウタリード部ＯＬＤは、封止体ＭＲの側面ＭＲｓにより構成される辺Ｓ４において、封止体ＭＲから突出する。
【００６３】
＜めっき工程＞
次に、図６に示すめっき工程では、図１０に示す複数のリードＬＤの露出面に金属膜ＭＣ（図２参照）をめっき法により形成する。本工程で形成する金属膜ＭＣは、図４に例示するように、半導体装置ＰＫＧ１を実装基板ＭＢ１に実装する際に、複数のリードＬＤのそれぞれと、実装基板側の複数の端子ＴＭとを、それぞれ電気的に接続する半田材ＳＤが、リードＬＤに濡れ易くするために形成される。
【００６４】
本工程では、リードＬＤの露出面に半田から成る金属膜ＭＣを形成することが好ましい。また、金属膜ＭＣの形成方法としては、電離した金属イオンをリードＬＤの露出面に析出させる、電気めっき法を適用することができる。電気めっき法の場合、金属膜ＭＣ形成時の電流を制御することで金属膜ＭＣの膜質を容易に制御できる点で好ましい。また、電解めっき法は、金属膜ＭＣの形成時間が短くできる点で好ましい。
【００６５】
＜リードカット工程＞
次に、図６に示すリードカット工程では、図１１に示すように、複数のリードＬＤのそれぞれのアウタリード部ＯＬＤを切断し、リードフレームＬＦから複数のリードＬＤのそれぞれを切り離す。また、本実施の形態では、リードＬＤを切断した後、複数のリードＬＤを成形し、図２に示すような曲げ加工を施す。図１１は、図１０に示す複数のリードの露出面に金属膜を形成し、それぞれ切断した後、成形した状態を示す拡大平面図である。
【００６６】
本工程では、複数のリードＬＤを連結しているタイバーＴＢを切断する。また、複数のリードＬＤのそれぞれを枠部ＬＦｂから切り離す。これにより、複数のリードＬＤは、それぞれが分離した独立部材になる。また、複数のリードＬＤが切り離された後は、封止体ＭＲおよび複数のリードＬＤは、吊りリードＨＬを介して枠部ＬＦｂに支持された状態になる。
【００６７】
なお、本実施の形態では、上記めっき工程の後にタイバーＴＢを切断することについて説明したが、タイバーＴＢのみを先に切断してから、めっき工程を行い、さらに、複数のリードＬＤのそれぞれを枠部ＬＦｂから切り離す手順でもよい。これにより、タイバーＴＢの切断面にも金属膜ＭＣを形成することができ、タイバーＴＢの切断面が酸化により変色するのを抑制できる。また、リードＬＤが枠部ＬＦｂから切り離される前にめっき工程を行うため、めっき液によるリードＬＤの変形も抑制できる。
【００６８】
複数のリードＬＤやタイバーＴＢは、後述する、切断用の金型を用いて、プレス加工により切断する。また、切断後の複数のリードＬＤは、例えば、図示しない成形用の金型を用いたプレス加工を用いて複数のリードＬＤのアウタリード部ＯＬＤに曲げ加工を施すことにより、例えば図２に示すように成形することができる。
【００６９】
リードカット工程の詳細については後述する。
【００７０】
＜個片化工程＞
次に、図６に示す個片化工程では、図１２に示すように、複数の吊りリードＨＬをそれぞれ切断して、複数のデバイス形成部ＬＦａのそれぞれにおいて半導体パッケージを分離する。図１２は、図１１に示す吊りリードを切断して、デバイス形成部毎に個片化した状態を示す拡大平面図である。
【００７１】
本工程では複数の吊りリードＨＬ、および封止体ＭＲの角部に残った樹脂を切断して、半導体パッケージである半導体装置ＰＫＧ１（詳しくは、検査工程前の検査体）を取得する。切断方法は、例えば、上記リード成形工程と同様に、図示しない切断金型を用いて、プレス加工により切断することができる。
【００７２】
本工程の後、外観検査、電気的試験など、必要な検査、試験を行い、合格したものが、図１〜図４に示す完成品の半導体装置ＰＫＧ１となる。そして、半導体装置ＰＫＧ１は出荷され、あるいは図４に示す実装基板ＭＢ１に実装される。
【００７３】
＜リードカット工程の詳細＞
次に、図６に示すリードカット工程の詳細について説明する。図１３は、図６に示すリードカット工程の詳細なフローを示す説明図である。
【００７４】
上記したように、図４に示すリードＬＤの、半田材ＳＤに対する濡れ性を向上させる観点からは、図５に示す基材ＢＳＭ１が露出する先端面ＬＤｈ２の面積を小さくすることが好ましい。本実施の形態では、リードＬＤの下面ＬＤｂから境界線ＢＬ２までの高さＨ４は、境界線ＢＬ２から上面ＬＤｔまでの高さＨ２よりも大きいので、リードＬＤの、半田材ＳＤに対する濡れ性を向上させることができる。
【００７５】
また、半田材ＳＤの濡れ性を安定的に向上させる観点からは、先端面を覆う金属膜ＭＣの膜厚が厚い方が好ましい。本実施の形態では、図５に示すように、リードＬＤの下面ＬＤｂから境界線ＢＬ１までの高さＨ１は、境界線ＢＬ１から境界線ＢＬ２までの高さＨ３よりも大きいので、半田材ＳＤの濡れ性を安定的に向上させることができる。
【００７６】
上記のように、リードＬＤの先端部において、半田材ＳＤに対する濡れ性が高い金属材料から成る金属膜ＭＣで、リードＬＤの基材を覆うことで、先端部に対する半田材ＳＤの濡れ性を向上させることができる。この結果、半導体装置ＰＫＧ１の実装強度が向上し、半導体装置ＰＫＧ１の実装信頼性を向上させることができる。
【００７７】
ただし、半導体装置ＰＫＧ１のように、複数のリードＬＤを有する製品の場合、複数のリードＬＤのそれぞれが、上記したような先端部の構造を有するように加工することにより、半導体装置ＰＫＧ１全体としての実装信頼性を向上させることができる。
【００７８】
一方、半導体装置ＰＫＧ１の製造効率を向上させるためには、複数のリードＬＤを一括して切断することが好ましい。特に、一つの半導体装置ＰＫＧ１が備えるリードＬＤの数が増加すると、製造効率向上の観点から、切断作業の回数を減らすことが重要になる。
【００７９】
そこで、本願発明者は、複数のリードを一括して切断する際に、複数のリードの加工精度を向上させて、半導体装置の実装信頼性を向上させる技術について検討を行った。本願発明者は、まず、リードカット工程において使用する切断用の金型の組立て精度を向上させて、プレス加工する金型間のクリアランス距離を小さくすることを検討した。金型の組立て精度が向上すれば、一括して切断される複数のリードＬＤを同じ条件で切断できると考えた。
【００８０】
ところが、切断用の金型の組立て精度を上げる方法のみでは、以下の理由により、限界があることが判った。
【００８１】
金型を用いたプレス加工では、ダイと呼ばれる一方の金型でリードＬＤを支持した状態で、パンチと呼ばれる他方の金型をリードＬＤに向かって押し付ける。パンチとダイは、数μｍ〜十数μｍ程度の僅かなクリアランス距離で配置されており、パンチとダイが対向する位置までパンチを押し込むと、リードＬＤは、パンチとダイに挟み切られる。また、パンチとダイが接触してしまうと、金型が損傷してしまうので、パンチとダイのクリアランス距離を小さくするためには、パンチを押し込む際に、パンチのスライド動作軸のＸ−Ｙ平面方向のずれ量（リードＬＤの延在方向に対する可動範囲）を小さくする必要があると考えられる。
【００８２】
しかし、パンチとダイのクリアランス距離、およびパンチのスライド動作軸のＸ−Ｙ平面方向のずれ量を小さくし、それぞれ２〜３μｍ程度まで小さくすると、切断加工時の環境温度の影響を考慮する必要があることが判った。すなわち、切断加工時の環境温度の影響で、金型を構成する金属が熱膨張し、クリアランス距離が変化する。５μｍ以上程度にクリアランス距離を確保していれば、金型が熱膨張してもダイとパンチが接触することを防止できる。しかし、上記したように、パンチとダイのクリアランス距離、を小さくすると、熱膨張の程度によっては、パンチとダイが接触してしまう。
【００８３】
そこで、本願発明者は、さらに検討を行い、リードＬＤをプレス加工で切断する場合には、パンチのＸ方向の可動範囲を規定するガイド部分のマージンを大きくすることにより、リードＬＤが押圧される時の反力を利用して、切断位置の位置合わせができることを見出した。以下、リードＬＤが切断される時の様子を数段階に分けて詳細に説明する。
【００８４】
なお、本実施の形態では、リードＬＤを切断する際に位置合わせが実行される様子を判り易く説明するため、図１０に示す複数のリードＬＤのうち、Ｘ方向に沿って延びるリードＬＤ１とリードＬＤ２とを一括して切断した後、Ｙ方向に沿って延びるリードＬＤ３とリードＬＤ４とを一括して切断する実施態様について説明する。
【００８５】
図１４は、複数のリードを切断する本実施の形態のリード切断装置の全体構成および可動部の動作を示す説明図である。また、図１５は、図１４に示すポストとブッシュの平面的な位置関係を示す平面図である。また、図１６は、図１３に示す基材配置工程で、リード切断装置にリードフレームを配置した状態を示す拡大側面図である。
【００８６】
なお、図１４では、上型ＬＣＭ２のスライド動作方向を示すため、上型ＬＣＭ２がスライド動作する時の側面図を段階的に示している。また、図１５では、ブッシュＢＳＨの貫通孔ＨＤＨに挿入されたポストＰＳＴと貫通孔ＨＤＨの側壁の間の隙間部分を見易くするため、隙間部分の周辺の縮尺を変更し、隙間部分を拡大して示している。また、図１６では、リードＬＤ１の周辺とリードＬＤ２の周辺を一図で示すため、封止体ＭＲの一部の図示を省略している。また、図１６では、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との差を明示的に示すため、パンチＰＮＣとダイＤＩＥとの隙間部分の周辺の縮尺を変更し、隙間部分を拡大して示している。以下、リードカット工程の詳細を説明する拡大断面の各図において、同様に封止体ＭＲの一部の図示を省略し、かつ、パンチＰＮＣとダイＤＩＥとの隙間部分を拡大して示す。
【００８７】
図１４に示すように、本実施の形態で複数のリードＬＤを一括して切断する、リード切断装置ＬＣ１は、リードＬＤを支持する下型（第１金型）ＬＣＭ１と、下型ＬＣＭ１に向かって移動可能な状態で支持される上型（第２金型）ＬＣＭ２と、を有する。
【００８８】
また、下型ＬＣＭ１は、リードフレームＬＦの複数のリードＬＤを支持するダイＤＩＥを有し、リード切断装置ＬＣ１の支持台ＳＰＳに固定されている。また、上型ＬＣＭ２は、複数のリードＬＤを一括して切断する切断刃である、複数のパンチＰＮＣを有する。
【００８９】
また、図１４に太い矢印を付して模式的に示すように、上型ＬＣＭ２は、リードフレームＬＦの厚さ方向（図１４に示すＺ方向）に沿ってスライド動作が可能な状態で、リード切断装置ＬＣ１に設けられている。図１４に示す例では、リード切断装置ＬＣ１の支持台ＳＰＳには、上型ＬＣＭ２の動作方向を制御する複数のポスト（ガイドレール）ＰＳＴが固定されている。複数のポストＰＳＴのそれぞれは、リード切断装置ＬＣ１の高さ方向（言い換えればリードフレームＬＦの厚さ方向であるＺ方向）に沿って延びる軸（スライド動作軸）を有する。また、上型ＬＣＭ２は、ポストＰＳＴを保持し、ポストＰＳＴの軸方向（延在方向、Ｚ方向）に沿ってスライド動作するブッシュ（レール保持部）ＢＳＨを有する。ブッシュＢＳＨは、リードフレームＬＦの厚さ方向と同じＺ方向に母材を貫通する貫通孔ＨＤＨを有し、この貫通孔ＨＤＨにポストＰＳＴが挿入されている。上型ＬＣＭ２は、複数のポストＰＳＴの数に対応した複数のブッシュＢＳＨ（図１４では２個）を有している。複数のブッシュＢＳＨが有する貫通孔ＨＤＨに複数のポストＰＳＴをそれぞれ挿入することにより、上型ＬＣＭ２の動作方向は、ポストＰＳＴの延在方向、すなわち、リードフレームＬＦの厚さ方向と同じＺ方向に制御される。
【００９０】
また、図１５に示すように、平面視において、ポストＰＳＴの外形寸法はブッシュＢＳＨの貫通孔ＨＤＨの開口寸法よりも小さい。このため、ブッシュＢＳＨの貫通孔ＨＤＨの内側の側壁と、ポストＰＳＴの周縁部の間にそれぞれ隙間がある。詳しくは、図１６に示すリードＬＤ１、リードＬＤ２の延在方向であるＸ方向に沿って隙間距離ＳＰＬ１、隙間距離ＳＰＬ２を有する。また、Ｘ方向に直交するＹ方向に沿って、隙間距離ＳＰＬ３、ＳＰＬ４を有する。
【００９１】
本願発明者が検討した結果、この隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値を大きくすることで、図１４に示すパンチＰＮＣのスライド動作軸のＸ方向のずれ量を大きくすることが好ましい。言い換えれば、パンチＰＮＣのＸ方向における可動範囲のマージンを大きくすることが好ましい。なお、本実施の形態の例では、上記したように、図１０に示す複数のリードＬＤのうち、Ｘ方向に延びるリードＬＤ１およびリードＬＤ２を切断した後で、Ｙ方向に延びるリードＬＤ３およびリードＬＤ４を切断する。したがって、図１５に示すＹ方向における隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値は、隙間距離ＳＰＬ３と隙間距離ＳＰＬ４との合計値よりも大きい。
【００９２】
例えば、隙間距離ＳＰＬ３と隙間距離ＳＰＬ４との合計値は、図１４に示す隣り合うパンチＰＮＣ間の離間距離ＰＮＬ１の寸法公差（例えば±３μｍ）の２倍未満である。Ｙ方向では、ブッシュＢＳＨとポストＰＳＴの間に、油などの潤滑剤を介在させることが可能な程度の隙間距離ＳＰＬ３、ＳＰＬ４を有していれば良い。このため、例えば、隙間距離ＳＰＬ３と隙間距離ＳＰＬ４との合計値は、６μｍ〜１０μｍ程度である。
【００９３】
一方、図１５に示す隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値は、図１４に示す隣り合うパンチＰＮＣ間の離間距離ＰＮＬ１の寸法公差（例えば±３μｍ）の２倍以上である。図１５に示す例では、隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値は、例えば２０μｍ以上である。
【００９４】
このようにＸ方向における隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値を大きくした場合、ブッシュＢＳＨは、図１４に示すＺ方向へのスライド動作に加え、図１５に両矢印を付して模式的に示すように、Ｘ方向に動作し易くなる。この結果、図１４に示す上型ＬＣＭ２をスライド動作させた時にパンチＰＮＣの位置は、Ｘ方向に移動し易くなる。
【００９５】
なお、詳細は後述するが、本実施の形態に対する変形例として、図１０に示すリードＬＤ１、リードＬＤ２、リードＬＤ３、およびリードＬＤ４を一括して切断する場合には、隙間距離ＳＰＬ３と隙間距離ＳＰＬ４との合計値が隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値と同様に大きくしても良い。すなわち、図１５に示す隙間距離ＳＰＬ３と隙間距離ＳＰＬ４との合計値が、図１４に示す隣り合うパンチＰＮＣ間の離間距離ＰＮＬ１の寸法公差（例えば±３μｍ）の２倍以上であっても良い。この場合、図１４に示す上型ＬＣＭ２をスライド動作させた時にパンチＰＮＣの位置は、図１０に示すＸ−Ｙ平面の任意の方向に移動し易くなる。
【００９６】
また、下型ＬＣＭ１が有するダイＤＩＥには、複数のスリットＳＬＴが形成されている。詳しくは図１６に示すように、スリットＳＬＴはダイＤＩＥのリード保持面（支持面）ＬＨＳ側に形成された開口部であって、図１４に示す上型ＬＣＭ２を下型ＬＣＭ１に向かって近づけると、複数のパンチＰＮＣがスリットＳＬＴ内に挿入される構造になっている。
【００９７】
スリットＳＬＴは、例えばダイＤＩＥを、ダイＤＩＥの厚さ方向に貫通する貫通溝パターンである。ただし、変形例としては、スリットＳＬＴはダイＤＩＥを、ダイＤＩＥの厚さ方向に貫通しない溝パターン（言い換えれば、底面を有する溝パターン）であっても良い。
【００９８】
リード切断装置ＬＣ１は、リードフレームＬＦの複数のリードＬＤをダイＤＩＥで支持した状態で、上型ＬＣＭ２を下型ＬＣＭ１に向かって近づけて、複数のパンチＰＮＣを複数のスリットＳＬＴに挿入する。この時、複数のリードＬＤのうち、スリットＳＬＴと重なる位置に配置された部分では、パンチＰＮＣとダイＤＩＥに挟まれてリードＬＤがせん断される。
【００９９】
以下、図１４に示すリード切断装置ＬＣ１を用いて複数のリードＬＤを一括して切断する方法を、さらに詳細に説明する。図１３に示すように、本実施の形態のリードカット工程には、基材配置工程、リード接触工程、位置合わせ工程、リード切断工程、およびリード成形工程が含まれる。図１７は、図１３に示すリード接触工程で、図１６に示す複数のパンチと、複数のリードとを接触させた状態を示す拡大側面図である。また、図１８は、図１３に示すリード変形工程で、リードの一部を変形させた状態を示す拡大側面図である。また、図１９は、図１３に示す位置合わせ工程で、パンチとリードのクリアランス距離が位置合わせされた後の状態を示す拡大側面図である。また、図２０は、図１３に示すせん断面形成工程で、リードの一部がせん断された状態を示す拡大側面図である。また、図２１は、図１３に示す破断面形成工程で、リードの上面側の一部が破断することで、リードが切断された状態を示す拡大側面図である。
【０１００】
まず基材配置工程では、図１４に示すようにリード切断装置ＬＣ１の下型ＬＣＭ１上にリードフレームＬＦを配置する。本工程では、図１０に示すリードフレームＬＦの上下を反転させた状態で、リードフレームＬＦを下型ＬＣＭ１上に載せる。したがって、図１６に示すように、ダイＤＩＥのリード保持面ＬＨＳと複数のリードＬＤのそれぞれの上面ＬＤｔが接触する。また、リードＬＤの下面ＬＤｂは、ダイＤＩＥとは接触しない。
【０１０１】
詳しくは、本実施の形態の下型ＬＣＭ１（図１４参照）は、リードＬＤ１を支持するダイＤＩＥ１と、リードＬＤ２を支持するダイＤＩＥ２と、を有する。また、図１６に示す例では、リードＬＤ１はスリットＳＬＴ１を介してダイＤＩＥ１と対向するダイＯＤＩ１にも支持される。また、リードＬＤ２はスリットＳＬＴ２を介してダイＤＩＥ２と対向するダイＯＤＩ２にも支持される。
【０１０２】
本工程では、リードＬＤ１のアウタリード部ＯＬＤの上面ＬＤｔ（詳しくは、上面ＬＤｔを覆う金属膜ＭＣ）をダイＤＩＥ１のリード保持面ＬＨＳ、およびダイＯＤＩ１のリード保持面ＬＨＳと接触させる。また、本工程では、リードＬＤ２のアウタリード部ＯＬＤの上面ＬＤｔ（詳しくは、上面ＬＤｔを覆う金属膜ＭＣ）をダイＤＩＥ２のリード保持面ＬＨＳ、およびダイＯＤＩ２のリード保持面ＬＨＳと接触させる。
【０１０３】
本実施の形態のように、リードフレームＬＦの上下を反転させた状態で、ダイＤＩＥ上に切断対象物であるリードＬＤを配置することで、上記した図５に示すように、先端面ＬＤｈ３に金属膜ＭＣの一部を擦り付けることができる。また、本実施の形態のように、プレス加工によりリードＬＤを切断する場合、切断開始位置の反対側に、図５に示すような突出部ＰＰが形成され易い。したがって、リードフレームＬＦの下面ＬＤｂ側から切断を開始することで、下面ＬＤｂ側に突出部ＰＰが形成されることを防止できる。
【０１０４】
次に、図１３に示すリード接触工程では、図１４に示す上型ＬＣＭ２を下型ＬＣＭ１に向かって近づけ、図１７に示すように、パンチＰＮＣをリードＬＤの下面ＬＤｂと接触させる。言い換えれば、本工程では、基材配置工程の後、上型ＬＣＭ２（図１４参照）をリードＬＤ１の下面ＬＤｂとリードＬＤ２の下面ＬＤｂとに向かって近づけ、かつ接触させる。この時、下面ＬＤｂは、金属膜ＭＣに覆われているので、パンチＰＮＣは、リードＬＤを覆う金属膜ＭＣと接触する。
【０１０５】
また、本実施の形態では、図１４に示すＺ方向に沿って上型ＬＣＭ２をスライド動作させる場合、上記したように、図１５に両矢印を付して模式的に示すように、上型ＬＣＭ２の位置は、Ｘ方向に動作し易い。このため、図１７に示すように、リードＬＤとパンチＰＮＣが接触した時点で、Ｘ方向において、パンチＰＮＣ１からダイＤＩＥ１までのクリアランス距離ＣＬＲ１と、パンチＰＮＣ２からダイＤＩＥ２までのクリアランス距離ＣＬＲ２と、が異なる場合がある。図１７に示す例では、クリアランス距離ＣＬＲ１はクリアランス距離ＣＬＲ２よりも大きい。
【０１０６】
なお、本工程において、図１５に示す上型ＬＣＭ２のＸ方向における可動範囲は、隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値の範囲と一致する。したがって、リードＬＤとパンチＰＮＣが接触した時点で、Ｘ方向において、クリアランス距離ＣＬＲ１と、クリアランス距離ＣＬＲ２と、が等しくなっている場合もある。
【０１０７】
本実施の形態のように、プレス加工によりリードＬＤを切断する場合、パンチＰＮＣとダイＤＩＥとのクリアランス距離により、切断後のリードＬＤの先端面の形状が変化する。したがって、切断後の複数のリードＬＤのそれぞれが有する先端部分の構造が図５を用いて説明したような好ましい構造になるためには、クリアランス距離ＣＬＲ１と、クリアランス距離ＣＬＲ２と、が等しくなるように位置合わせをすることが好ましい。
【０１０８】
このため、本実施の形態では、図１３に示す位置合わせ工程において、パンチＰＮＣ１、ＰＮＣ２と、ダイＤＩＥ１、ＤＩＥ２との位置合わせを行う。ここで、上記したように、隣り合うパンチＰＮＣ１とパンチＰＮＣ２との離間距離ＰＮＬ１（図１７参照）は、例えば、±３μｍ程度の公差の範囲内で高精度に調整されており、パンチＰＮＣ１、ＰＮＣ２は上型ＬＣＭ２（図１４参照）に固定されている。したがって、位置合わせ工程では、図１５に示す隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値の範囲内で上型ＬＣＭ２の全体を移動させる。
【０１０９】
また、本工程では、図１７に示すＸ方向において、パンチＰＮＣ１からダイＤＩＥ１までのクリアランス距離ＣＬＲ１と、パンチＰＮＣ２からダイＤＩＥ２までのクリアランス距離ＣＬＲ２と、が等しくなるように位置合わせを行う。
【０１１０】
ここで、「等しくなるように位置合わせを行う」とは、「クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２とが等距離に近づくように位置合わせを行う」という意味である。言い換えれば、「等しくなるように位置合わせを行う」とは、「クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との差が０に近づく方向にパンチＰＮＣの位置を移動させる」という意味である。したがって、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との差が０になるまで位置合わせを行う場合には限定されない。
【０１１１】
すなわち、切断後の複数のリードＬＤの先端部分のそれぞれが上記図５を用いて説明した構造になる範囲であれば、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２とがわずかに異なっている場合でも、実質的に等しいと見做すことができる。
【０１１２】
上記した「実質的に等しい」とは、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との差が、クリアランス距離ＣＬＲ１およびクリアランス距離ＣＬＲ２のうち、相対的に短い方のクリアランス距離の値よりも短い場合が含まれる。また、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との差が、図１７に示すパンチＰＮＣ間の離間距離ＰＮＬ１の寸法公差（例えば６μｍ）以内である場合は、特に好ましく、上記した「実質的に等しい」に含まれる。
【０１１３】
なお、複数のリードＬＤと複数のパンチＰＮＣとが接触した後、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２の差が大きくなる方向に移動させる場合は、上記した「等しくなるように位置合わせを行う」には含まれない。
【０１１４】
以下、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２とが等しくなるように位置合わせを行う具体的な方法について説明する。図１３に示すように、位置合わせ工程には、リード変形工程が含まれる。リード変形工程では、図１８に示すように、リードＬＤ１およびリードＬＤ２のそれぞれの一部が変形するまで上型ＬＣＭ２（図１４参照）を下型ＬＣＭ１（図１４参照）に近づく方向に移動させる。
【０１１５】
リードＬＤ１およびリードＬＤ２は、それぞれパンチＰＮＣとダイＤＩＥとの間に挟まれているので、パンチＰＮＣとダイＤＩＥのクリアランス距離に応じて変形の程度が異なる。すなわち、図１８に示す例のように、クリアランス距離ＣＬＲ１の方がクリアランス距離ＣＬＲ２よりも大きい場合、リードＬＤ１の下面ＬＤｂのうち、パンチＰＮＣ１とダイＤＩＥ１とに挟まれた部分ＦＰ１の近傍は、相対的に小さい傾斜角度、言い換えれば緩やかな傾斜角度で変形する。一方、リードＬＤ２の下面ＬＤｂのうち、パンチＰＮＣ２とダイＤＩＥ２とに挟まれた部分ＦＰ２の近傍は、部分ＦＰ１の近傍と比較して相対的に大きい傾斜角度、言い換えれば急峻な傾斜角度で変形する。
【０１１６】
また、スリットＳＬＴ１およびスリットＳＬＴ２の開口幅ＳＬＷが一定（公差の範囲内の誤差は一定の範囲内に含まれる）であれば、図１８に示すクリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＯＣＬ１は反比例の関係になる。また、開口幅ＳＬＷが一定であれば、図１８に示すクリアランス距離ＣＬＲ２とクリアランス距離ＯＣＬ２は反比例の関係になる。すなわち、クリアランス距離ＣＬＲ１が大きい値になれば、クリアランス距離ＣＬＲ２およびクリアランス距離ＯＣＬ１は相対的に小さい値になる。一方、クリアランス距離ＣＬＲ２が大きい値になれば、クリアランス距離ＣＬＲ１およびクリアランス距離ＯＣＬ２は相対的に小さい値になる。
【０１１７】
このため、図１８に示す例の場合、リードＬＤ１の下面ＬＤｂのうち、パンチＰＮＣ１とダイＯＤＩ１とに挟まれた部分ＯＦＰ１の近傍は、部分ＦＰ１の近傍と比較して相対的に大きい傾斜角度、言い換えれば急峻な傾斜角度で変形する。一方、リードＬＤ２の下面ＬＤｂのうち、パンチＰＮＣ２とダイＯＤＩ２とに挟まれた部分ＯＦＰ２の近傍は、部分ＦＰ２の近傍と比較して相対的に小さい傾斜角度、言い換えれば緩やかな傾斜角度で変形する。
【０１１８】
ここで、リードＬＤのような金属部材に対し、外力を印加して変形させた場合、外力を印加する押圧部材（この例ではパンチＰＮＣ）に対して金属部材から反力が印加される。図１８では、部分ＦＰ１、ＦＰ２、ＯＦＰ１、ＯＦＰ２の各領域で生じる反力のＸ方向の成分に矢印を付して、それぞれ反力ＲＦ１、ＲＦ２、ＯＲＦ１、ＯＲＦ２として示している。また、図１８では、矢印の直線部分の長さにより、各反力ＲＦ１、ＲＦ２、ＯＲＦ１、ＯＲＦ２の大きさを模式的に示している。
【０１１９】
図１８に示すように、反力ＲＦ１、ＲＦ２、ＯＲＦ１、ＯＲＦ２のＸ方向成分の大きさは、クリアランス距離ＣＬＲ１、ＣＬＲ２、ＯＣＬ１、ＯＣＬ２の大きさに対して反比例の関係になる。すなわち、相対的に急峻な傾斜角度で変形する部分ＦＰ２および部分ＯＦＰ１では、反力ＲＦ２および反力ＯＲＦ１の大きさが反力ＲＦ１および反力ＯＲＦ２よりも大きい。したがって、これらの反力ＲＦ１、ＲＦ２、ＯＲＦ１、ＯＲＦ２のＸ方向成分を合成すると、図１８に、矢印を付して模式的に示すように、パンチＰＮＣ１およびパンチＰＮＣ２が固定された上型ＬＣＭ２に対し、リードＬＤ１側からリードＬＤ２側に向かう方向の反力ＲＦＴが印加される。
【０１２０】
上記したように、パンチＰＮＣ１およびパンチＰＮＣ２は上型ＬＣＭ２に固定されているので、パンチＰＮＣ１およびパンチＰＮＣ２は個別には動作せず、上型ＬＣＭ２全体が反力により動く。この結果、図１８に示すリードＬＤ１側からリードＬＤ２側に向かう方向に向かって、パンチＰＮＣ１およびパンチＰＮＣ２が移動する。このパンチＰＮＣ１およびパンチＰＮＣ２が移動する方向は、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との差が小さくなる方向と同じである。
【０１２１】
つまり、本実施の形態では、リードＬＤの一部を変形させた時の反力ＲＦＴを利用して、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２とが等しくなるように位置合わせを行う。このような位置合わせ方式は、リードＬＤからパンチＰＮＣに伝達される反力を利用するので、以下、セルフアライメント方式と記載する。
【０１２２】
上記したセルフアライメント方式は、図１５を用いて説明したように、隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値を大きくすることにより可能となる。隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値が大きければ、Ｘ方向において、上型ＬＣＭ２の移動範囲が大きくなる。このため、図１８に示す反力ＲＦＴが印加されると、リードＬＤ１側からリードＬＤ２側に向かう方向に向かって、パンチＰＮＣ１およびパンチＰＮＣ２を移動させることが可能になる。
【０１２３】
ところで、本実施の形態の位置合わせ工程では、複数のリードＬＤのそれぞれの一部が変形させる程度までパンチＰＮＣが押圧する。しかし、複数のリードＬＤの切断（せん断）が開始される前に、パンチＰＮＣとダイＤＩＥとの位置合わせを完了することが好ましい。リードＬＤの切断が開始されると、パンチＰＮＣの一部がリードＬＤに食い込んで、Ｘ方向に移動させ難くなるからである。
【０１２４】
そこで、本実施の形態の位置合わせ工程には、複数のリードＬＤが変形し、かつ、複数のリードＬＤの切断が開始されるまでの間に、図１４に示す上型ＬＣＭ２の下型ＬＣＭ１に近づく方向（Ｚ方向）への移動（下降動作）を一旦停止させる、下降停止工程が含まれる。この下降停止工程では、上型ＬＣＭ２のＺ方向への下降動作は停止されるが、図１４のＸ方向への動作は、特に制限されない。したがって、下降停止工程において、上型ＬＣＭ２のＺ方向への下降動作が停止されている間に、図１８に示すＸ方向においてパンチＰＮＣとダイＤＩＥの位置合わせが継続的に行われても良い。
【０１２５】
本実施の形態によれば、位置合わせ工程に下降停止工程を含めることで、位置合わせが完了する前にパンチＰＮＣがリードＬＤに食い込んで、Ｘ方向におけるパンチＰＮＣの移動が阻害されることを防止できる。この結果、図１９に示すように、切断開始時のクリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２とを実質的に等しくする事ができる。なお、下降停止工程の段階においても、リードＬＤは変形しているので、図１９に示すように、反力ＲＦ１、ＲＦ２、ＯＲＦ１、ＯＲＦ２は作用する。しかし、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２とが実質的に等しくなっていれば、反力ＲＦ１と反力ＲＦ２はそれぞれ実質的に等しく、反力ＯＲＦ１と反力ＯＲＦ２はそれぞれ実質的に等しい。したがって、反力ＲＦ１、ＲＦ２、ＯＲＦ１、ＯＲＦ２を合成すると、バランスが取れた状態になる。
【０１２６】
なお、図１９では、反力ＲＦ１、ＲＦ２、ＯＲＦ１、ＯＲＦ２のそれぞれが等しい場合の例を示しているが、反力ＲＦ１と反力ＯＲＦ１は等しくなくても良い。また、反力ＲＦ２と反力ＯＲＦ２とは等しくなくても良い。
【０１２７】
また、本実施の形態では、上型ＬＣＭ２の下降動作を一旦停止させることにより、位置合わせを行う方法について説明したが、変形例としては、図１３に示す下降停止工程を省略することもできる。例えば、上型ＬＣＭ２が下型ＬＣＭ１（図１４参照）に向かって近づく、下降動作の速度が十分に遅い場合には、位置合わせを行う時間を確保できる。
【０１２８】
また、リードカット工程の作業効率を向上させる観点からは、位置合わせを行うまでは相対的に遅い速度で下降動作を行い、位置合わせの完了後には相対的に早い速度で下降動作を行っても良い。すなわち、本実施の形態に対する別の変形例では、図１３に示すリード変形工程では、第１の速度で上型ＬＣＭ２を下型ＬＣＭ１に近づく方向へ移動させ、リード切断工程では、上記第１の速度よりも速い第２の速度で上型ＬＣＭ２を下型ＬＣＭ１に近づく方向へ移動させても良い。
【０１２９】
本実施の工程の位置合わせ工程のように、パンチＰＮＣによるリードＬＤの切断が開始されるまでの間に、リードＬＤを変形させる工程では、図５を用いて説明した先端面ＬＤｈ１が形成される。すなわち、図５に示す先端面ＬＤｈ１は、リードカット工程に含まれる位置合わせ工程で、リードカット用のパンチＰＮＣにより押圧されることで、リードＬＤが変形して形成された変形面である。なお、先端面ＬＤｈ１は、リードカット工程において、リードＬＤがせん断し始める直前まで継続的に形成される。
【０１３０】
また、本実施の形態のように、Ｘ方向にパンチＰＮＣの位置を移動させながらパンチＰＮＣを下降させる場合、パンチＰＮＣがリードＬＤに食い込み難くなる。このため、リードＬＤに対する切断加工を開始するタイミングを遅らせて、図５に示すリードＬＤの下面ＬＤｂから境界線ＢＬ１までの高さＨ１の値を大きくすることができる。
【０１３１】
次に、図１３に示すリード切断工程では、リードＬＤ１およびリードＬＤ２を、図１４に示す下型ＬＣＭ１と上型ＬＣＭ２とを用いることにより一括して切断する。詳しくは、図１３に示す下降停止工程で停止した上型ＬＣＭ２（図１４参照）を下型ＬＣＭ１（図１４参照）に近づく方向に再び移動させる（下降動作させる）。この時、図１９に示す複数のパンチＰＮＣ１、ＰＮＣ２のそれぞれは、さらに下降する。これにより、リードＬＤ１およびリードＬＤ２はパンチＰＮＣとダイＤＩＥに挟まれることにより、一括して切断される。
【０１３２】
なお、図１３に示すように、リード切断工程には、図５に示す、せん断面である先端面ＬＤｈ３を形成する、せん断面形成工程と、破断面である先端面ＬＤｈ２を形成する破断面形成工程が含まれる。
【０１３３】
せん断面形成工程では、図２０に示すように、リードＬＤ１およびリードＬＤ２の上面ＬＤｔが連続的に繋がった状態で、パンチＰＮＣ１、ＰＮＣ２をリードＬＤ１、ＬＤ２にそれぞれ食い込ませ、せん断加工を施す。このせん断加工により、図５に示すように、リードＬＤの基材ＢＳＭ１がせん断され、変形面である先端面ＬＤｈ１に連なる先端面ＬＤｈ３が形成される。また、先端面ＬＤｈ３には、金属膜ＭＣがパンチＰＮＣ（図２０参照）に引きずられて付着する。
【０１３４】
また、図２０に示すパンチＰＮＣをさらに下降させると、リードＬＤの未切断部分の肉厚が薄くなる。リードＬＤの未切断部分の肉厚が薄くなると、パンチＰＮＣにより印加される押圧力の影響で、リードＬＤの未切断部分にクラックが形成される。そして、上記クラックが進展することにより、未切断部分が破断して、図５に示す破断面である先端面ＬＤｈ２が形成される。
【０１３５】
先端面ＬＤｈ３は、リード切断工程で、上記金型の上記パンチにより押圧されることで、リードＬＤがせん断されて形成された、せん断面である。また、先端面ＬＤｈ２は、リード切断工程で、上記金型の上記パンチにより押圧されることで、リードＬＤの上面ＬＤｔ側の一部が破断して形成された破断面である。
【０１３６】
本実施の形態では、上記したようにＸ方向にパンチＰＮＣの位置を移動させながらパンチＰＮＣを下降させるので、リードＬＤに対する切断加工を開始するタイミングを遅らせて、図５に示すリードＬＤの下面ＬＤｂから境界線ＢＬ１までの高さＨ１の値を大きくすることができる。このため、図５に示すように、リードＬＤがせん断されることにより形成される先端面ＬＤｈ３と破断面である先端面ＬＤｈ２との境界線ＢＬ２から下面ＬＤｂまでの高さＨ４を大きくすることができる。
【０１３７】
本実施の形態では、リードＬＤの下面ＬＤｂから境界線ＢＬ２までの高さＨ４は、境界線ＢＬ２から上面ＬＤｔまでの高さＨ２よりも大きい。言い換えれば、リードＬＤの下面ＬＤｂから境界線ＢＬ２までの高さＨ４は、リードＬＤの厚さＴ１（上面ＬＤｔと下面ＬＤｂの距離）の１／２以上である。上記したように、高さＨ４を大きくすることで、リードＬＤの厚さＴ１の１／２以上の高さまで、半田材ＳＤ（図５参照）が濡れ上がり易くなるので、実装強度を向上させることができる。
【０１３８】
また、リードカット工程において、パンチＰＮＣの下端部とダイＤＩＥの上端部とが同じ高さになった時にパンチＰＮＣとダイＤＩＥとが接触すると、リード切断装置ＬＣ１（図１４参照）が損傷する原因になる。これを防止するためには、図２１に示すクリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との合計値を、隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値よりも大きくする必要がある。上記したように、本実施の形態では、図１５に示す隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値を例えば２０μｍ以上の大きさにする。したがって、図２１に示すクリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との合計値は、少なくとも、図１５に示す隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値よりは大きくすることが好ましい。
【０１３９】
ここで、切断加工時のクリアランス距離ＣＬＲ１、またはクリアランス距離ＣＬＲ２が極端に大きくなると、安定的に切断加工を施すことが難しくなる。このため、上記図５を用いて説明した先端面の形状を安定的に形成することが難しくなる。
【０１４０】
しかし、本実施の形態によれば、リードカット工程において、切断加工を開始する前に上記セルフアライメント方式により位置合わせを行う。このため、切断加工時にクリアランス距離ＣＬＲ１およびクリアランス距離ＣＬＲ２のうちのいずれか一方が極端に大きくなることを抑制できる。したがって、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との合計値を大きくすることができる。
【０１４１】
ただし、本実施の形態の場合のように、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２とが実質的に等しくなった後でリードＬＤを切断する場合でも、安定的に切断加工を行う観点からは、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との合計値は小さい方が好ましい。
【０１４２】
本実施の形態では、図１４に示す隣り合うパンチＰＮＣ間の離間距離ＰＮＬ１の寸法公差は、図１５に示す隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値の半分以下である。また、図１４に示す支持台ＳＰＳに、下型ＬＣＭ１および複数のポストＰＳＴのそれぞれを固定した時の寸法公差は、図１５に示す隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値の半分以下である。これにより、本実施の形態では、図２１に示すクリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との合計値は、図１５に示す隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値の２倍以下になっている。
【０１４３】
このように、本実施の形態では、図１４に示す支持台ＳＰＳに、下型ＬＣＭ１および複数のポストＰＳＴのそれぞれを固定した時の寸法公差、および図１４に示す隣り合うパンチＰＮＣ間の離間距離ＰＮＬ１の寸法公差を小さくすることで、図２１に示すクリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との合計値の増大を抑制する。このため、本実施の形態のリードカット工程によれば、複数のリードＬＤに対し、ほぼ同様な加工条件で切断加工を施すことができる。この結果、複数のリードＬＤのそれぞれが有する先端部分の構造を安定的に同様な構造にすることができる。
【０１４４】
また、本実施の形態によれば、図２１に示すように、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２とが実質的に等しい状態でリードＬＤが切断される。したがって、図１３に示す基材配置工程において、下型ＬＣＭ１（図１４参照）とリードフレームＬＦの位置合わせ精度を向上させれば、切断後の複数のリードＬＤの長さを揃えることができる。つまり、切断後のリードＬＤ１のアウタリード部ＯＬＤの長さと、切断後のリードＬＤ２のアウタリード部ＯＬＤの長さとを実質的に等しくすることができる。
【０１４５】
また、上記したように、本実施の形態では、図１０に示す複数のリードＬＤのうち、Ｘ方向に沿って延びるリードＬＤ１とリードＬＤ２とを一括して切断した後、Ｙ方向に沿って延びるリードＬＤ３とリードＬＤ４とを一括して切断する。このため、図１３に示すように、破断面形成工程が終わった後、図１０に示すＹ方向に沿って延びるリードＬＤ３とリードＬＤ４とを一括して切断する。リードＬＤ３とリードＬＤ４とを一括して切断する各工程は、図１３に示す基材配置工程〜破断面形成工程までを再び実施すれば良いので、繰り返しの説明は省略する。
【０１４６】
次に、図１３に示すリード成形工程では、複数のリードＬＤのそれぞれに曲げ加工を施し、図２に例示するように、封止体ＭＲの側面ＭＲｓから突出したリードＬＤのアウタリード部ＯＬＤを、下方に向かって折り曲げる。折り曲げ方法は、特に限定されないが、例えば、曲げ加工用の成形金型（図示は省略）でリードＬＤを挟み、プレス加工を施すことで折り曲げることができる。
【０１４７】
なお、図１３では、リード成形工程は、リード切断工程の後で行っているが、変形例としては、リード成形工程の後で、リード切断工程を行うこともできる。この場合、まず、図２に示すリードＬＤのアウタリード部ＯＬＤよりも長い状態でリードＬＤを切断した後、リードＬＤを成形する。そして、成形後のリードＬＤのアウタリード部ＯＬＤの先端部分を再び切断し、図５に示す先端面ＬＤｈ１、ＬＤｈ２、ＬＤｈ３を形成する。
【０１４８】
＜変形例＞
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。なお、上記実施の形態中でもいくつかの変形例について説明したが、以下では、上記実施の形態で説明した変形例以外の代表的な変形例について説明する。
【０１４９】
＜変形例１＞
例えば、上記実施の形態では、図１０に示す複数のリードＬＤのうち、Ｘ方向に沿って延びるリードＬＤ１とリードＬＤ２とを一括して切断した後、Ｙ方向に沿って延びるリードＬＤ３とリードＬＤ４とを一括して切断する実施態様を説明した。しかしながら、変形例としては、図１０に示す複数のリードＬＤのうち、Ｘ方向に沿って延びるリードＬＤ１と、リードＬＤ２と、Ｙ方向に沿って延びるリードＬＤ３と、リードＬＤ４と、を一括して同時に切断しても良い。この場合、上記実施の形態と比較して、リードカット工程に要する時間を短縮できるので、製造効率をさらに向上させることができる。
【０１５０】
以下、封止体ＭＲの四辺から突出するように延びる複数のリードＬＤを一括して切断する方法について説明する。図２２は、図１４に示すリード切断装置に対する変形例であるリード切断装置が有する上型を複数のパンチが固定された下面側から視た平面図である。また、図２３は、図１５に対する変形例であって、図２２に示すポストとブッシュの位置関係を示す平面図である。また、図２４は、図２２に示す上型を下型と重ねあわせた時の、パンチとダイの平面的な位置関係を示す拡大平面図である。
【０１５１】
なお、図２４では、パンチＰＮＣとダイＤＩＥとの平面的な位置関係を示すため、パンチＰＮＣを点線で示している。
【０１５２】
図２２に示すように本変形例のリード切断装置ＬＣ２が有する上型ＬＣＭ２は、Ｘ方向に沿って互いに対向するパンチＰＮＣ１、ＰＮＣ２に加え、Ｙ方向に沿って互いに対向するパンチＰＮＣ３、ＰＮＣ４を有している点で、図１４に示すリード切断装置ＬＣ１が有する上型ＬＣＭ２と相違する。本変形例のリードカット工程では、パンチＰＮＣ１がリードＬＤ１（図１０参照）を、パンチＰＮＣ２がリードＬＤ２（図１０参照）を、パンチＰＮＣ３がリードＬＤ３（図１０参照）を、パンチＰＮＣ４がリードＬＤ４（図１０参照）を、それぞれ切断する。
【０１５３】
また、図２４に示すように、本変形例のリード切断装置ＬＣ２が有する下型ＬＣＭ１は、以下の点で図１４に示すリード切断装置ＬＣ１が有する下型ＬＣＭ１と相違する。すなわち、リード切断装置ＬＣ２の下型ＬＣＭ１は、は、Ｘ方向に沿って封止体ＭＲ（図１０参照）の収容部ＨＬＤを介して互いに対向するダイＤＩＥ１、ＤＩＥ２に加え、Ｙ方向に沿って、収容部ＨＬＤを介して互いに対向するダイＤＩＥ３、ＤＩＥ４を有している。また、ダイＤＩＥ１、ＤＩＥ２、ＤＩＥ３、ＤＩＥ４のそれぞれは、スリットＳＬＴ１、ＳＬＴ２、ＳＬＴ３、ＳＬＴ４を介して別のダイＯＤＩ１、ＯＤＩ２、ＯＤＩ３、ＯＤＩ４と対向するように設けられる。そして、スリットＳＬＴ１、ＳＬＴ２、ＳＬＴ３、ＳＬＴ４には、パンチＰＮＣ１、ＰＮＣ２、ＰＮＣ３、ＰＮＣ４がそれぞれ挿入される構造になっている。
【０１５４】
また、図２３に示すように、本変形例のリード切断装置ＬＣ２が有する上型ＬＣＭ２は、ポストＰＳＴとブッシュＢＳＨとの隙間の関係が、図１５を用いて説明した実施態様と相違する。すなわち、図２３に示す隙間距離ＳＰＬ３と隙間距離ＳＰＬ４との合計値は、図２２に示すＹ方向に沿って隣り合うパンチＰＮＣ間の離間距離ＰＮＬ２の寸法公差（例えば±３μｍ）の２倍以上である。図２３に示す例では、隙間距離ＳＰＬ３と隙間距離ＳＰＬ４との合計値は、例えば２０μｍ以上である。
【０１５５】
なお、図２３に示す隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値は、上記実施の形態で説明した実施態様と同様である。すなわち、隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値は、図２２に示す隣り合うパンチＰＮＣ間の離間距離ＰＮＬ１の寸法公差（例えば±３μｍ）の２倍以上である。図２３に示す例では、隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値は、隙間距離ＳＰＬ３と隙間距離ＳＰＬ４との合計値と実質的に等しく、例えば２０μｍ以上である。
【０１５６】
上記実施の形態では、セルフアライメント方式の説明として、Ｘ方向の可動範囲のマージンを大きくした場合の実施態様を説明した。しかし、図２３に矢印を付して模式的に示すように、Ｘ−Ｙ平面において、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ可動範囲のマージンを大きくした場合であっても、セルフアライメント方式による位置合わせを行うことができる。
【０１５７】
上記実施の形態で説明した、リードＬＤを変形させた時の反力を利用したセルフアライメント方式を、本変形例に適用する場合、図２４に示すＸ方向の反力の成分と、Ｙ方向の反力の成分を分けて考えると理解し易い。すなわち、図２４に示すクリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２とが等しくなるように、位置合わせするために利用される、反力のＸ方向の成分は、主に、図１０に示すリードＬＤ１およびリードＬＤ２を変形させることにより生じる。一方、図２４に示すクリアランス距離ＣＬＲ３とクリアランス距離ＣＬＲ４とが等しくなるように、位置合わせするために利用される、反力のＹ方向の成分は、主に、図１０に示すリードＬＤ３およびリードＬＤ４を変形させることにより生じる。
【０１５８】
つまり、本変形例の場合、図２３に示す隙間距離ＳＰＬ１と隙間距離ＳＰＬ２との合計値が、図２２に示すＸ方向において隣り合うパンチＰＮＣ１、ＰＮＣ２間の離間距離ＰＮＬ１の寸法公差の２倍以上になっている。これにより、リードカット工程に含まれる位置合わせ工程では、Ｘ方向において、パンチＰＮＣ１からダイＤＩＥ１までのクリアランス距離ＣＬＲ１と、パンチＰＮＣ２からダイＤＩＥ２までのクリアランス距離ＣＬＲ２と、が等しくなるように位置合わせをすることができる。
【０１５９】
また、本変形例の場合、図２３に示す隙間距離ＳＰＬ３と隙間距離ＳＰＬ４との合計値が、図２２に示すＹ方向において隣り合うパンチＰＮＣ３、ＰＮＣ４間の離間距離ＰＮＬ２の寸法公差の２倍以上になっている。これにより、リードカット工程に含まれる位置合わせ工程では、Ｙ方向において、パンチＰＮＣ３からダイＤＩＥ３までのクリアランス距離ＣＬＲ３と、パンチＰＮＣ４からダイＤＩＥ４までのクリアランス距離ＣＬＲ４と、が等しくなるように位置合わせをすることができる。
【０１６０】
この結果、リードカット工程では、図１０に示すリードＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４のそれぞれに対して、同様の加工条件で一括して切断加工を施すことができる。また、リードＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４のそれぞれの加工条件を同様にする観点からは、図２４に示すクリアランス距離ＣＬＲ１、ＣＬＲ２、ＣＬＲ３、ＣＬＲ４のそれぞれの値が、実質的に等しいと見做せる程度になるまで、位置合わせを行うことが好ましい。
【０１６１】
なお、本変形例は、上記した相違点を除き、上記実施の形態で説明した実施態様と同様である。したがって、重複する説明は省略する。
【０１６２】
また、図１５および図２３では、隙間距離ＳＰＬ１、ＳＰＬ２、ＳＰＬ３、ＳＰＬ４の位置を理解し易くするため、ポストＰＳＴの平面形状およびブッシュＢＳＨの貫通孔ＨＤＨの開口形状がそれぞれ四角形である例を示しているが、種々の変形例がある。ポストＰＳＴの平面形状およびブッシュＢＳＨの貫通孔ＨＤＨの開口形状は、例えば、円形、あるいは楕円形等であっても良い。
【０１６３】
＜変形例２＞
また、例えば、別の変形例として、ダイのリード保持面の端部やパンチの押圧面の端部に、面取り加工を施す実施態様が考えられる。図２５は、図１６〜図２１に示すダイおよびパンチに対する変形例であるダイのリード保持面の端部とパンチの押圧面の端部を拡大して示す拡大断面図である。また、図２６は、図２５に対する変形例を示す拡大断面図である。
【０１６４】
図２５および図２６に示す変形例では、ダイＤＩＥ１は、リードＬＤ１を支持するリード保持面（第１支持面）ＬＨＳと、リード保持面ＬＨＳの外側に位置する端部（第１支持端部）ＥＤＤと、を有する。また、ダイＤＩＥ２は、リードＬＤ２を支持するリード保持面（第２支持面）ＬＨＳと、リード保持面ＬＨＳの外側に位置する端部（第２支持端部）ＥＤＤと、を有する。また、ダイＤＩＥ３は、リードＬＤ３を支持するリード保持面（第３支持面）ＬＨＳと、リード保持面ＬＨＳの外側に位置する端部（第３支持端部）ＥＤＤと、を有する。また、ダイＤＩＥ４は、リードＬＤ４を支持するリード保持面（第４支持面）ＬＨＳと、リード保持面ＬＨＳの外側に位置する端部（第４支持端部）ＥＤＤと、を有する。
【０１６５】
また、パンチＰＮＣ１は、リードＬＤ１を押圧するリード押圧面（第１押圧面）ＬＰＳと、リード押圧面ＬＰＳの外側に位置する端部（第１押圧端部）ＥＤＰと、を有する。また、パンチＰＮＣ２は、リードＬＤ２を押圧するリード押圧面（第２押圧面）ＬＰＳと、リード押圧面ＬＰＳの外側に位置する端部（第２押圧端部）ＥＤＰと、を有する。また、パンチＰＮＣ３は、リードＬＤ３を押圧するリード押圧面（第３押圧面）ＬＰＳと、リード押圧面ＬＰＳの外側に位置する端部（第３押圧端部）ＥＤＰと、を有する。また、パンチＰＮＣ４は、リードＬＤ４を押圧するリード押圧面（第４押圧面）ＬＰＳと、リード押圧面ＬＰＳの外側に位置する端部（第４押圧端部）ＥＤＰと、を有する。
【０１６６】
ここで、端部ＥＤＤおよび端部ＥＤＰのそれぞれには、面取り加工が施されている。図２５および図２６に示す例では、端部ＥＤＤおよび端部ＥＤＰのそれぞれには、Ｒ面取り（Round Chamfering）が施されている。なお、本願発明者が検討した結果、Ｒ面の寸法は３μｍ〜２０μｍの範囲とすることが好ましい。上記した実施の形態では、Ｘ方向において、パンチＰＮＣの可動範囲のマージンが大きくなっている。また、上記した変形例１では、Ｘ方向およびＹ方向のそれぞれにおいて、パンチＰＮＣの可動範囲のマージンが大きくなっている。このため、端部ＥＤＤおよび端部ＥＤＰのそれぞれに面取り加工を施した場合、面取り加工を施していない場合と比較して、パンチＰＮＣとダイＤＩＥとが接触し難くなる。例えば、ダイＤＩＥの面取り加工部分とパンチＰＮＣの面取り加工部分がリードの厚さ方向において重なっている場合、パンチを下降させると、パンチＰＮＣとダイＤＩＥとが互いに離れる方向にパンチが移動し易くなる。すなわち、本実施の形態のように、可動範囲を大きくし、かつ、端部ＥＤＤおよび端部ＥＤＰに面取り加工を施した場合、パンチＰＮＣとダイＤＩＥとが接触して、リード切断装置が損傷することを抑制できる。
【０１６７】
また、上記のように、パンチＰＮＣとダイＤＩＥとが接触し難くなることにより、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２との合計値、およびクリアランス距離ＣＬＲ３とクリアランス距離ＣＬＲ４との合計値をそれぞれ小さくすることができる。
【０１６８】
また、図２６に示す例では、ダイＤＩＥ１、ＤＩＥ２、ＤＩＥ３、ＤＩＥ４、およびパンチＰＮＣ１、ＰＮＣ２、ＰＮＣ３、ＰＮＣ４のそれぞれは、基材ＢＳＭ２と、基材ＢＳＭ２の表面を覆う被膜ＣＴＦを有する。被膜ＣＴＦは基材ＢＳＭ２の摩耗を抑制する保護膜であって、被膜ＣＴＦの硬さは基材ＢＳＭ２よりも硬い。
【０１６９】
このため、切断加工時に、特に摩擦が生じやすいパンチＰＮＣの端部ＥＤＰおよびダイＤＩＥの端部ＥＤＤは、被膜ＣＴＦに覆われている。
【０１７０】
このように、基材ＢＳＭ２の表面を被膜ＣＴＦで覆うことにより、ダイＤＩＥおよびパンチＰＮＣの摩耗を遅らせることができる。つまり、複数のリードＬＤに対して、安定的に同様の加工条件で切断加工を施すことができる期間を延長することができる。
【０１７１】
＜変形例３＞
また、例えば、上記実施の形態では、リードカット工程において、上型ＬＣＭ２と下型ＬＣＭ１との位置合わせを行う方法として、リードＬＤの反力を利用したセルフアライメント方式について説明した。しかし、上記実施の形態で説明した図１９に示すように、クリアランス距離ＣＬＲ１とクリアランス距離ＣＬＲ２とが実質的に等しいと見做せる程度に位置合わせできる方法であれば反力を利用しない方法でも良い。
【０１７２】
例えば、下型ＬＣＭ１に図示しないアライメントマークを形成し、アライメントマークの位置情報に基づいて、上型ＬＣＭ２と下型ＬＣＭ１との位置合わせを行いながらリードＬＤを押圧する方法がある。
【０１７３】
ただし、上記実施の形態で説明したセルフアライメント方式は、アライメントマークの読み取り装置や、上型ＬＣＭ２の移動方向を制御する装置など、複雑な機構を用いずに、高精度で位置合わせを行うことができる点で、特に好ましい。
【０１７４】
＜変形例４＞
また例えば、上記実施の形態では、平面視において四角形を成す封止体が有する四辺のそれぞれからリードが突出する、ＱＦＰ型の半導体装置ＰＫＧ１を例示的に取り上げて説明した。しかし、上記した技術は、半導体チップを封止する封止体が有する辺のうち、互いに対向する二辺から、複数のリードが突出する、半導体装置に広く適用することができる。例えば、長方形を成す封止体が有する四辺のうち、互いに対向する長辺からそれぞれ複数のリードが突出する、ＳＯＰ（Small Outline Package）に適用することができる。
【０１７５】
この場合、上記実施の形態で説明したリードカット工程において、図１３で点線を付して示す繰り返しの作業を省略できる。
【０１７６】
＜変形例５＞
また、例えば、上記の通り種々の変形例について説明したが、上記で説明した各変形例同士を組み合わせて適用することができる。
【０１７７】
その他、実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。
（１）
（ａ）半導体チップと、それぞれが前記半導体チップと電気的に接続され、インナリード部とアウタリード部とを有する複数のリードと、前記複数のリードのそれぞれのインナリード部を封止する封止体と、を有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記複数のリードの前記封止体から露出したそれぞれのアウタリード部の一部を切断することにより、前記リードフレームから前記複数のリードを切り離す工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
平面視において、前記封止体は第１辺と、前記第１辺の反対側に位置する第２辺と、前記第１辺と交差する第３辺と、前記第３辺の反対側に位置する第４辺と、を有し、
前記複数のリードは、前記封止体の前記第１辺から突出し、第１方向に沿って延びる第１リードと、前記封止体の前記第２辺から突出し、前記第１方向に沿って延びる第２リードと、前記封止体の前記第３辺から突出し、前記第１方向と直交する第２方向に沿って延びる第３リードと、前記封止体の前記第４辺から突出し、前記第２方向に沿って延びる第４リードと、を有し、
前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードのそれぞれは、前記半導体装置を実装基板に実装した際、前記実装基板の前記半導体装置が実装される実装面と対向する部分を含む下面と、前記下面の反対側に位置する上面と、を有し、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記第１リードの前記上面と、前記第２リードの前記上面と、前記第３リードの前記上面と、前記第４リードの前記上面と、をそれぞれ第１金型で支持する工程と、
（ｂ２）前記（ｂ１）工程の後、第２金型を前記第１リードの前記下面と、前記第２リードの前記下面と、前記第３リードの前記下面と、前記第４リードの前記下面と、に向かって近づけ、かつ接触させる工程と、
（ｂ３）前記（ｂ２）工程の後、前記第１金型に対し、前記第２金型の位置合わせを行う工程と、
（ｂ４）前記（ｂ３）工程の後、前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードを前記第１金型と前記第２金型とを用いることにより一括して切断する工程と、を有し、
前記（ｂ）工程で用いる前記第１金型は、前記第１リードを支持する第１ダイと、前記第２リードを支持する第２ダイと、前記第３リードを支持する第３ダイと、前記第４リードを支持する第４ダイと、を有し、
前記（ｂ）工程で用いる前記第２金型は、前記第１方向において前記第１ダイの外側に設けられ、前記第１リードを切断する第１パンチと、前記第１方向において前記第２ダイの外側に設けられ、前記第２リードを切断する第２パンチと、前記第２方向において前記第３ダイの外側に設けられ、前記第３リードを切断する第３パンチと、前記第２方向において前記第４ダイの外側に設けられ、前記第４リードを切断する第４パンチと、を有し、
前記（ｂ３）工程は、前記第１方向において、前記第１パンチから前記第１ダイまでの前記第１クリアランス距離と、前記第２パンチから前記第２ダイまでの前記第２クリアランス距離と、が等しくなるように、かつ、前記第２方向において、前記第３パンチから前記第３ダイまでの第３クリアランス距離と、前記第４パンチから前記第４ダイまでの第４クリアランス距離と、が等しくなるように、位置合わせを行う、半導体装置の製造方法。
【０１７８】
（２）
上記（１）に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ３）工程は、
（ｂ３１）前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードそれぞれの一部が変形するまで前記第２金型を前記第１金型に近づく方向に移動させる工程と、
（ｂ３２）前記第２金型の前記第１金型に近づく方向への移動を一旦停止させる工程と、を含み、
前記（ｂ４）工程は、停止した前記第２金型を前記第１金型に近づく方向に再び移動させることにより前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードを一括して切断する、半導体装置の製造方法。
【０１７９】
（３）
上記（１）に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２金型は、前記リードフレームの厚さ方向に延びるガイドレールに沿ってスライド動作するレール保持部を有し、
前記ガイドレールと前記レール保持部との前記第１方向における隙間距離の合計値は、前記第１パンチと前記第２パンチの離間距離の寸法公差の２倍以上である、半導体装置の製造方法。 
【０１８０】
（４）
上記（３）に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１クリアランス距離と、前記第２クリアランス距離の合計値は、前記隙間距離の合計値の２倍以下であって、
前記第３クリアランス距離と、前記第４クリアランス距離の合計値は、前記隙間距離の合計値の２倍以下である、半導体装置の製造方法。
【０１８１】
（５）
上記（１）に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で準備する前記リードフレームの、前記第１リードおよび前記第２リードのそれぞれの前記アウタリード部の表面には半田膜が形成されている、半導体装置の製造方法。
【０１８２】
（６）
上記（１）に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ダイは、前記第１リードを支持する第１支持面と、前記第１支持面の外側に位置する第１支持端部と、を有し、
前記第２ダイは、前記第２リードを支持する第２支持面と、前記第２支持面の外側に位置する第２支持端部と、を有し、
前記第３ダイは、前記第３リードを支持する第３支持面と、前記第３支持面の外側に位置する第３支持端部と、を有し、
前記第４ダイは、前記第４リードを支持する第４支持面と、前記第４支持面の外側に位置する第４支持端部と、を有し、
前記第１パンチは、前記第１リードを押圧する第１押圧面と、前記第１押圧面の内側に位置する第１押圧端部と、を有し、
前記第２パンチは、前記第２リードを押圧する第２押圧面と、前記第２押圧面の内側に位置する第２押圧端部と、を有し、
前記第３パンチは、前記第３リードを押圧する第３押圧面と、前記第３押圧面の内側に位置する第３押圧端部と、を有し、
前記第４パンチは、前記第４リードを押圧する第４押圧面と、前記第４押圧面の内側に位置する第４押圧端部と、を有し、
前記第１支持端部、前記第２支持端部、前記第３支持端部、前記第４支持端部、前記第１押圧端部、前記第２押圧端部、前記第３押圧端部、および前記第４押圧端部のそれぞれには、面取り加工が施されている、半導体装置の製造方法。
【０１８３】
（７）
上記（６）に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ダイ、前記第２ダイ、前記第３ダイ、前記第４ダイ、前記第１パンチ、前記第２パンチ、前記第３パンチ、および前記第４パンチのそれぞれは、基材と、前記基材の表面を覆う第１膜と、を有し、
前記第１膜の硬さは、前記基材の硬さよりも硬く、
記第１支持端部、前記第２支持端部、前記第３支持端部、前記第４支持端部、前記第１押圧端部、前記第２押圧端部、前記第３押圧端部、および前記第４押圧端部のそれぞれは、前記第１膜に覆われている、半導体装置の製造方法。
【０１８４】
（８）
上記（１）に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で切断された前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードの端部のそれぞれは、前記下面に連なる第１側面と、前記上面に連なる第２側面と、第１境界線を介して前記第１側面に連なり、かつ、第２境界線を介して前記第２側面に連なる第３側面と、を有し、
前記第１側面は、前記（ｂ３）工程で、前記第２金型の前記第１パンチ、前記第２パンチ、前記第３パンチ、および前記第４パンチにて押圧されることにより前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードが変形して形成された変形面であって、
前記第３側面は、前記（ｂ４）工程で、前記第２金型の前記第１パンチ、前記第２パンチ、前記第３パンチ、および前記第４パンチにて押圧されることにより前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードがせん断されて形成された、せん断面であって、
前記第２側面は、前記（ｂ４）工程で、前記第２金型の前記第１パンチ、前記第２パンチ、前記第３パンチ、および前記第４パンチにて押圧されることにより前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードの前記上面側の一部が破断して形成された破断面であり、
前記下面から前記第２境界線までの高さは、前記第２境界線から前記上面までの高さよりも大きい、半導体装置の製造方法。
【０１８５】
（９）
上記（１）に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で切断された前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードの端部のそれぞれは、前記下面に連なる第１側面と、前記上面に連なる第２側面と、第１境界線を介して前記第１側面に連なり、かつ、第２境界線を介して前記第２側面に連なる第３側面と、を有し、
前記第１側面は、前記（ｂ３）工程で、前記第２金型の前記第１パンチ、前記第２パンチ、前記第３パンチ、および前記第４パンチにて押圧されることにより前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードが変形して形成された変形面であって、
前記第３側面は、前記（ｂ４）工程で、前記第２金型の前記第１パンチ、前記第２パンチ、前記第３パンチ、および前記第４パンチにて押圧されることにより前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードがせん断されて形成された、せん断面であって、
前記第２側面は、前記（ｂ４）工程で、前記第２金型の前記第１パンチ、前記第２パンチ、前記第３パンチ、および前記第４パンチにて押圧されることにより前記第１リード、前記第２リード、前記第３リード、および前記第４リードの前記上面側の一部が破断して形成された破断面であり、
前記下面から前記第１境界線までの高さは、前記第１境界線から前記第２境界線までの高さよりも大きい、半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１８６】
ＢＭ  金属膜
ＢＬ１、ＢＬ２  境界線
ＢＳＨ  ブッシュ
ＢＳＭ１、ＢＳＭ２  基材
ＢＷ  ワイヤ
ＣＬＲ１、ＣＬＲ２、ＣＬＲ３、ＣＬＲ４、ＯＣＬ１、ＯＣＬ２  クリアランス距離
ＣＰ  半導体チップ
ＣＰｂ  裏面
ＣＰｔ  表面（主面）
ＣＴＦ  被膜
ＤＢ  ダイボンド材（接着材）
ＤＩＥ、ＤＩＥ１、ＤＩＥ２、ＤＩＥ３、ＤＩＥ４、ＯＤＩ１、ＯＤＩ２、ＯＤＩ３、ＯＤＩ４    ダイ
ＤＰ  ダイパッド
ＤＰｔ  上面（チップ搭載面）
ＥＤＤ  端部（第１支持端部、第２支持端部、第３支持端部、第４支持端部）
ＥＤＰ  端部（第１押圧端部、第２押圧端部、第３押圧端部、第４押圧端部）
ＦＰ１、ＦＰ２、ＯＦＰ１、ＯＦＰ２  部分
Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４  高さ
ＨＤＨ  貫通孔
ＨＬ  吊りリード
ＨＬＤ  収容部
ＩＬＤ  インナリード部
ＬＣ１、ＬＣ２  リード切断装置
ＬＣＭ１  下型（第１金型）
ＬＣＭ２  上型（第２金型）
ＬＤ、ＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４  リード
ＬＤｂ  下面
ＬＤｈ１、ＬＤｈ２、ＬＤｈ３  先端面（側面）
ＬＤｔ  上面
ＬＦ  リードフレーム（基材）
ＬＦａ  デバイス形成部
ＬＦｂ  枠部
ＬＨＳ  リード保持面（支持面）
ＬＰＳ  リード押圧面（押圧面）
ＭＢ１  実装基板
ＭＣ  金属膜（外装めっき膜）
ＭＲ  封止体（樹脂体、封止部）
ＭＲｂ  下面
ＭＲｃ  角部
ＭＲｓ  側面
ＭＲｔ  上面
ＯＬＤ  アウタリード部
ＯＳＰ  オフセット部
ＰＤ  パッド（ボンディングパッド）
ＰＫＧ１  半導体装置
ＰＮＣ、ＰＮＣ１、ＰＮＣ２、ＰＮＣ３、ＰＮＣ４  パンチ
ＰＮＬ１、ＰＮＬ２  離間距離
ＰＰ  突出部
ＰＳＴ  ポスト（ガイドレール）
ＲＦ１、ＲＦ２、ＯＲＦ１、ＯＲＦ２、ＲＦＴ  反力
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４  辺（主辺）
ＳＤ  半田材
ＳＬＴ、ＳＬＴ１、ＳＬＴ２、ＳＬＴ３、ＳＬＴ４  スリット
ＳＬＷ  開口幅
ＳＰＬ１、ＳＰＬ２、ＳＰＬ３、ＳＰＬ４  隙間距離
ＳＰＳ  支持台
Ｔ１  厚さ
ＴＢ  タイバー
ＴＭ  端子
ＷＢＲ  ボンディング部
【図１】
2016051734.tif 000003
【図２】
2016051734.tif 000004
【図３】
2016051734.tif 000005
【図４】
2016051734.tif 000006
【図５】
2016051734.tif 000007
【図６】
2016051734.tif 000008
【図７】
2016051734.tif 000009
【図８】
2016051734.tif 000010
【図９】
2016051734.tif 000011
【図１０】
2016051734.tif 000012
【図１１】
2016051734.tif 000013
【図１２】
2016051734.tif 000014
【図１３】
2016051734.tif 000015
【図１４】
2016051734.tif 000016
【図１５】
2016051734.tif 000017
【図１６】
2016051734.tif 000018
【図１７】
2016051734.tif 000019
【図１８】
2016051734.tif 000020
【図１９】
2016051734.tif 000021
【図２０】
2016051734.tif 000022
【図２１】
2016051734.tif 000023
【図２２】
2016051734.tif 000024
【図２３】
2016051734.tif 000025
【図２４】
2016051734.tif 000026
【図２５】
2016051734.tif 000027
【図２６】
2016051734.tif 000028