(57)【要約】      （修正有）【課題】簡便に除電を行い得るガラス基板、及び除電性に優れたガラス基板を効率よく製造する方法の提供。【解決手段】表面１ａに導電性膜２が形成されたガラス基板１であって、導電性膜２に連なって当該ガラス基板１に付着した導電性物質３が、当該ガラス基板１の端部１ｃを回り込んで裏面１ｂまで付着させたガラス基板。前記板ガラスの表面に向かって飛散させた導電性を有する膜材料のうち、表面に到達した膜材料を付着させ、表面に導電性膜２を形成する成膜工程を実行することでガラス基板１を製造する方法であって、飛散させた膜材料の一部を、板ガラスの裏面側に回り込ませ、裏面に付着させる方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に導電性膜が形成されたガラス基板であって、
前記導電性膜に連なって当該ガラス基板に付着した導電性物質が、当該ガラス基板の端部を回り込んで裏面まで付着していることを特徴とするガラス基板。
【請求項２】
前記裏面について、その外縁部のみに前記導電性物質が付着していることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板。
【請求項３】
前記裏面について、前記導電性物質の付着した領域が、該裏面の外周端に沿って５ｍｍ以上の幅を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のガラス基板。
【請求項４】
前記裏面について、該裏面の外周端側ほど、前記導電性物質の付着量が多いことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のガラス基板。
【請求項５】
前記裏面について、前記導電性物質の付着した領域における表面抵抗率が、１０３Ω〜１０１２Ωの範囲内であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のガラス基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のガラス基板を、該ガラス基板の裏面を支持する支持面を備えた支持体から剥離させる方法であって、
前記支持体に支持された前記ガラス基板について、前記導電性膜が形成された膜形成領域、又は、前記導電性物質が付着した物質付着領域から、該ガラス基板に帯電した電荷を除電する除電工程を実行することを特徴とするガラス基板の剥離方法。
【請求項７】
導体で構成された棒状体を含み、且つ前記支持体の支持面から順々に突出して前記ガラス基板の裏面を持ち上げて前記支持体から前記ガラス基板を剥離させる複数の棒状体を用いて、
前記ガラス基板の裏面における前記物質付着領域を、前記複数の棒状体のうち、前記導体で構成された棒状体で最初に持ち上げると共に、この棒状体と前記物質付着領域との当接による導通を利用して前記除電工程を実行することを特徴とする請求項６に記載のガラス基板の剥離方法。
【請求項８】
前記ガラス基板における前記膜形成領域、又は、前記物質付着領域に除電エアーを作用させることにより、前記除電工程を実行することを特徴とする請求項６に記載のガラス基板の剥離方法。
【請求項９】
支持部材が支持する板ガラスの表面に向かって飛散させた導電性を有する膜材料のうち、該表面に到達した前記膜材料を付着させ、該表面に導電性膜を形成する成膜工程を実行することでガラス基板を製造する方法であって、
飛散させた前記膜材料の一部を、前記板ガラスの裏面側に回り込ませ、該裏面に付着させることを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項１０】
飛散させた前記膜材料の一部を、前記板ガラスの端部に沿って裏面側に回り込ませることを特徴とする請求項９に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１１】
前記成膜工程において、
前記板ガラスの裏面と当接する当接部を備えた前記支持部材により、前記板ガラスが裏面側から支持された状態とすると共に、
前記板ガラスの外周端を、前記当接部の外周端から食み出させことを特徴とする請求項９又は１０に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１２】
前記板ガラスの外周端が、前記当接部の外周端から食み出した長さを５ｍｍ以上とすることを特徴とする請求項１１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１３】
前記板ガラスが矩形の形状を有し、
前記成膜工程において、
前記板ガラスを裏面側から支持する前記支持部材により、前記板ガラスのコーナー部のみが支持された状態とすることを特徴とする請求項９又は１０に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１４】
飛散させた前記膜材料の一部を、前記板ガラスの表面側から裏面側へと誘導する通路を設けたことを特徴とする請求項９〜１３のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１５】
前記支持部材に、前記板ガラスの端面と対向する端面対向部と、前記板ガラスの裏面と対向する裏面対向部とを設け、
両対向部と前記板ガラスとの間に形成される隙間を、前記通路とすることを特徴とする請求項１４に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１６】
前記成膜工程をスパッタリング法、又は、ＣＶＤ法によって実行することを特徴とする請求項９〜１５のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板、及びガラス基板の製造方法、並びにガラス基板の剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、各種ディスプレイや有機ＥＬ照明、太陽電池等の電子デバイスに組み込まれるガラス基板の製造工程において、当該ガラス基板に悪影響を及ぼす問題の一つとしては、ガラス基板の帯電がある。具体的には、ガラス基板の帯電によって以下に挙げるような種々の不具合が発生している。
【０００３】
（１）静電気放電により、ガラス基板上に形成された層間絶縁膜の絶縁不良、各種配線の断線や短絡が生じる。（２）パーティクルがガラス基板に引き寄せられて付着し、回路不良が発生する。（３）定盤等の支持体からガラス基板を剥離させる場合に、支持体とガラス基板との間に作用する密着力の増大に起因して、ガラス基板に割れや破損が発生する。これらの不具合は近年のガラス基板の大型化、薄肉化の推進に伴って、より顕著なものとなっている。
【０００４】
そこで、帯電した電荷を除電しやすいガラス基板が特許文献１に開示されている。このガラス基板には、支持体によって支持される側の面となる裏面の外縁部に、導電膜が形成されている。これにより、裏面の表面抵抗率が低下し、裏面側に帯電した電荷を除電しやすくなっている。一方、このガラス基板の表面には、半導体回路を構成するための薄膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１７３３６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に開示されたガラス基板は、導電膜を形成したことで裏面側の除電性が向上しているものの、このガラス基板の表面側と裏面側との双方について除電を行うには、各面側の除電をそれぞれ独立して行う必要がある。これにより、除電のための作業が煩雑になりやすい傾向がある。このため、より簡便に除電を行うための改良を加えたガラス基板の開発が期待されている。
【０００７】
このような事情に鑑みなされた本発明は、簡便に除電を行い得るガラス基板を提供することを第一の技術的課題とする。
【０００８】
さらに、特許文献１には何ら記載がなされていないが、同文献に開示されたガラス基板は、当該ガラス基板に必要な機能を付与するために、表面に薄膜を形成する工程と、ガラス基板の除電性を向上させるために、裏面の外縁部に導電膜を形成する工程とを個別に実行することで製造しているものと想定される。すなわち、ガラス基板に必要な機能を付与するための工程に加えて、除電性を向上させるための工程を別途に設けているものと想定される。そのため、このガラス基板は、除電性には優れるものの、その製造効率という観点からは未だ改善の余地があるのが現状である。
【０００９】
このような事情に鑑みなされた本発明は、除電性に優れたガラス基板を効率よく製造するための方法を提供することを第二の技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の第一の技術的課題を解決するために創案された本発明に係るガラス基板は、表面に導電性膜が形成されたガラス基板であって、導電性膜に連なって当該ガラス基板に付着した導電性物質が、当該ガラス基板の端部を回り込んで裏面まで付着していることに特徴付けられる。
【００１１】
このような構成によれば、ガラス基板の端部を回り込んで裏面まで付着した導電性物質が、表面に形成された導電性膜と連なっているため、ガラス基板に帯電した電荷が、導電性膜及び導電性物質を伝って表面側から裏面側へ、或いは、裏面側から表面側へと移動することができる。これにより、表面側と裏面側とのうち、一方面側に帯電した電荷の除電を開始すれば、これに伴って他方面側に帯電した電荷を一方面側へと移動させ、除電の開始前から一方面側に帯電していた電荷と共に除電することが可能となる。以上のことにより、このガラス基板によれば、当該ガラス基板に帯電した電荷を簡便に除電することができる。
【００１２】
上記の構成において、裏面について、その外縁部のみに導電性物質が付着していることが好ましい。ここで、「裏面の外縁部」とは、裏面の外周端に沿って幅を有し、且つ、この幅の寸法が１００ｍｍ以下である領域を意味する。
【００１３】
導電性物質が付着した領域の面積が大きすぎる場合には、除電の際に多量の電荷が一気に移動して大電流が流れ、ガラス基板の品質に悪影響を及ぼすおそれがある。しかしながら、外縁部のみに導電性物質が付着していれば、その付着した領域の面積が十分に小さくなるため、このようなおそれを可及的に排除することができる。また、ガラス基板が組み込まれる電子デバイスの種類によっては、その製造工程において、ガラス基板の裏面に付着した導電性物質を除去する必要がある。しかしながら、導電性物質の付着した領域が外縁部のみであれば、当該導電性物質の除去を迅速に実行することが可能である。
【００１４】
上記の構成において、裏面について、導電性物質の付着した領域が裏面の外周端に沿って５ｍｍ以上の幅を有することが好ましい。
【００１５】
ガラス基板の裏面を支持する支持体から当該ガラス基板を剥離させる場合には、その端部を起点に剥離させるのが通常である。従って、導電性物質の付着した領域が、裏面の外周端に沿って大きな幅を有するほど、端部の除電が行いやすくなり、ガラス基板を剥離させる上で有利となる。そして、導電性物質の付着した領域が、裏面の外周端に沿って５ｍｍ以上の幅を有すれば、ガラス基板を剥離させるのに十分な除電を行いやすくなる。その結果、剥離時におけるガラス基板の割れや破損の発生が好適に防止される。
【００１６】
上記の構成において、裏面について、裏面の外周端側ほど、導電性物質の付着量が多いことが好ましい。
【００１７】
このようにすれば、裏面の外周端側ほど、除電を行いやすくなる。このため、ガラス基板の裏面を支持する支持体から当該ガラス基板を剥離させる場合に、端部を起点にガラス基板を剥離させる上で好適である。
【００１８】
上記の構成において、裏面について、導電性物質の付着した領域における表面抵抗率が、１０３Ω〜１０１２Ωの範囲内であることが好ましい。
【００１９】
裏面について、導電性物質の付着した領域の表面抵抗率が１０３Ω以下である場合には、高い除電性が得られる一方、ガラス基板を接地（アース）させた際等に、大電流が流れるおそれがある。また、表面抵抗率が１０１２Ω以上である場合には、良好な除電性を得られなくなるおそれがある。しかしながら、表面抵抗率を１０３Ω〜１０１２Ωの範囲内とすれば、大電流が流れることを防止しつつ、良好な除電性を確保することができる。なお、表面抵抗率は、１０５Ω〜１０１１Ωの範囲内とすることがより好ましい。
【００２０】
上記の各ガラス基板を、当該ガラス基板の裏面を支持する支持面を備えた支持体から剥離させる場合には、支持体に支持されたガラス基板について、導電性膜が形成された膜形成領域、又は、導電性物質が付着した物質付着領域から、ガラス基板に帯電した電荷を除電する除電工程を実行することが好ましい。
【００２１】
このようにすれば、除電工程の実行によりガラス基板に帯電した電荷が除電される。そのため、静電気放電や、パーティクルの付着や、支持体とガラス基板との間に作用する密着力の増大等、ガラス基板の帯電に起因した種々の不具合の発生を好適に防止することが可能となる。
【００２２】
上記の剥離方法において、導体で構成された棒状体を含み、且つ支持体の支持面から順々に突出してガラス基板の裏面を持ち上げて支持体からガラス基板を剥離させる複数の棒状体を用いて、ガラス基板の裏面における物質付着領域を、複数の棒状体のうち、導体で構成された棒状体で最初に持ち上げると共に、この棒状体と物質付着領域との当接による導通を利用して除電工程を実行してもよい。
【００２３】
このようにすれば、ガラス基板の裏面における物質付着領域を導体で構成された棒状体で最初に持ち上げる際、この棒状体と物質付着領域とが当接して両者が導通した状態となる。これにより、ガラス基板に帯電した電荷を、導体で構成された棒状体を伝ってガラス基板外へと移動させ、除電することできる。また、ガラス基板に帯電した電荷の除電を行いつつ、支持体からガラス基板を剥離させることが可能となり、当該ガラス基板の剥離を迅速に実行する上で好適である。
【００２４】
上記の剥離方法において、ガラス基板における膜形成領域、又は、物質付着領域に除電エアーを作用させることにより、除電工程を実行してもよい。
【００２５】
また、上記の第二の技術的課題を解決するために創案された本発明に係るガラス基板の製造方法は、支持部材が支持する板ガラスの表面に向かって飛散させた導電性を有する膜材料のうち、表面に到達した膜材料を付着させ、表面に導電性膜を形成する成膜工程を実行することでガラス基板を製造する方法であって、飛散させた膜材料の一部を板ガラスの裏面側に回り込ませ、裏面に付着させることに特徴付けられる。
【００２６】
このような製造方法によれば、板ガラスの表面に導電性膜を形成するのに伴って、飛散させた導電性を有する膜材料の一部が、板ガラスの裏面側に回り込んで付着する。このため、ガラス基板に必要な機能を付与するために、板ガラスの表面に導電性膜を形成する工程（成膜工程）と、ガラス基板の除電性を向上させるために、板ガラスの裏面に膜材料を付着させる工程とを個別に実行する必要がなくなる。その結果、除電性に優れたガラス基板を効率よく製造することが可能である。
【００２７】
上記の製造方法において、飛散させた膜材料の一部を、板ガラスの端部に沿って裏面側に回り込ませることが好ましい。
【００２８】
このようにすれば、飛散させた膜材料の一部が、板ガラスの端部に沿って裏面側に回り込むため、板ガラスの端部と裏面とに膜材料が付着していく。そして、端部に付着した膜材料により、表面に形成される導電性膜と裏面に付着する膜材料とが連なった状態とすることができる。これにより、導電性膜に連なってガラス基板に付着した膜材料が、当該ガラス基板の端部を回り込んで裏面まで付着したガラス基板を得ることができる。なお、このガラス基板においては、裏面の外周端側ほど、膜材料の付着量を多くできる。
【００２９】
上記の製造方法では、成膜工程において、板ガラスの裏面と当接する当接部を備えた支持部材により、板ガラスが裏面側から支持された状態とすると共に、板ガラスの外周端を、当接部の外周端から食み出させてもよい。
【００３０】
このようにすれば、板ガラスの裏面側に回り込んだ膜材料が、裏面において、当接部の外周端から食み出した外縁部のみに付着していく。これにより、裏面について、その外縁部のみに膜材料が付着したガラス基板を得ることが可能となる。
【００３１】
上記の製造方法において、板ガラスの外周端が、当接部の外周端から食み出した長さを５ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００３２】
このようにすれば、裏面について、膜材料の付着した領域が、当該裏面の外周端に沿って５ｍｍ以上の幅を有するガラス基板を得ることができる。
【００３３】
上記の製造方法では、板ガラスが矩形の形状を有する場合に、成膜工程において、板ガラスを裏面側から支持する支持部材により、板ガラスのコーナー部のみが支持された状態としてもよい。
【００３４】
このようにすれば、板ガラスの裏面において、コーナー部以外の箇所については、当該板ガラスが剥き出しになった状態となる。そのため、ガラス基板を製造するにあたり、板ガラスを裏面側からヒーター等で加熱する必要があるような場合には、板ガラスの加熱を好適に実行することができる。
【００３５】
上記の製造方法において、飛散させた膜材料の一部を板ガラスの表面側から裏面側へと誘導する通路を設けることが好ましい。
【００３６】
このようにすれば、通路を設けたことで、飛散させた膜材料の一部を確実に板ガラスの裏面側へと回り込ませることが可能となる。
【００３７】
上記の製造方法において、支持部材に、板ガラスの端面と対向する端面対向部と、板ガラスの裏面と対向する裏面対向部とを設け、両対向部と板ガラスとの間に形成される隙間を通路とすることが好ましい。
【００３８】
このようにすれば、飛散させた膜材料の一部は、両対向部と板ガラスとの間に形成される通路（隙間）を通って裏面側へと回り込んでいく。つまり、膜材料が、確実に板ガラスの端部に沿って裏面側に回り込むため、板ガラスの端部と裏面とに膜材料を付着させる上で好適となる。従って、導電性膜に連なってガラス基板に付着した膜材料が、当該ガラス基板の端部を回り込んで裏面まで付着したガラス基板を好適に製造することができる。
【００３９】
上記の製造方法において、成膜工程をスパッタリング法、又は、ＣＶＤ法によって実行してもよい。
【発明の効果】
【００４０】
以上のように、本発明に係るガラス基板によれば、簡便に除電を行うことができる。また、本発明に係るガラス基板の製造方法によれば、除電性に優れたガラス基板を効率よく製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施形態に係るガラス基板を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るガラス基板による作用・効果について説明するための断面図である。
【図３】図３（ａ），（ｂ）は、本発明の第一実施形態に係るガラス基板の剥離方法を示す側面断面図である。
【図４】本発明の第二実施形態に係るガラス基板の剥離方法を示す側面断面図である。
【図５】本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法を示す平面図である。
【図６】図５におけるＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図７】本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法を示す平面図である。
【図８】図７におけるＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係るガラス基板の製造方法を示す平面図である。
【図１０】図９におけるＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明の実施形態に係るガラス基板、及びガラス基板の製造方法について、添付の図面を参照して説明する。
【００４３】
はじめに、本発明の実施形態に係るガラス基板の構成について説明する。
【００４４】
図１に示すように、本発明の実施形態に係るガラス基板１は、表面１ａに導電性膜２が形成されている。また、導電性膜２に連なって当該ガラス基板１に付着した導電性物質３が、当該ガラス基板１の端部１ｃを回り込んで裏面１ｂまで付着している。この導電性物質３は、裏面１ｂにおいては、その外縁部１ｂａのみに付着している。そして、裏面１ｂにおける導電性物質３の付着した領域は、当該裏面１ｂの外周端１ｂｂに沿って５ｍｍ〜１００ｍｍの範囲内の幅Ｗを有している。また、裏面１ｂにおいては、その外周端１ｂｂ側ほど、導電性物質３の付着量が多くなっている。さらに、裏面１ｂにおいて、導電性物質３が付着した領域の表面抵抗率は、１０３Ω〜１０１２Ωの範囲内とされている。なお、本実施形態において、ガラス基板１は、その形状が矩形とされている。
【００４５】
ここで、導電性膜２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等や、半導体のゲート電極に使用されるアルミニウム、モリブデン、タンタル等、各種配線に使用される銅等、又は、これらの合金で構成される。また、導電性膜２に連なってガラス基板１に付着した導電性物質３は、導電性膜２と同一の材質を有している。
【００４６】
以下、上記のガラス基板１による作用・効果について説明する。
【００４７】
このガラス基板１によれば、当該ガラス基板１の端部１ｃを回り込んで裏面１ｂまで付着した導電性物質３が、表面１ａに形成された導電性膜２と連なっている。そのため、図２に白抜き矢印で示すように、ガラス基板１に帯電した電荷４が、導電性膜２及び導電性物質３を伝って表面１ａ側から裏面１ｂ側へ、或いは、裏面１ｂ側から表面１ａ側へと移動することができる。これにより、表面１ａ側と裏面１ｂ側とのうち、一方面側に帯電した電荷４の除電を開始すれば、これに伴って他方面側に帯電した電荷４を一方面側へと移動させ、除電の開始前から一方面側に帯電していた電荷４と共に除電することが可能となる。その結果、ガラス基板１に帯電した電荷４を簡便に除電することができる。
【００４８】
また、このガラス基板１では、裏面１ｂについて、その外縁部１ｂａのみに導電性物質３が付着している。ここで、導電性物質３が付着した領域の面積が大きすぎる場合には、除電の際に多量の電荷４が一気に移動して大電流が流れ、ガラス基板１の品質に悪影響を及ぼすおそれがある。しかしながら、このガラス基板１のように、裏面１ｂについて、その外縁部１ｂａのみに導電性物質３が付着していれば、その付着した領域の面積が十分に小さくなるため、このようなおそれを可及的に排除することができる。
【００４９】
さらに、このガラス基板１では、裏面１ｂにおいて、導電性物質３が付着した領域の表面抵抗率が、１０３Ω〜１０１２Ωの範囲内とされている。これにより、大電流の発生の防止と、良好な除電性の確保とを好適に両立させることが可能である。すなわち、導電性物質３の付着した領域の表面抵抗率が１０３Ω以下である場合には、高い除電性が得られる一方、ガラス基板１を接地（アース）させた際等に、大電流が流れるおそれがある。また、表面抵抗率が１０１２Ω以上である場合には、良好な除電性を得られなくなるおそれがある。しかしながら、表面抵抗率を１０３Ω〜１０１２Ωの範囲内とすれば、大電流の発生を防止しつつ、良好な除電性を確保することができる。なお、表面抵抗率を１０５Ω〜１０１１Ωの範囲内とすれば、大電流の発生の防止と、良好な除電性の確保とを、より好適に両立させることができる。
【００５０】
また、裏面１ｂについて、その外縁部１ｂａのみに導電性物質３が付着していることで、以下のような効果をも得ることができる。すなわち、ガラス基板１が組み込まれる電子デバイスの種類によっては、その製造工程において、ガラス基板１の裏面１ｂに付着した導電性物質３を除去する必要がある。例えば、液晶ディスプレイにおいて、導電性物質３が付着していることで、当該ディスプレイの表示に問題が生じるような場合である。しかしながら、導電性物質３の付着した領域が外縁部１ｂａのみであれば、当該導電性物質３の除去を迅速に実行することが可能となる。
【００５１】
さらに、このガラス基板１は、その裏面１ｂを支持する支持部材等から剥離させる場合に、以下のような効果が得られる。支持部材からガラス基板１を剥離させる場合、その端部１ｃを起点に剥離させるのが通常である。従って、導電性物質３の付着した領域が、裏面１ｂの外周端１ｂｂに沿って大きな幅を有するほど、端部１ｃの除電が行いやすくなってガラス基板１を剥離させる上で有利となる。そして、このガラス基板１のように、導電性物質３の付着した領域が、裏面１ｂの外周端１ｂｂに沿って５ｍｍ以上の幅を有すれば、ガラス基板１を剥離させるのに十分な除電を行いやすくなる。その結果、剥離時における割れや破損等の発生が好適に防止される。なお、この効果は、裏面１ｂについて、その外周端１ｂｂ側ほど、導電性物質３の付着量が多くなっていることで、より高められる。
【００５２】
なお、このガラス基板１が無アルカリガラスで構成される場合には、優れた除電性による効果を享受しやすくなる。無アルカリガラスは、本来的に絶縁性が高く、帯電した電荷を除電しにくい性質を有している。しかしながら、このガラス基板１は、絶縁性の高い無アルカリガラスで構成されている場合であっても、優れた除電性を確保することが可能である。また、このガラス基板１の厚みが３００μｍ以下であるような場合にも、優れた除電性による効果を享受しやすい。すなわち、厚みが３００μｍ以下の薄いガラス基板１であっても、剥離時におけるガラス基板１の割れや破損の発生を好適に防止することができる。
【００５３】
以下、本発明の第一実施形態に係るガラス基板の剥離方法により、上記のガラス基板１を剥離させる態様について説明する。
【００５４】
第一実施形態に係るガラス基板の剥離方法では、図３（ａ），（ｂ）に示すように、ガラス基板１を、当該ガラス基板１の裏面１ｂを支持する支持面５ａを備えた支持体としての定盤５から剥離させる。そして、ガラス基板１を剥離させるに際し、定盤５に支持されたガラス基板１について、導電性物質３が付着した領域（物質付着領域）から、当該ガラス基板１に帯電した電荷４を除電する除電工程を実行する。
【００５５】
この剥離方法では、定盤５の支持面５ａから順々に突出してガラス基板１の裏面１ｂを持ち上げ、定盤５からガラス基板１を剥離させる複数の棒状体としてのリフトピン６を用いる。この複数のリフトピン６の各々は導体で構成されている。そして、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１の裏面１ｂにおいて、導電性物質３が付着した領域である外縁部１ｂａを最初にリフトピン６で持ち上げる。このとき、リフトピン６と外縁部１ｂａに付着した導電性物質３とが当接することで、両者が導通した状態となる。
【００５６】
これにより、裏面１ｂ側に帯電した電荷４が、リフトピン６を伝ってガラス基板１の外へと移動し始め、除電工程が開始される。また、これに伴って表面１ａ側に帯電した電荷４が裏面１ｂ側へと移動し、除電の開始前から裏面１ｂ側に帯電していた電荷４と共に除電され、除電工程が完了する。除電工程を終えると、ガラス基板１の端部１ｃ側に位置するリフトピン６から順々にガラス基板１の裏面１ｂを持ち上げ、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板１を定盤５から剥離させる。
【００５７】
以下、上記の第一実施形態に係るガラス基板の剥離方法による作用・効果について説明する。
【００５８】
このガラス基板の剥離方法によれば、除電工程の実行によりガラス基板１に帯電した電荷４が除電される。そのため、静電気放電や、パーティクルの付着や、定盤５とガラス基板１との間に作用する密着力の増大等、ガラス基板１の帯電に起因した種々の不具合の発生を好適に防止することが可能となる。また、ガラス基板１に帯電した電荷４の除電を行いつつ、定盤５からガラス基板１を剥離させることが可能であり、当該ガラス基板１の剥離を迅速に実行する上で好適である。
【００５９】
以下、本発明の第二実施形態に係るガラス基板の剥離方法により、上記のガラス基板１を剥離させる態様について説明する。なお、この第二実施形態に係るガラス基板の剥離方法の説明において、上記の第一実施形態に係るガラス基板の剥離方法で既に説明した要素については、同一の付すことで重複する説明を省略している。
【００６０】
第二実施形態に係るガラス基板の剥離方法が、上記の第一実施形態に係るガラス基板の剥離方法と相違している点は、除電工程を実行する態様が異なっている点である。図４（同図においては、外縁部１ｂａに付着した導電性物質３の図示を省略している）に示すように、第二実施形態に係るガラス基板の剥離方法では、ガラス基板１の表面１ａにおける導電性膜２が形成された領域（膜形成領域）に対し、イオナイザー（図示省略）を使用して除電エアーＺを作用させることにより、除電工程を実行している。そして、除電工程が終了すると、ガラス基板１の端部１ｃ側に位置するリフトピン６から順々にガラス基板１の裏面１ｂを持ち上げ、ガラス基板１を定盤５から剥離させる。
【００６１】
以下、上記の第二実施形態に係るガラス基板の剥離方法による作用・効果について説明する。
【００６２】
このガラス基板の剥離方法によっても、除電工程の実行により、ガラス基板１の表面１ａ側に帯電した電荷４と、裏面１ｂ側に帯電した電荷４とを共に除電することができる。そのため、静電気放電や、パーティクルの付着や、定盤５とガラス基板１との間に作用する密着力の増大等、ガラス基板１の帯電に起因した種々の不具合の発生を好適に防止することが可能となる。なお、上記のガラス基板１では、端部１ｃにも導電性物質３が付着しているため、ガラス基板１の側方からのみ除電エアーＺを作用させることでも、ガラス基板１に帯電した電荷４を除電することができる。
【００６３】
以下、本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法により、上記のガラス基板１を製造する態様について説明する。
【００６４】
図５及び図６に示すように、第一実施形態に係るガラス基板の製造方法では、スパッタリング法を用いる。そして、真空チャンバー（図示省略）内において、ターゲット７から支持部材８上に載置された板ガラス９の表面９ａに向かって、導電性を有する膜材料１０を飛散させ、表面９ａに到達した膜材料１０を付着（蒸着）させる。これにより、板ガラス９の表面９ａに導電性膜２を形成する成膜工程を実行する。さらに、飛散させた膜材料１０の一部を、板ガラス９の端部９ｃに沿って裏面９ｂ側に回り込ませ、板ガラス９の端部９ｃと裏面９ｂとに導電性物質３として付着させる。
【００６５】
膜材料１０の元となるターゲット７は、板ガラス９の上方に配置されている。また、ターゲット７は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＡＺＯ等や、半導体のゲート電極に使用されるアルミニウム、モリブデン、タンタル等、各種配線に使用される銅等、又は、これらの合金で構成されている。
【００６６】
板ガラス９は、矩形の形状を有している。この板ガラス９は、当該板ガラス９の裏面９ｂと当接する当接部８１（図５において、クロスハッチングを施した部位）を備え、且つ当該板ガラス９を裏面９ｂ側から支持する支持部材８上に載置されている。また、板ガラス９の四隅のコーナー部９ｄは、押え金具１１によって支持部材８に固定されている。四隅のコーナー部９ｄを除く板ガラス９の外周端９ｅは、当接部８１の外周端８１ａから食み出している。ここで、板ガラス９の外周端９ｅが、当接部８１の外周端８１ａから食み出した長さＳは、５ｍｍ〜１００ｍｍの範囲内となるように調節されている。
【００６７】
支持部材８には、当該支持部材８上に載置された板ガラス９の端面９ｆと対向する端面対向部８２と、板ガラス９の裏面９ｂと対向する裏面対向部８３とが設けられている。これにより、両対向部８２，８３と板ガラス９との間に形成される隙間が、飛散させた膜材料１０の一部を、板ガラス９の表面９ａ側から裏面９ｂ側へと誘導する通路１２を形成している。この通路１２においては、支持部材８に備えられた当接部８１が、当該通路１２に進入した膜材料１０の流れの下流端となる。また、支持部材８において、当接部８１に囲まれる部位には貫通孔８４が形成されている。このため、板ガラス９を裏面９ｂ側から視ると、当接部８１に囲まれる領域では、裏面９ｂが剥き出しになっている。これにより、必要に応じて板ガラス９を裏面９ｂ側からヒーター等で加熱することが可能となっている。
【００６８】
以上のことから、高電圧によってイオン化させた希ガス（Ａｒ等）をターゲット７に衝突させると、ターゲット７の表面から飛び出した膜材料１０が板ガラス９の表面９ａに向かって飛散する。そして、飛散した膜材料１０のうち、表面９ａに到達した膜材料１０が付着（蒸着）していくことで、板ガラス９の表面９ａに導電性膜２が形成される。
【００６９】
このとき、両対向部８２，８３と板ガラス９との間に形成された隙間により、通路１２が形成されていることで、飛散した膜材料１０の一部が、板ガラス９の端部９ｃに沿って裏面９ｂ側に回り込むと共に、板ガラス９の端部９ｃと裏面９ｂとに導電性物質３として付着していく。さらに、端部９ｃに付着した膜材料１０により、表面９ａに形成される導電性膜２と裏面９ｂに付着する膜材料１０とが連なった状態となる。なお、裏面９ｂにおいては、膜材料１０が、支持部材８における当接部８１の外周端８１ａから食み出した外縁部９ｇのみに付着していく。また、裏面９ｂの外周端９ｂａ側ほど、多量の膜材料１０が付着していく。このようにして、上記のガラス基板１が製造される。
【００７０】
以下、上記の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法により、ガラス基板１を製造する場合の作用・効果について説明する。
【００７１】
このガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板１に必要な機能を付与するために、板ガラス９の表面９ａに導電性膜２を形成する工程（成膜工程）と、ガラス基板１の除電性を向上させるために、板ガラス９の端部９ｃと裏面９ｂとに膜材料１０を導電性物質３として付着させる工程とを、個別に実行する必要がなくなる。その結果、除電性に優れたガラス基板１を効率よく製造することが可能である。
【００７２】
以下、本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法により、上記のガラス基板１を製造する態様について説明する。なお、この第二実施形態において、上記の第一実施形態で既に説明した要素と同一の機能を有する要素については、第二実施形態について説明するための図面に同一の符号を付与することで、重複する説明を省略している。また、第二実施形態においては、上記の第一実施形態と相違している点についてのみ説明する。
【００７３】
図７及び図８に示すように、第二実施形態に係るガラス基板の製造方法が、上記の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法と相違している点は、支持部材８に備えられた当接部８１（図７において、クロスハッチングを施した部位）が、板ガラス９の四隅のコーナー部９ｄのみに存在している点である。すなわち、支持部材８によって板ガラス９の四隅のコーナー部９ｄのみが支持されている。これにより、上記の第一実施形態と比較して、支持部材８に形成された貫通孔８４の大きさが拡張されている。従って、板ガラス９を裏面９ｂ側から視たときに、裏面９ｂが剥き出しになる領域もまた拡張されている。また、上記の第一実施形態とは異なり、通路１２に進入した膜材料１０の流れが支持部材８に備えられた当接部８１に堰き止められることなく、当該通路１２を通過することが可能となっている。
【００７４】
以下、上記の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法により、ガラス基板１を製造する場合の作用・効果について説明する。
【００７５】
このガラス基板の製造方法によれば、板ガラス９の裏面９ｂにおいて、コーナー部９ｄ以外の箇所については、当該板ガラス９が剥き出しになった状態となる。そのため、ガラス基板１を製造するにあたり、板ガラス９を裏面９ｂ側からヒーター等で加熱する必要があるような場合には、板ガラス９の加熱を好適に実行することができる。
【００７６】
ここで、本発明に係るガラス基板、及びガラス基板の製造方法、並びにガラス基板の剥離方法は、上記の各実施形態で説明した構成、或いは、態様に限定されるものではない。上記の実施形態では、ガラス基板の裏面において、その外縁部のみに導電性物質を付着させているが、この限りではない。導電性物質は、ガラス基板の裏面における任意の領域（裏面の全面を含む）に付着させてよい。なお、飛散させた膜材料の一部を、板ガラスの表面側から裏面側へと誘導する通路の経路や、形状を変更すること等により、裏面における任意の領域に膜材料を導電性物質として付着させたガラス基板を製造することが可能である。また、上記の第一実施形態、及び、第二実施形態に係るガラス基板の製造方法では、支持部材に設けた両対向部と板ガラスとの間に形成される隙間が、膜材料を板ガラスの表面側から裏面側へと誘導する通路を形成している。しかしながら、この限りではなく、例えば、ホース等の筒状体によって通路を構成してもよい。
【００７７】
また、膜材料を板ガラスの表面側から裏面側に誘導する通路は、必ずしも設ける必要はなく、例えば、図９及び図１０に示すような製造方法によっても、板ガラス９の裏面９ｂに膜材料１０を導電性物質３として付着させることが可能である。この場合、膜材料１０を好適に裏面９ｂ側へと回り込ませるため、支持部材８の外周端８ａから板ガラス９の外周端９ｅまでの距離を可及的に短くすることが好ましい。さらに、支持部材８の厚みを可及的に薄くすることが好ましい。なお、このような態様によってガラス基板を製造した場合には、裏面における外縁部を除く部位に導電性物質が付着したガラス基板を得ることができる。このように本発明に係るガラス基板の製造方法によって製造されるガラス基板は、上記の第一、及び第二実施形態に係るガラス基板の製造方法によって製造されるガラス基板に限定されるものではない。
【００７８】
また、この他にガラス基板を製造する態様としては、例えば、以下に挙げるような態様を採用してもよい。すなわち、板ガラスの裏面について、その外縁部を除いた全面を支持部材に備えられた当接部と当接させる態様である。この場合、板ガラスの外周端の全周が、当接部の外周端から食み出した状態となる。そして、このようにすれば、裏面において、その外縁部の全周に導電性物質としての膜材料が付着したガラス基板を得ることが可能となる。なお、このような態様は、ガラス基板を製造するにあたって、板ガラスを裏面側から加熱する必要がない場合等に採用することが好適である。
【００７９】
また、上記の第一実施形態、及び、第二実施形態に係るガラス基板の製造方法においては、支持部材に板ガラスを一枚のみ支持させ、一枚のガラス基板を製造する態様となっているが、支持部材に複数枚の板ガラスを支持させ、複数枚のガラス基板を一度に製造するような態様としてもよい。さらに、上記の第一実施形態、及び、第二実施形態に係るガラス基板の製造方法においては、スパッタリング法を用いてガラス基板の製造を行っているが、この限りではない。例えば、ＣＶＤ法によってガラス基板を製造する場合においても、本発明に係るガラス基板の製造方法を適用することが可能である。
【００８０】
また、上記の第一実施形態に係るガラス基板の剥離方法では、導体で構成されたリフトピンを用いて、ガラス基板の裏面における外縁部に付着した導電性物質と、リフトピンとを当接させることで、ガラス基板に帯電した電荷を除電すると共に、リフトピンでガラス基板の裏面を持ち上げて剥離させる態様となっている。しかしながら、この限りではなく、誘電体で構成されたリフトピンをガラス基板の剥離に用いてもよい。この場合、例えば、イオナイザーを使用して除電エアーを作用させることにより、ガラス基板に帯電した電荷を除電した後、リフトピンでガラス基板を剥離させる。なお、このような態様は、導体で構成されたリフトピンが導電性物質と当接した際に、大電流が流れるおそれがあるような場合に適用することが好ましい。
【実施例】
【００８１】
本発明の実施例として、以下に示す６つの条件（実施例４つ、比較例２つ）の下で、ガラス基板を製造した。そして、各々の条件の下で製造されたガラス基板に対し、帯電位の高低と、帯電した電荷の除電性の良否と、定盤からの剥離時における破損の有無との３点について評価を行った。
【００８２】
以下、実施例４つ（実施例１〜４）と、比較例２つ（比較例１，２）とに共通した実施条件について説明する。
【００８３】
まず、板ガラスとしては、日本電気硝子社製の無アルカリガラス（製品名：ＯＡ−１０Ｇ）を使用した。この板ガラスは、オーバーフローダウンドロー法によって成形したガラスを未研磨の状態としたものである。次に、この板ガラスに対し、成膜工程としてスパッタリング法を用いて、表面に導電性膜としてのＩＴＯ膜を形成することで、ガラス基板を製造した。なお、ＩＴＯ膜の厚みは１００ｎｍとしている。次に、ガラス基板をアルミニウム製の定盤の上に載置すると共に、定盤に形成された孔を介して負圧を発生させることで吸着した。最後に、図３（ａ），（ｂ）に示したように、定盤上に載置されたガラス基板を、その端部側から順々にリフトピンで持ち上げて定盤から剥離させた。そして、このときのガラス基板の帯電位の高低と、帯電した電荷の除電性の良否と、破損の有無とを評価した。
【００８４】
以下、ガラス基板の帯電位の高低と、帯電した電荷の除電性の良否と、破損の有無との評価の具体的な方法について説明する。
【００８５】
帯電位は、トレックジャパン社製の非接触式の表面電位計（製品名：３４２−Ａ）を使用して測定した。そして、帯電位が０Ｖ〜−５００Ｖである場合には「低」、−５００Ｖ〜−１０００Ｖである場合には「中」、−１０００Ｖ以下である場合には「高」と評価した。除電性は、ガラス基板を接地（アース）させたときに、ガラス基板の帯電位が半減するまでの時間の長短によって評価した。詳述すると、松定プレシジョン社製の高圧直流電源（製品名：ＨＡＲ−２０Ｒ１１０）を用いて、ガラス基板の帯電位が−１．０ｋＶとなるように帯電させた後、このガラス基板を接地（アース）させた。このとき、ガラス基板の帯電位が−５００Ｖまで半減するまでの時間が０ｓ〜１０ｓである場合には、「○」、１０ｓ〜３０ｓである場合には、「△」、３０ｓ以上である場合には、「×」と評価した。破損の有無は、各条件の下でガラス基板を１００枚ずつ製造し、これらガラス基板の各々を定盤から剥離させた場合に、１００枚のうち、１枚も破損が無かった場合を「○」、１枚でも破損した場合を「×」と評価した。
【００８６】
以下、実施例４つ（実施例１〜４）と、比較例２つ（比較例１，２）との各々で固有の実施条件について説明する。
【００８７】
実施例１，２では、図７及び図８（第二実施形態に係るガラス基板の製造方法）に示した態様により、成膜工程を実施した。これにより、ＩＴＯ膜の膜材料を板ガラスの裏面側へと回り込ませた。また、実施例１では、板ガラスとして、そのサイズ（縦×横×厚み）が３７０×４７０×０．５のものを使用し、実施例２では、板ガラスのサイズ（縦×横×厚み）が３７０×４７０×０．１のものを使用した。
【００８８】
実施例３，４では、図５及び図６（第一実施形態に係るガラス基板の製造方法）に示した態様により、成膜工程を実施した。これにより、ＩＴＯ膜の膜材料を板ガラスの裏面側へと回り込ませた。また、実施例３では、板ガラスとして、そのサイズ（縦×横×厚み）が３７０×４７０×０．５のものを使用し、実施例４では、板ガラスのサイズ（縦×横×厚み）が３７０×４７０×０．１のものを使用した。
【００８９】
比較例１，２では、図５及び図６（第一実施形態に係るガラス基板の製造方法）に示した態様において、ＩＴＯ膜の膜材料を板ガラスの裏面側へと誘導する通路を未形成とした状態で、成膜工程を実施した。つまり、比較例１，２では、ＩＴＯ膜の膜材料を板ガラスの裏面側へと回り込ませることなく成膜工程を実施した。また、比較例１では、板ガラスとして、そのサイズ（縦×横×厚み）が３７０×４７０×０．５のものを使用し、比較例２では、板ガラスのサイズ（縦×横×厚み）が３７０×４７０×０．１のものを使用した。
【００９０】
以下、ガラス基板の帯電位の高低と、帯電した電荷の除電性の良否と、破損の有無との評価の結果を示す。
実施例１      帯電位：低      除電性：○      破損の有無：○
実施例２      帯電位：低      除電性：○      破損の有無：○
実施例３      帯電位：中      除電性：△      破損の有無：○
実施例４      帯電位：中      除電性：△      破損の有無：○
比較例１      帯電位：高      除電性：×      破損の有無：○
比較例２      帯電位：高      除電性：×      破損の有無：×
【００９１】
上記の評価の結果から、実施例１〜４では、比較例１，２に比べて良好な結果が得られていることが分かる。
【符号の説明】
【００９２】
１          ガラス基板
１ａ        ガラス基板の表面
１ｂ        ガラス基板の裏面
１ｂａ      裏面の外縁部
１ｂｂ      裏面の外周端
１ｃ        ガラス基板の端部
２          導電性膜
３          導電性物質
４          電荷
５          定盤
５ａ        支持面
６          リフトピン
８          支持部材
８１        当接部
８１ａ      当接部の外周端
８２        端面対向部
８３        裏面対向部
９          板ガラス
９ａ        板ガラスの表面
９ｂ        板ガラスの裏面
９ｃ        板ガラスの端部
９ｄ        板ガラスのコーナー部
９ｅ        板ガラスの外周端
９ｆ        板ガラスの端面
１０        膜材料
１２        通路
Ｚ          除電エアー
【図１】
2016003163.tif 000003
【図２】
2016003163.tif 000004
【図３】
2016003163.tif 000005
【図４】
2016003163.tif 000006
【図５】
2016003163.tif 000007
【図６】
2016003163.tif 000008
【図７】
2016003163.tif 000009
【図８】
2016003163.tif 000010
【図９】
2016003163.tif 000011
【図１０】
2016003163.tif 000012