(57)【要約】【課題】基板上に導体パターンを覆うように保護膜を形成する際に、その基板の上面の２つの領域の間で、保護膜の膜厚が異なるように、保護膜の膜厚を容易に調整することができる電極基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】電極基板の製造工程は、基板３１の上面の領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、基板３１の上面に原料液を液滴として吐出して塗布することにより、導体パターンＣＢ１を覆うように保護膜３３を形成する工程を有する。その際、領域ＡＲ２における単位面積当たりの原料液の塗布量を、領域ＡＲ１における単位面積当たりの原料液の塗布量よりも少なくすることにより、領域ＡＲ２に形成される部分の保護膜３３の平均膜厚を、領域ＡＲ１に形成される部分の保護膜３３の平均膜厚よりも薄くする。【選択図】図１０
2016051227.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１基板を準備する工程、
（ｂ）前記第１基板の第１主面の第１領域、および、前記第１基板の前記第１主面の第２領域で、前記第１基板の前記第１主面に導体パターンを形成する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１領域および前記第２領域で、前記第１基板の前記第１主面に、原料液を液滴として吐出して塗布することにより、前記導体パターンを覆うように保護膜を形成する工程、
を有し、
前記第２領域は、前記第１領域よりも前記第１基板の外周側の領域であり、
前記（ｃ）工程では、前記第２領域における前記第１主面の単位面積当たりの前記原料液の塗布量を、前記第１領域における前記第１主面の単位面積当たりの前記原料液の塗布量よりも少なくすることにより、前記第２領域に形成される部分の前記保護膜の平均膜厚を、前記第１領域に形成される部分の前記保護膜の平均膜厚よりも薄くする、電極基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電極基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記第１領域から、前記第２領域を経て、前記第１基板の前記第１主面の第３領域まで、前記第１基板の前記第１主面に、前記導体パターンとしての第１電極を連続的に形成し、
前記（ｃ）工程では、前記第２領域における前記第１主面の単位面積当たりの前記原料液の塗布量を、前記第１領域における前記第１主面の単位面積当たりの前記原料液の塗布量よりも少なくすることにより、前記第２領域で前記第１電極上に形成される部分の前記保護膜の膜厚を、前記第１領域で前記第１電極上に形成される部分の前記保護膜の膜厚よりも薄くする、電極基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の電極基板の製造方法において、
（ｄ）前記第２領域および前記第３領域で、前記第１電極を覆うように異方性導電フィルムを配置する工程、
（ｅ）前記異方性導電フィルム上に配線基板を配置する工程、
を有し、
前記配線基板は、基体と、前記基体の第２主面に形成された第２電極と、を含み、
前記（ｅ）工程では、前記第２電極が、前記第３領域に形成された部分の前記第１電極と、前記異方性導電フィルムを介して対向した状態、かつ、前記異方性導電フィルムの前記第１領域側の端部、および、前記配線基板の前記第１領域側の端部が、前記保護膜上に配置された状態で、前記第１電極と前記第２電極とを、前記異方性導電フィルムを介して電気的に接続する、電極基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の電極基板の製造方法において、
前記（ｅ）工程では、前記配線基板の前記第１領域側の端部が、前記第２領域に形成された部分の前記保護膜上に、前記異方性導電フィルムを介して配置された状態で、前記第１電極と前記第２電極とを、前記異方性導電フィルムを介して電気的に接続する、電極基板の製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の電極基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記第１基板の前記第１主面の第４領域で、前記第１基板の前記第１主面に、前記第１電極と電気的に接続された第３電極を形成し、
前記第４領域は、前記第１領域を挟んで前記第２領域と反対側の領域であり、
前記（ｃ）工程では、前記第１領域、前記第２領域および前記第４領域で、前記第１基板の前記第１主面に、前記原料液を液滴として吐出して塗布することにより、前記第１電極および前記第３電極を覆うように前記保護膜を形成し、
前記電極基板の製造方法は、さらに、
（ｆ）前記第４領域で、前記保護膜を介して前記第３電極を跨ぐように第４電極を形成する工程、
を有し、
前記（ｃ）工程では、前記第２領域における前記第１主面の単位面積当たりの前記原料液の塗布量を、前記第４領域における前記第１主面の単位面積当たりの前記原料液の塗布量よりも少なくすることにより、前記第２領域で前記第１電極上に形成される部分の前記保護膜の膜厚を、前記第４領域で前記第３電極上に形成される部分の前記保護膜の膜厚よりも薄くする、電極基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の電極基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記第１領域で、前記第１基板の前記第１主面に複数の第５電極を形成し、前記第２領域で、前記第１基板の前記第１主面に複数の第６電極を形成することにより、前記複数の第５電極および前記複数の第６電極からなる前記導体パターンを形成し、
前記第２領域の面積に対する、前記複数の第６電極の面積の総和の比が、前記第１領域の面積に対する、前記複数の第５電極の面積の総和の比よりも大きく、
前記（ｃ）工程では、前記第１領域および前記第２領域で、前記第１基板の前記第１主面に、前記原料液を液滴として吐出して塗布することにより、前記複数の第５電極および前記複数の第６電極を覆うように前記保護膜を形成する、電極基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の電極基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記原料液からなる液滴を、平面視において第１方向に第１ピッチで複数吐出する工程、
を含み、
前記第１ピッチは、前記（ｃ１）工程にて吐出される前記複数の液滴の各々の体積のうち最大の体積を有する第１液滴が、前記第１基板の前記第１主面に着弾して形成された第１ドットの直径よりも短い、電極基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の電極基板の製造方法において、
前記第１ピッチは、前記（ｃ１）工程にて吐出される前記複数の液滴の各々の体積のうち最小の体積を有する第２液滴が、前記第１基板の前記第１主面に着弾して形成された第２ドットの直径よりも短い、電極基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の電極基板の製造方法において、
前記導体パターンの上面における表面張力と、前記第１基板の前記第１主面における表面張力との差が、前記第１基板の前記第１主面における表面張力に対して１０％以内である、電極基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項２記載の電極基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記第３領域で、前記第１電極の側面を、前記保護膜から露出させる、電極基板の製造方法。
【請求項１１】
第１基板と、
前記第１基板の第１主面の第１領域から、前記第１基板の前記第１主面の第２領域を経て、前記第１基板の前記第１主面の第３領域まで、前記第１基板の前記第１主面に連続的に形成された第１電極と、
前記第１領域および前記第２領域で、前記第１電極を覆うように形成された保護膜と、
を有し、
前記第２領域で前記第１電極上に形成された部分の前記保護膜の膜厚は、前記第１領域で前記第１電極上に形成された部分の前記保護膜の膜厚よりも薄く、
前記第３領域に形成された部分の前記第１電極の側面は、前記保護膜から露出している、電極基板。
【請求項１２】
請求項１１記載の電極基板において、
前記第２領域および前記第３領域で、前記第１電極を覆うように配置された異方性導電フィルムと、
前記異方性導電フィルム上に配置された配線基板と、
を有し、
前記配線基板は、基体と、前記基体の第２主面に形成された第２電極と、を含み、
前記第２電極は、前記第３領域に形成された部分の前記第１電極と、前記異方性導電フィルムを介して対向し、
前記異方性導電フィルムの前記第１領域側の端部、および、前記配線基板の前記第１領域側の端部は、前記保護膜上に配置され、
前記第１電極と前記第２電極とは、前記異方性導電フィルムを介して電気的に接続されている、電極基板。
【請求項１３】
請求項１２記載の電極基板において、
前記配線基板の前記第１領域側の端部は、前記第２領域に形成された部分の前記保護膜上に、前記異方性導電フィルムを介して配置されている、電極基板。
【請求項１４】
請求項１１記載の電極基板において、
前記第１基板の前記第１主面の第４領域で、前記第１基板の前記第１主面に形成され、前記第１電極と電気的に接続された第３電極を有し、
前記第４領域は、前記第１領域を挟んで前記第２領域と反対側の領域であり、
前記保護膜は、前記第１領域、前記第２領域および前記第４領域で、前記第１電極および前記第３電極を覆うように形成され、
前記電極基板は、さらに、前記第４領域で、前記保護膜を介して前記第３電極を跨ぐように形成された第４電極を有し、
前記第２領域で前記第１電極上に形成された部分の前記保護膜の膜厚は、前記第４領域で前記第３電極上に形成された部分の前記保護膜の膜厚よりも薄い、電極基板。
【請求項１５】
請求項１１記載の電極基板において、
前記保護膜は、前記第１基板の前記第１主面に、原料液を液滴として吐出して塗布することにより、形成され、
前記第２領域における前記第１主面の単位面積当たりの前記原料液の塗布量を、前記第１領域における前記第１主面の単位面積当たりの前記原料液の塗布量よりも少なくすることにより、前記第２領域で前記第１電極上に形成された部分の前記保護膜の膜厚が、前記第１領域で前記第１電極上に形成された部分の前記保護膜の膜厚よりも薄くなっている、電極基板。
【請求項１６】
請求項１１記載の電極基板において、
前記第１領域、前記第２領域および前記第３領域は、平面視において、第１方向に順に配置され、
前記電極基板は、さらに、前記第１方向にそれぞれ延在し、かつ、平面視において前記第１方向と交差する第２方向に配列された複数の前記第１電極を有し、
前記第３領域で、前記複数の第１電極の各々の両側面は、前記保護膜から露出しており、
前記複数の第１電極の前記第２方向の配列ピッチは、１００〜２０００μｍである、電極基板。
【請求項１７】
請求項１１記載の電極基板において、
前記第１電極は、金属層または合金層をふくむ、電極基板。
【請求項１８】
請求項１１記載の電極基板と、
前記電極基板に対向する第２基板と、
前記第２基板と前記電極基板との間に設けられた表示制御部と、
を備える、表示装置。
【請求項１９】
請求項１１記載の電極基板を備える入力装置において、
前記電極基板は、複数の前記第１電極を有し、
前記入力装置は、さらに、前記複数の第１電極の各々の静電容量に基づいて入力位置を検出する検出部を備える、入力装置。
【請求項２０】
請求項１９記載の入力装置において、
前記複数の第１電極は、平面視において、互いに間隔を空けて形成され、
前記入力装置は、さらに、平面視において、前記複数の第１電極の各々と重なるように形成された第５電極を有し、
前記検出部は、前記複数の第１電極の各々と前記第５電極との間の静電容量に基づいて入力位置を検出する、入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電極基板の製造方法、電極基板、表示装置および入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の表示面側に、タッチパネルあるいはタッチセンサと呼ばれる入力装置を取り付け、タッチパネルに指やタッチペンなどの入力具などを接触させて入力動作を行ったときに、入力位置を検出して出力する技術がある。このようなタッチパネルを有する表示装置は、コンピュータのほか、携帯電話などの携帯情報端末などで、広く使用されている。
【０００３】
タッチパネルに指などが接触した接触位置を検出する検出方式の一つとして、静電容量方式がある。静電容量方式を用いたタッチパネルでは、タッチパネルの面内に、誘電層を挟んで対向配置された一対の電極、すなわち駆動電極および検出電極からなる複数の容量素子が設けられている。そして、指やタッチペンなどの入力具を容量素子に接触させて入力動作を行ったときに、容量素子の静電容量が変化することを利用して、入力位置を検出する。
【０００４】
このようなタッチパネルなどの入力装置が取り付けられた表示装置では、検出性能を向上させるため、検出電極の電気抵抗を低減することが望ましく、検出電極および検出電極と電気的に接続された引き回し配線からなる導体パターンの材料として、金属膜などの導電膜を用いることがある。そのため、表示装置に含まれ、基板と、基板上に形成された検出電極および引き回し配線からなる導体パターンとを有する電極基板において、検出電極が腐食することを防止するために、電極基板上に、検出電極および引き回し配線からなる導体パターンを覆うように、保護膜が形成される。
【０００５】
このように、電極基板上に保護膜が形成される場合、例えば表示領域の外周側の周辺領域に含まれたある領域と、その領域よりも基板の外周側の領域との間、あるいは、表示領域と周辺領域との間など、電極基板に含まれた基板の上面の２つの領域の間で、保護膜の膜厚が異なるように調整することが必要な場合がある。
【０００６】
このような、２つの領域の間で膜厚が異なるように調整する技術として、例えば、特開２０１０−１８１４７４号公報（特許文献１）には、反射型液晶表示装置の製造方法において、厚み方向に段差構造を有する有機膜パターンを形成する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１８１４７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献１に記載された技術では、感光性有機樹脂膜である有機平坦化膜をスピンコート法などにより塗布形成した後、ハーフトーン露光技術による露光を行い、現像することにより、厚み方向に段差構造を有する有機膜パターンを形成する。しかし、上記特許文献１に記載された技術では、厚み方向に段差構造を有する有機膜パターンを形成する際に、例えばハーフトーンマスクなどの特殊なフォトマスクを用いたハーフトーン露光を行う必要がある。そのため、電極基板を形成する工程の工程数が増加し、電極基板の製造コストが増大する。
【０００９】
このように、電極基板に含まれる基板の上面の２つの領域の間で、保護膜の膜厚が異なるように、保護膜の膜厚を容易に調整することは、困難である。
【００１０】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、基板上に導体パターンを覆うように保護膜を形成する際に、その基板の上面の２つの領域の間で、保護膜の膜厚が異なるように、保護膜の膜厚を容易に調整することができる電極基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
本発明の一態様としての電極基板の製造方法は、（ａ）第１基板を準備する工程、（ｂ）第１基板の第１主面の第１領域、および、第１基板の第１主面の第２領域で、第１基板の第１主面に導体パターンを形成する工程、を有する。また、当該電極基板の製造方法は、（ｃ）（ｂ）工程の後、第１領域および第２領域で、第１基板の第１主面に、原料液を液滴として吐出して塗布することにより、導体パターンを覆うように保護膜を形成する工程、を有する。第２領域は、第１領域よりも第１基板の外周側の領域である。そして、（ｃ）工程では、第２領域における第１主面の単位面積当たりの原料液の塗布量を、第１領域における第１主面の単位面積当たりの原料液の塗布量よりも少なくすることにより、第２領域に形成される部分の保護膜の平均膜厚を、第１領域に形成される部分の保護膜の平均膜厚よりも薄くする。
【００１３】
また、本発明の一態様としての電極基板は、第１基板と、第１基板の第１主面の第１領域から、第１基板の第１主面の第２領域を経て、第１基板の第１主面の第３領域まで、第１基板の第１主面に連続的に形成された第１電極と、第１領域および第２領域で、第１電極を覆うように形成された保護膜と、を有する。第２領域で第１電極上に形成された部分の保護膜の膜厚は、第１領域で第１電極上に形成された部分の保護膜の膜厚よりも薄い。また、第３領域に形成された部分の第１電極の側面は、保護膜から露出している。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１の表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態を表す説明図である。
【図３】タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図４】駆動信号および検出信号の波形の一例を示す図である。
【図５】実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
【図６】実施の形態１の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図７】実施の形態１の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す回路図である。
【図８】実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。
【図９】実施の形態１の電極基板を示す平面図である。
【図１０】実施の形態１の電極基板を示す断面図である。
【図１１】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図１２】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図１３】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図１４】実施の形態１の電極基板の製造工程中の斜視図である。
【図１５】液滴が着弾して形成されたドットの配置を示す図である。
【図１６】液滴が着弾して形成されたドットの配置を示す図である。
【図１７】液滴が着弾して形成されたドットの配置を示す図である。
【図１８】液滴が着弾して形成されたドットの配置を示す図である。
【図１９】上面に凹凸を有する保護膜の一例を示す断面図である。
【図２０】実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図２１】比較例１の電極基板を示す平面図である。
【図２２】比較例１の電極基板を示す断面図である。
【図２３】比較例１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【図２４】実施の形態２の電極基板を示す平面図である。
【図２５】実施の形態２の電極基板を示す断面図である。
【図２６】実施の形態２の電極基板を示す断面図である。
【図２７】実施の形態３の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
【図２８】実施の形態３の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図２９】実施の形態３の電極基板を示す断面図である。
【図３０】比較例２の電極基板を示す断面図である。
【図３１】実施の形態４の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図３２】実施の形態４の第１変形例としての入力装置を示す断面図である。
【図３３】自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【図３４】自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１６】
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っても適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００１７】
また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１８】
さらに、実施の形態で用いる図面においては、構造物を区別するために付したハッチング（網掛け）を図面に応じて省略する場合もある。
【００１９】
また、以下の実施の形態において、Ａ〜Ｂとして範囲を示す場合には、特に明示した場合を除き、Ａ以上Ｂ以下を示すものとする。
【００２０】
（実施の形態１）
初めに、実施の形態１として、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。なお、本願明細書では、入力装置とは、少なくとも電極に対して近接または接触する物体の容量に応じて変化する静電容量を検出する入力装置である。ここで、静電容量を検出する方式としては、２つの電極の間の静電容量を検出する相互容量方式のみならず、１つの電極の静電容量を検出する自己容量方式も含まれる。また、タッチ検出機能付き液晶表示装置とは、表示部を形成する第１基板および第２基板のいずれか一方にタッチ検出用の検出電極が設けられた液晶表示装置である。また、本実施の形態１においては、さらに、駆動電極が、表示部の駆動電極として動作し、かつ、入力装置の駆動電極として動作するように、設けられている、という特徴を持つインセルタイプのタッチ検出機能付き液晶装置について述べる。
【００２１】
＜全体構成＞
初めに、図１を参照し、実施の形態１の表示装置の全体構成について説明する。図１は、実施の形態１の表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【００２２】
表示装置１は、タッチ検出機能付き表示デバイス１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出部４０とを備えている。
【００２３】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、表示デバイス２０と、タッチ検出デバイス３０とを有する。表示デバイス２０は、本実施の形態１では、表示素子として液晶表示素子を用いた表示デバイスとする。したがって、以下では、表示デバイス２０を、液晶表示デバイス２０と称する場合がある。タッチ検出デバイス３０は、静電容量方式のタッチ検出デバイス、すなわち静電容量型のタッチ検出デバイスである。そのため、表示装置１は、タッチ検出機能を有する入力装置を備えた表示装置である。また、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、液晶表示デバイス２０と、タッチ検出デバイス３０とを一体化した表示デバイスであり、タッチ検出機能を内蔵した表示デバイス、すなわちインセルタイプのタッチ検出機能付き表示デバイスである。
【００２４】
なお、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、表示デバイス２０の上に、タッチ検出デバイス３０を装着した表示デバイスであってもよい。また、表示デバイス２０は、液晶表示素子を用いた表示デバイスに代え、例えば、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示デバイスであってもよい。
【００２５】
表示デバイス２０は、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、表示領域において、１水平ラインずつ順次走査を行うことにより表示を行う。タッチ検出デバイス３０は、後述するように、静電容量型タッチ検出の原理に基づいて動作し、検出信号Ｖｄｅｔを出力する。
【００２６】
制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４およびタッチ検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路である。
【００２７】
ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有する。
【００２８】
ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される画像信号Ｖｓｉｇの制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に含まれた副画素ＳＰｉｘ（後述する図７参照）に、画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。
【００２９】
駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に含まれた駆動電極ＣＯＭＬ（後述する図５または図６参照）に、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。
【００３０】
タッチ検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチ検出機能付き表示デバイス１０のタッチ検出デバイス３０から供給された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、タッチ検出デバイス３０に対する指やタッチペンなどの入力具のタッチ、すなわち後述する接触または近接の状態、の有無を検出する回路である。そして、タッチ検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標、すなわち入力位置などを求める回路である。タッチ検出部４０は、タッチ検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ（Analog/Digital）変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備えている。
【００３１】
タッチ検出信号増幅部４２は、タッチ検出デバイス３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。タッチ検出信号増幅部４２は、検出信号Ｖｄｅｔに含まれる高い周波数成分、すなわちノイズ成分を除去し、タッチ成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過アナログフィルタを備えていてもよい。
【００３２】
＜静電容量型タッチ検出の原理＞
次に、図１〜図４を参照し、本実施の形態１の表示装置１におけるタッチ検出の原理について説明する。図２は、タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態を表す説明図である。図３は、タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。図４は、駆動信号および検出信号の波形の一例を示す図である。
【００３３】
図２に示すように、静電容量型タッチ検出においては、タッチパネルあるいはタッチセンサと呼ばれる入力装置は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２を有する。これらの駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２により容量素子Ｃ１が形成されている。図３に示すように、容量素子Ｃ１の一端は、駆動信号源である交流信号源Ｓに接続され、容量素子Ｃ１の他端は、タッチ検出部である電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示すタッチ検出信号増幅部４２に含まれる積分回路からなる。
【００３４】
交流信号源Ｓから容量素子Ｃ１の一端、すなわち駆動電極Ｅ１に、例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数を有する交流矩形波Ｓｇが印加されると、容量素子Ｃ１の他端、すなわち検出電極Ｅ２側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、出力波形である検出信号Ｖｄｅｔが発生する。なお、この交流矩形波Ｓｇは、例えば図４に示す駆動信号Ｖｃｏｍに相当するものである。
【００３５】
指が接触および近接していない状態、すなわち非接触状態では、図３に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ１が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を、電圧の変動に変換する。この電圧の変動は、図４において、実線の波形Ｖ０で示されている。
【００３６】
一方、指が接触または近接した状態、すなわち接触状態では、指によって形成される静電容量Ｃ２の影響を受け、駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２により形成される容量素子Ｃ１の容量値が小さくなる。そのため、図３に示す容量素子Ｃ１に流れる電流Ｉ１が変動する。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動に変換する。この電圧の変動は、図４において、破線の波形Ｖ１で示されている。この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から近接する物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出するため、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔを設けた動作とすることが好ましい。
【００３７】
図１に示す例では、タッチ検出デバイス３０は、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｃｏｍに従って、１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬ（後述する図５または図６参照）に対応した１つの検出ブロックごとにタッチ検出を行う。すなわち、タッチ検出デバイス３０は、１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々に対応した１つの検出ブロックごとに、図３に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出信号Ｖｄｅｔを出力し、出力した検出信号Ｖｄｅｔを、タッチ検出部４０のタッチ検出信号増幅部４２に供給する。
【００３８】
Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、タッチ検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。
【００３９】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、駆動信号Ｖｃｏｍをサンプリングした周波数以外の周波数成分、すなわちノイズ成分を低減するデジタルフィルタを備えている。信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、タッチ検出デバイス３０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による差分の電圧のみを取り出す処理を行う。この指による差分の電圧は、上述した波形Ｖ０と波形Ｖ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。信号処理部４４は、１つの検出ブロック当たりの絶対値｜ΔＶ｜を平均化する演算を行い、絶対値｜ΔＶ｜の平均値を求めてもよい。これにより、信号処理部４４は、ノイズによる影響を低減できる。信号処理部４４は、検出した指による差分の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧以上であれば、外部から近接する外部近接物体の接触状態と判断し、しきい値電圧未満であれば、外部近接物体の非接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出部４０によるタッチ検出が行われる。
【００４０】
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、タッチが検出された位置の座標、すなわちタッチパネルにおける入力位置を求める論理回路である。検出タイミング制御部４６は、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を信号出力Ｖｏｕｔとして出力する。
【００４１】
＜モジュール＞
図５は、実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。なお、図５では、保護膜３３の部分Ｐ３１、Ｐ３２およびＰ３３、ならびに、配線基板ＷＳ１を二点鎖線により示している。
【００４２】
図５に示すように、本実施の形態１におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０は、基板２１と、基板３１と、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬと、を有する。基板３１は、一方の主面としての上面と、上面と反対側の他方の主面としての下面と、を有する。ここで、基板３１の上面内または基板３１の下面内で、互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とする。このとき、複数の駆動電極ＣＯＭＬは、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。また、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。
【００４３】
図７を用いて後述するように、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘと重なるように設けられている。すなわち、１つの駆動電極ＣＯＭＬは、複数の副画素ＳＰｉｘに対して共通な電極として設けられている。
【００４４】
なお、本願明細書では、「平面視において」とは、基板３１または基板２１の主面としての上面に垂直な方向から視た場合を意味する。
【００４５】
図５に示す例では、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、互いに対向する２つの辺と、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、互いに対向する２つの辺とを備え、矩形形状を有する。Ｙ軸方向におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０の一方の側には、電極端子ＥＴ１が設けられている。電極端子ＥＴ１と検出電極ＴＤＬとの間は、それぞれ引き回し配線ＷＲＴにより電気的に接続されている。電極端子ＥＴ１は、配線基板ＷＳ１と電気的に接続されており、配線基板ＷＳ１は、このモジュールの外部に実装されたタッチ検出部４０（図１参照）と接続されている。したがって、検出電極ＴＤＬは、引き回し配線ＷＲＴ、電極端子ＥＴ１および配線基板ＷＳ１を介して、タッチ検出部４０と接続されている。
【００４６】
引き回し配線ＷＲＴと、電極端子ＥＴ１とにより、電極としての配線部ＷＴＰが形成されている。すなわち、電極としての配線部ＷＴＰは、引き回し配線ＷＲＴと、電極端子ＥＴ１と、を有する。
【００４７】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、ＣＯＧ１９を有する。ＣＯＧ１９は、基板２１に実装されたチップであり、図１に示した制御部１１、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３など、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。また、ＣＯＧ１９は、駆動電極ドライバ１４を内蔵してもよい。ＣＯＧ１９と複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々との間は、詳細な図示は省略するが、それぞれ引き回し配線ＷＲＣにより電気的に接続されている。
【００４８】
なお、基板２１および基板３１として、例えばガラス基板、または、例えば樹脂からなるフィルムなど、各種の、可視光に対して透明な基板を用いることができる。また、本願明細書では、「可視光に対して透明」とは、可視光に対する透過率が例えば９０％以上であることを意味し、可視光に対する透過率とは、例えば３８０〜７８０ｎｍの波長を有する光に対する透過率の平均値を意味する。また、透過率とは、タッチ検出機能付き表示デバイス１０（後述する図６参照）の裏面に照射された光のうち、表示領域Ａｄにおいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の裏面と反対側の表面まで透過した光の割合を意味する。
【００４９】
＜タッチ検出機能付き表示デバイス＞
次に、図５〜図８を参照し、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の構成例を詳細に説明する。図６は、実施の形態１の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。図７は、実施の形態１の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す回路図である。図８は、実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。図６は、図５のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００５０】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、アレイ基板２と、対向基板３と、偏光板４と、偏光板５と、液晶層６と、封止部７と、を有する。対向基板３は、アレイ基板２の主面としての上面と、対向基板３の主面としての下面とが対向するように、アレイ基板２と対向配置されている。偏光板４は、アレイ基板２を挟んで対向基板３と反対側に、設けられている。偏光板５は、対向基板３を挟んでアレイ基板２と反対側に、設けられている。液晶層６は、アレイ基板２と対向基板３との間に設けられている。すなわち、液晶層６は、基板２１の上面と基板３１の下面との間に挟まれている。アレイ基板２の外周部と対向基板３の外周部との間には、封止部７が設けられており、アレイ基板２と対向基板３との間の空間は、その空間の外周部を封止部７により封止されている。そして、外周部が封止部７により封止された空間には、液晶層６が封入されている。
【００５１】
アレイ基板２は、基板２１を有する。また、対向基板３は、基板３１を有する。基板３１は、一方の主面としての上面と、上面と反対側の他方の主面としての下面と、を有し、基板２１の主面としての上面と、基板３１の主面としての下面とが対向するように、基板２１と対向配置されている。基板３１は、基板３１の上面の領域として、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓを有する。周辺領域Ａｓは、表示領域Ａｄよりも基板３１の外周側に位置する領域である。または、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓは、基板３１の他方の主面としての下面に含まれてもよい。
【００５２】
あるいは、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓは、基板２１の一方の主面としての上面に含まれてもよい。このとき、基板２１は、基板２１の上面の領域として、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓを有する。周辺領域Ａｓは、表示領域Ａｄよりも基板２１の外周側に位置する領域である。
【００５３】
図７に示すように、表示領域Ａｄで、基板２１には、複数の走査線ＧＣＬ、複数の信号線ＳＧＬ、および、複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）であるＴＦＴ素子Ｔｒが形成されている。なお、図６では、走査線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬおよびＴＦＴ素子Ｔｒの図示は、省略する。また、走査線は、ゲート配線を意味し、信号線は、ソース配線を意味する。
【００５４】
図７に示すように、複数の走査線ＧＣＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の信号線ＳＧＬは、表示領域Ａｄで、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。したがって、複数の信号線ＳＧＬの各々は、平面視において、複数の走査線ＧＣＬと交差する。このように、平面視において、互いに交差する複数の走査線ＧＣＬと複数の信号線ＳＧＬとの交点に、副画素ＳＰｉｘが配置され、複数の異なる色の副画素ＳＰｉｘにより１つの画素Ｐｉｘが形成される。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘは、基板２１の上面に設けられ、平面視において、表示領域Ａｄ内に配置されており、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００５５】
平面視において、複数の走査線ＧＣＬの各々と複数の信号線ＳＧＬの各々とが交差する交差部には、ＴＦＴ素子Ｔｒが形成されている。したがって、表示領域Ａｄで、基板２１上には、複数のＴＦＴ素子Ｔｒが形成されており、これらの複数のＴＦＴ素子Ｔｒは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘの各々には、ＴＦＴ素子Ｔｒが設けられている。また、複数の副画素ＳＰｉｘの各々には、ＴＦＴ素子Ｔｒに加え、液晶素子ＬＣが設けられている。
【００５６】
ＴＦＴ素子Ｔｒは、例えばｎチャネル型のＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）としての薄膜トランジスタからなる。ＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極は、走査線ＧＣＬに接続されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極の一方は、信号線ＳＧＬに接続されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極の他方は、液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、例えば、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極に接続され、他端が駆動電極ＣＯＭＬに接続されている。
【００５７】
図６に示すように、アレイ基板２は、基板２１と、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、絶縁膜２４と、複数の画素電極２２とを有する。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、平面視において、表示領域Ａｄの内部で、基板２１の一方の主面としての上面に設けられている。複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々の表面を含めて基板２１の上面上には、絶縁膜２４が形成されている。表示領域Ａｄで、絶縁膜２４上には、複数の画素電極２２が形成されている。したがって、絶縁膜２４は、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２とを、電気的に絶縁する。
【００５８】
図７に示すように、複数の画素電極２２は、平面視において、表示領域Ａｄの内部で、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘの各々の内部にそれぞれ形成されている。したがって、複数の画素電極２２は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００５９】
図６に示す例では、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、基板２１と画素電極２２との間に形成されている。また、図７で模式的に示すように、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、複数の画素電極２２と重なるように設けられている。そして、複数の画素電極２２の各々と複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々との間に電圧が印加され、複数の画素電極２２の各々と複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々との間、すなわち複数の副画素ＳＰｉｘの各々に設けられた液晶素子ＬＣに、電界が形成されることにより、表示領域Ａｄに画像が表示される。この際に駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２との間には容量Ｃａｐが形成され、容量Ｃａｐは保持容量として機能する。
【００６０】
液晶素子ＬＣと、複数の画素電極２２と、駆動電極ＣＯＭＬと、複数の走査線ＧＣＬと、複数の信号線ＳＧＬとにより、画像の表示を制御する表示制御部としての液晶表示デバイス２０が形成される。表示制御部としての液晶表示デバイス２０は、複数の画素電極２２の各々と複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々との間に印加される電圧を制御することにより、表示領域Ａｄにおける画像の表示を制御する。表示制御部としての液晶表示デバイス２０は、基板２１と基板３１との間に設けられている。
【００６１】
なお、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、画素電極２２を挟んで基板２１と反対側に形成されていてもよい。また、図６に示す例では、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２との配置が、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２とが平面視で重なる、横電界モードとしてのＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードにおける配置となっている。しかし、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２との配置は、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２とが平面視で重ならない、横電界モードとしてのＩＰＳ（In Plane Switching）モードにおける配置でもよい。あるいは、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２との配置は、縦電界モードとしてのＴＮ（Twisted Nematic）モードまたはＶＡ（Vertical Alignment）モード等における配置でもよい。
【００６２】
液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、前述のＦＦＳモード、または、ＩＰＳモード等の横電界モードに対応した液晶層が用いられる。すなわち、液晶表示デバイス２０として、ＦＦＳモードまたはＩＰＳモード等の横電界モードによる液晶表示デバイスが用いられる。あるいは、前述したように、ＴＮモードまたはＶＡモード等の縦電界モードによる液晶表示デバイスが用いられてもよい。なお、図６に示す液晶層６とアレイ基板２との間、および、液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が設けられていてもよい。
【００６３】
図７に示すように、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、走査線ＧＣＬにより互いに接続されている。走査線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２（図１参照）と接続され、ゲートドライバ１２により走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）が供給される。また、Ｙ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の列に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、信号線ＳＧＬにより互いに接続されている。信号線ＳＧＬは、ソースドライバ１３（図１参照）と接続され、ソースドライバ１３により画素信号Ｖｐｉｘ（図１参照）が供給される。さらに、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、駆動電極ＣＯＭＬにより互いに接続されている。
【００６４】
駆動電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４（図５参照）と接続され、駆動電極ドライバ１４により駆動信号Ｖｃｏｍ（図１参照）が供給される。つまり、図７に示す例では、同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが１つの駆動電極ＣＯＭＬを共有するようになっている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。前述したように、複数の走査線ＧＣＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されているため、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は、複数の走査線ＧＣＬの各々が延在する方向と平行である。ただし、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は限定されず、例えば、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は、複数の信号線ＳＧＬの各々が延在する方向と平行な方向であってもよい。
【００６５】
図１に示すゲートドライバ１２は、走査信号Ｖｓｃａｎを、図７に示す走査線ＧＣＬを介して、各副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極に印加することにより、液晶表示デバイス２０においてマトリクス状に形成された副画素ＳＰｉｘのうちの１行、すなわち１水平ラインを表示駆動の対象として順次選択する。図１に示すソースドライバ１３は、画素信号Ｖｐｉｘを、図７に示す信号線ＳＧＬを介して、ゲートドライバ１２により順次選択される１水平ラインを構成する複数の副画素ＳＰｉｘにそれぞれ供給する。そして、１水平ラインを構成する複数の副画素ＳＰｉｘにおいて、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じた表示が行われる。
【００６６】
図１に示す駆動電極ドライバ１４は、駆動信号Ｖｃｏｍを印加し、１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックごとに駆動電極ＣＯＭＬを駆動する。
【００６７】
液晶表示デバイス２０においては、ゲートドライバ１２が走査線ＧＣＬを時分割的に順次走査するように駆動することにより、副画素ＳＰｉｘが、１水平ラインずつ順次選択される。また、液晶表示デバイス２０においては、１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖｐｉｘを供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ１４は、その１水平ラインに対応した駆動電極ＣＯＭＬを含む検出ブロックに対して、駆動信号Ｖｃｏｍを印加する。
【００６８】
本実施の形態１の表示装置１における駆動電極ＣＯＭＬは、液晶表示デバイス２０の駆動電極として動作し、かつ、タッチ検出デバイス３０の駆動電極として動作する。図８は、実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。
【００６９】
タッチ検出デバイス３０は、アレイ基板２に設けられた複数の駆動電極ＣＯＭＬと、対向基板３に設けられた複数の検出電極ＴＤＬとを有する。複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向と交差する方向にそれぞれ延在する。言い換えれば、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において複数の駆動電極ＣＯＭＬとそれぞれ交差するように、互いに間隔を空けて配列されている。そして、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、アレイ基板２に含まれる基板２１の上面に垂直な方向において、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々と対向している。言い換えれば、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、複数の検出電極ＴＤＬの各々と重なるように設けられている。そして、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、タッチ検出部４０のタッチ検出信号増幅部４２（図１参照）にそれぞれ接続されている。
【００７０】
複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との平面視における交差部には、静電容量が発生する。そして、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との間の静電容量に基づいて、入力位置が検出される。すなわち、検出電極ＴＤＬが形成された基板３１（図６参照）のような電極基板と、駆動電極ＣＯＭＬとにより、入力位置を検出する検出部、すなわち入力装置が形成される。
【００７１】
このような構成により、タッチ検出デバイス３０では、タッチ検出動作を行う際、駆動電極ドライバ１４により、スキャン方向Ｓｃａｎに１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックが順次選択される。そして、選択された検出ブロックにおいて、駆動電極ＣＯＭＬには、駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の静電容量を測定するための駆動信号Ｖｃｏｍが入力され、検出電極ＴＤＬから、入力位置を検出するための検出信号Ｖｄｅｔが出力される。このようにタッチ検出デバイス３０では、１検出ブロックごとにタッチ検出が行われるようになっている。つまり、１つの検出ブロックは、前述したタッチ検出の原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応している。
【００７２】
なお、表示動作の際の検出ブロックの範囲と、タッチ検出動作の際の検出ブロックの範囲とは、共通であってもよく、異なっていてもよい。
【００７３】
図８に示すように、平面視において、互いに交差した複数の駆動電極ＣＯＭＬと複数の検出電極ＴＤＬは、マトリクス状に配列された静電容量式タッチセンサを形成する。よって、タッチ検出デバイス３０のタッチ検出面全体を走査することにより、指などが接触または近接した位置を検出することが可能である。
【００７４】
なお、タッチ検出デバイス３０として、駆動電極と、検出電極とが設けられた相互容量方式のタッチ検出デバイス３０には限定されない。例えば、後述する図３３および図３４を用いて説明するように、タッチ検出デバイス３０として、検出電極のみが設けられた、自己容量方式のタッチ検出デバイス３０を適用することができる。この自己容量方式では、検出電極ＴＤＬが、検出回路と切り離され、電源と電気的に接続された時に、検出電極ＴＤＬに電荷量が蓄積される。次に、検出電極ＴＤＬが電源から切り離され、検出回路と電気的に接続された時に、検出回路に流れ出る電荷量を検出する。すなわち、検出部は、複数の検出電極ＴＤＬの各々の静電容量に基づいて、入力位置を検出する。
【００７５】
ここで、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接した場合、指による容量により、検出電極ＴＤＬの静電容量が変化し、検出電極ＴＤＬが検出回路と接続された時に、検出回路に流れ出る電荷量が変化する。したがって、流れ出る電荷量を検出回路により測定して検出電極ＴＤＬの静電容量の変化を検出することにより、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接したか否かを判定することができる。
【００７６】
図５および図６に示すように、対向基板３は、基板３１と、カラーフィルタ３２と、導体パターンＣＢ１と、保護膜３３と、を有する。
【００７７】
基板３１は、前述したように、主面としての上面と、上面と反対側の主面としての下面とを有する。カラーフィルタ３２は、基板３１の下面に形成されている。
【００７８】
導体パターンＣＢ１は、基板３１の上面に形成されている。導体パターンＣＢ１は、複数の検出電極ＴＤＬと、複数の配線部ＷＴＰと、を含む。複数の検出電極ＴＤＬは、タッチ検出デバイス３０の検出電極であり、基板３１の上面に形成されている。複数の配線部ＷＴＰの各々は、引き回し配線ＷＲＴと、電極端子ＥＴ１と、を含む。引き回し配線ＷＲＴおよび電極端子ＥＴ１は、基板３１の上面に形成されている。保護膜３３は、基板３１の上面上に、導体パターンＣＢ１を覆うように形成されている。なお、導体パターンＣＢ１および保護膜３３の形状については、後述する。
【００７９】
カラーフィルタ３２として、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタがＸ軸方向に配列される。これにより、図７に示すように、Ｒ、ＧおよびＢの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘが形成され、１組の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘにより１つの画素Ｐｉｘが形成される。画素Ｐｉｘは、走査線ＧＣＬが延在する方向（Ｘ軸方向）、および、信号線ＳＧＬが延在する方向（Ｙ軸方向）に沿って、マトリクス状に配列されている。また、画素Ｐｉｘがマトリクス状に配列された領域が、例えば前述した表示領域Ａｄである。なお、表示領域Ａｄの周辺に、ダミー画素が設けられたダミー領域が設けられていてもよい。
【００８０】
カラーフィルタ３２の色の組み合わせとして、Ｒ、ＧおよびＢ以外の他の色を含む複数の色の組み合わせでもよい。また、カラーフィルタ３２は、設けられていなくてもよい。あるいは、１つの画素Ｐｉｘが、カラーフィルタ３２が設けられていない副画素ＳＰｉｘ、すなわち白色の副画素ＳＰｉｘを含んでもよい。また、ＣＯＡ（Color filter On Array）技術により、カラーフィルタがアレイ基板２に設けられていてもよい。
【００８１】
＜電極基板の構成＞
次に、図５、図６、図９および図１０を参照し、電極基板の構成について説明する。なお、本実施の形態１では、電極基板として、入力装置付き表示装置において検出電極が形成される対向基板として用いられる電極基板を例示して説明する。
【００８２】
図９は、実施の形態１の電極基板を示す平面図である。図１０は、実施の形態１の電極基板を示す断面図である。図１０は、図９のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図９では、配線基板ＷＳ１および異方性導電フィルムＣＦ１を除去して透視した状態を示しており、配線基板ＷＳ１および異方性導電フィルムＣＦ１の外周を二点鎖線で示している。
【００８３】
対向基板３としての電極基板ＥＳは、基板３１と、導体パターンＣＢ１と、保護膜３３と、を有する。基板３１は、基板３１の上面の領域として、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓ（図５参照）を有する。周辺領域Ａｓは、表示領域Ａｄよりも基板３１の外周側の領域である。周辺領域Ａｓは、基板３１の上面の領域ＡＲ１、基板３１の上面の領域ＡＲ２、および、基板３１の上面の領域ＡＲ３を含む。領域ＡＲ２は、領域ＡＲ１よりも基板３１の外周側の領域であり、領域ＡＲ３は、領域ＡＲ２よりも基板３１の外周側の領域である。以下では、基板３１の主面としての上面内で、互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とする。
【００８４】
なお、前述したように、本願明細書では、「平面視において」とは、基板２１（図６参照）または基板３１の主面としての上面に垂直な方向から視た場合を意味する。
【００８５】
また、基板３１として、例えば透明性のあるガラス基板、または、例えば樹脂からなるフィルムなど、各種の基板を用いることができる。
【００８６】
導体パターンＣＢ１は、複数の検出電極ＴＤＬと、複数の配線部ＷＴＰと、を含む。導体パターンＣＢ１は、導電膜からなる。
【００８７】
複数の検出電極ＴＤＬの各々は、タッチ検出デバイス３０の検出電極である。複数の検出電極ＴＤＬの各々は、表示領域Ａｄで、基板３１の上面に形成されている。複数の検出電極ＴＤＬの各々は、導電膜からなる。導体パターンＣＢ１のうち、複数の検出電極ＴＤＬからなる導体パターンを、導体パターンＣＢ１１とする。
【００８８】
複数の検出電極ＴＤＬの各々は、Ｘ軸方向に配列された複数の導電線を含んでもよい。このとき、複数の導電線の各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体としてＹ軸方向に延在するジグザグ形状を有してもよい。あるいは、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、平面視において、複数の導電線により形成されたメッシュ形状を有してもよい。
【００８９】
複数の配線部ＷＴＰは、複数の検出電極ＴＤＬの各々にそれぞれ対応して形成された電極であり、複数の検出電極ＴＤＬの各々にそれぞれ電気的に接続された電極である。複数の配線部ＷＴＰの各々は、周辺領域Ａｓで、基板３１の上面に形成されている。複数の配線部ＷＴＰの各々は、導電膜からなる。複数の配線部ＷＴＰの各々は、平面視において、基板３１の上面の領域ＡＲ１から、基板３１の上面の領域ＡＲ２を経て、基板３１の上面の領域ＡＲ３にかけて、基板３１の上面に、連続的に形成されている。
【００９０】
好適には、領域ＡＲ１、領域ＡＲ２および領域ＡＲ３は、Ｙ軸方向に順に配置されている。そして、複数の配線部ＷＴＰは、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。
【００９１】
複数の配線部ＷＴＰの各々は、引き回し配線ＷＲＴと、電極端子ＥＴ１と、を含む。したがって、引き回し配線ＷＲＴおよび電極端子ＥＴ１は、基板３１の上面に形成されている。
【００９２】
配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ１に形成された部分を部分ＰＲ１とする。部分ＰＲ１は、引き回し配線ＷＲＴの一部である。また、配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ２に形成された部分を部分ＰＲ２とする。部分ＰＲ２は、引き回し配線ＷＲＴの他の部分と、電極端子ＥＴ１の一部と、を含む。さらに、配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ３に形成された部分を部分ＰＲ３とする。部分ＰＲ３は、電極端子ＥＴ１の他の部分であり、配線基板ＷＳ１と電気的に接続される。導体パターンＣＢ１のうち、部分ＰＲ１からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１２とし、部分ＰＲ２からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１３とし、部分ＰＲ３からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１４とする。
【００９３】
好適には、検出電極ＴＤＬおよび配線部ＷＴＰは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属からなる金属層または合金層や酸化膜や窒化膜を含む導電膜の単層または複数層の膜からなる。これにより、検出電極ＴＤＬおよび配線部ＷＴＰの導電性を向上させることができるので、検出電極ＴＤＬによる検出感度または検出速度を向上させることができる。また酸化膜や窒化膜を設けることで表面を黒色化することもできる。黒化層としてはカラーフィルター材料などのブラック樹脂を用いてもよい。
【００９４】
なお、図９に示す例では、電極端子ＥＴ１の平面形状は、矩形形状であるが、電極端子ＥＴ１の平面形状は、例えば円形形状など、各種の形状であってもよい。
【００９５】
保護膜３３は、表示領域Ａｄ、ならびに、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の配線部ＷＴＰからなる導体パターンＣＢ１を覆うように形成されている。保護膜３３のうち、表示領域Ａｄに形成された部分を、部分Ｐ３１とし、領域ＡＲ１に形成された部分を、部分Ｐ３２とし、領域ＡＲ２に形成された部分を、部分Ｐ３３とする。
【００９６】
保護膜３３は、検出電極ＴＤＬおよび配線部ＷＴＰに例えば空気中の水分や酸性の有機物などが接触しないようにすることにより、導電膜からなる検出電極ＴＤＬおよび配線部ＷＴＰが腐食しないように保護する。保護膜３３として、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などの、紫外線（Ultraviolet；ＵＶ）硬化性樹脂もしくは熱硬化性樹脂またはその両方を含む樹脂からなる樹脂膜を用いることができる。なお、保護膜３３は、検出電極ＴＤＬおよび配線部ＷＴＰが形成された基板３１の上面を平坦化する機能も有する。
【００９７】
配線部ＷＴＰのうち、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ１および部分ＰＲ２は、保護膜３３により覆われている。しかし、配線部ＷＴＰのうち、領域ＡＲ３に形成された部分ＰＲ３は、保護膜３３から露出している。したがって、領域ＡＲ３で、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３の側面、および、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３のうち領域ＡＲ１側と反対側の端部は、保護膜３３から露出している。すなわち、領域ＡＲ３に形成された部分の配線部ＷＴＰの側面は、保護膜３３から露出している。
【００９８】
このとき、保護膜３３の部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２は、保護膜３３の部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄い。すなわち、保護膜３３の部分Ｐ３３のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成された部分の膜厚ＴＨ２は、保護膜３３の部分Ｐ３２のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ１上に形成された部分の膜厚ＴＨ１よりも薄い。
【００９９】
このような場合、保護膜３３の部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２が、保護膜３３の部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１と等しい場合に比べ、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＧ１における段差部ＳＴＰ１の高さが低くなる。そのため、段差部ＳＴＰ１を跨ぐように配置された配線基板ＷＳ１を、異方性導電フィルムＣＦ１を介して基板３１に押し付ける際に、異方性導電フィルムＣＦ１内の複数の金属粒子ＭＰ１が、異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向につぶれて接触する程度が、異方性導電フィルムＣＦ１の面内で略均一になる。したがって、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３すなわち電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とを、電気的に安定して接続することができる。
【０１００】
なお、本願明細書では、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成された部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１とは、領域ＡＲ１における導体パターンＣＢ１、すなわち導体パターンＣＢ１２の上面の平均高さ位置と、保護膜３３の部分Ｐ３２の上面の平均高さ位置と、の差を意味する。また、保護膜３３のうち領域ＡＲ２に形成された部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２とは、領域ＡＲ２における導体パターンＣＢ１、すなわち導体パターンＣＢ１３の上面の平均高さ位置と、保護膜３３の部分Ｐ３３の上面の平均高さ位置と、の差を意味する。
【０１０１】
保護膜３３の部分Ｐ３１の平均膜厚、および、保護膜３３の部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１を、導体パターンＣＢ１の膜厚よりも厚くすることができる。例えば、導体パターンＣＢ１の膜厚を、１０〜２０００ｎｍとし、保護膜３３の部分Ｐ３１の平均膜厚、および、保護膜３３の部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１を、５００〜１００００ｎｍとすることができる。
【０１０２】
ここで、Ｘ軸方向とＹ軸方向とは互いに直交するものとし、部分ＰＲ１、すなわち引き回し配線ＷＲＴのＸ軸方向における幅を幅ＷＤ１とし、部分ＰＲ３、すなわち電極端子ＥＴ１のＸ軸方向における幅を幅ＷＤ２とする。このとき、好適には、幅ＷＤ２は、幅ＷＤ１よりも大きい。これにより、電極端子ＥＴ１のＸ軸方向における幅を、引き回し配線ＷＲＴのＸ軸方向における幅よりも大きくすることができる。そのため、電極端子ＥＴ１と電極端子ＥＴ２とが接触する部分の面積を増加させることができる。
【０１０３】
Ｘ軸方向における電極端子ＥＴ１の幅ＷＤ２は、例えば５０〜１５００μｍ、好適には７５〜１０００μｍである。また、Ｘ軸方向における電極端子ＥＴ１の配列ピッチＤＳ１は、例えば１００〜２０００μｍであり、好適には１５０〜１５００μｍであって、かつ、幅ＷＤ２よりも大きい。配列ピッチＤＳ１がこのような範囲内にあることにより、互いに隣り合う２つの電極端子ＥＴ１が、後述する異方性導電フィルムＣＦ１により短絡されることを、防止または抑制することができる。
【０１０４】
例えばインクジェット法または電界ジェット法などの、原料液を液滴として吐出して塗布する方法によるパターニングの形状精度は、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより絶縁膜をパターニングする方法によるパターニングの形状精度よりも低い。そのため、原料液を液滴として吐出して塗布する場合、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３のうち中央部が、保護膜３３から露出し、かつ、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３のうち周辺部が、保護膜３３により覆われるように、保護膜３３をパターニングできないという欠点がある。しかし、上記したように、配列ピッチＤＳ１が、１００〜２０００μｍである場合、原料液を液滴として吐出して塗布することにより、保護膜３３の部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２を、保護膜３３の部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも容易に薄くできるという利点が、パターニングの形状精度が低いという欠点を、大きく上回る。したがって、配列ピッチＤＳ１が１００μｍ未満の場合、または、配列ピッチＤＳ１が２０００μｍを超える場合に比べ、電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とを、電気的に安定して接続することができる効果が、より大きくなる。
【０１０５】
また、対向基板３としての電極基板ＥＳは、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film；ＡＣＦ）ＣＦ１と、配線基板ＷＳ１と、を有してもよい。異方性導電フィルムＣＦ１は、領域ＡＲ２および領域ＡＲ３で、配線部ＷＴＰを覆うように配置されている。配線基板ＷＳ１は、異方性導電フィルムＣＦ１上に配置されている。配線基板ＷＳ１として、例えばフレキシブルプリント回路基板（Flexible Printed Circuits；ＦＰＣ）とも称されるフレキシブルプリント配線板を用いることができる。以下では、配線基板ＷＳ１としてＦＰＣを用いた例について説明する。
【０１０６】
配線基板ＷＳ１は、基体ＷＢ１と、複数の電極端子ＥＴ２とを、含む。複数の電極端子ＥＴ２は、基体ＷＢ１の主面としての下面に、形成されている。複数の電極端子ＥＴ２は、複数の配線部ＷＴＰの各々の部分ＰＲ３にそれぞれ対応して設けられている。複数の電極端子ＥＴ２の各々は、複数の配線部ＷＴＰの各々の部分ＰＲ３と、異方性導電フィルムＣＦ１を介して対向している。
【０１０７】
Ｘ軸方向における電極端子ＥＴ２の幅ＷＤ３は、例えば５０〜１５００μｍ、好適には７５〜１０００μｍである。また、Ｘ軸方向における電極端子ＥＴ２の配列ピッチＤＳ２は、例えば１００〜２０００μｍ、好適には１５０〜１５００μｍであって、かつ、幅ＷＤ３よりも大きい。配列ピッチＤＳ２がこのような範囲内にあることにより、互いに隣り合う２つの電極端子ＥＴ２が、異方性導電フィルムＣＦ１により短絡されることを、防止または抑制することができる。なお、複数の電極端子ＥＴ１のうち一部の複数の電極端子ＥＴ１、または、複数の電極端子ＥＴ２のうち一部の複数の電極端子ＥＴ２が、ダミー電極端子として配置されてもよい。そして、複数の電極端子ＥＴ２の配列ピッチＤＳ２が、複数の電極端子ＥＴ１の配列ピッチＤＳ１に対して、１／２倍など整数分の１倍、１倍、または、２倍など整数倍、になるように、複数の電極端子ＥＴ１、および、複数の電極端子ＥＴ２が、配置されてもよい。
【０１０８】
異方性導電フィルムＣＦ１は、熱硬化性樹脂に導電性を持つ微細な金属粒子ＭＰ１を混ぜ合わせたものを、膜状に成型したフィルムである。配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３すなわち電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２と、の間に異方性導電フィルムＣＦ１を挟んだ状態で、例えば熱処理しながら配線基板ＷＳ１を基板３１に押し付ける。これにより、異方性導電フィルムＣＦ１内の金属粒子ＭＰ１が異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向に接触して、異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向に導電経路が形成される。そして、互いに対向した配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３すなわち電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とは、異方性導電フィルムＣＦ１を介して電気的に接続される。
【０１０９】
なお、図１０では、理解を簡単にするために、金属粒子ＭＰ１の直径が、異方性導電フィルムＣＦ１の膜厚と略等しい場合を例示している。しかし、金属粒子ＭＰ１の直径が、異方性導電フィルムＣＦ１の膜厚に比べて小さくてもよく、このような場合、複数の金属粒子ＭＰ１が異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向に接触して、異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向に導電経路が形成される。
【０１１０】
また、好適には、互いに隣り合う２つの電極端子ＥＴ１の互いに対向する側面同士の距離ＤＳ３は、異方性導電フィルムＣＦ１に含まれる金属粒子ＭＰ１の直径の平均値、すなわち平均粒子径の５倍以上である。これにより、互いに隣り合う２つの電極端子ＥＴ１が、異方性導電フィルムＣＦ１により短絡されることを、防止または抑制することができる。
【０１１１】
あるいは、好適には、互いに隣り合う２つの電極端子ＥＴ２の互いに対向する側面同士の距離ＤＳ４は、異方性導電フィルムＣＦ１に含まれる金属粒子ＭＰ１の直径の平均値、すなわち平均粒子径の５倍以上である。これにより、互いに隣り合う２つの電極端子ＥＴ２が、異方性導電フィルムＣＦ１により短絡されることを、防止または抑制することができる。
【０１１２】
好適には、異方性導電フィルムＣＦ１の領域ＡＲ１側の端部ＥＧ２、および、配線基板ＷＳ１の領域ＡＲ１側の端部ＥＧ３は、保護膜３３上に配置されている。これにより、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２のいずれの部分も、保護膜３３または異方性導電フィルムＣＦ１のいずれかにより覆われることになり、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２のいずれの部分にも空気中の水分が接触しないようにすることができるので、導電膜からなる配線部ＷＴＰが腐食しないように確実に保護することができる。
【０１１３】
さらに好適には、配線基板ＷＳ１の領域ＡＲ１側の端部ＥＧ３は、保護膜３３の部分Ｐ３３上に、異方性導電フィルムＣＦ１を介して配置されている。これにより、配線基板ＷＳ１が、保護膜３３のうち、部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２よりも厚い平均膜厚ＡＴ１を有する部分Ｐ３２とは、平面視において重ならなくなる。そのため、段差部ＳＴＰ１を跨ぐように配置された配線基板ＷＳ１を、異方性導電フィルムＣＦ１を介して基板３１に押し付ける際に、異方性導電フィルムＣＦ１内の複数の金属粒子ＭＰ１が、異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向につぶれて接触する接触しやすさが、異方性導電フィルムＣＦ１の面内で略均一になる。したがって、電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とを、電気的に安定して接続することができる。
【０１１４】
＜電極基板の製造方法＞
次に、図１１〜図２０を参照し、電極基板の製造方法について説明する。
【０１１５】
図１１〜図１３および図２０は、実施の形態１の電極基板の製造工程中の断面図である。図１４は、実施の形態１の電極基板の製造工程中の斜視図である。図１５〜図１８は、液滴が着弾して形成されたドットの配置を示す図である。図１９は、上面に凹凸を有する保護膜の一例を示す断面図である。
【０１１６】
まず、図１１に示すように、基板３１を準備する。基板３１は、基板３１の主面としての上面の領域として、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓ（図５参照）を有する。周辺領域Ａｓは、表示領域Ａｄよりも基板３１の外周側の領域である。周辺領域Ａｓは、基板３１の上面の領域ＡＲ１、基板３１の上面の領域ＡＲ２、および、基板３１の上面の領域ＡＲ３を含む。領域ＡＲ２は、領域ＡＲ１よりも基板３１の外周側の領域であり、領域ＡＲ３は、領域ＡＲ２よりも基板３１の外周側の領域である。好適には、図９に示したように、領域ＡＲ１、領域ＡＲ２および領域ＡＲ３は、平面視において、Ｙ軸方向に順に配置されている。
【０１１７】
なお、前述したように、基板３１として、例えば透明性のあるガラス基板、または、例えば樹脂からなるフィルムなど、各種の基板を用いることができる。
【０１１８】
次に、図１２に示すように、導体パターンＣＢ１を形成する。この導体パターンＣＢ１を形成する工程では、表示領域Ａｄ（図５参照）、ならびに、領域ＡＲ１、領域ＡＲ２および領域ＡＲ３で、基板３１の上面に、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の配線部ＷＴＰからなる導体パターンＣＢ１を形成する。
【０１１９】
この導体パターンＣＢ１を形成する工程では、まず、基板３１の上面全面に、導電膜ＣＦ２を成膜する。この導電膜ＣＦ２を成膜する工程では、例えば金属膜からなる導電膜を、例えばスパッタリング法または化学気相成長（Chemical Vapor Deposition；ＣＶＤ）法により成膜することができる。好適には、導電膜ＣＦ２として、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属からなる金属層または合金層を含む導電膜であって、単層または複数層の膜からなる導電膜を成膜することができる。
【０１２０】
なお、導電膜ＣＦ２を成膜する工程を行った後、後述するパターニングを行う前に、導電膜ＣＦ２が成膜された基板３１に対して表面処理を行ってもよい。これにより、導電膜ＣＦ２の上面における表面張力と、基板３１の上面における表面張力と、を略等しくすることができ、液滴として吐出して塗布する方法により塗布される原料液の濡れ性を均一にすることができる。このような表面処理として、ＵＶ光による表面処理、大気圧（Atmospheric Pressure；ＡＰ）プラズマによる表面処理、または、ヘキサメチルジシロキサン（Hexamethyldisiloxane；ＨＭＤＳ）による表面処理などを行うことができる。
【０１２１】
次に、導電膜ＣＦ２をパターニングする。この導電膜ＣＦ２をパターニングする工程では、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングを用いて導電膜ＣＦ２をパターニングすることができる。これにより、表示領域Ａｄで、導電膜ＣＦ２からなる複数の検出電極ＴＤＬを形成する（図６参照）。また、図１２に示すように、領域ＡＲ１、領域ＡＲ２および領域ＡＲ３で、導電膜ＣＦ２からなる複数の配線部ＷＴＰを形成する。これにより、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の配線部ＷＴＰからなる導体パターンＣＢ１を形成する。
【０１２２】
複数の検出電極ＴＤＬの各々は、表示領域Ａｄで、基板３１の上面に形成される。複数の検出電極ＴＤＬは、例えば、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列される（図５参照）。一方、複数の配線部ＷＴＰの各々は、領域ＡＲ１から、領域ＡＲ２を経て、領域ＡＲ３にかけて、基板３１の上面に、連続的に形成される。好適には、複数の配線部ＷＴＰは、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列される（図９参照）。
【０１２３】
配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ１に形成された部分を部分ＰＲ１とする。部分ＰＲ１は、引き回し配線ＷＲＴの一部である。また、配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ２に形成された部分を部分ＰＲ２とする。部分ＰＲ２は、引き回し配線ＷＲＴの他の部分と、電極端子ＥＴ１の一部と、を含む。さらに、配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ３に形成された部分を部分ＰＲ３とする。部分ＰＲ３は、電極端子ＥＴ１の他の部分であり、配線基板ＷＳ１と電気的に接続される。導体パターンＣＢ１のうち、部分ＰＲ１からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１２とし、部分ＰＲ２からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１３とし、部分ＰＲ３からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１４とする。
【０１２４】
次に、図１３に示すように、保護膜３３を形成する。この保護膜３３を形成する工程では、表示領域Ａｄ、ならびに、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、基板３１の上面に、保護膜形成用の原料液を液滴として吐出して塗布することにより、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の配線部ＷＴＰからなる導体パターンＣＢ１を覆うように、保護膜３３を形成する。一方、領域ＡＲ３では、保護膜形成用の原料液は塗布しないので、複数の配線部ＷＴＰの各々の側面を、保護膜３３から露出させる。
【０１２５】
このような保護膜形成用の原料液を液滴として吐出して塗布する方法として、例えばインクジェット法または電界ジェット法などを用いることができる。また、以下では、保護膜形成用の原料液を、インクジェット法により塗布する場合を例示して説明する。
【０１２６】
保護膜３３として、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などの、ＵＶ硬化性樹脂または熱硬化性樹脂からなる樹脂膜を形成することができる。したがって、保護膜形成用の原料液として、上記したＵＶ硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を含有した原料液を用いることができる。
【０１２７】
例えばインクジェット法により原料液を塗布する場合、図１４に示すように、基板３１に対して相対移動可能に設けられたノズルヘッド５１を、基板３１に対してある方向に相対移動させながら、ノズルヘッド５１に設けられたノズルから基板３１の上面に向けて、原料液５２からなる液滴を吐出する。これにより、表示領域Ａｄで、複数の検出電極ＴＤＬを覆うように、原料液５２を塗布して塗布膜を形成する（図示は省略）。また、図１３に示すように、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、複数の配線部ＷＴＰを覆うように、原料液５２を塗布して塗布膜を形成する。具体的には、表示領域Ａｄ、ならびに、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、ノズルから吐出された液滴が基板３１の上面に着弾して形成された複数のドットからなる塗布膜が、塗布される。
【０１２８】
その後、塗布された塗布膜を硬化させることにより、保護膜３３を形成する。原料液５２としてＵＶ硬化性樹脂を含有した原料液を用いた場合、塗布された塗布膜にＵＶからなる光、すなわちＵＶ光を照射することにより、塗布膜を硬化させる。あるいは、原料液５２として熱硬化性樹脂を含有した原料液を用いた場合、塗布された塗布膜を熱処理することにより、塗布膜を硬化させる。これにより、ノズルから吐出された液滴が基板３１の上面に着弾して形成された複数のドットからなる保護膜３３が、形成される。
【０１２９】
なお、図１４に示すように、ある方向に配列された複数のノズルを有するノズルヘッド５１を用いて、同時に複数のノズルから原料液５２を吐出することにより、原料液５２を塗布する工程に要する時間を短縮することができる。
【０１３０】
保護膜形成用の原料液を液滴として吐出する方法を用いて原料液を塗布する場合、パターニングのためにフォトリソグラフィおよびエッチングを行う必要がないので、製造工程数を増加させることなく、所望のパターンを有する保護膜を形成することができる。また、保護膜形成用の原料液を液滴として吐出する方法を用いて原料液を塗布する場合、パターニングのためのフォトマスクを用意する必要がないので、製造コストを低減することができる。また、保護膜形成用の原料液を液滴として吐出する方法を用いて原料液を塗布する場合、原料液を効率よく利用することができるため、製造コストを低減することができる。さらには、保護膜形成用の原料液を液滴として吐出する方法を用いて原料液を塗布する場合、大気圧下での成膜が可能であり、真空チャンバを備えた成膜装置を用いる必要がないので、成膜装置を小型化することができる。
【０１３１】
本実施の形態１では、領域ＡＲ２における基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量を、領域ＡＲ１における基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量よりも少なくする。これにより、保護膜３３のうち、領域ＡＲ２に形成される部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２を、保護膜３３のうち、領域ＡＲ１に形成される部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄くする。このとき、保護膜３３の部分Ｐ３３のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成された部分の膜厚ＴＨ２が、保護膜３３の部分Ｐ３３のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ１上に形成された部分の膜厚ＴＨ１よりも薄い。
【０１３２】
すなわち、領域ＡＲ２における基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量を、領域ＡＲ１における基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量よりも少なくする。これにより、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成された部分の保護膜３３の膜厚ＴＨ２を、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ１上に形成された部分の保護膜３３の膜厚ＴＨ１よりも薄くする。
【０１３３】
ここで、図１５〜図１８を参照し、原料液を液滴として吐出して塗布する方法により保護膜３３を形成する際に、保護膜３３を連続的に形成することができる好適な条件について、説明する。以下では、保護膜３３を形成する工程に含まれる工程のうち、原料液からなる液滴を、平面視においてある方向にピッチＰＴ１で複数吐出する工程について、説明する。このとき、ピッチＰＴ１で吐出される複数の液滴の各々の体積は、同一ではない。すなわち、ピッチＰＴ１で吐出される複数の液滴のうちいずれか２つの液滴の各々の体積は、互いに異なる。
【０１３４】
このような場合、複数の液滴の各々の体積のうち最大の体積を有する液滴が、基板３１の上面に着弾して形成されたドットＤＴを、ドットＤＴ１とし、複数の液滴の各々の体積のうち最小の体積を有する液滴が、基板３１の上面に着弾して形成されたドットＤＴを、ドットＤＴ２とする。また、ドットＤＴ１の直径を、直径ＤＭ１とし、ドットＤＴ２の直径を、直径ＤＭ２とする。直径ＤＭ１は、複数のドットＤＴの各々の直径の最大値であり、直径ＤＭ２は、複数のドットＤＴの各々の直径の最小値である。
【０１３５】
なお、ピッチＰＴ１とは、隣り合う２つの液滴がそれぞれ着弾する着弾位置同士の間隔であり、隣り合う２つの液滴がそれぞれ着弾して形成された２つのドットＤＴの中心同士の間隔である。
【０１３６】
図１５に示すように、ピッチＰＴ１が、ドットＤＴ１の直径ＤＭ１以上の場合、Ｙ軸方向で隣り合う２つのドットＤＴ１が平面視において重ならないおそれがある。一方、図１６に示すように、ピッチＰＴ１が、ドットＤＴ１の直径ＤＭ１未満の場合、Ｙ軸方向で隣り合う２つのドットＤＴ１が平面視において互いに重なり合う。そのため、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、基板３１の上面に吐出された液滴が着弾して形成された複数のドットＤＴ１により、保護膜３３を連続的に形成することができる。
【０１３７】
また、図１７に示すように、ピッチＰＴ１が、ドットＤＴ１の直径ＤＭ１未満であっても、ドットＤＴ２の直径ＤＭ２以上の場合、Ｙ軸方向で隣り合う２つのドットＤＴ２が平面視において重ならないおそれがある。一方、図１８に示すように、ピッチＰＴ１が、ドットＤＴ２の直径ＤＭ２未満の場合、Ｙ軸方向で隣り合う２つのドットＤＴ２が平面視において互いに重なり合う。そのため、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、基板３１の上面に吐出された液滴が着弾して形成された複数のドットＤＴにより、保護膜３３を確実に連続的に形成することができる。
【０１３８】
好適には、導体パターンＣＢ１の上面における表面張力と、基板３１の上面における表面張力との差が、基板３１の上面における表面張力に対して１０％以内である。これにより、導体パターンＣＢ１の上面における表面張力と、基板３１の上面における表面張力と、が略等しくなる。これにより、導体パターンＣＢ１の上面と、基板３１の上面との間で、着弾した液滴の広がり幅を均一にすることができる。したがって、互いに等しい体積を有する２つの液滴のうち、一方の液滴が導体パターンＣＢ１の上面に着弾して形成されたドットの直径を、他方の液滴が基板３１の上面に着弾して形成されたドットの直径と、略等しくすることができる。
【０１３９】
なお、原料液からなる液滴を、平面視においてある方向に一定のピッチで複数吐出する際に、吐出される液滴の体積を調整することにより、液滴が着弾して形成されたドットの直径を、直径ＤＭ１と直径ＤＭ２との間で制御することができる。
【０１４０】
あるいは、図１９に一例を示すように、原料液からなる液滴を、平面視において、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ一定のピッチで複数吐出する際に、吐出される液滴の体積を、最大の体積と最小の体積との間で周期的に変動させるように調整することにより、上面に凹凸を有する保護膜３３を形成することもできる。
【０１４１】
次に、配線基板ＷＳ１（図１０参照）を電極端子ＥＴ１と電気的に接続する。この配線基板ＷＳ１を電極端子ＥＴ１と電気的に接続する工程では、配線部ＷＴＰを覆うように、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）ＣＦ１（図１０参照）を介して配線基板ＷＳ１を配置する。以下では、配線部ＷＴＰを覆うように異方性導電フィルムＣＦ１を配置した後、異方性導電フィルムＣＦ１上に配線基板ＷＳ１を配置する方法を説明する。しかし、配線部ＷＴＰを覆うように、異方性導電フィルムＣＦ１および配線基板ＷＳ１を同一工程により配置してもよい。
【０１４２】
まず、図２０に示すように、領域ＡＲ２および領域ＡＲ３で、配線部ＷＴＰを覆うように異方性導電フィルムＣＦ１を配置する。前述したように、異方性導電フィルムＣＦ１は、熱硬化性樹脂に導電性を持つ微細な金属粒子ＭＰ１を混ぜ合わせたものを、膜状に成型したフィルムである。
【０１４３】
次に、図１０に示したように、異方性導電フィルムＣＦ１上に、配線基板ＷＳ１を配置する。
【０１４４】
前述したように、配線基板ＷＳ１として、例えばフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）とも称されるフレキシブルプリント配線板を用いることができる。配線基板ＷＳ１は、基体ＷＢ１と、複数の電極端子ＥＴ２とを、含む。複数の電極端子ＥＴ２は、基体ＷＢ１の主面としての下面に、形成されている。複数の電極端子ＥＴ２は、複数の配線部ＷＴＰの各々の部分ＰＲ３にそれぞれ対応して配置されている。
【０１４５】
このように、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３すなわち電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２と、の間に異方性導電フィルムＣＦ１を挟んだ状態で、例えば熱処理しながら配線基板ＷＳ１を基板３１に押し付ける。この際に、異方性導電フィルムＣＦ１内の複数の金属粒子ＭＰ１が異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向につぶれて接触することにより、異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向に導電経路が形成される。そして、互いに対向した電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とは、異方性導電フィルムＣＦ１を介して電気的に接続される。
【０１４６】
好適には、配線基板ＷＳ１を配置する工程で、配線基板ＷＳ１の電極端子ＥＴ２が、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３と、異方性導電フィルムＣＦ１を介して対向した状態、かつ、異方性導電フィルムＣＦ１の領域ＡＲ１側の端部ＥＧ２、および、配線基板ＷＳ１の領域ＡＲ１側の端部ＥＧ３が、保護膜３３上に配置された状態にする。そして、このような状態で、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３と、電極端子ＥＴ２とを、異方性導電フィルムＣＦ１を介して電気的に接続する。これにより、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２のいずれの部分も、保護膜３３または異方性導電フィルムＣＦ１のいずれかにより覆われることになり、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２のいずれの部分にも空気中の水分が接触しないようにすることができるので、導電膜からなる検出電極ＴＤＬが腐食しないように確実に保護することができる。
【０１４７】
さらに好適には、配線基板ＷＳ１を配置する工程で、配線基板ＷＳ１の領域ＡＲ１側の端部ＥＧ３が、保護膜３３の部分Ｐ３３上に、異方性導電フィルムＣＦ１を介して配置された状態で、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３と、電極端子ＥＴ２とを、異方性導電フィルムＣＦ１を介して電気的に接続する。これにより、配線基板ＷＳ１が、保護膜３３のうち、部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２よりも厚い平均膜厚ＡＴ１を有する部分Ｐ３２とは、平面視において重ならなくなる。そのため、段差部ＳＴＰ１を跨ぐように配置された配線基板ＷＳ１を、異方性導電フィルムＣＦ１を介して基板３１に押し付ける際に、異方性導電フィルムＣＦ１内の複数の金属粒子ＭＰ１が、異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向につぶれて接触する接触しやすさが、異方性導電フィルムＣＦ１の面内で略均一になる。したがって、電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とを、電気的に安定して接続することができる。
【０１４８】
＜電極基板と配線基板との電気的な接続の安定性について＞
次に、電極基板と配線基板との電気的な接続の安定性について、比較例１の電極基板と対比しながら説明する。
【０１４９】
図２１は、比較例１の電極基板を示す平面図である。図２２は、比較例１の電極基板を示す断面図である。図２３は、比較例１の電極基板の製造工程中の断面図である。
【０１５０】
比較例１では、対向基板１０３としての電極基板ＥＳ１００は、基板３１と、導体パターンＣＢ１と、保護膜１３３と、を有する。比較例１でも、基板３１は、実施の形態１と同様に、基板３１の上面の領域として、基板３１の上面の領域ＡＲ１、基板３１の上面の領域ＡＲ２、および、基板３１の上面の領域ＡＲ３を含む。
【０１５１】
比較例１でも、導体パターンＣＢ１は、実施の形態１と同様に、複数の配線部ＷＴＰを含む。複数の配線部ＷＴＰの各々は、平面視において、基板３１の上面の領域ＡＲ１から、基板３１の上面の領域ＡＲ２を経て、基板３１の上面の領域ＡＲ３にかけて、基板３１の上面に、連続的に形成されている。複数の配線部ＷＴＰは、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。
【０１５２】
また、比較例１でも、実施の形態１と同様に、複数の配線部ＷＴＰの各々は、引き回し配線ＷＲＴと、電極端子ＥＴ１と、を含む。また、配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ１に形成された部分を部分ＰＲ１とし、配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ２に形成された部分を部分ＰＲ２とし、配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ３に形成された部分を部分ＰＲ３とする。
【０１５３】
保護膜１３３は、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の配線部ＷＴＰからなる導体パターンＣＢ１を覆うように形成されている。保護膜１３３のうち、領域ＡＲ１に形成された部分を、部分Ｐ１３２とし、領域ＡＲ２に形成された部分を、部分Ｐ１３３とする。
【０１５４】
配線部ＷＴＰのうち、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ１および部分ＰＲ２は、保護膜１３３により覆われている。比較例１では、保護膜１３３は、例えばインクジェット法または電界ジェット法などの、原料液を液滴として吐出して塗布する方法により形成されたものではない。比較例１では、保護膜１３３は、例えば基板３１の上面全面に保護膜１３３となる絶縁膜を形成した後、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングで絶縁膜をパターニングする方法により、形成されたものである。
【０１５５】
比較例１では、保護膜１３３の部分Ｐ１３３の平均膜厚ＡＴ２は、保護膜１３３の部分Ｐ１３２の平均膜厚ＡＴ１と等しい。すなわち、保護膜１３３の部分Ｐ１３３のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成された部分の膜厚ＴＨ２は、保護膜１３３の部分Ｐ１３２のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ１上に形成された部分の膜厚ＴＨ１と等しい。
【０１５６】
このような比較例１の電極基板の製造工程では、図１１および図１２を用いて説明した工程と同様の工程を行って、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の配線部ＷＴＰからなる導体パターンＣＢ１を形成した後、図２３に示すように、導体パターンＣＢ１を覆うように、保護膜１３３を形成する。次に、図２３に示すように、領域ＡＲ２および領域ＡＲ３で、基板３１上に、配線部ＷＴＰを覆うように異方性導電フィルムＣＦ１を配置する。その後、領域ＡＲ２および領域ＡＲ３で、異方性導電フィルムＣＦ１上に、配線基板ＷＳ１を配置することにより、図２２に示すように、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３すなわち電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とを、異方性導電フィルムＣＦ１を介して電気的に接続する。
【０１５７】
比較例１では、保護膜１３３の部分Ｐ１３３の平均膜厚ＡＴ２が、保護膜１３３の部分Ｐ１３２の平均膜厚ＡＴ１と等しいため、保護膜１３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＧ１における段差部ＳＴＰ１の高さが高くなる。そのため、段差部ＳＴＰ１を跨ぐように配置された配線基板ＷＳ１を、異方性導電フィルムＣＦ１を介して基板３１に押し付ける際に、異方性導電フィルムＣＦ１内の複数の金属粒子ＭＰ１が、異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向につぶれて接触する接触しやすさが、異方性導電フィルムＣＦ１の面内で均一にならない。したがって、電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とを、電気的に安定して接続することは困難である。
【０１５８】
比較例１では、保護膜１３３は、原料液を液滴として吐出して塗布することにより形成されたものではない。そのため、保護膜１３３の部分Ｐ１３３の平均膜厚ＡＴ２を、保護膜１３３の部分Ｐ１３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄くするために、以下のような方法が考えられる。すなわち、例えば、基板３１の上面全面に第１絶縁膜を形成し、形成された第１絶縁膜をパターニングして領域ＡＲ２における第１絶縁膜を除去した後、再び基板３１の上面全面に第２絶縁膜を形成し、形成された第２絶縁膜をパターニングする方法が考えられる。しかし、このような方法では、保護膜１３３を形成する工程の工程数が増加する。
【０１５９】
上記特許文献１に記載された技術では、感光性有機樹脂膜である有機平坦化膜をスピンコート法などにより塗布形成した後、ハーフトーン露光技術による露光を行い、現像することにより、厚み方向に段差構造を有する有機膜パターンを形成する。しかし、上記特許文献１に記載された技術では、厚み方向に段差構造を有する有機膜パターンを形成する際に、例えばハーフトーンマスクなどの特殊なフォトマスクを用いたハーフトーン露光を行う必要がある。そのため、電極基板を形成する工程の工程数が増加し、電極基板の製造コストが増大する。
【０１６０】
このように、比較例１では、電極基板ＥＳ１００に含まれる基板３１の上面の２つの領域の間、すなわち領域ＡＲ１と領域ＡＲ２との間で、保護膜１３３の膜厚が異なるように、保護膜１３３の膜厚を容易に調整することは、困難である。そのため、保護膜１３３の端部ＥＧ１における段差部を跨ぐように配置された電極端子ＥＴ２と、電極端子ＥＴ１と、を電気的に安定して接続することができず、表示装置の電気特性が劣化する。
【０１６１】
なお、前述したように、比較例１では、保護膜１３３は、原料液を液滴として吐出して塗布することにより形成されたものではない。そのため、保護膜１３３を例えばフォトリソグラフィおよびエッチングでパターニングすることにより、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３の周辺部を保護膜１３３により覆うことができる。したがって、領域ＡＲ３で、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３の側面、および、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３のうち領域ＡＲ１側と反対側の端部は、保護膜１３３により覆われている。
【０１６２】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態１では、保護膜３３のうち領域ＡＲ２に形成された部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２は、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成された部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄い。すなわち、保護膜３３の部分Ｐ３３のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成された部分の膜厚ＴＨ２は、保護膜３３の部分Ｐ３２のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ１上に形成された部分の膜厚ＴＨ１よりも薄い。
【０１６３】
このような場合、比較例１に比べ、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＧ１における段差部ＳＴＰ１の高さが低くなる。そのため、段差部ＳＴＰ１を跨ぐように配置された配線基板ＷＳ１を、異方性導電フィルムＣＦ１を介して基板３１に押し付ける際に、異方性導電フィルムＣＦ１内の複数の金属粒子ＭＰ１が、異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向につぶれて接触する接触しやすさが、異方性導電フィルムＣＦ１の面内で略均一になる。したがって、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３すなわち電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とを、電気的に安定して接続することができる。
【０１６４】
すなわち、本実施の形態１では、電極基板ＥＳに含まれる基板３１の上面の２つの領域の間、すなわち領域ＡＲ１と領域ＡＲ２との間で、保護膜３３の膜厚が異なるように、保護膜３３の膜厚を容易に調整することができる。そのため、保護膜３３の端部ＥＧ１における段差部を跨ぐように配置された電極端子ＥＴ２と、電極端子ＥＴ１と、を電気的に安定して接続することができる。したがって、表示装置の電気特性を向上させることができる。
【０１６５】
また、本実施の形態１では、保護膜３３は、保護膜形成用の原料液を液滴として吐出して塗布することにより形成されたものである。そのため、保護膜３３の部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２を、保護膜３３の部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄くするために、以下のような方法を行う必要がない。すなわち、例えば、基板３１の上面全面に第１絶縁膜を形成し、形成された第１絶縁膜をパターニングして領域ＡＲ２における第１絶縁膜を除去した後、再び基板３１の上面全面に第２絶縁膜を形成し、形成された第２絶縁膜をパターニングする方法を行う必要がない。したがって、保護膜３３を形成する工程の工程数を削減することができる。
【０１６６】
さらに、本実施の形態１では、保護膜３３の部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２を、保護膜３３の部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄くするために、例えばハーフトーンマスクなどのフォトマスクを準備する必要がない。したがって、電極基板の製造コストを低減することができ、保護膜３３を形成する工程の工程数を削減することができる。
【０１６７】
なお、例えばインクジェット法または電界ジェット法などの、原料液を液滴として吐出して塗布する方法によるパターニングの形状精度は、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより絶縁膜をパターニングする方法によるパターニングの形状精度よりも低い。具体的には、図１６および図１８を用いて説明した複数のドットのピッチＰＴ１の最小値は、７０μｍ程度であるが、Ｘ軸方向における電極端子ＥＴ１の配列ピッチＤＳ１は、１００μｍ程度であり、ピッチＰＴ１の最小値と同じオーダーにある。そのため、原料液を液滴として吐出して塗布することにより保護膜３３を形成する方法では、領域ＡＲ３で、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３の中央部が、保護膜３３により露出し、かつ、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３の周辺部が、保護膜３３により覆われるように、保護膜３３をパターニングすることはできない。したがって、領域ＡＲ３で、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３の側面、および、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３のうち領域ＡＲ１側と反対側の端部は、保護膜３３から露出している。すなわち、領域ＡＲ３に形成された部分の配線部ＷＴＰの側面は、保護膜３３から露出している。
【０１６８】
好適には、Ｘ軸方向における電極端子ＥＴ１の配列ピッチＤＳ１は、１００〜２０００μｍである。このような配列ピッチＤＳ１の範囲では、原料液を液滴として吐出して塗布することにより、保護膜３３の部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２を、保護膜３３の部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも容易に薄くできるという利点が、パターニングの形状精度が低いという欠点を、大きく上回る。したがって、配列ピッチＤＳ１が１００μｍ未満の場合、または、配列ピッチＤＳ１が２０００μｍを超える場合に比べ、電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とを、電気的に安定して接続することができる効果が、より大きくなる。
【０１６９】
（実施の形態２）
実施の形態１では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、対向基板に含まれる基板の上面に、入力装置の検出電極が設けられたタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明した。それに対して、実施の形態２では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、対向基板に含まれる基板の上面に、入力装置の検出電極および駆動電極が設けられたタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。
【０１７０】
本実施の形態２の表示装置のうち、対向基板３以外の各部分については、実施の形態１の表示装置のうち、対向基板３以外の各部分と同様であるため、それらの説明を省略する。
【０１７１】
また、本実施の形態２では、駆動電極ＣＯＭＬ（図６参照）は、液晶表示デバイス２０（図１参照）の駆動電極としては動作するが、タッチ検出デバイス３０（図１参照）の駆動電極としては動作しない。したがって、実施の形態１と異なり、駆動電極ＣＯＭＬとして、複数の駆動電極が設けられていなくてもよく、例えば実施の形態１の複数の駆動電極ＣＯＭＬが結合して一体化した１つの駆動電極が設けられていてもよい。
【０１７２】
＜電極基板の構成＞
図２４は、実施の形態２の電極基板を示す平面図である。図２５および図２６は、実施の形態２の電極基板を示す断面図である。図２５は、図２４のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図２６は、図１０の断面の一部に対応した断面図である。
【０１７３】
本実施の形態２における対向基板３としての電極基板ＥＳは、基板３１と、導体パターンＣＢ１と、保護膜３３と、複数のブリッジ電極ＢＥ１と、を有する。本実施の形態２における基板３１については、実施の形態１における基板３１と同様にすることができる。
【０１７４】
導体パターンＣＢ１は、複数の検出電極ＴＤＬと、複数の電極部群ＥＰ２Ｇと、複数の配線部ＷＴＰと、を含む。本実施の形態２における配線部ＷＴＰについては、実施の形態１における配線部ＷＴＰと同様にすることができる。すなわち、複数の配線部ＷＴＰの各々は、平面視において、基板３１の上面の領域ＡＲ１から、基板３１の上面の領域ＡＲ２を経て、基板３１の上面の領域ＡＲ３にかけて、基板３１の上面に、連続的に形成されている。複数の配線部ＷＴＰの各々は、引き回し配線ＷＲＴと、電極端子ＥＴ１と、を含む。導体パターンＣＢ１のうち、表示領域Ａｄで、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の電極部群ＥＰ２Ｇからなる導体パターンを、導体パターンＣＢ１１とする。
【０１７５】
配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ１に形成された部分ＰＲ１は、引き回し配線ＷＲＴの一部であり、配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２は、引き回し配線ＷＲＴの他の部分と、電極端子ＥＴ１の一部と、を含み、配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ３に形成された部分ＰＲ３は、電極端子ＥＴ１の他の部分である。導体パターンＣＢ１のうち、部分ＰＲ１からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１２とし、部分ＰＲ２からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１３とし、部分ＰＲ３からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１４とする。
【０１７６】
複数の検出電極ＴＤＬの各々は、タッチ検出デバイス３０の検出電極である。複数の検出電極ＴＤＬの各々は、表示領域Ａｄで、基板３１の上面に形成されている。表示領域Ａｄは、領域ＡＲ１を挟んで領域ＡＲ２と反対側の領域である。複数の検出電極ＴＤＬは、表示領域Ａｄで、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。複数の検出電極ＴＤＬの各々は、複数の電極部ＥＰ１と、複数の接続部ＣＮ１と、を含む。複数の電極部ＥＰ１の各々、および、複数の接続部ＣＮ１の各々は、表示領域Ａｄで、基板３１の上面に設けられている。複数の電極部ＥＰ１は、平面視において、Ｙ軸方向に配列されている。また、Ｙ軸方向で隣り合う２つの電極部ＥＰ１は、接続部ＣＮ１により、電気的に接続されている。図２４に示すように、複数の電極部ＥＰ１の各々は、平面視において、複数の導電線により形成されたメッシュ形状を有してもよく、複数の接続部ＣＮ１の各々は、平面視において、複数の導電線により形成されたメッシュ形状を有してもよい。
【０１７７】
複数の電極部群ＥＰ２Ｇの各々は、表示領域Ａｄで、基板３１の上面に形成されている。複数の電極部群ＥＰ２Ｇは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の電極部群ＥＰ２Ｇの各々は、複数の電極部ＥＰ２を含む。複数の電極部ＥＰ２の各々は、表示領域Ａｄで、基板３１の上面に設けられている。複数の電極部ＥＰ２は、平面視において、Ｘ軸方向に配列されている。図２４に示すように、複数の電極部ＥＰ２は、平面視において、複数の導電線により形成されたメッシュ形状を有してもよい。また、Ｘ軸方向で隣り合う２つの電極部ＥＰ２は、ブリッジ電極ＢＥ１により、電気的に接続されている。
【０１７８】
保護膜３３は、表示領域Ａｄ、ならびに、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、複数の検出電極ＴＤＬ、複数の電極部群ＥＰ２Ｇおよび複数の配線部ＷＴＰからなる導体パターンＣＢ１を覆うように形成されている。保護膜３３のうち、表示領域Ａｄに形成された部分を、部分Ｐ３１とし、領域ＡＲ１に形成された部分を、部分Ｐ３２とし、領域ＡＲ２に形成された部分を、部分Ｐ３３とする。本実施の形態２における部分Ｐ３２および部分Ｐ３３については、実施の形態１における部分Ｐ３２および部分Ｐ３３と同様にすることができる。
【０１７９】
保護膜３３のうち領域ＡＲ２に形成される部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２は、保護膜３３のうち表示領域Ａｄに形成される部分Ｐ３１の平均膜厚ＡＴ３よりも薄い。すなわち、保護膜３３の部分Ｐ３３のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成された部分の膜厚ＴＨ２は、保護膜３３の部分Ｐ３１のうち、検出電極ＴＤＬ上ブリッジ電極ＢＥ１下に形成される部分の膜厚ＴＨ３よりも薄い。
【０１８０】
なお、保護膜３３のうち表示領域Ａｄに形成される部分Ｐ３１の平均膜厚ＡＴ３は、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成される部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１と等しくてもよく、等しくなくてもよい。すなわち、保護膜３３の部分Ｐ３１のうち、検出電極ＴＤＬ上ブリッジ電極ＢＥ１下に形成される部分の膜厚ＴＨ３は、保護膜３３の部分Ｐ３２のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ１上に形成された部分の膜厚ＴＨ１と等しくてもよく、等しくなくてもよい。
【０１８１】
表示領域Ａｄでは、保護膜３３の部分Ｐ３１の上面には、部分Ｐ３１を貫通して、電極部ＥＰ２のＸ軸方向における第１の側（図２５中右側）の端部ＥＧ２１に達する開口部ＯＰ１が形成されている。また、表示領域Ａｄでは、保護膜３３の部分Ｐ３１の上面には、部分Ｐ３１を貫通して、電極部ＥＰ２のＸ軸方向における第１の側と反対側（図２５中左側）の端部ＥＧ２２に達する開口部ＯＰ２が形成されている。開口部ＯＰ１と開口部ＯＰ２との間に位置する部分の保護膜３３は、検出電極ＴＤＬに含まれる接続部ＣＮ１を覆うように、形成されている。
【０１８２】
開口部ＯＰ１の底部に露出した端部ＥＧ２１上、開口部ＯＰ２の底部に露出した端部ＥＧ２２上、開口部ＯＰ１の内壁、開口部ＯＰ２の内壁、および、開口部ＯＰ１と開口部ＯＰ２との間に位置する部分の保護膜３３上には、ブリッジ電極ＢＥ１が連続的に形成されている。すなわち、ブリッジ電極ＢＥ１は、表示領域Ａｄで、検出電極ＴＤＬを跨ぐように形成されている。
【０１８３】
ある電極部ＥＰ２を、電極部ＥＰ２１とし、電極部ＥＰ２１のＸ軸方向における第１の側（図２５中右側）に配置された電極部ＥＰ２であって、電極部ＥＰ２１と隣り合う電極部ＥＰ２を、電極部ＥＰ２２とする。このとき、電極部ＥＰ２１のＸ軸方向における第１の側の端部ＥＧ２１は、開口部ＯＰ１の底部に露出し、開口部ＯＰ１の底部に露出した端部ＥＧ２１は、ブリッジ電極ＢＥ１と電気的に接続されている。また、電極部ＥＰ２２の、Ｘ軸方向における第１の側と反対側（図２５中左側）の端部ＥＧ２２は、開口部ＯＰ２の底部に露出し、開口部ＯＰ２の底部に露出した端部ＥＧ２２は、ブリッジ電極ＢＥ１と電気的に接続されている。したがって、電極部ＥＰ２１の端部ＥＧ２１と、電極部ＥＰ２２の端部ＥＧ２２とは、ブリッジ電極ＢＥ１により電気的に接続されている。
【０１８４】
このようにして、Ｘ軸方向で隣り合う２つの電極部ＥＰ２同士は、ブリッジ電極ＢＥ１により電気的に接続されている。そして、Ｘ軸方向で隣り合う２つの電極部ＥＰ２同士がそれぞれブリッジ電極ＢＥ１により電気的に接続された複数の電極部ＥＰ２からなる電極部群ＥＰ２Ｇにより、駆動電極ＤＲＶＬが形成されている。複数の駆動電極ＤＲＶＬの各々は、タッチ検出デバイス３０の駆動電極である。複数の駆動電極ＤＲＶＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。したがって、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、複数の駆動電極ＤＲＶＬと交差する。
【０１８５】
＜電極基板の製造方法＞
本実施の形態２の電極基板の製造工程では、図１１を用いて説明した工程を行って基板３１を準備した後、図１２を用いて説明した工程を行って複数の配線部ＷＴＰを形成する。その際に、表示領域Ａｄで、基板３１の上面に、複数の配線部ＷＴＰの各々とそれぞれ電気的に接続された複数の検出電極ＴＤＬ、および、複数の電極部群ＥＰ２Ｇを形成する。表示領域Ａｄは、領域ＡＲ１を挟んで領域ＡＲ２と反対側の領域である。
【０１８６】
次に、図１３を用いて説明した工程を行って保護膜３３を形成する。その際に、実施の形態１で前述したように、領域ＡＲ１、領域ＡＲ２および表示領域Ａｄで、基板３１の上面に、原料液を液滴として吐出して塗布することにより、複数の配線部ＷＴＰ、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の電極部群ＥＰ２Ｇを覆うように、保護膜３３を形成する。
【０１８７】
本実施の形態２では、領域ＡＲ２における基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量を、表示領域Ａｄにおける基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量よりも少なくする。これにより、図２６に示すように、保護膜３３のうち領域ＡＲ２に形成される部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２を、保護膜３３のうち表示領域Ａｄに形成される部分Ｐ３１の平均膜厚ＡＴ３よりも薄くする。このとき、保護膜３３の部分Ｐ３３のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成された部分の膜厚ＴＨ２が、保護膜３３の部分Ｐ３１のうち、検出電極ＴＤＬ上ブリッジ電極ＢＥ１下に形成される部分の膜厚ＴＨ３よりも薄い。
【０１８８】
すなわち、領域ＡＲ２における基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量を、表示領域Ａｄにおける基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量よりも少なくする。これにより、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成される部分の保護膜３３の膜厚ＴＨ２を、検出電極ＴＤＬ上ブリッジ電極ＢＥ１下に形成される部分の保護膜３３の膜厚ＴＨ３よりも薄くする。
【０１８９】
次に、図２５に示すように、保護膜３３のうち、表示領域Ａｄに形成された部分Ｐ３１に、部分Ｐ３１を貫通して電極部ＥＰ２１の端部ＥＧ２１に達する開口部ＯＰ１、および、部分Ｐ３１を貫通して電極部ＥＰ２２の端部ＥＧ２２に達する開口部ＯＰ２を形成する。
【０１９０】
次に、図２５に示すように、開口部ＯＰ１の底部に露出した端部ＥＧ２１上、開口部ＯＰ２の底部に露出した端部ＥＧ２２上、開口部ＯＰ１の内壁、開口部ＯＰ２の内壁、および、開口部ＯＰ１と開口部ＯＰ２との間に位置する部分の保護膜３３上に、ブリッジ電極ＢＥ１を、連続的に形成する。ブリッジ電極ＢＥ１は、表示領域Ａｄで、検出電極ＴＤＬを跨ぐように形成される。
【０１９１】
その後、図２０および図１０を用いて説明した工程を行って、配線基板ＷＳ１を電極端子ＥＴ１と電気的に接続する。
【０１９２】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態２では、実施の形態１と同様に、保護膜３３のうち領域ＡＲ２に形成された部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２は、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成された部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄い。すなわち、保護膜３３の部分Ｐ３３のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成された部分の膜厚ＴＨ２は、保護膜３３の部分Ｐ３１のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ１上に形成された部分の膜厚ＴＨ１よりも薄い。
【０１９３】
これにより、実施の形態１と同様に、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３すなわち電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とを、電気的に安定して接続することができる。
【０１９４】
さらに、本実施の形態２では、保護膜３３のうち領域ＡＲ２に形成された部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２は、保護膜３３のうち表示領域Ａｄに形成された部分Ｐ３１の平均膜厚ＡＴ３よりも薄い。すなわち、保護膜３３の部分Ｐ３３のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成された部分の膜厚ＴＨ２は、保護膜３３の部分Ｐ３１のうち、検出電極ＴＤＬ上に形成された部分の膜厚ＴＨ３よりも薄い。
【０１９５】
これにより、平面視において、駆動電極ＤＲＶＬと検出電極ＴＤＬとが交差する交差領域で、ブリッジ電極ＢＥ１と検出電極ＴＤＬとの間の容量ＣＰ１を低減することができるので、駆動電極ＤＲＶＬと検出電極ＴＤＬとの間の容量を低減することができる。あるいは、駆動電極ＤＲＶＬと検出電極ＴＤＬとが交差する交差領域で、駆動電極ＤＲＶＬと検出電極ＴＤＬとが短絡することを防止することができる。
【０１９６】
（実施の形態３）
実施の形態１では、検出電極に接続された配線部を覆うように形成された保護膜のうち、基板の外周部側に位置する部分の膜厚が、基板の中央部側に位置する部分の膜厚よりも薄い例について説明した。それに対して、実施の形態３では、検出電極に接続された配線部を覆うように形成された部分の保護膜の膜厚が、検出電極を覆うように形成された部分の保護膜の膜厚よりも薄い例について説明する。
【０１９７】
本実施の形態３の表示装置における全体構成は、実施の形態１の表示装置における全体構成と同様にすることができ、その説明を省略する。
【０１９８】
＜モジュールおよびタッチ検出機能付き表示デバイス＞
図２７は、実施の形態３の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。図２８は、実施の形態３の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。図２８は、図２７のＡ−Ａ線に沿った断面の一部を示す断面図である。なお、図２７では、保護膜３３の部分Ｐ３１、部分Ｐ３２および部分Ｐ３３、ならびに、配線基板ＷＳ１を二点鎖線により示している。
【０１９９】
図２７に示すように、本実施の形態３におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０は、実施の形態１におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０と同様に、基板２１と、基板３１と、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬとを有する。
【０２００】
本実施の形態３は、複数の駆動電極ＣＯＭＬが、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている点で、実施の形態１と異なる。また、本実施の形態３は、複数の検出電極ＴＤＬが、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている点で、実施の形態１と異なる。したがって、以下では、図２７および図２８を参照し、実施の形態１で図５および図６を用いて説明した部分と異なる部分を、主として説明する。
【０２０１】
また、図示は省略するが、本実施の形態３では、実施の形態１と異なり、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、Ｙ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘと重なるように設けられている。
【０２０２】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、アレイ基板２と、対向基板３と、偏光板４と、偏光板５と、液晶層６と、封止部７と、を有する。対向基板３は、アレイ基板２の主面としての上面と、対向基板３の主面としての下面とが対向するように、アレイ基板２と対向配置されている。液晶層６は、アレイ基板２と対向基板３との間に設けられている。
【０２０３】
本実施の形態３における偏光板４、偏光板５、液晶層６および封止部７については、実施の形態１における偏光板４、偏光板５、液晶層６および封止部７と同様にすることができる。
【０２０４】
図２８に示すように、アレイ基板２は、基板２１と、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、絶縁膜２４と、複数の画素電極２２とを有する。本実施の形態３における基板２１、複数の駆動電極ＣＯＭＬ、絶縁膜２４および複数の画素電極２２については、複数の駆動電極ＣＯＭＬが、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている点を除き、実施の形態１と同様にすることができる。
【０２０５】
一方、本実施の形態３では、実施の形態１と異なり、同一の列に属する複数の副画素ＳＰｉｘが１つの駆動電極ＣＯＭＬを共有するようになっている。前述したように、複数の信号線ＳＧＬは、表示領域Ａｄで、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている（図７参照）。そのため、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は、複数の信号線ＳＧＬの各々が延在する方向と平行である。
【０２０６】
本実施の形態３の表示装置の液晶表示デバイス２０におけるゲートドライバ１２、ソースドライバ１３および駆動電極ドライバ１４を用いた表示動作を、実施の形態１の表示装置の液晶表示デバイス２０における表示動作と同様に行うことができる。
【０２０７】
本実施の形態３の表示装置１における駆動電極ＣＯＭＬは、実施の形態１の表示装置１における駆動電極ＣＯＭＬと同様に、液晶表示デバイス２０の駆動電極として動作し、かつ、タッチ検出デバイス３０の駆動電極として動作する。
【０２０８】
本実施の形態３でも、実施の形態１と同様に、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との平面視における交差部には、静電容量が発生する。そして、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との間の静電容量に基づいて、入力位置が検出される。すなわち、検出電極ＴＤＬが形成された基板３１（図２８参照）のような電極基板と、駆動電極ＣＯＭＬとにより、入力位置を検出する検出部、すなわち入力装置が形成される。
【０２０９】
本実施の形態３の表示装置のタッチ検出デバイス３０におけるタッチ検出動作も、実施の形態１の表示装置のタッチ検出デバイス３０におけるタッチ検出動作と同様にすることができる。
【０２１０】
実施の形態１で図８を用いて説明したように、平面視において、互いに交差した複数の駆動電極ＣＯＭＬと複数の検出電極ＴＤＬは、マトリクス状に配列された静電容量式タッチセンサを形成する。よって、タッチ検出デバイス３０のタッチ検出面全体を走査することにより、指などが接触または近接した位置を検出することが可能である。
【０２１１】
また、本実施の形態３のタッチ検出デバイス３０として、実施の形態１のタッチ検出デバイス３０と同様に、自己容量方式のタッチ検出デバイス３０を適用することができる。
【０２１２】
図２７および図２８に示すように、対向基板３は、基板３１と、カラーフィルタ３２と、導体パターンＣＢ１と、保護膜３３と、を有する。本実施の形態３における基板３１およびカラーフィルタ３２については、実施の形態１における基板３１およびカラーフィルタ３２と同様にすることができる。
【０２１３】
導体パターンＣＢ１は、基板３１の上面に形成されている。導体パターンＣＢ１は、複数の検出電極ＴＤＬと、複数の配線部ＷＴＰと、を含む。複数の検出電極ＴＤＬは、タッチ検出デバイス３０の検出電極であり、基板３１の上面に形成されている。複数の配線部ＷＴＰの各々は、引き回し配線ＷＲＴと、電極端子ＥＴ１と、を含む。引き回し配線ＷＲＴおよび電極端子ＥＴ１は、基板３１の上面に形成されている。保護膜３３は、基板３１の上面上に、導体パターンＣＢ１を覆うように形成されている。なお、導体パターンＣＢ１および保護膜３３の形状については、後述する。
【０２１４】
＜電極基板の構成＞
次に、図２７〜図３０を参照し、電極基板の構成について、比較例２の電極基板の構成と対比しながら説明する。なお、本実施の形態３では、電極基板として、入力装置付き表示装置において検出電極が形成される対向基板として用いられる電極基板を例示して説明する。
【０２１５】
図２９は、実施の形態３の電極基板を示す断面図である。図３０は、比較例２の電極基板を示す断面図である。図２９は、図２７のＤ−Ｄ線に沿った断面図の一部を示す。図３０は、図２９の断面に対応した断面図である。
【０２１６】
本実施の形態３における対向基板３としての電極基板ＥＳは、基板３１と、導体パターンＣＢ１と、保護膜３３と、を有する。前述したように、本実施の形態３における基板３１は、実施の形態１における基板３１と同様にすることができる。
【０２１７】
導体パターンＣＢ１は、複数の検出電極ＴＤＬと、複数の配線部ＷＴＰと、を含む。複数の検出電極ＴＤＬの各々は、タッチ検出デバイス３０の検出電極である。複数の検出電極ＴＤＬの各々は、表示領域Ａｄで、基板３１の上面に形成されている。導体パターンＣＢ１のうち、表示領域Ａｄで、複数の検出電極ＴＤＬからなる導体パターンを、導体パターンＣＢ１１とする。
【０２１８】
本実施の形態３における複数の検出電極ＴＤＬは、複数の検出電極ＴＤＬが、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている点を除き、実施の形態１における複数の検出電極ＴＤＬと同様にすることができる。
【０２１９】
また、本実施の形態３における配線部ＷＴＰについては、図９および図１０に示した、実施の形態１における配線部ＷＴＰと同様にすることができる。すなわち、複数の配線部ＷＴＰの各々は、平面視において、基板３１の上面の領域ＡＲ１から、基板３１の上面の領域ＡＲ２を経て、基板３１の上面の領域ＡＲ３にかけて、基板３１の上面に、連続的に形成されている。複数の配線部ＷＴＰの各々は、引き回し配線ＷＲＴと、電極端子ＥＴ１と、を含む。
【０２２０】
配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ１に形成された部分ＰＲ１は、引き回し配線ＷＲＴの一部であり、配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ２に形成された部分ＰＲ２は、引き回し配線ＷＲＴの他の部分と、電極端子ＥＴ１の一部と、を含み、配線部ＷＴＰのうち領域ＡＲ３に形成された部分ＰＲ３は、電極端子ＥＴ１の他の部分である。導体パターンＣＢ１のうち、部分ＰＲ１からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１２とし、部分ＰＲ２からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１３とし、部分ＰＲ３からなる導体パターンを導体パターンＣＢ１４とする。
【０２２１】
一方、図２９に示すように、本実施の形態３では、実施の形態１と異なり、領域ＡＲ１の面積に対する、複数の引き回し配線ＷＲＴの面積の総和の比が、表示領域Ａｄの面積に対する、複数の検出電極ＴＤＬの面積の総和の比よりも大きい。すなわち、領域ＡＲ１における複数の引き回し配線ＷＲＴの面積率が、表示領域Ａｄにおける複数の検出電極ＴＤＬの面積率よりも大きい。このとき、導体パターンＣＢ１２の上面の平均高さ位置ＡＨ２は、導体パターンＣＢ１１の上面の平均高さ位置ＡＨ１よりも高い。
【０２２２】
本実施の形態３でも、実施の形態１と同様に、保護膜３３は、表示領域Ａｄ、ならびに、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の配線部ＷＴＰからなる導体パターンＣＢ１を覆うように形成されている。保護膜３３のうち、表示領域Ａｄに形成された部分を、部分Ｐ３１とし、領域ＡＲ１に形成された部分を、部分Ｐ３２とし、領域ＡＲ２に形成された部分を、部分Ｐ３３とする。
【０２２３】
本実施の形態３では、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成された部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１は、保護膜３３のうち表示領域Ａｄに形成された部分の保護膜３３の平均膜厚ＡＴ３よりも薄い。
【０２２４】
なお、保護膜３３のうち表示領域Ａｄに形成された部分Ｐ３１の平均膜厚ＡＴ３とは、表示領域Ａｄにおける導体パターンＣＢ１、すなわち導体パターンＣＢ１１の上面の平均高さ位置ＡＨ１と、保護膜３３の部分Ｐ３１の上面の平均高さ位置ＨＴ１と、の差を意味する。また、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成された部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１とは、領域ＡＲ１における導体パターンＣＢ１、すなわち導体パターンＣＢ１２の上面の平均高さ位置ＡＨ２と、保護膜３３の部分Ｐ３２の上面の平均高さ位置ＨＴ２と、の差を意味する。
【０２２５】
このような本実施の形態３とは異なり、図３０に示すように、保護膜１３３のうち領域ＡＲ１に形成された部分Ｐ１３２の平均膜厚ＡＴ１が、保護膜１３３のうち表示領域Ａｄに形成された部分Ｐ１３１の平均膜厚ＡＴ３と等しい例を、比較例２とする。この比較例２では、保護膜１３３は、例えば基板３１の上面全面に保護膜１３３となる絶縁膜を形成した後、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングで絶縁膜をパターニングする方法により、形成されたものである。また、比較例２では、保護膜１３３の部分Ｐ１３２の上面の平均高さ位置ＨＴ２は、保護膜１３３の部分Ｐ１３１の上面の平均高さ位置ＨＴ１よりも高い。
【０２２６】
比較例２では、保護膜１３３の部分Ｐ１３２の上面と、保護膜１３３の部分Ｐ１３１の上面との間の段差部ＳＴＰ２の高さが高くなる。段差部ＳＴＰ２の高さが高くなると、表示領域Ａｄのうち領域ＡＲ１と隣り合う部分において、段差部ＳＴＰ２のうち表示領域Ａｄに形成された部分が保護膜１３３のムラとして視認されるため、表示領域Ａｄで表示される画像の視認性が低下する。
【０２２７】
すなわち、比較例２では、電極基板に含まれる基板３１の上面の２つの領域の間、すなわち表示領域Ａｄと領域ＡＲ１との間で、保護膜１３３の膜厚が異なるように、保護膜１３３の膜厚を容易に調整することは、困難である。そのため、保護膜１３３の部分Ｐ１３１の上面と、保護膜１３３の部分Ｐ１３２の上面との間の段差部ＳＴＰ２が保護膜１３３のムラとして視認され、表示領域Ａｄで表示される画像の視認性が低下し、表示装置の光学特性が劣化する。
【０２２８】
一方、本実施の形態３では、保護膜３３は、例えばインクジェット法または電界ジェット法などの、原料液を液滴として吐出して塗布する方法により形成されたものである。また、領域ＡＲ１における基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量を、表示領域Ａｄにおける基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量よりも少なくする。これにより、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成される部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１を、保護膜３３のうち表示領域Ａｄに形成される部分の保護膜３３の平均膜厚ＡＴ３よりも薄くする。したがって、保護膜３３の部分Ｐ３２の上面の平均高さ位置ＨＴ２と、保護膜３３の部分Ｐ３１の上面の平均高さ位置ＨＴ１との差が、比較例２に比べ、小さくなる。
【０２２９】
本実施の形態３では、比較例２に比べ、保護膜３３の部分Ｐ３２の上面と、保護膜３３の部分Ｐ３１の上面との間の段差部ＳＴＰ２（図３０参照）の高さを低くすることができる。したがって、段差部ＳＴＰ２の高さを低くすることにより、表示領域Ａｄのうち領域ＡＲ１と隣り合う部分において、段差部ＳＴＰ２のうち表示領域Ａｄに形成された部分が保護膜３３のムラとして視認されにくくなり、表示領域Ａｄで表示される画像の視認性を向上させることができる。
【０２３０】
すなわち、本実施の形態３では、電極基板ＥＳに含まれる基板３１の上面の２つの領域の間、すなわち表示領域Ａｄと領域ＡＲ１との間で、保護膜３３の膜厚が異なるように、保護膜３３の膜厚を容易に調整することができる。そのため、保護膜３３の部分Ｐ３２の上面と、保護膜３３の部分Ｐ３１の上面との間の段差部が保護膜３３のムラとして視認されることを防止または抑制することができる。したがって、表示領域Ａｄで表示される画像の視認性を向上させることができるので、表示装置の光学特性を向上させることができる。
【０２３１】
好適には、領域ＡＲ１における基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量をさらに調整することにより、保護膜３３の部分Ｐ３２の上面と、保護膜３３の部分Ｐ３１の上面の間に段差部が形成されないようにすることができる。すなわち、保護膜３３の部分Ｐ３２の上面の平均高さ位置ＨＴ２を、保護膜３３の部分Ｐ３１の上面の平均高さ位置ＨＴ１と等しくすることができる。したがって、表示領域Ａｄのうち領域ＡＲ１と隣り合う部分において、保護膜３３のムラが全く視認されなくなり、表示領域Ａｄで表示される画像の視認性をさらに向上させることができる。
【０２３２】
＜電極基板の製造方法＞
本実施の形態３の電極基板の製造工程では、図１１を用いて説明した工程を行って基板３１を準備した後、図１２を用いて説明した工程を行って複数の配線部ＷＴＰを形成する。その際に、表示領域Ａｄで、基板３１の上面に、複数の検出電極ＴＤＬを形成し、領域ＡＲ１で、基板３１の上面に、複数の引き回し配線ＷＲＴを形成することにより、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の引き回し配線ＷＲＴからなる導体パターンＣＢ１を形成する。領域ＡＲ１の面積に対する、複数の引き回し配線ＷＲＴの面積の総和の比は、表示領域Ａｄの面積に対する、複数の検出電極ＴＤＬの面積の総和の比よりも大きい。
【０２３３】
次に、図１３を用いて説明した工程を行って保護膜３３を形成する際に、実施の形態１で前述したように、表示領域Ａｄおよび領域ＡＲ１で、基板３１の上面に、原料液を液滴として吐出して塗布することにより、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の引き回し配線ＷＲＴを覆うように、保護膜３３を形成する。
【０２３４】
本実施の形態３では、領域ＡＲ１における基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量を、表示領域Ａｄにおける基板３１の上面の単位面積当たりの原料液の塗布量よりも少なくする。これにより、図２９に示すように、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成される部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１を、保護膜３３のうち表示領域Ａｄに形成される部分Ｐ３１の平均膜厚ＡＴ３よりも薄くする。
【０２３５】
その後、図２０および図１０を用いて説明した工程を行って、配線基板ＷＳ１を電極端子ＥＴ１と電気的に接続する。
【０２３６】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態３では、領域ＡＲ１の面積に対する、複数の引き回し配線ＷＲＴの面積の総和の比が、表示領域Ａｄの面積に対する、複数の検出電極ＴＤＬの面積の総和の比よりも大きい。そして、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成された部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１は、保護膜３３のうち表示領域Ａｄに形成された部分Ｐ３１の平均膜厚ＡＴ３よりも薄い。
【０２３７】
これにより、保護膜３３の部分Ｐ３２の上面と、保護膜３３の部分Ｐ３１の上面との間の段差部ＳＴＰ２（図３０参照）の高さを低くすることができる。したがって、段差部ＳＴＰ２の高さを低くすることにより、表示領域Ａｄのうち領域ＡＲ１と隣り合う部分において、段差部ＳＴＰ２のうち表示領域Ａｄに形成された部分が保護膜３３のムラとして視認されにくくなり、表示領域Ａｄで表示される画像の視認性を向上させることができる。
【０２３８】
なお、本実施の形態３では、保護膜３３の部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１を、保護膜３３の部分Ｐ３１の平均膜厚ＡＴ３よりも薄くすることに加え、実施の形態１と同様に、図１０に示したように、保護膜３３のうち領域ＡＲ２に形成された部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２を、保護膜３３の部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄くしてもよい。すなわち、保護膜３３の部分Ｐ３３のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成された部分の膜厚ＴＨ２を、保護膜３３の部分Ｐ３１のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ１上に形成された部分の膜厚ＴＨ１よりも薄くしてもよい。
【０２３９】
これにより、実施の形態１と同様に、保護膜３３の領域ＡＲ３側の端部ＥＧ１における段差部ＳＴＰ１の高さが低くなる。そのため、段差部ＳＴＰ１を跨ぐように配置された配線基板ＷＳ１を、異方性導電フィルムＣＦ１を介して基板３１に押し付ける際に、異方性導電フィルムＣＦ１内の複数の金属粒子ＭＰ１が、異方性導電フィルムＣＦ１の厚さ方向につぶれて接触する接触しやすさが、異方性導電フィルムＣＦ１の面内で略均一になる。したがって、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３すなわち電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とを、電気的に安定して接続することができる。
【０２４０】
あるいは、本実施の形態３では、実施の形態１と異なり、保護膜３３のうち領域ＡＲ２に形成された部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２を、保護膜３３の部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄くしなくてもよい。
【０２４１】
（実施の形態４）
実施の形態１では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、表示装置の駆動電極ＣＯＭＬが入力装置の駆動電極を兼ねた、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明した。それに対して、実施の形態４では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、表示装置の駆動電極ＣＯＭＬと入力装置の駆動電極とが別々に形成された、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。
【０２４２】
なお、本実施の形態４の表示装置は、液晶表示装置を始めとして、有機ＥＬ表示装置などの各種の表示装置に一体として入力装置が備えられたインセルタイプの表示装置に適用することができる。
【０２４３】
＜タッチ検出機能付き表示デバイス＞
図３１は、実施の形態４の表示装置におけるタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【０２４４】
本実施の形態４の表示装置のうち、対向基板３以外の各部分については、実施の形態１の表示装置のうち、対向基板３以外の各部分と同様であるため、それらの説明を省略する。したがって、以下では、図３１を参照し、実施の形態１で図５、図６、図９および図１０を用いて説明した部分と異なる部分を、主として説明する。
【０２４５】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、アレイ基板２と、対向基板３と、偏光板４と、偏光板５と、液晶層６と、封止部７と、を有する。対向基板３は、アレイ基板２の主面としての上面と、対向基板３の主面としての下面とが対向するように、アレイ基板２と対向配置されている。
【０２４６】
本実施の形態４における偏光板４、偏光板５、液晶層６および封止部７については、実施の形態１における偏光板４、偏光板５、液晶層６および封止部７と同様にすることができる。
【０２４７】
本実施の形態４では、アレイ基板２は、駆動電極ＣＯＭＬを有する。駆動電極ＣＯＭＬは、液晶表示デバイス２０（図１参照）の駆動電極としては動作するが、タッチ検出デバイス３０（図１参照）の駆動電極としては動作しない。したがって、実施の形態１と異なり、駆動電極ＣＯＭＬとして、複数の駆動電極が設けられていなくてもよく、例えば実施の形態１の駆動電極ＣＯＭＬが結合して一体化した１つの駆動電極が設けられていてもよい。
【０２４８】
本実施の形態４におけるアレイ基板２のうち駆動電極ＣＯＭＬ以外の部分については、実施の形態１におけるアレイ基板２の各部分と同様であり、それらの説明を省略する。
【０２４９】
本実施の形態４では、対向基板３は、基板３１と、カラーフィルタ３２と、駆動電極ＤＲＶＬと、絶縁膜３４と、導体パターンＣＢ１と、保護膜３３とを有する。基板３１は、主面としての上面と、上面と反対側の主面としての下面とを有する。カラーフィルタ３２は、基板３１の下面に形成されている。駆動電極ＤＲＶＬは、タッチ検出デバイス３０の駆動電極であり、基板３１の上面に形成されている。絶縁膜３４は、基板３１の上面上に、駆動電極ＤＲＶＬを覆うように形成されている。
【０２５０】
導体パターンＣＢ１は、複数の検出電極ＴＤＬと、複数の配線部ＷＴＰと、を含む（図５参照）。複数の検出電極ＴＤＬの各々は、タッチ検出デバイス３０の検出電極である。複数の検出電極ＴＤＬの各々、および、複数の配線部ＷＴＰの各々は、表示領域Ａｄで、絶縁膜３４上に形成されている。本実施の形態４における導体パターンＣＢ１については、導体パターンＣＢ１が、基板３１の上面に、駆動電極ＤＲＶＬおよび絶縁膜３４を介して形成されている点を除き、実施の形態１における導体パターンＣＢ１と同様にすることができる。
【０２５１】
保護膜３３は、絶縁膜３４上に、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数の配線部ＷＴＰ（図５参照）からなる導体パターンＣＢ１を覆うように形成されている。本実施の形態４における保護膜３３については、保護膜３３が、基板３１の上面に、駆動電極ＤＲＶＬおよび絶縁膜３４を介して形成されている点を除き、実施の形態１における保護膜３３と同様にすることができる。
【０２５２】
本実施の形態４では、駆動電極ＣＯＭＬは、液晶表示デバイス２０の駆動電極として動作するが、タッチ検出デバイス３０の駆動電極としては動作しない。駆動電極ＤＲＶＬは、タッチ検出デバイス３０の駆動電極として動作するが、液晶表示デバイス２０の駆動電極としては動作しない。このため、駆動電極ＣＯＭＬによる表示動作と、駆動電極ＤＲＶＬによるタッチ検出動作とを、独立に並行して行うことができる。
【０２５３】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態４でも、実施の形態１と同様に、図１０に示したように、保護膜３３のうち領域ＡＲ２に形成された部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２は、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成された部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄い。すなわち、保護膜３３の部分Ｐ３３のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ２上に形成された部分の膜厚ＴＨ２は、保護膜３３の部分Ｐ３１のうち、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ１上に形成された部分の膜厚ＴＨ１よりも薄い。
【０２５４】
これにより、実施の形態１と同様に、配線部ＷＴＰの部分ＰＲ３すなわち電極端子ＥＴ１と、電極端子ＥＴ２とを、電気的に安定して接続することができる。
【０２５５】
さらに、本実施の形態４では、表示装置の駆動電極ＣＯＭＬと入力装置の駆動電極ＤＲＶＬとが別々に形成されている。これにより、駆動電極ＣＯＭＬにより表示動作を行う表示期間と、駆動電極ＤＲＶＬによりタッチ検出動作を行うタッチ検出期間とを分割する必要がなくなるので、見かけ上タッチ検出の検出速度を向上させることができるなど、タッチ検出の検出性能を向上させることができる。
【０２５６】
なお、実施の形態１および実施の形態４では、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明した。しかし、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、オンセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用することもできる。オンセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置とは、タッチパネルに含まれる駆動電極および検出電極のいずれもが、液晶表示装置に内蔵されていないタッチ検出機能付き液晶表示装置を意味する。
【０２５７】
＜入力装置＞
図３２は、実施の形態４の第１変形例としての入力装置を示す断面図である。図３２に示す例では、入力装置は、図３１に示したタッチ検出機能付き表示デバイスのうち、基板３１、および、基板３１よりも上方に位置する部分と略同様の構成を有する。
【０２５８】
図３２に示すように、本第１変形例としての入力装置は、基板３１と、駆動電極ＤＲＶＬと、絶縁膜３４と、導体パターンＣＢ１と、保護膜３３とを有する。また、図３２では、図３１に示す偏光板５に代え、カバーガラスからなる基板５ａが設けられている。
【０２５９】
導体パターンＣＢ１は、複数の検出電極ＴＤＬと、複数の配線部ＷＴＰ（図１０参照）と、を含む。また、図３２では図示は省略するが、複数の検出電極ＴＤＬは、複数の配線部ＷＴＰを介して、例えば図１に示すタッチ検出部４０に接続されている。したがって、本第１変形例としての入力装置は、基板３１と、駆動電極ＤＲＶＬと、複数の検出電極ＴＤＬと、例えば図１に示すタッチ検出部４０のような検出回路と、保護膜３３と、を有する。
【０２６０】
このような入力装置でも、図１０に示したように、保護膜３３のうち領域ＡＲ２に形成された部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２を、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成された部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄くすることができるので、実施の形態１の表示装置が有する効果と同様の効果を有する。
【０２６１】
＜自己容量方式のタッチ検出機能＞
実施の形態１〜実施の形態４、および、実施の形態４の第１変形例では、タッチパネルとして、駆動電極と検出電極とが設けられた、相互容量方式のタッチパネルを適用した例について説明した。しかし、タッチパネルとして、検出電極のみが設けられた、自己容量方式のタッチパネルを適用することもできる。
【０２６２】
図３３および図３４は、自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【０２６３】
自己容量方式におけるタッチパネルでは、図３３に示すように、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬが、静電容量Ｃｒ１を有する検出回路ＳＣ１から切り離され、電源Ｖｄｄと電気的に接続された時に、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬに電荷量Ｑ１が蓄積される。次に、図３４に示すように、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬが電源Ｖｄｄから切り離され、静電容量Ｃｒ１を有する検出回路ＳＣ１と電気的に接続された時に、検出回路ＳＣ１に流れ出る電荷量Ｑ２を検出する。
【０２６４】
ここで、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接した場合、指による容量により、検出電極ＴＤＬの静電容量Ｃｘが変化し、検出電極ＴＤＬが検出回路ＳＣ１と接続された時に、検出回路ＳＣ１に流れ出る電荷量Ｑ２も変化する。したがって、流れ出る電荷量Ｑ２を検出回路ＳＣ１により測定して検出電極ＴＤＬの静電容量Ｃｘの変化を検出することにより、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接したか否かを判定することができる。
【０２６５】
図３２を用いて説明した入力装置が、自己容量方式のタッチ検出機能を備えた入力装置である場合、駆動電極ＤＲＶＬに代え、検出電極ＴＤＬが設けられる。このような自己容量方式のタッチ検出機能を備えた入力装置を、実施の形態４の第２変形例の入力装置とすると、本第２変形例の入力装置は、基板３１と、複数の検出電極ＴＤＬと、例えば図１に示すタッチ検出部４０のような検出回路と、保護膜３３と、を有する。また、本第２変形例の入力装置では、Ｘ軸方向（図５参照）にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向（図５参照）に間隔を空けて配列された複数の検出電極ＴＤＬと、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に間隔を空けて配列された複数の検出電極ＴＤＬとを有してもよい。このような場合、各方向に延在する複数の検出電極ＴＤＬの静電容量Ｃｘの変化を検出することにより、入力位置を二次元的に検出することができる。
【０２６６】
また、このような入力装置でも、図１０に示したように、保護膜３３のうち領域ＡＲ２に形成された部分Ｐ３３の平均膜厚ＡＴ２を、保護膜３３のうち領域ＡＲ１に形成された部分Ｐ３２の平均膜厚ＡＴ１よりも薄くすることができるので、実施の形態１の表示装置が有する効果と同様の効果を有する。
【０２６７】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０２６８】
また、前記実施の形態においては、開示例として液晶表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機ＥＬ表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることはいうまでもない。
【０２６９】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０２７０】
例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２７１】
本発明は、電極基板の製造方法、電極基板、表示装置および入力装置に適用して有効である。
【符号の説明】
【０２７２】
１  表示装置
２  アレイ基板
３  対向基板
４、５  偏光板
５ａ  基板
６  液晶層
７  封止部
１０  タッチ検出機能付き表示デバイス
１１  制御部
１２  ゲートドライバ
１３  ソースドライバ
１４  駆動電極ドライバ
１９  ＣＯＧ
２０  液晶表示デバイス（表示デバイス）
２１  基板
２２  画素電極
２４  絶縁膜
３０  タッチ検出デバイス
３１  基板
３２  カラーフィルタ
３２Ｂ、３２Ｇ、３２Ｒ  色領域
３３  保護膜
３４  絶縁膜
４０  タッチ検出部
４２  タッチ検出信号増幅部
４３  Ａ／Ｄ変換部
４４  信号処理部
４５  座標抽出部
４６  検出タイミング制御部
５１  ノズルヘッド
５２  原料液
Ａｄ  表示領域
ＡＨ１、ＡＨ２、ＨＴ１、ＨＴ２  平均高さ位置
ＡＲ１〜ＡＲ３  領域
Ａｓ  周辺領域
ＡＴ１〜ＡＴ３  平均膜厚
ＢＥ１  ブリッジ電極
Ｃ１  容量素子
Ｃ２、Ｃｒ１、Ｃｘ  静電容量
Ｃａｐ、ＣＰ１  容量
ＣＢ１、ＣＢ１１〜ＣＢ１４  導体パターン
ＣＦ１  異方性導電フィルム
ＣＦ２  導電膜
ＣＮ１  接続部
ＣＯＭＬ  駆動電極
Ｄ  誘電体
ＤＥＴ  電圧検出器
ＤＭ１、ＤＭ２  直径
ＤＲＶＬ  駆動電極
ＤＳ１、ＤＳ２  配列ピッチ
ＤＳ３、ＤＳ４  距離
ＤＴ、ＤＴ１、ＤＴ２  ドット
Ｅ１  駆動電極
Ｅ２  検出電極
ＥＧ１、ＥＧ２、ＥＧ２１、ＥＧ２２、ＥＧ３  端部
ＥＰ１、ＥＰ２、ＥＰ２１、ＥＰ２２  電極部
ＥＰ２Ｇ  電極部群
ＥＳ  電極基板
ＥＴ１、ＥＴ２  電極端子
ＧＣＬ  走査線
ＬＣ  液晶素子
ＭＰ１  金属粒子
ＯＰ１、ＯＰ２  開口部
Ｐ３１〜Ｐ３３、ＰＲ１〜ＰＲ３  部分
Ｐｉｘ  画素
ＰＴ１  ピッチ
Ｑ１、Ｑ２  電荷量
Ｒｅｓｅｔ  期間
Ｓ  交流信号源
ＳＣ１  検出回路
Ｓｃａｎ  スキャン方向
Ｓｇ  交流矩形波
ＳＧＬ  信号線
ＳＰｉｘ  副画素
ＳＴＰ１、ＳＴＰ２  段差部
ＴＤＬ  検出電極
ＴＨ１〜ＴＨ３  膜厚
Ｔｒ  ＴＦＴ素子
Ｖｃｏｍ  駆動信号
Ｖｄｄ  電源
Ｖｄｅｔ  検出信号
Ｖｄｉｓｐ  映像信号
Ｖｏｕｔ  信号出力
Ｖｐｉｘ  画素信号
Ｖｓｃａｎ  走査信号
Ｖｓｉｇ  画像信号
ＷＢ１  基体
ＷＤ１〜ＷＤ３  幅
ＷＲＣ、ＷＲＴ  引き回し配線
ＷＳ１  配線基板
ＷＴＰ  配線部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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