(57)【要約】【課題】薄膜キャパシタの転写工程、および転写後における転写基板の剥離工程を含まず、信頼性をより向上させることができるとともに、薄膜キャパシタの量産性に優れた薄膜キャパシタシートの製造方法を提供すること。【解決手段】薄膜キャパシタシートの製造方法は、金属箔によって構成される金属箔支持部材３１の表面に誘電体膜１２を形成する工程（ｂ）と、誘電体膜１２上に薄膜キャパシタの第１電極１１を形成する工程（ｃ）と、誘電体膜１２上および第１電極１１上にシート状の樹脂基材２を形成する工程（ｄ）と、第１電極１１が形成された面と反対側の樹脂基材２の面上に樹脂製の支持部材３２を形成する工程（ｄ）と、金属箔支持部材３１を除去する工程（ｅ）とを含む。【選択図】図４
2016039283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜キャパシタを含む薄膜キャパシタシートの製造方法であって、
金属箔によって構成される金属箔支持部材の表面に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に前記薄膜キャパシタの第１電極を形成する工程と、
前記誘電体膜上および前記第１電極上にシート状の樹脂基材を形成する工程と、
前記第１電極が形成された面と反対側の前記樹脂基材の面上に樹脂製の支持部材を形成する形成工程と、
前記金属箔支持部材を溶融させて除去する工程と、
前記第１電極と重なる部分を残して前記誘電体膜を除去し、前記薄膜キャパシタの誘電体層を形成する工程と、
前記第１電極が形成された面と反対側の前記誘電体膜の面上に薄膜キャパシタの第２電極を形成する工程と、
前記樹脂製の支持部材を除去する工程と、
を含む、薄膜キャパシタシートの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の薄膜キャパシタシートの製造方法において、
前記金属箔はアルミ箔によって構成される、薄膜キャパシタシートの製造方法。
【請求項３】
薄膜キャパシタを含む薄膜キャパシタシートの製造方法であって、
金属箔によって構成される金属箔支持部材の表面に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に前記薄膜キャパシタの第１電極を形成する工程と、
前記誘電体膜上および前記第１電極上にシート状の樹脂基材を形成する工程と、
前記第１電極が形成された面と反対側の前記樹脂基材の面上に樹脂製の支持部材を形成する形成工程と、
前記第１電極と重なる部分を残して前記誘電体膜および前記金属箔支持部材を除去し、前記誘電体膜によって前記薄膜キャパシタの誘電体層を形成し、前記金属箔支持部材によって前記薄膜キャパシタの第２電極を形成する工程と、
前記樹脂製の支持部材を除去する工程と、
を含む、薄膜キャパシタシートの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の薄膜キャパシタシートの製造方法において、
前記金属箔は銅箔によって構成される、薄膜キャパシタシートの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の薄膜キャパシタシートの製造方法において、
少なくとも前記第１電極の一端部側が前記第２電極と平面視で重ならないように、前記第１電極および第２電極が形成される、薄膜キャパシタシートの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の薄膜キャパシタシートの製造方法において、
前記第１電極の一端部側が前記第２電極と平面視で重ならず、第２電極の、前記第１電極の一端部とは反対側である他端部側が前記第１電極と平面視で重ならないように、前記第１電極および第２電極は、それぞれ、平面視における位置をずらした状態で形成される、薄膜キャパシタシートの製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の薄膜キャパシタシートの製造方法において、
前記樹脂基材はガラス繊維布に樹脂を含浸させて形成され、
前記薄膜キャパシタは、平面視で矩形状に形成され、
当該製造方法は、さらに、
前記薄膜キャパシタの周囲に切断部を形成する工程を備え、
前記切断部は、平面視で、前記薄膜キャパシタの各辺に沿って形成される切込部と、矩形状の薄膜キャパシタの各角部に対応して、前記樹脂基材によって形成されるコーナーブリッジとを含み、
前記コーナーブリッジは、前記ガラス繊維布の繊維方向に対し斜めに交差する方向に延びて形成されている、薄膜キャパシタシートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜キャパシタを含む薄膜キャパシタシートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜キャパシタシートの製造方法として、例えば、特許文献１に開示された技術が知られている。特許文献１では、薄膜キャパシタを樹脂シートに転写して、薄膜キャパシタシートを製造する技術が開示されている。詳しくは、転写基板上に薄膜キャパシタを形成し、転写基板上に形成された薄膜キャパシタを半軟化状態（プリプレグ）の樹脂シートに加圧し、その後、転写基板を剥離することで、薄膜キャパシタが樹脂シートに転写される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１０３９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の従来の製造方法では、転写基板上に形成された薄膜キャパシタを樹脂シートに転写させる転写工程を含み、その転写工程において、転写基板を薄膜キャパシタから剥離させる必要がある。そのため、転写基板の剥離の際に、形成された薄膜キャパシタに何らかの影響を及す虞がある。
【０００５】
そこで、本明細書では、薄膜キャパシタの転写工程、および転写後における転写基板の剥離工程を含まず、信頼性をより向上させることができるとともに、薄膜キャパシタの量産性に優れた薄膜キャパシタシートの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書によって開示される薄膜キャパシタシートの製造方法は、薄膜キャパシタを含む薄膜キャパシタシートの製造方法であって、金属箔によって構成される金属箔支持部材の表面に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に前記薄膜キャパシタの第１電極を形成する工程と、前記誘電体膜上および前記第１電極上にシート状の樹脂基材を形成する工程と、前記第１電極が形成された面と反対側の前記樹脂基材の面上に樹脂製の支持部材を形成する形成工程と、前記金属箔支持部材を溶融させて除去する工程と、前記第１電極と重なる部分を残して前記誘電体膜を除去し、前記薄膜キャパシタの誘電体層を形成する工程と、前記第１電極が形成された面と反対側の前記誘電体膜の面上に薄膜キャパシタの第２電極を形成する工程と、前記樹脂製の支持部材を除去する工程とを含む。
本構成によれば、薄膜キャパシタシートを製造する際に、薄膜キャパシタの転写工程、および転写後における転写基板の剥離工程を含まない。そのため、薄膜キャパシタシートの製造に係る信頼性をより向上させることができる。また、通常、薄膜キャパシタをシリコン、ガラス、セラミック等の基材上で作製し、剥離する場合、大面積での処理は非常に難しく生産性に乏しい。しかしながら、基材として金属箔（金属箔支持部材）を使用し、使用した金属箔を、例えば、ウエットエッチング等で溶融して除去するため、高い生産性が得られる。すなわち、薄膜キャパシタの転写工程、および転写後における転写基板の剥離工程を含まず、信頼性をより向上させることができるとともに、薄膜キャパシタの量産性に優れ薄膜キャパシタシートの製造方法を提供できる。
【０００７】
上記薄膜キャパシタシートの製造方法において、前記金属箔はアルミ箔によって構成されるようにしてもよい。
本構成によれば、金属箔はアルミ箔によって構成されるため、例えば、誘電体膜をＳＴＯで形成する際に、ＳＴＯを、ＡＳＣＶＤ法を用いて成膜できる。
【０００８】
また、本明細書によって開示される薄膜キャパシタシートの製造方法は、薄膜キャパシタを含む薄膜キャパシタシートの製造方法であって、金属箔によって構成される金属箔支持部材の表面に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に前記薄膜キャパシタの第１電極を形成する工程と、前記誘電体膜上および前記第１電極上にシート状の樹脂基材を形成する工程と、前記第１電極が形成された面と反対側の前記樹脂基材の面上に樹脂製の支持部材を形成する形成工程と、前記第１電極と重なる部分を残して前記誘電体膜および前記金属箔支持部材を除去し、前記誘電体膜によって前記薄膜キャパシタの誘電体層を形成し、前記金属箔支持部材によって前記薄膜キャパシタの第２電極を形成する工程と、前記樹脂製の支持部材を除去する工程とを含む。
本構成によれば、薄膜キャパシタの第２電極が金属箔支持部材によって形成されるため、第２電極を新たに成膜して形成する場合と比べて、薄膜キャパシタの製造工程を低減できる。また、金属箔支持部材をすべて除去する場合と比べて、金属箔支持部材を有効利用できる。
【０００９】
上記薄膜キャパシタシートの製造方法において、前記金属箔は銅箔によって構成されるようにしてもよい。
本構成によれば、第２電極を銅箔によって形成することができる、電極として良好な導電性を得ることができる。
【００１０】
また、上記薄膜キャパシタシートの製造方法において、少なくとも前記第１電極の一端部側が前記第２電極と平面視で重ならないように、前記第１電極および第２電極が形成されるようにしてもよい。
本構成によれば、少なくとも第１電極の一端部側が第２電極と平面視で重ならないように、第１電極および第２電極が形成される。それによって、第１電極において、一端部側を外部接続用の金属パッドとすることができる。
【００１１】
また、上記薄膜キャパシタシートの製造方法において、前記第１電極の一端部側が前記第２電極と平面視で重ならず、第２電極の、前記第１電極の一端部とは反対側である他端部側が前記第１電極と平面視で重ならないように、前記第１電極および第２電極は、それぞれ、平面視における位置をずらした状態で形成されるようにしてもよい。
本構成によれば、第１電極および第２電極は、平面視における位置をずらした状態で形成される。それによって、第１電極の一端部側を外部接続用の金属パッドとして形成し、第２電極の他端部側を外部接続用の金属パッドとして形成することができる。
【００１２】
また、上記薄膜キャパシタシートの製造方法において、前記樹脂基材はガラス繊維布に樹脂を含浸させて形成され、前記薄膜キャパシタは、平面視で矩形状に形成され、当該製造方法は、さらに、前記薄膜キャパシタの周囲に切断部を形成する工程を備え、前記切断部は、平面視で、前記薄膜キャパシタの各辺に沿って形成される切込部と、矩形状の薄膜キャパシタの各角部に対応して、前記樹脂基材によって形成されるコーナーブリッジとを含み、前記コーナーブリッジは、前記ガラス繊維布の繊維方向に対し斜めに交差する方向に延びて形成されているようにしてもよい。
本構成によれば、薄膜キャパシタを回路基板に実装するために薄膜キャパシタシートから薄膜キャパシタを切り離す際に、コーナーブリッジを切断すればよい。そのため、薄膜キャパシタの切離し作業が簡易化されるとともに、切離し作業の信頼性が向上する。すなわち、コーナーブリッジは、ガラス繊維布の繊維方向に対し斜めに交差する方向に延びて形成されているため、コーナーブリッジを、例えば、超音波振動によって破断する際に、破断残りの発生が抑制され、破断の信頼性が向上する。
【発明の効果】
【００１３】
本明細書によって開示される薄膜キャパシタシートの製造方法は、薄膜キャパシタの転写工程、および転写後における転写基板の剥離工程を含まず、信頼性をより向上させることができるとともに、薄膜キャパシタの量産性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態１の薄膜キャパシタシートを示す概略的な平面図
【図２】薄膜キャパシタおよび切断部を示す概略的な平面図
【図３】薄膜キャパシタおよび切断部を示す断面図
【図４】実施形態１における薄膜キャパシタシートの製造方法を示す概略的な断面図
【図５】実施形態１における薄膜キャパシタシートの製造方法を示す概略的な断面図
【図６】実施形態２における薄膜キャパシタシートの製造方法を示す概略的な断面図
【図７】実施形態２における薄膜キャパシタシートの製造方法を示す概略的な断面図
【図８】別の例の薄膜キャパシタおよび切断部を示す概略的な平面図
【図９】別の例の薄膜キャパシタおよび切断部を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図１から図７を参照して、実施形態を説明する。なお、図中、同一の符号は、同一又は相当部分を示す。
【００１６】
＜実施形態１＞
まず、図１から図５を参照して、実施形態１を説明する。
【００１７】
１．薄膜キャパシタシートの構成
図１に示されるように、薄膜キャパシタシート１は、樹脂シート（「シート状の樹脂基材」の一例）２と、樹脂シート２に支持されて、マトリクス上に形成された複数の薄膜キャパシタ１０とを含む。樹脂シート２は、例えば、ＢＴレジン（登録商標）やポリイミド樹脂等の樹脂材料により形成され、可撓性を有する。
【００１８】
各薄膜キャパシタ１０は、図２および図３に示されるように、薄膜状の第１電極１１、薄膜状の誘電体層１２、および薄膜状の第２電極１３を含む。第１電極１１は、例えば、Ｃｕ（銅）によって樹脂シート２内に形成される。誘電体層１２は、第１電極１１の表面に、例えば、ＳＴＯ（チタン酸ストロンチウム）が成膜されて、形成されている。第２電極１３は、例えば、Ｃｕ（銅）によって誘電体層１２の表面に形成される。なお、図３は、図２のＣ−Ｃ線に示される断面を示す。
【００１９】
また、図２および図３に示されるように、第１電極１１の一端部（図２における右側の端部）側が第２電極１３と平面視で重ならず、第２電極１３の、第１電極１１の一端部とは反対側である他端部（図２における左側の端部）側が第１電極１１と平面視で重ならないように、第１電極１１および第２電極１３は、それぞれ、平面視における位置をずらした状態で形成されている。それによって、第１電極１１の一端部側を外部接続用の金属パッド１１ａとして形成し、第２電極１３の他端部側を外部接続用の金属パッド１３ａとして形成することができる。
【００２０】
すなわち、図２に示されるように、第１電極１１の一端部側が外部接続用の金属パッド１１ａとして形成され、第１電極１１の一端部とは反対側である第２電極１３の他端部側が外部接続用の金属パッド１３ａとして形成されている。
【００２１】
なお、薄膜キャパシタ１０の構成としては上記した例に限定されるものではなく、ＡｕやＰｔ、Ａｇ、Ａｌ等のその他の金属材料により第１電極１１および第２電極１３が形成されていてもよいし、その他の絶縁材料により誘電体層１２が形成されていてもよい。また、樹脂シート２を形成する樹脂材料も上記した例に限定されるものではない。
【００２２】
また、図１において矩形状の実線で示されるように、平面視で、各薄膜キャパシタ１０を囲むように、切断部２０が形成されている。切断部２０は、薄膜キャパシタ１０を回路基板に実装する際に、薄膜キャパシタ１０を樹脂シート２から容易に切り離すために形成されている。
【００２３】
切断部２０は、図２に示されるように、平面視で、薄膜キャパシタ１０の各辺に沿って形成された切込部２１と、薄膜キャパシタ１０の各角部に対応して、樹脂シート２によって形成されるコーナーブリッジ２２とを含む。各切込部２１は、図３に示されるように樹脂シート２を貫通している。切込部２１は、例えば、レーザ加工によって樹脂シート２に形成されてもよいし、あるいは金型を用いて樹脂シート２に形成されてもよい。
【００２４】
一方、コーナーブリッジ２２は、薄膜キャパシタ１０を樹脂シート２に保持する。そのため、薄膜キャパシタ１０を樹脂シート２から切り離す際には、コーナーブリッジ２２が、例えば、超音波振動によって破断される。
【００２５】
すなわち、薄膜キャパシタ１０を回路基板等に実装するために、薄膜キャパシタシート１から薄膜キャパシタ１０を切り離す際に、コーナーブリッジ２２を切断すればよい。そのため、薄膜キャパシタ１０の切離し作業が簡易化されるとともに、切離し作業の信頼性が向上する。
【００２６】
その際、樹脂シート２がガラス繊維布に樹脂を含浸させて形成されたもの、例えば、樹脂シート２がガラスエポシキ樹脂によって構成される場合、コーナーブリッジ２２は、ガラス繊維布の繊維方向に対し斜めに交差する方向に延びて形成されていることが好ましい。この場合、コーナーブリッジ２２を、超音波振動によって破断する際に、破断残りの発生が抑制され、破断の信頼性が向上する。すなわち、コーナーブリッジ２２が、ガラス繊維布の繊維方向に延びて形成されていると、繊維方向とコーナーブリッジ２２の延びる方向が同一のため、超音波振動によって破断する際に、破断残りが発生しやすい。
【００２７】
２．薄膜キャパシタシートの製造方法
次に、図４および図５の断面図を参照して薄膜キャパシタシート１の製造方法を説明する。なお、図４および図５は、図１のＢ−Ｂ線に示される断面を示す。すなわち、図４および図５においては、薄膜キャパシタシート１に含まれる複数の薄膜キャパシタ１０の内、二個の薄膜キャパシタ１０が示される。
【００２８】
同製造方法では、図４（ａ）に示されるように、まず、ドライ洗浄されたアルミ基材３１を準備する。アルミ基材３１は、アルミ箔で構成され、「金属箔で構成される金属支持部材」の一例である。なお、金属箔はアルミ箔に限られず、銅、ニッケル等の金属箔であってもよい。
【００２９】
次いで、図４（ｂ）に示されるように、アルミ基材３１の表面に、例えば、ＡＳ（エアロゾル）ＣＶＤ法によってＳＴＯ膜（「誘電体膜」の一例）１２を形成する。ＳＴＯ膜１２は、薄膜キャパシタ１０の誘電体層となる。
【００３０】
次いで、図４（ｃ）に示されるように、ＳＴＯ膜１２上に薄膜キャパシタ１０の第１電極１１を形成する。第１電極１１は、例えば、Ｃｕ薄膜によって構成される。Ｃｕ薄膜は、例えば、メタルマスクを用いて、イオンプレーティング法によって成膜される。
【００３１】
次いで、図４（ｄ）に示されるように、ＳＴＯ膜１２上および第１電極１１上に、例えば、ＢＴレジンを加熱圧着して樹脂シート２を形成する。また、第１電極１１が形成された面と反対側の樹脂シート２の面上に樹脂製の支持部材３２、例えば、ポリイミドフィルムの支持部材３２を形成する。具体的には、ＢＴレジンにポリイミドフィルムを貼り付けることによって支持部材３２が形成される。支持部材３２は、薄膜キャパシタシート１を製造過程において、薄膜キャパシタシート１のハンドリングを良くするために形成される。また、ポリイミドフィルムの支持部材３２を形成することによって、ＢＴレジンの加熱圧着を好適に行うことができる。
【００３２】
なお、樹脂製の支持部材３２はポリイミドフィルムに限られず、例えば、ガラスエポキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、あるいはテフロン（登録商標）等のフッソ樹脂等であってもよい。
【００３３】
次いで、図４（ｅ）に示されるように、アルミ基材３１を、例えばウエットエッチングによって、溶融させて除去し、アルミ基材３１を除去後のＳＴＯ膜１２の表面をデスマット（スマット除去）処理する。
【００３４】
次いで、図５（ａ）に示されるように、ＳＴＯ膜１２上に、例えば、スピンコータによってレジストを塗布して、レジスト膜３３を形成する。
【００３５】
次いで、図５（ｂ）に示されるように、レジスト膜３３を、例えば、所定のマスクを用いて、ＵＶ露光および現像（フォトリソグラフ）することによって、レジスト膜３３を、薄膜キャパシタ１０の誘電体層に対応した形状にパターニングする。それによって、ＳＴＯ膜１２をパターニングするためのマスクがレジスト膜３３によって形成される。
【００３６】
次いで、図５（ｃ）に示されるように、パターニングされたレジスト膜３３をマスクとしてＳＴＯ膜１２をパターニングし、薄膜キャパシタ１０の誘電体層を形成する。その際、第１電極１１と重なる部分を残してＳＴＯ膜１２が除去される。
【００３７】
次いで、図５（ｄ）に示されるように、レジスト膜３３を除去し、ポリイミドで構成される支持部材３２を剥離する。その後、樹脂シート２の表面を洗浄する。
【００３８】
次いで、図５（ｅ）に示されるように、第１電極１１が形成された面と反対側のＳＴＯ膜１２の面上に薄膜キャパシタ１０の第２電極１３を形成する。第２電極１３は、例えば、第１電極１１と同様に、Ｃｕ薄膜によって構成される。Ｃｕ薄膜は、メタルマスクを用いて、イオンプレーティング法によって成膜される。
【００３９】
次いで、例えば、レーザ加工によって、図２および図３に示されるように、各薄膜キャパシタ１０の周囲に切断部２０を形成する。以上の工程によって薄膜キャパシタシート１が製造される。
【００４０】
３．実施形態１の効果
上記したように、実施形態１の薄膜キャパシタシートの製造方法では、薄膜キャパシタシート１を製造する際に、薄膜キャパシタ１０の転写工程、および転写後における転写基板の剥離工程を含まない。そのため、薄膜キャパシタシート１の製造に係る信頼性をより向上させることができる。また、通常、薄膜キャパシタをシリコン、ガラス、セラミック等の基材上で作製し、剥離する場合、大面積での処理は非常に難しく生産性に乏しい。しかしながら、基材としてアルミ箔（金属箔支持部材）３１を使用し、使用したアルミ箔３１を、例えば、ウエットエッチング等で溶解させて除去するため、高い生産性が得られる。すなわち、薄膜キャパシタの転写工程、および転写後における転写基板の剥離工程を含まず、信頼性をより向上させることができるとともに、薄膜キャパシタの量産性に優れ薄膜キャパシタシートの製造方法を提供できる。
【００４１】
また、金属箔支持部材としてアルミ箔３１が用いられるため、アルミ箔３１上にＳＴＯ膜１２をＡＳＣＶＤ法によって好適に成膜できるとともに、アルミ箔３１を除去する際に、ウエットエッチングによって容易に除去できる。
【００４２】
＜実施形態２＞
次いで、図６および図７を参照して、実施形態２を説明する。実施形態２は、実施形態１とは、薄膜キャパシタシートの製造方法において、薄膜キャパシタ１０の第２電極１３の形成方法が異なる。すなわち、実施形態２では、「金属箔で構成される金属支持部材」がＣｕ箔３１Ａで構成され、第２電極１３が、Ｃｕ箔３１Ａから形成される。なお、以下の説明において、実施形態１の薄膜キャパシタシートの製造方法と同一工程の説明は、簡略化あるいは省略する。
【００４３】
同製造方法では、図６（ａ）に示されるように、まず、ドライ洗浄されたＣｕ箔３１Ａを準備する。なお、Ｃｕ箔３１Ａの厚みは、薄膜キャパシタ１０の第２電極１３の所定の厚さに対応したものとされる。
【００４４】
次いで、図６（ｂ）に示されるように、Ｃｕ箔３１Ａの表面に、薄膜キャパシタ１０の誘電体層となるＳＴＯ膜１２を形成する。
【００４５】
次いで、図６（ｃ）に示されるように、実施形態１と同様に、ＳＴＯ膜１２上にＣｕ薄膜による薄膜キャパシタ１０の第１電極１１を形成する。
次いで、図６（ｄ）に示されるように、実施形態１と同様に、ＳＴＯ膜１２上および第１電極１１上に、ＢＴレジンを加熱圧着して樹脂シート２を形成する。また、第１電極１１が形成された面と反対側の樹脂シート２の面上にポリイミドの支持部材３２を形成する。
【００４６】
次いで、図６（ｅ）に示されるように、Ｃｕ箔３１Ａの表面上に、レジスト膜３３を形成する。
【００４７】
次いで、図７（ａ）に示されるように、レジスト膜３３をＵＶ露光および現像（フォトリソグラフ）することによって、レジスト膜３３を、薄膜キャパシタ１０の誘電体層に対応した形状にパターニングする。それによって、Ｃｕ箔３１ＡおよびＳＴＯ膜１２をパターニングするためのマスクがレジスト膜３３によって形成される。
【００４８】
次いで、図７（ｂ）に示されるように、パターニングされたレジスト膜３３をマスクとしてＣｕ箔３１ＡおよびＳＴＯ膜１２をパターニングし、薄膜キャパシタ１０の第２電極１３および誘電体層を形成する。その際、第１電極１１とほぼ重なる部分を残してＣｕ箔３１ＡおよびＳＴＯ膜１２が除去される。
【００４９】
次いで、図７（ｃ）に示されるように、レジスト膜３３を除去し、ポリイミドで構成される支持部材３２を剥離する。その後、樹脂シート２の表面を洗浄する。それによって、図７（ｄ）に示されるように、薄膜キャパシタ１０が形成される。次いで、例えば、レーザ加工によって、図２および図３に示されるように、各薄膜キャパシタ１０の周囲に切断部２０を形成する。以上の工程によって薄膜キャパシタシート１が製造される。
【００５０】
４．実施形態２の効果
上記したように、実施形態２の薄膜キャパシタシートの製造方法では、薄膜キャパシタ１０の第２電極１３が銅箔（金属箔支持部材）３１Ａによって形成される。そのため、第２電極１３を新たに成膜して形成する場合と比べて、薄膜キャパシタの製造工程を低減できる。また、金属箔支持部材をすべて除去する場合と比べて、金属箔支持部材を有効利用できる。
その際、第２電極１３を銅箔によって形成することができ、電極として良好な導電性を得ることができる。
【００５１】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような種々の態様も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００５２】
（１）上記各実施形態では、ＳＴＯ膜１２をＡＳＣＶＤ法によって成膜して、薄膜キャパシタ１０の誘電体層を形成する例を示したが、誘電体層は、これに限られない。誘電体の組成は、例えば、ＺｎＯ、ＢＴＯ、あるいはＢＳＴであってもよいし、成膜方法は、スパッタ、スピンコート、あるいは蒸着であってもよい。
【００５３】
（２）薄膜キャパシタ１０の第１電極１１および第２電極１３の形状は図２および図３に示したものに限られない。例えば、図８および図９に示されるように、第１電極１１の一端部側が第２電極１３と平面視で重ならず、第２電極の、第１電極の一端部とは反対側である他端部と第１電極の他端部とが重なるように、第２電極１３が形成されるようにしてもよい。すなわち、少なくとも第１電極１１の一端部側が第２電極１３と平面視で重ならないように、第１電極１１および第２電極１３が形成されるようにしてもよい。この場合においても、第１電極１１において、一端部側を外部接続用の金属パッド１１ａとすることができる。なお、図９は、図８のＣ−Ｃ線に示される断面を示す。
【符号の説明】
【００５４】
１…薄膜キャパシタシート、２…樹脂シート、１０…薄膜キャパシタ、１１…第１電極、１２…ＳＴＯ膜（誘電体膜、誘電体層）、１３…第２電極、２０…切断部、２１…切込部、２２…コーナーブリッジ、３１…アルミ基材（アルミ箔）、３１Ａ…銅基材（銅箔）、３２…支持部材（ポリイミド）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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