(57)【要約】【課題】バイアス電圧のゆらぎに起因する電流ゆらぎが少なく、光電変換素子に入射した光の光量を正確に検出することのできる光検知器を提供する。【解決手段】光電変換素子と、前記光電変換素子に並列に接続された負性抵抗素子と、前記光電変換素子と前記負性抵抗素子とが並列に接続されたものに流れる電流を計測する電流計と、を有し、前記光電変換素子及び前記負性抵抗素子には所定の電圧が印加されており、前記電流計において計測された電流値より前記光電変換素子に入射した光の光量を検出することを特徴とする光検知器により上記課題を解決する。【選択図】  図５
2016051733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と、
前記光電変換素子に並列に接続された負性抵抗素子と、
前記光電変換素子と前記負性抵抗素子とが並列に接続されたものに流れる電流を計測する電流計と、
を有し、
前記光電変換素子及び前記負性抵抗素子には所定の電圧が印加されており、
前記電流計において計測された電流値より前記光電変換素子に入射した光の光量を検出することを特徴とする光検知器。
【請求項２】
前記負性抵抗素子は、トンネルダイオードまたは共鳴トンネルダイオードであることを特徴とする請求項１に記載の光検知器。
【請求項３】
前記光電変換素子及び前記負性抵抗素子には、抵抗が並列に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光検知器。
【請求項４】
前記抵抗は、可変抵抗素子であることを特徴とする請求項３に記載の光検知器。
【請求項５】
前記可変抵抗素子は、電界効果トランジスタを含むものであることを特徴とする請求項４に記載の光検知器。
【請求項６】
光電変換素子と負性抵抗素子とが並列に接続された光検出素子であって、
基板の上に、前記負性抵抗素子を形成する半導体層と、前記光電変換素子を形成する半導体層とを積層することにより形成されており、
前記光検出素子には所定の電圧が印加されており、
前記光検出素子に流れる電流値より前記光電変換素子に入射した光の光量を検出することを特徴とする光検出素子。
【請求項７】
前記基板の上には、下部電極形成層が形成されており、
前記下部電極形成層の上には、前記負性抵抗素子を形成する半導体層が形成されており、
前記負性抵抗素子を形成する半導体層の上には、中間電極形成層が形成されており、
前記中間電極形成層の上には、前記光電変換素子を形成する半導体層が形成されており、
前記光電変換素子を形成する半導体層の上には、上部電極形成層が形成されており、
前記下部電極形成層と前記上部電極形成層とは配線により電気的に接続されており、
前記所定の電圧は、前記配線と前記中間電極形成層との間に印加されていることを特徴とする請求項６に記載の光検出素子。
【請求項８】
前記光電変換素子は、多重量子井戸構造を含むものであることを特徴とする請求項６または７に記載の光検出素子。
【請求項９】
請求項６から８のいずれかに記載の光検出素子が２次元的に配列されており、各々の前記光検出素子を画素として画像を撮像することを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光検知器、光検出素子及び撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光の光量を検出するものとして光検知器がある。光検知器は、光信号を電気信号に変換する光電変換素子と駆動回路とにより形成されている。例えば、光電変換素子としてはフォトダイオード等が用いられており、光電変換素子に所定の値の電圧を印加することにより、入射した光の光量に応じて光電流が発生する。よって、光検知器においては、光電変換素子において発生した電流の変化を検出することにより、光電変換素子に入射した光の光量を検出することができる。
【０００３】
また、上述した光検知器を二次元的に配列して信号処理回路と組み合わせることにより、二次元画像を撮像することのできる画像撮像装置を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２１８３８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した光検知器を図１に示す。この光検知器は、光電変換素子９１０、電源９２０、電流計９３０を有している。これら光電変換素子９１０、電源９２０、電流計９３０は直列に接続されており、光電変換素子９１０には、電源９２０より所定の電圧がバイアス電圧として印加されている。
【０００６】
図１に示される光検知器において、光電変換素子９１０に入射する光の光量と電流計９３０において検出される電流との関係を図２に示し、光電変換素子９１０に印加される電圧と電流計９３０において検出される電流との関係を図３に示す。図２に示されるように、光電変換素子９１０に入射する光の光量が増加すると、電流計９３０において検出される電流も増加する。また、図３に示されるように、光電変換素子９１０に印加される電圧が高くなると、電流計９３０において検出される電流も増加する。
【０００７】
ところで、図１に示される光検知器においては、ノイズ等の影響により、光電変換素子９１０に印加されるバイアス電圧が変化する場合がある。このように、光電変換素子９１０に印加されるバイアス電圧が変化すると、電流計９３０において検出される電流も変化するため、正確な光量を検出することができない。即ち、図４に示されるように、光電変換素子９１０に印加されるバイアス電圧に電圧ゆらぎがあると、その幅に対応して、電流計９３０において検出される電流に電流ゆらぎが発生する。光電変換素子９１０に入射する光の光量は、電流計９３０において検出される電流に基づき得られるため、バイアス電圧において電圧ゆらぎが存在していると、電流ゆらぎが生じ、光電変換素子９１０に入射した光の光量を正確に検出することができない。
【０００８】
よって、バイアス電圧のゆらぎに起因する電流ゆらぎが少なく、光電変換素子に入射した光の光量を正確に検出することのできる光検知器が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本実施の形態の一観点によれば、光電変換素子と、前記光電変換素子に並列に接続された負性抵抗素子と、前記光電変換素子と前記負性抵抗素子とが並列に接続されたものに流れる電流を計測する電流計と、を有し、前記光電変換素子及び前記負性抵抗素子には所定の電圧が印加されており、前記電流計において計測された電流値より前記光電変換素子に入射した光の光量を検出することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
開示の光検知器によれば、バイアス電圧のゆらぎに起因する電流ゆらぎが少なく、光電変換素子に入射した光の光量を正確に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】光検知器の回路図
【図２】光電変換素子に入射する光の光量と流れる電流との相関図
【図３】光電変換素子に印加される電圧と流れる電流との相関図
【図４】光電変換素子におけるバイアス電圧の電圧ゆらぎと電流ゆらぎの説明図
【図５】第１の実施の形態における光検知器の回路図
【図６】負性抵抗素子及び光電変換素子における印加電圧と流れる電流との相関図
【図７】第１の実施の形態における光検出素子の印加電圧と流れる電流との相関図
【図８】第１の実施の形態における光検出素子の構造図
【図９】第２の実施の形態における光検出素子の構造図
【図１０】第３の実施の形態における光検知器の回路図
【図１１】第３の実施の形態における光検出素子の構造図
【図１２】第３の実施の形態における光検出素子の印加電圧と流れる電流との相関図
【図１３】第３の実施の形態における他の光検出素子の構造図
【図１４】第４の実施の形態における撮像装置の斜視図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１３】
〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態における光検知器について説明する。本実施の形態における光検知器は、図５に示されるように、光電変換素子１０、電源２０、電流計３０、負性抵抗素子４０等を有している。光電変換素子１０と負性抵抗素子４０とは並列に接続されており、光電変換素子１０と負性抵抗素子４０とが並列に接続されたものに、電源２０及び電流計３０が直列に接続されている。従って、光電変換素子１０には、電源２０における電圧がバイアス電圧として印加されている。本実施の形態においては、光電変換素子１０には、多重量子井戸構造を有する量子井戸型赤外線検知器（Quantum Well Infrared Photodetector：ＱＷＩＰ）等が用いられているが、フォトダイオード等であってもよい。また、負性抵抗素子４０には、トンネルダイオードが用いられている。尚、本実施の形態においては、光電変換素子１０と負性抵抗素子４０とが一体に形成されたものを光検出素子５０と記載する場合がある。
【００１４】
図６（ａ）に、負性抵抗素子４０における印加電圧と負性抵抗素子４０に流れる電流との関係を示し、図６（ｂ）に、光電変換素子１０における印加電圧と光電変換素子１０に流れる電流との関係を示す。本実施の形態における光検知器においては、負性抵抗素子４０と光電変換素子１０とが並列に接続されているため、光電変換素子１０及び負性抵抗素子４０に印加される電圧と電流計３０において検出される電流との関係は、図７に示される関係となる。具体的には、負性抵抗素子４０と光電変換素子１０とを並列に接続することにより、図６（ａ）に示される負性抵抗素子４０の特性と、図６（ｂ）に示される光電変換素子１０の特性とを合わせた特性となる。即ち、負性抵抗素子４０における負性抵抗領域においては、電圧が高くなると流れる電流が低くなるため、電圧が高くなると流れる電流が高くなる光電変換素子１０の特性と相殺され、微分コンダクタンスが小さくなる。これにより、電源２０における電圧、即ち、バイアス電圧において、電圧ゆらぎが存在していても、バイアス電圧を負性抵抗素子４０の負性抵抗領域の近傍等に設定することにより、電流計３０において検出される電流の電流ゆらぎの幅を狭くすることができる。このように、電流ゆらぎの幅を狭くすることができれば、バイアス電圧に多少の電圧ゆらぎが存在していても、光電変換素子１０に入射した光の光量を正確に検出することができる。
【００１５】
（光検出素子）
次に、図８に基づき、本実施の形態における光検知器を形成している光検出素子５０について説明する。上述したように、光検出素子５０は、光電変換素子１０と負性抵抗素子４０とが一体に形成されたものである。尚、本実施の形態においては、光電変換素子１０はＱＷＩＰにより形成されており、負性抵抗素子４０はトンネルダイオードにより形成されている。
【００１６】
本実施の形態における光検出素子５０は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１０の上に、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシー）等による結晶成長により、化合物半導体層が形成されている。具体的には、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１０の上に、下部電極形成層１１１、第１のダイオード形成層１２１、第２のダイオード形成層１２２、中間電極形成層１３０、多重量子井戸層１４０、上部電極形成層１５０をＭＢＥによる結晶成長により形成する。本実施の形態においては、ｐ型半導体層である第１のダイオード形成層１２１とｎ型半導体層である第２のダイオード形成層１２２により、トンネルダイオード１２０が形成されている。トンネルダイオード１２０は、負性抵抗素子４０となるものであり、第１のダイオード形成層１２１側がアノード、第２のダイオード形成層１２２側がカソードとなっている。
【００１７】
半絶縁性ＧａＡｓ基板１１０は、不純物がドープされていないＧａＡｓ基板である。下部電極形成層１１１は厚さが約１００ｎｍのｐ−ＧａＡｓにより形成されており、不純物元素として、Ｂｅが３×１０１８／ｃｍ３の濃度でドープされている。第１のダイオード形成層１２１は厚さが約１５ｎｍのｐ−ＧａＡｓにより形成されており、不純物元素として、Ｂｅが１×１０１９／ｃｍ３の濃度でドープされている。第２のダイオード形成層１２２は厚さが約１５ｎｍのｎ−ＧａＡｓにより形成されており、不純物元素として、Ｓｉが１×１０１９／ｃｍ３の濃度でドープされている。中間電極形成層１３０は厚さが約１００ｎｍのｎ−ＧａＡｓにより形成されており、不純物元素として、Ｓｉが３×１０１８／ｃｍ３の濃度でドープされている。
【００１８】
多重量子井戸層１４０は、障壁層となる厚さが約４０ｎｍのＡｌ０．２５Ｇａ０．７５Ａｓ層と量子井戸層となる厚さが約４．５ｎｍのｎ−ＧａＡｓ層を交互に積層することにより形成されている。本実施の形態においては、多重量子井戸層１４０は、量子井戸層となるｎ−ＧａＡｓ層が１０層となるように形成されており、多重量子井戸層１４０における最初の層と最後の層は、Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ａｓ層となるように形成されている。尚、量子井戸層となるｎ−ＧａＡｓ層には、不純物元素として、Ｓｉが約４×１０１７／ｃｍ３の濃度でドープされている。
【００１９】
このように形成された量子井戸層には基底状態に束縛された電子が存在しており、量子井戸層に光が入射すると、束縛されていた電子が光を吸収して励起され、束縛から脱出して電極に向かって流れることにより、光電流が発生する。従って、図８に示される光検出素子５０においては、光電変換素子１０は多重量子井戸層１４０により形成されている。
【００２０】
上部電極形成層１５０は、厚さが数１００ｎ〜１μｍ程度のｎ−ＧａＡｓ層により形成されており、不純物元素として、Ｓｉが３×１０１８／ｃｍ３の濃度でドープされている。また、上部電極形成層１５０の表面には、回折格子１５１が形成されており、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１０側から入射した光は回折格子１５１において回折され、多重量子井戸層１４０において吸収される。回折格子１５１の形成方法は、最初に、上部電極形成層１５０の上に、フォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、不図示のレジストパターンを形成する。この後、レジストパターンに形成されていない領域の上部電極形成層１５０を所定の深さまでＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等のドライエッチングによりにより除去することにより形成する。この後、不図示のレジストパターンは、有機溶剤等により除去する。
【００２１】
この後、フォトリソグラフィとエッチング技術によって、第１のダイオード形成層１２１、第２のダイオード形成層１２２、中間電極形成層１３０、多重量子井戸層１４０、上部電極形成層１５０の一部を除去することによりメサ状に形成する。これにより、下部電極形成層１１１の一部及び中間電極形成層１３０の一部を露出させる。この後、上部電極形成層１５０の表面に形成された回折格子１５１の上に、金属電極層１６１を形成し、金属電極層１６１の上の一部を除く部分及びメサの側面にＳｉＯＮ等により絶縁膜１７０を形成し、絶縁膜１７０の上に、金属配線層１６２及び１６３を形成する。金属配線層１６２は一方の端部が、金属電極層１６１の上に形成されており、他方の端部が下部電極形成層１１１の上に形成されており、更に、電源２０の正極と接続されている。金属配線層１６３は、金属配線層１６３の一部が中間電極形成層１３０の上に形成されており、更に、電流計３０の一方の端子と接続されている。尚、電源２０の負極と電流計３０の他方の端子とは接続されている。
【００２２】
本実施の形態における光検出素子５０は、光電変換素子１０を形成している多重量子井戸層１４０と、負性抵抗素子４０となるトンネルダイオード１２０とが、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１０の上に、積層して一体に形成されている。このため、光検出素子５０は集積されており、光検出素子５０を小型にすることができる。
【００２３】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、負性抵抗素子４０が共鳴トンネルダイオードにより形成されている光検出素子を有する光検知器である。図９に、本実施の形態における光検出素子を示す。本実施の形態における光検出素子は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１０の上に、下部電極形成層２１１、共鳴トンネルダイオード層２２０、中間電極形成層１３０、多重量子井戸層１４０、上部電極形成層１５０がＭＢＥによる結晶成長により形成されている。
【００２４】
下部電極形成層２１１は厚さが約１００ｎｍのｎ−ＧａＡｓにより形成されており、不純物元素として、Ｓｉが３×１０１８／ｃｍ３の濃度でドープされている。
【００２５】
共鳴トンネルダイオード層２２０は、下部電極形成層２１１の上に、ｎ−ＧａＡｓ層２２１、ｉ−ＡｌＡｓ層２２２、ｉ−ＧａＡｓ層２２３、ｉ−ＡｌＡｓ層２２４、ｎ−ＧａＡｓ層２２５を順次積層することにより形成されている。ｎ−ＧａＡｓ層２２１は厚さが約１００ｎｍであり、不純物元素として、Ｓｉが２×１０１７／ｃｍ３の濃度でドープされている。ｉ−ＡｌＡｓ層２２２は厚さが約３ｎｍであり、ｉ−ＧａＡｓ層２２３は厚さが約４．５ｎｍであり、ｉ−ＡｌＡｓ層２２４は厚さが約３ｎｍとなるように形成されている。尚、ｉ−ＡｌＡｓ層２２２、ｉ−ＧａＡｓ層２２３、ｉ−ＡｌＡｓ層２２４には、不純物元素はドープされていない。ｎ−ＧａＡｓ層２２５は厚さが約１００ｎｍであり、不純物元素として、Ｓｉが２×１０１７／ｃｍ３の濃度でドープされている。
【００２６】
本実施の形態における光検出素子を用いた光検知器においても、第１の実施の形態における光検知器と同様の効果を得ることができる。尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００２７】
〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態における光検知器は、図１０及び図１１に示されるように、第１の実施の形態における光検出素子５０に並列に抵抗３６０を接続した構造のものである。
【００２８】
光検出素子５０において、光電変換素子１０よりも負性抵抗素子４０の微分コンダクタンスの絶対値が大きい場合には、抵抗３６０を並列に接続することにより、バイアス電圧の電圧ゆらぎに起因する電流ゆらぎを低減させることができる。
【００２９】
即ち、光検出素子５０に抵抗３６０を並列に接続した場合、抵抗３６０に流れる電流の分だけ光検知器を流れる電流が増加する。このとき光検知器の微分コンダクタンスは、正の値を持つ抵抗３６０の微分コンダクタンスの分だけ増加する。よって、光電変換素子１０よりも負性抵抗素子４０の微分コンダクタンスの絶対値が大きい場合には、光検出素子５０の全体における微分コンダクタンスは負の大きさを持つ。このため、これと同じ絶対値で正の微分コンダクタンスを持つ抵抗３６０を並列に接続することにより、光検知器の全体としての微分コンダクタンスを相殺することができ、バイアス電圧の電圧ゆらぎに起因する電流ゆらぎを更に低減することができる。
【００３０】
即ち、図１２（ａ）に示される場合と比べ、図１２（ｂ）に示されるように、光検出素子５０に抵抗３６０を並列に接続することにより、印加電圧の電圧ゆらぎの幅が同じであっても、電流ゆらぎの幅を狭くすることができる。尚、図１２（ａ）は、抵抗３６０が接続されていない第１の実施の形態の光検知器において、光電変換素子１０に負性抵抗素子４０を並列に接続しても、微分コンダクタンスが負となる光検知器における印加電圧と検出される電流との関係を示す。また、図１２（ｂ）は、本実施の形態における光検知器、即ち、図１２（ａ）に示される光検知器の光検出素子５０に抵抗３６０を並列に接続した構造の光検知器における印加電圧と検出される電流との関係を示す。
【００３１】
また、本実施の形態においては、図１３に示すように、抵抗３６０に代えて可変抵抗素子３７０を用いてもよい。可変抵抗素子３７０としては電界効果トランジスタ等を用いることができる。電界効果トランジスタはピンチオフしない線形領域において駆動させる場合には、ゲート電圧の値によって抵抗値を制御することのできる可変抵抗素子３７０として扱うことができる。電界効果トランジスタにおけるゲート電圧の値を調整することにより光検知器の全体としての微分コンダクタンスを制御することができる。尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。また、本実施の形態は、第２の実施の形態における光検出素子を用いたものであってもよい。
【００３２】
〔第４の実施の形態〕
次に、第４の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態における光検出素子５０が２次元的に配列されている構造の撮像装置である。具体的には、図１４に示すように、一枚の半絶縁性ＧａＡｓ基板１１０の上に、複数の光検出素子５０が二次元的に配列されるように形成されている。このように２次元的に配列されている光検出素子５０は、各々の光検出素子５０が入射する光の光量を検知することができる画素となるため、光検出素子５０を２次元的に配列することにより、２次元画像の撮像をすることができる。尚、本実施の形態における撮像装置において検出された電気信号は、撮像装置に接続されている不図示の信号処理回路に入力させて、信号処理を行うことにより、撮像された２次元画像を得ることができる。
【００３３】
尚、本実施の形態における撮像装置は、第２、第３の実施の形態における光検出素子を用いたものであってもよい。
【００３４】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００３５】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
光電変換素子と、
前記光電変換素子に並列に接続された負性抵抗素子と、
前記光電変換素子と前記負性抵抗素子とが並列に接続されたものに流れる電流を計測する電流計と、
を有し、
前記光電変換素子及び前記負性抵抗素子には所定の電圧が印加されており、
前記電流計において計測された電流値より前記光電変換素子に入射した光の光量を検出することを特徴とする光検知器。
（付記２）
前記負性抵抗素子は、トンネルダイオードまたは共鳴トンネルダイオードであることを特徴とする付記１に記載の光検知器。
（付記３）
前記光電変換素子及び前記負性抵抗素子には、抵抗が並列に接続されていることを特徴とする付記１または２に記載の光検知器。
（付記４）
前記抵抗は、可変抵抗素子であることを特徴とする付記３に記載の光検知器。
（付記５）
前記可変抵抗素子は、電界効果トランジスタを含むものであることを特徴とする付記４に記載の光検知器。
（付記６）
光電変換素子と負性抵抗素子とが並列に接続された光検出素子であって、
基板の上に、前記負性抵抗素子を形成する半導体層と、前記光電変換素子を形成する半導体層とを積層することにより形成されており、
前記光検出素子には所定の電圧が印加されており、
前記光検出素子に流れる電流値より前記光電変換素子に入射した光の光量を検出することを特徴とする光検出素子。
（付記７）
前記基板の上には、下部電極形成層が形成されており、
前記下部電極形成層の上には、前記負性抵抗素子を形成する半導体層が形成されており、
前記負性抵抗素子を形成する半導体層の上には、中間電極形成層が形成されており、
前記中間電極形成層の上には、前記光電変換素子を形成する半導体層が形成されており、
前記光電変換素子を形成する半導体層の上には、上部電極形成層が形成されており、
前記下部電極形成層と前記上部電極形成層とは配線により電気的に接続されており、
前記所定の電圧は、前記配線と前記中間電極形成層との間に印加されていることを特徴とする付記６に記載の光検出素子。
（付記８）
前記光電変換素子は、多重量子井戸構造を含むものであることを特徴とする付記６または７に記載の光検出素子。
（付記９）
前記負性抵抗素子は、トンネルダイオードまたは共鳴トンネルダイオードであることを特徴とする付記６から８のいずれかに記載の光検出素子。
（付記１０）
前記光検出素子には、抵抗が並列に接続されていることを特徴とする付記６から９のいずれかに記載の光検出素子。
（付記１１）
前記抵抗は、可変抵抗素子であることを特徴とする付記１０に記載の光検出素子。
（付記１２）
前記可変抵抗素子は、電界効果トランジスタを含むものであることを特徴とする付記１１に記載の光検出素子。
（付記１３）
付記６から１２のいずれかに記載の光検出素子が２次元的に配列されており、各々の前記光検出素子を画素として画像を撮像することを特徴とする撮像装置。
【符号の説明】
【００３６】
１０        光電変換素子
２０        電源
３０        電流計
４０        負性抵抗素子
５０        光検出素子
１１０      半絶縁性ＧａＡｓ基板
１１１      下部電極形成層
１２０      トンネルダイオード
１２１      第１のダイオード形成層（ｐ型）
１２２      第２のダイオード形成層（ｎ型）
１３０      中間電極形成層
１４０      多重量子井戸層
１５０      上部電極形成層
１５１      回折格子
１６１      金属電極層
１６２      金属配線層
１６３      金属配線層
１７０      絶縁膜
【図１】
2016051733.tif 000003
【図２】
2016051733.tif 000004
【図３】
2016051733.tif 000005
【図４】
2016051733.tif 000006
【図５】
2016051733.tif 000007
【図６】
2016051733.tif 000008
【図７】
2016051733.tif 000009
【図８】
2016051733.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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