(57)【要約】    【課題】  高いインダクタンス値を得ることができるインダクタ部品を提供する。    【解決手段】  インダクタ部品１０は、磁性体２４を収容する開口２２の側壁２２Ｈに凹凸が形成される。凹部２２ｊは個々のスルーホール導体３６に対応する位置に設けられる。凸部２２ｅは一列のスルーホール導体とスルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。凹部２２ｊ、凸部２２ｅにより磁性体２４とスルーホール導体３６との距離が狭まり、インダクタンス値が高められる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面と反対側の第２面とを備え、第１開口を有する中央樹脂絶縁層と、
前記中央樹脂絶縁層の第１面側に、前記第１開口を塞ぐように形成される第１樹脂絶縁層と、
前記中央樹脂絶縁層の第２面側に、前記第１開口を塞ぐように形成される第２樹脂絶縁層と、
前記第１樹脂絶縁層、前記中央樹脂絶縁層、前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第１開口の両側に該第１開口を挟むように形成される複数の第２開口と、
前記第１開口に充填される磁性材料からなる磁性体と、
前記第２開口に充填される導電性材料からなるスルーホール導体と、
前記第１樹脂絶縁層、前記第２樹脂絶縁層上に配置され、前記第１開口に充填された磁性体の両側の前記スルーホール導体を接続する配線と、を備え、前記スルーホール導体及び前記配線がヘリカル状に配置されたインダクタ部品であって、
前記第１開口の側壁には凹凸が形成され、前記凹部は前記スルーホール導体に対応する位置に設けられ、前記凸部は前記スルーホール導体と前記スルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。
【請求項２】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記第２開口は２列に並べられ、
前記第１開口は第２開口の列と列の間に配置され、
前記第１開口の側壁の凹部は一列の前記スルーホール導体に対応する位置に設けられ、前記凸部は前記一列の前記スルーホール導体と前記スルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。
【請求項３】
請求項２のインダクタ部品であって、
前記凸部の先端は、前記スルーホール導体と前記スルーホール導体とを結ぶ線を超えるように突出している。
【請求項４】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記第２開口は前記第１面側から前記第２面側に向かって縮径すると共に、前記第２面側から前記第１面側に向かって縮径するテーパの付けられた円筒形状である。
【請求項５】
請求項１のインダクタ部品を内蔵するプリント配線板。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品を収容するキャビティを有するコア基板を備える。
【請求項７】
請求項６のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品と前記キャビティの側壁との間に樹脂が充填されている。
【請求項８】
請求項６のプリント配線板であって、
前記第１樹脂絶縁層、前記第２樹脂絶縁層上に前記インダクタ部品とは独立した配線が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ部品、該インダクタ部品を備えるプリント配線板、インダクタを内蔵するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、インダクタの抵抗を小さくするため、厚い金属板（例えば１００〜３００μｍ）からプレス加工でインダクタ部品を製造している。そのインダクタ部品は特許文献１の図２に示されている。そのインダクタ部品が基板上に接着される。その後、特許文献１の図８に示されているように、特許文献１は基板とインダクタ部品上にビルドアップ層を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２７０５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のインダクタ部品は金属板から形成されているので、特許文献１の技術でスパイラル状のインダクタが積層されると、異なる層のインダクタを接続することは困難であると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、高いインダクタンス値を得ることができるインダクタ部品、高いインダクタを内蔵するプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明のインダクタ部品は、第１面と該第１面と反対側の第２面とを備え、第１開口を有する中央樹脂絶縁層と、前記中央樹脂絶縁層の第１面側に、前記第１開口を塞ぐように形成される第１樹脂絶縁層と、前記中央樹脂絶縁層の第２面側に、前記第１開口を塞ぐように形成される第２樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層、前記中央樹脂絶縁層、前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第１開口の両側に該第１開口を挟むように形成される複数の第２開口と、前記第１開口に充填される磁性材料からなる磁性体と、前記第２開口に充填される導電性材料からなるスルーホール導体と、前記第１樹脂絶縁層、前記第２樹脂絶縁層上に配置され、前記第１開口に充填された磁性体の両側の前記スルーホール導体を接続する配線と、を備え、前記スルーホール導体及び前記配線がヘリカル状に配置されている。そして、前記第１開口の側壁には凹凸が形成され、前記凹部は前記スルーホール導体に対応する位置に設けられ、前記凸部は前記スルーホール導体と前記スルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。
【発明の効果】
【０００７】
本願発明では、インダクタが、インダクタ部品を構成する樹脂絶縁層の平面に対して平行方向の軸線上に沿って、形成されるヘリカル状であり、インダクタ部品の厚み方向では無く、横方向にループするため、インダクタ部品の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。
【０００８】
更に、本願発明では、磁性体を収容する第１開口の側壁に凹凸が形成される。凹部はスルーホール導体に対応する位置に設けられる。凸部はスルーホール導体とスルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。凹凸により磁性体とスルーホール導体との距離が狭まり、インダクタンス値が高められる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図。
【図２】図２（Ａ）、図２（Ｃ）は第１実施形態のインダクタ構造体の平面図、図２（Ｂ）は側面図、図２（Ｄ）は開口の凹部を示す拡大図。
【図３】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図。
【図７】第２実施形態に係るインダクタ部を内蔵するプリント配線板の断面図。
【図８】第２実施形態に係るコア基板の製造方法を示す工程図。
【図９】第２実施形態に係るコア基板の製造方法を示す工程図。
【図１０】第２実施形態に係るコア基板の製造方法を示す工程図。
【図１１】図１１（Ａ）は実施例の構成の模式図、図１１（Ｂ）は参考例の構成の模式図、図１１（Ｃ）はシミュレーション対象とした構成の模式図。
【図１２】実施例と参考例のシミュレーション結果を示す図表。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[第１実施形態]
図１は、第１実施形態に係るインダクタ部品の断面図である。
インダクタ部品１０は、磁性体材料を含む磁性体２４を開口（第１開口）２２内に備える樹脂製のコア基材２０と、コア基材の第１面Ｆ側に形成された第１樹脂絶縁層５０Ｆと、コア基材の第２面Ｓ側に形成された第２樹脂絶縁層５０Ｓと、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成された第１導体パターン５８Ｆと、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成された第２導体パターン５８Ｓと、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓを接続するスルーホール導体３６とを備える。コア基材の厚みは０．１mm〜０．５mmが好ましい。
【００１１】
図２（Ａ）は、該インダクタ部品１０の平面図であり、図２（Ｂ）は側面図である。第１面側の第１導体パターン５８Ｆは、スルーホール導体３６の直上に形成されるスルーホールランド５８ＦＲと、スルーホールランド５８ＦＲとスルーホールランド５８ＦＲとを接続する接続パターン５８ＦＬとから成る。第２面側の第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６の直下に形成されるスルーホールランド５８ＳＲと、スルーホールランド５８ＳＲとスルーホールランド５８ＳＲとを接続する接続パターン５８ＳＬとから成る。第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６を介してヘリカル状（インダクタ部品の表裏面に対して平行方向の軸線上に沿って螺旋状）に配置され、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓ、スルーホール導体３６によりインダクタ５９が形成される。
【００１２】
図１（Ａ）は図２（Ａ）中のＸａ−Ｘａ断面に対応し、図１（Ｂ）は図２（Ａ）中のＸｂ−Ｘｂ断面に対応する。図中に示すようにインダクタ部品１０では、コア基材２０の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｆ上に第１導体パターン５８Ｆが形成されている。コア基材２０の第２面Ｓ側に樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｓ上に第２導体パターン５８Ｓが形成されている。第１導体パターン５８Ｆと第２導体パターン５８Ｓとを接続するスルーホール導体３６は、コア基材２０に形成された貫通孔（第２開口）２６内に形成されている。スルーホール導体３６は、貫通孔２６内にフィルドめっきにより充填形成されている。貫通孔２６は、第１面Ｆ側から第２面Ｓ側に向かって縮径するテーパの付けられた裁頭円錐形状（円筒形状）の第１開口部２６Ｆと、第２面側から第１面側に向かって縮径するテーパの付けられた裁頭円錐形状の第２開口部２６Ｓとから成る。磁性体２４を収容する開口２２の側壁も、貫通孔２６と同様に中央側に傾斜している。即ち、開口２２は、第１面Ｆ側から第２面Ｓ側に向かって幅が狭くなると共に、第２面Ｓ側から第１面Ｆ側に向かって幅が狭くなる断面が横Ｖ字形状である。開口２２の幅の最も狭い位置２２ｍは積層体３０の中央位置であり、貫通孔２６の径の最も狭い位置２６ｍも積層体３０の中央位置である。開口２２の位置２２ｍの第１面Ｆからの距離ｃ１と、貫通孔２６の位置２６ｍの第１面Ｆからの距離ｃ２はほぼ等しい。
【００１３】
図２（Ｃ）は、図２（Ａ）に示されるインダクタ部品中のスルーホール導体３６を構成する貫通孔２６と、磁性体２４を収容する開口２２の配置を示す平面図である。図１（Ａ）は図２（Ｃ）中のＸａ’−Ｘａ’断面に対応し、図１（Ｂ）は図２（Ｃ）中のＸｂ’−Ｘｂ’断面に対応する。貫通孔２６は、第１列の貫通孔２６Ｎと、第２列の貫通孔２６Ｍとの２列配置である。図２（Ａ）中に示される第１列の貫通孔２６Ｎのスルーホール導体と、第２列の貫通孔２６Ｍのスルーホール導体とがそれぞれ交互に接続される。第１列の貫通孔２６Ｎと、第２列の貫通孔２６Ｍとの間に磁性体２４を収容する開口２２が配置される。開口２２の側壁２２Ｈには凹部２２ｊと凸部２２ｅとが形成されている。凹部２２ｊは貫通孔（スルーホール導体）に対応する位置に設けられ、凸部２２ｅは貫通孔（スルーホール導体）と貫通孔（スルーホール導体）との間に対応する位置に設けられている。凸部２２ｅは、一列の貫通孔の側壁を結ぶ線分Ｓ１−Ｓ１よりも貫通孔側に突出するように形成されている。図２（Ｄ）に示されるように凹部２２ｊは、貫通孔２６の外周に沿って距離ｄ１が均一になるように形成されている。
【００１４】
実施形態のインダクタ部品では、磁性体を収容する開口２２の側壁２２Ｈに凹凸が形成される。凹部２２ｊは個々のスルーホール導体３６に対応する位置に設けられる。凸部２２ｅは一列のスルーホール導体とスルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。凹部２２ｊ、凸部２２ｅにより磁性体２４とスルーホール導体３６との距離が狭まり、インダクタンス値が高められる。
【００１５】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０の表裏の第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓとは、コア基材のスルーホール導体３６を介してヘリカル状（螺旋状）に配置され、インダクタを形成する。螺旋状に配置される第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓに囲まれた空間には磁束が集中し、この磁束の集中する箇所に磁性体材料（磁性体）２４が存在し、磁束の密度が高まり所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。
【００１６】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０上の樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ上に導体パターン５８Ｆ、５８Ｓが設けられる。この場合、導体パターンが樹脂絶縁層上に設けられることとなる。よって、導体パターンと磁性体とが接する場合と比較して、導体パターンの密着性が確保されやすくなる。
【００１７】
第１実施形態のインダクタ部品は、磁性体２４とスルーホール導体３６とは、コア基材に形成された開口２２、貫通孔２６に形成される。これにより、磁性体２４とスルーホール導体３６との接触が避けられる。その結果、スルーホール導体の密着性が確保されやすくなる。
【００１８】
図６は、第１実施形態のインダクタ部品１０を内蔵するプリント配線板４１０の断面図を示す。プリント配線板４１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する絶縁性基材４３０ｚと絶縁性基材の第１面Ｆ上の第１導体層４３４Ａと絶縁性基材の第２面Ｓ上の第２導体層４３４Ｂと第１導体層４３４Ａと第２導体層４３４Ｂを接続しているスルーホール導体４３６とで形成されているコア基板４３０を有する。コア基板は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面を有する。コア基板４３０の第１面と絶縁性基材４３０ｚの第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁性基材の第２面は同じ面である。スルーホール導体４３６は、絶縁性基材４３０ｚに形成されている貫通孔４２８内をめっき膜で充填することにより形成される。
【００１９】
コア基板４３０には、開口４２０が形成され、開口内にインダクタ部品１０が収容されている。開口４２０の側壁とインダクタ部品１０の側壁との間には充填樹脂４５０が充填されている。インダクタ部品１０の側壁は、樹脂製のコア基材２０と第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層５０Ｓとにより構成され樹脂である。ガラスクロスの芯材に樹脂を含浸させて成るコア基板４３０の開口４２０の側壁は樹脂が露出している。このため、インダクタ部品の側壁と開口４２０の側壁は互いに充填樹脂との密着性が高い。なお、充填樹脂４５０は磁性粒子を含んでも良い。インダクタのＱ値やインダクタンスの値が低下し難い。磁性粒子として、酸化鉄（III）やコバルト酸化鉄、鉄、珪素鉄、磁性合金、フェライト等が挙げられる。
【００２０】
プリント配線板４１０は、さらに、コア基板４３０の第１面Ｆ上に上側のビルドアップ層４５０Ｆを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはコア基板４３０の第１面Ｆ上に形成されている絶縁層（上側の層間樹脂絶縁層）４５０Ａと絶縁層４５０Ａ上の導体層（上側の導体層）４５８Ａと絶縁層４５０Ａを貫通し第１導体層４３４Ａ、スルーホール導体４３６、インダクタ部品１０の電極６２ｐ、６２ｅと導体層４５８Ａを接続しているビア導体（上側のビア導体）４６０Ａとを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはさらに絶縁層４５０Ａと導体層４５８Ａ上の絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）４５０Ｃと絶縁層４５０Ｃ上の導体層（最上の導体層）４５８Ｃと絶縁層４５０Ｃを貫通し導体層４５８Ａやビア導体４６０Ａと導体層４５８Ｃとを接続するビア導体（最上のビア導体）４６０Ｃを有する。
【００２１】
プリント配線板４１０は、さらに、コア基板４３０の第２面Ｓ上に下側のビルドアップ層４５０Ｓを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはコア基板４３０の第２面Ｓ上に形成されている絶縁層（下側の層間樹脂絶縁層）４５０Ｂと絶縁層４５０Ｂ上の導体層（下側の導体層）４５８Ｂと絶縁層４５０Ｂを貫通し第２導体層４３４Ｂやスルーホール導体４３６と導体層４５８Ｂを接続しているビア導体（下側のビア導体）４６０Ｂとを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはさらに絶縁層４５０Ｂと導体層４５８Ｂ上の絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）４５０Ｄと絶縁層４５０Ｄ上の導体層（最下の導体層）４５８Ｄと絶縁層４５０Ｄを貫通し導体層４５８Ｂやビア導体４６０Ｂと導体層４５８Ｄとを接続するビア導体（最下のビア導体）４６０Ｄを有する。
【００２２】
第１実施形態のプリント配線板は、さらに、上側のビルドアップ層４５０Ｆ上に開口４７１Ｆを有するソルダーレジスト層４７０Ｆと下側のビルドアップ層４５０Ｓ上に開口４７１Ｓを有するソルダーレジスト層４７０Ｓを有する。
【００２３】
ソルダーレジスト層４７０Ｆ、４７０Ｓの開口４７１Ｆ、４７１Ｓにより露出している導体層４５８Ｃ、４５８Ｄやビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄの上面はパッドとして機能する。パッド上に、Ｎｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ、ＯＳＰから成る金属膜（保護膜）４７２が形成されている。その保護膜上に半田バンプ４７６Ｆ、４７６Ｓが形成されている。上側のビルドアップ層４５０Ｆ上に形成されている半田バンプ４７６Ｆを介して図示しないＩＣチップがプリント配線板４１０に搭載される。下側のビルドアップ層４５０Ｓ上に形成されている半田バンプ４７６Ｓを介してプリント配線板４１０はマザーボードに搭載される。
【００２４】
第１実施形態では、図２（Ａ）中に示されるようにインダクタ部品１０のインダクタ５９が、プリント配線板のコア基板４３０の平面に対して平行方向の軸線上にループするヘリカル状であり、プリント配線板の厚み方向では無く、横方向にループするため、プリント配線板の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。インダクタ部品１０の磁束が、プリント配線板のコア基板４３０の平面に対して平行方向の軸線上に発生するので、該磁束に干渉するスルーホール導体４３６との距離が遠くなり、高い磁束を発生させることができる。即ち、インダクタ部品の配線がループ状に形成された場合、磁束がコア基板４３０の平面に対して垂直方向に発生するため、インダクタ部品の配線と導体層４５８Ａとの距離が近づき、該導体層４５８Ａに干渉されて磁束が減じられる。第１実施形態のプリント配線板において、インダクタ部品の配線とスルーホール導体３６０とは数１００μｍのオーダで離れている。インダクタ部品の配線と導体層４５８Ａとは、層間樹脂絶縁層４５０Ａの厚み分の数１０μｍのオーダしか離れていない。
【００２５】
[第１実施形態のインダクタ部品の製造方法]
図３〜図５に第１実施形態のインダクタ部品の製造方法が示される。
厚さ０．１５mmのコア基材２０が用意される（図３（Ａ））。コア基板は、ガラスクロスの芯材に樹脂を含浸させて成るプリプレグを積層して成る。開口２２がレーザ加工でコア基材２０に形成される（図３（Ｂ））。図３（Ｃ）はコア基材の平面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ｃ）中のＸｃ−Ｘｃ断面に対応する。図２（Ｃ）が参照され上述されたように、開口２２の側壁２２Ｈには凹部２２ｊと凸部２２ｅとが形成されている。開口２２の側壁２２Ｈは、後述される貫通孔を形成するレーザで両面から形成されるため、貫通孔と同様に中央側に傾斜している。更に、開口２２は溝状にレーザで形成されるため、図２（Ｃ）中に示される最小幅Ｗ１は、貫通孔２６の最大径ｈ１以上である。コア基材２０が治具２１に載置され、開口２２内に磁性体２４がメタルマスクを用い、真空印刷される（図３（Ｄ））。磁性体は、磁性金属と樹脂等の有機材料からなる複合体である。磁性体の透磁率は２〜２０で、磁気飽和が０．１Ｔ〜２Ｔであることが、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得るため望ましい。コア基材２０の表面が研磨され、基材表面の凹凸が±１０μｍに平滑化される（図４（Ａ））。
【００２６】
コア基材２０の第１面Ｆ及び第２面Ｓに４０μｍのプリプレグが積層され、第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、積層体３０が完成する（図４（Ｂ））。開口２２を形成したレーザで、積層体３０のスルーホール形成部位に貫通孔２６が形成される（図４（Ｃ））。開口２２に対する貫通孔２６の形成位置が図２（Ｃ）中に示される。
【００２７】
第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上、及び、貫通孔２６の内壁に無電解めっき膜５２が形成される（図４（Ｄ））。無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図５（Ａ））。めっきレジスト５４の非形成部の無電解めっき膜５２上に電解めっき膜５６が形成される。貫通孔２６内に電解めっき膜が充填されスルーホール導体３６が形成される（図５（Ｂ））。めっきレジストが剥離され、電解めっき膜５６非形成部の無電解めっき膜が除去され、第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓが形成される（図５（Ｃ））。インダクタ部品が完成する（図１）。第１実施形態のインダクタ部品は、プリント配線板と同様な製造方法で形成できるので、製造が容易である。
【００２８】
[第２実施形態]
第２実施形態に係るプリント配線板４１０の断面が図７に示される。プリント配線板４１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する積層体３０と積層体の第１面Ｆ上の第１導体層４３４Ａと積層体の第２面Ｓ上の第２導体層４３４Ｂと第１導体層４３４Ａと第２導体層４３４Ｂを接続しているスルーホール導体４３６とで形成されているコア基板４３０を有する。積層体３０は、コア基材２０の両面に樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓが積層された３層構造である。第２実施形態のプリント配線板の上側のビルドアップ層４５０Ｆ、下側のビルドアップ層４５０Ｓの構成は第１実施形態と同様である。
【００２９】
コア基板４３０には、インダクタ部１１０が形成されている。インダクタ部１１０は、コア基板４３０を貫通する貫通孔２６にめっき充填されたスルーホール導体３６を備える。更に、インダクタ部１１０は、コア基板の第１面側のスルーホールランド５８ＦＲとスルーホールランド５８ＦＲとを接続する接続パターン５８ＦＬと、第２面側のスルーホールランド５８ＳＲとスルーホールランド５８ＳＲとを接続する接続パターン５８ＳＬとを備える。図２を参照して上述された第１実施形態と同様に、接続パターン５８ＦＬ、接続パターン５８ＳＬは、スルーホール導体３６を介してヘリカル状（コア基板の表裏面に対して平行方向の軸線上に沿って螺旋状）に配置され、該第接続パターン５８ＦＬ、接続パターン５８ＳＬ、スルーホール導体３６によりインダクタが形成される。
【００３０】
コア基板のコア基材２０には開口２２が形成され、該開口２２内に磁性体２４が収容されている。開口２２は、図２（Ｃ）が参照され、上述された第１実施形態と同様に、磁性体を収容する開口２２の側壁に凹凸が形成される。凹部は個々のスルーホール導体３６に対応する位置に設けられる。凸部は一列のスルーホール導体とスルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。凹部、凸部により磁性体２４とスルーホール導体３６との距離が狭まり、インダクタンス値が高められる。
【００３１】
[第２実施形態のインダクタ部を備えるコア基板の製造方法]
図８〜図１０に第２実施形態のコア基板の製造方法が示される。
厚さ０．１５mmのコア基材２０が用意される（図８（Ａ））。コア基板は、ガラスクロスの芯材に樹脂を含浸させて成るプリプレグを積層して成る。開口２２がレーザ加工でコア基材２０に形成される（図８（Ｂ））。図８（Ｃ）はコア基材の平面図である。図８（Ｂ）は、図８（Ｃ）中のＸ２−Ｘ２断面に対応する。開口２２の側壁２２Ｈには、第１実施形態と同様に凹部２２ｊと凸部２２ｅとが形成されている。コア基材２０が治具２１に載置され、開口２２内に磁性体２４がメタルマスクを用い、真空印刷される（図８（Ｄ））。磁性体は、磁性金属と樹脂等の有機材料からなる複合体である。コア基材２０の表面がベルトで研磨される（図９（Ａ））。
【００３２】
コア基材２０の第１面Ｆ及び第２面Ｓにプリプレグが積層され、第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、積層体３０が完成する（図９（Ｂ））。開口２２を形成したレーザで、積層体３０のスルーホール形成部位にインダクタ部用の貫通孔２６、コア基板の第１面と第２面の接続用の貫通孔４２８が形成される（図９（Ｃ））。
【００３３】
第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上、及び、貫通孔２６、４２８の内壁に無電解めっき膜５２が形成される（図９（Ｄ））。無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図１０（Ａ））。めっきレジスト５４の非形成部の無電解めっき膜５２上に電解めっき膜５６が形成される。貫通孔２６、４２８内に電解めっき膜が充填されスルーホール導体３６、４３６が形成される（図１０（Ｂ））。めっきレジストが剥離され、電解めっき膜５６の非形成部の無電解めっき膜が除去され、接続パターン５８ＦＬを含む第１導体パターン５８Ｆ、接続パターン５８ＳＬを含む第２導体パターン５８Ｓが形成される（図１０（Ｃ））。コア基板が完成する。第２実施形態のインダクタ部は、プリント配線板の製造工程中に形成できるので、製造が容易である。
【００３４】
第１実施形態のインダクタ部品のシミュレーションした結果が図１２に示される。
図１１（Ａ）は、シミュレーション対象とした実施例の構成の模式図であり、図１１（Ｂ）は参考例の構成の模式図である。図１１（Ａ）に示す実施例では、磁性体に２４Ａに凹凸が設けられ、スルーホール導体３６Ａに対する最小間隔ｄ２は、スルーホール導体の外周に沿って一定幅で維持される。図１１（Ｂ）に示す参考例では、磁性体に２４Ｂに凹凸が設けられず、スルーホール導体３６Ｂに対する最小間隔ｄ２は、スルーホール導体と磁性体の対向する一点のみで維持される。
【００３５】
図１１（Ｃ）はシミュレーション対象としたインダクタ部品の構成の模式図である。
第１導体パターン５８Ｆの厚みｔ１は１９．２μｍ、第１樹脂絶縁層５０Ｆの厚みｔ２は１９．１μｍ、コア基材２０の厚みｔ３は１５２．４μｍ、第２樹脂絶縁層５０Ｓの厚みｔ４は１９．１μｍ、第２導体パターン５８Ｓの厚みｔ５は１９．２μｍに設定された。
【００３６】
図１２中で、横軸は磁性体の比透磁率を示し、縦軸はインダクタンス値を示す。図中に示されるように、比透磁率５．２の磁性体を用いて、実施例では１０ｎＨを超えるインダクタンス値を得ることができたが、参考例では１０ｎＨを超えることができなかった。実施例の構成でインダクタンスを高め得ることが明らかになった。
【符号の説明】
【００３７】
１０  インダクタ部品
２０  コア基材
２２  開口（第１開口）
２４  磁性体
２６  貫通孔（第２開口）
３６  スルーホール導体
５０Ｆ、  ５０Ｓ  樹脂絶縁層
５８Ｆ  第１導体パターン
５８Ｓ  第２導体パターン
１１０  インダクタ部
４１０  プリント配線板
４２０  開口
４３０  コア基板
４５０Ｆ  上側のビルドアップ層
４５０Ｓ  下側のビルドアップ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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