(57)【要約】      （修正有）【課題】接合面であるダイパッドと端子の裏面に、樹脂封止体の樹脂バリが漏れでてもバリ除去が容易な裏面を樹脂封止体の外部に露出させている面実装型の半導体装置を提供する。【解決手段】ダイパッド３の他方の主面と端子４の他方の主面とが樹脂封止体７の主面から露出する面実装型であり、ダイパット３の一方の主面と端子４の一方の主面にめっき８を備え、ダイパット３の他方の主面と端子４の他方の主面には、めっきを備えない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、端子と、前記ダイパッドの一方の主面に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記端子の一方の主面に電気的に接続されたワイヤと、前記半導体チップと前記ダイパッドおよび前記端子を被覆する樹脂封止体とを備え、前記ダイパッドの他方の主面、および前記端子の他方の主面とが前記樹脂封止体の主面から露出した半導体装置において、前記ダイパットの一方の主面と前記端子の一方の主面にめっきを備え、前記ダイパットの他方の主面と前記端子の他方の主面には、めっきを備えないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ダイパッドは、４箇所を有し、  前記端子は、前記ワイヤの接続部のが前記樹脂封止体の内部に折り曲げられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダイパッドと前記端子は、厚さが０．３ｍｍ以下の薄い銅系材料であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に回路基板等に面実装される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路基板実装の高密度化に伴い、回路基板実装される半導体装置の小型化・薄型化が要求されている。また、樹脂封止体の裏面に電極（ダイパッドや端子）を露出させ、半導体装置を回路基板に面実装する際に、半導体装置と回路基板との間の電気的な接続としている。
【０００３】
表面と裏面にめっきを施したダイパッド部とリード部を備え、裏面をパッケージ（樹脂封止体）の外部に露出させた半導体装置が従来技術として知られている（例えば、特許文献１参照、図２、図３）。ここで先行技術はさらに、リード側面部を粗化処理し、封止樹脂との密着性を向上させた半導体装置としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１８７０４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般的に、半導体装置の裏面を回路基板等へ面実装する場合、はんだ等の接合材を用いて、熱リフロー装置等で加熱しながらはんだを溶融させる。ここで、ダイパッドと端子の裏面を接合し、面実装することが可能である。
【０００６】
しかしながら、従来技術では、表面と裏面にめっきを施したダイパッド部とリード部を備え、裏面を樹脂封止体の外部に露出させているので、接合面であるダイパッドと端子の裏面において、樹脂封止体の樹脂バリが漏れでて、バリ除去が困難になる懸念がある。
【０００７】
従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、ダイパットと端子の裏面にめっきを付けないことにより、後工程でのバリ取り性を向上させることができる面実装型の半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題を解決するために、本発明は、以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体装置は、ダイパッドと、端子と、ダイパッドの一方の主面に搭載された半導体チップと、半導体チップの電極と端子の一方の主面に電気的に接続されたワイヤと、半導体チップとダイパッドおよび端子を被覆する樹脂封止体とを備え、ダイパッドの他方の主面と端子の他方の主面とが樹脂封止体の主面から露出し、ダイパットの一方の主面と端子の一方の主面にめっきを備え、ダイパットの他方の主面と端子の他方の主面には、めっきを備えない。
また、ダイパッドは、４箇所を有し、端子は、ワイヤの接続部が樹脂封止体の内部に折り曲げられている。
また、ダイパッドと端子は、厚さが０．３ｍｍ以下の薄い銅系材料である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、以上のように構成されているので、ダイパットと端子の裏面のバリ取り性を向上させることができる面実装型の半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置の断面側面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について、図を参照して説明する。但し、図面は模式的なものであり、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための例示であって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の実施の形態は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。
【実施例１】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施例１に係る半導体装置を説明する。図１は、本発明の実施例１に係る半導体装置１の断面側面図である。図２は、その平面図である。
【００１３】
図１、図２に示すように、半導体装置１は、リードフレーム２（ダイパッド３、端子４）と、半導体チップ５と、ワイヤ６と、樹脂封止体７とで構成されている。ここでは、ダイパッド３が４箇所ある面実装樹脂封止型4ステージのノンリードパッケージである。
【００１４】
リードフレーム２は、ダイパッド３と端子４を連結して形成したものである。ここでは、ダイパッド３と端子４を簡易的に独立して示して、リードフレーム２を省略している。また、リードフレーム２は、熱伝導率の高い銅又は銅合金から成り、例えばその厚さは０．２ｍｍ程度である。表面にはめっき８を備えている。ここではニッケルめっきを施している。
【００１５】
ダイパッド３は、一方の主面（上面）に接合材を介して半導体チップ５が搭載される。
さらに、ダイパッド３の他方の主面（下面）は、樹脂封止体７の主面（下面）と同じ平面に配置され、樹脂封止体７の主面（下面）に露出している。ダイパッド３の他方の主面（下面）は、半導体装置１を回路基板上に面実装する際に、半導体装置１と回路基板との間の電気的接続や放熱接続として用いられる。ここではダイパッド３の一方の主面（上面）にニッケルめっきを備え、ダイパッド３の他方の主面（下面）は、めっきを備えていない。
【００１６】
図２に示すように、端子４は、半導体チップ５から配線されたワイヤ６の一端が接続される内部端子であるワイヤ接続部９（インナー部）を備えている。さらに、端子４は、樹脂封止体７の外部へ導出し、半導体装置１の外部端子であるアウター部１０を備えている。
【００１７】
また、端子４は、ワイヤ接続部９を樹脂封止体７の下面より上方に曲げ上げている。これにより、ワイヤ接続部９の裏面が樹脂封止体７の下面に露出しないので、端子４の樹脂封止体内における固定化（樹脂封止体を端子に食い付かせる）や、水分の浸入抑制、樹脂封止体７の下面におけるダイパッド３と端子４の絶縁距離が確保できる。
【００１８】
ここでのワイヤ接続部９の曲げ加工は、ダイパッド３の板厚よりも高く（大きく）している。板厚ｔが０．２ｍｍの場合、寸法は０．２ｍｍ以上である。
【００１９】
半導体チップ５は、上面にワイヤ６を接続する電極（図示せず）を有している。半導体チップ５は、トランジスタであり、例えば高温動作可能な化合物半導体素子の炭化珪素（ＳｉＣ）である。
【００２０】
ワイヤ６は、アルミまたはアルミ合金からなる細線で、半導体チップ５の電極とリードフレーム２の端子４のワイヤ接続部９上面（ボンディング面）に接続される。例えば細線の直径は７５ミクロンである。材質は金系または銅系でも可能である。
【００２１】
樹脂封止体７は、リードフレーム２のダイパッド３一方の主面（上面）、端子４の一方の主面（上面）、半導体チップ５、ワイヤ６を覆い、半導体装置１の外形形状を構成する。例えば半導体チップ５の動作温度に対する充分な耐熱性や絶縁性をもつ樹脂材料であるエポキシ樹脂をトランスファーモールド金型により成形される。
【００２２】
また、ダイパッド３の他方の主面（下面）と端子４の他方の主面（下面）とは、樹脂封止体７の主面（下面）に露出している。ここで樹脂封止体７の樹脂はダイパッド３と端子４の露出面に樹脂バリとして漏れてでる。
【００２３】
示していないが、樹脂封止後、ダイパッド３と端子４の露出面（裏面）をバリ取り処理を施し、外装はんだめっき処理をおこなう。ここでは、バリ取り処理として、電解バリ浮かしを実施する。外装はんだめっき処理として、スズめっきを実施する。
【００２４】
次に、上述の実施例１に係る半導体装置１の効果を説明する。
【００２５】
本発明の実施例１に係る半導体装置１は、ダイパッドと、端子と、ダイパッドの一方の主面に搭載された半導体チップと、半導体チップの電極と端子の一方の主面に電気的に接続されたワイヤと、半導体チップとダイパッドおよび端子を被覆する樹脂封止体とを備え、ダイパッドの他方の主面と端子の他方の主面とが樹脂封止体の主面から露出している構造において、ダイパットの一方の主面と端子の一方の主面にめっきを備え、ダイパットの他方の主面と端子の他方の主面には、めっきを備えないので、外装はんだめっき工程における電解バリ浮かしの効果を高め、バリ取り性を向上させることができる。
【００２６】
また、ダイパットの一方の主面と端子の一方の主面にめっきを備えているので、ワイヤボンディング性を向上することができる。アルミワイヤの場合は、ニッケルめっきを施すことによって、ボンディング熱疲労耐久性を確保することができる。
【００２７】
また、端子は、ワイヤ接続部を樹脂封止体の下面より上方に曲げ上げ、ワイヤ接続部の裏面が樹脂封止体の下面に露出しないので、端子の樹脂封止体内における固定化（樹脂封止体を端子に食い付かせる）することができる。また、水分の浸入抑制、樹脂封止体の下面におけるダイパッドと端子の絶縁距離を確保することができる。
【００２８】
また、リードフレーム２（ダイパッド３、端子４）は、厚さが０．３ｍｍ以下の薄い銅系材料であるので、小型化・薄型化に対応でき、導電性に優れている半導体装置とすることができる。また、端子４の曲げ加工も容易におこなうことができる。
【００２９】
また、ダイパッドが４箇所あることにより、正方形の面実装樹脂封止型におて、樹脂とダイパッド（金属）のバランスがよく、樹脂封止体の変形が抑制される。
【００３０】
上述のように、本発明を実施するための形態を記載したが、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例が可能であることが明らかになるはずである。
【００３１】
モールド樹脂をエポキシ樹脂としたが、ブロム（Ｂｒ）非含有のハロゲンフリー樹脂としてもよい。これにより、環境性能を向上することができる。
【００３２】
また、リードフレームの表面のめっきには、ニッケルの他、銀、パラジュウム、それらの組み合わせめっきを使用することができる。これにより、ワイヤ材質に応じた接合強度と得ることができる。
【００３３】
また、半導体チップをＳｉＣで構成されたものとしたが、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコン（Ｓｉ）等で構成することもできる。また、ＳｉＣとＧａＮ等との組み合わせでもよい。これにより、上述の構成や効果が変わることはない。
【００３４】
また、上述の例では、４箇所のダイパッドとしたが、リードフレームの上に複数のダイパッド、複数の半導体チップを搭載してもよい。
【符号の説明】
【００３５】
１、半導体装置
２、リードフレーム
３、ダイパッド
４、端子
５、半導体チップ
６、ワイヤ
７、樹脂封止体
８、めっき
９、ワイヤ接続部
１０、アウター部
【図１】
2016051831.tif 000003
【図２】
2016051831.tif 000004