(57)【要約】【課題】ＬＳＩチップと有機ＥＬ発光素子とを高い位置精度で接続可能な発光装置を提供すること。【解決手段】基板の表面に実装され、第１の電極を含むＬＳＩチップと、第１の電極上に形成され、複数の膜を含む有機ＥＬ発光体と、有機ＥＬ発光体上に形成された第２の電極とを含む発光装置が提供される。【選択図】図５
2016039318.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に実装され、第１の電極を含むＬＳＩチップと、
前記第１の電極上に形成され、複数の膜を含む有機ＥＬ発光体と、
前記有機ＥＬ発光体上に形成された第２の電極と
を含む発光装置。
【請求項２】
前記複数の膜は、真空蒸着法によって成膜される、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記ＬＳＩチップにおける前記有機ＥＬ発光体が形成される側の面の端部に、前記ＬＳＩチップよりも外側に張り出した庇状の絶縁膜が形成されている、
請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、前記ＬＳＩチップを構成する複数の絶縁膜のうちのいずれか一つ又はその組合せによって形成されている、
請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
シリコンウエハ上に、第１の電極と絶縁膜とを含む複数のＬＳＩチップを形成する工程と、
ドライエッチングにより前記シリコンウエハと前記絶縁膜との間のエッチングレートの差によって、前記複数のＬＳＩチップを分離するとともに前記絶縁膜を庇状に形成する工程と、
前記ＬＳＩチップを基板の表面に実装する工程と、
前記ＬＳＩチップの前記第１の電極上に複数の膜を含む有機ＥＬ発光体を形成する工程と、
前記有機ＥＬ発光体上に第２の電極を形成する工程と
を含む発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数のＬＳＩチップを分離するとともに前記絶縁膜を庇状に形成する工程は、前記ＬＳＩチップにおける前記絶縁膜が形成されていない側の面から前記ＬＳＩチップをドライエッチングする工程を含み、
前記絶縁膜のエッチングレートは前記シリコンウエハのエッチングレートより小さい、
請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数のＬＳＩチップを分離するとともに前記絶縁膜を庇状に形成する工程は、前記ＬＳＩチップにおける前記絶縁膜が形成されている側の面から前記ＬＳＩチップをドライエッチングする工程を含み、
前記絶縁膜のエッチングレートは前記シリコンウエハのエッチングレートより小さい、
請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真方式の画像形成装置の露光に用いられるヘッドチップの光源として、有機ＥＬを用いたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１では、導電性フィラーを含有する異方導電性接着材を用いて、電極パッドが形成されたドライバＩＣ（ＬＳＩチップ）と複数の発光部（有機ＥＬ発光素子）を含む有機ＥＬアレイアセンブリとを接続することによって、ヘッドチップを構成している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来の技術では、ドライバＩＣと有機ＥＬアレイアセンブリとを接続する場合、異方導電性接着材を用いて熱圧着する必要がある。このため、異方導電性接着材の硬化時又は圧着時に、ドライバＩＣと有機ＥＬアレイアセンブリとの間で位置ずれが発生することがある。その結果、ドライバＩＣと有機ＥＬアレイアセンブリとを高い位置精度で接続することができない。
【０００５】
そこで、本発明の一つの案では、ＬＳＩチップと有機ＥＬ発光素子とを高い位置精度で接続可能な発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一つの案では、基板の表面に実装され、第１の電極を含むＬＳＩチップと、前記第１の電極上に形成され、複数の膜を含む有機ＥＬ発光体と、前記有機ＥＬ発光体上に形成された第２の電極とを含む発光装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
一態様によれば、ＬＳＩチップと有機ＥＬ発光素子とを高い位置精度で接続可能な発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る発光装置の概略構成を例示する平面図。
【図２】本発明に係る発光装置におけるＬＳＩチップの概略構成を例示する平面図。
【図３】本発明に係る発光装置におけるＬＳＩチップの概略構成を例示する断面図。
【図４】本発明に係る発光装置におけるＬＳＩチップの概略構成を例示する平面図。
【図５】本発明に係る発光装置の概略構成を例示する断面図。
【図６】本発明に係る発光装置におけるＬＳＩチップの製造方法を例示する図。
【図７】本発明に係る発光装置におけるＬＳＩチップの製造方法を例示する図。
【図８】本発明に係る発光装置の製造方法を例示する図。
【図９】本発明に係る発光装置の製造方法を例示する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することによって重複した説明を省く。
【００１０】
まず、本発明に係る発光装置の構成の一例について、図１から図４を参照しながら説明する。
【００１１】
図１は、本発明に係る発光装置の概略構成を例示する平面図である。図２は、本発明に係る発光装置におけるＬＳＩチップの概略構成を例示する平面図である。図３は、本発明に係る発光装置におけるＬＳＩチップの概略構成を例示する断面図である。図４は、本発明に係る発光装置におけるＬＳＩチップの概略構成を例示する平面図である。
【００１２】
発光装置は、図１に示すように、基板１００と、基板１００の表面に実装されたＬＳＩチップ２００とを有する。また、ＬＳＩチップ２００は、後述する有機ＥＬ発光素子３００が形成される有機ＥＬ発光領域Ａを有する。
【００１３】
基板１００は、例えば図１のＸ方向を長軸方向とする矩形の形状とすることができる。また、基板１００の表面に複数のＬＳＩチップ２００を長軸方向に沿って一列配置で実装することによって、有機ＥＬ発光素子３００を用いた広い連続的な発光領域を得ることができる。基板１００としては、高い封止性を備えることが好ましく、例えばガラス基板を好適に用いることができる。
【００１４】
ＬＳＩチップ２００は、例えばダイボンド装置を用いて基板１００の表面にダイボンド実装されている。ダイボンド装置を用いて基板１００の表面にＬＳＩチップ２００をダイボンド実装する場合、高い位置精度、例えば±数μｍの位置精度でＬＳＩチップ２００を基板１００の表面にダイボンド実装することができる。
【００１５】
ＬＳＩチップ２００における基板１００と接合していない側の面（以下「ＬＳＩチップ２００の表面」という。）には、図２に示すように、複数の第１の電極２０１が形成されている。複数の第１の電極２０１は、有機ＥＬ発光領域Ａに形成されており、後述する有機ＥＬ発光素子３００のアノード電極として機能する。
【００１６】
また、ＬＳＩチップ２００は、後述するシリコンウエハ上に形成された有機ＥＬ発光素子３００を駆動するための駆動回路、駆動回路を制御する制御回路等を含む。
【００１７】
駆動回路及び制御回路は、例えばトランジスタと、金属配線と、フィールド絶縁膜、層間絶縁膜、パッシベーション膜等の絶縁膜とによって形成されている。また、駆動回路は、第１の電極２０１と電気的に接続されている。そして、後述する複数の有機ＥＬ発光素子３００を用いる発光装置においては、駆動回路及び制御回路によって、各々の有機ＥＬ発光素子３００が独立して制御される。
【００１８】
また、図３に示すように、ＬＳＩチップ２００の表面（図３の＋Ｚ方向側の面）の端部に、ＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２が形成されていることが好ましい。これにより、ＬＳＩチップ２００の第１の電極２０１上に後述する有機ＥＬ発光体３０１及び第２の電極３０２を形成したときに、ＬＳＩチップ２００のシリコンウエハと第２の電極３０２とが短絡（ショート）することを回避することができる。
【００１９】
絶縁膜２０２としては、駆動回路、制御回路等を形成するときに用いられる、フィールド絶縁膜、層間絶縁膜、パッシベーション膜等の複数の絶縁膜のうちのいずれか一つ又はその組合せによって形成されていることが好ましい。これにより、別体で絶縁膜２０２を形成する必要がなく、ＬＳＩチップ２００に含まれる回路を形成するときに用いられる装置を使用することができるため、新たな製造装置の開発をする必要がなくなり、導入コストを削減することができる。なお、絶縁膜２０２の形成方法については後述する。
【００２０】
有機ＥＬ発光素子３００は、図４に示すように、ＬＳＩチップ２００の有機ＥＬ発光領域Ａに形成された第１の電極２０１上に形成されている。より具体的には、ＬＳＩチップ２００の表面に形成された複数の第１の電極２０１の各々に対応するように、複数の有機ＥＬ発光素子３００が形成されている。
【００２１】
なお、図４においては、複数の有機ＥＬ発光素子３００が図４のＹ方向に２列となるように形成されているが、本発明はこの点において限定されるものではなく、１列であってもよく、３列以上であってもよい。また、第１の電極２０１の形状及び配置位置並びに有機ＥＬ発光素子３００の形状及び配置位置については特に限定されるものではなく、用途に応じて決定することができる。
【００２２】
有機ＥＬ発光素子３００の具体的な構成例について、図５を参照しながら説明する。図５は、本発明に係る発光装置の概略構成を例示する断面図である。なお、説明の便宜上、図５は、図４で説明した複数の有機ＥＬ発光素子３００のうちの一つを示している。
【００２３】
有機ＥＬ発光素子３００は、基板１００の表面に実装されたＬＳＩチップ２００の第１の電極２０１と、第１の電極２０１上に形成された有機ＥＬ発光体３０１、第２の電極３０２及び封止膜３０３とを有する。
【００２４】
また、有機ＥＬ発光素子３００は、２つの電極（第１の電極２０１及び第２の電極３０２）によって、有機ＥＬ発光体３０１が挟み込まれた構成となっている。そして、図示しない外部電源等によって２つの電極間に電圧が印加されると、有機ＥＬ発光体３０１が発光する。
【００２５】
第１の電極２０１は、予めＬＳＩチップ２００に形成されている電極であり、有機ＥＬ発光素子３００のアノード電極として機能する。
【００２６】
有機ＥＬ発光体３０１は、複数の膜、例えば正孔注入層３０１１、正孔輸送層３０１２、発光層３０１３、電子輸送層３０１４、電子注入層３０１５を含む。有機ＥＬ発光体３０１は、予め基板１００の表面にダイボンド実装されたＬＳＩチップ２００の第１の電極２０１上に形成される。
【００２７】
有機ＥＬ発光体３０１の形成方法としては、予め基板１００の表面にダイボンド実装されたＬＳＩチップ２００の第１の電極２０１上に有機ＥＬ発光体３０１を形成する方法であれば特に限定されるものではなく、真空蒸着法を好適に用いることができる。そして、真空蒸着法による蒸着のときにメタルマスクを用いることによって、所望の位置、例えば第１の電極２０１上に有機ＥＬ発光体３０１を形成することができる。
【００２８】
また、真空蒸着法を用いて有機ＥＬ発光体３０１を形成することによって、ＬＳＩチップ２００に含まれる回路を形成するときに用いられる装置を使用することができるため、新たな製造装置の開発をする必要がなくなり、導入コストを削減することができる。
【００２９】
さらに、予め基板１００の表面にダイボンド実装された複数のＬＳＩチップ２００に対して、同時に有機ＥＬ発光体３０１を成膜することができるため、複数のＬＳＩチップ２００間の有機ＥＬ発光素子３００の直線性が確保できる。
【００３０】
真空蒸着法の種類としては、特に限定されるものではなく、有機ＥＬ発光体３０１の材料、基板１００の種類等に応じて選択することができ、例えば抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法によって有機ＥＬ発光体３０１の材料を昇華（気化）させる方法が挙げられる。
【００３１】
有機ＥＬ発光体３０１を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、真空蒸着法を用いる場合には、真空蒸着法で成膜することが可能な材料を選択することができる。
【００３２】
第２の電極３０２は、有機ＥＬ発光体３０１上に形成されている電極であり、有機ＥＬ発光素子３００のカソード電極として機能する。第２の電極３０２の形成方法としては、例えば真空蒸着法を用いることができる。
【００３３】
封止膜３０３は、例えば第１の電極２０１、有機ＥＬ発光体３０１及び第２の電極３０２が大気中の酸素と反応して劣化することを防止する膜である。封止膜３０３の形成方法としては、例えば真空蒸着法を用いることができる。
【００３４】
以上に説明したように、本実施形態に係る発光装置によれば、ＬＳＩチップ２００の第１の電極２０１上に複数の膜を含む有機ＥＬ発光体３０１と、第２の電極３０２とが形成されている。すなわち、ＬＳＩチップ２００と有機ＥＬ発光素子３００とが、ボンディングワイヤ、導電性接着剤等を用いることなく、電気的に直接接続されている。このため、ＬＳＩチップ２００と有機ＥＬ発光素子３００とを高い位置精度で接続することができる。また、ＬＳＩチップ２００と有機ＥＬ発光素子３００との接続に要するコストの削減、工程の簡素化及び基板の小型化を図ることができる。
【００３５】
なお、図５では、正孔注入層３０１１、正孔輸送層３０１２、発光層３０１３、電子輸送層３０１４及び電子注入層３０１５からなる５層構造の有機ＥＬ発光体３０１について説明したが、本発明はこの点において限定されるものではない。
【００３６】
有機ＥＬ発光体３０１としては、例えば正孔注入層３０１１、正孔輸送層３０１２、発光層３０１３及び電子注入層３０１５からなる４層構造であってもよい。この場合、発光層３０１３として電子輸送性を兼ね備える材料を選択することが好ましい。
【００３７】
また、有機ＥＬ発光体３０１としては、例えば正孔輸送層３０１２、発光層３０１３及び電子輸送層３０１４からなる３層構造であってもよい。この場合、正孔輸送層３０１２として正孔注入層３０１１の機能を兼ね備える材料を選択し、電子輸送層３０１４として電子注入層３０１５の機能を兼ね備える材料を選択することが好ましい。
【００３８】
次に、ＬＳＩチップ２００の表面の端部に、ＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２を形成する方法の一例について、図６を参照しながら説明する。図６は、本発明に係る発光装置におけるＬＳＩチップの製造方法を例示する図である。なお、説明の便宜上、図６では、隣接する２つのＬＳＩチップ２００について示しているが、ＬＳＩチップの数は特に限定されるものではない。
【００３９】
ＬＳＩチップ２００の表面の端部に位置し、ＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２は、ＬＳＩチップ２００における絶縁膜２０２が形成されていない側の面（以下「ＬＳＩチップ２００の裏面」という。）からＬＳＩチップ２００をフォトエッチングすることによって形成される。
【００４０】
以下、図６（ａ）から（ｅ）を参照しながら具体的に説明する。
【００４１】
図６（ａ）は、シリコンウエハ上での隣接する２つのＬＳＩチップ２００間のダイシングラインＤＬ近傍に絶縁膜２０２が形成されている状態を示している。絶縁膜２０２は、ＬＳＩチップ２００の回路形成のときに用いられる、フィールド酸化膜、層間絶縁膜、パッシベーション膜等の複数の絶縁膜のうちのいずれか一つ又はその組合せによって形成されている。
【００４２】
まず、図６（ａ）で示したＬＳＩチップ２００の裏面に酸化膜２０３を形成した後、酸化膜２０３上にレジスト膜２０４を塗布し、プリベークを行う。
【００４３】
続いて、酸化膜２０３及びレジスト膜２０４が塗布されたＬＳＩチップ２００の裏面に、所望のパターンを有するフォトマスクを用いて紫外線を照射する。これにより、フォトマスクのパターンがレジスト膜２０４に転写（露光）される。
【００４４】
続いて、純水洗浄によって露光された部分のレジスト膜２０４を除去する。これにより、図６（ｂ）に示すように、シリコンウエハ上での隣接する２つのＬＳＩチップ２００間のダイシングラインＤＬ近傍に塗布されたレジスト膜２０４が除去される。
【００４５】
なお、所望のパターンとしては、ダイシングラインＤＬを挟んでダイシングラインＤＬ近傍に形成された絶縁膜２０２間の距離Ｌ１よりも長い距離Ｌ２を有する開口部Ｈが形成されるパターンであることが好ましい。
【００４６】
続いて、ポストベークを行った後、図６（ｃ）に示すように、ＬＳＩチップ２００の裏面側からドライエッチングを行う（破線矢印参照）ことによって、レジスト膜２０４に覆われていない部分の酸化膜２０３を除去する。
【００４７】
続いて、図６（ｄ）に示すように、ＬＳＩチップ２００の裏面側からドライエッチングを行う（破線矢印参照）ことによって、酸化膜２０３に覆われていない部分のＬＳＩチップ２００を除去する。このとき、絶縁膜２０２のエッチングレートがシリコンウエハのエッチングレートより小さくなるように、ドライエッチングを行う。これにより、絶縁膜２０２とＬＳＩチップ２００との間のエッチングレートの差によって、ＬＳＩチップ２００の表面に形成された絶縁膜２０２はほとんどエッチングされることなく、ＬＳＩチップ２００が優先的にエッチングされる。すなわち、絶縁膜２０２は、ＬＳＩチップ２００の裏面側からのドライエッチングに対して、エッチングストップ層として機能する。このため、ＬＳＩチップ２００の回路形成のときに用いられる装置を使用することができる。結果として、新たな製造装置の開発をする必要がなくなり、導入コストを削減することができる。
【００４８】
続いて、図６（ｅ）に示すように、ＬＳＩチップ２００の裏面に残ったレジスト膜２０４及び酸化膜２０３を除去する。これにより、複数のＬＳＩチップ２００が各々のＬＳＩチップ２００に切り出され（分離され）、ＬＳＩチップ２００の表面の端部にＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２が形成される。なお、ＬＳＩチップ２００を分離するときに、ダイシングテープ等によってＬＳＩチップ２００の表面の保護及び固定を行うことが好ましい。
【００４９】
次に、ＬＳＩチップ２００の表面の端部に、ＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２を形成する方法の他の例について、図７を参照しながら説明する。図７は、本発明に係る発光装置におけるＬＳＩチップ２００の製造方法を例示する図である。なお、説明の便宜上、図７では、隣接する２つのＬＳＩチップ２００について示しているが、ＬＳＩチップ２００の数は特に限定されるものではない。
【００５０】
ＬＳＩチップ２００の表面の端部に位置し、ＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２は、ＬＳＩチップ２００の表面からＬＳＩチップ２００をドライエッチングすることによって形成される。
【００５１】
以下、図７（ａ）から（ｄ）を参照しながら具体的に説明する。
【００５２】
図７（ａ）は、シリコンウエハ上での隣接する２つのＬＳＩチップ２００間のダイシングラインＤＬ近傍に絶縁膜２０２が形成されている状態を示している。絶縁膜２０２は、ＬＳＩチップ２００の回路形成のときに用いられる、フィールド酸化膜、層間絶縁膜、パッシベーション膜等の複数の絶縁膜のうちのいずれか一つ又はその組合せによって形成されている。
【００５３】
まず、図７（ｂ）に示すように、図７（ａ）で示したＬＳＩチップ２００の表面側からドライエッチングを行う（破線矢印参照）。このとき、絶縁膜２０２のエッチングレートがシリコンウエハのエッチングレートより小さくなるように、ドライエッチングを行う。これにより、図７（ｃ）に示すように、絶縁膜２０２に覆われていない部分のＬＳＩチップ２００が除去される。
【００５４】
ドライエッチングを更に行うと、絶縁膜２０２とＬＳＩチップ２００との間のエッチングレートの差によって、図７（ｄ）に示すように、ＬＳＩチップ２００の側壁部分が更にエッチングされる。また、深さ方向についてはダイシングした状態となるため、隣接する２つのＬＳＩチップ２００が分離される。これにより、ＬＳＩチップ２００の表面の端部に、ＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２が形成される。
【００５５】
なお、ドライエッチングにおいては、絶縁膜２０２とＬＳＩチップ２００との間のエッチングレートの差によって、ＬＳＩチップ２００の表面に形成された絶縁膜２０２はほとんどエッチングされず、ＬＳＩチップ２００の側壁部分が優先的にエッチングされる。このため、ＬＳＩチップ２００の回路形成のときに用いられる装置を使用することができる。結果として、新たな製造装置の開発をする必要がなくなり、導入コストを削減することができる。
【００５６】
また、ＬＳＩチップ２００を分離するときに、ダイシングテープ等によってＬＳＩチップ２００の表面の保護及び固定を行うことが好ましい。
【００５７】
以上、ＬＳＩチップ２００の表面の端部に、ＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２を形成する方法について、図６及び図７を参照しながら説明したが、本発明はこの点において限定されるものではない。
【００５８】
次に、基板１００の表面に実装されたＬＳＩチップ２００上に有機ＥＬ発光体３０１及び第２の電極３０２を形成する方法について、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００５９】
図８及び図９は、本発明に係る発光装置の製造方法を例示する図である。なお、図８及び図９における破線矢印は、有機ＥＬ発光体３０１又は第２の電極３０２が蒸着される状態を簡易的に表す。また、説明の便宜上、図８及び図９では、隣接する２つのＬＳＩチップ２００について示しているが、ＬＳＩチップ２００の数は特に限定されるものではない。
【００６０】
図８（ａ）は、ＬＳＩチップ２００の表面の端部に、ＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２を有していない場合のＬＳＩチップ２００を基板１００の表面に複数個実装した状態を示している。
【００６１】
まず、図８（ａ）に示した基板１００の表面に実装されたＬＳＩチップ２００上に、真空蒸着法により、有機ＥＬ発光体３０１を成膜する（図８（ｂ））。
【００６２】
続いて、真空蒸着法により、有機ＥＬ発光体３０１上に第２の電極３０２を成膜する（図８（ｃ））。
【００６３】
以上の工程により、基板１００の表面に実装されたＬＳＩチップ２００上に有機ＥＬ発光体３０１及び第２の電極３０２を形成することができる。
【００６４】
すなわち、ＬＳＩチップ２００と有機ＥＬ発光素子３００とが、ボンディングワイヤ、導電性接着剤等を用いることなく、電気的に直接接続されている。このため、ＬＳＩチップ２００と有機ＥＬ発光素子３００とを高い位置精度で接続することができる。また、ＬＳＩチップ２００と有機ＥＬ発光素子３００との接続に要するコストの削減、工程の簡素化及び基板の小型化を図ることができる。
【００６５】
ところで、ＬＳＩチップ２００上に有機ＥＬ発光体３０１及び第２の電極３０２を形成する場合、有機ＥＬ発光体３０１及び第２の電極は、図８（ｃ）に示すように、絶縁膜２０２の表及び側壁面、ＬＳＩチップ２００の側壁面等に付着することがある。
【００６６】
係る場合、有機ＥＬ発光体３０１は高抵抗な膜から構成されているため、ＬＳＩチップ２００の側壁面等に付着した場合であっても、有機ＥＬ発光素子３００の特性への影響はほとんどない。しかしながら、第２の電極３０２は金属であるため、ＬＳＩチップ２００の側壁面に付着すると、第２の電極３０２とＬＳＩチップ２００のシリコンウエハとの間が短絡状態となる可能性がある。
【００６７】
そこで、図９に示すように、ＬＳＩチップ２００の表面の端部に、ＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２が形成されていることが好ましい。
【００６８】
図９（ａ）は、ＬＳＩチップ２００の表面の端部に、ＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２を有する場合のＬＳＩチップ２００を基板１００の表面に複数個実装した状態を示している。
【００６９】
まず、図９（ａ）に示した基板１００の表面に実装されたＬＳＩチップ２００上に、真空蒸着法により、有機ＥＬ発光体３０１を成膜する（図９（ｂ））。
【００７０】
続いて、真空蒸着法により、有機ＥＬ発光体３０１上に第２の電極３０２を成膜する（図９（ｃ））。
【００７１】
以上の工程により、基板１００の表面に実装されたＬＳＩチップ２００上に有機ＥＬ発光体３０１及び第２の電極３０２を形成することができる。
【００７２】
ここで、有機ＥＬ発光体３０１及び第２の電極３０２は、図９（ｃ）に示すように、絶縁膜２０２の表面及び側壁面、ＬＳＩチップ２００の側壁面等に付着することがある。
【００７３】
しかしながら、ＬＳＩチップ２００の表面の端部に、ＬＳＩチップ２００よりも外側に張り出した庇状の絶縁膜２０２が形成されているため、有機ＥＬ発光体３０１及び第２の電極３０２は、庇状の絶縁膜２０２の裏面側に付着することはない。このため、絶縁膜２０２の表面及び側壁面に形成された有機ＥＬ発光体３０１及び第２の電極３０２と、ＬＳＩチップ２００の側壁面に付着した有機ＥＬ発光体３０１及び第２の電極３０２とは、連続して形成されることなく、途切れた状態となる。結果として、第２の電極３０２とＬＳＩチップ２００との間で電流リークが発生することを抑制することができ、有機ＥＬ発光素子３００の特性への影響を抑制することができる。
【００７４】
以上、発光装置を実施形態により説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１００    基板
２００    ＬＳＩチップ
２０１    第１の電極
２０２    絶縁膜
３０１    有機ＥＬ発光体
３０１１  正孔注入層
３０１２  正孔輸送層
３０１３  発光層
３０１４  電子輸送層
３０１５  電子注入層
３０２    第２の電極
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７６】
【特許文献１】特開２００４−２９１４３５号公報
【図１】
2016039318.tif 000003
【図２】
2016039318.tif 000004
【図３】
2016039318.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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