(57)【要約】【課題】表面自由エネルギーの差を面内に予め形成した基板にインクを印刷してパターンを形成する際、微細なパターンに対して十分な膜厚を確保することが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】表面に互いに隣接して撥液面および当該撥液面に対して表面エネルギーが異なる親液パターンを有する基板を用意すること、当該基板にインクを接触させること、および接触したインク面を移動して前記親液パターンにインクを印刷することを含むパターン形成方法である。前記親液パターンは線状の主親液パターンと当該親液パターンに接続する補助親液パターンとを備える。撥液領域は、前記主親液パターンと前記補助親液パターンとの間の前記撥液面に規定され、前記撥液領域は前記インク面の移動方向に対して上流側で前記主親液パターンと前記補助親液パターンとの接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側に開放されているパターン形成方法。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に互いに隣接して撥液面および当該撥液面に対して表面エネルギーが異なる親液パターンを有する基板を用意すること、
当該基板にインクを接触させること、および
接触したインク面を移動することにより前記親液パターンにインクを印刷すること、
を含むパターン形成方法であって、
前記親液パターンは、線状の主親液パターンと、当該主親液パターンに接続する補助親液パターンとを備え、
撥液領域は、前記主親液パターンと前記補助親液パターンとの間の前記撥液面に規定され、
前記撥液領域は、前記インク面の移動方向に対して上流側で前記主親液パターンと前記補助親液パターンとの接続箇所で閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
インク保持部材により前記インクを前記基板との間に保持すること、および前記インクを前記基板の表面に接触させたまま、前記インク保持部材を前記基板に対して相対的に移動させることをさらに含むことを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記補助親液パターンは、前記主親液パターンに当該主親液パターンに沿って複数接続されていることを特徴とする請求項１または２記載のパターン形成方法。
【請求項４】
複数の前記補助親液パターンは、前記主親液パターンに当該主親液パターンに沿って異なるピッチで接続されることを特徴とする請求項３記載のパターン形成方法。
【請求項５】
複数の前記補助親液パターンが前記主親液パターンに当該主親液パターンに沿って接続された形態において、前記主親液パターンの長さ方向に隣接する２つの前記補助親液パターンの接続箇所の間に位置する主親液パターン部の面積をＳ１、当該主親液パターン部の前記インク面の移動方向に対して上流側に位置する前記主親液パターンと前記補助親液パターンとの間の前記撥液面に規定される撥液領域の面積をＳ２とすると、前記Ｓ２は前記Ｓ１の０．０２倍以上であることを特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記主親液パターンは、互いに並行して複数設けられ、かつ前記補助親液パターンは各主親液パターンにそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項７】
隣接する２つの前記主親液パターンにおいて、一方の前記主親液パターンに接続された前記補助親液パターンと他方の前記主親液パターンに接続された前記補助親液パターンとは、それらの主親液パターンに沿って互いにずらして配置されることを特徴とする請求項６記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記インク面の移動方向に対して上流側に隣接し、かつ当該上流側で開放される別の撥液領域をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし７いずれか１項記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記インクは、金属ナノ粒子を分散した導電性インクであることを特徴とする請求項１ないし８いずれか１項記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記導電性インクを用いて前記基板の表面に導電性インクパターンを形成した後、さらに焼成して導電パターンを形成することを特徴とする請求項９記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
表面に互いに隣接して撥液面および当該撥液面に対して表面エネルギーが異なる親液パターンを有する版を用意すること、
前記版の表面にインクを接触させること、
接触したインク面を移動して前記親液パターンにインクを印刷してインクパターンを形成すること、および
前記版の表面の前記インクパターンを基板に転写すること
を含むパターン形成方法であって、
前記親液パターンは、線状の主親液パターンと、当該主親液パターンに接続する補助親液パターンとを備え、
撥液領域は、前記主親液パターンと前記補助親液パターンとの間の前記撥液面に規定され、
前記撥液領域は、前記インク面の移動方向に対して上流側で前記主親液パターンと前記補助親液パターンとの接続箇所で閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１２】
基板と、当該基板の表面に設けられる線状の主パターンおよび補助パターンとを備え、
前記補助パターンは、前記主パターンに接続し、
前記補助パターンは、前記主パターンとの接続部から離れた箇所で屈曲し、屈曲した補助パターン部分が前記主パターンに沿い、かつ
前記補助パターンの線幅が前記主パターンの線幅の０．２〜５倍であることを特徴とするパターン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、印刷によるパターン形成方法およびパターンに関する。
【背景技術】
【０００２】
印刷を用いたパターン形成は、ローコストで電子デバイスを形成する方法として考えられている。印刷方法には、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷などが知られている。しかしながら、これらの印刷方法はそのまま用いても微細なパターンの形成が難しい。
【０００３】
このようなことから、印刷する対象基板の表面を例えば撥液性にし、当該撥液性表面に親液パターンを形成して対象基板の表面の濡れ性が異なる領域とし、当該親液パターン上にインクを印刷することによりパターン境界が明瞭で微細なパターンを形成する方法が知られている。例えば、特許文献１にはディップ法またはダイコーティング法で薄膜トランジスタのソース、ドレイン電極などを形成することが記載されている。
【０００４】
また、適用する印刷方法にはインクジェットも知られている。例えば、特許文献２には基板を露光して親液部を形成し、当該親液部にインクジェットでインクを滴下して配線パターンを形成すること、パターン形成においてインクジェットの打滴間隔を調整することで均一な膜厚のパターンを形成することが開示されている。インクジェット法は、インクを液滴にして供給するため、基板の親液パターンにインク量を位置的に調整が可能である。しかしながら、液滴は親液パターンに少なくとも一部が触れるように滴下しなければならず、高精度なインクジェット印刷が必要となる。インクの液滴サイズは、生産性および着弾位置精度の点から大きくすることが望ましい。しかしながら、高密度で微細な親液パターンに大きな液滴を滴下すると、ブリッジが発生する。従って、高精細なパターンを形成する上で液滴サイズの制限が障害になる。
【０００５】
ディップ法またはダイコーティング法では、インクを基板面に触れさせて塗布する。このため、親液パターンに沿ったインクを残すことが可能であり、アライメント精度や微細化が可能になる。しかしながら、これらの方法は親液パターンのインク量を調整することが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２８９０５４号公報
【特許文献２】特開２００４−３５１３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本実施形態は、表面自由エネルギーの差を面内に予め形成した基板にインクを印刷してパターンを形成する際、微細なパターンに対して十分な膜厚を確保することが可能なパターン形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、  本実施形態は、表面に互いに隣接して撥液面および当該撥液面に対して表面エネルギーが異なる親液パターンを有する基板を用意すること、
当該基板にインクを接触させること、および
接触したインク面を移動することにより前記親液パターンにインクを印刷すること
を含むパターン形成方法であって、
前記親液パターンは、線状の主親液パターンと、当該主親液パターンに接続する補助親液パターンとを備え、
撥液領域は、前記主親液パターンと前記補助親液パターンとの間の前記撥液面に規定され、
前記撥液領域は、前記インク面の移動方向に対して上流側で前記主親液パターンと前記補助親液パターンとの接続箇所で閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されることを特徴とするパターン形成方法が提供される。
【０００９】
撥液面および親液パターンを表面に有する基板の１つの形態において、当該基板自体が撥液面および親液パターンを有する。別の形態において、撥液面および親液パターンは少なくとも一方が当該基板と別の材料を用いて当該基板の上に形成される。これらの形態は、以下の実施形態で具体的に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図２】第１の実施形態に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図３】第１の実施形態に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図４】第１の実施形態に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図５】第１の実施形態に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図６】第１の実施形態に係るパターン形成方法を説明するための図である。
【図７】撥液領域の面積を設定するために用いた平面図である。
【図８】従来の印刷法によるパターン形成方法を説明するための図である。
【図９】実施例１および比較例を説明するための図である。
【図１０】第１の実施形態の別のパターン形成方法を説明するための図である。
【図１１】第１の実施形態の別のパターン形成方法を説明するための図である。
【図１２】第１の実施形態の別のパターン形成方法を説明するための図である。
【図１３】第２の実施形態の、パターン形成方法が適用されるアクティブマトリックスを示す平面図である。
【図１４】図１３のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図１５】第２の実施形態の別のパターン形成方法を説明するための図である。
【図１６】第２の実施形態のさらに別のパターン形成方法を説明するための図である。
【図１７】第３の実施形態のパターン形成方法を説明するための図である。
【図１８】第３の実施形態の別のパターン形成方法を説明するための図である。
【図１９】第４の実施形態のパターン形成方法を説明するための図である。
【図２０】第５の実施形態のパターン形成方法を説明するための図である。
【図２１】第６の実施形態の、パターン形成方法が適用されるアクティブマトリックスを示す図である。
【図２２】第７の実施形態のパターン形成方法を説明するための図である。
【図２３】第８の実施形態のパターン形成方法を説明するための図である。
【図２４】第９の実施形態のパターン形成方法を説明するための図である。
【図２５】第１０の実施形態のパターン形成方法を説明するための図である。
【図２６】第１１の実施形態に係るパターンを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１〜図６は、第１の実施形態に係るパターンの形成工程を示す図である。図１〜図６の（ａ）は断面図で、図１〜図６の（ｂ）はそれぞれ図１〜図６の（ａ）の平面図である。
【００１３】
（ｉ）図１の（ａ），（ｂ）に示すように基板１の表面に表面自由エネルギーが小さい撥液層２を形成する。
【００１４】
基板は、単一の基板の他に、表面に各種の膜または層が形成された基板を挙げることができる。基板それ自体は、例えばガラス、シリコンのような半導体材料、プラスチックフィルムから作られる。膜は、例えば層間絶縁膜、ゲート絶縁膜を挙げることができる。層は、例えば配線層、電極層、半導体層を挙げることができる。
【００１５】
撥液層は、例えば基板表面に有機樹脂材料を成膜して有機樹脂層を形成した後、当該有機樹脂層の表面にフッ素を含む基、長鎖アルキル基などを導入することにより形成される。また、有機樹脂層を形成した後、当該有機樹脂層の表面に薄い撥液層を形成したり、表面処理により当該有機樹脂層の表面を改質して撥液層を形成したりしてもよい。
【００１６】
（ii）次いで、図２の（ａ），（ｂ）に示すように撥液層２に紫外光５を照射することにより親液パターン３を形成する。この工程によって、塗布するインクに対して接触角が大きい撥液性の撥液層２と当該接触角が小さい親液性パターン３とは、基板１の表面に互いに隣接して形成される。撥液層２は、塗布するインクに対して接触角が４０〜１２０度にすることが好ましい。親液パターン３は、撥液層２よりもインクに対して接触角が小さい、２〜２５度にすることが好ましい。
【００１７】
紫外光は、波長１５０〜２５０ｎｍの短波長でも、波長３５０〜４７０ｎｍの光でもよい。紫外光の光源は、例えば超高圧水銀ランプ、紫外ＬＥＤまたはＬＤを使用することができる。これらの光源は、親液パターンが形成される反応機構に従って選択すればよい。
【００１８】
親液パターンの形成にあたり、紫外光の照射とともにオゾンによる酸化を併用してもよい。また、メタルマスクを用いる選択的なプラズマ処理により撥液層を改質して親液パターンを形成してもよい。さらに、撥液層にレーザアブレーションを施して撥液層の表面を除去、加工する方法を用いてもよい。
【００１９】
親液パターン３は、前記図２の（ｂ）に示すように線状の主親液パターン２０１と、２つの補助親液パターン、すなわち第１の補助親液パターン２０２ａおよび第２の補助親液パターン２０２ｂとから構成されている。なお、図２の（ｂ）の２つの補助親液パターン２０２ａおよび２０２ｂは、複数の補助親液パターンの一部を示す。また、以下の説明において図面に描かれる補助親液パターンの数および後述の撥液領域の数は、複数の補助親液パターンおよび撥液領域の一部を示すもので、それらの数に限定されるものではない。また、図２では補助親液パターンおよび撥液領域が複数あるが、少なくとも１つあればよい。第１、第２の補助親液パターン２０２ａおよび２０２ｂは、主親液パターン２０１に当該主親液パターン２０１に沿って所望の距離を開けて接続されている。第１、第２の補助親液パターン２０２ａおよび２０２ｂは、互いに同形状で、例えば２箇所で主親液パターン２０１の長手方向に沿ってそれぞれ９０度の角度で同方向に屈曲したコ字形をなす。第１、第２の補助親液パターン２０２ａおよび２０２ｂは、主親液パターン２０１に当該コ字形の屈曲部間の中央で接続されている。２つの第１の撥液領域６ａは、主親液パターン２０１と第１の補助親液パターン２０２ａとの間の撥液層２にそれぞれ規定されている。換言すれば、２つの第１の撥液領域６ａは主親液パターン２０１および第１の補助親液パターン２０２ａで区画された撥液層２の２つの表面部分にそれぞれ規定されている。すなわち、２つの第１の撥液領域６ａは矩形状をなし、図２の（ｂ）に示す左から右に向かう矢印４０１に示す塗布方向（後述するインク面の移動方向）に対し上流側で主親液パターン２０１と第１の補助親液パターン２０２ａとの接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている。２つの第１の撥液領域６ａは、主親液パターン２０１を挟んで両側に対称的に配置されている。２つの第２の撥液領域６ｂは、主親液パターン２０１と第２の補助親液パターン２０２ｂとの間の撥液層２にそれぞれ規定され、前記２つの第１の撥液領域６ａと同様な形状を有する。ここではコの字型の１つの補助親液パターンと主親液パターンが２つの撥液領域を形成すると説明したが、２つの撥液領域はセットであればよい。また、２つのL字型の補助親液パターンと主親液パターンがそれぞれ１つの撥液領域を形成してもよい。以下の説明においても同様である。
【００２０】
第１、第２の補助親液パターン２０２ａおよび２０２ｂの線幅は、線状の主親液パターン２０１の線幅と同等もしくは略同等にすることが望ましい。ただし、第１、第２の補助親液パターン２０２ａおよび２０２ｂの線幅は、線状の主親液パターン２０１の線幅の０．２〜５倍の範囲であれば、それらの効果を達成できる。より好ましい第１、第２の補助親液パターン２０２ａおよび２０２ｂの線幅は、線状の主親液パターン２０１の線幅の０．５〜２倍である。
【００２１】
図７は、図２の（ｂ）の親液パターンを示し、第１、第２の補助パターン２０２ａおよび２０２ｂ間の１ピッチ分に相当する線状の主親液パターン２０１部分の面積を斜線で、当該主親液パターン２０１部分の塗布方向（図７に示す矢印４０１）に対して上流側に位置する主親液パターン２０１と第１の補助親液パターン２０２ａとの間の撥液層２に規定される第１の撥液領域６ａの面積を主親液パターン２０１部分の面積と逆の斜線で示している。図７の斜線で示す１ピッチ分に相当する線状の主親液パターン２０１部分に塗布されるインク量は、後述するようにインクの塗布方向４０１の上流側に位置する第１の撥液領域６ａの面積に依存して増大するため、当該第１の撥液領域６ａは適切な面積を有することが好ましい。具体的には、線状の主親液パターン２０１部分の面積をＳ１，第１の撥液領域６ａの面積をＳ２とすると、前記Ｓ２は前記Ｓ１の０．０２倍以上にすることが好ましい。ここで、インクの塗布方向の上流側に位置する撥液領域の面積Ｓ２は1ピッチ内の撥液領域の総和面積である。図２の（ｂ）および図７では、第１の撥液領域の面積Ｓ２は斜線で示す２つの第１の撥液領域６ａの総和である。なお、後述する図２０の（Ｂ）のように主親液パターン２０１の片側に補助親液パターン２０３を接続することにより主親液パターン２０１と補助親液パターン２０３との間の撥液層９０に規定される撥液領域９２は１つであり、図７で説明した面積関係に適用した場合、撥液領域の面積は１つの撥液領域９２の面積である。
【００２２】
このように第１の撥液領域６ａの面積と線状の主親液パターン２０１部分の面積の関係（Ｓ２≧０．０２Ｓ１）を設定することにより、主親液パターン２０１上に形成されるインクパターンの相対膜厚を１．５倍以上に増加させることができる。前記Ｓ２は前記Ｓ１の０．０２倍以上、２倍以下にすることがより好ましい。なお、ピッチが異なる場合では総面積での比率または平均的な範囲での面積比率として計算すればよい。また、１つの主親液パターンに１つの補助親液パターンを接続した場合でも効果が得られる。線状の主親液パターンの面積をＳ１、主親液パターンと補助親液パターンとの間で形成される撥液領域の面積をＳ２、とすれば、同様な設定により主親液パターンの膜厚を増加させることができる。なお、図２の（ｂ）において、２つの第２の撥液領域６ｂの総和面積も２つの第１の撥液領域６ａの総和面積と同じ面積を有することが好ましい。
【００２３】
（iii）図３の（ａ），（ｂ）に示すように基板１表面の親液パターン３を含む撥液層２の表面にインク保持部材１１を撥液層２の表面との間に所定の距離で隔てて設置し、親液パターン３を含む撥液層２の表面とインク保持部材１１との間にインク１２を保持する。親液パターン３を含む撥液層２の表面とインク保持部材１１との間の距離は、１０〜５００μｍにすることが好ましい。
【００２４】
インク保持部材は、例えば金属またはガラス等から作られるアプリケータを用いることができる。アプリケータは、インクを供給し得るノズルを備えた構造でもよい。また、インク保持部材は親液パターンを含む撥液層の表面に対して狭いギャップで保持し、それらのギャップ間にインクを充填、供給できるキャピラリー構造でもよい。
【００２５】
インクは、導電体、半導体、絶縁体など種々のものを使用できる。インクは、インク保持部材を用いてインクを塗布するにあたり、メニスカス面の移動および撥液領域でのインクの滞留等の作用によって、主親液パターンに十分な厚さのパターンを形成するのに適した粘度を有することが好ましい。インクの粘度は、１〜１００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、より好ましくは２〜３０ｍＰａ・ｓである。
【００２６】
導電性インクは、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの金属ナノ粒子が分散された分散系、またはカーボンナノチューブ、フラーレンなどの単体もしくは混合分散系、あるいはゾルゲル、錯体溶液等を用いることができる。溶媒は、水、および、アルコール、テトラデカン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、トルエン、メシチレン、テトラリンなどの有機溶剤、これらの混合液などを用いることができる。また、導電性インクは金属、導電材料の他、高分子や低分子有機半導体、無機半導体、有機樹脂、無機絶縁体、の分散体や溶媒に溶解させた溶液なども用いることができる。導電性インクは、さらに凝集抑制剤、乾燥抑制剤、界面活性剤などを含んでいてもよい。
【００２７】
（iv）図４の（ａ），（ｂ）に示すように保持されたインク１２を基板１上に移動する。インク１２の移動は、インク保持部材１１を基板１に対して移動させるか、またはインク保持部材１１を固定して基板１を移動させることによりなされる。インクの移動方向は矢印４０１に示す塗布方向とする。前述した図３の（ａ），（ｂ）では、親液パターン３の上流側の端部が塗布開始位置で、インク１２のメニスカス面１３が基板１上を移動して塗布される。インク１２がインク保持部材１１と共に矢印４０１方向に移動して第１の補助親液パターン２０２ａを越えた時に、インク溜り領域１４は主親液パターン２０１と第１の補助親液パターン２０２ａとの間の撥液層２に規定される２つの第１の撥液領域６ａにそれぞれ形成される。つまり、インク溜り領域１４も２つの第１の撥液領域６ａの総和として形成される。
【００２８】
インクの移動速度は、インクの粘度が例えば前述した２〜３０ｍＰａ・ｓである場合、１〜１０００ｃｍ／分であることが好ましい。より好ましいインクの移動速度は、１０〜２００ｃｍ／分である。塗布方法は、ダイコート法、スリットコート法、ディップ法などを挙げることができる。
【００２９】
（ｖ）インク保持部材１１をさらに矢印４０１方向に移動して図５の（ａ），（ｂ）に示すようにインク保持部材１１を親液パターン３の第１、第２の補助親液パターン２０２ａおよび２０２ｂ間に位置すると、メニスカス面１３が移動してインク保持部材１１の上流側に位置する主親液パターン２０１部分および第１の補助親液パターン２０２ａにインクが選択的に付着する。この時、第１の撥液領域６ａに形成されたインク溜り領域１４のインクは、インク保持部材１１の下流側に位置する主親液パターン２０１部分に移動する。このため、線状の主親液パターン２０１部分のインク量を増大させることができる。なお、より厳密にはインクの移動は主親液パターンの下流側のみではなく、液体として繋がっている上流側にも移動が起きる。表面張力による力学的な平衡状態ではなく、インクの粘度または乾燥速度などにより、最終的なインクの厚さ分布が決まる。いずれにしても、実施形態のように主親液パターンに補助親液パターンを接続することにより、主親液パターンのインク量を増大させることができる。
【００３０】
（vi）インク保持部材１１をさらに矢印４０１方向に移動して図６の（ａ），（ｂ）に示すように親液パターン３の第２の補助親液パターン２０２ｂを通過して右側に位置すると、メニスカス面１３が移動してインク保持部材１１の上流側に位置する主親液パターン２０１部分および第２の補助親液パターン２０２ｂにインクが選択的に付着する。また、インク１２がインク保持部材１１と共に矢印４０１方向に移動して第２の補助親液パターン２０２ｂを越えた時に、前述した図４の（ａ），（ｂ）で説明したのと同様な作用によりインク溜り領域（図示せず）が前記２つの第２の撥液領域６ｂにそれぞれ形成される。第２の撥液領域６ｂに形成されたインク溜り領域のインクは、インク保持部材１１の下流側、第２の補助親液パターン２０２ｂより移動方向側に位置する主親液パターン２０１部分に移動する。このため、線状の当該主親液パターン２０１部分のインク量を増大させることができる。
【００３１】
このような工程（ｉ）〜工程（vi）で説明した第１の実施形態によれば、インク１２がインク保持部材１１と共に矢印４０１方向に移動して第１の補助親液パターン２０２ａを越えた時に、インク溜り領域１４が２つの第１の撥液領域６ａにそれぞれ形成される。つづいて、インク１２がインク保持部材１１と共に移動して第２の補助親液パターン２０２ｂを越えた時に、インク溜り領域（図示せず）が２つの第２の撥液領域６ｂにそれぞれ形成される。その結果、前記各インク溜り領域のインクは、移動方向の下流側に位置する線状の主親液パターン２０１部分にインク保持部材１１からのインクとは別にそれぞれ補給される。このため、当該主親液パターン２０１部分へのインク量を増大できる。それ故、線状の主親液パターン２０１上に厚い膜厚を有するインクパターン１５を形成できる（図６の（ａ），（ｂ）図示）。
【００３２】
図８の（ａ），（ｂ）に示すように基板３０１表面に塗布するインクに対して接触角が大きい撥液性の撥液層３０２と同接触角が小さい補助親液パターンを付設しない線状の親液性パターン３０３を形成した後、前述した工程（iii）〜（vi）に従ってインク保持部材を用いて線状の親液性パターン３０３上にインクパターン３０４を形成した。第１の実施形態により形成された図６の（ａ），（ｂ）に示すインクパターン１５と図８の（ａ），（ｂ）に示すインクパターン３０４とを比較した。その結果、第１の実施形態により形成された図６の（ａ），（ｂ）に示すインクパターン１５は図８の（ａ），（ｂ）に示すインクパターン３０４に比べて格段に厚い膜厚を有することを確認した。
【００３３】
第１の実施形態において、インクパターン１５を乾燥、加熱、焼成、光照射またはプラズマ照射等の処理を施して固化することにより、厚い膜厚を有するパターンを形成できる。焼成温度は、インクの組成によって選択する。例えば、前述したＡｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの金属ナノ粒子が分散された分散系導電性インクを用いた場合には、１００〜３００℃にすることが好ましく、より好ましい焼成温度１２０〜１８０℃である。
【００３４】
従って、第１の実施形態に係る方法によれば表面自由エネルギーの差を面内に予め形成した基板にインクを印刷してパターンを形成する際、微細なパターンに対して十分な膜厚を確保することが可能になる。
【００３５】
次に、第１の実施形態に係る導電パターン形成方法の実施例を図９の（Ａ）を参照して説明する。また、比較例を図９の（Ｂ）を参照して説明する。
【００３６】
（実施例１）
平均粒径が２０ｎｍのＡｇナノ粒子を分散した粘度が１０ｍＰａ・ｓの水系インク（以下、Ａｇナノ粒子分散水系インクと略す）を用意した。つづいて、ガラス基板表面に前記Ａｇナノ粒子分散水系インクに対して接触角が９０度の撥液層２と同接触角が１０度の２つの親液パターン３とを形成した（図９の（Ａ）図示）。
【００３７】
各親液パターン３は、長さが２０００μｍ、幅が２０μｍの線状の主親液パターン２０１と、主親液パターン２０１にその長さ方向に沿って２００μｍのピッチで接続された補助親液パターンから構成されている。なお、図９の（Ａ）に示す親液パターン３は一部を拡大した図を示す。図９の（Ａ）において、各主親液パターン２０１には３つの補助親液パターン、すなわち第１の補助親液パターン２０２ａ，第２の補助親液パターン２０２ｂおよび第３の補助親液パターン２０２ｃがそれぞれ接続されている。各補助親液パターン２０２ａ〜２０２ｃは、主親液パターン２０１の長手方向に２箇所でそれぞれ９０度屈曲したコ字形をなし、屈曲部間の中央が主親液パターン２０１に接続されている。各補助親液パターン２０２ａ〜２０２ｃは幅が２０μｍ、主親液パターン２０１と接続する直線部の長さが４０μｍ、屈曲した２つの直線部の長さが４０μｍである。２つの第１の撥液領域６ａは、主親液パターン２０１と第１の補助親液パターン２０２ａとの間の撥液層２にそれぞれ規定されている。すなわち、２つの第１の撥液領域６ａはそれぞれ図９の（Ａ）に示す下から上に向かう矢印４０１に示す塗布方向の上流側で主親液パターン２０１と第１の補助親液パターン２０２ａとの接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている。２つの第１の撥液領域６ａは、主親液パターン２０１を挟んで両側に対称的に配置されている。２つの第２の撥液領域６ｂおよび２つの第３の撥液領域６ｃは、主親液パターン２０１と第２の補助親液パターン２０２ｂとの間の撥液層２、および主親液パターン２０１と第３の補助親液パターン２０２ｃとの間の撥液層２、にそれぞれ規定され、前記２つの第１の撥液領域６ａと同様な形状を有する。
【００３８】
次いで、前記Ａｇナノ粒子分散水系インクを用い、かつ前述した工程（iii）〜（vi）に従ってインク保持部材を用いて親液性パターン３上に導電インクパターンを形成した。導電インクパターンの形成にあたり、親液パターン３を含む撥液層２の表面とインク保持部材１１との間の距離は、１００μｍとし、かつインクの移動速度は１００ｃｍ／分とした。その後、導電インクパターンを１５０℃で焼成してＡｇナノ粒子の導電パターンを形成した。
【００３９】
（比較例１）
実施例１と同様なＡｇナノ粒子分散水系インクに対して接触角が９０度の撥液層３０２と同接触角が１０度の線状の親液性パターン３０３とをガラス基板表面に互いに隣接して形成した（図９の（Ｂ）図示）。親液性パターン３０３は、実施例１の図９の（Ａ）のように補助親液パターンを付設せず、長さが２０００μｍ、幅が２０μｍの線状の形状を有する。つづいて、前述した工程（iii）〜（vi）に従ってＡｇナノ粒子分散水系インクおよびインク保持部材を用い、実施例１と同様な塗布条件で線状の親液性パターン３０３上に導電インクパターンを形成した。その後、導電インクパターンを１５０℃で焼成してＡｇナノ粒子の導電パターンを形成した。
【００４０】
得られた実施例１および比較例１の導電パターンの膜厚をそれぞれ測定した。実施例１の導電パターンの膜厚は、比較例１の導電パターンの膜厚を１とした相対膜厚で求めた。その結果を図９の（Ｃ）に示す。
【００４１】
図９の（Ｃ）の結果から明らかなように補助親液パターン２０２ａ、２０２ｂおよび２０２ｃを設けた親液パターン３を用いて形成された実施例１の導電パターンは、２０μｍと微細な幅であっても、補助親液パターンを付設しない親液パターン３０３を用いて形成された比較例１の導電パターンに比べて相対膜厚が約４倍であった。
【００４２】
また、導電パターンの抵抗は線状の導電パターン部の両端間の抵抗を測定し、線幅と線長からシート抵抗を算出できる。膜の導電率が一定と仮定すれば、シート抵抗の逆数は導電パターンの膜厚に比例することになり、平均的で実効的な膜厚をシート抵抗の逆数で求めることができる。その結果、実施例１の導電パターンは比較例１の導電パターンに比べて１／４の低いシート抵抗を示した。
【００４３】
なお、図９の（Ａ）に示す塗布方向と逆方向（紙面の上から下の方向）にインクを塗布すると、相対膜厚は比較例１の結果と同等もしくはやや小さくなった。塗布方向と、主親液パターンと補助親液パターンとの間の撥液層に規定される撥液領域との向き（特に開放位置）を一定の関係で揃えることは、膜厚増加の効果を得るために必要であることが確認された。
【００４４】
親液パターンにおける線状の主親液パターンの幅が３０μｍ以下、特に２０μｍ以下になると、塗布による主親液パターンへのインク量が減少する。このため、第１の実施形態のパターン形成方法は前記狭い幅を有する主親液パターンの適用において、より効果が大きくなる。さらに、主親液パターンの幅が２０μｍ以下で、パターンの中に幅の狭い、特に幅が１／２以下の箇所がある場合にはインク塗布において線状の主親液パターンのインク量が低下する場合がある。第１の実施形態のように補助親液パターンを設ける方法ではパターンの中に幅が狭い箇所があっても、十分な膜厚を有するパターンを形成することができる。
【００４５】
次に、別の親液パターンの形成方法について、図１０の（ａ），（ｂ）〜図１２の（ａ），（ｂ）を参照して説明する。
【００４６】
図１０の（ａ），（ｂ）に示すように基板２１上に下地樹脂層２２を形成する。下地樹脂層の材料は、例えばポリスチレン系、ポリイミド系、アクリル系、部分フッ素系などの材料系、または熱、光またはプラズマで硬化される硬化性樹脂、感光性材料を含む感光性樹脂等を挙げることができる。感光性樹脂は、光酸発生剤を含むもの、光硬化性のもの、光重合で現像耐性が得られるもの等を挙げることができる。
【００４７】
次いで、図１１の（ａ），（ｂ）に示すように下地樹脂層２２上に撥液層２３を形成する。撥液層は、導電性インクに対して接触角が７０度以上と大きいものを用いた。
【００４８】
撥液層は、例えば放電分解したフッ素を含むガスを下地樹脂層２１表面で反応させてフッ素系撥液層を形成することが好ましい。フッ素を含むガスは、フロオロカーボンが好ましく、ＣＦ4、Ｃ4Ｆ8、ＣＨＦ3などが使用できる。このようなガスを用いることにより、水との接触角が９５度以上の撥液層を形成できる。フッ素を含むガスをプラズマに晒して下地樹脂層表面に撥液層を形成する他に、フッ素を含む材料の溶液を下地樹脂層表面に塗布して撥液層を形成してもよい。アモルファスフッ素樹脂も撥液層として利用できる。
【００４９】
次いで、図１２の（ａ），（ｂ）に示すように撥液層２３を選択的に除去して下地樹脂層２２表面を露出することにより凹状の親液パターン２４を形成する。親液パターン２４は、前述したように線状の主親液パターン２０１と、２つの補助親液パターン、すなわち第１の補助親液パターン２０２ａおよび第２の補助親液パターン２０２ｂとから構成されている。第１、第２の補助親液パターン２０２ａ，２０２ｂは、主親液パターン２０１にその主親液パターン２０１に沿って所望の距離を開けて接続されている。第１、第２の補助親液パターン２０２ａ，２０２ｂは、同形状で、例えば２箇所で主親液パターン２０１の長手方向にそれぞれ９０度屈曲したコ字形をなし、屈曲部間の中央が主親液パターン２０１に接続されている。２つの第１の撥液領域２５ａは、主親液パターン２０１と第１の補助親液パターン２０２ａとの間の撥液層２にそれぞれ規定されている。換言すれば、２つの第１の撥液領域２５ａは主親液パターン２０１および第１の補助親液パターン２０２ａで区画された撥液層２の２つの表面部分にそれぞれ規定されている。すなわち、２つの第１の撥液領域２５ａは同図１２の（ｂ）に示す左から右に向かう矢印４０１に示す塗布方向に対して上流側で主親液パターン２０１と第１の補助親液パターン２０２ａとの接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている。また、２つの第１の撥液領域２５ａは主親液パターン２０１を挟んで両側に対称的に配置されている。２つの第２の撥液領域２５ｂは、主親液パターン２０１と第２の補助親液パターン２０２ｂとの間の撥液層２にそれぞれ規定され、前記２つの第１の撥液領域６ａと同様な形状を有する。
【００５０】
凹状の親液パターンの深さは、撥液層の厚さに相当する。親液パターンの深さを深くする、すなわち撥液層を厚くすると、下地樹脂層上への撥液層の形成時間が長くなるばかりか、下地樹脂層２２表面が露出するように撥液層を除去する時間も長くなる。逆に、親液パターンの深さを浅くし過ぎる、すなわち撥液層を薄くし過ぎると、撥液層の撥液性が損なわれる虞がある。このため、撥液層の厚さを１０〜１００ｎｍにして、凹状の親液パターンの深さを撥液層の厚さに相当する１０〜１００ｎｍにすることが好ましい。
【００５１】
撥液層を選択的に除去する方法は、レーザアブレーションが好適である。レーザアブレーションにおいて、短波長のエキシマレーザを光源に用い、光学系でエッチングパターンを結像する、もしくは光学変調素子を通して描画する、等により撥液層に所定のパターンを照射する。光源は、例えば波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを使用することができる。
【００５２】
撥液層を選択的に除去する別の方法は、撥液層上にレジストを塗布し、露光、現像してレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクに撥液層を酸素プラズマ等で選択的に除去する方法も適用できる。レジストの露光には、基板変形を計測し補正露光する直描露光機や倍率変換投影型露光機などを用いることができる。また、レジストはＵＶオゾン耐性、プラズマ耐性などの親液化処理耐性を有するフッ素系感光性材料を用いることができる。当該フッ素系感光性材料からなるレジストパターンで撥液層を選択に除去した後に、レジストパターンを剥離することなく撥液層として残存させることができる。すなわち、レジストパターンの剥離工程を省略でき、同時にレジストパターンを撥液層の一部として利用できる。
【００５３】
さらに、ＵＶオゾン耐性、プラズマ耐性などの親液化処理耐性を有するフッ素系感光性材料などを用いれば、撥液層をあらかじめ形成することなく、感光性樹脂を露光、パターニングすることで撥液層に相当するパターンを形成することができる。この後、当該パターンをマスクとして下層の樹脂層を例えばＵＶ／Ｏ3で処理することによって当該樹脂層を親液化することができる。
【００５４】
下地樹脂層２２は、前述した材料の中で、照射されるレーザを吸収してアブレーションされる材料を選択することが好ましい。下地樹脂層の材料そのものがインクに対する接触角が低いものであることが好ましい。しかしながら、下地樹脂層の材料はインクに対する接触角が高い場合でも、撥液層から露出した下地樹脂層部分に当該撥液層をマスクとして例えばＵＶ／Ｏ3で処理することによって、当該下地樹脂層部分を親液化することができる。フッ素系の撥液層は、低圧水銀ランプの１８５ｎｍ波長のＵＶ光および発生するオゾンに対する耐性が高いため、下地樹脂層２２が親液化する処理期間でも撥液性を維持できる。親液化処理は、プラズマ処理またはｄｅｅｐＵＶ光照射などを用いてもよい。
【００５５】
このような工程後に親液パターン２４にインク（例えば導電性インク）を塗布する。このインク塗布工程は、前述した工程（iii）〜（vi）に従って行えばよい。アプリケータ、キャピラリーコート、ダイコートなどでインクを塗布することにより、前述した第１、第２の補助親液パターン２０２ａ、２０２ｂの作用によって、主親液パターン２０１に塗布されるインク量を増大でき、厚い膜厚を有するインクパターン（例えば導電性インクパターン）を形成できる。その後、インクパターンを乾燥、加熱、焼成、光照射またはプラズマ照射等の処理を施して固化することにより、厚い膜厚を有するパターンを形成できる。
【００５６】
前述した方法で形成されたパターン（例えば導電パターン）を配線形成に適用した場合には、低抵抗の配線の形成が可能になり、配線遅延、電圧降下などを抑制できる。特に、ナノ粒子分散水系インクを用いる場合には焼成後の膜厚が５０ｎｍ以下になると、ナノ粒子の粒径から抵抗率が急激に上昇して断線に相当するほどの高抵抗になる問題がある。第１の実施形態のパターン形成方法によれば、厚い膜厚で、低抵抗の配線を形成できるため、断線発生等を回避できる。
【００５７】
水系導電性インクを使用する形態において、ポリスチレン系樹脂を親液材料として用いる場合には親液性の表面状態による影響が起こる。例えば、インクパターンの膜厚が１００ｎｍ以下と薄い場合、抵抗率が顕著に増大することがある。そのような場合にも、第１の実施形態のように塗布工程での親液パターン上のインク量の増大は大きな効果をもたらす。
【００５８】
前述した図１２の（ａ），（ｂ）に示すように撥液層２３を選択的に除去することにより形成される親液パターンは凹部形状になるため、塗布工程においてインクの保持性を向上できる。
【００５９】
なお、親液パターンの形成において撥液層を親液化した例を説明したが、親液層を選択的に撥液化して親液パターンを形成してもよい。すなわち、基板上に撥液材料または親液材料を用いて撥液層と親液パターンとを形成する方法は、どのような方式でも適用することができる。
【００６０】
以上、第１の実施形態では導電パターンの形成に特に好適であるが、半導体パターン、絶縁パターン、光学パターンなどにも適用することができる。
【００６１】
（第２の実施形態）
第２の実施形態を以下に図１３および図１４を参照して説明する。図１３は、トップゲートボトムコンタクト構造を有する複数の薄膜トランジスタがＸＹ方向に配置されたアクティブマトリックスを示す平面図、図１４は図１３の薄膜トランジスタのＡ−Ｂ線に沿う断面図である。
【００６２】
アクティブマトリックスは、複数の薄膜トランジスタ３１と、ゲート信号線３２と、ソース信号線３３とを備える。ゲート信号線３２は、後述するゲート電極に接続され、かつ一端がＸ方向（紙面の水平方向）に延出して図示しない接続パッドに接続されている。ソース信号線３３は、後述するソース電極に接続され、かつ一端がＹ方向（紙面の垂直方向）に延出して図示しない接続パッドに接続されている。
【００６３】
薄膜トランジスタ３１は、図１４に示すように基板４１を備える。樹脂層４２は、基板４１の主面に形成されている。ソース電極４３、ドレイン電極４４および下部電極４９は、樹脂層４２上に形成されている。ドレイン電極４４と下部電極４９とは、樹脂層４２上に形成された接続配線５３で電気的に接続されている。これらのソース電極４３、ドレイン電極４４、下部電極４９および接続配線５３は、例えばナノ粒子導電材料から作られる。下部電極４９は、ソース電極４３、ドレイン電極４４より厚い膜厚を有することが好ましい。半導体層４５は、ソース電極４３とドレイン電極４４の間のチャンネル領域およびチャンネル領域近傍のソース、ドレイン電極４３，４４部分上に形成されている。半導体層４５は、例えば高分子系有機材料から作られる。第１のゲート絶縁層４６は、半導体層４５を含む樹脂層４２上の全面に被覆されている。第１のゲート絶縁層４６は、例えば非感光性樹脂から作られる。
【００６４】
第２のゲート絶縁層４７は、第１のゲート絶縁層４６上に形成されている。第２のゲート絶縁層４７は、例えば親液性を示す化学増幅型の感光性樹脂から作られる。ゲート電極４８は、前記チャンネル領域に対応する第２のゲート絶縁層４７上に形成されている。ゲート電極４８は、例えばナノ粒子導電材料から作られる。細孔５２は、下部電極４９の一部に対応し、第２のゲート絶縁層４７から第１のゲート絶縁層４６および下部電極４９の表層に亘って開口されている。上部電極５１は、細孔５２を含み、その細孔５２周辺の第２のゲート絶縁層４７上に形成され、細孔５２の箇所でスルーホール５０が形成されている。すなわち、上部電極５１はスルーホール５０を通して下部電極４９に電気的に接続されている。上部電極５１は、例えばナノ粒子導電材料で作られている。
【００６５】
ソース信号線３３は、樹脂層４２上に形成され、各薄膜トランジスタ３１のソース電極４３と電気的に接続されている。ゲート信号線３２は、第２のゲート絶縁層４７上に形成され、各薄膜トランジスタ３１のゲート電極４８に電気的に接続されている。
【００６６】
なお、ゲート電極４８、上部電極５１およびゲート信号線３２を除く第２のゲート絶縁層４７上には、撥液層５４が形成されている。
【００６７】
このような図１３および図１４に示すアクティブマトリックスにおいて、樹脂層４２上にソース電極４３、ドレイン電極４４、下部電極４９、接続配線５３およびソース信号線３３を形成する方法を以下に説明する。
【００６８】
樹脂層４２は、表面自由エネルギーが小さい撥液性を有し、前述した第１の実施形態の図２の（ａ），（ｂ）に示すように撥液層に波長１５０〜２５０ｎｍの短波長の紫外光を選択的に照射して親液パターンを形成する。親液パターンは、ソース電極４３、ドレイン電極４４、下部電極４９、接続配線５３およびソース信号線３３に対応する撥液層部分に形成される。これらの親液パターンの中で、ソース信号線３３に対応する親液パターンは、線状の主親液パターンと、第１の実施形態で説明したのと同様な形状を有する複数の補助親液パターンとから構成されている。線状の主親液パターンは、ソース電極に接続され、かつ一端がＹ方向（紙面の垂直方向）に延出して図示しない接続パッドに接続されている。各補助親液パターンは、アクティブマトリックス領域からＹ方向（紙面の垂直方向）に延出して図示しない接続パッドに亘る主親液パターン部分に所望の距離を開けて接続されている。複数の撥液領域は、主親液パターンと各補助親液パターンとの間の撥液層にそれぞれ規定されている。すなわち、各撥液領域は塗布方向（主親液パターンに沿う矢印に示すＹ方向）に対して上流側で主親液パターンと補助親液パターンとの接続箇所により閉じられ、および当該接続箇所から下流側で開放されている。
【００６９】
このような撥液層に親液パターンを形成した後、インク保持部材を用いて導電性インク、例えば金属ナノ粒子分散水系インクをソース信号線に対応する親液パターンの線状の主親液パターンに沿う矢印に示すＹ方向に塗布する。これにより、樹脂層４２において、撥液層よりもインクに対して接触角が小さい親液パターンにインクが選択的に塗布され、導電性インクパターンが形成される。この時、親液パターンのうち、ソース信号線に対応する親液パターンは前述したように主親液パターンに複数の補助親液パターンが接続されている。それ故、第１の実施形態で説明したのと同様な作用により主親液パターン上に厚い導電性インクパターンが形成される。その後、これらの導電性インクパターンを焼成することにより、樹脂層４２上にソース電極４３、ドレイン電極４４、下部電極４９、接続配線５３を形成できると共に、膜厚の厚いソース信号線３３を形成できる。なお、図１３の符号５５は、ソース信号線３３に接続されたコ字形の導電パターンである。当該コ字形の導電パターン５５は、補助親液パターン上に形成され、当該補助親液パターンはアクティブマトリックス領域からＹ方向（紙面の垂直方向）に延出して図示しない接続パッドに亘る主親液パターン部分に設けられている。
【００７０】
従って、導電性インクを塗布し、焼成してソース電極４３、ドレイン電極４４、下部電極４９、接続配線５３を形成する際、導電性インクの塗布方向をソース信号線３３の延出方向に沿わせることによって、インクの通りが良好になって、欠陥が発生し難く、かつ膜厚が均一なソース電極４３、ドレイン電極４４、下部電極４９、接続配線５３を形成することができる。
【００７１】
一方、厚い膜厚を有するソース信号線３３は、全体の抵抗が低いため、伝搬遅延や電圧降下を抑制ないし防止した優れた特性を有するアクティブマトリックスを得ることができる。
【００７２】
また、図１３および図１４に示すアクティブマトリックスにおいて、第２のゲート絶縁層４７上にゲート電極４８、上部電極５１およびゲート信号線３２を形成する方法を以下に説明する。
【００７３】
第２のゲート絶縁層４７は、表面自由エネルギーが大きい親液性を有する。第２のゲート絶縁層４７全面上に撥液層５４を被覆した後、例えばレーザアブレーションを施し、撥液層を選択的に除去して親液性を有する第２のゲート絶縁層４７表面を露出することによって、複数の凹状の親液パターンを形成する。各親液パターンは、ゲート電極４８、上部電極５１およびゲート信号線３２に対応する撥液層の除去部に形成される。これらの親液パターンの中で、ゲート信号線３２に対応する親液パターンは、線状の主親液パターンと、第１の実施形態で説明したのと同様な形状を有する複数の補助親液パターンとから構成されている。主親液パターンは、ゲート電極に接続され、かつ一端がＸ方向（紙面の水平方向）に延出して図示しない接続パッドに接続されている。各補助親液パターンは、アクティブマトリックス領域からＸ方向（紙面の水平方向）に延出して図示しない接続パッドに亘る主親液パターン部分に所望の距離を開けて接続されている。複数の撥液領域は、主親液パターンと各補助親液パターンとの間の撥液層にそれぞれ規定されている。すなわち、各撥液領域はＸ方向に示す塗布方向の上流側で主親液パターンと補助親液パターンとの接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている。
【００７４】
このような撥液層５４を選択的に除去することによって露出した親液パターンを形成する。その後、インク保持部材を用いて導電性インク、例えば金属ナノ粒子分散水系インクをゲート信号線に対応する親液パターンの線状の主親液パターンに沿う矢印に示すＸ方向に塗布する。これにより、第２のゲート絶縁層４７において、撥液層５４よりもインクに対して接触角が小さい親液パターンにインクが選択的に塗布され、導電性インクパターンが形成される。この時、親液パターンのうち、ゲート信号線に対応する親液パターンは主親液パターンに複数の補助親液パターンが接続されている。このため、第１の実施形態で説明した作用により主親液パターン上に厚い導電性インクパターンが形成される。その後、これらの導電性インクパターンを焼成することにより、第２のゲート絶縁層４７上にゲート電極４８および上部電極５１を形成できると共に、膜厚の厚いゲート信号線３２を形成できる。なお、図１３の符号５６は、ゲート信号線３２に接続されたコ字形の導電パターンである。コ字形の導電パターン５６は、アクティブマトリックス領域からＸ方向（紙面の水平方向）に延出して図示しない接続パッドに亘る主親液パターン部分に設けられた補助親液パターン上に形成されている。
【００７５】
従って、導電性インクを塗布し、焼成してゲート電極４８および上部電極５１を形成する際、導電性インクの塗布方向をゲート信号線３２の延出方向に沿わせることによって、インクの通りが良好になって、欠陥が発生し難く、かつ膜厚が均一なゲート電極４８および上部電極５１を形成することができる。
【００７６】
一方、厚い膜厚を有するゲート信号線３２は、全体の抵抗が低くため、伝搬遅延や電圧降下を抑制ないし防止した優れた特性を有するアクティブマトリックスを得ることができる。
【００７７】
次に、引出し配線であるソース信号線の別の形態を図１５、図１６を参照して説明する。
【００７８】
アクティブマトリックス領域から延出されるソース信号線を接続パッドに接続した形態において、接続パッドは幅がソース信号線に比べて広くなっている。このような接続パッドおよびソース信号線に対応する親液パターンを撥液層に形成し、導電性インクを塗布すると、接続パッドに対応する親液パターンには導電性インク量が多くなる。その結果、導電性インクはこの親液パターンと接続するソース信号線に対応する親液パターンの箇所から接続パッドに対応する親液パターンに向けて引き寄せられる。このため、ソース信号線に対応する親液パターンに塗布される導電性インク量が実効的に少なくなって、その膜厚が薄くなる。従って、接続パッドおよびソース信号線に対応する親液パターンに導電性インクパターンを形成した後にそのパターンを焼成して接続パッドとソース信号線を形成すると、それらの間の接続部で断線が発生する虞がある。
【００７９】
このようなことから、図１５示すように撥液層６１に接続パッドに対応するパッド用親液パターン６２と、信号線用親液パターン６３とを形成する。信号線用親液パターン６３は、線状の主親液パターン２０１と、複数の補助親液パターン２０２とから構成されている。主親液パターン２０１は、アクティブマトリックス領域から延出され、パッド用親液パターン６２に接続されている。複数の補助親液パターン２０２は、主親液パターン２０１にその主親液パターン２０１に沿って接続されている。複数の撥液領域６４は、主親液パターン２０１と各補助親液パターン２０２との間の撥液層６１にそれぞれ規定されている。換言すれば、２つの第１の撥液領域６４は主親液パターン２０１および１つの第１の補助親液パターン２０２で区画された撥液層２の２つの表面部分にそれぞれ規定されている。すなわち、各撥液領域６４は矢印４０１に示す主親液パターンと平行な塗布方向に対して上流側で主親液パターン２０１と補助親液パターン２０２との接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている。複数の補助親液パターン２０２において、パッド用親液パターン６２との接続側の補助親液パターン２０２間のピッチＰ１をアクティブマトリックス側の補助親液パターン２０２間のピッチＰ２に比べて狭くする。
【００８０】
このような図１５に示す親液パターンの形態によれば、インク保持部材を用いて導電性インク、例えば金属ナノ粒子分散水系インクを信号線用親液パターン６３の線状の主親液パターンと平行な矢印４０１に示す方向に塗布することにより、親液パターン６２，６３にインクが選択的に塗布され、導電性インクパターンが形成される。この時、信号線用親液パターン６３において、主親液パターン２０１に複数の補助親液パターン２０２が接続され、かつパッド用親液パターン６２との接続側の補助親液パターン２０２間のピッチＰ１をアクティブマトリックス側の補助親液パターン２０２間のピッチＰ２に比べて狭くしてある。その結果、導電性インクの移動に伴う当該パッド用親液パターン６２との接続側の親液パターン６３部分の撥液領域６４に形成される、インク溜り領域から線状の主親液パターン２０１に移動するインク量は、アクティブマトリックス側の親液パターン６３部分のそれに比べて増大できる。このため、パッド用親液パターン６２近傍に位置する親液パターン６３の主親液パターン２０１に塗布される導電性インク量を実効的に増大して、その膜厚を厚くできる。その結果、導電性インクパターンを焼成して得られる接続パッドとソース信号線との接続部では断線を抑制ないし防止できる。
【００８１】
なお、パッド用親液パターン６２との接続側の補助親液パターン２０２間のピッチＰ１は、パッド面積等に依存するが、信号線用親液パターン６３の主親液パターン２０１の幅の３〜１０倍にすることが好ましい。
【００８２】
また、図１６に示すように接続パッドとソース信号線の接続部での断線発生を抑制するために複数の補助親液パターンの大きさを変えてもよい。
【００８３】
すなわち、信号線用親液パターン６３は線状の主親液パターン２０１と、複数の補助親液パターン２０２とから構成される。主親液パターン２０１は、アクティブマトリックスから延出され、パッド用親液パターン６２に接続されている。複数の補助親液パターン２０２は、主親液パターン２０１にその主親液パターン２０１に沿って接続されている。信号線用親液パターン６３において、パッド用親液パターン６２との接続側の補助親液パターン２０２の寸法は、アクティブマトリックス側に補助親液パターン２０２の寸法に比べて大きくなっている。つまり、パッド用親液パターン６２との接続側の補助親液パターン２０２と主親液パターン２０１との間の撥液層に規定される撥液領域６４の面積がアクティブマトリックス側の補助親液パターン２０２と主親液パターン２０１との間の撥液層に形成される撥液領域６４の面積より実効的に広くなっている。
【００８４】
それ故、インクの移動に伴う当該パッド用親液パターン６２との接続側の親液パターン６３部分における撥液領域６４に形成されるインク溜り領域からの線状の主親液パターン２０１へのインクの移動量は、アクティブマトリックス側の親液パターン６３部分のそれに比べて増大できる。このため、パッド用親液パターン６２近傍に位置する親液パターン６３の主親液パターン２０１に塗布される導電性インク量を実効的に増大して、その膜厚を厚くできる。その結果、導電性インクパターンを焼成して得られる接続パッドとソース信号線の接続部での断線を抑制ないし防止できる。
【００８５】
（第３の実施形態）
第３の実施形態を以下に図１７および図１８を参照して説明する。第３の実施例において、複数の補助親液パターンをそれぞれ有する２つの親液パターンは前記補助親液パターンをそれらの位置を交互にずらすように撥液層に互いに近接して形成する。
【００８６】
（１）図１７に示すように第１の親液パターン７２１と第２の親液パターン７２２は撥液層７１に互いに近接して形成されている。第１、第２の親液パターン７２１、７２２は、線状の主親液パターン２０１と、主親液パターン２０１にその主親液パターン２０１に沿って接続された複数の補助親液パターン２０２とから構成されている。第１の親液パターン７２１において、複数の撥液領域７３１は主親液パターン２０１と各補助親液パターン２０２との間の撥液層７１にそれぞれ規定されている。第２の親液パターン７２２において、複数の撥液領域７３２は主親液パターン２０１と各補助親液パターン２０２との間の撥液層７１にそれぞれ規定されている。換言すれば、２つの第１の撥液領域７３１または２つの第１の撥液領域７３２は、主親液パターン２０１および１つの補助親液パターン２０２で区画された撥液層２の２つの表面部分にそれぞれ規定されている。すなわち、各撥液領域７３１、７３２は矢印４０１に示す主親液パターンに平行な塗布方向に対して上流側で主親液パターン２０１と補助親液パターン２０２との接続箇所で閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている。第１の親液パターン７２１の複数の補助親液パターン２０２は、第２の親液パターン７２２の複数の補助親液パターン２０２の間に位置するように互いにずらして配置している。
【００８７】
このような図１７に示す構成によれば、第１、第２の親液パターン７２１、７２２が互いに近接して配置されていても、第２の親液パターン７２２の複数の補助親液パターン２０２を第１の親液パターン７２１の複数の補助親液パターン２０２の間に位置するように互いにずらして配置することによって、第１、第２の撥液領域７３１、７３２を所定の面積に維持できる。また、第１、第２の親液パターン７２１、７２２上への導電性インクパターンの形成、焼成により導電パターンを互いにショートすることなく形成できる。
【００８８】
なお、図１７では第１の親液パターン７２１の複数の補助親液パターン２０２を第２の親液パターン７２２の複数の補助親液パターン２０２の間に１つ置きにずらして配置している。隣接する親液パターンにおいて、別の形態では補助親液パターンの位置を１／３のピッチずつずらして３本の親液パターンで一組になるようにしてもよい。
【００８９】
（２）図１８の（Ａ），（Ｂ）に示すように第１の親液パターン７２１と第２の親液パターン７２２は、撥液層７１に互いに近接して形成されている。第１、第２の親液パターン７２１、７２２の主親液パターン２０１は、同じ形状に屈曲する。第１の親液パターン７２１において、主親液パターン２０１の屈曲箇所に補助親液パターン２０２を１つ置きに接続する。第２の親液パターン７２２において、主親液パターン２０１の屈曲箇所に補助親液パターン２０２を１つ置きに、かつ第１の親液パターン７２１の主親液パターン２０１に接続した補助親液パターン２０２とずらして接続している。屈曲形状は、図１８の（Ａ）に示すように９０度屈曲しても、図１８の（Ｂ）に示すように斜めに屈曲してもよい。なお、図１８の（Ａ），（Ｂ）の矢印はインクの塗布方向を示す。
【００９０】
このような図１８に示す構成によれば、互いに隣接する第１、第２の親液パターン７２１、７２２の間隔をさらに狭めることができる。
【００９１】
なお、互いに隣接する親液パターンは概ね平行であるが、補助親液パターンのある箇所を屈曲してもよい。
【００９２】
（第４の実施形態）
第４の実施形態を以下に図１９を参照して説明する。
【００９３】
前述した第１〜第３の実施形態において、親液パターンを構成する補助親液パターンは２箇所で主親液パターンの長手方向にそれぞれ９０度屈曲したコ字形をなし、屈曲部間の中央で主親液パターンに接続した形状を有する。
【００９４】
このような補助親液パターンに対し、以下に示す図１９の（Ａ）〜（Ｅ）に示す形状でも主親液パターン上に厚い膜厚のインクパターン（例えば導電性インクパターン）を形成できる。基板（図示せず）は、撥液層８０および親液パターン８１を表面に有する。親液パターンはいずれも線状の主親液パターン２０１と、当該主親液パターン２０１に接続される４つの補助親液パターン２０１とから構成されている。なお、図１９の（Ｄ）を除く８つの撥液領域８２は、主親液パターン２０１と４つの補助親液パターン２０２との間の撥液層８０にそれぞれ規定されている。各撥液領域８２は、矢印４０１に示す塗布方向に対して上流側で主親液パターン２０１と補助親液パターン２０１との接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている。主親液パターン２０１と１つの補助親液パターン２０１の間の撥液層８０に規定される２つの撥液領域８２は、主親液パターン２０１を挟んで両側に対称的に配置されている。
【００９５】
（１）図１９の（Ａ）に示す親液パターン８１は、線状の主親液パターン２０１と、４つの補助親液パターン２０２とから構成されている。各補助親液パターン２０２は、当該主親液パターン２０１にその主親液パターン２０１に所望の距離をあけて接続されている。各補助親液パターン２０２は、Ｖ形をなす。８つの撥液領域８２は、それぞれ三角形状をなし、主親液パターン２０１と４つの補助親液パターン２０２との間の撥液層８０にそれぞれ規定されている。
【００９６】
（２）図１９の（Ｂ）に示す親液パターン８１は、線状の主親液パターン２０１と、４つの補助親液パターン２０２とから構成されている。各補助親液パターン２０２は、当該主親液パターン２０１にその主親液パターン２０１に所望の距離をあけて接続されている。各補助親液パターン２０２は、Ｖ形をなすとともに、両端部付近が主親液パターン２０１と平行に屈曲されている。８つの撥液領域８２は、それぞれ台形状をなし、主親液パターン２０１と４つの補助親液パターン２０２との間の撥液層８０にそれぞれ規定されている。
【００９７】
（３）図１９の（Ｃ）に示す親液パターン８１は、線状の主親液パターン２０１と、４つの補助親液パターン２０２とから構成されている。各補助親液パターン２０２は、当該主親液パターン２０１にその主親液パターン２０１に所望の距離をあけて接続されている。各補助親液パターン２０２は、塗布方向に対して逆方向に傾斜するとともに、両端部付近が主親液パターン２０１と平行に屈曲した形状を有する。８つの撥液領域８２は、それぞれ図１９の（Ｂ）に対して反転した逆台形状をなし、主親液パターン２０１と４つの補助親液パターン２０２との間の撥液層８０にそれぞれ規定されている。
【００９８】
（４）図１９の（Ｄ）に示す親液パターン８１は、線状の主親液パターン２０１と、４つの補助親液パターン２０２とから構成されている。各補助親液パターン２０２は、当該主親液パターン２０１にその主親液パターン２０１に所望の距離をあけて接続されている。各補助親液パターン２０２は、Ｈ形をなす。１６の撥液領域８２は、それぞれ矩形状なし、主親液パターン２０１と４つの補助親液パターン２０２との間の撥液層８０にそれぞれ規定されている。
【００９９】
１６の撥液領域８２の形状に関して詳述する。４つの撥液領域８２は、主親液パターン２０１とＨ形をなす１つの補助親液パターン２０２との間の撥液層８０にそれぞれ規定されている。４つの撥液領域８２中の２つの撥液領域８２と残りの２つの撥液領域８２とは、矢印４０１に示される塗布方向に垂直の方向に対して対称的に配置されている。各２つの撥液領域８２および各残りの２つの撥液領域８２は、線状の主親液パターン２０１を挟んで両側に対称的に配置されている。各撥液領域８２は、塗布方向に対して上流側で主親液パターン２０１と補助親液パターン２０２との接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側に開放されている。残りの各撥液領域８２は、塗布方向に対して下流側で主親液パターン２０１と補助親液パターン２０２との接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から上流側で開放されている。
【０１００】
（５）図１９の（Ｅ）に示す親液パターン８１は、線状の主親液パターン２０１と、４つの補助親液パターン２０２とから構成されている。各補助親液パターン２０２は、当該主親液パターン２０１にその主親液パターン２０１に所望の距離をあけて接続されている。各補助親液パターン２０２は、Ｃ形をなすとともに、両端部付近が主親液パターン２０１と平行に屈曲している。８つの撥液領域８２は、それぞれ曲面部を持つ台形状なし、主親液パターン２０１と４つの補助親液パターン２０２との間の撥液層８０にそれぞれ規定されている。
【０１０１】
前述した図１９の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），および（Ｅ）に示すように補助親液パターン２０２の中央部を線状の主親液パターン２０１に接続したとき、補助親液パターン２０２の両側が矢印４０１に示す塗布方向に対して傾斜する。このため、塗布時のインクの流れが滑らかになり、パターンの欠陥発生率を改善する効果が得られる。
【０１０２】
図１９の（Ｄ）に示すように主親液パターン２０１にＨ形の補助親液パターン２０２を接続することによって、主親液パターン２０１とＨ形の補助親液パターン２０２との間の撥液層８０に前述したように１６の撥液領域８２が規定される。１６の撥液領域８２中の、８つの撥液領域８２は、主親液パターン２０１と補助親液パターン２０２との接続箇所から塗布方向に対して下流側で開放されている。残りの８つの撥液領域８２は、当該接続箇所から塗布方向に対して上流側で開放されている。すなわち、１６の撥液領域８２中の、各８つの撥液領域８２は塗布方向に対して上流側および下流側にそれぞれ開放されている。このため、塗布方向を逆方向にしても線状の主親液パターン２０１上に厚い膜厚のインクパターン（例えば導電性インクパターン）を形成できる。また、プロセス条件に見合った塗布方向を選択できる。
【０１０３】
前述した第１〜第３の実施形態および図１９の（Ａ）〜（Ｅ）では、補助親液パターン２０２を線状の主親液パターン２０１に対して線対称に配置したが、補助親液パターンを線状の主親液パターンの片側だけに接続してもよい。補助親液パターンは、線状の主親液パターンの片側に当該線状の主親液パターンに沿って交互に接続してもよい。このような構成によれば、補助親液パターンを線状の主親液パターンの片側に接続しても、周辺のパターン設計から厚い膜厚のインクパターンを形成し得る効果を奏する。
【０１０４】
（第５の実施形態）
第５の実施形態を以下に図２０を参照して説明する。
【０１０５】
前述した第１〜第４の実施形態において、親液パターンはその線状の主親液パターンが塗布方向に対して平行になるように配置した。第５の実施形態では、親液パターンはその線状の主親液パターンが塗布方向に対して所望の角度で傾斜して配置されている。
【０１０６】
図２０の（Ａ）に示すように図示しない基板は、撥液層９０および例えば互いに隣接する親液パターン９１を表面に有する。隣接する親液パターン９１はそれらの線状の主親液パターン２０１が矢印４０１に示す塗布方向に対して所望の角度で傾斜して配置している。塗布方向と主親液パターン２０１とがなす角度は、例えば５〜２０度に設定することができる。
【０１０７】
親液パターン９１は、線状の主親液パターン２０１と、４つのＶ形をなす補助親液パターン２０２とから構成されている。補助親液パターン２０２は、主親液パターン２０１にその主親液パターン２０１に沿って所望の距離をあけて接続されている。８つの撥液領域９２ａ，９２ｂは、主親液パターン２０１と４つの補助親液パターン２０２との間の撥液層９０にそれぞれ規定されている。８つの撥液領域９２ａ，９２ｂにおいて、主親液パターン２０１と１つの補助親液パターン２０２との間の撥液層９０に規定される２つの撥液領域９２ａ，９２ｂは、矢印４０１に示す塗布方向に対して上流側で主親液パターン２０１と補助親液パターン２０２との接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている。図２０の（Ａ）の斜線で示すように、撥液領域９２ａ，９２ｂの有効面積は、線状の主親液パターン２０１と補助親液パターン２０１と塗布方向に対して垂直な線で区画された面積である。このため、塗布方向に対して左側に位置する撥液領域９２ａは面積が大きく、右側に位置する撥液領域９２ｂは面積が小さくなる。なお、補助親液パターンが前述した第１の実施形態のようにコ字形であっても、線状の主親液パターン２０１を境にして左右の撥液領域の有効面積はＶ字形と同様な傾向になる。
【０１０８】
このような図２０の（Ａ）に示す親液パターン９１を引出し配線の形成に適用した場合、引出し配線のピッチを変えるために塗布方向に対して線状の主親液パターン２０１の角度を変えることがある。そのような場合でも線状の主親液パターン２０１上に厚い膜厚のインクパターン（導電性インクパターン）を形成できる。
【０１０９】
また、図２０の（Ｂ）に示すように塗布方向に対して親液パターン９１の線状の主親液パターン２０１を右側に傾斜した場合には、塗布方向を基準にして左側の主親液パターン２０１部分のみに直線状の補助親液パターン２０３を斜めに接続する。このように補助親液パターン２０３を斜めに接続すれば、十分な面積の撥液領域９２を線状の主親液パターン２０１と補助親液パターン２０３と塗布方向に対して垂直な線で区画された撥液層９０に規定することができる。すなわち、主親液パターン２０１に対する直線状の補助親液パターン２０３の接続位置は、塗布方向と傾斜した線状の主親液パターン２０１の関係から決定すればよい。
【０１１０】
図２０の（Ｂ）において、親液パターン９１の先端が左側に折れ曲がるような場合には、塗布方向に対して線状の主親液パターン２０１の右側に直線状の補助親液パターンを追加接続するか、または左側の補助親液パターン２０３の代わりに右側に直線状の補助親液パターンを接続するか、いずれの接続形態にすればよい。
【０１１１】
（第６の実施形態）
第６の実施形態を以下に図２１を参照して説明する。
【０１１２】
図２１は、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode: OLED)を有するＸＹ方向に複数配列した画素部を備えるアクティブマトリックスの等価回路図である。
【０１１３】
画素部１０１は、選択トランジスタＴｒ１と、駆動トランジスタＴｒ２とを備える。
【０１１４】
選択トランジスタＴｒ１のソースは、Ｙ方向（紙面の縦方向）に延びる信号線ＳＬに接続されている。選択トランジスタＴｒ１のゲートは、Ｘ方向（紙面の横方向）に延びるゲート線ＧＬに接続されている。選択トランジスタＴｒ１のドレインは、駆動トランジスタＴｒ２のゲートに接続されている。選択トランジスタＴｒ１のドレインと駆動トランジスタＴｒ２のゲートの接続線は、分岐してＸ方向に延びるグランド線ＧＲＬに接続され、かつ当該分岐線にはキャパシタＣが介在されている。複数のグランド線ＧＲＬは、Ｙ方向に延びるグランド接続線ＧＣＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ２のソースは、Ｙ方向に延びる電源線ＰＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ２のドレインは、有機発光ダイオードＯＬＥＤに接続されている。
【０１１５】
図２１に示すアクティブマトリックスにおいて、例えば左上の画素部１０１の選択トランジスタＴｒ１のソースに接続される信号線ＳＬおよび同画素部１０１の選択トランジスタＴｒ１のゲートに接続されるゲート線ＧＬ、に所定の電圧をそれぞれ印加すると、選択トランジスタＴｒ１がオンする。選択トランジスタＴｒ１がオンすると、選択トランジスタＴｒ１のドレインから所定の電圧が駆動トランジスタＴｒ２のゲートに印加され、駆動トランジスタＴｒ２がオンする。駆動トランジスタＴｒ２がオンすると、電源線ＰＬに接続されたソースからドレインに電流が流れ、ドレインに接続される有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光される。すなわち、信号線ＳＬおよびゲート線ＧＬを選択することにより、ＸＹ方向に複数配列された画素部１０１のうち、特定の画素部１０１の有機発光ダイオードＯＬＥＤを発光できる。
【０１１６】
このような図２１に示すアクティブマトリックスにおいて、層間絶縁膜上にＹ方向に延びる信号線ＳＬは、前述した第１の実施形態に従って親液パターン（ただし、線状の主親液パターンの右側に複数接続された鍵形の補助親液パターンを備える）を形成する。これによって、幅が狭い、例えば２０μｍより小さい、場合でも厚い膜厚を有し、抵抗を低減した信号線ＳＬを形成できる。なお、形成された信号線ＳＬには鍵形のパターン１０２が接続されている。
【０１１７】
また、別の層間絶縁膜上にＹ方向に延びるグランド接続線ＧＣＬは、前述した第１の実施形態に従って親液パターン（ただし、線状の主親液パターンに複数接続されたコ字形の補助親液パターンを備える）を形成する。これによって、幅が狭い、例えば２０μｍより小さい、場合でも厚い膜厚を有し、抵抗を低減したグランド接続線ＧＣＬを形成できる。なお、形成されたグランド接続線ＧＣＬにはコ字形のパターン１０３が接続されている。
【０１１８】
補助親液パターンは、線幅を線状の主親液パターンと同程度にした場合、アクティブマトリックス液晶パネルのように対向電極が信号線等を覆っても、寄生容量の増加が抑えられる。また、グランドプレーンなどを有する場合も同様に寄生容量の増加を抑制できる。
【０１１９】
（第７の実施形態）
第７の実施形態を以下に図２２を参照して説明する。
【０１２０】
第７の実施形態において、図２２の（Ａ）〜（Ｄ）に示すように図示しない基板は当該基板の表面に位置する撥液層１１０および親液パターン１１１を有する。塗布方向４０１の上流側で主親液パターン２０１と補助親液パターン２０１との接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている撥液領域１１２において、撥液領域１１２の開放した寸法（開放部寸法）は次の補助親液パターンを用いることによって小さくしている。
【０１２１】
（１）図２２の（Ａ）に示すように親液パターン１１１は、線状の主親液パターン２０１と、補助親液パターン２０２とから構成されている。補助親液パターン２０２は、主親液パターン２０１に接続されている。補助親液パターン２０２は、コ字形の両端に線状の主親液パターン２０１に対して垂直な庇２０４ａ，２０４ｂを形成し、矢印４０１に示す塗布方向の下流側の補助親液パターン２０２の開放部寸法を小さくしている。このため、２つの撥液領域１１２は主親液パターン２０１と補助親液パターン２０２と庇２０４ａ，２０４ｂとで区画される撥液層１１０に規定され、塗布方向に対して下流側の開放部寸法が庇２０４ａ，２０４ｂで狭くなっている。
【０１２２】
このような図２２の（Ａ）に示す構成によれば、前記第１の実施形態で説明したようにインク保持部材を用いてインクを矢印４０１に示す方向に塗布すると、インクのメニスカス面が移動して補助親液パターン２０２を通過する際、撥液領域１１２に残留（滞留）するインクが親液パターン１１１を含む面とインク保持部材の間に位置するインク側に移動する量を前記庇２０４ａ，２０４ｂで制限する。この作用によって、主親液パターン２０１上に厚い膜厚のインクパターンを形成できる。
【０１２３】
前記庇２０４ａ，２０４ｂによる作用は、特に図２２の（Ｂ）に示すように塗布方向に対して垂直な方向に広げた形状の補助親液パターン２０２を用いる、つまり撥液領域１１２を図２２の（Ａ）に示す撥液領域１１２に比べて塗布方向に対して垂直な方向に広げた大きな面積にした場合、顕著に現われる。
【０１２４】
（２）図２２の（Ｃ）に示すように補助親液パターン２０２は、コ字形の両端に線状の主親液パターン２０１に対して垂直で、長さが短く、面積が小さい庇２０４ａ，２０４ｂを形成し、矢印４０１に示す塗布方向の下流側の補助親液パターン２０２の開放部寸法を僅かに小さくしている。このため、２つの撥液領域１１２は主親液パターン２０１と補助親液パターン２０２と庇２０４ａ，２０４ｂとで区画される撥液層１１０に規定され、塗布方向に対して下流側の開放部寸法が庇２０４ａ，２０４ｂで僅かに狭くなっている。
【０１２５】
このような図２２の（Ｃ）に示す構成によれば、前記第１の実施形態で説明したようにインク保持部材を用いてインクを矢印４０１に示す方向に塗布すると、インクのメニスカス面が移動して補助親液パターン２０２を通過する際、撥液領域１１２に残留（滞留）するインクが親液パターン１１１を含む面とインク保持部材の間に位置するインク側に移動する量を前記庇２０４ａ，２０４ｂで制限する。この作用によって、主親液パターン２０１上に厚い膜厚のインクパターンを形成できる。ただし、前記作用は、図２２の（Ｂ）に示す構造に比べて低くなる。
【０１２６】
しかしながら、図２２の（Ｂ）に示す構造では塗布方向に対して下流側の補助親液パターン２０２の開放部寸法が小さいために、インクを矢印４０１に示す方向に塗布する際、その開放部を横切る線状の主親液パターン２０１と当該庇２０４ａ，２０４ｂの主親液パターン２０１側の端部の間にインクのブリッジが発生して、撥液領域１１２に残留（滞留）するインクを安定的に再配分することが困難になり、主親液パターン２０１上への十分に厚い膜厚のインクパターンの形成を阻害する虞がある。
【０１２７】
一方、図２２の（Ｃ）に示す補助親液パターン２０２は、矢印４０１に示す塗布方向の下流側の補助親液パターン２０２の開放部寸法を僅かに小さくしている。このため、そのかいこう開放部を横切る線状の主親液パターン２０１と当該庇２０４の主親液パターン２０１側の端部の間にインクのブリッジが発生するのを抑制できる。
【０１２８】
（３）図２２の（Ｄ）に示すように親液パターン１１１は、線状の主親液パターン２０１と、コ字形をなす補助親液パターン２０２とから構成されている。補助親液パターン２０２は、主親液パターン２０１に接続されている。また、補助親液パターン２０２はコ字形の両端に線状の主親液パターン２０１に向けて傾斜した庇２０４ａ，２０４ｂを形成し、矢印４０１に示す塗布方向に対して下流側の補助親液パターン２０２の開放部寸法を小さくしている。このため、２つの撥液領域１１２は主親液パターン２０１と補助親液パターン２０２と庇２０４ａ，２０４ｂとで区画される撥液層１１０に規定され、塗布方向に対して下流側の２つの開放部はそれぞれ庇２０４ａ，２０４ｂにより狭くなっている。
【０１２９】
このような図２２の（Ｄ）に示す構成によれば、前記第１の実施形態で説明したようにインク保持部材を用いてインクを矢印４０１に示す方向に塗布すると、インクのメニスカス面が傾斜した庇２０４の内側面に沿って移動し易くなり、かつ庇２０４の先端部でメニスカス面が切れるまで撥液領域のインクは保持される。このため、線状の主親液パターン２０１上へのインク量が安定し、インクパターンの最終的な膜厚を安定的に制御できる。
【０１３０】
なお、図２２の（Ｄ）では補助親液パターン２０２のコ字形の両端に直線の庇２０４ａ，２０４ｂを形成したが、曲線の庇でも、ドーナツ形状の一部が切れた庇にしてもよい。
【０１３１】
（第８の実施形態）
第８の実施形態を以下に図２３を参照して説明する。
【０１３２】
前述した第１から第７の実施形態では、親液パターンの線状の主親液パターンを塗布方向に対して平行に配置した。しかしながら、親液パターンの線状の主親液パターンを塗布方向に対して垂直にした場合でも、線状の主親液パターン上に厚い膜厚のインクパターンを形成することができる。
【０１３３】
すなわち、図２３の（Ａ）に示すように撥液層３０２および線状の親液パターン３０３は基板（図示せず）の表面に形成されている。親液パターン３０３は、その両端で接続パッド３０４間に形成されている。インクを矢印４０１に示す線状の親液パターン３０３に当該親液パターン３０３に対して垂直な方向に塗布すると、インクを線状の親液パターン３０３と平行な方向に塗布する場合に比べて親液パターン３０３上に形成されるインク量が多くなる傾向を示し、厚い膜厚のインクパターンを形成することが可能になる。しかしながら、インクパターンを乾燥または焼成等を施してパターン（例えば導電パターン）を形成した場合、用途によっては膜厚の点で不十分になる。
【０１３４】
このような場合、図２３の（Ｂ）に示すように表面に互いに隣接して位置される撥液層１２０および親液パターン１２１を有する基板（図示せず）が使用される。親液パターン１２１は、その両端で接続パッド１２３間に形成されている。親液パターン１２１は、線状の主親液パターン２０１と、主親液パターン２０１に矢印４０１に示す塗布方向と平行に接続された複数の線状の補助親液パターン２０３とから構成されている。このような親液パターン１２１では、矢印４０１に示す塗布方向に対して上流側で閉となり、下流側で開となる撥液領域１２２が線状の主親液パターン２０１と線状の補助親液パターン２０３との間の前記撥液層１２０に規定される。このため、主親液パターン２０１上のインク量が増大し、厚い膜厚のインクパターンを形成できる。
【０１３５】
なお、補助親液パターン２０３のピッチ、長さは、線状の主親液パターン２０１の幅、長さ等に応じて適宜選択すればよい。また、塗布方向は線状の主親液パターン２０１に対して正確に垂直である必要はなく、角度を持った場合でも効果があることは前述と同様である。
【０１３６】
（第９の実施形態）
第９の実施形態を以下に図２４を参照して説明する。
【０１３７】
図２４の（Ａ）は、半導体デバイスを示す平面図、同図の（Ｂ）は同図の（Ａ）のデバイスの等価回路図、同図の（Ｃ）は第９の実施形態のパターン形成方法をデバイスの製造に適用した平面図である。
【０１３８】
図２４の（Ａ）に示す薄膜トランジス（ＴＦＴ）１３１は、図示しない基板を備える。基板上に下地絶縁層（図示せず）が形成され、ソース電極１３３、ドレイン電極１３４が形成される。ソース電極１３３、ドレイン電極１３４および電極間のギャップ上に活性層（図示せず）が形成される。この上にゲート絶縁層（図示せず）が形成されている。ゲート絶縁層の上にゲート電極１３２が形成される。ゲート電極１３２は、一端がゲート接続パッド１３５に接続されている。ソース電極１３３は、接続配線１３６を通してソース接続パッド１３７に接続されている。ドレイン電極１３４は、接続配線１３８を通してドレイン接続パッド１３９に接続されている。各接続パッド１３５，１３７，１３９は、図示していない別の配線との間でスルーホール等を介して接続されている。図２４の（Ｂ）に図２４の（Ａ）のデバイスの等価回路を示す。なお、ＴＦＴ構造をトップゲートボトムコンタクト構造で示したが、他の構造、ボトムゲートボトムコンタクト構造等でも構わない。
【０１３９】
ここで、前述の第１の実施形態で説明したように撥液層に親液パターンを形成し、導電性インクの塗布による親液パターン上に導電性インクパターンを形成し、焼成することによりソース、ドレイン電極１３３，１３４およびこれらに接続する接続配線１３６、１３８を形成する方法に注目する。図２４の（Ａ）に示すようにソース電極１３３は、接続配線１３６を通してソース接続パッド１３７に接続され、ドレイン電極１３４は接続配線１３８を通してドレイン接続パッド１３９に接続されている。ソース電極１３３および接続配線１３６およびドレイン電極１３４は矢印４０１に示す塗布方向に対して概略平行であるため、膜厚が薄くなり、特に微細パターンの場合にはＴＦＴ１３１の性能が低下することがある。
【０１４０】
このようなＴＦＴを備えるデバイスにおいて、（下地）絶縁膜にソース電極１３３、接続配線１３６およびソース接続パッド１３７と、ドレイン電極１３４、接続配線１３８およびドレイン接続パッド１３９とを形成する方法を図２４の（Ｃ）を参照して以下に説明する。
【０１４１】
絶縁膜は、表面自由エネルギーが大きい親液性を有する樹脂膜で形成されている。絶縁膜全面に撥液層を被覆した後、例えばレーザアブレーションを施し、撥液層を選択的に除去して親液性を有する樹脂膜表面を露出することにより凹状の親液パターンを形成する。ソース電極側親液パターン１４１は、ソース電極１３３、接続配線１３６およびソース接続パッド１３７に対応する撥液層１４２の除去部に形成される。また、ドレイン電極側親液パターン１４３はドレイン電極１３４、接続配線１３８およびドレイン接続パッド１３９に対応する撥液層１４２の除去部に形成される。
【０１４２】
ソース電極側親液パターン１４１は、主親液パターン２０１と、主親液パターン２０１に接続された補助親液パターン２０５とで構成されている。主親液パターン２０１は、接続配線１３６に対応する部分でコ字形に外側に屈曲している。補助親液パターン２０５は、主親液パターン２０１の屈曲部に矢印４０１に示す塗布方向と平行になるように接続されている。撥液領域１４４は、主親液パターン２０１と補助親液パターン２０５との間の撥液層１４２に規定されている。すなわち、撥液領域１４４は矢印４０１の方向に示す塗布方向に対して上流側で主親液パターン２０１と補助親液パターン２０５との接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている。
【０１４３】
ドレイン電極側親液パターン１４３は、主親液パターン２０１と、補助親液パターン２０５とから構成されている。補助親液パターン２０５は、接続配線１３８に対応する部分で塗布方向に対して反対側に鍵型に屈曲し、塗布方向に対して下流側で主親液パターン２０１の端部（紙面の下端部）に接続されている。撥液領域１４５は、主親液パターン２０１と補助親液パターン２０５との間の撥液層１４２に規定されている。すなわち、撥液領域１４５は矢印４０１の方向に示す塗布方向に対して上流側で主親液パターン２０１と補助親液パターン２０５との接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている。
【０１４４】
このような撥液層１４２を選択的に除去することにより露出する、ソース電極側親液パターン１４１およびドレイン電極側親液パターン１４３を形成した後、インク保持部材を用いて導電性インクを矢印４０１に示す方向に塗布することにより、前記第１の実施形態で説明した作用により、層間絶縁膜において撥液層１４２よりもインクに対して接触角が小さい各親液パターン１４１，１４３にインクが選択的に塗布され、導電性インクパターンが形成される。この時、ソース電極側親液パターン１４１は主親液パターン２０１と補助親液パターン２０５との間の撥液層１４２に撥液領域１４４が規定されているため、第１の実施形態で説明したようにソース電極１３３に対応する主親液パターン２０１上に厚い導電性インクパターンが形成される。また、ドレイン電極側親液パターン１４３にも撥液領域１４５が形成されているため、同様にドレイン電極１３４に対応する親液パターン１４３上に厚い導電性インクパターンが形成される。その後、これらの導電性インクパターンを焼成することにより、層間絶縁膜上に接続配線１３６およびソース接続パッド１３７、接続配線１３８およびドレイン接続パッド１３９とともに、厚い膜厚を有するソース電極１３３、ドレイン電極１３４を形成できる。
【０１４５】
なお、ドレイン電極側親液パターン１４３の補助親液パターン２０５は接続配線１３８の一部に組込まれ、電気伝導の機能を担う。
【０１４６】
（第１０の実施形態）
第１０の実施形態を以下に図２５を参照して説明する。
【０１４７】
図２５の（Ａ）は、例えば版にインクパターンを形成する工程を示す正面図、同図の（Ｂ）は同図の（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、同図の（Ｃ）は同図の（Ａ）のＣ部の拡大平面図である。
【０１４８】
第１０の実施形態は、インクパターンを基板上に直接形成せず、版に形成し、その後版のインクパターンを例えば樹脂等から作られる基板上に転写する方法である。
【０１４９】
すなわち、版１５１は矢印４０１に示す時計回り方向に回転する、例えば金属から作られる円筒形の版胴１５０と、この版胴１５０の外周面に形成された撥液層１５３およびベース層１５２とから構成されている。版胴１５０の回転方向は、塗布方向と一致する。撥液層１５３は、例えば第１の実施形態で説明したように有機樹脂層の表面にフッ素を含む基、長鎖アルキル基などを導入することにより形成される。撥液層１５３には、紫外光を照射することにより図２５の（Ｃ）に示す親液パターン１４４が形成される。
【０１５０】
親液パターン１５４は、線状の主親液パターン２０１と、２つの補助親液パターン２０２とから構成されている。２つの補助親液パターン２０２は、主親液パターン２０１にその主親液パターン２０１に沿って所望の距離を開けて接続されている。各補助親液パターン２０２は、例えば２箇所で主親液パターン２０１の長手方向に対してそれぞれ９０度屈曲したコ字形をなし、屈曲部間の中央で主親液パターン２０１に接続されている。４つの撥液領域１５５は、主親液パターン２０１と２つの補助親液パターン２０２との間の撥液層１５３にそれぞれ規定されている。換言すれば、２つの撥液領域１５５は主親液パターン２０１と１つの補助親液パターン２０２で区画された撥液層１５３の２つの表面部分にそれぞれ規定されている。すなわち、各撥液領域１５５は矩形状をなし、回転方向である矢印４０１で示す塗布方向の上流側で主親液パターン２０１と補助親液パターン２０２との接続箇所により閉じられ、当該接続箇所から下流側で開放されている。主親液パターン２０１と１つの補助親液パターン２０２との間の撥液層１５３に規定される２つの撥液領域１５５は、主親液パターン２０１を挟んで両側に対称的に配置されている。
【０１５１】
前述した版１５１上の親液パターン１５４を含む撥液層１５３の表面にインク保持部材１５６を撥液層１５３表面との間に所定の距離を隔てて設置し、親液パターン１５４を含む撥液層１５３の表面とインク保持部材１５６との間にインク１５７を保持する。
【０１５２】
版１５１を矢印４０１に示す時計回り方向に回転させ、保持されたインク１５７も版１５１の親液パターン１５４を含む撥液層１５３上を移動する。版１５１の回転によりインク１５７のメニスカス面（図示せず）が親液パターン１５４を含む撥液層１５３上を移動して塗布される。この時、親液パターン１５４には線状の主親液パターン２０１と補助親液パターン２０２との間の撥液層１５３に撥液領域１５５が規定されている。このため、第１の実施形態で説明した作用により線状の主親液パターン２０１にインク量が多く、厚い膜厚のインクパターンが形成される。
【０１５３】
インクパターンの形成後、版１５１上に基板を当接させ、図示しないピンチロールで基板を版１５１と対向する側で押圧し、版１５１を時計回り方向、ピンチロールを反時計回り方向に回転する。この回転により、版１５１上に形成されたインクパターンを基板に転写する。その後、版１５１から基板を取外し、乾燥、焼成等を施すことにより、厚い膜厚を有するパターンを基板上に形成できる。
【０１５４】
従って、第１０の実施形態によれば基板に厚い膜厚を有するインクパターンを直接形成せず、版を用いて間接的に形成することができる。
【０１５５】
なお、親液パターン１５４は版１５１の撥液層１５３に平面的に形成する形態の他に、溝構造にしてもよい。溝構造の親液パターンを形成した場合にも、前述した転写工程でインクパターンを基板に良好に転写できる。
【０１５６】
（第１１の実施形態）
第１１の実施形態を以下に図２６を参照して説明する。
【０１５７】
図２６は、パターン（例えば導電パターン）を示す図である。図２６の５０１は、基板（例えば基板）である。パターン５０２は、基板５０１上に形成されている。パターン５０２は、線状の主パターン５０３と２つの補助パターン５０４とを備える。各補助パターン５０４は、主パターン５０３に接続され、その接続部から離れた箇所で屈曲し、屈曲した補助パターン５０４部分は主パターン５０３に沿うように配置されている。具体的には、補助パターン５０４は両端部が主パターン５０３の長手方向に沿ってそれぞれ９０度屈曲したコ字形をなし、屈曲部間の中央で主パターン５０３に接続されている。補助パターン５０４の線幅は、主パターン５０３の線幅の０．２〜５倍である。補助パターン５０４は屈曲して主パターン５０３に接続し、主パターン５０３以外と接続されない。
【０１５８】
基板は、単一の基板の他に、表面に各種の膜または層が形成された基板を挙げることができる。基板それ自体は、例えばガラス、シリコンのような半導体材料、プラスチックフィルムから作られる。膜は、例えば層間絶縁膜、ゲート絶縁膜を挙げることができる。層は、例えば配線層、電極層、半導体層を挙げることができる。
【０１５９】
パターンは、例えば金属のような導電材料または酸化物のような絶縁材料、半導体材料から作ることができる。
【０１６０】
パターン５０２は、平坦な基板５０１上に形成される場合に限らず、一部または全体を基板の溝に埋め込んだ構造でもよい。
【０１６１】
主パターン５０３および補助パターン５０４を備えるパターン５０２は、その直下の基板表面に親液層を有し得る。親液層の接触角は、パターン５０２の形成に用いられる塗布インクに対して２〜２５度であることが好ましい。
【０１６２】
なお、補助パターン５０４は、コ字形に限定されない。例えば、前述した図１９の（Ａ）〜（Ｅ）、図２０の（Ａ）、（Ｂ）または図２２の（Ａ）〜（Ｄ）に示す補助親液パターンと同様な形状にしてもよい。
【０１６３】
本発明のいつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の種々の形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１６４】
１，５０１…基板、２，２３，５４，６１，７１，１４２，１５３，３０２…撥液層、３，２４，６２，６３，７２１，７２２，８１，９１，１１１，１２１，１４１，１４３，１５４…親液パターン、２０１…主親液パターン、２０２，２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ，２０３，２０５…補助親液パターン、６ａ，６ｂ，６ｃ，２５ａ，２５ｂ，６４，７３１、７３２，８２，９２ａ．９２ｂ，９２，１１２，１４４，１４５，１５５…撥液領域、１１、１５６…インク保持部材、１２，１６７…インク、１３…メニスカス面、１５…インクパターン、５０２…パターン、５０３…主パターン、５０４…補助パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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