(57)【要約】【課題】データの取得が可能であり、かつより小型の半導体装置を提供する。【解決手段】中空体（２）は、回路基板（１）に近いほど中空体（２）の側壁（１６）が薄くなるように傾斜した内壁（１１）を有しており、半導体装置（５０）の上面視において、回路基板（１）の外形（１２）と中空体（２）の外形（１３）とが同一であり、かつ、内壁（１１）の少なくとも一部と半導体チップ（３）とが領域（１４Ｒ）および（１４Ｌ）にて重なっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
上記回路基板に搭載されている第１半導体チップと、
上記回路基板と上記第１半導体チップとを電気的に接続する少なくとも１つのボンディングワイヤと、
上記第１半導体チップおよび上記ボンディングワイヤを囲うように上記回路基板に搭載されており、貫通孔を有している中空体と、を備えており、
上記中空体は、上記回路基板に近いほど該中空体の側壁が薄くなるように傾斜した内壁を有しており、
上面視において、上記回路基板の外形と上記中空体の外形とが同一であり、かつ、上記内壁の少なくとも一部と上記第１半導体チップとが重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記中空体は、少なくとも１種類の絶縁性材料によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記第１半導体チップは、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記第１半導体チップを複数備えており、
複数の上記第１半導体チップはいずれも、上記ボンディングワイヤによるワイヤボンディング接続のみによって、上記回路基板と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
フリップチップ接続によって上記回路基板と電気的に接続されている第２半導体チップをさらに備えていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に設けられた半導体チップおよびボンディングワイヤが、開口部を有する中空体によって囲われてなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
温度、気圧、または湿度といったデータ（物理データとも言う）の取得が可能な半導体装置として、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）等に代表される半導体チップを用いたものが知られている。ＭＥＭＳとは、機械部品と電子回路とを融合し、微細部品を形成した微小電子機械部品である。
【０００３】
上記半導体装置において、半導体チップは、中空の構造を有している半導体パッケージに搭載される。そして、該中空の構造の外形を構成する中空体に、データを取得するための開口部を設けることにより、この半導体装置を実現することができる。この半導体チップは、取得したデータに基づいてセンシングを行う機能を有するものである。
【０００４】
特に、近年、高密度の実装を必要とする、スマートフォンおよびタブレットＰＣ（Personal Computer）といったモバイル端末に、上記半導体装置を採用することが増えている。これに伴い、より小さく、より堅牢であり、かつより信頼性の高い上記半導体装置を、より安価で大量に製造することが、市場より求められている。
【０００５】
従来、市場に流通している上記半導体装置として、下記（Ａ）および（Ｂ）の２種類の構造が挙げられる。
（Ａ）通常基板と金属蓋（中空体）との組み合わせを有する構造の半導体装置。
（Ｂ）キャビティ基板（凹状加工が施された基板）と平板の蓋との組み合わせを有する構造の半導体装置。
【０００６】
図８は、上記（Ａ）の半導体装置の構成を示す斜視図である。なお、図８では、金属蓋によって囲われた領域の構造を図示するため、一部金属蓋の図示を省略している。
【０００７】
図８に示す半導体装置１００は、回路基板１０１に設けられた半導体チップ１０３およびボンディングワイヤ１０５が、金属蓋１０７によって囲われてなるものである。
【０００８】
半導体装置１００では、金属蓋１０７がボンディングワイヤ１０５に接触しないよう、大きな金属蓋１０７を使用する必要がある。これにより、半導体装置１００を十分に小型化することが難しいという問題が発生する（図９参照）。
【０００９】
また、半導体装置１００では、金属蓋１０７の表面に絶縁加工を施して、金属蓋１０７に絶縁性を持たせる必要がある。これにより、半導体装置１００では、製造コストが増大するという問題が発生する。
【００１０】
図１０は、上記（Ｂ）の半導体装置の構成を示す斜視図である。なお、図１０では、キャビティ基板内の構造を図示するため、一部平板の蓋の図示を省略している。
【００１１】
図１０に示す半導体装置２００は、回路基板部２０１に設けられた半導体チップ２０３およびボンディングワイヤ２０５が、基板くり抜き部２０８および平板の蓋２０９によって囲われてなるものである。回路基板部２０１および基板くり抜き部２０８が、キャビティ基板を構成している。
【００１２】
半導体装置２００では、ボンディングワイヤ２０５を回路基板部２０１および半導体チップ２０３にボンディングするときに、ワイヤボンディング冶具２１１（キャピラリ等）が基板くり抜き部２０８に接触しないよう大きなキャビティ基板を使用する必要がある。これにより、半導体装置２００を十分に小型化することが難しいという問題が発生する（図１１参照）。
【００１３】
ワイヤボンディング接続の替わりに、フリップチップ接続を採用することで、上記の諸問題を解消することが可能である。しかしながら、フリップチップ接続を採用した場合、このフリップチップ接続自体が半導体装置の製造コストの増大を招く。
【００１４】
また、特許文献１には、データを取得するための開口部を有していないが、半導体装置が開示されている。特許文献１に開示されている半導体装置は、支持基板の上面視の外形形状と樹脂キャップの上面視の外形形状とが同じであり、樹脂キャップの内壁がテーパ形状である。具体的に、該テーパ形状は、支持基板に近いほど樹脂キャップが薄くなるように傾斜した形状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００２−１１０８３３号公報（２００２年４月１２日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
特許文献１に開示されている半導体装置は、ボンディングワイヤと樹脂キャップの内壁との間隔が大き過ぎるため、小型化が不十分であるという問題が発生する。
【００１７】
本発明は、上記の課題に鑑みて為されたものであり、その目的は、データの取得が可能であり、かつより小型の半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置は、回路基板と、上記回路基板に搭載されている第１半導体チップと、上記回路基板と上記第１半導体チップとを電気的に接続する少なくとも１つのボンディングワイヤと、上記第１半導体チップおよび上記ボンディングワイヤを囲うように上記回路基板に搭載されており、貫通孔を有している中空体と、を備えており、上記中空体は、上記回路基板に近いほど該中空体の側壁が薄くなるように傾斜した内壁を有しており、上面視において、上記回路基板の外形と上記中空体の外形とが同一であり、かつ、上記内壁の少なくとも一部と上記第１半導体チップとが重なっていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の一態様によれば、データの取得が可能であり、かつより小型の半導体装置を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す図であり、図１の（ａ）は、全ての中空体を図示した斜視図であり、図１の（ｂ）は、一部中空体の図示を省略した斜視図であり、図１の（ｃ）は、図１の（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図４】図４の（ａ）は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す断面図であり、図４の（ｂ）は、同半導体装置の構成を示す上面図である。
【図５】図５の（ａ）は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置の構成を示す断面図であり、図５の（ｂ）は、同半導体装置の構成を示す上面図である。
【図６】本発明の実施の形態６に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態７に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図８】通常基板と金属蓋との組み合わせを有する構造の半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図９】図８に示す半導体装置において発生する問題を説明する断面図である。
【図１０】キャビティ基板と平板の蓋との組み合わせを有する構造の半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図１１】図１０に示す半導体装置において発生する問題を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
〔概要〕
本発明の半導体装置では、絶縁性材料で構成された中空体の内壁をテーパ形状とすることで、中空体とボンディングワイヤとの間隔をできるだけ小さくする、もしくはこれらを接触させるような配置が可能となる。中空体の天面は、製造工程〜実装工程における半導体装置の天面の吸着ハンドリングのため、一定の強度が必要であるが、このテーパ形状を有することで、半導体装置の天面は一定の強度を有することができる。また、回路基板と中空体とを接着する接着材も、中空体を保持し、中空体の強度をアップさせるように設けることにより、ギリギリまで小さくした中空体であっても強度を有する半導体装置の提供が可能となる。
【００２２】
〔実施の形態１〕
図１は、本実施の形態に係る半導体装置５０の構成を示す図である。
【００２３】
具体的に、図１の（ａ）は、全ての中空体２を図示した斜視図である。図１の（ｂ）は、中空体２によって囲われた領域の構造を図示するため、一部中空体２の図示を省略した斜視図（３次元カットモデル）である。図１の（ｃ）は、図１の（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【００２４】
図１の（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置５０は、回路基板１、中空体２、半導体チップ（第１半導体チップ）３、ボンディングワイヤ５、および接着材１０を備えている。また、中空体２は、開口部（貫通孔）６を有している。
【００２５】
回路基板１は、半導体チップ３が搭載される面である主面、および主面の裏側にあたる裏面を有している。
【００２６】
回路基板１の主面は、図示しない絶縁層によって被覆された配線層を有している。回路基板１の裏面は、図示しない絶縁層によって被覆された配線層を有していてもよい。
【００２７】
回路基板１の構成は特に限定されず、該構成の一例として、ガラスエポキシ材、ＢＴレジン、およびポリイミド等の有機絶縁基材に銅配線をパターニングし、該銅配線をソルダーレジストによって被覆したものが挙げられる。但し、該絶縁層についても、ソルダーレジストに限定されない。
【００２８】
半導体チップ３は、例えばＭＥＭＳであるが、これに限定されず、任意の半導体チップを用いることができる。
【００２９】
半導体チップ３は、図示しない接着層を介して、回路基板１の主面に搭載されている。該接着層には特に限定は無く、該接着層の供給形態にも特に限定は無く、該接着層は固体および液体のいずれであってもよい。該接着層として、ペースト状接着材、シート状接着材、および異方導電性フィルム等を用いることができる。
【００３０】
ボンディングワイヤ５は、回路基板１と半導体チップ３とを電気的に接続するものである。ボンディングワイヤ５は、例えば金線からなる。
【００３１】
図１の（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置５０は、ボンディングワイヤ５を複数有している。そして、複数のボンディングワイヤ５を用いたワイヤボンディング接続によって、回路基板１と半導体チップ３とが複数箇所にて電気的に接続されている。
【００３２】
回路基板１と半導体チップ３との電気的接続には、ワイヤボンディング接続の他にも、フリップチップ接続が適用可能である。しかしながら、フリップチップ接続は、適用可能範囲が制限されることになる。具体的に、半導体装置が、積層された複数の半導体チップを備えている場合、フリップチップ接続は、各半導体チップを回路基板に電気的に接続する接続に対してしか適用できない。
【００３３】
中空体２は、半導体チップ３およびボンディングワイヤ５を囲うように回路基板１に搭載されている。中空体２は、接着材１０によって、回路基板１に接着されている。
【００３４】
中空体２を構成する材料は、特に限定されず、あらゆる有機樹脂材料を適用することが可能である。その一方で、一般的な半導体パッケージと同等の難燃性を持ち、かつ長期に亘り半導体チップの信頼性を損なわないようにするためには、中空体２を構成する材料として、塩素イオンおよび硫酸イオン等の不純物の含有量が少ない材料を用いることが好ましい。
【００３５】
中空体２の製造方法に応じて、中空体２は、１種類の絶縁性材料によって構成されていてもよいし、２種類以上の絶縁性材料によって構成されていてもよい。但し、中空体２が２種類以上の絶縁性材料によって構成されている場合、２種類以上の絶縁性材料として、相互の接着力が十分大きなものを選択する必要がある。
【００３６】
中空体２の製造方法としては、金型を用いて定型封止する方法、３Ｄプリンター等を用いる方法、加工機によって直方体の材料を切削する方法等、様々な方法が挙げられ、ここに列挙した以外の方法であってもよい。但し、半導体チップ３とボンディングワイヤ５との間隔を十分小さくする場合、中空体２の内壁１１の形状を高精度に形成する必要がある。この場合は、金型を用いて定型封止する方法を適用するのが好ましい。
【００３７】
中空体２は、データ（温度、気圧、または湿度等）を取得するための開口部６を有している。開口部６の直下に半導体チップ３が位置していることが好ましい。図１に示す中空体２は、開口部６を１つ有しているが、中空体２は開口部６を２つ以上有していてもよい。
【００３８】
ここで、中空体２は、内壁１１を有している。内壁１１は、テーパ形状であり、具体的には、図１の（ｃ）に示すとおり、回路基板１に近いほど中空体２の側壁１６が薄くなるように傾斜している。
【００３９】
また、半導体装置５０の上面視において、回路基板１の外形１２と中空体２の外形１３とが同一である。半導体装置５０の上面図では、回路基板１の外形１２と中空体２の外形１３とが完全に重なり、回路基板１の外形１２と中空体２の外形１３との大小関係が視認できない。そこで、半導体装置５０の上面図の替わりに、図１の（ａ）に示す斜視図を参照して説明した。
【００４０】
さらに、半導体装置５０の上面視において、内壁１１と半導体チップ３とが、領域１４Ｒおよび１４Ｌにて重なっている（内壁の少なくとも一部と半導体チップとが重なっている）。半導体装置５０の上面図では、中空体２で半導体チップ３が隠れてしまい、内壁１１と半導体チップ３との重なりを視認することは困難である。そこで、半導体装置５０の上面図の替わりに、図１の（ｃ）に示す断面図を参照して説明した。
【００４１】
接着材１０は、回路基板１と中空体２との間に介在しており、回路基板１と中空体２とを接着するものである。接着材１０による接着箇所が、ボンディングワイヤ５の近傍になるため、接着材１０は、塩素イオンおよび硫酸イオン等の不純物の含有量が少ない材料を用いることが好ましい。具体的に、接着材１０は、塩素を主とするハロゲン系のイオン性不純物および硫酸系のイオン性不純物を含む不純物の総含有量が１００ｐｐｍ以下であるのが好ましい。但し、接着材１０は、固体および液体のいずれであってもよく、特に限定は無い。
【００４２】
「イオン性不純物」に関し、半導体パッケージ材料の中で、半導体の腐食に影響を与える有名な物質が、塩素を主とするハロゲンや、硫酸イオンだと知られている。
【００４３】
回路基板１に形成される外部電極端子について特に限定は無い。
【００４４】
半導体装置５０では、半導体装置５０の上面視において、回路基板１の外形１２と中空体２の外形１３とが同一であり、かつ、内壁１１と半導体チップ３とが、領域１４Ｒおよび１４Ｌにて重なっている。このため、ボンディングワイヤ５と内壁１１との間隔を従来技術に増して小さくすることができるため、より小型の半導体装置を実現することができる。すなわち、中空体２を有する半導体装置をより小型化することと、ボンディングワイヤ５と内壁１１との間隔を最低限確保することという、相反する２つの目的を達成することができる。
【００４５】
また、半導体装置５０では、半導体装置５０の上面視において、回路基板１の外形１２と中空体２の外形１３とが同一である。このため、回路基板１と中空体２との間に段差が形成されない。この結果、例えば半導体装置５０の製造メーカー側でのハンドリングおよびユーザー側でのハンドリングに際して、回路基板１および／または中空体２に外力が加わっても、中空体２が回路基板１から剥離しにくい。
【００４６】
〔実施の形態２〕
図２は、本実施の形態に係る半導体装置５１の構成を示す断面図である。
【００４７】
図２に示す半導体装置５１は、２つの半導体チップ３および４を備えている点が、図１に示す半導体装置５０と異なっている。本実施の形態では、例外として、半導体チップ３は第２半導体チップに対応することとなる。
【００４８】
半導体チップ（第１半導体チップ）４は、例えばＭＥＭＳであるが、これに限定されず、任意の半導体チップを用いることができる。
【００４９】
半導体チップ４は、半導体チップ（第２半導体チップ）３に載せられている。半導体チップ４は、半導体チップ３と同じく、ボンディングワイヤ５によって、回路基板１と電気的に接続されている。
【００５０】
半導体装置５１は、複数の半導体チップ３および４がいずれも、ボンディングワイヤ５によるワイヤボンディング接続のみによって、回路基板１と電気的に接続されている。
【００５１】
〔実施の形態３〕
図３は、本実施の形態に係る半導体装置５２の構成を示す断面図である。
【００５２】
図３に示す半導体装置５２は、半導体チップ３が、バンプ１５によって、回路基板１と電気的に接続されている点が、図２に示す半導体装置５１と異なっている。
【００５３】
半導体装置５２の、複数の半導体チップ３および４は、ボンディングワイヤ５によるワイヤボンディング接続によって回路基板１と電気的に接続されている半導体チップ４と、フリップチップ接続によって回路基板１と電気的に接続されている半導体チップ３とを含んでいる。
【００５４】
〔実施の形態４〕
図４の（ａ）は、本実施の形態に係る半導体装置５３の構成を示す断面図であり、図４の（ｂ）は、本実施の形態に係る半導体装置５３の構成を示す上面図である。図４の（ｂ）では、中空体２によって囲われた領域の構造を図示するため、中空体２の図示を省略している。
【００５５】
図４の（ａ）および（ｂ）に示す半導体装置５３は、ボンディングワイヤ５が図４の（ａ）および（ｂ）に示すように設けられている点が、図１に示す半導体装置５０と異なっている。
【００５６】
図４の（ｂ）に示すとおり、半導体チップ３の上面視において、半導体チップ３の外形は矩形である。そして、ボンディングワイヤ５は、該矩形における対向する２辺（図４の（ｂ）中、左側の辺および右側の辺）に沿って各辺に３つずつ、該矩形における別の対向する２辺（図４の（ｂ）中、上側の辺および下側の辺）に沿って各辺に１つずつ配置されている。
【００５７】
〔実施の形態５〕
図５の（ａ）は、本実施の形態に係る半導体装置５４の構成を示す断面図であり、図５の（ｂ）は、本実施の形態に係る半導体装置５４の構成を示す上面図である。図５の（ｂ）では、中空体２によって囲われた領域の構造を図示するため、中空体２の図示を省略している。
【００５８】
図５の（ａ）および（ｂ）に示す半導体装置５４は、ボンディングワイヤ５が図５の（ａ）および（ｂ）に示すように設けられている点が、図４に示す半導体装置５３と異なっている。
【００５９】
図５の（ｂ）に示すとおり、半導体チップ３の上面視において、半導体チップ３の外形は矩形である。そして、ボンディングワイヤ５は、該矩形における隣接する２辺（図５の（ｂ）中、右側の辺および下側の辺）に沿って各辺に４つずつ配置されている。一方、ボンディングワイヤ５は、該矩形における別の隣接する２辺（図５の（ｂ）中、左側の辺および上側の辺）に沿って配置されていない。
【００６０】
半導体装置５４では、上記矩形における別の隣接する２辺（図５の（ｂ）中、左側の辺および上側の辺）近傍に、ボンディングワイヤ５を搭載するための領域を設ける必要がない。このため、半導体装置５４は、半導体装置５３よりも小型化が可能である。すなわち、半導体装置５４の横幅５４ｈを半導体装置５３の横幅５３ｈより小さくし、半導体装置５４の縦幅５４ｖを半導体装置５３の縦幅５３ｖより小さくすることができる。
【００６１】
なお、半導体装置５４では、ボンディングワイヤ５が、該矩形における１辺のみに沿って配置されていてもよい。いずれにしても、半導体装置５４を実現するためには、半導体チップ３の開発の段階から、協調設計が必要となる。
【００６２】
〔実施の形態６〕
図６は、本実施の形態に係る半導体装置５５の構成を示す断面図である。
【００６３】
図６に示す半導体装置５５は、接着材１０によって、中空体２の側壁１６が補強されている点が、図１に示す半導体装置５０と異なっている。側壁１６は、内壁１１を含んでいる。
【００６４】
半導体装置５５は、接着材１０を半導体装置５０より多く塗布することによって実現可能である。
【００６５】
半導体装置５５では、接着材１０が、内壁１１のテーパ形状によって側壁１６が薄くなっている箇所（回路基板１側）を補強するように設けられている。半導体装置５５を実現するためには、接着材１０は液体であることが必要である。
【００６６】
半導体装置５５は、接着材１０が、内壁１１を含む中空体２の側壁１６を補強するように設けられている。この構成は、特に、側壁１６が薄くなっている箇所（回路基板１側）を補強するのに好適である。
【００６７】
図６に示す半導体装置５５の構成によれば、半導体装置を小型化しても、十分な強度を実現することができる。
【００６８】
〔実施の形態７〕
図７は、本実施の形態に係る半導体装置５６の構成を示す断面図である。
【００６９】
図７に示す半導体装置５６は、接着材１０によって、回路基板１とボンディングワイヤ５との接続部分１７が補強されている点が、図６に示す半導体装置５５と異なっている。接着材１０はさらに、半導体チップ３の側面にまで達している。
【００７０】
半導体装置５６は、接着材１０を半導体装置５５より多く塗布することによって実現可能である。
【００７１】
半導体装置５６では、接着材１０が、半導体チップ３の側面（表面）の一部、および、上記接続部分１７に設けられている。この構成は、特に、該接続部分１７を補強するのに好適である。
【００７２】
図７に示す半導体装置５６の構成によっても、半導体装置を小型化しても、十分な強度を実現することができる。
【００７３】
〔まとめ〕
本発明の一態様に係る半導体装置は、回路基板と、上記回路基板に搭載されている第１半導体チップ（半導体チップ３、半導体チップ４）と、上記回路基板と上記第１半導体チップとを電気的に接続する少なくとも１つのボンディングワイヤと、上記第１半導体チップおよび上記ボンディングワイヤを囲うように上記回路基板に搭載されており、貫通孔（開口部６）を有している中空体と、を備えており、上記中空体は、上記回路基板に近いほど該中空体の側壁が薄くなるように傾斜した内壁を有しており、上面視において、上記回路基板の外形と上記中空体の外形とが同一であり、かつ、上記内壁の少なくとも一部と上記第１半導体チップとが重なっている。
【００７４】
上記の構成によれば、ボンディングワイヤと内壁との間隔を従来技術に増して小さくすることができるため、より小型の半導体装置を実現することができる。すなわち、中空体を有する半導体装置をより小型化することと、ボンディングワイヤと内壁との間隔を最低限確保することという、相反する２つの目的を達成することができる。
【００７５】
また、上記の構成によれば、回路基板と中空体との間に段差が形成されない。この結果、例えば半導体装置の製造メーカー側でのハンドリングおよびユーザー側でのハンドリングに際して、回路基板および／または中空体に外力が加わっても、中空体が回路基板から剥離しにくい。
【００７６】
また、本発明の別の態様に係る半導体装置において、上記中空体は、少なくとも１種類の絶縁性材料によって構成されている。
【００７７】
また、本発明の別の態様に係る半導体装置において、上記第１半導体チップは、ＭＥＭＳである。
【００７８】
また、本発明の別の態様に係る半導体装置は、上記第１半導体チップを複数備えており、複数の上記第１半導体チップはいずれも、上記ボンディングワイヤによるワイヤボンディング接続のみによって、上記回路基板と電気的に接続されている。
【００７９】
また、本発明の別の態様に係る半導体装置は、フリップチップ接続によって上記回路基板と電気的に接続されている第２半導体チップ（半導体チップ３）をさらに備えている。
【００８０】
また、本発明の別の態様に係る半導体装置は、上記ボンディングワイヤを複数備えており、上記第１半導体チップの上面視において、該第１半導体チップの外形は矩形であり、複数の上記ボンディングワイヤの全ては、上記矩形における１辺に沿って配置されているか、または、該矩形における隣接する２辺に沿って配置されている。
【００８１】
上記の構成によれば、上記矩形におけるボンディングワイヤが配置されない辺近傍に、ボンディングワイヤを搭載するための領域を設ける必要がない。このため、半導体装置のさらなる小型化が可能である。
【００８２】
また、本発明の別の態様に係る半導体装置は、上記回路基板と上記中空体との間に、該回路基板と該中空体とを接着する接着材を備えている。
【００８３】
また、本発明の別の態様に係る半導体装置において、上記接着材は、上記側壁を補強するように設けられている。
【００８４】
上記の構成によれば、半導体装置を小型化しても、十分な強度を実現することができる。この構成は、特に、側壁が薄くなっている箇所（回路基板側）を補強するのに好適である。
【００８５】
また、本発明の別の態様に係る半導体装置において、上記接着材は、上記第１半導体チップの表面の一部、および、上記回路基板と上記ボンディングワイヤとの接続部分に設けられている。
【００８６】
上記の構成によれば、半導体装置を小型化しても、十分な強度を実現することができる。この構成は、特に、回路基板とボンディングワイヤとの接続部分を補強するのに好適である。
【００８７】
また、本発明の別の態様に係る半導体装置は、上記接着材の、塩素を主とするハロゲン系のイオン性不純物および硫酸系のイオン性不純物を含む不純物の総含有量が１００ｐｐｍ以下である。
【００８８】
上記の構成によれば、一般的な半導体パッケージと同等の難燃性を持ち、かつ長期に亘り半導体チップの信頼性を損なわないように構成された半導体装置を実現することができる。
【００８９】
本発明の各態様によれば、ギリギリまで小さくした中空体で形成された半導体装置であっても十分な強度を有する半導体装置の提供が実現可能となる。
【００９０】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、回路基板に設けられた半導体チップおよびボンディングワイヤが、開口部を有する中空体によって囲われてなる半導体装置に利用することができる。
【符号の説明】
【００９２】
１  回路基板
２  中空体
３  半導体チップ（第１半導体チップ、第２半導体チップ）
４  半導体チップ（第１半導体チップ）
５  ボンディングワイヤ
６  開口部（貫通孔）
１０  接着材
１１  内壁
１２  回路基板の外形
１３  中空体の外形
１４Ｒおよび１４Ｌ  内壁と半導体チップとが重なっている領域
１６  側壁
５０、５１、５２、５３、５４、５５、および５６  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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