(57)【要約】【課題】信頼性の高い有機発光装置を提供する。【解決手段】基板側から、第一電極と、発光層を含む有機化合物層３０と、第二電極と、をこの順に有する有機発光素子を複数有する有機発光装置１において、複数の前記有機発光素子が一列以上で配列されており、有機化合物層３０が、複数の前記有機発光素子に共通する層として形成されており、複数の前記有機発光素子の配列方向のうち長い側の有機化合物層３０の端部３０ａの少なくとも一部が発光領域２０ａの外側に設けられた密着部２２と接触することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板側から、第一電極と、発光層を含む有機化合物層と、第二電極と、をこの順に有する有機発光素子を複数有する有機発光装置において、
複数の前記有機発光素子が一列以上で配列されており、
前記有機化合物層が、複数の前記有機発光素子に共通する層として形成されており、
複数の前記有機発光素子の配列方向のうち長い側の前記有機化合物層の端部の少なくとも一部が発光領域の外側に設けられた密着部と接触することを特徴とする、有機発光装置。
【請求項２】
前記密着部の上に設けられる前記有機化合物層の端部が、前記第二電極に被覆されていることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
複数の前記有機発光素子の配列方向のうち長い側の前記有機化合物層の端部の全てが前記密着部と接触することを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記有機化合物層の全ての端部が前記密着部と接触することを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記密着部が透明酸化物半導体からなる層であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記透明酸化物半導体が、インジウム錫酸化物又はインジウム亜鉛酸化物であることを特徴とする、請求項５に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記密着部の構成材料が、前記第一電極と同じ材料であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記密着部により、前記基板側の配線と前記第二電極との電気接続が確保されていることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項９】
複数の前記第一電極の間に、隔離層が配置され、
前記隔離層の上の少なくとも一部に、前記有機化合物層と前記隔離層とを密着させる密着部が配置されていることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
複数の前記第一電極の間に、隔離層が配置され、
前記隔離層の上の少なくとも一部に、前記第一電極の構成材料と同じ材料からなる無機層が配置され、
前記無機層が、前記第一電極を設ける領域以外の領域に設けられていることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記無機層の上面の高さが、前記第一電極の上面の高さと同じであることを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の有機発光装置と、前記有機発光素子に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする、表示装置。
【請求項１３】
画像情報を入力する入力部と、前記画像情報を処理する情報処理部と、画像を表示する表示部を有し、
前記表示部が、請求項１３に記載の表示装置であることを特徴とする、画像情報処理装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の有機発光装置と、前記有機発光素子に駆動電圧を供給するＡＣ／ＤＣコンバーターと、を有することを特徴とする、照明装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の有機発光装置と、放熱板と、を有する照明装置であって、
前記放熱板が、前記照明装置内の熱を外部へ放出する放熱板であることを特徴とする、照明装置。
【請求項１６】
感光体と、前記感光体を帯電させる帯電部と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体に現像材を供給する現像部とを有する電子写真方式の画像形成装置であって、
前記露光部が、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の有機発光装置を有することを特徴とする、画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光装置に含まれる有機発光素子は、陽極と陰極とこれら電極の間に配置される発光層を含む有機化合物層とから構成されている。有機発光素子は、陽極から有機化合物層に注入されたホールと陰極から注入された電子とが発光層で再結合することにより発光する。
【０００３】
ところで、有機発光装置の内部に水分や酸素が浸入した場合、装置に含まれる有機発光素子の少なくとも一部に欠陥が発生することが知られている。特に、有機発光素子を構成する電子注入層には、低電圧化のためにアルカリ金属やアルカリ土類金属を含む成分が用いられることがある。このように、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含む成分を有する電子注入層は、水分と反応し層本来の機能である電子注入性が低下することがある。このように電子注入性が劣化した領域は、発光層においてホールと電子との再結合ができないため、ダークスポットと呼ばれる非発光の欠陥となってしまう。
【０００４】
一方、有機発光素子は、薄型化や軽量化が望まれている。そのため有機発光素子を封止する手段として、従来の金属やガラスを用いたキャップ封止ではなく、素子上に保護膜を形成する封止手段が知られている。ここで保護膜の形成方法としては、特許文献１にて開示されている、ＣＶＤ法（化学気相成長法）用いたＳｉＮ（窒化ケイ素）膜の形成方法があり、この方法によって形成されるＳｉＮを用いて有機発光素子を保護する。尚、水分や酸素の浸入を防ぎ、有機発光素子を保護する観点から、有機発光素子を保護する保護膜には、密度が高いことや、カバレッジ性が高いことが求められている。
【０００５】
しかしながら、有機発光素子を作製する過程において、真空チャンバー内に存在する異物及びマスクに付着した異物が、基板の搬送過程や成膜中に成膜面に付着することがある。特に有機発光素子を構成する有機化合物層を形成する際には、有機化合物層の成膜エリアの外側部分における基板表面に異物の付着がおきる確率が極めて高い。このため、保護膜を形成する前の段階で有機発光素子上に異物が存在することになり、形成した保護膜に水分や酸素の浸入経路が生じてしまう問題がある。例えば、有機発光素子の上と異物の上とではＳｉＮ保護膜の結晶成長の方向が異なる。これらの結晶成長の方向が異なる２つの結晶が合わさる部分では、保護膜中に隙間が発生したり低密度部が発生したりしてしまう。そして、発生した隙間や低密度部は水分や酸素が浸入しやすい経路となってしまう。
【０００６】
従って、保護膜の成膜時間を長くすることなく、保護膜に高い防護性能を持たせるためには、保護膜を形成する前に有機発光素子上に存在する異物を取り除いておくことが必要である。このような課題に対して特許文献２では保護膜を形成する前に、ドライ洗浄を行い有機発光素子上の異物を取り除く手法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−１１１２８６号公報
【特許文献２】特開２０１１−８１９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、複数の画素が、例えば、一次元に配列した有機発光装置において、とり個数を最大にしようとすると、基板の短辺方向に比べて長辺方向において、有機化合物層の端部は、基板の端部から近い部分が大部分を占める。このため当該有機発光装置では、異物による水分等の侵入による非発光領域が発生の影響に対して極めて敏感である。
【０００９】
ここで、特許文献２で示されるドライ洗浄を行うと、不活性ガスの粒が衝突することによる有機化合物層への物理的ダメージ（有機膜のハガレ、凹み）が生じてしまい適用は困難であった。
【００１０】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、信頼性の高い有機発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の有機発光装置は、基板側から、第一電極と、発光層を含む有機化合物層と、第二電極と、をこの順に有する有機発光素子を複数有する有機発光装置において、
複数の前記有機発光素子が一列以上で配列されており、
前記有機化合物層が、複数の前記有機発光素子に共通する層として形成されており、
複数の前記有機発光素子の配列方向のうち長い側の前記有機化合物層の端部の少なくとも一部が発光領域の外側に設けられた密着部と接触することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、信頼性の高い有機発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図２】図１の有機発光装置のＩ−Ｉ’断面を示す断面模式図である。
【図３】図１の有機発光装置が有する有機発光素子の例を示す断面模式図である。
【図４】本発明の有機発光装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図５】本発明の有機発光装置における第三の実施形態を示す断面模式図である。
【図６】本発明の有機発光装置における第四の実施形態を示す断面模式図である。
【図７】本発明の有機発光装置を有する画像形成装置の具体例を示す模式図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、図７の画像形成装置を構成する露光ユニット（露光部、露光装置）の具体例を示す平面概略図であり、（ｃ）は、図７の画像形成装置を構成する感光体の具体例を示す概略図である。
【図９】本発明に係る有機発光装置を有する照明装置の例を示す模式図である。
【図１０】実施例１における有機発光装置の製造プロセスを示す断面模式図である。
【図１１】変質部進行の防止性能の実験結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、基板側から、第一電極と、発光層を含む有機化合物層と、第二電極と、をこの順に有する有機発光素子を複数有する有機発光装置に係る。本発明の有機発光装置において、複数の有機発光素子は一列以上で配列されている。本発明の有機発光装置において、有機化合物層は、複数の有機発光素子に共通する層として形成されている。本発明の有機発光装置において、複数の有機発光素子の配列方向のうち長い側の前記有機化合物層の端部の少なくとも一部が発光領域の外側に設けられた密着部と接触する。尚、上述した第一電極とは、基板側に設けられている電極であり、第二電極とは、基板とは反対側に設けられる電極である。
【００１５】
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の有機発光装置の実施形態について説明する。ただし以下に説明する実施形態は、あくまでも一例であり、本発明は、以下に説明する実施形態に制限されるものではない。また図面において特に図示されなかった部分や、以下の説明において説明がない部分に関しては、当該技術分野の周知あるいは公知の技術を適用することができる。
【００１６】
［有機発光装置］
図１は、本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。また図２は、図１の有機発光装置のＩ−Ｉ’断面を示す断面模式図である。尚、説明の都合上、図２にて示されている部材の一部は図１において図示されていない。図１の有機発光装置１は、図２に示されるように、基板１０の上に、第一電極２１（陽極）、有機化合物層３０及び第二電極４０（陰極）が、この順で設けられてなる有機発光素子２０を複数有している。尚、本発明においては、第一電極２１を陰極とし、第二電極４０を陽極としてもよい。
【００１７】
本発明において、有機発光素子２０の平面形状は、基板１０上に設けられる発光画素２０ｂの形状に相当する。ここで、発光画素２０ｂの形状としては、円形状、矩形状、正方形状等が挙げられる。好ましくは、図１に示される正方形状である。
【００１８】
本発明において、有機化合物層３０は、図１に示されるように、有機発光装置１に含まれる複数の有機発光素子２０（発光画素２０ｂ）に共通する層として形成される。ここで、有機化合物層３０の形状として、図１に示される矩形状等が挙げられるが、厳密に矩形状である必要はなく、一部の辺が曲線を有する略矩形状であってもよい。有機化合物層３０の形状が矩形状である場合、有機化合物層３０の長辺は、複数の有機発光素子２０（発光画素２０ｂ）の配列方向のうち長い方に平行な辺をいう。また係る場合、有機化合物層３０の短辺は、複数の有機発光素子２０（発光画素２０ｂ）の配列方向のうち短い方に平行な辺をいう。
【００１９】
図３は、図１の有機発光装置が有する有機発光素子の例を示す断面模式図である。尚、図３は、図２中のＡ部分の部分拡大図でもある。図３の有機発光素子２０は、基板１０側の電極である第一電極２１と、有機化合物層３０と、第二電極４０と、から構成される。図３において、有機化合物層３０は、第一電極２１側から、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、電子ブロック層３３、発光層３４、正孔ブロック層３５、電子輸送層３６及び電子注入層３７がこの順で積層されてなる積層体である。尚、本発明において、有機化合物層３０は、発光層３４及び電子輸送層３６を有していれば、その層構成は特に限定されるものではない。
【００２０】
本発明の有機発光装置が有する有機発光素子２０は、基板１０を透過させて光を取り出すボトムエミッション型でもよいし、基板１０側と反対の側から光を取りだすトップエミッション型であってもよい。ここで有機発光素子２０は、下記（ｉ）乃至（ｉｉｉ）を経て光を発する。
（ｉ）第一電極２１と第二電極４０との間で電流を通電する。
（ｉｉ）（ｉ）により各電極から注入された正孔と電子とが発光層３４において再結合する
（ｉｉｉ）正孔と電子との再結合により生成した励起子が基底状態に戻る
【００２１】
上記（ｉｉｉ）において励起子が基底状態に戻る際に発光が生じる。
【００２２】
［有機発光素子の構成部材］
次に、本発明の有機発光装置を構成する有機発光素子の構成部材について説明する。
【００２３】
本発明において使用される基板１０は、有機化合物層３０や電極（２１、４０）を支持できる材料で形成される。好ましくは、ガラス、プラスチック、シリコン等が挙げられる。尚、基板１０にはＴＦＴ等のスイッチング素子や配線や層間絶縁膜（図２において不図示）等が形成されていてもよい。
【００２４】
第一電極（陽極）２１の構成材料としては、金属、合金、透明酸化物導電体、及びこれらの複合物を用いることができる。例えば、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物等の酸化物半導体、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属やこれらを組み合わせてなる合金を用いることができる。また第一電極２１の構成としては、一層で構成されてもよいし、複数の層で構成されてもよい。第一電極２１が複数の層で構成される場合、例えば、金属材料からなる層の上にＩＴＯ等の透明導電酸化物からなる層が積層されてなる積層体であってもよい。基板１０及び第一電極（陽極）２１が透過率を有する場合は、基板１０側からの発光が得られ、第一電極（陽極）２１が不透明もしくは高い反射率を有し、第二電極（陰極）４０が透過率を有する場合は第二電極４０側からも発光を得ることができる。尚、図２の有機発光装置１では、基板１０の上方に有機発光素子２０が設けられているが、係る場合、第一電極２１は、下部電極ということができる。
【００２５】
正孔注入層３１は、第一電極２１から正孔輸送層３２への正孔注入効率を向上させる層であり、層の構成材料としては、正孔輸送性材料から電子引き抜きが可能な電子アクセプター性材料を用いることができる。例えば、ＭｏＯ3等の遷移金属酸化物、テトラシアノキノジメタン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体等の有機材料を用いることができる。またＨＯＭＯが６ｅＶ以下の正孔輸送性材料及び前記電子アクセプター材料の混合膜として正孔注入層３１を形成してもよい。ＨＯＭＯが６ｅＶ以下の正孔輸送性材料として、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２６】
正孔輸送層３２は、発光層３４への正孔注入効率を向上させる層であり、発光層３４．のＨＯＭＯを考慮して選択される。正孔輸送層としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられるが、これらに限定されるものではない。さらに、正孔輸送層３２は、複数の積層構成であっても良く、発光層３４からの電子漏れを防ぐための電子ブロック層３３を正孔輸送層３２と発光層３４の間に入れることも可能である。電子ブロック層３３を設ける場合、電子ブロック層３３の構成材料として、例えば、正孔輸送層３２の構成材料と同種の材料を使用することができる。
【００２７】
発光層３４は、発光性の高い物質を含む層である。発光層３４を形成する際は、発光性の高い物質を単独で用いても良いが、発光性の高い物質をホストに少量ドーピングする態様で使用するのが好ましい。ホストとしては、トリアリールアミン誘導体、フェニレン誘導体、縮合環芳香族化合物（例えば、ナフタレン誘導体、フェナントレン誘導体、フルオレン誘導体、クリセン誘導体等）、有機金属錯体（例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体、有機イリジウム錯体、有機プラチナ錯体等）及びポリ（フェニレンビニレン）誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体、ポリ（チエニレンビニレン）誘導体、ポリ（アセチレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。発光性の高い物質としては、例えば、トリアリールアミン誘導体、フェニレン誘導体、縮合環芳香族化合物（例えばフルオランテン誘導体、ベンゾフルオランテン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、またそれらとジアリールアミン置換誘導体等）、スチルベン誘導体、等の蛍光性発光材料や有機金属錯体（例えば有機イリジウム錯体、有機プラチナ錯体、希土類金属錯体等）等の燐光性発光材料が挙げられる。発光性が高い物質は、発光層全量に対する濃度が０．１質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。尚、発光層３４から発せられるは光の色は特に限定されない。
【００２８】
正孔ブロック層３５は、そのＨＯＭＯレベルが発光層３４に含まれるホストのＨＯＭＯレベル以上であって、発光層３４内から正孔が漏れることを抑制し、発光層３４へ電子を注入する層である。正孔ブロック層３５の構成材料としては、炭化水素芳香族、もしくはフェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、オキサジアゾール誘導体等の複素環材料を用いることができる。
【００２９】
電子輸送層３６は、正孔ブロック層３５に電子を効率よく輸送することができる電子輸送性の高い材料で構成される。電子輸送性材料としては、正孔注入層３１あるいは正孔輸送層３２の正孔移動度とのバランス等を考慮し選択される。電子注入性能あるいは電子輸送性能を有する材料としては、縮合環芳香族化合物（例えば、ナフタレン誘導体、フェナントレン誘導体、フルオレン誘導体、クリセン誘導体等）、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【００３０】
電子注入層３７は電子供与性の高い化合物を用いることが好ましい。電子供与性が高い化合物としては、例えば、リチウム、セシウムを始めとするアルカリ金属、カルシウム、バリウムを始めとするアルカリ土類金属等の電子供与性の高い金属を含むことが好ましい。またそれら金属と有機化合物が結合した有機金属錯体であってもよい。これらの化合物を用いて電子注入層３７を形成する際に、電子注入層３７は、単一材料からなる層であってもよいし、前記電子輸送性を有する化合物との混合膜であってもよい。
【００３１】
第二電極４０の構成材料は導電性の材料であれば特に限定されない。光の取り出し構造がボトムエミッション構造の場合には、発光層３４で発光した光を反射させて発光効率を高められるように、反射率の高い金属又はこの金属を複数種含み合わせてなる合金を用いるのが好ましい。特に、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｍｇ等の金属材料が好適である。ＡｌやＡｇが特に好適である。また光の取り出し構造がトップエミッション構造の場合には、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物等に代表される透明導電酸化物等を用いることができる。第二電極４０の構成としては、一層で構成されてもよいし、複数の層で構成されてもよい。さらに、第二電極４０（陰極）を形成する際は、抵抗加熱方式、スパッタ方式等による成膜が可能である。尚、図２の有機発光装置１では、基板１０の上方に有機発光素子２０が設けられているが、係る場合、第二電極４０は、上部電極ということができる。
【００３２】
次に、図１の有機発光装置１の構成部材のうち、有機発光素子以外の主要な部材について説明する。
【００３３】
図１の有機発光装置１において、画素分離膜１１は、例えば、図２に示されるように、第一電極２１の端部を被覆するように設けられている。ただし本発明においては、画素分離膜１１は、第一電極２１の一部を被覆するように設ける必要はない。
【００３４】
本発明において、発光画素を設ける領域は、第一電極２１と、有機化合物層３０と、第二電極４０とが重なる領域、即ち、図２中の符号２０ｂの領域である。ところで、有機発光素子の発光は、基本的には、発光画素２０ｂを設ける領域から取り出されるが、当該発光の一部は発光画素２０ｂを設ける領域の周辺の領域から取り出されることがある。このため、各発光画素が発光する領域（発光領域）は、発光画素２０ｂ及びその周辺の領域、具体的には、図２中の符号２０ａの領域となる。画素分離膜１１の構成材料としては特に限定されるものではないが、有機材料であればポリイミド、アクリル等が、無機材料であれば窒化シリコン、酸化シリコン等が好ましい。また画素分離膜１４を形成する際に、画素分離膜１４を構成する層は、一層でもよいし、複数の層であってもよい。画素分離膜１１が複数の層で構成される場合、画素分離膜１１を形成する際には、上述した無機材料又は有機材料を適宜選択しこれら材料を積層させる態様、例えば、無機材料からなる層と有機材料からなる層とを積層させる態様で画素分離膜１１を形成してもよい。
【００３５】
図１の有機発光装置１において、保護層５０は、水分や酸素から有機発光装置１、特に、有機発光装置１が有する有機発光素子を保護するために設けられる。保護層５０の構成材料としては、酸素や水分を遮断する機能を有する無機材料、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム等が好ましく用いられる。また保護膜５０を形成する際に、保護膜５０を構成する層は、一層でもよいし、複数の層であってもよい。保護膜５０が複数の層で構成される場合、保護膜５０を形成する際には、上述した無機材料を適宜選択しこれら材料を積層させる態様で保護膜５０を形成してもよい。本発明において、保護膜５０の膜厚は、１００ｎｍ以上１０μｍ以下が好ましい。
【００３６】
［密着部］
図１及び図２に示されるように、本発明の有機発光装置には、有機化合物層３０の端部の少なくとも一部と接触する密着部２２が設けられている。以下、密着部２２の機能について説明する。
【００３７】
図１に示されるように、密着部２２は、基板１０の上であって発光領域２０ａの外側に設けられる。そして、密着部２２の上には、有機化合物層３０の端部（長辺側の端部）が密着部２２と接触するように設けられている。また図２に示されるように、密着部２２は、画素分離膜１１によって有機発光素子２０を構成する第一電極２１とは隔たれていると共に、その一部が、有機化合物層３０の端部を被覆する第二電極４０と接触している。
【００３８】
本発明において、第二電極４０の端部がどこに位置するかについては特に規定されるものではないが、少なくとも図２のように密着部２２と接しかつ、密着部２２よりも外側へ広がっていることが好ましい。さらに図２に示されるように、この第二電極４０の端部は保護膜５０によって被膜されていることが好ましい。
【００３９】
ここで、有機化合物層３０の端部の少なくとも一部が密着部２２の上に形成され、その一部が密着部２２と接触していることで、有機化合物層３０と密着部２２との密着領域２２ａが形成される。この密着領域２２ａの形成により、有機化合物層３０の基板１０への密着力が向上する。ただし、密着部２２による密着力の向上を実現せしめるには、有機化合物層３０の端部のうち、複数の有機発光素子２０（発光画素２０ｂ）の配列方向のうち長い側の有機化合物層の端部（長辺側端部３０ａ）の少なくとも一部を密着部２２に接触させる。尚、配列方向が長い側の有機化合物層の端部の方に密着部を接触させる理由については、後述する。
【００４０】
密着部２２は、画素分離膜１１よりも有機化合物層３０との密着性が高い材料で構成されている。密着部２２の構成材料として、例えば、第一電極２１の構成材料としても用いられる、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物等の透明酸化物半導体が好ましく用いられる。酸化物半導体を密着部２２の構成材料とした場合、表面に存在する酸素欠陥が有機化合物層３０の最下層に含まれる化合物と相互作用し密着性が高くなるため好適である。また、密着部２２を酸化物半導体で形成した場合、密着部２２自体が導電性を有する部材になるので、密着部２２を介した第二電極４０への給電が可能である。ここで密着部２２を介して第二電極４０へ給電させるには、基板１０の上であって密着部２２を設ける領域の一部にコンタクトホール等の接続手段を設ける。こうすることで、例えば、第一電極２１の形成と同時に密着部２２を形成すると、密着部２２と密着部２２の下方にある配線（不図示）との電気接続を確保することができる。このように、密着部２２が、下方にある配線（不図示）と電気接続している場合、密着部２２は、第二電極用接続パッドとしても機能する。
【００４１】
また密着部２２は、画素分離膜１１よりも表面粗さが大きいことが好ましい。表面粗さが大きくなると、有機化合物層３０との界面での接触面積が大きくなることから、アンカー効果により密着性が高まるためである。ただし有機化合物層３０に欠陥を生じさせないという観点から、密着部２２の表面粗さの最大高さは、有機化合物層３０の膜厚以下であることが好ましい。
【００４２】
尚、本実施形態においては、変形例の一つとして、以下に説明する態様がある。具体的には、有機化合物層３０の下地となり発光領域２０ａの外側にある画素分離膜１１や基板１０の表面の一部を表面粗さが大きくなるように加工したものを密着部２２とする態様がある。この態様でも密着部２２において、有機化合物層３０と下地との密着性が向上し、耐剥離性能を向上させることが可能となる。
【００４３】
この変形例において、画素分離膜１１や基板１０の表面の加工とは、画素分離膜１１や基板１０の表面（の一部）に凹凸をつける加工をいう。この加工によって画素分離膜１１や基板１０の一部の表面、即ち、密着部２２に相当する表面において単位面積当たりの有機化合物層３０との接触面積が増加する。これにより有機化合物層３０と下地との密着性が向上する。本発明において、画素分離膜１１や基板１０の表面に凹凸をつける加工の具体的方法としては、特に限定されないが、画素分離膜１１や基板１０の最上層がＳｉＮからなる部材である場合は、部材の一部の表面を酸素プラズマでアッシングする方法が挙げられる。
【００４４】
次に、有機化合物層３０の端部のうち、複数の有機発光素子２０（発光画素２０ｂ）の配列方向のうち長い側の有機化合物層の端部（長辺側端部３０ａ）の少なくとも一部を密着部２２に接触させる理由について説明する。
【００４５】
母基板からのとり個数を考慮すると、有機発光装置に含まれる有機発光素子と外部回路（不図示）との接続部分（パッド部分）は、基板１０の長辺方向の発光領域２０ａの外側に形成されることが好ましい。また、発光領域２０ａの短辺側は発光領域２０ａに対して有機化合物層３０の成膜幅を狭くする必要がある。この場合、有機化合物層３０の長辺側端部３０ａは発光領域２０ａに近くなるため、例えば、発光領域２０ａの近くにマスク転写異物等が生じてしまい、保護層５０の形成後に外部から水、酸素が侵入した際にダークスポット等の発光不良の進行を受けやすくなる。また有機化合物層３０の長辺側端部３０ａは短辺側端部３０ｂよりも外力や外部から侵入し得る水、酸素によって剥離が生じ得る箇所、いわゆる剥離点が多いため、有機化合物層３０の剥離は有機化合物層３０の長辺側端部３０ａで発生しやすい。
【００４６】
そこで本発明では、有機化合物層３０の端部、特に、長辺側端部３０ａが密着部２２に接触させることで、密着力が向上する。また密着力の向上により、有機化合物層３０のアモルファス安定性が向上して、高温条件下で長期保存しても結晶化や剥離等を抑制でき有機化合物層の端部を起点とした膜の変質を抑制させることができる。
【００４７】
ここで、有機化合物層３０の基板１０への密着性が低いと、有機発光装置の耐熱性が不十分となる。具体的には、高温保管時や高温プロセス下で、結晶化や、基板からの有機化合物層の剥離が生じる結果、変質部が発生し易くなる。これらの変質部では両電極（２１、４０）から通電したとしても発光できないため、変質部が生じた有機発光素子は発光不良となる。また、この変質部は非発光領域の拡大と対応する。このため変質部の発生を抑えることが、非発光領域が発光領域への進行を防ぐことにつながるのである。
【００４８】
以上より、本発明では、図１に示されるように、有機化合物層３０の端部のうち、複数の有機発光素子２０（発光画素２０ｂ）の配列方向のうち長い側の有機化合物層の端部（長辺側端部３０ａ）の少なくとも一部を密着部２２に接触させておく。これにより、有機化合物層３０の剥離、変質を抑制し、変質部の発生を防止又は遅延させることができる。
【００４９】
また、有機化合物層３０の長辺側端部３０ａが密着部２２と接触していることにより、有機化合物層３０と密着部２２とが接触している領域（密着領域）において変質部の発生は最小限にすることができる。
【００５０】
密着部２２の平面レイアウトについては、有機化合物層３０の長辺側端部３０ａの一部が密着部２２と重なっている必要があるが、好ましくは、図１のように、角部を含む長辺側端部３０ａ、即ち、複数の有機発光素子の配列方向のうち長い側の有機化合物層３０の端部の全てが密着部２２と接触する態様である。この態様により、発光領域２０ａをより効果的に保護することができる。
【００５１】
また角部を含む長辺側端部３０ａの全てにおいて有機化合物層３０が密着部２２と接触することで、長辺側端部３０ａにおいて、図２に示される断面構造、具体的には、有機化合物層３０と密着部２２との接触により形成される密着領域３４が連続的に現われる。これにより発光領域２０ａに対して大部分を占める有機化合物層３０の長辺側端部３０ａの近傍や外側にあるマスク転写異物から侵入してくる水や酸素等による変質部の発生を防ぎ発光不良の進行を防ぐことができる。
【００５２】
図４は、本発明の有機発光装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。尚、図４中のＩ−Ｉ’断面は、図２と同様である。本発明においては、図４に示されるように、密着部２２は、発光領域２０ａを取り囲み、有機化合物層３０の全ての端部（３０ａ、３０ｂ）に接触されるように設けるのがより好ましい。こうすることで有機化合物層３０の全周からの発光不良の進行を防ぐことができる。
【００５３】
［洗浄工程の導入］
本発明では、有機化合物層３０の端部、特に、長辺側端部３０ａの少なくとも一部が密着部２２と接触している。このため、有機化合物層３０の基板への密着力が向上しているため、有機化合物層３０ごと基板を洗浄した時に有機化合物層３０の剥離が起こりづらくなっている。このため基板上の異物をさらに除去するため、有機化合物層３０上で水を含有する洗浄液による洗浄によって有機化合物層３０の表面を洗浄することができる。
【００５４】
従って、本発明の有機発光装置を製造する際には、洗浄工程を導入し、この洗浄工程によって有機化合物層３０を形成する際に生じた成膜マスクからの転写異物やそれ以外の基板上の異物をさらに低減させてもよい。
【００５５】
ここで洗浄工程において、水を含有する洗浄液を使用する理由は、洗浄液に下記の２つの条件を満たすことが望ましいためである。
【００５６】
まず一つ目の条件は、有機発光素子２０を構成する有機化合物層３０が、洗浄液に対して溶解しにくいことである。ここで水は、有機発光素子２０を構成する有機化合物層２２を溶解しにくいため、洗浄液として使用できるが、一般的な有機溶剤等の液体は有機化合物層３０を容易に溶解してしまうため、洗浄液として使用することができない。二つ目の条件は、洗浄液の沸点が有機化合物層３０のガラス転移点（Ｔg）よりも低いことである。洗浄後に洗浄液が有機発光素子２０内に残留すると、有機発光素子２０の特性に悪影響を与える場合があるため、洗浄後には洗浄液を取り除くことが望ましい。特に洗浄液を取り除く手法としては、洗浄液の沸点以上の温度で基板や有機発光素子２０の構成部材を加熱することが効果的である。しかしながら洗浄液の沸点が有機化合物層３０のＴgよりも高い場合、洗浄液を取り除く目的で有機化合物層３０を加熱すると、有機化合物層３０のＴg以上まで加熱することになるため、有機化合物層３０が変質してしまう。一般的に有機発光素子を構成する有機化合物層３０のＴgは１００℃乃至２００℃であるため、洗浄液としては、その沸点が高くても２００℃未満、好ましくは、１００℃未満の液体を用いることが望まれる。従って、これら２つの条件を満たし、有機化合物層３０へ与えるダメージの少ない洗浄液として水が最適である。洗浄液には各種の添加剤を混合することも可能であるが、前述した２つの条件を満たしていることが望まれる。
【００５７】
本工程において、基板の洗浄方法としては、本発明の特徴である水、及び水を含有する液体を用いること以外は、２流体洗浄法や超音波、メガソニック、マイクロバブル、高圧スプレー等の方法を適宜選択できる。
【００５８】
この洗浄工程を行った後には、基板の加熱を行い、素子中に浸透した洗浄液成分を取り除くのが好ましい。ここで、基板の加熱条件としては、大気中での加熱のほか、Ｎ2ガス中での加熱、真空条件下での加熱等が挙げられるが、特に有効なのは真空条件下での加熱である。真空条件下で有機化合物層３０を有する基板を加熱することで、有機化合物層３０の表面や側面に付着した水分を除去することができるので好ましい。真空条件下で加熱する際に、真空度は、簡易的な真空ポンプを用いて得ることのできる圧力でよく、具体的には１×１０-3Ｐａ以下の圧力であればよい。１×１０-3Ｐａ以下の圧力に減圧することで、基板を加熱する際に有機化合物層３０内に吸着された水分が層内から除去された後、有機化合物層２２内に水分が再度取り込まれるのを抑制することができる。
【００５９】
このように有機化合物層３０を形成した後に、基板を洗浄、脱水してから、他の部材（第二電極４０、保護膜５０）を形成することで、より封止不良のない有機発光素子を有する有機発光装置を提供することができる。
【００６０】
また洗浄時における有機化合物層３０の端の剥離を抑える上で、一次元又は二次元に配列された発光画素を有する有機発光装置では、有機化合物層３０の端部のうち剥離点の多い側に接触するように密着部２２を設けるのが好ましい。具体的には、長辺側３０ａ、即ち、発光画素の配列方向のうち長い側は、短辺側３０ｂよりも剥離点がずっと多いため、少なくとも密着部２２は、有機化合物層３０の端部の長辺側３０ａに対して設けられることが好ましい。
【００６１】
［能動素子］
本発明の有機発光装置は、装置を構成する有機発光素子の発光の制御のための能動素子をさらに有していてもよい。能動素子はトランジスタ、ＭＩＭ素子等のスイッチング素子が挙げられる。
【００６２】
有機発光素子に接続される能動素子は、その活性領域に酸化物半導体を有してもよい。また能動素子の構成材料である酸化物半導体は、アモルファス状のものであってもよいし、結晶状のものであってもよいし、両者の混在しているものであってもよい。尚、ここでいう結晶とは、単結晶、微結晶、あるいはＣ軸等の特定軸が配向している結晶のいずれかであるが、これに限定されず、これら複数種類の結晶のうちの少なくとも２種類が混合されたものであってもよい。
【００６３】
［発光画素が２列以上配列されている場合］
本発明は、例えば、図１や図４に示されるように、複数の画素が一次元で配列されている有機発光装置に適用されるが、複数の画素が二次元で配列されている有機発光装置にも適用できる。図５は、本発明の有機発光装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。また図６は、本発明の有機発光装置における第三の実施形態を示す断面模式図である。図５の有機発光装置３及び図６の有機発光装置４は、いずれも行方向に配列されている画素よりも列方向に配列されている画素の方が多い。このため、有機発光装置を構成する有機化合物層３０は、列方向に平行な辺が長くなるように形成されている。本発明においては、図５や図６に示されるように、発光画素の配列方向のうち長い方の側（列方向と平行となる側）の有機化合物層の端部３０ａの少なくとも一部が密着部２２を接触する。
【００６４】
また本発明において、有機発光装置が有する複数の画素が二次元で配列されている場合、その配列形式として、例えば、図５に示されるマトリックス形式や図６に示される千鳥配列形式が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６５】
ここで、本発明の有機発光装置に含まれる複数の画素が二次元で配列されている場合、例えば、以下のメリットがある。即ち、本発明の有機発光装置を露光装置の構成部材として利用する場合、有機発光装置に含まれる複数の画素が二次元で配列されていると、画像形成の速度が速くなる、劣化の度合いが小さくなるというメリットがある。
【００６６】
ところで、発光画素２０ｂが、図６に示される千鳥配列形式で配列されている場合、それぞれの発光画素２０ｂ間が離間し、個々の２０ｂが２０ａに対応する。このため複数の発光画素２０ｂにそれぞれ含まれる第一電極２１の間には、画素分離膜１１等の隔離層が配置されると共に、各発光領域２０ａの間に一定の空間が生じることとなる。本発明においては、隔離層、特に、発光領域２０ａの間に設けられている隔離層の少なくとも一部に有機化合物層３０と隔離層とを密着させるための密着部２２ａが設けられることが好ましい。当該密着部を設けることにより、有機化合物層３０と隔離層との密着性をより強固にすることができる。尚、本発明において、隔離層の上に設けられる密着部２２ａは、隣り合う発光領域２０ａ間の全てに設けられていてもよい。
【００６７】
尚、上記密着部に代えて、隔離層の少なくとも一部に第一電極２１の構成材料と同じ材料からなる無機層を配置させてもよい。ここで当該無機層は、第一電極２１を設ける領域以外の領域に設けられる。また当該無機層を設ける場合、当該無機層の上面の高さは、第一電極２１の上面の高さと同じであるのが好ましい。
【００６８】
［有機発光装置の用途］
本発明の有機発光装置は、表示装置に用いることができる。またや照明装置の構成部材としても用いることができる。他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルターを有する発光装置等の用途がある。カラーフィルターは例えば赤、緑、青の３つの色が透過するフィルターが挙げられる。
【００６９】
本発明の表示装置は、本発明の有機発光素子を表示部に有する。尚、この表示部は複数の画素を有する。
【００７０】
そしてこの画素は、本発明の有機発光装置と、発光輝度を制御するための能動素子（スイッチング素子）又は増幅素子の一例であるトランジスタとを有し、この有機発光素子の陽極又は陰極とトランジスタのドレイン電極又はソース電極とが電気接続されている。ここで表示装置は、ＰＣ等の画像表示装置として用いることができる。上記トランジスタとして、例えば、ＴＦＴ素子が挙げられ、このＴＦＴ素子は、例えば、基板の絶縁性表面に設けられている。
【００７１】
表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部と、この画像情報を処理する情報処理部と、を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。
【００７２】
また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は特に限定されない。
【００７３】
また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。
【００７４】
照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色（色温度が４２００Ｋ）、昼白色（色温度が５０００Ｋ）、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってもよい。
【００７５】
本発明の照明装置は、本発明の有機発光装置と、この有機発光装置と接続し駆動電圧を供給するＡＣ／ＤＣコンバーター回路（交流電圧を直流電圧に変換する回路）とを有している。尚、この照明装置は、カラーフィルターをさらに有してもよい。また本発明の照明装置は、照明装置内の熱を外部へ放出する放熱板を有していてもよい。
【００７６】
本発明の画像形成装置は、感光体と、この感光体の表面を帯電させる帯電部と、感光体を露光して靜電潜像を形成するための露光部と、感光体に現像材を供給し感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像部とを有する画像形成装置である。ここで画像形成装置に備える露光手段は、本発明の有機発光装置を含んでいる。
【００７７】
また本発明の有機発光装置は、感光体を露光するための露光装置の構成部材として使用することができる。本発明の有機発光装置を有する露光装置は、例えば、本発明の有機発光装置を構成する有機発光素子を所定の方向に沿って列を形成して配置されている露光装置がある。
【００７８】
図７は、本発明に係る有機発光素子を有する画像形成装置の例を示す模式図である。図７の画像形成装置６は、感光体６１と、露光光源６２と、現像器６４と、帯電部６５と、転写器６６と、搬送ローラー６７と、定着器６９と、を有している。
【００７９】
図７の画像形成装置６は、露光光源６２から感光体６１へ向けて光６３が照射され、感光体６１の表面に静電潜像が形成される。図７の画像形成装置６において、露光光源６２は、本発明に係る有機発光素子である。また図７の画像形成装置６において、現像器６４は、トナー等を有している。図７の画像形成装置６において、帯電部６５は、感光体６１を帯電させるために設けられている。図７の画像形成装置６において、転写器６６は、現像された画像を紙等の記録媒体６８に転写するために設けられている。尚、記録媒体６８は、搬送ローラー６７によって転写機６６へ搬送される。図７の画像形成装置６において、定着器６９は、記録媒体６８に形成された画像を定着させるために設けられている。
【００８０】
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、図７の画像形成装置６を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、図８（ｃ）は、図７の画像形成装置６を構成する感光体の具体例を示す概略図である。尚、図８（ａ）及び図８（ｂ）は、露光光源６２に有機発光素子を含む発光部６２ａが長尺状の基板６２ｃの長軸方向に沿って、一列に複数配置されている点で共通している。また符合６２ｂの矢印は、発光部６２ａが配列されている列方向を表わす。この列方向は、感光体６１が回転する軸の方向と同じである。
【００８１】
ところで図８（ａ）では、発光部６２ａは、感光体６１の軸方向に沿って配置した形態である。一方、図８（ｂ）では、第一の列αと第二の列βとのそれぞれにおいて発光部６２ａが列方向に交互に配置されている形態である。図８（ｂ）において、第一の列α及び第二の列βは、それぞれ行方向に異なる位置に配置されている。
【００８２】
また図８（ｂ）において、第一の列αは、複数の発光部６２αが一定の間隔を空けて配置される一方で、第二の列βは、第一の列αに含まれる発光部６２α同士の間隔に対応する位置に発光部６２βを有する。即ち、図８（ｂ）の露光光源は、行方向にも、複数の発光部が一定の間隔を空けつつ配置されている。
【００８３】
尚、図８（ｂ）の露光光源は、露光光源を構成する発光部（６２α、６２β）を、例えば、格子状、千鳥格子、あるいは市松模様に配置されている状態と言い換えることもできる。
【００８４】
図９は、本発明に係る有機発光素子を有する照明装置の例を示す模式図である。図９の照明装置は、基板（不図示）の上に設けられる有機発光素子７１と、ＡＣ／ＤＣコンバーター回路７２と、を有している。図９の照明装置において、装置を構成する有機発光素子７１は、本発明の有機発光装置あるいは本発明の有機発光装置の構成部材である。また図７の照明装置は、装置内の熱を外部へ放出する放熱部に相当する放熱板（不図示）を、例えば、有機発光素子７１が載置されている側とは反対側の基板面に有していてもよい。
【００８５】
以上説明の通り、本発明の有機発光装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間安定な表示や露光が可能である。
【実施例】
【００８６】
以下に、本発明の有機発光装置の実施例を説明する。ただし、本発明は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。
【００８７】
［実施例１］
本実施例では、図１０に示す製造フローに従って、断面構造が図２に示される図１の有機発光装置を作製した。
【００８８】
（１）電極付基板の作製工程（図１０（ａ）乃至（ｃ））
まずガラス基板を出発材料として、以下の代表的な工程を経て、当該ガラス基板の上に下地駆動回路及び配線を形成した。尚、本工程では、配線としてＡｌ配線を作製した。また下記のフローは通常の半導体プロセスによって成立している一例であり、配線としてＣｕ配線を採用してもよい。またトランジスタにダブルゲート等を採用したり、ソース・ドレインとチャネルとの間に低濃度不純物層を挿入したり、というような通常に使われているような半導体プロセスは使えるものとする。
１）酸化によるＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ＯＦ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）の形成工程
２）イオン注入によるＰ型ウェル構造の形成工程
３）酸化によるゲート酸化膜の形成工程
４）ポリＳｉゲート電極の形成工程
５）イオン注入によるソース・ドレイン構造の形成工程
６）層間絶縁膜の形成工程及びＣＭＰ
７）コンタクトホールの形成工程
８）タンクステンによるコンタクトホールの穴埋め工程及びＣＭＰ
９）Ａｌ配線の形成工程
１０）６）〜９）の工程の繰り返し
１１）層間絶縁膜の形成工程及びＣＭＰ
１２）コンタクトホールの形成工程
１３）タンクステンでコンタクトホールの穴埋め工程及びＣＭＰ
【００８９】
以上の工程を行うことで、絶縁層（不図示）、並びにこの絶縁層の下方に設けられる有機発光装置の駆動に必要な回路及び配線（不図示）を有する基板１０を作製した。
【００９０】
次に、後述する第一電極２１となるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる透明導電膜１２を基板１０上の全面に膜厚１００ｎｍにて成膜した（図１０（ａ））。
【００９１】
次に、公知のフォトリソグラフィ法を用いて、透明導電膜１２をパターニングして、ＩＴＯ膜からなる第一電極２１及び密着部２２を形成した（図１０（ｂ））。尚、形成された第一電極２１は、配線（不図示）によって第一電極２１の下方に設けられる駆動回路と接続された（不図示）。
【００９２】
次に、窒化珪素からなる膜をＣＶＤ成膜により膜厚１００ｎｍで基板全面に成膜した。
さらにこの窒化珪素からなる膜の上に形成したフォトレジストをフォトリソグラフィによりパターニングし、パターニングしたレジストをマスクにしたＣＦ4ガスを用いて、窒化珪素からなる膜のドライエッチングを行った。これにより、図１０（ｃ）のように第一電極２１及び密着部２２を設ける位置に開口部１１ａ及び１１ｂをそれぞれ形成することにより画素分離膜１１を得た。尚、画素分離膜１１上に残ったレジスト残渣は酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。
【００９３】
以上の工程により、電極付基板を得た。尚、この電極付基板は、市販の枚様式洗浄機を用いて、二流体及びメガソニックを使った純水洗浄とオゾン水を用いた洗浄を行うことでその表面を洗浄した。これにより図１に記載の一次元に発光画素２０ｂが配列されている基板を作製した。
【００９４】
（２）有機化合物層の形成工程（図１０（ｄ））
次に、作製した電極付基板を、前処理としてＵＶオゾン処理を行った。この後、真空蒸着法により、マスクを用いて、基板の上に、有機化合物層３０を、図１に示される成膜領域に形成した（図１０（ｄ））。尚、本工程で形成された有機化合物層３０の層構成は、図３に記載の有機化合物層３０の構成と対応している。以下に、有機化合物層３０の作製の際に用いた化合物を示す。
【００９５】
【化１】
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【００９６】
まずＩＴＯ電極（第一電極２１）上に、正孔注入層３１として化合物１を膜厚３ｎｍで成膜し、正孔輸送層３２として化合物２を膜厚５０ｎｍで成膜し、電子ブロック層３３として化合物３を膜厚１０ｎｍで成膜した。次いで、ホストである化合物４に発光材料である化合物５が１体積％含まれるように共蒸着して、発光層３４を膜厚２０ｎｍで成膜した。さらに、正孔ブロック層３５として化合物６を膜厚１０ｎｍで成膜し、電子輸送層３６として化合物７を膜厚４０ｎｍで成膜した。次に、化合物８が化合物７に対して３０体積％含まれるように共蒸着して、電子注入層３７を膜厚１５ｎｍの膜厚で成膜した。
【００９７】
本工程で形成される有機化合物層３０は、図１に示されるように、密着部２２を設ける領域内に有機化合物層３０の長辺側の端部３０ａが設けられるようにした。また有機化合物層３０の長辺側の端部３０ａが、図２に示されるように、画素分離膜１１が有する開口１１ｂによって開放されている密着部２２と接するよう成膜した。こうすることで、角部を含めた有機化合物層３０の長辺側の端部３０ａの全てにわたって、図２に示される有機化合物層３０と密着部２２とが接触する領域、即ち、密着領域２４ａが形成された。
【００９８】
（３）第二電極の形成工程（図１０（ｅ））
次に、第二電極４０として、アルミニウム（Ａｌ）を真空蒸着により膜厚１００ｎｍで成膜した（図１０（ｅ））。この際、図２に示されるように、有機化合物層３０の端部を被覆し、かつ少なくとも一部が密着部２２と接触するように第二電極４０を形成した。
【００９９】
（４）保護膜の形成工程（図１０（ｆ））
次に、窒化珪素（ＳｉＮ）からなる保護層５０による薄膜封止を行った。第二電極４０まで終了した基板上に、反応ガスとしてＳｉＨ4及びＮ2を用いたＣＶＤ成膜により、窒化珪素を膜厚２μｍ成膜した（図１０（ｆ））。この後、フォトリソグラフィ及びＣＦ4ガスを用いたドライエッチングによって窒化珪素膜をパターニングして外部接続用のパッド電極（不図示）を露出させた。以上により、有機発光素子を作製した。
【０１００】
［比較例１］
実施例１（１）の電極付基板の形成工程において、透明導電膜１２（ＩＴＯ層）のパターニングの際に、密着部２２を形成せず第一電極２１のみを形成したこと以外は、実施例１と同様の方法により、有機発光装置を作製した。
【０１０１】
［実施例２］
実施例１（１）の電極付基板の形成工程において、透明導電膜１２（ＩＴＯ層）のパターニングの際に、第一電極２１と共に、密着部２２を形成した。ここで密着部２２を形成する際に、図４に示されるように、発光領域２０ａを囲みつつ有機化合物層３０の端部（３０ａ、３０ｂ）の全てに接触するように密着部２２を形成した。以上を除いては、実施例１と同様の方法により、有機発光装置を作製した。
【０１０２】
［実施例３］
実施例１（１）において、密着部２２を形成する際に、ＩＴＯに代えてインジウム亜鉛酸化物を用いたことを除いては、実施例１と同様の方法により、有機発光装置を作製した。
【０１０３】
以下に、本実施例における第一電極２１及び密着部２２の形成工程について説明する。
【０１０４】
まずＩＴＯ膜を成膜後、パターニングを行い、第一電極２１を形成した。次に、ポジのフォトレジストを成膜した後、当該フォトレジストのうち密着部２２を形成する領域を選択的に露光、現像することで、当該フォトレジストに開口部を設けた。その後、インジウム亜鉛酸化物を基板の全面に成膜した後、レジストの剥離液を使ってレジストの上に成膜されたインジウム亜鉛酸化物を除去した。こうすることで、密着部２２を設ける領域にインジウム亜鉛酸化物からなる膜を形成した。
【０１０５】
［実施例４］
実施例１（１）において、基板１０を構成する絶縁層を形成する際に、この絶縁層となる絶縁性の薄膜のうち、第一電極２１を設ける領域の一部の領域及び密着部２２を設ける領域の一部の領域を加工して、コンタクトホール（不図示）を形成した。そして、ＩＴＯ層から第一電極２１と密着部２２をパターニング形成する際に、上記コンタクトホールにＩＴＯを充填することによって密着部２２も絶縁層の下方にある基板１０を構成する駆動回路と接続した。以上を除いては、実施例１と同様の方法により有機発光装置を作製した。尚、本実施例において、密着部２２は、第二電極４０用の電極パッドとしても機能する。
【０１０６】
［実施例５］
実施例１において、有機化合物層の形成工程と第二電極の形成工程との間に、下記（２ａ）及び（２ｂ）の工程を設けた以外は、実施例１と同様の方法により有機発光装置を作製した。
【０１０７】
（２ａ）水を洗浄液とした洗浄工程
有機化合物層３０まで形成した基板を大気中に開放し、下記の条件で２流体洗浄を行った。尚、有機化合物層３０まで形成した基板を大気中に開放してから当該基板を真空チャンバーに搬送するまでの作業は、大気中イエロー光蛍光灯下にて行った。
（２流体洗浄条件）
・水流量０．３４Ｌ／ｍｉｎ、窒素流量４０Ｌ／ｍｉｎ
・基板回転速度  ２００ｒｐｍ
・洗浄時間  ３０秒
【０１０８】
（２ｂ）基板の加熱工程
工程（２ａ）にて洗浄した上記基板を真空チャンバー内に搬送した後、１０-4Ｐａの真空下にて、基板の温度が１３０℃になるようにハロゲンランプヒーターにて有機化合物層３０を２０分ベイクした。次に、真空ベイク後の基板について、真空を維持したまま次の工程（第二電極の形成工程）を行った。
【０１０９】
［比較例２］
実施例５において、電極付基板を形成する際に、密着部２２の形成工程を省略したこと以外は、実施例５と同じ方法により有機発光装置を作製した。
【０１１０】
［評価結果］
（１）変質部の進行速度の評価
実施例１にて作製した有機発光装置において、高温高湿条件（温度８５℃、湿度８５％）下で非発光領域の元となる変質部がいかほどの速度で進行するかを評価するために、以下に説明する評価を行った。具体的には、保管時間１３５ｈにて有機化合物層３０と密着部２２との密着領域２２ａにおける変質部進行の防止性能について評価を行った。図１１は、変質部進行の防止性能の実験結果を示す図である。図１１には、実験時の変質部進行速度の評価として観察したエリアを太字で囲んである。尚、図１１では図示していないが、図９の紙面上方向には、図中の全面にわたって第二電極４０と窒化珪素からなる膜を膜厚２μｍで形成してなる保護膜５０が形成されている。
【０１１１】
図９では、封止の不良部１６を起点とする変質部１３の進行具合が示されている。図９において、画素分離膜１１（窒化珪素膜）、有機化合物層３０、第二電極４０、及び保護膜５０の順で積層されている符号１４の領域において、起点部からＡ、Ｂ、Ｃの地点まで変質部１３は進行し、変質部進行速度は平均で４０μｍ／時間であった。これに対して、密着部２２（ＩＴＯ層）、有機化合物層３０、第二電極４０、及び保護膜５０の順で積層されている符号１５の領域では、地点Ｄ、Ｅにそれぞれ示されるように、変質部１３の進行が抑制されており、符号１５のエリア内における変質部進行速度は平均で４μｍ／時間であった。このように、密着部２２の上に有機化合物層３０（の少なくとも一部）を設けることにより、有機化合物層３０の端部における密着性が改善されるため、有機化合物層３０の端部の耐熱性が向上し、変質部１３の進行を防止することができた。
【０１１２】
（２）高温高湿保管試験
実施例及び比較例で作製した有機発光装置について、温度８５℃、湿度８５％下で１３５時間保管した。次に、保管後における非発光領域の拡大について評価を行った。実施例１乃至５で作製した、一次元配列されている発光画素を有する有機発光装置では、有機化合物層の端部において、大気中の水分等が外側から侵入することによって変質部の形成・進行が見られたものの発光領域への影響はみられなかった。一方、比較例１及び２で作製した有機発光装置では、有機化合物層の端部で発生した封止不良が起点となり変質部が進行し発光領域のほとんどが非発光化していた。以上より、画素分離膜上よりも密着部として用いたＩＴＯ層上での有機化合物層の密着力が強いことが示された。また、この試験結果より、有機化合物層の端部の少なくとも一部が密着部と接触することで、有機化合物層の耐熱性が向上し剥離や結晶化等の変質部発生を防止し、非発光領域の発光領域への進行を防ぐことができた。
【０１１３】
（３）洗浄試験
実施例５では、有機化合物層３０まで形成した基板について、水及び窒素ガスを用いた二流体洗浄を行った。これにより、実施例１乃至４でそれぞれ作製した有機発光装置と比べて、実施例５で作製した有機発光装置では、封止不良の起点部の発生点の減少が確認された。これは有機化合物層の端部の外側に生じ得るマスク転写異物が洗浄工程によりで除去されたことを意味している。さらに、実施例５の有機発光装置では有機化合物層の端部において剥離や結晶化等が起こっていなかった。一方、比較例２の有機発光装置では、有機化合物層の端部の多くの箇所で剥離が発生し、当該剥離によって生じた剥離片が発光領域へ飛散して付着し数μｍ乃至数十μｍのダークスポットが多数発生した。このように、密着部の導入により有機化合物層の端が保護されるため、有機化合物層の端の剥離を抑えた洗浄が可能になりより封止性能の高い有機発光装置を提供することができる。
【０１１４】
以上のように、本発明によれば、複数の有機発光素子が配列（例えば、一次元配列）されてなる有機発光装置において、高温、高湿下においても非発光領域の発生しにくい信頼性の高い有機発光装置を提供できる。また、水等を洗浄手段とする洗浄工程を可能にし、基板及び有機化合物層の上に生じ得る異物を低減できることで、保護膜に高い防護性能を有する有機発光装置を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明の有機発光装置は、表示ディスプレイ、照明、光源等の一部剤として利用することができる。
【符号の説明】
【０１１６】
１（２、３、４）：有機発光装置、１０：絶縁層、１１：画素分離膜、２０：有機発光素子、２０ａ：発光領域、２０ｂ：発光画素、２１：第一電極、２２：密着部、３０：有機化合物層、４０：第二電極、５０：保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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