(57)【要約】【課題】Ｑ値を向上させることができるＭＥＭＳ振動子を提供すること、また、かかるＭＥＭＳ振動子を備える電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】本発明のＭＥＭＳ振動子１は、基板２と、基板２上に配置されている固定部５３４と、基板２に対向している振動部５３２を有する振動体と、固定部５３４と振動体とを接続していて、振動体を支持している支持部５３３と、を備え、基板２の厚さ方向から見た平面視で、固定部５３４と支持部５３３との接続部における固定部５３４の中心線と支持部５３３の中心線とが互いにずれている。【選択図】図２
2016051942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されている固定部と、
前記基板に対向している振動部を有する振動体と、
前記固定部と前記振動体とを接続していて、前記振動体を支持している支持部と、
を備え、
前記基板の厚さ方向から見た平面視で、前記固定部と前記支持部との接続部において前記固定部の中心線と前記支持部の中心線とが互いにずれていることを特徴とするＭＥＭＳ振動子。
【請求項２】
前記支持部は、前記平面視で屈曲または湾曲している屈曲部を有する請求項１に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項３】
前記平面視で、前記接続部における前記支持部の中心線が前記固定部の中心線に対して前記屈曲部の屈曲または湾曲している側にずれている請求項２に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項４】
前記平面視で、前記屈曲部の屈曲角度が１５°以上６０°以下の範囲内にある請求項２または３に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項５】
前記屈曲部は、前記支持部の中間部よりも前記固定部側にある請求項２ないし４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項６】
前記基板上に配置されている基板側電極を備え、
前記振動部は、前記平面視で少なくとも一部が前記基板側電極に重なっている請求項１ないし５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項７】
前記振動体は、前記支持部に接続されている基部を有し、
前記振動部は、複数あり、前記基部から互いに異なる方向に延出している請求項６に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項８】
前記固定部および前記支持部がそれぞれ複数ある請求項１ないし７のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ振動子を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ振動子を備えることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ振動子、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いて製造したＭＥＭＳ構造体は、可動部を有する様々な構造体（例えば、振動子、フィルター、センサー、モーター等）に適用されている。ＭＥＭＳ振動子は、水晶や誘電体を用いた振動子や共振子と比較して、半導体回路を組み込んで製造することが容易であり、微細化、高機能化の観点から有利であるという利点がある。
【０００３】
このようなＭＥＭＳ振動子の一例である特許文献１に記載のＭＥＮＳ共振器は、基材と、基材の主表面に固定されたアンカ部と、接続部を介してアンカ部に接続された浮き構造体と、を備えている。このＭＥＭＳ共振器では、Ｑ値を高くする目的で、接続部の断面積が浮き構造体およびアンカ部に比べて小さくなっている。
【０００４】
しかし、特許文献１に記載のＭＥＭＳ共振器は、Ｑ値を十分に高めることができないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１７８７１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、Ｑ値を向上させることができるＭＥＭＳ振動子を提供すること、また、かかるＭＥＭＳ振動子を備える電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
［適用例１］
本発明のＭＥＭＳ振動子は、基板と、
前記基板上に配置されている固定部と、
前記基板に対向している振動部を有する振動体と、
前記固定部と前記振動体とを接続していて、前記振動体を支持している支持部と、
を備え、
前記基板の厚さ方向から見た平面視で、前記固定部と前記支持部との接続部において前記固定部の中心線と前記支持部の中心線とが互いにずれていることを特徴とするＭＥＭＳ振動子。
【０００８】
このようなＭＥＭＳ振動子によれば、振動体が一方向に回転しやすいように支持部が形成されている場合、固定部と支持部との接続部において支持部の中心線を固定部の中心線に対してずらすことにより、振動体の振動に伴って固定部と支持部との接続部や支持部の屈曲部で発生した熱が固定部を通じて基板に逃げることを低減することができる。そのため、熱弾性損失を低減し、その結果、Ｑ値を向上させることができる。
【０００９】
［適用例２］
本発明のＭＥＭＳ振動子では、前記支持部は、前記平面視で屈曲または湾曲している屈曲部を有することが好ましい。
【００１０】
これにより、温度変化によって固定部に加わる応力を低減し、その結果、温度ヒステリシスを低減することができる。
【００１１】
［適用例３］
本発明のＭＥＭＳ振動子では、前記平面視で、前記接続部における前記支持部の中心線が前記固定部の中心線に対して前記屈曲部の屈曲または湾曲している側にずれていることが好ましい。
【００１２】
支持部が屈曲部を有することにより、ＭＥＭＳ振動子の屈曲部が屈曲または湾曲している側とは反対側の方向へ振動体を回転しやすくすることができる。そのため、接続部における支持部の中心線を固定部の中心線に対して屈曲部の屈曲または湾曲している側にずらすことにより、振動体の振動に伴って固定部と支持部との接続部や支持部の屈曲部で発生した熱が固定部を通じて基板に逃げることを低減することができる。
【００１３】
［適用例４］
本発明のＭＥＭＳ振動子では、前記平面視で、前記屈曲部の屈曲角度が１５°以上６０°以下の範囲内にあることが好ましい。
これにより、熱弾性損失を効果的に低減することができる。
【００１４】
［適用例５］
本発明のＭＥＭＳ振動子では、前記屈曲部は、前記支持部の中間部よりも前記固定部側にあることが好ましい。
【００１５】
これにより、支持部により振動体を安定的に支持することができ、その結果、ＭＥＭＳ振動子の振動特性を優れたものとすることができる。その一方、このような場合、屈曲部が支持部の中間部よりも固定部とは反対側にある場合に比べて、振動体の振動に伴って支持部の屈曲部で発生した熱が固定部を通じて基板に逃げやすい。そのため、かかる場合に本発明を適用すると、その効果が顕著となる。すなわち、ＭＥＭＳ振動子の振動特性の向上と熱弾性損失の低減との両立を図ることができる。
【００１６】
［適用例６］
本発明のＭＥＭＳ振動子では、前記基板上に配置されている基板側電極を備え、
前記振動部は、前記平面視で少なくとも一部が前記基板側電極に重なっていることが好ましい。
これにより、静電駆動方式のＭＥＭＳ振動子を実現することができる。
【００１７】
［適用例７］
本発明のＭＥＭＳ振動子では、前記振動体は、前記支持部に接続されている基部を有し、
前記振動部は、複数あり、前記基部から互いに異なる方向に延出していることが好ましい。
これにより、振動漏れを低減し、その結果、Ｑ値を向上させることができる。
【００１８】
［適用例８］
本発明のＭＥＭＳ振動子では、前記固定部および前記支持部がそれぞれ複数あることが好ましい。
【００１９】
これにより、振動体を複数の固定部および支持部により安定的に支持することができ、その結果、ＭＥＭＳ振動子の振動特性を優れたものとすることができる。
【００２０】
［適用例９］
本発明の電子機器は、本発明のＭＥＭＳ振動子を備えることを特徴とする。
【００２１】
これにより、優れたＱ値を有するＭＥＭＳ振動子を備える電子機器を提供することができる。
【００２２】
［適用例１０］
本発明の移動体は、本発明のＭＥＭＳ振動子を備えることを特徴とする。
【００２３】
これにより、優れたＱ値を有するＭＥＭＳ振動子を備える移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態に係るＭＥＭＳ振動子を示す断面図である。
【図２】図１に示すＭＥＭＳ振動子が備える振動素子を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】図２に示す振動素子の固定部および支持部を示す部分拡大平面図である。
【図４】図１に示すＭＥＭＳ振動子が備える振動素子の動作を説明するための斜視図である。
【図５】（ａ）は、熱弾性損失によるＱ値を有限要素法で解析する際に用いた固定部、振動体および支持部の各寸法を示す平面図、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、固定部と支持部との接続形態のパターンを示す図である。
【図６】図５（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）に示す接続形態ごとの熱分布の解析結果を示す図である。
【図７】支持部の屈曲角度θと熱弾性損失によるＱ値ＱＴＥＤとの関係を示すグラフであって、（ａ）は、図５（ａ）に示すＬ２が０．３μｍである場合を示すグラフ、（ｂ）は、図５（ａ）に示すＬ２が１．４μｍである場合を示すグラフである。
【図８】図１に示すＭＥＭＳ振動子の製造工程を示す図である。
【図９】図１に示すＭＥＭＳ振動子の製造工程を示す図である。
【図１０】図１に示すＭＥＭＳ振動子の製造工程を示す図である。
【図１１】本発明の電子機器の第１例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の電子機器の第２例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の電子機器の第３例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の移動体の一例である自動車の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明のＭＥＭＳ振動子、電子機器および移動体を添付図面に示す各実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
１．ＭＥＭＳ振動子
図１は、本発明の実施形態に係るＭＥＭＳ振動子を示す断面図である。図２は、図１に示すＭＥＭＳ振動子が備える振動素子を示す図であって、図２（ａ）は断面図、図２（ｂ）は平面図である。図３は、図２に示す振動素子の固定部および支持部を示す部分拡大平面図である。図４は、図１に示すＭＥＭＳ振動子が備える振動素子の動作を説明するための斜視図である。
【００２７】
図１に示すＭＥＭＳ振動子１は、基板２（基体）と、基板２上に配置されている振動素子５と、振動素子５を収納している空洞部Ｓ（キャビティ）を基板２との間に形成している積層構造体６と、を有している。本実施形態では、基板２と積層構造体お６との間には、導体層３が配置されている。以下これらの各部について順次説明する。
【００２８】
−基板２−
基板２は、半導体基板２１と、半導体基板２１の一方の面上に設けられた絶縁膜２２と、絶縁膜２２の半導体基板２１とは反対側の面上に設けられた絶縁膜２３と、を有している。
【００２９】
半導体基板２１は、シリコン等の半導体で構成されている。なお、半導体基板２１は、シリコン基板のような単一材料で構成された基板に限定されず、例えば、ＳＯＩ基板のような積層構造を有する基板であってもよい。
【００３０】
絶縁膜２２は、例えば、シリコン酸化膜であり、絶縁性を有する。また、絶縁膜２３は、例えば、シリコン窒化膜であり、絶縁性を有するとともに、フッ酸を含むエッチング液に対する耐性をも有する。ここで、半導体基板２１（シリコン基板）と絶縁膜２３（シリコン窒化膜）との間に絶縁膜２２（シリコン酸化膜）が介在していることにより、絶縁膜２３の成膜時に生じた応力が半導体基板２１に伝わるのを絶縁膜２２により緩和することができる。また、絶縁膜２２は、半導体基板２１およびその上方に半導体回路を形成する場合、素子間分離膜として用いることもできる。なお、絶縁膜２２、２３は、前述した構成材料に限定されず、また、必要に応じて、絶縁膜２２、２３のうちのいずれか一方を省略してもよい。
【００３１】
このような基板２の絶縁膜２３上には、パターニングされた導体層３が配置されている。この導体層３は、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）またはアモルファスシリコンにリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）して構成されており、導電性を有する。また、導体層３は、図示しないが、振動素子５に電気的に接続される配線を構成する第１部分と、その第１部分と離間して電気的に絶縁された第２部分とを有するようにパターニングされている。
【００３２】
−振動素子５−
図２に示すように、振動素子５は、基板２の絶縁膜２３上に配置されている４つの下部電極５１および４つの下部電極５２と、上部電極５３と、各下部電極５２と上部電極５３との間に設けられたスペーサー５４と、を有している。
【００３３】
４つの下部電極５１（固定電極）は、基板２の厚さ方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という）で、図２（ｂ）中の左右方向（第１方向）に沿って並んでいる２つの下部電極５１ａ、５１ｂと、２つの下部電極５１ａ、５１間の領域を跨いで図２（ｂ）中の上下方向（第１方向に直交する第２方向）に沿って並んでいる２つの下部電極５１ｃ、５１ｄと、で構成されている。
【００３４】
４つの下部電極５２は、平面視で、下部電極５１ａ、５１ｃ間に対応して配置された下部電極５２ａと、下部電極５１ｂ、５１ｄ間に対応して配置された下部電極５２ｂと、下部電極５１ｂ、５１ｃ間に対応して配置された下部電極５２ｃと、下部電極５１ａ、５１ｄ間に対応して配置された下部電極５２ｄと、で構成されている。
【００３５】
下部電極５１、５２は、それぞれ、基板２に沿った板状またはシート状をなし、互いに離間して配置されている。また、図示しないが、４つの下部電極５１は、それぞれ、前述した導体層３が有する配線に電気的に接続されている。同様に、４つの下部電極５２のうちの少なくとも２つは、前述した導体層３が有する配線に電気的に接続されている。ここで、下部電極５１は、「基板側電極」を構成しており、２つの下部電極５１ａ、５１ｂは、図示しない配線を介して互いに電気的に接続されていて、互いに同電位となるように構成されている。同様に、２つの下部電極５１ｃ、５１ｄは、図示しない配線を介して互いに電気的に接続されていて、互いに同電位となるように構成されている。なお、下部電極５１、５２の平面視形状は、図示のものに限定されない。また、下部電極５２は、下部電極５１と一体で形成されていてもよいし、スペーサー５４の高さによっては省略してもよい。
【００３６】
上部電極５３は、基部５３１と、基部５３１から延出している４つの振動部５３２と、４つの固定部５３４と、基部５３１と４つの固定部５３４とを接続している４つの支持部５３３（梁部）と、を有している。ここで、基部５３１および４つの振動部５３２からなる構造体は、基板２に対向している「振動体」を構成している。
【００３７】
４つの振動部５３２は、基部５３１および４つの振動部５３２からなる構造体（振動体）が略十字形状をなすように基部５３１から互いに異なる方向に延出している。
【００３８】
４つの振動部５３２は、前述した４つの下部電極５１に対応して設けられており、それぞれ、対応する下部電極５１に対して間隔を隔てて対向している。すなわち、４つの振動部５３２は、平面視で、基部５３１を挟んで図２（ｂ）中の左右方向（第１方向）に沿って並んでいる２つの振動部５３２ａ、５３２ｂと、基部５３１を挟んで図２（ｂ）中の上下方向（第１方向に直交する第２方向）に沿って並んでいる２つの振動部５３２ｃ、５３２ｄと、で構成されている。
【００３９】
このように、各振動部５３２の少なくとも一部が、平面視で、基板２上に配置されている下部電極５１に重なっていることにより、静電駆動方式のＭＥＭＳ振動子１を実現することができる。
【００４０】
本実施形態では、各振動部５３２は、平面視で基部５３１から離れるにしたがって幅が小さくなる形状をなしている。これにより、振動部５３２の側面の根元（基部５３１側の端部）付近に振動に伴う応力が集中しやすくなるため、熱弾性損失を低減することができる。
【００４１】
４つの固定部５３４は、それぞれ、基板２上に配置されている。具体的には、４つの固定部５３４は、前述した４つの下部電極５２に対応して設けられており、それぞれ、対応する下部電極５２に対してスペーサー５４を介して固定されている。すなわち、４つの固定部５３４は、下部電極５２ａに対してスペーサー５４ａを介して固定されている固定部５３４ａと、下部電極５２ｂに対してスペーサー５４ｂを介して固定されている固定部５３４ｂと、下部電極５２ｃに対してスペーサー５４ｃを介して固定されている固定部５３４ｃと、下部電極５２ｄに対してスペーサー５４ｄを介して固定されている固定部５３４ｄと、で構成されている。
【００４２】
各固定部５３４は、平面視で四角形をなしている。また、各スペーサー５４は、平面視で四角形、すなわち固定部５３４と相似形状をなしている。本実施形態では、各固定部５３４および各スペーサー５４の平面視形状（四角形）が有する４つの辺は、対応する支持部５３３の固定部５３４側の端部の中心線に平行な１対の辺と直交する１対の辺とで構成されている。
【００４３】
４つの支持部５３３は、４つの固定部５３４に対応して設けられており、それぞれ、対応する固定部５３４と基部５３１とを接続している。すなわち、４つの支持部５３３は、固定部５３４ａと基部５３１とを接続している支持部５３３ａと、固定部５３４ｂと基部５３１とを接続している支持部５３３ｂと、固定部５３４ｃと基部５３１とを接続している支持部５３３ｃと、固定部５３４ｄと基部５３１とを接続している支持部５３３ｄと、で構成されている。
【００４４】
このように、固定部５３４および支持部５３３がそれぞれ複数あることにより、基部５３１および振動部５３２からなる構造体（振動体）を安定的に支持することができ、その結果、ＭＥＭＳ振動子１の振動特性を優れたものとすることができる。
【００４５】
また、各支持部５３３は、その途中で屈曲または湾曲している。これにより、温度変化によって固定部５３４に加わる応力を低減することができる。ここで、４つの支持部５３３は、平面視で、互いに同じ方向に屈曲または湾曲している。これにより、基部５３１を一方向に回転しやすくすることができる。その結果、温度変化によって固定部５３４に加わる応力を効果的に低減することができる。なお、以下、この基部５３１が回転しやすい方向を「基部５３１または振動体の回転方向」という。
【００４６】
ここで、各支持部５３３は、図３に示すように、基部５３１に接続されている第１梁部５３３１と、固定部５３４に接続されている第２梁部５３３２と、これらの間に設けられている屈曲部５３３３と、を有している。
【００４７】
第１梁部５３３１は、平面視で、基部５３１から中心線ａ１に沿って延びている。一方、第２梁部５３３２は、平面視で、固定部５３４から中心線ａ１に対して傾斜した中心線ａ２に沿って延びている。これにより、第１梁部５３３１と第２梁部５３３２との間には、屈曲角度θで屈曲または湾曲した屈曲部５３３３が形成されている。
【００４８】
また、第１梁部５３３１の基部５３１側の端部には、基部５３１側に向けて幅が連続的に大きくなるテーパー部５３３４が設けられている。これにより、かかる端部に応力が集中するのを低減することができる。
【００４９】
また、第２梁部５３３２は、平面視で、固定部５３４の角部側に偏った部位に接続している。すなわち、平面視で、固定部５３４と支持部５３３との接続部（以下、単に「接続部」ともいう）における固定部５３４の中心線ａ３と支持部５３３の中心線（すなわち第２梁部５３３２の中心線ａ２）とが互いにずれている。なお、接続部における支持部５３３の中心線（中心線ａ２）は、平面視で、第２梁部５３３２（支持部５３３の固定部５３４側の端部）の中心を通り、かつ、第２梁部５３３２（支持部５３３の固定部５３４側の端部）が延びる方向に沿った線分である。また、固定部５３４の中心線ａ３は、平面視で、固定部５３４の中心Ｃを通り、かつ、中心線ａ２に平行な線分である。
【００５０】
特に、前述したように、４つの支持部５３３は、基部５３１が一方向に回転しやすいように形成されているが、固定部５３４と支持部５３３との接続部において、支持部５３３の中心線ａ２は、固定部５３４の中心線ａ３に対して基部５３１の回転方向とは反対側にずれている。これにより、振動部５３２の振動に伴って固定部５３４と支持部５３３との接続部や支持部５３３の屈曲部５３３３で発生した熱が固定部５３４を通じて基板２に逃げることを低減することができる。そのため、熱弾性損失を低減し、その結果、Ｑ値を向上させることができる。なお、この点については、後に詳述する。
【００５１】
このような下部電極５１、５２、上部電極５３およびスペーサー５４は、それぞれ、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）またはアモルファスシリコンにリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）して構成されており、導電性を有する。なお、スペーサー５４は、下部電極５２または上部電極５３と一体で形成されていてもよい。
【００５２】
また、下部電極５１、５２の膜厚は、それぞれ、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。また、上部電極５３の膜厚は、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。また、スペーサー５４の厚さは、振動部５３２の振動を許容し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。
【００５３】
−積層構造体６−
積層構造体６は、振動素子５を収納している空洞部Ｓを画成するように形成されている。この積層構造体６は、基板２上に平面視で振動素子５を取り囲むように形成された層間絶縁膜６１と、層間絶縁膜６１上に形成された配線層６２と、配線層６２および層間絶縁膜６１上に形成された層間絶縁膜６３と、層間絶縁膜６３上に形成され、複数の細孔６４２（開孔）が形成された被覆層６４１を有する配線層６４と、配線層６４および層間絶縁膜６３上に形成された表面保護膜６５と、被覆層６４１上に設けられた封止層６６と、を有している。
【００５４】
層間絶縁膜６１、６３は、それぞれ、例えば、シリコン酸化膜である。また、配線層６２、６４および封止層６６は、それぞれ、アルミニウム等の金属で構成されている。また、表面保護膜６５は、例えば、シリコン窒化膜である。
【００５５】
なお、半導体基板２１上およびその上方には、上述した構成以外に、半導体回路が作り込まれていてもよい。この半導体回路は、ＭＯＳトランジスタ等の能動素子、その他必要に応じて形成されたコンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線（下部電極５１に接続されている配線や上部電極５３に接続されている配線、配線層６２、６４を含む）等の回路要素を有している。また、図示しないが、配線層６２と絶縁膜２３との間には、前述した振動素子５に電気的に接続された配線が空洞部Ｓの内外を跨って配置されており、配線層６２は、かかる配線に対して離間するように形成されている。
【００５６】
基板２と積層構造体６とによって画成された空洞部Ｓは、振動素子５を収容する収容部として機能している。また、空洞部Ｓは、密閉された空間である。本実施形態では、空洞部Ｓが真空状態（３００Ｐａ以下）となっている。これにより、振動素子５の振動特性を優れたものとすることができる。ただし、空洞部Ｓは、真空状態でなくてもよく、大気圧であってもよいし、大気圧よりも気圧が低い減圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が高い加圧状態であってもよい。また、空洞部Ｓには、窒素ガス、希ガス等の不活性ガスが封入されていてもよい。
以上、ＭＥＭＳ振動子１の構成について簡単に説明した。
【００５７】
このように構成されたＭＥＭＳ振動子１では、下部電極５１ａ、５１ｂと上部電極５３との間に周期的に変化する第１電圧（交番電圧）が印加されるとともに、下部電極５１ｃ、５１ｄと上部電極５３との間に位相が１８０°ずれている以外は第１電圧と同様の第２電圧が印加される。
【００５８】
すると、振動部５３２ａ、５３２ｂが下部電極５１ａ、５１ｂに対して接近する方向と離間する方向とに交互に変位して屈曲振動するとともに、振動部５３２ａ、５３２ｂとは逆相で、振動部５３２ｃ、５３２ｄが下部電極５１ｃ、５１ｄに対して接近する方向と離間する方向とに交互に変位して屈曲振動する。すなわち、図４に示すように、振動部５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄが図４中の実線矢印で示す方向に変位する状態と、振動部５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄが図４中の破線矢印で示す方向に変位する状態と、を交互に繰り返す。
【００５９】
このように振動部５３２ａ、５３２ｂと振動部５３２ｃ、５３２ｄとを逆相で振動させることにより、振動部５３２ａ、５３２ｂから基部５３１に伝わる振動と、振動部５３２ｃ、５３２ｄから基部５３１に伝わる振動とを互いに相殺させることができる。その結果、これらの振動が基部５３１、支持部５３３および固定部５３４を介して外部（基板２）に漏れること、いわゆる振動漏れを低減し、ＭＥＭＳ振動子１の振動効率を高めることができる。このように、ＭＥＭＳ振動子１は、振動部５３２の数が複数であることにより、振動部５３２から外部への振動漏れを低減し、その結果、Ｑ値を向上させることができる。
【００６０】
このようなＭＥＭＳ振動子１は、例えば、発振回路（駆動回路）と組み合わせることにより、所定の周波数の信号を取り出す発振器として用いることができる。なお、かかる発振回路は、基板２上に半導体回路として設けることができる。また、ＭＥＭＳ振動子１は、ジャイロセンサー、圧力センサー、加速度センサー、傾斜センサー等の各種のセンサーにも適用できる。
【００６１】
（支持部）
以下、支持部５３３について詳述する。
【００６２】
支持部５３３は、前述したように、平面視で屈曲または湾曲している屈曲部５３３３を有している。これにより、温度変化によって固定部５３４に加わる応力を低減し、その結果、温度ヒステリシスを低減することができる。また、前述したように、４つの支持部５３３が平面視で互いに同じ方向に屈曲または湾曲している。これにより、基部５３１を一方向（具体的には、屈曲部５３３３が屈曲または湾曲している側とは反対側の方向）に回転しやすくして、温度変化によって固定部５３４に加わる応力を効果的に低減している。
【００６３】
このような前提のもと、本発明者らは、鋭意検討した結果、固定部５３４と支持部５３３との接続部において支持部５３３の中心線ａ２を固定部５３４の中心線ａ３に対して基部５３１の回転方向とは反対側にずらすことにより、熱弾性損失の低減によってＱ値の向上が可能なことを見出した。以下、この点について詳述する。
【００６４】
図５（ａ）は、熱弾性損失によるＱ値を有限要素法で解析する際に用いた固定部、振動体および支持部の各寸法を示す平面図、図５（ｂ）、図５（ｃ）および図５（ｄ）は、固定部と支持部との接続形態のパターンを示す図である。
【００６５】
図５（ａ）に示すような各寸法で形成された振動素子について、図５（ｂ）、図５（ｃ）および図５（ｄ）に示すような固定部と支持部との接続形態ごとに、有限要素法による解析を行った。
【００６６】
すなわち、図５（ａ）に示す寸法は、図２に示すＭＥＭＳ振動子１において、平面視で、各振動部５３２の基部５３１側の端の幅が９．８μｍ、各振動部５３２の先端の幅が１μｍ、支持部５３３の幅が１μｍ、各固定部５３４の各辺の長さが３μｍ、各スペーサー５４の各辺の長さが２μｍである。また、かかる解析は、各支持部５３３の第１梁部５３３１の長さＬ１を４．２μｍ、各部の厚さを１．３μｍとし、各接続形態ごとに、各支持部５３３の第２梁部５３３２の長さＬ２が０．３μｍである場合と１．４μｍである場合とのそれぞれについて、支持部５３３の屈曲部の屈曲角度θを０°〜６０°の範囲で変更して行った。なお、屈曲角度θは、図３に示すように、平面視で中心線ａ１と中心線ａ２とのなす角度である。
【００６７】
図６は、図５（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）に示す接続形態ごとの熱分布の解析結果を示す図である。なお、図６では、色が濃いほど温度が高いことを示している。
【００６８】
図５（ｂ）に示す接続形態（Pattern1）の場合、すなわち、平面視で接続部における支持部５３３の中心線ａ２が固定部５３４の中心線ａ３に対して屈曲部５３３３の屈曲または湾曲している側（すなわち振動体の回転方向αとは反対側）にずれている場合、図６（ａ）に示すように、振動に伴って発生する熱により接続部の温度の高い部位と固定部５３４が固定されている部位との間の距離が遠くなるため、接続部で発生した熱が固定部５３４から漏れにくい。しかも、接続部の温度の高い部位と固定部５３４の温度の高い部位との距離が遠いため、固定部５３４における熱の移動が小さく、この点でも、接続部で発生した熱が固定部５３４から漏れにくい。このようなことから、振動部５３２の振動に伴って固定部５３４と支持部５３３との接続部や支持部５３３の屈曲部５３３３で発生した熱が固定部５３４を通じて基板２に逃げることを低減することができる。
【００６９】
これに対し、図５（ｃ）に示す接続形態（Pattern2）の場合、すなわち、平面視で接続部における支持部５３３の中心線ａ２が固定部５３４の中心線ａ３に一致している場合、図６（ｂ）に示すように、振動に伴って発生する熱により接続部の温度の高い部位と固定部５３４が固定されている部位との間の距離が近くなるため、接続部で発生した熱が固定部５３４から漏れやすくなってしまう。
【００７０】
また、図５（ｄ）に示す接続形態（Pattern3）の場合、すなわち、平面視で接続部における支持部５３３の中心線ａ２が固定部５３４の中心線ａ３に対して屈曲部５３３３の屈曲または湾曲している側とは反対側（すなわち振動体の回転方向α側）にずれている場合、図６（ｃ）に示すように、振動に伴って発生する熱により接続部の温度の高い部位と固定部５３４が固定されている部位との間の距離が近く、しかも、接続部の温度の高い部位と固定部５３４の温度の高い部位との距離が近くなるため、固定部５３４における熱の移動が大きく、接続部で発生した熱が固定部５３４から漏れやすくなってしまう。
【００７１】
図７は、支持部の屈曲角度θと熱弾性損失によるＱ値ＱＴＥＤとの関係を示すグラフであって、図７（ａ）は、図５（ａ）に示すＬ２が０．３μｍである場合を示すグラフ、図７（ｂ）は、図５（ａ）に示すＬ２が１．４μｍである場合を示すグラフである。なお、図７に示すＱＴＥＤは、熱弾性損失のみを考慮したＱ値である。
【００７２】
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｌ２が０．３μｍである場合および１．４μｍである場合のいずれの場合でも、屈曲角度θの広範囲に亘って、図５（ｂ）に示す接続形態（Pattern1）が、図５（ｃ）および図５（ｄ）に示す接続形態（Pattern2,Pattern3）に比べて、Ｑ値が高いことがわかる。なお、前述した長さＬ１、Ｌ２に限定されず、第２梁部５３３２の長さＬ２が第１梁部５３３１の長さＬ１よりも短い場合において、図７に示す結果と同様の結果が得られることが有限要素法による解析により確認されている。
【００７３】
このように、図７に示す結果から、基部５３１が一方向に回転しやすいように支持部５３３が形成されている場合、固定部５３４と支持部５３３との接続部において支持部５３３の中心線ａ２を固定部５３４の中心線ａ３に対して振動体の回転方向αとは反対側にずらすことにより、振動部５３２の振動に伴って固定部５３４と支持部５３３との接続部や支持部５３３の屈曲部５３３３で発生した熱が固定部５３４を通じて基板２に逃げることを低減することができる。そのため、熱弾性損失を低減し、その結果、Ｑ値を向上させることができる。
【００７４】
また、図７に示す結果から、平面視で屈曲部５３３３の屈曲角度θは、１５°以上６０°以下の範囲内にあることが好ましく、１５°以上４５°以下の範囲内にあることがより好ましい。これにより、熱弾性損失を効果的に低減することができる。
【００７５】
また、屈曲部５３３３が支持部５３３の中間部よりも固定部５３４側にある場合、すなわち、第２梁部５３３２の長さＬ２が第１梁部５３３１の長さＬ１よりも短い場合、屈曲部５３３３が支持部５３３の中間部よりも固定部５３４とは反対側（すなわち基部５３１側）にある場合に比べて、振動部５３２の振動に伴って支持部５３３の屈曲部５３３３で発生した熱が固定部５３４を通じて基板に逃げやすい。そのため、かかる場合に本発明を適用すると、その効果が顕著となる。また、屈曲部５３３３が支持部５３３の中間部よりも固定部５３４側にあることにより、支持部５３３により基部５３１を安定的に支持することができ、その結果、ＭＥＭＳ振動子１の振動特性を優れたものとすることができる。このようなことから、ＭＥＭＳ振動子１の振動特性の向上と熱弾性損失の低減との両立を図ることができる。
【００７６】
このような観点から、Ｌ２／Ｌ１は、１／１０以下であることが好ましく、１／１００以上１／１０以下であることがより好ましく、１／１００以上１／２０以下であることがさらに好ましい。
【００７７】
また、支持部５３３の幅は、固定部５３４の幅（平面視で中心線ａ３に垂直な方向に沿った長さ）よりも小さい。これにより、基部５３１から支持部５３３を介して固定部５３４に振動が漏れる振動漏れを低減し、その結果、Ｑ値を向上させることができる。
【００７８】
このような観点から、固定部５３４の幅は、支持部５３３の幅に対して、１．５倍以上１０倍以下であることが好ましく、２倍以上５倍以下であることがより好ましい。これに対し、固定部５３４の幅が小さすぎると、前述したような熱弾性損失を低減する効果が減少する傾向を示す。一方、固定部５３４の幅が大きすぎると、ＭＥＭＳ振動子１の大型化を招いてしまう。
【００７９】
また、スペーサー５４の幅（平面視で中心線ａ３に垂直な方向に沿った長さ）は、固定部５３４の幅よりも小さい。これにより、振動に伴って発生する熱により接続部の温度の高い部位と固定部５３４が固定されている部位との間の距離を大きくすることができる。
【００８０】
このような観点から、スペーサー５４の幅は、固定部５３４の幅に対して、０．３倍以上０．９倍以下であることが好ましく、０．５倍以上０．８倍以下であることがより好ましい。これに対し、スペーサー５４の幅が大きすぎると、前述したような熱弾性損失を低減する効果が減少する傾向を示す。一方、スペーサー５４の幅が小さすぎると、スペーサー５４の高さ等によっては、スペーサー５４による固定部５３４の固定が不安定になったり、固定部５３４のスペーサー５４よりも突出した部分が振動しやすくなったりして、ＭＥＭＳ振動子１の振動特性に悪影響を与える場合がある。
【００８１】
（ＭＥＭＳ振動子の製造方法）
次に、ＭＥＭＳ振動子１の製造方法を簡単に説明する。
【００８２】
図８〜図１０は、図１に示すＭＥＭＳ振動子の製造工程を示す図である。以下、これらの図に基づいて説明する。
【００８３】
［振動素子形成工程］
まず、図８（ａ）に示すように、半導体基板２１（シリコン基板）を用意する。
【００８４】
なお、半導体基板２１上およびその上方に半導体回路を形成する場合には、半導体基板２１の上面のうち絶縁膜２２および絶縁膜２３を形成しない部分に、半導体回路のＭＯＳトランジスタのソースおよびドレインをイオンドープして形成する。
【００８５】
次に、図８（ｂ）に示すように、半導体基板２１の上面に絶縁膜２２（シリコン酸化膜）を形成する。
【００８６】
絶縁膜２２（シリコン酸化膜）の形成方法としては、特に限定されず、例えば、熱酸化法（ＬＯＣＯＳ法、ＳＴＩ法を含む）、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。なお、絶縁膜２２は、必要に応じてパターニングしてもよく、例えば、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、半導体基板２１の上面の一部が露出するように絶縁膜２２をパターニングする。
【００８７】
その後、図８（ｃ）に示すように、絶縁膜２２上に絶縁膜２３（シリコン窒化膜）を形成する。
【００８８】
絶縁膜２３（シリコン窒化膜）の形成方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。なお、絶縁膜２３は、必要に応じてパターニングしてもよく、例えば、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、半導体基板２１の上面の一部が露出するように絶縁膜２３をパターニングする。
【００８９】
次に、図８（ｄ）に示すように、絶縁膜２３上に、導体層３および下部電極５１、５２を形成するための導体膜７１を形成する。
【００９０】
具体的には、例えば、絶縁膜２３上に、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンで構成されたシリコン膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成した後に、そのシリコン膜にリン等の不純物をドープすることにより導体膜７１を形成する。なお、絶縁膜２３の構成によっては、エピタキシャル成長させたシリコン膜にリン等の不純物をドープすることによって導体膜７１を形成してもよい。
【００９１】
次に、導体膜７１をパターニングして、図８（ｅ）に示すように、導体層３および下部電極５１、５２を形成する。
【００９２】
具体的には、例えば、導体膜７１上にフォトレジストを塗布し、導体層３および下部電極５１、５２の形状（平面視形状）にパターニングして、フォトレジスト膜を形成する。そして、そのフォトレジスト膜をマスクとして用いて、導体膜７１をエッチングした後、フォトレジスト膜を除去する。これにより、導体層３および下部電極５１、５２が形成される。
【００９３】
なお、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、例えば、下部電極５１、５２等のパターンニングと同時に導体膜７１をパターンニングして、半導体回路のＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する。
【００９４】
次に、図９（ｆ）に示すように、各下部電極５２上にスペーサー５４を形成する。
スペーサー５４の形成は、前述した下部電極５１、５２および導体層３の形成と同様にして行うことができる。
【００９５】
次に、図９（ｇ）に示すように、下部電極５１、５２および導体層３を覆うとともに、スペーサー５４を露出させるようにして、犠牲層７２を形成する。
【００９６】
本実施形態では、犠牲層７２は、シリコン酸化膜であり、後述する工程において、一部が除去され、残部が層間絶縁膜６１の一部となる。
【００９７】
また、犠牲層７２の形成方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング法またはＣＶＤ法等を用いることができる。また、犠牲層７２を形成する際には、必要に応じて、エッチバックまたはＣＭＰ（chemical mechanical plishing）等による平坦化を行う。なお、犠牲層７２は、下部電極５１、５２上およびその近傍の基板２上のみに形成し、導体層３上に形成しなくてもよい。この場合、後述する工程において犠牲層７２のほとんどすべてが除去されることとなる。
【００９８】
次に、図９（ｈ）に示すように、上部電極５３を形成する。
具体的には、例えば、スペーサー５４に接触するようにして犠牲層７２上に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを堆積させてシリコン膜を形成した後に、そのシリコン膜にリン等の不純物をドープすることにより導体膜を形成し、その後、導体膜のパターニングを行う。なお、犠牲層７２の構成によっては、エピタキシャル成長させたシリコン膜にリン等の不純物をドープすることによって導体膜を形成してもよい。また、シリコン膜は、エッチバックまたはＣＭＰ（chemical mechanical plishing）等により平坦化してもよい。
【００９９】
導体膜のパターニングでは、例えば、導体膜上にフォトレジストを塗布し、上部電極５３の形状（平面視形状）にパターニングして、フォトレジスト膜を形成する。そして、そのフォトレジスト膜をマスクとして用いて、導体膜をエッチングした後、フォトレジスト膜を除去する。これにより、上部電極５３が形成される。
【０１００】
以上のようにして、下部電極５１、５２、上部電極５３およびスペーサー５４を有する振動素子５が形成される。
【０１０１】
［キャビティ形成工程］
図９（ｉ）に示すように、犠牲層７２上に、犠牲層７３を形成する。
【０１０２】
本実施形態では、犠牲層７３は、シリコン酸化膜であり、後述する工程において、一部が除去され、残部が層間絶縁膜６１の一部となる。
【０１０３】
また、犠牲層７３の形成は、前述した犠牲層７２の形成と同様にして行うことができる。
【０１０４】
次に、図９（ｊ）に示すように、配線層６２を形成する。
具体的には、例えば、犠牲層７２、７３からなる積層体をエッチングによりパターニングすることにより、配線層６２に対応した形状をなす貫通孔を形成した後、その貫通孔を埋めるように、積層体上に、アルミニウムからなる膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、その膜をエッチングによりパターニング（不要部分を除去）することにより、配線層６２を形成する。
【０１０５】
次に、図１０（ｋ）に示すように、犠牲層７３上および配線層６２上に、犠牲層７４、配線層６４および表面保護膜６５をこの順で形成する。
【０１０６】
具体的には、犠牲層７３上および配線層６２上に、前述した犠牲層７２、７３の形成と同様にして、犠牲層７４を形成した後、配線層６２の形成と同様にして、配線層６４を形成する。配線層６４の形成後、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂等である表面保護膜６５を形成する。
【０１０７】
なお、このような層間絶縁膜と配線層との積層構造は、通常のＣＭＯＳプロセスにより形成され、その積層数は、必要に応じて適宜に設定される。すなわち、必要に応じてさらに多くの配線層が層間絶縁膜を介して積層される場合もある。また、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、例えば、配線層６２、６４の形成と同時に、半導体回路のＭＯＳトランジスタのゲート電極等に電気的に接続される配線層を形成する。
【０１０８】
次に、図１０（ｌ）に示すように、犠牲層７２、７３、７４の一部を除去することにより、空洞部Ｓおよび層間絶縁膜６１、６３を形成する。
【０１０９】
具体的には、被覆層６４１に形成された複数の細孔６４２を通じたエッチングにより、振動素子５の周囲、下部電極５１と振動部５３２との間、および、基板２と基部５３１との間にある犠牲層７２、７３、７４を除去する。これにより、振動素子５が収納される空洞部Ｓが形成されるとともに、下部電極５１と振動部５３２との間、および、基板２と基部５３１との間に空隙が形成され、振動素子５が駆動し得る状態となる。
【０１１０】
ここで、犠牲層７２、７３、７４の除去（リリース工程）は、例えば、複数の細孔６４２からエッチング液としてのフッ酸、緩衝フッ酸等を供給するウェットエッチングや、複数の細孔６４２からエッチングガスとしてフッ化水素酸ガス等を供給するドライエッチングにより行うことができる。このとき、絶縁膜２３および配線層６２、６４は、リリース工程において実施されるエッチングに対する耐性を有しており、いわゆるエッチングストップ層として機能する。また、振動素子５を構成する各部も、シリコンで構成されているため、リリース工程に用いるエッチングに対する耐性を有する。なお、エッチングの前に、必要に応じて、エッチングの対象となる部分を含む構造体の外表面にフォトレジスト等で保護膜を形成してもよい。
【０１１１】
次に、図１０（ｍ）に示すように、被覆層６４１上に、封止層６６を形成する。
具体的には、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜等で構成された封止層６６をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、各細孔６４２を封止する。
以上のような工程により、ＭＥＭＳ振動子１を製造することができる。
【０１１２】
２．電子機器
次いで、本発明の振動片を適用した電子機器（本発明の電子機器）について、図１１〜図１３に基づき、詳細に説明する。
【０１１３】
図１１は、本発明の電子機器の第１例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部２０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、ＭＥＭＳ振動子１（発振器）が内蔵されている。
【０１１４】
図１２は、本発明の電子機器の第２例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部２０００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、ＭＥＭＳ振動子１（発振器）が内蔵されている。
【０１１５】
図１３は、本発明の電子機器の第３例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１１６】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部２０００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部２０００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１１７】
撮影者が表示部２０００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、ＭＥＭＳ振動子１（発振器）が内蔵されている。
【０１１８】
なお、本発明のＭＥＭＳ振動子を備える電子機器は、図１１のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２の携帯電話機、図１３のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１１９】
３．移動体
図１４は、本発明の移動体の一例である自動車の構成を示す斜視図である。
【０１２０】
この図において、自動車１５００（移動体）は、車体１５０１と、４つの車輪１５０２とを有しており、車体１５０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪１５０２を回転させるように構成されている。このような自動車１５００には、ＭＥＭＳ振動子１（発振器）が内蔵されている。
【０１２１】
なお、本発明の移動体は、自動車に限定されず、例えば、航空機、船舶、オートバイ等の各種移動体に適用可能である。
【０１２２】
以上、本発明のＭＥＭＳ振動子、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１２３】
前述した実施形態では、支持部が１つの屈曲部を有する場合を例に説明したが、支持部が２以上の屈曲部を有していてもよい。この場合、最も固定部側の屈曲部について前述した条件を満たすことが好ましい。
【０１２４】
また、前述した実施形態では、支持部の幅が長さ方向でのほぼ全域にわたって一定である場合を説明したが、支持部は、幅の異なる部分を有していてもよい。
【０１２５】
また、前述した実施形態では、固定電極の平面視における面積が、可動電極の可動部の面積よりも大きい場合について説明したが、固定電極の平面視における面積は、可動電極の可動部の面積と同じであってもよいし、可動電極の可動部の面積よりも小さくてもよい。
【０１２６】
また、前述した実施形態では、下部電極および上部電極をそれぞれ成膜により形成した場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、基板をエッチングすることにより下部電極または上部電極を形成してもよい。
【符号の説明】
【０１２７】
１‥‥ＭＥＭＳ振動子
２‥‥基板
３‥‥導体層
５‥‥振動素子
６‥‥積層構造体
２１‥‥半導体基板
２２‥‥絶縁膜
２３‥‥絶縁膜
５１‥‥下部電極
５１ａ‥‥下部電極
５１ｂ‥‥下部電極
５１ｃ‥‥下部電極
５１ｄ‥‥下部電極
５２‥‥下部電極
５２ａ‥‥下部電極
５２ｂ‥‥下部電極
５２ｃ‥‥下部電極
５２ｄ‥‥下部電極
５３‥‥上部電極
５４‥‥スペーサー
５４ａ‥‥スペーサー
５４ｂ‥‥スペーサー
５４ｃ‥‥スペーサー
５４ｄ‥‥スペーサー
６１‥‥層間絶縁膜
６２‥‥配線層
６３‥‥層間絶縁膜
６４‥‥配線層
６５‥‥表面保護膜
６６‥‥封止層
７１‥‥導体膜
７２‥‥犠牲層
７３‥‥犠牲層
７４‥‥犠牲層
５３１‥‥基部
５３２‥‥振動部
５３２ａ‥‥振動部
５３２ｂ‥‥振動部
５３２ｃ‥‥振動部
５３２ｄ‥‥振動部
５３３‥‥支持部
５３３ａ‥‥支持部
５３３ｂ‥‥支持部
５３３ｃ‥‥支持部
５３３ｄ‥‥支持部
５３４‥‥固定部
５３４ａ‥‥固定部
５３４ｂ‥‥固定部
５３４ｃ‥‥固定部
５３４ｄ‥‥固定部
６４１‥‥被覆層
６４２‥‥細孔
１１００‥‥パーソナルコンピューター
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
１２００‥‥携帯電話機
１２０２‥‥操作ボタン
１２０４‥‥受話口
１２０６‥‥送話口
１３００‥‥ディジタルスチルカメラ
１３０２‥‥ケース
１３０４‥‥受光ユニット
１３０６‥‥シャッタボタン
１３０８‥‥メモリー
１３１２‥‥ビデオ信号出力端子
１３１４‥‥入出力端子
１４３０‥‥テレビモニター
１４４０‥‥パーソナルコンピューター
１５００‥‥自動車
１５０１‥‥車体
１５０２‥‥車輪
２０００‥‥表示部
５３３１‥‥第１梁部
５３３２‥‥第２梁部
５３３３‥‥屈曲部
５３３４‥‥テーパー部
ａ１‥‥中心線
ａ２‥‥中心線
ａ３‥‥中心線
Ｃ‥‥中心
Ｓ‥‥空洞部
α‥‥回転方向
θ‥‥屈曲角度
【図１】
2016051942.tif 000003
【図２】
2016051942.tif 000004
【図３】
2016051942.tif 000005
【図４】
2016051942.tif 000006
【図５】
2016051942.tif 000007
【図６】
2016051942.tif 000008
【図７】
2016051942.tif 000009
【図８】
2016051942.tif 000010
【図９】
2016051942.tif 000011
【図１０】
2016051942.tif 000012
【図１１】
2016051942.tif 000013
【図１２】
2016051942.tif 000014
【図１３】
2016051942.tif 000015
【図１４】
2016051942.tif 000016