(57)【要約】      （修正有）【課題】低電気抵抗で、特に高光透過性である透明導電体を高生産性で製造する透明導電体の製造方法の提供。【解決手段】少なくとも、透明基板２上に第１高屈折率層３、透明金属層４及び第２高屈折率層５をこの順に形成する工程を有する透明導電体１の製造方法であって、第２高屈折率層５を形成する工程が、透明金属層４側からＡ層及びＢ層の順に少なくとも２層構成で形成し、かつ前記Ａ層を形成後、前記Ｂ層を形成開始するまで、気圧を保持する気圧調整工程を有する透明導電体１の製造方法。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、透明基板上に第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層をこの順に形成する工程を有する透明導電体の製造方法であって、
前記第２高屈折率層を形成する工程が、前記透明金属層側からＡ層及びＢ層の順に少なくとも２層構成で形成し、かつ前記Ａ層を形成後、前記Ｂ層を形成開始するまで、気圧を保持する気圧調整工程を有することを特徴とする透明導電体の製造方法。
【請求項２】
前記第２高屈折率層を形成する工程が、前記Ａ層を前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）の条件下でスパッタ法により形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項３】
前記気圧調整工程が、大気、酸素、アルゴン、窒素又は水のいずれかを導入して気圧を調整する工程であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項４】
前記気圧調整工程が、気圧を３Ｐａ以上に保持する工程であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項５】
前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＡｐ、前記Ｂ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＢｐとしたときの比の値Ｂｐ／Ａｐが、下記式（１）を満たすことを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
式（１）：１．０＜Ｂｐ／Ａｐ≦８．０
【請求項６】
前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）を、３．０Ｗ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項７】
前記Ａ層を形成する際の酸素導入量を、０ｓｃｃｍとすることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項８】
前記Ａ層の層厚を、２〜１０ｎｍの範囲内とすることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項９】
前記Ａ層を形成する材料が、原子番号４０以下の金属を含む金属化合物を含有することを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項１０】
前記Ａ層が、亜鉛成分を主成分として含有することを特徴とする請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項１１】
前記Ｂ層が、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ５）又は酸化スズ（ＳｎＯ２）のいずれかを含有することを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項１２】
前記第１高屈折率層が、硫黄成分を含有することを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項１３】
前記第１高屈折率層が硫黄成分を含有し、かつ当該第１高屈折率層と前記透明金属層の間に、さらに亜鉛成分を含有する硫化防止層を設けることを特徴とする請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電体の製造方法に関する。より詳しくは、高光透過性である透明導電体を高生産性で製造する透明導電体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電体が使用されている。
【０００３】
例えば、タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電体を含む配線が配置される。したがって、透明導電体には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高い透明金属層としてＩＴＯを用いた透明導電体が多用されている。
【０００４】
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電体の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられないという問題があった。
【０００５】
そこで、表面電気抵抗を低下させるため、銀を蒸着して形成する層を透明金属層（以下、Ａｇ層ともいう。）に用いることが検討されている（例えば、特許文献１参照。）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、Ａｇ層を屈折率の高い膜（例えば、Ｎｂ２Ｏ５（酸化ニオブ）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等からなる膜）で挟み込むことも提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００６】
さらに、Ａｇ層を、ＺｎＳ（硫化亜鉛）を含有する層（以下、ＺｎＳ層又は硫化亜鉛含有層ともいう。）で挟み込むことが提案されている（例えば、非特許文献２参照。）。
【０００７】
また、大気圧プラズマ装置を用いて、Ａｇ層を、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）層で挟み込むことが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
しかしながら、非特許文献１に示されるように、酸化ニオブやＩＺＯ等の誘電体層でＡｇ層が挟み込まれた透明導電体では、耐湿性が十分でなかった。その結果、高湿度環境下で透明導電体を使用すると、Ａｇ層が腐食しやすい等の問題があった。
【０００９】
Ａｇ層をＺｎＳを含む層に挟み込んだ透明導電体では、透明導電体の耐湿性は十分に高いものの、Ａｇ層を形成する際に、又はＺｎＳを含む層を形成する際に、銀が硫化されて硫化銀が生じやすく、その結果、透明導電体の光透過性が低くなるという問題があった。また、透明電極層の上層にＺｎＳを含有していると、ＺｎＳは絶縁性が高いため、金属系引出配線と透明導電体が電気的に接続しにくくなってしまうという問題が生じていた。
【００１０】
一方、Ａｇ層をＧＺＯ層で挟み込んだ透明導電体は、ＧＺＯが導電性が高いため、金属系引出配線と電気的に接続可能であり、特にＡｇ層の上層としてＧＺＯ層を設けることは導電性上好都合である。しかしながら、特許文献２で用いられている透明導電体の製造方法は、Ａｇ層の形成を塗布方式で行い、ＧＺＯ層の形成を大気圧プラズマ装置によって行うため、生産方式が複雑である。
【００１１】
特許文献３には、熱線遮断膜として、スパッタ法によって形成されるＡｇ層上にＧＺＯ層を形成する際に、当該ＧＺＯ層を無酸素雰囲気でスパッタ法によって積層する技術が開示されている。しかしながら、Ａｇ層上にＧＺＯ層を生産性を高めるため高レート、高パワーなスパッタリング条件で形成すると、材料からＯ２が微量排出され、当該Ｏ２によってＡｇ層の表面が荒れて不要な吸収が生じ、透明性が劣化するという問題が起こることが分かった。
【００１２】
したがって、低電気抵抗であり、かつ高光透過性である透明導電体を高生産性で製造する透明導電体の製造方法の出現が待たれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００７−２５０４３０号公報
【特許文献２】特開２００６−２３６７４７号公報
【特許文献３】特開平０７−１７８８６６号公報
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ  Ｎｂ２Ｏ５／Ａｇ／ＩＺＯ  ｗｉｔｈ  ａｎ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｓｉｇｎ，Ｙｗｈ−Ｔａｒｎｇ  Ｌｅｕ，  ｅｔ  ａｌ．，  ＳＩＤ  ２０１２  ＤＩＧＥＳＴ  ｐ．３５２−３５３
【非特許文献２】Ｈｏ−ＫｙｕｎＰａｒｋ，Ｊａｅ−ＷｏｏｋＫａｎｇ，Ｓｅｏｋ−ＩｎＮａ，Ｄｏｎ−ＹｕＫｉｍ，Ｈａｎ−ＫｉＫｉｍ，「Ｓｏｌａｒ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ＆  Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌｓ」Ｖｏｌｕｍｅ  ９３，（２００９），ｐ．１９９４−２００２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、低電気抵抗で、特に高光透過性である透明導電体を高生産性で製造する透明導電体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、透明金属層の上層に設けられる第２高屈折率層を形成する工程が、前記透明金属層側からＡ層及びＢ層の順に少なくとも２層構成で形成し、かつ前記Ａ層を形成後、前記Ｂ層を形成開始するまで、気圧を保持する気圧調整工程を有することで、高光透過性である透明導電体を高生産性で製造できる透明導電体の製造方法が得られることを見出した。
【００１７】
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
【００１８】
１．少なくとも、透明基板上に第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層をこの順に形成する工程を有する透明導電体の製造方法であって、
前記第２高屈折率層を形成する工程が、前記透明金属層側からＡ層及びＢ層の順に少なくとも２層構成で形成し、かつ前記Ａ層を形成後、前記Ｂ層を形成開始するまで、気圧を保持する気圧調整工程を有することを特徴とする透明導電体の製造方法。
２．前記第２高屈折率層を形成する工程が、前記Ａ層を前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）の条件下でスパッタ法により形成する工程であることを特徴とする第１項に記載の透明導電体の製造方法。
３．前記気圧調整工程が、大気、酸素、アルゴン、窒素又は水のいずれかを導入して気圧を調整する工程であることを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電体の製造方法。
４．前記気圧調整工程が、気圧を３Ｐａ以上に保持する工程であることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
５．前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＡｐ、前記Ｂ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＢｐとしたときの比の値Ｂｐ／Ａｐが、下記式（１）を満たすことを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
式（１）：１．０＜Ｂｐ／Ａｐ≦８．０
６．前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）を、３．０Ｗ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
７．前記Ａ層を形成する際の酸素導入量を、０ｓｃｃｍとすることを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
８．前記Ａ層の層厚を、２〜１０ｎｍの範囲内とすることを特徴とする第１項から第７項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
９．前記Ａ層を形成する材料が、原子番号４０以下の金属を含む金属化合物を含有することを特徴とする第１項から第８項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
１０．前記Ａ層が、亜鉛成分を主成分として含有することを特徴とする第１項から第９項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
１１．前記Ｂ層が、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ５）又は酸化スズ（ＳｎＯ２）のいずれかを含有することを特徴とする第１項から第１０項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
１２．前記第１高屈折率層が、硫黄成分を含有することを特徴とする第１項から第１１項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
１３．前記第１高屈折率層が硫黄成分を含有し、かつ当該第１高屈折率層と前記透明金属層の間に、さらに亜鉛成分を含有する硫化防止層を設けることを特徴とする第１項から第１２項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の上記手段により、高光透過性にである透明導電体を高生産性で製造する透明導電体の製造方法を提供することができる。
【００２０】
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
【００２１】
透明基板上に第１高屈折率層及び透明金属層をこの順に設け、さらに上層として第２高屈折率層を、スパッタ法にて高レート、高パワー条件で成膜すると、透明金属層の光透過率が低下するという現象が見られたが、これは当該成膜条件では、ターゲット材（スパッタ源）からＯ２が微量排出され、その酸化的雰囲気によって透明金属層の表面を荒らして不要な吸収が生じ、光透過率が低下するものと推察された。
【００２２】
本願のように第２高屈折率層を、前記Ｏ２の微量排出を抑制するように成膜初期には低パワー条件下でスパッタ法により成膜を行い、透明金属層に対して保護層的に第２高屈折率層の一部を形成し、次いで高パワー条件下で第２高屈折率層の残余の部分をスパッタ法により成膜を行うことによって、当該Ｏ２の微量排出の影響なしに、高レートで残余の第２高屈折率層を形成できることから、成膜全体の生産性が高く、かつ透明金属層表面を荒らすことなく、高い光透過率を実現できるものと推察される。
【００２３】
さらに、本発明者らは、前記第２高屈折率層を、成膜初期に低パワー条件下でスパッタ法により成膜を行った後、一旦特定の気圧以上に保持することで、光透過率がより向上することを見出した。
【００２４】
この要因は、低パワー条件下で成膜した部分は、成膜直後は完全に透明金属層を覆っておらず、隙間がある状態だと考えられ、そのため次工程で高パワー条件で成膜すると、透明金属層が一部荒れて光透過率が低下するものと推察される。しかしながら、低パワー条件下で成膜した後、特定のガスを導入したり大気に曝すことで、成膜雰囲気の気圧を変化させると、成膜部分がなまされて膜密度が変化し、前記隙間をうめるように被膜形成が進むため、完全に透明金属層を保護できるようになったのではないかと推察している。
【００２５】
その結果、低パワー条件下で成膜した部分の保護層的な機能がより向上することによって、透明金属層表面の荒れをさらに低減し、より高い光透過率を実現できたものと推察される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１Ａ】本発明に係る透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図１Ｂ】本発明に係る透明導電体の構成の他の一例を示す概略断面図
【図１Ｃ】本発明に係る透明導電体の構成の他の一例を示す概略断面図
【図２】本発明に係る透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図
【図３】パターニングされた電極を有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の透明導電体の製造方法は、透明金属層の上層に設けられる第２高屈折率層を、透明金属層側からＡ層及びＢ層の少なくとも２層構成で形成し、かつ前記Ａ層を形成後、前記Ｂ層を形成開始するまで、気圧を保持することを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項１３までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００２８】
本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記第２高屈折率層を形成する工程が、前記Ａ層を、前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）の条件下でスパッタ法により形成することが好ましい。
また、前記気圧調整工程が、大気、酸素、アルゴン、窒素又は水のいずれかを導入して調整する工程であることが好ましく、さらに気圧を３Ｐａ以上に保持する工程であることが好ましい。特に、生産を簡便にするには、前記Ａ層を形成後、大気に曝すか、又はオートクレーブで加圧することが好ましい。
【００２９】
前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＡｐ、前記Ｂ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＢｐとしたときの比の値Ｂｐ／Ａｐが、前記式（１）を満たすことが、本発明の効果を得ることに加えて、第２高屈折率層としてのＡ層／Ｂ層の均一性を増す観点からも好ましい。
【００３０】
また、前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）を、３．０Ｗ／ｃｍ２以下とすることが、ターゲット材（スパッタ源）からのＯ２の微量排出を抑制する観点から好ましい。
【００３１】
また、前記Ａ層を形成する際の酸素導入量を、０ｓｃｃｍとすることが好ましく、当該Ａ層の成膜で酸素を導入せずに成膜すると、成膜時に透明導電層（Ａｇ層）表面が酸素によるボンバードで荒れることがなく、その結果プラズモン吸収が起きにくくなる。
【００３２】
前記Ａ層の層厚を、２〜１０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。２ｎｍ以上にすれば次に積層する前記Ｂ層の高パワー成膜時のボンバードから、透明導電層（Ａｇ層）を保護することができる。また、Ａ層の層厚を１０ｎｍ以下にすれば、低パワーで成膜するＡ層が厚すぎることはなく、本発明の課題である高生産性を阻害することがなく、好ましい。
【００３３】
さらに本発明においては、前記Ａ層を形成する材料が、原子番号４０以下の金属を含む金属化合物を含有していることが、本発明の効果を発現する上で、好ましい態様である。原子番号４０が超える重たい金属からなる化合物は、成膜時のエネルギーが高すぎ、透明金属層（例えば、Ａｇ層）にダメージを与える。結果、透明金属層（Ａｇ層）の連続膜性が壊れプラズモン吸収が大きくなる。前記Ａ層を形成する主成分（５０質量％以上）の材料が、原子番号４０以下の元素からなる金属化合物でできていれば、透明金属層（Ａｇ層）にダメージはない。
【００３４】
中でも、前記Ａ層が、亜鉛成分を主成分として含有することが好ましく、また前記Ｂ層が、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ５）又は酸化スズ（ＳｎＯ２）のいずれかを含有することが、透明金属層と外部回路を接続するに足る導電性を第２高屈折率層に付与することができ、好ましい。
【００３５】
前記第１高屈折率層が、硫黄成分を含有することが耐湿性を向上することができるため、好ましい。さらに当該第１高屈折率層と前記透明金属層の間に、亜鉛成分を含有する硫化防止層を設けることが、透明金属層に含有される金属の薄膜層形成を促進し、かつ当該硫化防止層によって第１高屈折率層に含有される硫黄成分との反応を抑制し、当該金属層の腐食等を防止できる観点から、好ましい実施態様である。
【００３６】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。また、本発明の透明導電体の製造方法によって製造される透明導電体を、「本発明に係る透明導電体」という場合がある。
【００３７】
≪本発明の透明導電体の製造方法の概要≫
本発明の透明導電体の製造方法は、少なくとも、透明基板上に第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層をこの順に形成する工程を有する透明導電体の製造方法であって、前記第２高屈折率層を形成する工程が、前記透明金属層側からＡ層及びＢ層の順に少なくとも２層構成で形成し、かつ前記Ａ層を形成後、前記Ｂ層を形成開始するまで、気圧を保持する気圧調整工程を有することを特徴とし、かかる構成によって、高光透過性である透明導電体を高生産性で製造する透明導電体の製造方法を提供することができる。
【００３８】
＜透明導電体の基本的構成＞
図１Ａ〜Ｃは、本発明に係る透明導電体の構成の一例を示す概略断面図である。
【００３９】
本発明に係る透明導電体１は、少なくとも、透明基板２、第１高屈折率層３、透明金属層４及び第２高屈折率層５をこの順に有することを特徴とし、第２高屈折率層５はスパッタ法によって成膜する際に、透明金属層に接する側に設けられる電力密度（Ｗ／ｃｍ２）を低くしてスパッタ法により形成するＡ層、及び当該電力密度（Ｗ／ｃｍ２）を高くしてスパッタ法により形成するＢ層の少なくとも２層構成をとることが好ましい。ただし、当該Ａ層及びＢ層は複数の層を形成してもよく（不図示）、組成の異なる層をそれぞれ積層してもよい。
【００４０】
図１Ａでは、第１高屈折率層３と第２高屈折率層５との間に透明金属層４が設けられている。本発明では第１高屈折率層が硫黄成分を含有することが好ましいが、このように硫黄成分を含有した第１高屈折率層を透明金属層４に隣接して設けると、透明金属層４中の金属、例えば銀原子と硫黄成分との親和性が高いため、銀原子のマイグレーション（移動）が抑えられ、薄膜で均一な透明金属層４を得ることができる。かつ、この銀薄膜は安定であるため、耐湿性にも優れている。
【００４１】
また、図１Ｂでは、透明金属層４と前記第１高屈折率層３の間に第１硫化防止層６Ａが設けられている。このような構成とすることで、亜鉛成分を含有した第１硫化防止層６Ａを透明金属層４に隣接して設けると、透明金属層中の銀が第１高屈折率層に含まれる硫黄により硫化されることを抑えることができる。
【００４２】
さらに図１Ｃのように、透明金属層４と第２高屈折率層５の間にも第２硫化防止層６Ｂを設けてもよい。このような構成の場合は、例えば第２高屈折率層に硫黄成分が含まれる場合には、透明金属層の金属が硫黄により硫化されることを抑えることができる。
【００４３】
本発明に係る透明導電体１では、図１Ａ〜Ｃで示すように、透明金属層４が透明基板２の全面に積層されていてもよいが、図２に示すように、例えば、第１高屈折率層３、第１硫化防止層６Ａ、透明金属層４、第２高屈折率層５から構成される透明電極ユニットＥＵが所望の形状にパターニングされていることが好ましい。
【００４４】
本発明に係る透明導電体１において、透明電極ユニットＥＵが積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する。）である。一方、図２に示されるように、透明電極ユニットＥＵを有していない領域ｂが絶縁領域である。
【００４５】
導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１の用途に応じて、適宜選択される。一例として、静電方式のタッチパネルに適用するパターンの詳細については、後述する。
【００４６】
また、本発明に係る透明導電体１には、前記透明基板２、第１高屈折率層３、第１硫化防止層６Ａ、透明金属層４、第２硫化防止層６Ｂ及び第２高屈折率層５の他に、必要に応じて公知の機能性層を設けてもよい。
【００４７】
本発明に係る透明導電体１に含まれる層は、透明基板２を除いて、いずれも無機材料からなる層であることが好ましい。例えば、第２高屈折率層５上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、透明基板２から第２高屈折率層５までの積層体が、本発明に係る透明導電体１であると定義する。
【００４８】
＜第２高屈折率層の製造方法の特徴＞
本発明に係る透明導電体は、前記第２高屈折率層を、透明金属層側から少なくともＡ層及びＢ層の２層構成で、スパッタ法によりこの順に形成し、前記透明金属層側に設けられる前記Ａ層を、前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）条件下で形成することが好ましい。
【００４９】
本発明でいうスパッタ法は、真空チャンバー内に薄膜として形成したい金属をターゲットとして設置し、高電圧をかけてイオン化させた希ガス元素（通常はアルゴン）や窒素（通常は空気由来）を衝突させ、ターゲット表面の原子をはじき飛ばして、基板に高密度に金属を成膜する方法である。また、上記希ガスとともに、反応性ガス（Ｏ２やＮ２）を導入することで、金属酸化物や金属窒化物を成膜することもできる。
【００５０】
本発明に係るスパッタ法には、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、ＤＣスパッタ法、ＤＣパルススパッタ法、ＲＦ（高周波）スパッタ法、デュアルマグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、イオンビームスパッタ法、バイアススパッタ法、及び対向ターゲットスパッタ法などの、公知のスパッタ法を適宜用いることができる。中でも高生産性であるマグネトロンスパッタ法や対向ターゲットスパッタ法を用いることが好ましく、特に対向ターゲットスパッタ法で形成する層であることが好ましい。すなわち、透明金属層３が、対向ターゲットスパッタ法で形成された層であると、層が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、光の透過率も高まりやすい。
【００５１】
具体的な市販のスパッタ装置としては、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置、ウルバック社の各種スパッタ装置（例えば、マルチチャンバ型スパッタリング装置ＥＮＴＲＯＮ−ＥＸ  Ｗ３００）やアネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置等を用いることができる。
【００５２】
本発明に係る第２高屈折率層５は、透明金属層４側から少なくともＡ層及びＢ層の２層構成でこの順に形成されることが特徴であるが、第２高屈折率層５の全体の層厚は、１５〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは２０〜５０ｎｍの範囲内である。第２高屈折率層５の層厚が１５ｎｍ以上であると、第２高屈折率層５によって、透明導電体１の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。一方、第２高屈折率層５の層厚が１５０ｎｍ以下であれば、第２高屈折率層５が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第２高屈折率層５の層厚は、エリプソメーターで測定される。
【００５３】
前記Ａ層及びＢ層のそれぞれの層厚は特に制限されるものではないが、スパッタリングに高生産性を付与する観点から、電力密度（Ｗ／ｃｍ２）を高くするスパッタリング領域、すなわちＢ層の層厚の比率をＡ層よりも大きくすることが好ましい。
【００５４】
具体的には、Ａ層の層厚／Ｂ層の層厚の比率を、１：９９〜４９：５１の範囲内にすることが好ましく、５：９５〜４０：６０の範囲内にすることがより好ましい。光透過性の改善と高生産性を両立する観点からは、Ａ層の層厚は、２〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。２ｎｍ以上にすれば次に積層する前記Ｂ層の高パワー成膜時のボンバードから、透明導電層（Ａｇ層）を保護することができる。また、Ａ層の層厚を１０ｎｍ以下にすれば、低パワーで成膜するＡ層が厚すぎることはなく、本発明の課題である高生産性を阻害することがなく、好ましい。
【００５５】
本発明では、前記第２高屈折率層を形成する工程が、前記Ａ層を、前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）条件下で形成することが好ましく、前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＡｐ、前記Ｂ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＢｐとしたときの比の値Ｂｐ／Ａｐは、１．０＜Ｂｐ／Ａｐ≦１２．０の範囲内とすることが好ましく、中でも式（１）１．０＜Ｂｐ／Ａｐ≦８．０の範囲内とすることがより好ましい。
【００５６】
式（１）の範囲を満たす場合には、本発明の効果を得ることに加えて、第２高屈折率層としてのＡ層／Ｂ層の均一性を増す観点からも好ましい。
【００５７】
前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）は、１．０〜８．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内とすることが、成膜初期に低パワーで成膜し、Ｏ２の微量排出を抑制しながら下層に対して保護層的に第２高屈折率層の一部を成膜する観点から、好ましい。特に、当該Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）が、３．０Ｗ／ｃｍ２以下とすることが、ターゲット材（スパッタ源）からのＯ２の微量排出を抑制する観点から好ましい。
【００５８】
前記Ｂ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）は、９．０〜３０．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内とすることが、スパッタリングを高生産性で行う観点から好ましい。
【００５９】
当該Ａ層及びＢ層を成膜する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）は、上記範囲内であれば一定値で行ってもよく、また、中途で変化させてもよい。例えば、Ａ層の成膜過程において（初期）１．０Ｗ／ｃｍ２でスタートし、（中途〜最終）４．０Ｗ／ｃｍ２と変化させてもよく、Ｂ層の成膜過程においてを、（初期）１２．０Ｗ／ｃｍ２でスタートし、（中途〜最終）２４．０Ｗ／ｃｍ２と変化させてもよい。
【００６０】
これらの電力密度（（Ｗ／ｃｍ２）の調整は、前記スパッタ装置によって適宜調整される。
【００６１】
前記Ｂ層の形成速度は０．５ｎｍ／秒以上とすることが好ましい。形成速度は０．５〜５．０ｎｍ／秒の範囲内とすることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜２．０ｎｍ／秒の範囲内である。
【００６２】
当該Ａ層及びＢ層を成膜する際の希ガスとしてはアルゴン（Ａｒ）を用いることが好ましく、ガス圧が０．０５〜０．５Ｐａの範囲となるようにＡｒを導入させることが好ましく、反応槽内のアルゴンの流量比率は１００％に近いことが好ましく、１００％とすることがより好ましい。
【００６３】
特に、Ａ層ではアルゴン流量比率が１００％とすることが好ましい。すなわち、当該Ａ層を形成する際の酸素導入量は、０ｓｃｃｍであることが、Ａ層を成膜する際に透明金属層（Ａｇ層）表面が酸素によるボンバードで荒れることを防止し、その結果プラズモン吸が起きにくくなるため、好ましい。
【００６４】
Ｂ層はアルゴンの流量比率が９９．９〜８０％、酸素の流量比率が０．１〜２０％であることが好ましい。
【００６５】
スパッタ圧は、０．０５〜０．５Ｐａの範囲内とすることが好ましく、スパッタ時の温度は制限はなく、室温でもよいが、２５℃以下の低温でＡ層を製膜するのが好ましい。
【００６６】
スパッタ時のターゲットと基板間の距離は特に制限はないが、通常は５０〜１００ｍｍの範囲内とすることが好ましい。
【００６７】
また、当該Ａ層及びＢ層はそれぞれ複数の層を形成してもよく、組成の異なる層をそれぞれ積層してもよい。このような構成とすることによって、第２高屈折率層の屈折率を調整することによって、光透過性（光学アドミッタンス）を調整することが容易となり、高光透過性を得る観点から好ましい。
【００６８】
さらに、本発明の透明導電体の製造方法は、第２高屈折率層を、上述のように透明金属層側から少なくともＡ層及びＢ層の２層構成で形成し、かつ前記Ａ層を形成後、前記Ｂ層を形成開始するまで、気圧を保持する気圧調整工程を有することが特徴である。
【００６９】
前記気圧調整工程が、大気、酸素、アルゴン、窒素又は水のいずれかを導入して気圧を調整するか、又はオートクレーブで加圧する工程であることが好ましい。さらに、前記気圧調整工程が、気圧を３Ｐａ以上に保持する工程であることが好ましい。
【００７０】
気圧は３Ｐａ以上とすることによって、成膜直後のＡ層の隙間がある状態をうめるように、被膜を形成することができる。気圧は３Ｐａ以上であれば特に制限はなく、大気に解放する場合は大気圧となる。
【００７１】
前記気圧調整工程は、Ａ層及びＢ層を形成する成膜空間（チャンバー等）の間で大気に解放する空間を設けてもよく、また別の実施態様としては、Ａ層及びＢ層を形成するチャンバーの間に第３のチャンバーを設けて、当該チャンバー内に前記大気、酸素、アルゴン、窒素又は水のいずれかを導入して、吸排気量を制御して気圧を調整してもよい。チャンバー内の前記大気、酸素、アルゴン、又は窒素の流量比率は１００％に近いことが好ましく、１００％であることがより好ましい。チャンバー内の気圧は市販の圧力計を用いて測定することができる。
【００７２】
また、気圧を３Ｐａ以上にする保持時間に制限はなく、生産性及び光透過性等の性能を考慮して適宜設定することができるが、１分以上とすることが好ましく、５分以上とすることがより好ましく、１０分以上とすることが特に好ましい。
【００７３】
当該保持時間の調整は、装置全体の容量、前記チャンバーの容量、基板の搬送スピード等によって制御することが好ましく、通常装置及びチャンバーの容量には制限があることから、搬送スピードを変化させて制御することがより好ましい。
チャンバー内の温度については特に制限はなく、室温程度に制御されることが好ましい。
【００７４】
＜透明導電体の各構成要素＞
〔透明基板〕
本発明に係る透明導電体１に適用可能な透明基板２としては、各種表示デバイスの透明基板に適用されている材料を用いることができる。
【００７５】
透明基板２は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（略称：ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（略称：ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（略称：ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板２が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００７６】
高い光透過性を達成することができる観点から、本発明に適用する透明基板２としては、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等の樹脂成分から構成されるフィルムであることが好ましい。
【００７７】
透明基板２は、可視光に対する光透過性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均光透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板２の光の平均光透過率が７０％以上であると、透明導電体１の光透過性が高まりやすい。また、透明基板２の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均光吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。上記平均光透過率は、透明基板２の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。
【００７８】
一方、平均光吸収率は、平均光透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板２の平均反射率を測定し、
平均光吸収率（％）＝１００−（平均光透過率＋平均反射率）（％）
として算出する。平均光透過率及び平均反射率は、分光光度計（例えば、Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定することができる。
【００７９】
透明基板２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５の範囲内であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０の範囲内である。透明基板２の屈折率は、通常、透明基板２の材質によって定まる。透明基板２の屈折率は、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００８０】
透明基板２のヘイズ値は、０．０１〜２．５％の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２％の範囲内である。透明基板のヘイズ値が２．５％以下であると、透明導電体としてのヘイズ値を抑制することができ、好ましい。ヘイズ値は、ヘイズメーターを用いて測定することができる。
【００８１】
透明基板２の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。透明基板の厚さが１μｍ以上であれば、透明基板２の強度が高まり、第１高屈折率層３Ａの作製時に割れたり、裂けたりすることを防止することができる。一方、透明基板２の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１の十分なフレキシブル性を得ることができる。さらに、透明導電体１を具備した電子デバイス機器等の厚さを薄くできる。また、透明導電体１を用いた電子デバイス機器等を軽量化することもできる。
【００８２】
本発明においては、使用する透明基板２は、各構成層を製膜する前に、基板中に含まれている水分や残留している溶媒を、クライオポンプ等を用いてあらかじめ除いたのち、形成工程で使用することが好ましい。
【００８３】
また、本発明に適用する透明基板上には、そのあとに形成する第１高屈折率層の平滑性を得る観点から、公知のクリアハードコート層を設けてもよいし、市販のクリアハードコート層付き透明基板を用いてもよい。
【００８４】
〔第１高屈折率層〕
本発明に係る透明導電体１は、第１高屈折率層３と第２高屈折率層５を有しており、透明基板２に近い方を第１高屈折率層３、遠い方を第２高屈折率層５と呼ぶ（図１Ａ参照。）。
【００８５】
第１高屈折率層３及び第２高屈折率層５は、それぞれ、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、波長５７０ｎｍの光に対して、第１高屈折率層３及び第２高屈折率層５の屈折率が、透明基板２の屈折率よりも高いことを特徴とする。
【００８６】
第１高屈折率層３は、硫黄成分を含有することが好ましく、当該硫黄成分を０．１〜５０ａｔ％の範囲内で含有することが好ましい。
【００８７】
第１高屈折率層に含有される硫黄成分が５０ａｔ％以下とすることで、硫黄過多となってターゲットが作製しにくくなることを抑制することができる点で好ましい。また、０．１ａｔ％以上とすることで、透明金属層に含有されるＡｇのマイグレーションを抑え込みやすくすることができる点で好ましい。硫黄成分は多い方がＡｇが島状にならず、連続膜性を向上することができる。
【００８８】
第１高屈折率層が含有する硫黄成分としては、ＺｎＳ（硫化亜鉛）及び単体の硫黄に由来するものを用いることができるが、ＺｎＳ（硫化亜鉛）に由来するものであることが特に好ましい。ＺｎＳ（硫化亜鉛）に由来する硫黄成分は、高屈折率層中で安定して存在することができるため、硫黄成分が望まない場所に拡散し反応するのを防ぎやすい。
【００８９】
第１高屈折率層３は、透明導電体の導通領域ａ、つまり透明金属層４が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層３は、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、図２に例示するように導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００９０】
第１高屈折率層３は、透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する。第１高屈折率層３には、前述の透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。波長５７０ｎｍの光に対する当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率は、透明基板の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
【００９１】
なお、本発明でいう屈折率は、温度２５℃、相対湿度５５％における測定値である。
【００９２】
波長５７０ｎｍの光に対する第１高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率は１．５より高いことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より高いと、第１高屈折率層によって、透明導電体の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第１高屈折率層の屈折率は、第１高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。高屈折率層の屈折率も透明基板と同様に、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００９３】
第１高屈折率層３に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、上記屈折率を有する金属酸化物でありうる。
【００９４】
上記屈折率を有するＺｎＳ以外の金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が含まれる。第１高屈折率層は、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。
【００９５】
また、上記高屈折率材料に、その他の材料を混ぜても良い。
【００９６】
特にＺｎＳとＳｉＯ２との混合物は安定でフレキシブル性が高い点で好ましい。第１高屈折率層３にＺｎＳが含まれると、透明基板２側から水分が透過し難くなり、透明金属層４の腐食が抑制される。
【００９７】
また、ＺｎＳとともにＳｉＯ２が含まれると、第１高屈折率層３が非晶質になりやすく、透明導電体１のフレキシブル性が高まりやすい。
【００９８】
さらに、上記２種類以上の高屈折率層が積層されて複数層からなる第１高屈折率層を形成してもよい。
【００９９】
第１高屈折率層３の層厚は、１０〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜８０ｎｍの範囲内である。これらの高屈折率層の層厚が１０ｎｍ以上であると、高屈折率層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、高屈折率層の層厚が１５０ｎｍ以下であれば、高屈折率層が含まれる領域の光透過性が低下し難い。高屈折率層の層厚は、エリプソメーターで測定される。
【０１００】
第１高屈折率層は、蒸着法若しくはスパッタ法により形成することが好ましく、蒸着法であることがより好ましい。本発明に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度として５００〜２０００℃の範囲、真空度として１×１０−６〜１×１０−２Ｐａの範囲、蒸着速度として０．０１〜５０ｎｍ／秒の範囲、基板温度として−５０〜３００℃の範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。
【０１０１】
また、第１高屈折率層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１高屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法、例えば、フォトリソグラフィー法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１０２】
本発明においては、第１高屈折率層が硫黄成分を含有することが好ましく、硫黄成分を含有することにより、透明金属層の湿気による劣化を好適に防ぐことができ、高い導電性を維持することができる。
【０１０３】
これにより、第１高屈折率層の上部に、例えば銀を主成分として含有している透明金属層を成膜する際には、透明金属層を構成する銀原子が、第１高屈折率層に含有されている銀原子と親和性のある硫化亜鉛の硫黄原子と相互作用し、当該高屈折率層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銀の凝集が抑えられる。
【０１０４】
すなわち、銀原子は、まず銀原子と硫化亜鉛を含有する高屈折率層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。
【０１０５】
なお、一般的には、高屈折率層表面において付着した銀原子が表面を拡散しながら結合し３次元的な核を形成し、３次元的な島状に成長するという島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により島状に成膜しやすいと考えられるが、本発明では、高屈折率層に含有されている硫化亜鉛により、このような様式の島状成長が防止され、層状成長が促進されると推察される。
【０１０６】
したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の導電性層が得られるようになる。そのため、透明金属層４が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。この結果、より薄い膜厚として光透過性を保ちつつも、導電性が確保された透明導電体とすることができる。
【０１０７】
また、このような層を設けることにより、銀と硫黄原子の親和性が強くなり、かつ水の透過性を妨げるため銀の腐食が防止され、透明導電体の耐湿性を向上させることができるものと考えられる。
【０１０８】
〔硫化防止層〕
本発明に係る透明導電体は、第１高屈折率層と透明金属層との間に、亜鉛成分を含有した硫化防止層を有することが好ましい。
【０１０９】
硫化防止層としては、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物、金属又は半導体が使用でき、例えば、ＺｎＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯ等の亜鉛成分を含有した層であることが好ましく、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
【０１１０】
硫化防止層は、複数設けてもよく、透明基板に近い方を第１硫化防止層、遠い方を第２硫化防止層と呼ぶ。
【０１１１】
透明金属層とＺｎＳを含む第１高屈折率層とが隣接して成膜されると、透明金属層４の成膜時、透明金属層中の金属が硫化されて金属硫化物が生成し、透明導電体の光透過性が低下する場合がある。これに対し、第１高屈折率層３と透明金属層４との間に硫化防止層が含まれると、金属硫化物の生成が抑制される。また、第２高屈折率層に硫黄成分が含有される場合には、透明金属層４と第２高屈折率層５Ｂとの間にも硫化防止層を設けることも好ましい。
【０１１２】
金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３等が含まれる。
【０１１３】
金属フッ化物の例には、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が含まれる。
【０１１４】
金属窒化物の例には、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が含まれる。
【０１１５】
硫化防止層の層厚は、透明金属層４の成膜時に透明金属層４が硫化されることを防止可能な層厚であれば、特に制限されない。ただし、第１高屈折率層３に含まれるＺｎＳは、透明金属層４に含まれる金属との親和性が高い。そのため、硫化防止層の層厚が非常に薄いと、透明金属層４と第１高屈折率層３とが接する部分が生じ、各層同士の密着性が高まりやすい。つまり、硫化防止層は比較的薄いことが好ましく、０．１〜１０ｎｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．１〜５ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは０．１〜３ｎｍの範囲である。硫化防止層の層厚は、エリプソメーターで測定される。特にＺｎやＧａ金属が入った硫化防止層であれば耐湿性を劣化させず、また銀との相互作用も強いため好ましい。
【０１１６】
硫化防止層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。
【０１１７】
硫化防止層が、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。硫化防止層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１１８】
〔透明金属層〕
透明金属層４は、透明導電体１において電気を導通させるための層である。透明金属層４は、図１Ａ〜Ｃに記載のように透明基板２の全面に形成されていてもよいが、また、図２に示すように所定の形状にパターニングされていてもよい。
【０１１９】
本発明に係る透明金属層は、金属及び合金が材料として用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、銅、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ；酸化インジウム・スズ）等が挙げられる。
【０１２０】
中でも銀を主成分として含有することが好ましく、本発明でいう主成分とは、金属層の銀の含有比率が６０ａｔ％（原子％）以上であることをいう。好ましくは銀の含有比率は導電性の観点から９０ａｔ％以上でより好ましくは９５ａｔ％以上で、さらには透明電極が銀のみからなることが好ましい。
【０１２１】
銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン、白金、チタン、クロム等でありうる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属層の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。銀の合金として市販品を用いることもでき、一例としてＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を挙げることができる。
【０１２２】
透明金属層４のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。
【０１２３】
透明金属層４の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
【０１２４】
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをシンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置にて０．１ｎｍで形成する。白金パラジウムの平均厚さは、蒸着装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上に、真空蒸着法にて金属からなる層を２０ｎｍの層厚で形成する。
【０１２５】
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、吸収率（％）＝１００−（透過率＋反射率）（％）を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
【０１２６】
（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該透明金属層について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
【０１２７】
透明金属層４の層厚は４〜２０ｎｍの範囲内であることが好ましいが、４〜１０ｎｍの範囲内であることがより好ましく、さらに好ましくは３〜９ｎｍの範囲内であり、特に好ましくは５〜８ｎｍの範囲内である。透明導電体１では、透明金属層４の層厚が１０ｎｍ以下の場合、透明金属層４に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属層４の層厚が１０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂによって、透明導電体１の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属層４の層厚は、エリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
【０１２８】
透明金属層４は、いずれの形成方法で形成された層でもよいが、真空蒸着法若しくはスパッタ法で形成された層であることが好ましい。
【０１２９】
スパッタ法若しくは真空蒸着法であれば、平面性の高い透明金属層を、極めて速い形成速度で形成することができる。また、ＺｎＳを含有する高屈折率層の上に金属層を成膜する際、層の形成速度が速ければ、金属の硫化物が生成しにくいため、銀を主成分として含有する透明金属層の形成速度は０．３ｎｍ／秒以上とすることが好ましい。形成速度は０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内とすることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。また成膜時の温度は、−２５〜２５℃の範囲内であることが好ましい。
【０１３０】
スパッタ法として、対向ターゲットスパッタ法を用いることは、銀の平滑性を高めるため、また透明性と導電性が良好するため好ましい。
【０１３１】
また、透明金属層４が所望の形状にパターニングされた膜である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属層４は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。
【０１３２】
〔第２高屈折率層〕
第２高屈折率層５は、透明導電体１の導通領域ａ、つまり透明金属層４が形成されている領域の光透過性を調整するための層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。
【０１３３】
第２高屈折率層５は、透明導電体１の絶縁領域ｂに形成されてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【０１３４】
第２高屈折率層５は、透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する。第２高屈折率層５の波長５７０ｎｍの光の屈折率（２５℃、５５％ＲＨ環境下で測定）は、１．９〜２．１５の範囲内であることが、白色に見えて、骨みえ防止（不可視化）の観点から好ましい。
【０１３５】
第２高屈折率層５に含有される誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板２の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
【０１３６】
一方、第２高屈折率層５に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層５によって、透明導電体１の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。
【０１３７】
すなわち、第２高屈折率層に含まれる材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層によって、透明導電体の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。
【０１３８】
このような屈折率を透明導電体が有することにより、透明金属層に含有される金属、例えば銀による反射を相殺することができる。
【０１３９】
具体的には、基材と比較して、第１高屈折率層の屈折率が高いほど、基材と第１高屈折率層の界面での反射が高まるため、透明金属層に含有される銀から発生する反射を打ち消しやすくなる。
【０１４０】
また、第２高屈折率層も同様に屈折率が高いほど第２高屈折率層の表面で発生する反射が高まり、銀の反射光を相殺させることが可能になる。したがって高屈折率層の屈折率は基材の屈折率より高いほど望ましい。
【０１４１】
なお、第２高屈折率層５の屈折率は、第２高屈折率層５に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層５に含まれる材料の密度で調整される。
【０１４２】
第２高屈折率層５は、さらに、電気接続性を確保するために導電性をも有する層である。本発明において、良好な電気接続性を確保するためには、比抵抗が１０００Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましい。さらに好ましくは０．１Ω・ｃｍ以下であることが望ましい。このような構成とすることで、この第２高屈折率層５を通して外側に設けられた端子と、透明金属層との電気接続性が得られ、透明金属層を通して通電できるので、透明導電体の導電性が格段に向上する。
【０１４３】
第２高屈折率層５に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。
【０１４４】
当該誘電性材料又は酸化物半導体材料は、第１高屈折率層３に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料と同様の金属酸化物が挙げられる。
【０１４５】
第２高屈折率層５には、当該金属酸化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【０１４６】
第２高屈折率層５に含まれる材料は、上記した第１高屈折率層３に含まれる材料の中でも酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。中でも金属酸化物が好ましい。
【０１４７】
第２高屈折率層は、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する金属酸化物を含有することが好ましい。
【０１４８】
金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が含まれる。
【０１４９】
また、金属フッ化物を用いることもでき、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等を挙げることができる。
【０１５０】
また、金属窒化物を用いることもでき、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化クロム、窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化マグネシウム、窒化モリブデン、窒化リチウム、窒化チタン等を挙げることができる。
【０１５１】
中でも、第２高屈折率層５を構成する前記Ａ層が、原子番号４０以下の金属化合物を含有することが好ましく、中でも亜鉛成分を含有することが好ましい。当該亜鉛成分として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分として含有することが好ましく、前記Ｂ層が、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ５）又は酸化スズ（ＳｎＯ２）のいずれかを含有することが、屈折率、導電性、耐熱及び耐湿度安定性の観点から、好ましい。
【０１５２】
また、第２高屈折率層５は、少なくともガリウムを含有し、Ｇａ２Ｏ３を含有することが、より好ましい。
【０１５３】
第２高屈折率層５は、第２高屈折率層全体に対して、Ｇａ２Ｏ３を１〜３５質量％の範囲内で含有することが好ましい。つまり、第２高屈折率層５に、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３からなる複合酸化物（ＧＺＯ）のみが含有されている場合には、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比が９９〜２５：１〜３５であることを意味し、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３からなる複合酸化物以外にも含有されている場合には、ＺｎＯ及びその他含有されている材料とＧａ２Ｏ３の質量比が９９〜２５：１〜３５であることを意味する。
【０１５４】
さらに、第２高屈折率層５は、さらに、誘電性材料又は酸化物半導体材料やＳｉＯ２等を含有してもよい。
【０１５５】
また、第２高屈折率層５が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。
【０１５６】
第２高屈折率層５は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよい。また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１５７】
〔その他の構成層〕
（密着層）
本発明に係る透明導電体１には、透明基板と第１高屈折率層の密着改善のために透明基板上に密着層があってもよい。密着層は第１高屈折率層が透明基板としっかり密着するものであればよい。
【０１５８】
密着層は、誘電性材料、酸化物半導体材料、絶縁性又は導電性の材料を含有してもよい。
【０１５９】
誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物、金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。屈折率は限定されない。特に第１高屈折率層が蒸着法で成膜される場合、密着層があることが好ましい。これは、明確な作用機構は明らかになっていないが、スパッタ法で成膜した場合に比べて、蒸着法で成膜される方が成膜にかかるエネルギーが小さいため、密着性が透明基板と第１高屈折率層の材質による相性に左右されると考えている。
【０１６０】
例えば、ＳｉＯ２膜や、スパッタ法で成膜したＺｎＳ／ＳｉＯ２膜が挙げられる。層の厚さは特に制限されず、好ましくは０．０１〜１５ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは０．１〜３ｎｍの範囲内である。
【０１６１】
（下地層）
透明導電体１には、透明金属層４の形成時に成長核となる下地層が設けられてもよい。
【０１６２】
下地層は、透明金属層４より透明基板２側、かつ透明金属層４に隣接して形成された層、つまり、第１高屈折率層３と透明金属層４との間、又は硫化防止層６ａと透明金属層４との間に形成される層である。
【０１６３】
下地層は、少なくとも透明導電体の導通領域ａに形成されていることが好ましく、透明導電体１の絶縁領域ｂに形成されていてもよい。
【０１６４】
透明導電体１に下地層が設けられると、透明金属層４の層厚が薄くとも、透明金属層４の表面の平滑性が高まる。その理由は以下のとおりである。
【０１６５】
一般的な気相成膜法で透明金属層４の材料を、例えば第１高屈折率層３上に堆積させると、形成初期には、第１高屈折率層３上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、形成初期の層では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部がつながり、辛うじて導通する。しかし、塊同士の間にいまだ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、さらに形成が進むと、塊同士が完全につながって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、層の光透過性が低下する。
【０１６６】
これに対し、第１高屈折率層３上をマイグレートし難い金属からなる下地層が形成されていると、当該下地層を成長核として、透明金属層４が成長する。つまり、透明金属層４の材料がマイグレートし難くなり、前述の島状構造を形成せずに膜が成長する。その結果、層厚が薄くとも平滑な透明金属層４が得られやすくなる。
【０１６７】
ここで、下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウム、若しくはこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えばＺｎＳ）が含まれることが好ましい。下地層には、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【０１６８】
下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムの量は、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と透明金属層４との親和性が高まり、下地層と透明金属層４との密着性が高まりやすい。下地層にはパラジウム又はモリブデンが含まれることが特に好ましい。
【０１６９】
一方、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えばパラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等が挙げられる。
【０１７０】
下地層の層厚は、３ｎｍ以下であり、好ましくは０．５ｎｍ以下であり、より好ましくは単原子膜である。
【０１７１】
下地層は、透明基板１上に金属原子が互いに離間して付着している膜でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体１００の光透過性や光学アドミッタンスに影響を及ぼし難い。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の層厚は、形成速度と形成時間との積から算出される。
【０１７２】
下地層は、スパッタ法又は蒸着法で形成することができる。
【０１７３】
スパッタ法の例としては、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等が挙げられる。下地層形成時のスパッタ時間は、所望の下地層の平均層厚、及び形成速度に合わせて適宜選択される。スパッタ形成速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒の範囲内であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒の範囲内である。
【０１７４】
一方、蒸着法の例としては、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が挙げられる。蒸着時間は、所望の下地層の層厚及び形成速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒の範囲内であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒の範囲内である。
【０１７５】
下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１７６】
（低屈折率層）
本発明に係る透明導電体１には、第２高屈折率層５上に、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層（図示せず）を有していてもよい。低屈折率層は、透明導電体１の導通領域ａにのみ形成されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていてもよい。
【０１７７】
低屈折率層には、第１高屈折率層３及び第２高屈折率層５に含まれる誘電性材料又は酸化物半導材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、光の屈折率が低い誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、第１高屈折率層３及び第２高屈折率層５に含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。
【０１７８】
（第３高屈折率層）
本発明に係る透明導電体１には、第２高屈折率層上にさらに、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する第３高屈折率層が含まれてもよい。第３高屈折率層は、透明導電体１の導通領域ａにのみ成膜されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に成膜されていてもよい。
【０１７９】
第３高屈折率層には、前述の透明基板２の屈折率及び前記低屈折率層の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
【０１８０】
第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。
【０１８１】
誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第３高屈折率層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。
【０１８２】
なお、第３高屈折率層の屈折率は、第３高屈折率層に含まれる材料の屈折率や密度で調整される。
【０１８３】
第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物又は金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。金属酸化物又は金属硫化物の例には、前述の第１高屈折率層３又は第２高屈折率層５に含まれる金属酸化物又は金属硫化物等が含まれる。第３高屈折率層には、当該金属酸化物又は金属硫化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【０１８４】
第３高屈折率層の層厚は特に制限されず、好ましくは１〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２０ｎｍである。第３高屈折率層の層厚が上記範囲であると、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。第３高屈折率層の層厚は、エリプソメーターで測定される。
【０１８５】
第３高屈折率層の成膜方法は特に制限されず、第１高屈折率層３や第２高屈折率層５と同様の方法で成膜された層でありうる。
【０１８６】
〔透明導電体の物性〕
本発明に係る透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの平均光透過率（全光線透過率ともいう。）は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８４％以上であることが好ましく、より好ましくは８８％以上、さらに好ましくは９０％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均光透過率が８４％以上であると、広い波長範囲の光に対して光透過性が要求される用途、例えば太陽電池用の透明導電膜等にも本発明に係る透明導電体を適用することができる。平均光透過率は、ＪＩＳ  Ｋ７３７５：２００８に準拠して測定することができる。
【０１８７】
一方、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均光吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均光反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電体の平均光吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均光透過率が高まる。
【０１８８】
上記平均光透過率、平均光吸収率、及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下で測定した平均光透過率、平均光吸収率、及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して平均光透過率及び平均反射率測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均光透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率（％）は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
【０１８９】
また、透明導電体１が、図２に示すように導通領域ａ及び絶縁領域ｂを有する場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【０１９０】
また透明導電体１に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±２．０以内であることが好ましく、より好ましくはａ＊値が±０．５の範囲、ｂ＊値が±１．０の範囲である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±２．０であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計（ＣＭ−５；コニカミノルタ製）で測定される。
【０１９１】
透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗値は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層の層厚等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【０１９２】
〔パターニングされた電極を有する透明導電体の形成方法〕
本発明に係る透明導電体に対し、図２で示すような導通領域及び絶縁領域からなるパターンの形成方法について説明する。パターンの形成にあたっては、市販のレーザーエッチング装置（武井電機工業）などを用いることができる。波長は１０６４ｎｍ、５３２ｎｍ又は３５５ｎｍが特に望ましい。線幅は５〜３０μｍが望ましい。
【０１９３】
本発明に係る透明導電体においては、上記のような方法で透明基板上に、例えば、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で積層して製造した後、透明金属層を所定の形状にパターニングされた金属電極を形成することが好ましく、具体的には、フォトリソグラフィー法により、エッチング液を用いて、パターニングされた電極を形成することが好ましい。形成する電極の線幅としては、５０μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、２０μｍ以下である。
【０１９４】
《透明導電体の適用分野》
上記構成からなる本発明に係る透明導電体は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
【０１９５】
このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標とがそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。具体的には、波長５５０ｎｍの反射率が１％以下になるように透明導電体の表面のアドミッタンス座標を調整するのが好ましい。接着剤の屈折率は一般的に、大きく調整することが難しいためである。
【０１９６】
一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標とがそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。具体的には、波長５５０ｎｍの反射率が１％以下になるように透明導電体の表面のアドミッタンス座標を調整するのが好ましい。
【０１９７】
以下、本発明に係る透明導電体をタッチパネルに適用した一例を示す。
【０１９８】
図３は、パターニングされた電極を有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。
【０１９９】
図３に示すタッチパネル２１は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２１は、透明基板２−１及び２−２の一主面上に、第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２がこの順に配置され、この上部が前面板１３で覆われている。
【０２００】
第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２は、それぞれが、図２を用いて説明したパターニングされた電極が形成された透明導電体１である。したがって、第１の透明電極ユニットＥＵ−１は、透明基板２−１上に、第１高屈折率層３、第１硫化防止層６Ａ、透明金属層４、第２高屈折率層５をこの順で積層した構成である。第２の透明電極ユニットＥＵ−２も同様の構成である。
【０２０１】
本発明に係る透明導電体は、投影型静電容量式のタッチパネルに加え、種々の方式のタッチパネルのタッチセンサー（以下において、「タッチセンサー電極部」ともいう。）に適用され得る。例えば、表面型静電容量方式タッチパネル、抵抗膜式タッチパネルなどにおいても用いることができる。
【実施例】
【０２０２】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」又は「質量％」を表す。
【０２０３】
また、実施例に用いた酸化物の組成比を下に示す。
【０２０４】
ＧＺＯ  ：  Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１０：９０（質量％比）
ＺＳＳＯ：  Ｚｎ：Ｓ：Ｓｉ：Ｏ：Ｇａ：Ｉｎ＝３２．３：１７：０．７：３５：１０：５（ａｔ％）
ＩＧＺＯ：  Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（ａｔ％比）
ＳＧＺＯ：  Ｓ：Ｇａ：Ｚｎ＝０．７：６：９３．３（ａｔ％比）
ＺＩＳＯ：  Ｚｎ：Ｉｎ：Ｓｎ：Ｏ＝３２：１６：４：４８（ａｔ％）
ＩＴＯ  ：  Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９０：１０（質量％比）
ＡＰＣ−ＴＲ：Ａｇ合金（（株）フルヤ金属製）
また、層厚はスパッタ時間又は蒸着時間を調整することで調節した。
【０２０５】
実施例１
《透明導電体の作製》
〔透明導電体１０１の作製〕
透明基板として、ＰＥＴ／ＣＨＣ；株式会社きもと製クリアハードコート付きポリエチレンテレフタレートフィルム（Ｇ１ＳＢＦ  「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ：１２５μｍ、屈折率：１．５９）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺＳＳＯ）／硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層であるＡ層（ＧＺＯ）／Ｂ層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
【０２０６】
なお、以下に示す各層の層厚及び屈折率は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
【０２０７】
（第１高屈折率層（ＺＳＳＯ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度１２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．９０ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺＳＳＯをＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺＳＳＯは、ＺｎＳ、ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３を混合し、焼結させることで作製した。ＺＳＳＯ層に含有される硫黄成分の含有率は、１７ａｔ％とした。
【０２０８】
（硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、電力密度４Ｗ／ｃｍ２、成膜レート０．２５ｎｍ／秒でＧＺＯをＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＧＺＯ層の層厚は１ｎｍであった。
【０２０９】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．７ｎｍ／ｓで銀（以下、Ａｇと表記する。）を層厚が７ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２１０】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ／ＩＴＯ）の形成）
〈Ａ層の形成〉
透明金属層を形成したＰＥＴフィルムに、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２１１】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４３ｎｍ／秒の条件で、層厚が４０ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２１２】
このようにして、Ｂｐ／Ａｐが６．０であるＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体１を作製した。
【０２１３】
〔透明導電体１０２の作製〕
透明導電体１０１の作製において、Ｂ層をＡｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を２Ｗ／ｃｍ２にして、形成速度０．２４ｎｍ／秒の条件で、層厚が４０ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした以外は同様にして、透明導電体１０２を作製した。その際のＢｐ／Ａｐは１．０であった。
〔透明導電体１０３の作製〕
透明導電体１０１の作製において、Ａ層を、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．５０ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタし、かつＡ層及びＢ層を形成する間に、チャンバーを設け、Ｏ２を気圧が３Ｐａになるように当該チャンバー内に導入し、基材を５分間曝した以外は同様にして、透明導電体１０３を作製した。その際のＢｐ／Ａｐは１．０であった
〔透明導電体１０４の作製〕
透明導電体１０１の作製において、Ａ層及びＢ層を形成する間に、チャンバーを設け、Ｏ２を気圧が３Ｐａになるように当該チャンバー内に導入し、基材を５分間曝した以外は同様にして、透明導電体１０４を作製した。
【０２１４】
〔透明導電体１０５の作製〕
透明導電体１０１の作製において、Ａ層及びＢ層を形成する間に、チャンバーを設け、Ｏ２を気圧が１Ｐａになるように当該チャンバー内に導入し、基材を１０分間曝した以外は同様にして、透明導電体１０５を作製した。
【０２１５】
〔透明導電体１０６の作製〕
透明導電体１０１の作製において、Ａ層及びＢ層を形成する間に、空間を設けて大気に基材を１０分間曝した（表中、大気解放と表記。）以外は同様にして、透明導電体１０６を作製した。
【０２１６】
〔透明導電体１０７の作製〕
透明導電体１０１の作製において、Ａ層及びＢ層を形成する間に、チャンバーを設け、Ｈ２Ｏを気圧が３Ｐａになるように当該チャンバー内に導入し、基材を１０分間曝した以外は同様にして、透明導電体１０７を作製した。
【０２１７】
〔透明導電体１０８の作製〕
透明導電体１０１の作製において、Ａ層及びＢ層を形成する間に、チャンバーを設け、Ｏ２を気圧が３Ｐａになるように当該チャンバー内に導入し、基材を１０分間曝した以外は同様にして、透明導電体１０８を作製した。
〔透明導電体１０９の作製〕
透明導電体１０１の作製において、Ａ層及びＢ層を形成する間に、チャンバーを設け、大気を気圧が３Ｐａになるように当該チャンバー内に導入し、基材を１０分間曝した以外は同様にして、透明導電体１０９を作製した。
【０２１８】
〔透明導電体１１０の作製〕
透明導電体１０１の作製において、透明金属層を以下の方法で形成し、かつＡ層及びＢ層を形成する間に、チャンバーを設け、Ｎ２を気圧が３Ｐａになるように当該チャンバー内に導入し、基材を１０分間曝した以外は同様にして、透明導電体１１０を作製した。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲを層厚が７ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２１９】
〔透明導電体１１１の作製〕
透明導電体１１０の作製において、Ａ層及びＢ層を形成する間に、チャンバーを設け、Ａｒガスを気圧が３Ｐａになるように当該チャンバー内に導入し、基材を１０分間曝した以外は同様にして、透明導電体１１１を作製した。
【０２２０】
〔透明導電体１１２の作製〕
透明導電体１１１の作製において、第１高屈折率層を以下の条件で作製した以外は同様にして、透明導電体１１２を作製した。
【０２２１】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ／ＳｉＯ２）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度１２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．９０ｎｍ／ｓで、層厚が４０ｎｍとなるようＺｎＳ／ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ／ＳｉＯ２は、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合し、焼結させることで作製した。ＺｎＳ／ＳｉＯ２層に含有される硫黄成分の含有率は、２５ａｔ％とした。
【０２２２】
〔透明導電体１１３の作製〕
透明導電体１１０の作製において、第１高屈折率層を以下の条件で作製し、かつ第２高屈折率層のＡ層及びＢ層を形成する間に、オートクレープにて大気を気圧が５００Ｐａになるように調整し、基材を１５分間曝した以外は同様にして、透明導電体１１３を作製した。
【０２２３】
（第１高屈折率層（ＳｉＯ２／ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＳｉＯを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．９４ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚１ｎｍのＳｉＯ２層を形成した。ターゲット−基板間距離はいずれも８６ｍｍであった。
【０２２４】
次いで、真空蒸着装置として、相溶にシンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．９４ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚４０ｎｍのＺｎＳ層を形成した。ターゲット−基板間距離はいずれも８６ｍｍであった。
【０２２５】
〔透明導電体１１４の作製〕
透明導電体１１３の作製において、第２高屈折率層のＡ層及びＢ層を形成する間に、空間を設けて大気に基材を１０分間曝した以外は同様にして、透明導電体１１４を作製した。
〔透明導電体１１５の作製〕
透明導電体１１４の作製において、第２高屈折率層のＢ層をＢ１層及びＢ２層の２層形成とし、以下の条件で作製した以外は同様にして、透明導電体１１５を作製した。
【０２２６】
〈Ｂ１層の形成〉
Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４３ｎｍ／秒の条件で、層厚が１０ｎｍとなるようにＳＧＺＯをＤＣパルススパッタした。
【０２２７】
〈Ｂ２層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２にし、形成速度１．４３ｎｍ／秒の条件で、層厚が３０ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２２８】
このようにしてＡ／Ｂ１層／Ｂ２層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体を作製した。
【０２２９】
〔透明導電体１１６の作製〕
透明導電体１１５の作製において、第２高屈折率層のＢ１層を、以下の条件で作製した以外は同様にして、透明導電体１１６を作製した。
【０２３０】
〈Ｂ１層の形成〉
Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４３ｎｍ／秒の条件で、層厚が１０ｎｍとなるようにＩＧＺＯをＤＣパルススパッタした。
【０２３１】
〔透明導電体１１７の作製〕
透明導電体１１５の作製において、第２高屈折率層のＢ１層を、以下の条件で作製した以外は同様にして、透明導電体１１７を作製した。
【０２３２】
〈Ｂ１層の形成〉
Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４３ｎｍ／秒の条件で、層厚が１０ｎｍとなるようにＺＩＳＯをＤＣパルススパッタした。
【０２３３】
≪透明導電体の評価≫
上記作製した各透明導電体１０１〜１１７について、下記の各特性値の測定及び評価を行った。
【０２３４】
〔光透過性：全光線透過率の測定〕
全光線透過率は、２５℃、５５％ＲＨの条件下、光波長４００〜１０００ｎｍの範囲について、光透過率を分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定して、その平均値を求めて、比較例である透明導電体１０１の光透過率を１００として、それぞれの光透過率を相対値で表した。
【０２３５】
透明導電体の構成内容、及び評価結果を下記表１〜表３に示す。
【０２３６】
【表１】
2016110764.tif 000003
【０２３７】
【表２】
2016110764.tif 000004
【０２３８】
【表３】
2016110764.tif 000005
【０２３９】
表１〜表３より、本発明の透明導電体の製造方法によって製造された、透明導電体１０３〜１１７は、比較例である透明導電体１０１及び１０２に対して、高光透過性を有する優れた透明導電体であることが分かる。
また、比較例である透明導電体１０２は光透過率は向上するものの、低電流密度（２Ｗ／ｃｍ２）でＡ層及びＢ層をスパッタしたために、生産性が劣っていた。生産性とは第２高屈折率層である前記Ａ層及び前記Ｂ層を形成するスパッタ時間の合計が、１分以内を○、それ以上を×として評価した。
【符号の説明】
【０２４０】
１  透明導電体
２、２−１、２−２  透明基板
３  第１高屈折率層
４  透明金属層
５  第２高屈折率層
６Ａ  第１硫化防止層
６Ｂ  第２硫化防止層
１３  前面板
２１  タッチパネル
ａ  導通領域
ｂ  絶縁領域
ＥＵ、ＥＵ−１、ＥＵ−２  透明電極ユニット
【図１Ａ】
2016110764.tif 000006
【図１Ｂ】
2016110764.tif 000007
【図１Ｃ】
2016110764.tif 000008
【図２】
2016110764.tif 000009
【図３】
2016110764.tif 000010