(57)【要約】【課題】簡単な構造でバンチャー機能を達成可能な折り畳み軌道高周波電子加速器を提供する。【解決手段】折り畳み軌道高周波電子加速装置において、加速ギャップ２３とビーム入射器２４との間に配置された内部導体の一方２２ｂに切欠部３０が設けられ、切欠部３０内において第１回目の加速の前のビーム軌道上にバッチギャップ３１が形成され、加速ギャップ２３とバンチギャップ３１との間の距離、加速空洞共振器２０に与えられる加速高周波電圧及びビーム入射器２４の電子入射電圧は、加速ギャップ２３とバンチギャップ３１との間の高周波加速電圧の位相差が２７０度±ｎ×３６０度（ｎは整数）となるように、設定される。【選択図】図７
2016051640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの外部導体と一対の内部導体と該一対の内部導体の間に形成された加速ギャップとで構成される加速空洞共振器と、該加速空洞共振器の外部の両側に対向して設けられた複数の偏向磁石とを有し、前記加速空洞共振器の一端に配置されたビーム入射器から入射したビームを前記対向する偏向磁石によって１８０°偏向させながら加速空洞共振器内の加速ギャップを繰り返し通過させることによって折り畳み軌道に沿ってビームを加速して、前記加速空洞共振器の他端からビームを出射させる折り畳み軌道高周波電子加速装置において、前記加速ギャップと前記ビーム入射器との間に配置された前記内部導体の一方に切欠部が設けられ、該切欠部内において第１回目の加速の前のビーム軌道上にバッチギャップが形成され、前記加速ギャップと前記バンチギャップとの間の距離、前記加速空洞共振器に与えられる加速高周波電圧及び前記ビーム入射器の電子入射電圧は、前記加速ギャップと前記バンチギャップとの間の高周波加速電圧の位相差が２７０度±ｎ×３６０度（ｎは整数）となるように、設定されたことを特徴とする折り畳み軌道高周波電子加速装置。
【請求項２】
前記ビーム入射器の電子入射電圧が微調整可能であることを特徴とする請求項１に記載の折り畳み軌道高周波電子加速装置。
【請求項３】
１つの外部導体と一対の内部導体と該一対の内部導体の間に形成された加速ギャップとで構成される加速空洞共振器と、該加速空洞共振器の外部の両側に対向して設けられた複数の偏向磁石とを有し、前記加速空洞共振器の一端に配置されたビーム入射器から入射したビームを前記対向する偏向磁石によって１８０°偏向させながら加速空洞共振器内の加速ギャップを繰り返し通過させることによって折り畳み軌道に沿ってビームを加速して、前記加速空洞共振器の他端からビームを出射させる折り畳み軌道高周波電子加速装置の加速方法において、前記加速ギャップと前記ビーム入射器との間に配置された前記内部導体の一方に切欠部を設け、該切欠部内において第１回目の加速の前のビーム軌道上にバッチギャップを形成し、前記加速ギャップと前記バンチギャップとの間の距離、前記加速空洞共振器に与えられる加速高周波電圧及び前記ビーム入射器の電子入射電圧を、前記加速ギャップと前記バンチギャップとの間の高周波加速電圧の位相差が２７０度±ｎ×３６０度（ｎは整数）となるように、設定することによって前記加速ギャップの最大電圧に電子を収束させることを特徴とする加速方法。
【請求項４】
前記ビーム入射器の電子入射電圧を微調整することによって前記加速ギャップの最大電圧に電子を収束させることを特徴とする請求項３に記載の加速方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つの高周波共振器と外部の偏向磁石により、電子を一平面上で繰り返し高周波加速する高周波電子加速装置に関する。特に、本発明は、折り畳み軌道高周波電子加速装置、すなわち、１つの外部導体と一対の内部導体と該一対の内部導体の間に形成された加速ギャップとで構成される加速空洞共振器と、該加速空洞共振器の外部の両側に対向して設けられた複数の偏向磁石とを有し、前記加速空洞共振器の一端に配置されたビーム入射器から入射したビームを前記対向する偏向磁石によって１８０°偏向させながら加速空洞共振器内の加速ギャップを繰り返し通過させることによって折り畳み軌道に沿ってビームを加速して、前記加速空洞共振器の他端からビームを出射させる高周波電子加速装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記のような電子を一平面上で繰り返し高周波加速する高周波電子加速装置としてロードトロンがある。このロードトロンは、ＶＨＦ波を使用し、連続動作により大出力電子ビームの加速に成功した装置であるが、偏向磁石間の距離は高周波の波長にほぼ等しく、高いエネルギーの電子ビームを得るためには、高い周波数を使用しないとその距離を大きくしなければならない。また、円形の加速部を有する同軸型の共振空洞で構成されるため、使用エネルギーを変化させるためにビームを途中で引出すと、引出す偏向磁石ごとに方向がことごとく異なるので、照射設備の位置までビームを導く輸送系が複雑となる問題があった。
【０００３】
そこで、上記の問題を解決するために、上記折り畳み軌道高周波電子加速器が提案された（特許文献１）。この折り畳み軌道高周波電子加速器は、先にのべたロードトロンのビーム取り出しの欠点を避けるため約１００ＭＨｚのＶＨＦ帯の高周波源を使用し、単一加速空胴で電子を何度も加速し電力効率を向上させたものである。
【０００４】
図１〜図３は、折り畳み軌道高周波電子加速器の原理を示した図である。図１は電子ビームの軌道を含む平面で加速器の共振器の断面を見た水平断面図で、図２は図１のＸ−Ｘで共振器の中心軸に垂直に切ったＸＸ軸垂直断面図で、図３は図１の共振器をＹ−Ｙで切ったＹＹ軸垂直断面図である。共振器は、外部導体で構成される外殻１を有し、その内部にリッジ状の電極２ａ、２ｂを構成する内部導体が設けられ、その電極の間に加速ギャップ３が形成されている。電子銃４から打ち込まれた電子はビーム軌道５を通って加速ギャップ３で加速され、外殻１に設けられた窓９から外部導体の外に出て磁石６の磁場により１８０度向きを変えられ、再び窓９から加速ギャップ３に向かって打ち込まれる。これを繰り返すことによって電子は高いエネルギーに加速され、最後に加速を終了したビーム７として引出される。このように折り畳み軌道高周波電子加速器では、ビームが最初に加速ギャップ３を通過する初段加速からビームが最後に加速ギャップ３を通過する終段加速までに折り畳み軌道に沿って繰り返し加速ギャップ３を通過する。
【０００５】
繰り返し加速が、成立するには、加速ギャップを通過した電子が次のギャップに到達する時間が加速高周波の半周期の奇数倍でなければならない。電子のエネルギーが大きくなり、速度が光速に近くなれば半周期の間に飛ぶ距離は１／２波長にほぼ等しく一定だから、磁石の間の距離もほぼ一定に設定出来る。しかし初期の幾つかの軌道では電子の速度は光より小さいから、磁石の設定位置を軌道毎に変える必要がある。
【０００６】
異なるエネルギーを使用するときは、途中の磁石の磁場を０とすることにより低いエネルギーのビームを外部に取り出すことが出来る。図のビーム８ａの方向はビーム７と同じなので、簡単な磁石システムでビーム７と同じ照射位置へビーム８ａを導くことが出来る。もし全く異なる位置で使用する必要があれば、反対側の例えばビーム８ｂから引出せば良い。その様な使用例としては、一方では電子線照射を行ない、他方ではＸ線に変換してからその大きな透過力を利用する場合が挙げられる。大電力のＸ線発生標的には大容量の冷却設備が必要で、設置と取り外しに手間を要するから電子線照射システムと切り離すことが出来るほうが好都合である。
【０００７】
電子銃４から打ち込まれたビームは、加速ギャップ３による最初の加速を受ける前に速度変調により高周波電場の加速位相に集まっていることが望ましい。上記の折り畳み軌道高周波電子加速器においても、電子ビームを収束させるバンチャーと呼ばれる装置を電子銃４と加速ギャップ３の間に設置することが可能である。
【０００８】
バンチャーについて説明するために、まず、バンチャーが無い場合の電子の加速構造について説明する。図４の（ａ）に加速ギャップの高周波電圧、及びバンチャーが無い場合の電子の第１加速ギャップにおける加速状態（すなわち初段加速における加速状態）を示し、図４の（ｂ）に最終加速ギャップに到達した（すなわち終段加速における）電子の分布を示す。横軸は時間であり縦軸は高周波電圧分布または電子の電流分布を示す。図４の（ａ）は第１加速ギャップに入射された電子は加速位相にあれば全て加速され、減速位相にあれば追い返されて加速されない事を示している。また各高周波位相に入射した電子はその電圧のエネルギーを得た事を示している。図４の（ｂ）は最終加速ギャップに到達した電子の分布であるが、この様になる理由は偏向磁石によって低いエネルギーの電子は軌道を曲げられ、その後の加速ギャップに到達できないためである。このことは直流で入射された電子の１０％程度しか最終加速ギャップまで加速されない事を示している。また第２ギャップやその後のギャップで加速されなかった電子はそれなりのビーム負荷となり加速に必要な高周波電力を増加させる。さらに、これらの軌道を外れた電子は加速器の壁に衝突し、加速空胴を加熱するだけでなく、Ｘ線を発生しそれに対する遮蔽の負担が大きくなる。
【０００９】
次に、バンチャーを設置した場合の電子の加速構造について説明する。上記問題を解決する方法としてバンチャーを電子入射器と加速ギャップのビーム軌道上の適当な位置に設置する方法が知られている。図５にバンチャーの機能の原理図を示す。ここで横軸は時間（高周波位相）である。図５の（ａ）及び（ｂ）の縦軸はバンチャーと加速ギャップとの距離であり、またそれぞれの位置の高周波電圧を示す。また図５の（ａ）と（ｂ）の中間の直線は各時間の電子の位置を示す。図５の（ｃ）の縦軸はバンチャー通過後の加速ギャップ位置での電流及び入射直流電流（すなわちバンチャー無しの場合の直流電流）を示す。これらの図から判る様に、早く入射した電子（破線）はバンチャーの負電圧により減速され、遅く来た電子（点線）は正電圧により加速され、それぞれ加速ギャップ位置では加速電圧最大点に収束される。
【００１０】
以上述べた様に加速器にバンチャーを増設する事によって以下の様に加速器の性能が向上する。
（イ）入射電子が加速高周波電圧の最大電圧の位相に収束する。その結果電子ビームのエネルギー幅が狭くなる。従ってその後の通過効率も良くなる。
（ロ）上記と同様の理由により、電子銃の必要な電流がバンチャー無しに比べ数分の１に軽減される。
（ハ）軌道から外れる電子が減るため必要な高周波電力が減る。
（ニ）上記と同様の理由で加速器から発生するＸ線の量が減る。
（ホ）加速電子ビームのエネルギー分解能がよくなる。
【００１１】
次に、従来から使用されている通常のバンチャーの構成について説明する。図６に通常のバンチャーの構成のブロック図を示す。図６に示すように、入射器４１からの電子を、バンチャー４２のバンチャー空胴および高周波加速器４３の高周波加速空胴を順次通過させて、加速を行う構成が採られている。この場合には、バンチャー４２および加速器４３への高周波電力の供給は次のように行うようにしている。高周波信号発生器４４の出力を、高周波位相調整器４５ａ、４５ｂにてそれぞれ位相を調整してから、高周波増幅器（高周波振幅調整器）４６ａ、４６ｂにてそれぞれ電力増幅し、この増幅された高周波電力をバンチャー４２および高周波加速器４３にそれぞれ供給するようにしている。なお、これとは別に、高周波加速器４３の高周波加速空胴よりピックアップした高周波信号をバンチャーの位相調整器（高周波位相調整器４５ａ）へ供給するように構成する場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平１０−４１０９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
図６から判る様にバンチャーを構成するには通常の加速空胴と同じように、信号発生器（加速空胴と共用）、高周波位相調整器、出力安定化された高周波増幅器、バンチャー空胴が必要である。電力こそ加速空胴の１／１０００以下であるが、必要な機能は同じである。すなわちバンチャー電圧の安定化、加速空胴との位相の調節が必要である。このように、通常のバンチャーでは、高周波システムが余分に必要となり、価格も高くなり、操作も煩雑となる。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、簡単な構造でバンチャー機能を達成可能な折り畳み軌道高周波電子加速器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の１つの特徴によれば、１つの外部導体と一対の内部導体と該一対の内部導体の間に形成された加速ギャップとで構成される加速空洞共振器と、該加速空洞共振器の外部の両側に対向して設けられた複数の偏向磁石とを有し、前記加速空洞共振器の一端に配置されたビーム入射器から入射したビームを前記対向する偏向磁石によって１８０°偏向させながら加速空洞共振器内の加速ギャップを繰り返し通過させることによって折り畳み軌道に沿ってビームを加速して、前記加速空洞共振器の他端からビームを出射させる折り畳み軌道高周波電子加速装置において、前記加速ギャップと前記ビーム入射器との間に配置された前記内部導体の一方に切欠部が設けられ、該切欠部内において第１回目の加速の前のビーム軌道上にバッチギャップが形成され、前記加速ギャップと前記バンチギャップとの間の距離、前記加速空洞共振器に与えられる加速高周波電圧及び前記ビーム入射器の電子入射電圧が、前記加速ギャップと前記バンチギャップとの間の高周波加速電圧の位相差が２７０度±ｎ×３６０度（ｎは整数）となるように設定されたことを特徴とする折り畳み軌道高周波電子加速装置が提供される。
【００１６】
本発明の別の特徴によれば、前記折り畳み軌道高周波電子加速装置において、前記ビーム入射器の電子入射電圧が微調整可能であってもよい。
【００１７】
本発明の更に別の特徴によれば、１つの外部導体と一対の内部導体と該一対の内部導体の間に形成された加速ギャップとで構成される加速空洞共振器と、該加速空洞共振器の外部の両側に対向して設けられた複数の偏向磁石とを有し、前記加速空洞共振器の一端に配置されたビーム入射器から入射したビームを前記対向する偏向磁石によって１８０°偏向させながら加速空洞共振器内の加速ギャップを繰り返し通過させることによって折り畳み軌道に沿ってビームを加速して、前記加速空洞共振器の他端からビームを出射させる折り畳み軌道高周波電子加速装置の加速方法において、前記加速ギャップと前記ビーム入射器との間に配置された前記内部導体の一方に切欠部を設け、該切欠部内において第１回目の加速の前のビーム軌道上にバッチギャップを形成し、前記加速ギャップと前記バンチギャップとの間の距離、前記加速空洞共振器に与えられる加速高周波電圧及び前記ビーム入射器の電子入射電圧を、前記加速ギャップと前記バンチギャップとの間の高周波加速電圧の位相差が２７０度±ｎ×３６０度（ｎは整数）となるように、設定することによって前記加速ギャップの最大電圧に電子を収束させることを特徴とする加速方法が提供される。
【００１８】
本発明の更に別の特徴によれば、前記加速方法において、前記ビーム入射器の電子入射電圧を微調整することによって前記加速ギャップの最大電圧に電子を収束させてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、加速空胴内にバンチャーが内蔵されているので、通常のバンチャー同様に以下の様に加速器の性能を向上させることができる。
（イ）入射電子が加速高周波電圧の最大電圧の位相に収束する。その結果電子ビームのエネルギー幅が狭くなる。従ってその後の通過効率も良くなる
（ロ）上記と同様の理由により、電子銃の必要電流がバンチャー無しに比べ数分の１に軽減される。
（ハ） 軌道から外れる電子が減るため必要高周波電力が減る。
（ニ）上記と同様の理由で加速器から発生するＸ線の量が減る。
（ホ）加速電子ビームのエネルギー分解能がよくなる。
【００２０】
更に、上記の効果に加え本発明のバンチャーは以下の様な効果がある。
（１）外部にバンチャー用空胴が不要である。
（２）外部にバンチャー用高周波源が不要である。
（３）バンチャー空胴の電圧及び周波数安定化を必要としない。
（４）バンチャー電圧と加速ギャップ電圧の間の位相調整が不要である。
（５）入射電圧を調節するだけでビームがバンチする。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、折り畳み軌道高周波電子加速器の原理を示す概略図であって、電子ビームの軌道を含む平面で切った加速器の共振器の水平断面図である。
【図２】図２は、図１のＸ−Ｘで共振器の中心軸に垂直に切ったＸＸ軸垂直断面図である。
【図３】図３は、図１の共振器をＹ−Ｙで切ったＹＹ軸垂直断面図である。
【図４】図４は、バンチャーが無い場合の電子の加速構造の説明図であって、（ａ）は電子の第１加速ギャップにおける加速状態を示し、（ｂ）は最終加速ギャップに到達した電子の分布を示す。
【図５】図５は、バンチャーの機能の原理図であって、（ａ）及び（ｂ）は、バンチャーの位置から加速ギャップの位置までの電子の状態を示し、（ｃ）は入射直流電流及びバンチャー通過後の加速ギャップ位置での電流を示す。
【図６】図６は、従来の通常のバンチャー構成を有する高周波加速装置のブロック図である。
【図７】図７は、本発明のバンチャー構成を有する高周波加速装置の概略図である。
【図８】図８は、本発明の高周波加速装置に使用されるバンチャーを内蔵した加速空洞共振器の斜視図である。
【図９】図９は、図８の部分拡大図である。
【図１０】図１０は、電界計算プログラムによって求めたビーム軌道上の加速軸方向の高周波電界分布の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明のバンチャー構成を有する高周波電子加速装置の集中乗数による等価回路である。
【図１２】図１２は、計算器シミュレーションで求めたビームパンチ効果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図７は、本発明のバンチャー構成を有する高周波加速装置の概略図である。図７の高周波加速装置は、図１と同様な折り畳み軌道高周波電子加速器の共振器にパンチャー構造を内蔵したものである。
【００２３】
図７において、高周波電子加速装置の共振器２０は、外殻を構成する外部導体２１を有し、その内部にリッジ状の電極を構成する一対の内部導体２２ａ、２２ｂが設けられ、その電極の間に加速ギャップ２３が形成されている。電子銃（入射器）２４から打ち込まれた電子はビーム軌道２５を通って加速ギャップ２３で加速され、外殻に設けられた窓２９から外部導体２１の外に出て偏向磁石２６の磁場により１８０度向きを変えられ、再び窓２９から加速ギャップ２３に向かって打ち込まれる。これを繰り返すことによって電子は高いエネルギーに加速され、最後に加速を終了したビーム２７として引出される。
【００２４】
図７の高周波電子加速装置は、図１の高周波電子加速装置とは異なり、共振器２０の内部導体２２ｂに、切欠部３０が設けられている。この切欠部３０内には、入射器２４と、第１加速ギャップ（ビームが最初に通過する加速ギャップ２３の部分）と間の軌道上にバンチギャップ３１が形成されている。図８は、このようなパンチギャップが形成された具体例を示す共振器内部の斜視図であり、図９は、図８の部分拡大図である。図８には、図７と同様に、外部導体２１の内部に内部導体２２ａ、２２ｂが設けられている。そして内部導体２２ｂに切欠部３０が設けられ、その内部にバンチギャップ３１が形成されている。なお、図８及び図９の内部導体２２ａ、２２ｂには、図７のものと異なり、両端に幅が同一のバー３２が取り付けられているが、これは、そのカバーの長さと厚みの調整によって一様な電界部分布を得るためのものである。
【００２５】
この様に内部導体２２ｂに切欠部３０を設けるとその切欠部３０内部に、共振器２０の加速空胴内に発生した電磁場が漏れ込み、ビーム軌道上に電界を発生する。図１０に、電界計算プログラムによって求めたビーム軌道上の加速軸方向の高周波電界分布の一例を示す。図１０によりバンチギャップの電界は、加速ギャップの電界と逆方向を向いている事が判る。図１０において、横軸は、内部導体２２ｂにおける電子軌道位置すなわち図７の外部導体２１の下端部からの距離（ｍ）、縦軸は加速電界強度（相対値）である。
【００２６】
本発明のバンチャー構造を、集中定数回路（集中定数による等価回路）で表すと図１１のようになる。この集中定数回路は、前記切欠部３０のインダクタンスＬb と前記バンチギャップ３１の静電容量Ｃｂとの並列回路に、共振器２０の加速空洞内の加速ギャップ２３の静電容量Ｃ0 および内部導体（リッジ状電極）２２ａ、２２ｂのインダクタンスＬ０を直列に接続した回路である。図１１の集中定数回路において、前記バンチギャップ３１の静電容量Ｃｂの影響は、極めて小さい、すなわち、ｊωＬb≪１／（ＪｗＣｂ）（ここで、ｊは虚数、ωは高周波の角周波数である）なので無視すると、切欠部３０における高周波電圧（バンチ電圧）Ｖbは、高周波電流Ｉc と切欠部３０のインダクタンスＬb により、次式で与えられる。
【００２７】
【数１】
2016051640.tif 000003
【００２８】
すなわち、バンチ電圧Ｖbは、ｊωＬbに比例する。また、切欠部３０のインダクタンスＬb は、加速ギャップ２３の静電容量Ｃ0 に対して直列に接続され、バンチギャップ３１を励振する高周波電力は、共振器２０よりインダクタンス分割にて供給されることになる。図１１の回路から明らかなように、本発明の高周波加速装置では、バンチ電圧Ｖb は切欠部３０のインダクタンスＬb を変えることにより変えられるが、バンチ電圧Ｖb の位相は共振器２０の電圧の位相と常に逆位相となる。このように、電子線は、前記切欠部３０における高周波電圧（バンチ電圧）Ｖb にてバンチされ、その後に加速ギャップ２３において加速される。
【００２９】
図１０からわかるようにバンチギャップの電界は、加速ギャップの電界と逆方向を向いているので、入射電子が加速高周波電圧の最大電圧の位相に収束するためには、図５に示す様にバンチギャップ３１と加速ギャップ２３との間の高周波電圧の位相差は２７０度±ｎ×３６０度（ｎは整数）である必要がある。なお図５は２７０度の場合を示している。さらに入射電圧は、バンチギャップ３１から加速ギャップ２３までの電子走行時間を上記の角度になる様調整しなければならない。前記バンチギャップ３１から前記加速ギャップ２３までの電子走行距離は、電子の入射エネルギ（速さ）と加速用の高周波周波数によって決まるので、これらの値を、バンチギャップ３１と加速ギャップ２３との間の高周波電圧の位相差が２７０度±ｎ×３６０度（ｎは整数）であるという条件を満たすように、設定することにより、入射電子が加速高周波電圧の最大電圧の位相に収束するようにすることができる。
【００３０】
そこで、加速周波数１００ＭＨｚ、バンチギャップと加速ギャプの間の距離４４ｃｍ、電子入射電圧１０ｋＶの場合のビームバンチ効果を計算機でシミュレーションした。その結果を図１２に示す。図１２において、横軸は時間（高周波位相）、縦軸は直流入射電流１００ｍＡの時の相対電流値、そしてパラメータは、バンチ電圧Ｖｂ（ＲＦ）であって、ＲＦ＝０ｋＶ、ＲＦ＝３．５ｋＶ、ＲＦ＝４ｋＶ、ＲＦ＝４．５ｋＶの場合における加速ギャップ位置の電流変化を示している。ここでバンチギャップと加速ギャップとの間の距離と入射電圧は前記の条件を満たしている。また縦軸の電流値は横軸を１０度間隔のステップで計算したものである。この図より、バンチ電圧Ｖｂ＝４ｋＶの時、直流電流の約１０倍の電流が位相角度１０度の間に収束している事が判る。
【００３１】
バンチ電圧（すなわち切欠部３０における高周波電圧）Ｖｂは、切欠部３０のインダクタンスＬｂに比例する。そして、この切欠部３０のインダクタンスＬｂは、切欠部の構造に基づく。そこで、上記の実施形態では、所望のバンチ電圧Ｖｂ＝４ｋＶを得るように切欠部３０の構造を設定することができる。本発明では、切欠部３０の構造として様々な構造を使用できる。実際には、様々な切欠部の構造について、電界計算プログラムによって加速空洞内の電界分布を求めることによって、その構造を決定することができる。
【符号の説明】
【００３２】
１、２１  外部導体（外殻）
２ａ、２ｂ、２２ａ、２２ｂ  内部導体（電極）
３、２３  加速ギャップ
４、２４  入射器（電子銃）
５、２５  ビーム軌道
６、２６  偏向磁石
７、８ａ、８ｂ、２７  ビーム
９  窓
３０  切欠部
３１  バンチギャップ
４１  入射器
４２  バンチャー
４３  高周波加速器
４４  高周波信号発生器
４５ａ、４５ｂ  高周波位相調整器
４６ａ、４６ｂ  高周波増幅器
Ｌｂ  切欠部インダクタンス
Ｃｂ  バンチギャップ静電容量
Ｃ０  加速ギャップ静電容量
Ｌ０  内部導体（リッジ状電極）インダクタンス
Ｉｃ  加速空洞高周波電流
【図１】
2016051640.tif 000004
【図２】
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【図３】
2016051640.tif 000006
【図４】
2016051640.tif 000007
【図５】
2016051640.tif 000008
【図６】
2016051640.tif 000009
【図７】
2016051640.tif 000010
【図８】
2016051640.tif 000011
【図９】
2016051640.tif 000012
【図１０】
2016051640.tif 000013
【図１１】
2016051640.tif 000014
【図１２】
2016051640.tif 000015