(57)【要約】【課題】ウォーターマークなどの微細な異物が基板の裏面に付着することを十分に抑制できる基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体を提供する。【解決手段】基板処理方法は、（Ａ）基板を疎水化するための処理ガスの存在下、基板を加熱することによって基板の表面に疎水化膜を形成すること、（Ｂ）上記（Ａ）工程の実施により基板の裏面に形成された疎水化膜を除去することを含む。基板処理装置は、基板の表面に疎水化膜を形成する疎水化膜形成部と、疎水化膜形成部における処理によって基板の裏面に形成された疎水化膜を除去する疎水化膜除去部とを備える。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）基板を疎水化するための処理ガスの存在下、前記基板を加熱することによって前記基板の表面に疎水化膜を形成すること、
（Ｂ）前記（Ａ）工程の実施により前記基板の裏面に形成された疎水化膜を除去すること、
を含む基板処理方法。
【請求項２】
前記（Ｂ）工程後、（Ｃ）前記基板の裏面に液体を接触させることを更に含む、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記（Ｃ）工程は、水を使用して前記基板の裏面を洗浄することである、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記（Ｃ）工程は、前記基板の表面に形成されたレジスト膜を液浸露光することである、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記（Ｂ）工程において、前記基板の裏面に疎水化膜除去用の液体を供給する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記疎水化膜除去用の液体は、アルカリ性の処理液である、請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記疎水化膜除去用の液体は、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、アンモニア過水、水酸化カリウム水溶液又はこれらの２種以上の混合液である、請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記（Ｂ）工程において、前記基板の裏面に紫外線を照射する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項９】
基板の表面に疎水化膜を形成する疎水化膜形成部と、
前記疎水化膜形成部における処理によって前記基板の裏面に形成された疎水化膜を除去する疎水化膜除去部と、
を備える、基板処理装置。
【請求項１０】
前記疎水化膜除去部は、前記基板の裏面に疎水化膜除去用の液体を供給するノズルを有する、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記疎水化膜除去部は、前記基板の裏面に紫外線を照射する光源を有する、請求項９又は１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理方法を装置に実行させるプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体を製造するプロセスは、ウェハ（基板）の表面にエッチング用のレジストパターンを形成する工程を有する。レジストパターンは、基板の表面に形成されたレジスト膜を露光及び現像することで形成される。レジストパターンの剥離又は倒れを防止するため、レジスト膜は基板の表面に対して密着している必要がある。レジスト膜と基板との高い密着性を確保するため、レジスト膜を形成する前にウェハ表面を疎水化処理することが行われている。
【０００３】
基板表面を疎水化するための化合物としてＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン、（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）が知られている。基板の表面のみを疎水化すること、すなわち基板の表面に疎水化膜を形成する一方、基板の裏面に疎水化膜を全く形成しないことは困難である。通常、基板の裏面側にＨＭＤＳガスが回り込むことによって裏面の一部（特に裏面の周縁部）にも疎水化膜が形成される。特許文献１は、処理室へのＨＭＤＳガスの供給量と処理室からの排気量との差をパージガスで調節することにより処理室が負圧になることを防止し、これによってウェハ裏面へのＨＭＤＳガスの回り込みを抑制することを開示する（特許文献１段落［００４５］参照）。特許文献２は、疎水化処理後のウェハ裏面に洗浄液（例えば純水）を供給しながら洗浄ブラシでウェハの裏面を洗浄することを開示する（特許文献２段落［００３５］参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−３２８７８号公報
【特許文献２】特開２０１０−２８７６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、基板裏面の疎水化膜が形成された部分に液体（特に水）が接触すると、その部分に図１のＳＥＭ写真に示されたような微細な異物が発生しやすいことを見出した。これらの異物は基板表面に形成されたレジスト膜を露光する際、焦点距離にずれ（デフォーカス）が生じる原因となり得る。すなわち、基板の裏面と、露光機のステージとの間に異物が介在すると、基板を水平に保持することができなかったり、基板がステージ上でガタついたりして、露光を十分適切に実施できないおそれがある。また露光機のステージに異物が堆積すればデフォーカスの問題が顕著となるおそれがある。
【０００６】
図２はエネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）による上記異物の元素分析結果の一例である。この例は異物がＳｉ原子とＯ原子からなることを示している。この異物はシリコンが酸素と水に接することで生じたもの、すなわち、酸化したシリコンが水に溶解し、乾燥後に残渣として析出したウォーターマーク（水垢）であると推察される。
【０００７】
本開示は、ウォーターマークなどの微細な異物が基板の裏面に付着することを十分に抑制できる基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示に係る基板処理方法は、（Ａ）基板を疎水化するための処理ガスの存在下、基板を加熱することによって基板の表面に疎水化膜を形成すること、（Ｂ）上記（Ａ）工程の実施により基板の裏面に形成された疎水化膜を除去することを含む。
【０００９】
上記基板処理方法によれば、（Ａ）工程において基板の裏面側に不可避的に形成された疎水化膜を（Ｂ）工程において除去することができる。したがって、（Ｂ）工程後、基板の裏面に液体（特に水）を接触させる工程（（Ｃ）工程）を更に実施しても、基板の裏面に疎水化膜が形成されていることに起因するウォーターマークなどの微細な異物が基板の裏面に付着することを十分に抑制できる。
【００１０】
上記（Ｃ）工程の具体例は、水を使用して基板の裏面を洗浄すること、あるいは、基板の表面に形成されたレジスト膜を液浸露光することである。なお、上記基板処理方法は、（Ｂ）工程後、水を使用して基板の裏面を洗浄すること、更にその後に、基板の表面に形成されたレジスト膜を液浸露光することを更に含んでもよい。
【００１１】
基板裏面に形成された疎水化膜を除去するため、上記（Ｂ）工程において、基板の裏面に疎水化膜除去用の液体を供給してもよいし、基板の裏面に紫外線を照射してもよい。あるいは、上記液体の供給と紫外線の照射とを併用してもよい。疎水化膜除去用の液体として例えばアルカリ性の処理液を使用できる。アルカリ性の処理液の具体例として、アルカリ現像液（ＴＭＡＨ：水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）、アンモニア過水、水酸化カリウム水溶液及びこれらの２種以上の混合液が挙げられる。
【００１２】
本開示に係る基板処理装置は、基板の表面に疎水化膜を形成する疎水化膜形成部と、疎水化膜形成部における処理によって基板の裏面に形成された疎水化膜を除去するように構成された疎水化膜除去部とを備える。
【００１３】
上記基板処理装置によれば、疎水化膜形成部による処理によって基板の裏面側に不可避的に形成された疎水化膜を疎水化膜除去部による処理によって除去することができる。したがって、疎水化膜除去部による処理の後、基板の裏面に液体（特に水）を接触させる工程を更に実施しても、基板の裏面にウォーターマークが付着するのを十分に抑制できる。
【００１４】
上記疎水化膜除去部は、基板の裏面に疎水化膜除去用の液体を供給するノズルを有してもよいし、基板の裏面に紫外線を照射する紫外線の光源を有してもよいし、これら両方を有してもよい。
【００１５】
本開示に係る記録媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
【発明の効果】
【００１６】
本開示によれば、ウォーターマークなどの微細な異物が基板の裏面に付着することを十分に抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は基板の裏面に付着した異物の例（ウォーターマーク）の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図２】エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）による異物の元素分析結果の一例である。
【図３】基板処理システムの一例を模式的に示す斜視図である。
【図４】図３中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】図４中のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】図４中のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。
【図７】疎水化処理ユニット（疎水化膜形成部）の一例を模式的に示す縦断面図である。
【図８】裏面処理ユニット（疎水化膜除去部）の一例を模式的に示す平面図である。
【図９】図８に示す裏面処理ユニットの縦断面図である。
【図１０】裏面処理ユニットの他の例を模式的に示す縦断面図である。
【図１１】裏面処理ユニットの他の例を模式的に示す縦断面図である。
【図１２】裏面処理ユニットの他の例を模式的に示す平面図である。
【図１３】（ａ）はウェハの表面に疎水化膜を形成したことに伴ってウェハの裏面の周縁部にも疎水化膜が付着した状態を模式的に示す断面図であり、（ｂ）はウェハ裏面の疎水化膜を除去した後の状態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１９】
＜基板処理システム＞
まず、図３〜図６を参照しながら基板処理システム１について説明する。基板処理システム１は、塗布現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、レジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線又は極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）が挙げられる。
【００２０】
塗布現像装置（基板処理装置）２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。本実施形態において、ウェハＷは円板状を呈するが、円形の一部が切り欠かれていたり、多角形などの円形以外の形状を呈するウェハを用いてもよい。ウェハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。
【００２１】
図３〜図６に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。
【００２２】
キャリアブロック４は、キャリアステーション１２と搬入搬出部１３とを有する。搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２と処理ブロック５との間に介在する。キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを密封状態で収容し、ウェハＷを出し入れするための開閉扉（不図示）を側面１１ａ側に有する（図５，６参照）。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２上の複数のキャリア１１にそれぞれ対応する複数の開閉扉１３ａを有する。側面１１ａの開閉扉と開閉扉１３ａとを同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００２３】
処理ブロック５は、ＢＣＴモジュール（下層膜形成モジュール）１４と、ＣＯＴモジュール（レジスト膜形成モジュール）１５と、ＴＣＴモジュール（上層膜形成モジュール）１６と、ＤＥＶモジュール（現像処理モジュール）１７とを有する。これらのモジュールは、床面側からＤＥＶモジュール１７、ＢＣＴモジュール１４、ＣＯＴモジュール１５、ＴＣＴモジュール１６の順に並んでいる。
【００２４】
ＢＣＴモジュール１４はウェハＷの表面上に下層膜（例えば反射防止膜）を形成するためのものであり、図５に示すように、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、疎水化処理ユニット（疎水化膜形成部）Ｕ５と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ２とを内蔵している。塗布ユニットＵ１は下層膜形成用の塗布液をウェハＷの表面に塗布するように構成されている。熱処理ユニットＵ２は、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。ＢＣＴモジュール１４において行われる熱処理の具体例としては、下層膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。疎水化処理ユニットＵ５は、反射防止膜が形成されたウェハＷの表面の疎水化処理を行うように構成されている。疎水化処理ユニットＵ５については後述する。
【００２５】
ＣＯＴモジュール１５は、下層膜上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜を形成するように構成されている。ＣＯＴモジュール１５は、複数の塗布ユニット（不図示）と、複数の熱処理ユニット（不図示）と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している（図４参照）。塗布ユニットは、レジスト膜形成用の処理液（レジスト剤）を下層膜の上に塗布するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。ＣＯＴモジュール１５において行われる熱処理の具体例としては、レジスト膜を硬化させるための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）が挙げられる。
【００２６】
ＴＣＴモジュール１６は、レジスト膜上に上層膜を形成するように構成されている。ＴＣＴモジュール１６は、複数の塗布ユニット（不図示）と、複数の熱処理ユニット（不図示）と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ４とを内蔵している（図４参照）。塗布ユニットは、上層膜形成用の塗布液をウェハＷの表面に塗布するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。ＴＣＴモジュール１６において行われる熱処理の具体例としては、上層膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。
【００２７】
ＤＥＶモジュール１７は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されている。ＤＥＶモジュール１７は、図６に示すとおり、複数の現像ユニットＵ３と、複数の熱処理ユニットＵ４と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットを経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６（図４参照）とを内蔵している。現像ユニットＵ３は、レジスト膜を部分的に除去してレジストパターンを形成するように構成されている。熱処理ユニットＵ４は、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。ＤＥＶモジュール１７において行われる熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。
【００２８】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている（図４〜６参照）。棚ユニットＵ１０は、床面からＴＣＴモジュール１６に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。
【００２９】
処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている（図４〜６参照）。棚ユニットＵ１１は床面からＤＥＶモジュール１７の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００３０】
インターフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８と、裏面処理ユニット（疎水化膜除去部）３０Ａとを備え、露光装置３に接続されている（図６参照）。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１から裏面処理ユニット２０にウェハＷを搬送した後、そのウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。インターフェースブロック６は、ＣＯＴモジュール１５（成膜部）及び露光装置３の間に介在する中継部に相当する。裏面処理ユニット３０Ａは、ウェハＷの裏面Ｗｂの周縁部に付着している疎水化膜を除去するためのものである。裏面処理ユニット３０Ａについては後述する。なお、裏面処理ユニット３０Ａの位置はインターフェースブロック６内に限定されるものではなく、例えばＢＣＴモジュール１４内であってもよい。
【００３１】
通信部２００は、露光装置３との間でデータ通信を行うために用いられる。制御部１００は１又は複数の制御用コンピュータにより構成され、塗布現像装置２を制御するために用いられる。制御部１００は、各処理の条件設定画面を表示する表示部（不図示）と、各処理の条件を入力する入力部（不図示）と、コンピュータ読み取り可能な記録媒体からプログラムを読み取る読取部（不図示）とを有する。記録媒体は、塗布現像装置２に基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録している。このプログラムが制御部１００の読取部によって読み取られる。記録媒体としては、例えばハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリーカード等が挙げられる。制御部１００は、入力部に入力された各処理の条件と、読取部により読み取られたプログラムとに応じて塗布現像装置２を制御する。
【００３２】
〔疎水化処理ユニット〕
図７は疎水化処理ユニットＵ５の一例を模式的に示す縦断面図である。図７に示すとおり、疎水化処理ユニットＵ５は、処理室２１と、処理室２１内に配置された熱板２３と、熱板２３の上方においてウェハＷを上下動させる複数のピン２５とを備える。処理室２１は上蓋２１ａとベース２１ｂとによって構成される。上蓋２１ａはウェハＷの表面Ｗａを疎水化するためのガス（ＨＭＤＳガス）の供給口２１ｃを有する。上蓋２１ａは開閉駆動部（不図示）によって開閉され、開放された状態においてピン２５を介して熱板２３と搬送アームＡ２との間でウェハＷの受け渡しが行われる。図７に示すとおり、疎水化処理ユニットＵ５は処理室２１内のガスを排気する排気ポンプ２６と、ＨＭＤＳガスの供給源２７とを更に備える。ＨＭＤＳガスが存在する雰囲気下、熱板２３によってウェハＷを加熱することでウェハＷの表面Ｗａにシリル基が結合し、これにより表面Ｗａに疎水化膜（シリル化膜）Ｓａが形成される。このときウェハＷの裏面Ｗｂにガスが回り込み、裏面Ｗｂの周縁部にも疎水化膜Ｓｂが形成される（図１３の（ａ）参照）。
【００３３】
〔裏面処理ユニット〕
図８及び図９を参照しながら、裏面処理ユニット３０Ａについて説明する。これらの図に示すように、裏面処理ユニット３０Ａは、疎水化膜Ｓｂ除去用の液体（以下、「除去液」という。）をウェハＷの裏面Ｗｂに供給するためのノズルＮを備える。より具体的には、裏面処理ユニット３０Ａは、略矩形状で上面が開口しているベースカップ３１と、受け渡しアームＡ８（図６参照）から受け取ったウェハＷを略水平に吸着保持するスピンチャック３２と、ウェハＷの裏面Ｗｂに除去液を供給するためのノズルＮとを備える。除去液として、例えばアルカリ性の処理液を使用できる。アルカリ性の処理液の具体例として、アルカリ現像液（ＴＭＡＨ：水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）、アンモニア過水、水酸化カリウム水溶液及びこれらの２種以上の混合液が挙げられる。なお、除去液として、オゾン水、硫酸過水（ＳＰＭ）又はフッ酸を使用してもよい。
【００３４】
図９に示すように、スピンチャック３２は、回転軸３４を介してスピンチャックモータ３５によって回転する。スピンチャック３２及び回転軸３４の側方には、昇降ピン３６が設けられており、昇降ピン３６の下部に昇降ピン３６を昇降させる昇降部３７が設けられている。昇降ピン３６の先端部がウェハＷの裏面と当接し、これによってウェハＷを支持する。昇降ピン３６と受け渡しアームＡ８が協働することによって受け渡しアームＡ８とスピンチャック１０との間でウェハＷの受け渡しを行う。
【００３５】
スピンチャック３２及び昇降ピン３６の周囲には、ウェハＷの裏面Ｗｂに供給された除去液が内方側（スピンチャック３２側）へ進入することを防止するためのガード４１が設けられている。ガード４１は、ベースカップ３１の底部から上方に向けて立ち上がるように伸びる円筒形をしており、このガード４１の内部にスピンチャックモータ３５と昇降部３７とが設置されている。
【００３６】
ベースカップ３１の上方には、上カップ３８が設けられており、ウェハＷは上カップ３８の上開口部３８ａから上カップ３８内に搬入されてスピンチャック３２に吸着保持される。またスピンチャック３２に吸着保持されたウェハＷは、その周囲を上カップ３８によって覆われる。これにより、処理時において裏面処理ユニット３０Ａの外部に除去液が飛散することを防止できる。なお、裏面処理ユニット３０Ａは、図９に示すとおり、ベースカップ３１内に溜まった除去液を排出するためのドレインポート４４と、ベースカップ３１内の気体を排気する排気口４５と、排気口４５に廃液が流入するのを防止するためのカバー４６とを有する。
【００３７】
上カップ３８内におけるウェハＷの載置領域の下方側には、ノズルＮが配置されている。ノズルＮは、除去液を収容したタンクＴに配管Ｌを介して接続されている。ノズルＮからウェハＷの裏面Ｗｂに向けて除去液を噴射される。これにより、ウェハＷの裏面Ｗｂの周縁部Ｗｃに付着した疎水化膜Ｓｂが除去される（図１３の（ｂ）参照）。
【００３８】
〔裏面処理ユニットの他の態様〕
裏面処理ユニットはウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄するためのブラシを更に備えてもよい。図１０に示す裏面処理ユニット３０Ｂは、ノズルＮと、ウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄するためのブラシＢとを備える。かかる構成を採用することにより、まず、ノズルＮからウェハＷの裏面Ｗｂに除去液を供給することによって疎水化膜Ｓｂを除去し、その後、ウェハＷの裏面Ｗｂに水（例えば脱イオン水）を供給しながらブラシＢで洗浄することができる。ブラシＢはノズルＮとともに上カップ３８内に配置されている。ウェハＷの裏面Ｗｂへの水の供給にノズルＮを使用してもよいし、別のノズルを使用してもよい。
【００３９】
裏面処理ユニット３０Ｂは、ブラシＢの下部に、ブラシＢ回転させるモータ５１と、ブラシＢとモータ５１とを連結する回転軸５２とを備えており、ブラシＢはモータ５１の駆動力により回転する。モータ５１は、アーム５３の一端部に積載されている。アーム５３は、ベースカップ３１の外側からベースカップ３１内に向けて水平に伸び、ベースカップ３１と上カップ３８との間の領域で鉛直下方に伸び、その後上カップ３８の下端と干渉しないように上カップ３８内に向けて略水平に伸びる形状をしている。上カップ３８内にあるアーム５３の一端部にモータ５１が積載され、ベースカップ３１の外側にあるアーム３３の他端部には、アーム５３を旋回させる旋回モータ５４が設けられている。旋回モータ５４の駆動力によりアーム５３は旋回し、ブラシＢの位置をウェハＷのエッジ部側とウェハＷの中央部側との間で移動させる。
【００４０】
図１１に示す裏面処理ユニット３０Ｃは、ウェハＷの裏面Ｗｂに除去液を供給するノズルＮの代わりに、ウェハＷの裏面Ｗｂに向けて紫外線を照射する光源ＵＶを備える。裏面処理ユニットがウェハＷを回転させる機構を具備しない場合、ウェハＷの裏面Ｗｂの周縁部に紫外線を照射できるように、紫外線の光源ＵＶを環状に配置すればよい（図１２に示す裏面処理ユニット３０Ｄ参照）。
【００４１】
〔ウェハＷの処理方法〕
本実施形態に係る処理方法は以下の工程を備える。
（Ａ）ウェハＷを疎水化するための処理ガスの存在下、ウェハＷを加熱することによってウェハＷの表面Ｗａに疎水化膜Ｓａを形成すること（図１３の（ａ）参照）。
（Ｂ）上記（Ａ）工程の実施によりウェハＷの裏面Ｗｂの周縁部Ｗｃに形成された疎水化膜Ｓｂを除去すること（図１３の（ｂ）参照）。
【００４２】
上記（Ａ）工程において、ウェハＷの表面Ｗａに疎水化膜Ｓａを形成すると、図１３の（ａ）に示すとおり、ウェハＷの裏面Ｗｂの周縁部に不可避的に疎水化膜Ｓｂが形成される。上記（Ｂ）工程は、（Ａ）工程によってウェハＷの裏面Ｗｂ側に形成された疎水化膜Ｓｂを除去する工程である。（Ｂ）工程で疎水化膜Ｓｂを除去し、ウェハＷの裏面Ｗｂを親水性が高い状態に戻すことで、その後、ウェハＷの裏面Ｗｂに液体（特に水）を接触させる工程（（Ｃ）工程）を更に実施しても、ウェハＷの裏面Ｗｂに疎水化膜Ｓｂが存在していることに起因するウォーターマークなどの微細な異物が基板裏面に付着することを十分に抑制できる。
【００４３】
上記（Ｃ）工程の具体例は、水（例えば脱イオン水）を使用してウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄すること、あるいは、ウェハＷの表面Ｗａに形成されたレジスト膜を液浸露光することである。裏面Ｗｂの疎水化膜Ｓｂを除去するため、上記（Ｂ）工程において、ウェハＷの裏面Ｗｂに疎水化膜除去用の液体を供給してもよいし（図８〜１０参照）、ウェハＷの裏面Ｗｂに紫外線を照射してもよい（図１１，１２参照）。あるいは、上記液体の供給と紫外線の照射とを併用してもよい。
【００４４】
以上、実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、上記実施形態においては、疎水化処理用のガスとしてＨＭＤＳの蒸気を含むガスを例示したが、基板の材質に応じて適した処理ガスを選択すればよい。ＨＭＤＳの蒸気以外の処理ガスとして、ＴＭＳＤＭＡ（Ｎ−（トリメチルシリル）ジメチルアミン）の蒸気などが挙げられる。
【符号の説明】
【００４５】
２…塗布現像装置（基板処理装置）、Ｕ５…疎水化処理ユニット（疎水化膜形成部）、３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ…裏面処理ユニット（疎水化膜除去部）、Ｎ…ノズル、Ｓａ，Ｓｂ…疎水化膜、ＵＶ…紫外線の光源、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗａ…ウェハの表面、Ｗｂ…ウェハの裏面。
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１】
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【図２】
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