(57)【要約】【課題】レジストパターンの剥離性に優れ、形状の精度に優れる導電パターンを得られるプリント配線板の製造方法及びプリント配線板を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係るプリント配線板の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムの少なくとも一方の面側にセミアディティブ法により導電パターンを積層するプリント配線板の製造方法であって、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層したレジストパターンを加熱する工程を備える。上記ベースフィルムの他方の面側にも上記一方の面側と同様の工程で導電パターンを積層するとよい。上記加熱工程における加熱温度としては１００℃以上２００℃以下が好ましい。上記加熱工程における加熱時間としては５分以上６０分以下が好ましい。【選択図】図１Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有するベースフィルムの少なくとも一方の面側にセミアディティブ法により導電パターンを積層するプリント配線板の製造方法であって、
上記ベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層したレジストパターンを加熱する工程を備えるプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
上記ベースフィルムの一方の面側に導電性下地層を積層する工程と、
この導電性下地層の一方の面に光硬化型樹脂組成物によりレジスト膜を積層する工程と、
このレジスト膜への露光及び現像により上記導電パターンの反転形状のレジストパターンを形成する工程と、
このレジストパターンの開口部の導電性下地層上にメッキにより導電パターンを充填する工程と、
上記レジストパターン及びその底部の導電性下地層を除去する工程と
を備え、
上記加熱工程を、レジストパターン形成工程後かつ導電パターン充填工程前に行う請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
上記ベースフィルムの他方の面側にも上記一方の面側と同様の工程で導電パターンを積層する請求項２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
上記加熱工程における加熱温度が１００℃以上２００℃以下である請求項１、請求項２又は請求項３に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
上記加熱工程における加熱時間が５分以上６０分以下である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
絶縁性を有するベースフィルムの少なくとも一方の面側にセミアディティブ法により導電パターンが積層されたプリント配線板であって、
上記導電パターンのベースフィルム側かつ両側縁部に断面Ｖ字状の欠落部を有し、
この欠落部の平均深さが３μｍ以下であるプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板の製造方法及びプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型軽量化に伴いプリント配線板が広く用いられている。このプリント配線板の配線パターンの形成方法としては、例えばセミアディティブ法が挙げられる。このセミアディティブ法では、まずポリイミド等の絶縁基板上に下地金属層を形成し、この下地金属層の表面にレジスト層を積層し、露光及び現像することでレジストパターンを形成する。次いで、上記レジストパターンの溝に露出された下地金属層上に電気メッキを行い、レジストパターンの反転形状を有する配線パターンを形成する。その後、レジストパターンを剥離し、配線パターンをマスクとして下地金属層をエッチングする。
【０００３】
このセミアディティブ法では、レジストパターンの剥離性に優れることが求められており、この要求に対して特定の化合物を主成分とするリンス液組成物が開発されている（特開２００２−１５６７６５号公報参照）。また、レジストパターンが裾引き部を有すると、配線パターンを形成するメッキの付着性が低下し、配線パターンの形状の精度が低下することが知られている。この不都合に対し、レジスト層現像後に洗浄処理を行うことでパターンの裾引きを低減する技術が開発されている（特開２０１１−１７１４２３号公報参照）。しかし、これらの技術でも、レジストパターンの優れた剥離性と配線パターンの良好な形状とを十分に両立できていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１５６７６５号公報
【特許文献２】特開２０１１−１７１４２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上述のような事情に鑑みてなされたものであり、レジストパターンの剥離性及び導電パターンの形状の精度に優れるプリント配線板の製造方法及びプリント配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係るプリント配線板の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムの少なくとも一方の面側にセミアディティブ法により導電パターンを積層するプリント配線板の製造方法であって、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層したレジストパターンを加熱する工程を備えるプリント配線板の製造方法である。
【０００７】
また、本発明の一態様に係るプリント配線板は、絶縁性を有するベースフィルムの少なくとも一方の面側にセミアディティブ法により導電パターンが積層されたプリント配線板であって、上記導電パターンのベースフィルム側かつ両側縁部に断面Ｖ字状の欠落部を有し、この欠落部の平均深さが３μｍ以下であるプリント配線板である。
【発明の効果】
【０００８】
当該プリント配線板の製造方法によれば、レジストパターンの剥離性に優れ、形状の精度に優れる導電パターンを得られる。また、当該プリント配線板によれば、導電パターンの形状の精度が高く、レジストパターンの剥離性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の一態様に係るプリント配線板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の一態様に係るプリント配線板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の一態様に係るプリント配線板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本発明の一態様に係るプリント配線板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、本発明の一態様に係るプリント配線板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは、図１Ｅの導電パターンの欠落部を表す部分拡大図である。
【図２】図２は、従来の製造方法により製造されるプリント配線板の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［本発明の実施形態の説明］
本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムの少なくとも一方の面側にセミアディティブ法により導電パターンを積層するプリント配線板の製造方法であって、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層したレジストパターンを加熱する工程を備えるプリント配線板の製造方法である。
【００１１】
一般に、導電パターンはレジストパターンの裾引き部の反転形状を有する断面Ｖ字状の欠落部を有し、この欠落部は導電パターンのベースフィルム側かつ両側縁部に形成される。当該プリント配線板の製造方法は、レジストパターンを加熱する工程を有するため、この加熱によりレジストパターン中の溶媒が揮発しレジストパターンの裾引き部の厚みが減少する。その結果、当該プリント配線板の製造方法は、上記欠落部を小さくでき、導電パターンの形状の精度に優れるプリント配線板を得られる。
【００１２】
また、加熱によりレジストパターンの裾引き部が小さくなることで、レジストパターンが剥離時に導電パターンに引っかかり難くなる。さらに、加熱によりレジストパターンと導電性下地層との密着性が向上するため、剥離液を用いてレジストパターンを除去する際、剥離液により膨張したレジストパターンと導電性下地層との間で高い反発力が生じる。これらの結果、当該プリント配線板の製造方法はレジストパターンの剥離性に優れる。
【００１３】
上記ベースフィルムの一方の面側に導電性下地層を積層する工程と、この導電性下地層の一方の面に光硬化型樹脂組成物によりレジスト膜を積層する工程と、このレジスト膜への露光及び現像により上記導電パターンの反転形状のレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンの開口部の導電性下地層上にメッキにより導電パターンを充填する工程と、上記レジストパターン及びその底部の導電性下地層を除去する工程とを備え、上記加熱工程を、レジストパターン形成工程後かつ導電パターン充填工程前に行うとよい。このように、上記加熱工程をレジストパターン形成工程後かつ導電パターン充填工程前に行うことで、導電パターンの欠落部をより確実に小さくでき、導電パターンの形状の精度をより良好なものとできる。
【００１４】
上記ベースフィルムの他方の面側にも上記一方の面側と同様の工程で導電パターンを積層するとよい。このように導電パターンがベースフィルムの一方の面及び他方の面に積層され、これらが上記工程により形成されることで、レジストパターンを容易に剥離し、導電パターンの形状の精度に優れる両面プリント配線板を容易かつ確実に製造できる。
【００１５】
上記加熱工程における加熱温度としては、１００℃以上２００℃以下が好ましい。このように、上記加熱温度を上記範囲内とすることで、レジストパターンの裾引き部をより小さくでき、レジストパターンの剥離性がより向上する。
【００１６】
上記加熱工程における加熱時間としては、５分以上６０分以下が好ましい。このように、上記加熱時間を上記範囲内とすることで、レジストパターンの裾引き部をより小さくでき、レジストパターンの剥離性がより向上する。
【００１７】
また、本発明の実施形態に係るプリント配線板は、絶縁性を有するベースフィルムの少なくとも一方の面側にセミアディティブ法により導電パターンが積層されたプリント配線板であって、上記導電パターンのベースフィルム側かつ両側縁部に断面Ｖ字状の欠落部を有し、この欠落部の平均深さが３μｍ以下であるプリント配線板である。
【００１８】
当該プリント配線板は、セミアディティブ法により導電パターンが形成され、導電パターンの上記欠落部の平均深さが３μｍ以下であるため、上記導電パターンの欠落部が導電パターンの大きさに比べて十分に小さく、上記導電パターンの形状の精度に優れる。また、上記欠落部の反転形状であるレジストパターンの裾引き部も上記欠落部と同様にレジストパターンの大きさに比べて十分に小さいため、レジストパターンが剥離時に導電パターンに引っかかり難くなり、レジストパターンの剥離性が向上する。よって、当該プリント配線板は生産性に優れる。
【００１９】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法及びプリント配線板について説明する。なお、本実施形態において「表面側」とは、ベースフィルムの厚さ方向のうち、導電パターンが積層される側を指すものであり、本実施形態の表裏がプリント配線板の使用状態における表裏を決定するものではない。
【００２０】
［プリント配線板の製造方法］
図１Ａ〜図１Ｆに示すプリント配線板の製造方法は、ベースフィルム１の少なくとも表面側にセミアディティブ法により導電パターン２を積層するプリント配線板３の製造方法であって、上記ベースフィルム１の表面側に積層したレジストパターン４を加熱する工程を備える。このプリント配線板３は、可撓性を有するいわゆるフレキシブルプリント配線板である。
【００２１】
具体的には、本実施形態のプリント配線板の製造方法は、上記ベースフィルム１の一方の面側に導電性下地層５を積層する工程と、この導電性下地層５の一方の面に光硬化型樹脂組成物によりレジスト膜４Ａを積層する工程と、このレジスト膜４Ａへの露光及び現像により上記導電パターン２の反転形状のレジストパターン４を形成する工程と、このレジストパターン４の開口部の導電性下地層５上にメッキにより導電パターン２を充填する工程と、上記レジストパターン４及びその底部の導電性下地層５を除去する工程とを備え、上記加熱工程を、レジストパターン形成工程後かつ導電パターン充填工程前に行う。
【００２２】
＜導電性下地層積層工程＞
本工程では、図１Ａに示すようにベースフィルム１の表面側に導電性下地層５を積層する。
【００２３】
（ベースフィルム）
上記ベースフィルム１は絶縁性及び可撓性を有する。このベースフィルム１の主成分としては、例えばポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、フッ素樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。また、ベースフィルム１は、ポリイミド等の例示した樹脂以外の他の樹脂、帯電防止剤等を含有してもよい。ここで「主成分」とは、最も含有量が多い成分であり、例えば含有量が５０質量％以上の成分をいう。
【００２４】
ベースフィルム１の平均厚みの下限としては、特に限定されないが、３μｍが好ましく、５μｍがより好ましく、１０μｍがさらに好ましい。一方、ベースフィルム１の平均厚みの上限としては、特に限定されないが、２００μｍが好ましく、１５０μｍがより好ましく、１００μｍがさらに好ましい。ベースフィルム１の平均厚みが上記下限未満であると、絶縁性及び機械的強度が不十分となるおそれがある。一方、ベースフィルム１の平均厚みが上記上限を超えると、プリント配線板３の厚みが過度に大きくなるおそれがある。
【００２５】
ここで、「平均厚み」とは、任意の十点において測定した厚みの平均値をいう。なお、以下において他の部材等に対して「平均厚み」という場合にも同様に定義される。
【００２６】
（導電性下地層）
上記導電性下地層５は、導電性を有する薄膜であり、導電パターン充填工程で充填されるメッキの下地となる層である。導電性下地層５の材質としては、例えば銅、銀、ニッケル、パラジウム等の公知の材質を用いることができ、これらの中で銅が好ましい。また、この導電性下地層５の形成には公知の方法を用いることができ、例えば無電解メッキ、スパッタリング、蒸着法、導電性微粒子分散液の塗布等が挙げられる。
【００２７】
上記導電性下地層５の平均厚みの上限としては、１０μｍが好ましく、５μｍがより好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、０．１μｍが好ましく、０．２μｍがより好ましい。上記平均厚みが上記上限を超えると、レジストパターン等除去工程において導電性下地層５が十分に除去されないおそれがある。逆に、上記平均厚みが上記下限未満の場合、導電性下地層５の表面に導電パターン２が形成され難くなるおそれがある。
【００２８】
＜レジスト膜積層工程＞
本工程では、図１Ａに示すように導電性下地層５の表面に光硬化型樹脂組成物によりレジスト膜４Ａを積層する。レジスト膜４Ａの積層方法としては、例えば光硬化型樹脂組成物を導電性下地層５の表面に塗工する方法、光硬化型樹脂組成物を備えるドライフィルムレジストを導電性下地層５の表面に積層する方法等が挙げられる。これらの中で、ドライフィルムレジストを積層する方法が好ましい。このように、レジスト膜４Ａとしてドライフィルムレジストを用いることで、より簡便にレジスト膜４Ａを積層できる。
【００２９】
上記光硬化型樹脂組成物としては、公知のものを用いることができ、例えば光重合性モノマー及び光重合開始剤を含有するものが挙げられる。
【００３０】
上記光重合性モノマーとは、光反応性官能基を有するモノマーであり、さらにアミノ基を有することが好ましい。このような光重合性モノマーとしては、例えばアクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−エチルメタクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミド、Ｎ−イソプロピルメタクリルアミド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ−ブチルメタクリルアミド、Ｎ−ブチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、ジアセトンメタクリルアミド、Ｎ−シクロヘキシルメタクリルアミド、Ｎ−シクロヘキシルアクリルアミド、Ｎ−メチロ−ルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、メタクリロイルモルホリン、アクリロイルピペリジン、メタクリロイルピペリジン、クロトンアミド、Ｎ−メチルクロトンアミド、Ｎ−イソプロピルクロトンアミド、Ｎ−ブチルクロトンアミド、酢酸アリルアミド、プロピオン酸アリルアミド等が挙げられる。ここで「光反応性官能基」とは、Ｘ線、電子線、紫外線等の照射により架橋し得る官能基であり、例えば不飽和二重結合等が挙げられる。
【００３１】
上記光重合開始剤としては、例えばα−アミノケトン化合物、メタロセン化合物等が挙げられる。
【００３２】
上記ドライフィルムレジストとしては、公知のものを用いることができ、例えば旭化成イーマテリアルズ社の「サンフォート（登録商標）」、日立化成社の「フォテック（登録商標）」、ニチゴー・モートン社の「ＡＬＰＨＯ（登録商標）」等のアクリル系ドライフィルムレジストなどが挙げられる。
【００３３】
レジスト膜４Ａの平均厚みの下限としては、１０μｍが好ましく、１５μｍがより好ましい。一方、上記平均厚みの上限としては、１００μｍが好ましく、９０μｍがより好ましい。上記平均厚みが上記下限未満の場合、導電パターン２の厚みが薄くなり、導電パターン２の導通性が不十分となるおそれがある。逆に、上記平均厚みが上記上限を超えると、導電パターン２が不必要に厚くなるおそれがある。
【００３４】
＜レジストパターン形成工程＞
本工程では、レジスト膜４Ａを露光及び現像し導電パターン２の反転形状のレジストパターン４を形成する。具体的には、レジスト膜４Ａに図示しないマスクを積層し、レジスト膜４Ａの一部のみを露光する。その後、未露光部を有機溶媒等により除去することでレジストパターン４を形成する。また、レジストパターン４は、図１Ｂに示すように導電性下地層５側かつ両側縁部が断面形状Ｖ字状に突出し、この突出した部分がいわゆるレジストパターンの裾引き部である。また、レジスト膜４Ａの露光及び現像条件はレジスト膜４Ａに用いる光硬化型樹脂組成物の種類に応じて適宜調節可能である。
【００３５】
上記レジストパターン４の平均幅の上限としては、３０μｍが好ましく、２５μｍがより好ましい。一方、上記平均幅の下限としては、１０μｍが好ましく、１２μｍがより好ましい。上記平均幅が上記上限を超えると、レジストパターン等除去工程においてレジストパターン４が剥離し難くなるおそれがある。逆に、上記平均幅が上記下限未満の場合、レジストパターン４が導電性下地層５の表面に安定して固定され難くなり、導電パターン充填工程においてレジストパターン４が導電性下地層５から剥離するおそれがある。ここで「幅」とは、レジストパターンの構成要素が線状である場合は長さ方向に直交する方向の寸法を意味し、レジストパターンの構成要素が点状等の周縁が画定される形状である場合は最大径方向に直交する方向の寸法を意味する。
【００３６】
上記レジストパターン４の平均間隔の上限としては、３０μｍが好ましく、２５μｍがより好ましい。一方、上記平均間隔の下限としては、１０μｍが好ましく、１２μｍがより好ましい。上記平均間隔が上記上限を超えると、導電パターン２が過度に大きくなり、プリント配線板３を小型化し難くなるおそれがある。逆に、上記平均間隔が上記下限未満の場合、導電パターン２の幅が過度に細くなり、導電パターン２が破損し易くなるおそれがある。ここで「間隔」とは、レジストパターンの構成要素が線状である場合は対向する隣接面間の距離を意味し、レジストパターンの構成要素が点状等の周縁が画定される形状である場合は隣接するレジストパターンの周縁間の最短距離を意味する。
【００３７】
＜レジストパターン加熱工程＞
本工程では、レジストパターン４を加熱する。これにより、図１Ｃに示すように、レジストパターン４の裾引き部が小さくなる。また、レジストパターン４と導電性下地層５との密着力が向上する。
【００３８】
本工程におけるレジストパターン４の加熱手段としては特に限定されず、公知のヒーター等を用いることができる。
【００３９】
レジストパターン４の加熱温度の下限としては、１００℃が好ましく、１５０℃がより好ましい。一方、上記加熱温度の上限としては、２００℃が好ましく、１７０℃がより好ましい。上記加熱温度が上記下限未満の場合、裾引き部が十分に小さくならず、またレジストパターン４と導電性下地層５との密着力が向上し難くなるおそれがある。逆に、上記加熱温度が上記上限を超えると、レジストパターン４やベースフィルム１が変形するおそれがある。
【００４０】
レジストパターン４の加熱時間の下限としては、５分が好ましく、１０分がより好ましい。一方、上記加熱時間の上限としては、６０分が好ましく、２０分がより好ましい。上記加熱時間が上記下限未満の場合、裾引き部が十分に小さくならず、またレジストパターン４と導電性下地層５との密着力が向上し難くなるおそれがある。逆に、上記加熱時間が上記上限を超えると、レジストパターン４やベースフィルム１が変形するおそれがある。
【００４１】
＜導電パターン充填工程＞
本工程では、図１Ｄに示すようにレジストパターン４の開口部の導電性下地層５の表面にメッキにより導電パターン２を充填する。
【００４２】
レジストパターン４の開口部に充填されるメッキとしては、電気メッキ又は無電解メッキが挙げられ、電気メッキが好ましい。電気メッキを用いることで、導電パターン２を容易かつ確実に形成できる。また、上記メッキの種類としては、例えば銅、金、ニッケル、これらの合金等が挙げられる。これらの中で、導電性を良好なものとする観点から銅又は銅合金が好ましい。メッキ時の温度、時間等は用いるメッキの種類に応じて適宜変更可能である。
【００４３】
レジストパターン４は導電パターン２の反転形状を有するため、導電パターン２の平均幅はレジストパターン４の平均間隔と一致し、導電パターン２の平均間隔はレジストパターン４の平均幅と一致する。
【００４４】
導電パターン２の平均高さの上限としては、５μｍが好ましく、７μｍがより好ましい。一方、上記平均高さの上限としては、１００μｍが好ましく、８０μｍがより好ましい。上記平均高さが上記下限未満の場合、導電パターン２の導通性が不十分となるおそれがある。逆に、上記平均高さが上記上限を超えると、プリント配線板３を小型化し難くなるおそれがある。ここで「高さ」とは、導電パターン２の導電性下地層５と接する側の面から導電パターン２の導電性下地層５と反対側の面までの距離を意味する。
【００４５】
また、導電パターン２の形状は必要に応じ適宜変更であり、特に限定されないが、ストライプ状、メッシュ状、ドット状又は渦巻き状が好ましい。導電パターン２が上記形状であることで、レジストパターン４の剥離性がさらに向上する。
【００４６】
また、図１Ｆに示すように、導電パターン２はベースフィルム１側かつ縁部に断面Ｖ字状の欠落部を有する。
【００４７】
上記欠落部はレジストパターン４の裾引き部の反転形状を有する。そのため、図２に示すように、従来の製造方法により形成されたプリント配線板１０では、導電パターン１２の欠落部が大きい。一方、レジストパターン４の裾引き部を小さくできる当該製造方法により形成されたプリント配線板３では、図１Ｆに示すように導電パターン２の欠落部が小さい。
【００４８】
導電パターン２における欠落部の平均深さの上限としては、３μｍであり、２．５μｍが好ましく、２μｍがより好ましく、１．５μｍがさらに好ましい。上記平均深さが上記上限を超えると、レジストパターン４が導電性下地層５から剥離し難くなるおそれや、導電パターン２の形状の精度が向上し難くなるおそれがある。ここで、「欠落部の深さ」とは、導電パターン２の欠落部を除いた壁面の延長面とベースフィルム１の表面との交線から、導電性下地層５の側面とベースフィルム１の表面との交線までの距離であり、図１ＦにおいてＡで表される長さである。
【００４９】
＜レジストパターン等除去工程＞
本工程では、レジストパターン４及びその底部の導電性下地層５を除去する。また、本工程はレジストパターン４を剥離する工程及び導電性下地層をエッチングする工程を主に備える。
【００５０】
（レジストパターン剥離工程）
本工程では、レジストパターン４を導電性下地層５から剥離する。具体的には、レジストパターン４、導電パターン２、導電性下地層５及びベースフィルム１を有する積層体を剥離液に浸漬させることで、レジストパターン４が剥離液により膨張する。これにより、レジストパターン４と導電性下地層５との間に反発力が生じ、レジストパターン４が導電性下地層５から剥離する。この剥離液としては公知のものを用いることができ、エタノールアミンが好ましい。
【００５１】
（導電性下地層エッチング工程）
本工程では、レジストパターン４剥離後に露出する導電性下地層５を導電パターン２をマスクとしたエッチングにより除去する。これにより、図１Ｅに示すように導電パターン２の各部が電気的に分離される。このエッチングには導電性下地層５を形成する金属を浸食するエッチング液が使用される。このため、導電パターン２もエッチング液による浸食を受け得るが、導電パターン２は導電性下地層５に比べて十分に大きな厚みを有するためエッチングの影響を無視できる。
【００５２】
＜利点＞
当該プリント配線板の製造方法はレジストパターン４を加熱する工程を有するため、この加熱によりレジストパターン４中の溶媒が揮発しレジストパターン４の裾引き部の厚みが減少する。その結果、導電パターン２の欠落部が小さくなり、導電パターン２の形状の精度が向上する。
【００５３】
また、加熱によりレジストパターン４の裾引き部が小さくなることで、レジストパターン４が剥離時に導電パターン２に引っかかり難くなる。さらに、加熱によりレジストパターン４と導電性下地層５との密着性が向上するため、剥離液を用いてレジストパターン４を除去する際、剥離液により膨張したレジストパターン４と導電性下地層５との間で高い反発力が生じる。これらの結果、レジストパターン４の剥離性が向上する。
【００５４】
［プリント配線板］
当該プリント配線板３は、絶縁性及び可撓性を有するベースフィルム１、及びこのベースフィルム１の表面側にセミアディティブ法により積層される導電パターン２を主に備えるいわゆるフレキシブルプリント配線板である。また、当該プリント配線板３はカバーフィルム及び接着層をさらに備えてもよい。ベースフィルム１及び導電パターン２は上記プリント配線板の製造方法の実施例におけるものと同一であるため、同じ符合を付して説明を省略する。
【００５５】
＜カバーフィルム＞
カバーフィルムは、ベースフィルム１及び導電パターン２を含む積層体の導電パターン２が積層される側の面に接着層を介して積層される。このカバーフィルムは導電パターン２等を保護するものである。
【００５６】
カバーフィルムは、可撓性を有するフィルムであり、さらに絶縁性を有することが好ましい。カバーフィルムの主成分としては、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル、熱可塑性ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、フッ素樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。特に、耐熱性の観点からポリイミドが好ましい。なお、このカバーフィルムは、主成分以外の他の樹脂、耐候剤、帯電防止剤等が含有されていてもよい。
【００５７】
カバーフィルムの平均厚みの下限としては、特に限定されないが、３μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。一方、カバーフィルムの平均厚みの上限としては、特に限定されないが、５００μｍが好ましく、１５０μｍがより好ましい。カバーフィルムの平均厚みが上記下限未満であると、導電層３等の保護が不十分となるおそれがあると共に、カバーフィルムに絶縁性が求められる場合には絶縁性が不十分となるおそれがある。逆に、カバーフィルムの平均厚みが上記上限を超えると、導電パターン２等の保護効果の上積みが少なくなるおそれがあると共に、カバーフィルムの可撓性が不十分となるおそれがある。
【００５８】
＜接着層＞
接着層は、カバーフィルムをベースフィルム１及び導電パターン２を含む積層体の導電パターン２が積層される側の面に接着するものである。この接着層の平均厚みの下限としては、５μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。一方、接着層の平均厚みの上限としては、１００μｍが好ましく、７５μｍがより好ましい。接着層の平均厚みが上記下限未満の場合、カバーフィルムと上記積層体との接着強度が不十分となるおそれがある。逆に、接着層の平均厚みが上記上限を超えると、当該プリント配線板３の厚みが不必要に増加するおそれがある。
【００５９】
＜利点＞
当該プリント配線板３は、セミアディティブ法により導電パターン２が形成され、導電パターン２の上記欠落部の平均深さが３μｍ以下であるため、上記導電パターン２の欠落部は導電パターン２の大きさに比べて十分に小さく、上記導電パターン２は形状の精度に優れる。また、レジストパターン４の裾引き部もレジストパターン４の大きさに比べて十分に小さいため、レジストパターン４が剥離時に導電パターン２に引っかかり難くなり、レジストパターン４の剥離性が向上する。
【００６０】
［他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００６１】
当該プリント配線板の製造方法は、上記実施形態のように導電パターン充填工程前にレジストパターン加熱工程を行うものに限定されず、導電パターン充填工程後にレジストパターン加熱工程を行ってもよい。この場合も、レジストパターンの裾引き部を小さくできるため、レジストパターンを容易に剥離することができる。
【００６２】
また、当該プリント配線板の製造方法は、上記実施形態における各工程以外にセミアディティブ法で通常行われる工程をさらに備えてもよい。この工程としては、例えばベースフィルムに貫通孔を開けスルーホールを形成する工程、ベースフィルムやカバーフィルムの一部を除去する工程、導電パターンの表面に防錆性等を有する表面処理層を形成する工程等が挙げられる。
【００６３】
当該プリント配線板の製造方法は、片面に導電パターンが形成される片面プリント配線板の製造に限らず、両面に導電パターンが形成される両面プリント配線板の製造方法としても好適に用いることができる。また、複数層の導電パターンが積層される多層プリント配線板の製造に用いてもよい。
【００６４】
当該プリント配線板の製造方法により両面プリント配線板を製造する場合、一方の面側の導電パターン及び他方の面側の導電パターンが共に当該プリント配線板の製造方法により積層されることが好ましい。この場合、一方の面側の導電パターンを積層した後他方の面側の導電パターンを積層してもよく、一方の面側の導電パターン及び他方の面側の導電パターンを同時に積層してもよい。
【００６５】
また、上記実施形態では、ベースフィルムが絶縁性及び可撓性を有するいわゆるフレキシブルプリント配線板を例に取り説明したが、これに限定されず、ベースフィルムが可撓性を有しないいわゆるリジッド配線板であってもよい。
【００６６】
さらに、レジストパターンの剥離に用いる剥離液としては、上記実施形態のようにレジストパターンを膨張させることで剥離するものに限定されず、レジストパターンの少なくとも一部を溶解させることで剥離するものであってもよい。この場合、レジストパターンの裾引き部が溶解しさらに小さくなるため、レジストパターンが導電パターンにより引っかかり難くなり、その結果レジストパターンの剥離性が向上する。このような剥離液としては、例えばｐＨ１１以上１３以下の水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等が挙げられる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
当該プリント配線板の製造方法によれば、レジストパターンの剥離性に優れ、形状の精度に優れる導電パターンを得られる。また、当該プリント配線板は、導電パターンの形状の精度が高く、レジストパターンの剥離性に優れるため、生産性に優れる。
【符号の説明】
【００６８】
１、１１  ベースフィルム
２、１２  導電パターン
３、１０  プリント配線板
４  レジストパターン
４Ａ  レジスト膜
５、１３  導電性下地層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図２】
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