(57)【要約】【課題】複数の電子部品の間に温度差が生じることを抑制することができる電子部品搬送装置および電子部品検査装置を提供すること。【解決手段】電子部品搬送装置は、第１部材及び電子部品と当接する複数の第２部材を有する当接部材を備え、前記第１部材と前記複数の第２部材との少なくとも１つの熱伝導率は、１６（W／（ｍ・Ｋ））以上である。また、電子部品検査装置は、少なくとも第１部材と、電子部品と当接する複数の第２部材とを有する当接部材と、前記電子部品を検査する検査部と、を備え、前記第１部材と前記複数の第２部材との少なくとも１つの熱伝導率は、１６（W／（ｍ・Ｋ））以上である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１部材及び電子部品と当接する複数の第２部材を有する当接部材を備え、
前記第１部材と前記複数の第２部材との少なくとも１つの熱伝導率は、１６（W／（ｍ・Ｋ））以上であることを特徴とする電子部品搬送装置。
【請求項２】
前記当接部材の熱伝導率は、１６（W／(ｍ・Ｋ)）以上である請求項１に記載の電子部品搬送装置。
【請求項３】
前記当接部材は、前記第１部材と前記複数の第２部材との間の少なくとも１つに配置され、熱伝導率が１６（W／(ｍ・Ｋ)）以上の第３部材を有する請求項１または２に記載の電子部品搬送装置。
【請求項４】
前記第１部材と前記複数の第２部材とは、一体的に形成されたものである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項５】
前記第１部材と、前記複数の第２部材とは、それぞれ、その構成材料として、アルミニウムと銅との少なくとも一方を含む請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項６】
前記当接部材には放熱部が配置される請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項７】
当接部材には加熱部が配置される請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項８】
前記当接部材の熱容量（Ｊ／K）は、前記電子部品の熱容量の２５０倍以上である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項９】
第１部材及び電子部品と当接する複数の第２部材を有する当接部材と、
前記電子部品を検査する検査部と、を備え、
前記第１部材と前記複数の第２部材との少なくとも１つの熱伝導率は、１６（W／（ｍ・Ｋ））以上であることを特徴とする電子部品検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品搬送装置および電子部品検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えばＩＣデバイス等の電子部品の電気的特性を検査する電子部品検査装置が知られており、この電子部品検査装置には、検査部の保持部までＩＣデバイスを搬送するための電子部品搬送装置が組み込まれている。ＩＣデバイスの検査の際は、ＩＣデバイスが保持部に配置され、保持部に設けられた複数のプローブピンとＩＣデバイスの各端子とを接触させる。このようなＩＣデバイスの検査は、ＩＣデバイスを所定温度に加熱または冷却して行う場合があり、この場合は、電子部品の温度を設定温度（目標温度）に保つ制御を行う。また、ＩＣデバイスの検査では、一度に、多数のＩＣデバイスの検査を行うことにより、検査コストを低減することが望まれている。
【０００３】
特許文献１には、電子部品の検査の際、電子部品に当接し、その電子部品を保持部に押し付ける複数の当接部を有する装置が開示されている。この装置では、複数の当接部により複数の電子部品を同時に保持部に押し付けることができ、一度に、多数の電子部品の検査を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２８９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の装置では、複数の当接部が互いに離間し、その間に熱伝導率の低い部材が介在しているので、電子部品の検査の際、複数の電子部品の発熱量が互いに異なる場合に、複数の電子部品の間に温度差が生じ、複数の電子部品を同じ条件で検査することが困難である。
【０００６】
本発明の目的は、複数の電子部品の間に温度差が生じることを抑制することができる電子部品搬送装置および電子部品検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本発明の電子部品搬送装置は、第１部材及び電子部品と当接する複数の第２部材を有する当接部材を備え、
前記第１部材と前記複数の第２部材との少なくとも１つの熱伝導率は、１６（W／（ｍ・Ｋ））以上であることを特徴とする。
【０００９】
これにより、複数の第２部材に対して所定の部材を共用することにより、小型化を図ることができ、また、部品点数を削減することができる。
【００１０】
また、前記のように熱伝導率を設定することにより、複数の電子部品の間に温度差が生じることを抑制することができる。具体的には、例えば、２つの第２部材のうちの一方が当接する電子部品の発熱量と、他方が当接する電子部品の発熱量とが異なる場合に、発熱量の大きい方の電子部品の熱が当接部材により発熱量の小さい方の電子部品に伝達され、前記２つの電子部品の間に温度差が生じることを抑制することができる。
【００１１】
［適用例２］
本発明の電子部品搬送装置では、前記当接部材の熱伝導率は、１６（W／(ｍ・Ｋ)）以上であることが好ましい。
これにより、複数の電子部品の間に温度差が生じることを抑制することができる。
【００１２】
［適用例３］
本発明の電子部品搬送装置では、前記当接部材は、前記第１部材と前記複数の第２部材との間の少なくとも１つに配置され、熱伝導率が１６（W／(ｍ・Ｋ)）以上の第３部材を有することが好ましい。
【００１３】
これにより、第３部材が熱の伝達を阻害することを抑制することができ、複数の電子部品の間に温度差が生じることを抑制することができる。
【００１４】
［適用例４］
本発明の電子部品搬送装置では、前記第１部材と前記複数の第２部材とは、一体的に形成されたものであることが好ましい。
【００１５】
これにより、第１部材と第２部材との間において熱の伝達が阻害されることを抑制することができ、複数の電子部品の間に温度差が生じることを抑制することができる。また、寸法精度等の高精度の構成を実現することができる。
【００１６】
［適用例５］
本発明の電子部品搬送装置では、前記第１部材と、前記複数の第２部材とは、それぞれ、その構成材料として、アルミニウムと銅との少なくとも一方を含むことが好ましい。
【００１７】
これにより、第１部材および第２部材の熱伝導率を高くすることができ、複数の電子部品の間に温度差が生じることを抑制することができる。
【００１８】
［適用例６］
本発明の電子部品搬送装置では、前記当接部材には放熱部が配置されることが好ましい。
これにより、電子部品を冷却して電子部品の温度を調整することができる。
【００１９】
［適用例７］
本発明の電子部品搬送装置では、当接部材には加熱部が配置されることが好ましい。
これにより、電子部品を加熱して電子部品の温度を調整することができる。
【００２０】
［適用例８］
本発明の電子部品搬送装置では、前記当接部材の熱容量（Ｊ／K）は、前記電子部品の熱容量の２５０倍以上であることが好ましい。
【００２１】
これにより、電子部品で発生した熱を当接部材が吸収し、電子部品の温度上昇を抑制することができ、複数の電子部品の間に温度差が生じることを抑制することができる。
【００２２】
［適用例９］
本発明の電子部品検査装置は、第１部材及び電子部品と当接する複数の第２部材を有する当接部材と、
前記電子部品を検査する検査部と、を備え、
前記第１部材と前記複数の第２部材との少なくとも１つの熱伝導率は、１６（W／（ｍ・Ｋ））以上であることを特徴とする。
【００２３】
これにより、複数の第２部材に対して所定の部材を共用することにより、小型化を図ることができ、また、部品点数を削減することができる。
【００２４】
また、前記のように熱伝導率を設定することにより、複数の電子部品の間に温度差が生じることを抑制することができる。具体的には、例えば、２つの第２部材のうちの一方が当接する電子部品の発熱量と、他方が当接する電子部品の発熱量とが異なる場合に、発熱量の大きい方の電子部品の熱が当接部材により発熱量の小さい方の電子部品に伝達され、前記２つの電子部品の間に温度差が生じることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の電子部品検査装置の第１実施形態を示す概略図である。
【図２】図１に示す電子部品検査装置の搬送部および検査部を示す図である。
【図３】図１に示す電子部品検査装置の搬送部のハンドユニットを示す斜視図である。
【図４】図１に示す電子部品検査装置の搬送部のハンドユニットを示す側面図である。
【図５】図１に示す電子部品検査装置の搬送部のハンドユニットを示す断面図である。
【図６】図１に示す電子部品検査装置の搬送部のハンドユニットを示す断面図である。
【図７】図１に示す電子部品検査装置の主要部を示すブロック図である。
【図８】図１に示す電子部品検査装置の変形例における接触ブロックを示す側面図である。
【図９】本発明の電子部品検査装置の第２実施形態の主要部を示すブロック図である。
【図１０】図９に示す電子部品検査装置の制御動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の電子部品搬送装置および電子部品検査装置について添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の電子部品検査装置の第１実施形態を示す概略図である。図２は、図１に示す電子部品検査装置の搬送部および検査部を示す図である。図３は、図１に示す電子部品検査装置の搬送部のハンドユニットを示す斜視図である。図４は、図１に示す電子部品検査装置の搬送部のハンドユニットを示す側面図である。図５および図６は、それぞれ、図１に示す電子部品検査装置の搬送部のハンドユニットを示す断面図である。図７は、図１に示す電子部品検査装置の主要部を示すブロック図である。図８は、図１に示す電子部品検査装置の変形例における接触ブロックを示す側面図である。
【００２８】
なお、以下では、説明の便宜上、図１に示すように、互いに直交する３軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸とする。また、Ｘ軸とＹ軸を含むＸＹ平面が水平となっており、Ｚ軸が鉛直となっている。また、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ方向」とも言い、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ方向」とも言い、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ方向」とも言う。また、電子部品の搬送方向の上流側を単に「上流側」とも言い、下流側を単に「下流側」とも言う。また、本願明細書で言う「水平」とは、完全な水平に限定されず、電子部品の搬送が阻害されない限り、水平に対して若干（例えば５°未満程度）傾いていた状態も含む。
【００２９】
また、図３〜図６中の上側を「上」、「上方」または「基端」、下側を「下」、「下方」または「先端」、右側を「右」、左側を「左」と言う。また、図３〜図６では、搬送部の複数のハンドユニットのうちの１つが図示されている。
【００３０】
図１に示す検査装置（電子部品検査装置）１は、例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）パッケージやＬＧＡ（Ｌａｎｄ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）パッケージ等のＩＣデバイス、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、ＯＬＥＤ（Organic Electroluminescence Display）、電子ペーパー等の表示デバイス、ＣＩＳ（CMOS Image Sensor）、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、加速度センサー、ジャイロセンサー、圧力センサー、等の各種センサー、さらには水晶振動子を含む各種振動子等、を含む電子部品の電気的特性を検査・試験（以下単に「検査」と言う）するための装置である。なお、以下では、説明の便宜上、検査を行う前記電子部品としてＩＣデバイスを用いる場合について代表して説明し、これを「ＩＣデバイス９」とする。
【００３１】
図１に示すように、検査装置１は、供給部２と、供給側配列部３と、搬送部４と、検査部５と、回収側配列部６と、回収部７と、これら各部の制御を行う制御部８と、を有している。また、検査装置１は、供給部２、供給側配列部３、搬送部４、検査部５、回収側配列部６および回収部７を配置するベース１１と、供給側配列部３、搬送部４、検査部５および回収側配列部６を収容するようにベース１１に被せられているカバー１２と、を有している。なお、ベース１１の上面であるベース面１１１は、ほぼ水平となっており、このベース面１１１に供給側配列部３、搬送部４、検査部５、回収側配列部６の構成部材が配置されている。また、検査装置１は、この他、必要に応じて、ＩＣデバイス９を加熱するためのヒーターやチャンバー等を有していてもよい。
【００３２】
このような検査装置１は、供給部２が供給側配列部３にＩＣデバイス９を供給し、供給されたＩＣデバイス９を供給側配列部３に配列し、配列したＩＣデバイス９を搬送部４が検査部５に搬送し、搬送したＩＣデバイス９を検査部５が検査し、検査を終えたＩＣデバイス９を搬送部４が回収側配列部６に搬送／配列し、回収側配列部６に配列したＩＣデバイス９を回収部７が回収するように構成されている。このような検査装置１によれば、ＩＣデバイス９の供給・検査・回収を自動的に行うことができる。なお、検査装置１では、検査部５を除く構成、すなわち、供給部２、供給側配列部３、搬送部４、回収側配列部６、回収部７および制御部８の一部等により、搬送装置（電子部品搬送装置）１０が構成されている。搬送装置１０は、ＩＣデバイス９の搬送等を行う。
【００３３】
以下、搬送部４および検査部の構成について説明する。
≪搬送部≫
搬送部４は、図２に示すように、供給側配列部３の載置ステージ３４１上に配置されているＩＣデバイス９を検査部５まで搬送し、検査部５での検査を終えたＩＣデバイス９を回収側配列部６まで搬送するユニットである。このような搬送部４は、シャトル４１と、供給ロボット４２と、検査ロボット４３と、回収ロボット４４と、を有している。
【００３４】
−シャトル−
シャトル４１は、載置ステージ３４１上のＩＣデバイス９を検査部５の近傍まで搬送するため、さらには、検査部５で検査された検査済みのＩＣデバイス９を回収側配列部６の近傍まで搬送するためのシャトルである。このようなシャトル４１には、ＩＣデバイス９を収容するための４つのポケット４１１がＸ方向に並んで形成されている。また、シャトル４１は、直動ガイドによってガイドされており、リニアモーター等の駆動源によってＸ方向に往復移動可能となっている。
【００３５】
−供給ロボット−
供給ロボット４２は、載置ステージ３４１上に配置されているＩＣデバイス９をシャトル４１に搬送するロボットである。このような供給ロボット４２は、ベース１１に支持された支持フレーム４２１と、支持フレーム４２１に支持され、支持フレーム４２１に対してＹ方向に往復移動可能な移動フレーム４２２と、移動フレーム４２２に支持された４つのハンドユニット（把持ロボット）４２３と、を有している。各ハンドユニット４２３は、昇降機構および吸着ノズルを備え、ＩＣデバイス９を吸着することで把持することができる。
【００３６】
−検査ロボット−
検査ロボット４３は、シャトル４１に収容されたＩＣデバイス９を検査部５へ搬送するとともに、検査を終えたＩＣデバイス９を検査部５からシャトル４１へ搬送するロボットである。また、検査ロボット４３は、検査の際に、ＩＣデバイス９を検査部５に押し付け、ＩＣデバイス９に所定の検査圧を印加することもできる。このような検査ロボット４３は、ベース１１に支持された支持フレーム４３１と、支持フレーム４３１に支持され、支持フレーム４３１に対してＹ方向に往復移動可能な移動フレーム４３２と、移動フレーム４３２に支持された２つのハンドユニット（把持ロボット）４３３と、を有している。各ハンドユニット４３３の配置は特に限定されず、図示の配置では、各ハンドユニット４３３はＸ方向に並んでいる。
【００３７】
各ハンドユニット４３３は、昇降機構と後述する接触ブロック２６０（図３参照）等を備え、ＩＣデバイス９を吸着することで把持（吸着把持）することができる。各ハンドユニット４３３は、同様であるので、以下では、その１つについて説明する。
【００３８】
ハンドユニット４３３は、例えば、ネジ止め等によって、着脱可能に移動フレーム４３２に固定されている。
【００３９】
図３〜図６に示すように、ハンドユニット４３３は、移動フレーム４３２に固設されたエアシリンダー２１０と、そのエアシリンダー２１０の先端部に連結されたデバイスチャック２２０とを有している。
【００４０】
エアシリンダー２１０は、移動フレーム４３２に固定されたシリンダチューブ２１１を有している。シリンダチューブ２１１は、筒状のチューブ本体２１２と、チューブ本体２１２の基端部に設けられ、筒状のバックプレート２１３とを有し、チューブ本体２１２とバックプレート２１３とで形成されるシリンダ室内にピストン２１４がＺ方向に移動可能に配設されている。ピストン２１４の先端部２１４１は、チューブ本体２１２よりも先端側に突出し、基端部２１４２の外周部は、一周に亘って、弾性変形可能な薄肉部２１２１により、チューブ本体２１２の基端部に連結されている。また、シリンダ室の基端部は、ピストン２１４の基端部２１４２および薄肉部２１２１によって、その上側に位置する第１室Ｄ１と、下側に位置する第２室Ｄ２とに区画される。
【００４１】
ピストン２１４は、他の部材に設けられた図示しないコイルバネにより、前記他の部材を介して上方に付勢されている。すなわち、ピストン２１４は、前記コイルバネによって持ち上げられ、エアシリンダー２１０が作動していない状態では、ピストン２１４の基端部２１４２（第１室Ｄ１側の面）がバックプレート２１３と当接する位置（以下、これを最上端位置という）に位置するようになっている。
【００４２】
また、バックプレート２１３の中央部には、そのバックプレート２１３を貫き、第１室Ｄ１と連通するエアー導入口２１５が形成されている。そのエアー導入口２１５は、図示しない連結ポートと連通している。また、前記連結ポートは、図示しない電空レギュレーターに接続されており、電空レギュレーターから第１室Ｄ１に空気が供給されると、その空気の圧力によって、ピストン２１４が最上端位置からコイルバネの弾性力に抗して下方に移動するようになっている（図６参照）。第１室Ｄ１内の圧力を所定の圧力とすることによって、保持部５１に配置されたＩＣデバイス９を適した圧力で押圧することができる。そのため、ＩＣデバイス９と保持部５１との導通を確実に図ることができるとともに、ＩＣデバイス９の破損を抑制することができる。なお、前記電空レギュレーターの駆動は、制御部８により制御される。
【００４３】
以上のようなエアシリンダー２１０の下側に配置されたデバイスチャック２２０は、ピストン２１４の先端部２１４１の下面（先端面）に固定された第１連結ブロック２３１と、第１連結ブロック２３１の下面に固定された第２連結ブロック２３２と、第２連結ブロック２３２の下面に固定され、優れた断熱性を有する４つの支柱２３３と、各支柱の２３３の下面に固定されたヒーターブロック２４０と、ヒーターブロック２４０の下面に着脱可能に固定された接触ブロック（当接部材）２６０と、第２連結ブロック２３２とヒーターブロック２４０との間に配置され、ヒーターブロック２４０の上面に固定されたヒートシンク（放熱部）２９１とを有している。また、ヒートシンク２９１に冷却用ガスとしての空気（流体）Ｇを噴射する噴射ノズル（流体噴射部）２９２が設けられている。噴射ノズル２９２およびヒートシンク２９１により、ＩＣデバイス９を冷却する冷却部２９０が構成される。なお、接触ブロック２６０の他にも、任意の部材を着脱可能に構成することができる。
【００４４】
また、ヒーターブロック２４０には、その下面と左側の側面とに開放する貫通孔が形成されており、この貫通孔は、真空案内路２４０１として機能する。そして、真空案内路２４０１の一端には連結ポートＰ２が取り付けられている。さらに、連結ポートＰ２は、空気を吸引するポンプおよび空気を噴出するポンプ（いずれも図示せず）に接続されている。同様に、ヒーターブロック２４０には、その下面と右側の側面とに開放する貫通孔が形成されており、この貫通孔は、真空案内路２４０２として機能する。そして、真空案内路２４０２の一端には連結ポートＰ３が取り付けられている。さらに、連結ポートＰ３は、空気を吸引するポンプおよび空気を噴出するポンプ（いずれも図示せず）に接続されている。なお、前記各ポンプの駆動は、制御部８により制御される。
【００４５】
接触ブロック２６０は、板状の基部（第１部材）２６３と、基部２６３の下面に設けられ、ＩＣデバイス９と接触（当接）する第１接触部（第２部材）２６１および前記と別のＩＣデバイス９と接触（当接）する第２接触部（第２部材）２６２とを有している。第１接触部２６１および第２接触部２６２は、それぞれ、筒状をなし、基部２６３の下面から下方に突出している。
【００４６】
また、本実施形態では、接触ブロック２６０、すなわち、基部２６３と、第１接触部２６１と、第２接触部２６２とは、一体的に形成されている。これにより、基部２６３と第１接触部２６１との間、基部２６３と第２接触部２６２との間において、それぞれ、熱の伝達が阻害されることを抑制することができ、後述するように、２つのＩＣデバイス９の間に温度差が生じることを抑制することができる。また、接触ブロック２６０について、寸法精度等の高精度の構成を実現することができる。前記接触ブロック２６０を一体的に形成する方法としては、特に限定されず、例えば、接触ブロック２６０をインゴット（母材）から削り出しで形成する方法や、鋳造等が挙げられる。
なお、接触ブロック２６０は、これに限らず、例えば、基部２６３と、第１接触部２６１とを別部材で形成してもよく、また、基部２６３と、第２接触部２６２とを別部材で形成してもよい。また、図８に示すように、基部２６３と第１接触部２６１との間に、中間部材（第３部材）２７１が介在していてもよく、同様に、基部２６３と第２接触部２６２との間に、中間部材（第３部材）２７２が介在していてもよい。また、前記中間部材２７１と中間部材２７２のいずれか一方を省略してもよい。
【００４７】
また、第１接触部２６１および第２接触部２６２の位置は、それぞれ、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、本実施形態では、第１接触部２６１と第２接触部２６２とは、基部２６３の中心に対して点対称に配置されている。
【００４８】
また、基部２６３の下面と第１接触部２６１の下面（ＩＣデバイス９が当接する面）との間の距離および基部２６３の下面と第２接触部２６２の下面との間の距離、すなわち、第１接触部２６１および第２接触部２６２の高さＨ（図４参照）は、それぞれ、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、５ｍｍ以下であることが好ましく、４ｍｍ以下であることがより好ましい。また、高さＨの下限値は、特に限定されないが、高さＨは、１ｍｍ以上であることが好ましく、２ｍｍ以上であることがより好ましい。
【００４９】
また、接触ブロック２６０の第１接触部２６１が設けられている部分には、その下面（先端面）と上面（基端面）とに開放する貫通孔が形成されており、その貫通孔は、真空案内路２４０１と連通している。同様に、接触ブロック２６０の第２接触部２６２が設けられている部分には、その下面と上面とに開放する貫通孔が形成されており、その貫通孔は、真空案内路２４０２と連通している。
【００５０】
この接触ブロック２６０の第１接触部２６１にＩＣデバイス９を配置した状態で、前記所定のポンプを駆動して空気を吸引し、第１接触部２６１の貫通孔を負圧状態にすることによって、第１接触部２６１でＩＣデバイス９を把持（吸着把持）することができる。また、前記所定のポンプを駆動して空気を供給し、第１接触部２６１の貫通孔の負圧状態を解除することによって、第１接触部２６１で把持しているＩＣデバイス９を放すことができる。なお、第２接触部２６２についても、前記と同様にして、第２接触部２６２でＩＣデバイス９を把持することと、放すことができる。このように、１つのハンドユニット４３３で、２つのＩＣデバイス９を把持することができる。
【００５１】
また、接触ブロック２６０の第１接触部２６１および第２接触部２６２は、それぞれ、ＩＣデバイス９の検査の際、ハンドユニット４３３がＩＣデバイス９を保持部５１に向けて押圧する場合に、ＩＣデバイス９と接触（当接）してそのＩＣデバイス９を押圧する部位である。なお、ハンドユニット４３３は、ＩＣデバイス９の検査の際、ＩＣデバイス９を把持した状態および把持しない状態のいずれにおいてもＩＣデバイス９を押圧することができ、前記ＩＣデバイス９の押圧をＩＣデバイス９を把持した状態と把持しない状態とのいずれで行うかの設定は、適宜行うことができる。
【００５２】
また、接触ブロック２６０の基部２６３、第１接触部２６１および第２接触部２６２のうちの少なくとも１つ、好ましくは全部は、その熱伝導率が、１６（W／(ｍ・Ｋ)）以上であり、２００（W／(ｍ・Ｋ)）以上であることが好ましく、３００（W／(ｍ・Ｋ)）以上であることがより好ましい。また、前記熱伝導率の上限値は、特に限定されないが、前記熱伝導率は、１００００（W／(ｍ・Ｋ)）以下であることが好ましく、７０００（W／(ｍ・Ｋ)）以下であることがより好ましい。なお、図８に示すように、接触ブロック２６０が中間部材２７１および２７２を有する場合は、その中間部材２７１および２７２の熱伝導率は、前記と同様である。
【００５３】
これにより、接触ブロック２６０は、第１接触部２６１で把持したＩＣデバイス９と、第２接触部２６２で把持したＩＣデバイス９との一方から他方に熱を伝達する熱伝導部として機能することができる。すなわち、この検査装置１では、後述するように、ＩＣデバイス９の温度が検査に適した所定の設定温度（目標温度）になるように温度制御を行うが、前記のように熱伝導率を設定することにより、ＩＣデバイス９の検査の際、第１接触部２６１で把持したＩＣデバイス９の発熱量と、第２接触部２６２で把持したＩＣデバイス９の発熱量とが異なる場合に、発熱量の大きい方のＩＣデバイス９の熱が接触ブロック２６０により発熱量の小さい方のＩＣデバイス９に伝達され、前記２つのＩＣデバイス９の間に温度差が生じることを抑制することができる。
【００５４】
しかしながら、前記熱伝導率が前記下限値よりも小さいと、接触ブロック２６０が熱伝導部として十分に機能することができず、前記２つのＩＣデバイス９の間に温度差が生じることを抑制することが困難である。
【００５５】
なお、本明細書において、接触ブロック２６０の熱伝導率とは、接触ブロック２６０全体の熱伝導率の平均値である。例えば、接触ブロック２６０が熱伝導率の異なる複数の部材で構成されている場合は、接触ブロック２６０の部位によって熱伝導率が異なるので、接触ブロック２６０全体の熱伝導率の平均値を接触ブロック２６０の熱伝導率とする。
【００５６】
また、接触ブロック２６０の熱容量（Ｊ／K）は、特に限定されないが、ＩＣデバイス９の熱容量の２５０倍以上であることが好ましく、５００倍以上であることがより好ましく、５００倍以上、２０００倍以下であることがさらに好ましい。
【００５７】
これにより、ＩＣデバイス９で発生した熱を接触ブロック２６０が吸収し、ＩＣデバイス９の温度上昇を抑制することができ、２つのＩＣデバイス９の間に温度差が生じることを抑制することができる。
【００５８】
しかしながら、前記接触ブロック２６０の熱容量（Ｊ／Ｋ）が前記下限値よりも小さいと、他の条件にもよるが、２つのＩＣデバイス９の間に温度差が生じることを抑制することが困難である。
【００５９】
ここで、１例として、単位時間当たりに発生する熱量Ｑ（Ｗ）を表す下記（１）式を用い、ＩＣデバイス９に通電した場合にＩＣデバイス９の温度上昇が２Ｋになる接触ブロック２６０の熱容量の条件を求めたところ、「接触ブロック２６０の熱容量がＩＣデバイス９の熱容量の約２６１倍」という結果が得られた。なお、この計算では、ＩＣデバイス９に通電した場合にＩＣデバイス９から単位時間当たりに発生する熱量は、１３．９８（Ｗ）とした。この結果からも、前述したように、接触ブロック２６０の熱容量は、ＩＣデバイス９の熱容量の２５０倍以上であることが好ましいことが判る。
【００６０】
Ｑ＝Ｗ×Ｃ×（Ｔ１−Ｔ２）／（ｈ×３６００×η）・・・（１）
但し、上記（１）式において、各パラメーターは、下記の通りである。
【００６１】
Ｗ：質量（ｋｇ）
Ｃ：比熱（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）
Ｔ１：上昇時の温度（Ｋ）
Ｔ２：上昇前の温度（Ｋ）
ｈ：上昇時間（時間）
η：効率（ηは、０．７以上、１以下であるが、本実施形態では、「０．７」とする）
【００６２】
また、接触ブロック２６０（基部２６３、第１接触部２６１、第２接触部２６２、中間部材２７１、２７２）の構成材料としては、それぞれ、特に限定されないが、硬質であることが好ましく、例えば、前記熱伝導率を有する各種金属材料（合金、金属間化合物を含む）等が挙げられる。具体的には、例えば、銀（４１２（W／(ｍ・Ｋ)））、銅（３７１（W／(ｍ・Ｋ)））、アルミニウム（１９５（W／(ｍ・Ｋ)））、マグネシウム（１５０（W／(ｍ・Ｋ)））、クロム（９６（W／(ｍ・Ｋ)））、鉄（７９（W／(ｍ・Ｋ)））、炭素鋼（５８（W／(ｍ・Ｋ)））、チタン（１７（W／(ｍ・Ｋ)））等の各種金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金または金属間化合物、さらには、これらの金属の酸化物、窒化物、炭化物等が挙げられる。この場合、接触ブロック２６０の構成材料として、アルミニウムと銅との少なくとも一方を含むことが好ましい。これにより、接触ブロック２６０の熱伝導率を高くすることができる。また、前記合金としては、例えば、ＳＵＳ３０４（１６．７（W／(ｍ・Ｋ)））、ＳＵＳ３１６（１６．７（W／(ｍ・Ｋ)））等のステンレス鋼等が挙げられる。なお、前記括弧内の数値は、「熱伝導率」である。
【００６３】
また、ヒーターブロック２４０およびヒートシンク２９１の構成材料としては、それぞれ、特に限定されないが、硬質で高い熱伝導率を有する材料が好ましい。硬質で高い熱伝導率を有する材料としては、特に限定されず、その具体例は、前記接触ブロック２６０の構成材料と同様である。
【００６４】
ヒートシンク２９１は、板状の基部２９１１と、基部２９１１から上方に向って突出した複数のフィン２９１２とを有している。各フィン２９１２は、Ｘ方向に沿って並んでいる。このヒートシンク２９１は、各支柱２３３によって形成された空間（ヒーターブロック２４０と第２連結ブロック２３２との間の空間）に配置されている。また、ヒートシンク２９１は、例えば半田等のろう材を用いて基部２９１１の下面がヒーターブロック２４０の上面に固定され、熱的に接続されている。このように、ヒートシンク２９１は、ヒーターブロック２４０を介して接触ブロック２６０に配置されている。また、ヒートシンク２９１は、第２連結ブロック２３２に非接触に設けられている。言い換えると、ヒートシンク２９１と第２連結ブロック２３２の間には隙間が形成されている。これにより、ヒートシンク２９１と第２連結ブロック２３２との間の熱交換が抑制され、ヒートシンク２９１の放熱効果が向上する。前記隙間の大きさは、各支柱２３３の高さを調節することによって、簡単に制御することができる。
【００６５】
なお、各支柱２３３は、それぞれ、ネジ２３４により、ヒーターブロック２４０および第２連結ブロック２３２にネジ止めされている。また、各ネジ２３４の頭部とヒーターブロック２４０との間には、それぞれ、断熱材２３５が設けられている。
【００６６】
噴射ノズル２９２は、空気Ｇを噴射し、１列に配置された複数の噴射孔２９２１を有している。この噴射ノズル２９２は、各噴射孔１７２１がヒートシンク２９１の各フィン２９１２の並び（Ｘ方向）に沿って配置されるように設けられており、各噴射孔１７２１から、各フィン２９１２に向けて空気Ｇを噴射するように構成されている。すなわち、噴射ノズル２９２には、空気（圧縮空気）を噴出する後述するポンプ１３３が接続されている。ポンプ１３３の駆動は、制御部８により制御される。ヒートシンク２９１に空気Ｇを吹き付けることで、ヒートシンク２９１、ヒーターブロック２４０および接触ブロック２６０を介してＩＣデバイス９を冷却することができる。また、噴射ノズル２９２は、固定具を介して第２連結ブロック２３２に固定されているため、ヒートシンク２９１との相対的位置が一定に保たれている。そのため、ヒートシンク２９１に対して空気Ｇが安定して噴射され、ヒートシンク２９１を安定して冷却することができる。
【００６７】
また、噴射ノズル２９２から噴射する流体を空気とすることで、取扱いが簡単となるとともにコスト減を図ることができる。また、例えば、冷凍式クーラー等を使用し、冷却された空気を用いることによって、ＩＣデバイス９の冷却性能を向上させることができる。但し、噴射ノズル２９２から噴射する流体としては、空気に限定されず、例えば、窒素、アルゴン、二酸化炭素、フッ素系ガスや、これらを含む混合ガス等の各種の絶縁性ガス等の気体が適用可能である。また、噴射ノズル２９２から噴射する空気（流体）の温度を調整する温度調整部を設けてもよい。
【００６８】
ヒーターブロック２４０には、２本の棒状のヒーター（加熱部）２４１が埋設されている。また、各ヒーター２４１は、Ｘ方向へ延在している。このヒーター２４１が埋設されたヒーターブロック２４０は、ヒートシンク２９１と接触ブロック２６０との間に位置し、接触ブロック２６０に配置されている。このヒーター２４１の駆動は、制御部８によって制御され、ヒーター２４１が発熱すると、その熱がヒーターブロック２４０および接触ブロック２６０を介してＩＣデバイス９に伝わり、ＩＣデバイス９の温度が上昇する。これにより、高温環境下でのＩＣデバイス９の電気的特性を検査することができる。
【００６９】
このようなヒーター２４１としては、ＩＣデバイス９を加熱することができれば、特に限定されず、例えば、アルミナヒーター、窒化アルミヒーター、窒化珪素ヒーター、炭化珪素ヒーター、窒化硼素ヒーター等の各種セラミックヒーター、ニクロム線等の電熱線を用いた各種カートリッジヒーター等を用いることができる。また、ヒーター２４１は、棒状のものに限定されず、例えば、面状のものを用いることもできる。なお、加熱部としては、ヒーター２４１に限定されず、この他、例えば、ペルチェ素子等が挙げられる。
【００７０】
また、ヒーターブロック２４０には、温度センサー２４３が埋設されている。温度センサー２４３は、ヒーターブロック２４０の温度を検出（検知）することで、間接的にＩＣデバイス９の温度を検出する。温度センサー２４３の検出結果、すなわち、温度センサー２４３から出力された信号は、制御部８に入力され、制御部８は、温度センサー２４３により検出された温度を把握する。なお、前述したように、ヒーターブロック２４０および接触ブロック２６０を熱伝導率の高い材料で構成することにより、ＩＣデバイス９とヒーターブロック２４０の温度差は少なく、ヒーターブロック２４０に埋設された温度センサー２４３によってもＩＣデバイス９の温度を十分正確に検出することができる。
【００７１】
温度センサー２４３としては、ＩＣデバイス９の温度を検出することができれば、特に限定されず、例えば、白金センサー等のＰｔセンサー、熱電対、サーミスター等を用いることができる。なお、ＩＣデバイス９がサーマルダイオード等を内蔵している場合には、温度センサー２４３を省略し、サーマルダイオードによってＩＣデバイス９の温度を検出してもよい。
【００７２】
なお、本実施形態の温度センサー２４３は、ＩＣデバイス９の温度を間接的に検出するように配置されているが、その配置は、ＩＣデバイス９の温度を検出することができれば特に限定されず、例えば、直接、ＩＣデバイス９の温度を検出するよう構成されていてもよい。具体的には、温度センサー２４３が、デバイスチャック２２０の下面に露出するように配置され、押圧時にいずれか一方のＩＣデバイス９と接触するようになっていてもよい。また、検査装置１では、ヒーターブロック２４０および接触ブロック２６０の熱抵抗を考慮して、温度センサー２４３で検出された温度に所定の補正を加えた温度をＩＣデバイス９の温度としてもよい。
【００７３】
また、本実施形態では、温度センサー２４３をヒーターブロック２４０に埋設しているが、温度センサー２４３を接触ブロック２６０に埋設してもよく、その方がＩＣデバイス９との距離も近くなり、温度検出精度が向上すると考えられる。しかしながら、接触ブロック２６０は、ＩＣデバイス９の種類や大きさによって適宜選択される部材であるため、仮に、接触ブロック２６０に温度センサー２４３を配置するとしたら、替えの接触ブロック２６０全てに温度センサー２４３を配置しなければならずコスト増を招く。したがって、コスト減を目的とするならば、本実施形態のように、温度センサー２４３をヒーターブロック２４０に配置するのがよい。
【００７４】
このようなハンドユニット４３３によれば、ＩＣデバイス９のヒーター２４１による加熱と、空気Ｇによる冷却とによって、ＩＣデバイス９の温度を所定温度範囲内（例えば、設定温度±２℃程度）に維持することができる。特に、空気Ｇによって、ＩＣデバイス９の自己発熱による昇温を迅速にキャンセルすることができ、検査中のＩＣデバイス９の温度をほぼ一定に保ち続けることができ、ＩＣデバイス９の検査をより精度良く行うことができる。
【００７５】
−回収ロボット−
回収ロボット４４は、検査部５での検査を終えたＩＣデバイス９を回収側配列部６に搬送するロボットである。このような回収ロボット４４は、ベース１１に支持された支持フレーム４４１と、支持フレーム４４１に支持され、支持フレーム４４１に対してＹ方向に往復移動可能な移動フレーム４４２と、移動フレーム４４２に支持された４つのハンドユニット（把持ロボット）４４３と、を有している。各ハンドユニット４４３は、昇降機構および吸着ノズルを備え、ＩＣデバイス９を吸着することで把持することができる。
【００７６】
このような搬送部４は、次のようにしてＩＣデバイス９を搬送する。まず、シャトル４１が図中左側に移動し、供給ロボット４２が載置ステージ３４１上のＩＣデバイス９をシャトル４１に搬送する（ＳＴＥＰ１）。次に、シャトル４１が中央へ移動し、検査ロボット４３がシャトル４１上のＩＣデバイス９を検査部５へ搬送する（ＳＴＥＰ２）。次に、検査ロボット４３が検査部５での検査を終えたＩＣデバイス９をシャトル４１へ搬送する（ＳＴＥＰ３）。次に、シャトル４１が図中右側へ移動し、回収ロボット４４がシャトル４１上の検査済みのＩＣデバイス９を回収側配列部６に搬送する（ＳＴＥＰ４）。このようなＳＴＥＰ１〜ＳＴＥＰ４を繰り返すことで、ＩＣデバイス９を検査部５を経由して回収側配列部６へ搬送することができる。
【００７７】
以上、搬送部４の構成について説明したが、搬送部４の構成としては、載置ステージ３４１上のＩＣデバイス９を検査部５へ搬送し、検査を終えたＩＣデバイス９を回収側配列部６へ搬送することができれば、特に限定されない。例えば、シャトル４１を省略し、供給ロボット４２、検査ロボット４３および回収ロボット４４のいずれか１つのロボットで、載置ステージ３４１から検査部５への搬送、および、検査部５から回収側配列部６への搬送を行ってもよい。
【００７８】
≪検査部≫
検査部５は、ＩＣデバイス９の電気的特性を検査・試験するユニットである。検査部５は、図２に示すように、ＩＣデバイス９を配置する４つの保持部５１を有している。これら保持部５１には、それぞれ、ＩＣデバイス９の端子と電気的に接続される複数のプローブピン（図示せず）が設けられている。各プローブピンは、制御部８に電気的に接続されている。ＩＣデバイス９の検査の際は、１つのＩＣデバイス９が１つの保持部５１に配置（保持）される。保持部５１に配置されたＩＣデバイス９の各端子は、それぞれ、検査ロボット４３のハンドユニット４３３の押圧によって所定の検査圧で各プローブピンに押し付けられる。これにより、ＩＣデバイス９の各端子と各プローブピンとが電気的に接続され（接触し）、プローブピンを介してＩＣデバイス９の検査が行われる。ＩＣデバイス９の検査は、制御部８に記憶されているプログラムに基づいて行われる。
【００７９】
≪制御部≫
制御部８は、例えば、検査制御部と、駆動制御部と、を有している。検査制御部は、例えば、図示しないメモリー内に記憶されたプログラムに基づいて、検査部５に配置されたＩＣデバイス９の電気的特性の検査等を行う。また、駆動制御部は、例えば、供給部２、供給側配列部３、搬送部４、検査部５、回収側配列部６および回収部７の各部の駆動を制御し、ＩＣデバイス９の搬送等を行う。また、制御部８は、ＩＣデバイス９の温度制御も行う。
【００８０】
次に、ＩＣデバイス９の温度制御について説明する。また、その温度制御に用いられ、ヒートシンク２９１に空気Ｇを噴射する機構について説明するが、代表的に、１つの噴射ノズル２９２についての機構を説明する。
【００８１】
図７に示すように、検査装置１は、空気Ｇを噴出し、噴射ノズル２９２に空気Ｇを供給するポンプ（流体供給部）１３３と、ポンプ１３３と噴射ノズル２９２とを接続する管体１４とを有している。管体１４の内腔は、空気Ｇが流れる流路である。また、管体１４の途中には、その流路を開閉する電磁弁（バルブ）１３１が設けられている。また、電磁弁１３１の駆動は、それぞれ、制御部８によって制御される。
【００８２】
この検査装置１では、温度センサー２４３により、ＩＣデバイス９の温度を検出し、その検出結果に基づいて、ＩＣデバイス９の温度が検査に適した所定の設定温度（目標温度）になるように温度制御を行う。
【００８３】
ＩＣデバイス９の検査前は、電磁弁１３１は閉じている。そして、ヒーター２４１を駆動してＩＣデバイス９を加熱し、また、ヒーター２４１の出力を調整し、ＩＣデバイス９の温度を設定温度に調整する。なお、温度センサー２４３により検出されたＩＣデバイス９の温度が設定温度の許容範囲の上限値である閾値Ｔｍａｘよりも高い場合は、ヒーター２４１の出力を低減または停止すればよいが、これとともに、ポンプ１３３を駆動し、電磁弁１３１を開き、噴射ノズル２９２から空気Ｇを噴射してもよい。噴射ノズル２９２から空気Ｇを噴射した場合は、ヒートシンク２９１に空気Ｇが吹き付けられ、そのヒートシンク２９１を介してＩＣデバイス９が冷却される。このようにして、ＩＣデバイス９の温度が設定温度になるように制御される。
【００８４】
ＩＣデバイス９の検査中は、ＩＣデバイス９への通電によりＩＣデバイス９が自己発熱し、設定温度より高くなる場合がある。このため、温度センサー２４３により検出されたＩＣデバイス９の温度が設定温度の許容範囲の上限値である閾値Ｔｍａｘよりも高い場合は、ヒーター２４１の出力を低減または停止するとともに、ポンプ１３３を駆動し、電磁弁１３１を開き、噴射ノズル２９２から空気Ｇを噴射する。
【００８５】
噴射ノズル２９２から空気Ｇを噴射することにより、ヒートシンク２９１に空気Ｇが吹き付けられ、ヒートシンク２９１を介してＩＣデバイス９が冷却される。このようにして、ＩＣデバイス９の温度が設定温度になるように制御される。
【００８６】
以上説明したように、この検査装置１によれば、第１接触部２６１および第２接触部２６２に対して他の部材を共用することにより、小型化を図ることができ、また、部品点数を削減することができる。特に、第１接触部２６１と第２接触部２６２との間の間隔を小さくすることができ、これにより、複数のハンドユニット４３３を並べて設置する場合、同時に、多数のＩＣデバイス９を把持し、検査することができる。
【００８７】
また、前記のように熱伝導率を設定することにより、２つのＩＣデバイス９の間に温度差が生じることを抑制することができる。
【００８８】
また、ＩＣデバイス９を加熱しつつ冷却することができるので、ＩＣデバイス９の温度を精度良く調整することができる。
【００８９】
＜第２実施形態＞
図９は、本発明の電子部品検査装置の第２実施形態の主要部を示すブロック図である。図１０は、図９に示す電子部品検査装置の制御動作を示すフローチャートである。
【００９０】
以下、第２実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。また、ヒートシンク２９１に空気Ｇを噴射する機構について、代表的に、１つの噴射ノズル２９２についての機構を説明する。
【００９１】
図９に示すように、第２実施形態の検査装置１は、空気Ｇを噴出し、噴射ノズル２９２に空気Ｇを供給するポンプ（流体供給部）１３３と、ポンプ１３３と噴射ノズル２９２とを接続する管体１４と、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの流量を検出（測定）する流量検出部としての流量計（流量センサー）２４２とを有している。管体１４の内腔は、空気Ｇが流れる流路である。
【００９２】
また、流量計２４２は、例えば、管体１４内に設置されている。流量計２４２で検出された空気Ｇの流量を示す信号は、制御部８に入力され、制御部８は、流量計２４２により検出された空気Ｇの流量を把握する。なお、流量計２４２としては、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの流量を検出できるものであれば、管体１４内に予め設定されているものでもよく、また、後付のものでもよい。
【００９３】
また、流量計２４２による空気Ｇの流量の他の検出方法としては、例えば、流量計２４２として熱線流量計を用い、流量計２４２を噴射ノズル２９２の近傍に配置し、空気Ｇの流量を検出する。噴射ノズル２９２の近傍とは、噴射ノズル２９２の内部空間、噴射ノズル２９２の開口部、噴射ノズル２９２の開口部から所定距離だけ離間した位置等である。
【００９４】
また、管体１４は、その途中で、第１の管体１４１と第２の管体１４２とに分岐し、再び、合流している。すなわち、第１の管体１４１と第２の管体１４２とは、並列に接続されている。第１の管体１４１の内腔は、空気Ｇが流れる第１の流路であり、また、第２の管体１４２の内腔は、空気Ｇが流れる第２の流路である。前記第１の管体１４１の内腔（第１の流路）の中心軸に直交する方向での断面積は、前記第２の管体１４２の内腔（第２の流路）の中心軸に直交する方向での断面積よりも大きい。
【００９５】
第１の管体１４１の途中には、その流路（第１の流路）を開閉する電磁弁（バルブ）１３１が設けられている。また、第２の管体１４２の途中には、開度を調整して第２の管体１４２を流れる空気Ｇの流量を調整する絞り弁（第２流路用流量調整部）１３２が設けられている。このように、第２の管体１４２の一方の端部は、第１の管体１４１の電磁弁１３１よりも上流側の部位（本実施形態では端部）に連通し、第２の管体１４２の他方の端部は、第１の管体１４１の電磁弁１３１よりも下流側の部位（本実施形態では端部）に連通している。すなわち、第２の管体１４２は、電磁弁１３１を迂回している。また、電磁弁１３１および絞り弁１３２の駆動は、制御部８によって制御される。なお、第１の管体１４１、第２の管体１４２、電磁弁１３１および絞り弁１３２等により、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの流量を調整する流量調整部１００が構成される。
【００９６】
流量調整部１００は、制御部８の制御により、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量を、第１の平均流量と、第１の平均流量より大きい第２の平均流量とに調整可能に構成されている。電磁弁１３１を閉じ、絞り弁１３２を開いてその開度を所定の開度にした場合の前記平均流量が第１の平均流量であり、電磁弁１３１を開き、絞り弁１３２を開いてその開度を所定の開度にした場合の前記平均流量が第２の平均流量である。また、前記「平均流量」は、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの流量の単位時間における平均値である。なお、空気Ｇの流量は、経時的に増減する場合があるので、本実施形態では、空気Ｇの流量の瞬間値ではなく、平均流量を用いて管理する。
【００９７】
流量調整部１００は、ＩＣデバイス９を検査する前は、前記平均流量を第１の平均流量に設定する。一方、ＩＣデバイス９を検査している間の前記平均流量には第２の平均流量が含まれる。以下、詳細に説明する。
【００９８】
まず、この検査装置１では、温度センサー２４３により、ＩＣデバイス９の温度を検出し、その検出結果に基づいて、ＩＣデバイス９の温度が検査に適した所定の設定温度（目標温度）になるように温度制御を行う。
【００９９】
ＩＣデバイス９の検査前は、電磁弁１３１は閉じ、絞り弁１３２は開いている。また、絞り弁１３２の開度は所定の開度に調整される。そして、ヒーター２４１を駆動してＩＣデバイス９を加熱しつつ、噴射ノズル２９２からヒートシンク２９１に向けて空気Ｇを噴射し、ＩＣデバイス９を冷却し、これらのバランスをとり、ＩＣデバイス９の温度を設定温度に調整する。この場合、電磁弁１３１が閉じているので、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量は、第１の平均流量になっている。
【０１００】
ＩＣデバイス９の検査中は、ＩＣデバイス９への通電によりＩＣデバイス９が自己発熱し、設定温度より高くなる場合がある。このため、温度センサー２４３により検出されたＩＣデバイス９の温度が設定温度の許容範囲の上限値である閾値Ｔｍａｘよりも高い場合は、ヒーター２４１の出力を低減または停止するとともに、電磁弁１３１を開き、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量を第２の平均流量にする。これにより、ヒートシンク２９１から放熱される熱量が増大し、ＩＣデバイス９がさらに冷却される。また、ＩＣデバイス９の温度が閾値Ｔｍａｘよりも高くなる前からヒートシンク２９１に空気Ｇが吹き付けられているので、冷却の応答性（冷却応答性）が向上し、ＩＣデバイス９の温度を迅速に低下させることができる。このようにして、ＩＣデバイス９の温度が設定温度になるように制御される。
【０１０１】
また、ＩＣデバイス９の検査終了後は、電磁弁１３１を閉じ、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量を第１の平均流量にし、次のＩＣデバイス９の検査に備える。
【０１０２】
ここで、第１の平均流量ａは、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、１ｍＬ／秒以上、５００ｍＬ／秒以下であることが好ましく、１０ｍＬ／秒以上、１００ｍＬ／秒以下であることがより好ましい。
【０１０３】
第１の平均流量ａが前記上限値よりも大きいと、他の条件にもよるが、ヒーター２４１の出力を大きくする必要があり、消費エネルギーが増大する。
【０１０４】
また、第１の平均流量ａが前記下限値よりも小さいと、他の条件にもよるが、ＩＣデバイス９を冷却する場合の冷却応答性が低下する。
【０１０５】
また、第２の平均流量ｂは、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、２ｍＬ／秒以上、１０００ｍＬ／秒以下であることが好ましく、２０ｍＬ／秒以上、２００ｍＬ／秒以下であることがより好ましい。
【０１０６】
第２の平均流量ｂが前記上限値よりも大きいと、他の条件にもよるが、消費エネルギーが増大する。
【０１０７】
また、第２の平均流量ｂが前記下限値よりも小さいと、他の条件にもよるが、ＩＣデバイス９を冷却する場合の冷却応答性が低下する。
【０１０８】
また、第１の平均流量ａと第２の平均流量ｂとの比（ｂ／ａ）は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、１．５以上であることが好ましく、２以上、１０以下であることがより好ましい。
【０１０９】
ｂ／ａが前記上限値よりも大きいと、他の条件にもよるが、消費エネルギーが増大する。
【０１１０】
また、ｂ／ａが前記下限値よりも小さいと、他の条件にもよるが、ＩＣデバイス９を冷却する場合の冷却応答性が低下する。
【０１１１】
次に、噴射ノズル２９２から噴出する空気Ｇの平均流量の制御における制御部８の制御動作について説明する。
【０１１２】
まず、図１０に示すように、ＩＣデバイス９の検査前に、噴射ノズル２９２から噴出する空気Ｇの平均流量を第１の平均流量に設定する（ステップＳ１０１）。そして、前述したように、温度センサー２４３により、ＩＣデバイス９の温度を検出し、その検出結果に基づいて、ＩＣデバイス９の温度が設定温度になるように温度制御を行う。
【０１１３】
次いで、ＩＣデバイス９の検査を開始したか否かを判断し（ステップＳ１０２）、検査を開始した場合には、温度センサー２４３により、ＩＣデバイス９の温度Ｔを検出し（ステップＳ１０３）、検出された温度Ｔが、設定温度の許容範囲の上限値である閾値Ｔｍａｘよりも大きいか否かを判断する（ステップＳ１０４）。
【０１１４】
ステップＳ１０４において、検出された温度Ｔが、閾値Ｔｍａｘ以下であると判断した場合は、平均流量を第１の平均流量にする（ステップＳ１０５）。すなわち、現在の平均流量が第１の平均流量の場合は、それを維持し、現在の平均流量が第２の平均流量の場合は、平均流量を第１の平均流量に変更する。
【０１１５】
また、ステップＳ１０４において、検出された温度Ｔが、閾値Ｔｍａｘよりも大きいと判断した場合は、平均流量を第２の平均流量にする（ステップＳ１０６）。すなわち、現在の平均流量が第２の平均流量の場合は、それを維持し、現在の平均流量が第１の平均流量の場合は、平均流量を第２の平均流量に変更する。また、この場合は、前述したように、ヒーター２４１の出力を低減または停止する。
【０１１６】
次いで、ＩＣデバイス９の検査が終了したか否かを判断し（ステップＳ１０７）、検査が終了していない場合には、ステップＳ１０３に戻り、再度、ステップＳ１０３以降を実行する。また、ＩＣデバイス９の検査が終了した場合には、次のＩＣデバイス９の検査に備え、平均流量を第１の平均流量にする（ステップＳ１０８）。すなわち、現在の平均流量が第１の平均流量の場合は、それを維持し、現在の平均流量が第２の平均流量の場合は、平均流量を第１の平均流量に変更する。以上で、このプログラムを終了する。
【０１１７】
以上説明したように、この検査装置１によれば、ＩＣデバイス９を冷却する場合、冷却応答性を向上させることができる。これにより、ＩＣデバイス９の温度を検査の設定温度に保つ制御において、ＩＣデバイス９の温度が設定温度よりも高い場合に、ＩＣデバイス９の温度を迅速に低下させることができる。
【０１１８】
また、ＩＣデバイス９と接触する接触ブロック２６０の温度は、検査の設定温度にし、ヒートシンク２９１の温度は、可能な限り低い温度にしておきたい。すなわち、接触ブロック２６０とヒートシンク２９１との間の温度勾配が大きい方が、冷却応答性が良いので、ヒーター２４１をヒートシンク２９１と接触ブロック２６０の間に配置することにより、接触ブロック２６０とヒートシンク２９１との間の温度勾配を大きくする。これにより、迅速に、ヒートシンク２９１を介してＩＣデバイス９を冷却することができる。また、容易に、接触ブロック２６０を介してＩＣデバイス９を加熱することができる。
【０１１９】
そして、以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１２０】
以上、本発明の電子部品搬送装置および電子部品検査装置について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１２１】
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【０１２２】
また、前記実施形態では、第２部材の数は、２つであるが、本発明では、これに限定されず、３つ以上でもよい。
【符号の説明】
【０１２３】
１……検査装置
１０……搬送装置
１００……流量調整部
１１……ベース
１１１……ベース面
１２……カバー
２……供給部
３……供給側配列部
３４１……載置ステージ
４……搬送部
４１……シャトル
４１１……ポケット
４２……供給ロボット
４２１……支持フレーム
４２２……移動フレーム
４２３……ハンドユニット
４３……検査ロボット
４３１……支持フレーム
４３２……移動フレーム
４３３……ハンドユニット
４４……回収ロボット
４４１……支持フレーム
４４２……移動フレーム
４４３……ハンドユニット
５……検査部
５１……保持部
６……回収側配列部
７……回収部
８……制御部
９……ＩＣデバイス
１３１……電磁弁
１３２……絞り弁
１３３……ポンプ
１４……管体
１４１……第１の管体
１４２……第２の管体
２１０……エアシリンダー
２１１……シリンダチューブ
２１２……チューブ本体
２１２１……薄肉部
２１３……バックプレート
２１４……ピストン
２１４１……先端部
２１４２……基端部
２１５……エアー導入口
２２０……デバイスチャック
２３１……第１連結ブロック
２３２……第２連結ブロック
２３３……支柱
２３４……ネジ
２３５……断熱材
２４０……ヒーターブロック
２４０１、２４０２……真空案内路
２４１……ヒーター
２４２……流量計
２４３……温度センサー
２６０……接触ブロック
２６１……第１接触部
２６２……第２接触部
２６３……基部
２７１、２７２……中間部材
２９０……冷却部
２９１……ヒートシンク
２９１１……基部
２９１２……フィン
２９２……噴射ノズル
２９２１……噴射孔
Ｄ１……第１室
Ｄ２……第２室
Ｐ２、Ｐ３……連結ポート
Ｇ……空気
Ｓ１０１〜Ｓ１０８……ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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