(57)【要約】      （修正有）【課題】発光効率が高く、消費電力が低減され、且つ色度の視野角依存性が低減された新規な発光装置を提供する。【解決手段】第１の発光素子１０１Ｒから第１の光学素子１２４Ｒを介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、第２の発光素子１０１Ｇから第２の光学素子１２４Ｇを介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、第３の発光素子１０１Ｂから第３の光学素子１２４Ｂを介して射出される光は、第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、１５％以下である、発光装置１５０。【選択図】図１
2016039151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、
第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有し、
前記第１の発光素子から前記第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、
前記第２の発光素子から前記第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
前記第３の発光素子から前記第３の光学素子を介して射出される光は、前記第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、
前記第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、
前記第３の極大値に対する前記第４の極大値の強度比は、１５％以下である、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の光学素子は、
５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
前記第２の光学素子は、
４８０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
前記第３の光学素子は、
４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
且つ、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の発光素子は、
第１の下部電極と、
前記第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、
前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
前記第１の発光層上の第２の発光層と、
前記第２の発光層上の上部電極と、を有し、
前記第２の発光素子は、
第２の下部電極と、
前記第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、
前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
前記第３の発光素子は、
第３の下部電極と、
前記第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、
前記第３の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の発光層と前記第２の発光層との間に、
さらに、電荷発生層を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
前記第１の発光素子は、
第１の下部電極と、
前記第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、
前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
前記第１の発光層上の第２の発光層と、
前記第２の発光層上の第３の発光層と、
前記第３の発光層上の上部電極と、を有し、
前記第２の発光素子は、
第２の下部電極と、
前記第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、
前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記第３の発光層と、
前記第３の発光層上の前記上部電極と、を有し、
前記第３の発光素子は、
第３の下部電極と、
前記第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、
前記第３の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記第３の発光層と、
前記第３の発光層上の前記上部電極と、を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の発光層と前記第２の発光層との間に、
さらに、電荷発生層を有し、
前記第２の発光層と前記第３の発光層とは、互いに接する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項３または請求項４において、
前記第１の発光層からの発光スペクトルは、
青色の波長領域にピークを有し、
前記第２の発光層からの発光スペクトルは、
黄色の波長領域にピークを有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項５または請求項６において、
前記第１の発光層からの発光スペクトルは、
青色の波長領域にピークを有し、
前記第２の発光層からの発光スペクトルは、
緑色の波長領域にピークを有し、
前記第３の発光層からの発光スペクトルは、
赤色の波長領域にピークを有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項３乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の下部電極、前記第２の下部電極、及び前記第３の下部電極は、それぞれ、可視光を反射する機能を有し、
前記上部電極は、
可視光を反射する機能と、可視光を透過する機能と、を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項３乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の下部電極、前記第２の下部電極、及び前記第３の下部電極は、それぞれ、銀を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項３乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第３の透明導電膜の膜厚は、
前記第１乃至第３の透明導電膜の中で最も厚い、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項３乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第３の下部電極と前記第１の発光層との距離は、
前記第１の下部電極と前記第１の発光層との距離、及び前記第２の下部電極と前記第１の発光層との距離のいずれよりも長い、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項３乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の下部電極と、前記第３の発光層との間の光学距離が３λＲ／４（λＲは赤色の波長を表す）近傍であり、
前記第２の下部電極と、前記第２の発光層との間の光学距離が３λＧ／４（λＧは緑色の波長を表す）近傍であり、
前記第３の下部電極と、前記第１の発光層との間の光学距離が３λＢ／４（λＢは青色の波長を表す）近傍である、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子と、
第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、第４の光学素子と、を有し、
前記第１の発光素子から前記第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、
前記第２の発光素子から前記第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
前記第３の発光素子から前記第３の光学素子を介して射出される光は、前記第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、
前記第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、
前記第４の発光素子から前記第４の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有し、
前記第３の極大値に対する前記第４の極大値の強度比は、１５％以下である、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子と、
第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有し、
前記第１の発光素子から前記第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、
前記第２の発光素子から前記第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
前記第３の発光素子から前記第３の光学素子を介して射出される光は、前記第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、
前記第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、
前記第４の発光素子から射出される光は、前記第１の光学素子乃至前記第３の光学素子を介さずに射出され、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有し、
前記第３の極大値に対する前記第４の極大値の強度比は、１５％以下である、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５において、
前記第１の光学素子は、
５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
前記第２の光学素子は、
４８０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
前記第３の光学素子は、
４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
且つ、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
請求項１４乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１の発光素子は、
第１の下部電極と、
前記第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、
前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
前記第１の発光層上の第２の発光層と、
前記第２の発光層上の上部電極と、を有し、
前記第２の発光素子は、
第２の下部電極と、
前記第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、
前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
前記第３の発光素子は、
第３の下部電極と、
前記第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、
前記第３の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
前記第４の発光素子は、
第４の下部電極と、
前記第４の下部電極上の第４の透明導電膜と、
前記第４の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記第１の発光層と前記第２の発光層との間に、
さらに、電荷発生層を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１９】
請求項１４乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１の発光素子は、
第１の下部電極と、
前記第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、
前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
前記第１の発光層上の第２の発光層と、
前記第２の発光層上の第３の発光層と、
前記第３の発光層上の上部電極と、を有し、
前記第２の発光素子は、
第２の下部電極と、
前記第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、
前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記第３の発光層と、
前記第３の発光層上の前記上部電極と、を有し、
前記第３の発光素子は、
第３の下部電極と、
前記第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、
前記第３の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記第３の発光層と、
前記第３の発光層上の前記上部電極と、を有し、
前記第４の発光素子は、
第４の下部電極と、
前記第４の下部電極上の第４の透明導電膜と、
前記第４の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記第３の発光層と、
前記第３の発光層上の前記上部電極と、を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記第１の発光層と前記第２の発光層との間に、
さらに、電荷発生層を有し、
前記第２の発光層と前記第３の発光層とは、互いに接する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２１】
請求項１７または請求項１８において、
前記第１の発光層からの発光スペクトルは、
青色の波長領域にピークを有し、
前記第２の発光層からの発光スペクトルは、
黄色の波長領域にピークを有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２２】
請求項１９または請求項２０において、
前記第１の発光層からの発光スペクトルは、
青色の波長領域にピークを有し、
前記第２の発光層からの発光スペクトルは、
緑色の波長領域にピークを有し、
前記第３の発光層からの発光スペクトルは、
赤色の波長領域にピークを有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２３】
請求項１７乃至請求項２２のいずれか一項において、
前記第１の下部電極、前記第２の下部電極、前記第３の下部電極、及び前記第４の下部電極は、それぞれ、可視光を反射する機能を有し、
前記上部電極は、
可視光を反射する機能と、可視光を透過する機能と、を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２４】
請求項１７乃至請求項２３のいずれか一項において、
前記第１の下部電極、前記第２の下部電極、前記第３の下部電極、及び前記第４の下部電極は、それぞれ、銀を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２５】
請求項１７乃至請求項２４のいずれか一項において、
前記第３の透明導電膜の膜厚は、
前記第１乃至第４の透明導電膜の中で最も厚い、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２６】
請求項１７乃至請求項２４のいずれか一項において、
前記第３の下部電極と前記第１の発光層との距離は、
前記第１の下部電極と前記第１の発光層との距離、前記第２の下部電極と前記第１の発光層との距離、及び前記第４の下部電極と前記第１の発光層との距離の中で最も長い、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２７】
請求項１７乃至請求項２６のいずれか一項において、
前記第１の下部電極と、前記第３の発光層との間の光学距離が３λＲ／４（λＲは赤色の波長を表す）近傍であり、
前記第２の下部電極と、前記第２の発光層との間の光学距離が３λＧ／４（λＧは緑色の波長を表す）近傍であり、
前記第３の下部電極と、前記第１の発光層との間の光学距離が３λＢ／４（λＢは青色の波長を表す）近傍である、
前記第４の下部電極と、前記第２の発光層との間の光学距離が３λＹ／４（λＹは黄色の波長を表す）近傍である、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２８】
請求項１乃至請求項２７のいずれか一項に記載の発光装置と、
筐体および／またはタッチセンサと、
を有する電子機器。
【請求項２９】
請求項１乃至請求項２７のいずれか一項に記載の発光装置と、
筐体および／またはタッチセンサと、
を有する照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる発光層を一対の電極間に挟んでなる発光素子、または該発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層（ＥＬ層）を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
【０００４】
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れ、バックライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製でき、応答速度が高いなどの利点も有する。
【０００５】
発光素子からの光の取り出し効率を改善するために、一対の電極間で光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を採用し、特定波長における光強度を増加させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１８２１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一対の電極間で光の共振効果を利用した微小光共振器構造（以下、マイクロキャビティ構造という）を発光素子に採用した場合、発光素子の法線ベクトルと平行の方向に対しては、共振効果により、所望の光を取り出すことが可能となる。しかしながら、発光素子の法線ベクトルからずれる、すなわち発光素子の法線ベクトルから離れた位置においては、所望の光とは異なる波長となる場合がある。このような発光素子を有する発光装置においては、色度の視野角依存性が生じる場合がある。
【０００８】
上述した課題に鑑み、本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することを課題の一つとする。または発光効率が高く、消費電力が低減され、且つ色度の視野角依存性が低減された新規な発光装置を提供することを課題の一つとする。または新規な発光装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【０００９】
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、少なくとも１つの発光素子と、１つの光学素子と、を有する発光装置であって、該発光素子から該光学素子を介して射出される光は、該発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に１つ目の極大値と、該１つ目の極大値よりも長波長側に位置する、２つ目の極大値と、を有し、１つ目の極大値に対する２つ目の極大値の強度比が、１５％以下である。より詳細には以下の通りである。
【００１１】
本発明の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有し、第１の発光素子から第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、第２の発光素子から第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、第３の発光素子から第３の光学素子を介して射出される光は、第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、１５％以下である、ことを特徴とする発光装置である。
【００１２】
また、上記構成において、第１の光学素子は、５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、第２の光学素子は、４８０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、第３の光学素子は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、且つ、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有すると好ましい。
【００１３】
また、上記各構成において、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有すると好ましい。
【００１４】
また、上記構成において、第１の発光層と第２の発光層との間に、さらに、電荷発生層を有する、ことが好ましい。
【００１５】
また、上記各構成において、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有すると好ましい。
【００１６】
また、上記構成において、第１の発光層と第２の発光層との間に、さらに、電荷発生層を有し、第２の発光層と第３の発光層とは、互いに接すると好ましい。
【００１７】
また、上記各構成において、第１の発光層からの発光スペクトルは、青色の波長領域にピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、黄色の波長領域にピークを有すると好ましい。また、上記各構成において、第１の発光層からの発光スペクトルは、青色の波長領域にピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、緑色の波長領域にピークを有し、第３の発光層からの発光スペクトルは、赤色の波長領域にピークを有すると好ましい。
【００１８】
また、上記各構成において、第１の下部電極、第２の下部電極、及び第３の下部電極は、それぞれ、可視光を反射する機能を有し、上部電極は、可視光を反射する機能と、可視光を透過する機能と、を有すると好ましい。また、上記各構成において、第１の下部電極、第２の下部電極、及び第３の下部電極は、それぞれ、銀を有すると好ましい。
【００１９】
また、上記各構成において、第３の透明導電膜の膜厚は、第１乃至第３の透明導電膜の中で最も厚いことが好ましい。また、上記各構成において、第３の下部電極と第１の発光層との距離は、第１の下部電極と第１の発光層との距離、及び第２の下部電極と第１の発光層との距離の中で最も長いと好ましい。
【００２０】
また、上記各構成において、第１の下部電極と、第３の発光層との間の光学距離が３λＲ／４（λＲは赤色の波長を表す）近傍であり、第２の下部電極と、第２の発光層との間の光学距離が３λＧ／４（λＧは緑色の波長を表す）近傍であり、第３の下部電極と、第１の発光層との間の光学距離が３λＢ／４（λＢは青色の波長を表す）近傍であると好ましい。
【００２１】
また、本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子と、第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、第４の光学素子と、を有し、第１の発光素子から第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、第２の発光素子から第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、第３の発光素子から第３の光学素子を介して射出される光は、第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、第３の極大値よりも長波長側に位置する第４の極大値と、を有し、第４の発光素子から第４の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有し、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、１５％以下であることを特徴とする発光装置である。
【００２２】
また、本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子と、第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有し、第１の発光素子から第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、第２の発光素子から第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、第３の発光素子から第３の光学素子を介して射出される光は、第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、第４の発光素子から射出される光は、第１の光学素子乃至第３の光学素子を介さずに射出され、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有し、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、１５％以下であることを特徴とする発光装置である。
【００２３】
また、上記各構成において、第１の光学素子は、５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、第２の光学素子は、４８０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、第３の光学素子は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、且つ、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有すると好ましい。
【００２４】
また、上記各構成において、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第４の発光素子は、第４の下部電極と、第４の下部電極上の第４の透明導電膜と、第４の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有すると好ましい。
【００２５】
また、上記構成において、第１の発光層と第２の発光層との間に、さらに、電荷発生層を有すると好ましい。
【００２６】
また、上記各構成において、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第４の発光素子は、第４の下部電極と、第４の下部電極上の第４の透明導電膜と、第４の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有すると好ましい。
【００２７】
また、上記構成において、第１の発光層と第２の発光層との間に、さらに、電荷発生層を有し、第２の発光層と第３の発光層とは、互いに接すると好ましい。
【００２８】
また、上記各構成において、第１の発光層からの発光スペクトルは、青色の波長領域にピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、黄色の波長領域にピークを有すると好ましい。また、上記各構成において、第１の発光層からの発光スペクトルは、青色の波長領域にピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、緑色の波長領域にピークを有し、第３の発光層からの発光スペクトルは、赤色の波長領域にピークを有すると好ましい。
【００２９】
また、上記各構成において、第１の下部電極、第２の下部電極、第３の下部電極、及び第４の下部電極は、それぞれ、可視光を反射する機能を有し、上部電極は、可視光を反射する機能と、可視光を透過する機能と、を有すると好ましい。また、上記各構成において、第１の下部電極、第２の下部電極、第３の下部電極、及び第４の下部電極は、それぞれ、銀を有すると好ましい。
【００３０】
また、上記各構成において、第３の透明導電膜の膜厚は、第１乃至第４の透明導電膜の中で最も厚いと好ましい。また、上記各構成において、第３の下部電極と、第１の発光層との距離は、第１の下部電極と第１の発光層との距離、第２の下部電極と第１の発光層との距離、及び第４の下部電極と第１の発光層との距離の中で最も長いと好ましい。
【００３１】
また、上記各構成において、第１の下部電極と、第３の発光層との間の光学距離が３λＲ／４（λＲは赤色の波長を表す）近傍であり、第２の下部電極と、第２の発光層との間の光学距離が３λＧ／４（λＧは緑色の波長を表す）近傍であり、第３の下部電極と、第１の発光層との間の光学距離が３λＢ／４（λＢは青色の波長を表す）近傍である、第４の下部電極と、第２の発光層との間の光学距離が３λＹ／４（λＹは黄色の波長を表す）近傍であると好ましい。
【００３２】
また、本発明の一態様は、上記各構成の発光装置と、筐体および／またはタッチセンサとを有する電子機器、または上記各構成の発光装置と、筐体および／またはタッチセンサとを有する照明装置も範疇に含めるものである。また、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置を有する場合がある。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の一態様により、新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、発光効率が高く、消費電力が低減され、且つ色度の視野角依存性が低減された新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な発光装置の作製方法を提供することができる。
【００３４】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図２】発光スペクトルや色度における視野角依存性を説明する断面模式図。
【図３】発光素子の法線ベクトルに対し、０°、１０°、３０°、５０°、及び７０°の電界発光スペクトルを測定した図。
【図４】着色層の透過率を説明する図。
【図５】着色層を介して、発光素子の法線ベクトルに対し、０°、１０°、３０°、５０°、及び７０°の電界発光スペクトルを測定した図。
【図６】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図７】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図８】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図９】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図１０】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図１１】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図１２】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図１３】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図１４】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図１５】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図１６】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図１７】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図１８】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図１９】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図２０】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図２１】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図２２】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図２３】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図２４】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図２５】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図２６】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図２７】本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する断面図。
【図２８】本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する断面図。
【図２９】本発明の一様態の発光素子を説明する断面模式図。
【図３０】発光層におけるエネルギー準位の相関を説明する図。
【図３１】発光層におけるエネルギー準位の相関を説明する図。
【図３２】本発明の一態様の発光装置を説明する上面図及び断面図。
【図３３】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図３４】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図３５】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図３６】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図３７】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図３８】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図３９】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図４０】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図４１】本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図及び回路図。
【図４２】表示モジュールを説明する斜視図。
【図４３】電子機器について説明する図。
【図４４】照明装置について説明する図。
【図４５】タッチパネルの一例を示す斜視図。
【図４６】タッチパネルの一例を示す断面図。
【図４７】タッチパネルの一例を示す断面図。
【図４８】タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。
【図４９】タッチセンサの回路図。
【図５０】実施例に係る、発光素子を説明する断面図。
【図５１】実施例に係る、発光素子の輝度−電流密度特性、及び輝度−電圧特性を説明する図。
【図５２】実施例に係る、発光素子のパワー効率−輝度特性を説明する図。
【図５３】実施例に係る、発光素子の電流効率−輝度特性を説明する図。
【図５４】実施例に係る、発光素子の電界発光スペクトルを説明する図。
【図５５】実施例に係る、発光素子の色度差Δｕ’ｖ’を説明する図。
【図５６】実施例に係る、発光素子の法線ベクトルに対し、０°、１０°、３０°、５０°、及び７０°の電界発光スペクトルを測定した図。
【図５７】実施例に係る、発光素子の法線ベクトルに対し、０°、１０°、３０°、５０°、及び７０°の電界発光スペクトルを測定した図。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３７】
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００３８】
また、本明細書などにおいて、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示さない場合がある。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
【００３９】
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
【００４０】
また、本明細書等において、青色の波長領域とは、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長領域であり、青色の発光とは該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、緑色の波長領域とは、４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長領域であり、緑色の発光とは該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、黄色の波長領域とは、５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長領域であり、黄色の発光とは該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、赤色の波長領域とは、６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長領域であり、赤色の発光とは該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。
【００４１】
また、本明細書等において、発光素子の法線ベクトルとは、発光素子が有する一対の電極の一方、ここでは光を取り出す側である上部電極の形成面に対して垂直の方向である。
【００４２】
また、本明細書等において、透明導電膜とは、可視光を透過する機能を有し、且つ導電性を有する膜である。例えば、透明導電膜としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）に代表される酸化物導電体膜、酸化物半導体膜、または有機物を含む有機導電体膜を含む。有機物を含む有機導電体膜としては、例えば、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を含む膜、有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを混合してなる複合材料を含む膜等が挙げられる。また、透明導電膜の抵抗率としては、好ましくは１×１０５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×１０４Ω・ｃｍ以下である。
【００４３】
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
【００４４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、図１乃至図３０を用いて以下説明する。
【００４５】
＜発光装置の構成例１＞
図１は、本発明の一態様の発光装置を示す断面図である。図１に示す発光装置１５０は、発光素子１０１Ｒと、発光素子１０１Ｇと、発光素子１０１Ｂと、光学素子１２４Ｒと、光学素子１２４Ｇと、光学素子１２４Ｂと、を有する。なお、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）は、基板１０２の上方に設けられ、各光学素子（光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、及び光学素子１２４Ｂ）は、基板１２２の下方に設けられる。
【００４６】
また、発光素子１０１Ｒは、下部電極１０４Ｒと、下部電極１０４Ｒ上の透明導電膜１０６Ｒと、透明導電膜１０６Ｒ上の発光層１０８と、発光層１０８上の発光層１１０と、発光層１１０上の上部電極１２０と、を有する。また、発光素子１０１Ｇは、下部電極１０４Ｇと、下部電極１０４Ｇ上の透明導電膜１０６Ｇと、透明導電膜１０６Ｇ上の発光層１０８と、発光層１０８上の発光層１１０と、発光層１１０上の上部電極１２０と、を有する。また、発光素子１０１Ｂは、下部電極１０４Ｂと、下部電極１０４Ｂ上の透明導電膜１０６Ｂと、透明導電膜１０６Ｂ上の発光層１０８と、発光層１０８上の発光層１１０と、発光層１１０上の上部電極１２０と、を有する。
【００４７】
また、発光装置１５０においては、各透明導電膜（透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｂ）と発光層１０８との間に、正孔注入層１３１と、正孔輸送層１３２と、を有する。また、発光層１０８と発光層１１０との間に、電子輸送層１３３と、電子注入層１３４と、電荷発生層１１６と、正孔注入層１３５と、正孔輸送層１３６と、を有する。また、発光層１１０と上部電極１２０との間に電子輸送層１３７と、電子注入層１３８と、を有する。
【００４８】
また、以下の説明において、一対の電極（例えば、下部電極１０４Ｒと上部電極１２０）の間に有する、上記各層をまとめてＥＬ層１００と呼ぶ場合がある。
【００４９】
なお、図１において、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１０８、電子輸送層１３３、電子注入層１３４、電荷発生層１１６、正孔注入層１３５、正孔輸送層１３６、発光層１１０、電子輸送層１３７、電子注入層１３８、及び上部電極１２０は、各発光素子でそれぞれ分離された状態で例示しているが、各発光素子で分離せずに共通して用いることができる。
【００５０】
また、図１において、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、及び下部電極１０４Ｂは、それぞれ、可視光を反射する機能を有する。また、上部電極１２０は、可視光を反射する機能と、可視光を透過する機能と、を有する。可視光を反射する機能を有する電極としては、それぞれアルミニウムまたは銀を有する材料を用いることで、反射率を高めることが可能となり、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｒ）からの発光効率を高くすることができる。
【００５１】
また、発光素子１０１Ｒから光学素子１２４Ｒを介して射出される光１８１は、赤色を呈する光となる波長領域を有する。また、発光素子１０１Ｇから光学素子１２４Ｇを介して射出される光１８２は、緑色を呈する光となる波長領域を有する。また、発光素子１０１Ｂから光学素子１２４Ｂを介して射出される光１８３は、青色を呈する光となる波長領域を有する。
【００５２】
別言すると、光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、及び光学素子１２４Ｂは、入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過する機能を有する。
【００５３】
一例としては、光学素子１２４Ｒは、５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有する。また、光学素子１２４Ｇは、４８０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有する。また、光学素子１２４Ｂは、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、且つ、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有する。
【００５４】
なお、図１において、各光学素子を介して各発光素子から射出される、赤色（Ｒ）を呈する光、緑色（Ｇ）を呈する光、及び青色（Ｂ）を呈する光を、それぞれ破線の矢印で模式的に表している。なお、後述する発光装置においても同様である。このように、図１に示す発光装置１５０は、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２とは反対側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともいう）の構造である。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２側に取り出す下面射出型（ボトムエミッション型ともいう）、または各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２の上方及び下方の双方に取り出す両面射出型（デュアルエミッション型ともいう）であってもよい。
【００５５】
また、光学素子１２４Ｒを介して射出される光１８１は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有する。また、光学素子１２４Ｇを介して射出される光１８２は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有する。また、光学素子１２４Ｂを介して射出される光１８３は、スペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、該第３の極大値よりも長波長側に位置する第４の極大値と、を有する。
【００５６】
例えば、発光層１０８に、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を用い、発光層１１０に、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を用いることで、上記の極大値を有する発光スペクトルを呈する各発光素子を形成することができる。一例としては、発光層１０８に、青色の発光を呈する第１の発光物質を用い、発光層１１０に黄色の発光を呈する第２の発光物質を用いると好適である。
【００５７】
このように、発光装置１５０は、発光層１０８の発光スペクトルと、発光層１１０の発光スペクトルと、を調整することで単色光に近い発光を得ることが可能である。また、発光層１０８の発光スペクトルと、発光層１１０の発光スペクトルとを調整することで、白色発光を得ることも可能である。
【００５８】
さらに、発光装置１５０は、発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂは、それぞれマイクロキャビティ構造を有する。
【００５９】
≪マイクロキャビティ構造≫
マイクロキャビティ構造について、以下に説明する。
【００６０】
発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光は、一対の電極（例えば、下部電極１０４Ｒと上部電極１２０）の間で共振される。発光装置１５０においては、各発光素子で透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整することで、発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を強めることができる。なお、各発光素子で正孔注入層１３１、及び正孔輸送層１３２のうち、少なくとも一つの膜厚を異ならせることで、発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を強めてもよい。
【００６１】
例えば、下部電極（下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、及び下部電極１０４Ｂ）と上部電極１２０の屈折率が発光層１０８または発光層１１０の屈折率よりも小さい場合においては、透明導電膜１０６Ｒの膜厚を、下部電極１０４Ｒと上部電極１２０との間の光学距離がｍＲλＲ／２（ｍＲは自然数を、λＲは発光素子１０１Ｒで強める光の波長を、それぞれ表す）となるように調整する。また、透明導電膜１０６Ｇの膜厚を、下部電極１０４Ｇと上部電極１２０との間の光学距離がｍＧλＧ／２（ｍＧは自然数を、λＧは発光素子１０１Ｇで強める光の波長を、それぞれ表す）となるように調整する。また、透明導電膜１０６Ｂの膜厚を、下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の光学距離がｍＢλＢ／２（ｍＢは自然数を、λＢは発光素子１０１Ｂで強める光の波長を、それぞれ表す）となるように調整する。
【００６２】
また、透明導電膜１０６Ｒの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｒと発光層１１０との間の光学距離を３λＲ／４近傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｇの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｇと、発光層１１０との間の光学距離を３λＧ／４近傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｂと、発光層１０８との間の光学距離を３λＢ／４近傍とすることができる。
【００６３】
上記構成を別言すると、透明導電膜１０６Ｂの膜厚としては、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇの中で最も厚い構成とすることができる。
【００６４】
また、上記光学距離とすることで、発光装置１５０においては、下部電極１０４Ｒと上部電極１２０との間の光学距離が２λＲ／２（すなわちλＲ）、下部電極１０４Ｇと上部電極１２０との間の光学距離が２λＧ／２（すなわちλＧ）、下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の光学距離が３λＢ／２（すなわち１．５λＢ）となる。
【００６５】
また、上記光学距離とすることで、下部電極１０４Ｂと発光層１０８との距離は、下部電極１０４Ｒと発光層１０８との距離、及び下部電極１０４Ｇと発光層１０８との距離、の中で最も長い構成とすることができる。
【００６６】
なお、下部電極１０４Ｂと発光層１０８との間の光学距離がλＢ／４近傍の場合、下部電極１０４Ｂの表面近傍での光の散乱または光の吸収により、光取出し効率が低下してしまう。これは、一対の電極の一方に反射率の高い金属膜（例えば銀を含む金属膜など）を用いると、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｌａｓｍｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）の影響により、反射率の高い金属膜の表面近傍で光の散乱または光の吸収が生じ、光取出し効率が低下するためである。
【００６７】
しかしながら、発光装置１５０においては、上述のように下部電極１０４Ｂと発光層１０８との間の光学距離が３λＢ／４近傍であるため、下部電極１０４Ｂ近傍での光の散乱または光の吸収を抑制し、高い光取出し効率を実現することができる。したがって、発光素子１０１Ｂからは、発光層１０８から青色の光を効率よく取り出すことが可能となる。
【００６８】
なお、下部電極（下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、及び下部電極１０４Ｂ）と、上部電極１２０との間の光学距離は、厳密には、下部電極における反射領域から上部電極１２０における反射領域までの距離と屈折率の積で表される。しかし、下部電極、及び上部電極１２０における反射領域を厳密に決定することが困難である。そのため、下部電極と上部電極１２０の任意の位置を反射領域と決定することで上述の効果を得ることができる。
【００６９】
すなわち、本明細書等において、λｚ近傍（ｚはＲ、Ｇ、Ｂを表す）とは、λｚに対し、−２０ｎｍ以上＋２０ｎｍ以下である。
【００７０】
同様に、下部電極と各発光層（発光層１０８または発光層１１０）との間の光学距離は、厳密には、下部電極における反射領域から各発光層における発光領域までの距離と屈折率の積で表される。しかし、下部電極における反射領域、及び各発光層における発光領域を厳密に決定することが困難であるため、反射電極の任意の位置を反射領域とし、各発光層の任意の位置を発光領域と決定することで上述の効果を得ることができる。
【００７１】
このように、図１に示す発光装置１５０においては、各発光素子の下部電極と、上部電極との間の光学距離を調整することで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑制し、高い光取出し効率を実現することができる。
【００７２】
しかしながら、発光素子１０１Ｂにおいて、透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｂと、発光層１０８との間の光学距離を３λＢ／４近傍とすることで、下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の光学距離が、３λＢ／２近傍となる。この時、他の発光素子、例えば発光素子１０１Ｒにおける下部電極１０４Ｒと上部電極１２０との間の光学距離が２λＲ／２近傍であり、λＲがλＢのおよそ１．５倍である場合、発光素子１０１Ｂにおける下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の光学距離と、発光素子１０１Ｒにおける下部電極１０４Ｒと上部電極１２０との間の光学距離と、が同程度となる。この場合、発光素子１０１Ｂと発光素子１０１Ｒは共に発光層１０８及び発光層１１０を有するため、発光素子１０１ＢからλＢ近傍の波長の発光とλＲ近傍の波長の発光と、が同時に射出される。したがって、発光素子１０１ＢからλＢ近傍の第３の極大値とλＢより長波長側に位置する第４の極大値とを有する光が射出されるが、λＢより長波長側に位置する第４の極大値の強度が大きい場合、色純度の低下が生じる。
【００７３】
なお、本発明の一態様の発光装置１５０においては、光学素子１２４Ｂを介して発光素子１０１Ｂからの発光が射出されるため、光学素子１２４Ｂにおいて、λＢの波長領域の光の透過率がλＲの波長領域の光の透過率よりも高くなるようにすることで、高い色純度を得ることが可能となる。
【００７４】
また、発光素子から射出される光は、正面方向と斜め方向とで発光スペクトルや発光色が変化する。これは、正面方向と斜め方向とでマイクロキャビティ構造における共振波長が変化するためである。つまり発光スペクトルや色度における視野角依存性が生じる。この原因について、図２を用いて説明する。
【００７５】
≪発光スペクトル及び色度における視野角依存性について≫
図２において、発光素子１０１Ｂを例に説明する。発光素子１０１Ｂにおいてマイクロキャビティ構造を設ける場合、発光面の正面方向において共振する波数ベクトルをｋ１とする。この時、斜め方向において共振する波数ベクトルｋ２は、以下の数式（１）で表すことができる。
【００７６】
【数１】
2016039151.tif 000003
【００７７】
なお、数式（１）において、θ２は発光素子内部での光の伝搬方向における、発光素子の発光面の法線ベクトルからの角度を表す。
【００７８】
また、屈折率の異なる媒体間に光が伝搬する時はスネルの法則より、以下の数式（２）が成り立つ。
【００７９】
【数２】
2016039151.tif 000004
【００８０】
なお、数式（２）において、θ１は外部に射出される光における発光素子の発光面の法線ベクトルからの角度を、ｎ０は発光素子外部の媒体の屈折率を、ｎＢは下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の媒体（ＥＬ層と透明導電膜１０６Ｂ）の屈折率を、それぞれ表す。
【００８１】
また、発光面の正面方向において共振する波数ベクトルｋ１は、発光素子の波長を用いて、以下の数式（３）で表すことができる。
【００８２】
【数３】
2016039151.tif 000005
【００８３】
数式（３）において、λＢは発光面の正面方向において共振する光の波長を表す。
【００８４】
数式（１）乃至数式（３）より、斜め方向における共振波長は、以下の数式（４）で表すことができる。
【００８５】
【数４】
2016039151.tif 000006
【００８６】
数式（４）より、発光面の正面方向（θ１＝０°）よりも、発光面の斜め方向（θ１＞０°）の方が共振波長は小さくなり、θ１が大きくなるほど共振波長は小さくなる。
【００８７】
このように、斜め方向と正面方向とで、発光スペクトルや発光色が変化するため、正面方向において、所望の発光スペクトルや発光色が得られているとしても、色度の視野角依存性が生じる場合がある。
【００８８】
ここで、発光素子の発光スペクトルの視野角依存性、または色度の視野角依存性について、図３乃至図５並びに表１及び表２を用いて説明する。
【００８９】
図３は、図１に示す発光素子１０１Ｂに相当する発光素子を作製し、該発光素子の法線ベクトルに対し、０°、１０°、３０°、５０°、及び７０°の電界発光スペクトルを測定した図である。
【００９０】
また、図３に示す電界発光スペクトルを測定した発光素子に用いた化合物の構造と略称、及び発光素子の構成を以下に示す。
【００９１】
【化１】
2016039151.tif 000007
【００９２】
【化２】
2016039151.tif 000008
【００９３】
≪発光スペクトルを測定した発光素子の構成≫
下部電極１０４Ｂとしては、銀とパラジウムと銅との合金膜（略称：ＡＰＣ膜）を、厚さ１００ｎｍになるように形成した。また、透明導電膜１０６Ｂとしては、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）膜を、厚さ６０ｎｍになるように形成した。
【００９４】
また、正孔注入層１３１としては、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）と酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが７０ｎｍになるように共蒸着した。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。また、正孔輸送層１３２としては、ＰＣＰＰｎを厚さが１０ｎｍになるように蒸着した。
【００９５】
また、発光層１０８としては、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、およびＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）を重量比（ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）が１：０．０５になるよう、且つ厚さが２５ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層１０８において、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎが蛍光材料（ゲスト材料）である。
【００９６】
なお、発光層１０８に上述の材料を用いることで、蛍光材料からの発光を効率よく得ることが可能となる。詳細については、実施の形態２にて説明する。
【００９７】
また、発光層１０８上に、電子輸送層１３３として、ｃｇＤＢＣｚＰＡとバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）とをそれぞれ厚さが５ｎｍ、１５ｎｍになるよう蒸着した。次に、電子注入層１３４として、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）と銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）とを、それぞれ厚さが０．１ｎｍ、２ｎｍとなるよう蒸着した。次に、正孔注入層１３５を兼ねる電荷発生層１１６として、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）とＭｏＯ３とを重量比（ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ膜厚が１２．５ｎｍになるよう共蒸着した。次に、正孔輸送層１３６として、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を、厚さが２０ｎｍになるよう蒸着した。
【００９８】
また、発光層１１０としては、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、および（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（別名：ビス｛２−［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝（２，４−ペンタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ））（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））を重量比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））が０．８：０．２：０．０６になるよう、且つ厚さが４０ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層１１０において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩが第１の有機化合物（ホスト材料）であり、ＰＣＢＢｉＦが第２の有機化合物（アシスト材料）であり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。
【００９９】
なお、発光層１１０に上述の材料を用いることで、燐光材料からの発光を効率よく得ることが可能となり、さらに駆動電圧を低減することができる。詳細については、実施の形態２にて説明する。
【０１００】
また、電子輸送層１３７としては、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、Ｂｐｈｅｎとを、それぞれ厚さが１５ｎｍになるように順次蒸着した。また、電子注入層１３８としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を厚さが１ｎｍになるように蒸着した。
【０１０１】
また、上部電極１２０としては、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）の合金を体積比（Ａｇ：Ｍｇ）が０．５：０．０５、厚さが１５ｎｍになるように共蒸着し、その後、ＩＴＯ膜を厚さが７０ｎｍとなるように形成した。
【０１０２】
以上が図３に示す、電界発光スペクトルを測定した発光素子の構成である。素子構成の詳細を表１に示す。
【０１０３】
【表１】
2016039151.tif 000009
【０１０４】
図３に示すように、発光素子１０１Ｂの電界発光スペクトルにおいては、第３の極大値に加えて、第３の極大値より長波長側に位置する第４の極大値を有している。これは、第３の極大値の１．５倍の波長近傍においても光の強度を強めることができる光学距離となるためである。また、正面方向（０°）における第４の極大値と比べて、斜め方向（１０°、３０°、５０°、及び７０°）における第４の極大値が短波長化している。これは、既に説明したように、マイクロキャビティ構造における共振波長が斜め方向では小さくなるためである。
【０１０５】
そこで、斜め方向における第４の極大値の強度を低減するために、光学素子１２４Ｂの位置に、着色層（いわゆるカラーフィルタ）を設ける構成について考える。図４に基板１２２上の該着色層の透過率を測定した結果を示す。また、図５に、表１に示す発光素子と、図４に示す透過率を有する着色層と、を有する発光装置から射出された発光スペクトルを測定した結果を示す。なお、図５に示す電界発光スペクトルは、上記着色層を介して射出されており、発光素子の法線ベクトルに対して、０°、１０°、３０°、５０°、及び７０°で測定した結果である。また、図５に示す電界発光スペクトルの第３の極大値の波長および第４の極大値の波長等を表２に示す。
【０１０６】
【表２】
2016039151.tif 000010
【０１０７】
図３、図５及び表２に示すように、図４に示す透過率を有する着色層を設けることで、発光素子から射出される発光と比較して、着色層を介して射出される発光素子からの発光は、正面方向（０°）の第４の極大値の強度が大きく低減している。一方で、斜め方向（１０°、３０°、５０°、及び７０°）の第４の極大値、とくに５０°及び７０°の第４の極大値の強度が十分には低減されていない。すなわち、第４の極大値が斜め方向で短波長化するために、十分な性能を有さない光学素子（例えば、図４に示す透過率特性の着色層）を有する場合においては、第４の極大値の強度を十分に低減することが困難な場合がある。
【０１０８】
図５及び表２に示すように、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比が大きく変化すると（具体的には、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比が１５％を超えると）、色度の視野角依存性が生じてしまう。なお、表２に示すように、発光素子の法線ベクトルから０°、１０°、及び３０°においては、第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値を複数有する場合がある。第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値を複数有する場合においては、第３の極大値に対する、最大値の第４の極大値の強度比が１５％を超えると、色度の視野角依存性が生じてしまう。
【０１０９】
しかしながら、本発明の一態様の発光装置１５０においては、光学素子１２４Ｂが光学特性の一つとして、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有することで、光学素子１２４Ｂを介して射出される光１８３は、光学素子１２４Ｂの法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲の第３の極大値に対する、第４の極大値の強度比を、１５％以下とすることができる。したがって、色度の視野角依存性が低い発光装置とすることができる。また、より好ましくは第３の極大値に対する、第４の極大値の強度比を、１０％以下とすることができる。さらに、より好ましくは、第３の極大値に対する、第４の極大値の強度比を、３％以下とすることができる。
【０１１０】
以上のように、本発明の一態様の発光装置においては、各発光素子の下部電極と、上部電極との間の光学距離を調整することで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑制し、高い光取出し効率を実現することができる。また、各発光素子、とくに青色の光を呈する発光素子に対して、特定の波長の強度を低減する光学素子を設けることで、色度の視野角依存性が低減された発光装置を実現できる。したがって、発光効率が高く、消費電力が低減され、且つ視野角依存性が低減された新規な発光装置を提供することができる。
【０１１１】
＜発光装置の構成例２＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図６を用いて、以下説明を行う。
【０１１２】
図６は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図６において、図１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１１３】
図６に示す発光装置１５２は、図１に示す発光装置１５０と、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）が有するＥＬ層の構成が異なる。具体的には、発光層１１０と、上部電極１２０との間に、さらに、発光層１１２を有する。
【０１１４】
発光層１１２は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第３の発光物質を有する。なお、発光層１１０と、発光層１１２との、発光色を異ならせると好ましい。発光装置１５２においては、発光層１０８に、青色の発光を呈する第１の発光物質を用い、発光層１１０に緑色の発光を呈する第２の発光物質を用い、発光層１１２に赤色の発光を呈する第３の発光物質を用いると好適である。
【０１１５】
上記のように、ＥＬ層に３つの発光層（発光層１０８、発光層１１０、発光層１１２）を設けると各発光素子の色純度を高めることができる。ただし、発光層１１２を設けることで、ＥＬ層の層数が増加するため、ＥＬ層の層数を削減したい場合においては、図１に示す発光装置１５０の構成の方が好適である。その他の構成については、図１に示す発光装置１５０と同様であり、同様の効果を奏する。
【０１１６】
＜発光装置の構成例３＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図７を用いて、以下説明を行う。
【０１１７】
図７は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図７において、図１及び図６に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１１８】
図７に示す発光装置１５４は、図１に示す発光装置１５０に、さらに隔壁１４０と、遮光層１２３とを有する。その他の構成については、図１に示す発光装置１５０と同様であり、同様の効果を奏する。
【０１１９】
隔壁１４０は、絶縁性を有する。また、隔壁１４０は、各発光素子の下部電極（下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、及び下部電極１０４Ｂ）と、透明導電膜（透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｂ）との端部を覆い、該下部電極と重畳する開口部を有する。隔壁１４０を設けることによって、各発光素子の下部電極、及び各発光素子の透明導電膜を、それぞれ島状に分離することが可能となる。
【０１２０】
また、遮光層１２３は、隣接する発光素子からの光を遮光する機能を有する。なお、遮光層１２３を設けない構成としてもよい。
【０１２１】
＜発光装置の構成例４＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図８を用いて、以下説明を行う。
【０１２２】
図８は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図８において、図１乃至図７に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１２３】
図８に示す発光装置１５６は、図１に示す発光装置１５０と、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）が有するＥＬ層の構成が異なる。具体的には、図８に示す発光装置１５６の各発光素子は、発光層１０８と、発光層１１０との間に、電子輸送層１３３、電子注入層１３４、電荷発生層１１６、正孔注入層１３５、及び正孔輸送層１３６を設けない構成である。図８に示すように、発光層１０８と、発光層１１０とを互いに接して設ける構成とすることで、ＥＬ層の層数を減らすことが可能となるため、製造コストを抑制することができる。なお、図８においては、図示しないが、発光層１０８と、発光層１１０との間に、発光材料を含まないバッファー層（分離層またはセパレート層ともいう）を設けてもよい。その他の構成については、図１に示す発光装置１５０と同様であり、同様の効果を奏する。
【０１２４】
＜発光装置の構成例５＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図９を用いて、以下説明を行う。
【０１２５】
図９は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図９において、図１乃至図８に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１２６】
図９に示す発光装置１５８は、図８に示す発光装置１５６が有する光学素子１２４Ｇを有さない構成である。光学素子１２４Ｇを有さない構成とすることで、発光素子１０１Ｇから射出される光が直接外部に取り出す構成とすることができるため、消費電力を低くすることができる。ただし、色純度を向上させる場合、または外光反射を抑制させる場合においては、図８に示す発光装置１５６のように、光学素子１２４Ｇを設ける構成の方が、好適である。その他の構成については、図８に示す発光装置１５６と同様であり、同様の効果を奏する。
【０１２７】
＜発光装置の構成例６＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図１０を用いて、以下説明を行う。
【０１２８】
図１０は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１０において、図１乃至図９に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１２９】
図１０に示す発光装置１６０は、図８に示す発光装置１５６と、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）が有するＥＬ層の構成が異なる。具体的には、発光層１１０と、電子輸送層１３７との間に、さらに発光層１１２を有する。発光層１１２としては、先に示す発光装置１５２の発光層１１２と同様である。その他の構成については、図８に示す発光装置１５６と同様であり、同様の効果を奏する。
【０１３０】
＜発光装置の構成例７＞
図１、及び図６乃至図１０においては、トップエミッション型の発光装置について例示したが、図１１乃至図１４に示すように、ボトムエミッション型の発光装置としてもよい。
【０１３１】
図１１は図１に示す発光装置１５０の変形例である、発光装置１５０Ｂの断面図である。また、図１２は図６に示す発光装置１５２の変形例である、発光装置１５２Ｂの断面図である。また、図１３は図８に示す発光装置１５６の変形例である、発光装置１５６Ｂの断面図である。また、図１４は図１０に示す発光装置１６０の変形例である、発光装置１６０Ｂの断面図である。
【０１３２】
なお、図１１乃至図１４に示す、ボトムエミッション型の発光装置とする場合、各発光素子が有する、下部電極と上部電極の構成を以下のようにすればよい。
【０１３３】
例えば、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、及び下部電極１０４Ｂは、可視光を反射する機能と、可視光を透過する機能と、を有する。また、上部電極１２０は、可視光を反射する機能を有する。
【０１３４】
すなわち、先に説明したトップエミッション型の発光装置の上部電極と下部電極の構成を入れ替えることで、ボトムエミッション型の発光装置とすることができる。なお、図面において、図示しないが、ＥＬ層の積層順についても、トップエミッション型とボトムエミッション型で逆にしてもよい。
【０１３５】
＜発光装置の構成例８＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図１５を用いて、以下説明を行う。
【０１３６】
図１５は、本発明の一態様の発光装置を示す断面図である。なお、図１５において、図１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１３７】
図１５に示す発光装置１７０は、発光素子１０１Ｒと、発光素子１０１Ｇと、発光素子１０１Ｂと、発光素子１０１Ｙと、光学素子１２４Ｒと、光学素子１２４Ｇと、光学素子１２４Ｂと、光学素子１２４Ｙと、を有する。なお、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）は、基板１０２の上方に設けられ、各光学素子（光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙ）は、基板１２２の下方に設けられる。
【０１３８】
また、発光素子１０１Ｙは、下部電極１０４Ｙと、下部電極１０４Ｙ上の透明導電膜１０６Ｙと、透明導電膜１０６Ｙ上の発光層１０８と、発光層１０８上の発光層１１０と、発光層１１０上の上部電極１２０と、を有する。
【０１３９】
また、発光装置１７０においては、各透明導電膜（透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙ）と発光層１０８との間に、正孔注入層１３１と、正孔輸送層１３２と、を有する。また、発光層１０８と発光層１１０との間に、電子輸送層１３３と、電子注入層１３４と、電荷発生層１１６と、正孔注入層１３５と、正孔輸送層１３６と、を有する。また、発光層１１０と上部電極１２０との間に電子輸送層１３７と、電子注入層１３８と、を有する。
【０１４０】
また、下部電極１０４Ｙは、可視光を反射する機能を有する。下部電極１０４Ｙとしては、アルミニウムまたは銀を有する材料を用いることで、反射率を高めることが可能となり、発光素子からの発光効率を高くすることができる。
【０１４１】
また、発光素子１０１Ｙから光学素子１２４Ｙを介して射出される光１８４は、黄色を呈する光となる波長領域を有する。
【０１４２】
別言すると、光学素子１２４Ｙは、入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過する機能を有する。
【０１４３】
例えば、光学素子１２４Ｙは、５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有する。
【０１４４】
なお、図１５において、各光学素子を介して各発光素子からの射出される、赤色（Ｒ）を呈する光、緑色（Ｇ）を呈する光、青色（Ｂ）を呈する光、及び黄色（Ｙ）を呈する光を、それぞれ破線の矢印で模式的に表している。なお、後述する発光装置においても同様である。このように、図１５に示す発光装置１７０は、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２とは反対側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともいう）の構造である。
【０１４５】
また、光学素子１２４Ｙを介して射出される光１８４は、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有する。
【０１４６】
さらに、発光装置１７０は、発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙは、それぞれマイクロキャビティ構造を有する。
【０１４７】
すなわち、発光装置１７０においては、各発光素子で透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整することで、発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を強めることができる。なお、各発光素子で正孔注入層１３１および正孔輸送層１３２のうち少なくとも一つの膜厚を異ならせることで、発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を強めてもよい。
【０１４８】
例えば、下部電極１０４Ｙと上部電極１２０の屈折率が発光層１０８または発光層１１０の屈折率よりも小さい場合においては、透明導電膜１０６Ｙの膜厚を、下部電極１０４Ｙと上部電極１２０との間の光学距離がｍＹλＹ／２（ｍＹは自然数を、λＹは発光素子１０１Ｙで強める光の波長を、それぞれ表す）となるように調整する。
【０１４９】
また、透明導電膜１０６Ｒの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｒと発光層１１０との間の光学距離を３λＲ／４近傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｇの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｇと発光層１１０との間の光学距離を３λＧ／４近傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｂと発光層１０８との間の光学距離を３λＢ／４近傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｙと発光層１１０との間の光学距離を３λＹ／４近傍とすることができる。
【０１５０】
上記構成を別言すると、透明導電膜１０６Ｂの膜厚としては、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｙの中で最も厚い構成とすることができる。
【０１５１】
また、上記光学距離とすることで、発光装置１７０においては、下部電極１０４Ｒと上部電極１２０との間の光学距離が２λＲ／２（すなわちλＲ）、下部電極１０４Ｇと上部電極１２０との間の光学距離が２λＧ／２（すなわちλＧ）、下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の光学距離が３λＢ／２（すなわち１．５λＢ）、下部電極１０４Ｙと上部電極１２０との間の光学距離が２λＹ／２（すなわちλＹ）となる。
【０１５２】
また、上記光学距離とすることで、下部電極１０４Ｂと発光層１０８との距離は、下部電極１０４Ｒと発光層１０８との距離、下部電極１０４Ｇと発光層１０８との距離、及び下部電極１０４Ｙと発光層１０８との距離、の中で最も長い構成とすることができる。
【０１５３】
なお、下部電極１０４Ｙと、上部電極１２０との間の光学距離は、厳密には、下部電極１０４Ｙにおける反射領域から上部電極１２０における反射領域までの距離と屈折率の積で表される。しかし、下部電極１０４Ｙ、及び上部電極１２０における反射領域を厳密に決定することが困難である。そのため、下部電極１０４Ｙと上部電極１２０の任意の位置を反射領域と決定することで上述の効果を得ることができる。
【０１５４】
すなわち、本明細書等において、λＹ近傍とは、λＹに対し、−２０ｎｍ以上＋２０ｎｍ以下である。
【０１５５】
このように、図１５に示す発光装置１７０においては、各発光素子の下部電極と、上部電極との間の光学距離を調整することで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑制し、高い光取出し効率を実現することができる。その他の構成については、図１に示す発光装置１５０と同様であり、同様の効果を奏する。
【０１５６】
＜発光装置の構成例９＞
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図１６を用いて、以下説明を行う。
【０１５７】
図１６は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１６において、図１５に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１５８】
図１６に示す発光装置１７２は、図１５に示す発光装置１７０と、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）が有するＥＬ層の構成が異なる。具体的には、発光層１１０と、上部電極１２０との間に、さらに、発光層１１２を有する。
【０１５９】
発光層１１２は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第３の発光物質を有する。なお、発光層１１０と、発光層１１２との、発光色を異ならせると好ましい。発光装置１７２においては、発光層１０８に、青色の発光を呈する第１の発光物質を用い、発光層１１０に緑色の発光を呈する第２の発光物質を用い、発光層１１２に赤色の発光を呈する第３の発光物質を用いると好適である。
【０１６０】
上記のように、ＥＬ層に３つの発光層（発光層１０８、発光層１１０、発光層１１２）を設けると各発光素子の色純度を高めることができる。ただし、発光層１１２を設けることで、ＥＬ層の層数が増加するため、ＥＬ層の層数を削減したい場合においては、図１５に示す発光装置１７０の構成の方が好適である。その他の構成については、図１５に示す発光装置１７０と同様であり、同様の効果を奏する。
【０１６１】
＜発光装置の構成例１０＞
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図１７を用いて、以下説明を行う。
【０１６２】
図１７は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１７において、図１５及び図１６に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１６３】
図１７に示す発光装置１７４は、図１５に示す発光装置１７０に、さらに隔壁１４０と、遮光層１２３とを有する。その他の構成については、図１５に示す発光装置１７０と同様であり、同様の効果を奏する。
【０１６４】
隔壁１４０は、絶縁性を有する。また、隔壁１４０は、各発光素子の下部電極（下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙ）と、透明導電膜（透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙ）との端部を覆い、該下部電極と重畳する開口部を有する。隔壁１４０を設けることによって、各発光素子の下部電極、及び各発光素子の透明導電膜を、それぞれ島状に分離することが可能となる。
【０１６５】
また、遮光層１２３は、隣接する発光素子からの光を遮光する機能を有する。なお、遮光層１２３を設けない構成としてもよい。
【０１６６】
＜発光装置の構成例１１＞
次に、図１５に示す発光装置１７６と異なる構成例について、図１８を用いて、以下説明を行う。
【０１６７】
図１８は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１８において、図１５乃至図１７に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１６８】
図１８に示す発光装置１７６は、図１５に示す発光装置１７０と、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）が有するＥＬ層の構成が異なる。具体的には、図１８に示す発光装置１７６の各発光素子は、発光層１０８と、発光層１１０との間に、電子輸送層１３３、電子注入層１３４、電荷発生層１１６、正孔注入層１３５、及び正孔輸送層１３６を設けない構成である。図１８に示すように、発光層１０８と、発光層１１０とを互いに接して設ける構成とすることで、ＥＬ層の層数を減らすことが可能となるため、製造コストを抑制することができる。なお、図１８においては、図示しないが、発光層１０８と、発光層１１０との間に、発光材料を含まないバッファー層（分離層またはセパレート層ともいう）を設けてもよい。その他の構成については、図１５に示す発光装置１７０と同様であり、同様の効果を奏する。
【０１６９】
＜発光装置の構成例１２＞
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図１９を用いて、以下説明を行う。
【０１７０】
図１９は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１９において、図１５乃至図１８に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１７１】
図１９に示す発光装置１７８は、図１８に示す発光装置１７６が有する光学素子１２４Ｙを有さない構成である。光学素子１２４Ｙを有さない構成とすることで、発光素子１０１Ｙから射出される光が直接外部に取り出す構成とすることができるため、消費電力を低くすることができる。ただし、色純度を向上させる場合、または外光反射を抑制させる場合においては、図１８に示す発光装置１７６のように、光学素子１２４Ｙを設ける構成の方が、好適である。その他の構成については、図１８に示す発光装置１７６と同様であり、同様の効果を奏する。
【０１７２】
＜発光装置の構成例１３＞
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図２０を用いて、以下説明を行う。
【０１７３】
図２０は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図２０において、図１５乃至図１９に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１７４】
図２０に示す発光装置１９０は、図１８に示す発光装置１７６と、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）が有するＥＬ層の構成が異なる。具体的には、発光層１１０と、電子輸送層１３７との間に、さらに発光層１１２を有する。発光層１１２としては、先に示す発光装置１７２の発光層１１２と同様である。その他の構成については、図１８に示す発光装置１７６と同様であり、同様の効果を奏する。
【０１７５】
＜発光装置の構成例１４＞
図１５乃至図２０においては、トップエミッション型の発光装置について例示したが、図２１乃至図２６に示すように、ボトムエミッション型の発光装置としてもよい。
【０１７６】
図２１は図１５に示す発光装置１７０の変形例である、発光装置１７０Ａの断面図である。また、図２２は図１６に示す発光装置１７２の変形例である、発光装置１７２Ａの断面図である。また、図２３は図１７に示す発光装置１５４の変形例である、発光装置１７４Ａの断面図である。また、図２４は図１８に示す発光装置１７６の変形例である、発光装置１７６Ａの断面図である。また、図２５は図１９に示す発光装置１７８の変形例である、発光装置１７８Ａの断面図である。また、図２６は図２０に示す発光装置１９０の変形例である、発光装置１９０Ａの断面図である。
【０１７７】
なお、図２１乃至図２６に示す、ボトムエミッション型の発光装置とする場合、各発光素子が有する、下部電極と上部電極の構成を以下のようにすればよい。
【０１７８】
例えば、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙは、可視光を反射する機能と、可視光を透過する機能と、を有する。また、上部電極１２０は、可視光を反射する機能を有する。
【０１７９】
なお、上記例示した各発光装置の構成については、適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８０】
＜発光装置の構成要素＞
ここで、図１乃至図２６に示す各発光素子の構成要素の詳細について、以下説明を行う。
【０１８１】
≪基板≫
基板１０２は、各発光素子の支持体として用いられる。また、基板１２２は、各光学素子の支持体として用いられる。基板１０２、１２２としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレートからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び光学素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。あるいは、発光素子、及び光学素子を保護する機能を有するものであればよい。
【０１８２】
例えば、本明細書等において、様々な基板を用いて、トランジスタや発光素子を形成することが出来る。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板またはシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。特に、半導体基板、単結晶基板、又はＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、又は形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。
【０１８３】
また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタや発光素子を形成してもよい。または、基板とトランジスタの間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、トランジスタは耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
【０１８４】
つまり、ある基板を用いてトランジスタや発光素子を形成し、その後、別の基板にトランジスタや発光素子を転置し、別の基板上にトランジスタや発光素子を配置してもよい。トランジスタや発光素子が転置される基板の一例としては、上述したトランジスタを形成することが可能な基板に加え、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。
【０１８５】
≪下部電極≫
下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙは、各発光素子の陽極または陰極としての機能を有する。なお、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙは、銀を含む反射性を有する導電性材料により形成されると好ましい。該導電性材料としては、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）と、Ｍ（Ｍは、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、または金（Ａｕ）を表す）とを含む合金等が挙げられる。銀を含む合金としては、例えば、銀とパラジウムと銅を含む合金、銀と銅を含む合金、銀とマグネシウムを含む合金、銀とニッケルを含む合金、銀と金を含む合金等が挙げられる。
【０１８６】
また、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙに用いることのできる導電性材料としては、可視光の反射率が４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下の材料が挙げられる。また、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙとしては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。
【０１８７】
≪透明導電膜≫
透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙは、各発光素子の下部電極、陽極または陰極としての機能を有する。または、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙは、各発光層からの所望の光を共振させ、その波長を強めることができるように、光学距離を調整する機能を有する。
【０１８８】
透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙとしては、例えば、ＩＴＯ、ＩＴＳＯ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどを用いることができる。特に、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙとしては、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を用いることが好ましい。また、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙとしては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。
【０１８９】
≪上部電極≫
上部電極１２０は、各発光素子の陰極または陽極としての機能を有する。なお、上部電極１２０は、反射性を有する導電性材料により形成される。該導電性材料としては、可視光の反射率が４０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。また、上部電極１２０は、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料により形成される。該導電性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。上部電極１２０としては、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種用いて形成することができる。とくに、上部電極１２０が陰極としての機能を有する場合には、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（リチウム（Ｌｉ）、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等）、これら元素を含む合金（例えば、Ａｇ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀等を用いることができる。また、上部電極１２０としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。
【０１９０】
≪発光層≫
発光層１０８は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を有する。また、発光層１１０は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を有する。また、発光層１１２は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第３の発光物質を有する。また、発光層１０８は、第１の発光物質に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。また、発光層１１０は、第２の発光物質に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。また、発光層１１２は、第３の発光物質に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。
【０１９１】
また、第１の発光物質、第２の発光物質及び第３の発光物質としては、一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質や三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を用いることができる。なお、上記発光性物質としては、以下のようなものが挙げられる。
【０１９２】
一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、蛍光を発する物質が挙げられ、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、スチルベン誘導体などが好ましく、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）などの青色の発光（発光波長４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下）を呈する物質や、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）などの黄色の発光（発光波長５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満）を呈する物質を用いることができる。
【０１９３】
また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、例えば、燐光を発する物質が挙げられ、例えば、４４０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質、５２０ｎｍ以上６００ｎｍ未満に発光のピークを有する物質、６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いることができる。
【０１９４】
４４０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）３）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［３−（５−ビフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）３）のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）３）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）３）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも優れるため、特に好ましい。
【０１９５】
５２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
【０１９６】
また、５２０ｎｍ以上６００ｎｍ未満に発光のピークを有する物質の中でも、とくに５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いると好ましい。５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いることで、発光素子の電流効率を高めることができる。
【０１９７】
５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））、Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｑ）３、Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。
【０１９８】
また、６００以上７００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。
【０１９９】
また、発光層１０８、発光層１１０、及び発光層１１２に用いる電子輸送性材料としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましく、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）等のキノキサリンあるいはジベンゾキノキサリン誘導体が挙げられる。
【０２００】
また、発光層１０８、発光層１１０、及び発光層１１２に用いる正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）や芳香族アミン化合物が好ましく、例えば、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカル���ゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。
【０２０１】
≪正孔注入層、正孔輸送層≫
正孔注入層１３１は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３２を介して発光層１０８に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料または／及びアクセプター性物質を含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む場合、アクセプター性物質により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層１３２を介して発光層１０８に正孔が注入される。なお、正孔輸送層１３２は、正孔輸送性材料を用いて形成される。また、正孔注入層１３５は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３６を介して発光層１１０に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料または／及びアクセプター性物質を含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む場合、アクセプター性物質により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層１３６を介して発光層１１０に正孔が注入される。なお、正孔輸送層１３６は、正孔輸送性材料を用いて形成される。なお、正孔注入層１３１、正孔注入層１３５は、アクセプター性物質を単独または他の材料と混合して形成しても良い。
【０２０２】
また、正孔注入層１３１及び正孔注入層１３５に用いるアクセプター性物質としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、バナジウム酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、クロム酸化物、モリブデン酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、酸化レニウム、が挙げられる。中でも、モリブデン酸化物は大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため特に好ましい。また、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）等の電子吸引基（ハロゲン基やシアノ基）を有する化合物を挙げることができる。特にＨＡＴ−ＣＮのように複素元素を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。
【０２０３】
正孔注入層１３１及び正孔注入層１３５には、この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
【０２０４】
正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、正孔注入層１３５、及び正孔輸送層１３６に用いる正孔輸送性材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。また、これらの正孔輸送性材料は、アクセプター性物質との複合材料として、用いることができる。
【０２０５】
さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。
【０２０６】
≪電子輸送層≫
電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７として用いてもよい。
【０２０７】
また、電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層したものとしてもよい。
【０２０８】
≪電子注入層≫
電子注入層１３４及び電子注入層１３８は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１３４には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１３４及び電子注入層１３８にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。また、電子注入層１３４及び電子注入層１３８に、電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７で用いることが出来る物質を用いても良い。
【０２０９】
また、電子注入層１３４及び電子注入層１３８に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０２１０】
≪電荷発生層≫
電荷発生層１１６は、一対の電極（下部電極及び上部電極）間に電圧を印加したときに、一方の発光層（発光層１０８または発光層１１０）側に電子を注入し、他方の発光層（発光層１０８または発光層１１０）側に正孔を注入する機能を有する。
【０２１１】
例えば、図１に示す発光素子１０１Ｂにおいては、下部電極（下部電極１０４Ｂ及び透明導電膜１０６Ｂ）に上部電極１２０よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１１６から発光層１０８に電子が注入され、発光層１１０に正孔が注入される。
【０２１２】
なお、電荷発生層１１６は、光取出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層１１６に対する可視光の透過率が４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層１１６は、一対の電極（下部電極及び上部電極）よりも低い導電率であっても機能する。
【０２１３】
また、電荷発生層１１６は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
【０２１４】
なお、上述した材料を用いて電荷発生層１１６を形成することにより、発光層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【０２１５】
なお、上述した、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、及び電荷発生層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。また、上述した、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、及び電荷発生層には、上述した材料の他、無機化合物または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いてもよい。
【０２１６】
≪光学素子≫
光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙは、入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過するものである。例えば、着色層（カラーフィルタともいう）、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる。また、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射される光を、当該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドット方式を用いる素子であると好適である。量子ドット方式を用いることにより、発光装置の色再現性を高めることができる。
【０２１７】
なお、光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙ上に複数の光学素子を重ねて設けてもよい。他の光学素子としては、例えば円偏向板や反射防止膜などを設けることができる。円偏光板を、発光装置の発光素子が発する光が取り出される側に設けると、発光装置の外部から入射した光が、発光装置の内部で反射されて、外部に射出される現象を防ぐことができる。また、反射防止膜を設けると、発光装置の表面で反射される外光を弱めることができる。これにより、発光装置が発する発光を、鮮明に観察できる。
【０２１８】
≪遮光層≫
遮光層１２３としては、外光の反射を抑制する機能を有する。または、遮光層１２３としては、隣接する発光素子から発せられる光の混色を防ぐ機能を有する。遮光層１２３としては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
【０２１９】
≪隔壁≫
隔壁１４０としては、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成される。該無機材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。該有機材料としては、例えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
【０２２０】
＜発光装置の作製方法＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図２７及び図２８を用いて以下説明を行う。なお、ここでは、図１７に示す発光装置１７４の作製方法について説明する。
【０２２１】
図２７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）及び図２８（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明するための断面図である。
【０２２２】
以下で説明する発光装置１７４の作製方法は、第１乃至第７の７つのステップを有する。
【０２２３】
≪第１のステップ≫
第１のステップは、各発光素子の下部電極（具体的には、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙ）を、基板１０２上に形成する工程である（図２７（Ａ）参照）。
【０２２４】
本実施の形態においては、基板１０２上に、反射性の導電膜を形成し、該導電膜を所望の形状に加工することで、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙを形成する。上記反射性の導電膜としては、ＡＰＣ膜を用いる。このように、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙを、同一の導電膜を加工する工程を経て形成することで、製造コストを安くすることができるため好適である。
【０２２５】
なお、第１のステップの前に、基板１０２上に複数のトランジスタを形成してもよい。また、上記複数のトランジスタと、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙとを、それぞれ電気的に接続させてもよい。
【０２２６】
≪第２のステップ≫
第２のステップは、各発光素子の透明導電膜（具体的には、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙ）を、下部電極上に形成する工程である（図２７（Ｂ）参照）。
【０２２７】
本実施の形態においては、基板１０２、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙ上に、透明導電膜を形成し、該透明導電膜を所望の形状に加工することで、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙを形成する。上記透明導電膜としては、ＩＴＳＯ膜を用いる。
【０２２８】
なお、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙは、複数回に分けて形成してもよい。複数回に分けて形成することで、各発光素子でマイクロキャビティ構造となる膜厚で透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙを形成することができる。
【０２２９】
≪第３のステップ≫
第３のステップは、各発光素子の下部電極及び透明導電膜の端部を覆う隔壁１４０を形成する工程である（図２７（Ｃ）参照）。
【０２３０】
隔壁１４０は、下部電極と重なるように開口部を有する。該開口部によって露出する透明導電膜が発光素子の陽極として機能する。本実施の形態では、隔壁１４０として、ポリイミド系の樹脂を用いる。
【０２３１】
なお、第１乃至第３のステップにおいては、ＥＬ層（有機化合物を含む層）を損傷するおそれがないため、さまざまな成膜方法及び微細加工技術を適用できる。本実施の形態では、スパッタリング法を用いて反射性の導電膜を成膜し、リソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターン形成し、その後ドライエッチング法またはウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙを形成する。その後、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜し、リソグラフィ法を用いて、該透明導電膜にパターンを形成し、その後ウエットエッチング法を用いて、該透明導電膜を島状に加工して透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙを形成する。
【０２３２】
≪第４のステップ≫
第４のステップは、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１０８、電子輸送層１３３、電子注入層１３４、及び電荷発生層１１６を形成する工程である（図２７（Ｄ）参照）。
【０２３３】
正孔注入層１３１としては、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む材料とを共蒸着することで形成することができる。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。また、正孔輸送層１３２としては、正孔輸送性材料を蒸着することで形成することができる。
【０２３４】
発光層１０８としては、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を蒸着することで形成することができる。第１の発光物質としては、蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
【０２３５】
電子輸送層１３３としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成することができる。また、電子注入層１３４としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで形成することができる。
【０２３６】
電荷発生層１１６としては、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加された材料、または電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された材料を蒸着することで形成することができる。
【０２３７】
≪第５のステップ≫
第５のステップは、正孔注入層１３５、正孔輸送層１３６、発光層１１０、電子輸送層１３７、電子注入層１３８、及び上部電極１２０を形成する工程である（図２８（Ａ）参照）。
【０２３８】
正孔注入層１３５としては、先に示す正孔注入層１３１と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。また、正孔輸送層１３６としては、先に示す正孔輸送層１３２と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。
【０２３９】
発光層１１０としては、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を蒸着することで形成することができる。第２の発光物質としては、燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
【０２４０】
電子輸送層１３７としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成することができる。また、電子注入層１３８としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで形成することができる。
【０２４１】
上部電極１２０としては、反射性を有する導電膜と、透光性を有する導電膜を積層することで形成することができる。また、上部電極１２０としては、単層構造、または積層構造としてもよい。
【０２４２】
上記工程を経て、発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙが基板１０２上に形成される。
【０２４３】
≪第６のステップ≫
第６のステップは、基板１２２上に遮光層１２３、光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙを形成する工程である（図２８（Ｂ）参照）。
【０２４４】
遮光層１２３としては、黒色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形成する。その後、基板１２２及び遮光層１２３上に、光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙを形成する。光学素子１２４Ｒとしては、赤色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形成する。また、光学素子１２４Ｇとしては、緑色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形成する。また、光学素子１２４Ｂとしては、青色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形成する。また、光学素子１２４Ｙとしては、黄色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形成する。
【０２４５】
≪第７のステップ≫
第７のステップは、基板１０２上に形成された発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙと、基板１２２上に形成された遮光層１２３、光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙと、を貼り合わせ、封止材を用いて封止する工程である（図示しない）。
【０２４６】
以上の工程により、図１７に示す発光装置１７４を形成することができる。
【０２４７】
以上、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２４８】
（実施の形態２）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子、本発明の一態様の発光装置、または本発明の一態様の表示装置に用いることのできる発光素子の発光機構について、図２９乃至図３１を用いて、以下説明を行う。
【０２４９】
なお、本明細書等において蛍光材料とは、一重項励起状態の最も低い準位（Ｓ１準位）から基底状態へ緩和する際に可視光領域に発光を与える材料である。燐光材料とは、三重項励起状態の最も低い準位（Ｔ１準位）から基底状態へ緩和する際に、室温において可視光領域に発光を与える材料である。換言すると燐光材料とは、三重項励起エネルギーを可視光へ変換可能な材料である。
【０２５０】
なお、本明細書等において、室温とは、０℃乃至４０℃のいずれかの温度をいう。
【０２５１】
図２９は、発光素子４５０の断面模式図である。
【０２５２】
図２９に示す発光素子４５０は、一対の電極（電極４０１及び電極４０２）の間にＥＬ層４００が挟まれた構造である。なお、発光素子４５０において、電極４０１が陽極として機能し、電極４０２が陰極として機能するとして以下説明するが、逆であっても構わない。
【０２５３】
また、ＥＬ層４００は、発光層４１３と、発光層４１４と、を有する。また、発光素子４５０おいて、ＥＬ層４００として、発光層４１３及び発光層４１４の他に、正孔注入層４１１、正孔輸送層４１２、電子輸送層４１５、及び電子注入層４１６が図示されているが、これらの積層構造は一例であり、発光素子４５０におけるＥＬ層４００の構成はこれらに限定されない。例えば、ＥＬ層４００において、上記各層の積層順を変えてもよい。または、ＥＬ層４００において、上記各層以外の機能層を設けてもよい。該機能層としては、例えば、キャリア（電子またはホール）を注入する機能、キャリアを輸送する機能、キャリアを抑止する機能、キャリアを発生する機能を有する構成とすればよい。
【０２５４】
また、発光層４１３は、ゲスト材料４２１と、ホスト材料４２２とを有する。また、発光層４１４は、ゲスト材料４３１と、有機化合物４３２と、有機化合物４３３とを有する。なお、ゲスト材料４２１が蛍光材料、ゲスト材料４３１が燐光材料として、以下説明する。
【０２５５】
＜発光層４１３の発光機構＞
まず、発光層４１３の発光機構について、以下説明を行う。
【０２５６】
発光層４１３では、キャリアの再結合により、励起状態が形成される。ゲスト材料４２１と比較してホスト材料４２２は大量に存在するので、励起状態は、ほぼホスト材料４２２の励起状態として存在する。キャリアの再結合によって生じる一重項励起状態と三重項励起状態の比（以下、励起子生成確率）は約１：３となる。
【０２５７】
はじめに、ホスト材料４２２のＴ１準位がゲスト材料４２１のＴ１準位よりも高い場合について、以下説明する。
【０２５８】
ホスト材料４２２の三重項励起状態からゲスト材料４２１にエネルギー移動（三重項エネルギー移動）が生じる。しかしながら、ゲスト材料４２１が蛍光材料であるため、三重項励起状態は可視光領域に発光を与えない。したがって、ホスト材料４２２の三重項励起状態を発光として利用することが難しい。よって、ホスト材料４２２のＴ１準位がゲスト材料４２１のＴ１準位よりも高い場合においては、注入したキャリアのうち、最大でも約２５％しか発光に利用することが難しい。
【０２５９】
次に、発光層４１３におけるホスト材料４２２と、ゲスト材料４２１とのエネルギー準位の相関を図３０（Ａ）に示す。なお、図３０（Ａ）における表記及び符号は、以下の通りである。
・Ｈｏｓｔ：ホスト材料４２２
・Ｇｕｅｓｔ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）
・ＳＦＨ：ホスト材料４２２の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＨ：ホスト材料４２２の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
【０２６０】
図３０（Ａ）に示すように、ゲスト材料のＴ１準位（図３０（Ａ）において、ＴＦＧ）がホスト材料のＴ１準位（図３０（Ａ）において、ＴＦＨ）よりも高い構成である。
【０２６１】
また、図３０（Ａ）に示すように、三重項−三重項消滅（ＴＴＡ：Ｔｒｉｐｌｅｔ−Ｔｒｉｐｌｅｔ  Ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ）によって、三重項励起子同士が衝突することにより、その一部がホスト材料の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＦＨ）に変換される。ホスト材料の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＦＨ）からは、それよりも準位の低いゲスト材料（蛍光材料）の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＦＧ）へエネルギー移動が起こり（図３０（Ａ）Ｒｏｕｔｅ  Ａ参照）、ゲスト材料（蛍光材料）が発光する。
【０２６２】
なお、ホスト材料のＴ１準位がゲスト材料のＴ１準位よりも低いため、ＴＦＧは失活することなくＴＦＨにエネルギー移動（図３０（Ａ）に示すＲｏｕｔｅ  Ｂ参照）し、ＴＴＡに利用される。
【０２６３】
発光層４１３を上述の構成とすることで、発光層４１３のゲスト材料４２１からの発光を、効率よく得ることが可能となる。
【０２６４】
＜発光層４１４の発光機構＞
次に、発光層４１４の発光機構について、以下説明を行う。
【０２６５】
発光層４１４が有する、有機化合物４３２と、有機化合物４３３とは励起錯体（Ｅｘｃｉｐｌｅｘともいう）を形成する。有機化合物４３２または有機化合物４３３のいずれか一方は、発光層４１４のホスト材料として機能し、有機化合物４３２または有機化合物４３３の他方は、発光層４１４のアシスト材料として機能する。なお、以下の説明においては、有機化合物４３２をホスト材料として、有機化合物４３３をアシスト材料として説明を行う。
【０２６６】
発光層４１４における励起錯体を形成する有機化合物４３２と有機化合物４３３との組み合わせは、励起錯体を形成することが可能な組み合わせであればよいが、一方が正孔輸送性を有する材料であり、他方が電子輸送性を有する材料であることが、より好ましい。この場合、ドナー−アクセプター型の励起状態を形成しやすくなり、効率よく励起錯体を形成することができるようになる。また、正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料との組み合わせによって、有機化合物４３２と有機化合物４３３の組み合わせを構成する場合、その混合比によってキャリアバランスを容易に制御することができる。具体的には正孔輸送性を有する材料：電子輸送性を有する材料＝１：９から９：１（重量比）の範囲が好ましい。また、該構成を有することで、容易にキャリアバランスを制御することができることから、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。
【０２６７】
発光層４１４における有機化合物４３２と、有機化合物４３３と、ゲスト材料４３１とのエネルギー準位の相関を図３０（Ｂ）に示す。なお、図３０（Ｂ）における表記及び符号は、以下の通りである。
・Ｈｏｓｔ：有機化合物４３２
・Ａｓｓｉｓｔ：有機化合物４３３
・Ｇｕｅｓｔ：ゲスト材料４３１（燐光材料）
・ＳＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＧ：ゲスト材料４３１（燐光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＥ：励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＥ：励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位
【０２６８】
本発明の一態様の発光素子においては、発光層４１４が有する有機化合物４３２と有機化合物４３３が励起錯体を形成する。励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＥ）と励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位（ＴＥ）は互いに隣接することになる（図３０（Ｂ）Ｒｏｕｔｅ  Ｃ参照）。
【０２６９】
励起錯体は、２種類の物質からなる励起状態であり、光励起の場合、励起状態となった一つの分子がもう一方の基底状態の物質と相互作用することによって形成される。そして、光を発することによって基底状態となると、励起錯体を形成していた２種類の物質はまた元の別々の物質として振舞う。電気励起の場合は、一方のカチオン分子（ホール）と他方のアニオン分子（電子）が近接することで励起錯体を形成できる。すなわち電気励起においては、いずれの分子においても単体で励起状態を形成することなく励起錯体が形成できるため、駆動電圧の低減につながる。そして、励起錯体の（ＳＥ）と（ＴＥ）の双方のエネルギーを、ゲスト材料４３１（燐光材料）の三重項励起状態の最も低い準位へ移動させて発光が得られる（図３０（Ｂ）Ｒｏｕｔｅ  Ｄ参照）。
【０２７０】
なお、上記に示すＲｏｕｔｅ  Ｃ及びＲｏｕｔｅ  Ｄの過程を、本明細書等においてＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）と呼称する。別言すると、発光素子４５０は、励起錯体からゲスト材料４３１（燐光材料）へのエネルギー授受がある。
【０２７１】
また、有機化合物４３２及び有機化合物４３３は、一方がホールを、他方が電子を受け取り、それらが近接することで速やかに励起錯体を形成する。あるいは、一方が励起状態となると、速やかに他方の物質と相互作用することで励起錯体を形成する。したがって、発光層４１４における励起子のほとんどが励起錯体として存在する。励起錯体は、有機化合物４３２及び有機化合物４３３のどちらよりもバンドギャップは小さくなるため、一方のホールと他方の電子の再結合から励起錯体が形成されることにより、駆動電圧を下げることができる。
【０２７２】
発光層４１４を上述の構成とすることで、発光層４１４のゲスト材料４３１（燐光材料）からの発光を、効率よく得ることが可能となる。
【０２７３】
＜発光層４１３と発光層４１４の発光機構＞
発光層４１３及び発光層４１４のそれぞれの発光機構について、上記説明したが、発光素子４５０に示すように、発光層４１３と、発光層４１４とが互いに接する構成を有する場合、発光層４１３と発光層４１４の界面において、励起錯体から発光層４１３のホスト材料４２２へのエネルギー移動（とくに三重項励起準位のエネルギー移動）が起こったとしても、発光層４１３にて上記三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。
【０２７４】
なお、発光層４１３のホスト材料４２２のＴ１準位が、発光層４１４が有する有機化合物４３２及び有機化合物４３３のＴ１準位よりも低いと好ましい。また、発光層４１３において、ホスト材料４２２のＳ１準位がゲスト材料４２１（蛍光材料）のＳ１準位よりも高く、且つ、ホスト材料４２２のＴ１準位がゲスト材料４２１（蛍光材料）のＴ１準位よりも低いと好ましい。
【０２７５】
具体的には、発光層４１３にＴＴＡを用い、発光層４１４にＥｘＴＥＴを用いる場合のエネルギー準位の相関を図３１に示す。なお、図３１における表記及び符号は、以下の通りである。
・Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  ＥＭＬ：蛍光発光層（発光層４１３）
・Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  ＥＭＬ：燐光発光層（発光層４１４）
・ＳＦＨ：ホスト材料４２２の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＨ：ホスト材料４２２の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＧ：ゲスト材料４３１（燐光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＥ：励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＥ：励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位
【０２７６】
図３１に示すように、励起錯体は励起状態でしか存在しないため、励起錯体同士の励起子拡散は生じにくい。また、励起錯体の励起準位（ＳＥ、ＴＥ）は、発光層４１４の有機化合物４３２（すなわち、燐光材料のホスト材料）の励起準位（ＳＰＨ、ＴＰＨ）よりも低いので、励起錯体から有機化合物４３２へのエネルギーの拡散も生じない。すなわち、燐光発光層（発光層４１４）内において、励起錯体の励起子拡散距離は短いため、燐光発光層（発光層４１４）の効率を保つことが可能となる。また、蛍光発光層（発光層４１３）と燐光発光層（発光層４１４）の界面において、燐光発光層（発光層４１４）の励起錯体の三重項励起エネルギーの一部が、蛍光発光層（発光層４１３）に拡散したとしても、その拡散によって生じた蛍光発光層（発光層４１３）の三重項励起エネルギーは、ＴＴＡを通じて発光されるため、エネルギー損失を低減することが可能となる。
【０２７７】
以上のように、発光素子４５０は、発光層４１４にＥｘＴＥＴを利用し、且つ発光層４１３にＴＴＡを利用することで、エネルギー損失が低減されるため、高い発光効率の発光素子とすることができる。また、発光素子４５０に示すように、発光層４１３と、発光層４１４とが互いに接する構成とする場合、上記エネルギー損失が低減されるとともに、ＥＬ層４００の層数を低減させることができる。したがって、製造コストの少ない発光素子とすることができる。
【０２７８】
なお、発光層４１３と発光層４１４とは互いに接していない構成であっても良い。この場合、発光層４１４中で生成する、有機化合物４３２またはゲスト材料４３１（燐光材料）の励起状態から発光層４１３中のホスト材料４２２、またはゲスト材料４２１（蛍光材料）へのデクスター機構によるエネルギー移動（特に三重項エネルギー移動）を防ぐことができる。したがって、発光層４１３と発光層４１４の間に設ける層は数ｎｍ程度の厚さがあればよい。
【０２７９】
発光層４１３と発光層４１４の間に設ける層は単一の材料で構成されていても良いが、正孔輸送性材料と電子輸送性材料の両者が含まれていても良い。単一の材料で構成する場合、バイポーラー性材料を用いても良い。ここでバイポーラー性材料とは、電子と正孔の移動度の比が１００以下である材料を指す。また、正孔輸送性材料または電子輸送性材料などを使用しても良い。もしくは、そのうちの少なくとも一つは、発光層４１４のホスト材料（有機化合物４３２）と同一の材料で形成しても良い。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。さらに、正孔輸送性材料と電子輸送性材とで励起錯体を形成しても良く、これによって励起子の拡散を効果的に防ぐことができる。具体的には、発光層４１４のホスト材料（有機化合物４３２）あるいはゲスト材料４３１（燐光材料）の励起状態から、発光層４１３のホスト材料４２２あるいはゲスト材料４２１（蛍光材料）へのエネルギー移動を防ぐことができる。
【０２８０】
なお、発光素子４５０では、キャリアの再結合領域はある程度の分布を持って形成されることが好ましい。このため、発光層４１３または発光層４１４において、適度なキャリアトラップ性があることが好ましく、特に、発光層４１４が有するゲスト材料４３１（燐光材料）が電子トラップ性を有していることが好ましい。
【０２８１】
なお、発光層４１３からの発光が、発光層４１４からの発光よりも短波長側に発光のピークを有する構成とすることが好ましい。短波長の発光を呈する燐光材料を用いた発光素子は輝度劣化が早い傾向がある。そこで、短波長の発光を蛍光発光とすることによって、輝度劣化の小さい発光素子を提供することができる。
【０２８２】
また、発光層４１３と発光層４１４とで異なる発光波長の光を得ることによって、多色発光の素子とすることができる。この場合、発光スペクトルは異なる発光ピークを有する発光が合成された光となるため、少なくとも二つの極大値を有する発光スペクトルとなる。
【０２８３】
また、上記の構成は白色発光を得るためにも好適である。発光層４１３と発光層４１４との光を互いに補色の関係とすることによって、白色発光を得ることができる。
【０２８４】
また、発光層４１３に発光波長の異なる複数の発光物質を用いることによって、三原色や、４色以上の発光色からなる演色性の高い白色発光を得ることもできる。この場合、発光層４１３を層状にさらに分割し、当該分割した層ごとに異なる発光材料を含有させるようにしても良い。
【０２８５】
次に、発光層４１３及び発光層４１４に用いることのできる材料について、以下説明する。
【０２８６】
＜発光層４１３に用いることのできる材料＞
発光層４１３中では、ホスト材料４２２が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料４２１（蛍光材料）は、ホスト材料４２２中に分散される。ホスト材料４２２のＳ１準位は、ゲスト材料４２１（蛍光材料）のＳ１準位よりも高く、ホスト材料４２２のＴ１準位は、ゲスト材料４２１（蛍光材料）のＴ１準位よりも低いことが好ましい。
【０２８７】
ホスト材料４２２として、アントラセン誘導体、あるいはテトラセン誘導体が好ましい。これらの誘導体はＳ１準位が高く、Ｔ１準位が低いからである。具体的には、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）などが挙げられる。あるいは、５，１２−ジフェニルテトラセン、５，１２−ビス（ビフェニル−２−イル）テトラセンなどが挙げられる。
【０２８８】
ゲスト材料４２１（蛍光材料）としては、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾチオフェン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）などが挙げられる。
【０２８９】
＜発光層４１４に用いることのできる材料＞
発光層４１４中では、ホスト材料（有機化合物４３２）が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料４３１（燐光材料）は、ホスト材料（有機化合物４３２）中に分散される。発光層４１４のホスト材料（有機化合物４３２）のＴ１準位は、発光層４１３のゲスト材料４２１（蛍光材料）のＴ１準位よりも高いことが好ましい。
【０２９０】
ホスト材料（有機化合物４３２）としては、亜鉛やアルミニウム系金属錯体の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体などが挙げられる。他の例としては、芳香族アミンやカルバゾール誘導体などが挙げられる。
【０２９１】
ゲスト材料４３１（燐光材料）としては、イリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム系オルトメタル錯体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ−トリアゾール配位子、１Ｈ−トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン配位子、ピラジン配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体としては、ポルフィリン配位子を有する白金錯体などが挙げられる。
【０２９２】
有機化合物４３３（アシスト材料）としては、有機化合物４３２と励起錯体を形成できる組み合わせが好ましい。この場合、励起錯体の発光ピークが燐光材料の三重項ＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ  ｔｏ  Ｌｉｇａｎｄ  Ｃｈａｒｇｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移の吸収帯、より具体的には、最も長波長側の吸収帯と重なるように有機化合物４３２、有機化合物４３３、およびゲスト材料４３１（燐光材料）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が飛躍的に向上した発光素子とすることができる。ただし、燐光材料に替えて熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ａｃｔｉｖａｔｅｄ  ｄｅｌａｙｅｄ  ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料を用いる場合においては、最も長波長側の吸収帯は一重項の吸収帯であることが好ましい。
【０２９３】
発光層４１４に含まれる発光材料としては、三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料であればよい。該三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料としては、燐光材料の他に、ＴＡＤＦ材料が挙げられる。したがって、燐光材料と記載した部分に関しては、ＴＡＤＦ材料と読み替えても構わない。なお、ＴＡＤＦ材料とは、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起準位と一重項励起準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。
【０２９４】
また、発光層４１３に含まれる発光材料と発光層４１４に含まれる発光材料の発光色に限定は無く、同じでも異なっていても良い。各々から得られる発光が混合されて素子外へ取り出されるので、例えば両者の発光色が互いに補色の関係にある場合、発光素子は白色の光を与えることができる。発光素子の信頼性を考慮すると、発光層４１３に含まれる発光材料の発光ピーク波長は発光層４１４に含まれる発光材料のそれよりも短いことが好ましい。
【０２９５】
なお、発光層４１３及び発光層４１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。
【０２９６】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０２９７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図３２乃至図４０を用いて説明する。
【０２９８】
＜発光装置の構成例１＞
図３２（Ａ）は発光装置６００を示す上面図、図３２（Ｂ）は図３２（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ、及び一点鎖線Ｃ−Ｄで切断した断面図である。発光装置６００は、駆動回路部（信号線駆動回路部６０１、及び走査線駆動回路部６０３）、並びに画素部６０２を有する。なお、信号線駆動回路部６０１、走査線駆動回路部６０３、及び画素部６０２は、発光素子の発光を制御する機能を有する。
【０２９９】
また、発光装置６００は、素子基板６１０と、封止基板６０４と、シール材６０５と、シール材６０５で囲まれた領域６０７と、引き回し配線６０８と、ＦＰＣ６０９と、を有する。
【０３００】
なお、引き回し配線６０８は、信号線駆動回路部６０１及び走査線駆動回路部６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣ６０９しか図示されていないが、ＦＰＣ６０９にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０３０１】
また、信号線駆動回路部６０１は、Ｎ型のトランジスタ６２３とＰ型のトランジスタ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。なお、信号線駆動回路部６０１または走査線駆動回路部６０３としては、ＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路、またはＮＭＯＳ回路等を用いることが出来る。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路部を形成したドライバと画素とを同一の表面上に設けた発光装置を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路部を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０３０２】
また、画素部６０２は、スイッチング用のトランジスタ６１１と、電流制御用のトランジスタ６１２と、電流制御用のトランジスタ６１２のドレインに電気的に接続された下部電極６１３と、を有する。なお、下部電極６１３の端部を覆って隔壁６１４が形成されている。隔壁６１４としては、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。
【０３０３】
また、被覆性を良好なものとするため、隔壁６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、隔壁６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、隔壁６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ以上３μｍ以下）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、隔壁６１４として、ネガ型の感光性樹脂、またはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
【０３０４】
なお、トランジスタ（トランジスタ６１１、６１２、６２３、６２４）の構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタを用いてもよい。また、トランジスタの極性についても特に限定はなく、Ｎ型およびＰ型のトランジスタを有する構造、及びＮ型のトランジスタまたはＰ型のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用いてもよい。また、トランジスタに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導体材料としては、１４族（ケイ素、ガリウム等）半導体、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半導体等を用いることができる。トランジスタとしては、例えば、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるため好ましい。該酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはネオジム（Ｎｄ）を表す）等が挙げられる。
【０３０５】
下部電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および上部電極６１７がそれぞれ形成されている。なお、下部電極６１３は、陽極として機能し、上部電極６１７は、陰極として機能する。
【０３０６】
また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。また、ＥＬ層６１６を構成する材料としては、低分子化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。
【０３０７】
なお、下部電極６１３、ＥＬ層６１６、及び上部電極６１７により、発光素子６１８が形成される。発光素子６１８は、実施の形態１の構成を有する発光素子であると好ましい。なお、画素部に複数の発光素子が形成される場合、実施の形態１に記載の発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。
【０３０８】
また、シール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた領域６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、領域６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５に用いることができる紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂で充填される場合もあり、例えば、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）系樹脂、またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）系樹脂を用いることができる。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けると水分の影響による劣化を抑制することができ、好ましい構成である。
【０３０９】
また、発光素子６１８と互いに重なるように、光学素子６２１が封止基板６０４の下方に設けられる。また、封止基板６０４の下方には、遮光層６２２が設けられる。光学素子６２１及び遮光層６２２としては、それぞれ、実施の形態１に示す光学素子、及び遮光層と同様の構成とすればよい。
【０３１０】
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しにくい材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０３１１】
以上のようにして、実施の形態１に記載の発光素子及び光学素子を有する発光装置を得ることができる。
＜発光装置の構成例２＞
【０３１２】
次に、発光装置の別の一例について、図３３（Ａ）（Ｂ）、及び図３４を用いて説明を行う。なお、図３３（Ａ）（Ｂ）、及び図３４は、本発明の一態様の発光装置の断面図である。
【０３１３】
図３３（Ａ）には基板１００１、下地絶縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート電極１００６、１００７、１００８、第１の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、駆動回路部１０４１、発光素子の下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光素子の上部電極１０２６、封止層１０２９、封止基板１０３１、シール材１０３２などが図示されている。
【０３１４】
また、図３３（Ａ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１０３４Ｂ）を透明な基材１０３３に設けている。また、遮光層１０３５をさらに設けても良い。着色層及び遮光層が設けられた透明な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及び遮光層は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図３３（Ａ）においては、着色層を透過する光は赤、緑、青となることから、３色の画素で映像を表現することができる。
【０３１５】
図３３（Ｂ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられていても良い。
【０３１６】
図３４では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を第１の層間絶縁膜１０２０と第２の層間絶縁膜１０２１との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられていても良い。
＜発光装置の構成例３＞
【０３１７】
次に、発光装置の別の一例について、図３５（Ａ）（Ｂ）、及び図３６を用いて説明を行う。なお、図３５（Ａ）（Ｂ）、及び図３６は、本発明の一態様の発光装置の断面図である。
【０３１８】
図３５（Ａ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ、及び黄色の着色層１０３４Ｙ）を透明な基材１０３３に設けている。また、遮光層１０３５をさらに設けても良い。着色層及び遮光層が設けられた透明な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及び遮光層は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図３５（Ａ）においては、着色層を透過する光は赤、青、緑、黄となることから、４色の画素で映像を表現することができる。
【０３１９】
図３５（Ｂ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられていても良い。
【０３２０】
また、図３５（Ｂ）においては、着色層をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する構成について例示したが、これに限定されず、図３６に示すように、第１の層間絶縁膜１０２０と、第２の層間絶縁膜１０２１との間に着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ、及び黄色の着色層１０３４Ｙ）を設けてもよい。
【０３２１】
また、以上に説明した発光装置では、トランジスタが形成されている基板１００１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。
【０３２２】
＜発光装置の構成例４＞
トップエミッション型の発光装置の断面図の一例を図３７及び図３８に示す。図３７及び図３８は、本発明の一態様の発光装置を説明する断面図であり、図３３に示す駆動回路部１０４１、周辺部１０４２等を省略して例示している。
【０３２３】
この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いることができる。トランジスタと発光素子の陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトムエミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、電極１０２２を覆うように、第３の層間絶縁膜１０３７を形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層間絶縁膜１０３７は第２の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の様々な材料を用いて形成することができる。
【０３２４】
発光素子の下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽極とするが、陰極であっても構わない。また、図３７のようなトップエミッション型の発光装置である場合、下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂを反射電極とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は、実施の形態１のＥＬ層の構成と同様とすることができる。また、ＥＬ層１０２８上に上部電極１０２６が設けられる。上部電極１０２６を半透過・半反射電極として、下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂと、上部電極１０２６との間で、マイクロキャビティ構造を採用し、特定波長における光強度を増加させると好ましい。
【０３２５】
図３７のようなトップエミッションの構造では、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するように遮光層１０３５を設けても良い。なお、封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いると好適である。
【０３２６】
また、図３７においては、複数の発光素子と、該複数の発光素子にそれぞれ着色層を設ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、図３８に示すように、緑色の着色層を設けずに、赤色の着色層１０３４Ｒ、及び青色の着色層１０３４Ｂを設けて、赤、緑、青の３色でフルカラー表示を行う構成としてもよい。図３７に示すように、発光素子と、該発光素子にそれぞれ着色層を設ける構成とした場合、外光反射を抑制できるといった効果を奏する。一方で、図３８に示すように、緑色の着色層を設けずに、赤色の着色層、及び青色の着色層を設ける構成とした場合、緑色の発光素子から射出された光のエネルギー損失が少ないため、消費電力を低くできるといった効果を奏する。
＜発光装置の構成例５＞
【０３２７】
トップエミッション型の発光装置の断面図の別の一例を図３９及び図４０に示す。図３９及び図４０は、本発明の一態様の発光装置を説明する断面図である。なお、図４０は、図３５に示す駆動回路部１０４１、周辺部１０４２等を省略して例示している。
【０３２８】
発光素子の下部電極１０２４Ｙ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽極とするが、陰極であっても構わない。また、図３９のようなトップエミッション型の発光装置である場合、下部電極１０２４Ｙ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂを反射電極とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は、実施の形態１のＥＬ層の構成と同様とすることができる。また、ＥＬ層１０２８上に上部電極１０２６が設けられる。上部電極１０２６を半透過・半反射電極として、下部電極１０２４Ｙ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂと、上部電極１０２６との間で、マイクロキャビティ構造を採用し、特定波長における光強度を増加させると好ましい。
【０３２９】
図３９のようなトップエミッションの構造では、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ、及び黄色の着色層１０３４Ｙ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するように遮光層１０３５を設けても良い。なお、封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いると好適である。
【０３３０】
また、図３９においては、複数の発光素子と、該複数の発光素子にそれぞれ着色層を設ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、図４０に示すように、黄色の着色層を設けずに、赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１０３４Ｂを設けて、赤、緑、青、黄の４色でフルカラー表示を行う構成としてもよい。図３９に示すように、発光素子と、該発光素子にそれぞれ着色層を設ける構成とした場合、外光反射を抑制できるといった効果を奏する。一方で、図４０に示すように、黄色の着色層を設けずに、赤色の着色層、緑色の着色層、及び青色の着色層を設ける構成とした場合、黄色の発光素子から射出された光のエネルギー損失が少ないため、消費電力を低くできるといった効果を奏する。
【０３３１】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態や本実施の形態中の他の構成と適宜組み合わせることが可能である。
【０３３２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置について、図４１（Ａ）（Ｂ）を用いて説明を行う。
【０３３３】
なお、図４１（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図であり、図４１（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置が有する画素回路を説明する回路図である。
【０３３４】
＜表示装置に関する説明＞
図４１（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部８０２という）と、画素部８０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（以下、駆動回路部８０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路８０６という）と、端子部８０７と、を有する。なお、保護回路８０６は、設けない構成としてもよい。
【０３３５】
駆動回路部８０４の一部、または全部は、画素部８０２と同一基板上に形成されていることが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部８０４の一部、または全部が、画素部８０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回路部８０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
【０３３６】
画素部８０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置された複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路８０１という）を有し、駆動回路部８０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、走査線駆動回路８０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するための回路（以下、信号線駆動回路８０４ｂ）などの駆動回路を有する。
【０３３７】
走査線駆動回路８０４ａは、シフトレジスタ等を有する。走査線駆動回路８０４ａは、端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力する。例えば、走査線駆動回路８０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力され、パルス信号を出力する。走査線駆動回路８０４ａは、走査信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、走査線駆動回路８０４ａを複数設け、複数の走査線駆動回路８０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、走査線駆動回路８０４ａは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、走査線駆動回路８０４ａは、別の信号を供給することも可能である。
【０３３８】
信号線駆動回路８０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。信号線駆動回路８０４ｂは、端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元となる信号（画像信号）が入力される。信号線駆動回路８０４ｂは、画像信号を元に画素回路８０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、信号線駆動回路８０４ｂは、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信号の出力を制御する機能を有する。また、信号線駆動回路８０４ｂは、データ信号が与えられる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有する。または、信号線駆動回路８０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、信号線駆動回路８０４ｂは、別の信号を供給することも可能である。
【０３３９】
信号線駆動回路８０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。信号線駆動回路８０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを用いて信号線駆動回路８０４ｂを構成してもよい。
【０３４０】
複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介してデータ信号が入力される。また、複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査線駆動回路８０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列目の画素回路８０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介して走査線駆動回路８０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（ｎはＹ以下の自然数）を介して信号線駆動回路８０４ｂからデータ信号が入力される。
【０３４１】
図４１（Ａ）に示す保護回路８０６は、例えば、走査線駆動回路８０４ａと画素回路８０１の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路８０６は、信号線駆動回路８０４ｂと画素回路８０１の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保護回路８０６は、走査線駆動回路８０４ａと端子部８０７との間の配線に接続することができる。または、保護回路８０６は、信号線駆動回路８０４ｂと端子部８０７との間の配線に接続することができる。なお、端子部８０７は、外部の回路から表示装置に電源及び制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
【０３４２】
保護回路８０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
【０３４３】
図４１（Ａ）に示すように、画素部８０２と駆動回路部８０４にそれぞれ保護回路８０６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。ただし、保護回路８０６の構成はこれに限定されず、例えば、走査線駆動回路８０４ａに保護回路８０６を接続した構成、または信号線駆動回路８０４ｂに保護回路８０６を接続した構成とすることもできる。あるいは、端子部８０７に保護回路８０６を接続した構成とすることもできる。
【０３４４】
また、図４１（Ａ）においては、走査線駆動回路８０４ａと信号線駆動回路８０４ｂによって駆動回路部８０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例えば、走査線駆動回路８０４ａのみを形成し、別途用意された信号線駆動回路が形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装する構成としても良い。
【０３４５】
＜画素回路の構成例＞
図４１（Ａ）に示す複数の画素回路８０１は、例えば、図４１（Ｂ）に示す構成とすることができる。
【０３４６】
図４１（Ｂ）に示す画素回路８０１は、トランジスタ８５２、８５４と、容量素子８６２と、発光素子８７２と、を有する。
【０３４７】
トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる配線（以下、信号線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ８５２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気的に接続される。
【０３４８】
トランジスタ８５２は、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
【０３４９】
容量素子８６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
【０３５０】
容量素子８６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
【０３５１】
トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電気的に接続される。さらに、トランジスタ８５４のゲート電極は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
【０３５２】
発光素子８７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
【０３５３】
発光素子８７２としては、実施の形態１に示す発光素子を用いることができる。
【０３５４】
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
【０３５５】
図４１（Ｂ）の画素回路８０１を有する表示装置では、例えば、図４１（Ａ）に示す走査線駆動回路８０４ａにより各行の画素回路８０１を順次選択し、トランジスタ８５２をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
【０３５６】
データが書き込まれた画素回路８０１は、トランジスタ８５２がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ８５４のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子８７２は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
【０３５７】
例えば、本明細書等において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
【０３５８】
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
【０３５９】
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることが出来る。
【０３６０】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０３６１】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図４２及び図４３を用いて説明を行う。
【０３６２】
＜表示モジュールに関する説明＞
図４２に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を有する。
【０３６３】
本発明の一態様の発光装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
【０３６４】
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０３６５】
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
【０３６６】
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０３６７】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０３６８】
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
【０３６９】
＜電子機器に関する説明＞
図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有することができる。
【０３７０】
図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。また、図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
【０３７１】
図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
【０３７２】
図４３（Ａ）は、携帯情報端末９１００を示す斜視図である。携帯情報端末９１００が有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することができる。
【０３７３】
図４３（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図４３（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メールやＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。
【０３７４】
図４３（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０３７５】
図４３（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。
【０３７６】
図４３（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図４３（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図４３（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図であり、図４３（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
【０３７７】
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。ただし、本発明の一態様の発光装置は、表示部を有さない電子機器にも適用することができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部においては、可撓性を有し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り畳み可能な表示部の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面部に表示を行う構成としてもよい。
【０３７８】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０３７９】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した照明装置の一例について、図４４を用いて説明する。
【０３８０】
図４４は、発光装置を室内の照明装置８５０１として用いた例である。なお、発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８５０２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８５０３を備えても良い。また、照明装置８５０１、８５０２、８５０３に、タッチセンサを設けて、発光装置の電源のオンまたはオフを行ってもよい。
【０３８１】
また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照明装置８５０４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
【０３８２】
以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。
【０３８３】
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０３８４】
（実施の形態７）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子または本発明の一態様の発光装置に入力装置を取り付けた電子機器について、図４５乃至図４９を用いて説明を行う。
【０３８５】
＜タッチパネルに関する説明＞
図４５（Ａ）（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図４５（Ａ）（Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構成要素を示す。
【０３８６】
タッチパネル２０００は、表示部２５０１とタッチセンサ２５９５とを有する（図４５（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０を有する。なお、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０はいずれも可撓性を有する。
【０３８７】
表示部２５０１は、基板２５１０上に複数の画素及び該画素に信号を供給することができる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部にまで引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０９（１）と電気的に接続する。また、複数の配線２５１１は、信号線駆動回路２５０３ｓ（１）からの信号を複数の画素に供給することができる。
【０３８８】
基板２５９０には、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続する複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に接続される。なお、図４５（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板２５１０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実線で示している。
【０３８９】
タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
【０３９０】
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
【０３９１】
まず、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図４５（Ｂ）を用いて説明する。
【０３９２】
なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができる、様々なセンサを適用することができる。
【０３９３】
投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有する。電極２５９１は、複数の配線２５９８のいずれかと電気的に接続し、電極２５９２は複数の配線２５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
【０３９４】
電極２５９２は、図４５（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続される形状を有する。
【０３９５】
電極２５９１は四辺形であり、電極２５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。
【０３９６】
配線２５９４は、電極２５９２を挟む二つの電極２５９１と電気的に接続する。このとき、電極２５９２と配線２５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減することができる。
【０３９７】
なお、電極２５９１及び電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極２５９２を、電極２５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
【０３９８】
次に、図４６を用いて、タッチパネル２０００の詳細について説明する。図４６は、図４５（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図に相当する。
【０３９９】
タッチセンサ２５９５は、基板２５９０上に千鳥状に配置された電極２５９１及び電極２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極２５９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。
【０４００】
また、配線２５９４の下方には、接着層２５９７が設けられる。接着層２５９７は、タッチセンサ２５９５が表示部２５０１に重なるように、基板２５９０を基板２５７０に貼り合わせている。
【０４０１】
電極２５９１及び電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
【０４０２】
例えば、透光性を有する導電性材料を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターン形成技術により、不要な部分を除去して、電極２５９１及び電極２５９２を形成することができる。
【０４０３】
また、絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０４０４】
また、電極２５９１に達する開口が絶縁層２５９３に設けられ、配線２５９４が隣接する電極２５９１と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高めることができるため、配線２５９４に好適に用いることができる。また、電極２５９１及び電極２５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線２５９４に好適に用いることができる。
【０４０５】
電極２５９２は、一方向に延在し、複数の電極２５９２がストライプ状に設けられている。また、配線２５９４は電極２５９２と交差して設けられている。
【０４０６】
一対の電極２５９１が１つの電極２５９２を挟んで設けられる。また、配線２５９４は一対の電極２５９１を電気的に接続している。
【０４０７】
なお、複数の電極２５９１は、１つの電極２５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
【０４０８】
配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。また、配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
【０４０９】
なお、絶縁層２５９３及び配線２５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ２５９５を保護してもよい。
【０４１０】
また、接続層２５９９は、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）を電気的に接続させる。
【０４１１】
接続層２５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０４１２】
接着層２５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロキサン系樹脂を用いることができる。
【０４１３】
表示部２５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。該画素は表示素子と、該表示素子を駆動する画素回路とを有する。
【０４１４】
以下の説明においては、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子に適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限定されない。例えば、隣接する画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機ＥＬ素子を適用してもよい。
【０４１５】
基板２５１０及び基板２５７０としては、例えば、水蒸気の透過率が１×１０−５ｇ・ｍ−２・ｄａｙ−１以下、好ましくは１×１０−６ｇ・ｍ−２・ｄａｙ−１以下である可撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、基板２５１０の熱膨張率と、基板２５７０の熱膨張率とが、およそ等しい材料を用いると好適である。例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
【０４１６】
また、封止層２５６０は、空気より大きい屈折率を有すると好ましい。また、図４６に示すように、封止層２５６０側に光を取り出す場合は、封止層２５６０は光学的な接合層を兼ねることができる。
【０４１７】
また、表示部２５０１は、画素２５０２Ｒを有する。また、画素２５０２Ｒは発光モジュール２５８０Ｒを有する。
【０４１８】
画素２５０２Ｒは、発光素子２５５０Ｒと、発光素子２５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ２５０２ｔとを有する。なお、トランジスタ２５０２ｔは、画素回路の一部として機能する。また、発光モジュール２５８０Ｒは、発光素子２５５０Ｒと、着色層２５６７Ｒとを有する。
【０４１９】
発光素子２５５０Ｒは、下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極の間にＥＬ層とを有する。
【０４２０】
また、封止層２５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層２５６０は、発光素子２５５０Ｒと着色層２５６７Ｒに接する。
【０４２１】
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子２５５０Ｒが発する光の一部は着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール２５８０Ｒの外部に射出される。
【０４２２】
また、表示部２５０１には、光を射出する方向に遮光層２５６７ＢＭが設けられる。遮光層２５６７ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。
【０４２３】
また、表示部２５０１は、画素に重なる位置に反射防止層２５６７ｐを有する。反射防止層２５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
【０４２４】
表示部２５０１には、絶縁層２５２１が設けられる。絶縁層２５２１はトランジスタ２５０２ｔを覆う。なお、絶縁層２５２１は、画素回路に起因する凹凸を平坦化するための機能を有する。また、絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与してもよい。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ２５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。
【０４２５】
また、発光素子２５５０Ｒは、絶縁層２５２１の上方に形成される。また、発光素子２５５０Ｒが有する下部電極には、該下部電極の端部に重なる隔壁２５２８が設けられる。なお、基板２５１０と、基板２５７０との間隔を制御するスペーサを、隔壁２５２８上に形成してもよい。
【０４２６】
走査線駆動回路２５０３ｇ（１）は、トランジスタ２５０３ｔと、容量素子２５０３ｃとを有する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
【０４２７】
また、基板２５１０上には、信号を供給することができる配線２５１１が設けられる。また、配線２５１１上には、端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９には、ＦＰＣ２５０９（１）が電気的に接続される。また、ＦＰＣ２５０９（１）は、画素信号及び同期信号等の信号を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０４２８】
また、表示部２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。なお、図４６（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について、例示している。図４６（Ａ）に示す、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔには、酸化物半導体を含む半導体層をチャネル領域として用いることができる。または、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔには、アモルファスシリコンを含む半導体層をチャネル領域として用いることができる。または、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔには、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層をチャネル領域として用いることができる。
【０４２９】
また、トップゲート型のトランジスタを表示部２５０１に適用する場合の構成を、図４６（Ｂ）に示す。
【０４３０】
トップゲート型のトランジスタの場合、ボトムゲート型のトランジスタに用いることのできる半導体層と同様の構成の他、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層をチャネル領域として用いてもよい。
【０４３１】
次に、図４６に示す構成と異なる構成のタッチパネルについて、図４７を用いて説明する。
【０４３２】
図４７は、タッチパネル２００１の断面図である。図４７に示すタッチパネル２００１は、図４６に示すタッチパネル２０００と、表示部２５０１に対するタッチセンサ２５９５の位置が異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用する。
【０４３３】
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０Ｒと重なる位置にある。また、図４７（Ａ）に示す発光素子２５５０Ｒは、トランジスタ２５０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより、発光素子２５５０Ｒが発する光の一部は、着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール２５８０Ｒの外部に射出される。
【０４３４】
表示部２５０１は、光を射出する方向に遮光層２５６７ＢＭを有する。遮光層２５６７ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。
【０４３５】
タッチセンサ２５９５は、表示部２５０１の基板２５１０側に設けられている（図４７（Ａ）参照）。
【０４３６】
接着層２５９７は、基板２５１０と基板２５９０の間にあり、表示部２５０１とタッチセンサ２５９５を貼り合わせる。
【０４３７】
また、表示部２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。なお、図４７（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について例示している。また、図４７（Ｂ）には、トップゲート型のトランジスタを適用する場合について例示している。
【０４３８】
＜タッチパネルの駆動方法に関する説明＞
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図４８を用いて説明を行う。
【０４３９】
図４８（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図４８（Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、図４８（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１−Ｘ６として、電流の変化を検知する電極２６２２をＹ１−Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。また、図４８（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量２６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換えてもよい。
【０４４０】
パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成する電極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。
【０４４１】
電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１からＹ６の配線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接、または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、積分回路等を用いて行えばよい。
【０４４２】
次に、図４８（Ｂ）には、図４８（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波形のタイミングチャートを示す。図４８（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被検知体の検出を行うものとする。また図４８（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なおＹ１−Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。
【０４４３】
Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘ６の配線の電圧の変化に応じてＹ１−Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する。
【０４４４】
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知することができる。
【０４４５】
＜センサ回路に関する説明＞
また、図４８（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設けるパッシブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。図４９にアクティブマトリクス型のタッチセンサに含まれる一つのセンサ回路の例を示している。
【０４４６】
図４９に示すセンサ回路は、容量２６０３と、トランジスタ２６１１と、トランジスタ２６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
【０４４７】
トランジスタ２６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの一方に電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１のゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方がトランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳＳが与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳＳが与えられる。
【０４４８】
次に、図４９に示すセンサ回路の動作について説明する。まず信号Ｇ２としてトランジスタ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲートが接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２としてトランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保持される。
【０４４９】
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変化することに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
【０４５０】
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ２６１２をオン状態とする電位を与える。ノードｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することができる。
【０４５１】
トランジスタ２６１１、トランジスタ２６１２、及びトランジスタ２６１３としては、酸化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにトランジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リフレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
【０４５２】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【実施例】
【０４５３】
本実施例では、本発明の一態様である発光素子（発光素子１乃至発光素子６）と、比較用の発光素子（比較用発光素子７）の作製例を示す。本実施例で作製する発光素子の断面模式図を図５０に、素子構造の詳細を表３乃至表６に、それぞれ示す。また、使用した化合物については、実施の形態１に示す材料と、以下に示す化合物を用いた。
【０４５４】
【化３】
2016039151.tif 000011
【０４５５】
【表３】
2016039151.tif 000012
【０４５６】
【表４】
2016039151.tif 000013
【０４５７】
【表５】
2016039151.tif 000014
【０４５８】
【表６】
2016039151.tif 000015
【０４５９】
＜１−１．発光素子１の作製＞
基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣ膜を厚さ１００ｎｍになるように形成した。
【０４６０】
次に、下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ８０ｎｍになるように形成した。なお、下部電極５０４の電極面積としては、４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
【０４６１】
次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが２７．５ｎｍになるように共蒸着した。
【０４６２】
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２として、ＰＣＰＰｎを厚さが１０ｎｍになるように蒸着した。
【０４６３】
次に、正孔輸送層５３２上に発光層５０８として、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−４−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ピレン−１，６−ジアミン（１，６ＦｒＡＰｒｎ−ＩＩ）とを重量比（ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＦｒＡＰｒｎ−ＩＩ）が１：０．０５になるよう、且つ厚さが２５ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層５０８において、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ＦｒＡＰｒｎ−ＩＩが蛍光材料（ゲスト材料）である。
【０４６４】
次に、発光層５０８上に電子輸送層５３３として、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、Ｂｐｈｅｎとを、それぞれ厚さが５ｎｍ、１５ｎｍになるように順次蒸着した。
【０４６５】
次に、電子注入層５３４として、Ｌｉ２Ｏ及びＣｕＰｃを、それぞれ厚さが０．１ｎｍ、２ｎｍになるように蒸着した。
【０４６６】
次に、正孔注入層を兼ねる電荷発生層５１６として、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと、ＭｏＯ３を重量比（ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが１２．５ｎｍになるように共蒸着した。
【０４６７】
次に、正孔輸送層５３６として、ＢＰＡＦＬＰを、厚さが２０ｎｍになるように蒸着した。
【０４６８】
次に、正孔輸送層５３６上に発光層５１０として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）と、を重量比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））が０．８：０．２：０．０６になるよう、且つ厚さが４０ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層５１０において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料であり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）がゲスト材料である。
【０４６９】
次に、発光層５１０上に電子輸送層５３７として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、Ｂｐｈｅｎとを、それぞれ厚さが１５ｎｍ、２０ｎｍになるように順次蒸着した。
【０４７０】
次に、電子注入層５３８として、ＬｉＦを厚さが１ｎｍになるよう形成し、さらに上部電極５２０として、ＡｇとＭｇの合金膜と、ＩＴＯ膜とを、それぞれ厚さが１５ｎｍ、７０ｎｍになるように形成した。なお、ＡｇとＭｇの合金膜としては、体積比（Ａｇ：Ｍｇ）が０．５：０．０５となるように蒸着した。
【０４７１】
以上の工程により、基板５０２上に形成される構造を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。また、上部電極５２０のＩＴＯ膜はスパッタリング法にて形成した。
【０４７２】
また、表３に示すように、発光素子１の封止基板５２２には、光学素子５２４として、赤色（Ｒｅｄ）のカラーフィルタを形成した。
【０４７３】
次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、シール材を用いて封止基板５２２を基板５０２上に固定することで発光素子を封止した。具体的には、基板５０２上の発光素子の周囲にシール材を塗布し、その後、基板５０２と封止基板５２２とを貼り合わせ、封止基板５２２側から該シール材に、３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照射し、８０℃にて１時間熱処理した。以上の工程により発光素子１を得た。
【０４７４】
＜１−２．発光素子２の作製＞
発光素子２は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は発光素子１と同様の作製方法とした。
【０４７５】
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ３０ｎｍになるように形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが３５ｎｍになるように共蒸着した。
【０４７６】
また、表３に示すように、発光素子２の封止基板５２２には、光学素子５２４として、緑色（Ｇｒｅｅｎ）のカラーフィルタを形成した。
【０４７７】
＜１−３．発光素子３の作製＞
発光素子３は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は発光素子１と同様の作製方法とした。
【０４７８】
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ８０ｎｍになるように形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるように共蒸着した。
【０４７９】
また、表４に示すように、発光素子３の封止基板５２２には、光学素子５２４として、青色（Ｂｌｕｅ−１）のカラーフィルタを形成した。
【０４８０】
＜１−４．発光素子４の作製＞
発光素子４は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は発光素子１と同様の作製方法とした。
【０４８１】
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ８０ｎｍになるように形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるように共蒸着した。
【０４８２】
また、表４に示すように、発光素子４の封止基板５２２には、光学素子５２４として、青色（Ｂｌｕｅ−２）のカラーフィルタを形成した。
【０４８３】
＜１−５．発光素子５の作製＞
発光素子５は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は発光素子１と同様の作製方法とした。
【０４８４】
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ３０ｎｍになるように形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるように共蒸着した。
【０４８５】
また、表５に示すように、発光素子５の封止基板５２２には、光学素子５２４として、黄色（Ｙｅｌｌｏｗ）のカラーフィルタを形成した。
【０４８６】
＜１−６．発光素子６の作製＞
発光素子６は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は発光素子１と同様の作製方法とした。
【０４８７】
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ３０ｎｍになるように形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるように共蒸着した。
【０４８８】
また、表５に示すように、発光素子６の封止基板５２２には、光学素子５２４を設けない構成とした。なお、発光素子５と発光素子６とは、光学素子５２４の形成有無の違いである。
【０４８９】
＜１−７．比較用発光素子７の作製＞
比較用発光素子７は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は発光素子１と同様の作製方法とした。
【０４９０】
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ８０ｎｍになるように形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるように共蒸着した。
【０４９１】
また、表６に示すように、比較用発光素子７の封止基板５２２には、光学素子５２４として、青色（Ｂｌｕｅ−３）のカラーフィルタを形成した。
【０４９２】
＜１−８．発光素子の特性＞
次に、上記作製した発光素子１乃至発光素子６及び比較用発光素子７の輝度−電流密度特性を図５１（Ａ）に示し、輝度−電圧特性を図５１（Ｂ）に示す。また、発光素子１、発光素子２、発光素子５、及び発光素子６のパワー効率−輝度特性を図５２（Ａ）に示し、発光素子３、発光素子４、及び比較発光素子７のパワー効率−輝度特性を図５２（Ｂ）に示す。また、発光素子１、発光素子２、発光素子５、及び発光素子６の電流効率−輝度特性を図５３（Ａ）に示し、発光素子３、発光素子４、及び比較発光素子７の電流効率−輝度特性を図５３（Ｂ）に示す。なお、各発光素子の測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０４９３】
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における、発光素子１乃至発光素子６及び比較用発光素子７の素子特性を表７に示す。
【０４９４】
【表７】
2016039151.tif 000016
【０４９５】
また、発光素子１乃至発光素子６及び比較用発光素子７に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の電界発光スペクトルを図５４に示す。
【０４９６】
図５１、図５２、図５３、及び表７で示すように、発光素子１は高い色純度を有し、発光効率の高い赤色発光が得られた。また、発光素子２は高い色純度を有し、発光効率の高い緑色発光が得られた。また、発光素子３及び発光素子４は高い色純度を有し、発光効率の高い青色発光が得られた。また、発光素子５及び発光素子６は高い色純度を有し、発光効率の高い黄色発光が得られた。
【０４９７】
図５４で示すように、発光素子１は半値幅が小さく高い色純度を有する赤色発光が得られた。また、発光素子２は半値幅が小さく高い色純度を有する緑色発光が得られた。また、発光素子３及び発光素子４は半値幅が小さく高い色純度を有する青色発光が得られた。また、発光素子５及び発光素子６は半値幅が小さく高い色純度を有する黄色発光が得られた。一方、比較用発光素子７においては半値幅が小さい青色発光が得られたが、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の赤色領域において発光スペクトルに極大値を有したため、色純度の低下が生じた。
【０４９８】
なお、波長が５３０ｎｍの単色光の色度は、色度ｘが０．１５５、色度ｙが０．８０６であり、波長が６８０ｎｍの単色光の色度は、色度ｘが０．７３３、色度ｙが０．２６７である。また、青色の色度、例えば全米テレビジョン放送方式標準化委員会（ＮＴＳＣ）が策定した色域規格における青色の色度は、色度ｘが０．１４０、色度ｙが０．０８０である。つまり、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以上の波長の光は、青色の色度より、色度ｘおよび色度ｙが大きい。そのため、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光が一定量程度、青色の光に混合した場合には、色度ｘおよび色度ｙの少なくとも一方が大きくなるため、色純度低下の一因となる。したがって、高い色純度の青色発光を得るためには、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の強度が低いことが望ましい。
【０４９９】
また、発光素子１乃至発光素子６及び比較用発光素子７の色度の視野角依存性について、斜め方向における正面方向からの色度差Δｕ’ｖ’を算出した結果を図５５及び表８に示す。また、発光素子３の正面方向乃至斜め方向において測定した発光スペクトルを図５６（Ａ）に、発光素子４の正面方向乃至斜め方向において測定した発光スペクトルを図５６（Ｂ）に、比較用発光素子７の正面方向乃至斜め方向において測定した発光スペクトルを図５７に、それぞれ示す。また、図５６（Ａ）における発光スペクトルの第３の極大値の波長および第４の極大値の波長等を表９に、図５６（Ｂ）における発光スペクトルの第３の極大値の波長および第４の極大値の波長等を表１０に、図５７における発光スペクトルの第３の極大値の波長および第４の極大値の波長等を表１１に、それぞれ示す。
【０５００】
【表８】
2016039151.tif 000017
【０５０１】
【表９】
2016039151.tif 000018
【０５０２】
【表１０】
2016039151.tif 000019
【０５０３】
【表１１】
2016039151.tif 000020
【０５０４】
なお、色度差Δｕ’ｖ’は以下のように算出した。まず、各発光素子に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流し電界発光スペクトルを正面方向（０°）乃至斜め方向（７０°）で測定した。その電界発光スペクトルから三刺激値の相対値（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を以下の数式（５）乃至数式（７）から算出した。
【０５０５】
【数５】
2016039151.tif 000021
【０５０６】
【数６】
2016039151.tif 000022
【０５０７】
【数７】
2016039151.tif 000023
【０５０８】
なお、数式（５）乃至数式（７）において、Ｓ（λ）は発光スペクトルを、ｘ（λ）、ｙ（λ）、ｚ（λ）はＸＹＺ表色系における等色関数を、λは波長を、それぞれ表す。
【０５０９】
さらに、算出した三刺激値の相対値（Ｘ、Ｙ、Ｚ）よりＣＩＥ１９７６色度系における色度座標ｕ’ｖ’を以下の数式（８）及び数式（９）から算出した。
【０５１０】
【数８】
2016039151.tif 000024
【０５１１】
【数９】
2016039151.tif 000025
【０５１２】
また、算出した色度（ｕ’，ｖ’）において斜め方向における０°からの色度差Δｕ’ｖ’（θ１）を以下の数式（１０）から算出した。
【０５１３】
【数１０】
2016039151.tif 000026
【０５１４】
なお、数式（１０）において、ｕ’（θ１）は０°乃至７０°の角度における色度ｕ’を、ｖ’（θ１）は０°乃至７０°の角度における色度ｖ’を、それぞれ表す。また、斜め方向の角度θ１は、発光面の法線方向を０°とし、その法線ベクトルを基にした角度で示している。
【０５１５】
図５５で示すように、発光素子１乃至発光素子６は０°乃至７０°の角度において色度差Δｕ’ｖ’が０．１５未満となっており、色度の視野角依存性が小さい結果が得られた。特に発光素子３のΔｕ’ｖ’（７０°）は０．００５７と非常に小さく優れた値となった。一方、比較用発光素子７は色度差Δｕ’ｖ’（７０°）が０．２３と大きな値であったため、色度の視野角依存性が大きい結果となった。
【０５１６】
なお、発光素子３、発光素子４、及び比較用発光素子７においては、基板５０２上に形成される構成が同一であり、封止基板５２２側に設けられた光学素子５２４であるカラーフィルタの材料が異なる。具体的には、発光素子３（Ｂｌｕｅ−１）＜発光素子４（Ｂｌｕｅ−２）＜比較用発光素子７（Ｂｌｕｅ−３）の順に、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が低い領域を有する材料を用いた。また、７０°における色度差Δｕ’ｖ’（７０°）は、発光素子３＜発光素子４＜比較用発光素子７の順となった。したがって、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が低い領域を有する光学素子を用いることで、色度差Δｕ’ｖ’が小さく色度の視野角依存性が小さい素子を作製することができる。
【０５１７】
また、図５６（Ａ）（Ｂ）、図５７、表９、表１０、及び表１１に示すように、発光素子３、及び発光素子４における第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、０°乃至７０°において１５％以下となり、十分に低い値であった。そのため、発光素子３、及び発光素子４は、視野角依存性の小さい素子であった。特に発光素子３における第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は３％以下となり、非常に小さく優れた値であった。一方、比較用発光素子７における第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、５０°及び７０°において１５％を超える結果となった。そのため、比較用発光素子７は色度の視野角依存性が大きい素子であった。したがって、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の透過率が低い領域を有する光学素子を用いることで、視野角依存性が小さい素子を作製することができる。
【０５１８】
以上のように、本発明の一態様の構成を用いることで、高い色純度を有し、色度の視野角依存性が小さく、且つ高い発光効率を有する発光装置を作製することができる。
【０５１９】
以上、本実施例に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０５２０】
１００    ＥＬ層
１０１Ｂ    発光素子
１０１Ｇ    発光素子
１０１Ｒ    発光素子
１０１Ｙ    発光素子
１０２    基板
１０４Ｂ    下部電極
１０４Ｇ    下部電極
１０４Ｒ    下部電極
１０４Ｙ    下部電極
１０６Ｂ    透明導電膜
１０６Ｇ    透明導電膜
１０６Ｒ    透明導電膜
１０６Ｙ    透明導電膜
１０８    発光層
１１０    発光層
１１２    発光層
１１６    電荷発生層
１２０    上部電極
１２２    基板
１２３    遮光層
１２４Ｂ    光学素子
１２４Ｇ    光学素子
１２４Ｒ    光学素子
１２４Ｙ    光学素子
１３１    正孔注入層
１３２    正孔輸送層
１３３    電子輸送層
１３４    電子注入層
１３５    正孔注入層
１３６    正孔輸送層
１３７    電子輸送層
１３８    電子注入層
１４０    隔壁
１５０    発光装置
１５０Ｂ    発光装置
１５２    発光装置
１５２Ｂ    発光装置
１５４    発光装置
１５６    発光装置
１５６Ｂ    発光装置
１５８    発光装置
１６０    発光装置
１６０Ｂ    発光装置
１７０    発光装置
１７０Ａ    発光装置
１７２    発光装置
１７２Ａ    発光装置
１７４    発光装置
１７４Ａ    発光装置
１７６    発光装置
１７６Ａ    発光装置
１７８    発光装置
１７８Ａ    発光装置
１８１    光
１８２    光
１８３    光
１８４    光
１９０    発光装置
１９０Ａ    発光装置
４００    ＥＬ層
４０１    電極
４０２    電極
４１１    正孔注入層
４１２    正孔輸送層
４１３    発光層
４１４    発光層
４１５    電子輸送層
４１６    電子注入層
４２１    ゲスト材料
４２２    ホスト材料
４３１    ゲスト材料
４３２    有機化合物
４３３    有機化合物
４５０    発光素子
５０２    基板
５０４    下部電極
５０６    透明導電膜
５０８    発光層
５１０    発光層
５１６    電荷発生層
５２０    上部電極
５２２    封止基板
５２４    光学素子
５３１    正孔注入層
５３２    正孔輸送層
５３３    電子輸送層
５３４    電子注入層
５３６    正孔輸送層
５３７    電子輸送層
５３８    電子注入層
６００    発光装置
６０１    信号線駆動回路部
６０２    画素部
６０３    走査線駆動回路部
６０４    封止基板
６０５    シール材
６０７    領域
６０８    配線
６０９    ＦＰＣ
６１０    素子基板
６１１    トランジスタ
６１２    トランジスタ
６１３    下部電極
６１４    隔壁
６１６    ＥＬ層
６１７    上部電極
６１８    発光素子
６２１    光学素子
６２２    遮光層
６２３    トランジスタ
６２４    トランジスタ
８０１    画素回路
８０２    画素部
８０４    駆動回路部
８０４ａ    走査線駆動回路
８０４ｂ    信号線駆動回路
８０６    保護回路
８０７    端子部
８５２    トランジスタ
８５４    トランジスタ
８６２    容量素子
８７２    発光素子
１００１    基板
１００２    下地絶縁膜
１００３    ゲート絶縁膜
１００６    ゲート電極
１００７    ゲート電極
１００８    ゲート電極
１０２０    層間絶縁膜
１０２１    層間絶縁膜
１０２２    電極
１０２４Ｂ    下部電極
１０２４Ｇ    下部電極
１０２４Ｒ    下部電極
１０２４Ｙ    下部電極
１０２５    隔壁
１０２６    上部電極
１０２８    ＥＬ層
１０２９    封止層
１０３１    封止基板
１０３２    シール材
１０３３    基材
１０３４Ｂ    着色層
１０３４Ｇ    着色層
１０３４Ｒ    着色層
１０３４Ｙ    着色層
１０３５    遮光層
１０３６    オーバーコート層
１０３７    層間絶縁膜
１０４０    画素部
１０４１    駆動回路部
１０４２    周辺部
２０００    タッチパネル
２００１    タッチパネル
２５０１    表示部
２５０２Ｒ    画素
２５０２ｔ    トランジスタ
２５０３ｃ    容量素子
２５０３ｇ    走査線駆動回路
２５０３ｓ    信号線駆動回路
２５０３ｔ    トランジスタ
２５０９    ＦＰＣ
２５１０    基板
２５１１    配線
２５１９    端子
２５２１    絶縁層
２５２８    隔壁
２５５０Ｒ    発光素子
２５６０    封止層
２５６７ＢＭ    遮光層
２５６７ｐ    反射防止層
２５６７Ｒ    着色層
２５７０    基板
２５８０Ｒ    発光モジュール
２５９０    基板
２５９１    電極
２５９２    電極
２５９３    絶縁層
２５９４    配線
２５９５    タッチセンサ
２５９７    接着層
２５９８    配線
２５９９    接続層
２６０１    パルス電圧出力回路
２６０２    電流検出回路
２６０３    容量
２６１１    トランジスタ
２６１２    トランジスタ
２６１３    トランジスタ
２６２１    電極
２６２２    電極
８０００    表示モジュール
８００１    上部カバー
８００２    下部カバー
８００３    ＦＰＣ
８００４    タッチパネル
８００５    ＦＰＣ
８００６    表示パネル
８００９    フレーム
８０１０    プリント基板
８０１１    バッテリ
８５０１    照明装置
８５０２    照明装置
８５０３    照明装置
８５０４    照明装置
９０００    筐体
９００１    表示部
９００３    スピーカ
９００５    操作キー
９００６    接続端子
９００７    センサ
９００８    マイクロフォン
９０５０    操作ボタン
９０５１    情報
９０５２    情報
９０５３    情報
９０５４    情報
９０５５    ヒンジ
９１００    携帯情報端末
９１０１    携帯情報端末
９１０２    携帯情報端末
９２００    携帯情報端末
９２０１    携帯情報端末
【図１】
2016039151.tif 000027
【図２】
2016039151.tif 000028
【図６】
2016039151.tif 000029
【図７】
2016039151.tif 000030
【図８】
2016039151.tif 000031
【図９】
2016039151.tif 000032
【図１０】
2016039151.tif 000033
【図１１】
2016039151.tif 000034
【図１２】
2016039151.tif 000035
【図１３】
2016039151.tif 000036
【図１４】
2016039151.tif 000037
【図１５】
2016039151.tif 000038
【図１６】
2016039151.tif 000039
【図１７】
2016039151.tif 000040
【図１８】
2016039151.tif 000041
【図１９】
2016039151.tif 000042
【図２０】
2016039151.tif 000043
【図２１】
2016039151.tif 000044
【図２２】
2016039151.tif 000045
【図２３】
2016039151.tif 000046
【図２４】
2016039151.tif 000047
【図２５】
2016039151.tif 000048
【図２６】
2016039151.tif 000049
【図２７】
2016039151.tif 000050
【図２８】
2016039151.tif 000051
【図２９】
2016039151.tif 000052
【図３０】
2016039151.tif 000053
【図３１】
2016039151.tif 000054
【図３２】
2016039151.tif 000055
【図３３】
2016039151.tif 000056
【図３４】
2016039151.tif 000057
【図３５】
2016039151.tif 000058
【図３６】
2016039151.tif 000059
【図３７】
2016039151.tif 000060
【図３８】
2016039151.tif 000061
【図３９】
2016039151.tif 000062
【図４０】
2016039151.tif 000063
【図４１】
2016039151.tif 000064
【図４２】
2016039151.tif 000065
【図４３】
2016039151.tif 000066
【図４４】
2016039151.tif 000067
【図４５】
2016039151.tif 000068
【図４６】
2016039151.tif 000069
【図４７】
2016039151.tif 000070
【図４８】
2016039151.tif 000071
【図４９】
2016039151.tif 000072
【図５０】
2016039151.tif 000073
【図３】
2016039151.tif 000074
【図４】
2016039151.tif 000075
【図５】
2016039151.tif 000076
【図５１】
2016039151.tif 000077
【図５２】
2016039151.tif 000078
【図５３】
2016039151.tif 000079
【図５４】
2016039151.tif 000080
【図５５】
2016039151.tif 000081
【図５６】
2016039151.tif 000082
【図５７】
2016039151.tif 000083