(57)【要約】【課題】本発明は、ＴＦＴ基板間を安定的に接続可能な接続配線基板を容易に形成可能な接続配線基板付ＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ領域と、上記樹脂基板上に、上記薄膜トランジスタ領域と平面視上重ならないように形成された接続配線領域と、を有する接続配線基板付薄膜トランジスタ基板であって、上記薄膜トランジスタ領域は、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有するものであり、上記接続配線領域は、上記樹脂基板上に表面が露出するように形成された接続配線部を複数有するものであり、上記接続配線部は、上記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されていることを特徴とする接続配線基板付薄膜トランジスタ基板を提供することにより、上記目的を達成する。【選択図】図１
2016039208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板と、
前記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ領域と、
前記樹脂基板上に、前記薄膜トランジスタ領域と平面視上重ならないように形成された接続配線領域と、
を有する接続配線基板付薄膜トランジスタ基板であって、
前記薄膜トランジスタ領域は、前記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有するものであり、
前記接続配線領域は、前記樹脂基板上に表面が露出するように形成された接続配線部を複数有するものであり、
前記接続配線部は、前記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されていることを特徴とする接続配線基板付薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタ部は、前記樹脂基板上に形成された絶縁層を有し、
前記接続配線領域は、前記樹脂基板上に形成された第２絶縁層を有し、
前記第２絶縁層は、前記薄膜トランジスタ部に形成されている前記絶縁層の中の少なくとも一つである特定絶縁層と同一の材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の接続配線基板付薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
樹脂基板と、
前記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ領域と、
前記樹脂基板上に、前記薄膜トランジスタ領域と平面視上重ならないように形成された接続配線領域と、
を有し、
前記薄膜トランジスタ領域は、前記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有するものであり、
前記接続配線領域は、前記樹脂基板上に表面が露出するように形成された接続配線部を複数有するものであり、
前記接続配線部は、前記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されている接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
前記接続配線部および前記特定電極を同時に形成する接続配線部同時形成工程を有することを特徴とする接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタ部は、前記樹脂基板上に形成された絶縁層を有し、
前記接続配線領域は、前記樹脂基板上に形成された第２絶縁層を有し、
前記第２絶縁層は、前記薄膜トランジスタ部に形成されている前記絶縁層の中の少なくとも一つである特定絶縁層と同一の材料で形成されるものであり、
前記第２絶縁層および前記特定絶縁層を同時に形成する第２絶縁層同時形成工程を有することを特徴とする請求項３に記載の接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
樹脂基板と、前記樹脂基板上に表面が露出するように形成された複数の接続配線部と、を有する接続配線基板の製造方法であって、
前記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有する薄膜トランジスタ領域と、
前記樹脂基板上に形成された前記複数の接続配線部を有する接続配線領域と、を有し、
前記接続配線部は前記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されている接続配線基板付薄膜トランジスタ基板を準備する準備工程と、
前記接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の、前記薄膜トランジスタ領域と前記接続配線領域との間を切断する切断工程と、
を有することを特徴とする接続配線基板の製造方法。
【請求項６】
第１樹脂基板、および前記第１樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有し、前記薄膜トランジスタ部に接続された複数の端子部が端部に配置された薄膜トランジスタ基板と、
第２樹脂基板、および前記第２樹脂基板上に形成された接続配線部を複数有する接続配線基板と、を有し、
前記薄膜トランジスタ基板の複数の前記端子部が、前記接続配線基板の複数の前記接続配線部により接続されタイリングされているタイリング薄膜トランジスタ基板を有する電子装置であって、
前記第２樹脂基板は、前記第１樹脂基板と同一の材料で形成され、
前記接続配線部は、前記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項７】
前記電子装置が圧力センサ装置であることを特徴とする請求項６に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ基板間を安定的に接続可能な接続配線基板を容易に形成可能な接続配線基板付薄膜トランジスタ基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（以下、単にＴＦＴと称する場合がある。）基板を用いた電子装置を大面積で作製する場合、ＴＦＴ基板として一枚の大面積のＴＦＴ基板を用いることが考えられる。しかしながら、検査、修正および歩留まり等の観点から、複数のＴＦＴ基板を用いる方法が有望視されている。
また、複数のＴＦＴ基板を用いる方法として、隣接するＴＦＴ基板に含まれる電極同士が接続されることでタイリングされたタイリングＴＦＴ基板を用いる方法が検討されている。
複数のＴＦＴ基板を単に組み合わせて用いる場合には、それぞれのＴＦＴ基板に対して駆動集積回路（以下、単に駆動ＩＣと称する場合がある。）等が必要になるのに対して、タイリングＴＦＴ基板では、最外周のＴＦＴ基板のみに駆動ＩＣ等を設置することで、タイリングＴＦＴ基板全体を制御することができ、低コスト化、薄層化および軽量化等を図ることができるといった利点がある。
【０００３】
タイリング方法としては、例えば、ＴＦＴ基板の端部同士を折り曲げてＴＦＴ基板同士を直接接続する方法（特許文献１等）が知られている。
しかしながら、このようなタイリング方法を用いた場合には、ＴＦＴ基板のタイリング部に基板端部の折り曲げ部および基板同士の重なり箇所等に段差が生じる。このため、タイリング部において圧力の検知ムラが生じる可能性がある。また、圧力が付与された際に、タイリング部において配線の破断が生じる可能性があるといった不具合がある。
【０００４】
また、他のタイリング方法としては、隣接するＴＦＴ基板のＴＦＴが形成された面同士を対向するように配置した上で、ＴＦＴ基板同士を直接接続する方法(特許文献２等)が知られている。
しかしながら、タイリングされた隣接するＴＦＴ基板のＴＦＴの形成方向が異なることにより、タイリングされた隣接するＴＦＴ基板上で検知される圧力が異なるものとなる可能性がある。また、ＴＦＴに対して形成される共通電極の配置が複雑になるといった問題がある。
【０００５】
これらの問題に対して、隣接するＴＦＴ基板をフレキシブルプリント配線基板等の接続配線基板を用いて接続する方法がある。
このような方法であれば、隣接するＴＦＴ基板同士の重なりによる段差部の形成を不要とすることができる。また、隣接するＴＦＴ基板に形成されたＴＦＴの形成方向を同一方向とすることが容易である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４００９９２３号明細書
【特許文献２】特開平１−３５５９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＴＦＴ基板を接続配線基板を用いて接続する場合、両基板の熱等に対する伸縮度合いが異なることにより、接続時の加熱等により両基板の接続端子の配置ピッチが変動し、両基板の接続端子同士を正確に接続することができないといった不具合がある。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ＴＦＴ基板間を安定的に接続可能な接続配線基板を容易に形成可能な接続配線基板付ＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ領域と、上記樹脂基板上に、上記薄膜トランジスタ領域と平面視上重ならないように形成された接続配線領域と、を有する接続配線基板付薄膜トランジスタ基板であって、上記薄膜トランジスタ領域は、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有するものであり、上記接続配線領域は、上記樹脂基板上に表面が露出するように形成された接続配線部を複数有するものであり、上記接続配線部は、上記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されていることを特徴とする接続配線基板付薄膜トランジスタ基板を提供する。
【００１０】
本発明によれば、ＴＦＴ領域および接続配線領域が同一樹脂基板上に形成されていることにより、接続配線基板付ＴＦＴ基板の上記接続配線領域および上記ＴＦＴ領域にそれぞれ含まれる接続配線基板およびＴＦＴ基板を、同一の材料および加工履歴等の樹脂基板を有するものとすることができる。また、接続配線領域に含まれる接続配線部が上記ＴＦＴ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されていることにより、接続配線領域の層構成をＴＦＴ領域の層構成に近いものとすることができる。
このため、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の上記接続配線領域である接続配線基板の層構成を、上記接続配線基板付ＴＦＴ基板の上記ＴＦＴ領域であるＴＦＴ基板の層構成に近いものとすることができる。その結果、接続配線基板付ＴＦＴ基板を、ＴＦＴ基板と伸縮性が近い接続配線基板を含むものとすることができる。
したがって、接続配線基板付ＴＦＴ基板を、ＴＦＴ基板間を安定的に接続可能な接続配線基板を容易に形成可能なものとすることができる。
【００１１】
本発明においては、上記樹脂基板上に形成された絶縁層を有し、上記接続配線領域は、上記樹脂基板上に形成された第２絶縁層を有し、上記第２絶縁層は、上記薄膜トランジスタ部に形成されている上記絶縁層の中の少なくとも一つである特定絶縁層と同一の材料で形成されていることが好ましい。接続配線領域の層構成をＴＦＴ領域の層構成に近いものとすることができ、接続配線基板付ＴＦＴ基板を、ＴＦＴ基板と伸縮性がより近い接続配線基板を形成可能なものとすることができるからである。
【００１２】
本発明は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ領域と、上記樹脂基板上に、上記薄膜トランジスタ領域と平面視上重ならないように形成された接続配線領域と、を有し、上記薄膜トランジスタ領域は、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有するものであり、上記接続配線領域は、上記樹脂基板上に表面が露出するように形成された接続配線部を複数有するものであり、上記接続配線部は、上記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されている接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、上記接続配線部および上記特定電極を同時に形成する接続配線部同時形成工程を有することを特徴とする接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【００１３】
本発明によれば、上記接続配線部および上記特定電極を同時に形成する接続配線部同時形成工程を有することにより、ＴＦＴ基板と伸縮性が近く、ＴＦＴ基板間を安定的に接続可能な接続配線基板を含む接続配線基板付ＴＦＴ基板を容易に得ることができる。
【００１４】
本発明においては、上記薄膜トランジスタ部は、上記樹脂基板上に形成された絶縁層を有し、上記接続配線領域は、上記樹脂基板上に形成された第２絶縁層を有し、上記第２絶縁層は、上記薄膜トランジスタ部に形成されている上記絶縁層の中の少なくとも一つである特定絶縁層と同一の材料で形成されるものであり、上記第２絶縁層および上記特定絶縁層を同時に形成する第２絶縁層同時形成工程を有することが好ましい。
上記ＴＦＴ部に形成されている絶縁層の中の一つである特定絶縁層と同一の材料で形成されている第２絶縁層を有する接続配線基板付ＴＦＴ基板を容易に得ることができるからである。
【００１５】
本発明は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に表面が露出するように形成された複数の接続配線部と、を有する接続配線基板の製造方法であって、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有する薄膜トランジスタ領域と、上記樹脂基板上に形成された上記複数の接続配線部を有する接続配線領域と、を有し、上記接続配線部は上記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されている接続配線基板付薄膜トランジスタ基板を準備する準備工程と、上記接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の、上記薄膜トランジスタ領域と上記接続配線領域との間を切断する切断工程と、を有することを特徴とする接続配線基板の製造方法を提供する。
【００１６】
本発明によれば、同一樹脂基板上にＴＦＴ領域および接続配線領域が形成され、さらに、接続配線領域に含まれる接続配線部がＴＦＴ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されている接続配線基板付ＴＦＴ基板を形成する準備工程を有し、その後、ＴＦＴ領域と接続配線領域との間を切断する切断工程を有することにより、ＴＦＴ基板と伸縮性が近く、ＴＦＴ基板間を安定的に接続可能な接続配線基板を容易に得ることができる。
【００１７】
本発明は、第１樹脂基板、および上記第１樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有し、上記薄膜トランジスタ部に接続された複数の端子部が端部に配置された薄膜トランジスタ基板と、第２樹脂基板、および上記第２樹脂基板上に形成された接続配線部を複数有する接続配線基板と、を有し、上記薄膜トランジスタ基板の複数の上記端子部が、上記接続配線基板の複数の上記接続配線部により接続されタイリングされているタイリング薄膜トランジスタ基板を有する電子装置であって、上記第２樹脂基板は、上記第１樹脂基板と同一の材料で形成され、上記接続配線部は、上記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されていることを特徴とする電子装置を提供する。
【００１８】
本発明によれば、タイリングＴＦＴ基板を構成する接続配線基板に含まれる第２樹脂基板および接続配線部がそれぞれＴＦＴ基板に含まれる第１樹脂基板および特定電極と同一の材料であることにより、接続配線基板をＴＦＴ基板と伸縮性が近いものとすることができる。このため、電子装置を、ＴＦＴ基板間が安定的に接続されたものとすることができる。
また、このようなタイリングＴＦＴ基板を含むことにより、電子装置を、信頼性が高く、大面積の電子装置とすることができる。
【００１９】
本発明においては、上記電子装置が圧力センサ装置であることが好ましい。圧力センサ装置は、大面積化の要請が高く、ＴＦＴ基板間が安定的に接続されているとの本発明の効果をより効果的に発揮できるからである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明においては、ＴＦＴ基板間を安定的に接続可能な接続配線基板を容易に形成可能な接続配線基板付ＴＦＴ基板を提供できるといった作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１の接続配線領域およびＴＦＴ領域の境界周辺の拡大図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図３のＣ−Ｃ線断面図である。
【図６】ＴＦＴ基板のタイリングを説明する説明図である。
【図７】ＴＦＴ基板のタイリングを説明する説明図である。
【図８】本発明の接続配線基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【図９】本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の他の例を示す概略断面図ある。
【図１０】本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の他の例を示す概略断面図ある。
【図１１】本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【図１２】本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【図１３】本発明の電子装置の一例を示す概略断面図である。
【図１４】本発明の電子装置の他の例を示す概略断面図である。
【図１５】本発明の電子装置の他の例を示す概略断面図である。
【図１６】本発明の電子装置の他の例を示す概略断面図である。
【図１７】本発明の電子装置の他の例を示す概略断面図である。
【図１８】本発明の電子装置の他の例を示す概略断面図である。
【図１９】本発明の電子装置の他の例を示す概略断面図である。
【図２０】本発明の電子装置の他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明は、接続配線基板付薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、接続配線基板の製造方法、ならびに電子装置に関するものである。
以下、本発明の接続配線基板付薄膜トランジスタ基板、接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の製造方法、接続配線基板の製造方法、および電子装置について説明する。
【００２３】
Ａ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板
まず、本発明の接続配線基板付薄膜トランジスタ基板について説明する。
本発明の接続配線基板付薄膜トランジスタ基板は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ領域と、上記樹脂基板上に、上記薄膜トランジスタ領域と平面視上重ならないように形成された接続配線領域と、を有する接続配線基板付薄膜トランジスタ基板であって、上記薄膜トランジスタ領域は、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有するものであり、上記接続配線領域は、上記樹脂基板上に表面が露出するように形成された接続配線部を複数有するものであり、上記接続配線部は、上記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されていることを特徴とするものである。
【００２４】
このような本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板について図を参照して説明する。図１は、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の一例を示す概略平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。図３は図１のＴＦＴ領域および接続配線領域の境界周辺の拡大図である。さらに、図４および図５は図３のＢ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図である。
図１〜図５に例示するように、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板６０は、樹脂基板１と、上記樹脂基板１上に形成されたＴＦＴ領域２０と、上記樹脂基板１上に、上記ＴＦＴ領域２０と平面視上重ならないように形成された接続配線領域３０と、を有し、上記ＴＦＴ領域２０は、上記樹脂基板１上に形成されたＴＦＴ部１０を複数有するものであり、上記接続配線領域３０は、上記樹脂基板１上に露出するように形成された接続配線部２１を複数有するものであり、上記接続配線部２１は、上記ＴＦＴ部１０に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されているものである。
なお、図３においては、説明の容易のため、ＴＦＴ領域に形成される接続パッド電極および絶縁層、ならびに接続配線領域に形成される第２絶縁層の記載を省略するものである。
【００２５】
また、この例においては、ＴＦＴ部１０は、ボトムゲート型であり、オーバーコート層６、ゲート電極２、ゲート絶縁層７、ソース電極３およびドレイン電極４、半導体層９、パッシベーション層８、ならびに接続パッド電極５がこの順で積層する構造を有するものである。
また、ＴＦＴ領域２０には、ＴＦＴ部１０に接続された複数の端子部１１がＴＦＴ領域２０の端部に配置されているものである。
さらに、上記接続配線領域３０は、特定電極である接続パッド電極５と同一の材料５ａで形成された接続配線部２１を有するものであり、特定絶縁層であるオーバーコート層６、ゲート絶縁層７およびパッシベーション層８と同一の材料６ａ、７ａおよび８ａで形成された第２絶縁層２２と、第２特定電極であるゲート電極２ならびにソース電極３およびドレイン電極４と同一の材料２ａおよび３ａで形成され、上記接続配線部２１と絶縁された第２電極層２３と、特定半導体層である半導体層９と同一の材料９ａで形成された第２半導体層２４と、を有するものである。
ここで、上記第２絶縁層２２および第２半導体層２４は、樹脂基板１の接続配線領域３０の全面を覆うように形成されるものである。
また、上記接続配線部２１および第２電極層２３は、同一のパターンで形成されるものであり、平面視上重なるように形成されるものである。また、樹脂基板１の端子部１１であるゲート電極端子部と同一幅、同一ピッチで形成されるものである。
【００２６】
また、この例においては、接続配線基板付ＴＦＴ基板６０は、ＴＦＴ領域２０と接続配線領域３０とに、それぞれ樹脂基板１および樹脂基板１上に形成されたＴＦＴ部１０を複数有するＴＦＴ基板４０と、樹脂基板１および樹脂基板１上に形成された接続配線部２１を複数有する接続配線基板５０と、を有するものである。
さらに、上記接続配線領域３０は、接続配線基板付ＴＦＴ基板６０の端部に配置され、上記ＴＦＴ領域２０および接続配線領域３０の間の境界を直線状に切断することにより接続配線基板として分離可能なものである。
【００２７】
図６に例示するようなＴＦＴ基板４０を接続配線基板５０により接続することでタイリングＴＦＴ基板７０を形成する際、接続配線基板５０がＴＦＴ基板４０と熱および吸湿等に対する伸縮性が大きく異なる場合、加熱等の前では図７（ａ）に例示するようにＴＦＴ基板４０中の端子部１１と、接続配線基板５０中の接続配線部２１とが、ほぼ同等のピッチで形成されているとしても、接続のための加熱等を行った後には、図７（ｂ）に例示するように、端子部１１および接続配線部２１のピッチが異なるものとなる場合がある。この場合、端子部１１および接続配線部２１を正確に接続することができないといった不具合が生じる。
【００２８】
これに対して本発明によれば、ＴＦＴ領域および接続配線領域が同一樹脂基板上に形成されている。このため、接続配線基板付ＴＦＴ基板の上記接続配線領域および上記ＴＦＴ領域にそれぞれ含まれる接続配線基板およびＴＦＴ基板を、同一の材料で形成され、かつ、溶剤および水分等の暴露履歴および熱履歴等の加工履歴等も同一の樹脂基板を有するものとすることができる。
また、接続配線領域に含まれる接続配線部が上記ＴＦＴ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されている。このため、接続配線領域を、ＴＦＴ領域に含まれる層と同一の材料で形成され、さらに加工履歴等も同一の層を有するものとすることができる。
このため、接続配線領域の層構成をＴＦＴ領域の層構成に近いものとすることができる。
このようなことから、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の上記接続配線領域である接続配線基板の層構成を、上記接続配線基板付ＴＦＴ基板の上記ＴＦＴ領域であるＴＦＴ基板の層構成に近いものとすることができ、両基板に熱等を加えた際にそれぞれの基板に加わる応力を近いものとすることができる。その結果、接続配線基板をＴＦＴ基板と伸縮性が近いものとすることができる。
したがって、図８（ａ）に例示するように本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板６０のＴＦＴ領域２０と接続配線領域３０との間を切断することにより、加熱時においてＴＦＴ基板と伸縮性が近く、ＴＦＴ基板間を安定的に接続可能な接続配線基板を容易に形成可能なものとすることができる（図８（ｂ））。
なお、図６〜図８中の符号については、図１および図２と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。
【００２９】
本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板は、樹脂基板、ＴＦＴ領域および接続配線領域を有するものである。
以下、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の各構成について詳細に説明する。
【００３０】
１．薄膜トランジスタ領域
本発明におけるＴＦＴ領域は、上記樹脂基板上に形成されるものである。
また、上記ＴＦＴ領域は、上記樹脂基板上に形成されたＴＦＴを複数有するものである。
【００３１】
（１）薄膜トランジスタ部
本発明におけるＴＦＴ部は、上記樹脂基板上に形成されるものであり、通常、複数の電極を含むものである。また、通常、ＴＦＴ部は、上記樹脂基板上に形成された絶縁層および半導体層を有するものである。
このようなＴＦＴ部としては、例えば、上記電極としてゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、上記絶縁層としてゲート絶縁層を有するものとすることができる。
【００３２】
また、上記ＴＦＴ部の構造としては、上記樹脂基板上に形成されたゲート電極、上記ゲート電極上に形成された上記ゲート絶縁層、上記ゲート絶縁層上に形成された上記ソース電極および上記ドレイン電極、ならびに、上記ソース電極およびドレイン電極上に形成された半導体層を有するボトムゲート型であっても良く、上記樹脂基板上に形成された上記ソース電極および上記ドレイン電極、上記ソース電極およびドレイン電極上に形成された半導体層、上記半導体層上に形成された上記ゲート絶縁層、ならびに上記ゲート絶縁層上に形成された上記ゲート電極を有するトップゲート型であっても良い。
【００３３】
（ａ）電極
本発明における電極は上記樹脂基板上に形成されるものである。
【００３４】
このような電極としては、一般的なＴＦＴ部に含まれる電極と同様とすることができ、少なくともゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有するものである。
また、必要に応じて、電極は、ドレイン電極に電源に接続される接続パッド電極を含むものとすることができる。
さらに、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板を圧力センサ装置に用いられるタイリングＴＦＴ基板の形成に用いる場合、必要に応じて、電極は、圧力センサ装置に含まれる感圧層と接続される共通電極を含むものとすることができる。
なお、接続パッド電極は、既に説明した図５に示すように、ドレイン電極上に形成された絶縁層（図５中においてはパッシベーション層）に設けられたコンタクトホールを介して上記ドレイン電極に接続されるものを挙げることができる。
また、共通電極は、ゲート電極またはドレイン電極と同一材料を用いて、同一平面上に形成されたもの等を挙げることができる。
【００３５】
このような電極を構成する材料としては、所望の導電性を備えるものであれば特に限定されるものではなく、一般的にＴＦＴに用いられる導電性材料を用いることができる。このような導電性材料の例としては、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ｐｔ、Ｍｏ−Ｔａ合金、Ｗ−Ｍｏ合金、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の無機材料、および、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の導電性を有する有機材料を挙げることができる。
また、本発明においては、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板を圧力センサ装置に用いられるタイリングＴＦＴ基板の形成に用いる場合、上記電極が感圧層と直接接触する共通電極、接続パッド電極および接続パッド電極を介さずに感圧層と接続されるドレイン電極である場合には、少なくとも各電極の表面を構成する材料は、耐食性の低いＡｌ、Ｃｕ等以外の、例えば、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＩＴＯ等の耐食性が高い材料であることが好ましい。
なお、少なくとも各電極の表面を構成する材料が耐食性が高い材料であるとは、上記各電極が、例えば、耐食性が高い材料であるＴｉを用いて形成されたＴｉ層等である場合に限らず、Ａｌ層とＡｌ層の表面を覆うように形成されたＴｉ層とを有するものである場合も含むことをいうものである。
なお、上記電極はそれぞれ異なる材料からなるものであっても良く、全てが同一材料からなるものであっても良いが、通常、ソース電極およびドレイン電極は同一材料を用いて形成されるものである。
【００３６】
上記電極の厚みとしては、所望の電極特性を備える電極とすることができれば特に限定されないが、それぞれ、０．０１μｍ〜１μｍの範囲内であることが好ましく、特に０．０３μｍ〜０．５μｍの範囲内であることが好ましい。また、ソース電極の厚みおよびドレイン電極の厚みは同一であっても良く異なっていても良い。
【００３７】
上記電極の平面視形状としては、所望の電極特性を備える電極とすることができれば特に限定されなく、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の用途等に応じて適宜設定されるものである。
【００３８】
上記電極の形成方法としては、所望の電極特性、パターン形状、および厚みを有するように電極を形成することが可能な方法であれば特に限定されず、一般的な電極の形成方法と同様とすることができる。
上記形成方法は、具体的には、金属マスクを用いて、蒸着法、スパッタ法等を用いて直接パターン状に形成する方法、蒸着法、スパッタ法等を用いて導電材料膜を形成し、導電材料膜上に感光性樹脂層をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングした後、エッチングすることによりパターン状に形成する方法、および印刷法を用いる方法等を挙げることができる。
【００３９】
（ｂ）絶縁層
本発明における絶縁層は上記樹脂基板上に形成されるものである。
【００４０】
このような絶縁層としては、一般的なＴＦＴ部に含まれる電極と同様とすることができ、少なくともゲート絶縁層を含むものとすることができる。
また、絶縁層は、樹脂基板上に樹脂基板表面の平坦化を目的として形成されるオーバーコート層を通常含むものである。
さらに、必要に応じて、絶縁層は、空気中の水分および酸素等の透過を抑制し、上記半導体層の劣化抑制を目的として形成されるパッシベーション層を含むものとすることができる。
【００４１】
上記絶縁層を構成する材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではなく、一般的な半導体層の形成方法と同様とすることができる。
上記材料は、具体的には、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の絶縁性無機材料、および、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の絶縁性有機材料を用いることができる。また、上記絶縁層を構成する材料は、1種類のみからなるものであっても良く、２種類以上の材料を含むものであっても良い。例えば、上記絶縁層が絶縁性有機材料を用いて形成される場合、絶縁性有機材料としては、上記絶縁性有機材料を１種類のみ含むものであっても良く、２種類以上含むものであっても良い。
本発明においては、なかでも上記材料として絶縁性有機材料を好ましく用いることができる。本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板を用いて圧力センサを形成した場合には、圧力センサを、付与される圧力による破損の少ないものとすることができ、信頼性の高いものとすることができるからである。
【００４２】
上記絶縁層の厚みとしては、所望の絶縁性を有するものとすることができるものであれば良く、各絶縁層の目的に応じて異なるものであるが、一般的なＴＦＴ部と同様とすることができる。
例えば、上記オーバーコート層の場合には、上記厚みは、上記樹脂基板表面を安定的に平坦化できるものであれば良く、０．５μｍ〜１００μｍの範囲内とすることができる。
上記ゲート絶縁層の場合には、上記厚みは、所望の絶縁性を示すことができるものであれば特に限定されるものではなく、ゲート絶縁層の材料、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の用途等に応じて適宜選択することができるものであるが、例えば、０．１μｍ〜５μｍの範囲内とすることができ、なかでも０．３μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましく、特に０．６μｍ〜１．５μｍの範囲内であることが好ましい。ゲート絶縁層の厚みが薄すぎると、ゲート電極用導電層を形成した場合にゲート絶縁層が破損する可能性があるからであり、ゲート絶縁層の厚みが厚すぎるとＴＦＴの機能を阻害する可能性があるからである。
上記パッシベーション層の場合には、上記厚みは、空気中の水分および酸素の透過を抑制し、上記半導体層の劣化を抑制できるものであれば良く、０．１μｍ〜１００μｍの範囲内とすることができ、なかでも１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。
なお、絶縁層の厚みとは、絶縁層の樹脂基板側表面から上記絶縁層の樹脂基板とは反対側の表面までの距離のうち最大の距離をいうものである。
上記各絶縁層は、それぞれ単層であっても複層であっても良く、複層の場合、それぞれの層のパターンが異なっていても良い。複層の場合の絶縁層の厚みとはそれぞれの層の厚みを合計した厚みをいうものである。
【００４３】
また、上記パッシベーション層は遮光性を有していることが好ましい。半導体層への光の入射による誤作動を抑制でき、ＴＦＴ部のスイッチ特性に優れたものとすることができるからである。また、パッシベーション層が複層である場合には、全ての層が遮光性を有するものであっても良いが、一部の層が遮光性を有するものであっても良い。
【００４４】
上記絶縁層の形成方法としては、所望の厚みの絶縁層を形成することが可能な方法であれば特に限定されず、一般的な絶縁層の形成方法と同様とすることができる。
上記形成方法は、具体的には、絶縁層を構成する絶縁材料が絶縁性有機材料である場合には、絶縁性有機材料を含む絶縁層形成用塗工液を塗布し、塗層を形成し、必要に応じて乾燥および硬化させる方法を用いることができる。
絶縁層を構成する絶縁材料が絶縁性無機材料である場合には、上記形成方法は、上記電極の形成方法と同様の方法を用いることができる。
また、上記形成方法は、必要に応じて絶縁層に対する加熱処理、および所望のパターン形状にパターニングするパターニング処理を行うものであっても良い。
【００４５】
上記塗布方法としては、ダイコート、スピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法を挙げることができる。
上記硬化方法としては、上記絶縁性有機材料が光硬化型樹脂の場合は、紫外線照射後に必要に応じて光硬化させる方法を用いることができる。上記硬化方法は、上記絶縁性有機材料が熱硬化型樹脂の場合は、塗層形成後そのまま熱硬化させる方法を挙げることができる。
上記パターニング方法としては、所望のパターン形状とすることができる方法であれば良く、上記塗層上に感光性樹脂層をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングした後、エッチングする方法、および印刷法を用いて所望のパターン形状の絶縁層を形成する方法等を挙げることができる。
【００４６】
（ｃ）半導体層
本発明における半導体層は、上記樹脂基板上に形成されるものである。
また、上記半導体層は、上記電極に含まれる上記ソース電極および上記ドレイン電極間に形成されるものである。
さらに、上記半導体層は、ゲート電極とゲート絶縁層を介して形成されるものである。
【００４７】
このような半導体層を構成する材料としては、所望のスイッチング特性を示すものであれば特に限定されるものではなく、例えば、シリコン、酸化物半導体、有機半導体を用いることができる。
本発明においては、なかでも、上記材料が有機半導体であること、すなわち、上記半導体層が有機半導体層であることが好ましい。付与される圧力による破損の少ないものとすることができ、信頼性の高いものとすることができるからである。
【００４８】
有機半導体としては、例えば、π電子共役系の芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物等を挙げることができる。上記有機半導体は、より具体的には、ペンタセン等の低分子系有機半導体材料、および、ポリピロール、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−二置換ピロール）等のポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−二置換チオフェン）、ポリベンゾチオフェン等のポリチオフェン類、ポリイソチアナフテン等のポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレン等のポリチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等のポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）等のポリアニリン類、ポリアセチレン等のポリアセチレン類、ポリジアセチレン、ポリアズレン等のポリアズレン類等の高分子系有機半導体材料を挙げることができる。有機半導体材料は１種類のみであっても良く、２種類以上であっても良い。
シリコンとしては、ポリシリコン、アモルファスシリコンを用いることができる。
酸化物半導体としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、酸化マグネシウム亜鉛（ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ）、酸化カドミウム亜鉛（ＣｄｘＺｎ１−ｘＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ）、ＩｎＧａＺｎＯ系、ＩｎＧａＳｎＯ系、ＩｎＧａＺｎＭｇＯ系、ＩｎＡｌＺｎＯ系、ＩｎＦｅＺｎＯ系、ＩｎＧａＯ系、ＺｎＧａＯ系、ＩｎＺｎＯ系を用いることができる。
【００４９】
上記有機半導体層の厚みは、所望の半導体特性が得られる程度であれば良く、上記有機半導体の種類等に応じて適宜選択される。具体的に、有機半導体層の厚みは、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、特に５ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましく、特に２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。有機半導体層の厚みが厚すぎると、本発明におけるＴＦＴにおいて、電流オフ時においても回り込み電流によってドレイン電流が生じ、これに起因してオフ電流が大きくなる場合があるからである。一方、有機半導体層の厚みが薄すぎると、有機半導体の種類によっては有機半導体層の半導体特性が不足する可能性があるからである。
【００５０】
上記半導体層の形成方法としては、一般的な半導体層の形成方法と同様とすることができ、半導体層を構成する材料の種類等に応じて異なるものである。上記形成方法は、例えば、上記半導体層が有機半導体層である場合には、ソース電極およびドレイン電極が形成された樹脂基板の全面に有機半導体層を形成した後、有機半導体層を真空紫外光を用いてエッチングする方法を挙げることができる。また、上記形成方法は、フォトリソグラフィ法や印刷法を用いることもできる。
上記印刷法としては、具体的には、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法およびフレキソ印刷法等を挙げることができる。
【００５１】
（２）薄膜トランジスタ領域
上記ＴＦＴ領域は、上記樹脂基板上に形成されたＴＦＴ部を複数有するものである。
上記ＴＦＴ領域におけるＴＦＴ部の配置としては、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の用途等に応じて適宜設定されるものであるが、通常、マトリクス状に形成されるものである。
ここで、マトリクス状とは、行列状に二次元配列されている状態をいうものである。
【００５２】
上記ＴＦＴ領域はＴＦＴ部を複数有するものであるが、通常、上記ＴＦＴ部に接続された端子部、より具体的には、上記ＴＦＴ部に形成された電極にそれぞれ接続された端子部が複数配置されるものである。
【００５３】
上記端子部を構成する材料としては、端子部がそれぞれ接続されるＴＦＴ部内の電極と同一材料とすることができる。
【００５４】
上記端子部の配置箇所としては、上記接続配線部と接続可能な配置箇所であれば特に限定されるものではないが、例えば、ＴＦＴ領域の端部に配置されるものとすることができる。
なお、既に説明した図１は、端子部がＴＦＴ領域の端部に配置される例を示すものであり、ＴＦＴ領域の外周に沿って並列配置されている例を示すものである。
【００５５】
上記端子部の形状およびサイズについては、上記接続配線部と接続可能なものであれば良く、一般的なＴＦＴ基板に形成されるものと同様とすることができる。
【００５６】
上記端子部の形成方法としては、一般的なＴＦＴ基板における端子部の形成方法と同様の方法とすることができ、端子部がそれぞれ接続されるＴＦＴ部内の電極と同時に形成する方法を用いることができる。
上記形成方法は、具体的には、上記電極の形成方法と同様とすることができる。
【００５７】
上記ＴＦＴ領域の樹脂基板上の数、すなわち、接続配線基板付ＴＦＴ基板に含まれるＴＦＴ基板の数としては、１以上であれば特に限定されるものではなく、２以上であっても良い。
【００５８】
２．接続配線領域
本発明における接続配線領域は、接続配線部を複数有するものである。
また、上記接続配線領域は、上記樹脂基板上に、上記ＴＦＴ領域と平面視上重ならないように形成されるものである。
【００５９】
（１）接続配線部
本発明における接続配線部は、上記樹脂基板上に表面が露出するように形成されるものである。
また、上記接続配線部は、上記ＴＦＴ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されているものである。
【００６０】
本発明において、樹脂基板上に表面が露出するように形成されるとは、接続配線部のうちＴＦＴ基板に配置される端子部との接続箇所である接続領域が少なくとも露出するように形成されていることをいうものである。
【００６１】
本発明における特定電極は、上記接続配線部と同一材料で形成されている電極をいうものである。
また、上記特定電極が上記ＴＦＴ部に形成されている電極の中の一つであるとは、ＴＦＴ部に形成されている電極の中のいずれか一つの電極が特定電極であることをいうものである。
なお、既に説明した図１および図２は、上記特定電極が、上記ＴＦＴ部に形成されたゲート電極、ソース電極、ドレイン電極および接続パッド電極のうちの一つである接続パッド電極である例を示すものである。
【００６２】
上記特定電極としては、所望の形状の接続配線部を形成可能なものであれば特に限定されるものではないが、接続配線部の形成の容易性の観点からは、ＴＦＴ部の最上層に形成される電極であることが好ましい。上記接続配線部は、樹脂基板上に表面が露出するように形成されるものであるため、接続配線部上にその他の層が形成される場合には、接続配線部の接続領域が少なくとも露出するように上記その他の層に開口部を形成する必要がある。
これに対して、上記特定電極がＴＦＴ部の最上層に形成される電極であることで、上記接続配線部を上記最上層に形成される電極と同時に形成した場合に、上記接続配線部上に形成されるその他の層の数を少ないものとすることができる。したがって、その他の層への開口部の形成を少ないものとするができ、接続配線領域を形成容易なものとすることができるからである。
なお、ＴＦＴ部の最上層に形成される電極とは、ＴＦＴ部に含まれる電極のうち最後に形成される電極をいうものであり、通常、ＴＦＴ部の樹脂基板側からの距離が最も遠い箇所に形成されている電極をいうものである。
例えば、ＴＦＴ部がボトムゲート型であり、ＴＦＴ部に含まれる電極が、樹脂基板側からゲート電極、ソース電極およびドレイン電極、ならびに接続パッド電極の順で形成される場合、ＴＦＴ部の最上層に形成される電極は上記接続パッド電極となる。
なお、既に説明した図１および図２は、上記特定電極がＴＦＴ部の最上層に形成される電極である接続パッド電極である例を示すものである。
【００６３】
上記特定電極としては、接続配線部の安定性の観点からは、耐食性が高い材料を用いて形成された電極であることが好ましい。例えば、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板を圧力センサ装置に用いられるタイリングＴＦＴ基板の形成に用いる場合、感圧層と直接接触する共通電極、接続パッド電極および接続パッド電極を介さずに感圧層と接続されるドレイン電極であることが好ましい。これらの電極は、感圧層と接続されるために、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板において、露出するように形成される。このため、耐食性の高い材料を用いて形成される。よって、このような電極を特定電極として用いることにより接続配線部を耐食性に優れたものとすることができるからである。
【００６４】
上記接続配線部の数および配置としては、接続配線基板付ＴＦＴ基板に含まれるＴＦＴ基板同士を接続することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、上記接続配線部を用いて接続されるＴＦＴ基板内の端子部の数および配置と同一とすることができる。
具体的には、端子部がＴＦＴ基板の端部に並列配置されるものである場合には、上記数としてはその端子部と同数であり、上記配置としてはその端子部と同一のピッチで並列配置されたものとすることができる。
【００６５】
上記接続配線部の長さとしては、隣接するＴＦＴ基板を接続することができるものであれば特に限定されるものではなく、ＴＦＴ基板のサイズや、隣接するＴＦＴ基板の間隔等に応じて適宜設定されるものである。
上記接続配線部の幅としては、隣接するＴＦＴ基板を接続することができるものであれば特に限定されるものではなく、ＴＦＴ基板のサイズや、隣接するＴＦＴ基板の間隔等に応じて適宜設定されるものである。
なお、上記接続配線部の長さとは、隣接するＴＦＴ基板に配置される端子部を接続する方向の距離のうち最大の距離をいうものである。具体的には図３中のａで示される距離である。また、上記接続配線部の幅とは、長さ方向に直交する方向の距離のうち最大の距離をいうものある。具体的には、図３中のｂで示される距離である。
【００６６】
上記接続配線部の厚みについては、上記特定電極と同様とすることができる。
上記厚みは、具体的には、上記「１．薄膜トランジスタ部」の「（１）薄膜トランジスタ」の「（ａ）電極」の項に記載の内容と同様とすることができる。
【００６７】
上記接続配線部の形成方法としては、上記特定電極の形成方法と同様とすることができる。
上記形成方法は、具体的には、上記「１．薄膜トランジスタ部」の「（１）薄膜トランジスタ」の「（ａ）電極」の項に記載の内容と同様とすることができる。
本発明においては、なかでも、上記形成方法が、上記接続配線部を上記特定電極と同時に形成する方法であることが好ましい。上記接続配線部の形成が容易だからである。
【００６８】
（２）その他
本発明における接続配線領域は、上記接続配線部を少なくとも有するものであるが、上記接続配線部以外に、ＴＦＴ部に含まれる上記特定電極以外の層と同一の材料で形成された同一材料層を上記樹脂基板上に有するものであることが好ましい。
このような同一材料層としては、上記ＴＦＴ部が、上記樹脂基板上に形成された絶縁層を有する場合や、上記樹脂基板上に形成された電極や半導体層を有する場合、上記ＴＦＴ部に形成されている上記絶縁層の中の少なくとも一つである特定絶縁層と同一の材料で形成されている第２絶縁層、上記特定電極および樹脂基板の間に形成された電極の中の少なくとも一つである第２特定電極と同一の材料で形成されている第２電極層、および上記半導体層の中の少なくとも一つである特定半導体層と同一の材料で形成されている第２半導体層を有するものとすることができる。
本発明においては、第２絶縁層を有することが好ましく、なかでも、第２絶縁層および第２電極層の両者を有することが好ましい。ＴＦＴ部に形成される絶縁層はＴＦＴ部に形成される層の中でも厚みが厚くＴＦＴ基板の伸縮性に与える影響が大きい。また、電極もＴＦＴ部に形成される層の中で比較的厚みが厚くＴＦＴ基板の伸縮性に与える影響が大きい。このため、上記同一材料として、このような絶縁層および電極と同一材料である第２絶縁層および第２電極層を有することによりＴＦＴ基板と伸縮性の近い接続配線基板を得ることができるからである。
【００６９】
上記第２絶縁層は、ＴＦＴ部に形成された絶縁層の中の少なくとも一つである特定絶縁層と同一の材料で形成されるものである。
ここで、上記特定絶縁層が上記ＴＦＴ部に形成されている上記絶縁層の中の少なくとも一つであるとは、特定絶縁層が上記ＴＦＴ部に形成されている絶縁層の中の少なくとも一つの絶縁層を含むものであることをいうものである。したがって、ＴＦＴ部に形成されている絶縁層のうちの複数の絶縁層を特定絶縁層とすることができることをいうものである。
このような特定絶縁層としては、上記ＴＦＴ部に形成されている全ての上記絶縁層を含むことが好ましい。接続配線領域の層構成をＴＦＴ領域の層構成に近いものとすることができ、ＴＦＴ基板と伸縮性がより近い接続配線基板を含むものとすることができるからである。
なお、特定絶縁層が全ての絶縁層を含むとは、絶縁層が複数存在する場合にその全ての絶縁層が特定絶縁層であることをいうものであり、全ての絶縁層のそれぞれと同一の材料で形成された第２絶縁層を有することをいうものである。例えば、ＴＦＴ部が、絶縁層としてオーバーコート層、ゲート絶縁層およびパッシベーション層の３つの絶縁層を含み、特定絶縁層が全ての絶縁層を含む場合、これら３つの絶縁層とそれぞれ同一の材料で形成された３つの第２絶縁層を有することをいうものである。
既に説明した図２は、特定絶縁層がＴＦＴ部に形成された全ての絶縁層を含む例を示すものでもあり、全ての絶縁層とそれぞれ同一材料の第２絶縁層を有する例を示すものである。
【００７０】
上記第２絶縁層の形成箇所としては、上記樹脂基板の上記接続配線領域内であれば特に限定されるものではないが、上記樹脂基板の上記接続配線領域全面を覆うように形成されることが好ましい。両基板の伸縮性の近いものとすることができるからである。
また、上記第２絶縁層のうち上記接続配線部上に形成されるものについては、少なくとも上記接続配線部の表面が露出するように開口部が形成されるものである。
なお、必要に応じて接続配線基板の伸縮性の調整のため、第２コンタクトホールを有するものであっても良い。ここで、第２コンタクトホールは、第２絶縁層を介して形成された電極層の間、より具体的には、第２電極層の間および第２電極層と接続配線部との間の接続に用いられる貫通孔をいうものである。
【００７１】
上記第２電極層は、ＴＦＴ部の上記特定電極および樹脂基板の間に形成された電極の中の少なくとも一つである第２特定電極と同一の材料で形成されているものである。
このような第２特定電極としては、上記ＴＦＴ部に形成されている上記特定電極および樹脂基板の間に形成された全ての上記電極を含むことが好ましい。接続配線基板付ＴＦＴ基板を、接続配線領域の層構成がＴＦＴ領域の層構成に近いものとすることができ、ＴＦＴ基板と伸縮性がより近い接続配線基板を含むものとすることができるからである。
【００７２】
上記第２電極層の形成箇所としては、上記樹脂基板の上記接続配線領域内であれば特に限定されるものではなく、上記樹脂基板の上記接続配線領域全面を覆うように形成されるものであっても良いが、上記接続配線部の周辺領域内であることが好ましく、なかでも上記接続配線部と同一箇所のみであることが好ましい。
接続配線基板を用いて端子部とか熱圧着等により接続する際に、第２電極層が隣接する２つの接続配線部の両者と平面視上重なるように形成されている場合に、隣接する接続配線部が第２電極層を介して短絡してしまう可能性がある。これに対して、接続配線部の周辺領域内であること、すなわち、隣接する接続配線部の両者と平面視上重ならない領域内に形成されていることにより、隣接する接続配線部が第２電極層を介して短絡してしまう可能性の少ないものとすることができるからである。
また、ＴＦＴ領域の端子部とパターン形状（例えば、ピッチ等）を同一とすることができ、接続配線基板に加わる応力とＴＦＴ基板に加わる応力が近く、両基板の伸縮性の近いものとすることができるからである。
さらに、第２電極層を接続配線部と平面視上重なるように形成することにより、接続配線部を樹脂基板に対してより凸状に突き出すように形成できる。このため、上記接続配線部と端子部との接続の容易なものとすることができる。例えば、異方導電性接着剤等を介して接続する場合、接続配線部と異方導電性接着剤に含まれる導電性微粒子との接触が容易なものとなり、接続配線部付ＴＦＴ基板を用いてタイリングＴＦＴ基板を形成する際に、接続配線部および端子部の接続の容易なものとすることができるからである。
なお、上記接続配線部の周辺領域とは、接続配線部を含み、かつ、隣接する接続配線部の両者と平面視上重ならない領域をいうものである。したがって、第２電極層が上記周辺領域に形成されているとは、第２電極層が１つの接続配線部のみと平面視上重なるように形成されることをいうものである。
また、接続配線部と同一箇所とは、接続配線部と平面視上重なる同一箇所をいうものである。すなわち、接続配線部と同一形状であり、かつ、平面視上同一位置であることをいうものである。また、第２電極層が接続配線部と同一箇所にのみ、接続配線部と同数形成される場合、第２電極層は接続配線部のパターンと同一のパターンで形成されるものとなる。
【００７３】
また、本発明においては、上記第２電極層が、少なくとも１つの接続配線部と平面視上重なるように形成されるものであることが好ましいが、全ての接続配線部と平面視上重なるように形成されることが好ましい。接続配線部のパターンと同様のパターンまたは同一のパターンとすることができることにより、接続配線部付ＴＦＴ基板を、両基板の伸縮性の近いものとすることができるからである。また、接続配線部付ＴＦＴ基板を用いてタイリングＴＦＴ基板を形成する際に、接続配線部および端子部の接続の容易なものとすることができるからである。
【００７４】
上記第２半導体層は、ＴＦＴ部に形成された半導体層の中の少なくとも一つである特定半導体層と同一の材料で形成されるものである。このような特定半導体層としては、上記ＴＦＴ部に形成されている全ての上記半導体層を含むことが好ましい。接続配線領域の層構成をＴＦＴ領域の層構成に近いものとすることができ、ＴＦＴ基板と伸縮性がより近い接続配線基板を含むものとすることができるからである。
上記第２半導体層の形成箇所としては、上記樹脂基板の上記接続配線領域内であれば特に限定されるものではないが、上記第２電極層の形成箇所と同様とすることができる。上記形成箇所であることにより、隣接する接続配線部が第２半導体層を介して短絡することを防止できるからである。また、接続配線部付ＴＦＴ基板を、両基板の伸縮性の近いものとすることができ、さらに、接続配線部を樹脂基板に対してより凸状に突き出すように形成できることにより、接続配線部付ＴＦＴ基板を用いてタイリングＴＦＴ基板を形成する際に、接続配線部と端子部との接続の容易なものとすることができるからである。
また、上記第２半導体層のうち上記接続配線部上に形成されるものについては、少なくとも上記接続配線部の表面が露出するように開口部が形成されるものである。
【００７５】
上記接続配線領域の層構成としては、例えば、ＴＦＴ部がボトムゲート型であり、オーバーコート層、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極およびドレイン電極、半導体層、パッシベーション層、ならびに接続パッド電極がこの順で積層する構造を有し、上記接続配線部が特定電極としての接続パッド電極と同一の材料で形成されるものである場合、既に説明した図１および図２に示すように、接続配線領域が、特定絶縁層としてのオーバーコート層、ゲート絶縁層およびパッシベーション層のそれぞれと同一の材料で形成された３つの第２絶縁層と、第２特定電極としてのゲート電極並びにソース電極およびドレイン電極のそれぞれと同一の材料で形成された２つの第２電極層と、特定半導体層としての上記半導体層と同一の材料で形成された１つの第２半導体層と、を有するもの、すなわち、同一材料層として、ＴＦＴ部に含まれる上記特定電極以外の全ての層と同一の材料で形成された層を含むものとすることができる。また、全ての上記第２電極層および第２半導体層が、上記接続配線部と同一パターンで形成され、第２絶縁層は接続配線領域の全面を覆うように形成されるものである。
また、図９および図１０に例示するように、第２絶縁層を介して積層された第２電極層同士の間および第２電極層と接続配線部との間を、第２絶縁層に形成された第２コンタクトホール２２ａにより接続されたものとすることができる。このような層構成とすることにより、ＴＦＴ部の絶縁層にコンタクトホールが設けられている場合に、ＴＦＴ基板および接続配線基板の伸縮性が近いものとすることができるからである。また、接続配線部が断線した場合でも、第２電極層を介して導通させることができる。このため、接続配線部付ＴＦＴ基板を用いて形成されたタイリングＴＦＴ基板を、信頼性の高いものとすることができるからである。
接続配線領域に設けられる第２コンタクトホールのサイズについては、ＴＦＴ部の絶縁層に設けられるコンタクトホールと同様とすることができる。
なお、図９および図１０中の符号については、図１〜図５と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。また、図９は、接続配線部の長さ方向の概略断面図である。また、図１０は接続配線部の幅方向の概略断面図であり、図９のＤ−Ｄ線断面図である。
【００７６】
上記同一材料層の厚みについては、同一材料層と同一の材料で形成されるそれぞれのＴＦＴ部内の層と同様とすることができる。
上記厚みは、具体的には、上記「１．薄膜トランジスタ部」の「（１）薄膜トランジスタ」の項に記載の内容と同様とすることができる。
【００７７】
上記同一材料層の形成方法としては、同一材料層と同一の材料で形成されるそれぞれのＴＦＴ部内の層の形成方法と同様とすることができる。
上記形成方法は、具体的には、上記「１．薄膜トランジスタ部」の「（１）薄膜トランジスタ」の項に記載の内容と同様とすることができる。
本発明においては、なかでも、上記形成方法が、同一材料層を上記同一材料層と同一の材料で形成されるＴＦＴ部内の層と同時に形成する方法であることが好ましい。上記同一材料層の形成が容易だからである。
【００７８】
（３）接続配線領域
上記接続配線領域は、上記樹脂基板上に、上記ＴＦＴ領域と平面視上重ならないように形成されるものである。
このような接続配線領域の樹脂基板上の形成箇所としては、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板を切断することにより接続配線基板として分離可能な箇所であれば良く、上記樹脂基板の端部に形成されるものとすることができる。
【００７９】
上記接続配線領域の数としては、上記樹脂基板上に少なくとも１つ形成されるものであれば良く、２以上であること、すなわち、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板から２以上の接続配線基板を形成可能なものであっても良い。
【００８０】
３．樹脂基板
本発明における樹脂基板は、上記ＴＦＴ領域および接続配線領域が形成されるものである。
【００８１】
このような樹脂基板を構成する材料としては、所望の自己支持性を有するものであれば特に限定されるものではない。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）およびポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等を挙げることができる。
【００８２】
上記樹脂基板は単一層からなるものであっても良く、または、複数の層が積層された構成を有するものであっても良い。
【００８３】
また、上記樹脂基板の厚さとしては、上記ＴＦＴ領域等を安定的に形成できるものであれば特に限定されるものではなく、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の用途等に応じて適宜設定されるものであるが、１ｍｍ以下であることが好ましく、なかでも５０μｍ〜７００μｍの範囲内であることが好ましい。なお、基板が複数の層が積層された構成を有するものである場合、上記厚みは各層の厚みの総和を意味する。
【００８４】
４．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板
本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板は、樹脂基板、ＴＦＴ領域および接続配線領域を有するものであるが、必要に応じてその他の構成を有するものであっても良い。
【００８５】
本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の用途としては、ＴＦＴ基板のタイリングが要求される電子装置に用いることができ、なかでも、大面積化が要求される圧力センサ装置、温度センサー、電子ペーパー等に好適に用いられ、特に、圧力センサ装置に好適に用いられる。大面積化の要請が高く、ＴＦＴ基板間が安定的に接続されているとの本発明の効果をより効果的に発揮できるからである。
また、上記接続配線基板付ＴＦＴ基板を用いてタイリングＴＦＴ基板を形成することにより、駆動ＩＣ等をタイリングＴＦＴ基板の外周に配置されるＴＦＴ基板上にのみ配置することで、タイリングＴＦＴ基板全体を制御することが可能となる。このため、圧力が印加された際に駆動ＩＣ等の破損の少ないものとすることができるからである。
【００８６】
Ｂ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の製造方法
次に、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の製造方法について説明する。
本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の製造方法は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ領域と、上記樹脂基板上に、上記薄膜トランジスタ領域と平面視上重ならないように形成された接続配線領域と、を有し、上記薄膜トランジスタ領域は、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有するものであり、上記接続配線領域は、上記樹脂基板上に表面が露出するように形成された接続配線部を複数有するものであり、上記接続配線部は、上記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されている接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、上記接続配線部および上記特定電極を同時に形成する接続配線部同時形成工程を有することを特徴とするものである。
【００８７】
このような本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の製造方法を図を参照して説明する。図１１および図１２は、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の製造方法の一例を示す工程図である。ここで、図１１（ａ）〜（ｈ）は、接続配線領域周辺を示す概略断面図であり、図１１（ｉ）〜（ｐ）はＴＦＴ部周辺を示す断面図である。また、図１２はＴＦＴ領域および接続配線領域の境界周辺を示す概略平面図である。また、図１１（ａ）〜（ｈ）は、図１１（ｉ）〜（ｐ）とそれぞれ同時に行われるものである。さらに、図１１（ａ）〜（ｈ）は、既に説明した図３のＢ−Ｂ線断面図を示すものであり、図１１（ｉ）〜（ｐ）は、既に説明した図３のＣ−Ｃ線断面図を示すものである。なお、図１２においては説明の容易のため、ＴＦＴ領域に形成される接続パッド電極および絶縁層ならびに第２絶縁層の記載を省略するものである。
本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の製造方法は、図１１および図１２に例示するように、樹脂基板１を準備し（図１１（ａ）および（ｉ））、上記樹脂基板１上にオーバーコート層６およびオーバーコート層６と同一の材料６ａで形成された第２絶縁層２２を形成し（図１１（ｂ）および（ｊ））、ゲート電極２およびゲート電極２と同一の材料２ａで形成された第２電極層２３を形成し（図１１（ｃ）および（ｋ）、図１２（ａ））、ゲート絶縁層７およびゲート絶縁層７と同一の材料７ａで形成された第２絶縁層２２を形成し(図１１（ｄ）および（ｌ）)、ソース電極３およびドレイン電極４ならびにソース電極３およびドレイン電極４と同一の材料３ａで形成された第２電極層２３を形成し（図１１（ｅ）および（ｍ）、図１２（ｂ））、半導体層９および半導体層９と同一の材料９ａで形成された第２半導体層２４を形成し（図１１（ｆ）および（ｎ）、図１２（ｃ））、パッシベーション層８およびパッシベーション層８と同一の材料８ａで形成された第２絶縁層２２を形成し（図１１（ｇ）および（ｏ））、接続パッド電極５および接続パッド電極５と同一の材料５ａで形成された接続配線部２１を形成することにより、樹脂基板１上に形成されたＴＦＴ部１０を複数有するＴＦＴ領域２０と、樹脂基板１上に形成された接続配線部２１を複数有する接続配線領域３０と、を有する接続配線基板付ＴＦＴ基板６０を得るものである（図１１（ｈ）および（ｐ）、図１２（ｄ））。
また、得られた接続配線基板付ＴＦＴ基板６０は、ＴＦＴ領域と接続配線領域とに、それぞれ樹脂基板１および樹脂基板１上に形成されたＴＦＴ部１０を複数有するＴＦＴ基板４０と、樹脂基板１および樹脂基板１上に形成された接続配線部２１を複数有する接続配線基板５０と、を有するものである。
【００８８】
ここで、図１１（ｈ）および（ｐ）が接続配線部同時形成工程であり、図１１（ｂ）および（ｊ）、（ｄ）および（ｌ）、ならびに（ｇ）および（ｏ）のそれぞれが第２絶縁層同時形成工程であり、図１１（ｃ）および（ｋ）、ならびに（ｅ）および（ｍ）のそれぞれが第２電極層同時形成工程であり、図１１（ｆ）および（ｎ）が第２半導体層同時形成工程である。
なお、この例においては、接続配線部と同一材料である特定電極は接続パッド電極であり、第２絶縁層と同一材料である特定絶縁層はオーバーコート層、ゲート絶縁層およびパッシベーション層を含み、第２電極層と同一材料である第２特定電極はゲート電極ならびにソース電極およびドレイン電極を含むものである。
また、端子部１１としてゲート電極２と接続されたゲート電極端子部を形成する例を示すものである。
【００８９】
本発明によれば、上記接続配線部および上記電極を同時に形成する接続配線部同時形成工程を有することにより、ＴＦＴ基板と伸縮性が近く、ＴＦＴ基板間を安定的に接続可能な接続配線基板を含む接続配線基板付ＴＦＴ基板を容易に得ることができる。
【００９０】
本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の製造方法は、接続配線部同時形成工程を有するものである。
以下、本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の製造方法の各工程について説明する。
【００９１】
１．接続配線部同時形成工程
本発明における接続配線部同時形成工程は、上記接続配線部および上記特定電極を同時に形成する工程である。
【００９２】
上記接続配線部および上記特定電極を同時に形成するとは、上記接続配線部および上記特定電極を同一の材料を用いて同時に形成することをいうものである。
このような接続配線部および特定電極の形成方法としては、両者を所望の形状に形成可能な方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法と同様とすることができる。
上記形成方法は、具体的には、上記「Ａ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板」の項に記載の内容と同様とすることができる。
【００９３】
本工程により形成される接続配線部および特定電極については、上記「Ａ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００９４】
（２）接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の製造方法
本発明の接続配線基板付ＴＦＴ基板の製造方法は、上記接続配線部同時形成工程を有するものであるが、必要に応じてその他の工程を有するものであっても良い。
このようなその他の工程としては、例えば、接続配線領域に、ＴＦＴ部に含まれる上記特定電極以外のその他の層と同一の材料で形成された同一材料層が形成されている場合、上記その他の層と上記同一材料層とを同時に形成するその他の同時形成工程を有することが好ましく、上記同一材料層の種類と同数のその他の同時形成工程を有すること、すなわち、上記同一材料層の全てが上記その他の層と同時に形成されるものであることが好ましい。
上記同一材料層については、上記「Ａ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板」の項に記載の内容と同様とすることができる。
例えば、接続配線領域に同一材料層として、上記第２絶縁層、第２電極層および第２半導体層が形成されている場合には、上記第２絶縁層および上記特定絶縁層を同時に形成する第２絶縁層同時形成工程、上記第２電極層および上記第２特定電極を同時に形成する第２電極層同時形成工程、および上記第２半導体層および上記特定半導体層を同時に形成する第２半導体層同時形成工程を有することが好ましい。
このようなその他の同時形成工程を有することにより、製造される接続配線基板付ＴＦＴ基板を、上記特定絶縁層等と同一材料で、かつ、同一の加工履歴等の第２絶縁層等を容易に形成することができるからである。また、その結果、接続配線領域の層構成をＴＦＴ領域の層構成に近いものとすることができ、ＴＦＴ基板と伸縮性がより近い接続配線基板を含む接続配線基板付ＴＦＴ基板を得ることができるからである。
【００９５】
上記第２絶縁層同時形成工程は、同一の材料で形成されている上記第２絶縁層および上記特定絶縁層の少なくとも一組を同時に形成するものであれば特に限定されるものではないが、なかでも、上記第２絶縁層および上記特定絶縁層の全てを同時に形成するものであることが好ましい。ＴＦＴ基板と伸縮性がより近い接続配線基板を含むものを得ることができるからである。
なお、上記第２絶縁層および上記特定絶縁層の全てを同時に形成するとは、同一の材料で形成されている第２絶縁層および特定絶縁層の全ての組が、上記第２絶縁層同時形成工程により形成されることをいうものである。
既に説明した図１１は、第２絶縁層同時形成工程が上記第２絶縁層および上記特定絶縁層の全てを同時に形成する例を示すものである。この例では、上記ＴＦＴ部に形成された３つの特定絶縁層と同一の材料で形成されている３つの第２絶縁層の全ての組が、それぞれの材料ごとに第２絶縁層同時形成工程を３回行うことにより形成されるものである。
【００９６】
上記第２電極層同時形成工程は、同一の材料で形成されている上記第２電極層および上記第２特定電極の少なくとも一組を同時に形成するものであれば特に限定されるものではないが、なかでも、上記第２電極層および上記第２特定電極の全てを同時に形成するものであることが好ましい。
また、上記第２半導体層同時形成工程は、同一の材料で形成されている上記第２半導体層および上記特定半導体層の少なくとも一組を同時に形成するものであれば特に限定されるものではないが、なかでも、上記第２半導体層および上記半導体層の全てを同時に形成するものであることが好ましい。ＴＦＴ基板と伸縮性がより近い接続配線基板を含むものを得ることができるからである。
【００９７】
なお、上記その他の同時形成工程において、上記同一材料層を上記その他の層と同時に形成する方法としては、同一の材料を用いて各層を所望の形状に形成できる方法であれば特に限定されるものではなく、上記その他の層の形成方法と同様とすることができる。
上記形成方法は、具体的には、上記「Ａ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板」の項に記載の内容と同様とすることができる。
【００９８】
本発明の製造方法により製造される接続配線基板付ＴＦＴ基板としては、上記「Ａ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板」の項に記載の内容と同様の内容とすることができるので、ここでの説明は省略する。
【００９９】
Ｃ．接続配線基板の製造方法
次に、本発明の接続配線基板の製造方法について説明する。
本発明の接続配線基板の製造方法は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に表面が露出するように形成された複数の接続配線部と、を有する接続配線基板の製造方法であって、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有する薄膜トランジスタ領域と、上記樹脂基板上に形成された上記複数の接続配線部を有する接続配線領域と、を有し、上記接続配線部は上記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されている接続配線基板付薄膜トランジスタ基板を準備する準備工程と、上記接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の、上記薄膜トランジスタ領域と上記接続配線領域との間を切断する切断工程と、を有することを特徴とするものである。
【０１００】
このような本発明の接続配線基板の製造方法については既に説明した図８と同様とすることができる。
【０１０１】
本発明によれば、同一樹脂基板上にＴＦＴ領域および接続配線領域が形成され、さらに、接続配線領域に含まれる接続配線部がＴＦＴ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されている接続配線基板付ＴＦＴ基板を形成する準備工程を有し、その後、ＴＦＴ領域と接続配線領域との間を切断する切断工程を有することにより、ＴＦＴ基板間を安定的に接続可能な接続配線基板を容易に形成することができる。
【０１０２】
本発明の接続配線基板の製造方法は、準備工程および切断工程を有するものである。
以下、本発明の接続配線基板の製造方法の各工程について詳細に説明する。
【０１０３】
１．準備工程
本発明における準備工程は、上記樹脂基板上に形成されたＴＦＴ部を複数有するＴＦＴ領域と、上記樹脂基板上に形成された上記複数の接続配線部を有する接続配線領域と、を有し、上記接続配線部は上記ＴＦＴ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されている接続配線基板付ＴＦＴ基板を準備する工程である。
【０１０４】
このような接続配線基板付ＴＦＴ基板の形成方法としては、同一の樹脂基板上に、上記ＴＦＴ領域および接続配線領域を形成可能な方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、上記「Ｂ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板の製造方法」の項に記載の方法と同様の方法を用いることができるため、ここでの説明は省略する。
【０１０５】
また、本工程により形成される接続配線基板付ＴＦＴ基板については、上記「Ａ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【０１０６】
２．切断工程
本発明における切断工程は、上記接続配線基板付ＴＦＴ基板の、上記ＴＦＴ領域と上記接続配線領域との間を切断する工程である。
【０１０７】
このような切断方法としては、上記接続配線基板付ＴＦＴ基板の、上記ＴＦＴ領域と上記接続配線領域との間を切断して、上記樹脂基板および上記樹脂基板上に形成されたＴＦＴ部を複数有するＴＦＴ基板と、上記樹脂基板および上記樹脂基板上に形成された接続配線部を複数有する接続配線基板と、に安定的に切り分けることができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な樹脂基板の切断方法を用いることができる。
上記切断方法は、具体的には、レーザー照射、回転刃、カッターナイフ、超音波カッター等を備える切断装置を用いる方法、抜型を用いる打抜き方法、はさみ等を用いる方法を挙げることができる。
【０１０８】
本工程により形成される接続配線基板は、上記樹脂基板および上記樹脂基板上に形成された接続配線部を複数有するものであり、上述の接続配線基板付ＴＦＴ基板の接続配線領域に含まれるものである。
このような樹脂基板、接続配線部および接続配線領域については、上記「Ａ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板」の項に記載の内容と同様のとすることができるため、ここでの説明は省略する。
【０１０９】
本工程により、上記接続配線基板と同時に形成されるＴＦＴ基板は、上記樹脂基板および上記樹脂基板上に形成されたＴＦＴ部を複数有するものであり、上述の接続配線基板付ＴＦＴ基板のＴＦＴ領域に含まれるものである。
このような樹脂基板、ＴＦＴ部およびＴＦＴ領域については、上記「Ａ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板」の項に記載の内容と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【０１１０】
３．接続配線基板の製造方法
本発明の接続配線基板の製造方法は、準備工程および切断工程を有するものであるが、必要に応じてその他の工程を有するものであっても良い。
【０１１１】
Ｄ．電子装置
次に、本発明の電子装置について説明する。
本発明の電子装置は、第１樹脂基板、および上記第１樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタ部を複数有し、上記薄膜トランジスタ部に接続された複数の端子部が端部に配置された薄膜トランジスタ基板と、第２樹脂基板、および上記第２樹脂基板上に形成された接続配線部を複数有する接続配線基板と、を有し、上記薄膜トランジスタ基板の複数の上記端子部が、上記接続配線基板の複数の上記接続配線部により接続されタイリングされているタイリング薄膜トランジスタ基板を有する電子装置であって、上記第２樹脂基板は、上記第１樹脂基板と同一の材料で形成され、上記接続配線部は、上記薄膜トランジスタ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されていることを特徴とするものである。
【０１１２】
このような電子装置について図を参照して説明する。図１３は、本発明の電子装置の一例を示す概略断面図である。また、電子装置が圧力センサ装置である場合の例を示すものである。図１３に例示するように、本発明の電子装置８０は、第１樹脂基板１ａ、および上記第１樹脂基板１ａ上に形成された複数のＴＦＴ部１０を有し、上記ＴＦＴ部１０に接続された複数の端子部１１が端部に配置されたＴＦＴ基板４０と、第２樹脂基板１ｂ、および上記第２樹脂基板１ｂ上に形成された複数の接続配線部２１を有する接続配線基板５０と、を有し、上記ＴＦＴ基板４０の複数の端子部１１が、上記接続配線基板４０の複数の接続配線部３０により接続されタイリングされているタイリングＴＦＴ基板７０を有するものであって、上記第２樹脂基板１ｂは、上記第１樹脂基板１ａと同一の材料で形成され、上記接続配線部２１は、上記ＴＦＴ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されているものである。
なお、タイリングＴＦＴ基板７０は、ＴＦＴ基板４０に配置された端子部１１および接続配線基板５０に含まれる接続配線部２１の間が導電性を有する接着剤６１により接着されるものである。
また、上記電子装置８０は、上記タイリングＴＦＴ基板７０上に形成された感圧層７１と、共通電極７３が形成された対向基板７２と、を有するものである。また、上記感圧層７１は、ＴＦＴ部１０内に形成されたドレイン電極および共通電極７３を直列に接続するように形成されるものである。
ここで、図示しないが、感圧層は、既に説明した図５に示すようなドレイン電極に接続された接続パッド電極と接するように形成されることにより、ドレイン電極と接続されるものである。
さらに、図１３中の符号については、図１〜図５と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。
【０１１３】
本発明によれば、タイリングＴＦＴ基板を構成する接続配線基板に含まれる第２樹脂基板および接続配線部がそれぞれＴＦＴ基板に含まれる第１樹脂基板および特定電極と同一の材料であることにより、接続配線基板をＴＦＴ基板と伸縮性が近いものとすることができる。このため、ＴＦＴ基板間が安定的に接続されたものとすることができる。
また、このようなタイリングＴＦＴ基板を含むことにより、信頼性が高く、大面積の電子装置とすることができる。
【０１１４】
本発明の電子装置は、タイリングＴＦＴ基板を少なくとも含むものである。
以下、本発明の電子装置の各構成について詳細に説明する。
【０１１５】
１．タイリングＴＦＴ基板
本発明におけるタイリングＴＦＴ基板は、ＴＦＴ基板と、接続配線基板と、を有し、上記ＴＦＴ基板の複数の端子部が、上記接続配線基板の複数の接続配線部により接続されタイリングされているものである。
【０１１６】
（１）薄膜トランジスタ基板および接続配線基板
本発明におけるＴＦＴ基板は、第１樹脂基板およびＴＦＴ部を有し、上記ＴＦＴ部に接続された複数の端子部が端部に配置されるものである。
また、本発明における接続配線基板は、第２樹脂基板および接続配線部を有するものであり、上記第２樹脂基板は、上記第１樹脂基板と同一の材料で形成され、上記接続配線部は、上記ＴＦＴ部に形成されている電極の中の一つである特定電極と同一の材料で形成されているものである。
このようなＴＦＴ基板および接続配線基板については、例えば、上記「Ｃ．接続配線基板の製造方法」の項に記載の製造方法により得られるものと同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【０１１７】
（２）タイリング薄膜トランジスタ基板
本発明におけるタイリングＴＦＴ基板は、上記ＴＦＴ基板の複数の端子部が、上記接続配線基板の複数の接続配線部により接続されタイリングされているものである。
ここで、複数の端子部が上記接続配線基板の複数の接続配線部により接続されているとは、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ複数配置された同一種類の端子部同士が接続配線基板に含まれる複数の接続配線部により接続されることをいうものであり、より具体的には、隣接するＴＦＴ基板において対向配置された端子部同士が１対１で接続されることをいうものである。
したがって、ｍ個の端子部が隣接するＴＦＴ基板に対向するように配置されている場合、ｍ個の接続端子部を用いて隣接するＴＦＴ基板に配置されたｍ個の端子部同士が接続されることをいうものである。
また、タイリングとは、平面視上隣接するように配置されたＴＦＴ基板同士を連結して、その連結されたＴＦＴ基板であるタイリングＴＦＴ基板（並列連結ＴＦＴ基板と称する場合もある。）を全体として１つのＴＦＴ基板として用いることをいうものである。また、ＴＦＴ基板同士を連結するとは、平面視上、隣接するＴＦＴ基板に含まれる同一種類の電極同士を接続することで、複数のＴＦＴ基板における電極の制御を共通化することをいうものである。したがって、タイリングされた複数のＴＦＴ基板、すなわち、タイリングＴＦＴ基板は、そこに含まれる複数のＴＦＴ基板の電極の制御が共通化され、全体として１つのＴＦＴ基板として使用することができるものである。
【０１１８】
本発明において、上記接続配線基板により接続される端子部としては、複数配置された同一種類の端子部同士が接続配線基板に含まれる複数の接続配線部により接続されることにより、隣接するＴＦＴ基板に形成されたＴＦＴ部同士を制御可能に接続することができるものであれば特に限定されるものではない。このような端子部としては、ゲート電極に接続されたゲート電極端子部およびソース電極に接続されたソース電極端子部の少なくとも一つを含むことが好ましく、なかでも、上記ゲート電極端子部およびソース電極端子部の両者を含むことが好ましい。上記端子部は、ＴＦＴ基板をタイリングする場合、通常、隣接するＴＦＴ基板において対向配置された端子部同士が１対１で接続されるものである。このような端子部を、ＴＦＴ基板と伸縮性が近い接続配線基板を用いて接続されているものとすることにより、上記端子部同士が安定的に接続されたものとすることができる。したがって、ＴＦＴ基板間が安定的に接続されたものとすることができ、タイリングＴＦＴ基板内に含まれる各ＴＦＴ部を安定的に制御可能とすることができるからである。
【０１１９】
上記タイリングＴＦＴ基板は、上記接続配線基板およびＴＦＴ基板を有するものであるが必要に応じてその他の構成を有するものであっても良い。
例えば、接続配線基板に含まれる接続配線部と、ＴＦＴ基板に含まれる端子部とを接続する導電性の接着剤等を有するものであっても良い。
【０１２０】
上記接着剤としては、接続配線基板とＴＦＴ基板との接続に一般的に用いられるものと同様とすることができ、例えば、導電性微粒子が接着性の絶縁性樹脂材料中に分散され、加熱圧着により導電性を示す異方導電性接着剤を挙げることができる。
また、上記接着剤は、異方導電性接着剤より導電性微粒子の含有量が多く、接着剤の塗布および乾燥後に、加熱圧着を行うことなく導電性を示す導電性接着剤を用いることもできる。
なお、上記接着剤の形状は、ペースト状のものや、フィルム状のものを用いることができる。
【０１２１】
本発明における導電性微粒子しては、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、金、銀、ニッケル等の金属粒子や、セラミックス、プラスチックまたは金属の粒子を核としてその表面にニッケルや金等の金属皮層を形成した金属被覆粒子等を挙げることができる。
また、上記絶縁性樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂等を挙げることができる。
【０１２２】
２．電子装置
本発明の電子装置は、上記タイリングＴＦＴ基板を有するものであれば特に限定されるものではなく、必要に応じてその他の構成を有するものであっても良い。
このようなその他の構成については、本発明の電子装置の用途等によって異なるものであり、例えば、本発明の電子装置が圧力センサ装置である場合には、感圧層を挙げることができる。
以下、本発明の電子装置が圧力センサ装置である場合に用いられる感圧層について説明する。
【０１２３】
本発明において用いられる感圧層としては、上記タイリングＴＦＴ基板と共に用いられることにより圧力センサ装置とすることができるものであれば特に限定されるものではなく、圧力センサ装置に一般的に用いられるものとすることができる。
上記感圧層は、具体的には、上記感圧層を介して共通電極および上記ＴＦＴ部に含まれるドレイン電極を直列に接続するように形成され、絶縁性樹脂および導電性粒子を含むものとすることができる。
【０１２４】
上記絶縁性樹脂としては、上記導電性粒子を分散することができ、本発明の圧力センサ装置に対して加えられた圧力に応じて変形する弾性を有し、絶縁樹脂内において導電性粒子同士が接触し、感圧層内の電気抵抗を低下させることができるものであれば特に限定されるものではなく、圧力センサ装置に一般的に用いられるものを使用することができる。
このような絶縁性樹脂としては、具体的には、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、スチレン−エチレン−オレフィン共重合体およびスチレン−ブチレン−オレフィン共重合体、ならびに、オレフィン−エチレン共重合体、オレフィン−ブチレン共重合体およびオレフィン−オレフィン共重合体等が挙げられる。なかでも、上記絶縁性樹脂は、シリコーン樹脂であることが好ましい。優れた絶縁性を有し、経時安定性に優れているからである。また、上記絶縁性樹脂は、２種以上の材料を混合させて用いても良い。
【０１２５】
上記導電性粒子を構成する材料としては、所望の導電性を有するものであれば良く、圧力センサ装置に一般的に用いられるものを使用することができる。
上記材料は、具体的には、グラファイト、導電性カーボン、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄粉、金属酸化物である導電性酸化スズおよび導電性酸化チタン、ならびに有機樹脂の炭化物等の炭素系粒子等を挙げることができ、なかでも、グラファイトを好ましく用いることができる。
【０１２６】
上記導電性粒子の平均粒子径および含有量としては、所望の感圧性を示すことができるものであれば特に限定されるものではなく、圧力センサ装置に一般的に用いられるものを使用することができる。上記平均粒子径および含有量は、具体的には、導電性粒子の材料や求められる感度等に応じて適宜設定されるものである。
例えば、平均粒子径は、０.１μｍ〜５００μｍの範囲内とすることができる。また、感圧層中の含有量は、１質量％〜９９質量％の範囲内とすることができ、なかでも、１０質量％〜７０質量％の範囲内であることが好ましく、特に、２０質量％〜６０質量％の範囲内であることが好ましい。
なお、平均粒子径は、顕微鏡観察による平均粒子径である。顕微鏡観察による平均粒子径は、例えば、１００倍で顕微鏡観察を行い、画像処理ソフト等により任意の導電性粒子の粒径を１００個測定して個数平均することにより得られる。なお、粒径とは導電性粒子の長軸径と短軸径の平均値を指す。
【０１２７】
上記感圧層は、絶縁性樹脂および導電性粒子を含むものであるが、必要に応じて、シリカ系粉体充填材等の硬度調整剤を含むものであっても良い。
【０１２８】
上記感圧層の厚みとしては、所望の感圧性を示すことができるものであれば特に限定されるものではなく、圧力センサ装置に一般的に用いられるものを使用することができる。
上記感圧層の厚みは、具体的には、１μｍ〜１０ｍｍの範囲内であることが好ましく、なかでも、１μｍ〜１ｍｍの範囲内であることが好ましく、特に、５μｍ〜５００μｍの範囲内であることが好ましい。
なお、感圧層の厚みとは、感圧層の樹脂基板側表面から圧力が付与される側の表面までの距離のうち最大の距離をいうものである。
【０１２９】
上記感圧層の平面視形状としては、ドレイン電極および共通電極を接続可能な形状であれば特に限定されるものではなく、四角形等の矩形状であっても、円形状であっても良い。
【０１３０】
上記感圧層は、ドレイン電極および共通電極とのみ接し、ソース電極およびゲート電極とは接しないように形成されるものである。
【０１３１】
上記感圧層の形成方法としては、所望のパターン形状の感圧層を精度良く形成できるものであれば特に限定されるものではないが、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、およびフレキソ印刷法等の種々の印刷法を挙げることができる。
【０１３２】
上記感圧層は、上記感圧層を介して共通電極および上記ＴＦＴ部に含まれるドレイン電極を直列に接続するように形成されるものである。
ここで、感圧層を介して共通電極およびドレイン電極を直列に接続するとは、共通電極、感圧層およびドレイン電極がこの順で直列に接続されることをいうものである。
また、感圧層の介し方としては、感圧層を介して共通電極およびドレイン電極を接続することができるものであれば特に限定されるものではなく、本発明の圧力センサ装置の積層方向または面方向に感圧層を介するものとすることができる。
積層方向に感圧層を介するとは、より具体的には、既に説明した図１３、図１４、図１５および図１６に例示するように、樹脂基板側からドレイン電極、感圧層および共通電極がこの順で積層しており、共通電極が感圧層上に形成されている、すなわち、共通電極が感圧層の樹脂基板とは反対側表面上に形成されていることをいうものである。また、ドレイン電極は、感圧層の樹脂基板側に形成されるものである。図１３および図１４では、ドレイン電極に接続された接続パッド電極、感圧層および共通電極がこの順で積層し、これらが平面視上重なるように形成されるものである。図１５および図１６では、ドレイン電極、感圧層および共通電極がこの順で積層し、これらが平面視上重なるように形成されるものであり、ドレイン電極および感圧層が接続パッド電極を介しないで接続されるものである。
また、面方向に感圧層を介するとは、より具体的には、図１７、図１８、図１９および図２０に例示するように、共通電極およびドレイン電極が感圧層の樹脂基板側に形成されていることをいうものであり、感圧層がドレイン電極および共通電極を覆うように形成されるものである。
なお、図１４〜図２０中の符号については、図５および図１３と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。
【０１３３】
上記感圧層の形成箇所は、上記感圧層を介して共通電極およびドレイン電極を直列に接続できるものであれば特に限定されるものではないが、感圧層上であることが好ましい。感圧層上に形成される場合、感圧層とドレイン電極との接続は、通常ドレイン電極に接続された接続パッド電極に感圧層を接触させる方法を用いることが可能となる。このため、接続配線部と同一材料の特定電極として、接続パッド電極を用いることが容易となるからである。
【０１３４】
共通電極は、感圧層を介してドレイン電極と接続されるものである。
このような共通電極の形成箇所は、既に説明した図１４〜図１６に例示するように、感圧層上、または、既に説明した図１７〜図２０に例示するように、感圧層の樹脂基板側とすることができる。
【０１３５】
共通電極の形成箇所が感圧層の樹脂基板側である場合、共通電極は、既に説明した図１７および図１９に示すようにソース電極およびドレイン電極と同一平面上に形成されたもの、または、図１８および図２０に示すようにゲート電極と同一平面上に形成されたものであることが好ましい。共通電極をＴＦＴ部に形成されたドレイン電極等の電極と同時形成することが可能となる。このため、ドレイン電極等の電極を形成する工程とは別に共通電極を形成する工程が不要となり、圧力センサを、形成容易なものとすることができるからである。また、共通電極をゲート電極と、またはソース電極およびドレイン電極と同一平面上に形成するため、半導体層を覆うパッシベーション層に感圧層およびドレイン電極間の接続のための貫通孔を形成する工程が不要となり、圧力センサを、形成容易なものとすることができるからである。
本発明においては、なかでも特に、共通電極がソース電極およびドレイン電極と同一平面上に形成されたものであることが好ましい。共通電極がソース電極およびドレイン電極と同一平面上に形成されていることにより、感圧層およびドレイン電極間の接続のためのゲート絶縁層のパターニングを行うことなく、感圧層をドレイン電極および共通電極を接続するように配置することができるからである。
【０１３６】
上記共通電極の平面視形状としては、上記感圧層と安定的に接続できるものであれば特に限定されるものではなく、四角形等の矩形状であっても、円形状であっても良い。
【０１３７】
上記共通電極の平面視上の形成箇所としては、上記ゲート電極ならびにソース電極およびドレイン電極と直接接触しない箇所であれば特に限定されるものではなく、本発明の圧力センサ装置の用途等に応じて適宜設定されるものである。
【０１３８】
上記共通電極の構成材料および厚みとしては、所望の導電性を示すことができるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な圧力センサ装置に用いられるものと同様とすることができる。
上記構成材料および厚みは、具体的には、上記「Ａ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板」の「１．薄膜トランジスタ領域」の「（１）薄膜トランジスタ」の「（ａ）電極」の項に記載の構成材料および厚みと同様の内容とすることができる。
本発明においては、上記共通電極がゲート電極と同一平面上に形成される場合、上記構成材料および厚みは、ゲート電極と同一材料および厚みであることが好ましい。また、上記共通電極がソース電極およびドレイン電極と同一平面上に形成される場合には、上記構成材料および厚みは、ソース電極およびドレイン電極と同一材料および厚みであることが好ましい。上記共通電極を、ゲート電極と、またはソース電極およびドレイン電極と同時形成することが可能となり、形成容易なものとすることができるからである。
【０１３９】
上記共通電極の形成方法としては、所望の形状とすることができるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な圧力センサ装置における共通電極の形成方法と同様とすることができる。
上記形成方法は、具体的には、上記「Ａ．接続配線基板付薄膜トランジスタ基板」の「１．薄膜トランジスタ領域」の「（１）薄膜トランジスタ」の「（ａ）電極」に記載の電極の形成方法と同様の方法とすることができる。
【０１４０】
上記共通電極が感圧層の樹脂基板側表面に形成される場合、上記ＴＦＴ基板上に上記共通電極と、それに接続された共通電極端子部と、が配置されたものとすることができる。
このような共通電極端子部については、隣接するＴＦＴ基板に形成された共通電極端子部同士が接続されタイリングされるものであっても良い。
ここで、隣接するＴＦＴ基板に形成された共通電極端子部の接続方法としては、上記ゲート電極端子部等と同様に、上記接続配線基板により、隣接するＴＦＴ基板に複数配置された上記共通電極端子部同士を１：１で接続する方法、および隣接するＴＦＴ基板に対向配置される全ての共通電極端子部間を導通するように接続する方法を用いることができる。
【０１４１】
本発明の電子装置の製造方法としては、所望の構成を有するものとすることができる方法であれば特に限定されるものではなく、電子装置の用途等に応じて異なるものである。
上記製造方法は、例えば、上記電子装置が圧力センサ装置である場合には、一般的な圧力センサ装置の製造方法を用いることができる。
上記製造方法は、具体的には、上記タイリングＴＦＴ基板を準備し、上記ＴＦＴ基板上にＴＦＴ部に含まれるドレイン電極と接続するように感圧層を形成し、次いで、共通電極が形成された対向基板を配置する方法を挙げることができる。
【０１４２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１４３】
以下、本発明について、実施例および比較例を挙げてより詳細に説明する。
【０１４４】
［実施例］
樹脂基板として、ＰＥＴ基板を準備した。
上記樹脂基板の全面に、アクリル樹脂からなるオーバーコート層を塗布・乾燥・硬化させた。これにより、樹脂基板のＴＦＴ領域および接続配線領域の全面にオーバーコート層が形成された。
上記樹脂基板上の全面に金を厚み４０ｎｍで真空蒸着した。次に、金膜上にポジ型フォトレジストをスピンコートにて塗布してレジスト層を形成し、フォトマスクを用いた露光および現像工程を経て、レジスト層をパターニングした。次いで、エッチング処理を施して、上記レジスト層が形成されていない部位の金膜をエッチングした後、上記レジスト層を除去した。これにより、樹脂基板のＴＦＴ領域内にソース電極、ドレイン電極および隣接するドレイン電極間を接続するデータ配線を形成した。また、ＴＦＴ領域および接続配線領域の境界に沿って、データ配線の端部に接続された幅１５０μｍのソース電極端子部を３００μｍのピッチで並列配置するように形成した。
また、ソース電極およびドレイン電極の形成と同時に、樹脂基板の接続配線領域内に、ソース電極およびドレイン電極と同一材料である第２電極層を、上記ソース電極端子部と同一幅および同一ピッチで、上記ソース電極端子部と同数形成した。また、第２電極層の平面視形状は幅１５０μｍ長さ１ｃｍの長方形状とした。
【０１４５】
次に、チオフェン系ポリマーをキシレンに固形分濃度１ｗｔ％にて溶解させた有機半導体のキシレン溶液を準備した。アライメントマーク等が形成された樹脂基板表面の全面にスピンコートにて上記キシレン溶液を塗布し、厚み５０ｎｍの有機半導体層を上記基板の全面に形成した。次いで、ポジ型レジストを有機半導体層上にスピンコートしてレジスト層を形成し、フォトマスクを介した露光およびアルカリ現像工程を行い、レジスト層をパターニングし、チャネル領域を覆うようにレジスト層を形成した。大気下で、波長１７２ｎｍ、照度３ｍＷ／ｃｍ２の真空紫外線を６０秒間照射し、レジスト層で覆われている部位以外の有機半導体層をエッチング除去し、有機半導体層のパターニングを行った。その後、レジスト層を除去した。
また、有機半導体層の形成と同時に、樹脂基板の接続配線領域内に、有機半導体層と同一材料である第２半導体層を、上記ソース電極端子部と同一幅および同一ピッチで、上記ソース電極端子部と同数形成した。
【０１４６】
次に、上記有機半導体層が形成された基板上に、紫外線感光性アクリル系樹脂をスピンコートしてゲート絶縁層を形成し、フォトマスクを介した露光およびアルカリ現像工程を行い、ゲート絶縁層のパターニングを行った。次いで、１５０℃のオーブンにて加熱硬化させ、厚み１μｍのゲート絶縁層を形成した。
また、ゲート絶縁層の形成と同時に、ゲート絶縁層と同一材料の第２絶縁層を、接続配線領域の全面を覆うように形成した。
【０１４７】
次に、アルミニウム（Ａｌ）を厚み２００ｎｍでスパッタ蒸着した。次いで、Ａｌスパッタ膜上に、チタン（Ｔｉ）を厚み２０ｎｍでスパッタ蒸着した。続いて、ＡｌおよびＴｉスパッタ膜上にポジ型フォトレジストをスピンコートにて塗布してレジスト層を形成し、フォトマスクを用いた露光および現像工程を経て、レジスト層をパターニングした。エッチング処理を施して、レジスト層が形成されていない部位のＡｌおよびＴｉスパッタ膜をエッチングした後、レジスト層を除去した。これにより、ＴＦＴ領域内にＡｌ層およびＡｌ層の表面を覆うように形成されたＴｉ層を有する、ゲート電極および配線などを形成した。また、ゲート電極の形成と同時に、ゲート電極と同一材料の第２電極層を、ソース電極およびドレイン電極と同一材料である第２電極層と同一パターンとなるように形成した。
【０１４８】
紫外線感光性樹脂と、遮光材料としてチタンブラックと、主溶媒としてＰＧＭＥＡを含む遮光層用塗工液を準備した。
ゲート電極および配線が形成されたゲート絶縁層上に、上記遮光層用塗工液をスピンコートにより塗布した。次に、フォトマスクを介した露光およびアルカリ現像工程を行い、遮光層のパターニングを行った。この際、ゲート電極のコンタクトホールを囲う位置に４５μｍ×９０μｍのコンタクトホールが形成されるようにパターニングした。次いで、１５０℃のオーブンにて加熱硬化させ、厚み１μｍの遮光層である第１パッシベーション層を形成した。
次に、遮光層上に紫外線感光性アクリル系樹脂をスピンコートして第２パッシベーション層を形成し、フォトマスクを介した露光およびアルカリ現像工程を行い、パッシベーション層のパターニングを行った。この際、上記遮光層のコンタクトホール内部に３０μｍ×３０μｍのコンタクトホールが形成されるようにパターニングした。次いで、１５０℃のオーブンにて加熱硬化させ、厚み４μｍの第２パッシベーション層を形成した。
また、第１パッシベーション層および第２パッシベーション層を含むパッシベーション層の形成と同時に、第１パッシベーション層および第２パッシベーション層のそれぞれと同一材料の第２絶縁層を、接続配線領域の全面を覆うように形成した。
【０１４９】
次に、パッシベーション層上にＡｌをスパッタ蒸着した。次いで、Ａｌスパッタ膜上に、チタン（Ｔｉ）を厚み２０ｎｍでスパッタ蒸着した後、通常のフォトリソグラフィでパターニングした。この工程にて、Ａｌ層およびＡｌ層の表面を覆うように形成されたＴｉ層を有する、接続パッド電極が形成された。
また、この工程と同時に、接続パッド電極と同一材料の接続配線部を、ソース電極およびドレイン電極と同一材料である第２電極層と同一パターンとなるように形成した。
これにより、接続配線領域に、幅１５０μｍ長さ１ｃｍの長方形状であり、ソース電極端子部と同一ピッチおよび数の接続配線部を形成した。
以上の手順により、接続配線基板付ＴＦＴ基板を作製した。
【０１５０】
次にＴＦＴ領域および接続配線領域の境界を切断することによりＴＦＴ基板および接続配線基板を形成した。
次いで、隣接するＴＦＴ基板に形成されたソース電極端子部同士を、異方導電性接着剤（ＡＣＦ）を介して、接続配線基板に形成された接続配線部により接続し、タイリングした。なお、接続については、１ＭＰa、１９０℃、１０秒の加熱圧着条件で圧着してタイリングした。
得られたタイリングＴＦＴ基板を目視にて観察したところ、ソース電極端子部と接続配線部とが１対１で接続できていることが確認できた。
この結果より、接続配線基板付ＴＦＴ基板から得られた接続配線基板を用いてタイリングＴＦＴ基板を形成した際には、接続配線基板上の接続配線部およびＴＦＴ基板上の端子部の配線ピッチ等に大きな変動がなく、接続配線部および端子部を位置ずれなく接続できた。これにより、ＴＦＴ基板間を安定的に接続できることが確認できた。
【符号の説明】
【０１５１】
１  …  樹脂基板
２  …  ゲート電極
３  …  ソース電極
４  …  ドレイン電極
５  …  接続パッド電極
６  …  オーバーコート絶縁層
７  …  ゲート絶縁層
８  …  パッシベーション絶縁層
９  …  半導体層
１０  …  薄膜トランジスタ部
１１  …  端子部
２０  …  薄膜トランジスタ領域
２１  …  接続配線部
２２  …  第２絶縁層
２３  …  第２電極層
２４  …  第２半導体層
３０  …  接続配線領域
４０  …  薄膜トランジスタ基板
５０  …  接続配線基板
６０  …  接続配線基板付薄膜トランジスタ基板
６１  …  導電性接着剤
７０  …  タイリング薄膜トランジスタ基板
７１  …  感圧層
７２  …  対向基板
７３  …  共通電極
８０  …  電子装置
【図１】
2016039208.tif 000003
【図２】
2016039208.tif 000004
【図３】
2016039208.tif 000005
【図４】
2016039208.tif 000006
【図５】
2016039208.tif 000007
【図６】
2016039208.tif 000008
【図７】
2016039208.tif 000009
【図８】
2016039208.tif 000010
【図９】
2016039208.tif 000011
【図１０】
2016039208.tif 000012
【図１１】
2016039208.tif 000013
【図１２】
2016039208.tif 000014
【図１３】
2016039208.tif 000015
【図１４】
2016039208.tif 000016
【図１５】
2016039208.tif 000017
【図１６】
2016039208.tif 000018
【図１７】
2016039208.tif 000019
【図１８】
2016039208.tif 000020
【図１９】
2016039208.tif 000021
【図２０】
2016039208.tif 000022