(57)【要約】【課題】作業効率の向上を図ることができる接合方法を提供する。【解決手段】半田により電子部品１２０を基板１１０に接合する接合方法は、固体状の板状半田１３０の少なくとも一部を基板１１０のパッド１１１に重ね合わせるように、板状半田１３０を供給する供給工程Ｓ１と、供給された板状半田１３０において、パッド１１１に重ね合わされた部分の一部を局所的に加熱して、板状半田１３０をパッド１１１に仮接合する仮接合工程Ｓ２と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田により接合体を被接合体に接合する接合方法であって、
固体状の前記半田の少なくとも一部を前記被接合体に重ね合わせるように、前記半田を供給する第１の工程と、
供給された前記半田のうち、前記被接合体に重ね合わされた部分の一部を局所的に加熱して、前記半田を前記被接合体に仮接合する第２の工程と、を備える接合方法。
【請求項２】
請求項１に記載の接合方法であって、
前記第２の工程は、前記半田において、少なくとも前記被接合体に仮接合された部分を含む接合部分を前記被接合体上に残存させ、前記接合部分以外の部分を前記接合部分から分割することを含む接合方法。
【請求項３】
請求項１に記載の接合方法であって、
前記第１の工程は、個片状に形成された前記半田を、前記被接合体に重ね合わせることを含む接合方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の接合方法であって、
前記第２の工程は、前記半田に向かってレーザ光を照射することで局所的に加熱することを含む接合方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の接合方法であって、
前記半田は、平坦な主面を含む板状の形状を有する板状半田であり、
前記第２の工程は、前記主面を前記被接合体に重ね合わせるように、前記板状半田を供給することを含む接合方法。
【請求項６】
請求項５に記載の接合方法であって、
前記第１の工程は、前記半田を供給する前に、線状半田を圧延して前記板状半田を成形することを含む接合方法。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の接合方法であって、
前記第２の工程の後に、前記被接合体に仮接合された前記半田の上に前記接合体を配置する第３の工程と、
加熱を行うことにより前記接合体と前記被接合体とを前記半田を介して接合する第４の工程と、をさらに備える接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田により接合体と被接合体とを接合する接合方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
回路基板上の複数の電極上に半田ペーストを塗布する工程と、当該半田ペーストが塗布された電極上に、電子部品の一部を配置する工程と、当該半田ペーストを熱処理することによって電子部品の一部を、電極に接合して、接合部を形成する工程と、を含む部品実装基板を製造する技術が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−３８９０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半田ペーストは、塗布時の流動性を確保するため、フラックスを含有する必要がある。そのため、上記技術では、基板をリフロー加熱する際、半田ペーストに含まれるフラックスが蒸発して、リフロー炉内を汚染するおそれがある。このため、リフロー加熱の度に、リフロー炉を洗浄する必要があるため、作業効率が低下するという問題がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、作業効率の向上を図ることができる接合方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明に係る接合方法は、半田により接合体を被接合体に接合する方法であり、固体状の前記半田の少なくとも一部を前記被接合体に重ね合わせるように、前記半田を供給する第１の工程と、供給された前記半田において、前記被接合体に重ね合わされた部分の一部を局所的に加熱して、前記半田を前記被接合体に仮接合する第２の工程と、を備える。
【０００７】
［２］上記発明において、前記第２の工程は、前記半田のうち、少なくとも前記被接合体に仮接合された部分を含む接合部分を前記被接合体上に残存させ、前記接合部分以外の部分を前記接合部分から分割することを含んでいてもよい。
【０００８】
［３］上記発明において、前記第１の工程は、個片状に形成された前記半田を、前記被接合体に重ね合わせることを含んでいてもよい。
【０００９】
［４］上記発明において、前記第２の工程は、前記半田に向かってレーザ光を照射することで局所的に加熱することを含んでいてもよい。
【００１０】
［５］上記発明において、前記半田は、平坦な主面を含む板状の形状を有する板状半田であり、前記第２の工程は、前記主面を前記被接合体に重ね合わせるように、前記板状半田を供給することを含んでいてもよい。
【００１１】
［６］上記発明において、前記第１の工程は、前記半田を供給する前に、線状半田を圧延して前記板状半田を成形することを含んでいてもよい。
【００１２】
［７］上記発明において、前記第２の工程の後に、前記被接合体に仮接合された前記半田の上に前記接合体を配置する第３の工程と、加熱を行うことにより前記接合体と前記被接合体とを前記半田を介して接合する第４の工程と、をさらに備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、固形状の半田を予め被接合体に仮接合するので、接合体と非接合体とを接合する場合に、ペースト状の半田と比べて、フラックス含有量の低い半田を用いることができ、フラックスの蒸発量が低下し、リフロー炉内の汚染が抑制される。これにより、接合体と被接合体との接合作業において、作業効率の向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態における基板と電子部品とを接合する接合方法を示す工程図である。
【図２】図２は、本発明の一実施の形態における接合装置を示す図であり、図２（ａ）は、側面断面図であり、図２（ｂ）は、平面図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の一実施の形態における板状半田を示す断面図であり、図３（ｂ）は、本実施形態の一実施の形態における線状半田を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は、図１のＳ２１〜Ｓ２３を説明するための平面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、本発明の一実施の形態における基板と半田とを仮接合する接合方法の変形例を説明するための断面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施の形態を示す回路基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
本実施形態では、板状半田１３０を用いて被接合体である基板１１０（具体的には、パッド１１１）と接合体である電子部品１２０とを接合する接合方法により、回路基板１００を得ることができる。本実施形態の接合方法は、板状半田１３０を供給する供給工程Ｓ１と、基板１１０に板状半田１３０を仮接合する仮接合工程Ｓ２と、電子部品１２０を基板１１０上に配置する配置工程Ｓ３と、基板１１０と電子部品１２０とを接合する接合工程Ｓ４と、を備えている。
【００１７】
本実施形態における「供給工程Ｓ１」が本発明における「第１の工程」の一例に相当し、本実施形態における「仮接合工程Ｓ２」が本発明における「第２の工程」の一例に相当し、本実施形態における「配置工程Ｓ３」が本発明における「第３の工程」の一例に相当し、本実施形態における「接合工程Ｓ４」が本発明における「第４の工程」の一例に相当する。
【００１８】
なお、本発明において、「仮接合」とは、被接合体と固形状の半田とを局所的に拡散接合することをいい、「接合」とは、半田を介して接合体と被接合体とを全体的に拡散接合することをいい、これらを区別する。
【００１９】
ここでは、まず、回路基板１００について、図６に基づいて説明する。図６は本発明の一実施の形態を示す回路基板の断面図である。
【００２０】
回路基板１００は、基板１１０と、当該基板１１０に表面実装された電子部品１２０と、これらを接合する半田と、から構成された表面実装基板である。基板１１０は、電気絶縁性を有する板状の部材であり、このような基板１１０を構成する材料としては、たとえば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の樹脂材料を例示することができる。なお、基板１１０として、例えば、ガラス、セラミックス、ガラスエポキシ樹脂等から構成される硬質基板を用いてもよい。
【００２１】
基板１１０の表面には、複数のパッド１１１（本実施形態では、６箇所）や、特に図示しない配線パターンが設けられている。配線パターンは、たとえば、パッド１１１同士間を電気的に接続する機能や、当該パッド１１１と外部端子とを電気的に接続する機能を有する。このようなパッド１１１や配線パターンを構成する材料としては、たとえば、銅（Ｃｕ）等を例示することができる。
【００２２】
電子部品１２０としては、たとえば、表面実装タイプのデバイスを例示することができ、具体的には、ＩＣ、センサ、抵抗部品、コンデンサ、インダクタ、又はＬＥＤ（Light emitting diode）等を例示することができる。
【００２３】
本実施形態の電子部品１２０の底面には、複数の端子１２１が当該電子部品１２０の左右両端に沿って３個ずつ並設（合計して６個）されている。なお、電子部品１２０の形状は、特に上述に限定されず、たとえば、ＳＯＰ（Small outline package），ＳＯＪ（Small outline j-leaded），ＳＯＮ（Small outline no lead package），ＱＦＮ（Quad fiat non-lead package），又は，ＢＧＡ（Ball grid array）等としてもよい。なお、端子１２１を構成する材料としては、たとえば、銅（Ｃｕ）等を例示することができる。
【００２４】
本実施形態では、電子部品１２０の端子１２１に対応するように、基板１１０上にパッド１１１が形成されており、当該パッド１１１に端子１２１が半田付けされている。なお、図５では、半田は符号（１３２）により示しているが、本実施形態の半田は、板状半田１３０の一部（すなわち、接合部分１３２）を溶融、固化することで基板１１０と電子部品１２０との間に介在するように形成されるものである。板状半田１３０については、後に詳細に説明する。
【００２５】
次に、基板１００（具体的には、パッド１１１）に半田（具体的には、板状半田１３０）を供給し、これらを仮接合する仮接合装置１について説明する。なお、基板１００に板状半田１３０を仮接合する方法としては、仮接合装置１を用いる方法に限定されない。
【００２６】
図２は本発明の一実施の形態における接合装置を示す図であり、図２（ａ）は側面断面図、図２（ｂ）は平面図、図３（ａ）は本発明の一実施の形態における板状半田を示す断面図、図３（ｂ）は本実施形態の一実施の形態における線状半田を示す断面図である。
【００２７】
仮接合装置１は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、基台１０と、半田フィーダ２０と、レーザ光照射装置３０と、を備えている。基台１０は、略水平に支持されており、上方に基板１１０が載置されている保持面１１を有している。この保持面１１は、特に図示しない複数の吸引口が開口しており、基板１１０を吸着保持することが可能となっている。
【００２８】
半田フィーダ２０は、板状半田１３０を基板１１０上に供給する装置である。この半田フィーダ２０は、線状半田１３０Ｂがロール状に捲回された供給ドラム２１と、線状半田１３０Ｂを板状半田１３０に成形する圧延装置２２と、当該板状半田１３０を基板１１０のパッド１１１上に誘導する供給ガイド２３と、を有している。
【００２９】
ここで、板状半田１３０は、固形状であって、略平坦な主面１３１を有した略矩形の断面形状とされた板状の部材である（図３（ａ）参照）。板状半田１３０の主面１３１は、相互に略平行に延在する上面１３１ａと下面１３１ｂとを有している。この板状半田１３０は、たとえば、鉛（Ｐｂ）を含有しない（鉛フリーの）錫（Ｓｎ）系合金又は亜鉛（Ｚｎ系）合金等に、フラックスを含有して構成されている。
【００３０】
リフロー炉の洗浄負荷を低減する観点から、フラックスの含有量としては、３〜４重量％であることが好ましく、或いは、フラックスレスであることが好ましい。なお、半田に含有されるフラックスの量については、特に上述に限定されない。因みに、線状半田１３０Ｂは、板状半田１３０と実質的に一致する断面積の略真円形の断面形状を有した線材である（図３（ｂ）参照）。
【００３１】
本実施形態では、供給ドラム２１が図中反時計廻りに回転することで、線状半田１３０Ｂが圧延装置２２に供給される。圧延装置２２は、たとえば、２つのロールが相互に対向するように配置された圧延ロール２２１を有しており、一方の圧延ロール２２１には、略矩形の断面形状を有する溝（不図示）が形成されている。
【００３２】
この圧延ロール２２１を通過した線状半田１３０Ｂは、溝の断面形状に相当する略矩形の断面形状に成形される。すなわち、圧延ロール２２１を通過することで、線状半田１３０Ｂが板状半田１３０に成形される。なお、線状半田１３０Ｂを板状半田１３０に成形する方法としては、特に上述に限定されない。
【００３３】
圧延装置２２を通過することで成形された板状半田１３０は、供給ガイド２３に送出される。供給ガイド２３は、圧延装置２２により圧延された板状半田１３０を基板１１０のパッド１１１上に案内するためのガイドである。この供給ガイド２３は、板状半田１３０の断面形状に対応する断面形状を有する筒状の部材から構成されている。供給ガイド２３の先端部２３１からは、送出された板状半田１３０の先端が、上面１３１ａが上方を向く姿勢で突出する。
【００３４】
この半田フィーダ２０は、基板１１０上に形成されるパッド１１１の位置に対応して移動可能であり、それぞれのパッド１１１に対して板状半田１３０を供給することができる。なお、半田フィーダ２０を移動させる移動機構としては、特に限定しないが、モータを用いたボールねじ機構等を例示することができる。
【００３５】
レーザ光照射装置３０は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、基台１０に対向する位置に配置されている。このレーザ光照射装置３０には、たとえば、ＹＡＧレーザを照射する光源等が内蔵されており、この光源からの放射光（すなわち、レーザ光）が反射ミラー等の光学素子を介して下方（−Ｚ方向）に出射される。
【００３６】
このレーザ光照射装置３０は、基板１１０のパッド１１１の上方に位置する板状半田１３０をレーザ光の照射熱により溶融して、当該パッド１１１と板状半田１３０とを仮接合する。本実施形態では、板状半田１３０の下面１３１ｂをパッド１１１に重ね合わさせており、レーザ光照射装置３０は、板状半田１３０の上面１３１ａに向かってレーザ光を照射する。
【００３７】
なお、本実施形態では、板状半田１３０のうちパッド１１１に重ね合わされた部分の四隅にレーザ光を照射して、仮接合している。パッド１１１と板状半田１３０とを仮接合する箇所が複数あることで、安定して仮接合状態を保持することができる。因みに、パッド１１１と板状半田１３０とを仮接合する箇所の数と配置は、特に上述に限定されない。
【００３８】
レーザ光照射装置３０は、パッド１１１及び板状半田１３０の材質や厚さ（高さ）等に応じて、レーザ光の出力、ビーム径、広がり角度、焦点距離、及び焦点深度等を調整可能となっており、パッド１１１と板状半田１３０とを適切に仮接合することができる。
【００３９】
なお、パッド１１１と板状半田１２０とを仮接合する方法としては、特に上述に限定されない。たとえば、高温とされた加熱部材を用いて端子と板状半田とを仮接合してもよい。加熱部材としては、たとえば、加熱されたコテ、ヒータ、及び熱風を吹き付ける機構等を例示することができる。
【００４０】
加熱部材を用いて端子及び板状半田を仮接合する方法としては、端子上に重ね合わされた板状半田の上方に加熱部材を配置して、当該板状半田の側から端子に向かって押し付けるように、当該加熱部材を板状半田に接触させる。これにより、板状半田が加熱部材からの熱により溶融する。そして、加熱部材を板状半田から離反させ、溶融した板状半田が端子上で冷却され硬化することで、当該端子と板状半田とを仮接合する。
【００４１】
図１に戻り、本実施形態の接合方法では、まず、供給ドラム２１に捲回された線状半田１３０Ｂを準備する。そして、供給工程Ｓ１として、準備した線状半田１３０Ｂを圧延装置２２に送出する。圧延装置２２では、線状半田１３０Ｂを圧延して、板状半田１３０を成形する（図１のステップＳ１１）。そして、成形された板状半田１３０が供給ガイド２３に送出される。供給ガイド２３の先端部２３１からは、板状半田１３０の先端が突出する。なお、線状半田に代えて板状半田が供給ドラムに捲回されていてもよい。この場合は、線状半田を圧延して、板状半田を形成する工程（ステップＳ１１）が不要となる。
【００４２】
一方、基台１０では、パッド１１１が上方を向くように基板１１０が予め固定されている。本実施形態では、この基板１１０のパッド１１１に対して、板状半田１３０の下面１３１ｂを重ね合わせるように供給する（図１のステップＳ１２）。
【００４３】
パッド１１１と板状半田１３０の位置決めは、たとえば、ＣＣＤカメラ（不図示）によりパッド１１１の近傍を撮像し、撮像された画像データに基づいて、パッド１１１の位置と板状半田１３０の位置とを位置合わせすることで実行される。なお、パッド１１１と板状半田１３０との位置決め方法は、特に上述に限定されない。
【００４４】
次いで、仮接合工程Ｓ２として、まず、レーザ光照射装置３０を、板状半田１３０が重ね合わされたパッド１１１の上方に移動させる。そして、レーザ光照射装置３０により、板状半田１３０にレーザ光をレーザ光照射点Ａに対応する部分に照射する（図１のステップＳ２１，図４（ａ）参照）。
【００４５】
本実施形態では、板状半田１３０のうちパッド１１１に重ね合わされた部分の四隅にレーザ光を照射するが、この際、平面視において、レーザ照射点Ａがパッド１１１に重ね合わされた板状半田１３０の外形内の領域に納まるようにレーザ光を照射する。
【００４６】
レーザ光が照射された板状半田１２０は、局所的に加熱され溶融する。その後、溶融した板状半田１３０が密着するパッド１１１上で冷却され硬化する。これにより、パッド１１１と板状半田１３０とが仮接合される（図１のステップＳ２２，図４（ｂ）参照）。本発明における「局所的に加熱」とは、平面視において、板状半田１３０のうちパッド１１１に重ね合わされた部分の面積内に納まる領域を加熱することをいう。
【００４７】
なお、レーザ光が照射されることで溶融した板状半田１３０は、常温において徐冷してもよいし、特に図示しない冷却手段を用いて、急冷してもよい。
【００４８】
そして、板状半田１３０のうち、パッド１１１に仮接合された部分を含む接合部分１３２を当該パッド１１１上に残存させ、当該接合部分１３２以外の部分を切断刃４０により接合部分１３２から分割する（図１のステップＳ２３，図４（ｃ）参照）。
【００４９】
本実施形態の基板１１０には、６つのパッド１１１が設けられている。したがって、他のパッド１１１についても、上述した工程（すなわち、供給工程Ｓ１及び仮接合工程Ｓ２）を繰り返し、すべてのパッド１１１に板状半田１３０を仮接合する。
【００５０】
次いで、配置工程Ｓ３では、まず、電子部品１２０を準備する。そして、パッド１１１に仮接合された板状半田１３０（具体的には、接合部分１３２）上に電子部品１２０を配置する（以下単に、接合部分１３２が仮接合され、当該接合部分１３２上に電子部品１２０が載置された状態の基板１１０を「仮実装基板」と称する。）。この際、電子部品１２０の端子１２１と、板状半田１３０とが接触するように、当該電子部品１２０を配置する。また、少なくとも板状半田１３０の一部が、パッド１１１と端子１２１との間に介在するように、電子部品１２０を板状半田１３０上に配置する。
【００５１】
本実施形態では、板状半田１３０は、パッド１１１に仮接合されているので、基板１１０をハンドリングしても、板状半田１３０がパッド１１１から容易に脱落することがない。また、板状半田１３０は、略平坦な上面１３１ａが上方を向く姿勢でパッド１１１に仮接合されているので、電子部品１２０を安定して当該板状半田１３０上に配置することができる。
【００５２】
次いで、接合工程Ｓ４では、仮実装基板の板状半田１３０をリフロー加熱して溶融する。ここでは、まず、リフロー加熱するために用いられるリフロー装置（不図示）内に仮実装基板を配置する。そして、リフロー装置内に配置された仮実装基板に対してリフロー加熱を行う。
【００５３】
リフロー加熱としては、予熱と本加熱とを行う。予熱は、電子部品１２０への急激な熱衝撃の緩和、板状半田１３０に含まれるフラックスの活性化促進などを行うため、仮実装基板を一般的には１５０℃から１７０℃程度に予熱する。その後、板状半田１３０が溶ける温度まで、短時間高温にする（一般的には２２０℃から２６０℃）本加熱を行う。
【００５４】
この本加熱では、板状半田１３０の成分組成により溶融温度が異なるが、少なくとも板状半田１３０の融点よりも高温にする必要がある。その後、仮実装基板を冷却して、溶融した板状半田１３０を固化し、基板１１０と電子部品１２０とを半田を介して接合する。以上により、基板１１０と電子部品１２０とを半田により接合した回路基板１００が得られる。
【００５５】
本実施形態における半田により電子部品１２０（具体的には、端子１２１）と基板１１０（具体的には、パッド１１１）とを接合する接合方法は、以下の効果を奏する。
【００５６】
本実施形態では、固形状の板状半田１３０を予め基板１１０のパッド１１１に仮接合するので、電子部品１２０の端子１２１と当該パッド１１１とを接合する場合に、ペースト状の半田と比べて、フラックス含有量の低いものを用いることができ、フラックスの蒸発量が低下し、リフロー炉内の汚染が抑制される。これにより、電子部品１２０と基板１１０との接合作業において、作業効率の向上が図られる。
【００５７】
また、本実施形態では、板状半田１３０は、パッド１１１に仮接合されているので、当該板状半田１３０を接合した後、基板１１０をハンドリングしても、板状半田１３０がパッド１１１から容易に脱落することがない。これにより、基板１１０のハンドリングの自由度が向上するので、電子部品１２０と基板１１０との接合作業において、作業効率の向上がさらに図られる。
【００５８】
また、略平坦な上面１３１ａが上方を向く姿勢でパッド１１１に仮接合された板状半田１３０を用いることで、電子部品１２０を安定して当該板状半田１３０上に配置することができる。これにより、電子部品１２０と基板１１０との位置ずれが生じることで回路基板１００の品質が低下するのを抑制することができる。
【００５９】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属するすべての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００６０】
図５（ａ）〜図５（ｃ）は、本発明の一実施の形態における基板と半田とを仮接合する接合方法の変形例を説明するための断面図である。
【００６１】
たとえば、図５（ａ）〜図５（ｃ）に示すように、予め個片に分割された個片状半田１３０Ｃをピックアンドプレース方式により基板１１０のパッド１１１上に供給してもよい。本例では、仮接合装置５０を用いて、基板１００（具体的には、パッド１１１）に半田（具体的には、板状半田１３０）を供給し、これらを仮接合する。
【００６２】
まず、図５（ａ）に示すように、半田フィーダ２０により供給される板状半田１３０を切断刃４０により切断して、個片状半田１３０Ｃを形成する。形成された個片状半田１３０Ｃは、トレイ５１に収容される。なお、線状半田を圧延して板状半田を成形し、当該板状半田を切断刃により切断して、個片状半田を形成してもよい。
【００６３】
そして、図５（ｂ）に示すように、移動ステージ５３に垂設された吸着アーム５３１により、トレイ５１から基台５２上に予め固定された基板１１０に向かって個片状半田１３０Ｃを供給する。この吸着アーム５３としては、吸着パッドを有するものを用いることができる。ここでは、吸着パッドにてトレイ５１に収容される個片状半田１３０Ｃを真空吸着し、当該個片状半田１３０Ｃを基台５２まで移動させ、真空破壊することで個片状半田１３０Ｃを基板１１０のパッド１１１上に載置する。
【００６４】
そして、図５（ｃ）に示すように、吸着アーム５３１と同様に移動ステージ５３に垂設されたレーザ光照射装置５３２が基板１１０のパッド１１１の上方に位置する個片状半田１３０Ｃをレーザ光の照射熱により溶融することで、当該パッド１１１と個片状半田１３０とを仮接合する。なお、レーザ光照射装置５３２は、上述したレーザ光照射装置３０と同様の構成を有している。
【００６５】
以上のように、個片状半田１３０Ｃが仮接合された基板１１０を得た後、上述した配置工程Ｓ３と、接合工程Ｓ４を経ることで、回路基板１００を得ることができる。
【００６６】
また、本実施形態では、固形状であって、略平坦な主面１３１を有した略矩形の断面形状とされた板状半田１３０を基板１１０のパッド１１１に仮接合する場合について説明したが、半田が固形状であれば、その形状については、特に限定されない。
【００６７】
また、本実施形態では、接合体が電子部品１２０の端子１２１であり、被接合体が基板１１０のパッド１１１である場合について説明したが、特に上述に限定されない。
【符号の説明】
【００６８】
１・・・仮接合装置
１０・・・基台
１１・・・保持面
２０・・・半田フィーダ
２１・・・供給ドラム
２２・・・圧延装置
２２１・・・圧延ロール
２３・・・供給ガイド
２３１・・・先端部
３０・・・レーザ光照射装置
４０・・・切断刃
１００・・・回路基板
１１０・・・基板
１１１・・・パッド
１２０・・・電子部品
１２１・・・端子
１３０・・・板状半田
１３１・・・主面
１３１ａ・・・上面
１３１ｂ・・・下面
１３２・・・接合部分
１３０Ｂ・・・線状半田
１３０Ｃ・・・個片状半田
５０・・・仮接合装置
５１・・・トレイ
５２・・・基台
５３・・・移動ステージ
５３１・・・吸着アーム
５３２・・・レーザ光照射装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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