(57)【要約】【課題】放熱性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体装置１０は、実装基板１１と、実装基板１１の表面１１ａに配置される部品実装用パッド１３と、部品実装用パッド１３上に配置される半導体チップ１７と、実装基板１１の裏面１１ｂに配置され、部品実装用パッド１３と導電部材３０を介して熱的に接続される半田実装用パッド２０と、を備えている。半導体装置１０では、半田実装用パッド２０は、Ｙ方向における長さが部品実装用パッドよりも長くなっている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１の面に配置される第１のパッドと、
前記第１のパッド上に配置される半導体チップと、
前記第１の面と相対する前記基板の第２の面において、前記第１のパッドと対向して配置される第２のパッドと、
前記第１の面に配置され、前記半導体チップと接続される第３のパッドと、
前記第１の面において、前記第１のパッドを挟んで前記第３のパッドと対向する位置に配置され、前記半導体チップと接続される第４のパッドと、
前記第２の面において、前記第３のパッドと対向して配置される第５のパッドと、
前記第２の面において、前記第２のパッドを挟んで前記第５のパッドと対向する位置に配置され、前記第４のパッドと接続される第６のパッドと、を備え、
前記第２のパッドは、前記第２の面において、前記第５及び第６のパッドに挟まれる方向と交差する延在方向において、同じ方向における前記第１のパッドの長さよりも長い、半導体装置。
【請求項２】
前記第２のパッドは、前記基板の前記延在方向における端部まで延在している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板の前記第１の面側に配置され、前記第１のパッド及び前記半導体チップを覆うキャップを更に備え、
前記第２のパッドの端部は、前記キャップと前記第１の面とが接触する面と対向した前記第２の面上の位置にまで延長されてなる、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記基板の前記第１の面側に配置され、前記第１のパッド及び前記半導体チップを覆うキャップを更に備え、
前記キャップの端部は前記基板の端部と一致してなる請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２のパッドは、前記第５及び第６のパッドに挟まれた方向における幅が前記第１のパッドよりも広い、請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２のパッドは、前記第５及び第６のパッドの両側の領域にまで延在した拡張部を備えてなる、請求項１〜５の何れか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に高出力の半導体チップを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
実装基板の部品実装面（表面）と半田実装面（裏面）とにそれぞれパッドを設けた半導体装置が知られている。このような半導体装置は、例えば無線通信用増幅器に用いられるマイクロ波デバイスであり、ＦＥＴ等の半導体チップを含む電子部品が部品実装面上のパッドに実装される。半導体装置の両面に設けられるパッドは、パッド形成用マスクを共通化してコストを低減するため、通常、実装基板の両面において同一形状に形成される（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−０４４８５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、上述した半導体装置では高出力化が進んでおり、例えば従来のＧａＡｓ系のＦＥＴをＧａＮ系のＦＥＴへと置き換えることが検討されている。しかしながら、ＧａＮ系のＦＥＴに置き換えて高出力化を図ろうとした場合、これら電子部品の発熱が大きくなり、半導体装置の性能へ影響を与えてしまう場合があった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、放熱性に優れた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る半導体装置は、基板と、基板の第１の面に配置される第１のパッドと、第１のパッド上に配置される半導体チップと、第１の面と相対する基板の第２の面において、第１のパッドと対向して配置される第２のパッドと、第１の面に配置され、半導体チップと接続される第３のパッドと、第１の面において、第１のパッドを挟んで第３のパッドと対向する位置に配置され、半導体チップと接続される第４のパッドと、第２の面において、第３のパッドと対向して配置される第５のパッドと、第２の面において、第２のパッドを挟んで第５のパッドと対向する位置に配置され、第４のパッドと接続される第６のパッドと、を備え、第２のパッドは、第２の面において、第５及び第６のパッドに挟まれる方向と交差する延在方向において、同じ方向における第１のパッドの長さよりも長い。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、放熱性に優れた半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、半導体装置のキャップを取り除いた内部状態を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１（ｂ）に示す半導体装置の裏面を示す斜視図である。
【図３】図３は、図１（ｂ）に示す半導体装置のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】図４は、図１（ａ）に示す半導体装置のＩＶ‐ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５】図５（ａ）は、従来の半導体装置における放熱領域を示す模式図であり、図５（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置における放熱領域を示す模式図である。
【図６】図６（ａ）は、図１（ａ）、（ｂ）に示す半導体装置の第１の変形例を示す断面図であり、図６（ｂ）は、図１（ａ）、（ｂ）に示す半導体装置の第２の変形例を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の裏面側を示す斜視図である。
【図８】図８は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の裏面側を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
【００１０】
本発明の一態様に係る半導体装置は、基板と、基板の第１の面に配置される第１のパッドと、第１のパッド上に配置される半導体チップと、第１の面と相対する基板の第２の面において、第１のパッドと対向して配置される第２のパッドと、第１の面に配置され、半導体チップと接続される第３のパッドと、第１の面において、第１のパッドを挟んで第３のパッドと対向する位置に配置され、半導体チップと接続される第４のパッドと、第２の面において、第３のパッドと対向して配置される第５のパッドと、第２の面において、第２のパッドを挟んで第５のパッドと対向する位置に配置され、第４のパッドと接続される第６のパッドと、を備え、第２のパッドは、第２の面において、第５及び第６のパッドに挟まれる方向と交差する延在方向において、同じ方向における第１のパッドの長さよりも長い。
【００１１】
この半導体装置では、基板の両面に配置される第１及び第２のパッドの長さが異なっており、半導体チップから離れている第２のパッドの方が、半導体チップに隣接する第１のパッドよりもその長さが長くなっている。第１のパッド上に配置される半導体チップ（例えば窒化物半導体からなるＦＥＴ）からは熱が発せられが、この熱は第２のパッド方向に向かって放射線状に広がる（図５（ａ）、（ｂ）参照）。第１のパッドと第２のパッドの長さが同じ場合（図５（ａ）参照）、この放射線状に広がった熱をすべて受け取ることは難しいが、本態様に係る半導体装置のように第２のパッドをあえて長くすることで、このように放射線状に広がる熱をより確実に受け取ることができる（図５（ｂ）参照）。その結果、この半導体装置によれば、より多くの放熱領域を確保することができ、優れた放熱性を奏することができる。
【００１２】
上記の半導体装置において、第２のパッドは、基板の延在方向における端部まで延在していてもよい。この場合、第２のパッドによる放熱領域をより一層広く確保することができ、放熱性をより向上させることができる。さらに、第２のパッドの下地基板（図５の筐体４０）との密着性も向上させることもできる。
【００１３】
上記の半導体装置は、基板の第１の面側に配置され、第１のパッド及び半導体チップを覆うキャップを更に備え、第２のパッドの端部は、キャップと第１の面とが接触する面と対向した第２の面上の位置にまで延長されていてもよい。また、キャップの端部は基板の端部と一致していてもよい。この場合、第２のパッドによる放熱領域をより一層広く確保することができ、放熱性をより向上させることができる。
【００１４】
上記の半導体装置において、第２のパッドは、第５及び第６のパッドに挟まれた方向における幅が第１のパッドよりも広くなっていてもよい。この場合、当該幅方向における第２のパッドによる放熱領域を広くすることができるため、半導体装置の放熱性をより一層向上することができる。
【００１５】
上記の半導体装置において、第５及び第６のパッドは、第５及び第６のパッドに挟まれた方向において、基板のそれぞれの縁にかかるように延在していてもよい。この場合、第５及び第６のパッドが当該方向におけるそれぞれの縁まで延在しているため、半導体装置を半田によってメイン基板に実装する際の接合面積を大きくすることができ、接合強度を高めることができる。しかも、半田が半導体装置の側面にも回り込むため、半導体装置の接合状態（接合形状等）を容易に確認することができる。
【００１６】
上記の半導体装置において、第２のパッドは、第５及び第６のパッドの両側の領域にまで延在した拡張部を備えていてもよい。この場合、第２のパッドの面積を更に広げることができるため、半導体装置の放熱性をより一層向上させることができる。また、第２のパッドの面積を更に広げるため、半導体装置をメイン基板に実装する際の接合面積を大きくすることができ、接合強度をより一層高めることができる。なお、第２のパッドの本体部と共に第５及び第６のパッドの３方向を囲むように拡張部が本体部の両端から延在するように形成した場合、第５及び第６のパッド（入出力側パッド）と基板の周辺回路との干渉を抑制して、アイソレーション効果を高めることもできる。
【００１７】
上記の半導体装置において、半導体チップが窒化物半導体からなっていてもよい。この場合、高出力の半導体チップとすることが可能となる。
【００１８】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る半導体装置の具体例を以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内ですべての変更が含まれることが意図される。
【００１９】
［第１実施形態］
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、半導体装置のキャップを取り除いた内部状態を示す斜視図である。図２は、図１（ｂ）に示す半導体装置の裏面を示す斜視図である。図３は、図１（ｂ）に示す半導体装置のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿った断面図であり、図４は、図１（ａ）に示す半導体装置のＩＶ‐ＩＶ線に沿った断面図である。
【００２０】
図１及び図２に示すように、半導体装置１０は、実装基板１１（基板）、キャップ１２、部品実装用パッド１３（第１のパッド）、入力側パッド１４（第３のパッド）、出力側パッド１５（第４のパッド）、キャップシール部１６、半導体チップ１７、入力整合回路１８、出力整合回路１９、半田実装用パッド２０（第２のパッド）、入力側半田実装パッド２１（第５のパッド）、及び、出力側半田実装パッド２２（第６のパッド）を備えている。
【００２１】
実装基板１１は、矩形形状を呈する表面１１ａ及び裏面１１ｂを有している。実装基板１１としては、例えば、アルミナ基板を用いることができる。実装基板１１には、図３に示すように、部品実装用パッド１３と半田実装用パッド２０とを繋ぐための円筒形状の貫通孔１１ｃと、入力側パッド１４と入力側半田実装パッド２１とを繋ぐためのビアホール１１ｄと、出力側パッド１５と出力側半田実装パッド２２とを繋ぐためのビアホール１１ｅとが形成されている。これら貫通孔１１ｃ及びビアホール１１ｄ，１１ｅには、Ｃｕ又はＡｇペースト等の導電性部材が充填されており、導電部材３０及びビア３１，３２をそれぞれ構成している。部品実装用パッド１３と半田実装用パッド２０は、貫通孔１１ｃ（導電部材３０）を介して熱的に接続され、かつ電気的に同電位に接続されている。
【００２２】
キャップ１２は、例えばセラミックスやプラスチック等から構成される蓋部材であり、その内部に空間１２ａを有している（図４参照）。キャップ１２は、実装基板１１の表面１１ａ側に搭載される。キャップ１２は、その内部空間１２ａ内に、実装基板１１の表面１１ａ上に搭載される部品実装用パッド１３、入力側パッド１４及び出力側パッド１５と、部品実装用パッド１３上に更に搭載される半導体チップ１７、入力整合回路１８及び出力整合回路１９とを収容する。キャップ１２は、表面１１ａの４辺に沿って各パッド１３〜１５を取り囲むように形成されたキャップシール部１６（図１（ｂ）参照）により、内部空間１２ａが気密状態となるように気密封止される。キャップシール部１６としては、例えばエポキシ樹脂を用いることができ、キャップシール部１６の位置にエポキシ樹脂を塗布した後、キャップ１２を実装基板１１上に配置し、所定の熱処理を施すことで、気密封止することができる。また、キャップ１２の代用として、ポッティング樹脂などを用いることもできる。
【００２３】
部品実装用パッド１３は、半導体チップ１７、入力整合回路１８及び出力整合回路１９といった各種の電子部品を実装するための電極パッドであり、実装基板１１の表面１１ａの略中央に配置される。部品実装用パッド１３は、実装基板１１の表面１１ａの縁に沿って形成されるキャップシール部１６にかからない範囲でＹ方向に延在する。部品実装用パッド１３の両脇には入力側パッド１４及び出力側パッド１５が設けられており、これら入力側パッド１４と出力側パッド１５とによりＸ方向において部品実装用パッド１３が挟み込まれるように各パッド１３〜１５が実装基板１１の表面１１ａ上に並列して配置される。部品実装用パッド１３、入力側パッド１４、及び出力側パッド１５それぞれは、例えばＡｕメッキ等の導電性メッキにより形成される。あるいは、Ｃｕメッキなどにより形成することもできる。部品実装用パッド１３は、入力側パッド１４及び出力側パッド１５とボンディングワイヤー２３，２４によりそれぞれ電気的に接続される。
【００２４】
半導体チップ１７は、例えばＧａＮ等の窒化物半導体から構成されるＦＥＴ（Field  Effect  Transistor）等の電子部品である。半導体チップ１７が例えば窒化物半導体から形成されることで、高出力のマイクロ波デバイスとすることができる。なお、半導体チップ１７は、ＧａＡｓ等からなるＦＥＴであってもよい。半導体チップ１７は、入力整合回路１８と出力整合回路１９とにボンディングワイヤー２５，２６によりそれぞれ電気的に接続される。
【００２５】
半田実装用パッド２０は、半導体装置１０を半田により、他のメイン基板等に実装するための電極パッドであり、実装基板１１の裏面１１ｂの略中央に配置される。半田実装用パッド２０は、実装基板１１の中央を貫通する導電部材３０により、部品実装用パッド１３に電気的、機械的、及び熱的に接続される。つまり、導電部材３０は、伝熱部材としても機能する。半田実装用パッド２０の両脇には入力側半田実装パッド２１及び出力側半田実装パッド２２が設けられており、これら入力側半田実装パッド２１と出力側半田実装パッド２２とによりＸ方向において半田実装用パッド２０が挟み込まれるように各パッド２０〜２２が実装基板１１の裏面１１ｂ上に配置される。半田実装用パッド２０、入力側半田実装パッド２１、及び出力側半田実装パッド２２それぞれは、例えばＡｕメッキ等の導電性メッキにより形成される。なお、入力側半田実装パッド２１及び出力側半田実装パッド２２は、ビア３１，３２でそれぞれ電気的に接続されている入力側パッド１４及び出力側パッド１５と略同じ長さ（Ｙ方向）及び幅（Ｘ方向）のパッド領域となっている。
【００２６】
一方、半田実装用パッド２０は、図２に示すように、Ｘ方向に沿った幅は、部品実装用パッド１３と同じであるものの、Ｙ方向における長さが部品実装用パッド１３よりも長くなっている。具体的には、半田実装用パッド２０は、Ｙ方向において、その両端が実装基板１１の裏面１１ｂの端部まで延在しており、裏面１１ｂの両縁にかかる若しくは製造上に必要な微小な隙間を残す程度となっている。このため、半田実装用パッド２０は、図４に示すように、そのＹ方向における端部が両面１１ａ，１１ｂが対向するＺ方向においてキャップ１２の端部の位置に一致するような位置まで、延在している。つまり、Ｚ方向において、半田実装用パッド２０の端部がキャップ１２の肉幅とオーバラップしている。なお、本実施形態では、実装基板１１の表面１１ａ側に形成される部品実装用パッド１３と裏面１１ｂ側に形成される半田実装用パッド２０との表面積が異なるため、Ａｕメッキ等でかかるパッド１３，２０を形成するためのマスクは異なる大きさのものを別々に用意して、用いる必要がある。
【００２７】
本実施形態に係る半導体装置１０において放熱性をさらに向上せるためには、図４に示すように、実装基板１１の面積を拡大することで実現できる。なお、実装基板１１の面積は、実質、キャップ１２の大きさで決まってしまうため、放熱性を重視し、実装基板１１を大きくすると、同時にキャップ１２を大きくする必要があり、この場合、半導体装置１０が大きくなってしまう。そのため、本実施形態では、半導体装置１０を必要最低限の大きさにして、その上で放熱性を向上させるために、半田実装用パッド２０の端部をキャップ１２の端部まで延在させるようにしている。
【００２８】
ここで、上記構成を備えた半導体装置１０による放熱性について、図５を参照しながら、従来の場合と比較して説明する。図５（ａ）は、従来の半導体装置における放熱領域を示す模式図であり、図５（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置における放熱領域を示す模式図である。
【００２９】
図５（ａ）に示すように、従来の半導体装置１１０では、実装基板１１１の両面に設けた部品実装用パッド１１３と半田実装用パッド１２０のＹ方向における長さが同じとなっている。この場合、発熱源であり、部品実装用パッド１１３上に配置される半導体チップ（ＦＥＴ等）１１７からは熱が発せられるが、この熱は半田実装用パッド１２０に向かって放熱領域Ｒ１のように放射線状に広がる。しかしながら、従来の半導体装置１１０では、半田実装用パッド１２０の長さが部品実装用パッド１１３と同じであり、放熱領域Ｒ１のように広がった熱を、半導体装置１１０の下方に配置される筐体１４０にすべて伝達することができず、狭い範囲の放熱領域Ｒ２となるため、一部の熱が半導体装置１１０内に滞留してしまう。
【００３０】
一方、本実施形態に係る半導体装置１０では、実装基板１１の両面に設けた部品実装用パッド１３と半田実装用パッド２０のＹ方向における長さが異なっており、半田実装用パッド２０の方が長くなっている。この場合も従来同様、部品実装用パッド１３上に配置される半導体チップ（ＦＥＴ等）１７からは熱が発せられ、半田実装用パッド２０に向かって放熱領域Ｒ３のように放射線状に広がるが、従来の半導体装置１１０とは異なり、半田実装用パッド２０の長さがこれら放射線状に広がった熱をすべて（若しくはその大部分）を受け入れることができる。このため、半導体装置１０では、放熱領域Ｒ３のように広がった熱を、半導体装置１０の下方に配置される筐体４０にほぼすべて伝達することができ、従来の放熱領域Ｒ２に比べて、より広い放熱領域Ｒ４を確保することができる。その結果、本実施形態に係る半導体装置１０によれば、より多くの放熱領域を確保することができ、優れた放熱性を奏することができる。
【００３１】
また、本実施形態に係る半導体装置１０では、半田実装用パッド２０が実装基板１１のＹ方向における端部まで延在しており、Ｚ方向においてその端部の位置がキャップ１２の端部の位置に一致するようになっている。このように、半田実装用パッド２０が十分に長い長さを有しているため、半田実装用パッド２０による放熱領域Ｒ４をより一層広く確保することができ、放熱性をより向上させることができる。
【００３２】
［変形例］
次に、図６（ａ）、（ｂ）を参照して、第１実施形態に係る半導体装置１０の変形例について説明する。図６（ａ）は、半導体装置１０の第１の変形例を示す断面図であり、図６（ｂ）は、半導体装置１０の第２の変形例を示す断面図である。図６（ａ）に示すように、第１の変形例に係る半導体装置１０ａでは、入力整合回路１８に相当する機能を外部に持たせるようにしているため、入力整合回路１８を有しておらず、その分、部品実装用パッド１３ａのＸ方向における幅を短くしている。従来であれば、このような場合、半田実装用パッド２０も部品実装用パッド１３ａと同様の幅になるように縮幅するが、本実施形態に係る半導体装置１０ａでは、放熱性を考慮し、半田実装用パッド２０の幅はそのままとしている。つまり、変形例１に係る半導体装置１０ａでは、半田実装用パッド２０は、Ｘ方向における幅が部品実装用パッド１３ａよりも広くなっている。このため、Ｘ方向における半田実装用パッド２０による放熱領域を広く確保しておくことができるため、半導体装置１０ａの放熱性を向上することができる。
【００３３】
また、図６（ｂ）に示すように、第２の変形例に係る半導体装置１０ｂでは、更に、出力整合回路１９に相当する機能も外部に持たせるようにしているため、出力整合回路１９を有しておらず、その分、部品実装用パッド１３ｂのＸ方向における幅を更に短くしている。従来であれば、このような場合、半田実装用パッド２０も部品実装用パッド１３ｂと同様の幅になるように縮幅するが、本変形例２に係る半導体装置１０ｂでは、放熱性を考慮し、半田実装用パッド２０の幅はそのままとしている。つまり、変形例２に係る半導体装置１０ｂでは、半田実装用パッド２０は、Ｘ方向における幅が部品実装用パッド１３ｂよりもかなり広いままとなっている。このため、Ｘ方向における半田実装用パッド２０による放熱領域を広く確保しておくことができるため、半導体装置１０ａの放熱性を向上することができる。
【００３４】
［第２実施形態］
続いて、本発明の第２実施形態に係る半導体装置について、図７を参照しながら説明する。図７は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の裏面側を示す斜視図である。第２実施形態に係る半導体装置１０ｃは、入力側半田実装パッド２１ｃ及び出力側半田実装パッド２２ｃの形状以外は、第１実施形態と同様であるため、以下、相違点を中心として説明すし、共通部分の説明は省略する。
【００３５】
半導体装置１０ｃの入力側半田実装パッド２１ｃ及び出力側半田実装パッド２２ｃは、実装基板１１のＸ方向におけるそれぞれの縁にかかる位置まで延在している。このように、第２実施形態に係る半導体装置１０ｃでは、入力側半田実装パッド２１ｃ及び出力側半田実装パッド２２ｃがＸ方向におけるそれぞれの縁１１ｆ，１１ｇまで延在しているため、半導体装置１０ｃを半田によって筐体（メイン基板）に実装する際の接合面積を大きくすることができ、両者の接合強度を高めることができる。しかも、半田が半導体装置１０ｃの側面にも回り込むため、半導体装置１０ｃの接合状態（接合形状等）を容易に確認することができる。
【００３６】
［第３実施形態］
続いて、本発明の第３実施形態に係る半導体装置について、図８を参照しながら説明する。図８は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の裏面側を示す斜視図である。第３実施形態に係る半導体装置１０ｄは、半田実装用パッド２０ｄの形状以外は、第１実施形態と同様であるため、以下、相違点を中心として説明し、共通部分の説明は省略する。
【００３７】
半導体装置１０ｄの半田実装用パッド２０ｄは、Ｙ方向に延在する矩形形状の本体部２０ａと、本体部２０ａの両端部からＸ方向に延在する拡張部２０ｂ，２０ｃとを有している。両拡張部２０ｂ，２０ｃは、本体部２０ａと共に、入力側半田実装パッド２１及び出力側半田実装パッド２２それぞれの３方向を囲むように配置される。このように本実施形態に係る半導体装置１０ｄでは、半田実装用パッド２０ｄの面積を更に広げることができるため、半導体装置１０ｄの放熱性をより一層向上させることができる。また、半田実装用パッド２０ｄの面積を更に広げるため、半導体装置１０ｄをメイン基板等の筐体に実装する際の接合面積を大きくすることができ、両者の接合強度をより一層高めることができる。
【００３８】
しかも、半導体装置１０では、両拡張部２０ｂ，２０ｃが本体部２０ａと共に入力側半田実装パッド２１及び出力側半田実装パッド２２それぞれの３方向を囲んでいる。このような配置により、半導体装置１０によれば、入力側半田実装パッド２１及び出力側半田実装パッド２２と基板の周辺回路との干渉を抑制して、アイソレーション効果を高めることもできる。
【００３９】
本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、種々の変形を適用できる。例えば上述した実施形態では、半導体チップ１７として、ＦＥＴを例として説明したが、他の発熱性の電子部品を用いた場合でも同様である。例えば、電子部品として、ＨＢＴなどを用いてもよい。
【符号の説明】
【００４０】
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ…半導体装置、１１…実装基板（基板）、１１ａ…表面（第１の面）、１１ｂ…裏面（第２の面）、１２…キャップ、１３，１３ａ，１３ｂ…部品実装用パッド（第１のパッド）、１４…入力側パッド（第３のパッド）、１５…出力側パッド（第４のパッド）、１７…半導体チップ、２０…半田実装用パッド（第２のパッド）、２０ａ…本体部、２０ｂ，２０ｃ…拡張部、２１，２１ｃ…入力側半田実装パッド（第５のパッド）、２２，２２ｃ…出力側半田実装パッド（第６のパッド）、３０…導電部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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