(57)【要約】【課題】回路配線におけるアンダーカット現象を十分に抑制でき、エッチング速度を向上させることができる回路配線基板製造用銅エッチング液およびこれを用いた回路配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】基板上に、接着剤層、及び、銅を含む回路配線を有する回路配線基板を製造するための回路配線基板製造用銅エッチング液であって、塩化鉄および／または塩化銅からなる金属塩化物と、酸と、銅を含み回路配線を形成するための金属層を構成する材料との第１接触角が１００°以下で且つ接着剤層を構成する材料との接触角が４５°以下である添加剤とを含む回路配線基板製造用銅エッチング液。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、接着剤層、及び、銅を含む回路配線を有する回路配線基板を製造するための回路配線基板製造用銅エッチング液であって、
塩化鉄および／または塩化銅からなる金属塩化物と、酸と、銅を含み前記回路配線を形成するための金属層を構成する材料との第１接触角が１００°以下で且つ前記接着剤層を構成する材料との接触角が４５°以下である添加剤とを含む回路配線基板製造用銅エッチング液。
【請求項２】
前記添加剤の前記第１接触角が５０°以上６５°以下で且つ前記第２接触角が３０°以上４０°以下である、請求項１に記載の回路配線基板製造用銅エッチング液。
【請求項３】
前記添加剤が、アルキル硫酸の金属塩および／またはポリオキシアルキルエーテル硫酸の金属塩からなる金属塩と、多価アルコールとを含む請求項１又は２に記載の回路配線基板製造用銅エッチング液。
【請求項４】
前記銅エッチング液が、前記金属塩化物を０．０１〜５．３ｍｏｌ／Ｌ、前記酸を０．０５〜２５ｍｏｌ／Ｌ、前記添加剤を０．０００５〜０．１ｍｏｌ／Ｌ含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路配線基板製造用銅エッチング液。
【請求項５】
基板上に、接着剤層、及び、銅を含む回路配線を有する回路配線基板を製造する回路配線基板の製造方法であって、
前記基板上に、前記接着剤層、銅を含み前記回路配線を形成するための金属層、及び、前記金属層の一部を露出させるように開口パターンが形成されたレジスト層を順次形成してなる構造体を準備する構造体準備工程と、
前記構造体準備工程で準備される前記構造体の前記金属層のうち露出された部分を、銅エッチング液を用いてエッチングして前記金属層に凹部を形成することにより前記基板上に前記回路配線を形成するエッチング工程とを含み、
前記エッチング工程において、前記銅エッチング液が前記金属層の厚さ方向に向かって供給され、
前記銅エッチング液が、請求項１〜４のいずれか一項に記載の銅エッチング液である、回路配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路配線基板製造用銅エッチング液およびこれを用いた回路配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器には、銅を含む回路配線を基板の表面に形成した回路配線基板が広く用いられている。回路配線を基板の表面上に形成する方法の一つとして、エッチング液を用いて、基板上に設けられる金属層をエッチングするウェットエッチングが知られている。このようなウェットエッチングでは、基板上に、接着剤層、銅を含み回路配線を形成するための金属層、及び、金属層の上にその一部を露出させるように形成された開口パターンを有するレジスト層を順次形成してなる構造体に対し、金属層の厚さ方向に向かってエッチング液を吹き付けることにより、金属層のうち露出された部分のエッチングが行われる。そして、その露出部分のエッチングの進行に伴って、金属層に凹部が形成されて底部及びサイド部が現れる。このとき、底部にはエッチング液が強く当たるためエッチングが促進される。その一方、サイド部にはエッチング液が当たりにくいため、サイド部表面ではエッチングが抑制される。その結果、得られる回路配線においてボトム部からトップ部に向かうにつれて線幅が細くなるアンダーカットと呼ばれる現象を抑制することができると考えられている。このアンダーカット現象は、回路配線が高密度化され、線幅が狭くなるに従い断線やショートの原因となるなど重大な問題につながるものである。
【０００３】
このようなエッチング液として、これまで種々のものが提案されている。例えば下記特許文献１には、第二鉄イオン及び第二銅イオンから選ばれた金属イオンを含む塩の１種以上と、鉱酸および／または有機酸と、スルホニウム化合物と、界面活性剤とを含む銅エッチング液が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１４４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記特許文献１に記載の銅エッチング液は以下に示す課題を有していた。
【０００６】
すなわち、上記銅エッチング液は、得られる回路配線におけるアンダーカット現象を十分に抑制する点で改善の余地を有していた。また上記銅エッチング液は、エッチング速度の向上の点でも改善の余地を有していた。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、回路配線におけるアンダーカット現象を十分に抑制でき、エッチング速度を向上させることができる回路配線基板製造用銅エッチング液およびこれを用いた回路配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は上記課題を解決するため鋭意検討した結果、銅エッチング液において、塩化鉄および／または塩化銅からなる金属塩化物、及び、酸のほか、アルキル硫酸の金属塩および／またはポリオキシアルキルエーテル硫酸の金属塩からなる金属塩を配合することを考えた。この場合でも、アンダーカット現象を十分に抑制できることが分かったが、回路配線のボトム部がエッチングされにくいために、未だアンダーカット現象の抑制およびエッチング速度の向上の点で改善の余地があった。そこで、本発明者は、回路配線のボトム部をエッチングしやすくするために更に検討したところ、エッチングの進行につれて構造体の接着剤層が露出した際に、銅エッチング液が接着剤層と金属層のボトム部との間に入り込めばボトム部がエッチングされやすくなるのではないかと考えた。そして、本発明者は接着剤層と金属層のボトム部との間に入り込むような銅エッチング液について更に鋭意研究を重ねた結果、回路配線を形成するための金属層に含まれる銅に対する接触角と接着剤層を構成する接着剤に対する接触角がそれぞれ特定の範囲にある添加剤を配合するようにすることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち本発明は、基板上に、接着剤層、及び、銅を含む回路配線を有する回路配線基板を製造するための回路配線基板製造用銅エッチング液であって、塩化鉄および／または塩化銅からなる金属塩化物と、酸と、前記回路配線を形成するための金属層を構成する材料との第１接触角が１００°以下で且つ前記接着剤層を構成する材料との第２接触角が４５°以下である添加剤とを含む回路配線基板製造用銅エッチング液である。
【００１０】
この回路配線基板製造用銅エッチング液によれば、回路配線基板を製造する際に以下の作用効果が奏される。
【００１１】
すなわち回路配線基板を製造するにあたっては、基板上に、接着剤層、銅を含み回路配線を形成するための金属層、及び、金属層の上にその一部を露出させるように開口パターンが形成されたレジスト層を形成してなる構造体に対し、金属層の厚さ方向に向かって上述した銅エッチング液が供給されると、この構造体の金属層のうち露出された部分がエッチングされる。すると、その表面のエッチングの進行に伴って、金属層に凹部が形成されて底部及びサイド部が現れる。このとき、底部表面近傍では、銅エッチング液の対流速度が高くなるので底部表面のエッチングが促進される。一方、サイド部表面近傍では、銅エッチング液の対流速度が低くなるので、サイド部に対するエッチングは、底部に対するエッチングに比べて十分に抑制される。そして、エッチングが更に進行し、金属層と基板との間にある接着剤層が露出すると、銅エッチング液中の添加剤が、金属層と接着剤層との間に入りやすくなる。このため、回路配線のトップ部のみならず、ボトム部も効率よくエッチングされることとなる。こうして回路配線基板が得られると、回路配線において、トップ部の幅とボトム部の幅との差が十分に低減され、その結果、アンダーカット現象を十分に抑制できる。また回路配線のボトム部が効率よくエッチングされるため、エッチング時間が短縮される。その結果、本発明の回路配線基板製造用銅エッチング液によれば、エッチング速度を向上させることも可能となる。
【００１２】
なお、本発明の銅エッチング液により上記効果が得られる理由について、本発明者は以下のように推測している。
すなわち、金属層をエッチングする過程で現れる凹部の底部表面近傍では、エッチング反応で銅の表面に析出されるＣｕＣｌ３２−イオンと、酸を構成するマイナスイオンとが反発し合い、ＣｕＣｌ３２−イオンが拡散され、エッチングが早く進行する。一方、サイド部表面近傍では、銅エッチング液の対流速度が低くなる。このとき、銅エッチング液中の添加剤の第１接触角は１００°以下であり、金属層を構成する材料に対して良好な濡れ性を有する。このため、添加剤がＣｕに吸着しやすくなる。その結果、サイド部に対するエッチングは、底部に対するエッチングに比べて十分に抑制される。またこの場合でも、サイド部に対するエッチングは行われるが、銅エッチング液中の添加剤の第１接触角が１００°以下であっても、添加剤の第２接触角が４５°を超えると、回路配線のサイド部のうちトップ部の方がボトム部に比べて優先的にエッチングされやすくなる。その点、本発明では、添加剤は、４５°以下の第２接触角を有し、構造体の接着剤層を構成する接着剤に対して良好な濡れ性を有する。このため、エッチングが進行して接着剤層が露出されるようになると、添加剤が接着剤層と、エッチングされるべきボトム部との間に入り込む。この結果、ボトム部は、接着剤層からボトム部に向かう方向と、回路配線のトップ部からボトム部に向かう方向の二方向からエッチングされることになる。その結果、回路配線のボトム部が効率よくエッチングされる。こうして本発明の銅エッチング液によれば、回路配線において、トップ部の幅とボトム部の幅との差が十分に低減され、アンダーカット現象を十分に抑制できるとともに、ボトム部のエッチングが効率よく行われるためエッチング時間が短縮され、エッチング速度が向上するのではないかと本発明者は推測している。
【００１３】
前記添加剤の前記第１接触角が５０°以上６５°以下で且つ前記第２接触角が３０°以上４０°以下であることが好ましい。
【００１４】
この場合、アンダーカット現象をより効果的に抑制できるとともに、エッチング速度をより向上させることができる。
【００１５】
上記添加剤は、アルキル硫酸の金属塩および／またはポリオキシアルキルエーテル硫酸の金属塩からなる金属塩と、多価アルコールとを含むことが好ましい。
【００１６】
この場合、アンダーカット現象を特に効果的に抑制できるとともに、エッチング速度をより向上させることができる。
【００１７】
上記銅エッチング液が、前記金属塩化物を０．０１〜５．３ｍｏｌ／Ｌ、前記酸を０．０５〜２５ｍｏｌ／Ｌ、前記添加剤を０．０００５〜０．１ｍｏｌ／Ｌ含むことが好ましい。
【００１８】
この場合、アンダーカット現象を特に効果的に抑制できるとともに、エッチング速度をより向上させることができる。
【００１９】
また本発明は、基板上に、接着剤層、及び、銅を含む回路配線を有する回路配線基板を製造する回路配線基板の製造方法であって、前記基板上に、前記接着剤層、銅を含み前記回路配線を形成するための金属層、及び、前記金属層の一部を露出させるように開口パターンが形成されたレジスト層を順次形成してなる構造体を準備する構造体準備工程と、前記構造体準備工程で準備される前記構造体の前記金属層のうち露出された部分を、銅エッチング液を用いてエッチングして前記金属層に凹部を形成することにより前記基板上に前記回路配線を形成するエッチング工程とを含み、前記エッチング工程において、前記銅エッチング液が前記金属層の厚さ方向に向かって供給され、前記銅エッチング液が、塩化鉄および／または塩化銅からなる金属塩化物と、酸と、前記金属層を構成する材料との接触角が１００°以下で且つ前記接着剤層を構成する材料との接触角が４５°以下である添加剤とを含む、回路配線基板の製造方法である。
【００２０】
この製造方法によれば、基板上に、接着剤層、銅を含み回路配線を形成するための金属層、金属層の一部を露出させるように開口パターンが形成されたレジスト層を順次形成してなる構造体に対し、金属層の厚さ方向に向かって上述した銅エッチング液が供給されると、この構造体の金属層のうち露出された部分がエッチングされる。すると、その表面のエッチングの進行に伴って、金属層に凹部が形成されて底部及びサイド部が現れる。このとき、底部表面近傍では、銅エッチング液の対流速度が高くなるので底部表面のエッチングが促進される。一方、サイド部表面近傍では、銅エッチング液の対流速度が低くなるので、サイド部に対するエッチングは、底部に対するエッチングに比べて十分に抑制される。そして、エッチングが更に進行し、金属層と基板との間にある接着剤層が露出すると、銅エッチング液中の添加剤が、金属層と接着剤層との間に入りやすくなる。このため、回路配線のトップ部のみならず、ボトム部も効率よくエッチングされることとなる。こうして回路配線基板が得られると、回路配線において、トップ部の幅とボトム部の幅との差が十分に低減され、その結果、アンダーカット現象を十分に抑制できる。また回路配線のボトム部が効率よくエッチングされるため、エッチング時間が短縮され、エッチング速度を向上させることができる。その結果、本発明の製造方法によれば、回路配線基板を効率よく製造することができる。
【００２１】
なお、本発明において、「接触角」とは、ＦＴＡ−１８８ 接触角計（ＦＴＡ社製）を使用し、接線法を用いて測定される値を言う。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、回路配線におけるアンダーカット現象を十分に抑制でき、エッチング速度を向上させることができる回路配線基板製造用銅エッチング液およびこれを用いた回路配線基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の回路配線基板の製造方法で得られる回路配線基板の一例を示す部分切断面端面図である。
【図２】本発明の回路配線基板の製造方法で用いられる構造体を示す部分切断面端面図である。
【図３】図２の構造体を、銅エッチング液を用いてエッチングしている状態を示す部分切断面端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の回路配線基板の製造方法について説明する。
【００２５】
まず本発明の回路配線基板の製造方法で得られる回路配線基板について図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の回路配線基板の製造方法で得られる回路配線基板の一例を示す部分切断面端面図である。
【００２６】
図１に示すように、回路配線基板１００は、基板１と、回路配線２と、基板１と回路配線２との間に設けられる接着剤層３とを備えている。
【００２７】
次に、上述した回路配線基板１００の製造方法について図２及び図３を参照しながら説明する。図２は、回路配線基板の製造方法で用いられる構造体を示す部分切断面端面図、図３は、図２の構造体を、銅エッチング液を用いてエッチングしている状態を示す部分切断面端面図である。
【００２８】
まず図２に示すように、構造体１０を準備する（構造体準備工程）。構造体１０は、基板１上に、接着剤層３、銅を含み回路配線２を形成するための金属層４、及び、金属層４の一部（以下、「露出部」）４ａを露出させるように開口パターン５ａが形成されたレジスト層５を順次形成してなるものである。開口パターン５ａは、開口パターン５ａが形成される前のレジスト層を所定パターンで露光した後、露光した部分又は露光されていない部分を除去することにより得ることができる。
【００２９】
次に、図３に示すように、構造体１０の金属層４のうち露出部４ａを、銅エッチング液を用いてエッチングして金属層４に凹部６を形成する（エッチング工程）。このとき、銅エッチング液は、金属層４の厚さ方向に向かって供給される。ここで、銅エッチング液は、塩化鉄および／または塩化銅からなる金属塩化物と、酸と、金属層４を構成する材料との第１接触角が１００°以下で且つ接着剤層３を構成する材料との第２接触角が４５°以下である添加剤とを含む。銅エッチング液の供給は、例えば銅エッチング液を金属層４の露出部４ａに向かって吹きつけることにより行うことができる。
【００３０】
こうして基板１上に回路配線２を形成する。
【００３１】
最後に、レジスト層５を除去することにより回路配線基板１００が得られる。
【００３２】
上記の製造方法によれば、基板１上に、接着剤層３、銅を含み回路配線２を形成するための金属層４、金属層４の一部を露出させるように開口パターン５ａが形成されたレジスト層５を順次形成してなる構造体１０に対し、金属層４の厚さ方向に向かって上述した銅エッチング液が供給されると、この構造体１０の金属層４のうち露出された部分がエッチングされる。すると、その表面のエッチングの進行に伴って、金属層４に凹部６が形成されて底部７及びサイド部８が現れる。このとき、底部７の表面近傍では、銅エッチング液の対流速度が高くなるので底部７の表面のエッチングが促進される。一方、サイド部８の表面近傍では、銅エッチング液の対流速度が低くなるので、サイド部８に対するエッチングは、底部７に対するエッチングに比べて十分に抑制される。そして、エッチングが更に進行し、金属層４と基板１との間にある接着剤層３が露出すると、銅エッチング液中の添加剤が、金属層４と接着剤層３との間に入りやすくなる。このため、回路配線２のトップ部２ａのみならず、ボトム部２ｂも効率よくエッチングされることとなる。こうして回路配線基板１００が得られると、回路配線２において、トップ部２ａの幅ａとボトム部２ｂの幅ｂとの差が十分に低減され、その結果、アンダーカット現象を十分に抑制できる。また回路配線２のボトム部２ｂが効率よくエッチングされるため、エッチング時間が短縮され、エッチング速度を向上させることができる。その結果、上記製造方法によれば、回路配線基板１００を効率よく製造することができる。
【００３３】
＜構造体＞
次に、上述した構造体１０について詳細に説明する。
【００３４】
（基板）
基板１は、特に制限されるものではなく、回路配線基板の基板として知られる如何なるものでも使用できる。具体的には、基板１としては、ポリイミドやポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。
【００３５】
（接着剤層）
接着剤層３は、基板１と金属層４とを接着させることが可能な接着剤で構成されればよい。このような接着剤層３を構成する接着剤としては、例えばエポキシ系熱硬化型接着剤などが挙げられる。
【００３６】
（金属層）
金属層４は、回路配線２を形成するためのものであり、銅を含む金属で構成される。従って、この金属は銅のみで構成される金属であっても、銅と他の金属との合金で構成される金属であってもよい。
【００３７】
（レジスト層）
レジスト層は、銅エッチング液に溶解されない層で構成されていればよい。このようなレジスト層としては、例えばドライフィルムレジストや液状ソルダレジストなどを用いることができる。
【００３８】
＜銅エッチング液＞
次に、銅エッチング液について詳細に説明する。
【００３９】
銅エッチング液は、金属塩化物と、酸と、第１接触角が１００°以下で且つ第２接触角が４５°以下である添加剤とを含む。
【００４０】
（金属塩化物）
金属塩化物は、塩化鉄および／または塩化銅からなる。ここで、塩化鉄を構成する鉄イオンは第一鉄イオンでも第二鉄イオンでもよい。また塩化銅を構成する銅イオンは、第一銅イオンでも第二銅イオンでもよい。
【００４１】
（酸）
酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸などの無機酸や、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸などの有機酸が挙げられる。これらは１種類単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。酸は塩酸を含むことが好ましい。この場合、金属層４の露出部４ａをエッチングする際に形成される凹部６の底部７の表面近傍で、エッチング反応で表面に析出される銅と反応してＣｕＣｌ３２−イオンを形成する塩化物イオンの割合が銅エッチング液中で増加することになり、拡散されるＣｕＣｌ３２−イオンを増加させることができる。このため、凹部６の底部７の表面に対するエッチングがより早く進行し得る。
【００４２】
（添加剤）
添加剤としては、第１接触角が１００°以下で且つ第２接触角が４５°以下であるものが用いられる。第１接触角が１００°を超えると、サイド部８全体がエッチングされやすくなり、回路配線２の幅が予定の幅よりも大幅に低下する。第２接触角が４５°を超えると、アンダーカット現象を十分に抑制できず、エッチング速度も低下する。
【００４３】
第１接触角は、１００°以下であれば特に制限されるものではないが、３０°〜８５°であることが好ましい。また第２接触角は、４５°以下であれば特に制限されるものではないが、１５°〜４５°であることが好ましい。
【００４４】
特に第１接触角が５０°以上６５°以下である場合には、第２接触角は３０°以上４０°以下であることがより好ましい。
【００４５】
第１接触角が１００°以下であり且つ第２接触角が４５°以下である添加剤を得るためには、例えば添加剤が、アルキル硫酸の金属塩および／またはポリオキシアルキルエーテル硫酸の金属塩からなる金属塩と、多価アルコールとを含むものであればよい。
【００４６】
（アルキル硫酸の金属塩）
アルキル硫酸の金属塩はアルキル基を有する。アルキル基としては、通常は炭素数１〜４０のアルキル基が用いられ、好ましくは炭素数の６〜１８のアルキル基が用いられる。特に、アルキル基がラウリル基であること、すなわち、アルキル硫酸の金属塩がラウリル硫酸の金属塩であることが好ましい。この場合、回路配線２のアンダーカット現象を特に効果的に抑制でき、エッチング速度をより向上させることができる。
【００４７】
またアルキル硫酸の金属塩の金属としては通常、一価の金属が用いられる。一価の金属としては、例えばＮａ、Ｋなどが挙げられる。
【００４８】
（ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸の金属塩）
ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸の金属塩は、オキシアルキレン基およびアルキル基を有する。オキシアルキレン基としては、オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基などが挙げられる。アルキル基としては、通常は炭素数１〜４０のアルキル基が用いられ、好ましくは炭素数の６〜１８のアルキル基が用いられる。特に、オキシアルキレン基がオキシエチレン基であり且つアルキル基がラウリル基であること、すなわち、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸の金属塩がラウレス硫酸の金属塩であることが好ましい。この場合、回路配線２のアンダーカット現象を特に効果的に抑制でき、エッチング速度をより向上させることができる。
【００４９】
ここで、ラウレス硫酸の金属塩におけるオキシエチレン基の繰返し単位数は好ましくは１〜４０であり、より好ましくは１〜１０である。
【００５０】
またポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸の金属塩の金属としては、アルキル硫酸の金属塩の金属と同様のものを用いることができる。
【００５１】
（多価アルコール）
多価アルコールは、１分子内に２個以上の水酸基を有するアルコールであればよい。この場合、水酸基の数が２個未満の場合に比べて、金属層４及び接着剤層３との濡れ性が良くなり、エッチング速度がより向上するとともに、エッチングバラツキがより低減される。また、１分子内の多価アルコール中の水酸基の数は、２〜３個であることが好ましい。１分子内の水酸基の数が４個以上となる多価アルコールは流通量が少なく、コストと入手しやすさの点から水酸基の数を３個以下にすることが好ましい。このような多価アルコールとしては、例えばエチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールなどが挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合せて用いてもよい。
【００５２】
添加剤においては、金属塩のモル数Ａに対する多価アルコールのモル数Ｂのモル比Ｒ（Ｂ／Ａ）は特に制限されるものではないが、Ｒは好ましくは０．８〜１．２であり、より好ましくは０．９〜１．１である。この場合、Ｒが０．８〜１．２の範囲内であると、Ｒが０．８未満である場合に比べて、アンダーカット現象をより十分に抑制できる。またＲが０．８〜１．２の範囲内にあると、Ｒが１．２を超える場合に比べて、エッチング速度がより向上する。
【００５３】
本発明の銅エッチング液においては、金属塩化物が０．０１〜５．３ｍｏｌ／Ｌ、酸が０．０５〜２５ｍｏｌ／Ｌ、添加剤を０．０００５〜０．１ｍｏｌ／Ｌ含むことが好ましい。
【００５４】
この場合、金属塩化物の含有率、酸の含有率、添加剤の含有率のいずれかが上記範囲を外れる場合に比べて、得られる回路配線２におけるアンダーカット現象をより効果的に抑制でき、エッチング速度をより向上させることができる。
【００５５】
ここで、金属塩化物の含有率は、１〜３ｍｏｌ／Ｌであることが好ましく、１．５〜２．５ｍｏｌ／Ｌであることが特に好ましい。この場合、金属塩化合物の含有率３ｍｏｌ／Ｌを超える場合に比べて、金属塩化合物が析出しにくくなる。また、金属塩化物の含有率が１〜３ｍｏｌ／Ｌであると、金属塩化合物の含有率が１ｍｏｌ／Ｌ未満である場合に比べて、エッチング速度が不安定になりにくくなる。
【００５６】
また、酸の含有率は、２〜５ｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。この場合、酸の含有率が５ｍｏｌ／Ｌを超える場合に比べて、レジスト層５の破損や、酸の飛散によるロスが発生しにくくなる。ここで、レジスト層５の破損とは、レジスト層５が酸によって変形（あるいは一部溶解）してしまいレジスト層５の形状が保たれないことを言い、酸の飛散によるロスとは、銅エッチング液に入れた酸の揮発が必要以上に起こり、エッチングの効率が悪くなることを言う。また、酸の含有率が２〜５ｍｏｌ／Ｌであると、酸の含有率が２ｍｏｌ／Ｌ未満である場合に比べて、エッチング速度がより大きくなる。
【００５７】
また、添加剤の含有率は、０．００３〜０．０１２ｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。この場合、添加剤の含有率が０．０１２ｍｏｌ／Ｌを超える場合に比べて、エッチング速度を向上させることができる。また、添加剤の含有率が０．００３〜０．０１２ｍｏｌ／Ｌであると、添加剤の含有率が０．００３ｍｏｌ／Ｌ未満である場合に比べて、アンダーカット現象をより十分に抑制できる。
【００５８】
（その他の成分）
上記銅エッチング液は、水などをさらに含んでいてもよい。
【００５９】
本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、銅エッチング液が、回路配線基板１００の製造方法において構造体１０の金属層４の露出部４ａをエッチングするために使用されているが、銅エッチング液は必ずしも回路配線基板１００の製造にのみ用いられるものではなく、セミアディティブ法においてシード層をエッチングする場合にも適用可能である。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００６１】
（実施例１〜２及び比較例１〜５）
塩化銅、塩酸、水、表１に示す添加剤を混合し、銅エッチング液を得た。このとき、銅エッチング液中の塩化銅及び塩酸の濃度はそれぞれ２．０ｍｏｌ／Ｌ、３．５ｍｏｌ／Ｌであり、銅エッチング液中の添加剤の濃度（単位：ｍｏｌ／Ｌ）は表１及び表２に示す通りとした。ここで、塩化銅及び添加剤の構成成分としては、具体的には以下のものを使用した。
（１）塩化銅
商品名「塩化銅二水和物」、純正化学社製
（２）添加剤の構成成分
（２−１）ラウレス硫酸Ｎａ
商品名「シノリンＳＰＥ−１３５０」、花王社製
（２−２）ドデシル硫酸Ｎａ
商品名「ドデシル硫酸Ｎａ」、純正化学社製
（２−３）ＢＴＡ（１，２，３−ベンゾトリアゾール）
商品名「１，２，３−ベンゾトリアゾール」、純正化学社製
（２−４）グリセリン
商品名「グリセリン」、純正化学社製
（２−５）エチレングリコール
商品名「エチレングリコール」、純正化学社製
【００６２】
一方、３層ＣＣＬを用意した。ここで、３層ＣＣＬとしては、基板と、銅箔と、基板と銅箔とを接着する接着剤層とで構成されたものを用意した。具体的には、３層ＣＣＬとして、基板とＣＣＬが接着剤によって接着された新日鉄住金化学（株）製のＭＣ１８−２５−００ＣＥＭを用いた。
【００６３】
次いで、３層ＣＣＬの銅箔の上に、レジスト材料（商品名「ドライフィルム  ２０２Ｊ３０」、ニチゴーモートン社製）を熱で吸着させてレジスト層を形成した。続いて、レジスト層に対して露光装置（製品名「ＥＸＭ−１２０」、オーク社製）を用いて露光を行い、銅箔の一部を露出させるように幅３０μｍの直線状の開口パターンを１００本形成した。こうして構造体を得た。
【００６４】
次に、この構造体に対してレジスト層側から、上記のようにして得た銅エッチング液をスプレー状に吹き付け、金属層の露出部分に凹部を形成し、基板上に回路配線を形成した。このとき、銅エッチング液の圧力は０．１ＭＰａとし、流量は２５Ｌ／ｍｉｎとした。
【００６５】
最後に、レジスト層を３質量％水酸化ナトリウム水溶液（純正化学社製）により除去した。こうして回路配線基板を得た。得られた回路配線基板においては、基板上に接着剤層を介して１０１本の回路配線が形成されていた。
【００６６】
［特性評価］
（１）エッチング時間
実施例１〜２及び比較例１〜５の銅エッチング液を用いて回路配線基板を作製する際のレジスト層の側面からのオーバーエッチ量が３μｍとなるまでの時間をエッチング時間として求めた。結果を表１に示す。
【００６７】
なお、オーバーエッチ量は、具体的には、基板の表面に垂直な第１仮想面であって、レジスト層の側面を面内に含む第１仮想面と、基板の表面に垂直な第２仮想面であって、回路配線のボトム部の両側縁部のうちより第１仮想面に近い側の側縁部を通る第２仮想面との間の距離を言う。ここで、エッチング時間はエッチング速度の指標となるものである。特に、エッチング時間は、ボトム部がエッチングされやすいかどうかの指標となるものである。
【００６８】
（２）エッチングファクタ（Ｅ．Ｆ．）
次に、実施例１〜２及び比較例１〜５の銅エッチング液を用いて上記のようにして得られた回路配線基板をエポキシ樹脂中に埋め込んでエポキシ樹脂付き回路配線基板を作製した。そして、このエポキシ樹脂付き回路配線基板に対して研磨を行うことにより回路配線の長手方向に垂直な断面を露出させてその断面の形状を観察した。そして、回路配線のボトム部の幅ｂ（μｍ）と、回路配線のトップ部の幅ａと、回路配線の厚さｔ（μｍ）とから、下記式：
Ｅ．Ｆ．＝０．５ｔ／（ｂ−ａ）
に基づいてＥ．Ｆ．を算出した。結果を表１に示す。
【００６９】
（３）合格基準
エッチング時間およびＥ．Ｆ．の合格基準はそれぞれ以下の通りとした。
・エッチング時間：６０秒以下
・Ｅ．Ｆ．：４．０以上
【００７０】
【表１】
2016003348.tif 000002
【００７１】
表１に示す結果より、実施例１〜２は、エッチング時間及びＥ．Ｆ．のいずれについても合格基準を満たしていた。これに対し、比較例１〜５は、エッチング時間、又は、Ｅ．Ｆ．の少なくとも一方の点で合格基準を満たさなかった。
【００７２】
以上より、本発明の回路配線基板製造用銅エッチング液によれば、回路配線におけるアンダーカット現象を十分に抑制でき、エッチング速度を向上させることができることが確認された。
【符号の説明】
【００７３】
１…基板
２…回路配線
３…接着剤層
４…金属層
５…レジスト層
５ａ…開口パターン
６…凹部
１０…構造体
１００…回路配線基板
【図１】
2016003348.tif 000003
【図２】
2016003348.tif 000004
【図３】
2016003348.tif 000005