(57)【要約】【課題】高い光出力を実現可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、導電性を有する基板と、第１半導体層と、前記基板と、第１半導体層と、の間に設けられた第２半導体層と、第１半導体層と、第２半導体層と、の間に設けられた発光層と、第１半導体層の発光層とは反対側の表面に設けられた第１電極と、第１半導体層の表面に設けられ第１電極と接続された第１電極パッドと、第２電極と、第２電極パッドと、第３電極と、を備える。第２電極は、基板と、第２半導体層と、の間に設けられるとともに、第２半導体層、発光層および第１半導体層で覆われていない領域を有する。第２電極パッドは、第２電極の領域に設けられ第２電極と接続され、第１電極パッドよりも面積が小さい。第３電極は、基板の第２電極とは反対側の表面に設けられている。【選択図】図１
2016062911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する基板と、
第１半導体層と、
前記基板と、前記第１半導体層と、の間に設けられた第２半導体層と、
前記第１半導体層と、前記第２半導体層と、の間に設けられた発光層と、
前記第１半導体層の前記発光層とは反対側の表面に設けられた第１電極と、
前記第１半導体層の前記表面に設けられ前記第１電極と接続された第１電極パッドと、
前記基板と、前記第２半導体層と、の間に設けられるとともに、前記第２半導体層、前記発光層および前記第１半導体層で覆われていない領域を有する第２電極と、
前記第２電極の前記領域に設けられ前記第２電極と接続され、前記第１電極パッドよりも面積が小さい第２電極パッドと、
前記基板の前記第２電極とは反対側の表面に設けられ、前記第２電極パッドと電気的に接続された第３電極と、
を備えた半導体発光装置。
【請求項２】
前記基板と、前記第２電極と、の間に設けられた金属層をさらに備えた請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第２半導体層と、前記第２電極と、の間であって、前記第１半導体層から前記基板の方向に見て前記第１電極および前記第１電極パッドに重なる領域に設けられ、前記第２半導体層よりも抵抗が高い高抵抗領域をさらに備えた請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１半導体層から前記基板の方向に見て、前記高抵抗領域の幅は、前記第１電極の幅および前記第１電極パッドの幅よりも大きい請求項３記載の半導体発光装置。
【請求項５】
支持体と、
前記支持体に設けられ、前記第３電極が接合された第１リードと、
前記第１リードに対して離間して、前記支持体に設けられた第２リードと、
前記第１電極パッドと前記第２リードとの間に接続された第１ワイヤと、
をさらに備えた請求項１〜４のいずれか１つに半導体発光装置。
【請求項６】
前記第１半導体層、前記発光層および前記第２半導体層を覆う樹脂層をさらに備えた請求項５記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第２電極パッドにはワイヤがボンディングされず、前記第２電極パッドの全表面が前記樹脂層で覆われている請求項６記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記第２電極パッドと前記第１リードとの間に接続された第２ワイヤをさらに備えた請求項５または６に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記樹脂層中に分散された複数の粒子状の蛍光体をさらに備えた請求項６〜８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光層のない領域にワイヤボンディングのための電極パッドを設けた構造の発光素子においては、その電極パッドの分、発光領域が小さくなる。そのため、光出力を向上させる施策として発光領域の有効活用が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１８６１９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、高い光出力を実現可能な半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、半導体発光装置は、導電性を有する基板と、第１半導体層と、前記基板と、前記第１半導体層と、の間に設けられた第２半導体層と、前記第１半導体層と、前記第２半導体層と、の間に設けられた発光層と、前記第１半導体層の前記発光層とは反対側の表面に設けられた第１電極と、前記第１半導体層の前記表面に設けられ前記第１電極と接続された第１電極パッドと、第２電極と、第２電極パッドと、第３電極と、を備える。前記第２電極は、前記基板と、前記第２半導体層と、の間に設けられるとともに、前記第２半導体層、前記発光層および前記第１半導体層で覆われていない領域を有する。前記第２電極パッドは、前記第２電極の前記領域に設けられ前記第２電極と接続され、前記第１電極パッドよりも面積が小さい。前記第３電極は、前記基板の前記第２電極とは反対側の表面に設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図２】実施形態の半導体発光装置の模式平面図。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、他の実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
【０００８】
図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施形態の半導体発光装置の模式断面図である。  
図２は、実施形態の半導体発光装置の模式平面図である。なお、図１（ａ）は、図２におけるＡ−Ａ’の断面図を示し、図１（ｂ）は、図２におけるＢ−Ｂ’の断面図を示す。
【０００９】
実施形態の半導体発光装置は、半導体チップ１１０を有する。半導体チップ１１０は、基板１０と、第１半導体層１１と、第２半導体層１２と、発光層２０と、第１電極３１と、第２電極３２と、第３電極３３と、第１電極パッド４１と、第２電極パッド４２とを有する。
【００１０】
基板１０は、導電性を有する。基板１０は、例えば不純物がドープされたシリコン基板である。基板１０の上には、第１半導体層１１が設けられている。基板１０と第１半導体層１１との間には、第２半導体層１２が設けられている。第１半導体層１１と、第２半導体層１２との間には、発光層２０が設けられている。第１半導体層１１、第２半導体層１２、および発光層２０は、例えば窒化物半導体を含む。例えば、第１半導体層１１はｎ形ＧａＮを含み、第２半導体層１２はｐ形ＧａＮを含む。発光層２０は、青、紫、青紫、紫外光などを発光する材料を含む。発光層２０の発光ピーク波長は、例えば、４３０〜４７０ｎｍである。
【００１１】
第１半導体層１１の発光層２０とは反対側の表面には、第１電極３１および第１電極パッド４１のそれぞれが設けられている。第１電極パッド４１は、半導体チップ１１０の外部と電気的に接続可能である。第１電極３１は、例えばｎ側電極であり、外部回路のカソード端子と電気的に接続される。
【００１２】
図２に示すように、第１電極３１および第１電極パッド４１は、第１半導体層１１の上面に設けられている。第１電極３１は、第１電極パッド４１と接続され、第１半導体層１１の上面で複数方向に延在している。第１電極３１の延在方向および本数は任意である。
【００１３】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、基板１０と、第２半導体層１２との間には、第２電極３２が設けられている。第２電極３２は、第２半導体層１２と接し、第２半導体層１２と電気的に接続されている。第２電極３２は、基板１０と電気的に接続されている。第２電極３２は、例えばｐ側電極であり、外部回路のアノード端子と電気的に接続される。
【００１４】
第２電極３２は、第２半導体層１２、発光層２０および第１半導体層１１で覆われていない領域を有し、その領域には、第２電極パッド４２が設けられている。第２電極パッド４２は、第２電極３２と電気的に接続されている。第２電極パッド４２は、半導体チップ１１０の外部と電気的に接続可能である。
【００１５】
図２に示すように、半導体チップ１１０の平面外形形状は例えば四角形に形成され、第２電極パッド４２は、その四角形の隅（半導体チップ１１０の上面の端部）に設けられている。第２電極パッド４２の面積は、第１電極パッド４１の面積よりも小さい。なお、ここでの「面積」とは、第１半導体層１１から第２半導体層１２に向かって見たときの面積（図２の平面視での面積）を示す。
【００１６】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、基板１０の第２電極３２とは反対側の表面には、第３電極３３が設けられている。第３電極３３は、第２電極３２と同様に、例えばｐ側電極であり、外部回路のアノード端子と電気的に接続される。
【００１７】
第３電極３３は、基板１０、接合金属６０および第２電極３２を介して第２半導体層１２および第２電極パッド４２のそれぞれと電気的に接続されている。第３電極３３は、半導体チップ１１０の外部と電気的に接続可能である。第２半導体層１２は、第２電極パッド４２および第３電極３３の少なくともいずれかを通じて外部と電気的に接続可能である。
【００１８】
本実施形態によれば、実装時において、第１電極パッド４１がカソード端子に接続され、第３電極３３がアノード端子に接続される。また、第２電極パッド４２は、特性検査用の測定端子として用いられる。第１電極パッド４１に接触させた測定用プローブと、第２電極パッド４２に接触させた測定用プローブとを通じて発光層２０に電流を供給して、発光層２０を発光させ、各種検査を行う。このとき、半導体チップ１１０の表裏面のパッド４１、３３にプローブを接触させるよりも、同じ面側のパッド４１、４２にプローブを接触させる方が、検査に要する時間を１／１０〜１／３に短縮できる。
【００１９】
実際の使用時には、第１電極パッド４１と第３電極３３とを通じて発光層２０に電流が供給される。第２電極パッド４２には、ワイヤはボンディングされない。これにより、第２電極パッド４２の面積は、プローブを用いた特性検査が可能となる最小限の大きさまで縮小することができる。そのため、ワイヤのボンディングパッドとして第２電極パッド４２を用いたときよりも、第２電極パッド４２の面積を大幅に縮小することが可能である。
【００２０】
ワイヤのボンディングパッドには、ワイヤ（例えばＡｕワイヤ）を適切な接合強度および接合面積でボディングするためのある程度の面積が必要となる。同じチップサイズとした場合、発光層２０のない領域のボンディングパッドの面積が大きくなると、相対的に発光層２０の面積が小さくなり、光出力が低下する。
【００２１】
これに対し、本実施形態によれば、第２電極パッド４２は測定用のため面積を縮小することが可能である。これにより、発光領域の有効活用ができ、発光層２０の面積を半導体チップ１１０の面積と同等の大きさまで拡大することが可能である。すなわち高い光出力を実現することが可能である。
【００２２】
上記に加え、特性検査用として第２電極パッド４２を設けることにより、特性検査に費やす時間を大幅に短縮することが可能である。例えば、第１電極パッド４１と、第３電極３３とを用いて特性検査を実施する。このとき、第１電極パッド４１および第３電極３３のそれぞれは、互いに反対方向の面に設けられている。そのため、特性検査をするときに、半導体チップ１１０を動かす等の作業が時間を浪費させる原因となり得る。
【００２３】
これに対し、本実施形態によれば、第１電極パッド４１と、第２電極パッド４２とを用いて特性検査を実施する。第１電極パッド４１および第２電極パッド４２のそれぞれは、同一方向の面に設けられているため、短時間で特性検査を行うことが可能である。
【００２４】
基板１０と第２電極３２との間には、例えば接合金属（金属層）６０が設けられている。接合金属６０は、基板１０および第２電極３２のそれぞれと接し電気的に接続されている。これにより、上述した第２電極パッド４２が設けられて発光層２０の面積が拡大された場合においても、接合金属６０を介して第２電極３２に電流を均一に供給することができ、光特性を向上することが可能である。
【００２５】
第２半導体層１２と、第２電極３２との間には、高抵抗領域７０（電流阻止領域）が設けられている。高抵抗領域７０は、例えば第２半導体層１２の表面が酸化することにより形成される。高抵抗領域７０の抵抗は、第２半導体層１２の抵抗よりも高い。すなわち、高抵抗領域７０は、第２半導体層１２よりも電流が流れ難い。
【００２６】
ここで、第１半導体層１１から基板１０の方向に見て、第１電極３１および第１電極パッド４１のそれぞれと、第２半導体層１２の表面との重なる部分を第１領域Ｐ１とする。第１電極３１および第１電極パッド４１のそれぞれと、第２半導体層１２の表面との重ならない部分を第２領域Ｐ２とする。高抵抗領域７０は、第１領域Ｐ１の全領域および第２領域Ｐ２の一部の領域に接して設けられている。
【００２７】
例えば、発光層２０から放出される光は、第１半導体層１１を介して外部に取り出すことができる。それに対し、第１電極３１および第１電極パッド４１のそれぞれは、光を透過しない。そのため、第１電極３１および第１電極パッド４１のそれぞれに向かって放出される光は、外部に取り出すことができない。
【００２８】
本実施形態によれば、第１領域Ｐ１上に高抵抗領域７０が設けられる。これにより、高抵抗領域７０上の第２半導体層１２に供給される電流を制限できる。そのため、第１電極３１および第１電極パッド４１のそれぞれに向かって放出される光を抑制することができる。
【００２９】
上記に加え、高抵抗領域７０が設けられていない第２領域Ｐ２上において、第２半導体層１２に供給される電流が増加する。そのため、第１電極３１および第１電極パッド４１が設けられていない領域における発光の割合が増加し、発光層２０から放出される光の取出し効率を向上させることが可能である。これにより、上述した第２電極パッド４２が設けられ、発光層２０の面積の拡大に伴い第１電極が増加した場合においても、光の取り出し効率の低下を抑制することが可能である。
【００３０】
さらに、高抵抗領域７０を第１領域Ｐ１に加えて第２領域Ｐ２に広げることにより、発光に寄与する電流の拡がりを均等にすることが可能となる。これにより、第１電極３１および第１電極パッド４１のそれぞれに向かって放出される光をさらに抑制することができ、光の取出し効率を向上させることが可能である。
【００３１】
例えば、図２に示すように、高抵抗領域７０は、第１領域Ｐ１の幅よりも２０μｍ大きい幅で設けられている。すなわち、高抵抗領域７０の幅は、第１電極３１および第１電極パッドのそれぞれの幅よりも２０μｍ大きい。これにより、動作電圧を増加することなく光特性を向上することが可能である。
【００３２】
以上より、本実施形態によれば、発光領域の有効活用が可能であり、高い光出力を有する半導体発光装置を提供することが可能である。
【００３３】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、他の実施形態の半導体発光装置の模式断面図である。
【００３４】
半導体発光装置２００は、半導体チップ１１０と、支持体８０と、樹脂層９０とを有する。半導体チップ１１０は、上述した実施形態と同様のため、説明を省略する。
【００３５】
支持体８０は、半導体チップ１１０の下面及び側面を囲むように設けられている。支持体８０は、リード部８１、８２（第２リード、第１リード）とを有する。
【００３６】
半導体チップ１１０の側面と、支持体８０との間には、樹脂層９０が設けられている。樹脂層９０は、半導体チップ１１０（第１半導体層１１、第２半導体層１２および発光層２０）の側面および上面を覆っている。樹脂層９０は、支持体８０に囲まれている。樹脂層９０の中には、例えば分散された複数の粒子状の蛍光体９１が設けられている。
【００３７】
図３（ｂ）に示すように、リード部８１、８２は、それぞれ内部リード部８１ｒ、８２ｒと、外部リード部８１ｏ、８２ｏとを有する。
内部リード部８１ｒは、ワイヤ８１ｉ（第１ワイヤ）を介して第１電極パッド４１と電気的に接続されている。内部リード部８２ｒは、半導体チップ１１０の第３電極３３と電気的に接続されている。
【００３８】
これにより、上述した実施形態と同様に、第２電極パッド４２を特性検査に用いることができ、特性検査を容易にすることが可能となる。それに加え、第２電極パッド４２の面積を特性検査用に小さく形成でき、発光層２０の面積を大きくすることが可能である。第２電極パッド４２にはワイヤがボンディングされず、第２電極パッド４２の全表面が樹脂層９０で覆われている。これにより、特性検査実施後において不要となった第２電極パッド４２に起因する光特性の悪化を防止することが可能である。
【００３９】
あるいは、図３（ａ）に示すように、リード部８２は、例えばワイヤ８２ｉ（第２ワイヤ）を介して第２電極パッド４２と電気的に接続されている。このとき、第３電極３３は、内部リード部８２ｒと電気的に接続されていなくてもよい。すなわち、リード部８２は、第２電極パッド４２および第３電極３３の少なくともいずれかと電気的に接続され、接続場所を任意に選択することが可能である。接続場所を任意に選択した場合においても、上述した実施形態と同様に、高い光出力を実現することが可能である。
【００４０】
半導体チップ１１０の第２電極パッド４２は、例えば２つ以上設けられていてもよい。そのとき、１つの第２電極パッド４２は、図３（ａ）に示すように、ワイヤ８２ｉを介してリード部８２と電気的に接続されている。それに対し、その他の第２電極パッド４２（第２電極端子）は、図３（ｂ）に示すように、ワイヤ８２ｉと接続されず、樹脂層９０に完全に覆われている。これにより、樹脂層９０を形成する前において、１つの第２電極パッド４２とワイヤ８２ｉとを形成した状態で、特性検査を容易に実施することが可能となる。
【００４１】
本実施形態によれば、樹脂層９０が設けられ、樹脂層９０の中には、蛍光体９１が設けられている。これにより、上述した第２電極パッド４２が設けられて発光層２０の面積が拡大された場合においても、放射される光の色度ばらつきを低減することが可能である。
【００４２】
以上より、本実施形態によれば、発光領域の有効活用が可能であり、高い光出力を実現する半導体発光装置を提供することが可能である。
【００４３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４４】
１０…基板、  １１，１２…第１，第２半導体層、  ２０…発光層、  ３１〜３３…第１〜第３電極、  ４１，４２…第１，第２電極パッド、  ６０…接合金属、  ７０…高抵抗領域、  ８０…支持体、  ８１，８２…リード部、  ８１ｉ，８２ｉ…ワイヤ、  ８１ｏ，８２ｏ…外部リード部、  ８１ｒ，８２ｒ…内部リード部、  ９０…樹脂層、  ９１…蛍光体、  ２００…半導体発光装置、  １１０…半導体チップ、  Ｐ１…第１領域、  Ｐ２…第２領域
【図１】
2016062911.tif 000003
【図２】
2016062911.tif 000004
【図３】
2016062911.tif 000005