(57)【要約】【課題】配線パターンの精細度を向上することが可能な配線基板及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本実施形態の配線基板１０では、配線パターン１２が形成されているコア基板１１及びパターン形成絶縁層２２の上に、配線パターン１２を被覆する被覆絶縁層２１が配されている。配線パターン１２同士を接続するためのビア導体２４は、被覆絶縁層２１とその下のコア基板１１又はパターン形成絶縁層２２とを貫通するビアホール２４Ｈにメッキが充填されてなる。また、配線パターン１２は、銅箔をエッチングすることにより構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが積層されている複数層の支持絶縁層と、
前記支持絶縁層同士の間に挟まれて下側の前記支持絶縁層の前記配線パターンを被覆し、上面に配線パターンが積層されていない被覆絶縁層と、
前記被覆絶縁層とその下の前記支持絶縁層とを貫通する貫通孔にメッキが充填されてなり、前記支持絶縁層の表裏の配線パターン同士を接続する貫通導体と、を備える配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記配線パターンが金属箔製である。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線基板であって、
複数の前記被覆絶縁層が前記支持絶縁層と交互に配置されている。
【請求項４】
請求項３に記載の配線基板であって、
前記貫通導体として、下側の別の前記貫通導体上にスタックしている第１貫通導体を有する。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記貫通導体として、前記被覆絶縁層とその下の前記支持絶縁層とに加えてさらにその下の前記被覆絶縁層を貫通して、下側の前記配線パターンに接続している第２貫通導体を有する。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
複数の前記支持絶縁層のうちの中央の１つが、表裏の両面に金属箔製の配線パターンが積層されているコア基板とされ、そのコア基板の表裏の両面上に前記被覆絶縁層と前記支持絶縁層とが交互に積層され、
前記貫通導体として、前記コア基板の表裏の一方を覆う前記被覆絶縁層と前記コア基板とを貫通して前記コア基板の表裏の他方の配線パターンに接続している第３貫通導体を有する。
【請求項７】
請求項６に記載の配線基板であって、
前記コア基板の表裏の一方の前記被覆絶縁層の上に積層される前記支持絶縁層と、さらにその上に積層される前記被覆絶縁層とを貫通する前記貫通導体を有し、その貫通導体が、前記コア基板及びその表裏の一方の前記被覆絶縁層を貫通している前記貫通導体上にスタックし、
前記コア基板の表裏の他方の前記被覆絶縁層と、その上に積層される支持絶縁層と、さらにその上に積層される被覆絶縁層とを貫通する前記貫通導体を有し、その貫通導体が、前記コア基板の表裏の他方の配線パターンに接続している。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記被覆絶縁層に覆われている前記配線パターンの上面に、その前記被覆絶縁層とその下の前記支持絶縁層とを貫通する前記貫通導体が接続している。
【請求項９】
請求項８に記載の配線基板であって、
前記被覆絶縁層に覆われている前記配線パターンには、リング状をなし、前記貫通導体が内側を貫通すると共に上面に接続しているリング接続部が備えられている。
【請求項１０】
請求項８に記載の配線基板であって、
前記被覆絶縁層に覆われている前記配線パターンには、円弧状をなしかつその上面に前記貫通導体が接続している円弧接続部が備えられている。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記支持絶縁層は、前記被覆絶縁層よりも厚い。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記貫通導体の上面は、前記被覆絶縁層の上面よりも窪んでいる。
【請求項１３】
配線パターンが積層されている複数層の支持絶縁層を準備することと、
上面に配線パターンが積層されていない被覆絶縁層を前記支持絶縁層同士の間に配置して、その被覆絶縁層の下側の前記支持絶縁層の前記配線パターンを被覆することと、
前記被覆絶縁層とその下の前記支持絶縁層とを貫通する貫通孔を形成することと、
前記貫通孔にメッキを充填して貫通導体を形成し、前記支持絶縁層の表裏の配線パターン同士を接続することと、を含む配線基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の配線基板の製造方法であって、
金属箔をエッチングすることにより前記配線パターンを形成する。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の配線基板の製造方法であって、
複数の前記被覆絶縁層を前記支持絶縁層と交互に配置し、
前記貫通導体として、下側の別の前記貫通導体上にスタックしている第１貫通導体を設ける。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５の何れか１の請求項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記貫通導体として、前記被覆絶縁層とその下の前記支持絶縁層とに加えてさらにその下の前記被覆絶縁層を貫通して、下側の前記配線パターンと接続している第２貫通導体を設ける。
【請求項１７】
請求項１３乃至１６の何れか１の請求項に記載の配線基板の製造方法であって、
複数の前記支持絶縁層のうちの中央の１つを、表裏の両面に金属箔製の配線パターンが積層されているコア基板とし、そのコア基板の表裏の両面上に前記被覆絶縁層と前記支持絶縁層とを交互に積層し、
前記貫通導体として、前記コア基板の表裏の一方を覆う前記被覆絶縁層と前記コア基板とを貫通して前記コア基板の表裏の他方の配線パターンに接続している第３貫通導体を設ける。
【請求項１８】
請求項１３乃至１７のいずれか１の請求項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記配線パターンに、リング状をなしているリング接続部を設けることと、
前記貫通孔を形成する際に、前記リング接続部を覆う前記被覆絶縁層側から、前記リング接続部をマスクとしてレーザ照射することと、を行う。
【請求項１９】
請求項１３乃至１７のいずれか１の請求項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記配線パターンに、円弧状をなしている円弧接続部を設けることと、
前記貫通孔を形成する際に、前記円弧接続部を覆う前記被覆絶縁層側から、前記円弧接続部をマスクとしてレーザ照射することと、を行う。
【請求項２０】
請求項１３乃至１９のいずれか１の請求項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記貫通導体の上面を、エッチングにより前記被覆絶縁層の上面よりも窪ませる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンが積層されている絶縁層を複数層有する配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の配線基板では、電解メッキ処理により、配線パターンと、上下の配線パターンを接続するビア導体とが同時に形成される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２１１４００号（段落［００２７］、［００２８］、図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来の配線基板においては、配線パターンの形成が、ビア導体の形成の影響を受けてしまうため、配線パターンの厚さを任意に設定することが困難となり、配線パターンの設計の自由度が乏しくなると考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、配線パターンの設計の自由度を向上することが可能な配線基板及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためなされた請求項１に係る発明は、配線パターンが積層されている複数層の支持絶縁層と、前記支持絶縁層同士の間に挟まれて下側の前記支持絶縁層の前記配線パターンを被覆し、上面に配線パターンが積層されていない被覆絶縁層と、前記被覆絶縁層とその下の前記支持絶縁層とを貫通する貫通孔にメッキが充填されてなり、前記支持絶縁層の表裏の配線パターン同士を接続する貫通導体と、を備える配線基板である。なお、ここでいう「支持絶縁層の表裏の配線パターン」とは、必ずしも支持絶縁層の表裏面に接している配線パターンのみを指すのではなく、支持絶縁層の表側に位置している配線パターンや支持絶縁層の裏側に位置している配線パターンを含んでいる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板の側断面図
【図２】第１ビア導体周辺の拡大側断面図
【図３】（Ａ）図１のＡ−Ａ切断面における配線基板の平断面図、（Ｂ）図１のＢ−Ｂ切断面における配線基板の平断面図
【図４】第２ビア導体周辺の拡大側断面図
【図５】第３ビア導体周辺の拡大側断面図
【図６】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図７】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図８】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図９】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図１０】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図１１】配線基板の製造工程を示す側断面図
【図１２】変形例に係る配線基板のスルーホール導体の拡大側断面図
【図１３】変形例に係る配線基板の平断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図１１に基づいて説明する。図１に示すように、本実施形態の配線基板１０は、絶縁性部材からなるコア基板１１の表裏の両面上にビルドアップ層２０，２０を積層してなる。なお、この明細書中において、単に「上」側というときは、コア基板１１を基準としてビルドアップ層２０，２０が積層されていく側を指す。つまり、コア基板１１の表側の面であるＦ面１１Ｆでは「上」側が図１における上方となり、コア基板１１の裏側の面であるＳ面１１Ｓでは「上」側が図１における下方となる。
【０００９】
コア基板１１には、Ｆ面１１ＦとＳ面１１Ｓとに、銅箔がエッチングされてなる配線パターン１２が積層されている。また、各ビルドアップ層２０には、上面に配線パターン１２が積層されているパターン形成絶縁層２２が２層ずつ含まれている。パターン形成絶縁層２２は例えばプリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）であって、その片面に積層されている銅箔をエッチングすることによりパターン形成絶縁層２２上の配線パターン１２が形成される。なお、配線パターン１２は銅箔のみからなり、メッキは施されていない。また、パターン形成絶縁層２２とコア基板１１とが本発明の「支持絶縁層」に相当する。
【００１０】
各ビルドアップ層２０には、コア基板１１又はパターン形成絶縁層２２に重ねて被覆絶縁層２１が設けられている。被覆絶縁層２１は、被覆絶縁層２１の上面に配線パターンが積層されていない絶縁層であって、例えばボンディングシート（心材に樹脂を塗布してなるＢステージの樹脂シート）からなり、その厚さがパターン形成絶縁層２２の厚さの約１／３〜１／４になっている。そして、被覆絶縁層２１は、コア基板１１とパターン形成絶縁層２２との間、パターン形成絶縁層２２同士の間及び、最も上方のパターン形成絶縁層２２の上に配置され、パターン形成絶縁層２２及びコア基板１１上の各配線パターン１２を被覆している。
【００１１】
ビルドアップ層２０の最上層の被覆絶縁層２１上には、ソルダーレジスト層２５が積層されている。ソルダーレジスト層２５には、複数のパッド用孔が形成され、パッド用孔から露出した導体がパッド２６になっている。
【００１２】
また、上下の配線パターン１２同士の間は、複数のビア導体２４（本発明の「貫通導体」に相当する）によって接続されている。これらビア導体２４には、下側のビア導体２４上にスタックしている第１ビア導体２４Ａ（本発明の「第１貫通導体」に相当する）と、下側の配線パターン１２の上面に接続する第２ビア導体２４Ｂ（本発明の「第２貫通導体」に相当する）と、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の配線パターン１２とＳ面１１Ｓ上の配線パターン１２とを接続する第３ビア導体２４Ｃ（本発明の「第３貫通導体」に相当する）との３種類がある。以下、配線パターン１２におけるビア導体２４との接続部分の形状と共に、これら第１、第２及び第３のビア導体２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃについて詳細を説明する。
【００１３】
図３（Ａ）には、図１におけるＡ−Ａ断面図、即ち、配線基板１０のうち配線パターン１２を含む面での断面図が示されている。同図に示すように、ビア導体２４により接続される上下の配線パターン１２，１２のうち上側の配線パターン１２では、ビア導体２４との接続部分が円環状のリング接続部１２Ｒとなっている。また、このリング接続部１２Ｒとリング接続部１２Ｒから延びる配線部分との接続部分には、外縁が鋭角にならないようにティアドロップ１２Ｄが形成されている。なお、図３においては、配線パターン１２及びビア導体２４の外方の被覆絶縁層２１は省略されている。
【００１４】
図２に示すように、第１ビア導体２４Ａは、被覆絶縁層２１とその下のパターン形成絶縁層２２とを貫通するビアホール２４Ｈ（本発明の「貫通孔」に相当する）内にメッキが充填されてなる。第１ビア導体２４Ａは、配線パターン１２のリング接続部１２Ｒ（図３（Ａ）参照）の内側を貫通して、リング接続部１２Ｒの円形の内縁エッジ１２Ｈからパターン形成絶縁層２２の下端までコア基板１１側に向かって徐々に縮径する円錐台部２４Ｅと、円錐台部２４Ｅの基端部に配され、リング接続部１２Ｒの内縁エッジ１２Ｈより外方に張り出したフランジ部２４Ｆとからなる（図３（Ｂ）（図１におけるＢ−Ｂ断面図）参照）。フランジ部２４Ｆの上面は、被覆絶縁層２１の上面から露出し、かつ被覆絶縁層２１の上面よりも僅かに窪んでいる（図示せず）。
【００１５】
そして、フランジ部２４Ｆの外縁部下面がリング接続部１２Ｒの上面に接続し、円錐台部２４Ｅの先端部がその下の被覆絶縁層２１から露出しているビア導体２４の上面に接続することで、第１ビア導体２４Ａが貫通しているパターン形成絶縁層２２の表裏の配線パターン１２，１２が接続される。なお、第１ビア導体２４Ａの円錐台部２４Ｅの外側面とリング接続部１２Ｒの内側面との間には被覆絶縁層２１が僅かに配されている。
【００１６】
図４に示すように、第２ビア導体２４Ｂは、被覆絶縁層２１とその下のパターン形成絶縁層２２とに加えてさらにその下の被覆絶縁層２１を貫通していて、その先端部が下側の配線パターン１２の上面に接続している。第２ビア導体２４Ｂのそれ以外の構造は第１ビア導体２４Ａの構造と同一である。
【００１７】
また、図３に示すように、配線パターン１２のうち第２ビア導体２４Ｂの先端部との接続部分は円板状の円板接続部１２Ｅとなっている。この円板接続部１２Ｅと円板接続部１２Ｅから延びる配線部分との接続部分にも、リング接続部１２Ｒの場合と同様にティアドロップ１２Ｄが形成されている。
【００１８】
図５に示すように、第３ビア導体２４Ｃは、コア基板１１とそのＦ面１１Ｆ側の被覆絶縁層２１とを貫通していて、コア基板１１の表裏の配線パターン１２，１２と接続している。第３ビア導体２４Ｃのそれ以外の構造は第１ビア導体２４Ａの構造と同一である。なお、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側の配線パターン１２のうちの第３ビア導体２４Ｃとの接続部分はリング接続部１２Ｒとなっていて、コア基板１１のＳ面１１Ｓ側の配線パターン１２のうちの第３ビア導体２４Ｃとの接続部分は円板接続部１２Ｅとなっている。
【００１９】
また、図１に示すように、本実施形態では、第３ビア導体２４Ｃ上に第１ビア導体２４Ａがスタックすると共に、第３ビア導体２４Ｃが接続しているＳ面１１Ｓ側の配線パターン１２の上面に第２ビア導体２４Ｂが接続していて、コア基板１１を貫通して表裏の両方にビア導体２４が直線状に並んでいる。
【００２０】
本実施形態の配線基板１０は、以下のようにして製造される。
（１）図６（Ａ）に示すように、コア基板１１としてエポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に、銅箔１１Ｃがラミネートされているものが用意される。
【００２１】
（２）図６（Ｂ）に示すように、銅箔１１Ｃ上に、所定パターンのエッチングレジスト３３が形成される。なお、コア基板１１上のうちビアホール２４Ｈが形成される予定の部分には、リング接続部１２Ｒや円板接続部１２Ｅが形成されるようにエッチングレジスト３３が形成される。
【００２２】
（３）図６（Ｃ）に示すように、エッチング処理により銅箔１１Ｃのエッチングレジスト３３から露出している部分がエッチングされる。
【００２３】
（４）エッチングレジスト３３が剥離され、図６（Ｄ）に示すように、残された銅箔１１Ｃにより配線パターン１２が形成される。このとき、配線パターン１２のうちビアホール２４Ｈが形成される予定の部分には、リング接続部１２Ｒや円板接続部１２Ｅが形成される。
【００２４】
（５）図６（Ｅ）に示すように、コア基板１１の表裏の面上の配線パターン１２，１２上に、被覆絶縁層２１，２１としてのボンディングシートと銅箔３７，３７とが積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の配線パターン１２，１２同士の間及びＳ面１１Ｓ上の配線パターン１２，１２同士の間がボンディングシートにて埋められる。
【００２５】
（６）コア基板１１のＦ面１１Ｆ側の銅箔３７の上方から例えばＣＯ２レーザが照射されて、図７（Ａ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側の被覆絶縁層２１とコア基板１１とを貫通するビアホール２４Ｈが形成される。レーザー照射は配線パターン１２のリング接続部１２Ｒをマスクとして行われ、ビアホール２４Ｈが、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の配線パターン１２のリング接続部１２Ｒ内に配置される。このとき、ビアホール２４Ｈがテーパー状に形成されるため、リング接続部１２Ｒの内側面に、被覆絶縁層２１が僅かに残っている。なお、リング接続部１２Ｒの内側面に、被覆絶縁層２１が残らないようにしてもよい。
【００２６】
なお、ボンディングシート上に積層される銅箔３７は、コア基板の銅箔１１Ｃや後述するプリプレグ上に積層される銅箔３４よりも薄く、ＣＯ２レーザは、ボンディングシート上の銅箔３７は通過するが、コア基板の銅箔１１Ｃやプリプレグ上に積層される銅箔３４は通過しない。また、ボンディングシート上の銅箔３７には、必要に応じて、黒化処理を行ってもよい。
【００２７】
（７）無電解メッキ処理が行われ、銅箔３７上とビアホール２４Ｈの内面とに無電解メッキ膜（図示せず）が形成される。
【００２８】
（８）電解メッキ処理が行われ、図７（Ｂ）に示すように、電解メッキがビアホール２４Ｈ内に充填されてビア導体２４（第３ビア導体２４Ｃ）が形成されると共に、銅箔３７上の無電解メッキ膜（図示せず）に電解メッキ膜３８が形成される。そして、Ｆ面１１Ｆ上の配線パターン１２とＳ面１１Ｓ上の配線パターン１２とがビア導体２４によって接続された状態になる。
【００２９】
（９）ハーフエッチング処理により被覆絶縁層２１上の電解メッキ膜３８、無電解メッキ膜（図示せず）及び銅箔３７が除去され、図７（Ｃ）に示すように、ビア導体２４が被覆絶縁層２１から露出する。なお、このハーフエッチング処理により、ビア導体２４の上面がオーバーエッチングされ、被覆絶縁層２１の上面より僅かに窪んだ形状となる。
【００３０】
（１０）図７（Ｄ）に示すように、コア基板１１の表裏の被覆絶縁層２１，２１上にパターン形成絶縁層２２，２２としてのプリプレグと銅箔３４，３４が積層されてから、加熱プレスされる。
【００３１】
（１１）上記した（２）〜（４）と同様の処理により、図８（Ａ）に示すように、コア基板１１の表裏のパターン形成絶縁層２２，２２上に配線パターン１２，１２が形成される。
【００３２】
（１２）上記した（５）と同様の処理により、図８（Ｂ）に示すように、コア基板１１の表裏のパターン形成絶縁層２２，２２上に、被覆絶縁層２１，２１としてのボンディングシートと銅箔３９，３９とが積層される
【００３３】
（１３）コア基板１１の表裏の銅箔３９，３９の上方から例えばＣＯ２レーザが照射されて、図８（Ｃ）に示すように、複数のビアホール２４Ｈが形成される。複数のビアホール２４Ｈの一部は、被覆絶縁層２１とその下のパターン形成絶縁層２２とを貫通してビア導体２４上に配置され、残りは被覆絶縁層２１とその下のパターン形成絶縁層２２とに加えてさらにその下の被覆絶縁層２１まで貫通して配線パターン１２の円板接続部１２Ｅ上に配置される。
【００３４】
（１４）上記した（７）〜（９）と同様の処理により、図９（Ａ）に示すように、複数のビア導体２４が形成される。複数のビア導体２４の一部は下側のビア導体２４上にスタックする第１ビア導体２４Ａとなり、残りは下側の配線パターン１２に接続する第２ビア導体２４Ｂとなる。
【００３５】
（１５）上記した（１０）〜（１４）と同様の処理により、図９（Ｂ）に示すように、さらに、パターン形成絶縁層２２，配線パターン１２，被覆絶縁層２１，ビア導体２４が形成される。
【００３６】
（１６）図１０（Ａ）に示すように、コア基板１１の表裏の最上層の被覆絶縁層２１上にソルダーレジスト層２５，２５が積層される。
【００３７】
（１７）図１１に示すように、コア基板１１の表裏のソルダーレジスト層２５，２５の所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成され、コア基板１１の表裏の最上層の配線パターン１２及びビア導体２４の上面のうちパッド用孔から露出した部分がパッド２６になる。なお、配線パターン１２にパッド２６が形成される場合、パッド用孔が最上層の被覆絶縁層２１も貫通するように形成される。
【００３８】
（１８）パッド２６上に、ニッケル層、金層の順に積層されて図１に示される金属膜４１が形成される。以上で配線基板１０が完成する。なお、金属膜４１の代わりに、ＯＳＰ（プリフラックス）による表面処理を行ってもよい。
【００３９】
本実施形態の配線基板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に配線基板１０の使用例と作用効果とを説明する。本実施形態の配線基板１０は、パッド２６上に、半田バンプ（図示せず）が形成されて、その上にＣＰＵ８０等が搭載されて半田付けされることで使用される。
【００４０】
ここで、上述したように、本実施形態の配線基板１０では、配線パターン１２が形成されているパターン形成絶縁層２２上に被覆絶縁層２１が重ねられ、その後、形成されたビアホール２４Ｈにメッキが充填されてビア導体２４となるため、配線パターン１２を任意に設定された厚さで予め形成しておくことができる。つまり、配線パターン１２の形成とビア導体２４の形成とが別工程になっているので、配線パターン１２とビア導体２４とが同時にメッキされる従来の構成よりも、配線パターン１２の形成がビア導体２４の形成による影響を受けにくくなり、配線パターン１２の設計の自由度を向上することができる。また、配線パターン１２が銅箔のエッチングにより形成されるため、配線パターン１２の厚さのばらつきが抑えられ、配線基板１０の平坦性が向上される。
【００４１】
さらに、メッキを施す箇所が従来よりも少なくなるため、メッキ時間を短縮することができる。また、配線パターン１２がメッキにより構成される場合には、メッキ液中の異物が配線パターン１２とパターン形成絶縁層２２との間又は配線パターン１２中に混入することが考えられるが、本実施形態の構成によれば、配線パターン１２に対する異物の混入が防がれる。
【００４２】
また、本実施形態では、電解メッキ処理後にハーフエッチング処理のみを行えばよいので、電解メッキ処理後の除去工程を少なくすることができる。ここで、従来の構成の場合、エッチング処理によって配線パターン１２まで一部エッチングされてしまう虞があるが、本実施形態によれば、配線パターン１２が被覆絶縁層２１により被覆されているのでそのような虞がなくなる。この点においても、配線パターン１２の形成がビア導体２４の形成により受ける影響を小さくすることができる。
【００４３】
また、本実施形態の配線基板１０では、ビア導体２４の上面が配線パターン１２の上面よりも上方に位置しているので、その上にビア導体２４が配される場合、ビア導体２４同士の接続の信頼性を向上することができる。
【００４４】
さらに、本実施形態では、ボンディングシートからなる被覆絶縁層２１により配線パターン１２が被覆されたのちにプリプレグからなるパターン形成絶縁層２２が積層されるので、ビルドアップ層２０の厚さのばらつきを抑えることができ、配線基板１０の平坦性が向上される。
［他の実施形態］
【００４５】
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００４６】
（１）上記実施形態では、コア基板１１を貫通する本発明の「貫通導体」が、Ｆ面１１Ｆ側のリング接続部１２ＲとＳ面１１Ｓ側の円板接続部１２Ｅとを接続するビア導体２４となっていたが、図１２に示すように、Ｆ面１１Ｆ側のリング接続部１２ＲとＳ面１１Ｓ側のリング接続部１２Ｒとを接続するスルーホール導体１５であってもよい。スルーホール導体１５は、コア基板１１のＦ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの両面からそれぞれ穿孔しかつ奥側に向かって徐々に縮径したテーパー孔１４Ａ，１４Ａの小径側端部を互いに連通させた中間括れ形状の貫通孔１４にメッキが充填されてなる。
【００４７】
（２）上記実施形態では、配線パターン１２におけるビア導体２４の上端部との接続部分がリング接続部１２Ｒとなっていたが、図１３に示すように、円弧状の円弧接続部１２Ｓであってもよい。この場合であっても、円弧接続部１２Ｓの上面にビア導体２４が接続しているので、接続の信頼性が保たれる。この構成によれば、配線パターン１２の精細度をより向上することができる。
【００４８】
（３）上記実施形態では、本発明の「金属箔」が銅製であったが、これに限られるものではなく、例えば、ニッケル製、チタン製等であってもよい。
【００４９】
（４）上記実施形態では、配線基板１０の全体で、本発明の「支持絶縁層」（コア基板１１及びパターン形成絶縁層２２）と被覆絶縁層２１とが交互に積層される構成であったが、「支持絶縁層」の間に挟まれる被覆絶縁層２１が１層でもあればよい。
【００５０】
（５）上記実施形態では、パターン形成絶縁層２２がプリプレグからなり、被覆絶縁層２１がボンディングシートからなる構成であったが、逆であってもよいし、パターン形成絶縁層２２と被覆絶縁層２１の両方がプリプレグ又はボンディングシートの一方からなる構成であってもよい。
【００５１】
（６）上記実施形態では、パターン形成絶縁層２２が被覆絶縁層２１よりも厚い構成であったが、被覆絶縁層２１の方が厚くてもよいし、パターン形成絶縁層２２と被覆絶縁層２１とが同じ厚さであってもよい。
【００５２】
（７）上記実施形態の配線基板１０には、第１ビア導体２４Ａと第２ビア導体２４Ｂと第３ビア導体２４Ｃとの３種類のビア導体２４が備えられていたが、備えられるビア導体２４の種類が１種類のみであってもよいし、２種類であってもよい。
【００５３】
（８）上記実施形態では、配線基板１０がコア基板１１を有していたが、配線基板１０はコアレス構造であってもよい。
【００５４】
（９）上記実施形態では、配線パターン１２が金属箔（銅箔）により構成されていたが、メッキにより構成されていてもよい。この場合、メッキにより形成された配線パターン１２の上に、被覆絶縁層２１が積層され、その後、ビア導体２４がメッキにより形成されることとなる。
【符号の説明】
【００５５】
１０    配線基板
１１    コア基板（支持絶縁層）
１１Ｃ    銅箔（金属箔）
１２    配線パターン
１２Ｒ    リング接続部
１２Ｓ    円弧接続部
２１    被覆絶縁層
２２    パターン形成絶縁層（支持絶縁層）
２４    ビア導体（貫通導体）
２４Ｈ    ビアホール（貫通孔）
３４    銅箔（金属箔）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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