(57)【要約】【課題】イネーブル信号分割回路を設けた場合でも、論理回路を構成するためのトランジスターの数を少なくすることができる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置の素子基板１０に形成されたデータ線駆動回路１０１において、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１、ＥＮＢｓ２が負論理のパルス信号であり、イネーブル信号分割回路１３０は、４つのＮＯＲ回路１３１のみによって正論理の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４を生成し、サンプリング信号出力回路１５０に出力する。サンプリング信号出力回路１５０は、正論理の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４と、シフトレジスタ１４０から出力された正論理の転送信号Ｐ１、Ｐ２によって正論理のサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４を生成する。【選択図】図４
2016197194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板の一方面側に、
複数のデータ線と、
前記複数のデータ線と交差する方向に延在する複数の走査線と、
前記データ線と前記走査線との各交差に対応して設けられた複数の画素と、
複数段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、
前記素子基板の端子を介して入力された第１イネーブル信号を分割して、前記転送信号のパルス幅より狭いパルス幅の複数系列の第２イネーブル信号を生成するイネーブル信号分割回路と、
複数系列毎の前記第２イネーブル信号に基づいて前記転送信号を整形して前記転送信号のパルス幅を前記第２イネーブル信号のパルス幅に制限したサンプリング信号として出力するサンプリング信号出力回路と、
前記サンプリング信号に基づいて画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリング回路と、
を有し、
前記第１イネーブル信号は、負論理のパルス信号であり、
前記イネーブル信号分割回路は、ＮＯＲ回路によって正論理の前記第２イネーブル信号を生成して前記サンプリング信号出力回路に出力することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記シフトレジスタは、正論理の前記転送信号を出力し、
前記サンプリング信号出力回路は、前記第２イネーブル信号および前記転送信号によって正論理の前記サンプリング信号を生成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
素子基板の一方面側に、
複数のデータ線と、
前記複数のデータ線と交差する方向に延在する複数の走査線と、
前記データ線と前記走査線との各交差に対応して設けられた複数の画素と、
複数段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、
前記素子基板の端子を介して入力された第１イネーブル信号を分割して、前記転送信号のパルス幅より狭いパルス幅の複数系列の第２イネーブル信号を生成するイネーブル信号分割回路と、
複数系列毎の前記第２イネーブル信号に基づいて前記転送信号を整形して前記転送信号のパルス幅を前記第２イネーブル信号のパルス幅に制限したサンプリング信号として出力するサンプリング信号出力回路と、
前記サンプリング信号に基づいて画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリング回路と、
を有し、
前記第１イネーブル信号は、正論理のパルス信号であり、
前記イネーブル信号分割回路は、ＮＡＮＤ回路によって負論理の前記第２イネーブル信号を生成して前記サンプリング信号出力回路に出力することを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記シフトレジスタは、負論理の前記転送信号を出力し、
前記サンプリング信号出力回路は、前記第２イネーブル信号および前記転送信号によって正論理の前記サンプリング信号を生成することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記サンプリング信号出力回路は、前記第２イネーブル信号および前記転送信号が入力される第１ＮＯＲ回路と、前記第１ＮＯＲ回路の出力信号および正論理の制御信号が入力される第２ＮＯＲ回路と、を備えていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板上にイネーブル信号分割回路が設けられた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置では、素子基板の一方面側に、複数のデータ線と、複数のデータ線と交差する方向に延在する複数の走査線と、データ線と走査線との交差に対応して設けられた複数の画素とが構成されている。かかる電気光学装置において、データ線には、データ線駆動回路から出力されたサンプリング信号に基づいて、サンプリング回路が画像信号をサンプリングしてデータ線に供給する。
【０００３】
かかる電気光学装置においては、図１０に示すように、素子基板１０にイネーブル信号分割回路１３０を設けることが提案されている。図１０および図１１に示すように、イネーブル信号分割回路１３０は、ＮＡＮＤ回路１３８およびＮＯＴ回路１３９（インバーター）によって、選択回路１２０を介して入力された各系列の正論理の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１、ＥＮＢｓ２を系列毎に分割し、シフトレジスタ１４０から出力される転送信号のパルス幅より狭いパルス幅を有する複数系列の正論理の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４を生成する。一方、ｎ本のデータ線に６相で画像信号を供給する場合、シフトレジスタ１４０は、スタートパルスＤＸ、クロック信号ＣＬＸ、および逆位相クロック信号ＣＬＸＩＮＶによって各段から正論理の転送信号Ｐ１、Ｐ２・・Ｐｎ／１２を出力する（特許文献１）。
【０００４】
従って、サンプリング信号出力回路１５０には、例えば、正論理の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４、および正論理の転送信号Ｐ１、Ｐ２が入力されるＮＡＮＤ回路１５８と、ＮＡＮＤ回路１５８の出力の反転信号、および正論理の制御信号ＮＲＧが入力されるＡＮＤ回路１５９とを設ける。その結果、制御信号ＮＲＧによって規定される所定の期間、正論理のサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・Ｑｎ／６を選択信号線１０９に出力することができる。ここで、制御信号ＮＲＧは、ＮＯＴ回路１５６によって反転してＡＮＤ回路１５９に入力される。また、ＡＮＤ回路１５９から出力されたサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・Ｑｎは、直列に接続された２つのＮＯＴ回路１５４、１５５を介してサンプリング回路に出力される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１８０９６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図１０に示す回路構成を採用した場合、イネーブル信号分割回路１３０を設けた分、論理回路を構成するためのトランジスターの数が増えるため、信号の遅延が発生する。その結果、サンプリング回路において、サンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・Ｑｎ／２と画像信号とのタイミングがずれてしまい、画像の品位が低下するという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、イネーブル信号分割回路を設けた場合でも、論理回路を構成するためのトランジスターの数を少なくすることができる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、素子基板の一方面側に、複数のデータ線と、前記複数のデータ線と交差する方向に延在する複数の走査線と、前記データ線と前記走査線との各交差に対応して設けられた複数の画素と、複数段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、前記素子基板の端子を介して入力された第１イネーブル信号を分割して、前記転送信号のパルス幅より狭いパルス幅の複数系列の第２イネーブル信号を生成するイネーブル信号分割回路と、複数系列毎の前記第２イネーブル信号に基づいて前記転送信号を整形して前記転送信号のパルス幅を前記第２イネーブル信号のパルス幅に制限したサンプリング信号として出力するサンプリング信号出力回路と、前記サンプリング信号に基づいて画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリング回路と、を有し、前記第１イネーブル信号は、負論理のパルス信号であり、前記イネーブル信号分割回路は、ＮＯＲ回路によって正論理の前記第２イネーブル信号を生成して前記サンプリング信号出力回路に出力することを特徴とする。
【０００９】
本発明において、第１イネーブル信号は、負論理のパルス信号であり、イネーブル信号分割回路は、ＮＯＲ回路によって正論理の第２イネーブル信号を生成し、サンプリング信号出力回路に出力する。このため、正論理の第１イネーブル信号を用い、イネーブル信号分割回路にＮＡＮＤ回路とＮＯＴ回路とを用いた場合に比して、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ないので、第２イネーブル信号やサンプリング信号における信号の遅延を抑制することができる。従って、サンプリング回路において、サンプリング信号と画像信号とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。また、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ないので、消費電力の低減を図ることができる。
【００１０】
この場合、前記シフトレジスタは、正論理の前記転送信号を出力し、前記サンプリング信号出力回路は、前記第２イネーブル信号および前記転送信号によって正論理の前記サンプリング信号を生成することが好ましい。
【００１１】
本発明に係る電気光学装置の別態様は、素子基板の一方面側に、複数のデータ線と、前記複数のデータ線と交差する方向に延在する複数の走査線と、前記データ線と前記走査線との各交差に対応して設けられた複数の画素と、複数段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、前記素子基板の端子を介して入力された第１イネーブル信号を分割して、前記転送信号のパルス幅より狭いパルス幅の複数系列の第２イネーブル信号を生成するイネーブル信号分割回路と、複数系列毎の前記第２イネーブル信号に基づいて前記転送信号を整形して前記転送信号のパルス幅を前記第２イネーブル信号のパルス幅に制限したサンプリング信号として出力するサンプリング信号出力回路と、前記サンプリング信号に基づいて画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリング回路と、を有し、前記第１イネーブル信号は、正論理のパルス信号であり、前記イネーブル信号分割回路は、ＮＡＮＤ回路によって負論理の前記第２イネーブル信号を生成して前記サンプリング信号出力回路に出力することを特徴とする。
【００１２】
本発明において、第１イネーブル信号は、正論理のパルス信号であり、イネーブル信号分割回路は、ＮＡＮＤ回路によって負論理の第２イネーブル信号を生成し、サンプリング信号出力回路に出力する。このため、正論理の第１イネーブル信号を用い、イネーブル信号分割回路にＮＡＮＤ回路とＮＯＴ回路とを用いた場合に比して、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ないので、第２イネーブル信号やサンプリング信号における信号の遅延を抑制することができる。従って、サンプリング回路において、サンプリング信号と画像信号とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。
【００１３】
この場合、前記シフトレジスタは、負論理の前記転送信号を出力し、前記サンプリング信号出力回路は、前記第２イネーブル信号および前記転送信号によって正論理の前記サンプリング信号を生成することが好ましい。かかる構成によれば、第２イネーブル信号が負論理であっても、正論理のサンプリング信号を生成することができる。
【００１４】
また、本発明の前記別態様では、前記サンプリング信号出力回路は、前記第２イネーブル信号および前記転送信号が入力される第１ＮＯＲ回路と、前記第１ＮＯＲ回路の出力信号および正論理の制御信号が入力される第２ＮＯＲ回路と、を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、サンプリング信号出力回路に設けるＮＯＴ回路の数を減らすことができるので、サンプリング信号における信号の遅延を抑制することができる。従って、サンプリング回路において、サンプリング信号と画像信号とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板の電気的構成を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のデータ線駆動回路の説明図である。
【図４】図３に示すデータ線駆動回路の一部を拡大して示す説明図である。
【図５】図３に示すデータ線駆動回路で生成される信号等のタイミングチャートである。
【図６】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置のデータ線駆動回路の説明図である。
【図７】図６に示すデータ線駆動回路の一部を拡大して示す説明図である。
【図８】図６に示すデータ線駆動回路で生成される信号等のタイミングチャートである。
【図９】本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。
【図１０】本発明の参考例に係る電気光学装置のデータ線駆動回路の一部を拡大して示す説明図である。
【図１１】図１０に示すデータ線駆動回路で生成される信号等のタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態として、代表的な電気光学装置である液晶装置を説明する。なお、以下の説明において、図１０および図１１を参照して説明した構成と共通する部分については同一の符号を付して説明する。
【００１８】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００１９】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００は、液晶装置であり、液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０７ｄによって封止されている。
【００２０】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２１】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０においてＹ軸方向の一方側に位置する辺１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、データ線駆動回路１０１と画像表示領域１０ａとの間にはサンプリング回路１０３が構成されている。また、素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、辺１０ｅに隣接する他の辺１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。
【００２２】
素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側には、画像表示領域１０ａに画素電極９ａや、図２等を参照して後述する画素トランジスター３０等がマトリクス状に配列されており、画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００２３】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。
【００２４】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、共通電位Ｖcomが印加されている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側と電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。
【００２５】
本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側から出射される間に変調されて画像を表示する。また、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００２６】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることができる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２７】
（素子基板１０の電気的構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０の電気的構成を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０の回路や配線の平面的なレイアウトを示す説明図、および画素の電気的構成を示す説明図である。なお、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の配線とは、同一のアルファベット記号を信号および配線Ｌの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する信号用の配線について「配線ＬＣＬＸ」とする。また、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の端子とは、同一のアルファベット記号を信号および端子Ｔの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する端子１０２については「端子ＴＣＬＸ」とする。
【００２８】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００において、素子基板１０の中央領域には複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐが設けられており、かかる画素電極配列領域１０ｐのうち、図１（ｂ）に示す額縁部分２９ａの内縁で囲まれた領域が画像表示領域１０ａである。素子基板１０では、画素電極配列領域１０ｐの内側に、Ｘ方向に延在する複数の走査線３ａと、Ｙ方向に延在する複数のデータ線６ａとが形成されており、それらの交点に対応する各位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、ＴＦＴ等からなる画素トランジスター３０（スイッチング素子）、および画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２９】
素子基板１０において、画素電極配列領域１０ｐより外側の外周領域１０ｃには、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、基板間導通用電極１９、端子１０２等が構成されており、端子１０２から走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、および基板間導通用電極１９に向けて複数の配線１０５が延在している。
【００３０】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１を参照して説明した対向基板２０に形成された共通電極２１と液晶層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って延びた定電位線８ａ（容量線）が形成され、かかる定電位線８ａには共通電位Ｖcomが印加されている。
【００３１】
端子１０２は、共通電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、およびデータ線駆動回路用の４つの用途に大きく分類される複数の端子群により構成されている。具体的には、端子１０２は、共通電位線ＬＶcom用として端子ＴＶcomを備え、走査線駆動回路１０４用として端子ＴＤＹ、端子ＴＶＳＳＹ、端子ＴＶＤＤＹ、端子ＴＣＬＹおよび端子ＴＣＬＹINVを備えている。また、端子１０２は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用として端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６を備え、データ線駆動回路１０１用として、端子ＴＶＳＳＸ、端子ＴＤＸ、端子ＴＶＤＤＸ、端子ＴＣＬＸ、端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＥＮＢｓ１、ＴＥＮＢｓ２、および端子ＴＶＳＳＸを備えている。本形態において、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、例えば外部回路において６相にシリアル−パラレル展開（即ち、相展開）され、６本の画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６を介して、後述するサンプリング回路１０３に入力される。なお、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相、４８相等、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給される。
【００３２】
（データ線駆動回路１０１等の構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００のデータ線駆動回路１０１の説明図である。図４は、図３に示すデータ線駆動回路１０１の一部を拡大して示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、データ線駆動回路１０１のうち、４つのサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４を生成する部分を拡大して示す説明図、およびイネーブル信号分割回路１３０に用いたＮＯＲ回路１３１の説明図である。図５は、図３に示すデータ線駆動回路１０１で生成される信号等のタイミングチャートである。
【００３３】
図２、図３、図４および図５に示すように、データ線駆動回路１０１は、選択回路１２０、イネーブル信号分割回路１３０、シフトレジスタ１４０、およびサンプリング信号出力回路１５０を備えている。
【００３４】
データ線駆動回路１０１において、イネーブル信号分割回路１３０は、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＥＮＢｓ１、ＴＥＮＢｓ２）、配線１０５（配線ＬＥＮＢｓ１、ＬＥＮＢｓ２）、および選択回路１２０を介して供給される第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１、ＥＮＢｓ２を系列毎に分割して、第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４を生成する。その際、イネーブル信号分割回路１３０には、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＣＬＸ）、配線１０５（配線ＬＣＬＸ）、および選択回路１２０を介してクロック信号ＣＬＸが供給されるとともに、選択回路１２０で生成、あるいは選択された逆位相クロック信号ＣＬＸINVが供給される。
【００３５】
シフトレジスタ１４０は、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＶＳＳＸ、ＴＶＤＤＸ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＸ、ＬＶＤＤＸ）を介して供給される負電源ＶＳＳＸおよび正電源ＶＤＤＸを電源として用い、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＤＸ）および配線１０５（配線ＬＤＸ）を介して供給されるスタートパルスＤＸに基づいて転送動作を開始する。より具体的には、シフトレジスタ１４０は、端子１０２（端子ＴＣＬＸ、ＴＣＬＸINV）、および配線１０５（配線ＬＣＬＸ、ＬＣＬＸINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＸおよび逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づき、各段から転送信号Ｐ１、Ｐ２・・・、Ｐｎ／１２を順次、サンプリング信号出力回路１５０へ出力する。ここで、第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４のパルス幅は、転送信号Ｐ１、Ｐ２・・・Ｐｎ／１２のパルス幅より狭い。なお、シフトレジスタ１４０の最終段には、エンドパルスＥＰを生成するエンドパルス生成回路１８０が形成されている。
【００３６】
サンプリング信号出力回路１５０は、シフトレジスタ１４０から順次出力される転送信号Ｐ１、Ｐ２・・・、Ｐｎ／１２のパルス幅を、イネーブル信号分割回路１３０によって生成された第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４のパルス幅に制限する。その結果、サンプリング信号出力回路１５０は、サンプリング回路１０３における各サンプリング期間を規定するサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・・Ｑｎ／６を出力する。
【００３７】
図２に示すように、サンプリング回路１０３は、画像信号をサンプリングするためのスイッチング素子１０８を複数備えて構成されている。本形態において、スイッチング素子１０８は、例えば、Ｎチャネル型のＴＦＴ等の電界効果型トランジスターからなる。スイッチング素子１０８のドレインには、データ線６ａが電気的に接続され、スイッチング素子１０８のソースには、配線１０６を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）が接続されるとともに、スイッチング素子１０８のゲートには、データ線駆動回路１０１のサンプリング信号出力回路１５０に接続された選択信号線１０９が接続されている。そして、端子１０２（端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６）を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）に供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、サンプリング信号出力回路１５０から選択信号線１０９を通じて供給されるサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・・Ｑｎ／６に基づいて、サンプリング回路１０３によりサンプリングされる。その結果、各データ線６ａに画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎが供給される。なお、スイッチング素子１０８は、相補型の電界効果型トランジスターから構成されることもある。
【００３８】
走査線駆動回路１０４は、構成要素としてシフトレジスタ回路およびバッファー回路を備えており、スタートパルスＤＹに応じて、その内蔵シフトレジスタ回路の転送動作を開始し、クロック信号ＣＬＹおよび逆位相クロック信号ＣＬＹINVに基づいて、所定のタイミングで走査線３ａに走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【００３９】
（データ線駆動回路１０１等の詳細構成および動作）
図４に示すように、本形態の電気光学装置１００において、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１、ＥＮＢｓ２はいずれも、負論理のパルス信号である。また、イネーブル信号分割回路１３０は、第１系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１が入力される２つのＮＯＲ回路１３１（ＮＯＲ回路１３１ａおよびＮＯＲ回路１３１ｃ）と、第２系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ２が入力される２つのＮＯＲ回路１３１（ＮＯＲ回路１３１ｂおよびＮＯＲ回路１３１ｄ）とからなる。
【００４０】
４つのＮＯＲ回路１３１のうち、第１系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１から第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１を生成するＮＯＲ回路１３１ａには、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１およびクロック信号ＣＬＸが入力される。第１系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１から第２イネーブル信号ＥＮＢｘ３を生成するＮＯＲ回路１３１ｃには、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１および逆位相クロック信号ＣＬＸINVが入力される。
【００４１】
第２系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ２から第２イネーブル信号ＥＮＢｘ２を生成するＮＯＲ回路１３１ｂには、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ２およびクロック信号ＣＬＸが入力される。第２系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ２から第２イネーブル信号ＥＮＢｘ４を生成するＮＯＲ回路１３１ｄには、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ２および逆位相クロック信号ＣＬＸINVが入力される。
【００４２】
従って、図５に示すように、イネーブル信号分割回路１３０は、正論理の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４を生成してサンプリング信号出力回路１５０に出力する。
【００４３】
図４（ｂ）に示すように、イネーブル信号分割回路１３０において、ＮＯＲ回路１３１は、２つのＮ型の電界効果型トランジスター１７１、１７２と、２つのＰ型の電界効果型トランジスター１７３、１７４とによって構成されている。具体的には、高位側電圧Ｖｄｄｘと低位側電圧Ｖｓｓｘとの間には、Ｐ型の電界効果型トランジスター１７３とＮ型の電界効果型トランジスター１７１とが直列に電気的に接続されており、Ｐ型の電界効果型トランジスター１７３のゲート、およびＮ型の電界効果型トランジスター１７１のゲートにはクロック信号（クロック信号ＣＬＸまたは逆位相クロック信号ＣＬＸINV）が印加される。Ｐ型の電界効果型トランジスター１７３とＮ型の電界効果型トランジスター１７１との間には、Ｐ型の電界効果型トランジスター１７４が直列に接続されており、Ｎ型の電界効果型トランジスター１７１にはＮ型の電界効果型トランジスター１７２が並列に接続されている。
【００４４】
Ｐ型の電界効果型トランジスター１７４およびＮ型の電界効果型トランジスター１７２にゲートには第１イネーブル信号（第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１または第１イネーブル信号ＥＮＢｓ２）が印加される。また、Ｐ型の電界効果型トランジスター１７４とＮ型の電界効果型トランジスター１７２との接続点からは、第２イネーブル信号（第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、第２イネーブル信号ＥＮＢｘ２、第２イネーブル信号ＥＮＢｘ３、または第２イネーブル信号ＥＮＢｘ４）が出力される。
【００４５】
再び図３、図４および図５において、本形態では、シフトレジスタ１４０が正論理の転送信号Ｐ１、Ｐ２を出力し、サンプリング信号出力回路１５０は、正論理の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４、および正論理の転送信号Ｐ１、Ｐ２によって正論理のサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４を生成する。
【００４６】
より具体的には、シフトレジスタ１４０の奇数段には、クロック信号ＣＬＸに基づいて動作する第１クロックドインバーター１４１と、第１クロックドインバーター１４１に直列に電気的に接続された第１インバーター１４２と、第１インバーター１４２に並列に電気的に接続された第２クロックドインバーター１４３とを有しており、第２クロックドインバーター１４３は、逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づいて動作する。従って、第１インバーター１４２からは正論理の転送信号Ｐ１がサンプリング信号出力回路１５０に出力される。また、シフトレジスタ１４０の偶数段には、逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づいて動作する第３クロックドインバーター１４４と、第３クロックドインバーター１４４に直列に電気的に接続された第２インバーター１４５と、第２インバーター１４５に並列に電気的に接続された第４クロックドインバーター１４６とを有しており、第４クロックドインバーター１４６は、クロック信号ＣＬＸに基づいて動作する。従って、第２インバーター１４５からは正論理の転送信号Ｐ２が転送信号Ｐ１に対して半周期ずれたタイミングでサンプリング信号出力回路１５０に出力される。
【００４７】
サンプリング信号出力回路１５０は、第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４の何れか１つと、転送信号Ｐ１、Ｐ２の何れか１つが各々入力される系列毎のＮＡＮＤ回路１５８と、ＮＡＮＤ回路１５８の出力の反転信号、および正論理の制御信号ＮＲＧが入力される系列毎のＡＮＤ回路１５９とを備えている。その際、転送信号Ｐ１は、４つのＮＡＮＤ回路１５８のうち、隣り合う位置で第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２が入力される２つのＮＡＮＤ回路１５８ａ、１５８ｂに入力され、転送信号Ｐ２は、４つのＮＡＮＤ回路１５８のうち、隣り合う位置で第２イネーブル信号ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４が入力される２つのＮＡＮＤ回路１５８ｃ、１５８ｄに入力される。
【００４８】
その結果、転送信号Ｐ１、Ｐ２は、ＮＡＮＤ回路１５８によって、パルス幅の狭い第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４の波形に基づいて整形され、系列毎の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４のパルス幅に制限された正論理のサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・Ｑｎとしてサンプリング回路１０３に出力される。
【００４９】
ここで、制御信号ＮＲＧは、ＮＯＴ回路１５６によって反転してＡＮＤ回路１５９に入力される。また、ＡＮＤ回路１５９から出力されたサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・Ｑｎは、直列に接続された２つのＮＯＴ回路１５４、１５５を介してサンプリング回路１０３に出力される。
【００５０】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１、ＥＮＢｓ２が負論理のパルス信号であり、イネーブル信号分割回路１３０は、ＮＯＲ回路１３１によって正論理の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４を生成し、サンプリング信号出力回路１５０に出力する。このため、正論理の第１イネーブル信号を用い、イネーブル信号分割回路にＮＡＮＤ回路とＮＯＴ回路とを用いた場合に比して、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ない。従って、第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４やサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・における信号の遅延を抑制することができる。それ故、サンプリング回路１０３において、サンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・と画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。また、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ないので、消費電力の低減を図ることができる。
【００５１】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００のデータ線駆動回路１０１の説明図である。図７は、図６に示すデータ線駆動回路１０１の一部を拡大して示す説明図である。図８は、図６に示すデータ線駆動回路１０１で生成される信号等のタイミングチャートである。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５２】
図６、図７、および図８に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、データ線駆動回路１０１は、選択回路１２０、イネーブル信号分割回路１３０、シフトレジスタ１４０、およびサンプリング信号出力回路１５０を備えている。
【００５３】
本形態の電気光学装置１００において、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１、ＥＮＢｓ２はいずれも、正論理のパルス信号である。また、イネーブル信号分割回路１３０は、第１系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１が入力される２つのＮＡＮＤ回路１３２（ＮＡＮＤ回路１３２ａおよびＮＡＮＤ回路１３２ｃ）と、第２系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ２が入力される２つのＮＡＮＤ回路１３２（ＮＡＮＤ回路１３２ｂおよびＮＡＮＤ回路１３２ｄ）とからなる。
【００５４】
４つのＮＡＮＤ回路１３２のうち、第１系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１から第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１を生成するＮＡＮ回路１３２ａには、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１および逆位相クロック信号ＣＬＸINVが入力される。第１系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１から第２イネーブル信号ＥＮＢｘ３を生成するＮＡＮＤ回路１３２ｃには、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１およびクロック信号ＣＬＸが入力される。
【００５５】
第２系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ２から第２イネーブル信号ＥＮＢｘ２を生成するＮＡＮＤ回路１３２ｂには、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ２および逆位相クロック信号ＣＬＸINVが入力される。第２系列の第１イネーブル信号ＥＮＢｓ２から第２イネーブル信号ＥＮＢｘ４を生成するＮＯＲ回路１３２ｄには、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ２およびクロック信号ＣＬＸが入力される。
【００５６】
従って、図８に示すように、イネーブル信号分割回路１３０は、負論理の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４を生成してサンプリング信号出力回路１５０に出力する。
【００５７】
本形態では、シフトレジスタ１４０は、負論理の転送信号Ｐ１、Ｐ２をサンプリング信号出力回路１５０に出力し、サンプリング信号出力回路１５０は、負論理の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４、および負論理の転送信号Ｐ１、Ｐ２によって正論理のサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４を生成する。
【００５８】
より具体的には、シフトレジスタ１４０の奇数段には、クロック信号ＣＬＸに基づいて動作する第１クロックドインバーター１４１と、第１クロックドインバーター１４１に直列に電気的に接続された第１インバーター１４２と、第１インバーター１４２に並列に電気的に接続された第２クロックドインバーター１４３とを有しており、第２クロックドインバーター１４３は、逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づいて動作する。従って、第１クロックドインバーター１４１からは負論理の転送信号Ｐ１がサンプリング信号出力回路１５０に出力される。また、シフトレジスタ１４０の偶数段には、逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づいて動作する第３クロックドインバーター１４４と、第３クロックドインバーター１４４に直列に電気的に接続された第２インバーター１４５と、第２インバーター１４５に並列に電気的に接続された第４クロックドインバーター１４６とを有しており、第４クロックドインバーター１４６は、クロック信号ＣＬＸに基づいて動作する。従って、第３クロックドインバーター１４４からは負論理の転送信号Ｐ２が転送信号Ｐ１に対して半周期ずれたタイミングでサンプリング信号出力回路１５０に出力される。
【００５９】
サンプリング信号出力回路１５０は、第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４の何れか１つと、転送信号Ｐ１、Ｐ２の何れか１つが各々入力される系列毎の第１ＮＯＲ回路１５２と、第１ＮＯＲ回路１５２の出力、および正論理の制御信号ＮＲＧが入力される系列毎の第２ＮＯＲ回路１５３とを備えている。その際、転送信号Ｐ１は、４つの第１ＮＯＲ回路１５２のうち、隣り合う位置で第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２が入力される２つの第１ＮＯＲ回路１５２ａ、１５２ｂに入力され、転送信号Ｐ２は、４つの第１ＮＯＲ回路１５２のうち、隣り合う位置で第２イネーブル信号ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４が入力される２つの第１ＮＯＲ回路１５２ｃ、１５２ｄに入力される。
【００６０】
その結果、転送信号Ｐ１、Ｐ２は、第１ＮＯＲ回路１５２によって、パルス幅の狭い第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４の波形に基づいて整形され、系列毎の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４のパルス幅に制限された正論理のサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・Ｑｎとしてサンプリング回路１０３に出力される。
【００６１】
ここで、制御信号ＮＲＧは、正論理のまま第２ＮＯＲ回路１５３に入力される。また、第２ＮＯＲ回路１５３から出力されたサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・Ｑｎは、１つのＮＯＴ回路１５５を介してサンプリング回路１０３に出力される。
【００６２】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、第１イネーブル信号ＥＮＢｓ１、ＥＮＢｓ２が正論理のパルス信号であり、イネーブル信号分割回路１３０は、ＮＡＮＤ回路１３２によって負論理の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４を生成し、サンプリング信号出力回路１５０に出力する。このため、正論理の第１イネーブル信号を用い、イネーブル信号分割回路にＮＡＮＤ回路とＮＯＴ回路とを用いた場合に比して、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ない。従って、第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４やサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・における信号の遅延を抑制することができる。それ故、サンプリング回路１０３において、サンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・と画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。また、論理回路を構成するためのトランジスターの数が少ないので、消費電力の低減を図ることができる。
【００６３】
また、シフトレジスタ１４０は、負論理の転送信号Ｐ１、Ｐ２を出力し、サンプリング信号出力回路１５０は、負論理の第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４、および負論理の転送信号Ｐ１、Ｐ２によって正論理のサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・を生成する。このため、第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４が負論理であっても、正論理のサンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・を生成することができる。
【００６４】
また、本形態において、サンプリング信号出力回路１５０は、第２イネーブル信号ＥＮＢｘ１、ＥＮＢｘ２、ＥＮＢｘ３、ＥＮＢｘ４、および転送信号Ｐ１、Ｐ２が入力される第１ＮＯＲ回路１５２と、第１ＮＯＲ回路１５２の出力信号および正論理の制御信号ＮＲＧが入力される第２ＮＯＲ回路１５３とを備えている。このため、サンプリング信号出力回路１５０に設けるＮＯＴ回路の数を減らすことができるので、サンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・における信号の遅延を抑制することができる。従って、サンプリング回路１０３において、サンプリング信号Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４・・と画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６とのタイミングのずれを抑制することができ、かかるずれに起因する画像の品位低下を抑制することができる。
【００６５】
［他の電気光学装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（Field Emission Display）、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００６６】
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図９は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。
【００６７】
図９に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部２３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系２２０とを備えており、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００を構成している。
【００６８】
光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。
【００６９】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００７０】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００７１】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００７２】
なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００７３】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００７４】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系２２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系２２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００７５】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００７６】
リレー系２２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００７７】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００７８】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００７９】
（他の投射型表示装置）
上記投射型表示装置においては、透過型の電気光学装置１００を用いたが、反射型の電気光学装置１００を用いて投射型表示装置を構成してもよい。また、投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００８０】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００８１】
６ａ・・データ線、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素、１０１・・データ線駆動回路、１０２・・端子、１０３・・サンプリング回路、１０４・・走査線駆動回路、１０８・・スイッチング素子、１０９・・選択信号線、１１０・・投射型表示装置、１２０・・選択回路、１３０・・イネーブル信号分割回路、１３１，１３１ａ〜１３１ｄ・・ＮＯＲ回路、１３２，１３２ａ〜１３２ｄ・・ＮＡＮＤ回路、１４０・・シフトレジスタ、１４１・・第１クロックドインバーター、１４２・・第１インバーター、１４３・・第２クロックドインバーター、１４４・・第３クロックドインバーター、１４５・・第２インバーター、１４６・・第４クロックドインバーター、１５０・・サンプリング信号出力回路、１５２，１５２ａ〜１５２ｄ・・第１ＮＯＲ回路、１５３・・第２ＮＯＲ回路、１５４，１５５，１５６・・ＮＯＴ回路、１５８，１５８ａ〜１５８ｄ・・ＮＡＮＤ回路、１５９・・ＡＮＤ回路、１７１、１７２・・Ｎ型の電界効果型トランジスター、１７３，１７４・・Ｐ型の電界効果型トランジスター、２００・・光学ユニット、２３０・・光源部、ＣＬＸ・・クロック信号、ＣＬＫINV・・逆位相クロック信号、ＤＸ・・スタートパルス、ＥＮＢｓ１、２・・第１イネーブル信号、ＥＮＢｘ１〜４・・第２イネーブル信号、ＬＶＩＤ１〜６・・画像信号線、ＮＲＧ・・制御信号、Ｐ１、Ｐ２〜Ｐｎ／１２・・転送信号、Ｑ１、Ｑ２〜Ｑｎ／６・・サンプリング信号、Ｓ１、Ｓ２〜Ｓｎ・・画像信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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