(57)【要約】【課題】ＣＶＤ−ＳｉＣ層を有するＳｉＣ部材に所定の径の貫通孔を効率よく形成することができるＳｉＣ部材の穿孔方法を提供する。【解決手段】ＳｉＣ基板とＣＶＤ−ＳｉＣ層からなるＳｉＣ部材のＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面に補助電極層を形成し（Ｓ１）、第１の電極を中心軸の回りに回転させながら第１の電極と補助電極層との間に電圧を印加して放電加工によりＳｉＣ基板に貫通しない第１の孔を形成し（Ｓ２）、第１の電極より細い第２の電極を中心軸の回りに回転させながら第２の電極と補助電極層との間に電圧を印加して放電加工により第１の孔の底部からＳｉＣ基板およびＣＶＤ−ＳｉＣ層を貫通する所定の径の第２の孔を形成した（Ｓ３）後、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面から補助電極層を除去し（Ｓ４）、ＳｉＣ部材を湿式洗浄する（Ｓ５）。【選択図】図３
2016022561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ基板の表面上に前記ＳｉＣ基板の電気抵抗率より高い電気抵抗率を有するＣＶＤ−ＳｉＣ層が形成されているＳｉＣ部材に所定の径の貫通孔を形成する方法であって、
前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面上に補助電極層を形成する第１の工程と、
形成しようとする前記貫通孔の中心軸に沿って延びる第１の電極を前記中心軸の回りに回転させながら前記第１の電極と前記補助電極層との間に電圧を印加すると共に前記第１の電極を前記中心軸に沿って前記ＳｉＣ部材に対し相対的に移動させて放電加工により前記ＳｉＣ基板に前記所定の径より大きな径の貫通しない第１の孔を形成する第２の工程と、
前記中心軸に沿って延び且つ前記第１の電極よりも細い第２の電極を前記ＳｉＣ基板に形成されている前記第１の孔に挿入して前記中心軸の回りに回転させながら前記第２の電極と前記補助電極層との間に電圧を印加すると共に前記第２の電極を前記ＳｉＣ部材に対し相対的に移動させて放電加工により前記第１の孔の底部から前記ＳｉＣ基板および前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層を貫通する前記所定の径の第２の孔を形成する第３の工程と
を備えたことを特徴とするＳｉＣ部材の穿孔方法。
【請求項２】
前記第１の電極は、内部が中空のパイプ形状を有し、
前記第１の電極の内部に冷却流体を流通させながら前記ＳｉＣ基板に前記第１の孔を形成する請求項１に記載のＳｉＣ部材の穿孔方法。
【請求項３】
前記第１の電極は、ＣｕまたはＷからなる請求項２に記載のＳｉＣ部材の穿孔方法。
【請求項４】
前記第２の電極は、ワイヤ形状を有する請求項１〜３のいずれか一項に記載のＳｉＣ部材の穿孔方法。
【請求項５】
前記第２の電極は、ＷまたはＷの合金からなる請求項４に記載のＳｉＣ部材の穿孔方法。
【請求項６】
前記補助電極層は、塗布により形成される請求項１〜５のいずれか一項に記載のＳｉＣ部材の穿孔方法。
【請求項７】
前記ＳｉＣ基板は、１ＭΩｃｍ未満の電気抵抗率を有する焼結ＳｉＣからなり、前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層は、１ＭΩｃｍ以上の電気抵抗率を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載のＳｉＣ部材の穿孔方法。
【請求項８】
前記第２の工程および前記第３の工程は、前記第１の工程で前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面上に形成された前記補助電極層がベースプレートの表面に対向するように前記ＳｉＣ部材が前記ベースプレートの上に載置された状態で実行され、前記ベースプレートの表面に予め前記貫通孔の形成位置に合わせて溝が形成されている請求項１〜７のいずれか一項に記載のＳｉＣ部材の穿孔方法。
【請求項９】
前記ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面から前記補助電極層を除去する第４の工程と、
前記ＳｉＣ部材を湿式洗浄する第５の工程と
をさらに備えた請求項１〜８のいずれか一項に記載のＳｉＣ部材の穿孔方法。
【請求項１０】
前記ＳｉＣ部材に前記所定の径の複数の貫通孔を形成することでプラズマエッチング処理に用いられるシャワーヘッドを作製する請求項１〜９のいずれか一項に記載のＳｉＣ部材の穿孔方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＳｉＣ（炭化珪素）部材の穿孔方法に係り、特にＣＶＤ（化学気相成長）法により作製されたＣＶＤ−ＳｉＣ層を有するＳｉＣ部材に所定の径の貫通孔を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程では、図８に示されるように、チャンバ１内に、反応ガスＧを導入し、基板Ｓの搭置台を兼ねた下部電極２と、この下部電極２に対向するように設けられた上部電極３との間に高周波電圧を印加することにより、プラズマを発生させ、このプラズマにより、基板Ｓにプラズマエッチング処理を施すプラズマ処理装置が用いられる。このとき、基板Ｓの全面にわたって精度のよい処理を行うために、反応ガスＧをチャンバ１内のプラズマ発生領域に均等に供給する必要があり、通常、多数の貫通孔４が配列形成されたシャワーヘッド５を介して反応ガスＧの導入が行われる。
このようなプラズマ処理装置においては、チャンバ１内に使用される部材は、プラズマとの接触により表面が浸食されるおそれがある。特に、シャワーヘッド５は、処理対象である基板Ｓの直上に配置され、プラズマに直接接触することから、プラズマの影響を受けやすく、表面が浸食されてシャワーヘッド５を構成する粒子が脱落すると、基板Ｓの表面に付着してパーティクル発生の原因となってしまう。
【０００３】
そこで、例えば、特許文献１には、焼結ＳｉＣからなる基材部の上にＣＶＤ法により形成されたＣＶＤ−ＳｉＣ層を配置したシャワーヘッドが提案されている。ＣＶＤ−ＳｉＣ層は、緻密な構造を有しており、プラズマに晒されても浸食されにくいので、このＣＶＤ−ＳｉＣ層が形成された面をプラズマ発生領域に向けて、シャワーヘッドをチャンバ内に配置することで、パーティクルの発生を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２８５８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＣＶＤ−ＳｉＣ層は、緻密な構造に起因して加工が容易ではなく、反応ガス分配のための多数の貫通孔の形成方法が問題となっていた。
特許文献１では、貫通孔がドリル加工等の機械加工により形成されているが、ドリルビットを用いてＣＶＤ−ＳｉＣ層の穿孔を行うと、ドリルビットの刃の摩耗が激しく、数個の貫通孔を形成したところで、ドリルビットを交換しなければならないという問題がある。さらに、ドリル加工では、貫通孔形成の際に貫通孔の周辺部分に欠落が生じるおそれもある。
また、機械加工に代えて、超音波加工によりＣＶＤ−ＳｉＣ層を穿孔することも試みられているが、超音波加工装置の操業が複雑で高い加工精度を得るために熟練したオペレータが必要となる、ダイヤモンド等の砥粒が分散された砥粒液を工具の周囲に供給しつつ工具に超音波振動を与える必要がある、穿孔速度が遅く貫通孔の形成に長時間を要する、自動化が困難である、等の理由により実用的な方法ではない。
【０００６】
この発明は、このような従来の問題点を解消するためになされたもので、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を有するＳｉＣ部材に所定の径の貫通孔を効率よく形成することができるＳｉＣ部材の穿孔方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係るＳｉＣ部材の穿孔方法は、ＳｉＣ基板の表面上にＳｉＣ基板の電気抵抗率より高い電気抵抗率を有するＣＶＤ−ＳｉＣ層が形成されているＳｉＣ部材に所定の径の貫通孔を形成する方法であって、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面上に補助電極層を形成する第１の工程と、形成しようとする貫通孔の中心軸に沿って延びる第１の電極を中心軸の回りに回転させながら第１の電極と補助電極層との間に電圧を印加すると共に第１の電極を中心軸に沿ってＳｉＣ部材に対し相対的に移動させて放電加工によりＳｉＣ基板に所定の径より大きな径の貫通しない第１の孔を形成する第２の工程と、中心軸に沿って延び且つ第１の電極よりも細い第２の電極をＳｉＣ基板に形成されている第１の孔に挿入して中心軸の回りに回転させながら第２の電極と補助電極層との間に電圧を印加すると共に第２の電極をＳｉＣ部材に対し相対的に移動させて放電加工により第１の孔の底部からＳｉＣ基板およびＣＶＤ−ＳｉＣ層を貫通する所定の径の第２の孔を形成する第３の工程とを備えた方法である。
【０００８】
好ましくは、第１の電極は、内部が中空のパイプ形状を有し、第１の電極の内部に冷却流体を流通させながらＳｉＣ基板に第１の孔を形成する。第１の電極は、ＣｕまたはＷから形成することができる。
また、第２の電極は、ワイヤ形状を有することが好ましい。第２の電極は、ＷまたはＷの合金から形成することができる。
補助電極層は、塗布により形成することができる。
ＳｉＣ基板は、１ＭΩｃｍ未満の電気抵抗率を有する焼結ＳｉＣからなり、ＣＶＤ−ＳｉＣ層は、１ＭΩｃｍ以上の電気抵抗率を有することが好ましい。
【０００９】
第２の工程および第３の工程は、第１の工程でＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面上に形成された補助電極層がベースプレートの表面に対向するようにＳｉＣ部材がベースプレートの上に載置された状態で実行され、ベースプレートの表面に予め貫通孔の形成位置に合わせて溝が形成されていることが好ましい。
また、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面から補助電極層を除去する第４の工程と、ＳｉＣ部材を湿式洗浄する第５の工程とを備えることもできる。
さらに、ＳｉＣ部材に所定の径の複数の貫通孔を形成することでプラズマエッチング処理に用いられるシャワーヘッドを作製することができる。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、ＣＶＤ−ＳｉＣ層の表面上に補助電極層を形成し、第１の電極を中心軸の回りに回転させながら第１の電極と補助電極層との間に電圧を印加して放電加工によりＳｉＣ基板に所定の径より大きな径の貫通しない第１の孔を形成した後、第１の電極よりも細い第２の電極をＳｉＣ基板に形成されている第１の孔に挿入して中心軸の回りに回転させながら第２の電極と補助電極層との間に電圧を印加して放電加工により第１の孔の底部からＳｉＣ基板およびＣＶＤ−ＳｉＣ層を貫通する所定の径の第２の孔を形成するので、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を有するＳｉＣ部材に所定の径の貫通孔を効率よく形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の実施の形態に係る穿孔方法により貫通孔が形成されたＳｉＣ部材を示す側面断面図である。
【図２】実施の形態に係る穿孔方法を実施するための穿孔装置を示すブロック図である。
【図３】実施の形態に係る穿孔方法の動作を示すフローチャートである。
【図４】実施の形態においてＳｉＣ基板に第１の孔を形成する様子を示す側面断面図である。
【図５】ＳｉＣ部材に第２の孔を形成する際の穿孔装置の状態を示すブロック図である。
【図６】実施の形態においてＳｉＣ部材に第２の孔を形成する様子を示す側面断面図である。
【図７】複数の貫通孔が形成されたＳｉＣ部材を示す側面断面図である。
【図８】プラズマ処理装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
図１に、実施の形態に係る穿孔方法により貫通孔が形成されたＳｉＣ部材１１を示す。ＳｉＣ部材１１は、焼結ＳｉＣからなる厚さＴ１のＳｉＣ基板１２の表面上に厚さＴ２のＣＶＤ−ＳｉＣ層１３が積層形成されたものである。ＳｉＣ基板１２を構成する焼結ＳｉＣは、１ＭΩｃｍ未満の電気抵抗率を有し、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を構成するＣＶＤ法により形成されたＳｉＣは、１ＭΩｃｍ以上の電気抵抗率を有している。
【００１３】
ＳｉＣ基板１２には、ＣＶＤ−ＳｉＣ層１３が形成されている面とは反対側の面から直径Ｄ１の第１の孔１４が形成されている。この第１の孔１４は、ＳｉＣ基板１２を貫通することなく、ＳｉＣ基板１２の厚さＴ１よりも小さい深さＨ１を有している。さらに、第１の孔１４と共通の中心軸Ｃ１を有する第２の孔１５が、第１の孔１４の底部からＳｉＣ基板１２およびＣＶＤ−ＳｉＣ層１３を貫通するように形成されている。すなわち、第２の孔１５は、ＣＶＤ−ＳｉＣ層１３の厚さＴ２よりも大きな深さＨ２を有している。また、第２の孔１５は、第１の孔１４の直径Ｄ１よりも小さい直径Ｄ２を有しており、この直径Ｄ２が、ＳｉＣ部材１１に形成される所望の貫通孔の所定の径に相当している。
【００１４】
図２に、実施の形態１に係る穿孔方法を実施するための穿孔装置の構成を示す。穿孔装置は、ＳｉＣ部材１１を搭載して保持すると共にＸＹＺの３軸方向に移動可能に配置されたステージ２１を有し、このステージ２１に、ステージ２１を移動させるためのステージ移動部２２が接続されている。なお、ステージ２１上にベースプレート３１が配置されており、ＳｉＣ部材１１は、ベースプレート３１の表面上に載置された状態で保持されている。ベースプレート３１の表面には、予め、ＳｉＣ部材１１に形成される貫通孔の位置に合わせて円形の窪みからなる溝３１Ａが形成されているものとする。
【００１５】
ステージ２１の上方には、ステージ２１の表面に対して垂直方向を向いた中心軸Ｃ２に沿って延びる第１の電極２３が配置されている。第１の電極２３は、Ｃｕ（銅）から形成され且つ内部が中空のパイプ形状を有し、中心軸Ｃ２の回りに回転可能に配置されている。この第１の電極２３に、第１の電極２３を中心軸Ｃ２の回りに回転駆動する電極回転部２４と、第１の電極２３の中空の内部に冷却流体を流通させることにより第１の電極２３の冷却を行う冷媒供給部２５とがそれぞれ接続されている。
穿孔装置は、さらに、ステージ２１上に搭載されたＳｉＣ部材１１と第１の電極２３との間に放電加工用の電圧を印加するための加工電源部２６を有し、ステージ移動部２２、電極回転部２４、冷媒供給部２５および加工電源部２６に制御部２７が接続されている。
【００１６】
次に、図３のフローチャートを参照して実施の形態に係る穿孔方法を説明する。
まず、ステップＳ１で、図２に示されるように、ＳｉＣ基板１２とＣＶＤ−ＳｉＣ層１３とが積層形成されたＳｉＣ部材１１のＣＶＤ−ＳｉＣ層１３の表面上に補助電極層３２を形成する。補助電極層３２は、例えばＮｉ（ニッケル）からなり、塗布法により形成することができる。
そして、補助電極層３２がベースプレート３１の表面に対向して接触するように、ＳｉＣ基板１２を上方に向けてＳｉＣ部材１１をベースプレート３１の上に載置し、ステージ２１に保持させる。
【００１７】
さらに、ＣＶＤ−ＳｉＣ層１３の表面上に形成された補助電極層３２と第１の電極２３に加工電源部２６を接続し、ステップＳ２で、制御部２７による制御の下、第１の電極２３を用いて放電加工によりＳｉＣ基板１２に貫通しない第１の孔１４を形成する。このとき、制御部２７に制御された電極回転部２４によって第１の電極２３が中心軸Ｃ２の回りに回転駆動されると共に冷媒供給部２５により第１の電極２３の中空の内部に冷却流体が流通され、さらに、加工電源部２６により補助電極層３２と第１の電極２３との間に電圧が印加された状態で、ステージ移動部２２によりステージ２１が上昇する。なお、電極回転部２４による第１の電極２３の回転速度は、例えば１０〜１０００回／分（ＲＰＭ）とすることができる。
【００１８】
これにより、第１の電極２３が中心軸Ｃ２に沿ってＳｉＣ基板１２に対し相対的に接近し、第１の電極２３と補助電極層３２との間隔が所定の値に達したところでアーク放電が発生し、局部的に高温状態となってＳｉＣ基板１２が加工される。ステージ２１の上昇に伴って、次第にＳｉＣ基板１２の内部にまで放電加工が進行し、ステージ移動部２２によるステージ２１の上昇を続けることで、図４に示されるように、ＳｉＣ基板１２の厚さＴ１よりも小さい深さＨ１を有してＳｉＣ基板１２を貫通しない第１の孔１４が形成される。
【００１９】
ＳｉＣ部材１１のＳｉＣ基板１２およびＣＶＤ−ＳｉＣ層１３のうち、比較的小さな電気抵抗率を有するＳｉＣ基板１２の側から第１の孔１４を形成するので、補助電極層３２は、ＣＶＤ−ＳｉＣ層１３の表面上に拡がっていれば、十分に放電加工を行うことができ、例えば、スパッタリング法または蒸着法により補助電極層３２を形成する必要がない。従って、簡単な装置で容易に穿孔を行うことが可能となる。
また、電極回転部２４により第１の電極２３を中心軸Ｃ２の回りに回転駆動させているため、効率よくＳｉＣ基板１２を放電加工することができ、さらに、冷媒供給部２５により第１の電極２３の中空の内部に冷却流体を流通させているので、第１の電極２３を高温により損傷することなく、放電加工を進行させることができる。
【００２０】
このようにしてＳｉＣ基板１２に貫通しない第１の孔１４を形成した後、図５に示されるように、第１の電極２３の代わりに第２の電極２８を穿孔装置にセットし、ステップＳ３で、制御部２７による制御の下、第２の電極２８を用いて放電加工により第１の孔１４の底部１４ＡからＳｉＣ基板１２およびＣＶＤ−ＳｉＣ層１３を貫通する第２の孔１５を形成する。このとき、ステージ２１上に保持されているベースプレート３１およびＳｉＣ部材１１は、ステージ２１に対して移動されることなく、第１の孔１４を形成する際と同一の位置および姿勢を保っている。
【００２１】
ここで、第２の電極２８は、Ｗ（タングステン）から形成され、第１の電極２３よりも細いワイヤ形状を有し、電極回転部２４により第１の電極２３と共通の中心軸Ｃ２の回りに回転駆動されるものとする。
制御部２７に制御された電極回転部２４によって第２の電極２８が中心軸Ｃ２の回りに回転駆動されると共に冷媒供給部２５により第２の電極２８の外周部に沿って第１の孔１４の内部に冷却流体が流通され、さらに、加工電源部２６により補助電極層３２と第２の電極２８との間に電圧が印加された状態で、ステージ移動部２２によりステージ２１が上昇する。なお、電極回転部２４による第２の電極２８の回転速度は、例えば１０〜１０００回／分（ＲＰＭ）とすることができる。
【００２２】
ステージ２１の上昇に伴って、第２の電極２８がＳｉＣ基板１２に形成されている第１の孔１４の内部に挿入され、第２の電極２８の先端が第１の孔１４の底部１４Ａに接近することでアーク放電が発生し、ＳｉＣ基板１２およびＣＶＤ−ＳｉＣ層１３が順次加工される。ステージ移動部２２によるステージ２１の上昇を続けることにより、図６に示されるように、第１の孔１４の底部１４ＡからＳｉＣ基板１２およびＣＶＤ−ＳｉＣ層１３と補助電極層３２を貫通する第２の孔１５が形成される。
【００２３】
このとき、電極回転部２４により第２の電極２８を中心軸Ｃ２の回りに回転駆動させているため、効率よくＳｉＣ基板１２およびＣＶＤ−ＳｉＣ層１３を放電加工することができる。さらに、冷媒供給部２５により第２の電極２８の外周部に沿って第１の孔１４の内部に冷却流体を流通させているので、第２の電極２８を高温により損傷することなく、放電加工を進行させることができる。
また、第２の孔１５の形成位置に合わせて、予めベースプレート３１の表面に溝３１Ａが形成されているので、第２の孔１５の形成に伴う冷却流体および切削屑は、第２の孔１５から下方に排出されて溝３１Ａの中に収容される。
【００２４】
その後、ステップＳ４で、エッチング等によりＣＶＤ−ＳｉＣ層１３の表面から補助電極層３２を除去し、さらに、続くステップＳ５で、ＳｉＣ部材１１を湿式洗浄し、水すすぎと乾燥を行うことにより、図１に示したような第１の孔１４および第２の孔１５が形成されたＳｉＣ部材１１の作製が完了する。
なお、湿式洗浄は、ピランハ溶液による硫酸過水洗浄、超高純度バッファードフッ酸（ＢＨＦ）浴等により行うことができる。
【００２５】
なお、第１の電極２３の径および第２の電極２８の径は、ＳｉＣ部材１１に形成しようとする所望の貫通孔の所定の径に応じて選択される。例えば、厚さＴ１＝９．０ｍｍの焼結ＳｉＣからなるＳｉＣ基板１２の表面上に厚さＴ２＝２．２ｍｍのＣＶＤ−ＳｉＣ層１３が形成されているＳｉＣ部材１１に対して、ＣＶＤ−ＳｉＣ層１３側に直径Ｄ２＝０．５ｍｍの第２の孔１５を形成する場合、まず、直径０．９ｍｍの第１の電極２３を用いて直径Ｄ１＝１．０ｍｍ、深さＨ１＝７．７〜８．５ｍｍの第１の孔１４を形成した後、直径０．４ｍｍの第２の電極２８を用いて第１の孔１４の底部１４ＡからＳｉＣ基板１２およびＣＶＤ−ＳｉＣ層１３を貫通する直径Ｄ２＝０．５ｍｍの第２の孔１５を形成することができる。
【００２６】
第１の孔１４は、第２の孔１５を形成する際の冷却流体および切削屑の流通経路となるため、第２の孔１５として予定している所定の径Ｄ２よりも０．１ｍｍ以上大きな直径を有する第１の電極２３を用いて第１の孔１４を形成することが好ましい。すなわち、直径Ｄ２＝０．５ｍｍの第２の孔１５を形成する場合には、０．６ｍｍ以上の直径を有する第１の電極２３を用いることが好ましい。
【００２７】
以上のように、ＣＶＤ−ＳｉＣ層１３の表面上に塗布により補助電極層３２を形成し、第１の電極２３を中心軸Ｃ２の回りに回転させながら放電加工によりＳｉＣ基板１２に貫通しない第１の孔１４を形成した後、第１の電極２３よりも細い第２の電極２８を第１の孔１４に挿入して中心軸Ｃ２の回りに回転させながら放電加工により第１の孔１４の底部からＳｉＣ基板１２およびＣＶＤ−ＳｉＣ層１３を貫通する第２の孔１５を形成するので、ＳｉＣ部材１１に所定の径の貫通孔を効率よく形成することが可能となる。
【００２８】
特に、第１の孔１４を形成する際と第２の孔１５を形成する際とで、ステージ２１上に保持されたＳｉＣ部材１１を、上下方向を反転させるように裏返す必要がなく、ステージ２１に対して位置が固定されたままで済むので、２種類の孔１４および１５を形成しているにも関わらず、その間の位置合わせ作業が不要となり、極めて効率よく且つ高精度に穿孔作業を進めることができる。
また、ステージ移動部２２によりステージ２１を移動させながら放電加工を行うので、容易に自動化を図ることも可能となる。
【００２９】
同様にして、図７に示されるように、それぞれ第１の孔１４および第２の孔１５からなる複数の貫通孔が所定のピッチＰで配列形成されたＳｉＣ部材４１を作製すれば、図８に示したようなプラズマ処理装置のチャンバ内で反応ガスを均等に分配するシャワーヘッドとして使用することができる。この場合、例えば、１０００個以上もの多数の貫通孔が形成されたＳｉＣ部材４１を用いることができる。
ＣＶＤ−ＳｉＣ層１３が形成された面をプラズマ発生領域に向けて、ＳｉＣ部材４１からなるシャワーヘッドをチャンバ内に配置することで、パーティクルの発生を防止することが可能となる。
【００３０】
このような複数の貫通孔を形成する場合には、図３に示したフローチャートのステップＳ２で、ステージ移動部２２によりステージ２１を移動させながら第１の電極２３を用いて放電加工を行うことにより、ＳｉＣ基板１２に複数の第１の孔１４を配列形成した後、ステップＳ３で、ステージ移動部２２によりステージ２１を移動させながら第２の電極２８を用いて放電加工を行うことにより、それぞれの第１の孔１４の内部に第１の孔１４の底部からＳｉＣ基板１２およびＣＶＤ−ＳｉＣ層１３を貫通する第２の孔１５を形成すればよい。
【００３１】
なお、上記の実施の形態において、ＳｉＣ基板１２が焼結ＳｉＣから形成されていたが、これに限るものではなく、ＣＶＤ−ＳｉＣ層１３よりも低い電気抵抗率を有していれば、ホットプレスにより形成されたＳｉＣあるいはＣＶＤ法により形成されたＳｉＣを用いることもできる。
また、第１の電極２３は、Ｃｕから形成されていたが、これに限るものではなく、例えば、Ｗから形成することもできる。さらに、第２の電極２８は、Ｗの他、Ｗの合金、Ｍｏ（モリブデン）、Ｍｏの合金等を形成材料とすることもできる。
【符号の説明】
【００３２】
１１，４１  ＳｉＣ部材、１２  ＳｉＣ基板、１３  ＣＶＤ−ＳｉＣ層、１４  第１の孔、１４Ａ  底部、１５  第２の孔、２１  ステージ、２２  ステージ移動部、２３  第１の電極、２４  電極回転部、２５  冷媒供給部、２６  加工電源部、２７  制御部、２８  第２の電極、３１  ベースプレート、３１Ａ  溝、３２  補助電極層、Ｔ１  ＳｉＣ基板の厚さ、Ｔ２  ＣＶＤ−ＳｉＣ層の厚さ、Ｄ１  第１の孔の直径、Ｄ２  第２の孔の直径、Ｈ１  第１の孔の深さ、Ｈ２  第２の孔の深さ、Ｃ１，Ｃ２  中心軸、Ｐ  ピッチ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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