(57)【要約】【課題】階調表現力を高め、画像品位を向上させる有機発光表示装置を提供する。【解決手段】ＯＬＥＤ、データラインを介して供給されるデータ電圧と基準ラインを介して供給される基準電圧間の電圧差に応じて前記ＯＬＥＤに流れる電流量を制御する駆動ＴＦＴをそれぞれ含む複数のピクセルが形成された表示パネルと、入力映像データに対応するデータ電圧を生成して前記ピクセルに接続されたデータラインに印加するソースドライバＩＣと、前記入力映像データを分析して基準電圧制御データを生成する映像分析部と、前記基準電圧制御データに基づいて入力映像に応じて変化する基準電圧を生成し、前記基準電圧を前記ピクセルに接続された基準ラインに印加する基準電圧調整部を備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤ、データラインを介して供給されるデータ電圧と基準ラインを介して供給される基準電圧間の電圧差に応じて前記ＯＬＥＤに流れる電流量を制御する駆動ＴＦＴをそれぞれ含む複数のピクセルが形成された表示パネルと、
入力映像データに対応するデータ電圧を生成して前記ピクセルに接続されたデータラインに印加するソースドライバＩＣと、
前記入力映像データを分析して基準電圧制御データを生成する映像分析部と、
前記基準電圧制御データに基づいて入力映像に応じて変化する基準電圧を生成し、前記基準電圧を前記ピクセルに接続された基準ラインに印加する基準電圧調整部と
を備える有機発光表示装置。
【請求項２】
前記基準電圧調整部は、１ピクセル単位で前記基準電圧を個別調整する
ことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記基準電圧調整部は、前記基準ラインに接続された複数の調整ユニットを含み、
前記調整ユニットのそれぞれは、基準電圧制御データを用いて、それに対応する基準電圧を生成するデジタル−アナログ変換部と、前記デジタル−アナログ変換部から入力される基準電圧を当該基準ラインに供給するアンプを含む
ことを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記アンプは、あらかじめ設定されたセンシングモードで前記駆動ＴＦＴの電気的特性の変化をセンシングすることに活用されることで、前記基準電圧を当該基準ラインに供給する時にはユニットゲインバッファとして動作する
ことを特徴とする、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記基準電圧調整部は、少なくとも２つ以上のピクセルが含まれた１表示ブロック単位で前記基準電圧を個別調整する
ことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記映像分析部は、前記入力映像の表示階調に応じて前記基準電圧制御データを異なるように生成し、
前記基準電圧調整部は、前記基準電圧制御データに基づいて、前記入力映像が暗いほど上向き調整された基準電圧を生成し、前記入力映像が明るいほど下向き調整された基準電圧を生成する
ことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型の有機発光表示装置は、自ら発光する有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode：以下、「ＯＬＥＤ」と称す）を含み、応答速度が速く、発光効率、輝度及び視野角が大きいという利点がある。
【０００３】
自発光素子であるＯＬＥＤは、アノード電極及びカソード電極と、これらの間に形成された有機化合物層（ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ、ＥＩＬ）を含む。有機化合物層は、正孔注入層（Hole Injection layer、ＨＩＬ）、正孔輸送層（Hole transport layer、ＨＴＬ）、発光層（Emission layer、ＥＭＬ）、電子輸送層（Electron transport layer、ＥＴＬ）及び電子注入層（Electron Injection layer、ＥＩＬ）からなる。アノード電極とカソード電極に駆動電圧が印加されると、正孔輸送層（ＨＴＬ）を通過した正孔と電子輸送層（ＥＴＬ）を通過した電子が発光層（ＥＭＬ）に移動されて励起子を形成し、その結果、発光層（ＥＭＬ）が可視光を発生することになる。
【０００４】
有機発光表示装置は、ＯＬＥＤをそれぞれ含むピクセルをマトリックス状に配列し、ビデオデータの階調に応じて、ピクセルの輝度を調節する。ピクセルのそれぞれは、ＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御する駆動ＴＦＴ（ＤＴ）と、第１ゲートパルス（ＳＣＡＮ）に応じてスイッチングされ、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲートノード（Ｎｇ）にデータ電圧（Ｖdate）を印加する第１スイッチＴＦＴ（ＳＴ１）と、第２ゲートパルス（ＳＥＮ）に応じてスイッチングされ、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のソースノード（ＮS）に基準電圧を印加する第２スイッチＴＦＴ（ＳＴ２）と、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲート−ソース間電圧差（Ｖｇｓ）を一定期間の間維持させるためのストレージキャパシタ(Cst)を含むことができる。駆動ＴＦＴ（ＤＴ）は、ストレージキャパシタ(Cst)に充電された電圧（Ｖｇｓ）の大きさに応じて、ＯＬＥＤに供給される駆動電流の大きさを制御してＯＬＥＤの発光量を調節する。ＯＬＥＤの発光量は、駆動ＴＦＴから供給される電流に比例する。
【０００５】
駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲートノード（Ｎｇ）に印加されるデータ電圧（Ｖdate）が入力映像データに従って異なることに対し、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のソースノード（Ｎs）に印加される基準電圧は、図２のように、入力映像に関係なく、すべてのピクセルに固定された値に印加される。通常、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のしきい電圧が負シフトされる場合に備え、基準電圧は０Ｖより大きい電圧で使用される。したがって、図３のように階調表現の領域を定義する駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲート−ソース間電圧（Ｖｇs）が最大データ電圧（Ｖdate）より小さくなって、最大データ電圧（Ｖdate）に対応する輝度の実現は不可能になる。これは、階調表現力を落として画像品位を低下させる原因となる。図４には、基準電圧が３Ｖに固定される時のＶｇs−（ゲート−ソース間電圧−Ｉds（駆動電流）の間の関係が示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、階調表現力を高め、画像品位を向上させるようにした有機発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明に係る有機発光表示装置は、ＯＬＥＤ、データラインを介して供給されるデータ電圧と基準ラインを介して供給される基準電圧間の電圧差に応じて前記ＯＬＥＤに流れる電流量を制御する駆動ＴＦＴをそれぞれ含む複数のピクセルが形成された表示パネルと、入力映像データに対応するデータ電圧を生成して前記ピクセルに接続されたデータラインに印加するソースドライバＩＣと、前記入力映像データ（ＲＧＢ）を分析し、基準電圧制御データを生成する映像分析部と、前記基準電圧制御データに基づいて入力映像に応じて変化する基準電圧を生成し、前記基準電圧を前記ピクセルに接続された基準ラインに印加する基準電圧調整部を備える。
【０００８】
前記基準電圧調整部は、１ピクセル単位で前記基準電圧を個別に調整する。
【０００９】
前記基準電圧調整部は、前記基準ラインに接続された複数の調整ユニットを含み、前記調整ユニットのそれぞれは、基準電圧制御データを用いて、それに対応する基準電圧を生成するデジタル−アナログ変換部と、前記デジタル−アナログ変換部から入力される基準電圧を当該基準ラインに供給するアンプを含む。
【００１０】
前記アンプは、予め設定された、センシングモードにおいて前記駆動ＴＦＴの電気的特性の変化をセンシングすることに活用されるもので、前記基準電圧を当該基準ラインに供給する時にはユニットゲインバッファとして動作する。
【００１１】
前記基準電圧調整部は、少なくとも２つ以上のピクセルが含まれた１表示ブロック単位で前記基準電圧を個別に調整する。
【００１２】
前記映像分析部は、前記入力映像の表示階調に応じて前記基準電圧制御データを異なるように生成し、前記基準電圧調整部は、前記基準電圧制御データに基づいて、前記入力映像が暗いほど上向き調整された基準電圧を生成し、前記入力映像が明るいほど下向き調整された基準電圧を生成する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、入力映像に応じて、データ電圧だけでなく、基準電圧まで調整して階調表現力を向上させ、画像品位を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来の有機発光表示装置の一ピクセルの構成を示す回路図である。
【図２】従来の有機発光表示装置において基準電圧が入力映像に関係なく、すべてのピクセルに固定された値に印加されることを示す図である。
【図３】従来の有機発光表示装置において駆動ＴＦＴのゲート−ソース間電圧が最大データ電圧より小さくなって階調表現力が低下することを示す図である。
【図４】従来の有機発光表示装置において基準電圧が３Ｖに固定される時のＶgｓ（ゲート−ソース間電圧−Ｉｄｓ（駆動電流）の間の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の実施の形態に係る有機発光表示装置を示すブロック図である。
【図６】映像分析部、基準電圧調整部が内蔵されたソースドライバＩＣ及び表示パネルの間の一接続構成を示す図である。
【図７】映像分析部、基準電圧調整部、ソースドライバＩＣ及び表示パネルの間の一接続構成を示す図である。
【図８】表示パネルに形成された一ピクセル構成を示す回路図である。
【図９】入力映像に応じて調整される基準電圧によって階調表現力が高くなることを示す図である。
【図１０】基準電圧が０Ｖと３ＶのときのＯＬＥＤに流れる電流の変化を示すグラフである。
【図１１】１水平期間周期で基準電圧を０Ｖと３Ｖに交互に変えた場合の、基準電圧スイング波形を示すシミュレーション結果図である。
【図１２】基準電圧調整部に属する一調整ユニットの一例を示す図である。
【図１３】基準電圧調整部に属する一調整ユニットの他の例を示す図である。
【図１４】基準電圧が表示ブロック単位で個別調整される一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図５〜図１４を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００１６】
図５は、本発明の実施の形態に係る有機発光表示装置を示すブロック図である。
【００１７】
図５を参照すると、本発明の有機発光表示装置は、表示パネル１０、タイミングコントローラ１１、データ駆動回路１２、ゲート駆動回路１３及び基準電圧調整部２０を備える。
【００１８】
表示パネル１０には、複数のデータライン及び基準ライン（１４Ａ、１４Ｂ）と、複数のゲートライン１５が交差し、その交差領域ごとにピクセル（Ｐ）がマトリックス状に配置される。
【００１９】
各ピクセル（Ｐ）は、データライン１４Ａのいずれか１つに、基準ライン１４Ｂのいずれか１つに、そしてゲートライン１５のいずれか１つに接続される。各ピクセル（Ｐ）は、ゲートライン１５を介して入力されるゲートパルスに応答して、データライン１４Ａからデータ電圧の供給を受け、基準ライン１４Ｂから基準電圧の供給を受ける。
【００２０】
タイミングコントローラ１１は、垂直同期信号（Ｖsync）、水平同期信号（Ｈsync）、ドットクロック信号（ＤＣＬＫ）及びデータイネーブル信号（ＤＥ）などのタイミング信号に基づいて、データ駆動回路１２の動作タイミングを制御するためのデータ制御信号（ＤＤＣ）と、ゲート駆動回路１３の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号（ＧＤＣ）を生成する。タイミングコントローラ１１は、外部のホストシステムから入力される入力映像データ（ＲＧＢ）を再整列し、データ駆動回路１２に供給する。  
【００２１】
特に、タイミングコントローラ１１は、入力映像データ（ＲＧＢ）を分析し、基準電圧制御データ（ＲＣＤ）を生成する映像分析部（図６及び図７の１１１）をさらに含むことができる。
【００２２】
データ駆動回路１２は、データ制御信号（ＤＤＣ）に基づいてタイミングコントローラ１１からの入力映像データ（ＲＧＢ）をデータ電圧に変換してデータライン１４Ａに供給する。データ駆動回路１２は、基準電圧調整部２０を含むことができる。
【００２３】
基準電圧調整部２０は、タイミングコントローラ１１からの基準電圧制御データ（ＲＣＤ）をもとに入力映像に応じて変化する基準電圧を生成し、この基準電圧をピクセル（Ｐ）に接続された基準ライン１４Ｂに印加する。基準電圧調整部２０は、図６及び図７などのような接続構成を通じて、１ピクセル単位で基準電圧（ＶＲＥＦ）を個別調整することもでき、図１４のような接続構成を通じて、少なくとも２つ以上のピクセルが含まれた１表示ブロック単位で基準電圧（ＶＲＥＦ）を個別調整することもできる。
【００２４】
ゲート駆動回路１３は、ゲート制御信号（ＧＤＣ）に従って、ゲートパルスを生成した後、ゲートライン１５に順次供給する。ゲートパルスは、ピクセルのスイッチＴＦＴを制御するためのもので、第１ゲートパルスと第２ゲートパルスを含むことができる。
【００２５】
図６は、映像分析部、基準電圧調整部が内蔵されたソースドライバＩＣ及び表示パネルの間の一接続構成を示す。そして、図７は、映像分析部、基準電圧調整部、ソースドライバＩＣ及び表示パネルの間の一接続構成を示す。図８は、表示パネルに形成された一ピクセル構成を示す。
【００２６】
本発明のデータ駆動回路１２は、少なくとも一つ以上のソースドライバＩＣ（Intergrated Circuit)(ＳＤＩＣ)を含み、タイミングコントローラ１１は、映像分析部１１１を含む。映像分析部１１１は、公知の様々な方法を介して入力映像データ（ＲＧＢ）を分析して、入力映像の表示階調に応じて基準電圧制御データ（ＲＣＤ１〜ＲＣＣ６）を異なるように生成する。
【００２７】
図６を参照すると、ソースドライバＩＣ（ＳＤＩＣ）には、各データライン１４Ａに接続された複数の第１デジタル−アナログコンバータ（以下、ＤＡＣ）と、供給チャネル（ＣＨ１〜ＣＨ６）を介して基準ライン１４Ｂに接続された基準電圧調整部２０が備えられる。
【００２８】
第１ＤＡＣは、データ制御信号（ＤＤＣ）に応じて、入力映像データ（ＲＧＢ）をデータ電圧に変換して、ピクセル（Ｐ）に接続されたデータライン１４Ａに供給する。
【００２９】
基準電圧調整部２０は、ソースドライバＩＣ（ＳＤＩＣ）に内蔵されて映像分析部１１１からの基準電圧制御データ（ＲＣＤ１〜ＲＣＣ６）に基づいて入力映像に応じて変化する基準電圧（ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦ６）を生成し、この基準電圧（ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦ６）をピクセル（Ｐ）に接続された基準ライン１４Ｂに印加する。特に、基準電圧調整部２０は、階調表現力を高めるために、基準電圧制御データ（ＲＣＤ１〜ＲＣＣ６）に基づいて、入力映像が暗いほど上向き調整された基準電圧を生成し、入力映像が明るいほど下向き調整された基準電圧を生成することができる。これについては図９〜図１１で詳細に後述する。
【００３０】
基準電圧調整部２０は、複数の調整ユニット２６を含むことができ、各調整ユニット２６には、第２ＤＡＣ２２とアンプ２４が備えられている。基準電圧が１ピクセル単位で個別調整できるように、調整ユニット２６は、供給チャンネル（ＣＨ１〜ＣＨ６）を介して基準ライン１４Ｂに一対一で接続することができる。基準ライン１４Ｂに供給された基準電圧（ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦ６）は、ゲートパルスに同期して、行順次方式（Ｌ＃１、Ｌ＃２、．．．）でピクセル（Ｐ）に印加することができる。
【００３１】
本発明は、駆動ＴＦＴの電気的特性の変化を補償するために、本願出願人によって既に出願された韓国特許出願番号第１０−２０１３−０１３４２５６号明細書（２０１３／１１／０６）、韓国特許出願番号第１０−２０１３−０１４１３３４号明細書（２０１３／１１／２０）、韓国特許出願番号第１０−２０１３−０１６６６７８号明細書（２０１３／１２／３０）、韓国特許出願番号第１０−２０１３−０１４９３９５号明細書（２０１３／１２／０３）、韓国特許出願番号第１０−２０１４− ００７９２５５号明細書（２０１４／０６／２６）、韓国特許出願番号第１０−２０１４−００７９５８７号明細書（２０１４／０６／２７）から提供された外部補償方式を採用することができる。前記先出願の外部補償方式は、駆動ＴＦＴの電気的特性の変化をセンシングするために、電圧センシング方式または電流センシング方式を用いており、そのためにソースドライバＩＣ内にアンプを備えている。
【００３２】
図６に示すように、基準電圧調整部２０をソースドライバＩＣ（ＳＤＩＣ）に内蔵すると、前記外部補償方式のために備えられたアンプをユニットゲインバッファとして動作させることにより、本発明の基準電圧を供給するためのアンプ２４に活用できる利点がある。すなわち、本発明のアンプ２４は、その活用目的に応じてユニットゲインバッファまたはセンシング用アンプとして機能することができる。アンプ２４がセンシング用アンプとして機能するときは先出願のと同様に、あらかじめ設定されたセンシングモードで駆動ＴＦＴの電気的特性の変化をセンシングするために用いられる。
【００３３】
一方、図７を参照すると、基準電圧調整部２０は、ソースドライバＩＣ（ＳＤＩＣ）に内蔵されず、データ駆動回路１２を構成するソースＰＣＢにソースドライバＩＣ（ＳＤＩＣ）とは別に実装することができる。この場合、ソースドライバＩＣ（ＳＤＩＣ）に第２ＤＡＣ２２を内蔵する必要がないため、ソースドライバＩＣ（ＳＤＩＣ）の構成が簡素になるという長所がある。
【００３４】
図８は、表示パネルに形成された一ピクセル構成を示す回路図である。図８のピクセル構成は、データ電圧と基準電圧間の電圧差（ＶＧＳ）に応じて、ＯＬＥＤに流れる電流量が制御される一例示に過ぎないため、さまざまな変形が可能である。したがって、本発明の技術的思想は、この例示的な構成に限定されないことに注意しなければならない。
【００３５】
図８を参照すると、一ピクセル（Ｐ）は、電源生成部（図示せず）から高電位駆動電圧（ＥＶＤＤ）と低電位駆動電圧（ＥＶＳＳ）の供給を受け、そして、ＯＬＥＤ、駆動ＴＦＴ(Thin Film Transistor)(ＤＴ)、ストレージキャパシタ(Cst)、第１スイッチＴＦＴ（ＳＴ１）、及び第２スイッチＴＦＴ（ＳＴ２）を備えることができる。ＴＦＴは、ｐ型で実現されるか、またはｎ型で実現することができる。また、ＴＦＴの半導体層は、アモルファスシリコン、またはポリシリコン、または酸化物を含むことができる。
【００３６】
ＯＬＥＤは、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲートノード（Ｎｇ）に接続されたアノード電極と、低電位駆動電圧（ＥＶＳＳ）の入力端に接続されたカソード電極と、アノード電極とカソード電極との間に位置する有機化合物層を含む。
【００３７】
駆動ＴＦＴ（ＤＴ）は、ゲート−ソース間電圧差（ＶＧS）に応じて、ＯＬＥＤに流れる電流量を制御する。駆動ＴＦＴ（ＤＴ）は、ゲートノード（Ｎｇ）に接続されたゲート電極、高電位駆動電圧（ＥＶＤＤ）の入力端に接続されたドレイン電極及びソースノード（Ｎs）に接続されたソース電極とを備える。ストレージキャパシタ(Cst)、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲートノード（Ｎｇ）とソースノード（Ｎs）との間に接続されて駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲート−ソース間電圧（Ｖｇs）を一定期間維持する。
【００３８】
第１スイッチＴＦＴ（ＳＴ１）は、第１ゲートパルス（ＳＣＡＮ）に応じてスイッチングされ、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲートノード（Ｎｇ）にデータ電圧（Ｖdate）を印加する。第１スイッチＴＦＴ（ＳＴ１）は、ゲートライン１５に接続されたゲート電極、データライン１４Ａに接続されたドレイン電極及びゲートノード（Ｎｇ）に接続されたソース電極を備える。第２スイッチＴＦＴ（ＳＴ２）は、第２ゲートパルス（ＳＥＮ）に応じてスイッチングされ、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のソースノード（Ｎs）に基準電圧（ＶＲＥＦa）を印加する。ここで、基準電圧（ＶＲＥＦa）は、基準電圧制御データ（ＲＣＤa）に基づいて基準電圧調整部２０で生成されたもので、基準ライン１４Ｂに供給されている。第２スイッチＴＦＴ（ＳＴ２）は、ゲートライン１５に接続されたゲート電極、基準ライン１４Ｂに接続されたドレイン電極及びソースノード（Ｎs）に接続されたソース電極を備える。
【００３９】
駆動ＴＦＴ（ＤＴ）は、ストレージキャパシタ(Cst)に充電されたデータ電圧（Ｖdate）と基準電圧（ＶＲＥＦa）間の電圧差（Ｖｇs）に応じて、ＯＬＥＤに供給される駆動電流の大きさを制御してＯＬＥＤの発光量を調節する。ＯＬＥＤの発光量は、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）から供給される電流に比例する。
【００４０】
図９は、入力映像に応じて調整される、本発明の基準電圧によって階調表現力が高まることを示している。図１０は、基準電圧が０Ｖと３ＶのときＯＬＥＤに流れる電流の変化を示すグラフである。
【００４１】
本発明によれば、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲートノード（Ｎｇ）に印加されるデータ電圧（Ｖdate）と同様に、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のソースノード（Ｎs）に印加される基準電圧（ＶＲＥＦ）も１水平期間ごとに可変することができる。これは、基準電圧（ＶＲＥＦ）を固定させたまま、データ電圧（Ｖdate）のみ可変して階調を表現していた従来技術に比べて、データ電圧（Ｖdate）と基準電圧（ＶＲＥＦ）の全てを可変させることができ、さらに細密な階調表現が可能となる。たとえば、入力映像データ（ＲＧＢ）を１０ビットで実現し、基準電圧制御データ（ＲＣＤ）を５ビットで実現する場合、１５ビットの階調表現力が可能となる。
【００４２】
このようなビット拡張効果のために、図９に示すように階調表現領域が従来と比べＡＲ領域だけ広くなる。図９において、「Ｖｇ」は、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲート電圧として、ゲートノード（Ｎｇ）に印加されるデータ電圧（Ｖdate）を指示し、「Ｖs」は、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のソース電圧として、ソースノード（Ｎs）に印加される基準電圧（ＶＲＥＦ）を指示する。
【００４３】
本発明の最も暗いブラック階調の映像に対応して基準電圧（ＶＲＥＦ）を３Ｖに生成し、最も明るいホワイト階調の映像に対応して基準電圧（ＶＲＥＦ）を０Ｖに生成し、ブラックとホワイトの間の中間階調の映像に対応して基準電圧（ＶＲＥＦ）を０Ｖと３Ｖの間で生成することができる。図１０を参照すると、本発明は、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のしきい電圧が負シフトされる場合に備えて、ブラック階調の映像に対応して基準電圧（ＶＲＥＦ）を３Ｖに生成することができる。そして、本発明は、ホワイト階調の映像に対応して基準電圧（ＶＲＥＦ）を０Ｖで生成することにより、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲート−ソース間電圧（Ｖｇs）を高め、ＯＬＥＤに流れる電流（Ｉds）を増加させることができる。これにより、本発明は、フルホワイト輝度実現が可能であり、階調表現力が高くなる。
【００４４】
図１１には、１水平期間（１Ｈ）周期で基準電圧を０Ｖと３Ｖに交互に変えた場合における基準電圧スイング波形のシミュレーション結果が示されている。
【００４５】
図１１において、フルホワイト階調を実現するための基準電圧は０Ｖであり、フルブラック階調を実現するための基準電圧は３Ｖに設定された。図１１の濃い実線で表記された波形は、基準電圧スイング時の供給チャンネル（入力地点）から遠く離れた部分での基準電圧の変化を示し、図１１の薄い実線で表記された波形は、基準電圧スイング時の供給チャンネル（入力地点）に近い部分での基準電圧の変化を示す。これを参照すれば、パネルのロードを考慮した遠い領域でも１水平期間（１Ｈ）で０Ｖ〜３Ｖの全範囲の可変が可能することが分かった。
【００４６】
図１２は、基準電圧調整部に属する一調整ユニットの一例を示す。そして、図１３は、基準電圧調整部に属する一調整ユニットの他の例を示す。
【００４７】
本発明の一調整ユニット２６は、第２ＤＡＣ２２とアンプ２４を含むが、アンプ２４は、図１２及び図１３のような構造で実現することができる。
【００４８】
図１２のアンプ２４は、電流センシング方式に用いられる積分器アンプとして、電流センシング時には内部スイッチ（ＲＳＴ＿ＣＩ）をオフさせ、積分キャパシター (Capacitor；ＣＦＢ）にセンシング電流を蓄積する積分器として機能し、基準電圧時には、内部スイッチ（ＲＳＴ＿ＣＩ）をオンさせてユニットゲインバッファとして機能することができる。
【００４９】
図１３のアンプ２４は、電圧センシング方式に用いられるアンプとして、電圧センシングの際には、別途のスイッチ（図示せず）を用いてセンシング電圧を通過させ、基準電圧供給時にはユニットゲインバッファとして機能することができる。
【００５０】
図１４は、基準電圧が表示ブロック単位で個別調整される一例を示す。
【００５１】
少なくとも２つ以上のピクセルが含まれる１表示ブロック単位で基準電圧（ＶＲＥＦ）が個別調整されるように、基準電圧調整部２０は、図１４に示すように、複数のブロック調整部（２０Ａ、２０Ｂ）を備えることができる。各ブロック調整部（２０Ａ、２０Ｂ）は、Ｋ（Ｋは２以上の正の整数）個の基準電圧制御データ（ＲＣＤ）を参照して１つの基準電圧を生成し、その１つの基準電圧を介してＫ個の供給チャンネル（ＣＨ）に共通に印加することができる。これによると、１表示ブロックに属するＫ個のピクセルは、同じ基準電圧の供給を受けることになる。
【００５２】
前述したように、本発明は、入力映像に応じて、データ電圧だけでなく、基準電圧まで調整して階調表現力を向上させ、画像品位を向上させることができる。
【００５３】
以上、添付された図面を参照して、本発明の実施の形態を説明したが、前述した本発明の技術的構成は、本発明が属する技術分野の当業者が本発明のその技術的思想や必須の特徴を変更せずに、他の具体的な形で実施されることが理解できる。したがって、以上で記述した実施の形態は、すべての面で例示的なものであり、限定的なものではないものとして理解されるべきである。さらに、本発明の範囲は前記詳細な説明よりは、後述する特許請求の範囲によって示される。また、特許請求の範囲の意味及び範囲、そしてその等価概念から導き出されるすべての変更または変形された形態が本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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