(57)【要約】【課題】ガラス基板に樹脂層と保護層とを積層した複合基板をスクライブすること。【解決手段】複合基板１０のスクライブ予定ラインＳＬの両側に一定間隔を隔てた２本のラインに沿ってスクライブを行い、溝２１ａ，２１ｂを形成する。次いでその間の樹脂層と保護層とを剥離し、溝２３を形成してガラス基板１１の面を露出させる。露出させたガラス面に対してスクライブ予定ラインに沿ってスクライブを行うことによって複合基板を分断する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の少なくとも一方の面に樹脂層と保護層とを積層した複合基板をスクライブするスクライブ方法であって、
前記ガラス基板のスクライブ予定ラインの両側に一定間隔を隔てた２本のラインに沿って樹脂層よりスクライブを行い、
樹脂除去ツールにより前記スクライブされた２本のスクライブラインの間の樹脂層と保護層とをスクライブし一定幅の溝を形成してガラス層を露出させ、
溝内で露出させたガラス面から前記スクライブ予定ラインに沿ってスクライビングホイールを転動させてスクライブする複合基板のスクライブ方法。
【請求項２】
前記樹脂層は前記保護層よりも固い材質である請求項１記載の複合基板のスクライブ方法。
【請求項３】
ガラス基板の少なくとも一方の面に樹脂層と保護層とを積層した複合基板をスクライブするスクライブするためのスクライブ装置であって、
前記ガラス基板のスクライブ予定ラインの両側に一定間隔を隔てた２本のラインに沿って樹脂層よりスクライブを行うための樹脂層スクライブ手段、
樹脂除去ツールにより前記スクライブされた２本のスクライブラインの間の樹脂層と保護層とをスクライブし一定幅の溝を形成してガラス層を露出させるためのガラス層露出手段、及び
溝内で露出させたガラス面から前記スクライブ予定ラインに沿ってスクライビングホイールを転動させてスクライブするガラス基板スクライブ手段を有する複合基板用のスクライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はガラス基板に樹脂層や保護層を積層した複合基板のスクライブ方法及びスクライブ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来セラミックス基板に金属膜を積層した積層セラミックス基板を分断する場合には、特許文献１に示されているように、積層セラミックス基板の金属膜をパターニングツールを用いてスクライブ予定ラインに沿って溝加工を行い、形成した溝からスクライブ装置によってスクライブラインを形成し、セラミックス基板の面よりスクライブラインに沿って分断する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−０６７８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
同様にして図１に示すようにガラス基板１００に樹脂層１０１及び保護層１０２を積層した構造、又はガラス基板１００の上面に樹脂層１０１，１０３を積層し、更にその下面に保護層１０２，１０４を積層した複合基板をスクライブし分断する場合に、そのままスクライブしてもクラックが十分浸透しない。そこで一旦一方の面の樹脂層１０１と保護層１０２とを樹脂除去ツール１０５によって取り除く。そしてガラス基板１００の上面を露出させて、露出したガラス面に対してスクライブを行い、その後スクライブした面の逆方向からブレイク刃によってブレイクすることが考えられる。
【０００５】
しかしながら表面の樹脂層１０１と保護層１０２の合計の厚さが１０μｍ以上であれば、これらの層を樹脂除去ツール１０５を使用して取り除こうとしても樹脂層と保護層を一定の幅で除去することが難しく、スクライブした溝の両側に図２に示すような不規則に保護層や樹脂層が剥離してしまうという問題点があった。こうして保護層を除去して露出させたガラス面に対してスクライビングホイールを用いてクラックを浸透させるようにスクライブして分断しても、端面の精度が劣化しているため、製品の品質を高く保てないという問題点があった。
【０００６】
本発明はこのような問題点に着目してなされたものであって、保護層と樹脂層を除去する場合にも保護層や樹脂層が不規則に剥離することがなく、樹脂層と保護層とを一定幅で除去してスクライブできるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題を解決するために、本発明の複合基板のスクライブ方法は、ガラス基板の少なくとも一方の面に樹脂層と保護層とを積層した複合基板をスクライブするスクライブ方法であって、前記ガラス基板のスクライブ予定ラインの両側に一定間隔を隔てた２本のラインに沿って樹脂層よりスクライブを行い、樹脂除去ツールにより前記スクライブされた２本のスクライブラインの間の樹脂層と保護層とをスクライブし一定幅の溝を形成してガラス層を露出させ、溝内で露出させたガラス面から前記スクライブ予定ラインに沿ってスクライビングホイールを転動させてスクライブするものである。
【０００８】
また、本発明の複合基板用のスクライブ装置は、ガラス基板の少なくとも一方の面に樹脂層と保護層とを積層した複合基板をスクライブするスクライブするためのスクライブ装置であって、前記ガラス基板のスクライブ予定ラインの両側に一定間隔を隔てた２本のラインに沿って樹脂層よりスクライブを行うための樹脂層スクライブ手段、樹脂除去ツールにより前記スクライブされた２本のスクライブラインの間の樹脂層と保護層とをスクライブし一定幅の溝を形成してガラス層を露出させるためのガラス層露出手段、及び溝内で露出させたガラス面から前記スクライブ予定ラインに沿ってスクライビングホイールを転動させてスクライブするガラス基板スクライブ手段を有するものである。
【０００９】
ここで前記樹脂層は前記保護層よりも固い材質としてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
このような特徴を有する本発明によれば、ガラス基板に樹脂層と保護層とを積層した基板に対してスクライブ予定ラインの両側にまずホイールを転動させてその間の一定幅の部分の保護層と樹脂層を剥離するようにしている。こうすれば最表面の保護層が不規則に剥離することがなく、樹脂層と保護層とを除去することができる。こうして形成してガラス面を露出させてクラックを浸透させるようにスクライブすることで、スクライブ精度を向上させることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は複合基板の樹脂層と保護層側より保護層の剥離する処理を示す図である。
【図２】図２は複合基板の保護層の剥離後の表面の状態を示す図である。
【図３】図３は本発明の実施の形態による複合基板を示す斜視図である。
【図４】図４は本発明の実施の形態による複合基板に２本の溝を形成する過程を示す斜視図である。
【図５】図５は本実施の形態による複合基板の分断過程を示す断面図である。
【図６】図６は本発明の実施の形態による複合基板に溝を形成してガラス面を露出させる過程を示す斜視図である。
【図７】図７は本発明の実施の形態による複合基板の溝にスクライブを形成する過程を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図３はスクライブ及び分断の対象となる複合基板（以下、単に複合基板という）１０を示す斜視図、図５（ａ）はその断面図である。複合基板１０はガラス基板１１の一方の面に樹脂層１２，保護層１３を積層し、更にその裏面にも樹脂層１４，保護層１５を積層している。この複合基板の一点鎖線で示す面をスクライブ予定ラインＳＬとする。ここで樹脂層１２は絶縁体材料であって、比較的固い層であり、例えば１０〜１００μｍの厚さとする。又保護層１３はソルダーレジスト層等のパターンを保護する層であり、樹脂層１２よりも柔らかく、例えば１０〜５０μｍの厚さとする。
【００１３】
このような複合基板１０を所定のパターンで分断する場合に、まず図４に示すように保護層１３側よりスクライブ予定ラインＳＬの両側にスクライブ予定ラインに対して平行に一定の間隔Ｗ、例えば５０〜３００μｍの間隔を隔てて２本のスクライブを行う。このスクライブは図４に示すように通常のスクライブに用いられる鋭角のスクライビングホイール１６，１７を用いて一定の荷重をかけて転動させてスクライブする。図５（ｂ）はこうしてスクライブした後の断面図であり、保護層１３がこのときのスクライビングホイール１６，１７によってＶ字形状に押しつぶされた溝２１ａ，２１ｂとなっている。
【００１４】
さて２本の押しつぶされた溝２１ａ，２１ｂの間の樹脂層と保護層を図６に示すように樹脂除去ツール２２を用いて剥離した溝２３を形成する。このときの断面図を図５（ｃ）に示す。このときの樹脂除去ツール２２は特許文献１に示されているように円錐台形状や角柱状又は角柱状の左右を切り欠いた形状のツールであってもよい。又ツールの先端だけでなく全体も角柱状であってもよい。
【００１５】
そして樹脂層１２と保護層１３を取り去った帯状の溝２３の内側のガラス基板１１に対して、スクライブ予定ラインＳＬに沿ってスクライブを行う。このスクライブは図７に示すように、スクライブ装置によってスクライビングホイール２４を一定の荷重で押圧し転動させてクラックを垂直に浸透させるようにスクライブラインＳＬ１を形成する。このスクライブに用いるスクライビングホイールは、高浸透のスクライブが可能なものを用いてもよい。例えば日本国特許文献３０７４１４３号に示されているように、円周面に所定間隔を隔てて多数の溝を形成し、その間を突起として高浸透型としたスクライビングホイールが提案されている。
【００１６】
この実施の形態では、図４〜７に示すように保護層に溝加工を行い、次いで保護層の溝よりガラス面に対してスクライブするようにしているため、この間で複合基板を反転させる必要はなく、作業効率を高めることができる。
【００１７】
次いで複合基板１０を反転させ、複合基板１０の上部よりスクライブラインＳＬ１に沿ってブレイク刃を押し下げてブレイクする。こうすれば複合基板１０をスクライブラインに沿って完全に分断することができ、端面精度を向上させることができる。この複合基板の分断を格子状に行うことによって個別の複合基板チップを形成することができる。
【００１８】
尚この実施の形態では、図７の工程でスクライブ装置を用いてスクライビングホイールを転動させてスクライブを実行しているが、レーザスクライブ装置によってスクライブを行うようにしてもよい。
【００１９】
又この実施の形態では複合基板の最上面の保護層をソルダーレジスト層としているが、金属層であってもよい。又ガラス基板の両側に保護層と樹脂層とを設けたものについて説明しているが、いずれか一方に保護層と樹脂層を有する基板に対しても本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２０】
本発明はガラス基板に樹脂層，保護層を積層した複合基板をスクライビングホイールと樹脂除去ツールを用いてスクライブすることができ、微小な複合基板の製造に有効である。
【符号の説明】
【００２１】
１０  複合基板
１１  ガラス基板
１２，１４  樹脂膜
１３，１５  保護層
１６，１７，２４  スクライビングホイール
２１ａ，２１ｂ，２３  溝
２２  樹脂除去ツール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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