(57)【要約】【課題】プリント配線板に搭載される電子部品の搭載の容易化および搭載位置精度の向上、ならびに、プリント配線板の小型化。【解決手段】実施形態のプリント配線板は、ビルドアップ配線構造２０の平面形状での中央部に、電子部品接続用のパッドに接続される電極２６と電極２６の周囲を被覆する絶縁層２７からなり、積層方向の高さの高い高層領域Ｈが形成されている。そして、高層領域Ｈの周囲の少なくとも一部に高層領域Ｈの高さより低い低層領域Ｌが形成され、電極２６はビルドアップ配線層２５を構成する樹脂絶縁層２１とは異なる材料からなる絶縁層２７により被覆されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア絶縁層を内部に含み、第１面と該第１面の反対面である第２面を有するコア基板と、
前記コア基板の少なくとも第１面上に積層され、樹脂絶縁層と導体層とを有する少なくとも１層のビルドアップ配線層を含むビルドアップ配線構造と、
を有するプリント配線板であって、
前記ビルドアップ配線構造の平面形状での中央部に、電子部品接続用のパッドに接続して形成される電極と該電極の周囲を被覆する絶縁層とからなり、積層方向の高さの高い高層領域が形成され、
該高層領域の周囲の少なくとも一部に前記高層領域の前記絶縁層のトップ面よりも低い位置に露出面を有する低層領域が形成され、
前記絶縁層は前記ビルドアップ配線層を構成する樹脂絶縁層または前記コア基板を構成するコア絶縁層とは異なる材料で形成されている。
【請求項２】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記低層領域に露出する前記ビルドアップ配線構造の一部が除去されることにより、前記低層領域がさらに低くされている。
【請求項３】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記電極が柱状の導体ポストからなり、該導体ポストの高さが５０μｍ以上である。
【請求項４】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記低層領域が凹部状に分離して２つ以上に形成されている。
【請求項５】
請求項４記載のプリント配線板であって、前記低層領域が前記高層領域を挟んで対向する位置に一対で形成されている。
【請求項６】
請求項５記載のプリント配線板であって、前記一対の低層領域と９０度離れてさらに別の一対の低層領域が前記高層領域を挟んで形成されている。
【請求項７】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記低層領域が前記高層領域の少なくとも一辺から外周側の全体に形成されている。
【請求項８】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記低層領域の露出面には電子部品または他の配線板との接続用パッドが形成されてされずに、該低層領域の前記ビルドアップ配線構造の内層には、電子部品接続用の電極に接続される配線層が形成されている。
【請求項９】
請求項３記載のプリント配線板であって、前記導体ポストが電解めっき膜により形成されている。
【請求項１０】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記電極の周囲を被覆する絶縁層がモールド用の樹脂からなり、該モールド用の樹脂は、熱膨張率が６ｐｐｍ／℃以上、２５ｐｐｍ／℃以下、かつ、弾性率が５ＧＰａ以上、３０ＧＰａ以下の材料からなる。
【請求項１１】
コア絶縁層を内部に含み、第１面と該第１面の反対面である第２面を有し、前記第１面および第２面にそれぞれ形成される第１導体層および第２導体層を有するコア基板を用意することと、
前記コア基板の少なくとも前記第１面に樹脂絶縁層を形成し、前記樹脂絶縁層に前記第１導体層と接続されるビア導体を形成すると共に、前記樹脂絶縁層の前記第１導体層と反対面である第３面に電子部品接続用のパッドを含む第３導体層を形成することによりビルドアップ配線層を形成することと、
を有するプリント配線板の製造方法であって、
前記パッドは前記樹脂絶縁層の前記第３面の中央部に形成され、
前記パッド上に電極を形成し、該電極の周囲を絶縁層で被覆することにより、前記電極および前記絶縁層からなる高層領域が形成され、
該高層領域の周囲の少なくとも一部の前記絶縁層が除去されることにより前記高層領域より積層方向の高さの低い低層領域が形成され、
前記絶縁層は前記ビルドアップ配線層を構成する樹脂絶縁層または前記コア基板を構成するコア絶縁層とは異なる材料で形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビルドアップ配線構造の中央部を、電子部品接続用の電極が形成された高層領域とし、その周囲に高層領域より低い低層領域を有するプリント配線板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、キャビティ回路パターンを含む内部回路層を備えるベース基板上に外部回路層が形成され、外部回路層の中心部を除去することで、キャビティを備える回路基板を開示している。このキャビティは、外部回路層を形成する前に、ベース基板上にレーザストッパ層を形成し、キャビティの周囲にレーザドリルにより切り込みを入れてその内側の絶縁層および金属層を除去することで形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１３−５２０００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の印刷回路基板では、内部回路層上に外部回路層が積層され、外部回路層にキャビティが形成される。特許文献１の印刷回路基板のように高層領域で囲まれた低層領域（キャビティ）が有ると、電極間ピッチの狭い部品等を高精度に配置しにくいことが考えられる。また、四方が高層領域により囲まれるキャビティを形成することは、作業工程を複雑にすると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプリント配線板は、コア絶縁層を内部に含み、第１面と該第１面の反対面である第２面を有するコア基板と、前記コア基板の少なくとも第１面上に積層され、樹脂絶縁層と導体層とを有する少なくとも１層のビルドアップ配線層を含むビルドアップ配線構造と、を有する。そして、前記ビルドアップ配線構造の平面形状での中央部に、電子部品接続用のパッドに接続して形成される電極と該電極の周囲を被覆する絶縁層とからなり、積層方向の高さの高い高層領域が形成され、該高層領域の周囲の少なくとも一部に前記高層領域の前記絶縁層のトップ面よりも低い位置に露出面を有する低層領域が形成され、前記絶縁層は前記ビルドアップ配線層を構成する樹脂絶縁層または前記コア基板を構成するコア絶縁層とは異なる材料で形成されている。
【０００６】
本発明のプリント配線板の製造方法は、コア絶縁層を内部に含み、第１面と該第１面の反対面である第２面を有し、前記第１面および第２面にそれぞれ形成される第１導体層および第２導体層を有するコア基板を用意することと、前記コア基板の少なくとも前記第１面に樹脂絶縁層を形成し、前記樹脂絶縁層に前記第１導体層と接続されるビア導体を形成すると共に、前記樹脂絶縁層の前記第１導体層と反対面である第３面に電子部品接続用のパッドを含む第３導体層を形成することによりビルドアップ配線層を形成することと、を有する。そして、前記パッドは前記樹脂絶縁層の前記第３面の中央部に形成され、前記パッド上に電極を形成し、該電極の周囲を絶縁層で被覆することにより、前記電極および前記絶縁層からなる高層領域が形成され、該高層領域の周囲の少なくとも一部の前記絶縁層が除去されることにより前記高層領域より積層方向の高さの低い低層領域が形成され、前記絶縁層は前記ビルドアップ配線層を構成する樹脂絶縁層または前記コア基板を構成するコア絶縁層とは異なる材料で形成されている。
【０００７】
本発明の実施形態のプリント配線板によれば、電子部品搭載用の電極がビルドアップ配線構造の中央部に高層領域として形成される。この高層領域として突出した領域に電子部品を精度よく容易に搭載することができる。また、高層領域の周囲に形成される低層領域に他の電子部品を配置することができる。
【０００８】
本発明の実施形態のプリント配線板の製造方法によれば、ビルドアップ配線層などが積層された後にその一部が除去されることにより凹状部が形成されるのと異なり、非常に製造工程が容易で、プリント配線板が安価に製造され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態のプリント配線板を説明するための断面図。
【図２Ａ】図１の低層領域の形状例を示す図。
【図２Ｂ】図１の低層領域の形状例を示す図。
【図２Ｃ】図１の低層領域の形状例を示す図。
【図２Ｄ】図１の低層領域の形状例を示す図。
【図２Ｅ】図１の低層領域の形状例を示す図。
【図２Ｆ】図１の低層領域の形状例を示す図。
【図２Ｇ】図１の低層領域の形状例を示す図。
【図２Ｈ】図１の低層領域の形状例を示す図。
【図２Ｉ】図１の低層領域の形状例を示す図。
【図３】本発明の他の実施形態のプリント配線板を説明するための断面図。
【図４Ａ】図１に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ｂ】図１に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ｃ】図１に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ｄ】図１に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ｅ】図１に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ｆ】図１に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ｇ】図１に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ｈ】図１に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ｉ】図１に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ｊ】図１に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ｋ】図１に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図５Ａ】図１に示されるプリント配線板の他の製造方を示す図。
【図５Ｂ】図１に示されるプリント配線板の他の製造方を示す図。
【図５Ｃ】図１に示されるプリント配線板の他の製造方を示す図。
【図６Ａ】図３に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図６Ｂ】図３に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図６Ｃ】図３に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図６Ｄ】図３に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図６Ｅ】図３に示されるプリント配線板の製造方法を示す図。
【図７】図１の変形例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明のプリント配線板およびその製造方法の一実施形態が、図面を参照して説明される。図１は、第１の実施形態のプリント配線板１の断面を説明する図である。プリント配線板１は、コア絶縁層１１を内部に有し、第１面Ｆ１とその第１面Ｆ１の反対面である第２面Ｆ２とを有するコア基板１０と、そのコア基板１０の少なくとも第１面Ｆ１上に積層され、樹脂絶縁層２１と導体層２３とを有する少なくとも１層のビルドアップ配線層２５を含むビルドアップ配線構造２０とを有する。そして、ビルドアップ配線構造２０の平面形状での中央部に、電子部品接続用の電極２６とその電極２６の周囲を被覆する絶縁層２７からなり、積層方向の高さの高い高層領域Ｈが形成されている。ここに「中央部」は、ビルドアップ配線構造２０の平面形状での中心部を意味するものではなく、端部よりも中心側の領域であることを意味する。そして、高層領域Ｈの周囲の少なくとも一部に高層領域Ｈの絶縁層２７のトップ面Ｔよりも低い位置に露出面を有する低層領域Ｌが形成され、絶縁層２７はビルドアップ配線層２５またはコア基板１０を構成する第１樹脂絶縁層２１、コア絶縁層１１とは異なる材料で形成されている。
【００１１】
高層領域Ｈとは、電極２６と電極２６の周囲を被覆する絶縁層２７の領域（電極部２８）を意味する。絶縁層２７のトップ面（上面）Ｔよりも低い位置に露出面がある領域が低層領域Ｌである。従って、高層領域Ｈのトップ面Ｔと同じ高さのトップ面を有していても電極２６の周囲でない絶縁層１７の部分は、高層部２７ｄとして区別されている。実施形態によれば、ハンダバンプなどにより接続される場合でも、非常に安定した接続が得られる。しかも、例えば中心部に、プリント配線板と接続される電極パッドを有するＩＣ等の電子部品を搭載する場合に、電子部品の中心部とプリント配線板の中央部とが一致して、安定した半導体パッケージが得られる。また、ＩＣ等の電子部品が、プリント配線板と接続される電極パッドの周囲に、低層領域に実装される電子部品と接続される電極パッドを有する場合には、高層領域Ｈに実装されるＩＣ等の電子部品と低層領域Ｌに実装される電子部品とを直接接続することも可能になると考えられる。その結果、複雑な半導体パッケージでも、非常にコンパクトに形成され得る。
【００１２】
搭載される電子部品の例は、半導体素子、受動素子（キャパシタや抵抗器など）、配線層を有するインターポーザ、再配線層を有する半導体素子、ＷＬＰ（Wafer Level Package）等である。
【００１３】
図１に示される例では、コア絶縁層１１が１枚の絶縁基板１１で形成されている。しかし、金属板の両面に絶縁層が形成されたものでもよい。また、絶縁層と導体層が複数層積層されていてもよい。いずれかの絶縁層または絶縁基板がコア絶縁層１１である。図１の例のコア基板１０では、絶縁基板１１の第１面Ｆ１に第１導体層１３が形成されている。絶縁基板１１の第２面Ｆ２には第２導体層１４が形成されている。そして、第１導体層１３と第２導体層１４を接続するスルーホール導体１２が絶縁基板１１を貫通して形成されている。絶縁基板１１は、例えばエポキシ樹脂等からなる樹脂組成物にシリカやアルミナの粉末等の無機材が混入され、さらにガラス繊維等の補強材が入れられた樹脂基板が用いられ得る。絶縁基板１１の厚さは、８０μｍ以上、１５０μｍ以下程度である。スルーホール導体１２は、絶縁基板１１の両面Ｆ１、Ｆ２側から形成される開口内に、例えば電解めっき等により導電体が埋め込まれることで形成されている。第１導体層１３および第２導体層１４は、例えばスルーホール導体１２と同時に電解めっきにより所定のパターンで形成される。なお、絶縁基板１１の内層に導体層が形成されていてもよく、スルーホール導体１２に代えて、または、スルーホール導体１２と共にビア導体が形成されていてもよい。その場合、ビア導体は、第１導体層１３もしくは第２導体層１４と内層の導体層とを接続していてよく、および／または、内層の導体層同士を接続していてもよい。
【００１４】
ビルドアップ配線構造２０は、図１に示される例では、コア基板１０の第１面Ｆ１上に形成された第１樹脂絶縁層２１、ビア導体２２、およびパッド２３ｄを含む第３導体層２３により形成される第１ビルドアップ配線層２５と、第１ビルドアップ配線層２５上に形成される電極２６および絶縁層２７を含む電極部２８とから形成されている。第１ビルドアップ配線層２５は、図１に示される例では、１層の第１樹脂絶縁層２１と１層の第３導体層２３とで形成されているが、それぞれ２層以上で形成されていてもよい。その場合には、電極２６に接続される配線層が、中央部の高層領域Ｈの外周の第１ビルドアップ配線層２５に２層以上形成されている導体層のうちの下層側に形成されていてもよい。その場合でも、電極２６に接続される配線は、中央部に集約される。
【００１５】
第１ビルドアップ配線層２５は、コア基板１０上に積層された第１樹脂絶縁層２１と、第１樹脂絶縁層２１を貫通して第１導体層１３と電気的に接続するように形成されたビア導体２２と、ビア導体２２と連続して第１樹脂絶縁層２１のコア基板１０と反対面である第３面Ｆ３上に形成されるパッド２３ｄを含む第３導体層２３とで形成されている。図示されていないが、ビア導体２２と接続して配線もパッド２３ｄと同層で形成され得る。このビア導体２２およびパッド２３ｄを含む第３導体層２３は、例えば電解めっきにより形成される。第１樹脂絶縁層２１にレーザにより開口が形成され、その開口内および第１樹脂絶縁層２１の第３面Ｆ３の露出面に無電解めっきなどにより銅薄膜が形成される。その銅薄膜をシード層とする電解めっきにより、ビア導体２２とパッド２３ｄを含む第３導体層２３が形成される。その後、シード層とした銅薄膜であって、第３導体層２３と関係のない部分は除去される。
【００１６】
電極部２８は、パッド２３ｄ上に導体ポスト２６ａのような柱状導体部で形成された電極２６が形成され、その周囲が絶縁層２７で被覆されることにより形成される。導体ポスト２６ａは周囲にめっきレジスト膜を形成して電解めっきをすることにより形成される。従って、外形は円形でも角形でも自由に形成することができる。例えば円形の場合、その太さは、１５μｍ以上であって、７５μｍ以下である。この絶縁層２７としては、例えばモールド用の樹脂（熱硬化性樹脂）２７ａや後述されるソルダーレジスト（感光性樹脂）２７ｂ等が用いられる。導体ポスト２６ａの高さが高い場合は、モールド用の樹脂２７ａが用いられ、高さが比較的低い導体ポスト２６ｂの場合はソルダーレジスト２７ｂが好ましい。このモールド用の樹脂２７ａは、例えばモールド成形時に用いられるような樹脂と同様の組成を有している。すなわち、熱膨張率が６ｐｐｍ／℃以上、２５ｐｐｍ／℃以下、かつ、弾性率が５ＧＰａ以上、３０ＧＰａ以下のエポキシ系の樹脂が用いられる。この樹脂と同じ組成でフィルム状に形成されたものもあり、それを用いることができる。温度を上昇させることにより、流動性が高くなり、導体ポスト２６ａの周囲が被覆される。このモールド用の樹脂２７ａで埋め込む場合には、５０μｍ程以上、１２０μｍ以下程度の厚さが均一に埋め込むのに適しているので、導体ポスト２６ａもこの程度の高さに形成され得る。すなわち、高い電極部２８（高層領域Ｈ）が形成される。この場合の低層領域Ｌの底面と高層領域Ｈの上面との距離（段差の高さ）ｈ１は、５０〜１２０μｍである。
【００１７】
絶縁層２７は、このようなモールド用の樹脂（熱硬化性樹脂）２７ａでなくても、ソルダーレジスト（感光性樹脂）２７ｂで形成されてもよい。図３を参照した第２の実施形態として後述されるが、このソルダーレジスト２７ｂの場合も、液状のものを塗布してから硬化させることもできる。また、フィルム状のものを電極２６の上に重ねて温度を上昇させることにより、隙間に流し込むことができる。このソルダーレジスト２７ｂの場合には、露光・現像でパターニングされる関係上、あまり厚く形成することができない。そのため、電極部２８の高さ、すなわち前述の段差ｈ２が１０μｍ以上、５０μｍ以下にされる場合に適している。しかし、ソルダーレジスト２７ｂは、露光、現像によりパターニングすることができるため、全面にソルダーレジスト２７ｂの膜が形成された後に、パターニングにより簡単に一部を除去することができる。低層領域を形成することが簡単である。
【００１８】
絶縁層２７は、製造段階では、ビルドアップ配線構造の全面に樹脂層２７ｆ、２７ｇとして形成される。しかし、便宜上ここでは、電極２６の周囲部分のみが絶縁層２７と称される。この電極２６と絶縁層２７の部分が電極部２８で高層領域Ｈになっている。従って、電極部２８の周囲の樹脂層２７ａ、２７ｂ以外の樹脂層２７ｆ、２７ｇの一部が除去された部分は低層領域Ｌになり、高層領域Ｈの周囲で除去されないで残存する樹脂層２７ｄ（図２Ｂ等参照）の部分は、高層領域Ｈと同じ高さであるが高層領域Ｈとは区別される。電極部２８の周囲の少なくとも一部は除去されて、電極部２８のトップ面Ｔよりも高さの低い低層領域Ｌが形成される。この低層領域Ｌは、配設され得る他の電子部品に応じて、その場所及び面積が定められる。図１に示される例では、図２Ａに平面図が示されるように、電極部２８（高層領域Ｈ）の周囲の全体の樹脂層２７ｆが除去されている。この低層領域Ｌの形成例については後述される。
【００１９】
高層領域Ｈ（電極部２８）の周囲で、絶縁層２７が残された部分は、高層領域Ｈと同じ高さ、すなわち高層部２７ｄになっている。しかし、前述のように、電極部２８とは区別される。この場合、この電極部２８の周囲の高層部２７ｄにも、別のパッドが、電極部２８と同様の柱状導体部により形成されてもよい。
【００２０】
図１に示される例では、コア基板の第１面Ｆ１側のみならず、第２面Ｆ２にも第２ビルドアップ配線層３０が形成されている。第２ビルドアップ配線層３０は、第１ビルドアップ配線層２５と同様に形成される。すなわち、コア基板１０の第２面に第２樹脂絶縁層３１が形成され、ビア導体３２と第４配線層３３が形成されている。この第２樹脂絶縁層３１も第１樹脂絶縁層２１と同様の材料で同様に形成される。ビア導体３２、第４配線層３３も第１ビルドアップ配線層２５と同様に、例えば無電解めっきによるシード層の形成と、電解めっきにより形成される。この第２ビルドアップ配線層３０には、中央部より外周の領域（前述の低層領域Ｌが形成される場所の下層）にも配線層やパッドが形成されてもよい。また、この第２ビルドアップ配線層３０も、図では１層の樹脂絶縁層３１と１層の第４導体層３３の例で示されているが、それぞれ２層以上で形成されてもよい。
【００２１】
高層領域Ｈと低層領域Ｌとの位置関係は、図２Ａ〜２Ｉに示されるように、種々の形状に形成され得る。高層領域Ｈが形成される中央部とは、前述のように、プリント配線板１（ビルドアップ配線構造２０と同じ）の中心部という意味ではなく、端部ではないという意味であるが、図２Ａ〜２Ｉでは、いずれの例でも、便宜上プリント配線板１の平面形状で中心部に高層部Ｈが配置されている。この例に限定されるものではない。
【００２２】
図２Ａに示される例は、前述のように、図１に示される構造の平面図である。この例では、図の簡略化のため、電極２６が４個しか示されていないが、実際にはマトリクス状に非常に多数個形成され、フリップチップタイプのＩＣが搭載されるように形成されている。この例は、電極部２８である高層領域Ｈの周囲は、全て絶縁層２７ｆが除去されて第１ビルドアップ配線層２５の樹脂絶縁層２１の第３面Ｆ３が露出している。この面が凹部（低層領域Ｌ）の底面（露出面）である。このような形状であれば、この高層領域Ｈに搭載される電子部品の外周部と第１ビルドアップ配線層２５との間に空隙が形成されており、この空隙部に複数の電子部品等が並べて配置されたり、リング状の電子部品が配置されたりし得る。
【００２３】
図２Ｂに示される例は、平面形状が四角形の電極部２８（高層領域Ｈ）の４辺からそれぞれプリント配線板１の端部に向かって一定幅の低層領域Ｌが形成されている。このようなある幅の低層領域Ｌが形成されることにより、配置したい電子部品が安定して配置される。すなわち、低層領域Ｌの幅が、配置すべき電子部品の幅に合せて形成される。なお、２７ｄは高層領域Ｈ（電極部２８）ではないが、樹脂層２７ｆが残存して高層領域Ｈと同じ高さの高層部を示している。
【００２４】
図２Ｃに示される例では、低層領域Ｌが、図２Ｂの１か所のみ形成されている。すなわち、配置したい電子部品が１個または１か所だけである場合には、その配置したい場所の１か所のみに低層領域Ｌが形成されればよい。高層領域Ｈの外周部で低層領域Ｌでないところは図２Ｂと同様の高層部２７ｄである。
【００２５】
図２Ｄ〜図２Ｅに示される例は、低層領域Ｌが２個形成された例であり、図２Ｄに示される例は、四角形の高層領域Ｈの隣接する２辺と端部との間にそれぞれ低層領域Ｌが形成されている。図２Ｅに示される例は、一対の低層領域Ｌが高層領域Ｈを挟んで両側に１個ずつ形成されている。この状態でさらに９０°ずれた位置に別の一対の低層領域Ｌが形成されると、図２Ｂに示される形状になる。これらの形状は、この周囲に配置される電子部品の種類や個数に応じて決められる。
【００２６】
図２Ｆに示される例は、四角形状の高層領域Ｈの３辺のそれぞれとプリント配線板１の端部との間に低層領域Ｌが形成された例である。このような形状でも、樹脂層２７ｆの除去する部分が特定されるだけで、簡単に形成し得る。
【００２７】
図２Ｇに示される例は、一定の幅の除去ではなく、四角形状の高層領域Ｈの一辺に沿った面から端部までの全ての樹脂層２７ｆが除去された形状である。図２Ｇでは、一辺に沿った端部側が低層領域Ｌに形成され、その他の周囲は高層部２７ｄになっている。しかし、図２Ｈに示されるように、隣接する２辺に沿った端部側の樹脂層２７ｆが全て除去されて鍵型の低層領域Ｌにされてもよい。さらに、図２Ｉに示されるように、高層領域Ｈを挟んで対向する両辺の端部側がすべて除去された構造でもよい。４辺全ての端部側が除去された形状が、図２Ａに示される形状である。
【００２８】
図３は、第２実施形態のプリント配線板１００の図１と同様の断面図である。この例は、電極２６が背の低い（高さの低い）導体ポスト２６ｂにより形成されたもので、図１に示される電極２６よりも高さが少し低く、１０μｍ以上、５０μｍ以下の高さに形成される。この背の低い導体ポスト２６ｂも外形形状は限定されない。円形の場合、その太さは１５μｍ以上であって、７５μｍ以下である。この背の低い導体ポスト２６ｂも図１の実施例の導体ポスト２６ａと同様に、背の低い導体ポスト２６ｂの形成場所のみに開口を有するめっきレジストなどからなるマスクが形成される。そして、その開口内に例えば電解めっきにより背の低い導体ポスト２６ｂが形成される。この場合、絶縁層２７として、導体ポスト２６ｂの高さが低いため、ソルダーレジスト２７ｂが用いられ得る。そのため、露光・現像によるパターニングが可能である。そのため、低層領域Ｌの形成のため、全面に形成されたソルダーレジスト層２７ｇの一部除去が容易である。電極部２８の構造以外の部分は、図１に示される例と同じであるので、同じ部分には同じ符号が付され、その説明が省略されている。この構造では、低層領域Ｌの露出面（凹部の底面）と高層領域Ｈの上面との距離、すなわち低層領域Ｌと高層領域Ｈとの段差ｈ２は、１０〜５０μｍとなる。
【００２９】
次に、図１に示されるプリント配線板の製造方法が、図４Ａ〜４Ｋを参照して説明される。実施形態によるプリント配線板１の製造方法は、コア絶縁層１１を内部に含み、第１面Ｆ１とその第１面Ｆ１の反対面である第２面Ｆ２とを有し、第１面Ｆ１および第２面Ｆ２にそれぞれ形成される第１導体層１３および第２導体層１４を有するコア基板１０が用意される（図４Ｂ）。コア基板１０の少なくとも第１面Ｆ１に樹脂絶縁層２１が形成される（図４Ｃ）。樹脂絶縁層２１に第１導体層１３と接続されるビア導体２２を形成すると共に、樹脂絶縁層２１の第１導体層１３と反対面である第３面Ｆ３に電子部品接続用のパッド２３ｄを含む第３導体層２３が形成される。樹脂絶縁層２１、ビア導体２２および第３導体層２３を有するビルドアップ配線層２５が形成される（図４Ｅ）。ここで、パッド２３ｄは第１樹脂絶縁層２１の第３面Ｆ３の中央部に形成される。そして、パッド２３ｄ上に電極２６用の導体ポスト２６ａが形成され（図４Ｇ）、導体ポスト２６ａの周囲が絶縁層２７で被覆される（図４Ｋ）。これにより、電極２６および絶縁層２７からなる高層領域Ｈが形成され、高層領域Ｈの周囲の少なくとも一部の絶縁層２７が除去されることにより高層領域Ｈより積層方向の高さの低い低層領域Ｌが形成されている。この絶縁層２７は、後述されるように、ビルドアップ配線層２５、３０を構成する樹脂絶縁層２１、３１またはコア基板１０を構成するコア絶縁層１１とは異なる材料で形成されている。
【００３０】
まず、図４Ａに示されるように、コア絶縁層として絶縁基板１１が用意される。絶縁基板１１は、前述のように、例えばエポキシ樹脂等からなる樹脂組成物にシリカやアルミナの粉末等の無機材が混入され、さらにガラス繊維等の補強材が入れられた樹脂基板が用いられ得る。図４Ａに示される例では、この絶縁基板１１の両面に銅箔１１ａが貼り付けられた両面銅張基板が用いられている。この銅箔１１ａは無くてもよい。
【００３１】
次いで、第１導体層１３と第２導体層１４とを接続するスルーホール導体１２の形成場所に、レーザ加工等により両面側から開口が形成される。その後、図示されていないが、その開口内および銅箔１１ａの露出面に無電解めっき等により金属薄膜が形成される。図示されていないが、その表面に第１導体層１３および第２導体層１４のパターンの部分だけに開口を有するめっきレジスト膜が形成される。そして、その金属薄膜をシード層として電解めっきが施されることにより、スルーホール導体１２、第１導体層１３および第２導体層１４が形成される。その後に、めっきレジスト膜が除去され、さらに図示されていない金属薄膜および銅箔１１ａの露出している部分がエッチングにより除去される。その結果、図４Ｂに示されるような両面に第１および第２の導体層１３、１４および両者を接続するスルーホール導体１２を有するコア基板１０が用意される。
【００３２】
次に、図４Ｃに示されるように、コア基板１０の第１面Ｆ１に第１樹脂絶縁層２１が形成される。図４Ｃに示される例では、第１樹脂絶縁層２１の第１導体層１３と反対側の第３面Ｆ３に第１金属箔２３ａが形成されている。この第１金属箔２３ａは、例えば数μｍ程度の薄い銅箔が用いられるが、無くてもよい。この第１金属箔２３ａは第３導体層２３が形成されるところでは、第３導体層２３の一部となる。
【００３３】
図４Ｃに示される例では、コア基板１０の第２面Ｆ２にも第２樹脂絶縁層３１と第２金属箔３３ａが形成されている。材料や厚さは、第１樹脂絶縁層２１、第１金属箔２３ａとそれぞれ同じである。これらは第２ビルドアップ配線層３０を形成するものである。
【００３４】
次に、図４Ｄ〜４Ｅに示されるように、第１樹脂絶縁層２１に第１導体層１３と接続されるビア導体２２が形成され、それと共に、第１樹脂絶縁層２１の第１導体層１３と反対面である第３面Ｆ３に第３導体層２３が形成される。具体的には、第１導体層１３と第３導体層２３との接続場所に、第１金属箔２３ａの表面からレーザ加工により開口２１ａが形成される。そして、その表面に無電解めっき、真空蒸着、スパッタリングなどにより第１金属薄膜２３ｂが形成される（図４Ｄ）。また、第２ビルドアップ配線層３０側（コア基板１０の第２面Ｆ２側）の第２樹脂絶縁層３１にも、第２金属箔３３ａ側からレーザ加工により開口３１ａが形成され、その開口３１ａおよび第２金属箔３３ａの表面に無電解めっき、真空蒸着、スパッタリングなどにより第２金属薄膜３３ｂが形成される（図４Ｄ）。この開口３１ａも第２導体層１４と第４導体層３３との接続部に形成される。
【００３５】
そして、図示されていないが、第３導体層２３および第４導体層３３のパターンが形成される部分のみを開口するめっきレジストからなるマスクが第１金属薄膜２３ｂおよび第２金属薄膜３３ｂ上に形成される。その後、第１および第２の金属薄膜２３ａ、３３ａをシード層として電解めっきが行われる。その結果、第１ビア導体２２、第２ビア導体３２、第１および第２の電解めっき膜２３ｃ、３３ｃがそれぞれ形成される（図４Ｅ）。この第１および第２の電解めっき膜２３ｃ、３３ｃの厚さは、それぞれ１３μｍ以上、２５μｍ以下である。この第１金属箔２３ａ、第１金属薄膜２３ｂ、および第１電解めっき膜２３ｃにより第３導体層２３（パッド２３ｄ）が形成されている。第１樹脂絶縁層２１、第１ビア導体２２および第３導体層２３を有するビルドアップ配線層２５が形成される。図４Ｅでは、第３導体層２３としてパッド２３ｄのみが示されている。第２ビルドアップ配線層３０側でも、第２金属箔３３ａ、第２金属薄膜３３ｂ、第２電解めっき膜３３ｃにより第４導体層３３が形成される。この第４導体層３３と第２ビア導体３２と第２樹脂絶縁層３１とにより第２ビルドアップ配線層３０が形成されている。
【００３６】
この第３導体層２３の電子部品接続用のパッド２３ｄは第１樹脂絶縁層２１の第３面Ｆ３の中央部に集中して形成される。そして、図４Ｆ〜４Ｈに示されるように、パッド２３ｄ上に電極２６が形成される。具体的には、図４Ｆに示されるように、第１金属薄膜２３ｂおよび第２金属薄膜３３ｂを残したまま、パッド２３ｄ上の電極２６が形成される部分に開口６１ａを有するめっきレジストからなる第１マスク６１が形成される。開口６１ａは、全面に形成された第１マスク６１が部分的に除去されることにより形成される。この際、第２ビルド配線層３０側にも全面にめっきレジストからなる第２マスク６２が形成される。第２ビルド配線層３０側には電極は形成されないので、第２マスク６２には、開口は設けられない。
【００３７】
その後、第１金属薄膜２３ｂをシード層として、例えば銅のめっき液に浸漬して電解めっきが行われる。その結果、開口６１ａ内に露出したパッド２３ｄ上に電解めっき膜が形成され、柱状導体である導体ポスト２６ａが形成される。この導体ポスト２６ａの高さ（めっき厚さ）が５０〜１２０μｍ程度になるまで電解めっきが施される（図４Ｇ）。
【００３８】
その後、第１および第２マスク６１、６２が除去される（図４Ｈ）。第１および第２マスク６１、６２の除去は、レジスト剥離液、例えば有機酸系の薬液等に浸漬することにより行われる。その後、全体を銅のエッチング液に浸漬することで、第１金属薄膜２３ｂ、第１金属箔２３ａおよび第２金属薄膜３３ｂ、第２金属箔３３ａの露出部分（電解めっき膜が形成されない部分）が除去される。この第１および第２金属薄膜２３ｂ、３３ｂ、および第１および第２金属箔２３ａ、３３ａはそれぞれ非常に薄いため、特にマスクをすることなくエッチング液に浸漬される。しかし、電極２６や第３および第４の導体層２３、３３の露出部分をマスクして行われれば、電極２６や第３および第４導体層２３、３３の露出部分が減ぜられることは無い。
【００３９】
その後、図４Ｉ〜４Ｋに示されるように、電極２６の周囲が絶縁層２７で被覆され、低層領域Ｌが形成される（図４Ｋ）。具体的には、第１ビルドアップ配線層２５の上に、モールド用の樹脂からなる樹脂層２７ｆが全面で、導体ポスト２６ａを被覆する程度に形成される。このモールド用の樹脂層２７ｆは、前述のように、モールド成形用の樹脂と同様の樹脂が用いられるが、ここではそのような樹脂材料がフィルム状にされたものが用いられる。その樹脂フィルムが導体ポスト２６ａ上に配置され、温度を上昇させることにより、流動性が上がり、導体ポスト２６ａの間隙部に流れ落ちる（図４Ｉ）。
【００４０】
その後、樹脂層２７ｆの露出面が研磨され、導体ポスト２６ａの端面が露出される（図４Ｊ）。この研磨は、例えばバフ研磨等により行われる。電解めっきにより形成される導体ポスト２６ａは電流密度のバラツキなどによりその高さにバラツキが生じやすい。そのため、樹脂層２７ｆが導体ポスト２６ａの表面を覆うくらいに形成され、その後に、導体ポスト２６ａの表面を露出させるように形成される。これにより、複数の導体ポスト２６ａの高さが一定となり電極２６が形成される。
【００４１】
その後、低層領域Ｌとされる場所の樹脂層２７ａが部分的に除去される（図４Ｋ）。この樹脂層２７ｆは、ルータドリルで削ったり、レーザ光照射により削り取られたりすることができる。ルータドリルが用いられると、その深さ制御を厳密に制御されるので、予め第１ビルドアップ配線層２５の第１樹脂絶縁層２１の第３面Ｆ３までの距離を測定しておくことにより、正確に樹脂層２７ｆのみが除去される。樹脂絶縁層２７ｆの不要部分が除去されることにより、低層領域Ｌが形成さると共に、高層領域Ｈも確定する。この状態でさらに温度が上昇されることにより、樹脂層２７ａは完全に硬化して絶縁層２７になる。図４Ｋには示されていないが、前述の図２Ｂ等により説明されたように、低層領域Ｌが形成されない部分の、高層領域Ｈの周囲の絶縁層２７の部分は高層部２７ｄとして区別されている。高層領域Ｈは、電極部２８を示している。
【００４２】
その後、第２ビルドアップ配線層３０の露出面にソルダーレジスト層４１が形成され、接続用パッドの部分に開口４１ａが形成されることにより、図１に示されるプリント配線板１が得られる。なお、図示されていないが、電極２６および第４導体層３３の露出面には、ＯＳＰ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｓｎ等の表面処理が行われる。
【００４３】
実施形態によるプリント配線板１は、ＩＣ等の電子部品搭載用の電極部２８がプリント配線板１の中央部に高層領域Ｈとして形成されている。そのため、特に、プリント配線板１に接続される電極パッドがパッケージ本体の中央部に形成されるＩＣなどの電子部品の場合には、電極パッドの配置領域がプリント配線板１の中央部と整合し、非常に安定した搭載がなされる。特に、ＩＣなどの電子部品が、そのパッケージの外周部にメモリ素子などの他の電子部品との接続用パッドを有している場合には、そのような他の電子部品を高層領域Ｈの周囲に形成される低層領域Ｌに配設し、ＩＣ等と電気的に接続することができる。両者が直接接続されることも可能となり得る。従って、このプリント配線板１によれば、ＩＣや他の電子部品を非常にコンパクトに搭載することができ、小型化および薄型化が要求される電子部品に対応することができる。
【００４４】
実施形態では、樹脂層２７ｆの一部が除去されて低層領域Ｌが形成されている。その樹脂層２７ｆの一部を除去するのに、前述の例では、ルータドリル、またはレーザ光照射により削り取られていた。しかし、例えば樹脂層２７ｆの形成前に、分離膜が第１ビルドアップ配線層２５の第１樹脂絶縁層２１の表面に設けられ、その上に樹脂層２７ｆが形成されてもよい。そうすることにより、除去部分の周囲だけがルータドリルまたはレーザ光の照射により切断されることにより、分離膜ごと除去され、低層領域Ｌにする部分の樹脂層２７ｆが部分的に簡単に除去される。この製造工程が図５Ａ〜５Ｃに示されている。
【００４５】
すなわち、図５Ａは前述の製造工程の図４Ｈに相当する図である。換言すると、これまでの工程は、図４Ａ〜４Ｇに示される工程で形成される。この図５Ａの導体ポスト２６ａが形成された状態で、低層領域Ｌが形成される領域の第１ビルドアップ配線層２５の表面（厳密には第１樹脂絶縁層２１の第３面Ｆ３）上に分離膜６３が形成される。分離膜６３は、第１樹脂絶縁層２１と容易に分離できる材料で、例えばポリイミド等が用いられる。そして、この上に前述と同様の方法により樹脂層２７ｆが形成される（図５Ｂ）。その後、この表面が研磨されて導体ポスト２６ａの端部が露出される（図５Ｃ）。この工程は、前述の図４Ｊと同様の工程である。引き続き、低層領域Ｌの形成場所の周囲を、例えばルータドリルまたはレーザ光照射により図５ＣのＣで示されるように、樹脂層２７ｆの表面側から分離膜６３に達するまで切断される。矩形状の低層領域Ｌの一辺はプリント配線板１の端部に面しているため切断する必要はなく、コの字状に低層領域Ｌの３辺に沿って切断される。その結果、分離膜６３は第１ビルドアップ配線層２５から容易に分離され、前述の図４Ｋに示される構造になる。この方法は、ルータドリルまたはレーザ光照射による切込み深さを厳密に制御しなくてよい。分離膜６３に至れば、少々深すぎる切込みでも、分離膜が損傷するだけである。その後は、前述と同様の工程で、ソルダーレジスト層４１が形成されることにより、図１に示されるプリント配線板１が得られる。
【００４６】
次に、図３に示される第２実施形態の製造方法が図６Ａ〜６Ｅを参照して説明される。この場合も、前述の製造工程の図４Ｅまでは全く同じである。すなわち、コア基板１０の第１面Ｆ１に第１ビルドアップ配線層２０が形成され、第２面Ｆ２に第２ビルドアップ配線層３０が形成されている。その後、図６Ａに示されるように、第１金属薄膜２３ｂおよび第１金属箔２３ａが残されたまま、パッド２３ｄ上の電極２６が形成される部分に開口６４ａを有するめっきレジストからなる第３マスク６４が形成される。開口６４ａは、全面に形成されためっきレジストが部分的に除去されることにより形成される。この際、第２ビルドアップ配線層３０側にも全面にめっきレジストからなる第４マスク６５が形成される。
【００４７】
その後、図６Ｂに示されるように、第１金属薄膜２３ｂをシード層として、例えば銅のめっき液に浸漬することで電解めっきが行われる。その結果、開口６４ａ内に露出したパッド２３ｄ上に電解めっき膜が形成され、柱状導体である背の低い導体ポスト２６ｂが形成される。この背の低い導体ポスト２６ｂの高さ（めっき厚さ）が１０〜５０μｍ程度になるまで電解めっきが施される。
【００４８】
その後、図６Ｃに示されるように、第３および第４のマスク６４、６５が除去される。第３および第４のマスク６４、６５の除去は、前述の例と同様に、レジスト剥離液、例えば有機酸系の薬液等に浸漬することにより行われる。その後、全体を銅のエッチング液に浸漬することで、第１金属薄膜２３ｂ、第１金属箔２３ａおよび第２金属薄膜３３ｂ、第２金属箔３３ａの露出部分が除去される。この工程も、前述の図４Ｈの工程と同じである。
【００４９】
その後、図６Ｄに示されるように、第１ビルドアップ配線層２０の表面上にソルダーレジスト層２７ｇが全面に形成される。また、第２ビルドアップ配線層３０の表面にもソルダーレジスト層４１ｂが全面に形成される。
【００５０】
その後、図６Ｅに示されるように、ソルダーレジスト層２７ｇの低層領域Ｌの形成場所が露光・現像の方法で除去される。また、第２ビルドアップ配線層３０側のソルダーレジスト層４１ｂもマザーボードなどに接続されるパッド部分が露出するように開口４１ａが形成され、下面側のソルダーレジスト層４１とされる。
【００５１】
この第２の実施形態のプリント配線板１００も、製造工程的には、図１に示される第１の実施形態と殆ど同じであるが、図３に示されるプリント配線板１００は電極２６の高さが、図１の実施形態に比べて低い。例えばこの高層領域Ｈの電極２６上に搭載されるＩＣ等と低層領域Ｌの露出面（凹部の底面）との間の間隔ｈ２が狭い場合に適している。このように低い電極２６でよければ、電極２６間および電極２６の周囲を被覆する絶縁層２７がソルダーレジスト層２７ｂで形成され得る。このソルダーレジスト層２７ｂは、露光・現像により非常に容易に部分的に除去され得る。そのため、高層領域Ｈと低層領域Ｌの形成も非常に容易であるという効果がある。
【００５２】
前述の各例では、第１ビルドアップ配線層２５上に、パッド２３ｄと接続する電極２６およびその周囲を被覆する絶縁層２７が形成されることにより高層領域Ｈが形成されている。従って、低層領域Ｌと高層領域Ｈの段差はその電極２６の高さにより制限される。一方、電極２６は電解めっきにより形成される。また、その電極２６を被覆する絶縁層２７の材料も制限される。従って、その高さを自由に設定することはできない。このような場合、もし段差を大きくしたい場合には、低層領域Ｌの第１ビルドアップ配線層２５の第１樹脂絶縁層２１を除去することにより、低層領域Ｌの底面と高層領域の上面との距離ｈ３を大きくすることができる。そのような構造が図７に示されている。
【００５３】
このような第１樹脂絶縁層２１の一部の除去は、前述のモールド用の樹脂層２７ａの除去をした場合と同様に、ルータドリルにより研磨されたり、レーザ光の照射により削られたりすることにより行なわれ得る。この第１樹脂絶縁層２１もプリプレグなどの加熱圧縮により形成されたものであるから、容易に加工され得る。
【００５４】
この場合も、前述の図５Ａ〜５Ｃで説明したように、分離膜を予め第１樹脂絶縁層２１の下側に設けておくことにより、低層領域Ｌの周囲を切断するだけで除去することができる。
【００５５】
さらに、この第１ビルドアップ配線層２５は、前述のように１層の樹脂絶縁層と１層の導体層には限定されていないので、複数層で形成されることにより、低層領域Ｌの複数層の樹脂絶縁層が除去されてもよい。その結果、低層領域Ｌの底面と高層領域Ｈの上面との距離は自由に設定することができる。図７に示される１層からなる第１ビルドアップ配線層で、低層領域Ｌの第１樹脂絶縁層２１が除去されることにより、低層領域Ｌの露出面（凹部の底面）と高層領域Ｈの上面との距離、すなわち低層領域Ｌと高層領域Ｈとの段差の高さｈ３は、１００〜２００μｍ程度にできる。
【符号の説明】
【００５６】
１      プリント配線板
１０    コア基板
１１    絶縁基板（コア絶縁層）
１３    第１導体層
１４    第２導体層
２０    ビルドアップ配線構造
２１    第１樹脂絶縁層
２２    第１ビア導体
２３    第３導体層
２３ａ  パッド
２５    第１ビルドアップ配線層
２６    電極
２６ａ  導体ポスト
２６ｂ  背の低い導体ポスト
２７    絶縁層
２７ａ  モールド用樹脂層
２７ｂ  ソルダーレジスト層
２７ｄ  高層部
２８    電極部
３０    第２ビルドアップ配線層
３１    第２樹脂絶縁層
３２    第２ビア導体
３３    第４導体層
４１    ソルダーレジスト層
４１ａ  開口
Ｈ      高層領域
Ｌ      低層領域
【図１】
2016197638.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2016197638.tif 000005
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
2016197638.tif 000007
【図２Ｅ】
2016197638.tif 000008
【図２Ｆ】
2016197638.tif 000009
【図２Ｇ】
2016197638.tif 000010
【図２Ｈ】
2016197638.tif 000011
【図２Ｉ】
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【図３】
2016197638.tif 000013
【図４Ａ】
2016197638.tif 000014
【図４Ｂ】
2016197638.tif 000015
【図４Ｃ】
2016197638.tif 000016
【図４Ｄ】
2016197638.tif 000017
【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
2016197638.tif 000020
【図４Ｈ】
2016197638.tif 000021
【図４Ｉ】
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【図４Ｊ】
2016197638.tif 000023
【図４Ｋ】
2016197638.tif 000024
【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2016197638.tif 000026
【図５Ｃ】
2016197638.tif 000027
【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
2016197638.tif 000029
【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７】
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