(57)【要約】【課題】実装される電子部品との接続信頼性が高く、電子部品の実装の容易なプリント配線板の電子部品を含めた全体の厚さの薄型化。【解決手段】実施形態のプリント配線板は、電子部品接続用の電極２６を有する、平面形状でビルドアップ配線構造の積層方向に高さの高い高層領域Ｅ１が形成されている。高層領域Ｅ１の周囲の少なくとも２方向に積層方向の高さのより低い低層領域Ｅ２が形成され、そして低層領域Ｅ２はビルドアップ配線構造の端縁まで延びている。【選択図】図１Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面の反対面である第２面を有するコア基板と、
前記コア基板の少なくとも第１面上に樹脂絶縁層と導体層とを積層してなる少なくとも１層の配線層を含む第１ビルドアップ配線層を有するビルドアップ配線構造と、
を有するプリント配線板であって、
前記ビルドアップ配線構造に、電子部品用の電極を有していて積層方向の高さの高い高層領域が形成され、
該高層領域の周囲の少なくとも２方向に前記高層領域より積層方向の高さの低い低層領域が形成され、
前記低層領域は前記ビルドアップ配線構造の端縁まで延びている。
【請求項２】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記コア基板の第２面上に、樹脂絶縁層と導体層とを積層してなる少なくとも１層の配線層を有する第２ビルドアップ配線層をさらに有する。
【請求項３】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記低層領域が前記ビルドアップ配線構造の一部を除去することにより形成される。
【請求項４】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記低層領域が分離して２つ以上に形成されている。
【請求項５】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記低層領域が前記高層領域を挟んで対向する位置に一対で形成されている。
【請求項６】
請求項５記載のプリント配線板であって、前記一対の低層領域と９０度離れてさらに別の一対の低層領域が前記高層領域を挟んで形成されている。
【請求項７】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記低層領域が前記高層領域の周囲全体に形成されている。
【請求項８】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記低層領域の露出面は、前記コア基板を構成する樹脂絶縁層と前記ビルドアップ配線構造との境界面と同一平面上に位置する。
【請求項９】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記低層領域の内層には、前記電極に接続される配線層が形成されている。
【請求項１０】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記低層領域の露出面には電子部品または他の配線板との接続用パッドが形成されていない。
【請求項１１】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記ビルドアップ配線構造が、複数の樹脂絶縁層と導体層とを含む。
【請求項１２】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記電極は、前記ビルドアップ配線構造の表面に形成される導体層よりも突出する部分を有している。
【請求項１３】
第１面と該第１面の反対面である第２面とを有していて前記第１面および第２面にそれぞれ第１導体層および第２導体層を有するコア基板を準備することと、
前記コア基板の少なくとも第１面上に樹脂絶縁層と導体層とを積層することにより少なくとも１層の配線層を含む第１ビルドアップ配線層を有するビルドアップ配線構造を形成することと、
前記第１ビルドアップ配線層の一部を除去することにより、前記ビルドアップ配線構造に、積層方向の高さの高い高層領域と、前記高層領域より積層方向の高さの低い低層領域とを形成することと、を含むプリント配線板の製造方法であって、
前記ビルドアップ配線構造を形成することは、前記高層領域となる前記第１ビルドアップ配線層の中央部に電子部品との接続用の電極を形成することを含んでおり、
前記高層領域の周囲の少なくとも２方向の位置に前記ビルドアップ配線構造の端縁まで達するように前記低層領域を形成する。
【請求項１４】
請求項１３記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１ビルドアップ配線層の一部の除去を、
前記第１ビルドアップ配線層の積層の際に、除去される配線層と該配線層の下層との間に分離膜を挿入することと、
前記第１ビルドアップ配線層の前記コア基板と反対側の第１表面から前記分離膜に至るまで、低層領域形成場所の周囲の前記第１ビルドアップ配線層を枠状に切断することと、
により行う。
【請求項１５】
請求項１４記載のプリント配線板の製造方法であって、前記分離膜を前記コア基板と前記第１ビルドアップ配線層との間に形成する。
【請求項１６】
請求項１４記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１ビルドアップ配線層を少なくとも２層の前記配線層で形成し、前記分離膜を前記第１ビルドアップ配線層の層間に形成する。
【請求項１７】
請求項１４記載のプリント配線板の製造方法であって、さらに、前記分離膜の下側で、かつ、少なくとも前記枠状に切断される部分に金属箔を積層することを含んでいる。
【請求項１８】
請求項１４記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１ビルドアップ配線層の一部の除去を、前記第１ビルドアップ配線層の積層の後に、前記第１ビルドアップ配線層の第１表面側からのレーザー光の照射により行う。
【請求項１９】
請求項１３記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１ビルドアップ配線層内の前記樹脂絶縁層を貫通し、該樹脂絶縁層の両側の導体層同士を接続するビア導体を形成することと、前記第１ビルドアップ配線層の前記第１表面に第１ソルダーレジスト層を形成することと、前記第１ソルダーレジスト層に前記電極を露出させる開口を形成することと、
をさらに有している。
【請求項２０】
請求項１３記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記コア基板の第２面に少なくとも１つの樹脂絶縁層および導体層からなる配線層を有する第２ビルドアップ配線層を形成することと、
前記第２ビルドアップ配線層の前記コア基板と反対側の第２表面に第２ソルダーレジスト層を形成することと、
前記第２ソルダーレジスト層に開口を形成することにより前記第２表面側にパッドを露出させることと、
をさらに含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低層領域と電極が形成されている高層領域とを有するプリント配線板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、印刷回路基板の製造方法およびそれにより製造される印刷回路基板を開示している。特許文献１の印刷回路基板は、内部回路層を備えるベース回路基板とベース回路基板上の外部回路層とを有する。そして、特許文献１の印刷回路基板は、外部回路層の除去により形成されるキャビティ領域を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１３−５２０００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の印刷回路基板では、内部回路層上に外部回路層が積層され、外部回路層にキャビティが形成される。特許文献１の印刷回路基板のように高層領域で囲まれた低層領域（キャビティ）が有ると、電極間ピッチの狭い部品等を高精度に配置しにくいことが考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプリント配線板は、第１面と該第１面の反対面である第２面を有するコア基板と、前記コア基板の少なくとも第１面上に樹脂絶縁層と導体層とを積層してなる少なくとも１層の配線層を含む第１ビルドアップ配線層を有するビルドアップ配線構造と、を有する。そして、前記ビルドアップ配線構造に、電子部品接続用の電極を有していて積層方向の高さの高い高層領域が形成され、該高層領域の周囲の少なくとも２方向に前記高層領域より積層方向の高さの低い低層領域が形成され、前記低層領域は前記ビルドアップ配線構造の端縁まで延びている。
【０００６】
本発明のプリント配線板の製造方法は、第１面と該第１面の反対面である第２面とを有していて前記第１面および第２面にそれぞれ第１導体層および第２導体層を有するコア基板を準備することと、前記コア基板の少なくとも第１面上に樹脂絶縁層と導体層とを積層することにより少なくとも１層の配線層を含む第１ビルドアップ配線層を有するビルドアップ配線構造を形成することと、前記第１ビルドアップ配線層の一部を除去することにより、前記ビルドアップ配線構造に、積層方向の高さの高い高層領域と、前記高層領域より積層方向の高さの低い低層領域とを形成することと、を含んでいる。そして、前記ビルドアップ配線構造を形成することは、前記高層領域となる前記第１ビルドアップ配線層の中央部に電子部品との接続用の電極を形成することを含んでおり、前記高層領域の周囲の少なくとも２方向の位置に前記ビルドアップ配線構造の端縁まで達するように前記低層領域を形成する。
【０００７】
本発明の実施形態のプリント配線板によれば、電子部品を高層領域および低層領域に実装することが可能である。厚みのより厚い電子部品を低層領域に実装することができるため、実装後のプリント配線板の厚みが抑制され得る。
【０００８】
本発明の実施形態のプリント配線板によれば、高層領域においても低層領域においても電極間ピッチの狭い部品等を高精度に配置するのに適していると考えられる。
【０００９】
本発明の実施形態のプリント配線板の製造方法によれば、分離膜が低層領域を形成する場所の第１ビルドアップ配線層の一部とともに除去される。分離膜の積層は第１ビルドアップ配線層の積層工程の一部として行うことができる。また、分離膜上の第１ビルドアップ配線層の除去も、分離膜の除去と同時に容易に行われ得る。プリント配線板の製造が容易になると予想される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本発明の一実施形態のプリント配線板の平面図。
【図１Ｂ】図１Ａに示されるプリント配線板を説明するための断面図。
【図２Ａ】高層領域と低層領域の位置の一例を示す図。
【図２Ｂ】高層領域と低層領域の位置の別例を示す図。
【図２Ｃ】高層領域と低層領域の位置の別例を示す図。
【図２Ｄ】高層領域と低層領域の位置の別例を示す図。
【図３Ａ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｆ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｇ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｈ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｉ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｊ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４】接続パッドの一例を示す図。
【図５】本発明の別の実施形態のプリント配線板を説明するための断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明のプリント配線板の一実施形態が、図面を参照して説明される。図１Ａには、実施形態のプリント配線板１の平面図が示されており、図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ−１Ｂ断面を説明する図である。プリント配線板１は、第１面１１ａと第１面１１ａの反対側の第２面１１ｂとを有するコア基板１１と、コア基板１１の第１面１１ａ上に形成されている、第１ビルドアップ配線層２１を有するビルドアップ配線構造とを有している。実施形態のプリント配線板１は、さらに、コア基板の第２面１１ｂ上に第２ビルドアップ配線層４１を有している。第１ビルドアップ配線層２１は、樹脂絶縁層２３と導体層２４とが積層されている第１配線層２２を含む。そして、図１Ａに示されるように、プリント配線板１は、プリント配線板１の中央部の第１ビルドアップ配線層２１の積層方向の高さの高い高層領域Ｅ１と、高層領域Ｅ１の周囲の少なくとも２方向に形成されている高層領域Ｅ１より積層方向の高さの低い低層領域Ｅ２と、を含む。高層領域Ｅ１の周囲であって低層領域Ｅ２以外の領域は、高層領域Ｅ１と略同じ高さの高層部Ｅ１ａである。ここに中央部とは、ビルドアップ配線構造の平面形状での中心部を意味するものではなく、端部よりも中心側の領域であることを意味する。図１Ａでは、低層領域Ｅ２にドットパターンが描かれている。第１ビルドアップ配線層２１は上面Ｔを有する。図１Ｂに示されるように、高層領域Ｅ１は、第１ビルドアップ配線層２１の上面Ｔにパッド２５ａを有する。電子部品または他の配線板がパッド２５ａに接続される。パッド２５ａは電子部品または他の配線板と接続するための電極２６を形成している。プリント配線板１では、ビルドアップ配線構造の中央部の高層領域Ｅ１として突出した領域に電子部品が直接実装され得る。ビルドアップ配線構造内の配線層と直接接続されるため、電子部品とプリント配線板１との安定した接続が得られる。
【００１２】
低層領域Ｅ２は、ビルドアップ配線構造の端縁まで延びている。すなわち、低層領域Ｅ２の少なくとも一辺は、プリント配線板１の縁部と一致している。低層領域Ｅ２の露出面Ｂ上には別の電子部品が配置され得る。低層領域Ｅ２に電子部品が実装されることにより、電子部品が実装された状態での電子部品とプリント配線板１との全体の厚さが薄くなることがある。低層領域Ｅ２に配置される電子部品は、高層領域Ｅ１に実装される電子部品と直接接続され得る。半導体パッケージにおける省スペース化が達成され、電子部品を実装する歩留まりが高くなり得る。
【００１３】
電子部品の例は、半導体素子、受動素子（キャパシタや抵抗器など）、配線層を有するインターポーザ、再配線層を有する半導体素子、ＷＬＰ（Wafer Level Package）などである。
【００１４】
図１Ａに示されるように、パッド２５ａは、プリント配線板１の略中央に集中して形成されていることが好ましい。図１Ａには、例として４個のパッド２５ａだけが示されているが、実際には、遥かに多い数のパッド２５ａが形成され得る。電子部品がパッド２５ａを介して高層領域Ｅ１上に実装され得る。別の接続用パッドが、高層領域Ｅ１の周囲の高層部Ｅ１ａに形成されていてもよい。
【００１５】
図１Ｂに示されるように、コア基板１１の一方の表面には第１導体層１２が形成され、その反対側の面には第２導体層１３が形成されている。コア基板１１は、樹脂絶縁層１０と、樹脂絶縁層１０を貫通して第１導体層１２と第２導体層１３とを接続しているスルーホール導体１４を有する。スルーホール導体１４の断面形状は、図１Ｂに示されるような砂時計型状であってもよいが、特に限定されない。
【００１６】
第１ビルドアップ配線層２１の第１配線層２２は、コア基板１１の第１面１１ａ上に設けられている。第１配線層２２を有する第１ビルドアップ配線層２１の上面Ｔはコア基板１１側と反対側の面である。
【００１７】
コア基板１１の第１面１１ａと第１導体層１２上に、第１配線層２２の第１樹脂絶縁層２３が形成されている。第１樹脂絶縁層２３上に導体層２４が形成されている。第１配線層２２は、第１樹脂絶縁層２３を貫通する第１ビア導体２５を有する。第１ビア導体２５は第１導体層１２と導体層２４とを接続している。
【００１８】
図１Ｂに示されるように、プリント配線板１は、第１ビルドアップ配線層２１の上面Ｔ上に、複数の開口部２７ａを備える第１ソルダーレジスト層２７を有する。電子部品または他の配線板と接続するためのパッド２５ａが各開口部２７ａで露出される。図１Ｂに示されるように、第１ソルダーレジスト層２７は、ビルドアップ配線構造の高層領域Ｅ１の上面Ｔの略全面を覆っている。図示されていないが、第１ソルダーレジスト層２７は、高層部Ｅ１ａの上面を覆っていてもよい。図１Ｂに示される例では、ビルドアップ配線構造の低層領域Ｅ２の露出面Ｂは、高層領域Ｅ１および高層部Ｅ１ａ以外の領域に露出している樹脂絶縁層１０の表面である。
【００１９】
すなわち、図１Ｂの例では、プリント配線板１は、第１ビルドアップ配線層２１の高層領域Ｅ１の上面Ｔに接続用のパッド２５ａを有するが、低層領域Ｅ２の露出面Ｂには接続用パッドを有していない。電子部品はパッド２５ａを介して高層領域Ｅ１の上面Ｔ上に実装される。本発明の実施形態のプリント配線板１によれば、高層領域Ｅ１に実装される半導体素子等の電子部品は、プリント配線板１のビルドアップ配線構造に直接接続されるので、プリント配線板との接続信頼性が高いと考えられる。
【００２０】
第１ビルドアップ配線層２１は、少なくとも１つの配線層を有している。第１ビルドアップ配線層２１は、２以上の配線層を有していてもよい。図１に示されるように、第１配線層２２の上に、第２の樹脂絶縁層２２３と導体層２２４を含む第２配線層２２２が形成されてもよい。この場合、第１樹脂絶縁層２３と導体層２４上に第２の樹脂絶縁層２２３が形成されている。第２の樹脂絶縁層２２３上に導体層２２４が形成される。導体層２４と導体層２２４は、第２の樹脂絶縁層２２３を貫通する第２ビア導体２２５で接続されている。
【００２１】
また、図５に示されるように、第１ビルドアップ配線層２１は、さらなる配線層を含んでいてもよい。この例では、第１ビルドアップ配線層２１は、第２配線層２２２の上にさらに第３の配線層３２２を有する。第３の樹脂絶縁層３２３および第３の樹脂絶縁層３２３上に導体層３２４が形成され、導体層２２４と導体層３２４は、第３の樹脂絶縁層３２３を貫通する第３ビア導体３２５で接続される。
【００２２】
図１Ａに示されるように、第１ビルドアップ配線層２１の最上層の導体層２２４にパッド２５ａが形成されている。パッド２５ａにより電子部品接続用の電極２６が形成される。パッド２５ａは、第１ビルドアップ配線層２１の高層領域Ｅ１上に、すなわち好ましくはプリント配線板１の中央部に集中して形成されている。しかしながら、高層領域Ｅ１の周囲の高層部２７ｄにも、別のパッドが形成されて電極が形成されていてもよい。高層領域Ｅ１と比較して積層方向の高さがより低い低層領域Ｅ２が、高層領域Ｅ１の周囲の２方向に形成されている。プリント配線板１における高層領域Ｅ１および低層領域Ｅ２の種々の例が図１Ａおよび図２Ａ〜Ｄに示されている。なお、これらの図では電極２６は４個しか示されていないが、図の簡略化のためである。実際には多数の電極２６が形成され、高層領域Ｅ１に実装されている電子部品と接続される。
【００２３】
第１例が図１Ａに示されている。図１Ａでは、高層領域Ｅ１を挟んで対向する位置に、分離した２つの低層領域Ｅ２が形成されている。低層領域Ｅ２は、ビルドアップ配線構造の一部を除去することによって形成される。低層領域Ｅ２は、高層領域Ｅ１の一辺からビルドアップ配線構造の端縁まで延びている。高層領域Ｅ１の一辺の外周側の端縁まで及ぶ領域のビルドアップ配線構造を一定の幅で除去することにより図１Ａに示される低層領域Ｅ２が形成される。Ｅ１ａは、パッド２５ａが露出されている高層領域Ｅ１ではないが、高層領域Ｅ１と同じ高さを有する高層部を示している。
【００２４】
別例がそれぞれ図２Ａ〜Ｄに示されている。図２Ａでは、高層領域Ｅ１の周囲の２方向に２つの低層領域Ｅ２が分離して形成され、そしてそれぞれがビルドアップ配線構造の端縁まで延びている。図２Ａは、低層領域Ｅ２が、高層領域Ｅ１の周囲の９０度の角度をなす２方向に形成される例である。図２Ｂでは、３つの低層領域Ｅ２が分離して形成されている。図２Ｃでは、図１Ａに示される一対の低層領域Ｅ２と９０度離れてさらに別の一対の低層領域Ｅ２が高層領域Ｅ１を挟んで形成されている。図２Ａ〜Ｃのすべての例において、低層領域Ｅ２は、それぞれがビルドアップ配線構造の端縁まで延びている。すなわち、低層領域Ｅ２の少なくとも一辺がプリント配線板１の縁部と一致している。図１Ａおよび図２Ａ〜２Ｃに示される例では、プリント配線板１は、複数の低層領域Ｅ２を有しており、それぞれの低層領域Ｅ２上に例えば、それぞれ異なる電子部品が配置されてよい。或いは、各低層領域Ｅ２に配置される電子部品の一部または全部が同種のものであってもよい。２つの低層領域Ｅ２の位置や大きさは、図１Ａおよび図２Ａ〜２Ｃに示されている例に限られるものではなく、低層領域Ｅ２に配置される電子部品のサイズや種類に応じて適宜設計され得る。また、低層領域Ｅ２のビルドアップ配線構造の端縁で定まる辺以外の部分の輪郭は、直線や略直角の角部で構成されずともよい。低層領域Ｅ２の形状は低層領域Ｅ２に配置される電子部品に応じて適宜設計される。
【００２５】
また、低層領域Ｅ２が高層領域Ｅ１の周囲の少なくとも２方向に形成され、そして電極２６が高層領域Ｅ１に形成されるのに加えて、高層部Ｅ１ａに別の電極２６ａが形成されていてもよい。別の電極２６ａは、高層領域Ｅ１上に実装される電子部品または他の配線板が有する電極の配置にしたがって設けられ得る。
【００２６】
図１Ａおよび図２Ａ〜２Ｃでは、低層領域Ｅ２の一辺のみがプリント配線板１の縁部と一致している例が示されているが、低層領域Ｅ２は、２方向または３方向においてビルドアップ配線構造の端縁まで延びているように形成されてもよい。すなわち、低層領域Ｅ２の二辺または三辺がプリント配線板１の縁部と一致するように形成されていてもよい。また、図２Ｃに示されている４つの低層領域Ｅ２の、プリント配線板１の縁部または高層領域Ｅ１と一致していない二辺のそれぞれがビルドアップ配線構造の端縁まで延びて、隣接する低層領域Ｅ２同士が結合していてもよい。すなわち、低層領域Ｅ２が高層領域Ｅ１の周囲を囲むように高層領域Ｅ１の外周部全体に形成されてもよい。この例が図２Ｄに示されている。これらの例に示されるような様々な配置や数の低層領域Ｅ２は、除去されるビルドアップ配線構造の位置やサイズなどを変えることにより容易に形成され得る。
【００２７】
パッド２５ａ上に保護膜２８が形成されてもよい。また、図４に示されるように、パッド２５ａ上に、電子部品または他の配線板と接続するための導体ポスト２９が形成されてもよい。導体ポスト２９は、図４に示されるように、導体層２２４よりも突出する柱状の導体であって、パッド２５ａ上に電解めっき膜を形成することにより形成され得る。接続パッド２５ａと導体ポスト２９とにより電極２６が形成される。図４では、図１Ｂのソルダーレジスト層２７ではなくエポキシなどのモールド樹脂２７０により導体ポスト２９の側面が被覆されている。モールド樹脂層２７０は、シート状などの樹脂材料が導体ポスト２９上に積層され、加熱されることにより溶融して導体ポスト２９の側面を被覆し、降温により硬化することにより形成され得る。図４には、導体ポスト２９がモールド樹脂層２７０の高さと略同じ高さに形成されている例が示されている。導体ポスト２９はモールド樹脂層２７０の高さより高くなるように形成されてもよい。高層領域Ｅ１に実装される電子部品とプリント配線板１との間隔が広くなり、プリント配線板１と上部の高層領域Ｅ１に実装されている電子部品との間の熱膨張率の差により生じ得る応力が導体ポスト２９によって吸収され得る。また、導体ポスト２９はモールド樹脂層２７０の高さより低く、モールド樹脂層２７０の表面から凹んで形成されていてもよい。高層領域Ｅ１に実装される電子部品との接続において、モールド樹脂層２７０の部分が壁となり、隣接する電極２６間などで接合材などが接触して電気的にショート状態となることが防止され得る。
【００２８】
低層領域Ｅ２は、ビルドアップ配線構造の一部を除去することによって形成されている。低層領域Ｅ２を形成する場所のビルドアップ配線構造の一部が、ビルドアップ配線構造の形成後に除去される。従来の、例えば特許文献１のキャビティ形成方法では、多数の配線層が形成されており、キャビティ設計における制約が多いと考えられるコア基板近くのビルドアップ配線構造が除去されてキャビティが形成されている。これに対し、実施形態の低層領域Ｅ２の形成においては、例えば、一般的に低配線密度と考えられる、コア基板から離れた上面Ｔ近くのビルドアップ配線構造の上部付近を、低層領域Ｅ２形成のための領域とすることが可能である。また、ビルドアップ配線構造の上部に限らず、配線パターンの配置の妨げとならないようなビルドアップ配線構造の任意の領域が低層領域Ｅ２形成のための除去領域となり得る。そして、除去領域が除去されて低層領域Ｅ２が形成され、低層領域Ｅ２上に電子部品が配置され得る。したがって、電子部品を効率よく配置することができる。プリント配線板の設計が容易になる。
【００２９】
特許文献１の印刷回路基板では、キャビティ領域に電子部品が収納される。これとは異なり、プリント配線板１では、半導体素子等の電子部品は、高層領域Ｅ１の上面Ｔに実装され、さらに低層領域Ｅ２内にも別の電子部品が受容され得る。高層領域Ｅ１の上面Ｔの面積は、高層領域Ｅ１上に実装される電子部品の底面積と一致している必要はない。高層領域Ｅ１に実装される電子部品の底面積が高層領域Ｅ１の上面Ｔの面積より大きく、実装される電子部品が高層領域Ｅ１の縁部を超えて高層部Ｅ１ａ上に延びていてもよいし、高層領域Ｅ１の縁部から低層領域Ｅ２側に張り出ていてもよい。比較的薄い電子部品が高層領域Ｅ１の上面Ｔに実装され、高層領域Ｅ１に実装される電子部品の厚さより厚い厚さを有する電子部品が低層領域Ｅ２に配置されてもよい。このような例により、電子部品を含めたプリント配線板の薄型化が図れることがある。
【００３０】
低層領域Ｅ２上に配置される電子部品は、高層領域Ｅ１に実装される電子部品と接続され得る。低層領域Ｅ２上の電子部品は、高層領域Ｅ１に実装されている電子部品と対向している面と反対側の面で、低層領域Ｅ２の露出面Ｂと接着部材を介して接続され得る。接着部材としては、例えば絶縁ペースト或いはＤＡＦ等が用いられる。低層領域Ｅ２の深さは、低層領域Ｅ２に受容される電子部品の厚さに合わせて設計され得る。電子部品の厚さと接着部材の厚さの合計が低層領域Ｅ２の深さと合うように、前述の接着部材の厚さが決められてもよい。
【００３１】
低層領域Ｅ２の深さとは、ビルドアップ配線構造に含まれる高層領域Ｅ１および高層部Ｅ１ａと低層領域Ｅ２との積層方向の高さの差であり、すなわちビルドアップ配線構造の上面Ｔからの低層領域Ｅ２の露出面Ｂまでの距離である。この距離は、除去するビルドアップ配線構造の高さに略等しい。少なくとも１層のビルドアップ配線層が除去される。この距離は、除去される配線層のそれぞれの層厚および／または除去される配線層の数を変えることにより、プリント配線板１の用途に応じて、または、プリント配線板１に実装される電子部品等のサイズにしたがって適宜、容易に変更され得る。例えば、低層領域Ｅ２上に配置される電子部品がメモリである場合、低層領域Ｅ２の深さは略２００μｍに設計されてもよい。例えば、ビルドアップ配線構造の上面Ｔからの低層領域Ｅ２の露出面Ｂまでの距離が略２００μｍである低層領域Ｅ２を形成するために、ビルドアップ配線構造内の２層の配線層が除去されてもよい。
【００３２】
ビルドアップ配線構造の一部の除去は例えば、ビルドアップ配線構造の積層工程の途中で、低層領域Ｅ２が形成される場所に分離膜２０１（図３Ｄ参照）を積層し、ビルドアップ配線構造の積層後に分離膜２０１より上方に位置する、ビルドアップ配線構造の一または二以上の配線層を分離膜２０１とともに除去することによって行われる。分離膜２０１としては例えば、分離膜２０１がその間に積層されることになる樹脂絶縁層に対して良好な密着性を呈するものの、接着性は示さないようなフィルムが使用され得る。分離膜２０１は、例えば、ポリイミドなどの樹脂材料からなる。分離膜２０１は、例えば、予め所定の形状の膜に成形され、ビルドアップ配線構造の積層工程中に樹脂絶縁層上に積層されてよい。分離膜２０１は、液状の樹脂材料が、樹脂絶縁層上に供給されることにより形成されてもよい。分離膜２０１の樹脂絶縁層との剥離性により、分離膜２０１および分離膜２０１上に積層されているビルドアップ配線構造の除去が、容易に、かつ温和な条件下で行われ得る。分離膜の除去工程でプリント配線板１に加わるストレスが少ないと考えられる。プリント配線板１への損傷がおこりにくい。また、低層領域Ｅ２の露出面Ｂとして、破断面ではなく比較的平滑な面が得られると考えられる。
【００３３】
図５の例では、プリント配線板１の製造工程において、分離膜２０１は、第１ビルドアップ配線層２１のうちの除去される部分と、除去される部分の下層である第１樹脂絶縁層２３との間に挿入される。分離膜２０１上のビルドアップ配線構造を分離膜２０１と共に除去することにより、第１樹脂絶縁層２３の表面が露出する。第１樹脂絶縁層２３の露出面が低層領域Ｅ２の露出面Ｂとなる。図１Ｂの例では、分離膜２０１は、除去される第１ビルドアップ配線層２１の除去される部分の最下層である第１配線層２２と、第１該配線層２２の下層であるコア基板１１との間に挿入される。分離膜２０１上のビルドアップ配線構造を分離膜と共に除去することにより、コア基板１１の樹脂絶縁層１０の表面が露出する。樹脂絶縁層１０の露出面が低層領域Ｅ２の露出面Ｂとなる。図１Ａの例では、低層領域Ｅ２の露出面Ｂは、コア基板１１を構成する樹脂絶縁層１０とビルドアップ配線構造との境界面と同一平面上に位置している。
【００３４】
さらに、低層領域Ｅ２を形成する場所ごとに、ビルドアップ配線構造の積層方向に異なる位置で各分離膜２０１が積層されてもよい。このような例では、分離膜２０１上のビルドアップ配線構造および分離膜２０１の除去工程で、低層領域Ｅ２を形成するそれぞれの場所で異なる層数のビルドアップ配線構造が除去されることになる。この結果、ビルドアップ配線構造の上面Ｔから露出面Ｂまでの距離が互いに異なる複数の低層領域Ｅ２がプリント配線板１に形成され得る。
【００３５】
高層領域Ｅ１の第１ビルドアップ配線層２１内の、各配線層の樹脂絶縁層を貫通しているビア導体の端部および側面は、高層領域Ｅ１および高層部Ｅ１ａと低層領域Ｅ２との段差部の壁面に露出しないことが好ましい。
【００３６】
実施形態では、図１Ｂに示されるプリント配線板１のように、第１ビルドアップ配線層２１に加えて、コア基板の第２面１１ｂ上に、樹脂絶縁層と導体層とを積層してなる少なくとも１層の配線層を有するビルドアップ配線層が形成されていてもよい。図１Ｂで示される例では、コア基板の第２面１１ｂ上に、樹脂絶縁層と導体層とを積層してそれぞれなる第４配線層４２および第５配線層４２２を有する第２ビルドアップ配線層４１が形成されている。第４配線層４２が、コア基板１１の第２面１１ｂ上に設けられる。コア基板１１の第２面１１ｂと第２導体層１３上に、第４配線層４２の樹脂絶縁層４３が形成されている。樹脂絶縁層４３上に導体層４４が形成されている。第４配線層４２は、樹脂絶縁層４３を貫通する第４ビア導体４５を有する。第４ビア導体４５は導体層４４とコア基板１１の第２導体層１３とを接続している。第４配線層４２の上に、第４配線層４２と同様に、樹脂絶縁層と、導体層と、樹脂絶縁層を貫通し、樹脂絶縁層の上下に配置されている導体層を接続するビア導体とを有している第５配線層４２２が積層されている。第２ビルドアップ配線層４１の配線層は、コア基板１１のスルーホール導体１４を介して電極２６へと接続されている。
【００３７】
プリント配線板１は、第２ビルドアップ配線層４１側の表面である下面Ｄの略全面に、第２ソルダーレジスト層４７を有する。第２ソルダーレジスト層４７は、第２ビルドアップ配線層４１の最外層の導体層と樹脂絶縁層の上に形成されている。第２ソルダーレジスト層４７は複数の開口部４７ａを備える。開口部４７ａにより、プリント配線板１の下面Ｄ上に、接続用パッド４５ａが露出されている。接続用パッド４５ａは第５配線層４２２内の導体層に形成されている。接続用パッド４５ａは、たとえば、電子部品と接続するためのパッドである。接続用パッド４５ａはマザーボードなどとの接続に用いられてもよい。図１Ｂの例のように、接続用パッド４５ａ上には保護膜４８が形成されていてもよい。
【００３８】
実施形態では、コア基板の第２面１１ｂ上にビルドアップ配線層が形成されていなくてもよい。このような例では、コア基板１１の第２面１１ｂがプリント配線板の下面となり、第２面１１ｂ上に、第２ソルダーレジスト層４７が形成されてよい。その場合、コア基板の第２面１１ｂ上に接続用パッドが形成されていてもよい。また、第２ビルドアップ配線層４１に含まれる配線層の数と、第１ビルドアップ配線層２１に含まれる配線層の数とは異なっていてもよい。
【００３９】
図５には、第５配線層４２２上に、さらに第６配線層５２２が積層されている例が示されている。第６配線層５２２は、第４配線層４２と同様に、樹脂絶縁層と、導体層と、樹脂絶縁層を貫通し、樹脂絶縁層の上下に配置されている導体層を接続するビア導体とを有している。第２ソルダーレジスト層４７が第６配線層５２２上に形成されている。図１Ｂの例と同様に、第２ソルダーレジスト層４７の開口部４７ａに露出する接続用パッド４５ａが第６配線層５２２内の導体層に設けられている。図５に示されるように、第２ビルドアップ配線層４１の配線層は、コア基板１１のスルーホール導体１４を介して電極２６へと接続されていてもよい。接続用パッド４５ａ上に保護膜４８が形成されていてもよい。
【００４０】
低層領域Ｅ２の露出面Ｂには電極が形成されていないが、低層領域Ｅ２の内層には配線層が形成されていてもよい。この例が図５に示されている。第２導体層１３の平面視で低層領域Ｅ２と重なる部分には、スルーホール導体１４と、第４ビア導体４５とを接続する配線パターン１３ａが形成されている。第２導体層１３により低層領域Ｅ２に内層の配線層が形成されている。配線パターン１３ａは、スルーホール導体１４や第４ビア導体４５などを介して、パッド２５ａと接続用パッド４５ａとを電気的に接続している。図５に示されるように、低層領域Ｅ２の下方の第２ビルドアップ配線層４１の表面に接続用パッド４５ａが形成されていてもよい。
【００４１】
プリント配線板１の製造方法の一実施形態が、図３Ａ〜３Ｊを参照して説明される。
【００４２】
コア基板１１が準備される（図３Ａ〜Ｃ）。コア基板１１は、樹脂絶縁層１０と、コア基板１１の第１面１１ａおよび第１面１１ａの反対側の第２面１１ｂにそれぞれ積層されている第１導体層１２および第２導体層１３で形成される（図３Ｃ）。コア基板１１は、樹脂絶縁層１０と樹脂絶縁層１０の両面にそれぞれ積層されている第１銅箔１２１および第２銅箔１３１を有する出発基板１００から形成される（図３Ａ）。樹脂絶縁層１０の厚さは、例えば８０μｍ〜１５０μｍである。樹脂絶縁層１０はシリカ等の無機粒子と樹脂で形成される。樹脂絶縁層１０は、さらに、ガラスクロス、ガラス繊維およびアラミド繊維などの補強材を有してもよい。樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。図３Ａの樹脂絶縁層１０は無機粒子と補強材と樹脂で形成されている。
【００４３】
出発基板１００に、第１銅箔１２１側からレーザーが照射される。出発基板１００の第１銅箔１２１側に第１開口部１５が形成される。更に、出発基板１００に、第２銅箔１３１側からレーザーが照射される。第１開口部１５に繋がる第２開口部１６が第２銅箔１３１側に形成され、スルーホール導体１４用の貫通孔１７が形成される（図３（Ｂ）。第１開口部１５は、第１銅箔１２１側から第２銅箔１３１側に向かってテーパーしている。第２開口部１６は、第２銅箔１３１側から第１銅箔１２１側に向かってテーパーしている。
【００４４】
第１銅箔１２１と第２銅箔１３１、貫通孔１７の側壁上に無電解めっき膜が形成される。その後、電解めっきにより、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。貫通孔１７内に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるめっき膜１８が形成される。同時に、第１銅箔の第１面側上と第２銅箔の第２面側上にめっき膜１８が形成される。電解めっき膜で貫通孔１７が充填されて、砂時計型の形状であるスルーホール導体１４が形成される。めっき膜１８上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出するめっき膜１８と第１銅箔１２１および第２銅箔１３１が除去される。エッチングレジストが除去される。図３Ｃに示されるように、第１面１１ａと第１面１１ａの反対側の面である第２面１１ｂとを有するコア基板１１が用意される。第１面１１ａ上に第１銅箔と第１銅箔上のめっき膜１８とからなる第１導体層１２が形成される。第２面１１ｂ上に第２銅箔と第２銅箔上のめっき膜１８とからなる第２導体層１３が形成される。スルーホール導体１４は、第１導体層１２と第２導体層１３とを接続している。
【００４５】
第１導体層１２はパターン２０を含んでいてもよい。パターン２０は低層領域Ｅ２（図１参照）を形成するために使用され得る導体パターンである。すなわちパターン２０は、低層領域Ｅ２を形成する場所の周縁部に、低層領域Ｅ２を形成する場所を囲むように形成され得る。低層領域Ｅ２は、実施形態のプリント配線板１では、高層領域Ｅ１（図１参照）の周囲の２方向に形成される。好ましくは、パターン２０は、低層領域Ｅ２の形成場所それぞれの周縁部に形成される。図３Ｃでは、パターン２０が、第１導体層１２の他の配線パターンおよびスルーホール導体と接続されていない例が示されている。しかしながら、パターン２０は、たとえば、スルーホール導体のランドパターンであるパターン１２ａの端部であってもよい。パターン２０は、低層領域Ｅ２を形成する場所の周縁部のうちプリント配線板１の縁部を除く三辺の周縁部を周回しているパターンを含む。パターン２０は、たとえば、低層領域Ｅ２が形成されるときに照射されるレーザー光のストッパとして機能し得る。低層領域Ｅ２は、その一辺が第１ビルドアップ配線層（図１Ｂ参照）からなるプリント配線板１の縁部に一致するように形成される。パターン２０は、低層領域Ｅ２を形成する場所の周縁部を周回し、かつ、その両端がプリント配線板１の縁部付近に達するように形成されるのが好ましい。
【００４６】
以降の図３Ｄ〜３Ｊに示されているプリント配線板１の製造方法では、第１導体層１２が形成される工程でスルーホール導体と接続されていないパターン２０が形成されているコア基板１１（図３Ｃ）を用いる例が説明されている。しかしながら、パターン２０がパターン１２ａの端部として形成されているコア基板１１が用いられる場合であっても、図３Ｄ〜Ｊで例示されている工程と同様の工程を行うことにより、低層領域Ｅ２を含むプリント配線板１が製造され得る。
【００４７】
図３Ｄに示されるように、コア基板１１の第１面１１ａ側の樹脂絶縁層１０の低層領域Ｅ２を形成する場所上に分離膜２０１が積層される。図３Ｄには、パターン２０の上面を完全に覆うように分離膜２０１が積層される例が示されている。分離膜２０１は、パターン２０の一部だけを覆うように積層されてもよい。また、分離膜２０１は、端面がパターン２０の側面に接するように積層されてもよい。分離膜２０１は、少なくともパターン２０の近傍まで達するように積層されればよい。分離膜２０１の少なくとも１辺は、プリント配線板１の縁部の近傍まで延びている。パターン２０は、前述のように、レーザー光のストッパとして機能する。このレーザー光は、後述のように、低層領域Ｅ２の形成時に、分離膜２０１と共に除去される部分とその他の部分とを分離するために照射される。分離膜２０１がパターン２０まで達していないと、パターン２０上へのレーザー光の照射によりその他の部分から分離される除去部分の外周付近などに、その下方に分離膜２０１の無い部分が多少存在するかもしれない。しかしながら、工程途上のプリント配線板１に過度なストレスを与えることなく除去部分が除去されれば問題は無い。
【００４８】
分離膜２０１は例えば、低層領域Ｅ２を形成する場所と略同じ大きさの樹脂フィルムである。分離膜２０１の例は、ポリイミドフィルムである。例えば、フィルム状に成形された樹脂が、樹脂絶縁層上に積層され仮溶着される。あるいは、分離膜２０１の積層は、液状もしくはペースト状の樹脂材料が、スクリーンマスクなどを用いて印刷などにより所定の形状で塗布され、必要に応じて、乾燥や加熱されることにより行われる。フィルム状に成形されている樹脂が使用される例では、低層領域Ｅ２が形成される場所のサイズと略同一のサイズに予めルータ加工されているフィルムが分離膜２０１として使用され得る。また、略液状もしくはジェル状の樹脂材料が、樹脂絶縁層上にスクリーンマスクなどを用いて印刷され、必要に応じて、乾燥や加熱により固化されて膜状に形成されてもよい。この例では、例えばジェル状樹脂材料が、低層領域低層領域Ｅ２が形成される場所を覆うように樹脂絶縁層上に印刷され得る。しかし、分離膜２０１を形成する原料や形状はこれらの例に制限される訳ではなく、分離膜２０１上に積層される樹脂絶縁層などとともに、分離膜２０１の積層面から容易に除去され得る膜であれば任意のものを用いることができる。分離膜２０１の厚さとしては、分離膜２０１上への樹脂絶縁層の積層を妨げず、樹脂材料が膜状へと固化される場合も固化が比較的短時間で達成されるものであればよい。
【００４９】
コア基板１１の第１面１１ａに第１配線層２２が積層される（図３Ｅ〜Ｇ）。コア基板１１の第１面１１ａと第１導体層１２上に、第１配線層２２の第１樹脂絶縁層２３が加熱プレスにより形成される。第１樹脂絶縁層２３はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。第１樹脂絶縁層２３は、さらに、ガラスクロス等の補強部材を有しても良い。しかしながら、低層領域Ｅ２の形成を容易にするという観点から、補強材を含まないほうが好ましいことがある。第１樹脂絶縁層２３の形成時に、第１樹脂絶縁層２３を構成する樹脂材料と共に、第１樹脂絶縁層２３のコア基板１１側と反対側に金属箔が積層されてもよい。部分的に分離膜２０１の厚さによる凹凸があっても、均一な圧力でプレスできると考えられる。
【００５０】
図３Ｆに示されるように、第１樹脂絶縁層２３に、第１導体層１２に至る第１ビア導体２５用の開口２３ａが形成される。たとえば、セミアディティブ法で導体層２４が形成される。第１樹脂絶縁層２３上および開口２３ａ内に、無電解めっきやスパッタリングなどにより金属被膜が形成される。金属被膜上に、めっきレジスト膜が形成され、金属被膜をシード層として、めっきレジスト膜の開口部分に電解めっき膜が形成される。めっきレジスト膜が除去される。たとえば、銅の無電解めっき膜および無電解めっき膜上の電解めっき膜からなる導体層２４が形成される。第１樹脂絶縁層上に金属箔が積層される場合は、金属箔を含めた３層構造の導体層２４が形成される。図３Ｆには、そのような３層構造の導体層２４が示されている。導体層２４の形成と同時に、開口２３ａに、たとえば、無電解めっき膜が形成され、電解めっき膜が充填されることにより第１ビア導体２５が形成される（図３Ｇ）。
【００５１】
図３Ｅ〜３Ｊに示されている例では、コア基板１１の第２面１１ｂ側に第２ビルドアップ配線層が形成される。第４配線層４２が、第１配線層２２の形成と同様の工程で、コア基板１１の第２面１１ｂ上に設けられる。すなわち、コア基板１１の第２面１１ｂ上および第２導体層１３上に第４配線層４２の樹脂絶縁層４３が形成される（図３Ｅ）。樹脂絶縁層４３に、第２導体層１３に至る第４ビア導体４５用の開口４３ａが形成される（図３Ｆ）。樹脂絶縁層４３上に、セミアディティブ法などにより、たとえば３層構造の導体層４４が形成され、同時に、開口４３ａに第４ビア導体４５が形成される（図３Ｇ）。しかしながら、図１Ｂで示されるプリント配線板１のように、コア基板の第２面１１ｂ上にはビルドアップ配線層が形成されず、接続用パッド４５ａが下面Ｄに形成されて、第２ソルダーレジスト層４７の開口部４７ａによって露出されていてもよい。第２ビルドアップ配線層が形成される場合は、好ましくは第１ビルドアップ配線層と同時に形成される。
【００５２】
続いて、第１配線層２２上、および、第４配線層４２上に、それぞれ、第２配線層２２２および第５配線層４２２がさらに形成される（図３Ｈ）。前述の第１配線層２２および第４配線層４２の製造工程と同様の工程で、第２樹脂絶縁層２２３、導体層２２４および第２ビア導体２２５、ならびに、第５樹脂絶縁層４２３、導体層４２４および第２ビア導体４２５が形成される。
【００５３】
第２樹脂絶縁層２２３および導体層２２４上に第１ソルダーレジスト層２７が形成される。第５樹脂絶縁層４２３および導体層４２４上に第２ソルダーレジスト層４７が形成される。ソルダーレジスト層２７、４７と樹脂絶縁層２２３、４２３との密着性を高めるために、ソルダーレジスト層の形成前に、導体層２２４および４２４の露出面に粗化処理が行われてもよい。粗化処理の方法は、特に限定されないが、たとえば、有機酸系のエッチング剤に浸漬し、微細な凹凸を形成するマイクロエッチングなどが行われる。
【００５４】
第１ソルダーレジスト層２７および第２ソルダーレジスト層４７に、それぞれ、パッド２５ａおよびパッド４５ａを露出させる開口部２７ａおよび４７ａが露光および現像によって形成される。分離膜２０１の上方の領域にも第１ソルダーレジスト層２７の開口部２７ｂが形成される。
【００５５】
保護膜２８および４８がパッド２５ａおよびパッド４５ａ上に形成され得る。保護膜はパッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ、ＳｎまたはＯＳＰ膜で形成される。
【００５６】
続いて、図３Ｊに示されるように、分離膜２０１を、分離膜２０１上に形成されている第１ビルドアップ配線層とともに除去することにより、低層領域Ｅ２が形成される。たとえば、第１ソルダーレジスト層２７の開口部２７ｂを介して第１ビルドアップ配線層２１の上面Ｔにレーザー光が照射される。第１導体層１２のパターン２０の上方からレーザー光が照射される。レーザー光は第１ビルドアップ配線層２１の第１および第２配線層２２、２２２および分離膜２０１を貫通して第１導体層１２のパターン２０に至り、貫通孔を形成する。パターン２０に沿ってレーザーの照射位置が順に移動する。パターン２０は、低層領域Ｅ２を形成する場所の周縁部に形成され、好ましくは、パターン２０の両端はプリント配線板１の縁部、すなわち、第１ビルドアップ配線層２１の縁部付近に達している。レーザー光をパターン２０に沿って照射することにより、低層領域Ｅ２を形成する場所を囲むように連続した複数の貫通孔が形成される。連続する貫通孔が互いに重なるように照射することで、第１ビルドアップ配線層２１からなるビルドアップ配線構造の端縁を一辺とする枠状の開口が形成される。
【００５７】
第１導体層１２のパターン２０がレーザー照射時のレーザーストッパとして機能する。パターン２０によりレーザー光が遮断されるため、後述の工程を経て低層領域Ｅ２の露出面Ｂとなる樹脂絶縁層上にレーザーが照射されてしまうことがない。
【００５８】
この例では、レーザー光による貫通孔の連続的な形成を行うため、高層領域Ｅ１および高層部Ｅ１ａと低層領域Ｅ２との段差部分の壁面５１に損傷がおきない。また、レーザーが貫通して照射される樹脂絶縁層が補強部材を含む場合であっても、樹脂絶縁層内に隙間等が生じることが起こりにくい場合がある。樹脂絶縁層上に積層されている分離膜２０１は樹脂絶縁層を構成する材料との良好な剥離性を有している。樹脂絶縁層からの剥離が非常に容易であるため、分離膜２０１の除去時に低層領域Ｅ２の壁面５１および露出面Ｂ上での損傷問題が起き難い。分離膜２０１の除去工程が、分離膜２０１の下方のコア基板１１や、第２ビルドアップ配線層４１に影響を及ぼす可能性が低い。また、高層領域Ｅ１および高層部Ｅ１ａの第１ビルドアップ配線層２１、すなわち除去されずに残されるビルドアップ配線構造における積層部分の剥離も起こりにくいと考えられる。
【００５９】
貫通孔がレーザー光により形成されるため、開口の加工精度が高い。すなわち、低層領域Ｅ２の位置に関する加工精度のばらつきがほとんどなく、量産時の製品の信頼度が向上する。
【００６０】
しかしながら、開口はルータで形成されてもよい。
【００６１】
レーザー光の照射などにより形成された開口に囲まれている低層領域Ｅ２が形成される部分の第１ビルドアップ配線層２１が、下方の分離膜２０１とともに除去される。低層領域Ｅ２はビルドアップ配線構造の端縁まで延びている。すなわち、低層領域Ｅ２の少なくとも一辺はプリント配線板１の縁部と一致している。このため、分離膜２０１をこの一辺の近傍のプリント配線板１の縁部に向かって滑らす等により、分離膜２０１の除去は容易に行われ得る。分離膜２０１および分離膜２０１上に形成されている第１ビルドアップ配線層２１が同時に除去される。
【００６２】
分離膜２０１は、コア基板１１の樹脂絶縁層１０上でなく、例えば第１ビルドアップ配線層内の第１樹脂絶縁層２３の上など、低層領域Ｅ２の所望の深さに応じて、低層領域Ｅ２を形成する場所の任意の樹脂絶縁層およびその上に形成されているパターン２０上に形成される。例えば、第１樹脂絶縁層２３およびその上に形成されているパターン２０上への分離膜２０１の形成後、分離膜２０１上に第２配線層２２２、第３配線層３２２等が積層され、そして、低層領域Ｅ２を形成する場所の分離膜２０１上の第１ビルドアップ配線層２１が分離膜２０１とともに除去される。低層領域Ｅ２が形成される。図５には、第１配線層２２の第１樹脂絶縁層２３およびパターン２０上に分離膜２０１が積層されて低層領域Ｅ２が形成されている例が示されている。
【００６３】
低層領域Ｅ２の露出面Ｂ上のパターン２０は、低層領域Ｅ２の形成後にエッチングなどによって除去されてもよい。図１および図５には、低層領域Ｅ２の形成後、パターン２０が除去された状態が示されている。しかしながら、パターン２０は、ビルドアップ配線構造内の他の配線パターンと接続されていない場合は、除去されずにそのまま低層領域Ｅ２の露出面Ｂ上に残されていても問題ないと考えられる。実施形態のプリント配線板１では、高層領域Ｅ１（図１参照）の周囲の２方向の位置に第１ビルドアップ配線層２１の端縁まで達する低層領域Ｅ２が形成される。高層領域Ｅ１の周囲の３方向または４方向、或いは高層領域Ｅ１の外周部全体に低層領域Ｅ２が形成されてもよい。
【００６４】
実施形態の製造方法によれば、プリント配線板１の用途や実装される電子部品のサイズに応じて、プリント配線板１における高層領域Ｅ１のサイズならびに低層領域Ｅ２のサイズおよび深さなどが適宜設定され、その設計に基づいたプリント配線板１が製造され得る。
【符号の説明】
【００６５】
１      プリント配線板
１０    樹脂絶縁層
１１    コア基板
１２    第１導体層
１３    第２導体層
１４    スルーホール導体
１８    めっき膜
２１    第１ビルドアップ配線層
２２    第１ビルドアップ配線層の第１配線層
２３    第１樹脂絶縁層
２３ａ  開口
２５ａ  パッド
２６    電極
２７    第１ソルダーレジスト層
４１    第２ビルドアップ配線層
４２    第４配線層
４３ａ  開口
４５ａ  接続用パッド
４７    第２ソルダーレジスト層
５１    貫通孔側壁
２０１  分離膜
２２２  第２配線層
３２２  第３配線層
４２２  第５配線層
５２２  第６配線層
Ｅ１    高層領域
Ｅ２    低層領域
【図１Ａ】
2016197639.tif 000003
【図１Ｂ】
2016197639.tif 000004
【図２Ａ】
2016197639.tif 000005
【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
2016197639.tif 000007
【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
2016197639.tif 000009
【図３Ｂ】
2016197639.tif 000010
【図３Ｃ】
2016197639.tif 000011
【図３Ｄ】
2016197639.tif 000012
【図３Ｅ】
2016197639.tif 000013
【図３Ｆ】
2016197639.tif 000014
【図３Ｇ】
2016197639.tif 000015
【図３Ｈ】
2016197639.tif 000016
【図３Ｉ】
2016197639.tif 000017
【図３Ｊ】
2016197639.tif 000018
【図４】
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【図５】
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