(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザーアブレーションによって発光層を含む有機膜のパターニングを効率よく行うことができる、有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】発光層を含む有機膜と、平面視において有機膜が備えられた第１領域Ｒ１以外の領域であって、第１領域の縁と隣り合う第２領域Ｒ２に、第１領域の縁に沿って形成された、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜１１３５と、を含む有機ＥＬ表示装置。【選択図】図３Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を含む有機膜と、
平面視において前記有機膜が備えられた第１領域以外の領域であって、前記第１領域の縁と隣り合う第２領域に、前記第１領域の前記縁に沿って形成された、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜と、を含む
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記反射膜は、平面視において表示領域の周囲を取り囲んで備えられている、
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記有機膜を覆うように形成される共通電極膜を更に含み、
前記有機膜は、前記反射膜と前記共通電極膜との間に備えられる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記反射膜の前記有機膜と対向する側と反対側には、平面視において前記第１領域の少なくとも一部と重ねて形成された、有機平坦化膜を更に有し、
前記有機平坦化膜は、端部にテーパー形状を有するテーパー部を備え、
前記反射膜は、少なくとも一部を前記テーパー部の形状に沿って形成される
ことを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記反射膜の前記レーザー光線の反射率は、６０％以上である、
ことを特徴とする請求項１乃至４いずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記反射膜は、３５０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の波長のレーザー光線を、６０％以上反射する、
ことを特徴とする請求項１乃至５いずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置における発光層を含む有機膜は、下記特許文献１に開示されるように、エッチング若しくは写真製版工程にて、マスクを用いることによって所定の形状にパターニングして形成されることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３０２８６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述のようなマスクを用いる有機膜の形成は、専用設備やマスクの定期的なメンテナンスが必要となる。そして、大型基板になるほど設備費、運用費が増大する。このため、従来の形成方法とは異なる、より簡便に有機膜の形成ができる製造方法について発明者らは鋭意検討を行った。
【０００５】
そして、発明者らは、レーザー光線を用いた加工技術であるレーザーアブレーションを有機膜の形成に適用ができないかと考えた。この方法は、レーザー光線を照射することによって不要な有機膜の部分を除去し、所定の形状に有機膜をパターニングする方法である。
【０００６】
この方法が実現されると、マスクレスで有機膜の形成が可能となるため、運用費の削減や、専用設備の導入の必要がないため、製造コストの低減が期待できる。
【０００７】
しかしながら、有機ＥＬ表示装置に備えられる発光層を含む有機膜は、通常光吸収が少ないため、不要な有機膜の部分を除去する時間がかかり、また不要な有機膜の部分を除去する時間を短縮するためには、レーザー光線を高出力で照射することが必要となるという問題があることがわかった。
【０００８】
該問題を解決するために、レーザーアブレーションによって不要な有機膜の部分の除去を実現するための、新たな膜構造を有機ＥＬ表示装置に適用することについて、発明者らは更に鋭意検討を重ねた。
【０００９】
本発明の目的は、レーザーアブレーションによって発光層を含む有機膜のパターニングを効率よく行うことができる、有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明における有機ＥＬ表示装置の一態様は、発光層を含む有機膜と、平面視において前記有機膜が備えられた第１領域以外の領域であって、前記第１領域の縁と隣り合う第２領域に、前記第１領域の前記縁に沿って形成された、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜と、を含むことを特徴としたものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す斜視図である。
【図２】図１の切断線ＩＩ‐ＩＩにおける断面を示す図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの切断線ＩＩＩＢ‐ＩＩＩＢにおける断面を示す図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの切断線ＩＶＢ‐ＩＶＢにおける断面を示す図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの切断線ＶＢ‐ＶＢにおける断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
はじめに、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略について、図１、２を参照して説明する。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を模式的に示す斜視図である。また、図２は、図１の切断線ＩＩ‐ＩＩにおける断面を示す図である。
【００１５】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、例えば、回路基板１１を有する。回路基板１１には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１２が搭載されているものである。
【００１６】
回路基板１１には、外部との電気的接続のために、フレキシブル配線基板１３が接続されている。図２に示すように、回路基板１１は、ガラスなどからなる第１基板１１１及び回路層１１２等を含んで構成されている。回路層１１２は、配線や、電極及び絶縁膜などで構成される薄膜トランジスタ（thin film transistor : ＴＦＴ）１１２１を含む。
【００１７】
図１、２に示すように、回路基板１１には素子層１１３が備えられている。素子層１１３は、有機膜１１３１（有機エレクトロルミネッセンス膜ともいう）を含む。有機膜１１３１は、少なくとも発光層（図示せず）を含み、さらに、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層及び正孔注入層のうち少なくとも一層を含むこととしてもよい。
【００１８】
図１、２に示す有機膜１１３１が含む発光層は、一色（例えば白色）の光のみを発することとしてもよい。この場合、有機ＥＬ表示装置１０は、発光層から発せされた光が対向基板１４に備えられたＲＧＢいずれかの色のカラーフィルタ１４１（１４１Ｒ、１４１Ｇ、１４１Ｂ）を介して外部に様々な色を視認させることとなる。
【００１９】
また、発光層は画素ごとに異なる複数色の光を発するように構成してもよい。この場合、図１、２に示される対向基板１４のカラーフィルタ１４１は不要である。対向基板１４については後に詳細に説明する。
【００２０】
素子層１１３は、陽極１１３２（アノード、画素電極ともいう）及び陰極１１３３（カソード、共通電極ともいう）を含む。陽極１１３２及び陰極１１３３は、それぞれ、回路層１１２と電気的に接続される。
【００２１】
図１、２の例では、回路層１１２の上方に複数の陽極１１３２が形成されている。複数の陽極１１３２は、複数の画素に対応して設けられる。また、複数の陽極１１３２の上に連続的に有機膜１１３１が設けられている。そして、有機膜１１３１の上に連続的に陰極１１３３が設けられている。
【００２２】
このように、素子層１１３は、有機膜１１３１を挟む陽極１１３２及び陰極１１３３を含んで構成されている。陽極１１３２及び陰極１１３３に電圧をかけることにより各々から正孔と電子を有機膜１１３１に注入し、注入された正孔と電子が有機膜１１３１に含まれる発光層で結合することによって光を発する。
【００２３】
ここで有機膜１１３１を形成する有機材料は、外部からの水分を吸湿し、該水分を保持しやすい特性を有している場合がある。このような外部から侵入してくる水分は、有機膜１１３１、とりわけ発光層に対し悪影響を及ぼすことがあり、好ましいものではない。
【００２４】
したがって、有機膜１１３１には、外部からの水分が、有機ＥＬ表示装置１０の表示領域ＤＡまで拡散することによって発生する表示不良を防ぐために、有機膜１１３１の一部を分断して外部からの水分を遮断する水分遮断構造ＭＢが設けられている。
【００２５】
また、回路層１１２の第１基板１１１と対向する側とは反対側の表面には、配線や、電極及び絶縁膜などで構成される薄膜トランジスタ１１２１に起因する凹凸が存在する。
【００２６】
該凹凸は、電極や発光層を含む有機膜１１３１等を上方に積層させた場合、該有機膜１１３１が段切れを起こす要因となりうる。そして、有機膜１１３１の段切れは、陽極１１３２と陰極１１３３とが短絡を起こす要因となりうるため、好ましくない。
【００２７】
したがって、図２に示されるように本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、回路層１１２の表面に前述の凹凸を平坦化するための有機平坦化膜１１３４を備えることとしてもよい。
【００２８】
また、回路層１１２の凹凸を平坦化するためには、有機平坦化膜１１３４にはある程度の厚さが必要となる。有機材料によって形成される有機平坦化膜１１３４は、無機材料によって形成される膜と比較して容易に凹凸を平坦化するだけの膜厚を有する膜を形成することができる。
【００２９】
また、有機平坦化膜１１３４は、例えば、アクリル樹脂等の有機樹脂を用いて形成することができる。ここで、有機平坦化膜１１３４が有機樹脂にて形成される場合、該有機樹脂が外部からの水分を吸湿し、該水分を保持しやすい特性を有している場合がある。
【００３０】
前述のように、このような外部から侵入してくる水分は、素子層１１３、とりわけ発光層を含む有機膜１１３１に対し悪影響を及ぼすことがあり、好ましいものではない。
【００３１】
したがって、有機平坦化膜１１３４には有機膜１１３１同様、外部からの水分が有機ＥＬ表示装置１０の表示領域ＤＡまで拡散することによって発生する表示不良を防ぐために、有機平坦化膜１１３４の一部を分断して外部からの水分を遮断する水分遮断構造ＭＢが設けられていることとしてもよい。
【００３２】
ここで、水分遮断構造ＭＢを形成する有機平坦化膜１１３４の端部には、図２に示されるようにテーパー形状を有するテーパー部１１３４ｂが備えられていることとしてもよい。
【００３３】
また図２に示されるように、有機平坦化膜１１３４の一部には、素子層１１３の陽極１１３２および陰極１１３３と、回路層１１２との電気的接続をとるためのスルーホール１１３４ｃが形成されていることとしてもよい。
【００３４】
なお、有機平坦化膜１１３４に形成されたスルーホール１１３４ｃを介して、陰極１１３３と回路層１１２とが電気的に接続される構造を、本明細書中においてはカソードコンタクトＣＣと呼ぶこととする。
【００３５】
また、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０には、陽極１１３２と有機平坦化膜１１３４との間には、発光層から発せられた光の取り出し効率を高めるために、反射膜１１３５が備えられることとしてもよい。
【００３６】
この場合、陽極１１３２はＩＴＯ等の可視光を透過する金属によって形成されることとなる。そして、陽極１１３２と有機平坦化膜１１３４との間に備えられる反射膜１１３５は、例えば可視光を反射させるものであればよい。例えば、Ａｌ等の金属、またはアルミニウムとチタンの三層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）のものによって形成されることとしてもよい。
【００３７】
そして、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、平面視において有機膜１１３１が備えられた第１領域Ｒ１以外の領域であって、第１領域Ｒ１の縁と隣り合う第２領域Ｒ２にも反射膜１１３５を有する。第２領域Ｒ２の反射膜１１３５は第１領域Ｒ１の縁に沿って形成される。この第１領域Ｒ１の縁に沿って形成される反射膜１１３５は、所定の波長のレーザー光線を反射する。なお、第１領域Ｒ１、第２領域Ｒ２は、後に説明する図４Ａ、５Ａ等に示される領域Ｒ１、Ｒ２に相当するものである。
【００３８】
また、平面視において有機膜１１３１が備えられた第１領域Ｒ１以外の領域であって、第１領域Ｒ１の縁と隣り合う第２領域Ｒ２に、第１領域Ｒ１の縁に沿って形成される反射膜は、平面視において有機膜１１３１が備えられていない領域に備えられているものであり、すなわち、平面視において表示領域の周囲を取り囲んで備えられているものである。
【００３９】
以後、可視光を反射させる反射膜１１３５を第１反射膜１１３５ａと、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜とを第２反射膜１１３５ｂと区別して呼ぶこととする。
【００４０】
ここで、第２反射膜１１３５ｂは、第１反射膜１１３５ａと同一の材料によって形成されることとしてもよい。この場合、第２領域Ｒ２の反射膜と第１領域Ｒ１の反射膜は同じプロセス中に形成され、同じ層に形成されることとしてもよい。
【００４１】
また、第２反射膜１１３５ｂは、第１反射膜１１３５ａと異なる材料によって形成されることとしてもよい。例えば、第２反射膜１１３５ｂは、例えばＡｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、あるいはＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの三層構造のもので形成されることとしてもよい。
【００４２】
更に、陰極１１３３と電気的接続をとるために形成されたカソードコンタクトＣＣにおけるスルーホール１１３４ｃの内側面に、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜（第２反射膜１１３５ｂ）が形成されることとしてもよい。
【００４３】
また、水分遮断構造ＭＢを形成する有機平坦化膜１１３４の端部に備えられたテーパー部１１３４ｂにも同様に、テーパー部１１３４ｂの形状に沿って、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜（第２反射膜１１３５ｂ）の少なくとも一部が形成されることとしてもよい。
【００４４】
ここで、第２反射膜１１３５ｂのレーザー光線の反射率は、例えば６０％以上であることとしてもよい。また、第２反射膜１１３５ｂのレーザー光線の反射率は、例えば６５％以上であることとしてもよいし、７０％以上であることとしてもよいし、７５％以上であることとしてもよい。
【００４５】
また、上記の所定の波長のレーザー光線とは、３５０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の波長のレーザー光線であることとしてもよい。すなわち、反射膜は、３５０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の波長のレーザー光線を、６０％以上反射することとしてもよい。
【００４６】
一般的に、金属はレーザー光線の波長が短くなるに従い反射率が減少する傾向を示す。一方で、金属の反射率は、反射膜を構成する金属材料の種類によって変化する。これは一般的には電気伝導度に依存するとされ、電気伝導度の増加に伴い反射率が大きくなるとされている。
【００４７】
したがって、第２反射膜１１３５ｂの電気伝導度は、第１反射膜１１３５ａの電気伝導度よりも大きいこととしてもよい。
【００４８】
対向基板１４は、回路基板１１と対向するように配置されている。また図２に示されるように、対向基板１４はカラーフィルタ基板であって、第２基板１４２と、第２基板１４２の回路基板１１側に設けられたブラックマトリクス１４３及び着色層であるカラーフィルタ１４１を含むこととしてもよい。
【００４９】
また、前述のように、有機膜１１３１が、異なる色（例えば、赤、緑及び青）を発する複数の発光層を含む場合、着色層は不要である。
【００５０】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法について説明しつつ、併せて本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０が有する詳細な構成について更に説明する。
【００５１】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、平面視における第１領域に、発光層を含む有機膜が備えられた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記第１領域以外の領域であって前記第１領域の縁と隣り合う第２領域に、前記縁に沿って形成された、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜を形成する工程と、平面視における前記第１領域、及び前記第２領域を含む領域に、前記有機膜を前記反射膜と一部を重ねて形成する工程と、少なくとも前記第２領域を含む領域に前記レーザー光線を照射して、平面視において前記第２領域と重ねて形成された前記有機膜の一部を除去する工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００５２】
図３Ａは、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法を説明する平面図である。また、図３Ｂは、図３Ａの切断線ＩＩＩＢ‐ＩＩＩＢにおける断面を示す図である。
【００５３】
はじめにガラスや樹脂等の絶縁基板である第１基板１１１上に、配線、薄膜トランジスタ１１２１等が形成された回路層を形成する。この回路基板１１の形成工程は、既知の方法にて行うこととしてもよい。
【００５４】
なお、薄膜トランジスタ１１２１等を第１基板１１１上に形成した状態が平滑な場合、薄膜トランジスタ１１２１や第１基板１１１を覆うように形成する有機平坦化膜１１３４は必ずしも備える必要はない。
【００５５】
以下説明においては、薄膜トランジスタ１１２１が形成された直後の表面は、凹凸を有するものであるとして、該凹凸に起因する該有機膜１１３１が段切れ、該段切れに起因する陽極１１３２と陰極１１３３とが短絡を抑制するために、回路層の形成に次いで、該凹凸を平坦化するための、有機平坦化膜１１３４を形成することとする。
【００５６】
有機平坦化膜１１３４の形成は、例えば、有機平坦化膜１１３４は平面視において、少なくとも画素領域の全面を覆って形成された後、平面視においてカソードコンタクトＣＣが形成される領域、水分遮断構造ＭＢが形成される領域を除去することによって行われることとしてもよい。
【００５７】
また、有機平坦化膜１１３４の形成は、有機樹脂のワニス（有機樹脂を溶媒に溶かした液状物）を凹凸表面に塗布し、該ワニスに含まれる溶媒を揮散させることによって形成することとしてもよい。このように形成することによって第１基板１１１表面の凹部に優先的にワニスが流れ込むこととなり、第１基板１１１表面の凹凸を効果的に平坦化することとなる。
【００５８】
なお、有機平坦化膜１１３４をポリイミド樹脂で構成する場合、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を、溶媒に溶かした液状物を凹凸表面に塗布し、その後イミド化の処理を行うこととしてもよい。
【００５９】
また、熱硬化性の有機樹脂で有機平坦化膜１１３４を構成する場合、凹凸面に有機樹脂のワニスを塗布後、加熱処理を行い、熱硬化を促進させることとしてもよい。また、光硬化性の有機樹脂で有機平坦化膜１１３４を構成する場合、凹凸面に有機樹脂のワニスを塗布後、光照射処理を行い、光硬化を促進させることとしてもよい。
【００６０】
なお、有機平坦化膜１１３４の材料、及び形成方法は、上記のものに限られるものではない。
【００６１】
また、本実施形態における有機平坦化膜１１３４は、端部にテーパー形状を有するテーパー部１１３４ｂを備えるものである。
【００６２】
そして、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜（第２反射膜１１３５ｂ）が、平面視において有機膜１１３１が備えられる第１領域Ｒ１以外の領域であって、第１領域Ｒ１の縁と隣り合う第２領域Ｒ２に、第１領域Ｒ１の縁に沿って形成される。
【００６３】
また、本実施形態においては、第２反射膜１１３５ｂを、少なくとも一部を有機平坦化膜１１３４のテーパー部１１３４ｂの形状に沿って形成した。併せて、本実施形態においては、第２反射膜１１３５ｂを、陰極１１３３と電気的接続をとるために形成されたスルーホール１１３４ｃの内側面に形成した。
【００６４】
すなわち、陰極１１３３と電気的接続をとるために形成されたスルーホール１１３４ｃの内側面、及び水分遮断構造ＭＢを形成する有機平坦化膜１１３４の端部に備えられたテーパー部１１３４ｂに第２反射膜１１３５ｂが形成されることとなる。
【００６５】
そして、例えば、可視光を反射させる反射膜（第１反射膜１１３５ａ）、陽極１１３２をパターニングによって形成する。次いで、バンク１１３６が、陽極１１３２の端部を覆って有機平坦化膜１１３４の第１基板１１１側と対向する側とは反対側の面の一部と接して備えられる。
【００６６】
また、第２反射膜１１３５ｂが、第１反射膜１１３５ａと異なる材料によって形成される場合、第１反射膜１１３５ａと第２反射膜１１３５ｂとは、それぞれ別のパターニング工程を経て形成されることとなる。また、第２反射膜１１３５ｂと、第１反射膜１１３５ａとが同一材料によって形成される場合、第１反射膜１１３５ａと第２反射膜１１３５ｂとは、それぞれ同じパターニング工程を経て形成することとしてもよい。
【００６７】
その後、陽極１１３２の端部を覆って有機平坦化膜１１３４の第１基板１１１側とは反対側の面の一部と接してバンク１１３６を形成する。
【００６８】
なお、バンク１１３６は平面視における画像領域において、陽極１１３２の端部および、有機平坦化膜１１３４の上面の該陽極１１３２が形成されていない他の面の全てを覆ってバンク１１３６が形成されることとしてもよい。バンク１１３６が有機平坦化膜１１３４の上面の陽極１１３２が形成されていない他の面の全部を覆って形成されるのは工程上その方が簡便であり、性能上実害がないと考えられるからである。
【００６９】
このようにして、製造過程における仕掛（material in process）の状態が図３Ａ、３Ｂにて示されるものである。
【００７０】
次に、図３Ａ、３Ｂに示される状態から、レーザーアブレーションによって発光層を含む有機膜１１３１のパターニングを行う工程について説明する。
【００７１】
図４Ａは、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する平面図である。また、図４Ｂは、図４Ａの切断線ＩＶＢ‐ＩＶＢにおける断面を示す図である。
【００７２】
はじめに、図３Ａ、３Ｂに示される状態から、最上面に発光層を含む有機膜１１３１を全面に形成する。
【００７３】
そして、有機膜１１３１を除去すべき箇所（図４Ａにおける、カソードコンタクトＣＣが形成される領域、水分遮断構造ＭＢが形成される領域に所定の波長のレーザー光線Ｌを照射する。
【００７４】
一般的に有機ＥＬ表示装置に備えられる発光層を含む有機膜１１３１は、通常光吸収が少ないためレーザーアブレーションによる有機膜１１３１の除去には、高出力でのレーザー光線の照射が必要となる。
【００７５】
これに対して本実施形態においては。有機膜１１３１を除去すべき箇所に照射されるレーザー光線Ｌを効率よく反射する第２反射膜１１３５ｂが備えられているため、照射されたレーザー光線Ｌは第２反射膜１１３５ｂで反射し、再度有機膜１１３１を通過することとなる。これによって、照射されるレーザー光線を効率よく利用することができ、低出力でのレーザー構成の照射にてレーザーアブレーションを実施することができる。
【００７６】
また、第２反射膜１１３５ｂが有機平坦化膜１１３４のテーパー部１１３４ｂの形状に沿って形成されていることにより、該第２反射膜１１３５ｂがレーザー光線Ｌの照射方向（図４Ｂにおける矢印方向）からずれたレーザー光線Ｌの成分を、再度有機膜１１３１側に集束させるように反射させ、有機膜１１３１の除去効率を更に高めることとなる。
【００７７】
このように、第２反射膜１１３５ｂを備えることによって、レーザー光線Ｌの出力を低下させることができ、また、有機ＥＬ表示装置１０を構成する他の部分に対し、レーザー構成の照射による影響を抑えることができるため、製造される有機ＥＬ表示装置１０の信頼性を高めることとなる。
【００７８】
更に、穏やかな出力のレーザー光線Ｌの照射により、有機膜１１３１を除去する際に発生する加工屑（デブリともいう）のレーザー光線Ｌの照射箇所以外の周囲への飛散を低減することとなる。なお、加工屑が仮に表示領域まで飛散してしまうと、パーティクルとなりダークスポットを生じさせ、表示不良を招くおそれがあるものである。
【００７９】
本実施形態においては、第２反射膜１１３５ｂを備えることによって加工屑の飛散を低減できることにより、製造される有機ＥＬ表示装置１０のダークスポットの発生による表示不良を低減でき、更に信頼性を高めることとなる。
【００８０】
図５Ａは、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する平面図である。また、図５Ｂは、図５Ａの切断線ＶＢ‐ＶＢにおける断面を示す図である。
【００８１】
図５Ａ、５Ｂに示されるように、レーザーアブレーションによって、レーザー光線Ｌが照射された有機膜１１３１の一部は除去され、第２反射膜１１３５ｂが平面視において露出される。
【００８２】
結果、所定の波長のレーザー光線Ｌを反射する反射膜（第２反射膜１１３５ｂ）は平面視において有機膜１１３１が備えられる第１領域Ｒ１以外の領域であって、第１領域Ｒ１の縁と隣り合う第２領域Ｒ２に、第１領域Ｒ１の縁に沿って、形成されることとなる。
【００８３】
その後、ダム材１１３７、フィル材１１３８を形成し、対向基板１４を上面に形成又は貼り合わせすることによって、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０（図１、２に示される有機ＥＬ表示装置１０）が得られることとなる。
【符号の説明】
【００８４】
１０  有機ＥＬ表示装置、１１  回路基板、１２  集積回路チップ、１３  フレキシブル配線基板、１４  対向基板、１１１  第１基板、１１２  回路層、１１３  素子層、１４１  カラーフィルタ、１１２１  薄膜トランジスタ、１１３１  有機膜、１１３２  陽極、１１３３  陰極、１１３４  有機平坦化膜、１１３４ｂ  テーパー部、１１３４ｃ  スルーホール、１１３５  反射膜、１１３５ａ  第１反射膜、１１３５ｂ  第２反射膜、ＭＢ  水分遮断構造、ＤＡ  表示領域、ＣＣ  カソードコンタクト、Ｒ１  第１領域、Ｒ２  第２領域。
【図１】
2016197494.tif 000003
【図２】
2016197494.tif 000004
【図３Ａ】
2016197494.tif 000005
【図３Ｂ】
2016197494.tif 000006
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
2016197494.tif 000009
【図５Ｂ】
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