(57)【要約】    【課題】  高いインダクタンスを内蔵するプリント配線板を提供する。    【解決手段】  コア基板１３０に形成した開口（キャビティ）１２０にインダクタ部品１０を内蔵するため、高いインダクタを内蔵することができる。インダクタ部品１０のインダクタ５９が、コア基板１３０の平面に対して平行方向の軸線上にループするヘリカル状であり、ターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス値を得ることができる。【選択図】  図１
2016054186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インダクタ部品が内蔵され、第１面と該第１面と反対側の第２面とを備えるコア基板と、
前記コア基板の第１面に埋め込まれ上面が露出する第１導体層と、
前記コア基板の第２面上に形成される第２導体層と、を備えるプリント配線板であって、
前記インダクタ部品と前記第１導体層及び前記第２導体層の少なくとも一方がビア導体で接続される。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品と前記第１導体層が前記ビア導体で接続される。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記コア基板の第１面の前記第１導体層に半導体素子の実装されるパッドが形成され、
前記コア基板の第２面の前記第２導体層に他の配線板に接続されるパッドが形成される。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、
前記コア基板は、インダクタ部品を内蔵するキャビティを備える。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品と前記第１導体層との間には接着剤が形成され、前記インダクタ部品の端子と前記第１導体層とは、前記接着剤を貫通するビア導体を介して接続されている。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品と前記キャビティの側壁との間に樹脂が充填されている。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、
複数の第１開口と前記第１開口間に設けられる第２開口とを有し、前記コア基板の第１面と同じ側の第１面と、前記コア基板の第２面側と同じ側の第２面を備える樹脂絶縁層と、
前記第１開口に充填される導電性材料からなるスルーホール導体と、
前記第２開口に充填される磁性材料からなる磁性体と、
前記第１面、前記第２面に配置され前記スルーホール導体を接続する配線と、を備え、前記スルーホール導体及び前記配線がヘリカル状に配置されて成る。
【請求項８】
請求項７のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、
前記第２開口の側壁には凹凸が形成され、前記凹部は前記スルーホール導体に対応する位置に設けられ、前記凸部は前記スルーホール導体と前記スルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。
【請求項９】
請求項８のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、
前記第１開口は２列に並べられ、
前記第２開口は前記第１開口の列と列の間に配置され、
前記第２開口の側壁の凹部は一列の前記スルーホール導体に対応する位置に設けられ、前記凸部は前記一列の前記スルーホール導体と前記スルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。
【請求項１０】
請求項７のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、
前記第１開口は前記第１面側から前記第２面側に向かって縮径すると共に、前記第２面側から前記第１面側に向かって縮径するテーパの付けられた円筒形状であり、
前記第２開口は、前記第１面側から前記第２面側に向かって幅が狭くなると共に、前記第２面側から前記第１面側に向かって幅が狭くなる断面が横Ｖ字形状である。
【請求項１１】
請求項１０のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、
前記第１開口の径の最小となる前記第１面からの距離と、
前記第２開口の幅の最小となる前記第１面からの距離とがほぼ等しい。
【請求項１２】
請求項７のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品の前記樹脂絶縁層は、積層された３層の樹脂絶縁層から成り、中央の樹脂絶縁層に前記第２開口が形成され、
前記中央の樹脂絶縁層の上下の樹脂絶縁層によって前記第２開口が塞がれている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ部品を備えるプリント配線板、インダクタを内蔵するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、インダクタの抵抗を小さくするため、厚い金属板（例えば１００〜３００μｍ）からプレス加工でインダクタ部品を製造している。そのインダクタ部品は特許文献１の図２に示されている。そのインダクタ部品が基板上に接着される。その後、特許文献１の図８に示されているように、特許文献１は基板とインダクタ部品上にビルドアップ層を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２７０５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のインダクタ部品は金属板から形成されているので、特許文献１の技術でスパイラル状のインダクタが積層されると、異なる層のインダクタを接続することは困難であると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、インダクタンス値の高い薄型のインダクタを内蔵するプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明のプリント配線板は、インダクタ部品が内蔵され、第１面と該第１面と反対側の第２面とを備えるコア基板と、前記コア基板の第１面に埋め込まれ上面が露出する第１導体層と、前記コア基板の第２面上に形成される第２導体層と、を備える。そして、前記インダクタ部品と前記第１導体層及び前記第２導体層の少なくとも一方がビア導体で接続される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のプリント配線板は、コア基板内にインダクタ部品を内蔵するため、プリント配線板にインダクタンス値の高い薄型のインダクタを備えることができる。
【０００８】
好適な態様において、インダクタが、インダクタ部品を構成する樹脂絶縁層の平面に対して平行方向の軸線上に沿って、形成されるヘリカル状であり、インダクタ部品の厚み方向では無く、横方向にループするため、インダクタ部品の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。
【０００９】
好適な態様において、磁性体を収容する第２開口の側壁に凹凸が形成される。凹部はスルーホール導体に対応する位置に設けられる。凸部はスルーホール導体とスルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。凹凸により磁性体とスルーホール導体との距離が狭まり、インダクタンス値が高められる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（Ａ）は第１実施形態に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図、図１（Ｂ）はプリント配線板の応用例の断面図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】本発明の第１実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｃ）は第１実施形態のインダクタ構造体の平面図、図７（Ｂ）は側面図、図７（Ｄ）は開口の凹部を示す拡大図。
【図８】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図９】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図１０】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図１１】図１１（Ａ）は第１実施形態の改変例に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図、図１１（Ｂ）はプリント配線板の応用例の断面図。
【図１２】図１２（Ａ）は第２実施形態に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図、図１２（Ｂ）はプリント配線板の応用例の断面図。
【図１３】第２実施形態のインダクタ部品の断面図。
【図１４】第２実施形態に係るインダクタ部品の各インダクタパターンを示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１実施形態]
図１（Ａ）は、第１実施形態のインダクタ部品１０を内蔵するプリント配線板１１０の断面図を示す。プリント配線板１１０は、第１面ＦＦと第１面ＦＦと反対側の第２面ＳＳを有するコア基材１３０Ｚとコア基材の第１面ＦＦ上の第１導体層１５８Ｆとコア基材の第２面ＳＳ上の第２導体層１５８Ｓと第１導体層１５８Ｆと第２導体層１５８Ｓを接続しているスルーホール導体１３６とで形成されているコア基板１３０を有する。第１導体層１５８Ｆは、コア基材１３０Ｚの第１面側に埋め込まれ、上面のみが露出されている。第２導体層１５８Ｓは、コア基材１３０Ｚの第２面上に形成されている。コア基板は第１面ＦＦと第１面と反対側の第２面ＳＳを有する。コア基板１３０の第１面とコア基材１３０Ｚの第１面は同じ面であり、コア基板の第２面とコア基材の第２面は同じ面である。スルーホール導体１３６は、コア基材１３０Ｚに形成されている貫通孔１２８内をめっき膜で充填することにより形成される。
【００１２】
コア基板１３０には、キャビティ１２０が形成され、キャビティ内にインダクタ部品１０が収容されている。キャビティ１２０の側壁１２０Ｈとインダクタ部品１０の側壁１０Ｈとの間には充填樹脂１５７が充填されている。インダクタ部品１０の側壁１０Ｈは、樹脂製のコア基材２０と第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層５０Ｓとにより構成され樹脂である。ガラスクロスの芯材に樹脂を含浸させて成るコア基材１３０Ｚのキャビティ１２０の側壁１２０Ｈは樹脂が露出している。このため、インダクタ部品の側壁１０Ｈとキャビティの側壁１２０Ｈは互いに充填樹脂との密着性が高い。なお、充填樹脂１５７は磁性粒子を含んでも良い。そうすれば、インダクタのＱ値やインダクタンスの値が低下し難い。磁性粒子として、酸化鉄（III）やコバルト酸化鉄、鉄、珪素鉄、磁性合金、フェライト等が挙げられる。
【００１３】
インダクタ部品１０の上面と第１導体層１５８Ｆとの間には接着剤１５０が充填されている。インダクタ部品の電極６２ｐ、６２ｅと第１導体層１５８Ｆとは、接着剤１５０を貫通するビア導体１６０Ｆを介して接続されている。接着剤１５０は磁性粒子を含んでも良い。インダクタ部品の電極６２ｐ、６２ｅと第２導体層１５８Ｓとは、コア基材１３０Ｚを貫通するビア導体１６０Ｓを介して接続されている。
【００１４】
プリント配線板１１０は、コア基板１３０の第１面Ｆ上に上側のソルダーレジスト層１７０Ｆを有する。ソルダーレジスト層１７０Ｆの中央部には開口１７１Ｆが形成され、開口１７１Ｆからの露出部の第１導体層１５８Ｆが、ＩＣチップ等の半導体素子を実装するためのパッド１７３Ｆを構成する。即ち、開口１７１Ｆからの露出部であって、且つ、第１導体層１５８Ｆのコア基材１３０Ｚからの露出面（上面）が、パッド１７３Ｆを構成する。第１導体層１５８Ｆの上面はコア基材１３０Ｚの第１面側上面よりわずかに凹んでいる。これにより、パッド間の絶縁信頼性が高められている。
【００１５】
プリント配線板１１０は、さらに、コア基板１３０の第２面ＳＳ上に下側のソルダーレジスト層１７０Ｓを有する。ソルダーレジスト層１７０Ｓの開口１７１Ｓにより露出している第２導体層１５８Ｓやスルーホール導体１３６の下面（スルーホールランド）は、マザーボード等の他の配線板に接続するためのパッド１７３Ｓとして機能する。
【００１６】
第１実施形態のプリント配線板は、ソルダーレジスト層１７０Ｓの開口１７１Ｓにより露出されるパッド１７３Ｓ上に、Ｎｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ、ＯＳＰから成る金属膜（保護膜）１７２が形成されている。その保護膜上に半田バンプ１７６Ｓが形成されている。
【００１７】
図１（Ｂ）は、第１実施形態のプリント配線板１１０の応用例の断面図を示す。
第１導体層１５８Ｆにより構成されるパッド１７３Ｆ上に、ＩＣチップ１９０のバンプ１９２が接続され、プリント配線板１１０にＩＣチップ１９０が実装される。第２導体層１５８Ｓにより構成されるパッド１７３Ｓは、半田バンプ１７６Ｓを介してマザーボード１９４のパッド１９６に接続される。プリント配線板１１０はマザーボード１９４に搭載される。
【００１８】
第１実施形態のプリント配線板は、コア基板１３０に形成した開口（キャビティ）１２０にインダクタ部品１０を内蔵するため、インダクタンス値の高い薄型のインダクタを内蔵することができる。
【００１９】
図６は、第１実施形態に係るインダクタ部品１０の断面図である。図７（Ａ）は、該インダクタ部品１０の平面図であり、図７（Ｂ）は側面図である。図６（Ａ）は図７（Ａ）中のＸａ−Ｘａ断面に対応し、図６（Ｂ）は図７（Ａ）中のＸｂ−Ｘｂ断面に対応する。図６中に示されるように、インダクタ部品１０は、磁性体材料を含む磁性体２４を開口（第２開口）２２内に備える樹脂製のコア基材２０と、コア基材の第１面Ｆ側に形成された第１樹脂絶縁層５０Ｆと、コア基材の第２面Ｓ側に形成された第２樹脂絶縁層５０Ｓと、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成された第１導体パターン５８Ｆと、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成された第２導体パターン５８Ｓと、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓを接続するスルーホール導体３６とを備える。コア基材の厚みは０．１mm〜０．５mmが好ましい。
【００２０】
図７（Ａ）、図７（Ｂ）中に示されるように、第１面側の第１導体パターン５８Ｆは、スルーホール導体３６の直上に形成されるスルーホールランド５８ＦＲと、スルーホールランド５８ＦＲとスルーホールランド５８ＦＲとを接続する接続パターン５８ＦＬとから成る。第２面側の第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６の直下に形成されるスルーホールランド５８ＳＲと、スルーホールランド５８ＳＲとスルーホールランド５８ＳＲとを接続する接続パターン５８ＳＬとから成る。第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６を介してヘリカル状（インダクタ部品の表裏面に対して平行方向の軸線上に沿って螺旋状）に配置され、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓ、スルーホール導体３６によりインダクタ５９が形成される。
【００２１】
図６中に示すようにインダクタ部品１０では、コア基材２０の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｆ上に第１導体パターン５８Ｆが形成されている。コア基材２０の第２面Ｓ側に樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｓ上に第２導体パターン５８Ｓが形成されている。第１導体パターン５８Ｆと第２導体パターン５８Ｓとを接続するスルーホール導体３６は、コア基材２０に形成された貫通孔（第１開口）２６内に形成されている。スルーホール導体３６は、貫通孔２６内に導電性材料である銅がフィルドめっきで充填され形成されている。貫通孔２６は、第１面Ｆ側から第２面Ｓ側に向かって縮径するテーパの付けられた裁頭円錐形状（円筒形状）の第１開口部２６Ｆと、第２面側から第１面側に向かって縮径するテーパの付けられた裁頭円錐形状の第２開口部２６Ｓとから成る。磁性体２４を収容する開口２２の側壁２２Ｈも、貫通孔２６と同様に中央側に傾斜している。即ち、開口２２は、第１面Ｆ側から第２面Ｓ側に向かって幅が狭くなると共に、第２面Ｓ側から第１面Ｆ側に向かって幅が狭くなる断面が横Ｖ字形状である。開口２２の幅の最も狭い位置２２ｍは積層体３０の中央位置であり、貫通孔２６の径の最も狭い位置２６ｍも積層体３０の中央位置である。開口２２の位置２２ｍの第１面Ｆからの距離ｃ１と、貫通孔２６の位置２６ｍの第１面Ｆからの距離ｃ２はほぼ等しい。
【００２２】
図７（Ｃ）は、図７（Ａ）に示されるインダクタ部品中のスルーホール導体３６を構成する貫通孔２６と、磁性体２４を収容する開口２２の配置を示す平面図である。図６（Ａ）は図７（Ｃ）中のＸａ’−Ｘａ’断面に対応し、図６（Ｂ）は図７（Ｃ）中のＸｂ’−Ｘｂ’断面に対応する。貫通孔２６は、第１列の貫通孔２６Ｎと、第２列の貫通孔２６Ｍとの２列配置である。図７（Ａ）中に示される第１列の貫通孔２６Ｎのスルーホール導体と、第２列の貫通孔２６Ｍのスルーホール導体とがそれぞれ交互に接続される。第１列の貫通孔２６Ｎと、第２列の貫通孔２６Ｍとの間に磁性体２４を収容する開口２２が配置される。開口２２の側壁２２Ｈには凹部２２ｊと凸部２２ｅとが形成されている。凹部２２ｊは貫通孔（スルーホール導体）に対応する位置に設けられ、凸部２２ｅは貫通孔（スルーホール導体）と貫通孔（スルーホール導体）との間に対応する位置に設けられている。凸部２２ｅは、一列の貫通孔の側壁を結ぶ線分Ｓ１−Ｓ１よりも貫通孔側に突出するように形成されている。図７（Ｄ）に示されるように凹部２２ｊは、貫通孔２６の外周に沿って距離ｄ１が均一になるように形成されている。
【００２３】
第１実施形態のインダクタ部品では、磁性体を収容する開口２２の側壁２２Ｈに凹凸が形成される。凹部２２ｊは個々のスルーホール導体３６に対応する位置に設けられる。凸部２２ｅは一列のスルーホール導体とスルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。凹部２２ｊ、凸部２２ｅにより磁性体２４とスルーホール導体３６との距離が狭まり、インダクタンス値が高められる。
【００２４】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０の表裏の第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓとは、コア基材のスルーホール導体３６を介してヘリカル状（螺旋状）に配置され、インダクタを形成する。螺旋状に配置される第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓに囲まれた空間には磁束が集中し、この磁束の集中する箇所に磁性体材料（磁性体）２４が存在し、磁束の密度が高まり所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。
【００２５】
第１実施形態では、図７（Ａ）中に示されるようにインダクタ部品１０のインダクタ５９が、プリント配線板のコア基板１３０の平面に対して平行方向の軸線上にループするヘリカル状であり、プリント配線板の厚み方向では無く、横方向にループするため、プリント配線板の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。インダクタ部品１０の磁束が、図１中に示されるプリント配線板１１０のコア基板１３０の平面に対して平行方向の軸線上に発生するので、該磁束に干渉するスルーホール導体１３６との距離が遠くなり、高い磁束を発生させることができる。即ち、インダクタ部品の配線がループ状に形成された場合、磁束がコア基板１３０の平面に対して垂直方向に発生するため、インダクタ部品の配線と第１導体層１５８Ｆとの距離が近づき、第１導体層１５８Ｆに干渉されて磁束が減じられる。第１実施形態のプリント配線板において、インダクタ部品の配線とスルーホール導体１３６とは数１００μｍのオーダで離れている。インダクタ部品の配線と第１導体層１５８Ｆとは、接着剤１５０の厚み分の数１０μｍのオーダしか離れていない。
【００２６】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０上の樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ上に導体パターン５８Ｆ、５８Ｓが設けられる。この場合、導体パターンが樹脂絶縁層上に設けられることとなる。よって、導体パターンと磁性体とが接する場合と比較して、導体パターンの密着性が確保されやすくなる。
【００２７】
第１実施形態のインダクタ部品は、磁性体２４とスルーホール導体３６とは、コア基材に形成された開口２２、貫通孔２６に形成される。これにより、磁性体２４とスルーホール導体３６との接触が避けられる。その結果、スルーホール導体の密着性が確保されやすくなる。
【００２８】
[第１実施形態のインダクタ部品の製造方法]
図８〜図１０に第１実施形態のインダクタ部品の製造方法が示される。
厚さ０．１５mmのコア基材２０が用意される（図８（Ａ））。コア基板は、ガラスクロスの芯材に樹脂を含浸させて成るプリプレグを積層して成る。開口２２がレーザ加工でコア基材２０に形成される（図８（Ｂ））。図８（Ｃ）はコア基材の平面図である。図８（Ｂ）は、図８（Ｃ）中のＸｃ−Ｘｃ断面に対応する。図７（Ｃ）が参照され上述されたように、開口２２の側壁２２Ｈには凹部２２ｊと凸部２２ｅとが形成されている。開口２２の側壁２２Ｈは、後述される貫通孔を形成するレーザで両面から形成されるため、貫通孔と同様に中央側に傾斜している。更に、開口２２は溝状にレーザで形成されるため、図７（Ｃ）中に示される最小幅Ｗ１は、貫通孔２６の最大径ｈ１以上である。コア基材２０が治具２１に載置され、開口２２内に磁性体２４がメタルマスクを用い、真空印刷される（図８（Ｄ））。磁性体は、磁性金属と樹脂等の有機材料からなる複合体である。磁性体の透磁率は２〜２０で、磁気飽和が０．１Ｔ〜２Ｔであることが、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得るため望ましい。コア基材２０の表面が研磨され、基材表面の凹凸が±１０μｍに平滑化される（図９（Ａ））。
【００２９】
コア基材２０の第１面Ｆ及び第２面Ｓに４０μｍのプリプレグが積層され、第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、積層体３０が完成する（図９（Ｂ））。開口２２を形成したレーザで、積層体３０のスルーホール形成部位に貫通孔２６が形成される（図９（Ｃ））。開口２２に対する貫通孔２６の形成位置が図７（Ｃ）中に示される。
【００３０】
第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上、及び、貫通孔２６の内壁に無電解めっき膜５２が形成される（図９（Ｄ））。無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図１０（Ａ））。めっきレジスト５４の非形成部の無電解めっき膜５２上に電解銅めっき膜５６が形成される。貫通孔２６内に電解めっき膜が充填されスルーホール導体３６が形成される（図１０（Ｂ））。めっきレジストが剥離され、電解銅めっき膜５６非形成部の無電解めっき膜が除去され、第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓが形成される（図１０（Ｃ））。インダクタ部品が完成する（図６）。第１実施形態のインダクタ部品は、プリント配線板と同様な製造方法で形成できるので、製造が容易である。
【００３１】
第１実施形態のプリント配線板１１０の製造方法が図２〜図５に示される。
支持板１１８に銅箔１２２が積層されているダミーコア１１８Ａが用意される（図２（Ａ））。銅箔１２２上に銅箔が張られ、パターニングにより導体回路１２４が形成される（図２（Ｂ））。導体回路１２４上にインダクタ部品固定用の未硬化接着剤１５０ｚ塗布される（図２（Ｃ））。未硬化接着剤上にインダクタ部品１０が、該インダクタ部品の第１面Ｆが導体回路１２４に対向するように置かれ、硬化されて接着剤１５０上にインダクタ部品が固定される（図２（Ｄ））。
【００３２】
支持板１１８上のインダクタ部品１０に、開口１２０ｚを備えるプリプレグ１３０ｚ２と、開口を備えないプリプレグ１３０ｚ１と、銅箔１４８とが重ねられる（図２（Ｅ））。プリプレグはエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含み、ガラスクロス等の補強部材を有する。開口１２０ｚがインダクタ部品を収容するキャビティを構成する。
【００３３】
真空プレスを行うことで、プリプレグ１３０ｚ１，１３０ｚ２からコア基材１３０Ｚが形成される。同時に、コア基材１３０Ｚ上に銅箔１４８が接着される（図３（Ａ））。この際、プリプレグに含まれる樹脂と無機粒子がプリプレグの開口により構成されるキャビティ１２０の側壁とインダクタ部品１０との間の隙間に流れ込む。隙間中の樹脂を硬化することで隙間を充填する充填樹脂１５７が形成される。充填樹脂によりインダクタ部品はコア基板に内蔵される。充填樹脂によりインダクタ部品はコア基板に固定される。充填樹脂は樹脂と無機粒子を含む。充填樹脂に含まれる樹脂とコア基板に含まれる樹脂は同じである。充填樹脂に含まれる無機粒子とコア基板に含まれる無機粒子は同じである。
コア基板は熱硬化タイプの樹脂絶縁層から成る。
【００３４】
コア基材１３０Ｚから支持板１１８が剥離され、コア基材１３０Ｚが反転され、導体回路１２４が上側に向けられる（図３（Ｂ））。ここで、コア基材１３０Ｚの導体回路１２４が設けられている側を第１面ＦＦ、該第１面の反対側を第２面ＳＳとする。インダクタ部品の第１面Ｆとコア基材の第１面ＦＦは上側であり、インダクタ部品の第２面Ｓとコア基材の第２面ＳＳが下側である。
【００３５】
ＣＯ２ガスレーザにてコア基材を貫通するスルーホール用の貫通孔１２８が形成される。また、導体回路１２４及び接着剤１５０を貫通してインダクタ部品１０の第１面Ｆ側の電極６２ｐ、６２ｅに至るビア用の開口１５１Ｆが形成される。コア基材１３０を貫通してインダクタ部品１０の第２面Ｓ側の電極に至るビア用の開口１５１Ｓが形成される（図３（Ｃ））。
【００３６】
コア基材１３０Ｚ表面、貫通孔１２８、開口１５１Ｆ、１５１Ｓの内壁に無電解銅めっき膜１５２が形成される（図３（Ｄ））。無電解銅めっき膜１５２上にめっきレジスト１５４が形成される（図４（Ａ））。めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜１５２上に、電解銅めっき膜１５６が形成される（図４（Ｂ））。電解銅めっき膜が貫通孔１２８内に充填されスルーホール導体１３６が形成され、開口１５１Ｆ内に電解銅めっき膜が充填されビア導体１６０Ｆが形成され、開口１５１Ｓ内に電解銅めっき膜が充填されビア導体１６０Ｓが形成される。
【００３７】
めっきレジストが除去される（図４（Ｃ））。コア基材１３０Ｚの第１面側の無電解銅めっき膜１５２から突出する分の電解銅めっき膜１５６が研磨され、無電解銅めっき膜１５２の表面が平滑化される（図４（Ｄ））。
【００３８】
エッチングにより、コア基材１３０Ｚの第１面ＦＦ側の無電解めっき膜が剥離され、導体回路１２４が露出される。導体回路１２４が第１導体層１５８Ｆを構成する。第１導体層１５８Ｆは、コア基材の第１面側に埋設され、上面のみが露出している。エッチングにより第１導体層１５８Ｆの上面はコア基材１３０Ｚの第１面側上面よりわずかに凹んでいる。コア基材１３０Ｚの第２面ＳＳ側の電解銅めっき膜１５６非形成部分の無電解銅めっき膜１５２、銅箔１４８がエッチングで剥離され、銅箔１４８、無電解銅めっき膜１５２、電解銅めっき膜１５６からなる第２導体層１５８Ｓが形成される（図５（Ａ））。これにより、コア基板１３０が完成される。コア基板の第１面ＦＦとコア基材の第１面は同じであり、コア基板の第２面ＳＳとコア基材の第２面は同じである。
【００３９】
コア基板１３０の第１面ＦＦ側に中央部分に開口１７１Ｆを備える上側のソルダーレジスト層１７０Ｆが形成される。開口１７１Ｆから露出される第１導体層１５８Ｆが半導体素子接続用のパッド１７３Ｆを構成する。コア基板の第２面ＳＳに開口１７１Ｓを備える下側のソルダーレジスト層１７０Ｓが形成される。開口１７１Ｓから露出される第２導体層１５８Ｓ、及び、ビア導体１６０Ｓ、スルーホールランドがパッド１７３Ｓを構成する（図５（Ｂ））。下側のパッド１７３上に保護膜１７２が形成される（図５（Ｃ））。保護膜はパッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやOＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。
上側のパッド１７３Ｆ上に保護膜を形成することができる。
【００４０】
プリント配線板の下側のパッド１７３Ｓに半田バンプ１７６Ｓを形成される。半田バンプを有するプリント配線板１１０が完成する（図１（Ａ））。
【００４１】
図１（Ｂ）中に示されるように上側のパッド１７３Ｆを介してＩＣチップ等の半導体素子１９０がプリント配線板１１０へ実装される。その後、半田バンプ１７６Ｓを介してプリント配線板１１０がマザーボード等の外部基板に搭載される。
【００４２】
[第１実施形態の改変例]
図１１（Ａ）は第１実施形態の改変例に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図であり、図１１（Ｂ）はプリント配線板の応用例の断面図である。
第１実施形態の改変例では、インダクタ部品１０の第２面Ｓ側の電極６２ｅ、６２ｐとプリント配線板１１０の第２面ＳＳ側の第２導体層１５８Ｓとを接続するビア導体１６０Ｓが形成されている。インダクタ部品１０の第１面Ｆ側の電極６２ｅ、６２ｐは、プリント配線板の第１面ＦＦ側の第１導体１５８Ｆに図示されない接着剤を介して接着されている。
【００４３】
第１実施形態の改変例では、スルーホール１３６Ｓが、第２面ＳＳ側から第１面ＦＦ側に向けて径が縮径するテーパが付けられた断面台形の円筒形状である。
【００４４】
第１実施形態の改変例では、第１面ＦＦ側にビア導体を設けないため、研磨工程を経ることがなくても、第１面側の平坦性を確保することができる。
【００４５】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板１１０の断面が図１２に示される。プリント配線板１１０は、第１面ＦＦとその第１面と反対側の第２面ＳＳとを有するコア基材１３０を有している。コア基材のキャビティ１２０の内部には、インダクタ部品３１０が収容されている。
【００４６】
コア基材１３０の第１面Ｆ上には導体パターン１５８Ｆが、第２面Ｓ上には導体パターン１５８Ｓが形成されている。コア基材１３０は、複数の貫通孔１２８を有しており、貫通孔１２８の内部には、導体パターン１５８Ｆ、１５８Ｓを接続するスルーホール導体１３６が形成されている。
【００４７】
第２実施形態のインダクタ部品３１０の拡大図が図１３に示される。
第２実施形態のインダクタ部品３１０は、最下の樹脂層（支持層）３５０Ｇと、樹脂層３５０Ｇ上に設けられている第１のインダクタパターン３５８Ｇと、インダクタパターン３５８Ｇ上、及び、インダクタパターン非形成の絶縁層３５０Ｇ露出部に被覆されている非磁性の絶縁膜３７５Ｇと、該絶縁膜３７５Ｇ上に形成されている磁性体層３７４Ｅと、磁性体層３７４Ｅを被覆する第１樹脂層３５０Ｅと、第１樹脂層３５０Ｅ上に設けられているインダクタパターン３５８Ｅとを有している。絶縁膜３７５Ｇは、樹脂と無機粒子とを含んでいる。磁性体層３７４Ｅは、樹脂と磁性粒子とを含んでいる。
【００４８】
磁性体層３７４Ｅは、開口３７４Ｅａを有している。開口の内部には樹脂層（第２樹脂層）３５０ＥＥが充填されている。第２実施形態では、この第２樹脂層３５０ＥＥは、第１樹脂層３５０Ｅの一部である。すなわち、第１樹脂層３５０Ｅが開口３７４Ｅａの内部に入り込んでいる。
【００４９】
第１樹脂層３５０Ｅは、開口３７４Ｅａから露出するインダクタパターン３５８Ｇに至る貫通孔３５０Ｅａを有している。貫通孔３５０Ｅａの内部にはビア導体３６０Ｇが形成されている。このビア導体３６０Ｇにより、インダクタパターン３５８Ｇとインダクタパターン３５８Ｅとが接続されている。
【００５０】
インダクタパターン３５８Ｅ上には、磁性体層３７４Ｃと樹脂層３５０Ｃとが順次形成されている。
【００５１】
磁性体層３７４Ｃは、開口３７４Ｃａを有している。開口の内部には第２樹脂層３５０ＣＥが充填されている。第２実施形態では、この第２樹脂層３５０ＣＥは、樹脂層３５０Ｃの一部である。すなわち、樹脂層３５０Ｃが開口３７４Ｃａの内部に入り込んでいる。
【００５２】
樹脂層３５０Ｃは、開口３７４Ｃａから露出するインダクタパターン３５８Ｅに至る貫通孔３５０Ｃａを有している。貫通孔３５０Ｃａの内部にはビア導体３６０Ｅが形成されている。このビア導体３６０Ｅにより、インダクタパターン３５８Ｅとインダクタパターン３５８Ｃとが接続されている。
【００５３】
インダクタパターン３５８Ｃ上には、磁性体層３７４Ａと樹脂層３５０Ａとが順次形成されている。
【００５４】
磁性体層３７４Ａは、開口３７４Ａａを有している。開口の内部には第２樹脂層３５０ＡＥが充填されている。第２実施形態では、この第２樹脂層３５０ＡＥは、樹脂層３５０Ａの一部である。すなわち、樹脂層３５０Ａが開口３７４Ａａの内部に入り込んでいる。
【００５５】
樹脂層３５０Ａは、開口３７４Ａａから露出するインダクタパターン３５８Ｃに至る貫通孔３５０Ａａを有している。貫通孔３５０Ａａの内部にはビア導体３６０Ｃが形成されている。このビア導体３６０Ｃにより、インダクタパターン３５８Ｃとインダクタパターン３５８Ａとが接続されている。
【００５６】
インダクタパターン３５８Ｇ上には、絶縁膜３７５Ｇを介して磁性体層３７４Ｅが形成されている。インダクタパターン３５８Ｅ上には、絶縁膜３７５Ｅを介して磁性体層３７４Ｃが形成されている。インダクタパターン３５８Ｃ上には、絶縁膜３７５Ｃを介して磁性体層３７４Ａが形成されている。インダクタパターン３５８Ａ上には、絶縁膜３７５Ａが被覆されている。
【００５７】
インダクタ部品のインダクタパターンの例が図１４に示されている。
図１２中に示すビア導体１６０Ｆが、第４のインダクタパターン（最上のインダクタパターン）３５８Ａの電極（入力電極）３５８ＡＤに接続され、電流は反時計回りに略１周流れて、第１のインダクタパターン３５８Ａの出力接続部Ｐ１０に至る（図１４（Ａ））。第４のインダクタパターン３５８Ａは、ビア導体３６０Ｃを介して第３のインダクタパターン３５８Ｃ１の入力電極Ｖ２Ｉに接続される。電流は反時計回りに略半周流れて、ビア導体３６０Ｅを介して第２のインダクタパターン３５８Ｅ２の入力接続部Ｖ３Ｉに至る（図１４（Ｃ））。第２のインダクタパターン３５８Ｅ２は、ビア導体３６０Ｇを介して第１のインダクタパターン３５８Ｇ２の入力ビアパッドＶ４Ｉに接続される（図１４（Ｄ））。電流は反時計回りに略半周流れて、第１のインダクタパターン３５８Ｇ２の入力接続部Ｌ１０に至り、隣接配置された積層インダクタ側へ出力される。
【００５８】
一方、隣接配置された積層インダクタ側からの出力が、第１のインダクタパターン３５８Ｇ１に、入力パッド３５８ＧＤＩから接続される（図１４（Ｄ））。電流は反時計回りに第１のインダクタパターン３５８Ｇ１を略半周し、該第１のインダクタパターン３５８Ｇ１の出力ビアパッドＶ４０から、ビア導体３６０Ｇを介して第２のインダクタパターン３５８Ｅ１の入力接続部Ｐ３Ｉに接続される（図１４（Ｃ））。電流は反時計回りに半周流れて、第３のインダクタパターン３５８Ｃ１の入力ビアパッドＰ２Ｉに至る（図１４（Ｂ））。第２のインダクタパターンはビア導体３６０Ｃを介して第４のインダクタパターン３５８Ｅ２の出力電極３５８ＡＤに接続される（図１４（Ａ））。出力電極３５８ＡＤは、プリント配線板のビア導体１６０Ｆを介して導体パターン（電源用）に接続される。
【００５９】
第４のインダクタパターン（最上のインダクタパターン）は略１周のコイル形状の配線パターンで形成されている。
最下のインダクタパターン以外のインダクタパターンは２つの配線パターンで形成されている。第２実施形態では、積層コイルは隣接する同形状の積層コイルと接続配線Ｌ１０を介して接続される。第２実施形態のインダクタ部品３１０は、２個の積層インダクタで形成されている。
第２実施形態では、各積層インダクタの各出力電極（例えば３５８ＡＤ）にビア導体１６０Ｆが接続されている。各積層コイル同士は、導体パターン１５８Ｆで並列に接続されている。複数のインダクタが並列で繋げられると、各インダクタに流れる電流が分散される、その結果、インダクタ単体における抵抗が低くなり、特性（Ｑ値）が向上すると考えられる。
【符号の説明】
【００６０】
１０  インダクタ部品
２０  コア基材
２２  開口（第２開口）
２４  磁性体
２６  貫通孔（第１開口）
３６  スルーホール導体
５０Ｆ、  ５０Ｓ  樹脂絶縁層
５８Ｆ  第１導体パターン
５８Ｓ  第２導体パターン
１１０  プリント配線板
１２０  キャビティ
１３０  コア基板
１３６  スルーホール導体
１５８Ｆ  第１導体層
１５８Ｓ  第２導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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