(57)【要約】【課題】被加工面へのダメージを抑制し、効率的に平坦化が可能な化学的平坦化方法および化学的平坦化装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る化学的平坦化方法は、表面に凹凸を有する被加工膜上に凹凸に沿った疎水性の保護膜を形成する工程を備える。保護膜の表面に、被加工膜を溶解する溶解液を供給する。疎水性の表面を有する加工体に保護膜を接触又は接近させ、疎水性相互作用によって保護膜の一部を選択的に被加工膜上から除去する。保護膜の一部が除去された被加工膜を溶解液によって溶解させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸を有する被加工膜上に前記凹凸に沿った疎水性の保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の表面に、前記被加工膜を溶解する溶解液を供給する工程と、
疎水性の表面を有する加工体に前記保護膜を接触又は接近させ、疎水性相互作用によって前記保護膜の一部を選択的に前記被加工膜上から除去する工程と、
前記保護膜の一部が除去された前記被加工膜を前記溶解液によって溶解させる工程と、
を備える化学的平坦化方法。
【請求項２】
前記溶解液は、弗化水素水溶液、弗化アンモニウム水溶液、及び強アルカリ水溶液の少なくとも１つを含むことを特徴とする
請求項１に記載の化学的平坦化方法。
【請求項３】
前記保護膜は、界面活性剤により形成されることを特徴とする
請求項１又は請求項２に記載の化学的平坦化方法。
【請求項４】
前記加工体の表面領域は、弗素、珪素、及び炭化水素の少なくとも１つを含むことを特徴とする
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の化学的平坦化方法。
【請求項５】
前記保護膜を除去する工程は、前記保護膜を前記加工体に接触又は接近させた状態で前記保護膜と前記加工体を相対運動させることを含むことを特徴とする
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の化学的平坦化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の製造において、溝部を埋め込むように形成された絶縁膜、金属膜、及び多結晶珪素膜などを平坦化するために、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法が広く用いられている。ＣＭＰ法は、砥粒と薬液とを含む研磨剤（スラリー）を研磨布上に供給し、被加工面を研磨布に接触させることで、被加工面の研磨を行う方法である。被加工面は、薬液による化学的な作用と砥粒による機械的な作用とにより研磨され、平坦化される。しかしながら、この方法では、被加工面に、砥粒や研磨による機械的なダメージが生じるという問題がある。
【０００３】
この問題を解決するために、砥粒を含まない処理液を用いることで被加工面へのダメージを避ける、化学的平坦化方法が検討されている。化学的平坦化方法として、例えば、研磨布と接触して温度上昇した部分を処理液で化学的に溶解させることで、金属膜表面の平坦化を行う方法や、被加工面を触媒からなる固体板に接触させ、接触部を処理液で化学的に溶解させることで、珪素膜、炭化珪素膜、窒化ガリウム膜、酸化アルミニウム膜、及び金属膜などの平坦化を行う方法が提案されている。
【０００４】
しかしながら、上記の化学的平坦化方法は、半導体装置の製造に必須である酸化珪素膜の平坦化への適用は難しく、適用した場合も、ＣＭＰ法に比べて著しく低い処理速度となるため効率が悪い。
【０００５】
酸化珪素膜の化学的平坦化方法として、被加工面上に保護膜を形成し、凸部の保護膜を機械的に除去し、処理液中で凸部のみを溶解させる方法が提案されているが、この方法では、保護膜を機械的に除去する際に、被加工面へダメージを与える可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−０７２０９９号公報
【特許文献２】特開２００８−１２１０９９号公報
【特許文献３】特開２００８−０８１３８９号公報
【特許文献４】特開２０１３−１２８０９６号公報（米国特許第８７０３００４号明細書）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
被加工面へのダメージを抑制し、効率的に平坦化が可能な化学的平坦化方法および化学的平坦化装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態に係る化学的平坦化方法は、表面に凹凸を有する被加工膜上に凹凸に沿った疎水性の保護膜を形成する工程を備える。保護膜の表面に、被加工膜を溶解する溶解液を供給する。疎水性の表面を有する加工体に保護膜を接触又は接近させ、疎水性相互作用によって保護膜の一部を選択的に被加工膜上から除去する。保護膜の一部が除去された被加工膜を溶解液によって溶解させる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る化学的平坦化方法の各工程における被加工膜を模式的に示す断面図。
【図２】一実施形態に係る化学的平坦化方法の工程を示すフローチャート。
【図３】第１実施例に係る化学的平坦化方法の各工程における被加工膜を模式的に示す断面図。
【図４】一実施形態に係る化学的平坦化装置を示す概略構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下の説明において、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係や、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。さらに、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は適宜省略する。
【００１１】
（化学的平坦化方法）
一実施形態に係る化学的平坦化方法について、図１〜図３を参照して説明する。図１（ａ）〜図１（ｄ）は、この化学的平坦化方法の各工程における被加工膜を模式的に示す断面図である。
【００１２】
まず、図１（ａ）を参照して、被加工膜１０について説明する。被加工膜１０は、この化学的平坦化方法による加工対象であり、被加工膜１０の表面が被加工面となる。被加工膜１０は、例えば、酸化珪素膜、珪素膜、炭化珪素膜、窒化ガリウム膜、酸化アルミニウム膜、及び金属膜であるが、これに限られない。
【００１３】
被加工膜１０は、図１（ａ）に示すように、表面に凹凸１１を有する。凹凸１１は、凸部１１ｐと凹部１１ｄとからなる。この凹凸１１の深さｈ１、すなわち、凸部１１ｐの表面から凹部１１ｄの表面までの距離ｈ１は、例えば、３０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である。
【００１４】
被加工膜１０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法、及び塗布法など、材料に応じた任意の方法により、基体５の表面に形成される。基体５は、例えば、半導体メモリ、高速ロジックＬＳＩ、システムＬＳＩ、及びメモリ・ロジック混載ＬＳＩなどの半導体デバイスの基板であるが、これに限られない。
【００１５】
ここで、図２は、化学的平坦化方法の工程を示すフローチャートである。
【００１６】
ステップＳ１において、まず、保護膜２０を形成する。図１（ｂ）に示すように、保護膜２０は、被加工膜１０上に、凹凸１１に沿うように形成される。保護膜２０は、後述する被加工膜１０の溶解工程において、溶解液３０から被加工膜１０を保護する役割を果たす。このため、保護膜２０は、溶解液３０に対して不溶性又は難溶性の材料により形成される。ここでいう難溶性とは、溶解液３０に対する溶解性が、溶解液３０に対する被加工膜１０の溶解性より低いことをいう。
【００１７】
また、保護膜２０は、表面が疎水性になるように形成される。疎水性の程度は、接触角測定（例えば、ＪＩＳ  Ｒ  ３２５７）などにより測定することが可能である。保護膜２０の表面の接触角は、例えば、９０°以上であるのが好ましい。
【００１８】
この保護膜２０の材料は、保護膜２０の表面を構成する疎水基と、被加工膜１０の表面と結合する結合部と、を備える。この材料は、被加工膜１０の表面と結合部との結合が、後述する加工体４０と疎水基との間に生じる疎水性相互作用による結合よりも弱くなるように選択される。保護膜２０の材料は、例えば、界面活性剤であるが、これに限られない。界面活性剤については後述する。
【００１９】
ステップＳ２において、保護膜２０の表面に溶解液３０を供給する。溶解液３０は、被加工膜１０を溶解可能な溶液である。また、溶解液３０は、水分子などの極性溶媒を含む溶液（例えば、水溶液）である。溶解液３０は、被加工膜１０に応じて選択される。例えば、被加工膜１０が酸化珪素膜である場合、溶解液３０として、弗化水素水溶液、弗化アンモニウム水溶液、及び強アルカリ水溶液の少なくとも１つを含む水溶液が利用される。
【００２０】
ステップＳ３において、被加工膜１０上に形成された保護膜２０の一部を除去する。ステップＳ３では、保護膜２０の一部を除去するために、溶解液３０中で、加工体４０を保護膜２０に接触又は近接させる。
【００２１】
加工体４０は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどの弗素含有ポリマー、珪素含有ポリマー、及び炭化水素含有ポリマーなどにより形成される。これらの材料は疎水性を有するため、加工体４０の保護膜２０と対向する表面（以下、「加工面」という）は、疎水性となる。この加工面の疎水性の程度は、接触角測定（例えば、ＪＩＳ  Ｒ  ３２５７：１９９９）などにより測定することが可能である。加工面の接触角は、例えば、９０°以上であるのが好ましい。加工体４０は、単層構造であってもよいし、２層以上の積層構造であってもよい。加工体４０が積層構造の場合、加工面が疎水性であれは、積層構造中に親水性の層を含んでもよい。
【００２２】
このような加工体４０を親水性の溶解液３０中で保護膜２０に接触又は近接させると、疎水性の加工面と疎水性の保護膜２０の表面との間で、疎水性相互作用が働く。これにより、加工面に接触又は近接した凸部１１ｐ上の保護膜２０は、加工面に吸着され、被加工膜１０上から除去される。なお、ここでいう近接とは、凸部１１ｐ上の保護膜２０を除去可能な距離まで、加工体４０と保護膜２０とを近づけることをいう。
【００２３】
これに対して、加工面から少なくとも深さｈ１だけ離れた凹部１１ｄ上の保護膜２０は、加工面に吸着されず、被加工膜１０上に残る。これは、疎水性相互作用は、距離が離れると急速に弱くなるためである。
【００２４】
これにより、図１（ｃ）に示すように、凹部１１ｄ上の保護膜２０を残しつつ、凸部１１ｐ上の保護膜２０を選択的に除去することができる。上述の通り、保護膜２０を除去する際、研磨などの機械的な方法を利用しないため、被加工膜１０への機械的なダメージを抑制することができる。
【００２５】
ステップＳ４において、溶解液３０によって被加工膜１０を溶解する。ステップＳ３において、凸部１１ｐ上の保護膜２０を選択的に除去したことにより、被加工膜１０の凸部１１ｐは溶解液３０と接触する。これに対して、被加工膜１０の凹部１１ｄは、保護膜２０で覆われているため、溶解液３０と接触しない。上述の通り、保護膜２０は、被加工膜１０より溶解液３０に対する溶解性が低いため、保護膜２０を除去された凸部１１ｐは、保護膜２０に覆われた凹部１１ｄよりも、溶解速度が速くなる。
【００２６】
したがって、溶解液３０によって被加工膜１０を溶解すると、図１（ｄ）に示すように、溶解工程後の凹凸１１の深さｈ２は、溶解工程前の凹凸１１の深さｈ１より浅くなる。この溶解工程を所定時間継続することにより、被加工膜１０を平坦化することができる。溶解工程の時間は、凹凸１１の深さｈ２が０或いは所定値以下となるように予め設定することができる。また、溶解工程中に深さｈ２を測定することにより、溶解工程を終了するタイミングを決定してもよい。
【００２７】
なお、溶解工程中、加工体４０と保護膜２０とは、継続的に、或いは所定時間間隔で接触又は近接させるのが好ましい。これは、凸部１１ｐの溶解に応じて、凹部１１ｄ上や凸部１１ｐの側面に形成された保護膜２０を除去するためである。
【００２８】
以上説明した本実施形態に係る化学的平坦化方法によれば、被加工面へのダメージを抑制し、効率的に平坦化を行うことができる。理由は以下の通りである。
【００２９】
従来の機械的な平坦化方法（ラッピングなど）によれば、被加工膜１０の凸部１１ｐから選択的に研磨することにより、被加工膜１０を平坦化することができる。この平坦化方法では、平坦化のために研磨する被加工膜１０の深さが凹凸１１の深さｈ１とほぼ同等であるため、処理時間が短く、加工する被加工膜１０の量が少ない。すなわち、効率的に平坦化を行うことができる。しかしながら、この平坦化方法は、研磨による被加工膜１０の表面のダメージが大きいため、高い特性や精度を要求する微細な素子の製造には適用が困難である。
【００３０】
また、酸化珪素膜のＣＭＰ法として、ＣｅＯ２の砥粒に界面活性剤を添加したスラリーを用いる方法が提案されている。このＣＭＰ法では、研磨パッドにウェハを直接接触させて平坦化を行うため、上記の機械的な平坦化方法と同様、研磨によるダメージが発生し易い。また、スラリー中の砥粒により被加工面に誘発されるスクラッチが、歩留まりを低下させる要因となることも分かっている。
【００３１】
これに対して、本実施形態に係る化学的平坦化方法では、砥粒を含まない溶解液３０によって、被加工膜１０を平坦化することができる。したがって、この化学的平坦化方法によれば、研磨や砥粒による被加工面へのダメージを抑制することができる。したがって、微細な素子の製造に適用したり、歩留まりの低下を抑制したりすることができる。
【００３２】
また、従来の化学的平坦化方法（ウエットエッチングなど）では、例えば、エッチャントによる等方的なエッチングが行われる。この平坦化方法では、被加工面において機械的なダメージが発生しない。しかしながら、凸部１１ｐのエッチング速度は、凹部１１ｄのエッチング速度と略変わらないため、平坦化のために凹凸１１の深さｈ１よりもかなり深いエッチングが必要となる。このため、処理時間が長く、平坦化のために加工する被加工膜１０の量が多くなる。すなわち、効率的に平坦化を行うことができない。また、場合によっては、エッチピットによって却って平坦性が悪化する可能性もある。
【００３３】
これに対して、本実施形態に係る化学的平坦化方法では、凸部１１ｐ上の保護膜２０を選択的に除去し、凸部１１ｐを選択的に溶解することができる。このため、平坦化のために溶解する被加工膜１０の厚さが凹凸１１の深さｈ１とほぼ同等となる。したがって、この化学的平坦化方法によれば、処理時間を短くし、加工する被加工膜１０の量を低減し、効率的に平坦化を行うことができる。
【００３４】
さらに、本実施形態に係る化学的平坦化方法は、被加工膜１０の材料が限定されず、素子分離領域やメタル絶縁膜を形成するための酸化珪素膜の平坦化に応用できるため、利用価値が非常に大きい。
【００３５】
以下、本実施形態に係る化学的平坦化方法の実施例について説明する。
【００３６】
（第１実施例）
第１実施例では、保護膜２０を界面活性剤により形成する。図３（ａ）〜図３（ｄ）は、本実施例に係る化学的平坦化方法の各工程における被加工膜を模式的に示す断面図である。
【００３７】
本実施例において、図３（ａ）に示す基体５は珪素基板であり、被加工膜１０は酸化珪素膜である。基体５の表面には、トランジスタなどの素子（図示省略）が形成されている。被加工膜１０は、この素子による凹凸を埋め込むように、ＣＶＤ法や塗布法により基体５上に形成される。このため、被加工膜１０の表面には、基体５の表面に形成された素子の凹凸に起因した凹凸１１が存在する。また、被加工膜１０は、任意の表面処理により、表面を親水性とされる。
【００３８】
このような被加工膜１０の表面に界面活性剤を塗布すると、図３（ｂ）に示すように、界面活性剤の親水基が被加工膜１０の表面に吸着又は結合し、界面活性剤からなる保護膜２０が形成される（ステップＳ１）。保護膜２０の表面には界面活性剤の疎水基が露出するため、保護膜２０の表面は疎水性となる。すなわち、本実施例では、界面活性剤の親水基が結合部の役割を果たす。
【００３９】
保護膜２０を形成する界面活性剤として、アニオン性、カチオン性、両性、及び非イオン性の界面活性剤を用いることができる。また、この界面活性剤に好ましく用いられる官能基として、例えば、カルボン酸型、スルホン酸型、硫酸エステル型、リン酸エステル型、アミン塩型、第４級アンモニウム塩型、エーテル型、エステル型、アルカノールアミド型、カルボキシベタイン型、及びグリシン型の官能基があげられる。
【００４０】
また、界面活性剤の親水基は、被加工膜１０と電気的に逆の極性を有するのが好ましい。これにより、親水基が被加工膜１０の表面と電気的相互作用により強く吸着し、保護膜２０を安定して形成することができる。例えば、被加工膜１０の表面がマイナスに帯電している場合、界面活性剤として、ポリビニルピロリドンやポリエチレンイミンなどのカチオン系の界面活性剤を用いるのが好ましい。
【００４１】
次に、保護膜２０の表面に溶解液３０を供給する（ステップＳ２）。本実施例では、被加工膜１０は酸化珪素膜であるため、溶解液３０として、例えば、弗化水素水溶液、弗化アンモニウム水溶液、又は水酸化カリウムやアンモニア等の強アルカリ水溶液を用いることができる。
【００４２】
そして、溶解液３０中で、加工体４０を保護膜２０に接触又は近接させる。これにより、図３（ｃ）に示すように、凸部１１ｐ上に吸着又は結合された界面活性剤が、疎水性相互作用によって加工面に吸着され、凸部１１ｐの表面から選択的に除去される（ステップＳ３）。
【００４３】
凸部１１ｐ上の保護膜２０が除去されると、被加工膜１０の凸部１１ｐが溶解液３０によって選択的に溶解する（ステップＳ４）。溶解後の凹凸１１の深さｈ２が０又は所定値以下となったタイミングで、或いは溶解工程を所定時間継続した後、被加工膜１０の表面から溶解液３０を除去する。これにより、図３（ｄ）に示すように、被加工膜１０の表面が平坦化される。
【００４４】
本実施例のように、保護膜２０を界面活性剤により形成した場合、疎水性相互作用によって凸部１１ｐ上の保護膜２０を効果的に除去することができる。このため、本実施例では、凹部１１ｄに対する凸部１１ｐの加工選択比（溶解速度比）が高く、効率的に平坦化を行うことができる。また、溶解液３０に砥粒が含まれず、研磨も行われないため、被加工膜１０の機械的なダメージを抑制することができる。
【００４５】
（第２実施例）
第２実施例では、溶解液３０中に保護膜２０の材料が含まれる。他の構成は第１実施例と同様である。すなわち、溶解液３０中に界面活性剤が含まれる。
【００４６】
本実施例では、被加工膜１０の表面に溶解液３０を供給して保護膜２０を形成する。溶解液３０を供給すると、溶解液３０中に含まれる界面活性剤が被加工膜１０の表面に吸着又は結合し、被加工膜１０上に保護膜２０が形成される。
【００４７】
このように、本実施例では、保護膜２０の形成工程と溶解液３０の供給工程とが同時に行われるため、工程を簡略化することができる。保護膜２０の形成および溶解液３０の提供後は、第１実施例と同様の工程により、平坦化可能である。
【００４８】
（第３実施例）
第３実施例では、保護膜２０を、加工体４０に接触又は近接させた状態で、加工体４０に対して相対運動させる。相対運動は、保護膜２０を停止させた状態で加工体４０を移動させる、加工体４０を停止させた状態で保護膜２０を移動させる、又は保護膜２０と加工体４０との相対位置が変化するように両方を移動させることにより実現される。本実施例では、このように、保護膜２０を相対運動させることにより、第１実施例や第２実施例の場合よりも効率的に保護膜２０を除去することができる。
【００４９】
また、本実施例では、加工面の摩擦係数が低い加工体４０を用いるのが好ましい。加工面の摩擦係数は、ボールオンディスク法（例えばＪＩＳ  Ｒ  １６１３：２０１０）などにより測定することが可能である。加工面の摩擦係数は、例えば、０．１５以下である。このような加工体４０は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどの弗素含有ポリマーや、弗素含有ダイヤモンドライクカーボンにより形成することができる。
【００５０】
このように、加工面の摩擦係数が低い加工体４０を用いることにより、保護膜２０の相対運動によって被加工膜１０に生じる機械的なダメージを抑制することができる。また、保護膜２０を相対運動させる場合には、加工体４０を保護膜２０に接触させず、近接させるのが好ましい。これにより、被加工膜１０に生じる機械的なダメージを更に抑制することができる。
【００５１】
（化学的平坦化装置）
次に、一実施形態に係る化学的平坦化装置１００について、図４を参照して説明する。本実施形態に係る化学的平坦化装置１００は、本実施形態に係る化学的平坦化方法を実現する。図４は、この化学的平坦化装置１００を示す概略構成図である。図４の上側は化学的平坦化装置１００の上面図であり、下側は側面図である。図４に示すように、化学的平坦化装置１００は、前処理部１１０と、平坦化部１２０と、を備える。
【００５２】
前処理部１１０は、基体保持部１１１と、容器１１２と、を備える。基体保持部１１１は、被加工膜１０が表面に形成された基体５を、背面や側面から保持する。容器１１２は、前処理液１１３を格納する。前処理液１１３には、例えば、界面活性剤などの保護膜２０の材料が含まれる。
【００５３】
平坦化部１２０は、基体保持部１２１と、加工体保持部１２２と、溶解液供給部１２３と、を備える。基体保持部１２１は、被加工膜１０が表面に形成された基体５を、背面や側面から保持する。加工体保持部１２２は、基体保持部１２１に保持された基体５の被加工膜１０と、加工体４０の加工面とが対向するように、加工体４０を保持する。溶解液供給部１２３は、加工体４０の加工面上に、溶解液３０を供給する。
【００５４】
この化学的平坦化装置１００は、まず、基体保持部１１により基体５を保持した状態で、基体５を容器１１２中の前処理液１１３に浸す。これにより、前処理液１１３に含まれる保護膜２０の材料が、被加工膜１０の表面に結合又は吸着し、被加工膜１０上に保護膜２０が形成される（ステップＳ１）。
【００５５】
次に、溶解液供給部１２３が溶解液３０を加工面上に供給する。そして、基体保持部１２１は、基体５を保持した状態で、被加工膜１０を加工体４０に接触又は近接させる。これにより、被加工膜１０上に溶解液３０が供給される（ステップＳ２）。また、被加工膜１０と加工体４０とが接触又は近接することにより、被加工膜１０の凸部１１ｐ上に形成された保護膜２０が選択的に除去される（ステップＳ３）。
【００５６】
基体保持部１２１は、被加工膜１０が加工体４０に接触又は近接した状態を維持する。これにより、溶解液３０によって凸部１１ｐが選択的に溶解する（ステップＳ４）。そして、基体保持部１２１は、所定時間経過した後、被加工膜１０を加工体４０から離間させる。これにより、溶解処理が終了し、被加工膜１０が平坦化する。溶解処理の時間は、予め定められていてもよい。また、加工体保持部１２２の下方から光を照射して被加工膜１０の膜厚や凹凸１１の深さｈ２を計測することにより、溶解処理の終了のタイミングを決定してもよい。
【００５７】
以上説明した通り、本実施形態に係る化学的平坦化装置１００によれば、本実施形態に係る化学的平坦化方法を実行することができる。したがって、被加工膜１０の機械的なダメージや砥粒によるダメージを抑制し、被加工膜１０を効率的に平坦化することができる。
【００５８】
なお、第２実施例で説明したように、保護膜２０の材料は、溶解液３０に含まれてもよい。この場合、化学的平坦化装置１００は、前処理部１１０を備えなくてもよい。
【００５９】
また、基体保持部１２１及び加工体保持部１２２の少なくとも一方は、回転機能や平面方向の移動機能を備えてもよい。これにより、第３実施例で説明したように、保護膜２０を加工体４０に接触又は近接させた状態で相対運動させ、保護膜２０を効率的に除去することができる。
【００６０】
なお、本発明は上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって種々の発明を形成できる。また例えば、各実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除した構成も考えられる。さらに、異なる実施形態に記載した構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６１】
５：基体、１０：被加工膜、１１：凹凸、１１ｐ：凸部、１１ｄ：凹部、２０：保護膜、３０：溶解液、４０：加工体、１００：化学的平坦化装置、１１０：前処理部、１１１：基体保持部、１１２：容器、１１３：前処理液、１２０：平坦化部、１２１：基体保持部、１２２：加工体保持部、１２３：溶解液供給部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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