(57)【要約】【課題】金属膜と透明導電膜との電気的な接続が安定しており、厚さが薄い透明配線部材を製造できる透明配線部材の製造方法を提供する。【解決手段】以下の工程を含む。透明導電膜を備え、金属ナノワイヤーが透明導電膜の表面において露出している透明導電体を準備する工程、透明導電膜に金属膜を形成する工程、金属膜に第１レジスト層を形成する工程、第１レジスト層の一部を除去する工程、金属膜を除去する工程、第１レジスト層を除去する工程、金属ナノワイヤーを除去する工程、金属膜及び透明導電膜に第２レジスト層を形成する工程、第２レジスト層の一部を除去する工程、金属膜を除去する工程、及び、第２レジスト層を除去する工程。【選択図】図１
2016197554.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程Ａ１〜工程Ｋ１を含む透明配線部材の製造方法。
工程Ａ１：透明基材と、前記透明基材の表面に形成された透明導電膜とを備え、前記透明導電膜が金属ナノワイヤーを含有し、前記金属ナノワイヤーの一部が前記透明導電膜の表面において露出している透明導電体を準備する工程、
工程Ｂ１：前記透明導電膜の表面に金属膜を形成する工程、
工程Ｃ１：前記金属膜の表面に第１レジスト層を形成する工程、
工程Ｄ１：前記第１レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｅ１：前記第１レジスト層を除去した箇所の前記金属膜を除去する工程、
工程Ｆ１：残存している前記第１レジスト層を除去する工程、
工程Ｇ１：前記金属膜を除去した箇所の前記透明導電膜中の前記金属ナノワイヤーを除去する工程、
工程Ｈ１：残存している前記金属膜の表面及び前記金属膜を除去した箇所の前記透明導電膜の表面に第２レジスト層を形成する工程、
工程Ｉ１：前記第２レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｊ１：前記第２レジスト層を除去した箇所の前記金属膜を除去する工程、及び
工程Ｋ１：残存している前記第２レジスト層を除去する工程。
【請求項２】
前記工程Ａ１と前記工程Ｂ１との間に以下の工程Ａ１−２をさらに含む
請求項１に記載の透明配線部材の製造方法。
工程Ａ１−２：前記透明導電膜の表面を親水化処理する工程。
【請求項３】
以下の工程Ａ２〜工程Ｌ２を含む透明配線部材の製造方法。
工程Ａ２：透明基材と、前記透明基材の表面に形成された透明導電膜とを備え、前記透明導電膜が金属ナノワイヤーを含有し、前記金属ナノワイヤーの一部が前記透明導電膜の表面において露出している透明導電体を準備する工程、
工程Ｂ２：前記透明導電膜の表面に金属膜を形成する工程、
工程Ｃ２：前記金属膜の表面に防錆膜を形成する工程、
工程Ｄ２：前記防錆膜の表面に第１レジスト層を形成する工程、
工程Ｅ２：前記第１レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｆ２：前記第１レジスト層を除去した箇所の前記金属膜及び前記防錆膜を除去する工程、
工程Ｇ２：残存している前記第１レジスト層を除去する工程、
工程Ｈ２：前記金属膜及び前記防錆膜を除去した箇所の前記透明導電膜中の前記金属ナノワイヤーを除去する工程、
工程Ｉ２：残存している前記金属膜及び前記防錆膜の表面並びに前記金属膜を除去した箇所の前記透明導電膜の表面に第２レジスト層を形成する工程、
工程Ｊ２：前記第２レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｋ２：前記第２レジスト層を除去した箇所の前記金属膜及び前記防錆膜を除去する工程、及び
工程Ｌ２：残存している前記第２レジスト層を除去する工程。
【請求項４】
前記工程Ａ２と前記工程Ｂ２との間に以下の工程Ａ２−２をさらに含む
請求項３に記載の透明配線部材の製造方法。
工程Ａ２−２：前記透明導電膜の表面を親水化処理する工程。
【請求項５】
以下の工程Ａ３〜工程Ｊ３を含む透明配線部材の製造方法。
工程Ａ３：透明基材と、前記透明基材の表面に形成された透明導電膜とを備え、前記透明導電膜が金属ナノワイヤーを含有し、前記金属ナノワイヤーの一部が前記透明導電膜の表面において露出している透明導電体を準備する工程、
工程Ｂ３：前記透明導電膜の表面に第１レジスト層を形成する工程、
工程Ｃ３：前記第１レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｄ３：前記第１レジスト層を形成していない箇所の前記透明導電膜の表面に金属膜を形成する工程、
工程Ｅ３：残存している前記第１レジスト層を除去する工程、
工程Ｆ３：前記第１レジスト層を除去した箇所の前記透明導電膜中の前記金属ナノワイヤーを除去する工程、
工程Ｇ３：残存している前記金属膜の表面及び前記第１レジスト層を除去した箇所の前記透明導電膜の表面に第２レジスト層を形成する工程、
工程Ｈ３：前記第２レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｉ３：前記第２レジスト層を除去した箇所の前記金属膜を除去する工程、及び
工程Ｊ３：残存している前記第２レジスト層を除去する工程。
【請求項６】
前記金属ナノワイヤーが銀ナノワイヤーを含む
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の透明配線部材の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜が銅膜を含む
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の透明配線部材の製造方法。
【請求項８】
透明基材と、
前記透明基材の表面に形成された透明導電膜と、
前記透明導電膜の表面の一部に形成された金属膜と
を備え、
前記透明導電膜は金属ナノワイヤーを含有し、
前記金属ナノワイヤーの一部が前記金属膜と接触している
透明配線部材。
【請求項９】
前記金属膜の表面に防錆膜が形成されている
請求項８に記載の透明配線部材。
【請求項１０】
前記金属ナノワイヤーが銀ナノワイヤーを含む
請求項８又は９に記載の透明配線部材。
【請求項１１】
前記金属膜が銅膜を含む
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の透明配線部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に透明配線部材の製造方法及び透明配線部材に関し、より詳細には透明電極などに利用される透明配線部材の製造方法及び透明配線部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明配線部材１は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル、タッチパネル、有機ＥＬディスプレイ、太陽電池などの分野において、透明電極として広く用いられている。このような透明配線部材１は、従来、次のようにして製造されている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
まず図１１Ａに示すような透明導電体５を準備する。この透明導電体５は、透明基材２と透明導電膜３とを備えている。透明基材２は、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムである。透明導電膜３は、例えば、アクリル樹脂の膜であり、透明基材２の表面に形成されている。透明導電膜３は、金属ナノワイヤー４を含有しており、これにより導電性を有している。金属ナノワイヤー４は、例えば、銀ナノワイヤーである。
【０００４】
次に、上記の透明導電体５にフォトリソグラフィによりパターニングを行う。具体的には、まず図１１Ｂに示すように、透明導電膜３の表面にレジスト層７０を形成する。このレジスト層７０は、例えば、ドライフィルムを透明導電膜３の表面に密着させたり、液状レジストを透明導電膜３の表面に塗布して乾燥させたりして形成される。
【０００５】
次にマスクフィルムを用いて、レジスト層７０を所定の配線パターン状に露光した後、現像することによって、図１１Ｃに示すようにレジスト層７０の一部を除去する。レジスト層７０を除去した箇所において透明導電膜３が露出することになる。
【０００６】
次にエッチング液を用いて、図１２Ａに示すように、レジスト層７０を除去した箇所の透明導電膜３中の金属ナノワイヤー４をエッチングにより除去する。これによりこの箇所は、電気的に絶縁された絶縁部分３２（非導電部分）となる。この絶縁部分３２において金属ナノワイヤー４が存在していた位置には細孔９が生じる。一方、レジスト層７０を除去していない箇所の透明導電膜３中の金属ナノワイヤー４は、光硬化したレジスト層７０でエッチング液の浸入が阻止されるので除去されずに残る。これによりこの箇所は、導電性を有する導電部分３１となる。
【０００７】
次にアルカリ水溶液又は溶剤を用いて、残存しているレジスト層７０を図１２Ｂに示すように除去する。透明導電膜３は、透明領域３０１と周辺領域３０２とに分けられる。透明領域３０１は、所定の配線パターン状に形成された導電部分３１及び絶縁部分３２を含む。この透明領域３０１には映像又は画像が表示される。周辺領域３０２は、透明領域３０１の周辺に位置する領域であり、導電部分３１を含む。
【０００８】
そして、透明導電膜３の周辺領域３０２に、導電性ペーストを用いて印刷法により周辺配線６０を形成することによって、図１２Ｃに示すような透明配線部材１が得られる。その後、図１３Ｃに示すように透明配線部材１の透明導電膜３の側に粘着剤層１０でカバーガラス１１を貼り合わせることによって、図１４に示すようなタッチパネルが得られる。この場合、透明領域３０１は、入力操作領域となる。入力操作により透明領域３０１のある箇所で発生した電気信号は周辺配線６０を通じて外部に出力される。なお、透明配線部材１の透明基材２の側にアンチブロッキング層１２が形成されることもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】日本国特許出願公開番号２０１２−２０９０３０
【特許文献２】日本国特許出願公開番号２０１３−２０６０５０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来、図１２Ｃに示す透明配線部材１においては、周辺配線６０と透明導電膜３との電気的な接続が不安定であるという問題がある。この原因は不明であったが、本発明者らの鋭意研究により、次のような理由であると推定される。すなわち、図１２Ａ及び図１２Ｂに示す工程において、光硬化したレジスト層７０を除去する際に、透明導電膜３の表層部に存在する金属ナノワイヤー４が上記のレジスト層７０に引っ張られて切断され、透明導電膜３のシート抵抗（表面抵抗率）が増加するためであると考えられる。この場合、透明導電膜３の透明領域３０１でのシート抵抗の増加は特に問題ではないが、透明導電膜３の周辺領域３０２でのシート抵抗の増加は、周辺配線６０との電気的な接続に悪影響を及ぼし得る。
【００１１】
また図１３Ｃに示すタッチパネルにおいては、全体の厚さが厚くなるという問題もある。従来、周辺配線６０は、金属粒子、バインダー樹脂、溶剤を含有する導電性ペーストの硬化物で形成されていたが、導電性ペーストの硬化性を発現させるためには金属粒子の含有量には限界がある。これにより相対的にバインダー樹脂の含有量が増加するが、導電性を確保するために周辺配線６０を厚くせざるを得ない。具体的には周辺配線６０の厚さＴ３は５〜１０μｍ程度であり、薄くても５μｍ程度が限界であり、これより薄くなると導電性を確保できないおそれがある。このように周辺配線６０の厚さＴ３が厚くなるため、周辺配線６０を含めた透明配線部材１が厚くなり、タッチパネルも厚くなってしまう。
【００１２】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、周辺配線となり得る金属膜と透明導電膜との電気的な接続が安定しており、厚さが薄い透明配線部材を製造することができる透明配線部材の製造方法、及び、周辺配線となり得る金属膜と透明導電膜との電気的な接続が安定しており、厚さが薄い透明配線部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る透明配線部材の製造方法は、以下の工程Ａ１〜工程Ｋ１を含むことを特徴とする。
【００１４】
工程Ａ１：透明基材と、前記透明基材の表面に形成された透明導電膜とを備え、前記透明導電膜が金属ナノワイヤーを含有し、前記金属ナノワイヤーの一部が前記透明導電膜の表面において露出している透明導電体を準備する工程、
工程Ｂ１：前記透明導電膜の表面に金属膜を形成する工程、
工程Ｃ１：前記金属膜の表面に第１レジスト層を形成する工程、
工程Ｄ１：前記第１レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｅ１：前記第１レジスト層を除去した箇所の前記金属膜を除去する工程、
工程Ｆ１：残存している前記第１レジスト層を除去する工程、
工程Ｇ１：前記金属膜を除去した箇所の前記透明導電膜中の前記金属ナノワイヤーを除去する工程、
工程Ｈ１：残存している前記金属膜の表面及び前記金属膜を除去した箇所の前記透明導電膜の表面に第２レジスト層を形成する工程、
工程Ｉ１：前記第２レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｊ１：前記第２レジスト層を除去した箇所の前記金属膜を除去する工程、及び
工程Ｋ１：残存している前記第２レジスト層を除去する工程。
【００１５】
前記工程Ａ１と前記工程Ｂ１との間に以下の工程Ａ１−２をさらに含むことが好ましい。
【００１６】
工程Ａ１−２：前記透明導電膜の表面を親水化処理する工程。
【００１７】
本発明に係る透明配線部材の製造方法は、以下の工程Ａ２〜工程Ｌ２を含むことを特徴とする。
【００１８】
工程Ａ２：透明基材と、前記透明基材の表面に形成された透明導電膜とを備え、前記透明導電膜が金属ナノワイヤーを含有し、前記金属ナノワイヤーの一部が前記透明導電膜の表面において露出している透明導電体を準備する工程、
工程Ｂ２：前記透明導電膜の表面に金属膜を形成する工程、
工程Ｃ２：前記金属膜の表面に防錆膜を形成する工程、
工程Ｄ２：前記防錆膜の表面に第１レジスト層を形成する工程、
工程Ｅ２：前記第１レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｆ２：前記第１レジスト層を除去した箇所の前記金属膜及び前記防錆膜を除去する工程、
工程Ｇ２：残存している前記第１レジスト層を除去する工程、
工程Ｈ２：前記金属膜及び前記防錆膜を除去した箇所の前記透明導電膜中の前記金属ナノワイヤーを除去する工程、
工程Ｉ２：残存している前記金属膜及び前記防錆膜の表面並びに前記金属膜を除去した箇所の前記透明導電膜の表面に第２レジスト層を形成する工程、
工程Ｊ２：前記第２レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｋ２：前記第２レジスト層を除去した箇所の前記金属膜及び前記防錆膜を除去する工程、及び
工程Ｌ２：残存している前記第２レジスト層を除去する工程。
【００１９】
前記工程Ａ２と前記工程Ｂ２との間に以下の工程Ａ２−２をさらに含むことが好ましい。
【００２０】
工程Ａ２−２：前記透明導電膜の表面を親水化処理する工程。
【００２１】
本発明に係る透明配線部材の製造方法は、以下の工程Ａ３〜工程Ｊ３を含むことを特徴とする。
【００２２】
工程Ａ３：透明基材と、前記透明基材の表面に形成された透明導電膜とを備え、前記透明導電膜が金属ナノワイヤーを含有し、前記金属ナノワイヤーの一部が前記透明導電膜の表面において露出している透明導電体を準備する工程、
工程Ｂ３：前記透明導電膜の表面に第１レジスト層を形成する工程、
工程Ｃ３：前記第１レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｄ３：前記第１レジスト層を形成していない箇所の前記透明導電膜の表面に金属膜を形成する工程、
工程Ｅ３：残存している前記第１レジスト層を除去する工程、
工程Ｆ３：前記第１レジスト層を除去した箇所の前記透明導電膜中の前記金属ナノワイヤーを除去する工程、
工程Ｇ３：残存している前記金属膜の表面及び前記第１レジスト層を除去した箇所の前記透明導電膜の表面に第２レジスト層を形成する工程、
工程Ｈ３：前記第２レジスト層の一部を除去する工程、
工程Ｉ３：前記第２レジスト層を除去した箇所の前記金属膜を除去する工程、及び
工程Ｊ３：残存している前記第２レジスト層を除去する工程。
【００２３】
前記金属ナノワイヤーが銀ナノワイヤーを含むことが好ましい。
【００２４】
前記金属膜が銅膜を含むことが好ましい。
【００２５】
本発明に係る透明配線部材は、
透明基材と、
前記透明基材の表面に形成された透明導電膜と、
前記透明導電膜の表面の一部に形成された金属膜と
を備え、
前記透明導電膜は金属ナノワイヤーを含有し、
前記金属ナノワイヤーの一部が前記金属膜と接触していることを特徴とする。
【００２６】
前記金属膜の表面に防錆膜が形成されていることが好ましい。
【００２７】
前記金属ナノワイヤーが銀ナノワイヤーを含むことが好ましい。
【００２８】
前記金属膜が銅膜を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、第１レジスト層を形成する前に透明導電膜の表面に金属膜を形成するようにしているので、周辺配線となり得る金属膜と透明導電膜との電気的な接続を安定させることができる。さらに、金属膜は薄く形成され、周辺配線となり得るので、導電性ペーストで周辺配線を形成する場合に比べて、透明配線部材の厚さを薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１Ａ及び図１Ｂは、実施形態１、２の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図２】図２Ａ〜図２Ｃは、実施形態１の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｃは、実施形態１の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｃは、実施形態１の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図５】図５Ａ〜図５Ｄは、実施形態２の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図６】図６Ａ〜図６Ｃは、実施形態２の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図７】図７Ａ〜図７Ｃは、実施形態２の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図８】図８Ａ〜図８Ｄは、実施形態３の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図９】図９Ａ〜図９Ｃは、実施形態３の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図１０】図１０Ａ〜図１０Ｃは、実施形態３の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図１１】図１１Ａ〜図１１Ｃは、従来の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図１２】図１２Ａ〜図１２Ｃは、従来の透明配線部材の製造方法の工程の一部を示す概略断面図である。
【図１３】図１３Ａは、実施形態１、３のタッチパネルの一部を示す概略断面図であり、図１３Ｂは、実施形態２のタッチパネルの一部を示す概略断面図であり、図１３Ｃは、従来のタッチパネルの一部を示す概略断面図である。
【図１４】タッチパネルの一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００３２】
（実施形態１）
まず本実施形態の透明配線部材１の製造方法について説明する。本実施形態の透明配線部材１の製造方法は、フォトエッチング法（フォトリソグラフィ）を利用するものであり、以下の工程Ａ１〜工程Ｋ１を含む。これらの工程を経て、図４Ｃに示すような透明配線部材１が得られ、図１３Ａ及び図１４に示すようなタッチパネルに利用することができる。各工程について順を追って説明する。
【００３３】
まず工程Ａ１について説明する。工程Ａ１では、図１Ａに示すように、透明導電体５を準備する。透明導電体５は、透明基材２と、透明導電膜３とを備えている。
【００３４】
まず透明基材２について説明する。
【００３５】
透明基材２は光透過性を有することが好ましい。透明基材２の全光線透過率は、５０％以上であることが好ましく、７０％以上であればより好ましく、８０％以上であれば特に好ましい。
【００３６】
透明基材２の形状は、特に制限されないが、板状、シート状又はフィルム状であることが好ましい。特に、透明配線部材１の生産性及び運搬性を向上させる観点からは、透明基材２の形状はフィルム状であることが好ましい。
【００３７】
透明基材２がフィルム状である場合、透明基材２の厚さは１０〜５００μｍの範囲内であることが好ましい。この場合、透明基材２の透明性が特に良好になり、透明配線部材１の生産時及び取り扱い時の作業性も良好になる。透明基材２の厚さは、２５〜２００μｍの範囲内であることがより好ましく、２５〜１５０μｍの範囲内であることがさらに好ましい。この場合、透明配線部材１の薄型化、軽量化が可能となり、また透明配線部材１の表裏における光の干渉の発生が抑制され、さらに透明基材２が加熱される際の熱収縮が抑制されて透明基材２の熱収縮による加工性の悪化等の不具合が抑制される。
【００３８】
透明基材２の材質は、特に制限されない。透明基材２の材質の例としては、ガラス及び透明樹脂が挙げられる。透明樹脂の例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル共重合体、トリアセチルセルロース、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、非晶質ポリオレフィン、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、アクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂が挙げられる。
【００３９】
透明基材２はポリエステルフィルムであることが好ましい。ポリエステルフィルムのうち、特にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレートからなる２軸延伸フィルムは、優れた機械的特性、耐熱性、耐薬品性を有するため、磁気テープ、強磁性薄膜テープ、包装用フィルム、電子部品用フィルム、電気絶縁フィルム、ラミネート用フィルム、ディスプレイの表面に貼るフィルム、各種部材の保護用フィルムの素材として好適である。特にディスプレイ用途に関しては、液晶表示装置の部材であるプリズムレンズシート、タッチパネル及びバックライト等のベースフィルム、テレビの光学フィルムのベースフィルム、プラズマテレビの前面光学フィルターに用いられる光学フィルム、近赤外線カットフィルム、電磁波シールドフィルムのベースフィルムとして好適である。
【００４０】
ポリエステルフィルムを構成するポリエステルとして、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、２，６−ナフタリンジカルボン酸、４，４′−ジフェニルジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸成分と、エチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、１，６−ヘキサンジオール等のグリコール成分とが反応することで生成する芳香族ポリエステルが好ましい。特に、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタリンジカルボキシレートが好ましい。ポリエステルは、上述の複数の成分が共重合して生成したものでもよい。
【００４１】
透明基材２は、有機粒子及び無機粒子の少なくともいずれかを含有してもよい。この場合、透明基材２の巻き取り性、搬送性が向上する。有機粒子として、例えば、架橋アクリル樹脂粒子、架橋ポリスチレン樹脂粒子、尿素樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、架橋シリコーン樹脂粒子が挙げられる。無機粒子として、炭酸カルシウム粒子、酸化カルシウム粒子、酸化アルミニウム粒子、カオリン、酸化珪素粒子、酸化亜鉛粒子が挙げられる。
【００４２】
透明基材２は、透明性を損なわない範囲であれば、着色剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、潤滑剤、触媒、他の樹脂をさらに含有してもよい。
【００４３】
透明基材２のヘーズは３％以下であることが好ましい。この場合、透明配線部材１を通した映像又は画像の視認性が向上し、光学的用途の部材として特に適する。透明基材２のヘーズは１．５％以下であることがより好ましい。
【００４４】
次に透明導電膜３について説明する。
【００４５】
透明導電膜３は、透明基材２の表面に形成されている。透明導電膜３は、金属ナノワイヤー４及び透明バインダー７を含有しており、複数の金属ナノワイヤー４が接触して導電経路が形成され、この状態で複数の金属ナノワイヤー４が透明バインダー７で固定されている。このように透明導電膜３は、金属ナノワイヤー４により導電性を有している。透明導電膜３の形成は、例えば、金属ナノワイヤー４及び透明バインダー７を少なくとも含有する組成物（透明導電膜形成用組成物）を透明基材２の表面に塗布した後、乾燥して硬化又は固化させることによって行うことができる。金属ナノワイヤー４の一部は透明導電膜３の表面において露出している。金属ナノワイヤー４は、透明導電膜３の透明領域３０１のみを考慮する場合には、必ずしも透明導電膜３の表面から突出していなくてもよいが、透明導電膜３と周辺配線６０との電気的な接続を確保する必要があるために、図１Ａに示すように金属ナノワイヤー４の一部が透明導電膜３の表面から突出していることが好ましい。
【００４６】
金属ナノワイヤー４は、ナノサイズ（１〜１０００ｎｍ）の直径を有する金属繊維である。金属ナノワイヤー４を構成する金属の種類は、特に制限されないが、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）が挙げられる。特に透明導電膜３の導電性を向上させるためには、金属ナノワイヤー４を構成する金属が金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）及び白金（Ｐｔ）から選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましく、特に銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）から選ばれる少なくとも一種を含むことがより好ましい。
【００４７】
金属ナノワイヤー４は銀ナノワイヤーを含むことが好ましい。金属ナノワイヤー４自体は透明ではないが、銀ナノワイヤーの導電率は高い。そのため、金属ナノワイヤー４が銀ナノワイヤーを含むようにすれば、透明導電膜３における金属ナノワイヤー４全体の含有量を減少させることで透明導電膜３の透明性を高く確保することができ、さらに透明導電膜３に高い導電性を付与することも可能となる。
【００４８】
金属ナノワイヤー４の製造方法としては、特に制限されず、例えば、液相法や気相法等の公知の方法が挙げられる。例えば、銀ナノワイヤーの製造方法として、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ８３３〜８３７、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ４７３６〜４７４５、特表２００９−５０５３５８号公報等の文献に開示されている方法が挙げられる。また金ナノワイヤーの製造方法として、特開２００６−２３３２５２号公報に開示されている方法が挙げられる。また銅ナノワイヤーの製造方法として、特開２００２−２６６００７号公報に開示されている方法が挙げられる。またコバルトナノワイヤーの製造方法として、特開２００４−１４９８７１号公報に開示されている方法が挙げられる。特に、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ８３３〜８３７及びＣｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ４７３６〜４７４５に開示されている方法であれば、水系で簡便にかつ大量に銀ナノワイヤーを製造することができる。
【００４９】
金属ナノワイヤー４の平均直径は１０〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。平均直径が１０ｎｍ以上であると、透明導電膜３の導電性が特に高くなる。平均直径が１００ｎｍ以下であると、透明導電膜３の透明性が特に高くなる。金属ナノワイヤー４の平均直径は２０〜１００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、４０〜１００ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００５０】
金属ナノワイヤー４の平均長さは１〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。平均長さが１μｍ以上であると、透明導電膜３の導電性が特に高くなる。平均長さが１００μｍ以下であると、透明導電膜３中で金属ナノワイヤー４が凝集しにくくなり、このため透明導電膜３の透明性が向上する。金属ナノワイヤー４の平均長さは１〜５０μｍの範囲内であることがより好ましく、３〜５０μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００５１】
金属ナノワイヤー４の平均直径は、充分な数の金属ナノワイヤー４の直径を測定し、その結果を算術平均して得られる値である。金属ナノワイヤー４の平均長さは、充分な数の金属ナノワイヤー４の長さを測定し、その結果を算術平均して得られる値である。金属ナノワイヤー４の直径及び長さは、金属ナノワイヤー４の電子顕微鏡画像を画像解析することで導出される。例えば、金属ナノワイヤー４の電子顕微鏡画像が屈曲している場合に、画像解析によって金属ナノワイヤー４の直径（投影径（Ｄ））及び面積（投影面積（Ｓ））が算出される。投影面積（Ｓ）を投影径（Ｄ）で割ることで、金属ナノワイヤー４の長さ（Ｌ＝Ｓ／Ｄ）が求められる。金属ナノワイヤー４の平均直径及び平均長さを導出するためには、少なくとも１００個の金属ナノワイヤー４の直径及び長さを測定することが好ましく、３００個以上の金属ナノワイヤー４の直径及び長さを測定すればより好ましい。
【００５２】
透明導電膜３における金属ナノワイヤー４の含有量は、特に制限されないが、０．０１〜９０質量％の範囲内であることが好ましく、０．１〜３０質量％の範囲内であることがより好ましく、０．５〜１０質量％の範囲内であることがさらに好ましい。
【００５３】
透明バインダー７としては、例えば、セルロース樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ジアクリルフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、その他の熱可塑性樹脂、これらの樹脂を構成する単量体が２種以上重合して成る共重合体が挙げられる。透明バインダー７によって、金属ナノワイヤー４を透明基材２の表面に固定することができる。
【００５４】
透明バインダー７は、反応性硬化型樹脂を含有することも好ましい。反応性硬化型樹脂としては、例えば熱硬化型樹脂及び電離放射線硬化型樹脂の少なくとも一方を含むことが好ましい。
【００５５】
熱硬化型樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アミノアルキッド樹脂、珪素樹脂、ポリシロキサン樹脂が挙げられる。透明導電膜形成用組成物が熱硬化型樹脂を含有する場合には、必要に応じて架橋剤、重合開始剤、硬化剤、硬化促進剤、溶媒を含有してもよい。
【００５６】
電離放射線硬化型樹脂としては、アクリレート系の官能基を有する樹脂が好ましい。アクリレート系の官能基を有する樹脂としては、例えば、比較的低分子量の多官能化合物の（メタ）アクリレート等のオリゴマー、プレポリマーが挙げられる。多官能化合物としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アルキッド樹脂、スピロアセタール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリチオールポリエン樹脂、多価アルコールが挙げられる。透明導電膜形成用組成物が電離放射線硬化型樹脂を含有する場合、さらに反応性希釈剤を含有することが好ましい。反応性希釈剤としては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、スチレン、メチルスチレン、Ｎ−ビニルピロリドン等の単官能モノマー、及びトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレートの多官能モノマーが挙げられる。
【００５７】
透明導電膜形成用組成物が電離放射線硬化型樹脂を含有し、この電離放射線硬化型樹脂が紫外線硬化型樹脂などの光硬化型樹脂である場合には、透明導電膜形成用組成物は、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、α−アミロキシムエステル、チオキサントン類が挙げられる。透明導電膜形成用組成物が光硬化型樹脂及び光重合開始剤を含有する場合、光重合開始剤に加えて、又は光重合開始剤に代えて、光増感剤を含有してもよい。光増感剤としては、例えば、ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、チオキサントンが挙げられる。
【００５８】
透明導電膜形成用組成物は、必要に応じて溶媒を含有してもよい。溶媒として、例えば有機溶剤、水が挙げられる。有機溶剤と水が相溶すれば両者を混合して溶媒としてもよい。有機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等のアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；ハロゲン化炭化水素類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、並びにこれらの混合物が挙げられる。
【００５９】
透明導電膜形成用組成物中の溶媒の量は、固形分が均一に溶解又は分散するように適宜調整される。透明導電膜形成用組成物中の固形分濃度は、０．１〜５０質量％の範囲内であることが好ましく、０．５〜３０質量％の範囲内であることがより好ましい。
【００６０】
透明基材２の表面に透明導電膜形成用組成物を塗布する方法として、例えば、ロールコート法、スピンコート法、ディップコート法が挙げられる。透明導電膜形成用組成物が熱硬化型樹脂を含有する場合は、透明基材２に塗布した後の透明導電膜形成用組成物を加熱して熱硬化させることで、透明導電膜３を形成することができる。透明導電膜形成用組成物が電離放射線硬化型樹脂を含有する場合は、透明基材２に塗布した後の透明導電膜形成用組成物に紫外線等の電離放射線を照射して光硬化させることで、透明導電膜３を形成することができる。
【００６１】
透明導電膜３を形成するにあたって、透明導電膜形成用組成物の塗布は１段階で行うようにしているが、２段階に分けて行うようにしてもよい。２段階に分ける場合には、金属ナノワイヤー４及び透明バインダー７を少なくとも含有する第１組成物と、透明バインダー７を少なくとも含有する第２組成物とを用いて透明導電膜３を形成する。この場合、１段階目において、透明基材２の表面に第１組成物を塗布した後、乾燥して硬化又は固化させることによって、金属ナノワイヤー層を形成する。次に２段階目において、この金属ナノワイヤー層の表面に第２組成物を塗布した後、乾燥して硬化又は固化させることによって、透明導電膜３を形成することができる。
【００６２】
図１Ａに示すように、透明基材２の一方の面には透明導電膜３が形成されているが、他方の面にはアンチブロッキング層１２が形成されていてもよい。アンチブロッキング層１２は、表面に凹凸を有し、光透過性を有する層である。透明配線部材１がロール状に巻かれて重ねられる場合に、アンチブロッキング層１２によって、傷付きを防止したり、密着を抑制したりすることができる。アンチブロッキング層１２の表面の凹凸は、機械的加工で施されてもよいし、アンチブロッキング層１２がシリカ粒子等の微粒子を含有することで形成されてもよい。後者の場合、アンチブロッキング層１２が、例えばアクリレート樹脂又はウレタンアクリレート樹脂を８０〜９５質量％の範囲内で含有し、さらに平均粒子径２５０ｎｍのシリカ粒子を５〜２０質量％の範囲内で含有することが好ましい。
【００６３】
アンチブロッキング層１２はシリコーン系のレベリング剤を含有することが好ましい。これにより透明配線部材１の滑性を向上させることができる。
【００６４】
アンチブロッキング層１２を形成する場合、あらかじめ透明基材２に表面処理を施しておくことが好ましい。この場合、透明基材２の表面処理が施された面とアンチブロッキング層１２との間の濡れ性及び密着性が向上する。表面処理の方法としては、例えば、プラズマ処理、コロナ放電処理、フレーム処理などの物理的表面処理、カップリング剤、酸性成分、アルカリ性成分等による化学的表面処理が挙げられる。
【００６５】
次に工程Ｂ１について説明する。工程Ｂ１では、図１Ｂに示すように、透明導電膜３の表面に金属膜６を形成する。金属膜６の形成方法として、物理蒸着（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）、化学蒸着（ＣＶＤ:chemical vapor deposition）が挙げられる。物理蒸着として、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法が挙げられる。金属膜６の材質は特に限定されないが、後述の選択エッチングの観点から、金属ナノワイヤー４を構成する金属とは異なる金属であることが好ましい。銅膜は導電率が高いので金属膜６は銅膜を含むことが好ましい。特に金属ナノワイヤー４が銀ナノワイヤーを含む場合に金属膜６が銅膜を含むことが好ましい。この場合、金属ナノワイヤー４及び金属膜６はいずれも導電率が高く、選択エッチングにも適している。金属膜６の厚さは好ましくは５０〜１０００ｎｍの範囲内であり、より好ましくは１００〜５００ｎｍの範囲内であるが、透明配線部材１の薄型化の観点では薄いほど好ましい。
【００６６】
工程Ａ１と工程Ｂ１との間に以下の工程Ａ１−２がさらに含まれていることが好ましい。工程Ａ１−２では、透明導電膜３の表面を親水化処理する。これにより透明導電膜３と金属膜６との密着性を向上させることができる。親水化処理として、例えば、プラズマ処理、コロナ処理が挙げられる。透明導電膜３の表層部に存在する金属ナノワイヤー４が消失しない程度であれば、具体的な処理条件は特に限定されない。
【００６７】
次に工程Ｃ１について説明する。工程Ｃ１では、図２Ａに示すように、金属膜６の表面に第１レジスト層７１を形成する。第１レジスト層７１は、ネガティブレジスト、ポジティブレジストのいずれで形成してもよい。第１レジスト層７１は、ドライフィルム状のもの、液状のもののいずれで形成してもよい。第１レジスト層７１は、例えば、ドライフィルムを金属膜６の表面に密着させたり、液状レジストを金属膜６の表面に塗布して乾燥させたりして形成される。
【００６８】
次に工程Ｄ１について説明する。工程Ｄ１では、図２Ｂに示すように、第１レジスト層７１の一部を除去する。具体的には、マスクフィルムを用いて、図２Ａに示す第１レジスト層７１を所定の配線パターン状に露光した後、現像液で現像することによって、図２Ｂに示すように第１レジスト層７１の一部を除去することができる。露光用の光源として、例えば、メタルハライドランプ、半導体レーザー、高圧水銀灯、エキシマレーザーが挙げられる。現像液として、例えば、アルカリ溶液が挙げられる。図２Ｂに示すように、第１レジスト層７１を除去した箇所において金属膜６が露出することになる。
【００６９】
次に工程Ｅ１について説明する。工程Ｅ１では、図２Ｃに示すように、第１レジスト層７１を除去した箇所の金属膜６を除去する。具体的には、エッチング液を用いて、図２Ｂ及び図２Ｃに示すように、第１レジスト層７１で覆われていない箇所の金属膜６をエッチングにより除去する。使用するエッチング液は、金属膜６を構成する金属の種類に応じて適宜選択される。例えば、金属膜６が銅膜である場合、エッチング液として、塩化第二鉄エッチング液、硫酸／過酸化水素系の銅エッチング液、塩酸／塩化第二銅系の銅エッチング液が挙げられる。図２Ｃに示すように、金属膜６を除去した箇所において透明導電膜３が露出することになる。第１レジスト層７１で覆われている箇所の金属膜６は、第１レジスト層７１でエッチング液の浸入が阻止されるので実質的には除去されずに残る。この場合、第１レジスト層７１で覆われている金属膜６のサイドエッチは少ないことが好ましい。
【００７０】
次に工程Ｆ１について説明する。工程Ｆ１では、図３Ａに示すように、残存している第１レジスト層７１を除去する。第１レジスト層７１の除去は、アルカリ水溶液又は溶剤を用いて行うことができる。なお、第１レジスト層７１の除去は、次の工程Ｇ１の後に行うようにしてもよい。
【００７１】
次に工程Ｇ１について説明する。工程Ｇ１では、図３Ｂに示すように、金属膜６を除去した箇所の透明導電膜３中の金属ナノワイヤー４を除去する。具体的には、エッチング液を用いて、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、金属膜６で覆われていない箇所の透明導電膜３中の金属ナノワイヤー４をエッチングにより除去する。このエッチングは、選択エッチングであることが好ましい。エッチング液は、金属ナノワイヤー４及び金属膜６に接触するので、金属ナノワイヤー４及び金属膜６を構成する金属は異なっていることが好ましい。基本的には使用するエッチング液は、金属ナノワイヤー４を構成する金属の種類に応じて適宜選択される。例えば、金属ナノワイヤー４が銀ナノワイヤーである場合には、エッチング液として硝酸第二鉄エッチング液を用いるとよい。好ましくはエッチング液は、金属ナノワイヤー４を選択的に除去し、金属膜６を実質的に除去しないものであることが好ましい。例えば、金属ナノワイヤー４が銀ナノワイヤーであり、金属膜６が銅膜である場合には、エッチング液として硝酸第二鉄エッチング液を用いるとよい。図３Ｂに示すように、透明導電膜３において金属ナノワイヤー４を除去した箇所は、電気的に絶縁された絶縁部分３２（非導電部分）となる。この絶縁部分３２において金属ナノワイヤー４が存在していた位置には細孔９が生じ得る。一方、金属膜６で覆われている箇所の透明導電膜３中の金属ナノワイヤー４は、金属膜６でエッチング液の浸入が阻止されるので除去されずに残る。これによりこの箇所は、導電性を有する導電部分３１となる。透明導電膜３は、透明領域３０１と周辺領域３０２とに分けられる。透明領域３０１は、所定の配線パターン状に形成された導電部分３１及び絶縁部分３２を含む。周辺領域３０２は、透明領域３０１の周辺に位置する領域であり、導電部分３１を含む。
【００７２】
次に工程Ｈ１について説明する。工程Ｈ１では、図３Ｃに示すように、残存している金属膜６の表面及び金属膜６を除去した箇所の透明導電膜３の表面に第２レジスト層７２を形成する。第２レジスト層７２の材質は、第１レジスト層７１の材質と同じでも異なっていてもよい。すなわち、第２レジスト層７２は、ネガティブレジスト、ポジティブレジストのいずれで形成してもよい。第２レジスト層７２は、ドライフィルム状のもの、液状のもののいずれで形成してもよい。第２レジスト層７２は、残存している金属膜６の表面及び金属膜６を除去した箇所の透明導電膜３の表面に、例えば、ドライフィルムを密着させたり、液状レジストを塗布して乾燥させたりして形成される。
【００７３】
次に工程Ｉ１について説明する。工程Ｉ１では、図４Ａに示すように、第２レジスト層７２の一部を除去する。この一部は、透明領域３０１と重なる部分であり、周辺領域３０２と重なる部分は除去しない。具体的には、第２レジスト層７２がネガティブレジストで形成されている場合には、図３Ｃに示す第２レジスト層７２の周辺領域３０２に光が照射されるようにマスクフィルムを用いて露光を行う。第２レジスト層７２がポジティブレジストで形成されている場合には、図３Ｃに示す第２レジスト層７２の透明領域３０１に光が照射されるようにマスクフィルムを用いて露光を行う。露光後、現像液で現像することによって、図４Ａに示すように第２レジスト層７２の透明領域３０１の部分を除去することができる。露光用の光源及び現像液として、上述と同様のものが挙げられる。図４Ａに示すように、第２レジスト層７２を除去した箇所において、透明導電膜３の絶縁部分３２と、金属膜６とが露出することになる。
【００７４】
次に工程Ｊ１について説明する。工程Ｊ１では、図４Ｂに示すように、第２レジスト層７２を除去した箇所の金属膜６を除去する。具体的には、エッチング液を用いて、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、第２レジスト層７２で覆われていない箇所の金属膜６（つまり透明領域３０１内の金属膜６）をエッチングにより除去する。使用するエッチング液は、金属膜６を構成する金属の種類に応じて適宜選択される。例えば、金属膜６が銅膜である場合、エッチング液として、塩化第二鉄エッチング液、硫酸／過酸化水素系の銅エッチング液、塩酸／塩化第二銅系の銅エッチング液が挙げられる。図４Ｂに示すように、金属膜６を除去した箇所において透明導電膜３の透明領域３０１が露出することになる。第２レジスト層７２で覆われている箇所の金属膜６は、第２レジスト層７２でエッチング液の浸入が阻止されるので実質的には除去されずに残る。この場合、第２レジスト層７２で覆われている金属膜６のサイドエッチは少ないことが好ましい。
【００７５】
次に工程Ｋ１について説明する。工程Ｋ１では、図４Ｃに示すように、残存している第２レジスト層７２を除去する。第２レジスト層７２の除去は、アルカリ水溶液又は溶剤を用いて行うことができる。第２レジスト層７２の除去後に露出する金属層６は、透明導電膜３の周辺領域３０２に形成されているので、周辺配線６０となり得る。
【００７６】
上記の工程Ａ１〜工程Ｋ１を経て、図４Ｃに示すような透明配線部材１を製造することができる。その後、図１３Ａに示すように透明配線部材１の透明導電膜３の側に粘着剤層１０でカバーガラス１１を貼り合わせることによって、図１４に示すようなタッチパネルが得られる。この場合、透明領域３０１は、入力操作領域となる。入力操作により透明領域３０１のある箇所で発生した電気信号は周辺配線６０を通じて外部に出力される。粘着剤層１０を形成するための粘着剤及びカバーガラス１１は特に限定されない。
【００７７】
次に本実施形態の透明配製部材１について説明する。本実施形態の透明配線部材１は、透明基材２と、透明導電膜３と、金属膜６とを備えている。透明配線部材１は、アンチブロッキング層１２を備えていても備えていなくてもよい。
【００７８】
図４Ｃに示すように、透明配線部材１において透明導電膜３は透明基材２の表面に形成されている。透明配線部材１がアンチブロッキング層１２を備える場合には、透明基材２の一方の面に透明導電膜３が配置され、他方の面にアンチブロッキング層１２が配置される。
【００７９】
図４Ｃに示すように、透明配線部材１において透明導電膜３は金属ナノワイヤー４を含有している。具体的には、透明導電膜３の導電部分３１が金属ナノワイヤー４を含有している。金属ナノワイヤー４は銀ナノワイヤーを含むことが好ましい。銀ナノワイヤーは導電率が高いので透明導電膜３の特に導電部分３１に高い導電性を付与することができる。導電部分３１の金属ナノワイヤー４は、透明導電膜３の表面において露出している。これにより透明導電膜３のシート抵抗（表面抵抗率）を減少させることができる。好ましくは導電部分３１の金属ナノワイヤー４は、透明導電膜３の表面から突出している。これにより透明導電膜３のシート抵抗（表面抵抗率）をさらに減少させることができる。一方、透明導電膜３の絶縁部分３２は実質的には金属ナノワイヤー４を含有していない。透明導電膜３の絶縁部分３２は、金属ナノワイヤー４がエッチングにより消失して形成された細孔９を有し得る。
【００８０】
図４Ｃに示すように、透明配線部材１において金属膜６は透明導電膜３の表面の一部に形成されている。具体的には金属膜６は、透明導電膜３の周辺領域３０２に形成されており、この金属膜６は周辺配線６０として利用することができる。金属膜６は銅膜を含むことが好ましい。銅膜は導電率が高いので周辺配線６０として好適である。透明配線部材１の製造時における選択エッチングの観点から、金属ナノワイヤー４は銀ナノワイヤーを含み、金属膜６は銅膜を含むことが好ましい。
【００８１】
図４Ｃに示すように、透明配線部材１において金属ナノワイヤー４の一部が金属膜６と接触している。具体的には、透明導電膜３の周辺領域３０２の金属ナノワイヤー４が、周辺配線６０となり得る金属膜６と接触している。
【００８２】
図１２Ｃに示す従来の透明配線部材１では、周辺配線６０と透明導電膜３との電気的な接続が不安定であるが、上述のようにこの原因は、図１２Ａ及び図１２Ｂに示す工程において、光硬化したレジスト層７０を除去する際に、透明導電膜３の表層部に存在する金属ナノワイヤー４が上記のレジスト層７０に引っ張られて切断されるためであると考えられる。
【００８３】
これに対して、本実施形態では、上記の工程Ａ１から工程Ｋ１に至るまで、透明導電膜３の導電部分３１（周辺領域３０２を含む）は、第１レジスト層７１及び第２レジスト層７２と接触することがない。すなわち、図２Ａに示すように、第１レジスト層７１を形成する前に透明導電膜３の表面に金属膜６を形成するようにしているので、第１レジスト層７１及び第２レジスト層７２を除去する際に、透明導電膜３の導電部分３１の表層部に存在する金属ナノワイヤー４が切断されることがなくなる。したがって、周辺配線３０２となり得る金属膜６と透明導電膜３との電気的な接続を安定させることができる。しかも透明導電膜３の透明領域３０１における導電部分３１の表層部に金属ナノワイヤー４が存在しているので、透明導電膜３のシート抵抗（表面抵抗率）を減少させることもできる。
【００８４】
さらに本実施形態では、金属膜６は薄く形成され、周辺配線６０となり得る。例えば、図１３Ａに示す本実施形態のタッチパネルにおいて、金属膜６で形成された周辺配線６０の厚さＴ１は好ましくは５０〜１０００ｎｍの範囲内であり、より好ましくは１００〜５００ｎｍの範囲内である。これに対して、図１３Ｃに示す従来のタッチパネルにおいて、導電性ペーストで形成された周辺配線６０の厚さＴ３は５〜１０μｍ程度である。このように、金属膜６で周辺配線６０を形成する場合の方が、導電性ペーストで周辺配線６０を形成する場合に比べて、周辺配線６０を含めた透明配線部材１の厚さを薄くすることができ、タッチパネルの厚さも薄くすることができる。
【００８５】
（実施形態２）
まず本実施形態の透明配線部材１の製造方法について説明する。本実施形態の透明配線部材１の製造方法は、フォトエッチング法（フォトリソグラフィ）を利用するものであり、以下の工程Ａ２〜工程Ｌ２を含む。これらの工程を経て、図７Ｃに示すような透明配線部材１が得られ、図１３Ｂ及び図１４に示すようなタッチパネルに利用することができる。各工程について順を追って説明する。
【００８６】
まず工程Ａ２及び工程Ｂ２について説明する。工程Ａ２及び工程Ｂ２は、それぞれ実施形態１の工程Ａ１及び工程Ｂ１と同じである。
【００８７】
工程Ａ２と工程Ｂ２との間に以下の工程Ａ２−２がさらに含まれていることが好ましい。工程Ａ２−２では、透明導電膜３の表面を親水化処理する。これにより透明導電膜３と金属膜６との密着性を向上させることができる。親水化処理として、例えば、プラズマ処理、コロナ処理が挙げられる。透明導電膜３の表層部に存在する金属ナノワイヤー４が消失しない程度であれば、具体的な処理条件は特に限定されない。
【００８８】
次に工程Ｃ２について説明する。工程Ｃ２では、図５Ａに示すように、金属膜６の表面に防錆処理を行って防錆膜８を形成する。防錆処理として、例えば、陽極酸化、クロメート処理が挙げられる。防錆膜８として、例えば、黒色酸化銅膜等の金属酸化膜が挙げられる。防錆膜８の形成は、金属膜６が酸化しやすいものほど有効である。金属膜６に防錆膜８を形成することで金属膜６を酸化しにくくして金属膜６の導電性の低下を抑制することができる。
【００８９】
次に工程Ｄ２について説明する。工程Ｄ２では、図５Ｂに示すように、防錆膜８の表面に第１レジスト層７１を形成する。第１レジスト層７１は、ネガティブレジスト、ポジティブレジストのいずれで形成してもよい。第１レジスト層７１は、ドライフィルム状のもの、液状のもののいずれで形成してもよい。第１レジスト層７１は、例えば、ドライフィルムを防錆膜８の表面に密着させたり、液状レジストを防錆膜８の表面に塗布して乾燥させたりして形成される。
【００９０】
次に工程Ｅ２について説明する。工程Ｅ２では、図５Ｃに示すように、第１レジスト層７１の一部を除去する。具体的には、マスクフィルムを用いて、図５Ｂに示す第１レジスト層７１を所定の配線パターン状に露光した後、現像液で現像することによって、図５Ｃに示すように第１レジスト層７１の一部を除去することができる。露光用の光源及び現像液として、実施形態１と同様のものが挙げられる。図５Ｃに示すように、第１レジスト層７１を除去した箇所において防錆膜８が露出することになる。
【００９１】
次に工程Ｆ２について説明する。工程Ｆ２では、図５Ｄに示すように、第１レジスト層７１を除去した箇所の金属膜６及び防錆膜８を除去する。具体的には、エッチング液を用いて、図５Ｃ及び図５Ｄに示すように、第１レジスト層７１で覆われていない箇所の金属膜６及び防錆膜８をエッチングにより除去する。使用するエッチング液は、金属膜６を構成する金属の種類及び防錆膜８の材質に応じて適宜選択される。エッチング液として、例えば、塩化第二鉄エッチング液が挙げられる。図５Ｄに示すように、金属膜６及び防錆膜８を除去した箇所において透明導電膜３が露出することになる。第１レジスト層７１で覆われている箇所の金属膜６及び防錆膜８は、第１レジスト層７１でエッチング液の浸入が阻止されるので実質的には除去されずに残る。この場合、防錆膜８を介して間接的に第１レジスト層７１で覆われている金属膜６のサイドエッチは少ないことが好ましい。
【００９２】
次に工程Ｇ２について説明する。工程Ｇ２では、図６Ａに示すように、残存している第１レジスト層７１を除去する。第１レジスト層７１の除去は、アルカリ水溶液又は溶剤を用いて行うことができる。なお、第１レジスト層７１の除去は、次の工程Ｈ２の後に行うようにしてもよい。
【００９３】
次に工程Ｈ２について説明する。工程Ｈ２では、図６Ｂに示すように、金属膜６及び防錆膜８を除去した箇所の透明導電膜３中の金属ナノワイヤー４を除去する。具体的には、エッチング液を用いて、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、金属膜６で覆われていない箇所の透明導電膜３中の金属ナノワイヤー４をエッチングにより除去する。このエッチングは、選択エッチングであることが好ましい。エッチング液は、金属ナノワイヤー４、防錆膜８、金属膜６に接触するので、金属ナノワイヤー４及び金属膜６を構成する金属は異なっていることが好ましい。基本的には使用するエッチング液は、金属ナノワイヤー４を構成する金属の種類に応じて適宜選択される。例えば、金属ナノワイヤー４が銀ナノワイヤーである場合には、エッチング液として硝酸第二鉄エッチング液を用いるとよい。好ましくはエッチング液は、金属ナノワイヤー４を選択的に除去し、金属膜６を実質的に除去しないものであることが好ましい。例えば、金属ナノワイヤー４が銀ナノワイヤーであり、金属膜６が銅膜である場合には、エッチング液として硝酸第二鉄エッチング液を用いるとよい。図６Ｂに示すように、透明導電膜３において金属ナノワイヤー４を除去した箇所は、電気的に絶縁された絶縁部分３２（非導電部分）となる。この絶縁部分３２において金属ナノワイヤー４が存在していた位置には細孔９が生じ得る。一方、金属膜６で覆われている箇所の透明導電膜３中の金属ナノワイヤー４は、金属膜６でエッチング液の浸入が阻止されるので除去されずに残る。これによりこの箇所は、導電性を有する導電部分３１となる。透明導電膜３は、透明領域３０１と周辺領域３０２とに分けられる。透明領域３０１は、所定の配線パターン状に形成された導電部分３１及び絶縁部分３２を含む。周辺領域３０２は、透明領域３０１の周辺に位置する領域であり、導電部分３１を含む。
【００９４】
次に工程Ｉ２について説明する。工程Ｉ２では、図６Ｃに示すように、残存している金属膜６及び防錆膜８の表面並びに金属膜６を除去した箇所の透明導電膜３の表面に第２レジスト層７２を形成する。第２レジスト層７２の材質は、第１レジスト層７１の材質と同じでも異なっていてもよい。すなわち、第２レジスト層７２は、ネガティブレジスト、ポジティブレジストのいずれで形成してもよい。第２レジスト層７２は、ドライフィルム状のもの、液状のもののいずれで形成してもよい。第２レジスト層７２は、残存している金属膜６及び防錆膜８の表面並びに金属膜６を除去した箇所の透明導電膜３の表面に、例えば、ドライフィルムを密着させたり、液状レジストを塗布して乾燥させたりして形成される。
【００９５】
次に工程Ｊ２について説明する。工程Ｊ２では、図７Ａに示すように、第２レジスト層７２の一部を除去する。この一部は、透明領域３０１と重なる部分であり、周辺領域３０２と重なる部分は除去しない。具体的には、第２レジスト層７２がネガティブレジストで形成されている場合には、図６Ｃに示す第２レジスト層７２の周辺領域３０２に光が照射されるようにマスクフィルムを用いて露光を行う。第２レジスト層７２がポジティブレジストで形成されている場合には、図６Ｃに示す第２レジスト層７２の透明領域３０１に光が照射されるようにマスクフィルムを用いて露光を行う。露光後、現像液で現像することによって、図７Ａに示すように第２レジスト層７２の透明領域３０１の部分を除去することができる。露光用の光源及び現像液として、上述と同様のものが挙げられる。図７Ａに示すように、第２レジスト層７２を除去した箇所において、透明導電膜３の絶縁部分３２と、防錆膜８が形成された金属膜６とが露出することになる。
【００９６】
次に工程Ｋ２について説明する。工程Ｋ２では、図７Ｂに示すように、第２レジスト層７２を除去した箇所の金属膜６及び防錆膜８を除去する。具体的には、エッチング液を用いて、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第２レジスト層７２で覆われていない箇所の金属膜６及び防錆膜８（つまり透明領域３０１内の金属膜６及び防錆膜８）をエッチングにより除去する。使用するエッチング液は、金属膜６を構成する金属の種類に応じて適宜選択される。例えば、金属膜６が銅膜である場合、エッチング液として、塩化第二鉄エッチング液、硫酸／過酸化水素系の銅エッチング液、塩酸／塩化第二銅系の銅エッチング液が挙げられる。防錆膜８は透明導電膜３に直接形成されておらず、金属膜６に形成されているので、金属膜６さえ除去すれば防錆膜８も除去されることになる。図７Ｂに示すように、金属膜６及び防錆膜８を除去した箇所において透明導電膜３の透明領域３０１が露出することになる。第２レジスト層７２で覆われている箇所の金属膜６及び防錆膜８は、第２レジスト層７２でエッチング液の浸入が阻止されるので実質的には除去されずに残る。この場合、防錆膜８を介して間接的に第２レジスト層７２で覆われている金属膜６のサイドエッチは少ないことが好ましい。
【００９７】
次に工程Ｌ２について説明する。工程Ｌ２では、図７Ｃに示すように、残存している第２レジスト層７２を除去する。第２レジスト層７２の除去は、アルカリ水溶液又は溶剤を用いて行うことができる。第２レジスト層７２の除去後に露出する防錆膜８で覆われた金属層６は、透明導電膜３の周辺領域３０２に形成されているので、周辺配線６０となり得る。
【００９８】
上記の工程Ａ２〜工程Ｌ２を経て、図７Ｃに示すような透明配線部材１を製造することができる。その後、図１３Ｂに示すように透明配線部材１の透明導電膜３の側に粘着剤層１０でカバーガラス１１を貼り合わせることによって、図１４に示すようなタッチパネルが得られる。この場合、透明領域３０１は、入力操作領域となる。入力操作により透明領域３０１のある箇所で発生した電気信号は周辺配線６０を通じて外部に出力される。粘着剤層１０を形成するための粘着剤及びカバーガラス１１は特に限定されない。
【００９９】
次に本実施形態の透明配線部材１について説明する。図７Ｃに示す本実施形態の透明配線部材１は、金属膜６の表面に防錆膜８が形成されている点では、図４Ｃに示す実施形態１の透明配線部材１と異なるが、その他の点では同じである。そのため、本実施形態の透明配線部材１も、実施形態１の透明配線部材１と同様の効果を奏する。さらに本実施形態の透明配線部材１では、周辺配線６０となり得る金属膜６の表面に防錆膜８が形成されているので、金属膜６が酸化されにくくなり、金属膜６の導電性の低下が抑制される。なお、図１３Ｂに示す本実施形態のタッチパネルにおいて、金属膜６で形成された周辺配線６０及び防錆膜８の合計厚さＴ２は好ましくは５０〜１０００ｎｍの範囲内であり、より好ましくは１００〜５００ｎｍの範囲内である。防錆膜８の厚さは好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲内であり、より好ましくは２０〜５０ｎｍの範囲内である。
【０１００】
（実施形態３）
まず本実施形態の透明配線部材１の製造方法について説明する。本実施形態の透明配線部材１の製造方法は、リフトオフ法及びフォトエッチング法（フォトリソグラフィ）を利用するものであり、以下の工程Ａ３〜工程Ｊ３を含む。これらの工程を経て、図１０Ｃに示すような透明配線部材１が得られ、図１３Ａ及び図１４に示すようなタッチパネルに利用することができる。各工程について順を追って説明する。
【０１０１】
まず工程Ａ３について説明する。工程Ａ３は、実施形態１の工程Ａ１と同じである。工程Ａ３を図８Ａに示す。
【０１０２】
次に工程Ｂ３について説明する。工程Ｂ３では、図８Ｂに示すように、透明導電膜３の表面に第１レジスト層７１を形成する。第１レジスト層７１は、ネガティブレジスト、ポジティブレジストのいずれで形成してもよいが、現像後に断面逆テーパー状（断面逆台形状）の第１レジスト層７１が形成されやすいという点ではネガティブレジストが好ましい。以下では第１レジスト層７１をネガティブレジストで形成する場合について説明するが、本実施形態はこの場合に限定されない。第１レジスト層７１には光吸収剤が含有されていることが好ましい。これにより現像後の第１レジスト層７１の断面形状がさらに逆テーパー状（逆台形状）となりやすい。光吸収剤は、露光時に照射される光を吸収する添加剤である。例えば、露光時に紫外線を照射する場合には、光吸収剤は紫外線吸収剤である。第１レジスト層７１は、ドライフィルム状のもの、液状のもののいずれで形成してもよい。第１レジスト層７１は、例えば、ドライフィルムを透明導電膜３の表面に密着させたり、液状レジストを透明導電膜３の表面に塗布して乾燥させたりして形成される。
【０１０３】
次に工程Ｃ３について説明する。工程Ｃ３では、図８Ｃに示すように、第１レジスト層７１の一部を除去する。具体的には、マスクフィルムを用いて、図８Ｂに示す第１レジスト層７１を所定の配線パターン状に露光した後、現像液で現像することによって、図８Ｃに示すように第１レジスト層７１の一部を除去することができる。露光時の光は、第１レジスト層７１を厚さ方向に透過して透明導電膜３に到達する。この場合、第１レジスト層７１の外表面では露光強度が高いが、透明導電膜３に近付くにつれて露光強度は低くなる。そのため、図８Ｃに示すように現像後には断面逆テーパー状（断面逆台形状）の第１レジスト層７１が残存することとなる。この第１レジスト層７１は光硬化しており、絶縁部分３２となる箇所に残存している。第１レジスト層７１に光吸収剤が含有されていれば、現像後の第１レジスト層７１の断面形状はさらに逆テーパー状（逆台形状）となりやすい。露光用の光源及び現像液として、実施形態１と同様のものが挙げられる。図８Ｃに示すように、第１レジスト層７１を除去した箇所において透明導電膜３が露出することになる。このとき除去される第１レジスト層７１は光硬化していないので、透明導電膜３の表層部に存在する金属ナノワイヤー４が上記の第１レジスト層７１によって切断されるおそれは実質的に無いに等しい。
【０１０４】
次に工程Ｄ３について説明する。工程Ｄ３では、図８Ｄに示すように、第１レジスト層７１を形成していない箇所の透明導電膜３の表面に金属膜６を形成する。このとき第１レジスト層７１に金属膜６が形成されてもよい。金属膜６の形成方法として、物理蒸着（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）、化学蒸着（ＣＶＤ:chemical vapor deposition）が挙げられる。物理蒸着として、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法が挙げられる。説明の都合上、図８Ｃにおいて、レジスト層７１を上側、アンチブロッキング層１２を下側として上下関係を規定すると、上記の方法で金属膜６を形成すると、金属膜６は、第１レジスト層７１の側面には実質的に形成されず、第１レジスト層７１と透明導電膜３との境界付近にも実質的に形成されない。金属膜６は、第１レジスト層７１と透明導電膜３との境界付近以外の露出している透明導電膜３と、第１レジスト層７１の上面とに形成される。金属膜６の材質は特に限定されないが、後述の選択エッチングの観点から、金属ナノワイヤー４を構成する金属とは異なる金属であることが好ましい。銅膜は導電率が高いので金属膜６は銅膜を含むことが好ましい。特に金属ナノワイヤー４が銀ナノワイヤーを含む場合に金属膜６が銅膜を含むことが好ましい。この場合、金属ナノワイヤー４及び金属膜６はいずれも導電率が高く、選択エッチングにも適している。金属膜６の厚さは好ましくは５０〜１０００ｎｍの範囲内であり、より好ましくは１００〜５００ｎｍの範囲内であるが、透明配線部材１の薄型化の観点では薄いほど好ましい。
【０１０５】
次に工程Ｅ３について説明する。工程Ｅ３では、図９Ａに示すように、残存している第１レジスト層７１を除去する。これにより、第１レジスト層７１の上面に形成されていた金属膜６も同時に除去される。第１レジスト層７１の除去は、アルカリ水溶液又は溶剤を用いて行うことができる。このとき除去される第１レジスト層７１は光硬化しているが、絶縁部分３２となる箇所に残存しているので、この箇所の表層部に存在する金属ナノワイヤー４が上記の第１レジスト層７１によって切断されても特に支障はない。
【０１０６】
次に工程Ｆ３について説明する。工程Ｆ３では、図９Ｂに示すように、第１レジスト層７１を除去した箇所の透明導電膜３中の金属ナノワイヤー４を除去する。具体的には、エッチング液を用いて、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、金属膜６で覆われていない箇所の透明導電膜３中の金属ナノワイヤー４をエッチングにより除去する。このエッチングは、選択エッチングであることが好ましい。エッチング液は、金属ナノワイヤー４、金属膜６に接触するので、金属ナノワイヤー４及び金属膜６を構成する金属は異なっていることが好ましい。基本的には使用するエッチング液は、金属ナノワイヤー４を構成する金属の種類に応じて適宜選択される。例えば、金属ナノワイヤー４が銀ナノワイヤーである場合には、エッチング液として硝酸第二鉄エッチング液を用いるとよい。好ましくはエッチング液は、金属ナノワイヤー４を選択的に除去し、金属膜６を実質的に除去しないものであることが好ましい。例えば、金属ナノワイヤー４が銀ナノワイヤーであり、金属膜６が銅膜である場合には、エッチング液として硝酸第二鉄エッチング液を用いるとよい。図９Ｂに示すように、透明導電膜３において金属ナノワイヤー４を除去した箇所は、電気的に絶縁された絶縁部分３２（非導電部分）となる。この絶縁部分３２において金属ナノワイヤー４が存在していた位置には細孔９が生じ得る。一方、金属膜６で覆われている箇所の透明導電膜３中の金属ナノワイヤー４は、金属膜６でエッチング液の浸入が阻止されるので除去されずに残る。これによりこの箇所は、導電性を有する導電部分３１となる。透明導電膜３は、透明領域３０１と周辺領域３０２とに分けられる。透明領域３０１は、所定の配線パターン状に形成された導電部分３１及び絶縁部分３２を含む。周辺領域３０２は、透明領域３０１の周辺に位置する領域であり、導電部分３１を含む。
【０１０７】
次に工程Ｇ３について説明する。工程Ｇ３では、図９Ｃに示すように、残存している金属膜６の表面及び第１レジスト層７１を除去した箇所の透明導電膜３の表面に第２レジスト層７２を形成する。第２レジスト層７２の材質は、第１レジスト層７１の材質と同じでも異なっていてもよい。すなわち、第２レジスト層７２は、ネガティブレジスト、ポジティブレジストのいずれで形成してもよい。第２レジスト層７２は、ドライフィルム状のもの、液状のもののいずれで形成してもよい。第２レジスト層７２は、残存している金属膜６の表面及び第１レジスト層７１を除去した箇所の透明導電膜３の表面に、例えば、ドライフィルムを密着させたり、液状レジストを塗布して乾燥させたりして形成される。
【０１０８】
次に工程Ｈ３〜工程Ｊ３について説明する。工程Ｈ３〜工程Ｊ３は、それぞれ実施形態１の工程Ｉ１〜工程Ｋ１と同じである。工程Ｈ３〜工程Ｊ３を図１０Ａ〜図１０Ｃに示す。
【０１０９】
上記の工程Ａ３〜工程Ｊ３を経て、図１０Ｃに示すような透明配線部材１を製造することができる。その後、実施形態１と同様にして、図１３Ａに示すように透明配線部材１の透明導電膜３の側に粘着剤層１０でカバーガラス１１を貼り合わせることによって、図１４に示すようなタッチパネルが得られる。実施形態１、２では、金属膜６及び金属ナノワイヤー４を除去するに際して合計２回のエッチングを行っている。これに対して、本実施形態では、金属ナノワイヤー４を除去するに際して１回のエッチングを行えばよい。したがって、本実施形態は、実施形態１、２に比べてエッチング回数を少なくすることができるという利点がある。
【０１１０】
次に本実施形態の透明配線部材１について説明する。図１０Ｃに示す本実施形態の透明配線部材１は、図４Ｃに示す実施形態１の透明配線部材１とほぼ同じである。そのため、本実施形態の透明配線部材１も、実施形態１の透明配線部材１とほぼ同様の効果を奏する。
【０１１１】
特に図８Ｃに示す工程Ｃ３では、除去される第１レジスト層７１は光硬化していないので、透明導電膜３の導電部分３１となる箇所の表層部に存在する金属ナノワイヤー４が上記の第１レジスト層７１によって切断されるおそれは実質的に無いに等しい。したがって、周辺配線３０２となり得る金属膜６と透明導電膜３との電気的な接続を安定させることができる。なお、図９Ａに示す工程Ｅ３では、除去される第１レジスト層７１は光硬化しているが、絶縁部分３２となる箇所に残存しているので、この箇所の表層部に存在する金属ナノワイヤー４が上記の第１レジスト層７１によって切断されても特に支障はない。
【符号の説明】
【０１１２】
１  透明配線部材
２  透明基材
３  透明導電膜
４  金属ナノワイヤー
５  透明導電体
６  金属膜
７１  第１レジスト層
７２  第２レジスト層
８  防錆膜
【図１】
2016197554.tif 000003
【図２】
2016197554.tif 000004
【図３】
2016197554.tif 000005
【図４】
2016197554.tif 000006
【図５】
2016197554.tif 000007
【図６】
2016197554.tif 000008
【図７】
2016197554.tif 000009
【図８】
2016197554.tif 000010
【図９】
2016197554.tif 000011
【図１０】
2016197554.tif 000012
【図１１】
2016197554.tif 000013
【図１２】
2016197554.tif 000014
【図１３】
2016197554.tif 000015
【図１４】
2016197554.tif 000016