(57)【要約】【課題】高い封止性の確保により長寿命であるとともに、視野角色度・輝度性能などの発光性能が高い有機表示デバイスと有機表示装置を提供する。【解決手段】表示パネルは、トップエミッション型のパネルであって、Ｚ軸方向下側から、ＴＦＴ基板１００、アノード１０２、有機発光層１０７、カソード１０９、および封止層１１０を備える。封止層１１０は、カソード１０９側から、封止第１要素層１１０１、封止第２要素層１１０２、封止第３要素層１１０３が積層されてなる。封止第１要素層１１０１および封止第３要素層１１０３は、ＡｌＯｘからなり、ＡＬＤ法により形成されている。封止第２要素層１１０２は、ＳｉＮからなる。封止第１要素層１１０１と封止第３要素層１１０３との合計厚み（ｔ1101＋ｔ1103）は、８ｎｍ以上であり、封止第２要素層１１０２の厚みｔ1102は、６００ｎｍ以上である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置され、有機発光層を含む機能層と、
前記機能層上に配置された第２電極と、
前記第２電極上に配置された封止層と、
を備え、
前記有機発光層から出射された光は、前記封止層を透過して取り出され、
前記封止層は、酸化アルミニウムからなり原子層堆積法を用い形成されてなる第１層と、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる第２層とを有し、
前記封止層における前記第２層の厚みは、６００ｎｍ以上であり、
前記封止層における前記第１層の厚みは、８ｎｍ以上である
ことを特徴とする有機表示デバイス。
【請求項２】
前記封止層における前記第１層の厚みは、２０ｎｍ以上である
請求項１記載の有機表示デバイス。
【請求項３】
前記封止層における前記第１層は、前記第２層よりも前記第２電極の側に配されている
請求項１または請求項２記載の有機表示デバイス。
【請求項４】
前記第２電極は、酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛からなり、前記第１層に接しており、
前記封止層において、前記第１層と前記第２層とが接している
請求項３記載の有機表示デバイス。
【請求項５】
前記封止層における前記第１層は、前記第２層よりも前記第２電極の側に配された第１要素層と、前記第２層を挟んで前記第１要素層とは反対側に配された第３要素層と、を有し、
前記第１層の厚みは、前記第１要素層と前記第３要素層との合計厚みである
請求項１または請求項２記載の有機表示デバイス。
【請求項６】
前記第２電極は、酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛からなり、前記第１要素層に接しており、
前記封止層において、前記第１要素層と前記第２層とが接するとともに、前記第２層と前記第３要素層とが接している
請求項５記載の有機表示デバイス。
【請求項７】
前記封止層における前記第２層の厚みは、６３５ｎｍ以上７４０ｎｍ以下、または７６０ｎｍ以上である
請求項１から請求項６の何れか記載の有機表示デバイス。
【請求項８】
前記封止層における前記第２層の厚みは、６４５ｎｍ以上７００ｎｍ以下、または７９０ｎｍ以上８８０ｎｍ以下、または８９０ｎｍ以上１０９０ｎｍ以下、または１１０５ｎｍ以上である
請求項１から請求項６の何れか記載の有機表示デバイス。
【請求項９】
前記封止層における前記第２層の厚みは、１０００ｎｍ以下である
請求項１から請求項８の何れか記載の有機表示デバイス。
【請求項１０】
前記第１電極は、前記機能層側の面部が光反射面部である
請求項１から請求項９の何れか記載の有機表示デバイス。
【請求項１１】
表示パネルと、
前記表示パネルに接続された制御駆動回路と、
を備え、
前記表示パネルとして、請求項１から請求項１１の何れかのデバイス構造が採用されている
ことを特徴とする有機表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機表示デバイスと有機表示装置に関し、特に、トップエミッション型のデバイスにおいて、有機機能層に対する水分や酸素の侵入を抑制するために設けられる封止層の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）パネル等の有機表示デバイスの開発が盛んに行われている。従来技術に係る有機ＥＬパネルの構成について、図１２（ａ）を用い説明する。
図１２（ａ）に示すように、従来技術に係る有機ＥＬパネルは、ＴＦＴ基板９００の主面（Ｚ軸方向上側の主面）上に絶縁層９０１が形成されている。そして、絶縁層９０１上には、発光部であるサブピクセル単位でアノード９０２およびホール注入層９０３が順に積層されている。
【０００３】
絶縁層９０１上であって、Ｘ軸方向におけるホール注入層９０３のエッジを含む部分には、バンク９０４が形成されている。そして、バンク９０４の囲繞により構成された凹部内には、ホール輸送層９０６、有機発光層９０７、電子輸送層９０８などの有機機能層が順に積層形成されている。そして、電子輸送層９０８上、およびバンク９０４の頂面部を覆うように、カソード９０９および封止層９１０が順に積層形成されている。
【０００４】
図１２（ａ）に示す有機ＥＬパネルは、所謂、トップエミッション型の表示パネルであって、矢印で示すように、封止層９１０を透過してＺ軸方向上向きに光が取り出される。
また、従来技術に係る有機ＥＬパネルとして、図１２（ｂ）に示すように、封止層９１０を複数層の積層構造とするものが提案されている（特許文献１）。具体的には、封止層９１０を、カソード９０９の側から順に、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる第１要素層９１０１、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第２要素層９１０２、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる第３要素層９１０３、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる第４要素層９１０４とが積層された構成となっている。
【０００５】
このような積層構造からなる封止層９１０を採用することにより、有機機能層への水分や酸素などの侵入を効果的に抑制することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−２３５９７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記有機ＥＬパネルをはじめとする有機表示デバイスでは、視野角色度・輝度性能などの発光性能の向上が求められている。そのような中で、図１２（ａ）に示すように、トップエミッション型の有機表示デバイスでは、光の出射経路中に封止層９１０が介挿された構造になるのであるが、封止層との関係での視野角色度・輝度性能などの発光性能については未だ開発途上である。
【０００８】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであって、高い封止性の確保により長寿命であるとともに、視野角色度・輝度性能などの発光性能が高い有機表示デバイスと有機表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る有機表示デバイスは、基板、第１電極、機能層、第２電極、および封止層を備える。
第１電極は、基板の上方に配置されている。
機能層は、第１電極上に配置され、構成中に有機発光層を含んでいる。
第２電極は、機能層上に配置されている。
【００１０】
封止層は、第２電極上に配置されている。
そして、本態様に係る有機表示デバイスは、有機発光層から出射された光が封止層を透過して取り出される、所謂、トップエミッション型の表示デバイスである。
本態様に係る有機表示デバイスでは、封止層が、第１層と第２層とを有する。
第１層は、酸化アルミニウムからなり、原子層堆積（ＡＬＤ；Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用い形成されてなる層である。
【００１１】
第２層は、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる。
本態様に係る有機表示デバイスでは、封止層における第２層の厚みが６００ｎｍ以上であり、第１層の厚みが８ｎｍ以上である。
【発明の効果】
【００１２】
上記態様に係る有機表示デバイスでは、封止層における第１層の厚みが８ｎｍ以上であり、第２層の厚みが６００ｎｍ以上であるので、高い封止性を有する。よって、有機発光層をはじめとする機能層への水分や酸素の侵入を効果的に抑制することができ、長寿命である。なお、封止層にＡＬＤ法を用い形成されてなる第１層を含むので、水素などによる機能層の劣化も抑制される。
【００１３】
また、上記態様に係る有機表示デバイスでは、封止層における第２層（窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる層）の厚みを６００ｎｍ以上としているので、視野角０°〜６０°での最大色度変化量を低く抑えることができる。よって、視野角色度・輝度性能などの発光性能が高い。
以上より、上記態様に係る有機表示デバイスでは、高い封止性の確保により長寿命であるとともに、視野角色度・輝度性能などの発光性能が高い。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。
【図２】（ａ）は、表示パネル１０におけるサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃの配置形態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、表示パネル１０における第１バンク１０４および第２バンク１０５の配置形態を示す模式平面図である。
【図３】（ａ）は、図２のＡ−Ａ断面での構成を示す模式断面図であり、（ｂ）は、表示パネル１０の一部構成を抜き出して示す模式断面図である。
【図４】（ａ）は、表示パネル１０の製造過程を示す模式図であり、（ｂ）は、封止層１１０の製造過程を示す模式図である。
【図５】封止層１１０における構成層（ＳｉＮ膜、ＡｌＯｘ膜）の膜厚と封止性との関係を示す特性図である。
【図６】（ａ）は、表示パネル１０におけるＳｉＮ膜厚と視野角輝度性能との関係のシミュレーション結果を示す図であり、（ｂ）は、ＳｉＮ膜厚と視野角色度性能との関係のシミュレーション結果を示す図である。
【図７】図６（ｂ）に示すシミュレーション結果の一部を抜き出した図である。
【図８】図６（ｂ）に示すシミュレーション結果の一部を抜き出した図である。
【図９】（ａ）は、実施例１に係るデバイス構造を示す模式断面図であり、（ｂ）は、実施例２に係るデバイス構造を示す模式断面図であり、（ｃ）は、実施例３に係るデバイス構造を示す模式断面図であり、（ｄ）は、比較例に係るデバイス構造を示す模式断面図である。
【図１０】実施例１，２，３および比較例の各デバイスにおけるＳｉＮ膜厚と△ｕ’ｖ’ｍａｘ０−６０°との関係のシミュレーション結果を示す図である。
【図１１】変形例に係る表示パネル３０におけるバンク３０４の構成を示す模式斜視断面図である。
【図１２】（ａ）は、従来技術に係る表示パネルの構成を示す模式断面図であり、（ｂ）は、他の従来技術に係る表示パネルの構成を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［本発明の概略態様］
本発明の一態様に係る有機表示デバイスは、基板、第１電極、機能層、第２電極、および封止層を備える。
第１電極は、基板の上方に配置されている。
機能層は、第１電極上に配置され、構成中に有機発光層を含んでいる。
【００１６】
第２電極は、機能層上に配置されている。
封止層は、第２電極上に配置されている。
そして、本態様に係る有機表示デバイスは、有機発光層から出射された光が封止層を透過して取り出される、所謂、トップエミッション型の表示デバイスである。
本態様に係る有機表示デバイスでは、封止層が、第１層と第２層とを有する。
【００１７】
第１層は、酸化アルミニウムからなる。
第２層は、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる。
本態様に係る有機表示デバイスでは、封止層における第２層の厚みが６００ｎｍ以上であり、第１層の厚みが８ｎｍ以上である。
上記態様に係る有機表示デバイスでは、封止層における第１層の厚みが８ｎｍ以上であり、第２層の厚みが６００ｎｍ以上であるので、高い封止性を有する。よって、有機発光層をはじめとする機能層への水分や酸素の侵入を効果的に抑制することができ、長寿命である。なお、封止層にＡＬＤ法を用い形成されてなる第１層を含むので、水素などによる機能層の劣化も抑制される。
【００１８】
また、上記態様に係る有機表示デバイスでは、封止層における第２層（窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる層）の厚みを６００ｎｍ以上としているので、視野角０°〜６０°での最大色度変化量を低く抑えることができる。よって、視野角色度・輝度性能などの発光性能が高い。具体的には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（Ｗ）の各色での正面色度ｕ’ｖ’に対する視野角０°〜６０°での最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘを略０．０２５以下に抑えることができ、高い発光性能を得ることができる。これについては、後述する。
【００１９】
以上より、上記態様に係る有機表示デバイスでは、高い封止性の確保により長寿命であるとともに、視野角色度・輝度性能などの発光性能が高い。
なお、本明細書および特許請求の範囲においては、「上方」とは、直接接した状態での「上」だけを意味するものではなく、互いの間に間隔をあけた「上」も含むものである。
別態様に係る有機表示デバイスでは、上記構成において、封止層における第１層の厚みが２０ｎｍ以上である。このように第１層の厚みを２０ｎｍ以上とすることにより、製造時におけるマージンを確保することができる。よって、より確実に高い封止性を確保することができる。
【００２０】
また、別態様に係る有機表示デバイスでは、上記構成において、封止層における第１層が、第２層よりも第２電極の側に配されている。このように酸化アルミニウムからなる第１層を、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる第２層よりも第２電極側に配することにより、第２層からの水素（Ｈ）などが機能層における各有機層へと浸透するのを抑制することができる。
【００２１】
また、別態様に係る有機表示デバイスでは、上記構成において、第２電極が、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）からなり、第１層に接しており、封止層において、第１層と第２層とが接している。このような構成を採用することにより、封止性を確保しながら、高い発光性能を確保することができる。
また、別態様に係る有機表示デバイスでは、上記構成において、封止層における第１層が、第２層よりも第２電極の側に配された第１要素層と、第２層を挟んで第１要素層とは反対側に配された第３要素層と、を有し、第１層の厚みが、第１要素層と第３要素層との合計厚みである。第１要素層を第２層よりも第２電極の側に配することにより、上述同様に、第２層からの水素（Ｈ）などが機能層における各有機層へと浸透するのを抑制することができる。
【００２２】
また、第３要素層を、第２層を挟んで第１要素層とは反対側、即ち、光取出し側へ配することにより、仮に異物などが存在しても、第２層での高い封止性を確保することができる。そして、第１層の厚みとして、第１要素層の厚みと第３要素層の厚みとの合計厚みとすることで、上述同様に、高い封止性を確保することができる。
また、別態様に係る有機表示デバイスでは、上記構成において、第２電極が、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）からなり、第１要素層に接しており、封止層において、第１要素層と第２層とが接するとともに、第２層と第３要素層とが接している。このような構成を採用する場合にも、封止性を確保しながら、高い発光性能を確保することができる。
【００２３】
また、別態様に係る有機表示デバイスでは、上記構成において、封止層における第２層の厚みが、６３５ｎｍ以上７４０ｎｍ以下、または７６０ｎｍ以上である。このように第２層の厚みを規定することにより、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（Ｗ）の各色での正面色度ｕ’ｖ’に対する視野角０°〜６０°での最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘを略０．０２０以下に抑えることができ、高い発光性能を得ることができる。これについても、後述する。
【００２４】
また、別態様に係る有機表示デバイスでは、上記構成において、封止層における第２層の厚みが、６４５ｎｍ以上７００ｎｍ以下、または７９０ｎｍ以上８８０ｎｍ以下、または８９０ｎｍ以上１０９０ｎｍ以下、または１１０５ｎｍ以上である。このように第２層の厚みを規定することにより、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（Ｗ）の各色での正面色度ｕ’ｖ’に対する視野角０°〜６０°での最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘを略０．０１５以下に抑えることができ、高い発光性能を得ることができる。これについても、後述する。
【００２５】
また、別態様に係る有機表示デバイスでは、上記構成において、封止層における第２層の厚みが、１０００ｎｍ以下である。第２層の厚みについては、光学的観点からは１０００ｎｍよりも厚くても構わない（例えば、２０００ｎｍあるいは３０００ｎｍ）。
しかし、製造に係る工数低減という観点からは、１０００ｎｍ以下とすることが望ましい。第２層の厚みを１０００ｎｍ以下としても、上記のような数値条件を充足すれば発光性能を高くすることが可能となる。
【００２６】
また、別態様に係る有機表示デバイスでは、上記構成において、第１電極が、機能層側の面部が光反射面部である。このように、第１電極の機能層側の面部を光反射面部とすることにより、有機発光層から基板側へと出射された光についても、第１電極で反射されて封止層側から取り出される。これより、光取出し効率の向上という観点から望ましい。
本発明の一態様に係る有機表示装置は、表示パネルと、表示パネルに接続された制御駆動回路と、を備える。そして、本態様に係る有機表示装置では、表示パネルとして、上記の各態様に係る有機表示デバイスのうちの何れかのデバイス構造が採用されている。これより、上記同様の効果を得ることができる。
【００２７】
［実施の形態］
以下では、図面を参酌しながら実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について説明する。
１．概略構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成について、図１および図２（ａ）を用い説明する。
【００２８】
図１に示すように、有機表示装置としての本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動・制御回路部２０とを備えている。表示パネル１０は、有機表示デバイスの一種であって、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルである。
図２（ａ）に示すように、表示パネル１０においては、複数のサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃがＸ軸方向およびＹ軸方向で構成される面方向に二次元配置されている。本実施の形態では、一例として、サブピクセル１０ａが赤色光（Ｒ）を出射する発光部であり、サブピクセル１０ｂが緑色光（Ｇ）を出射する発光部であり、サブピクセル１０ｃが青色光（Ｂ）を出射する発光部である。そして、Ｘ軸方向に隣接する３つのサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃの組み合わせを以って１つのピクセル（画素部）が構成されている。
【００２９】
図１に戻って、有機ＥＬ表示装置１における駆動・制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と１つの制御回路２５とから構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置１における表示パネル１０と駆動・制御回路部２０との配置関係については、図１に示す形態に限定されない。
また、ピクセル（画素部）の構成については、図２（ａ）に示すような３つのサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃの組み合わせからなる形態に限定されず、４つ以上のサブピクセルの組み合わせを以って１つのピクセルが構成されることとしてもよい。
【００３０】
２．表示パネル１０の構成
表示パネル１０の構成について、図２（ｂ）および図３（ａ）を用い説明する。なお、図３（ａ）は、図２（ａ）におけるＡ−Ａ断面を示す。なお、図３（ａ）などにおいては、光取出し側に配されるカラーフィルタ層などの図示を省略している。
図３（ａ）に示すように、表示パネル１０は、ＴＦＴ基板１００をベースにして、その上に複数の層が積層された構成を有する。
【００３１】
ＴＦＴ基板１００上には、絶縁層１０１を介してアノード１０２およびホール注入層１０３がＺ軸方向下側から順に積層形成されている。アノード１０２は、サブピクセル１０ａ単位で設けられている。また、本実施の形態では、ホール注入層１０３についてもサブピクセル１０ａ単位で区切られた構成としている。
次に、絶縁層１０１上およびホール注入層１０３のＸ軸方向両縁上を覆うように、第１バンク１０４が形成されている。第１バンク１０４は、Ｘ軸方向において、サブピクセル１０ａを規定する。図２（ｂ）に示すように、表示パネル１０においては、それぞれがＹ軸方向に延伸し、Ｘ軸方向に互いに間隔をあけて配置された複数条の第１バンク１０４を備える。また、図２（ｂ）に示すように、それぞれがＸ軸方向に延伸し、Ｙ軸方向に互いに間隔をあけて配置された複数条の第２バンク１０５も備える。表示パネル１０においては、隣り合う一対の第１バンク１０４と、隣り合う一対の第２バンク１０５とで規定された各領域１１１ａ〜１１１ｃが、サブピクセル相当領域となる。
【００３２】
図３（ａ）に戻って、隣り合う２条の第１バンク１０４によりＸ軸方向の両側が規定された開口（溝）内には、Ｚ軸方向下側から順に、ホール輸送層１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８が積層形成されている。本実施の形態では、これら３層１０６〜１０８により機能層（機能積層体）が構成されている。
電子輸送層１０８上および第１バンク１０４の頂面上を覆うように、Ｚ軸方向下側から順に、カソード１０９および封止層１１０が積層形成されている。
【００３３】
図３（ａ）に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、封止層１１０が、カソード１０９の側（Ｚ軸方向下側）から順に積層された、封止第１要素層１１０１、封止第２要素層１１０２、封止第３要素層１１０３〜構成されている。
封止第１要素層１１０１および封止第３要素層１１０３は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなり、ともに原子層堆積（ＡＬＤ；Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用い形成された層である。
【００３４】
これに対して、封止第２要素層１１０２は、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなり、スパッタリング法あるいは化学気相堆積（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用い形成されている。
なお、図３（ａ）などでは図示を省略しているが、封止層１１０上には、樹脂接合層を介してカラーフィルタパネルが配置されている。カラーフィルタパネルは、基板のＺ軸方向下側主面にカラーフィルタ層およびブラックマトリクス層が形成されてなるパネルである。そして、封止層１１０と樹脂接合層との間、および樹脂接合層とカラーフィルタパネルとの間は、隙間なく密に接している。
【００３５】
本実施の形態に係る表示パネル１０は、トップエミッション型の表示パネルであり、Ｚ軸方向上方に向けて光が取り出される。
なお、表示パネル１０においては、他のサブピクセル１０ｂ，１０ｃについても同様の構成を有する。
３．表示パネル１０の各構成材料
（１）ＴＦＴ基板１００
ＴＦＴ基板１００は、基板と、当該基板のＺ軸方向上面に形成されたＴＦＴ層とから構成されている。ＴＦＴ層については、図示を省略しているが、ゲート、ソース、ドレインの３電極と、半導体層、パッシベーション膜などを含み構成されている。なお、ＴＦＴ層は、各サブピクセル１０ａ〜１０ｃ毎に１または複数のトランジスタ素子部を備えている。
【００３６】
ＴＦＴ基板１００のベースとなる基板は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００３７】
（２）絶縁層１０１
絶縁層１０１は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。ここで、絶縁層１０１は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
また、絶縁層１０１は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理等が施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形や変質などを生じない高い耐性を有する材料を用い形成されることが望ましい。
【００３８】
（３）アノード１０２
アノード１０２は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
なお、アノード１０２については、上記のような金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体を採用することもできる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
【００３９】
（４）ホール注入層１０３
ホール注入層１０３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
【００４０】
なお、ホール注入層１０３の構成材料として金属酸化物を用いる場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０７に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
ここで、ホール注入層１０３を遷移金属酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯX）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
【００４１】
（５）第１バンク１０４
第１バンク１０４は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。第１バンク１０４の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。第１バンク１０４は、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
【００４２】
さらに、第１バンク１０４の構造については、図３に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
（６）第２バンク１０５
第２バンク１０５は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料や、有機絶縁材料などを用い形成することができる。
【００４３】
なお、有機絶縁材料の具体例としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。
（７）ホール輸送層１０６
ホール輸送層１０６は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
【００４４】
（８）有機発光層１０７
有機発光層１０７は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０７の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００４５】
（９）電子輸送層１０８
電子輸送層１０８は、カソード１０９から注入された電子を有機発光層１０７へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（１０）カソード１０９
カソード１０９は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【００４６】
（１１）封止層１１０
封止層１１０は、有機発光層１０６などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有する。そして、封止層１１０を構成する封止第１要素層１１０１、封止第２要素層１１０２、封止第３要素層１１０３は、次のような材料から構成されている。
【００４７】
（ｉ）封止第１要素層１１０１および封止第３要素層１１０３
封止第１要素層１１０１および封止第３要素層１１０３は、ともに酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる。そして、製造方法については、後述するが、本実施の形態では、少なくとも封止第１要素層１１０１がＡＬＤ法を用い形成されている。
（ｉｉ）封止第２要素層１１０２
封止第２要素層１１０２は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成される。
【００４８】
なお、トップエミッション型の表示パネル１０においては、封止層１１０は、全体として光透過性を有することが必要となる。
（１２）その他
図示を省略しているが、カラーフィルタパネルおよび樹脂接合層については、次のような構成材料を用い形成することができる。
【００４９】
（ｉ）カラーフィルタパネル
カラーフィルタパネルのベースとなる基板は、ＴＦＴ基板１００の基板と同様に、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。
【００５０】
カラーフィルタ層としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する、公知の材料から構成される。各カラーフィルタ層は、例えば、アクリル系樹脂をベースに形成されている。
ブラックマトリクス層は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂から形成されている。具体的な紫外線硬化樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂が挙げられる。
【００５１】
４．封止層１１０の構成
本実施の形態に係る表示パネル１０での封止層１１０の構成について、図３（ｂ）を用い説明する。
図３（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る封止層１１０は、ＳｉＮからなる封止第２要素層１１０２が、ともにＡｌＯｘからなる封止第１要素層１１０１および封止第３要素層１１０３によりＺ軸方向に挟まれた構成となっている。そして、封止第１要素層１１０１は、カソード１０９と下面で接している。
【００５２】
本実施の形態において、封止第１要素層１１０１、封止第２要素層１１０２、および封止第３要素層１１０３の各厚みｔ1101、ｔ1102，ｔ1103は、次のような関係を充足する。
［数１］ｔ1101＋ｔ1103≧８ｎｍ
［数２］ｔ1102≧６００ｎｍ
なお、封止第１要素層１１０１の厚みｔ1101と封止第３要素層１１０３の厚みｔ1103との合計については、プロセスマージンを考慮して、次の関係を充足することが望ましい。
【００５３】
［数３］ｔ1101＋ｔ1103≧２０ｎｍ
また、封止第２要素層１１０２の厚みについての上限は特にないが、プロセスの観点から、次のように規定することもできる。
［数４］ｔ1102≦１０００ｎｍ
さらに、封止層１１０の合計厚みｔ110については、封止第１要素層１１０１、封止第２要素層１１０２、および封止第３要素層１１０３の構成材料として上記のような材料を用いることとする場合、特に上限を設けなくても光透過性を阻害することにはなり難いものと考えられる。
【００５４】
５．効果
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、表示パネル１０の封止層１１０における封止第１要素層１１０１と封止第３要素層１１０３との合計厚み（ｔ1101＋ｔ1103）が８ｎｍ以上であり、封止第２要素層１１０２の厚みｔ1102が６００ｎｍ以上であるので、高い封止性を有する。よって、ホール輸送層１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８などの有機機能層への水分や酸素の侵入を効果的に抑制することができ、長寿命である。
【００５５】
また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置1では、封止層１１０における封止第２要素層１１０２の厚みｔ1102を６００ｎｍ以上としているので、視野角０°〜６０°での最大色度変化量を低く抑えることができる。よって、視野角色度・輝度性能などの発光性能が高い。具体的には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（Ｗ）の各色での正面色度ｕ’ｖ’に対する視野角０°〜６０°での最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘを略０．０２５以下に抑えることができ、高い発光性能を得ることができる。
【００５６】
また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置1では、ＡＬＤ法を用い形成されてなる封止第１要素層１１０１を封止第２要素層１１０２よりもカソード１０９の側（Ｚ軸方向下側）に配することにより、封止第２要素層１１０２からの水素（Ｈ）などが有機機能層（特に、電子輸送層１０８）へと浸透するのを抑制することができる。また、ＡｌＯｘからなる封止第３要素層１１０３を、封止第２要素層１１０２のＺ軸方向上側（光取出し側）へ配することにより、仮に異物などが存在しても、封止第２要素層１１０２での高い封止性を確保することができる。
【００５７】
以上より、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、高い封止性の確保により長寿命であるとともに、視野角色度・輝度性能などの発光性能が高い。
６．表示パネル１０の製造方法
本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法について、その概要について図４を用い説明する。
【００５８】
図４（ａ）に示すように、表示パネル１０の製造においては、先ず、ＴＦＴ基板１００を準備する（ステップＳ１）。なお、ＴＦＴ基板１００は、ベースとなる基板のＺ軸方向上面にＴＦＴ層を形成したものであり、公知の技術で作製される。
次に、ＴＦＴ基板１００上に絶縁層１０１を積層形成する（ステップＳ２）。絶縁層１０１の形成は、例えば、ＴＦＴ基板１００におけるＴＦＴ層のパッシベーション膜上に対して有機材料を塗布し、その表面を平坦化して固化した後、ＴＦＴ層におけるソースまたはドレインとアノード１０２との接続のためのコンタクト孔をあけることによりなされる。
【００５９】
次に、絶縁層１０１上に対して、アノード１０２およびホール注入層１０３を順に積層形成する（ステップＳ３、Ｓ４）。アノード１０２の形成は、例えば、スパッタリング法若しくは真空蒸着法を用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いてパターニングすることでなされる。
ホール注入層１０３の形成は、例えば、スパッタリング法を用いて酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて各サブピクセル１０ａ〜１０ｃ単位にパターニングすることでなされる。
【００６０】
次に、第２バンク１０５の形成を行う（ステップＳ５）。第２バンク１０５の形成は、例えば、スピンコート法などを用いて第２バンク１０５の構成用材料（例えば、感光性のアクリル系樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、この樹脂膜を露光・現像によりパターニングすることによりなされる。
同様にして、第１バンク１０４の形成を行う（ステップＳ６）。第１バンク１０４の形成は、例えば、スピンコート法などを用いて第２バンク１０５を含むＴＦＴ基板１００の上方全体を覆うように、第１バンク１０４の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる積層形成する。そして、上記同様に、形成した樹脂膜を露光・現像によりパターニングすることによりなされる。
【００６１】
次に、形成した第１バンク１０４および第２バンク１０５に対して、ＵＶ（紫外線）照射処理およびベーク処理を行う。ＵＶ照射処理は、例えば、１５０〜２００ｓｅｃ．行い、ベーク処理は、例えば、１５０〜２３０℃の温度で１０〜２０ｍｉｎ．行う。
次に、隣り合う２条の第１バンク１０４で規定された溝部分に対し、ホール輸送層１０６を形成する（ステップＳ７）。ホール輸送層１０６の形成は、例えば、印刷法を用い、ホール輸送層１０６の構成用材料を含むインクを隣り合う２条の第１バンク１０４で規定された溝部分に塗布した後、焼成することでなされる。
【００６２】
同様に、隣り合う２条の第１バンク１０４で規定された溝部分に対し、有機発光層１０７および電子輸送層１０８を順に積層形成する（ステップＳ８，Ｓ９）。有機発光層１０７および電子輸送層１０８の形成についても、上記同様に、各構成材料を含むインクを塗布した後、焼成することでなされる。
次に、電子輸送層１０８および第１バンク１０４の頂面部を被覆するように、カソード１０９および封止層１１０を順に積層形成する（ステップＳ１０，Ｓ１１）。カソード１０９の形成は、例えば、スパッタリング法を用いなされる。
【００６３】
図４（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る封止層１１０の形成は、ＡｌＯｘ層（封止第１要素層１１０１）の形成サブステップ（Ｓ１１１）、ＳｉＮ層（封止第２要素層１１０２）の形成サブステップ（Ｓ１１２）、およびＡｌＯｘ層（封止第３要素層１１０３）の形成サブステップ（Ｓ１１３）の３つのサブステップを経ることによりなされる。
ここで、ＡｌＯｘ層である封止第１要素層１１０１および封止第３要素層１１０３の形成は、ＡＬＤ法を用いてなされる。ＡＬＤ法を用いたＡｌＯｘの形成については、上記特許文献１に開示されているので、ここでの詳細な説明を省略する。
【００６４】
一方、ＳｉＮ層である封止第２要素層１１０２の形成は、ＣＶＤ法を用いなされる。
この後、図示を省略しているが、樹脂接合層を挟んでカラーフィルタパネルを貼り合わせることにより、表示パネル１０が完成する。
７．封止層１１０におけるＡｌＯｘ層（封止第１要素層１１０１、封止第３要素層１１０３）およびＳｉＮ層（封止第２要素層１１０２）の厚みｔ1101、ｔ1102、ｔ1103と封止性能
封止層１１０におけるＡｌＯｘ層（封止第１要素層１１０１、封止第３要素層１１０３）およびＳｉＮ層（封止第２要素層１１０２）の厚みｔ1101、ｔ1102、ｔ1103と封止性能との関係について、図５を用い説明する。なお、図５における「ＡｌＯｘ膜厚」とは、封止層１１０におけるＡｌＯｘ層の合計厚みを示す。
【００６５】
また、図５における封止性能の良否判断は、バリウム（Ｂａ）反応性試験により行った。Ｂａ反応性試験とは、Ｂａの反応性の高さを利用した試験方法であり、以下の方法で実施した。
素ガラス上に単層Ｂａ（５ｎｍ程度）を形成し、その上にカソード、封止層を真空一貫で形成する。構成は、有機表示デバイスの有機発光層から上部の構成を模したもので、これを高温高湿（６０℃、９０％）下で２０日保管を行った。単層の薄膜Ｂａは、通常、透明であるが、周囲に水分や酸素が存在すると、容易に酸化反応を示し、水酸化Ｂａや酸化Ｂａとなり、白色の斑点として目視確認される。これを利用して、高温高湿の高負荷環境下で水分や酸素の拡散を促し、外部および封止層から水分や酸素がＢａ層まで侵入してくる程度の比較を行った。封止状態が良好な構成は、上記試験後において、白色斑点が目視確認できなかった状態とした。
【００６６】
図５に示すように、ＳｉＮ膜厚が５００ｎｍ以下の場合には、例えＡｌＯｘ膜厚が１０ｎｍであっても封止性能が十分ではなかった。また、ＡｌＯｘ膜厚が５ｎｍの場合には、ＳｉＮ膜厚が６００ｎｍであっても封止性能が十分ではなかった。
一方、ＳｉＮ膜厚を６００ｎｍ以上とし、ＡｌＯｘ膜厚を８ｎｍ以上とした場合には、十分な封止性能が得られた。
【００６７】
図５に示す結果より、封止層１１０においては、上記［数１］および［数２］を充足する厚みで、封止第１要素層１１０１、封止第２要素層１１０２、封止第３要素層１１０３を形成すれば、十分な封止性能を得ることができる。
なお、プロセスマージンなども考慮し、上記［数３］の関係を充足するようにすることが望ましい。
【００６８】
８．封止層１１０におけるＳｉＮ層（封止第２要素層１１０２）の厚みｔ1102と視野角輝度性能および視野角色度性能
（ｉ）視野角輝度性能
封止層１１０におけるＳｉＮ層（封止第２要素層１１０２）の厚みｔ1102と、視野角輝度性能との関係について、図６（ａ）を用い説明する。図６（ａ）では、ＳｉＮ膜厚を変えていったときの視野角輝度性能についてのシミュレーション結果を示している。なお、図６（ａ）では、正面輝度Ｌｕｍ．に対し、視野角６０°での輝度保持率を抽出して示しており、望ましい輝度保持率としては、０．５以上である。
【００６９】
図６（ａ）に示すように、検討したＳｉＮ膜厚の全域において、正面対比輝度＠６０°は、０．５以上となった。
特に、ＳｉＮ膜厚が５００ｎｍ以上では、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの各色の干渉（振幅）幅が減衰する方向となっている。よって、ＳｉＮ膜厚を５００ｎｍ以上とすれば、ＳｉＮ膜厚の面内バラツキに対し、輝度バラツキを低減することに優位である。特に、Ｗ，Ｂ，Ｇの３色では効果的である。
【００７０】
（ｉｉ）視野角色度性能
封止層１１０におけるＳｉＮ層（封止第２要素層１１０２）の厚みｔ1102と、視野角色度性能との関係について、図６（ｂ）、図７、および図８を用い説明する。なお、図６（ｂ）、図７、および図８についてもシミュレーション結果を示す図であって、視野角色度性能として、各色（Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗ）の正面色度ｕ’ｖ’に対し、視野角０°〜６０°での最大色度変化量（△ｕ’ｖ’ｍａｘ）を抽出し、そのワーストとなる値を抽出している。なお、最大色度変化量については、略０．０２５以下に抑制することが表示デバイスとして望ましいと考えられる。
【００７１】
図６（ｂ）に示すように、ＳｉＮ膜厚を６００ｎｍ以上の場合には、最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘのワースト値を略０．０２５以下とすることができる。よって、矢印Ｂで指し示す領域（ＳｉＮ膜厚：６００ｎｍ以上）であれば、視野角色度性能という観点から優れている。
さらに、図７に示すように、最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘのワースト値を０．０２０以下に抑える場合には、ＳｉＮ膜厚を次の何れかの範囲とすることで実現することができる。
【００７２】
（範囲Ｃ1）６３５ｎｍ≦ｔ1102≦７４０ｎｍ
（範囲Ｃ2）７６０ｎｍ≦ｔ1102
上記のようにＳｉＮ膜厚を規定することにより、最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘのワースト値を０．０２０以下に抑えることができ、さらに高い視野角色度性能を実現することができる。
【００７３】
さらに、図８に示すように、最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘのワースト値を０．０１５以下に抑える場合には、ＳｉＮ膜厚を次の何れかの範囲とすることで実現することができる。
（範囲Ｄ1）６４５ｎｍ≦ｔ1102≦７００ｎｍ
（範囲Ｄ2）７９０ｎｍ≦ｔ1102≦８８０ｎｍ
（範囲Ｄ3）８９０ｎｍ≦ｔ1102≦１０９０ｎｍ
（範囲Ｄ4）１１０５ｎｍ≦ｔ1102
上記のようにＳｉＮ膜厚を規定することにより、最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘのワースト値を０．０１５以下に抑えることができ、さらに高い視野角色度性能を実現することができる。
【００７４】
なお、視野角色度性能の向上という観点からは、ＳｉＮ膜厚の上限を規定する必要はないが、製造時におけるタクトタイムの削減という観点からは、例えば、矢印Ｅで指し示すように、ＳｉＮ膜厚を１０００ｎｍ以下とすることが望ましい。これにより生産性と発光性能との両立を図ることができる。
９．封止層の構成と視野角色度性能
封止層の構成と、視野角色度性能（最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘのワースト値）との関係について、図９および図１０を用い説明する。なお、図１０は、実施例１，２，３および比較例の各デバイスにおけるＳｉＮ膜厚と△ｕ’ｖ’ｍａｘ０−６０°との関係のシミュレーション結果を示す図である。
【００７５】
《実施例１》
図９（ａ）に示すように、実施例１に係る封止層の構成は、上記実施の形態に係る封止層１１０と同様に、ＡｌＯｘ／ＳｉＮ／ＡｌＯｘの３層積層構造である。なお、ＡｌＯｘの合計膜厚については、２０ｎｍとした。
《実施例２》
図９（ｂ）に示すように、実施例２に係る封止層の構成は、ＡｌＯｘ／ＳｉＮの２層積層構造である。なお、ＳｉＮのＺ軸方向下側に配置されるＡｌＯｘの膜厚については、２０ｎｍとした。
【００７６】
《実施例３》
図９（ｃ）に示すように、実施例３に係る封止層の構成は、ＳｉＮ／ＡｌＯｘの２層積層構造である。なお、ＳｉＮのＺ軸方向上側に配置されるＡｌＯｘの膜厚については、２０ｎｍとした。
《比較例》
図９（ｄ）に示すように、比較例に係る封止層の構成は、ＳｉＮの単層構造である。
【００７７】
なお、実施例１〜３および比較例の各デバイスについては、封止層の構成を除き、同一構成である。
《視野角色度性能》
図１０に示すように、実施例１，２に係るデバイスの最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘのワースト値は、実施例３および比較例に係るデバイスの最大色度変化量△ｕ’ｖ’ｍａｘのワースト値に対して、全体として左方向にシフトしている。これより、発生する干渉については、ＳｉＮ層とカソードとの間にＡｌＯｘ層が介挿されているか否かによって影響を受けるものであると考えられる。
【００７８】
図１０に示すように、実施例１，２に係るデバイスにおいては、ＳｉＮ膜厚が６５５ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲内とすることが、視野角色度性能の向上という観点から望ましいことが分かる。
［変形例］
変形例に係る表示パネル３０の構成について、図１１を用い説明する。なお、図１１では、上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１との構成上の差異部分である表示パネル３０におけるバンク３０４を主に図示する。その他の構成については、上記実施の形態と同様である。
【００７９】
図１１に示すように、本変形例に係る表示パネル３０においても、絶縁層３０１のＺ軸方向上面にアノード３０２、ホール注入層３０３が順に積層形成されている。アノード３０２およびホール注入層３０３が、サブピクセル毎に分けて形成されている。
絶縁層３０１のＺ軸方向上面の一部（露出部分）とホール注入層３０３のＺ軸方向上面における端縁部分を被覆するように、バンク３０４が積層形成されている。バンク３０４は、Ｙ軸方向に延伸する第１バンク要素３０４ａと、Ｘ軸方向に延伸する第２バンク要素３０４ｂとが一体形成され構成されている。
【００８０】
バンク３０４における第１バンク要素３０４ａと第２バンク要素３０４ｂとは、同じバンク材料を用い形成されており、Ｚ軸方向上面が面一に形成されている。
本変形例に係る表示パネル３０においても、上記実施の形態に係る表示パネル１０と同一の構成の封止層を備える。このため、高い封止性能を有するとともに、視野角輝度性能および視野角色度性能といった発光性能についても優れている。
【００８１】
［その他の事項］
上記実施の形態に係る表示パネル１０では、図２に示すように、それぞれが平面視矩形状をした３つのサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃの組み合わせを以って１ピクセルを構成することとしたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、各サブピクセルの平面視形状については、三角形や六角形、あるいは八角形などとすることもできるし、全体としてハニカム形状の配置形態とすることなどもできる。１ピクセルを構成するサブピクセル数については、４つのサブピクセルとすることもできるし、それ以上とすることもできる。その場合には、１ピクセルを構成するサブピクセルが互いに異なる発光色であるとすることもできるし、一部が同色の発光を行うものとすることもできる。
【００８２】
また、上記実施の形態において、平面視におけるサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃの配置形態については、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ行列をなすマトリクス状としたが、Ｘ−Ｙ面方向において二次元配置された構成であればこれに限定されるものではない。
また、上記実施の形態に係る表示パネル１０では、第１バンク１０４と第２バンク１０５とを別の部位として形成することとしたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、アノードおよびホール注入層まで形成された基板の上に対し、バンクの形成材料からなるバンク材料膜を形成した後、バンクに相当する箇所と、電極間絶縁層に相当する箇所とで露光・現像条件を変更することにより、上記実施の形態と同様の構成を実現することもできる。
【００８３】
また、本発明では、第１バンク１０４などについて、２層以上の絶縁層を積層した構成とすることもできるが、この場合には、層ごとに有機層と無機層とを選択的に採用することもできる。
また、上記実施の形態では、ホール注入層１０３についてもアノード１０２と同様に薄膜法（スパッタリング法や真空蒸着法など）を用い形成することとしたが、塗布法を用いホール注入層を形成することも可能である。この場合には、ホール注入層は、第１バンク１０４で規定された溝部分内に形成されることになり、第２バンク１０５の上にも積層されることとなる。
【００８４】
また、上記実施の形態では、アノード１０２と有機発光層１０７との間に、ホール注入層１０３およびホール輸送層１０６を介挿させる構成を採用したが、必ずしもこれらの層の介挿は必要ではない場合もあり、逆に更なる中間機能層を介挿させることもできる。同様に、有機発光層１０７とカソード１０９との間に、電子輸送層１０８を介挿させる構成を採用したが、場合によっては電子輸送層の介挿を省略することもでき、逆に、有機発光層１０７とカソード１０９との間に別の中間機能層を介挿させることもできる。
【００８５】
また、上記実施の形態では、有機発光層１０７に対してＺ軸方向下側にアノード１０２を配し、上側にカソード１０９を配した構成を一例として採用したが、有機発光層１０７に対するアノードおよびカソードの配置関係については逆転してもよい。即ち、有機発光層１０７に対してＺ軸方向下側にカソードを配し、上側にアノードを配してもよい。この場合にも、光取出し側に光透過性の電極を採用し、反対側に光反射性の電極を配することにより、トップエミッションを実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明は、長寿命で、且つ優れた視野角色度・輝度性能を有する有機表示デバイスと有機表示装置を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【００８７】
１．有機ＥＬ表示装置
１０，３０．表示パネル
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ．サブピクセル
２０．駆動・制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１００．ＴＦＴ基板
１０１，３０１．絶縁層
１０２，３０２．アノード
１０３，３０３．ホール注入層
１０４．第１バンク
１０５．第２バンク
１０６．ホール輸送層
１０７．有機発光層
１０８．電子輸送層
１０９．カソード
１１０．封止層
３０４．バンク
３０４ａ．第１バンク要素部
３０４ｂ．第２バンク要素部
１１０１．封止第１要素層
１１０２．封止第２要素層
１１０３．封止第３要素層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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