(57)【要約】【課題】光リーク起因の縦クロストークを、プリチャージによらずに抑制する。【解決手段】電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線およびデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素と、第１電位線と、第２電位線とを有し、複数の画素の各々は、画素電極と、走査線に接続されたゲート、データ線に接続されたソース、および画素電極に接続されたドレインを有する第１トランジスターと、第１電位線に接続されたゲート、第２電位線に接続されたソース、および画素電極に接続されたドレインを有する第２トランジスターとを有し、第１電位線には、第２トランジスターをオフ状態にする固定電位が与えられる。【選択図】図７
2016197199.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられた複数の画素と、
第１電位線と、
第２電位線と
を有し、
前記複数の画素の各々は、
画素電極と、
前記走査線に電気的に接続されたゲート、前記データ線に電気的に接続されたソース、および前記画素電極に電気的に接続されたドレインを有する第１トランジスターと、
前記第１電位線に電気的に接続されたゲート、前記第２電位線に電気的に接続されたソース、および前記画素電極に電気的に接続されたドレインを有する第２トランジスターと
を有し、
前記第１電位線には、前記第２トランジスターをオフ状態にする固定電位が与えられる
電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の画素の各々は、一端が前記画素電極に電気的に接続され、他端が前記第１電位線に電気的に接続された保持容量を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の画素の各々は、当該画素の隣の画素と、前記第１電位線および前記第２電位線の少なくとも一方を共有する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２トランジスターのチャネル幅／チャネル長比は、前記第１トランジスターのチャネル幅／チャネル長比以下である
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記データ線に供給されるデータ電圧の極性が、所定の周期で反転し、
前記第２電位線に供給される電位は、前記データ電圧の極性に応じて前記所定の周期で切り替わる
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
ｋ個のデータ信号が時分割で供給される信号線と、
前記信号線に供給される信号を、前記複数のデータ線のうち連続するｋ個のデータ線に分配するデマルチプレクサーと
を有する請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１トランジスターおよび前記第２トランジスターのチャネルの伝導型が同じである
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の電気光学装置を有する電子機器。
【請求項９】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられた複数の画素と、
第１電位線と、
第２電位線と
を有し、
前記複数の画素の各々は、
画素電極と、
前記走査線に電気的に接続されたゲート、前記データ線に電気的に接続されたソース、および前記画素電極に電気的に接続されたドレインを有する第１トランジスターと、
前記第１電位線に電気的に接続されたゲート、前記第２電位線に電気的に接続されたソース、および前記画素電極に電気的に接続されたドレインを有する第２トランジスターと
を有する電気光学装置の駆動方法であって、
前記第１電位線に、前記第２トランジスターをオフ状態にする固定電位を与えるステップと、
前記第１電位線に前記固定電位を与えたまま、前記複数の走査線から一の走査線を選択するための走査信号を当該複数の走査線に供給するステップと、
前記第１電位線に前記固定電位を与えたまま、前記複数のデータ線に、前記走査信号により選択されている走査線に対応する画素のデータ信号を供給するステップと
を有する駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置に関し、特に、オフリーク電流によって発生する縦クロストークを低減する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置において、ＴＦＴのオフリーク電流によって縦クロストークが発生するという問題が知られている。これに対し、画素電極にデータを書き込む前にデータ線をプリチャージする技術が知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３８４０６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の技術においては、データを書き込む前にプリチャージ期間を設けていたために、高速駆動が要求されると十分な書き込み時間を確保できないという問題があった。
【０００５】
これに対し本発明は、オフリーク電流起因の縦クロストークを、プリチャージによらずに抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられた複数の画素と、第１電位線と、第２電位線とを有し、前記複数の画素の各々は、画素電極と、前記走査線に電気的に接続されたゲート、前記データ線に電気的に接続されたソース、および前記画素電極に電気的に接続されたドレインを有する第１トランジスターと、前記第１電位線に電気的に接続されたゲート、前記第２電位線に電気的に接続されたソース、および前記画素電極に電気的に接続されたドレインを有する第２トランジスターとを有し、前記第１電位線には、前記第２トランジスターをオフ状態にする固定電位が与えられる電気光学装置を提供する。
この電気光学装置によれば、オフリーク電流起因の縦クロストークを、プリチャージによらずに抑制することができる。
【０００７】
前記複数の画素の各々は、一端が前記画素電極に電気的に接続され、他端が前記第１電位線に電気的に接続された保持容量を有してもよい。
この電気光学装置によれば、保持容量の基準電位線と、第２トランジスターをオフ状態に保つための制御電位線とを共通化することができる。
【０００８】
前記複数の画素の各々は、当該画素の隣の画素と、前記第１電位線および前記第２電位線の少なくとも一方を共有してもよい。
この電気光学装置によれば、より小型化、微細化をすることができる。
【０００９】
前記第２トランジスターのチャネル幅／チャネル長比は、前記第１トランジスターのチャネル幅／チャネル長比以下であってもよい。
この電気光学装置によれば、より小型化、微細化をすることができる。
【００１０】
前記データ線に供給されるデータ電圧の極性が、所定の周期で反転し、前記第２電位線に供給される電位は、前記データ電圧の極性に応じて前記所定の周期で切り替わってもよい。
この電気光学装置によれば、データ電圧の極性に応じて縦クロストークを抑制することができる。
【００１１】
この電気光学装置は、ｋ個のデータ信号が時分割で供給される信号線と、前記信号線に供給される信号を、前記複数のデータ線のうち連続するｋ個のデータ線に分配するデマルチプレクサーとを有してもよい。
この電気光学装置によれば、１本の信号線に供給される映像信号がｋ個のデータ線に分配される構成においても縦クロストークを抑制することができる。
【００１２】
前記第１トランジスターおよび前記第２トランジスターのチャネルの伝導型が同じであってもよい。
この電気光学装置によれば、より正確に縦クロストークを抑制することができる。
【００１３】
また、本発明は、上記いずれかの電気光学装置を有する電子機器を提供する。
この電子機器によれば、オフリーク電流起因の縦クロストークを、プリチャージによらずに抑制することができる。
【００１４】
さらに、本発明は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられた複数の画素と、第１電位線と、第２電位線とを有し、前記複数の画素の各々は、画素電極と、前記走査線に電気的に接続されたゲート、前記データ線に電気的に接続されたソース、および前記画素電極に電気的に接続されたドレインを有する第１トランジスターと、前記第１電位線に電気的に接続されたゲート、前記第２電位線に電気的に接続されたソース、および前記画素電極に電気的に接続されたドレインを有する第２トランジスターとを有する電気光学装置の駆動方法であって、前記第１電位線に、前記第２トランジスターをオフ状態にする固定電位を与えるステップと、前記第１電位線に前記固定電位を与えたまま、前記複数の走査線から一の走査線を選択するための走査信号を当該複数の走査線に供給するステップと、前記第１電位線に前記固定電位を与えたまま、前記複数のデータ線に、前記走査信号により選択されている走査線に対応する画素のデータ信号を供給するステップとを有する駆動方法を提供する。
この駆動方法によれば、オフリーク電流起因の縦クロストークを、プリチャージによらずに抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】関連技術に係る電気光学装置９の外観を示す図。
【図２】電気光学装置９、特に液晶パネル９００の構成を示す模式図。
【図３】液晶パネル９００の構造を示す斜視図。
【図４】画素９１１の等価回路を示す図。
【図５】縦クロストークが発生する画像を例示する図。
【図６】縦クロストークが発生するデータ線の電位を例示する図。
【図７】一実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す模式図。
【図８】画素１１１の等価回路を示す図。
【図９】電気光学装置１の動作を示すタイミングチャート。
【図１０】一実施形態に係るプロジェクター２１００を例示する図。
【図１１】変形例１に係る画素１１１の等価回路を示す図。
【図１２】変形例１のさらに別の例を示す図。
【図１３】電気光学装置１の変形例２に係る構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
１．概要
図１は、関連技術に係る電気光学装置９の外観を示す図である。電気光学装置９は、例えば、プロジェクターのライトバルブとして用いられる液晶装置である。電気光学装置９は、液晶パネル９００、データ線駆動回路２００、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板３００、回路基板４００、および制御回路５００を有する。ＦＰＣ基板３００上には、データ線駆動回路２００が設けられている。回路基板４００上には、電気光学装置９を制御する制御回路５００が設けられている。回路基板４００と液晶パネル９００とは、ＦＰＣ基板３００を介して電気的に接続される。回路基板４００とＦＰＣ基板３００とは、コネクター４１０およびコネクター３２０を介して接続される。ＦＰＣ基板３００と液晶パネル９００とはコネクター３１０およびコネクター１０７を介して接続される。電気光学装置９は、ホスト装置（図示略）から供給される信号に応じて動作する。
【００１７】
図２は、電気光学装置９、特に液晶パネル９００の構成を示す模式図である。データ線駆動回路２００は、制御回路５００から入力されるクロック信号、制御信号、および映像信号に従って、液晶パネル９００に表示させる画像を示す映像信号を出力する。液晶パネル９００は、データ線駆動回路２００および他の回路から入力されるクロック信号および映像信号に従って、画像を表示する。
【００１８】
液晶パネル９００は、画素領域１１０、走査線駆動回路１３０、データ線選択回路１５０、ｎ本の映像信号線１６０、ｎ個の映像信号入力端子１６１、ｋ本の選択信号線（選択信号線１４１、選択信号線１４２、選択信号線１４３、および選択信号線１４４。図２の例ではｋ＝４）、およびｋ個の選択制御信号入力端子（選択制御信号入力端子１４６、選択制御信号入力端子１４７、選択制御信号入力端子１４８、および選択制御信号入力端子１４９）を有する。
【００１９】
画素領域１１０は、画像を表示する領域である。画素領域１１０は、ｍ本の走査線１１２、（ｋ×ｎ）本のデータ線１１４、および（ｍ×ｋ×ｎ）個の画素９１１を有する。走査線１１２は、走査信号を伝送する信号線であり、行（ｘ）方向に沿って設けられている。データ線１１４は、データ信号を伝送する信号線であり、列（ｙ）方向に沿って設けられている。走査線１１２とデータ線１１４とは、電気的に絶縁されている。画素９１１は、液晶パネル９００をｚ方向（ｘ方向およびｙ方向に垂直な方向）から見たときに、走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応して設けられている。すなわち、画素９１１は、ｍ行×（ｋ×ｎ）列のマトリクス状に配列されている。また、この例では、行方向において連続するｋ個の画素９１１が、１つの画素群（ブロック）を形成している。あるブロックに属する画素９１１は、データ線選択回路１５０を介して同一の映像信号線１６０に接続されている。すなわち、液晶パネル９００は、ｎ個のブロックに区分された画素群を有する。画素９１１の詳細は後述する。以下の説明において、複数の走査線１１２の各々を区別する必要があるときは、第１行、第２行、第３行、…、第ｍ行の走査線１１２と表す。複数のデータ線１１４の各々を区別する必要があるときは、第１列、第２列、第３列、…、第（ｋ×ｎ）列のデータ線１１４と表す。映像信号線１６０についても同様である。
【００２０】
走査線駆動回路１３０は、マトリクス状に配置された複数の画素９１１の中から、データを書き込む行を選択する。具体的には、走査線駆動回路１３０は、複数の走査線１１２の中から１本の走査線１１２を選択するための走査信号を出力する。走査線駆動回路１３０は、第１行、第２行、第３行、…、第ｍ行の走査線１１２に、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍを供給する。この例で、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍは、順次排他的にハイレベルとなる信号である。
【００２１】
選択信号線１４１、選択信号線１４２、選択信号線１４３、および選択信号線１４４は、選択制御信号入力端子１４６、選択制御信号入力端子１４７、選択制御信号入力端子１４８、選択制御信号入力端子１４９およびから入力された選択信号ＳＥＬ［１］、ＳＥＬ［２］、ＳＥＬ［３］、およびＳＥＬ［４］を伝送する信号線である。選択信号ＳＥＬ［１］、ＳＥＬ［２］、ＳＥＬ［３］、およびＳＥＬ［４］は、順次ハイレベルとなる信号である。
【００２２】
データ線選択回路１５０は、各ブロックにおいて、データを書き込む列を選択する。具体的には、データ線選択回路１５０は、そのブロックに属するｋ本のデータ線１１４の中から少なくとも１本のデータ線１１４を、選択信号ＳＥＬ［１］、ＳＥＬ［２］、ＳＥＬ［３］、およびＳＥＬ［４］に応じて選択する。データ線選択回路１５０は、ｎ列の画素群の各々に対応する、ｎ個のデマルチプレクサー１５１を有する。デマルチプレクサー１５１の詳細は後述する。
【００２３】
映像信号線１６０は、映像信号入力端子１６１から入力された映像信号Ｓを、データ線選択回路１５０に伝送する信号線である。映像信号Ｓは、画素９１１に書き込まれるデータを示す信号である。ここで、「映像」は静止画または動画をいう。１本の映像信号線１６０は、データ線選択回路１５０を介してｋ本のデータ線１１４に接続されている。したがって、映像信号Ｓにおいては、これらｋ本のデータ線１１４に供給されるデータが時分割多重されている。
【００２４】
データ線駆動回路２００は、第１列、第２列、第３列、…、第ｎ列の映像信号入力端子１６１に、映像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎを出力する。また、データ線駆動回路２００は、選択制御信号入力端子１４６、選択制御信号入力端子１４７、選択制御信号入力端子１４８、および選択制御信号入力端子１４９に、選択信号ＳＥＬ［１］、ＳＥＬ［２］、ＳＥＬ［３］、およびＳＥＬ［４］を出力する。
【００２５】
図３（Ａ）は、液晶パネル９００の構造を示す斜視図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）におけるＨ−ｈ線における断面を示す模式図である。液晶パネル１００は、素子基板１０１と、対向基板１０２と、液晶１０５とを有する。素子基板１０１と対向基板１０２とは、スペーサー（図示省略）を含むシール材９０によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせられている。液晶１０５は、この間隙に封入されている。液晶１０５は、例えばＶＡ（Vertical Alignment）型の液晶である。
【００２６】
素子基板１０１および対向基板１０２は、それぞれガラスまたは石英などの透明性を有する基板を有する。素子基板１０１にあっては、対向基板１０２よりもｙ方向のサイズが長い。奥側（ｈ側）が揃えられているので、素子基板１０１の手前側（Ｈ側）の一辺が対向基板１０２から張り出している。この張り出した領域にｘ方向に沿って複数のコネクター１０７が設けられている。複数のコネクター１０７は、ＦＰＣ基板３００に接続される。ＦＰＣ基板３００には、データ線駆動回路２００が形成される。複数のコネクター１０７は、外部の回路から各種信号や各種電圧、映像信号などを供給するための端子であり、上述の選択制御信号入力端子１４６、選択制御信号入力端子１４７、選択制御信号入力端子１４８、選択制御信号入力端子１４９、および映像信号入力端子１６１を含む。
【００２７】
素子基板１０１において対向基板１０２と対向する面には、画素電極１１８が形成されている。画素電極１１８は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明性を有する導電層をパターニングしたものである。また、素子基板１０１には、走査線駆動回路１３０が形成されている。対向基板１０２において、素子基板１０１と対向する面に設けられた共通電極１０８は、同じくＩＴＯなどの透明性を有する導電層である。
【００２８】
図４は、画素９１１の等価回路を示す図である。図４では、第ｉ行の第（４ｊ−１）列〜第４ｊ列の画素９１１に対応するデマルチプレクサー１５１が示されている（ｉおよびｊは、１≦ｉ≦ｍおよび１≦ｊ≦ｎを満たす整数）。第ｉ行において、一つのブロックは、ｋ個（この例ではｋ＝４）の画素９１１から構成される。画素９１１は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１６と、画素電極１１８と、液晶層１２０と、共通電極１０８と、保持容量１１７とを有する。ＴＦＴ１１６は、画素電極１１８へのデータの書き込み（電圧の印加）を制御するスイッチング素子であり、この例ではｎチャネル型の電界効果トランジスターである。ＴＦＴ１１６のゲート電極は走査線１１２に接続され、ソース電極はデータ線１１４に接続され、ドレイン電極は画素電極１１８に接続されている。走査線１１２にハイレベルの走査信号が供給されるとＴＦＴ１１６はオン状態になり、データ線１１４と画素電極１１８とが低インピーダンス状態になる。すなわち、画素電極１１８にデータが書き込まれる。走査線１１２にローレベルの走査信号が供給されるとＴＦＴ１１６はオフ状態になり、データ線１１４と画素電極１１８とは高インピーダンス状態になる。共通電極１０８はすべての画素９１１について共通である。共通電極１０８には、例えばデータ線駆動回路２００により、共通電圧ＬＣＣＯＭが印加される。液晶層１２０には、画素電極１１８と共通電極１０８との電位差に相当する電圧が印加され、この電圧に応じて光学的特性（反射率または透過率）が変化する。保持容量１１７は、液晶層１２０に並列に接続されており、画素電極１１８と共通電圧ＶＣＯＭとの電位差に相当する電荷を保持する（この例では、ＶＣＯＭ＝ＬＣＣＯＭである）。以下、ある特定のブロックにおいて画素９１１の各々を区別するときは、画素９１１［ｓ］のように表記して区別する（ｓは、１≦ｓ≦ｋを満たす整数）。ＴＦＴ１１６等、画素９１１に含まれる要素についても同様である。なお、回路の説明において２つの要素が「接続」されているとは、これら２つの要素が電気的に接続されていることをいう。すなわち、これら２つの要素は直接接続されていてもよいし、異なる材料で形成された中間層等を介して接続されていてもよい。
【００２９】
デマルチプレクサー１５１は、選択信号ＳＥＬ［１］〜ＳＥＬ［４］に応じて選択されたデータ線１１４に、映像信号Ｓを供給する回路である。デマルチプレクサー１５１は、１つの映像信号入力端子と、ｋ個の選択制御信号入力端子と、ｋ個の映像信号出力端子と、ｋ個のＴＦＴ１５２とを有する（この例ではｋ＝４）。ＴＦＴ１５２は、ゲートに入力される選択信号ＳＥＬに応じてデータ線１１４を選択するためのスイッチング素子である。
【００３０】
ＴＦＴ１５２［１］のゲート電極は、選択信号線１４１に接続され、ソース電極は第ｊ列の映像信号線１６０に接続され、ドレイン電極は第（４ｊ−３）列のデータ線１１４（すなわち、第ｊ列の画素群のＴＦＴ１１６［１］のソース電極）に接続されている。選択信号線１４１にハイレベルの選択信号ＳＥＬ［１］が供給されるとＴＦＴ１５２はオン状態になり、第ｊ列の映像信号線１６０と第（４ｊ−３）列のデータ線１１４とが低インピーダンス状態になる。すなわち、第（４ｊ−３）列のデータ線１１４に映像信号Ｓｊが供給される。選択信号線１４１にローレベルの選択信号ＳＥＬ［１］が供給されるとＴＦＴ１５２［１］はオフ状態になり、第ｊ列の映像信号線１６０と第（４ｊ−３）列のデータ線１１４とが高インピーダンス状態になる。
【００３１】
ＴＦＴ１５２［２］のゲート電極は、選択信号線１４２に接続され、ソース電極は第ｊ列の映像信号線１６０に接続され、ドレイン電極は第（４ｊ−２）列のデータ線１１４（すなわち、第ｊ列の画素群のＴＦＴ１１６［２］のソース電極）に接続されている。選択信号線１４２にハイレベルの選択信号ＳＥＬ［２］が供給されるとＴＦＴ１５２［２］はオン状態になり、第ｊ列の映像信号線１６０と第（４ｊ−２）列のデータ線１１４とが導通する。すなわち、第（４ｊ−２）列のデータ線１１４に映像信号Ｓｊが供給される。選択信号線１４２にローレベルの選択信号ＳＥＬ［２］が供給されるとＴＦＴ１５２［２］はオフ状態になり、第ｊ列の映像信号線１６０と第（４ｊ−２）列のデータ線１１４とが高インピーダンス状態になる。
【００３２】
ＴＦＴ１５２［３］のゲート電極は、選択信号線１４３に接続され、ソース電極は第ｊ列の映像信号線１６０に接続され、ドレイン電極は第（４ｊ−１）列のデータ線１１４（すなわち、第ｊ列の画素群のＴＦＴ１１６［３］のソース電極）に接続されている。選択信号線１４３にハイレベルの選択信号ＳＥＬ［３］が供給されるとＴＦＴ１５２［３］はオン状態になり、第ｊ列の映像信号線１６０と第（４ｊ−１）列のデータ線１１４とが導通する。すなわち、第（４ｊ−１）列のデータ線１１４に映像信号Ｓｊが供給される。選択信号線１４３にローレベルの選択信号ＳＥＬ［３］が供給されるとＴＦＴ１５２［３］はオフ状態になり、第ｊ列の映像信号線１６０と第（４ｊ−１）列のデータ線１１４とが高インピーダンス状態になる。
【００３３】
ＴＦＴ１５２［４］のゲート電極は、選択信号線１４４に接続され、ソース電極は第ｊ列の映像信号線１６０に接続され、ドレイン電極は第４ｊ列のデータ線１１４（すなわち、第ｊ列の画素群のＴＦＴ１１６［４］のソース電極）に接続されている。選択信号線１４４にハイレベルの選択信号ＳＥＬ［４］が供給されるとＴＦＴ１５２［４］はオン状態になり、第ｊ列の映像信号線１６０と第４ｊ列のデータ線１１４とが導通する。すなわち、第４ｊ列のデータ線１１４に映像信号Ｓｊが供給される。選択信号線１４４にローレベルの選択信号ＳＥＬ［４］が供給されるとＴＦＴ１５２［４］はオフ状態になり、第ｊ列の映像信号線１６０と第４ｊ列のデータ線１１４とが高インピーダンス状態になる。
【００３４】
ここで、電気光学装置９における問題である「オフリーク電流」による「縦クロストーク」の問題について説明する。
【００３５】
図５は、縦クロストークが発生する画像を例示する図である。この例で、電気光学装置９はノーマリーブラックモードの表示装置であり、中間階調（灰色）の背景に高階調（白色）の四角形Ｓが配置された画像を表示する。ここで、四角形Ｓとデータ線が共通の画素により構成される領域のうち、四角形Ｓの上部に位置する領域を領域Ｂ１といい、四角形Ｓの下部に位置する領域を領域Ｂ２という。
【００３６】
図６は、縦クロストークが発生するデータ線の電位を例示する図である。ここでは、図５の範囲ｘｓのデータ線１１４に与えられるデータ電圧Ｖｄ、および領域Ｂ１に属する画素電極１１８の電位Ｖｐｉｘ１および領域Ｂ２に属する画素電極１１８の電位Ｖｐｉｘ２が示されている。Ｖｂｋ、Ｖｇｒ、およびＶｗｔは、それぞれ、黒、灰色、および白を表示させるためのデータ電圧である。＋および−の符号はデータ電圧の極性を示す。期間Ｆ１および期間Ｆ２は、データ電圧Ｖｄの極性がそれぞれ正および負である垂直走査期間である。期間Ｆ１のうち、期間ｔ１、ｔ２、およびｔ３は、それぞれ、領域Ｂ１、四角形Ｓ、および領域Ｂ２にデータ電圧を書き込む期間である。期間Ｆ２のうち、期間ｔ４、ｔ５、およびｔ６は、それぞれ、領域Ｂ１、四角形Ｓ、および領域Ｂ２にデータ電圧を書き込む期間である。期間ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５、およびｔ６において、データ電圧Ｖｄは、それぞれ、Ｖｇｒ＋、Ｖｗｔ＋、Ｖｇｒ＋、Ｖｇｒ−、Ｖｗｔ−、およびＶｇｒ−である。
【００３７】
まず領域Ｂ１に属する画素について考えてみると、期間ｔ１においてはＴＦＴがオン状態になりデータ電圧が書き込まれ、期間ｔ２および期間ｔ３においてはＴＦＴがオフ状態になっている。ＴＦＴがオフ状態であっても、リーク電流により領域Ｂ１の画素の画素電極の電位は、その画素電極とデータ線との電位差に応じて変動する。期間ｔ２においてデータ線には白色に対応する高電圧Ｖｗｔ＋が印加されているため、領域Ｂ１の画素の画素電極の電位は上昇する。したがって、領域Ｂ１の階調は目標よりも高階調に（白っぽく）なってしまう。この例では領域Ｂ１の両隣の領域は目標どおりの中間階調が表示されているが、ここと比較して領域Ｂ１の階調が白っぽく視認されてしまう。
【００３８】
次に領域Ｂ２に属する画素について考えてみると、期間ｔ３においてはＴＦＴがオン状態になりデータ電圧が書き込まれ、期間ｔ４および期間ｔ５においてはＴＦＴがオフ状態になっている。期間ｔ４においてデータ電圧の極性が反転して負極性の電圧が印加されているため、領域Ｂ２の画素の画素電極の電位は下降する。したがって、領域Ｂ２の階調は目標よりも低階調に（黒っぽく）なってしまう。この例では領域Ｂ２の両隣の領域は目標どおりの中間階調が表示されているが、ここと比較して領域Ｂ２の階調が黒っぽく視認されてしまう。
【００３９】
このように、ＴＦＴがオフ状態にあるときのデータ線の電位により画素電極の電位が目標（オン状態のときに書き込まれた電位）から変動してしまい、視認される程度に階調差が生じることを「縦クロストーク」という。上述のように縦クロストークはオフ状態におけるＴＦＴのリーク電流（いわゆるオフリーク）がその原因の一つである。例えば電気光学装置９をプロジェクターのライトバルブとして用いた場合のように高照度の光が照射される環境では、ＴＦＴのオフリークが増大することがあり、これを「光リーク」という。すなわち、電気光学装置９は、装置構成および使用環境によって光リークが生ずる場合があり、光リークによって縦クロストークがより顕著になるという問題がある。本実施形態は、この問題に対処する。
【００４０】
２．構成
図７は、一実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す模式図である。ここでは、電気光学装置９と共通する要素については共通の符号を用い、電気光学装置９との相違点を中心に説明する。なお、ここでは図面を簡単にするため、画素領域１１０およびデマルチプレクサー１５１のみ示している。以下で特に言及しない要素は、電気光学装置９と共通である。
【００４１】
画素領域１１０は、ｍ本の走査線１１２、（ｋ×ｎ）本のデータ線１１４、および（ｍ×ｋ×ｎ）個の画素１１１、ｍ本の電位線２０１、（ｋ×ｎ）本の電位線２０２を有する。この例で、電位線２０１は行方向に沿って、電位線２０２は列方向に沿って設けられている。電位線２０１および電位線２０２については後述する。制御部２０３についても後述する。
【００４２】
図８は、画素１１１の等価回路を示す図である。図８は、図４とは異なり単一の画素１１１のみを示している。画素１１１は、ＴＦＴ１１６および画素電極１１８に加え、ＴＦＴ２０４を有する。なお、液晶層１２０および共通電極１０８は図示が省略されている。この例で、画素１１１は、保持容量１１７を有していない。
【００４３】
ＴＦＴ２０４においては、ゲートが電位線２０１に、ソースが電位線２０２に、ドレインが画素電極１１８に接続されている。また、ＴＦＴ２０４は、ＴＦＴ１１６とチャネルの伝導型、およびチャネル幅とチャネル長の比Ｗ／Ｌが同じである。すなわち、ＴＦＴ２０４は、ＴＦＴ１１６とほぼ同じ特性を有するトランジスターである。ＴＦＴ２０４のオン／オフは、電位線２０１の電位により制御されるが、電位線２０１には、常に、ＴＦＴ２０４をオフ状態にする電位（例えば、ＶＳＳ＝ＧＮＤ）が与えられる。
【００４４】
ＴＦＴ１１６においてオフリークが発生しているとき、同じ特性を有するＴＦＴ２０４においてもオフリークが発生するはずである。このとき、画素電極１１８の電位は、電位線２０２の電位に応じて変動する。すなわち、電位線２０２の電位を適切に調整すれば、ＴＦＴ１１６のオフリークを相殺し、画素電極１１８の電位変動を抑制できるはずである。電位線２０２の電位は、例えば、縦クロストークが最小になる値を実験的に求めることにより決定される。データ電圧の極性がフィールド毎またはフレーム毎等、所定の周期で反転する場合は、極性反転に応じて電位線２０２の電位も切り替えられる（変化する）。制御部２０３は、電位線２０２の電位を制御する。電位線２０２は、オフリークを制御するための電位が与えられる電位線といえる。
【００４５】
３．動作
図９は、電気光学装置１の動作を示すタイミングチャートである。図９（Ａ）はデータ電圧が正極性時のタイミングチャートを、図９（Ｂ）はデータ電圧が負極性時のタイミングチャートを、それぞれ示している。オフリーク（光リーク）による縦クロストークは電位線２０２に与えられる信号ＶＡＯＬにより抑制されるので、データ電圧の書き込み期間（Ｔ１〜Ｔ４）の前にプリチャージ期間を設ける必要がない。電位線２０２には、画素電極に対するデータの書き込みとは独立して、オフリークを制御するための電位を与えることができる。既に説明したように、電位線２０２に供給される信号は、縦クロストークが最小となるように実験的に決められる。例えば、電位線２０２の電位が限られた状態（例えば、ＶＡＯＬ＋、ＬＣＣＯＭ、およびＶＡＯＬ−の３状態）しか取り得ない場合には、これらの電圧が印加される時間の比を調整することにより、縦クロストークが最小となる条件が決められる。また図９（Ａ）、図９（Ｂ）では１水平期間ごとにＶＡＯＬ＋またはＶＡＯＬ−を電位線２０２に与えているが、これをｎ水平期間ごとにＶＡＯＬ＋またはＶＡＯＬ−を電位線２０２に与える構成にしてもよい。あるいはＶＡＯＬ＋またはＶＡＯＬ−を電圧調整可能とし、データ電圧の極性毎にＶＡＯＬ＋またはＶＡＯＬ−を電位線２０２に常時印可する構成としてもよい。要するにＶＡＯＬ＋またはＶＡＯＬ−の値と、ＶＡＯＬ＋またはＶＡＯＬ−を電位線２０２に印可する比率は任意に組み合わせ可能であり、その中で縦クロストークが最小となる条件を実験的に求める。
【００４６】
図９（Ｃ）は、比較例である電気光学装置９の動作を示すタイミングチャートである。電気光学装置９においては、データ電圧の書き込み期間の前に、プリチャージを行うためのプリチャージ期間ＴＰＲＣが設けられており、各ブロックの４つの画素に対しデータの書き込みを終えるまでに要する時間が、電気光学装置１と比べて遅くなっている。すなわち、本実施形態に係る電気光学装置１によれば、高速駆動と光リークに起因する縦クロストークの抑制とを両立させることができる。
【００４７】
４．適用例
図１０は、一実施形態に係るプロジェクター２１００を例示する図である。プロジェクター２１００は、電気光学装置１を用いた電子機器の一例である。プロジェクター２１００において、電気光学装置１がライトバルブとして用いられている。この図に示されるように、プロジェクター２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００４８】
プロジェクター２１００において、電気光学装置１を含む液晶表示装置が、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応して３組設けられている。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した液晶パネル１００と同様である。Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれの原色成分の階調レベルを指定するに映像信号がそれぞれ外部上位回路から供給されて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００がそれぞれ駆動される。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折し、Ｇ色の光は直進する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４によってカラー画像が投射される。
【００４９】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２１０８によって、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射される。したがって、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向は、ライトバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する構成となっている。
【００５０】
５．変形例
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。以下、変形例をいくつか説明する。以下の変形例のうち２つ以上のものが組み合わせて用いられてもよい。
【００５１】
５−１．変形例１
図１１は、変形例１に係る画素１１１の等価回路を示す図である。ここでは図８の画素１１１との相違点を中心に説明する。この例で、画素１１１は、保持容量１１７を有する。保持容量１１７の一端は画素電極１１８に接続されており、他端は電位線２０１に接続されている。すなわち、電位線２０１は、ＴＦＴ２０４をオフ状態にするための電位線と、保持容量１１７の基準電位線とを兼ねている。この例によれば、ＴＦＴ２０４をオフ状態にするための電位線と、保持容量１１７の基準電位線とそれぞれ別個に設ける場合と比較して、より簡単な構成で、高速駆動と光リークに起因する縦クロストークの抑制とを両立させることができる。
【００５２】
図１２は、変形例１のさらに別の例を示す図である。実施形態および変形例１では、電位線２０１は走査線１１２と平行な方向に延びていた。しかし、この例では、電位線２０１はデータ線１１４と平行な方向に延びている。
【００５３】
５−２．変形例２
図１３は、電気光学装置１の変形例２に係る構成を示す図である。この例では、縦方向において隣り合う２つの画素１１１が単一の電位線２０１を供給し、さらに横方向において隣り合う２つの画素１１１が単一の電位線２０２を共有する。この例によれば、行毎に個別に電位線２０１を設け、さらに列毎に個別に電位線２０２を設ける場合と比較して、装置を小型化することができる。なおここでは、電位線２０１および電位線２０２がいずれも隣の画素と共有される例を説明したが、電位線２０１および電位線２０２の一方のみが隣の画素と共有されてもよい。
【００５４】
５−３．変形例３
実施形態においてＴＦＴ２０４はＴＦＴ１１６と同じ特性を有するトランジスターであったが、ＴＦＴ２０４とＴＦＴ１１６とは同じ特性を有していなくてもよい。例えば、ＴＦＴ２０４のチャネル幅／チャネル長比は、ＴＦＴ１１６のチャネル幅／チャネル長比より小さくてもよい。ＴＦＴ２０４は画素電極１１８にデータを書き込むものではないので、ＴＦＴ１１６よりも書き込み能力は低くてもよい。ＴＦ２０４のチャネルの伝導型は、ＴＦＴ１１６と同じでなくてもよい。
【００５５】
５−５．変形例４
電気光学装置１の具体的な構成は、実施形態で説明したものに限定されない。例えば、実施形態では、データ線１１４がｎ個のブロックに区分され、ブロック毎に１：ｋのデマルチプレクサーが設けられている例を説明した。しかし、電気光学装置１は、ブロック毎にデマルチプレクサーを有していなくてもよい。
【００５６】
５−５．他の変形例
電気光学装置１を用いた電子機器は、実施形態で例示したプロジェクターの他にも、テレビジョンや、ビューファインダー型・モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【００５７】
液晶１０５は、ＶＡ液晶に限定されない。ＴＮ液晶等、ＶＡ液晶以外の液晶が用いられてもよい。また、液晶１０５は、ノーマリーホワイトモードの液晶であってもよい。また、液晶以外の電気光学素子が用いられてもよい。電気光学素子としては、液晶の他にも、ＥＰＤ（マイクロカプセル型電気泳動ディスプレイやＥＣＤ（エレクトロクロミックディスプレイ））等が用いられてもよい。
【００５８】
半導体素子（ＴＦＴ１１６等）の伝導型、および半導体素子の駆動に用いる信号（選択信号ＳＥＬ等）、電圧（オフリーク制御用電圧等）の極性は実施形態で説明したものに限定されない。実施形態で説明した信号レベルや電圧値はあくまで例示である。
【符号の説明】
【００５９】
１…電気光学装置、１００…液晶パネル、１０１…素子基板、１０２…対向基板、１０５…液晶、１０７…コネクター、１０８…共通電極、１１０…画素領域、１１１…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１１７…保持容量、１１８…画素電極、１２０…液晶層、１３０…走査線駆動回路、１５０…データ線選択回路、１５１…デマルチプレクサー、１６０…映像信号線、１６１…映像信号入力端子、１４１…選択信号線、１４２…選択信号線、１４３…選択信号線、１４４…選択信号線、１４６…選択制御信号入力端子、１４７…選択制御信号入力端子、１４８…選択制御信号入力端子、１４９…選択制御信号入力端子、２００…データ線駆動回路、３００…ＦＰＣ基板、４００…回路基板、５００…制御回路、９００…液晶パネル、９１１…画素、２１００…プロジェクター、２１０２…ランプユニット、２１０６…ミラー、２１０８…ダイクロイックミラー、２１１２…ダイクロイックプリズム、２１１４…投射レンズ群、２１２０…スクリーン、２１２１…リレーレンズ系、２１２２…入射レンズ、２１２３…リレーレンズ、２１２４…出射レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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