(57)【要約】【課題】半導体チップを覆う樹脂の量を減少する。【解決手段】半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップの周囲に配置され、前記半導体チップに電気的に接続された複数の第１リードと、前記半導体チップから前記複数の第１リードよりも離れた位置に配置され、前記複数の第１リードに繋がる複数の第２リードと、前記半導体チップを覆い、かつ、前記各第１リードを部分的に覆う第１樹脂と、を備え、前記複数の第１リードが、平面視で、前記半導体チップに対して放射状に延伸し、前記第１樹脂の側面から突き出ており、前記複数の第２リードの一部同士が、平面視で、互いに並行に延伸する。【選択図】図２Ａ
2016062974.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップの周囲に配置され、前記半導体チップに電気的に接続された複数の第１リードと、
前記半導体チップから前記複数の第１リードよりも離れた位置に配置され、前記複数の第１リードに繋がる複数の第２リードと、
前記半導体チップを覆い、かつ、前記各第１リードを部分的に覆う第１樹脂と、
を備え、
前記複数の第１リードが、平面視で、前記半導体チップに対して放射状に延伸し、前記第１樹脂の側面から突き出ており、
前記複数の第２リードの一部同士が、平面視で、互いに並行に延伸する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１樹脂の周囲に配置され、前記各第１リードを部分的に覆う第２樹脂を備え、
前記第１樹脂の側面から突き出ている前記第１リード同士が前記第２樹脂によって連結されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２樹脂の厚さは、前記第１樹脂の厚さよりも薄い
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１樹脂と前記第２樹脂との間に配置され、前記各第１リードを部分的に覆う第３樹脂を備え、
前記第３樹脂は、前記第１樹脂及び前記第２樹脂に繋がっており、
前記第３樹脂の厚さは、前記第１樹脂の厚さよりも薄い
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３樹脂は、隣接する前記第１リードの間に前記第３樹脂を貫通する孔を有する
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージ（半導体装置）の一種に、ＱＦＰ（Quad Flat Package）がある。Ｑ
ＦＰは、リードフレーム及び半導体チップ（半導体素子）を樹脂で封止した薄板状の半導体パッケージである。半導体パッケージの四辺のそれぞれから、リードフレームのリード（接続端子）が導出している。半導体パッケージから導出したリードはアウターリードと呼ばれ、半導体パッケージの内部のリードはインナーリードと呼ばれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２５１５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
リードフレームの大きさに応じて、樹脂で覆われた部分のサイズが画定する。同タイプの半導体パッケージの場合、樹脂厚が一定のため、樹脂で覆われた部分のサイズは、樹脂の縦寸法と樹脂の横寸法との積によって決定される。以下では、樹脂の縦寸法と樹脂の横寸法との積を、ボディサイズと表記する。尚、ボディサイズには、通常、樹脂厚も含まれるが、基本的に厚さは一定のため、ここでは省略している。ボディサイズが大きくなると、半導体チップを覆う樹脂の量が多くなり、半導体パッケージ内の応力が大きくなる。半導体パッケージ内の応力が大きくなると、半導体パッケージを実装する際のリフロー処理において、半導体チップと樹脂とが剥離する場合がある。そのため、樹脂の量が多いと、半導体パッケージの実装ランク（例えば、半導体パッケージを開梱してから実装までの許容日数、リフロー条件及びリフロー回数）が厳しくなる傾向がある。また、半導体チップを覆う樹脂の量が多くなると、半導体パッケージの重量が増加する。
【０００５】
本件は、半導体チップを覆う樹脂の量を減少する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本件の一観点による半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップの周囲に配置され、前記半導体チップに電気的に接続された複数の第１リードと、前記半導体チップから前記複数の第１リードよりも離れた位置に配置され、前記複数の第１リードに繋がる複数の第２リードと、前記半導体チップを覆い、かつ、前記各第１リードを部分的に覆う第１樹脂と、を備え、前記複数の第１リードが、平面視で、前記半導体チップに対して放射状に延伸し、前記第１樹脂の側面から突き出ており、前記複数の第２リードの一部同士が、平面視で、互いに並行に延伸する。
【発明の効果】
【０００７】
本件によれば、半導体チップを覆う樹脂の量を減少することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】図１Ａは、半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの平面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの平面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、第１実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの平面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、第１実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの平面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、第１実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、第２実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、第２実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの平面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、第２実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、第２実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの平面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、第２実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの平面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、第２実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの断面図である。
【図５】図５は、第２実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの断面図である。
【図６】図６は、第２実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの断面図である。
【図７】図７は、第３実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの断面図である。
【図８】図８は、第３実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの断面図である。
【図９】図９は、第４実施形態に係る半導体パッケージの一例を示す図であり、半導体パッケージの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１Ａ〜図１Ｃは、半導体パッケージ１０１の一例を示す図である。図１Ａ及び図１Ｂは、半導体パッケージ１０１の平面図であり、図１Ｃは、半導体パッケージ１０１の断面図である。半導体パッケージ１０１は、半導体チップ１０２、リードフレーム１０３、複数のワイヤ（金属細線）１０４及び樹脂１０５を備える。リードフレーム１０３は、ステージ１１１、複数のサポートバー１１２、複数の第１リード１１３及び複数の第２リード１１４を有する。半導体チップ１０２の電極面を上向き（フェイスアップ）にして、半導体チップ１０２がステージ１１１上に搭載されている。半導体チップ１０２と複数の第１リード１１３とは、複数のワイヤ１０４を介して電気的に接続されている。例えば、半導体チップ１０２の複数の電極パッド（図示せず）と複数の第１リード１１３とが、複数のワイヤ１０４を介して電気的に接続されている。
【００１０】
樹脂１０５が、半導体チップ１０２、各ワイヤ１０４、ステージ１１１及び各サポートバー１１２を覆っている。また、樹脂１０５が、各第１リード１１３を部分的に覆っている。半導体チップ１０２及びステージ１１１は、樹脂１０５及び各サポートバー１１２によって、半導体パッケージ１０１の中心部に保持されている。図１Ａでは、各ワイヤ１０４及び樹脂１０５の図示を省略し、樹脂１０５の側面の位置を太線で示している。図１Ｃでは、各サポートバー１１２と各第１リード１１３とが重なっているため、各サポートバー１１２の図示を省略している。複数の第１リード１１３及び複数の第２リード１１４は
、半導体チップ１０２の周囲に配置されている。複数の第２リード１１４は、半導体チップ１０２に対して、平面視で複数の第１リード１１３の位置よりも離れた位置に配置されている。各第１リード１１３と各第２リード１１４とが繋がっている。すなわち、各第１リード１１３と各第２リード１１４とが一体的に形成されている。
【００１１】
図１Ａ〜図１Ｃに示すように、半導体パッケージ１０１では、樹脂１０５の側面部分が、各第１リード１１３と各第２リード１１４との境界部分に位置している。そのため、半導体チップ１０２を覆う樹脂１０５の量が多くなっている。
【００１２】
以下、図面を参照して実施形態に係る半導体装置について説明する。以下に示す半導体装置の構成は例示であり、実施形態に係る半導体装置の構成は、以下に示す構成に限定されない。
【００１３】
〈第１実施形態〉
図２Ａ〜図２Ｃは、第１実施形態に係る半導体パッケージ１の一例を示す図である。図２Ａ及び図２Ｂは、半導体パッケージ１の平面図であり、図２Ｃは、半導体パッケージ１の断面図である。半導体パッケージ１は、半導体チップ（半導体素子）２、リードフレーム３、複数のワイヤ（金属細線）４及び樹脂１１を備える。リードフレーム３は、ステージ５、複数のサポートバー６、複数の第１リード７及び複数の第２リード８を有する。半導体チップ２の電極面を上向き（フェイスアップ）にして、半導体チップ２がステージ５上に搭載されている。半導体チップ２と複数の第１リード７とは、複数のワイヤ４を介して電気的に接続されている。例えば、半導体チップ２の複数の電極パッド（図示せず）と複数の第１リード７とが、複数のワイヤ４を介して電気的に接続されている。半導体パッケージ１は、半導体装置の一例である。樹脂１１は、第１樹脂の一例である。
【００１４】
樹脂１１が、半導体チップ２、各ワイヤ４、ステージ５及び各サポートバー６を覆っている。また、樹脂１１が、各第１リード７を部分的に覆っている。樹脂１１が、半導体チップ２及び各ワイヤ４を覆うとともに、樹脂１１が、各第１リード７を部分的に覆うことにより、半導体チップ２及び各ワイヤ４が樹脂１１によって保護され、各ワイヤ４と各第１リード７との接続部分が樹脂１１によって保護される。半導体チップ２及びステージ５は、各サポートバー６及び樹脂１１によって、半導体パッケージ１の中心に保持されている。図２Ａでは、各ワイヤ４及び樹脂１１の図示を省略し、樹脂１１の側面の位置を太線で示している。図２Ｃでは、各サポートバー６と各第１リード７とが重なっているため、各サポートバー６の図示を省略している。
【００１５】
複数の第１リード７及び複数の第２リード８は、半導体チップ２の周囲に配置されている。複数の第２リード８は、半導体チップ２に対して、平面視で複数の第１リード７の位置よりも離れた位置に配置されている。各第１リード７と各第２リード８とが繋がっている。すなわち、各第１リード７と各第２リード８とが一体的に形成されている。
【００１６】
複数の第１リード７は、半導体チップ２に対して、平面視で放射状に延伸している。各第１リード７の第１端部が半導体チップ２に向けられており、半導体チップ２と各第１リード７の第１端部とが、各ワイヤ４によって接続されている。各第１リード７の第２端部と各第２リード８の第１端部とが繋がっている。各第２リード８の第２端部は、所謂ガルウィング状に屈曲しており、各第２リード８の第２端部の先端は、半導体パッケージ１が実装される基板（例えば、プリント基板）の電極に接続される。
【００１７】
複数の第２リード８の一部同士が、平面視で互いに並行に延伸している。図２Ａ及び図２Ｂに示すように、例えば、複数の第２リード８の一部同士（第２リード８Ａ〜８Ｉ）が、平面視で互いに並行に延伸している。各第１リード７の幅は、各第１リード７の第１端
部から各第１リード７の第２端部に向かって広くなっている。すなわち、各第１リード７の幅は、半導体チップ２から離れる方向に向かって広くなっている。各第１リード７は、平面視で屈曲していてもよい。また、各第１リード７は、平面視で湾曲していてもよい。各第２リード８の幅は、各第２リード８の第１端部から各第２リード８の第２端部まで同じである。各第２リード８の幅及びピッチは、基本的に各第１リード７の第１端部の幅及びピッチよりも大きい。
【００１８】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、樹脂１１の側面が、平面視で、各第１リード７と各第２リード８との境界部分から半導体チップ２に対して近づく位置に位置している。したがって、複数の第１リード７が、樹脂１１の側面から突き出ている。すなわち、各第１リード７の一部が樹脂１１内に存在し、樹脂１１の側面から各第１リード７の一部が突き出ている。図２Ａ〜図２Ｃにおいて、点線は、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１が備える樹脂１０５の外形を示している。図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、半導体パッケージ１は、半導体チップ２を覆う樹脂１１の量が減少し、ボディサイズが縮小されている。半導体チップ２を覆う樹脂１１の量が減少するため、半導体パッケージ１内の応力が減少する。したがって、半導体パッケージ１を実装する際のリフロー処理において、半導体チップ２と樹脂１１との剥離が抑止される。その結果、半導体パッケージ１の実装ランク（例えば、半導体パッケージ１を開梱してから実装までの許容日数、リフロー条件及びリフロー回数）が向上する。また、半導体チップ２を覆う樹脂１１の量が減少するため、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、半導体パッケージ１の重量が減少する。
【００１９】
樹脂１１は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１１の各貫通孔は、樹脂１１の厚み方向において樹脂１１を貫通している。樹脂１１の各貫通孔は、例えば、平面視で、隣接する第１リード７の間に配置されている。樹脂１１の各貫通孔は、平面視で、矩形形状又は円形形状であってもよいし、他の形状であってもよい。樹脂１１が複数の貫通孔を有することにより、半導体チップ２を覆う樹脂１１の量が更に減少するため、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、半導体パッケージ１の重量が更に減少する。また、樹脂１１が複数の貫通孔を有する場合、半導体パッケージ１の側面から見て、樹脂１１が存在する部分と、樹脂１１が存在しない部分とが互い違いになっていてもよい。更に、樹脂１１の上部分の膜厚と樹脂１１の下部分の膜厚とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。樹脂１１の上部分の膜厚は、例えば、第１リード７の上に形成された樹脂１１の膜厚である。樹脂１１の下部分の膜厚は、例えば、第１リード７の下に形成された樹脂１１の膜厚である。
【００２０】
〈第２実施形態〉
図３Ａ〜図３Ｃは、第２実施形態に係る半導体パッケージ１の一例を示す図である。図３Ａ及び図３Ｂは、半導体パッケージ１の平面図であり、図３Ｃは、半導体パッケージ１の断面図である。半導体パッケージ１は、半導体チップ２、リードフレーム３、複数のワイヤ４及び樹脂１１、１２を備える。リードフレーム３は、ステージ５、複数のサポートバー６、複数の第１リード７及び複数の第２リード８を有する。半導体チップ２、リードフレーム３、各ワイヤ４、ステージ５、各サポートバー６、各第１リード７及び各第２リード８は、第１実施形態と同様である。図３Ａでは、各ワイヤ４、樹脂１１、１２の図示を省略し、樹脂１１、１２のそれぞれの側面の位置を太線で示している。図３Ｃでは、各サポートバー６と各第１リード７とが重なっているため、各サポートバー６の図示を省略している。図３Ａ〜図３Ｃにおいて、点線は、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１が備える樹脂１０５の外形を示している。
【００２１】
各第１リード７の幅は、半導体チップ２に近づくほど狭くなる。樹脂１１の側面の位置が半導体チップ２に近くなり過ぎると、各第１リード７が樹脂１１の重量を支えきれずに
、各第１リード７が撓む。各第１リード７が撓む場合、樹脂１１が沈み込んでしまう。そのため、半導体パッケージ１を基板に実装する場合、樹脂１１が基板に接触したり、各第２リード８が基板から浮いたりして、接触不良を起こす可能性がある。そこで、第２実施形態では、樹脂１１の周囲に樹脂１２を配置して、樹脂１１の側面から突き出ている第１リード７同士を樹脂１２によって固定する。すなわち、樹脂１１の外形より外側の第１リード７同士を樹脂１２によって固定する。これにより、各第１リード７の撓みが抑止され、樹脂１１の沈み込みを抑止することができる。樹脂１２は、第２樹脂の一例である。
【００２２】
樹脂１２は、平面視で、樹脂１１の周囲に配置され、かつ、各第１リード７と各第２リード８との境界部分から半導体チップ２に対して近づく位置に配置されている。また、樹脂１２は、平面視で、各第１リード７と各第２リード８との境界部分と重なるように配置されていてもよい。すなわち、樹脂１２は、各第１リード７と各第２リード８との境界部分を覆っていてもよい。樹脂１１と樹脂１２とは離間した状態で配置され、樹脂１１と樹脂１２とは繋がっていない。
【００２３】
樹脂１２が、平面視で、樹脂１１の周囲を囲むようにして、各第１リード７を覆っている。したがって、樹脂１１の側面から突き出ている第１リード７同士が樹脂１２によって連結されることにより、樹脂１１の側面から突き出ている第１リード７同士が樹脂１２によって固定される。図３Ａ〜図３Ｃでは、各サポートバー６が、樹脂１２が配置されている部分まで伸びている例を示している。第２実施形態は、図３Ａ〜図３Ｃに示す例に限定されない。各サポートバー６が、樹脂１２が配置されている部分まで伸びていなくてもよい。また、複数の樹脂１２が、平面視で、樹脂１１の周囲に配置されてもよい。例えば、樹脂１１の周囲を囲むようにして、複数の樹脂１２が離間した状態で配置され、樹脂１１の側面から突き出ている第１リード７同士が複数の樹脂１２によって連結されてもよい。この場合、複数の樹脂１２は、離間しており、複数の樹脂１２同士は繋がっていない。
【００２４】
樹脂１１と樹脂１２とが格子状に繋がっていてもよい。例えば、半導体チップ２に近づく方向に向かって、樹脂１２が複数の突起部を有し、樹脂１２の各突起部によって樹脂１１と樹脂１２とが繋がってもよい。例えば、半導体チップ２と離れる方向に向かって、樹脂１１が複数の突起部を有し、樹脂１１の各突起部によって樹脂１１と樹脂１２とが繋がってもよい。この場合、平面視で、樹脂１１と樹脂１２との間に、複数の孔が開口されることになる。各孔は、平面視で、矩形形状又は円形形状であってもよいし、他の形状であってもよい。
【００２５】
樹脂１１は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１１の各貫通孔は、第１実施形態における樹脂１１の各貫通孔と同様である。樹脂１２は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１２の各貫通孔は、樹脂１２の厚み方向において樹脂１２を貫通している。樹脂１２の各貫通孔は、平面視で、隣接する第１リード７の間に配置されている。樹脂１２の各貫通孔は、平面視で、矩形形状又は円形形状であってもよいし、他の形状であってもよい。樹脂１２が複数の貫通孔を有することにより、樹脂１２の量が減少する。また、樹脂１２が複数の貫通孔を有する場合、半導体パッケージ１の側面から見て、樹脂１２が存在する部分と、樹脂１２が存在しない部分とが互い違いになっていてもよい。更に、樹脂１１の上部分の膜厚と樹脂１１の下部分の膜厚とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。樹脂１２の上部分の膜厚と樹脂１２の下部分の膜厚とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。樹脂１２の上部分の膜厚は、例えば、第１リード７の上に形成された樹脂１２の膜厚である。樹脂１２の下部分の膜厚は、例えば、第１リード７の下に形成された樹脂１２の膜厚である。
【００２６】
図４Ａ〜図４Ｃに示すように、樹脂１２の外側に樹脂１３を配置してもよい。図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃは、第２実施形態に係る半導体パッケージ１の一例を示す図である。図
４Ａ〜図４Ｃは、樹脂１１の周囲に２段の樹脂１２、１３を配置した例を示す図である。図４Ａ及び図４Ｂは、半導体パッケージ１の平面図であり、図４Ｃは、半導体パッケージ１の断面図である。図４Ａでは、各ワイヤ４、樹脂１１〜１３の図示を省略し、樹脂１１〜１３のそれぞれの側面の位置を太線で示している。図４Ｃでは、各サポートバー６と各第１リード７とが重なっているため、各サポートバー６の図示を省略している。図４Ｃにおいて、点線は、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１が備える樹脂１０５の外形を示している。
【００２７】
樹脂１２、１３が、樹脂１１の周囲を囲むようにして、各第１リード７を覆っている。したがって、樹脂１１の側面から突き出ている第１リード７同士が樹脂１２、１３によって連結されることにより、樹脂１１の側面から突き出ている第１リード７同士が樹脂１２、１３によって固定される。樹脂１３は、樹脂１２の周囲を囲むようにして、各第１リード７を覆っている。したがって、樹脂１２は、樹脂１１と樹脂１３との間に配置されている。樹脂１２と樹脂１３との間隔は、樹脂１１と樹脂１２との間隔と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２８】
樹脂１３は、平面視で、樹脂１２の周囲に配置され、かつ、各第１リード７と各第２リード８との境界部分から半導体チップ２に対して近づく位置に配置されている。また、樹脂１３は、平面視で、各第１リード７と各第２リード８との境界部分と重なるように配置されていてもよい。すなわち、樹脂１３は、各第１リード７と各第２リード８との境界部分を覆っていてもよい。
【００２９】
樹脂１２、１３のそれぞれが、平面視で、樹脂１１の周囲を囲むようにして、各第１リード７を覆っている。したがって、樹脂１１の側面から突き出ている第１リード７同士が樹脂１２、１３によって連結されることにより、樹脂１１の側面から突き出ている第１リード７同士が樹脂１２、１３によって固定される。樹脂１１と樹脂１２とが離間した状態で配置され、樹脂１１と樹脂１２とが繋がっていなくてもよい。また、第１実施形態と同様に、樹脂１１と樹脂１２とが格子状に繋がっていてもよい。樹脂１２と樹脂１３とが離間した状態で配置され、樹脂１２と樹脂１３とが繋がっていなくてもよい。また、樹脂１２と樹脂１３とが格子状に繋がっていてもよい。図４Ａ〜図４Ｃには、各サポートバー６が、樹脂１２、１３が配置されている部分まで伸びている例が示されている。第２実施形態は、図４Ａ〜図４Ｃに示す例に限定されない。各サポートバー６は、樹脂１２、１３が配置されている部分まで伸びていなくてもよい。また、樹脂１１の周囲に３段以上の樹脂を配置するようにしてもよい。
【００３０】
樹脂１１は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１１の各貫通孔は、第１実施形態における樹脂１１の各貫通孔と同様である。樹脂１２は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１３は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１３の各貫通孔は、樹脂１３の厚み方向において樹脂１３を貫通している。樹脂１３の各貫通孔は、平面視で、隣接する第１リード７の間に配置されている。樹脂１３の各貫通孔は、平面視で、矩形形状又は円形形状であってもよいし、他の形状であってもよい。樹脂１３が複数の貫通孔を有することにより、樹脂１３の量が減少する。また、樹脂１３が複数の貫通孔を有する場合、半導体パッケージ１の側面から見て、樹脂１３が存在する部分と、樹脂１３が存在しない部分とが互い違いになっていてもよい。更に、樹脂１１の上部分の膜厚と樹脂１１の下部分の膜厚とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。樹脂１２の上部分の膜厚と樹脂１２の下部分の膜厚とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。樹脂１３の上部分の膜厚と樹脂１３の下部分の膜厚とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。樹脂１３の上部分の膜厚は、例えば、第１リード７の上に形成された樹脂１３の膜厚である。樹脂１３の下部分の膜厚は、例えば、第１リード７の下に形成された樹脂１３の膜厚である。
【００３１】
図３Ａ〜図３Ｃでは、樹脂１１の厚さと、樹脂１２の厚さとが同程度である例を示している。第２実施形態は、図３Ａ〜図３Ｃに示す例に限定されない。樹脂１１の厚さと、樹脂１２の厚さとが異なってもよい。例えば、図５に示すように、樹脂１２の厚さが、樹脂１１の厚さよりも薄くてもよい。図５は、第２実施形態に係る半導体パッケージ１の一例を示す図である。図５は、半導体パッケージ１の断面図である。図５では、各サポートバー６と各第１リード７とが重なっているため、各サポートバー６の図示を省略している。図５において、点線は、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１が備える樹脂１０５の外形を示している。
【００３２】
図４Ａ〜図４Ｃでは、樹脂１１の厚さと、樹脂１２、１３のそれぞれの厚さとが同程度である例を示している。第２実施形態は、図４Ａ〜図４Ｃに示す例に限定されない。樹脂１１の厚さと、樹脂１２、１３のそれぞれの厚さとが異なってもよい。例えば、図６に示すように、樹脂１２、１３のそれぞれの厚さが、樹脂１１の厚さよりも薄くてもよい。樹脂１２の厚さと樹脂１３の厚さとが異なっていてもよい。図６は、第２実施形態に係る半導体パッケージ１の一例を示す図である。図６は、半導体パッケージ１の断面図である。図６では、各サポートバー６と各第１リード７とが重なっているため、各サポートバー６の図示を省略している。図６において、点線は、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１が備える樹脂１０５の外形を示している。
【００３３】
〈第３実施形態〉
図７は、第３実施形態に係る半導体パッケージ１の一例を示す図である。図７は、半導体パッケージ１の断面図である。半導体パッケージ１は、半導体チップ２、リードフレーム３、複数のワイヤ４及び樹脂１１、１２、１４を備える。リードフレーム３は、ステージ５、複数のサポートバー６、複数の第１リード７及び複数の第２リード８を有する。半導体チップ２、リードフレーム３、各ワイヤ４、ステージ５、各サポートバー６、各第１リード７及び各第２リード８は、第１実施形態と同様である。図７では、各サポートバー６と各第１リード７とが重なっているため、各サポートバー６の図示を省略している。図７において、点線は、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１が備える樹脂１０５の外形を示している。
【００３４】
樹脂１１と樹脂１２との間に樹脂１４が配置されている。したがって、樹脂１４は、平面視で、樹脂１１の周囲に配置され、かつ、各第１リード７と各第２リード８との境界部分から半導体チップ２に対して近づく位置に配置されている。樹脂１４は、各第１リードを部分的に覆っている。樹脂１１と樹脂１２とが樹脂１４によって繋がっている。よって、樹脂１１、１２、１４が、一体的に形成されている。樹脂１４の厚さと、樹脂１１、１２のそれぞれの厚さとが異なっている。例えば、図７に示すように、樹脂１４の厚さは、樹脂１１、１２のそれぞれの厚さよりも薄くもてよい。樹脂１１の厚さと、樹脂１２の厚さとが同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、樹脂１２の厚さが、樹脂１１の厚さよりも薄くてもよい。樹脂１４は、第３樹脂の一例である。
【００３５】
一体的に形成された樹脂１１、１２、１４を、第３実施形態では、樹脂２１と表記する。したがって、樹脂２１が、半導体チップ２、各ワイヤ４、ステージ５及び各サポートバー６を覆っている。また、樹脂２１が、各第１リードを部分的に覆っている。樹脂２１の側面が、平面視で、各第１リード７と各第２リード８との境界部分から半導体チップ２に対して近づく位置に位置している。したがって、複数の第１リード７が、樹脂２１の側面から突き出ている。すなわち、各第１リード７の一部が樹脂２１内に存在し、樹脂２１の側面から各第１リード７の一部が突き出ている。また、樹脂２１の側面が、平面視で、各第１リード７と各第２リード８との境界部分と重なっていてもよい。すなわち、樹脂２１は、各第１リード７と各第２リード８との境界部分を覆っていてもよい。
【００３６】
樹脂２１は、半導体チップ２の周囲に凹部３１を有している。樹脂２１は、半導体チップ２の周囲を囲むようにして凹部３１を有してもよい。樹脂２１の上面に凹部３１が形成されてもよい。樹脂２１の下面に凹部３１が形成されてもよい。樹脂２１の上面及び下面に凹部３１が形成されてもよい。図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、図７に示す半導体パッケージ１において、半導体チップ２を覆う樹脂２１の量が減少する。
【００３７】
樹脂１１は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１１の各貫通孔は、第１実施形態における樹脂１１の各貫通孔と同様である。樹脂１２は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１２の貫通孔は、第２実施形態における樹脂１２の各貫通孔と同様である。樹脂１４は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１４の各貫通孔は、樹脂１４を貫通している。樹脂１４の各貫通孔は、平面視で、隣接する第１リード７の間に配置されている。樹脂１４の各貫通孔は、平面視で、矩形形状又は円形形状であってもよいし、他の形状であってもよい。樹脂１４が複数の貫通孔を有することにより、樹脂１４の量が減少する。したがって、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、図７に示す半導体パッケージ１において、半導体チップ２を覆う樹脂２１の量が更に減少する。
【００３８】
図８は、第３実施形態に係る半導体パッケージ１の一例を示す図である。図８は、半導体パッケージ１の断面図である。半導体パッケージ１は、半導体チップ２、リードフレーム３、複数のワイヤ４及び樹脂１１〜１５を備える。リードフレーム３は、ステージ５、複数のサポートバー６、複数の第１リード７及び複数の第２リード８を有する。半導体チップ２、リードフレーム３、各ワイヤ４、ステージ５、各サポートバー６、各第１リード７及び各第２リード８は、第１実施形態と同様である。図８では、各サポートバー６と各第１リード７とが重なっているため、各サポートバー６の図示を省略している。図８において、点線は、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１が備える樹脂１０５の外形を示している。
【００３９】
樹脂１１と樹脂１２との間に樹脂１４が配置され、樹脂１２と樹脂１３との間に樹脂１５が配置されている。したがって、樹脂１４、１５は、平面視で、樹脂１１の周囲に配置され、かつ、各第１リード７と各第２リード８との境界部分から半導体チップ２に対して近づく位置に配置されている。樹脂１４、１５は、各第１リード７を部分的に覆っている。樹脂１１と樹脂１２とが樹脂１４によって繋がり、樹脂１２と樹脂１３とが樹脂１５によって繋がっている。よって、樹脂１１〜１５が、一体的に形成されている。樹脂１４の厚さと、樹脂１１、１２のそれぞれの厚さとが異なっている。例えば、図８に示すように、樹脂１４の厚さは、樹脂１１、１２のそれぞれの厚さよりも薄くてもよい。樹脂１５の厚さと、樹脂１２、１３のそれぞれの厚さとが異なっている。例えば、図８に示すように、樹脂１５の厚さは、樹脂１２、１３のそれぞれの厚さよりも薄くてもよい。樹脂１１〜１３の厚さはそれぞれ異なっていてもよい。例えば、樹脂１２、１３のそれぞれの厚さが、樹脂１１の厚さよりも薄くてもよい。
【００４０】
一体的に形成された樹脂１１〜１５を、以下では、樹脂２２と表記する。したがって、樹脂２２が、半導体チップ２、各ワイヤ４、ステージ５及び各サポートバー６を覆っている。また、樹脂２２が、各第１リード７を部分的に覆っている。樹脂２２の側面が、平面視で、各第１リード７と各第２リード８との境界部分から半導体チップ２に対して近づく位置に位置している。したがって、複数の第１リード７が、樹脂２２の側面から突き出ている。すなわち、各第１リード７の一部が樹脂２２内に存在し、樹脂２２の側面から各第１リード７の一部が突き出ている。また、樹脂２２の側面が、平面視で、各第１リード７と各第２リード８との境界部分と重なっていてもよい。すなわち、樹脂２２は、各第１リード７と各第２リード８との境界部分を覆っていてもよい。
【００４１】
樹脂２２は、半導体チップ２の周囲に凹部３２、３３を有している。樹脂２２は、半導体チップ２の周囲を囲むようにして凹部３２、３３を有してもよい。樹脂２２の上面に凹部３２、３３が形成されてもよい。樹脂２２の上面に複数の凹部３２、複数の凹部３３が形成されてもよい。樹脂２２の下面に凹部３２、３３が形成されてもよい。樹脂２２の下面に複数の凹部３２、複数の凹部３３が形成されてもよい。樹脂２２の上面及び下面に凹部３２、３３が形成されてもよい。樹脂２２の上面及び下面に複数の凹部３２、複数の凹部３３が形成されてもよい。図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、図８に示す半導体パッケージ１において、半導体チップ２を覆う樹脂２２の量が減少する。その結果、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、図８に示す半導体パッケージ１の重量が減少する。半導体パッケージ１の側面から見て、樹脂１１が存在する部分と、樹脂１１が存在しない部分とが互い違いになっていてもよい。更に、樹脂１１の上部分の膜厚と樹脂１１の下部分の膜厚とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。樹脂１２の上部分の膜厚と樹脂１２の下部分の膜厚とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。樹脂１３の上部分の膜厚と樹脂１３の下部分の膜厚とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００４２】
樹脂１１は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１１の各貫通孔は、第１実施形態における樹脂１１の各貫通孔と同様である。樹脂１２は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１２の貫通孔は、第２実施形態における樹脂１２の各貫通孔と同様である。樹脂１３は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１３の貫通孔は、第２実施形態における樹脂１２の各貫通孔と同様である。樹脂１４は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１５は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１５の各貫通孔は、樹脂１５を貫通している。樹脂１５の各貫通孔は、平面視で、隣接する第１リード７の間に配置されている。樹脂１５の各貫通孔は、平面視で、矩形形状又は円形形状であってもよいし、他の形状であってもよい。樹脂１５が複数の貫通孔を有することにより、樹脂１５の量が減少する。したがって、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、図８に示す半導体パッケージ１において、半導体チップ２を覆う樹脂２２の量が更に減少する。その結果、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、図８に示す半導体パッケージ１の重量が更に減少する。
【００４３】
〈第４実施形態〉
図９は、第４実施形態に係る半導体パッケージ１の一例を示す図である。図９は、半導体パッケージ１の断面図である。半導体パッケージ１は、半導体チップ２、リードフレーム３、複数のワイヤ４及び樹脂１１、１６を備える。リードフレーム３は、ステージ５、複数のサポートバー６、複数の第１リード７及び複数の第２リード８を有する。半導体チップ２、リードフレーム３、各ワイヤ４、ステージ５、各サポートバー６、各第１リード７及び各第２リード８は、第１実施形態と同様である。図９では、各サポートバー６と各第１リード７とが重なっているため、各サポートバー６の図示を省略している。図９において、点線は、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１が備える樹脂１０５の外形を示している。
【００４４】
樹脂１１が、半導体チップ２、各ワイヤ４、ステージ５及び各サポートバー６を覆っている。また、樹脂１１が、各第１リード７を部分的に覆っている。樹脂１１の側面が、平面視で、各第１リード７と各第２リード８との境界部分から半導体チップ２に対して近づく位置に位置している。樹脂１６が、各第１リード７を部分的に覆っている。したがって、複数の第１リード７が、樹脂１１の側面から突き出ており、樹脂１１の側面から突き出た複数の第１リード７の部分を樹脂１６が覆っている。すなわち、各第１リード７の一部が樹脂１１内に存在し、各第１リード７の一部が樹脂１６内に存在している。樹脂１６は、樹脂１１の周囲に配置され、樹脂１１と繋がっている。よって、樹脂１１、１６が一体的に形成されている。樹脂１１の厚さと、樹脂１６の厚さとが異なっている。図９では、
樹脂１６の厚さが、樹脂１１の厚さよりも薄い。したがって、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、図９に示す半導体パッケージ１において、半導体チップ２を覆う樹脂１１、１６の合計の樹脂量が減少する。その結果、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、図９に示す半導体パッケージ１の重量が減少する。樹脂１６は、第４樹脂の一例である。
【００４５】
例えば、樹脂１１が、各ワイヤ４と各第１リード７との接続部分を覆い、樹脂１６が、各ワイヤ４と各第１リード７との接続部分よりも外側における各第１リード７を部分的に覆ってもよい。樹脂１６の側面が、平面視で、樹脂１１の側面の位置よりも半導体チップ２に対して離れた位置にある。樹脂１６の側面が、平面視で、各第１リード７と各第２リード８との境界部分から半導体チップ２に対して近づく位置にあってもよい。
【００４６】
樹脂１１は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１１の各貫通孔は、第１実施形態における樹脂１１の各貫通孔と同様である。樹脂１６は、複数の貫通孔を有してもよい。樹脂１６の各貫通孔は、例えば、平面視で、隣接する第１リード７の間に配置されている。樹脂１６の各貫通孔は、平面視で、矩形形状又は円形形状であってもよいし、他の形状であってもよい。樹脂１６が複数の貫通孔を有することにより、樹脂１６の量が減少する。その結果、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、図９に示す半導体パッケージ１の重量が更に減少する。また、樹脂１１の上部分の膜厚と樹脂１１の下部分の膜厚とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。樹脂１６の上部分の膜厚と樹脂１６の下部分の膜厚とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。樹脂１６の上部分の膜厚は、例えば、第１リード７の上に形成された樹脂１６の膜厚である。樹脂１６の下部分の膜厚は、例えば、第１リード７の下に形成された樹脂１６の膜厚である。
【００４７】
第２〜第４実施形態によれば、第１実施形態と同様に、半導体チップ２を覆う樹脂１１の量が減少するため、半導体パッケージ１内の応力が減少する。したがって、半導体パッケージ１を実装する際のリフロー処理において、半導体チップ２と樹脂１１との剥離が抑止される。その結果、半導体パッケージ１の実装ランクが向上する。また、半導体チップ２を覆う樹脂１１の量が減少するため、図１Ａ〜図１Ｃに示す半導体パッケージ１０１と比較して、半導体パッケージ１の重量が減少する。第１〜第４実施形態によれば、リードフレーム３の変更は無いため、半導体パッケージ１を実装する基板を変更せずに、半導体パッケージ１を基板に実装することができる。
【００４８】
〈樹脂の形成法〉
樹脂１１〜１６、２１、２２の形成方法について説明する。トランスファーモールド法又はコンプレッションモールド法により樹脂封止を行うことにより、樹脂１１〜１６、２１、２２が形成される。トランスファーモールド法では、半導体チップ２、リードフレーム３、各ワイヤ４、ステージ５及び各サポートバー６を金型内に載置し、金型に形成された穴から封止用樹脂を金型内に注入して、加熱処理を行うことにより、樹脂封止を行う。上金型と下金型とを合わせることにより、一つの金型となる。封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂である。トランスファーモールド法は、圧力を掛けて、金型内に封止用樹脂を注入するため、各第１リード７の上下面を同時に樹脂封止することができ、様々な種類の金型に対応することができる。
【００４９】
トランスファーモールド法により、第２実施形態における樹脂１１、１２を形成する場合、樹脂１１と樹脂１２とが繋がった状態になる。樹脂１１と樹脂１２とが繋がった部分の樹脂を切断又は研磨することにより、樹脂１１と樹脂１２とを分離することができる。例えば、樹脂１１と樹脂１２とが繋がった部分の樹脂が、各サポートバー６上に形成される場合、樹脂１１と樹脂１２とが繋がった部分の樹脂を、各サポートバー６とともに切断することができる。金型の上部から封止用樹脂を金型内に注入して樹脂１１を形成し、金
型の下部から封止用樹脂を金型内に注入して樹脂１２を形成することにより、樹脂１１と樹脂１２とを分離して形成してもよい。
【００５０】
第２実施形態における樹脂１１〜１３を形成する場合についても、樹脂１１と樹脂１２とが繋がった部分の樹脂、及び、樹脂１２と樹脂１３とが繋がった部分の樹脂を切断又は研磨することにより、樹脂１１〜１３をそれぞれ分離することができる。特に図４では、通常の金型の横部から封止用樹脂を金型内に注入して樹脂１１〜１３を形成する場合で、それぞれの樹脂が分離している場合には、内側にある樹脂１１〜１２の形成は困難である。この場合、金型の上部から封止用樹脂を金型内に注入して樹脂１１を形成し、金型の下部から封止用樹脂を金型内に注入して樹脂１２を形成することにより、樹脂１１と樹脂１２とを分離して形成してもよい。樹脂１４〜１６の形成の説明は省略するが、樹脂１４〜１６についても、トランスファーモールド法により形成することができる。
【００５１】
コンプレッションモールド法では、半導体チップ２、リードフレーム３、各ワイヤ４、ステージ５及び各サポートバー６を金型内に載置し、金型を封止用樹脂に浸すことにより、樹脂封止を行う。封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂である。コンプレッションモールド法は、封止用樹脂の注入経路がないため、封止用樹脂の無駄が抑止される。また、コンプレッションモールド法は、金型内への封止用樹脂の注入が行われないため、封止用樹脂の注入による各ワイヤ４の変形が抑止される。そのため、コンプレッションモールド法は、各ワイヤ４の細線化に有利である。
【００５２】
ここでは、コンプレッションモールド法による樹脂封止の２つの例を説明する。コンプレッションモールド法による樹脂封止の第１の例を説明する。まず、半導体チップ２、リードフレーム３、各ワイヤ４、ステージ５及び各サポートバー６を上金型内に載置し、上金型を封止用樹脂に浸して、上金型内までの部分を封止用樹脂で満たす。次いで、加熱処理を行うことにより、樹脂１１の上部分を形成する。次に、半導体チップ２、リードフレーム３、各ワイヤ４、ステージ５及び各サポートバー６を下金型内に載置し、下金型を封止用樹脂に浸して、下金型内までの部分を封止用樹脂で満たす。次いで、加熱処理を行うことにより、樹脂１１の下部分を形成する。
【００５３】
コンプレッションモールド法による樹脂封止の第２の例を説明する。半導体チップ２、リードフレーム３、各ワイヤ４、ステージ５及び各サポートバー６を金型内に載置し、金型を封止用樹脂に浸して、金型内を封止用樹脂で満たした後、加熱処理を行うことにより、樹脂封止を行う。上金型と下金型とを合わせることにより、一つの金型となる。下金型には、封止用樹脂が流入する穴が設けられており、上金型には、空気が流出する穴が設けられている。金型を封止用樹脂に浸すことにより、下金型に設けられた穴から封止用樹脂が流入し、上金型に設けられた穴から空気が流出し、金型内に封止用樹脂が満たされる。封止用樹脂が充填された樹脂槽に、金型を沈めることにより、金型を封止用樹脂に浸してもよい。また、封止用樹脂が充填された樹脂槽を持ち上げることにより、金型を封止用樹脂に浸してもよい。更に、金型と、封止用樹脂が充填された樹脂槽とを近づけることにより、金型を封止用樹脂に浸してもよい。
【００５４】
コンプレッションモールド法により、第２実施形態における樹脂１１、１２を形成する場合、樹脂１１と樹脂１２とは分離して形成される。また、コンプレッションモールド法により、第２実施形態における樹脂１１〜１３を形成する場合、樹脂１１〜１３をそれぞれ分離して形成することができる。樹脂１４〜１６の形成の説明は省略するが、樹脂１４〜１６についても、コンプレッションモールド法により形成することができる。
【００５５】
以上の第１〜第４実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
半導体チップと、
前記半導体チップの周囲に配置され、前記半導体チップに電気的に接続された複数の第１リードと、
前記半導体チップから前記複数の第１リードよりも離れた位置に配置され、前記複数の第１リードに繋がる複数の第２リードと、
前記半導体チップを覆い、かつ、前記各第１リードを部分的に覆う第１樹脂と、
を備え、
前記複数の第１リードが、平面視で、前記半導体チップに対して放射状に延伸し、前記第１樹脂の側面から突き出ており、
前記複数の第２リードの一部同士が、平面視で、互いに並行に延伸する
ことを特徴とする半導体装置。
（付記２）
前記第１樹脂の周囲に配置され、前記各第１リードを部分的に覆う第２樹脂を備え、
前記第１樹脂の側面から突き出ている前記第１リード同士が前記第２樹脂によって連結されている
ことを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
前記第２樹脂の厚さは、前記第１樹脂の厚さよりも薄い
ことを特徴とする付記２に記載の半導体装置。
（付記４）
前記第１樹脂と前記第２樹脂との間に配置され、前記各第１リードを部分的に覆う第３樹脂を備え、
前記第３樹脂は、前記第１樹脂及び前記第２樹脂に繋がっており、
前記第３樹脂の厚さは、前記第１樹脂の厚さよりも薄い
ことを特徴とする付記２又は３に記載の半導体装置。
（付記５）
前記第１樹脂の周囲に配置され、前記各第１リードを部分的に覆う第４樹脂を備え、
前記第４樹脂は、前記第１樹脂に繋がり、
前記第４樹脂の厚さは、前記第１樹脂の厚さよりも薄い
ことを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記６）
前記第１樹脂は、隣接する前記第１リードの間に前記第１樹脂を貫通する孔を有する
ことを特徴とする付記１から５の何れか一つに記載の半導体装置。
（付記７）
前記第２樹脂は、隣接する前記第１リードの間に前記第２樹脂を貫通する孔を有する
ことを特徴とする付記２から４の何れか一つに記載の半導体装置。
（付記８）
前記第３樹脂は、隣接する前記第１リードの間に前記第３樹脂を貫通する孔を有する
ことを特徴とする付記４に記載の半導体装置。
（付記９）
前記第４樹脂は、隣接する前記第１リードの間に前記第４樹脂を貫通する孔を有する
ことを特徴とする付記５に記載の半導体装置。
【符号の説明】
【００５６】
１  半導体パッケージ
２  半導体チップ
３  リードフレーム
４  ワイヤ
５  ステージ
６  サポートバー
７  第１リード
８  第２リード
１１〜１６、２１、２２  樹脂
３１〜３３  凹部
【図１Ａ】
2016062974.tif 000003
【図１Ｂ】
2016062974.tif 000004
【図１Ｃ】
2016062974.tif 000005
【図２Ａ】
2016062974.tif 000006
【図２Ｂ】
2016062974.tif 000007
【図２Ｃ】
2016062974.tif 000008
【図３Ａ】
2016062974.tif 000009
【図３Ｂ】
2016062974.tif 000010
【図３Ｃ】
2016062974.tif 000011
【図４Ａ】
2016062974.tif 000012
【図４Ｂ】
2016062974.tif 000013
【図４Ｃ】
2016062974.tif 000014
【図５】
2016062974.tif 000015
【図６】
2016062974.tif 000016
【図７】
2016062974.tif 000017
【図８】
2016062974.tif 000018
【図９】
2016062974.tif 000019