(57)【要約】【課題】加熱対象の緻密な温度制御が可能なヒーターアレイを提供する。【解決手段】ヒーターアレイ１００は、複数の第１リード線３と、少なくとも１つの第２リード線５と、複数の電熱線７と、複数の絶縁体９とを備える。少なくとも１つの第２リード線５は、複数の第１リード線３に立体交差する。複数の電熱線７は、複数の第１リード線３と少なくとも１つの第２リード線５とが立体交差する複数の立体交差位置Ｔに対応して配置される。複数の絶縁体９は、複数の第１リード線３と少なくとも１つの第２リード線５とを電気的に絶縁する。電熱線７は、第１リード線３と第２リード線５とに接続される。絶縁体９は、立体交差位置Ｔにおいて、第１リード線３と第２リード線５との間に配置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１導電線と、
前記複数の第１導電線に立体交差する少なくとも１つの第２導電線と、
前記複数の第１導電線と前記少なくとも１つの第２導電線とが立体交差する複数の立体交差位置に対応して配置される複数の電熱体と、
前記複数の第１導電線と前記少なくとも１つの第２導電線とを電気的に絶縁する複数の絶縁体と
を備え、
前記電熱体は、前記第１導電線と前記第２導電線とに接続され、
前記絶縁体は、前記立体交差位置において、前記第１導電線と前記第２導電線との間に配置される、ヒーターアレイ。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第２導電線は、複数である、請求項１に記載のヒーターアレイ。
【請求項３】
前記電熱体は、電熱線であり、
前記電熱体の線幅は、前記第１導電線の線幅及び前記第２導電線の線幅の各々よりも狭い、請求項１又は請求項２に記載のヒーターアレイ。
【請求項４】
前記電熱体の原料は、前記第１導電線及び前記第２導電線のうちの少なくとも一方の原料と同じである、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のヒーターアレイ。
【請求項５】
前記電熱体の原料は、前記第１導電線の原料及び前記第２導電線の原料と異なる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のヒーターアレイ。
【請求項６】
前記第１導電線、前記第２導電線、前記電熱体、及び前記絶縁体が形成される基板をさらに備え、
前記第１導電線の原料と前記第２導電線の原料と前記電熱体の原料とは、同じであり、
前記絶縁体の原料と前記基板の原料とは、同じである、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のヒーターアレイ。
【請求項７】
前記第１導電線、前記第２導電線、前記電熱体、及び前記絶縁体が形成される基板をさらに備え、
前記基板、前記第１導電線、前記第２導電線、前記電熱体、及び前記絶縁体は、透明又は半透明である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のヒーターアレイ。
【請求項８】
前記電熱体は、前記立体交差位置からずれた位置に配置される、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のヒーターアレイ。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のヒーターアレイと、
温度に応答する温度応答性物質と
を備える、デバイス。
【請求項１０】
ヒーターアレイの製造方法であって、
前記ヒーターアレイは、
複数の第１導電線と、
前記複数の第１導電線に立体交差する少なくとも１つの第２導電線と、
前記複数の第１導電線と前記少なくとも１つの第２導電線とが立体交差する複数の立体交差位置に対応して配置される複数の電熱体と、
前記複数の第１導電線と前記少なくとも１つの第２導電線とを電気的に絶縁する複数の絶縁体と
を備え、
前記第１導電線及び第２導電線のうち一方の導電線を形成する工程と、
前記電熱体を形成する工程と、
前記絶縁体を形成する工程と、
前記第１導電線及び第２導電線のうち他方の導電線を形成する工程と
を含み、
前記電熱体は、前記第１導電線と前記第２導電線とに接続され、
前記絶縁体は、前記立体交差位置において、前記第１導電線と前記第２導電線との間に配置される、製造方法。
【請求項１１】
前記一方の導電線を形成する前記工程と前記電熱体を形成する前記工程とは、第１レイヤー工程を構成し、
前記一方の導電線及び前記電熱体は、第１レイヤーの一部であり、
前記第１レイヤー工程では、前記第１レイヤーを形成及び処理して、前記一方の導電線及び前記電熱体を形成し、
前記絶縁体を形成する前記工程は、第２レイヤー工程を構成し、
前記絶縁体は、第２レイヤーの一部であり、
前記第２レイヤー工程では、前記第２レイヤーを形成及び処理して、前記絶縁体を形成し、
前記他方の導電線を形成する前記工程は、第３レイヤー工程を構成し、
前記他方の導電線は、第３レイヤーの一部であり、
前記第３レイヤー工程では、前記第３レイヤーを形成及び処理して、前記他方の導電線を形成する、請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記一方の導電線を形成する前記工程は、第１レイヤー工程を構成し、
前記一方の導電線は、第１レイヤーの一部であり、
前記第１レイヤー工程では、前記第１レイヤーを形成及び処理して、前記一方の導電線を形成し、
前記絶縁体を形成する前記工程は、第２レイヤー工程を構成し、
前記絶縁体は、第２レイヤーの一部であり、
前記第２レイヤー工程では、前記第２レイヤーを形成及び処理して、前記絶縁体を形成し、
前記他方の導電線を形成する前記工程と前記電熱体を形成する前記工程は、第３レイヤー工程を構成し、
前記他方の導電線及び前記電熱体は、第３レイヤーの一部であり、
前記第３レイヤー工程では、前記第３レイヤーを形成及び処理して、前記他方の導電線及び前記電熱体を形成する、請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記一方の導電線を形成する前記工程は、第１レイヤー工程を構成し、
前記一方の導電線は、第１レイヤーの一部であり、
前記第１レイヤー工程では、前記第１レイヤーを形成及び処理して、前記一方の導電線を形成し、
前記絶縁体を形成する前記工程は、第２レイヤー工程を構成し、
前記絶縁体は、第２レイヤーの一部であり、
前記第２レイヤー工程では、前記第２レイヤーを形成及び処理して、前記絶縁体を形成し、
前記他方の導電線を形成する前記工程は、第３レイヤー工程を構成し、
前記他方の導電線は、第３レイヤーの一部であり、
前記第３レイヤー工程では、前記第３レイヤーを形成及び処理して、前記他方の導電線を形成し、
前記電熱体は、電熱体用レイヤーの一部であり、
前記電熱体を形成する前記工程は、前記第１レイヤー工程の前、前記第１レイヤー工程と前記第２レイヤー工程との間、前記第２レイヤー工程と前記第３レイヤー工程との間、又は前記第３レイヤー工程の後に実行され、前記電熱体用レイヤーを形成及び処理して、前記電熱体を形成する、請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記他方の導電線は、第１導電部及び第２導電部を含み、
前記他方の導電線を形成する前記工程は、
前記第１導電部を形成する工程と、
前記第２導電部を形成する工程と
を含み、
前記一方の導電線を形成する前記工程と前記電熱体を形成する前記工程と前記第１導電部を形成する前記工程とは、第１レイヤー工程を構成し、
前記一方の導電線、前記電熱体、及び前記第１導電部は、第１レイヤーの一部であり、
前記第１レイヤー工程では、前記第１レイヤーを形成及び処理して、前記一方の導電線、前記電熱体、及び前記第１導電部を形成し、
前記絶縁体は、第２レイヤーの一部であり、
前記絶縁体を形成する前記工程は、第２レイヤー工程を構成し、
前記第２レイヤー工程では、前記第２レイヤーを形成及び処理して、前記絶縁体を形成し、
前記第２導電部は、第３レイヤーの一部であり、
前記第２導電部を形成する前記工程は、第３レイヤー工程を構成し、
前記第３レイヤー工程では、前記第３レイヤーを形成及び処理して、前記第２導電部を形成する、請求項１０に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒーターアレイ、デバイス、及びヒーターアレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、マイクロヒーターは、非常に速い応答速度で熱を供給することのできる信頼性の高いヒーターとして知られている。マイクロスケールで高い応答性の実現が可能という特性を利用し、マイクロヒーターの様々な応用研究が行われている。近年、マイクロヒーターは生物細胞を扱う応用研究にも利用され、細胞の形態変化及び細胞の機能発現の制御等への応用が期待されている。
【０００３】
特許文献１には、マイクロヒーターを応用したマイクロヒーターアレイが記載されている。マイクロヒーターアレイは、複数の第１マイクロヒーター及び複数の第２マイクロヒーターを含む。
【０００４】
複数の第１マイクロヒーターと複数の第２マイクロヒーターとは互いに交差する。各第１マイクロヒーターは、第１方向に延びる直線状であり、第２マイクロヒーターの下方に配置される。また、各第１マイクロヒーターは、複数の第１支持体に支持され、基板から離間している。各第２マイクロヒーターは、第１方向に直交する第２方向に延びる直線状であり、第１マイクロヒーターの上方に配置される。また、各第２マイクロヒーターは、複数の第２支持体に支持され、基板から離間している。
【０００５】
マイクロヒーターアレイに電圧を印加し、第１マイクロヒーター及び第２マイクロヒーターからの発熱を利用して、第１マイクロヒーターと第２マイクロヒーターとの間にｐｎ接合を形成する。基板上の大面積にわたって高品質のｐｎ接合を形成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２３８７３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載されたマイクロヒーターアレイでは、第１マイクロヒーター及び第２マイクロヒーターの各々は直線状であり、第１マイクロヒーター及び第２マイクロヒーターの各々の全体が発熱する。従って、加熱対象の緻密な温度制御が困難である。例えば、加熱対象への局所的及び選択的な加熱による温度制御、複数の加熱対象への選択的な加熱による温度制御、並びに、単数又は複数の加熱対象の温度分布又は温度勾配の制御が困難である。
【０００８】
また、特許文献１に記載されたマイクロヒーターアレイでは、加熱対象の緻密な温度制御が困難であるため、応用分野が限定され、電子部品の分野に特化している。例えば、医療又は生命科学といった現在急速に注目されている細胞を扱うような研究又は産業への応用が困難である。
【０００９】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、加熱対象の緻密な温度制御が可能なヒーターアレイ、デバイス及びヒーターアレイの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の観点によれば、ヒーターアレイは、複数の第１導電線と、少なくとも１つの第２導電線と、複数の電熱体と、複数の絶縁体とを備える。少なくとも１つの第２導電線は、前記複数の第１導電線に立体交差する。複数の電熱体は、前記複数の第１導電線と前記少なくとも１つの第２導電線とが立体交差する複数の立体交差位置に対応して配置される。複数の絶縁体は、前記複数の第１導電線と前記少なくとも１つの第２導電線とを電気的に絶縁する。前記電熱体は、前記第１導電線と前記第２導電線とに接続される。前記絶縁体は、前記立体交差位置において、前記第１導電線と前記第２導電線との間に配置される。
【００１１】
本発明のヒーターアレイにおいて、前記少なくとも１つの第２導電線は、複数であることが好ましい。
【００１２】
本発明のヒーターアレイにおいて、前記電熱体は、電熱線であり、前記電熱体の線幅は、前記第１導電線の線幅及び前記第２導電線の線幅の各々よりも狭いことが好ましい。
【００１３】
本発明のヒーターアレイにおいて、前記電熱体の原料は、前記第１導電線及び前記第２導電線のうちの少なくとも一方の原料と同じであることが好ましい。
【００１４】
本発明のヒーターアレイにおいて、前記電熱体の原料は、前記第１導電線の原料及び前記第２導電線の原料と異なることが好ましい。
【００１５】
本発明のヒーターアレイは、前記第１導電線、前記第２導電線、前記電熱体、及び前記絶縁体が形成される基板をさらに備えることが好ましい。前記第１導電線の原料と前記第２導電線の原料と前記電熱体の原料とは、同じであり、前記絶縁体の原料と前記基板の原料とは、同じであることが好ましい。
【００１６】
本発明のヒーターアレイは、前記第１導電線、前記第２導電線、前記電熱体、及び前記絶縁体が形成される基板をさらに備えることが好ましい。前記基板、前記第１導電線、前記第２導電線、前記電熱体、及び前記絶縁体は、透明又は半透明であることが好ましい。
【００１７】
本発明のヒーターアレイにおいて、前記電熱体は、前記立体交差位置からずれた位置に配置されることが好ましい。
【００１８】
本発明の第２の観点によれば、デバイスは、本発明の第１の観点によるヒーターアレイと、温度に応答する温度応答性物質とを備える。
【００１９】
本発明の第３の観点によれば、製造方法は、ヒーターアレイの製造方法である。前記ヒーターアレイは、複数の第１導電線と、少なくとも１つの第２導電線と、複数の電熱体と、複数の絶縁体とを備える。少なくとも１つの第２導電線は、前記複数の第１導電線に立体交差する。複数の電熱体は、前記複数の第１導電線と前記少なくとも１つの第２導電線とが立体交差する複数の立体交差位置に対応して配置される。複数の絶縁体は、前記複数の第１導電線と前記少なくとも１つの第２導電線とを電気的に絶縁する。製造方法は、前記第１導電線及び第２導電線のうち一方の導電線を形成する工程と、前記電熱体を形成する工程と、前記絶縁体を形成する工程と、前記第１導電線及び第２導電線のうち他方の導電線を形成する工程とを含む。前記電熱体は、前記第１導電線と前記第２導電線とに接続される。前記絶縁体は、前記立体交差位置において、前記第１導電線と前記第２導電線との間に配置される。
【００２０】
本発明のヒーターアレイの製造方法において、前記一方の導電線を形成する前記工程と前記電熱体を形成する前記工程とは、第１レイヤー工程を構成し、前記一方の導電線及び前記電熱体は、第１レイヤーの一部であり、前記第１レイヤー工程では、前記第１レイヤーを形成及び処理して、前記一方の導電線及び前記電熱体を形成することが好ましい。前記絶縁体を形成する前記工程は、第２レイヤー工程を構成し、前記絶縁体は、第２レイヤーの一部であり、前記第２レイヤー工程では、前記第２レイヤーを形成及び処理して、前記絶縁体を形成することが好ましい。前記他方の導電線を形成する前記工程は、第３レイヤー工程を構成し、前記他方の導電線は、第３レイヤーの一部であり、前記第３レイヤー工程では、前記第３レイヤーを形成及び処理して、前記他方の導電線を形成することが好ましい。
【００２１】
本発明のヒーターアレイの製造方法において、前記一方の導電線を形成する前記工程は、第１レイヤー工程を構成し、前記一方の導電線は、第１レイヤーの一部であり、前記第１レイヤー工程では、前記第１レイヤーを形成及び処理して、前記一方の導電線を形成することが好ましい。前記絶縁体を形成する前記工程は、第２レイヤー工程を構成し、前記絶縁体は、第２レイヤーの一部であり、前記第２レイヤー工程では、前記第２レイヤーを形成及び処理して、前記絶縁体を形成することが好ましい。前記他方の導電線を形成する前記工程と前記電熱体を形成する前記工程は、第３レイヤー工程を構成し、前記他方の導電線及び前記電熱体は、第３レイヤーの一部であり、前記第３レイヤー工程では、前記第３レイヤーを形成及び処理して、前記他方の導電線及び前記電熱体を形成することが好ましい。
【００２２】
本発明のヒーターアレイの製造方法において、前記一方の導電線を形成する前記工程は、第１レイヤー工程を構成し、前記一方の導電線は、第１レイヤーの一部であり、前記第１レイヤー工程では、前記第１レイヤーを形成及び処理して、前記一方の導電線を形成することが好ましい。前記絶縁体を形成する前記工程は、第２レイヤー工程を構成し、前記絶縁体は、第２レイヤーの一部であり、前記第２レイヤー工程では、前記第２レイヤーを形成及び処理して、前記絶縁体を形成することが好ましい。前記他方の導電線を形成する前記工程は、第３レイヤー工程を構成し、前記他方の導電線は、第３レイヤーの一部であり、前記第３レイヤー工程では、前記第３レイヤーを形成及び処理して、前記他方の導電線を形成することが好ましい。前記電熱体は、電熱体用レイヤーの一部であり、前記電熱体を形成する前記工程は、前記第１レイヤー工程の前、前記第１レイヤー工程と前記第２レイヤー工程との間、前記第２レイヤー工程と前記第３レイヤー工程との間、又は前記第３レイヤー工程の後に実行され、前記電熱体用レイヤーを形成及び処理して、前記電熱体を形成することが好ましい。
【００２３】
本発明のヒーターアレイの製造方法において、前記他方の導電線は、第１導電部及び第２導電部を含み、前記他方の導電線を形成する前記工程は、前記第１導電部を形成する工程と、前記第２導電部を形成する工程とを含むことが好ましい。前記一方の導電線を形成する前記工程と前記電熱体を形成する前記工程と前記第１導電部を形成する前記工程とは、第１レイヤー工程を構成し、前記一方の導電線、前記電熱体、及び前記第１導電部は、第１レイヤーの一部であり、前記第１レイヤー工程では、前記第１レイヤーを形成及び処理して、前記一方の導電線、前記電熱体、及び前記第１導電部を形成することが好ましい。前記絶縁体は、第２レイヤーの一部であり、前記絶縁体を形成する前記工程は、第２レイヤー工程を構成し、前記第２レイヤー工程では、前記第２レイヤーを形成及び処理して、前記絶縁体を形成することが好ましい。前記第２導電部は、第３レイヤーの一部であり、前記第２導電部を形成する前記工程は、第３レイヤー工程を構成し、前記第３レイヤー工程では、前記第３レイヤーを形成及び処理して、前記第２導電部を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、加熱対象の緻密な温度制御が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態１に係るヒーターアレイを示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るヒーターアレイの第２リード線及び電熱線を説明する平面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係るヒーターアレイを備えるヒーターアレイシステムを示すブロック図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）本発明の実施形態１に係るヒーターアレイの製造方法の第１レイヤー工程を説明する図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）本発明の実施形態１に係るヒーターアレイの製造方法の第２レイヤー工程を説明する図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）本発明の実施形態１に係るヒーターアレイの製造方法の第３レイヤー工程を説明する図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）本発明の実施形態１に係るヒーターアレイの製造方法の第１レイヤー工程の前段を説明する図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）本発明の実施形態１に係るヒーターアレイの製造方法の第１レイヤー工程の後段を説明する図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）本発明の実施形態１に係るヒーターアレイの製造方法の第２レイヤー工程の前段を説明する図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）本発明の実施形態１に係るヒーターアレイの製造方法の第２レイヤー工程の後段を説明する図である。
【図１１】（ａ）（ｂ）本発明の実施形態１に係るヒーターアレイの製造方法の第３レイヤー工程の前段を説明する図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）本発明の実施形態１に係るヒーターアレイの製造方法の第３レイヤー工程の後段を説明する図である。
【図１３】本発明の実施形態２に係るヒーターアレイの製造方法を示すフローチャートである。
【図１４】本発明の実施形態３に係るヒーターアレイの製造方法を示すフローチャートである。
【図１５】本発明の実施形態４に係るヒーターアレイの製造方法を示すフローチャートである。
【図１６】本発明の実施形態５に係るデバイスを示す斜視図である。
【図１７】（ａ）本発明の実施例１に係るヒーターアレイの顕微鏡画像を示す図である。（ｂ）本発明の実施例１に係るヒーターアレイの顕微鏡画像の一部を拡大する図である。
【図１８】（ａ）本発明の実施例２に係るデバイスの顕微鏡画像を示す図である（電位差０Ｖ）。（ｂ）本発明の実施例２に係るデバイスの顕微鏡画像を示す図である（電位差３Ｖ）。（ｃ）本発明の実施例２に係るデバイスの顕微鏡画像を示す図である（電位差６Ｖ）。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【００２７】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るヒーターアレイ１００を示す平面図である。ヒーターアレイ１００は、例えば、マイクロヒーターアレイである。マイクロヒーターアレイは、二次元配列された複数のマイクロヒーターを含むＭＥＭＳ（微小電気機械素子：Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）である。マイクロヒーターは、薄膜で形成された抵抗発熱体であり、電流を流すことによりジュール熱を発生させる。換言すれば、マイクロヒーターは、ミリメートル（ｍｍ）のオーダーからナノメートル（ｎｍ）のオーダーの線幅を有するヒーターである。
【００２８】
ヒーターアレイ１００は、基板１、複数の第１リード線３（複数の第１導電線、一方の複数の導電線）、複数の第２リード線５（複数の第２導電線、他方の複数の導電線）、複数の電熱線７（複数の電熱体）、及び複数の絶縁体９を備える。基板１には、複数の第１リード線３、複数の第２リード線５、複数の電熱線７、及び複数の絶縁体９が形成される。基板１の原料は、実施形態１では、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）である。例えば、ｘ＝２である。基板１は透明又は半透明である。
【００２９】
複数の第１リード線３は、第１方向Ａ１（つまり、列方向Ａ１）に沿って延びており、略平行に並んでいる。第１リード線３は導電性を有する。第１リード線３の原料は、実施形態１では、クロム（Ｃｒ）である。
【００３０】
複数の第２リード線５は、第１方向Ａ１に交差する第２方向Ａ２（つまり、行方向Ａ２）に沿って延びており、略平行に並んでいる。第２リード線５は導電性を有する。実施形態１では、第２方向Ａ２は第１方向Ａ１に直交する。複数の第２リード線５は、複数の第１リード線３に立体交差する。第１リード線３の線幅Ｗ１と第２リード線５の線幅Ｗ２とは略同一である。なお、線幅Ｗ１と線幅Ｗ２とが異なっていてもよい。第２リード線５の原料は、実施形態１では、クロム（Ｃｒ）である。
【００３１】
図２は、第２リード線５及び電熱線７を説明する平面図である。各第２リード線５は、複数の非交差部５ａ（複数の第１導電部）及び複数の交差部５ｂ（複数の第２導電部）を含む。隣り合う非交差部５ａと交差部５ｂとは接合されている。従って、隣り合う非交差部５ａは、交差部５ｂを介して導通している。
【００３２】
図１及び図２に示すように、複数の電熱線７の各々は、電流を流すことによりジュール熱を発生させる抵抗発熱体であり、例えば、マイクロヒーターである。複数の電熱線７の各々は第１端部１１及び第２端部１２を有する。複数の電熱線７は二次元配列される。実施形態１では、複数の電熱線７は、Ｎ列（Ｎは２以上の整数）×Ｍ行（Ｍは２以上の整数）のマトリックス状に配置される。具体的には、複数の電熱線７は、複数の第１リード線３と複数の第２リード線５とが立体交差する複数の立体交差位置Ｔに対応して配置される。立体交差位置Ｔは、第１リード線３と第２リード線５とが立体交差して、第１リード線３と第２リード線５とで挟まれた空間の位置である。電熱線７は、立体交差位置Ｔの近傍、つまり、立体交差位置Ｔからずれた位置に配置される。また、電熱線７は、基板１上に基板１に接触するように形成される。
【００３３】
電熱線７は、第１リード線３と第２リード線５とに接続される。具体的には、電熱線７の第１端部１１が第１リード線３に接続され、電熱線７の第２端部１２が第２リード線５の非交差部５ａに接続される。電熱線７の線幅は、第１リード線３の線幅及び第２リード線５の線幅の各々よりも狭い。従って、電熱線７の電気抵抗値は、第１リード線３の電気抵抗値及び第２リード線５の電気抵抗値の各々よりも大きい。例えば、電熱線７の線幅は、ミリメートル（ｍｍ）のオーダーからナノメートル（ｎｍ）のオーダーである。電熱線７の線幅は、ヒーターアレイ１００の仕様に応じて適宜設定される。また、実施形態１では、電熱線７は、略直角に複数回屈曲した線状である。従って、電熱線７の設置面積を抑制しつつ電熱線７の電気抵抗値をさらに大きくできる。電熱線７の原料は、実施形態１では、クロム（Ｃｒ）である。
【００３４】
複数の絶縁体９は、複数の第１リード線３と複数の第２リード線５とを電気的に絶縁する。絶縁体９は、立体交差位置Ｔにおいて、第１リード線３と第２リード線５との間に配置される。絶縁体９の原料は、実施形態１では、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）である。例えば、ｘ＝２である。絶縁体９は透明又は半透明である。
【００３５】
次に、図３を参照して、ヒーターアレイ１００の動作を説明する。図３は、ヒーターアレイシステム２００を示すブロック図である。図３では、図面の簡略化のため、絶縁体９（図１）の図示を省略し、抵抗素子を示す記号で電熱線７を表している。
【００３６】
ヒーターアレイシステム２００は、ヒーターアレイ１００、コンピューター２０５、第１電圧調整回路２１０、第２電圧調整回路２２０、複数の抵抗器Ｒ１、及び複数の抵抗器Ｒ２を備える。抵抗器Ｒ１の一方端子は、対応する第１リード線３に接続され、抵抗器Ｒ１の他方端子は接地される。抵抗器Ｒ２の一方端子は、対応する第２リード線５に接続され、抵抗器Ｒ２の他方端子は接地される。
【００３７】
コンピューター２０５は、実施形態１では、パーソナルコンピューターであり、以下、ＰＣ２０５と記載する。ＰＣ２０５は、第１電圧調整回路２１０及び第２電圧調整回路２２０を制御する。
【００３８】
第１電圧調整回路２１０は、ＰＣ２０５の制御を受けて、複数の第１リード線３に電圧を印加する。この場合、第１電圧調整回路２１０は、ＰＣ２０５の制御に応じて、第１リード線３ごとに任意の値の電圧を印加することができる。例えば、第１電圧調整回路２１０は、複数の第１リード線３に同一値の電圧を印加することもできるし、複数の第１リード線３に異なる値の電圧を印加することもできる。第１電圧調整回路２１０は、０Ｖの電圧（つまり、接地電圧）、及び０Ｖを超える任意の電圧を各第１リード線３に印加可能である。
【００３９】
第２電圧調整回路２２０は、ＰＣ２０５の制御を受けて、複数の第２リード線５に電圧を印加する。この場合、第２電圧調整回路２２０は、ＰＣ２０５の制御に応じて、第２リード線５ごとに任意の値の電圧を印加することができる。例えば、第２電圧調整回路２２０は、複数の第２リード線５に同一値の電圧を印加することもできるし、複数の第２リード線５に異なる値の電圧を印加することもできる。第２電圧調整回路２２０は、０Ｖの電圧（つまり、接地電圧）、及び０Ｖを超える任意の電圧を各第２リード線５に印加可能である。
【００４０】
第１電圧調整回路２１０及び第２電圧調整回路２２０は電熱線７を活性化（オン）させることができる。すなわち、電熱線７の第１端部１１と第２端部１２とに電位差が生じるように、第１電圧調整回路２１０は第１端部１１の接続される第１リード線３に電圧を印加し、第２電圧調整回路２２０は第２端部１２の接続される第２リード線５に電圧を印加する。従って、電熱線７には、第１端部１１と第２端部１２との電位差に応じた大きさの電流が流れる。つまり、電熱線７が活性化される。その結果、電流の大きさに応じた発熱量で電熱線７が発熱する。電位差が大きい程大きな電流が流れるため、発熱量も多くなる。
【００４１】
一方、第１電圧調整回路２１０及び第２電圧調整回路２２０は電熱線７を非活性化（オフ）させることができる。すなわち、電熱線７の第１端部１１と第２端部１２の電位差が０Ｖ又は略０Ｖになるように、第１電圧調整回路２１０は第１端部１１の接続される第１リード線３に電圧（例えば、接地電圧）を印加し、第２電圧調整回路２２０は第２端部１２の接続される第２リード線５に電圧（例えば、接地電圧）を印加する。従って、電熱線７には電流が流れず、電熱線７が非活性化（オフ）される。その結果、電熱線７は発熱しない。
【００４２】
第１電圧調整回路２１０は第１リード線３ごとに任意の値の電圧を印加でき、第２電圧調整回路２２０は第２リード線５ごとに任意の値の電圧を印加できる。従って、ＰＣ２０５は、第１電圧調整回路２１０及び第２電圧調整回路２２０を制御することによって、電熱線７ごとに第１端部１１と第２端部１２との電位差を制御できる。その結果、電熱線７ごとに活性化／非活性化を制御できると伴に電熱線７ごとに活性化時の発熱量を制御できる。
【００４３】
以上、図１〜図３を参照して説明したように、実施形態１によれば、電熱線７ごとに活性化／非活性化を制御できる。従って、複数の電熱線７から所望の電熱線７だけを発熱させることができる。その結果、加熱対象の緻密な温度制御が可能になる。例えば、加熱対象の局所的及び選択的な加熱による緻密な温度制御、複数の加熱対象の選択的な加熱による緻密な温度制御、並びに、単数又は複数の加熱対象の温度分布又は温度勾配の緻密な制御が可能になる。つまり、加熱対象の空間的な温度制御を緻密にできる。
【００４４】
また、実施形態１によれば、電熱線７ごとに活性化時の発熱量を制御できる。従って、電熱線７ごとに所望の発熱量で発熱させることができる。その結果、加熱対象の更に緻密な温度制御が可能になる。例えば、単数又は複数の加熱対象の温度分布又は温度勾配の更に緻密な制御が可能になる。つまり、加熱対象の空間的な温度制御を更に緻密にできる。
【００４５】
さらに、実施形態１によれば、時間軸上で、電熱線７ごとに活性化／非活性化を制御し、電熱線７ごとに活性化時の発熱量を制御することによって、加熱対象の時間的な温度制御を緻密にできる。
【００４６】
さらに、実施形態１によれば、ヒーターアレイ１００は、加熱対象の空間的及び時間的な温度制御を緻密に実行できるため、医療又は生命科学といった現在急速に注目されている細胞を扱うような研究又は産業への応用が可能である。つまり、ヒーターアレイ１００は、医療、生化学分析、又は生化学実験等の微細作業環境下で効果的に使用可能である。ただし、ヒーターアレイ１００は、これらの分野への適用に限定されず、電子部品の分野等、幅広い分野に適用可能である。つまり、ヒーターアレイ１００は汎用性が高い。
【００４７】
また、ヒーターアレイ１００を温度応答性物質と組み合わせることにより、応用範囲をさらに広げることができる（例えば、実施形態５）。さらに、温度に応答又は反応する物質、微生物、又は細胞を、トラップしたり、トラップしなかったりして、高効率で容易にスクリーニングを実行できる。さらに、加熱対象の局所から広範囲にいたるまで、温度勾配を形成できるため、例えば、細胞の形態変化若しくは機能発現における境界条件の導出、又は走温性等の細胞動態の解析等への応用が期待できる。
【００４８】
さらに、実施形態１によれば、マトリックス状の複数の電熱線７を個別に活性化／非活性化できるため、１つのヒーターアレイ１００によって、様々な加熱対象に対して、様々なサイズ及び形状の温度分布又は温度勾配を形成できる。従って、必ずしも加熱対象ごとにヒーターアレイ１００を用意する必要はなく、経済的である。
【００４９】
さらに、実施形態１によれば、マトリックス状に配置された複数の電熱線７を覆うように、加熱対象を基板１上に形成、塗布、又は滴下することにより、加熱対象の温度制御を緻密にできる。従って、直線状の上側マイクロヒーターと直線状の下側マイクロヒーターとの間で加熱対象を挟むように配置するマイクロヒーターアレイと比較して（例えば、特許文献１参照）、加熱対象の配置が容易である。特に、加熱対象が液体又はゲルの場合でも、加熱対象をヒーターアレイ１００に容易に配置できる。従って、例えば、ヒーターアレイ１００は、液体又はゲルのような加熱対象を扱う医療分野又は生命科学分野に好適である。ただし、加熱対象は、固体であってもよく、その形態は特に限定されない。
【００５０】
さらに、実施形態１によれば、電熱線７は、立体交差位置Ｔからずれた位置に配置される。従って、電熱線７は第２リード線５の直下に位置しないため、電熱線７が立体交差位置Ｔに配置される場合と比較して、加熱効率を向上できる。また、電熱線７は、微細なマイクロヒーターであるため、応答速度が速く、電位差の印加から温度上昇までの時間が短い。従って、加熱対象の温度制御を高速に実行できる。例えば、加熱対象の温度分布又は温度勾配の変更又は切替を高速に実行できる。
【００５１】
さらに、実施形態１によれば、基板１は透明又は半透明である。医療分野又は生命科学分野では、特に、光学顕微鏡による観察を行うことが多く、これらの分野での使用に好適である。例えば、基板１として、生化学実験等で高頻度で使用されている安価で用意し易いガラス基板を採用する。従って、さらにコストを低減してヒーターアレイ１００を製造できる。
【００５２】
さらに、実施形態１によれば、第１リード線３、第２リード線５、電熱線７、及び絶縁体９は、基板１上に積層される。従って、複数の直線状の上側マイクロヒーター及び下側マイクロヒーターを高さの異なる複数の円錐台によって支持するマイクロヒーターアレイと比較して（例えば、特許文献１参照）、ヒーターアレイ１００の厚みを薄くできる。
【００５３】
さらに、実施形態１によれば、電熱線７の線幅を第１リード線３の線幅及び第２リード線５の線幅の各々よりも狭くすることによって、電熱線７の電気抵抗値を大きくして電熱線７を抵抗発熱体として機能させている。従って、第１リード線３と電熱線７とを同一原料で同時に形成できる。その結果、製造プロセスの簡素化及び製造時間の短縮化を実現でき、ひいては製造コストを低減できる。
【００５４】
さらに、実施形態１によれば、第１リード線３の原料と第２リード線５の原料と電熱線７の原料とは、同じである。加えて、基板１の原料と絶縁体９の原料とは、同じである。従って、ヒーターアレイ１００を２種類の原料で形成でき、製造コストをさらに低減できる。
【００５５】
図４〜図６を参照して、ヒーターアレイ１００の製造方法について説明する。ヒーターアレイ１００の製造方法は、第１レイヤー工程Ｓ１００、第２レイヤー工程Ｓ２００、及び第３レイヤー工程Ｓ３００を含む。図４は第１レイヤー工程Ｓ１００を説明する図であり、図５は第２レイヤー工程Ｓ２００を説明する図であり、図６は第３レイヤー工程Ｓ３００を説明する図である。
【００５６】
図４（ａ）は、第１レイヤーＬ１を示す斜視図である。図４（ｂ）は、第１レイヤー工程Ｓ１００での処理後の第１レイヤーＬ１を説明する斜視図である。図４（ｃ）は、図４（ｂ）のＩＶＣ−ＩＶＣ線に沿った断面図である。
【００５７】
図４（ａ）に示すように、第１レイヤー工程Ｓ１００では、基板１上に第１レイヤーＬ１を形成する。第１レイヤーＬ１の原料は、実施形態１では、クロム（Ｃｒ）である。
【００５８】
図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、第１レイヤー工程Ｓ１００では、エッチング（例えば、ウエットエッチング）により、第１レイヤーＬ１を処理して、第１リード線３、電熱線７、及び非交差部５ａを形成する。従って、第１リード線３、電熱線７、及び非交差部５ａは、第１レイヤーＬ１の一部である。処理後の第１レイヤーＬ１、つまり、第１リード線３、電熱線７、及び非交差部５ａを第１レイヤーＬ１ａと記載する場合もある。なお、図４（ｃ）には電熱線７は表れていない。
【００５９】
第１レイヤー工程Ｓ１００の完了後、第２レイヤー工程Ｓ２００が実行される。
【００６０】
図５（ａ）は、第２レイヤーＬ２を示す斜視図である。図５（ｂ）は、第２レイヤー工程Ｓ２００での処理後の第２レイヤーＬ２を説明する斜視図である。図５（ｃ）は、図５（ｂ）のＶＣ−ＶＣ線に沿った断面図である。
【００６１】
図５（ａ）に示すように、第２レイヤー工程Ｓ２００では、基板１上及び第１レイヤーＬ１ａ上に第２レイヤーＬ２を形成する。第２レイヤーＬ２の原料は、実施形態１では、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）である。例えば、ｘ＝２である。
【００６２】
図５（ｂ）および図５（ｃ）に示すように、第２レイヤー工程Ｓ２００では、エッチング（例えば、ウエットエッチング）により、第２レイヤーＬ２を処理して、絶縁体９を形成する。従って、絶縁体９は第２レイヤーＬ２の一部である。絶縁体９は、立体交差位置Ｔにおいて、第１リード線３を覆う。処理後の第２レイヤーＬ２、つまり、絶縁体９を第２レイヤーＬ２ａと記載する場合もある。
【００６３】
第２レイヤー工程Ｓ２００の完了後、第３レイヤー工程Ｓ３００が実行される。
【００６４】
図６（ａ）は、第３レイヤーＬ３を示す斜視図である。図６（ｂ）は、第３レイヤー工程Ｓ３００での処理後の第３レイヤーＬ３を説明する斜視図である。図６（ｃ）は、図６（ｂ）のＶＩＣ−ＶＩＣ線に沿った断面図である。
【００６５】
図６（ａ）に示すように、第３レイヤー工程Ｓ３００では、基板１上、第１レイヤーＬ１ａ上、及び第２レイヤーＬ２ａ上に第３レイヤーＬ３を形成する。第３レイヤーＬ３の原料は、実施形態１では、クロム（Ｃｒ）である。
【００６６】
図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、第３レイヤー工程Ｓ３００では、リフトオフにより、第３レイヤーＬ３を処理して、交差部５ｂを形成する。従って、交差部５ｂは第３レイヤーＬ３の一部である。交差部５ｂは、絶縁体９上を通って、第１リード線３を挟む非交差部５ａと非交差部５ａとに接合される。その結果、非交差部５ａと交差部５ｂとで第２リード線５が形成される。処理後の第３レイヤーＬ３、つまり、交差部５ｂを第３レイヤーＬ３ａと記載する場合もある。
【００６７】
図７〜図１２を参照して、ヒーターアレイ１００の製造方法の詳細について説明する。図７及び図８は、それぞれ、第１レイヤー工程Ｓ１００の前段及び後段を説明する断面図である。図７（ａ）〜図７（ｄ）は、それぞれ、工程Ｓ１〜工程Ｓ４を説明し、図８（ａ）〜図８（ｃ）は、それぞれ、工程Ｓ５〜工程Ｓ７を説明する。
【００６８】
図７（ａ）に示すように、工程Ｓ１において、基板１を用意し、洗浄する。図７（ｂ）に示すように、工程Ｓ２において、スパッタリングにより、第１レイヤーＬ１の原料によって基板１上に成膜する。その結果、基板１上に第１レイヤーＬ１が形成される。図７（ｃ）に示すように、工程Ｓ３において、第１レイヤーＬ１上にレジスト５１を形成する。図７（ｄ）に示すように、工程Ｓ４において、第１リード線３、非交差部５ａ、及び電熱線７に対応するマスクを使用して、フォトリソグラフィーにより、第１リード線３、非交差部５ａ、及び電熱線７に対応するパターンをレジスト５１に露光する。
【００６９】
図８（ａ）に示すように、工程Ｓ５において、現像液によって、レジスト５１のうち余分な部分、つまり、第１リード線３、非交差部５ａ、及び電熱線７に対応するパターン以外の部分を除去する。その結果、第１リード線３、非交差部５ａ、及び電熱線７に対応するパターンのレジスト５１が形成される。図８（ｂ）に示すように、工程Ｓ６において、第１レイヤーＬ１の原料を溶解するエッチャントを使用して、第１レイヤーＬ１のうち余分な部分、つまり、第１レイヤーＬ１のうちレジスト５１で覆われていない部分を除去する。図８（ｃ）に示すように、工程Ｓ７において、ドライ洗浄又はウエット洗浄を実行して、残ったレジスト５１を除去する。その結果、第１リード線３、非交差部５ａ、及び電熱線７が形成される。なお、図７（ｃ）では、電熱線７は表れていない。
【００７０】
以上、第１レイヤー工程Ｓ１００が完了した。次に、第２レイヤー工程Ｓ２００が実行される。
【００７１】
図９（ａ）〜図９（ｃ）は、それぞれ、工程Ｓ８〜工程Ｓ１０を説明し、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、それぞれ、工程Ｓ１１〜工程Ｓ１３を説明する。
【００７２】
図９（ａ）に示すように、工程Ｓ８において、スパッタリングにより、第２レイヤーＬ２の原料によって基板１上及び第１レイヤーＬ１ａ上に成膜する。その結果、基板１及び第１レイヤーＬ１ａを覆う第２レイヤーＬ２が形成される。なお、図面を簡略化しているため、図には表れていないが、絶縁体９による絶縁を確実にするため、第２レイヤーＬ２の膜厚は、第１レイヤーＬ１の膜厚より厚い。図９（ｂ）に示すように、工程Ｓ９において、第２レイヤーＬ２上にレジスト５２を形成する。図９（ｃ）に示すように、工程Ｓ１０において、絶縁体９に対応するマスクを使用して、フォトリソグラフィーにより、絶縁体９に対応するパターンをレジスト５２に露光する。
【００７３】
図１０（ａ）に示すように、工程Ｓ１１において、現像液によって、レジスト５２のうち余分な部分、つまり、絶縁体９に対応するパターン以外の部分を除去する。その結果、絶縁体９に対応するパターンのレジスト５２が形成される。図１０（ｂ）に示すように、工程Ｓ１２において、第２レイヤーＬ２の原料を溶解するエッチャントを使用して、第２レイヤーＬ２のうち余分な部分、つまり、第２レイヤーＬ２のうちレジスト５２で覆われていない部分を除去する。図１０（ｃ）に示すように、工程Ｓ１３において、ドライ洗浄又はウエット洗浄を実行して、残ったレジスト５２を除去する。その結果、絶縁体９が形成される。
【００７４】
以上、第２レイヤー工程Ｓ２００が完了した。次に、第３レイヤー工程Ｓ３００が実行される。
【００７５】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、それぞれ、工程Ｓ１４及び工程Ｓ１５を説明し、図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は、それぞれ、工程Ｓ１６〜工程Ｓ１８を説明する。
【００７６】
図１１（ａ）に示すように、工程Ｓ１４において、基板１上、第１レイヤーＬ１ａ上、及び第２レイヤーＬ２ａ上にレジスト５３を形成する。図１１（ｂ）に示すように、工程Ｓ１５において、交差部５ｂに対応するマスクを使用して、フォトリソグラフィーにより、交差部５ｂに対応するパターンをレジスト５３に露光する。
【００７７】
図１２（ａ）に示すように、工程Ｓ１６において、現像液によって、レジスト５３のうち余分な部分を除去する。その結果、交差部５ｂに対応するパターンを構成するレジスト５３が形成される。図１２（ｂ）に示すように、工程Ｓ１７において、スパッタリングにより、基板１上、第１レイヤーＬ１ａ上、第２レイヤーＬ２ａ上、及びレジスト５３上に、第３レイヤーＬ３の原料によって成膜する。その結果、基板１、第１レイヤーＬ１ａ、第２レイヤーＬ２ａ、及びレジスト５３を覆う第３レイヤーＬ３が形成される。なお、図面を簡略化しているため、図には表れていないが、非交差部５ａと交差部５ｂとの導通を確実にするため、第３レイヤーＬ３の膜厚は、第２レイヤーＬ２の膜厚より厚い。
【００７８】
図１２（ｃ）に示すように、工程Ｓ１８において、リフトオフによって、レジスト５３と伴に、レジスト５３上に形成された第３レイヤーＬ３を除去する。つまり、工程Ｓ１８において、除去液によって、レジスト５３を除去する。この場合、レジスト５３と伴に、レジスト５３上に形成された第３レイヤーＬ３も除去される。その結果、交差部５ｂが形成される。
【００７９】
ここで、工程Ｓ１８でのリフトオフによって、レジスト５３上の第３レイヤーＬ３を確実に除去するため、工程Ｓ１５と工程Ｓ１６との間に、レジスト５３を逆テーパー構造とするための工程を実行してもよい。この工程を実行すると、工程Ｓ１６では、逆テーパー構造のレジスト５３が形成される。
【００８０】
また、第３レイヤー工程Ｓ３００をリフトオフ法により実行する理由は次の通りである。第１レイヤーＬ１と第３レイヤーＬ３とは同じ原料である。従って、第３レイヤー工程Ｓ３００をエッチング法により実行すると、第１レイヤー工程Ｓ１００で形成した第１リード線３、非交差部５ａ、及び電熱線７まで溶解される可能性がある。そこで、第３レイヤー工程Ｓ３００をリフトオフ法により実行する。
【００８１】
以上、図４〜図１２を参照して説明したように、実施形態１に係る製造方法によって、図１に示すヒーターアレイ１００を好適に製造できる。また、ヒーターアレイ１００を２種類の原料で形成でき、製造コストを低減できる。さらに、半導体プロセスを採用しているため容易にヒーターアレイ１００を製造できる。半導体プロセスは、高精度な微細加工及び大面積アレイ化に最適だからである。また、半導体プロセスの採用により、ヒーターアレイ１００は、センサー、アクチュエーター、及び／又は回路素子との集積化も可能である。
【００８２】
また、図４を参照して説明したように、実施形態１によれば、電熱線７は第１レイヤー工程Ｓ１００で形成される。従って、重要なパーツである電熱線７に不具合が発生していれば、第２レイヤー工程Ｓ２００に進むことなく、再び第１レイヤー工程Ｓ１００をやり直すことで、プロセスの無駄を省くことができる。例えば、第３レイヤー工程Ｓ３００で電熱線７を形成すると、電熱線７に不具合が発生した場合に、第１レイヤー工程Ｓ１００〜第３レイヤー工程Ｓ３００が無駄になる。
【００８３】
さらに、図４及び図６を参照して説明したように、実施形態１によれば、第１レイヤー工程Ｓ１００で第２リード線５の非交差部５ａを形成し、第３レイヤー工程Ｓ３００で、第２リード線５の交差部５ｂを形成して、非交差部５ａと交差部５ｂとを接合する。従って、第２リード線５を容易に形成できる。
【００８４】
さらに、図４、図７、及び図８を参照して説明したように、実施形態１によれば、第１リード線３と電熱線７と非交差部５ａとを第１レイヤー工程Ｓ１００において同時に形成する。従って、製造プロセスの簡素化及び製造時間の短縮化を実現でき、ひいては製造コストを低減できる。
【００８５】
さらに、図４〜図１２を参照して説明したように、実施形態１では、第１レイヤーＬ１及び第３レイヤーＬ３の原料はクロム（Ｃｒ）である。クロム（Ｃｒ）は、電気的及び機械的に非常に安定で、微細加工が容易であり、しかも開発実績が多く信頼性が高いからである。また、基板１及び第２レイヤーＬ２の原料は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）である。酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）は、電気的及び機械的に非常に安定で、開発実績が多く信頼性が高いからである。
【００８６】
（実施形態２）
図１及び図１３を参照して、本発明の実施形態２に係るヒーターアレイ１００の製造方法について説明する。実施形態２に係る製造方法によって、図１に示すヒーターアレイ１００を製造する。
【００８７】
図１３は、ヒーターアレイ１００の製造方法を示すフローチャートである。製造方法は、工程Ｓ３１〜工程Ｓ３４を含む。工程Ｓ３１及び工程Ｓ３２は第１レイヤー工程Ｓ１００を構成する。工程Ｓ３３は、第２レイヤー工程Ｓ２００を構成する。工程Ｓ３４は、第３レイヤー工程Ｓ３００を構成する。
【００８８】
工程Ｓ３１において、複数の第１リード線３及び複数の第２リード線５のうち一方の複数のリード線（一方の複数の導電線）を形成する。実施形態２では、複数の第１リード線３を形成する。工程Ｓ３２において、複数の電熱線７を形成する。工程Ｓ３１及び工程Ｓ３２は、同時に実行され、図４、図７、及び図８で説明した第１レイヤー工程Ｓ１００と同様である。ただし、実施形態２に係る第１レイヤー工程Ｓ１００では非交差部５ａは形成されない。すなわち、第１リード線３及び電熱線７は、第１レイヤーＬ１の一部であり、実施形態２に係る第１レイヤー工程Ｓ１００では、第１レイヤーＬ１を形成及び処理して、第１リード線３及び電熱線７を形成する。
【００８９】
工程Ｓ３３において、複数の絶縁体９を形成する。工程Ｓ３３は、図５、図９、及び図１０で説明した第２レイヤー工程Ｓ２００と同様である。すなわち、絶縁体９は、第２レイヤーＬ２の一部であり、実施形態２に係る第２レイヤー工程Ｓ２００では、第２レイヤーＬ２を形成及び処理して、絶縁体９を形成する。
【００９０】
工程Ｓ３４において、複数の第１リード線３及び複数の第２リード線５のうち他方の複数のリード線（他方の複数の導電線）を形成する。実施形態２では、複数の第２リード線５を形成する。工程Ｓ３４は、図６、図１１、及び図１２で説明した第３レイヤー工程Ｓ３００と同様である。ただし、実施形態２に係る第３レイヤー工程Ｓ３００では、第３レイヤーＬ３から非交差部５ａ及び交差部５ｂが形成される。すなわち、第２リード線５は、第３レイヤーＬ３の一部であり、実施形態２に係る第３レイヤー工程Ｓ３００では、第３レイヤーＬ３を形成及び処理して、第２リード線５を形成する。
【００９１】
以上、実施形態２に係る製造方法によれば、図１に示すヒーターアレイ１００を容易に製造できる。その他、実施形態１に係る製造方法と同様の効果を有する。
【００９２】
（実施形態３）
図１及び図１４を参照して、本発明の実施形態３に係るヒーターアレイ１００の製造方法について説明する。実施形態３に係る製造方法によって、図１に示すヒーターアレイ１００を製造する。
【００９３】
図１４は、ヒーターアレイ１００の製造方法を示すフローチャートである。製造方法は、工程Ｓ３１〜工程Ｓ３４を含む。工程Ｓ３４は工程Ｓ３４ａ及び工程Ｓ３４ｂを含む。工程Ｓ３１、工程Ｓ３４ａ、及び工程Ｓ３２は、第１レイヤー工程Ｓ１００を構成する。工程Ｓ３３は、第２レイヤー工程Ｓ２００を構成する。工程Ｓ３４ｂは、第３レイヤー工程Ｓ３００を構成する。
【００９４】
工程Ｓ３１において、複数の第１リード線３及び複数の第２リード線５のうち一方の複数のリード線（一方の複数の導電線）を形成する。実施形態２では、複数の第１リード線３を形成する。工程Ｓ３４において、複数の第１リード線３及び複数の第２リード線のうち他方の複数のリード線（他方の複数の導電線）を形成する。実施形態３では、複数の第２リード線５を形成する。工程Ｓ３４は、工程Ｓ３４ａと工程Ｓ３４ｂとに分割される。工程Ｓ３４ａにおいて、複数の第２リード線５の複数の非交差部５ａを形成する。工程Ｓ３２において、複数の電熱線７を形成する。工程Ｓ３１、工程３４ａ、及び工程Ｓ３２は、同時に実行され、図４、図７、及び図８で説明した第１レイヤー工程Ｓ１００と同様である。
【００９５】
工程Ｓ３３において、複数の絶縁体９を形成する。工程Ｓ３３は、図５、図９、及び図１０で説明した第２レイヤー工程Ｓ２００と同様である。工程Ｓ３４ｂにおいて、複数の第２リード線５の複数の交差部５ｂを形成する。工程Ｓ３４ｂは、図６、図１１、及び図１２で説明した第３レイヤー工程Ｓ３００と同様である。
【００９６】
以上、実施形態３に係る製造方法によれば、図１に示すヒーターアレイ１００を容易に製造できる。その他、実施形態１に係る製造方法と同様の効果を有する。
【００９７】
（実施形態４）
図１及び図１５を参照して、本発明の実施形態４に係るヒーターアレイ１００の製造方法について説明する。実施形態４に係る製造方法によって、図１に示すヒーターアレイ１００を製造する。
【００９８】
図１５は、ヒーターアレイ１００の製造方法を示すフローチャートである。製造方法は、第１レイヤー工程Ｓ１００、ヒーターレイヤー工程Ｓ４００（複数の電熱線７を形成する工程）、第２レイヤー工程Ｓ２００、及び第３レイヤー工程Ｓ３００を含む。
【００９９】
第１レイヤー工程Ｓ１００において、第１レイヤーＬ１を形成及び処理して、複数の第１リード線３及び複数の第２リード線５のうち一方の複数のリード線（一方の複数の導電線）を形成する。実施形態４では、複数の第１リード線３を形成する。従って、第１リード線３は第１レイヤーＬ１の一部である。第１レイヤー工程Ｓ１００は、図４、図７、及び図８で説明した第１レイヤー工程Ｓ１００と同様である。ただし、実施形態４に係る第１レイヤー工程Ｓ１００では、非交差部５ａ及び電熱線７は形成されない。
【０１００】
ヒーターレイヤー工程Ｓ４００において、エッチング（例えば、ウエットエッチング）により、電熱線用レイヤー（電熱体用レイヤー）を形成及び処理して、複数の電熱線７を形成する。従って、電熱線７は、電熱線用レイヤーの一部である。
【０１０１】
第２レイヤー工程Ｓ２００において、第２レイヤーＬ２を形成及び処理して、複数の絶縁体９を形成する。従って、絶縁体９は、第２レイヤーＬ２の一部である。第２レイヤー工程Ｓ２００は、図５、図９、及び図１０で説明した第２レイヤー工程Ｓ２００と同様である。
【０１０２】
第３レイヤー工程Ｓ３００において、第３レイヤーＬ３を形成及び処理して、複数の第１リード線３及び複数の第２リード線５のうち他方の複数のリード線（他方の複数の導電線）を形成する。実施形態４では、複数の第２リード線５を形成する。従って、第２リード線５は第３レイヤーＬ３の一部である。第３レイヤー工程Ｓ３００は、図６、図１１、及び図１２で説明した第３レイヤー工程Ｓ３００と同様である。ただし、実施形態４に係る第３レイヤー工程Ｓ３００では、第３レイヤーＬ３から非交差部５ａ及び交差部５ｂが形成される。
【０１０３】
以上、実施形態４に係る製造方法によれば、図１に示すヒーターアレイ１００を容易に製造できる。その他、実施形態１に係る製造方法と同様の効果を有する。
【０１０４】
また、実施形態４によれば、電熱線７が、第１リード線３及び第２リード線５と別の工程で形成される。従って、電熱線７の原料を、第１リード線３の原料及び第２リード線５の原料と異ならせることができる。例えば、電熱線７の電気抵抗率が第１リード線３及び第２リード線５の各々の電気抵抗率よりも大きくなるように、電熱線７、第１リード線３、及び第２リード線５の原料を決定する。電熱線７の原料を高抵抗率の原料とすることによって、小さい電位差で電熱線７を活性化できるため、電熱線７の発熱効率（発熱量／電位差）を向上できる。例えば、電熱線７の原料をタンタル（Ｔａ）にし、第１リード線３及び第２リード線５の原料を金（Ａｕ）にする。
【０１０５】
（実施形態５）
図１６を参照して、本発明の実施形態５に係るデバイス４００について説明する。図１６は、本発明の実施形態５に係るデバイス４００を説明する斜視図である。デバイス４００は、ヒーターアレイ１００と、温度応答性物質３００とを備える。ヒーターアレイ１００は、図１に示したヒーターアレイ１００と同じである。温度応答性物質３００は温度に応答する。つまり、温度応答性物質３００の性質は温度に応じて変化する。温度応答性物質３００は、複数の電熱線７を覆うように形成される。なお、図１６では、非加熱状態で透明又は半透明な温度応答性物質３００を示している。ただし、温度応答性物質３００の色彩は特に限定されない。
【０１０６】
温度応答性物質３００は、例えば、温度応答性高分子である。温度応答性高分子は、例えば、ＰＩＰＡＡｍ、つまり、ポリ（Ｎ−イソプロピルアクリルアミド）である。温度応答性高分子は、温度変化に応じて、親水性と疎水性とが切り替わる。従って、ヒーターアレイ１００によって加熱／非加熱を局所的に制御して、温度応答性高分子の親水性と疎水性とを局所的に高速に切り替えることができる。
【０１０７】
また、ヒーターアレイ１００による加熱／非加熱の局所的な制御によって、温度応答性高分子の局所的な表面特性（親水性／疎水性）の制御ができる。従って、親水性物質に吸着され、疎水性物質から脱離する特性を有する物質、又は疎水性物質に吸着され、親水性物質から脱離する特性を有する物質を、局所的に、トラップしたり、トラップしなかったりすることができ、スクリーニングを高効率で容易に実行できる。例えば、分子（例えば、ステロイド、アミノ酸、ペプチド、タンパク質、又は化学物質）の高効率分離を実現できる。
【０１０８】
温度応答性物質３００は、例えば、温度応答性ゲルである。温度応答性ゲルは、一定値以上の温度になると硬化する熱硬化性物質である。一定値は、温度応答性ゲルの構造等に応じて定まる値である。ヒーターアレイ１００によって加熱／非加熱を局所的に制御して、温度応答性ゲルの軟質と硬質とを局所的に高速に切り替えることができる。
【０１０９】
また、ヒーターアレイ１００による局所的な加熱／非加熱の制御によって、温度応答性ゲルの局所的な表面特性（軟質／硬質）の制御ができる。従って、温度応答性ゲルに対象物質を包含させて、温度応答性ゲルを加熱し、温度応答性ゲルに対象物質を封入できる。そして、局所的に温度応答性ゲルの加熱を解除することによって、局所的に、対象物質を放出したり、活性化したりできる。例えば、温度応答性高分子を対象物質のゲル化用の架橋剤として用いて、温度応答性ゲルを形成する。この場合、ヒーターアレイ１００による局所的な加熱／非加熱の制御によって、局所的な対象物質の放出が可能になり、細胞等の機能発現の解明等にも利用可能である。
【０１１０】
また、温度応答性ゲルに対象物質を包含させ、局所的に温度応答性ゲルを加熱することによって、局所的に、対象物質を放出したり、活性化したりできる。例えば、温度応答性ゲルの特性（温度変化による熱硬化）を、細胞懸濁液の固定に利用すれば、イン・ビトロ（ｉｎ  ｖｉｔｒｏ）で任意の形状の三次元細胞培養も可能になる。つまり、温度応答性ゲルに培地及び細胞を包含させ、作成したい人工臓器（例えば、人工血管）のパーツ（人工臓器パーツ（例えば、人工血管を構成する円環状パーツ））の形状及びサイズに応じて、温度応答性ゲルを局所的に加熱する。加熱によって、培地及び細胞が活性化され、所望の形状及びサイズの人工臓器パーツを形成できる。そして、複数の人工臓器パーツを形成及び結合して、１つの人工臓器を形成する。従って、近年注目されている再生医療への応用が期待できる。なお、イン・ビトロとは、各種の実験条件が人工的にコントロールされた環境であることを示す。
【０１１１】
また、マトリックス状の複数の電熱線７を個別に活性化／非活性化できるため、様々なサイズ及び形状の人工臓器パーツを１つのヒーターアレイ１００によって形成できる。従って、必ずしも人工臓器パーツごとにヒーターアレイ１００を用意する必要がなく、経済的である。
【０１１２】
次に、本発明が実施例に基づき具体的に説明されるが、本発明は以下の実施例によって限定されない。
【実施例】
【０１１３】
（実施例１）
本発明の実施例１では、図４〜図１２を参照して説明した製造方法により、図１に示すヒーターアレイ１００を製作した。そして、ヒーターアレイ１００の顕微鏡画像を撮影した。
【０１１４】
図１７（ａ）及び図１７（ｂ）を参照して実施例１を説明する。図１７（ａ）は、実施例１に係るヒーターアレイ１００の顕微鏡画像を示す。ヒーターアレイ１００が良好に形成されていることを確認できた。図１７（ｂ）は、図１７（ａ）の領域７０を拡大している。第１リード線３、第２リード線５、及び絶縁体９が良好に形成されている。なお、図１７（ｂ）では、第１リード線３、第２リード線５、及び絶縁体９が薄く、絶縁体９が透明であり、顕微鏡の光が強く見えた。従って、第１リード線３が絶縁体９及び第２リード線５を介して透けて見え、絶縁体９が第２リード線５を介して透けて見えた。また、テスターを用いて導通確認を行った結果、複数の電熱線７を個別に活性化／非活性化できることを確認した。
【０１１５】
ヒーターアレイ１００を以下の条件で製造した。第１レイヤーＬ１及び第３レイヤーＬ３の原料はクロム（Ｃｒ）であった。基板１及び第２レイヤーＬ２の原料は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）であった。なお、基板１はガラス基板であった。
【０１１６】
工程Ｓ２（図７（ｂ））では、厚みが約５０ｎｍの第１レイヤーＬ１をスパッタリングにより形成した。工程Ｓ８（図９（ａ））では、厚みが約７５ｎｍの第２レイヤーＬ２をスパッタリングにより形成した。工程Ｓ１７（図１２（ｂ））では、厚みが約１００ｎｍの第３レイヤーＬ３をスパッタリングにより形成した。
【０１１７】
工程Ｓ３（図７（ｃ））で形成したレジスト５１の厚みは約２μｍであり、レジスト５１として、ＡＺ１５００（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社）を使用した。工程Ｓ９（図９（ｂ））で形成したレジスト５２の条件は、工程Ｓ３で形成したレジスト５１の条件と同様であった。工程Ｓ１４（図１１（ａ））で形成したレジスト５３の厚みは約５００ｎｍであり、レジスト５３として、ＡＺ５２０６（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社）を使用した。
【０１１８】
工程Ｓ７（図８（ｃ））では、ドライ洗浄を実行して、残ったレジスト５１を除去した。ドライ洗浄で使用した気体は酸素（Ｏ2）であった。工程Ｓ１３（図１０（ｃ））でも、工程Ｓ７と同じ条件でドライ洗浄を実行して、残ったレジスト５２を除去した。工程Ｓ１８（図１２（ｃ））では、レジスト５３の除去液としてＡＺリムーバー（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社）を用いた。
【０１１９】
（実施例２）
図１６及び図１８（ａ）〜図１８（ｃ）を参照して、本発明の実施例２を説明する。図１６に示すように、実施例２では、実施例１で製作したヒーターアレイ１００の電熱線７を覆うように、温度応答性物質３００を形成した。温度応答性物質３００は、３２度で熱硬化する温度応答性ゲルであった。この温度応答性ゲルは、熱硬化前では透明であり、熱硬化によって変色する。
【０１２０】
電熱線７の第１端部１１と第２端部１２との電位差を０Ｖ、３Ｖ、及び６Ｖに設定して、温度応答性物質３００の変化を観察した。
【０１２１】
図１８（ａ）は、電位差を０Ｖとしたときの温度応答性物質３００の顕微鏡画像を示す。電位差が０Ｖである場合、温度応答性物質３００は加熱されておらず、温度応答性物質３００の温度は略室温であった。従って、温度応答性物質３００は透明であり、電熱線７が透けて見えた。
【０１２２】
図１８（ｂ）は、電位差を３Ｖとしたときの温度応答性物質３００の顕微鏡画像を示す。電位差が３Ｖである場合、温度応答性物質３００は、加熱され、３２度を超えた。その結果、温度応答性物質３００は、熱硬化し、変色した。つまり、局所的な加熱が確認された。
【０１２３】
図１８（ｃ）は、電位差を６Ｖとしたときの温度応答性物質３００の顕微鏡画像を示す。電位差が６Ｖである場合、温度応答性物質３００は、加熱され、３２度を超えた。その結果、温度応答性物質３００は、熱硬化し、変色した。つまり、局所的な加熱が確認された。
【０１２４】
図１８（ｂ）と図１８（ｃ）とを比較する。電位差が３Ｖの場合、図１８（ｂ）に示すように、温度応答性物質３００のうち電熱線７の近傍部分が熱硬化し、電熱線７が若干透けて見えた。一方、電位差が６Ｖの場合、図１８（ｃ）に示すように、温度応答性物質３００のうち、電熱線７の近傍部分だけでなく、電熱線７から膜厚方向及び膜厚方向に直交する方向に離れた部分も熱硬化し、電熱線７は見えなかった。
【０１２５】
以上、図面（図１〜図１８）を参照しながら本発明の実施形態及び実施例について説明した。但し、本発明は、上記の実施形態及び実施例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である（例えば、下記に示す（１）〜（１０））。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【０１２６】
（１）実施形態１〜実施形態５では、ヒーターアレイ１００は、４列×４行の電熱線７を有した。ただし、電熱線７の数は、特に限定されず任意である。また、複数の第１リード線３と複数の第２リード線５とを設けたが、複数の第１リード線３と単数の第２リード線５とを設けてもよいし、単数の第１リード線３と複数の第２リード線５とを設けてもよい。つまり、複数の電熱線７は、一次元配列されてもよい。また、第１リード線３の数及び第２リード線５の数は、４本に限定されず、任意の数であってもよい。
【０１２７】
また、第１リード線３と第２リード線５とは、直交したが、交差していればよく、第１リード線３と第２リード線５とが任意の角度を形成してもよい。さらに、第１リード線３及び第２リード線５は、直線状であったが、曲線状であってもよいし、屈曲していてもよい。つまり、第１リード線３及び第２リード線５の形状は任意である。
【０１２８】
（２）実施形態１〜実施形態５（実施形態４を除く。）では、電熱線７の原料は、第１リード線３及び第２リード線５の原料と同じであったが、少なくとも第１リード線３と同じ原料であれば、電熱線７と第１リード線３とを同時に形成でき、製造コストを低減できる。ただし、電熱線７の原料は、第１リード線３の原料及び第２リード線５の原料と異なってもよい。この場合、実施形態４と同様に、電熱線７の発熱効率を向上できる。また、第１リード線３の原料と第２リード線５の原料とが異なってもよい。
【０１２９】
（３）実施形態１〜実施形態５では、基板１及び絶縁体９が透明又は半透明であったが、基板１だけが透明又は半透明であってもよいし、基板１、第１リード線３、第２リード線５、電熱線７、及び絶縁体９の全部又は一部が透明又は半透明であってもよい。これらを透明又は半透明にすることによって、例えば、光学顕微鏡による観察を行うことの多い医療分野又は生命科学分野での使用にさらに好適である。また、第１リード線３、第２リード線５、及び電熱線７の全部又は一部を透明導電膜により形成することもできる。例えば、透明導電膜は、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）である。
【０１３０】
（４）実施形態４では、ヒーターレイヤー工程Ｓ４００は、第１レイヤー工程Ｓ１００と第２レイヤー工程Ｓ２００との間で実行されたが、第１レイヤー工程Ｓ１００の前で実行されてもよいし、第２レイヤー工程Ｓ２００と第３レイヤー工程Ｓ３００との間で実行されてもよいし、第３レイヤー工程Ｓ３００の後で実行されてもよい。この場合も、実施形態４と同様に、図１に示すヒーターアレイ１００を容易に製造できる。
【０１３１】
（５）実施形態１〜実施形態５（実施形態４を除く。）では、電熱線７は、第１レイヤー工程Ｓ１００で形成されたが、第３レイヤー工程Ｓ３００で形成されてもよい。この場合も、図１に示すヒーターアレイ１００を容易に製造できる。
【０１３２】
例えば、工程Ｓ３２（図１３）は、工程Ｓ３４と伴に第３レイヤー工程Ｓ３００を構成する。つまり、第２リード線５及び電熱線７は第３レイヤーＬ３の一部であり、第３レイヤー工程Ｓ３００では、第３レイヤーＬ３を形成及び処理して、第２リード線５及び電熱線７を形成する。なお、この場合、工程Ｓ３１が第１レイヤー工程Ｓ１００を形成する。つまり、第１リード線３は第１レイヤーＬ１の一部であり、第１レイヤー工程Ｓ１００では、第１レイヤーＬ１を形成及び処理して、第１リード線３を形成する。
【０１３３】
例えば、工程Ｓ３２（図１４）は、工程Ｓ３４ｂと伴に第３レイヤー工程Ｓ３００を構成する。つまり、第２リード線５の交差部５ｂ及び電熱線７は第３レイヤーＬ３の一部であり、第３レイヤー工程Ｓ３００では、第３レイヤーＬ３を形成及び処理して、交差部５ｂ及び電熱線７を形成する。なお、この場合、工程Ｓ３１及び工程Ｓ３４ａが第１レイヤー工程Ｓ１００を形成する。つまり、第１リード線３及び非交差部５ａは第１レイヤーＬ１の一部であり、第１レイヤー工程Ｓ１００では、第１レイヤーＬ１を形成及び処理して、第１リード線３及び非交差部５ａを形成する。
【０１３４】
（６）実施形態１〜実施形態５において、第１レイヤー工程Ｓ１００、第２レイヤー工程Ｓ２００、第３レイヤー工程Ｓ３００、及びヒーターレイヤー工程Ｓ４００の全部又は一部で、エッチング法を採用してもよいし、リフトオフ法を採用してもよいし、エッチング法とリフトオフ法とを組み合わせて採用してもよい。例えば、全ての工程でリフトオフ法を採用する場合、エッチャントが不要であり、ヒーターアレイ１００の製造コストを削減できる。また、エッチング法は、ウエットエッチング法を採用してもよいし、ドライエッチング法を採用してもよい。さらに、レジスト５１、レジスト５２、及びレジスト５３の全部又は一部は、ポジ型でもよいし、ネガ型でもよい。
【０１３５】
（７）実施形態４において、立体交差位置Ｔに電熱線７を形成することもできる。つまり、第１リード線３と第２リード線５とで電熱線７を挟むように形成することもできる。この場合、絶縁体９は、形成してもよいし、形成しなくてもよい。
【０１３６】
（８）実施形態１〜実施形態５では、複数の電熱線７によりヒーターアレイ１００を形成したが、単数の第１リード線３、単数の第２リード線５、単数の電熱線７、及び単数の絶縁体９により、１つのヒーターを形成してもよい。
【０１３７】
（９）実施形態１〜実施形態５では、電熱線７の形状は、略直角に複数回屈曲した線状であったが、これに限定されない。例えば、電熱線７は、略直角に１回屈曲した線状であってもよいし、屈曲の角度は略直角でなくてもよい。例えば、電熱線７は、湾曲した線状であってもよいし、屈曲及び湾曲した線状であってもよい。電熱線７は、線状に限定されず、任意の形状であってもよい。また、電熱線７の線幅は、第１リード線３の線幅及び第２リード線５の線幅の各々より狭かったが、抵抗発熱体として機能する限り、これらの線幅と略同一であってもよい。
【０１３８】
（１０）第１リード線３の原料は、例えば、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、又は銅（Ｃｕ）でもよい。第２リード線５の原料は、例えば、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、又は銅（Ｃｕ）でもよいでもよい。電熱線７の原料は、例えば、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、タンタル、又はタンタル合金でもよい。絶縁体９の原料は、例えば、酸化アルミニウム、樹脂、又はセラミックでもよい。基板１の原料は、例えば、シリコン（Ｓｉ）又はポリイミドでもよい。
【０１３９】
例えば、第１リード線３の原料をプラチナ（Ｐｔ）とし、第２リード線５の原料をプラチナ（Ｐｔ）とし、電熱線７の原料をプラチナ（Ｐｔ）とし、絶縁体９の原料を酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）とし、基板１の原料をガラスとすることができる。
【０１４０】
第１リード線３、第２リード線５、及び電熱線７の原料を、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、又は銅（Ｃｕ）にする場合、これらはサーミスター（Ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ）と呼ばれる熱に敏感な抵抗体（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）であるため、温度センサーとの集積化も容易に行える。
【産業上の利用可能性】
【０１４１】
本発明は、ヒーターの分野に利用可能である。
【符号の説明】
【０１４２】
１    基板
３    第１リード線（第１導電線）
５    第２リード線（第２導電線）
５ａ    非交差部（第１導電部）
５ｂ    交差部（第２導電部）
７    電熱線（電熱体）
９    絶縁体
１００    ヒーターアレイ
３００    温度応答性物質
４００    デバイス
Ｌ１    第１レイヤー
Ｌ２    第２レイヤー
Ｌ３    第３レイヤー
【図１】
2016054028.tif 000003
【図２】
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【図３】
2016054028.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2016054028.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2016054028.tif 000013
【図１２】
2016054028.tif 000014
【図１３】
2016054028.tif 000015
【図１４】
2016054028.tif 000016
【図１５】
2016054028.tif 000017
【図１６】
2016054028.tif 000018
【図１７】
2016054028.tif 000019
【図１８】
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