(57)【要約】      （修正有）【課題】大容量記憶装置シャーシアセンブリの前部領域において用いるためのシャーシ入出力（Ｉ／Ｏ）モジュールを提供する。【解決手段】シャーシＩ／Ｏモジュールは、Ｉ／Ｏモジュールシェルと、Ｉ／Ｏモジュールシェルで外部から利用可能なメインＩ／Ｏコネクタ１４９と、Ｉ／Ｏモジュールシェルで外部から利用可能な複数のサブアセンブリコネクタと、１つ以上の電源モジュール１５０と、メインＩ／Ｏコネクタ、複数のサブアセンブリコネクタおよび１つ以上の電源モジュールに電気的に結合されるインタフェースモジュールとを備える。インタフェースモジュールは、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００内に設置される１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０の動作および電力の供給を調整し、１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリとメインＩ／Ｏコネクタとの間の電気信号のやり取りを容易にするよう構成される。【選択図】図２
2016062614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大容量記憶装置シャーシアセンブリの前部領域において用いられるために成されるシャーシ入出力（Ｉ／Ｏ）モジュールであって、
Ｉ／Ｏモジュールシェルと、
前記Ｉ／Ｏモジュールシェルで外部から利用可能なメインＩ／Ｏコネクタと、
前記Ｉ／Ｏモジュールシェルで外部から利用可能な複数のサブアセンブリコネクタと、
１つ以上の電源モジュールと、
前記メインＩ／Ｏコネクタ、前記複数のサブアセンブリコネクタ、および前記１つ以上の電源モジュールに電気的に結合されるインタフェースモジュールとを備え、前記インタフェースモジュールは、前記大容量記憶装置シャーシアセンブリ内に設置される１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリの動作を調整し、前記１つ以上の電源モジュールから前記１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリへの電力の供給を調整し、前記１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリと前記メインＩ／Ｏコネクタとの間の電気信号のやり取りを容易にするよう構成される、
シャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項２】
前記シャーシＩ／Ｏモジュールはさらに、前記シャーシＩ／Ｏモジュールを前記大容量記憶装置シャーシアセンブリのシャーシトレイに着脱自在に取り付けるよう構成される１つ以上のリテーナ装置を備える、請求項１に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項３】
前記シャーシＩ／Ｏモジュールはさらに、前記Ｉ／Ｏモジュールシェルを前記大容量記憶装置シャーシアセンブリのシャーシトレイに着脱自在に取り付けるよう構成される１つ以上のリテーナ装置を備え、前記１つ以上のリテーナ装置は、前記シャーシトレイにおいて対応する保持機能に係合するよう構成される１つ以上のカミング装置を備える、請求項１に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項４】
さらに、
前記Ｉ／Ｏモジュールシェルを前記シャーシトレイに回動自在に取り付けるよう構成されるヒンジと、
前記シャーシＩ／Ｏモジュールが前記シャーシトレイ内の設置位置に実質的にある場合、前記Ｉ／Ｏモジュールシェルを前記大容量記憶装置シャーシアセンブリのシャーシトレイに着脱自在に取り付けるよう構成される１つ以上のリテーナ装置とを備える、請求項１に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項５】
前記１つ以上の電源モジュールのうちの１つの電源モジュールはさらに、
前記電源モジュールに枢動自在に取り付けられるリテーナ装置と、
前記リテーナ装置から延在し、電源ケーブルコネクタの周りに嵌合するよう構成される電源コードリテーナループとを備え、前記電源コードリテーナループの第１の位置は、対応する電源ケーブルが取り外されない限り、前記シャーシＩ／Ｏモジュールからの前記電源モジュールの取り外しを防ぎ、前記電源コードリテーナループの第２の位置は、前記シャーシＩ／Ｏモジュールからの前記電源モジュールの取り外しを可能にし、前記リテーナ装置は、前記電源ケーブルが前記電源コードリテーナループ内に存在しない場合、前記第１の位置から前記第２の位置へ枢動できる、請求項１に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項６】
前記インタフェースモジュールはさらに、前記１つ以上の電源モジュールから前記大容量記憶装置シャーシアセンブリの後部領域に位置する１つ以上の後部冷却ファンへの電力の供給を調整する、請求項１に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項７】
前記１つ以上の電源モジュールのうちの１つの電源モジュールは少なくとも１つの電源冷却ファンを含み、前記インタフェースモジュールは、前記少なくとも１つの電源冷却ファンに通電して前記電源モジュールを冷却するか、または、前記大容量記憶装置シャーシアセンブリを少なくとも部分的に冷却するよう構成される、請求項１に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項８】
大容量記憶装置シャーシアセンブリの前部領域において用いられるために成されるシャーシ入出力（Ｉ／Ｏ）モジュールであって、
Ｉ／Ｏモジュールシェルと、
前記Ｉ／Ｏモジュールシェルで外部から利用可能なメインＩ／Ｏコネクタと、
前記Ｉ／Ｏモジュールシェルで外部から利用可能な複数のサブアセンブリコネクタと、
１つ以上の電源モジュールと、
前記メインＩ／Ｏコネクタ、前記複数のサブアセンブリコネクタ、および前記１つ以上の電源モジュールに電気的に結合されるインタフェースモジュールであって、前記大容量記憶装置シャーシアセンブリ内に設置される１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリの動作を調整し、前記１つ以上の電源モジュールから前記１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリへの電力の供給を調整し、前記１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリと前記メインＩ／Ｏコネクタとの間の電気信号のやり取りを容易にするよう構成されるインタフェースモジュールと、
前記Ｉ／Ｏモジュールシェルを前記大容量記憶装置シャーシアセンブリのシャーシトレイに着脱自在に取り付けるよう構成される１つ以上のリテーナ装置とを備える、
シャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項９】
前記シャーシＩ／Ｏモジュールはさらに、前記Ｉ／Ｏモジュールシェルを前記大容量記憶装置シャーシアセンブリのシャーシトレイに着脱自在に取り付けるよう構成される１つ以上のリテーナ装置を備え、前記１つ以上のリテーナ装置は、前記シャーシトレイにおいて対応する保持機能に係合するよう構成される１つ以上のカミング装置を備える、請求項８に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項１０】
さらに、
前記Ｉ／Ｏモジュールシェルを前記シャーシトレイに回動自在に取り付けるよう構成されるヒンジと、
前記シャーシＩ／Ｏモジュールが前記シャーシトレイ内の設置位置に実質的にある場合、前記Ｉ／Ｏモジュールシェルを前記大容量記憶装置シャーシアセンブリのシャーシトレイに着脱自在に取り付けるよう構成される１つ以上のリテーナ装置とを備える、請求項８に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項１１】
前記１つ以上の電源モジュールのうちの１つの電源モジュールはさらに、
前記電源モジュールに枢動自在に取り付けられるリテーナ装置と、
前記リテーナ装置から延在し、電源ケーブルコネクタの周りに嵌合するよう構成される電源コードリテーナループとを備え、前記電源コードリテーナループの第１の位置は、対応する電源ケーブルが取り外されない限り、前記シャーシＩ／Ｏモジュールからの前記電源モジュールの取り外しを防ぎ、前記電源コードリテーナループの第２の位置は、前記シャーシＩ／Ｏモジュールからの前記電源モジュールの取り外しを可能にし、前記リテーナ装置は、前記電源ケーブルが前記電源コードリテーナループ内に存在しない場合、前記第１の位置から前記第２の位置へ枢動できる、請求項８に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項１２】
前記インタフェースモジュールはさらに、前記１つ以上の電源モジュールから前記大容量記憶装置シャーシアセンブリの後部領域に位置する１つ以上の後部冷却ファンへの電力の供給を調整する、請求項８に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項１３】
前記１つ以上の電源モジュールのうちの１つの電源モジュールは少なくとも１つの電源冷却ファンを含み、前記インタフェースモジュールは、前記少なくとも１つの電源冷却ファンに通電して前記電源モジュールを冷却するか、または、前記大容量記憶装置シャーシアセンブリを少なくとも部分的に冷却するよう構成される、請求項８に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項１４】
大容量記憶装置シャーシアセンブリであって、
複数の大容量記憶装置サブアセンブリを受け入れるよう構成されるシャーシトレイと、
前記シャーシトレイに受け入れられる１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリと、
前記シャーシトレイ内に設置されるシャーシ入出力（Ｉ／Ｏ）モジュールとを備え、前記シャーシＩ／Ｏモジュールは、
Ｉ／Ｏモジュールシェルと、
前記Ｉ／Ｏモジュールシェルで外部から利用可能なメインＩ／Ｏコネクタと、
前記Ｉ／Ｏモジュールシェルで外部から利用可能な複数のサブアセンブリコネクタと、
１つ以上の電源モジュールと、
前記メインＩ／Ｏコネクタ、前記複数のサブアセンブリコネクタ、および前記１つ以上の電源モジュールに電気的に結合されるインタフェースモジュールとを備え、前記インタフェースモジュールは、前記大容量記憶装置シャーシアセンブリ内に設置される１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリの動作を調整し、前記１つ以上の電源モジュールから前記１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリへの電力の供給を調整し、前記１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリと前記メインＩ／Ｏコネクタとの間の電気信号のやり取りを容易にするよう構成される、
大容量記憶装置シャーシアセンブリ。
【請求項１５】
前記シャーシＩ／Ｏモジュールはさらに、前記シャーシＩ／Ｏモジュールを前記大容量記憶装置シャーシアセンブリのシャーシトレイに着脱自在に取り付けるよう構成される１つ以上のリテーナ装置を備える、請求項１４に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項１６】
前記シャーシＩ／Ｏモジュールはさらに、前記Ｉ／Ｏモジュールシェルを前記大容量記憶装置シャーシアセンブリのシャーシトレイに着脱自在に取り付けるよう構成される１つ以上のリテーナ装置を備え、前記１つ以上のリテーナ装置は、前記シャーシトレイにおいて対応する保持機能に係合するよう構成される１つ以上のカミング装置を備える、請求項１４に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項１７】
さらに、
前記Ｉ／Ｏモジュールシェルを前記シャーシトレイに回動自在に取り付けるよう構成されるヒンジと、
前記シャーシＩ／Ｏモジュールが前記シャーシトレイ内の設置位置に実質的にある場合、前記Ｉ／Ｏモジュールシェルを前記大容量記憶装置シャーシアセンブリのシャーシトレイに着脱自在に取り付けるよう構成される１つ以上のリテーナ装置とを備える、請求項１４に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項１８】
前記１つ以上の電源モジュールのうちの１つの電源モジュールはさらに、
前記電源モジュールに枢動自在に取り付けられるリテーナ装置と、
前記リテーナ装置から延在し、電源ケーブルコネクタの周りに嵌合するよう構成される電源コードリテーナループとを備え、前記電源コードリテーナループの第１の位置は、対応する電源ケーブルが取り外されない限り、前記シャーシＩ／Ｏモジュールからの前記電源モジュールの取り外しを防ぎ、前記電源コードリテーナループの第２の位置は、前記シャーシＩ／Ｏモジュールからの前記電源モジュールの取り外しを可能にし、前記リテーナ装置は、前記電源ケーブルが前記電源コードリテーナループ内に存在しない場合、前記第１の位置から前記第２の位置へ枢動できる、請求項１４に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項１９】
前記インタフェースモジュールはさらに、前記１つ以上の電源モジュールから前記大容量記憶装置シャーシアセンブリの後部領域に位置する１つ以上の後部冷却ファンへの電力の供給を調整する、請求項１４に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【請求項２０】
前記１つ以上の電源モジュールのうちの１つの電源モジュールは少なくとも１つの電源冷却ファンを含み、前記インタフェースモジュールは、前記少なくとも１つの電源冷却ファンに通電して前記電源モジュールを冷却するか、または、前記大容量記憶装置シャーシアセンブリを少なくとも部分的に冷却するよう構成される、請求項１４に記載のシャーシＩ／Ｏモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の態様は、データ記憶システムの分野に関し、特に、大容量記憶装置シャーシアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
大容量記憶システムは、膨大なデジタルデータを格納するために用いられる。コンピュータシステムおよびネットワークが数と機能において成長するにつれて、より一層の記憶システム容量の必要性が存在する。クラウドコンピューティングおよび大規模データ処理は、さらに、膨大な量のデータを転送し、保持することができるデジタルデータ記憶システムの必要性を増してきている。
【０００３】
大容量記憶システムは通常、多数の大容量記憶装置から形成される。大容量記憶装置シャーシアセンブリは、多くの大容量記憶装置サブアセンブリを保持し、操作するモジュラーユニットである。大容量記憶システムの容量は、単数または複数の追加大容量記憶装置シャーシアセンブリをラックまたは他の支持構造に設置することによって大きく増加することができる。
【０００４】
大容量記憶装置サブアセンブリは、大容量記憶装置シャーシアセンブリに追加することができるモジュラーユニットである。各大容量記憶装置サブアセンブリは、例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の多数の記憶装置を保持し、操作する。大容量記憶装置シャーシアセンブリの記憶容量は、単数または複数の追加大容量記憶装置サブアセンブリをシャーシアセンブリに設置することによって徐々に増加することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
効率および保守の容易性は、大容量記憶システムにおいて最重要検討事項である。技術者が大容量記憶システムの構成要素に、容易に、そして迅速にアクセスでき、設置または点検、修理できることが重要である。さらに、大容量記憶装置シャーシアセンブリの構成要素が技術者によって安全にアクセスできることが非常に望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
大容量記憶装置シャーシアセンブリの前部領域において用いられるために成されるシャーシ入出力（Ｉ／Ｏ）モジュールが提供される。一実施例におけるシャーシＩ／Ｏモジュールは、Ｉ／Ｏモジュールシェルと、Ｉ／Ｏモジュールシェルで外部から利用可能なメインＩ／Ｏコネクタと、Ｉ／Ｏモジュールシェルで外部から利用可能な複数のサブアセンブリコネクタと、１つ以上の電源モジュールと、メインＩ／Ｏコネクタ、複数のサブアセンブリコネクタ、および１つ以上の電源モジュールに電気的に結合されるインタフェースモジュールとを備え、インタフェースモジュールは、大容量記憶装置シャーシアセンブリ内に設置される１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリの動作を調整し、１つ以上の電源モジュールから１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリへの電力の供給を調整し、１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリとメインＩ／Ｏコネクタとの間の電気信号のやり取りを容易にするよう構成される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、大容量記憶装置シャーシアセンブリにおいて用いるための例示的なシャーシ入出力（Ｉ／Ｏ）モジュールを示す。
【図２】図２は、設置されるシャーシＩ／Ｏモジュールを含む例示的な大容量記憶装置シャーシアセンブリを示す。
【図３】図３は、シャーシＩ／Ｏモジュールがシャーシトレイに設置されない場合の大容量記憶装置シャーシアセンブリを示す。
【図４】図４は、後面を含むシャーシＩ／Ｏモジュールのモジュール後部領域を示す。
【図５】図５は、電源モジュールがシャーシＩ／Ｏモジュールから部分的に取り外される場合の大容量記憶装置シャーシアセンブリを示す。
【図６】図６は、シャーシＩ／ＯモジュールがヒンジによってシャーシトレイのＩ／Ｏモジュール棚に少なくとも部分的に取り付けられる場合の大容量記憶装置シャーシアセンブリを示す。
【図７】図７は、リテーナ装置を含む電源モジュールを示す。
【図８】図８は、例示的な大容量記憶装置サブアセンブリの詳細を示す。
【図９】図９は、トレイ後部領域の通風機能を含むシャーシトレイを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下の説明および関連する図面は、本発明の最良の形態を教示している。発明の原理を教示するために、最良の形態のいくつかの従来の態様を、簡素化または省略する可能性がある。以下の特許請求の範囲は、本発明の適用範囲を具体的に示している。最良の形態のいくつかの態様は、特許請求の範囲によって明示されるような本発明の適用範囲に含まれない可能性がある。従って、当該技術に精通する者は、本発明の適用範囲に含まれる最良の形態からの変形例を正しく認識するであろう。当該技術に精通する者は、以下で説明する特徴が様々な方法で組み合わされて本発明の多数の変形例を形成することができることを正しく認識するであろう。結果として、本発明は、以下で説明する特定の実施例に限定されないが、特許請求の範囲およびそれらの均等物によってのみ限定される。
【０００９】
図１は、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００において用いるための例示的なシャーシ入出力（Ｉ／Ｏ）モジュール１４０を示している。図示の実施例におけるシャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、Ｉ／Ｏモジュールシェル１４１、Ｉ／Ｏモジュールシェル１４１の外面で利用可能なメインＩ／Ｏコネクタ１４９、Ｉ／Ｏモジュールシェル１４１の外面で利用可能な複数のサブアセンブリコネクタ１４３、１つ以上のリテーナ装置１５７、１つ以上の電源モジュール１５０、およびインタフェースモジュール１４８を備えている。
【００１０】
インタフェースモジュール１４８は、メインＩ／Ｏコネクタ１４９に、それと通信するよう結合され、また、複数のサブアセンブリコネクタ１４３に、それと通信するよう結合される。インタフェースモジュール１４８は、メインＩ／Ｏコネクタ１４９と複数のサブアセンブリコネクタ１４３との間で電気信号およびデータを中継し、電気信号およびデータの経路設定を行うこと、すなわち、複数のサブアセンブリコネクタ１４３をメインＩ／Ｏコネクタ１４９に多重化することを含む。インタフェースモジュール１４８はさらに、１つ以上の電源モジュール１５０に結合され、ここで、インタフェースモジュール１４８は、１つ以上の電源モジュール１５０から複数のサブアセンブリコネクタ１４３への電力の供給を調整する。複数のサブアセンブリコネクタ１４３へ供給される電力は、設置されたいずれの大容量記憶装置サブアセンブリ１２０（図２を参照）にも電力を供給するために用いられる。複数のサブアセンブリコネクタ１４３へ供給される電力はまた、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００の後部に設置される１つ以上の後部冷却ファン１８０（図９を参照）に電力を供給するためにも用いられる。
【００１１】
シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、技術者または他の操作者による容易なアクセスを促進する。シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００のトレイ前部領域１１１に取り付けられる。シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、従って、大容量記憶装置内の収納ラックの前部通路に位置する。前部通路領域は通常、設置された大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００を通って流れるすべての冷却空気が排出される後部通路領域よりもはるかに涼しい。前部通路領域は、インタフェースモジュール１４８等の制御電子機器にとってより良い環境である。後部通路領域における温度は、華氏約１３０度に達する可能性がある。前部通路領域はまた、技術者または他の操作者にとってもかなり快適である。
【００１２】
メインＩ／Ｏコネクタ１４９は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０の前面１４４またはモジュール前部領域１４２に位置する。メインＩ／Ｏコネクタ１４９は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０用および大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００用のメインコネクタを備えている。メインＩ／Ｏコネクタ１４９は、外部バス、ネットワーク、またはシステムに結合するよう構成されている。メインＩ／Ｏコネクタ１４９は、複数の記憶ドライブサブアセンブリ１２０と１つ以上の外部装置またはシステムとの間で信号または通信をやり取りする。大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００と外部装置またはシステムとの間で交換されるすべての電気信号は、メインＩ／Ｏコネクタ１４９を通過する。メインＩ／Ｏコネクタ１４９は、従って、デジタルデータを転送するための、電気的、光学的、または他の適切な通信リンクを含む適切な通信リンクを含む。
【００１３】
複数のサブアセンブリコネクタ１４３は、メインＩ／Ｏコネクタ１４９から離間される位置においてＩ／Ｏモジュールシェル１４１の外面上に位置する。実施例によっては、複数のサブアセンブリコネクタ１４３は、後面１４５またはモジュール後部領域１４７に位置する。実施例によっては、複数のサブアセンブリコネクタ１４３は、メインＩ／Ｏコネクタ１４９から反対側の外面に位置する。複数のサブアセンブリコネクタ１４３は、個々の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０に結合するよう構成されるコネクタを備えている。
【００１４】
１つ以上の電源モジュール１５０は、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００に電力を供給する。１つ以上の電源モジュール１５０のそれぞれは、１つ以上の対応する電源ケーブル１５１を介して独立した電力の供給を受ける。従って、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００は、１つ以上の独立した、冗長電源モジュール１５０を含んでいる。
【００１５】
複数のサブアセンブリコネクタ１４３は、実施例によっては、インタフェースモジュール１４８を介して両方の電源モジュール１５０に結合される。複数のサブアセンブリコネクタ１４３は、インタフェースモジュール１４８に制御されて、電力を大容量記憶装置サブアセンブリ１２０に転送する。２つの電源モジュール１５０は、従って、大容量記憶装置サブアセンブリ１２０のために冗長化された電源を供給する。
【００１６】
図示の実施例におけるインタフェースモジュール１４８は、デジタルデータが、効率的に格納され、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００に設置されるすべての大容量記憶装置サブアセンブリ１２０から再呼出しされるように、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００の動作を制御するよう構成される。インタフェースモジュール１４８は、メインＩ／Ｏコネクタ１４９と複数のサブアセンブリコネクタ１４３との間で電気信号を中継する。インタフェースモジュール１４８は、メインＩ／Ｏコネクタ１４９と個々の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０との間で電気信号を切り換える。加えて、いくつかの実施例におけるインタフェースモジュール１４８は、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００の個々の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０の動作を調整する。インタフェースモジュール１４８は、個々の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０の電源をオンまたはオフできる。
【００１７】
いくつかの実施例におけるインタフェースモジュール１４８は、１つ以上のスイッチモジュール１３８および１つ以上のサーバモジュール１３９を含むサブモジュールを受け入れる。所望の数のスイッチモジュール１３８およびサーバモジュール１３９がインタフェースモジュール１４８に設置されてもよい。代替として、または追加として、１つ以上のスイッチモジュール１３８および１つ以上のサーバモジュール１３９は、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００の特定の使用または構成に対応するように、取り外され、置き換えられてもよい。１つ以上のスイッチモジュール１３８は、１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０を構成するためのスイッチを備えている。１つ以上のスイッチモジュール１３８は、１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０の動作を制御するためのスイッチを備えている。１つ以上のサーバモジュール１３９は、単数または複数の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０と外部装置またはシステムとの間でやり取りされる電気信号を受信するための回路機構を備えている。１つ以上のサーバモジュール１３９は、単数または複数の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０と外部装置またはシステムとの間でやり取りされる電気信号の経路設定を行うための回路機構を備えている。１つ以上のサーバモジュール１３９は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０および大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００の動作を制御する受信した制御信号を解釈し、それに従って動作するための回路機構を備えている。
【００１８】
各電源モジュール１５０は、空気が電源モジュール１５０を通って流れることを可能にする格子、網、または他の通風させる特徴を含み、ここで、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００を通って引き込まれた空気は電源モジュール１５０を冷却する。加えて、実施例によっては、電源モジュール１５０は電源冷却ファン１５５を含み、ここで、電源冷却ファン１５５は、インタフェースモジュール１４８によって通電されて電源モジュール１５０を冷却する補助を行ってもよい。さらに、電源冷却ファン１５５は、インタフェースモジュール１４８によって通電されて大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００を冷却する補助を行ってもよい。
【００１９】
さらに、実施例によっては、インタフェースモジュール１４８は、冷却機能を実行して、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００の後部における１つ以上の後部冷却ファン１８０への電力の供給を調整する。インタフェースモジュール１４８は、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００内部の１つ以上の位置の温度を測定し、１つ以上の後部冷却ファン１８０のファン速度を調整する。
【００２０】
動作において、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０が大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００に設置され、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００が収納ラックまたは他の構造に設置される場合、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００の前部および収納ラックの前部に位置する。シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、従って、技術者によって迅速および容易にアクセスされることができる。シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、大容量記憶装置サブアセンブリ１２０を迅速および容易に設置するか、取り外すよう移動されるか、取り外されてもよい。技術者は、インタフェースモジュール１４８にアクセスでき、スイッチモジュール１３８およびサーバモジュール１３９を迅速および容易に設置するか、取り外すことができる。技術者は電源モジュール１５０を迅速および容易に設置するか、取り外すことができる。
【００２１】
実施例によっては、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００の前部領域に用いるためのシャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、Ｉ／Ｏモジュールシェル１４１と、Ｉ／Ｏモジュールシェル１４１で外部から利用可能なメインＩ／Ｏコネクタ１４９と、Ｉ／Ｏモジュールシェル１４１で外部から利用可能な複数のサブアセンブリコネクタ１４３と、１つ以上の電源モジュール１５０と、メインＩ／Ｏコネクタ１４９、複数のサブアセンブリコネクタ１４３、および１つ以上の電源モジュール１５０に電気的に結合されるインタフェースモジュール１４８とを備え、インタフェースモジュール１４８は、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００内に設置される１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０の動作を調整し、１つ以上の電源モジュール１５０から１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０への電力の供給を調整し、１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０とメインＩ／Ｏコネクタ１４９との間の電気信号のやり取りを容易にするよう構成されている。
【００２２】
図２は、設置されたシャーシＩ／Ｏモジュール１４０を含む例示的な大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００を示している。大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００は、デジタルデータ大容量記憶装置のラックまたは他の構造に設置されるよう構成される大容量記憶装置の構成要素を備えている。多くのデジタル大容量記憶装置が、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００を追加することによってデジタル記憶装置に追加されてもよい。
【００２３】
大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００は、シャーシトレイ１１０と、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００に設置される１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０と、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００に設置されるシャーシＩ／Ｏモジュール１４０とを備えている。シャーシトレイは、トレイ前部領域１１１とトレイ後部領域１１２とを備えている。シャーシトレイ１１０は、１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０を受け入れ、保持する溝、レール、開口、突出部、または他の物理的な特徴を含んでいる。トレイ前部領域１１１は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０を受け入れるよう構成されるＩ／Ｏモジュール棚１１４を含む。シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、トレイ前部領域１１１において、Ｉ／Ｏモジュール棚１１４上に位置する一方で、１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０は、実質的にトレイ前部領域１１１からトレイ後部領域１１２へ延在している。
【００２４】
シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０に電気的に結合する。シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０に電力を供給する。シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、１つ以上の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０と、そして、外部システムまたは装置と電気信号をやり取りする。シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、トレイ後部領域１１２に取り付けられる１つ以上の後部冷却ファン１８０に電力を供給し、それを操作する。
【００２５】
Ｉ／Ｏモジュール棚１１４は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０がシャーシトレイ１１０に取り外し自在に結合されることを可能にする溝、レール、開口、突出部、または他の物理的な特徴を含んでいる。シャーシＩ／Ｏモジュール１４０の１つ以上のリテーナ装置１５７は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０をシャーシトレイ１１０に取り外し自在に取り付けるよう構成される。１つ以上のリテーナ装置１５７が実質的に係合されている場合、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、１つ以上のリテーナ装置１５７によってシャーシトレイ１１０上の所定位置に取り付けられている。１つ以上のリテーナ装置１５７がシャーシＩ／Ｏモジュール１４０を所定位置に取り付けていれば、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００内に設置される大容量記憶装置サブアセンブリ１２０に機械的および電気的に結合され、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０の複数のサブアセンブリコネクタ１４３は、大容量記憶装置サブアセンブリ１２０のサブアセンブリコネクタ１２３に係合する。
【００２６】
一実施例における１つ以上のリテーナ装置１５７は、回動自在なカミング装置を備えている。図示の実施例における１つ以上のリテーナ装置１５７は、実質的に保持位置に回転される場合にシャーシトレイ１１０の一部に係合する回動自在なカム装置を備えている。１つ以上のリテーナ装置１５７は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０がシャーシトレイ１１０内の実質的に適切な位置にある場合、回転されてもよく、ここで、１つ以上のリテーナ装置１５７は、１つ以上の対応する保持機能１１６に係合する。いくつかの実施例における１つ以上の対応する保持機能１１６は、シャーシトレイ１１０に形成される突出部または凹部を備えている。
【００２７】
図３は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０がシャーシトレイ１１０から取り外される場合の大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００を示している。１つ以上の保持機能１１６がシャーシトレイ１１０上に形成されていることが見て取れる。１つ以上の保持機能１１６は、所定の寸法の突出部または凹みを備え、ここで、１つ以上の保持機能１１６は、１つ以上のリテーナ装置１５７と相互に作用する。１つ以上のリテーナ装置１５７は、１つ以上の保持機能１１６に接触し、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０をシャーシトレイ１１０内に取り付ける。
【００２８】
この図において、各大容量記憶装置サブアセンブリ１２０が対応するサブアセンブリコネクタ１２３を含んでいることが見て取れる。大容量記憶装置サブアセンブリ１２０のサブアセンブリコネクタ１２３は、大容量記憶装置サブアセンブリ１２０と、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０の後面１４５上の対応する複数のサブアセンブリコネクタ１４３との間で電気信号をやり取りするよう用いられる。加えて、大容量記憶装置サブアセンブリ１２０の個々のサブアセンブリコネクタ１２３は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０から電力を受け取る。電力は、個々の大容量記憶装置サブアセンブリ１２０を動作させる。
【００２９】
各大容量記憶装置サブアセンブリ１２０は、前部および後部通風窓１２５を含む通風窓１２５を含むことが、図から見て取れる。大容量記憶装置サブアセンブリ１２０の前部通風窓１２５は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０の後面１４５上の対応する通風窓１５３に実質的に一致する。大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００を通って引き込まれる気流は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０を通って通過し、各大容量記憶装置サブアセンブリ１２０の各通風窓１２５に入る。気流はシャーシＩ／Ｏモジュール１４０を冷却する。加えて、気流は大容量記憶装置サブアセンブリ１２０を冷却する。
【００３０】
図４は、後面１４５を含むシャーシＩ／Ｏモジュール１４０のモジュール後部領域１４７を示している。モジュール後部領域１４７は、設置された大容量記憶装置サブアセンブリ１２０と実質的に整列されるよう構成される複数のインタフェース領域１４９を含んでいる。各インタフェース領域１４９は、サブアセンブリコネクタ１４３および通風窓１５３を含んでいる。
【００３１】
図５は、電源モジュール１５０がシャーシＩ／Ｏモジュール１４０から部分的に取り外される場合の大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００を示している。各電源モジュール１５０は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０内の対応するレセプタクルに受け入れられるよう構成される。１つ以上の電源モジュール１５０は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０から個別に脱着自在である。
【００３２】
図６は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０がヒンジ１５９によってシャーシトレイ１１０のＩ／Ｏモジュール棚１１４に少なくとも部分的に取り付けられている場合の大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００を示している。ヒンジ１５９は、恒久的な、または脱着自在のヒンジを備えている。実施例によっては、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０はヒンジ１５９に対して摺動でき、ここで、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０は、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００の残りにアクセスするために、前方に引っ張り、下方に回転させることができる。
【００３３】
図７は、リテーナ装置１６０を含む電源モジュール１５０を示している。リテーナ装置１６０は、クロスメンバ１６２によって接合される端部材１６１を備えている。端部材１６１は、ヒンジ１６５によって電源モジュール１５０に枢動自在に取り付けられている。電源ケーブルリテーナループ１６３は、クロスメンバ１６２の側面から延在している。電源ケーブルリテーナループ１６３は、電源ケーブルコネクタ１５３が電源ケーブルレセプタクル１５２に挿入される場合に電源ケーブルコネクタ１５３の周りに嵌合するよう構成される。
【００３４】
リテーナ装置１６０は、電源モジュール１５０をシャーシＩ／Ｏモジュール１４０内の所定位置に保持するよう動作する。リテーナ装置１６０は、電源モジュール１５０がシャーシＩ／Ｏモジュール１４０から取り外される前に、電源ケーブル１５１が電源モジュール１５０から取り外されることを確実にすることを、理解するべきである。
【００３５】
図において、破線は、第１の位置にあるリテーナ装置１６０を示している。第１の位置は固定位置を備え、ここで、電源ケーブルリテーナループ１６３が、電源ケーブルコネクタ１５３または電源ケーブル１５１のいずれか一方の周囲を通る。電源ケーブルコネクタ１５３が所定位置にあると、リテーナ装置１６０は第１の固定位置から枢動できない。固定位置において、端部材１６１の底部１６６は、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０において対応する特徴に係合する。底部１６６は、フック、突出部、カミング機能、または、電源モジュール１５０をシャーシＩ／Ｏモジュール１４０において保持するためのいずれか他の適切な装置を含んでもよい。
【００３６】
図において、実線は、第２の位置にあるリテーナ装置１６０を示している。第２の位置は固定されていない位置を備え、ここで、電源ケーブルコネクタ１５３は電源ケーブルレセプタクル１５２から取り外されている（従って、電源ケーブルリテーナループ１６３から取り外されている）。端部材１６１の底部１６６は、もはやシャーシＩ／Ｏモジュール１４０に係合していない。電源モジュール１５０は、現状でシャーシＩ／Ｏモジュール１４０から取り外すことができる。
【００３７】
図８は、例示的な大容量記憶装置サブアセンブリ１２０の詳細を示している。大容量記憶装置サブアセンブリ１２０は、サブアセンブリシェル１２１と、サブアセンブリコネクタ１２３と、サブアセンブリ蓋部１２９と、サブアセンブリシェル１２１内に設置される複数の記憶ドライブ１２８とを含んでいる。実施例によっては、記憶ドライブは、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の１つ以上のディスク状記憶媒体を含むデジタル記憶装置を備える。加えて、記憶ドライブは、固体記憶媒体と組み合わされる１つ以上のディスク状記憶媒体を備えるハイブリッド記憶ドライブを備えてもよい。
【００３８】
サブアセンブリシェル１２１の内面は、複数の記憶ドライブ１２８を受け入れるための任意の案内方法または位置合わせ機構または特徴を含んでもよい。サブアセンブリシェル１２１の内面は、複数の記憶ドライブ１２８を受け入れるための任意の取付方法または固定機構または特徴を含んでもよい。大容量記憶装置サブアセンブリ１２０は任意の数の設置される記憶ドライブ１２８と共に使用できることを理解すべきである。さらに、サブアセンブリシェル１２１の外面は、サブアセンブリシェル１２１を大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００（または、大容量記憶装置サブアセンブリ１２０を受け入れ、操作するよう成される他のレセプタクルまたは構造）に設置するための機構または特徴を含んでもよい。
【００３９】
サブアセンブリシェル１２１は、端部に通風窓１２５を含んでいる。通風窓１２５は、空気が大容量記憶装置サブアセンブリ１２０を通って長手方向に移動することを可能にする。冷却気流は、大容量記憶装置サブアセンブリ１２０内に設置される個々の記憶ドライブ１２８の周囲を、および／または、それを通って移動できる。
【００４０】
サブアセンブリコネクタ１２３は、図示の実施例においてサブアセンブリシェル１２１の底部領域に沿って延在するサブアセンブリバックプレーン１２２に取り付けられる。サブアセンブリコネクタ１２３は大容量記憶装置サブアセンブリ１２０のための電気信号をやり取りし、ここで、デジタルデータは、大容量記憶装置サブアセンブリ１２０に格納され、それから読み出される。サブアセンブリコネクタ１２３はまた、電力を大容量記憶装置サブアセンブリ１２０に供給する。複数のバックプレーントレースは、サブアセンブリコネクタ１２３に結合され、各記憶ドライブ１２８用のコネクタに延在する。サブアセンブリコネクタ１２３は、大容量記憶装置サブアセンブリ１２０が大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００に設置される場合、シャーシＩ／Ｏモジュール１４０の対応するサブアセンブリコネクタ１４３に結合できる。
【００４１】
図９は、トレイ後部領域１１２の通風機能を含むシャーシトレイ１１０を示している。図示の実施例におけるシャーシトレイ１１０は、トレイ後部領域１１２に形成される１つ以上の通風格子１７７を含む。１つ以上の対応する後部冷却ファン１８０は、１つ以上の通風格子１７７において位置決めされ、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００を通る空気を引き込む。１つ以上の後部冷却ファン１８０は、従って、大容量記憶装置シャーシアセンブリ１００内に設置される大容量記憶装置サブアセンブリ１２０を通る空気も引き込む。
【００４２】
本発明を、好ましい実装を参照して特に示し、説明してきたが、形態および詳細における種々の変更を、本発明の精神および適用範囲から逸脱することなく行ってもよいことは、当該技術に精通する者によって理解されるであろう。従って、開示した発明は、単に例示として考え、添付の特許請求の範囲で特定するような適用範囲でのみ限定すべきである。
【符号の説明】
【００４３】
１００  大容量記憶装置シャーシアセンブリ
１１０  シャーシトレイ
１１１  トレイ前部領域
１１２  トレイ後部領域
１１４  Ｉ／Ｏモジュール棚
１１６  保持機能
１２０  大容量記憶装置サブアセンブリ
１２１  サブアセンブリシェル
１２２  サブアセンブリバックプレーン
１２３  サブアセンブリコネクタ
１２５、１５３  通風窓
１２８  記憶ドライブ
１２９  サブアセンブリ蓋部
１３８  スイッチモジュール
１３９  サーバモジュール
１４０  シャーシ入出力（Ｉ／Ｏ）モジュール
１４１  Ｉ／Ｏモジュールシェル
１４２  モジュール前部領域
１４３  サブアセンブリコネクタ
１４４  前面
１４５  後面
１４７  モジュール後部領域
１４８  インタフェースモジュール
１４９  メインＩ／Ｏコネクタ
１５０  電源モジュール
１５１  電源ケーブル
１５２  電源ケーブルレセプタクル
１５３  電源ケーブルコネクタ
１５５  電源冷却ファン
１５７、１６０  リテーナ装置
１５９、１６５  ヒンジ
１６１  端部材
１６２  クロスメンバ
１６３  電源ケーブルリテーナループ
１６６  底部
１７７  通風格子
１８０  後部冷却ファン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2016062614.tif 000010
【図９】
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【外国語明細書】
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