(57)【要約】【課題】より寿命を延ばすことができるパワーモジュールを提供する。【解決手段】電源バスバー４１とグランドバスバー４２との間において、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗは基板３１の長手方向に沿ってそれぞれ並列に配置されている。電源バスバー４１とグランドバスバー４２の間には、基板３１の長手方向における一端（図２の左端）から順に、Ｕ相のハーフブリッジ１３ｕ、Ｔ字状の電源バスバー４１の一部（延長部４１ｂ）、Ｖ相のハーフブリッジ１３ｖ、およびＷ相のハーフブリッジ１３ｗが配置されている。各相のモータ端子５２ｕ，５２ｖ，５２ｗは、基板３１における入力端子５０および出力端子５１の設けられた端部と同じ端部（図２の下部）に配置されている。入力端子５０は、Ｕ相モータ端子５２ｕとＶ相モータ端子５２ｖの間に設けられている。また、出力端子５１は、Ｖ相モータ端子５２ｖとＷ相モータ端子５２ｗの間に設けられている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのスイッチング素子が直列に接続されてなり、互いに並列に接続される複数のハーフブリッジと、
前記複数のハーフブリッジの第１の端部にそれぞれ直流電力を供給するための入力端子と、
前記複数のハーフブリッジの第２の端部をそれぞれグランドへ接続するための出力端子と、
各スイッチング素子のスイッチングに基づき生成される交流電力をそれぞれモータに供給する複数のモータ端子と、を備え、
前記入力端子および前記出力端子ならびに前記複数のモータ端子は、前記ハーフブリッジの並んだ方向に対して垂直な方向に配置され、
前記入力端子および前記出力端子は、前記複数のモータ端子の間に配置されているパワーモジュール。
【請求項２】
請求項１に記載のパワーモジュールにおいて、
前記入力端子および前記出力端子の間には、前記モータ端子が少なくとも１つ配置されているパワーモジュール。
【請求項３】
請求項１または２に記載のパワーモジュールにおいて、
前記複数のハーフブリッジの第１の端部同士を接続するバスバーを有し、
当該バスバーには互いに隣り合う前記ハーフブリッジの間に延長される延長部が設けられ、
前記延長部には前記入力端子が接続されているパワーモジュール。
【請求項４】
請求項３に記載のパワーモジュールにおいて、
前記延長部には、前記入力端子と前記複数のハーフブリッジとの間の給電経路を開閉する電源リレーが設けられているパワーモジュール。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のパワーモジュールにおいて、
前記入力端子と前記複数のハーフブリッジとの間の給電経路を開閉する電源リレーと、
前記ハーフブリッジの並んだ方向における、前記入力端子および前記出力端子と反対側に設けられて、前記複数のハーフブリッジのスイッチング素子および前記電源リレーにそれぞれ制御信号を印加する複数の制御端子とを有し、
前記複数のハーフブリッジのうち、一のハーフブリッジのスイッチング素子と接続された前記制御端子と、他のハーフブリッジのスイッチング素子と接続された前記制御端子との間に、前記電源リレーと接続された前記制御端子が配置されているパワーモジュール。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のパワーモジュールにおいて、
前記ハーフブリッジの並んだ方向における、前記入力端子および前記出力端子と反対側に設けられて、前記複数のハーフブリッジのスイッチング素子にそれぞれ制御信号を印加する複数の制御端子を有し、
前記複数のハーフブリッジのうち、一のハーフブリッジのスイッチング素子が接続された前記制御端子と、他のハーフブリッジのスイッチング素子が接続された前記制御端子との間に、実際には機能しない制御端子であるダミー端子または当該ダミー端子に代わる隙間が設けられているパワーモジュール。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のパワーモジュールにおいて、
前記モータは３相モータであり、
前記ハーフブリッジおよび前記モータ端子はそれぞれ前記モータの３相に対応して３つずつ設けられ、
３相のうちの１相に対応する前記モータ端子は、前記入力端子と前記出力端子との間に配置され、
他の２相に対応する２つの前記モータ端子は、前記入力端子および前記出力端子を挟むように配置されているパワーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
電動パワーステアリング装置は、アシスト力の発生源である電動モータを有している。電動モータは、たとえばモータ駆動用のインバータ回路を含むパワーモジュールによって駆動される。たとえば、特許文献１に記載されるように、３相交流電力を生成する半導体素子群、正極直流端子、負極直流端子、電源入力端子、電源出力端子等を一体化したパワーモジュールが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−７２３１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に示されるパワーモジュールでは、電源入力端子、電源出力端子がそれぞれ１つ設けられており、３相（Ｕ，Ｖ，Ｗ）のインバータ回路のブロックはそれぞれ隣り合っている。ちなみに、当該ブロックとは、３相のインバータ回路を相ごとに分けて見たときの構成部分である。各ブロックと電源入力端子との間の距離は全て異なるところ、各ブロックと電源入力端子の間の距離が大きくなるほど、パワーモジュールのインダクタンスは大きくなる。パワーモジュールのインダクタンスが大きくなるほど、パワーモジュールのサージ電圧も大きくなるので、パワーモジュールの寿命が短くなるおそれがある。
【０００５】
本発明の目的は、より寿命を延ばすことができるパワーモジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成しうるパワーモジュールは、２つのスイッチング素子が直列に接続されてなり、互いに並列に接続される複数のハーフブリッジと、前記複数のハーフブリッジの第１の端部にそれぞれ直流電力を供給するための入力端子と、前記複数のハーフブリッジの第２の端部をそれぞれグランドへ接続するための出力端子と、各スイッチング素子のスイッチングに基づき生成される交流電力をそれぞれモータに供給する複数のモータ端子と、を備え、前記入力端子および前記出力端子ならびに前記複数のモータ端子は、前記ハーフブリッジの並んだ方向に対して垂直な方向に配置され、前記入力端子および前記出力端子は、前記複数のモータ端子の間に配置されている。
【０００７】
この構成によれば、入力端子および出力端子ならびにモータ端子は、基板の各ハーフブリッジの並ぶ方向に対して垂直な方向に配置されているため、より各ハーフブリッジを介した給電経路の距離の差を小さくできる。このため、各ハーフブリッジのインダクタンス差は低減され、パワーモジュールの寿命を延ばすことができる。
【０００８】
上記のパワーモジュールにおいて、前記入力端子および前記出力端子の間には、前記モータ端子が少なくとも１つ配置されていることが好ましい。
この構成によれば、入力端子と出力端子の間にモータ端子が配置されることにより、入力端子と出力端子がショートした場合でも、より確実にモータを駆動することができる。
【０００９】
上記のパワーモジュールにおいて、前記複数のハーフブリッジの第１の端部同士を接続するバスバーを有し、当該バスバーには互いに隣り合う前記ハーフブリッジの間に延長される延長部が設けられ、前記延長部には前記入力端子が接続されていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、隣り合うハーフブリッジの間に延長部が設けられるため、各ハーフブリッジの並んだ方向における端部に延長部が配置される場合に比べて、より各ハーフブリッジのインダクタンスの差を低減できる。
【００１１】
上記のパワーモジュールにおいて、前記延長部には、前記入力端子と前記複数のハーフブリッジとの間の給電経路を開閉する電源リレーが設けられていてもよい。
この構成によれば、延長部に電源リレーが設けられることにより、電源リレーを配置するためのバスバーを別個に設ける必要がない。また、延長部に電源リレーを配置するため、パワーモジュールの規模を小さくするのに寄与する。
【００１２】
上記のパワーモジュールにおいて、前記入力端子と前記複数のハーフブリッジとの間の給電経路を開閉する電源リレーと、前記ハーフブリッジの並んだ方向における、前記入力端子および前記出力端子と反対側に設けられて、前記複数のハーフブリッジのスイッチング素子および前記電源リレーにそれぞれ制御信号を印加する複数の制御端子とを有し、前記複数のハーフブリッジのうち、一のハーフブリッジのスイッチング素子と接続された前記制御端子と、他のハーフブリッジのスイッチング素子と接続された前記制御端子との間に、前記電源リレーと接続された前記制御端子が配置されていることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、一のハーフブリッジのスイッチング素子と接続された制御端子と他のハーフブリッジのスイッチング素子と接続された制御端子との間に電源リレーと接続された制御端子を配置することにより、一のハーフブリッジの制御端子と他のハーフブリッジの制御端子がショートすることを抑制できる。このため、より確実にモータを駆動することができる。
【００１４】
上記のパワーモジュールにおいて、前記ハーフブリッジの並んだ方向における、前記入力端子および前記出力端子と反対側に設けられて、前記複数のハーフブリッジのスイッチング素子にそれぞれ制御信号を印加する複数の制御端子を有し、前記複数のハーフブリッジのうち、一のハーフブリッジのスイッチング素子が接続された前記制御端子と、他のハーフブリッジのスイッチング素子が接続された前記制御端子との間に、実際には機能しない制御端子であるダミー端子または当該ダミー端子に代わる隙間が設けられていることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、一のハーフブリッジのスイッチング素子の制御端子と他のハーフブリッジのスイッチング素子の制御端子との間にダミー端子またはダミー端子に代わる隙間を設けることにより、一のハーフブリッジのスイッチング素子の制御端子と他のハーフブリッジのスイッチング素子の制御端子がショートすることを抑制できる。このため、より確実にモータを制御することができる。
【００１６】
上記のパワーモジュールにおいて、前記モータは３相モータであり、前記ハーフブリッジおよび前記モータ端子はそれぞれ前記モータの３相に対応して３つずつ設けられ、３相のうちの１相に対応する前記モータ端子は、前記入力端子と前記出力端子との間に配置され、他の２相に対応する２つの前記モータ端子は、前記入力端子および前記出力端子を挟むように配置されていることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、各ハーフブリッジのインダクタンス差は低減され、パワーモジュールの寿命を延ばすことができる。第１の相と他の２相との間の給電経路の距離の差が小さくなるためである。また、入力端子と出力端子の間に第１の相のモータ端子が配置されることにより、入力端子と出力端子がショートした場合でも、より確実にモータを駆動することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のパワーモジュールによれば、より寿命を延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施形態のパワーモジュールを用いた駆動装置の概略構成を示す回路図。
【図２】第１の実施形態のパワーモジュールについて、その概略構成を示す構造図。
【図３】第２の実施形態のパワーモジュールを用いた駆動装置の概略構成を示す回路図。
【図４】第２の実施形態のパワーモジュールについて、その概略構成を示す構造図。
【図５】他の実施形態のパワーモジュールについて、その概略構成を示す構造図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜第１の実施形態＞
以下、パワーモジュールを車両用駆動装置に適用した一実施形態を図面に従って説明する。
【００２１】
図１に示す駆動装置１は、車両の操舵系にアシスト力を付与するためのモータ２に電力を供給するためのものである。モータ２には、３相（Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相）のブラシレスモータが採用されている。駆動装置１は、モータ２に電力を供給するパワーモジュール３と、パワーモジュール３の動作を制御するマイクロコンピュータ（マイコン）４とを備えている。パワーモジュール３は、モータ２へ３相交流電力を供給するインバータ回路１０と、異常時にバッテリ１１からインバータ回路１０への給電経路を遮断する電源リレー５を有している。
【００２２】
電源リレー５は、バッテリ１１とインバータ回路１０（上側ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ）との間の給電経路上に設けられている。電源リレー５は、電源リレー用の２つのＦＥＴ５ａ，５ｂを有している。これらＦＥＴ５ａ，５ｂは互いに直列に接続されている。通常、ＦＥＴ５ａ，５ｂはオン状態に維持される。たとえば、給電経路において、断線故障やショート故障などの異常が生じた場合、ＦＥＴ５ａ，５ｂはオフへ切り替えられる。バッテリ１１とインバータ回路１０との間の給電経路が遮断されることにより、バッテリ１１からモータ２への給電も遮断される。なお、ＦＥＴ５ａ，５ｂのオンオフはマイコン４により制御される。ＦＥＴ５ａには、バッテリ１１からインバータ回路１０への通電を規制する寄生ダイオードＤが設けられている。また、ＦＥＴ５ｂには、インバータ回路１０からバッテリ１１への通電を規制する寄生ダイオードＤが設けられている。
【００２３】
インバータ回路１０は、複数のスイッチング素子を有し、それらのスイッチング素子をオンまたはオフすることにより、車載されるバッテリ１１からの直流電力を３相交流電力に変換する。すなわち、インバータ回路１０は、バッテリ１１側に接続される第１スイッチング素子としての上側ＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗと、グランド側に接続される第２スイッチング素子としての下側ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗとを有している。インバータ回路１０は、上側ＦＥＴ１２Ｈｕと下側ＦＥＴ１２Ｌｕを直列に接続したハーフブリッジ（スイッチングアーム）１３ｕと、上側ＦＥＴ１２Ｈｖと下側ＦＥＴ１２Ｌｖを直列に接続したハーフブリッジ１３ｖと、上側ＦＥＴ１２Ｈｗと下側ＦＥＴ１２Ｌｗを直列に接続したハーフブリッジ１３ｗとを並列に接続することにより形成されている。
【００２４】
上側ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗのドレイン電極ｄｅは、ドレイン配線１５ｕ，１５ｖ，１５ｗを介してバッテリ１１にそれぞれ接続されている。下側ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗのソース電極ｓｅは、ソース配線１６ｕ，１６ｖ，１６ｗを介してグランドにそれぞれ接続されている。また、上側ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗのソース電極ｓｅと、下側ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗのドレイン電極ｄｅは、中間配線１７ｕ，１７ｖ，１７ｗを介して互いに接続されている。そして、中間配線１７ｕ，１７ｖ，１７ｗ（ハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの中点）は、動力線１８ｕ，１８ｖ，１８ｗを介してそれぞれ各相のモータコイル２ｕ，２ｖ，２ｗに接続されている。なお、上側ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下側ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗには、ソース電極ｓｅ側からドレイン電極ｄｅ側への通電を許容する寄生ダイオードＤが設けられている。
【００２５】
マイコン４は、ゲート配線１９ｕ，１９ｖ，１９ｗを介して上側ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下側ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗのゲート電極ｇｅにそれぞれ接続されている。マイコン４はたとえば車載される各種のセンサにより検出される操舵トルクやモータ２の回転角などの状態量を取り込み、これらの状態量に基づいてモータ制御信号を生成する。そして、マイコン４は、各ゲート電極ｇｅにモータ制御信号（電圧信号）を印加することにより、上側ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下側ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗのオンオフを制御する。モータ制御信号に応じて上側ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下側ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗがオンオフすることにより、バッテリ１１の直流電力が３相交流電力に変換される。当該変換される３相の交流電力は、動力線１８ｕ，１８ｖ，１８ｗを介してモータ２へと供給される。
【００２６】
また、インバータ回路１０において、動力線１８ｕ，１８ｖ，１８ｗには、モータリレー用のＦＥＴ１４ｕ，１４ｖ，１４ｗが設けられている。マイコン４は、動力線１８ｕ，１８ｖ，１８ｗにおいて、各ハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗと各ＦＥＴ１４ｕ，１４ｖ，１４ｗとの間に設けられる検出線２２ｕ，２２ｖ，２２ｗを介して、各相の交流電力を検出する。通常、ＦＥＴ１４ｕ，１４ｖ，１４ｗは、オン状態に維持される。これらＦＥＴ１４ｕ，１４ｖ，１４ｗは、たとえばインバータ回路において断線故障やショート故障が生じた場合に、オフへと切り替えられる。インバータ回路１０とモータ２との間の給電経路（動力線１８ｕ，１８ｖ，１８ｗ）が遮断されることにより、インバータ回路１０からモータ２への給電が遮断される。各ＦＥＴ１４ｕ，１４ｖ，１４ｗのゲート電極ｇｅはそれぞれゲート配線２０ｕ，２０ｖ，２０ｗを介して、マイコン４に接続されている。マイコン４は、各ＦＥＴ１４ｕ，１４ｖ，１４ｗのオンオフを制御する。
【００２７】
また、マイコン４は、ゲート配線６ａ，６ｂを介して電源リレー用のＦＥＴ５ａ，５ｂのゲート電極ｇｅにそれぞれ接続されている。マイコン４は、ＦＥＴ５ａ，５ｂのオンオフを制御する。また、マイコン４は、検出線６ｃを介してバッテリ１１とインバータ回路１０との間の給電経路に接続されている。ここでは、一例として、マイコン４は給電経路における電源リレー５とインバータ回路１０との間に接続されている。マイコン４は、検出線６ｃを介して、バッテリ１１からインバータ回路１０へ供給される直流電力を検出する。
【００２８】
また、本実施形態では、モータ２に実際に付与される電流の検出方式として、３シャント方式が採用されている。３シャント方式では、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗとグランドとの間に、それぞれシャント抵抗２１ｕ，２１ｖ，２１ｗが設けられる。マイコン４は、シャント抵抗２１ｕ，２１ｖ，２１ｗに電流が流れる際の両端電圧を検出することで、モータ２の各相に流れる実電流値を検出する。
【００２９】
つぎに、パワーモジュール３の内部構造について説明する。
図２に示すように、パワーモジュール３は長方形状の基板３１を有している。基板３１の周縁部はモールド樹脂３０で覆われている。基板３１上には導電体としてのバスバー群４０と、インバータ回路１０を構成する各ＦＥＴと、シャント抵抗２１ｕ，２１ｖ，２１ｗと、制御端子群６０とが配置されている。
【００３０】
図２に示すように、バスバー群４０は、電源バスバー４１およびグランドバスバー４２を含んでいる。基板３１をその面に直交する方向から見たとき、電源バスバー４１およびグランドバスバー４２は全体としてＨ字状を呈している。電源バスバー４１は、基板３１の長手方向に沿う方向に延びる端部４１ａと、短手方向に沿う延長部４１ｂとからＴ字状をなしている。延長部４１ｂは、第１延長部４１ｃと第２延長部４１ｄにより構成されている。第２延長部４１ｄは、端部４１ａに連結されている。第１延長部４１ｃと第２延長部４１ｄは、基板３１の短手方向においてわずかに離れた状態で配置されている。グランドバスバー４２は基板３１の長手方向に沿って線状に形成されている。また、電源バスバー４１（正確には、延長部４１ｂ）とグランドバスバー４２は、それぞれ基板３１の短手方向においてわずかに離れている。
【００３１】
第１延長部４１ｃには電源リレー用のＦＥＴ５ａが配置されている。第２延長部４１ｄには電源リレー用のＦＥＴ５ｂが配置されている。ＦＥＴ５ａとＦＥＴ５ｂの間はクリップリード５ｃを介して相互に接続されている。なお、延長部４１ｂ（第１延長部４１ｃおよび第２延長部４１ｄ）には各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗに供給される電流が全て集中するため、延長部４１ｂの幅（基板３１の長手方向における長さ）は大きく設定されている。なお、延長部４１ｂの幅は、延長部４１ｂに集中する電流を流すために必要とされる断面積が確保される程度の大きさに設定される。
【００３２】
電源バスバー４１（正確には、電源バスバー４１の基板３１の短手方向に沿って延びる延長部４１ｂ）には、バッテリ１１の正極端子に接続される入力端子（電源端子）５０が取り付けられている。入力端子５０は、基板３１の短手方向に沿って延び、入力端子５０における電源バスバー４１と反対側の端部（図２中の下端）は、モールド樹脂３０を貫通して外部に突出している。また、グランドバスバー４２には、グランドに接続される出力端子（グランド端子）５１が取り付けられている。出力端子５１も基板３１の短手方向に沿って延び、出力端子５１におけるグランドバスバー４２と反対側の端部（図２中の下端）は、モールド樹脂３０を貫通して外部に突出している。なお、入力端子５０は、電源バスバー４１には接触するが、グランドバスバー４２には接触していない。
【００３３】
また、制御端子群６０は、モールド樹脂３０における、入力端子５０および出力端子５１の設けられた端部と反対側の端部（図２の上部）に設けられている。制御端子群６０の一端（図２中の下端）はモールド樹脂３０に埋設され、他端（図２中の上端）はモールド樹脂３０の外部に突出している。制御端子群６０を介して、基板３１上のＦＥＴなどの電子部品はマイコン４に接続される。マイコン４は、制御端子群６０を介して、ＦＥＴなどの電子部品に制御信号を印加することにより、ＦＥＴなどの電子部品を制御する。
【００３４】
なお、制御端子群６０は、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕと、Ｖ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖと、Ｗ相の制御端子６１ｗ〜６６ｗと、電源リレー５の制御端子７０〜７２とを有している。基板３１の長手方向において、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕ、電源リレー用の制御端子７０〜７２、Ｖ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖ、Ｗ相の制御端子６１ｗ〜６６ｗの順に配置されている。すなわち、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕとＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖとの間には、電源リレー用の制御端子７０〜７２が配置されている。
【００３５】
バッテリ１１からの直流電力は、入力端子５０および電源バスバー４１を介して、各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗへ供給される。この直流電力は、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗにより交流電力へ変換され、この変換された交流電力は、各相のモータ端子５２ｕ，５２ｖ，５２ｗを介して、モータ２へ供給される。
【００３６】
電源バスバー４１とグランドバスバー４２との間において、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗは基板３１の長手方向に沿ってそれぞれ並列に配置されている。具体的に、電源バスバー４１（正確には、基板３１の長手方向に沿って延びる端部４１ａ）とグランドバスバー４２の間には、基板３１の長手方向における一端（図２の左端）から順に、Ｕ相のハーフブリッジ１３ｕ、Ｔ字状の電源バスバー４１の一部（正確には、基板３１の短手方向に沿って延びる延長部４１ｂ）、Ｖ相のハーフブリッジ１３ｖ、およびＷ相のハーフブリッジ１３ｗが配置されている。電源バスバー４１には、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの配置に応じて、上側ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗが、基板３１の長手方向に沿ってそれぞれ並列に配置されている。上側ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗのゲート電極ｇｅは、制御端子６３ｕ，６３ｖ，６３ｗに接続されている。また、上側ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗのソース電極ｓｅは、制御端子６２ｕ，６２ｖ，６２ｗに接続されている。なお、これは図１において、検出線２２ｕ，２２ｖ，２２ｗが動力線１８ｕ，１８ｖ，１８ｗに接続されていることと対応している。
【００３７】
なお、一例として、上側ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ、下側ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗ、およびモータリレー用のＦＥＴ１４ｕ，１４ｖ，１４ｗにおいて、それぞれのドレイン電極ｄｅは各ＦＥＴの裏面（基板３１側の面）に形成され、ソース電極ｓｅおよびゲート電極ｇｅは各ＦＥＴの表面（基板３１と反対側の面）に形成されている。図２においては、図面を簡略化するために、ドレイン電極ｄｅ、ソース電極ｓｅ、およびゲート電極ｇｅの図示を省略する。各ＦＥＴのゲート電極ｇｅは、制御端子群６０を介してマイコン４に接続される（図１参照）。
【００３８】
つぎに、Ｕ相のハーフブリッジ１３ｕについて詳しく説明する。
Ｕ相のハーフブリッジ１３ｕは、いくつかのバスバーを有している。これらのバスバーには、中間ブロック４３ｕ、モータ端子ブロック４４ｕ、グランドブロック４５ｕ、および２つのシャント抵抗ブロック４６ｕ，４７ｕが含まれる。各ブロックは、いずれも平板状の導電体である。
【００３９】
中間ブロック４３ｕには、下側ＦＥＴ１２Ｌｕが配置されている。下側ＦＥＴ１２Ｌｕのゲート電極ｇｅは、制御端子６４ｕに接続されている。また、モータ端子ブロック４４ｕには、モータリレー用のＦＥＴ１４ｕが配置されている。ＦＥＴ１４ｕのゲート電極ｇｅは、制御端子６１ｕに接続されている。電源バスバー４１上の上側ＦＥＴ１２Ｈｕ（そのソース電極ｓｅ）、中間ブロック４３ｕ、およびＦＥＴ１４ｕの間はクリップリード４８ｕを介して相互に接続されている。中間ブロック４３ｕに配置された下側ＦＥＴ１２Ｌｕとグランドブロック４５ｕは、クリップリード４９ｕを介して接続されている。そして、グランドブロック４５ｕとグランドバスバー４２とは、シャント抵抗２１ｕを介して接続されている。なお、グランドブロック４５ｕとグランドバスバー４２の間において、シャント抵抗２１ｕにはシャント抵抗ブロック４６ｕ，４７ｕが接続されている。これらシャント抵抗ブロック４６ｕ，４７ｕは、シャント抵抗２１ｕの両端電圧を検出するためのものであって、制御端子６５ｕ，６６ｕを介してマイコン４に接続される。モータ端子ブロック４４ｕには、Ｕ相モータ端子５２ｕが接続されている。Ｕ相モータ端子５２ｕは、基板３１における入力端子５０および出力端子５１の設けられた端部と同じ端部（図２の下部）に配置されている。Ｕ相モータ端子５２ｕは、基板３１の短手方向に沿って延び、Ｕ相モータ端子５２ｕにおけるモータ端子ブロック４４ｕと反対側の端部は、モールド樹脂３０を貫通して外部に突出している。なお、Ｕ相モータ端子５２ｕとグランドバスバー４２とは接触していない。
【００４０】
つぎに、Ｕ相のハーフブリッジ１３ｕへの給電経路を詳しく説明する。バッテリ１１から入力端子５０を介して電源バスバー４１へと供給された電力は、電源バスバー４１を通って、上側ＦＥＴ１２Ｈｕのドレイン電極ｄｅ（上側ＦＥＴ１２Ｈｕの裏面）へと伝達される。上側ＦＥＴ１２Ｈｕのドレイン電極ｄｅへと供給された電力は、上側ＦＥＴ１２Ｈｕがオンしているとき、その内部を通って上側ＦＥＴ１２Ｈｕのソース電極ｓｅ（上側ＦＥＴ１２Ｌｕの表面）へと伝達される。
【００４１】
上側ＦＥＴ１２Ｈｕのソース電極ｓｅへと供給された電力は、クリップリード４８ｕを介して、中間ブロック４３ｕおよびモータリレー用のＦＥＴ１４ｕのソース電極ｓｅへと伝達される。
【００４２】
中間ブロック４３ｕへと供給された電力は、下側ＦＥＴ１２Ｌｕのドレイン電極ｄｅへと伝達される。そして、下側ＦＥＴ１２Ｌｕのドレイン電極ｄｅへと供給された電力は、下側ＦＥＴ１２Ｌｕがオンしているとき、その内部を通って下側ＦＥＴ１２Ｌｕのソース電極ｓｅへと伝達される。そして、下側ＦＥＴ１２Ｌｕのソース電極ｓｅへと供給された電力は、クリップリード４９ｕ、グランドブロック４５ｕ、およびシャント抵抗２１ｕを介して、グランドバスバー４２へと伝達される。そして、グランドバスバー４２に供給された電力は、出力端子５１を介してグランドに戻る。
【００４３】
モータリレー用のＦＥＴ１４ｕのソース電極ｓｅへと供給された電力は、ＦＥＴ１４ｕがオンしているとき、その内部を通ってＦＥＴ１４ｕのドレイン電極ｄｅへと伝達される。そして、ＦＥＴ１４ｕのドレイン電極ｄｅへと供給された電力は、モータ端子ブロック４４ｕおよびＵ相モータ端子５２ｕを介して、モータ２（正確にはモータコイル２ｕ）へと出力される。
【００４４】
つぎに、Ｖ相のハーフブリッジ１３ｖについて説明する。ただし、Ｕ相と同様の構成については、その詳細な説明を割愛する。
Ｖ相のハーフブリッジ１３ｖは、Ｕ相のハーフブリッジ１３ｕと同様に、中間ブロック４３ｖ、モータ端子ブロック４４ｖ、グランドブロック４５ｖ、およびシャント抵抗ブロック４６ｖ，４７ｖを有している。中間ブロック４３ｖには、下側ＦＥＴ１２Ｌｖが配置されている。下側ＦＥＴ１２Ｌｖのゲート電極ｇｅは、制御端子６４ｖに接続されている。また、モータ端子ブロック４４ｖには、モータリレー用のＦＥＴ１４ｖが配置されている。ＦＥＴ１４ｖのゲート電極ｇｅは、制御端子６１ｖに接続されている。上側ＦＥＴ１２Ｈｖは、クリップリード４８ｖを介して、中間ブロック４３ｖおよびモータリレー用のＦＥＴ１４ｖと接続されている。中間ブロック４３ｖに配置された下側ＦＥＴ１２Ｌｖとグランドブロック４５ｖは、クリップリード４９ｖを介して接続されている。そして、グランドブロック４５ｖとグランドバスバー４２とは、シャント抵抗２１ｖを介して接続されている。なお、グランドブロック４５ｖとグランドバスバー４２の間において、シャント抵抗２１ｖにはシャント抵抗ブロック４６ｖ，４７ｖが接続されている。シャント抵抗ブロック４６ｖ，４７ｖは、制御端子６５ｖ，６６ｖを介してマイコン４に接続される。モータ端子ブロック４４ｖには、Ｖ相モータ端子５２ｖが接続されている。Ｖ相モータ端子５２ｖも、基板３１における入力端子５０および出力端子５１の設けられた端部と同じ端部（図２の下部）に配置されている。なお、Ｖ相モータ端子５２ｖは、グランドバスバー４２とは接触していない。Ｖ相の給電経路は、Ｕ相と同様である。
【００４５】
つぎに、Ｗ相のハーフブリッジ１３ｗについて説明する。
Ｗ相のハーフブリッジ１３ｗも、Ｕ相のハーフブリッジ１３ｕと同様に、中間ブロック４３ｗ、モータ端子ブロック４４ｗ、グランドブロック４５ｗ、およびシャント抵抗ブロック４６ｗ，４７ｗを有している。中間ブロック４３ｗには、下側ＦＥＴ１２Ｌｗが配置されている。下側ＦＥＴ１２Ｌｗのゲート電極ｇｅは、制御端子６４ｗに接続されている。また、モータ端子ブロック４４ｗには、モータリレー用のＦＥＴ１４ｗが配置されている。ＦＥＴ１４ｗのゲート電極ｇｅは、制御端子６１ｗに接続されている。上側ＦＥＴ１２Ｈｗは、クリップリード４８ｗを介して、中間ブロック４３ｗおよびモータリレー用のＦＥＴ１４ｗと接続されている。中間ブロック４３ｗに配置された下側ＦＥＴ１２Ｌｗとグランドブロック４５ｗは、クリップリード４９ｗを介して接続されている。そして、グランドブロック４５ｗとグランドバスバー４２とは、シャント抵抗２１ｗを介して接続されている。なお、グランドブロック４５ｗとグランドバスバー４２の間において、シャント抵抗２１ｗにはシャント抵抗ブロック４６ｗ，４７ｗが接続されている。シャント抵抗ブロック４６ｗ，４７ｗは、制御端子６５ｗ，６６ｗを介してマイコン４に接続される。モータ端子ブロック４４ｗには、Ｗ相モータ端子５２ｗが接続されている。Ｗ相モータ端子５２ｗも、基板３１における入力端子５０および出力端子５１の設けられた端部と同じ端部（図２の下部）に配置されている。なお、Ｗ相モータ端子５２ｗは、グランドバスバー４２とは接触していない。Ｗ相の給電経路は、Ｕ相と同様である。
【００４６】
なお、入力端子５０は、Ｕ相モータ端子５２ｕとＶ相モータ端子５２ｖの間に設けられている。また、出力端子５１は、Ｖ相モータ端子５２ｖとＷ相モータ端子５２ｗの間に設けられている。
【００４７】
電源リレー用のＦＥＴ５ａのゲート電極ｇｅは、制御端子７０に接続されている。電源リレー用のＦＥＴ５ｂのゲート電極ｇｅは、制御端子７１に接続されている。第２延長部４１ｄは制御端子７２を介してマイコン４に接続されている。これは、ＦＥＴ５ｂのドレイン電極ｄｅに制御端子７２が接続されていることに等しく、図１における検出線６ｃに対応する。
【００４８】
つぎに、本実施形態の作用を、比較例を交えて説明する。
さて、各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの配置に起因して、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗごとに給電経路の距離、ひいてはインダクタンスおよびインピーダンスが異なる。すなわち、入力端子５０から出力端子５１までの各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗを介した給電経路の距離に比例して、インピーダンスおよびインダクタンスは大きくなる。インダクタンスが大きいほど、インバータ回路１０（ハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗ）がスイッチングする際に発生する、スイッチングノイズが大きくなる。
【００４９】
また、インダクタンスが大きくなるほど、各ＦＥＴをオンオフしたときのサージ電圧が大きくなる。サージ電圧は、インダクタンスの大きさと単位時間あたりの電流値の変化に比例しているためである。サージ電圧が大きくなるほど、その給電経路で発生する発熱量が大きくなる。これは、サージ電圧が印加されている分だけ、余分に電圧が印加されるためである。給電経路での発熱量の増大は、パワーモジュール３の寿命を短くする一因となる。また、サージ電圧が大きくなるほど、各ＦＥＴのドレイン電極ｄｅおよびソース電極ｓｅの電圧が大きくなるため、各ＦＥＴの寿命も短くなるおそれがある。また、パワーモジュール３を車載した場合のラジオノイズも大きくなる。
【００５０】
また、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗに応じたインダクタンスの差が大きくなるほど、インピーダンスのバランス差も大きくなる。各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの間でのインピーダンスの差が大きいほど、いわゆるトルクリップルと呼ばれるトルクの脈動が生じやすい。大きなトルクリップルは、たとえば振動騒音特性（ＮＶ特性）を悪化させるため、振動、騒音、共振などの現象を引き起こす一因となる。したがって、ハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗのインダクタンスおよびインダクタンスの差をより小さくすることが好ましい。
【００５１】
ここで、比較例として、たとえば入力端子５０および出力端子５１が、基板３１の各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの並んでいる方向におけるＷ相側の端部に設けられる場合について検討する。この場合、入力端子５０および出力端子５１に最も近いＷ相のハーフブリッジ１３ｗでのインダクタンスが最も小さくなり、入力端子５０および出力端子５１から最も遠いＵ相のハーフブリッジ１３ｕでのインダクタンスが最も大きくなる。インダクタンスの差を小さくするためには、入力端子５０および出力端子５１と、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗとの距離の差を短くすればよい。しかし、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗを並列配置する前提の下では、入力端子５０および出力端子５１を基板３１におけるＷ相側の端部に設けたままでは、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの間のインダクタンスの差を低減することには限度がある。Ｗ相のハーフブリッジ１３ｗが最も入力端子５０および出力端子５１に近く、Ｕ相のハーフブリッジが入力端子５０および出力端子５１から最も遠いという位置関係は変わらないからである。なお、入力端子５０および出力端子５１が、基板３１の各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの並んでいる方向におけるＵ相側の端部に設けられる場合についても同様である。
【００５２】
この点、本実施形態では、入力端子５０および出力端子５１は、基板３１の各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの並ぶ方向に垂直な端部に設けられているため、よりインダクタンスの差が低減されている。これは、基板３１の各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの並んでいる方向の端部に入力端子５０および出力端子５１を設けた場合に比べて、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗを介した給電経路の距離の差が小さくなっているためである。各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗのインダクタンスの差をより小さくすることができるため、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの間でのインピーダンス差を小さくすること、ひいてはトルクリップルをより小さくすることができる。
【００５３】
さらに、入力端子５０がＵ相モータ端子５２ｕとＶ相モータ端子５２ｖの間に設けられ、出力端子５１がＶ相モータ端子５２ｖとＷ相モータ端子５２ｗの間に設けられているため、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗのインダクタンスの差をより小さくすることができる。これは、たとえば入力端子５０および出力端子５１がＵ相モータ端子５２ｕとＶ相モータ端子５２ｖの間に設けられた場合には、Ｕ相およびＶ相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖは同程度のインダクタンスであるが、Ｗ相のハーフブリッジ１３ｗはＵ相およびＶ相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖに比べて大きいインダクタンスになってしまうためである。この点、本実施形態では、入力端子５０および出力端子５１は、基板３１の各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの並ぶ方向に垂直な端部に設けられているため、よりインダクタンスは低減されている。比較例のように、入力端子５０および出力端子５１から最も遠いＵ相のハーフブリッジ１３ｕの給電経路の距離が小さくなるためである。このため、スイッチングノイズが低減されることで、各ＦＥＴで発生する熱量を抑えることができ、各ＦＥＴの製品寿命を延ばすことができる。また、各ＦＥＴに限らず、パワーモジュール３全体としての発熱量が抑えられるため、パワーモジュール３の寿命も延ばすことができる。
【００５４】
本実施形態の効果を説明する。
（１）各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗへ電源を供給する際のインダクタンスを低減することができるため、スイッチングノイズが低減され、各ＦＥＴの製品寿命を延ばすことができる。また、パワーモジュール３の寿命も延ばすことができる。
【００５５】
（２）各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗの間でのインピーダンスの差を小さくすることができるため、トルクリップルを小さくすることができる。このため、ＮＶ特性をより向上させることができ、車両走行の際の静寂性が高められる。
【００５６】
（３）入力端子５０がＵ相モータ端子５２ｕとＶ相モータ端子５２ｖの間に設けられ、出力端子５１がＶ相モータ端子５２ｖとＷ相モータ端子５２ｗの間に設けられているため、より確実にモータ２を駆動することができる。すなわち、入力端子５０と出力端子５１が隣接している場合、入力端子５０と出力端子５１がショートしてしまうと、十分にモータ２を駆動することができず、アシスト力が急激に変動してしまう。この点、本実施形態では、入力端子５０と出力端子５１の間にＶ相モータ端子５２ｖが配置されているため、入力端子５０とＶ相モータ端子５２ｖがショートしても、残るＵ相モータ端子５２ｕとＷ相モータ端子５２ｗを用いて２相駆動すればよい。また、出力端子５１とＶ相モータ端子５２ｖがショートした場合であっても、残るＵ相モータ端子５２ｕとＷ相モータ端子５２ｗを用いて２相駆動すればよい。
【００５７】
（４）何らかの原因により、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕとＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖがショートしたとき、十分にモータ２を駆動することができず、アシスト力が急激に変化するおそれがある。この点、本実施形態では、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕとＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖの間に電源リレー用の制御端子７０〜７２が配置されている。このため、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕと電源リレー用の制御端子７０〜７２がショートした場合であっても、Ｕ相を除いた残りの２相でモータ２を駆動することができる。
【００５８】
（５）延長部４１ｂに電源リレー用のＦＥＴ５ａ，５ｂを配置した。電源リレー用のＦＥＴ５ａ，５ｂを配置するためのバスバーを別個に設ける必要がないため、パワーモジュール３の規模を小さくすることができる。また、大電流が流れる延長部４１ｂは、断面積を確保するためにその幅が大きく設定される。このため、電源リレー用のＦＥＴ５ａ，５ｂを配置するスペースを確保することが容易である。また、電源リレー５の有無によって、パワーモジュール３の形状が大きく変化することはないので、パワーモジュール３の部品の共通化および製造方法の共通化が可能であり、コストの低減も期待できる。
【００５９】
＜第２の実施形態＞
つぎに、パワーモジュールを駆動装置に適用した第２の実施形態について説明する。ここでは、第１の実施形態との違いを中心に説明する。
【００６０】
図３に示すように、パワーモジュール３には、電源リレー５が設けられていないものもある。たとえば、パワーモジュール３を冗長化せず、１つだけ設ける場合（１系統）、電源リレー５は必須ではない。電源リレー５が設けられないので、ゲート配線６ａ，６ｂおよび検出線６ｃも設けられない。
【００６１】
図４に示すように、制御端子群６０は、各ＦＥＴのどの部分にも電気的に接続されない３つのダミー端子１７０，１７１，１７２を有している。図２に示されるパワーモジュール３において、電源リレー５を割愛した構成を採用する場合、電源リレー用のＦＥＴ５ａのゲート電極ｇｅと接続される制御端子７０、電源リレー用のＦＥＴ５ｂのゲート電極ｇｅと接続される制御端子７１、および第２延長部４１ｄと接続される制御端子７２は、どの部分にも電気的に接続されずに余ることとなる。ここでは、これらの余る３つの制御端子７０，７１，７２をダミー端子１７０，１７１，１７２として利用する。ダミー端子は、次のように配置される。
【００６２】
基板３１の長手方向において、制御端子６１ｕ〜６６ｕの制御端子６１ｖ〜６６ｖと反対側の部位には、ダミー端子１７０が設けられている。Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕとＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖとの間には、ダミー端子１７１が配置されている。また、Ｖ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖとＷ相の制御端子６１ｗ〜６６ｗとの間には、ダミー端子１７２が配置されている。すなわち、基板３１の長手方向において、制御端子群６０は、図４の左側からダミー端子１７０、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕ、ダミー端子１７１、Ｖ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖ、ダミー端子１７２、Ｗ相の制御端子６１ｗ〜６６ｗの順に配置されている。
【００６３】
本実施形態の作用および効果を説明する。
たとえばダミー端子１７１が存在せず、制御端子６１ｖおよび制御端子６６ｕが互いに隣接する場合、制御端子６１ｖが折れ曲がることにより制御端子６６ｕに接触するときには、制御端子６１ｖと制御端子６６ｕとの間でショートすることとなる。このため、マイコン４が制御端子６１ｖを介してモータリレー用のＦＥＴ１４ｖを制御しようとしても、制御端子６６ｕとショートしているために、その制御は困難である。すなわち、ある相の制御端子が折れ曲がるなどの要因により、他の相の制御端子に接触すると、モータ２の駆動制御が困難になる。
【００６４】
この点、本実施形態では、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕとＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖとの間には、ダミー端子１７１が配置されているため、たとえばＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖがＵ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕと接触することを抑制できる。たとえば、制御端子６１ｖがＵ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕの側へ折れ曲がった場合でも、制御端子６１ｖはまずダミー端子１７１に接触することとなる。ダミー端子１７１はどの部分にも接続されていない部分であるため、制御端子６１ｖとダミー端子１７１とがショートしても、モータ２を駆動することが可能である。また、制御端子６１ｖがＵ相の他の制御端子６１ｕ〜６５ｕに接触するには、ダミー端子１７１を越えてさらに変形しなければならない。このため、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕとＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖとの間にダミー端子１７１を設けることにより、より確実にモータ２を制御することができる。同様にＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖとＷ相の制御端子６１ｗ〜６６ｗとの間にダミー端子１７２を設けることにより、より確実にモータ２を制御することができる。
【００６５】
なお、各実施形態は次のように変更してもよい。
・各実施形態では、電子部品を電気的に接続する配線手段として、クリップリード４８ｕ，４８ｖ，４８ｗ，４９ｕ，４９ｖ，４９ｗが用いられたが、電子部品を電気的に接続できればどのようなものであってもよい。たとえば、リード線などを採用してもよい。
【００６６】
・各実施形態では、基板３１の長手方向における一端から順に、Ｕ相のハーフブリッジ１３ｕ、Ｖ相のハーフブリッジ１３ｖ、およびＷ相のハーフブリッジ１３ｗが配置されたが、これに限らない。すなわち、この順番を入れ替えてもよく、たとえば、Ｖ相のハーフブリッジ１３ｖ、Ｗ相のハーフブリッジ１３ｗ、およびＵ相のハーフブリッジ１３ｕの順に配置されてもよい。
【００６７】
・各実施形態では、各相のモータ端子５２ｕ，５２ｖ，５２ｗは、基板３１における入力端子５０および出力端子５１の設けられた端部と同じ端部（図２の下部）に配置されたが、これに限らない。すなわち、各相のモータ端子５２ｕ，５２ｖ，５２ｗは、基板３１における入力端子５０および出力端子５１の設けられた端部と反対側の端部（図２の上部）に設けられてもよい。
【００６８】
・マイコン４の内部で、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗのグランドをとってもよい。
・各実施形態では、各相のハーフブリッジ１３ｕ，１３ｖ，１３ｗは３つ設けられたが、これに限らない。たとえば、２相であってもよい。
【００６９】
・各実施形態では、モータリレー用のＦＥＴ１４ｕ，１４ｖ，１４ｗが設けられたが、設けなくてもよい。
・第１の実施形態では、電源リレー５が設けられたが、設けなくてもよい。たとえばモータ２に対してインバータ回路１０を冗長化する場合などには電源リレー５が設けられることが好ましいが、モータ２に対してインバータ回路１０を１つ設ける場合には電源リレー５は必ずしも設けなくてよい。また、第２の実施形態では、電源リレー５が設けられなかったが、設けてもよい。たとえば図５に示すように、ダミー端子１７０〜１７２を設けた場合であっても、電源リレー５（ＦＥＴ５ａ，５ｂ）を設けてもよい。
【００７０】
・第１の実施形態では、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕとＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖとの間に、電源リレー用の制御端子７０〜７２が配置されたが、これに限らない。たとえば、Ｖ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖとＷ相の制御端子６１ｗ〜６６ｗとの間に、電源リレー用の制御端子７０〜７２が配置されてもよい。
【００７１】
・第２の実施形態では、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕとＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖの間にダミー端子が１つ設けられたが、これに限らない。たとえば、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕとＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖの間に複数のダミー端子が設けられてもよい。また、ダミー端子ではなく、制御端子そのものを設けないようにして、Ｕ相の制御端子６１ｕ〜６６ｕとＶ相の制御端子６１ｖ〜６６ｖの間に隙間を設けるようにしてもよい。
【００７２】
・各実施形態では、シャント抵抗２１ｕ，２１ｖ，２１ｗを用いた３シャント方式を採用したが、これに限らない。たとえば、シャント抵抗を１つだけ設けた１シャント方式であってもよい。また、シャント抵抗を用いた電流検出手段に限らない。
【００７３】
・各実施形態では、スイッチング素子として各ＦＥＴが用いられたがこれに限らない。たとえば、スイッチング素子として、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）を用いてもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１…駆動装置、２…モータ、３…パワーモジュール、４…マイコン、５…電源リレー、５ａ，５ｂ…電源リレー用のＦＥＴ、５ｃ…クリップリード、６ａ，６ｂ…ゲート配線、６ｃ…検出線、１０…インバータ回路、１１…バッテリ、１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ…上側ＦＥＴ、１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗ…下側ＦＥＴ、１３ｕ，１３ｖ，１３ｗ…ハーフブリッジ、１４ｕ，１４ｖ，１４ｗ…モータリレー用のＦＥＴ、１５ｕ，１５ｖ，１５ｗ…ドレイン配線、１６ｕ，１６ｖ，１６ｗ…ソース配線、１７ｕ，１７ｖ，１７ｗ…中間配線、１８ｕ，１８ｖ，１８ｗ…動力線、１９ｕ，１９ｖ，１９ｗ…ゲート配線、２０ｕ，２０ｖ，２０ｗ…ゲート配線、２１ｕ，２１ｖ，２１ｗ…シャント抵抗、２２ｕ，２２ｖ，２２ｗ…検出線、３０…モールド樹脂、３１…基板、４０…バスバー群、４１…電源バスバー、４１ａ…端部、４１ｂ…延長部、４２…グランドバスバー、４３ｕ，４３ｖ，４３ｗ…中間ブロック、４４ｕ，４４ｖ，４４ｗ…モータ端子ブロック、４５ｕ，４５ｖ，４５ｗ…グランドブロック、４６ｕ，４６ｖ，４６ｗ，４７ｕ，４７ｖ，４７ｗ…シャント抵抗ブロック、４８ｕ，４８ｖ，４８ｗ，４９ｕ，４９ｖ，４９ｗ…クリップリード、５０…入力端子、５１…出力端子、５２ｕ，５２ｖ，５２ｗ…モータ端子、６０…制御端子群、６１ｕ〜６６ｕ，６１ｖ〜６６ｖ，６１ｗ〜６６ｗ…制御端子、７０，７１，７２…制御端子、１７０，１７１，１７２…ダミー端子、Ｄ…寄生ダイオード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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