(57)【要約】      （修正有）【課題】テンプレートに保持させる樹脂材料の量を制御可能なインプリント方法及びインプリント装置を提供する。【解決手段】保持体１０上の樹脂２０に、表面に所定形状のパターン３１が形成されたテンプレート３０を接触させるテンプレート樹脂接触工程と、前記保持体と前記テンプレートを離間させて、前記テンプレートに前記樹脂の少なくとも一部を保持させるテンプレート離間工程と、前記樹脂の少なくとも一部を保持した前記テンプレートを基板４０に接近させて前記樹脂の少なくとも一部を前記基板に接触させるテンプレート基板接近工程と、を有するインプリント方法において、前記テンプレートの表面と前記樹脂との接触角θが、前記保持体の表面と前記樹脂との接触角以下である。【選択図】図２
2016054268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持体上の樹脂に、表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを接触させるテンプレート樹脂接触工程と、
前記保持体と前記テンプレートを離間させて、前記テンプレートに前記樹脂の少なくとも一部を保持させるテンプレート離間工程と、
前記樹脂の少なくとも一部を保持した前記テンプレートを基板に接近させて前記樹脂の少なくとも一部を前記基板に接触させるテンプレート基板接近工程と、
を有するインプリント方法において、
前記テンプレートの表面と前記樹脂との接触角が、前記保持体の表面と前記樹脂との接触角以下である、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
保持体上の樹脂に、表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを接触させるテンプレート樹脂接触工程と、
前記保持体と前記テンプレートを離間させて、前記テンプレートに前記樹脂の少なくとも一部を保持させるテンプレート離間工程と、
前記樹脂の少なくとも一部を保持した前記テンプレートを基板に接近させて前記樹脂の少なくとも一部を前記基板に接触させるテンプレート基板接近工程と、
を有するインプリント方法において、
前記テンプレートの表面と前記樹脂との接触角が、前記保持体の表面と前記樹脂との接触角以上である、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項３】
前記テンプレート樹脂接触工程において、前記テンプレートをローラで押圧する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記テンプレート基板接近工程において、前記テンプレートをローラで押圧する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記テンプレートの表面と前記樹脂との接触角が、前記保持体の表面と前記樹脂との接触角未満である、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記テンプレートの表面と前記樹脂との接触角が、前記保持体の表面と前記樹脂との接触角よりも大きい、
ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記保持体の表面が撥水処理されている、
ことを特徴とする請求項１又は５に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記テンプレートの表面が撥水処理されている、
ことを特徴とする請求項２又は６に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記保持体がテフロンからなる、
ことを特徴とする請求項１又は５に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
前記テンプレート樹脂接触工程の前に、前記保持体上に前記樹脂をスプレー塗布する樹脂供給工程を更に有する、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のインプリント方法。
【請求項１１】
保持体を保持する第１の保持手段と、
該保持体上に樹脂を供給する樹脂供給手段と、
基板を保持する第２の保持手段と、
表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを保持するとともに、該テンプレートのパターン形成面が前記樹脂を保持した状態で、前記樹脂を前記第１の保持手段及び前記第２の保持手段に接近及び離間可能なテンプレート保持手段と、
前記第１の保持手段、前記第２の保持手段及び前記テンプレート保持手段を制御する制御手段と、を有し、
該制御手段は、前記樹脂供給手段により供給された前記保持体上の樹脂に、表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを接触させるテンプレート樹脂接触工程と、
前記保持体と前記テンプレートを離間させて、前記テンプレートに前記樹脂の少なくとも一部を保持させるテンプレート離間工程と、
前記樹脂の少なくとも一部を保持した前記テンプレートを基板に接近させて前記樹脂の少なくとも一部を前記基板に接触させるテンプレート基板接近工程と、
が行われるように前記第１の保持手段、前記第２の保持手段及び前記テンプレート保持手段を制御し、
前記テンプレートの表面と前記樹脂との接触角が、前記保持体の表面と前記樹脂との接触角以下である、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１２】
保持体を保持する第１の保持手段と、
該保持体上に樹脂を供給する樹脂供給手段と、
基板を保持する第２の保持手段と、
表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを保持するとともに、該テンプレートのパターン形成面が前記樹脂を保持した状態で、前記樹脂を前記第１の保持手段及び前記第２の保持手段に接近及び離間可能なテンプレート保持手段と、
前記第１の保持手段、前記第２の保持手段及び前記テンプレート保持手段を制御する制御手段と、を有し、
該制御手段は、前記樹脂供給手段により供給された前記保持体上の樹脂に、表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを接触させるテンプレート樹脂接触工程と、
前記保持体と前記テンプレートを離間させて、前記テンプレートに前記樹脂の少なくとも一部を保持させるテンプレート離間工程と、
前記樹脂の少なくとも一部を保持した前記テンプレートを基板に接近させて前記樹脂の少なくとも一部を前記基板に接触させるテンプレート基板接近工程と、
が行われるように前記第１の保持手段、前記第２の保持手段及び前記テンプレート保持手段を制御し、
前記テンプレートの表面と前記樹脂との接触角が、前記保持体の表面と前記樹脂との接触角以上である、
ことを特徴とするインプリント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法及びインプリント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、テンプレートの表面に形成した凹凸形状パターンを、基板上に塗布した樹脂材料に押し付け、樹脂材料を硬化させることにより凹凸形状パターンを基板上の樹脂材料に転写するインプリント技術が知られている。かかるインプリント技術において、均質に樹脂材料を供給するためには、樹脂材料の供給量を多くすることが好ましいが、樹脂材料の供給量が多いと、形成した凹凸形状パターンの下に更に余分な樹脂材料が残り、残余の樹脂材料を後のエッチング工程で除去する負担が増大するため、かかる観点からは、残余の樹脂材料が少ないことが好ましい。
【０００３】
かかる２つの要求に応える技術として、液体分離方式によるインプリント法が提案されている。かかる液体分離方式のインプリント法では、キャリア上に均質となるのに十分な量のレジストを供給して表面にパターン形成されたスタンプを押し付けた後、スタンプとキャリアを分離して両者にレジストを保持させ、分離により残余部分が薄くなったレジストを保持したスタンプを他の基板に押し付け、レジストを硬化することにより均質で残余部分が薄くなったレジストパターンを転写する（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−５０１０８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のインプリント方法では、スタンプとキャリアを分離する際、スタンプに保持されるレジストの厚さと、キャリアに保持されるレジストの厚さを調整する配慮は特になされておらず、インプリントの用途に応じてスタンプに保持させるレジストの量を調整することはできなかった。
【０００６】
一方、インプリント技術は、例えば、一般的な半導体プロセスでのレジストパターンの形成の他、固体撮像素子のレンズの凹凸パターンを形成するプロセスや、テンプレート（スタンプ）を製造するため、ガラス基板上にテンプレートのパターンと係合する逆の凹凸が形成された樹脂を有するレプリカを作製するプロセスにも利用され得る。前者の一般的な半導体プロセスでのレジストパターンでは、テンプレートが保持するレジストは残余部分が薄い方が好ましいが、後者のレンズの凹凸パターンを形成するプロセスや、レプリカの作製プロセスでは、テンプレートに保持させるレジストの残余部分が厚い方が好ましい。このように、用途に応じて、テンプレートに保持させる樹脂材料の量は、制御可能であることが好ましい。
【０００７】
そこで、本発明は、テンプレートに保持させる樹脂材料の量を制御可能なインプリント方法及びインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るインプリント方法は、保持体上の樹脂に、表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを接触させるテンプレート樹脂接触工程と、
前記保持体と前記テンプレートを離間させて、前記テンプレートに前記樹脂の少なくとも一部を保持させるテンプレート離間工程と、
前記樹脂の少なくとも一部を保持した前記テンプレートを基板に接近させて前記樹脂の少なくとも一部を前記基板に接触させるテンプレート基板接近工程と、
を有するインプリント方法において、
前記テンプレートの表面と前記樹脂との接触角が、前記保持体の表面と前記樹脂との接触角以下である、
ことを特徴とする。
【０００９】
本発明の他の態様に係るインプリント方法は、保持体上の樹脂に、表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを接触させるテンプレート樹脂接触工程と、
前記保持体と前記テンプレートを離間させて、前記テンプレートに前記樹脂の少なくとも一部を保持させるテンプレート離間工程と、
前記樹脂の少なくとも一部を保持した前記テンプレートを基板に接近させて前記樹脂の少なくとも一部を前記基板に接触させるテンプレート基板接近工程と、
を有するインプリント方法において、
前記テンプレートの表面と前記樹脂との接触角が、前記保持体の表面と前記樹脂との接触角以上である、
ことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の他の態様に係るインプリント装置は、保持体を保持する第１の保持手段と、
該保持体上に樹脂を供給する樹脂供給手段と、
基板を保持する第２の保持手段と、
表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを保持するとともに、該テンプレートのパターン形成面が前記樹脂を保持した状態で、前記樹脂を前記第１の保持手段及び前記第２の保持手段に接近及び離間可能なテンプレート保持手段と、
前記第１の保持手段、前記第２の保持手段及び前記テンプレート保持手段を制御する制御手段と、を有し、
該制御手段は、前記樹脂供給手段により供給された前記保持体上の樹脂に、表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを接触させるテンプレート樹脂接触工程と、
前記保持体と前記テンプレートを離間させて、前記テンプレートに前記樹脂の少なくとも一部を保持させるテンプレート離間工程と、
前記樹脂の少なくとも一部を保持した前記テンプレートを基板に接近させて前記樹脂の少なくとも一部を前記基板に接触させるテンプレート基板接近工程と、
が行われるように前記第１の保持手段、前記第２の保持手段及び前記テンプレート保持手段を制御し、
前記テンプレートの表面と前記樹脂との接触角が、前記保持体の表面と前記樹脂との接触角以下である、
ことを特徴とする。
【００１１】
更に、本発明の他の態様に係るインプリント装置は、保持体を保持する第１の保持手段と、
該保持体上に樹脂を供給する樹脂供給手段と、
基板を保持する第２の保持手段と、
表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを保持するとともに、該テンプレートのパターン形成面が前記樹脂を保持した状態で、前記樹脂を前記第１の保持手段及び前記第２の保持手段に接近及び離間可能なテンプレート保持手段と、
前記第１の保持手段、前記第２の保持手段及び前記テンプレート保持手段を制御する制御手段と、を有し、
該制御手段は、前記樹脂供給手段により供給された前記保持体上の樹脂に、表面に所定形状のパターンが形成されたテンプレートを接触させるテンプレート樹脂接触工程と、
前記保持体と前記テンプレートを離間させて、前記テンプレートに前記樹脂の少なくとも一部を保持させるテンプレート離間工程と、
前記樹脂の少なくとも一部を保持した前記テンプレートを基板に接近させて前記樹脂の少なくとも一部を前記基板に接触させるテンプレート基板接近工程と、
が行われるように前記第１の保持手段、前記第２の保持手段及び前記テンプレート保持手段を制御し、
前記テンプレートの表面と前記樹脂との接触角が、前記保持体の表面と前記樹脂との接触角以上である、
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、テンプレートに保持させる樹脂の量を制御し、転写パターンの樹脂の残余部分の厚さを制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一般的なインプリント方法の一例の一連の工程を示した図である。図１（ａ）は、樹脂滴下工程の一例を示した図である。図１（ｂ）は、樹脂塗布工程の一例を示した図である。図１（ｃ）は、テンプレート用意工程の一例を示した図である。図１（ｄ）は、テンプレート接触工程の一例を示した図である。図１（ｅ）は、硬化工程の一例を示した図である。図１（ｆ）は、離型工程の一例を示した図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るインプリント方法の一例の一連の工程を示した図である。図２（ａ）は、樹脂供給工程の一例を示した図である。図２（ｂ）は、テンプレート樹脂接触工程の一例を示した図である。図２（ｃ）は、テンプレート離間工程の一例を示した図である。図２（ｄ）は、テンプレート基板接近工程の一例を示した図である。図２（ｅ）は、硬化工程の一例を示した図である。図２（ｆ）は、離型工程の一例を示した図である。
【図３】本発明の実施形態に係るインプリント方法のテンプレート離間工程で行われる液体分離の内容の一例を説明するための図である。図３（ａ）は、ダミー基板とテンプレート３１とが同じ表面張力を有する場合の液体分離モデルを示した図である。図３（ｂ）は、ダミー基板とテンプレートとが異なる表面張力を有する場合の液体分離モデルを示した図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るインプリント方法の一例について説明するための図である。図４（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係るインプリント方法のテンプレート樹脂接触工程の一例を示した図である。図４（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係るインプリント方法のテンプレート離間工程の一例を示した図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るインプリント方法の検証結果を示した図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るインプリント方法の一例について説明するための図である。図６（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係るインプリント方法のテンプレート基板接近工程の一例を示した図である。図６（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係るインプリント方法の硬化工程の一例を示した図である。
【図７】実施形態３に係るインプリント方法の検証実験の実施結果を示した図である。
【図８】本発明の実施形態に係るインプリント装置の一例を示した図である。
【図９】インプリントモジュール９０内に設けられる樹脂供給ユニット９１の一例を示した図である。
【図１０】インプリントモジュール内に設けられるインプリントユニット９４の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。まず、理解の容易のため、一般的なインプリント方法について説明する。
【００１５】
図１は、一般的なインプリント方法の一例の一連の工程を示した図である。図１（ａ）は、樹脂滴下工程の一例を示した図である。樹脂滴下工程においては、被覆転写基板１１０の表面上に樹脂１２０が供給される。例えば、樹脂１２０を供給するノズル（図示せず）が被転写基板１１０の中心領域の上方に設けられ、ノズルから樹脂１２０を被転写基板１１０の中心上に滴下して供給してもよい。
【００１６】
図１（ｂ）は、樹脂塗布工程の一例を示した図である。樹脂塗布工程においては、被転写基板１１０の表面全面を樹脂１２０が覆うように、樹脂１２０が被転写基板１１０の全面に塗布される。樹脂塗布工程では、例えば、被転写基板１１０を回転させ、樹脂滴下工程で被転写基板の中心領域に滴下された樹脂１２０を遠心力で外周側に引き延ばすようにして樹脂１２０を被転写基板１１０の全面に塗布してもよい。
【００１７】
図１（ｃ）は、テンプレート用意工程の一例を示した図である。テンプレート用意工程では、樹脂１２０に転写する形状パターン１３１が表面に形成されたテンプレート１３０が用意される。テンプレート１３０の形状パターン１３１が下向き、つまり樹脂１２０と対向するようにテンプレート１３０が配置される。なお、図１（ａ）、（ｂ）の樹脂滴下工程及び樹脂塗布工程を樹脂塗布用の樹脂塗布ユニットで行い、図１（ｃ）のテンプレート用意工程以降を別ユニットであるインプリントユニットに被処理基板１１０を移送して行うようにしてもよい。
【００１８】
図１（ｄ）は、テンプレート接触工程の一例を示した図である。テンプレート接触工程では、テンプレート１３０を下方に移動させて被転写基板１１０上の樹脂１２０に接触させ、更にテンプレート１３０を被転写基板１１０に押し付け、樹脂１２０をテンプレート１３０の形状パターン１３１に従って流動変形させる。このとき、一般的なインプリント法のテンプレート接触工程では、テンプレート１３０が被転写基板１１０に押圧される程度にまでテンプレート１３０を下降させ、樹脂１２０の残余部分が非常に薄い状態で形状パターン１３１が成形される。残余部分を除去するその後のエッチング工程は容易となるが、均質な樹脂１２０の供給は実現できないおそれがある。
【００１９】
図１（ｅ）は、硬化工程の一例を示した図である。硬化工程では、周囲から紫外線（ＵＶ光、Ultraviolet ray）が照射され、樹脂１２０が硬化される。なお、樹脂１２０は、紫外線の照射により硬化するものが選択される。
【００２０】
図１（ｆ）は、離型工程の一例を示した図である。離型工程では、テンプレート１３０を被転写基板１１０から外して離脱させる。テンプレート１３０を離脱させた後の被転写基板１１０上には、テンプレート１３０の形状パターン１３１に対応した形状を有する樹脂が被転写基板１１０上に形成される。これにより、テンプレート１３０の形状パターン１３１の転写が終了する。
【００２１】
〔第１の実施形態〕
次に、図２を用いて、本発明の第１の実施形態に係る液体分離方式を用いたインプリント方法について説明する。図２は、本発明の第１の実施形態に係るインプリント方法の一例の一連の工程を示した図である。
【００２２】
図２（ａ）は、樹脂供給工程の一例を示した図である。樹脂供給工程においては、ダミー基板１０の表面上に樹脂２０が供給される。ダミー基板１０は、パターンが転写される被転写基板ではなく、一旦樹脂２０が表面上に供給され、樹脂２０を分離した際に供給された樹脂２０の一部を保持する保持体としての役割を果たす。よって、ダミー基板１０を保持体と呼んでもよい。
【００２３】
ダミー基板１０は、シリコン、テフロン（登録商標、以下省略）（ポリテトラフルオロエチレン）、ガラス等の種々の材料からなる基板を用いることができる。また、ダミー基板１０の表面は、必要に応じて撥水処理がなされていてもよい。詳細は後述するが、本実施形態に係るインプリント方法では、ダミー基板１０の表面と、パターンが表面に形成されたテンプレートのパターン面との表面張力及び／又は接触角の大小関係により、ダミー基板１０とテンプレートが保持する樹脂２０の量を制御する。よって、ダミー基板１０の表面は、テンプレートとの相対関係で、表面張力及び／又は接触角が適切な値となるように調整される。表面張力及び／又は接触角の調整は、材料、表面加工等により行う。例えば、上述のシリコン、テフロン、ガラスは、総て表面張力及び／又は接触角が異なるので、テンプレートとの関係で、適切な材料を選択することにより、ダミー基板１０の表面張力及び／又は接触角を適切に設定することが可能となる。また、ダミー基板１０の表面に表面処理を施すことにより、各材料が本来的に有する表面張力／又は接触角を更に変化させることができる。表面処理は、用途に応じて、表面張力及び／又は接触角を変化させることができる種々の表面処理を選択してよいが、例えば、撥水処理を行ってもよい。撥水処理は、表面の濡れ性を直接的に変化させることができるので、表面張力及び／又は接触角を変化させるのに好適に用いることができる。その他、粗化処理等を行うようにしてもよい。
【００２４】
なお、表面張力が大きいことと接触角が小さいことは、内容的には同義であるので、以下の説明では、表面張力又は接触角のいずれか一方を用いてのみ説明する場合があるが、その説明は、特に断らずとも、表面張力及び接触角の双方に適用可能である。表面張力は、表面をできるだけ小さくしようと分子同士が引き合う力のことであり、単位は（ｍＮ／ｍ）である。一方、接触角は、静止液体の自由表面が、固体壁に接する場所で、液面と固体面とのなす角（液の内部にある角）である。固体の表面張力をγＳ、液体の表面張力をγＬ、固体と液体の界面張力をγＳＬ、接触角（液滴の接線と固体表面とのなす角度）をθとすると、下記（１）式が成立する。
【００２５】
γＳ＝γＬ・ｃｏｓθ＋γＳＬ          （１）
（１）式から分かるように、固体の表面張力γＳと接触角θとは一方が増加すれば他方は減少する関係にあり、表面張力又は接触角を用いた説明は互いに互換可能である。よって、以後、表面張力と接触角を用いる場合、一方の説明を適宜省略する場合がある。
【００２６】
樹脂２０は、後に硬化することが可能であれば、種々の樹脂２０を用いることができるが、例えば、紫外線の照射により硬化するＵＶ硬化樹脂を用いてもよい。その他、加熱により硬化する熱硬化樹脂等、用途に応じて種々の硬化性樹脂を用いてよい。なお、樹脂２０は、種々の用途の樹脂２０を用いてよいが、例えば、半導体プロセスでレジストとして用いる樹脂２０を用いてもよい。なお、樹脂２０の粘度についても、用途に応じて種々の粘度特性を有する樹脂２０を選択して使用することができる。
【００２７】
ダミー基板１０への樹脂２０の供給は、種々の方法により行ってよいが、ダミー基板１０の表面全体に樹脂２０を均質に供給することが好ましい。樹脂２０のダミー基板１０の表面への供給は、図１（ａ）、（ｂ）で説明したように、ダミー基板１０の中心領域にノズル等により樹脂２０を滴下し、ダミー基板１０を回転させて全面に樹脂２０を拡散させて塗布する、いわゆるスピンコート法により行ってもよいが、スプレーを用いた噴霧塗布により行ってもよい。スプレー法によれば、ダミー基板１０の全面にムラなく均質に樹脂２０を塗布供給し易い。また、スピンコート法では、ダミー基板１０の回転により、表面上に供給された樹脂２０がダミー基板１０の外縁から比較的多量に落下し、無駄になる場合が多い。しかしながら、スプレー法によれば、遠心力の作用が無いので、ダミー基板１０の表面を的確に狙って樹脂２０を塗布供給することが可能となり、樹脂２０の無駄を低減させることができる。
【００２８】
図２（ｂ）は、テンプレート樹脂接触工程の一例を示した図である。テンプレート樹脂接触工程では、ダミー基板１０上に塗布された樹脂２０に、テンプレート３０を接触させる。テンプレート３０の表面には、凹凸の形状パターン３１が形成されている。テンプレート３０のパターン形成面を樹脂２０に接触させ、樹脂２０が形状パターン３１に従って流動することにより、樹脂２０の表面側に形状パターン３１が形成される。その際、テンプレート３０をダミー基板１０に押し付ける程にテンプレート３０を下降させるのではなく、樹脂２０の均質性を保った状態でテンプレート３０を樹脂２０に接触させる。これにより、樹脂２０には残余部分２３が比較的多く残るが、均質な樹脂２０の供給が可能となり、樹脂２０は形状パターン３１に忠実に流動成形される。
【００２９】
上述のように、テンプレート３０の材料は、ダミー基板１０との相対的関係で適切な材料を選択してよいが、樹脂２０がＵＶ硬化樹脂の場合、紫外線を透過させる材料の中からテンプレート３０の材料が選択される。また、樹脂２０が熱硬化樹脂の場合、樹脂２０を硬化させる温度に対して十分な熱耐性を有する材料からテンプレート３０の材料が選択される。例えば、テンプレート３０は、透明なエポキシ樹脂から構成されてもよい。また、必要に応じて、テンプレート３０のパターン形成面は、撥水処理等の表面処理が施されてもよい。これにより、テンプレート３０のパターン形成面の接触角を変更することができる。なお、テンプレート３０とダミー基板１０との材料、表面処理等の相対的関係の詳細は後述する。
【００３０】
図２（ｃ）は、テンプレート離間工程の一例を示した図である。テンプレート離間工程においては、樹脂２０を硬化させることなく、テンプレート３０をダミー基板１０から離間させる。この時、樹脂２０は液体の状態で分離し、テンプレート３０は分離樹脂２１を保持し、ダミー基板１０は分離樹脂２２を保持する。これにより、テンプレート３０が保持する分離樹脂２１の残余部分２４は非常に薄くなり、均質に樹脂２０を供給するとともに残余部分２４を少なくすることが可能となる。
【００３１】
ここで、本実施形態に係るインプリント方法では、残余部分２４の量（厚さ）をコントロールすることが可能である。図２（ｃ）に示すように、テンプレート離間工程により、テンプレート３０が保持する分離樹脂２１の残余部分２４を薄くすることが可能であるが、上述のように、用途により、残余部分２４を薄くしたい場合と、厚くしたい場合がある。例えば、上述のように、一般的な半導体プロセスでは、残余部分２４を薄くしたい場合が多いが、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等の固体撮像素子のレンズ面を形成する場合や、インプリント用のレプリカを作製する場合には、テンプレート３０に保持させる分離樹脂２１の残余部分２４を厚く残すことが好ましい。このような種々の用途に応じて、テンプレート３０のパターン形成面とダミー基板１０との接触角の相対関係を変化させる。具体的には、テンプレート３０が保持する分離樹脂２１の残余部分２４を薄くしたいときには、テンプレート３０のパターン形成面の接触角を相対的に小さくし、残余部分２４を厚くしたいときには、テンプレート３０のパターン形成面の接触角を相対的に大きくする。この点の詳細については後述する。
【００３２】
図２（ｄ）は、テンプレート基板接近工程の一例を示した図である。テンプレート基板接近工程では、分離樹脂２１を保持したテンプレート３０を対象基板４０に接近させて分離樹脂２１を対象基板４０に接触させる。ここで、分離樹脂２１は、残余部分２４が非常に薄いため、残余部分２４が小さい状態で対象基板４０上に形状パターン３１が形成される。なお、この時、テンプレート３０には、対象基板４０に押圧する程度の圧力を印加してもよい。
【００３３】
図２（ｅ）は、硬化工程の一例を示した図である。硬化工程では、周囲からの紫外線の照射等により、分離樹脂２１が硬化される。なお、樹脂２０の種類により、硬化工程による硬化処理が選択される。例えば、樹脂２０がＵＶ硬化樹脂の場合には、硬化工程では紫外線照射が行われる。一方、例えば樹脂２０が熱硬化樹脂の場合には、硬化工程では加熱処理が行われる。以後、本実施形態においては、樹脂２０がＵＶ硬化樹脂であり、硬化工程は紫外線照射により行われる例を挙げて説明する。硬化工程の実行により、分離樹脂２１が硬化し、対象基板４０上に分離樹脂２１の形状パターンが形成される。
【００３４】
図２（ｆ）は、離型工程の一例を示した図である。離型工程では、テンプレート３０を対象基板４０から離間させる。テンプレート３０を対象基板４０から離間させると、対象基板４０の表面には、形状パターン３１により形成された分離樹脂２１のパターンが転写形成されている。残余部分２４は非常に薄いため、その後のエッチング工程で、残余部分２４を容易に除去することができる。また、逆に、残余部分２４を厚く形成した場合には、十分な厚さの残余部分２４の上にパターンを転写形成することができる。
【００３５】
このように、本実施形態に係るインプリント方法によれば、対象基板４０上に形成される転写パターンの残余部分２１の厚さを用途に応じて適切に調整し、用途に応じた転写パターンの形成を行うことができる。
【００３６】
図３は、本発明の実施形態に係るインプリント方法のテンプレート離間工程で行われる液体分離の内容の一例を説明するための図である。図３（ａ）は、ダミー基板１２とテンプレート３２とが同じ表面張力を有する場合の液体分離モデルを示した図である。図３（ａ）において、ダミー基板１２とテンプレート３２との間に樹脂２０が供給されているが、ダミー基板１２とテンプレート３２はともにシリコンで構成されており、双方とも表面処理が施されていないか、又は同一の表面処理が施されており、両者の表面張力が同じ場合の液体分離モデルが示されている。
【００３７】
ダミー基板１２とテンプレート３２の表面が同じ表面張力を有するときには、テンプレート３２をダミー基板１２から分離して図２（ｃ）で説明したテンプレート離間工程を実施すると、樹脂２０は、分離線２５を境界として分離樹脂２１と分離樹脂２２とに分離される。このとき、重力の影響で、ダミー基板１２に保持される分離樹脂２２の樹脂量の方が、テンプレート３２に保持される分離樹脂２２の樹脂量よりも多くなる。具体的には、分離樹脂２２と分離樹脂２１との樹脂量比は、５５：４５（＝１１：９）となる。
【００３８】
このように、下側に配置されたダミー基板１２に保持される分離樹脂２２の樹脂量を、上側に配置されたテンプレート３２よりもやや多くし、５５：４５程度の比率としたい場合には、ダミー基板１２とテンプレート３２との表面張力又は接触角が等しくなるように調整すればよい。この場合、同じ材料でダミー基板１２及びテンプレート３２を構成し、双方の樹脂２０が供給される面について、表面処理を何ら施さないか、同一の表面処理を施すようにすればよい。または、ダミー基板１２とテンプレート３２とで異なる材料を用いるが、両者の樹脂２０が供給される面の表面張力又は接触角が同じになるように表面処理を施せばよい。その場合、ダミー基板１２又はテンプレート３２のいずれか一方のみに表面処理を施してもよいし、両者に異なる表面処理を施すようにしてもよい。
【００３９】
図３（ｂ）は、ダミー基板１３とテンプレート３３とが異なる表面張力を有する場合の液体分離モデルを示した図である。図３（ｂ）において、図３（ａ）と同様にダミー基板１３とテンプレート３３との間に樹脂２０が供給されており、ダミー基板１３とテンプレート３３はともにシリコンで構成されているが、ダミー基板１３の表面には撥水処理は施されておらず、テンプレート３３の樹脂２０と接触する面（パターン形成面）には撥水処理が施されており、両者の表面張力が異なる場合の液体分離モデルが示されている。テンプレート３３の表面に撥水処理を施すと、表面の濡れ性が低下し、接触角を大きくすることができる。この場合、（１）式に示されるように、テンプレート３３の表面張力は低下することになる。
【００４０】
そうすると、相対的に下側のダミー基板１３の表面張力の方が、上側のテンプレート３３の表面張力よりも大きくなり、ダミー基板１３の方が樹脂２０を引き付ける力が大きくなる。そうすると、樹脂２０は、ダミー基板１３に近い位置で分離し、分離線２５は、テンプレート３３よりもダミー基板１３に近い位置となる。その結果、テンプレート３３が保持する分離樹脂２１の樹脂量が、ダミー基板１３が保持する分離樹脂２２の樹脂量よりも多くなる。これは、重力の影響よりも、ダミー基板１３とテンプレート３３との表面張力又は接触角の影響の方がはるかに大きく、ダミー基板１３とテンプレート３３の樹脂接触面の表面張力又は接触角の相対的大小関係を調整することにより、テンプレート３３に保持させる分離樹脂２１の量を制御できることを意味する。
【００４１】
表１は、図３（ａ）、（ｂ）で説明した液体分離モデルを実施した検証結果である。
【００４２】
【表１】
2016054268.tif 000003
表１において、実施例１が図３（ａ）の場合に対応し、実施例２が図３（ｂ）の馬場合に対応している。なお、表１に示した実施例１、２では、表面に形状パターン３１が形成されたテンプレート３２、３３は用いずに、上下とも表面が平坦な基板を用いて行った。よって、テンプレート３２、３３及びダミー基板１２、１３という表記は用いずに、上側の基板を上基板、下側の基板を下基板と表記している。
【００４３】
図３（ａ）に対応する実施例１については、上基板、下基板ともにシリコン基板を用いた。上基板、下基板とも表面処理を特に施していないため、表面張力は双方とも大きく、樹脂２０との接触角は、双方とも９．２°であった。また、上基板と下基板との液体分離比率は上基板が４５％、下基板が５５％であり、図３（ａ）で説明した通り、重力の影響で、下基板が保持した分離樹脂２２の方が、上基板が保持した分離樹脂２１よりも樹脂量が多かった。
【００４４】
図３（ｂ）に対応する実施例２においては、上基板にシリコン基板の表面に撥水処理を施した撥水処理基板、下基板に表面処理を施していないシリコン基板を用いた。上基板は、表面に撥水処理を施しているため、表面張力は小さく、樹脂２０との接触角も７６．１°と大きい値に調整された。一方、下基板は、実施例１と同様、表面処理を施していないシリコン基板であるため、表面張力は大きく、樹脂２０との接触角は９．２°であった。上基板と下基板とで樹脂２０を上下に挟むように配置してから上基板を分離させたところ、液体分離比率は、上基板が５４％、下基板が４６％であり、上基板が保持した分離樹脂２１の方が、下基板が保持した分離樹脂２２よりも樹脂量が多かった。
【００４５】
このように、実際の検証実験を行った実施例１、実施例２において、図３（ａ）、（ｂ）と合致する結果が得られ、テンプレート３２、３３が保持する分離樹脂２１とダミー基板１２、１３が保持する分離樹脂２２は、樹脂２０と接触する表面の表面張力又は接触角の相対的大小関係で制御可能であることが示された。
【００４６】
なお、図３（ｂ）においては、テンプレート３３の樹脂接触面の表面張力をダミー基板１３の樹脂接触面の表面張力よりも小さくし、テンプレート３３に保持させる分離樹脂２１の量を多くしている例を挙げているが、この例と反対とすることも当然に可能である。つまり、ダミー基板１３の樹脂接触面の表面張力をテンプレート３３の樹脂接触面の表面張力よりも小さくし、テンプレート３３に保持させる分離樹脂２１の樹脂量を小さくすることも可能である。この場合、図３（ａ）の場合よりも更に、テンプレート３３が保持する分離樹脂２１の量が少なくなる。これにより、図２（ｃ）で説明したテンプレート分離工程において、テンプレート３３に保持させる分離樹脂２１の樹脂量を低減し、残余部分２４の厚さを薄くすることができる。ダミー基板１３の表面張力を小さくするためには、ダミー基板１３の樹脂接触面の表面を撥水処理してもよいし、ダミー基板１３の表面張力がテンプレート３３の表面張力よりも小さくなるような材料の選択を行ってもよい。
【００４７】
表２は、図２（ｃ）で説明したテンプレート離間工程において、テンプレート３０に保持させる分離樹脂２１を減少させたいか増加させたいかに応じて、テンプレート３０とダミー基板１０の材料、接触角をどのように調整するかの例を示した表である。
【００４８】
【表２】
2016054268.tif 000004
表２に示されるように、テンプレート３０が保持する分離樹脂２１の残余部分２４（表中では、「残膜」と呼ぶ。）を減少させたい場合（表２、上段参照）、テンプレート３０の材料は、例えば、透明なエポキシ樹脂等を用いてもよい。そして、保持体であるダミー基板１０の材料としては、レプリカ同種基板、テフロン基板、表面を撥水処理したシリコン等の他の基板を用いることができる。テフロンは表面の撥水性が高い材料であり、接触角が大きく、表面張力が小さい。よって、テフロン基板を用いることにより、テンプレート３０の表面張力を相対的に大きくし、テンプレート３０の分離樹脂２１の保持量を低減させることができる。また、シリコン基板等、他の材料の基板の場合も、表面を撥水処理すれば、撥水性を高め、接触角を大きくすることができるので、種々の基板を撥水処理してテンプレート３０として用いることができる。
【００４９】
また、逆に、テンプレート３０に保持させる分離樹脂２１の残余部分２４（残膜）を多くしたい場合には、テンプレート３０には透明なエポキシ樹脂を用い、この表面を撥水処理してもよい。これにより、テンプレート３０の表面張力を低下させるとともに接触角を増加させ、テンプレート３０が保持する分離樹脂２１の樹脂量を低減させることができる。また、この場合、ダミー基板１０としては、シリコン基板や、ガラス基板を用いてもよい。シリコン、ガラス等の材料は、表面張力が大きい材料であるので、テンプレート３０の方に分離樹脂２１を多く保持させることができる。
【００５０】
このように、本発明の実施形態に係るインプリント方法では、樹脂２０と接触するダミー基板１０及びテンプレート３０につき、樹脂２０の保持量を少なくしたい方の接触角を相対的に大きくするとともに、表面張力を相対的に小さくすることにより、テンプレート３０の分離樹脂２１の保持量を制御することができる。これにより、半導体プロセス、固体撮像素子のレンズパターンの形成、インプリント用レプリカの作製等、用途に応じた残余部分２４の厚さを有する基板４０上へのパターン転写を行うことができる。
【００５１】
〔第２の実施形態〕
図４は、本発明の第２の実施形態に係るインプリント方法の一例について説明するための図である。図４（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係るインプリント方法のテンプレート樹脂接触工程の一例を示した図である。
【００５２】
第２の実施形態に係るインプリント方法は、工程全体の流れとしては、図２において説明した第１の実施形態に係るインプリント方法と同様である。第２の実施形態に係るインプリント方法では、図４（ａ）に示すように、図２（ｂ）で説明したテンプレート樹脂接触工程において、ローラ５０を用いたローラプレスにより、樹脂２０の厚さを制御する。即ち、テンプレート３０を樹脂２０に接触させるテンプレート樹脂接触工程を行う際、ローラ５０を用いてテンプレート３０の上面を押圧し、樹脂２０を押し延ばして樹脂２０の残余部分２３の厚みを薄くする。なお、ローラプレスを行う際のローラ５０の圧力、回転数は用途に応じて種々の設定としてよいが、例えば、圧力を１ＭＰａ、回転速度を１００ｒｐｍに設定してもよい。また、ローラ５０の材質、大きさ等も、用途に応じて適切なローラ５０を用いることができる。
【００５３】
図４（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係るインプリント方法のテンプレート離間工程の一例を示した図である。テンプレート離間工程では、図２（ｃ）で説明したテンプレート離間工程と同様に、テンプレート３０をダミー基板１０及び樹脂２０から離間させるが、その際、テンプレート３０は分離樹脂２１、ダミー基板１０は分離樹脂２２を保持するが、ローラプレスにより、残余部分２３が薄くなっているので、分離樹脂２１、２２の厚さを薄くすることができる。
【００５４】
図５は、本発明の第２の実施形態に係るインプリント方法の検証結果を示した図である。６点を選択し、膜厚を測定したが、そのうち５点が５００ｎｍ未満の膜厚で、総てが６００ｎｍ未満の膜厚であった。よって、ローラプレスにより、樹脂２０の厚みを制御し、押し延ばして薄くすることが可能であることが示された。なお、他の工程は、第１の実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００５５】
〔第３の実施形態〕
図６は、本発明の第３の実施形態に係るインプリント方法の一例について説明するための図である。図６（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係るインプリント方法のテンプレート基板接近工程の一例を示した図である。
【００５６】
第３の実施形態に係るインプリント方法は、工程全体の流れとしては、図２において説明した第１の実施形態に係るインプリント方法と同様である。第３の実施形態に係るインプリント方法では、図６（ａ）に示すように、図２（ｄ）で説明したテンプレート基板接近工程において、ローラ５１及びゴムシート６０を用いたローラプレスにより、分離樹脂２１を押し延ばし、テンプレート３０の形状パターン３１の溝パターン内に隙間なく分離樹脂２１を充填する。即ち、分離樹脂２１を保持したテンプレート３０を対象基板４０に接近させて分離樹脂２１を対象基板４０に接触させるテンプレート基板接近工程を行う際、テンプレート３０の上面にゴムシート６０を配置し、ゴムシート６０を介してローラ５１によりテンプレート３０を押圧し、分離樹脂２１を押し延ばし、テンプレート３０の形状パターン３１内に隙間無く分離樹脂２１を充填する。これにより、極めて少量の分離樹脂２１を用いてインプリントを行うことができ、転写される分離樹脂２１の形状パターンの面内分布を改善し、均一化することができる。なお、ローラプレスを行う際のローラ５１の圧力、回転数は用途に応じて種々の設定としてよいが、例えば、圧力を３ＭＰａ、回転速度を１００ｒｐｍに設定してもよい。
また、ゴムシート６０も種々の弾性、厚さを有するゴムシート６０を用いることができるが、例えば、厚さ１ｍｍのゴムシートを用いてもよい。更に、ローラ５０の材質、大きさ等も、用途に応じて適切なローラ５０を用いることができる。
【００５７】
図６（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係るインプリント方法の硬化工程の一例を示した図である。硬化工程では、図２（ｅ）で説明した硬化工程と同様に、外部から紫外線を照射するが、テンプレート３０の形状パターン３１内に隙間なく分離樹脂２１が充填した状態で、対象基板４０上にパターン転写を行うことができる。
【００５８】
図６（ｃ）は、本発明の第３の実施形態に係るインプリント方法の離型工程の一例を示した図である。離型工程では、テンプレート３０が対象基板４０から離間されるが、テンプレート３０の形状パターン３１内に隙間なく分離樹脂２１が充填した状態で硬化を行ったので、対象基板４０上に面内分布が改善されたパターンが転写される。
【００５９】
図７は、実施形態３に係るインプリント方法の検証実験の実施結果を示した図である。検証実験では、対象基板４０の下側、左側、中心箇所、右側、上方の５箇所を測定点とし、転写されたパターンの膜厚測定を行った。図７に示すように、５箇所とも、３５０ｎｍ付近の略一定の膜厚を得ることができた。
【００６０】
このように、第３の実施形態に係るインプリント方法は、転写パターンの面内分布を均一化する効果を有することが示された。なお、他の工程は、第１の実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００６１】
〔インプリント装置〕
図８は、本発明の実施形態に係るインプリント装置の一例を示した図である。第１乃至第３の実施形態では、インプリント方法について説明したが、本実施形態では、第１乃至第３の実施形態に係るインプリント方法を実施することが可能なインプリント装置の一例について説明する。
【００６２】
図８に示されるように、本実施形態に係るインプリント装置は、ロード・アンロードポート７０と、搬送モジュール８０と、インプリントモジュール９０と、制御器１００とを備える。ロード・アンロードポート７０と、搬送モジュール８０と、インプリントモジュール９０は、例えば、一体的に構成される。制御器１００は、ロード・アンロードポート７０、搬送モジュール８０及びインプリントモジュール９０と電気的に接続されて構成され、物理的にはこれらと一体的に構成されてもよいし、離間されて構成されてもよい。
【００６３】
ロード・アンロードポート７０は、基板の搬入・搬出を行うための領域である。例えば、基板が、ＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）等のカセット（図示せず）内に複数枚収納され、カセットをロード・アンロードポート７０に設置することにより、搬送モジュール８０内に設置された搬送装置により、基板の搬入・搬出が行われる。
【００６４】
搬送モジュール８０は、ロード・アンロードポート７０内に設置されたカセットにアクセスし、基板を搬入・搬出するとともに、インプリントモジュール９０とロード・アンロードポート７０間の基板の搬送を行う。
【００６５】
インプリントモジュール９０は、本発明の第１乃至３の実施形態に係るインプリント方法を実施するための装置モジュールである。インプリントモジュール９０内の構成については、後述する。
【００６６】
制御器１００は、ロード・アンロードポート７０、搬送モジュール８０及びインプリントモジュール９０の全体を含めてインプリント装置を制御するための制御手段である。制御器１００は、例えば、ユーザインターフェース部１０１と、プロセスコントローラ１０２と、記憶部１０３とを備えてよい。
【００６７】
ユーザインターフェース部１０１は、工程管理者がインプリント装置を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、インプリント装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００６８】
プロセスコントローラ１０２は、ＣＰＵ（中央処理装置、Central Processing Unit）を備え、記憶部１０３に記憶されたプログラムを読み込み、種々の制御を実施する。
【００６９】
記憶部１０３には、インプリント装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ１０２の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部１０１からの指示等にて任意のレシピを記憶部１０３から呼び出してプロセスコントローラ１０２に実行させることで、プロセスコントローラ１０２の制御下で、インプリント装置での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能な記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００７０】
図９は、インプリントモジュール９０内に設けられる樹脂供給ユニット９１の一例を示した図である。樹脂供給ユニット９１は、図２（ａ）で説明した樹脂供給工程を実施するための装置ユニットである。樹脂供給ユニット９１は、図２（ａ）で説明した樹脂供給工程を実施できれば、種々の構成とすることができるが、例えば、処理室９２と、回転ステージ９３と、スプレーノズル９４とを備えてもよい。回転ステージ９３上にダミー基板１０を載置し、回転ステージ９３を回転させながら、スプレーノズル９４から噴霧により樹脂２０をダミー基板１０上に供給する構成であってもよい。スプレーノズル９４を用いてスプレー供給により樹脂供給を行うことにより、樹脂２０の供給量を低減することができる。なお、用途により、スプレーノズル９４ではなく、通常のノズルを用いて、樹脂２０をダミー基板１０の中央領域に滴下し、回転ステージ９３の回転によるスピンコートで樹脂２０の供給を行ってもよいことは言うまでも無い。
【００７１】
図１０は、インプリントモジュール内に設けられるインプリントユニット９５の一例を示した図である。インプリントユニット９５は、例えば、処理室９６と、ステージ９７ａ、９７ｂと、テンプレート保持部９８と、ＵＶ光源９９とを備える。
【００７２】
ステージ９７ａは、ダミー基板１０を保持する手段であり、ステージ９７ｂは、対象基板４０を保持するための手段である。テンプレート保持部９８は、テンプレート３０を保持するとともに、テンプレート３０を上下動させ、テンプレート３０を樹脂２０に接触させたり、ダミー基板１０から離間させたりする。つまり、ステージ９７ａ上に樹脂２０が供給されたダミー基板１０を保持し、テンプレート３０を下降させてテンプレート樹脂接触工程、上層させてテンプレート離間工程を実行することができる。
【００７３】
ここで、第１乃至第３の実施形態で説明したように、テンプレート３０とダミー基板１０の表面の接触角を、所定の大小関係としておくことにより、分離樹脂２１の残余部分２４の厚さを所望の厚さに調整することができる。
【００７４】
テンプレート離間工程後は、テンプレート保持部９８がステージ９７ｂ上に移動するか、ステージ９７ｂがステージ９７ａのあった位置に移動することにより、テンプレート基板接近工程を実施することができる。次いで、ＵＶ光源９９を発光させ、紫外線照射を行えば、硬化工程を行うことができる。硬化工程終了後は、テンプレート保持部９８を上昇させて離型工程を行えば、対象基板４０上に、所望の厚さの残余部分２４を有するパターンが転写されていることになる。
【００７５】
なお、インプリントユニット９５内に、テンプレート保持部９８を押圧するローラ５０、５１や、ゴムシート６０等を更に備えることにより、第２及び第３の実施形態に係るインプリント方法も実施可能である。
【００７６】
以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施形態及び実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００７７】
１０、１２、１３    ダミー基板（保持体）
２０、２１、２２    樹脂
３０、３２、３３    テンプレート
３１    形状パターン
４０    対象基板
５０、５１    ローラ
６０    ゴムシート
９０    インプリントモジュール
９４    スプレーノズル
９６、９７    ステージ
９８    テンプレート保持部
９９    ＵＶ光源
１００    制御部
【図１】
2016054268.tif 000005
【図２】
2016054268.tif 000006
【図３】
2016054268.tif 000007
【図４】
2016054268.tif 000008
【図５】
2016054268.tif 000009
【図６】
2016054268.tif 000010
【図７】
2016054268.tif 000011
【図８】
2016054268.tif 000012
【図９】
2016054268.tif 000013
【図１０】
2016054268.tif 000014