(57)【要約】【課題】高耐圧の半導体装置を提供することである。【解決手段】実施形態の半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板の上に設けられ、第１窒化アルミニウム含有層と、第２窒化アルミニウム含有層と、前記第１窒化アルミニウム含有層と前記第２窒化アルミニウム含有層との間において、窒化アルミニウム含有層、窒化ガリウム含有層、および窒化アルミニウムガリウム含有層の中の少なくとも２つの層が前記第１窒化アルミニウム含有層から前記第２窒化アルミニウム含有層に向かって交互に積層されて超格子をなす積層膜と、を有する多層膜と、前記多層膜の上に設けられた第１窒化ガリウム含有層と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板の上に設けられ、第１窒化アルミニウム含有層と、第２窒化アルミニウム含有層と、前記第１窒化アルミニウム含有層と前記第２窒化アルミニウム含有層との間において、窒化アルミニウム含有層、窒化ガリウム含有層、および窒化アルミニウムガリウム含有層の中の少なくとも２つの層が前記第１窒化アルミニウム含有層から前記第２窒化アルミニウム含有層に向かって交互に積層されて超格子をなす積層膜と、を有する多層膜と、
前記多層膜の上に設けられた第１窒化ガリウム含有層と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記第１窒化アルミニウム含有層の膜厚は、１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２窒化アルミニウム含有層の膜厚は、１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記積層膜においては、前記シリコン基板から前記第１窒化ガリウム含有層に向かう方向に、第３窒化アルミニウム含有層と第２窒化ガリウム含有層とが交互に配列されている請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記積層膜においては、前記シリコン基板から前記第１窒化ガリウム含有層に向かう方向に、第１窒化アルミニウムガリウム含有層と第３窒化ガリウム含有層とが交互に配列されている請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記積層膜においては、前記シリコン基板から前記第１窒化ガリウム含有層に向かう方向に、第２窒化アルミニウムガリウム含有層と第３窒化アルミニウムガリウム含有層とが交互に配列されている請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１窒化ガリウム含有層の膜厚は、１μｍ以上、１０μｍ以下である請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１窒化ガリウム含有層は、
前記多層膜の上に設けられた第４窒化アルミニウムガリウム含有層と、
前記第４窒化アルミニウムガリウム含有層の上に設けられた第４窒化ガリウム含有層と、
前記第４窒化ガリウム含有層の上に設けられた第５窒化アルミニウムガリウム含有層と、
を有する請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記多層膜の上に設けられた第１電極と、
前記多層膜の上に設けられ、前記第１電極に並ぶ第２電極と、
前記多層膜の上に設けられ、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた第３電極と、
をさらに備えた請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１０】
シリコン基板の上に、第１窒化アルミニウム含有層と、第２窒化アルミニウム含有層と、前記第１窒化アルミニウム含有層と前記第２窒化アルミニウム含有層との間に設けられ、窒化アルミニウム含有層、窒化ガリウム含有層、および窒化アルミニウムガリウム含有層の中の少なくとも２つが交互に配置れた積層膜と、を有する多層膜を形成する工程と、
前記多層膜の上に第１窒化ガリウム含有層を形成する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム系ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）等の半導体装置では、基板の上に複数の窒化ガリウム含有層が積層されている。そして、この積層体の上にソース電極が設けられ、ソース電極の横にドレイン電極が設けられている。また、ソース電極とドレイン電極との間には、ゲート電極が設けられている。そして、このような半導体装置では、横方向だけでなく、その縦方向において高い耐圧が求められる。
【０００３】
ここで、半導体装置の低コスト化を図るために、基板として安価なシリコン基板を用いる場合がある。また、シリコン基板の上に積層体を形成する際には、シリコン基板と積層体との間にバッファ層としての窒化アルミニウム層を予め形成する場合がある。そして、縦方向における耐圧を増加させる方法としては、窒化アルミニウム層および積層体の厚さをなるべく厚くする方法がある。
【０００４】
しかし、窒化アルミニウム層の厚膜化を図り、その膜厚が所定の膜厚以上になると、積層体の成長時に積層体自体が圧縮応力を蓄えることができなくなってしまう。これにより、積層体の温度が成長時の温度から常温に移行したときに、積層体内に欠陥が発生する可能性がある。このような積層体を用いて半導体装置を形成すると、半導体装置内にも欠陥が残存し、半導体装置の耐圧が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２５８００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、高耐圧の半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板の上に設けられ、第１窒化アルミニウム含有層と、第２窒化アルミニウム含有層と、前記第１窒化アルミニウム含有層と前記第２窒化アルミニウム含有層との間において、窒化アルミニウム含有層、窒化ガリウム含有層、および窒化アルミニウムガリウム含有層の中の少なくとも２つの層が前記第１窒化アルミニウム含有層から前記第２窒化アルミニウム含有層に向かって交互に積層されて超格子をなす積層膜と、を有する多層膜と、前記多層膜の上に設けられた第１窒化ガリウム含有層と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１実施形態に係る積層体構造体の要部に係る模式的断面図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１実施形態に係る超格子構造の模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、参考例に係る積層構造体の製造過程を表す模式的断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は、参考例に係る積層構造体の製造過程を表す模式的断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、第１実施形態に係る積層構造体の製造過程を表す模式的断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１実施形態に係る積層構造体の製造過程を表す模式的断面図である。
【図７】図７は、第２実施形態に係る半導体装置の要部に係る模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
【００１０】
（第１実施形態）  
図１は、第１実施形態に係る積層体構造体の要部に係る模式的断面図である。
【００１１】
第１実施形態に係る半導体装置（以下、例えば、積層体構造体１）は、シリコン基板１０と、複数の層を有する多層膜２０と、複数の層を有する第１窒化ガリウム含有層（以下、例えば、窒化ガリウム含有層３０）と、を備える。積層体構造体１は、例えば、ＨＥＭＴ等に適用される（後述）。また、図１に表す積層体構造体１は、ウェーハの一部の断面である。
【００１２】
積層体構造体１においては、多層膜２０は、シリコン基板１０の上に設けられている。シリコン基板１０の多層膜２０の側の面１０ｕは、一例として、シリコン結晶の（１１１）面である。多層膜２０は、第１窒化アルミニウム含有層（以下、例えば、窒化アルミニウム含有層２１）と、第２窒化アルミニウム含有層（以下、例えば、窒化アルミニウム含有層２２）と、積層膜（以下、例えば、超格子構造体（Super Lattice Structure, SLs）２３）と、を有する。超格子構造体２３は、窒化アルミニウム含有層２１と窒化アルミニウム含有層２２との間に設けられている。窒化ガリウム含有層３０は、多層膜２０の上に設けられている。
【００１３】
また、窒化アルミニウム含有層２１、２２の存在により、窒化ガリウム含有層３０とシリコン基板１０とが直接接しないことになる。これにより、積層体構造体１内でのガリウム（Ｇａ）とシリコン（Ｓｉ）との反応が抑えられる。ここで、窒化アルミニウム含有層２１の膜厚は、例えば、１０ｎｍ（ナノメートル）以上、３００ｎｍ以下である。窒化アルミニウム含有層２２の膜厚は、例えば、１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である。
【００１４】
超格子構造体２３は、層２５と層２６とを有する。超格子構造体２３においては、シリコン基板１０から窒化ガリウム含有層３０に向かう方向（例えば、図１のＺ方向）に層２５と層２６とが交互に配列されている。層２５と層２６との組数は、例えば、１０以上、１００以下である。超格子構造体２３の厚さは、例えば、０．１μｍ以上、５μｍ以下である。
【００１５】
窒化ガリウム含有層３０は、第４窒化アルミニウムガリウム含有層（以下、例えば、窒化アルミニウムガリウム含有層３１）と、第４窒化ガリウム含有層（以下、例えば、窒化ガリウム含有層３２）と、第５窒化アルミニウムガリウム含有層（以下、例えば、窒化アルミニウムガリウム含有層３３）と、を有する。
【００１６】
ここで、窒化アルミニウムガリウム含有層３１は、多層膜２０の上に設けられている。なお、窒化アルミニウムガリウム含有層３１は、取り除いてもよい。窒化ガリウム含有層３２は、窒化アルミニウムガリウム含有層３１の上に設けられている。窒化アルミニウムガリウム含有層３３は、窒化ガリウム含有層３２の上に設けられている。窒化ガリウム含有層３０の膜厚は、例えば、１μｍ以上、１０μｍ以下である。
【００１７】
図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１実施形態に係る超格子構造の模式的断面図である。
【００１８】
超格子構造体２３に含まれる層２５と層２６の組み合わせは、図２（ａ）に表す超格子構造体２３Ａと、図２（ｂ）に表す超格子構造体２３Ｂと、図２（ｃ）に表す超格子構造体２３Ｃと、を有する。超格子構造体２３においては、窒化アルミニウム含有層２１から窒化アルミニウム含有層２２に向かって、窒化アルミニウム含有層、窒化ガリウム含有層、および窒化アルミニウムガリウム含有層の中の少なくとも２つが交互に配置され、超格子となっている。
【００１９】
図２（ａ）に表す超格子構造体２３Ａにおいては、Ｚ方向に、第３窒化アルミニウム含有層（以下、例えば、窒化アルミニウム含有層２５Ａ）と、第２窒化ガリウム含有層（以下、例えば、窒化ガリウム含有層２６Ａ）と、が交互に配列されている。
【００２０】
図２（ｂ）に表す超格子構造体２３Ｂにおいては、Ｚ方向に、第１窒化アルミニウムガリウム含有層（以下、例えば、窒化アルミニウムガリウム含有層２５Ｂ）と、第３窒化ガリウム含有層（以下、例えば、窒化ガリウム含有層２６Ｂ）と、が交互に配列されている。
【００２１】
図２（ｃ）に表す超格子構造体２３Ｃにおいては、Ｚ方向に、第２窒化アルミニウムガリウム含有層（以下、例えば、窒化アルミニウムガリウム含有層２５Ｃ）と、第３窒化アルミニウムガリウム含有層（以下、例えば、窒化アルミニウムガリウム含有層２６Ｃ）と、が交互に配列されている。窒化アルミニウムガリウム含有層２５Ｃの組成と、窒化アルミニウムガリウム含有層２６Ｃの組成とは、同じでもよく異なってもよい。
【００２２】
第１実施形態に係る積層構造体１の製造過程を説明する前に、参考例に係る積層構造体の製造過程を説明する。
【００２３】
図３（ａ）〜図４（ｃ）は、参考例に係る積層構造体の製造過程を表す模式的断面図である。
【００２４】
参考例に係る製造過程では、第１実施形態に係る超格子構造体２３と、窒化アルミニウム含有層２２と、を形成せずに製造過程を進行させる。なお、エピタキシャル成長時の成長温度は、例えば、９００℃〜１１００℃である。
【００２５】
例えば、図３（ａ）に表すように、ウェーハ状のシリコン基板１０の上に窒化アルミニウム含有層２１をエピタキシャル成長させる。
【００２６】
ここで、窒化アルミニウム結晶の格子定数は、シリコン結晶の格子定数に比べて小さい。従って、図３（ｂ）に表すように、エピタキシャル成長が進むと、成長中には窒化アルミニウム含有層２１内に引張応力が働きつつ、窒化アルミニウム含有層２１の格子定数が窒化アルミニウム結晶の本来の格子定数に戻ろうとする。これにより、ウェーハは、下側に凸に反る。この反りの程度は、窒化アルミニウム含有層２１の膜厚が厚くなるほど大きくなる。
【００２７】
但し、図３（ｃ）に表すように、窒化アルミニウム含有層２１の膜厚が臨界膜厚（３００ｎｍ以上から５００ｎｍ以上の膜厚）に達すると、窒化アルミニウム含有層２１が引張応力を蓄えられずに、窒化アルミニウム含有層２１の一部に欠陥が発生する場合がある。このような場合、窒化アルミニウム含有層２１の表面層の格子定数は、一定の値にならない場合がある。また、このままの状態で、窒化アルミニウム含有層２１の膜厚を増加させても、窒化アルミニウム含有層２１の引張応力が緩和してしまう。
【００２８】
次に、図４（ａ）に表すように、窒化アルミニウム含有層２１の上に、窒化アルミニウムガリウム含有層３１をエピタキシャル成長させる。続いて、図４（ｂ）に表すように、窒化ガリウム含有層３２、窒化アルミニウムガリウム含有層３３をエピタキシャル成長させる。これにより、窒化アルミニウム含有層２１の上に窒化ガリウム含有層３０が形成される。
【００２９】
ここで、窒化ガリウム結晶の格子定数は、窒化アルミニウム結晶の格子定数に比べて大きい。従って、図４（ｂ）に表すように、窒化ガリウム含有層３０の成長中には窒化ガリウム含有層３０内に圧縮応力が働きつつ、窒化ガリウム含有層３０の格子定数が窒化ガリウム結晶の本来の格子定数に戻ろうとする。これにより、ウェーハは、上側に凸に反る。但し、参考例では、窒化アルミニウム含有層２１の表面層の格子定数が一定の値になっていない場合があり、窒化ガリウム含有層３０の成長中には窒化ガリウム含有層３０内に充分な圧縮応力が印加されない場合がある。
【００３０】
次に、窒化ガリウム含有層３０のエピタキシャル成長を終了し、ウェーハ全体の温度をエピタキシャル成長時の温度から常温に降下させる。ここで、窒化ガリウム結晶の熱膨張係数は、シリコン結晶の熱膨張係数に比べて大きい。
【００３１】
従って、図４（ｃ）に表すように、窒化ガリウム含有層３０は、シリコン基板１０に比べて大きく収縮し、ウェーハは、下側に凸に反る。また、窒化ガリウム含有層３０の収縮により、エピタキシャル成長時に窒化ガリウム含有層３０内に蓄えられていた圧縮応力は著しく減退する。そして、ウェーハが下側に凸に反ったことから、窒化ガリウム含有層３０内には、常温で引張応力が印加された状態となり、窒化ガリウム含有層３０に欠陥３０ｃｒが発生する可能性がある。
【００３２】
これに対して、図５（ａ）〜図６（ｃ）は、第１実施形態に係る積層構造体の製造過程を表す模式的断面図である。
【００３３】
例えば、図５（ａ）に表すように、ウェーハ状のシリコン基板１０の上に窒化アルミニウム含有層２１をエピタキシャル成長させる。上述したように、窒化アルミニウム結晶の格子定数は、シリコン結晶の格子定数に比べて小さい。このため、成長中には窒化アルミニウム含有層２１内に引張応力が働きつつ、窒化アルミニウム含有層２１の格子定数が窒化アルミニウム結晶の本来の格子定数に戻ろうとする。これにより、ウェーハは、下側に凸に反る。
【００３４】
但し、第１実施形態では、窒化アルミニウム含有層２１の膜厚が臨界膜厚に達する前に、窒化アルミニウム含有層２１の成長を停止する。
【００３５】
次に、図５（ｂ）に表すように、窒化アルミニウム含有層２１の上に、超格子構造２３をエピタキシャル成長させる。超格子構造２３を窒化アルミニウム含有層２１の上に設けたことにより、窒化アルミニウム含有層２１に働く引張応力が一旦緩和する。
【００３６】
次に、図５（ｃ）に表すように、超格子構造２３の上に窒化アルミニウム含有層２２をエピタキシャル成長させる。但し、第１実施形態では、窒化アルミニウム含有層２２の膜厚が臨界膜厚に達する前に、窒化アルミニウム含有層２２の成長を停止する。これにより、シリコン基板１０の上に多層膜２０が形成される。
【００３７】
ここで、窒化アルミニウム含有層２１、２２はともに引張応力を保持している。また、超格子構造２３上に、臨界膜厚に至っていない単層の窒化アルミニウム含有層２２が設けられる。
【００３８】
次に、図６（ａ）に表すように、多層膜２０の上に、窒化アルミニウムガリウム含有層３１をエピタキシャル成長させる。続いて、図６（ｂ）に表すように、窒化ガリウム含有層３２、窒化アルミニウムガリウム含有層３３をエピタキシャル成長させる。これにより、多層膜２０の上に窒化ガリウム含有層３０が形成される。
【００３９】
ここで、窒化ガリウム結晶の格子定数は、窒化アルミニウム結晶の格子定数に比べて大きい。従って、図６（ｂ）に表すように、窒化ガリウム含有層３０の成長中には窒化ガリウム含有層３０内に圧縮応力が働きつつ、窒化ガリウム含有層３０の格子定数が窒化ガリウム結晶の本来の格子定数に戻ろうとする。これにより、ウェーハは、上側に凸に反る。
【００４０】
次に、窒化ガリウム含有層３０のエピタキシャル成長を終了し、ウェーハ全体の温度をエピタキシャル成長時の温度から常温に降下させる。ここで、窒化ガリウム含有層３０の下地である窒化アルミニウム含有層２１、２２内には、エピタキシャル成長時に引張応力が残存している。また、窒化アルミニウム含有層２２の表面層の格子定数は、略一定になる。つまり、窒化ガリウム含有層３０は、窒化ガリウム含有層３０の成長中に充分な圧縮応力を保持する。
【００４１】
従って、窒化ガリウム含有層３０が収縮しても、ウェーハは、上側に凸の状態を維持する。この状態を、図６（ｃ）に表す。
【００４２】
つまり、第１実施形態では、ウェーハが下側に凸に反らないことから、窒化ガリウム含有層３０内には、常温で引張応力が印加された状態にならず、欠陥３０ｃｒが発生し難くなる。これにより、良質な窒化ガリウム含有層３０が得られる。
【００４３】
また、第１実施形態に係る積層構造体１では、窒化アルミニウム含有層２１に比べて膜厚が厚い多層膜２０をシリコン基板１０の上に形成している。このため、積層構造体１ではＺ方向における耐圧が増加している。
【００４４】
（第２実施形態）  
図７は、第２実施形態に係る半導体装置の要部に係る模式的断面図である。
【００４５】
第２実施形態に係る半導体装置１００は、上述した積層構造体１と、積層構造体１の上に設けられた第１電極（以下、例えば、ソース電極５１）と、ソース電極５１に並ぶ第２電極（以下、例えば、ドレイン電極５２）と、ソース電極５１とドレイン電極５２との間に設けられた第３電極（以下、例えば、ゲート電極５０）と、を備える。ゲート電極５０と積層構造体１との間には、ゲート絶縁膜５３が設けられている。半導体装置１００は、ＨＥＭＴである。
【００４６】
ソース電極５１およびドレイン電極５２は、窒化アルミニウムガリウム含有層３３とオーミック接触をしている。ゲート絶縁膜５３は、窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化珪素膜（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかを含む。
【００４７】
多層膜２０および窒化アルミニウムガリウム含有層３１は、ＨＥＭＴのバッファ層として機能している。窒化ガリウム含有層３２は、ＨＥＭＴのキャリア走行層として機能している。窒化アルミニウムガリウム含有層３３は、ＨＥＭＴの障壁層として機能している。窒化アルミニウムガリウム含有層３３は、ノンドープもしくはｎ形のＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層である。窒化ガリウム含有層３２内の窒化ガリウム含有層３２と窒化アルミニウムガリウム含有層３３の界面付近には二次元電子が発生する。
【００４８】
半導体装置１００は、シリコン基板１０と窒化ガリウム含有層３０との間に、膜厚が厚い多層膜２０を備える。このため、Ｚ方向における耐圧が増している。
【００４９】
なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、総括的に、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【００５０】
上記の実施形態では、「部位Ａは部位Ｂの上に設けられている」と表現された場合の「の上に」とは、部位Ａが部位Ｂに接触して、部位Ａが部位Ｂの上に設けられている場合の他に、部位Ａが部位Ｂに接触せず、部位Ａが部位Ｂの上方に設けられている場合との意味で用いられる場合がある。また、「部位Ａは部位Ｂの上に設けられている」は、部位Ａと部位Ｂとを反転させて部位Ａが部位Ｂの下に位置した場合や、部位Ａと部位Ｂとが横に並んだ場合にも適用される場合がある。これは、実施形態に係る半導体装置を回転しても、回転前後において半導体装置の構造は変わらないからである。
【００５１】
以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００５２】
また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。
【００５３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５４】
１  半導体装置、  １０  シリコン基板、  １０ｕ  面、  ２０  多層膜、  ２１  第１窒化アルミニウム含有層、  ２２  第２窒化アルミニウム含有層、  ２３、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ  積層膜、  ２５、２６  層、  ２５Ａ  第３窒化アルミニウム含有層、  ２５Ｂ  第１窒化アルミニウムガリウム含有層、  ２５Ｃ  第２窒化アルミニウムガリウム含有層、  ２６Ａ  第２窒化ガリウム含有層、  ２６Ｂ  第３窒化ガリウム含有層、  ２６Ｃ  第３窒化アルミニウムガリウム含有層、  ３０  第１窒化ガリウム含有層、  ３０ｃｒ  欠陥、  ３１  第４窒化アルミニウムガリウム含有層、  ３２  第４窒化ガリウム含有層、  ３３  第５窒化アルミニウムガリウム含有層、  ５０  第３電極、  ５１  第１電極、  ５２  第２電極、  ５３  ゲート絶縁膜、  １００  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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